Flip chip

Flip chip (монтаж методом перевёрнутого чипа) — это

метод корпусирования интегральных схем, при котором кристалл
микросхемы устанавливается на выводы, выполненные непосредственно на
его контактных площадках, которые расположены по всей поверхности
кристалла микросхемы.
Бамп(bump)— контактная площадка, вынесенная на поверхность
кристалла микросхемы.
Ячейка ввода-вывода— элемент интегральной схемы, осуществляющий
передачу входных(выходных) сигналов к схеме и от неё.

Часть кристалла с бампами, размещенными по всей площади

Каждая ячейка ввода-вывода соединяется с контактной площадкой
(бампом), которые соединяются с внешними выводами корпуса микросхемы.
Ячейки ввода-вывода делятся на сигнальные, которые используются для
передачи цифровых сигналов, и ячейки земли/питания. При использовании
технологии flip chip сеть питания кристалла подключается непосредственно к
бампам. Поэтому ячейки земли/питания ввода-вывода обеспечивают землю и
питание исключительно для сигнальных ячеек. Для того, чтобы осуществить
монтаж кристалла по технологии flip chip, необходимо разместить бампы по
всей площади кристалла. Бампы делятся на сигнальные, бампы
земли/питания ядра микросхемы и бампы земли/питания ячеек ввода-вывода.
Сигнальные бампы и бампы земли/питания ячеек ввода-вывода
подключаются к соответствующим ячейкам ввода-вывода по кратчайшему
пути в самых верхних слоях металлизации. Бампы земли/питания ядра
подключаются к сети питания кристалла. Общее количество бампов
ограничено корпусом микросхемы и возможностями трассировки на этапе
корпусирования. Количество сигнальных бампов равно количеству
сигнальных ячеек ввода-вывода. Оставшиеся отводятся под питание.
Технология flip chip позволяет размещать ячейки ввода-вывода не только по
периметру кристалла, но и внутри него.

Wire bonding

Распайка выводов(англ. Wire bonding)— метод осуществления

электрического межсоединения проводниками остова устройства (внешних
выводов,платы,корпуса) и чипа кристалла, обеспечивающие механический и
электрический контакты. Один из вариантов корпусирования интегральных
схем. Для крепления проводников применяется лазерная, ультразвуковая
сварка.
 Ось проволоки при разварке может быть ориентирована параллельно –
это разварка типа «клин» (англ. wedge bond), или перпендикулярно – это
разварка типа «шарик» (англ. ball bond). У петли чаще всего две точки
контакта, поэтому по типу сварочных точек методы разварки делятся на
«шарик-клин» и «клин-клин». Наиболее распространены ультразвуковая
сварка алюминиевой проволокой типа «клин-клин» и термозвуковая сварка
золотой/медной проволокой типа «шарик-клин». В последнем случае для
формирования шарика используется оплавление кончика проволоки
искровым разрядом, что только добавляет эпичности и красоты в процесс
разварки. Для силовых приборов используются алюминиевые и золотые
ленты (видео с шикарным звуковым сопровождением).
 Ключевыми параметрами при ультразвуковой/термозвуковой разварке
являются усилие сварки, мощность и продолжительность ультразвукового
импульса. Их сочетание для заданной установки разварки, конкретной
проволоки (диаметр, жесткость), конкретного разварочного инструмента,
конкретных параметрах контактной площадки (размер, материал) должно
обеспечивать повторяемость процесса разварки с гарантируемыми
параметрами надёжности соединения. Напрямую контролируемыми
параметрами являются внешний вид, усилие на отрыв (англ. pull test) и
усилие на сдвиг (англ. shear test) (рис. 4), косвенно – сбои при
термоциклировании и других испытаниях в составе изделия.