Электроника и Электронные Средства Управления

с.п.
голиков
Электроника и
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА
УПРАВЛЕНИЯ
ГЛОНАСС/GPS спутники УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ

GSM сеть сотового
оператора связи
SMS или GPRS

сообщения
Центр оперативного
мониторинга Интернет-сервис
пользователя провайдер
Министерство аграрной политики и продовольствия Украины
Государственное агентство рыбного хозяйства Украины
Керченский государственный морской технологический университет
Кафедра «Электрооборудование судов и автоматизация производства»
С.П. ГОЛИКОВ
Электроника
и
электронные средства
управления
Учебное пособие
для студентов направления 6.070104 «Морской и речной транспорт»

специальности «Эксплуатация судовых энергетических установок»
Киев
Тондор
2018
УДК 004
ББК 32.85
Г 60
Рекомендовано Министерством образования и науки Украины

как учебное пособие для студентов высших учебных заведений
(Письмо №1/11-20155 от 27.12.2012 г.)
Рецензенты:
Н.М.Дворак - кандидат технических наук, доцент, доцент кафедры
ЭСиАП КГМТУ;
Ю.Л. Богомягков - главный инженер ОАО «Судостроительный завод
«Залив».
Автор:
Голиков С.П. - к.т.н., доцент, доцент кафедры ЭСиАП КГМТУ
Голиков С.П.
Г 60 Электроника и электронные средства управления. Учебное пособие:
Научное пособие / Голиков С.П. - К.: Кондор-Издательство, 2018. - 152 с.
ISBN 978-966-2781-79-3
Данный конспект лекций - рабочая программа для изучения дисциплины

«Электроника и электронные средства управления» путем последовательного
освоения теоретического материала и его закрепления на лабораторных и прак
тических занятиях.
Конспект состоит из четырех содержательных модулей. В каждом моду
ле имеются расчетные задания, содержащие исходные данные, методику рас
чета и справочный материал. Выполнение заданий способствует закреплению
теоретического материала. После каждого раздела дается список вопросов для
самоконтроля.
ББК 32.85
ISBN 978-966-2781-79-3 © Голиков С.П., 2013

© Кондор-Издательство, 2013
СОДЕРЖАНИЕ
Введение...........................................................................................................................................7
Содержательный модуль №1. Электронные приборы............................................. 8
1. Пассивные элементы электронных схем................................................................... 8
1.1. Резисторы................................................................................................................................. 8
1.2. Конденсаторы....................................................................................................................... 10
1.3. Катушки индуктивности.................................................................................................. 10
1.4. Трансформаторы................................................................................................................. 10
Контрольные вопросы............................................................................................................... 12
2. Физические основы полупроводниковых приборов.......................................... 12

2.1. Зонная теория твердого тела........................................................................................... 12
2.2. Собственная электропроводность полупроводников............................................13
2.3. Примесные полупроводники..........................................................................................14
2.4. Полупроводниковые резисторы....................................................................................15
2.5. Электронно-дырочный переход..................................................................................... 15
2.5.1. Полупроводниковыйр-л-переход в отсутствие внешних напряжений..... 15
2.5.2. Прямое смещениер-л-перехода................................................................................ 16
2.5.3. Обратное смещениер-л-перехода.............................................................................18
Контрольные вопросы............................................................................................................... 18
3. Полупроводниковые приборы...................................................................................... 19
3.1. Диоды..................................................................................................................................... 19
3.1.1. Выпрямительные диоды............................................................................................... 20
3.1.2. Кремниевые стабилитроны......................................................................................... 23
3.2. Транзисторы....................................................................................................................... 24
3.2.1. Полевые транзисторы.................................................................................................... 25
3.2.1.1. Полевые транзисторы ср-л-переходом.............................................................. 26
3.2.1.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
(М ДП-транзисторы)................................................................................................................... 28
3.2.2. Биполярные транзисторы........................................................................................... 31
3.2.3. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)...................... 35
3.3. Тиристоры............................................................................................................................ 36
3.3.1. Устройство и принцип действия...............................................................................36
3.3.2. Основные параметры тиристоров............................................................................ 38
3.3.3. Симистор..................................................................................................... 39
Контрольные вопросы.............................................................................................................. 40
Расчетное задание №1. Выбор элементов при конструировании
электронных устройств............................................................................................................ 41
Содержательный модуль №2. Усилительные устройства................................... 47

4. Транзисторные усилители.............................................................................................. 47
4.1. Параметры усилителей.................................................................................................... 47
4.2. Усилительные каскады на транзисторах...................................................................47
3
4.2.1. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе ..........................49
4.2.2. Усилительный каскад на полевом транзисторе.................................................. 50
5. Операционный усилитель............................................................................................... 52
5.1. Основные параметры и характеристики.................................................................... 52
5.2. Устройства на базе операционных усилителей....................................................... 54
6. Импульсные устройства................................................................................................... 57
5.1. Работа транзистора в ключевом режиме................................................................... 59
5.2. Усилители импульсных сигналов................................................................................. 61
5.3. Генераторы импульсов на транзисторах.................................................................... 62
5.4. Импульсные устройства на операционных усилителях.......................................64
Расчетное задание №2. Расчет усилительных каскадов с емкостной
связью.............................................................................................................................................. 69
Расчетное задание №3. Расчет импульсного усилителя............................................ 74
Содержательный модуль №3. Цифровые устройства........................................... 80

7. Логические функции и устройства.......................................................................... 80
7.1. Основные логические операции и их реализация.................................................. 80
7.2. Триггеры................................................................................................................................ 82
7.3. Цифровые счетчики импульсов.................................................................................... 85
7.4. Регистры................................................................................................................................ 87
7.5. Дешифраторы....................................................................................................................... 88
7.6. Мультиплексоры................................................................................................................. 90
7.7. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)...................................................... 91
5. Микропроцессоры........................................................................................................... 92
Расчетное задание №4. Синтез логических схем......................................................... 94
Содержательный модуль № 4. Силовая электроника........................................... 96

). Выпрямительные устройства........................................................................................ 96
).1. Однофазные выпрямители на полупроводниковых диодах.............................. 96
).2. Неуправляемые выпрямители трехфазного тока 1.............................................. 102
).2.1. Трехфазная схема выпрямления с нулевым выводом вторичной
збмотки трансформатора....................................................................................................... 103
).2.2. Трехфазная мостовая схема выпрямления (схема Ларионова).................... 106
).3. Управляемые выпрямители..........................................................................................108
).3.1. Однофазный управляемый выпрямитель............................................................ 109
).3.2. Трехфазный управляемый выпрямитель с нулевым выводом
зторичной обмотки трансформатора.................................... 112
4
9.3.3. Трехфазный управляемый мостовой выпрямитель...................................... 114
9.4. Стабилизаторы напряжения..........................................................................................116
9.5. Фильтры выпрямительных устройств.......................................................................118
Контрольные вопросы............................................................................................................ 119
10. Инверторы напряжения.............................................................................................. 120

10.1. Понятие процесса инвертирования......................................................................... 120
10.2. Однофазный ведомый сетью инвертор.................................................................. 121
10.3. Трехфазный мостовой ведомый инвертор............................................................ 122
10.4. Автономные вентильные преобразователи.......................................................... 122
10.4.1. Однофазный тиристорный автономный инвертор напряжения............... 123
10.4.2. Трехфазный тиристорный автономный инвертор напряжения.................125
Контрольные вопросы............................................................................................................ 126
11. Преобразователи частоты........................................................................................... 126

11.1. Преобразователь частоты со звеном постоянного тока и инвертором
напряжения.................................................................................................................................. 126
11.2. Преобразователь частоты со звеном постоянного тока и инвертором
тока................................................................................................................................................. 127
11.3. Сильноточные фильтры преобразователей частоты........................................ 128
11.4. Современные преобразователи частоты................................................................ 130
Контрольные вопросы........................................................................................................... 135
12. Устройства управления вентильными преобразователями..................... 135

12.1. Многоканальные системы управления вентильными
преобразователями....................................................................................................................137
12.2. Одноканальная система управления трехфазным мостовым
выпрямителем............................................................................................................................ 138
12.3. Система управления автономным инвертором напряжения......................... 139
Контрольные вопросы.............................................................................................................142
Расчетное задание №5. Расчет маломощных выпрямителей................................. 142
Расчетное задание №6. Расчет мощных выпрямителей...........................................146
Список литературы............................................................................................................... 150
5
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ЭДС электродвижущая сила;
Ud,ld - среднее значение выпрямленного напряжения и выпрямленного
тока нагрузки;
udiid - мгновенное значение напряжения и тока нагрузки;
^() “ среднее значение выпрямленного напряжения в холостом неуправ
ляемом режиме;
Rd,Xd,Zd,Ld,Pd - активное, реактивное, полное сопротивление, индуктив
ность и мощность нагрузки;
Е2 - действующее значение ЭДС вторичной обмотки трансформатора;
е2 - мгновенное значение ЭДС вторичной обмотки трансформатора;
- фазные токи выпрямителя и трансформатора;
- мгновенные значения фазных ЭДС;
/2 - действующее значение тока вторичной обмотки трансформатора;
/ - действующее значение тока первичной обмотки трансформатора;
1а - среднее значение тока вентиля;
1ат - амплитудное значение тока вентиля;
ia - мгновенное значение тока вентиля;
^обрмике ~ максимальное обратное напряжение на вентиле;
- обратное напряжение на вентиле;
w - число витков обмотки;
Sr - расчетная мощность трансформатора;
q - коэффициент пульсаций;
V - полупроводниковый вентиль (общее обозначение);
KD-диод;
VS — тиристор;
VT — транзистор;
VA, VB, Vc- вентили фаз А, В, С;
0 = cot - фаза синусоидальной величины;
(0 = 171/ - угловая частота;
т - постоянная времени;
Е2ф “ действующее значение фазной ЭДС;
кт - коэффициент трансформации;
/ - угол коммутации вентиля;
Я - угол проводимости вентиля;
а - угол управления;
ср — угол сдвига фаз тока и напряжения;
Р - угол опережения инвертора;
Ed - противо-ЭДС нагрузки;
х - сопротивление рассеяния трансформатора;
ха - сопротивление рассеяния фазы трансформатора.
6
ВВЕДЕНИЕ
В курсе дисциплины «Электроника и электронные средства управления» изучаются
принципы работы схемы, параметры, характеристики, области применения электронных
элементов и устройств судовой автоматики и преобразовательной техники.
Целью изучения дисциплины является приобретение студентами основных теоре
тических знаний и практических навыков, необходимых для эксплуатации электронной и
силовой преобразовательной техники, используемой в судовом электрооборудовании и
системах автоматики.
Данной дисциплине должны предшествовать следующие дисциплины: «Высшая
математика», «Физика», « Химия», «Электротехника».
В результате изучения дисциплины студенты должны знать:
- принципы работы, параметры, характеристики и области применения электрон
ных приборов;
- принципы построения, схемы, характеристики, параметры, области применения,
методы расчета основных электронных устройств.
Студент должен уметь правильно эксплуатировать, производить проверку и диагно
стику электрооборудования и электронных устройств, применяемых в судовой автомати
ке и электроприводе.
Электроника может быть условно разделена на две части: информационную элек
тронику и силовую электронику, называемую еще преобразовательной техникой.
Информационная электроника занимается устройствами для передачи, обработки и
отображения информации. Эту область электроники условно можно назвать слаботоч
ной, так как все процессы передачи, обработки и отображения информации осуществля
ются на низких уровнях энергии в элементах устройств.
Силовая электроника занимается вопросами преобразования электрической энер
гии: энергии переменного тока в энергию постоянного тока (выпрямители), энергии по
стоянного тока в энергию переменного тока (инверторы), энергии переменного тока од
ной частоты в энергию переменного тока другой частоты (преобразователи частоты) и
т.д.
Дисциплина «Электроника и электронные средства управления» структурно состо
ит из четырех содержательных модулей.
Содержательный модуль №1. Электронные приборы.
Содержательный модуль №2. Усилительные устройства.
Содержательный модуль №3. Цифровые устройства.
Содержательный модуль №4. Силовая электроника.
Изучать дисциплину следует в соответствии с рабочей программой дисциплины
путем последовательного усвоения теоретического материала и его последующего закре
пления на лабораторных и практических занятиях. В конспекте лекций материал каждого
раздела завершается списком контрольных вопросов, которые необходимо использовать
в качестве самоконтроля. Кроме того каждый модуль содержит расчетные задания, вы
полнение которых способствует закреплению теоретического материала. В заданиях
приводятся исходные данные (по вариантам), методика расчета и необходимый справоч
ный материал. Выполненные задания оформляются на листах формата А4 и сдаются
преподавателю для проверки и последующей защиты.
Выбор варианта контрольной работы (для студентов заочной формы обу
чения) или расчетно-графической работы (для студентов дневной формы обуче
ния) осуществляется по сумме трех последних цифр шифра студента (номера
зачетной книжки).
7
Содержательный модуль Ml
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
1. Пассивные элементы электронных схем
1.1. Резисторы
Резистор - элемент электроники, предназначенный для регулирования и

распределения электрической энергии между цепями и элементами схемы.
Классификация:
1. По виду вольт-амперной характеристики различают резисторы линей
ные (постоянного и переменного сопротивления) и нелинейные.
2. По конструкции резисторы подразделяются на пленочные, объемные и
проволочные.
3. По материалу токопроводящего элемента - на пленочные углероди
стые, металлопленочные, металлоокисные, металлодиэлектрические, компози
ционные и полупроводниковые.
4. По способу защиты резистивного элемента - неизолированные, изоли
рованные, компаундированные, опрессованные пластмассой, герметизирован
ные и вакуумные.
5. По назначению - общего и специального применения.
Основные характеристики:
1. Номинальное сопротивление - значение сопротивления, которое должен
иметь резистор в соответствии с нормативной документацией. Фактическое
значение сопротивления каждого экземпляра может отличаться от номинально
го, но не более, чем на величину допустимого отклонения, которое выражается
в процентах.
2. Номинальная мощность - максимально допустимая мощность, рассеи
ваемая на резисторе, при которой параметры резистора сохраняются в установ
ленных пределах в течение длительного срока службы.
3. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) - относительное из
менение сопротивления резистора при изменении температуры окружающей
среды на 1°С.
4. Электрическая прочность резистора характеризуется предельным на
пряжением, при котором резистор может работать в течение срока службы без
электрического пробоя.
Маркировка резисторов.
На каждом непроволочном резисторе указывается номинальное сопротив
ление, допустимое отклонение сопротивления от номинальной) значения и тип
резистора.
Номинальное сопротивление резисторов устанавливаются сілндаргньїми
рядами Е (табл. 1).
8
Таблица 1
Стандартные электротехнические ряды
Индекс ряда Номинальные значения Допустимое
отклонение
Е6 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 ±20%
Е12 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 ±10%
1,2 1,8 2,7 3,9 5,6 8,2 ±10%
Е24 1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8 ±5%
1.1 1,6 2,4 3,6 5,1 7,5 ±5%
1.2 1,8 2,7 3,9 5,6 8,2 ±5%
1.3 2,0 3,0 4,3 6,2 9,1 ±5%
Кодированные обозначения номинального сопротивления резисторов со

стоят из цифры, обозначающей номинальное сопротивление, и буквы, обозна
чающей единицу измерения сопротивления. Сопротивления до 102 Ом выра
жаются в Омах и обозначаются буквой Е, сопротивления от 102 Ом до 105 Ом -
в килоомах и обозначаются буквой К, а сопротивления от 105 Ом до 108 Ом - в
мегаомах и обозначаются буквой М. Эти буквы ставятся на место запятой деся
тичной дроби, которая выражает значение сопротивления.
Резисторы постоянного сопротивления. Углеродистые резисторы (БЛП) -
резистивный элемент которых представляет собой тонкую пленку углерода,
осажденную на основание из керамики.
Металлопленочные резисторы (МТ и ОМЛТ) содержат резистивный эле
мент в виде очень тонкой металлической пленки, осажденной на основание из
керамики или пластмассы.
^7..
а) б) в)
Рис. 1. Обозначения пассивных элементов электронных схем:
а) резисторы; б) конденсаторы; в) катушка индуктивности
9
Резисторы переменного сопротивления. Применяются для регулирования
силы тока и напряжения. По конструктивному исполнению делятся на одинар
ные и сдвоенные; одно- и многооборотные; с выключателем и без него; по на
значению, - на подстроечные (для разовой или периодической подстройки ап
паратуры, до 1000 циклов перемещения рабочей части) и регулировочные (для
многократной регулировки, более 5000 циклов).
1.2. Конденсаторы
Электрический конденсатор представляет собой систему из двух провод

ников электрического тока (обкладок), разделенных диэлектриком, и обладает
свойством накапливать электрическую энергию.
Сокращенные обозначения, позволяющие определить, к какому типу отно
сится данный конденсатор, содержат три элемента. Первый элемент (одна или
две буквы) обозначают группу конденсаторов: К - конденсатор постоянной ем
кости; КТ - конденсатор подстроечный; КП - конденсатор переменный. Второй
элемент - это число, обозначающее разновидность конденсаторов: 1 - вакуум
ный; 2 - воздушный; 3 - с газообразным диэлектриком; 4-е твердым диэлек
триком; 10 - керамические до 1600 В; 15 - керамические до 1600 В и выше;
20 - кварцевые; 21 - стеклянные; 22 - стеклокерамические; 23 - стеклоэмале
вые; 40 - бумажные до 2 кВ. Третий элемент - буква, определяющая назначе
ние конденсатора (П - для работы в цепях постоянного тока, У - для работы в
цепях постоянного, переменного токов и в импульсном режиме, И - для работы
в импульсном режиме, для работы в цепях переменного тока).
Маркировка конденсаторов. Состоит из цифр, обозначающих номиналь
ную емкость, буквы, обозначающей единицу емкости, и буквы, обозначающей
допустимое отклонение.
Емкости до 1О'10 Ф выражаются в пикофарадах и обозначаются буквой тг,
емкости от 10‘10 Ф до 10‘5Ф - в нанофарадах и обозначаются буквой п, емкости
от 10’5Ф и выше - в микрофарадах и обозначают буквой ц (или мк).
1.3. Катушки индуктивности
Катушки индуктивности, за исключением дросселей, предназначенных для

использования в цепях питания, не являются стандартными изделиями. Они из
готавливаются с параметрами, которые необходимы для конкретных устройств.
Дроссели предназначены для обеспечения большого сопротивления для
переменных токов и малого - для постоянного тока. Конструктивно дроссель
представляет собой разомкнутый (с воздушным зазором) сердечник и» листов
электротехнической стали с расположенной на нем обмоткой.
1.4. Трансформаторы
Это электромагнитные устройства переменного тока, нреднп інпченньїе для

изменения напряжения, согласования сопротивления міскіричсских цепей, раз
10
деления цепей источника питания и нагрузки по постоянному току. Основной
частью трансформатора является магнитопровод из магнитомягкого материала
с размещенными на нем двумя или более обмотками.
Трансформаторы, используемые в электронике, можно разделить на транс
форматоры питания (силовые) и согласующие (сигнальные). Трансформаторы пи
тания применяются в выпрямительных устройствах для получения различных
уровней напряжений. Согласующие трансформаторы используют для согласова
ния входа усилителя и источника сигнала, выхода усилителя с нагрузкой.
Магнитопроводы по конструкции разделяют на броневые, стержневые и
тороидальные. В броневом сердечнике обмотки располагаются на центральном
стержне, что упрощает конструкцию. В стержневых - обмотки располагаются
на двух стержнях.
Расчет трансформатора питания:

Цель расчета: по заданным значениям токов и напряжений обмоток необ
ходимо определить число витков в каждой обмотке и рассчитать диаметры об
моточных проводов.
1. Число витков обмоток рассчитывается по формуле:
2200 U
w = -----------------------------
f Вт Sm ’
где: U- напряжение на обмотке;
f - частота;
Вт - амплитуда магнитной индукции (от 1,2 до 1,6 Тесла в зависимо
сти от мощности трансформатора, вида стали и типа магнитопровода);
Sm - площадь см2.
2. Диаметры обмоточных проводов определяются по формуле:
где d - диаметр провода в мм;

/-ток обмотки;
j — плотность тока в обмотке (4А/мм2 - для меди, 2,5А/мм2 - для алю
миния).
Основные параметры трансформаторов'.

1. Номинальное напряжение первичной обмотки.
2. Номинальный ток первичной обмотки.
3. Напряжение вторичной обмотки.
4. Ток вторичной обмотки.
5. Напряжение холостого хода.
6. Номинальная мощность.
7. Коэффициент трансформации.
8. Частота питания.
11
Контрольные вопросы
1. Дайте определение резистора как элемента электроники, иривслиіг клмхи-
фикацию резисторов.
2. Перечислите основные параметры резисторов и способы их обоїішченим.
3. Перечислите виды и типы резисторов.
4. Дайте определение конденсатора как элемента электроники, примели іс клас
сификацию конденсаторов.
5. Перечислите основные параметры конденсаторов.
6. Дайте описание конструкций и типов трансформаторов, применяемых н элек
тронной технике.
7. Приведите порядок расчета трансформатора питания.
2. Физические основы полупроводниковых приборов
2.1. Зонная теория твердого тела
Полупроводниками называют вещества, занимающие по электропроводно

сти промежуточное положение между металлами (проводниками) и диэлектри
ками. Чистые полупроводники по электропроводности ближе к диэлектрикам.
Особенность электропроводности полупроводников обусловлена спецификой
распределения электронов по энергетическим уровням атомов.
Вследствие взаимодействия атомов друг с другом в кристалле разрешен
ные уровни энергии электронов соседних атомов смещаются, образуя близко
расположенные смещенные уровни энергии - подуровни. Подуровни образуют
так называемые зоны разрешенных уровней энергии, которые отделены друг от
друга запрещенными зонами.
На электропроводность твердого тела существенное значение оказывает
расположение двух соседних зон разрешенных уровней энергии в верхней час
ти энергетической диаграммы (рис. 2 (а)), где В - валентная зона, все уровни
которой при температуре абсолютного нуля заполнены электронами; С - зона
свободных электронов (зона проводимости), на уровни которой могут перехо
дить электроны из валентной зоны при возбуждении атома; и 3 - запрещенная
зона, энергетические уровни в которой отсутствуют. Наличие запрещенной зо
ны означает, что для перехода в зону проводимости электрону необходимо со
общить энергию, большую, чем величина A W.
У металлов запрещенная зона отсутствует (ЛИМ)) и валентная зона непо
средственно примыкает к зоне проводимости. Поэтому в металлах число сво
бодных электронов велико, что и обеспечивает их высокую электро- и тепло
проводность. У диэлектриков ширина запрещенной зоны велика (ЛИМЗ эВ) и
при температурах ниже 400 - 800°С и в отсутствие сильных электрических по
лей электроны проводимости практически отсутствуют.
Ширина запрещенной зоны у наиболее распространенных полупроводни
ков - германия (Ge) и кремния (Si) - составляет соответственно 0,72 и 1,12 эВ.
Эти полупроводники принадлежат к IV группе периодической іаблицьі элемен
тов Менделеева и имеют четыре валентных электрона В крисіалле полупро-
12
водника соседние атомы взаимодействуют между собой, образуя парноэлек
тронные связи. При этом внешняя электронная оболочка каждого атома содер
жит восемь электронов. Такая оболочка в атомах является наиболее прочной.
На рис. 2, а показана двумерная модель кристаллической решетки кремния, где
связи, образованные валентными электронами, обозначены двойными линиями.
©- дырка ионы примесей

Рис. 2. Зонная диаграмма и схемы образования носителей в чистом
полупроводнике (а) и полупроводниках «-типа (б) и />-типа (в)
2.2. Собственная электропроводность полупроводников
Из-за относительно узкой запрещенной зоны у германия и кремния уже

при комнатной температуре некоторые электроны получают энергию, доста
точную, чтобы преодолеть запрещенную зону и перейти в зону проводимости.
При уходе электрона в валентной зоне остается незаполненный энергетический
уровень - дырка. В нормальном (не возбужденном) состоянии атом электриче
ски нейтрален, так как положительный заряд ядра компенсируется соответст
вующим количеством электронов, имеющих отрицательный заряд. Поэтому
уход одного электрона приводит к тому, что атом приобретает положительный
заряд. Таким образом, дырка - это положительный заряд, равный по модулю
заряду электрона. В кристаллической решетке при этом происходит разрыв од
ной из валентных связей и появление свободного электрона, который может
свободно перемещаться по кристаллу, и дырки - носителя положительного за
ряда. Оборванная связь может быть восстановлена, если ее заполнит электрон
из соседнего атома.
Процесс образования в чистом полупроводнике пары электрон - дырка по
лучил название генерации собственных носителей заряда. Одновременно с про
13
цессом генерации носителей заряда протекает процесс их рекомбинации -
встречи электронов с дырками, сопровождающийся возвратом электрона из зо
ны проводимости в валентную зону и исчезновением свободных зарядов.
Благодаря рекомбинации количество носителей заряда в полупроводнике
не увеличивается и при постоянной температуре неизменно. Концентрации
электронов п, и дырок pt в чистом полупроводнике равны: pt = и(. В рабочем
диапазоне температур концентрация электронов и дырок в чистом полупровод
нике мала и по своим электрическим свойствам чистый полупроводник близок
к диэлектрикам.
2.3. Примесные полупроводники
Электропроводность чистых полупроводников очень мала и сильно зави

сит от температуры. Поэтому чистые полупроводники в технике практически
не применяют, а применяют так называемые примесные полупроводники.
Введение в чистый полупроводник небольших количеств примесей приво
дит к резкому изменению характера электропроводности. Если ввести в крем
ний или германий атомы примесей элементов пятой группы таблицы Менде
леева (мышьяк, фосфор, сурьму), которые имеют на внешней электронной обо
лочке пять электронов, то один из электронов не образует связи с соседними
атомами полупроводника и оказывается свободным. Такие примеси называют
донорными.
В данном случае электропроводность определяется электронами, и они на
зываются основными носителями, а дырки, образовавшиеся в результате гене
рации в собственном полупроводнике, - неосновными. Такой полупроводник
называют полупроводником п-типа.
При введении в кремний или германий примесей третьей группы элемен
тов таблицы Менделеева (алюминия, бора, индия), называемых акцепторными,
все атомы примеси захватывают электроны у соседних атомов полупроводника,
образуя прочные ковалентные связи с атомами полупроводника. При этом об
разуется отрицательный ион примеси, а на месте разорванной связи полупро
водника - дырка (рис. 2, в). Основными носителями при этом становятся дыр
ки, а неосновными - электроны. Полупроводник с акцепторной примесью на
зывается полупроводником р-типа.
Таким образом, в примесных полупроводниках концентрация основных
носителей заряда (пп - электронного полупроводника и рр - дырочного полу
проводника) создаются за счет внесения примеси, а концентрации неосновных
носителей заряда (рп, пр - соответственно электронного и дырочного полупро
водников) - за счет термогенерации носителей заряда, связанной с переходом
электронов из валентной зоны в зону проводимости. Необходимая примесь
вносится в таком количестве, при котором концентрация основных носителей
на два-три порядка превышает концентрацию неосновных носителей заряда. В
зависимости от концентрации введенной примеси удельная проводимость при
месного полупроводника возрастает по сравнению с чистым полупроводником
в десятки и сотни тысяч раз.
14
2.4. Полупроводниковые резисторы
Простейшими полупроводниковыми приборами являются полу

проводниковые резисторы. Принцип их действия основан на свойствах примес
ных полупроводников изменять свое сопротивление под действием темпера
туры, приложенного напряжения и других факторов.
Терморезисторы представляют собой полупроводниковые приборы, сопро
тивление которых значительно изменяется при изменении температуры. Тер
морезисторы подразделяются на термисторы и позисторы.
Термисторы имеют отрицательный температурный коэффициент сопро
тивления, т. е. с увеличением температуры сопротивление уменьшается по экс
поненциальному закону. Позисторы имеют положительный ТКС.
Терморезисторы применяются для измерения и регулирования темпе
ратуры, а также в устройствах стабилизации напряжения в цепях переменного и
постоянного токов.
Основными параметрами терморезисторов являются: температурный ко
эффициент сопротивления, сопротивление при температуре t=19,5°C, макси
мальная рабочая температура, предельная мощность рассеивания.
Варисторы (переменные резисторы) представляют собой нелинейные по
лупроводниковые приборы, сопротивление которых изменяется нелинейно и
одинаково под действием как положительного, так и отрицательного напряже
ния.
Варисторы применяются для защиты устройств переменного тока от им
пульсных перенапряжений, стабилизации и регулирования напряжений и токов.
2.5. Электронно-дырочный переход
2.5.1. Полупроводниковый р-«-переход в отсутствие

внешних напряжений
Полупроводниковая структура, сочетающая в себе два слоя, один из кото

рых обладает дырочной (р), а другой электронной (и) проводимостью, называ
ется электронно-дырочным переходом (р-п - переходом) (рис. 3, а).
На границе раздела двух сред АВ в слое, толщиной 10, возникает разница
концентрации основных носителей заряда рр и пп (рис. 3, б). Вследствие этого
возникает ток диффузии Jd,^: дырки из области р, где концентрация их велика
(pz>), переходят в область п, где их концентрация мала (р„), а электроны из об
ласти п, где концентрация их велика (л„), переходят в область р, где их концен
трация мала (пр) (рис. 3, б).
В области п дырки рекомбинируют с электронами, и вблизи границы воз
никает объемный положительный заряд в виде положительных ионов полупро
водника, а в области р электроны рекомбинируют с дырками, и вблизи границы
образуется объемный отрицательный заряд (рис. 3, а, г). Ввиду наличия объем-
15
ного заряда в р-и-переходе создаются электрическое поле Е (рис. З, д) и раз
ность потенциалов (р0 (рис.
З, е). Возникающие поле и
разность потенциалов пре
пятствуют увеличению тока
диффузии, так как для ос
новных носителей заряда
они являются тормозящими.
Однако для неосновных но
сителей заряда возникаю
щее поле и разность потен
циалов являются ускоряю
щими. Поэтому неосновные
носители заряда пр из облас
ти р движутся в область и, а
неосновные носители заряда
рп из области п движутся в
область р, создавая ток
дрейфа Jdp (рис. 3, в).
В установившемся ре
жиме при отсутствии внеш
них потенциалов ток диф
фузии и ток дрейфа равны и
противоположны по знаку и
кристалл полупроводника
остается электрически ней
тральным. Равенство со
ставляющих тока J^-Jdp
создается установлением
Рис. 3. Образование р-и-перехода в структуре соответствующей величины
полупроводника потенциального барьера <ро в
/>л-переходе.
При комнатной темпе
ратуре для германия (р0 = (0,3 - 0,6) В, а для кремния <р0 - (0,6 - 0,8) В. Разли
чие в значениях (р0 объясняется большей величиной запрещенной зоны Л W у
кремния и, следовательно, меньшей концентрацией неосновных носителей за
ряда (при одинаковой температуре и одинаковых концентрациях внесенных
примесей).
2.5.2. Прямое смещение р-и-перехода
Подключение к р-л-структуре внешнего напряжения (напряжения смеще

ния) приводит к изменению условий переноса заряда через р-и-переход. Суще
ственную роль при этом играет полярность внешнего напряжения, приклады-
16
Рис. 4. Прямое смещение р-и-перехода Рис. 5. Обратное смещение р-и-перехода
ваемого к р-м-переходу. Рассмотрим случай, когда внешнее напряжение Ua

подключено в прямом направлении, т.е. плюсом к ^-области, а минусом - к п-
области (рис. 4, а). При таком подключении источника создаваемое им элек
трическое поле направлено противоположно внутреннему полю в переходе, что
приводит к уменьшению результирующего поля в р-и-переходе. Объемному за
ряду в р-и-переходе будет отвечать напряжение (р0 - Ua, меньшее, чем в отсут
ствие внешнего источника. Величина (р0 - Ua определяет величину потенциаль
ного барьера в р-и-переходе при включении внешнего источника в прямом на
правлении (рис. 4, б).
Уменьшение потенциального барьера облегчает переход основных носите
лей заряда под действием диффузии через границу раздела, что приводит к уве
личению диффузионного тока (рис. 4, в).
С повышением приложенного внешнего напряжения диффузионный ток
увеличивается, так как уменьшившийся потенциальный барьер способны пре
одолеть основные носители заряда, обладающие меньшей энергией. В связи с
Этим возрастает прямой ток через переход. Примерный вид прямой ветви вольт-
•мперной характеристики /?-и-перехода показан на рис. 4, г.
17
2.5.3. Обратное смещение /т-и-перехода
Рассмотрим случай, когда источник Ub внешнего напряжения подключен к

р-л-переходу в обратном направлении (рис. 5, а). В этом случае потенциальный
барьер возрастает на величину Ub и становится равным + Ub (рис. 5, б). Воз
росший потенциальный барьер затрудняет прохождение через /э-л-переход ос
новных носителей заряда, вследствие чего диффузионный ток, обусловленный
движением этих носителей, уменьшается. Дрейфовый же ток, обусловленный
движением неосновных носителей заряда по обе стороны перехода
(Jdp = JdPP + Jdpn), можно считать неизменным (рис. 5, в). Однако теперь он бу
дет превышать диффузионный ток. Через р-н-переход будет протекать ток в об
ратном направлении Jb =
Обратная ветвь вольт-амперной характеристики показана на рис. 5, г. При
небольших обратных напряжениях наблюдается увеличение обратного тока за
счет уменьшения диффузионной составляющей. При большем обратном на
пряжении основные носители заряда не способны преодолеть потенциальный
барьер, в связи с чем диффузионный ток равен нулю. Этим объясняется отсут
ствие роста обратного тока при увеличении обратного напряжения.
Обратный ток, создаваемый неосновными носителями заряда, зависит от
их концентраций в р- и л-слоях, а также от рабочей поверхности р-и-перехода.
Этим объясняется тот факт, что в мощных приборах, имеющих большую пло
щадь р-л-перехода, обратный ток больше, чем в маломощных. Поскольку кон
центрация неосновных носителей заряда является функцией температуры кри
сталла, обратный ток также зависит от температуры. По этой причине обратный
ток иногда называют тепловым. Увеличение обратного тока с ростом темпера
туры подчиняется примерно экспоненциальному закону.
Как известно, концентрация неосновных носителей заряда уменьшается с
ростом ширины запрещенной зоны. Ширина запрещенной зоны у кремния
(1,12 эВ) больше, чем у германия (0,72 эВ). Поэтому обратный ток в кремние
вых приборах на несколько порядков меньше, чем в германиевых, и кремние
вые приборы допускают эксплуатацию при более высокой температуре кри
сталла (135 - 140°С против 50 - 60°С у германиевых приборов). Кроме того по
этой же причине кремниевые приборы выпускаются на более высокие обратные
напряжения, чем германиевые.
С учетом изложенного можно определить основное свойство р-п-
перехода. он способен пропускать электрический ток только в одном направ
лении.
1. Дайте определение полупроводниковых материалов, опишите их свойства и
внутреннюю структуру.
18
2. Объясните различия между проводниками, диэлектриками и полупроводника
ми, укажите причины различий.
3. Дайте понятие собственной электропроводности полупроводников, перечис
лите носители зарядов в таких полупроводниках.
4. Как изменяется структура и свойства полупроводников при введении в них
примесей различных типов?
5. Полупроводниковые резисторы, назначение и применение.
6. Опишите процессы, происходящие при образовании электронно-дырочного
перехода.
7. Опишите процессы, происходящие при прямом смещении электронно
дырочного перехода.
8. Опишите процессы, происходящие при обратном смещении электронно
дырочного перехода.
3. Полупроводниковые приборы
3.1. Диоды
Полупроводниковый диод представляет

собой полупроводниковый кристалл с двумя
слоями проводимости, заключенный в кор
пус и снабженный двумя выводами для при
соединения во внешнюю цепь.
По назначению полупроводниковые
диоды подразделяются на выпрямительные,
импульсные, туннельные, кремниевые ста
билитроны, варикапы, магнитодиоды, све
тоизлучающие диоды, фотодиоды.
Общим для всех типов диодов является
то, что они выполнены на основе полупро
Рис. 6. Вольт-амперная характери водникового /?-я-перехода. В зависимости от
стика полупроводникового диода типа диода в качестве рабочего участка ис
пользуется прямая или обратная ветвь
вольт-амперной характеристики /2-и-перехода. На рис. 6 показана вольт-
амперная характеристика диода.
Наиболее общими для всех диодов считаются четыре параметра:
- предельно допустимый прямой ТОК Inp max',
- прямое падение напряжения &Ua (на прямой ветви вольт-амперной ха
рактеристики);
- предельно допустимое обратное напряжение Нобртах',
- обратный ток 1обР при заданной температуре кристалла (на обратной
ветви вольт-амперной характеристики).
Обратная ветвь вольт-амперной характеристики диода показана на рис. 6.
На участке 0-1 происходит увеличение обратного тока за счет уменьшения тока
диффузии до нуля, поэтому составляющей обратного тока остается только ток
19
дрейфа. На участке 1-2 у идеальных диодов обратный ток нс himciikcicn, гак
как при неизменной температуре количество неосновных носителей заряда,
создающих обратный ток, при изменении обратного напряжения нс меняется.
Однако в реальных диодах существует ток утечки по поверхности полупровод
ника, поэтому на самом деле участок 1-2 имеет наклон. На участке 2-3 проявля
ется влияние явления генерации носителей заряда, которое на участке 3-4 при
водит к электрическому пробою - резкому возрастанию обратного тока.
Электрический пробой является обратимым процессом. Эго означает, что
он не приводит к повреждению диода, и при снижении напряжения свойства
диода сохраняются.
Участок 4-5 вольт-амперной характеристики диода соответствует теплово
му пробою, который возникает при недопустимом повышении температуры.
Процесс развивается лавинообразно, так как увеличение числа носителей заря
да за счет увеличения температуры вызывает увеличение обратного тока и, сле
довательно, еще больший разогрев р-и-перехода. Процесс заканчивается рас
плавлением р-л-перехода и выходом прибора из строя.
3.1.1. Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды, как следует из названия, предназначены для вы

прямления переменного тока. Условное обозна
ТА Лг чение и структура выпрямительных диодов пока
заны на рис. 7. Диод имеет два вывода: анод (А)
SZ р
и катод (К).
п Основные справочные параметры выпрями
1к Тк тельных диодов:
- допустимый выпрямленный ток 1„р ср
а) 6) (среднее значение прямого тока);
Рис. 7. Условно-графическое ’пРямое падение напряжения Un„ = А(УП/, при
обозначение выпрямительного номинальном значении прямого тока,
диода (а) и его структура (б) -максимально допустимое обратное напря
жение UliCtpmax\
-обратный ток /обопри заданном значении температуры кристалла.
Выпрямительные диоды можно условно разделить на выпрямительные
диоды малой, средней и большой мощности. К выпрямительным диодам малой
мощности относятся диоды с допустимым выпрямленным током до 300 мА.
Такие диоды выпускаются на максимальные напряжения от десятков вольт до
1200 В. На более высокие напряжения выпускаются выпрямительные столбы,
содержащие последовательно соединенные диоды. Обратные токи не превы
шают 300 мкА для германиевых и 10 мкА для кремниевых диодов. По частот
ным свойствам диоды этого типа подразделяют на низкочастотные (до 400 Гц)
и высокочастотные (10-20 кГц).
Конструкция и вольт-амперные характеристики сплавного германиевого
диода Д7Ж (/асргми^ЗОО мА, Uofipmax = 700 В) показаны на рис. 8.
20
9М М
а)
Рис. 8. Конструкция маломощных германиевых выпрямительных диодов Д7А-Д7Ж (а):
1 - внешний вывод (анод); 2 - трубка (штенгель); 3 - стеклянный изолятор; 4 - корпус;
5 - внутренний вывод анода; 6 - таблетка индия; 7 - кристалл германия; 8 - кристаллодержа-
тель; 9 - внешний вывод (катод); вольт-амперная характеристика диода Д7Ж (б)
Рис. 9. Конструкция кремниевых выпрямительных диодов средней мощности

Д202- Д205 (а): 1 - внешний вывод (анод); 2 - трубка (штенгель); 3 - стеклян
ный изолятор; 4 - корпус; 5 - внутренний вывод анода; 6 - алюминий; 7 - кри
сталл кремния; 8 - теплоотводящее основание; 9 - кристалледержатель;
10 - внешний вывод (катод); вольт-амперная характеристика диода Д205 (б)
21
К выпрямительным диодам средней мощности относятся диоды, допустимое
среднее значение прямого тока которых лежит в диапазоне 300 мА - 10 А.
Больший прямой ток этих диодов по сравнению с маломощными достигается
увеличением рабочей площади р-я-перехода. Диоды средней мощности выпус
каются преимущественно кремниевыми, поэтому обратный ток у них достаточ
но мал (несколько десятков микроампер) при сравнительно большой площади
/7-л-перехода.
Теплота, выделяемая в кристалле от протекания прямого и обратного токов
в диодах средней мощности, уже не может быть рассеяна корпусом прибора.
Для улучшения условий теплоотвода применяют дополнительные охладители-
радиаторы. Для крепления на радиатор корпус диода имеет стержень с винто
вой нарезкой. Диоды с плоским основанием крепят (прижимают) к радиатору с
помощью фланцевого соединения.
Пример возможной конструкции выпрямительных диодов средней мощно
сти показан на рис. 9.
К выпрямительным диодам большой мощности (силовым диодам, вентилям)
относятся диоды на токи от 10 А и выше (рис. 10). Выпускаются силовые диоды
на токи 10, 16, 25,40 и т.д. до 1000 А и обратные напряжения до 3500 В.
Работа силовых вентилей при
больших токах и высоких обрат
ных напряжениях связана с выде
лением большой мощности в р-п-
переходе. Поэтому предусматри
ваются методы эффективного от
вода теплоты, выделяемой в р-п-
переходе. В установках с мощны
ми вентилями применяют воздуш
ное и жидкостное охлаждение.
При воздушном охлаждении отвод
теплоты производится с помощью
радиатора и проходящего вдоль
его ребер потока воздуха. При
этом охлаждение может быть ес
тественным или принудительным,
когда используется принудитель
ный обдув радиатора с помощью
Рис. 10. Конструкция мощного кремниевого вентилятора. При жидкостном ох
диода ВЛ-200: 1 - внешний гибкий вывод
лаждении в радиатор по специаль
(анод); 2 - стакан; 3 - стеклянный изолятор;
4 - внутренний гибкий вывод анода; 5 - кор ным каналам пропускается тепло
пус; 6 - чашечка; 7 - кристалл с р-п- отводящая жидкость, например,
переходом; 8 - кристалледержатель (катод); вода, антифриз, трансформаторное
9 - шпилька для крепления к радиатору масло, синтетические диэлектри
ческие жидкости.
22
3.1.2. Кремниевые стабилитроны
Стабилитроны - это полупроводниковые приборы, работающие в режиме

лавинного пробоя. Условное графическое изображение стабилитрона показано
на рис. 11, а. Рабочим участком стабилитрона является обратная ветвь вольт-
амперной характеристики, которая соответствует лавинному пробою
(рис. 11, б).
Рис. 11. Условно-графическое обозначение и характеристики стабилитронов
Напряжение стабилизации стабилитрона зависит от температуры. На рис.

11, б пунктирной линией показано смещение характеристик при увеличении
температуры. Температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации у
стабилитронов с напряжением стабилизации Ucm > 5 В положительный, а у ста
билитронов с напряжением стабилизации Ucm < 5 В - отрицательный. При
Ucm = 5-6 В ТКН близок к нулю.
Основные параметры стабилитронов:
- напряжение стабилизации Ucm‘,
- минимальный 1стмин и максимальный /ст лшкстоки стабилизации;
- дифференциальное сопротивление стабилитрона;
- температурный коэффициент стабилизации ТКН;
- максимально допустимая мощность рассеяния Р}юс = Ucm 1ст.
23
Иногда для стабилизации напряжения используют прямое падение напря
жения на диоде. Такие полупроводниковые приборы называют стабисторами.
В области прямого смещения /?-и-перехода напряжение на нем составляет
(0,7-2,0) В и мало зависит от тока. Поэтому стабисторы применяют только для
стабилизации малых напряжений (до 2 В). Параметры стабистора аналогичны
параметрам стабилитрона с той лишь разницей, что они соответствуют прямой
ветви вольт-амперной характеристики стабистора.
Схемы включения стабилитронов и стабисторов показаны на рис. 12.
Рис. 12. Схема включения стабилитрона (а) и стабистора (б)
Обозначения полупроводниковых диодов состоят из пяти элементов.

1. Буква или цифра, указывающая, на основе какого полупроводникового
материала выполнен диод (Г(1) - германий, К(2) - кремний, А(3) - арсенид гал
лия).
2. Буква, обозначающая подкласс диода (Д - выпрямительные, импульс
ные, универсальные, В - варикапы, И - тунельные и обращенные диоды, С -
стабилитроны, А - сверхвысокочастотные).
3. Цифра, определяющая назначение диода (101-399 - выпрямительные,
401 - 499 - универсальные, 501-599 - импульсные).
4. Цифры, определяющие порядковый номер разработки.
5. Буква, показывающая деление технологического типа на параметриче
ские группы (например, по температуре или максимальному напряжению).
3.2. Транзисторы
Транзистором называется полупроводниковый прибор, предназначенный
для усиления электрических сигналов.
Многообразие конструкций транзисторов отражено на блок-схеме рис. 13.
24
Рис. 13. Классификация транзисторов по конструкции
3.2.1. Полевые транзисторы
Управление током в по

левых транзисторах осущест
вляется изменением проводи
мости канала, через который
б) протекает ток транзистора под
воздействием электрического
поля. Вследствие этого уни
полярные транзисторы назы
вают полевыми.
По способу создания ка
в) нала различают полевые тран
зисторы с р-л-переходом,
Рис. 14. Конструкция полевого транзистора с р-п-
встроенным каналом и инду
переходом (а); условное обозначение полевого тран
зистора ср-«-переходом и каналом «-типа (б); ср-п- цированным каналом.
переходом и каналом /7-типа (в)
25
3.2.1.1. Полевые транзисторы с р-л-переходом
Модель полевого транзистора с р-л-переходом показана на рис. 14, а. В

приведенной конструкции канал протекания тока представляет собой слой по
лупроводника л-типа, заключенный между двумя р-л-переходами. Электрод, от
которого начинают движение носители заряда (в данном случае электроны), на
зывают истоком^ а электрод, к которому они движутся, - стоком. Оба р-слоя
электрически связаны между собой и имеют внешний электрод, называемый за
твором. Подобную же конструкцию имеют и полевые транзисторы с каналом р-
типа. Условные обозначения полевых транзисторов с каналами л- и p-типа при
ведены на рис. 14, б, в.
Полярность внешних напряжений, подводимых к транзистору, показана на
рис. 14, а. Управляющее (входное) напряжение подается между затвором и
истоком. Напряжение Um является обратным для обоих р-л-переходов. В вы
ходную цепь, в которую входит канал транзистора, включается напряжение
положительным полюсом к стоку.
Управляющие свойства транзистора объясняются тем, что при изменении
напряжения UMt изменяется ширина его р-л-переходов, представляющих собой
участки полупроводника, обедненные носителями заряда. Тем самым изменя
ются сечение токопроводящего канала и его проводимость, т.е. выходной ток 1С
прибора.
Особенностью полевого транзистора является влияние на проводимость
канала как управляющего напряжения U3Ui так и напряжения £7П(. Влияние под
водимых напряжений на проводимость канала иллюстрирует рис. 15.
Если внешнее напряжение приложено только к входной цепи транзистора
(рис. 15, а), то проводимость канала изменяется только за счет изменения его
сечения на одинаковую величину по всей длине канала. Но выходной ток 1С = О,
поскольку Ucu = 0.
Рис. 15. Поведение полевого транзистора с/?-л-переходом и каналом л-типа при под
ключении внешних напряжений:
a -UÔ, Um=0- &-UiU=0, Ue„>0; b-Um<0, U„,>0
26
Если внешнее напряжение приложено только между стоком и истоком
{Uctl > О, U3U = 0, рис. 15, б), то через канал протекает ток 1С, в результате чего
создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока. В силу это
го потенциалы точек канала будут неодинаковыми по его длине, возрастая в
направлении стока от нуля до Ucu. В связи с этим обратное напряжение, прило
женное к р-л-переходам, возрастает и /7-л-переходы расширяются в направле
нии стока. При некотором напряжении Uctl происходит сужение канала, при
котором границы обоих р-л-переходов смыкаются (рис. 15, б) и сопротивление
канала становится высоким.
На рис. 15, в показано результирующее влияние на канал обоих напряже
ний Ucu и t/л,. Канал показан для случая смыкания р-и-переходов.
Для полевых транзисторов представляют интерес два вида вольт-амперных
характеристик: стоковые и стоко-затворные. Стоковые (выходные) характери
стики полевого транзистора с р-л-переходом и каналом л-типа показаны на рис.
16, а. Они отражают зависимость тока стока от напряжения сток-исток при
фиксированном напряжении затвор-исток Zc =2?’(C7CM)|f/ =const.
Рис. 16. Семейство стоковых (выходных) характеристик (а) и стоко-затворная ха

рактеристика (б) полевого транзистора с р-л-переходом и каналом и-типа
Особенностью стоковых характеристик полевых транзисторов является

практически линейная зависимость Ic = F(t/w)|{/ на начальном участке ха
рактеристики (участок 0-а на характеристике, соответствующей Uw = 0). При

дальнейшем увеличении напряжения Ucu крутизна увеличения тока уменьшает
ся (участок а-б) из-за сужения токопроводящего канала. При переходе из облас
ти 1 в область II (пунктирная кривая на рис. 16, а) сечение токопроводящего ка
27
нала уменьшается до минимума в результате смыкания обоих р-и-переходов.
Дальнейшее увеличение напряжения не должно приводить к увеличению
тока, так как одновременно с ростом напряжения U„, будет увеличиваться со
противление канала (наступает так называемый режим насыщения). Некоторое
увеличение тока 1С объясняется наличием различного рода утечек и влиянием
сильного электрического поля в /э-л-переходах, прилегающих к каналу.
Участок III резкого увеличения тока 1С характеризуется лавинным пробоем
области ^-«-переходов вблизи стока по цепи сток-затвор (начало в точке в).
Стоко-затворная характеристика полевого транзистора показывает зависи
мость тока стока от напряжения затвор-исток при фиксированном напряжении
сток-исток Ic = F(U3U )|t/ const. Примерный вид этой характеристики показан на
рис. 16, б. Максимального значения ток стока достигает при U™ = 0. Напряже

ние затвор-исток, при котором ток стока становится равным нулю, называют
напряжением отсечки U3ll отс.
Другой параметр полевого транзистора, напрямую связанный со стоко
затворной характеристикой, - это крутизна характеристики
s=-^~
dUси Uai -const
которая отражает связь выходного тока (тока стока) полевого транзистора с

входным напряжением (напряжением затвор-исток).
Крутизна характеристики S - это усилительный параметр полевого тран
зистора.
Внутреннее (выходное) сопротивление полевого транзистора
dUcu
Г'~ dIL U.M =const
характеризует наклон стоковой (выходной) характеристики на участке II (см.

рис. 16, а).
Входное сопротивление гвх = dU3l/dI3 определяется сопротивлением р-п-
переходов, смещенных в обратном направлении. Величина входного сопротив
ления имеет порядок (108-109) Ом, поэтому входной ток /Зв статическом режи
ме можно считать равным нулю.
К основным параметрам полевого транзистора также относятся:
- максимальный ток стока 1стах,
- максимальное напряжение стока Uat max.
З.2.1.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором

(МДП-транзисторы)
В отличие от полевых транзисторов с /j-w-переходом, в МДП-транзисторах

затвор изолирован от области токопроводящего канала слоем диэлектрика. От
сюда и название МДП - металл-диэлектрик-полупроводник. В качестве диэлек
28
трика используют окисел кремния SiO2. Поэтому иногда используется другое
название - МОП-транзисторы (структура металл-окисел-полупроводник). На
личие диэлектрика обеспечивает очень высокое входное сопротивление транзи
сторов (1012-1014) Ом.
Принцип действия МДП- транзисторов основан на эффекте изменения
проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлек
триком под воздействием поперечного электрического поля. Приповерхност
ный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисто
ров. МДП-транзисторы выполняют двух типов - со встроенным каналом и с
индуцированным каналом.
МДП-транзисторы представляют собой в общем случае четырехэлектрод
ный прибор. Четвертым электродом, выполняющим вспомогательную функ
цию, является вывод от подложки исходной полупроводниковой пластины.
МДП-транзисторы могут быть с каналом п- или p-типа. Условные обозначения
МДП-транзисторов показаны на рис. 17.
Конструкция МДП-
3J5
Л з_15
1Г5 1Г
3Дп 3J7
5 1Г5 транзистора со встроен
ным каналом «-типа по
казана на рис. 18, а. В
ИИ ИИ
исходной пластине
а) б) в) г) кремния p-типа с помо
с с с с щью диффузионной тех
3-6 нологии созданы облас
ти истока, стока и кана
и и и и ла «-типа. Слой окисла
д) е) ж) з) SiO2 выполняет функ
ции защиты поверхно
Рис. 17. Условные обозначения МДП-транзисторов со встро сти, близлежащей к ис
енным каналом и-типа (а) и выводом от подложки (в); со току, а также изоляции
встроенным каналом p-типа (б) и выводом от подложки (г); с затвора от канала. Вы
индуцированным каналом л-типа (д) и выводом от подложки
(ж); с индуцированным каналом p-типа (е) и выводом от под вод подложки иногда
ложки (з) присоединяют к истоку.
Стоковые характе-
ристики полевого тран
зистора со встроенным каналом «-типа показаны на рис. 18, б. По виду эти ха
рактеристики близки к характеристикам полевого транзистора с ^-«-переходом.
Различие заключается в том, что входное напряжение U3U может быть как по
ложительной, так и отрицательной полярности.
Если к затвору приложено отрицательное напряжение U3U < 0, то поле за
твора оказывает отталкивающее действие на электроны - носители заряда в ка
нале, что приводит к уменьшению их концентрации в канале и уменьшению
проводимости канала. Вследствие этого стоковые характеристики при U3„ < О
располагаются ниже кривой, соответствующей U3U - 0. Режим работы транзи
стора, при котором происходит уменьшение концентрации зарядов в канапе,
называют режимом обеднения.
29
При подаче на затвор напряжения > 0 поле затвора притягивает электро
ны в канал из p-слоя полупроводниковой пластины. Концентрация зарядов в кана
ле увеличивается, что соответствует режиму обогащения канала носителями заря
да. Проводимость канала возрастает, ток 1С увеличивается. Стоковые характери
стики располагаются выше кривой, соответствующей Um = 0.
Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным каналом при
ведена на рис. 18, в. Ее отличие от стоко-затворной характеристики транзистора
с р-и-переходом обусловлено возможностью работы как при Um < 0 (режим
обеднения), так и при UJU > 0 (режим обогащения).
Конструкция МДП-транзистора с индуцированным каналом w-типа пока
зана на рис. 19, а. Канал проводимости тока здесь специально не создается, а
образуется (индуцируется) благодаря притоку электронов из полупроводнико
вой пластины в случае приложения к затвору напряжения положительной по-
Рис. 18. Конструкция МДП-транзистора со встроенным каналом л-тила (а); семей

ство его стоковых характеристик (б); стоко-затворные характеристики (в)
Рис. 19. Конструкция МДП-транзистора с индуцированным каналом (а); семейство его

стоковых характеристик (б); стоко-затворные характеристики (в)
30
лярности относительно истока. За счет притока электронов в приповерхностном
слое происходит изменение электропроводности полупроводника, т.е. индуци
руется токопроводящий канал и-типа. Проводимость канала возрастает с по
вышением приложенного к затвору напряжения положительной полярности.
Таким образом, транзистор с индуцированным каналом работает только в ре
жиме обогащения.
Стоковые характеристики полевого транзистора с индуцированным кана
лом и-типа приведены на рис. 19, б. Они отличаются от характеристик транзи
стора со встроенным каналом тем, что управление током осуществляется на
пряжением U3U одной полярности, совпадающей с полярностью Ucu.
Вид стоко-затворной характеристики полевого транзистора с индуциро
ванным каналом и-типа приведен на рис. 19, в.
Большое входное сопротивление (малый входной ток) полевого транзисто
ра определяет его основное положительное качество - возможность использо
вания в усилителях, работающих со слабыми сигналами. Вместе с тем протека
ние тока по каналу транзистора создает в нем достаточно большие падения на
пряжения, что негативно сказывается на КПД схем, особенно при работе тран
зистора с большими токами.
3.2.2. Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводни

ковую структуру с чередующимся типом проводимости слоев и содержит два р-
и-перехода. В зависимости от чередования слоев существуют транзисторы ти
пов р-п-р и п-р-п (рис. 20, а, б). Их условное обозначение на схемах электриче
ских принципиальных показано на рис. 20, в, г. В качестве исходного материала
для получения трехслойной структуры используют германий или кремний
(германиевые и кремниевые транзисторы).
Трехслойная транзисторная структура создается по сплавной или диффу
зионной технологии. Трехслойная транзисторная структура типа р-п-р, выпол
ненная по сплавной технологии, показана на рис. 20, д. Пластина полупровод
ника и-типа является основанием, базой (отсюда и название слоя) конструк
ции. Два наружных /7-слоя создаются в результате диффузии в них акцепторной
примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Один из слоев назы
вается эмиттерным, а другой коллекторным. Также называются р-п-
переходы, создаваемые этими слоями, и внешние выводы от этих слоев.
Функция эмиттерного перехода - инжектирование (эмигрирование) носи
телей заряда в базу. Функция коллектороного перехода - сбор носителей заря
да, прошедших через базовый слой. Чтобы носители заряда, инжектируемые
эмиттером и проходящие через базу, полнее собирались коллектором, площадь
коллекторного перехода делают больше площади эмиттерного перехода. При
мер конструктивного исполнения маломощного транзистора показан на рис. 20, е.
В транзисторах типа п-р-п функции всех трех слоев и их названия анало
гичны, изменяется лишь тип носителей заряда, проходящих через базу: в при
борах типа р-п-р - это дырки, а в приборах типа п-р-п - электроны.
31
А.,-База
Змиттер^ ^Коллектвр
Рис. 20. Полупроводниковая структура транзисторов типа р-п-р (а) и п-р-п (б); их условные
графические обозначения (в, г); сплавная транзисторная структура типар-п-р (д); пример
конструктивного исполнения маломощного транзистора в металлическом корпусе (е):
1-донце корпуса; 2 - колба; 3 - вывод эмиттера; 4 - таблетка индия; 5 - кристаллодержа-
тель; 6 - пластина германия и-типа; 7 - таблетка индия; 8 - вывод коллектора; 9 - стеклян
ный изолятор
Принцип действия транзистора рассмотрим на примере транзистора р-п-р

типа.
Механизм воздействия входной цепи на выходную заключается во взаим
ном влиянии двух р-и-переходов - эмиттерного и коллекторного. Для изучения
этого механизма обратимся к одному из возможных способов включения тран
зистора, показанному на рис. 21. В этой схеме базовый вывод является общим
Рис. 21. Включение биполярного транзистора по схеме с общей базой
32
для входной и выходной цепей, поэтому такую схему включения называют
схемой с общей базой.
Напряжение источника питания выходной цепи Ek прикладывается к кол
лекторному переходу в обратном направлении. Поэтому при отсутствии вход
ного сигнала (Ес=0; 13=0) в выходной цепи протекает лишь весьма незначи
тельный по величине обратный ток коллекторного р-п-перехода 1КО. Если во
входную цепь подается электрический сигнал в полярности, указанной на рис.
21, то к эмиттерному переходу это напряжение прикладывается в прямом на
правлении, и во входной цепи возникает ток Д. Этот ток создается дырками,
переходящими из области эмиттера в область базы. Эти носители распростра
няются по объему базы и проходят к коллекторному р-и-переходу. Поле кол
лекторного перехода, большее по величине, чем поле эмиттерного перехода,
втягивает эти носители в коллекторную область и возникает составляющая
коллекторного тока, пропорциональная току эмиттера.
Численное значение коэффициента а меньше единицы. Это объясняется
тем, что не все дырки, инжектированные в базу, достигают коллектора. Часть
дырок рекомбинирует в области базы с электронами, поступившими через ба
зовый электрод от источника Ес, и создают базовый ток Д. Практически коэф
фициент а имеет значения, лежащие приблизительно в пределах от 0,8 до 0,99.
Поскольку этот коэффициент связывает между собой приращения тока входной
и выходной цепей, его называют коэффициентом усиления по току или коэф
фициентом передачи тока в схеме с общей базой. Полный ток коллекторного
перехода может быть записан как
1к=1ко + а1э, (3.1)
где а- коэффициент пропорциональности между током коллектора и эмит
тера.
Несмотря на то, что выходной ток в этой схеме меньше входного, схема
все же обеспечивает усиление по мощности, поскольку напряжение источника
в выходной цепи значительно превышает напряжение во входной цепи.
На практике наибольшее распространение получила схема включения
транзистора по схеме с общим эмиттером (рис. 22). В этой схеме входным то
ком транзистора является ток базы, а выходным - ток коллектора. Величина
базового тока обычно намного меньше, чем коллекторного, поэтому такая схе
ма обладает значительным усилением по току.
Величину этого усиления можно найти, если в уравнение коллекторного
тока (3.1) подставить значение Д, найденное на основании первого закона
Кирхгоффа:
2э хк б’
4 =4о +а(4 +4);
1 1_ [1к0 +т а /
гк =_
l-а 1-а
.
зз
а
Величина -------- обозначается символом р и называется коэффициентом
1-а
усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером. Таким образом,
Л=(^+1)4о+^-4.
У реальных транзисторов величина коэффициента ft имеет значения, ле
жащие в пределах от 4 до 100.
Схема с общим эмитте-
ром обладает наибольшим
коэффициентом усиления по
мощности, так как обеспе
чивает значительное усиле
ние входного сигнала как по
току, так и по напряжению.
В зависимости от по
лярности и величины на
пряжений на электродах
транзистора различают его
Рис. 22. Включение биполярного транзистора по три режима работы:
схеме с общим эмиттером 1. Активный режим
(режим усиления сигнала) -
эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обрат
ном.
2. Режим глубокой отсечки - оба перехода транзистора смещены в об
ратном направлении с помощью внешних напряжений. Ток коллектора при
этом имеет минимальное значение, равное току /j-w-перехода, смещенного в об
ратном направлении. Ток эмиттера имеет противоположный знак (при этом он
значительно меньше тока коллектора) и его принимают равным нулю. Ток базы
примерно равен току коллектора.
Режим глубокой отсечки характеризует запертое состояние транзистора, в
котором его сопротивление максимально, а токи электродов минимальны. Он
широко используется в импульсных устройствах, где транзистор играет роль
электронного ключа.
3. Режим насыщения - оба перехода с помощью приложенных внешних
напряжений смещены в прямом направлении. При этом падение напряжения на
транзисторе ((/кэ) минимально и оценивается десятками милливольт. Режим на
сыщения возникает тогда, когда ток коллектора ограничен параметрами внеш
него источника энергии и при данной схеме включения не может превысить ка
кое-то значение 1к тах. В то же время параметры источника внешнего сигнала
взяты такими, что ток эмиттера существенно больше максимального значения
тока коллектора: 1ктах<а1э.
Из сказанного ясно, что для того, чтобы транзистор из активного режима
перешел в режим насыщения, необходимо увеличить ток эмиттера так, чтобы
начало выполняться последнее условие.
34
Свойства транзисторов описываются системой характеристик и парамет
ров. К основным параметрам транзисторов относятся следующие:
1 • 1кмакс — максимально допустимый коллекторный ток;
2. С7КЭ макс (Uk6 „акс) - максимально допустимые напряжения коллектор-
эмиттер или коллектор-база;
3. Рк макс - максимально допустимая мощность рассеивания на коллекторе;
4. /3(а) - коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером (с
общей базой);
5. 1КО - обратный коллекторный ток.
Биполярный транзистор, по сравнению с полевым, имеет меньшее падение
напряжения в открытом состоянии и способен работать с большими токами и
напряжениями. К недостаткам биполярного транзистора следует отнести зна
чительные по величине входные токи, что накладывает определенные ограни
чения на источники входного сигнала.
3.2.3. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором выполнены как соче

тание входного полевого транзистора с изолированным затвором и выходного
биполярного транзистора.
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором все
гда образуется паразитный биполярный транзистор, который не находил прак
тического применения (рис. 23). В этой схеме VT1 - полевой транзистор с изо
лированным затвором, VT2 - паразитный биполярный транзистор, R1 - после
довательное сопротивление канала полевого транзистора, R2 - сопротивление,
Рис. 24. Схема замещения IGBT

Рис. 23. Схема замещения реального
полевого транзистора
35
шунтирующее переход база-эмиттер транзистора VT2. Благодаря сопротивле
нию R2 транзистор VT2 заперт и не оказывает существенного влияния на рабо
ту полевого транзистора VT1. Структура IGBT-транзистора дополнена еще од
ним /?-и-переходом, благодаря которому в схеме замещения (рис. 24) появляет
ся еще один биполярный транзистор VT3, коллекторная цепь которого обеспе
чивает цепь протекания тока базы транзистора VT2 и перевод его в активный
режим. Образованная структура из транзисторов VT2 и VT3 имеет глубокую
внутреннюю обратную связь, так как ток коллектора VT2, в свою очередь, влия
ет на ток базы VT3.
Таким образом, IGBT имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, за
твор. Соединения эмиттера и истока, базы и стока являются внутренними. Со
четание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства
полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высо
кой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включённом состоянии.
Большие пробивные напряжения, широкая область
безопасной работы, удобство управления прибором, ус
тойчивость к быстрому нарастанию напряжения и способ
ность выдерживать большие нагрузочные токи делают их
похожими на МОП-транзисторы. В то же время они лише
ны таких недостатков последних, как зависимость прово
Рис. 25. Условное димости канала от температуры и уровня напряжения.
обозначение IGBT Для IGBT с номинальным напряжением в диапазоне
600 - 1200 В в полностью включённом состоянии прямое
падение напряжения, так же, как и для биполярных транзисторов, находится в
диапазоне 1,5 - 3,5 В. Это значительно меньше, чем характерное падение на
пряжения на силовых МДП - транзисторах в проводящем состоянии с такими
же номинальными напряжениями.
Характеристики таких транзисторов аналогичны характеристикам бипо
лярных транзисторов.
3.3. Тиристоры
3.3.1. Устройство и принцип действия
Тиристором называется полупроводниковый прибор с тремя последова

тельно включенными р-и-переходами, который может переключаться из закры
того состояния в открытое и наоборот. По устройству и принципу действия ти
ристоры подразделяются на динисторы, тринисторы и симисторы.
Структура динистора показана на рис. 26, а. Крайние области называются
pi и п2 -эмиттерами, а средние -р2 нп]- базами.
К эмиттерным областям присоединяют выводы. Электрод, подключенный к
ру-эмиттеру, называется анодом А, а к «2-эмиттеру - катодом К. Соответственно
переходы П] и Пз называются эмитгерными, а переход П2 - коллекторным.
36
При подключении к динистору напряжения (плюс - на аноде и минус - на
катоде) переходы П] и П3 смещаются в прямом направлении, а средний пере
ход П2 - в обратном. Напряжение оказывается целиком приложенным к коллек
торному переходу П2.
При повышении прямого напряжения Unp от нулевого значения прямой
ток 1пр медленно увеличивается (участок I, рис. 26, в). При этом области и р2
насыщаются неосновными носителями заряда, и в некоторый момент их кон
Рис. 27. Тиристор: а) структурная схема; б) условное обозначение; в) ВАХ
центрация превысит концентрацию основных носителей зарядов (произойдет

явление инверсии электропроводности), при этом сопротивление коллекторно
го перехода П2 резко уменьшится. Процесс развивается за несколько микросе
кунд и сопровождается уменьшением сопротивления в результате лавинного
увеличения числа носителей электрических зарядов в слое П2 и переноса тока
через коллекторный переход П2. Участок кривой II на ВАХ называют участком
с «отрицательным» сопротивлением Напряжение, при котором включается ди-
нистор, называют напряжением включения ивкл.
В открытом состоянии динистор будет находиться до тех пор, пока через
него проходит ток, равный току удержания lyd (точка Б на участке III на рис. 26,
в). Значение прямого тока динистора определяется величиной внешнего напря
жения и сопротивлением нагрузки RH.
Если изменить полярность внешнего напряжения, т.е. соединить анод с от
рицательным, а катод с положительным зажимом источника, то переходы П1 и
П3 смещаются в обратном направлении, а П2 - в прямом направлении, и через
динистор будет проходить небольшой обратный ток (участок IV на рис. 26, в)
двух последовательно соединенных и включенных в обратном направлении по
лупроводниковых диодов. Динистор будет находиться в закрытом состоянии.
Тринистор, у которого имеется вывод от одной из баз, называется триод
ным тиристором. Дополнительный третий вывод называется управляющим
электродом (УЭ). Тринистор (далее просто тиристор) по сравнению с динисто-
37
ром имеет возможность управлять напряжением включения с помощью цепи
управления УЭ - катод, причем мощность в этой цепи значительно меньше
мощности силовой цепи анод - катод. Тиристоры могут быть незапираемыми и
запираемыми. В незапираемых тиристорах УЭ используется только для отпи
рания, т. е. для переключения тиристора в открытое состояние, а в запираемых
тиристорах посредством сигналов на УЭ можно как открывать^ так и закрывать
тиристор (требуемая мощность запирающего управляющего импульса значи
тельно выше мощности отпирающего импульса). Структура незапираемого ти
ристора приведена на рис. 27, а. Прибор состоит из четырех чередующихся р- и
и-областей. Кроме анодного и катодного выводов имеется еще и управляющий
электрод - УЭ, который может быть присоединен к базовым р- или и-областям.
Если УЭ присоединен к p-базе, на него подается положительное напряжение по
отношению к катоду, если к л-базе, полярность меняется на обратную.
Эффект управления объясняется тем, что входной ток управляющего элек
трода 1уПр ускоряет процесс насыщения соответсвующей области неосновными
носителями заряда, напряжение включения прибора при этом уменьшается.
Обеспечение величины тока управления на уровне ном дает возможность от
крывать прибор при малых значениях прямого напряжения. Тиристор имеет два
устойчивых состояния: первое характеризуется малым прямым током через ти
ристор и большим падением напряжения в нем - закрытое состояние, второе —
соответствует большому прямому току и малому падению напряжения на тири
сторе - открытое состояние. После отпирания прибора напряжение с управ
ляющего электрода может быть снято, при этом прибор останется в открытом
состоянии. Это свойство используется при построении схем, в которых управ
ление тиристорами осуществляется подачей на УЭ коротких управляющих им
пульсов (амплитуда и длительность импульсов зависит от типа и мощности ти
ристора и приводится в справочниках). Для запирания тиристора необходимо
уменьшить его прямой ток до значения, не превышающего ток удержания
(требуется подать напряжение обратной полярности или снять напряжение пи
тания анод - катод). На рис. 27, б показано условное графическое изображение
тиристора.
3.3.2. Основные параметры тиристоров
1. Класс тиристора. Класс характеризует максимальное повторяющееся

напряжение, которое можно прикладывать к прибору как в прямом, так и в об
ратном направлении, и при этом он остается в непроводящем состоянии.
Umax = Unp.max ~ Уобр.тах^Кл X ЮО В. КлаССЫ ОПрвДбЛЯЮТСЯ ОТ 0,5 ДО 20.
2. Номинальный прямой ток. Это допустимый средний ток в открытом со
стоянии. Диапазон токов: 100мА...2000А. Значение тока оговаривается при ес
тественном и принудительном охлаждении. Принудительное охлаждение пото
ком воздуха применяется для мощных приборов. При этом указывается ско
рость воздуха.
3. Прямое падение напряжения в открытом состоянии - Цр ОИАр.
Unp.omKp = 0,8... 1,2 В.
38
4. Допустимая скорость нарастания напряжения на закрытом тиристоре в
прямом направлении du/dt. При приложении крутого фронта прямого напряже
ния может произойти самопроизвольное включение тиристора. Для ограниче
ния du/dt параллельно тиристору подключают ограничивающие RC-цепи.
5. Допустимая скорость нарастания тока через открытый тиристор di/dt.
При включении тиристора средней и большой мощности ток вначале начинает
концентрироваться около управляющего электрода, а затем распределяется по
всей полупроводниковой структуре. Концентрация тока, нарастающего с боль
шой скоростью около управляющего электрода, может привести к прожогу
структуры. Если di/dt ограничено, то ток успевает распределиться по структуре
и разрушения полупроводника не будет. Для ограничения di/dt последовательно
с тиристором включается индуктивность.
6. Время включения teicl - это интервал времени между началом импульса
управления и моментом полного отпирания тиристора. 1вкл составляет несколько
микросекунд.
7. Время выключения /выкл. Это интервал времени от момента перехода то
ка анода через ноль до момента приложения к нему прямого напряжения, не
вызывающего его отпирания. Для приборов средней мощности гвыкл=5О...ЗОО
мкс, что в несколько раз больше времени включения.
8. Ток управления 1упР- Различают /упр.длнт и /уприлт - lynp.iwn 20... ЮООмА.
9. Ток удержания 1уц - это минимальное значение прямого тока, при кото
ром тиристор остается в открытом состоянии при /w=0.
3.3.3. Симистор
Структура симистора представлена на рис. 28, а. Основу симистора со

ставляет многослойная структура ргП1-п2-р2-Пз-П4, в которой электрод В] час
тично шунтирует области pi-np а управляющий электрод - области ргп4 Если
к силовым электродам Bi и В2 подвести напряжение: плюс на В], отрицатель
ный потенциал относительно В2 к УЭ, то электроны области п4 пройдут через
переход П4 и обогатят область р2. Потенциальный барьер обратно смещенного
перехода П2 снижается, и по симистору от Bi к В2 проходит прямой ток 1„р.
При смене полярности на силовых выводах отрицательный потенциал
электрода УЭ обеспечивает смещение П2 и П3 в прямом направлении. По
структуре проходит обратный ток /обр. В случае положительной полярности на
УЭ ранее закрытый переход П2 откроется вследствие инжекции электронов из
области п3, и по структуре пойдет прямой ток.
Вольт-амперная характеристика симистора изображена на рис. 28, в.
Ветви характеристик в первом и третьем квадрантах отображают работу сими
стора при разных полярностях напряжения на его электродах. При отсутствии
тока управления симистор отпирается напряжением любой полярности, пре
вышающим напряжение включения ивкд. Если ток управления Jynp > 0, симистор
работает аналогично двум встречно включенным диодам. На рис. 28, б приве
дено условное графическое изображение симистора.
39
Рис. 28. Симистор: а) структурная схема; б) условное обозначение; в) ВАХ
1. Полупроводниковый диод, свойства, характеристики и основные параметры.
2. Выпрямительные диоды, основные параметры, обозначение, разновидности.
3. Кремниевые стабилитроны, свойства, обозначение, применение.
4. Дайте понятие транзистора, перечислите основные типы транзисторов.
5. Полевой транзистор с управляющим /?-л-переходом, структура, принцип
действия, характеристики, основные параметры.
6. МДП-транзистор со встроенным каналом, структура, принцип действия,
характеристики, основные параметры.
7. МДП-транзистор с индуцированным каналом, структура, принцип действия,
характеристики, основные параметры.
8. Биполярный транзистор, структура, принцип действия, характеристики,
основные параметры.
9. Схемы включения биполярных транзисторов.
10. Режимы работы биполярных транзисторов.
11. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), структура,
принцип действия, характеристики, основные параметры.
12. Динистор, структура, принцип действия, характеристики, основные
параметры.
13. Тиристор, структура, принцип действия, характеристики, основные
параметры.
14. Симистор, структура, принцип действия, характеристики, основные
параметры.
40
Расчетное задание №1
Выбор элементов при конструировании электронных устройств
Данное задание предусматривает ознакомление с методами и правилами,

применяемыми при выборе наиболее распространенных элементов электрон
ных схем - полупроводниковых диодов, транзисторов, резисторов и конденса
торов.
Общий принцип при подборе этих элементов заключается в следующем.
Вначале аналитическим путем устанавливаются величины электрических на
грузок на данный элемент (токи, напряжения, рассеиваемая мощность), факти
чески существующие при работе устройства, а затем на основе справочных
данных выбирают тип элемента, для которого все эти нагрузки не превышают
максимально допустимых значений. Рекомендуется так выбирать элементы,
чтобы фактически существующие нагрузки не превышали 60 - 80% от пре
дельно допустимых значений. Тем самым повышается надежность элементов,
значительно увеличивается и срок службы всего устройства.
Выбор полупроводниковых диодов
Основными исходными параметрами, по которым производится выбор

диодов, являются среднее значение анодного тока 1а и амплитудное значение
обратного напряжения Uam. Определив расчетом эти величины, по справочнику
выбирают тип вентиля, для которого выполняются условия
-4я макс доп — 1а >
Uа макс доп — ^ат>
где 1а макс доп - максимально допустимое среднее значение анодного тока

вентиля данного типа;
Ua макс доп - максимально допустимое амплитудное значение обратного
напряжения для вентиля данного типа.
В необходимых случаях следует учитывать влияние повышенной темпера
туры окружающей среды, что обычно снижает допустимое обратное напряже
ние. Необходимые данные для учета влияния температуры приводятся в спра
вочном листке на вентиль.
Большинство современных типов диодов изготавливается на основе гер
маниевых и кремниевых кристаллов. При решении вопроса о выборе исходного
материала следует иметь в виду, что кремниевые диоды могут работать при бо
лее высоких температурах, чем германиевые, и имеют значительно меньшую
величину обратного тока.
Преимуществом германиевых вентилей следует считать меньшую величи
ну прямого падения напряжения, что повышает КПД выпрямителя, и несколько
меньшую стоимость по сравнению с кремниевым.
41
При выборе мощных вентилей следует обращать внимание на условия их
охлаждения. Способы охлаждения предусматриваются техническими условия
ми на вентили и весьма значительно влияют на допустимую величину анодного
тока вентиля.
Пример. Для установки в выпрямительном блоке требуется выбрать полу

проводниковый диод. Расчетом установлено, что при работе устройства макси
мальные электрические нагрузки на диод составят:
4=4.8 А;
^=375 В.
Пользуясь справочником [8] , для установки в схему выбираем диод типа
КД203А со следующими основными параметрами:
4макс доп — 10 А,
макс доп 600 В.
Примечание. Выбранный диод имеет избыточный запас по допустимому

прямому току 4- Однако ближайший меньший номинал анодного тока состав
ляет 5 А (диоды типа КД202). Такие диоды, хотя и способны работать в данной
схеме, однако не обеспечивают достаточного запаса по току, поэтому их при
менение не может быть рекомендовано.
Выбор транзисторов
При выборе транзисторов учитываются три основные параметра: ампли

тудное значение тока коллектора /кда, амплитудное значение напряжения кол
лектор-эмиттер или коллектор-база UK3m средняя мощность, выделяемая
на коллекторе Рк. Пользуясь справочником, выбираем такой тип транзистора,
для которого:
4 макс доп — 1кт>

UK3 макс доп—кэ т>
Рк макс доп^Рк>
где: 1Кмакс доп - максимально допустимое значение коллекторного тока;

ик л1акс доп - максимально допустимое значение напряжения коллектор-
эмиттер;
Рк макс доп - максимально допустимое среднее значение мощности, рас
сеиваемой на коллекторе.
Температура окружающей среды при выборе транзисторов оказывает
влияние на максимально допустимое напряжение и максимально допустимую
мощность. При выборе материала транзистора следует учитывать те же особен
ности, что и при выборе диодов.
42
Частотные свойства транзисторов, предназначенных для работы в устрой
ствах судовой автоматики, не имеют существенного значения, поскольку инер
ционность транзисторов заведомо пренебрежимо мала по сравнению с инерци
онностью других элементов, входящих в систему регулирования. Поэтому, как
правило, в усилителях и других электронных элементах автоматики применя
ются транзисторы, принадлежащие к группе низкочастотных и среднечастот
ных.
Особое внимание следует обратить на то, что транзисторы делятся на два
типа: п-р-п и р-п-р. При этом очевидно, что если схема рассчитана на транзи
стор, например р-п-р типа, то установка в данную схему транзистора п-р-п со
вершенно невозможна, хотя бы он и имел все численные параметры, удовле
творяющие поставленным условиям. В некоторых случаях затруднения подоб
ного рода могут быть преодолены незначительной перестройкой структуры
схемы так, что она становится пригодной для использования транзисторов дру
гого типа.
При выборе мощных транзисторов часто возникает вопрос о способе отво
да тепла, выделяемого на коллекторном переходе транзистора. Обычно этот во
прос решается установкой транзистора на теплоотводящий радиатор. Необхо
димая величина площади радиатора в этом случае может быть определена с
помощью специальных таблиц.
Пример. Для установки в схему усилителя мощности требуется подобрать
транзистор р-п-р типа, способный работать в следующем режиме:
1кт^ 2.5 А;
U„H = 30 В;
А = 2.5 В.
Пользуясь справочником [8] , выбираем для установки транзистор типа
ГТ703Д, имеющий следующие основные параметры:
^кмакс доп 3.5 А,
UK3 макс доп 40 В,
Ркмаксдоп= 15 В (с теплоотводом).
Выбор резисторов
Для правильного выбора резистора необходимо знать величину его сопро

тивления R, рассеиваемую мощность РР и дополнительные условия эксплуата
ции. Этими дополнительными условиями в основном определяется выбор типа
резистора. Для изделий общепромышленного назначения наиболее часто при
меняются резисторы типа МЛТ.
После выбора типа резистора на шкале номинальных мощностей выбира
ется мощность резистора. Например, для названных типов резисторов шкала
номинальных мощностей выглядит следующим образом:
43
РНОЛ1= 0.125 Вт; 0.25 Вт; 0.5 Вт; 1.0 Вт; 2.0 Вт.
При выборе мощности резистора должно выполняться условие:
р > р
Номинальное значение сопротивления резистора выбирается наиболее
близким к расчетному по шкале номинальных величин постоянных сопротив
лений с учетом допустимого разброса. Резисторы названных типов выпускают
ся со следующими значениями допустимых отклонений сопротивления от но
минального значения: ±5%; ±10%; ±20%. С целью снижения стоимости аппара
туры следует стремиться выбирать резисторы с наибольшим разбросом, допус
тимым по условиям работы схемы.
При выборе номинала следует убедиться, что необходимый номинал нахо
дится внутри пределов, предусмотренных для данного типа резистора.
Пример. Для установки в цепи смещения транзисторного каскада требует
ся подобрать резистор, имеющий сопротивление 3510 Ом; расчетное значение
тока, протекающего через резистор, равно 5.4 мА.
Выбираем тип резистора МЛТ. Определяем мощность, выделяемую в ре
зисторе:
Pp = I2R = (5.410'3) 2 -3510 = 0.092 Вт.
Выбираем номинальное значение мощности резистора:
РНом= 0.125 Вт.
По шкале номинальных значений (табл. 1) выбираем ближайшую величи
ну сопротивления:
RUOM = 3.6 кОм.
Таким образом, нами выбран резистор МЛТ - 0.125 - 3.6 ± 5% кОм.
Выбор конденсаторов
При выборе конденсаторов основными критериями являются расчетные

значения емкости С и максимального напряжения Um, а также род тока в цепи,
где будет установлен конденсатор. Кроме этого учитываются и другие условия
эксплуатации (частота переменного тока, температура окружающей среды и
т.д.). В устройствах судовой автоматики наиболее часто применяются металло
бумажные конденсаторы различных типов (МБГ, ОМБГ, МБГО, МБМ, МБГЧ и
др.) и электролитические конденсаторы.
Металлобумажные конденсаторы используются для работы в цепях посто
янного, пульсирующего и переменного (только МБГЧ) напряжения, электроли
тические - только в цепях постоянного напряжения с невысоким уровнем пуль
сации. Преимущество электролитических конденсаторов - малые габариты по
сравнению с металлобумажными, основной недостаток - нестабильность пара
метров и пониженный срок службы.
44
Типы конденсаторов различаются между собой номинальными рядами ем
костей, номинальными рядами рабочих напряжений, вариантами конструктив
ных исполнений.
Выбор номинальных значений напряжения и емкости, а также конструк
тивного исполнения производят после определения типа конденсатора и только
по таблицам, относящимся к конденсаторам данного типа.
Пример. Требуется подобрать конденсатор для установки в эмиттерной
цепи усилителя. Расчетное значение емкости конденсатора 124 мкФ, напряже
ние на конденсаторе 4.8 В.
Поскольку конденсатор работает при постоянной полярности напряжения
с малой пульсацией, в схему может быть установлен электролитический кон
денсатор.
Выбираем тип конденсатора К50 - 6.
По шкале номиналов конденсаторов данного типа [8] выбираем конденса
тор К50 - 6 - 10 В 200 мкФ.
Задание для самостоятельной работы
а) Подобрать по справочнику полупроводниковый диод. Режим работы

диода указан в таблице 2.
Таблица 2
Максимальное обратное напряжение на диоде
Ток диода
Uo6pm , В
1а, А
100 150 200 250 300 350
0.2 1 2 3 4 5 6
0.5 7 8 9 10 11 12
1.0 13 14 15 16 17 18
1.5 19 20 21 22 23 24
2.0 25 26 27
Примечание. Здесь и далее: цифры внутри таблицы означают номер ва

рианта задания. Необходимые параметры по данному варианту находят в
верхней строке и левом столбце таблицы.
б) Подобрать по справочнику транзистор, удовлетворяющий режиму рабо

ты, указанному в таблице 3. Мощность рассеяния на коллекторе при подборе
транзистора не учитывать.
45
Таблица 3
Максимальный Максимальное напряжение на коллекторе
ток коллектора Уют , В
Л»» > А 10 20 30 40 50
0.1 1 2 3 4 5
0.2 6 7 8 9 . 10
0.5 11 12 13 14 15
1.0 16 17 18 19 20
1.5 21 22 23 24 25
2.0 26 27
в) Выбрать резистор для установки в схему, если известны расчетные

данные (табл. 4).
Таблица 4
Расчетное значение Расчетное сопротивление, Ом
тока I, А 2270 5368 8210 322 458
0.1 1 2 3 4 5
0.2 6 7 8 9 10
0.3 11 12 13 14 15
0.4 16 17 18 19 20
0.5 21 22 23 24 25
0.6 26 27
г) Выбрать конденсатор для установки в схему, если известны расчетные

данные (табл. 5).
Таблица 5
Напряжение У, В Расчетное значение емкости, Ф
2270x1 О’4 5368Х10’3 8210x10’5 322x10'2 458хЮ‘3
0.1 1 2 3 4 5
0.2 6 7 8 9 10
0.3 11 12 13 14 15
0.4 16 17 18 19 20
0.5 21 22 23 24 25
0.6 26 27
46
Содержательный модуль №2
Усилительные устройства
4. Транзисторные усилители
4.1. Параметры усилителей
Усилителем называют устройство, предна

значенное для увеличения параметров электри
ческого сигнала (напряжения, тока, мощности).
Усилитель (рис. 29) имеет входную цепь, к ко
торой подключается усиливаемый сигнал, и вы
ходную цепь, с которой выходной сигнал сни
Рис. 29. Усилитель электри мается.
ческого сигнала Основными параметрами усилителя счи
таются:
- коэффициент усиления по напряжению Ку = Ueblx/Uex',
- коэффициент усиления по току Kj = 1вых/1вх\
Р U I
- коэффициент усиления по мощности Лг " „ ~ U I ~ •
± вх вх^вх
4.2. Усилительные каскады на транзисторах
Усилители, как правило, выполняют из нескольких каскадов, осуществ

ляющих последовательное усиление сигнала. В зависимости от выполняемых
функций усилительные каскады разделяют на каскады предварительного уси
ления и выходные каскады. Каскады предварительного усиления предназначе
ны для повышения уровня сигнала по напряжению, а выходные каскады - для
получения требуемых значений тока или мощности сигнала в нагрузке.
Принцип построения каскада усиления по напряжению показан на рис. 30.
Основными элементами каскада являются управляемый элемент УЭ,
функцию которого выполняет биполярный или полевой транзистор, и резистор
R. Совместно с источником питания Е эти элементы образуют выходную цепь
каскада. Усиливаемый сигнал принятый для простоты синусоидальным, по
дается на вход УЭ. Выходной сигнал напряжения снимается с выхода УЭ или с
резистора R.
Выходное напряжение создается за счет падения напряжения на резисторе
R при протекании по нему выходного тока усилительного элемента УЭ. По
скольку ток УЭ изменяется по закону, заданному входным напряжением, то и
падение напряжения на резисторе R изменяется во времени по такому же зако
47
ну. В соответствии со структурной схемой рис. 30, а закон изменения выходно
го напряжения определяется выражением:
Чвых Е
где ifiieJR - определяет переменную составляющую выходного сигнала.

Процесс усиления основывается на преобразовании энергии источника по
стоянного напряжения Е в энергию переменного напряжения в выходной цепи
за счет изменения тока УЭ по закону, задаваемому входным сигналом.
Рис. 30. Структурная схема (а) и временные диаграммы (б) работы уси
лительного каскада
Следует особо подчеркнуть назначение резистора R в структурной схеме

каскада рис. 30, а. Оно состоит в преобразовании источника тока, каковым яв
ляется выходная цепь как биполярного, так и полевого транзистора, в источник
напряжения с внутренним сопротивлением R. Строго говоря, выходное сопро
тивление каскада равно сопротивлению параллельно соединенных сопротивле
ний резистора R и выходного сопротивления УЭ. Однако выходное сопротив
ление транзисторов очень велико (выполняется условие гУЭ » R), поэтому
практически не оказывает влияния на выходное сопротивление каскада.
Ток выходной цепи является однонаправленным, поэтому для обеспечения
работы усилительного каскада при переменном входном сигнале в его выход
ной цепи должны быть созданы постоянные составляющие тока 10 и напряже
ния Uo (рис. 30, б). Эту задачу решают путем подачи во входную цепь каскада
кроме переменного усиливаемого сигнала соответствующего постоянного на
пряжения Uoex (рис. 30, а) или постоянного входного тока 1о&х-
Постоянные составляющие тока и напряжения определяют так называе
мый режим покоя усилительного каскада. Параметры режима покоя во входной
цепи (Uoex и 1овх) и в выходной цепи (Uo и /0) характеризуют состояние схемы в
отсутствие входного сигнала.
48
4.2.1. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе
Особенности усилительных каскадов на биполярных транзисторах рас

смотрим на примере схемы рис. 31, получившей наибольшее распространение
при реализации усилительных устройств на дискретных компонентах.
Основными элементами схемы являются источник питания Ек, управляе
мый элемент - транзистор VT и резистор RK. Эти элементы образуют главную
цепь усилительного каскада, в которой за счет протекания коллекторного тока,
управляемого по цепи базы, создается усиленное переменное напряжение на
выходе схемы.
Резисторы Rl, R2 используются для задания режима покоя каскада. Рези
стор R1 предназначен для создания цепи протекания тока базы покоя кото
рый определяет величину
тока покоя коллектора
Ток Р1ов + 1ко >
где 1КО* - тепловой ток,

который при нормальной
(комнатной) температуре
можно не учитывать ввиду
его малости.
Резистор R2 совместно
с резистором R1 обеспечи-
Рис. 31. Усилительный каскад по схеме с общим эмит вает исходное напряжение
тером (ОЭ) на базе UR2 относительно
«общего провода» (зажима
«-» источника питания).
Резистор R3 осуществляет отрицательную обратную связь по току и пред
назначен для стабилизации режима покоя при изменении температуры. Кон
денсатор Сэ шунтирует резистор R3 по переменному току, исключая тем самым
проявление отрицательной обратной связи по переменному току и соответст
вующее уменьшение коэффициентов усиления каскада.
Проявление стабилизирующего действия сопротивления R3 на ток 10к мож
но показать на схеме рис. 32. Допустим, под влиянием температуры увеличился
ток /Ок из-за увеличения тока 1КО*. В такой же степени увеличится и ток эмиттера
Л>э = 1ок + Joe и напряжение Ur, = Io,R, на сопротивлении R,. Напряжение UR2
можно считать постоянным, так как при проектировании каскада выбирается
ток делителя 1д на порядок больше тока базы покоя транзистора 1д »1010б- По
этому напряжение покоя эмиттер-база транзистора уменьшается иОзб = UR2 -
UR). В соответствии со входной характеристикой транзистора уменьшается и
ток базы 1об, вызывая уменьшение тока покоя коллектора 10к, чем создается пре
пятствие наметившемуся увеличению тока 10к.
Анализ и расчет каскада по постоянному току проводят графо
аналитическим методом, который рассматривается в расчетном задании №2.
49
При поступлении на вход каскада переменного напряжения wsx в базовой
цепи транзистора создается переменная составляющая тока базы связанная с
напряжением входной характеристикой (рис. 32, а). Так как ток коллектора
связан с током базы пропорциональной зависимостью iK = file, то в коллектор
ной цепи транзистора создаются переменная составляющая тока коллектора
(рис. 32, б) и переменное выходное напряжение ивых, связанное с током лини
Рис. 32. Графический анализ режима работы каскада ОЭ на входной (а) и выходной (б)
характеристиках транзистора
ей нагрузки по переменному току. Линия нагрузки по переменному току пока
зывает, как перемещается рабочая точка (4,нк) при изменении мгновенных зна
чений переменного коллекторного тока.
Таким образом, расчет каскада по постоянному току решает задачу выбора
элементов схемы для получения в нагрузке необходимых параметров выходно
го сигнала.
Важными показателями каскада являются его коэффициенты усиления по
току Ki, напряжению Кц, мощности КР, а также входное Rex и выходное RebiX со
противления. Эти показатели определяются путем расчета усилительного кас
када по переменному току (см. расчетное задание №2).
4.2.2. Усилительный каскад на полевом транзисторе
Принцип построения усилительных каскадов на полевых транзисторах тот

же, что и каскадов на биполярных транзисторах. Отличительная особенность
состоит в том, что полевой транзистор управляется по входной цепи напряже
нием, а не током. Поэтому задание режима покоя в каскадах усиления на поле
вых транзисторах осуществляется подачей во входную цепь каскада постоянно
го напряжения соответствующей величины и полярности.
Схема усилительного каскада приведена на рис. 33. Каскад выполнен на
МДП-транзисторе со встроенным каналом и-типа. Основными элементами кас-
50
када являются источник питания Ес, транзистор VT и резистор Rc Нагрузка
подключена к стоку транзистора через развязывающий конденсатор С2. Ос
тальные элементы выполняют вспомо
гательную роль. Элементы Rl, R2,
предназначены для задания U03U в ре
жиме покоя. Резистор Ru предназначен
для создания отрицательной обратной
связи по постоянному току с целью
стабилизации режима покоя при изме
нении температуры и разбросе пара
метров транзистора. Конденсатор С„
предназначен для исключения отрица
тельной обратной связи по переменно
Рис. 33. Усилительный каскад на МДП- му току. Конденсатор С1 обеспечивает
транзисторе по схеме с общим истоком связь каскада с источником входного
сигнала по переменному напряжению.
Режим покоя каскада выбирается так же, как и в схеме на биполярном
транзисторе. Ток стока покоя 10с и напряжение сток-исток покоя Uocv связаны
соотношением:
Uocu = Ес- I()c(Rc+ RJ
и определяются напряжением затвор-исток транзистора U03tl, соответствующим

точке покоя.
Полевой транзистор со встроенным каналом может работать как при отри
цательном, так и при положительном напряжении на затворе относительно ис
тока.
Рассмотрим случай, когда U03U < 0. Он является типичным также и для кас
када ОИ на полевом транзисторе с р-и-переходом.
Элементами, предназначенными для создания напряжения иОзи < 0 в ре
жиме покоя, являются только резисторы R„ и R2 (см. рис. 33), резистор R1 не
нужен. Необходимые величины и полярность напряжения получаются на рези
сторе Ru в результате протекания через него тока IOu = 10с. В связи с этим выбор
Ru производят по формуле:
Ru Iqc.
Резистор R2 предназначен для обеспечения потенциала затвора, равным
потенциалу нижнего вывода резистора /?„, т.е. для подачи напряжения URv с ре
зистора Ru между затвором и истоком транзистора. Сопротивление резистора
R2 выбирают на несколько порядков меньше входного сопротивления транзи
стора для исключения влияния температурной нестабильности и разброса зна
чения входного сопротивления транзисторов на величину входного сопротив
ления каскада. Значение сопротивления резистора R2 принимают равным
1-2 МОм.
51
1. Усилители электрических сигналов. Структура. Основные понятия. Показате
ли качества.
2. Усилительный каскад по схеме с ОЭ. Схема. Принцип работы. Графо
аналитический расчет. Температурная стабилизация каскада.
3. Режимы работы биполярного транзистора в разных классах усиления.
4. Усилительный каскад по схеме с ОК. Схема. Принцип работы. Основные по
казатели.
5. Усилительный каскад по схеме с ОБ. Схема. Принцип работы. Основные по
казатели.
5. Операционный усилитель
5.1. Основные параметры и характеристики
Операционный усилитель (ОУ) - это усилитель постоянного и переменно

го тока с большим коэффициентом усиления, выполненный в виде микросхемы.
Он имеет дифференциальный вход (два входных вывода) и один выход. ОУ
предназначен для выполнения вычислительных операций с аналоговыми сигна
лами: сложение, вычитание, умножение (усиление), интегрирование.
Условное обозначение и схема включения ОУ показаны на рис. 34. Основу
ОУ составляет дифференциальный каскад, поэтому питание усилителя осуще
ствляют от двух источников питания Eni и Еп2. Один из входов усилителя (£/„/)
называют прямым (неинвертирующим), а второй (и„2) - инвертирующим. Уве
личение (уменьшение) напряжения на прямом входе приводит к увеличению
(уменьшению) напряжения на выходе усилителя. Если же сигнал подан на ин
вертирующий вход, то приращение выходного сигнала имеет обратный знак
(противоположный по фазе) по отношению к входному сигналу.
Большинство ОУ, выпол-
няемых в интегральном испол
нении, имеют три каскада уси
ления (рис. 35). Первый каскад
выполняется по схеме симмет
ричного дифференциального
каскада, в котором максимально
компенсируется дрейф нуля
(дрейф нуля - самопроизвольное
изменение выходного напряже
ния при неизменном входном
Рис. 34. Условное обозначение ОУ и схема сигнале). В качестве второго
включения каскада часто используется
дифференциальный каскад с не
симметричным выходом. Третий (выходной) каскад выполняется по схеме
эмиттерного повторителя (по схеме с общим коллектором), что обеспечивает
52
Рис. 35. Внутренняя схема операционного усилителя
малое выходное сопротивление ОУ. В современных ОУ применяются доста
точно сложные схемы дифференциальных каскадов. Дополнительные элементы
обеспечивают повышение входного сопротивления, стабилизацию режима по
коя, повышение коэффициента усиления и т.д.
Идеальный операционный усилитель имеет чрезвычайно высокий коэффи
циент усиления Ку = Uehix/Uex оо, большое входное сопротивление Rex —>оон
малое выходное сопротивление R^ —> 0. Свойства реальных ОУ в большей или
меньшей степени приближаются к свойствам идеального ОУ. Система пара
метров, приводимая в справочниках, позволяет оценить эти свойства и опреде
лить режимы, в которых может использоваться ОУ.
Приведем некоторые основные параметры ОУ:
-коэффициент усиления Kv = Ueba/Uex = (103 + 5105), где Uex = Uex, - U,<x2.
Наибольшее распространение получили ОУ, имеющие Ку = 2105;
- входное сопротивление Rex = (1 4- 100) МОм;
- выходное сопротивление Rebix = (30 -ь 300) Ом;
- сопротивление нагрузки RH = (1 + 10) кОм;
- напряжение питания Еп = ± (3 4-15) В;
- напряжение смещения Uctl = (1 4-100) мВ;
- ток, потребляемый от источника питания 1пот = (2 4- 20) мА.
На рис. 36, а приведена амплитудная характеристика ОУ (зависимость вы
ходного напряжения от входного).
Амплитудная характеристика представлена в виде двух кривых, относя
щихся к прямому входу ивых = F(USX]) и к инверсному входу Ueba = F(Uex2). Ха
рактеристики снимают, подавая сигнал на один из входов при нулевом сигнале
на другом. На характеристиках можно выделить два участка: участок линейной
зависимости выходного напряжения от входного (угол наклона характеристики
на этом участке определяется коэффициентом усиления ОУ К;! = & UebO/&Uex и
усилитель работает в активном режиме) и участки насыщения, где выходное
напряжение ОУ достигает своего максимального значения UgUxm и и'Ых.т п при
дальнейшем увеличении входного напряжения не изменяется.
Максимальные значения выходного напряжения ОУ близки к напряжению
источников питания (меньше Еп на (1,5 -2,5) В в зависимости от типа ОУ).
53
По амплитудной характеристике ОУ рис. 36 можно определить макси
мальное входное напряжение U,ixmUx, при котором еще соблюдается пропорцио
нальность между входным и выходным напряжениями ОУ (линейность харак
теристики). Зная максимальное выходное напряжение Ueblxm « 10 В, определим
Uex.max, приняв коэффициент усиления Ки= 2105:
Uxmar = U^Ku= 10 В/(2105) = 5-10”5 В = 0,05 мВ.
Такое напряжение, по сравнению с

напряжениями на входе схемы, постро
енной на основе ОУ, измеряемых еди
ницами вольт, можно считать нулевым.
Учитывая большую величину входного
сопротивления ОУ, приближающегося к
бесконечности, можно считать входной
ток ОУ равным нулю. Таким образом,
можно ввести два достаточно коррект
ных допущения, существенно упро
щающих анализ схем, построенных на
основе ОУ:
К-иоу —>00 Uex.oy = 0; (5.1)
Рис. 36. Амплитудная характеристика ОУ Rex оу —> °о 1вх оу = 0. (5.2)
5.2. Устройства на базе операционных усилителей
Широкое практическое применение ОУ в аналоговых схемах основывается

на применении внешних отрицательных обратных связей (обратная связь обра
зуется путем подачи части выходного напряжения на вход схемы).
Рассмотрим некоторые примеры построения аналоговых схем на ОУ, рабо
тающем на линейном участке амплитудной характеристики.
Инвертирующий усилитель (рис. 37) создается путем введения параллель
ной отрицательной обратной связи по напряжению с помощью резистора Roc-
Прямой вход ОУ соединяется с общим проводом. Входной сигнал подается на
инвертирующий вход через резистор R1
Определим токи в элементах
схемы. Для этого воспользуемся до
пущениями (5.1) и (5.2). Из допуще
ния (5.1) следует, что входное напря
жение приложено непосредственно к
резистору R1, поэтому по закону Ома
h - U^Ri.
Рис. 37. Схема инвертирующего усилителя Резистор Roc подключен к выхо

ду ОУ, поэтому
54
IОС Ueba/Roc.
Из второго допущения (5.2) следует, что ток из узла, соединяющего рези
сторы R1 и Roc в ОУ не ответвляется, поэтому
loc = 11- (5.3)
Последнее соотношение позволяет составить выражение, из которого оп
ределяется коэффициент усиления инвертирующего усилителя по напряжению:
&Uu = -Roc/Rl-
Знак «-» означает, что выходное напряжение инвертировано по отноше

нию к входному.
Входное сопротивление схемы ReXU = Ri в соответствии с (5.1). Выходное
сопротивление
п
Лвых
_ &выхОУ 0+
у
&ОС / )
Ки.оу
при Кцоу -> близко к нулю.

Неинвертирующий усилитель (рис. 38)
содержит последовательную отрицатель
ную обратную связь по напряжению, реа
лизованную с помощью делителя на рези
сторах Roc, R1. Входной сигнал поступает
на прямой вход ОУ.
Из первого допущения (5.1) следует,
что
Uex = Uebtx Ri/(Ri+ R0J,
откуда коэффициент усиления неинверти
Рис. 38. Схема неинвертирующего рующего усилителя равен:
усилителя
Кин = 1+ Roc/Rj.
Входное сопротивление неинвертирующего усилителя равно входному со
противлению ОУ, поэтому Rex." оо. Выходное сопротивление так же, как и у
инвертирующего усилителя, /?вых-> 0.
Схема инвертирующего сумматора (рис. 39) отличается от схемы инвер
тирующего усилителя числом параллельных ветвей на входе, равным количест
ву сигналов, предназначенных для сложения. Сопротивления резисторов R на
входе принимают одинаковыми.
Входные токи с учетом первого допущения (5.1) равны:
Il=Ui/R, I2=U2/R, ..In=U„/R.
Выражение (5.3) в этом случае будет иметь вид:
10С = 11+ h+- + In,
откуда следует:
55
U^R^ = -WR+ U2/R+...+ WR),
или
Ueblx = -Roc/RflJr'r U2+...+ UJ.
Рис. 39. Схема инвертирующего Рис. 40. Схема неинвертирующего

сумматора сумматора
Неинвертирующий сумматор выполняется по схеме рис. 40.

Из равенства нулю напряжений между входами ОУ (5.1) следует, что на
пряжение на прямом входе ОУ равно:
Unp = Uвых R]/(R]+ Rod-
При отсутствии тока по прямому входу (R^ оу -> °°) сумма входных токов
/; + 4+...+ 1п = 0, т.е.
ц-и и2-и и,~и

------------ 1------------ г • • . ------------- —
R R Л
t72+- + Un = п UâR^Ri^ Roc),
откуда получаем
ивых = (Ui+ U2+..' + Un)(R]+ RoJ/nRi
Выбор параметров схемы производят, исходя из соотношения:
(R]+ Roc)/nRi = 1.
Схема интегратора показана на рис. 41, а.
По аналогии со схемой инвертирующего усилителя (рис. 37) токи в эле
ментах схемы Л и С равны
Ir = Uex/R = ic = ~C(dueblx/dt).
Решая это дифференциальное уравнение методом разделения переменных,
получим:
56
--------- [и dt + U „
и вых ■) вых.О
где ивых.о — выходное напряжение ОУ в момент t = 0. По сути дела это на

пряжение на конденсаторе в момент t = 0.
На рис. 41,6 показаны временные диаграммы выходного напряжения ин
тегратора при подаче на вход прямоугольного импульса напряжения. Времен
ная диаграмма 1 соответствует нулевым начальным условиям, т.е. в момент по
дачи импульса напряжения на вход интегратора конденсатор С был разряжен
до нуля. Диаграмма 2 соответствует ненулевым начальным условиям, т.е. в мо
мент подачи импульса напряжения на вход интегратора на конденсаторе С бы
ло напряжение, равное ивых 0.
а) б)
Рис. 41. Схема интегратора (а), временные диаграммы его работы (б)
Скорость изменения выходного напряжения интегратора (угол наклона

диаграммы, крутизна) зависит от постоянной времени интегрирования т = RC, а
также от амплитуды импульса входного напряжения.
1. Операционный усилитель. Структурная схема. УГО. Основные характеристики.
Использование операционных усилителей (ОУ) с обратными связями.
2. Схемы усилителей, сумматоров, интеграторов на ОУ. Передаточные характери
стики.
6. Импульсные устройства
В отличие от аналоговых систем, в которых сигналы изменяются во вре

мени непрерывно, в импульсных системах используются дискретные сигналы
импульсной формы. Этим обусловлен ряд положительных качеств импульсных
систем, вследствие чего они получили преобладающее применение в современ
ной электронике.
Импульсные системы обладают меньшим потреблением энергии, более
высокой точностью, меньшей критичностью к изменениям температуры, боль-
57
шей помехоустойчивостью.
Большую роль играют относи
тельная простота средств пред
ставления информации в им
пульсной форме и наличие эф
фективных способов ее обра
ботки (преобразования).
В импульсной технике
применяют импульсы различ
ной формы. Распространены
импульсы, близкие по форме к
прямоугольной, пилообраз
ной и экспоненциальной
(рис. 42, а - в), а также импуль
сы типа «меандр» (рис. 42, г).
Импульсный сигнал ха
рактеризуется рядом парамет
ров. Основные параметры им
пульса прямоугольной формы
показаны на рис. 42, д.
Характерными участками
импульса являются фронт,
Рис. 42. Импульсные сигналы прямоугольной (а); длительность Гф которого опре
пилообразной (6); экспоненциальной (в); типа деляется от момента времени,
"меандр" (г); реальный ипульс прямоугольной когда сигнал достигает уровня
формы (д) 0,1 максимального значения
(амплитуды) Uт, до момента
времени, когда сигнал достига
ет значения 0,9t/m, срез (задний фронт), длительность tc которого отсчиты
вается от уровня 0,9до уровня 0,1 Um и вершина (плоская часть), дли
тельность которой определяется промежутком времени, когда сигнал изменяет
ся в диапазоне
ди= Um- 0,9Um.
Длительность импульса tu определяется на уровне Q,5Um. Длительно
сти !ф и tc обычно составляют доли процента от tu. Чем меньше 1ф и tc по срав
нению с tu, тем меньше отличие сигнала от идеального импульса прямоуголь
ной формы.
Параметрами последовательности импульсов (см. рис. 42, а) являют
ся период повторения (частота повторения), длительность импульса, длитель
ность паузы, коэффициент заполнения и скважность.
Периодом повторения импульсов Т называют интервал времени между
одинаковыми точками двух соседних импульсов (например, между началами
импульсов). Величину, обратную периоду повторения импульсов, называют
частотой повторения импульсов:
58
f= 1/т.
Длительностью паузы tn называют интервал времени между оконча
нием одного и началом следующего импульса:
tn = T-tu.
Коэффициент заполнения импульсов / характеризуется отношением
длительности импульса к периоду следования импульсов:
Г = tu/T.
Величину, обратную коэффициенту заполнения, называют скважно
стью импульсов'.
q = T/tu = 1/у.
6.1. Работа транзистора в ключевом режиме
Отличительной особенностью импульсных схем является широкое при

менение в них электронных ключей. Через идеальный разомкнутый ключ ток
не протекает. Напряжение на идеальном замкнутом ключе равно нулю.
Наибольшее применение находят транзисторные каскады, в которых
транзистор работает в ключевом режиме. Транзистор в каскаде может быть
включен по схеме ОБ, ОЭ и ОК. Наибольшее распространение получила схе
ма ОЭ.
Схема транзисторного ключа на транзисторе типа п-р-п, включенном по
схеме ОЭ, показана на рис. 43, а. Транзистор VT в схеме выполняет функцию
ключа в последовательной цепи с резистором RK и источником питания Ек.
Управление ключом осуществляют по входной (базовой) цепи транзистора от
источника входного напряжения Uex через резистор R6, преобразующий вход
ное напряжение во входной ток 1б.
а) 6) в)
Рис. 43. Транзисторный ключ по схеме с общим эмиттером (а), графическое определение
режимов работы ключа в выходной (б) и входной (в) цепях
59
Процессы в схеме проанализируем графоаналитическим методом, осно
ванным на построении линии нагрузки по постоянному току в осях IK - UK3,
совмещенной с выходными характеристиками транзистора (рис. 43, б), с учетом
входной характеристики (рис.43, в). Линия нагрузки описывается уравнением
UK3 - Ек - и проводится так же, как и для усилительного каскада. Точки
пересечения линии нагрузки с вольтамперными характеристиками транзистора
определяют напряжения на элементах и ток в последовательной цепи.
В ключевом режиме транзистор может находиться в двух состояниях.
1. Режим запирания (режим отсечки) «ключ разомкнут». Это со
стояние соответствует точке Мотс на рис. 43, а. Ток коллектора минимальный,
равный обратному току 1КО обратно смещенного перехода коллектор-база, а на
пряжение коллектор-эмиттер UK3 максимально близко к напряжению питания
£4э = Ек - IKORK в виду малости 1К0.
Режим отсечки создается путем подачи на вход ключа напряжения Uax
запирающей полярности (в данном случае полярность показана на рис. 43, а без
скобок). Под действием этого напряжения эмиттерный переход транзистора за
пирается (ибэ< 0) и ток эмиттера становится равным нулю: 13= 0. Однако через
резистор R6 протекает обратный ток коллекторного перехода /к0, замыкаясь по
цепи: +ЕК, RK, переход коллектор-база, R6, источник входного сигнала Uex,
-Ек. На входной характеристике (рис. 43, в) видно, что в этом случае ток базы
становится отрицательным и равным 1КО.
Ток 1КО зависит от типа выбранного транзистора, поэтому одним из кри
териев выбора транзистора для ключевой схемы является малое значение 1КО.
Величину запирающего входного напряжения Uex за„ выбирают, исходя
из того, чтобы выполнялось условие:
&бэ ~ ивХ зап ~ IKOR6 •
Напряжение Ufi3 для германиевых транзисторов составляет 0,5 - 2 В, для

кремниевых - 2 - 5 В.
Иногда закрытое состояние транзистора создается без источника запи
рающего напряжения. В этом случае Uex= 0 и ток базы 1б= 0. Такому состоянию
транзистора соответствует точка Мз на рис. 43, б. Величина тока, протекающего
по транзистору и нагрузке RK, в этом случае возрастает и зависит от величины
сопротивления резистора Rs, а также от типа транзистора и температуры.
Причина возрастания тока состоит в том, что тепловой ток транзистора,
включенного по схеме ОЭ, равен 1КО* = (Р+1) 1КО, где ft- коэффициент усиления
транзистора. Однако 1КО* - это сквозной ток транзистора при отсутствии резисто
ра между эмиттером и базой. При включении такого резистора (в данном случае
Rsb тепловой ток значительно снижается.
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в статическом режиме (мощность
потерь) в состоянии отсечки Ротс, равна:
Ротс ~
При умеренных температурах и невысоких напряжениях Ротс мала и в рас

четах может не учитываться.
60
2. Режим открытого состояния «ключ замкнут» создается изменением
полярности входного напряжения UM > 0 (полярность указана в скобках на рис.
43, а) и заданием соответствующего тока базы 16 транзистора.
Необходимый ток базы, соответствующий открытому состоянию транзи
стора, найдем, постепенно увеличивая ток базы от нуля до тех пор, пока сохра
няется известная пропорциональная зависимость между и 1К (режим усиления):
4 = Дб + (Р±ЩкО ~ /ЗЦ.
При этом рабочая точка транзистора будет перемещаться вверх по линии

нагрузки из положения Мз до положения Мо, соответствующего «полному» от
крытию транзистора, а ток базы будет равен граничному току Ц = Iqj = 1б гр
(рис. 43, б). Через транзистор и резистор RK будет протекать ток
4— (Р>к ~ 4UK3 открРР-ю
где Ликэоткр — остаточное напряжение на транзисторе в открытом состоянии.

Остаточное напряжение на транзисторе в схеме ключа должно быть мини
мальным. В зависимости от типа транзистора и уровня тока AUK) откр лежит в
пределах 0,1 - 1,5 В. Вследствие относительно малого остаточного напряжения
по сравнению с Ек расчет тока открытого транзистора производят по формуле
IK = E^RK.
Граничное значение тока базы Цгр открытого транзистора равно:
где В - статический коэффициент усиления транзистора для большого сиг

нала (при большом токе и малом напряжении В< Р).
Мощность, рассеиваемая на транзисторе в статическом режиме (мощность
потерь) в открытом состоянии Ро, равна:
Р0 1К ^Икз откр'
Для уменьшения напряжения на открытом ключе применяют насыщенный

режим работы, получаемый увеличением тока базы по сравнению с граничным:
1бнас
где 5 - коэффициент насыщения, выбираемый в пределах 1,3-3.

На рис. 43, б, в ток базы насыщения 1б „ас = 1^. При этом рабочая точка
транзистора переместилась в точку Мнас, а напряжение на открытом транзисторе
уменьшилось до величины AUKJIiac.
6.2. Усилители импульсных сигналов
Одно из применений транзисторный ключ нашел в усилителях импульс

ных сигналов, примеры схемной реализации которых показаны на рис. 44.
61
Транзисторный ключ выполнен на транзисторе VT2, а транзистор VT1
выполняет вспомогательную роль в управлении транзистором УТ2. В схеме
рис. 44 используется дополнительный источник смещения Есм для создания
режима отсечки транзистора УТ2.
Нагрузка транзисторных ключей ZH может быть как чисто активной, так
и активно-индуктивной (например, обмотка возбуждения электродвигателя).
Для того, чтобы предохранить транзистор от перенапряжения и пробоя при пе
реходе транзистора из проводящего состояния в закрытое, нагрузка зашунтиро-
вана диодом VD1.
Схема рис. 44 работает
следующим образом. Если тран
зистор VTI находится в состоя
нии отсечки, то транзистор VT2 -
в состоянии насыщения, так как
ток базы, протекающий от ис
точника питания через последо
вательно включенные резисторы
и Лег, достаточен для насы
щения транзистора.
Рис. 44. Усилитель импульсных сигналов
Когда транзистор VT1 пе
реходит в состояние насыщения,
вступает в действие дополнительный источник смещения ЕСЛ1 и по цепи + £СА„
открытый транзистор УТ1, резисторы Rg2, ЛСЛО - Есм создает на резисторе Rq2
отрицательное напряжение, запирающее транзистор VT2.
6.3. Генераторы импульсов на транзисторах
Генератором периодических сигналов называют устройство, способное

при подключении источника питания создавать на выходе периодические сиг
налы заданной частоты и формы. Если для включения его в работу достаточно
только подать питание, то такое устройство называют автогенератором. Ес
ли для запуска генератора требуется подать разрешающий сигнал (или снять
запрещающий), то генератор называют заторможенным или ждущим. По
следний термин иногда относят к схемам, которые после запускающего сигнала
формируют только один выходной импульс.
Генераторы сигналов прямоугольной формы называют мультивибра
торами.
На рис. 45, а показана схема транзисторного мультивибратора. Она со
держит два транзисторных однокаскадных усилителя, состоящих из транзисто
ра УТ1 (УТ2), коллекторного резистора RKi (Rk2) и базового резистора Rei (Rei)-
Связь между усилителями осуществляется при помощи конденсаторов С1 и С2.
В схеме существует глубокая положительная обратная связь, которая приводит
к самовозбуждению. При этом в схеме возможны два квазиустойчивых состоя
ния: транзистор VT1 закрыт, а транзистор VT2 открыт, другое состояние - тран
зистор VT1 открыт, а транзистор VT2 закрыт. Открытое состояние транзисторов
62
обеспечивается выбором соотношения между резисторами RK и R6 (R6 < 0RK, где
/7- коэффициент усиления транзистора по току).
На рис. 45, б приведена временная диаграмма работы мультивибратора.
Допустим, что в промежутке времени t0 -1} транзистор VT1 закрыт (UKl = Ек), а
транзистор VT2 открыт (UKj = 0). Транзистор VT1 удерживается в закрытом со
стоянии напряжением конденсатора С2, который, будучи перед этим заряжен
до напряжения питания, теперь положительной обкладкой подключен к базе
VT1, а отрицательной - через открытый транзистор VT2 - к эмиттеру VT1. На
пряжение на базе VTI Uf>i в начале интервала равно Ек (см. рис. 45, б). Дли
тельность интервала времени, в течение которого VT1 будет в закрытом состоя
нии, зависит от постоянной времени разряда конденсатора С2. Конденсатор С2
разряжается по цепи: +ЕК (общий провод), открытый транзистор VT2, конденса
тор С2, резистор Rei, -Ек. Постоянная времени цепи разряда равна tpi = Re/C?- К
моменту времени tt конденсатор С2 разрядится до нуля и напряжение U6l ста
нет равным нулю (см. U61 на рис. 45, б)
а)
Рис. 45. Мультивибратор на транзисто

рах (а) и временные диаграммы его
работы (б)
В промежутке времени to-t'o конденсатор С1 зарядился до напряжения Ек

по цепи: +ЕК (общий провод), переход эмитгер-база VT2, конденсатор С1, рези
стор RK], -Ек. Постоянная времени цепи заряда равна т3/ - RKiCh Поскольку RKt
« Rei, то и т31 « тР1. Однако заряд конденсатора приводит к искажению
фронта выходного импульса мультивибратора. На рис. 45, б видно, что в про
межутке времени to-t'o имеется всплеск импульса тока 162, соответствующий
заряду конденсатора С1. Этот импульс тока, проходя по резистору RK], создает
на нем падение напряжения, искажающее передний фронт импульса напряже
ния которое является выходным напряжением UetMi-
В момент tj, когда напряжение на базе транзистора VT1 становится рав
ным нулю, транзистор начинает приоткрываться и обкладка конденсатора С7,
имеющая отрицательный заряд, будет «притягиваться» через открывающийся
транзистор VT1 к общему проводу, т.е. к эмиттеру VT2. Вторая обкладка С1,
имеющая положительный заряд, подключена к базе VT2, поэтому транзистор
ГТ2 начинает закрываться. Увеличивающийся потенциал его коллектора через
конденсатор С2 поступает на базу транзистора VT1 открывая его еще больше.
63
Процесс развивается лавинообразно. В результате транзистор VT1 открывается,
а транзистор VT2 закрывается. К базе транзистора VT2 прикладывается положи
тельное напряжение U&2 конденсатора С1, удерживающее его в закрытом со
стоянии, пока происходит его разряд с постоянной времени тр2 = R&2Ci (см. Uk2
и U62 на рис. 45, б).
Напряжение на коллекторе VT2 (выходное напряжение иаых2) увеличива
ется до Ек за время i/ - t'i, пока происходит заряд конденсатора С2 по цепи:
+ЕК (общий провод), переход эмиттер-база VT1. конденсатор С2, резистор -
Ек. Постоянная времени, определяющая длительность фронта выходного им
пульса ивых2, равна тз2 = Rk2C2.
В дальнейшем, в интервале t2 - t3 и т.д. процессы повторяются. Частота
выходных импульсов мультивибратора определяется длительностями разряда
конденсаторов С1 и С2:
f=l/T= + tK2)
* 1/0.7(ReiC2 + R^Ct).
6.4. Импульсные устройства на операционных усилителях
Широкое применение для построения импульсных (пороговых) усилите

лей нашли операционные усилители (ОУ), которые в этих устройствах работа
ют на нелинейных участках характеристики (участках насыщения). Выходное
напряжение ОУ может принимать одно из двух значений: 1/+вых.тах или
U-вых.max- Это связано с тем, что уровни входных напряжений релейных усили
телей намного превышают максимальное входное напряжение, при котором ОУ
может работать в режиме усиления.
Напомним, что максимальное входное напряжение (разность между на
пряжением на прямом входе Unp и на инвертирующем входе 1/инв), при котором
ОУ может работать в режиме усиления, составляет сотые доли милливольт.
Если напряжение на входе ОУ выходит за пределы максимального (кото
рое можно считать равным нулю), то ОУ переходит в режим насыщения и вы
ходное напряжение принимает одно из двух значений: и\ыхтах или U~№btxmax,
- величина которых определяется величиной напряжений источников питания
+Еп и -Еп. Таким образом, напряжение на выходе ОУ будет равно Ur выхтах,
еСЛИ Unp Uuhb О, И U вых.max» ОСЛИ UnP Uuhb < 0.
На рис. 46 представлены типовые схемы применения ОУ в качестве порогового
усилителя {компаратора). На рис. 46, а показан инвертирующий компаратор,
на прямой вход которого подано опорное напряжение t/o„, а на инвертирующий
вход - входное напряжение U^. Пока напряжение на инвертирующем входе Uax
меньше, чем на прямом входе Uon (Unp - UUHe > 0), на выходе ОУ сохраняется
максимальное положительное напряжение и\ых,тах. Когда напряжение на ин
вертирующем входе Uex сравняется с опорным и станет чуть больше {Unp - UUHe
< 0), выходное напряжение ОУ изменит знак и станет равным и~вых тах. Даль
нейшее увеличение входного напряжения не изменит состояния ОУ. Таким об
разом, состояние ОУ зависит от соотношения входного и опорного напряже
64
ний. Изменяя опорное напряжение, можно менять порог срабатывания компа
ратора.
На рис. 46, б показаны схема и передаточная характеристика неинверти
рующего компаратора. Здесь соотношению Uex - Uon < 0 соответствует соотно
шение Unp - Uuite < 0 и в этом случае выходное напряжение ОУ равно
и~вых_тах- При увеличении входного напряжения сверх Uon соотношение между
Unp и UUHe ОУ меняется на противоположное Unp - U„„e > 0 и выходное напряже
ние становится равным и+вых,тах.
а) 6)
Рис. 46. Схемы и передаточные характеристики инвертирующего (а) и

неинвертирующего (б) компараторов
Широкое применение получили также компараторы, в которых ОУ охва

чен положительной обратной связью (рис. 47, а). Такой компаратор обладает
характеристикой с гистерезисом (рис. 47, б). Схема известна под названием
триггер Шмитта.
Переключение схемы в состояние и~вых.тах происходит при достижении
входным напряжением UBX напряжения порога срабатывания Ucp, а возвра
щается в исходное состояние U+выхтах - при снижении Uex до напряжения по
рога отпускания Uomn. Значения пороговых напряжений найдем, учитывая,
что переключение схемы происходит, когда Unp - UUIMS = О
вых.max | on
ТТ _ ^2^1
Ч> J- 1 ’
Uon вых.max
ТТ _ ^1________ ^2
и omn J ] ’
7?! Т?2
откуда ширина зоны гистерезиса
65
6)
Рис. 47. Компаратор с положительной обратной связью (а) и его переда
точная характеристика (б)
Важнейшим показателем операционных усилителей, работающих в им

пульсном режиме, является их быстродействие, которое оценивается за
держкой срабатывания и временем нарастания выходного напряже
ния. Задержка срабатывания (время задержки выходного импульса) ОУ общего
применения составляет единицы микросекунд, а время нарастания выходного
напряжения - доли микросекунды.
Лучшим быстродействием обладают специализированные ОУ, предна
значенные непосредственно для импульсного режима работы и получившие
общее название “компараторы”.
Симметричный мультивибратор на ОУ. Основой схемы мультивибра
тора (рис. 48, а) служит компаратор на ОУ с положительной обратной связью.
Автоколебательный режим работы создается за счет подключения к инверти
рующему входу времязадающей цепи из конденсатора С и резистора R. Прин
цип действия схемы иллюстрируют временные диаграммы, приведенные на
рис. 48, б.
Рис. 48. Мультивибратор на ОУ (а), временные диаграммы (б)
66
Допустим, что перед включением питания конденсатор С разряжен
до нуля, и тогда после включения питания на выходе ОУ установится, на
пример, максимальное положительное напряжение и\ых.тах, поддержи
ваемое действием положительной обратной связи с выхода ОУ на прямой
вход через резистор R1. Это напряжение поступает на цепочку RC, созда
вая ток заряда конденсатора С. Напряжение Uc на конденсаторе, подклю
ченном к инвертирующему входу ОУ, начинает увеличиваться. На пря
мой вход ОУ поступает напряжение Ur2 с делителя Rl, R2, подключенно
го к выходу ОУ. Когда напряжение Uc на конденсаторе С чуть превысит
напряжения на Ur2 на делителе Rl, R2 (это соответствует состоянию на
входах ОУ Unp - Uu„e < 0), ОУ перейдет в состояние с максимальным от
рицательным выходным напряжением Ц~выХ.тах- Одновременно с этим на
пряжение UR2 на делителе Rl, R2 изменит свой знак на противоположный.
С этого момента начинается перезаряд конденсатора С в обратном на
правлении, так как на цепочку RC поступает уже отрицательное напряже
ние с выхода ОУ. Напряжение на конденсаторе Uc уменьшается, и когда
оно станет чуть меньше напряжения Ur2 (что соответствует состоянию на
входах ОУ Unp - иинв > 0), ОУ возвратится в состояние с максимальным
положительным напряжением t/ewxmax- Далее процессы в схеме повторя
ются.
Частота следования импульсов симметричного мультивибратора:
f=l/T = l/(tu + t„) = 1/2 tu.
Время tu можно определить по длительности перезаряда конденса
тора С в цепи с резистором R и напряжением, меняющимся от -Ur2 до
+ Ur2
tu = RC ln(l + 2R2/(R2+R]))= RC Znf(7+E)/(l-e)).
Таким образом, частота выходных импульсов мультивибратора за
висит от постоянной времени т = RC времязадающей цепи и коэффициен
та передачи цепи положительной обратной связи е = R2/(R}+R2).
Ждущий мультивибратор (одновибратор) на ОУ. Одновибраторы
предназначены для формирования прямоугольного импульса требуемой
длительности при воздействии на входе схемы короткого запускающего
импульса. Одновибраторы имеют два устойчивых состояния, одно из ко
торых устойчивое (режим ожидания), а второе - неустойчивое. Неустой
чивое состояние наступает с приходом входного запускающего импульса.
Оно продолжается некоторое время, определяемое задающей цепью, по
сле чего одновибратор возвращается в исходное устойчивое состояние.
Выходной импульс формируется в результате следования одного за дру
гим двух тактов переключения схемы.
На рис. 49, а приведена наиболее распространенная схема одновиб
ратора на ОУ, на рис. 49, б - временные диаграммы его работы.
Основой схемы одновибратора служит схема мультивибратора (рис.
49), а, в которой для создания ждущего режима работы параллельно кон-
67
Рис. 49. Одновибратор на ОУ (а), временные диаграммы (б)
денсатору С подключен диод VD1. Для запуска одновибратора предназна

чена цепочка Cl, R3, VD2. Цепочка Cl, R3 дифференцирует (укорачива
ет) входной импульс, а диод VD2 выделяет положительную составляю
щую продифференцированного импульса.
В исходном состоянии напряжение на выходе ОУ равно U~etamax, что оп
ределяется напряжением положительной обратной связи, поступающим на
прямой вход ОУ с делителя Rl, R2. Напряжение на инвертирующем входе, рав
ное падению напряжения на диоде VD1 от протекания прямого тока по цепи с
резистором R, близко к нулю.
Входной импульс в момент времени t} переводит ОУ в состояние
Ц+выхтах- На прямой вход ОУ поступает положительное напряжение Ur2 с дели
теля Rl, R2, удерживающее его в этом состоянии. Выходное напряжение по
ложительной полярности вызывает процесс заряда конденсатора С в цепи с ре
зистором R. Когда напряжение Uc в момент времени t2 становится чуть больше,
чем Ur2, ОУ возвращается в исходное состояние с выходным напряжением
После момента времени t2 в схеме наступает процесс восстановления ис

ходного напряжения на конденсаторе Uc = 0, который обусловливается изме
нившейся полярностью напряжения на выходе ОУ. Процесс восстановления за
канчивается в момент времени t2 тем, что напряжение на конденсаторе достига
ет напряжения отпирания диода
Длительность импульса, формируемого одновибратором, равна
tu=RCln(l + R2/Rl).
Время восстановления напряжения (/?-13) на конденсаторе С определяется
выражением:
Чосет = RC In [(2R2 + Ri)/(R} + ад= RC In (1 + R2/(Rj + RJ).
Из приведенных выражений видно, что tu > teoccm. Это является одним из
достоинств схемы, так как процесс восстановления исходного состояния схемы
должен быть завершен к приходу очередного запускающего импульса.
68
1. Импульсные устройства. Работа транзистора в режиме ключа.
2. Усилитель импульсных сигналов. Схема. Принцип работы.
3. Генератор импульсов на транзисторах. Схема. Принцип работы.
4. Нелинейный режим работы операционного усилителя.
5. Компаратор и триггер Шмита на операционном усилителе.
6. Мультивибратор на операционном усилителе.
7. Ждущий мультивибратор на операционном усилителе.
Расчет усилительных каскадов с емкостной связью
Целью расчета является определение номинальных значений всех пассив

ных компонентов схемы каскада, изображенного на рис. 50 (сопротивлений ре
зисторов Rl, R2, RK, R3 и емкостей конденсаторов Cl, С2, СЗ)-, определение ко
эффициента нестабильности каскада 5,; построение линий нагрузки каскада по
посто:энному и переменному току; определение коэффициентов усиления кас-
када по току, напряжению и мощности (К,/, К{, КР\, определение входного и вы
ходного сопротивления каскада (Rex, RetM).
Рис. 50. Усилитель с емкостной связью с нагрузкой
Исходными данными для расчета усилительного каскада являются напря

жение; источника питания Ек, параметры рабочей точки транзистора: ток покоя
/о к и напряжение покоя сопротивление нагрузки RH; минимальная частота
усиливаемого сигналаf0.
Пример расчета. В качестве исходных данных для выполнения примера
расчета принимаем:
Ек = 24 В;
69
10к = 15 мА;
£/Ою=12В;
RH = 600 Ом;
fo = 400 Гц.
1. Производим выбор транзистора по вышеизложенной методике (расчет

ное задание №1), а также с учетом того, что:
^К.макс.доп. > ^0к > 1\.ма>сс.доп 12 *
>15 * 10 =180 мВт,
где Ро « — А) к ’ Ц) к •
Выбираем транзистор МП - 25 с параметрами:
Iк.макс.доп.
Р кэ.макс.доп.
Р
*• к. макс.доп.
300 мА 13-25 40 В 200 мВт
2. Расчет сопротивлений резисторов.

Сопротивления резисторов Rl, R2, R*, R3 определяем, исходя из условия
обеспечения режима каскада по постоянному току:
а) наносим на семейство выходных характеристик транзистора (рис. 51, а
рабочую точку каскада и определяем постоянную составляющую тока базы:
1об~ 0.9 мА;
б) определяем постоянную составляющую тока эмиттера
10з = 10к + 10б = 15 + 0.9 = 15.9 мА;
в) величину падения напряжения на резисторе R3 принимаем равной 0.2£к.
Определяем сопротивление резистора
0.2£к. 0.2-24 ___
р =------- - =-------------- = 320 Ом;
Zo, 15.9-10"3
г) определяем сопротивление резистора в коллекторной цепи
24-12-0.2-24 _ 48Q
= _к-----Окэ----------- к. _------------------------ _
._Л Ом;
к 10к 15-Ю"3
д) на входную характеристику транзистора (рис. 51,6) наносим рабочую
точку транзистора и определяем падение напряжения между эмиттером и базой
в режиме покоя
14 0.25 В;
е) задаемся величиной сквозного тока делителя Id, протекающего через по
следовательно включенные резисторы R1 и R2.
Принимаем
Л = 10 /об= 10-0.9 =9 мА;
70
ж) определяем сопротивление резистора R2:
Рис. 51. Характеристики транзистора МП-25, включенного по схеме ОЭ
0.2£кк------
= U(R2) =------- +£70эб 0.2-24 + ------
оэь. _------------ 0.25 = 56 j q
2 К«г) Ц 910'3
з) определяем сопротивление резистора/?/:

C/(/?t) _£к-0.2£к-[/0эб 24-0.2-24-0.25
' /(Я,) /„+/„„ (9+0.9)10-’
3. Определение коэффициента нестабильности каскада:

а) определяем величину R#.
RyR=2 —1-----
1920-561
_ 423 оМ;
R}+R2 1920 + 561
б) определяем коэффициент усиления транзистора
= = —= 16.7«17;
/о. 0.9
в) определяем коэффициент нестабильности

R3+Rd _ 320 + 433
S>= R~ 433 ~2’18’
/?э+^- 320 +
ft 17
71
Приемлемые значения коэффициента нестабильности лежат в пределах
3-5.
В случае, если величина S, , полученная расчетом, лежит вне указанных
пределов, следует изменить параметры цепи смещения. Для увеличения S, не
обходимо уменьшить ток делителя 1д или величину падения напряжения на ре
зисторе R3.
В нашем случае 5, = 2.18 < 3 . Уменьшаем величину тока делителя Id и по
вторяем расчеты, начиная с п.5.5.2.в.
2. eD) принимаем 1д = 510б = 5 • 0.9 = 4.5 мА;
ж°) определяем сопротивление резистора R2:
„ = = 0-2-244025 =П22
2 1„ 4.5-10“’
за) определяем сопротивление резистора R1:

= £K-0,2^-t/p* = 24-0.2-24-025 =3510Ом
1'д 'г1
1 10б (4.5 +0.9) 10-3
3. аи) определяем величину Rd:

■î, 'R2х 3150 1122
рл =—1—— =----------------- = 829 Ом;
д Rx+R2 3150+1122
ва) определяем новое значение коэффициента нестабильности

R3+Rd _ 320+829 „
Si~ D Rd 829 ’ ’
R3+— 320+-----
3 fl 17
Такое значение £, можно считать удовлетворительным, поэтому останав
ливаемся на найденных значениях сопротивлений резисторов R1 и R2 .
4. Определение усилительных параметров каскада:
а) по входной характеристике (рис. 51, б) определяем входное сопротивле
ние транзистора как котангенс угла наклона касательной к этой характеристике,
проведенной через рабочую точку:
&U 90-Ю-3
Гаг = ctg а =----- =----------- Г «100 Ом;
“ ё А/ 0.9-10-3
б) определяем входное сопротивление каскада как эквивалентное сопро
тивление трех параллельно включенных сопротивлений Rj, Rz, г^. Поскольку
сопротивление параллельно включенных резисторов R1 и R2 представляет со
бой найденную нами величину Rp, для определения Rtix можем воспользоваться
более простой формулой:
R^ 829 100 опгч
R“ = RV/r
У ** = — '
Яо+Гвх 829+100= 89 Ом;
=-------------
о По отмеченным пунктам производится повторное выполнение расчетов с измененными условиями
72
в) определяем эквивалентное сопротивление нагрузки каскада по перемен
ному току
RKRH 480-600
Ru = RJ/Ru = ——— =-------------- = 267 Ом;
" к ' RK+R„ 480 + 600
г) определяем коэффициент усиления каскада по току с учетом шунти

рующего действия входных и выходных цепей усилителя
оR R 89 267 ,
к —«_ = 17------------- = 6.6;
1 гвх RH 102 600
д) определяем коэффициент усиления по напряжению
X =_К А. = _6.б— = -44.5.

Rex 89
Физический смысл отрицательного значения коэффициента усиления по
напряжению заключается в том, что выходное напряжение сдвинуто по фазе на
180° относительно входного, т.е. мгновенная полярность выходного напряже
ния всегда обратна мгновенной полярности входного;
е) определяем коэффициент усиления каскада по мощности
КР = ] Ki Ки | = 6.6 • 44.5 = 296;
ж) определяем выходное сопротивление усилителя как параллельное со

единения транзистора и сопротивления в цепи коллектора
Retxt ~ Гвъи/^к-
Ввиду того, что обычно гвых » RK, можно считать
Retxx ~RK= 480 Ом.
5. Расчет емкостей конденсаторов в схеме усилительного каскада:
а) определяем емкость конденсатора С1, исходя из условия, что на частоте
усиливаемого сигнала хС} « R„x.
Принимаем хГ) = 0.1 RM.
Отсюда
1
С, =-------- --------- =-------------- -------------- = 0.447 • 10-4 = 44.7 мкФ;
1 2л-/о0.1/?вх 2-3.14-400-0.1-89
б) определяем емкость конденсатора С2, полагая хс = 0.1 R,:
1 1
с =--------:------- =--------------- :-------------- = 0.124 • 10-4 = 12.4 мкФ;
2 2nfQ$.\R3 2-3.14-400-0.1-320
в) определяем емкость конденсатора СЗ , полагая xCj = 0.1 RH:
73
1
-------------- --------------- = 0.08 10-4 = 8.0 мкФ.
2л-/0о.1/гн 2-3.14-400-0.1-600
Выполнить расчет транзисторного усилительного каскада с емкостной свя

зью. Параметры рабочей точки усилителя указаны в таблице 6.
____________________________________________________________ Таблица 6
Ток покоя Напряжение покоя U03K, В
Ion, мА 6 8 10 12 14 16
15 1° 2 3 - - -
13 4° 5 6 7 - -
И 8° 9° 10 11 12 -
9 13° 14° 15 16 17 18
7 19° 20° 21 22 23 24
5 25° 26° 27°
Для вариантов, отмеченных в табл. 6 знаком °, Ек = 12 В. Для остальных

вариантов Ек = 24 В. Минимальная частота усиливаемого сигнала f0 = 400 Гц.
Сопротивление нагрузки принять согласно таблице 7.
Таблица 7
Последняя Сопротивление нагрузки
цифра шифра RM, Ом
четная 400
нечетная 500
Расчет импульсного усилителя
Схема импульсного усилителя показана на рис. 52.

Определить номинальные значения сопротивлений всех резисторов, вхо
дящих в схему (Л1, 7?2, /?3); определить нагрузки на полупроводниковые при
боры; сделать выбор полупроводниковых приборов; определить входную мощ
ность Рвх и коэффициент усиления усилителя по мощности КР .
В качестве исходных данных для расчета задаются параметры нагрузки,
характер нагрузки (активная либо активно-индуктивная), напряжение источни
ков питания Ек и смещения ЕСЛ1.
74
Б,
- +
•±
Рис. 52. Импульсный усилитель
В качестве исходных данных для примера расчета принимаем следующие

параметры:
= 50 Вт;
£К = -24В;
Ecv = + 6 В.
Нагрузка активно-индуктивная.
1. Определяем параметры нагрузки:

а) ток нагрузки
j5l = ^ = 2.08A;
£г 24
б) сопротивление нагрузки
24 11 СП
— =------ = 11.5Ом.
/н 2.08
2. Расчет параметров и выбор выходного транзистора VT2

а) определяем коллекторный ток транзистора VT2 в режиме насыщения
1к2нас= 4 — 2.08 А;
б) определяем напряжение на транзисторе VT2 в закрытом состоянии
^Лсэ2 макс Е>к 24 В,
в) для установки в схему выбираем транзистор типа П213 со следующими

параметрами.
Максимально допустимый ток коллектора
1к макс доп. ~ 5 А.
75
Максимально допустимое напряжение эмиттер - коллектор
U кз макс доп. 45 В.
Тепловой ток коллектора
/к0(20° С) = 0.15 мА.
Остаточное падение напряжения на открытом транзисторе

А1/ю = 0.5 В.
Коэффициент усиления по току
^ = 20 + 50.
3. Расчет цепи насыщения транзистора VT2:
а) определяем величину тока базы транзистора VT2 в режиме насыщения
/ 2 OR
/б2нас = = —1.5 = 0.156 А = 156 мА,
где Кнас- коэффициент насыщения, принимается равным 1.4 + 1.6;

б) определяем полное сопротивление цепи насыщения, состоящее из
суммы сопротивлений резисторов /?1 и /?2,
Ек ~ иэб2нас 24-0.5 , _, _
= R1 + «2 = , = -ТТТ7- = 151 Ом,
* б2нас 0.156
где i/,62 нас - падение напряжения на эмиттерном переходе транзистора V? в

режиме насыщения. Определяется по входной характеристике транзи
стора. При отсутствии справочных данных можно приблизительно по
лагать Ui6 нас ~ 0.5 В - для германиевых транзисторов и нас - 1 В -
для кремниевых;
в) определяем сопротивление резисторов RI и R2, полагая, что
R\ = 0.8ЯИО£;
2?2 ~ ®-2RHac'-
Rx = 0.87?нас = 0.8 • 151 = 121 Ом;
R2 = 0.2RHac= 0.2 • 151 = 30 Ом.

4. Расчет параметров и выбор управляющего транзистора VT1:
а) определяем максимальный коллекторный ток транзистора (в состоянии
насыщения)
4i^=^=^=0-2 А;
Л\.j 121
б) определяем максимальное напряжение на коллекторе транзистора VT1

(в состоянии отсечки)
Vrll « Е, = 0.2Е, = 0.2 ■ 24 = 4.8 В;

JVj т -*^2
76
в) для установки в схему выбираем транзистор типа МП - 25А со сле
дующими основными параметрами.
Максимально допустимый ток коллектора
^кмаксдоп ~ 400 мА.
Максимально допустимое напряжение коллектор - эмиттер
Uкэ макс доп 40 В.
Остаточное падение напряжения на открытом транзисторе
At4,H0C< 1.0 В.
Коэффициент усиления
>9 = 20 4-50.
5. Расчет цепи запирания транзистора VT2:
а) задаемся величиной запирающего напряжения на базе транзистора VT2
Uwni — 0.2 В;
б) определяем величину падения напряжения на резисторе R2, необходи
мого для запирания транзистора VT2,
UУзап2 + ЛСЛэ1 нас = 0.2 + 1 = 1.2 В;
в) определяем величину тока, проходящего через резистор R2, когда тран

зистор VT2 находится в состоянии отсечки,
UR 1 2
/„ = —= — = 0.04 А = 40 мА;
R2 30
г) проверяем условие IR1 < 1К\ нас:

0.04 < 0.2;
д) определяем величину тока, протекающего через резистор R3, когда
транзистор VT2 находится в состоянии отсечки,
1к3~1лг +/kov2_40+ 0.2-40.2 мА;
е) определяем падение напряжения на резисторе R3
URy= Есм — изаП2 = 6 - 0.2 = 5.8 В;
ж) определяем сопротивление резистора R3:
Ur 5 8
D =—= = 144.3 Ом.
3 0.0402
6. Расчет параметров входного сигнала:

а) определяем входной ток, необходимый для перевода транзистора VT1 в
режим насыщения,
77
1 02
Лх = 41 nac = -f^âc. = —1.5 = 0.015 А;
Р\мин
б) определяем напряжение входного сигнала по входной характеристике
транзистора VT1 (при отсутствии справочных данных принимаем приближенно
14г «0.5 В)
U„ ~ 0.5 В;
в) определяем мощность входного сигнала
Рвх = 0.5 • 0.015 = 0.0075 Вт;
г) определяем коэффициент усиления каскада по мощности
рн 50
КР = —- =---------- = 667.
р Рвх 0.0075
7. Расчет параметров диода VD.

Диод VD вводится в схему лишь в том случае, если нагрузка имеет актив
но-индуктивный характер (обмотка реле и т.п.), и служит для замыкания тока
самоиндукции силового транзистора. В противном случае э.д.с. самоиндукции
неизбежно вызывает пробой транзистора, что приводит к выходу его из строя.
Расчет параметров и выбор диода VD производится в следующем поряд
ке:
а) определяется максимальное напряжение на диоде VD
11аз макс = Ек — 24 В;
б) определяем максимальную величину тока диода VD
1аЗ макс 1цмакс 2.08 А,
в) для установки в схему выбираем диод типа ДЗОЗ со следующими ос
новными параметрами.
Максимально допустимый выпрямленный ток (среднее значение)
4макс доп. 3.0 А.
Максимально допустимое обратное напряжение
(/^м„(20“С)=150В;
U^«U10°C) = 50 В.
Произвести расчет транзисторного усилителя, работающего в режиме пе

реключения. Исходные данные для расчета приведены в таблице 8.
78
Таблица 8
Напряжение ис
Мощность нагрузки Рм> Вт
точника питания
ЕК,В 15 20 25 30 35 40
9 1 2 3 4 5 6
12 7 8 9 10 11 12
18 13 14 15 16 17 18
24 19 20 21 22 23 24
30 26_ -_27_.
Напряжение вспомогательного источника Есм = 6 В.
79
Цифровые устройства
1. Логические функции и устройства
В судовой автоматике существует ряд задач логического содержания, осо

бенностью которых является то, что их условия и решения на каждом этапе мо
гут быть описаны логическими сообщениями, и принимать одно из двух воз
можных значений. Логическими сообщениями называются такие сообщения,
истинность и ложность которых может быть оценена однозначно. Каждое логи
ческое сообщение может быть заменено математическим эквивалентом, назы
ваемым логической функцией.
Логическая функция А равна 1, если логическое сообщение истинно, и ло
гическая функция А равна 0, если это сообщение ложно.
В отличие от схем, рассмотренных ранее, в цифровых и логических уст
ройствах анализируются не физические параметры электрических импульсов, а
их логическое значение, т.е. при наличии потенциала А = 1 или его отсутствии
А = 0.
Синтез цифровых и логических устройств основан на логической алгебре.
Особенность этой алгебры заключается в том, что аргументы и функции могут
принимать только два значения - 0 и 1.
7.1. Основные логические операции и их реализация
При описании работы устройств электроники и автоматики широко ис

пользуются не только логические сообщения и функции, но и связи между ни
ми, которые называются логическим операциями'.
1. Операция «НЕ» (логическое отрицание или инверсия). Логическое отри
цание от функции А обозначается А (говорится: «не А») и определяется табли
цей истинности (табл. 9).
2. Операция «ИЛИ» (логическое сложение или дизъюнкция) обозначается
в случае двух независимых аргументов F = AvB, либо F = А+В (читается: «А
или В») и определяется таблицей истинности (табл. 10).
Операцию «ИЛИ» можно выполнять для двух и более независимых аргу
ментов. Функция F = 1, если равен 1 хотя бы один из аргументов.
3. Операция «И» (логическое умножение или конъюнкция) обозначается F
= АВ или F = АаВ (читается: «А и В») и определяется таблицей истинности
(табл. 11).
Эту операцию можно также распространять на два и более аргумента.
Функция F = 1 только тогда, когда все аргументы равны 1.
80
Таблицы истинности логических операций
Таблица 9 Таблица 10 Таблица 11
А А А В F А В F
0 1 0 0 0 0 0 0
1 0 0 1 1 0 1 0
1 0 1 1 0 0
1 1 1 1 1 1
Порядок действий в алгебре логики следующий: сначала выполняется опе

рация «НЕ», затем «И» и наконец «ИЛИ». Как и в обычной алгебре, для изме
нения порядка действий используются скобки. Справедливы переместительный
и сочетательный законы:
А+В+С = А+С+В = В+А+С;
АВС = АСВ = ВАС;
А+В+С = А+(В+С) = (А+В) +С;
А В С = А- (В С) = (АВ)С.
Для осуществления операций над логическими выражениями используют
ся ряд тождеств:
1. А+А = А. 5.А-А = А. 9. А = А.
2. А+А=1. 6. *
А =0. 10. А+АВ+АС = А.
3. A+Q = A. 7. А 0 = 0. 11. А+А В = А+В,
4. А+1 = 1. 8. А1=А.
а также законы де Моргана:
А + В + С = АВС,
А-ВС = А + В + С.
Логические операции
могут быть реализованы в
виде электрических схем. В
таких схемах потенциал ис
точника питания Е принима
ется за 1, потенциал земли за
0:
Операция «НЕ». Прин
цип работы поясняется с
помощью транзисторного
усилителя (рис. 53, б). При
А = 1 входная ЭДС ключа
Рис. 53. Логическая операция "НЕ": а) условное графи равна Е, транзистор открыт
ческое обозначение операции, б) эквивалентная Нвых-0, т.е. А=0, при А=0
электрическая схема LU=E=1.
81
Операция «ИЛИ». Напряжение на выходе F элемента (рис. 54, б) будет рав
но 1, если хотя бы на одном из входов будет 1 (т.е. положительный потенциал),
который откроет диод и входное напряжение будет приложено к нагрузке.
Рис. 54. Логическая операция "ИЛИ"": Рис. 55. Логическая операция "И":
а) условное графическое обозначение а) условное графическое обозначение
операции, б) эквивалентная электриче операции, б) эквивалентная электриче
ская схема ская схема
Операция «И». Реализация элемента на диодной схеме показана на рис. 55,

б. В диодной схеме напряжение на выходе будет 1 в случае, если все диоды за
перты. При подаче на один из входов нулевого потенциала на выходе устано
вится 0.
Логические интегральные микросхемы выполняются в виде наборов эле
ментов, которые обеспечивают выполнение множества логических функций.
В основу каждой серии кладется схемное решение базового логического
элемента. В качестве основных чаще всего выбираются элементы ИЛИ - НЕ
(табл. 12), И - НЕ (табл. 13).
Таблицы истинности базовых логических элементов

Таблица 12 Таблица 13
ИЛИ-НЕ И-НЕ
А В F = А+В А В F= А
*
В
0 0 1 0 0 1
0 1 0 0 1 1
1 0 0 1 0 1
1 1 0 1 1 0
7.2. Триггеры
Одно из наиболее распространенных импульсных устройств, относящихся

к базовым элементам цифровой техники, - триггер.
Триггером называют устройство, обладающее двумя состояниями устой
чивого равновесия и способное скачком переходить из одного состояния в дру
гое под воздействием внешнего управляющего сигнала.
82
В современной электронике триггеры выполняются, как правило, в виде
микросхем, построенных на основе логических элементов.
На рис. 56, а, в приведены схемы триггеров RS-триггеров на логических
элементах ИЛИ - НЕ, И - НЕ, а на рис. 56, б, г показаны их условные обозначе
ния.
Допустим, что на входах R и S (рис. 56, а) сигналы равны 0, а на прямом
выходе Q сигнал равен 1. Тогда на инверсном выходе Q сигнал равен 0, так как
на одном из входов (соединенном с Q) логического элемента ИЛИ - НЕ сигнал
равен 1. На обоих входах верхнего элемента сигнал 0, поэтому Q = 1. Очевидно,
Рис. 56. Схемы (а, в) и условные обозначения (б, г) асинхронных RS-

триггеров на логических элементах ИЛИ - НЕ, И - НЕ
при R=0, S=0 возможно и второе устойчивое состояние, при котором Q=0,
Q =1. Нетрудно видеть, что при S=l, R=0 триггер оказывается в первом устой
чивом состоянии (Q=l, Q =0), а при S=0, R=1 - во втором устойчивом состоянии
(Q=0, С=1). Комбинация S=l, R=1 недопустима.
Рассмотренный триггер называют RS-триггером. Вход S называется уста
новочным (от англ, set - устанавливать), а вход R - входом сброса (от англ, reset
- вновь устанавливать). При S=1 триггер устанавливается в состояние 1 (Q=l,
Q=0), при R=1 - сбрасывается в состояние 0 (Q=0, Q=l). Работа такого тригге
ра описывается таблицей истинности (табл. 14).
Таблица 14
Таблица истинности RS-триггера
S R Qn+i Функция
0 0 Qn Хранение информации
0 1 0 Запись 0
1 0 i Запись 1
1 1 неопределенность Запретная комбинация
Аналогично работает RS-триггер на элементах И - НЕ (рис. 56, в) с той

разницей, что он должен иметь инверсные входы, т. е. устанавливаться в со
83
стояние 1 при S=0 и сбрасываться в состояние 0 при R=0. Запрещенная комби
нация входных сигналов для этой схемы - 0, 0.
В электронных устройствах триггер нашел применение в виде порогового
элемента и в качестве запоминающего устройства с объемом памяти 1 бит.
Триггеры можно классифицировать по функциональному признаку и по
способу управления. По функциональному признаку различают; триггеры RS,
D, Т, JK и других типов, по способу управления - асинхронные и синхронные
(тактируемые). Рассмотренный выше RS-триггер относится к асинхронным, так
как переход его из одного состояния в другое происходит в темпе поступления
сигналов на информационные (R, S) входы и не связан с тактовыми сигналами.
Для большинства цифровых устройств требуется синхронная работа всех вхо
дящих в него элементов, для выполнения этой функции в структуру устройств
вводится тактовый генератор (как правило, генератор прямоугольных импуль
сов). Частота тактового генератора определяет быстродействие системы. Изме
нение состояния всех устройств происходит одновременно при появлении оче
редного тактового импульса (синхроимпульса).
В синхронных триггерах помимо информационных входов имеется вход
тактовых (синхронизирующих) сигналов и переключения триггера происходят
только при наличии тактового сигнала. На рис. 57, а, б приведены схема и ус
ловное обозначение синхронного RS-триггера на элементах И - НЕ. Схема
рис. 57 отличается от схемы асинхронного триггера наличием двух дополни
тельных элементов И - НЕ, благодаря которым управляющие сигналы проходят
на входы R и S только при воздействии на синхронизирующий вход сигнала 1
(С=1).
а) б)
Рис. 57. Схема (а) и условное обозначение (б) синхронного RS-триггера на элемен
тах И— НЕ
Т-триггер (от англ, tumble - опрокидываться, кувыркаться), или счетный

триггер, имеет один информационный вход и переходит в противоположное со
стояние в результате воздействия на его вход каждого очередного сигнала. На
звание «счетный» (или «со счетным запуском») связано с широким применени
ем Т-триггеров в счетчиках импульсов. На рис. 58, а, б приведены условное
обозначение и временные диаграммы Т-триггера.
Т-триггеры выполняют на основе двух последовательно соединенных RS-
триггеров (MS-схема), первый из которых называют ведущим (от англ, master -
хозяин), а другой - ведомым (от англ, slave - раб). На рис. 59. а, б приведены
84
схемы и условное обозначение MS-триггера (двухступенчатого триггера), в ко
тором триггер Т1 - ведущий, а триггер Т2 - ведомый. При поступлении сигна
лов на информационные входы R или S триггера Т1 он принимает соответст
вующее состояние (0 или 1) в момент, когда С1=1. Сигналы с выходов Q1, Q1
ведущего триггера не проходят в ведомый, поскольку С2=0. Информация прой
дет в ведомый триггер только по окончании синхронизирующего сигнала
(С1=0, С2=1) и будет отображена на выходах Q2, Q2.
_ а)
Та
*ппппп
2 П.Л-Г»
ri п п*
Рис. 58. Условное обозначение
Рис. 59. Схема (а) и условное обозна
(а) и временные диаграммы (б)
чение (б) MS-триггера
Т-триггера
Для получения двухступенчатого Т-триггера достаточно ввести обратные

связи (на рис. 59, а показаны пунктиром) и использовать вход С1 как информа
ционный (Т). Тогда при Т=1 триггер Т1 устанавливается в состояние, противо
положное состоянию триггера Т2 (например, при Q2=0, £>2=1 - в состояние
Ql=l, Q 1=0). А при Т=0 триггер Т2 переходит в состояние, совпадающее с со
стоянием триггера Т1 (Q2=l, р2=0). Таким образом, на выходах Q2, Q2 сигнал
изменяется на противоположный по окончании каждого очередного импульса
Т, что соответствует диаграмме рис. 58, б.
7.3. Цифровые счетчики импульсов
Цифровым счетчиком импульсов называют устройство, реализующее счет

числа входных импульсов и фиксирующее это число в каком-либо коде.
Обычно счетчики строят на основе триггеров, поэтому счет импульсов ве
дется в двоичной системе счисления.
Функциональная схема простейшего двоичного трехразрядного цифрового
счетчика импульсов приведена на рис. 60, а. Счетчик состоит из трех последо
вательно соединенных Т-триггеров, имеющих вход R для установки в состоя
ние 0.
На рис. 60, б показаны временные диаграммы счетчика. Таблица 15 иллю
стрирует состояние триггеров. Если в исходном положении все триггеры были
85
в состоянии 0, то по окончании первого входного импульса триггер Т1 перей
дет в состояние 1 (Хо=1). По окончании второго входного импульса триггер Т1
переходит в состояние 0 (Хо=0). По окончании импульса Хо триггер Т2 пере
ходит в состояние 1 (Xj=l) и т. д. После восьмого входного импульса все триг
геры переходят в состояние 0 и счет повторяется.
(стр)
Т1ПППППППГ1
а)
R СТ2 1
2
CI 4
Рис. 60. Схема (а), временные диаграммы (б) и условное обозначение (в)
двоичного трехразрядного счетчика (мл.р., ст.р. - младший и старший раз
ряды двоичного числа)
Из таблицы 15 видно, что состояние триггеров отражает число по

ступивших на вход счетчика импульсов в двоичной системе счисления (двоич
ном коде). Общее число возможных состояний (модуль) N счетчика определя
ют числом триггеров n: N=2n. В нашем случае N=8.
Таблица 15
Таблица состояний двоичного счетчика
Номер Состояния триггеров Номер Состояния триггеров
входного входного
импульса ТЗ Т2 Т1 импульса ТЗ Т2 Т1
0 0 0 0 5 1 0 1
1 0 0 1 6 1 1 0
2 0 1 0 7 1 1 1
3 0 1 1 8 0 0 0
4 1 0 0
Условное обозначение счетчика по схеме рис. 60, а приведено на рис. 60, в:

СТ2 означает двоичный счетчик; выходы 1,2,4- обозначения двоичных разря
дов (2°=1. 21=2, 22=4), соответствующих выходам Хо, Хь Х2 схемы рис. 60, а;
С1 - счетный вход; R - установка нуля.
Цифровые счетчики импульсов применяют для счета числа импульсов ли
бо для деления числа импульсов. Счет числа импульсов, поступающих на вход
с высокой частотой, необходим в вычислительной технике, автоматике, инфор
мационно-измерительной технике (цифровые измерительные приборы).
86
7.4. Регистры
Регистром называют устройство, предназначенное для записи и хранения

дискретного «слова» - двоичного числа или другой кодовой комбинации.
Основные элементы регистра - двоичные ячейки, в качестве которых при
меняются триггеры. Число двоичных ячеек определяется числом двоичных раз
рядов «слова» (длиной слова), на которое рассчитан регистр.
На рис. 61 а, б приведены схема и условное обозначение n-разрядного ре
гистра на RS-триггерах. Информация в ячейки регистра записывается по ко
манде «Ввод» (путем подачи 1 на вход «Ввод»), Тогда сигналы п входов уста
новят в соответствующие состояния триггеры Т1 - Тп. На выходе регистра ин
формация появится по команде «Вывод», в ее отсутствие на выходах — нули.
При считывании информация, записанная в регистре, сохраняется.
Ввод Сброс Вывод

б)
Рис. 61. Схема (а) е обозначение (б) регистра
Описанный регистр может запоминать и выдавать информацию только в

параллельных кодах, когда каждому разряду соответствует отдельная линия.
Более экономична передача информации в последовательных кодах, когда ис
пользуется одна линия для последовательной (во времени) передачи комбина
ции нулей и единиц. Для записи и хранения информации в последовательных
кодах применяют сдвигающие (сдвиговые) регистры. На рис. 62, а, б приведены
схема и условное обозначение сдвигающего регистра на JK-триггерах (MS-
типа). Здесь информация, поступившая на информационный вход, по оконча
нии каждого синхронизирующего импульса передается («продвигается») из
предыдущего триггера в последующий.
Рассмотрим работу регистра по схеме рис. 62, а. Пусть требуется записать
в регистр трехразрядное двоичное слово D=101, имеющее разряды Dl=l, D2=0,
D3=l. При С=1 в триггер Т1 вводятся J1=D1=1 и K1=D1=O. Поскольку JK-
триггер с раздельными входами работает как синхронный RS-триггер, по окон
чании синхронизирующего (тактового) импульса (при переходе от С=1 к С=0)
87
на выходе триггера Т1 появляется Ql=l. Следовательно, по окончании первого
тактового импульса Q1=D 1=1, Q1=D1=O.
Затем на информационный вход регистра поступает второй разряд D2=0
слова D. При воздействии второго тактового импульса триггер Т2 воспримет
информацию с выхода первого триггера: J2=Q1=1, K2=Q=0. По окончании вто
рого тактового импульса Q2=D2=1, Q2=D1=O, а первый триггер воспримет
входную информацию регистра и на его выходе Ql=D2=0, Q1=D1=1. Таким
образом, произошел сдвиг информации из первого разряда регистра во второй;
точно так же по окончании третьего тактового импульса Q3=D1=1, Q2=D2=0,
Q1=D1=O и все слово записано в регистр.
Рис. 62. Схема (а) и условное обозначение (б) сдвигающего регистра с после
довательным вводом информации
Считывать информацию из сдвигающего регистра можно либо в последо

вательном коде с выхода Q3, продвигая информацию через все разряды регист
ра к выходу, либо в параллельном коде одновременно с выходов QI, Q2, Q3.
7.5. Дешифраторы
Дешифратором (декодером) называют устройство, предназначенное для

распознавания различных кодовых комбинаций (слов).
На рис. 63 показана функциональная схема двухвходового дешифратора.
Каждому слову на входе дешифратора соответствует 1 на одном из его вы
ходов. На рис. 64 показано условное обозначение дешифратора, преобразующе
го двоичные четырехразрядные входные коды от 0 до 9 в 1 (преобразователь 1
из 10), а табл. 16 иллюстрирует состояния дешифратора для разных кодовых
комбинаций.
Дешифраторы выпускаются в виде интегральных микросхем, например
трехразрядный дешифратор К500ИД162М, преобразующий двоичный код в
88
восьмеричный, четырехразрядные преобразователи двоичного кода в десятич
ный К176ИД1 и К155ИД1. Дешифратор К155ИД1 позволяет подключать непо
средственно к выходам катоды цифровых газоразрядных индикаторов ИН-16
(ИН-4, ИН-12, ИН-14) с анодным напряжением 170—200 В и током катода не
более 7 мА. Существуют также микросхемы, объединяющие счетчик с дешиф
ратором, например, микросхемы К176ИЕЗ и К176ИЕ4, предназначенные для
управления семисегментными цифровыми индикаторами.
Таблица 16
Таблица состояний дешифратора 1из 10
Входное ХЗ Х2 XI хо У9 У8 У7 Уб У5 У4 УЗ У2 У1 У0
число
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0
2 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0
3 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0
4 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0
5 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0
6 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0
7 0 1 .1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0
8 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0
9 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Рис. 64. Условное обозначение деши

Рис. 63. Функциональная схема двух фратора для преобразования «1 из 10»
входового дешифратора
89
7.6. Мультиплексоры
В тех случаях, когда требуется последовательно опросить логические со

стояния нескольких устройств и передать информацию на один выход, приме
няют устройство, называемое мультиплексором (от англ, multiplex -
многократный). На рис. 65, а приведена схема мультиплексора с двумя инфор
мационными входами (Хо, Xi) и управляющим (адресным) входом
* а, а на рис.
65, б - эквивалентная схема мультиплексора. При а=1 на выход передается зна
чение входа Xi, а при а=0 - значение входа Хо.
Рис. 65. Схема (а) и эквивалентная схема (б) мультиплексора на два входа
На рис. 66, а, б приведены схема и условное обозначение мультиплексора

на четыре входа (Хо-Х3). Она имеет два адресных входа: ао и ар Например, ес
ли al =1, а0=0 то на выход передается информация со входа Х2.
Мультиплексоры выпускают в виде микросхем, например К155КП2 (четы
рехканальный мультиплексор 4x1) или К155КП1 (16-канальный мультиплексор
16x1).
Рис. 66. Схема (а) и условное обозначение (б) мультиплексора на че

тыре входа
90
7.7. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ)
Назначением данного устройства является прием, длительное хранение и

выдача информации на чтение. Разрядность слова информации и количество
записываемых слов определяется внутренней структурой ПЗУ.
АО ROM е
А1 DO
А10 D7
>CS UpR
>ОЕ UCc
Рис. 67. Постоянное запоминающее устройство

а - структура; б - условное графическое изображение
ПЗУ представляет собой большую интегральную схему, имеющую pi вхо

дов и р2 выходов. Упрощенная структурная схема ПЗУ при pi=2, р2=3 приведе
на на рис. 67, а. На входе ПЗУ установлен дешифратор. При каждой ком
бинации входных сигналов появляется сигнал высокого уровня на одном из вы
ходов дешифратора. Между шинами дешифратора и выходными шинами ПЗУ
DO, DI, D2 включены внутренние цепочки из двух встречновключенных дио
дов. Цепочки не проводят ток, и связи между шинами и DO, DI, D2 в исходном
состоянии ПЗУ отсутствуют.
Потребитель создает нужные связи между шинами, подавая пробивные на
пряжения между определенными выходами, при этом соответствующие диоды
пробиваются и в дальнейшем могут рассматриваться как короткозамкнутые.
Созданные постоянные связи показаны на рис. 67, а кружками. При подаче сиг
нала 1 на шину к на шинах DO и О1теперь также будут единичные потенциалы.
Таким образом, потребитель может реализовать на ПЗУ нужную ему таблицу
истинности комбинационного устройства. В схеме рис. 67, например, «зашита»
информация, записанная в таблице 17.
Таблица 17
АО А1 DO D1 D2
0 0 1 0 1
0 1 0 1 0
1 0 1 1 1
1 1 1 0 0
Процесс записи таблицы в ПЗУ можно уподобить процессу записи текста в

чистую тетрадь. Одна схема ПЗУ может заменить большое число логических
микросхем малого и среднего уровня интеграции, поэтому ПЗУ могут эффек
тивно использоваться для создания сложных комбинационных устройств. Кро
91
ме того, ПЗУ находят широкое применение как элементы постоянной памяти, в
которые заносятся сведения, постоянно используемые при работе управляющих
и вычислительных устройств, в том числе микропроцессоров.
1. Основы булевой алгебры. Логические функции. Базисные логические эле
менты НЕ, И, ИЛИ.
2. Транзисторно-транзисторные логические элементы - ТТЛ.
3. Комплиментарная МОП-логика (КМОП).
4. Комбинационные схемы. Дешифраторы и мультиплексоры.
5. RS-триггеры на элементах И-НЕ и ИЛИ-НЕ.
6. D-триггер.
7. Т- и JK-триггеры.
8. Счетчики импульсов.
9. Регистры.
8. Микропроцессоры
Современная технология изготовления микросхем позволяет выполнит^

весьма сложные электронные устройства в виде одной или нескольких микро
схем. Подобные устройства основаны на работе арифметико-логического уст
ройства (АЛУ), которое выполняется в виде самостоятельной микросхемы либо
входит в состав других более сложных микросхем. АЛУ позволяет производить
арифметические и логические операции над n-разрядными входными кодами (п
обычно 4, 8 или 16).
Несмотря на разнообразие операций, выполняемых АЛУ, его функции
весьма ограничены: устройство выполняет только операции над двумя пере
менными, отсутствуют арифметические операции умножения и деления и т. п.
Преодоление этой ограниченности достигнуто в микропроцессорах.
Микропроцессор (МП) - это информационное устройство (микросхема),
обладающее способностью выполнять по определенной программе, задаваемой
управляющими сигналами, обработку информации, включая ввод и вывод ин
формации, принятие решений, арифметические и логические операции. Работа
микропроцессора основана на последовательном выполнении в арифметико-
логическом устройстве ряда операций в соответствии с программой.
На основе МП выполняются микроконтроллеры - устройства, содержащие
МП, запоминающие устройства (ЗУ), органы управления и средства связи с пе
риферийными устройствами (интерфейс). Если микроконтроллер предназначен
для управления некоторым объектом или процессом, то он должен быть снаб
жен средствами сопряжения с этим объектом (процессом): датчиками и ис
полнительными устройствами. Совокупность микроконтроллера и средств со
пряжения называют микропроцессорной системой.
Структурная схема микроконтроллера приведена на рис. 68. Она содержит
устройства ввода УВв и вывода УВыв, порты ввода и вывода, центральный
микропроцессор МП с АЛУ, устройством управления и регистрами общего на
92
значения, а также запоминающее устройство ЗУ. В качестве УВв могут быть
использованы следующие устройства: накопителя на жестких магнитных дис
ках, аналого-цифровой преобразователь и т. п. В качестве УВыв могут исполь
зоваться следующие устройства: дисплей; принтер; устройство управления
объектом и т. д. Порты ввода и вывода предназначены для кратковременного
хранения информации в процессе ввода и вывода и переключения каналов. За
поминающие устройства подразделяются на постоянные запоминающие уст
ройства (ПЗУ) и оперативные запоминающие устройства (ОЗУ), последние вы
полняются на параллельных регистрах.
Рис. 68. Упрощенная структурная схема микроконтроллера
Данные с УВв поступают в Порт ввода. Сигналы управления выбирают

необходимый порт, обеспечивают запись данных и временное хранение в пор
те, а затем обеспечивают их передачу в магистраль данных (совокупность m
проводящих линий, обеспечивающих передачу n-разрядного кодового слова).
Поскольку технологические трудности не позволяют осуществить связь всех
узлов микроконтроллера друг с другом по принципу «каждый с каждым», так
как для этого потребовалось бы огромное количество линий и выводов, приме
няют магистральную организацию связей, при которой все элементы микро-
ЭВМ подключаются к единой магистрали. Для передачи информации между
элементами используются МА - магистраль адресов; МД - магистраль данных;
МУ - магистраль сигналов управления. В восьмиразрядной системе МД выпол
няется 8-разрядной, МА -16-разрядной. Для того, чтобы все элементы могли
подключиться к магистрали, используют специальные буферные усилители, ко
торые могут находиться в одном из трех состояний: 1) передача данных в маги
страль; 2) прием данных из магистрали; 3) отключение от магистрали. Сигна
лами управления можно отдельные элементы поставить в режим передачи сиг
налов в магистраль, другие - в режим приема информации, оставшиеся элемен
ты - отключить.
Для того, чтобы работа МП была независимой от быстродействия УВв, в
процессе выполнения программы данные и программа записываются в основ
ную память микроЭВМ. Кроме того в ОЗУ хранятся промежуточные и оконча
тельные результаты работы МП.
93
Устройство управления (УУ), которое входит в состав АЛУ, с помощью
генератора тактовых сигналов ГТС обеспечивает требуемую последователь
ность выполнения операций.
1. Структура и назначение микропроцессора.
2. Структура и назначение микроконтроллера.
Синтез логических схем
Задание: реализовать с помощью элементов И - НЕ логическую функцию

F=An+Am+Ai+Ak и выбрать из справочника элементную базу. Варианты задания
с указанием двоичных наборов и переменных приведены в таблицах 18, 19.
Таблица 18
Двоичные на
Номер вари
варианта
варианта
Номер
Номер
боры
боры
боры
анта
1 Аь Аг, Аз,Ад 10 Аю, Ац,А|2, А]3 19 A|, As, A3,Ад

2 Аг, Аз,Ад, As И Ап, А|г, А13,А1Д 20 Аг, Аб,Ад, As
3 A3, Ад, As, Ас 12 А12, А13.А1Д, А|5 21 A3, Аг, As, Ав
4 Ад, As, Аб, Аг 13 Ав, Ац, А]5, А] 22 Ад, Ав, Аб, Аг
5 As, Аб,Аг,А8 14 Ан, Аю, А],Аг 23 As, А9,Аг,А8
6 Аб, Аг, Ав, А9 15 Ais, А],Аг,A3 24 Ав, Аю, Ав, А9
7 Аг, А8,А9,Аю 16 А], Ап, Аз,Ад 25 Аг, Ап,А9,Аю
8 Ag, А9, Аю, Ап 17 Аг, А1д,Ад, As 26 Ав, А1г, Аю, Ац
9 А9, Аю, Ац, А]г 18 A3, Ав, А$, Ав 27 А9, А1з, Ац, Ар
Таблица 19
Переменная Значение
Ai вдад А9 Х<Х3Х2Хх
А2 адад Аю Х,Х3Х2Х,
Аз здад Ац Х,ХуХ2Хх
а4 адад А 12 Х<Х3Х2Хх
а5 Х,Х,Х2Х} А 1з Х,Х.ХгХ}
Ав Х,Х3Х2Х} А 14 х.х3х2х.
А7 адад А 15 Х,Х3Х2Х,
А8 х,х,х2х}
94
Пример выполнения задания:
Задана логическая функция:
F = А16+А17+А18+А19= Х4Х3Хг Хх + ТЛзВД + х4х3х2хх + х4х3х2 J,.
Для реализации этой функции с помощью элементов И - НЕ воспользуем

ся законами отрицания и Моргана:
F = X4Х3Х2Хх + *4ХЭХ2Х, + Х4Х3Х2 Хх + Х4ХЭХ2Х, =
= Х4Х3 Х2Х} + Х4 Х3 Х2Хх + Х4Х3 Х2 Хх + Х4Х3Х2Хх =
= Х4Х3Х2Хх • Х4Х3Х2Хх • Х4Х3Х2Хх • Х4Х3Х2Хх.
В полученном виде функция реализуется схемой (рис. 69) на микросхе

мах серии К155 или К555.
При выполнении расчетного задания необходимо по справочнику [6] по
добрать конкретный тип микросхемы.
Рис. 69. Схемная реализация логической функции
95
Силовая электроника
9. Выпрямительные устройства
В судовых электроустановках встречается ряд потребителей электрической

энергии, которые требуют для своей работы постоянное напряжение (зарядка
аккумуляторов, питание радиоэлектронной аппаратуры, систем автоматики,
электропривод и т. д.). В настоящее время в большинстве случаев для получе
ния постоянного напряжения применяют статические преобразователи пере
менного тока в постоянный ток (выпрямители), выполненные на основе полу
проводниковых диодов или тиристоров.
Полупроводниковые выпрямители имеют малые весовые и габаритные по
казатели, отличаются высокой надежностью в работе, большим сроком службы,
высоким значением к.п.д., простотой конструкции, постоянной готовностью к
работе. Полупроводниковые диоды преобразуют переменное напряжение в
пульсирующее выпрямленное напряжение, что обеспечивает одностороннее
протекание тока в нагрузке. Они имеют вибро- и ударопрочные конструкции,
работают при высокой влажности и любом положении.
Выпрямители классифицируются по различным признакам:
1) числу фаз вторичной обмотки трансформатора (одно- и трехфазные);
2) форме выпрямленного напряжения (одно- и двухполупериодные);
3) схеме соединения вентилей (с последовательным включением вентиля и
вторичной обмотки и мостовые);
4) мощности (маломощные - 100 Вт, средней мощности - 5 кВт и мощные -
свыше 5 кВт);
5) напряжению;
6) частоте выпрямленного тока (промышленной частоты - 50 Гц, повышен
ной частоты - от 400 до 1000 Гц и высокой частоты - свыше 1000 Гц).
9.1. Однофазные выпрямители на полупроводниковых диодах
Среди однофазных неуправляемых выпрямителей можно выделить четыре

основные схемы выпрямителей, имеющих существенные различия по парамет
рам выходной электроэнергии, электромагнитным нагрузкам на элементы и
технико-экономическим показателям.
Однополупериодная схема выпрямления. Однополупериодная схема
выпрямления показана на рис. 70, а. На рис. 70, б показаны временные диа
граммы токов и напряжений в схеме. Принцип работы основан на том, что по
ложительная полуволна напряжения вторичной обмотки трансформатора по
ступает в нагрузку через выпрямительный диод, включенный в прямом направ
лении.
96
6)
выпрямления со средним выводом (а) Рис. 72. Мостовая схема выпрямления

и временные диаграммы работы (б) (а) и временные диаграммы работы (б)
97
Отрицательная полуволна напряжения в нагрузку не поступает, так как для неё
выпрямительный диод включен в обратном направлении. Вследствие этого на
нагрузке выделяется пульсирующее напряжение одной полярности.
На рис. 70, б показаны временные диаграммы: напряжения е2 вторичной
обмотки трансформатора, временные диаграммы напряжения uj и тока id на
грузки, напряжения иа и ток ia выпрямительного диода, токов вторичной i2 и
первичной i] обмоток трансформатора. Из диаграмм видно, что при синусои
дальном напряжении на первичной обмотке трансформатора напряжения и то
ки элементов схемы существенно отличаются от синусоидальных. Поэтому при
анализе схемы необходимо найти количественную связь между действующими
значениями напряжения и тока питающей сети Е/ и //, действующим и средни
ми значениями напряжения и тока элементов схемы.
Среднее значение напряжения на нагрузке Uj в соответствии с определе
нием численно равно частному от деления площади фигуры, ограниченной
функцией напряжения нагрузки и осью ординат, на длину интервала, на кото
ром определяется среднее значение. В первом полупериоде напряжение на на
грузке повторяет форму напряжения вторичной обмотки трансформатора:
е2 = £2msinft^,
где Е2т - \[2Ег п Е2 - амплитудное и действующее значение напряже

ния вторичной обмотки трансформатора;
со - угловая частота;
t - текущее время.
Во втором полупериоде напряжение на нагрузке равно нулю. Длина интер
вала, на котором определяется среднее значение напряжения на нагрузке, равно
периоду напряжения вторичной обмотки трансформатора. Из этого следует:
Ud =— sinatf dot =—El . (9.1)

2^0 *
Среднее ld и мгновенное id значения тока нагрузки можно определить,

зная активное сопротивление нагрузки Rd:
Мгновенные значения токов вторичной обмотки трансформатора, выпря

мительного диода и нагрузки совпадают, так как они включены последователь
но в неразветвлённую цепь /2 = ia =
Величину тока 1а выпрямительного диода принято оценивать по его сред
нему значению, поэтому ток диода равен току нагрузки Ia=Id, но ток 12 вто
ричной обмотки трансформатора оценивают по его действующему значению,
которое в соответствии с определением равно
98
1 2;
/2 = I— J (/2m sin t)2do> t «1,57/,, (9.2)
рл- *
где I2m = Лтах = ~ амплитуда тока вторичной обмотки трансформа

тора.
Ток первичной обмотки трансформатора не может содержать постоянной
составляющей, так как постоянная составляющая тока вторичной обмотки не
может трансформироваться в первичную в соответствии с принципом работы
трансформатора. Поэтому временная диаграмма тока ц симметрична относи
тельно оси ординат. Вследствие этого ток // можно выразить следующим обра
зом:
• _ _ 4 ~ А/
ч— — ,
п п
где - переменная составляющая тока вторичной обмотки трансформа
тора;
п - коэффициент трансформации трансформатора.
Действующее значение тока 1> первичной обмотки трансформатора равно
, _У(Л)г-(4); У(1.57/,)г-(7,); и1/„

п п п
Для выпрямительных диодов критическим является максимальное напря
жение, которое прикладывается к диоду в закрытом состоянии. Это напряже
ние Ua называют обратным напряжением. Оно не должно превышать предельно
допустимого напряжения для данного типа выпрямительных диодов. В схеме
однополупериодного выпрямителя это напряжение равно амплитуде напряже
ния вторичной обмотки трансформатора
Ua=E2j2 = nUd
Установленная (типовая или габаритная) мощность Рт, по которой можно

судить о габаритах и весе трансформатора, а также о технико-экономических
показателях преобразователя в целом, равна полусумме мощностей первичной
и вторичной обмоток трансформатора:
EJx+E2l2 2,22/7,1,21/, +2,22^1,57/,
Т 2 2 »4»
где Pd = Udld - мощность нагрузки.
Качество выпрямленного напряжения оценивают величиной коэффициента
пульсации q, который равен отношению амплитуды первой гармоники к сред
нему значению на нагрузке. Его можно определить путем разложения в ряд
Фурье выходного напряжения
я- 2 2
ud =UA1 + — costyf + — cos 2со t----- cos4cot + ...),
d d 2 3 15
99
Вследствие низких технико-экономических показателей однополупериод-
ная схема выпрямления применяется только в маломощных (чаще всего в высо
ковольтных) выпрямителях мощностью до 10 Вт.
Двухполупериодная схема выпрямления со средним выводом вторич
ной обмотки трансформатора. Схема двухполупериодного выпрямителя со
средним выводом вторичной обмотки трансформатора показана на рис. 71, а.
Из рисунка видно, что схема отличается от однополупериодной наличием ещё
одной вторичной обмотки трансформатора и ещё одного выпрямительного
диода, подключенного к нагрузке. Напряжение е2п этой дополнительной об
мотки находится в противофазе с напряжением е2. Обе обмотки идентичны по
величине напряжения (рис. 71, б), поэтому напряжение вторичной обмотки по
ступает в нагрузку в каждый полупериод, а токи вторичных обмоток i2 и i2‘,
равные токам диодов iaI и ia2, протекают только в течение половины периода,
причем в разных полупериодах (рис. 71, б).
Среднее значение напряжения на нагрузке можно определить, воспользо
вавшись формулой (9.1), с учётом того, что напряжение поступает в нагрузку в
оба полупериода, среднее значение напряжения на нагрузке в два раза больше,
чем у однополупериодного выпрямителя:
2у/2
Ud =——Е2 &0,9Е2.
л
Действующее значение токов вторичных полуобмоток трансформатора
можно определить, используя формулу (9.2), с учётом соотношения между ам
плитудой тока 12т вторичной полуобмотки и средним значением тока нагрузки
/2ж = = =?Ll
Rd Rd 2Rd d 2
Подставив полученное значение 12т в формулу (9.2), найдем величину

действующего значения тока вторичной полуобмотки:
/,=7/, «0,785/,.
4
Ток первичной обмотки, выраженный через ток нагрузки и коэффициент
трансформации, равен:
/я- J
J — ±гт — I ~1 11
*" п2^2 d~ ’ и
Напряжение на первичной обмотке связано с напряжением на нагрузке со

отношением:
пл
Ex=Ûd*
\,\\nU d.
100
Мощность первичной обмотки трансформатора:
Рх = Е}Ц =1,1 \nUd\,\\Id/n = \,23Pd.
Мощность вторичной полуобмотки трансформатора:
Р2 =E2I2 = l,llt7rf0,785/rf =0,87Pd.
Установленная мощность трансформатора равна половине суммарной

мощности всех обмоток трансформатора:
^-2^1,23/>,+2.Q,87P
Г 2 2
Среднее значение тока выпрямительного диода равно половине тока на

грузки, так как каждый диод проводит ток только половину периода:
Л=Л/2-
Обратное напряжение на диоде равно двойной амплитуде напряжения вто
ричной полуобмотки, так как к непроводящему диоду прикладывается напря
жение двух вторичных полуобмоток через диод, находящийся в проводящем
состоянии:
Ua=2E2m=2Ej2=7rUd.
Коэффициент пульсации напряжения на нагрузке вдвое меньше, чем в од-

нополупериодной схеме, так как при одинаковой амплитуде пульсации среднее
значение напряжения на нагрузке вдвое больше:
2 2
и. =СЛ(1 + — cos2a)t----- cos 4а> t+
d d 3 15
2 /
q = Ud-[Ud=M>1.
Мостовой выпрямитель. На рис. 72, а показана схема мостового выпря

мителя, на рис. 72, б - временные диаграммы напряжений и токов в элементах
схемы.
Постоянное напряжение на нагрузку поступает от диодного коммутатора
VD1-VD4, обеспечивающего протекание тока через нагрузку в одном направле
нии. В первом полупериоде ток течет от верхнего конца вторичной обмотки
трансформатора через диод VD1, нагрузку Rj диод VD4 к нижнему концу вто
ричной обмотки трансформатора. Во втором полупериоде - от нижнего конца
вторичной обмотки трансформатора через диод VD2, нагрузку Rj, диод VD3 к
верхнему концу вторичной обмотки трансформатора.
Из временных диаграмм видно (рис. 72, б), что напряжение и ток нагрузки
постоянные пульсирующие, а ток вторичной обмотки - переменный синусои
дальный. Это основное достоинство мостовой схемы выпрямления, так как ус
тановленная мощность трансформатора в этом случае получается наименьшей.
101
Среднее значение напряжения на нагрузке такое же, как и в схеме двухпо-
лупериодного выпрямителя со средним выводом вторичной обмотки трансфор
матора, так как графики изменения напряжения на нагрузке у них идентичны:
7Г
Ток вторичной обмотки синусоидальный, поэтому связь между средним
значением тока нагрузки и действующим значением тока вторичной обмотки
такая же, как и между средним значением напряжения на нагрузке и действую
щим значением напряжения вторичной обмотки:
/, =-т=4 = 1,11/,.
2 2^2
Ток вторичной обмотки, а, следовательно, и ток первичной - синусоидаль
ны, поэтому, если не учитывать потерь, мощности обмоток равны, поэтому ус
тановленная мощность трансформатора равна:
= Vi+^4 = Е2п121п+Е212 ю j =
1 2 l 7 а ' а ' и
Среднее значение тока выпрямительного диода равно половине тока на

грузки, так как полпериода ток течет через диоды VD1 и VD4, а другие полпе
риода - через диоды Г7)2 и VD3:
1а=Ц12.
Обратное напряжение на диодах равно амплитуде напряжения вторичной

обмотки трансформатора, так как к непроводящему диоду прикладывается на
пряжение вторичной обмотки через другой диод, находящийся в открытом со
стоянии:
Ua=E2m=Ej2=Udxl2.
Коэффициент пульсации напряжения на нагрузке такой же, как и в схеме

двухполупериодного выпрямителя со средним выводом вторичной обмотки
трансформатора, так как формы напряжения на нагрузке у них одинаковы
q = 0,67.
9.2. Неуправляемые выпрямители трехфазного тока
Схемы выпрямителей трехфазного тока применяются для питания потре

бителей средней и большой мощности. Они подключаются к источникам пита
ния через трехфазные трансформаторы и имеют меньший коэффициент пульса
ций, что значительно снижает габаритные размеры слаживающих фильтров.
Кроме того, их применение обеспечивает равномерную загрузку сети трехфаз
ного тока и более высокий коэффициент использования трансформатора.
В качестве потребителей электроэнергии трехфазных выпрямителей может
использоваться статическая нагрузка активного или активно-индуктивного ха
102
рактера, а также динамическая нагрузка в виде электродвигателей постоянного
тока.
В зависимости от числа и способа включения вентилей (мощные выпря
мительные диоды и тиристоры называют вентилями) различают две основные
схемы выпрямления: с нулевым выводом и мостовая схема.
9.2.1. Трехфазная схема выпрямления с нулевым выводом

вторичной обмотки трансформатора
Схема выпрямителя приведена на рис. 73, а. Нагрузка включается между

нулем звезды, образованной вторичными обмотками трансформатора, и като
дами вентилей.
Рассмотрим режим работы выпрямителя на активную нагрузку. Синусои-
дальные ЭДС вторичных обмоток сдвинуты друг относительно друга на —
(рис. 73, б). Кривые вторичных напряжений определяют изменение потенциа

лов анодов вентилей. В каждый момент времени из трех вентилей в проводя
щем состоянии будет находиться только один, потенциал анода которого наи
больший. Этот вентиль и подключает нагрузку к вторичной обмотке трансфор
матора, при этом ток будет протекать через соответствующую вторичную об
мотку, диод в этой фазе, нагрузку и замыкаться через нулевую точку.
В рассматриваемой схеме на интервале л/6 - 5л/6 будет открыт VDA и на
пряжение на нагрузке повторит форму фазной ЭДС (е2Л). В момент в =5л/6
произойдет переключение диодов: VDA закроется VDS откроется, и в нагрузке
будет формироваться напряжение, повторяя форму фазной ЭДС (е2В).
В результате напряжение на нагрузке представляет собой кривую, образо
ванную из отрезков синусоид фазных напряжений, имеющих на данном интер
вале фазы наибольший потенциал. Кривая выпрямленного напряжения uj имеет
период пульсаций в три раза меньший, чем период частоты сети. В связи с этим
коэффициент пульсаций, который можно найти по известной формуле, будет
равен:
9 = -Г-=0,25,
т -1
где /и=3 - кратность периодов пульсаций.
Для определения среднего значения выпрямленного напряжения использу
ем систему координат с осью ординат, проведенной через вершину отрезка си
нусоиды фазного напряжения е2А (рис.73, в):
Ud =
1 Jг г
^Е2 cosOde = \.\1Е2ф.
103
3 з в)
Рис. 73. Схема трехфазного неуправ

ляемого выпрямителя с нулевым выво
дом (а) и его временные диаграммы
при чисто активной (б) и активно
индуктивной (г) нагрузке
Каждый вентиль находится в открытом состоянии и пропускает ток на

грузки только треть периода, поэтому среднее значение тока через вентиль
можно найти так:
Результирующий ток нагрузки id повторит форму кривой «</, и его среднее

значение равно:
104
1 3
7rf=^-^JZ2.coS^ = 0.8372.,
— + — JL
3 3 з
р
т —
ГДе 12m ~ D - амплитудное значение тока.
Kd
Действующее значение тока во вторичной обмотке определяется:
з
2 ~
f I22mcos20d0 = 0,484/2,„ = 0,583/(,
I з
Ток первичной обмотки каждой фазы будет повторять форму тока во вто
ричной обмотке, но без постоянной составляющей:
.4-^/3
•1 “
кт
Его действующее значение равно:
0,395/2w _ 0,4761,,
Типовая мощность трансформатора

„ о or. г or. г 3-0.855С/. 0,476/.+3--^--0,583/.
S *2
^.+ 3£,/,+3£2/2 ' 1,17 .135Р
т 2 2 2 ' d‘
Для выбора вентилей по напряжению найдем максимальное обратное на
пряжение. На закрытом вентиле VD2 потенциал анода будет равен е2В, а потен
циал катода uj. Напряжение на вентиле, равное разности этих потенциалов, бу
дет равно линейному напряжению вторичной обмотки с максимальным значе
нием
=Е, = >/з >/2£, = 2,09/7..
обрмакс 2лт v
Из графика рис. 73, б видно, что форма тока в первичной обмотке далека
от синусоидальной, т.е. имеет сложный гармонический состав, а это неблаго
приятно влияет на питающую сеть.
Наличие постоянной составляющей во вторичных токах трансформатора
приводит к увеличению его тока намагничивания, что определяет увеличение
105
габаритной мощности трансформатора (5/-],35Р^) и снижение коэффициента
его полезного использования.
В случае работы выпрямителя на индуктивную нагрузку изменится форма
токов, протекающих в ветвях схемы. Электромагнитная энергия, накопленная в
индуктивности нагрузки, препятствует любому изменению токов в цепях. В
результате этого графики токов представляют собой импульсы с. плоской вер
шиной, а график тока нагрузки - прямую линию (рис. 73, г).
9.2.2. Трехфазная мостовая схема выпрямления

(схема Ларионова)
Мостовая схема (рис. 74, а) является наиболее распространенной в области

больших и средних мощностей.
Схема состоит из двух комплектов вентилей. Три вентиля соединены като
дами и образуют анодную группу, а вентили, соединенные анодами - катодную
группу. Каждый комплект по отношению к трансформатору представляет со
бой рассмотренный ранее выпрямитель с нулевым выводом. В любой момент
времени в анодной группе будет открыт только один диод, потенциал анода ко
торого является максимальным. Также в любой момент времени в катодной
группе открыт один диод, на катоде которого потенциал имеет максимальное
отрицательное значение.
Временные диаграммы работы схемы приведены на рис. 74, б. Для раз
грузки рисунка показана только положительная часть графиков линейных ЭДС.
Рассмотрим интервал фаз [0; л/6]. Ток в этот момент времени будет проте
кать через открытый диод Vlla)A (фаза А, анодная группа), через нагрузку, откры
тый диод и замыкаться через обмотки фаз А и В. При этом ток в фазе С ра
вен нулю: 4=0.
Таким образом, интервал проводимости каждого вентиля составляет —, а
интервал совместной работы двух вентилей равен —. За один период напряжения
питания происходит шесть переключений вентилей. Схема работает в шесть так

тов, в связи с чем ее называют шестипульсной.
Так как графики катодной и анодной групп симметричны, то нагрузка будет
подключена к линейному напряжению иАв вторичной обмотки трансформатора и
результирующее напряжение будет в 2 раза больше напряжения каждой группы.
Среднее значение выходного напряжения выпрямителя находят по среднему
л
значению напряжения за период повторяемости —:
К
Ud = 1л V3>/2E2 cos 6dd = 2,34Е2ф
106
Рис. 74. Схема (а) и временные диаграммы работы трехфазной мостовой схемы вы
прямления без учета явления коммутации (б) и с его учетом (в)
107
Период пульсаций выпрямленного напряжения в шесть раз меньше периода
напряжения сети, и коэффициент пульсаций равен д=0.06.
Ток нагрузки из-за наличия индуктивности хорошо сглажен и представлен
прямой линией со значением Id = —. Длительность протекания тока через от-

Rd
2л
крытый вентиль составляет —, поэтому среднее значение тока через вентиль
можно найти так же, как и в нулевой схеме:
4
з'
При открытом состоянии двух вентилей другие четыре вентиля закрыты при
ложенным к ним обратным напряжением. Амплитуда обратного напряжения на
диоде равна амплитуде линейного напряжения:
Uобрмакс
Кривая тока вторичной обмотки трансформатора определяется токами двух

вентилей, подключенных к данной фазе. Он является переменным, имеет форму
прямоугольных импульсов с амплитудой Id и паузой между импульсами дпитель-
Л г-г
ностью у. Постоянная составляющая во вторичном токе отсутствует, поэтому
ток // в первичной обмотке представляет собой чередующиеся разнополярные им

пульсы, разделенные бестоковыми паузами. Такая форма сигнала ближе к сину
соидальной, но амплитуды высших гармоник достаточно велики.
Для расчета сечений проводов обмоток определим действующие значения
токов:
Отсутствие подмагничивания сердечника и более полное использование

трансформатора позволяет уменьшить его габаритную мощность до значения,
определяемого выражением:
ST = s, = s2 = 3^|/, = 1,045Л •
9.3. Управляемые выпрямители
Преобразование переменного напряжения промышленной частоты в по

стоянное напряжение регулируемой величины в настоящее время осуществля
108
ют при помощи выпрямителей на тиристорах, представляющих собой управ
ляемый полупроводниковый вентиль, прямой проводимостью которого можно
управлять, подавая на тиристор в нужные моменты времени импульс управле
ния. Напряжение на нагрузке выпрямителя зависит от фазового угла управле
ния (далее просто угол), т.е. от момента времени, когда импульс управления
поступает на тиристор.
9.3.1. Однофазный управляемый выпрямитель
Схема управляемого однофазного двухполупериодного выпрямителя пока

зана на рис. 75, а. Она отличается от схемы нерегулируемого выпрямителя тем,
что выпрямительные диоды заменены тиристорами, а также наличием схемы
управления (СУ) тиристорами.
Величина напряжения на нагрузке (среднее значение) зависит от угла
управления, т.е. от сдвига по фазе на угол а импульсов управления, поступаю
щих на тиристоры, относительно момента естественного отпирания. Моментом
естественного отпирания называется момент появления положительного на
пряжения между анодом и катодом вентиля.
Электромагнитные процессы в схеме существенно зависят от характера
нагрузки выпрямителя. Рассмотрим работу выпрямителя на активную нагрузку.
Временные диаграммы токов и напряжений элементов схемы при работе
выпрямителя на чисто активную нагрузку показаны на рис. 75, б.
ЭДС вторичной обмотки трансформатора е2 прикладывается к нагрузке
только после отпирания очередного тиристора импульсом управления Uy от
СУ. После отпирания тиристор будет проводить ток до тех пор, пока напряже
ние на его аноде положительно по отношению к катоду, т.е. пока ЭДС вторич
ной обмотки трансформатора не перейдет через нуль.
В соответствии с указанным принципом в схеме рис. 75, а до подачи
управляющего импульса на вентиль VS1 нагрузка остается отключенной от
вторичной обмотки трансформатора и напряжение на ней равно нулю. В мо
мент 9i=а открывается тиристор VS1 и через него начинает протекать ток, ко
торый формирует в нагрузке падение напряжения, повторяющее по форме и
знаку напряжение вторичной полуобмотки. Вентиль FS2 остается закрытым. В
момент 62=л напряжение верхней полуобмотки трансформатора меняет знак на
противоположный и вентиль VS1 закрывается под действием обратного напря
жения. В момент 03=л+а подается импульс на управляющий электрод вентиля
VS2 и он открывается, через нагрузку снова протекает ток. В результате в диа
граммах напряжения uj и тока появляются паузы (режим прерывистого тока),
продолжительность которых определяется углом а.
Среднее напряжение на нагрузке можно определить по формуле:
tj
U 1 f \!2Е
d =— • плп
Пг2 sinuau ------ Еl'2-------------
1 + cosa .
л} л 2
109
Рис. 75. Однофазный управляемый выпрямитель: а) схема, б) временные диаграммы ра
боты при активной нагрузке, в) временные диаграммы работы при индуктивной нагрузке;
г) регулировочные характеристики, д) внешние характеристики
ПО
Зависимость напряжения на нагрузке от угла управления называется регу
лировочной характеристикой. Для выпрямителя, работающего на активную на
грузку, она имеет вид
1 + соза
Ud Ud0 2 *
где Ud0 = ^Le2 - среднее значение напряжения неуправляемого выпрями-

л
теля, работающего на активную нагрузку.
На рис. 75, г показана регулировочная характеристика (кривая 1) выпрями
теля, работающего в таком режиме, из которой видно, что выходное напряже
ние выпрямителя изменяется от Uao до нуля при изменении угла управления от
нуля до л.
Токи вентилей VS1 и FS2, протекающие через полпериода, повторяют
форму тока нагрузки (рис. 75, б).
По сравнению с неуправляемым выпрямителем напряжение на вентилях
имеет импульсы как отрицательной полярности, соответствующие обратному
напряжению вентиля, так и импульсы положительной полярности, соответст
вующие прямому напряжению на вентиле во время его закрытого состояния
(рис. 75, б).
Электромагнитные процессы в схеме выпрямителя, работающего на ин
дуктивную нагрузку, существенно отличаются от процессов в схеме выпрями
теля, работающего на активную нагрузку. Это видно из временных диаграмм
рис. 75, в.
Ток нагрузки считаем идеально сглаженным за счет индуктивности на
грузки (считаем, что индуктивность нагрузки бесконечно большая - £У/?^=оо),
поэтому токи вентилей VS1 и VS2 имеют прямоугольную форму, длиной по
полпериода. В момент перехода кривой вторичного напряжения через нулевое
значение запирание вентиля, находящегося в работе, не произойдет. При отри
цательном напряжении на вторичной обмотке ток через вентиль, подключен
ный к ней, будет поддерживаться за счет энергии, запасенной в индуктивности
нагрузки. При достаточно большой индуктивности, вследствие уменьшения то
ка нагрузки, в индуктивности возникает ЭДС самоиндукции, по величине пре
вышающая отрицательное напряжение вторичной обмотки. Вследствие этого
ток через вентиль будет протекать до тех пор, пока энергия индуктивности не
уменьшится до нуля или в работу не вступит другой вентиль, что обеспечит по
явления на катоде выключающегося вентиля положительного потенциала, что
приведет к его запиранию. В первом случае между интервалами проводимости
вентилей появляются бестоковые паузы, и будет иметь место режим прерыви
стого тока. Во втором случае ток в нагрузке будет непрерывным, что определя
ется как режим непрерывного тока (рис. 75, в).
Таким образом, в кривой напряжения на нагрузке появляются импульсы
отрицательной полярности, уменьшающие величину среднего значения напря
жения на нагрузке.
111
Среднее значение напряжения на активно-индуктивной нагрузке выпрями
теля, работающего в режиме непрерывного тока, определяется формулой (ре
жим прерывистого тока аналитически не описывается):
1 я+га гт . 2>/2
(7rf=— 42E2sin0atf =------- E2cosa.
* а *
Таким образом, регулировочная характеристика выпрямителя, работающе
го на активно-индуктивную нагрузку, имеет вид:
ud =Ud0cosa.
На рис. 75, г показана регулировочная характеристика (кривая 2) выпрями

теля, работающего в таком режиме, из которой видно, что выходное напряже
ние выпрямителя изменяется от номинального значения до нуля при изменении
угла а в интервале от нуля до я/2. Это явление объясняется тем, что при а=я/2
в течение периода площадь импульсов отрицательной полярности будет равна
площади фигуры под кривой напряжения в положительной области, а их сумма
будет равна нулю.
Напряжение на вентиле в прямом направлении больше, чем у выпрямителя
с чисто активной нагрузкой, так как к закрытому вентилю прикладывается
суммарное напряжение двух вторичных обмоток через другой вентиль, нахо
дящийся в проводящем состоянии.
9.3.2. Трехфазный управляемый выпрямитель

с нулевым выводом вторичной обмотки трансформатора
Трехфазные управляемые выпрямители, так же, как и однофазные, строят

ся на базе неуправляемых схем путем замены диодов на тиристоры. В каждый
момент времени в проводящем состоянии будет находиться вентиль, анод ко
торого имеет наибольший положительный потенциал. Это легко определяется
по временным диаграммам трехфазной системы ЭДС (рис. 76, б). Через точку
требуемого фазового угла необходимо провести вертикальную прямую (на ри
сунке указана пунктиром) и определить, для какой фазы потенциал будет наи
более положительным (фаза А).
Для работы схемы (рис. 76, а) на тиристоры необходимо подавать управ
ляющие импульсы, которые отсчитываются от момента естественной коммута
ции (точка Е для фазы А на рис. 76, а) тиристоров в каждой фазе. В результате
в кривой выпрямленного напряжения создаются «вырезки», вследствие чего
среднее значение напряжения уменьшается. Работа схемы зависит от вида на
грузки и от величины угла управления а.
1) Работа на активную нагрузку.
Если а<л/6, то при подаче импульса на тиристор VSa он откроется, а ранее
открытый VSc закроется. Без учета явления коммутации ток на нагрузке мгно
венно переключится с VSC на РЗя- Так как ток повторяет по форме напряжение
(рис. 76, б), имеет место режим непрерывного тока.
112
Для определения среднего значения напряжения на нагрузке в режиме не
прерывного тока можно использовать формулу:
, л/3+а
ud =
-L- f
F cos Odd = Ud0 cos a = 1.17 Егф cos a
2^/З.Х ^2т
Если а>я/6 (рис. 76, в), то в момент прохождения напряжения е2л через
точку А вентиль закрывается и до подачи импульса на VSb наступает бесто-
ковая пауза. Среднее значение напряжения на нагрузке определяется выраже
нием:
„ _l-l7E20
Рис. 76. Схема (а) и временные диа

граммы (б-д) работы трехфазного
управляемого выпрямителя с нулевым
выводом
ИЗ
2) Индуктивная нагрузка.
Если а<я/6 (рис. 76, б), то после прохождения ЭДС е2А через точку 0 ее
значение становится больше е2с, но из-за отсутствия обратного напряжения со
стороны других фаз (вентили в фазах А и В заперты) тиристор VSC остается от
крытым до подачи управляющего импульса на тиристор VSA. Процессы анало
гичны работе с активной нагрузкой, и величина напряжения на нагрузке опре
деляется выражением:
Ud = \А1Е1ф costz.
Если я/6<а<я/2 (рис. 76, г), то так как управляющий импульс подается на
тиристор позже момента прохождения через ноль ЭДС е2С, под действием
энергии индуктивности вентиль KSc поддерживается в открытом состоянии.
После открывания напряжение Ud скачком меняет полярность, ток перебра
сывается с VSC на KS'a, и VSc закрывается. Ток через вентиль (j2A) будет про
текать до момента подачи импульса на VSB. Он представляет собой прямо
угольный импульс длительностью 2л/3. Хотя Ud имеет положительные и отри
цательные мгновенные значения, имеет место режим непрерывного тока в на
грузке.
Если а>л/2 (рис. 76, д), то площадь отрицательной части графика пропор
циональна энергии, запасенной магнитным полем, и среднее значение напря
жения на нагрузке будет равно 0.
9.3.3. Трехфазный управляемый мостовой выпрямитель
Структура преобразователя аналогична неуправляемой схеме (рис. 74),

только вместо вентилей в схеме установлены тиристоры (рис. 77, а). Временные
диаграммы, описывающие работу данной схемы, приведены на рис. 77, б - ж.
Поскольку в трехфазной мостовой схеме выпрямлению подвергается линейное
напряжение, кривая напряжения на нагрузке ud состоит из участков линейных
напряжений вторичных обмоток трансформатора, и момент естественной ком
мутации определяется точкой пересечения графиков линейных ЭДС (рис. 77, б).
При изменении угла а в диапазоне от 0 до у переход напряжения ud с од
ного линейного напряжения на другое осуществляется в пределах положитель

ной полярности участков линейных напряжений. Поэтому форма кривой на
пряжения Ud и его среднее значение одинаковы как при активной, так и при ак
тивно-индуктивной нагрузках (рис. 77, б, в).
При а > — вид кривой ud зависит от характера нагрузки. В случае активно
индуктивной нагрузки ток id продолжает протекать через тиристоры и вторич

ные обмотки трансформатора после изменения полярности их линейного на
пряжения, в связи с чем в кривой ud появляются участки отрицательной поляр
ности (рис. 76, д). При большой индуктивности нагрузки эти участки продол
жаются до моментов очередного отпирания тиристоров (рис. 77, д).
114
Рис. 77. Схема (а) и временные диаграммы работы (б-ж) трехфазного мостового управ
ляемого выпрямителя при различных характерах нагрузки и углах управления
115
При индуктивной нагрузке значению Ud - 0 соответствует угол у (рис.
77, е). Для активной нагрузки участки отрицательной полярности отсутствуют

л
и при а > — в кривой uj появляются нулевые паузы (рис. 77, ж) . Напряжению
Ud =0 соответствует угол
Таким образом, для индуктивной нагрузки на интервале 0 < а < — и для
активной - на интервале 0 <а <—регулировочная характеристика определяет
ся выражением:
| я76+а
Ud =------ [ >/3£2т sin OdO - Ud0 cos a = 2,34£2. cos a
На интервале y<a<—для активной нагрузки регулировочная характе
ристика имеет вид:
1 + cos —+а
а / >> I *>"1 I 3
Амплитуда обратного напряжения в обеих схемах не изменяется (2,09 Udo -

для нулевой схемы, 1,045 £7^ - для мостовой), хотя вид кривых из-за сдвига мо
мента отпирания вентилей и процессов коммутации существенно усложняется.
9.4. Стабилизаторы напряжения
Электрические процессы в выпрямителях, которые служат источниками

питания различных устройств, подвергаются внешнему воздействию со сторо
ны питающей сети и самой нагрузки. Это воздействие выражается в изменении
величины постоянного напряжения. Для поддержания выходного напряжения
источника питания неизменным применяют устройства, которые называются
стабилизаторами.
Параметрические стабилизаторы напряжения являются наиболее про
стыми стабилизирующими устройствами, широко применяемыми в схемах ма
лой мощности. В основе принципа действия параметрических стабилизаторов
напряжения лежит использование свойств нелинейности полупроводниковых
стабилитронов, вольтамперная характеристика которых обладает большой кру
тизной.
116
На рис. 78 представ
лена простейшая схема па
раметрического стабилиза
тора, выполненная на ста
билитроне VD. Резистор Rg
выполняет роль балластно
го сопротивления, ограни
чивающего ток в стаби
литроне и воспринимаю
Рис. 78. Параметрический стабилизатор напряжения щего избыток напряжения
источника питания. Вход
ное напряжение
Uex=Ug+ ист=1вхЯб+ Ucm=(IH+Icm)Rg+ Ucm,
где Ug - падение напряжения на резисторе R^;
Ucm - напряжение стабилизации;
1вх - входной ток;
1Н- ток нагрузки;
Ian - ток, проходящий через стабилитрон.
При изменениях входного напряжения меняется входной ток и падение
напряжения на Rg, а напряжение стабилизации остается практически неизмен
ным. Качество стабилизации напряжения оценивается с помощью коэффициен
та стабилизации, который показывает, во сколько раз относительное изменение
входного напряжения больше относительного изменения стабилизированного
выходного напряжения.
Для обеспечения нормального режима стабилизации необходимо, чтобы
ток в стабилитроне находился в диапазоне:
Icm min<Icm < 1сттах>
где Ian mtn и 1ст тах - допустимые значения токов в стабилитроне, которые
указываются для каждого типа стабилитрона в справочниках.
По мере увеличения тока 1Н нагрузки ток через стабилитрон уменьшается,
поэтому величина резистора Rg выбирается по режиму холостого хода, когда
нагрузка не подключена.
Для повышения рабочего напряжения применяют последовательное со
единение стабилитронов. Параллельное соединение стабилитронов для умень
шения токов и нагрева не используется, так как ток проходит через тот стаби
литрон, который обладает меньшим сопротивлением.
Компенсационные стабилизаторы напряжения используют зависимость
вольтамперной характеристики транзистора от базового тока. Транзистор мож
но рассматривать как резистор с регулируемым сопротивлением перехода эмит
тер - коллектор, которое определяется током базы. В качестве регулируемого
сопротивления переход эмиттер - коллектор транзистора может включаться по
следовательно или параллельно с нагрузкой и выполнять функции основного
117
исполнительного органа в процессе регулирования (стабилизации) выходного
напряжения.
Действие компенсационных стабилизаторов напряжения основано на ис
пользовании принципа отрицательной обратной связи. Усиленный сигнал пода
ется с выхода схемы на ее вход таким образом, чтобы компенсировать измене
ние выходного напряжения.
На рис. 79 изображен компенсационный стабилизатор напряжения после
довательного типа. В цепи обратной связи включен элемент сравнения на тран
зисторе VT2. Последний усиливает разность потенциалов, образованную опор
ным напряжением на стабилитроне VD и падением напряжения на резисторе
R2, который входит в состав делителя R2 - R5.
Рис. 79. Схема компенсационного стабилизатора напряже

ния последовательного типа
Допустим, что при увеличении Евх напряжение Ueva в первый момент нач
нет возрастать. Это приведет к увеличению падения напряжения на резисторе
R2, и потенциал базы транзистора VT2 станет выше. Увеличатся ток базы и ток
коллектора транзистора VT2, который пройдет через резистор R1. Потенциал
базы транзистора VT1 станет ниже. Сопротивление перехода эмиттер - коллек
тор транзистора VT1 и падение напряжения на нем возрастут. Напряжение С/вых
становится приблизительно равным прежнему значению.
9.5. Фильтры выпрямительных устройств
Сглаживающие фильтры включаются между выпрямителем (со стабилиза

тором) и нагрузкой для уменьшения пульсаций выпрямленного напряжения.
Наиболее часто применяются фильтры, состоящие из дросселя и конденсатора
или из резистора и конденсатора.
Для характеристики фильтра используют коэффициент сглаживания, рав
ный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:
s= *
Чг'
118
где qi и q2 — коэффициенты пульсаций выпрямленного напряжения на вхо
де и выходе фильтра.
Эффективность сглаживания пульсаций зависит от соотношения парамет
ров элементов фильтров и нагрузки.
Емкостный фильтр подключается параллельно нагрузке, поэтому для эф
фективного сглаживания пульсаций необходимо, чтобы реактивная проводи
мость конденсатора на частоте основной гармоники пульсации была намного
больше проводимости нагрузки, т.е.:
1/Хс »\/Rd, <оС »1/Rd или 1/(УС » Rd.
Индуктивный фильтр включается последовательно с нагрузкой, поэтому

для эффективного сглаживания пульсаций необходимо, чтобы реактивное со
противление дросселя было намного больше сопротивления нагрузки:
Xd»Rd или coLd» Rd.
Для переменной составляющей пульсации выпрямленного напряжения ин

дуктивность дросселя представляет собой реактивное сопротивление, поэтому
напряжение пульсации на нагрузке будет ослаблено по сравнению с напряже
нием пульсации на входе фильтра. Величина ослабления зависит от соотноше
ния сопротивлений дросселя и нагрузки.
Г-образные LC-фильтры (рис. 80, а) применяются при повышенных токах
нагрузки. КПД таких фильтров достаточно высок.
Для LC-фильтров следует выбирать 5>3, чтобы избежать резонансных яв
лений. Произведение LC можно определить по формуле:
Й>1
Г-образные RC-фильтры (рис.

80, б) применяют при малых токах
нагрузки (менее 10... 15 мА) не
больших S. Произведение RC
Рис. 80. Фильтры на пассивных элементах: можно определить по формуле:
а) АС-фильтр; б) RC - фильтр
RC S
“ (0,5 -0,9>!'
1. Однофазная однополупериодная схема выпрямления. Принцип работы. Вре
менные диаграммы.
2. Однофазная двухполупериодная схема выпрямления с выводом средней точки
вторичной обмотки трансформатора. Принцип работы. Временные диаграммы.
3. Мостовая схема выпрямления. Принцип работы. Временные диаграммы.
4. Трехфазные выпрямители.
5. Параметрический стабилизатор напряжения. Схема. Принцип работы.
6. Стабилизатор напряжения непрерывного действия. Схема. Принцип работы.
7. Фильтры источников питания. Схемы. Расчет параметров.
119
10. Инверторы напряжения
10.1. Понятие процесса инвертирования
При составлении энергетического баланса электрических схем работу ис

точников ЭДС принято рассматривать в зависимости от направления, проте
кающего через источник тока при обходе контура. Если направление тока сов
падает с направлением ЭДС, то источник передает энергию в схему и входит в
энергетический баланс с положительным знаком. Если же направление тока
встречно ЭДС, то источник ЭДС потребляет энергию из схемы и входит в энер
гетический баланс с отрицательным знаком.
Работа схем управляемых преобразователей до сих пор рассматривалась
только в режиме передачи электроэнергии из сети потребителю, т.е. и сама
схема являлась частью потребителя электроэнергии. Однако в некоторых ре
жимах возникали ситуации, когда энергия передавалась от потребителя в пи
тающую сеть. Для иллюстрации этого явления рассмотрим работу управляемо
го выпрямителя на индуктивную нагрузку (рис. 75, в). На интервале 0t - 02 по
лярность напряжения на нагрузке ud(6) и направление тока id(0) совпадают, сле
довательно, мощность передается из сети в нагрузку. На интервале 02 - 0з ток
под действием индуктивности течет в прежнем направлении, а напряжение ud
меняет знак, следовательно, цепь постоянного тока возвращает энергию в сеть
переменного тока. Интервал данного процесса определяется величиной угла
п .
управления а и ограничивается величиной а - — (при таком угле управления
количество возвращенной энергии рано количеству полученной). В рассмот

ренном режиме работы схемы суммарная величина возвращенной энергии не
может превышать величины полученной энергии. Для получения положитель
ного баланса возвращенной энергии необходимо, чтобы интервал обратной пе
редачи в2 - был длиннее интервала получения энергии 0t - 02 или а > —. В
рассматриваемой исходной схеме рис. 75 это невозможно, так как для увеличе
ния количества возвращенной энергии необходимо иметь дополнительный ее
источник. Им может быть источник ЭДС постоянного тока, полярность которо
го на интервале возврата энергии противоположна полярности выходного на
пряжения схемы.
Процесс преобразования энергии постоянного тока в энергию переменно
го тока называют инвертированием. Данный процесс является обратным по от
ношению к процессу выпрямления. Инверторы выполняют по тем же схемам,
что и управляемые выпрямители.
Различают два вида инверторов — ведомые и автономные. Ведомые инвер
торы могут работать только при наличии переменного напряжения со стороны
сети, в которую отдается энергия (это необходимо для обеспечения запирания
вентилей). Автономные инверторы могут работать на пассивную сеть (без ис
120
точника переменного напряжения), а коммутация вентилей обеспечивается
схемой самого инвертора.
10.2. Однофазный ведомый сетью инвертор
Рассмотрим работу управляемого однофазного преобразователя с нулевым

выводом вторичной обмотки трансформатора (рис. 81, а), в цепи постоянного
тока которого включена электрическая машина постоянного тока, работающая
как генератор с ЭДС Ег, а также дроссель фильтра Ьф, идеально сглаживающий
ток в цепи якоря.
Рассмотрим подробнее работу схемы (рис. 81, б). В момент 0=а подается
управляющий импульс на тиристор VS1 и ток потечет по цепи: верхняя полу
обмотка трансформатора - тиристор VS1 - цепь постоянного тока. При этом
ток и напряжение в цепи постоянного тока совпадают по направлению. В мо
мент 0=я напряжение и<1 меняет свой знак и начинается процесс передачи
энергии в сеть переменного тока. При этом тиристор VS1 остается в открытом
состоянии, так как к его катоду приложен отрицательный полюс источника
ЭДС Ег, и ток в цепи нагрузки протекает навстречу напряжению е/. В момент
Рис. 81. Однофазный инвертор, ведомый сетью

а) схема; б) диаграммы работы
121
0=л+а на VS2 подается управляющий импульс и тиристор открывается. Про
исходит переключение тока на тиристор V2, и одновременно с этим под дей
ствием ЭДС верхней полуобмотки закрывается тиристор VS1.
Если значение индуктивности Ьф большое, что характерно для схем с ма
шинами постоянного тока, токи через вентили хорошо сглажены и имеют
прямоугольную форму. В результате ток в первичной обмотке имеет форму
меандра (прямоугольный импульс меняющейся полярности).
Структура схемы преобразователя при переходе от выпрямительного ре
жима к инверторному не изменяется, и диаграммы напряжений зависят только
от значения угла а, а регулировочная характеристика инвертора может быть
рассчитана при помощи выражения регулировочной характеристики выпрями
теля: Ua= Udocosa. При рассмотрении работы инвертора принято использовать
не угол а, а угол Д равный р=п-а, который называется углом опережения ин
вертора. При этом регулировочная характеристика инвертора будет иметь вид:
Ud= Udocos(п-р) =- Udocosp =- Udp.
Как видно из описания работы, коммутация вентилей осуществляется за
счет энергии сети переменного тока. Если эта энергия исчезает, то, опять-таки,
коммутация вентилей невозможна, что также является причиной опрокидыва
ния инвертора.
10.3. Трехфазный мостовой ведомый инвертор
Трехфазные ведомые инверторы имеют те же схемы, что и трехфазные

выпрямители, а принцип работы аналогичен рассмотренной однофазной схеме
инвертора.
При построении инверторов стремятся применять мостовую схему, она
обеспечивает лучшее использование вентилей по току и напряжению.
Электромагнитные процессы в трехфазном мостовом инверторе подобны
процессам в однофазном инверторе. Режим инвертирования обеспечивается
it
при и наличии источника ЭДС в цепи постоянного тока. Порядок
включения вентилей в работу тот же, что и управляемом выпрямителе (рис.

77, б), и работа вентилей обеспечивается при отрицательных полярностях ли
нейных и фазных напряжений.
10.4. Автономные вентильные преобразователи
Автономные вентильные преобразователи в качестве источника питания

используют аккумуляторные батареи или выпрямительные устройства. Они
предназначены для преобразования энергии источника постоянного тока в
энергию переменного тока (инверторы) или для изменения параметров энергии
переменного напряжения (преобразователи частоты).
122
Обобщенная структурная схема преобразователей частоты представлена на
рис. 82, в которую входят управляемый выпрямитель, фильтр и автономный
инвертор.
Рис. 82. Структурная схема автономного

преобразователя
Различают два вида инверторов:

1) Инверторы напряжения. В них постоянное напряжение преобразуется в
переменное напряжение с заданными частотой, амплитудой и формой. Форма
тока зависит от самой нагрузки и может быть произвольной. Если инвертор пи
тается от выпрямителя, то на его входе ставится конденсатор достаточно боль
шой емкости для обеспечения проводимости источника постоянного напряже
ния в обратном направлении при работе на активно-индуктивную нагрузку.
При этом для обеспечения баланса реактивной мощности необходимо исполь
зовать обратный выпрямитель. При активно-емкостной нагрузке инвертор на
пряжения не работает, поскольку в моменты включения вентилей возникают
недопустимые броски тока. Инвертор напряжения может работать в режиме
холостого хода. В качестве вентилей используются транзисторы и тиристоры.
2) Инверторы тока. В них постоянный ток преобразуется в переменный ток
с заданными частотой, амплитудой и формой. Форма напряжения зависит от са
мой нагрузки и может быть произвольной. Инвертор тока может работать только
с активно-емкостной нагрузкой, когда между анодом и катодом закрывшегося
вентиля в течение необходимого времени поддерживается отрицательное напря
жение. При активно-индуктивной нагрузке необходимо включать дополнитель
ные коммутирующие конденсаторы. В режиме холостого хода инвертор тока не
работоспособен вследствие затрудненного перезаряда конденсатора.
10.4.1. Однофазный тиристорный автономный инвертор напряжения
На схеме инвертора (рис. 83, а) силовые вентили VS1-VS4 изображены ус

ловно, следует иметь в виду, что в случае применения однооперационных тири
сторов каждый из них должен быть снабжен узлом принудительной коммута
ции. Также каждый вентиль имеет параллельно включенный диод для пропус
кания тока активно-индуктивной нагрузки на интервалах времени, когда ток
имеет направление обратное для тиристоров (обратные диоды).
Формирование кривой напряжения на нагрузке Ud требует поочередного
отпирания накрест лежащих тиристоров VS1, VS4 и VS2, PS3 так, чтобы каждый
из них был открыт в течение интервала А = л.
Работа на активную нагрузку. На интервале [1 - 2] (рис. 83, б) открыта пара
вентилей VS1, VS4 и к нагрузке приложена ЭДС Е, причем слева положитель-
123
ный полюс, а справа - отрицательный. Так как нагрузка чисто активная, то ток
по форме повторяет напряжение. В точке 2 закрываются вентили VS1, VS4 и от
крываются VS2, VS3. При этом напряжение на нагрузке скачком меняет знак,
соответственно, ток также меняет знак. Ток, потребляемый от источника Е, по
стоянный и имеет форму прямой линии.
VS1, VS4
Рис. 83. Однофазный автономный

инвертор напряжения
а) схема; б) диаграммы работы
Работа на активно-индуктивную нагрузку. В точке 2 напряжение на на

грузке положительное (справа “+”) и ток через нагрузку тоже положительный.
При закрытии пары VS1, VS4 последующее открытие VS2, VS3 происходит не
мгновенно, так как к ним приложено обратное напряжение. В начале интервала
[2 - 3] ток за счет индуктивности некоторое время сохраняет прежнее направле
ние, и будет замыкаться по цепи Ld - VD2 - Е - VD3 - Rd. Выделяющееся на
пряжение на диодах (около 0,7 В) будет поддерживать запертое состояние VS2,
VS3. После прохождения тока через ноль VS2, VS3 откроются, и ток начнет уве
личиваться в обратную сторону. Таким образом, при работе на активно
индуктивную нагрузку для гарантированного открытия очередной пары венти
лей необходимо подавать не один управляющий импульс, а пачку импульсов.
Роль обратных диодов сводится к пропусканию реактивного тока нагрузки по
сле переключения тиристоров.
124
В результате работы схемы на нагрузке выделяется знакопеременное на
пряжение с регулируемым периодом. Напряжение имеет несинусоидальную
форму с большим коэффициентом гармоник. Амплитуда первой гармоники:
4
UHWm=~E = l,27E.
л
4
И действующее значение С/н(1) =—-j=E = 0,9Е. Регулирование выходного
Л\/2
напряжения возможно только изменением напряжения Е.
10.4.2. Трехфазный тиристорный автономный инвертор напряжения
В преобразовательной технике наибольшее распространение получили

трехфазные автономные инверторы, выполненные по мостовым схемам. В ча
стности, по схеме Ларионова. Схема инвертора приведена на рис. 84, а.
Принцип работы трехфазного инвертора напряжения совпадает с принци
пом работы однофазного инвертора. На рис. 84,в жирная полоса на графиках
соответствует открытому состоянию тиристора. При упорядоченной подаче
импульсов на тиристоры схема работает в трех тактах. Порядок подключения
нагрузки к полюсам источника напряжения показан на рис. 84, б. В результате
работы схемы на нагрузке формируется трехфазное напряжение ступенчатой
формы. Частота этого напряжения регулируется частотой переключения тири
сторов, а амплитуда - величиной напряжения Е, снимаемого с управляемого
выпрямителя (на схеме не показан).
125
1. Понятие процесса инвертирования.
2. Однофазный инвертор, ведомый сетью. Схема. Принцип работы.
3. Трехфазный инвертор, ведомый сетью. Схема. Принцип работы.
4. Однофазный автономный инвертор напряжения. Схема. Принцип работы.
5. Трехфазный автономный инвертор напряжения. Схема. Принцип работы.
11. Преобразователи частоты
Ряд механизмов (лебедки, насосы, конвейеры и т.д.) при своей работе тре
буют изменения частоты вращения приводных двигателей. При использовании
двигателей постоянного тока эта задача решается достаточно просто - измене
нием величины постоянного напряжения на якоре двигателя (или на обмотке
возбуждения) с помощью управляемых выпрямителей. Для изменения частоты
вращения механизмов с асинхронными приводами используются специальные
двигатели (с фазным ротором или многоскоростные двигатели). При использо
вании более простых, надежных и дешевых асинхронных двигателей с коротко
замкнутым ротором изменять частоту вращения можно путем применения спе
циальных устройств, которые позволяют изменять частоту питающего напря
жения и его величину. Такие устройства получили название преобразователи
частоты.
11.1. Преобразователь частоты со звеном постоянного тока

и инвертором напряжения
Преобразователь частоты с инвертором напряжения включает в себя сле

дующие основные узлы (рис. 85): управляемый выпрямитель (УВ) с LC-
фильтром; инвертор напряжения (АИ) с группами вентилей прямого (ПТ) и об
ратного (ОТ) тока, отсекающими диодами и коммутирующими конденсатора
ми; ведомый инвертор (ВИ) с £С-фильтром. Обмотки дросселя фильтров УВ и
ВИ выполнены на общем сердечнике и включены в плечи вентильных мостов,
выполняя при этом также функции токоограничения. В преобразователе осуще
ствляется амплитудный метод регулирования выходного напряжения посредст
вом УВ, а АИ выполнен по схеме с одноступенчатой междуфазовой коммута
цией и устройством подзаряда конденсаторов от отдельного источника (на схе
ме не показано). Ведомый инвертор обеспечивает режим рекуперативного тор
можения электропривода. При построении преобразователя принято совмест
ное управление УВ и ВИ. Поэтому с целью ограничения уравнительных токов
система регулирования должна обеспечить более высокое напряжение посто
янного тока ВИ, чем у УВ. Кроме того система регулирования должна обеспе
чивать заданный закон управления напряжением и частотой выхода преобразо
вателя.
126
Рис. 85. Силовая схема преобразователя частоты с инвертором напряжения
Если первоначально в проводящем состоянии были тиристоры VS1 и VS2,

то при открывании тиристора VS3 заряд конденсатора прикладывается к тири
стору VS1, и он закрывается. Проводящими оказываются тиристоры VS3 и VS2.
Под действием ЭДС самоиндукции и фазы А открываются диоды VD11 и VD16,
так как разность потенциалов между началами фаз А и В оказывается наиболь
шей. Если продолжительность включения обратных диодов, определяемая са
моиндукцией фазы нагрузки, меньше длительности рабочего интервала, диоды
VD11 и VD16 закрываются.
11.2. Преобразователь частоты со звеном постоянного тока

и инвертором тока
В схеме преобразователя частоты с инвертором тока (рис. 86) отсутствует

силовой блок ведомого инвертора и мост обратных диодов инвертора АИ. Ав
тономный инвертор выполнен по схеме с междуфазовой двухступенчатой ком
мутацией с углом проводимости каждого плеча A.-27i/3. Вследствие однона
правленности плеч автономного инвертора ток при коммутации сначала проте
кает через новый тиристор и конденсатор, но по старой фазе, а затем переходит
на новую фазу.
127
Рис. 86. Силовая схема преобразователя частоты с инвертором тока
1У - ток управления; 1в - ток выпрямителя
Система управления преобразователя с инвертором тока выполняется

замкнутой по скорости двигателя. При этом сигнал с датчика скорости (ДС)
двигателя (АД) через функциональный преобразователь (ФП) задает ток стато
ра двигателя как функцию скорости. Этот ток сравнивается на выходе управ
ляемого выпрямителя и по сигналу рассогласования ведется управление на
пряжением на выходе УВ посредством блока БУВ, т.е. формируется заданный
закон частотного регулирования.
11.3. Сильноточные фильтры преобразователей частоты
К преобразователям частоты наряду с прочими требованиями по качеству

электрической энергии предъявляются требования по форме кривой выходного
напряжения. Эти требования обуславливают необходимость использования
специальных фильтров на выходе преобразователей.
Широкое распространение получили преобразователи, имеющие на выхо
де прямоугольную, либо ступенчатую форму кривой напряжения. На вход
фильтра от преобразователя подается спектр напряжения, состоящий из первой
и ряда высших гармоник. Назначением фильтра является передача без ослабле
ния первой гармоники и подавление всех остальных с тем, чтобы коэффициент
нелинейных искажений выходного напряжения не превышал допустимого зна
чения. Критерием расчета фильтра является получение минимальных значений
массы и габаритов фильтра, составляющего значительную часть физического
объема оборудования преобразователя.
Наилучшими эксплуатационными характеристиками в схемах статических
преобразователей частоты обладают Г-образные полосовые фильтры (рис. 87).
Фильтр состоит из двух резонансных контуров: последовательного L1C1 и па
раллельного L2C2, которые настраиваются на частоту первой гармоники вы-
128
I Cl Ll ходного напряжения преобразова
теля. Гармоники высших порядков
ослабляются фильтром до требуе
мого уровня.
Для расчета элементов
фильтра предлагается упрощенная
методика, удовлетворяющая тре
бованиям точности инженерных
Рис. 87. Схема полосового фильтра расчетов. Следует учитывать, что
в специальной литературе сущест
вует большое количество методик расчета, которые можно использовать при
необходимости уточненного расчета.
Исходными данными для расчета являются:
г»! - рабочая частота нагрузки;
Ai, А2, Аз... - относительный спектр выходного напряжения преобразовате
ля;
// - коэффициент нелинейных искажений выходного напряжения инверто
ра (для судовых сетей // <10%);
/-ток нагрузки;
U - выходное напряжение.
Порядок расчета:
1) Определяется расчетная постоянная фильтра
где К - порядковый номер гармоники;

Ак - амплитуда К-й гармоники.
2) Определяются расчетные значения величин емкостей
106/
(мкФ);
Ср2=^(мкФ).
‘ Uct)i
Полученные величины емкостей округляются до стандартных, и уточняет

ся значение расчетной постоянной
Диапазон величины постоянной фильтра для сильноточных фильтров:

0,8<а<1,5.
3) Определяются величины индуктивностей дросселей
129
_ 109
1’ <мГ);
L2 = aLx (мГ).
4) Определяется габаритная мощность дросселей

Рг =0,5IUy[a (ВА)
и выбирается из справочника магнитопровод.

5) Определяется число витков дросселей
Юх/2/Z,
SBm
у/а
где S - сечение магнитопровода, см2;
Вт - индукция, Тл.
Далее производится расчет сечений обмоточных проводов и конструктив
ный расчет дросселя (аналогично расчету трансформатора питания).
6) Определяется расчетный зазор магнитопровода дросселя
,5 = —£------ 10 (мм).
11.4. Современные преобразователи частоты
Выше было приведено

описание устройств управ
ления асинхронными дви
гателями, работа которых
основана на применении,
как правило, незапираемых
тиристоров. Эти схемы
разрабатывались и широко
использовались в промыш
ленности в 80 - 90-х годах
прошлого столетия. Разно
образие схемотехнических
решений не решило до
конца основную проблему
тиристорных схем: необ
Рис. 88. Метод широтно-импульсной модуляци при фор ходимость принудительно
мировании кривой напряжения го запирания вентилей.
во
Появление на рынке IGBT - транзисторов (отпирание и запирание которых
производится путем подачи или снятия напряжения на затвор) позволило кар
динально изменить принцип работы преобразователей. Способность IGBT-
транзисторов к работе на высоких частотах дало возможность использовать ме
тод широтно-импульсной модуляции (ШИМ) при формировании кривой вы
ходного напряжения (рис. 88). Выходное напряжение формируется в течение
половины периода из последовательности прямоугольных импульсов различ
ной длительности. При этом результирующее напряжение на нагрузке описы
вается синусоидой, огибающей импульсы. Во втором полупериоде последова
тельность повторяется импульсами отрицательной полярности. Частота выход
ного напряжения, как видно из рисунка, зависит от частоты смены полярности
последовательностей импульсов, а амплитуда - от длительности самих им
пульсов. Очевидно, что чем выше несущая частота, т.е. частота, с которой тран
зисторы включаются и выключаются в течение полуволны, тем более точно
можно приблизить ток к синусоидальной форме и, следовательно, уменьшить
дополнительные потери в двигателе. Современные преобразователи работают
на частотах до 16 кГц.
Асинхронный электропривод Триол АТО5. Триол АТО5 - высокодина
мичный низковольтный (0,4 кВ) электропривод, реализует управление привод
ным асинхронным двигателем, в том числе режим рекуперативного торможе
ния с возвратом энергии в питающую сеть. Электропривод выполнен на основе
двухзвенного преобразователя частоты с транзисторным (IGBT) автономным
инвертором напряжения (АИН) с широтно-импульсным (ШИМ) управлением и
многофункциональной микропроцессорной системой управления с развитым
интерфейсом. В электроприводе реализовано частотное управление асинхрон
ным электродвигателем, заключающееся во взаимосвязанном регулировании
частоты f и значения напряжения U основной гармоники питающего напряже
ния.
Принцип действия и устройство электропривода поясняет схема силовых
цепей и функциональная схема цепей управления, представленная на рис. 89.
Обозначение элементов в схеме:
В - силовой выпрямитель;
ФС - силовой С-фильтр звена постоянного напряжения;
ТК - транзисторный ключ инверторного торможения;
БТР - тормозной резистор;
АИН - автономный инвертор напряжения;
ДТ - датчики тока;
М — асинхронный электродвигатель;
ИП - источник питания (конвертор);
ДН - датчик напряжения;
ФИ - формирователь управляющих сигналов транзисторов (драйвер);
МК - микропроцессорный контроллер;
УВВ - устройство ввода / вывода (внешний интерфейс);
ПУ - пульт управления.
131
привода АТО5
Силовой канал осуществляет двухступенчатое преобразование электриче

ской энергии - выпрямление сетевого напряжения с помощью диодного вы
прямителя В, и последующее инвертирование выпрямленного постоянного по
величине напряжения посредством АИН. В режиме рекуперативного торможе
ния двигатель переводится в генераторный режим, АИН обеспечивает подачу
на статор реактивного тока заданной частоты, а диодный мост АИН осуществ
ляет выпрямление тока статора, заряжая емкость фильтра ФС. При изменении
направления тока в звене постоянного тока включается в работу транзисторный
(IGBT) мост выпрямителя В, обеспечивая передачу в сеть избыточной электри
ческой энергии. Алгоритм ШИМ обеспечивает взаимосвязанное регулирование
частоты f и величины U выходного напряжения по заданному закону, а также
формирует синусоидальную форму кривой тока приводного АД.
Особенностью АТО5 является включение в звено постоянного напряжения
только емкостной части фильтра, а индуктивная часть фильтра L вводится во
входную (со стороны сети) цепь преобразователя частоты. Во входной цепи ПЧ
132
устанавливается сетевой коммутационный аппарат (пускатель, контактор). В
звено постоянного тока электропривода включен тормозной транзисторный
ключ ТК и внешний блок тормозного резистора БТР для реализации режима
инверторного торможения в нештатных ситуациях отключения напряжения пи
тающей сети. Датчики тока ДТ и напряжения ДН в силовом канале электропри
вода служат для контроля, регулирования и измерения электрических парамет
ров электропривода, в том числе для защиты от токов перегрузки и короткого
замыкания, недопустимых отклонений напряжения.
Система управления электроприводом имеет два принципиально различ
ных режима работы:
- ручной, в котором осуществляется прямое задание выходной частоты
преобразователя;
- автоматический, предполагающий работу в замкнутой системе с обрат
ной связью по технологическому параметру с ПИД-регулятором.
Система управления предусматривает настройку привода в полном объеме
с местного ПУ, дистанционного пульта или АСУТП как при наладке, так и при
работе на производственном объекте. Настройка привода осуществляется с по
мощью редактирования соответствующих параметров, сведенных в функцио
нальные группы.
Электропривод АТО5 обеспечен защитой от аварийных и нештатных ре
жимов:
- от токов недопустимой перегрузки и короткого замыкания, в том числе
от замыкания на «землю»;
- от недопустимых перенапряжений на силовых элементах;
- от недопустимых отклонений и исчезновения напряжения питающей се
ти;
- от неполнофазного режима работы сети и электродвигателя;
- от недопустимых отклонений технологического параметра;
- от неисправности в узлах и блоках электропривода;
- от несанкционированного доступа к программируемым параметрам ( па
роль).
Судовые преобразователи частоты. Использование полупроводниковых
преобразователей на рыбопромысловых судах интересно, прежде всего, в со
ставе электроприводов промысловых лебедок. На судах типа «Моонзунд» ис
пользуется электропривод траловой лебедки постоянного тока. Управление
приводом осуществляется посредством управляемого выпрямителя на тиристо
рах.
Внедрение управляемых электроприводов переменного тока идет с приме
нением импортных преобразователей частоты.
На ПТР «Боспор» (п. Керчь) проведена модернизация промыслового ком
плекса. Взамен одной траловой лебедки установлены две с индивидуальными
приводами. Трехскоростные асинхронные двигатели в штатном режиме полу
чают питание от кулачковых контроллеров (рис. 90), которые установлены не
посредственно на палубе. Контроллеры обеспечивают ступенчатое (три ступе
ни) регулирование скорости двигателей в двух направлениях.
133
Схемой предусмотрен переход на питание от преобразователей частоты,
при этом управление осуществляется из рулевой рубки с помощью малогаба
ритных контроллеров (джойстиков). Напряжение заданной частоты поступает
на клеммы обмотки максимальной скорости двигателя, в зависимости от коли
чества ступеней контроллера осуществляется плавное регулирование частоты
(10 ступеней) вращения двигателей в двух направлениях. Преобразователь
осуществляет пуск, плавный разгон и торможение двигателя; обеспечивает ре
гулирование частоты вращения по линейной и квадратичной характеристике;
обеспечивает защиту двигателя и преобразователя, управление электромагнит
ным тормозом, встроенным в двигатель.
Применение преобразователей частоты позволило повысить надежность
оборудования (ранее из-за ударных воздействий при переключении скоростей
неоднократно разрушались элементы механической передачи), дало возмож
ность значительно расширить диапазон и плавность регулирования скорости по
сравнению со штатными релейно-контакторными системами.
Промысловые лебедки
Питание от ГРЩ
Рис. 90. Структурная схема электропривода промыслового комплекса ПТР «Боспор»
К недостаткам примененной схемы следует отнести невозможность обес

печения длительного режима торможения, который возникает при постановке
трала. При этом двигатель переходит в генераторный режим и преобразователь
134
в ограниченном диапазоне токов обеспечивает тормозной режим. При превы
шении током граничного значения преобразователь останавливает двигатель. В
связи с этим на ПТР «Боспор» постановка трала осуществляется с помощью
штатной командо-контроллерной схемы. Кардинальное решение вопроса воз
можно при использовании более дорогостоящих преобразователей, обеспечи
вающих режимы рекуперации энергии.
1. Преобразователь частоты на базе инвертора напряжения. Схема. Принцип ра
боты.
2. Преобразователь частоты на базе инвертора тока. Схема. Принцип работы.
3. Назначение и конструкция фильтров преобразователей частоты.
12. Устройства управления вентильными преобразователями
Вентильные преобразователи состоят из силовой части и системы управ

ления. Силовая часть, выполненная на управляемых вентилях (тиристорах или
транзисторах), может работать только при подаче на управляющие электроды
вентилей в определенные моменты импульсов, обеспечивающих их включение.
В вентильных преобразователях с естественной коммутацией вентилей выклю
чение тиристоров происходит за счет изменения полярности напряжения пи
тающей сети и спада тока через вентиль к нулю. В преобразователях с искусст
венной коммутацией системы управления обеспечивают также выключение
вентилей в определенные моменты времени. Функции системы управления
сводятся к выполнению двух основных задач:
1. Четко определить моменты времени отпирания каждого вентиля;
2. В эти моменты сформировать управляющие импульсы определенной
длительности и амплитуды.
Первая задача, выполняемая системой управления, является типичной за
дачей информационной электроники: преобразование управляющего сигнала во
временной интервал. В преобразователях с естественной коммутацией момент
включения вентилей отсчитывается относительно момента естественной ком
мутации, он определяется с помощью устройства, которое называется форми
рователем опорного напряжения (ФОН). Узел системы управления, выполняю
щий преобразование управляющего сигнала в угловой интервал, называется
фазосдвигающим устройством (ФСУ). Вторая задача сводится к формированию
управляющего импульса по форме, длительности и амплитуде. Эту задачу вы
полняют узлы системы, называемые формирователями импульсов (ФИ). В ка
честве дополнительных элементов в системах управления используют фильтры
(Ф), нуль-органы (НО) и выходные формирователи (ВФ). Структурная схема
135
системы управления, которая носит общее название система импульсно
фазового управления (СИФУ), представлена на рис. 91.
Рис. 91. Система импульсно-фазового управления
Для упрощения схемы СИФУ необходимо получить сигнал, который про

ходил бы через ноль в моменты времени, соответствующие точке естественной
коммутации определенного вентиля. Наиболее простым таким сигналом будет
являться синусоида с фазовым сдвигом, кратным 30° по отношению к сигналу
сетевого напряжения. Так, для однофазных выпрямителей угол управления а
тиристором отсчитывается либо от фазы сети, равной 0°, либо равной 180°. Для
трехфазного нулевого выпрямителя управления а тиристором отсчитывается от
значений соответствующей фазы сети, равной 30°, а для мостовой схемы - рав
ной 60°.
Для создания таких сдвигов используют трансформаторы с различными
схемами включения обмоток.
Фазосдвигающие устройства предназначены для преобразования сигнала
управления Uy в угол управления а. Системы управления выполняют по син
хронному и асинхронному принципам.
Наибольшее распространение получили синхронные ФСУ, которые рабо
тают в зависимости от текущего состояния сети, т.е. синхронно с ней, и угол
управления отсчитывается от точки естественной коммутации вентиля.
Синхронные системы управления преобразователями могут быть выпол
нены по многоканальному и одноканальному способам.
В многоканальной системе управления регулирование угла а осуществля
ется от общего управляющего напряжения, и количество каналов равно числу
тиристоров. Такой способ применим для различного типа преобразователей, но
к схемам таких систем управлений предъявляют жесткие требования к иден
тичности регулировочных характеристик отдельных каналов. Небольшие раз
личия приводят к нарушениям работы всего преобразователя.
В одноканальной системе управления регулирование фазового сдвига
управляющих импульсов производится по одному каналу с помощью общего
ФСУ с последующим распределением импульсов по цепям формирователей для
каждого тиристора. Такие системы сложнее предыдущих, но отличаются высо
кой стабильностью работы и идентичностью характеристик импульсов.
136
12.1. Многоканальные системы управления вентильными
преобразователями
Рассмотрим работу многоканальной системы управления на примере

схемы двухполупериодного выпрямителя со средним выводом вторичной
обмотки трансформатора (рис. 92).
Рис. 92. Многоканальная система управления выпрямителем
Для управления моментом отпирания двух силовых тиристоров VS1 и VS2

в схеме управления используются два ФСУ в виде идентичных блоков А1 и А2.
Каждый блок представляет собой генератор пилообразных импульсов (в блоке
А1 собран на элементах DAI, R1 - R5, С1 - СЗ, VTI- VT2) и компаратора (DA2).
Эта схема синхронизирована по положительному фронту прямоугольного
напряжения и позволяет регулировать
угол управления в пределах 0-180
градусов в одном полупериоде
переменного входного напряжения
двухполупериодного выпрямителя. В
момент равенства пилообразного
напряжения и напряжения управления,
которое снимается с потенциометра Rpez
на выходе компаратора формируется
фронт прямоугольного импульса (рис. 93).
Величиной напряжения управления Uynp
Рис. 93. Диаграммы работы ФСУ определяется величина угла а управления
137
тиристором. За счет введения в блок А2 источника напряжения Е2 фронты
выходных импульсов с микросхем DA2 и DA4 сдвинуты по фазе на 180°.
Элементами C4-R6 и C8-R13 указанные импульсы укорачиваются и через
защитные цепочки на элементах R7-VD1 и R14-VD2 поступают на управляющие
электроды силовых тиристоров.
12.2. Одноканальная система управления трехфазным мостовым

выпрямителем
Рассмотрим простейшую одноканальную систему управления трехфазного

мостового выпрямителя рис. 94, б, приведенную на рис. 94, в.
б)
в)
г)
Рис. 94. Одноканальная система

управления вентильным преобразо
вателем
а, б) схемы; в, г) диаграммы работы
138
Формирователь опорного напряжения выполнен в виде трансформатора, на
вторичных обмотках которого формируется шестифазная система опорных на
пряжений. Особенностью этих опорных сигналов является то, что их вершины
совпадают с узловыми точками (моментами естественной коммутации) соот
ветствующих тиристоров. Обозначения опорных напряжений обозначают сле
дующее: - это опорное напряжение для тиристора фазы А анодной груп
пы, U— для тиристоров фазы С катодной группы и т.д.
Эти напряжения через ключи S1...S6 подаются на инвертирующий вход

компаратора. На прямой вход компаратора подано управляющее напряжение. В
моменты равенства Uy и соответствующего опорного напряжения на ветви его
спада компаратор переключается, и распределитель импульсов (РИ) вырабаты
вает сигнал и направляет его на тиристор, сигнал опорного напряжения которо
го был подан на вход компаратора. Этот же сигнал поступает и на замыкание
следующего ключа, таким образом, осуществляется изменение опорного на
пряжения на входе ОУ. По сути, на выходе РИ формируется последователь
ность импульсов (рис.94, г), которые распределяются по графикам рис. 94, г.
Формируется следующий порядок отпирания вентилей:
- V((.k) - V(Ba) — V(Ak) — Vâ) - , - который обеспечивает на выходе вен
тильного преобразователя постоянное напряжение Ua. При увеличении управ
ляющего напряжения Uy в соответствии с рис. 94, г включение тиристора про
изойдет раньше, т.е. при меньшем значении угла а. От этого напряжение Ua
увеличится.
12.3. Система управления автономным инвертором напряжения
Предлагаемая схема предназначена для управления трехфазным асинхрон

ным двигателем, когда в распоряжении имеется однофазная сеть 220В. Схема,
изображенная на рис. 95 состоит из силового трехфазного инвертора, генерато
ра управляющих сигналов и сопрягающего элемента-драйвера для ключей ин
вертора. Рассмотрим эти элементы и опишем некоторые алгоритмы, которые
можно реализовать в этой системе.
Микросхема IR2131 - представляет собой драйвер 6-ти ключей, имеющий
три выхода для управления нижними ключами моста и три выхода для ключей
с плавающим потенциалом управления. В ней предусмотрена защита по току,
которая выключает все ключи и выдает сигнал ошибки FAULT, когда сигнал на
выводе ITRIP превышает 0,5В. Входы драйвера согласуются с ТТЛ-логикой,
что позволяет управлять им с помощью микроконтроллеров с 5-тивольтовым
питанием без дополнительных преобразователей уровня. Кроме этого у IR2131
есть отдельный вход выключения всех ключей и вход сброса сигнала ошибки.
Допустимое напряжение на инверторе, с которым работает микросхема, состав
ляет 600В.
139
Рис. 95. Система управления трехфазным автономным инвертором напряжения
На рис. 95 изображена простейшая схема трехфазного моста на транзисто

рах IRF740, которые управляются от IR2131.
Для генерации сигналов управления мостом используется микроконтрол
лер фирмы Microchip PIC16C62.
При небольшой номинальной мощности электропривод запитывается от
сети переменного тока 220 В через разъем XI, при этом рекомендуется исполь
зовать в трехфазном мосте МДП-транзисторы IRF740 (VT2-VT7). Через эти
транзисторы можно пропустить мощность до 5 кВт. При больших мощностях
надо переходить на питание от трехфазной сети 380 В и использовать IGBT -
транзисторы.
Для предотвращения броска тока через выпрямитель необходимо включе
ние терморезистора R19.
Питание на драйвер DD2 подается от стабилитрона VD2 через гасящий ре
зистор R12. При небольших частотах инвертора (до ЗкГц) достаточно 40 кОм
для нормального питания системы управления.
Величина резистивного датчика тока R10 выбирается в зависимости от но
минальной мощности электропривода и допустимой перегрузки по току
140
(/?10=0,5B/Zaw.). Интегрирующее звено R11-C10 предотвращает ложное сраба
тывание токовой защиты в моменты коммутаций, достаточная величина посто
янной времени - 0,5мкс. При превышении сигналом на входе ITRIP уровня
0,5В все ключи запираются и выдается сигнал ошибки FAULT.
Обработкой сигнала ошибки и общим управлением занимается микрокон
троллер DD1. В данной схеме использован PIC-микроконтроллер фирмы
Microchip. Процессор PIC16C62 питается от стабилитрона VD3. При несложных
задачах управления электроприводом можно тактировать микроконтроллер от
/?С-генератора (R6-C1). Максимально допустимая частота при этом 4МГц. По
скольку почти все команды выполняются этим процессором за один такт (в
данном случае за 1 мкс), то этого оказывается достаточно даже для выдачи на
двигатель синусоидально-центрированной ШИМ с частотой несущей ЗкГц.
Наиболее просто организуется управление с 180° коммутацией. Осциллограм
мы тока и напряжения в этом режиме показаны на рис. 96.
Рис. 96. Осциллограммы фазного тока (а) и фазного напряжения (б) при 180-
градусной коммутации
С помощью переключателей Л- J4 осуществляются следующие функции

управления:
• Пуск - остановка двигателя (можно дистанционно через оптрон VT1).
• Выбор скорости вращения двигателя.
• Изменение направления вращения двигателя.
Кроме этого легко осуществить пуск двигателя с требуемой кратностью
пускового момента, по срабатыванию токовой защиты, вырабатывая перед сиг
налом сброса ошибки нулевую паузу.
Приведенная схема позволяет путем использования соответствующей про
граммы реализовывать управление двигателем с использованием ШИМ-
модуляции. Для случая, когда на двигателе формируется синусоидальное на
пряжение 100 Гц с частотой ШИМа ЗкГц, осциллограммы имеют вид, как пока
зано на рис. 97. Применение ШИМ-модуляции позволяет максимально прибли
зить форму фазного тока к синусоидальной и тем самым повысить КПД схемы.
141
Рис. 97. Осциллограммы фазного тока (а) и фазного напряжения (б) при использовании ШИМ-
модуляции
1. Назначение и функции систем управления вентильными преобразователями.
2. Принцип работы многоканальных систем управления.
3. Принцип работы одноканальных систем управления.
Расчетное задание № 5
Расчет маломощных выпрямителей
Задача расчета: определить электрические нагрузки на вентили в схемах

рис. 98 и сделать выбор вентилей, определить основные параметры трансфор-
Основными исходны
ми данными для расчета
выпрямителей являются
параметры нагрузки, для
питания которой предна
значен выпрямитель. Эти
параметры задаются двумя
величинами из следующих
четырех:
Ud - среднее значение
напряжения на нагрузке;
Id - среднее значение
тока нагрузки;
Pd - средняя мощ
ность нагрузки;
Рис. 98. Схемы маломощных выпрямителей: а) одно- Rd - сопротивление
полупериодная схема; б) двухполупериодная схема со
нагрузки.
средней точкой; в) мостовая схема
142
Два других параметра определяются по заданным с помощью известных
соотношений.
Дополнительными данными для расчета являются напряжение питающей
сети Uc, температура окружающей среды частота питающей сети fc и др.
Пример расчета: исходные данные:
Ud= 150 В;
Rd = 350 Ом;
Uc = 220 В.
1 .Определяем параметры нагрузки:
а) ток нагрузки
А.
d Rd 350
б) мощность нагрузки
Pd = Udh = 150 • 0.43 = 64.5 Вт.
2. Определяем основные параметры вентилей:
а) средний прямой ток, протекающий через вентили:
- для однополупериодной схемы
1а=Ц = 0.43 А;
- для двухполупериодной схемы со средней точкой и для мостовой схемы
/4 = —
2 ’;
б) амплитуда обратного напряжения (предварительно):

- для однополупериодной схемы и двухполупериодной схемы со средней
точкой
Uo6Pm = л Ud = 3.14 • 150 = 471 В;
- для мостовой схемы
Нобрт 2
З.По найденным величинам /аи U(>e>1)m производим выбор вентиля. Для ус
тановки в схему выбираем кремниевый вентиль типа КД202С со следующими
основными параметрами.
Максимально допустимый анодный ток (среднее значение)
1а макс доп 3.5 А (С раДИЭТОрОМ),
1амаксдоп = 1-5 А (без радиатора).
Максимально допустимое обратное напряжение (амплитудное значение)
Uобр ишаке доп 600 В.
143
Прямое падение напряжения при номинальном анодном токе
U0 = 0.9 В.
4. Определяем основные параметры трансформатора:
а) суммарное активное сопротивление обмоток трансформатора, приве
денное ко вторичной обмотке
Rmp = Rd V = 350 • 0.049 = 17.2 Ом,
где v - коэффициент, определяемый по графику (рис. 99) как функция ак
тивной мощности трансформатора;
б) приближенное значение сопро

тивления вентиля в прямом включении
Л(,= 7-^ = у| = 0.26Ом;
* а.макс.доп
в) действующее значение э.д.с.

вторичной обмотки с учетом падения
напряжения на диоде и активном со
противлении обмоток трансформатора:
E2 = 2.22Ud+Id(Rmp + Rd) =
2.22-150 + 0.43(17.2 + 0.26) = 341 В;
- для двухполупериодной схемы
со средней точкой
Рис. 99. Зависимость коэффициента v от
мощности трансформатора Е2=1.11 Ud + Id(Rmp + Roy,
Е2=1.11 Ud+Id(Rmp + 2Rdy
г) коэффициент трансформации
332 = 0.645;
341
д) действующее значение тока вторичной обмотки:

l2 = Îd =1.57-0.43 = 0.675 А;
- для двухполупериодной схемы со средней точкой

К т

Л = 1-11 Л/;
144
е) действующее значение тока первичной обмотки:
I, = 1.21 - = 1.21-^^-= 0.81 А;
1 п 0.645
- для схемы со средней точкой и мостовой схемы
/,= 1.11—;
п
ж) типовая мощность трансформатора (без учета подмагничивания сердеч
ника):
Е.1.+Е212 220 0.81 + 341 0.675 п
Р = ——----- — =------------------------------ = 204 Вт.
тр 2 2
- для схемы со средней точкой
р _ +2£2/2
",р 2
_ £]/] + Е212
Г,пр 2
з) типовая мощность трансформатора с учетом подмагничивания сердеч

ника постоянной составляющей тока вторичной обмотки (только для однопо
лупериодной схемы)
Р‘тр* 1.1 Ртр= 1.1 -204 = 224 Вт.
5.Уточняем величину обратного напряжения на вентиле

Uo6pm= V2£2= 1.41 -341 =482 В,
что вполне допустимо для выбранного вентиля;

- для схемы со средней точкой
УобР т~^- Е2\
- д ля мостовой схемы
Uo6Pm~ Е2.
Рассчитать выпрямитель, работающий на активную нагрузку. Параметры

нагрузки указаны в таблице 20.
145
Таблица 20
Сопротивление нагруз- Напряжение на нагрузке Ud, В
ки
Rd, Ом 50 75 100 125 150
100 1 2 3 4 5
150 6 7 8 9 10
200 11 12 13 14 ‘ 15
250 16 17 18 19 20
300 21 22 23 24 25
350 26 27
Напряжение сети принять равным 220 В.
Расчетное задание № 6
Расчет мощных выпрямителей
Определить параметры вентилей

трехфазного мостового выпрямителя (рис.
100), сделать выбор вентилей и опреде
лить условия их охлаждения.
Исходными данными для расчета
мощных выпрямителей являются пара
метры нагрузки - ток и напряжение (со
противление, мощность).
Важным параметром является темпе
ратура окружающего воздуха, используе
мого для охлаждения вентилей, t °охл.
Рис. 100. Схема трехфазного мостового Кроме этого во внимание принимается
выпрямителя характер нагрузки - активная либо индук
тивная, т.к. это влияет на форму кривой
тока в вентиле и, следовательно, на вели
чину допустимых токовых нагрузок.
Пример расчета: в качестве исходных данных для примера расчета при

нимаем следующие:
Ud= 50 В;
Id= 80 А;
z°ra=60°C.
1. Определяем параметры нагрузки:
а) сопротивление нагрузки
146
r.= ^- = — = 0.625 Ом;
d Id 80
б) мощность нагрузки
Pd = Udld = 50- 80 = 4 кВт.
2. Определяем активное сопротивление трансформатора, приведенное ко
вторичной обмотке
Rmp = RdV = 0.625 • 0.037 - 0.023 Ом,
где v = 0.037, определяется по графику (рис. 99).
3. Определяем падение напряжения в обмотках трансформатора
A U.lv = = 80 • 0.023 = 1.84 В.
4. Определяем коммутационные потери в выпрямителе

At/ = .АоекЛ; ц = °.^. ‘56
-5-50 = 1.35 В,
к 100 100
где А о - коэффициент наклона внешней характеристики, для трехфазной
мостовой схемы Ао = 0.5;
ек1 % - напряжение короткого замыкания трансформатора, определяется по
Рис. 101. Зависимость максимально допустимого

среднего тока от температуры окружающей среды
5. Принимая предварительно величину падения напряжения в вентиле

Uо = 1 В, определяем потери напряжения в вентилях
A U„ = 2U0 = 2 В.
6. Определяем суммарные потери напряжения в выпрямителе:
АС/£ = AC/Tp+At/K+At/e =1.84+ 1.35+ 2.0 = 5.2 В.
7.Определяем выходное напряжение холостого хода выпрямителя
147
Udxx=Ud + =50 + 5.2 = 55.2 В.
8. Определяем э.д.с. вторичной обмотки трансформатора
Е2.= ^^ = —= 23.5В.
2ф 2.34 2.34
9. Определяем параметры вентилей выпрямителя:

а) ток вентиля
/ = -Id = —80 = 27.7 А;

а 3 d 3
б) напряжение на вентиле
иоер„=Е!„=4з-42Егф=4з-42-23.5 = 57Х В.
10. Производим выбор вентилей. Выбираем вентили кремниевые серии В.

Предельно допустимые значения прямого тока диодов этой серии и условия ох
лаждения приведены в таблице 21. По найденному значению анодного тока с
помощью этой таблицы определяем, что для установки в схему следует выбрать
вентиль типа В 50 с принудительным воздушным охлаждением и скоростью
обдува 6 м/сек.
Таблица 21
Скорость обду Предельные точки с типовым охладителем
ва Лю, А
воздухом при
/0охл=400С В 10 В 25 В 50 В 200 В 320
ИОХ1, м/сек
0 10 - - - •
3 - 35 • - -
6 - - 50 - •
12 - - - 180 320
Выполненный выбор вентиля носит предварительный характер, поскольку

таблице 21 составлена для случая, когда вентиль работает в схеме однополупе-
риодного выпрямления напряжения синусоидальной формы с чисто активной
нагрузкой (проводимости Л = 180°). Кроме того, температура охлаждающего
воздуха здесь принята равной 40°. Поэтому выбор вентиля нуждается в уточне
нии.
11. Уточняем выбор вентиля, пользуясь рис. 102, показывающим зависи
мость максимально допустимого среднего тока от температуры окружающей
среды при прямоугольной форме тока и углу проводимости А = 120 0 для раз
личных вентилей серии В.
Определяем, что при температуре охлаждающегося воздуха, равной 60°,
выбранный вентиль допускает протекание прямого тока равного 45 А.
Таким образом, выбранный вентиль удовлетворяет предъявленным требо
ваниям по величине анодного тока, поскольку
1п>1а.
148
12. Определяем класс вен
тилей. В соответствии с най
денной величиной обратного
напряжения
Uобрт~ 57.8 В
выбираем вентили класса 1
с величиной допустимого об
ратного напряжения
П т макс доп '= 100 В.
Рис. 102. Зависимость максимально допустимого

среднего тока от температуры окружающей среды
Произвести расчет мощного выпрямителя, выполненного по мостовой

схеме с трехфазным питанием. Параметры нагрузки указаны в таблице 22.
Таблица 22
Ток нагрузки Напряжение нагрузки

4/, А Ud,B
50 100 150 200 250 300
50 1 2 3 4 5 6
100 7 8 9 10 И 12
150 13 14 15 16 17 18
200 19 20 21 22 23 24
250 25 26 27
Температуру охлаждающего воздуха принять согласно таблице 23.

Таблица 23
Последняя цифра шифра Температура
и,°с
четная 50
нечетная 80
Частота питающей сети 50 Гц.
149
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Акулов Ю. И. и др. Судовая электроника и электроавтоматика / Ю. И.

Акулов и др. - М. : Транспорт, 1988. - 271 с.
2. Горбачев Г. Н. Промышленная электроника / Г. Н. Горбачев, Е. В. Чап
лыгин. - М.: Энергоатомиздат, 1988. - 320 с.
3. Тараторкин Б. С. и др. Электронные устройства судовой автоматики / Б.
С. Тараторкин и др. - Л.: Судостроение, 1981. - 248 с.
4. Зубчук В. И. Справочник по цифровой схемотехнике / В. И. Зубчук, В. П.
Сигорский, А. Н. Шкуро. - К.: Техшка, 1990.-448 с.
5. Титце У. Полупроводниковая схемотехника / У. Титце, К. Шенк. - М. :
Мир, 1982.-512 с.
6. Шило В. Л. Популярные цифровые микросхемы : справочник. - М. : Ра
дио и связь, 1987. - 352 с.
7. Транзисторы для аппаратуры широкого применения : справочник. / под
ред. Б. Л. Перельмана. - М.: Радио и связь, 1981. - 656 с.
8. Терещук Р. М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства :
справочник радиолюбителя / Р. М Терещук, К. М. Терещук, С. А. Седов. - К. :
Паукова думка, 1982. - 670 с.
9. Александров К. К. Электротехнические чертежи и схемы / К. К. Алек
сандров, Е. Г. Кузьмина. -М. : Энергоатомиздат, 1996.-286 с.
150
Учебное издание
Голиков Сергей Павлович
Электроника
и
электронные средства
управления
Учебное пособие
Редактор: Василенко Людмила Геннадиевна

Коректор: Ястребов Андрей Александрович
Компьютерная верстка: Василенко Людмила Геннадиевна
Дизайн обложки: Василенко Людмила Геннадиевна

Электроника и Электронные Средства Управления

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Электроника и Электронные Средства Управления

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

с.п.

ГЛОНАСС/GPS спутники УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ

SMS или GPRS

для студентов направления 6.070104 «Морской и речной транспорт»

Рекомендовано Министерством образования и науки Украины

Данный конспект лекций - рабочая программа для изучения дисциплины

ISBN 978-966-2781-79-3 © Голиков С.П., 2013

2. Физические основы полупроводниковых приборов.......................................... 12

Содержательный модуль №2. Усилительные устройства................................... 47

Содержательный модуль №3. Цифровые устройства........................................... 80

Содержательный модуль № 4. Силовая электроника........................................... 96

10. Инверторы напряжения.............................................................................................. 120

11. Преобразователи частоты........................................................................................... 126

12. Устройства управления вентильными преобразователями..................... 135

Список литературы............................................................................................................... 150

Резистор - элемент электроники, предназначенный для регулирования и

Кодированные обозначения номинального сопротивления резисторов со­

Электрический конденсатор представляет собой систему из двух провод­

1.3. Катушки индуктивности

Катушки индуктивности, за исключением дросселей, предназначенных для

Это электромагнитные устройства переменного тока, нреднп інпченньїе для

Расчет трансформатора питания:

где d - диаметр провода в мм;

Основные параметры трансформаторов'.

2. Физические основы полупроводниковых приборов

2.1. Зонная теория твердого тела

Полупроводниками называют вещества, занимающие по электропроводно­

©- дырка ионы примесей

2.2. Собственная электропроводность полупроводников

Из-за относительно узкой запрещенной зоны у германия и кремния уже

2.3. Примесные полупроводники

Электропроводность чистых полупроводников очень мала и сильно зави­

Простейшими полупроводниковыми приборами являются полу­

2.5. Электронно-дырочный переход

2.5.1. Полупроводниковый р-«-переход в отсутствие

Полупроводниковая структура, сочетающая в себе два слоя, один из кото­

2.5.2. Прямое смещение р-и-перехода

Подключение к р-л-структуре внешнего напряжения (напряжения смеще­

ваемого к р-м-переходу. Рассмотрим случай, когда внешнее напряжение Ua

Рассмотрим случай, когда источник Ub внешнего напряжения подключен к

Полупроводниковый диод представляет

3.1.1. Выпрямительные диоды

Выпрямительные диоды, как следует из названия, предназначены для вы­

Рис. 9. Конструкция кремниевых выпрямительных диодов средней мощности

Стабилитроны - это полупроводниковые приборы, работающие в режиме

Рис. 11. Условно-графическое обозначение и характеристики стабилитронов

Напряжение стабилизации стабилитрона зависит от температуры. На рис.

Рис. 12. Схема включения стабилитрона (а) и стабистора (б)

Обозначения полупроводниковых диодов состоят из пяти элементов.

3.2.1. Полевые транзисторы

Управление током в по­

Модель полевого транзистора с р-л-переходом показана на рис. 14, а. В

Рис. 16. Семейство стоковых (выходных) характеристик (а) и стоко-затворная ха­

Особенностью стоковых характеристик полевых транзисторов является

рактеристики (участок 0-а на характеристике, соответствующей Uw = 0). При

рис. 16, б. Максимального значения ток стока достигает при U™ = 0. Напряже­

которая отражает связь выходного тока (тока стока) полевого транзистора с

характеризует наклон стоковой (выходной) характеристики на участке II (см.

З.2.1.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором

В отличие от полевых транзисторов с /j-w-переходом, в МДП-транзисторах

Рис. 18. Конструкция МДП-транзистора со встроенным каналом л-тила (а); семей­

Рис. 19. Конструкция МДП-транзистора с индуцированным каналом (а); семейство его

3.2.2. Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводни­

Кодированные обозначения номинального сопротивления резисторов со

Электрический конденсатор представляет собой систему из двух провод

Полупроводниками называют вещества, занимающие по электропроводно

Электропроводность чистых полупроводников очень мала и сильно зави

Простейшими полупроводниковыми приборами являются полу

Полупроводниковая структура, сочетающая в себе два слоя, один из кото

Подключение к р-л-структуре внешнего напряжения (напряжения смеще

Выпрямительные диоды, как следует из названия, предназначены для вы

Управление током в по

Рис. 16. Семейство стоковых (выходных) характеристик (а) и стоко-затворная ха

рис. 16, б. Максимального значения ток стока достигает при U™ = 0. Напряже

Рис. 18. Конструкция МДП-транзистора со встроенным каналом л-тила (а); семей

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводни

Биполярные транзисторы с изолированным затвором выполнены как соче

Тиристором называется полупроводниковый прибор с тремя последова

Структура симистора представлена на рис. 28, а. Основу симистора со

Пример. Для установки в выпрямительном блоке требуется выбрать полу

При выборе транзисторов учитываются три основные параметра: ампли

Для правильного выбора резистора необходимо знать величину его сопро

Примечание. Здесь и далее: цифры внутри таблицы означают номер ва

б) Подобрать по справочнику транзистор, удовлетворяющий режиму рабо

Усилителем называют устройство, предна

Усилители, как правило, выполняют из нескольких каскадов, осуществ

Особенности усилительных каскадов на биполярных транзисторах рас

Операционный усилитель (ОУ) - это усилитель постоянного и переменно

Рис. 37. Схема инвертирующего усилителя Резистор Roc подключен к выхо

Знак «-» означает, что выходное напряжение инвертировано по отноше

где ивых.о — выходное напряжение ОУ в момент t = 0. По сути дела это на

В отличие от аналоговых систем, в которых сигналы изменяются во вре

Отличительной особенностью импульсных схем является широкое при

При умеренных температурах и невысоких напряжениях Ротс мала и в рас

где В - статический коэффициент усиления транзистора для большого сиг