МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС»

ИНСТИТУТ НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И НАНОТЕХНОЛОГИЙ

КАФЕДРА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
НАПРАВЛЕНИЕ 11.03.04 .

ВЫПУСКНАЯ
КВАЛИФИКАЦИОННАЯ
РАБОТА БАКАЛАВРА
на тему: МОЩНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ НА VECSEL-
СТРУКТУРАХ

Студент______________________________________________Андрейчиков К.С.
Руководитель работы__________________________________Борзых И.В.
Консультанты по разделам:
стандартизация и метрология__________________________Коновалов М.П.

Нормоконтроль проведен________________________________Коновалов М.П.

Проверка на антиплагиат произведена __________________ Щемеров И.В.

Работа рассмотрена кафедрой и допущена к защите в ГЭК

Заведующий кафедрой Диденко С.И.

Директор института Калошкин С.Д.

Москва июнь 2018

 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ «МИСиС»

УТВЕРЖДАЮ
Институт Новых Материалов и Нанотехнологий
Кафедра ППЭ и ФПП Зав. кафедрой Диденко С.И.
Направление 11.03.04 «_____»__________________2018г.

ЗАДАНИЕ
НА ВЫПОЛНЕНИЕ ВЫПУСКНОЙ
КВАЛИФИКАЦИОННОЙ РАБОТЫ БАКАЛАВРА

Студенту группы ППЭ-14-2 Андрейчиков Кирилл Сергеевич

(ф.и.о. полностью)

1. Тема работы «Мощные полупроводниковые лазеры на VECSEL-структурах»

2. Цельработы Теоретическое изучение полупроводниковых лазеров на

VECSEL-структурах

3. Исходные данные________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

4. Основная литература, в том числе:

4.1. Монография, учебники и т.п. Guina M., Rantamäki A., Härkönen A. Optically pumped VECSELs:
review of technology and progress, 2017; Kellera U., Tropper A.C. Passively modelocked surface-emitting
semiconductor lasers, 2006.

4.2. Отчеты по НИР, диссертации, дипломные работы и т.п.___________________________________

_________________________________________________________________________________________________

4.3. Периодическая литература Kuznetsov M. VECSEL Semiconductor Lasers: A Path to High-Power,

Quality Beam and UV to IR Wavelength by Design, 2010.

4.4. Справочники и методическая литература (в том числе литература по методам обработки

экспериментальных данных)________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

5. Перечень основных этапов исследования и форма промежуточной отчетности по каждому этапу

Аналитический обзор литературы

2
 6. Аппаратура и методики, которые должны быть использованы в работе___________________________
_________________________________________________________________________________________________

3
 (ф.и.о. полностью)

7. Использование ЭВМ пакет Microsoft Office

8. Перечень подлежащих разработке вопросов по экономике НИР_________________________________

_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

Согласовано: Консультант по безопасности жизнедеятельности

9. Перечень подлежащих разработке вопросов по безопасности жизнедеятельности__________________

_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

Согласовано: Консультант по охране окружающей среды

Перечень подлежащих разработке вопросов по экологии ________________________________________________

_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________

Согласовано: Консультант

Перечень (примерный) основных вопросов, которые должны быть рассмотрены и проанализированы в

литературном обзоре 1. Методы повышения мощности VECSEL-лазеров. 2. Конструкции VECSEL-лазеров.
3. Используемые материалы. 4. Параметры VECSEL-лазеров

Согласовано: Консультант

Перечень (примерный) графического и иллюстрированного материала 1. Схемы конструкций VECSEL-лазеров.

2. Выходные и температурные характеристики. 3. Системы полупроводниковых материалов.

10. Руководитель работы ст. преподаватель Борзых И.В

(Должность, звание, ф.и.о.)

_________________________________________________________________________________________________
(подпись)

11. Консультанты по работе (с указанием относящихся к ним разделов)

стандартизация и метрология - Коновалов М.П.

Дата выдачи задания 16 февраля 2018

Задание принял к исполнению студент ________________________________________

(подпись)
 Аннотация

Тема данной работы – "мощные полупроводниковые лазеры на VECSEL-

структурах". Рассмотрены принципы работы, основные виды конструкций
лазеров, такие как VECSEL с оптической накачкой, VECSEL с электрической
накачкой, структура типа SESAM и их термическое управление. Приведены
основные полупроводниковые материалы, используемые при изготовлении
VECSEL, а также типы компоновки резонаторов. Рассмотрены такие
параметры, как внутрирезонаторные потери, качество луча и масштабируемось
мощности.
Выпускная квалификационная работа изложена на 53 страницах,
содержит 16 рисунков, список использованных источников из 21
наименования.

5
 Содержание

Введение.......................................................................................................................6

1 Принцип работы.......................................................................................................8

2 Конструкции VECSEL...........................................................................................12

2.1 VECSEL с оптической накачкой (OP-VECSEL).................................12

2.1.1 Зависимость температуры от усиления OP-VECSEL......................14

2.2 VECSEL с электрической накачкой (EP-VECSEL)............................19

2.3 Структура SESAM..................................................................................22

2.3.1 Термическое управление SESAM......................................................25

2.4 Конструкции резонаторов.....................................................................28

2.5 Функциональная универсальность VECSEL.......................................31

3 Используемые полупроводниковые материалы..................................................33

3.1 Система InGaAs/GaAs/AlGaAs.............................................................33

3.2 Система GaInAsP/InP.............................................................................35

3.3 Система GaInNAs...................................................................................36

3.4 Система AlGaAsSb.................................................................................37

4 Параметры VECSEL...............................................................................................38

4.1 Внутрирезонаторные оптические потери............................................38

4.2 Качество луча.........................................................................................39

4.3 Масштабирование мощности................................................................40

5 Этапы создания мощного VECSEL лазера........................................................46

Выводы.......................................................................................................................50

Список использованных источников.......................................................................51

6
 Введение

В 1976 году потери при передаче по оптическому волокну постепенно

становились малыми для длин волн, превышающих 1 мкм [1]. Однако тогда не
существовало полупроводникового лазера, работающего в этой полосе длин
волн. В то время стало понятно, что лазер с полупроводниковой системой
GaInAsP может работать с такими длинными длинами волн. В некоторых
учреждениях, в том числе в группе Кеничи Ига из Токио, сообщалось о работе
при комнатной температуре устройств, длина волны которых
составляла 1300 нм. Поскольку почти все полупроводниковые лазеры
изготавливались путем расщепления кристаллов, что создает сложности при
массовом производстве, изучался рост кристаллов GaInAsP/InP. Одним из
способов формирования лазерного резонатора без расщепления является
использование лазера с распределенными брэгговскими отражателями (РБО).
Другой способ - сделать резонатор Фабри-Перо путем травления. Однако 22
марта 1977 года была придумана концепция поверхностно-излучающего лазера.
Исследование по реализации идеи началось сразу после ее концепции.
С 1992 года широко используются поверхностно-излучающие лазеры с
вертикальным резонатором (VCSEL) на основе подложки GaAs,
некоторые 980, 850 и 780 нм устройства были коммерциализированы в
различных световодных системах. В целях изучения в настоящее время
разрабатываются длинноволновые (1300 – 1550 нм), красные AlGaInP и сине-
ультрафиолетовые GaN-устройства [2].
Появление поверхностно-излучающего лазера с вертикальным внешним
резонатором (VECSEL) было обусловлено развитием фотонных технологий, в
ходе которых стали очевидены главные недостатки VCSEL –  недостаточно
высокая выходная мощность и недостаточно узкая линия излучения. В VECSEL
внешнее зеркало позволяет большей площади диода участвовать в генерации
света в одном режиме, что приводит к значительно большей мощности, чем при
конструкции VCSEL.
7
 Эти источники света сочетают в себе важнейшие преимущества
полупроводниковых и твердотельных лазеров: возможность разработки длины
волны излучения полупроводниковых усилителей сочетается с высоким
качеством луча и функциональностью, предлагаемой архитектурой внешних
резонаторов. Универсальность VECSEL в покрытии по длине волны показана
на рисунке 1, который показывает общий тренд уровней мощности,
демонстрируемых в различных областях длины волны. Таким образом,
уникальная комбинация покрытия длины волны от видимого до среднего ИК
диапазона, высокая выходная мощность, высокая яркость, одночастотная
работа, эффективное преобразование частоты внутрирезонаторных сигналов,
сверхкороткое генерирование импульсов до субпикосекундного и низкий
уровень шума дали VECSEL статус самой универсальной лазерной
технологической платформы [3].

Рисунок 1 – Выходная мощность по сравнению с длиной волны, охватываемой

основными типами технологий VECSEL

8
 1 Принцип работы

Отличительные особенности VECSEL можно понять, проанализировав

архитектуру основных типов полупроводниковых лазеров. В светоизлучающих
диодах с торцевым излучателем действие генерации происходит через
отражения между двумя поверхностями полупроводникового волновода,
которые обеспечивают усиление. Толщина волновода обычно находится в
диапазоне сотен нанометров, тогда как ширина излучателя может
варьироваться от нескольких микрон (для однопроходных лазерных диодов) до
сотен микрон (для высокомощных многорежимных лазерных диодов). Однако
относительно небольшой коэффициент усиления и высокая оптическая
интенсивность на гранях ограничивают масштабируемость мощности, особенно
в режиме одиночного поперечного режима. Более высокие выходные мощности
в диапазоне десятков ватт могут быть получены при использовании
многорежимных диодов с относительно широкими участками эмиттера и,
следовательно, высокосимметричными выходными лучами с низкими
значениями M2 (величина, определяющая оптическое качество лазерного
пучка) [4, 5]. Эта проблема может быть решена путем интеграции
одномодового лазерного диода и секции с адиабатически конусным
усилителем. Для таких компактных усиленных систем сообщалось об уровнях
мощности до 10 Вт для выхода с одним поперечным режимом [6], за счет
большей асимметрии пучка.
Поверхностно-излучающие лазеры с вертикальным резонатором (VCSEL)
избегают проблемы в виде асимметричных выходных пучков [7], излучая в
поверхностном направлении через симметричную апертуру поверх устройства.
VCSEL содержат высокоотражающий РБО и частично отражающий верхний
РБО, так, что материал усиления расположен в микрорезонаторе между двумя
РБО. Оптическая толщина микрорезонатора обычно находится в порядке
длины волны излучения в несколько сотен нанометров, а диаметр апертуры
излучения составляет от нескольких мкм в одномодовых VCSEL до
9
более 100 мкм в многорежимных устройствах. Одномодовые VCSEL обычно
демонстрируют очень низкие пороговые токи из-за их малого объема моды и
низких зеркальных потерь, но также относительно низкую выходную мощность
порядка нескольких милливатт. Тем не менее, их низкое энергопотребление и
возможность модуляции с частотой в десятые доли гигагерц сделали
одномодовые VCSEL, особенно подходящими для передачи данных
высокоскоростной связи. Однако, более высокую выходную мощность можно
получить за счет увеличения площади апертуры, но за счет ухудшения качества
луча. Иным способом решения этой проблемы является использование
VECSEL-структур.
Архитектура лазерного резонатора в VECSEL была создана из
тонкопленочных твердотельных лазеров и обычно формируется между тонким
полупроводниковым зеркалом усиления и внешним резонаторным зеркалом;
следовательно, альтернативным названием является полупроводниковый
дисковый лазер (SDL). Структурно чип усиления VECSEL содержит зеркало с
высокой отражающей способностью и полупроводниковую область усиления.
Область усиления обычно включает в себя несколько квантовых ям (КЯ) или
квантовых точек (КТ), которые разделены разделительными или барьерными
слоями. Типичная структура зеркала представляет собой полупроводниковый
РБО. В общем случае однопроходное усиление устройства с вертикальным
резонатором довольно мало из-за короткой длины взаимодействия между
лазерным режимом и материалом усиления. Небольшое усиление обычно
компенсируется использованием большого количества КТ и максимизацией их
связи с лазерным режимом. Последнее достигается путем периодического
размещения квантовых ям в пучности оптической стоячей волны, которая
образуется в полупроводниковом микрорезонаторе, определяемой РБО и
верхней поверхностью полупроводника. Такая архитектура резонансного
периодического усиления (РПУ) исторически использовалась в
светоизлучающих устройствах с вертикальной геометрией и схематически
показана на рисунке 2.
10
 Рисунок 2 – Пример структуры VECSEL

В зависимости от конструктивных ограничений, таких как деформация и

поглощение накачки, небольшое количество КЯ помещают в пучности
оптического поля. Если КЯ вводят большие деформации в структуру, уровни
компенсации деформации обычно помещают в узлы оптического поля. Эти
компенсирующие деформацию слои также могут выступать в качестве
барьеров, ограничивая накачку к конкретной КЯ (или группе КЯ) [8].
Структура зеркала с усилением покрыта тонким слоем материала с большой
шириной запрещенной зоной для предотвращения рекомбинации носителей на
поверхности. Общая толщина такой структуры обычно составляет
менее 10 мкм. Для оптимальной работы, максимальная длина волны усиления,
центр полосы прерывания РБО и резонанс микрополости должны совпадать
при рабочих условиях. Это также означает, что оптимальная
производительность достигается при определенной комбинации мощности
накачки и температуры VECSEL. Следует также отметить, что резонанс в
микрополостях сужает полосу усиления и вводит значительную дисперсию
групповой задержки. Это может быть вредным для блокировки режима
перестройки длины волны и одночастотной работы. Следовательно, структуры
усиления VECSEL иногда проектируются как антирезонансные на длине волны
излучения; такой подход неизбежно уменьшает коэффициент усиления и делает
работу лазера менее чувствительной к потерям в резонаторе.

11
 VECSEL обычно оптически накачиваются многорежимными лазерными
диодами с малой яркостью, хотя также может быть использована электрическая
накачка. Тем не менее, прогресс в VECSEL с электрической накачкой
значительно отстает от схем оптической накачки из-за высоких требований к
легированию РБО, а также из-за трудности равномерной инжекции носителей
заряда по большой площади. Эти ограничения отсутствуют в VECSEL с
оптической накачкой, что позволяет использовать нелегированные материалы и
равномерное возбуждение носителей заряда на большой площади. Кроме того,
VECSEL могут поглощать излучение накачки в широком диапазоне длин волн,
в отличие от работы твердотельных лазеров, где изменения длины волны
накачки обычно ухудшают работу. Следовательно, VECSEL могут
использовать более дешевые диоды накачки из-за большей длины волны,
которая связана с широким диапазоном поглощения в полупроводниках.
Другим важным преимуществом VECSEL, заимствованным у
твердотельных лазеров, является возможность использования
внутрирезонаторных элементов, таких как кристаллы нелинейного
преобразования частоты, обеспечивающих эффективное преобразование
частоты и расширение покрытия длины волны вплоть до ультрафиолетовой
области спектра или генерации терагерцового излучения. Кроме того, внешняя
резонаторная архитектура позволяет использовать зеркала на основе
полупроводникового насыщающегося поглотителя (SESAM). В целом, эти
свойства открывают целый ряд новых возможностей, которые способствуют
интенсивному развитию технологии VECSEL [3].

12
 2 Конструкции VECSEL

2.1 VECSEL с оптической накачкой (OP-VECSEL)

Структура слоев общего чипа усиления VECSEL схематично показана на

рисунке 3, на которой изображены две широко используемые геометрии для
VECSEL с оптической накачкой. Как показано на рисунке 3а на подложке
выращиваются брэгговские отражатели в (25–30) периодов. Активная область
состоит из нескольких слоев материала, который объединяет в себе функции
поглотителя накачки, оптического спейсера и барьера квантовой ямы.
Квантовые ямы встраиваются в активную область по отдельности или парами с
1
интервалами в  2 длины волны, чтобы выровнять их с пучностями оптической

стоячей волны. Структура оканчивается слоем окна с широкой запрещенной

зоной, которая удерживает носители от поверхности и управляет оптической
толщиной активной области. Тонкий (10 нм) слой покрытия без алюминия
защищает структуру от окисления. Чип усиления, изображенный на
рисунке 3 (а), связан с теплоотводом, в идеале - пластинкой из карбида кремния
или монокристаллического алмаза толщиной в несколько сотен микрон, что
позволяет рассеивать тепло, генерируемое в области возбуждения. В этой
геометрии подложка остается нетронутой, что также отводит тепло от активной
области, но в меньшей степени из-за большого теплового импеданса
промежуточного РБО.

13
 a) схема VECSEL с распределителем тепла; б) с теплоотводом
Рисунок 3 – Схемы VECSEL

Конструкция, показанная на рисунке 3б, обеспечивает низкий тепловой

импеданс, не прибегая к внутрирезонаторной структуре распределения тепла,
за счет более сложной обработки пластины. Элементы выращивают в обратном
порядке по отношению к структуре, изображенной на рисунке 3а, с окном,
прилегающим к подложке, и РБО сверху. Когда зеркало Брэгга припаивается к
радиатору, подложку можно удалить, используя комбинацию механической
полировки и струйного травления. Таким образом, излучающее устройство
включает внутри лазерного резонатора вытравленную поверхность,
создаваемую удалением подложки. Эта схема обработки использовалась для
достижения наивысших непрерывных выходных мощностей VECSEL.
Внутренний спектр усиления одной квантовой ямы, близок к
прозрачности и составляет около 20 нм, что потенциально обеспечивает
значительную полосу пропускания для генерации ультракоротких импульсов.
Однако когда они внедрены в поверхностно-излучающую структуру,
эффективный спектр усиления КЯ пропорционален и сильно модулируется

14
коэффициентом продольного удержания Γ ζ , который достигает максимума при
резонансах субрежима, образованного между брэгговским зеркалом и
поверхностью, а минимума, когда полевые пучности смещаются от квантовой
ямы на длину волны по обе стороны от расчетного значения.
Спектр Γ ζ можно рассчитать по соотношению:

❑
∑ ¿ E ( ζ q ) ∨¿2
q (1)
Γζ = 2
¿
¿ E0∨¿ , ¿
2
где ¿ E ( ζ q )∨¿ ¿ – квадрат модуля амплитуды поля в положении q-ой ямы
(суммирование производится по квантовым ямам);
¿ E0 ∨¿2 ¿ – квадрат полного поля в воздушном слое.

Таким образом, для генерации сверхкоротких импульсов необходимо

разработать слои таким образом, чтобы спектр Γ ζ был как можно более
плавным и широким [9]. Если структура слоя спроектирована так, чтобы быть
почти антирезонансной на рабочей длине волны, то эффективная ширина
полосы усиления чипа может быть больше, чем внутренняя ширина полосы
квантовой ямы [10].

2.1.1 Зависимость температуры от усиления OP-VECSEL

В ненасыщенной 4-уровневой диэлектрической лазерной усиливающей

среде увеличение инверсной заселенности уровней при накачке является почти
линейным, и ни поперечное сечение перехода, ни время жизни верхнего
уровня, не сильно зависят от температуры. В лазерах на КЯ усиление растет
сублинейно с инверсной заселенностью; само время жизни носителей падает с
ростом заселенноси; тепловая нагрузка с каждым поглощеным фотоном
накапливается с увеличением накачки. По мере того, как активная область
накачивается сильнее и становится горячее, внутреннее усиление КЯ в
конечном итоге уменьшается, а термический загиб происходит в точке, где
15
эффективный коэффициент усиления структуры больше не может сравниться с
потерями в резонаторе, вследствие чего лазер выключается. Характеристика
загиб лазера еще больше осложняется температурной зависимостью
коэффициента продольного удержания, который изменяет эффективный
коэффициент усиления активной области. Если, например, активная область
сконструирована так, чтобы дать узкий пик в эффективном спектре усиления,
возможно, тепловой загиб происходит при очень низких скоростях накачки.
Температурная зависимость усиления квантовой ямы зависит от трех
эффектов. Первый - это переход к большей длине волны с повышением
температуры. Второй - выход термически возбужденных носителей,
ограничиваются внутренним квантовым выходом. Третий - фактор Ферми, f cv,
определяемый статистикой Ферми-Дирака:

f cv =f c +f v, (2)
где f c и f v – числа заполнения Ферми-Дирака электронных состояний с
энергией Ec и Ev соответственно.

В квазинейтральных условиях при накачке эти числа заполнения

определяются квазиуровнями Ферми в зоне проводимости и валентной зоне, E F c

и E F соответственно:
v

1
f c ,v = (3)
1+exp ¿ ¿ ¿
где k – постоянная Больцмана;
T – температура.

Таким образом, квазиуровни Ферми образуют связь между температурой,

населенностью уровней и усилением; в параболическом приближении, мы
можем записать формулу:
Ne , p π ħ2
E F , F =kT∗ln exp
c v
[ (
me , p kT )
−1 ,
] (4)

16
 где N e и N p – концентрации носителей электронов и дырок в яме
соответственно на единицу площади.

Если не заботиться о конструкции активной области для обеспечения

равномерного распределения носителей между КЯ, квазиуровни Ферми могут
значительно различаться между верхней и нижней КЯ оптически накачиваемой
структуры, что ухудшает общий коэффициент усиления и эффективность
устройства.
VECSEL является частью класса лазерных конструкций, в которых
используются тонкие дискообразные полупроводниковые усилители. Это
позволяет эффективно удалять тепло от накачиваемой области на большой
площади, так как теплота проходит через очень тонкую полупроводниковую
область, обладающую высоким тепловым импедансом, до достижения
теплоотвода. Эта уменьшенная толщина полупроводникового материала
приводит к почти одномерному тепловому потоку к теплоотводу и делает
устройство мощнее, благодаря уменьшению температуры; например, выходную
мощность можно удвоить, применяя в два раза большую мощность накачки без
повышения температуры структуры усилителя. Однако наступает момент,
когда масштабируемость мощности нарушается, а именно, когда основная
часть теплового сопротивления возникает из теплоотвода, где тепловой поток
не является одномерным (рисунок 4).

17
 Рисунок 4 – Схематическое изображение параметров аналитической модели
теплораспределения

Повышение температуры в структуре усиления VECSEL может быть

смоделировано с использованием аналитических формул, которые получаются
путем решения уравнения теплопроводности с использованием некоторых
упрощений. На рисунке 4 показана схема параметров, которые используются в
этой модели. Предположим, что тонкий полупроводниковый слой (структура
усиления с брэгговским зеркалом) толщиной d с относительно низкой
теплопроводностью χ1D. Этот слой находится в тесном контакте с теплоотводом
большей теплопроводности χ3D. Предполагается, что источник тепла с полной
мощностью P имеет гауссовское поперечное распределение с радиусом пучка
накачки wp и пренебрежимо малой толщиной. Основная идея состоит в том,
чтобы разделить решение на две области идеализированного теплового потока:
сначала тонкая область одномерного теплового потока в материалах
полупроводниковой структуры и припоя, а после этого трехмерный поток тепла
в пространство материала теплораспределителя с заданной температурой
радиатора. При радиусе луча накачки wp, значительно превышающем толщину
слоя d, тепловой поток в теплоотвод является одномерным. Падение
температуры теплового потока в области 1D в центре пятна:
18
 Pd
∆ T 1 D =2 , (5)
π w2p χ 1 D
где P – мощность источника тепла;
d – толщина;
wp – радиус пучка накачки;
χ1D – теплопроводность области 1D.

На нижней границе теплоотвода поддерживается постоянная

температура. Однако для удобства расчета следует расширить его размер до
бесконечности. Это адекватное приближение (ошибка менее 10 %) для
теплоотвода толще 3wp (определяется численно). Связано это с тем, что
большая часть теплового сопротивления возникает из-за близости источника
тепла, где тепло проходит через наименьшее поперечное сечение. Таким
образом, используется сферическая система координат с источником тепла,
центрированная в начале координат:

π
( )
)( )
2
δ θ−
Pd r 2 , (6)
ρ ( r ,θ ,ϕ )=2
π wp2
(
exp −2 2
wp r
где δ – дельта-функция;
1/r – коэффициент, учитывающий источник тепла с постоянной
толщиной в поперечном направлении;
θ – угол распространения тепла;

ϕ – поток излучения.

Повышение температуры в центре источника тепла по сравнению с

окружающей средой можно рассчитать, решив уравнение функции Грина для
стационарного состояния:

❑
Pd 1
∆ T 3 D =2 ∫ ρ dV , (7)
4 π χ 3D V r
19
 где V – объем.

Таким образом, можно заметить, что ∆ T 1D зависит только от

интенсивности нагрева, в то время как ∆ T 3 D увеличивается с большим пятном
накачки, но с постоянной интенсивностью [10].

2.2 VECSEL с электрической накачкой (EP-VECSEL)

На рисунке 5 показана схема типичного EP-VECSEL. Ток вводится в

устройство через дискообразный нижний контакт (140 мкм в диаметре) под
p-легированным РБО и через верхний кольцевой электрод (отверстие
диаметром 200 мкм). Предполагается, что дырки в p-легированной области
имеют меньшую подвижность по сравнению с электронами в n-легированной
области и остаются над нижним контактом, тогда как высокомобильные
электроны движутся к центру структуры с квантовыми ямами, где они
рекомбинируют с дырками [11]. Таким образом, создается ограниченный
профиль инверсии для поддержки основного режима генерации. При
использовании оксидной апертуры можно использовать больший нижний
контакт, поддерживая текущий профиль впрыска, что немного снижает
электрическое сопротивление устройства.

Рисунок 5 – Схема EP-VECSEL (без масштаба)

20
 Структура EP-VECSEL полностью выращивается методом молекулярно-
пучковой эпитаксии. p-легированный РБО, а также n-легированный
промежуточный РБО состоят из чередующихся слоев полупроводника,
(например Al0,12Ga0,88As и Al0,9Ga0,1As) с периодичностью λ/4. Активная область
состоит из нескольких пар квантовых ям, встроенных в барьеры и помещенных
в одну систему стоячей волны электрического поля (рисунок 6).
По сравнению с OP-VECSEL, EP-VECSEL должен быть легирован для
увеличения электропроводности. Это приводит к дополнительным оптическим
потерям, вызванным поглощением свободных носителей заряда. Поэтому
вводится промежуточный n-легированный РБО для увеличения усиления поля в
квантовых ямах и уменьшения его в распределительном слое что приводит и к
уменьшению потерь. Правильное число пар четвертьволновых слоев в
промежуточном n-РБО имеет важное значение для работы основного
трансверсального режима при высоких уровнях мощности. Низкое число пар
приводит к низкому усилению поля и, следовательно, к низкой выходной
мощности из-за низкого коэффициента усиления, тогда как большое число пар
приводит к ухудшению качества луча, поскольку ухудшается управление
режимом выходного частично отражающего зеркала [12]. Еще один эффект,
который необходимо учитывать, заключается в том, что резонансная
подполость между двумя РБО приводит к спектральной регуляризации, которая
сильно снижает ширину полосы усиления в структуре. В то же время это
приводит к сильным колебаниям дисперсии групповой задержки вокруг длины
волны генерации. Охарактеризованные устройства состоят обычно из 9 и 13 пар
четвертьволновых слоев n-РБО. Это соответствует отражательной способности
в 71 % и 89 % соответственно.

21
 Рисунок 6 – Пример изображения структуры со сканирующего электронного
микроскопа

Распределительный слой реализуется путем механического истончения

нижней подложки с низким содержанием электронов. Помимо количества пар
n-РБО, толщина оставшейся подложки является единственной разницей между
устройствами. Чипы имеют различную толщину, например 59,8 мкм (9 пар)
и 148,3 мкм (13 пар), следовательно, общая толщина структуры составляет
порядка 500 мкм. Это различие в толщине связано с оптимизацией в схеме
обработки устройств, следовательно, 13-парное устройство имеет более
высокие потери из-за поглощения свободных носителей заряда. Кроме того,
устройства исходят из разных циклов роста и обрабатываются отдельно, что
приводит к дополнительным различиям в производительности устройства.

22
 На верхнюю часть структуры наносят покрытие из диэлектрического
антиотражающего покрытия, состоящего из четвертьволнового слоя нитрида
кремния, для уменьшения эффектов субполости в остальной подложке.
Конструкция монтируется с p-легированной стороной вниз на теплоотвод [13].
В 2014 году был представлен VECSEL с электрической накачкой,
выходная мощность которого составляла 4,7 Вт, а эффективность
преобразования накачки 18,3 %. Активная область была составлена из
множественных КЯ на основе InGaAs/GaAs/InGaAs, в то время как оба РБО на
основе GaAs/AlGaAs [14].

2.3 Структура SESAM

Помимо оптимизации в отношении полупроводниковых материалов, мы

можем дополнительно управлять параметрами зеркала насыщающегося
поглотителя с использованием различных структур SESAM. SESAM - это
многослойная система зеркал на основе полупроводникового насыщающегося
поглотителя, которая может быть оптимизирована в зависимости от того, где
именно размещается насыщенный материал поглотителя внутри этой системы.
Это может быть использовано для дальнейшего снижения плотности потока
насыщения (рисунок 7).

23
 а) вблизи поверхности устройства для «классического» устройства SESAM;
б) устройства SESAM с более низким насыщающим флюенсом
Рисунок 7 – Зависимость показателя преломления (сплошная линия) и
рассчитанная характеристика интенсивности стоячей волны для λ = 1314 нм
(пунктирная)

Исторически сложилось, что в нелинейном сопряженном резонаторе

изначально использовался полупроводниковый насыщаемый поглотитель,
называемый резонансный пассивный синхронизатор мод (ПСМ) (рисунок 8а). В
то время считалось, что полупроводниковый насыщаемый поглотитель вносит
слишком много потерь при использовании внутри лазерного резонатора. Кроме
того, предполагалось, что твердотельные лазеры с непрерывной волной накачки
на практике не могут пассивно синхронизировать моды с помощью
внутрирезонаторного насыщаемого поглотителя. Эта точка зрения была
подкреплена экспериментальными результатами вплоть до первой
демонстрации Q-коммутируемого Nd:Glas лазера в 1966 году. Более 25 лет
спустя первый внутрирезонаторный насыщающий поглотитель, который
успешно использовался для пассивной синхронизации мод твердотельного
лазера с диодной накачкой без неустойчивостей Q-коммутации, был
антирезонансный насыщаемый поглотитель Фабри-Перо (рисунок 8б).
Устройство состояло из резонатора Фабри-Перо, заполненной насыщаемым
поглотителем, с толщиной, отрегулированной на антирезонансную форму,
поэтому интенсивность в резонаторе была существенно ниже интенсивности
падающего излучения. Данное зеркало основано на слоях поглотителя, зажатых
между нижним полупроводником AlAs/AlGaAs и верхним диэлектрическим
брэгговским зеркалом SiO2/TiO2. Верхний отражатель обеспечивает
регулировку параметра, который определяет интенсивность входа в
полупроводниковый насыщаемый поглотитель и, следовательно, плотность
насыщения поглотителя. Таким образом, эта конструкция позволила
значительно изменить параметры поглотителя, изменив толщины поглотителя и
24
верхнего отражателя. Это привело к еще более простой конструкции SESAM с
единичным слоем поглотителя, включающим в себя квантовую яму и
встроенный в РБО (рисунок 8в).

а) SESAM-VECSEL c ПСМ; б) с резонатором Фабри-Перо; в) с единичным

слоем поглотителя; г) с интерференционным фильтром
Рисунок 8 – Эволюция конструкций SESAM

В общем смысле можно свести проектную задачу SESAM к анализу

многослойных интерференционных фильтров с учетом требуемой нелинейной
отражательной способности, как для амплитуды, так и для фазы (рисунок 8г).
Совсем недавно новые конструкционные структуры позволили существенно
снизить плотность насыщения SESAM.
До недавних пор SESAM использовался в основном в качестве торцевого
зеркала. Очень компактные конструкции резонаторов были достигнуты,
например, в пассивных микрочиповых лазерах с Q-коммутацией и пассивно

25
синхронизирующих моды миниатюрных лазерах. Поскольку лазер не может
накачиваться через SESAM, выход лазера должен быть отделен от
коллинеарной накачки дихроичным зеркалом. Эти примеры показывают, что
существует потребность в устройстве, которое объединяет нелинейные
свойства SESAM с выходным соединителем [10].

2.3.1 Термическое управление SESAM

Нагрев SESAM становится критическим вопросом при высоких частотах

работы лазера. Для поддержания постоянного уровня насыщения,
необходимого для стабильной работы SESAM необходимо интенсивное
фокусирование режима резонатора, поскольку средний уровень мощности
энергии уменьшается за импульс при увеличении частоты повторения. Таким
образом, средняя поглощенная мощность приводит к повышению температуры
при более высоких скоростях повторения.
Также более низкий уровень насыщения SESAM уменьшает проблему
нагрева SESAM. Кроме того, низкий уровень насыщения SESAM будет
поддерживать более простую конструкцию резонатора.
Рассмотрим SESAM, использующийся для синхронизации мод лазера.
Сначала определим энергию одного импульса:

E p =P∫ ¿/ f ,¿ (8)
rep

где Pint – средняя внутрирезонаторная мощность;

frep – частота повторения.

Для стабильного модулирования следует убедиться, что SESAM работает

при параметре насыщения больше 1, который определяется по формуле:

26
 Ep P∫ ¿
S= = ,¿ (9)
E sat ,a F sat , a π w 2a f rep
где wa – радиус гауссовского распределения интенсивности;
Esat,a – энергия флюенса насыщения.

Предположим, что мощность нагрева P, поглощается в тонкой области

вблизи поверхности SESAM и затем рассеивается в относительно бесконечное
пространство материала подложки. Это допустимое приближение для подложек
толщиной более 3wa. В этих условиях повышение температуры ∆T в центре
пятна относительно температуры окружающей среды или теплоносителя
составляет:

P
∆T= , (10)
√2 π wa χ
где χ – теплопровоность подложки;
wa – толщина подложки;
P – мощность нагрева.

Таким образом, поглощенная средняя мощность описывается

соотношением:

P=P
∫ ¿(∆ Rns +
ΔR
[ 1−e −S ] )¿, (11)
S

где Pint – внутрирезонаторная мощность;

∆Rns – ненасыщаемые потери;
∆R – коэффициент амплитудной модуляции;

Cлагаемое в скобках с правой стороны объясняет мощность,

рассеиваемую ненасыщаемыми потерями, а второе - получается из энергии

27
поглощенного импульса в поглотителе. Решая уравнение (9) для wa и вставляя
это в уравнение (10) вместе с уравнением (11) получается:

1 ΔR
∆T=
√ P
√ 2 χ ∫ ¿f rep
Fsat ,a S
(∆ Rns +
S
[ 1−e−S ] )∝ √ f rep ¿. (12)

Это приближение повышения температуры в SESAM, показывающее

небольшие переходные процессы нагрева, возникающие при частоте
повторения импульсов. Упрощенные аналитические решения уравнения
теплопроводности показывают, что эти переходные процессы находятся в
порядке нескольких кельвинов при рабочих, поэтому приближения
справедливы. Таким образом, повышение температуры увеличивается с
квадратным корнем частоты повторения.
Для высококачественных SESAM с минимизированными
ненасыщаемыми потерями уравнение (12) показывает, что возможности
дальнейшего уменьшения нагрева ограничены. Сокращение ∆R и S до
наименьших значений, которые по-прежнему обеспечивали бы стабильное
модулирование или уменьшение внутрирезонаторной мощности P int, используя
большее количество выходных соединений, обеспечивают небольшой запас для
улучшения. Более значительный прирост производительности можно ожидать
от уменьшения теплового импеданса SESAM путем удаления и пайки
подложки до материала теплораспределителя с более высокой
теплопроводностью, тем самым увеличивая эффективное значение χ [10].
2.4 Конструкции резонаторов

Конструкция резонатора VECSEL зависит от желаемой

функциональности лазера, такой как одномодовая работа, узкий спектр,
механическая стабильность, частота повторения импульсов и т.д. Типичные
варианты проектирования лазеров с внешними резонаторами схематически
представлены на рисунке 8. В целом, поскольку зеркало усиления является
очень тонким плоским зеркалом, его можно поместить в лазерный резонатор
28
либо как торцевое зеркало, либо поворотное зеркало. Когда чип усиления
используется как поворотное зеркало, многократное прохождение через него,
увеличивает коэффициент усиления в обратном направлении, что также
позволяет управлять дисперсией внутрирезонаторности с углом поворота
элемента усиления. Кроме того, многопроходная конфигурация также может
быть полезна в лазерах с малой частотой повторения.

а) линейная; б) V-образная; в) Z-образная; г) многоэлементная;

д) мембранообразная; е) с полумонолитным резонатором
Рисунок 9 – Типичные резонаторные конструкции OP-VECSEL

В простейшей форме внешний резонатор формируется между зеркалом

усиления и внешним выходным устройством вывода (частично отражающим
зеркалом), как показано на рисунке 9а. Такой резонатор длиной может быть
29
полезен для одночастотной работы с узкой спектральной шириной [15].
V-образный резонатор, показанный на рисунке 9б, образован между зеркалом
усиления, изогнутым поворотным зеркалом и плоским устройством вывода.
Преимущество V-образного резонатора состоит в том, что плоские устройства
вывода часто дешевле и более доступны, чем эквивалентные изогнутые
ответвители. Кроме того, нелинейный кристалл в частотно-удвоенных VECSEL
часто размещается вблизи или в горловине каустической поверхности, тогда
как SESAM в VECSEL с блокировкой мод обычно требуют жесткой
фокусировки внутрирезонаторного луча. Эти требования легче выполнять в
V- или Z-образном резонаторе, чем в линейном резонаторе, как показано на
рисунках 9б и 9в.
Конструкция резонатора и оптики лазера накачки также связана с
масштабированием мощности, при условии, что управление температурой
достаточно эффективно, чтобы обеспечить одномерный тепловой поток внутри
элемента усиления. Во-первых, конструкция наружного резонатора позволяет
модифицировать свойства поперечного лазерного режима, так что качество
луча VECSEL не должно нарушаться с увеличением площади накачки и
последующим увеличением выходной мощности. Во-вторых, масштабирование
мощности может быть получено путем введения нескольких элементов
усиления (рисунок 9г) в тот же резонатор. Фактически такой подход делит
тепловую нагрузку, вызванную накачкой, между несколькими элементами
усиления, хотя увеличенное количество элементов усиления также может
приводить к более высоким потерям внутри резонатора, которые ограничивают
масштабируемость мощности. В-третьих, возможно использовать охлаждение с
двух сторон для масштабирования мощности, где элемент усиления
используется в качестве передающего элемента, как показано на рисунке 9д.
Помимо обеспечения двухстороннего охлаждения такие структуры усиления
устраняют необходимость согласования решеток между секцией усиления и
секцией РБО, что может значительно упростить эпитаксиальное изготовление.
Это может быть особенно полезно при работе с материалами на основе InP или
30
с прямым испусканием красных волн с помощью VECSEL, где трудно найти
РБО-материалы с достаточным контрастом коэффициента преломления.
В дополнение к различным конфигурациям внешних резонаторов, также
были продемонстрированы VECSEL с полумонолитными резонаторами
плоской конструкции (рисунок 9е) и теплораспределяющей линзой. Такой
лазер может быть ограничен по мощности и яркости, но обладает чрезвычайно
устойчивой конструкцией без необходимости активного выравнивания
компонентов [3].
2.5 Функциональная универсальность VECSEL

Внешний оптический резонатор полупроводниковых VECSEL может

быть довольно механически громоздкой конструкцией, по сравнению с
простыми полупроводниковыми лазерами с торцевым излучателем, что делает
эти VECSEL более сложными и требует сборки и выравнивания. С другой
стороны, такой внешний резонатор обеспечивает огромную универсальность
для конфигураций и функций устройства VECSEL. Гибкие конструкции
VECSEL, такие как линейный резонатор, трехзеркальный V-образный
резонатор и четырехзеркальный Z-образный резонатор, позволяют гибко
вводить и использовать внутрирезонаторные оптические элементы, которые
было бы очень трудно или невозможно использовать со встроенными
полупроводниковыми приборами, например вставку нескольких
последовательных элементов усиления в резонатор для масштабирования
мощности VECSEL.
Одной из важных опций, предоставленных внешним резонатором,
является введение внутрирезонаторных спектральных фильтров, таких как
эталоны, двулучепреломляющие фильтры Брюстера, объемные дифракционные
решетки или высокие отражающие решетки [16], которые используются для
управления лазером. Также внешний резонатор VECSEL позволяет вводить
внутрирезонаторные насыщающие поглотители для достижения пассивной
синхронизации мод. В этом случае длина резонатора позволяет контролировать
31
частоту повторения импульсов с показателями частоты в 50 ГГц. Оптика
внешнего резонатора допускает различные размеры пятна луча на элементах
усиления и поглотителя, который контролирует оптическую интенсивность
пятен луча, что требуется для достижения синхронизации мод.
Внешний резонатор VECSEL позволяет размещать прозрачные
внутрирезонаторные теплораспределители в прямом контакте с элементом
лазерного усиления без терморезистивных лазерных зеркал на пути
тепловыделения. Поскольку управление температурой имеет решающее
значение для высокопроизводительной работы VECSEL, возможность
использования таких распределителей тепла значительно расширяет
возможности лазерного проектирования с использованием чипов, зеркал и
материалов подложки, которые не позволяют эффективно отводить тепло через
зеркало на кристалле.
Наличие высокой внутрирезонаторной мощности, которая от 20
до 100 раз больше выходной мощности, наряду с высоким качеством луча,
обеспечивает очень эффективную нелинейную оптическую работу, такую как
генерация второй гармоники, путем вставки нелинейных оптических
кристаллов во внешний лазерный резонатор. Используя внутрирезонаторную
генерацию второй гармоники, VECSEL обеспечивают эффективный выход
лазерного излучения на длинах волн, недоступных другим лазерным
структурам [17].

32
 3 Используемые полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы обеспечивают широкую гибкость при

выборе длины волны лазерного излучения, которая может составлять от 400 нм
в УФ диапазоне, используя материалы на основе GaN, до 2,5 мкм в ИК
диапазоне с использованием материалов на основе GaInAsSb. Стандартные
высокопроизводительные полупроводниковые материальные системы,
выращиваемые сегодня, охватывают диапазон длин волн от 800 нм до 1,5 мкм.
Полупроводниковые соединения, используемые для этих длин волн,
представляют собой AlGaAs (от 800 до 870 нм), InGaAs (от 870 до 1150 нм),
GaInNAs (от 1,1 до 1,5 мкм) или InGaAsP (1,5 мкм). Более широкий диапазон
длин волн для данного состава материала может быть получен только за счет
увеличенных концентраций дефектов.

3.1 Система InGaAs/GaAs/AlGaAs

Система полупроводниковых материалов InGaAs/GaAs/AlGaAs со

свойствами, представленными на рисунке 10, предлагает материалы, которые
лучше всего подходят для диапазона длин волн от 800 нм до 1,1 мкм из-за
почти идеального соответствия решетки между GaAs и AlGaAs. С включением
фосфора запрещенная зона открывается в видимую область, что позволяет
изготавливать красные диодные лазеры. Слои InGaAs могут быть выращены на
подложках GaAs с малой деформацией сжатия, которая увеличивает усиление
на квантовых ямах и сдвигает запрещенную зону в область 1 мкм. Эта система
была успешно использована для диодных лазеров SESAM в течение многих
лет. Однако на длине волны около 1 мкм насыщенные поглощающие слои
InGaAs, превышающие критическую толщину, имеют поверхностные страты,
которые вносят большое количество потерь рассеяния. Низкотемпературный
рост кристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) привел к
появлению деформационно-расслабленных структур с оптически плоскими
33
поверхностями, но с сильно увеличенными плотностями дефектов. Для
структур SESAM это действительно выгодно и используется для оптимизации
быстрого динамического ответа. Для структур усиления VECSEL требуются
деформационно-компенсирующие слои GaAsP для надежной работы с высокой
мощностью. Насыщенные поглотители InGaAs выращивались на зеркалах
Брэгга AlAs/GaAs с рабочей длиной волны 1,3 мкм и 1,55 мкм. Однако эти слои
с высоким содержанием индия превышают критическую толщину и
показывают значительные потери из-за деформации и образования дефектов.
Оптимизированный низкотемпературный рост методом МПЭ позволил
улучшить SESAM на основе InGaAs для поддержки синхронизации мод в
полупроводниковых твердофазных лазерах.

Рисунок 10 – Ширина запрещенной зоны в зависимости от постоянной решетки

для системы AlInGaAs

34
 3.2 Система GaInAsP/InP

SESAM и VECSEL на длинах волн 1,3 и 1,55 мкм на основе GaInAsP/InP,

как показано на рисунке 10, имеют небольшую разницу показателя
преломления, вследствие чего требуется большое количество пар зеркал
InP/GaInAsP для формирования РБО. Это требует очень точного контроля роста
для достижения РБО с однородной толщиной слоя. Наличие большого
количества слоев РБО также обеспечивает высокую устойчивость электрически
накачиваемых устройств и увеличивает эффективность резонатора, что
приводит к более медленной динамике. Отражательная способность более
тонкого РБО может быть дополнена слоем золота. Альтернативой РБО,
является сплав отражателя с пластинкой, имеющей высокий коэффициент
преломления, например зеркала GaAs/AlAs соединяются с активными слоями
GaInAsP.

Рисунок 11 – Ширина запрещенной зоны в зависимости от постоянной решетки

для системы InGaAsP

35
 3.3 Система GaInNAs

Семейство нитридных материалов на основе GaAs (рисунок 12)

привлекло большое внимание к себе из-за возможности использования в
лазерных устройствах с диапазоном длин волн от 1,3 мкм до 1,55 мкм, которые
возможно использовать с зеркалами GaAs/AlGaAs, имеющими большую
разницу показателя преломления. Добавление нескольких процентов азота к
InGaAs имеет два преимущества: красное смещение длины волны поглощения
и уменьшение несоответствия решетки GaAs. Недостатком включения азота
является снижение качества кристалла, что является большой проблемой при
изготовлении активных устройств. Однако SESAM являются пассивными
устройствами, основанными на быстрой безызлучательной рекомбинации,
вызванной дефектами, обеспеченной короткой генерацией импульсов.

Рисунок 12 – Ширина запрещенной зоны в зависимости от постоянной решетки

для системы GaInNAs

36
 Материал GaInNAs, излучающий около 1,5 мкм, является более сложным
из-за большего числа безызлучательных дефектов, вводимых повышенной
концентрацией азота в соответствии с желаемой длиной волны. Для
преодоления этого ограничения была введена сурьма в GaInNAs, что позволило
как увеличить излучаемую длину волны при более низких концентрациях азота,
так и улучшить морфологию поверхности.
В 2015 году был продемонстрирован мощный GaInNAs VECSEL,
работающий в непрерывном и импульсном режимах. VECSEL производил
излучение в диапазоне 1230 нм и удваивал частоту до 615 нм через
внутрирезонаторный нелинейный кристалл LBO. Максимум в 10,5 Вт был
достигнут в непрерывном режиме с оптической эффективностью
преобразования 17,5 % при температуре 8 °С. Эффективность однопроходного
преобразования кристалла оценивалась в 0,8 %. В импульсном режиме VECSEL
генерировал 13,8 Вт пиковой выходной мощности для длительности
импульса 1,16 мкс. В этом случае эффективность оптического преобразования
составляла 20,4 %, при температуре 20 °C. Максимальная пиковая выходная
мощность в импульсном режиме была ограничена лишь мощностью накачки.

3.4 Система AlGaAsSb

Другой длинноволновый полупроводниковый материал основан на

сурьме. Сплав AlGaAsSb обладает перестраиваемостью ширины полосы
(от 1,55 до 0,54 мкм) и внутренней глубиной модуляции. Подобно InGaAsP,
AlGaAsSb соответствует решетке InP, но край его поглощения не такой крутой,
как у InGaAsP, что приводит к достаточно малой глубине модуляции (обычно
ниже 0,5 %), подходящей для лазеров с высокой частотой повторения. SESAM
на основе Sb можно выращивать с помощью осаждения металлорганических
соединений из газовой фазы с РБО AlGaAsSb/InP. По сравнению с InGaAsP,
AlGaAsSb формирует контраст с высоким показателем преломления InP (0,4),
что позволяет использовать меньшее количество брэгговских отражателей [10].
37
 4 Параметры VECSEL

4.1 Внутрирезонаторные оптические потери

Оценка внутрирезонаторных потерь актуальна для VECSEL, поскольку

они являются лазерами с низким коэффициентом усиления, поэтому
минимизация внутрирезонаторных потерь имеет решающее значение для их
эффективной работы. Потери рассеяния, связанные с зеркалом усиления,
возникают из-за шероховатостей поверхности внутрирезонаторных
теплораспределителей [18] и масштабирования режима на элементе
усиления [19]. Дополнительные потери возникают в результате утечки через
зеркала резонатора и внутрирезонаторные компоненты, такие как фильтры
длины волны и кристаллы SHG (генерации второй гармоники). Эти
внутрирезонаторные потери были оценены с использованием анализа Findlay D.
и Clay R., а так же Caird J. Первый основан на линейной зависимости между
пороговой мощностью накачки и потерями в резонаторе, в то время как
последний основан на линейной зависимости между эффектом
инвертированного наклона и передачей инвертированного выходного
устройства.
В дополнение к потерям рассеяния и дифракции, латеральная генерация
может также вызывать значительные оптические потери в VECSEL. Наличие
латеральной генерации в VECSEL можно наблюдать непосредственно в
ПЗС-матрице (в матрице с приборами с зарядовой связью), но также и в
оптических спектрах, где латеральная генерация наблюдается на более
длинных волнах, чем фактические режимы вертикальной генерации.
Первоначально предполагалось, что разница в температуре между
прокаленным пятном и окружающей холодной областью может способствовать
этому явлению. То есть, если относительно холодные участки без накачки
прозрачны для спонтанного излучения, генерируемого в области горячей
накачки, латеральная генерация может возникать с минимальными потерями
38
при высоких мощностях накачки. Однако было обнаружено, что латеральная
генерация также возникает при импульсной накачке с незначительным
нагревом VECSEL. В любом случае порог для латеральной генерации может
быть увеличен за счет использования образцов VECSEL с неправильной
формой, которые не имеют параллельных поверхностей, так что меньшая
обратная связь обеспечивается спонтанной эмиссией в поперечном
направлении [3].

4.2 Качество луча

Другим критически важным свойством лазеров VECSEL является

качество луча: VECSEL работают с круговым пучком, основным поперечным
режимом электромагнитного излучения TEM00 (мода низшего порядка) и, по
существу, дифракцией с низкой расходимостью пучка, имеющим оптическое
качество лазерного пучка M2 в диапазоне от 1,0 до 1,3. Здесь параметр M2
указывает, насколько быстрее лазерный луч расходится угловым образом в
двух поперечных направлениях по сравнению с пучком, имеющим ограничение
дифракции с одной поперечной модой, который имеет M2 = 1. Качеству этого
луча в VECSEL способствуют несколько факторов. Используя оптическую
накачку и оптический резонатор, VECSEL имеют независимое управление,
позволяющее сопоставлять размер пятна накачки и размера основного
поперечного режима лазера. Если пятно накачки слишком мало, по сравнению
с размером основного поперечного режима, лазерный порог будет высоким из-
за не накачиваемых областей. Если пятно накачки слишком велико, будут
возбуждаться поперечные лазерные моды более высокого порядка с большей
поперечной протяженностью, что вызывает работу многомодового лазера и,
таким образом, ухудшает качества луча. Оптимально скорректированный
размер пятна накачки дает более высокий коэффициент усиления к основному
режиму лазера, в то же время обеспечивая избыточные потери не накачиваемых
областей в пространственно более широкие поперечные моды более высокого
39
порядка; это стабилизирует работу основного поперечного режима. Большой
размер лазерного луча VECSEL и размеры пятен на чипе (от 10 до более
чем 100 мкм) по сравнению с несколькими микронами СИД с торцевым
излучателем, способствуют простоте выравнивания и, следовательно,
механической устойчивости лазерного резонатора VECSEL, что также ведет к
стабильности его основной работы поперечной моды. Такой диаметр пучка
VECSEL также имеет очень низкие углы расхождения по сравнению с
чрезвычайно быстрым расхождением пучков микронного размера СИД с
торцевым излучателем и даже VCSEL лазеров.
Вторым важным фактором, способствующим качеству пространственного
луча и стабильности лазеров VECSEL, является незначительное тепловое
линзирование в тонкой полупроводниковой микросхеме VECSEL
толщиной (2–8) нм [19], когда используется надлежащий теплораспределитель
или теплоотвод. Искажения профиля теплового линзирования и другие фазовые
профили пучка обусловлены термически индуцированным градиентом
показателя преломления в материале лазерного усиления. В VECSEL, тонкая
полупроводниковая активная область с хорошим теплоотводом подразумевает,
что оптические искажения и изменения профиля луча будут незначительны.
Таким образом, тепловое линзирование в твердотельном лазере, как правило,
обеспечивает оптимальную работу только в узком диапазоне мощности
накачки, где градиент теплоты и результирующая тепловая внутрирезонаторная
линза создают лазерный режим, соответствующий профилю накачки. Однако,
полупроводниковые лазеры типа VECSEL работают эффективно и с высоким
качеством луча в широком диапазоне [17].

4.3 Масштабирование мощности

Одним из самых важных свойств лазеров VECSEL является их

масштабируемость по мощности: эффективные исследовательские и
коммерческие оптически накачиваемые устройства демонстрируются с
40
уровнями мощности в среднем от 10 мВт до 60 Вт, что означает наличие
диапазона почти в четыре порядка, при сохранении хорошего качества луча.
Такая эффективная масштабируемость мощности обеспечивается при помощи
лазерного режима и масштабирования размера пятна накачки на
полупроводниковой лазерной микросхеме VECSEL. Поскольку выходная
мощность полупроводниковых лазеров обычно ограничена теплоотдачей и
повреждениями, вызванными интенсивностью оптического излучения,
увеличение диаметра пучка в VECSEL помогает в обоих случаях, распределяя
тепло и оптическую мощность по большей площади поверхности. Для хорошо
спроектированного теплоотвода с тонким полупроводниковым чипом поток
тепла из активной области лазера в теплоотвод является, по существу,
одномерным. Поэтому увеличение площади пучка по существу эквивалентно
одновременному использованию нескольких элементов генерации без
изменения режима тепловой или оптической интенсивности отдельных
элементов генерации. В этом случае, как мощность выходного лазера, так и
мощность накачки линейно зависят от активной области. VECSEL
эксплуатируются на кристаллах с диаметрами от 30 до 900 мм, которые
масштабируют площадь пучка и потенциальную выходную мощность в 900 раз.
Для такого масштабирования мощности можно использовать одни и те же
полупроводниковые пластины и структуры чипов, регулируя только лазерную
резонаторную оптику и устройство оптической накачки. Оптическая накачка
позволяет простое равномерное возбуждение таких широко масштабируемых
областей генерации. Напротив, при электрической накачке однородная
нагрузка носителей на ширину в сотни микрон чрезвычайно сложна, обычно
оставляя слабонасыщенную область в центре активной области и делая
масштабирование электронакачеваемых устройств очень сложным. Прямая
оптическая связь накачиваемых устройств в микросхеме VECSEL возможна с
относительно простыми компоновками линз; также могут использоваться
многомодовые оптоволоконные источники накачки. Если мощность накачки,
доступная от одного диода накачки, ограничена, можно использовать несколько
41
диодов накачки. Таким образом, сразу несколько пучков накачки будут падать
на один чип VECSEL под разными углами. Когда тепловыделение из одного
полупроводникового чипа становится ограничивающим фактором, дальнейшее
масштабирование оптической мощности возможно за счет размещения
нескольких полупроводниковых чипов усиления в пределах одного лазерного
резонатора VECSEL и последовательного отражения лазерного луча от этих
отражающих вертикальных усилительных микросхем.
Усиление полупроводниковой квантовой ямы g имеет приблизительно
логарифмическую зависимость:

g=g 0 ln ( NN ) ,
0
(13)

где g0 – параметр усиления полупроводникового материала;

N0 – начальная концентрация носителей;
N – концентрация носителей накачки.

Условие порогового лазера VECSEL приводит к тому, что

внутрирезонаторное оптическое поле воспроизводится при круговом движении
внутри резонатора:

R1 R 2 T loss exp ( 2 Γ ζ gth N w L w ) =1, (14)

где R1 и R2 – отражательные способности зеркального резонатора;

Tloss – коэффициент пропускания из-за потерь в резонаторе в
обратном направлении;
gth – пороговый коэффициент усиления материала;
Nw – количество КЯ в усиливающей среде;
Lw – толщина КЯ.

Коэффициент продольного удержания Γζ этой резонансной

периодической структуры усиления характеризует перекрытие между

42
внутрирезонаторной оптической стоячей волной и квантовыми ямами,
расположенными внутри активной области, концентрация носителей N может
быть рассчитана по формуле:

η|¿|P
N= p
τ(N),¿ (15)
h ν p ( N w Lw A p )
где η ¿ ¿ – эффективность поглощения накачки;
||

Pp – мощности накачки падающего излучения;

h ν p – энергия фотона накачки;

Ap – площадь пятна накачки;

τ – время жизни носителя заряда;

Время жизни носителей определяется, как:

1
=A + BN + C N 2 , (16)
τ (N )
где A, B и C – мономолекулярные, бимолекулярные и
Оже-рекомбинационные коэффициенты соответственно.

Из уравнений (13) – (16) выводим выражения для пороговой

концентрации носителей заряда Nth и пороговой мощности накачки Pth:

−1

N th =N 0 (R1 R2 T loss )−(2 Γ g N w Lw )

0
, (17)

h ν (N w Lw A p )
Pt h =N t h . (18)
η|¿|τ(N ) ¿
th

Выходная мощность VECSEL может быть определена из соотношения:

P=( P p−Pth )η diff , (19)

где ηdiff – дифференциальная эффективность лазера.

43
 ηdiff =η out η quant ηrad η|¿|¿, (20)
где ηout – эффективность выхода;
ηquant – эффективность, ограниченная квантовыми дефектами;

ηrad – радиационная эффективность.

ln ⁡( R 2)
ηout = . (21)
ln ⁡(R1 R2 T loss )

λ pump
ηquant = , (22)
λ laser
где λ pump и λ laser– длины волн накачки и излучения лазера
соответственно.

B Nth
ηrad = . (23)
A+ B N th + C N 2th

Таким образом, выходная мощность VECSEL (уравнение 19) зависит от

мощности накачки и пороговой мощности, которая в свою очередь (уравнение
18), линейно зависит от накачки площади пятна излучения; поэтому для более
низких пороговых значений мощности требуются меньшие площади пятен
накачки. Однако тепловое сопротивление между активной областью VECSEL и
теплоотводом увеличивается с уменьшением площади накачки, что приводит к
увеличению температур активной области с соответствующим уменьшением
коэффициента усиления полупроводника и увеличением лазерного порога.
Лазеры VECSEL должны быть спроектированы с учетом целевой выходной
мощности и, следовательно, с приблизительным уровнем накачки и тепловой
нагрузки. Учитывая эти уровни мощности, размер пятна накачки должен быть
сведен к минимуму, таким образом, чтобы тепловой импеданс и повышение
температуры не были слишком высокими; тогда количество квантовых ям
оптимизировано для более низких порогов, а зеркало выходной связи
оптимизировано для максимальной выходной мощности на доступных уровнях
накачки.

44
 Данная модель позволяет описать основные принципы проектирования и
масштабирования VECSEL, такие как требуемое количество квантовых ям,
пороговые уровни накачки и уровни выходной мощности, оптимизация
выходной связи и т.д. Затем эта модель лазерного усиления и мощности должна
быть соединена с тепловыми моделями VECSEL для определения теплового
импеданса устройства и требуемых размеров пятен в режиме накачки,
повышения температуры активной области и расчетных расстояний длины
волны.
Множественные КЯ, необходимые для лазерного усиления, помещаются
в пучности лазерной оптической стоячей волны. Количество квантовых ям на
разных пучностях выбирается так, чтобы производить равномерное
возбуждение КЯ от мощности накачки, которая экспоненциально убывает от
поверхности пластины, из-за поглощения в полупроводнике. Размещение КЯ на
пучностях волны резонансно повышает усиление в структуре, также устраняя
пространственное сжигание дырок (при возрастании плотности светового поток
а, распространяющегося в инвертированной активной среде, происходит
уменьшение коэффициента усиления) лазерной усиливающей среды и
обеспечивает одночастотную работу этих лазеров, как с фильтрацией внутри
резонатора, так и без [17].

5 Этапы создания мощного VECSEL лазера

Полупроводниковое зеркало усиления было выращено методом МПЭ с

активной областью, в которую было включено 10 КЯ GaInAs/GaAs/GaAsP,
выращенных поверх 25,5-парного РБО AlAs/GaAs. Структура усиления была
45
спроектирована как антирезонансная при длине волны 1180 нм. Для
эффективного управления температурой, зеркало усиления было разделено на
микросхемы размером 2,5 мм х 2,5 мм, которые были капиллярно соединены с
клиновидным (2°) внутрирезонаторным теплораспределителем в виде
поликристаллического CVD-алмаза, который, в свою очередь, был прикреплен
к медному креплению с водяным охлаждением и индиевой фольгой. Внешняя
поверхность теплораспределителя была покрыта антиотражающим покрытием
для рассчитанной эмиссии в 1180 нм. Максимальная выходная мощность 23 Вт
при излучаемой длине волны в 1180 нм была получена с 97 % отражающим
выходным устройством.
Как показано на рисунке 13, резонатор VECSEL был сформирован
зеркалом усиления, поворотным зеркалом (75 мм) и плоским торцевым
зеркалом в V-образной конфигурации с первым плечом, имеющим
длину 102 мм, а вторым – 47 мм. На первом плече резонатора помещены
двулучепреломляющий фильтр толщиной 1,5 мм и эталон толщиной 100 мкм
для достижения перестройки длины волны и сужения ширины линии. Для
эффективной генерации второй гармоники рядом с плоским торцевым
зеркалом, где была расположена горловина каустической поверхности, был
вставлен 10-миллиметровый нелинейный кристалл трибората лития NCPM
LBO, который впоследствии был заменен на кристалл CPM LBO из-за
деградации предыдущего в ходе проведения испытаний. Грани кристалла были
плоскими и имели просветляющее покрытие как для основного, так и для
желтого излучения. Согласование фаз достигалось с помощью температурной
настройки кристалла при помощи медной печи.

46
 Рисунок 13 – Схематическое изображение VECSEL

Для измерения работы при высокой мощности была оценена температура

крепления зеркала усиления в диапазоне от 5 до 8 °C. Температуру
кристаллической печи устанавливали равной 38,3 °C, что было оптимально для
длины волны излучения VECSEL, удовлетворяющей условию фазового
синхронизма для эффективного удвоения частоты. График преобразования
мощности, сформированный на основании измеренного выходного сигнала
лазера, показан на рисунке 14а. Измеренный максимум выходной мощности с
удвоенной частотой составляет 20 Вт для поглощаемой мощности накачки
около 75 Вт, что было получено путем вычитания измеренной отраженной
мощности накачки (5,13 % мощности падающего излучения) от падающей
мощности накачки. Температура крепления при максимальной выходной
мощности составляла 8,3 °C, которая измерялась рядом с чипом усиления.
Максимальная эффективность преобразования, составляющая примерно 28 %,
была достигнута при выходной мощности 16 Вт. Спектр излучения VECSEL
был центрирован на 588,1 нм с шириной линии мене 0,2 нм, как показано на
рисунке 14б.

47
 а) зависимость выходной мощности от мощности накачки; б) спектр,
измеренный при максимальной выходной мощности
Рисунок 14 – Выходные характеристики лазера

Кривые мощности измерялись для температур охлаждающей жидкости

температурой 0, 10, 20 и 30 °C, что соответствовало температурам
крепления 4,5–12,8, 13,9–22,1, 22,9–31,2 и 32,2–38,7 °C, соответственно.
Зависимость температуры крепления от поглощенной мощности накачки
представлена на рисунке 15, которая показывает, что тепловая нагрузка,
создаваемая увеличением мощности накачки, привела к увеличению
температуры крепления зеркала усиления.

Рисунок 15 – Изменение температуры крепления в зависимости от мощности

накачки

48
 Результирующая выходная мощность для каждой установленной
температуры в зависимости от поглощенной мощности накачки показана на
рисунке 15, однако максимальная выходная мощность в 20 Вт не была
достигнута, из-за замены кристалла NCPM LBO на CPM LBO. Объяснение
этому может служить то, что NCPM LBO более высокоэффективен, поскольку
менее зависим от явлений пространственного смещения и менее чувствителен к
незначительному смещению лучей. Кроме того, угол приема CPM LBO меньше,
чем угол приема NCPM LBO, что может повлиять на эффективность
преобразования. Наивысшая выходная мощность 14,6 Вт была достигнута для
минимальной температуры крепления, из-за лучшей световой эффективности
полупроводникового материала при низких температурах. Соответственно
выходная мощность снижается для более высоких температур крепления, как
это видно на рисунке 16 [21].

Рисунок 16 – Зависимость выходной мощности от мощности накачки для

различных температур крепления зеркала усиления

49
 Выводы

В ходе выполнения выпускной квалификационной работы был проведён

аналитический обзор литературы. Было продемонстрировано, что выходная
мощность лазеров на VECSEL-структурах зависит от:
– способа накачки;
– способов формирования элементов VECSEL, таких как
теплораспределитель или теплоотвод, активное тело, РБО;
– конструкции резонатора и включенных в него элементов;
– температуры структуры, влияющей на выходные характеристики.
Наиболее мощными являются VECSEL с оптической накачкой, или с
использованием структуры типа SESAM, т.к. их выходная мощность может
варьироваться от 10 мВт до 60 Вт, а в лазерах с электрической накачкой от
1 мВт до 5 Вт из-за оптических потерь и неравномерности накачки.
Размер структуры EP-VECSEL обычно менее 500 мкм, а размеры OP-
VECSEL или SESAM могут достигать 100 мм.
Максимальная эффективность преобразования мощности для OP-
VECSEL и SESAM может достигать 30 %, в то время как для EP-VECSEL этот
показатель может достигать 20 %.

50
 Список использованных источников

1 Iga K., Koyama F., Kinoshita S. Surface emitting semiconductor lasers //

IEEE Journal Quantum Electron. – 1988. – №. 24. – С. 1845.
2 Iga K. Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser: Its Conception and
Evolution // Japanese Journal of Applied Physics. – 2008. – Т. 47. – № 1. – С. 1–10.
3 Guina M., Rantamäki A., Härkönen A. Optically pumped VECSELs: review
of technology and progress // Journal of Physics D: Applied Physics. – 2017. – Т. 50.
– № 37.
4 Schuocker D., Schuocker G. Advanced Laser Materials Processing – OMICS
Group International, 2016.
5 Bachmann F., Loosen P., Poprawe R. High Power Diode Lasers: Technology
and Applications – Berlin: Springer, 2007.
6 Sumpf B., Hasler K-H., Adamiec P., Bugge F., Dittmar F., Fricke J., Wenzel
H., Zorn M., Erbert G., Trankle G. High-brightness quantum well tapered lasers //
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. – 2009. – № 15. –
С. 1009–1020.
7 Iga K. Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) // Proceedings of the
IEEE. – 2013. – № 101. – С. 2229–2233.
8 Ranta S., Hakkarainen T., Tavast M., Lindfors J., Leinonen T., Guina M.
Strain compensated 1120 nm GaInAs/GaAs vertical external-cavity surface-emitting
laser grown by molecular beam epitaxy // Journal of Crystal Growth. – 2011. –
№. 335. – С. 4–9.
9 Tropper A.C., Foreman H.D., Garnache A., Wilcox K.G., Hoogland S.H.
Vertical-external-cavity semiconductor lasers // Journal of Physics D: Applied
Physics. – 2004. – №. 37. – С. 75–85.
10 Kellera U., Tropper A.C. Passively modelocked surface-emitting
semiconductor lasers // Physics Reports. – 2006. – Т. 67. – № 120.

51
 11 Kreuter P., Witzigmann B., Maas D.J., Barbarin Y., Südmeyer T., Keller U.
On the design of electrically-pumped vertical-external-cavity surface-emitting
lasers // Applied Physics B: Lasers & Optics. – 2008. – № 91. – C. 257–264.
12 Barbarin Y., Hoffmann M., Pallmann W.P., Dahhan I., Kreuter P., Miller
M., Baier J., Moench H., Golling M., Südmeyer T., Witzigmann B., Keller U.
Electrically pumped vertical external cavity surface emitting lasers suitable for
passive modelocking // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics.
– 2011. – Т. 17., – № 6. – С. 1779–1786.
13 Pallmann W.P., Zaugg C.A., Mangold M., Wittwer V.J., Moench H.,
Gronenborn S., Miller M., Tilma B.W., Südmeyer T., Keller U. Gain characterization
and passive modelocking of electrically pumped VECSELs // Optics Express. – 2012.
– Т. 20. – № 22.
14 Zhao P., Xu B., van Leeuwen R., Chen T., Watkins L., Zhou D., Gao P., Xu
G., Wang Q., Ghosh C. Compact 4.7 W, 18.3% wall-plug efficiency green laser
based on an electrically pumped VECSEL using intracavity frequency doubling //
Optics Letters. – 2014. – T. 39. – № 16. – C. 4766–4768.
15 Garnache A., Ouvrard A., Romanini D. Single-Frequency operation of
External-Cavity VCSELs: Non-linear multimode temporal dynamics and quantum
limit // Optics Express. – 2007. – Т. 15. – № 15. – С. 9403–9417.
16 Giet S., Lee C.L., Calvez S., Dawson M.D., Destouches N., Pommier J.C.,
Parriaux O. Stabilization of a Semiconductor Disk Laser using an intra-cavity High
Reflectivity Grating // Optics Express – 2007. – Т. 15. – № 25. – С. 16520–16526.
17 Kuznetsov M. VECSEL Semiconductor Lasers: A Path to High-Power,
Quality Beam and UV to IR Wavelength by Design // Semiconductor Disk Lasers.
Physics and Technology. – WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA,
Weinheim, 2010.
18 Kaspar S., Rattunde M., Töpper T., Moser R., Adler S., Manz C., Kohler K.,
Wagner J. Recent advances in 2 μm GaSb-based semiconductor disk laser—power
scaling, narrow-linewidth and short-pulse operation // IEEE Journal of Selected
Topics in Quantum Electronics. – 2013. – № 19. – С. 10–5.
52
 19 Moloney J.V., Hader J., Wang T.L., Yi Ying, Kaneda Y., Yarborough J.M.,
Rotter T.J., Balakrishnan G., Hains C., Koch S.W., Stolz W., Kunert B., Bedford R.
Power scaling of CW and pulsed IR and mid-IR OPSLs // Proceedings of SPIE.
– 2011. – № 7919.
20 Chilla J., Shu Q.Z., Zhou H., Weiss E., Reed M., Spinelli L. Recent
advances in optically pumped semiconductor lasers // Proceedings of SPIE. – 2007. –
№ 6451.
21 Kantola E., Leinonen T., Ranta S., Tavast M., Guina M. High-
efficiency 20 W yellow VECSEL // OPTICS EXPRESS. – 2014. – Т. 22. – № 6.

53