CORRECTION OF THE PARAMETERS OF TRANSISTOR SPICE-MODELS

USING ULTRA-SHORT PULSE METER OF CURRENT-VOLTAGE

AND CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS
Semyonov E.V.
Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics
40, Lenin Ave., Tomsk, 634050, Russian Federation
e-mail: edwardsemyonov@narod.ru

Abstract — It is shown that the quality of simulation of baseband pulse amplifying by bipolar transistors is considerably im-
proved if we perform the corrections of the parameters of their models using method of ultra-short pulse current-voltage and capaci-
tance-voltage characteristics.

КОРРЕКЦИЯ ПАРАМЕТРОВ SPICE-МОДЕЛЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ

С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СВЕРХКОРОТКОИМПУЛЬСНОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ
ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ И ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
Семенов Э. В.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
пр. Ленина, 40, Томск, 634050, Россия
e-mail: edwardsemyonov@narod.ru

Аннотация — Показано, что качество моделирования усиления видеоимпульсных сигналов биполярными транзисто-
рами существенно улучшается, если параметры моделей используемых транзисторов предварительно откорректировать с
применением сверхкороткоимпульсного метода измерения вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик.

I. Введение ВАХ (в том числе и (1)) в соответствии с [1] опре-

деляется по формуле:
В [1] изложен метод, позволяющий измерить
вольт-амперную (ВАХ) и вольт-фарадную (ВФХ) ха- i r (u ) u f′ (u ) − i f (u ) u r′ (u )
i CE (u ) = ,
рактеристики элемента посредством воздействия на u f′ (u ) − u r′ (u )
него видеоимпульсом с длительностью, меньшей
длительности переходных процессов в элементе. где ir и if — общий ток эмиттера (включающий емкост-
Цель настоящей работы — рассмотреть исполь- ную составляющую), измеренный на фронте и спаде
зование метода [1] и соответствующего программно- тестового видеоимпульса соответственно; u′r и u′f —
аппаратного комплекса для коррекции параметров производная напряжения база-эмиттер на фронте и
SPICE-моделей биполярных транзисторов, позволя- спаде видеоимпульса. После того, как измерена ВАХ
ющей повысить качество моделирования усиления iCE(u), из (1) отыскиваются ток насыщения IS и коэф-
сверхширокополосных сигналов. фициент неидеальности NF, обеспечивающие мини-
мум невязки левой и правой частей этого уравнения.
ll. Методика коррекции параметров
моделей транзисторов с применением
сверхкороткоимпульсных измерений
ВАХ и ВФХ
Предыдущие исследования показывают [2], что от
формы воздействующего на p-n-переход импульса за-
висит главным образом диффузионная емкость пере-
хода. Поэтому логично предположить, что для коррек-
ции параметров модели биполярного транзистора до-
статочно измерить сверхкороткоимпульсные ВАХ и
ВФХ открытого в рабочем режиме перехода (перехода Рис. 1. Функциональная схема тестовой цепи.
база-эмиттер). При этом экстракцию соответствующих Fig. 1. The circuit diagram of a test network
параметров проще осуществить при нулевом напря-
ВФХ перехода база-эмиттер CBE(u) отыскивается
жении база-коллектор (соответствующие выводы за-
по формуле
мыкаются накоротко). В данном случае управляемые
напряжением источники тока от базы к эмиттеру iBE(u) i (u ) − i f (u )
CBE (u ) = r ,
и от коллектора к эмиттеру iCE(u, U) в известной моде- u r′ (u ) − u f′ (u )
ли Гуммеля-Пуна оказываются включенными парал- после чего из аппроксимации ВФХ
лельно. Здесь u и U — напряжения база-эмиттер и ба- −MJE
за-коллектор соответственно. Так как iCE >> iBE, то в та-  u  q  qu 
CBE (u ) = CJE1 −  + TF ⋅ IS exp  (2)
ком включении измеряется фактически iCE. Учитывая,  VJE  NFkT  NFkT 
что U = 0 из модели Гуммеля-Пуна имеем
определяются параметры CJE, MJE, TF. Контактная
  qu  
i CE (u ) = IS exp  − 1 . (1) разность потенциалов VJE считается предопреде-
  NFkT   ленным параметром.
2013 23rd Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo’2013). 9—13 September, Sevastopol, Crimea, Ukraine
 2013: CriMiCo’2013 Organizing Committee; CrSTC. ISBN: 978-966-335-395-1. IEEE Catalog Number: CFP13788 129
 III. Сравнение исходных и
скорректированных ВАХ и ВФХ
В соответствии с изложенной методикой были из-
мерены сверхкороткоимпульсные ВАХ (рис. 2, a, квад-
раты, 2) и ВФХ (рис. 2, b) транзистора 2N6488G с при-
менением программы UWB-CAP [3—4] и аппаратного
комплекса, выполненного на платформе PXI [5].
Рис. 2. Входные ВАХ (a) и ВФХ (b) транзистора
2N6488G: рассчитанные по представленным
производителем параметрам (кривые 1);
сверхкороткоимпульсные (кривые 2 — измеренные,
3 — аппроксимация по формулам (1) и (2)).
Fig. 2. Input IV- (a) and CV-characteristics (b) of 2N6488G:
calculated using the manufacturer’s parameters
(curves 1); measured with ultra-short pulse
(curvers 2 are measurements, curves 3 are approximation
with formulas (1) and (2))
Кривыми 3 на этих рисунках представлены аппрок-
симации измеренных ВАХ и ВФХ посредством формул
(1) и (2). В табл. 1 представлены параметры транзи-
стора, экстрагированные по этим характеристикам
(третья строка). Для сравнения на рис. 2 кривыми 1 и в
табл. 1 (вторая строка) представлены исходные харак-
теристики и параметры модели, определенные по [6].
Табл. 1. Основные откорректированные
параметры транзистора
Table 1. Basic corrected parameters of the transistor
Parameters IS, nA NF CJE, pF MJE TF, ns
Manufacturer’s 0.0843 0.85 602 0.405 0.4
parameters
Ultra-short pulse 1770 2.62 457 0.068 −7.9
parameters
На рис. 3 приведены результаты моделирования
усиления транзистором видеоимпульса (тестовая цепь
представлена на рис. 1) с использованием исходных
(кривые 1) и сверхкороткоимпульсных параметров
(кривые 2). Рис. 3, a представляет напряжение на
эмиттере, а рис. 3, б — на коллекторе. Кривыми 3 при-
ведены результаты экспериментальных измерений.
IV. Заключение
Из рис. 3 видно, что результаты моделирования
усиления транзистором видеоимпульсного сигнала
значительно лучше совпадают с результатами экс-
периментальных измерений при использовании па-
раметров, определенных по сверхкороткоимпульс-
ным ВАХ и ВФХ. Основной причиной отличия этих
ВАХ и ВФХ от представленных производителем яв-
2013 23rd Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology” (CriMiCo’2013). 9—13 September, Sevastopol, Crimea, Ukraine
130  2013: CriMiCo’2013 Organizing Committee; CrSTC. ISBN: 978-966-335-395-1. IEEE Catalog Number: CFP13788
ляется то, что при открывании p-n-перехода перенос
носителей заряда через него происходит за конечное
время. В результате для коротких открывающих пе-
реход импульсов токи, характеризуемые как ВАХ, так
и ВФХ, оказываются значительно меньше тех, кото-
рые предсказываются ВАХ и ВФХ, измеренными на
квазистационарных сигналах.
Рис. 3. Импульсы напряжения на эмиттере (a) и
коллекторе (b) транзистора 2N6488G:
моделирование по представленным производителем
параметрам (кривые 1); моделирование
по параметрам, экстрагированным из
сверхкороткоимпульсных ВАХ и ВФХ (кривые 2);
измеренные (кривые 3).
Fig. 3. Emitter (a) and collector (b) voltage pulses of
the 2N6488G transistor: simulation with the manufacturer’s
parameters (curves 1); simulation with parameters
extracted from ultra-short pulse IV- and CV-
characteristics (curves 2);
experimentally measured (curves 3)
V. References
[1] Semyonov E.V. The method of ultra-short pulse current-
voltage and capacity-voltage characterization. 21st Int. Cri-
mean Conf. “Microwave & Telecommunication Technology”
(CriMiCo’2011). Sevastopol, 2011, pp. 873-874.
[2] Semyonov E.V., Bibikov T.H., Maljutin N.D., Pavlov A.P.
Nonlinearity modeling of the baseband signal transformation
by semiconductor diode. Proceedings of Tomsk state uni-
versity of control systems and radioelectronics, 2010, vol. 1,
No 2, pp. 171-174. Available at: http://www.tusur.ru/filearchive/
reports-magazine/2010-2-1/171.pdf (accessed 08 May 2013).
[3] Semyonov E.V. UWB-CAP — UWB Characterization and
Analysis Program. Available at:
http://www.edwardsemyonov.narod.ru/
nonlinearity/uwb-cap_en.html (accessed 08 May 2013).
[4] Semyonov E.V. Ultra-short pulse meter of current-voltage
and capacitance-voltage characteristics for NI LabVIEW.
22nd Int. Crimean Conf. “Microwave & Telecommunication
Technology” (CriMiCo’2012). Sevastopol, 2012, pp. 857-858.
[5] Semyonov E.V. Programmno-apparatnyj kompleks dlja
sverhkorotkoimpul'snoj harakterizacii poluprovodnikovyh
elementov [Hardware and software complex for ultra-short
pulse characterization of semiconductor elements]. ХI
mezhdunarodnaja nauchno-prakticheskaja konferencija “In-
zhenernye i nauchnye prilozhenija na baze tehnologij Na-
tional Instruments’2012”, Moscow, 2012, pp. 10-12. Availa-
ble at: http://www.labview.ru/
conference/sbornik_2012.pdf (accessed 08 May 2013).
[6] SPICE-model parameters of the 2N6488 transistor. Available
at: http://www.onsemi.ru.com/pub_link/Collateral/2N6488.LIB
(accessed 08 May 2013).