Влияние фотохимического поверхностного легирования

серой на спектры фототока p-n-переходов на основе арсенида

галлия

Цибузгин В.О., Маслеева Н.В.

Одесский Национальный Университет им.И.И.Мечникова, Одесса,
Украина, vtsibuzgin@onu.edu.ua.

Фотохимическое поверхностное легирование (ФПЛ) серой улучшает

характеристики полупроводников группы и приборов на их
основе. В частности, наблюдалось уменьшение прямых и обратных токов
диодов, увеличение коэффициентов усиления биполярных транзисторов,
уменьшение порога генерации гетеролазеров.
В ходе работы были исследованы промышленные диоды на основе
. Структура такого диода приведена на рис.1.

Рис. 1. Схематическое изображение

структуры p-n-переходов на основе
Подложкой был n-типа, легированный теллуром. На
подложку при высоких температурах эпитаксиально наращивался слой
, легированный теллуром и кремнием до больших
концентраций доноров (приблизительно до ). При
высоких температурах кремний замещает в решётке галлий и выступает в
роли донора (так выращена область ), при низких он замещает в
решётке мышьяк и выступает в роли акцептора (область p). Это приводит
к созданию p-n-перехода.
На рис. 2 приведен спектр фототока p-n-перехода на
основе до (1) и после (2) ФПЛ серой. Первая кривая имеет
область возрастания фототока при увеличении энергии квантов от 1,26 до
1,4 эВ. Это связано с поглощением света в той области спектра, где
энергия кванта приближается к величине ширины запрещённой
зоны арсенида галлия. Отсутствие резкого возрастания
фоточувствительности в этой области энергий объясняется наличием
ненулевой плотности состояний при .

Рис. 2. Спектр фототока p-n-перехода на основе до (1) и после (2)

ФПЛ серой, приведенный к спектру германиевого диода
Как видно из рис. 2, максимум спектральной чувствительности
исследованных диодов до и после обработки приходится на энергию
. После ФПЛ серой фоточувствительность
обработанных p-n-структур вблизи максимума спектра существенно
возрастает. Это можно объяснить удалением слоя естественных оксидов с
поверхности обработанных диодов [1]. При этом плотность
поверхностных состояний существенно уменьшается, что и приводит к
возрастанию .
На рис. 3 приведен спектр фототока p-n-перехода в
ультрафиолетовой области, полученный после ФПЛ серой. До обработки в
этой области спектра фоточувствительность отсутствовала:
. После обработки в этой области спектра появился максимум при энергии
. Появление этого максимума можно связать с образованием на
поверхности одного из соединений галлия с серой, а именно,
и (или) мышьяка с серой
.
 Рис. 3. Спектр фототока p-n-перехода на основе после ФПЛ серой,
приведенный к спектру германиевого диода
Согласно литературным данным основными соединениями на
поверхности после ФПЛ серой является [2],
а также чистый [2]. Поскольку максимум данного спектра фототока
находится при энергии, равной , то можно допустить, что
основным соединением на поверхности является наиболее вероятно
наноразмерный , ширина запрещённой зоны которого при
комнатной температуре равна .
Выводы:
1. ФПЛ серой длительностью 30 с приводит к повышению
фоточувствительности p-n-переходов на основе в
инфракрасной области спектра.
2. Появление нового максимума на спектре фототока в
ультрафиолетовой области при свидетельствует о
том, что на поверхности обработанных диодов появляется
наноразмерный слой .
Литература
1. Лебедев М.В. Модификация атомной и электронной структуры
поверхности полупроводников на границе с растворами
электролитов / Лебедев М.В. // ФТП. - 2020. - Т. 54, вып. 7. – С. 587-
630.
2. Матвеєва Л.О., Колядіна О.Ю., Матіюк І.М., Міщук О.М.
Структурна досконалість і електронні параметри сульфідованої
поверхні арсеніду галію / Матвеєва Л.О. // Фізика і хімія твердого
тіла. - 2006. - Т. 7, вип. 3. - С. 461-467.