Ориентировочный план работ:

1 Аналитический обзор литературы

1.6 Влияние методов выращивания, кристаллографической ориентации и методов
обработки исходного кристалла на эл.физ. параметры ФД
1.2 Поверхностный заряд и его влияние на эл.физ. свойства
1.3 Эл.физ. явления на границах p-n переходов (на периферии ФЧП в частности)
1.4 Методы получения диэлектрических покрытий на InSb
1.4.1 Диэлектрические пленки, получаемые с помощью анодирования
1.4.2 Напыляемые оксидные диэлектрические пленки (SiO2 и др.)
1.4.3 Другие варианты диэлектриков, преимущества и недостатки
1.5 Имплантационные p-n переходы на InSb (AIIIBV, Si)
1.5.1 Влияние ИИ на структуру InSb, дефекты в кристалле, создаваемые ИИ
1.5.2 Влияние ИИ на диэлектрические покрытия
2 Экспериментальная часть
2.1 Изготовление и оценка параметров ФД при использовании пластин InSb, выращенных
в кристаллографических направлениях (211) и (100)
2.2 Создание отличных от базовой диэлектрических покрытий
2.2.1 Подбор подходящих режимов создания диэлектриков
2.2.2 Создание новых вариантов диэлектрических покрытий, измерение параметров и
оценка результатов
2.3 Создание экранирующей области на поверхности p-n переходов (ИИ после создания p-
n перехода, после АО, после напыления SiO)
2.3.1 Моделирование процесса имплантации, выбор необходимой глубины проникновения
ионов
2.3.2 (по возможности) Оценка эффекта дальнодействия при ИИ
2.3.3 Проведение ИИ, измерение параметров и оценка результатов
3 Анализ используемой и экспериментальных структур
3.1 Изучение ловушечных центров на границе полупроводник-диэлектрик методом Оже-
спектрометрии
3.2 Изучение ловушечных центров на границе полупроводник-диэлектрик методом DLTS

1
Состояние эксперимента 2.1 на данный момент:

Пластины InSb, выращенные в кристаллографических направлениях (211) и (100) в

большом количестве запускались в производство:
(100) – «маленький» слиток марки (ИСЭ 2-В?) d = 45 (?) мм имел номер сертификата по
сопроводительному листу 3005
(211) – «большой» слиток марки (ИСЭ 2-В?) d = 60 (?) мм имел номер сертификата по
сопроводительному листу 258, часть этих пластин носили литеру «Б» в названии партии;
для помещения в приспособление для резки подвергался шлифовке с двух сторон

В таблице приведены все (или практически все) запущенные партии, положение партий в
технологическом цикле и результаты замеров ВАХ порезанных кристаллов приведены в
таблице 1. Для «Камеи» приведены результаты по количеству годных кристаллов после 2
замера, в то время как для остальных тем – результат тестового замера (годная/негодная)
партии

Таблица 1 – результаты запущенных партий

сертификат слитка №3005 сертификат слитка №258

Лезвие (все запускались раздельно)
369 – 1 из 3 партий годная (по R), 2 не порезаны 356 – 4 партии годные (1,5÷3 В)
371 – на резке 357 – 2 из 3 партии годные (1÷1,5 В)
373 – напыление Cr-Au Б2 – 4 партии годные (2÷2,5 В)
370 – III AO 359 – 1 из 3 партий годная (1,5 В), 2 не порезаны
393, 374, 394 – легирование 350 – 2 из 3 партии годные (2÷3 В)
375, 372 – на запуск 351 – 1 брак, 3 партии не порезаны
352, Б1, Б6 – на резке
Б7 – ПХТ
353, 355 – III AO
Б5 – легирование
Вега
376 – ПХТ
365 запускались парно 309
3 из 4 партии годные (2,5÷3 В) 3 из 4 партии годные (2,5÷3 В)
сертификат слитка №3005 сертификат слитка №258*
Маяк
386 – III AO
389, 390, 388 – легирование
392 – на запуск
Адаптация (все запускались попарно)
318 – 2 из 2 партии годные (1,2 В) 318№ серт. 473 – 2 из 2 на резке
366 – 2 из 2 КЗ 363 – данные не найдены (возможны отслоения)
2
 387 – напыление Cr-Au 387 – напыление Cr-Au
Камея
381 – 9 (или 10) годных линеек Б8 – 4 порезаны, 15 годных линеек
377 – разбита вся Б9 – 1 порезана, отслоения Cr-Au
362 – 2 порезаны, 1 годная линейка
361 – 2 порезаны, 1 годная линейка
366 – данные не найдены запускались парно 363 – данные не найдены
382 – 2 порез., 3 годн. линейки запускались парно 364 – 2 порез., 3 годн. линейки
391 – напыление Cr-Au запускались парно 391№ серт. 512 – напыление Cr-Au
399 – напыление Cr-Au запускались парно 399№ серт. 512 – напыление Cr-Au
* – для некоторых запусков использовались пластины из других слитков (номера
сертификатов указаны около номера партии надстрочным шрифтом)

Состояние эксперимента 2.2 на данный момент:

На 4 пластинах InSb были выращены различные анодные окислы (Na2S ГС, Na2S КГС, ПА
ГС, ПА КГС), после чего были напылены контакты Cr-Au. На этих МДП-структурах были
измерены ВФХ (подробнее в отчете). Далее на образцы были последовательно напылены
SiOx и контакты Cr-Au со смещением для получения МДП-структуры InSb/двуслойный
диэлектрик/Cr-Au. Таким образом, структуры ожидают продолжения измерений.

Состояние эксперимента 2.3 на данный момент:

Для дополнительного легирования были отданы следующие образцы:

I – 6 ф/л и доп. легирование выполняется до III АО (N2+, 60 кэВ, 100 мкКл)
II – 6 ф/л и доп. легирование выполняется после III АО (N2+, 60 кэВ, 100 мкКл)
Однако, образцы, имеющие III АО и III АО + SiOx , обладают неоднородным покрытием –
возможно, придется подбирать новые пластины, если обнаружится оползание.