Лекция 2

Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

1) Одномерная потенциальная ступенька

0, x  0
U x    (1)
U 0 , x  0
U0=const – высота потенциальной ступени, Дж.

Поскольку высота ступеньки постоянна,

запишем стационарное уравнение Шредингера: Рис.1. Потенциальная ступенька
h2
    U x   E   0 (2)
8m 2

h – постоянная Планка, 6,63*10-34 Дж/с;

m – масса частицы, кг;
E – полная энергия частицы, Дж
Предположим, что источник заряженных частиц расположен при х=-∞ , а движение частиц
происходит слева направо. Тогда в области пространства x<0 решение уравнения (1) примет вид:
( ) ()
1 x   A1 exp iK1 x   B1 exp  iK1 x   1  1 (3)

8m 2 E
K1  (4)
2
h

1() , 1() - падающая и отраженная волны в области x<0;

A1, B1 - амплитуды падающей и отраженной волн в области x<0.
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

В области пространства x>0 уравнение (1) примет вид:

h2
 2//  U 0  E 2  0 (5)
8m 2

Запишем решение уравнения (5) при E>U0:

2 x   A2 exp iK 2 x   B2 exp  iK 2 x   2()  2() (6)

8m 2 E  U 0 
K2  0 (7)
2
h
2() , 2() - падающая и отраженная волны в области x>0;
A2 , B2 - амплитуды падающей и отраженной волн в области x>0.

Предположим, что в области x>0 нет источников обратного рассеяния заряженных

частиц. Тогда амплитуда отраженной волны B2=0 и формула (6) упроститься:

2 x   A2 exp  iK 2 x   2() (8)

Запишем плотность потока частиц j:

j
ih
4m

 */   *  /  (9)
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

Коэффициенты отражения R и пропускания T выразим через плотность потока частиц j:

lim  j  / j   (10)
T  2 1 
x

lim  j  / j   (11)
R  1 1 
x

Вычислим потоки частиц, входящие в (11):

h h h
j 2  j1  j1  
2 2 2
K 2 A2 K1 A1 K1 B1 (12)
2m 2m 2m

Используем условие непрерывности волновой функции на границе x=0, а также

условием сохранения потока частиц для определения (11):

4
T (13)
 /   1  2    1 / 

R    1 4
  E /U0
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

Моделирование коэффициентов пропускания T и отражения R

а) б)
Рис.2. Моделирование коэффициентов пропускания (а) и отражения (б) при U0=10 эВ

Задание 1. Назовите примеры потенциальных ступеней.

Задание 2. Перечислите недостатки математической модели и пути их исправления.

Задание 3. Отметьте практическую значимость рассмотренных эффектов / структур.

 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

Недостатки математической модели:

1) Не заданы временные и энергетические параметры источника заряженных частиц.

Следовательно отсутствуют механизмы образования и распространения заряженных частиц.
Кроме того, в реальных источниках всегда имеет место распределение частиц по энергиям.

2) Источник заряженных частиц бесконечно удален, и анализ влияния отраженных частиц на

параметры источника провести невозможно.

3) В точке х=0 потенциальная функция U(x) имеет бесконечную производную, что

противоречит законам термодинамики. Резкое изменение потенциала и концентрации
стремиться к размытию в пространстве и времени.

4) В реальной двумерной структуре высота потенциальной ступени U0 будет зависеть от

поперечной координаты. Ее значение будет меняться под действием топологических,
структурных и стехиометрических дефектов границы ступеньки.

5) Даже в одномерной структуре высота потенциальной ступени U0 будет иметь

периодический вид, определяемый порядком расположения матричных атомов и их
потенциальными полями.

6) Распространение заряженных частиц в твердом теле сопровождается процессами

энергетического взаимодействия с атомами и молекулами вещества. Следовательно энергия
частицы E не может быть постоянной величиной.

7) Уравнение Шредингера не учитывает нелинейные и пороговые эффекты, возникающие в

твердом теле. Например, рассеяние и отражение на дефектах структуры, возбуждение и
ионизацию матричных атомов.
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

Практическая значимость физического эффекта:

1) Возможность создания постоянных и переменных (управляемых) аттенюаторов и

модуляторов потоков заряженных частиц для передачи информации и управления.

2) Возможность создания коммутаторов заряженных частиц, работающих в ключевом

режиме.

3) Возможность сверхплотного временного уплотнения информационного канала

сигналами в виде заряженных частиц.

4) Возможность отбора (фильтрации) заряженных частиц с заданной энергией.

5) Возможность уплотнения информационного канала сигналами в виде частиц с

различными энергиями (энергетическое уплотнение).
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

2) Потенциальный барьер конечной ширины

а) б) в) г)
Рис.3. Виды потенциальных барьеров

Запишем решение одномерного стационарного уравнения Шредингера для областей 1 – 3 :

1 x  A1 exp iK1 x  B1 exp  iK1 x

2 x  A2 exp ix  B2 exp  ix (14)

3 x   A3 exp iK 3 x 

Введенные в (14) условные величины имеют вид:

8m 2 E 8m 2 U1  E  8m 2 E  U 2 

K1   K2  (15)
2 2 2
h h h
где U1, U2=const – высоты потенциального барьера, Дж; E – энергия заряженной частицы, Дж.
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

На основе (10), (11) запишем формулы для коэффициентов отражения R и пропускания T:

2 2
K 3 A3 B1
T
2
(16) R (17)
K1 A1 2
A1
Для вычисления амплитуд A1, A3, B1 используем условия равенства волновой функции и ее
первой производной на границах потенциального барьера x=0, x=L:
A1  B1  A2  B2
iK1  A1  B1     A2  B2  (18)
A2 exp L  B2 exp  L  A3 exp iK 3 L

  A2 exp L  B2 exp  L  iK 3 A3 exp iK 3 L

Решив систему уравнений (18), запишем коэффициенты отражения R и пропускания T для
несимметричного барьера с прямоугольными стенками:
4 K1 K 3  2
  
T R  1 T (19)
K12   2 K 32   2 sinh 2 L   K1  K 3 2  2

Для симметричного барьера высотой U0 и прохождения частицы под барьером E<U0 :

1 1
 sinh 2 L   4 1    
T  1   R  1     E /U0 (20)
 4 1      sinh 2 L  
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

При прохождении частицы над барьером E>U1, E>U2:

4 K1 K 22 K 3
R  1 T
  
T (21)
K12  K 22 K 32  K 22 sin 2 K 2 L   K1  K 3 2 K 22

8m 2 8m 2 8m 2

K1 
2
E K2 
2
E  U 1  K3 
2
E  U 2  (22)
h h h
Для симметричного потенциального барьера высотой U0 зависимости (21) примут вид:
1
 U 2 sin 2 K 2 L  
T  1  0 
 4 E E  U 0  
  (23)
1
 4 E E  U 0   
R  1 
 
 U 2
0 sin 2
 K 2 L  
Из (23) следует, что пропускание потенциального барьера носит осциллирующий характер в
зависимости от энергии частицы E при постоянных U0, L. Коэффициент пропускания T=1 при условии:
h2
E 2,n  n2 (24)
2
8mL
Таким образом, коэффициент пропускания максимален, если на ширине барьера укладывается целое
число полуволн де Бройля заряженной частицы с массой m и энергией E.
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

Моделирование коэффициентов пропускания T и отражения R

а) б)
Рис.4. Коэффициенты пропускания и отражения при U0=1 эВ, L=4 нм (а) и U0=1 эВ, L=8 нм (б)
 Лекция 2
Рассеяние заряженных частиц на потенциальных структурах

Недостатки математической модели:

1) Отсутствует описание механизмов образования и распространения заряженных частиц .

2) Не учитываются механизмы взаимодействия заряженных частиц с твердым телом , в том числе

нелинейные и пороговые эффекты при энергиях десятки – сотни эВ.

3) Не учитывается атомно-молекулярная структура материала при размерах потенциального

барьера порядка 1 нм

Практическая значимость физического эффекта:

1) Возможность фильтрации заряженных частиц по энергиям и использование для

уплотнения информации по энергиям (частотам) заряженных частиц.

2) Возможность создания измерителей энергии заряженных частиц с энергетическим

разрешением десятые доли – единицы эВ.

3) Возможность создания модуляторов потоков заряженных частиц, работающих на

склонах передаточной характеристики T(E), R(E).

4) Возможность создания коммутаторов потоков заряженных частиц, работающих в

минимуме и максимуме передаточной характеристики T(E), R(E).
Спасибо за внимание