Лабораторная работа № 10

Тема: определение чувствительности селенового фотоэлемента.

Цель: научиться применять селеновый фотоэлемент для измерения освещенности
и определять чувствительность прибора.
Приборы и принадлежности:
селеновый фотоэлемент 1 шт. стабилизатор напряжения 1 шт.
электролампа 1 шт. люксметр 1 шт.
миллиамперметр 1 шт.
Выполнение работы:
1. Откройте фотоэлемент люксометра и, не включая лампу на установке, определить
освещенность, создаваемую общим освещением в кабинете: Е0 = 1183 (Лк)
2. Включите лампочку и расположите фотоэлемент люксометра на таком расстоянии от
лампочки, чтобы стрелка отклонялась более чем на половину шкалы.
Измерьте люксометром освещенность на поверхности фотоэлемента: Е1 = 1486 Лк
3. Найдите освещенность, создаваемую только лампочкой: Е = Е1 – Е0 = 1486-1183= 303Лк
4. Начертите схему соединения:

5. Поддерживая постоянное напряжение лампочки в течение всего опыта, измерьте расстояние

от лампочки до фотоэлемента: R = 11см=0.11м R2=18см=0.18м; R3=25см=0.25м
6. Отметьте величины фототока по микроамперметру: i1 =100 мА i2 = 80мА i3 = 30мА
i0 = 10 мА
7. Вычислить величину фототока, даваемого только лампочкой: i1=i1- i0=100–10=90 мкА;
i2 = 80 – 10 = 70 мкА; i3 = 30 – 10 = 20 мкА
8. Вычислить освещенность, создаваемую только лампочкой, для каждого расстояния:
𝑰 90 70 20
E1 = = = 7438 Лк; E2 = = 2160 Лк; E3 = = 320 Лк
𝑹𝟐 0,0121 0,0324 0,0625
9. Измерения занести в таблицу 1:
Таблица 1. Результаты измерений:
№ Сила Расстояни Освещенност Фототок, мкА
п\ света е R, м ь Е, Лк i1 i0 i= i1- i0
лампочки
п
I,кд
1 100 0,11 7438 100 10 90
2 80 0,18 2160 80 10 70
3 30 0,25 320 30 10 20

02.02.112910.025. Ф ЛР
Изм. Лист № Документа Подпись Дата
Разработал Рябухин Егор Лит. Лист Листов
Руковод. Гордеева А.Е.
определение 1 4
чувствительности
селенового фотоэлемента БИК.гр.21 БТС
 10. Постройте график по данным:

140
120

100

80
60

40
20

2000 4000 6000 8000

𝟐
11. Вычислите площадь фотоэлемента, измерив его диаметр: S = 𝝅𝒅 = 𝟑,𝟏𝟒∗𝟎,𝟎𝟐𝟓𝟔 = 0,02 (м^2)
𝟒 𝟒
12. Определите чувствительность фотоэлемента по формуле:
𝒊
𝒊
к= = = 𝟏𝟎𝟎
= 0,67 (мкА)
Ф 𝑬∙𝑺 𝟕𝟒𝟑𝟖∗𝟎,𝟎𝟐

Вывод: в ходе данной лр я научился применять селеновый фотоэлемент для измерения

освещенности и определять чувствительность прибора. В процессе выполнения ЛР я провёл
прямые (Eлюксометр, R, I, d) и косвенные (i, E, S, K) вычисления. А также выявил
закономерность: Освещённость зависит от расстояния до источника.

Ответы на вопросы:
1. При контакте металла и полупроводника произойдёт диффузия электронов из
полупроводника в металл через границу контакта и приконтактный участок полупроводника,
вследствие убыли электронов зарядится положительно по отношению к металлу, то есть
возникнет контактная разность потенциалов.
2. Световая характеристика приемника света – это зависимость величины фототока от
освещенности

Рябухин Егор Лист

Гордеева А.Е. 21 БТС
Изм. Лист № докум. Подп Дата 2
ись
 3. В случае, если внутреннее сопротивление фотоэлемента меньше внешнего
сопротивления, ток, протекающий во внешней цепи, можно считать непропорциональным
освещенности т. е. полагать, что характеристика не линейна.
4. Наиболее полно изучены и применяются в полупроводниковой технике германий и
кремний — кристаллические вещества с решеткой типа алмаза. При высоких температурах
кремний и германий активно взаимодействуют с другими металлами, образуя силициды,
германиды. Атомы германия и кремния могут замещать друг друга в кристаллической решетке,
образуя непрерывный ряд твердых растворов.

5. Если напряжение прикладывается к полупроводниковому диоду в противоположном

направлении, ток не будет проходить по нему. Причина заключается в том, что отверстия
привлекаются отрицательным потенциалом, который находится в области р-типа.
6. Когда обратное напряжение диода достигает определенного критического значения,
ток диода начинает резко возрастать. Это явление называют пробоем диода.
7. Электроны находятся в зоне проводимости, а недостающие дырки находятся в
валентной зоне полупроводника. Эффективная масса электронов в зоне проводимости обычно
меньше эффективной массы дырок в валентной зоне. Это одна из причин того, что в
полупроводнике подвижность электронов обычно больше, чем подвижность дырок.
8. Дырочная проводимость возникает в полупроводниках с примесью, валентность
которой на единицу меньше валентности основных атомов. Примесные полупроводники с
такой проводимостью называются дырочными.
9. Проявление собственной электропроводности зависит от ширины запрещенной зоны:
чем она шире, тем при большей температуре это происходит.
10. Дано: Решение:
ρ=0.43 Ом·м γ=e(pμp+nμn)
Т=300 К p=n=ni
1
μn=0.39 м2/(В·с) γi= = nie(μp+μn) =>
ρiм^2
1 1
μp=0.19 м2/(В·с) ni= = =2,5*10^19(м^-3)
ρie(μp+μn) 0,43∗1,602∗10^−19(0,19+0,39)
е=1.602·10-19Кл

n-?p-?

Ответ: ni = 2,5*10^19(м^-3)

Рябухин Егор Лист

Гордеева А.Е. 21 БТС
Изм. Лист № докум. Подпись Дата 3
 13. Дано: Решение:
μn=0.39 м2/(В·с) nn·pn=ni2
N
μp=0.19 м2/(В·с) NД=
NGe
ni2 ni2·NGe
Т=300 К pn = => pn =
NД N
4,4·10^28
N=4,4·1028 м-3 nn= =2.2·10^22(м^-3)
2·10^6
NGe=2·10^6
(2,5·10^19)2·2·10^6
k=1,38·10^-23 pn= =2,84·10^16(м^-3)
4.4·10^28
1
pn - ? nn - ? ρn=
NД·e ·μn
1
ρn - ? Dn - ? ρn= =7,3*10^-4 (Ом·м)
2,2∗10 ∗1,602∗10 −19 ∗0,39
22
kTμn 1,38·10 −23 ∗300∗0,39
Dp - ? Dn = = = 10·10^-3(м^2/с)
e 1,602∗10−19
−23
kTμp 1,38·10 ∗300∗0,19
Dp= e = 1,602∗10−19 = 4,9·10-3(м^2/с)

Ответ: nn=2.2·10^22(м^-3); pn=2,84·10^16(м^-3); ρn=7,3*10^-4 (Ом·м); Dn= 10·10^-3(м^2/с);

Dp=4.9·10-3(м^2/с).

Рябухин Егор Лист

Гордеева А.Е. 21 БТС
4