4

Содержание
Введение.........................................................................................................................................6
Часть 1. Исследование влияния деформаций на электронно-зонную структуру кристаллов8
1.1 Технология деформации кремния..........................................................................................8
1.2 Напряжение в подложке.........................................................................................................9
1.2.1 Напряженный кремний в технологии SOI....................................................................11
1.3 Напряжение в процессе производства.................................................................................12
1.3.1 Внутренняя нагрузка......................................................................................................13
1.3.2 Деформация в структуре STI.........................................................................................14
1.3.3 Гетероэпитаксиальная деформация..............................................................................14
1.4 Внешняя механическая и пакетная деформации................................................................15
1.5 Направления разработок.......................................................................................................16
1.6 Влияние деформаций на электронно-зонную структуру...................................................16
1.6.1 Теория эластичности..........................................................................................................17
1.6.1.1 Напряжение..................................................................................................................17
1.6.1.2 Деформация..................................................................................................................19
1.6.1.3 Нагрузочно-деформационная зависимость...............................................................21
1.6.1.4 Индексы Миллера........................................................................................................22
1.6.1.5 Координатные преобразования..................................................................................23
1.6.1.6 Деформация от эпитаксии...........................................................................................25
1.6.2 Ненапряженный кремний..................................................................................................28
1.6.2.1 Структура, основные свойства...................................................................................28
1.6.2.2 Зонная структура..........................................................................................................31
1.6.2.3 Методы вычисления зонных структур......................................................................33
1.6.3 Результат деформаций.......................................................................................................34
1.6.3.1 Рассеяние энергии посредством деформации...........................................................36
1.6.3.2 Валентное разделение.................................................................................................38
1.6.3.3 Отслаивание, вырожденное нагрузкой......................................................................40
Часть 2. Разработка модели подвижности в напряженных кристаллических структурах...46
2. Моделирование подвижности................................................................................................46
2.1 Уравнения полупроводниковых приборов..........................................................................46
2.1.1 Уравнения Максвелла....................................................................................................46
2.1.2 Уравнения переноса и подвижности.............................................................................48
2.1.3 Плотность тока................................................................................................................50
2.1.4 Основные уравнения МОП (металл-оксид-полупроводник)......................................52
2.2 Массовая подвижность в напряженном кремнии...............................................................54
2.2.1 Модель пьезосопротивления.........................................................................................54
2.2.2 Физически обоснованная модель подвижности для напряженного кремния...........57
2.2.2.1 Подвижность электронов в ненапряженном и нелегированном кремнии.........62
2.2.2.2 Подвижность электронов в напряженном и нелегированном кремнии.............62
2.2.2.3 Электронная подвижность в ненапряженном и легированном кремнии...........63
2.2.2.4 Электронная подвижность напряженного и легированного кремния................64
2.2.3 Зависимость от легирования..........................................................................................67
2.2.4 Подвижность при воздействии сдвигового напряжения ...........................................68
2.3 Электронная подвижность напряженного германия..........................................................71
2.4 Подвижность инверсного слоя.............................................................................................72
2.4.1 Общая подвижность.......................................................................................................74
2.4.2 Полуэмпирическое моделирование..............................................................................77
Часть 3. Анализ результатов моделирования в приближении слабого поля.........................81
3.1 Результаты моделирования в приближении слабого поля................................................81
3.1.1 Зависимость от легирования..........................................................................................89
3.1.2 Напряженный германий.................................................................................................90
 5
Заключение...................................................................................................................................94
Список литературы..................................................................................................................96
 6

Введение
Кремний занимает второе место среди самых распространенных на
Земле химических элементов. Он входит в состав песка, глины, гранита и
многих минералов. Кремний широко используется в качестве сырья для
производства ряда распространенных изделий. Например, тонкие пластины
из кремния высокой степени чистоты можно найти практически в каждом
компьютере.
За последние годы к стадии возможности использования в
коммерческом производстве подошел целый ряд технологий, позволяющих
заметно увеличить скорость работы транзисторов, либо столько же заметно
уменьшить их размер. Наибольший успех в этой области достигла
технология КМОП, главным достижением которой стала возможность
уменьшения размера микросхемы до 100 нм, и как результат – большая
производительность, высокая плотность интеграции элементов микросхемы,
увеличение скорости ее работы и снижение энергопотребления.
Однако, дальнейшее уменьшение размера становится сложной задачей,
поскольку в настоящее время достигнуты технологический и физический
пределы логических узлов микросхем. Основными факторами,
препятствующими непрерывному масштабированию КМОП устройств,
являются:
1. Ограничения в области литографии, связанные с техническими и
экономическими проблемами, возникающими в процессе сокращения длины
волны до 157 нм и 13,5 нм для нового поколения. До настоящего момента
непрерывный прогресс в литографических методах достиг следующих
результатов: 436 нм в 1980 году до 248 нм в 1990-х годах до 193 нм.
2. Уменьшается рост производительности из-за растущего
доминирования неидеальных эффектов в каждой последующей технологии.
3. Необходимое для улучшения быстродействия в масштабируемых
устройствах снижение глубины p-n-перехода приводит к значительному
увеличению сопротивления.
 7
Для увеличения подвижности заряженных частиц в технологии cМОП
все чаще обращаются к использованию проводников с измененной
посредством внешней нагрузки структурой. Рассматриваются последствия
влияния биаксильных, осевых, а также других видов деформаций.
Напряженный кремний - это кремний с увеличенным расстоянием
между узлами кристаллической решетки. Быстродействие микросхем,
построенных на пластинах из такого материала, возрастает на 30-50%.
Эта диссертация посвящена изучению влияния деформации на
подвижность электронов в кремнии. В работе были рассмотрены различные
механизмы создания деформации. Цель работы заключается в разработке
аналитической модели, описывающей подвижность электронов, принимая во
внимание все соответствующие физические изменения, которые возникают в
связи с деформацией кремния.
В частности, расчет зонной структуры указывает на расщепление
долины зоны проводимости при наличии сдвиговых деформаций и
дополнительных деформаций зон минимумов. Была разработана модель
электронной подвижности в приближении слабого поля для кремния при
любых условиях напряжения. Аналитическая модель учитывает эффект
деформационного расщепления долин зоны проводимости, междолинного
рассеяния, и зависимости от примесей. Междолинное рассеяние
моделируется на основе равновесного распределения электронов и в долине
расщепления для данного тензора деформации. Модель пригодна для расчета

изменение эффективной массы в -долинах под воздействием сдвиговой

деформации. Модель также адаптирована для получения зонной
подвижности в напряженном германии. Модель зонной подвижности для
напряженного кремния сочетается с моделью поверхностной для получения
подвижности инверсионного слоя.
В результате исследования наблюдались значительные улучшения в
линейном токе и небольшие улучшения в насыщенности тока.
 8

Часть 1. Исследование влияния деформаций на

электронно-зонную структуру кристаллов
1.1 Технология деформации кремния
Концепция деформации кремния опирается главным образом на
изменение равновесия кристаллической решетки кремния посредством
внешнего напряжения. Из-за модифицирования кристаллической решетки,
изменяются электронные свойства электронно-зонной структуры кремния.
Конкретно, усиливается подвижность носителей заряда, что ведет к
повышению общей подвижности, что сильно зависит от силы и направления
деформации кристалла.
Не смотря на то, что влияние деформации на подвижность носителей в
кремнии было известно на протяжении десятилетий [121], использование
этого эффекта с целью улучшения производительности устройств началось
только в последние годы при изготовлении модуляторов легированного
кремниевого/кремниево-германиего нМОП транзистора[50]. Изготовление
таких транзисторов основано на осаждении эпитаксиального слоя кремния-
германия на кремниевой подложке.
В этой главе предлагается обзор различных методов деформации
кремния. Эти методы можно разделить на три категории: a) деформация всей
подложки, б) локальная деформация, возникающая во время различных
этапов обработки, и в) внешнее механическое воздействие, известное как
пакетная деформация.
 9
Технологии
деформации

В процессе
Общая Локальная
производства

Деформация
SIGE
лайнера

SGOI От эпитаксии

SDOI STI

Рис. 1.1: Классификация механизмов деформации кремниевого канала.

1.2 Напряжение в подложке

Напряжение в кремниевой подложке может быть вызвано путем

наращивания воздействующего кремниево-германиевого слоя.
Несоответствие кристаллических решеток кремния и германия составляет
около 42 %, но их можно объединить при формирования сплава, при этом
постоянная новой решетки станет средней между кремниевой и германиевой.
Если тонкий слой кремния выращен на расслабленной Si1− y Ge y основе, слой
кремния принимает большую часть постоянной решётки подложки Si1− y Ge y .
Таким образом, слой кремния находится под воздействием двухосного
растяжении, величина деформации определяется содержанием германия
(обозначается как y) в подложке. На рис. 1.2 показана структура
кристаллической решетки расслабленного кремния и германия, а так же
напряженного кремния на Si1− y Ge y подложке. Напряжение в плоскости стыка
напряженного слоя и подложки возникает из-за несоответствия решеток.

aSiGe − aSi
ε = (1.1)
aSi

Здесь aSi и aSiGe обозначают постоянные недеформированных

кристаллических решеток кремния и кремния-германия, соответственно.
 10
Подобное деформированное состояние может быть устойчивым лишь в
тонких слоях, поскольку в более толстых будет происходить ослабление в
виде эпитаксиальной дислокации. Поэтому важным условием для
наращивания напряженного слоя кремния без возникновения эпитаксиальной
дислокации является то, что напряженный слой должен иметь толщину ниже
критического значения[87].
Под воздействием двухосной деформации, носители заряда
испытывают наименьшее сопротивление в напряженном слое и, как правило,
имеют на 50-70% большую подвижность.

(a) (б)
Рис. 1.2: Структура решетки а) ненапряженного кремния и кремния-
германия. б) напряженного кремния на расслабленном кремнии-германии.

Большинство первых работ, связанных с напряжением в подложке

ограничивались изучением различных дефектов и дислокаций[71]. Были
предприняты значительные усилия для решения этих проблем за счет
использования градационного слоя кремния-германия[23] и методов
механико-химической полировки[24]. В целях дальнейшего улучшения
производительности устройств, естественным выбором полупроводниковой
промышленности стало объединение усилий по повышению подвижности
 11
напряженного кремния с мало изученными возможностями технологии SOI
("кремний на изоляторе").

1.2.1 Напряженный кремний в технологии SOI

Первый вид технологии SOI, основанный на деформации кремния,

связан с наращиванием кремниево-германиевого слоя поверх оксидного.
Этот процесс возможен при использовании различных методов, таких, как
разделение путем имплантирования кислорода (SIMOX), сращивание
пластин и метода передачи слоя[49]. Таким образом, впервые технология
появилась под названием SGOI (деформированный кремний на
расслабленном кремнии-германии в диэлектрике).
В технологии SOI в качестве диэлектрической подложки используется
слой SiO2 . Он может быть сформирован во внутренних частях
монокристалла кремния путем его ионного легирования кислородом на
определенную глубину с последующим отжигом в инертной атмосфере.
Возможен другой вариант. В технологическом цикле осуществляют
процесс рекристаллизации аморфного кремния, осажденного на двуокись
кремния (см. рис. 1.3). Рекристаллизация производится за счет локального
нагрева участка поверхности лазером или электронным лучом. Слой
монокристаллического кремния, граничащий поликристаллом или аморфным
слоем кремния, играет роль затравки, а SiO2 используется для уменьшения
загрязнений в кремнии.
 12

Рис. 1.3: Процесс рекристаллизации аморфного кремния,

осажденного на двуокись кремния.

Существует и третий способ, который можно использовать для

изготовления МОП транзистора (см. рис. 1.4). На окисленную подложку
монокремния наносят островки поликремния, которые впоследствии
рекристаллизуют.

Рис. 1.4: Процесс изготовления МОП транзистора

с использованием рекристаллизованного кремния

1.3 Напряжение в процессе производства

Чтобы решить проблемы, связанные с напряжением

подложки, был предложен новый подход, основанный на
одноосном напряжении. Этот подход обеспечил
полупроводниковой промышленности точку опоры для
улучшения производительности нМОП и пМОП устройств.
 13
При обычном протекании КМОП процессов
распределения напряжения может явиться результатом
действия множества факторов, таких как различия
температуры обработки, теплового коэффициента
расширения, условий роста, и механизмов внедрениях
примесей. Распределение этого напряжения, вызванного
процессом производства, может быть очень неоднородным.
Таким образом, для увеличения подвижности возможно
спроектировать почти одноосное напряжения в слое
кремния.
Другое преимущество одноосного напряжения над
двуосным состоит в том, что его реализация на уже
имеющемся КМОП производстве требует незначительной
дополнительной стоимости. Однако, этот вид напряжения
дает ограничения на расположение устройства, поэтому
необходимо строго соблюдать правила размещения
одноосно-напряженных компонентов.

1.3.1 Внутренняя нагрузка

В этой технике напряжение вводится в канал MOSFET с помощью

закупоривания слоев[54]. Закупоренные слои, обычно нитрида кремния (
Si 3 N 4 ), могут быть выращены с использованием химических методов

осаждения паров после обычного салицилового формирования, и может

вызывать сжимающие или растягивающие деформации в зависимости от
условий осаждения. Было продемонстрировано, как сильно растянутый слой
Si 3 N 4 улучшает производительность нМОП-транзисторов[116]. Однако,
поскольку напряжение оказывает различное воздействие на электроны и
дырки, для повышения эффективности работы КМОП-транзисторов
необходимы как сжимающие, так и растягивающие деформации:
растягивающие для нМОП и сжимающие для пМОП.
 14
Была предложена КМОП-архитектура, в которой могут быть
использованы оба вида деформации, сжимающие и растягивающие. В этой
технологии двойного направления напряжения (DSL), растянутый слой Si 3 N 4
осаждается на беспримесную подложку, на которую уже нанесен рисунок и
выполнено гравирование ПМОП-транзистора. Затем сдавленный рисунок
осаждается и стравливается поверх нМОП-транзистора. Таким образом,
одновременно могут быть улучшены эксплуатационные качества нМОП и
пМОП устройств.

1.3.2 Деформация в структуре STI

Технология LOCOS (местное оксидирование кремния), используемая

для изоляции была заменена подходом STI для глубоких субмикронных
технологий. Однако, учитывая дальнейшее масштабирование КМОП-
устройств, расстояние между STI и каналом уменьшается, что вызывает
напряжение в канале. Так как напряжение, вызванное STI, сжимающее, оно
негативно воздействует на нМОП-устройства [114]. Однако ситуацию можно
исправить путем применения STI [123], что ослабит сжимающее напряжение
в канале. Кроме того, доказано, что оптимизировав этапы изготовления и
используя STI напряжения, может быть улучшена подвижность пМОП-
устройств [110].

1.3.3 Гетероэпитаксиальная деформация

Несоответствие решеток кремния и кремния-германия также может

быть использовано для инициирования одноосного сжимающей деформации
в канале. Это может быть достигнуто путем травления элемента в кремнии,
затем путем эпитаксиального перехода кремния-германия в источник и
область стока пМОП устройств. Несоответствие решеток кремниево-
германиевой областью стока и кремниевого канала провоцирует сжимающие
напряжения в канале. Это приводит к улучшению дырочной подвижности,
что связано с деформациями, вызванными содержанием германия в кремнии-
 15
германии. При 17% содержании германия в кремнии-германии, а это около
1%-ной деформации, увеличение подвижности составляет примерно
50%[131]. Подобные улучшения подвижности могут быть получены для
электронов путем воздействия растягивающим напряжением на нМОП-канал
при применении селективной SiC гетероэпитаксии на источник и область
стока[3]. На рис. 1.5 представлены различные механизмы возникновения
нагрузки в процессе производства.

Рис. 1.5: Методы введения одноосного напряжения в канал во время

производства. Содержат: внутреннюю наргузку, деформацию от STI и
гетероэпитаксиальную нагрузку.

1.4 Внешняя механическая и пакетная деформации

Третий механизм введения деформаций в транзисторы – внешнее

механическое напряжение. При этом деформация в кремнии порождается
либо путем: (а) непосредственного изгиба пластины кремния [74], или (б)
изгиба упакованной подложки с кремниевом чипом, прочно приклеенным на
ее поверхности [79]. Эта техника ранее упоминалась как механической
деформации, но в последнее время известна как пакетная деформации. Ее
использование относительно недорого, а деформация MOSFET-канала имеет
как краткосрочный, так и долгосрочный характер.
Как правило, одноосная деформация может быть создана с помощью
метода изгиба одного конца или метода изгиба в четырех точках [41] при
этом смещение в центре пластины будет двуосным. Это двухосное
 16
напряжение похоже на то, что возникает при эпитаксиальном наращении
кремния на кремнии-германии.

1.5 Направления разработок

До сих пор технология деформации кремния обсуждалась в целях

улучшения подвижности носителей для стандартной {100} подложки. Так
как подвижность носителей зависит от ориентации кристалла подложки, а
также от направления канала [90], ее можно повысить путем принятия
различных ориентаций подложки и направлений каналов. Максимального
преимущества в КМОП можно добиться, когда нМОП и пМОП транзисторы
выращены на {100} и {110} ориентированной подложке и в направлении
канала [110]. В подвижности пМОП были замечены значительные
улучшения при взаимодействии преимуществ гибридной технологии
ориентации в SOI совместно с индуцированным напряжением.
Другой перспективной технологией деформации кремния,
предложенной недавно, является деформированный кремний на кремнии
(SSOS). В этой технологии деформированный слой кремния наращивается
непосредственно на расслабленном кремнии без каких-либо промежуточных
кремниево-германиевых или оксидных слоев.
В связи с отсутствием оксидного слоя в этом процессе,
теплопроводность вблизи активных участков устройства значительно
улучшается. В этом случае деформация создается исключительно через
гетеропереход между деформированным и недеформированным кремнием, а
не из-за композиционных изменений.

1.6 Влияние деформаций на электронно-зонную структуру

Электроны в полупроводнике испытывают влияние периодического

потенциала кристаллической решетки. Этот потенциал приводит к
изменению энергетических зон. Электронная зонная структура
полупроводников описывает состояние энергии, которое определяет
 17
присутствие или отсутствие электронов внутри зон. Присущие
энергетическим зонам некоторые свойства обусловлены влиянием
воздействия нагрузки.
Общие концепции нагрузки и деформации пришли из теории
упругости. Количество тензоров и их взаимозависимость связана через закон
Гука.
Кристаллическая структура кремния относится к кубической системе
решетки Браве и состоит из двух центральных граней кубической решетки.
Она состоит из 8 атомов в элементарной ячейке. Основные свойства
кристаллической структуры отражены в его зонной структуре.

1.6.1 Теория эластичности

Свойство твердых материалов деформироваться при применении

внешней силы и восстанавливать свою первоначальную форму после
воздействия называется эластичностью. Внешняя сила, действующая на
указанную область известна как нагрузка, а количество деформаций
называется напряжением. В этом разделе кратко описывается теории
нагрузки, напряжения и их взаимозависимость.

1.6.1.1 Напряжение

Представим объект в прямоугольной системе координат и ряд сил,

действующих на него таким образом, чтобы векторная сумма всех сил была
равна нулю. Возьмем часть, ортогональную направлению x и определим
небольшую область как ∆Ax . Пусть обща сила, действующая на этом участке
будет:

∆F = ∆Fx ⋅ iˆ + ∆Fy ⋅ ˆj + ∆Fz ⋅ kˆ (1.2)

Можно определить следующие скалярные величины.

 18

∆Fx ∆Fy ∆Fz

Txx = ∆lim , Txy = ∆lim , T = lim (1.3)
∆Ax ∆Ax ∆Ax
A →0 Ay →0 xz ∆Ay →0
y

Индексы i и j в Tij направлены в сторону плоскости и силы,

соответственно. Аналогичным образом для остальных направлений
получаем:

∆Fx VFy VFz

Ty x = lim , Ty y = lim , T y z = lim (1.4)
VAy →0 VA VAy →0 VA VAy →0 VA
y y y

VFx VFy VFz

Tz x = lim , Tz y = lim , T z z = lim (1.5)
VAz →0 VA VAz →0 VA VAz →0 VA
z z z

Для получения тензора напряжений, скалярных величины можно

представить в виде матрицы:

 Txx Txy Txz 

 
T =  Tyx Tyy Tyz  (1.6)
T T T 
 zx zy zz 

Состоянии статического равновесия предполагает, что Tij = T ji .

 19

Рис. 2.1: Компоненты тензора напряжения

1.6.1.2 Деформация

На тело под упругой деформацией воздействует так же внутренняя

восстанавливающая сила. Рассмотрим пару точек x и, которые перемещены

в x + u ( x ) и x + dx + u ( x + dx ) . Абсолютный квадрат расстояния между

деформированными точками можно записать в виде:

∑ ( dx + u ( x + dx ) − u ( x ) )
2
i i i (1.7)
i

При условии, что величина dx очень мала, разложение квадрата в ряд

Тейлора имеет вид:

2
 ∂ui  ∂u i ∂u i ∂u i
∑i  i ∑i ∂u j  ∑i i ∑
 dx + dx  = dx 2
+ 2
∂x
dx j + ∑ ∂x
dx j
∂x
dx k (1.8)
 j  i, j j i, j, k j k

Первое слагаемое в (1.7) обозначает исходный квадрат расстояния

между точками, а изменение квадрата расстояния имеет вид:
 20

 ∂u ∂u  ∂u ∂u
D(dx) = ∑ dxi  i + j  dx j + ∑ k k dxi dx j (1.9)
 ∂x 
i, j
 j ∂xi  k ∂xi ∂x j

 ∂u ∂u  ∂u ∂u 
= ∑ dxi  i + j  dx j + ∑ k k  dx j (1.10)
 
i, j  ∂x j ∂xi  k ∂xi ∂x j 


= 2∑ dxi ⋅ ε ij ⋅ dx j . (1.11)
i, j

Переменная ε ij обозначает компоненты тензора напряжения и

определяется как:

1  ∂ui ∂u j ∂u k ∂u k 
ε ij =  + +∑  (1.12)
2  ∂x j ∂xi k ∂xi ∂x i 

∂uk
Предполагая, что = 1 , переменными второго порядка в (1.12)
∂xi
можно пренебречь, и в результате тензор принимает вид:

1  ∂u ∂u 
ε ij =  i + j  (1.13)
2  ∂x j ∂xi 

Отметим, что в литературе вместо компонент сдвиговой деформации,

описанных формулой (1.13), обычно используются инженерные компоненты

сдвиговой деформации, γ ij , Соотношение между вышеупомянутыми

величинами:

γ ij = ε ij + ε ji = 2ε ij (1.14)

Представив компоненты деформации (1.13) в матричной форме,

получаем тензор деформаций
 21

 ε xx ε xy ε xz 
 
ε =  ε yx ε yy ε yz  (1.15)
ε ε ε 
 zx zy zz 

1.6.1.3 Нагрузочно-деформационная зависимость

Связь между напряжением и деформацией впервые была выявлена

Робертом Гуком [48]. Приближенный закон упругости Гука говорит, что
сумма изменений (деформаций) линейно связана с их вызывающей силой
(напряжением). Общий вид соотношение между напряжением и
деформацией:

Tij = Ci j k lε ij (1.16)

Здесь Cijkl - переменная четвертого порядка, тензор упругой жесткости

в составе 81 коэффициентов. Однако, в зависимости от симметрии
кристаллов количество коэффициентов может быть сокращено. Для
кубических кристаллов, таких как кремний и германий существуют только
три коэффициента. Эти коэффициенты известны как константы жесткости.
Для упрощения обозначения, тензор напряжения и деформации может быть
записан в виде векторов при помощи сокращенных обозначений:

Qxx , Qyy , Qzz , Q yz , Qxz , Q xy  = [ Q1 , Q2 , Q3 , Q4 , Q5 , Q6 ,] , Q = T , ε (1.17)

обобщенный закон Гука в матричной форме:

 22

 T1   c11 c12 c12 0 0 0   ε 1 

T    
 2   c12 c11 c12 0 0 0   ε 2 
 T3   c12 c12 c11 0 0 0   ε 3 
 = ×  (1.18)
 T4   0 0 0 c44 0 0   2ε 4 
 T5   0 0 0 0 c44 0   2ε 5 
     
 T6   0 0 0 0 0 c44   2ε 6 

Табл. 1.1: коэффициентов жесткости cij в ГПа и коэффициентов

упругости sij в 10м
−12 2
/Н [72].

c11 c12 c44 s11 s12 s44

Si 166.0 64.0 79.6 -2.13 7.67 12.6
Ge 126.0 44.0 67.7 -2.50 9.69 14.8

Компоненты напряжения могут быть получены путем инвертирования

закона Гука и используя коэффициент преобразования (податливости), Sijkl .

ε ij = SijklTij (1.19)

Тензоры жесткости и упругости связаны через отношение S = C −1 .

Используя эту связь можно рассчитать независимые коэффициенты
соответствия:
c11 + c12
s11 = ,
c11 + c11c12 − 2c12
2 2

c12
s12 = − ,
c11 + c11c12 − 2c12
2 2

1
c44 = .
c44

1.6.1.4 Индексы Миллера

 23

Рис. 1.2: Плоскости кубической системы

с обозначенными индексами Миллера.

Индексы Миллера, обозначенные как h, k и l, являются

символическим представлением вектора ориентации атомных плоскостей и
направлений в кристаллической решетке. Определив три векторные решётки
и сформировав оси, любая плоскость кристалла будет пересекаться с осями в
трех различных точках. Индексы Миллера получается путем выбора
обратных величин перехваченных значений. По соглашению, отрицательные
индексы записываются в виде степени индексов. На рис. 2.2, расположены
три плоскости в кубической системе, а также показаны индексы Миллера, в
которой принята следующая номенклатура[27]:
• [ hkl ] представляют собой направление

• hkl обозначают эквивалентное направление

• ( hkl ) представляют собой плоскость с нормальным вектором

• { hkl} обозначают эквивалентные плоскости

1.6.1.5 Координатные преобразования

 24

Рисунок 1.3: Направление напряжения  x , y , z  по отношению к

' ' '

кристаллографической системе координат [ x, y , z ] .

Часто существует необходимость знать напряжение в

кристаллографической системе координат для напряжения, приложенного

вдоль общего направления. Рассмотрим обобщенное направление  x , y , z  ,

' ' '

в котором применяется напряжение.

Напряжение в кристаллографической системе координат [ x, y , z ]

можно рассчитать с помощью преобразования матрицы U.

 cosθ cos φ cosθ sin φ − sin θ 

U ( θ ,φ ) =  − sin φ cos φ 0  (1.20)
 sin θ cos φ sin θ sin φ cosθ 
 

Здесь θ обозначает полярный, а φ азимутальный угол направления

напряжения по отношению к кристаллографической системе координат, как
показано на рис. 1.3. Тогда, напряжение в кристаллографической системе
координат определяется

T = U ⋅ T ⋅U T (1.21)
 25
Применение ненулевой величины напряжения, приложенного вдоль
направления [100], [110] и [111], тензоры напряжений в основной системе
координат соответственно,

P 0 0  P/ 2 P/ 2 0   P / 3 P / 3 P / 3
T[ 100] =  0 0 0  , T[ 110] =  P / 2 P / 2 0  , T[ 111] =  P / 3 P / 3 P / 3  (1.22)
   
0 0 0 0 0 0   P / 3 P / 3 P / 3
    

Из формулы (1.19) можно определить соответствующие тензоры

деформации.
при приложении усилия P вдоль оси [100]:

 S11 ⋅ P 0 0 
ε [ 100] =  0 S12 ⋅ P 0  (1.23)
 0 0 S12 ⋅ P 


при приложении усилия P вдоль оси [110]:

 ( S11 + S12 ) ⋅ P / 2 S 44 ⋅ P / 4 0
 
ε [ 110] =  S44 ⋅ P / 4 ( S11 + S12 ) ⋅ P / 2 0 (1.24)
 0 0 S12 ⋅ P 


при приложении усилия P вдоль оси [111]:

 ( S11 + 2 S12 ) ⋅ P / 3 S 44 ⋅ P / 6 S 44 ⋅ P / 6 
 
ε [ 111] = S 44 ⋅ P / 6 ( S11 + 2S12 ) ⋅ P / 3 S 44 ⋅ P / 6  (1.25)
 S ⋅P/6 S 44 ⋅ P / 6 ( S11 + 2S 12 ) ⋅ P / 3 
 44

1.6.1.6 Деформация от эпитаксии

В случае эпитаксиального роста кремния в кремниево-германиевой

технологии изготовления микросхем, деформация в одной плоскости ε P

определяется формулой (1.1).
 26

На рис 1.2 переменные aSi и aSiGi обозначают константы

недеформированной решетки кремния и кремния-германия, соответственно,
Рассмотрим систему координат линии раздела, z-ось которой
перпендикулярна к линии раздела кремния/кремний-германия. Тензор
деформаций в этой системе координат можно записать в виде:

 ε11' ε12' ε 13' 

 
ε ' =  ε 21' ε 22' ε 23'  (1.26)
ε ' ε ' ε ' 
 31 32 33 

с ε11 = ε 22 = ε || . Так как эпитаксиальный рост не вызывает сдвиг в

' '

плоскости напряжений сдвига в системы координат линии раздела, имеем:

ε12' = ε 21' = 0 (1.27)

Остальные три независимые компоненты деформации (ε '

13 , ε 23
'
, ε 33' )
могут быть определены как описано ниже [47].
Поскольку на слой кремния деформация действует постоянно, все
внешние компоненты напряжения в вертикальном направлении исчезают

T13 = T23 = T33 = 0 . Таким образом, используя закон Гука указанный в (1.15)
имеем:

'
Cαβ ε 'ij
ij
=0 ( α , β ) = (1,3),(2,3),(3,3) (1.28)

Разложение (1.28) дает выражение:

'
Cαβ ' + 2Cαβ
'
' + 2Cαβ
'
' = − ( Cαβ' 11 + Cαβ' 22 ) ε ||' (1.29)
33ε 33 23 ε23 31 ε31

которое может быть представлено в матричной форме:

 27

 C3333
' '
C3323 '
C3331  ε 33
'
/ 2  C 3311
'
+ C 3311
'

 '  '  ε ||  ' 
C
 2333 C '
2323 C '
2331  ε 23  = − C
 2311 + C '
2322  (1.30)
 C'   2  
 3133 C '
3123 C '
3131  ε '
31   C '
3111 + C '
3122 

'
Матричные элементы Cγδ kl могут быть определены с использованием

тензора упругой жесткости Cγδ kl через отношение:

Cγδ' kl = U αγ U βδU ikU jlCαβ ij (1.31)

где U обозначает преобразование матрицы (1.20). При известных

(
элементах матрицы (1.30), мы можем найти ε13 , ε 23 , ε 33 .
' ' '
)
Определив тензор деформации в системе координат линии раздела,
тензор может быть преобразован в нормальные координаты

ε αβ = U αiU β iε ij (1.32)

В ориентации подложки:
Табл. 1.2
Компоненты тензора деформации для разных ориентаций подложки
кремния-германия.
[100] [110] [111]
ε11 εP 2c44 − c12 4c44
εP εP
c11 + c12 + 2c44 c11 + 2c12 + 4c44
ε 22 εP 2c44 − c12 4c44
εP εP
c11 + c12 + 2c44 c11 + 2c12 + 4c44
ε 33 c12 εP 4c44
−2 εP εP
c11 c11 + 2c12 + 4c44
ε12 0 c11 + 2c12 c11 + 2c12
−ε P −ε P
c11 + c12 + 2c44 c11 + c12 + 4c44
 28

ε13 0 0 c11 + 2c12

−ε P
c11 + c12 + 4c44
ε 23 0 0 c11 + 2c12
−ε P
c11 + c12 + 4c44

Уравнения (1.30) и (1.32) могут быть решены при известном тензоре

деформации для эпитаксиального роста кремния на произвольной подложке
кремний-германия. Таблица 1.2 описывает выражения для компонент тензора
деформации, имеющего симметрию (001), (111) и (110) ориентированной
подложки кремний-германия.

1.6.2 Ненапряженный кремний.

1.6.2.1 Структура, основные свойства.

(а) (б)
Рис. 1.4: (а) структура ГЦК кристаллической решетки кремния. (б) зоны
Бриллюэна ГЦК решетки с обозначением направлений дополнительной
симметрии и точек.

Кристаллическая структура кремния относится к классу алмазоподобных

структур и состоит из двух взаимосвязанных граней центральной ГЦК
решетки. Её можно изобразить в виде тетраэдра с четырьмя вершинами ГЦК
 29

решетки в точках ( 000 ) , ( a0 / 2, 0, 0 ) , ( 0, a0 / 2, 0 ) и ( 0, 0, a0 / 2 ) , и

дополнительного атома, добавленного в центр этого тетраэдра.
1 1 1
Дополнительный атом перемещен в точку a0  , ,  . Структура
4 4 4
решетки показана на рис. 1.4 (a). Переменная a0 = 0.543 нм и обозначает
постоянную решетки ненапряженного кремния. Видно, что структура имеет 8
атомов в элементарной ячейке. Расстояние от дополнительного атома к

четырем ближайшим соседям составляет 3 / 4a0 .

Векторы решетки Браве для кремния:

a0 a a
[ 0,1,1] , b = 0 [ 1,0,1] , c = 0 [ 1,1,0]
T T T
a= (1.33)
2 2 2

из них можно получить векторы обратной решетки, используя равенства:

2π ( b × c ) 2π ( c × a ) 2π ( a × b )
a' = , b' = , c' = (1.34)
a ⋅ ( b × c) b ⋅ ( c × a) c ⋅ ( a × b)

Таким образом получаем:

2π T 2π T 2π T
a' =  1,1,1 , b ' = 1, 1,1 , c ' = 1,1, 1  (1.35)
a0 a0 a0

Эти векторы соответствуют структуре кубической (ОЦК) решетки в

обратном пространстве. Ячейка Вигнера-Зейтца этой ОЦК решетки является
первой зоной Бриллюэна (ЗБ). Это примитивная ячейка отражает полную
симметрию решетки и эквивалентна ячейке, полученной путем рассмотрения
всех точек, которые расположены ближе к центру решетки.
Первая зона Бриллюэна имеет форму усеченного октаэдра. Его можно
представить как набор из восьми гексагональной плоскостей равноудаленных
от центров ячеек и узлов решетки в углу, и шести квадратных плоскостей
между узлами решетки и центром следующей ячейки. ЗБ показана на рис. 1.4
 30
(б), где направления симметрии отмечены греческими символами, а точки,
расположенные на поверхности – латинскими. Таблица 2.3 обобщает
симметричные точки и направления. Эти переменные имеют важное
значение для интерпретации участков зонной структуры.

Табл. 1.3
Краткий список точек симметрии и направлений в зоне Бриллюэна.

Точки
симметрии
Направления Координаты Примечание
Γ ( 000 ) Центр пространства k
Χ ( 100 ) Середина противоположенной грани
L 1 1 1
 , ,  Середина шестиугольной грани
2 2 2
Κ 3 3 3 Середина грани расположенной между двумя
 , , 
4 4 4 шестиугольниками
U Середина грани, разделяющей шестиугольник и
пространство
W Середина грани, разделяющей два
шестиугольника и пространство
∆ 1,0,0 Направление от к
Λ 1,1,1 Направление от к
∑ 1,1,0 Направление от к

Существует несколько операций симметрии, которые оставляют

алмазную структуру неизменной. Помимо параллельного переноса это
вращение, инверсия или их комбинация. В общей сложности насчитывают 48
независимых операций симметрии для ГЦК решетки алмазоподобной
структуры, что отражается в первой ЗБ. При деформации могут быть
утрачены некоторые направления симметрии и, таким образом, искажены
некоторые из 14 решеток Браве, такие как тетрагональная, ромбическая или
тригональная. Новая структура решетки имеет отличные свойства
симметрии, которые могут влиять на зонную структуру. Численные методы
 31
расчета зонной структуры позволяют прогнозировать ряд важных
электронных и оптических свойств.

1.6.2.2 Зонная структура

(а) (б)
Рис. 1.6: (а) зонная структура кремния, вычисленная с помощью метода
нелокального псевдопотенциала, (б) валентная зонная структура, состоящая
из вырожденных тяжелых дырок (HH), зоны легких дырок (LH) и
расщепленной зоны (SO)

Численные составляющие зонной структуры ненапряженного кремния,

рассчитанные с использованием метода эмпирического псевдопотенциала
показаны на рис. 1.6. При T = 0 K , высшая энергетическая зона, которая
полностью заполнена, является валентной зоной. Следующая высокая зона
совершенно пуста при T = 0 K , и называется зоной проводимости. Две
полосы разделены энергетической щелью, называемой запрещенной зоной.
Основные минимумы зоны проводимости кремния расположены вдоль

направлений [ 100] , [ 010] и [ 001] на расстояние около 85% от точки к X.

 32
Минимум второй зоны проводимости соприкасается с первой зоной в точке
Х.
Главный минимум зонной структуры похож на постоянные
эллипсоидальных энергетических поверхностей, полученных с
использованием параболического закона дисперсии энергии, что показано на
рис. 1.6 (a). В долинах, расположенных вдоль направления [100], имеет место
рассеяние энергии:

h2  k x 2 k y k 2
2

∈ (k ) =  + + z  (1.36)
2  ml mt mt 

где k = ( k x , k y , k z ) - волновой вектор. Постоянные энергетических

поверхностей определяются продольной массой ml = 0.91 ⋅ m0 , и поперечной

массой mt = 0.19 ⋅ m0 . Эта анизотропия в массах делает распространение

энергии в каждой долине анизотропной. 6-кратное вырождение в долинах

возникает вследствие симметрии решетки вдоль направлений [ 100] , [ 010] и

[ 001] . При низких значениях электрического поля электроны занимают все 6

долин одинаково и, таким образом, перенос энергии является изотропным.
В отличие от зоны проводимости, валентная зонная структура является
высоко анизотропной даже в случае отсутствия нагрузки. Максимум
валентной зоны в кремнии находится в точке . В связи с вырождением зоны
в точке , энергетические поверхности превращаются в поверхности
четвертого порядка в виде:

∈hh (k ) = − Ak 2 − B 2 k 4 + C 2 ( k x2 k y2 + k y2 k z2 + k z2 k x2 ) (1.37)

∈lh ( k ) = − Ak 2 + B 2 k 4 + C 2 ( k x2 k y2 + k y2 k z2 + k z2k x2 ) (1.38)

Здесь переменные ε hh (k ) и ε lh (k ) обозначают энергии двух

вырожденных зон, а параметры A, B и C – параметры инверсной зоны. Из
 33

формулы видно, что значение энергии ε hh (k ) меньше ε lh ( k ) , поэтому зона

называется зоной тяжелых дырок (HH), а зона ε lh (k ) - легких дырок (LH).

Форма поверхности постоянной энергии для LH и HH зон искривленная или
волнистая. Существует также третья зона, так называемая отделенная зона,
расположенная примерно на 44 мэВ ниже HH/ЛГ зоны. Схематично
поверхность постоянной энергии для зоны HH показана на рис. 1.6
(б).

(а) (б)
Рис. 1.7: Поверхность постоянной энергии для ненапряженного кремния. для
(а) шестикратно вырожденных долин зоны проводимости, расположенных
вдоль направления [100]; (б) для валентной зоны тяжёлых дырок

1.6.2.3 Методы вычисления зонных структур

Зонная структура кремния может быть описана с помощью таких

методов, как приближения сильной связи, метод k ⋅ p , а также метода
эмпирического псевдопотенциала. Приближения сильной связи опирается на
волновые функции атомных орбиталей и, как правило, подходит для
описания основных атомных оболочек. Однако этот метод не является
пригодным для описания электронов проводимости в связи с их
делокализованной природой.
 34

В методе k ⋅ p одноэлектронное уравнение Шредингера расширяется с

помощью теоремы Блоха:

 p 2 hk ⋅ p hk 2 
 + +  unk + V (r )unk (r ) = Enk (r ) (1.39)
 2 m m 2 m 

Здесь V (r ) - местный потенциал, индексы n и k относятся к группе

i
зонных индексов и волнового вектора соответственно, p = − ∇ - оператор
h
импульса. Функция unk (r ) является периодической функцией, определяющей
периодичность решетки.
При известных значениях энергии ε nk0 и периодической функции unk0 в

некоторой точке k0 , полная зонная структура может быть получена с

использованием вырожденной или невырожденной теории возмущений,
рассматривая выражение hk ⋅ p / m условия как возмущение. Метод весьма
уместен для расчета минимума зоны проводимости и валентных зон многих
полупроводников III-V и IV групп.
Мощным инструментом для получения полной зонной структуры
является эмпирический метод псевдопотенциала. В этом методе фактический
ионный потенциал ядра, V (r ) , с которым сталкиваются электроны

заменяется мягкими псевдопотенциалом Vg . Это приводит к изменению

волновой функции Ψ , к псевдо-функции ψ , как показано на рис. 1.7. Зная
псевдопотенциал, уравнение Шредингера модифицируется в так называемое
псевдо волновое уравнения, решение которого обеспечивает связь
дисперсионной энергии.

1.6.3 Результат деформаций

Всестороннее исследование влияния деформаций на зонную структуру

было выполнено Биром Пикусом. В результате воздействия нагрузки на
 35

кристалл получается преобразование ненапряженных векторов решетки ( xi )

в напряженные ( xi' ), через отношение:

xi' j = xij + ∑ ε ij xij , (1.40)

j

где переменная ε ij обозначает компоненты тензора деформации. Этот

эффект может быть описан с учетом дополнительных параметров
внутреннего перемещения.

Рис. 1.8. Концепция псевдопотенциала, где истинный потенциал V (r ) и

истинная волновая функция заменяются псевдопотенциалом Vg и псевдо-

волновой функцией ψ .

Влияние деформации на проводимость кремния было впервые

исследована Смитом. Основным выводом его экспериментальных работ
стало наблюдение изменения удельного сопротивления кремния при
воздействии одноосного растяжения. Это происходит вследствие изменения
структуры электронной зоны. Что в свою очередь связано с сокращением
 36
количества возможных операций симметрии и зависит от того, как
деформирован кристалл. Такое нарушение симметрии ГЦК решетки кремния
может привести к сдвигу различных уровней энергий проводимости и
валентной зоны, их искажения, снятие вырождения, и т. п. Рассмотрим эти
процессы подробнее.

1.6.3.1 Рассеяние энергии посредством деформации

Деформация вызывает сдвиг энергетических уровней и валентной зоны.

Хотя лишь гидростатические деформации изменяют энергетические уровни
зон, одноосные и двухосные деформации устраняют вырожденность.
Теория потенциала деформации, первоначально разработанная Бардин и
Шокли была использована для исследования взаимодействия электронов с
звуковыми фононами. Позже учеными Херринг и Фогт эти данные были
сведены к общим законам, включая различные режимы рассеяния. Метод
был применен к напряженным системам материалов учеными Бир и
Пикус[8].
В рамках этой теории, сдвиг экстремума энергии энергетической зоны

был разложен по компонентам тензора деформации ε ij .

∆ε (l ) = ∑ Ξ ij( l )ε ij (1.41)
ij

Величина тензора Ξij называется потенциалом деформации. Симметрия

тензора деформации также находит свое отражение:

Ξij(l ) = Ξ (jil ) (1.42)

Максимальное число независимых компонент этого тензора – шесть,

которые сводятся к двум или трем для кубической решетки. Они обычно
обозначаются Eu - постоянная потенциала одноосной деформации, и Ed -
расширенная постоянная потенциала одноосной деформации. Постоянные
 37
потенциала деформации могут быть рассчитаны с использованием
теоретических методов, таких как теория функционала плотности,
нелокального эмпирических псевдопотенциала, или простого
математического расчета. Однако окончательно скорректированные
потенциалы будут получены только после сравнения рассчитанных значений
с данными, полученными из измерения.
Сдвиг энергии зоны проводимости долин, вызванный деформацией, для
произвольного тензора деформации в общем виде можно записать:

∆ε C(i , j ) = Ξ (d j )Tr (ε ) + Ξ (u j )a Ti ⋅ ε ⋅ a i = ∆ ( d ) + ∆ (u ) (1.43)

где a i – единичный вектор минимума i -ой долины для типа долины j (

j = X , L ). Первое слагаемое ∆ ( d ) в (1.42) означает сдвиг уровня энергии,
равный во всех долинах. Это значение пропорционально гидростатическим

деформациям Tr (ε ) = ( ε xx + ε yy + ε zz ) . Разница в уровнях энергии долин

возникает из-за второго слагаемого в уравнении (1.43). Его аналитические

выражения для разных направлений деформации перечислены в таблице 1.4.

Табл. 1.4
Аналитическое представление измененной одноосной деформацией
долины.
Направление деформации
Долины [100] [110] [111]
[100] ε11 1 1
( ε11 + ε12 ) ( ε11 + 2ε12 )
2 3
[010] ε12 1 1
( ε11 + ε12 ) ( ε11 + 2ε12 )
2 3
[001] ε12 ε12 1
( ε11 + 2ε12 )
3
[111] 1 1 1
( ε11 + 2ε12 ) ( ε11 + 2ε12 + ε 44 ) ( ε11 + 2ε12 + 2ε 44 )
3 3 3
[11 1] 1 1 1 2 
( ε11 + 2ε12 ) ( ε11 + 2ε12 + ε 44 )  ε11 + 2ε12 − ε 44 
3 3 3 3 
 38

[1 11] 1 1 1 2 
( ε11 + 2ε12 ) ( ε11 + 2ε12 − ε 44 )  ε11 + 2ε12 − ε 44 
3 3 3 3 
[111] 1 1 1 2 
( ε11 + 2ε12 ) ( ε11 + 2ε12 − ε 44 )  ε11 + 2ε12 − ε 44 
3 3 3 3 

1.6.3.2 Валентное разделение

Из-за вырождения валентных зон, разделение зон, спровоцированное

деформацией, не может быть рассчитано безошибочно и для зоны
проводимости. Сдвиги энергии могут быть вычислены при помощи теории
k ⋅ p совместно с теорией деформации потенциала. Дисперсия энергии

валентных зон получена посредством матрицы возмущения S и матрицы

потенциала деформации D :

 Lk x2 + M (k y2 + k z2 ) Nk x k y Nk x k z 
 
S = Nk x k z Lk y2 + M ( k x2 + k z2 ) Nk y k z  (1.44)
 Nk x k z Nk y k z 2 2 2 
Lk z + M (k y + k x ) 


 lε xx + m(ε yy + ε zz ) nε xy nε zx 
 
D= nε xy lε yy + m(ε zz + ε xx ) nε zx  (1.45)
 nε zx nε yz lε zz + m(ε xx + ε yy ) 


Параметры L, M , N связаны с параметрами Латтинжера l , m, n и

обозначают потенциалы деформации валентной зоны. Эффект спин-
орбитального взаимодействия учитывается путем введения переменной спин-
орбитального взаимодействия, H so .

H = S + D + H SO (1.46)

После выполнения единичного преобразования H следующего за

некоторыми математическими манипуляциями, Манку пришел к следующей
форме описания спектра валентной зоны:
 39

h11' h22' h33' + 2h12' h23' h13' − h11' h232 − h11' h232 − h11' h232 −
∆ ' ' (1.47)
−
3
( h11h22 + h11' h33' + h22
'
h33' − h122 − h132 − h232 ) = 0

'
Здесь hij и hij связанные с матрицами S и D через отношение:

h2 k 2
hij = Sij + Dij h = hii +
'
ii − εk. (1.48)
2n

Уравнение (1.48) может быть упрощено:

3 3−i

∑∑ a ε
i =0 j =0
ij k
j
k 2i = 0, (1.49)

которое является кубическим уравнением . Его решения дают энергии

для HH, ЛГ и SO зон для определенного значения К и произвольной

деформации. Переменные aij являются функциями тензора деформации. В

отличие от работы Бир Пикус где было пренебреженно связью спина орбите,
выражение (1.49) получено с учетом этого взаимодействия, как
дополнительного возмущения. Расщепления зон могут быть получены путем
установки в (1.49), при условии

∑a ε
i =0
i
i
= 0, (1.50)

где коэффициенты ai приводятся в виде:

∆
a0 =
3
( pq + pr + qr − n 2ε T2 + n 2 (2nε xyε yzε xz − pε yz2 − qε xz2 − rε xy2 ) + pqr ) (1.51)

2∆
a1 = ( p + q + r ) + ( pq + pr + qr − n2ε T2 ) (1.52)
3

a2 = p + q + r − ∆ (1.53)
 40
a3 = −1 (1.54)

ε T2 = ε xy2 + ε yz2 + ε xz2 (1.55)

 p   l m m   ε xx 
 q  =  m l m ⋅ε 
     yy  (1.56)
 r  m m l  ε 
     zz 

1.6.3.3 Отслаивание, вырожденное нагрузкой

Первая и вторая зоны проводимости вырождены в точку Х. Такое

сопряжение двух зон в точке X имеет объяснение в терминах рентгеновского
рассеяния, полученных на решетке алмаза. Влияние деформации на
вырождение зоны в точку X впервые было рассмотрено в теоретическом
исследовании, проведенного Бир Пикус и затем проверено экспериментально
Хензель и с Лауде.
Любая деформация, которая вынуждает тензора деформации иметь
недиагональные составляющие, провоцирует искажение зонной структуры и
вырождение некоторых из них в точку Х. Это приводит к изменению
эффективной массы электрона, которое было обнаружено на основе
экспериментов циклотронного резонанса. Рассмотрим случай, в котором
одноосное напряжение приложено вдоль направления [110].
Зона расщепления в точке X может быть найдена с использованием
собственных значений:

 δε 0 δε1   ξ  ξ 
 δε δε   ˆ  = δε  ˆ (1.57)
 1 0 ξ  ξ 

где:

δε 0 = Ξ d (ε xx + ε yy + ε zz ) + Ξ d ε zz , (1.58)

δε1 = 2Ξu ' ε xy ' (1.59)

 41

Константа Eu ' в (2.59) является новым потенциалом деформации,

относящимся к вырождению в Х-точку. Рассмотрим два различных значения

Eu ' : 5.7 ± 1эВ (получено из экспериментов циклотронного резонанса) и

7.5 ± 2эВ (получено из косвенного измерения спектра экситона). Таким

образом, энергетические уровни этих двух зон проводимости:

ε∆1 = δε 0 − δε1 (1.60)

ε∆ 2' = δε 0 + δε1 (1.61)

Дисперсионная энергия из первой ( ∆1 ) и второй ( ∆ 2' ) зон проводимости

может быть определена из собственных значений гамильтониана
предложенных Бир Пикусом:

ε ± (ε − , k ) = λ ± A42 k z2 + ( 2Ξ u ' ε xy + A3k x k y ) ,

2
(1.62)

где ε − описывает дисперсию ∆1 и ε + а так же ∆ 2

'

λ = Al k z2 + a2 ( k x2 + k y2 ) + D1ε zz + D2 (ε xx + ε yy ) . (1.63)

Параметры с A1 по A 4 были получены ранее [134]:

h2 h2 h2 h2
A1 = , A2 = , A3 = , A4 = k0 . (1.64)
2ml 2mt 2m' ml

где:

1 2 ∆1 px n n p y ∆ 2'
= ∑
m' m02 n≠∆1 ε n − ε ∆1
, (1.65)
 42
2π
коэффициент k0 = 0.15 обозначает расстояние от проводимости
a0
минимума зоны проводимости ненапряженного кремния до точки Х. Приняв
новую систему координат, повернутую на 45 по отношению к
кристаллографической системе,

kx + k y kx − k y
k x' = , ky' = , kz ' = kz , (1.66)
2 2

дисперсионная энергия (1.62) может быть записана в виде

2
 A 
4 z
 2 
(
ε ± (εˆ, k ) = λ ± A k +  2Ξ u ' ε xy + 3 k x2 − k y2  .
2 2
) (1.67)

Следует отметить, что значение инвариантно относительно

преобразования описанного формулой (3.66). Эффективные массы в

направлениях x ' = [110] и y ' = [1 10] могут быть получены с помощью

отношений:

1 1 ∂ 2ε −
= , (1.68)
mt , x' (ε xy ) h2 ∂ 2 k x2' 2π
k=
a0
(
0,0,k zmin )

1 1 ∂ 2ε −
= , (1.69)
mt , y' (ε xy ) h2 ∂ 2 k y2' 2π
k=
a0
(
0,0, k zmin )

Продольная масса:

1 1 ∂ 2ε −
= . (1.70)
ml (ε xy ) h2 ∂ 2 k z2' 2π
k=
a0
(
0,0,k zmin )
 43

Здесь k zmin обозначает минимум зоны проводимости ∆1 и может быть

получен из (1.62). Подставляя значения A1 и A 4 из (1.64) в (1.62) и полагая

k x = k y = 0 , дисперсионные соотношения становится:

h2 2 h4 k02 2
( )
2
ε− = kz = 2
k z + 2Ξ u ' ε xy2 . (1.71)
2ml m1

∂e_
Полагая = 0 , получим значение минимума зоны проводимости k zmin :
∂k z

 k 1 − η 2 , η <1
k zmin =  0 , (1.72)
0, η >1

где η = 2 Eu ' ε xy / ∆ . Выражение (1.72) показывает, что минимум в

направлении [001] приближается к точке Х. На рис. 1.9 представлено влияние

сдвиговых деформаций на форму ∆1 и ∆ 2' зон проводимости. Для η ≥ 1

положение минимума находится в точке Х, таким образом k zmin = 0 .

(а) (б)
Рис. 1.9: Расщепление ∆1 и ∆ 2' зон проводимости вследствие

деформации вдоль направления [110]. k zmin обозначает минимум зоны

проводимости. (а) недеформированный кремний ( k zmin = 0.852π / α ) и (б)

напряженный ( k zmin ≠ 0.852π / α ).

 44
Оценивая производные в (1.68) в (1.70), получим величину влияния
деформации на значение поперечной и продольной масс:

  mt 
−1

 mt 1 + η  , η <1
  M
mt , x' ( ε xy ) = −1
. (1.73)
  m t 
mt  1 + sgn ( η ) M  , η > 1


в направлении [110]

  mt 
−1

 mt  1 + η  , η <1
  M
mt , y' ( ε xy ) = −1
. (1.74)
  mt 
m
 t  1 − sgn ( η )  , η >1
 M 

в направлении [1 10]

 m ( 1 − η 2 ) −1 , η < 1
 l
ml ( ε xy ) =  −1 . (1.75)
1
ml  1 −  , η > 1
  η 

для продольной массы вдоль направления [001] . Здесь sgn обозначает

сигнум-функцию и M ≈ mt / (1 − mt / m0 ) . Это изменение зонной структуры
выражается в деформировании поверхности постоянной энергии. Постоянная
энергия поверхности ненапряженного кремния имеющая форму вытянутого
эллипсоида сейчас принимает неравностороннюю эллипсоидальную форму и

характеризуется массами mt , x' и mt , y' . Как видно из рис. 1.10, масса mt , x' вдоль

направлении деформации понижается, тогда как mt , y ' неизменна к

направлению деформации.
 45

(а) (б)
Рис. 1.10: Вид сверху на постоянную энергии поверхности ∆ 2 долин в
случаях (а) отсутствия деформации (вытянутого эллипсоида) и (б) наличии

деформации (разносторонние эллипсоида). Минимум k zmin = 0.852π / α

найден в недеформированном состоянии.

Из-за этого сдвига, 6-кратный вырожденные ∆ 6 долины получают

дополнительный нелинейный сдвиг. Для одноосного растяжения вдоль
направления [110], общий сдвиг ∆ 2 X-долин имеет вид:

∆ε = Ξ d ( ε xx + ε yy + ε zz ) + Ξ uε zz + ∆ε '
(1.76)

где может быть рассчитано из (1.72) и (1.73).

 ∆ 2
 − η , η <1
∆ε ' = ε ( ε xy , k min ) − ε ( 0,k min ) 4
= . (1.77)
∆
− ( 2 η − 1) , η > 1
 4
 46

Часть 2. Разработка модели подвижности в напряженных

кристаллических структурах

2. Моделирование подвижности

Для оценки производительности полупроводниковых приборов с

использованием численных методов важно точно описать подвижность
носителей заряда. Поэтому аналитическое описание подвижности
представляется наиболее подходящим вариантом для выполнения
моделирования. На данный момент масштабные исследования проведены в
области разработки аналитических моделей подвижности
недеформированного кремния, но аналогичных работ для напряженного
кремния еще не существует.

2.1 Уравнения полупроводниковых приборов

Необходимые для численных методов уравнения могут быть получены

из уравнения Максвелла и уравнения переноса Больцмана.

2.1.1 Уравнения Максвелла

Дифференциальная и интегральная формы уравнения Максвелла

имеют вид:
Табл. 2.1
Формы уравнения Максвелла

∂B ∂B Закон индукции
∇×E = −
∂t ∫ E ⋅ dl = − ∫ ∂t ⋅ dA
Ñ
C S Фарадея
∇⋅B = 0
∫ B ⋅ dA = 0
Ñ
C
Закон магнетизма
Гаусса
∂D ∂D Закон Ампера
∇×H = J +
∂t ∫ H ⋅ dl = −∫ J ⋅ dA+ ∂t
Ñ
C S
⋅d

∇⋅D = ρ
∫ D ⋅ dA = ∫ ρ dV
Ñ
C V
Закон электростатики
Гаусса
 47
Здесь обозначает магнитное поле и вектор плотности магнитного
потока, в то время как соответствующее электрическое поле и вектор
электрического перемещения. Они связаны через уравнения:

D =∈0∈T E (2.1)

B = µ 0 µt H (2.2)

где µT и ε T обозначают относительную магнитную проницаемость и

относительную диэлектрическую проницаемость среды соответственно.
Возьмем длину волны, связанную с рабочей частотой f = 100 ГГц и получим:

c c0
λ= = = 877 µ m (2.3)
f f ∈T µT

Электрическое поле может быть выражено как градиент скалярного

потенциала поля,

E = −∇Φ (2.4)

Используя уравнения (2.1) и (2.4) и закон электростатики Гаусса, мы

получим уравнение Пуассона:

∇ ∈0∈T ⋅∇Φ = − ρ (2.5)

Плотность объемного заряда ρ в полупроводниках состоит из

подвижных зарядов и стационарных зарядов. Электроны и дырки
способствуют подвижному заряду, а стационарные заряды – это
ионизированные доноры и акцепторы,

ρ = q( p − n + C ) (2.6)

переменные n и p обозначают концентрации электронов и дырок, а C

соответствует полной концентрации примесей.
 48
Принимая дивергенцию Ампера, получаем закон тока:

∂D
∇ ⋅( ∇× H ) = ∇ ⋅ J + ∇ ⋅ =0 (2.7)
∂t

Плотность тока J в полупроводниках – это сумма плотности тока

электронов и дырок, обозначается J n и. J p

 ∂p ∂n ∂C 
∇J n + ∇J p + q  − + =0 (2.8)
 ∂t ∂t ∂t 

 ∂C 
Учитывая стационарные заряды при условии  = 0  , получаем:
 ∂t 

∂n
∇J n − q = qR (2.9)
∂t

∂p
∇J p − q = −qR (2.10)
∂t

Количество заряженных частиц дает чистую рекомбинацию

электронов и дырок. Положительное значение означает рекомбинацию,
отрицательное – вырождение носителей. Уравнения (2.9) и (2.10) известны
как уравнения непрерывности заряда.

2.1.2 Уравнения переноса и подвижности

Прогнозирование характеристик устройств, содержащих

полупроводники I-V групп, требует точного моделирования подвижности.
Широко используемый подход для расчета подвижности опирается на
уравнение Больцмана (УПБ), которое является интегрально-
дифференциальным уравнением на основе как статистических, так и
классические законов динамики:
 49

∂f  ∂f 
+ ν ⋅ ∇ r f + qE ⋅ ∇ p f =   (2.11)
∂t  ∂t coll

Технологии
деформации

В процессе
Общая Локальная
производства

Деформация
SIGE
лайнера

SGOI От эпитаксии

SDOI STI

Рис. 2.1: Классификации механизмов рассеяния в кремнии.

Функция f ( r,p,t ) обозначает унифицированную функцию

распределения частиц, – общую скорость электронов и – приложенное
электрическое поле. Левая часть уравнения (2.11) описывает изменения
функции распределения во времени в шести-фазовом пространстве
координат r и p в присутствии силы извне. Правая часть отражает влияние
различных механизмов рассеяния на функцию распределения.
Электроны и дырки ускоряются электрическим полем, но теряют
импульс в результате различных процессов рассеяния. Эти механизмы
рассеяния связаны с колебаниями кристаллической решетки (фононами),
примесями ионов, другими носителями заряда, поверхностями и другими
материальными недостатками. Рис. 2.1 представляет схему, описывающую
различные механизмы рассеяния носителей тока в полупроводниках.
Последствия всех этих микроскопических явлений сосредоточенны в
 50
макроскопическую подвижность и влияют на уравнение переноса. После
внесения определенных предположениях, таких, как приближении времени
релаксации, УПБ можно использовать для определения формы подвижности:

µ = q τ m −1 (2.12)

где τ – среднее время релаксации импульса, m – тензор

эффективных масс. Выражение подвижности в (2.12) часто называют

моделью Друде[33]. Очевидно, что величина τ напрямую влияет на

значение подвижности и, следовательно, характеристика механизмов
рассеяния помогает в оценке подвижности. Для кремния и германия, тензор
эффективных масс диагоналей с равными диагональными компонентами и,
следовательно, подвижности может быть выражено как скаляр µ .
В фактических образцах кремния, многочисленные механизмы могут
действовать, чтобы рассеять движения электронов. Основываясь на
предположении о статистической независимости механизмы рассеяния,
интенсивность рассеивания могут быть добавлено с помощью правила
Матиссена[96]:

1 1 1 1
= + + ... (2.13)
λ λ1 λ2 λn

где n включает независимые механизмы рассеяния. Таким образом,

общая подвижность получается:

1 m* 1 1 1
= = + + ... . (2.14)
µ qτ µ1 µ 2 µn

2.1.3 Плотность тока

Перенос заряда в полупроводниках может происходить за счет

применения электрического поля или через градиент концентрации
 51
носителей, температуры или свойств материала. Принимая во внимание
эффект электрического поля и градиенты концентраций, выражение для
плотности тока может быть получено из уравнения переноса Больцмана, как
показано ниже.
Используя приближение времени релаксации, интеграл столкновений в
правой части (2.11) может быть заменен выражением:

 ∂f  f − f0
  =− (2.15)
 ∂t coll τ

где f 0 обозначает равновесную функцию распределения. Предполагая

состояние равновесия, одномерные УПБ можно записать как:

∂f qE ∂f f −f
νx + = 0 (2.16)
∂x m ∂ν x τ

Умножая (2.16) на ν x и интегрируя в трехмерное пространство

получаем:

∂f 3 qE ∂f 3 ∫ν x f 0 d 3ν − ∫ν x fd 3ν
∫ν ∂x d ν + m ∫ν x ∂ν x d ν =
2 (2.17)
x
τ

Поскольку равновесная функция является симметричной, первый

интеграл в правой стороне, (2.17) обращается в нуль, и правая часть (2.17)
становится:

J x = −q ∫ν x fd 3ν (2.18)

и таким образом, мы получаем:

qτ ∂f 3 d
Jx = q E ∫ν x d ν − qτ ∫ν x2 fd 3ν (2.19)
m ∂ν x dx
 52
Вычисляя интеграл (2.19) получаем:

∂f
dν x = ∫ dν y ∫ dν z [ν x f ] −∞ − ∫ fd 3ν = −n
∞
∫ dν z ∫ν x ∂ν x
(2.20)

∫ν ν =
2 3 2
x fd n v x (2.21)

Представляя подвижность µ как в (2.12) и среднее значение ν x как

2

k BT
, плотность тока в (2.19) становится:
m

 kT 
J n = q µ n  nE + ∇n  (2.22)
 q 

Аналогичное уравнение получено для плотности дырочного тока:

 kT 
J p = q µ p  pE − ∇p  (2.23)
 q 

Уравнение Пуассона (2.5) совместно с уравнениями непрерывности

(2.9) и (2.10), а также зависимостью плотности тока (2.22) и (2.23)
представляют собой основные уравнения для выполнения дрейф диффузии
основных моделей.

2.1.4 Основные уравнения МОП (металл-оксид-полупроводник)

Вытекающий ток можно вычислить из уравнения Пуассона путем

постепенного приближения канала и приближения слоя.

 V  δ ε qN Φ 3  VDS 
3/2

 Vg − V fb − 2Φ B − DS VDS −
si α B
 1 +  − 1  (2.24)
 2  3Cox  2Φ B   
 53
W
Здесь µeff ' = µeff Cox с µeff ' - это подвижность носителей и W -
L
ширина устройства и L - длительность импульса засветки в линейном
режиме, где:

VGS > Vth è VDS < VGS − Vth (2.25)

выражение вытекающего тока может быть упрощено:

I ds = µeff ' ( VGS − Vth ) VDS (2.26)

В режиме насыщения, где:

VGS > Vth è VDS > VGS − Vth (2.27)

вытекающий ток принимает вид:

I ds = µeff ' ( VGS − Vth ) VDS − mV DS

2
 ( 1 + λV DS ) , (2.28)

где обозначает параметр модуляции длины канала. Величина Vth

означает пороговое напряжение и получается как:

Vth = V fb + ( 2m − 1) 2Φ B (2.29)

Здесь V fb - плоская зона электрического напряжения

Qox
V fb = Φ MS − (2.30)
Cox

а m - это коэффициентом эффекта тела, определяемый как:

ε si qN A / ( 4Φ B )
m = 1+ (2.31)
Cox
 54

Потенциал Φ B определяется как:

k BT N A
ΦB = In . (2.32)
q ni

В (2.31), ε si является диэлектрической постоянной (проницаемостью) в

кремниевой подложке, N A - концентрация акцепторной примеси, а Cox -

емкость на единицу площади азота. ni обозначает внутреннюю

−3
концентрацию носителей кремния, ni = 1.4 × 10 ñì
10
при 300 K.

Из уравнений (2.26) и (2.28) видно, что утечка тока прямо

пропорциональна подвижности µeff . Таким образом, применение

напряженного кремния повышает подвижность и приводит к увеличению

тока стока, в результате чего электрическая схема работает быстрее. Кроме
того, причина деформации относительного смещения зоны проводимости и
минимума валентной зоны, может привести к уменьшению порогового

напряжения в связи с уменьшением разницы функции работы Φ MS .

2.2 Массовая подвижность в напряженном кремнии

При воздействии слабого электрического поля, переносчики заряда

находятся в равновесном состоянии с колебаниями кристаллической решетки
и подвижностью слабого поля, вызванного фононным и кулоновским
излучениями. Как уже упоминалось, наличие механической деформации
изменяет относительное положение различных долин в зоне проводимости.
Значимость этих воздействий на подвижность может быть оценена с
помощью модели пьезосопротивления.

2.2.1 Модель пьезосопротивления

 55
Пьезосопростивление – это явление, связывающее электрическую
проводимость (сопротивление) и механическое напряжение. Рис. (2.2)
показывает, как изменяется сопротивление на образце кремния n-типа под
воздействием гидростатического напряжения. Сопротивление уменьшается в
линейной зависимости при напряжении до 20 ГПа. Это изменение связано с
удельным сопротивлением ρ и может быть выражено как:

∆R ∆ρ
= × k St (2.33)
R ρ

Рис. 2.2: Сопротивление в образце кремния n-типа под воздействием

гидростатического напряжения.

Изменение подвижности при приложенном напряжении можно получить

из пьезорезистивных коэффициентов, первоначально измеренных Смиттом.
При наличии напряжения проводимость полупроводников равна:

3
σ n = ∑ qn (i ) µ n(i ) (2.34)
i =1

Приведем к виду:
 56
3 3
σ n = ∑ q∆n (i )
µ n(i ) + ∑ qn (i ) ∆µ n(i ) (2.35)
i =1 i =1

Здесь n( )
i и µ n( i ) обозначают, соответственно, концентрацию и

подвижность носителей заряда в i -х парах долин напряженного кремния.

Принимая в расчет легированный полупроводник, ( ∆n = 0 ), изменения
проводимости получается в виде:

∆σ nij ∆µ nij 3
= = − ∑ π ijklTkl (2.36)
σ n0 µn0 k ,l =1

Здесь Tkl – компоненты тензора деформации. Величина π ijkl является

тензором четвертого ранга коэффициентов пьезосопротивления. Он состоит
из 81 элемента, которые после применения группы операций симметрии
сводится только к 3 коэффициентам пьезосопротивления π11 , π12 и π 44 . В
таблице 2.2 приведены значения этих коэффициентов для
пьезосопротивления кремния n - и p -типов. Изменение подвижности может
быть выражено как (использованы сокращенные обозначения, см. (1.17)):

Табл. 2.2
Коэффициенты пьезосопротивления
π11 π11 π11
p-тип Si 6.6 -1.1 138.1
n-тип Si -102.2 53.4 -13.6
 57

 ∆µ1   π11 π12 π12 0 0 0   T1 

    
 ∆µ 2   π12 π11 π12 0 0 0   T2 
1  ∆µ3   π12 π12 π11 0 0 0   T3 
 =   (2.37)
µ  ∆µ 4   0 0 0 π 44 0 0   T4 
 ∆µ   0 0 0 0 π 44 0   T5 
 5    
 ∆µ6   0 0 0 0 0 π 44   T6 

2.2.2 Физически обоснованная модель подвижности для напряженного

кремния

Для разработки модели электронной подвижности кремния при

различных условиях деформации необходимо учитывать относительный
уровень концентрации электронов в разных долинах.
Анизотропная подвижность электронов в напряженном кремнии может
быть рассчитана как средневзвешенная величина тензора подвижности
(i )
ненапряженных электронов, µ n,unc , i -ой долины зоны проводимости в

кремнии с соответствующей концентрацией электронов p i , в i -ой паре,

3
µ tot
n
= ∑ p (i ) µ (ni,)uns (2.38)
i =1

Относительная концентрация электронов каждой долины:

(i )
(i ) nstr
p = 3
(2.39)
∑ nstr(i )
i =1

(i )
Где nstr рассчитывается для невырожденных концентраций

легированных примесей с помощью статистики Больцмана, где N C(i ) -

эффективная плотность каждого из состояний.
 58

(i ) (i )  ∆ε Ñ(i ) 
nstr = NC exp   (2.40)
 k BT 

∆ε C(i ) обозначает изменения энергии, вызванное деформацией, которое

(i )
может быть вычислено при помощи теории деформации потенциала. µ n,unc -

подвижность ненапряженного электрона в i -ой долине.

 µi 0 0   µt 0 0   µt 0 0 
     
µ nx ,uns =  0 µt 0  , µ ny,uns =  0 µi 0  , µ nz ,uns =  0 µ t 0  (2.41)
0 0 µ  0 0 µ  0 0 µ 
 t  t  i

Здесь µl и µt обозначают подвижность вдоль больших и малых осей в

(i )
каждом эллипсоиде. µ n,unc - это тензор подвижности электрона кремния для

[100], [010], [001] долин соответствующих направлениям x , y и, z

соответственно. Подставляя (2.38) в (2.41), в соплоскостную (X-компонента)
и перпендикулярную (Z-компонента) компоненты, подвижность электронов в
напряженном кремнии на (001) кремниево-германиевой подложке может
быть выражена как:

( µi + µt ) exp  −∆ε x / ( k BT )  + µt exp  −∆ε y / ( k BT ) 

µP = (2.42)
2exp  −∆ε x / ( k BT )  + exp  −∆ε z / ( k BT ) 

2µt exp  −∆ε x / ( k BT )  + µt exp  −∆ε z / ( k BT ) 

µ⊥ = (2.43)
2exp  −∆ε x / ( k BT )  + exp  −∆ε z / ( k BT ) 

При определении (2.42) и (2.43), было использовано соотношение

∆ε x = ∆ε y , которое является следствием двухосного растяжения в результате

роста кремния на кремнии-германии. Подвижность при отсутствии
напряжения может быть получена при предположении ∆ε x = ∆ε y = ∆ε z = 0 .
 59
2 µt + µi
µuns = (2.44)
3

Рис. 2.3: Соплоскостная и перпендикулярноплоскостная компоненты

подвижности электрона в нелегированном напряженном кремнии и в
содержащем германий в [001]-направленном буферном слое.

Уравнения (2.42) и (2.43) представляют собой модель, представленную в

работе Манку. Она воспроизводит линейное увеличение (уменьшение)
соплоскостных (внеплоскостных) компонент подвижности электрона под
воздействием слабой деформации после воздействия сильного. Тем не менее,
модель показывает слишком высокое значение подвижности в отсутствии
напряжения при фиксированной величине насыщения. Это связано с тем, что
она не учитывает влияния долины рассеяния, которая присутствует в
ненапряженном кремнии и приводит к более низкой подвижности. Модель
(2.42) и (2.43) использует только два параметра µt , и µl , совместно с
которыми не является возможным сопоставить одновременно три величины,
такие как ненапряженную и напряженную соплоскостную и внеплоскостную
подвижности электронов.
 60
Для уточнения модели подвижности электронов в напряженном
кремнии, включим влияние долины рассеяния. Уравнение (2.38) изменяется
следующим образом:

3
µ tot
n
= ∑ p (i ) µ (ni,)str (2.45)
i =1

(i )
Здесь µ n,str обозначает тензоры подвижности электрона напряженного

кремния для [100], [010], [001] долин. В (2.45) тензор подвижности

вычисляется как произведение скаляра подвижности и масштабного тензора
обратной массы.

µ (ni,)str = µ m(−i1) , i = x, y, z (2.46)

Отмасштабированные обратные тензоры эффективной массы в

направлениях x , y и, z :

 mc 0 0   mc 0 0   mc 0 0 
 mi
  mt
  mt 
mx = 0 m 0 , m y = 0 m 0 , m z = 0 m 0 
−1   −1   −1 
mc mc mc
 t   i   t  (2.47)
 mc   mc   mc 
0 0 m  0 0 m  0 0 m 
 t   t   i 

mt и ml обозначают поперечную и продольную массы соответственно,

для эллипсоидальных -долин в кремнии. Тензоры масс трансформируются
в безразмерный вид посредством массы проводимости mc :

3
mc =
2 1 (2.48)
+
mt mi

( −1) ( −1) ( −1)

Из этого следует, что mx + m y + mz = 3I , где I - единичная

матрица. Скалярная подвижность µ включает зависимость от изменения

 61

энергии ∆ε c(i ) и концентрации легирующих примесей N I в напряженный

слой кремния.

( )
µ N I , ∆ε C( ) =
i

ε

1 1 1
mc   (2.49)
+ +
τ
 ( ( i)
 equiv τ neq ∆ε C ) τ I ( NI ) 



В (2.49) используются следующие обозначения времени релаксации

импульса:
τ equiv для акустического внутридолинного рассеяния и междолинного

рассеяния для долин одинакового типа ( g -типа).

τ neq (∆ε C(i ) ) для междолинного рассеяния неэквивалентных долин ( f -тип

рассеяния).
τ I ( N I ) для рассеяния на примесях

Рис. 2.4: Внутри и междолинные переходы внутри 3-ей долины кремния.

Рис. 2.4. показывает механизмы F и G-типов рассеяния. Влияние

различных механизмов рассеяния на общую подвижность описывает правило
Матиссена, см. (2.49). Чтобы получить формализованное описание
 62
компонентов подвижности напряженного кремния рассмотрим следующие
случаи.

2.2.2.1 Подвижность электронов в ненапряженном и нелегированном

кремнии

Скаляр подвижности электронов для ненапряженных и нелегированного

кремния, также называемый подвижность решетки µ L , может быть получен

путем уменьшения коэффициента рассеяния на примесях в (2.49).

ε
µ n,uns =
 
1 1 1
mc   (2.50)
+ +
τ
 ( ( i)
 equiv τ neq ∆ε C )
τ I ( NI ) 



0
Здесь τ neq обозначает междолинное время релаксации фононного

рассеяния f -типа в ненапряженном кремнии. Поскольку в случае отсутствия

напряжения все три уровня долины одинаково заполнены, получаем

p x = p y = p z = 1 / 3 . Используя (2.49) общая подвижность без напряжения

может быть записана в виде

ε 3
1
µ n,uns =
 1
∑
 3
m(−i1) = µ L I
1 i =1 (2.51)
mc  + 0 
 τ equiv τ neq 
 

Заметим, что сумма представляется в виде единичной матрицы I .

2.2.2.2 Подвижность электронов в напряженном и нелегированном

кремнии

Под воздействием соплоскостного двухосного растяжения, 6-кратный

вырожденные ∆ 6 -долины в кремнии делятся на двукратно вырожденные ∆ 2
долины (ниже по энергии) и в 4-кратно вырожденные долины (выше по
 63
энергии) с электронами преимущественное занимающих нижние
энергетические уровни. В таких условиях значительно увеличивается
подвижность электронов в параллельном и перпендикулярном направлениях.
Значения насыщения могут быть получены из (2.45), установив
−1
τ neg ( ∆ε C(i ) ) = τ I−1( N I ) = 0 .

eτ equiv eτ equiv
µtsat = , µisat = (2.52)
mt mi

При этом предполагается, что деформационное расщепление долины

достаточно велико для того, чтобы низкие долины были полностью заселены
и междолинное рассеяние было полностью подавлено.
Отношение между подвижностью при максимальном напряжении µtsat и

его отсутствии µ L определяет коэффициент увеличения подвижности:

µtsat mc  τ equiv 
f = L = 1 + 0  (2.53)
µ mt  τ neq 

2.2.2.3 Электронная подвижность в ненапряженном и легированном

кремнии

По аналогии с (2.49) электронная подвижность для ненапряженного

кремния с концентрацией примеси N I может быть записана как:

e
µ LI = I = µ LI I
 1 1 1  (2.54)
mc  + 0 + 
 τ equiv τ neq τ I ( N I ) 
 

где µ LI означает подвижность решетки, включая действия примесного

рассеяния. Умножая правую часть (2.54) на τ equiv получаем:

 64
eτ equiv
µ LI =
 τ equiv τ  (2.55)
mc  1 + 0 + equiv 

 τ neq τ I ( N I ) 


Трансформируя (2.55), можно выразить отношение τ equiv / τ I ( N I ) как:

τ equiv eτ equiv 1  τ equiv 

= ⋅ − 1 + 0  (2.56)
τ NI mc µ LI  τ neq 

Из формулы (2.51), подвижность решетки µ L может быть переписана:

eτ equiv
µL =
 τ  (2.57)
mc  1 + equiv 
 τ 0 
 neq 

e ⋅ τ equiv
Подставляя значение из (2.57) в (2.56) получаем
mc

τ equiv  µ L   τ equiv   µ L m
=  LI − 1 ⋅ 1 + 0  =  LI − 1 t ⋅ f (2.58)
τ NI µ   τ neq   µ  mc

Последнее соотношение (2.58) получено с помощью (2.53).

2.2.2.4 Электронная подвижность напряженного и легированного

кремния

Показатель междолинного рассеяния – это функция деформационного

рассеяния долин. Он может быть выражен с помощью безразмерного фактора

h(i ) , такого, что:

h( )
i
1
( i)
= 0 (2.59)
τ neq τ neq
 65
В напряженном кремнии, обобщенный коэффициент рассеяния
электронов для долин от i до j и l имеет вид:

1 1 1
( i)
= + (2.60)
τ neq τ ( i − j ) τ ( i −l )

Для слабых электрических полей равновесная функция распределения

при предположении τ (i − j ) может быть вычислена:

1
∫ S ( ε , ∆ij ) ⋅ f ( ε ) dε
= 0
∞ (2.61)
τ ( i− j )
∫ f ( ε ) dε
0

междолинный коэффициент рассеяния S определяется как:

  hωopt  1/2 
( ) ( ) ( )
1/2
S ε , ∆ ij = C  ε − ∆ emi
ij + exp  abs
 ε − ∆ ij  (2.62)
  k BT  

∆ ijemi = ∆ε C( ) − ∆ε C( ) − hωopt
j i
(2.63)

∆ ijabs = ∆ε C( ) − ∆ε C( ) + hωopt
j i
(2.64)

и функция распределения Больцмана f (ε )

 −ε 
f ( ε ) = exp   (2.65)
 k BT 

Здесь hwopt обозначает фононную энергию, ∆ε C(i ) рассеяние, вызванное

напряжением, а C является константой. Более точную форму выражение для
расчета коэффициента рассеяния получает при добавлении в (2.61) плотности
состояний D(ε ) ,т. о. имеем:
 66
∞

1
∫ S ( ε , ∆ij ) ⋅ D ( ε ) dε
= 0
∞ (2.66)
τ ( i− j )
∫ f ( ε ) D ( ε ) dε
0

Расчет коэффициента рассеяния с помощью (2.61) и (2.66) приводится в

Приложении А.
(i )
Используя эти выражения, τ neq может быть выражена как:

1   ∆ emi   ∆ ilemi   hωopt    ∆ ij 

abs  ∆ ijabs   
ij
( i)
= C g  + g  + exp g    g  + g    (2.67)

  B     
τ neq 
k T k
 B  T k T
 B    B  k T  B   
k T

Функция q определяется как

exp ( − z ) ⋅ Γ ( 32 ) ∀z > 0
g ( z) =  (2.68)
exp ( − z ) ⋅ Γ ( 2 , − z ) ∀z < 0
3

3 π 3 
Здесь Ã   = и Ã  , − z  обозначает неполную гамма-функцию. В
2 2 2 
отсутствии напряжения

∆ ijemi = − hωopt , ∆ ijabs = + hωopt (2.69)

0
и, следовательно, ненапряженное междолинное время релаксации τ neq

может быть получено как:

1   −hωopt   3 
0
= 2C  g   + Γ   (2.70)
τ neq   k BT   2 

Множитель h(i ) в (2.59) можно определить из (2.67) и (2.70).

Умножая правую часть (2.49) на τ equiv получаем:

 67
eτ equiv
µ ( i) =
 τ 0 
equiv τ neq τ (2.71)
mc 1 + 0 ⋅ ( i ) + equiv 
 τ neq τ neq τ I ( N I ) 
 

Используя соотношения (2.53), (2.57) и (2.58), подвижность электронов в

каждой из i долин в напряженном кремнии может быть записана как:

βµ L
µ ( i) = m(−i1)
n ,str  µL  (2.72)
1 + ( β − 1) h( ) + β  LI − 1
i

µ 

−1
где m(i ) обозначает тензор эффективной массы для i -ой долины в (2.47),

β = f ⋅ mt / mc . Уравнение (2.72) объединено с (2.45), что дало обобщенный

тензор подвижности электронов в напряженном кремнии в зависимости от
концентрации примеси и напряжения. Тензор (2.72) получен в главной
системе координат и матричной форме.

2.2.3 Зависимость от легирования

Влияние легирования и деформации на соплоскостную и

перпендикулярную составляющие электронной подвижности в кремнии
вычисляется с помощью уравнения (2.72) путем принятия какого-либо
подходящего выражения, описывающего влияние примеси на

ненапряженный кремний. Модель, выражающая влияние легирования µ LI на

электронные максимумы и минимумы была предложена в работе [99].

µ nL − µmin
mid mid
µmin hi
− µ min
µ nLI,min = η
+ λ
hi
+ µ min
 NA   N  (2.73)
1 +  mid  1 +  hiA 
C   Cmin 
 68

µ nL − µmaj
mid mid
µ maj hi
− µ maj
µ nLI,maj = η
+ λ
hi
+ µ maj
 NA   N  (2.74)
1 +  maj  1 +  hiA 
C   Cmaj 
 

где, µ nL - это подвижность нелегированного материала, µ hi -

подвижность при наибольшем легировании. Все остальные параметры
находятся путем подбора. Разница между максимумом и минимумом
электронной подвижности вызывает такие эффекты, как вырождение и
различные изменения поведения электронов и дырок в полупроводнике.
(2.74) описывает математические функции с двумя экстремумами и может
получать второй максимум или минимум при очень высоких концентрациях
примеси в зависимости от знака µl . Таким образом, она позволяет
моделировать поведение носителей заряда как в максимумах, так и в
минимумах

2.2.4 Подвижность при воздействии сдвигового напряжения

При растяжении вдоль направления [110], энергетическая дисперсия

слабой зоны проводимости изменяется следующим образом:
Усиливается энергия ∆ 4 -долин, расположенных вдоль направлений

[ 100] и [ 010] в связи с воздействием ∆ 2 -долинам, расположенных вдоль

направления [ 001] .
В результате изменение эффективной масс в результате изменение
эффективной массы, изменяется форма долин, расположенных вдоль

направления [ 001] .

Минимум ∆ 2 -долины движется в направлении [ 001] вдоль границы

2π
зоны X , k X = ( 0,0, ± 1) .
a0
 69
Модель, представленная в разделе 2.2.3 опирается на а) модель времени
релаксации импульса, б) изменение относительной концентрации носителей
заряда в разных долинах в результате энергетического сдвига, и с) тензор
эффективной массы (с постоянным mt и ml ) , что дает тензорное описания
подвижности. Однако, как указано в разделе 2.2.3, под воздействием

одноосного растяжения вдоль направления 110 на двукратно вырожденные

∆ 2 -долины, понижается их энергетический уровень, что является

результатом изменения эффективной массы.
Для расчета подвижности под воздействием сдвиговой деформации,
должны быть изменены тензоры эффективных масс в (2.47). Используя (2.35)
можно переписать выражение энергетической дисперсии ∆ 2 -долин при

напряжении вдоль направления [ 110]

h2  k[ 110] k[ 110] k z2 
2 2
ε ( k) =  + +  (2.75)
2  mtP mt ⊥ ml 
 

Используя преобразование (1.66), дисперсионное соотношения в

основной системе координат ( x, y, z ) принимает вид:

h2  2  1 1   1 1  1 1 1  k z2 
ε ( k) =  kx  +  + k 2
y +  + 2 k k
x y  −  +  (2.76)
2   mtP mt ⊥  m
 tP m 
t⊥  2 m
 tP m  ml 
t⊥ 

которое может быть выражено как

h2 T −1
ε ( k) = k m k (2.77)
2

( )
Здесь k = k x , k y , k z и матрица m −1 обозначает тензор инверсной массы
 70

 mt−1 m∆−1 0 
 
m −z 1 = mc  m∆−1 mt−1 0  (2.78)
 −1 
0 0 m 
 l 

mt−P1 + mt−⊥1
mt−1 = (2.79)
2

mt−P1 − mt−⊥1
m∆−1 = (2.80)
2

mt−P1 + mt−⊥1 + ml−1

mc−1 = (2.81)
3

Поперечная масса вдоль направлений [ 110] и  110  в ∆ 2 -долинах

определена как mtP и mt ⊥ соответственно. Изменение этих масс может быть

выражено как функция деформации, описанная в (1.73) и (1.74). Подставляя
(2.78) в (2.72) получаем тензор подвижности, который в настоящее время
имеет нелинейный вид в основной системе координат.
Предполагая условие ε xy не равное нулю, пересчитанный тензор
инверсной массы имеет вид (2.78). Для не нулевых значений компонент

сдвиговой деформации ε yz и ε xz , пересчитанный тензор инверсной массы

(2.78) дает возможность выразить пересчитанный тензор инверсной массы
для x и y долин.

 mt−1 0 0   mt−1 0 m∆−1 

   
m −x 1 = mc  0 mt−1 m∆−1  , m −y1 = mc  0 mt−1 0  (2.82)
   −1 −1 
 0 m∆−1 ml−1   m∆ 0 m 
   l 
 71
2.3 Электронная подвижность напряженного германия

Расчетную модель подвижности в напряженном кремнии, полученную

в разделе 2.2.3 можно также применять для оценки подвижности в
напряженном германии. С недавнего времени исследуется возможность
использования германия в качестве канального материала [145] в следующем
поколении КМОП-технологии. Этот интерес обусловлен значительно
большей подвижностью носителей заряда в германии по сравнению с
кремнием.
В германии минимум зоны проводимости состоит из четырех

вырожденных пар -долин, расположенных вдоль направления 111 .

Применение деформаций снимает вырождение долин. Расщепление долины
для i -парной долины может быть вычислено с помощью уравнения (1.42) и
тензора подвижности:

= ∑ p ( ) µ (ni,)str , i = [ 111] , 111 , 111 , 111

i
µ tot
n (2.83)
p

Тензоры инверсных масс здесь выражены как:

 ml−1 0 0 
 
m(−i1) = Z T SZ , S = mc  0 mt−1 0  (2.84)
 −1 
0 0 m 
 t 

При использовании масс mt = 0.081 ⋅ m0 и ml = 1.88 ⋅ m0 получаем

матрицы преобразования:

 1 1 1   −1 1 1 
   
 3 3 3   3 3 3 
 −1 1   −1 −1 
Z[ 111] =  0 , Z =
 111  0  (2.85)
 2 2     2 2 
 −1 −1 2  1 −1 2 
   
 6 6 3  6 6 3
 72

 1 1 1   1 −1 1 
   
 3 3 3   3 3 3 
 −1 1   1 1 
Z 111 = 0  , Z 111 =  0  (2.86)
 
 2 2     2 2 
 −1 −1 2  −1 1 2
   
 6 6 3  6 6 3

Под воздействием одноосных сжимающих деформаций вдоль

направления [ 111] , энергия пар долин, расположенных по направлению [ 111]

( Ll ) , уменьшается, а оставшихся трех пар ( L2 , L3 , L4 ) увеличивается. Долины

( L2 , L3 , L4 ) остаются вырожденными. В связи с этим уменьшается

эффективная масса в плоскости (111) и снижается междолинное фононное
рассеяние, что приводит к повышению подвижности.

α
µ = µ300 ( 300 / T ) (2.87)

Здесь µ300 - объемная подвижность при 300K и α является

параметром. Температурная зависимость вводится в аналитическую модель
посредством увеличивающего фактора f :

β
f = f300 ( 300 / T ) (2.88)

Где f300 - прирост подвижности в ненапряженном германии при 300K.

Температура решетки также влияет на подвижность посредством
коэффициентов междолинного рассеяния (2.61) и долинной заполненности
(2.39).

2.4 Подвижность инверсного слоя

Способ переноса носителей заряда в инверсном слое отличается от

объемного. Он представляет собой взаимное воздействие материалов на
границе Si / SiO 2 . Подвижность на поверхности значительно ниже объемной,
 73
так как носители подвергаются дополнительному рассеянию из-за
шероховатости поверхностей, в то время как на них действуют также
основные механизмы рассеяния.
Компоненты нормали электрического поля к границе Si / SiO 2 приводят
к образованию потенциальной ямы, которая ограничивает носителей заряда
от области стыка, и формированию двумерного электронного газа (2DEG)
или дырочного газа (2DHG). Переносчик заряда, таким образом, является
квантованным в направлении нормали стыка, что ведет к образованию
полосы отсутствия проводимости или валентной зоны, как показано на рис.
2.5 (a).
Для поверхности (100) два множества подзон, обработанные и
необработанные, формируются в связи с различными квантованными
массами. В треугольном приближении уровень энергии в i подзоне обратно
пропорционален квантованной массе. Таким образом, энергии подзон в
долине ∆ 2 отличаются незначительно, и в абсолютном выражении также

ниже, чем подзоны в ∆ 4 долине. Подвижность может быть вычислена из

подзонной структуры с использованием численных методов с учетом
коэффициентов рассеяния между подзонами. Такой подход, однако, уже
хорошо известен, поэтому его следует заменить более эффективным
подходом аналитического моделирования.
 74
Рис. 2.5 (а). Смещение подзон проводимости в ненапряженном кремнии.

Рис. 2.5 (б). Смещение подзон проводимости в напряженном кремнии.

2.4.1 Общая подвижность

Экспериментальные данные показывают, что подвижность

инверсионного слоя, при исследовании ее как функции нормали компоненты
электрического поля к поверхности Si / SiO 2 , представляет собой функцию
зависимости от концентрации примеси, магнетизма нанесенного слоя и
подложки и толщины оксида. Эффективная подвижность является
пространственным усреднением контура подвижности в инверсионном слое.
Сабнис и Клеменс[109] установили, что если эффективную подвижность
электронов строить как функцию действующего перпендикулярно на
инверсионный слой электрического поля, будет получена универсальная
кривая подвижности.
Эффективное поле, с которым сталкиваются электроны в слое
инверсии определяется как среднее значение нормали электрического поля
E y ( y ) , с учетом концентрации электронов n y ( y ) .
 75
yi

∫ E y ( y ) n ( y ) dy
Eeff = 0
yi (2.89)
∫ n ( y ) dy
0

Добавление в (2.89) выполняется с учетом глубины слоя инверсии, yi . С

учетом верхней ( Etop ) и нижней ( Ebottom ) точек инверсионного слой,

эффективное поле принимает вид:

Etop + Ebottom 1  Qinv 

Eeff = =  + Qdepl  (2.90)
2 ε si  2 

Чтобы получить (2.90), отношения

Qinv + Qdepl
Etop = (2.91)
ε si

Qdepl
Ebottom = (2.92)
ε si

получены из закона Гаусса. Qinv и Qdepl обозначают инверсионную и

сниженную плотности зарядов, соответственно, и могут быть вычислены как

yi
Qinv = − q ∫ n ( y ) dy (2.93)
0

Qdepl = 4k siφB N sub / q (2.94)

Определение энергии Eeff (2.90) справедливо для электронов на (100)-

ориентированной поверхности и в общем виде имеет вид:

1
Eeff =
ε
(η Qinv + Qdepl ) (2.95)
 76
Параметр η зависит от ориентации поверхности кристалла и может
принимать значения, отличные на 1 / 2 за счет эффекта повторного
долинного заселения [145]. Для оценки подвижности электронов на (110) и
(111) поверхностях, можно предположить η ≈ 1 / 3 .

Рис. 2.6: Общая подвижность в кремнии, инверсный слой.

Аналогично (2.89) эффективная подвижность µeff в инверсном слое

кремния может быть определена как:

yi

∫ µ ( y ) n ( y ) dy
µeff = 0
yi (2.96)
∫ n ( y ) dy
0

Экспериментально, эффективная подвижность может быть определена

исходя из отношения тока стока (2.24):

µeff =
L g d Vg ( )
(2.97)
W Qinv Vg ( )
 77
∂I d
где qd = обозначает проводимость стока. На рис. (2.6) показаны
∂Vdc
различные режимы подвижности слоя инверсии. Под воздействием слабых
полей, подвижность носителей заряда превосходит кулоновское рассеяние,
которое является более значительным при сильных полях. При умеренных
полях, подвижность определяет рассеяние фононов. В конечном счете, под
действием сильного поля, подвижность зарядов значительно ограничивает
рассеяние, связанное с шероховатостью поверхности. Универсальный
характер подвижности носителей заряда объясняется фононной
подвижностью и шероховатостью поверхности.

2.4.2 Полуэмпирическое моделирование

Влияние деформации на подвижность инверсионного слоя можно

объяснить учитывая изменения в структуре подзон. Под воздействием
нагрузки, каждая цепочка подзон испытывает дополнительный сдвиг
энергии, как показано на рис. 2.5 (б). Поскольку этот сдвиг зависит от
ориентации долины, он может быть разным для каждой из них, и,
следовательно, вырождение между цепочками подзон можно предотвратить.
Несмотря на но, что было проведено множество исследований по расчету
подвижности подзон методом Монте-Карло многими группами ученых [38],
мало что было сделано в области разработки упрощенной аналитической
модели подвижности инверсного слоя, пригодной для использования в
устройствах. Это связано в первую очередь с большим коэффициентом
сложности и комплексностью физических эффектов, возникающих в
инверсных слоях под воздействием напряжения.
Полуэмпирический подход, основанный на модели подвижности
Дарвиша [26] для эпитаксиально нарощенного кремния на ненапряженном
кремнии-германии, был предложен [108]. Влияние деформации учитывается
в модели через две функции α ( x) и β ( x) , где x обозначает мольная доля
германия в основной подложке кремния-германия. Эта модель сопоставима с
 78
некоторыми экспериментальными данными и дает хорошее совпадение при
определенном наборе данных.

Рис. 2.7: Эффективная подвижность под воздействием поля на

напряженный кремний представленная для различных наборов данных.

На рис. (2.7) показана эффективная подвижность под воздействием

поля для двуосно-напряженного кремния, выращенного на расслабленной
кремниево-германиевой подложке, полученная посредством нескольких
экспериментальных групп. Рисунок показывает значительный разброс
значений эффективной подвижности в разных группах при одном и том же
содержании германия. Возможными причинами этого разброса являются
различные условия обработки. Было также предположено, что электроны в
инверсном слое уменьшают рассеяния из-за шероховатости поверхности [37].
Двусмысленность в объяснении сокращения рассеяния и изменения
параметров обработки делает моделирование эффективной подвижности
сложнейшей задачей.
В этой работе, поверхностная подвижность также моделируется
полуэмпирическим методом. Используется представление, аналогичное
предложенному Дарвишом [26] :
 79

1  1 1 1 
= R + + −1  (2.98)
µ0  µb µ ac µ sr 

Здесь переменные µb , µ ac и µ st обозначают объемную, фононную и

ограниченную шероховатостью поверхности подвижности, соответственно.
Объемная подвижность µb получается путем проецирования тензора
подвижности (2.45) в направлении вектора движущей силы. Под
воздействием сильного поля, подвижность инверсионного слоя зависит от
поверхностных акустических фононов и может быть выражена как [26]:

1 
γ1 r 2 1/3
 Eref   NI  N   N 
  ref 
E
µ ac = B    + C1 + C2 ⋅  I  + C3  I  (2.99)
E⊥  N ref    N ref   N ref   E ⊥ 


Формульное выражение в (2.99) основано классическом и квантово-

механическом представлении толщины слоя инверсии, как предлагается в
[113]. E⊥ обозначает перпендикулярную к поверхностному рассеянию
составляющую электрического поля.
При очень высоких полях подвижность, ограниченная рассеянием из-за
шероховатости поверхности была смоделирована как:

  N   N 
2 γ
  ref 
S
µ sr =  D1 + D2 ⋅  I  + D3  I  (2.100)
  N ref  E ⊥ 
    N ref  

Sexp
 n ( r ) + 1015 
γ = A + 0.5   (2.101)
 N
 I 

Переменная γ является функцией местного инверсного заряда.

Увеличение показателя при увеличении инверсного заряда обусловлено
повышением рассеяние между подзонами при более высоких полях [91]. В
 80
(2.99) и (2.101), необходимо учитывать зависимость от примесей, чтобы

получить соответствие между расчетным и измеренным значением µeff .

Параметр R в (2.98) является функцией фактора усиления и имеет вид:

R ( f ) = µ str
L
( f ) / µuns (2.102)

L
Параметр µ str ( f ) обозначает только подвижность решетки (без
зависимости от примесей) напряженного кремния и может быть получен
путем проектирования подвижности (2.45) по направлению вектора
приложенной силы. Экспериментальные данные на рис. 2.7 показывают, что
увеличение подвижности значительно под воздействием слабого поля. Для
отражения этого эффекта в модели, был вычислен коэффициент усиления:

 f1, E⊥ < E1
 2
  E − E1 
f =  f1 − ( f 2 − f1 ) ⋅   , E1 < E⊥ < E 2 (2.103)
  E2 − E1 
f , E >E
 2 ⊥ 2
 81

Часть 3. Анализ результатов моделирования в

приближении слабого поля
3.1 Результаты моделирования в приближении слабого поля
В целях подтверждения аналитической модели, Монте-Карло были
выполнены расчеты, параметрами которого служат экспериментальные
данные, представленные в форме коэффициентов пьезосопротивления[121].
Под воздействием слабой нагрузки подвижность электронов в плоскости
увеличивается линейно[63], что характеризуется коэффициентами
пьезосопротивления. Было отмечено, что значительно изменился потенциал
одноосной деформации EU от своего первоначального значения 9,27 эВ[105]
до 7,3 эВ, поскольку EU зависит от колебания долины (1.42) и,
следовательно, от плотности носителей заряда. В таблице 3.1 представлены
значения потенциала одноосной деформации.
Численные расчеты, представленные в литературе, указывают на
значительный разброс значений степени насыщения плоскостной
электронной подвижности в двуосно-деформированном слое кремния.
Коэффициент увеличения колеблется в пределах от 56%[11] до 180%[142], в
то время как измерения показывают значение около 97%[52]. В приведенных
расчетах используется среднее значение этого коэффициента 70%.

Табл. 3.1: Потенциал деформации Eu (в эВ), представленный в

различных справочниках.

Значение 8.86 8.47 9.2 7.3 9.29 10.5

Координат
A B C D E F
а
 82
Табл. 3.2
Константы взаимодействия междолинного рассеяния в кремнии в
108 эВ / см  .
 

Вид
A B C D
рассеяния
g1 0.5 0.5 - 19.2
g2 0.8 0.8 4.0 -
g3 11 11 8.0 -
f1 0.3 0.3 2.5 19.2
f2 2.0 2.0 - -
f3 2.0 2.0 8.0 -

Для достижения такого значения, требуется согласовать коэффициенты

взаимодействия фононов g -типа и f-типа. Полученные значения для
междолинного рассеяния в кремнии приведены в таблице 3.2. Так как
высокая нагрузка полностью подавляет рассеяние фононов f-типа ∆ 2
долинах, единственный способ добиться увеличения подвижности –
снижение коэффициентов связи фононов g -типа. Однако, эта манипуляция
приведет к увеличению подвижности недеформированных электронов. Для
устранения этого эффекта следует увеличить количество фононов f-типа.
Коэффициенты связи фононов g -типа были уменьшены на 1,06
единиц, и таким образом f-типа фононов увеличены на 1,16, по сравнению с
первоначальными значениями предложенный Jacoboni[52]. Единственная
переменная модели междолинного рассеяния (2.67) – энергия фонона. При

расчетах используется ее предполагаемое значение hwopt = 60meV . Не смотря

на то, что модель, основанная на коэффициентах пьезосопротивления
предполагает линейную связь между деформацией и повышением
подвижности, предложенная модель объясняет значительное повышение
подвижности при сильной деформации, как наблюдалось в эксперименте.
Каждая система координат имеет свою матрицу преобразования.
Исходя из этого, посредством преобразования тензора подвижности,
 83
получены составляющие электронной подвижности для различных
направлений основного слоя кремния-германия (1.19). На рис. 3.1
представлены составляющие подвижности электронной решетки,
полученные с помощью выражения (2.72) для ориентаций подложки (001) и
(110), соответственно. Для ориентации подложки (001) обе плоскостные
составляющие электронной подвижности равны максимальной подвижности
при насыщенности свыше 2400 cm 2 / Vs , что означает около 30% содержания
германия. На рис. 3.1(а) представлены результаты моделирования Монте-
Карло в направлении (110), которые показывают, что соплоскостная
составляющая электронной подвижности ( [110] ) равна перпендикулярной
компоненте ( [110] ). Это свойство также отражено в аналитической модели.

(а) (б)
Рис. 3.1. Соплоскостная и перпендикулярноплоскостная составляющие
электронной подвижности в беспримесном напряженном кремнии в
сравнении с содержащим германий (а) в (001) и (б) в (110) ориентированном
основном слое кремния-германия. Подвижность вычисляется с помощью
выражения (2.72), сравнивается с данными, полученными с помощью
коэффициентов пьезосопротивления и расчетов Монте-Карло.
 84
На рис. 3.2 представлены три различные составляющие подвижности
для (123)- ориентированной подложки. Аналитическая модель совпадает с
результатами вычислений Монте-Карло в случае высокого содержания
германия в слое кремния-германия. При очень большой нагрузке
(содержание германия ≥ 0,85) отклонение объясняется тем, что
предложенная модель не учитывает население долины L.

Рис. 3.2: Соплоскостная и перпендикулярноплоскостная составляющие

электронной подвижности в беспримесном напряженном кремнии в
сравнении с содержащим германий в (123) ориентированном основном слое
кремния-германия в сравнении с расчетом методом МК.
 85

(а) (б)
Рис. 3.3: Угловая зависимость соплоскостных составляющих электронной
подвижности(в cm 2 / Vs ) в беспримесном напряженном кремнии (а) в (110) и
(б) в (123) ориентированном основном слое кремний-германий, вычисленная
с использованием (2.72). Содержание германия 30%.

Зависимость электронной подвижности в напряженном кремнии в

плоскости угла γ может быть получена путем проецирования тензора
tot
подвижности µ n в направлении вектора плоскости .

µ (γ ) = a T (γ ) ⋅ µntot ⋅ a(γ ) (3.1)

На рис. 3.3 представлено изменение подвижности в зависимости от

угла γ для (110) и (123) кремниево-германиевой подложки, рассчитанное с
помощью (3.1). Векторы плоскости и на которых электронная
подвижность достигает своего максимального и минимального значения
можно найти посредством приравнения производной (3.1) к нулю. Так же
можно выбрать два любых вектора в ортогональной плоскости и и
рассчитать проекцию тензора подвижности.
µ ml = mT ⋅ µ ntot ⋅ 1 (3.2)
Векторы и можно получить посредством вычисления собственных
значений и собственных векторов матрицы:
 86

 µ mm µ ml 
µ (3.3)
 lm µll 

(а) (б)
Рис. 3.4: Влияние одноосного (в направлении 110 ) и двухосного
напряжения (а) на долину расщепления, (б) на изменение поперечных и
продольных масс в ∆ 2 -долинах кремния.
 87

В самых нижних ∆ 2 -долинах под воздействием сдвигового напряжения

возникает изменение энергии. На рис. 3.4 (а) представлено расщепления ∆ε
для двуосно и одноосно напряженного кремния. Эксперимент показал, что
двуосное растяжение является более эффективным при расщеплении зоны

проводимости долин, чем одноосное в направлении 110 .

На рис. 3.4 (б) показаны изменения плоскостных составляющих масс:

параллельной ( mtP) и перпендикулярной ( mt ⊥ ) нагрузке, продольной ( ml ) ∆ 2 -

долине, вычисленные как функции от нагрузки с помощью выражений (1.73)
в (1.75). Значения параметров Eu ' и были приняты как 7,0 эВ и 0,53 эВ,

соответственно. Видно, что при увеличении нагрузки вдоль 110

происходит значительное изменение ∆m * .

На рис. 3.5 показана анизотропия подвижности в 110 и 100

направлениях деформации с учетом и без изменений в эффективной массы.

Отчетливо видно, что для одноосной нагрузки вдоль 110 невозможно

пренебречь переменной ∆mt . Для одноосного сжатия, с другой стороны,

изменение эффективной массы нижних ∆ 4 -долн незначительно.

Рис. 3.5: Плоскостная подвижность как функция угла плоскости при 1,5

ГПа одноосном растяжении вдоль 100 и 110 .

 88

: 110 деформация без поправки на массу;

: 110 деформация с поправкой на массу;

: 1.5 ГПа одноосного растяжение вдоль 100 .

На рис. 3.6 сравниваются составляющие электронной подвижности при

увеличении сжимающей нагрузки вдоль направления [110] , полученные
методом Монте-Карло и с помощью аналитической модели. Поскольку
эффективные массы не изменяются при сжимающей деформации, обе
компоненты подвижности одинаковы. Три различные компоненты

подвижности µ[110] , µ[110] и µ[001] возникают в случае одноосного

растягивающего напряжения, приложенного вдоль направления [110] (рис.

3.6 (б). Результаты, полученные с помощью модели аналогичны результатам
моделирования Монте-Карло.

(а) (б)
Рис. 3.6: Сравнение параллельной ( µP), перпендикулярной ( µ ⊥ ) и

внеплоскостной ( µoop ) компонент электронной подвижности, полученных из

моделирования Монте-Карло (символы) и аналитической модели (линии) для
 89

одноосной деформации вдоль направления 110 (а) сжатие и (б) растяжения

µt P = µ t ⊥ = µ t
напряженного кремния. В (а) .

3.1.1 Зависимость от легирования

Зависимость от примесей была рассчитана методом, описанным в
разделе 2.2.3 при значениях параметров, указанным в таблице 3.3. На рис. 3.7
представлена допинг-зависимость электронной подвижности в напряженном
слое кремния от содержания германия в нижней (001) кремниево-
германиевой подложке.

Табл. 3.3
Значения параметров для легирующей зависимости электронной
подвижности в кремнии при 300 K.

Параметр Единица измерения Кремний

[cm ] 1430

[cm ] 44

[cm ] 57

[cm ] 141

[cm ] 218
1 0.65
1 2.0
[cm ] 1.12
[cm ] 1.18
[cm ] 4.35

Сплошные линии изображают результаты, полученным на основе

аналитической модели (2.72), а символы указывают на результаты Монте-
 90
Карло. Модель и метод Монте-Карло показывают сильное сходство. Можно
отметить небольшое увеличение минимальной электронной подвижности
при высоких концентрациях примеси для всех уровней деформации, см. рис
3.7 (а).

(а) (б)
Рис. 3.7: Допинг-зависимость в плоскостной электронной подвижности в
напряженном кремнии, рассчитанная с помощью выражения (1.72) для
различного содержания германия в кремниево-германиевой [001] подложке.
(а) минимальной электронной подвижности, (б) максимальной электронной
подвижности.

3.1.2 Напряженный германий

Подвижность электронов для ненапряженного и напряженного
германия была рассчитана методом Монте-Карло в сравнении с
аналитической моделью ля различных значений напряжения и температуры.
Значения сжатия и потенциала деформации для L-долин в аналитической
модели были выбраны как E d =-4.43эВ и Eu =16.8эВ , соответственно. На рис.

3.8 (a) представлено долинное расщепление ∆ ij между первоначальной i и

окончательной j долинами, расчитанное с помощью (1.42) в виде функции от

 91

напряжения, приложенного вдоль направлений [111] , [112] и [110] . Можно

отметить, что под воздействием напряжения вдоль [112], все четры долины
имеют различные уровни энергии. Рисунок также показывает, что одноосное
напряжение вдоль [111] является наиболее эффективным при расщеплении
L-долин.

(а) (б)
Рис. 3.8: (а) Влияние одноосных напряжений на долину расщепления (

∆ ij = ∆ε c( j ) − ∆ε c(i ) ) в германии при напряжении ( T ) вдоль направлений [111]

(-),[112] (-O-) и [110] (- -).

Thkl обозначает направление приложенного напряжения. (б) Изменение

электронной подвижности в плоскости (111) с плоскостным угловым
напряжением в −1 ГПа в различных направлениях, при комнатной

температуре. [110] (-+-) направления.

На рис. 3.8 (б) представлено изменение плоскостной электронной
подвижности при одноосно сжатом германии в плоскости (111), полученное
с помощью модели Монте-Карло. Полученное значение объемной
электронной подвижности составляет около 3850 см 2 /В , что близко к ранее
опубликованным значениям[101].
 92
Рис. 3.9 отражает аналитически рассчитанные компоненты
электронной подвижности для одноосного сжатия и растяжения,
соответственно. Для сравнения представлены также результаты метода
Монте-Карло (символы). Рис. 3.9 (a) доказывает, что сжимающие
напряжение увеличивает подвижность электронов в плоскости (111).
Увеличение подвижности составляет почти 2,8 раза. Наоборот, применение
одноосного растяжения вдоль направления [111] приводит к возрастанию
внеплоскостной подвижность, как показано на рис. 3.9 (б).
Температурная зависимость электронной подвижности показана на рис.
3.10. Значение параметра α =1.78 в (2.87) извлечено из данных Монте-Карло,
значения f300 и β в (2.88) были выбраны как 1.79 и -0.12 соответственно.
Рис. 3.10 (б) представляет сравнение компонентов подвижности в плоскости

( 111) в зависимости от сжимающего напряжения вдоль [ 111] при Т = 200K,

полученное методом Монте-Карло и с помощью аналитической модели.
Результаты оказываются идентичными.

(а) (б)
Рис. 3.9: Компоненты электронной подвижности в плоскости ( 111) в
сравнении с одноосной (а) сжимающей и (б) растягивающей деформацией
 93

вдоль направления [ 111] при комнатной температуре. MC P означает

изотропную плоскостную подвижность, ⊥ - внеплоскостную.

а) (б)
Рис. 3.10: (а) Электронная подвижность в плоскости ( 111) для
ненапряженного и деформированного воль направления [111] усилием
размером в -3 ГПа германия при изменении температуры. (б) электронная

подвижность в плоскости ( 111) в зависимости от одноосной сжимающей

деформации вдоль [111] при 200K. Представлены результаты сравнения
аналитической модели и метода Монте-Карло. MC P означает изотропную
плоскостную подвижность, ⊥ - внеплоскостную.
 94

Заключение

На сегодняшний день технология напряженного кремния является

наиболее перспективной для решения одной из важнейших задач
микропроцессорной индустрии — увеличения скорости работы
транзисторов, образующих ядро процессора. Ее принцип заключается в
растяжении (в случае транзисторов НМОП) или сжатии (для транзисторов
ПМОП) правильной кристаллической решетки кремния — материала канала
полевого транзистора, что приводит к увеличению электронно-дырочной
проводимости, т.е. ускорению прохождения электрического тока через канал
за счет снижения его сопротивления.
В диссертации описаны различные технологии деформации каналов
кремния от обычного эпитаксиального роста кремния на кремнии-германии
до технологий SGOI, SSOI и деформации лайнера и приведены
теоретические основы преимущества использования такого материала.
Исследование показало, каким образом деформация приводит к
изменению энергетических уровней различных долин зоны проводимости, а
именно: сдвиги могут быть рассчитаны с использованием теории потенциала
деформации и метода k ⋅ p для электронов и дырок.
Кроме того, были определены основные характеристики для зоны
проводимости при наличии напряжения сдвига:
(а) нелинейный сдвиг энергетических уровней;
(б) минимальное искажение энергетических уровней в результате
изменения эффективной массы электронов;
(с) движение минимумов зон проводимости в направлении точек X.
В совокупности все эти эффекты приводят к увеличению подвижности
носителей заряда.
Результатом исследовательской работы стала разработка модели,
описывающей анизотропию подвижности электронов. Ее особенностью
является возможность учета изменения эффективной массы электрона, что
 95
является необходимым условием при расчетах, поскольку оно вызывает
сдвиговое напряжение. Надежность модели была проверена путем сравнения
результатов с вычислениями Монте-Карло в случаях различных ориентациях
кремниево-германиевой подложки, концентрации примесей и направлениях
деформации в напряженном слое.
С помощью метода интерполяции полученная модель была расширена
для расчетов в условиях произвольно направленного поля.
Расчеты показывают, что неравномерное распределение деформации в
кремнии дает более, чем 30%-е улучшение в линейном токе стока и
увеличение насыщения тока стока более чем на 10 % по сравнению с
использованием недеформированного кремния. Однако данные выводы
должны быть сверены с экспериментальными результатами, где значения
компонентов деформации могут быть меньше, чем в моделируемой
структуре за счет релаксации деформации при различных этапах обработки.
 96
Список литературы
1. Aberg, O.O. Olubuyide, C.N. Chleirigh, I. Lauer, D.A. Antoniadis, J. Li,

R. Hull, and J.L. Hoyt. Electron and Hole Mobility Enhancements in sub-10
nm-thick Strained Silicon Directly on Insulator Fabricated by a Bond and Etch-
Back Technique. VLSI Symp. Tech.Dig., 2004.
2. G. Abstreiter, H. Brugger, T. Wolf, H. Jorke, and H.J. Herzog. Strain

Induced Two-Dimensional Electron Gas in Selectively Doped Si/SiGe

Superlattices. Phys.Rev.Letters, vol. 54, no. 22, 1985.
3. K.-W. Ang, K.-J. Chui, V. Bliznetsov, C.-H. Tung, A. Du,
N. Balasubramanian, G. Samudra, M.F Li, and Y.-C. Yeo. Lattice Strain
Analysis of Transistor Structures with Silicon-Germanium and Silicon-Carbon
Source/Drain Stressors. Appl.Phys.Lett., vol. 86, no. 9, , 2005.
4. N.D. Arora, J.R. Hauser, and D.J. Roulston. Electron and Hole Mobilities in

Silicon as a Function of Concentration and Temperature. IEEE Trans.Electron

Devices, vol. 29, no. 2, 1982.
5. ATHENA. ATHENA, User Manual Ed. 8. Silvaco International, Santa

Clara, 2002. http://www.silvaco.com/products/.

I. Balslev. Influence of Uniaxial Stress on the Indirect Absorption Edge in

Silicon and Germanium. Phys.Rev., vol. 143, no. 2, 1966.

6. J. Bardeen, and W. Shockley. Deformation Potentials and Mobilities in Non-

Polar Crystals. Phys.Rev., vol. 80, no. 1, 1950.

7. J.C. Bean. Silicon Molecular Beam Epitaxy: 1984-1986. J.Cryst.Growth,

vol. 81, , 1987.

8. G. L. Bir, and G. E. Pikus. ``Symmetry and Strain Induced Effects in
Semiconductors,''. Wiley, New York, 1974.
9. L. P. Bouckaert, R. Smoluchowski, and E. Wigner. Theory of Brillouin

Zones and Symmetry Properties of Wave Functions in Crystals. Phys.Rev.,

vol. 50, no. 1, pages 58-67, 1936.
10. M. Brillouët. An Introduction to Ultimate Lithography. Comptes Rendus

Physique, vol. 7, no. 8, pages 837-840, 2006.

 97
11. F.M. Bufler, P. Graf, S. Keith, and B. Meinerzhagen. Full-Band Monte

Carlo Investigation of Electron Transport in Strained Si Grown on Si Ge

Substrates. Appl.Phys.Lett., vol. 70, pages 2144-2146, 1997.
12. C. Canali, G. Ottaviani, and A. Alberigi-Quaranta. Drift Velocity of
Electrons and Holes and Associated Anisotropic Effects in Si.
J.Phys.Chem.Solids, vol. 32, pages 1707-1720, 1971.
13. M. Cardona, and F.H. Pollak. Energy-Band Structure of Germanium and

Silicon: The Method. Phys.Rev., vol. 142, no. 2, pages 530-543, 1966.
14. D.M. Caughey, and R.E. Thomas. Carrier Mobilities in Silicon Empirically

Related to Doping and Field. Proceedings of the IEEE, vol. 55, no. 12, pages
2192-2193, 1967.
15. J. Cervenka. Generation of Geometry Conforming Triangular Grids: Master

Thesis. 1999.
16. V. Chan, Ken Rim, Meikei Ieong, Sam Yang, Rajeev Malik, Young Way

Teh, Min Yang, and Q. Ouyang. Strain for CMOS Performance Improvement.
In Custom Integrated Circuits Conference, 2005. Proceedings of the IEEE
2005, pages 667-674, 2005.
17. R.C. Chaney, C.C. Lin, and E.E. Lafon. Application of the Method of Tight

Binding to the Calculation of the Energy Band Structures of Diamond, Silicon,

and Sodium Crystals. Phys.Rev.B, vol. 3, no. 2, pages 459-472, 1971.
18. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, J. Kavalieros, and M. Metz. High-

Metal-Gate Stack and Its MOSFET Characteristics. IEEE Electron Device Lett.,
vol. 25, no. 6, pages 408-410, 2004.
19. J.R. Chelikowsky, and M.L. Cohen. Nonlocal Pseudopotential Calculations

for the Electronic Structure of Eleven Diamond and Zinc-Blende

Semiconductors. Phys.Rev.B, vol. 14, no. 2, pages 556-582, 1976.
20. Chien-Hao Chen, T. L. Lee, T. H. Hou, C. L. Chen, C. C. Chen, J. W. Hsu,

K. L. Cheng, Y. H. Chiu, H. J. Tao, Y. Jin, C. H. Diaz, S. C. Chen, and M. S.

Liang. Stress Memorization Technique (SMT) by Selectively Strained-Nitride
 98
Capping for sub-65nm High-Performance Strained-Si Device Application. In
VLSI Symp. Tech.Dig., pages 56-57, 2004.
21. D. Colman, R.T. Bate, and J.P. Mize. Mobility Anisotropy and
Piezoresistance in Si p-type Inversion Layers. J.Appl.Phys., vol. 39, no. 4,
pages 1923-1931, 1968.
22.E.M. Conwell. ``High field transport in semiconductors,''. Academic Press,
New York, London, 1967.
23. M.-T. Currie, S.B. Samavedam, T.A. Langdo, C.W. Leitz, and E.A.

Fitzgerald. Controlling Threading Dislocation Densities in Ge on Si Using

Graded SiGe Layers and Chemical-Mechanical Polishing. Appl.Phys.Lett.,
vol. 71, no. 14, pages 1718-1720, 1998.
24. M.-T. Currie, C. W. Leitz, T. A. Langdo, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and

D. A. Antoniadis. Carrier Mobilities and Process Stability of Strained Si n- and

p-MOSFETs on SiGe Virtual Substrates. J.Vac.Sci.Technol.B, vol. 19, no. 6,
pages 2268-2279, 2001.
25. M.-T. Currie, S.B. Samavedam, T.A. Langdo, C.W. Leitz, and E.A.

Fitzgerald. SiGe-Free Strained Si on Insulator by Wafer Bonding and Layer

Transfer. Appl.Phys.Lett., vol. 82, no. 24, pages 4256-4258, 2003.
26. M.N. Darwish, J.L. Lentz, M.R. Pinto, P.M. Zeitzoff, T.J. Krutsick, and

H.H. Vuong. An Improved Electron and Hole Mobility Model for General
Purpose Device Simulation. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 44, no. 9, pages
1529-1538, 1997.
27.J.H. Davies. ``The Physics of Low-dimensional Semiconductors: An
Introduction,''. Cambridge University Press, 1998.
28. C. G. Van de Walle. Theoretical Calculations of Heterojunction
Discontinuities in the Si/Ge System. Phys.Rev.B, vol. 34, no. 8, pages 5621-
5633, 1986.
29. S. Dhar, G. Karlowatz, E. Ungersboeck, and H. Kosina. Numerical and

Analytical Modeling of the High-Field Electron Mobility in Strained Si. In

Proc. SISPAD, pages 223-226, 2005.
 99
30. S. Dhar, H. Kosina, V. Palankovski, E. Ungersboeck, and S. Selberherr.

Electron Mobility Model for Strained-Si Devices. IEEE Trans.Electron

Devices, vol. 52, no. 4, pages 527-533, 2005.
31. S. Dhar, H. Kosina, G. Karlowatz, E. Ungersboeck, T. Grasser, and
S. Selberherr. High-Field Electron Mobility Model for Strained-Silicon
Devices. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 53, no. 12, pages 3054-3062, 2006.
32. G. Dresselhaus, A. F. Kip, and C. Kittel. Cyclotron Resonance of Electrons

and Holes in Silicon and Germanium Crystals. Phys.Rev., vol. 98, no. 2, pages
368-382, 1955.
33.P. Drude. Ann. Physics (Leipzig), vol. 1, page 566, 1900.
34. J. Egley, and D. Chidambarao. Strain Effects on Device Characteristics:

Implementation in Drift-Difusion Simulators. Solid State Electronics, vol. 36,

no. 12, pages 1653-1664, 1993.
35. X.F. Fan, X. Wang, B. Winstead, L.F. Register, U. Ravaioli, and S.K.

Banerjee. MC Simulation of Strained-Si MOSFET with Full-Band Structure

and Quantum Correction. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 51, no. 6, pages
962-970, 2004.
36. B. Fischer, and K. Hofmann. Full-Band Monte Carlo Model for Electron and

Hole Transport in Strained Si Including Inelastic Acoustic Phonon Scattering.

Appl.Phys.Lett., vol. 74, pages 2185-2187, 1999.
37. M.V. Fischetti, and S.E. Laux. Band Structure, Deformation Potentials, and

Carrier Mobility in Strained Si, Ge, and SiGe Alloys. J.Appl.Phys., vol. 80,
no. 4, pages 2234-2252, 1996.
38. M.V. Fischetti, F. Gamiz, and W. Haensch. On the Enhanced Electron

Mobility in Strained-Silicon Inversion Layers. J.Appl.Phys., vol. 92, no. 12,

page 7320, 2002.

39. E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, and A.R. Kortan. Strain-

Free Layers with Low Threading Dislocation Densities Grown on Si Substrates.

Mater. Res. Soc. Symp. Proc., vol. 220, pages 811-813, 1991.
 100
40. P. Friedel, M. S. Hybertsen, and M. Schlueter. Local Empirical
Pseudopotential Approach to the Optical Properties of Si/Ge Superlattices.
Phys.Rev.B, vol. 39, no. 11, pages 7974-7977, 1989.
41. C. Gallon, G. Reimbold, G. Ghibaudo, R.A. Bianchi, and R. Gwoziecki.

Electrical Analysis of External Mechanical Stress Effects in Short Channel

MOSFETs on (001) Si. Solid-State Electron., vol. 48, no. 4, pages 561-566,
2004.
42. F. Gamiz et al. Strained-Si/SiGe-on-Insulator Inversion Layers: The Role of

Strained-Si Layer Thickness on Electron Mobility. Appl.Phys.Lett., vol. 80,

no. 22, pages 4160-4162, 2002.
43. W. Haensch., E. J. Nowak, R. H. Dennard, P. M. Solomon, A. Bryant, O. H.

Dokumaci, A. Kumar, X. Wang, J. B. Johnson, and M. V. Fischetti. Silicon

CMOS Devices Beyond Scaling. IBM J.Res.Develop., vol. 50, no. 4-5, pages
339-361, 2006.
44.W. Hänsch. ``The drift diffusion equation and its application in mosfet
modeling,''. Springer Verlag, Wien, New York, 1991.
45. J.C. Hensel, H. Hasegawa, and M. Nakayama. Cyclotron Resonance in

Uniaxially Stressed Silicon. II. Nature of the Covalent Bond. Phys.Rev.,

vol. 138, no. 1A, pages A225-A238, Apr 1965.
46. C. Herring, and E. Vogt. Transport and Deformation-Potential Theory for

Many-Valley Semiconductors with Anisotropic Scattering. Phys.Rev., vol. 101,

no. 3, pages 944-961, 1956.
47. J.M. Hinckley, and J. Singh. Influence of Substrate Composition and

Crystallographic Orientation on the Band Structure of Pseudomorphic Si-Ge

Alloy Films. Phys.Rev.B, vol. 42, no. 6, pages 3546-3566, 1990.
48. R. Hook. De Potentia restitutiva. 1678.

49. L.-J. Huang, J. Chu, S. Goma, C. Emic, S. Koester, D. Canaperi, P. Mooney,

S. Cordes, J. Speidell, R. Anderson, and H. Wong. Carrier Mobility

Enhancement in Strained Si-on-Insulator Fabricated by Wafer Bonding. In
VLSI Symp. Tech.Dig., pages 57-58, 2001.
 101
50. K. Ismail, B.S. Meyerson, and P.J. Wang. Extremely high electron mobility

in Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy. Appl.Phys.Lett.,

vol. 59, no. 13, pages 1611-1613, 1991.
51. K. Ismail, B.S. Meyerson, and P.J. Wang. High Electron Mobility in

Modulation Doped Si/SiGe. Appl.Phys.Lett., vol. 58, no. 19, pages 2117-2119,
1991.
52. K. Ismail, S. Nelson, J. Chu, and B. Meyerson. Electron Transport
Properties of Si/SiGe Heterostructures: Measurements and Device Applications.
Appl.Phys.Lett., vol. 63, no. 5, pages 660-662, 1993.
53. D. M. Issacson, G. Taraschi, A. J. Pitera, N. Ariel, T. A. Langdo, and E.A.

Fitzgerald. Strained Si on Si and Strained Si on SiGe on Si by Relaxed Buffer

Bonding. J.Electrochem.Soc., vol. 153, no. 2, pages G134-G140, 2006.
54. S. Ito, H. Namba, K. Yamaguchi, T. Hirata, K. Ando, S. Koyama, S. Kuroki,

N. Ikezawa, T. Suzuki, T. Saitoh, and T. Hotiuchi. Mechanical Stress Effect of

Etch-Stop Nitride and its Impact on Deep Submicron Transistor Design. In
IEDM Tech.Dig., pages 247-250, 2000.
55. ITRS. International Technology Roadmap for Semiconductors - 2005

Edition, 2005. http://public.itrs.net.

56. IuE.

MINIMOS-NT 2.1 User's Guide. Technische Universität Wien, Austria, 2004.

http://www.iue.tuwien.ac.at/software.
57. IuE. VMC 2.0 User's Guide. Institut für Mikroelektronik, Technische

Universität Wien, Austria, 2006. http://www.iue.tuwien.ac.at/software.

58. C. Jacoboni, and L. Reggiani. The Monte Carlo Method for the Solution of

Charge Transport in Semiconductors with Applications to Covalent Materials.

Review of Modern Physics, vol. 55, no. 3, pages 645-705, 1983.
59. K. A. Jenkins, and K. Rim. Measurement of the Effect of Self Heating in

Strained Si MOSFETs. IEEE Electron Device Lett., vol. 23, no. 6, pages 360-
362, 2002.
 102
60. C. Jungemann, C.D. Nguyen, B. Neinhus, S. Decker, and B. Meinerzhagen.

Improved Modified Local Density Approximation for Modeling of Size

Quantization in NMOSFETs. Proc. Intl. Conf. Modeling and Simulation of
Microsystems, 2001.
61.C. Jungemann, and B. Meinerzhagen. ``Hierarchical Device Simulation -
The Monte Carlo Perspective,''. Springer, Wien, New York, 2003.
62. C. Jungemann, and B. Meinerzhagen. MC Simulation of Strained Si/SiGe

Devices. Proc. European Solid-State Device Research Conf., pages 9-14, 2003.
63. Y. Kanda. A Graphical Representation of the Piezoresistance Coefficients in

Silicon. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 29, no. 1, pages 64-70, 1982.
64. E. Kasper, H.J. Herzog, and H. Kibbel. A One-Dimensional SiGe
Superlattice Grown by UHV Epitaxy. Appl. Phys. A: Mater. Scien. &
Processing, vol. 8, no. 3, pages 199-205, 1975.
65. P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, C. Krug, H. AlShareef,

C.S. Park, R. Harris, N. Moumen, A. Neugroschel, G. Bersuker et al. Band

Edge n-MOSFETs with High-k/Metal Gate Stacks Scaled to EOT=0.9 nm with
Excellent Carrier Mobility and High Temperature Stability. IEDM Tech.Dig.,
pages 1-4, 2006.
66. DBM Klaassen. Unified Mobility Model for Device Simulation. I. Model

Equations and Concentration Dependence. Solid-State Electronics, vol. 35,

no. 7, pages 953-959, 1992.
67. H. Kosina, and G. Kaiblinger-Grujin. Ionized-Impurity Scattering of
Majority Electrons in Silicon. Solid State Electronics, vol. 42, no. 3, pages 331-
338, 1998.
68. T. Kurosawa. Monte Carlo Simulation of Hot Electron Problems. Journal of

the Physical Society of Japan, vol. 21, page 527, 1966.

69. L.D. Laude, F.H. Pollak, and M. Cardona. Effect of Uniaxial Stress on the

Indirect Excition Spectrum of Silicon. Phys.Rev.B, vol. 3, no. 8, pages 2623-

2636, Apr 1971.
 103
70. K. Lee, J.S. Choi, S.P. Sim, and C. K. Kim. Physical Understanding of Low-

Field Carrier Mobility in Silicon MOSFET Inversion layer.In IEEE

Trans.Electron Devices, volume 38, pages 1905-1912, 1991.
71. F.K. LeGoues, K. Eberl, and S.S. Iyer. Relaxation by the Modified Frank-

Read Mechanism in Compositionally Uniform Thin Films. Appl.Phys.Lett.,

vol. 60, no. 23, pages 2862-2864, 1992.
72.M. Levinstein, S. Rumyantsev, and M. Shur. ``Handbook Series on
Semiconductor Parameters,'', volume 1,2. World Scientific, London, 1999.
73. J.S. Lim, S.E. Thompson, and J.G. Fossum. Comparison of Threshold-

Voltage Shifts for Uniaxial and Biaxial Tensile-Stressed n-MOSFETs. IEEE

Electron Device Lett., vol. 25, no. 11, pages 731-733, 2004.
74. C. W. Liu, S. Maikap, and C. Y. Yu. Mobility Enhancement Technologies.

IEEE Circuits and Devices Magazine, vol. 21, no. 3, pages 21-36, 2005.
A. Lochtefeld, and D. Antoniadis. Investigating the Relationship
Between Electron Mobility and Velocity in Deeply Scaled NMOS via
Mechanical Stress. IEEE Electron Device Lett., vol. 22, no. 12, pages 591-593,
2001.
B. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito, and M. Vanzi. A
Physically Based Mobility Model for Numerical Simulation of Nonplanar
Devices. IEEE Trans.Computer-Aided Design of Integrated Circuits and
Systems, vol. 7, no. 11, pages 1164-1171, 1988.
75. T. Low, M. F. Li, C. Shen, Y. C. Yeo, Y. T. Hou, C. Zhu, A. Chin, and D. L.

Kwong. Electron Mobility in Ge and Strained-Si Channel Ultrathin-Body

Metal-Oxide Semi Conductor Field-Effect Transistors. Appl.Phys.Lett., vol. 85,
no. 12, pages 2402-2404, 2004.
76.M.S. Lundstrom. ``Fundamentals of Carrier Transport,''. Cambridge
University Press, 2000.
77. T. Maeda et al. Ultra-thin Strained-SOI CMOS for High Temperature

Operation. In VLSI Symp. Tech.Dig., pages 99-100, 2003.

 104
78. S. Maikap, M.H. Liao, F. Yuan, M.H. Lee, C.F. Huang, S.T. Chang, and

C.W. Liu. Package Strain Enhanced Device and Circuit Performance. IEDM
Tech.Dig., pages 233-236, 2004.
79. S. Maikap, C.Y. Yu, S.R. Jan, M.H. Lee, and C.W. Liu. Mechanically

Strained Si NMOSFETs. IEEE Electron Device Lett., vol. 25, no. 1, pages 40-
42, 2004.
80. P. Majhi, H. C. Wen, H. Alshareef, H. R. Harris, H. Luan, K. Choi, C. S.

Park, S.C. Song, B. H. Lee, and R. Jammy. Developing a Systematic Approach

to Metal Gates and High-k Dielectrics in Future-Generation CMOS. MICRO
Magazine, 2006.
81. T. Manku, and A. Nathan. Electon Drift Mobility Model for Devices Based

on Unstrained and Coherently Strained Si Ge Grown on (001) Silicon

Substrates. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 39, no. 9, pages 2082-2089,
1992.

82. T. Manku, and A. Nathan. Electrical Properties of Silicon under Nonunifrom

stress. J.Appl.Phys., vol. 74, no. 3, pages 1832-1837, 1993.

83. T. Manku, and A. Nathan. Valence Energy Band Structure for Strained

Group-IV Semiconductors. J.Appl.Phys., vol. 73, no. 3, pages 1205-1213, 1993.

84. R. Marchetti, F. Montalenti, L. Miglio, G. Capellini, M. De Seta, and

F. Evangelisti. Strain-Induced Ordering of Small Ge Islands in Clusters at the

Surface of Multilayered Si-Ge Nanostructures. Appl.Phys.Lett., vol. 87, page
261919, 2005.
85. G. Masetti, M. Severi, and S. Solmi. Modeling of Carrier Mobility Against

Carrier Concentration in Arsenic-, Phosphorus- and Boron-Doped Silicon.

IEEE Trans.Electron Devices, vol. ED-30, no. 7, pages 764-769, 1983.
86. MATLAB.

MATLAB- Language of Technical Computing, User's Guide, Release 14.0. The

MathWorks, Inc., 2004. http://www.mathworks.com/.
 105
87. J.W. Matthews, and A.E. Blakeslee. Defects in Epitaxial Multilayers - I.

Misfit Dislocations. J.Cryst.Growth, vol. 27, pages 118-125, 1974.

88. T. Mizuno et al. Advanced SOI-MOSFETs with strained-Si channel for high

speed CMOS-electron/hole mobility enhancement. In VLSI Symp. Tech.Dig.,

pages 210-211, 2000.
89. T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, T. Numata, and S. Takagi. High

Performance Strained SOI-CMOS Devices Using Thin Film SiGe on Insulator

Technology.In IEEE Trans.Electron Devices, volume 50, pages 988-994, 2003.
90. H.S Momose, T.O.K. Kojima, S Nakamura, and Y Toyoshima. 110 GHz

Cutoff Frequency of Ultra-Thin Gate Oxide P-MOSFETs on [110] Surface-

Oriented Si Substrate. In VLSI Symp. Tech.Dig., pages 156-157, 2002.
91. S. Mori, and T. Ando. Intersubband Scattering Effect on the Mobility of a Si

(100) Inversion Layer at Low Temperatures. Phys.Rev.B, vol. 19, no. 12, pages
6433-6441, 1979.
92. F. J. Morin. Lattice Scattering Mobility in Germanium. Phys.Rev., vol. 93,

pages 62-63, 1954.

93. S.A. Mujtaba, R.W. Dutton, and D.L. Scharfetter. Semi-Empirical Local

NMOS Mobility Model for 2-D Device Simulation Incorporating Screened

Minority Impurity Scattering. International Workshop on Numerical Modeling
of Processes and Devices for Integrated Circuits, NUPAD V., pages 3-6, 1994.
94. S. A. Mujtaba. Advanced Mobility Models for Design and Simulation of

Deep SubMicrometer MOSFETs. Ph.D Thesis, Stanford, 1995.

95. D.K. Nayak, J.C.S. Woo, J.S. Park, K.L. Wang, and K.P. MacWilliams.

High-Mobility p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

on Strained Si. Appl.Phys.Lett., vol. 62, no. 22, pages 2853-2855, 1993.

96. T. Nishida, and C.T. Sah. A Physically Based Mobility Model for MOSFET

Numerical Simulation. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 34, no. 2, pages 310-
320, 1987.
 106
97. E.J. Nowak. Maintaining the Benefits of CMOS Scaling when Scaling Bogs

Down. IBM J.Res.Develop., vol. 46, no. 2-3, pages 169-186, 2002.
98. F. Ootsuka, S. Wakahara, K. Ichinose, A. Honzawa, S. Wada, H. Sato,

T. Ando, H. Ohta, K. Watanabe, and T. Onai. A Highly Dense, High-

Performance 130 nm node CMOS Technology for Large Scale system-on-a-
chip Applications. In IEDM Tech.Dig., pages 575-578, 2000.
99.V. Palankovski, and R. Quay. ``Analysis and simulation of heterostructure
devices,''. Springer, Wien, New York, 2004.
100. S. Pidin, T. Mori, K. Inoue, K. Fukata, N. Itoh, E. Mutoh, K.Ohkoshi,
R. Nakamura, K. Kobayashi, K. Kawamura, T. Saiki, S. Fukayama, S. Satoh,
M. Kase, and K. Hashimoto. A Novel Strain Enhanced CMOS Architecture
using Selectively Deposited High Tensile and High Compressive Silicon
Nitride Films. In IEDM Tech.Dig., pages 213-216, 2004.

101. M. B. Prince. Drift Mobilities in Semiconductors. I. Germanium.

Phys.Rev., vol. 92, no. 3, pages 681-687, 1953.
102. D. Rairigh. Limits of CMOS Technology Scaling and Technologies
Beyond-CMOS. 2005. http://drlock.com/papers/cmos_survey.pdf.
103. M. Rashed et al. Monte Carlo Simulation of Electron Transport in

Strained Si/Si Ge N-MOSFETs. In IEDM Tech.Dig., pages 765-768,

1995.
104. S. Reggiani, M. Valdinoci, L. Colalongo, and G. Baccarani. A Unified
Analytical Model for Bulk and Surface Mobility in Si n-and p-Channel
MOSFET's. Proc. European Solid-State Device Research Conf., vol. 1, 1999.
105. M.M. Rieger, and P. Vogl. Electronic-Band Parameters in Strained Si

Ge Alloys on Si Ge Substrates. Phys.Rev.B, vol. 48, no. 19, pages

14276-14287, 1993.
106. K. Rim et al. Strained Si NMOSFETs for high performance CMOS
technology. In VLSI Symp. Tech.Dig., pages 59-60, 2001.
 107
107. K. Rim, J. Chu, H. Chen, K. Jenkins, T. Kanarsky, K. Lee, A. Mocuta,
H. Zhu, R. Roy, (SSDOI) MOSFETS. In IEDM Tech.Dig., pages 1-4, 2003.
108. J.B. Roldan. A Monte Carlo Study on the Electron-transport

Properties of High-Performance Strained-Si on Relaxed Si Ge Channel

MOSFETs. J.Appl.Phys., vol. 80, no. 9, page 5121, 1996.
109. J.B. Roldan, F. Gamiz, P. Cartujo-Cassinello, P. Cartujo, J. E.

Carceller, and A. Roldan. Strained-Si on Si Ge MOSFET Mobility Model.

IEEE Trans.Electron Devices, vol. 50, no. 5, pages 1408-1411, 2003.
A. Sabnis, and J. T. Clemens. Characterization of the Electron

Mobility in the inverted 100 Si Surface. In IEDM Tech.Dig., volume 25,

pages 18-21, 1979.
110. T. Sanuki, A. Oishi, Y. Morimasa, S. Aota, T. Kinoshita, R. Hasumi,
Y. Takegawa, K. Isobe, H. Yoshimura, M. Iwai, K. Sunouchi, and T. Noguchi.
Scalability of Strained Silicon CMOSFET and High Drive Current
Enhancement in the 40 nm Gate Length Technology. In IEDM Tech.Dig.,
pages 65-68, 2003.
111. D. L. Scharfetter, and H. K. Gummel. Large Signal Analysis of a
Silicon Read Diode Oscillator. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 16, pages 64-
77, 1969.
112. O.G. Schmidt, and K. Eberl. Self-Assembled Ge/Si Dots for Faster
Field-Effect Transistors. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 48, no. 6, pages
1175-1179, 2001.
113. S.A. Schwarz, and S.E. Russek. Semi-Empirical Equations for
Electron Velocity in Silicon: Part II-MOS Inversion Layer. IEEE
Trans.Electron Devices, vol. 30, no. 12, pages 1634-1639, 1983.
114. G. Scott, J. Lutze, M. Rubin, F. Nouri, and M. Manley. NMOS Drive
Current Reduction Caused by Transistor Layout and Trench Isolation Induced
Stress. In IEDM Tech.Dig., pages 827-830, 1999.
 108
115. K. Seeger. ``Semiconductor physics: An introduction, fourth edition,''.
Springer Verlag, 1988.
116. S. Selberherr, W. Haensch, M. Seavey, and J. Slotboom. The
Evolution of the MINIMOS Mobility Model. Solid-State Electron., vol. 33,
no. 11, pages 1425-1436, 1990.
A. Shimizu, K. Hachimine, N. Ohki, H. Ohta, M. Koguchi,
Y. Nonaka, H. Sato, and F. Ootsuka. Local Mechanical-Stress Control (LMC):
A New Technique for CMOS Performance Enhancement. In IEDM Tech.Dig.,
pages 433-436, 2001.
117. H. Shin, A.F. Tasch, C.M. Maziar, and S.K. Banerjee. A New
Approach to Verify and Derive a Transverse-Field-Dependent Mobility Model
for Electrons in MOS Inversion Layers. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 36,
no. 6, pages 1117-1124, 1989.
118. M. Shirahata, H. Kusano, N. Kotani, S. Kusanoki, and Y. Akasaka. A
Mobility Model Including the Screening Effect in MOS Inversion Layer. IEEE
Trans.Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, vol. 11,
no. 9, pages 1114-1119, 1992.
119. Silvaco International, Santa Clara. VWF Interactive Tools, 2002.
http://www.silvaco.com/products/.
120. S. Smirnov, H. Kosina, M. Nedjalkov, and S. Selberherr. A Zero Field
Monte Carlo Algorithm Accounting for the Pauli Exclusion Principle. In Large-
Scale Scientific Computing, pages 185-193, 2003.
121. C. Smith. Piezoresistance Effect in Germanium and Silicon.
Phys.Rev., vol. 94, no. 1, pages 42-49, 1954.
122. P.M. Smith, M. Inoue, and J. Frey. Electron Velocity in Si and GaAs
at Very High Electric Fields. Appl.Phys.Lett., vol. 37, no. 9, pages 797-798,
1980.
123. Transistor mobility improvement by adjusting stress in shallow trench
isolation, 2007. http://www.patentstorm.us/patents/7190036.html.
 109
124. I.N. Stranski, and L. Krastanow. Zur Theorie der Orientierten
Ausscheidung von Ionenkristallen Aufeinander. Monatshefte für
Chemie/Chemical Monthly, vol. 71, no. 1, pages 351-364, 1937.
125. N. Sugii, D. Hisamoto, K. Washio, N. Yokoyama, and S. Kimura.
Enhanced Performance of Strained-Si MOSFETs on CMP SiGe Virtual
Substrate. In IEDM Tech.Dig., pages 737-740, 2001.
126. N. Sugiyama, T. Mizuno, S. Takagi, M. Koike, and A. Kurobe.

Formation of Strained-Silicon Layer on thin Relaxed-SiGe/SiO /Si Structure

using SIMOX Technology. In Thin Solid Films, volume 369, pages 199-202,
2000.
127. S.-I. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, and H. Tango. On the Universality
of Inversion Layer Mobility in Si MOSFET's: Part I-Effects of Substrate
Impurity Concentration. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 41, no. 12, pages
2357-2362, 1994. S. Takagi, J.L. Hoyt, J.J. Welser, and J.F. Gibbons.
Comparative Study of Phonon-Limited Mobility of Two-Dimensional Electrons
in Strained and Unstrained Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistors. J.Appl.Phys., vol. 80, no. 3, pages 1567-1577, 1996.
128. Y. Taur, and T. H. Ning. ``Fundamentals of modern vlsi devices,''.
Cambridge University Press, UK, 1998.
129. J. Tersoff. Modeling Solid-State Chemistry: Interatomic Potentials for
Multicomponent Systems. Phys.Rev.B, vol. 39, no. 8, pages 5566-5568, 1989.
130. S. Thompson, P. Packan, and M. Bohr. MOS Scaling: Transistor
Challenges for the 21st Century. Intel Technology Journal, vol. 3, pages 3-5,
1998.
131. S.E. Thompson, M. Armstrong, C. Auth, M. Alavi, M. Buehler,
R. Chau, S. Cea, T. Ghani, G. Glass, T. Hoffman et al. A 90nm Logic
Technology Featuring Strained Si. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 51,
no. 11, pages 1790-1797, 2004.
 110
132. C. Tserbak, H.M. Polatoglou, and G. Theodorou. Unified Approach to
the Electronic Structure of Strained Si/Ge Superlattices. Phys.Rev.B, vol. 47,
no. 12, pages 7104-7124, 1993.
133. E. Ungersboeck, and H. Kosina. Monte Carlo Study of Electron
Transport in Strained Silicon Inversion Layers. Journal of Computational
Electronics, vol. 5, no. 2, pages 79-83, 2006.
134. Enzo Ungersboeck. Advanced Modeling of Strained CMOS
Technology. Ph.D Thesis, TU Wien, 2007.
135. M.J. van Dort, P.H. Woerlee, and A.J. Walker. Simple Model for
Quantisation Effects in Heavily-Doped Silicon MOSFETs at Inversion
Conditions. sse, vol. 37, no. 3, pages 411-414, 1994.
136. G. Vastola, and L. Miglio. Personal Communication, University
Milano Bicocca.

137. T. Vogelsang, and K.R. Hofmann. Electron Transport in Strained Si

Layers on Si Ge Substrates. Appl.Phys.Lett., vol. 63, no. 2, pages 186-188,

1993.
138. J.T. Watt. Surface Mobility Modeling. Computer-Aided Design of IC
Fabrication Processes, 1987.
139. J. Welser, J.L. Hoyt, and J.F. Gibbons. NMOS and PMOS Transistors
Fabricated in Strained Silicon/Relaxed Silicon-Germanium Structures. In IEDM
Tech.Dig., pages 1000-1002, 1992.
140. J. Welser et al. Electron mobility Enhancement in Strained-Si N-type
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors. IEEE Electron Device
Lett., vol. 15, no. 3, pages 100-102, 1994.
141. J. Welser et al. Strain Dependence of the Performance Enhancement
in Strained-Si N-MOSFETs. In IEDM Tech.Dig., pages 373-376, 1994.
142. T. Yamada, J.R. Zhou, H. Miyata, and D.K. Ferry. In-Plane Transport

Properties of Si/Si Ge Structure and its FET Performance by Computer

 111
Simulation. IEEE Trans.Electron Devices, vol. 41, no. 9, pages 1513-1522,
1994.
143. H. S. Yang, R. Malik, S. Narasimha, Y. Li, R. Divakaruni, P. Agnello,
S. Allen, A. Antreasyan, J. C. Arnold, K. Bandy et al. Dual Stress Liner for
High Performance sub 45nm Gate Length SOI CMOS Manufacturing. In IEDM
Tech.Dig., pages 1075-1077, 2004.
144. M. Yang, V. W. C. Chan, K. K. Chan, L. Shi, D. M. Fried, J. H.
Stahis, A. I. Chou, E. Gusev, J. A. Ott, L. E. Burns, and M. V. Fischetti.
Hybrid-Orientation Technology (HOT): Opportunities and Challenges. In IEEE
Trans.Electron Devices, volume 53, pages 965-978, 2006.
145. C. Yeo, B. Cho, F. Gao, S. Lee, M. Lee, C. Yu, C. Liu, L. Tang, and
T. Lee. Electron Mobility Enhancement Using Ultrathin Pure Ge on Si
Substrate. IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 10, pages 761-763, 2005.
146. P.D. Yoder, V.D. Natoli, and R.M. Martin. Ab Initio Analysis of the
Electron-Phonon Interaction in Silicon. J.Appl.Phys., vol. 73, pages 4378-4383,
1993.
147. P.D. Yoder. Ph.D Thesis, University of Illinois at Urbana-Champagne,
1994.
148. P. Yu, and M. Cardona. ``Fundamental of semiconductors,''. Springer,
Berlin, Heidelberg, New York, 2003.