Л №8 Пр од пп

Электроника
Тема лекции: Применение

однородных полупроводников
Лекторы:
Елфимов Вячеслав Ильич
к.т.н., профессор каф. РЭИС
Дурнаков Андрей Адольфович
ст. преподаватель каф. РЭИС
Разработчики:
Елфимов В.И., Дурнаков А.А.
Применение однородных полупроводников
Полупроводниковые резисторы – это

множество видов резисторов, изготовленных
из различных полупроводниковых
материалов и использующих зависимость их
электрического сопротивления от
разнообразных воздействующих на резистор
факторов.
. 2
3
8.1. Варисторы
Варистор – это полупроводниковый
резистор, сопротивление которого нелинейно
зависит от приложенного напряжения.
Изготавливают методом керамической
технологии: высокотемпературный обжиг
заготовок из порошкообразного SiC (зерна
20−180 мкм) со связующим диэлектрическим
материалом (глина). Варистор − конгломерат
зерен с самой разной величиной зазоров и
площадей соприкосновения.
4
ВАХ варистора
I, мА
60
40
20
U, В
-30 -20 -10 10 20

-20
-30
-40
5
Нелинейность ВАХ:
при малых U – туннелирование электронов сквозь
тонкие потенциальные барьеры на точечных
контактах между кристаллами SiC;
при больших U – все приложенное U падает на
точечных контактах, происходит их разогрев и
уменьшение R между ними; пробой оксидных пленок;
туннелирование.
I  A  U  , А – коэффициент,
β – коэффициент нелинейности.
При мелкозернистой структуре эти механизмы
практически не зависят от полярности приложенного
U – ВАХ варистора получается симметричной.
6
Основные параметры варисторов

1. Классификационный ток Iкл – ток, при котором
определяются основные параметры
варистора.
2. Классификационное напряжение Uкл ( 5 В до
25 кВ).
3. Асимметрия ВАХ u %. Оценивается на
уровне классификационного тока и обычно
не превышает
 (5−20)%.
U пр  U обр
U   100% ,при заданном Iкл.
U пр
7
4. Статическое сопротивление R – значение

сопротивления варистора в заданном режиме
при постоянных величинах тока и
напряжения: R U I
5. Дифференциальное сопротивление r –
сопротивление варистора малому
переменному току:
dU U
r 
dI I
6. Коэффициент нелинейности β:
R U dI
 
r I dU
8
7. Температурные коэффициенты
статического сопротивления:
1 R
TKRU const   U const    TKR I const
R T
8. Температурные коэффициенты напряжения
и тока:
1 U
TKU   I const
I const
U T
1 I
TKI U const   U const    TKU I const
I T
9
У варисторов, выпускаемых отечественной

промышленностью в диапазоне Т от −40 ºС
до +100 ºС
TKRU const  TKI U const  7  103K 1
3 1
TKR I const  TKU I const  1,4  10 K
9. Допустимая рассеиваемая мощность РРАСС

(от 10 мВт до 3 Вт).
10
8.2. Терморезисторы
Терморезистор – полупроводниковый резистор, электрическое
сопротивление которого существенно зависит от Т.
Термистор – терморезистор, R которого с ростом T уменьшается.
Позистор – терморезистор, R которого с ростом T очень сильно
возрастает.
Терморезистор прямого подогрева − T и R которого определяются T
окружающей среды и саморазогревом от протекающего через него
тока.
Терморезистор косвенного подогрева – разогревается от
встроенного нагревателя.
Болометр – терморезистор, чувствительный к воздействию
теплового и оптического излучений, содержащий активную и
компенсационную части.
11
Температурные зависимости электропроводности

металлов, собственных и примесных полупроводников
в терморезисторах не используются из-за:
недостаточно сильной зависимости подвижности
носителей заряда от Т в проводниках и примесных
полупроводниках;
несоответствия типовому диапазону рабочих Т
( −60 °С−+60 °С) областей резкого роста концентрации
носителей в примесных полупроводниках (область
истощения примесей – менее 100 К, область перехода
к собственной проводимости – более 400 К);
высокой нестабильности величин сопротивлений
технически изготавливаемых собственных
полупроводников.
12
Термисторы
Уменьшение R полупроводника с увеличением T :
1. Увеличением концентрацией носителей заряда.
2. Увеличением интенсивности обмена электронами
между ионами с переменной валентностью.
3. Фазовыми превращениями полупроводникового
материала.
2-е явление – термисторы, изготовленные из оксидов металлов
переходной группы таблицы Д.И. Менделеева (от Ti до Zn).
Для металлов переходной групп характерны наличие незаполненных
электронных оболочек и переменная валентность.
Электропроводность связана с обменом электронами между
соседними ионами. Энергия, необходимая для такого обмена,
экспоненциально уменьшается с увеличением Т.
13
3-е явление – термисторы на оксиде ванадия

V2O4 и V2O3 .При Т фазовых превращений
(68−110 °С) наблюдается уменьшение R на
несколько порядков.
Основная часть термисторов, выпускаемых
промышленностью: медно-марганцевые и
медно-кобальтовые сплавы, оксиды ванадия.
14
Позисторы
Позистор – это полупроводниковый терморезистор с
положительным ТКR.
В массовом производстве позисторы делают на основе керамики
из титаната бария. ВаTiOз – диэлектрик.
Если в ВаTiOз ввести примеси редкоземельных элементов
(лантана, церия или др.) либо других элементов (ниобия, тантала,
сурьмы, висмута и т. п.), имеющих валентность большую, чем у Ва, и
ионный радиус, близкий к радиусу иона Ва, то это приведет к
уменьшению удельного сопротивления до 10−102 Ом·см, что
соответствует удельному сопротивлению полупроводника.
Полупроводник ВаTiOз обладает аномальной Т зависимостью
удельного сопротивления: в узком диапазоне Т при нагреве выше
точки Кюри его R увеличивается на несколько порядков.
15
R, Ом
Позисторы
2
3
6
10
1
105
104
103
102
10
−50 0 50 100 150 t, °C
1 – СТБ-1; 2 – СТ6-2Б; 3 – СТ6-3Б
16
Механизм электропроводности
полупроводникого ВаTiOз
Примесь La замещает в узле кристаллической
решетки Ba. Часть атомов Ti, поддерживая
электрическую нейтральность всего кристалла,
захватывает лишние валентные электроны La,
имеющего большую валентность, чем у Ва.
Захватываемые электроны, находясь в
квазиустойчивом состоянии, легко перемещаются
под действием электрического поля.
В ВаTiOз существуют четырехвалентные и
трехвалентные ионы Ti. Между разновалентными
ионами Ti может происходить обмен электронами.
17
BaTiO3
La 3+ Ba 2+ Ba 2+
Ti 3+(4+) Ti 4+(3+)
Ba 2+ Ba 2+ Ba 2+
18
Резистивный слой позистора состоит из

большого числа контактирующих между собой зерен
ВаTiOз . R позистора определяется R обедненных
поверхностных слоев на зернах ВаTiOз.
При Т< точки Кюри в зернах ВаTiOз существует
спонтанная поляризация, и ВаTiOз обладает очень
большой диэлектрической проницаемостью ε, высота
поверхностных потенциальных барьеров мала.
При T> точки Кюри, ВаTiOз претерпевает
фазовое превращение из сегнетоэлектрического в
параэлектрическое состояние. При этом пропадает
спонтанная поляризация, резко уменьшается ε,
растет высота поверхностных потенциальных
барьеров на зернах ВаTiOз и увеличивается R
позистора.
19
Точка Кюри ВаTiOз может быть смещена в сторону

низких Т путем частичного замещения Ва стронцием,
цирконием, оловом.
Точка Кюри может быть смещена в сторону больших
Т частичной заменой Ва свинцом.
20
Основные параметры терморезисторов

1. Номинальное сопротивление Rном (при Т=20 °С)
(от десятков Ом до сотен кОм, допустимые отклонения:
± 20 %, ± 10 %, ± 5 %).
2. Коэффициент температурной чувствительности В
(2000−7200 K)
T1  T2 R1
B  ln
T2  T1 R2
3. Температурный коэффициент сопротивления ТКR.
dR B
TKR   100%   2
R  dT T
ТКR при комнатной Т для термисторов составляет
(0,8−6) %/град., у позисторов +(10−20) %/град.
21
4. Постоянная времени (0,5−140 с).

Характеризует тепловую инерционность
терморезистора. Она равна времени, в течение
которого Т терморезистора изменяется на 63 % от
разности температур образца и окружающей среды.
Чаще всего эту разность берут равной 100 °С.
22
Характеристики терморезисторов
1. ВАХ – зависимость напряжения на терморезисторе от тока,
проходящего через него.
Снимается в условиях теплового равновесия между
теплотой, выделяемой в терморезисторе, и теплотой,
отводимой от него в окружающую среду. ВАХ снимается в
установившемся режиме с учетом постоянной времени
терморезистора .
Начальные участки ВАХ (0А, 0С, 0Е) практически линейны.
При увеличении U подводимая мощность возрастает,
происходит саморазогрев термисторов и ток через них или
незначительно возрастает (АВ) или незначительно
уменьшается (СD) из-за уменьшения их R.
У позисторов в т. Е происходит разогрев от подводимой
мощности до Т, соответствующей точке Кюри, и при
дальнейшем увеличении U ток резко уменьшается (участок EF),
а R возрастает.
23
а, б – термисторы, в – позистор
24
2. Температурная характеристика – это зависимость R(Т),

снимается в установившемся режиме
а – термистор с В=2000 K; б – термистор с В=5000 K ; в – позистор
25
8.3. Фоторезисторы
Фоторезистор – это полупроводниковый
резистор, сопротивление которого изменяется в
зависимости от поглощаемого светового потока, т.е.
это полупроводниковый резистор, действие которого
основано на фоторезистивном эффекте.
Фотопроводимость – это свойство
полупроводника изменять свою электропроводность
под воздействием электромагнитного излучения.
Причина фотопроводимости – увеличение
концентрации носителей заряда – электронов в ЗП и
дырок в ВЗ. Проводимость полупроводника
возрастает на величину
 = q (n ni + p pi)
ni , pi – концентрация генерируемых
электронов и дырок.
26
Энергия кванта света фотона должна

удовлетворять условию: h·кр  WЗ или
hкр  WПР ,
кр – критическая частота электромагнитного
излучения (красная граница фотопроводимости).
Если же h > WЗ, то избыточная относительно
ширины ЗЗ часть энергии квантов передается
электронам в виде кинетической энергии.
Критической частоте кр соответствует граничная
длина волны гр = с / кр
27
Если к фоторезистору приложено U, то через него

будет проходить дополнительная составляющая тока –
фототок, обусловленный избыточной концентрацией
носителей. Электронная составляющая фототока
U
I фn  abqn n  abq (1  R )N ф  n n E ,
l
где a - толщина полупроводникового
фоточувствительного слоя; b – его ширина; l –
расстояние между электродами; R – коэффициент
отражения; α – показатель поглощения; η – квантовая
эффективность генерации; Nф – число фотонов,
падающих на единичную поверхность
фоточувствительного слоя за единицу времени.
28
Параметры фоторезисторов
1. Фототок – ток, протекающий через фоторезистор при
указанном U на нем, обусловленный только
воздействием потока излучения с заданным
спектральным распределением.
2. Общий ток фоторезистора – ток, состоящий из
темнового тока и фототока.
3. Рабочее напряжение Uр (4−400) В.
4. Максимально допустимое напряжение
фоторезистора Umax.
5. Максимально допустимая мощность рассеяния Рmax.
Она ограничена допустимым ростом темнового тока
за счет разогрева. (0,01−0,2) Вт.
29
6. Темновое сопротивление RТ – сопротивление

фоторезистора в отсутствие падающего на него
излучения. RТ=(104−107) Ом.
7. Световое сопротивление RС – сопротивление фото-
резистора при заданной освещенности.
8. Кратность изменения сопротивления KR (102−104).
K R  RT
RC
9. Постоянная времени ф – время, в течение которого

фототок изменяется на 63 %, т. е. в e раз. Постоянная
времени характеризует инерционность прибора.
30
10.Коэффициент усиления по току М (103−107).

Это отношение числа прошедших во внешней цепи
электронов к числу электронов, возникших в
фоточувствительном слое:
I фn / q n n E nVдр n
M    .
abl (1  R)N ф l l tпрол
Усиление фототока происходит за счет многократного

прохождения электронов через фоторезистор при
n фотопроводимости
11. Длинноволновая граница tпрол . 0
определяется шириной ЗЗ WЗ, либо энергией
ионизации примесей Wпр используемых
материалов.
1,236 э.В
0  
W  мкм
31
Наиболее распространенные материалы

фоторезисторов имеют 0 :
сернистый кадмий (CdS) 0,49 мкм (W = 2,53 эВ);
сернистый свинец (PвS) 3,36 мкм (W = 0,37 эВ);
антимонид индия (InSв, 77 К) 7,3 мкм (W = 0,17 эВ);
германий, легированный медью (Ge:Cu, 15 К) 25 мкм
12. Рабочая длина волны max – соответствует
максимуму спектральной характеристики
фоторезистора, max на 20−50 % < 0.
13. Температурный коэффициент фототока αТ
dI 1
Т    100%  (0,1  0,01)% / град
I dT
С ростом Т фототок уменьшается в основном из-за
уменьшения  и, соответственно, уменьшения М.
32
14. Пороговая (обнаружительная) чувствительность Фmin

– минимальный световой поток, вызывающий
появление фототока, равного темновому току.
15. Удельная интегральная чувствительность
К0= Iф / (ФU),
Чувствительность называют интегральной, потому
что измеряют ее при освещении фоторезистора
светом сложного спектрального состава.
К0=(1−600) мА/(лм·В).
33
Характеристики фоторезисторов
1. ВАХ . I  f (U ) Фconst
Закон Ома для фототока нарушается при высоких
напряжениях на фоторезисторе.
34
ВАХ фоторезисторов
35
0А – обычно нелинейный, (нарисован несколько

укрупнено). При малых U RС определяется R
контактов между отдельными зернами или
кристаллами полупроводника, Е на них получается
большой. При увеличении U сопротивление
контактов уменьшается либо из-за эффектов
сильного поля (например, туннелирование сквозь
узкие потенциальные барьеры на контактах), либо
из-за разогрева приконтактных областей отдельных
зерен полупроводника.
АВ – рабочий, линейный участок. В этом случае RС
постоянное и определяется объемным R зерен
полупроводника.
ВС – загиб ВАХ при больших токах обусловлен
разогревом фоточувствительного слоя, ростом
концентрации носителей, скорости рекомбинации и,
соответственно, уменьшением  и М.
36
2. Световая (люкс-амперная) характеристика.
37
АВ - рабочий участок.
DА – нелинейный участок:
наличие темнового тока (при Ф = 0);
непропорциональный рост фототока при слабом
освещении из-за захвата фотоносителей центрами
рекомбинации (ловушками), что приводит к
падению˚.
ВС- происходит загиб световой характеристики из-за
увеличения скорости рекомбинации носителей,
уменьшения  и М. Кроме этого, уменьшается
подвижность носителей заряда, т.к. при увеличении
освещенности возрастает число ионизированных
атомов в полупроводнике и, следовательно, растет
рассеяние носителей заряда ионизированными
атомами.
38
3. Спектральная характеристика S ( I )  f ( ) Ф,U  const
39
При  > 0 энергии кванта недостаточно для гене-

рации свободных носителей заряда (h < W).
На участке 0 − max рост тока обусловлен ростом
плотности разрешенных уровней в ВЗ и ЗП при
удалении от их границ и возможностью поглощения
потока квантов света.
Спад тока на участке ВА при уменьшении  :
• уменьшение числа квантов света и уменьшение
числа фотогенерированных носителей заряда;
• уменьшение глубины проникновения квантов света в
полупроводник и, соответственно, возрастанием
потерь от поверхностной рекомбинации, уменьшение
эффективного времени жизни фотогенерированных
носителей заряда.
40
Фоторезисторы с CdS светочувствительным

элементом имеют максимальную чувствительность в
видимой части спектра, фоторезисторы,
выполненные на основе CdSe, наиболее
чувствительны к красной и инфракрасной части
спектра, а PbS фоторезисторы имеют максимум
чувствительности в инфракрасной области спектра.
4. Частотная характеристика – это зависимость
относительного значения фотока от частоты
модуляции светового потока. Наличие
инерционности у фоторезисторов приводит к тому,
что величина их фототока зависит от частоты
модуляции падающего на них светового потока – с
увеличением частоты светового потока фототок
уменьшается.
41
Частотная характеристика
42
Выводы
1. Свойства полупроводника изменять свою электропроводность под
действием внешних возбуждений используется при построении
ряда простейших полупроводниковых приборов (беспереходных),
так называемых полупроводниковых резисторов.
2. Наличие полупроводниковых резисторов с таким широким
спектром зависимостей позволяет использовать их в
разрабатываемой РЭА для решения множества разнообразных
задач:
– в качестве датчиков для измерения соответствующего
параметра (U, Т, Ф, В, Р);
– в устройствах стабилизации параметров объектов;
– в системах сигнализации и защиты от перегрузок;
– в системах регулирования физических величин;
– в системах преобразования сигналов.
43

Л №8 Пр од пп

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Л №8 Пр од пп

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Электроника

Тема лекции: Применение

Полупроводниковые резисторы – это

-30 -20 -10 10 20

Основные параметры варисторов

4. Статическое сопротивление R – значение

У варисторов, выпускаемых отечественной

9. Допустимая рассеиваемая мощность РРАСС

Температурные зависимости электропроводности

3-е явление – термисторы на оксиде ванадия

Резистивный слой позистора состоит из

Точка Кюри ВаTiOз может быть смещена в сторону

Основные параметры терморезисторов

4. Постоянная времени (0,5−140 с).

2. Температурная характеристика – это зависимость R(Т),

а – термистор с В=2000 K; б – термистор с В=5000 K ; в – позистор

Энергия кванта света фотона должна

Если к фоторезистору приложено U, то через него

6. Темновое сопротивление RТ – сопротивление

9. Постоянная времени ф – время, в течение которого

10.Коэффициент усиления по току М (103−107).

Усиление фототока происходит за счет многократного

Наиболее распространенные материалы

14. Пороговая (обнаружительная) чувствительность Фmin

0А – обычно нелинейный, (нарисован несколько

2. Световая (люкс-амперная) характеристика.

3. Спектральная характеристика S ( I )  f ( ) Ф,U  const

При  > 0 энергии кванта недостаточно для гене-

Фоторезисторы с CdS светочувствительным

Вам также может понравиться