И.Г.

Блинов
Л.В.Кожитов

ОБОРУДОВАНИЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО
ПРОИЗВОДСТВА
Д опущ ено Министерством вы сш его и среднего специального обра­
зования СССР в качестве учебного пособия для студентов п р и б о ­
ростроительных специальностей вузо в

Е
М ОСКВА
«М А Ш И Н О С Т Р О Е Н И Е -
1986
Б Б К 30.605
D69
У Д К 621.382.005

Р е ц е н з е н т ы : 1. К аф едра Минского радиотехнического института;

зав. кафедрой д-р. техн. наук, проф. В. А. Лабунов. 2, Д -р техн. наук,
проф. В. К. Попов.

Блинов И. Г., Кожитов J1. В.

Б69 О б ор у д ов а ни е пол упроводниковог о производства: Учебное
пособие д л я с ту де нт о в вузов. — М.: Ма шинос трое ние , 1986.—-
264 с., ил.
(В пер.): 1 Р-
В учебном пособии и з л о ж е н ы вопросы кон струирован ия и особенности основ­
н ы х видов те хнологического о борудован и я полупроводникового производства. С ф ор­
мулированы требования к о борудованию , определяемые технологическими процес­
с а м и , и д а н ы п р а к т и ч е с к и е р е к о м е н д а ц и и по их р е а л и з а ц и и .
Н а р я д у с р а с с м о т р е н и е м о т д е л ь н ы х видов у с т р о й с т в о т м е ч е н а н е о б х о д и м о с т ь
системного подхода к ко м п л е ксн о й механизации и а в т о м а т и з а ц и и производства
п о л у п р о в о д н и к о в ы х п р и б о р о в и и н т е г р а л ь н ы х м и кр о с хе м .
Учебное пособие п р е д н а з н а ч е н о д л я студентов вузов, и з у ч а ю щ и х о б оруд ован и е
полупроводникового пр о и зв о д ств а в курсах «П олупроводниковые и микроэлектрон­
ны е приборы» и «Т ехн ологи я сп ециальны х материалов электронной техники». Оно
. т а к ж е м о ж ет быть и сп о л ьзо ва н о студентами специальности «Полупроводниковое и
электровакуумное м аш иностроение».
„ 2403000000-019 ББК 30.605
Б ----------------------- 19-86
038(01 )-86 6113.2

© Издательство сМашиностроение», 1986 г.

 О Г Л АВ Л Е НИ Е

П р е д и с л о в и е .................................................................................................• . . . 6
В в е д е н и е .................................... .......................................................................................... Я

Глава 1. Оборудование производства полупроводниковых приборов и

интегральных м и к р о с х е м ...............................................................................................12
1. Особенности полупроводникового производства и их влияние на
конструкцию оборудования ........................................................................... 12
2. Основные стадии производства и классификация оборудования 17
3. Тенденции в разработке оборудования полупроводникового произ­
водства ................................................................................................................. 19
Г л а в а 2. Виды нагрева в производстве полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем .............................................................................................25
1. Требования к системе нагрева и з д е л и й ....................................................25
2. Индукционный н а г р е в .................................................................................... 25
3. Резистивный н а г р е в .......................................................................................... 29
4. Электронно лучевой н а г р е в ........................................................................... 3 4
5. Лучистый н а г р е в ........................................................................................ ’ 40
6. П лазма и ее использование в ионно-плазменных процессах и ион­
но-лучевых и с т о ч н и к а х .....................................................................................43
7. Нагрев л а з е р о м ................................................................................................... 4 9
Глава 3. Средства получения вакуум а и расчет вакуумных систем . 52
1. Вакуумная система и ее э л е м е н т ы ........................................................... 52
2. Классификация вакуумных насосов и их характеристики . . . 54
3. Механические насосы с масляным у п л о т н е н и е м .............................. 55
4. Средства получения высокого в а к у у м а ....................................................56
5. Откачка химически активных г а з о в ......................................................... 64
6. Методика проектирования вакуумной с и с т е м ы ......................................65
7. Пример расчета вакуумной системы . . . ..................................... 68
Г л а в а 4. Газовые системы оборудования полупроводникового производ­
ства ...................................................................................................................................... 73
1. Классификация газовых систем и требования к ним . . . . 73
2. Аппаратура и элементы газовы х с и с т е м .................................................. 74
3. Конструирование газовых с и с т е м ..............................................................83
Г л а в а 5. Оборудование для выращ ивания монокристаллов полупровод­
ников ..................................................................................................................................... 8 7
1. Классификация кристаллизационных процессов вы ращ ивания мо­
нокристаллов полупроводников .................................................................... 87
2. Конструкция установки для выращивания монокристаллов полу­
проводников методом Ч о х р а л ь с к о г о ........................................................... 88
3. Конструкции тепловых узлов установок для выращ ивания моно­
кристаллов полупроводников ..................................................................... 90
4. Влияние параметров процесса выращивания монокристаллов на их
с в о й с т в а ..............................• ................................................................................9 5
 5. А втоматическая система управления процессом выращивания мо
нокристаллов ............................................................................................... 99
Г л а в а 6. Оборудование для резки слитков и механической обработки
пластин полупроводниковых материалов ................................................... 101
1. О борудование для кристаллографической ориентации слитков 101
2. О борудование для резки монокристаллов полупроводниковых ма
терналов ........................................................................................................ 103
3. О борудование для шлифования и полирования пластин . . 109
4. О борудование для химической и электрохимической обработки по
лупроводниковых пластин .................................................................. 114
5. О борудование для контроля полупроводниковых пластин . . 116
Г л а в а 7. Оборудование для очистки поверхностей полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем ........................................................... 119
1. Особенности технологии очистки полупроводниковых приборов
интегральных м и к р о с х е м ........................................................................ 119
2. О борудование для операций о ч и с т к и ............................................. 121
3. Функциональные элементы оборудования для очистки . . 124
4. Способы интенсификации процесса о ч и с т к и ............................. 129
5. О борудование для очистки с применением низкотемпературной
плазмы, радикалов и и о н о в ................................................... 135
Глава 8. Оборудование для диффузии и окисления . . 139
1. Требования к оборудованию для диффузии и окисления 139
2. Конструкции термических камер диффузионных печей 143
3. С истема автоматического регулирования температуры 145
4. Элементы диффузионной с и с т е м ы .................................... 147
5. Основные направления в создании оборудования для диффузии
и окисления ................................................................................................ 149

Глава 9. Оборудование для процессов ионной имплантации . . 152

1. Сущ ность процесса ионной имплантации и классификация обору
дования ......................................................................................................... 152
2. Элементы систем ионной имплантации 154
3. Тенденции в разработке оборудования для ионной имплантации 156

Глава 10. Оборудование для газовой э п и т а к с и и ............................. 158

1. Требования к установкам для газовой эпитаксии . . . . 158
2. Реакторы для газовой э п и т а к с и и ...................................................... 158
3. О борудование для эпитаксиального наращивания полупроводни
ковых соединений типа А ,П — B v ........................................................ 166
4. Автоматизированная система управления технологическим процес
сом (АСУТП) наращивания эпитаксиальных структур . . 167
5. Тенденции в развитии оборудования для газовой эпитаксии . 169

Глава 11. Оборудование для жидкофазной эпитаксии . . . 171

1. Классификация методов ж идкофазной эпитаксии и требования к
оборудованию ............................................................................................ 171
2. А ппаратурное оформление ж идкофазной эпитаксии . . . . 172

Глава 12. Оборудование для процессов фотолитографии . . . 175

1. Основные сведения о ф о т о л и т о г р а ф и и ............................................ 175
2. О борудование для формирования фотослоя ........................... 176
3. Оборудование для совмещения и экспонирования . . . . 181
4. О борудование для проявления ф о т о р е з и с т а ............................. 189
5. О борудование для травления окисла и металла . . . . 192
6. П ерспективы разработки оборудования для литографических
п р о ц е с с о в .............................................................................................................. 193
Глава 13. Оборудование для осаж дения пленок в вакуум е . . . 197
1. Оборудование для осаж дения пленок термическим испарением
в в а к у у м е ................................................................................. ....... . . . 197
2. Оборудование для катодного распыления материалов . . . . 205
3. Оборудование для ионно-плазменного н а п ы л е н и я ..............................210
Глава 14. Монтажно-сборочнре о б о р у д о в а н и е ............................................. 213
1. Область применения и классификация оборудования для сборки
полупроводниковых приборов и интегральных микросхем . . 213
2. Требования к монтажно-сборочному обор у д о ван и ю ..............................216
3. Типовые конструкции основных узлов монтажно-сборочного обо­
рудования ............................................................................................................217
4. Способы и средства контроля качества соединений в интегральных
м и к р о с х е м а х .........................................................................................................224
5. Пути и методы повышения производительности монтажно-сбороч­
ного оборудования ........................................................................................... 227
Г л а в а 15. Автоматические поточные линии и автоматизированные тех­
нологические комплексы .................................................... .....................................230
1. Особенности комплексной механизации и автоматизации произ­
водства интегральных м и к р о с х е м .............................................................230
2. Виды поточных л и н и й .................................................................... ....... . 232
3. Структурная и конструктивная компоновка автоматических линий 235
4. Автоматизированные поточные линии для производства интеграль­
ных микросхем и полупроводниковых п р и б о р о в ............................. 236
Г л а в а 16. Промышленные роботы в производстве полупроводниковых
приборов и микросхем ................................................................................................. 247
1. Области применения промышленных р о б о т о в ..................................... 247
2. Характеристики и назначение основных систем промышленных ро­
ботов ...................................................................................................................... 247
3. Требования к роботам, предназначенным для применения в чис­
тых п о м е щ е н и я х .................................................................................................252
Список литературы ........................................................................................................ 256
Предметный у к а з а т е л ь ................................................................................................. 259
 ПРЕДИСЛОВИЕ

Ос на ще нно ст ь пр ои зв о дс т ва современными м а ш и н а ­
ми и о б о р у д о в а н и е м в большой степени определяет эффек тив но ст ь
его ф у н к ц и о н и р о в а н и я . Это относится к любому производству,
а в о с обе нно с т и к производству полупроводниковых приборов и
и н те г р а л ь н ы х микросхем. П о с л е д н е е обусловлено тем, что при
п ро и зв о дс т ве полу пр о в о д ни ко в ых приборов используются м а ш и ­
ны, в к о т о р ы х р еа л из ов а ны нов ей шие достижения современной
науки: и м п л а н т а ц и и л е г и р у ю щ и х примесей с пом ощь ю ионных
пучков, л и т о г р а ф и я с примене ние м электронных и рентгеновских
пучков, о т ж и г и рез ка п од л о ж е к с использованием л аз е ро в , а т а к ­
ж е о чистки и т р а вл ен и я с п о м о щ ь ю пл аз мы и т. д. Все эти новые
м етоды о б р а б о т к и п от ре бо в а ли р а зр а бо т ки соответствующего
оборудования. .
Т е х н о л о г и я производства д ис кр е тн ых полупроводниковых п р и ­
боров и и н т е г ра л ьн ых мик ро схем представляет собой с л ож ны й
ко мп лек с р а з н о о б р а з н ы х технологических процессов, т ре бующи х
для их р е а л и з а ц и и с оздания с пе ци али зир о в а нн ых машин. Р а з р а ­
ботка т а к и х м а ш и н — процесс комплексный. В нем учас тв у ют не
толь ко к он ст ру кт ор ы, но и т ехнолог и и р а зработчики микросхем.
Все они д о л ж н ы быть з н ак о мы с во зможно с тя ми и д ост и же ни я м и
в с м е ж н ы х о б л а с т я х техники. П о э т о м у в учебном пособии, п р е д ­
н аз н ач ен н ом д л я студентов, и з у ч а ющ и х курсы « П о лу пр о в о д н ик о ­
вые и м и к р о э л е к т р о н н ы е пр и б о р ы » и «Технология с пе циа ль ных
м а т е р и а л о в э лект ронной техники» и посвященном об ор у до ва ни ю
п ол упр о в о д ни к ов о го пр о изводства, затронуты вопросы технологии
п ро и зв о дс т ва микросхем в о б ъ е ме , необходимом д л я по нима ния
тесной в з а и м о с в я з и о б о ру до в ан и я и реализуемого на нем т е хно ло ­
г ического пр оцесса. П о д че р ки в ае тс я , что необходимость комп­
лексного, сис те мно го подхода к ос на ще нию полупроводникового
п р о и з в о дс т ва технологическим о б ору до в а ни ем и переход от с о з д а ­
ния о т д е л ь н ы х м аши н и т ехнологических процессов к р а з р а б о т к е
систем м а ш и н и технологий, о бес пе чив ающи х высокий уровень
а в т о м а т и з а ц и и ка к основных, т а к и вспомогательных операций —
г е н е р а л ь но е на пр ав л ен и е в а в т о м а т и з а ц и и полупроводникового
п ро изв одс тв а .
В кн иг е в гл. 1— 4 р а с см о т ре ны особенности п ол у пр ов од ни ко ­
вого п ро и з в о д с т в а и общие вопросы конструирования и расчета
эл е ме нт о в технологического о бо ру до ва ни я.
6
 В гл. 5— 13 приведены основные виды м а ш и н и установок,
используемых в полупр ов од ни ко во м прои зв одс тв е.
З ак лю ч и т е л ь н ые гл. 14, 15 и 16 п о с в я щ е н ы в опрос ам к о м п ­
лексной механизации и а в т о м а т и з а ц и и п ро и зв о д с т в е н н ы х п р оц е с­
сов в производстве п ол у про во дни ков ых п р и б о р о в и микросхем,
а т а к ж е д ан ы примеры а в т о м а т и з и р о в а н н ы х т ех нол о ги че с ки х л и ­
ний и применения п ро м ы ш л ен н ы х роботов. О с о б о р ас см отр ена
в о зм ожн ос ть ис польз ов ания типовых к он с т р у к ц и й роботов и п р о ­
бле мные вопросы их с о з д а н и я д л я э к с п л у а т а ц и и в чистых п о м е ­
щениях.
Книга является первым учебным пособием по о б о ру до в ан и ю
полупроводникового прои зв одс тв а , п р е д н а з н а ч е н н ы м д л я с ту де н­
тов вузов и в оз мо жн о не л и ш е н а недостатков.
Предисловие, введение и г ла вы 1, 6 , 7, 12, 13, 15 и 16 н а п и с а ­
ны И. Г. Блиновым, а г л а в ы 2— 5, 9 — 11 и 13 Л . В. К о жи то в ым .
Г л а в а 8 написана а в т о р а м и совместно.
Все з амечания и п о ж е л а н и я читателей по с о д е р ж а н и ю книги,
которые авторы примут с б ла г од ар но с ть ю, п ро си м н а п р а в л я т ь по
адресу: 107076, Москва, С т ром ынс ки й пер.. 4. И з д - в о « М а ш и н о ­
строение».
 ВВЕДЕНИЕ

Р а з в и т и е п ол у пр ов од ни ко во го производства с вя з ано
с из об р ет ен и ем в конце с о р о к ов ы х годов точечно-контактного
т ра н з ис т о р а .
В д а л ь н е й ш е м с о в е р ше н с т в о в а н и е конструкции по лу пр о в о д н и­
ковых п р и б о р о в шло п а р а л л е л ь н о с р а з ра бо тк ой нового т е х н о л о ­
гического о б о р у д о в а н и я , методов в ы р а щ и в а н и я и очистки м о но ­
к ри с т а л л о в , не об х од и мы х д л я изг от овле ния плоскостных т р а н з и ­
сторов.
В е с ьм а в а ж н ы м моментом в о б ла с т и технологии по л у п р о в о д ­
никовых п р и б о р о в я в и л а с ь р а з р а б о т к а в 1957 г. пл а на р но го п р о ­
цесса, о с н о в а н н о г о на л о к а л ьн ом л ег и р о в а ни и полупроводниковой
п о д л о ж к и с ис по ль з ов ан ие м окс идно й маски, п ро фил ир ов ан но й
методом ф о т о л и т о г р а ф и и . Р е а л и з а ц и я этого процесса в п р ои з во д ­
стве п о т р е б о в а л а с о зд ан ия б о л ь ш о й группы новых пре цизионных
о пт и к о - м е х ан и ч е с к и х устройств.
Р а з р а б о т к а ме то д ов окисного м а ск ир о в а ни я и фотолитогра­
фии, с о с т а в л я ю щ и х основу п л а н а р н о й технологии, по зв ол или на
их б а з е с о з д а т ь не только по лу пр ов о дн и ко в ые приборы, но и и н­
т ег ра л ьн ые м ик р о с х е м ы .
П р и м е н е н и е о д ин ак о вы х м а т е р и а л о в и технологических м е т о ­
дов о б р а б о т к и при производс тве к а к полупроводниковых п р и б о ­
ров, т а к и и н т е г р а л ь н ы х м икрос хем, в значительной мере о б у с л о в ­
л и в а е т и и с п о л ь з о в а н и е од но типн ого оборудования. О д н ак о, к а к
п равило, т р е б о в а н и я к прецизионности о б орудования д л я п ро и з ­
водства и н т е г р а л ь н ы х микросхем по некоторым п а р а м е т р а м н е ­
сколько в ы ш е, чем д л я д и с к р е т н ы х полупроводниковых п р и б о ­
ров.
Все в о з р а с т а ю щ и е потребности в полупроводниковых п р и б о ­
рах и и н т е г р а л ь н ы х мик р ос х ем а х о пр е де л ил и и основное н а п р а в ­
ление в р а з в и т и и технологии их п ро из во дс тв а — с о в е р ше н ст в о­
вание г р у п п о в ы х методов о б р а б о т к и при увеличении числа о д н о ­
в ременно о б р а б а т ы в а е м ы х п ла с т и н и числа кр ис та лл ов на п л а ­
стинах. О б а э ти н а п р а в л е н и я о к а з ы в а ю т непосредственное в о з ­
действие на р а з в и т и е и с о в е р ше н ст в ов а ни е конструкций т е х н о л о ­
гических м а ш и н и установок.
Та к, н а п р и м е р , увеличение ч и с л а одновременно о б р а б а т ы в а е ­
мых п л а с т ин п р и в е л о к у в е лич ен ию г а ба р и тн ых р азм ер ов и п о в ы ­
шению т о ч н о ст и с т ан ков д л я ш л и ф о в а н и я и полирования, поиску
8
 /

путей по луче ния пластин н е о б х о д и м ы х г е о м е т р и ч е с к и х р а з м е р о в

и ф ор м. .
О с о бе н но за ме тн о в л и я ет н а технические х а р а к т е р и с т и к и о бо ­
р у д о в а н и я увеличение р а з м е р а п ар т ии о д н о в р е м е н н о о б р а б а т ы ­
в а е м ы х пластин на о п е р а ц и я х э п и т а к с и а л ь н о г о н а р а щ и в а н и я п л е ­
нок и д иф фу зи и . Это с в я з а н о со с л о ж но с ть ю о р г а н и з а ц и и г а з о ­
д и на мич ес ко г о потока и р а с п р е д е л е н и е м т е м п е р а т у р н ы х полей в
р е а кц и он н ых к ам е ра х у с т а н о в о к , о б е с п е ч и в а ю щ и х не об х од им ое
качество обработки.
Д л я обеспечения з а д а н н о г о в ре ме ни о т ка чки и п о д д е р ж а н и я
н ео б хо ди мо го в аку у м а в п р о ц е с с е нанесения п л е н к и потребова­
лось с о з д а т ь новые б ы с т р о д е й с т в у ю щ и е и м а л о г а б а р и т н ы е с р ед ­
с тв а о т к а ч ки , а т а к ж е но в ые т и п ы ис пар ите ле й и с р е д с т в а о чи­
стки п о д л о же к.
Н е ме не е с ло жны е п р о б л е м ы в о зни кл и и при в н е д р е н и и р я да
гру ппо в ых методов х им иче с ко й о бр аб о тк и. Та к, потребовалась
ж е с т к а я с т а б и л и з а ц и я р е ж и м о в о б р а б о т к и на предшествующих
о пе р ац и ях , что в свою о ч е р е д ь о бле гч ил о р е ше н и е п р о б л е м ы а в ­
т о м а т и з а ц и и всех операций т р а в л е н и я .
Д р у г и м направлением в р а з в и т и и технологии г р у п п о в ы х м е ­
тодов производс тва , с в я з а н н ы м с у величением ч и с л а к р и с т а л л о в
на о б р а б а т ы в а е м о й пластине, я в л я е т с я ув ел ич ение р а з м е р а ис хо д ­
ной пластины-заготовки.
С у л учш ени ем и о своением нов ых технологий о п е р а ц и й ф о т о ­
литографии и выращивания бездефектных монокристаллов крем­
ния с о з д а в а л и с ь и новые п о к о л е н и я о б о р у д о в а н и я д л я п р о и з ­
в одства полупроводниковых п р и б о р о в и и н т е г р а л ь н ы х микро­
схем.
Все о пе ра ци и т е хнолог иче ского процесса и з г о т о в л е л и я полу-
f п ро в о д ни ко в ых приборов и и н т е г р а л ь н ы х м и к р о с х е м д о ст а то чн о
ответственны, но, не имея в ы с о к о к а ч ес т ве нн ог о и сх о д н о г о м а т е ­
р и ал а , нецелесообразно п р и с т у п а т ь к изг от ов л ению к о м п л е к т у ю ­
щих эл ементов. В качестве и с хо д но г о м а т е р и а л а и с п о л ь з у ю т мо-
н ок рис т алл иче с ки й слиток д и а м е т р о м от 10 до 150 м м , д л и н о й от
40 д о 2000 мм и с о д е р ж а щ и й пр и ме се й 10~3— 10-10 %. П о л у ч е н и е
б ез д е ф е к т н ы х по к ри с т а л л и ч е с к о й ст ру кт ур е и с т о л ь ч ис ты х с л и т ­
ков б оль шо г о диа ме тра п р е д с т а в л я е т собой т р у д н у ю з а д а ч у .
Но, п о ж а л у й , еще более с л о ж н а я з а д а ч а — о б е с п е ч е н и е с п о ­
м о щью фото лит ог ра фи и т о п о л о г и и рис ун ка э л е м е н т о в полупро­
в од ник о вы х приборов и о с о б е н н о мик ро с хем на п л а с т и н а х б о л ь ­
шого д и а м е т р а , п о д в е р г а ю щ и х с я м н о г о к р а т н о й т е р м и ч е с к о й о б ­
р а б о т к е и изме няющих в с л е д с т в и е этого свои г е о м е т р и ч е с к и е п а ­
р а м е т ры . Э та з а д а ч а о с л о ж н я е т с я е щ е и тем, что п о л у ч е нн ую
т опо л ог ию элементов н е о б х од и мо с ох ра нит ь в п ро ц е с с е д а л ь н е й ­
шей о б р а б о т к и пластин.
В про и зв одс тв е п ол у пр о в о д н и к о в ы х прибор ов и м и к р о с х е м н а ­
р яду с гру ппо в ыми м е т о д а м и о б р а б о т к и ш иро ко р а с п р о с т р а н е н ы
и ме тод ы индивидуальной ил и по шт учной о б р а б о т к и и з д е л и й , ос о­
бенно на опе ра ци я х сборки и и с п ы т а н и я при боров. В э т о м с л у ча е
9
 с о в е р ш е н с т в о в а н и е о б о р у д о в а н и я и повышение п р о и з в о ди т ел ь но ­
сти о с у щ е с т в л я е т с я т р а д и ц и о н н ы м и методами а в т ом а т из а ц и и.
Современное полупроводниковое производство — комплекс
с л о ж н е й ш и х операций от в х о д н о г о контроля исходных м а т е р и а ­
л о в д о о к о н ча т ел ь но й с бо р к и готового прибора, его испытания
и у п а к о в к и . П р и из г от овле нии полупроводникового п ри бо р а или
м и к р о с х е м ы (в зав ис имо с ти о т их с ложности) не обходимо в ы п о л ­
нить д е с я т к и и д а ж е сотни т ехнологических и ко нт ро л ьн о -и зм е ри ­
т е л ь н ы х о пе ра ци й, т р е б у ю щ и х применения с пе ци аль но г о о б ор у ­
д о в а н и я . Т а к , д л я и зг о то в ле ни я т о ль ко одного д ост ат очн о просто­
го в т е х но ло г иче с ко м о т н о ш е н и и типа полупроводникового п р и ­
б о р а — д и ффу з и о н н о г о к р е м н и е в о г о диода — не о б хо ди мо пр и ме ­
нение б о л е е 80 единиц с п е ц и а л ь н о г о обору до ва ни я, не счита я
у н и в е р с а л ь н ы х и типовых с т а н к о в , применяемых на з а г о т о в и т е л ь ­
ных о п е р а ц и я х .
В ы с о к и е т ре бо ва ни я к т е х н о л ог ии и о б ор у до в ани ю о п р е д е л я ­
ются с п е ц и фи ч ес ки м и о с о б е н н о с т я м и полупроводникового пр и б о­
ра к а к и з д ел ия . В а ж н е й ш а я из них за ключа ет ся в том, что весь
п ро ц е с с и зг от ов ле ния п р и б о р а пр отекает в о бъ е ме одного к р и ­
с т а л л а , в кот оро м п ри хо ди тс я с о з д а в а т ь слои или о б ла с ти с о с о­
б ы ми ф и з и ч е с к и м и с в о йс т ва м и. К р ис т ал л — основа прибор а. О т
его к а ч е с т в а з а в и с я т все в а ж н е й ш и е электрические х а р а к т е р и с т и ­
ки г о т о в о г о изделия.
В п о с л е д н и е годы в п ро м ыш л е н н о с т и н а м е т ил а сь тенденция
з а м е н ы п о л у п ро в о д ни к ов ы х приборов, ка к д ис кр ет ных изделий,
и н т е г р а л ь н ы м и м ик р о с х е ма м и . Э т о вызвано с тр емл ени ем по в ы­
с ит ь н а д е ж н о с т ь и у м е н ьш и ть г а ба р и т н ы е р а з м е ры и массу р а д и о ­
т е х н и ч е с к и х устройств, с о з д а в а е м ы х с применением п ол у пр о в о д ­
н и к о в ы х пр ибор ов и и н т е г р а л ь н ы х микросхем. Т а ки м о браз ом,
с о в р е м е н н о е п о л у пр о в о д н ик ов о е производство с пе ци а ли з ир у е т ся
на в ы п у с к е двух групп и з д е л и й — дискретных полупр ов од ни ко в ых
п р и б о р о в и и нте г ра льны х м и к р о с х е м .
Н е с м о т р я на интенсивное р а з в и т и е производства и н т е г ра л ь­
ных м и к р о с х е м и у в ел ич ен ие их доли в о бще м о б ъ е м е в ыпуска
п о л у п р о в о д н и к о в ы х изделий, в ы п у с к дискретных по лу пр о в о д н ик о­
вых п ри б о р о в , по-видимому, с о х р а н и т с я еще д ли те ль н ое время.
И з г о т о в л е н и е д ис кр е т н ых полупроводниковых п ри бо р ов по
п л а н а р н о й технологии м о ж е т ос уще ст вл ять с я п ра кти че ски на л ю ­
бом о б о р у д о в а н и и , п р е д н а з н а ч е н н о м для выпуска инте гр ал ьных
м и к р о с х е м с д об ав л ен ие м н е к о т о р ы х специаль ных у стройств д ля
с б о р к и и испытаний. П р о и з в о д с т в о микросхем, с ов ре ме нных б о л ь ­
ших и н т е г р а л ь н ы х ( Б И С ) и с в ер х бо л ьш их и нт ег ра ль ны х схем
( С Б И С ) ц ел и к о м за в ис и т о т о св ое ния новых видов обору до ва ни я.
П е р е х о д в эру Б И С и о с о б ен н о в эру С Б И С — это переход
в э р у с у б м и к р о н н ы х р а з м е р о в . Сов р ем ен на я С Б И С на кр ис та л ле
р а з м е р о м пр и мер но 5 X 5 мм им ее т до 105— 10® эл е ме нт о в с раз-
1 м е р а м и л ини й 1— 3 мкм.
С о з д а т ь и р е а л и з о в а т ь т а к и е микросхемы в производстве
м о ж н о т о л ь к о с п ри мен ение м новейших видов м а ши н, т аких как
10
у с тановки ионной и м п л а н т а ц и и , л а з е р н о г о о т ж и г а , э л е к т р о н н о ­
л учевой и рентгеновской л и т о г р а ф и и , ионного и п л а з м о х и м и ч е с к о ­
го т р а в л е н и я и т. д. Ес тес тв енно , что человек у ж е не в состоянии
у п р а в л я т ь столь с л о ж н ы м и и б ы с т р о п р о т е к а ю щ и м и проце сс ами
и здесь незаменимыми с т а н о в я т с я средства автоматики и ЭВМ
д л я у пр а вл е ни я т е хнолог иче ск ими процессами.
Т а к и м образом, р а з р а б о т к а в ы с о к о а в т о м а т и з и р о в а н н о г о о б о­
р у д ов ан и я с управлением о т Э В М с целью р е а л и з а ц и и в пол у пр о ­
водниковых приборах и и н т е г р а л ь н ы х м и к р о с х е м а х субмикрон-
ных р а з м е р о в элементов я в л я е т с я основной з а д а ч е й с о в р е м е н н о ­
го ма шинос трое ния для по лу пр ов о д н ик ов о г о п р о и з в о д с т в а .
ГЛАВА 1

О Б О Р У Д О В А Н И Е ПРОИЗВОД С ТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

П Р И Б О Р О В И И Н Т Е Г Р А Л Ь Н Ы Х МИКРОСХЕМ

I. ОСОБЕННОСТИ П ОЛУПРО ВОДН ИКО ВО ГО ПРОИЗВОДСТВА

И ИХ В ЛИЯ НИЕ НА КОНСТРУКЦИЮ ОБОРУДОВАНИЯ

В ы с о ки е т ре бо в ан и я, п р е д ъ я в л я е м ы е к р я д у ко н ст ру к­
т ив ны х п а р а м е т р о в о б о р у д о в а н и я полупроводникового п р ои з во д ­
ства, о п р е д е л я ю т с я с п е ц и ф и ч е с к и м и особенностями технологии
и з г о т о в л е н и я и конструкции п ол у про во дни ков ых приборов.
В а ж н е й ш а я из них з а к л ю ч а е т с я в том, что весь процесс п ол у ­
чения г л а в н о г о э ле ме нт а п р и б о р а , опре де ляюще го все его ф у н к ­
ц и о н а л ь н ы е возмо жно с ти, — к р и с т а л л а с р — л- структурой, я в л я ­
ется р е з у л ь т а т о м в ыпо лне ния р я д а по с ледовательных о пе р аци й с
ц е л ь ю с о з д а н и я внутри о б ъ е м а к р и с т а л л а слоев или о б л ас т ей с
о с о б ы м и ф и з и ч е с ки ми с в о й с т в а м и . Кр ис т ал л п р е д с т а в л я е т собой
одну д е т а л ь , в о тличие от р а з ъ е м н ы х конструкций в п ри б о р о ­
с троении, з а м е н и т ь в нем н е п р а в и л ь н о изготовленный э ле ме нт
не л ь з я и б р а к т о л ь ко на одно й о пе р а ц и и приводит к б р а к у к р и ­
с т а л л а в це л ом .
С л о ж н о с т ь и в ы с ок ая Т р у д о ем к ос ть межо пе ра цио нн ого конт­
р ол я т е хн ол о ги че с ки х о пе р а ци й , выпо л ня емых при изготовлении
к р и с т а л л о в п о л у пр о во д ни к ов ы х пр ибо ро в и инте гр ал ьных м и к р о ­
схем, п о б у ж д а ю т tipoH3BOACTBeHHHKOB с о к ра щ ат ь количество к о н ­
т р о л ь н ы х о пе р ац и й, о с т а в л я т ь их только в узловых то чк ах т ех но ­
л о г и ч е с к о г о процесса ( после п ро в е д е н и я фотолит ог ра фии, д и ф ф у ­
зии и т. п . ) . П р и этом, ес те ст ве нно, воз ра с та ют т р е б о ва ни я к о б о ­
р у д о в а н и ю в о т ношении с т а б и л ь н о с т и и воспроизводимости п а р а ­
м е т ро в т е хно л ог иче с ко г о п ро ц е с с а с целью обеспечения не обходи­
мого п р о ц е н т а вых о д а г отовых изделий. Обеспечить эти т р е б о в а ­
ния м о ж н о т о л ь ко за сче т в ы с о к о й степени а в т о ма т из а ц и и те хно ­
л о ги ч ес к о г о процесса.
Т а к, н а п р и м е р , при с о з д а н и и в СВЧ- транз исторе д и ф ф у з и о н ­
ного с л о я т о л щ и н о й 0,2 м км ( п р и допустимом р а з б р о с е ± 1 0 %)
точность, с которой н ео бх оди мо в ы д е р ж и в а т ь глубину диффуз ии,
с о с т а в и т ± 0 , 0 2 мкм. Это о п р е д е л я е т необходимые точности п о д ­
д е р ж а н и я т е мп е р а т у р н ы х р е ж и м о в , газовых потоков и к о н ц е н т р а ­
ции л е г и р у ю щ и х примесей, что о беспечить без уст ро йс тв а в т о м а ­
т ики п р а к т и ч е с к и невозможно.
М и н и а т ю р н ы е р а з м е ры д е т а л е й полупроводниковых приборов,
и о с о б е н н о а кт ив ны х э л е м ен т о в и областей в кр и с та л ла х , о п р е д е ­
л я ю т и с к л ю ч и т е л ь н о высокие т р е б о в а н и я к прецизионности м е х а ­
ни че ски х у ст ро йс тв некоторых в и д о в оборудования, т а к и х к а к ф о ­
т о л и т о г р а ф и ч е с к о е и с борочное. Н е о бх о д им о применение и созда-
12
ние оптических пр иборов и меха нич ес ких у с т р ой с т в, о б е с п е ч и в а ю ­
щих о с уществление и н аб л ю д е н и е м и к р о п е р е м е щ е н и й с т оч н ос ть ю
0 , 5 - И , 0 мкм и менее. Н а п р и м е р , при и з г о т о в л е н и и ф о т о ш а б л о н о в
и д л я обеспечения не обходимого с о в м е щ е н и я очередного ш а б л о ­
на с рисунком, р а не е на нес енным на п о л у п р о в о д н и к о в у ю п л а с т и ­
ну, р а з р е ш а ю щ а я с пособность оптических у с тр о й с т в д о л ж н а д о ­
с тигать 1000 л и н и и / м м и более, а у э к с п о н и р у е м ы х м а т е р и а л о в —
до 1500 л ин и и / м м . В то ж е в ремя и с тол с з а к р е п л е н н о й на нем
заготовкой ф о т о ш а б л о н а или пла ст иной д о л ж е н о б е с п е чи ва т ь
перемещение с т очностью до долей м и к р о м е т р а на о т но с ит ел ьно
большом поле р а з м е ро м 1 5 0 X 1 5 0 мм.
Н а сборке выс о ко к аче ст вен ных п р и б о р о в п ро и зв оди тс я п р и ­
соединение выводов д и а м е тр о м по ря д ка 10 м к м к ко н та ктн ым п л о ­
щ а д к а м раз ме ро м 2 0 X 7 0 мкм, а н а б л ю д е н и е з а м а н и п у л я ц и я м и ,
прецизионными и н с т ру м ен т ам и при этом н е п р е р ы в н о ведется ч е ­
рез микроскоп с д ост ат очн о большим у в е л и ч е н и е м . Д о п о л н и т е л ь ­
ные сложности а вт ома т ич е ск ог о о р и е н т и р о в а н и я , т р а н с п о р т и р о в ­
ки, обработки, с о в м е щ е н и я в оз ни ка ют на с б о р о ч н ы х о п ер а ци я х в
связи с тем, что и з д е л ия о б л а д а ю т п о в ы ш е н н о й хрупкостью, п о ­
в ре жд а ем о й поверхностью и об щими м а л ы м и г ео ме тр иче ски ми
р аз мерами.
Толщина линий, п о л у ч а ем ы х на п о л у п р о в о д н и к о в о й п л а с т и н е
после литографии, с та но в и т с я со изм ер им ой с р а з м е р а м и п ы л е в ы х
частиц, на хо д ящи хс я в в оз д ухе цеха. П о э т о м у п о п а д а н и е п ы ле в ой
частицы на по лу пр о в о д н ик ов у ю п ла с тину м о ж е т привести к п е р е ­
крытию соседних линий и б р а к у прибора.
Необходимость о беспечения с верхчистых с т а б и л ь н ы х п р о и з в о д ­
ственных условий о п р е д е л я е т высокую с т о и м о с т ь с т роит ел ьс т ва
и экс плуа та ции пр оиз в о дс тв енных п о м е щ е н и й д л я п о л у п р о в о д н и ­
кового производства и у в е л ич и ва е т з а т р а т ы пр и пр о е к ти р ов а ни и
оборудования, о г р а н и ч и в а е т выбор к о н с т р у к ц и о н н ы х м а т е р и а л о в ,
за тр у дн яе т а в т о м а т и з а ц и ю и м е х а н и з а ц и ю процессов, у с л о ж н я е т
ор га низа цию м е жо п е р а ц ио н н о го т р а н с п о р т и р о в а н и я и х р ан е н и я
полуфа брика тов . Ча с то т ехнологические п р о ц е с с ы пров одя тс я в
вакуу ме или в с ре де з а щ и т н о г о газа, п о д в е р г а е м о г о с пе ци аль но й
очистке. В городском в о зд у х е с о де р жи т с я п р и м е р н о 105 в з в е ш е н ­
ных частиц в 1 л. В помещениях, где и з г о т а в л и в а ю т с я и н т е г р а л ь ­
ные микросхемы, з а пы л е н н о с т ь д о л ж н а б ы т ь ум е нь ше на б о л ее
чем в 3 • 10 4 раз. Р я д о п е р а ц и й п р о и з в о д с т в а и нт ег ра ль ны х м и к ­
росхем д олж ен п ро из во ди ть с я в г е р м е т и з и р о в а н н ы х п ом ещ ения х
1 кл ас са чистоты и кат ег ор ии м и к р о к л и м а т а в соответствии с н о р ­
мами, приведенными в т а б л . 1 и табл. 2 .
Д л я с нижения р а сх одо в на ф и л ь т р а ц и ю в о з д у х а п о л у п р о в о д ­
никовые пред пр ия тия р а с п о л а г а ю т в з е л е н ы х з о н ах вне г оро да .
Пр и пла ниров ке по м ещ ений используют п р и н ц и п «куб в кубе»,
когда помещение с н а и б о л е е же с тки ми т р е б о в а н и я м и по чистоте
р а з м е щ а ю т внутри г ер моз о ны с о бес пы л ен н ой средой.
Б ол ьш ое количество пы ли в ы де ля е тс я з а с ч е т истирания п о ­
л о в в производственных помещениях: если с поверхности п о л а
13
 Т а б л и ц а 1. Классификация производственных помещений по чистоте
воздушной среды

М а к с и м а л ь н о е к о л и ч е с т в о ч а с т и ц и а э р о з о л е й пыли в в о з д у х е
р а з м ер ом б о л е е 0 , 5 мкм
Класс
чи ст о т ы
пом ещ ен и я
в 1 м* В 1 л

1 4-Ю3 4
2 3 ,5 1 0 * 35
3 3 ,5 -1 05 3,5-10*
4 3 ,5 . Ю7 3,5-10®
5 По санитарным нормам СН-245-71

Таблица 2. Классификация производственных помещений по микроклимату

Температура, СС
Категория О тносительная
микроклимата влажность, %
зимой летом

1 21± 1 23±1 45±5

II 20±2 23±2 45±5
III По СН 245-71

р азм ер ом в 1 с м 2 с тереть слой т о лщин ой в 1 мкм, то из этого

о б ъе ма м а т е р и а л а м о ж е т о б р а з о в а т ь с я о к ол о 10s пылинок со
средним р а з м е р о м 1 м к м 3.
З а г р я з н е н и я , п о п а д а ю щ и е в слой фоторезистора при ф о т о л и ­
т огра фии или не по ср е дс тв е нно в окисел при окислении, могут
привести к п о я в л е н и ю дефе кт ов м а с к ир у ющ е г о слоя. Чтобы п л о т ­
ность д е ф е кт о в не п р е в ы ш а л а 0,04 м м - 2, в 1 л воздуха д о п у с т и ­
мо с о д е р ж а н и е не б о ле е 4 ч астиц со средним размером 1 мкм.
Д л я о бес пе че ния и п о д д е р ж а н и я чистоты на уровне этих т р е б о ­
ваний п р и м е н я ю т г е р м ет и за ци ю помещений, а стены, полы и п о ­
толки в ы п о л н я ю т из н ес об ир ающ их пыль и трудно и ст и ра ю щи х ­
ся м а т е р и ал ов , т. е. с о з д а ю т т а к н а з ы в а е м ы е «гермозоны», в к от о ­
рые м ощ н ым и к о н д и ц и о н е р а м и на г не т ае тс я очищенный ф и л ь т р а ­
ми от пыли в о зд у х. Все р а б о т а ю щ и е в гермозоне о б я за т ел ь но
перед входом в нее п ер ео д ев ают ся в спе цо де жд у, не в ы д е л я ю ­
щую пыли ( в о р с и н о к т к а ни ) . Вход посторонних людей в нее о г р а ­
ничен. Но д а ж е этих мер б ыв ае т недостаточно для с о бл юде н ия
необходимых т р е б о в а н и й по в а к у ум н ой гигиене. В этих с л у ч ая х
внутри г е р м оз он у с т а н а в л и в а ю т чистые комнаты.
Ч ис та я к о м н а т а , схематическое и з о б ра ж е ни е которой п о к а з а ­
но на рис. 1, п р е д с т а в л я е т собой по ме ще ние с л ам ин ар н ым по т о­
ком д о п о л н и т е л ь н о п р о ф ил ь тр о ва нн ог о воздуха. В чистой к о м н а ­
те в ы п ол ня ю тс я т ехнологические о перации, наиболее ч у вс тв ит ел ь­
ные к с о д е р ж а н и ю р аз л ич н ых час тиц в воздухе помещения.
14
Рис. 1. Общий вид чистой комнаты:
/ — нагнетатель во зд у х а; 2 — тамбур; 3 — окно д л я в ы х о д а воздуха; 4 — перф орированный
пол; 5 — ш л ю з; 6 — о к н о д л я пристыковки о б о р у д о в а н и я

Иногда д л я этих же целей п р и м е н я ю т п ы л е з ащ и т ны е к о з ы р ь ­

ки или к а м е р ы (см. рис. 2 и 3 ).
Во всех с л у ч а я х ис поль з ов ания пылезащитных устройств
п р е д ъ я в л я ю т с ле ду ющие д о п о л н и т е л ь н ы е т ре бов ани я к о б о р у ­
дованию:
оно не д о л ж н о являться с бо рн ик ом пыл и, которую потом т р у д ­
но у д а л и ть и, тем более, с амо не д о л ж н о в ы д ел я ть ее в п р о ц е с с е
работы.
д о л ж н о л ег ко в с траиваться в с т е н к и чистых к о м н ат и п ы л е ­
з а щит ны х к а м е р таким о браз ом, ч т о б ы м о ж н о было о т д е л и т ь
«чистую» зо ну (зону обработки п о л у п р о в о д н и к о в ы х п л а с т и н ) о*г
«грязной» (от зоны о б сл у жи ва ни я м е х а н и з м о в м а ш и н ы ) .
п оз во ля ть тра нс по рт ир о в к у и з д е л и й в герметичных к о н т е й н е ­
рах, р а с к р ы в а е м ы х только на п о з и ц и я х об ра бо т ки .
Кроме того, транспортные в н у т р и а г р е г а т н ы е к он ве йе рны е с и ­
стемы д о л ж н ы исключать в о з м о ж н о с т ь з а г р я з н е н и я обрабаты­
в а ем ых и зд ел ий при передаче
их с позиции на позицию.
Н а р я д у с этим ф у н к ц ио на л ь­
ные узл ы технологического о б о ­
р удования д о л ж н ы на дежно р а ­
ботать в у с ло вия х высокой т е м ­
пературы, в а к у у м а и при воз ­
действии п ар о в жидкостей а г ­
рессивных химических р е аг е н­
тов.

Рис. 2. Конструктивная схема открытой

пылезащитной линии:
/ — з а щ и т н о е с т е к л о ; 2 — ст о л ; 3 — вытяжной
воздуховод; 4 — о б е с п ы л е н н а я камера, 5 —
нагнетатели воздуха

15
 Рис. 3. Пылезащитные камеры
1 2 1 2 с вертикальным ламинарным
потоком воздуха для выпол­
нения операций:
а — без выделения продуктов
химических реакций; б — с вы д е­
лением продуктов химических
реакций;
/ — перф орированная решетка; 2 —
высокоэффективный фильтр; 3 —
в о зд у х о з аб о р н ая реш етка; 4 — вен­
тилятор; 5 — воздуховод для удале­
ния загрязненного воздуха; 6 —
подъем ная шторка

К химическим р е а к т и в а м , моющим р а с т в о р а м , технологическим

с р е д а м и л е г и р у ю щ и м с о с т а в а м п р е д ъ я в л я ю т п ов ыше нны е т р е б о ­
в а н и я в отношении их чистоты, т. е. они д о л ж н ы иметь м и н и м а л ь ­
ное количество п р и м е с е й , соизмеримое с ко личеством примесей
в исходном п о л у п р о в о д н и к о в о м материале. Р е а к т о р ы , в которых
р а з м е щ а ю т о б р а б а т ы в а е м ы е изделия, в ы п о л н я ю т из особо чистых
ко нс тр ук цио нных м а т е р и а л о в . Перед н а ч а л о м к а ж д о г о процесса
в н ут р ен н юю п ов е р х н о с т ь р е а к т о р а по дв е рг а ют с пе циа ль но й о б р а ­
б от к е с целью его с т е р и л и з а ц и и . Высокие т р е б о в а н и я п р е д ъ я в л я ­
ю т т а к ж е к л ичной г иг ие н е о б с лу ж ив а ющ е го пе рс она ла .
В а ж н о й о т л и ч и т е л ь н о й особенностью полу про во дни ков ог о п р о ­
из в о д ст в а я в л я е т с я р а с ч л е н е н н о с т ь про и зв одс тв а в пространстве,
мно г оа гр е гат но с ть, м но г он ом е н к л а т у р н о с т ь в спо мо га тел ьн ых м а ­
т е ри а л о в , м но г оо пе р ац и он но с ть , наличие б о ль ш о г о числа изделий
в за де ле .
Д л и т е л ь н о с т ь т ех но ло г ич ес к ог о процесса изг от овления п о л у ­
пр о в о д ни ко в ых п р и б о р о в и интегральных мик рос хем, в ы з в а н н а я
пр о х о ж д е ни е м и з д е л и е м бо льшо г о числа технологических процес­
сов и о пе ра ций в с т р о г о за да нн ой пос ле до ва те ль но с т и р а з л и ч ­
ной д ли т ел ьн ост ью т ех но л ог ич ес к их о пе ра ций и р аз л ич н ым к о э ф ­
ф ици енто м в ых од а г о д н ы х изделий на к а ж д о й из них, з а т р у д н я ­
ют в о зм о жн о ст ь с о г л а с о в а н и я по пр оизводительности каждого
технолог ического у ч а с т к а производства с произ в оди те ль но ст ью
всего комп лек са т е хн ол о ги че с ко го обору до в а ни я.
Н е п р е р ы в н а я м и н и а т ю р и з а ц и я п ол упр ов од ни ко вы х приборов и
ин те г ра ль ны х м и к р о с х е м приводит к пос т оя нному повышению т р е ­
б о ва н и й по т очност и о б р а б о т к и и с ов е рше нс тв о в а ни ю тех нол ог и­
ческих процессов. Д а л ь н е й ш а я интеграция э л е м е н т о в на к р и с т а л ­
л е прив одит к у в е л и ч е н и ю его размеров. Это в ы з ы в а е т не только
постоянное в о з р а с т а н и е требов ани й к прецизионности о б о р уд о­
в а ни я, но т ре бу е т к а ч е с т в е н н о новых т ехниче ских решений в п о ­
стр оен ии т е хн ол о г и ч е с к и х процессов и о б о ру до в ан и я.
16
 В а ж н о е м ес то в производстве п о л у п р о в о д н и к о в ы х п р и б о р о в и
особенно мик р ос х ем отводится о п е р а ц и я м к о н тр о ля их к а ч е с т в а
и над ежнос ти при помощи пр я мы х и к о св е нн ых измерений м н о ­
гочисленных и с л о жн ых п а р а ме т ро в .
Тр уд оемк ос ть контрольных о п е р а ц и й с о с т а в л я е т до 30— 4 0 %
трудоемкости изготовления изделия, т а к к а к в б оль шин ст ве с л у ­
чаев пр им ен яе тс я 1 0 0 % - н ы й п о о п е р а ц и о н н ы й контроль. В е с ь м а
велика т р у до е мк ос т ь к о н т р о л ь н о - и с п ы т а т е л ь н ы х о пе ра ци й г о т о ­
вых изделий, что с в я з а н о с м н о г о н о м е н к л а т у р н о с т ь ю п р о и з в о д с т в а
и н ео б хо ди мо с ть ю с орт ировки п р и б о р о в по г ру ппа м с р а з л и ч н ы ­
ми п а р а м е т р а м и после о к о н ча т ел ь но г о их изготовления.

2. О СН ОВН Ы Е СТАДИИ П РО И ЗВ О Д С Т В А
И КЛАССИФИКАЦИЯ О БО РУ Д О В А Н И Я

Т ехнолог ический процесс п р о и з в о д с т в а п о л у п р о в о д н и ­

ковых приборов и инте гра ль ных м ик р о с х е м м о ж н о р а з б ит ь на т р и
с амо с то я те ль н ые стадии. П оэт ом у в о з м о ж н а и у ж е р е а л и з о в а н а
с п е ц и а ли з ац ия пр ед прия тий по к а ж д о м у из этих н а п р а в л е н и й .
Первая стадия — заготовительная. В ц е х а х и на у ч а с т к а х э т о ­
го производства о б еспечивается в ы пу с к с л и т к о в п о л у п р о в о д н и к о ­
вых м а т е р и ал ов , кре мние вых пл ас тин, м е т а л л и ч е с к и х деталей,
м е та л ло с т е к л я н н ы х и м е т а л л о к е р а м и ч е с к и х узлов, корпусов, с п е ­
циального и н стр ум ент а и т. п. П р е д п р и я т и я этого типа с о д е р ж а т
цехи и учас тки в ы р а щ и в а н и я и о чистки м о н о к р и с т а л л о в , х о л о д н о й
штамповки, с тек ло за г от ов и те л ьн ые , к е р а м и ч е с к и е , гальваниче­
ских покрытий, термической, о пт и к о - м е х а н и ч е с к о й и фотолито­
графической ( д ля ф о то ш аб ло н ов ) о б р а б о т к и .
Вторая стадия — структурообразующая. В це ха х и на у ч а с т ­
ках этого п рои зв одс тв а о с у щ е с т в л я е т с я с о з д а н и е внутри о б ъ е м а
полупр ов од нико во го к р и с та л ла слоев ил и о б л ас т ей с о с о б ы м и
физическими свойствами. И м е ют с я у ч а с т к и оки сле ния и д и ф ф у ­
зии, фото л ит о гр а фи и , ионной и м п л а н т а ц и и , т е хнохимиче ской о б р а ­
ботки, в а к у у мн о го нанесения пленок, п л а з м о х и м и ч е с к о й о б р а б о т ­
ки м е ж о пе р ац и он н ог о к онтроля и п о л у ч е н и я эпитаксиальных
структур. П о с л е д н и й иногда м о ж е т б ы т ь в ы д е л е н в с а м о с т о я т е л ь ­
ное производство.
Третья стадия — сборочно-контрольная. Н а этой ст ад ии п р о ­
изводится с б о р к а приборов в м е т а л л о с т е к л я н н ы е , м е т а л л о к е р а м и ­
ческие и п л а с т м ас с ов ы е корпуса на у ч а с т к а х подготовки к р и с т а л ­
лов, м о н т а ж а его в корпус, п р и в а р к и в ы во д о в , г е р м е т и з а ц и и и
контроля. В ы п о л н я ю т с я и з а в е р ш а ю щ и е о п е р ац и и, т а кие к а к к л а с ­
сифик ация , меха нич ес кие и к л и м а т и ч е с к и е ис пыт ани я, окраска,
м а р к и р ов ка и у п а к о в к а готовых изде лий.
Ана лиз п ро из во дс тв а п ок а з ы в а е т , что о б ор удо в ани е, и с п о л ь ­
зуемое на первой и третьей с т а д и я х и з г о т о в л е н и я п о л у п р о в о д н и ­
ковых приборов и инте гра льных м и к р о с х е м , име е т много о б щ е г о
м е ж д у собой в отношении о р г а н и з а ц и и технол ог иче ск ого п р о ц е с -
2 Зак. 824 17
 с а и условий э к с п л у а т а ц и и . Д л я этих ст ад ий х а ра кт е рн ы: с ла бы е
св я зи м е жд у т е хн ол о г и ч е с к и м и у ч ас тка ми и о тде льными видами
обору до в а ни я, п р а к т и ч е с к и неограниченное в ре мя м ежоперацион-
ного х ра не ни я п о л у ф а б р и к а т о в , относительно невысокие, за ис­
ключением у ч а с т к а п ро и з в о д с т в а ф о тош абл он ов , т ребования к в а ­
куумной гигиене (2 -й — 3-й классы помещений по климатическим
п а р а м е т р а м и 3-й — 5-й кла сс ы по з апыл енн ос ти в озд ух а ). О р г а ­
низация п ро и з в о д с т в а на этих стадиях не име ет принципиальных
отличий от п р о и з в о д с т в , например, в эл ек тр о в а ку у м но й, р а д и о ­
технической или пр иб ор ос т ро ит е ль но й промышленности. В у с л о­
виях массового в ы п у с к а д е та л ей на основных у ч а ст ка х этих п р о ­
изводств в о з м о ж н о пр и м ен е ни е ме х а ни зи р ов а нн ых и а в то м а т и ч е ­
ских линий. П р и эт ом в о з м о жн о создание м еж оп ер а ци он н ых з а ­
делов,- что с п о с о б ст ву е т о р г ан из а ц и и р е гу ляр но го потока изделий
и ритмичной р а б о т е а в т ом ат и че с ко й линии.
Вторая, с т р у к т у р о о б р а з у ю щ а я стадия по о р г ан из а ци и пр о из ­
водства и у с л о в и я м э к с п л у а ^ ц и и о бо р у до в ан и я резко о т ли ч а е т ­
ся от первой и т ре ть е й . Е е в ыд ел я ют в особый вид производства,
х а р а к т е р н ы е о с об ен н ос т и которого присущи толь ко изготовлению
п ол упр о в о д ни к ов ых пр иб ор о в и инте гр ал ьных микросхем. П р и ч и ­
нами этого я в л я ю т с я :
с ильные с в я з и м е ж д у у частками, о б ус ло в ле нн ые ц икл ич но ­
стью т е хно ло г иче ск ого процесса, т. е. м но г ок р ат н ы м в о з в р а щ е н и ­
ем пластин на у ч а с т к и д л я повторных о б р аб о то к;
о г р анич ение в р е м е н и м е жо пе ра цио нн ог о х ра не ни я о б р а б о т а н ­
ных пластин;
высокие т р е б о в а н и я к вакуумной гигиене;
н ер ег ул яр ны й х а р а к т е р перемещения изделий м е жд у у ч а с т к а ­
ми, о бу сл о вл е нн ый з на ч и т е л ь н ым р аз бр осо м в длительности о п е ­
р а ции и п е р е м е н н ы м по потоку ко э фф иц ие нт ом выхода годных
изделий.
Т а к и м о б р а з о м , ко мп л ек с ы о б ору до в а ни я, пр е дна зна че нные
д л я и сп ольз ов ан ия на р а з н ых стадиях полупроводникового п ро ­
изводства, с у щ е с т в е н н о о тл ич аю тс я друг от д р у г а и по с л ожности
и по з а к о н о м е р н о с т я м их функцио нир о в а ния . Эти отличия о б у ­
с ловлены о т м е ч е н н ы м и в ы ш е особенностями изготовления и х р а ­
нения д ет а ле й, т р е б о в а н и я м и производственной гигиены, п о р я д ­
ком поступления и з д е л и й на обработку.
Основные г р у п п ы технологического и к он тр ол ьн о- ис пы т а те ль ­
ного о б ор у д о в а ни я , необходимого для п ро из во дс тв а интегральных
микросхем по н а и б о л е е р а спрос тра не нной сейчас планарно- эпи-
т а к с им а ль но й т ех но л ог ии , по к аза ны на рис. 4. Д л я р е а л и з а ц и и
других т ех но ло г ич ес к их процессов, пр им ен я ем ы х в производстве,
н ап рим ер точе чных или спл ав ных приборов, потребуется другое
о б орудов а ние . И з рис. 4 видно, на ск оль к о ш иро ка но ме нк л ат ур а
о б ор удо в а ни я, п р и м е н я е м о г о в по лу проводниковом производстве.
Кр оме того, м о ж н о отметить, что все пр им ен я ем ое обор удо в ание
с пе циа ль но с о з д а н о д л я использования в полупроводниковом п р о ­
изводстве.
18

1
 для Опрашивания спит к о в _ для н а р а щ и в а н и я для ре зк и и л о м к и
полупроводниковы х
мат ериалоО эп и т а к си а л ь н ы х с л о е в п л а с т и н на кристаллы

для р е з н и сл и т к о в на —|для окислен ия и диффузии дпя п о са д к и крист алпов

п л а ст и н ы
— для и о н н о й им плант ации
для ш л и ф о в а н и я
и полирования ппаст ин
для изготовления рамок и
м еталлически* дет алей
корпусов_________
для изготовления корпусов
__ для подготовки, р а здачи и
ут илизации реагентов
опт ико-механическое и для
фотолитографии
электрон по-лучевое, и они о —
лучевое и рентгеновское для
лит ографии
ионное и плазмохимичесяое
для травления и наращива~
н оя сл о ев
в норпус или на лент у
для п р и дар н и вы во д о в
для ге р м е т и за ц и и
н о р п усо в
_ для ме>н о п е р а ц и о н н о г о
к о н т р о л я сворки
для контроля и ялассифика -
ц и и парам ет ров и зд е л и й

для изготовление для хим ической обработки д ля м е х а н и ч е ск и х и

фотошаблонов U о ч и ст к и п п а с т и н к л и м а т и ч е ск и х испыт аний

__ для ме * 1 о п с р а ц и о н * о го для формирования рельефа для о к р а с к и , м а р к и р о вки

конт роля п о сл е лит ограф ии в
м е т а л л и ч е с к и х пленках
и упа*одкц
]
для нанесения металлических
пленок

дпя обеспечения
ва куум но й гигиены

__ для м ен < о п е р а ц и о н н о ео
конт роля

Рис. 4. Основные группы технологического и контрольно-испытательного обо­

рудования для производства интегральных микросхем

3. Т ЕНДЕ НЦИИ В Р А ЗРА БО ТК Е О БО РУ ДО В А Н И Я

П ОЛУПРО ВОДН ИКО ВО ГО ПРОИЗВОДСТВА

Бурное р аз вит ие м ик р оэ л е к т р о н и к и в ы з в а л о появление

новых технологических про ц ес со в и новых видов о б о ру до в а ни я
д л я их реализации. В этих технологических п р о ц е с с а х на ря д у с
о пт имиза цие й процесса п р о в е д е н и я отдельных о п е р а ц и й с т р ем я т­
ся уме нь шит ь общее число т ехнологических о п е р а ц и й и повысить
степень их однородности д л я по сл ед ующей их и н т е г р а ц и и и а в т о ­
м ат и з а ц и и технологического ц икл а. При этом п р е д п о л а г а ю т по­
лу чи ть увеличение выхода г одн ых изделий не т о л ь к о за счет
у л учше ни я какой-либо одной, пусть д а ж е с а м о й не совершенной
т ехнологической операции, с к о л ь к о в р е з у л ьт ат е о п т и м и з а ц и и все­
го технологического цикла изг о то в ле ния мик рос хем.

2' 19
 Г л а в н о й з а д а ч е й о с н а щ е н и я полупроводникового п ро и з в о д с т ­
ва о б о р у д о в а н и е м я в л яе т ся о с у ще с тв л ен ие перехода от с о зд ан ия
и в н е д р е н и я о т де ль ны х м а ш и н к р а з р а б о т к е и вне др е нию систем
м а ш и н , о б е с п е ч и в а ю щ и х в ы со ки й уровень а в то ма т и з а ц и и к а к о с ­
н овных т ех нол ог иче ск их проце сс ов , так и в спомогательных о п е р а ­
ций ( т р а н с п о р т и р о в а н и е , з а г р у з к а и выг ру зка изделий и т. п.).
П р и ч е м , р е ш а я техническую з а д а ч у д ля части о т де льной м а ш и ­
ны или у с тр о й с т в а , в х о дя ще г о в систему машин, имеют в виду не ­
о б х о д и м о с т ь обеспечения в ы с о ко г о качества ф у н кц и он и ро в а ни я
с и ст ем ы в целом. Такой с и с т е м н ы й подход п о зв о ля е т провести
а н а л и з и с ин т е з р а зны х по с в о е й природе и сло жно ст и объектов,
в в иде о с н о в н о г о и в с по м ог а те л ь но го об орудова ния, в ыя в ит ь в а ж ­
н ей шие х а р а к т е р н ы е черты ф у нк ц ио н и р о в а н и я конкретной систе­
мы, л и н и и или у ч ас т ка и у ч ес т ь на ибо ле е с уще с тв енны е д л я р а ­
боты в се й с ис те мы ф ак то р ы. И с по л ь з о в а ни е системного по д хода
п о з в о л я е т в ы я в и т ь м но ж ес т во ф а к т о р о в самого ра зл ич но г о х а р а к ­
т ер а и в ы д е л и т ь из них те, к о т о ры е о к а з ы в а ю т на о б ъ е к т н а и ­
б о л ь ш е е в л и я н и е в от но шен ии обще сис те мных целей, найти пути
и м е т о д ы э ф ф е к т и в н о г о в о з д е й с т в и я на эти факт оры. П оэ т ом у с и­
с тем ны й п о д х о д с т р е м я т с я и сп о л ь з о в а т ь ка к метод, п р е д с т а в л я ю ­
щий с о бо й в а ж н е й ш и й и н с т р у м е н т при создании в ы с о к о а в т о м а т и ­
з и р о в а н н ы х технических систем.
П о д т е хн ич ес ко й системой м ы понимаем систему, с ос тоящую
из м а ш и н и а г ре г ат ов и п р е д с т а в л я ю щ у ю собой в за им о с вя з ан н ый ,
с б а л а н с и р о в а н н ы й по п рои зв оди те ль но с т и и необходимым о б р а ­
зом р а с п о л о ж е н н ы й в п р о с т р а н с т в е комплекс основного т е хно ло ­
г ического и вспомогательного! о б ор у д ов а ни я, об ес пе чив ающи й ре ­
шение о п р е д е л е н н о й п ро из во дс тв е нно й задачи.
Т е х н и ч е с к а я система о п р е д е л я е т производственные мощности
п р е д п р и я т и я , с помощью к о т о р ы х в процессе про и зв одс тв а в ы пу ­
с к а е т с я п р о д у к ц и я в о пр е д е л ен н о м количестве и с оо т ве т с тв у ющ е­
го к а ч е с т в а . Ме с то технической системы среди др угих систем
п р е д п р и я т и я п о к а з а н о на рис. 5.
Н е о б х о д и м о отметить, что т е хнич ес ка я система цеха или п р е д ­
п р и я т и я в к л ю ч а е т в себя три в а ж н е й ш и х системы низше го п о р я д ­
ка: т е хн ол о г и ч е с к и х м а ши н и м ех анизм ов , энергетических м аши н
и у п р а в л я ю щ и х машин.
Н а с о в р е м е н н о м п ре д п р ия т и и техническое решение п ро и з в о д ­
с твенной з а д а ч и , с то яще й п е р е д к а ж д ы м отдельно в з я т ы м у ч а с т ­
ком или це хо м , не м о ж е т р а с с м а т р и в а т ь с я ка к полноценное при
от су тс тв ии л юб о го из этих ко мп оне нт ов технической системы.
В з а в и с и м о с т и от степени а в т о м а т и з а ц и и про изв одс тв а с о д е р ­
ж а н и е э т и х с о с т а в л я ю щ и х б у д е т р азличным. Все это х ор ошо и л ­
л ю с т р и р у е т с я схемой, о п р е д е л я ю щ е й иерархические уровни и с о­
с т а в л я ю щ и е эл ем ент ы тех нич ес ко й системы пр ед пр ия тия , п о к а ­
з а н н о й на рис. 6 . В з а в ис и мо с ти от поставленной цели при с о з д а ­
нии м а ш и н , с т о я щ и х на с о от вет ст ву юще м иерархическом уровне,
н е о б х о д и м о у ч и т ыв а ть все т р е бо в а н и я , опр е де ляе мы е а гр ега та ми,
с т о я щ и м и на боле е высоком и ер а рх ич ес ко м уровне, ко всем вхо-
20
Рис. 5. Место технической системы среди других систем предприятия

д я щ и м в систему, но с т о я щ и м на более ни з ко м ие рархическом

у ровне м аши на м. Н а пр и м е р , т а к и е т ре бов ания, к а к у в я з к а их по
производительности, о б ес пе че ни е энергетикой и техно л ог иче ск ими
с ре да м и, создание системы ь.чутриагрегатных, межагрегатных и
м е ж уч а с т к ов ы х конвейеров с а вт о ма т ич е ск им а д р е с о в а н и е м и, н а ­
конец, применение Э В М д л я у п р а вл е ни я т е х н о л о г и ч е с к и м и про­
цессами и производством.
Ко нструкция и п а р а м е т р ы выпу ск ае мых п р о м ы ш л е н н о с т ь ю по­
лупр ов од ник ов ых приборов и инте гра льных м и к р о с х е м с ов е рше н­
ствуют чрезвычайно быстро. А это озна ча ет, что д а ж е если ко л и­
чества в ыпускаемых и зд ел ий достаточно в е л ик и , то п ро ек ти ро ­
в а ть и изг от ав лив а ть для их выпуска с п е ц и а л ь н ы е а в т о ма т ич е ­
ские машины, а тем более л инии, становится э к о н о м и ч е с к и не вы­
годным, они не успевают оку пит ьс я . П оэт ом у п о д х о д к с озд ан ию
и о р г ан из ац и и массового п ро и зв о дс т ва б о л ь ш и н с т в а видов изде­
лий приобретает новую ф о р м у — о р г а ни за ц ию м а с с о в о г о б ыст ро ­
сменного производства. М а ш и н ы , с о з д а в а е м ы е д л я исп оль з ов ан ия
в т аких производствах, д о л ж н ы о б л а д а т ь с п е ц и ф и ч е с к и м и и про­
т иворе чивыми свойствами, п р и с ущ им и к а к м а ш и н а м , х а р а к т е р ­
ным д л я использования в м а с с о в о м про и зв одс тв е — высокой пр о ­
изводительностью, т ак и м а ш и н а м , и с п ол ьз у ем ы м в серийном
производс тве — достаточной у н и ве р са л ьн о ст ь ю и в ысокой м о ­
бильностью, т. е. быстрой п е р е н а л а ж и в а е м о с т ь ю на о бр аб от ку
другог о изделия. Со зд а ни е м а ш и н - а в т о м а т о в , а в т о м а т и ч е с к и х л и ­
ний и автоматических систем м а ш и н о б е с п е ч и в а е т в ыс о ку ю про­
изводительность, но у м е н ь ш а е т гибкость сис те мы, в оз м о жн ос ть
пе ре на ст ройки ее с в ы пу с ка одного из делия на д р у го е .
Г л ав не йш ей за да че й с ов р ем е нн ог о м а ш и н о с т р о е н и я являе т ся
со з д ан и е не просто систем о бо р у до в ан и я, а г и б к и х технических
систем, обеспечивающих их э фф ек т и в н о е п р и м е н е н и е к а к в мас-
21
 Т е х н и ч е с к а я с и с т е м а ц е х а - а в т о м а т а по п р о и з в о д с т в у к р и с т а л л о в и н т е г р а л ь н ы х
микросхем

Си с те м ы э н е р г о о б е с ­ АСУП и АСУТП
печения. К о м п л е к с с р е д с т в управ
Комплекс средств л е в и я оборудованием
н коммуникаций С ис т е м ы т е х н о л о г и ч е с к и х машин
и производством цеха

IV Централизованные А С У П и А С У Т П л ин ий
Автоматический А втоматический Автоматический М еж участковая и участков
участок химиче­ участок ди ф ф у­ участок систем а
1 о 3 4 5 6 ской обработки зи о н н о й о б р а б о т к и фотолитографии транспорти ровани я
—ЭВМ
— математическое о б е с ­
I п е ч ен и е

III Г рупповые А С У Т П ос н о в н ы х
М еж агрегатная конвейерно-адресная процессов
А грегат диффузионной обработки система
1 о 3 4 5 6 -микроЭВМ
-м о д е л и п р о ц е с с а

М но го р еа к то р н ы й Н акопитель длитель
И ндивидуальные блок обработки ного хранения с тарой Р обот-перегрузчик АСУ отдельными
си с т е м а м и

-контролеры
2 3 4 5 6 Система адр е с о в а н и я -матобеспечение
I АСУ диффузии У п р а в л я ю щ а я ЭВ М
с ко н в е й е р о м
I

АСУ отдельными
Блэк Д атчики кон­ механизмами
Блок техно­ дозирова- Загрузоч- троля У правляю-
1 логической
обработки реагентов устройства процесса устройство —д а т ч и к и
—программаторы
 сре д;.
про­
совом быстросменном, т а к и в серийном п р о и з в о д с т в е .
Д л я этого необходимо с о з д а н и е технических средств,
автоматизации обес пе чив ающих о п р е д е л е н н у ю о р г а н из а ц и он н ую с в я з ь
5 — реге нер ац ии
технологических м а ш и н д р у г с д ру го м и р е а л и з а ц и ю а в ­
т ом ат из ир о в а нног о или а в т о м а т и ч е с к о г о управления
производством. Т ак и ми т е х н и ч е с к и м и с ре дс т ва ми я в л я ­
ются ко н вейерно- адресные с ис т ем ы д л я т р а н с п о р т и р о ­
в ани я изделий, а т а к ж е р о бо ты , м и к р о п р о ц е с с о р ы и
сред;
от степени

Э В М д л я управления' м а ш и н а м и , л ини ям и и п р о и з в о д ­
ством в целом. Р а з р а б о т к е э т их устройств с у ч ет ом с п е ­
ци фи ки их экс пл уа та ции в у с л о в ия х п о л у п р о в о д н и к о ­
тех но л о ги ч еск и х

вого производства у д е л я е т с я б о л ь ш о е внимание.

Доминирующая в на с т о я щ е е время тенденция с о ­
в зависимости

з д а н и я гибких систем м а ш и н о б у с л о в л и в а е т н е о б х о д и ­
мость п ре ду см ат рив ат ь т е х н и ч е с к у ю в о з м ож н ос т ь о б ъ е ­
д и не ни я отдельных м а ш и н в а г р е га т ы на о снове и н т е ­
г р а ц и и технологических пр оц есс ов . Э то м у п р е п я т с т в у е т
сред; 4 — раздачи

р а з л и ч н ы й ф изик о- хим ич ес кий м ех аниз м и высокая

р а зд ро бл енн ост ь т е х н о л о г и ч е с к и х операций, п р о в о д и ­
технической системы

мых в разно об ра зных р а б о ч и х с редах. Ч е м в ы ш е с т е ­

пень интеграции процессов, тем выше их в о с п р о и з в о ­
д им ос ть ка к вследствие у л у ч ш е н и я условий п р о т е к а н и я
с ам ог о процесса, т а к и в р е з у л ь т а т е ис ключе ния р я д а
жидких

в спомогательных о п е р ац и й, с в я з а н н ы х с пе ре но с ом и з ­
д ел и й и по л уф а бр и ка т ов и з одной рабочей камеры в
другую.
3 — подготоакн

П р и поточно-массовой ф о р м е о р г а ни з а ц и и произ­
элементы

в од ст ва особо в а ж н о е з н а ч е н и е при об ре т ае т с о х р а н е н и е
чистоты (а в не которых с л у ч а я х ст ерильнос ти) полу­
ф а б р и к а т о в и изделий на п р о т я ж е н и и всего т е х н о л о г и ­
ческого цикла, по ск оль ку в оз д ей ст ви е к и сл о р о д а , в л а ­
Рис. 6. Иерархические уровни и составляющие

ги и пыли вызывает о щ у т и м ы е т ехнолог иче ские п о т е р и .

сред;

П о э т о м у возникает н е о б х о д и м о с т ь строго ограничить

в р е м я м ежо пе ра ц ио нн ого х р а н е н и я или п р о л е ж и в а н и я
газовых

п о л у ф а бр и ка т ов и и зд е л и й п е р е д проведением п о с л е д у ­
изводства; система энергообеспечения:

ющ их операций. Это с о з д а е т з н ач и те л ьн ые з а т р у д н е ­
ния в организации п р о ц е с с а о пе р а тив но го р е г у л и р о в а ­
2 — подготовки

ния и упр ав ле ни я п р о и з в о д с т в о м . Р е ш и ть эти п р о б л е м ы

з на чи т ел ь но проще, е £ли с и с т е м а состоит из а г р е г а т и -
р о в ан н ых машин, а в т о м а т и з и р о в а н н ы х и а в т о м а т и ч е ­
ских л и ни й и участков, с т о я щ и х на III и IV и е р а р х и ч е -
* ском уровне и о х в а т ы в а ю щ и х группы т е х н о л о г и ч е с к и х
/ — энергоснабжения;

g о пе ра ци й, допу с ка ющи х п о с л е их в ыполнения р е г л а м е н ­

т и р о в а н н ы е перерывы в о б р а б о т к е и н а к о п ле ни е и з д е -
| л ий на г раницах у ч а с т к о в . П о этой ж е причине л е г ч е
с инхронизировать, или в ы р о в н я т ь по п р о и з в о д и т е л ь н о -
| сти р а бо т у отдельных у ч а с т к о в , на пр им ер , с р а з л и ч н о й
>- в еличиной партий о д н о в р е м е н н о о б р а б а т ы в а е м ы х из-
I делий.
23
 В а ж н ы м т р е б о в а н и е м , п р е д ъя в ля е мы м к м а ш и н а м , в к л ю ч а е ­
м ы м в систему, я в л я е т с я по в ы ш ен ие степени их а в то ма тиза ции.
П р и этом п р и м е н я ю т м ик ро про це с со ры или м и н и - ЭВ М д ля у п ­
р а в л е н и я пр о т е ка ние м т ехнолог ического пр оц ес са с ограничением
ф у к н ц и й о пе р ат о ра . Ж е л а т е л ь н о полное ис кл юч ен и е с у бъ ек тив но ­
г о в л ия н и я о п е р а т о р а н а х о д технологического процесса. Это с т а ­
н о в и т с я в о з м о ж н ы м л и ш ь в том случае, если с истема полностью
о с н а щ е н а всеми н е о б х о д и м ы м и дат чиками к о н т р о л я хода как о с­
но в н ых , т а к и в с п о м о г а т е л ь н ы х операций т ехнолог ического п р о ­
ц ес са , н еп ре ры в но в ы д а ю щ и м и информа цию на управляющую
ЭВМ.
И т а к , м о жн о о т м е т и т ь с ле ду ющи е о сновные тенденции в р а з ­
в ит и и т е хнол ог иче ск ого о б о р у до в ан и я в м ик ро эл ект ро ник е:
а г р е г а т и р о в а н и е м а ш и н на основе интег рации технологических
проце сс ов ;
в ы со ку ю ст епе нь а в т о м а т и з а ц и и машин з а счет применения
мик ро пр о це с со р о в , м и н и - Э В М и датчиков о п е р ат и вн ой и н ф о р м а ­
ц и и х о д а т е хн ол о ги че с ко го процесса;
п е р е хо д от с о з д а н и я о т д е л ь н ы х машин к с о з д ан и ю систем
машин;
пр имен ение к о н в е й е р н о - а д р е с н ы х у стройств и роботов д ля
о б е с п еч ен и я гибкости с и с т е м машин, п р и м е н я е м ы х в массовом
б ы ст р ос м ен но м и с е р и й н о м производстве;
с н и же ни е стоимости, м а т е р и а л о - и э н е р го п от ре б ле ни я машин.
 ГЛАВА 2
ВИ Д Ы Н А Г Р Е В А В П Р О И З В О Д С Т В Е
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИ Б О РО В И ИНТЕГРАЛЬНЫХ
М И КР О СХ Е М

J. ТРЕБОВАНИЯ К СИСТЕМ Е НАГРЕВА И ЗД Е Л И Й

Сис т ем а нагрева п р е д н а з н а ч е н а д л я н а г р е в а о б р а б а ­
т ыв ае мо г о изд е ли я до за да нн ой т е м п е р а т у р ы .
Устройство д ля нагрева и з д е л и я д о л ж н о обеспечить:
отсутствие з а грязнений о б р а б а т ы в а е м ы х изделий м а т е р и а л о м
на г р е в а те л я и примесями из него;
не зн ач ит е ль ну ю инерцию при п ер е хо д е от одного т е м п е р а т у р *
ного р е ж и м а р а бот ы к другому;
в ос пр ои зв оди мые и по с т оя нные с з а д а н н о й точностью з н а ч е ­
ния т е м п е ра ту р на всей дли не т е хн ол ог иче ск ой з оны и в о з м о ж ­
ность с о зд а н и я надежной с ис т ем ы а в т о м а т и ч ес ко г о р е г у л и р о в а н и я
т е мп ер атур но го р ежима;
опр ед ел ен ный с рок с л у ж б ы н а г р е в а т е л я при простоте о б с л у ­
жи ва ния .
Н а и б о л е е р а с пр о с т ра не нны ми в п о лу пр о в о дн и ко в ом п р о и з в о д ­
стве в и д а м и на гр е ва я вл яю тс я и н ду к ци он н ый и р е зис т ив ный .

2. ИНДУКЦИОННЫ Й НАГРЕВ

Индукционный н аг р ев — про гр ес с ив ный способ, о б л а ­

д аю щи й с л е д у ю щи м и д ост оин ств ам и: быстротой, р а в н о м е р н о с т ь ю
и высокой стабил ьност ью н аг р е в а . Н а г р е в т ока ми выс око й ч а с т о ­
ты п о зв о ля е т осуществлять п л а в н о е и точное р е г у л и р о в а н и е т е м ­
пературы.
И н д у к ц ио нн ы й нагрев о сн ов а н на в ыд ел ении т епл а в р е з у л ь ­
т ате возни кн ов ен ия вихревых т о к о в и магнитного гистерезиса
(у ф е р ро ма г ни т н ы х м а т е р и ал ов ) в т е л а х , помещенных в п е р е м е н ­
ное маг нит но е поле. Т е м п е р а т у р а н а г р е в а в о з р а с т а е т с у в е л и ч е ­
нием ч ас то ты тока, поэтому д л я и нду к цио н но г о н а г р е в а п р и м е н я ­
ют частоты, значительно п р е в ы ш а ю щ и е п ро м ы ш л е н н у ю ( 50 Гц)
и д о с т и га ю щи е десятков ме г аг ер ц . С ис т е м а и н д у к ц ио н но г о н а ­
грева име ет индуктор, п о д в о д я щ и е ил и с ог л ас у ющи е цепи и г е ­
нератор т оков высокой частоты. П р е о б р а з о в а н и е э л е к т р и ч е с к о й
энергии в т епл ов ую происходит в с а м о м на г ре в ае м ом о б ъ е к т е .
П р и н ц и п и а л ь н а я схема ин ду к ци он н ог о на г ре в а п о к а з а н а на
рис. 7. И нд у к ц и о н н а я в ы с о ко ч а с т о т н а я у с тан ов ка представляет
собой т р а н с ф о р м а т о р , пи та емый от г е н е р а т о р а 1 токов в ы с о к о й
частоты. П ер вич но й обмоткой т р а н с ф о р м а т о р а я в л я е т с я и н д у к т о р
2, по дкл юче нн ый непосредственно к г е н е р а т о р у или ч ер е з по н и-

25
Рис. 7. Принципиальная схема индукционного нагрева

ж а ю щ и й т р а н с ф о р м а т о р . Вт ор ич но й обмоткой я в л я е т с я н а г р е в а е ­
м а я д е т а л ь 3, к от ор ую м о ж н о считать одним к ор от ко за мк ну т ым
в ит ко м . По первичной о б м о т к е протекает ток в ысокой частоты,
о б р а з у ю щ и й пере ме нн ое м а г н ит н о е поле, которое на во д ит во вт о­
р ичной обмот ке Э Д С , в ы з ы в а ю щ у ю вихревые токи значительной
п лотности, н а г р е в а ю щ и е д е т а л и . Вихревые токи ц и рку лир уют в
н а г р е в а е м о й д ет а л и в плос кос ти, пе рпендикуля рной н ап рав ле ни ю
м а г ни т н о г о потока. Е с л и д е т а л ь из ф ер ро ма гни тн ог о м а те р иа ла ,
т о о н а еще п од в ер г а е т с я пе ре ма гнич ив а ни ю и д ополнит ельному
н а г р е в у из-за м а г ни т но г о гистерезиса. Н а г р е в д ет а ли , вызванный
м а г н и т н ы м г истерез исом, д л и т с я до тех пор, по ка т емп е ра ту р а
д е т а л и не д ост и га е т т е м п е р а т у р ы , при которой в ещество теряет
м а г н и т н ы е свойства ( то чк и К ю р и ) . В ы д е л я ю щ е е с я в теле при
в о з ни кн ов ен ии в и хр е вы х т ок ов количество т епл а п р о п о р ц ио н ал ь­
но к в а д р а т у тока в д а н н о м у ч ас т ке проводника, т. е.
Q = l 2Rx, Дж,
г де R — со пр от ив л ени е п р о в од н ик а; т — в ре мя нагрева.
Р а с с м о т р и м и н ду к ц и о н н ы й нагрев тела, и ме юще го фо р м у ци­
л и н д р а (рис. 7). Р а з о б ь е м ци ли нд р на о т д е л ьн ые слои а и Ь
о д и н а к о в о й т о лщ и ны Д и высоты к. В этих с л о я х с р а ди ус ами
га и гь, п р е д с т а в л я ю щ и х ко ро т ко за мк н ут ые витки, переменное
м а г н и т но е поле в о з б у ж д а е т в ихревые токи.
В и хр е вы е токи, п р о т е к а ю щ и е в к аж д о м из р а с с м ат р и в а е м ы х
с лое в, с о зд аю т с о бс т в е н н ы е магнитные поля, на п р а в л е н н ы е п ро ­
т ив основного поля п е р в и чн ой обмотки, в р е з у л ь т а т е чего в о зни­
к а е т некоторое р е з у л ь т и р у ю щ е е магнитное поле. Внутренняя
ч ас т ь д ет а ли о х в ач ен а б о ль ш и м количеством э л е м е нт а рн ых вих­
р е в ы х токов по с р а в н е н и ю с периферийной частью, поэтому р е ­
з у л ь т и р у ю щ е е с обс т ве нн ое м аг нитное поле б уде т н е р а вн ом е р­
ным — в центре б о л ь ш и м , а на периферии — ме ньшим, во в не ш­
них с ло ях о б р а з уе тс я с г у щ е н и е потока магнитной индукции. Н е ­
р а в н о м е р н о с т ь потока м а г н и т н о й индукции е ще бо ле е у в е ли ч ив а ­
е т н ер а вно м ер н ос ть р е з у л ь т и р у ю щ е й Э Д С по с ечению детали, что
в итоге прив одит к т ому, что р е зу л ьт и ру ющ а я Э Д С и плотность
26
тока у б ы в а ю т от поверхности к ц е н т р у по э к с п о н е н ц и а л ь н о м у з а ­
кону:
ix = i'0 exp (— х / 6),
где in — плотность тока на по в ер х но ст и , Л / м 2; ix — п л о т но с ть '
тока на глубине, Л / м 2; б — в е л и ч и н а , н а з ы в а е м а я г л у б и н о й п р о ­
никновения тока, м.
Н а г л у би н е б плотность т о к а и з м е н я е т с я в е р а з и в ы д е л я е т ­
ся 90— 95 % всей энергии, п е р е д а в а е м о й от ин д ук то р а н а г р е в а е ­
мому изделию. На гре в и з д е л и я з а п ре д е л а ми б п р о и с х о д и т з а
счет п ер ед ачи тепла т е пл о пр о во д но с т ь ю от пов ер х н о ст н ог о с л о я
в глубь и зд ел ия . Глубину п р о н и к н о в е н и я тока в н а г р е в а е м о м и з ­
делии и инду кто ре (б, м) о п р е д е л я ю т по у ра вне нию
б = 5 0 3 0 ( p / ( / n ) ) 0 ,5 ,

где р — у дел ьн ое сопротивление м а т е р и а л а н аг р е в а е мо г о и з д е л и я

(или инд ук то р а) О м- м; ц — о т н о с и т е л ь н а я м а г н и т н а я п р о н и ц а е ­
мость м а т е р и а л а нагреваемого и з д е л и я или индук то ра ; / — ч а ­
стота тока, Гц.
Д л я не ма гнитных м а те р и а л о в и м ат е р и а ло в , и м е ю щ и х т е м п е ­
ра туру в ыш е точки Кюри, о т н о с и т е л ь н а я м а г ни т на я проницае­
мость р а в н а единице. Глубина п р о н и к н о в е н и я б в о з р а с т а е т с у в е ­
личением удельного эл ек тр ич е ск ог о с о пр от ив ле ни я р ( О м - м ) и
у м е н ьш а ет ся с увеличением ч а с т о т ы f (Гц) и о т н о с ит е л ь но й м а г ­
нитной пр оницаемости м а т е р и а л а ц. П р и частоте т о ка б о л е е
1 кГц м о ж н о получать тонкий н а г р е т ы й слой, т. е. п р о в о д и т ь п о ­
верхностную термическую о б р а б о т к у изделия, а и с п о л ь з у я ток
пр ом ышл ен но й частоты (50 Г ц ) , — сквозной прогрев и з д е л и я .
Фо р м а и р а зм е ры индуктора з а в и с я т от ге оме трии н а г р е в а е ­
мого изделия. Индуктор и з г о т а в л и в а ю т из медной т р у б к и с п е ц и ­
ального п р о ф и л я в виде ц и л и н д р и ч е с к о й с пирали или п л о с к и х
витков с ко ро т кими нак ло нными п е р е х о д а м и м е ж д у в и т к а м и . Д л я
о х л а ж д е н и я индуктора по не му п р о п у с к а ю т воду. М о щ н о с т ь , п о ­
т р е б л я е м а я при индукционном н а г р е в е , с к л а д ы в а е т с я из м о щ н о ­
сти, п е р е д а в а е м о й н аг ре ва ем ом у из д ел ию , и мощности, т е р я е м о й
в индукторе, т. е. Р = Р \ - \ - Р 2.
К П Д печи с индукционным н а г р е в о м о пр е де л яе т ся к а к о т н о ­
шение м ощно с ти выделяемой в м е т а л л е , ко всей потребляемой
мощности; т. е.
Л8л = P J i.P l + />») = 1/(1 + P J P 2)-
М о щнос ть Р 1, т е ря е м а я в ин ду к то р е,

р 1= р Л
М о щ но с ть Р 2, в ы дел яе м ая в н а г р е в а е м о м изделии,
Р 2 = R J \ = R 2n 4 ] ,
где R\ и /?2 — активные с о п р о т и в л е н и я соответственно и н д у к т о р а
и н а г р е ва е мо го изделия; /, и / 2 — т оки в индукторе и н а г р е в а е ­
27
м о м из де лии; n — к о э ф ф и ц и е н т т ра нс форма ции, р ав ны й числу
в и т к о в инду кто ра ( rc =c oi ) -
А к т и в н ы е с о п р о т и в л е н и я Ri и /?2 о пр е д е ля ю т с я геометриче­
с к и м и р а з м е р а м и и м а т е р и а л о м индуктора и н а г р е ва е мо го из де ­
л и я , а т а к ж е г лубиной п ро н ик н ов е ни я тока в м а т е р и а л инду кто ­
р а 61 и на гр е ва е мо го и з д е л и я 62:

г д е d\, d-i, hi и Л2 — д и а м е т р ы и высоты соответственно и н ду кт о­

р а и н а г р е ва е мо го и з д е л и я .
П о с л е по дстановки з н а ч е н и й R ( и R 2 э ле кт рич ес ки й К П Д

М о щ н о с т ь Я 2 в ы д е л я е т с я в нагреваемом и зд ел ии в виде н а ­
г р е в а ю щ е г о его т епла ( Р „ ) и частично изл уч ае тс я в о к р у ж а ю щ е е
п р о с т р а н с т в о (Р п), т. е. Р г = Р и-\-Рп Тепловой К П Д печи о пр е ­
д е л я е т с я отношением м о щ н о с т и , идущей на н аг ре в изделия, ко
в с е й в ы д ел я е м о й в и з д е л и и мощности:

Лтеп - РнКРн + Л.)

Э л е к т р ич ес к ий К П Д с и с т е м ы индукционного на г ре в а у в е лич и­
в а е т с я с у м ень ш ение м з а з о р а м е ж д у индуктором и н аг ре ва емым
и з д е л и е м , а т а к ж е с у в е л и ч е н и е м отношения у д ел ь ны х со про тив ­
л е н и й н а г р е ва е мо го и з д е л и я и ма те р иа ла и н ду кт ора p2/ p i . Э л е к ­
т р и ч е с к и й К П Д в о з р а с т а е т т а к ж е при увеличении отношения
д и а м е г р а н аг р е в а е м о го и з д е л и я к глубине пр оникновения тока
( ^ 2/ 62). до ст иг ая м а к с и м у м а при d 2> 1 0 6 2.
В т ех ник е и н д ук ц ио н но г о на гр ев а для получения токов опр е ­
деленной частоты и с п о л ь з у ю т следующие т ипы генераторов
( т а б л . 3 ) : э л е к т р о м а ш и н н ы е , ионные, тиристорные, искровые и
ламповые.

Таблица 3. Генераторы, применяемые для индукционного нагрева

Диапазон
Вид генератора мощностей, КПД, % Д и а п а з о н ч а с т о т , Гц
кВт

Электромашиннын 5—3000 70—80 2 10*—10*

Ионный 100— 1000 85 - 9 0 5 -1 0 * -3 -1 0 »
Тиристорный 1—50 80—95 От сотен герц до десятков
килогерц
И скровой 1— 50 20—40 -МО3—10е
Ламповый 1 -5 0 0 5 0 -6 5 От 5-104 Гц до нескольких
мегагерц

28
 i)
Рис. 8. Индукционный нагрев для зонной плавки материалов:
а — т и г е л ь н ы й с п о с об ; б — б с с т и г с л ь н ы й с п о с о б ;
/ к в а р ц е в а я т р у б а ; 2 — ин ду к то р ; 3 — л о д о ч к а (тигель); 4 — р ас п л авле н н ая зона; 5 — сли­
ток м а т е р и а л а

П рим ене ние индукционного н а г р е в а д л я зонной п л а в к и п о к а ­

з а но на рис. 8 . Уз кая зона о ч и щ а е м о г о м а т е р и а л а , р а с п л а в л е н ­
ного индукционным нагревом, п е р е м е щ а е т с я в доль с л и т к а , к о н ­
центрируя в себе опр ед ел ен ные примеси. И н д у к ц и о н н ы й н аг р ев
с оз д ае т дополнительное п е р е м е ш и в а н и е в ихре в ыми т о к а м и в р а с ­
п ла вл енно й зоне слитка, с по с о б с т в у я более э ф ф е к т и в н о й о ч и ст ке
м а т е р и а л а . Исходный м а т е р и а л п о м е щ а е т с я в к в а р ц е в у ю т ру бу
с з а щ и т но й атмосферой. С в н е ш н е й стороны т р уб ы р а с п о л о ж е н
многовитковый индуктор.
Р а с п о л о ж е н и е индуктора вне к ва р це в ог о р е а к т о р а о б е с п е ч и ­
в ает стерильность процесса, п р о с т о т у о х л а ж д е н и я к а м е р ы , р а в н о ­
мерность, высокую скорость и с т а б и л ь н о с т ь наг ре ва , а т а к ж е в о з ­
м ожн ос т ь с оз дания на д ежно й с и с т е м ы а в т ом а т ич е ск ог о р е г у л и р о ­
вания т емп ер атур но го р е жи м а п ро це сс а.
И н ду кц ио нн ый нагрев п о з в о л я е т получить максимальную
у д ел ьн ую мощность энергии 5• 10 7 В т / м 2.

3. РЕЗИСТИВНЫЙ Н А ГРЕВ

Н а г р е в проводящего т е л а при п р о х ож д е ни и ч е р е з него

э л ект рич ес ко г о тока н а з ы в а ю т р е зи ст и вн ым на гр ев ом .
Со г л ас но з акон у Д ж о у л я — Л е н ц а
Q = U I t — U 2l / R ~ ! гШ.
Д л я в ыд ел ени я тепла в т в е р д о м проводнике м о ж н о и с п о л ь з о ­
вать постоянный 'и переменный э л е к т р и ч ес ки й ток. Применение
постоянного тока затруднено и э к о н о м ич е ск и не в ыг о дн о и з - за о т ­
сутствия источников ( г е не р ат ор о в) бо ль шо й силы т о к а и ни зк ог о
н а п р я ж е н и я , которые н ео бх оди мы д л я в ыд ел ени я т е п л а в т в е р ­
дом проводнике, о б ла д а ю щ е м в ы с о ко й э л е к т р о п р о в о д н о с т ь ю .
29
 С п ос о б но с т ь пе ре ме нного т о ка к т ра нс форма ции п озв ол яе т по ­
л у ч а т ь т р е б уе м ые н а п р я ж е н и я . П р и переменном токе под с опро­
т и в л е н и е м проводника п о н и м а ю т активное сопротивление, кото­
рое б о л ь ш е с опрот ивле ния пр оводника постоянному току. Это
о б ъ я с н я е т с я наличием с к и н - э ф ф е к т а , влияние которого в о з р а с т а ­
е т с у ве л ич ен и ем ч астоты /, д и а м е т р а проводника d, магнитной
п р о н и ц а е м о с т и ц и н а д а е т с ростом электрического сопротивле­
ния р:
I = ф (d, У|х//р ),
г де | — ко эффициент, х а р а к т е р и з у ю щ и й скин-эффект.
А к т и в н о е сопротивление пров од ни ка
R = R nl ,
г де R u — сопротивление п р о в о д н и к а при прот ека нии постоянно­
го т ок а.
Н а л и ч и е с ки н- эф фе кт а п р и в о д и т к появлению индуктивного с о­
п р о т и в л е н и я X, у ч и т ы в а ю щ е г о действие Э Д С са мо инд укц ии, с о ­
з д а в а е м о й переменным м а г н и т н ы м полем. Полное сопротивление
п р о в о д н и к а переменному току
Z =, У Х 2 г R* •
И н д у к т и в н о е с о п р от и в ле н и е
X = 2л Д ,
г де L — к оэ фф иц ие нт с а м о и н д у к ц и и , Гн.
Н а п р я ж е н и е на з а ж и м а х проводника
U = IZ, (
где / — в еличина п ер е м енн ого тока.
П р и на г ре в е п р ов о д н ик а переменным током вследствие н а л и ­
чия и н ду кти вно го с о п р о т и в л е н и я ток и н а п ря же ни е не с о впа д ают
по ф а з е и мощность, в ы д е л я е м а я в проводнике,
Р — V I cos(f.
П р и этом к оэ фф иц ие нт м о щ н о с ти
cos ф - P / U I = R /Z = я / / X 2 4 - R * .
Р а с с м о т р е н н ы й принцип в ыд ел ени я тепла в пр оводнике при
п р о п у с к а н и и тока н а х о д ит пр имен ение в печах пр я мо г о ( ко н та к т­
ного) и косвенного н аг ре ва .
В п е ч а х с опро тив ле ни я п р я м о г о нагрева ток подводится непо­
с р е д с т в е н н о к н а г р е в а е м о м у изделию. При расчете электрических
п а р а м е т р о в на гр ев а н е о б х о д и м о учитывать изменение в процес­
се н а г р е в а сопро т ив л ени я м а т е р и а л а .
В п е ч а х с опр о т ив л ени я косвенного нагрева в ка че стве р аб оч е ­
го т е л а использ уют с п е ц и а л ь н ы е нагреватели, в ыпо л не нны е из в ы ­
с о к о о м н ы х ж а р о п р о ч н ы х м а т е р и а л о в . При этом п ер ед ача тепла
н а г р е в а е м о м у изд ел ию о с у щ е с т в л я е т с я излучением.
30
Рис. 9. Схемы электрических печей со­
противления: ~ 2 2 0 /3 8 0
а — прямой нагрев; б — косвенный нагрев;
/ — нагреваемый материал; 2 — выклю ча­
т е л ь ил и м а г н и т н ы й п у с к а т е л ь ; 3 — э л е к т р о ­
нагревательны й элемент

Н а рис. 9 п о к а з а н ы схемы п е ­
J/
чей сопротивления. В печах п р я ­ S
\
П
мого нагрева до ст иг ае тс я наи­
б о л ь ш а я эфф ек т ив но с ть рези­
стивного нагрева при з н а ч и т е л ь ­
ной скорости и дост ат очн ой р а в ­ л и . ' * - S777T///Y,
номерности на г ре ва по сечению
О) S)
изделия-
П ре им у ще с тв а ми печей сопро т ив ле ни я кос ве н но г о наг рева я в ­
л я ют с я простота р е гу л ир о ва ни я т е м п е р а т у р ы и получения т р е б у е ­
мого р а спределения т е м п е ра ту р ы в печи. М а т е р и а л н а г р е в а т е л ь ­
ного элемента д о л ж е н о б ла д а т ь : в о з м о ж н о б о ль ш и м удельным
электрическим сопротивлением, в оз мо жн о м е нь ш и м температур­
ным коэффициентом сопротивления, выс око й жа ро пр очно с тью,
стойкостью к окислению, л егкостью о б р а б о т к и и невысокой с то и­
мостью. Д л я м е та лл ич ес ких н аг р ев ате ле й п р и м е н я ю т с пл а вы на
основе никеля, х рома , ж е л е з а и а л юм ин и я, о т л и ч а ю щ и е с я б о л ь ­
шим удельным э ле кт рич ес ки м сопр от ив л ением при с ра внит ель но
м а лы х те мп ер атур ных ко эфф иц и ен т ах с о пр о т и в л е н и я . В печах с
т емпе ра турой 1000— 1100° используют ни хром ( 2 0 % Сг и 8 0 %
N i) , мало п од ве рже нн ый окислению при в ыс о к и х т е м п е ра т у ра х
за счет о б р а з о ва ни я на поверхности тонкой и прочной з а щит ной
пленки окиси хрома.
Н аг р е в ат е л ь н ы е э ле ме нт ы и зг о т а в л и в а ю т из пр оволоки или
ленты. Про во ло чн ые н а г р е в ат ел и обычно в ы п о л н я ю т из п ро в ол о ­
ки д иа ме тр ом d — 2 —8 мм. Средний д и а м е т р с п и р а л е й из нихро­
ма D = ( S — 8 )d. Ш а г на мо т ки h п р и н им а ют р а в н ы м (2— 4 )d , т а к
к а к при малом ша ге происходит в з а им но е э к р а н и р о в а н и е витков.
Д л и н у спирали L и число витков п при и зв е ст но й д ли н е п ро в ол о ­
ки / о пр е де ляют по ф о р м у л а м
L = lh/(nD); п = 103L/h.
Н аг р е в ат е л ь н ы е эл е ме нт ы обычно и з г о т о в л я ю т из лент т о л щ и ­
ной а = 1 — 2 мм и шириной Ь — (8— 12)а.
Р а сч ет на гр е ва те л ьн ых элементов в к л ю ч а е т выб ор типа, к о ­
личе ст ва и м а т е р и а л а на гр е в ат ел ь ны х э л е м е нт о в , опре де ление их
геометрических р а з м е ро в и р а з м е ще н ие вну т ри печи. Исхо дн ыми
д а н ны м и для р а счета я в л я ю т с я с у м м а р н а я м о щ н о с ть печи ( Р ),
н а п р я ж е н и е питания ( U ) , р а з м е ры печи и ее р а б о ч а я т е м п е р а ­
тура.
Р а с че т необходимой мощности на г р е в а те л е й проводится на о с­
нове д анных теплового р а счет а по у р а вне ни ю

Р = Qk,
31
где Q — с у м м а р н ы й р ас х од те пл а в печи в единицу времени, Вт;
k — к о э ф ф и ц и е н т неучтенных потерь.
Д л я п ер и о д ич е с к и р а б о т а ю щ и х печей f c = I , 4 - r - l , 5 , д л я печей
н еп реры вн ог о д ей с т в и я & = 1,2-4-1,3. Р а с ч е т на гр е ва те л ьн ых э л е ­
ментов н а ч и н а ю т с в ы бо р а м а т е р и а л а д л я их изготовления по в е ­
личине конечной т е м п е р а т у р ы н аг р е в а е мо г о изделия, причем д о п у ­
с т и ма я т е м п е р а т у р а м а т е р и а л а д о л ж н а б ыт ь на 50— 200 °С б о л ь ­
ше конечной т е м п е р а т у р ы . Д л я в ы б р а н но г о м а т е р и а л а о п р е д е л я ­
ют у дел ьн ое э л е к т р и ч е с к о е с опротивление при рабочей т е м п е р а ­
туре н а г р е в а т е л я по фо рм у ле
Р< = Р о(1 + < * * 0 .

где ро — у д е л ь н о е э л е кт рич ес ко е сопротивление м а т е р и а л а при

f = 0 °С, Ом • м м 2/ м ; а я — усредненный темп ер атур ный к о э ф ф и ц и ­
ент с о п р о т и в л е н и я К -1; t — р а б о ч а я т е м п е р а т у р а н аг ре ва те ля , °С.
Г е ом е тр и че с ки е р а з м е р ы н аг р ев а те л ьн о го элемента должны
о б ес пе чив ат ь в ы д е л е н и е на нем опре де ленно й мощности, с одной
стороны, и н е о б х о ди м ую т еплоотда чу с поверхности, с другой.
Уч и ты в а я пе рв о е условие, о п ре д ел и м электрическое с о пр о т ив ­
ление н а г р е в а т е л я ( О м ) :
R, - U]/Pv
С о п ро т и в л е н и е н аг р е в а те л я с в я з а н о с его р а з м е р а м и с оот но­
шением
#1 = f V/S,
где I — д л и н а н а г р е в а т е л я , м; 5 — п л о щ а д ь поперечного с ече­
ния, м м 2.
Н е о б х о д и м у ю д ли н у н аг р е в а т е л я находим по ф ор му ле
/ = ^ /(р Л )-
Ко л ич ес тв о т е п ла , п ер е д а в ае м о е на г ре ва те ле м, опр е д ел им по
о б ще му у р а в н е н и ю те плообме на
Л = a i ( * H — Q Fv
где F | — п л о щ а д ь поверхности на г р е в а те л я , м 2; а х — с у м м а р ­
ный к о э ф ф и ц и е н т т еплоотдачи, В т / ( м 2- К ) ; tH, t3 — т е м п ер а ту ры
соответственно н а г р е в а т е л я и з аг рузки.
П р и н и м а я во в ни ман ие второе условие, определим п л о щ а д ь
н а р у ж но й т е п л о о т д а ю щ е й поверхности н аг ре ва те ля , о б ес п е ч и в а ­
ю щу ю о т д а ч у т е п ла , в ыд ел яе мог о н аг ре ва те ле м.
Тепл ов о й п от ок с единицы поверхности на г ре ва те ля в е д и н и ­
цу в ре ме ни носит н а з в а н и е уд ел ьн ой поверхностной нагрузки, или
удельной пов ер х н ост но й мощности q , В т / м 2:
Я= PJFi= « П 'н — 4 )-
Ц и л и н д р и ч е с к и й г р афи то в ы й н а г р е в а т е л ь д иа ме тр о м 130 мм,
высотой 245 мм с толщин ой стенок 10 мм имеет с опротивление
4 - 1 0 ~3 Ом. П р и пропускании через г р а фи т ов ы й н а г р е в ат ел ь т о ­
32
 ков от сотен до т ыс яч ампер и п р и л о ж е н и и н а п р я ж е н и я в д е с я т к и
вольт (10— 35 В) в о з м о ж н о получение р а б о ч е й т ем пе р ат ур ы н а ­
гре в ат ел я до 3000 °С.
На гр е ва те л ь, выполненный из ни х р о м о в о й проволоки д и а м е т ­
ром 2 мм и д л и н о й 21 м, имеет с о п р о т и в л е н и е несколько О м .
Че ре з нихромовый н аг р ев а те л ь п р о п у с к а е т с я ток от д ес ят ко в д о
сотен ампер. П р и высоком н а п р я ж е н и и , п р и к л а д ы в а е м о м к н а ­
гревателю, у м е н ь ш а е т с я д и ам е тр п р о в о л о к и и у ве лич ив ае тс я е е
длина . Ц е л е с о о б р а з н о по ни жа т ь н а п р я ж е н и е до десятков в о л ь т ,
ув еличив ая д и а м е т р и у ме ньша я д л и ну п р о в о л о к и для и з г о т о в л е ­
ния на гре ва те ля .
Н а г р е в ат е ли в к л ю ч а ю т в сеть через п о н и ж а ю щ и е т р а н с ф о р м а ­
торы с н а п р я ж е н и е м на низкой стороне 3 5 — 70 В. Пит ание п о н и ­
же нным н а п р я ж е н и е м хотя и у в е л и ч и в а е т стоимость у с т ан о в к и ,
но позволяет и з б е ж а т ь м е жв ит ко вы х з а м ы к а н и й н а г р е в а т е л я и
пробоя на корпус и уве лич ив а ть д и а м е т р пр ов о л о ки при у м е н ь ­
шении ее длины.
Г ра фит ов ые н аг р ев а те л и р а с с ч и т ы в а ю т т о л ь к о по с о п р о т и в л е ­
нию без учета у д ел ьн ой поверхностной н а г р у з к и , т ак как м о г у т
в ы д е р ж и в а т ь в ы с оки е т емп ера ту р ы (до 3 0 00 °С).
В качестве п р и м е р а исп оль з ов ан ия р е зи ст и вн о го нагрева в
оборудовании д л я мик ро эл ект роник и р а с с м о т р и м схему р е а к т о р а
установки д ля э пит ак сии г ермания, п р и в е д е н н у ю на рис. 10.
В установке имеется д ва в ер т и к ал ь ны х р е а к т о р а с м но г оя ру с ны м
г ра фи тов ым п о д л о ж к о д е р ж а т е л е м . В н у т р и г р афи то в ог о много­
ярусного п о д л о ж к о д е р ж а т е л я на хо дит ся р а з р е з н о й графитовый
нагреватель, з а кр е п л е н н ы й на в о д о о х л а ж д а е м ы х никелевых т ок о-
вводах. Н а г р е в а т е л ь и п о д л о ж к о д е р ж а т е л ь и зг от ов л яют ся из г р а ­
ф ит а м ар ки М П Г - 6 . Д л я в ы р а в н и в а ­
ния т емп е ра ту р ы на подл ожк оде р-
ж а т е л е п ри мен яют систему м о л и б ­
деновых э кра нов , р ас по л аг а ем ых
м е ж д у на гр е ва те л ем и пьедесталом,
что позв оля ет п о л у ч ат ь ра зброс т е м ­
пературы по высоте п о д л о ж к о д е р ­
ж а т е л я в 150 м м ± 2 К при т емп е ­
ратуре 9 0 0 °С. К о н т р о л ь т е м п е р а т у ­
ры ос уще с тв ля ют платино-платино-
родиевой т ер мо п ар о й , введенной в
реа кт ор через верхний фланец.
Б л о к на гр ев а состоит из г р а ф и то в о ­
го на гре ва те ля , токовводов и транс-

Рис. 10. Резистивный нагрев в реакторе

для газовой эпитаксии:
/ — кварцевый реактор; 2 — графитовый по д л о ж ­
кодержатель; 3 — коллекторы д л я подачи и вы­
вода парогазовой смеси; 4 — подлож ки ; 5 — р а з ­
резной графитовый нагр еватель; 6 — во д о о х л аж ­
д аем ы е никелевые токовводы ; 7 — нижний ф л а ­
нец
ф ор мат ор а , р е г у л и р у е м ы х подма гничива нием шунтов. М а к с и м а л ь ­
н а я мощность т р а н с ф о р м а т о р а 16 кВт, что позволяе т п о д д е р ж и ­
в ат ь т е м п е р ат у ру в р е а к т о р е 1800°С. Р е г у л и р о в ку о с уще ст вл яют
по первичной цепи т р а н с ф о р м а т о р а с п ом о щ ь ю высокоточного р е ­
г улят ора т е м п е р а т у р ы ВРТ-3.
Система р е з и с т и в н о г о нагрева имеет с ле ду ю щи е достоинства:
высокий К П Д , н и з к у ю стоимость о бо р удо в ани я, без опасна в р а ­
боте (низкое н а п р я ж е н и е на з а ж и м а х ) и м а л ы е га ба ри тн ые р а з ­
меры.
К н ед ос та тка м ис п ол ьз о в а н ия резистивного наг рева м о жн о о т ­
нести в о з м о жн о с т ь з а г р я з н е н и я м а т ер и ал ом на гр е ва те л я при р а с ­
положении его в н у т р и р е ак то р а и ст аре ние наг ре ва те ля , т ре бую ­
щее его п ер ио дич ес ко й замены.

4. Э Л Е К Т Р О Н Н О ЛУЧЕВОЙ НАГРЕВ

С у щ н о с т ь электронно- лучевого на г ре в а з а к лю ч ае т ся в
том, что к и н е т и ч е с к а я энергия потока эл ек тр о н ов при б о м б а р д и ­
ровке ими п о в е р х н о с т и наг реваемого м а т е р и а л а п ре в р а ща е т с я в
тепловую, н а г р е в а я последний.
Н а о сновании з а к о н а сохранения энергии кинетическая э н е р ­
гия эле кт рона р а в н а величине работы сил энергетического поля,
совершенной при пе ре не се нии за ря да :
W = m v2/2 = efU ,
где е — з а р я д э л е к т р о н а , ра вный 1,602- 10-19 кл; U — у с к о р я ю ­
щее н ап р яж е ни е, В; W — кинетическая энергия эле кт рона , Д ж ;
т — масса п о к о я э л е к тр о на , р а в на 9,11 • 10~31 к г ; _ и — скорость
электрона, м / с , о т к у д а v — V ^ .e U /m = 5,93 106 V ^ м/с > при V —
= 10 кВ и = 6 - Ю* к м / с , а при U== 40 кВ и = 1 , 2 - 1 0 5 км/с .
Устройство д л я по л уч ения потока э л е к тр о на , ускорения их,
к он це нт р ир о ва н ия в пучок, н ап р а в л я е м ы й в рабочее п р ос т ра нс т ­
во, где э л е к т р и ч е с к о е поле отсутствует, н а з ы в а ю т электронной
пушкой. С х е м а э л е к т р о н н о й пушки п о к а з а н а на рис. 11.
Э л е к т р он на я п у ш к а пр ед ста вл яе т собой трехэл ект ро нну ю с и ­
стему, состоящую из в о ль фр ам о в ог о кат од а
/ , кольцевого а н о д а 4 и у п р а в л я ющ е го
электрода 2. Эл е кт р он ы, эммит ируе мые с
на гре ва емого ка т од а, ф ормируют ся в луч 3,
который ус коря ет ся за счет разности п о ­
■0 , . 1к В тенциалов м е жд у ка тодом и анодом ( 10—
50 к В ) . Р е г у ли ро в ан и е потока эле кт ро но в
(электронного л у ч а ) производится у п р а в ­
л яющим элект ро д ом изменением отрица­
тельного поте нц иа ла по отношению к като-
Ш7>
Рис. 11. Схема расположения электродов электрон­
ной пушки

34
ду. В объеме, где р а з м е щ а е т с я э л е к тр о н н ая п у ш к а , создается
в акуум 10 3 10 5 Па. Эмис сия э л е кт р он ов с к а т о д а о г р а н и ч и в а е т ­
ся о б ъ е мн ы м з ар ядо м э ле кт ро но в .
Д л я у пр а вл е ни я э л е к т ро нн ы м лучом, в ых о д я щ и м из э л е к т р о н ­
ной пушки, используют ф о к у с и р у ю щ у ю и о т к л о н я ю щ у ю системы,
с по мо щь ю которых соответственно из ме няют сечение п от о к а ( пу ч ­
ка) эл ек тр о но в и н а п р а в л я ю т его под з а д а н н ы м у г л о м на о б р а б а ­
т ыв ае мо е изделие.
М о ж н о отметить с л е д у ю щ и е по л ож ит ел ь ны е свойства элек­
тронно-лучевого нагрева: в ы с о к у ю у д ельную м о щ н ос т ь, без ыне р-
ционность, отсутствие з а г р я з н е н и я о б р а б а т ы в а е м о г о и з д е л и я .
Параметры электронного луча. К ним от нос ятс я т ок э л е к т р о н ­
ного л у ча ic, ускоряющее н а п р я ж е н и е U y, у д е л ь н а я м о щ н о с т ь q и
мо щно с ть электронного луча W c.
М о щн ос т ь электронного л у ч а
К = Фу
Если эл ект ро нн ый луч ф о к у с и р у е т с я в пятно с д и а м е т р о м d, то
его у д ел ь н а я мощность
q = 4 icU y/(n d 2).
У д е л ьн ая мощность я в л я е т с я одним из г л а в н ых параметров
элект ронн ог о пучка и м оже т с о с т а в л я т ь от 107 до 1012 В т / м 2. При
и спар ении вещества э л е к т р о н н ы м пучком в н е п р е р ы в н о м р е ж и м е
используется у д ельная м о щ н о с т ь о кол о 107— 109 В т / м 2. Р а с п р е ­
деление плотности тока в с е че нии эле кт ронног о л у ч а п о д ч и н я е т ­
ся з а ко н у Гаусса:

le = /m ax ® л/ ",

где г„ — текущий радиус э л е к т р о н н о г о луча; г„ — н о р м а л ь н ы й

радиус электронного луча ( со от ве т ст в ующ ий плотности тока
/max/ е , зд есь е = 2 , 7 1 ; /шах — м а к с и м а л ь н а я п л о т но с т ь т о к а э л е к ­
тронного л у ч а ) .
М а к с и м а л ь н а я плотность а н о д н о г о тока
£/3/2
/шах — g У 2 е/т й '

где т с ма сс а электрона; ео — д и э л е к т р и ч е с к а я п р о н и ц а е м о с т ь ;
/ — р а сс то яни е м ежд у э л е к т р о д а м и .
Ток в электронном пучке / з а в и с и т от у с к о р я ю щ е г о н а п р я ­
ж е н ия U : I = P U 3/2, где Р — п о л н а я пров од имо с ть с и с т е м ы к а ­
тод анод, которая з а в и с и т о т ф о р м ы э л е к т р о д о в , г е ом е тр и и
пушки. Э т а величина носит н а з в а н и е пе рвианса. Д л я пушки с
кол ьце в ым катодом первианс о б ы ч н о р а ве н 10-5 А / В 3/ 2.
Д л я получения заданного о т к л о н е н и я и ф о к у с и р о в к и э л е к т р о н ­
ного л уча изме няют г еоме трию п ол юс ных н а к о н е ч н и к о в м а г н ит а
и п о д б и р а ю т необходимое с о о т н о ше н и е м е ж д у й а п р я ж е н н о с т ь ю
маг нитног о поля и у с ко р я ю щ и м н а п р я ж е н и е м э л е к т р о н н о й п у ш ­
35
3*
ки. Е с л и н а п р я ж е н н о с т ь м а г н и т н о г о поля в некоторой точке и з ­
в е с тн а , то р а д и у с эл ек тр о н ов

в
г д е В — м а г н и т н а я индукция.
У д е л ь н ы е мощности с в ы ш е 109 В т / м 2 используют г ла вны м о б ­
р а з о м п р и импульсном р е ж и м е ра бо ты илн со с к а н ир о в а ни ем пу ч­
к а э л е к т р о н о в по н а г р е в а е м о й поверхности м а т е р и а л а .
Д л я в ы б о р а п а р а м е т р о в эл е кт р он н ог о луча не обходимо о ц е ­
н ит ь т е п л о в о й б а л ан с и г л у б и н у проникания э л е кт р он ов вглубь
о б р а б а т ы в а е м о г о изделия. У р а в н е н и е теплового баланса элек­
т р о н н о г о л у ч а м ожн о з а п и с а т ь в в иде

г д е W e — энерг ия, п о д в о д и м а я эл ектронным лучом к и с п а р я е м о ­

м у м а т е р и а л у ; №Тм — по те р и энергии за счет теплопроводности
м а т е р и а л а ; W n„ — р а с х о д э н е р г и и на п л а в л ен ие материала;
W'hch — р а с х о д энергии на и с п а р е н и е м а т е р и а л а ; W ba — энергия,
у н о с и м а я в т ор ич ным и э л е к т р о н а м и ; Wv — энергия на ре нт ге нов­
с ко е изл у че ни е.
П р и у д ел ь н о й м ощно с ти э н е р г и и электронного луча
« ( 1 0 7— 10») В т / м 2; Г исп5£ ( 2 — 10) %; ( 3 0 - 3 5 ) % ; осталь­
н а я м о щ н о с т ь р ас хо ду е тс я з а с ч е т теплопроводности и уноса э н е р ­
гии э л е к т р о н а м и , э м м и т и р у е м ы м и из зоны н аг р ев а . Величину
у с к о р я ю щ е г о н а п р я ж е н и я в ы б и р а ю т , исходя из зна че ний у д е л ь ­
ной м о щ н о с т и q и мо щн ос ти эле кт ронног о луча W.
С о у д а р е н и я эл ек тр о н ов со с в я за нн ым и э л е к т р о н а м и о б р а б а ­
т ы в а е м о г о м е т а л л а м ог ут п р и в е с т и к их переходу на более у д а ­
л е н н у ю о р б и т у с п о с л е д у ю щ и м в озв ра щен ие м на п р е ж н е е место
и и з л у ч е н и е м при этом к в а н т а эле кт ро ма гнит но й энергии, частота
к о т о р о й л е ж и т в о б ла с т и р ентгеновского излучения.
Э л е к т р о н ы пучка при п р о х о ж д е н и и в твердом те ле могут с т а л ­
к и в а т ь с я со с в обо дны м и э л е к т р о н а м и вещества. П р и этом э л е к ­
т р о н а м с о о б щ а е т с я э нер ги я, ч а с т о достаточная д л я в ыхода в в а ­
куум. П р о и с х о д и т в т о р и ч н а я эмис сия электронов, на что з а т р а ­
ч и в а е т с я ч ас т ь энергии э л е к т р о н о в .
П р и в з а и м о д е йс т ви и п у ч к а э лектронов с о б р а б а т ы в а е м ы м и з ­
д е л и е м у его поверхности м о ж е т образ оват ьс я слой с п ов ы ш е н ­
н ым д а в л е н и е м па ров м а т е р и а л а . Электроны, пр о х о д я через этот
сл о й, с о у д а р я ю т с я с м о л е к у л а м и пара и ио н изируют их, з а т р а ­
ч и в а я ч а с т ь энергии.
Р а с ч е т ы п ок а з ы в а ю т , что потери, о бусловленные л уч еи сп у ск а­
нием, рент ге но вс ки м и зл у ч е н и е м , вторичными э л е к т р о н а м и и т е р ­
м о э л е к т р о н а м и , с о с т а в л я ю т м е н е е 3 % , а основная д о л я теряемой
э н е р г и и уно ситс я о т р а ж е н н ы м и электронами, количе ст во которых
о п р е д е л я е т с я ко э фф иц и ен т о м о т р а ж е н и я у, з а в и с я щ и м от а то мн о­
го н о м е р а э л е м е н т а г.
36
Д л я и н же не рны х расчетов м о ж н о испо ль з ов ат ь в ы р а ж е н и е
7 = mJ(xzX13),
где т — масса атома, г; лг — конс та нта , д л я л е г к и х э л е ме нт ов
( г — 6-^-7) * = 1 0 6 - 1 0 ~ 23 г; д л я т я ж е л ы х э л е м е н т о в ( г — 74 -^92 )
х = 1 5 , 5 - 10“ 23 г.
И с по л ь з у я значение у, м о ж н о п р е д с т а в и т ь U^B3 в в и д е I
^ВЭ =
где k — коэффициент пр оп ор ц ио н ал ьн о ст и , характеризующий
р ас пр е де ле н ие от ра же нных э л е к т р о н о в по их э н е р г и и (£ = 0,45—

Э кс пер и ме нт ал ьн ые и з м е р е н и я ко э фф иц и ен т а отражения у
п о к а з а л и , что последний с л а б о з а ви с и т от э не рг ии э л ек т р о н о в
(в д и а п а з о н е 50—30 к э В) . О д н а к о он быстро в о з р а с т а е т по мере
роста z с у = 0 , 0 6 (для у г л е р о д а ) до у = 0 , 4 2 ( д ля с е р е б р а ) .
П р и б о мб ар дир ов ке п о в е рх н ос т и часть э л е к т р о н о в п р о н и к а е т
внутрь в ещества, вступая с ни м во в за им о д ейс тв ие . В р е з у л ь т а ­
те пр оис хо дит их т ор м ож ен ие на глубине н е с к ол ьк и х м и к р о м е т ­
ров. Г л у би н у проникновения э л е к т р о н о в м о ж н о р а с с ч и т а т ь по
ф о рм уле

Ь = а ~ и г ж 2,35-10-»— ,
гр р

где а — постоянная величина; А — а т о мн а я ма сс а; г — а то мн ый

номер; р — плотность, г / с м 3, U — на пр яж ение , кВ.
П р и величине у ск ор я юще г о н а п р я ж е н и я 100 кВ г л у б и н ы п р о ­
никновения электронов в а л ю м и н и й и в о л ь фр а м с о о т вет ст ве нно
с о с т а в л я ю т 87 и 12 мкм.
Р а с ч е т ы показывают, что т е м п е р а т у р а п ов е рх н ост и н а г р е в а е ­
мого в е ще с тв а у ме ньшается с у величением э не рг и и э л е к т р о н о в
в следствие большого в ыд е л е н и я т е п л а в глубине т е ла .
В т а бл . 4 приведены з н а ч е н и я т емп ер ат ур ц е н т р а л ь н о й зоны
поверхности некоторых м е т а л л о в , на гр е ва е мы х э л е к т р о н н ы м л у ­
чом с р аз л ич н ой энергией э л е к т р о н о в при <7= 1010 В т / м 2.

Т а б л и ц а 4. Изменение температуры поверхности некоторых материалов

■ зависимости от энергии электронов

Т е м п е р а т у р а п о в е р х н о с т и ( К ) при э н е р г и и
электронов, кэВ
П лотность
Материал Р (х ю -* ), Температура
кг/м* кипения, К
20 50 100

Кремний 2 ,3 2693 6293 4993 2413

Алюминий 2 ,7 2613 4443 3993 2793
Медь 8 ,9 2653 6043 5943 5693
Вольфрам 19 ,2 5593 15893 15893 15493

37
 У м е н ь ш е н и е т е мп е р а т у р ы с увеличением энергии электронов
с в я з а н о с увеличением г л у б и н ы проникновения элект ро но в , при
этом м а к с и м у м т е м п е ра ту р ы находится в глубине т ела.
В т я ж е л ы х м ет ал л ах , н а п р и м е р в вольфраме, изменение т е м ­
п е р а т у р ы м ин им ал ьно в с л е д с т в и е относительно м еньшег о п ро б е­
га э л е к т р о н о в . Абсолютное зна ч ен ие температуры опре де ляе тс я
т е п л о ф и з и ч е с к и м и с во й ст в ам и ма териалов. Ита к, м о ж н о сделать
вывод, что при постоянной у д ел ьн ой энергии эл ек т р онн ог о луча
с к о р о с т ь ис паре ния у м е н ь ш а е т с я с увеличением энергии э л е к ­
т ро нног о лу ча .
Э л е к т р он но - л у че во й и с п а р и т е л ь позволяет и с п ар я ть с высокой
с к о р о с т ь ю м ета лл ы, с пл а в ы , полупроводники и диэлектрики.
В э л е к т р о н н о- л уч ев ы х и с п а р и т е л я х , используемых д л я о с ажд е ни я
пленок, э л е к т р о н ы у с к о р я ю т с я в электрическом поле до энергии
5— 30 к э В и ф окус ируютс я на поверхности на г ре ва е мо г о м а т е р и а ­
л а или р а з о г р е в а ю т тигель с поме ще нным в нем м а т е р и а л о м .
Н а рис. 12 п ок а за ны с х е м ы электронно-лучевых испарителей
с к о с ве н ны м р азог ревом м а т е р и а л а и с раз о г ре в ом материала
р а с с е я н н ы м потоком э л е к т р о но в . При этом использ уют тигли из
к е р а м и ч е с к и х м а те р иа ло в : н и т р и д а бора BN, окиси ал юмин ия
А120 з , д в у о ки си кремния SiC>2 или медные в о д о о х л а ж д а е м ы е тиг­
ли. И с п а р е н и е из о х л а ж д а е м о г о медного тигля обес пе чив ае т в ы ­
с о кую ч ис то т у о с а ж д а е м ы х п ле но к , но этот способ неэкономичен.
Д л я оце нки э ф ф е к т ив но с ти р а бо т ы эле ктронно-лучевого ис па ­
р и т е л я ис по ль з уют д ва к р и т е р и я : скорость ис пар е ния м а т е р и а л а
из т и г л я ( r / м и н ) и с ко р ос т ь о са жд ения пленки на п од ложк у
(мкм/мин).
П е р в ы й критерий н а и б о л е е объективно характеризует элек­
т р о нн о- л уч е во й испаритель; в т о р о й же зависит от д а в л е н и я в с и ­
стеме, р а с с т о я н и я и с п а р и т е л ь — подложка, углового р а с п р е д е л е ­
ния п о т о к а па р а и т. д. П о э т о м у данные об эл ектронно- лучевых
и с п а р и т е л я х с о д е р ж а т к а к с ко р о с т и испарения м а т е р и а л а , т ак и
с к ор о с т и о с а ж д е н и я м а т е р и а л а на не подвижную по д л о ж к у при
р а с с т о я н и и 250 мм по н о р м а л и от испарителя.

Рис. 12. Схемы электронно-лучевых Рис. 13. Электронно-лучевой испари-

исларителей: тель с электронной пушкой Пирса
а — косвенный нагрев материала; б — на­
грев м а т е р и а л а (слитка), потоком э л е к т р о ­
нов; 1 — кольцевой катод; 2 — управляю ­
щий э л е к т р о д ; 3 — тигель; 4 — в о д о о х л а ж ­
даемый держатель; 5 — испаряемый м ате­
риал

38
 Сх ема электронно-лучевого и с п а р и т е л я с э л е к т р о н н о й п у ш к о й
Пир с а д л я нап ыл ен ия пленок в в а к у у м е п о к а з а н а на рис. 13.
Эл ект ро ны, эммитируемые к а т о д о м 4, с мо нт и ро в ан н ым на и з о л я ­
торе 5, в ы тя ги в аю т ся у с ко р я ю щ и м полем через о т в е р ст и е в а н о ­
де 2. Э л е к т р он ны й луч 1 ф о к у с и р у е т с я электромагнитной л ин­
зой 9 и фоку сир у ющим э л е к т р о д о м 3 и о т кл о ня е тс я м а г н и т н ы м
полем к а т у ш к и 10 в тигель 11. Т а к к а к р а с с е и в а е м а я на к а т о д е
мощность м о ж е т составлять с от ни ватт, то д л я о х л а ж д е н и я к а ­
тодной н о ж к и применяют р а д и а т о р 6, по ме ще нный в з а щ и т н ы й
ко жу х 7, через который в е н т и л я т о р о м пр од ув а етс я в о зд у х. А н од
м о ж е т о х л а ж д а т ь с я водой, п о д а в а е м о й через в вод 8. В э л е к т р о н ­
но-лучевых ис парите ля х с п у ш к о й П и р с а , п ри м е н я е м ы х в м и к р о ­
элект ронике , используют у с к о р я ю щ и е н а п р я ж е н и я до 30 кВ.
О с но в ны ми х а р а к т е р и с т и к а м и эл ек тр о нн ой пушки П и р с а я в ­
ля ют ся у д е л ь н а я мощность, м о щ н ос ть , по дв о ди ма я э л е к т р о н н ы м
лучом к и с п ар я ем о му м а т е р и а л у ускоряющее нап ряж ение U у
и ток э л е кт ро нн ог о пучка ie. О б ы ч н о д л я по л уч ения удельной
мощности у в е лич ив а ют у с к о р я ю щ е е н а п р я ж е н и е . П р и эт ом в о з ­
ра с та ют т р е бо в а ни я к из оля ции к а т о д а и ф о к у с и р у ю щ е г о э л е к ­
трода.
Си ст е мы отклонения л у ча э л е к т р о н о в п о к а з а н ы на рис1. 14.
Пр и э л ек тр о ма г ни т но й системе о т к л о н е н и я (рис. 1 4 , а ) л уч э л е к ­
тронов 1 по ворачивается на 90° и ф о ку сир уе тс я в ц е н т р е т и г ля
3. И с п а р я е м ы й материал о с а ж д а е т с я на по верхность к о н д е н с а ­
ции 2. Д и а м е т р пучка м о ж н о из ме нит ь, у в е л и ч и в а я ил и у м е н ь ­
ш а я ток ф о ку с ир ую ще й л ин з ы. Н а п р и м е р , пучок мощностью
25 кВт м о ж е т иметь д иаметр от 10 до 60 мм, при эт ом у д е л ь н а я
мощность и зме няе тс я примерно о т 3 - 1 0 8 до 1 - 10 7 В т / м 2.
С к а н и р о в а н и е пучка о с у щ е с т в л я е т с я с по мо щь ю э л е к т р о м а г ­
нитной сис те мы (рис. 14, а ) ил и постоянного м а г н и т а 1 (рис.
1 4 , 6 ) . Электронно- лучевой и с п а р и т е л ь с пушкой П и р с а им ее т
с ле ду ющи е положит ель ные с во йс т ва :
с т а б и л ь н ы й ре жим ис паре ния при в ысоких м о щ н о с т я х п у ч к а ,
о бу сл ов ле нн ый большим р а с с т о я н и е м м е ж д у ка т од о м и т и г л е м;
в о з м о жн о ст ь п од де рж ания н и з к о г о д а в л е н и я в р а б о ч е й к а м е р е
за счет с пе ци а ль н ой ва ку умн ой с ис те мы д л я о т к а ч к и э л е к т р о н ­
ной пушки.
И с п о л ь з о в а н и е техники э л е к т р о н н о - л у ч е в о г о и с п а р е н и я д л я и з ­
готовления тонкопленочных э л е м е н т о в схем я в л яе т с я о д н и м из
п е р с п е к т и в н ы х н а п р а в л е н и й в повышении каче ств а изделий. Улуч­
ш е н и е п а р а м е т р о в н а н о с и м ы х пленок достигается з а счет выс о­
ких с ко р о с те й испарения, о т су т с т в и я в з а им од ейс тв ия испаряемого
м а т е р и а л а с м а т е р и а л о м т и г л я , а т акже за счет полной а в т о м а ­
т и з а ц и и процесса о с а ж д е н и я п л е но к при строгом с облюде нии всех
т е х н о л ог ич ес к их р е жи мо в . Ус и ли я разра бо т чико в т аких систем
к а к у на с в стране, т а к и з а рубежом н а п р а в л е н ы на создание
э ф ф е к т и в н ы х систем э л е кт ро нн о- лу че в ог о и сп ар е ни я с выводом
с и г н а л о в на ЭВМ. .

5. ЛУЧИСТЫ Й Н А ГРЕВ

Н а г р е в о б р а б а т ы в а е м о г о тела потоком лучистой э н е р ­

г ии от в ыс око и нт ен сив но г о источника излучения с о пр ед ел енными
с п е к т р а л ь н ы м и х а р а к т е р и с т и к а м и называют лучис тым нагревом.
П о т о к л учис той энергии в за в ис имо с ти от т е м п е р а т у р ы и ф и з ич е ­
с к и х св ойс тв и зл у ч а т е л я п р е д с т а в л я е т собой э л е к т ро м аг н и т н ые
в о л н ы у л ь т р а ф и о л е т о в о г о , оптического и и н фр а к р а сн о г о с пе кт ­
ров.
П р и н ц и п и а л ь н а я с хе ма тер миче ск ой установки с лучистым н а ­
г р е в о м п о к а з а н а на рис. 15. Ос но в н ыми ко нс тр ук ти вным и э л е м е н ­
т а м и у с т ан о в о к с и с п о л ь з о в а н и е м лучистого н а г р е в а являются:
н а г р е в а т е л ь - и з л у ч а т е л ь 2, р е ф л е к т о р 3, о т р а ж а ю щ и й и ф о ку с ир у ­
ю щ и й излучение, к в а р ц е в ы й р е а кт о р / д л я р а з м е щ е н и я о б р а б а ­
т ы в а е м ы х изделий; в с п о м о г а т е л ь н ы е устройства д л я крепления
ил и п е р е м е щ е н и я и з д е л и я , о х л а ж д е н и я р е ф л е к т о р а , излучателя,
р е а к т о р а и т. д.
В з а в и с и мо с ти от того, в к ак о м д иапаз оне д ли н волн и з л у ч а ­
е т ся м а к с и м у м энергии, ис то чн ик и излучения б ы в а ю т д л я у л ь т р а ­
ф и о л е то в о г о , оптического и и н фр а кр ас но го н аг ре ва . Т ре бова ния
к ис т о ч н и к ам излучения:
м а л ы е р аз ме р ы;
ш и р о к и й д и а п а з о н и з л у ч е н и я энергии;
о т с ут ст в ие з а г р я з н е н и я о б р а б а т ы в а е м о г о изд ел ия ;
м а л а я ин ерционность и в о з м о ж н ос т ь гибкого а вт ома тиче ског о
у п р а в л е н и я процессом;
удобство обслуживания;
в о з м о ж н о с т ь в еде ния п р о ц е с с а в р азличных с редах.
П р и м е н я е м ы е д л я н а г р е в а источники из луче ния могут быть
п о д р а з д е л е н ы на р е з и с т и в н ы е и г а з о р а зр я дн ые ( табл. 5).
В у ст ро йс тв ах , и с п о л ь з у ю щ и х ин фр ак ра сн ый ( И К ) нагрев,
ш и р о к о п р и м е н я ю т р е з и с т и в н ы е излучатели. Н а и б о л е е полно от-

1 2 J 4
У S Рис. 15. Принципиальная схема
Ш я н термической установки с лучис­
/ - ~"° г / тым нагревом:
— EZ - - * / — кварцевый р е а к т о р ; 2 — ис т о чн и к
излучения; 3 — р е ф лектор; 4 — кожух
печ и; 5 — ф л а н ц ы р е а к т о р а ; б — п а т ­
рубки для со зд ан и я те х н о л о г и ч е с к о й
ср е д ы

40
Таблица 5. Технические характеристики различных источников излучения

Резистивные излучатели Газоразрядные излучатели

Наименование спираль стержень дуговые лампы

технической характеристики силитовый лампы к сеноновые
иэ сплава стержень иэ дксилицнда галогенные высокой лампы
ОХ27Ю5А молибдена интенсивности

Температура рабочего тела Д о 1300 1400 1250— 1650 2 2 0 0 — 3000 6 000 6000
нагревателя °С
Длина волны максимума излу­ 1 ,8 3 1 ,7 2 1 ,5 4 1,1 0 ,6 —
чения, мкм
Диапазон Л,—X, излучения 1 ,2 — 8 1 ,1 — 8 , 5 1— 6 , 5 0 ,7 5 — 5 0 . 3 — 2 ,1 С е л е к ти в н ы й
90% энергии, мкм характер
излучения
Тепловой баланс источника, %:
Излучение 8 0 -9 0 80— 90 8 0 -9 0 86 35 4 0 -6 0
Конвекция и теплопровод­ 2 0 — 10 2 0 — 10 2 0 -1 0 14 37 3 0 — 20
ность
Тепловые потери, % — — — — 28 30 — 20
Мощность, кВ-А 0 ,5 0 , 5 — 10 0 , 5 — 10 0 , 0 5 — 20 до 20— 15 0 ,8 — 20
Стабильность лучистого потока Высокая Низкая Высокая В ы со к ая Низкая Низкая
Срок службы, ч 2 0 0 0 — 7000 1500— 2000 1500— 2000 1500— 2000 О т десятков 300— 2000
минут до
десятков часов
Особенности эксплуатации Чувствительна Значительная Большие Рабочее Необходимость Необходимость.
к наличию зависимость пусковые токи, положение — светозащиты светозащиты
примесей сопротивления хрупкость. горизонтальное, и вентиляции и вентиляции,
щелочных от теК1»ратуры рабочее ограничена (удаление взрывоопасность
металлов и срока положение — температура озона) при использо­
наработки, вертикальное колбы и вании
образуется выводов, пускового
налет необходимость устройства
на рефлекторе светозащиты
ве ча е т п р е д ъ я в л я е м ы м к и ст о чн и к а м излучения т р е бо в а ни ям г а ­
л о г е н н а я л а м п а И К - н а г р е в а . П р и эк спл у ат ац и и г алогенной л а м ­
пы с л е д у е т учесть, что т е м п е р а т у р а цоколей л а м п ы не д о л ж н а
п р е в ы ш а т ь 350 °С из-за в о з м о ж н о с т и ра з ру ше ния в следствие р а з ­
л ичия к о э ф ф и ц и е н т о в т е р м и че с ко го расширения к в ар ц а и м е т а л ­
ла, и с п о л ь з у е м о г о д л я нити н а к а л а . С пе ктр ал ьн ый состав и з л у ­
ч ае мо й э н е р г и и прак ти че ски о г р а н ич и ва е тс я д и а п аз о но м длин
волн 0,8— 3,5 мкм , что о п р е д е л я е т с я относительно низкой долей
и зл у ч е н и я к в а р ц а .
О т н о с и т е л ь н а я д оля энергии, по г л ощ ае мо й колбой л а м п ы , п а ­
д а е т с у в е л и ч е н и е м т е м п е р а т у р ы с пи р ал и и в о з р а с т а е т с у в е л и че ­
нием . т е м п е р а т у р ы колбы, п оэ т о м у при ра бот е л а мп в в ы с ок от е м­
п е р а т у р н ы х п еч ах И К - н а г р е в плотности потоков излучения спи­
р а л и и к о л б ы со изме римы, что приводит к р а сши р ен ию с пе кт ­
р а л ь н о г о д и а п а з о н а и зл у ч а е м о й энергии до 0,7— 0,9 мкм. Д л я
о б е с п еч ен и я о пт и м а л ь н ы х у с л о в и й р аботы л а м п в этом с лучае
с л е ду е т у с т а н а в л и в а т ь н а г р у з к у б ли з к у ю к номинальной, при у с ­
ловии э ф ф е к т и в н о г о к он в ек ти вн ог о о х л а ж д е н и я колбы.
Р а з л и ч н ы е конструкции р е ф л е к т о р о в и н фр а к р а с н ы х н а г р е в а ­
те ль ны х п еч е й с г а ло ге нны ми л а м п а м и по к аз а ны на рис. 16. Г а ­
з о р а з р я д н ы е и з л у ч а те л и х а р а к т е р и з у ю т с я тем, что из лучение в о з ­
н и ка е т п р и про х ож д е ни и э л е кт р ич е ск ог о тока через па ры или
газы. С у щ е с т в у е т целый р я д л а м п дугового, тлеющего, ВЧ и и м ­
пульс ног о р а з р я д а с р а з л и ч н ы м и рабочими с ре да ми (воздух, п а ­
ры ртути, в о до р о д , дейтерий, кс е но н и др .) , в которых происходит
р а з р я д . В м и к р о э л е к т р о н и к е п р и м е н я ю т дуговые, ксеноновые и
р ту тн ые л а м п ы сверхвысокого д а в л е н и я ( С В Д ) .
С у щ е с т в е н н ы м не дос та тком г а з о р а з р я д н ы х и зл уч ате ле й я в л я ­
ется с л о ж н о с т ь источника п и т а н и я , т ак к а к хотя дуговой р а з р я д
о бычно п р о т е к а е т при низком н а п р я ж е н и и и з на чит ел ьно м токе,
но д л я его з а ж и г а н и я н е о б х о д и м о высокое н а п р яж е ни е. П ос ле
в о з н и к н о в е н и я дугового р а з р я д а ток у ст ан а вл и в а ет ся , га з ион и­
з ир у е т ся и н а п р я ж е н и е п а д а ет .
Д у г о в о й р а з р я д нес та би ле н по своей геометрии и мощности,
что з а т р у д н я е т и сп ольз ов ан ие г а з о р а з р я д н ы х л а м п д л я п р е ц и з и ­
онного н а г р е в а . Г а з о р а з р я д н ы е л а м п ы с о зд ают по выше нну ю
о п а сн ос т ь в э к с п л у а т а ц и и и з - за интенсивной у л ьт р аф и о л е т о в о й
и в и д и м о й р а д и а ц и и , в з р ы в о оп ас но с ти и з начительног о о б р а з о в а ­
ния о з о н а . Д л я с ни же ния т е м п е р а т у р ы кварцевой к ол бы некото-

Рис. 16. Различные конструкции

рефлекторов инфракрасных н а ­
гревательных печей:
а — цилиндрический; б — параболиче-
скнй; в — эллипсоидальный; г — плос­
кий ( / — рефлектор; 2 — галогенная
лампа; 3 — нагреваемое изделие)

42
 рых г аз ор а зр я дн ых л а м п п р и м е н я ю т а в т о н ом ну ю с и с т е м у о х л а ж ­
д ения дистиллированной водой.
Г а з о р а з р я д н ы е и з л у ч а те л и используют в у с т р о й с т в а х , где не-
| обходимо выделить м а к с и м у м лучистой э н ер г ии в у л ь т р а ф и о л е ­
товом или оптическом д и а п а з о н а х спектра (в у с т р о й с т в а х для
у л ьт ра фиол ет ов ой а кт ив а ции и э к с по ни ро ва ния , в опт ич ес ких пе-
I чах и д р. ) .
И з рассмотрения технических х а р а к т е р и с т и к р а з л и ч н ы х ис­
точников излучения м о жн о з ак л ю чи т ь , что д л я у л ь т р а ф и о л е т о в о ­
го на гр ев а (Я.< 0 , 4 мкм ) м о ж н о испо льз ов ат ь р т у т н ы е и в о д ор о д­
ные л а мпы ; д ля оптического н а г р ев а ( X = 0 , 3 - f - 0 , 8 м к м ) — д уго ­
вые источники, ксеноновые л а м п ы ; д ля и н ф р а к р а с н о г о на гре ва в
б ли ж не й области спектра (X — 0,7-f-3,5 мкм) — г а л о г е н н ы е л а м ­
пы, а в средней области с п е к т р а ( Х > 3 , 5 м к м ) — пр ов ол оч ные
на г ре в ат ел и из нихрома и д р у г и х сплавов.
Ул ьт ра фио л ето вый наг рев ис по ль з уют в п о л у п р о в о д н и к о в о м
производстве для процессов су шк и, п и р о ли т и ч ес к их процессов,
о кисления; оптический н аг ре в — д л я в ы с о к о т е м п е р а т у р н о г о л о ­
кал ьно го нагрева; и н ф р а к р а с н ы й нагрев — д л я п р е ц и з и о н н о й т е р ­
мо о бр а бо т ки изделий в д и а п а з о н е т ем п е ра ту р 100— 1 2 0 0 °С.
К П Д установки с л учи стым нагревом о п р е д е л я е т с я к о н с тр у к ­
цией рефлектора, с п е к т р а л ь н ы м и и эн ер г ет и ч е ск им и п а р а м е т р а м и
источника, формой и с п е к т р а л ь н о й х а р а к т е р и с т и к о й н а г р е в а е м о ­
го тела, прозрачностью з а щ и т н о й об олочки л а м п 'и кв а рц ев ог о
р еа кт ор а, наличием о х л а ж д е н и я источников и з л у ч е н и я . П р и л у ­
чистом нагреве на гревается непосредственно о б р а б а т ы в а е м о е и з ­
делие. К П Д установок с л у ч и с т ы м нагревом 70 % и в ыш е. Л у ч и ­
стый нагрев обеспечивает т о ч н ос ть п о д д е р ж а н и я температуры
± 0 , 1 % и плотность лучистой энергии 2 , 2 - 10е В т / м 2.

6. ПЛАЗМА И ЕЕ И С П О Л ЬЗО В А Н И Е В И О Н Н О -П Л А ЗМ ЕН Н Ы Х
ПРОЦЕССАХ И ИОННО-ЛУЧЕВЫ Х ИСТОЧНИКАХ

П л а з м а — это г а з о о б р а з н о е в ещество, п о л н о с т ь ю или

частично ионизированное под воз де йс тв ие м т е м п е р а т у р ы , э л е к т р и ­
ческого р а з ря да , ф от ои о ни за ц ии или г а м м а - и з л у ч е н и я . О д н а к о
не всякий ионизированный г а з м о ж н о н аз в а т ь п л а з м о й . Н е о б х о ­
д имым условием с у щ ес т во в ан ия п л а з м ы я в л я е т с я е е квазиней­
тра ль нос ть, т. е. она не д о л ж н а с о д е р ж а т ь з а м е т н о г о и зб ы т к а з а ­
ря до в одного знака. В е ди н иц е о б ъ е м а п л а з м ы с о д е р ж и т с я п р и ­
мерно равное количество с в о б о д н ы х п о л о ж и т е л ь н ы х и отрица­
т ельных зарядов. Таким о б р а з о м , но сителями з а р я д о в я в л я ю т с я
э л е кт р он ы и положит ель ные ионы, но н а р я д у с ни ми в п л а з м е
м ож е т с од ер жа ть ся некоторое количество н е и о н и з о в а н н ы х атомов
или молекул.
В п л а з м е физические п р о ц е с с ы обычно идут т а к и м о б раз ом,
это энергия от внешних ис точников передается э л е к т р о н а м и при
с о уда ре нии электронов с и о н а м и частично п е р е х о д и т к ионам.
Э ле кт р он ы о б ла д а ю т более в ы с о к и м и энергиями, чем ионы, энер-
43
гия ионов п р е в ы ш а е т энергии не йт ра л ьн ых атомов и молекул,
п о э т ом у в п л а з м е р а з л и ч а ю т т р и температуры: эл ек тр о нн у ю Те,
и он ну ю и а т ом ну ю Та. П р и этом обычно Te^ T i > T a.
Б о л ь ш о е р а з л и ч и е м е ж д у Тв и T it х а р а кт е рн ое д л я б о л ь ш и н ­
с тв а ф о р м г а зо в о г о р а з р я д а , о бу сл ов л ено б ольшой р а зни це й в
в е л и ч и н е м а с с эл ек тр о н ов и ионов. Внешние источники э л е к т р и ­
ческой э н е р г и и , при по мо щи ко т о ры х создается и п о д д е р ж и в а е т с я
г а з о в ы й р а з р я д , п ер е да ют э н е р г и ю непосредственно э л е кт р он ам
п л а з м ы . И о н ы по лу ч ают э н е р г и ю в р е зу л ьт ат е с толкновений с
б ы ст р о д в и ж у щ и м и с я э л е к т р о н а м и .
В л ю б о й у с т а н о в ив ш ей ся п л а з м е непрерывно п ро т е к а ю т д в а
п р о ц ес са : о б р а з о в а н и е з а р я ж е н н ы х ч астиц при иониз а ции и ис­
ч е з н о в е н и е их из обла ст и п л а з м ы б ла г од а ря р еко м би на ц ии ( пр о ­
це сс у в з а и м о д е й с т в и я иона с эл ек тр о но м с о б р а з о в а н и е м при
эт ом н е й т р а л ь н о г о а т о ма и в ы д ел е ни е м энергии) и диффузия
( д в и ж е н и е з а р я ж е н н ы х ч ас т иц из области высокой конце нт ра ции
в область низкой концентрации).
О с н о в н ы е свойства п л а з м ы — яркое свечение, в ыс о к а я т е м п е ­
р а т у р а , х о р о ш а я э л е к т р и ч е с к а я проводимость. К р о м е того, на нее
м о гу т в л и я т ь э л е кт р ич е ск и е и м а г ни т ны е силы. В п л а з м е к а ж д а я
о т д е л ь н а я ч а с т и ц а все в р е м я н а х о д ит с я в поле, с о зд а в а е м о м о с ­
т а л ь н ы м и э л е к т р о н а м и и ио н ами . Это поле непрерывно и з м е н я ­
ется по в е л и ч и н е и н ап р ав л е н и ю .
Д л я х а р а к т е р и с т и к и в з а и м о д е й с т в и я электронов с ионами
в в о д и т с я в е л и ч и н а тг,- — с р е д н и й п ро м е жу то к времени м е ж д у
д в у м я п о с л е д о в а т е л ь н ы м и с то лк н ов е ни ям и эл ект ро на с ионами.
А н а л о г и ч н о м о ж н о ввести п о н я т и е о среднем п р о м е ж у т к е в р е м е ­
ни м е ж д у д в у м я э л ек тр о н - э л е к т р о н н ы м и со уда ре ния ми т«,.
В н е п ол н о с т ь ю и он из ир ов ан но й пл а зм е д л я описания с т о лк ­
н ов ен ий э л е к т р о н о в с н е й т р а л ь н ы м и а то ма ми вводится величина
Тео. В е л и ч и н у т<>, у ч и т ы в а ю щ у ю все виды вза имод ейс тв ия , т. е.
ис ти н ну ю в е л и чи ну сре дне го и н т е р в а л а времени, необходимого
д л я того, ч т о б ы электрон, д в и ж у щ и й с я в плазме, по т ер я л п ер во ­
н а ч а л ь н о е н а п р а в л е н и е ско ро ст и, м о жн о рассчитать по фо р му ле
1/т е = 1 /т е/ ~Ь IpO-

В е л и ч и н а \ е, о б р а т н а я те, о п р е д е л я е т полное число ус ловных

с т о л к н о в е н и й , и сп ыт ыв а ем ых э л е к тр о н ом за 1 с.
С р е д н е й д ли н ой свободного пробе га э ле кт ро на К н а з ы в а ю т то
р а с с т о я н и е , на котором п ро и с х о д ит потеря п ер в о н ач ал ьног о н а ­
п р а в л е н и я с ко ро с т и э л е к тр о на :

К = йете,
где v — с р е д н я я скорость т е пл о в о г о д ви же ни я электронов.
Д л я з а м е н ы с у м ма р но г о э ф ф е к т а множес тв а небо л ьши х о т ­
к л о н е н и й о д н им у словным с то лк но ве ни ем, в котором мы видим
а н а л о г у д а р а д вух ш ар о в , в в о д я т с я величины э ф ф е к т ив ны х с т о л к ­
н ов е ний э л е к т р о н о в с и о н а м и сге,-, электронов с э л е к т р о н а м и
и ио н ов с и о н а м и оц.
44
 Д л я приближенной оценки величины а,,/ п р и м е н и т е л ь н о к э л е к ­
т ро на м п л а з м ы используют в ы р а ж е н и е
Cci ~ 4 - lO ~ bz ] j T 2
e.
В ы р а ж е н и е для ст,« имеет а н а л о г и ч н ый вид:
<rw » 6 - ] 0 - * / 7 t

П а р а м е т р ы , х а р а к т е р и з у ю щ и е э л е к т ро н- и он ны е взаимодейст­
вия, м о жн о рассчитать по ф о р м у л а м
2 , 5 1 0 ‘Г*
К , » ' *
2?ГЦ
4 -10—2Г^/2

A ni
ritZZ2
* 25 • “
Ve‘ т-з/2
е

Ра с см о тр им значения э т их п а р а м е т р о в д л я в о д о р о д н о й п л а з ­
мы высокой концентрации ( « , = 1014 1/ с м 3; и z = l ) д л я двух з н а ­
чений температур.
П р и 7'е= Ю4, что с оо т ве тс т ву е т средней э н е р г и и э л ект ро но в
о ко л о 1,5 эВ,
ае1 « 4 - 10-13 см*; Хе ( £ ^ 0 , 0 3 с м ; t w « 4 • 10~ 10 с; ve, л ; 2,5-10° с - 1 -
И з рассмотренного п р и м е р а видно, что в н и з к о т е м п е р а т у р н о й
п л а з м е электрон на к а ж д о м с а нт и м е т р е своего пу ти и сп ыт ыв ае т
де ся тки столкновений.
Эне рг ия ионизации е<р,-, н ео б х о ди м а я д л я с о з д а н и я п о л о ж и ­
те льн ых ионов, передается н е й т р а л ь н ы м а т о м а м ил и м о л е к у л а м
через неупругие в з а и м о д е й с т в и я с б ыстрыми и о н и з и р у ю щ и м и ч а ­
стицами. Условие ионизации м о ж н о з а п и с а т ь в в и д е
^max = m 2W 1/(m 1 + т 2) = е<р,,
где W'max — м а кс и м а л ь н а я п е р е д а н н а я энерг ия; W\ н т.\ — э н е р ­
гия и масса ионизирующей ч ас тиц ы; т г — м а с с а а т о м а или м о­
л еку лы; ф,- — потенциал ио н из а ци и ; е — э л е м е н т а р н ы й з а р я д .
Р а с ч е т показывает, что б ы с т р ы й э л ект ро н с э н е р г и е й l^i, д в и ­
ж у щ и й с я в пл а зм е с к о н ц е н т р а ци е й ионов n it п е р е д а е т ионам в
е диницу времени энергию, к о т о р а я о п р е д е л я е т с я в ы р а ж е н и е м

Q » l , 3 - 10-»
А 1 /Г ,
где z — кратность з а р я д а ионов; А — а т о м н а я м а с с а иона.
П од ст а ви в в эту ф о р м у лу в ме с то W t с р е д н ю ю т е п л о в у ю э н е р ­
гию электронов, м ожн о о це нит ь поток т епловой э н ер г и и от э л е к ­
т ронов к ионам. Н апр и ме р, в водородной п л а з м е при п =
45
 Рис. 17. Схемы возбуждения ВЧ-раз-
ряда:
а — с внеш ними электродам и; б — Н -р а зр я д а ;
/ — электроды; 2 — плазм а, 3 — к а туш к а

— 1011 см 3 7'(. = 10г> К н 7', = 0. Количество энергии, которое э л е к ­

т роны п л а з м ы п е ре д аю т ионам з а 1 ч в 1 с м 3, б удет р а вно
0,4 Д ж . У
В и о н н о - п л а з м е н н ы х п р о ц ес са х используют ио н ы г а з о р а з р я д ­
ной п л а з м ы т ле юще го , дугового, ВЧ- и С В Ч -р а зр я до в . Р а с с м о т ­
рим о б р а з о в а н и е п л а з м ы в высокочастотном р а з р я д е низкого
д а в л е н и я . Р а з л и ч н ы е способы в о з б у ж д е н и я В Ч- р а з р я д о в п о к а з а ­
ны на рис. 17. В В Ч - р а з р я д а х процессы на э л е кт р од а х иг ра ют
в т о р о с т е п е н н у ю роль. В о з б у ж д е н и е Е - р а з р я д а происходит с по ­
м ощ ь ю в ы с о к оч а ст от н ог о эл ек тр ич е ск ог о поля. Э л ек тр о ды могут
н ах о д и т ь с я л и б о внутри, л иб о вне ра зр ядно й ка ме ры. В о з б у ж д е ­
ние Н - р а з р я д а происходит и н ду кти вно с помощью и н ду ц и р о в а н ­
ного э л е к т р и ч е с к о г о поля. П р и сильном в заимодействии м е жд у
э л е к т р о н а м и и ч ас тица ми г а з а э л е к т р он ы могут п ри ним ат ь в п е р ­
вом п о л у п е р и о д е б оль шу ю энергию, чем о тда ва ть во втором по-
л у п е р и о д е б л а г о д а р я сдвигу ф а з их д ви же ни я относительно э л е к ­
т р ич ес ко г о п ол я . П ри п ри обр ет ении достаточной энергии н а ч и ­
нается п р о ц е с с ионизации э л е к тр о нн ы м ударом. Прир ос т энергии
э л е к т р о н а п л а з м ы в одном п ол упе ри оде описывается ура вне ни ем
\W e = ! h L ( - J 3ri + \
Jlvr / \ 2 П \'г1т е )

где vr/ — ч а с т о т а ВЧ- поля; v r0 — на ча ль на я скорость эле кт рона ;

E rf — н а п р я ж е н н о с т ь в о з б у ж д а ю щ е г о ВЧ-поля.
М о щ н о с т ь , в ы д е л я е м а я в е динице объема, при усреднении за
период к о л е б а н и й
2
Р = JJL l ± е 2
г1 — ^ — ,
m<vs 2 v2 + (o|

где v.s — ч а с т о т а столкновений э л е к тр о н а с частицами рабочего

г а з а; <ов — к р у г о в а я час тот а в о з б у ж д а ю щ е г о ВЧ-поля.
И з эт о го у р а в н е н и я следует, что при vs= wk происходит п е ре ­
д а ч а м о щ н о с т и и, кроме того, н е об хо ди ма я для з а ж и г а н и я р а з р я ­
д а н а п р я ж е н н о с т ь эл ек тр ич е ск ог о поля имеет мин има льно е з н а ­
чение. Э т о з на ч ит , что д л я д о ст и ж е н и я оптимальных условий
ио н из а ци и н е об хо ди мо п о д б и р а т ь оптимальное соотношение з н а ­
чений д а в л е н и я ра боче го г а з а и частоты электрического поля.
46
 И н д уц и р о в а н н у ю н а п р я ж е н н о с т ь эл ек тр ич е ск ог о п о л я Н - р а з -
р я д а при отсутствии внутри к а т у ш к и э л е к тр ич е ск ог о п р о в о д н и к а
о п р е д е л я ю т согласно ф ор м у ле

Е ч = Щ К, ~ vr/r c,
‘С

где ц — м аг нит на я п ро н ица ем ос т ь; / , / — а м п л и т у д а т о к а чере з

к ат у шк у; « с и /с — число в и т ко в и ' д л и н а к а т у ш к и ; гс — р а с с т о я ­
ние от оси катушки.
В в о д и му ю в пл а зм у эн ерг ию и р ав но в е сную к о н ц е н т р а ц и ю н о ­
сителей з а р я д а м ожн о у в е л и ч и в а т ь с по мо щь ю д о п о л н и т е л ь н ы х
постоянных электрических и м а г н и т н ы х полей.
Д ос т о и н с т в а ио нно -пл аз м енн ых процессов — в о з м о ж н о с т ь о б ­
ра бо т ки бо ль шо й пл оща ди с д о с т а т о ч н о в ысокой р а в н о м е р н о с т ь ю
и в ы с о к а я плотность ионного т о к а при м а л ы х э н е р г и я х ионов; н е ­
д о ст а тк и — высокое д а в л ен и е в о б л а с т и м ише ни ( ~ 1 0 П а ) , п р и ­
в о д ящ е е к о б ра т н о й д и ф ф у з и и р а с п ы л я е м ы х частиц, и в о з д е й с т ­
вие п л а з м ы на мишень.
В ионно-лучевых процессах и с п о л ь з у ю т ионный пучок, п о л у ч е н ­
ный ф о рм ир о в а н и е м ионов в г а з о в о м р а з р я д е ф о к у с и р о в к о й в с и ­
с тема х ионной оптики. Сх ем ы ион ных источников с в ы с о к о ч а с т о т ­
ным р а з р я д о м по к аз а ны на рис. 18.
В ионных источниках с В Ч - р а з р я д о м и сп о ль з ую т Н- и Е - р а з -
р я ды с в не шними э ле кт р од а ми . В с л е дс т ви е о т н о с и т ел ь но в ы с о к о ­
го р а бо ч ег о д а в л е н и я в ис точнике (1— 10 П а ) в к а ч е с т в е э к с т р а к ­
ционной системы при мен яют п р е и м у щ е с т в е н н о о т р и ц а т е л ь н ы й у п ­
р а в л я ю щ и й эл ек тр о д 7, в к от о р о м в ы по лне ны о т в е р с т и я ( к а н а ­
л ы ) . Ч а с т о т у ВЧ- по ля в ы б и р а ю т от единиц до с о те н м е г а г е р ц .
Об ычно ис по льз уют ин д ук ти в ны й р а з р я д с д о п о л н и т е л ь н ы м р е ­
зо на н сн ым продольным (рис. 18, а ) или по п ер еч ным (рис. 1 8, 6 )
м аг нит ны м полем. Стенки р а з р я д н о й к а м е р ы 3 и з г о т а в л и в а ю т из
из ол и р у ющ ег о м а те р иа ла ( с т е к л а , к е р а м и к и ) . П о э т о м у они з а р я ­
ж а ю т с я о т рица те ль но и и г р а ю т р ол ь полого к а т о д а . И о н н ы е ис ­
точники с В Ч - р а з р я д о м м о ж н о и с п о л ь з о в а т ь д л я о д н о в р е м е н н о г о
по лу ч ения нескольких м о щ н ы х ио нных пучков с п о м о щ ь ю э л е к ­
т рода, им ею ще г о большое ч и с л о к а н а л о в . Д л я п о л у ч е н и я м а к с и ­
м а ль но г о ионного тока с у щ е с т в у е т о п т и м а л ь н о е о т н о ш е н и е р а ­
диуса и д л и н ы ра зр ядно й к а м е р ы . П р и р а д и у с а х 40 и 100 м м и
ча ст от а х в о зб у ж д а ю щ е г о п о л я 8,2 и 8,3 М Г ц о п т и м а л ь н о е о т н о ­
шение р а в но восьми.
П о л о ж и т е л ь н а я особенность ионных источников с В Ч - р а з р я ­
дом с остоит в том, что они р а б о т а ю т без н а к а л ь н о г о к а т о д а . П р и
этом, если э ле кт ро ды п о к р ы в а ю т слоем хими че ски и н е р тн о г о м а ­
т е р и а л а , то их м ожн о и с п о л ь з о в а т ь д л я ф о р м и р о в а н и я ионных
пучков х имически активных э л е м е н т о в и соединений, например
ки сло ро да , б ора и т. д.
Д о с то и н с т в а ионно-лучевых п ро це сс ов — в о з м о ж н о с т ь и з м е н е ­
ния у г л а б омбардировки, н е з а в и с и м о е р е г у л и р о в а н и е в ш ир о к и х
п ре д е л а х плотности тока ио нно г о п уч к а и энер г ии ионов, ни з ко е

47
Рис. 18. Схематическое изображение ионных источников с высокочастотным р аз­
рядом:
а — Е -р а з р я д с внеш ними э лектродам и и аксиальны м магнитным полем; б — Н -разряд
с п о п е р е ч н ы м м агн и тн ы м полем; в — Н - р а э р я д с аксиальны м м агн и тн ы м полем и эмиссией
и о н о в и з а н о д а ; г — Н - р а з р я д с п о п е р е ч н ы м м а г н и т н ы м по л ем и м н о г о л у ч е в ы м и з в л е ч е ­
нием ионного пучка;
/ — м есто ввода рабочего газа; 2 — анод; 3 — разрядная камера; 4 — в озбуж даю щ и е р а з­
р я д э л е к т р о д ы ; 5 — к а ту ш к а в о з б у ж д а ю щ е г о р аз р я д контура; 6 — магн ит; 7 — зо н д с к а н а ­
лами; 8 — зам едляю щ ий электрод; 9 — зажигатель; — ускоряющее напряжение;
U a — за м ед л яю щ ее напряжение

д а в л е н и е в о б ла с ти м иш е н и д а ж е в процессе бомбардировки
( 1 0 - 3— 10-4 П а ) , о тсутствие в оз действия п л а з м ы ( рентгеновского
и з л у ч е н и я ) на мишень.
К н е д о с т а т к а м ио нно - лу че в ых процессов от нос ятс я н е с т а б и л ь ­
н о ст ь ионной оптики, а с л ед о в а т е л ь н о , плотности т о ка и энергии,
а т а к ж е неэкономичность. П р и р а з р а б о т к е р а з л и ч н ы х ионно-лу­
ч е в ы х ис т очник ов основной з а д а ч е й я вл яе тс я п о в ыш е ни е их э ф ­
ф е к т и в н о с т и (скорости и р ав но м ер но с ти о су ще с тв ле ния проце с­
с а ) , а т а к ж е с ни же ние их р а д и а ц и о н н о г о воз д ейс тв и я на э л е м е н ­
т ы и н т е г р а л ь н ы х схем и э н ер го е мк ост и. Особый интерес п р е д с т а в ­
л я ю т мно г опу ч ко в ые ис то чн ик и с осцилляцией э ле кт ро но в . К о н ­
 с труирование эт их источников ид ет в н а п р а в л е н и и увеличения
д и а м ет ра пу ч ка до 250 мм и б о ле е пр и бо ль шо й р а в н о м е р н о с т и
распр ед ел ения энергии по д и а м е т р у п у ч к а в д и а п а з о н е э н е р г и й
от нескольких д ес я тк ов до н е с к ол ьк и х сотен э л е кт ро нв о л ьт .

7. Н А Г Р Е В Л А З Е Р О М

Л а з е р широко ис по ль з уют в эл ек тр о нн ой п р о м ы ш л е н ­
ности для н а п ы л е н и я тонких пленок, п о д г о н к и резисторов г и б р и д ­
ных и нт ег ра ль ны х схем, г е р м е т и з а ц и и кор пу с ов интегральных
схем, св ар ки д е т а л е й и др.
Л а з е р п р е д с т а в л я е т собой м о щ н ы й ис то чн ик коге ре нт но г о н а ­
правленного с в етового потока.
Р а б о т а л а з е р а основана на д и с к р е т н о м изменении энергии э л е к ­
тронов, ионов, а т омо в или м оле кул в е щ е с т в а , вызва нном в н е ш н и м
источником в о з б у ж д е н и я ( н а к а ч к о й ) . В о з б у ж д е н н ы е ч а с т и ц ы в е ­
щества и з л у ч а ю т на длине волны, х а р а к т е р н о й для д ан но г о в е щ е ­
ства. Вы со ка я монохроматичность, к ог е ре н т н о с т ь л а з е р но г о и з л у ­
чения п о з в ол я ю т фо ку сир о в а ть луч в п я т н о д и а м е тр о м до н е с к о л ь ­
ких м икрометров. В зоне действия л у ч а с о с ре до т ач и ва ет с я п о т о к
колоссальной плотности — до 10“ — 1024 В т / м 2. При плотности
потока 1010— 1012 В т / м 2 плавится и и с п а р я е т с я любой т у г о п л а в к и й
и с ве рхтв ердый м ате ри ал.
О б р а б о т к у л уч ом л аз е ра м ож н о в ес ти в л юб о й п ро з ра чно й с р е ­
де — твердой, жи д ко й, г азообразной, в в а к у у м е .
До ст ои нс т ва л а зе р н о й об ра бо т ки — от сутс твие м е х а н и ч е с к о г о
воздействия на изделие, в ы со ка я т очност ь, быст рот а настройки,
ограниченность зоны термического в о зд е й с т в и я , вызывающего
структурные из ме не ния о б р а б а т ы в а е м о г о м а т е р и а л а . Л ю б о й л а з е р
имеет акт ив ну ю среду, помещенную в р е з о н а т о р , и г е н е ра то р н а ­
качки, в о з б у ж д а ю щ и й атомы в среде. Опт и ч е ск ий р е з о н а т о р по
т орца м и з л у ч а т е л я п ре д ст а в л я е т с обой с и с т е м у двух плоских с т р о ­
го п а р а л л е л ь н ы х з е р к а л . З е р к а л о , ч ер е з к от ор ое « в ыв о д итс я» и з ­
лучение, д е л а ю т полу пр оз рач ным. П р и н а к а ч к е в активной с р е д е
м е ж д у з е р к а л а м и во зни ка ет состояние, к ог д а количество а т о м о в
на верхнем энергетическом ур ов не п р е в ы ш а е т количество их н а
нижнем энергетическом уровне. Л а в и н н ы й процесс из л уч е ния н а ­
чинается в тот момент, когда хотя б ы о д и н в о з б у жд е н н ы й а т о м
спонтанно и з л у ч а е т фотон в н а п р а в л е н и и , п а р а л л е л ь н о м о п т и ч е ­
ской оси. Это т фотон « вынужда ет » д р у г о й в о зб у ж д е н н ый атом
т а к ж е испустить фотон и т. д.
М н о го к ра тн о о т р а ж а я с ь от з е р к а л р е з о н а т о р а , фотоны р а с п р о ­
с тр ан яют ся чере з активную с р еду и и н те н с и ф и ц и р у ю т развитие
процесса. Ге ометрические р а з м е р ы р е з о н а т о р а таковы, что с в е т о ­
в ая волна, д в а ж д ы о т ра з ив шис ь о т з е р к а л , с дв иг ает ся по ф а з е н а
величину, к р а т н у ю целому периоду. Т а к и м о б р а з о м о б е с п е ч и в а е т ­
ся п о л о ж и т е л ь н а я о б ра т н а я связь.
Если н ас ел енно ст ь верхнего у ров ня а к т и в н о й с ре ды п р е в ы ш а е т
некоторую по ро го ву ю величину, з а в и с я щ у ю от к оэ ф ф и ц и е н т а от -
4 3«х. 824 49
р а ж е н и я п о л у п р о з р а ч н о г о з е р к а л а , то процесс интенсивно н а р а ­
с т ае т . З а т е м в с л е д с т в и е ин дуцированных пе ре ход ов населенность
вер х не го уровня п о н и ж а е т с я до пороговой величины с т а ц и о н а р ­
ного р е жи м а г е не р а ц и и . Св ет ов ые волны, п а р а л л е л ь н ы е оси р е з о ­
н а т о р а , у си ли ва ют ся и в ыв о дя тс я через п о л у п р оз р а чн ое з е р к ал о
в виде узкого пу ч ка ког ерентног о света. Ч т о б ы на правле ннос ть
из л уч е ния б ы л а в ы с о ко й , необходима с тр ог ая п ар а л л е ль н о с т ь з е р ­
к а л р езонатора. М о н о х р о м а т и ч н о с т ь излучения опре де ляе тс я р е з о­
на нс ны ми с в о й с т в а м и о т д е л ь н ы х атомов и мол е ку л , которые и з ­
б и ра те л ьн о п о г л о щ а ю т ил и излучают све т опр е де ленно й волны.
Е е ф а з а, ч ас тота, п о л я р и з а ц и я и на пр ав л ен и е р ас пространения
с о в п а д а ю т с х а р а к т е р и с т и к а м и волны в не шне го э л е к т р ом а гн ит н о ­
г о поля нак ачк и. Э т о и о пр е д е л я е т когерентность излучения.
Р ас см отр им у с т р о й с т в о л а з е ра . В каче ств е а ктивного вещества
в л а з е р а х н а ш л и п р и м е н е н и е крис та ллы р у б и н а и алюмоиттрие-
вого г р а н а т а ( А И Г ) , г а з о в ы е смеси гелия с неоном, а зо та с у г л е ­
ки слы м газом, а т а к ж е полупроводниковые м а т е р и а л ы (арсенид
г а л л и я и д р.) .
Основные э л е м е н т ы т вердотельного л а з е р а — оптическая г о­
л ов к а , источник п и т а н и я , блок поджига и с ин хрониз ирующее
устройство. В о п т и ч е с к у ю г оловку входят а кт и вн ы й элемент (его
п о м е щ а ю т м е ж д у з е р к а л а м и р езонатора) и источник накачки.
Д л я ра бо ты в и м п у л ь с н о м р е жи ме р б о ль ш ой частотой по в т о­
рения, а т а к ж е в н е п р е р ыв н ом р ежиме н а и бо л е е пригоден л а з е р
на а л юм о и т тр ие в ом г р а н а т е с иримесью нео д има . Кристаллы
А И Г о т л и ч аю тс я в ы с о к о й теплопроводностью, б ольшой т е р ми ч е­
ской стойкостью и н и з к и м порогом в о з б у ж д е ни я. Ч а стот а повто­
р ения импульсов д о х о д и т до 50 кГц, а в ых о д н а я мощность в не­
п ре рыв но м р е ж и м е — 3 00 Вт при сра внит ел ьно высоком К П Д (до
2,5% ). '
Л а з е р н ы е т е хн ол о г и ч е с к и е установки СУ-1, УЛ-2М, УЛ-20М и
д ру ги е н ез а ви си мо о т н а з н а ч е н и я строят по типовой схеме, п ри в е­
д ен но й на рис. 19.
В качестве ф о к у с и р у ю щ е й системы п ри м е н я ю т ст екля нные о т ­
р а ж а т е л и , п ок р ы т ы е с е р е бр ом или ал юмин ие м, а т а к ж е м еталли-

Рис. 19. Типовая схема лазерной техноло­

гической установки:
/ — зарядное устройство; 2 — емкостный н ак о п и ­
тель; 3 — систем а управления; 4 — блок под­
ж и г а ; 5 — л а з е р н а я головка; 6 — система о х л а ж ­
ден ия; 7 — сис тем а ст а б и л и з а ц и и энергии и з л у ­
че н и я; в — д а т ч и к э н е р г и и и з л у ч е н и я ; 9 — о п т и ­
ч е с к а я с и с т е м а ; 10 — ' с ф о к у с и р о в а н н ы й л у ч ла­
з е р а ; / / — о б р а б а т ы в а е м а я д е т а л ь ; 12 — к о о р д и ­
на т н ы й ст о л ; 13 — с и с т е м а п р о г р а м м н о г о у п р а в ­
ления

50
ческие о х л а ж д а е м ы е о т р а ж а т е л и . В о з м о ж н о применение л и н з о в о й
оптики. К о э ф фи ци ен т о т р а ж е н и я м о ж е т до ст иг ат ь 95 %.
Уп р ав ле н ие л аз ер ны м лу чом о с у щ е с т в л я е т с я по з а д а н н о й п р о ­
грамме.
В з ав ис имо ст и от плотности м о щ н о с т и л а з е р ны е пот оки р а з д е ­
л яют на потоки м а лой (менее 103 В т / м 2), умеренной (от 109 д о
103 В т / м 2) и высокой плотности (от 1013 В т / м 2). Д л я т е х н о л о г и ­
ческих целей в основном и с п о л ь з у ю т с ве то вы е потоки у м е р е н н о й
мощности.
В ка че стве примера р а с с мо т р и м испо ль з ов ание лазера для
ис паре ния о с а ж д а е м о г о на п о д л о ж к и вещества. Л а з е р н а х о д и т с я
с н а р у ж и у ст ан о вк и для о с а ж д е н и я в еще с тв в в а ку у м е и ч е р е з о п ­
тически п р о зр а чн ое стекло све то во й поток н а п р а в л я е т с я на и с п а ­
ряемое вещество, на ходящееся в н у т р и ва ку умн ой к а ме р ы . О б ы ч н о
используют л а з е р н ы й импульс м о щ н о с т ь ю 1— 2 Д ж п р о д о л ж и т е л ь ­
ностью 2 - 1 0- 7— 3 - 1 0 ~8 с. В н а с т о я щ е е в р е м я с оз да ны у с т а н о в к и
д л я на п ыл е н и я диэлектрических п л е н о к на баз е С О г - л а з е р о в м о щ ­
ностью 30 Вт, ра бо т а ющие в н е п р е р ы в н о м и импульсном р е ж и м а х .
Кр оме того, р а зр а б о т а н а у с т а н о в к а получения м е т а л л и ч е с к и х и
полупр о в о д ни ко в ых пленок, о с н а щ е н н а я т ве р до т ел ь ны ми л а з е р а ­
ми. Пр и л а з е р н о м испарении м е т а л л и ч е с к и х и п о л у п р о в о д н и к о в ы х
пленок э ф ф е к т и в н ы е скорости р о с т а с о ст а в л я ю т п р и б л и з и т е л ь н о
10 м к м / м и н . Методом л аз е рно г о н г п ы л е н и я м ожн о п о л у ч а т ь с а ­
мые р а з л и ч н ы е по структуре и т о л щ и н е мета лл ич ес кие , п о л у п р о ­
в одниковые и диэлектрические п л е нк и.
П р е и м у щ е с т в а лазерного н а г р е в а д л я испарения о с а ж д а е м о г о
на по д л о ж к и вещества:
в ы с ок ая плотность светового п о т о к а с ф ок ус ир ов а нн ог о и з л у ч е ­
ния д ае т в о з мо жн о ст ь испарять т у г о п л а в к и е м а т ер и ал ы;
з н а ч ит е ль ны е скорости н а г р е в а и ис паре ния, п о з в о л я ю щ и е п о ­
л уч ат ь пл енк и сло жно г о химиче ског о с о с т а в а , на пр им е р т у г о п л а в ­
ких окислов, без изменения их с т ех ио м етри и;
и с по ль з ов а ние коротких им пу ль с ов , по зв о ля ющих с б о л ь ш о й
точностью у п р а в л я т ь процессом о б р а з о в а н и я пленки и п о л у ч а т ь
их толщин ой 0,1 мкм.
Д л я н а п ы л е н и я тонких п л е н о к п р и м е н я ю т импульс ные л а з е ­
ры, которые а сочетании с о пт ик ой с п ос о бн ы с оз д ат ь на и с п а р я е ­
мой поверхности интенсивность и з л у ч е н и я 103 В т / м 2. Н а и б о л е е
перспективны л а з е р ы на стекле с не од им ом , на С 0 2 с п о п е р е ч н ы м
в оз бу жд ение м, а т а к ж е л а з е р ы на а л ю м о и т т р ие в ом г р а н ат е.
Ос обый интерес п ре дс та вл яют у с т ан о в к и , не т р е бу ю щ и е с о з д а ­
ния в а ку у м а , д л я точной р езки м е т а л л а и о б р а б о т к и твердых
ма те р иа ло в , в к л ю ч а я алмаз, в ы п о л н е н и я отверстий в к е р а м и к е ,
л ока л ьн ог о на г ре в а и пайки и зд ел ий. К р о м е этого, в ы п у с к а ю т с я
т а к ж е у с т ан о вк и многоцелевого н а з н а ч е н и я , у п р а в л я е м ы е Э В М .
ГЛАВА 3

С Р Е Д С Т В А П О Л У Ч Е Н И Я ВАКУУМА И РАСЧЕТ
В А К У У М Н Ы Х СИСТЕМ

1. ВАКУУМНАЯ СИСТЕМ А И ЕЕ ЭЛЕМ ЕНТЫ

П о д в а ку у м о м п о н и м а ю т такое состояние ра зр е же нн о го
г а з а , ко торому с о о т в е т с т в у е т область д а в л е н и я н и ж е 105 Па, т. е.
н и ж е а тмо с фе рно го д а в л е н и я . В зависимости от степени р а з р е ж е ­
н и я р а з л и ч а ю т низкий, с ре дн ий, высокий и све рхв ыс окий вакуум.
О б л а с т и д ав ле ний га зов , соответствующие р а з л и ч н о м у вакууму,
п о к а з а н ы на рис. 20 .
С х е м а в а ку ум но й с ис т е м ы по к аз а на на рис. 21. О н а имеет в ы ­
с око - и н и з к о ва к уу мн ы е на сос ы, устройства, р е г у л ир у ю щи е д а в л е ­
н и е и поток г а з а в в а к у у м н о й системе, л о в у ш к и паров, рабочей
ж и д к о с т и , а т а к ж е п р и б о р ы д ля измерения в а к у у м а . Ло в уш ки,
у с т а н а в л и в а е м ы е н а д н а с о с а м и , пр ед ох ра ня ют о т к а ч и в а е м ы й о б ъ ­
е м от по п ад ан и я в него п а р о в рабочей ж и дк о с т и насосов. В а к у ­
у м н ы е к л а п а н ы и з а т в о р ы п оз во ля ют с оединять и р а з о б щ а т ь э л е ­
м е н т ы в акуумной сис те мы, а т а к ж е р е гу л ир о в а ть поток г аза в в а ­
к у у м н о й системе. Т р у б о п р о в о д с клапаном, с о е д и н я ю щ и й низ ко­
в а к у у м н ы й насос не по ср е дс тв е нн о с рабочей ка ме р ой, носит н а ­
з в а н и е в с по м о г ат ел ьн ой (бай па сно й) линии (на рис. 21 участок
м е ж д у т очка ми а и б ) .
Б а й п а с н а я линия п о з в о л я е т с оздавать н а ч а л ь н о е дав ле ние в
о б ъ е к т е , не обходимое д л я н а ч а л а работы д иф фу зи о нн ог о насоса
б е з его выключения.
В а к у у м н а я с истема в аку умн о -н ап ыл ит е ль но г о о бо рудования
д л я получения п ле но к д о л ж н а обеспечивать:
м ин и ма л ьн ое в р е м я п ус ко во го периода и о т ка ч но г о цикла;
в ос произ водимос ть п а р а м е т р о в тонкопленочных элементов;
э ф ф ек т и в ну ю о т к а ч к у в широком ин те р ва л е д ав ле н ий при
пе р ем е нн о й газовой н а г р у з к е ;
к он тр о л ир уем ый н а п у с к а зо та , аргона и др у гих газов.
Сверхвысокий
I I Высокий

.Низкий
I-------------- 1
Р
■ I I I J___ I____L------ 1— I—I------к——»-
10'" 10'* 10'7 10'* 10'3 10' 1 101 10s 10s па
I I____I------ 1------ 1------ 1------ 1------J------1— ► Рис. 20. Области давле­
10'1S 1 0 10'9 10'7 10's 10'z 10'1 101 150 ний газов, соответствую­
мм pm. cm щие различному вакууму

52
 а) 6)
Рис. 22. Схемы высоковакуумных систем:
а — промышленной установки; б — лабораторной
у с т а н о в к и ; Б — бустерный насос; Д — диф ф узион­
ный насос; М — манометр;
/ — м е х а н и ч е с к и й н ас о с; 2, 3 и 7 — к р а н ы ; 4 — д и ф ­
ф у з и о н н ы й насос; 5 — л о вуш ка; 6 — з а тв о р ; в — р а ­
бочая камера

Рис. 21. Схема вакуумной

системы:
К\— Кз — в е н т и л и

Рис. 23. Схема высоковакуумной прогревае­

мой системы промышленной установки:
/ — м е х а н и ч е с к и й н а с о с ; 2, 3. 5 и I I — к р а н ы ; 4 , 7 —
ловушки; 6 — диффузионный насос; 8 — затвор;
9 — р а б о ч а я к а м е р а ; 10 — и с т о ч н и к р а з р я д а

При этом она до лжна и ме ть н а и б о л ь ш и е г а б а р и т н ы е р а з м е р ы

и массу, в ысокую на дежность в э к сп л у а т а ц и и , с р а в н и т е л ь н о н и з ­
кую стоимость и малую п о т р е б л я е м у ю мощность.
По степени созд ав ае мо го р а з р е ж е н и я в а ку у м н ы е установки
п о д р а з д е л я ю т на низко в а ку у мные , в ы с о ко в а к уу м ны е и с в е р х в ы с о ­
ко в а ку у м ные . За по р н у ю а р м а т у р у и соединения э л е м е н т о в н и з к о ­
в аку ум ны х установок и з г о т а в л и в а ю т с у пл от нит е ля ми, в ы п о л н е н ­
ными из р е зин ы или эл ас то ме ро в , а высоко- и с в е р х в ы с о к о в а к у у м ­
ных у с т ан о в о к — с у п ло т ни т е л ям и из ме та л ла . В в ы с о к о в а к у у м ­
ных у с т а н о в к а х же ла те ле н п р о г р е в всей в ы с о ко в а к у у м н о й части
установки.
Сх ем ы высоковакуумных с и с т е м пр о м ы шл ен н ых и л а б о р а т о р ­
ных у с т а н ов о к с использованием д и ф фу зи о нн ог о и б у ст е р н о г о ( п о ­
в ы ш а ю щ е г о д ав ле ние ) насосов п о к а з а н ы на рис. 22 .
При использовании м е т а л л и ч е с к и х у плотнителей во ф л а н ц е ­
вых с оединениях и прогрева в о з м о ж н о получение о с т а т о ч н о г о д а в ­
л ения до 10-8 Па.
С хе ма высоковакуумной п р о г р е в а е м о й системы п р о м ы ш л е н н о й
у ст ановки приве де на на рис. 23.

53
- 2. КЛА ССИФ ИКАЦИЯ ВАКУУМНЫХ НАСОСОВ
И ИХ Х АРА КТЕРИСТИКИ

Получение вакуу м а возможно удалением газа из отка­

чиваемого объема за пределы вакуумной системы или связывани­
ем его в вакуумной системе. Вакуумные насосы, которые откачи­
ваю т газ отдельными порциями в результате периодического изме­
нения объема и положения рабочей камеры, называют объемны­
ми вакуумными насосами; к ним относят механические насосы.
Вакуумны е насосы, в которых вакуум получается за счет с в я ­
зы ван и я газа в вакуумной системе, называют сорбционными насо­
сами. Газ в сорбционных насосах может связываться поглотите­
лем (геттером) или со рбироваться и конденсироваться на о х л а ж ­
даем ой "поверхности.
К лассификация вакуумных насосов по принципу действия при­
ведена на рис. 24.
К основным характеристикам вакуумных насосов относят на­
ч альн ое давление (давление запуска), максимальное (критиче­
ское) выпускное давление, наибольшее рабочее давление, предель­
ное остаточное давление, а т а к ж е быстроту действия насоса и его
производительность.
Н а ч а л ь н о е давление (давлен ие запуска) — давление, с кото­
рого насос начинает н ормально работать.

С масляным уплотнением

Рис. 24. Классификация вакуумны х насосов

54
I

Макс има льно е (критическое) выпускное д а в л е н и е — давление

на выпускной стороне насоса, при котором насос ещ е мож ет осу­
ществлять откачку.
На иб оль шее рабочее д а в л е н и е — давление на входном п атруб­
ке насоса, при котором насос длительное время сохраняет номи­
нальную быстроту действия.
П р е де ль но е остаточное д а в л е н и е — наименьшее давление, ко­
торое может быть достигнуто с помощью данного насоса.
Быстрота действия насоса — объем газа при данном давлении,
откачиваемый в единицу времени во входном патру б ке насоса.
Производительность насоса — количество газа, откачиваемое
насосом в единицу времени. .

3. МЕХАНИЧЕСКИЕ НАСОСЫ С М АСЛЯНЫ М УП ЛО ТНЕНИ ЕМ

Вращательный вакуумный насос с м асл ян ы м уплотне­

нием используют для предварительного разреж ен и я в вакуумной
системе и создания форвакуумного давления на выходе высоко­
вакуумных насосов. Наибольш ее распространение получили три
типа вращательных насосов с масляным уплотнением: п ластинча­
то-роторные, пластинчато-статорные и плунжерные насосы. М еха­
нически е насосы производят откачку, начиная с атмосферного д а в ­
ления.
Пластинчато-роторный н ас о с. На рис. 25, а — г приведены схе­
ма устройства и этапы работы пластинчато-роторного насоса.
Корпус насоса / представляет собой полый цилиндр, внутри
которого вокруг оси, смещенной относительно оси корпуса, в р а щ а ­
ется ротор 2. В сквозной прорези ротора разм ещ ены две пласти­
ны 3. Пластины плотно приж им аю тся к корпусу насоса пруж и­
ной 4. Полезный объем рабочей камеры разделен на три поло­
сти: I — полость всасывания; II — полость перемещения газа;
III — полость сж атия и вытеснения газа. При вращ ении ротора
в направлении, указанном стрелкой, полость / увеличивается и
газ поступает в нее через впускной патрубок 7, а полость II умень­
шается и сжатый газ вы брасывается через выпускной патрубок 5
в атмосферу. Выпускной патрубок 5 снабжен клап ан ом 6.
В пластинчато-роторном насосе за один оборот ротора проис­
ходит два цикла откачки, т. е. отделяются от откачи ваем ого объе-

Рис. 25. Схема устройства и этапы работы пластинчато роторного вакуумного

насоса
55
 Рис. 26. Механический вакуумный насос
ВН-1-2:
/ — откаточной механизм; 2 — впускной патру-
бок; 3 — защ и тн ая сетка — ф и льтр; 4 масли-
ный резервуар; 5 — корпус насоса

ма и вытесняются из насоса две

порции газа. Как видно из конст­
рукции насоса, между вращ аю щ им ­
ся ротором и статором, а такж е
меж д у пластинами и статором име­
ются зазоры, по которым газ со сто­
роны выхлопа может поступать на
сторону всасывания. Уплотнение з а ­
зоров, предотвращающее перетека­
ние газа, осуществляется вакуумным
маслом марок ВМ-4 и ВМ-6 (толщи­
на масляной пленки 0,05—0,1 мм),
поступающим из масляного резер­
вуара. В насосах погружного типа,
к которым относятся пластинчато­
роторный и пластинчато-статорный насосы (рис. 26), откачной ме­
ханизм полностью погружен в масляную ванну, являющуюся кор­
пусом насоса. Ведущий вал откачного механизма через отверстие
в стенке корпуса выводится н аруж у. Неподвижные соединения де­
талей откачного механизма не герметизируются. Масло, просачи­
ваясь через зазор ы и зап олн яя их, защищает откачной механизм
от натекан ия воздуха и обеспечивает смазывание трущихся д ета­
лей м еханизм а. Предельное остаточное давление насосов с м асл я­
ным уплотнением определяется конструкцией насоса и свойствами
рабочей жидкости и равно 1,33 П а, а для двухступенного насоса
0,133 П а. Бы строта действия пластинчато-роторных насосов в ин­
тервале д авлений 102— 105 Па — от 0,21 л/с для ВН-494 до 3 л/с
д ля насоса Н В Р -ЗД .
>
4. СРЕДСТВА ПОЛУЧЕНИ Я ВЫСОКОГО ВАКУУМА

Д и ф ф у з и о н н ы е насосы. Работа диффузионного насоса

основана на передаче импульса движения струей паров рабочей
жидкости, вырывающейся из сопла, молекулам откачиваемого г а ­
за в р езу л ь тате их непосредственного контакта и диффузии моле­
кул откачиваем ого газа в струю паров рабочей жидкости. Схема
диффузионного насоса п оказана на рис. 27. Из сопла / истекает
струя п а р а рабочей жидкости, полученная нагревом рабочей ж и д ­
кости в насосе с помощью нагревателя 6. Проходя через дифф у­
зионное соп ло /, струя паров рабочей жидкости приобретает зн а ­
чительную скорость, захваты вает молекулы откачиваемого газа и
конденсируется на корпусе насоса, охлаждаемом водой и яв л яю ­
щемся поверхностью конденсации. Молекулы газа диффундируют
56
 1

Рис. 27. Схема диффузионного н а ­ Рис. 28. Сопла диф фузионного на­
соса: соса:
I — ди ф ф у зио н но е сопло; 2 — зазор м е ж ­ а — диф ф узионное с о п л о; б —эж екторн ое
д у соплом н корпусом насоса; 3 — п о ­ сопло;
верхность конденсации (корпус, о х л а ж ­ / — н ап равл яю щ ая т р у б к а ; 2 — прием ная
д аем ы й водой); 4 — выпускной п атрубок; тр у бка, 3 — н а п р а в л ен и е д в и ж е н и и моле­
5 — р аб о ч ая ж идкость; 6 — н агр ев ател ь кул откачи ваем ого г а з а ; 4 — корпус н а ­
соса; 5 — н ап р авл ен и е движ ения паров

в струю пара и при столкновении с молекулами п а р а приобрета­

ют дополнительные импульсы количества движения в н ап р ав л е­
нии движения струи и доставляю тся на поверхность конденсации.
При конденсации пары рабочей жидкости в виде ж и д кости сте­
кают обратно в насос, а м олекулы откачиваемого г а з а десорбиру­
ются с поверхности конденсации и оказываю тся в пространстве
под струей паров рабочей жидкости. Из рассмотрения процесса
откачки диффузионным насосом можно сделать следую щ ие вы­
воды:
предельный вакуум определяется давлением п аро в рабочей
жидкости при температуре конденсации паров раб оч ей жидкости;
насос работает нормально, если течение откачи ваем ого газа в
диффузионном зазоре 2 (м еж д у стенкой и соплом) яв л яется мо­
лекулярным, так как при вязкостном течении свободное расш и ­
рение струи пара рабочей ж идкости оказывается затрудненным.
Поэтому для диффузионного насоса указываю т н аи больш ее вы­
пускное давление, при котором еще возможна н о р м а л ь н а я работа
насоса, обеспечивающая м олекулярны й режим д ви ж е н и я молекул
откачиваемого газа в зазоре 2.
Многоступенчатые насосы имеют последовательно соединен­
ные сопла. При этом одновременно можно получить высокое бы­
стродействие и наибольшее выпускное давление. В одноступенча­
тых насосах ограниченная возм ож ность улучшения парам етров.
В многоступенчатых насосах принцип последовательной работы
состоит в размещении нескольких сопл с разными х ар а к тер и сти ­
ками в одном металлическом корпусе. Например, в первой ступе­
ни со стороны предварительного разрежения п ом ещ аю т сопло с
малой быстротой действия, но с наибольшим выпускным давл ен и ­
ем (эжекторное сопло), во второй ступени — сопло с большой бы­
стротой действия, но зато с м алы м выпускным д авл ен ием (диф ­
фузионное сопло). Выбор сопл основан на следующем условии:
tSjPi — S 2P 2 — ^зРз<
57
где Si/?i, S 2 P 2 , S 3p 3 — количество газа, откачиваемое каждым из
3-х им ею щ ихся в насосе сопл; 5,, 5 2, S 3 — быстрота действия сопл;
P 1. Р 2, P з — давления срыва струи.
П ри соблюдении этого условия насос будет иметь большие бы­
строту действия и величину выпускного давления.
Н а рис. 28, а схематично изображено диффузионное сопло.
Д ей ств и е диффузионного сопла основано на диффузии молекул
газа в струю пара.
Р а с с м а т р и в а я откачиваю щ ее действие струи паров рабочей
ж идкости, можно выделить два участка.
У часток А В — здесь плотность струи настолько велика, что в
нее не м о ж ет продиффундировать подавляющее большинство мо­
л екул откачиваемого газа, прошедших через впускной патрубок
насоса, поскольку при столкновениях они отраж аю тся тяжелыми
м о л ек у л ам и пара. О ткачиваю щ им действием этого участка паро­
вой струи можно практически пренебречь.
У часток ВС — на этом участке струи за счет расширения струи
плотность п ар а становится относительно низкой, что облегчает
д иф ф у зию в него откачиваемого газа и, по сути дела, именно на
этом участке осуществляется перекачка газов в область предва­
рительного разрежения. Таким образом, если корпус насоса име­
ет цилиндрическую форму, то молекулы откачиваемого газа, н а­
ходящ егося над паровой струей, попадают к ее активному участ­
ку то л ьк о через достаточно узкий пристеночный кольцевой зазор.
Б ы стр о т у действия насоса можно повысить, увеличив ширину
кольцевого зазор а конусообразным расширением верхней части
корпуса насоса на участке C D (рис. 2 8 ,а).
Н а б азе стандартного насоса Н5С создан насос с углом конус­
ности 22°. В результате быстрота действия насоса увеличилась в
2 р а за (до 1300 л /с ) без изменения габаритных размеров насоса
и подводимой мощности.
Э ж екторн ое сопло (рис. 28, б ) состоит из направляющей труб­
к и / и приемной трубки 2. М е ж д у струей паров рабочей ж идко­
сти, выходящ ей из н аправляю щ ей трубки /, и поверхностью при­
емной трубки 2 образуется у зк а я щель. Газ проникает в нее и со­
п р и к асается со струей пара. Под действием силы трения, возни­
каю щ ей м еж д у струей п ара и прилегающим к ней ближайшим
слоем г а за , последний у в л екается струей пара. При этом проис­
ходит п ередача движения соседнему слою и т. д. Так как скорость
д ви ж ен и я слоев по мере их удаления от поверхности струи быстро
п адает, то щель надо вы бирать достаточно узкой, чтобы через нее
не прони кал встречный поток газа. Чем уже щель, тем больше
выпускное давление (давление срыва струи) и тем меньше быстро­
та действия. Быстрота действия эжекторного сопла зависит от
д ав л ен и я откачиваемого газа. Ее величина оказывается очень м а ­
лой в области низких давлений, так как при сильно разреженном
газе столкновения между молекулами газа становятся весьма ред­
кими и о вязкостном «захвате» газа струей пара уж е говорить
нельзя.
58 !
 Корпус насоса выполняют из стали, а м аслопроводы — из ме­
ди, алюминия или коррозионно-стойкой стали. Применение этих
материалов объясняется тем, что небольшие величины степени
черноты снижают передачу теп ла излучением о х л аж д ае м о м у во­
дой корпусу, а большая теплопроводность позволяет поддерж ивать
температуру маслопровода (паропровода) по всей его высоте, ис­
ключая конденсацию паров. Последовательно с диффузионным
насосом устанавливают форвакуумный насос, способный воспри­
нять поток откачиваемого г а з а и обеспечить на выходе диффузи­
онного насоса вакуум, необходимый для его нормальной работы.
В настоящее время р азработан ы паромасляные насосы самой
различной производительности с быстротой действия от 1 •10 2 до
2 - 105 л/с.
Р абочая жидкость диффузионных насосов д о л ж н а иметь:
низкую упругость пара при комнатной тем пературе;
высокую термическую стабильность при рабочих температурах;
высокую термоокислительную стабильность (стойкость к окис­
лению при соприкосновении в нагретом виде с атмосферны м воз­
духом);
низкую поглощательную способность по отношению к газам.
Кроме того, она должна быть химически инертной и нетоксич­
ной.
Этим требованиям отвечают отечественные р аб оч ие жидкости,
основные свойства которых приведены в табл. 6.
Т а б л и ц а 6. Некоторые характеристики рабочих ж идкостей высоковакуумных
диффузионных насосов__________________________ ______________ _______________________

В язкость
кинематиче­
П л о тн о сть, Д авление пара при 20 “С, с кая при
Наименование рабочей жидкости 11а
к г/м а 50° С ID *
м*/с

ВМ-1 870 5 , 3 - 1 0 -« —2 ,6 6 10—7 0 5 -6 9

Сложный эфир 5Ф4Э 1200 1 ,3 1 0 -» 130
Крсмнийорганические ПЭС-В-1 970 6 ,6 - 1 0 - » 16—33
(ВКЖ-94-А)
ФМ-1 1096 1 ,3 -1 0 - » 3 5 -3 7
ПФМС-2 1 0 5 0 -1 0 7 0 6 ,6 -1 0 “ 7—9 ,3 - 1 0 —6 8— 13

При работе диффузионного насоса обратный поток паров р а ­

бочей жидкости из насоса в откачиваемый объем составляет
8 -1 0-5 м г /с м 2 мин. Д ля защ и ты откачиваемого об ъ ем а от заг р я з­
нения парами рабочей жидкости и продуктами ее разл о ж е н и я при­
меняют конденсационные (вы мораживаю щ ие) ловуш ки и масло­
отражатели.
Предельный вакуум диффузионных насосов без применения
вымораживающих ловушек составляет 10-4 Па, а при их исполь­
зовании он находится в п р ед ел ах 10_6— 10-7 Па.
К достоинствам диффузионного насоса можно отнести простоту
конструкции, низкую стоимость, быстрое восстановление в систе­
59
ме требуем ого разрежения при значительных изменениях газовой
нагрузки, сравнительно невысокие удельные энергозатраты, н а­
д еж н ость и удобство в эксплуатации.
К н едостаткам диффузионного насоса при использовании в к а ­
честве рабочих жидкостей минеральных масел следует отнести н а­
личие обратн ого потока паров рабочей жидкости, для устранения
которого приходится применять вымораживающие ловушки, сни­
ж аю щ и е эффективную быстроту действия насоса в 3—4 раза; воз­
можность окисления и р азл ож ен и я минеральных масел марок
ВМ-1, ВМ -2 и ВМ-5, наиболее часто используемых в качестве р а ­
бочих ж идкостей, при аварийном прорыве воздуха в откачиваемый
объем.
Д л я получения высокого вакуума, помимо рассмотренных вы­
ше дифф узионных насосов, используют молекулярный, турбомоле-
кулярны й, геттерно-ионный, электроразрядный или криогенный н а­
сосы.
Т у р б о м о л е к у л я р н ы е н асос ы. Их применяют для получения
сверхвысокого «безмасляного» вакуума (до 6,6• 10-7 П а ). При
этом д л я нормальной работы турбомолекулярного насоса необхо­
димо последовательное включение вращательного насоса с м ас­
ляным уплотнением. Турбомолекулярный насос (рис. 29) представ­
ляет собой многоступенчатый осевой компрессор, имеющий ж ест­
ко укрепленные на корпусе 1 статорные диски 2 и вращающиеся
диски 5, укрепленные на роторе 4. Статорные и роторные диски,
в которых выполнены рад и ал ьн ы е косые (под углом 15—40° к пло­
скости д и с к а) пазы, образую т рабочий механизм насоса. Ротор
вращ а ется электродвигателем 6 со скоростью более 103 об/мин.
Насос соединяется с откачиваемым объемом через впускной па-

Рис. 29. Схема турбомолекулярного н асо ­ Рис. 30. Схема рабочего меха­
са: низма турбомолекулярного на­
/ — корп ус н а с о с а; 2 — статорн ы е ди ски, у к р е п ­ соса:
лен н ы е н а ко рп усе; 3 — подш ипники ротора;
4 — ротор; 5 — д и ск и на роторе; 6 — п р и во д; Л — статорны е диски с п азам и;
7 — вы пускн ой п атр у б о к в — ввод о т к а ч и в а ем о го В — роторные диски с пазам и
га за

60
 трубок 8. Выпускной патрубок 7 соединяется с ф орвакуум ны м
насосом. На опорные подшипники вала ротора 4 маслонасосом
^ (на рисунке он не показан) п одается смазка. Схема рабочего ме­
ханизма турбомолекулярного насоса приведена на рис. 30. В к а ­
честве роторных дисков используют металлические ш айбы то л щ и ­
ной в несколько миллиметров. П азы в дисках ста то р а являю тся
t зеркальным отражением пазов роторных дисков. В средней (вы со­
ковакуумной) части насоса устан авл и в аю т диски с п азам и, обеспе­
чивающими высокую производительность насоса. Н а р у ж н ы е диски
такж е имеют пазы, позволяющие получить более высокий к о эф ф и ­
циент компрессии. Пазы имеют длину всего несколько м и л л и м е т­
ров, вследствие чего коэффициент компрессии к аж д ой пары дис­
ков невелик, но поскольку в насосе работает большое число дис­
ковых пар, то суммарный коэффициент компрессии достигает з н а ­
чительной величины. Степень сж ати я турбомолекулярны х насосов
составляет 102— 103 по водороду, 107— 1012 по азоту, 1015 по у гл е­
водородам и возрастает с увеличением частоты вр ащ ени я ротора.
Рабочий диапазон выпускных давлений турбомолекулярного насо­
са 1— 10-7 Па. В широком д и ап азон е давлений (10“ ‘— 10~в П а)
быстрота действия постоянна и д ля насоса ТМН-100 со ставл яет
100 л /с , для ТМН-200 — 200 л / с и для ТМН-5000 — 5000 л /с.
Остаточное давление легких газов и паров воды опр ед ел яет о с т а ­
точное давление турбомолекулярных насосов, составляю щ ее у не­
больших насосов 10-8 Па, а у крупных — до 10-9 Па.
К достоинствам турбомолекулярных насосов мож но отнести:
возможность откачки конденсируемых паров; быстрый запуск
(10— 15 мин); нечувствительность к резкому повышению давления
вплоть до атмосферного; вы сокая степень сж атия газов с большой
молекулярной массой ( М ^ 4 4 ) , что обеспечивает практически без-
масляный вакуум при давлении на форвакууме 1— 13 П а; высокое
предельное разрежение (10~7 П а ) .
К недостаткам турбомолекулярных насосов м ож но отнести:
сложность устройства, необходимость разборки насоса при его
очистке, резкое изменение коэффициента компрессии по тяж елы м
газам при снижении частоты в ращ ения ротора, сравнительно вы ­
сокая стоимость, значительные габаритные размеры.
Турбомолекулярные насосы используют для высоковакуумной
откачки и для длительной работы в области среднего в акуу м а, на­
пример в установках ионного распы ления и травления материалов.
М а г н и то ра з ря дн ые насосы. Ш ирокое распространение м агнито­
разрядных насосов в промышленности объясняется их высокими
техническими характеристиками, простотой эксп луатац и и и о б ­
служивания, большим ресурсом и надежностью в работе. Схема
магниторазрядного насоса п о к а за н а на рис. 31. Плоские титановые
катоды 1 и анод 2, состоящий из ячеек и выполненный из корро­
зионно-стойкой стали, образую т электродный блок, который поме­
щают в магнитное поле, со зд ав аем о е постоянным магнитом 3.
При приложении разности потенциалов (5—7 кВ) м е ж д у э л е к т р о ­
дами разрядного блока, находящегося в вакууме, в озн и кает элек-
61
 Рис. 31. Схема диодного магниторазрядного
насоса:
1 като д ы ; 2 — анод; 3 — постоянный м агнит с маг*
ннтопроводом ; 4 — балластное сопротивление

трический разряд. Под действием м аг­

нитного и электрического полей элект­
роны движутся по спирали вокруг оси
разрядной ячейки. На своем пути они
ионизируют газ. Образующиеся поло­
жительные ионы, бомбардируя катод,
распыляю т материал (титан) катода.
Титан осаждается на аноде. Активные
газы, попадая на непрерывно напыля­
емую пленку титана, поглощаются ею.
К атоды т а к ж е поглощают газы, но из-за постоянного распыления
их роль последних в процесс откачки активных газов незначитель­
на.
Отечественной промышленностью выпускаются неохлаждаемые
м агннторазрядны е диодные насосы типа НЭМ с быстротой дейст­
вия от 10 до 7000 л /с, о х л аж д ае м ы е диодные насосы типа Н О Р Д
с быстротой действия от 10 до 1000 л / с и триодные насосы М аРТ
и Т Р И О Н -1 5 0 соответственно с быстротой действия 30 и 150 л/с.
М агниторазрядны е насосы запускаются при давлении 1 Па и
устойчиво работают в и нтервале давлений 1,3-10-3— 1,3-10~7 Па,
а насосы с охлаждаемы ми электродами — в диапазоне давлений
1 ,3 -10-1— 1,3-10-9 Па. Предельный вакуум магниторазрядных на­
сосов определяется суммарным временем и режимом его работы,
родом откачиваемого газа, а т а к ж е загрязненностью насоса угле­
водородами. При этом он со став л яет величину порядка 1,3-10-8 Па.
Ресурс магниторазрядных насосов при рабочем давлении
1 • 10-4 П а составляет: неохлаж даемы е диодные насосы — более
1 5 0 -103 ч, Н О РД -250 — более 100-103 ч, Н О Р Д - 10 — более
6 5 - 103 ч, Т Р И О Н -150 — более 7 0 - 103 ч.
К р и ог е н ны е насосы. В этом типе насосов вакуум в откачивае­
мом о бъем е создается посредством вымораживания остаточных
газов на охлажденной жидким хладагентом поверхности (криопа­
н ел и ). Криогенные (конденсационные) насосы имеют сравнитель­
но м алы й пусковой период. Д л я получения высокого и сверхвы­
сокого вакуума нет необходимости длительного прогрева рабоче­
го об ъем а установки. Конструкции насосов достаточно просты и
основной проблемой их эксплуатации является получение, исполь­
зо в ан и е и утилизация низкотемпературных хладагентов. В качест­
ве хладаген тов используют азот, водород и гелий, имеющие соот­
ветственно температуру кипения 70, 20, 4 и 4,2 К.
Б ы строта откачки насоса практически постоянна в широком
д и а п а зо н е давлений. Насос способен обеспечить предельный в а ­
куум до Ю-7 Па при полном отсутствии паров рабочей жидкости
в откачиваем ом объеме. По существу, криогенный насос является
62
Рис. 32. Схема криогенного насоса ВК.-40

единственным откачным средством, которое при своей работе не

вносит загрязнений в откачиваемый объем. Специфической особен­
ностью криогенной откачки является резко в ы р а ж е н н а я зависи­
мость парциального давления газов от температуры. Например,
при увеличении температуры на 1 °С (с —270 до — 269 °С) пар­
циальное давление Н2 увеличивается в 100 раз (с 10~8 до 10~6).
Поэтому, когда температура поверхности криопанели насоса воз­
растает, что происходит вследствие образования сл оя конденсата
паров воды или газа с малой теплопроводностью, созд аваем ы й на­
сосом вакуум снижается.
Н а рис. 32 приведена схема криогенного насоса ВК-40. Сосуд
9 с жидким водородом для изоляции от корпуса 10 окружен э к ­
раном 8, охлаждаемым жидким азотом с помощью хладопровода,
соединенного с сосудом Д ь ю а р а /. В корпусе у стан ов л ен а также
азотная ловушка 2 с медным экраном. Ж идкий водород подается
в сосуд 9 через дроссельный вентиль 11 из о х л ад и т ел я 12.
Создание предварительного разряж ения и о ткачк и не конден­
сирующихся при температуре ж идкого водорода газов осущ ествля­
ется механическим и диффузионным 7 насосами. Д л я предотвра­
щения попадания в камеру сверхвысокого вакуум а паров дифф у­
зионного масла последовательно через переходник 5 установлены
63
водяная л о в у ш к а 6 и азотная ловуш ка 4, соединенные с корпу­
сом 10 насоса вентилем 3.
Н асос ВК.-40 создает предельный вакуум 10~8 Па при расходе
жидкого водорода и азота соответственно 0,4 и 10—20 л /с . С ко­
рость о ткачк и — 40 м3/ с при давлении 10~3— 10~5 Па.
По сравн ен и ю с другими безмасляными средствами откачки
криогенные насосы обладаю т следующими достоинствами:
высокой быстротой действия при сравнительно малых габ ари т­
ных р а з м е р а х и низких энергозатратах на единицу быстроты дей­
ствия;
возм ож ностью помещать криопанель непосредственно в о тк а­
чиваемый объем, что позволяет увеличить эффективность откачки;
широким диапазоном рабочих давлений (102— 10~7 П а) и воз
можностью откачки химически активных и агрессивных газов:
простотой процесса регенерации, не требующей высокотемпера­
турного прогрева.
К н ед о статк ам криогенных насосов следует отнести:
резко вы раж енную селективность при откачке газовых смесей
и сущ ественное изменение предельного вакуума д аж е при значи­
тельном повышении температуры криопанели;
необходимость активировать криопанель сорбентом (А120 3 спе­
циальные сорта углей) или использовать вспомогательные средст­
ва откачки д л я удаления водорода, гелия и неона, парциальное
давление которых определяет в основном предельный вакуум, со­
зд ав аем ы й криогенным насосом.

5. ОТКАЧКА ХИМ ИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ГАЗОВ

Д л я проведения плазмохимических и ионно-химических

процессов необходима откачка химически активных и агрессивных
газов. М ногие из используемых газов токсичны и, кроме того, мо­
гут о б р азо в ы в ать соединения, которые являются токсичными (н а­
пример, СОС1г, фтор, COF2, соединения мышьяка и др.). Р яд г а ­
зов (силан, водород и др.) образую т с воздухом взрывоопасные
соединения. Г алогенсодерж ащ ие газы быстро р азл агаю т исполь­
зуемые в насосах рабочие жидкости и усиливают коррозию конст­
руктивных элементов вакуумных систем (в первую очередь насо­
сов). Ч а ст и насоса, погруженные в масло и покрытые тонкой м ас­
ляной пленкой, наименее подвержены коррозии, в то время как
выпускной п атрубок механического насоса и прилегаю щая к нему
кам ер а с ж а т и я подвергается сильной коррозии. Причем наиболее
агрессивным является водный раствор НС1, который постепенно
н ак а п л и в аетс я в масле. Д л я защ иты насоса от коррозии рекомен­
дуется ум еньш ать поток химически активных газов, р а зб ав л яя их
осушенным азотом, и производить как можно более частую зам е­
ну м асла, особенно после длительного перерыва в работе.
Н аи б о л ее радикальным средством, продлевающим срок сл у ж ­
бы насоса, является замена м асел , изготавливаемых из нефти, син­
тетическими маслами. Синтетические масла достаточно дороги, по-
64
этому в ряде случаев предпочитают работать на м аслах, и зг о т ав ­
ливаемых из нефти, производя их очистку с помощью ад сорб ц и ­
онных фильтров на основе активированного угля, силикагелей и
других веществ.
Применение фильтров эффективно в том случае, если при про­
ведении технологического процесса не образуются тверды е ч асти ­
цы с разм ерам и зерна менее 1 мкм.
Фильтрация частиц с разм ерам и менее 1 мкм чрезвычайно з а ­
труднена, поскольку приходится д ел ат ь сетки с ячейками меиее
0,5 мкм, что резко снижает скорость откачки системы. Н а к а п л и ­
вание мелкодисперсных частиц в м асле приводит к о б разов ан и ю
сгустков этих частиц, которые затр уд н яю т прохождение м а с л а че­
рез фильтры, ухудшая см азы вание трущихся частей.
Наиболее целесообразно использовать газобалластны е двух сту ­
пенчатые насосы золотникового (плунжерного) типа, поскольку
последние обладаю т наиболее высокой производительностью, об ес­
печивают повышенную коррозионную стойкость. Д л я откачки б о л ь ­
ших потоков химически активных газов можно использовать д ву х­
роторные насосы без масляного уплотнения, имеющие за зо р ы м е ж ­
ду роторами и корпусом ~ 0 , 3 мм, через которые проходит м е л ­
кодисперсная пыль.
Перед откачкой кислорода необходимо перебрать насос и пол­
ностью очистить все конструктивные элементы вакуумной систе­
мы, затем залить в него рабочую жидкость, стойкую к д ли те ль н о­
му воздействию кислорода.
Режимы откачки таких газов, как Н2, С Н 4, С 2Н 2, S iH 4,
S iH 2Cl2, долж ны быть организованы таким образом, чтобы в р а б о ­
чем объеме установки не могли образоваться взрывоопасные сме­
си. При этом должна быть обеспечена полная герметичность с и ­
стем напуска газов, вентилей, затворов, ловушек, фильтров, что­
бы не допустить утечки газов. П ри разборке реакторов, кон струк­
тивных элементов вакуумных систем и замене рабочих ж идкостей
должны соблюдаться необходимые меры предосторожности по з а ­
щите обслуживающего персонала от воздействия химически а к ти в ­
ных газов.
Д л я откачки активных газов возможно использование двух н а ­
сосов, например, титанового сублимационного насоса, имеющего
значительную производительность, а так ж е магнитно-электрораз-
рядного, поглощающего инертные газы и углеводороды. С оотнош е­
ние быстроты откачки этих насосов выбирают равным 1 : 10. Т а ­
кая система обеспечивает за сравн и тельно короткое в рем я вакуум
в больших объемах до Ю-6 П а без применения вы со котем перату р­
ного прогрева. Известны и другие комбинации насосов, такие, как
диффузионный и криогенный, геттерно-ионный и турб ом олекуляр-
ный.
6. МЕТОДИКА П РО ЕК ТИ РО В А Н И Я ВАКУУМНОЙ СИСТЕМ Ы
В акуумная система со д ер ж и т активные элементы — н а ­
сосы высокого, сверхвысокого и предварительного в ак у у м а, о т к а ­
5 Зак. 824 65
чиваю щ ие газ из объема, а т а к ж е пассивные элементы — вакуум-
проводы, краны, вентили, ловуш ки и т. п., оказываю щ ие сопротив­
ление перетеканию откачиваем ого газа.
Р асч ет вакуумной системы производят в следующей последова­
тельности:
1. Оценивают суммарный поток газа Q, который выделяется
в откачиваемом объеме в единицу времени:

Q = Q r + <?д + <?шч.

П олный поток газа за счет газовыделения материала (графит,

молибден, вольфрам)
л QP = 1 . 0 1 1 0 V / / ,
где </г — газовыделеиие, м '/ к г ; I — масса изделий, кг; I — вре­
мя ц икла, с.
П ри этом полагают, что газовыделеиие происходит равномерно
в течение всего процесса.
Д есорб ц ия газа происходит с поверхности всех металлических
элементов установки — стенки камеры, экранов, технологической
оснастки, уплотнений:
Qz = 1,01 • I W q j F ,

где q ,| — удельное газоотделение поверхности, м 3/ ( м 2-с); F —

п л о щ ад ь поверхности, м 2.
Н атекани е газов из атм осферы в рабочую камеру ( Q Ha T ) зави ­
сит от качества изготовления оборудования и мож ет быть найде­
но только экспериментально или принято в разм ере максимально
допустимого значения в зависимости от требований технологиче­
ского процесса ( 5 1 0 ~ 4— 5 - 1 0 -5 м 3 Н / ( с - м 2).
2. Рассчитываю т необходимую скорость откачки рабочей каме­
ры по уравнению

Sp = , .0, , 0 ‘ ( ^ r + ^ ) + А - + А .

С корость откачки рабочей камеры связана с быстротой действия

насоса уравнением
1/Sp = 1/5н -f 1/U.
3. Если диаметр, длина и конфигурация высоковакуумной ли­
нии зад ан ы , то выполняю т расчет пропускной способности вакуум-
провода, а затем по основному уравнению вакуумной техники оп­
р ед ел я ю т 5 Н.
Х арактер движения газа устанавливают по произведению сред­
него давлен ия р [ Н / м 2] на данном участке вакуумпровода и д и а­
м етр а вакуумнровода d [м ]. Д л я молекулярного режима p d ^ i
^ ; 4 - 1 0 ~ 3 [ Н м / м 2]. Р асчеты пропускной способности элементов
в акуум провод а в молекулярном режиме проводят по уравнениям:
66
 а) пропускная способность прямого участка круглого вакуум-
провода длиной /
U M = l2ld»/l;
б) пропускная способность круглого вакуумпровода длиной I
с п числом поворотов на 90°
и и = \2\сР1(1 + п \ , Ш ) \ .
в) пропускная способность диафрагмы (или перехода от более
широкого сечения F к более узкому F о)
, UA = 1 16F0/(1 — FJF).
Д л я диафрагмы круглого сечения при F > F 0
Ua = 9 l d l
игл расчете сУммарной пропускной способности последователь
шение^ ЭЛеМе" ™ M W " l > o * w . использую т соот„„.

i/L/0 = 1ДЛ + i/ u 2 -f \/ua -f- . . . -j- i/ u n.

Д л я вязкостного режима p d ^ 1,7 [ Н м / м 21. В вязкостном пг

Ttomv ™ Ппротивлемия диафрагм и изгиба трубопровода малы So-
этому в расчетах учитывают только пропускную способность ли
неиных участков вакуумпроводов У спосооность ли-

= 1,35- l(fld*p/l.
оеж иГ имеет место молекулярно-вязкостный
п о * р ав н е н и ю пРопУскная способность может быть рассчитана

^М.В = V » + U b.

коваГу“ :„УГ ? аитИв% В „С0." “ “ ТлР4 ш Г ЯТ ■«*

" аС0«Ш ю р о ж е пРостых низковакуумных комму.
MV й Обычно из труб диаметром 20—200 мм поэто­
му в низковакуумных коммуникациях не следует допускать сни
Г о Т , ЫСМ ТГ Ы ° ткачки механического насоса более чем на 5­
/о ( i H механических насосов выбирается 1 05__1 1 S )
4. По формуле ’
S n = S j(l-S jU )
определяют
с п необходимую основным насосом
, -J быстроту откачки испиьн
«о. В зависимости от тРебований,
требований, предъявляемых к установке,
устанпнке

(ил°; агрегата) 3 Раб° ,М L в Г Г с о с 'а

5• 67
 6. К онкретную марку насоса определяют по рассчитанной бы­
строте откачки S„ так, чтобы быстрота откачки выбранного насо­
са бы ла равна или превы ш ала расчетную быстроту откачки.
П осле выбора насоса следует скорректировать размеры ваку-
умпроводов с учетрм разм еров впускного патрубка насоса. Обычно
разм ер вакуумпровода выбираю т равным диаметру впускного п а­
трубка насоса. Поэтому, если первоначально выбранный диаметр
трубопровода оказался меньше диаметра впускного патрубка ти ­
пового насоса с быстротой откачки, большей или равной расчет­
ной, след ует диаметр трубопровода увеличить. При этом соответ­
ственно применяют и больших размеров арматуру. Д ал ее вновь
рассчиты ваю т проводимости присоединительной коммуникации и
оп ределяю т необходимую величину S„, а затем снова выбирают
насос у ж е с несколько меньшей быстротой откачки. После этого
опять корректируют разм еры присоединительной коммуникации
и т. д.
Путем таких прикидочных расчетов выбирают размеры при­
соединительной арматуры и основного насоса, обеспечивающие
зад ан н ую быстроту откачки системы S 3. Обычно конструируют
систему на значение 5», больше расчетного на 20—30 %.
7. О пределяю т быстроту откачки вспомогательного насоса по
ф ормуле
^всп •S*' ФРнв>
где G — макси м альн ая производительность высоковакуумного на- >
coca, р а в н а я произведению его быстроты откачки на максималь­
ную величину впускного д авления; р нв — наибольшее выпускное
д авление высоковакуумного насоса.
Д а л е е , учитывая проводимость выбранных коммуникаций м е ж ­
ду основным и вспомогательным насосами, окончательно рассчи­
ты ваю т быстроту откачки вспомогательного насоса и определяют
тип насоса. Размеры трубопроводов, соединяющих насосы, выби­
раю т в зависимости от минимально возможного расстояния м е ж ­
ду ними и от диаметра всасывающего патрубка насоса предвари­
тельного разряж ен и я.

7. П РИ М ЕР РАСЧЕТА ВАКУУМНОЙ СИСТЕМЫ

Рассчитать вакуумную систему, выбрать диаметры вы­

соко- и низковакуумной линии вакуумпровода и диффузионный и
механический насосы. Д а в л е н и е в рабочей камере (Яр) не более
2 -1 0-3 Н / м 5; длина высоковакуумной линии / j = 0 , 5 м, низкова­
куумной / г = 1 м.
Р а б о ч а я камера диаметром £>=0,5 м и высотой # = 0 , 7 5 м вы­
полнена из коррозионно-стойкой стали.
Технологическое газоотделение QT составляет 2• 10~5 м 3Н / ( с Х
Х м 3), натекание — 5• 10—5 м 3Н / ( с м2).
1. Внутренняя поверхность рабочей камеры
F = n D H = 3,14 0,5 0 , 7 5 = 1,18 м*.
68
 2. Газоотделение от внутренней поверхности рабочей камеры
при удельном газоотделении q n= 1 6,6-Ю "10 м 3/ м 2
<?т = 1,01- W q aF = 1,01 10s- 16,6-Ю - 10 1 , 1 8 = 1 ,9 8 -1 0 -1 м3 Н / ( с м 2).
3. Общий газовый поток
Q = 1 ,98-10-4 + 2- 10~s + 5 - 1 0 “ * = 2 ,6 8 - 10-4 м» Н/(с м2).
4. Скорость откачки рабочей камеры
с Q 2,68-10-‘ Л 1 „„ ,,
о = — = — — — -— = 0 , 1 3 4 м3/с.
Рр 2-10“ » '
5. Скорость откачки диффузионного насоса
S P < S „ < (2,5 ч- 1,7) S p = 0,3 м3/с.
Выбираем насос Н-5С со следующими характеристиками:
Средняя быстрота действия, м3/ с ..................................................................... 0 ,5
Предельный вакуум, Н /м * .................................................................................... 4 -1 0 ~ 4
Максимальное выпускное давление, Н /м * ....................................................... 10
Мощность электронагревателя, к В т ................................................................ 1 ,0
Количество масла, заливаемого в насос, л ................................................... 0*5
Диаметр патрубка, мм:
в п у с к н о го ........................................................................• ............................. 160
выпускного........................................................................................................ 30

6. Выбираем диаметр высоковакуумной линии по диаметру

впускного патрубка насоса di = 0,16 м, тогда
Pd = = 2-1° ~ 1 0,16 = 0,16 10~3 < 4 - 10~* .
2 2 ма

Следовательно, режим течения газа молекулярный.

7. Пропускная способность д и аф рагм ы на выходе газа из р а ­
бочей камеры в вакуумпровод
U n = 91d| = 91 0,16* = 2,33 м*/с.
8. Пропускная способность вакуум провода длиной 1\ в м о л е к у ­
лярном режиме

U u = 1 21 ----- ^ -------= 121----------------------------- = 0,535 м3/с.

/, + л!,334, 0,6 + 2 1,33 0,16
9. Общ ая пропускная способность высоковакуумной линии
U = -М л - = 2.33-0.535 = 0,435 м*/с.
иА + и н 2,33 + 0,535 ’ 1
10. Д ействительная скорость откачки рабочей камеры
о USH 0,435-0,5 п ппл
Ор = ------ 2— = ----- --------- ---- 0,233 м3/с:
Р У + 5Н 0,435 + 0,5 * ' ’
5р = 0,233 > 5 р = 0,132;
5р = 0,233 > 0 ,45 н = 0,2.
69
 Следовательно, вы бранны й диффузионный насос удовлетворяет
всем требованиям.
11. Давление в рабочей камере
р '= -Я - = 2.68- 10~* _ 1 1 5 - Ю 3 Н/м2 < 2 - 10_3 Н/м5.
р s' 0,233

12. Перепад д авлений в высоковакуумной линии

АР = -^- = 2>6810~— = 0,61 6-10~3 Н/м».
U 0,435

13. Д авление на входе диффузионного насоса

P H = Pp — A P = 1,15 - 10~3 — 0,616-10“ 3 = 0 ,5 3 4 -10“ 3 Н/м2.
14. Проверка р еж и м а течения газа в высоковакуумной линии:

p'd,= P p + - - d1 = 1. | 5 -.10~ 3 Ь°-534 |0~ 3 .0,16 = 0 ,1 35-lO"3.

1 2 2
Режим течения га за — молекулярный.
15. Минимальная скорость откачки механического насоса

5 т1„ = 1 , 5 - ^ - = 1,5 2,68 *0 < = 4 ,0 2 - 10~5 м3/с.

• пр

Выбираем механический насос ВН-494 со следующими х а р а к ­

теристиками:
Быстрота действия в интервале давлений 1-10®— 1 1 0 1 Н /м2, м3/с . . 2,1 -1 0 4
Быстрота действия при давлении 1 Н/мг , м3/ с .......................................... 5• 10 5
Предельный вакуум, Н /ма .................................................................................... 0,1
Мощность электродвигателя, к В т .................................................................. 0 ,6

16. Выбираем диам етр низковакуумной линии 30 мм (по д иа­

метру впускного патру б ка молекулярного насоса), тогда
P d z = РЧпр^>
ш* _ 10 -0,03 = 0 , 1 5 м-Н/м2;
= -IH-
2 2
4 ■10~3 < 0,15 < 1,7.
Следовательно, р еж им течения газа — молекулярно-вязкост­
ный.
17. Пропускная способность низковакуумной линии в молеку­
лярном режиме

f / M= 121------- й --------- = 121------- 2 ^ ------ = 3 ,1 4 1 0 -3 м3/с.

lt + n - l , 3 3 d t 1+1,33-0,03

18. Пропускная способность низковакуумной линии в вязкост­

ном режиме

U , = 1,35 • 103 — Р = 1 ,35-103 • 5 = 5 ,4 6 • Ю "3 м3/с.

/, 1
70
 19. Пропускная способность низковакуумной линии в молеку­
лярно-вязкостном режиме '
^м.в = ^м + ^ . = 3,14 10“ * -f 5 ,4 6 -10~* = 8,6- 1СГ* м3/с.
20. Скорость откачки на выходном патру б ке диффузионного
насоса при давлении на входном патрубке механического насоса
Р н= 1 Н / м 2
s = = 8,6-10 а- 5 - 1 0 ^ в 4 97 10- 4 мэ/с
^ м .в + 5 „ 8,6,10-» + 5-10"5
•^m In > 0 ,9 S H.
21. Д авление на выпускном патрубке диффузионного насоса

Ршп = = 2,68 10 4 = 5,4 Н/м*< 10 Н/м2.

S mln 4 ,9 7 -1 0 - * ’

22. Проверка режима течения газа в низковакуумной линии:

Pd = Р“ -| Р,ы" и = * + 5,4 0,03 = 0,09 м3/с.

2 2

Режим течения газа — молекулярно-вязкостный.

23. Объем рабочей камеры
V= — Я = 0,78 0,52-0,75 = 0,147 м3.
4

24 Ориентировочное время откачки рабочей камеры до

100 Н / м 2
t =8 — = 8— — = 5600 с = 93 мин.
S„ 0,21 -10 3
25. Так как время откачки велико, зам еняем насос ВН-494 на­
сосом РВН-20 со следующими характеристиками:
Быстрота действия при давлении 1,01-10 ь Н/мг, м3/ с ...........................2 ,7 -1 0 —®
Быстрота действия при давлении 130 Н/м2, м3/ с ........................................ 2 ,4 -1 0 “ 1
Быстрота действия при давлении 1 Н/м'2, м3/ с ............................................ 0 , 5 - 10- 5
Предельный вакуум, Н/м2 .................................................................................. 0,1
Мощность электродвигателя, к В т ...................................................................... 0 ,8

В этом случае ориентировочное время откачки

J О V 0 ,1 4 7 ЛОС п о
1 = 8 -----= — :-------- = 436 с = 7,3 мин.
S,, 2,7 Ю- 5

26. Скорость откачки на выходном п атрубке диффузионного

насоса при давлении на входном патрубке механического насоса
1 Н /м 2
- = 8 .б -ю -»-5-10-^ _ 4 72 ю - 4 мз/с
8 ,6 - 1 0 - » + 5 - 10-*
S'min > 0 ,9 5 н.

71
Насос Р В Н -2 0 обеспечивает нормальную работу диффузионного
насоса.
27. Д а в л е н и е на выпускном патрубке диффузионного насоса
п' Q 2,68-ю-* п ,
вып “ s’ “ 4 .7 2 - 1 0 - * ~ 0 , 5 6 Н ;М •
mln

28. П р о в е р к а режима течения газа в низковакуумной линии:

Pd2 = — t Раып dt = — f- 0,56 0,03 = 0,023 Н/м2.

2 2

Режим течения га за — молекулярно-вязкостный.

29. В рем я откачки механическим насосом до давления
М О 2 Н / м 2 при быстроте действия 2 ,4 - 10~3 м3/ с

/ 1== ------------ I ------------ l n - ^ ± L =

о Q . ^П+1 Рп
5 н " ^ 1п^ Г

0,147 In-!—^ - = > 4 2 0 с = 7 мин.

„ . , 2 ,6 8 1 0 - * , 1.10» МО»
2 ,4 -10—3 -------- — ------------ In
5-10—* 110»

30. В ремя откачки механическим насосом до давления 1 Н / м 2

(принимаем быстроту действия насоса в интервале давлений 100—
1 Н / м 2 постоянной и равной 0 , 5 - 10-3 м 3/с )

= ------------ -------------In - ^ ± L =
„ Q . Р п +I Рп
5н“ Т , п—
0,147 In— = 1354 с •= 23 мин.
„ е Л . 2 ,6 8 -10~* , 100
0 ,5 -1 0 3 — ------------------ I n -------
50 1

31. О бщ ее время откачки системы от атмосферного давления

до 1 Н / м 2 составляет 30 мин.

72
ГЛАВА 4
ГАЗОВЫЕ СИСТЕМЫ О Б О Р У Д О В А Н И Я
ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРОИЗВОДСТВА

1. К Л А С С И Ф И К А Ц И Я Г А З О В Ы Х С И С Т Е М
И ТРЕБО ВА Н И Я К НИМ

Газовая система установки полупроводникового произ­

водства выполняет следующие функции: очистку, смешение, р ас­
пределение, транспортирование, измерение и регулирование п а р а ­
метров газов и парогазовой смеси, а т а к ж е утилизацию и нейтра­
лизацию выводимых из реактора продуктов реакц ии . Д л я осущест­
вления перечисленных функций газовые системы должны иметь
соответствующее оборудование (табл. 7).

Т а б л и ц а 7. Оборудование газовых си ст ем полупроводникового производства

А ппаратура газовых систем и ее назначение

Распределение Автоматизация Утилизация

Приготовление и р егу л и р о в а­ Изменение га зо р а с п р е д е ­ и нейтрали­
О чистка газов парогазовой ние параметров парам етров ления и уп рав­ зация в т о ­
смеси (ПГС) газо в газов л е н и я п арам ет­ ричных
рами газовJ газов
*

Ф ильтры м ех а­ Д озаторы бар- Регуляторы Манометры м е ­ П рограмматор Реген ера­

нические и ботажные. Д о ­ давления. С та­ ханические и ры ком ан дно­ торы.
эл ектр о стати ­ заторы п о вер х ­ билизаторы ж идкостны е. временные. Гидрозат­
чески е. Ф ильт­ ностного и сп а ­ давления. С та­ Ротам етры . П р о гр ам м ато ­ воры и
ры сорбцион­ рения. Д о з а ­ билизаторы Счетчики рас­ ры р асх о д о в свечи.
ные. У станов­ торы ди ф ф у ­ р асх о д о в. З а ­ хода. Р а с х о ­ концентраций, С крубберы
ки д л я сорб­ зионные. Д о ­ порные краны домеры кило- тем ператур.
ционной о с у ш ­ заторы кап ел ь­ и вентили. Р е ­ риметрнческне П р е о б р азо ва ­
ки . Установки ные. Смесите­ гулирую щ ие и анемометри- те л и : р а с х о ­
д л я д и ф ф узи ­ ли. У стройст­ вентили. На- ческие. И зм е­ д о в , давлений,
онной очистки ва ввода ПГС текатели. рители к о щ е н - концентраций,
н осуш ки Э л ектр о м аг­ траций. Г а зо ­ тем п ер ату р ,
нитные кл ап а­ анализаторы м ощ ностей
ны

Газовые системы можно классифицировать по следующим о с­

новным признакам:
по технологическому назначению: для эпитаксиальны х, окисли­
тельных, диффузионных и других процессов;
по агрегатному состоянию реагентов: с твердым и, жидкими или
газообразными реагентами;
по степени автоматизации: с ручным управлением; с автомати­
зированным управлением, в том числе п рограммны м;
по конструктивному исполнению: в виде отдельных, функцио­
нально законченных блоков; в виде конструктивных модулей,
встроенных в оборудование.
73
 Газовые системы должны отвечать следующим технологическим
требованиям:
1. Газовы е системы должны быть герметичными. Конструкция
и монтаж д о л ж н ы исключать проникновение в систему воздуха и
влаги из о кр у ж а ю щ е й среды, а из системы в окружающую среду —
реакционных газов, в особенности токсичных и взрывоопасных.
2. М ат е р и а л ы газовых систем не долж ны вносить загрязнений
и примесей в вещества, используемые в процессах, и вступать с
ними в реакцию.
3. Конструкции систем должны обеспечивать всесторонний д о ­
ступ к ап п ар атуре, трубопроводам и разъемам для периодическо­
го осмотра, испытаний на плотность, регулярного демонтаж а для
очистки.
4. Конструкции систем не должны содержать непродуваемых
участков и застойны х зон, в которых могли бы скапливаться р еа­
генты и отходы реакций, вносящие неконтролируемые примеси в
парогазовую смесь.
5. В ы сокая точность измерения и регулирования расходов
газа.
6. М и ни м альн ы е гидравлические сопротивления при достаточ­
ных пропускных способностях отдельных участков газовой си­
стемы.
7. Б езоп асн ы е условия эксплуатации при нормальной работе
и защиту в авари й ны х режимах.
На стадии разработки принципиальной схемы газовой систе­
мы необходимо выбрать и рассчитать аппаратуру системы, соеди­
няющую трубопроводы, а так ж е определить последовательность
работы всей ап п аратуры в основных и вспомогательных техноло­
гических и авари й ны х режимах. Состав аппаратуры в кан алах оп­
ределяется их назначением, однако обычно каналы содерж ат з а ­
порные устройства, регуляторы давлений, фильтры и измеритель­
ную аппаратуру.

2. А П П А Р А Т У Р А И Э Л Е М Е Н Т Ы Г А З О В Ы Х СИСТЕМ

А п п а р а т у р а для приготовления парогазовой смеси. Р а з ­

работку газовы х схем рекомендуется начать с определения источ­
ников подачи газообразны х компонентов в парогазовую смесь.
Д л я жидких соединений источниками сл уж ат термостатированные
дозаторы или увлажнители. Расходы жидких соединений могут
колебаться в широких пределах в соответствии со скоростью о с а ж ­
дения слоев, которая изменяется от 0,1-10—3 до 20-10—3 м км /с.
В эпитаксиальны х процессах расходы основного реагента со­
ставляют (15— 30) • 10~6 кг/с, а при проведении процессов д иф ф у ­
зии (0,03— 0,3) • 10—6 кг/с. Отклонения точности дозирования в
±5% со с та в л я ю т для эпитаксиальных процессов ± ( 0 , 7 5 —
1,5) • 10~6 к г /с , д ля диффузионных ± ( 0 ,0 0 1 5 —0,015)-10~6 кг/с.
Практически невозможно создать такую универсальную конструк-
74
Рис. 33. Схема дозатора барбо-
тажного типа:
/ — сосуд; 2 — р асп р едели тел ь; 3—
прорези

цию дозирующего устрой­

ства, которая удовлетворя­
ла бы требованиям всех
технологических процессов.
В настоящее время су­
ществует большое число ти­
пов испарителей и дозато­
ров, различающихся принци­
пами работы, производи­
тельностью, точностью до­
зирования, конструктивным
исполнением.
В современных промышленных у стан о в ках для н а р а щ и в а н и я
эпитаксиальных слоев кремния нашли применение дозаторы б ар -
ботажного типа (барботеры). Эти д о затор ы просты по к о н с т р у к ­
ции, производительны и надежны в работе. Схема д озатора б а р -
ботажного типа показана на рис. 33.
Газ-носитель, подаваемый со скоростью V r, проходя через
слой жидкости толщиной Н , создает слож н ую газожидкостную с и ­
стему толщиной Н, состоящую из пузырьков или струй г а з а и
циркулирующих токов жидкости. В свободном пространстве б а р -
ботера высотой h образуется п аро газов ая смесь, которая в ы хо д и т
из барботера со скоростью V„rc-
Концентрация пара на выходе из б ар ботера зависит от многих
факторов: уровня реагента, скорости потока газа-носителя, д и а ­
метра пузырьков газа, объема д озатора, объема парового п р о с т ­
ранства и т. д.
Стабилизация концентрации отдельных компонентов п а р о г а з о ­
вой смеси (П ГС ) может быть достигнута за счет охлаждения П Г С ,
выходящей из барботера. При достаточном охлаждении н аст у п а е т
конденсация паров реагентов; в этом случае концентрация к о м п о ­
нентов определяется температурой конденсации и может б ы ть
найдена по зависимости давления насыщенного пара каждого к о м ­
понента от температуры насыщения. Такой способ ста б и л и зац и и
устраняет зависимость концентраций от уровня реагента и р а с х о ­
да газа-носителя в широких диапазонах их изменения. П р и м е н е ­
ние барботажного испарителя позволяет сохранить п остоянство
испаряемого вещества. Так, например, в испарителе д и ам етр ом
100 мм при температуре 15°С полное насыщение водорода п а р а ­
ми SiCl 4 при газовых потоках менее 100 л / ч достигается при
барботаже водорода через слой более 50 мм. Из этих же с о о б р а ­
жений выбирают размеры камеры испарителя с отношением в ы с о ­
ты к диаметру ~ 10.
В стационарном режиме работы количество паров SiС 1 , у н о ­
симых газовым потоком из испарителя при условии полного н а с ы ­
75
щения и без учета уноса капель в виде тумана, может быть опре­
делено по формуле

Я $ 1С|. = Psici4V W O ,z — P s ia ) ,
где Кн, — поток г а з а через испаритель; p sici, — равновесное
давление паров SiCU при температуре испарителя; рх — общее
д авление в системе.
При испарении многокомпонентных смесей применяют подпит­
ку испарителя. Н е д ос таток барботажного испарителя — наличие
тум ан а над поверхностью испарения, что мож ет привести к не­
контролируемому п опадани ю жидкости в магистрали. При испаре­
нии жидкости с поверхности этот недостаток может быть устра­
нен.
Принцип работы дозаторов с зеркалом испарения основан на
испарении д и ф ф у зан та с поверхности в поток газоносителя, д ви ­
ж ущ егося вдоль этой поверхности. Схемы дозаторов с зеркалом
испарения показаны на рис. 34. В зависимости от скорости газа
и устройства д о затор а перенос массы испаряемого вещества в по­
ток газа может иметь конвективно-диффузионный (рис. 34, а и б)
и чисто диффузионный механизмы (рис. 34, в). Д л я дозаторов с
конвективно-диффузионным характером переноса величина дозы
испаряемого реагента зави си т от формы и размеров поверхности
испарения, расхода и характера движения газоносителя уровня
дифф узанта, его физических свойств и др. Т а к а я многофакторная
зависимость о гр ан и чи в ает применение этих простых по конструк­
ции и в эксплуатации дозаторов, например, в автоматизированных
системах управления диффузионными процессами.
В дозаторе на рис. 34, в питание зерк ал а испарения осущест­
вляется принудительно по тонкой трубке или пористому сторжню
за счет капиллярны х сил. Нагреватель позволяет регулировать
парциальное д ав л ен и е испаряемого дифф узанта в ПГС. Недостат­
ком метода испарения с поверхности является зависимость коэф-

а) »)
Рис. 34. Схема дозаторов с зеркалом испарения:
а — с коллектором р а с п р е д е л е н и я газо н о сител я; б — с н ап равл яю щ и м зонтом; в — с к а п и л ­
лярно-пористой тр у б ко й ; Vr — ско р о сть газоносителя; Vr + V„ — скорость парогазовой
снеси;
/ — отверстие дл я зал и в к и д и ф ф у з а н т а ; 2 — сосуд: 3 — т р у б к а ввода газон осителя; 4 —
т р у б к а вы вода ПГС; 5 — коллектор; С — зоят; 7 — н агреватель; 8 — кап и л л я р н ая трубка или
пористы й стержень; 9 — смеситель

76
фициента массопередачи от скорости потока г а за . Изменение т е м ­
пературы газа-носителя на ± 1 % приводит к погрешности 0 , 3 % .
Отклонение расхода газа-носителя на ± 5 % д а е т ошибку ± 1 , 5 —
3 % в зависимости от конструкции д о затор а. И з описанного с л е ­
дует, что погрешность дозирования в наи больш ей степени за в и с и т
от изменения температуры диффузанта. И м е н н о этот п а р а м е тр
должен быть выбран как управляемый при создании д озаторов
для автоматической системы управления р аб оч ей концентрацией
ПГС.
Испарители дозирующего типа основаны на периодическом о т ­
боре и испарении определенного количества жидкости. В ведение
дозирующего вещества в струю г а за -р азб ав и тел я, например, с п о ­
мощью микрошприца, позволяет получать п ар огазовы е смеси в
широком диапазоне концентраций. К преим ущ ествам подобных
дозирующих систем относятся их сравн и тел ь н ая универсальность,
широкий диапазон концентраций разн ообразн ы х веществ, м а л а я
зависимость от внешних условий; значительным недостатком я в ­
ляется прерывистость действия.
Большинство процессов окисления осущ ествляется в потоках
водяного пара или увлажненных газов (а р го н а , кислорода). Н а и ­
более стабильного увлажнения можно достигнуть в увлаж нителе,
показанном на рис. 35. Нагреватель 7 п р е д с т а в л я е т собой нихро-
мовую спираль, помещенную в кварцевую труб ку, и погружен н е­
посредственно в воду. Датчиком температуры является термометр
сопротивления 4. Чехлом термометра сл у ж и т тонкостенная нике-

I г

Рис. 35. Схема увлажнителя: Рис. 36. С хемы смесителей:

С0Суд. 2 — уплотнение; 3 — кры ш ка; а — с с о п л а м и ввода примесей; 6 — с ка-
4 — термометр сопротивления; 5 — вы вод мерой ввода примесей; Vr — с корость
парогазовой смеси; б — р асп редели тель; га за -р а з б а в н т е л я , Ут г — скорость подам и
7 — нагреватель; 8 — уп лотнение т ех н о л о ги ч ески х газов; Уцгс — ск о р о с ть
п ар о газовой см еси .

77
л ев ая трубка, на внешнюю поверхность которой нанесен напы ле­
нием тонкий сплошной слой фторопласта. Точность регулировки
температуры ± 3 ° С , что соответствует поддержанию давления п а ­
ров воды в п р ед ел ах ± 6 6 5 Па.
Смесители. Д л я смешения и гомогенизации парогазовой смеси
широкое распространение получили струйные смесители. Схемы
смесителей п о к а за н ы на рис. 36, а, б. Смешение компонентов н а ­
чинается в узких соплах 1 и заканчивается в камерах 2 смесите­
ля. Д л я быстрого и тщательного перемешивания скорость Vr г а ­
за-разб ав и те л я устанавливается в 2—3 р аза выше скорости техно­
логических газов. Д л я смешения потоков, имеющих малую кине­
тическую энергию , рекомендуется смеситель, схема которого изо­
браж ена на рис. 36, б. Д иаметр отверстий d ols для струи и техно­
логического г а з а выбирают из условий n d 2OTB^ D 2, где п — число
отверстий для выхода технологического газа; D — диаметр к а м е­
ры смешения, м.
Длину зоны смешения h выбирают из соотношения
h/(Dl2) > 0,3.
В некоторых технологических установках роль смесителя может
выполнять часть реактора. Это определяется устройством ввода
парогазовой смеси в реактор и конструкцией реактора.
З а п о р н о - р е г у л и р у ю щ а я а п па р а ту р а ( а р м а т у р а ) . Запорную а р ­
матуру у ста н а в л и в аю т на входе каждого канала, а также на тру­
бопроводах с часто отсоединяемой аппаратурой, например д о з а ­
торами. В качестве входной запорной арм атуры лучше использо­
вать краны с ручным управлением, имеющие большую надежность
и минимальное врем я закрытия, что важ но для работы со взры во­
опасными и в редны м и веществами.
В автоматизированны х системах для управления газовыми по­
токами прим ен яю т запорные клапаны с электрическими или пнев­
матическими приводами, которые устанавливаю т на концах линий
перед их входом в смеситель.
Регулирую щ ую арматуру — вентили, натекатели у станавлива­
ют, как правило, после регуляторов давления. Д л я регулирования
можно и сп ользовать и встроенную арматуру, например н атекате­
ли в ротам етрах. Если применены устройства автоматического ре­
гулирования расх о д а газов, то с целью повышения качества регу­
лирования их исполнительные органы встраиваю т непосредственно
перед д атч и к ам и расхода.
В газовых систем ах применяют разнообразные клапаны, вен­
тили, дроссели, используемые для распределения газов по к а н а ­
лам. Эту а п п а р а т у р у в зависимости от газовых сред, в которых
она применяется, подразделяю т на две группы:
1) а п п а р а т у р а , устанавливаем ая на трубопроводах технических
и продувочных газов: обеспыленного воздуха, азота, аргона, водо­
рода. Это обычно стандартная аппаратура из коррозионно-стойкой
стали с уплотняю щ и м и элементами из кислотостойких резин, фто­
ропласта и др.;
78
Рис. 37. Типовые конструкции клапанов:
а — с пневматическим управлением; б — с ручным управлением; в — с электром агни тны м
уп равлением ;
/ — р у ко ятка; 2 — шток; 3 — сильф он; 4 — сед ло ; 5 — корпус; 6 — п р у ж и н а ; 7 — м ем брана

2) аппаратура, удовлетворяю щ ая особым тр еб о в ан и я м по гер­

метичности и чистоте, у станавли ваем ая в линиях реакц ион н ы х г а ­
зов и чистого водорода, а т а к ж е в линиях ПГС, с о д е р ж а щ и х пары
жидких диффузантов.
Все металлические элементы этих конструкций выполнены из
коррозионно-стойких сталей, а в аппаратуре, п р о во д ящ ей ПГС, —
из фторопласта. В качестве м атери ал а для уп лотни телей чаще
всего используют резину м а р к и ИРП-1225 в виде м ем бр ан ы или
седел. Конструкции выполнены с учетом необходимости продувки
внутренних объемов, минимальных контактных поверхностей с
ПГС, простоты очистки и сборки.
Типовые конструкции клапанов показаны на рис. 37.
Качественное проведение п р о­
цессов требует стабилизации п а ­
раметров. Регулятор давления
(рис. 38) обеспечивает п о д д ер ж а­
ние заданного давления в к а н а л е
или на входе в регулятор р а с х о ­
да за счет дросселирования по­
тока газа. Чувствительный э л е ­
мент регулятора давления — м е м ­
брана, воспринимающая усилия,
развиваемые задатчиком и д а в ­
лением газа. При изменении д а в ­
ления мембрана деформируется и
перемещает дроссельный регул и ­
рующий орган, который изменя-

Рис. 38. Схема регулятора давления

79
ет поток г а з а в камеру р егулятора. Давление газа за регулятором
у с т а н а в л и в а ю т с помощью винта 4, воздействующего на пружину
5. Усилие п р у ж л н ы уравновешивается давлением газа на м ем бра­
ну 3 в п олости 2. При изменении давления газа в сети клапан 6,
св язан н ы й с мембраной, перемещается, при этом изменяется про­
ходное сечени е отверстий 1 до наступления нового положения р ав ­
новесия. Э т о т регулятор р а б о т а е т при давлении газа на входе
0,15— 0,4 М П а и обеспечивает на выходе давление до 0,4 М П а с
точностью 5 %• Корпус и д етал и регулятора выполнены из корро­
зионно-стойкой стали, а м ем брана — из резины ИРП-1225.
Р е г у л я т о р ы расхода предназначены для поддержания постоян­
ного во врем ен и объемного или массового расхода газов. Необхо­
димость стаби ли зац ии расходов связан а с возможными изменения­
ми ги др авл и чески х сопротивлений каналов газовой системы
(перегибы трубопроводов, перекрытие запорных органов, неплот­
ность в р а з ъ е м а х и др.).
П ри установивш емся равномерном движении объемный расход
газа Q, проходящ его через сечение S (м2), определяют по ф ор­
муле
Q = ц 5 ( о ср,
где Шер — фактическая средняя скорость в этом сечении, м /с; р, —
к оэф ф и ц и ен т расхода, о тр аж аю щ и й неравномерность скорости по
сечению п отока.
П ри м а л ы х перепадах д ав л ен и я средняя скорость газа
© с р = V (2 g /p ) A p ,
где Др — п ер еп ад давлений на исполнительном органе регулиру­
ющего устрой ства, М Па; р — плотность газа, к г / м 3.
Н е п р е р ы в н о е регулирование расхода газа обычно достигается
(при прочих равных условиях) изменением проходного сечения ис­
полнительного органа или переп ад а давления на нем. В системах
р егу л и р о ва н и я и стабилизации расходов газов применяют тепло­
вые расх одом еры , принцип действия которых основан на измере­
нии теп л о в ой мощности, рассеиваемой нагретым телом и зав и ся­
щей о т скорости или массового расхода газа, в потоке которого
находится это тело.
Н а рис. 39 показана конструкция регулятора расхода газа и
схема его включения. Основная часть расхода газа проходит че­
рез тр у б к у 5, в которой установлена диафрагма 6 с кали б рован ­
ным отверстием . Часть газа проходит через тонкостенную никеле­
вую т р у б к у 1, на которую намотаны обмотки 2 и 3 из медного
провода, подключенные к источнику стабилизированного постоян­
ного н а п р я ж е н и я 24 В. Под действием потока газа обмотка 2
о х л а ж д а е т с я , а температура обмотки 3 понижается в меньшей сте­
пени. О б м о тки ведут себя как термосопротивления, что вызы вает
в изм ери тельной диагонали моста сигнал разбаланса, величина
которого пропорциональна расходу газа. Д л я снижения теплового
в оздействия среды корпус 4 выполнен из материала с высокой
80
 1 2 J 4

удельной теплоемкостью. С игнал разбаланса усиливается

(рис. 39, б) и подается на стрелочный индикатор 8 р а с х о д а г а з а
и на задатчик 9 величины расхода газа.
Разность между заданным (Узад) и фактическим ( V ) з н а ч е ­
ниями усиливается усилителями 7, 10 и подается на э л е к т р о д в и ­
гатель И , который изменяет проходное сечение вентиля 12 так и м
образом, чтобы довести расход га за Q до заданного зн ач ен и я .
Описанный преобразователь расх о д а обеспечивает при д и а м е т р е
отверстия диафрагмы 1 • 10—3 м верхний предел измерений по в о ­
дороду 3 - 10~6 м 3/с, а при диам етре отверстий 3 - 10_3 и 6 - 10~3 м —
соответственно Ы 0 _6 и 25-10-е м 3/с.
Прибо ры д л я измерения р а с х о д а газов. В газовых си сте м ах
оборудования полупроводникового производства использую т р а с ­
ходомеры постоянного перепада д авления: ротаметры и в о т д е л ь ­
ных случаях U -образные манометры.
Принцип действия ротаметров состоит в том, что п о д в и ж н ы й
элемент (поплавок), помещенный в цилиндрическую т р у б к у из
стекла, воспринимает динамическое давление обтекаю щ его его п о ­
тока газа и перемещается в зависимости от величины р а с х о д а г а ­
за. К достоинствам ротаметров относятся: большой д и а п а зо н и з ­
мерений, малы е потери давлений, допустимость применения в не­
которых агрессивных средах.
Ротаметр типа РМ-0,04 ГУЗ имеет верхний предел и зм ер ени й
по воздуху 0,04 м 3/ч, условный проход 3 мм, габаритные р а з м е р ы
2 8 0 X 2 4 X 2 4 мм и поплавок из полистирола, а ротам етр типа
РМ-2,5 ГУЗ — верхний предел измерения по воздуху 2,5 м 3/ ч , у с ­
ловный проход 15 мм, габаритные разм еры 4 5 5 X 9 5 X 9 5 мм и п о­
плавок из эбонита.
Недостаток всех ротаметров — непригодность их в си сте м ах
регулирования и стабилизации расходов газа. В таких си сте м ах
применяются специальные расходомеры , в том числе теп ловы е.
6 Зак. 824 д.
П ри н ц и п действия тепловых расходомеров основан на измерении
теп л о во й мощности, рассеиваем ой нагретым током и зависящей
о т скорости или массового расхода газа, в потоке которого нахо­
д и т с я это тело. Д остоинствами тепловых расходомеров являются
дистанционность измерения, измерения с малыми погрешностями
при лю бы х расходах и давл ен иях , отсутствие движущ ихся частей.
Т еп л о в ы е расходомеры сл ож н ы по конструкции и пока серийно
промыш ленностью не выпускаются.
Трубопроводы и соединения. Поверхность трубопроводов со­
с т а в л я е т большую часть всей поверхности газовых систем, контак­
ти ру ю щ ей с газами. В качестве материалов трубопроводов исполь­
зу ю т с я коррозионно-стойкие стали, фторопласт-4, кварцевое стек­
л о и полиэтилен. Применение медных трубопроводов нежелатель­
но из-за трудности очистки их от примесей. М еталлические тру­
бопроводы, удовлетворяю щие требованиям плотности и прочности,
об еспечиваю т надежную герметизацию соединений, удобны в мон­
т а ж е и эксплуатации. Их изготавливают из бесшовных стальных
труб. Участки трубопроводов, транспортирующие пары жидких
реаген тов (РС13, ВВг3, Р В г 3 и т. д.) от испарителей до вводов в
р еактор ы , для обеспечения коррозионной стойкости выполняют из
ф торопластовы х труб. М ак си м ал ь н ая допустимая температура т а ­
ких трубопроводов при эксплуатации -}-120°С.
В целях экономии коррозионно-стойкой стали трубопроводы,
п р о во д ящ и е чистые инертны е газы и азот, можно изготавливать
и з полиэтилена. Д л я этого используют трубы напорные низкой
плотности марки П Н П при максимальной температуре эксплуата­
ции + 8 0 °С. Трубопроводы из кварцевого стекла из-за хрупкости
р е д к о используют в конструкциях газовых систем промышленных
у ста н о в о к и трудности подгонки стыковочных размеров при мон­
т а ж е . В газовых системах лабораторных установок кварцевые
трубопроводы часто использую т ввиду их термостойкости, легко­
сти очистки и прозрачности.
Трубопроводы малых диаметров обладают повышенным гид­
равлическим сопротивлением и в них высока скорость газов, что
неблагоприятно влияет на равномерность их перемешивания. Но
увеличение внутренних д иам етров трубопроводов ведет к возра­
стан и ю площади поверхности, контактирующей с газами, т. е. к
увеличению загрязнения газов и времени очистки трубопроводов
при профилактических работах. Эти факторы с учетом существу­
ю щ их норм на герметичность и допустимое избыточное давление
в трубопроводах, а т а к ж е практика конструирования и эксплуа­
тац и и газовых систем обусловили оптимальный выбор внутренних
д и а м етр о в трубопроводов в пределах (6— 10) -10~3 м. Одним из
кри тери ев при выборе д и а м е т р а трубопровода является скорость
г а за , выбираемая в пред ел ах 15—25 м/с. Обогреваемые трубопро­
воды используют в тех случаях, когда необходимо предотвратить
конденсацию паров реагентов на пути от источников до ввода в
реакто р. Температуру обогрева выбирают равной или несколько
больш ей, чем температуру образования паров. Ч ащ е используют

82
 Рис. 40. Основные виды соединений:
а. б, п — соответственно металлического,
фторопластового; кв ар ц ево го трубопрово­
дов;
ч I — тр убка из поли этил ена ; 2 — трубка
(ниппель); 3 — кол ьц о упорное; 4 — кольцо
уплотнительное; 5 — корпус; 6 — тр убка
из фторопласта; 7 — ша йб а из ф т оро­
пласта; 8 — гайка; 9 — вт улка распорная;
| 10 — переходник; I I — кольц о иэ резины

для обогрева трубопроводов гибкие нагреватели из нихром овой

проволоки — прямой или в виде спирали, вшитой в т е п л о и з о л я ­
цию из кремнеземной ткани типа КТ-11Э; д ля сшивания п р и м е ­
няют кремнеземную нить.
Питающее напряжение таких н агревателей почти всегда м е н ь ­
ше стандартного, поэтому в схемах используют п о н и ж а ю щ и е
трансформаторы. Конструкции соединений трубопроводов с а п п а ­
ратурой зависят от рабочих давлений и материалов реаген тов,
а такж е от материалов соединяемых элементов.
На рис. 40 показаны основные виды соединений тр у б о п р о в о ­
дов, изготовленных из различных м атериалов. Д л я удобства э к с ­
плуатации (периодической чистки) все соединения в ы п о л н я ю т
разъемными. При использовании резьбовых соединений из к о р р о ­
зионно-стойкой стали на наружную резьбу рекомендуется н а к л а ­
дывать фторопластовые прокладки, которые при затяж ке д е й с т в у ­
ют как уплотнитель. Усилие затя ж ки фторопластовых и к в а р ц е ­
вых соединений контролируют.

3. КОНСТРУИРОВАНИЕ ГАЗОВЫХ СИСТЕМ

Д л я конструирования газовой системы установки н е о б ­

ходимо знать технологические и конструктивные параметры п р о ­
водимого процесса: концентрации реагентов, расход п ар о газо в о й
смеси, температуры в дозаторах и реакторе, физическое состояние,
степень чистоты, условия поставки и хранения исходных м а т е р и а ­
лов; конструкцию реактора, расположение в нем о б р аб аты в а ем ы х
изделий, организацию ввода и вывода п арогазовой смеси.
Конструированию газовой системы предшествует р а з р а б о т к а
принципиальной схемы газовой системы, определяющей п олн ы й
состав элементов и связей между ними. Н а стадии р а з р а б о т к и
принципиальной схемы нужно выбрать и при необходимости р а с ­
считать ап паратуру и соединяющие трубопроводы, а такж е о п р е ­
делить последовательность работы всей системы в основных и
вспомогательных технологических и авари й ны х режимах.
Р азработку схемы рекомендуется начать с определения и сто ч ­
ников подачи газообразных компонентов в парогазовую см есь.
6' 83
Д л я жидких исходных веществ источниками сл у ж а т термостати­
рованны е д озаторы или увлажнители.
Баллоны с газам и входят в газовую систему, если они конст­
руктивно р азм ещ аю тся рядом с установкой и обслуживаются
оператором. В отношении техники безопасности и удобства обслу­
ж и ван ия баллоны лучше размещать вне производственных поме­
щений. В таких системах делаются вводы, соединенные с б ал л о­
нами специальными трубопроводами. Однако для токсичных и
взрывоопасных соединений такие трубопроводы могут стать источ­
никами утечек этих веществ. Кроме того, длинные трубопроводы
трудно чистить (п родувать). Оптимальным решением является
включение баллонов в газовые системы и размещение их рядом с
оборудованием в специальных шкафах, имеющих вытяжную вен­
тиляцию.
После определения всех источников и вводов газов, формиру­
ют функциональные к а н а л ы (линии) газовой системы. Каждый к а ­
нал выполняет определенную функцию, например, для подачи в
реактор газовых легирующих смесей при газовом легировании или
д ля подачи в реактор чистого водорода и т. д.
Агрегатирование является одним из перспективных нап равле­
ний развития оборудования полупроводникового производства, по­
этому газовая система долж на обеспечить параллельно-последо­
вательную работу двух одинаковых реакторов.
Газовые системы, являю щ иеся частью технологического обору­
дования, обычно разм ещ аю т в отдельных ш кафах или встраива­
ют в оборудование в виде секций и блоков. Выбор компоновки оп­
ределяется различны ми факторами, сложностью системы, наличи­
ем каналов газовой системы и связей между ними, типами д озато­
ров и т. д.
При любой компоновке газовой системы на лицевой панели
ш к аф а газораспределительной системы устанавливают: контроль­
но-измерительную аппаратуру (манометры, ротаметры, термомет­
ры, световые т а б л о ); запорную и регулирующую аппаратуру с
ручным управлением (входные краны, вентили, регуляторы д а в ­
лений и расхода и д р .); органы дистанционного управления (кноп­
ки, переключатели, задатчики, реле времени), табло сигнализации
аварийных и рабочих режимов.
Во внутренних о б ъ ем а х газовых шкафов и модулей р азм ещ а­
ют аппаратуру периодического обслуживания (фильтры, стабили­
заторы расходов и давлений, электромагнитные клапаны, датчики
с дистанционным выходом), аппаратуру для приготовления ПГС
(испарители, дозаторы , увлажнители, смесители) и все трубопро­
воды с соединительными элементами.
Внутри газового ш к аф а стремятся не располагать электроап­
п аратуру вследствие возможной коррозии контактов и электроизо­
ляции агрессивными газами. Электрооборудование необходимо
группировать в одном месте вне зоны действия вытяжной венти­
ляции, например в верхней части шкафа. При конструировании
трубопроводов соблю даю т следующие условия: весь монтаж дол-
84
Рис. 41. Схема газорас­
На сброс
пределительной системы
для проведения процес­
са газовой эпитаксии:
X — линии га зора с пре де ­
лительной системы; М , _ 9 —
регулировочный и го л ь ч а ­
тый узел; Я , _ | 0 — м ембран ­
ные газовые фторопластовые
вентили; К , _ в — вентили с
кв арцевы м корпусом;
Р 1- ю ротаметры;
редукторы на б аллонах;
Ф, _ 2 — фильтры

- г— — ?— г г

Рб) РБг

жен иметь минимальную протяженность и б ы ть удобным для о б ­

служивания; трубопроводы можно разводить в любом н а п р а в л е ­
нии; нельзя применять труднопродуваемые U -о б разн ы е колена; и з ­
гибы трубопроводов надо выполнять большими радиусами д л я
снижения гидравлических потерь; тяжелые трубопроводы нужно
подвешивать или устанавливать на опоры, р а з г р у ж а я соединения;
нежелательно применять сильфонные и д ру ги е гибкие ком пенса­
торы, имеющие негладкие внутренние поверхности.
Рассмотрим газораспределительную систем у для проведения
процесса газовой эпитаксии, состоящую из 10 к а н а л о в регулируе­
мой подачи различных газов. На рис. 41 п о к а за н а схема такой г а ­
зораспределительной системы. Газы, проходящ ие по этим линиям,
могут подаваться в реактор или в трубопровод на сброс, постоян­
но продуваемый инертным газом по линии /.
85
 По линии I I подается очищенный инертный газ (азот, гелий,
аргон) для п ро ду в ки реактора перед началом и по окончании про­
цесса роста.
Линия I I I с л у ж и т для подачи в реактор чистого водорода. Уп­
равление р аб о то й магнитных вентилей М\ и М 2 устроено таким
образом, что при открывании одного вентиля другой автоматиче­
ски за к р ы в ае тся. ц
На линии I V установлены два испарителя SiCU, основной и
компенсирующий. На линии V установлен испаритель SiCU для
легирования эпитаксиальны х слоев донорными или акцепторными
примесями.
В и сп ари тел ь линии VI заливаю т тетрахлорид углерода, ис­
пользуемый д л я нанесения на нагреватель слоя карбида кремния
при совместной подаче в реактор SiCU и СС1<.
И спаритель линии VII резервный.
Все и сп ари тел и установлены в термостатах. При этом тем пера­
тура основного испарителя линии IV регулируется с точностью
+ 0 ,5 °С в п р е д е л а х 0—2 5 °С, а температура остальных испарите­
лей — в п р е д е л а х 0 —50 °С.
Линию V I I I используют при газовом легировании. Она служит
для подачи в р еактор газовых легирующих смесей, содержащих
диборан, ф осф ор, арсин. Линия I X предназначена для подачи в
реактор г азооб разн о го хлористого водорода.
Линия X — резервная.
На всех л и н и я х установлены ротаметры, снабженные игольча­
тыми р егу л ят о р ам и расхода газа. Магнитные вентили подключе­
ны к п р ограм м н ом у устройству и могут работать автоматически
по заранее за д а н н о й Программе. Манометр служит для проверки
газораспределительной системы на герметичность под давлением.
 ГЛАВА 5

f ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ

МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУ ПРО ВО ДНИ КО В

1. КЛАССИФИКАЦИЯ К РИ С Т А Л Л И ЗА Ц И О Н Н Ы Х ПРОЦЕССОВ
ВЫРАЩ ИВАНИЯ М ОНОКРИСТАЛЛОВ П О Л У П РО В О Д Н И К О В

Классификацию кристаллизационных процессов в ы р а ­

щивания монокристаллов полупроводников м о ж н о проиллю стриро­
вать с помощью рис. 42.
Кристаллизацию расплава, при которой теп л о отводится от
фронта кристаллизации преимущественно в одном направлении,
называют направленной. К методам н ап р ав л ен н о й к р и ста л л и за­
ции, характеризуемым наличием в системе одной фазовой г р а н и ­
цы (фронта кристаллизации) и постоянным убыванием объем а
расплава в ходе процесса, относят методы Б р и д ж м е н а и Чохраль-
ского (рис. 42, а — г ) , а направленную к р и сталл и зац и ю , х а р а к т е ­
ризуемую наличием в системе двух фазовых г р а н и ц (фронта п л а в ­
ления и фронта кристаллизации) и постоянным объемом распла-

12 3 Ч
o oodoojootooctoooooooo

ооооооооооооооооооо

Рис. 42. Схемы процессов направленной кристаллизации расплавов:

а, г — вертикальный н горизон тальный методы Б р и д ж м е н а; 0 — об ыч ны й метод Ч о х р а л ь -
ского (из простого тигл я); л — метод Чохральского герм етизацией расплава ф л ю с о м ;
д — метод зонной плавки вертикальный бестнгельный; е — го р и зо н т а л ь н ы й контей нерн ый
метод зонной плавки; ж — гарн иссаж н ый метод Ч о х ра л ьс ког о (с э л е к т р о н н о л у ч е в ы м н а ­
гревом);
/ — наг реватель; 2 — контейне р; — расп лав; 4 — кристалл; 5 — г е р м е т и з и р у ю щ ая ж и д к о с т ь
(флю с); / . — длина слитка; / — длина расплавленной зоны

87
ва в ходе п р оц есса, называют зонной плавкой или зонной пере­
к ри сталли зац и ей (рис. 42, д — ж).
В ертикальны й процесс направленной кристаллизации по мето­
ду Б р и д ж м ен а проводят в трубчатых контейнерах (тиглях), а го­
ризонтальный — в лодочках.
По методу Чохральского монокристалл вытягивается верхним
штоком с зак р еп л ен н о й на нем затравкой кристалла из расплава,
помещенного в тигель, соединенный с помощью подставки с н иж ­
ним штоком. Отсутствие контакта растущего кристалла со стен­
кой контейнера позволяет получать методом Чохральского ориен­
тированные в требуемом кристаллографическом направлении
большие, рав н о м ер н о легированные совершенные монокристаллы.
Процесс нап равлен ной кристаллизации без перегрузки слитка
может быть осущ ествлен однократно, а зонной плавкой — много­
кратно. Зо н н у ю плавку наиболее часто используют для получения
чистых полупроводников, так как переход от одного процесса к
другому с в я з а н с загрязнением конечного продукта.
Требования к параметрам монокристаллов полупроводников
постоянно п о вы ш аю тся и тенденцию их изменения можно просле­
дить на прим ере кремния:
I 960 г. 1 965 г. 1970-1980 гг. 1985-1990 гг.
Диаметр монокристалла крем­
ния, м м ........................................ 1 2 ,7 - 2 5 ,4 2 5 ,4 - 5 0 ,8 5 0 ,8 - 7 6 ,2 1 0 1 ,6 -1 5 2 ,4
Радиальный разброс удельного
сопротивления, % ................. 30 20 15 5
Плотность дислокаций, х Ю4,
см1 ................................................ 5 1 0,1 < 0 ,0 1
Масса слитка, к г ........................... 0 ,2 1 4 >6

Рассмотрим оборудование для выращивания монокристаллов

полупроводников на примере метода Чохральского.

2. К О Н С ТРУ К Ц И Я УСТАНОВКИ Д Л Я ВЫРАЩИВАНИЯ

М О Н О К РИ С ТА Л Л О В ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ
Ч О Х РА Л ЬС К О ГО

С о вр ем ен н ая установка для выращивания монокристал­

лов полупроводников методом Чохральского должна обеспечить:
поддерж ание в камере остаточного давления менее 1,33-10~4 Па
для случая проведения процесса выращивания в вакууме;
отсутствие загрязнений расплава и выращиваемого монокри­
сталла;
стабильность тепловых условий выращивания монокристаллов
(колебания тем пературы на фронте кристаллизации допускаются
0,1—0,2°С, точность контроля температуры нагревателя ± 0 ,1 °С);
высокую точность поддержания выбранных скоростей переме­
щения деталей установки (точность подъема тигля и заправки
± 1 %, скорости вращения штоков ± 5 % );
отсутствие вибраций;
возможность изменения основных параметров процесса.
88
 Рис. 43. Схема установки для выращивания моно­
кристаллов методом Чохральского:
/ — верхний шток; 2 — смо тров ое окно; 3 — мон окристалли-
I ч еская затра вка ; 4 — гра фи то вы й тигел ь; 5 — графитовый
нагрев атель; б — гра ф и т ова я по дс тавк а тигля; 7 — во д о ­
ох л а ж д ае м ы й токоввод; в — ниж ний шток

Схема установки для выращивания мо­

нокристаллов методом Чохральского изоб­
раж ена на рис. 43.
Процесс проводится в герметичной к а ­
мере в атмосфере инертного газа или в в а ­
кууме. Стенки камеры имеют водяное ох­
лаждение. К амера снабжена смотровым о к­
ном 2 для визуального наблюдения за хо­
дом процесса. Исполнительные механизмы
расположены вне камеры. Исходный м ате­
риал для выращивания монокристал­
ла помещают в тигель 4, закрепленны й на графитовой
подставке 6, соединенной с водоохлаж даем ы м штоком 8. Н а гр е в
тигля с исходной загрузкой осуществляется разрезны м гр а ф и т о ­
вым нагревателем сопротивления 5, установленны м на токовво-
дах 7, смонтированных в нижней крышке к а м ер ы . С наружи н а ­
греватель окружен системой графитовых э к р а н о в (на рис. 43 они
не показаны), обеспечивающих заданное р ас п р еделен и е т е м п е р а ­
туры по объему р асп л ав а в тигле, а так ж е по д ли н е и сечению вы-
I ращиваемого монокристалла. Шток 8 вы веден из камеры через
уплотнения Вильсона. При помощи электроп ривод а, р асп ол о ж ен ­
ного вне камеры, шток вращается с постоянной частотой, П ри
ц этом он может перемещаться вверх или вниз д л я обеспечения о п ­
тимального положения тигля с расплавом по отношению к н а г р е ­
вательному элементу. Через уплотнения В ильсон а, располож енны е
на верхнем конце камеры соосно с нижним ш током, в камеру в в о ­
дится водоохлаждаемый шток 1. На ниж нем конце штока при
помощи цангового крепления фиксируется м он окри сталли ческая
затр авка 3 кристаллизуемого материала. Ш т о к I мож ет т а к ж е
перемещаться вверх и вниз с заданной ско ро стью и в р ащ аться
с постоянной частотой. В процессе роста к р и с т а л л и тигель с р а с ­
плавом вращаются в противоположных нап равл ен иях.
Установка имеет вакуумную систему для с о зд а н и я остаточного
давления в камере менее 6 , 9 - 10~3 Па, а т а к ж е систему подачи
инертного газа. М аксимальное избыточное д а в л е н и е инертного г а ­
за в камере может доходить до 0 ,7 -105 Н / м 2. Р аб о чая скорость
перемещения затравк и изменяется в п р ед ел ах 0,5— 5,0 м м /м и н .
Осевое перемещение затравки позволяет в ы р а щ и в а т ь монокристал­
лы до 500 мм. Частота вращения затравки 10—80 об/мин, а ти г ­
ля 4—28 об/мин. Осевое перемещение тигля на расстояние около
40 мм осуществляется от ручного привода.
Процесс проводится следующим образом: тщ ательно п р о тр ав ­
ленный, промытый и высушенный материал з а г р у ж а ю т в тигель,
89
 камеру, п р ед варител ьн о очищенную, герметизируют и откачивают
до получения в а к у у м а или продувают чистым инертным газом.
Тигель уста н а в л и в аю т на нужной высоте по отношению к н-а-
гревателю и приво д ят во вращение. При постепенном повышении
мощности, п о даваем ой на нагреватель, материал доводят до п л а в ­
ления и в ы д е р ж и в а ю т некоторое время в перегретом состоянии.
Д л я пред отвращ ен и я осаждения летучих примесей на затравку ее
подводят к з е р к а л у расплава в горячую зону. Когда зеркало р ас­
п лава очистится, включают систему автоматического регулирова­
ния тем ператур, которая доводит температуру расплава до з н а ­
чения, немного превышающего температуру плавления материала.
З а тр ав к у м е д л ен н о подводят к зеркалу расплава, конец затравки
опускают в р а с п л а в на 2—3 мм, а шток 1 останавливают. После
прогрева з а т р а в к и в течение 3—5 мин приступают к вы р а щ и ва­
нию м он окри сталл а, вытягивая шток с затравкой.
В качестве п рим ера можно привести следующие допуски на
механические и температурные режимы выращивания монокри­
сталлов: .

Частота вращения нижнего штока, о б /м и н ...................................................Ю— 1 5 ± 5 %

Точность фиксации высоты тигля по отношению к нагревателю при по­
стоянной массе материала, м м ........................................................................
Частота вращения верхнего штока, об/м и н .................................. ’ . . ' * 40—6 0 ± 3 %
Скорость вытягивания штока, м м /м и н ........................................................... 0 ,5 —2 ,5
Допустимые колебания средней скорости вытягивания, мм/мин . . . ± 0 ,0 5
Соосность штоков, м м ......................................................................................... 0 1
Биение на концах штоков, м к м ....................................................................’ 10—20
Точность поддержания температуры в тигле с материалом, 0 . . . . ± 0 , 1 —0 ,2

Колебания скорости потока инертного газа, продуваемого через

рабочую кам еру, не должны вызывать изменений температуры,
превышающих указанную точность стабилизации.
3. К О Н С ТРУ КЦ И И ТЕПЛОВЫХ УЗЛО В УСТАНОВОК
Д Л Я ВЫ РАЩ ИВАНИЯ М ОНОКРИСТАЛЛОВ
П О Л У П РО В О Д Н И К О В ,

Конструкция теплового узла определяет распределе­

ние температур (тепловые поля) в расплаве и растущем монокри­
сталле. Тепловой узел состоит из подставки, тигля, нагревателя и
системы экран ов.
Д л я в ы р ащ и ван и я однородных по свойствам монокристаллов
методом Ч охральского необходимо выполнение следующих усло­
вий: самая х о л о д н ая точка должна быть расположена в месте к а ­
сания затр авк и с расплавом; тепловое поле должно быть симмет­
рично относительно оси; расплав вне области границы раздела
фаз должен б ы ть перегрет с целью исключения спонтанной кри­
сталлизации.
Тепловые условия процесса определяют осевые и радиальные
градиенты тем пературы в кристалле и расплаве, от которых зав и ­
сят форма ф р о н т а кристаллизации и термические напряжения в
90
Рис. 44. Схема тепловых потоков и
изотерм в системе расплав — крис­
талл при выращивании монокристал­
ла методом Чохральского:
/ — кристалл; 2 — столбик расп лава; 3 —
п ер еохл ажд ен ная обл а ст ь расплава ; 4 —
тигель; б — стрела прогиба фронта к р и ­
сталлизаци и; Ло — высота столбика рас­
п ла ва; Т' фи
Лн ’— т емпература на фронте
кристаллиз ации; Тп • темпе ра тур а изо­
термы. огра нич ивающ ей п ере охл ажд ен ­
ную область расп лава

монокристалле, а т а к ж е р а з ­
меры переохлажденной о б л а ­
сти расплава вблизи фронта
кристаллизации.
Схема тепловых потоков и
изотерм в системе расплав —
кристалл показана на рис. 44. Поток тепла Q„, поступающий к т и г ­
лю от нагревателя, равен сумме потоков т е п л а , отводимых и з л у ч е ­
нием от расплава Q„p теплопроводностью Q TK и излучением Q„k о т
кристалла. Соотношение этих потоков о п р е д е л я е т характер г р а д и ­
ентов температуры, а следовательно, и изотерм в в ы ращ и ваем ом
монокристалле. Радиальный градиент тем п ер атур ы G r о п р ед ел яе т­
ся разностью температур в сечении к р и ста л л а на его поверхности
Г,р и в центре Т ц:
Gr — h T j r = (Гц — Т п) / г ,
где г — радиус кристалла, а осевой гради ен т температуры в к р и ­
сталле Gx — разностью температур по его дли н е:
Gx = \ T j x = (7\ — T t)/x,
где х — расстояние по длине кристалла.
Д л я получения совершенных кристаллов н уж н о на протяж ении
всего процесса выращивания сохранять п лоской границу р а з д е л а
кристалл — расплав. Д л я этого необходимо, чтобы изотермы б ы ­
ли практически перпендикулярными н ап рав л ен и ю роста, а т а к ж е
обеспечивался тщательный контроль тепловы х потоков как в о с е ­
вом, так и в радиальном направлениях.
Теплота кристаллизации поступает в р асту щ и й кристалл сн и зу
через фронт кристаллизации в направлении от расплава к к р и ­
сталлу и рассеивается за счет теплопередачи теплопроводностью
через кристалл к подъемному механизму и излучения. С оздав в
установке для выращивания с помощью э к р а н о в или дополнитель­
ных нагревателей д ля подогрева растущего кри сталл а тепловы е
условия, при которых радиальный тепловой градиент н езначите­
лен, можно получить изотермы в расплаве, перпендикулярны е н а ­
правлению роста.
Осевой градиент определяется следующими факторами:
1. Расположением нагревателей. При индукционном нагреве —
формой индуктора и расположением в нем тигля, материалом и
91
 разм ерам и ти г л я и приемника индукционных токов; при исполь­
зовании н аг р ев ате л е й сопротивления — геом етрией’ нагревателя
и положением ти г л я относительно нагревателей.
2. Теплоотводом в окружающее пространство. Теплоотвод оп­
ределяется б ли зостью тигля к краю индуктора или к краю печи;
температурой помещ ения; размерами и теплопроводностью кри­
сталла; тем пер атуро й д ерж ателя кристалла; излучательной спо­
собностью поверхности расплава и отраж ательной способностью
стенок печи.
3. Глубиной р а с п л а в а в тигле.
4. С коростью вытягивания и скрытой теплотой плавления*,
Д л я уменьш ения радиальной асимметрии теплового поля и пере­
мешивания р а с п л а в а кристалл и тигель с расплавом вращ аю т в
противоположных направлениях. При увеличении скорости кри ­
сталлизации в ы д е л я е т с я повышенное количество тепла (за счет
скрытой теплоты плавления) на фронте кристаллизации и осевой
градиент ум еньш ается.
Тепловой у зе л является средством управления тепловыми ус­
ловиями Процесса выращивания монокристалла полупроводника
От его конструкции зависят устойчивость роста, стабильность д и а ­
метра и с тр у к ту р а выращиваемого монокристалла. Стабильность
диаметра т р еб у ет поддержания неизменяющихся в ходе процес­
са градиентов тем пературы в расплаве, а условием получения со­
вершенной структуры монокристалла является создание и поддер­
жание в течение всего процесса плоского фронта кристаллизации.
Схемы наиболее распространенных тепловых узлов, применяемых
в установках д л я выращивания монокристаллов полупроводников
методом Ч охральского, приведены на рис. 45.

а) б)

Рис. 45. Схемы тепловых узлов с различными видами экранировок:

о, в — пассив ны е ( п о л у з а к р ы т а я и з а к р ы т а я ); б — а к т и в н а я ; г — откр ытая (п одви ж на я );
/ — верхний бок овой э к р а н ; 2 — н агр ев ател ь к р и стал л а; 3 — кристалл- 4 — граф итовая’
п одставка с к в а р ц е в ы м тиглем, с оде рж а щ и м расп лав; 5 — н агреватель тигля; 6 — боковые
экраны ; 7 — п о т о л о ч н ы й экран; « — вра щ а ю щ и йс я боковой экран; 9 — донны е экра ны
92
 Т и г е л ь . Форма дна тигля (плоская и л и сферическая) о к а ­
зы вает влияние на распределение тем пературы в расплаве. В т и г ­
лях с плоским дном вследствие наличия «углов» конвекция в р а с ­
плаве по всему объему не обеспечивает равн о м ер н ого п ер ем еш и ­
вания расплава по всему объему. В этом отношении лучшие р е ­
зультаты получаются при использовании ти г л е й со сферическим
дном. Сферическая форма тигля, обеспечивая постоянное о т н о ш е ­
ние поверхности расплава к его высоте и р ав н о м ер н о е п ер ем еш и ­
вание расплава по всему объему конвективными потоками, п о з в о ­
ляет получать меньшие линейные осевые г р ад и ен ты тем пературы
по расплаву, чем в случае плоской формы д н а тигля.
Оптимальное соотношение внутреннего д и а м етр а тигля D и
высоты расплава Н находится в пределах 0 ,5 — 1,0.
Оптимальное соотношение диаметра т и г л я D и диаметра в ы ­
ращиваемого из него монокристалла кр е м н и я и германия d с о ­
ставляет 2,5—3,5.
Материал контейнера должен уд о вл етво рять следующим т р е ­
бованиям:
быть инертным по отношению к с о д ер ж ащ е м у ся в нем р а с п л а в ­
ленному металлу или полупроводнику, а т а к ж е к атмосфере, в к о ­
торой производится выращивание;
не смачиваться расплавом;
иметь теплопроводность более низкую, чем загрузка, что н е о б ­
ходимо в связи с проблемами оптимального теплопереноса в п р о ­
цессе роста кристалла;
не загрязнять расплав примесями при соприкосновении его со
стенками контейнера.
Одним из основных контейнерных м а т е р и а л о в для в ы р а щ и в а ­
ния монокристаллов германия и кремния я в л я е т с я высокочистый
синтетический кварц. Кварц имеет очень н изкий коэффициент т е п ­
лового расширения (5 ,8 -10~7) и поэтому способен в ы д е р ж и в а т ь
без разрушения большие температурные г р ад и ен ты и терм ические
удары. Температура размягчения кв ар ц а выше 1300 °С. И з
кварца в получаемый кристалл переходит в основном к и с л о ­
род.
Перспективными материалами для контейнеров являются сте-
клоуглерод, нитриды кремния, алюминия и б о р а.
П о д с т а в к а т и г л я . Она представляет собой полую в н у тр и
графитовую трубку. Конструкция подставки о к а зы в а е т влияние н а
градиенты температуры в расплаве и монокристалле. Так, н а п р и ­
мер, если дно подставки намного толще б оковы х стенок, то о т в о д
тепла от расплава в осевом направлении, а следовательно, и г р а ­
диент температуры в данном направлении уменьшаются. У в е л и ­
чение толщины стенок подставки влечет за собой повышение т е м ­
пературы нагревателя и в случае, если тепловой узел аналогичен
показанному на рис. 45, а, в окружающее м он о кр и сталл п р о с т р а н ­
ство над тиглем поступает большее количество тепла, что в л е ч е т
за собой изменение осевых и радиальных градиентов т е м п е р а т у ­
ры в растущем монокристалле,
93
 С и с т е м а э к р а н и р о в к и . Существующие системы экр ан и ­
ровки тигля с р ас п л ав о м можно разделить на закрытые (рис. 45, в)
и открытые (рис. 45, г ) . Закрытые системы экранировки обеспе­
чивают м алы е осевы е и радиальные градиенты температуры по
расплаву в тигле. В область над тиглем, ограниченную потолоч­
ным экраном, п оступает дополнительное количество тепла, вслед­
ствие чего гр ад и ен ты температуры в выращиваемом монокристал­
ле уменьшаются. В случае использования открытой системы э к р а ­
нировки всл ед стви е повышенных потерь тепла с открытой поверх­
ности р ас п л а в а осевые градиенты по расплаву значительно
больше.
Система э к р ан и р о в к и позволяет управлять осевыми и р ад и ал ь ­
ными гр ад и ен т ам и температуры в р асплаве и в выращиваемом
монокристалле.
Чем меньше град и ен т температуры в растущем кристалле, тем
совершеннее его структура, но уменьшение осевого градиента сни­
ж а ет скорость вы тягивания последнего. Экранировка вы ращ ивае­
мого м о н о кр и ста лл а может быть пассивной (экраны) или ак тив­
ной (нагреватель, сопротивления, рис. 45, б ).
Достоинством активной экранировки является создание требуе­
мого градиента температуры в монокристалле и возможность у п ­
равлять тем пературн ы м полем в кристалле после окончания про­
цесса в ы р а щ и в а н и я с целью улучшения структуры монокристалла
и уменьшения в нем напряжений.
П оказанный н а рис. 45, г вариант теплового узла с в р ащ а ю ­
щейся экран и р овк ой благодаря строгой соосности ее с тиглем,
обеспечивает высокую симметрию теплового поля в расплаве, сво­
дя к минимуму знакопеременные напряжения в кристалле.
Выбор м а т е р и а л а экранов зависит от характера атмосферы,
в которой р а б о т а е т тепловой узел. В вакууме, где теплопередача
происходит в основном излучением, экраны целесообразно изго­
тавливать из полированных листов жаропрочного металла, напри­
мер молибдена.
В газовой с р е д е увеличивается вклад в перенос тепла от э л е ­
ментов теплового узла стенкам камеры установки за счет конвек­
ции газа. П отери тепла конвекцией возрастают с увеличением д а в ­
ления газа и его теплоемкости.
При работе в газовой среде, особенно находящейся под высо­
ким давлением, применяют экраны из графита или непрозрачного
(спеченного) к в а р ц а . Возможно изготовление одних экранов из
графита, а других из молибдена.
Требуемые по технологии тепловые условия процесса вы ращ и ­
вания монокристаллов создают путем подбора соответствующих
конструкций подставки, нагревателя и экранировки. Воздействие
отдельных элем ен то в теплового узла на градиенты температуры
в расплаве и монокристалле носит комплексный характер. И зм е ­
нение одного элем ен та, как правило, требует соответствующего
изменения других с целью сохранения первоначальных тепловых
условий.
94
 4. В Л И Я Н И Е ПАРАМЕТРОВ П РОЦ ЕССА ВЫ РАЩ ИВАНИЯ
М ОНОКРИСТАЛЛОВ НА ИХ СВОЙСТВА

Рассмотрим влияние параметров процесса в ы р а щ и в а ­

ния монокристаллов, связанных с конструкцией установки, на
свойства кристаллов. Свойства в ы ращ и ваем ы х монокристаллов
определяются реж им ами выращивания и конструктивными п а р а ­
метрами: расположением тигля с расплавом по отношению к н а ­
гревателю, размерами и формой тигля с п одставкой, частотой в р а ­
щения затравки и тигля, скоростью подъема затр а вк и , э к р а н и р о в ­
кой, конструкцией нагревателя и др.
В методе Чохральского объем кристаллизую щ егося р а с п л а в а
в тигле значителен и поэтому гидродинамические потоки в р а с ­
плаве оказывают существенное влияние на ф орм у ди ф ф у зи он н о­
го слоя на фронте кристаллизации. Н а рис. 46 показаны р а з л и ч ­
ные виды распределения гидродинамических потоков в р а с п л а в е
и их влияние на форму диффузионного сл оя на фронте к р и с т а л ­
лизации монокристалла, выращиваемого м етодом Чохральского.
При отсутствии вращения кристалла 2 и ти г л я с расплавом / в о з ­
никают конвективные потоки жидкости 4, нап равлен ны е от г о р я ­
чих стенок тигля к более холодной цен трал ьно й части р а с п л а в а
(рис. 46, а ). При этих условиях диффузионный слой 3 имеет н а и ­
большую толщину в центре, а наименьшую — у периферии к р и ­
сталла, что приводит к увеличению с о д е р ж а н и я примеси в ц е н тр е
его сечения по сравнению с периферией.
При вращении тигля (рис. 46, б) р а с п л а в центробежными с и ­
лами отбрасывается к его стенкам, вследствие чего в цен тр ал ьно й
части расплава возникают потоки жидкости, которые имеют о д и ­
наковое направление с тепловыми конвекционны ми п ото кам и ,
в результате неоднородность распределения примеси по сечению
кристалла увеличивается.
При вращении кристалла вращ а ю щ ая ся в расплаве п л о с к а я
поверхность действует подобно колесу ц ен тробеж н ого насоса, с о ­
здающего в расплаве вертикальные потоки ж и д кости (рис. 46, в ) .

а) 6) в)

Рис. 46. Различные виды распределения гидродинамических потоков в р асп л аве:

а — без вращения ; б — с вращением тигля (25 о б/мнн ); в — с вращ ением кристалла
(100 об/мнн)
95
 /) t)

Рнс. 47. Схема нагревателей дли вытягивания монокристаллов германия:

а — донно-боковой; б — бо ко вой; в — донный;
1 — наг рев ат ель; 2 — т и г е л ь с ра сплавом; J — шины питани я

Н аправление этих потоков жидкости в центральной ч-асти кри ­

ста л ла противополож но направлению тепловых конвекционных по­
токов, что у м е н ь ш а ет неравномерность толщины диффузионного
слоя и, как следствие, неравномерность распределения примесей
по поперечному сечению кристалла.
При одноврем енном вращении тигля и кристалла в расплаве
возникают с л о ж н ы е потоки жидкости. Установлено, что кристалл
нужно в р ащ а ть с максимально возможной, а тигель — с мини­
мальной скоростям и. Вращение тигля необходимо для обеспечения
симметрии теп лового поля в области расплава.
Н а распределени е температуры в расплаве можно воздейство­
вать конфигурацией и расположением нагревателей, формой тиг­
ля, верхней экр ан и р о вк о й тепловой зоны и технологическими пере­
мещениями.
Рассмотрим тем пературные поля в расплаве для трех типов н а ­
гревателей (рис. 47). При выбранных параметрах, скорости подъ­
ема кристалла, частоте вращения тигля и затравки, а такж е ф и к­
сированном п олож ен и и тигля относительно нагревателя осущест­
вляли в ы р а щ и в а н и е монокристалла германия. В процессе роста
слитка в оп ред елен н ы е моменты времени в 4— 5 сечениях объема
расплава и зм е р я л и температуры с помощью девяти термопар,
помещенных в граф и то в ы й диск, опускаемый в расплав с помощью
специального приспособления. Обработка опытных данных своди­
лась к построению изотермических поверхностей в объеме тигля.
После обработки опытных данных сравнивали величины разброса
удельного соп р оти вл ени я по сечению кристаллов, полученных при
различных теп л о в ы х полях.
На рис. 47, а п о к а за н а схема наиболее распространенного дон­
но-бокового н а г р е в а т е л я для выращивания монокристаллов г ер м а­
ния. Было установлено, что чем глубже тигель погружали в н а ­
греватель, тем р еж и м выращивания становился более неустойчи­
вым. При зн ач ен и я х h — —5,0ч— 20,0 мм (где h — расстояние
между верхней кром кой нагревателя и кромкой тигля) вырастить
кристалл с постоянным диаметром представляло значительные
трудности. М а л е й ш и е изменения частоты вращения и скорости
подъема з а т р а в к и отраж ались на размерах слитка. Установка тиг-
96
Рис. 48. Изотермы в расплаве

ля выше торцевой кромки нагревателя н а h — +-5,0ч- + 15,0 мм

дел ал а режим более устойчивым.
На рис. 48 изображены изотермы в р а с п л а в е под кр и ста л л а м и
германия, выращенными при различных технологических пара­
метрах (табл. 8).

Т а б л и ц а 8. Влияние параметров выращивания монокристаллов германия

на разброс удельного сопротивления по сечению
Ч астота вращ ения, об/мин
С корость Р а зб р о с у д е л ь н о го
В ид изотермы подъема кр и ­ сопротивления
в расплаве сталла , Л, мм по сечению м о н о ­
затравки тигля мм/мин к р и ст а л л а, %

Рис. 48, а + 10,0 ( + 3 ,3 ) —( + 4 ,9 5 )

Рис. 48, б 60 5,0
0,0 ( + 1 4 ,5 ) — (— 11 ,1 )
2,0
Рис. 48, в 20 ( + 1 5 ,5 ) —(— 1 1 ,2 )
Рис. 48, г 60 10 — 15,0
( + 1 0 ,0 ) —( —7 ,7 )

Из сравнения изотерм в расплаве, вы р а щ ен н ы х в различны х

условиях (рис. 48, а, б), видно, что при п оло ж ен и и тигля, когда
ft = + 10,0 мм (рис. 47, а ) , изотермы под ф р о н то м кри сталли зац и и
плоские или почти плоские и расположены б л и ж е друг к другу.
Все монокристаллы, выращенные в условиях стабильного роста,
имели разброс удельного сопротивления по ради усу в п ределах
± 5 , 0 %, а во всех других случаях значения этих величин п р ев ы ­
шали 10,0 %.
Д л я нагревателей, изображенных на рис. 47, а и б, произво­
дилась оценка влияния частоты вращения за т р а в к и от 10 до
60 об/мин и тигля от 2 до 20 об/мин на ф орм и р ов ан и е полей т е м ­
ператур в расплаве и качество получаемых слитков. Увеличение
частоты вращения затравки приводит к сп р ям л е н и ю изотермиче­
ских поверхностей в расплаве и уменьшению р азб р о са удельного
сопротивления по сечению кристалла.
Хорошее перемешивание расплава за сч ет потоков естествен­
ной конвекции сгл аж и в ает эффект механического перемешивания.
На рис. 48, в, г приведены результаты и зм ерений теплового поля
7 з«к. S24 97
 Рис. 49. Ф орма Изотерм
(пунктир) и потоков
тепла (стрелки) в рас-
4 плаве для нагревателей:
а — бокового; б — донно­
бокового;
/ — кри сталл; 2 — тигель;
3 — расплав; 4 — н агр ев а ­
тель; 5, 6 — градиенты те м ­
пературы

при частотах в р ащ е н и я слитков 20,0 и 60,0 об/мин и одинаковы­

ми частотами в р ащ е н и я тигля и скоростями подъема затравки.
Таким о б р а з о м , из рассмотрения основных наиболее часто
встречающихся типов нагревателей и создаваемы х ими тем пера­
турных полей в р асп л ав е можно сделать следующий вывод: боко­
вой н агреватель с о зд ае т большой осевой градиент 5 температуры
в расплаве (рис. 49, а ) , а донно-боковой нагреватель создает п л а в ­
ный осевой г р а д и е н т 6 температуры (рис. 49, б ).
Примесные неоднородности, называемые примесными полоса­
ми, могут в о зн и к а т ь в растущем кристалле из-за асимметрии теп ­
лового потока р а с п л а в а или фронта кристаллизации; периодиче­
ских колебаний температуры в расплаве, обусловленных взаи м о­
действием теп л о в ы х и гидродинамических процессов, протекаю ­
щих в р ас п л ав е ; а так ж е периодических или случайных ко л еб а­
ний в кинематических системах вращения, температур нагревате­
л я или кам ер ы печи, вибрации.
Д л я ум ен ьш ен и я тепловой асимметрии и градиентов тем пера­
туры в р а с п л а в е , приводящих к примесной неоднородности моно­
кристалла, и спользую т тепловую трубу, которая представляет со­
бой вставленны е друг в друга цилиндры, запаянны е сверху и сни­
зу. В о б р азо в ав ш у ю ся полость между цилиндрами помещают теп­
лоноситель (н а т р и й ), который, испаряясь в горячей печи, погло­
щ ает тепло, а п ерем ещ аясь в холодную, конденсируется, выделяя
тепло. Внутри тепловой трубы, т. е. в область изотермических тем ­
ператур, п о м е щ а ю т тигель с расплавом.
При в ы р а щ и в а н и и монокристаллов германия, легированных га-
лием, тепловую трубу устанавливают меж ду нагревателем и тиг­
лем таким о б р а зо м , чтобы верхний край трубы несколько вы сту­
пал над н агр ев ате л е м и тиглем, а нижний край находился зап од ­
лицо с н агрев ателем . Наличие тепловой трубы уменьшает град и ­
ент тем пературы в расплаве, а следовательно, и тепловую конвек­
цию в р а с п л а в е и связанные с ней колебания температуры.
П ерспективны м методом воздействия на расплав является ис­
пользование электромагнитного поля, которое создается электро­
магнитным вр ащ а тел ем , выполненным в виде трех бессердечнико-
вых катушек, смещенных в горизонтальной плоскости одна относи­
тельно другой на 120°. В ращ атель устанавливали снаружи индук­
тора при высокочастотном нагреве р асп л ав а или вокруг н агрева­
98
теля с экранами при выращивании м о н о к р и с т а л л а германия в п е ­
чи с нагревателем сопротивления. К атуш ки соеди н ял и сь через т р и
понижающих трансформатора с трехфазным а в т о т р а н с ф о р м а т о р о м
общей мощностью 10 кВт, питающимся о т сети частотой т о к а
50 Гц.
Наличие электромагнитного воздействия м е н я ет х ара ктер п о ­
ведения расплава, но не влияет на п оведени е р ас п л ав а в с т о л б и ­
ке, примыкающем к растущему кристаллу.
Электромагнитное вращение расплава у м е н ь ш а е т п рим есн ую
неоднородность выращиваемого м о н о к р и ста л л а , воздействует на
фронт кристаллизации, который становится п лоски м , и на в е л и ч и ­
ну так называемой эффективной теплопроводности расплава.

5. АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА У П Р А В Л Е Н И Я П РОЦЕССОМ

ВЫРАЩ ИВАНИЯ М О НО КРИСТАЛЛО В

При проведении процесса в ы р а щ и в а н и я м о н о к р и ста л л а

по методу Чохральского оператор долж ен к о н тр ол и ро вать п а р а ­
метры процесса вытягивания кристаллов. К о н трол и ру ем ы е п а р а ­
метры процесса выращивания монокристаллов и методы их и з м е ­
рения приведены в табл. 9.
Т а б л и ц а 9. Контролируемые параметры процесса в ы р ащ и в ан и я м онокри стал л ов
и методы их измерения

У сл о вн ое
Наименование параметра о б о зн аче­ М етод измерения
ние

Температура тигля тх Пирометр или терм опара

Температура поверхности раздела р а с п л ав - Т, Пирометр
кристалл

Температура водяного охлаждения печи на Т,

входе
Температура водяного охлаждения печи на Г* Резистивный детектор
выходе температуры
Температура инертного газа на входе Ть
Температура инертного газа на выходе Т,

Скорость вытягивания кристалла Vt

Скорость опускания тигля (или нагревателя) V, Тахометр постоянного т о ­
Частота вращения кристалла ка
Частота вращения тигля я,

Входная мощность нагревателя Pi Преобразователь м ощ но­

сти

Перемещение кристалла в вертикальном на­ п Потенциометр

правлении
Вибрации в Акселерометр

7* 99
 Д л я о п е р а т и в н о г о управления всеми контролируемыми п а р а ­
метрами п р о ц е с с а выращивания монокристаллов необходимо ис­
пользовать Э В М .
Сигналы о т д атчиков, размещенных на установке в ы р а щ и ва­
ния м о н о к р и с т а л л о в , считываются и подаются rta ЭВМ, которая
анализирует п олу ч ен н ую информацию и сравнивает с зад ан н ы ­
ми значениями э т и х параметров. Отклонение параметра от з а д а н ­
ного значения используется для автоматической корректировки
выбранного п а р а м е т р а . Программирование процесса в ы ращ и ва­
ния м о н о к р и с т а л л а позволяет выращивать кристаллы с мини­
мальным з н а ч е н и е м плотности дефектов и контролируемым д и а ­
метром сли тка.
Анализ себесто и м о сти монокристаллов полупроводников, в ы р а­
щенных м е тодом Чохральского, показывает, что затраты на сы ­
рье со с т а в л я ю т о т 40 до 60 % в зависимости от вида в ы ращ и вае­
мого м о н о к р и с т а л л а , на содержание и эксплуатацию оборудова­
ния — от 12 д о 16 %, на тигли — от 14 до 25 %, на заработную
плату — около 5 % •
Снижение себестоимости монокристаллов полупроводников воз­
можно за счет рационального использования сырья, основных и
вспомогательны х материалов и увеличения выхода готовой про­
дукции в р е з у л ь т а т е внедрения в производство принципиально но­
вых техн ол огич ески х процессов и установок, рассчитанных на по­
вышенную з а г р у з к у исходного м атериала в тигель.
С о верш ен ств о в ан и е оборудования д ля выращивания монокри­
сталлов м а т е р и а л о в электронной техники идет в направлении со­
здания высокопроизводительны х установок, управляемых ЭВМ,
например, в у с т а н о в к а х для выращивания монокристаллов крем ­
ния методом Ч о х р а л ьс ко го можно выращ ивать монокристаллы
кремния д и а м е т р о м до 150 мм и длиной до 2 м.
 ГЛАВА 6
1 ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ РЕЗКИ СЛИТКОВ И МЕХАНИЧЕСКОЙ
ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Х
МАТЕРИАЛОВ

I. О БОРУДОВАНИЕ Д Л Я К РИ С Т А Л Л О ГРА Ф И Ч Е С К О Й
О РИЕНТА ЦИ И СЛИТКОВ

П еред разрезанием слитков полупроводникового м а ­

териала на пластины нужно определить расположение в нем о с ­
новных кристаллографических плоскостей. Это необходимо д л я
последующей точной ориентации слитков перед резанием. Н е с о ­
блюдение этого условия приведет к невоспроизводимости э л е к т р о ­
физических параметров полупроводниковых приборов и микросхем
в процессе последующей обработки на операциях диффузии, э п и ­
таксии и некоторых других. Поэтому д л я получения пластин, д о ­
статочно точно ориентированных в зад ан н о й плоскости, о п р е д е л я ­
ют, насколько и как ось слитка отклон ен а от к р и ста л л о гр а ф и ч е­
ской оси. При этом используют два способа ориентации монокри-
сталлических слитков: рентгеновский и оптический.
Рентгеновский способ основан на изменении интенсивности о т ­
ражения рентгеновских лучей от поверхности полупроводниково­
го материала в зависимости от плотности упаковки атомов в д а н ­
ной плоскости. Чем больше эта плотность, тем интенсивнее о т р а ­
жение рентгеновских лучей. Так как плоскость (111) н аи б о л е е
плотно упакована атомами, то ей и соответствует наибольш ая и н ­
тенсивность отраж енны х лучей.
В практике для ориентации слитков большее применение н а ­
ходит оптический метод. Он зак л ю ч ае тся в том, что если то р е ц
слитка предварительно отполировать и обработать в селективном
травителе, то вследствие различной скорости травления по р а з ­
ным кристаллографическим н ап равл ен иям на поверхности то р ц а
будут выявлены в зависимости от ориентации затравки н а и б о л е е
развитые грани плоскостей (100), (110), (111).
При последующем освещении торца сл и тка п араллельны м п у ч ­
ком света по характеру фигуры, образу ем ой отраженным л учом ,
и положения ее центра на экране п рибора судят об ори ен тац ии
слитка.
Схема установки ориентации слитков оптическим методом п о ­
казана на рис. 50. Все узлы смонтированы в светозащитном к о р ­
пусе 6. Осветительная система р асп ол ож ен а в нижней части у с т а ­
новки, отделенной перегородкой 5, и состоит из осветителя / , к о н ­
денсора 2 и диафрагмы 3. З е р к а л о 4 через фокусирующий о б ъ ­
ектив 9 и зер к а л а 10 и 11 н ап равл яет пучок света на торец с л и т ­
ка, укрепленного в кри сталлодерж ателе 13.
Фокусирующий объектив имеет зу б ч а т ы е пары 7 и 8 д ля юсти-
101
 Рис. 50. Схема установки ориентации слитков оптическим методом

ровки фокусного расстояния и подбора р азм ера диафрагмы, руч­

ки управления которыми выведены наружу. Подвиж ная плита 16
мож ет перемещаться в шариковых направляющих влево до тех
пор, пока слиток не встанет в положение, занимаемое зеркалом
10, и фиксироваться стопором 12. При этом на место слитка ст а­
новится зеркало 15 и д ли н а пути отраженного луча, падающего
на матовый экран 17, увеличивается. Это сделано с целью повы­
шения точности о риентации кремниевого слитка.
В положении, изображ енном на рис. 50, расстояние между
ориентируемым слитком и экраном равно 114,5 мм. При этом од­
но деление шкалы отсчета угломерной головки 14, равное 1 мм,
соответствует отклонению кристаллографической оси слитка на
угол, равный 15'.
При крайнем левом положении подвижной плиты 16 расстоя­
ние между слитком и экраном увеличивается до 572 мм, а одно
деление шкалы отсчета угломерной головки соответствует откло­
нению кристаллографической оси слитка на угол, равный 3'. П о­
лож ен и е экрана 17 м о ж н о регулировать путем поворота его во­
круг оси, перпендикулярной плоскости рисунка, и закрепления в
нужном положении цанговым зажимом. Кроме того, экран вме­
сте с ползуном 18 с помощью винта 19, соединенного гибким в а­
л о м с наружной рукояткой, можно перемещать вдоль направления
ход а луча.
Зеркал о 20 с приводом 21 позволяет визуально наблюдать све­
товую фигуру отр аж ен и я , получаемую на экране. Отсек 22 служит
д л я размещения электрического блока,
102
 Выверенное положение кристаллографических осей слитка фик­
сируют и в дальнейшем учиты ваю т и сохраняю т при разрезке
слитков на пластины.

2. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я Р Е З К И М О Н О К Р И С Т А Л Л О В
П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Х М А Т Е РИ А Л О В

Полупроводниковые материалы, о б л а д а ю щ и е высокой

твердостью и хрупкостью, не поддаются механической обработке
с применением большинства обычных методов, так и х , как точе­
ние, фрезерование, сверление, штамповка и т. п. Практически
единственным методом, применимым для механической обработки
полупроводниковых материалов, является об р аб отка с применени­
ем связанных или свободных абразивов.
Метод резки монокристаллов на пластины металлическим дис­
ком с внутренней алмазной реж ущ ей кромкой (рис. 51) в настоя­
щее время практически вытеснил все ранее прим енявш иеся мето­
ды резки: дисками с наружной алмазной режущей кромкой, полот­
нами и проволокой с применением абразивной суспензии. Этот
способ получил наибольшее распространение потому, что он обес­
печивает более высокую производительность при меньшей ширине
реза, в результате чего потери полупроводникового м атериала
снижаю тся почти на 60 % по сравнению с резкой диском с н ар у ж ­
ной режущей кромкой.
Р еж ущ им инструментом с та н к а является тонкое (толщиной
i 0,1—0,15 мм) металлическое кольцо, на кромку отверсти я которо­
го нанесены алмазные зерна разм ером 40—60 мкм.
Инструмент крепят винтами на конце шпинделя в ращ а ю щ его ­
' ся с частотой 3— 5 тыс. о б /м ин , к барабану (рис. 52) с помощью
колец, имеющих сферический выступ на одном и соответствующую
впадину на другом, чем обеспечивается необходимый предвари­
тельный натяг диска. О кончательное натяжение д и с к а обеспечива­
ется при установке его на б а р а б а н /. С тягивающ ими винтами 7
уменьшают зазор между буртиком 2 бар аб ан а 1 и заж имными

Рис. 51. С хем а резки диском с в н утрен н ей Рис. 52. Б а р а б а н д л я закреп -

алм азн ой реж ущ ей кромкой: ления д и ск а с внутренней ал-
/ - т о л о м * ш п инделя: J -д и с к ; J — н л м я эн н я мазной р е ж у щ е й кром кой
реж ущ а я к р о м к а ; 4 — сляток; 5 — держ атель:
< — пластин а; 7 — сборник с аодой д л я пластин
103
кольцам и 5. Режущ ий диск 6 при этом упирается в опорный вы ­
ступ 4 б а р а б а н а и растягивается в радиальном направлении.
М еж ду заж и м н ы м и кольцами и буртиком барабана устанавлива­
ют регулирую щ ие прокладки 3, которые ограничивают перемеще­
ние колец 5 и предохраняют диск от разрыва из-за чрезмерного
н атяж ен и я . Равномерного н атяж ения диска достигают последова­
тельным постепенным затягиванием диаметрально расположен­
ных винтов 7. На некоторых моделях машин, например «Ал-
маз-бМ», н атяг диска обеспечивается закачкой жидкости (напри­
мер гл иц ери н а) в полость м еж д у зажимными кольцами (рис. 55).
Все виды конструктивных компоновок выпускаемых в настоя­
щее врем я станков для резки слитков полупроводниковых мате­
риалов м о ж н о разделить на три группы:
с горизонтальным расположением шпинделя и суппортом, осу­
щ ествляю щ и м как дискретное перемещение слитка на .толщину
отрезаем ой пластины, так и подачу резания (рис. 53, а ) ;
с вертикальны м расположением шпинделя и суппортом, также
осущ ествляю щ им и дискретное перемещение слитка на толщину
отрезаем ой пластины, и подачу резания (рис. 5 3 ,6 );
с горизонтальным расположением шпинделя, осуществляющим
подачу р езани я за счет качани я его вокруг некоторой оси, и суп­
портом, осуществляющим только дискретное перемещение слитка
на толщ и н у отрезаемой пластины (рис. 53, в).
С тан ки первого типа (рис. 53, а ), к которым относятся модели
2405, «Алмаз-4», TS-21 и TS-23, появились в промышленности
раньш е других и являются наиболее распространенными. При т а ­
кой компоновке горизонтально расположенный шпиндель в р а щ а ­
ется в подшипниках относительно малого диаметра, что позволяет
сравн и тельно легко обеспечить необходимую частоту вращения,
прецизионность и виброустойчивость узла. Недостатком такого ти­
па компоновки станков яв л яе тся достаточно интенсивный износ
н ап р ав л яю щ и х суппорта и, как следствие этого, — потеря точ­
ности.

77Г | >77 •)
*)
Рнс. 53. Схемы конструктивных компоновок станков для резки слитков алм аз­
ными кругам и с внутренней режущей кромкой:
i — к л а н о р е м е н н а я п ередач»; г — м л ш п и н д е л я: 3 — подшипники- 4 — барабан* 5 — а л м а з ­
ный д и с к с внутренней р еж у щ е» к р о м к о й ; « - с л и т о к ; 7 — д е р ж а в к а « — поворотный
ры ч аг; 9 — н еп о д в и ж н а я ось '

104
 Примером станков второго типа ком поновки (рис. 53, б ) я в л я ­
ется модель ASM10A фирмы *Окамото» (Я пония). В ертикальное
расположение шпинделя позволяет увеличить длину р азр езаем ого
слитка и производить автоматическое сн яти е пластин через п олы й
шпиндель. Д иам етр шпинделя выбираю т таким , чтобы внутри н е ­
го свободно проходил слиток. Но большой диаметр шпинделя т р е ­
бует применения прецизионных подш ипников соответствующего
диаметра, а это связано с увеличением линейной скорости, а с л е ­
довательно, и с усиленным их износом. Н а станках типа A SM 10A
можно разрезать слитки диаметром до 95 мм и длиной до 350 мм.
Они имеют частоту вращения до 5• 10 3 о б /м и н и пределы п р о ­
дольных дискретных перемещений слитков в интервале 0,2—
2,5 мм. Д л я этих станков также х ар а к тер н ы м является износ н а ­
правляющих суппорта, что приводит к сравнительно быстрой п о ­
тере им точности. Станки, скомпонованные по третьему ти пу
(рис. 53, в), являю тся лучшими по точности. Они имеют п одачу
резания за счет качания узла шпинделя вместе с патроном и р е ­
в у щ и м диском вокруг оси на роликовых подшипниках. У с у п п о р ­
та остается только одно движение — перемещ ение слитка на т о л ­
щину отрезаемой пластины. При этом точность и долговечность
суппорта повышаются. К станкам этого типа относится « А л ­
маз-бМ».
Станок «Алмаз-бМ», предназначенный д ля резки слитка на
пластины полупроводниковых м атери алов диаметром до 102 мм
и длиной до 500 мм отрезными ал м азны м и кругами с внутренней
режущей кромкой, показан на рис. 54.
В отличие от станка «Алмаз-4», на «Алмаз-бМ» можно о б р а ­
батывать слитки большего диаметра и длины. Отрезаемые на
станке пластины имеют более высокую чистоту поверхности р е за ,

105
большую точность по толщине и параллельности. Это дает воз­
можность исключить промежуточную технологическую оп ера­
цию — шлифовку пластин, а также увеличить выход пластин из
того же объема исходного материала.
«Алмаз-бМ» — высокоточный станок, принцип работы которо­
го основан на р азр е зан и и слитка диском с внутренней алмазной
режущей кромкой при обильном охлаждении места резания сма-
зы ваю щ е-охлаж даю щ ей жидкостью, непрерывно циркулирующей и
очищаемой в зам кн у той системе.
Станок имеет д в а реж им а управления — ручной (наладочный)
и программный. П рограм м ное управление станком обеспечивает
резку по одной пласти н е и резку пакетов. При поштучной резке
съем пластин осущ ествляется автоматически с помощью присоски.
Точное продольное перемещение слитка на требуемую толщину
отрезки пластины обеспечивается прецизионным механизмом, со ­
стоящим из привода (шагового двигателя) и системы передачи
движения на ходовой винт шариковинтовой пары. Шаговой дви га­
тель позволяет осущ ествлять быстрое перемещение каретки впе­
ред-назад и м едленное перемещение в направлении продольной
оси слитка.
Поперечная п о д а ч а режущего диска на слиток осуществляется
при помощи кором ы сла, приводящегося в движение от штока гид­
роцилиндра. С корость подачи устанавливается гидравлическим
дросселем и вы б и рается в зависимости от качества инструмента,
диаметра заготовки, ее материала и толщины отрезаемых п л а ­
стин.
Шпиндель с та н к а обеспечивает необходимую частоту в р а щ е ­
ния инструмента при малом торцевом и радиальном биениях, по­
этому возможно о тр еза ть весьма тонкие пластины хрупких м ате­
риалов с высокой точностью геометрической формы и незначи­
тельной шероховатостью поверхности среза. Последнее снижает
трудоемкость последую щих операций.
Механизм поворота слитка допускает горизонтальную и в е р ­
тикальную регулировку ориентации в пределах соответственно
± 1 0 ° и ± 7°.
Все механизмы станка смонтированы на массивной станине,
имеющей необходимую жесткость и поглощающей возникающие
вибрации. Внутри станины установлены блоки с электрической и
пневмогидравлической аппаратурой. Органы управления станка
вынесены на переднюю панель, в удобное для оператора место.
Станина п р ед став л яе т собой сварную конструкцию, опираю ­
щуюся на виброопоры и разделенную внутри на три части. В пе­
редней левой части расположены элементы электрической систе­
мы управления станком. Доступ к ним осуществляется через д в е ­
ри 18. В задней левой части расположена пневмогидроаппарату­
ра, а в правой — насосная станция 17, осуществляющая непре­
рывную подачу м а с л а к элементам гидравлики. На станине уста­
новлена тумба 16, внутри которой помещен механизм подачи
шпинделя.
106
 Механизм подачи шпинделя состоит из гидроцилиндра 13,
нижний конец которого прикреплен к тумбе, а шток — к к о р о м ы с­
лу через опору 12. Опоры дают возможность цилиндру у с т а н а в ­
ливаться в 2-х взаимно перпендикулярных плоскостях. Упоры 14
и 15 служ ат для переключения золотника, управляющего в е л и ч и ­
! ной хода шпинделя в пределах, необходимых для р а з р е з а н и я
слитка определенного диаметра. М акси м альны й ход штока ц и л и н д ­
ра 170 мм. На верхней части тумбы установлено коромысло 27,
качающееся вокруг оси 28 на подшипниках, собранных с нулевы м
зазором или натягом. На заднем конце коромысла в 4-х р а д и а л ь ­
но-упорных подшипниках установлен рабочий шпиндель. К о р о ­
мысло качается штоком гидроцилиндра, благодаря чему о с у щ е с т ­
вляется рабочая подача круга и быстрый отвод его в исходное
положение. На коромысле установлен т а к ж е и электрод ви гатель
8 привода шпинделя, который через плоскоременную передачу 10
приводит во вращение шпиндель 11. Т а к а я компоновка о б есп еч и ­
вает уравновешивание массы шпинделя электродвигателем и б о ­
лее плавную работу механизма.
Точность выполнения отверстий под шпиндель и под креплен и е
коромысла на тумбе обусловливает точность рабочей подачи р е ­
жущего диска, а следовательно, и качество реза.
На тумбе закреплены пульты управления электро- и г и д р о а в ­
томатикой (6 и 7), позволяющие у п р ав л ять станком и производить
все манипуляции с рабочего места оператора. В плите 20, у с т а ­
) новленной на станине, размещен цилиндр подачи стола и ц или н др-
| подпор 19, который отводит стол со слитком после окончания р е ­
зания на несколько миллиметров от реж ущ его инструмента.
1 На столе 21 установлен механизм поворота 5 слитка в г о р и ­
зонтальной плоскости, с помощью которого ориентируют сл и то к с
' учетом необходимого положения кристаллографических осей по
отношению к реж ущ ему инструменту в направлении, п ерп ен ди ку­
лярном продольной подаче. По ш кале 23 устанавливаю т н ео б х о ­
димый угол поворота слитка в горизонтальной плоскости (в п р е ­
делах ± 1 0 °) и фиксируют стопором 22. В кронштейнах м е х а н и з ­
ма 5 размещено устройство поворота сли тка в вертикальной п л о ­
скости 26.
Механизм подачи 2 может поворачиваться по отношению к м е ­
ханизму поворота 5 в вертикальной плоскости в пределах ± 7 °
(с отсчетом по шкале 25) винтом 24. П ри этом он фиксируется в
в заданном положении стопором 4. М еханизм подачи 2 имеет к о р ­
пус, в котором крепится слиток. Корпус 3 движется по н а п р а в л я ­
ющим 1 механизма поворота 26. П ри работе корпус м е хан и зм а
подачи перемещается только в одном направлении — н ап р авл ен ии
подачи слитка к кругу. Привод м еханизм а подачи осущ ествляется
от шагового двигателя. Наименьшее п ер ем ещ е н и е— 1,0-10—3 мм.
Шаговый двигатель позволяет осущ ествлять быстрое п е р е м е щ е ­
ние каретки (вперед и назад) и медленное перемещение в н а п р а в ­
лении подачи слитка.
В ращающиеся части привода ш пинделя защищены к о ж у х а м и
107
 Лодаиа Ри с. 55. Б а раб ан с н а тяж е н и е м ре жущего диска
2 жидкости гидравлическим способом:
/ — корпус; 2 кольцо; 3 — обр атны й и спускной клапаны;
4 — съе мное кольцо; 5 — р е ж у щ и й круг; 6 — уп лотнит ель­
ное кольцо; 7 — винт; « — з а ж и м н о е кольцо; J — полость
д л я де фо рма ции круга

9 и 29. В зависимости от р
заемы х слитков ( d ^ .7 5 или 102 мм) на
станок устанавливают различные по разм е­
рам барабаны. Б а р а б а н (рис. 55) состоит
из корпуса / с фланцем и кольца 2, скреп­
ленных между собой. К кольцу 2 крепят
съемное кольцо 4, снабженное зажимным,
выполненным из резины уплотнительным
ным кольцом 6, внутри которого установ­
лено резиновое кольцо 8. Н а кольце 4 име­
ются обратный и спускной клапаны 3, че­
рез которые соответственно подается и спу­
скается жидкость (глицерин). Жидкость
заполняет пространство в пазу между
кольцами 4 и 6, давит на кольцо 6 и через
него на кольце 8. Кольцо 8 заж им ает ре­
жущ ий круг, предварительно установлен­
ный на кольце 2 по центрирующим штиф­
там и закрепленный винтами 7. Кольцо 8,
з а ж и м а я режущий круг 5, вдавливает его
в полость 9 кольца 2. Таким образом, на режущем круге о бразу­
ется зиг, благодаря которому в нем создаются растягивающие н а­
пряжения.
Давление ж идкости, находящееся в пределах 9 8 - 105—
118-10s Па, зависит от размеров режущих кругов и необходимой
степени натяжения. Первоначальное растяжение нового круга вы­
бирают равным примерно 0,8 % от размера его внутреннего д и а ­
метра. По мере о сл аб л ен и я натяжения в процессе резания оно мо­
ж е т быть увеличено до 1,5 %■
Величина н ат яж ен и я оказывает большое влияние на стойкость
алмазных дисков. Недостаточное натяжение диска приводит к з а ­
ворачиванию реж ущ ей кромки, под действием радиальной состав­
ляющей силы резания, искажению формы отрезаемых пластин, их
поломке и т. п. Ч резм ерн ое натяжение диска ведет к его ускорен­
ному износу.
Стойкость р еж ущ и х алмазных дисков зависит также и от ре­
жимов резания, и от вида обрабатываемого материала. Величи­
на стойкости «Т» ал м а зн ы х дисков связана с основными техноло­
гическими ф акторам и эмпирическим соотношением:
Т = CV4Sb,
где С — коэффициент, характеризующий обрабатываемый матери­
ал; V — скорость р езани я; 5 — подача, а и b — постоянные в е­
личины.
108
 Скорости резания следует держ ать близкими к наибольшим
допустимым, так как только высокие скорости позволяю т полу­
чить наибольшую производительность. Эмпирически т а к ж е найде­
но, что для полупроводниковых материалов эти скорости должны
быть в пределах 20—22 м/с. При них достигаются минимальные
деформации и непараллельность плоскостей о треза ем ы х пластин.
Д л я получения высококачественного реза с м иним альной тол­
щиной нарушенного поверхностного слоя пластины подача S дол­
ж н а быть ^— 0,01 мм/об для германия и арсен ид а галлия и
0,008 м м /о б для кремния. При частоте в р ащ е н и я шпинделя
5 -10 3 об/мин это составляет 50 мм/мин и 40 м м /м и н соответст­
венно для германия и кремния. Частоту вращения ш пинделя стан­
ка выбирают по известной формуле, исходя из принятой макси­
мальной скорости резания и диаметра разрезаем ого слитка, опре­
деляющего диаметр отверстия с режущей кромкой в рабочем ин­
струменте:

где п — частота вращения, об /м и н ; V — скорость резания, м/с,

D — диаметр отверстия реж ущ его диска, м.

3. О Б О Р У Д О В А Н И Е ДЛЯ ШЛИФОВАНИЯ И ПОЛИРОВАНИЯ

ПЛАСТИН

Д л я обеспечения необходимых геометрических р азм е­

ров отрезанных полупроводниковых пластин, их плоскопараллель-
. ности и соответствия заданным размерам, а т а к ж е уменьшения
глубины нарушенного слоя пластины подвергаются шлифованию
и полированию. Процесс ш лифования представляет собой об р а­
ботку пластин на твердых доводочных дисках — ш лиф овальниках
(из чугуна, стекла, латуни и т. д.) абразивны ми м и кроп орош ка­
ми зернистостью от 28 до 3 мкм или алмазны ми ш лифовальны ми
кругами с зернистостью от 120 до 5 мкм. Погрешности формы п л а­
стин (неплоскостность, клиновидность и т. д.), возникш ие в про­
цессе резки слитка, исправляют в процессе ш ли ф ован ия. В ре­
зультате шлифования получают пластины правильной геометри­
ческой формы с шероховатостью поверхности Ra 0,32—0,04.
Н а рис. 56 приведен один из возможных вар и ан то в классифи­
кации современных шлифовальных станков по виду используемо­
го абразива, характеру (методу) удаления припуска, методу осу­
ществления относительного перемещения инструмента и о б р а б а ­
тываемого изделия. При этом видно, что все м ногообразие машин
в конечном итоге можно разд ел и ть на пять групп.
К первой группе станков д л я одностороннего плоского ш лифо­
вания связанным абразивом (рис. 57) относятся станки типов
МШ-259, СШП-1, СПШП-1. С танки работаю т по принципу к а р у ­
сельно-шлифовальных и состоят из станины, ниж них и верхних
шпинделей с приводом и систем электроуправления и охлаждения.
109
 Шлифование свя­ Шлифование сво­
занным абразивом бодным абразивом

Одностороннего Одностороннего двухстороннего

шлифования шлифования шлифования
П*р о ц е с с шлиф о в а н и я осущест В л я е т с я
вращающимся несколькими сепаратором сепаратором
шлифовальни - автономными с вложенными с вложенными
ком и вращаю­ рабочими в его гнезда в его гнезда
щимся столом головками, пластинами, пластинами,
с закреплен­ вращающимися вращающимися вращающимися
ными на нем вокруг собст ­ между непод­ межой одним
пластинами венной оси с вижными шли- неподвижным
закрепленными фовальниками и овном
на них плас­ вращающимся
тинами и шлифовапь-
вращающимся никами
Методом Методом шпифовальни-
плоского врезного ком
шлифо шлифо
вания вания

Рис. 56. К л а с с и ф и к а ц и я современ ных ш лифовальных станков

Станок С ПШ -1 на одной станине имеет две позиции обработки

с независимыми друг от друга парами шпинделей. Частота в р а ­
щения верхних шпинделей с абразивными кругами 2400 об/мин,
а ш лиф овальны х столиков с закрепленными на них о б рабаты вае­
мыми п ласти н ам и — 350 о б /м и н . Обычно на одной позиции про­
изводится предварительное шлифование, а на другой — чистовое.
П одача круга осуществляется за счет массы шпинделя. Станок
СП Ш П -1 является модернизированной моделью станка СПШ-1 и
предназначен для прецизионного шлифования алмазным инстру­
ментом пластин большого диаметра. Но на станке можно выпол­
нять и операции полирования порошком окиси алюминия или по­
л ировальной суспензией. В станках типов СПШ-1, СПШП-1 и
МШ-259 предусматриваю тся съемные столики для наклеивания
пластин. С тан ок типа M P S-R 600 фирмы Георг Мюллер (Ф РГ ) по

& ZZZZ.

Рис. 57. С х е м а плоского (торцевого) Рис. 58. Схема врезного ш л и ф о в а ­

ш ли ф о в а н и я : ния:
/ — шлифовальный круг; 2 — а л м а з; Л— 1—3 — шлиф овальн ые круги; 4—6 — обра-
о б р а б а т ы в а е м ы е пластины; 4 — стол б а ты аае мы е пластины; 7 — стол
110
Рис. 59. Кинематическая
схема станка САШ-420М

всей площади стола име­

ет вакуумные присоски,
что ускоряет загрузочно­
разгрузочные операции
и повышает его произво­
дительность.
Станки второй группы
для одностороннего ш ли­
фования связанным а б р а ­
зивом, работающие по
схеме врезного ш лифова­
ния (рис. 58), нашли ши­
рокое применение для
сошлифовывания слоев
большой толщины. С тан ­
ки типов CALII-3, CAL1I-
420М предназначены для
шлифования пластин д и а ­
метром до 60 мм, а САШ-
150— диаметром до 150 мм. о с е онн имеют аналогичные конст­
руктивные схемы. В верхней части массивной литой станины смон­
тированы по три шпинделя, вращающихся с частотами 9• 103—
14-103 об/мин. В нижней части находится стол с вакуумными
присосками для обрабаты ваемы х пластин, вр ащ а ю щ и й с я с часто­
той 0,5—5 об/мин.
Кинематическая схема станка типа САШ -420М показана на
рис. 59. Стол 9 приводится во вращение электродвигателем по­
стоянного тока 1 через клиноременную передачу и червячную п а­
ру. Шпиндели 3 вращ аю тся от электрошпинделей 6 через цент­
робежную муфту. Питание электрошпинделей осущ ествляется от
генераторов высокой частоты. Шпиндельный у зел уравновешен
противовесом 5. Вертикальная подача шпинделей с абразивным
кругом 2 вручную производится вращением м а х о ви к а 8, связан­
ного через червячную пару с ходовым винтом 7, а автоматиче­
ская — от электродвигателя 4.
Ш лифовальные станки третьей, четвертой и пятой групп отно­
сятся к станкам для ш лифования свободным абрази вом . Станок
третьей группы для одностороннего ш лифования свободным аб ­
разивом схематично показан на рис. 60. По этой схеме выполне­
ны станки типов В1М3.105 и ЖК-14.09М. За го то в к и пластин 4 на­
клеивают на приспособление 3, которое у д ер ж и в аетс я от смеще­
ния роликами 6. Груз 2 создает необходимый приж им пластин к
шлифовальнику 5. Д озатор 1 производит подачу абразивной су­
спензии. При вращении шлифовальника силы трения вызывают
вращение приспособления 3. Этим создаются услови я для равно­
мерной обработки всех пластин. С помощью станков для одно-
111
Рис. 60. С х е м а с та н к а односторонне- Рис. 61. Схема планетарного меха-
го ш л и ф о в а н и я свободным абраэи- низм а станка двусторонней шлифов-
вом ки и полировки пластин

сторонней обработки пластин можно получить высокое качество

обработки одной поверхности. Однако наклейка и переклейка
пластин резко ухудшает их геометрические характеристики. П о­
этому д ля получения пластин с высокоточными геометрическими
характери сти кам и применяют станки двусторонней обработки.
Главной конструктивной особенностью этих станков является на­
личие п лан етарн ого механизма, перемещающего пластины между
ш ли ф овальн и кам н (рис. 61). Д виж ение пластин по сложной 11
траектории усредняет условия обработки и дает возможность по­
лучить высокие геометрические параметры изделий.
О б р аб аты в аем ы е пластины 9 заклады ваю т в отверстия сепа­
раторов 7, имеющих зубчатый венец, находящийся в постоянном
зацеплении с центральной шестерней 6 и периферийным зуб ча­
тым колесом 10. Шестерня 6 закреплена на валу 5. Зубчатое ко­
лесо 10 и шестерня 6 вращ аю тся от одного привода в одну и ту
же сторону, но с разными угловыми скоростями. З а счет этого
сепараторы движ утся между шлифовальникамн 1 , 2 и в то же
время в р ащ а ю т ся вокруг собственной оси. Абразивная суспензия
подается в зону обработки через отверстия 3 в верхнем шлифо-
вальнике /. З а гр у з к у и съем пластин производят при поднятом
верхнем шлифовальнике. Д л я исключения сколов на краях п л а ­
стин в гнездо сепаратора сн ач ал а вкладывают защитное тексто­
литовое кольцо 8, внутрь которого помещают обрабатываемую
пластину. З а з о р между защитным кольцом и сепаратором состав­
ляет 0,4— 0,8 мм, а между кольцом и пластиной — 0,4— 1,5 мм.
В с т а н к а х четвертой группы сепараторы с вложенными в их
гнезда обраб аты ваем ы м и пластинами перемещаются меж ду двумя
112
невращающимися шлифовальниками. По этому типу сконструиро­
ван станок ИО 19006. В ста н к ах пятой группы д л я уменьшения
износа зубчатого венца сепаратора и его д е ф о р м а ц и и предусмот­
рено вращение одного из шлифовальников. К с т а н к а м этой груп­
пы относятся СДШ-100 и СДП-100.
Д л я полирования пластин могут быть использованы те же
станки, что и для шлифования. Д л я этого на ш лифовальниках
делаю т выборки и с помощью внешних и внутренних стальных
колец 4 на них натягивают замшу. Д л я подачи абразивной сус­
пензии в зону полирования в верхнем ш л и ф ов ал ьн и ке и в замше
имеются отверстия. К станкам , которые мож но использовать как
для шлифования, так и для полирования пластин, относятся стан­
ки СПШ П-1, В1МЗ 105, Ж К14.09М , СДП-100.
Полирование может быть:
механическим, которое происходит главны м образом за счет
микрорезания зернами абрази ва, пластических деформаций и
сглаживания;
химико-механическим, при котором снятие м а т е р и а л а с о б р а­
батываемой поверхности происходит в основном за счет механи­
ческого удаления образую щихся в результате химических реакций
мягких пленок. Д л я химико-механического поли р ован и я необходи­
мо несколько большее усилие прижима о б р аб аты ва ем о го изделия
к полировальнику, чем при механическом. П о это м у д л я этих про­
цессов создан ряд специальных станков, наприм ер, моделей
СХМП-1, Ю1МЗ. 105.004, Ю1М1.244.000.
Схема полуавтомата одностороннего по ли ро ван и я полупровод­
никовых пластин типа Ю1М1.244.000 п оказана на рис. 62. Стол 4,
на котором размещен съемный полировальник 8, приводится во

4 __
Ш
шЯ тяяп$
Я1М р
,г :

Рис. 62. Схема пол у автом ата одностороннего п о л ир ов а ния п л а ст и н

8 Зак. 824 113
вращение с частотой 8 7 ± 1 0 об/м ин от электродвигателя 7 через
клиноременную передачу 6 и двухступенчатый редуктор 5.
Н а верхней части станины станка размещены четыре пневмо­
цилиндра 1, на штоках 2 которых шарнирно закреплены приж им ­
ные диски 3. Пневмоцилиндры осуществляют подъем, опускание
и необходимый прижим пластин к полировальнику. Ш арнирное
крепление приж им ны х дисков с приклеенными к ним пластинами
позволяет им плотно прилегать (самоустанавливаться) к полиро­
вальнику и в р ащ аться вокруг собственных осей, обеспечивая
сложное д в и ж е н и е полируемых пластин. Станок позволяет о б р а­
баты вать пластины диаметром до 100 мм и обеспечивает получе­
ние ш ероховатости обработанной поверхности по четырнадцатому
классу. '
4. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я Х И М И Ч Е С К О Й
И ЭЛ ЕК Т РО Х И М И Ч ЕС К О Й ОБРАБОТКИ
П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Х ПЛАСТИН
П о с л е механической обработки кристаллическая реш ет­
ка на поверхности полупроводниковых пластин разруш ается, появ­
ляются трещ ин ы и риски в материале и различные загрязнения.
Д л я у д ал ен и я нарушенного поверхностного слоя полупроводнико­
вого м а т е р и а л а применяют химическое травление, протекающее
при контакте подложки с жидкой или газообразной средой.
Процесс химического травления — это химическая реакция
жидкого т р а в и т е л я с материалом пластины с образованием р ас­
творимого соединения и последующим его удалением. В техноло­
гии полупроводникового производства обычно химическую о б р а­
ботку н а з ы в а ю т травлением, а химико-динамическую — полирую­
щим травлен и ем . Химическое травление полупроводниковых м а ­
териалов п ро во д ят для того, чтобы удалить нарушенный слой. Оно
характери зуется повышенной скоростью травления в местах нару­
шения кристаллической структуры. При химико-динамическом
травлении у д а л я ю т более тонкие слои, т. к. его назначение — со­
здать на пласти н е гладкую поверхность высокого класса чистоты.
Состав т р а в и т е л я подбирают так, чтобы полностью подавить его
способность к селективному травлению. Процессы химической об­
работки си льн о зависят от температуры, концентрации и чистоты
реактивов. П оэто м у при проектировании оборудования для хими­
ческой о б р аб о тк и стремятся стабилизировать основные параметры
процесса и этим гарантировать высокое качество травления.
М атериалы , применяемые д ля изготовления рабочих камер,
должны быть стойкими к используемым реактивам, а применяе­
мые средства автоматизации — либо малочувствительными (н а­
пример, пневмо- или гидроавтом атика), либо хорошо защ ищ енны ­
ми от воздействия паров агрессивных реактивов (в случае приме­
нения электр оавто м атик и).
У становка д л я химического травления пластин типа ПВХО-
ГК60-1 п о к а з а н а на рис. 63, а схема устройства рабочих органов
приведена на рис. 64.
114
Рис. 63. Установка д л я химического
травления пластин типа ПВХО-ГКбО-1:
1—3 — ванны дл я о б ра б от ки соответственно
в кислотах, деионизованной воде, кистями

На рабочем столе в пылеза­

щитной камере смонтированы три
рабочих ванны 1— 3. В ванне 1
производится обработка кремни­
евых пластин погружением в хо­
лодные или горячие кислоты, или
органические растворители. Кры ­
шка ванны в процессе обработки
герметически закры та. О бработ­
ка производится групповым ме­
тодом в кассетах по 40—60 плас­
тин в зависимости от их разме­
ров. Из ванны 1 кассеты 6 пере­
носятся в ванну 2 для отмывки
деионизованной водой. Степень
отмывки контролируется прибором по разности сопротивления
деионизованной воды на входе и выходе ванны. После этого в
ванне 3 пластины по 10 шт. об рабаты ваю тся кистями 4 и суш атся
на центрифуге 5.
Химико-динамическое, или полирующее травление производит­
ся с помощью устройства, схема которого приведена на рис. 65.
Сущность его заключается в активном перемешивании трави теля
непосредственно у поверхности об р аб аты ваем ой пластины. Б л а г о ­
д ар я этому обеспечивается быстрое уд ал ен и е продуктов реакции,
равномерное поступление новых порций трави теля, неизменность
его состава и постоянство теплового р е ж и м а обработки.
Во фторопластовый барабан 2, вращ а ю щ и й с я на оси, н а к л о ­
ненной относительно нормали на угол 15— 45°, заливаю т порцию
травителя 3. О брабаты ваем ые пластины 4 н аклеиваю т на фторо-

Л еионизованная
1ода
1

Кислота f

Рис. 64. Схема рабочих органов установки ПВХО-ГКбО-1

115
8*
Рис. 65. Схема установки полирую- Рис. 66. Схема установки электрохи-
щего травления мической полировки полупроводни­
ковых пластин

пластовые диски 5, которые помещают на дно барабана пластина­

ми вверх. Б а р а б а н приводится во вращение от электродвигателя
через редуктор 1 с частотой вращения 120 об/мин. При этом дис­
ки 5 перекаты ваю тся по его стенке, обеспечивая хорошее переме­
шивание тр ав и тел я и со зд ав ая условия для равномерного т р а в ­
ления.
Д л я полирования кремния применяют так ж е электрохимиче­
ское полирование, в основе которого л еж и т анодное окисление по­
лупроводника, сопровож д аем ое механическими воздействиями на
окисную пленку. П ринципиальная схема установки показана на
рис. 66. Д в а дисковы х электрода — анодный 2 и катодный 3 от­
делены друг от д р у г а капроновой сеткой, натянутой с помощью
кольца на катод 3. С етка пропитана электролитом, постоянно по­
даваемым из б а ч к а 1. Д л я изменения скорости протекания э л е к ­
тролита угол отклонения катодного диска от вертикали может ре­
гулироваться от 0 до 20°. Электродвигатель 5 постоянного тока
и редуктор 6 п о зво л я ю т плавно изменять частоту вращения к а ­
тодного диска 3 в пределах 80—200 об/м ин. Катодный диск из­
готовлен из коррозионно-стойкой стали и имеет радиальные пазы,
через которые пластины л-типа подсвечиваются мощной лампой 4
д ля генерации неосновных носителей (ды рок), необходимых д ля
протекания реакции. Анодный диск 2 с наклеенной на нем п л а ­
стиной в процессе работы самоустанавливается по катодному дис­
ку. Д анны й метод обработки особенно эффективен при локальном
травлении, кремния.

5. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я КОНТРОЛЯ П ОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПЛАСТИН

Качество поверхности обработанных пластин определя­

ется шероховатостью и глубиной нарушенного слоя. После резки,
116
шлифовки и полировки пластины отмы ваю т. Состояние п о в е р х н о ­
сти пластин контролируют визуально или под микроскопом. П р и
этом проверяют наличие на поверхности царапин, рисок, с к о л о в ,
загрязнений и следов воздействия химически активных в ещ е ств .
Во всех установках контроль осущ ествляется оператором с и с ­
пользованием, например, микроскопов типов МБС-1, М Б С -2
(с увеличением 88х ) или М ИМ-7 (с увеличением 1440х ). М и к р о ­
скоп МБС-1 благодаря специальному устройству осветителя п о ­
зволяет наблю дать поверхность в лучах света, падающих под р а з ­
ными углами. На микроскопе М И М -7 можно наблюдать п о в е р х ­
ность в светлом и темном полях. О ба микроскопа позволяю т и з ­
мерять размеры повреждения поверхности специально у с т а н о в л е н ­
ными окулярами. В установках для визуального контроля п л а с т и н
автоматизируется подача пластин из кассеты на предметный с т о ­
лик под микроскоп и возвращение ее после контроля в с о о т в е т ­
ствующую классификационную кассету. Иногда вместо о п т и ч е с к о ­
го микроскопа применяют проекторы, позволяющие снизить у т о м ­
ляемость оператора.
Ш ероховатость поверхности в соответствии с ГОСТ 2789— 73
оценивают средним арифметическим отклонением профиля R a или
высотой микронеровностей Rz. ГО С Т устанавливает 14 к л а с с о в
шероховатости поверхности. Д л я 6— 12 классов ш ероховатости
основной является шкала Ra, а д ля 1— 5-го и 13— 14-го — ш к а л а
Rz. Ш ероховатость измеряют в визуал ьн о определенном н а п р а в ­
лении, соответствующем наибольшим значениям Ra и Rz.
Д л я измерений используют станд артн ы е проф илограф ы -про-
филометры или с помощью сравнительного микроскопа п о в е р х ­
ность обработанной пластины визуальн о сравнивают с э т а л о н о м .
Современный профилограф-профилометр — универсальный в ы с о ­
кочувствительный электромеханический ощупывающий прибор,
предназначенный для измерения волнистости и шероховатости м е ­
таллических и неметаллических поверхностей. Принцип д е й с т в и я
прибора состоит в том, что ко лебательн ы е движения о щ у п ы в а ю ­
щей иглы с радиусом закругления 10 мкм вызывают и зм ен ен и я
напряжения, которые регистрируются отсчетным устройством. П р и ­
бор имеет так ж е записывающий механизм и может вы д ав ать п р о ­
филограмму поверхности. Д л я бесконтактного измерения п р и м е ­
няют микроинтерферометры М И И -4 и МИИ-11 с пределами и з м е ­
рений / ? г = 0 , 0 0 5 — 1 мкм.
Толщина слоя, в котором в р езул ь тате механической о б р а б о т к и
нарушена кристаллическая решетка полупроводника, я в л я е тся о д ­
ним из критериев качества обработанной поверхности п л асти н ы .
Толщина нарушенного слоя зависит от р азм ера зерна а б р а з и в н о ­
го порошка, примененного для обработки, и приближенно м о ж е т
быть определена по формуле
н = кб,
где б — размер зерна; К — эмпирический коэффициент ( К = 1,7
для Si; / ( = 2 , 2 для Ge).
117
С труктура нарушенного слоя имеет зоны нарушенного рельефно­
го и трещиноватого сл оев (последняя самая больш ая) и зону уп­
ругих деформаций. П о д ними расположен неповрежденный моно-
кристаллический м а т ер и ал .
Толщину наруш енного слоя определяют только в процессе от­
л ад к и технологии механической обработки пластин. Наиболее про­
стым и удобным методом определения толщины нарушенного слоя
является визуальный контроль под микроскопом поверхности пос­
л е селективного трав л ен и я. Существуют и другие методы.
После определения толщины нарушенного слоя и назначения
припусков на о б раб о тку стремятся создать и поддерживать такой
технологический процесс изготовления полупроводниковых п ла­
стин, который г ар а н ти р о в ал бы удаление дефектов, возникающих
при механической об р аб отке. Поэтому в установившемся произ­
водственном процессе толщину нарушенного слоя не контроли­
руют.
Д л я контроля толщ ины , неплоскостности, непараллельности и
прогиба пластин использую т стандартные измерительные средст­
в а, такие, как инди каторы часового типа или другие аналогичные
им ры чажно-механические приборы с ценой деления 0,001 мм.
В последнее время д л я контроля геометрических параметров п л а­
стин все чаще начин аю т применять бесконтактные пневматические
или емкостные датчики. С их помощью можно быстро произво­
дить измерения, не п одв ергая пластину риску загрязнения или ме­
ханического повреждения.
I

ГЛАВА 7

ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИ БО РО В И ИНТЕГРАЛЬНЫ Х
МИКРОСХЕМ

I. О С О Б Е Н Н О С Т И Т Е Х Н О Л О Г И И О Ч И С Т К И
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБО РОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ
МИКРОСХЕМ

В производстве полупроводниковых приборов и инте­

гральных микросхем важное место з ан и м ае т технологическое о б о ­
рудование для проведения операций очистки. В условиях п р о и з ­
водства пластины с приборами соприкасаю тся с различны ми с р е ­
дами, и полностью защитить их от адсорбции примесей и п о л у ­
чить идеально чистую поверхность практически невозможно. П о ­
этому применяемое понятие «чистая поверхность имеет о т н о с и ­
тельный характер.
Те хноло гиче ски чистой считается поверхность, кон ц ен трац ия
примесей на которой не препятствует воспроизводимому п о л у ч е ­
нию заданных значений и стаби льности параметров п о л у п р о в о д ­
никовых приборов и интегральных схем. В связи с этим о п р е д е ­
лением на различных этапах технологического процесса тр еб уется
различная степень очистки пластин. Так, например, на п р о м е ж у ­
точных стадиях*изготовления пластин очистку их поверхности п ро­
изводят частично, стремясь:
удалить механические частицы более крупные, чем ч асти ц ы
абразива, применяемого на последую щей операции;
подготовить поверхность пластин к проведению таких ч у в с т в и ­
тельных к загрязнениям операций, как химическое т р а в л е н и е и
химико-механическое полирование;
удалить загрязнения, которые могут повлиять на точность к о н ­
троля пластины.
Очистка в полном объеме производится только после конечной
операции механической обработки. Д л я очистки поверхностей по­
лупроводниковых пластин и кр и ста л л о в технологический п роцесс
должен состоять из последовательных операций, к а ж д а я из к о то ­
рых предназначена для удаления одного или нескольких видов
загрязнений. Источниками загрязнени й могут быть см азки , с м а ­
зочно-охлаждающие жидкости, аб р ази в н ы е частицы, пыль, о с т а т ­
ки щелочей, кислот и солей, а т а к ж е различные газы. М ех а н и зм
очистки подложек достаточно прост, однако многообразие э л е к ­
трофизических состояний поверхности и недостаточная д о с т о в е р ­
ность оценки степени чистоты о п ред ел яю т существование б о л ь ­
шого числа вариаций технологических процессов очистки.
Процесс полной очистки поверхности включает сл едую щ и е три
группы технологических операций: обезжиривание, тр авл ен и е и о т ­
мывку.
119
 Обезж иривание — растворение (или разрушение) и удаление
с поверхности жировых, масляны х пленок и других загрязнений,
химически не связанных с материалом поверхности.
О безж иривание п р ово д ят в горячих или кипящих органических
растворителях, таких, ка к бензин, сольвент, скипидар, бензол, то­
л у ол , ксилол метиловый, этиловый и пропиловый.спирты, четы­
реххлористый углерод, дихлорэтан, трихлорэтан и др. Большин­
ство из них легко воспламеняются, образуют с воздухом взрыво­
оп асн ы е смеси, или о к а з ы в а ю т вредное действие на организм че­
л о в ек а. Поэтому относиться к органическим растворителям сл е­
д у ет с большой осторожностью, а процессы проводить в герме­
тичных реакционных к а м е р а х с вытяжной вентиляцией. При вы ­
полнении этой операции происходит удаление загрязнений без н а­
руш ения структуры поверхности.
Травление — растворение загрязнений, образующихся в ре­
зу л ь т а т е химического взаимодействия материала поверхности с
о к р уж аю щ ей средой, при этом происходит удаление загрязнений и
поверхностного слоя очищ аем ого материала. Травители содержат
вещество, являющ ееся окислителем, и вещество, которое является
растворителем об разую щ и хся окислов. В качестве травителей для
крем н ия используют кислотные и щелочные составы. Кислотные
трави тел и представляю т собой смеси из азотной, плавиковой и
уксусной кислот.
Так, например, д ля полирующего травления, дающего зер­
к аль н у ю поверхность кремния, используют смесь азотной и п л а­
виковой кислот в соотношении 3 :1 с температурой 30—4 0 °С.
В рем я травления п оряд ка 15 с. При добавлении в этот состав для
зам ед л е н и я реакции 9 частей уксусной кислоты получают трави-
тель, применяемый д ля химической обработки пластин кремния с
лю бой кристаллографической ориентацией. Температура травле­
ния не долж на превы ш ать 25 °С, а время обработки возрастает
д о нескольких минут.
Щелочные травители представляют собой растворы NaOH или
К О Н с концентрацией от 1 до 30 % в зависимости от необходи­
мой скорости травления при температуре раствора 50— 100°С.
О б р аб о тан н ая поверхность при этом получается шероховатой.
О тм ы вка — растворение в деионизованной -.воде остатков р еа­
гентов, используемых при обезжиривании и травлении.
В полупроводниковом производстве для целей отмывки приме­
н яю т воду двух марок: воду А для промывки пластин и кристал­
л о в с р — л-переходами и воду Б для обработки всех других эл е­
ментов полупроводниковых приборов. Вода А имеет удельное со­
противление от 7 до 20 М О м -см , а вода Б — не менее 1 МОм-см
при температуре 20 °С.
Отмывку производят до тех пор, пока удельное сопротивление
воды на выходе из промывочной ванны не сравняется с удельным
сопротивлением ее на входе. Это служит критерием хорошей от­
мывки. Существуют и д ругие способы контроля качества отмыв­
ки, например, по краево м у углу смачивания поверхности подлож-
120
Рис. 67. Силы, действующие на
каплю ж идкости:

ки. На подложку с помощью д о затор а наносится ка п л я жидкости.

Она в зависимости от наличия загрязнений по-разному р а с т е к а ­
ется по ее поверхности (рис. 67). И з м е р я я угол 0, проектируя под­
ложку с каплей на экран, количественно оценивают степень очист­
ки. Исходя из условия равновесия сил поверхностного н атя ж ен и я
на границах раздела можно н аписать
Fl = F S + ^ 2 COS 6 .

При очень чистой поверхности жидкость хорошо ее см ачи в ает

и растекается по большой п лощ ади. При этом угол 0 невелик.
Обычно считают отмывку хорошей, если 0 < 7 5 ° .
В технологию очистки п од л о ж е к часто входит р яд однотипных
физических и физикб-химнческих процессов или способов о б р а б о т ­
ки, поэтому иногда различные операции очистки п р ово д ят в о д ­
них и тех ж е аналогичных по принципу действия установках с и з­
менением режимов обработки и рабочих реагентов.

2. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я О П Е Р А Ц И Й О Ч И С Т К И

Промышленные установки, используемые д л я целей

обезжиривания, травления и отмывки, отличаются разн о о б р ази ем
используемых способов обработки.
С труктурная схема любой технологической установки, п р е д н а ­
значенной для очистки, состоит в общем случае из следую щ их
частей и узлов:
рабочая камера или реактор, в котором проводится процесс
очистки;
рабочий инструмент или устройство, реализующее технологи­
ческий процесс или интенсифицирующее его;
приводные устройства, обеспечиваю щие необходимые м е х а н и ­
ческие перемещения в камере об рабаты ваем ого об ъекта, р а б о ч е ­
го инструмента или реагента и других элементов конструкции к а ­
меры;
пылезащ итная камера, обеспечиваю щ ая выполнение т р е б о в а ­
ний технологической гигиены;
система подготовки и подачи рабочих реагентов;
электрические блоки питания и управления;
стол (к а р к а с ), служащий д л я м о н таж а узлов установки;
устройство загрузки — выгрузки объектов обработки;
датчики и приборы измерения и контроля технологических п а ­
раметров, а так ж е датчики автоматического управления.
121
Рис. 68. С хем а двухкам ерной противоточной установки т равлен ия

По конструктивному признаку, т. е. в зависимости от структур­

ной схемы и устройства, оборудование для очистки можно разде­
лить на установки и агрегаты .
Установки — машины с одной или несколькими камерами, рас­
считанны е на применение определенного способа обработки или
способа интенсификации процесса. Операцию очистки в этом слу­
ч ае проводят, как правило, в один этап.
С хема двухкамерной противоточной установки травления пока­
з а н а на рис. 68. И зделия / устройством для перемещения кассет
2 переносятся из ванны 3 в ванну 4. Реагент подается через п а­
трубок 5 навстречу обрабаты ваем ы м изделиям.
Агрегаты — машины с несколькими камерами, рассчитанными
на последовательное или последовательно-параллельное проведе­
ние очистки в несколько этапов, отличающихся устройством и спо­
собом обработки (рис. 69).
С труктурная схема агрегатов может включать несколько к а ­
мер, выполненных в виде одинаковых модулей и рассчитанных на
последовательно-параллельное проведение в них операций, для
д ости ж ен и я большей производительности.
К лассификация технологического оборудования очистки может
быть проведена и по другим признакам. Например, по способу
о рган и зац ии процесса очистки установки и агрегаты делят на м а­
шины периодического и непрерывного действия.
Непрерывные процессы осуществляются в проточных камерах
и реакторах, в которые одновременно и непрерывно происходит
п о дача рабочих реагентов и загрузка — выгрузка объектов о б ра­
ботки.

JeuomJOtaMCtu
toia

Рис. 69. Схема агрегата

очистки:
/ — к а м е р а ультразвукового
~tx)4± (УЗ) обе зж и риван ия; 2 —
/ г Я О * s
У3 -и эл учате л ь; S — сливной
ве нти ль; 4 — центрифуга;
S — к а м е р а отмывки
122
 Основные преимущества о борудования непрерывного действия:
снижение, как правило, эксплуатационны х расходов не только
из-за более высокого уровня автоматизации, но и б л а г о д а р я есте­
ственному увеличению полезного времени работы, т. е. п овы ш е­
нию производительности установки за счет значительного сни­
жения затрат времени на з а г р у зк у и выгрузку (цикловы х по­
терь);
большая устойчивость технологических параметров и соответст­
венно более стабильное качество обработки.
Несмотря на достоинство непрерывных процессов, в п р о м ы ш ­
ленности широко используют оборудование периодического д ей ст­
вия, так как часто осуществление процесса в периодическом ц и к­
ле более выгодно. Это в первую очередь связано со специфиче­
ским и относительно малым объемом обработки (д а ж е на п р е д ­
приятиях с массовым выпуском изделий), определяемым большой
номенклатурой выпускаемой продукции, требующей частой пере­
настройки оборудования. Процессы периодического действия по­
зволяют достичь большей гибкости в использовании о б о р у д о в а ­
ния при меньших капитальных затр а тах .
Процессы очистки можно осущ ествлять по прямоточному или
противоточному принципу. При организации процесса травления
по принципу прямотока направления перемещения п одл о ж ек и
движения раствора травителя последовательно из одной камеры
в другую совпадают, при этом концентрация активного реагента
уменьшается от камеры к к а м ер е в направлении его движения.
В противоточном процессе о б раб аты ва ем ы е пластины и поток т р а ­
вителя направлены навстречу д руг другу. При этом, к а к правило,
достигается лучшее распределение концентрации реаген та по к а ­
мерам: средняя скорость трав л ен и я выше, чем в прямоточном
процессе. Эффективность очистки при противотоке т а к ж е выш е за
счет того, что подложки на выходе из последней стадии о б р а б о т ­
ки контактируют с чистым реагентом. Поэтому применение про­
тивотока в оборудовании очистки предпочтительнее.
Не рассматривая общих требований, п редъявляемых к л ю б о ­
му виду оборудования производства интегральных микросхем, о т­
метим только те из них, которые необходимо соблю дать при про­
ектировании оборудования д ля очистки. К этим требованиям м о ж ­
но отнести:
высокую эффективность очистки;
недопустимость утечки рабочих реагентов, о б ладаю щ и х ток­
сичными, огне- и взрывоопасными свойствами, высокой реакцион­
ной способностью;
оснащение вытяжной вентиляцией, обеспечивающей соблю де­
ние санитарных норм СН-245-71, устанавливающих предельно д о ­
пустимые концентрации токсичных веществ в рабочей зоне;
обеспечение установок системой сигнализации и надеж но
функционирующими защитными устройствами;
правильный выбор типа пылезащ итной камеры в соответствии
с требуемыми условиями проведения операции;
123
 снижение уровня загрязнени й , генерируемых собственными ме­
х ан и зм ам и и процессами установки;
п равильный выбор и расчет коррозионной стойкости материа­
лов элементов конструкций, контактирующих с агрессивными сре­
д ам и ;
обеспечение установок системами регенерации, утилизации от­
раб о тан н ы х реагентов, когда это экономически оправдано или не­
об ходи м о для защиты окруж аю щ ей среды.

3. Ф У Н К Ц И О Н А Л Ь Н Ы Е Э Л Е М Е Н Т Ы О Б О Р У Д О В А Н И Я
Д Л Я ОЧИСТКИ

Л ю б а я технологическая установка для очистки полу­

проводниковых изделий состоит из ряда однотипных функциональ­
ных узлов, важнейшими из которых являются рабочая камера,
или реактор, в котором проходит процесс очистки, а такж е рабо­
чий инструмент и устройства, реализующие этот процесс или ин­
тенсифицирующие его.
П ростейшим реактором является ванна, в которую вручную
или механизмом погруж ается кассета с обрабатываемыми изде­
л иям и . А простейшим инструментом является находящийся в ней
химический реактив.
П ри ступенчатой очистке изделия или подложки проходят очи­
стку последовательно в р азл и чн ы х ваннах. Транспортировка осу­
щ ествл яется в кассетах, технологических приспособлениях вруч­
ную или транспортерами (рис. 70, а).
Р аб очи й реактив подается насосами через фильтровально-реге­
нерационную систему или периодически меняется. При непрерыв­
ной очистке изделия (например, подложки в кассетах) перемеща­
ются транспортером в одной и той же ванне, в различных зонах
которой производится очистка. Рабочий реактив подается навстре­
чу д виж ению и пропускается через фильтровально-регенерацион­
ную систему (рис. 7 0 ,6 ).
В так и х машинах в качестве инструмента, улучшающего и ин­
тенсифицирующего процесс очистки, часто используют излучате­
ли ультразвуковы х (УЗ) колебаний пьезокерамического или маг-
нитострикционного типа.
К репление УЗ-излучателей магнитострикционного типа к стен­
кам рабочей ванны осущ ествляется болтовыми соединениями с ис­
п ользованием соответствующих уплотнителей.
В последнее время ш ирокое применение для очистки нашли
вр ащ а ю щ и еся столы или центрифуги с размещенными на них п л а­
стинами, обрабаты ваемы ми при помощи различного рода щеток
или форсунок, распыляющих реагент под большим давлением.
Ц ентриф уги нашли применение для выполнения многих финиш­
ных операций химической очистки поверхностей. С их помощью
осущ ествляю тся в автоматическом режиме такие операции, как
струйная промывка, проявление и травление диспергированными
раство рам и , удаление м икрочастиц с поверхности обрабатывае-
124
Рис. 70. Схемы УЗ-очнсткн:
а -l ступе нчаты м способом; б — непрерывным способом;
H a c o l f Н НЫ ' ^ — ван на отмывки; 3 — У З -и э л у ч а т е л и ; 4 — тр анс по ртер; 5 — фильтр;

мых изделий и сушка способом центрифугирования. При этом

обрабатываемые изделия, как правило, разм ещ аю т на в р а щ а ю ­
щемся столе горизонтально или под некоторым углом к г о р и зо н ­
ту. Во многих случаях одна центриф уга предназначается д ля в ы ­
полнения нескольких операций.
Основными конструктивными элем ентам и центрифуг я в л я ю тс я
привод вращения, узлы крепления пластин на столе и об р аб о т к и
поверхности изделий.
Привод от электродвигателя наиболее часто применяют в ц е н ­
трифугах, предназначенных для выполнения последовательны х
операций химической обработки и сушки центрифугированием.
При этом применяют электродвигатель постоянного тока 4
(рис. 71, а) с сельсином 3, позволяю щим плавно р егули ровать
частоту вращения центрифуги и д и а п а зо н е 25— 200 о б /м и н при
химической обработке или доводить ее д о 4 -1 0 3 об/м ин при с у ш ­
ке. Плавное регулирование частоты в ращ ения необходимо д л я
подбора оптимального режима обработки.
Объединение электродвигателя переменного тока 5 (рис. 7 1 , 6 )
с планетарным редуктором 3 д ает возможность в ращ ать центри-
125
 *)

Р и с 71 Приводы в ращ ен ия пр едм етно го стола центрифуг:

а - с эл ек тр одвигат ел ем п о с т о я н н о го ток»: /-к ам ер а; 2 - у п руга я муфт»; 3 - сельсин;
4 — элек тродв иг ат е л ь пост оянн ог о тока;
l = J — планетарный редуктор; .-у п р у г а , муфт»;
5 — элек тродв иг ат е л ь пер еменно го т о к а ;
в/ - к « Гм е р Т Р2И- в ы г о д н о й к . н а л ; 3 — входной канал; 4 - к р ы л ь ч а т к а гидротурбины; 5 -
ко рп ус ги дроприв ода;
г — с Пневмоприводом: - „«„он­
/ — к а м е р а , f - в х о д н о й к а н а л ; 3 — кры ль ча тка пне вмотурби ны; 4 — выходной кана л,
6 — кор пус пневмопривода

фугу при химической об работке с частотой 25— 50 об/мин, а при

суш ке центрифугированием за счет включения электромагнитной
муфты 2 достигать частоты вращения 3• 10 3 об/м ин.
В гидродвигателях струя жидкости под давлением подается к
гидротурбине (рис. 71, в) или непосредственно к поверхности цен­
трифуги. В последнем сл уч ае в качестве рабочей жидкости ис­
пользуют сам реактив, который, ударяясь в стенку гнезда центри­
фуги, омывает о б р аб аты ва ем у ю пластину и вращ ает центрифугу
относительно центральной трубки. Недостатком этого устройства
является значительный расход реактива и трудность получения
большого числа оборотов, необходимых д л я сушки пластин ц е н т ­
рифугированием.
Привод от пневмотурбины можно прим енять при установке в а ­
ла центрифуги как на обычных подш ипниках качения (рис. 71, г ) ,
так и на воздушных. В последнем случае подаваемый под д а в л е ­
нием газ позволяет надежно защ итить привод от воздействия р е ­
активов, однако воздействие струи га за на распыляемые р е а к т и ­
вы может снизить гидродинамический э ф ф е к т на поверхности о б ­
рабатываемых пластин.
Узлы крепления при односторонней о б р аботке пластин 2 в ы ­
полняют в виде вакуумных присосов 1 (рис. 72, а ), у ста н о в л ен ­
ных на центрифуге 3, внутренняя полость которой соединена с в а ­
куумной системой. В этом случае н еоб раб аты ва ем а я сторона п л а ­
стин надежно защ ищ ается от подтеков реактивов.
Д л я случаев, когда нет необходимости в защ ите обратной с т о ­
роны пластин, применяют подвижные п риж им ы , способные з а к р е ­
пить пластины различной формы и р азм еров (рис. 7 2 ,6 ). Под д е й ­
ствием центробежных сил эти прижимы подж им аю т пластины к
неподвижным упорам центрифуги. При выполнении в столе с к в о з ­
ных отверстий подвижные прижимы б удут контактировать л и ш ь

1 2 3 * S

Рис. 72. Конструкции узлов крепле

ния п л а ст и н на столе:
о — с вакуумными прнсосамн:
/ — в а к у у м н ы й присос; 2 — о б р а б а т ы в а е ­
мое и з д е л и е ; 3 —
- съе м на я
мна кассета*
ка с се т а; 4 —
СТОЛ;
б — с прижимами:
/ — с ъ е м н а я ка с се т а; 2 — о б р а б а т ы в а е м о е
и зд е л и е ; 3 — приж и мы; 4 — ф и к с и р у ю щ и й
п ал е ц ; 5 — стол;
в — со ш т ы р я м и :
I — с ъ е м н а я к ассе та; 1 - о б р а б а т ы в а е м о е
и зд елие; 3 — фиксирующи й п ал ец; 4 —
стол; 5 — о п ор ны е штыри
127
с ребрами закр еп л яем ы х пластин, что позволит вести их двусто­
роннюю обработку.
Выполнение опорны х гнезд на столе центрифуги с наклоном к
горизонтальной плоскости обеспечивает поджим пластин к пло­
скости стола и уп орам за счет центробежных сил, действующих
на пластины при вращ ени и центрифуги. При этом на столах цент­
рифуг могут уста н а вл и в ать ся кассеты 1, упорные штыри 5 кото­
рых совместно со ш ты рям и столов образую т гнезда для пластин
(рис. 72, в). П рименение в последнем случае съемных кассет об ­
легчает групповую заг р у зк у и выгрузку пластин.
В узлах об работки большинства известных конструкций цент­
рифуг применяются форсунки, подающие распыленную струю ре-

Рис. 73. Конструкции у з л о в обработки изделий:

а — струей жид кости :
/ — форсунка подачи д е и о н и зо в а н н о й воды; 2 — форсун ка д л я хи мобработ ки изде лия ;
3 — коллектор;
б — цилиндрическими щ е т к а м и :
/ — коллектор; 2 — ц и л и н д р и ч е с к а я ще тка ; 3, 4 — шкивы; 5 — электродв иг ат ель вр ащени я
ще т ки; 6 — приводной ре м е нь ; 7 — реечная передача; 8 — э л ектр од вигат ель отвода щетки;
в — плоскими щетка ми:
/ — плоская щ етка; 2 — к р о н ш т е й н ;
г — вращающимися щ е т к а м и ;
/ — электрод виг ат ель в р а щ е н и я щетки; 2 — централь ная шестерня; 3 — эл ек тр од виг ат ель
от во да щеток; 4 — вод ил о; 5 — щ е т к а ; 6 — шестерня

128
актива или деионизованной воды к об раб аты ваем ы м пластинам
(рис. 73, а ) ; возможно так ж е применение специальных штуцеров
для подачи инертного газа, ускоряющего сушку пластин.
Д л я интенсификации у д ал ен и я с поверхности пластин з а г р я з ­
нений используют щетки различны х типов: вр ащ а ю щ и еся цилинд­
рические (капроновые или колонковые) (рис. 7 3 , 6 ) , неподвижные
плоские капроновые (рис. 73, в), торцевые колонковые, соверш а­
ющие планетарное движение по поверхности о б р аб аты ваем ы х
пластин (рис. 73, г).
Комбинируя в различных сочетаниях типы приводов для в р а ­
щения стола, конструкции узлов крепления пластин, а т а к ж е кон­
струкции узлов гидромеханического воздействия, м ож но получить
машины различного назначения.
Наибольшее применение в отечественной п р ак т и к е и за рубе­
жом нашли центрифуги с у зл а м и обработки в виде форсунок,
применяемые для отмывки поверхности пластин с последующей
промывкой и сушкой центрифугированием, а т а к ж е центрифуги с
вращающимися цилиндрическими щетками. В последнем случае
после очистки и промывки поверхностей пластин щ етки отводят­
ся, позволяя осуществить суш ку центрифугированием.

4. С П О С О Б Ы И Н Т Е Н С И Ф И К А Ц И И П Р О Ц Е С С А О Ч И С Т К И

Интенсификация процессов очистки поверхности имеет

целью не только увеличение скорости процесса (повыш ение про­
изводительности установок), но и получение более качественной
очистки. Очистка поверхности в жидком реагенте основана на ге­
терогенных физико-химических процессах растворения и зависит
от рода удаляемого вещества, природы растворителя, температуры
и скорости обтекания поверхности реагентом. •
Д л я подогрева агрессивных жидкостей применяю т нагревате­
ли проточного или объемного (нагревающего порцию реагента)
типа, выполненные из материала, не вступающего в реакцию с реа­
гентом (фторопласт, кварц, коррозионно-стойкая ст а л ь ).
Нагрев осуществляют при помощи ламп и нф ракрасного излу­
чения или нагревателей типа Т Э Н через промежуточную жидкую
или газообразную среду. Проточный нагреватель с промежуточ­
ной воздушной средой и инфракрасной нагревательной лампой
показан на рис. 74.
Ж идкость поступает через входной патрубок 8, проходя по спи­
ральной трубке 6, она подогревается за счет излучения лампы 7
и выходит через патрубок 9. Д л я увеличения скорости обтекания
очищаемой поверхности реагентом применяют вибрационную об­
работку с промышленной (50 Гц) или ультразвуковой частотой,
а т ак ж е механическое или пневматическое перемеш ивание реаген­
та и струйную очистку.
Вибрацию с частотой 50 Гц для интенсификации процесса ис­
пользуют в полуавтоматических установках типа ПВХО-ПКбО-l и
ПВХО-ГКбО-l. На них мож но проводить операции травления,
9 Зак. 824 129
Рис. 74. П р о т о ч н ы й нагреватель с пром еж уточн ой воздушной средой:
/ — т о к о п о д в о д ; 2 —• стойка; 3 — ф л а н е ц ; 4 — изоляционный цилиндр; 5 — изолятор; 6 —
т р у б к а с н а г р е в а е м о й жидкостью ; 7 — н аг рев ат е л ьн ая л ампа ; 8 — входной питрубок;
9 — вы хо дной пат рубок

о б езж и ри ван и я, снятия фоторезиста и др. Обработку проводят в

объеме холодны х или нагретых кислот и органических раствори­
телей с последующей промывкой деионизованной водой, кистевой
мойкой и сушкой на центрифуге.
Д л я ультразвуковой вибрационной обработки в установках
кроме специально разр абаты ваем ы х ультразвуковых ванн исполь­
зуют и серийно выпускаемые отечественной промышленностью
универсальны е, настольные малогабаритные ультразвуковые ван ­
ны УЗВ-0,1, УЗВ-0,25, не требующие принудительного ох л аж д е­
ния, и д р. Различаю тся они количеством встроенных У З-излуча­
телей, числом камер и их разм ерам и. Рабочие камеры выполне­
ны из коррозионно-стойкой стали. В дно камеры вмонтирован
пьезоэлектрический излучатель типа ПП2-0,1/18.
Пьезоэлектрические и злучатели на основе синтетической кера­
мики т и т ан ата бария или цирконат-титаната свинца (ЦТС) полу­
чили ш ирокое распространение. Достоинство этих материалов —
воможность изготовления излучателей плоской, цилиндрической
или сферической формы и практически любых размеров. Недо­
статком явл яю тся большие механические и диэлектрические по­
тери, что приводит к перегреву и резкому снижению интенсивно­
сти колеб ан и й при температуре более 9 0 °С. Поэтому с пьезоэлек­
трических преобразователей или излучателей из титаната бария
при непрерывном излучении в какую-либо среду без их ох л аж д е­
ния м ож но получить м аксимальную удельную интенсивность ко­
лебаний до 2—5 В т /с м 2, что, однако, вполне достаточно для очи­
стки полупроводниковых приборов.
И зл у ч ател и из пьезокерамаки имеют пьезомодуль почти на
д ва п о р яд к а больший, чем у кварца, т. е. величину деформации
130
в зависимости от приложенного н ап р яж е­
ния и требуют для возбуж дения на поря­
док меньшего напряжения (100— 300 В).
Плоские излучатели выполняю т в виде
пластин 1 (рис. 75, а) из пьезокерамики,
наклеенных на металлическую подложку 2.
Толщину керамической пластины вы би ра­
ют кратной четверти длины У З-волны. На
практике используют полуволновые, чет­
вертьволновые и многослойные излучатели.
Из условия резонанса толщ ина пьезокера­
мической пластины полуволнового преобра­
зователя
h = Хк/2 = с о ж / ( 2у р);

для четвертьволнового преобразователя

h = l K/A = (0j ( 4vp),
а для металлической накладки
К = К /4 = Чш/(4у„),
где А,„ и о)зк — соответственно длина волны и скорость зв у ка в
керамике; >.м и со3м — соответственно длина волны и скорость
звука в металлической н акладке; vp — резонансная частота.
Пьезоэлектрический излучатель (рис. 7 5 ,6 ), с обеих сторон
которого расположены м еталлические пластины 2, н азы ваю т
сложным, или многослойным. М еталлические пластины являю тся
электоодами излучателя. С лож ны й излучатель м ож ет состоять из
одной ;<ли нескольких пьезопластинок.
Резонансная частота слож н ого излучателя опред ел яется не
только толщиной керамической пластинки, а общей толщиной п а ­
кета с накладками. В многослойных излучателях верхнюю н а ­
кладку выполняют из алюминия, а нижнюю — из стали. Т а к как
акустическое сопротивление алю миния в три р аза меньше, чем у
стали, то амплитуда колебаний на поверхности алюминиевой н а ­
кладки в три раза больше.
Магнитострикционные излучатели бывают двух типов: с т е р ж ­
невые и плоские. Стержневые излучатели выполняют из с т а н д а р т ­
ных никелевых трубок. При работе трубка сильно н агревается
вихревыми токами. Поэтому ее разр езаю т по о б разую щ ей и ох­
лаж д аю т, используя для этого водяные рубашки. Б о л ее просты
по конструкции и надежны в работе плоские излучатели, п р ед ­
ставляю щие собой пакеты из вырубленных плоских листов маг-
нитострикционного материала (ж елеза, никеля, ко б а л ь т а и их
сп лавав). В пакете плоского излучателя (рис. 76) разл и ч а ю т
стержни /, окно 2 и ярмо 3, соединяющее стержни. М агнито-
стрикторы, как правило, используют для одностороннего излуче­
ния. Д л я этого на торец магнитостриктора, противоположный из-
9» 131
 а) 6)

Рис. 76. Типы магнитострикционных излучателей:

а стержневой (/ труб ка : 2 — обмотка); б — плоский ( / — стер ж ень ; 2 — о кн о1 3-
ярмо; 4 — об м о т к а ) « « п ,, о

лучаю щ ем у, наклеивают пористую резину. Колебания, отраж аясь

от этого торца, изменяют ф а зу на 180° и достигают излучающей
поверхности в фазе с прямой волной. В магнитострикторе нагре­
ваются^ как обмотка, так и пакет. Д ля сохранения нормальных
условий работы температура в центральной части вибратора не
д о л ж н а превышать 75 °С. П оэтому магнитостриктор заключают в
герметичный бачок с принудительным охлаждением водой, а об­
мотку 4 выполняют из специального провода типа Б П В Л .
И з практики известно, что с увеличением удельной мощности
свы ш е 0,4 В т /с м 2 степень очистки изменяется незначительно. По­
этому д л я очистки подлож ек и изделий полупроводникового про­
изводства можно рекомендовать установки, обеспечивающие ин­
тенсивность УЗ-колебаний в диапазоне 0,4—0,5 В т /с м 2.
В последнее время стали применять УЗ-колебания с частотой
около 400 кГц.
И спользование таких колебаний вызвано следующими поло­
ж и тельны м и факторами:
более качественной очисткой мелких отверстий, щелей и т. п.
за счет уменьшения длины волны;
увеличением расстояния эффективного воздействия УЗ-коле­
баний;
уменьшением габаритных размеров и массы УЗ-генераторов и
преобразователей.
В технологии изготовления микросхем перемешивание жидких
реагентов можно осущ ествлять устройствами с твердым рабочим
органом — механическими мешалками или с газообразным рабо­
чим органом (сжатый воздух, азот и др.) — барботерами. Выбор
этих устройств определяется характеристиками перемешиваемой
среды, в основном вязкостью.
Необходимо помнить, что понятие «скорость перемешивания»
н еэквивалентна понятию «скорость обтекания». Так, при переме­
шивании мешалкой растворителя вблизи растворяемой твердой
поверхности угловая скорость вращения мешалки значительно от­
лич ается от скорости дви ж ени я жидкости относительно твердой
132
Р и с . 77. Р а б о ч и е ванны с различными т и п а м и мешалок:
а — с лопас тной; б — с пропеллерной; в — с турби нной;
/ — ванна; 2 — м е шалка ; 3 — приводной вал; 4 —о т р а ж а т е л ь н а я перегородка

поверхности растворяемого тела (подлож ки). Скорость движ ения

жидкости (обтекания) может на один-два порядка о тличаться от
угловой скорости вращения м еш ал ки и мало зависеть от нее.
Эффективность перемешивания определяется з а т р а т а м и э н е р ­
гии, необходимыми для получения заданного технологического р е­
зультата. Практика использования различных конструкций пере­
мешивающих устройств п оказала, что для невязких сред можно
успешно использовать лопастные, пропеллерные и турбинные ме­
шалки (рис. 77). При вращении 'лопастей таких м еш алок на по­
верхности жидкости образуется воронка, глубина которой опреде­
ляется диаметром мешалки и частотой ее вращения. Н о р м а л ь н ая
работа меш алки соответствует условиям, при которых глубина
воронки меньше глубины располож ени я лопастей меш алки. Д л я
исключения образования воронки у стенок аппаратов с б ы стро­
ходными мешалками устанавливаю т радиальные о тр аж ател ь н ы е
перегородки шириной примерно 0,1 диаметра сосуда.
Равномерность перемешивания возрастает по мере опускания
мешалки в жидкость и достигает максимума, когда расстояние от
мешалки до днища сосуда со ставл яет соответственно 0,1— 0,3 и
133
0,5— 1 диаметра для лопастны х и для пропеллерных и турбинных
м е ш ал о к.
К числу первых перемешивающих устройств, примененных на
п р акти ке, относятся лопастные мешалки (рис. 77, а ) , отличающие­
ся простотой конструкции и низкой стоимостью. К ак правило, они
имеют две лопатки, плоскость которых перпендикулярна плоско­
сти д нищ а (прямые л опатки ) или расположены под углом (н а­
клон ны е лопатки). В последнем случае интенсивность перемеши­
в ан и я значительно выше. Л о п а т к и мешалки создаю т главным об ­
разом окруж ную циркуляцию жидкости при незначительной р ади ­
ально-осевой циркуляции. Лопастны е мешалки с высокими лопат­
кам и (высотой 0,8— 1,2 их диаметра) называют листовыми. Т а ­
кие м еш ал ки используют д л я процессов растворения при линей­
ных скоростях 1,5—4 м /с ; они имеют низкую интенсивность пере­
м еш ивания.
Совершенствование лопастны х мешалок привело к разработ­
ке и широкому применению пропеллерных и турбинных мешалок.
П роп ел л ерн ы е мешалки, выполненные в виде корабельного винта
(рис. 7 7 , 6 ) , создаю т в а п п ар ате интенсивную циркуляцию среды,
что обусловлено возникновением насосного эффекта. Они отлича­
ются от мешалок других типов малым расходом энергии. Частота
в р ащ ен и я вала составляет 2— 30 об/с. Преимуществом таких ме­
ш а л о к является возможность муфтового соединения вала м еш ал­
ки с валом электродвигателя. Д л я исключения образования ворон­
ки кроме отраж ательны х перегородок вал мешалки располагают
эксцентрично или устанавл и ваю т под некоторым углом к оси ван­
ны. Д л я усиления осевой циркуляции пропеллер помещают в диф­
фузор (циркуляционную труб у ).
Турбинные мешалки (рис. 77, в) представляют собой один или
два диска с укрепленными на них лопатками. Если лопатки з а ­
ключены между дисками наподобие колеса центробежного насо­
са, то такую мешалку н азы ва ю т закрытой турбиной. Наиболее
простыми и эффективными являю тся мешалки с прямыми лопат­
ками, расположенными р ад и ал ьн о в плоскости, перпендикулярной
дну ванны. Мешалки с изогнутыми лопатками потребляют мень­
шую мощность.
При обработке поверхности распыленным реагентом (или в ви­
де струй) интенсификации процесса очистки достигают увеличе­
нием скорости обтекания поверхности реагентом. На межфазной
поверхности поддерживается постоянная концентрация реагента
за счет непрерывной смены распыленного реагента и удаления с
нее продуктов реакции. Н ем аловаж н ое значение в интенсифика­
ции процесса имеет гидравлическое воздействие капель (струй)
на поверхность, подобно тому, как действует гидромонитор.
Д л я распыления жидких реагентов используют разные типы
распылительных форсунок (рис. 78). Наибольшее распростране­
ние наш ли газовые (пневматические) форсунки.
Р аспы ление жидкостей в пневматических форсунках (рис. 78, а)
производится струей газа, движущегося с большой скоростью.
134
 Газ t t Жидкость
о)

Рис. 78. Типы распылительных ф о рс у н ок :

а — га зо в ая (пневматическая); 6 — г и д р а в л и ч е с к а я шн ековая; в — г и д р а в л и ч е с к а я цен тро­
б е ж на я ;
/ — корпус; 2 — сопло; 3 — клапан; 4 — п р у ж и н а ; 5 — крышка; 6 — шпек

Ж идкость подается в форсунку под давлением, самотеком или

ж е засасы вается благодаря инжекционному действию газовой
струи. Контакт между жидкостью и газом может происходить как
вне форсунки, так и внутри «ее. Пневматические форсунки по
сравнению с гидравлическими и механическими прим еняю т для
более вязких жидкостей, но они потребляют больше энергии. Чем
значительней расход газа в расчете на единицу о б ъ ем а распы лен­
ной жидкости, тем меньше р азм ер получаемых к а п е л ь и равно­
мерней распыление.
Гидравлический расчет ф орсунок сводится к определению р а з ­
меров выходных сечений для г а за и раствора по их зад ан н ы м рас­
ходам.

5. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я О Ч И С Т К И С П Р И М Е Н Е Н И Е М
Н И З К О Т Е М П Е Р А Т У Р Н О Й П Л А З М Ы , Р А Д И К А Л О В И И О НОВ

Сухая очистка, к а к правило, является финишной, так

как выполняется непосредственно перед проведением последую­
щих технологических процессов, например, перед нанесением пле­
нок, оксидированием, фотолитографией.
Методы сухой очистки м о ж н о условно разд ел и ть на физиче­
ские и химические. При физических методах загр я зн е н и я удаляю т
отжигом и ионным распылением (травлением). П ри химических
методах загрязнения, находящиеся на поверхности, п ереводят в
новые химические соединения, а затем удаляют. Очистку, сопро­
вождаемую удалением поверхностного слоя п одлож ки, принято
называть травлением. К лассификация процессов в акуум н о-п л аз­
менного травления показана на рис. 79.
Ионное травление — это процесс удаления загрязн ен и й вместе
с распыляемым в вакууме поверхностным слоем обраб аты ваем ого
материала. Его осуществляют в вакуумных установках. Д л я рас­
пыления поверхность подложек бомбардируют ускоренны ми поло­
жительными ионами инертных газов. Наиболее часто д ля распы­
ления применяют аргон. Э ф фективность распыления и, следова­
тельно, травления характеризуется коэффициентом распыления,
135
 Рис. 79. К л ас с иф ик а ция процессов в а к у у м н о плазменного травления

который численно равен количеству атомов очищаемой подложки,

распы ленны х одним бомбардирую щ им ионом.
Т р ав л ен и е кремния вы полняется при плотностях ионного тока
свыше 10 А / м 2 и энергии ионов 1— 10 кэВ. При очень больших
энерги ях ионы глубоко проникаю т в обрабатываемые подложки
и распы лен и я не наблюдается.
Д л я ионного травления используют системы двух типов, диод­
ные и с автономными ионными источниками.
Д и о д н ы е системы имеют реактор 3 (рис. 80) с двумя противо­
л е ж а щ и м и дисковыми эле ктр о д ам и 1 и 6. На одном из электро­
дов рас п о л ага ю т о б раб аты ваем ы е подложки 2. При подаче на
него отрицательного потенциала из плазмы вытягивают положи­
тельные ионы, которые ускоряю тся электрическим полем и бом­
б ард и ру ю т поверхность подлож ек, очищая их. Д л я травления ди­
электрических и плохопроводящих подложек на электрод-подлож-
к о д е р ж а т е л ь 6 подают высокочастотное напряжение, которое, кро­
ме ионной, обеспечивает электронную бомбардировку подложек,
компенсирую щую положительный заряд на их поверхности. Трав­
ление ,в диодных системах н азы ваю т ионно-плазменным травл е­
нием.
Системы плазмохимического травления с автономными ионны­
ми источниками имеют в акуу м н ую камеру / (рис. 81), в которой
р а с п о л а г а ю т очищаемые п одлож ки 2 и газоразрядный источник
4 д ля формирования ионного луча с системой вытягивающих, ус­
коряю щ и х и фокусирующих лин з 5, 9. Луч направляют в сторону
в р ащ а ю щ ег о с я наклонного столи ка 10, на поверхности которого
р а с п о л а г а ю т подложки. Д л я компенсации положительного з а р я ­
да, накопленного на обраб аты ваем ы х поверхностях, применяют
н ей тр ал и зато р 3 — подогревный катод, эммитирующий элек­
троны.
136
 Рис. 80. Установка с реактором д и ­
одного типа и анодной связью:
1 и 6 — элек тр оды ; 2 — подложка; 3—
ре актор. 4 — патрубок подвода реагента;
5 — патруб ок откачной системы; 7 — токо-
подвод от В Ч-гене ратора
Рис. 81. У с та но в к а пл а зм о х и м и ч ес ­
кого травления с а вт о н о м н ы м ион­
ным источником:
/ — вакуу мна я к а м е р а ; 2 — п о д л о ж к и ; 3 —
ней тр ализат ор; 4 — г а з о р а з р я д н ы й источ­
ник; 5 — магнит; 6 — натекатель; 7 —
анод; 8 — катод; 9 — с и с т е м а л ин з; J0 —
вр ащ аю щ и йся сто ли к

Ионное травление универсально. Можно очищ ать поверхность

любых материалов от примесей любого типа. Ионное травление
можно применять для обработки, многослойных пленок с несовме­
стимыми в условиях жидкостной химической очистки свойствами
слоев. С помощью ионной очистки получают высокое качество без
глубоких изменений в обрабаты ваем ом поверхностном слое, в ы ­
сокую точность удаления слоев ( ± 0 ,0 3 мкм). При этом исклю-
г чаются межоперационные за тр а т ы времени, так ка к последующие
операции (оксидирование, оса ж д ен и е пленок) мож но проводить
непосредственно в той же вакуумной камере. Т р авлен и е в систе­
мах с ионными источниками н азы ваю т ионно-лучевым травлением.
Ионно-химическое травление осуществляют в тех ж е установ­
ках, что и ионное травление, только в качестве рабочего газа ис­
пользуют не инертный, а химически активный газ. Отличие в обо­
рудовании состоит в том, что в автономных ионных источниках
этих установок нельзя применять накаливаемый катод, который
взаимодействует с химически активной плазмой и быстро вы хо­
дит из строя. В диодных системах в большинстве случ аев исполь­
зуют для получения плазмы ВЧ-напряжение, которое об еспечива­
ет стабильность разряда в химически активных газах.
Ионно-химическое травление сочетает достоинства ионного и
плазмохимического травления. Механизм ионно-химического т р а в ­
ления — совместное воздействие распыления и химической р е а к ­
ции. Преимущество ионно-химического перед плазмохимическим
травлением в том, что возможно травление д аж е тех материалов,
которые не образуют летучих 'соединений с рад и к ал ам и .
Плазмохимическое травление проводят в установках, имеющих
реакторы с объемным расположением подложек (рис. 82) и в р е­
акторах диодного типа (рис. 80) при давлении газа, не позво л яю ­
щем ионам достигнуть энергии, достаточной для распы лен и я по-
137
 Рис. 82. Установка плазмохимичес­
кого травления с объемным распо­
й Х Ш -U ^ j- ложением по д лож ек в реакторе:
у I — кварцевый реак тор; 2 — коллектор
д л я подачи газа; 3 — металлический пер­
форированный цил инд р; 4 — обрабаты­
ваемые подложки; 5 — кр ы ш ка; 6 — и нд ук­
тор; 7 — откачной патрубок;

чч
Чг\I

верхности очищаемой подложки (£„•< 1,6-10 17 Д ж ) . Рабочий газ

подаю т в реактор, где его молекулы под действием электронов
плазм ы диссоциируют на химически активные частицы (р ади ка­
лы и ато м ы ). Р адикалы и атомы вступают в химическую реакцию
с поверхностными загрязнениям и и образуют летучие соединения,
которые у д ал яю т из реактора откачной вакуумной системой. С у­
ществует два вида реакторов с объемным расположением подло­
жек: с перфорированным металлическим экраном, предотвращ аю ­
щим попадание заряж ен н ы х частиц на подложку, и без экрана.
Экран ул учш ает равномерность очистки. Электронная и ионная
б о м б ар д и ро в ка ускоряют химическую реакцию на поверхности,
т. е. процесс очистки.
Б л а г о д а р я электрической активности газов с образованием ре­
акционноспособных рад и кал ов плазмохимическое травление м о ж ­
но проводить при существенно меньших температурах (100—
3 0 0 °С) по сравнению с обычным газовым травлением и удалять
такие загрязнения, которые не поддаются газовому травлению.
Г азов ое травление чаще всего используют в эпитаксиальных
установках для очистки п одлож ек перед выращиванием на них
полупроводниковых слоев. Сущность процессов газового трав л е­
ния зак л ю ч ае тся в химическом взаимодействии материала подло­
ж е к с газообразны ми вещ ествами и образовании при этом легко
у д ал я е м ы х летучих соединений. Загрязнения в процессе газового
тр ав л ен и я удаляю т вместе с поверхностным слоем подложек.
Газовы м травлением получаю т более чистые поверхности по
сравнению с жидкостным. О д н ако во многих случаях газовое
травл ен и е не применяют из-за высоких температур обработки и
необходимости использования особо чистых газов.
Р е а к т о р ы и газовые системы оборудования для газового тр а в ­
ления необходимо выполнять из химически и термостойких мате­
риалов. П ри этом должны быть герметичными, не иметь застой­
ных зон, так как многие газы, применяемые для травления, ток­
сичны и взрывоопасны. В газовых системах долж на быть преду­
смотрена очистка рабочих газов и нейтрализация отходящих г а ­
зов.

138 1

I
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ Д И Ф Ф У ЗИ И И ОКИСЛЕНИЯ

1. Т Р Е Б О В А Н И Я К ОБОРУДОВАНИЮ ДЛЯ ДИФ Ф УЗИИ

И ОКИСЛЕНИЯ

При производстве полупроводниковых приборов и и н те­

гральных микросхем пластины из полупроводникового м а т е р и а л а
подвергают ряду высокотемпературных обработок, п ро во д и м ы х в
диффузионной печи.
Окисление кремниевых пластин применяю т д л я о б р а зо в а н и я
на поверхности подложки оксидного слоя (двуокиси крем н ия, нит­
рида кремния и др.), который использую т для пассивации р — п-
структур, маскирования поверхности полупроводника от д и ф ф узии
примесей и для МОП-приборов и микросхем на их основе в к а ч е ­
стве затворного окисла.
Термическое окисление п р о в о д я т в проточной системе, п р о п у ­
ская через реактор увлажненный водяным паром кислород.
Окисел, выращенный в атм осф ере чистого осушенного к и с л о ­
рода, имеет более 'совершенную структуру, но растет в 10— 15 р а з
медленнее, чем в увлажненном, поэтому часто окисление о су щ ест­
вляют в три стадии — в осушенном кислороде, в увл аж н ен н о м
с целью ускорения процесса и н ар ащ и в ан и я толстой пленки и
вновь в осушенном.
На процессах диффузии основано получение легированны х сл о ­
ев в полупроводниковых п од л о ж к ах , образование активн ы х
р — л-переходов, диодов, транзисторов, межэлементной изоляции,
разделительных областей и т. д.
Д иф ф узия — это обусловленный тепловым движением процесс
переноса примесных атомов или атомов основного вещ ества в н а ­
правлении убывания их концентрации. Она протекает в лю бом
веществе независимо от его агрегатного состояния. Е сли атом ы
в веществе распределены неравномерно, т. е. существует град и ен т
концентрации, то в нем возникает направленный поток д и ф ф у н д и ­
рующих атомов из области с высокой концентрацией в об ласть
с низкой концентрацией атомов д ан ного вещества. А налогично э то ­
му направленный поток возникает и в случае возникновения г р а ­
диента температуры в рассматриваемом веществе. В этом случае
атомы из области с более высокой температурой (с более вы со­
кой энергией) диффундируют в область с более низкой т е м п е р а ­
турой.
В производстве полупроводниковых приборов обычно исполь­
зуют процессы диффузии с градиентом концентрации при посто­
янной температуре подложки,
139
 Термическая об р аботка полупроводниковых подложек в диф­
фузионной печи производится следующим образом. Сначала печь
в ы в о д я т на заданный температурный режим. Время разогрева пе­
чи д о максимальной тем пературы с установлением теплового режи­
ма составл яет не менее 2,5 ч. Затем из камеры загрузки печи, про­
д у ваем о й ламинарным потоком обеспыленного воздуха, в рабо­
чую зону печи вводят подлож кодерж атель (лодочку) с размещен­
ными в нем пластинами. П о сле прогрева пластин и лодочки через
квар ц ев у ю трубу п ропускаю т поток газа-носителя, к которому до­
б а в л я е т с я регулируемый поток парогазовой смеси реагента от
внешнего источника. П осле определенной выдержки пластин при
зад ан н о й температуре п рекращ аю т подачу парогазовой смеси и
л о д о ч к у с пластинами и звл е каю т из реактора.
Рассмотрим один из основных параметров — коэффициент
диф ф узии , который, по сути дела, определяет требования к обо­
рудованию . Установлено, что он связан с другими параметрами
д и ф ф узи и следующим соотношением:

D = D 0t~ Q/RT,

где R — газовая постоянная; Т — абсолютная температура;

D 0, Q — основные п ар ам етр ы диффузии (D0 — частотный мно­
ж и тел ь ; Q* — энергия ак ти в ац и и ).
И м еется т а к ж е зависимость коэффициента диффузии от кон­
цен тр ац ии примесных атомов. Если построить график зависимо­
сти коэффициента д и ф ф узи и от температуры (например, широко
прим еняем ых элементов бора, фосфора, мышьяка, алюминия в
кре м н и и ), то можно зам етить, что наибольшее значение коэффи­
циент диффузии имеет вблизи температуры плавления кремния
(рис. 83).
Тем пературный интервал диффузионных печей выбирают в
п р ед ел ах 1000— 1300°С. В этих пределах коэффициент диффузии,
наприм ер, для бора и фосф ора, на три порядка отличается при
изменении температуры от 1000 до 1300°С. Р азброс величины D
обусловлен различием в величинах D0, так как Q почти одинаков
д л я всех приведенных элементов.
Рассмотрим требования к стабильности поддержания заданной
тем пературы диффузионных печей. Если проанализировать зави ­
симость коэффициента диф ф узии от входящих в формулу перемен­
ных величин, то можно зам ети ть, что изменение температуры все­
го на несколько градусов м о ж ет привести к двух-трехкратному
увеличению коэффициента диффузии, а значит, и глубины за л е га ­
ния легирующего слоя. Т ак , при увеличении температуры через
к а ж д ы е 100°С, начиная от 900 °С, коэффициент 'диффузии увели­
чивается примерно в пять раз.

* Q — эн ергия активации при диффузии определяется высотой потенци­

а л ь н о г о б а р ье р а, которы й д о л ж н а преодолеть частица дл я того, чтобы перейти
из о д н о го полож ен ия р а в н о в е с и я в решетке в другое, например, из одного
у з л а или м еж д у у з л и я с о о тв етств енно в другой узел или меж дуузлие.
140
Рис. 83. За в иси м о ст ь коэффициента JO, см*/с
диффузи и примесей в кремнии от
температуры

При конструировании д и ф ­
фузионных печей необходимо
учитывать тот факт, что точ­
ность поддержания температу­
ры в зоне печи должна быть не
хуже ± 0 , 5 °С, тогда изменение
по глубине залегания примесей,
например, бора и фосфора в
кремнии, будет в пределах 1 %,
что чрезвычайно важно при
получении тонких ( ~ 0 , 1 мкм)
слоев.
Необходимость поддерж а­
ния высоких температур д и к ­
туется так ж е следующими об ­
стоятельствами. Как известно,
растворимость примеси в твердых тел ах и, в частности, в п о лу п р о ­
водниках определяется видом примеси и температурой процесса.
Чем выше температура, тем выш е растворимость. При со здании
эмиттерной области транзисторов необходимо учитывать тот ф акт,
что концентрация вводимой примеси долж на быть п о ряд ка
102О- Н 0 21 см^3. Такую величину концентрации мож но достигнуть
при высоких температурах (п оряд ка 1000— 1300°С).
Технология процессов диффузии, окисления и вж н ган и я в по­
лупроводниковом производстве и особенности эксп л уатац и и о б о ­
рудования в специальных помещ ениях с кондиционированием ат­
мосферы определяют следующие требования к термическому о б о ­
рудованию:
диапазон рабочих температур 800— 1300 °С;
равномерность температур по д ли н е рабочей зоны (от 600 до
1000 мм) не хуже ± 0 , 5 °С;
малая инерционность;
малые габаритные размеры;
отсутствие необходимости работы с футеровкой печи при с м е ­
не нагревателей.
Д л я проведения процесса д иф ф узии, исходя из треб о ван ий в ы ­
сокой чистоты диффузанта, п о дл ож к и и технологической среды ,
в качестве камеры диффузионных процессов можно п ри м ен ять
кварцевые и алундовые трубы, а т а к ж е трубы из к а р б и д а к р е м ­
ния и поликристаллического кремния.
В основном для диффузии использую т трубы из п л а в л е н н о го
кварца, который имеет высокую чистоту в сравнении с об ы ч н ы м
кварцем и алундом, небольшие внутренние напряжения, о т с у т с т ­
вие больших пузырьков в теле трубы, а также высокую п р о з р а ч ­
ность для УФ- и ИК-излучений.
141
 Высокие параметры плавленного кварца обеспечивают возм ож ­
ность получения толстостенных труб (6 мм вместо 3 мм), что уд­
л и н я ет срок их службы. Р а з м е р применяемых кварцевых труб з а ­
висит о т задаваемой производительности печи и диаметра о б р а­
баты ваем ы х пластин и м о ж ет достигать диаметра 0,2 м и длины
свы ш е 2,0 м.
Применение алундовых труб для диффузионных процессов
сд ер ж и в ае тся их недостаточно высокой чистотой, хотя их механи­
ческие параметры при высоких температурах значительно лучше,
чем у кварцевых. П оэтом у алундовые трубы используют в диф­
фузионных печах лишь к а к несущие конструкции, не позволяю­
щ ие прогибаться вставленной внутрь нее кварцевой трубе, р а з ­
м ягчаю щ ей ся при высокой температуре. В этом отношении трубы
из поликристаллического кремния превосходят кварцевые и алун­
довые, так как имеют высокую чистоту материала, малую прони­
цаем ость для щелочных м етал л о в (в виде соединений натрия) и
бли зкий к кремниевым п одлож кам коэффициент теплового рас­
ш ирения. При этом в р ем я работы трубы из поликристаллическо­
го крем ния при тем пературе 1300 °С почти в пять раз больше, чем
у труб из кварца, так к а к кв ар ц при этой температуре кристал­
л и зу ется и теряет механическую прочность. Применение труб из
поликристаллического крем н ия, как и из карбида кремния, сдер­
ж и в а е т с я трудностью их изготовления. Загрузочные кассеты (ло­
дочки) для размещения подложек в диффузионном реакторе
обычно делаю т из того ж е материала, что и сам реактор.
П ри проведении о п ерац и й диффузии в термической печи воз­
н и к ает р яд н еж елательны х явлений, которые необходимо исклю­
чить соответствующими конструктивными решениями при проек­
тировании диффузионных систем:
при введении в реактор подложкодержателя с полупроводнико­
выми пластинами, имею щими комнатную температуру, вносятся
дли тельн ы е возмущения в температурный статический режим диф­
фузионной печи. Точность поддержания температуры в рабочей
зоне диффузии будет меняться, что приведет к изменениям глуби­
ны и профиля распределения примесей в подложке. А быстрая з а ­
гр у зк а или выгрузка пластин из высокотемпературной зоны мо­
ж е т привести к их растрескиванию в результате термоудара;
длительное время н ах о ж д ен и я подложкодержателя и кремние­
вых пластин при высоких температурах приводит к их спеканию,
в том числе п о д л о ж к о д е р ж ате л я и трубы. Особенно это характер­
но д ля труб и п одлож кодерж ателей из кварца. При последующем
вынимании лодочки из печи возможно откалывание и появление
пылевы х частиц в реакторе;
при нестабильной скорости подачи газообразного диффузанта
и неравномерной его плотности по сечению трубы меняются глу­
бина и профиль р аспределени я примесей в подложке.
Перечисленные выш е факторы снижают производительность
диффузионных печей, процент выхода годных структур на пласти­
не и увеличивает себестоимость полупроводниковых приборов.
142
 Q Q
л
□ □
□ □Г
ииш еэгаез

Рис. 84. Функциональн ая схема а в т о м ат и з и р о в ан н о й т р ех т р у б н о й диффузионной

печи:
/ — систем а загрузки и выгрузки пластин ; / / — электропечь; I I I — с ис т е м а га зо в ая ;
/ — механизм автоматической за грузки; 2 — бл ок пы лез ащит ы; 3 — н а г р е в а т е л ь н ы е камеры;
4 — тепл ообмен ник; 5 — реакторы; 6 — увлажнители; 7 — устройства п од ач и д и ф ф у з а н т а ;
8 — блоки подготовки газов; 9 — системы силового питании; 10 — с и с т ем ы ре гулирования
те мпе ратуры

Д л я диффузионных процессов созданы слож нейш ие диф ф узи­

онные комплексы, включающие в себя, как правило, двух-, трех-
или шеститрубные диффузионные агрегаты с обеспыленными бок­
сами с ламинарными потоками, загрузчиками, газо вы м и ш к а ф а ­
ми, а так ж е программаторами или миниЭВМ. Ф ункциональная
схема автоматизированной трехтрубной печи приведена на
рис. 84.
К аж д ая нагревательная к а м ер а с соответствующими устройст­
вами загрузки, электропитания, управления и газораспределения
представляет собой автономную систему, в которой проводится
свой, независимый от других камер технологический процесс.
Число реакторов в системе определяетя главным образом их
диаметром (диаметром об рабаты ваем ы х пластин) и, соответствен­
но, высотой их расположения н ад полом и удобством их об сл у ж и ­
вания и эксплуатации.

2. К О Н С Т Р У К Ц И И Т Е Р М И Ч Е С К И Х К А М Е Р
ДИФФУЗИОННЫ Х ПЕЧЕИ

Все конструкции термических камер современных пе­

чей содерж ат спиральный нагревательный элемент, состоящий
обычно из трех секций. К р а й н и е короткие секции н агр ев ателя ком­
пенсируют тепловые потери по торцам и обеспечиваю т в о зм о ж ­
ность получения равномерного температурного поля в ц ен траль­
ной секции нагревателя. К а ж д а я из секций н агрев ателя имеет од ­
ну регулирующую термопару и управляется от отдельного канала
системы автоматического уп равления. Конструкция п атр он а-н а­
гревателя с нагревательным элементом показана на рис. 85.
 Рис. 85. Конструкция п а тр он а-нагр е­
вателя с нагревательным элементом:
« — конструкция с обма зк ой; б — ко нст­
рукция без обмазк и; в — узел ввода т е р ­
мопары в полость нагревателя;
/ — патрон; 2 — футеровка из каолинового
волокна; 3 — нагрев ат ельн ый элемент;
4 — керамичес кая труб а; 5 — к вар цева я
труба; 6 — к ры шка; 7 — осевые токовые
выводы; Я — ке рамичес кие изоляторы;
У — спираль н агреват ел я; 10 — слой к е р а ­
мической обмазки; / / — терм опары

Улучшение конструкций и параметров диффузионных печей д о ­

стигнуто в результате перехода к металлическим нагревате­
лям из сп л ав а 0Х27Ю5Л и применения нового вида теплоизоля­
ции из каолинового волокна. Значительное снижение теплоемко­
сти кам еры и повышение ее динамических характеристик как о бъ­
екта регулирования получены за счет увеличения плотности н а­
бивки волокна ( ~ 4 1 0 к г - м 3), что позволило в последующих кон­
струкциях отказаться от применения внешней керамической тру­
бы и подставок. Перспективно т ак ж е использование каолинового
волокна в виде плит, что значительно упрощает конструкцию к а ­
меры, с н и ж а е т стоимость ее изготовления, массу и габаритные
разм еры . Поэтому при выходе из строя нагревательного элемен­
та обычно производят смену всей термической камеры.
В термических камерах печей слой теплоизоляции из каолино­
вого вол о кн а позволяет получить градиент температур более
2 / 1 04 К / м . Слой теплоизоляции, контактирующий с нагревателем,
обычно толщиной ~ 7 мм, подвергается рекристаллизации, при­
обретает большую прочность с сохранением в дальнейшем формы,
толщины и рельефа поверхности.
В термических камерах используется продольное размещение
токоподводов по образующей нагревателя в специальных пазах
керамических изоляторов, изготовленных из материала, сод ерж а­
щего не менее 81 % А120 3. Это исключило влияние перетоков теп­
ла по ним на распределение температуры в рабочей зоне. Кроме
того, такое размещение шин увеличивает механическую устойчи­
вость сп и рал и и уд ерж и вает 'керамические изоляторы в первона­
чальном положении.
В печи типа С Д О -1 25/3-12 расстояние между спиралью и то-
коподводами 2 мм. Спираль нагревателя с целью устранения
местных перегревов изготовлена из ш лифованной проволоки
0Х27Ю5А диаметром 5 мм, ш аг витков спирали в средней секции
12,5 мм, в крайних секциях 10,5 мм. Д лина крайних секций нагре­
вателя равна двум диаметрам его спирали, что о б еспечивает в со­
четании с конструкцией торцевой изоляции кам ер ы и выступаю­
щего на 100— 150 мм за ее пределы керамического муфеля м а к ­
симальную температуру витков крайней секции н аг р ев ате л я не
выше 1300°С (при рабочей температуре 1250°С). Э тот ф ак т уста­
новлен непосредственными зам ер ам и температуры витков крайней
секции, причем оказалось, что максимум тем пературы приходится
на витки, отстоящие на 1/4— 1/3 длины крайней секции от сред­
ней секции. Такая конструкция нагревателя п о звол и л а создать се­
рию однозонных диффузионных печей с различным числом агре-
гатированных на одном основании термических к а м е р с длиной
зоны равномерного распределения температур более 600 мм при
диаметре канала печи до 120 мм.
Д л я уменьшения погрешности регулирования температуры,
связанной с необратимым» перемещениями спая терм опар относи­
тельно нагревателя при нагреве и охлаждении, все регулирующие
термопары введены по касательной к внутренней об разую щ ей спи­
рали нагревателя.
В диффузионных печах равномерность тем ператур вдоль р аб о­
чей зоны камеры составляет ± 0 , 5 °С на длине более 600 мм и
± 0 ,2 5 °С на длине не менее 500 мм.
В настоящее время в промышленности прим еняю т трехтруб­
ные диффузионные агрегаты. Они наиболее экономичны в отно­
шении использования загрузчи ка кассет с п ластинам и, газовых
магистралей и занимаемой площади. Тепловая н агру зка диф ф у­
зионной печи — 1,2 В т / с м 2 в центральной части печи,
1,6 В т /с м 2 — по краям при мощности печи 12 кВт. М акси м альная
температура при этом 1300 °С.
Ц ентральная температурная зона обычно с о с тав л я ет 70— 75 %
общей длины нагревательной камеры. При этом тем пература на
концах трубы и в центральной части отличается не более чем на
± 5 0 °С. С целью сокращ ения занимаемой п л о щ ад и и удобства
замены кварцевых труб диффузионные печи обычно располагаю т
«спинами» друг к другу. В этом случае управление и о б сл у ж и ва­
ние печей, обеспыленных боксов с ламинарными потоками загр у з­
чиков и газовых систем предусматривается с одной стороны, а все
устройства выполняют в правом и левом исполнениях.

3. СИСТЕМА А В Т О М А Т И Ч Е С К О Г О Р Е Г У Л И Р О В А Н И Я
ТЕМПЕРАТУРЫ

Нагреватель печи электрически р азд ел ен на три сек­

ции: рабочую 1 и вспомогательные 2, 3\ электроп итани е и управ­
ление температурой осуществляется с помощью специальной си­
стемы (рис. 86).
10 Зак. 824 145
 Нмредатсльная
Система цпрабпе/шя камера Система сипоНога
температурой эпектропитиния
Гг
Г'
__ .
1,103 !
Выход 1 15
Н а д2Лп

“^77»]
Выходи 1 15
к

П ____ и,ад Г I г —
Й6М<И?2? * | | | 15 [Ч Ж К & ^ Т

I 1° .^

-нов

Рис. 86. С т р у к т у р н а я схема автом атического регулирования температуры д и ф ­

фузионной печи:
1— 3 — сек ци и н аг р ев ат е л я : . —/ / — т е р м о п а р ы ; 12 — регуляторы темп ера туры ; 13 — устрой­
ство п р е ц из ион ног о з а д а н и я те мператур; 14 — усилитель; 15 — ф ункциональ ный усилитель
мощн ости ; 16 — тир исто ры ; /7 — силовые т ра нсформ аторы ; /й — огра нич ит ель те м пе ра ­
туры; 19 — к о н т а к т о р

Д л я обеспечения высокой точности распределения температу­

ры использую т трехканальную систему регулирования с управл е­
нием вспомогательными секциями нагревателя 2 и 3 от рабочей
секции 1, зад аю щ ей уровень рабочей температуры в реакторе. Р е ­
гулирование температурного поля реактора осуществляют по трем
точкам в м естах расположения преобразователей температуры —
термопар 4, 7, 8 и 11. Центральный канал регулирования раб о та­
ет от двух термопар 7, 8, размещенных в середине рабочей сек­
ции н агр ев ате ля . Д л я увеличения термоЭДС эти термопары вклю ­
чены последовательно. Рядом с ними с каждой стороны располо­
жены терм опары 6, 9, включенные встречно термопаром крайних
секций 5, 10. В результате та к о г о включения термопары 5— 6 и
9— 10 п о к азы в аю т отклонения температур крайних секций от тем­
пературы в центральной секции нагревателя. Д л я получения
большой зоны равномерной температуры по длине налревателя
необходимо, чтобы температуры в рабочей и вспомогательных сек­
циях были равны или близки по величине. При этом разности
сигналов терм опар 5— 6 и 9— 10 будут близки к нулю.
Все терм опары подключают к регуляторам температуры 12,
в которых имеются устройства 13 прецизионного задания темпе­
ратур, соответствующих технологическому процессу. Разность
между зад ан н ы м и текущим значениями термоЭДС термопары в
виде н ап р яж е н и я р азб ал ан са поступает на усилитель 14 регуля-
146
 тора температуры. Усиленный сигнал проходит в функциональный
усилитель мощности 15, где после ряда прео б разован ий форми­
руется в фазоимпульсный сигнал управления углом заж игания
кремниевых вентилей — тиристоров 16, включенных во вторичную
обмотку силового трансформатора 17. С иловые блоки обеспечи­
вают на соответствующих секциях нагревательного элемента мощ ­
ности, необходимые для поддержания зад ан н ы х уровней темпе­
ратуры.
Схема работает следующим образом: при отклонении темпера­
туры в центральной части нагревателя (зона располож ения п л а­
стин) система регулирования получает сигнал р а зб а л а н с а и фор­
мирует соответствующий управляющий сигнал, который, пройдя
через блок силового питания, вызывает изменение мощности сек-
I ций нагревателя, необходимое для восстановления заданного уров­
ня температуры.
Д л я защиты нагревателя от перегрева в его крайних секциях
расположены термопары 4 и 11, соединенные с ограничителем
температуры 18. При перегреве ограничитель воздействует на
контактор 19, отключая питание трансформаторов.
Система регулирования температуры позвол яет т ак ж е автома­
тически управлять кинетикой нагрева пластин; сущность управ­
ления состоит в следующем: при проведении «коротких» процес­
сов большое внимание на качество слоев о к а з ы в а ю т переходные
режимы загрузки и выгрузки пластин. Д л я сниж ения влияния
тепловых возмущений при загрузке холодной кассеты с пласти­
нами температура в реакторе ‘а втоматически сн и ж ается на 100—
150°С (ниже рабочего уровня). Прогрев загр у зк и происходит при
пониженной температуре. П ри этом скорость физико-химических
процессов на поверхности пластин мала и неравномерность про­
грева не отражается на качестве обработки. З а т е м температура
в реакторе поднимается до заданной, при которой происходит
процесс контролируемой диффузии или окисления. Система позво­
ляет такж е осуществлять программное изменение температуры,
причем скорость нарастания или снижения тем п е р ат у р ы задается
в зависимости от размеров и массы загруженной в реактор садки.

4. Э Л Е М Е Н Т Ы Д И Ф Ф У З И О Н Н О Й С И С Т Е М Ы

Диффузионная система, например, печи СДО-125/3-12

предназначена для проведения прецизионных технологических
процессов диффузии, окисления в потоке парогазовой смеси мето­
дом открытой трубы. Система включает в себя трехтрубную элек­
тропечь и сервисное оборудование: систему автоматической з а ­
грузки и выгрузки изделий, устройство газораспределения, изме­
рительный стенд для периодической настройки и проверки темпе­
ратурного профиля печи. Рассмотрим кратко некоторые элементы
диффузионной системы.
Автоматические загрузчики. С увеличением д и а м етр а обраба­
тываемых пластин до 75 мм и выше увеличился бой пластин на

10' 147
операциях дифф узии. Последний обусловлен большими внутренни­
ми н ап р яж е н и ям и в пластине и термоударами при загрузке и вы­
грузке пластин из высокотемпературных печей. Д л я предотвра­
щения этого б р а к а , а такж е б рака, связанного со спеканием к в ар ­
цевого п од л о ж к о д е р ж ат е л я с кварцевой трубой, применяются а в ­
томатические загрузчики с реверсивным механизмом, позволяю­
щим плавно вводить и выводить пластины в печь с заданной ско­
ростью.
А втоматические загрузчики выполняют следующие функции:
введение пластин в диффузионную печь с определеной регули­
руемой ступеням и скоростью (100— 200 м м /м и н );
покачивание подлож кодерж ателя (лодочки) в высокотемпера­
турной зоне (ориентировочно 2,5 мм/мин при размахе 20 мм);
выгрузка пластин из высокотемпературной зоны с определен­
ной скоростью (25— 100 м м /м и н ).
Чтобы не вносить загрязнений, шток толкателя автоматическо­
го загр узч и ка д ел аю т из кв ар ц а той же чистоты, что трубы и л о ­
дочки. П ри м ен ен и е автоматических загрузчиков резко сокращ ает
бой пластин, особенно большого диаметра, исключает ошибки
оператора и со к р ащ а ет трудоемкость операции на диффузионных
процессах. К р ом е этого, повышается воспроизводимость хар а к те­
ристик легированны х слоев от партии к партии пластин.
Автоматические загрузчики помещают в обеспыленные бок­
сы, у становленны е на входе диффузионных печей, чтобы обеспе­
чить тр еб ован ия полупроводниковой гигиены при перегрузке п л а ­
стин из тар ы в подлож кодерж атель и введении его в реактор.
Газовый ш к аф . Газовый ш каф предназначен для подготовки,
подачи и «регулирования газовых потоков при проведении диф ф у­
зии и окисления кремниевых пластин. Устройство подготовки и г а ­
зораспределения обеспечивает поочередное проведение основных
технологических операций:
окисление кремниевых пластин;
насы щ ение поверхностного слоя легирующими примесями;
проведение диффузии примесей в глубь пластин за счет обед­
нения поверхностного слоя.
Газовые системы диффузионных печей компонуются в модули,
встраиваем ые в оборудование. Если печь содержит несколько ре­
акторов, то модули объединяют в общий шкаф для удобства их
обслуживания. При создании модулей в основном используют уни­
фицированные и типовые элементы.
Газовы е системы должны отвечать ряду важнейших конструк­
тивно-технологических требований, от выполнения которых в з н а ­
чительной степени зависит качество получаемых слоев. Газовые
системы д о л ж н ы быть герметичными. Конструкция и м онтаж дол­
жны исклю чать проникновение в систему воздуха и влаги из о к­
ружаю щ ей среды, а из системы в окружающую среду — реакци­
онных газов, в особенности токсичных и взрывоопасных. М ате р и а­
лы газовы х систем не должны вносить загрязнений в вещества,
используемые в процессах производства, и вступать с ними в ре­
148
акции. Конструкции газовых систем не д о л ж н ы содержать непро-
дуваемых участков и застойных зон. Они д о л ж н ы иметь св о б од ­
ный доступ к аппаратуре, трубопроводам и разъ ем ам для п р о ­
ведения периодического осмотра, ремонта и очистки. Необходимо
обеспечить соблюдение требований техники безопасности и п р о ­
мышленной санитарии, позволяющих у с та н а в л и в а ть оборудование
в общих производственных помещениях.
На рис. 87 приведены различные схемы газораспределения д и ф ­
фузионных печей.
Магистраль инертного газа служит д л я подачи газа-носителя
диффузанта. М агистраль подачи диф ф узанта из жидких соедине­
ний в виде парогазовой смеси (рис. 87, а) во избежание конден­
сации легирующих примесей на стенках трубопроводов делаю т с
подогревом. В системах применяют электром агнитны е клапаны
К Л для перекрытия магистралей, ротаметры или другие приборы
для контроля расхода газов ИП, н атекатели, стабилизаторы з а ­
данного фасхода газов РД. Д л я диффузии таких примесей, к а к
бор и фосфор, в кремний, как правило, использую т жидкие хи м и ­
ческие соединения (например, ВВг3, РОС13). Применение их в м е ­
сто газообразных выгодно вследствие лучш ей стабилизации и р е ­
гулирования потоков диффузанта в печи, т а к как концентрация
диффузанта регулируется как температурой нагрева жидкости,
так и скоростью потока газа-носителя.
При дистанционном пневмоэлектрическом управлении з а п о р ­
ными клапанами происходит автоматическая (по программе) по­
дача парогазовых смесей и газов в реакторы диффузионной печи.

5. О С Н О В Н Ы Е Н А П Р А В Л Е Н И Я В С О З Д А Н И И
ОБОРУДОВАНИЯ Д Л Я ДИФФ УЗИИ И О К И С Л Е Н И Я

Д л я повышения производительности и эффективного

использования дорогостоящих площадей с кондиционированием
важным направлением в конструировании диффузионных печей
являются их компоновка в многоярусные агрегаты , а такж е п о­
вышение точности поддержания температуры и равномерности
температурного поля до 0,1— 0,25°С и увеличение длины рабочей
зоны до 800 мм.
При создании агрегатированных печей одним из главных в о ­
просов является снижение тепловых потерь и введение в конструк­
цию печей принудительного воздушного о х л аж д ен и я кожуха с в о ­
дяным теплообменником. Это значительно сн и ж ает нагрузку на
кондиционеры и уменьшает число вентиляционных магистралей.
Д л я повышения надежности работы н агр ев ателя помимо улуч­
шения качества самого сплава увеличивают диаметр проволоки
от 5 до 7 мм при введении шлифовки и специального предвари­
тельного окисления поверхности. Дополнительное увеличение р е ­
сурса нагревателя можно получить, проводя химико-термическую
обработку его поверхности (алитирование, силицирование и нит­
рирование).
149
<3 — с ж и д ки м дн ф ф уз ан т ом : б — с га зо об раз ны м д и ф ф у з ан т о м : в — д л я окисления
К р — краны с ручным управлен ием: Ф — ф ильт ры; Р Д — ре гуляторы да вл е ни я ; Н П — и зм ери тельн ые приборы: Кл — кл а п а н ы с пневмо-
электрическ им уп рав лен ие м; И с — источники пар ог аз ово й смеси или газ ооб раз ного д и ф ф у з а н т а ; ++ — тр уб опров од ы с обогревом
 В системах регулирования повышение надежности д о сти гается
применением полностью бесконтактной системы регулирования с
полупроводниковой модуляцией сигнала от термопары, у в ел и чен и ­
ем точности системы, введением защ и ты от перегрева н а г р е в а т е ­
ля, экранировкой термопар, а в дальн ей ш ем , с внедрением на
диффузионных участках микропроцессоров, введением д у б л и р у ю ­
щих систем регулирования.
Высокая насыщенность производственных участков агр е гат и -
рованными печами, повышение их производительности и с о к р а щ е ­
ние рабочих циклов потребует в б л и ж а й ш е е время полной ав то -
матнзацин участков диффузии и сервисного оборудования с в ы ­
несением сигнализации и управления отдельными операциями на
централизованный пульт оператора, т. е. создания автоматических
поточных линий диффузии.
Процесс окисления при нормальном давлении в сухом и у в ­
лажненном кислороде проводится в интервал е температур 1050—
1150°С. Однако более перспективно термокомпрессионное о к и с ­
ление в интервале температур 700—9 5 0 °С при давлении до
25-105 Па в среде влажного кислорода или водяного пара, а т а к ­
же при давлении до 7 07-105 Па в среде сухого кислорода.
ГЛАВА 9

ОБОРУ ДОВА НИЕ Д Л Я ПРОЦЕССОВ ИОННОЙ

ИМПЛАНТАЦИИ

I. С У Щ Н О С Т Ь П Р О Ц Е С С А ИО Н Н О Й И М П Л А Н Т А Ц И И
И К Л А С С И Ф И К А Ц И Я ОБОРУДОВАНИЯ

Ионное внедрение (имплантация) — введение ионизи­

рованных атомов примеси в поверхностный слой подложки при
сообщении этим ионам большой кинетической энергии (от кило­
электрон-вольт до мегаэлектрон-вольт). По мере продвижения
иона в подложке он о т д а е т энергию атомам и молекулам, оста­
навливаясь на определенной глубине от ее поверхности.
Принципиальное отличие метода ионной имплантации от тер­
модиффузии состоит в способах сообщения энергии атомам при­
меси: в термодиффузии — при нагреве до высокой температуры
(900— 1300 °С) , при ионном легировании — при ионизации атомов
примеси и ускорении их в результате приложения разности потен­
циалов.
Преимущества ионного легирования (имплантации) перед тер­
модиффузией:
легирование атом ам и любых веществ независимо от предель­
ной растворимости при любых температурах;
создание в п одл ож к е скрытого слоя на некотором расстоянии
от поверхности подлож ки;
получение неглубоких ( ^ 0 , 1 мкм) легированных слоев, в том
числе ступенчатых;
легирование п о длож ки через защитный слой;
управление с высокой точностью глубиной и профилем распре­
деления примесей в подлож ке путем изменения энергии и дозы
вводимых ионов примеси.
К недостаткам ионной имплантации можно отнести сложность
оборудования и остаточны е радиационные дефекты в подложке.
Д л я проведения процесса ионной имплантации необходимо
ионизировать легирую щ ую примесь, сообщить иону примеси со­
ответствующую энергию для внедрения на заданную глубину в
подложку, отсепарировать по массам примесные атомы от н еж е­
лательных элементов и направить ионы на поверхность подложки
д л я их внедрения. Д л я выполнения перечисленных технологиче­
ских операций процесса ионной имплантации установка должна
содерж ать ионный источник, экстрагирующую и фокусирующую
оптику, ускорительную трубку, масс-сепаратор, устройство скани­
рования ионного пучка, систему источников питания, приемную к а ­
меру, вакуумную систему, а такж е устройства контроля и уп рав­
ления технологическим процессом.
152
Рис. 88. К л ас с и ф и к а ц и я установок ионной и м пл а нт ац ии по м етоду у с к о р е н и я :
У , — н ап р я ж е н и е в ы тяг ив ан ия ионов; U y — у с к о р я ю щ е е н апряжение ;
/ — ионный источник; 2 — ыасс-сепаратор; 3 — сканирующее устройство; . — приемное
устройство

Классификация установок ионной имплантации по методу ус­

корения приведена на рис. 88. Если ускорение ионов о с у щ е с т в л я ­
ется до масс-сепаратора (Uy = Ua), т о такие установки н а з ы в а ­
ют установками с доускорением (рис. 88, а ) , а установки, у с к о р я ­
ющие ионы после масс-сепаратора ( U у), — с послеускорением
(рис. 8 8 ,6 ) . Возможно ускорение ионов за счет п р и к л а д ы в а е м о ­
го на ионном источнике потенциала вытягивания ( Ut ) (рис. 88, в ).
В установках этого типа небольшая энергия ионов до 50 кэВ .
Системы ионной имплантации с доускорением имеют у с к о р и ­
тель, расположенный между ионным источником и се п а р ат о р о м ,
и работают в режиме ускорения несепарированного пучка. П о ­
скольку в этом случае производится сеп арац и я ионного пучка, у ж е

Вертикальный Горимнта/ьмыи
сканирующий сканирующий
усилитель усилитель

Рис. 89. Ф ункциональн ая схема установки ионной имплантации:

/ — ионный источник; 2 — экстрагирующа я с и с т е м а ; 3 — элек трод смещения; . — щ е л е в ы е
линзы; 5 — д и ф ф уз ион ны й насос; 6 — ф о к у с и р у ю щ а я систем а; 7 — диффузионный насос;
S — п о д л о ж к о д е р ж а т е л ь ; S — датчик; /0 — з а с л о н к а ; / / — система э л ек тр о с т а ти ч е с к о го с к а ­
нирования; 12 — ус корит е л ь

153
предварительно ускоренного до заданной максимальной энергии,
то системы ионной имплантации, построенные по такой схеме, ис­
пользуются для работы с энергиями ионов до 100 кэВ.
Системы ионной имплантации с послеускорением имеют Два
ускорителя, расположенны е после ионного источника и перед при­
емной камерой, что п озвол я ет получать пучок с высокой энергией
ионов за счет его предварительного ускорения до энергии 100 кэВ
перед сепарацией масс и финишного ускорения до заданной м ак­
симальной энергии.
Н а рис. 89 приведена функциональная схема установки ион­
ной имплантации.

2. Э Л Е М Е Н Т Ы С И С Т Е М ИОННОЙ И М П Л А Н Т А Ц И И

Ионные источники. Источник ионов производит ионы

необходимого типа и имеет устройство экстракции ионов. К ис­
точникам ионов п р ед ъ я в л я ю т следующие требования:
создание однородного высокоинтенсивного ионного пучка со
стабильными во времени параметрами;
получение предельной д л я данной конструкции плотности ион­
ного тока при м акси м ал ьн о низких экстрагирующих н ап ряж е­
ниях;
и о н и з а ц и я к а к г а з о о б р а з н ы х (B F 3 , ВСЬ, A sC I3, A sF 3, Р С Ь, Ог,
N 2 и т. д . ) , т а к и т в е р д ы х (В, As, Sb, А1 и д р . ) д и ф ф у з а н т о в ;
л е г к а я за м е н а л е г и р у ю щ е г о элемента;
первичное форм ирование ионного пучка различной заданной
формы;
простота управления;
значительное время наработки на отказ катода и источника в
целом.
Независимо от типа ионный источник должен обеспечить про­
цесс возбуждения атомов, например, рабочего газа до энергии
большей первого п о тен ци ала ионизации, с образованием положи­
тельных ионов. Классическим методом реализации этого процесса
является электрический р а з р я д в газе.
Ионные источники с о д е р ж а т следующие элементы:
разрядную, или ионизационную, камеру, которая может яв ­
ляться несущей конструкцией источника;
анод, предназначенный для создания электрического поля внут­
ри разрядной камеры;
источник электронов (нагреваемый термокатод, холодный или
полный катод);
магнитную систему д л я повышения эффективности ионизации
и плотности плазмы в зоне экстракции ионов;
экстрагирующий э л е к тр о д и электроды первичной фокусиров­
ки пучка, предназначенные для экстракции ионов из зоны плазмы;
систему подачи рабочего газа или устройства испарения (рас­
пыления) твердого легирую щ его материала;
систему источников питания.
154
 г ,Т

Wssasiras^
чАЩ&ШМ : Hr !■■■
I 4 \>- JV
4
I I г
О) I) 0)
Рис. 90. Ионные источники с горячим катодом:
а, б — прямого нак а л а ; в — кос венного н ак ал а;
/ — ка тод; 2 — анод; 3 — эк стр ак то р; 4 — к а т од ко свен ного накала; В — вектор магн ит ной
индукции

Наиболее распространенными и относительно простыми я в л я ­

ются ионные источники с горячим катодом. Н а рис. 90 показаны
ионные источники с горячим катодом прямого и косвенного н а к а ­
ла. Электроны эмиттируются с плотностью ~ 1 А / с м 2. В р е ­
зультате в объеме разрядной камеры о б р азу ется область относи­
тельно однородной плазмы с плотностью ионов ~ 1 0 |2-т-1014 см-3
при плотности атомов рабочего газа, соответствующей давлению
~ l , 3 - 1 0 - 3- H - 1 0 - ' Па.
Ионная-транспортная система. Установка ионной имплантации
включает в себя устройства, предназначенные д ля транспортиров­
ки ионного пучка от ионного источника до мишени без деградации
первичного сформированного пучка. При этом к а ж д о е из устройств
несет собственную функциональную нагрузку. В общем случае
система ионно-пучковой транспортировки д о л ж н а обеспечить т р е ­
буемые параметры легирующего ионного пучка в зоне мишени,
в частности: энергию ионов, интенсивность пучка (плотность ион­
ного тока), стабильность ионного тока во времени и по площ ади
мишени, разрешение и форму пучка в зоне мишени, высокую и зо­
топную чистоту пучка.
Таким образом, транспортная система д о л ж н а содержать у ск о­
ритель .ионов, устройства фокусировки, се п а рац и и масс и скан и ­
рования ионного пучка, а также приемную камеру. Каждое из этих
устройств в известной степени определяет стоимость, производи­
тельность, а такж е предельные технические п арам етры системы
ионной имплантации.
Устройства ускорения ионов. На рис. 91 п о казан а конструкция
ионно-транспортной системы с трехэлектродным ускорителем, обес­
печивающим получение ионного пучка с энергией от 25 до
200 кэВ.
Трехэлектродный ускоритель расположен сразу за сеп ар ато­
ром масс, энергия ионов на выходе ускорителя определяется отно­
шением напряжений на электродах U, (э к стр а к то р ), U2^ (усред­
няющий электрод) и ускоряющем электроде U з. В данной конст­
рукции размеры ускорителя выбраны таким образом, что н ап ря­
жение U| = 26 кВ, U2= 10ч-35 кВ и L^3 = 25-j-200 кВ, т. е. н аи ­
большая разница потенциалов приходится на пространство м е ж ­
ду вторым и третьим электродами.
155
 Рис. 91. Конструкция ионно­
транспортной системы установки
ионной имплантации с т рехэле к т­
родным ускорителем ионов:
I — ионный источник; 2 — экстрактор;
3 — магн ит ; 4 — трехэлектродный уско­
ритель; 5 — нагреватель

Пр и емн о е устройство.
Приемное устройство пред­
назначено для загрузки по­
лупроводниковых пластин,
перемещения их под ион­
ный пучок, легирования и
нагрева. Поперечное сече­
ние ионного пучка составля­
ет несколько кв ад р атн ы х миллиметров и по площади пучок неод­
нороден. Д л я леги р овани я пластин с высокой однородностью не­
обходимо п ерем ещ а ть пучок по пластине или пластину относи­
тельно пучка. Ч а щ е применяют сканирование пучка. В процессе
легирования д л я отж ига возникающих радиационных дефектов в
пластинах их нагреваю т до температуры 200—700 °С. Д л я увели­
чения интенсивности пучка используют дополнительные фокуси­
рующие линзы.

3. Т Е Н Д Е Н Ц И И В Р А З Р А Б О Т К Е О Б О Р У Д О В А Н И Я
Д Л Я ИО Н Н О Й ИМПЛАНТАЦИИ

В р а зр а б о т к е оборудования для ионной имплантации

можно отметить следую щ ие направления:
повышение энергии ионов и плотности ионного тока;
использование способа индивидуальной обработки одиночной
пластины;
применение безмасляны х средств откачки системы.
Повышение энергии ионов и ионного тока определяется требо­
ваниями технологии к получению глубоких имплантированных
слоев (в том числе скрытых) без снижения производительности
обработки. С равнени е серийных и разрабаты ваемы х систем ион­
ной имплантации приведено в т а б л . 10.
В современном технологическом оборудовании для импланта­
ции должны совм ещ аться два предельных параметра: высокая
энергия ионов (до 600 кэВ) и высокая плотность тока (до 8 мА).
Процесс имплантации неизбежно связан с появлением д еф ек­
тов в кристаллической решетке. Имплантированный слой стано­
вится аморфным и теряет свою электрическую активность. Л а з е р ­
ный отжиг используется в промышленной технологии больших ин­
тегральных схем с целью устранения дефектов кристаллической
решетки. Главное преимущество лазерного отжига в том, что он
обладает малой продолжительностью нагрева и охлаждения м а ­
териала (м икросекунды ), локальностью, точностью нагрева по
156
Т а б л и ц а 10. Параметры систем ионной имплантации
Серийные установки Новые разработки

Наименование параметра Диапазон зн аче­ Диапазон зн а ч е ­

ний Точ но сть, % ния Точ но сть. %

ю
©~
т

о
Ускоряющее напряж е­ 5-450 3 2-600
ние, кВ
Д о з а, см - 2 Ю1!1-И0>« ± 2 - f - ± 15 1 ■101° + 2 Ю '7 ±2
Однородность, % ± 1 ±3 ± 1 ±3
Тип ионов В, Р, As, Н Be, Z n, Cxi,
A l , S i , Sb,
S , Те
Масса ионов 1 - 3 1 (75) ± 1 1— 130 ±1
Давление, Па 6 ,5 -1 0 -» — 1 , 3 - 10“ »
1 , 3 - Ю -» (Безмасляная
откачка)

глубине и площади. При лазерном отж иге уменьшается время о б ­

работки, ограничивается диффузия и наруш ение стехиометрии с о ­
става.
Мощные лазерны е импульсы применяю т д ля эпитаксиальной
кристаллизации аморфных слоев полупроводниковых м а тер и ал ов
после полного внедрения примесей. Н а п р и м ер , отжиг с помощью
лазера на алюмоиттриевом гранате, легированном неодимом, в ы ­
полняется в нормальной атмосфере. Э п и так с и а л ьн ая к р и с т а л л и з а ­
ция аморфного слоя кремния толщиной 0,4 мкм проводилась при
воздействии одиночных импульсов л азер н ого излучения с длиной
волны 1,064 мкм и пиковой плотностью энергии от 3,0 д о
5,0 Д ж / с м 2. Эпитаксиальный слой не имел дефектов.
В настоящее время созданы установки для лазерного о т ж и г а
в непрерывном режиме. Система обеспечивает отжиг пластины
диаметром 110 мм за 2—3 мин. Д и а м етр пятна 20— 200 мкм, м о щ ­
ность луча 0— 15 Вт, частота сканирования 0 — 500 см/с.
ГЛАВА 10

О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я ГАЗОВОЙ ЭП И ТА КС И И

I. Т Р Е Б О В А Н И Я К УСТАНОВКАМ Д Л Я ГАЗО ВОЙ

ЭПИТАКСИИ

Э питаксия — процесс ориентированного наращивания,

в результате которого образующаяся ф аза закономерно продол­
ж а ет кристаллическую решетку имеющейся фазы — подложки с
образованием переходного эпитаксиального слоя.
Основными э та п а м и эпитаксии из газовой фазы являются:
формирование, контроль и управление исходной для процесса
парогазовой см есью заданного состава;
транспортировка парогазовой смеси в реактор и распределение
ее по объему реакционной зоны;
нагрев п одлож ек до требуемой температуры и осаждение на
них вещества из газовой фазы;
удаление продуктов реакции и их утилизация.
Основными п а р ам етр ам и эпитаксиальных структур являются
толщина н ар ащ и в аем ого слоя и удельное сопротивление. Д л я по­
лучения этих п ар ам етр о в с требуемой точностью ( ± 5 % ) установ­
ка для эпитаксиального наращивания д олж на удовлетворять с л е­
дующим требованиям:
поддерживать тем пературу подложек с точностью ± 5 К;
обеспечивать постоянный состав парогазовой смеси и стабили­
зацию газовых потоков;
создавать один аковы е условия протекания процесса для всех
подложек, находящ ихся в реакторе;
обеспечивать соблюдение полупроводниковой гигиены;
Кроме того, она д о л ж н а иметь технические средства (датчики)
для измерения основных параметров процесса газовой эпитаксии.
Д л я выполнения перечисленных требований установка для эпи­
таксиального н ар ащ и в ан и я должна содерж ать следующие э л е ­
менты: реактор, газовую систему, систему нагрева, систему у п р ав ­
ления процессом и вспомогательные устройства.

2. Р Е А К Т О Р Ы Д Л Я ГАЗО ВОЙ Э П И Т А К С И И

При конструировании реакционной камеры необходимо

учитывать:
1) температурные условия (необходимость одной или несколь­
ких температурных зон) и способ нагрева подложек;
2) производительность за 1 ч, за один цикл и кратность стан­
дартным партиям в производстве интегральных микросхем;
158
 3) равномерность физических свойств, качество осаж даем ы х
слоев и процент выхода годных структур;
4) рабочее давление (атмосферное, повышенное или понижен­
ное);
5) физико-химические свойства исходных веществ (необходи­
мость изготовления реакционной камеры из специальных м а т е р и а ­
лов, охлаждения стенок камеры);
6) способ переноса парогазовой смеси, исключающий п р е ж д е ­
временное, до достижения подложки, выделение осаждаемого м а ­
териала;
7) возможность автоматизации и м еханизации операций з а ­
грузки и выгрузки;
8) контроль за процессом (окно в стенке р еакто ра) и в о зм о ж ­
ность применения различных технических средств для управления
процессом внутри реактора;
9) адаптивность к производству разли чн ы х и более соверш ен­
ных структур, а т а к ж е к переходу на п о дл ож к и увеличенного д и а ­
метра;
10) снижение энергоемкости реактора и удельных затрат на
единицу обрабатываемой площади;
11) возможность интеграции нескольких технологических п р о ­
цессов;
12) возможность перехода от периодических процессов к непре­
рывным.
Разброс параметров эпитаксиальных слоев, выращенных в кон ­
кретном реакторе на обрабаты ваемы х п о д л о ж к ах , зависит от о с о ­
бенностей конструкции реакционной камеры , связанных с с о з д а ­
нием одинаковых условий протекания процесса при групповой о б ­
работке пластин в установках периодического действия, в о зм о ж ­
ностью управления процессами тепло- и массопереноса и обеспе­
чения оптимальных условий наращ ивания эпитаксиального слоя
д ля всех обрабаты ваемы х подложек.
Реакторы изготавливают из кварцевого стекла, коррозионно­
стойкой стали, хромоникелевых сплавов и монель-металла.
Реакторы установок эпитаксиального н ар ащ и в ан и я можно р а з ­
делить на два типа: горизонтальный и вертикальны й. Схемы р е ­
акционных камер установок эпитаксиального наращ ивания п о к а ­
заны на рис. 92.
Горизонтальный реактор. Реакторы горизонтального типа не
имеют внутри движущихся частей. Поток парогазовой смеси п о ­
дается в реактор параллельно его оси. С хем а реактора горизон­
тального типа приведена на рис. 92, а.
Реактор 1 изготавливаю т из кварцевой трубы круглой или
прямоугольной формы. Внутри реактора р а зм ещ а ю т подложко-
держ атель 3, выполненный из графита и установленный на п о д ­
ставках с определенным углом наклона д ля выравнивания с о с та­
ва парогазовой смеси вдоль длины п о дл о ж к о д е р ж ате л я.
В процессах эпитаксиального роста крем н ия при использова-
159
Рис. 92. Схемы р е а к т о р о в д л я газовой эпитаксии:
а — гори зон тальн ого т и п а : б — вертикального:
/ — реакци онн ая к а м е р а ; 2 — индуктор; 3 — п о д л о ж к о д ер ж а т ел ь ; •/ — п одлож ки; J — п одача
парогазовой смеси

нии S iНч, S iH C l3 или S iC l4 угол наклона п одложкодержателя

изменяют в соответствии с неравенством
tg a siH, > t g a SiHci, > tga sici.-

На п о д л о ж к о держ ател е 3 размещаю т подложки 4. Д л я нагрева

подложек использую т индукционный, резистивный или лучистый
нагрев. При индукционном нагреве применяют индуктор 2, под­
ключенный через согласующие цепи к генератору токов высокой
частоты. На р а зб р о с параметров наращ иваемого слоя оказы вает
значительное влияни е газодинамическая обстановка в реакторе.
Д л я реактора горизонтального типа естественная конвекция н а ­
правлена перпендикулярно направлению вынужденной конвек­
ции. В этих у слови ях наблю дается течение газов в виде спиралёй
или вихрей. В условиях только вынужденной конвекции н аб лю ­
дается л ам и н ар н о е течение газовых потоков. Переход от р еа кто ­
ров круглой ф орм ы к прямоугольно-эллиптической позволяет уве­
личить производительность установки и снизить разброс п ар ам ет­
ров н аращ иваем ого слоя.
Температуру нагревателя измеряют оптическим пирометром,
а температуру газового лотока на выходе из реактора — хро-
мель-алюмелевой термопарой, введенной в реактор в кварцевом
чехле перпендикулярно потоку газа. Д л я описания гидродинами­
ческой обстановки, тепло- и массообмена в реакторе используют
критерии подобия.
К ажды й критерий имеет определенный физический смысл. К ри ­
терий Р ей нольдса (Re) вы раж ает отношение силы инерции к си­
ле трения, критерий Грасгофа (Gr) — отношение подъемной си­
лы к силе инерции. В условиях естественного движения среды
критерий Re з а м ен яетс я критерием Gr. При математическом опи­
сании конвективных процессов тепло- и массоотдачи используют
критерий Н у ссел ьта (N u).
160
 Д л я расчетов критериев подобия использую т следующие в ы р а ­
жения:
Re = V d J v Ht;
Or = (T шгр — Т C
T)/vHl;

Nu = а А . = <7н.К0НВ d J U T ^ p — Т ст) Ян>],

н,
где V — средняя скорость движения г а з а н ад поверхностью н а ­
гревателя; d a — эквивалентный диаметр реактора; v h , — к о э ф ­
фициент кинематической вязкости водорода; р — коэффициент
объемного расширения газа; g — ускорение силы тяж ести;
Т'нагр — температура нагревателя; Тст — температура стенки р е ­
актора, °С; а — коэффициент теплоотдачи нагревателя; А,н, — к о ­
эффициент теплопроводности водорода; <7н,К0НВ — плотность т е п ­
лового потока, отдаваем ая нагревателем путем конвективного т е п ­
лообмена в атмосфере водорода.
Толщину теплового пограничного сл оя при обтекании н а г р е в а ­
теля ламинарным потоком газа в реакторе горизонтального ти па
можно определить с помощью уравнения
б ,= .
0,33 R e °'5 Р г0,33 ’

где х — координата по длине нагревателя; Re* — критерий Р е й ­

нольдса, вычисленный для точки х при комнатной температуре.
Пограничный слой начинает об разовы ваться при х = 0 и у в е ­
личивается в направлении *. Пограничный слой, прилегающий к
подложкодержателю, увеличивается по толщ ине быстрее, чем на
верхней стенке. М еж ду этими пограничными слоями существует
центральная зона (сердцевина потока) г а з а с различными тем п е­
ратурными и концентрационными градиентами. Эта зона м ож ет
заключать запас реагента в газовом потоке, из которого он д и ф ­
фундирует через пограничный слой, достигая поверхности роста.
Д л я расчета критериев подобия по уравнениям в качестве о п ­
ределяющей температуры использована среднеарифметическая
температура нагревателя и стенки (7'ст= 100°С). Величина п о л у ­
чена интегрированием параболического распределения скорости
потока при комнатной температуре и со ставл яет 1,6 от общей
средней скорости потока.
Результаты расчета зависимостей Nu — G r и Nu — Re приве­
дены на рис. 93. И з рис. 93, а видно, что критерий сохраняет п о ­
стоянное значение, равное 4,4 при изменении критерия Gr от 650
до 1000 (температура нагревателя от 1100 до 900°С) и несколь­
ко увеличивается при возрастании критерия G r от 1000 до 1250
(температура нагревателя от 900 до 800 °С). И з рис. 9 3 ,6 т а к ж е
видно, что критерий Nu не изменяется при увеличении критерия
Re от 0,1 до 20 (скорость потока газа от 0,13 до 25 см /с ). П ри
дальнейшем увеличении критерия Re от 20 до 100 (скорость n o ­
il Зак. 824 161
 О) 6)

Рис. 93. Влияние к ри т е р и е в G r и Re на критерий Nu:

а — зависимость N u—G r; б — зави сим ость N u—Re при т ем п ературах н агревателя, ”С:
О — 960, Д — 1160, □ — 1240

тока газа от 25 до 130 см /с) критерий Nu возрастает. Это х а р а к ­

теризуется некоторым уменьшением температуры нагревателя.
Условия, при которы х критерий Nu не зависит от критериев Gr
и Re, характерны д л я теплообмена за счет теплопроводности г а ­
зовой среды при л ам и н арн ом движении газа.
Установлено, что движение парогазовой смеси при скоростях
потока 0,13— 130 с м / с и температурах нагревателя 800— 1100 °С
носит ламинарный характер. При скоростях потока 0,13—25 см /с
и температурах в ы ш е 900 °С теплообмен в реакторе осуществля­
ется за счет теплопроводности газовой среды.
При скоростях потока выше 25 с м /с на теплообмен начинают
влиять формирование теплового пограничного слоя, а при темпе­
ратурах ниже 900 °С — естественная конвекция газового потока.
Распределение температуры в горизонтальном реакторе (при
температуре п одл ож к одер ж ател я ГП= 1 2 0 0 ° С и У о = 5 0 см /с) по­
казано на рис. 94. П ри этом видно, что на расстоянии до 1,5 см
над п одлож кодерж ателем существует крутой температурный г р а ­
диент, который б л и ж е к стенке реактора становится пологим,
а температура верхних порций газа увеличивается в направлении
движения газа.
На рис. 95 приведены изобары давления паров SiCl4 в гори­
зонтальном реакторе, полученные измерением пространственного
распределения парциального давления SiCU с помощью масс-

Z ^ SOff ’с " "jSOO'C

Поток
JT---------- --------------- ^ Т Ь д Ч " 1
{г.—'— — '-JTSZSZ.' tj Ш ’С
t = — — — - —i /ооо‘С

0 S cm t o СП 15см ------- *■ X
Ьо/ломкн/ержател»

Рис. 94. Изотермы в г оризонтальном реакторе

162
 Рис. 95. И зобары паров SiCI4 в го­
ризонтальном реакторе: J[9 • 3.6у J P 3 , 2 / ' 2,Я /
о — З, 6; 6 — 3, 2; с — 2.8; d — 2,4; Лотон) 1 /
» — 2,0; / — 1,6; ц— I . 2 X I 0 - 1 атм Jen

О / 5 ГО 15 20см
Поди отпоОертптень

\ ,
спектрометрического отборника. В верхнем пространстве р е а к т о ­
ра (у стенок) существует более пологий концентрационный г р а ­
диент, чем над подложкодержателем, где изобары сходятся в м е ­
сте. Градиент парциального давления сущ ествует такж е в н а п р а в ­
лении движения парогазовой смеси, что обусловлено обеднением
реагента, вследствие его расхода на н ар ащ и в ан и е пленки.
Весьма перспективным направлением в конструировании р е а к ­
торов является создание конструкций с объемным располож ением
подложек и их двусторонним нагревом, что приближает у сл ов и я
обработки подложек к условиям в изотермических реакторах. С х е ­
ма реактора с объемным расположением подложек при д в у с т о р о н ­
нем нагреве п оказана на рис. 96.
П одлож кодерж атель представляет собой конструкцию, в ы п о л ­
ненную из молибденовых стержней 2 (типа «беличьего к о л е с а » )
и приводимую во вращение. С помощью этих стержней к р е п я т
параллельно друг другу графитовые диски 3 толщиной 2,5 мм. З а ­
зор между дисками составляет 7 мм. К каж дому граф и то в ом у
диску с обеих сторон крепят исходные подложки 4 с пом ощ ью
тонких колец из молибдена или к а р б и д а кремния. Р азличны е в а ­
рианты ввода парогазовой смеси в к а ж д ы й из зазоров м е ж д у ди
сками и формы осаждаемых слоев п о к аза н ы на рис. 97. Н а и б о л е е
равномерный по толщине слой о са ж д аем о го вещества п о луч ае тся
при подаче парогазовой смеси через коллектор, качаю щ ийся по
дуге (рис. 97, в). Коллектор п ред став л яет собой кварцевую т р у б ­
ку диаметром 13 мм с отверстиями д и ам етром 2 мм.
Технико-экономические показатели реактора с объемным р а с ­
положением подложек при их двустороннем нагреве лучше, ч ем у
обычного реактора горизонтального типа. Так, например, д л я л а -
грева подложки в реакторе с объемным расположением п о д л о ж е к
до температуры 1100°С требуется 0,5— 1,0 кВт вместо 2—4 к В т
для других типов реакторов. Эта экономия энергии о б ъ я с н я е т с я
уменьшением потерь на излучение при таком расположении под-

1 г j 4

Рис. 96. Схема ре ак тора с объемным р а с ­

положением по д лож е к :
/ — кварцевы й р еак то р : 2 — стержни; 3 — гр а ф и ­
1111111
товые днеки; 4 — п о д л о ж к и ; б — коллектор п ар о ­
газовой смеси; б — индуктор; 7 — патрубок для
выхода парогазовой смеси; в — вал с пакетом
подлож ек 6 s

11* 163
 I J

Рис. 97. Различные в а р и а н т ы в в ода парогазовой смеси в реактор:

а _ через п атрубок; б — ч ер ез ко л л екто р ; а — через качаю щ и й ся коллектор; /. / / . I l l —
схем ы подачи парогазовой см еси в реактор; 1—3 — профили ос аж д а е м ы х пленок. 4 — вы ­
ход ы отработанной п а р о газо во й см еси; 5 — входы п арогазовой смеси

лож ек. Скорость роста слоев кремния в реакторе с объемным рас­

положением подлож ек и двусторонним нагревом до 5 мкм/мин
вместо 1 мкм/мин в р е а к т о р а х других типов.
Вертикальный реактор . Вертикальный реактор предназначен
д ля массового производства эпитаксиальных структур с точно­
стью распределения температуры по подложкодержателю ± 3 ° С ,
разбросом толщины и удельного сопротивления выращенных сло­
ев в пределах ± 1 0 %. Д л я пластин разных ярусов разброс увели­
чивается. Многоярусный подложкодержатель равномерно в р а щ а ­
ется со скоростью 3 -j-120 об/мин.
На структуру потока влияет его скорость, условия нагрева,
форма подложкодержателя
геометрия реакционных ка
мер и ориентация их в про
странстве, организация вво
да парогазовой Смеси и уда
ления из камер продуктов
реакции.
Вертикальный реактор,
изображенный на рис. 98,
состоит из кварцевой или
стальной камеры /, в кото­
рой расположен графитовый
подложкодержатель 3. Под-

Вода Рис. 98. С хем а цилиндрического

бода _ промышленного реактора:
/ — верхний фланец; 2 — в од оохлаж ­
даем ы й р еак тор; 3 — п о д л о ж к о д ер ж а­
тель; 4 — подставка; 5 — никелевый
ф ланец ; 6 — ш туцер д л я отвода азота
Вода || | t | | Вода из
вал а
кольцевой полости; 7 — м ан ж ет
в ращ ен и я; в — вал вращ ения;
9 — ш туцер водородной продувки м а н ­
ж е та ; 1 0 — ш туцер подачн парогазовой
смеси; / / — ш туцеры подачи водо­
рода; 12 — уплотнение; 13 — индуктор;
Л — кварц евы й стакан ; /5 — под­
лож ки

164
ложкодерж атель представляет собой пирам иду или барабан с п а ­
зами для крепления подложек, частота в р ащ е н и я которого от 3 до
120 об/мин. Подложки 4 размещены в по дл ож к одерж ател е с н а к ­
лоном, предохраняющем их от выпадения из пазов. Нагрев под-
ложкодерж ателя осуществляется от С В Ч -ген ерато ра индуктором
2, отделенным от реакционной камеры кварц евы м стаканом 9.
Парогазовая смесь в вертикальном р еа кторе мож ет подавать­
ся снизу, сверху вдоль подложкодержателя (струйный ввод), или
через специальный коллектор (кварцевая труб ка с отверстиями),
расположенный по высоте цилиндра (п о д л о ж к о д ер ж а тел я), либо
по касательной (тангенциальный ввод). П ри струйном вводе п а ­
рогазовой смеси через патрубки в верхней торцевой поверхности
реактора отмечается наличие в реакторе двух зон: зоны вихрей,
образующихся при соударении потоков га за о торец подлож ко­
держателя, и зоны направленного потока вдол ь п о д л ож к од е рж а­
теля. Вихри практически неуправляемы и о бъем камеры исполь­
зуется нерационально. Д л я снижения вихреобразований и ул уч ­
шения аэродинамической характеристики п одлож кодерж ателя
верхнюю часть его выполняют в виде конуса с плавным перехо­
дом к цилиндру.
При тангенциальном вводе потока в кй м еру структура потока
определяется условиями ввода: скоростью подачи газа и углом
наклона потока к оси камеры. По сравнению со струйным вво­
дом условия перемешивания потока улучш аю тся благодаря с л о ж ­
ным полям скдростей. Увеличивается интенсивность обмена в не­
посредственной близости от подлож кодерж ателя.
Д л я вертикальных реакторов возможно использование ввода
и вывода парогазовой смеси через два вертикальны х перфориро­
ванных газовых коллектора: один — д ля подачи, другой — д л я
отвода газовой смеси из зоны осаждения. Эти коллекторы распо­
ложены на диаметрально противоположных сторонах камеры по
высоте подложкодержателя. Пьедестал с п о дл ож к ам и равномер­
но вращается в потоках парогазовой смеси, обтекаю щих его на
пути из питающего коллектора в коллектор сброса отработанных
газов.
В металлических реакторах для усреднения состава п арогазо­
вой смеси по высоте многогранного п о д л о ж к о д е р ж ате л я с р а зм е ­
щенными на нем в несколько ярусов п о д л о ж к ам и парогазовая
смесь подается снизу вверх струями, н ап р авл ен ны м и в кольцевой
зазор между горячей стенкой п о д л ож к одер ж ател я и холодной
стенкой реактора. Разброс толщины полученных слоев ± 3 —5 %
по высоте подложкодержателя достигается при радиальном вводе
парогазовой смоси и вертикальных струях водорода, используемых
для управления распределением концентрации г а за вдоль поверх­
ности подложкодержателя.
Н а рис. 98 изображен вертикальный реа кто р промышленной
установки эпитаксиального наращ ивания УНЭС-2П-КА. Верти­
кальный реактор 2, выполненный из коррозионно-стойкой стали,
имеет верхний 1 и нижний 5 фланцы. П л астин ы 15 размещаются
165
в несколько ярусов на цилиндрическом подложкодержателе 3. Во
внутреннюю полость подложкодержателя вставлен кварцевый с т а ­
кан 14, внутри которого находится индуктор 13. П одложкодержа-
тель установлен на кварцевой подставке 4, расположенной на
плоском диске водоохлаждаемого вала вращения 8. Кварцевая
колба уплотняется с помощью кольцевой резиновой прокладки
фланцем. П о д а ч а парогазовой смеси осуществляется снизу через
штуцер, а отвод происходит через три водоохлаждаемых штуцера
отвода реакционного газа. В нижнем фланце реактора через два
штуцера 11 производится продувка кольцевой зоны между стен­
кой реакционной камеры и подложкодержателем. Д ля н ад еж н о­
сти уплотнений предусмотрена продувка азотом кольцевых поло­
стей между д ву м я концентрическими резиновыми прокладками 12
верхнего и н иж него фланцев, а такж е м анж ета 7 вала вращения
через штуцера.
Д иапазон рабочих температур установки 900ч-1300°С. Р егу­
лирование тем пературного профиля по высоте подложкодержателя
достигается изменением шага витков индуктора: повышение тем ­
пературы — сж ати ем витков, а понижение — растяжением. Уста­
новка У Н ЭС -2П -КА предназначена д ля крупносерийного изготов­
ления эпитаксиальны х структур кремния, а такж е процессов г а ­
зового тр авл ен и я подложек и получения покрытий из окисла и
нитрида кремния.
Эпитаксиальны е установки с горизонтальным реактором про­
ще по конструкции (отсутствуют движущ иеся части в реакторе),
но отличаются высоким расходом рабочих газов и большим р а з ­
бросом по толщ ине и удельному сопротивлению осаждаемых пле­
нок. Установки с вертикальным реактором сложнее по конструк­
ции, но обеспечиваю т самую высокую производительность и мень­
ший разброс по толщине и удельному сопротивлению осаждаемых
пленок.

3. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я Э П И Т А К С И А Л Ь Н О Г О
НАРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОЗОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ
ТИПА АП | В v

Р еак т о р ы установок для наращ ивания эпитаксиальных

слоев соединений A 1' 1Bv имеют ряд принципиальных отличий от
описанных выше. П ри получении слоев GaAs, GaP, G aA sP и д ру­
гих соединений на основе Ga хлоридным и хлоридно-гидридным
методами галли й переносится в зону осаждения в виде соедине­
ния GaCl, получаемого внутри реактора (рис. 99). П арогазовая
смесь, из которой осаж даю тся эпитаксиальные структуры, о б р а­
зуется в р езул ь тате смешения GaCl с гидридами As, Р и легиру­
ющими компонентами в специальной зоне смешения, откуда по­
ступает в зону осаждения. Реактор, изображенный на рис. 99, со­
держит соответственно три зоны; источника Ga (зона нагрева / ) ,
смешения (зона н а п е в а II) и наращ ивания (зона нагрева I II) .
В источник Ga 1 по центральной трубе 2 подается НС1; получен-
166
Рис. 99. Схема р еак тора д л я газовой эпи­
таксии соединений А ш В у :
/ — источник ж ид кого га л л и я ; 2 — трубопровод
для подачи HCI; 3 — кварц евы й р еакто р ; 4 —
трубопровод д л я подачи гидридов; 5 — п о д л о ж ­
кодер ж ател ь; 6 — п о дл о ж к и ; 7 — н агр евател ь

ный в результате реакции GaCl вы ­

ходит через окна источника в зону
смешения. Туда же через трубопро­
вод 4 подаются гидриды As или Р
и легирующий компонент SF 6. П л а с ­
тины 6 расположены на кварцевом
П9дложкодержателе 5, вращ аю щ ем­
ся во время процесса. Установки для
наращивания эпитаксиальных слоев
соединений имеют максимальную
температуру, как правило, в зоне ис­
точника d a , переходную — в зоне
смещения, причем, с определенным
градиентом и, наконец, в зоне оса­
ж д е н и я — температурную «площ ад­
ку» по высоте всего подложкодер-
жателя.
Конвективные тепловые потоки,
возникающие в зазо ре между реак­
тором и нагревателем, создают оп­
ределенные сложности при настройке температурных профилей.
Д л я компенсации этого явления нагреватели р азделяю т на о тдель­
ные электрические зоны, имеющие самостоятельное электропита­
ние и управление.
Реакторы обычно разм ещ аю т в отдельных ш кафах, которые со­
д ерж ат устройства оперативного управления, механизации (п од ъ­
ема, поворота), водоохлажден и я и пы лезащ иты зоны загрузки
пластин.

4. А В Т О М А Т И З И Р О В А Н Н А Я С И С Т Е М А У П Р А В Л Е Н И Я
ТЕХ НО Л ОГ ИЧ ЕСК ИМ ПРОЦЕ ССО М (АСУТП) НАРАЩИВ АН ИЯ
Э П И Т А К С И А Л Ь Н Ы Х С Т Р УК Т УР

Установки д л я наращ ивания эпитаксиальных слоев со­

д ерж ат большое количество объектов дискретного и аналогового
управления в виде различных механизмов, регуляторов, бло к иро­
вочных устройств и т. п. Управление установкам и осуществляется
системами автоматического управления (С А У ), в функции кото­
рых входят:
прием и анализ сигналов датчиков у правления аналоговыми
параметрами;
прием и анализ сигналов датчиков управления дискретными
параметрами;
167
 диагностика системы управления;
режим д и а л о г а «онератор — машина*.
Д л я этого в составе САУ имеются устройства управления и
согласования, микроЭВМ , блокй связи и обмена информацией,
символьный дисплей и др. В качестве аналоговых параметров
можно назвать тем пературу в реакторе, расходы некоторых газов.
«Дискретными» парам етрам и являются команды управления з а ­
порными элем ен там и газовых систем, двигательными и пневмо­
устройствами п одъем а колпаков, вращения подложкодержателя,
воздуходувки, включения системы нагрева и т. д.
Важной функцией САУ является диагностика и сигнализация
о неисправностях всех внутренних систем установки и блокиро­
вочных устройств.
Оператор имеет возможность получить информацию о работе
установки в любой момент процесса.
При создании АСУ процесса требуется решение задачи по р а с ­
чету функции скорости роста кремния в каждой точке поверхно­
сти подложек, разм ещ енны х на подложкодержателе, которая з а ­
ключается в нахождении профилей, температур и скоростей в ре­
акторе с учетом реальной геометрии самого реактора и подложко­
держателя.
АСУТП эпитаксиального наращ ивания разработана примени­
тельно к промышленной установке УНЭС-2ПВ. Структурная схема
АСУТП н ар ащ и в ан и я эпитаксиальных структур (рис. 100) вклю-

Х(/пр

Рис. 100. С т р у к т у р н а я схем а АСУТП наращ и ван и я эпитаксиальны х слоев:

d и р — за д а н н ы е зн а ч е н и я толщ ины н удельного электросопротивления пленки; dx и р, —
выходные зн ачен и я то л щ и н ы и удельного электросопротивления пленки; * упр — у п р ав л яю ­
щее воздействие; х — т е к у щ ее значение п арам етра; Дд: — р а зб а л ан с м еж ду текущ им и з а ­
данны м э н а к н и я м и п ар а м е т р а

168
Параметры датчиков для процесса эпитаксии

Д иап азон М аксимальная

Наименование датчиков и зм ерения погреш ность, %

Датчики расхода:
основного водорода, м3 1—4 ,5 ±5
водорода через испаритель тетрахлорида крем­ 0—180 ±5
ния, л/ч
гидридсодержащей смеси, л/ч 0—30 ±5
концентрации паров тетрахлорида кремния в 0 ,2 — 1 ±10
водороде (молярная доля), %
Д атчик мощности, отн. дел 0— 100 ±2

чает автоматизированную технологическую устан ов ку и уп р авл я­

ющий комплекс.
Д атчики технологических параметров процесса являю тся одним
из основных приборов, работа которых в значительной мере опре­
деляет качество работы всей автоматизированной системы. Тех­
нические параметры датчиков, использованных в системе, приве­
дены ниже в табл. 11.
Первые четыре датчика — термоанемометрического типа. В к а ­
честве чувствительных элементов в них использованы терморези­
сторы КМТ-14, включенные по мостовой схеме. Д а тч и к и высоко­
частотной мощности — индукционного типа с термовакуумным
преобразователем ТВВ-4. Информацию, получаемую от датчика
концентрации тетрахлорида кремния, используют д л я контроля за
ходом процесса, а информацию с остальных д атч и к ов для уп­
равления процессом при помощи ЭВМ, обеспечиваю щей стабили­
зацию технологических параметров, и выводится на печать для
контроля за ходом процесса. Кроме того, измеренные датчиками
значения параметров подаются на приборы стойки поста кон­
троля.
В результате внедрения АСУТП в производство достигнуто
увеличение сквозного выхода годных эпитаксиальны х структур
по толщине и удельному сопротивлению с технологическим раз­
бросом ± 5 % на 7—3 % ; сократилось в 5 раз число опытных
(наладочных) процессов. Все это обусловило повы ш ение эффек­
тивности производительности установки эпи такси альн ого наращ и­
вания на 15 %.
В дальнейшем возможна автоматизация системы управления
группой из 10—20 установок эпитаксиального н аращ иван и я.
5. Т Е Н Д Е Н Ц И И В Р А З В И Т И И О Б О Р У Д О В А Н И Я
Д Л Я Г АЗ О В ОЙ Э П И Т А К С И И

В развитии оборудования для газовой эпитаксии мож­

но выделить следующие направления:
совершенствование условий ввода газовых потоков в реактор,
повышение стерильности реакционных камер и газовы х систем,
агрегатирование нескольких реакционных кам ер;
169
 Рис. 101. Схема установки
непрерывного действия дл я
газовой эпитаксии:
I — н агреватель: 2 — кол л екто­
ры д л я подачи н вы вода п аро­
газовой смеси (П Г С ); 3 — под­
л ож ки ; 4 — п одлож кодерж а­
тель; 5 — реактор; 6 — транс*
портер; 7 — п атрубки д л я по­
дачи технологических газов;
8 — средство откачки

сниж ение рабочей температуры процессов;

создан и е комплексной системы автоматического управления
процессами осаж дения с автоматическим контролем и регулирова­
нием п а р а м е т р о в осаждения с помощью ЭВМ;
р а з р а б о т к а конструкций с объемным расположением подло­
ж ек и их двусторонним нагревом;
р а з р а б о т к а оборудования непрерывного действия.
З а п оследние годы возрос интерес к оборудованию непрерыв­
ного д ействия д л я процессов эпитаксиального наращивания.
У становка непрерывного действия может представлять собой
горизонтальную , открытую с обоих концов трубу для травления
подлож ек и наращ ивания эпитаксиального слоя (рис. 101). Труба
разделена на несколько температурных и газовых зон, через кото­
рые п роходят подложки. Газовы е барьеры создаются при помо­
щи сп ециальны х устройств, четко разделяющих рабочие зоны и
п оддерж иваю щ их заданное направление газовых потоков. Внутрь
трубы п о дается парогазовая смесь, служ ащ ая исходным м атер и а­
лом для н ар ащ и в ан и я эпитаксиального слоя.
Основные проблемы при реализации непрерывного метода —
транспортирование изделий в камере, создание надежных газовых
затворов м е ж д у реакционными зонами, устройствами загрузки и
выгрузки, обеспечение заданного профиля температур вдоль кам е­
ры, выбор материалов для носителей подложки, транспортного
устройства и нагревателя для обеспечения минимального примес­
ного фона.
Н а и б о л ее приемлемым решением является использование
«спутников-носителей» подложек, перемещаемых с помощью
транспортных средств или на газовой подушке.
Эф фективны м направлением повышения производительности и
экономической целесообразности использования установок и д о ­
рогостоящих производственных площ адей является агрегатирова­
ние нескольких реакционных кам ер (УНЭС-2). Одновременное
проведение вспомогательных операций и процесса наращивания
слоя в двух реакционных кам ер ах , автоматизация и программи­
рование основных операций позволили повысить производитель­
ность установки.
170
 ГЛАВА И

ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ

1. К Л А С С И Ф И К А Ц И Я М Е Т О Д О В Ж И Д К О Ф А З Н О П
ЭПИТАКСИИ И Т Р Е Б О В А Н И Я К О Б О Р У Д О В А Н И Ю
f
Метод жидкофазной эпитаксии в последнее десятиле­
тие нашел широкое распространение в технологии полупроводни­
ковых приборов, например при изготовлении люминесцентных и
фотоэлектрических приборов на основе полупроводниковых сое­
динений A m Bv и их твердых растворов или силовых полупровод-
| никовых приборов на кремнии.
На рис. 102 приведена классификация методов ж идкоф азной
эпитаксии. В ней за основу в зя т способ создания пересыщения
в растворе-расплаве. Пересыщение при ж идкоф азной эпитаксии
достигают охлаждением насыщенных растворов; подпиткой из
твердой, жидкой и газовой ф аз; испарением растворителей. По
используемой аппаратуре в арианты ж идкофазной эпитаксии
, можно разделить на открытые и закрытые. В откры том варианте
процесс протекает в токе инертного газа или водорода, а в за к р ы ­
том — в отпаянной ампуле.
Процесс жидкофазной эпитаксии можно р азд ел и ть на следу­
ющие этапы. Полупроводник, легирую щ ая примесь и добавки
(растворенные вещества) расплавляю тся в соответствующем лег­
коплавком, химически инертном к раствору и п о д л о ж к е вещест­
ве, чаще всего в металле (растворитель). Р асп л ав вы д ерж ив аю т
при температуре приготовления до полной гомогенизации. После
этого раствор-расплав приводится в контакт с п одлож кой, с м а­
чивая ее. После установления теплового равновесия при темпе­
ратуре смачивания возможно в случае необходимости травление
подложки за счет подъема температуры и создания ненасы щ ен­
ного по растворенному веществу расплава или эпитаксиальны й

Рис. 102. К лассиф икация методов ж и д к о ф а зн о й эпитаксии

171
рост растворенного вещества на подложку за счет снижения тем­
пер атуры и создания пересыщенного раствора-расплава. П риме­
си д л я получения легированных эпитаксиальных слоев вводятся
в р аствор-расп лав во время приготовления шихты до ее распл ав­
ления или из газовой фазы. После осаждения эпитаксиального
слоя избыточный раствор-расплав удаляют с подложки, затем
п о дл о ж к у с осажденным слоем охлаждают до комнатной темпе­
ратуры.
С овременная установка д л я жидкофазной эпитаксии должна
обеспечить:
высокую производительность процесса;
д и а п а зо н рабочих температур в реакторе 450ч-1573 К;
проведение процесса в чистой инертной или восстановительной
атм осф ере с содержанием кислорода менее 1 1 0 - 4 %;
программированный автоматический подъем или снижение
тем пературы раствора-расплава со скоростью 0,1— 4,0 К /мин;
кон так т свеж еобразованной поверхности раствора-расплава,
свободной о т окисной пленки, с подложками и деконтацию ис­
пользованного расплава;
дли н у рабочей тепловой зоны более 500 мм с распределением
тем пературы ± 0 ,2 5 °С;
вращ ени е кассеты с подлож кам и в случае вертикального рас­
полож ения исходных подложек в кассете.

2. А П П А Р А Т У Р Н О Е О Ф О Р М Л Е Н И Е Ж И Д К О Ф А З Н О Й
ЭПИТАКСИИ

Установка ж и дкоф азн ой эпитаксии, схема которой изо­

б р а ж е н а на рис. 103, состоит из камеры или реактора для огра­
ничения рабочего объема, нагревательного элемента (печь сопро­
тивления / ) ; системы прецизионного контроля и регулирования
температуры , системы вакуумирования и газоснабжения; кассе­
ты 3 д л я размещения п одлож ек и раствора-расплава, устройств
для в ращ ен и я кассеты с подложками или перемещения элемен­
тов кассеты.
Н аи б ол ее распространенным методом получения эпитаксиаль­
ных слоев арсенида галли я из жидкой фазы является кристалли­
зация из переохлажденных насыщенных растворов в системе от­
крытого типа. Д л я арсенида галлия интервал рабочих темпера­
тур эпитаксии 973— 1223 К. Д л я арсенида галлия наилучшим рас­
творителем является галлий, обладающий низкой температурой
п лавлени я (302,5 К), высокой температурой кипения (2510 К) и
низким давлением пара (0,01— 0,6 Па в интервале рабочих тем­
п ер ату р ). Влияние примесей сводится к минимуму, поскольку г а л ­
лий яв л яе тся компонентом кристаллизуемого соединения. При
этом применяю т особо чистый галлий. В качестве м атериала кон­
тейнера используют графит, который не омачивается галлием и
не растворяется в нем в интервале рабочих температур процесса
ж и д ко ф азн о й эпитаксии. Р азли чн ы е конструкции аппаратуры для
172
Рис. 103. Схема установки дл я ж идко­ Рис. 104. С х е м а теплового узла
ф азной эпитаксии: установки для ж идкоф азноА
/ — печь сопротивления; 2 — р еакто р ; Л — к а с ­ эпитаксии а р с е н и д а галлия:
сета д л я подлож ек и р аств о р а-р асп лав а; 4 — / — р еак то р ; 2 — н агр ев ат е л ь; 3—
кон трольная терм опара; 5 — и зм ерительны й при­ кассета; 4 — п одлож ка; 5 — ячейка
бор; 6 -▼ регулирую щ ая терм опара; 7 — р е гу л я ­ дл я р а сп л а в а ; 6 — перегородка
тор мощ ности; 8 — источник п итания; 9 — у ст­
ройство д л я очистки газов; 10 — ги др о затво р ;
/ / — а зо тн а я ловуш ка; 12 — вакуум ны й насос;
13 — вентили

жидкофазной эпитаксии арсенида галлия п о казан ы на рис. 104,

105.
Схема кассеты для разовой загрузки шихты для ж и д коф аз­
ной эпитаксии арсенида галли я приведена на рис. 104. Процесс
жидкофазной эпитаксии осуществляется следую щ им образом.
Графитовую кассету с размещенными на ней подл ож к ам и арсе­
нида галлия и шихтой расплава загруж аю т в трубчатую водо­
родную электропечь, снабженную приспособлением для наклона
на требуемый угол. В процессе нагрева до зад ан н ой температуры
шихта расплавляется. Ш ихта составляется таким образом, что­
бы содержание арсенида гал л и я в расплавленном галлии было
близким к равновесному, взятому из диаграм м ы состояния при
заданной температуре. После небольшой вы д ер ж ки угол наклона
печи изменяют так, чтобы расплав переместился в отделение с
подложкой и полностью ее покрыл.
Технолог получает возможность провести травл ен и е исходной
подложки с целью удаления нарушенного слоя перед процессом
жидкофазной эпитаксии повышением тем пературы на несколько
градусов по сравнению с начальной, заданной для эпитаксии.
При последующем контролируемом снижении тем пературы проис­
ходит пересыщение жидкой ф азы и начинается рост эпитаксиаль­
ного слоя арсенида галлия. Введением нужного количества леги­
рующей добавки можно получить эпитаксиальные слои арсенида
галлия с заданными свойствами.
Недостаток этой конструкции — низкая производительность
процесса и возможность попадания на поверхность подложек по­
верхностного слоя расплава, содерж ащего оксиды.
Наибольшее распространение получила кассета для ж и д коф аз­
ной эпитаксии, состоящая из двух частей (рис. 105, а) — корпу­
са с углублениями 5 для расплавов I, II, III и IV и подвижной
части кассеты 8 с пазами д ля подложек 7. П осле расплавления
173
 Рис. 105. Схемы конструкций кассет
дл я ж идк о ф азно й эпитаксии:
уш , а — д л я эпи такси ального н аращ и ван и я м но­
w /m , S 2 ii ' .л гослойных структур; б — порш невого типа;
/ — корпус кассеты ; 3 — п одлож ки; 3 — р ас­
плавы ; 4 — тяги д л я перем ещ ения элем ентов
кассеты ; 5 — подвижный элем ен т кассеты
с углублени ям и д л я подлож ек; 6 — груз;
7 — порш ень

и д остиж ения расплавом заданной температуры часть кассеты 8

продвигается, механически снимая слой возможных окислов с
ж идкого р а с п л а в а , в результате чего на поверхность подлож ки
поступает чистый расплав. Создав в кассете несколько ячеек 5
для разл и чн ы х расплавов, возможно получить многослойные
структуры. Недостатками этой конструкции являются возм о ж ­
ность п о п адан и я в расплав частиц конструкционного материала,
из которого изготовлена кассета, при перемещениях ее частей и
м алая производительность. Конструкция поршневой кассеты для
ж и д коф азн о й эпитаксии п оказана на рис. 105,6.
Процесс ж идкофазной эпитаксии применяют для получения
эпитаксиальны х слоев кремния и германия, бинарных, тройных и
более сл ож н ы х систем. Последние перспективны во многих о б л а ­
стях оптоэлектроники благодаря возможности регулирования в
широком д и а п а зо н е ширины запрещенной зоны, термического ко­
эффициента линейного расширения и параметра кристаллической
решетки.
ГЛАВА 12
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ПРОЦЕССОВ ФОТОЛИТОГРАФИИ

1. О С Н О В Н Ы Е С В Е Д Е Н И Я О Ф О Т О Л И Т О Г Р А Ф И И

Фотолитография является одним из основных п р о ц е с ­

сов полупроводникового производства, который зак л ю ч ае тся в
формировании рельефа в диэлектрических и металлических п л е н ­
ках, нанесенных на поверхность полупроводниковой пластины. Ее
применяют д ля селективного удаления пленки двуокиси к р е м н и я
над теми участками пластин, где д о л ж н ы быть созданы д и ф ф у ­
зионные структуры.
В основе фотолитографии лежит использование м а т ер и ал о в,
называемых фоторезистами, которые наносят на поверхность п л а ­
стины для образования маски — тонкой защ итной пленки н уж н ой
конфигурации.
Фоторезисты подразделяют на негативные и позитивные. Н е ­
гативные фоторезисты под действием света образуют н ер а с т в о р и ­
мые участки рисунка на поверхности пластины и после проявлю
ния остаются на ее поверхности. П озитивны е фоторезисты, н а о б о ­
рот, под действием света образуют растворимы е участки, при
этом рисунок оригинала точно повторяется на поверхности п л а ­
стины. Выбор фоторезиста зависит от используемого т р а в и т е л я
и требований, предъявляемых к изделию.
Фотолитографические операции (рис. 106) можно р а зд е л и т ь
на четыре этапа ( / — I V) :
I — формирование фотослоя (нанесение и сушка ф о т о р е з и ­
ста);
II — формирование рельефа фотослоя — операция совмещ ения
и экспонирования проявления и дубления фотослоя;
III — формирование рельефа в окисле и металле — т р ав л ен и е
окисла или м етал л а;
IV — удаление использованного рельефного фотослоя.
Все операции обработки взаимозависимы и в то же время с а ­
мостоятельны по специфике процесса и применяемому о б о р у д о в а ­
нию. Выполнить основную цель ф отолитографии — сф орм ировать
рельеф в окисле или металле — м ож но лишь при качественном
проведении первых двух этапов процесса.
В настоящее время плотность р азм ещ ени я элементов в н е к о т о ­
рых интегральных микросхемах с о с тав л я ет несколько сот э л е м е н ­
тов на мм2, что достигается доведением р азм ера линий и з а з о р о в
между ними до 1—3 мкм. Точность выполнения ф о то л и то гр аф и ­
ческих рисунков при этом находится в пределах десятых д о л е й
микрометра. Высокие требования к точности получаемых и зо б р а -
175
 Рис. 106. Последовательн ость фотол ито ­
графических операц ий:
а — нанесение пленки фоторезиста; б — 1-я

1
1
1
♦
1
♦
1
♦
1
♦ а
) терм ообработка (с у ш к а ); в — совмещ ение и эк с ­
понирование; г — проявлен ие; д — 2-я терм ообра­
бо тка (ду б лен ие); в — травлен и е окисла;
удаление ф о то р ези ста;
ж—

шшш
1 1 1 1 1
в)
/ — фоторезист; 2 — окисел;

жений, а т а к ж е к качеству маскиру­

3 — п одлож ка;
4 — фотош аблон; 5 — ф отоэм ульси я Ш аблона

t ♦ t * *
ющего слоя (отсутствие проколов
— -5 в фотомаске и, соответственно,
двуокиси кремния) объясняют то
W /М Ш а
особое внимание, которое у деля­
')
ется не только самим процессам
psa хуЛ\ч фотолитографии и оборудованию,
I но и вопросам эксплуатации обору­
*)
1 1 1 1 1 дования, соблюдению вакуумной
t t t ♦ t гигиены и климатических условий
(1-й класс помещений по чистоте
и 1-я категория помещений по
a) климатическим условиям).
Наряду с этим на операции фо­
ЧЧЧлЛ РАУЛ
Ш
Шшш 0)
толитографии, многократно повто­
ряющиеся в процессе производства,
приходится более 50 % общего ко­
личества операций структурообра­
К
шШМ w)
зующей стадии производства. П оэ­
тому к оборудованию фотолитогра­
фии предъявляются повышенные
требования как в отношении качества проведения процесса, так
и повышения его производительности. Стремление найти наилуч­
шие приемы фотолитографической обработки привело к тому, что
сегодня процессы фотолитографии отличаются достаточно боль­
шой вариантностью используемых промышленностью методов
(табл. 12).
2. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я Ф О Р М И Р О В А Н И Я Ф ОТО СЛ ОЯ
Оборудование для очистки пластин, которая предшест­
вует формированию фотослоя, было рассмотрено в гл. 7, поэтому
здесь на нем останавл и ваться не будем.
Из перечисленных в табл. 12 способов нанесения пленок фото­
резиста в отечественной промышленности наиболее широко при­
меняют метод центрифугирования, с помощью которого получают
равномерный слой по всей пластине толщиной 0,2—2,0 мкм с от­
клонением от номинала менее ± 5 %.
Метод центрифугирования непрерывно совершенствуется. Так,
в настоящее время р азрабо тан способ и оборудование для нане­
сения пленок ф оторезиста на несколько пластин одновременно на
одном шпинделе. Устройство для закрепления группы пластин на
одном шпинделе п о каза н о на рис. 107. Это устройство позволило
176
 Т аблица 12. Варианты обработки в фотолитографии
12 Змс. 824

ки (рис. 1 06)'
Этап обработ­
Наименование операции М етоды обработки

Н анесение пленки ф о т о ­ Центрифугированием Распылением О кунанием Н анесение

рези ста валиком

по одной кассетное П ри п оступ ател ь­ При вращ атель­ В эл ек тростати ­

подлож ке ном движ ении ном движении ческом поле
подлож ек подлож ек

/
Термообработка пленки Конвективный нагрев
фоторезиста
И К -н агр ев С В Ч -н агрев

при атмосферном дивленин при давлении 5 • 1 0*—7 * 1 0 s Па

Совмещение и эксп о н и ­ К онтактная П роекционная Э л ек трон н о-л учевая л итограф ия

печать печать Рентгенолитограф ия
рование
сканирую щ ая проекционная
II
П р оявл ен и е фотослоя Иммерсионный
В дисперсной с р ед е П олив при центрифугировании
статических с перемеш и­
у сл о ви ях ванием

Т равление окисла Химический П лаэмохимический Ионный

(ж идкостной)
III
Т равление м еталла Иммерсионный В дисперной сред е Электрохимический

IV Х имический П л азм охи м ич ески й Т ерм ический Ф отохимический

( ж идкостной)
/ — держ атель; 2 — обрабаты ваем ая пла­
стина Рис, 108. М о д у л ь центрифуги

не только многократно увеличить производительность, но и улуч­

шить равномерность слоя по толщине, а т ак ж е за счет взаимной
экранировки пластин уменьшить число дефектов. Основным уз­
лом установки является модуль центрифуги (рис. 108). Он состо­
ит из шпинделя 1 и м ах ови ка 19, вращающихся в подшипниках
3 и 20, установленных на втулке 21, жестко закрепленной в кор­
пусе 4. Корпус имеет окн а д ля ременной передачи, соединяющей
маховик с валом электродвигателя. На шпинделе расположен
малоинерционный диск 6, который может перемещаться вдоль
него по шлицам. Д л я сцепления диска с маховиком служит мем­
б р ан а 7, подж им аю щ ая диск к фрикционному кольцу 18 через
то л кател и 15 и обойму на наружном кольце подшипника 17. П о­
лость 14 соединена с м аги стралью сжатого воздуха через управ­
ляем ы й клапан 13 и стаби л и затор давления 11. Нижний конец
шпинделя входит в в акуум ную камеру 9, укрепленную в корпу­
се 4, и не касается ее стенок. Вакуумная камера имеет лабиринт­
ные уплотнения и соединена трубопроводом с вакуумным насо­
сом через клапан 10. Н а верхнем конце шпинделя установлен
патрон 2, на котором зак реп л яется подложка. П ружина 5 прижи­
мает малоинерционный диск к тормозному кольцу 16.
Сцепление малоинерционного диска с маховиком может осу­
ществляться такж е сообщением полости 14 с атмосферой и сое­
динением полости 8 с вакуумной системой через клапан 12.
Принцип работы центрифуги по нанесению пленок фоторези­
ста на подложки зак л ю ч ае тся в следующем. Подложку уклады-
178
 вают на патрон 2, открывают к л а п а н J0, происходит отсос в о з ­
духа через вакуумную камеру 9 в центральном ка н а л е ш п и н д е ­
ля и подложка плотно приж имается к поверхности п атрон а. О т
включенного электродвигателя через ременную передачу м ахо-
f вик разгоняется до заданной скорости. После того как на п о д ­
ложку подана доза раствора фоторезиста, включается к л а п а н 13
и сж аты й воздух, поступая в полость 14, воздействует на к о л ь ­
цевую мембрану 7, которая перед ает движение на т о л к ат ел и 15.
Толкатели, упираясь в наружное кольцо подшипника 17, с ц еп л я-
' ют малоинерционный диск 6 с маховиком 19. При этом п р о и с х о ­
дит быстрый разгон шпинделя до заданной частоты в р а щ е н и я
маховика. По истечении времени, необходимого д л я р а с т е к а н и я
и подсыхания фоторезистивной пленки, клапаном 13 в ы к л ю ч а е т ­
ся подача сж атого воздуха и под действием пружины 5 п р о и с х о ­
дит расцепление малоинерционного диска с маховиком. М а л о ­
! инерционный диск тормозится за счет трения о тормозное к о л ь ­
цо 16 и шпиндель останавливается. Затем закры вается к л а п а н
10, тем самы м прекращается отсос воздуха из ц ентрального к а ­
нала шпинделя. Подложку-с нанесенной на ней пленкой ф о т о р е ­
зиста снимают с патрона 2.
Особенность данной конструкции модуля центрифуги состоит
в том, что достигается большое ускорение шпинделя в п ери од п у­
ска, обеспечивается стабильная у гл о в а я скорость вращ ени я б л а ­
годаря использованию большой массы вращающегося м а х о ви ка .
Толщина нанесенного слоя фоторезиста зависит от его в я з к о ­
сти и угловой скорости вращения центрифуги. П р и б ли ж енн о она
, может быть определена по формуле
6 = k У V/G) ,

где 6 — толщина слоя фоторезиста; к — коэффициент, у ч и т ы в а ­

ющий концентрацию фоторезиста; v — вязкость; ш — у г л о в а я
скорость вращения центрифуги.
Время разгона центрифуги влияет на равномерность тол щ и н ы
слоя фоторезиста и не должно превы ш ать 0,1 с. В рассмотренном
нами модуле центрифуги оно с о с тав л я ет 0,01—0,015 с.
Операция первой термообработки, заверш аю щ ая процесс ф о р ­
мирования фотослоя, имеет целью удаление из пленки летучих
компонентов. Д л я обеспечения маскирую щих свойств н ео б х о д и ­
мо, чтобы эта операция не приводила к утонению или точечным
разрывам слоя фоторезиста, которы е могут возникнуть при б ы ­
стром испарении растворителя.
Из вариантов термообработки, приведенных в табл. 12, н а и ­
большее распространение получил И К -иагрев. В качестве н а г р е ­
вателей применяют ИК-лампы или темные ИК-излучатели.
В установке типа УИС-1 (рис. 109) нагрев изделий о с у щ е с т ­
вляется И К -лам пам и с о траж ател ям и , смонтированными в р а б о ­
чей камере. К ам ера с передней стороны имеет загрузочное окно,
через которое на вращающуюся ка р у с е л ь устанавливаю т раб оч ую
кассету. Установку помещают в пылезащ итную камеру. Д л я обес-
12*
179
Рис. 109. Внешний вид уста-
новки инфракрасной сушки фо-
тор е зи с т а У И С - 1:
/ — загр у зо чн о е окно;
защ и тная к ам ер а;
4 — п ульт уп равления
Рис. 110. Внешний вид агрегата формнро-
ваиня фотослоя АФФ-1
2 — п ы ле­
3 — к а с се т а;

печения возможности подбора наиболее эффективного режима

суш ки частоту вращ ения карусели можно регулировать от 5 до
20 об /м и н и температуру — от 50' до 200 °С. В современных л и ­
ниях фотолитографии типа «Лада-125» применяют конвейерные
печи с темными источниками ИК-излучения в виде тонкой токо­
проводящ ей пленки, нанесенной на лист кварцевого стекла. Суш­
ку в таких печах производят за 2,5—5 мин при непрерывной про­
д увк е печи азотом. Д л я подбора режима скорость перемещения
конвейера и температуру регулируют.
Перспективной яв л яе тся термокомпрессионная сушка фоторе­
зиста, которая пред ставл яет собой термообработку подложек в
герметично закрытой к а м ер е в инертной атмосфере (например,
азоте) и повышенном давлен ии порядка 5 • 105— 7 -10 г> Па. При
этом замедляется истечение паров растворителя, изменяются па­
р ам етры обработки пленки и, соответственно, ее свойства.
Термокомпрессионная об р аботка позволяет исключить дубле­
ние (вторую термообработку) пленки, улучшить ее качество и об­
легчить удаление фоторезиста. Этот процесс реализован в агре­
гате формирования фотослоя типа АФФ-1, внешний вид которо­
го п оказан на рис. 110.
В пылезащитной к а м ер е 4 на столе 2 смонтирована центри­
ф у га 3 с этажерочным устройством для нанесения фоторезиста
и размещены три к а м е р ы 5 для термокомпрессионной сушки.
Ч и сл о камер выбрано исходя из длительности обработки изделий
н а операциях. В столе установки размещены пневмо- и гидроав­
том атик а. Системы электропитания и управления смонтированы
в специальном шкафу /.
180
 3. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я С О В М Е Щ Е Н И Я
И ЭКСПОНИРОВАНИЯ

Обычная контактная ф отоли тограф и я с применением

установок совмещения и экспонирования у ж е в течение д л и т е л ь ­
ного времени является основным технологическим методом п р о ­
изводства интегральных микросхем. Во всех трех вариантах э т о ­
го метода (с плотным контактом, с мягким прижимом и с з а з о ­
ром) фотошаблон расположен рядом с пластиной, а за ним п о ­
мещен источник ультрафиолетового света. Р азр еш аю щ а я с п о с о б ­
ность очень высокая только в том случае, если шаблон и п л а с т и ­
на находятся в плотном контакте, но при этом возникает мн ого
дефектов, например повреждение тверды м и частицами, о т с л а и в а ­
ние, сморщивание и перенос пленок рези ста, царапание ш а б л о ­
нов и т. д. Схема совмещения п о казана на рис. I l l , а, а сх е м а
контактного экспонирования — на рис. 111,6. Если прижим м я г ­
кий, то эти дефекты сводятся к минимуму, но разреш аю щ ая с п о ­
собность ухудшается.
Контактная фотолитография с зазо р о м (рис. 111, в), при к о ­
торой фотошаблон и пластина р асполож ены на некотором р а с ­
стоянии друг от друга, позволяет ещ е больш е уменьшить к о л и ­
чество дефектов, но при этом происходит дальнейшее ухудш ение
разрешающей способности. При использовании фотолитографии с
зазором форма элементов может и с к а ж а т ь с я ' в результате д и ­
фракции проходящего через шаблон света. Величина этих и с к а ­
жений зависит от фактического изменения зазора по п л о щ ад и
пластины. Д л я ' того, чтобы избавиться от этих трудностей, б ы л а
предложена проекционная фотолитография (рис. 112). При п о л у ­
чении изображения методом проекционной фотолитографии п л а ­
стину и шаблон размещают на значительном расстоянии друг от
друга. Промышленное применение метода началось с и сп о л ьзо в а­
ния статических систем с линзами, предназначенными д ля о д ­
новременного экспонирования всей п лощ ад и пластины. О днако

а) Ь) В)

Рис. 111. Схема совмещения и экспонирования:

а — совмещ ения; б — ко н тактн о го экспонирования; в — эксп он и рован и я с зазором ;
/ — микроскоп; 2 — ф о то ш абл о н ; 3 — фоторезист; 4 — п о д л о ж к а ; 5 — столик; 6 и сточн и к
излучения; 7 — конденсор
181
 Рис. 112. Схема проекционной
фотолитографии:
а — совм ещ ения; б — экспониро­
ван ия;
/ — микроскоп; 2 — ф отош аблон;
3 — объекти в; 4 — фоторезист; 5—
п о д л о ж к а; б — столик; 7 ■— источ­
ник излучения; 8 — конденсор; (
9 — ф и л ьтр

дальнейшее развитие ме­

тода проекционной фото­
литографии было ограни­
чено из-за невозможнос­
ти изготовления системы
преломляющей оптики,
позволяющей о б р а б а т ы в а т ь пластины диаметром более 60 мм.
Ш аблоны д л я дан ной системы ничем не отличаются от ш аб ­
лонов, применяемых д л я контактной фотолитографии. Д ал ьн ей ­
шим ее развитием с т а л а проекционная фотолитография с много­
кратной шаговой репродукцией. По этому способу небольшое изо­
бражение создается на поверхности пластины с помощью ш абло­
на, изготовленного методом фотокомпозиции и увеличенного в 2,
4, 5 или 10 раз по сравнению с изображением на пластине. П ро­
цесс затем повторяю т многократно, так, чтобы изображения по­
крывали всю поверхность пластины. При использовании для экс­
позиций дальнего ультрафиолетового излучения разреш аю щ ая
способность повы ш ается.
Рассмотрим схему установки совмещения и контактного экс­
понирования (рис. 113). Все механизмы и устройства, обеспечи­
вающие функционирование установки, можно объединить в пять
основных взаи м освязан ны х конструктивных узлов:

Рис. 113. Схема у с т а н о в к и совмещения и контактного экспонирования:

/ — п одаю щ ая ка с се т а; 2, 6 — транспортировочный к а н а л ; 3 — устройство совмещ ения;
4 — устройство кон троля п р о ц есса совмещ ения; 5 — осветительное устройство; 7 — прием­
н ая кассета

182
 система подачи полупроводниковой пластины из стандартной
кассеты на рабочую позицию и обратно (позиции 1— 2, 6— 7)\
устройство совмещения топологии ф ото ш абл он а и пластины
(позиция 3 );
устройство контроля процесса совмещения (позиция 4 ) \
осветительное устройство, обеспечивающее процесс экспони­
рования (позиция 5);
система управления процессом.
Подачу пластин в рабочую зону в большинстве известных уста­
новок совмещения и экспонирования, в том числе и с полуавто­
матическим рабочим циклом, осуществляют вручную. Это сни­
ж а е т производительность установки и у сл о ж н яе т конструкцию
устройства совмещения, так как для обеспечения доступа к ме­
сту фиксации пластины в момент ее установки оно должно быть
выведено из-под фотошаблона.
При разработке полностью автоматизированны х участков ф о ­
толитографии особенно большое значение п риобретаю т вопросы
внутриагрегатной и межоперационной транспортировки. От тех­
нического уровня их решения существенно зав и си т производитель­
ность установки и возможность повышения процента выхода год­
ных изделий за счет исключения загрязнени я пластин, обуслов­
ленного их контактом с оператором, и значительного сокращения
вероятности их поломки при транспортировке, что особенно в а ж ­
но при обработке пластин большого диаметра.
Универсальный механизм поштучной выдачи пластин из поточ­
ной линии обработки пластин «Лада-125» п о к аза н на рис. 114.
Кассету с 25 обрабатываемыми п ласти н ам и помещают на ос­
новании 22. Перемещение основания с кассетой верх на каждый
шаг осуществляется от электродвигателя 4 через однооборотный
механизм 6—8 ходовым винтом 11 с гайкой 5. Верхнее и нижнее
положения основания с кассетой ограничиваю тся микровы клю ча­
телями 13 и 21. Толкатель 2 выдвигает пластины из кассеты на
лоток 18.
Устройство совмещения я в л я ­
ется основным механическим у з­
лом установки, определяющим
возможность практической р е а ­
лизации предельных х ар актери ­
стик оборудования. Его функцио­
нальное назначение заключается
во взаимной ориентации полу-

Рис. 114. Универсальный механизм по­

штучной выдачи пластин:
/ , 10, 20 — направляю щ ие; 2. 6 — то л к а те л и ;
3, Н — пневмоцилиндры; •♦ — эл ек тр о д в и га­
тель: 5 — гайка; 7. 13, 16, 21 — м и кроп ере­
клю чатели; 8 — шкив; 9 — ремень; I I — ходо­
вой вннт; 12 — шкив; IS — стойка; 17 — тяга;
1 8 — пневматический лоток; 19 — фотоприем
ник; 22 — основание; 23 — ш танга
проводниковой пластины и фотошаблона и в создании необходи­
мого контакта или зазора между ними в процессе экспониро­
вания.
Устройство объединяет механизмы крепления фотошаблона,
крепления и вертикального перемещения пластины и манипуля­
тор.
Б ази ро ван и е фотошаблона в д ерж ател е осуществляется по
трем жестким упорам, к которым он поджимается подпружинен­
ными приж им ам и и закрепляется механически или вакуумным
присосом. Д л я обеспечения доступа к рабочей зоне при установ­
ке полупроводниковой пластины, наладке или ремонте возможен
поворот д е р ж а т е л я с фотошаблоном на 30° относительно гори­
зонтальной оси. В рабочем положении держатель надежно фик­
сируется вакуум ны м присосом. В ряде конструкций шаблонодер-
жатель мож но перемещать в двух взаимно перпендикулярных н а­
правлениях на величину 0,5—2 мм и поворачивать на угол 1—5°.
Д л я установки рабочей поверхности полупроводниковой п л а ­
стины п ар ал л ел ь н о плоскости фотошаблона и обеспечения плот­
ного контакта м еж д у ними при экспонировании служит механизм
вертикальных перемещений. Пластина устанавливается в м еха­
низме и зак р еп л яетс я с помощью вакуума на столике со сфери­
ческой опорой. Сферическая опора на воздушной подушке тол­
щиной 10— 15 мкм гарантирует автоматическую ориентацию р а ­
бочей поверхности пластины при ее контакте с плоскостью фо­
тошаблона. В этом поло­
жении опора фиксируется
и при дальнейшем переме­
щении столика в верти­
кальном направлении р а ­
бочие поверхности п лас­
тины и фотошаблона ос­
таются параллельными.
К точности механизма
вертикальных перемеще­
ний предъявляют высокие
требования. Пример кон­
структивного оформле­
ния этого механизма в ус­
тановке совмещения и
экспонирования типа ЭМ-
576 показан на рис. 115.
В этой установке м еха­
низм вертикальных пере­
мещений служит для

Рис. 115. Механизм в ерти­

кальных перемещений полу­
проводниковой пластины ус­
тановки ЭМ-576
 подъема или опускания полупроводниковых пластин с целью с о з ­
дания плотного контакта или заданного з а з о р а с фотошаблоном.
Вертикальное перемещение полупроводниковой пластины, н а х о д я ­
щейся в каретке 1 механизма транспортировки, осущ ествляется
через чашку 3 и сферу 2 ползуном 16, который приводится в дей-
1 ствие кулачком 7 от штока 15 с пружиной 4. В свою очередь к у ­
лачок 7 получает перемещение от шестерен 13 и 14 привода 10.
Кулачок 7 имеет косой срез и восемь горизонтальных п л о щ а ­
док, образующих между полупроводниковой пластиной и ф о т о ­
шаблоном различные зазоры (от 0 до 50 м к м ). При набегании
кулачка на ролик штока 15 происходит его вертикальное п е р е ­
мещение, а вместе с ним и ползуна 16 по направляющим с к о л ь ­
жения относительно корпуса 17 м еханизм а. Ш ток 15 фикснрует-
ся в ползуне 16 в определенном полож ении фиксатором 6, сра-
! батывающнм от пневмопривода 5.
На шестерне 14 закреплен диск 8, имеющий несколько опре-
| деленным образом расположенных отверстий, являющихся кодом
I для датчика 9. Д атч и к 9, срабатывая, п одает сигнал об остановке
кулачка 7. К аж дое положение ку л ач ка контролируется д а т ­
чиком 12 с помощью диска II, связанного с механическим п р и ­
водом 10.
Рабочий зазор между полупроводниковой пластиной и ф о т о ­
шаблоном настраивают, передвигая планку, находящуюся на ди-
] ске 11.
Механизм вертикальных перемещений установлен на диске
манипулятора, который можно поворачивать в н ап рав л яю щ и х
подшипниках вокруг вертикальной оси д ля устранения угловой
ошибки совмещения. В свою очередь диск с механизмом в е р т и ­
кальных перемещений установлен на плите манипулятора, име-
1 ющей возможность перемещаться по двум взаимно перпендику-

Рис. 116. Конструкции устройств для осущ е ст в ле н и я прецизионных п е р е м е щ е ­

ний:
а — линейных: / — вту л ка; 2 — штифт; 3 — корпус; 4 — в т у л к а со ш калой; 5 — п о д ж и м н а я
втулка; 6 — о т с ч е т ы й б а р а б ан ; 7 — микровинт; « в т у л к а ; 9 — опорная втулка; 10 — п о л ­
зун: / / — п руж ина; 12 — у п орная втулка; , . . .
б — угловых: / — о п орная втулка: 2 — несущ ая к о л о д к а ; 3 — винт; 4 — отсчетный б а р а б а н ;
Ь — втулка со ш калой; 6 — га й к а; 7 — цилиндр; 8 — п р у ж и н а ; 9 — ры чаг
1Й5
лярным координатам X и Y в прецизионных направляющих. Эти
движения д аю т возм ож ность оператору совместить рисунки на
пластине и фотош аблоне. Конструкции устройств для осуществле­
ния прецизионных линейных и угловых перемещений показаны
на рис. 116. К онтроль за точностью совмещения осуществляют
по совпадению реперны х знаков через одно- или двухпольный оп­
тический микроскоп. П осле завершения операции микроскоп от­
водят в сторону и зам ен яю т осветительным устройством, которое
имеет источник ультрафиолетового излучения, например, ртутно­
кварцевую л ам п у высокого давления типа Д РШ -250 или
Д РШ -500, конденсор и затвор, объединенные в единый блок.
Р авном ерная освещенность по полю экспонирования — одно
из основных условий качественного выполнения экспонирования.
В современных установках диаметр поля экспонирования д ол ­
жен быть не менее 75— 100 мм, а р а з ­
брос освещенности по полю не должен
превышать 5— 1 0 % . Столь высокие
параметры системы освещения обес­
печиваются системами кварцевых кон­
денсоров, содерж ащ их до пяти линз.
Это так называемый растровый осве­
титель, схема которого показана на
рис. 117.
Источник света 2, помещенный в
фокусе сферического зеркала 1, отде­
лен от системы проекционных линз
тепловым фильтром 3, через конден­
сор 4 и линзовый растр 5 и 6 он про­
ектируется линзами 7 и 8 в плоскость
фотошаблона 9.
Проекция источника света в виде
накладывающихся друг на друга све­
товых пятен, по количеству соответст­
вующих количеству растровых линз,
обеспечивает необходимую равномер­
ность освещения фотошаблона.
Величину светового потока, необхо­
'пh/
w ЛV/! димого для обеспечения экспонирова­
ния пластин, в пределах от 1 с до 2
мин регулируют с помощью электро­
магнитного затвора. Время ср абаты в а­
ния шторки затвора должно находить­
ся в пределах 0,05— 0,1 с, а относитель­
ная погрешность — не превышать 10 %.
Контактная фотолитография в н а­
стоящее время вытесняется электрон-
лучевой литографией, так как у по-

Рис. 117. С хем а растро вого осветителя

186
следней меньший уровень дефектов схем и нет повреждений ф о ­
тошаблонов, происходящих при механическом контакте ш абл о н —
подложка.
Электронно-лучевую литографию стрем ятся такж е п рим ен ить
для создания фотошаблонов для оптической литографии с м а л ы ­
ми размерами элементов. Это вызвано тем, что резко (более чем
в 100 раз) сокращ ается время, необходимое для и зготовления
сложного фотошаблона на электронно-лучевой установке по с р а в ­
нению с использованием механического генератора р и су н к а.
Электронолитография, основанная на передаче топологии п утем
прямого вычерчивания рисунка на пластине, имеет ряд н есо м н е н ­
ных преимуществ перед фотолитографией, прежде всего в ч а с т и
реально достигнутого разрешения 0,2— 0,3 мкм и снижению к о л и ­
чества дефектов, поскольку экспонирование происходит в в а к у у ­
ме, Практическое применение н аш л и варианты э л е к т р о н н о ­
лучевой литографии с растровым и векторным с к а н и р о в а ­
нием.
При растровом методе с ка ни р о в ан и я стол перемещается с п о ­
стоянной скоростью в направлении одной из координат, в то в р е ­
мя как электронный луч сканирует в перпендикулярном н а п р а в ­
лении. Однако метод обеспечивает высокую скорость э к сп о н и р о ­
вания только в том случае, если ш и ри на линий не менее 2 м к м .
При размерах линий 1 мкм и менее (и соответственно м ен ьш ем
диаметре пучка) время экспонирования возрастает в 4 раза. П о ­
этому промышленное применение подобного рода установок с т а ­
новится нецелесообразным. В установках, работающих по м е т о д у
растрового сканирования, пучок о тклон яется по полосе ш и ри ной
256 или 128 мкм. Полосы стыкуются при движении ко 9 рд ин атн о-
го стола, положение которого контролируется лазерным и н т е р ф е ­
рометром. Ош ибка положения стола исправляется отклонением
электронного пучка. Д л я этих установок достигаемая точность
ширины линий 0,2 мкм, тактовая ч астота — 20 МГц, средняя с к о ­
рость движения стола — 2 см /с. Производительность •— п р и м е р ­
но одна пластина диаметром 100 мм з а 50 мин или одна п л а с т и ­
на диаметром 75 мм за 35 мин.
При векторном сканировании о б р аб о тк а всей поверхности п л а ­
стины осуществляется в результате ш агового перемещения с т о л а
с отклонением и модулированием электронного луча над п о д л о ж ­
кой такими, чтобы получить требуем ое изображение топологии
прибора на поле от 0.5Х0.5 м м 2 до 2 X 2 м м 2. Системы в е к т о р н о ­
го сканирования могут быть с круглой и переменной формой э л е к ­
тронного пучка. Последние являю тся наиболее п роизводительн ы ­
ми и перспективными для непосредственного экспонирования п о ­
лупроводниковых пластин. Д анны е о топологии прибора, в н е с е н ­
ные в память ЭВМ, преобразуются в сигналы, питающие б л а н к и -
рующие (запираю щ ие луч), и скан иру ю щ ие системы. Формы в ы ­
черчиваемых фигур ограничены прямоугольниками, т р е у г о л ь н и к а ­
ми и трапециями; окружности и кольца аппроксимируются с п о ­
мощью трапецеидальных фигур.
187

\
 Рис. 118. Э л ек тронно-л уч ев ая установка типа «Эра»:
/ — ш каф питания и у п р а в л е н и я ; 2 — электронно-лучевая устан овка; 3 — ш каф управления;
4 — уп равляю щ ая микроЭ В М ; 5 — устройство ввода—вы вода инф орм ации; 6 — пульт у п р ав ­
л ен и я ЭВМ

Внешний вид установки и ее схема показаны соответственно

на рис. 118 и 119. Д л я того чтобы непосредственно экспониро­
вать пластины, необходим хорошо разработанны й метод совме­
щения. Обычно совмещение выполняется по реперным знакам
электронным путем регистрацией сигнала от вторичных электро­
нов.
Знаки, например, могут располагаться в трех углах поля экс­
понирования в к а ж д о м кристалле, положение их определяется
прежде, чем начинается экспонирование. При этом компенсиру­
ются три п арам етра: дрейф положения пучка, амплитуда скани­
рования (масштаб, вклю чая компенсацию по высоте) и н ап рав­
ление сканирования. В ремя, затрачиваемое на отыскание репер­
ных знаков и выполнение корректировок, обычно менее 1 с.

Рис. 119. Схема электронно-лучевой у с ­

тановки:
/ — координатны й стол; 2 — резист; 3—
система совм ещ ени я, 4 — отклоняю щ ая систе­
ма; 5 — л и н за объ екти вн ая ; 6 — электронны й
луч; 7 — устройство форм ирования разм еров
луча; 8 — систем а уп равлен ия полож ением
луча; 9 — б л анки рую щ ее устройство; 1 0 —
линза к о н д ен саторн ая; / / — катод; 12 —
система п р о екти ровани я микросхем («К у­
л о н » ); 13 — ЭВМ ; Л — система уп равления
установкой

188
 Т а б л и ц а 13. Сравнительные технико-экономические характеристики различных
методов литографии

М инималь­ П роизво­
Виды л и то ­ ная ш ири­ Точность с о в ­ П лотность ди тель­
М етоды литографии на линии, м ещ ения, мкм деф ектов, н ость,
графии
мкм см* п л /ч

Фотолито­ Контактная фотолитогра­ 1 ±0125 2,5 60

графия фия
Проекционная фотолито­ 2 ,5 -3 ±1 1 60
графия 1:1
Проекционная фотолито­ 1— 1 ,5 ± 0 ,2 5 1 60
графия с уменьшением
Проекционная фотолито­ 1 -2 ± 0 ,2 5 -0 ,5 1 10— 60
графия с мультипли­
кацией уменьшенного
изображения

Электрон­ Сканирующая электроно- 0 ,2 -1 ± 0 ,0 5 -0 ,1 0 ,5 О т 1— 2

ная литография д о 22
Проекционная электроно- 1— 2 0 ,2 0 ,5 6 0 — 120
литопрафия

Рентгенов­ Рентгенолитография 0 ,5 —2 ± 0 ,1 -0 ,2 5 1 10— 60

ский

Перечень существующих и применяемых в настоящее в р ем я

методов литографии и сравнительные технико-экономические х а ­
рактеристики различных методов, приведены в табл. 13.

4. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я ПРОЯВЛЕНИЯ Ф ОТОРЕЗИСТА

Группа операций фотолитографии заверш ается п р о я в ­

лением рисунка и термообработкой (дублением) пленки. М н о г о ­
образие приемов проявления ф оторезиста характеризуется р а з л и ­
чиями в способе подачи реагента на обрабаты ваемую п о в е р х ­
ность. Использование того или другого способа определяет с т е ­
пень интенсификации процесса проявления, т. е. повышение ко-
I эффициента массопередачи.
Иммерсионный способ (погружение с перемешиванием рас­
твора) дает возможность создать лростое, надежное и в ы с о к о ­
производительное автоматизированное оборудование с групповой
обработкой изделий в кассетах. О д н ако проявление методом по­
дачи проявляющегося раствора распылением (пульверизацией)
обладает преимуществом в отношении интенсификации процесса
и экономии реагентов. Поэтому основным способом проявл ен ия,
используемым в современном оборудовании, является д и с п е р си ­
онное распыление. Оно применено, например, в полуавтомате п р о ­
явления типа ППФ-2. Он предназначен д ля химического р аство-
189
рения пленки фоторезиста в распыленном до мелкодисперсного
состояния растворе щелочи с последующей промывкой и сушкой
обработанных полупроводниковых пластин. Но на нем можно
производить и другие технохимические операции, такие, как т рав ­
ление окисла и т рав л ен и е металла с применением холодных тра-
вителей на основе соляной, азотной и плавиковой кислот.
Конструктивно п о луав то м ат размещен в унифицированной
пылезащитной камере, на которой установлен кожух с блоком
управления блоком питания и регулятором угловой скорости в р а ­
щения центрифуги. О б р аб о тк а полупроводниковых пластин про­
изводится в герметически закрытой камере-реакторе на в р а щ а ­
ющейся центрифуге, где онй удерживаются прижимами. В ращ е­
ние обеспечивает равномерную химическую обработку пластин,
интенсифицирует процесс и способствует лучшему удалению про­
дуктов реакции.
П невмогидравлическая схема, поясняющая принцип действия
полуавтомата, п о к аза н а на рис 120. К амера-реактор представля­
ет собой емкость, состоящ ую из основания и крышки 1, изготов­
ленных из оргстекла. Основание камеры установлено и закрепле­
но на плите стола пылезащитной камеры. Ч ерез его дно прохо­
дит вертикальный в ал привода вращения центрифуги 5, который
уплотняется воздушным затвором 6. Вертикальный вал получа­
ет вращение от электрод ви гателя постоянного тока 8 с тахогене-
ратором. Кроме того, в дне имеются сливные отверстия 7, слу-
 жащ ие для удаления отходов при химической обраб отке полупро-
I водниковых пластин. Крышка камеры приподнимается с помо­
щью пневмоцилиндра 21. При проявлении фоторезиста, п ромы в­
ке и сушке пластин крышка герметично уплотняется с основани­
ем камеры и одновременно блокируется до окончания процесса.
1 Сверху через крышку введено пять форсунок: д л я распыления
проявляющего вещества 2, д л я деионизованной воды 3 и для по­
дачи очищенного сжатого воздуха 4. Блокировка не позволяет
подавать химические вещества в камеру при поднятой крышке.
Крышку можно открыть только при одновременном н аж ати и двух
■ кнопок на пульте управления.
Д л я распыления химического реактива применяют только очи­
щенный сжатый воздух, используемый такж е для подъем а и опу­
скания крышки 1 камеры. С труя сжатого воздуха, проходя по
трубопроводу через стабилизаторы давления 13, 14 и электро-
| пневматические вентили 10, 11, попадает в форсунку 2, з а с а с ы ­
вает из резервуара 22 проявляю щ ее вещество и р ас п ы л я е т его.
Д л я привода в действие пневмоцилиндра 21 и кры ш ки к а м е­
ры 1 сж аты й воздух проходит по трубопроводу через воздушный
фильтр 19, стабилизатор д авл ен ия 15, маслораспы литель 17, в о з­
духораспределитель 18 и п о п а д а ет в одну из полостей пневмо­
цилиндра 21. Д авление воздуха контролируется манометром 16.
Д еионизованная вода через кл ап ан агрессивных сред 20 непо­
средственно подается в форсунки 3. Подсушку полупроводнико­
вых пластин после обработки фоторезиста производят очищенным
сжатым воздухом через форсунку 4, в которую он подается из
магистрали по трубопроводам, пройдя предварительно стабили-
1 затор давления 12 и электропневмэтический вентиль 9.
Схема электрооборудования полуавтомата обеспечивает его
работу в двух режимах: наладочном и полуавтоматическом. При
работе в наладочном режиме возможно независимое включение
электромагнитных клапанов, следовательно, подача химических
реактивов (в том числе и в о д ы ), а так ж е сушка и слив для у д а ­
ления продуктов реакции и промывки. Блокировка действует и
в наладочном режиме и не д опускает одновременную подачу хи­
мических реактивов и подъем крышки камеры проявления.
При работе в автоматическом режиме по реле времени у ст а­
навливают частоту вращения центрифуги, а так ж е в рем я подачи
реактива, воды и воздуха и вклю чаю т полуавтомат. Р аб о т а по­
луавтомата в этом режиме начинается с подачи воздуха в затвор,
далее с частотой 100—200 о б /м и н начинает в р а щ а т ь с я центри­
фуга, а затем происходит п оследовательная подача реактива,
воды и воздуха. Через определенное время после подачи р еакти ­
ва включается слив и продукты химической о б работки у д а л я ю т ­
ся из камеры в канализацию. Одновременно с окончанием п о д а­
чи воды для промывки пластин электродвигатель привода центри­
фуги переключается на частоту вращения 2,5—3 - 103 о б /м и н , при
которой осуществляются сброс капель воды и суш ка. По истече­
нии времени сушки полуавтомат выключается.

191
 5. О БО РУДО ВА Н И Е Д Л Я ТРАВЛЕНИЯ ОКИСЛА И МЕТАЛЛА

О перация травления завершает процесс формирования

топологического рельефа на обрабатываемой подложке (см.
табл. 12). Так же, как и в предыдущих случаях, возможна ши­
рокая вариантность методов обработки, обусловливающих приме­
нение различны х видов оборудования для достижения одного и
того ж е результата.
Так, например, травить окисел можно химическим путем в
жидкости или в плазме, но м ож но удалять и химически нейтраль­
ными ионами или, наконец, использовать совместное воздействие
того и другого фактора. Д л я жидкостного травления окисла ис­
пользую т те же или аналогичные установки, что и д л я операций
очистки, рассмотренные в гл. 7. Это установки типа ПВХО-
ГК.60-1, ПВХО-ПКбО-1 для обработки в объеме травителя и рас­
смотренный в предыдущем параграф е полуавтомат типа ППФ-2
для об работки распыленным реагентом.
В последнее время для операций травления окисла и металла
стали широко применять плазмохимические процессы. При этом
чаще всего используют реактивное ионно-плазменное травление,
отличаю щ ееся тем, что в процессе его применения осуществляет­
ся совместное воздействие физического распыления бомбардиров­
кой положительными молекулярными ионами, и химических ре­
акций в плазме р азря д а вещ ества обрабатываемой подложки со
свободными атомами и ради калам и.
П роцессы реактивного ионно-плазменного травления осущест­
вляю тся в основном в двухэлектродных ВЧ-системах. Если о б ра­
б аты в а ем ы е изделия разм ещ ены на потенциальном (ВЧ) элек­
троде, то т а к а я система назы вается ВЧ-диодной системой с к а ­
тодной связью (рис. 121), а если на заземленном электроде (ано­
д е), то — ВЧ-диодной системой с анодной связью (рис. 80).
Р е а к т о р ы могут быть объемными, если обрабатываемые изде­
лия зак реп л ен ы на стенках цилиндрического или конического
эле ктр о д а, или планарными, если они размещены на плоскости
горизонтально расположенного электрода.
В установках с объемными реакторами типа «Плазма-600»
(рис. 82) обычно используют безэлектрод-
ный способ возбуждения плазмы, как п р а­
вило, цилиндрическим индуктором, распо­
лож ен н ы м вокруг трубчатого реактора.
Основное их назначение — очистка поверх­
ности и удаление фоторезиста, хотя в ряде
случаев они могут быть успешно использо­
ваны и д л я травления окисла. В установках

Рис. 121. ВЧ-диодная система с катодн ой связью:

У— в а к у у м н а я кам ера; 2 — патрубки подачи реагента;
3 — вы х о д р еаген та; 4 — п одлож ки; 5 — токоп одвод от
В Ч -ге н е р ато р а

192
с планарным реактором х ар актерн о использование емкостного в оз­
буждения плазмы с помощью системы электродов, на одном из ко­
торых расположены подложки.
Установки с планарными р еактор ам и и двухэлектродны м и
ВЧ-системами возбуждения р а з р я д а позволяют эф ф екти в н о ис­
пользовать плазму для травления двуокиси кремния и алю м иния
с высоким разрешением.
Диодные ВЧ-системы с анодной связью, в которых п одл ож к и
располагаются на заземленном электроде и подвергаю тся в о з­
действию ионов с меньшей энергией, чем в системах с катодной
связью, получили более широкое распространение.
Анализ принципиальных схем конструкций плазмохимических
реакторов на основе модели процесса плазмохимического у д а л е ­
ния материалов дает основание утверждать, что наиболее перс­
пективным направлением в р а з р а б о т к е реакторов д ля тр ав л ен и я
окисла и металлов является совершенствование конструкции п л а ­
нарных реакторов со стабилизацией температуры, анодным р а с ­
положением обрабатываемых изделий и радиальным р а с п р е д е л е ­
нием газового потока вдоль анода.

6. П Е Р С П Е К Т И В Ы Р А З Р А Б О Т К И О Б О Р У Д О В А Н И Я
Д Л Я ЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

Основной технологической проблемой полупроводнико­

вого производства и микроэлектроники является^освоение м а ссо ­
вого выпуска приборов с субмикронными разм ерам и элементов.
Эта проблема связана с решением двух задач:
разработкой и освоением процессов и оборудования, п о з в о л я ­
ющих создавать на защитных резистивных масках топологические
рисунки с субмикронными разм ерам и;
разработкой и освоением процессов и оборудования д л я т р а в ­
ления с высоким разрешением, обеспечивающих перенос получен­
ных рисунков на слои рабочих материалов.
Решение первой задачи св язан о с устранением п р и н ц и п и ал ь ­
ных ограничений для существующих систем экспонирования, з а ­
ключающихся в дифракции света. Это ограничение,, св язан н ое с
длиной волны света, относится ко всем методам фотопечати. П о ­
этому ведутся интенсивные разр а б о тк и систем экспонирования с
более коротковолновыми источниками облучения резиста.
В настоящее время чаще всего используют методы э л е к тр о н ­
но-лучевой и оптической литографии с непосредственной м ул ьти ­
репродукцией изображения на пластине, но в дальнейшем н аи б о ­
лее мощным перспективным технологическим методом м о ж ет о к а ­
заться рентгенолитография.
Система для рентгенолитографии напоминает обычную ф ото­
литографическую систему с использованием ультрафиолетового
излучения. Система имеет источник излучения, ш аблон ов и
пластину, покрытую фоторезистом (рис. 122). Рентгеновское и з­
лучение долж но быть достаточно мягким для того, чтобы фоторе-
13 З а к . 824 19 3
 Рис. 122. Б а з о в а я система рентге-
нолитографии;
I — вращ аю щ и йся анод, охл аж д аем ы й
водой; 2 — вакуум ная кам ера; 3 —
эл ектрон ная пуш ка; 4 — окно, за к р ы ­
тое ф ольгой; 5 — микроскоп; в — ш аб­
лон. резист и п ластин»; 7 — устрой­
ство совм ещ ения; 8 — привод вращ е­
ния анода

зист при экспозиции погло­

щал его, и достаточно ж ест­
ким для того, чтобы его не
поглощали фольга, зак р ы в а­
ющая окно от источника из­
лучения, или подложка фо­
тошаблона. Обычно исполь­
зуют излучение с длиной
волны А,=0,4ч-1,0 нм.
Источник излучения смон­
7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 тирован в вакуумной каме­
ре 2. Испускаемые им рент­
геновские лучи проходят
в н а ч а л е через тонкое окно 4 (обычно через бериллиевую пластину
толщ иной 25 мкм), затем через атмосферу гелия и, наконец, через
ш абл он , экспонируя резист на пластине 6. Д л я обработки пластин
д и ам етром 76 мм обычно рекомендуется располагать источник рен­
тгеновского излучения на расстоянии 200—500 мм от пластины, а
расстояние между шаблоном и пластиной поддерживать в преде­
л а х 3— 25 мкм для того, чтобы предохранить и шаблон, и пласти­
ну от повреждений.
И спользование источников рентгеновского излучения порож­
д а е т р я д проблем конструирования; Так как длина волны излу­
чения л еж и т в выш еуказанных пределах — для коллимирования
рентгеновских лучей не сущ ествует подходящих зеркал или линз.
Это означает, что идеальный источник рентгеновского излучения
д о л ж ен быть точечным, а его расстояние до мишени — достаточ­
но большим, чтобы пучок рентгеновских лучей можно было счи­
тат ь параллельным. В ыполнить эти требования, к сожалению,
полностью нельзя, поэтому приходится рассматривать ряд ком­
промиссов между расстоянием и расхождением пучка с учетом
того, что интенсивность облучения обратно пропорциональна
к в а д р а т у расстояния от источника излучения. Кроме того, рент­
геновский источник не яв л яе т ся истинно точечным. Конечность
разм еро в источника и расхож дение пучка приводят к появлению
двух типов искажений: возникновению полутеней и геометриче­
ских искажений.
И скаж ени я, связанные с полутенями, могут быть пояснены с
помощью рис. 123. Так, в результате зазора между пластиной
и шаблоном, поглощающим рентгеновские лучи, граница погло­
щ ения рентгеновских лучей становится размытой ввиду того, что
194
 Рис. 123. И с к аж е н и я топологии ш а б л о н а при рентгенолитографии:
а — за т ч с т геометрических искаж ений; б — за счет образован ия п олу тен ей ; / — источник
излучения; 2 — окно с бериллиевой ф о л ьго й ; 3 — рентгенош аблон; 4 — слой, поглощ аю щ ий
и злучение; 5 — рентгенореэист; 6 — п о д л о ж к а

источник рентгеновского излучения имеет конечные разм еры . При

этом справедливо следующее соотношение:
6 = 5 (d/D),
где б — минимальная достиж им ая линейная р а з р е ш а ю щ а я спо­
собность; d — диаметр источника излучения; D — расстояние
между шаблоном и источником.
В результате этих искажений стенки экспонированных о б л а­
стей фоторезиста не будут вертикальными, а р азм еры , получаю­
щиеся при последующей обработке, будут неопределенными.
В большинстве рентгенолитографических систем эта нечеткость
края линии лежит в пределах 0,1 мкм При р азм е р а х источника
рентгеновского излучения, р ав н ы х 5 мм, и расстоянии от источ­
ника до пластины 200 мм т а к а я величина разм ы ти я мож ет воз­
никнуть при расстоянии м е ж д у шаблоном и пластиной не менее
4 мкм.
Геометрические искажения при использовании рентгенолито­
графии возникают в результате того, что прим еняется проекци­
онная система: изображение не л еж и т непосредственно на п ла­
стине, а представляет собой проекцию шаблона на пластину, по­
лучаемую с помощью источника рентгеновского излучения. Сте­
пень этих искажений Д зависит от положения и зображ ен и я на
I пластине:
А = 5 (co/D),
где D — расстояние от источника до пластины; ш — расстояние
от данной точки пластины до перпендикулярной проекции ис­
точника рентгеновских лучей на пластину (рис. 123, о ).
Эти искажения выглядят ка к ошибка и зображ ен и я по сравне­
нию с шаблоном. При производстве схем с использованием нало­
жения одного слоя изображений на следующие геометрические
искажения могут создавать серьезные трудности. Эти проблемы
п ракти чески отсутствуют при изготовлении схем с топологиче­
ским рисунком, требующим высокой разрешающей способности,
но при одном экспонируемом слое.
Н еобходим о отметить, что проблемы связаны не с самими ис­
ка ж ен и ям и , а с изменением искажения при переходе от одного
слоя и зо бр аж ен и й к следующему. Это изменение возникает из-за
того, что невозможно сохранить постоянный зазор между пласти­
ной и ш аблоном. Если величина изменения зазора равна ds, то
геометрические искажения

dA = ds (o / D ).

Д л я того чтобы обеспечить </Д<:0,1 мкм на пластине диам ет­

ром 75 мм при D = 2 0 0 мм, необходимо поддерживать величину
0,5 мкм. К тому же необходимо с большой точностью под­
д е р ж и в а т ь плоскостность пластины в процессе выполнения р аз­
личных высокотемпературных операций по ее обработке.
Э лектронно-лучевая литограф и я открыла путь к освоению в
производстве топологии микросхем с шириной линий субмикрон-
ного д и а п а зо н а . В дальнейшем электронную литографию, кроме
рентгенолитографии, может заменить ионно-лучевая технология.
Она д а е т возможность п олучать структуры с размерами до
0,01 мкм б лагодаря меньшему по 'сравнению с электронами рас­
сеянию ионов, отраженных от подложки в слое резиста.
П ринцип построения ионно-лучевых систем, такой же как и
электронно-лучевых, за исключением того, что для фокусировки
и отклонения пучков рациональнее применять электростатиче­
ские, а не электромагнитные поля. Конструкции систем и возм ож ­
ности ионной литографии окончательно не определены и нахо­
дятся в стадии теоретической и экспериментальной проработки.
В торую, не менее важ ную задачу, — разработку процессов и
оборудования, обеспечивающих последующую обработку подло­
ж ек с сохранением полученного субмикронного рисунка, решают
применением так называемых «сухих» процессов травления сло­
ев с использованием плазмы.
Ш ирокое внедрение плазмохимических процессов в техноло­
гию производства микросхем определило рост требований к по­
лучению анизотропного тр авл ен и я с высокой степенью р азреш е­
ния. Д а ж е при толщине пленок 0,5 мкм получение высокой р а з ­
реш аю щ ей способности возм ож н о только при анизотропном тр а в ­
лении.
П ри плазмохимическом травлении для получения субмикрон-
ных р азм ер о в необходимо обеспечить прямоугольный профиль
травления, т. е. анизотропный с нулевым подтравливанием при
отношении толщины резиста к ширине линии более единицы и
неравномерностью травления по пластине менее 5 %.
Д л я выполнения столь высоких требований необходимо обо­
рудование д ля поштучной обработки, с кассетной загрузкой-вы­
грузкой пластин, при постоянном контроле процесса обработки.
196
 ГЛАВА 13
ОБОРУДО ВАНИЕ ДЛЯ О С А Ж Д ЕН И Я ПЛЕН О К В ВАКУУМЕ

1. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я О С А Ж Д Е Н И Я П Л Е Н О К
Т Е Р М И Ч Е С К И М И С П А Р Е Н И Е М В ВАКУУМЕ

Требования к о б о р у д о в а н и ю д ля о с а ж д е н и я пле нок в

вакуу ме. С помощью методов осаж дения пленок в в акуу м е изготав­
ливают невыпрямляющие (омические) контакты в планерных при­
борах, внутрисхемные соединения в полупроводниковых интеграль­
ных микросхемах. К этим методам относятся термическое ис­
парение и катодное распыление (диодная и три одн ая сис-
' темы).
Отечественная промышленность выпускает сравнительно
большое число вакуумных установок, предназначенных для т ер ­
мовакуумного испарения материалов. Установки отличаю тся друг
от друга объемом рабочей кам еры , предельно достиж им ы м в ак у ­
умом, сложностью внутрикамерного устройства и оснащенностью
аппаратурой для измерения р еж и м а испарения и п арам етро в пле­
нок в процессе нанесения.
К вакуумному оборудованию для осаждения пленок п ред ъ яв ­
ляют следующие требования: высокая скорость откачки газов из
рабочей камеры (это требование необходимо не только для со­
кращения рабочего цикла, но и для обеспечения быстрого и по­
стоянного удаления остаточных газов, выделяющихся с внутрен­
них частей установки и н атекаю щ их извне); м иним альны й о б р ат­
ный поток паров рабочих ж идкостей из вакуумных насосов в к а ­
меру; разборность установки д л я удобства эксплуатации; высо­
кая скорость испарения вещ еств и возможность регулирования
ее в широких пределах за счет изменения подводимой к испари­
телю мощности; высокая производительность при групповой з а ­
грузке и обработке подложек; возможность одновременно с о с а ж ­
дением пленки получать требуемую конфигурацию тонкопленоч­
ных элементов пассивной части интегральных микросхем; воз­
можность вести процесс как в высоком вакууме, так и в окисли­
тельной или восстановительной среде разреженного газа путем
напуска его в откачиваемый объем.
Структурная с х е м а у с т ан о в к и д л я о с а ж д е н и я п л е н о к в в а к у у ­
ме термическим испарением. Структурная схема установки для в а ­
куумного осаждения тонких пленок приведена на рис. 124. Ос­
новными системами и устройствами, используемыми в установках
и линиях для осаждения тонких пленок, являются:
вакуумная система: рабочая камера, насосы, ф ланцы , трубо­
проводы, уплотняющие элементы, затворы, вентили, натекатели,
197
Рис. 124. С т р ук тур н ая схем а уст а н о в к и для вакуум ного о са ж д е н и я тонких
пленок

клап ан ы , ловушки, питатели хладоагентом, средства измерения

вакуум а и парциальных д авлений остаточных газов и др.;
система контроля п арам етров технологического процесса и
управл ен ия режимами работы установки: приборы для измере­
ния скорости осаждения, толщины тонких пленок, температуры
испарителей и подложек, аппаратур а для контроля и автомати­
ческого управления процессом откачки и осаждения пленок и др.;
транспортирую щ ие устройства, обеспечивающие шлюзовую з а ­
грузку и выгрузку подложек, ввод — вывод подложек из рабочей
зоны, перемещение испарителей и т. д.; •
устройства для испарения или распыления материала;
вспомогательные устройства (нагреватели, охладители, э к р а­
ны, заслонки, дозаторы и др.);
система электропитания.
Рассмотрим в качестве примера базовую модель УВН-70А-1
д ля о саж д ен ия пленок в вакууме. Схема вакуумной системы
установки УВН-70А-1 п оказан а на рис. 125. Рабочая камера вы­
полнена в виде цилиндра с горизонтальной осью и имеет торце­
вые крышки. Высоковакуумный затвор углового типа связывает
рабочую камеру и п аром аслян ы й высоковакуумный насос типа
Н-5К, через азотную ловушку. В качестве форвакуумного средст­
ва откачки применен насос ВНМ-18Г. Коммутационная аппарату­
ра имеет пневматический привод и управляется от электромагнит-
198
Р ис. 125. С хем а в ак уум ной системы
У В Н -70А -1:
/ — паром асляны й насос Н -5К ; 2. 8, 9 — м а ­
н ометры ; 3, 5, / / — кл а п а н ы ; 4 — цеолнтовая
лову ш к а; 6 — ф орвакуум ны й насос; 7, 13 —
н атекател н ; 10 — р або чая к а м е р а ; 13 — вы со­
ковакуум ны й затвор; 14 — а зо тн ая ловуш ка.
15 — азотный питатель; 16 — сосуд Д ью ар а

ного золотникового устройства

Система охлаждения рабочей ка
меры имеет дополнительную ма
гистраль для подачи горячей во
ды, что позволяет провести прог
рев камеры перед разгерметиза
цией. Автоматическая система от
качки выполнена на принципе из
мерения давления в контрольных
точках.
Конструкционные материалы
вакуумных установок. Предель­
ный вакуум, т. е. минимальное
давление, которое можно полу­
чить в откачиваемом объеме р а ­
бочей камеры, во многом определяется герметичностью рабочей
камеры и свойствами материалов деталей и узлов вакуумной ус­
тановки.
Материал для вакуумных установок д олж ен иметь д авление
собственных паров, пренебрежимо малое по сравнению с п р е ­
дельным вакуумом; обеспечивать минимальное выделение г аза ;
легко отдавать ранее поглощенные им газы и пары; быть г а з о ­
непроницаемым; легко обрабатываться д л я получения чистой и
гладкой поверхности; быть устойчивым к коррозии; быть химиче­
ски инертным по отношению к маслам и промывочным средствам;
обладать особыми свойствами, например хорошей теплопровод­
ностью для испарителей и т. д.
Д л я изготовления вакуумных установок широко применяют
прокатные материалы и ограниченно — литые. Последнее о б у ­
словлено большей газопроницаемостью литых материалов, а т а к ­
ж е способностью адсорбировать газы из-за значительной п о р и ­
стости и длительно отдавать их.
Из сталей для изготовления вакуумной аппаратуры наиболее
широко применяют малоуглеродистую ста л ь 20 и коррозионно­
стойкую немагнитную сталь Х18Н10Т. С т а л ь 20 отличается т е х ­
нологичностью при обработке, но об л а д а ет невысокой коррозион­
ной устойчивостью, что определяет возм ож ность ее применения
при условии пассивирования поверхности до предельного вакуум а
порядка 1,3* Ю-4 — 1 ,3 -10~5 Па. Сталь Х18Н10Т применяют в у с т а ­
новках, где требуется более глубокий вакуум.
Из цветных металлов для вакуумной аппаратуры широкое
применение находит бескислородная медь марки М3. Она плас-
199
 тична, газонепроницаема и имеет хорошую тепло- и электропро­
водность. Н едостаток меди этой марки — низкая коррозионная
стойкость по отношению к кислороду. Окисленные детали выде­
ляют газ в вакууме.
Сплавы меди (латунь, оловянистые и оловянно-цинковые брон­
зы) применяют только для изготовления деталей, нагреваемых до
температуры не свыше 150°С. В противном случае давление соб­
ственных паров цинка и олова, входящих в сплав, становится
сравнимым с достигаемым вакуумом.
Из остальных металлов и сплавов следует отметить бериллие-
вую бронзу, применяемую для изготовления пружинных контак­
тов, никель д ля изготовления паяных узлов и ковар для выполне­
ния вакуумных сп аев со стеклом.
Широкое применение в качестве прокладочных и установоч­
ных деталей н ах о д ят диэлектрики. Прокладочный материал в в а ­
куумных установках применяют для обеспечения вакуум-плотно­
сти различного рода разъемных соединений. Помимо обеспечения
герметичности разъемного соединения, прокладочный материал
сам должен в ы д ел ять минимальное количество газа.
В качестве прокладочных материалов среди диэлектриков по­
лучили распространение специальные сорта резины, фторопласт,
эластомеры.
В акуумная резина, обладая высокой эластичностью хорошо
уплотняет р азъ ем н ы е соединения. Однако при длительном нагре­
вании и тем пературах порядка 50—60 °С или кратковременном н а­
греве до 100— 120 °С происходит разрушение резины с интенсив­
ным выделением газа. Кроме того, при низких температурах ре­
зина теряет эластичность. Эти обстоятельства затрудняют приме­
нение резины в установках с предельным давлением ниже
1,3-10 ^ Па.
Фторопласт по сравнению с резиной менее эластичен, однако
обладает большей термостабильностью. Он находит широкое при­
, менение в вакуум ны х установках в качестве прокладочного и
электроизоляционного материала. Следует помнить, что при н а ­
греве до 200-7-300 °С выделение газа из фторопласта резко воз­
растает.
В настоящее время в качестве прокладочного материала ши­
роко применяют эластомер (витон). Этот материал допускает бо­
лее высокий н агрев по сравнению с резиной (длительный до
+ 2 0 0 °С и кратковременный до + 2 5 0 °С). При этом он обладает
меньшей интенсивностью выделения газа. Применение эластоме­
ров вместо вакуум ной резины позволяет на порядок увеличить
предельный вакуум в установках.
Отечественным аналогом витона является резина на основе
фторокаучука м аро к ИРП-2043 и ИРП-1345. Продуктами газо-
выделения резины этих марок являются пары воды, окись угле­
рода и водород, а углеводороды присутствуют в малых количе­
ствах.
200
 Д л я проверки эффективности применения уплотнителей из р е ­
зины ИРП-1345 на серийной установке созд ал и температуру с т е ­
нок камеры ~ 1 5 0 ° С . Ловушка, о х л а ж д а е м а я жидким азотом ,
была заменена на адсорбционно-титановый насос. После т р е х ­
сменной работы был получен предельный вакуум 5,3 • 10_6 П а б ез
применения ж идкого азота.
Применение вакуумных уплотнений из термостойких отечест­
венных эластомеров ТМ-2475, И РП -1345 и ИРП-2043 и з а р у б е ж ­
ных, например ECD-006 и CORE-TEX, повы ш ает тем пературу
прогрева рабочей камеры вакуумной установки до 240— 300 °С,
что дает возможность значительно снизить время десорбции м о ­
лекул газов и паров с поверхности ка м ер ы и внутрикамерного
устройства.
При изготовлении сверхвысоковакуумных установок с д а в л е ­
нием ниже 1 ,3 -10-5 Па в качестве уплотнителей разъемных с о е ­
динений используют металлические п р о к л ад к и из мягкой м еди
или алюминия. М атериал прокладки р а зм ещ а ю т между ф л а н ц а ­
ми разъемного соединения. При стягивании он подвергается п л а ­
стической деформации, обеспечивая н ад еж н ое вакуум-плотное
соединение. Такое соединение допускает длительный нагрев у с т а ­
новки до температур порядка 500^-600 °С, что необходимо д л я
обезгаживания установки при получении предельного вакуума.
Выделение газов из материалов, в частности, из металлов и
сплавов, в большой степени зависит от их обработки до и сп о л ь ­
зования. Например, двойная вакуум ная п л а в к а стали сн и ж ае т в
несколько сот раз выделение газа из деталей, изготовленных из
этой стали. М еталлы и сплавы, п ротравлен ны е с последующей
промывкой органическими растворами, сн и ж аю т выделение г а з а
в несколько десятков раз.
При обработке металлов резанием не обеспечивается п о л у ч е ­
ние микрорельефа, свободного от трещин, раковин, царапин и д р у ­
гих дефектов, что зависит от условий и реж им ов обработки, т и п а
и состояния инструмента и о б р аб аты ва ем ы х материалов.
Д л я повышения качества поверхности металлов и спользую т
шлифование, полирование и р аскаты вание. Например, п роцесс
раскатывания способствует получению высокого качества п о в е р х ­
ности (11 — 12 классы ), образованию качественно нового м и к р о ­
рельефа поверхности обрабатываемого м атери ал а, уплотнению
наружного слоя металла, работаю щ его в вакууме, а т а к ж е о б ­
легчению условий очистки и обезгаж иван и я.
О б о р у д о в а н и е периодического д е й с т в и я с групповой з а г р у з к о й
п одло же к . Процесс осаждения тонких пленок испаряемого м а ­
териала на подложки путем термического испарения в в а к у у м е
может быть разделен на три этапа: испарение вещества в в а к у у ­
ме, перенос паров вещества к п одлож ке и их конденсация. В ы б ор
испарителя зависит от свойств испаряемого вещества и его и с ­
ходной формы (гранулы, порошок, п р о в о л о к а), требуемой с к о р о ­
сти испарения, ее постоянства во времени и ряда других ф а к т о ­
ров. Д л я обеспечения высокой производительности и экон ом ичн о­
го 1
сти процесса оса ж д ен и я пленок от испарителя требуется созда­
ние такого распределения молекулярного потока испаряемого ве­
щества, при котором достигалась бы м аксимальная равномерность
толщины пленки на всей осаждаемой поверхности.
В зависимости от способа нагрева испарители можно подраз­
делить на резистивные и электронно-лучевые. По конструктив­
ным признакам резистивные испарители различаю т проволочные,
ленточные и тигельные.
К м атериалам, используемым для изготовления нагревателей
резистивных испарителей, предъявляют следующие требования:
давление п ар а м а тери ал а нагревателя при температуре
испарения о саж д аем о го вещества должно быть пренебрежимо м а ­
лым-;
материал н аг р е в а т е л я должен хорошо смачиваться рас п л ав ­
ленным испаряемы м материалом, что необходимо для обеспече­
ния хорошего теплового контакта между ними;
между м а тер и ал ам и нагревателя и испаряемым веществом не
должно возникать никаких химических реакций.
Электронно-лучевой испаритель, используемый в установках
для осаждения тонких пленок, должен удовлетворять ряду спе­
цифических требований: малогабаритность, низкие рабочие н а­
пряжения, широкий диапазон удельных мощностей пучка, ста­
бильность и воспроизводимость удельной мощности после замены
катода и разборки испарителя. Наиболее полно этим требовани­
ям удовлетворяют электронно-лучевые испарители со щелевой
формой электродов электронного прожектора и секторным м аг­
нитным отклонением ленточного пучка на углы от 90° до 180° с
использованием трехэлектродной электронно-оптической системы.
Перенос потока испаряемых частиц в пространстве источник —
подложка определяется длиной свободного пробега молекул. При
давлении порядка 10~4 П а длина свободного пробега измеряется
десятками метров, что во много раз превыш ает расстояние м е ж ­
ду испарителем и подложкой. Поэтому испарившиеся атомы пере­
мещаются прямолинейной, без столкновений с молекулами оста­
точной газовой среды.
При соударении молекул напыляемого вещества с подложкой
происходит их конденсация, определяемая температурой подл о ж ­
ки. Нагрев п одл ож к и осуществляют с целью уменьшения коли­
чества загрязнений на ее поверхности и улучшения сцепления
пленки с подложкой. Д л я нагрева подложек в установках терми­
ческого испарения часто используют систему лучистого нагрева,
содержащую и зл учател ь (галоидные лампы накаливания) и реф ­
лектор.
Вакуумная система установок для термического осаждения
д олж на удовлетворять следующим требованиям:
предельный в акуум 1 ,3 -10“ 4—6 ,6 -10-5 Па;
поддержание рабочего в&куума в процессе осаждения в преде­
лах 2 ,6 -10~3—6 , 5 - 10~4 Па;
обеспечение воспроизводимости цикла в течение 30—40 мин;
202
 Р ис. 126. С х ем а внутрикам ерного у ст р о й с т в а у с ­
тановки У В Н -7 3 П -1 :
/ — бар абан ; 3 — п о д л о ж к и ; J — н агреватель; 4 — и зм *-
ритель скорости о с аж д е н и я ; 5 — заслонка; 6 — и с п а р и ­
тель; 7 — л ам по вы й нагреватель; « — р а б о ч а я к а м е р а

|
минимальное содержание паров м а с ­
ла в рабочем объеме;
удобство обслуживания и н адеж ность
в эксплуатации;
требуемые уровни парциальных д а в ­
лений окисляющих агентов.
На основе базовой модели УВН-70А-2
создан целый ряд высокопроизводитель­
ного оборудования для получения п лен о­
чных структур интегральных микросхем.
| В качестве примера рассмотрим схему внутри кам ер-
ного устройства установки УВН-73П-1 (рис. 126).
Эта установка предназначена для нанесения проводя­
щих пленок (алюминия, ванадия и др.) способом терм ического
испарения м еталлов в вакууме. Н а зад н ей крышке камеры у с т а ­
новлены три электронных испарителя с кольцевыми к а то д а м и ,
выполненными из вольфрамовой проволоки. Центральный и с п а ­
ритель предназначен для испарения в ан ад ия, а два крайн и х —
для алюминия. Подложки зак р еп л я ю т на внутренней п о в е р х н о ­
сти барабанного подложкодержателя. Конусообразная ф о р м а б а ­
рабана с углом наклона 8° повы ш ает равномерность толщ ины н а ­
носимых слоев по сравнению с цилиндрическим вариантом. Ч а -
! стоту вращения барабана у ста н а вл и в аю т в диапазоне 1—
30 об/мин и синхронизируют с помощ ью тахогенератора. Д л я и з ­
мерения температуры осаждения на б а р а б а н е ’закреплен т е р м о ­
метр сопротивления, сигнал с которого через коллектор п о д а ется
на измерительный прибор. Нагрев б а р а б а н а и подложек о с у щ е с т ­
вляют с помощью молибденового н агр евателя и ламп н а к а л и в а ­
ния.
Заслонка, управляемая электромагнитом, позволяет п р о в о ­
дить предварительное обезгаживание испарителя и исходного м а ­
териала без загрязнения подложек, а т а к ж е прерывать поток ис­
паряемого м атери ала при достижении заданного номинала т о л ­
щины или сопротивления пленки.
В настоящее время для .создания требуемой топологии э л е м е н ­
тов на подложке широко применяют фотолитографические м е ­
тоды.
В установках для термического испарения периодического д е й ­
ствия с групповой загрузкой исходных подложек одной из о с н о в ­
ных задач является нанесение пленок с требуемой р а в н о м е р н о ­
стью по толщине. Наибольшее влияние на равномерность п л е н ки
по толщине оказываю т эмиссионные характеристики испарите­
лей; наличие разного рода экранов и диафрагмы между и с п а р и ­
телем и подложкой, взаимное располож ени е и перемещение ис-
203
п ари тел я и подложек во время процесса осаждения, а также фор­
м а поверхности подложки.
При использовании неподвижного плоского или сферического
подло ж к одерж ател я м о ж н о наносить равномерные пленки только
на подложки малых р азм ер о в (при h = 200 мм, г = 5 0 мм). Д л я
увеличения площади F необходимо увеличивать расстояние h, но
при этом уменьшается скорость осаждения пленки.
Д л я увеличения п ло щ ад и одновременно обрабатываемых под­
л о ж е к и повышения равномерности распределения конденсата по
толщине применяют п лан етарн ы е или сателлитовые системы в р а ­
щения барабанов.
Исходная подлож ка, первоначально имеющая плоский про­
филь, в процессе изготовления интегральной микросхемы обыч­
но имеет большое число «ступенек» высотой от долей до несколь­
ких микрон, а т а к ж е различным образом ориентированных эл е­
ментов, которые с о с т а в л я ю т с плоскостью подложки угол до 90°
П ри постоянном угле падения атомов или молекул конденсируе­
мого пара на приемную поверхность подложки, имеющую сл ож ­
ный профиль поверхности, вследствие эффектов затенения рас­
пределение конденсата воспроизводит профиль ступенек.
Таким образом, н аи бо л ее приемлемым способом устранения
неравномерностей при осаж ден ии на ступеньку является исполь­
зование внутрикамерных устройств с переменным углом падения
атомов или молекул испаряемого вещества на поверхность под­
ложки.
Подложки, н аходящ и еся на поверхности плоского или сфери­
ческого п одл о ж к одерж ател я, расположенного под углом к пло­
скости испарителя, б удут одновременно соверш ать движение двух
типов: вращение относительно оси симметрии п одлож кодерж ате­
л я (что обеспечивает выравнивание распределения средней тол­
щины конденсата по поверхности подложки за счет попеременно­
го прохождения ею зон с малой и большой плотностью молекуляр­
ного потока) и орбитал ьн о е вращение относительно оси испари­
теля (что обеспечивает усреднение его эмиссионных характери­
стик) .
Различные конструкции внутрикамерных устройств установок
нанесения пленок в в ак у у м е показаны на рис. 127. При этом
виден последовательный переход от вращ аю щ ихся подложкодер-
ж ателей с плоской (У, А, В и Д ) и сферической (I, Б к Г ) ф ор­
мами и устройствами с планетарным движением (//) к подлож-
кодерж ателям сферической формы (III, Б, Д и IV, Б, В, Г ) для
групповой обработки п одлож ек и б арабанам (III, Л, В и Г ) с
расположением п одл ож ек на внутренней или внешней стороне.
Н аряд у с рассмотренными выше внутрикамерными устройст- •
вами установок периодического действия созданы установки по­
лунепрерывного и непрерывного действия с магнетронной распы­
лительной системой, со д ер ж ащ и е шлюзовые камеры для загруз­
ки и выгрузки плоских кассет с исходными подложками и рабо­
чей камерой, успешно использующиеся в промышленности.
204
 —>
— JS2L1-
х х
V V V V V V V

ш Г—Э С—I Г~3 я

С~1

Р ис. 127. Различны е конструкции виутрикам ерны х у ст р о й с т в устан овок н а н е­

сения пленок в вакуум е

2. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я К А Т О Д Н О Г О Р А С П Ы Л Е Н И Я
МАТЕРИАЛОВ

Катодное распыление имеет следую щ ие преимущества

перед термическим: большая площадь поверхности распыления,
что обеспечивает получение более равномерных по толщине покры­
тий; возможность распылять тугоплавкие м е тал л ы и сплавы без
изменения состава; отсутствие разогретых д етал е й в вакуумной
камере, лучшая адгезия пленок из-за высокой энергии ионов; воз­
можность нанесения реактивных пленок; л егкость очистки поверх­
ности катода до начала катодного распы ления заж иганием р а з ­
ряда при закрытой заслонке; возможность точной регулировки
толщины пленки путем изменения величины н ап р яж ени я на элек-
205
тродах, р азр я д н о го тока, времени процесса, а также давления
инертного и реактивного газов; универсальность метода (могут
быть распы лены металлы с такими различными свойствами, как
W и Ли); возм ож ность изготовления многослойных пленок одно­
временным распылением нескольких мишеней; безынерционность {
(распыление м а тер и ал а происходит лишь при наличии н ап р я ж е­
ния на мишени и сразу же прекращ ается после его снятия); при­
менение мишеней с практически неограниченным запасом распы ­
ляемого м а т е р и а л а позволяет широко использовать распыление
ионной бомбардировкой в установках и линиях непрерывного
действия; распы ление ионной бомбардировкой может применять­
ся не только д ля получения пленок и многослойных пленочных
структур, но и д л я придания пленкам требуемой конфигурации
и подгонки тонкопленочных резисторов в номинал с помощью
ионного травл ен и я.
Принцип катодного распыления заключается в том, что на
распыляемую мишень направляется поток ионов газа, ускорен­
ных от нескольких сотен электронвольт до килоэлектронвольт,
которые, б о м б ард и р уя ее, выбивают частицы вещества. Скорость
осаждения, обеспечиваемая диодным методом, 5• 10~2 мкм/мин.
Если р азр я д происходит в химически активной среде, то при бом­
бардировке мишени и распылении ее на подложке осаждаются
сложные соединения. Такое распыление называют реактивным.
По типу со зд ан и я плазмы и распыления мишени ионные источ­
ники п о драздел яю т на диодные и триодные.
Д л я о бъяснени я механизма катодного распыления использу­
ют гипотезу, основанную на теории взаимодействия упругих тел.
Ион, о б ладаю щ и й импульсом, движется к поверхности и внедря­
ется в нее на определенную глубину. На пути движения ион сме­
щает с п олож ения равновесия атомы приповерхностных слоев,
которые перед аю т импульсы в различных направлениях сосед­
ним атомам, в том числе и в направлении, противоположном н а­
правлению иона. Ч асть атомов поверхностного слоя получают им­
пульсы определенной энергии. При этом они могут вырваться с
поверхности (распылиться) а затем осесть на подложке.
Оборудование для катодного распыления периодического дей­
ствия. С хема диодного источника распыления показана на
рис. 128. Д и о д н а я система состоит из катода-мишени / и анода 2,
на котором р азм е щ а ю т подложку 3. Катод-мишень является ис­
точником к а к распыляемого материала, так и электронов, под­
д ерживаю щ их разр я д . Поток электронов образуется за счет вто­
ричной электронной эмиссии. Д л я локализации разряда приме­
няют экран 4, располагая его на расстоянии 3—5 мм от катода.
В рабочей ка м ер е с электродами создаются вакуум М 0 ~ 3—
1 -10—4 Па, после чего ее заполняют инертным газом до д а в л е ­
ния 1,3— 13 П а. При подаче высокого напряжения (1,5 кВ) на
электроды во зн и кает тлеющий разряд. Если распыляемая ми­
шень м е таллическая, то распыление ведется на постоянном токе;
если ж е миш ень — диэлектрик, то распыление ведется на пере-
206
 К вакуумной КатодЯ Я Ж Л Ж Ж .Ь У У Ю Ы Ш ХАнод
**»
системе
t IS * У f 78

Вода дли Рис: 129. Распределение потенциала в

охлаждения р а з р я д н о й трубке:
J — тем н о е пространство; 2 — первое катодное
свечен и е; 3 — темное катодн ое п р о стр ан ство ;
4 _ о т р и ц а те л ьн о е тлею щ ее свечение; 5 — тем ное
Рис. 128. С х ем а диодного ис­ ф арадеево пространство; 6 — п о л о ж и т ел ь н ы й
точника распыления сто лб ; 7 — анодное свечение; в — тем н о е ан одн ое
п р о стр ан ство

менном токе. Причем мишень распы л яется при отрицательной по­

лярности, а при положительной — с нее снимается о т р и ц а т е л ь ­
ный заряд.
Положительные ионы инертного газа, образую щиеся в т л е ю ­
щем разряде, с большой энергией бомбардируют катод и сп о соб ­
ствуют распылению его вещества, которое затем конденсируется
на поверхности подложки.
На рис. 129 изображено распределение потенциала в р а з р я д ­
ной трубке.
Н аибольш ее падение напряж ения при тлеющем р а з р я д е п р и ­
ходится на область 3 так назы ваем ого темного катодного
пространства, которая и п р ед став л я е т наибольший интерес в
отношении ионного распыления. В этой области ионы д о сти гаю т
максимальных скоростей, приобретая максимальные энергии для
бомбардировки катода.
В качестве примера рассмотрим промышленную установку к а ­
тодного распыления УВН-62П-1.
Установка предназначена д л я нанесения золота и других
материалов на кремниевые, си талловы е и стеклянные п од ­
ложки.
На рис. 130 приведена схема внутрикамерного устройства
установки УВН-62П-1. Под вакуум ны м колпаком 10 находится
транспортно-бункерное устройство, состоящее из загрузочн ого
бункера 6, механизма перемещения подлож ек 5, механизма п о д ъ ­
ема подложек 8 и приемной кассеты 7. Количество о д н о в рем ен ­
но загруж аем ы х подложек с о с т а в л я е т 200 шт. Г ори зонтальн ы е
направляю щие устройства зазе м л ен ы и сл у ж а т анодом. П о д а н о ­
дом на расстоянии 40—60 мм р ас п о л о ж е н в одоохлаж даем ы й к а ­
тод 2 размером 150X340 мм. Н а к а т о д подается отри цательное
напряжение до 5 кВ. Более высокое напряж ение на ка тод п о д а ­
вать нецелесообразно, так как коэф ф и ци ен т распыления п р а к т и ­
чески не изменяется вследствие того, что ионы с большей э н е р ­
гией глубж е внедряются в катод и м еньш ая доля энергии пере-
207
 Рис. 130. Схема внутрикам ерного устройства
установки УВН-62П-1:
/ — экран; 2 — во д о о х лаж д аем ы й катод; 3 — ми­
шень; 4 — электрод см ещ ен и я; 5 — механизм переме­
щ ения подложек; 6 — загрузочн ы й бункер; 7 — при­
е м н ая кассета; 8 — м ехани зм подъема подлож ек;
0 — патрубок откачной систем ы ; 10 — колп ак; / / —
плита; 12 — н атекатель

дается атомам поверхностных слоев.

Поскольку анод заземлен, тлеющий
разр я д может возникнуть и между дру­
гими заземленными элементами рабо­
чей камеры. Это мож ет привести к их
разогреву и повышенному газовыделе-
нию. Д ля локализации разрйда в при-
катодной области н иж няя и боковые
поверхности катода защищены э к р ан а­
ми 1, находящимися на расстоянии 3—
5 мм от катода. Необходимо охлаждение катода, так как при его
бомбардировке положительными ионами выделяется значительная
теп л о в ая энергия. П ерегрев катода может привести к деформации
катодного блока, частичному испарению материала катода, а т а к ­
ж е ухудшению равномерности осаждаемых пленок.
Н а базовой плите 11 смонтированы два н атекателя 12 газа с
электромагнитным управлением. Натекатели предназначены для
создан и я заданной технологической атмосферы в рабочем объе­
ме. П одлож ки из загрузочного бункера с помощью механизма
перемещения по одной поступают на горизонтальные направляю ­
щие. Одновременно в зоне распыления может находиться пять
п одлож кодерж ателей, причем механизм перемещения передвига­
ет к аж д у ю подложку через все пять позиций. Интервал времени
м е ж д у подачами подлож ек устанавливается с помощью реле вре­
мени. П одлож ка, пройдя над катодом, подается в приемную кас­
сету. Д л я обезгаж иван и я и очистки исходных подложек в рабо­
чую камеру вводят эле к тр о д смещения 4, на который подают по­
лож ительны й потенциал до 300 В. Так как подложки имеют не­
больш ое отрицательное смещение, то они подвергаются бомбар­
д ировке ионами инертного газа небольшой энергии.
Недостатки катодного распыления в сравнении с термическим
испарением: 1) меньшая скорость нанесения покрытий; 2) более
с л о ж н а я электродная система и источники питания; 3) напуск
чистых газов; 4) возмож ность загрязнения инертным газом напы­
л яем ого вещества; 5) п о дл ож к а, на которой осаж дается пленка,
располагается на самом аноде, который бомбардируется ионами
и разогревается, что у сл о ж н яе т регулирование температуры.
Маг не т рон н ые источники распыления. Разновидностью диод­
ной системы распыления являю тся магнетронные источники для
распы ления металлов, полупроводников и диэлектриков. Р азряд
в них возникает в скрещ енны х электромагнитных полях, в резуль-
208
 i) в)

Рис. 131. Магнетронные источники распы ления:

а, б — с плоским катодом ; в — с цили ндри ческим катодом

тате чего достигаются высокие скорости осаждения м е т а л л о в и

сплавов ( ~ 2 мкм/мин) при расстоянии от мишени до подлож ки
60 мм.
Н а рис. 131, а и б изображены магнетронные источники с п ло­
скими катодами. На электроны, эммитированные ка тод ом 1 и
движущиеся к аноду 2 под действием электрического поля, при­
ложенного между катодом и анодом, действует магнитное поле,
приложенное перпендикулярно электрическому. В скрещ енны х
электрическом и магнитном полях путь движения электр он ов уве­
личивается, в результате чего при введении в источник рабочего
газа достигается наиболее вы со кая концентрация ионов г а за . При
давлении газа порядка Ы 0~* П а можно получить больш ие п лот­
ности ионного тока (0,2 А /см 2).
Ионы под действием электрического поля н ап рав л яю тся к к а ­
тоду, бомбардируют его, р аспы ляя с большой интенсивностью.
Область распыления 5 оп ределяется областью интенсивной
фокусировки плазмы магнитным и электрическим полями. Р а с ­
пыляемое вещество осаждается на подложку 6. М а г н и т н а я си­
стема 3 монтируется в водоохлаж даемом корпусе 4. На
рис. 131,6 и в показаны траектории 7 электронов в э л е к т р и ч е ­
ском Е и магнитном Н полях в случае плоского и полого ц и л и н д ­
рического катода. В случае распы ления диэлектриков используют
ВЧ-источники питания вместо источников постоянного тока.
О б о р у д о в а н и е для катодного р ас п ыл е ни я н е п р е р ы вн о г о д е й ­
ствия. В установке непрерывного действия (рис. 132) загрузк у
изделий осуществляют транспортирующим устройство (ротор ом ),
имеющим один паз для разм ещ ения изделия. О т к ач и в аю т ш лю ­
зовое загрузочное устройство 1 форвакуумным насосом. Внутри
установки имеются две распы ляемые мишени 5 и конвейер 6,
которым транспортируют изделия.
Р аб очая 4 и высоковакуумные шлюзовые камеры 2 и 7 р а з ­
делены м еж д у собой перегородками с каналами д ля п р о х о ж д е­
ния конвейера. Между камерами установки в шлюзовых устрой­
ствах применена открытая ш л ю зо в ая система. При раб о те у ста­
новки осуществляют непрерывную высоковакуумную откачку
шлюзовых камер нагрева 2 и охл аж д ен и я 7. Д л я в ы с о к о в ак у у м ­
ной откачки рабочей камеры 4 откры ваю т затвор 8.
14 Зак. 824 209

I
Рис. 132. Схема установки д л я к ат о д н о го распыления непрерывного действия

Д л я нанесения пленок в рабочей камере 4, зак ры в ая затвор

8, устан авл и в аю т д авление 1,3 П а и откачивают рабочий поток
г а з а через зазоры меж ду конвейером 6 и каналами 3. Таким об­
р азо м в шлюзовых кам ер а х 2 и 7 поддерживают более высокий
вакуум , чем в рабочей 4, что уменьшает загрязнение ее газовой
среды. При изменении скорости конвейера и реж има работы
устройства нанесения покры тия изменяются толщина пленки и
производительность установки.
В подобных установках со шлюзовыми загрузочными устрой­
ствам и используют откры ты е и комбинированные шлюзовые си­
стемы. Ш люзовые устройства такого типа применяют для р азд е­
ления м е ж д у собой рабочих и шлюзовых камер, что позволяет
п о д д е р ж и в а т ь значительный перепад давлений между камерами
и у м еньш ать взаимное влияние их газовых сред.
Ш лю зовы е загрузочные устройства компактны, конструктив­
но просты и позволяют с о х р а н я т ь качество рабочей поверхности
изделий. Кроме того, в таких устройствах не применяют д е р ж а ­
тели. Увеличивая количество вакуумных камер в шлюзовых
устройствах, создают большой перепад давлений между атмосфе­
рой и рабочей Камерой. Чем меньше объем загрузочной полости
в ш лю зовом устройстве, тем меньше времени его откачивают и
м еньш е вносят загрязнений в газовую среду рабочей камеры.

3. О Б О Р У Д О В А Н И Е Д Л Я И О Н Н О -П Л А З М Е Н Н О Г О
НАПЫЛЕНИЯ

Схема установки д л я ионно-плазменного напыления

п о к а з а н а на рис. 133. Термоэмисоионный катод 1 служит источни­
ком электронов. Рабочий г аз непрерывно подается в рабочую к а ­
м еру через натекатель и откачивается с помощью вакуумной си­
стемы. Ионно-плазменное напыление проводят при давлении 10-1—
10-2 П а, что обеспечивает более чистые условия осаждения пле­
нок по сравнению с диодной системой (рабочее давление 1 П а).
Это улучшение условий о са ж д ен и я объясняется увеличением кон­
центрации электронов при наличии термокатода, приводящее к
увеличению концентрации ионизированных атомов рабочего газа.
210 V
Рис. 133. Схема установки ио н н о ­ Рис. 134. С хем а ион ного источника
плазмен ного напыления триодного типа с э ж е к т о р о м п л а з­
мы

Электроны, двигаясь к аноду 3, ионизируют м о л ек ул ы остаточ­

ного газа. Разрядный ток при этом может быть равен несколь­
ким амперам. Напряжение м е ж д у катодом и анодом п р иклады ­
вается порядка 100 В. В озникает низковольтный дуговой р азряд
между катодом и анодом.
Медленные ионы, образую щ иеся в разряде, о ч и щ аю т мишень
и подложку от загрязнений перед началом распы ления. Д л я этого
на них подается небольшой отрицательный потенциал по отноше­
нию к потенциалу анода. Р асп ы лени е начинается после того, как
на мишень 2 подается высокое отрицательное н ап р яж е н и е по­
рядка 1—3 кВ, вытягивающее ионы из плазмы дугового разряда
между катодом и анодом. Р аспы ливш ийся м а тер и ал мишени п о ­
падает на подложку 4, снабженную системой н агр ев а или о х л а ж ­
дения. Равномерность толщины пленки I—2 % . П реимущ ествам и
ионно-плазменного распыления перед катодным яв л яе тся: боль­
ш ая стабильность газового р а з р я д а из-да применения терм окато­
да; удобство очистки электродов ионным травлением ионами м а ­
лых энергий; более высокая скорость распыления (0,3 м к м /м и н );
более низкое давление газа в процессе распыления, что позволя­
ет легче обеспечить условия молекулярного потока при больших
расстояниях между электродами; снижается раб оч ее напряжение
и появляется возможность более точного у п р ав л ен и я тем перату­
рой подложки. В обычных к а м е р а х триодного распы лен и я мишень
и подложки находятся в об ласти ионизированного рабочего газа
и подложка может нагреваться до нескольких сотен градусов,
поэтому подложкодержатель д ел аю т водоохлаж даемы м. Этот не­
достаток устраняется тем, что ионный источник д ел ается щ еле­
вого типа, откуда плазма и звлекается и н ап р ав л яется с помощью
дополнительного электрода так, чтобы исключить помещение
подложки в плазму. Такие ионные источники могут раб о тать при
давлении 10~3 Па.
 Н а рис. 134 показана схема ионного источника триодного ти­
па с э ж ек то р о м плазмы. В разрядной камере 3 с помощью тер­
м окатод а 6 из вольфрамовой проволоки и анода 4 возбуждается,
п лазм а рабочего газа, наприм ер Аг. Через щель в разрядной к а ­
мере поток ионизированных газо в извлекается с помощью разно­
сти потенциалов, п риклады ваемой между камерой 3 и коллекто­
ром 1. С помощью магнитной системы 5 происходит фокусиров­
ка и л о к а л и за ц и я плазмы вблизи мишени 8, распыление которой
о сущ ествляется подачей на нее напряжения 100— 1000 В. Экран
7 з а к р ы в а е т тыльную и боковые части мишени. Осаждение р ас­
п ыляемого м атери ала происходит на подложку 2. На рис. 134 по­
к а за н а схема реактивного напыления пленок Fe20 3 на фотош аб­
лон. П р и м ерн ы е рабочие характеристики приведенного ионного
источника триодного типа:

Н апряж ен ие на аноде разрядной камеры , В ....................... 40-60

Н апряж ение магнитного поля, А / м .....................................' 24 -1 03
Ток на аноде, А .............................................................................. ' 20
Напряж ение на мишени, к В ................................................... \ \ 3
Ток мишени, А ............................................................ До 1
Рабочее давление напускаемого газа для распыления, Па ( 3 - 4 ) -10-*

В связи с большой рассеиваемой мощностью в разрядной к а ­

мере и на мишени, электроды и камеры охлаждаются проточной
водой. Д л я увеличения производительности перспективно исполь­
зование установок нелрерывного действия с наличием шлюзовых
устройств, позволяющих вводить обрабатываемые изделия из ат ­
мосферы в зону обработки без нарушения вакуума. На рис. 135
приведена схема однопозиционной плазменной установки непре­
рывного действия для о саж дения материала мишени 4 на под­
лож ки 7, перемещающиеся на конвейере 8. Подложки вводятся в
вакуум ную камеру непосредственно из атмосферы через входной
шлюз 1.
Н едостаткам и ионно-плазменного распыления являются: более
сл ож н ая конструкция электронной системы и источников питания;
затруднения из-за наличия горячего катода в случае использова­
ния триодной системы для реактивного распыления, а такж е не­
равномерное распыление плоской мишени большого размера, так
как концентрация ионов макси­
мальна вдоль оси электронного
потока.

Рис. 135. Схема однопознционной плаз­

менной установки непрерывного дейст­
вия:
ШЛЮЗ; 2 ~ кам ера установки
ионно-плазменного напы ления: 3 — катод-
4 мишень; 5 — анод; б — н атекатель- 7 - I
подлож ки; в — транспортер; 9 — выходной
ш лю з; 10 — патрубки д л я подклю чения к в а ­
куумным системам
' ГЛАВА 14
МОНТАЖНО-СБОРОЧНОЕ ОБО РУ ДО ВА Н И Е

I. О БЛ А С Т Ь П Р И М Е Н Е Н И Я И К Л А С С И Ф И К А Ц И Я
О Б О РУ Д О В А Н И Я Д Л Я С Б О Р К И П О Л У П Р О В О Д Н И К О В Ы Х
П Р И Б О Р О В И И Н Т Е Г Р А Л Ь Н Ы Х М И К РО С Х Е М

Технологический процесс сборки и м о н т а ж а включает

весь комплекс операций, н ач и н ая с контроля п ар ам етр о в прибо­
ров на пластине зондовыми методами и кончая контролем герме­
тичности корпусов. Основные виды оборудования, используемого
для сборки и испытания интегральных микросхем, приведены на
рис. 136.
К сборке микросхем в корпус предъявляют сл ед у ю щ и е основ­
ные требования: соединение д о л ж н о обеспечивать омическую
связь между определенными внутренними областям и прибора и
внешними выводами корпуса; корпус должен быть достаточно
прочным и обеспечивать надеж ны й теплообмен м е ж д у внутренней
и внешней средами и защ и щ ать действующий прибор от внешне­
го излучения, технологические процессы сборки д о л ж н ы обеспе­
чивать возможность механизации.
Оборудование для сборки, сварки и пайки изделий м и кроэлек­
троники можно подразделять по следующим трем основным при­
знакам: по назначению, методам соединения, степени м е х ан и за­
ции. По своему назначению оборудование п о др аздел яю т на сле­
дующие виды: для присоединения кристалла к корпусу, для вы­
полнения соединений контактных площадок к р и сталл а с вывода­
ми корпуса, для монтажа навесных элементов на печатные п л а ­
ты и в гибридных интегральных схемах, для герметизации при­
боров. .
По методам соединения оборудование р азд ел я ю т на виды в
зависимости от способа сварки или пайки, реализованного в кон­
кретной установке, например, установка для термокомпрессии или
ультразвуковой сварки.
По степени механизации оборудование п о драздел яю т на уста­
новки с ручным управлением, механизированные и ав том а ти зи ро ­
ванные. Существует несколько способов выполнения соединений
между контактными площ адкам и полупроводникового прибора
или микросхемы и внешними выводами корпуса.
Последовательность операций при создании проволочных сое­
динений между контактными площ адкам и интегральных схем или
транзисторов и выводами корпуса различными способами приве­
дена в табл. 14. Д ля повышения производительности и качества
сварки или пайки широко использую т автоматизацию. Ч асто при­
бегают к автоматизации отдельных операций, например, подачи
213
 Основное виды оборудования для сборки и испытания
инт егральны х микросхем

для зонвового контроля п арам ет ра! приборов н а п л а с т и н е

для разделения пластин на кристаллы (резка и ломка)

для очистки кристаллов, деталей корпусов, проволоки и т.п.

для разбраковки кристаллов по внешнему виду (проектор, микроскоп)

для крепления кристалла к основании) корпуса (пайка, приклейка)

влямонтажа соединительных проводников (тернокомпрессия,43-сварка и т.д.)

для контроля качества монтама

— | для тчистки смонтированных приборов

для визуального контроля перед герметизацией и после герметизации приборов

для герметизации корпуса прибора (пайка,опрессовка в пластмассу и т.д.)

вля контроля герметичности корпусов приборов (гелиевым и /нидкостным

методами и во.) ___________________________>

— I для испытания приборов на механические и климатические воздействия

для контроля электрических параметрод и классификация приборов по группам

для окраски, маркировки и упаковки приборов

Р и с. 136. О сн овн ы е виды о б о р у д о в а н и я для сборки и испы тания интегральных

м и к р осхем

и об ры ва проволоки или подачи кристаллов из кассет. Наиболее

слож но заменить ручной тр у д на операции совмещения контакт­
ных пло щ ад ок с рабочим инструментом. Обычно используют
устройства, облегчающие выполнение этой операции: совмещение
по реперным знакам, центрирующие призмы для установки кри­
ст ал лов на торце инструмента и т. п.
К роме автоматизации механических устройств широкое при­
менение наш ли автоматизированные системы управления, стаби­
л изац ии режимов. Они яв л яю тс я обязательным компонентом сов-
214
 Т а б л и ц а 14. Способы и последовательность операций при м онтаж е
I полупроводниковых приборов и интегральны х микросхем

Способ выполнение соединений

внахлестку Bcm i/к с овразо
Внахлесткус иглой капиллярным Внахлестку Ванием шарика
Название инструментом
С обрезкой инструментом с птичий кл ю в' и днохлестку
операции проволоки кроем одры!ом проволоки капиллярным
инструмента с обрывом инструментом с
(или с одрезкой проволоки одрезкой продолоки
или ножницами ножницами) пламенем еорелки
Совмещение
проволокиI и
инструмента!
с контактной
площадкой 3
(для , птичь -
t J
Ф
ею клюва"-
с быбодом -
траверсой
корпуса)

Сварка
первой
точки
§kD -
Совмещение
проволоки ft
инструмента
с выводом
корпуса i

Сварка
второй
тачки

Отрезка
проволоки
, газовой
сурепкой S
$
илиинструмен­
та

215
ременных сборочных установок, так как обеспечивают высокую
воспроизводимость режимов сварки или пайки, способствуют по­
вышению качества соединений.

2. Т Р Е Б О В А Н И Я К М О Н Т А Ж Н О -С Б О Р О Ч Н О М У
О БО РУ Д О ВА Н И Ю

Технологическое оборудование для монтажа изделий

микроэлектроники долж но отвечать требованиям полупроводни­
кового производства и обеспечивать: работу с использованием
осушенного воздуха или защ итной атмосферы; отсутствие газовых
и других выделений, которые могут вредно воздействовать на по­
лупроводниковый прибор или микросхему; отсутствие недопусти­
мых вибраций. Эти требования должны учитываться при конст­
руировании, расчете и эксплуатации оборудования.
Способы сварки и пайки, которые используют в микроэлек­
тронике, имеют существенные особенности, обусловленные специ­
фикой микросоединений. Соединения в микросхемах, как прави­
ло, весьма миниатюрны: выводы имеют диаметр 25— 100 мкм,
а плоские детали — толщину 10—200 мкм, пленочные контакт­
ные п лощ ад ки выполняют размером от 0,05X0,05 до 0 ,2 X 0,2 мм
при толщ ине пленки 0,05— 5,0 мкм. В качестве материалов выво­
дов используются золото, алюминией, медь, позолоченный ковар
или никель; контактные площ адки на полупроводниках или д и ­
э л е к т р и к ах изготовляются из алюминия, золота, меди, никеля,
серебра; применяют печатные схемы с медной или никелевой
фольгой. Д л я пайки используют разнообразные припои: оловян­
но-свинцовые, серебряные, эвтектические и пр.
Д л я обеспечения необходимого качества и надежности микро­
схем к способам и оборудованию для сварки предъявляют сл е­
дующие требования: соединения должны быть достаточно проч­
ными и надежными, с высокими электрофизическими свойствами;
д олж ны быть осуществимы соединения разнородных материалов;
воздействие температуры и давления на микросхему при сварке
или п ай ке не долж но ухудш ать ее параметры, а контроль каче­
ства соединения должен быть простым и надежным. Д л я удов­
летворения этих требований разработаны следующие способы
м икросварки: давлением с подогревом (термокомпрессия); д ав л е­
нием с импульсным нагревом, ультразвуковая, контактная, л а зе р ­
ная.
При монтаж е часто используют пайку импульсным нагревом,
нагревом горячим газом с использованием припоев и сварку-пай­
ку эвтектическими припоями.
Основными парам етрам и режимов точечной сварки и пайки
импульсными нагревателями, определяющими ее качество, яв л я­
ются: сварочный (рабочий) ток, время протекания тока и усилие
сж ати я электродов. Однако качество сварного или паяного сое­
динения определяется не только этими параметрами режима
сварки, но и его размерами, структурой и свойствами материала
216
 «

в зоне сварки или пайки, зави сящ им и от условий его н агр ев а, ох-
I л аж дения и степени пластической деформации. Поэтому р е ж и м ы
точечной св арк и или пайки импульсными нагревателям и п о д б и ­
рают на конкретном соединении опытным путем, используя в к а ­
честве исходных данных табличные парам етры или н о м о гр ам м ы .
То ж е самое можно сказать и об ультразвуковой сварке.
Основными параметрами ул ьтр азвуковой сварки, в л и я ю щ и м и
на образование соединения, явл яю тся ам плитуда к о л еб ан и й и
удельное д авление на свариваем ые детали. Д лительность п о д а ч и
ультразвуковых колебаний на сварочн ы й инструмент м а л о в л и я ­
ет на качество сварки.
К аж ды й из применяемых способов сварки и пайки имеет р я д
параметров, случайно меняющихся во времени, но су щ еств ен н о
влияющих на качество соединения элементов приборов. В б о л ь ­
шинстве случаев они поддаются л иш ь приближенному р асчету ,
поэтому окончательно режимы уточняю тся при проведении п р о б ­
ных процессов сварки или пайки.

3. Т И П О В Ы Е К О Н С Т Р У К Ц И И О С Н О В Н Ы Х У З Л О В
М О Н Т А Ж Н О -С Б О Р О Ч Н О Г О О Б О Р У Д О В А Н И Я

Д л я осуществления всего ком плекса технологических

операций установки для сборки интегральны х микросхем, к р о м е
рабочего инструмента, должны иметь: рабочий столик с н а г р е в а ­
тельной колонкой, механизм создан и я давления, механизм п о д а ­
чи и обрезки проволоки, м анипуляторы для совмещения с о е д и ­
няемых элементов, механизм подачи кристаллов, корпусов, о т р е з ­
ков ленты, подлож ек и других соединяемых элементов, си стем ы
наблюдения (микроскопы, п роекторы ), системы питания и с т а б и ­
лизации реж им а, блоки управления.
Рабочий инструмент и блоки питания, как правило, с п е ц и а л и ­
зированы. Их р азр абаты ваю т в соответствии с р е а л и зу е м ы м в
установке способом сварки или пайки.
Остальные узлы и механизмы более универсальны и могут
применяться в различных установках. Выбор конструкции т и п о ­
вого узла или аналога для использования в разрабатываемой
установке определяется требованиями качества сборки, точности,
производительности и удобства эксплуатации.
Необходимо отметить, что в последние годы и у нас в с т р а ­
не, и за рубежом появились полностью автом атизи ро ван ны е,
адаптивные микросварочные роботы д ля внутрикорпусного м о н ­
таж а приборов проволокой. Но и в них присутствует б о л ь ш и н с т ­
во из перечисленных выше основных узлов, используемых в п о л у ­
автоматических установках.
Рабочий столик с устройствами крепления элементов м и к р о ­
схем имеется во всех типах установок. В том случае, когда п р е ­
дусматривается общий разогрев соединяемых элементов, с т о л и к
снабжается нагревательным устройством, чаще всего р е зи с т и в н о ­
го типа. Пределы регулирования тем пературы подогрева с о с т ав -

217
л я ю т 100ч-500°С. Д л я защ и ты от окисления в зону сварки или
пайки подается защ итн ы й г аз (осушенный аэот или аргон).
Д л я получения качественных соединений весьма важно под­
д е р ж и в а т ь (с точностью до ± 5 ° С ) на нужном уровне тем пера­
туру нагревателя (инструмента, рабочего столика) и одинаковую
длительность процесса сварки. Это достигается использованием
устройств для ста б и л и зац и и температуры и реле времени.
Д л я нагревательных колонок может быть применена ав то м а­
ти ческая схема двухступенчатого регулировании температуры.
В схему включены д ат ч и к температуры, который устанавливают
в зоне нагрева, и блок регулирования. Д атч и к включен в плечо
измерительного моста. Выход измерительного моста соединен с
регулирующим прибором, с помощью которого через уп р авл яю ­
щ ую схему осущ ествляю тся различные режимы нагрева.
М еханизм давлен ия т а к ж е является обязательным узлом л ю ­
бых установок. В у стано вках сварки давлением он играет основ­
ную роль, обеспечивая реализацию одного из трех важнейших
п ар ам етров, гар анти р ую щ и х высококачественную сварку. При
этом применяют м еханизм ы давления следующих типов: р ы ч а ж ­
но-грузовые, пружинные, электромагнитные, пневматические и
гидравлические.
В установках УЗСК.Н используют рычажно-грузовой меха-

Р и с . 137. С хем а р ы ч а ж н о -гр у зо в о г о механизм а с ж а т и я у стан ов к и У ЗС К Н -1

218
ннзм сж ати я с переменными п лечам и , схема которого п о к а з а н а
на рис. 137. Инструмент 1 п р и ж и м а е т с я к микросхеме у с и л и е м ,
которое создается лрузом 3. Усилие п ередается ры чагам и 7 и 4,
причем плечи рычагов можно и зм е н я ть путем п ерем ещ ени я р о ­
лика 6, винтом 5. Изменение плеч ры чагов 7 и 4 сл у ж и т д л я р е ­
гулировки усилия сжатия. Груз 2 нуж ен для у р а в н о в е ш и в а н и я
рычага 7.
М еханизм давления пружинного ти па (рис. 138) о б е с п е ч и в а е т
сжатие соединяемых элементов и п ла в н у ю регулировку п р и ж и м а ­
ющего усилия. Он состоит из тр у б ч а то го корпуса 2, в ко то р ы й
помешена коническая пружина 3. Б о л ь ш и м диаметром п р у ж и н а
опирается на чаш ку 4 штока 5, предназначенного для р е г у л и р о в ­
ки нижнего предела усилия с ж а т и я . Изменение усилия с ж а т и я
производится винтовым устройством /, имеющим равномерную
ш калу и стрелочный указатель. С у х а р ь винтового устройства
сж им ает коническую пружину, в ел и чи н а усилия о п р е д е л я е т с я в
соответствии со степенью сж ати я п р у ж и н ы по тариро вочн ом у г р а ­
фику.
При перемещении механизма д а в л е н и я штоком 5 в н и з с в а ­
рочный инструмент 7, достигнув кон тактной площ адки, о с т а н а в -

Рис. 138. М ехан и зм давлени я пру- Рис. 139. М еханизм давления с

ж инного ти п а эл ек тром агн и тн ы м п ри вод ом
 л и в а ет ся . Шток о тр ы в а ет ся от чашки и усилие конической пру­
ж и н ы через поводок 9 передается на сварочный инструмент. П о ­
д в и ж н а я система св ар оч н ой головки в озвращ ается в исходное по­
л о ж е н и е цилиндрической пружиной 6 , усилие которой регутиру­
етс я при помощи гайки 8.
М еханизм д авл ен ия с электромагнитным приводом (рис 139)
состоит из корпуса 6 с гайкой 4, в которой ходит ось-винт 5 с
зак реп л ен н о й на ней ка ту ш ко й 3 электромагнита. В катушку по­
мещ ен сердечник 2, которы й через шарнир и кронштейн / сое­
д инен с держ ателем свароч н о го инструмента. Усилие сж атия р е­
г у л и р у ю т изменением н а п р я ж е н и я питания электромагнита
Д л я точной подстройки положения электромагнита 3 внутрен­
н я я и н аруж н ая резьбы на гайке 4 сделаны с разны м шагом так
что при повороте гайки на один оборот электромагнит переме­
щ а е т с я всего лишь на величину разницы м е ж д у величинами ш а ­
гов резьб на деталях 6 и 5.
Механизм подачи и о б ре зк и проволоки используют, естествен­
но, в установках м о н т а ж а проволочных выводов. Н аиболее рас­
пространены сл едую щ и е типы механизмов: механизм подачи и
об р ы в а проволоки роликами, приводимыми в действие электро-
тушку1^ 1^ ’ осущ ествляю щ нм такжс и подмотку проволоки на ка-

механизм подачи и об ры ва проволоки с помощью электро­

м агн и то в и специальной ры чаж ной системы.
На рис. 140 п оказан механизм подачи и обрыва провотоки с
п ом ощ ью электромагнитов. Он состоит из основания 8 з а ж и ­
м ов 4 и трех электром агни тов. Проволока н а м а т ы в а е т с я ' на к а ­
т у ш к у 7, установленную на стакан 6. При см аты вани и проволоки
с катуш ки пружины п р и то р м аж и в аю т стакан, обеспечивая посто­
ян н о е натяж ение проволоки. Это необходимо д ля предотвращения
о б р а з о в а н и я петель. З а ж и м ы 4 удерживают проволоку под дей-

Р и с . 140. М ехан и зм подачи и о б р ы в а проволоки:

а — устройство : б — ки н е м а т и ч ес к а я сх ем а
220
 ствием пружины, их разм ы кание производится э л е к тр о м а гн и то м
I 3, усилие с ж а ти я регулируется изменением н атяж ения п р у ж и н ы .
Обрыв проволоки осуществляется электромагнитом 2, а п о д а ч а
в инструмент 9 — электромагнитом 5. Упоры / с л у ж а т д л я р е г у ­
лировки подачи или обрыва проволоки.
М анипуляторы предназначены д л я точного совмещ ения с о е ­
диняемых элементов и инструмента. При этом использую т м а н и ­
пуляторы грубого и точного п ерем ещ ени я с передаточными о т н о ­
шениями от 5 : 1 до 2 0 0 :1 . Д л я установок с ручным и п о л у а в т о ­
матическим управлением прим ен яю т манипуляторы винтового,
рычажного или пантографного типа.
Д л я автоматических установок с машинным зрением п р и м е н я ­
ют координатные столы с приводом от обычных или ш аговы х д в и ­
гателей.
М анипулятор рычажного типа п о к а за н на рис. 141. Н а п ли те
8 разм ещ аю т шариковые н а п р а в л я ю щ и е 9, по которым п е р е д в и ­
гается каретка 7. На этой к а р етк е у ста н а вл и в аю т вторую п ар у
направляю щ их 6, по которым ходит несущ ая каретка 5. П о с л е д ­
няя шарнирно связан а с ручкой м а н и п у л я т о р а / крон ш тейн ом 4.
Изменению положения ручки м а н и п у л я т о р а соответствует п е р е ­
мещение каретки в определенном м а сш та б е , который з а в и с и т от
соотношения плеч U и U- Ф л ан ец 2, установленный на р у ч к е /,
приж им ается к опорному кольцу 3 пружиной. Усилие п р и ж а т и я
регулируют гайками так, чтобы обеспечить торможение м а н и п у ­
лятора в лю бом положении.
В автоматизированных у ста н ов ка х манипуляторы в с о ч ета н и и
со средствами наблюдения о б р азу ю т системы ориентации.
М еханизмы подачи кристаллов и корпусов имеют в своем с о ­
ставе кассеты различных типов, ш аговы е или к о о р д и н а тн ы е
устройства перемещения и по даю щ и е приспособления, н а п р и м е р
вакуумные захваты .
Кассеты по расположению в них соединяемых эл е м ен т о в д е ­
л ят на кольцевые, линейные, верти кал ьн ы е, д вухк о орди н атн ы е.

221
 Рис. 142. О п тич еская схема
про екто ра д л я наблюдения за
о п е р ац и ям и сборки

В качестве носителей
кристаллов или корпусов
могут быть использованы
металлические или п л а с­
тиковые ленты. При виб­
роподаче кристаллов и
корпусов необходимо при­
менять устройства подо-
риентации деталей по
углу поворота и полож е­
нию «верх— низ».
С истема наблюдения
обычно представляет со­
бой бинокулярный стере­
омикроскоп или проектор
с увеличением от 8* до
80х . Д л я удобства р аб о ­
ты система наблюдения
д о л ж н а иметь рабочее р асстоян и е не менее 100— 150 мм и большое
п о л е зрения.
В некоторых автом атизи рован ны х установках системы н аблю ­
д ен и я представляю т собой сочетание проектора или микроскопа
с промышленным телеви зором . Использование микропроекторов
и телевизионных систем наблюдения облегчает условия работы
о п е р а т о р а и повышает производительность,
В установке сб о рки гибридных схем используют микропроек­
т о р с увеличением 2 5 х , оптическая схема которого показана на
рис. 142.
Осветительная система состоит из лампы н акали ван и я 9 кон­
д ен с о р а 10 и реф лектора 8.
М икропроектор р а б о т а е т следующим образом: пучок лучей от
источника света п о п а д а е т на конденсор, который с помощью све­
тоделительного з е р к а л а 2 проецирует изображ ение источника све­
т а с увеличением 2 или 3 р а за во входной зр а ч о к объектива /.
П р о й д я объектив, пучок лучей освещает предмет 12 и, отрази в ­
ш и сь от него, снова п о п а д а е т в объектив. Т ак к а к предмет р а с ­
п о л о ж ен в фокальной плоскости объектива, то лучи, несущие изо­
б р а ж е н и е предмета, идут параллельным пучком. Они проходят
светоделительное з е р к а л о 2, пентапризму 3 и попадаю т в об ъек­
ти в 4, который д ает проекцию изображения предмета, увеличен­
н ую в 2 раза. Это п ром еж уточн ое изображение зеркалом 11 н а ­
п р а в л я е т с я в объектив 7 и с помощью зер к ал а 6 проецируется на
э к р а н 5.
Рабочий инструмент я в л яе тся важнейшим элементом устано­
в о к микросварки и м икропайки, Существует несколько видов ин-
222
 30' 30°

»)

Рис. 143. Ф орм ы рабочих торцев и н с т р у м е н т а д л я термокомпрессии:

а — клиновыА с плоским рабочим го р ц ем ; б — д л я соедин ен и я вн а х л ес т к у при л ю б о м на*
правлении п р оволоки ; в — д л я соединения в н а х л ес т к у с м алы м и ко н т ак т н ы м и п л о щ ад к ам и

струмента д л я термокомпрессии: клиновый инструмент с плоским

(или профильным) рабочим торцом (рис. 143, а ) ; и нструм ен т с
центральным капиллярным отверстием для соединения в н а х л е с т ­
ку при любом направлении п роволоки (рис. 143,6) и д л я сое­
динения внахлестку с м а л ы м и контактными площ адками
(рис. 143, в ). Д л я ультразвуковой сварки применяют инструмент
с боковым капиллярным отверстием для подачи проволоки.
И нструмент изготавливают из синтетического с а п ф и р а или
рубина, твердых сплавов ти па ВК-6, ВК-15.
Конструкция инструмента д о л ж н а обеспечивать: получение
сварочного соединения требуемой формы и разм еров; н аи лучш ую
эффективность подвода тепла или передачи у л ь т р а зв у к о в ы х к о ­
лебаний в зону сварки; удобный подход к свари ваем ы м д е т а л я м ;
простую и удобную подачу привари ваем ой проволоки под р а б о ­
чий торец инструмента.
М атери ал инструмента д л я св ар к и долж ен у д о в л е тв о р я ть с л е ­
дующим требованиям: о б л а д а т ь высокой износостойкостью при
взаимодействии контактируемых поверхностей; о б л а д а т ь м а л ы м и
акустическими или тепловыми потерями; иметь м и н и м ал ьн ую
«схватываемость», а при кон тактно й сварке долж ен иметь мини­
мальное контактное сопротивление со св ари в аем ы м и материа­
лами.
Геометрия рабочей части инструмента о п ределяет не только
конструктивную прочность св ар н о го соединения круглого п р о в о д ­
ника с плоской поверхностью, но и влияет на условия р азв и ти я
сварки. При сварке и пайке импульсным нагревом от ф о р м ы р а ­
бочего торца зависит передача т еп л а от инструмента в зону свар-
223
 Рис. 144. В а р и а н т ы констру к тив­
ного исполнения инструмента дл я
М А сварки косвенным импульсным

V
нагревом:

w V
о — плоский;
стерж невой
б — ленточны й; в—

ки. П ри контактной сварке ф ормой торцов определяется характер

н агр ев а проводника за счет контактных сопротивлений. При уль­
т р азв у к о в о й сварк е форм а торца определяет условия сцепления
инструмента с проводником, а значит эффективность передачи
у л ьтр а зв у к о в ы х колебаний в зону контакта свариваем ы х элемен-

О т геометрических р а зм е р о в рабочей поверхности инструмен­

та з ав и си т его износостойкость, особенно при ультразвуковой
св арк е. С целью повы ш ения износостойкости проводят химико­
терм ическую о бработку поверхности инструмента. Наиболее силь­
но инструм ент влияет на Стабильность и повторяемость парам ет­
ров процесса при ул ьтразву ко во й сварке.
П роекти ровани е инструмента для сварки импульсным косвен­
ным нагревом необходимо проводить с учетом условий его н а­
г рев а и о хлаж дения. К онструкц ия инструмента д о л ж н а обеспе­
ч и в ать выделение энергии при прохождении по нему импульса то­
ка в наибольш ей степени в рабочей части. Соотношение между
полной энергией (Q3), выделяю щ ейся в инструменте (электрюде),
и энергией (Q p) непосредственно выделяющейся в рабочей ч а ­
сти, в ы р а ж а е т с я через К П Д инструмента (т]и), т. е.
Q9 = Ли<?в-

П р и правильно сконструированном инструменте т]„ должен

с о с т а в л я т ь не менее 16-J-25 %. Варианты конструктивного испол­
нения инструмента для с в ар к и косвенным импульсным нагревом
п о к а з а н ы на рис. 144.

4. С П О С О Б Ы И С Р Е Д С Т В А К О Н Т Р О Л Я КА Ч Е С Т В А
С О Е Д И Н Е Н И Я В И Н Т Е Г Р А Л Ь Н Ы Х М ИКРОСХЕМ АХ

u Все модели ко н тро л я “качества сварных и паяных сое­

динений мож но разбить на д в а основных вида: испытания с р а з ­
руш ением соединений и испы тания без разруш ения как отдель­
ных соединений, так и готовых микросхем.
К разруш аю щ и м методам контроля относятся: механические
исп ы тани я соединений; микроскопические исследования на шли­
ф а х с применением обычных металлографических или электрон­
ных микроскопов; химический ан али з (как обычный, так и с по­
м ощ ью электронного м и к р о зо н д а).
224
 К неразрушающим методам контроля м ож н о отнести: визу­
альный осмотр соединений и готовых приборов; оц енку качества
соединений с помощью щупов; испытания на герметичность кор­
пусов; просвечивание рентгеновскими лучами; оп редел ен и е харак ­
тера распределения температуры работающего п рибора с помо­
щью инфракрасных микроскопов; измерение электрических харак ­
теристик готовых приборов.
Промежуточное положение занимаю т испытания приборов и
микросхем на надежность: ударные, виброиспытания, климатиче­
ские, испытания на термоудары и на старение, длительные элек­
трические испытания на наработк у до первого о тк аза и другие.
При анализе причин отказов какого-либо прибора сн ач ал а ис­
пользуют все возможные методы неразруш аю щ их испытаний,
а затем уже применяют разруш аю щ ие способы контроля.
Механические испытания и металлографический анализ со е­
динений являются наиболее эффективными м етодам и контроля
и оценки качества соединений в различных п р и бо р а х при отра­
ботке технологических режимов сварки или пайки.
Д л я оценки качества (прочности) сварных соединений тонких
проводников с пЛенками на плоских подложках обычно проводят
испытания на растяжение д ву м я способами: на отры в с прилож е­
нием нагрузки под углом 180, 90, 45 или 30° к поверхности под­
ложки и испытание на срез с приложением нагрузки п а р а л л е л ь ­
но поверхности подложки.
В реальных конструкциях проводники по отношению к под­
лож ке могут иметь угол от 5— 8° до 60—75°.
При испытаниях на растяж ени е оценка ведется по разры вно­
му усилию, которое сопоставляется с прочностью на р азр ы в це­
лого проводника.
Испытания соединений на отрыв проводят на специальном
приборе, представляющем собой микровесы, коромысло которых
имеет изменяемое плечо с грузом. Величину р азру ш аю щ его уси­
лия определяют по тарировочному графику, который специально
составляют.
При разрушении соединения возможны три вида отрыва
(рис. 145); по пленке, по утонению и по проволоке. В зависимо­
сти от характера отрыва производят корректировку режимов
сварки, стремясь добиться х ар а к т е р а разруш ения, изо бр аж ен н о ­
го на рис. 145, в.
М еталлографические исследования проводятся с целью опре­
деления структуры сварного или паяного соединения и влияния
внутренних дефектов соединений. При этом вы явл яю тся: плохая

Рис. 145. Виды разруш ения сое­

динения проволочки с пленкой
при испы таниях на отрыв:
а — по пленке; б — по утонению;
в — по проволоке

15 З а к . 824 225
адгезия напыленных пленок, пустоты в сварных и паяных соеди­
нениях, наличие интерметаллических структур, непровар (осо­
бенно при герметизации корпуса сваркой или пайкой), микротре­
щины в п одлож ке в зоне сварки, степень растворения напыленной
пленки при сварке или пайке, форма и размеры сварных соеди­
нений. ,
М етоды контроля соединений и готовых приборов без р азру­
шения в последнее время приобретают все большее значение при
производстве микросхем. Визуальный осмотр является одним из
наиболее доступных и распространенных методов. Его применя­
ют д л я пооперационного или выходного контроля. Цель визуаль­
ного контроля — оценка внешнего вида микросоединений по с р а в ­
нению с эталонным образцом и выявление некачественных (де­
ф ектны х). Обычно для микросоединений проводится 100% визу­
альный контроль качества сварки по внешнему виду.
З а критерий оценки качества сварных микросоединений при
визуальном контроле принимаю т величину деформации провод­
ника, которую определяют по формуле

где d np — диаметр проводника, мм; В л — ширина деформирован­

ной зоны проводника в месте сварки, мм.
В изуальны й способ контроля качества соединений микросхем
(особенно паяных) является достаточно надежным, быстрым и
экономичным.
Д л я обнаруж ения дефектов в герметизированных интеграль­
ных схемах используют рентгеновский метод контрол. Обычно
контроль производят рентгеновским излучением при напряжении
до 150 кВ.
М етод испытания с помощью инфракрасных лучей позволяет
в ы явл ять зоны перегрева и максимальные температурные гради­
енты в готовых приборах. Этот метод контроля наиболее целесо­
об разн о применять в процессе разработки новых интегральных
схем д л я предсказания возможны х отказов без применения мно­
гих длительных и сложных электрических испытаний.
И спы тан и я на герметичность готовых приборов являются од­
ним из важ н ы х способов оценки качества герметизации корпусов
и отб рако вки потенциально ненадежных приборов и схем. Негер-
метичность определяют по величине течи. З а единицу измерения
в С С С Р принята так ая течь, при которой в вакуумном объеме
в 1 л давление возрастает на 0,13 Па за 1 с, т. е. на
0,13• 10“ 3 к г м 2с-3, или 0 ,1 3 -10~3 Вт.
М етоды контроля герметичности делятся на косвенные и пря­
мые.
Косвенным методом оценку герметичности производят путем
вы держ ки приборов в кам ере влаги или водяной бомбе и после­
дую щего измерения их электрических параметров. Чувствитель­
ность методов составляет 1 • 10 е— 1 •10-8 Вт.
226
 К прямым методам контроля герметичности можно отнести:
широко распространенные испытания приборов в горячей м а с л я ­
ной ванне или этиленгликоле, вакуумно-жидкостный м е т о д и
масс-спектрометрическнй метод (например, с помощью галиевого
течеискателя).
При контроле герметичности в горячей масляной ванне п р и ­
бор в герметизированном корпусе опускается в масло, а г е р м е ­
тичность оценивают по выделению пузырьков нагревшегося г а з а .
Чувствительность метода составляет 1 • 10_в— М О ' 8 Вт.
При вакуумно-жидкостном методе приборы помещают в ж и д ­
кость, а над ней создают вакуум. В ыделяющиеся под действием
перепада давления пузырьки газа наблю даю тся визуально. Ч у в с т ­
вительность метода равна 1-10~8— 1-10~9 Вт.
При контроле герметичности гелиевым течеискателем п р и б о ­
ры герметизируют в атмосфере гелия или олрессовывают в к а м е ­
ре с гелием. Затем их помещают в вакуумную камеру, со еди н ен ­
ную с течеискателем. Чувствительность метода с о с т ав л я ет
М О ' 9— М О - ' 3 Вт.

5. ПУТИ И МЕ Т О Д Ы П О В Ы Ш Е Н И Я П Р О И З В О Д И Т Е Л Ь Н О С Т И
МОНТАЖНО-СБОРОЧНОГО ОБОРУДОВАНИЯ

Д альнейш его повышения производительности м о н т а ж ­

но-сборочного оборудования можно достичь в результате:
автоматизации оборудования, созданного на основе су щ е с т в у ­
ющих технологических процессов;
создания новых технологических процессов и оборудования на
их основе;
разработки новых типов приборов и микросхем, позвол яю щ и х
использовать принципиально новые методы сборки и м о н т а ж а .
Предельная производительность, которая может быть д о с т и г ­
нута при сварке одиночных точек и ручном совмещении и н с т р у ­
мента и контактной площадки, сос тав л яет около 3,6 тыс. с в а р о к
в час.
Значительного повышения производительности при сварке
проводника (до 4,5—6 тыс. сварок в час) можно добиться при
условии разработки оборудования с несколькими одноврем енно
работающими инструментами и программны м управлением п р о ­
цессом. С оздание такого оборудования требует ужесточения д о ­
пусков на разм еры кристалла (до ± 1 5 мкм) и корпуса (до
± 3 0 мкм), унификации типоразмеров и расположения к о н т а к т ­
ных площадок, а такж е создания оборудования для точной к о ­
ординатной посадки кристалла в корпус. Оборудование с п р о ­
граммным управлением целесообразно создавать как с п е ц и а л и з и ­
рованное для сборки микросхем и полупроводниковых п риборов
массового выпуска со стабильной программой.
Резкое повышение производительности и снижение стоимости
сборки микросхем возможно на основе новых технологических
 о) f) в)

2 3 Рис. 146.

. - ” 1—‘ . - — DDiov/м, О — t
I) : 5 ~ шарик; 5 — ба л ка ; 7 — р а м ка 8 — промежу-
т о ч н ая подложка

процессов с использованием жестких выводов микросхем и rpvn

повых методов м о н таж а, показанных на рис. 146:

\г • > »
групповой м онтаж плоских выводов (рамки) непосредственно
Н3 к?Лтак.ТНЫе ПЛ0ЩаДки кристалла («паучковое» соединение,
рис. 154, а).
сборка микросхем с применением промежуточной подложки
на которую монтируются «перевернутые» кристаллы при группо­
вом методе сварки или пайки внешних плоских выводов корпуса
(рис. 146, г ) . v 1
Перспективными способам и сборки для массового выпуска
микросхем в пластмассовы х корпусах являю тся «паучковое» сое­
динение и сборка с промежуточной подложкой. Эти способы
сборки позволяют повысить производительность в 5— 10 раз.
Необходимость полной автоматизации микросварочных про­
цессов при сборке полупроводниковых приборов и интегральных
схем обусловлена: v
значительным удельным весом отказов микросварочных сое­
динений, основной причиной которых является ручной труд опе­
раторов, связанный с работой под микроскопом;
высокой трудоемкостью сборочных операций при изготовлении
слож н ы х приборов;
потребностью в реш ении социальной проблемы высвобождения
операторов от работы с микроскопом.
Эти задачи и у нас в стране и за рубежом решаются путем
создания полуавтоматических и автоматических машин. П ол у ав­
томатические сборочные машины основаны на применении мик­
роЭВ М в системе управления. Она выполняет функции управле­
ния по введенной в нее эталонной программе всеми исполнитель­
ными механизмами, в кл ю ч а я автоматическую загрузку-выгрузку
корпусов и автоматическое совмещение инструмента с контакт­
ными площадками приборов.
Однако машина остается машиной полуавтоматического типа
потому, что она требует первоначальной установки по реперным
зн а к а м (подюстировки) каж дого корпуса на позиции сварки,
228
После этого управляющая ЭВМ у ч иты вает ошибку посадки к р и ­
сталла в корпусе, корректирует эталонн ую программу и о с у щ е ­
ствляет процесс сварки.
Автоматические машины, н азы ва ем ы е такж е « ад ап ти вн ы м и
роботами», по сравнению с предыдущ ими дополнительно в к л ю ч а ­
ют в себя средства:
пространственной адаптации на основе системы «маш инного
зрения»;
технологической адаптации на основе системы активного к о н ­
троля режимов сварки.
Система «машинного зрения» р аспозн ает образ к р и с т а л л а и
корпуса прибора, их реальное абсолю тное и относительное п о л о ­
жение и производит коррекцию коорди нат эталонной п ро гр ам м ы
сварки.
Система технологической адап тац и и обеспечивает реа кц и ю си ­
стемы управления на изменение технологических парам етров. Т а ­
кие автоматические машины обеспечиваю т повышение п р о и зв о д и ­
тельности на этой операции в несколько десятков раз.
ГЛАВА 15

А В Т О М А Т И Ч Е С К И Е П О Т О Ч И ЫЕ Л И Н И И
И А ВТ ОМ АТИ ЗИР ОВ АН НЫ Е ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ
КОМПЛЕКСЫ

1. О С О Б Е Н Н О С Т И К О М П Л Е К С Н О Й М Е Х А Н И ЗА Ц И И
И А В Т О М А Т И ЗА Ц И И П Р О И ЗВ О Д С Т В А И Н Т Е Г Р А Л Ь Н Ы Х
М И К РО С Х Е М

А втоматизация производственных процессов — одна

из основных тенденций развития современного производства,
обеспечивающая повышение производительности труда и качест­
ва выпускаемой продукции, а также улучшение условий труда.
Непрерывное расш ирение работ по автоматизации производ­
ства микросхем подчинено прежде всего внутренней логике р а з ­
вития электронной техники, изделия которой практически невоз­
м ож но изготавливать без использования средств автоматизации.
Д ругой очень важный аспект развития процесса автоматизации —
это улучшение экономических показателей производства и, преж ­
де всего, снижение общ их трудовых за т р а т на единицу продук­
ции, снижение себестоимости изделий, увеличение процента вы­
хода годных приборов. Последнее в ряде случаев дает экономию
основных и вспомогательных материалов, превышающую эконо­
мию о т сокращения количества операторов в несколько раз.
При комплексной механизации и автоматизации, особенно
структурообразующей стадии производства, необходимо учиты­
вать специфику конструирования оборудования, вытекающую из
особенностей полупроводникового производства, а именно:
1. Большое количество (130— 150) самых разнообразных по
х арактеру выполнения операций (диффузия, фотолитография, в а ­
куумное нанесение пленок и т. д.) затрудняет или делает невоз­
можным объединение р я д а процессов и, следовательно, агрегати­
рование машин.
2. Д л я выполнения р я д а технологических операций возникает
необходимость со зд ав ать специально для этих узких целей неко­
торые виды специфического оборудования, например оборудова­
ния для сборки приборов в различные типы корпусов: металло­
стеклянные, керамические, пластмассовые и т. п.
3. С целью исклю чения субъективного влияния оператора на
ход технологического процесса и обеспечения высокой точности
поддерж ания технологических параметров режимов обработки
необходима высокая степень автоматизации технологического
оборудования. Без реш ения этой проблемы невозможно обеспе­
чить идентичность приборов, выпускаемых миллионными ти р а­
жами.
4. Массовость вы пуска изделий с учетом многономенклатур-
ности и динамичности развития микроэлектроники требует высо-
230
кой мобильности ка к оборудования, так и компонуемых на его
основе систем, т. е. способности оборудован и я быстро перена­
страиваться с выпуска одного вида продукции на другой.
5. Необходимость соблюдения вакуумной гигиены требует г е р ­
метизации или создания контролируемой газовой среды в зоне
обработки при выполнении ряда технологических операций. А это
влечет за собой необходимость создания шлю зов, транспортеров,
накопителей длительного хранения, загрузочно-разгрузочны х
устройств, транспортной тары, предназначенных специально д л я
обеспечения этих условий и сохранения их в процессе о б р а ­
ботки.
6. При создании технологических линий возникает необходи­
мость проектировать оборудование с различной производительно­
стью с учетом переменного (по длине потока) и относительно н е­
высокого процента выхода годных изделий. Это т ак ж е з а т р у д н я ­
ет объединение машин в агрегаты и линии.
Все перечисленные выше особенности производства интегр ал ь­
ных микросхем, которые необходимо учесть при конструировании
оборудования, существенно усложняют и у д о р о ж аю т последнее и
часто в результате в значительной степени снижается его н а д е ж ­
ность.
При проектировании оборудования микроэлектроники х а р а к ­
терным является создание комплексов оборудования и техн оло­
гических линий для проведения всего ц икла технологических о п е­
раций, начиная от заготовительных и кон чая операциями г е р м е ­
тизации, выходного контроля и упаковки готовой продукции, или,
в отдельных случаях, для всех технологических операций у ч а с т ­
ка. Это вызвано разнообразием используемых технологических
процессов, требующих для своего осуществления соответствующе­
го оборудования, различиями в р азм ерах исходных заготовок
пластин, в разм ерах и типах корпусов и, наконец, большой н о ­
менклатурой и числом контролируемых п арам етр ов приборов.
Комплекс оборудования представляет собой полный набор т е х ­
нологически необходимого основного и вспомогательного о б о р у ­
дования, обеспечивающего заданный выпуск годной продукции,
территориально объединенного в цех, участки или группы с не-
регламентированным их расположением.
Это характерно д л я непоточного производства.
При р азрабо тк е комплексов оборудования учитывают по сл ед о ­
вательность выполнения технологических операций на участке,
особенности их выполнения, требования вакуумной гигиены, в о з ­
можность и пути исправления брака. Комплексные разр аботк и
позволяют созд авать комплексы оборудования в едином стиле,
удовлетворяющие всем требованиям промышленной эстетики.
При этом используют методы узлового (модульного) конструиро­
вания, что значительно повышает эффективность, надежность и
долговечность оборудования.
Завершенность разработки и поставки комплексов о б о р у д о в а­
ния значительно сокращ аю т сроки подготовки производства, м о н ­
231
т аж а и ввода в эксплуатацию оборудования, а также сроки д о­
стижения их проектной мощности.
Современные комплексы оборудования могут насчитывать
сотни установок более 50—60 наименований, отличающихся друг
от друга м етодам и обработки изделий, точностью, производитель­
ностью, уровнем механизации и автоматизации. Так, например,
комплекс об орудован и я «Корунд», предназначенный для массо­
вого изготовления полупроводниковых приборов и интегральных
микросхем на п о д л о ж к ах 0 70 мм, охваты вает все технологиче­
ские процессы изготовления структур, сборки в пластмассовый
корпус на о тр езк ах ленты, контроля электрических параметров и
испытаний приборов. Некоторые установки из числа входящих в
комплекс рассмотрены нами ранее (см. рис. 63, 109, 110, 120,
130, 132). О борудование комплекса оснащено высоконадежными
прецизионными системами автоматического регулирования и про­
граммирования термическими камерами и реакторами с высокой
равномерностью температурного поля и управления газовыми по­
токами. '
Многие узлы, электрические блоки установок, а такж е пыле­
защитные к а м ер ы с ламинарным потоком обеспыленного возду­
ха унифицированы. В состав оборудования входит система цен­
трализованного управления комплексом с использованием ЭВМ,
п редусм атриваю щ ая сбор и обработку статистической информации
о работе ко м плекса с выводом данных на центральный пульт.
Весь комплекс разби т на участии: фотолитографии, диффузии,
технохимии, вакуум ного нанесения пленок, измерения п ар ам ет­
ров, сборки. Н а границах участков имеются накопители с авто­
матизированным учетом обрабатываемых партий пластин и д л и ­
тельности их межопарационного хранения в потоке обеспыленно­
го осушенного азо та (с ограничением или без ограничения вре­
мени хр ан ен и я). Применение накопителей в комплексе позволяет
повысить процент выхода годных изделий и увеличить коэффи­
циент загрузки оборудования.

2. В И Д Ы П О Т О Ч Н Ы Х л и н и и

С ледует иметь в виду, что массовость выпуска не

всегда оп ределяет метод производства. В приборостроении су щ е­
ствуют три типа производства —- единичный, серийный и массо­
вый, а методов производства только д в а — непоточный и поточ­
ный.
Н е п о т о ч н ы м называют метод производства, при котором
изделия о б р аб аты в а ю т партиями на каж дой операции, о б раб аты ­
вающее оборудование размещаю т группами (по типам) без оп­
ределенной связи с последовательностью выполнения операций.
П о т о ч н ы м н азы ваю т метод производства, при котором опе­
рации обработки или сборки закреплены за определенным обо­
рудованием или рабочими местами, расположенными в порядке
выполнения операций, а обрабатываемое изделие передается с од-
232
 Поточные линии
I ■

Однономенклатурные\ Многономенклатурные

Однопоггочные Многоготочные

Henpepti/вно - Преры дно-

поточн ые поточ ные

Со свободным С регламентиро­
ритмом ванным ритмом

Транспортные устройства

Г отсутст­
автомати­ полуавтома­ механизиро­ периодичес­
ческие тические ванные не­ кого . вуют
прерывного действии
действия

Рис. 147. В арианты конструктивно-технологических схем поточных линий

ной операции на другую сразу после выполнения пред ш ествую ­

щей операции вручную или при помощи транспортных устройств.
Основой поточного производства яв л яется поточная л и н и я.
П о т о ч н а я л и н и я представляет собой группу о б р а б а т ы в а ю ­
щих машин, к а ж д а я из которых специализирована на в ы п о л н е ­
нии одной или нескольких однотипных операций, размещ енных в
порядке выполнения операции обработки или сборки и с н а б ж е н ­
ных простейшим транспортным устройством для передачи д е т а ­
лей с одной позиции на другую. Рис. 147 д ает представление о
разнообразии конструктивно-технологических схем исполнения
поточных линий.
По степени механизации и автом атизаци и технологических
операций линии дел ят на механизированные, ком плексно-механи­
зированные, автоматические и полуавтоматические (а в т о м а т и з и ­
рованные).
М е х а н и з и р о в а н н а я л и н и я — это линия, в к о тор ой
большая часть операций выполняется с помощью машин и д р у ­
гих механических устройств, но некоторые основные и в с п о м о г а ­
тельные операции выполняют вручную вследствие невозможности
или нецелесообразности их механизации; при этом п роцессы
перемещения обрабатываемых изделий от одного рабочего м е с т а
к другому механизированы.
Комплексно-механизированная л и н и я — линия,
в которой с помощью механизмов и машин осуществляются в се
без исключения основные, вспомогательные и о б сл у ж и ва ю щ и е
16 Э ак. 824
 операции, входящие в состав части или всего технологического
процесса изготовления изделия.
А в т о м а т и ч е с к а я л и н и я — система машин, р ас п о л о ж е н ­
ных в технологической последовательности, на которой все ос­
новные, вспомогательные и другие операции выполняются авто­
матически при помощи автоматов и автоматических устройств
без применения ручного или механизированного труда, за исклю­
чением функций н ал ад ки , наблюдения и контроля.
Полуавтоматическая, или автоматизирован­
н а я л и н и я , — линия, в которой наряду с операциями, выпол­
няемыми автоматически, частично совершаются и некоторые вспо­
могательные ручные операции. В зависимости от характера д ви ­
жения изделий по операциям производственного процесса (по
степени непрерывности производственного процесса) следует
различать непрерывно-поточные и прерывно-поточные линии.
Н е п р е р ы в н о - п о т о ч н ы е л и н и и — линии, на которых
длительность всех операций производственного процесса равна
или кратна ритму линии.
В непрерывно-поточных линиях работа всех машин синхрони­
зирована во времени. Ритм непрерывно-поточных линий может
быть принудительным (регламентированным) или свободным,
поддерживаемым самим рабочим.
П р е р ы в н о - п о т о ч н ы е л и н и и — линии, на которых д ли ­
тельность операций (всех или части из них) не выравнена со­
гласно ритму линии. Прерывно-поточные линии являются преоб­
ладаю щ им типом поточных линий в производстве полупроводни­
ковых приборов и микросхем.
Линии р азд ел яю т т а к ж е по способу и х арактер у поддержания
ритма работы:
с жестким (регламентированным) ритмом, который х аракте­
рен для непрерывно-поточного производства; жесткость ритма
поддерживается принудительным распределением изделий по р а ­
бочим местам с помощью транспортирующих устройств;
со свободным ритмом; линии не имеют технических средств,
строго регламентирующ их ритм работы. Эти линии применяют
при любых ф ормах потока, соблюдение ритма в этом случае воз­
лагается непосредственно на работников, обслуживающих д а н ­
ную линию.
По н оменклатуре-закрепленны х за линией изделий и порядку
их чередования линии делятся на однопредметные и многопред­
метные.
Однопредметные однономенклатурные поточные линии, на кото­
рых изготавливают изделия одного наименования. Эти линии
применяют в массовом производстве одноименной продукции,
обеспечивающем достаточную специализацию и полную загрузку
рабочих мест.
Многопредметные — многономенклатурные поточные линии —
линии, на которых изготавливаю т по унифицированному техноло­
гическому процессу несколько наименований конструктивно схо-
234
 жих изделий. Эти линии позволяют внедрять методы поточной
работы в серийном производстве.
В зависимости от количества одновременно о б р а б а т ы в а е м ы х
I объектов одного наименования линии д е л я т на однопоточные и
многопоточные. В полупроводниковом производстве п р и м ен яю т
оба типа линий, так как для них х а р а к тер н о чередование о п е р а ­
ций с поштучной обработкой изделий на одних операциях, с о б ­
работкой изделий партиями на других операциях.

3. С Т РУ К Т У Р Н А Я И К О Н С Т Р У К Т И В Н А Я КОМ ПОНОВКА
АВТОМ АТИЧЕСКИХ Л И Н И Й

Накопленный приборостроительной промышленностью

опыт проектирования линии и научные исследования п о зв о л я ю т
сформулировать методы расчета и вы б ора тех или иных в а р и а н ­
тов, их структурных и компоновочных решений. Л ю бая с и сте м а
машин последовательного действия м о ж е т быть скомпонована по
различным структурным вариантам — от поточной линии д о а в ­
томатической линии с жесткой м еж агрегатной связью.
Если к а ж д а я машина в линии имеет автоматический н а к о п и ­
тель, то такую линию называют линией с гибкой м е ж агр ега тн о й
связью. При отсутствии накопителей в автоматической ли н и и и
объединении машин общим т р а н с п о р т н ы м , устройством они д о л ­
жны работать в едином ритме. Такой структурный в ар и ан т н а ­
зывают линией с жесткой меж агрегатной связью. Могут с у щ е с т ­
вовать и промежуточные варианты — автоматические линии, р а з ­
' деленные на участки, где число накопителей в линии меньше, чем
число машин. На рис. 148 показаны возмож ны е структурные в а ­
рианты построения систем машин последовательного действия из
12 установок.
Деление линии на участки в полупроводниковом п рои зв о д ств е
производится по технологическому признаку, например, у ч а с т о к
диффузии, участок химической обработки, участок ваку у м н о го
нанесения пленок, фотолитографии и т. д., при этом кол и чество
машин в участках неодинаково, следовательно, величина в н е ц и к-
ловых потерь каждого участка разл и чн а. М еж ду участками м о ­
гут устанавливаться накопители для хранения обработанных п о ­
луфабрикатов.
Технологический процесс производства полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем мож но прерывать л и ш ь в
строго регламентированных точках. Отклонение от этого т р е б о ­
вания неизбежно приводит к браку изделий. Поэтому в о тл и ч и е
от приборостроительной промышленности здесь практически не
применимы методы деления линии на участки по принципу р а в ­
новероятных или равновеликих потерь. Эти ограничения необ­
ходимо принимать во внимание при разр а б о тк е структурной с х е ­
мы линий производства полупроводниковых изделий. При это м
устанавливают количество и состав необходимых элементов д л я
реализации технологического процесса: основного и всп о м огатель-
16* 235
 / j НапраВление потока издепий

Я ЗН Е Ь

Ш И
гУ
Ри с. 148. С труктурны е в а р и а н ты построения системы маш ин последовательного
дей стви я:
а — поточная линия; б — а в т о м а т и ч е с к а я линия с гибкой связью ; в — автом атическая линия
разд е л ен н ая на участки; г — ав т о м а т и ч ес к а я линня с ж есткой связью

ного оборудования, накопителей, транспортных и пылезащитных

устройств, систем уп р ав л ен ия линией и т. д.
Конструктивная компоновка автоматической линии решает
проблему пространственного расположения и связи отдельных
позиций и элементов, транспортных и других устройств линии.
Вследствие того, что выбор конструктивного варианта зависит
о т целого ряда ф акторов, задача определения компоновочного
решения, как правило, является многовариантной. При одной и
той же структурной сх ем е автоматической линии возможны р аз­
личные компоновочные решения.
Пространственное расположение узлов линии такж е чрезвы­
чайно разнообразно. П оэтом у решение задачи обоснования и р а з ­
работки конструктивной компоновки автоматической линии осно­
вывается, главным об разом , на количественной оценке вариантов
по стоимости, быстродействию и другим критериям экономиче­
ской эффективности при сравнительном ан али зе различных вари­
антов.

4. А В Т О М А Т И З И Р О В А Н Н Ы Е П О Т О Ч Н Ы Е Л И Н И И
Д Л Я П Р О И З В О Д С Т В А И Н Т Е Г Р А Л Ь Н Ы Х М И К РО С Х Е М
И П О Л У П РО ВО ДН И КО ВЫ Х П РИБО РОВ

Современные автоматизированные поточные линии

представляют собой комплекс высокопроизводительного ав-
236
тематического и полуавтоматического оборудования, расположен­
ного в порядке выполнения операций, связанного конвейерно-ад­
ресной системой и управляемого от электронно-вычислительной
машины. Линин являются полуавтоматическими в связи с наличи­
ем в их составе полуавтоматических машин. Н есм отря на это
применение их в производстве позволяет: со к рати ть численность
обслуживающего персонала; сократить производственные площ а­
ди благодаря применению высокопроизводительного оборудова­
ния и оптимальной организации производства; повысить уровень
ритмичности; используя конвейерную систему и принудительное
адресование пластин на обработку по мере освобож дения обору­
дования, сократить длительность производственного цикла в 2,5—
3 раза и за счет этого увеличить выход годных изделий.
В соответствии с общей структурно-технологической схемой
производства интегральных микросхем (рис. 149) операции тех­
нологического процесса периодически повторяю тся, а изделия
должны многократно проходить через одни и те ж е установки
или участки. Так, например, изделия м ногократно проходят че­
рез участок химической обработки, обозначенный лучом 3 на схе­
ме технологического процесса, т. е. операции 3, 19, 29, 45, 48, 68,
71 и 97, и, соответственно, через участок к о н тро л я качества от­
мывки, обозначенный лучом 4, с операциями 4, 20, 30, 46, 49, 69,
72 и т. д.
В этом случае удобно применять кольцевое расположение
оборудования. Необходимость обеспечения межоперационного
хранения изделий при значительной длительности обработки (до
5 смен и более) и следовательно, наличия накопителей длитель­
ного хранения позволяет кольцевую схему располож ени я обору­
дования представить в виде двух линий, располож енн ы х одна
против другой. Такое расположение оправдано тем, что сохраня­
ется участковый принцип расположения оборудования, что удоб­
но в отношении обслуживания и лучшего использования устано-
вок-дублеров.
Технологический процесс изготовления интегральны х микро­
схем средней и большой степеней интеграции содержит до
10-ти операций диффузионной обработки, разл и чаю щ и хся ти па­
ми диффузантов, длительностью, температурами и т. д. В серий­
ном многономенклатурном производстве, где в одновременном з а ­
пуске находятся 150—200 типов микросхем, о б щ ее количество
операций диффузии и окисления приближ ается к тысяче.
Очевидно, что одним из наиболее действенных факторов npej
дупреждения массового б рака является исключение субъективной
роли персонала из управления процессом, т. е. полная автом а­
тизация основных и вспомогательных операций, в том числе и
учета движения пластин от запуска до получения окончательной
продукции.
Положительным примером решения этих з а д а ч являются в ы ­
сокоавтоматизированные комплексы — поточные линии диф ф у ­
зии.
Рис. 149. С тр у ктурн о-техн ол оги ч еск ая схем а производства интегральны х м икро­
схем:
/ — ф ор м и р о ван ие п ар ти и пластин; 2 — о б езж и риван ие; 3 — химическая обработка- 4 — вы ­
борочный к о н т р о л ь к а ч еств а очистки; 5 — сн яти е стекл а н окисла; 6 — плаэмохимнческое
напы ление; 7 — и м п л а н т а ц и я ионов бора; в —и м п л ан тац и я ионов фосфора- 9 — п ереукл адка
пластин в к в а о ц е в у ю лодо чку ; 10 — окисление; / / — о тж и г базы ; 12 - окисление н изкотем ­
пературное; 13 — о т ж и г эм иттера; 14 — о т ж и г стабилизирую щ ий; /5 — р азд ел и тел ьн ая д и ф ­
ф узия; 16 — « п л а в л е н и е алю миния; 17 — п ер еу кл ад ка пластин в кассету; /« — определение
толщ ины о к и сл а ; 19 — снятие окисла с п ласти н ы ; 20 — измерение поверхностного сопротив­
ления; 21 и зм е р е н и е глубины д и ф ф узион ного слоя; 22 — нанесение пленки алю миния;
л н*11€сение п л ен к и ф оторези ста н терм оком п ресснон н ая суш ка; 24 — контроль вы бороч­
ный; 25 с о в м е щ е н и е и экспонирование; 26 — проявление фотослоя; 27 — контроль к а ч е ­
ства п р о яв л ен и я (в ы б о р о ч н о ); 23 — тр авл ен и е окксл а; 29 — контроль качества травл ен и я
(вы борочно); 30 — т р а в л ен и е м етал л а; 31 — ко н троль травления м еталла (вы борочно);
.■,т „ сн*7ие ф о т о р е зи с т а ; И — контроль сн я ти я ф оторези ста; 34 — контроль после фото-
„ .1 контроль ВАХ; 36 — ко н тр о ль по тестовы м структурам ; 37 — контроль
статических п а р а м е т р о в микросхем : 33 — у п ако в ка пластин

В основе построения линий использован принцип объедине­

ния всех физико-термических процессов в единый технологиче­
ский ком плекс с автоматизацией всех вспомогательных о п ер а­
ций, созданием пылезащитного коридора для движения изделий
и повышенным коэффициентом использования технологического
оборудования.
 Рис. 150. Т и п о в а я схем а а в ­
1 Й - - - - - - - *— то м ати зи р о в ан н о й поточной
линии д и ф ф у зи и :
* 1 — систем а п ы л еэ а щ н ты ; 2 — за­
грузочное и р о то р н о е устрой ства;
3, 7 — к а р е тк и ; п ерем ещ аю щ и е
спутники с к в ар ц е в ы м и кассетам и
и исходны м и п л а с т и н ам и ; 4 — н а­
- правляю щ ие; 5. 6 — м а н и п у л ято р ы ;
8 — м ехани зм п е р е у к л а д к и п ластин ;
д __ п ульт у п р а в л е н и я ; 10 — н а к о ­
питель дли тельн ого х ран ен и я;
и Л — в н д еокон трол ьн ое устройство;
/2 — д и ф ф у зи о н н ы е печи
111-

Типовая схейа автоматизированной поточной линии диффузии

показана на рис. 150.
Функционально линии состоят из следующих основных ч а ­
стей: термического оборудования ( / 2 ) ; систем автом атической з а ­
грузки ( 2 , 5 ) \ транспортной системы ( 3 , 4 , 7); системы ав то м а ти ­
ческого адресования (9): системы пылезащнты ( / ) ; устройства
групповой переукладки пластин (6, 8 ); накопителя партий п л а ­
стин (10); системы управления (9, 11).
Конструктивно линии выполнены в виде «стенки», р а зд е л я ю ­
щей зону обслуживания технологического оборудован и я с соот­
ветствующими коммуникациями от зоны «чистого коридора», ф о р­
мируемого модулями и блоками пылезащиты и предназначенного
для транспортирования открытых пластин о т о п ер ато р а к р е а к ­
торам диффузионных блоков и обратно.
На лицевой части стенки монтируют устройства ав то м а ти ч е­
ской загрузки изделий, блоки управления загрузкой с регу л ято ­
рами скорости, манипуляторы, транспортную систему, пульты опе­
ративной информации и уп равлен ия физико-термическими про­
цессами, центральный пульт управления с м ехан изм ам и группо­
вой переукладки пластин.
Линии комплектуют специальными носителями д л я тр ан сп ор ­
тирования кварцевых кассет и кодовыми устройствами с индек­
сами, определяющими принадлежность носителя с кассетой соот­
ветствующему реактору. К ва рц е вы е кассеты, установлен н ы е на
носители, могут попасть только на свою п ло щ ад ку роторного
устройства соответствующего реактора.
239
 К а ж д ы й реактор диффузионного блока имеет свой порядко­
вый номер, состоящий из номера загрузочной системы (первая
ц и ф р а ) и номера самого р еа к то р а (вторая цифра), обслуживае­
мого дан ной загрузочной системой.
М ан и п ул я тор 5, входящий в состав загрузочной системы,
об есп ечи вает автоматическое считывание кода и перестановку
партии пластин с транспортного устройства на любую из шести
п л о щ а д о к приема соответствующих роторных устройств, а такж е
осу щ ествл яет автоматическую или по команде оператора выдачу
партий пластин на транспортное устройство 4.
Д о с т а в к а партий пластин к загрузочным системам и обратно
о сущ ествляется двумя транспортными самодвижущимися карет­
ками 3, 7 по специальной трассе.
К а р е т к а 7, располож енная у центрального пульта управления,
об еспечивает транспортировку носителей с пластинами только к
загрузочны м системам, а к а р етк а 3, расположенная в противо­
полож ном конце трассы, '— от загрузочных систем к центрально­
му пульту 9. К аж д ая из карето к работает при условии наличия
одной из них в исходном положении.
М ан и п ул ятор 6, входящий в состав центрального пульта, по
ком ан де оператора о тр аб аты в ает программу как приема носите­
л я с транспортного устройства и установку его на стол операто­
ра, так и обратное действие, а также используется для группо­
вой п ереук ладк и пластин.
П а р ти и пластин, поступающие на линию для обработки, у с т а ­
н ав л и в аю тс я в соответствующие ячейки накопителя 10, очеред­
ность о б работки которых определяется технологическим м арш ру­
том. К а ж д а я ячейка способна принимать до четырех транспорт­
ных к а ссе т общей емкостью до 100 пластин (по 25 пластин к а ж ­
дая).
С центрального пульта управления по команде оператора вы­
зы ва ется кварц евая кассета, п рин адлеж ащ ая реактору, куда со­
гласно технологическому м а рш руту необходимо доставить п ар­
тию пластин. Сформированную партию пластин в транспортных
кассетах из накопителя оператор устанавливает на механизм
групповой переукладки пластин 8 и производит переукладку
пластин из транспортных кассет в кварцевую. Емкость кварце­
вой кассеты 100 пластин.
П о ком анде оператора парти я пластин манипулятором 6 уста­
н а в л и в ае тся на трассу и кареткой 7 транспортируется до за д а н ­
ной загрузочной системы, после чего каретка возвращ ается в ис­
ходное положение. М анипулятор загрузочной системы 5 о тр аб а­
ты ва ет п рограмму приема, устанавли вая партию пластин на при­
емную п лощ адку роторного механизма, с которой после смены
п л о щ ад о к производится з а гр у зк а кассеты в заданный реактор.
Р оторное устройство (рис. 151) предназначено для автомати­
ческого переноса кварцевой кассеты из зоны, обслуживаемой м а ­
нипулятором загрузочной системы, в зону, обслуживаемую авто­
матическим устройством загрузки.
240

I
Рис. 151. С хем а роторного
устройства
П ерегрузка, накопле­
ние и хранение кварце­
вых кассет с носителями
осуществляется с помо­
щью рабочих площадок
1 и 6, которые в процес­
се работы меняют свое
взаимное положение пу­
тем поворота планки 8
вокруг вала 7. При по­
вороте планки 8 на 180°
для изменения взаимного
расположения рабочих
площадок плоскости, на
которые установлены носители с кварцевыми кассетами, не и з м е ­
няют своего горизонтального полож ения из-за обкатывания ш е с т е ­
рен 5 и 3 вокруг неподвижной шестерни 4. В и зображ ен н ом на
рис. 151 положении площадка 6 переместится в позицию, з а н и м а е ­
мую площадкой /, под реактор диффузионной печи 2.
По окончании технологического процесса обработки а в т о м а ­
тически подается команда на вы грузку партий пластин из р е а к ­
тора. Открывается заслонка р еа ктор а и партия пластин в ы г р у ­
жается на площадку роторного м ехан изм а. При наличии на в т о ­
рой площ адке последующей партии пластин, поступившей на
обработку, происходит смена п олож ения площадок, после чего
вновь поступившая партия м ож ет з аг р у ж ать ся в реактор, а п р о ­
шедшая обработку — охлаждается в течение заданного в р ем е н и
(0—60 мин). По окончании процесса охлаждения партия п л а с т и н
оператором вызывается на центральны й пульт у п р авл ен ия, где
при помощи механизма 8 (рис. 150) оператор производит пере-
укладку пластин из кварцевой кассеты в транспортные и р а з м е ­
щает их в накопителе длительного хранения 10.
Контроль и управление работой линии осуществляется с ц е н т ­
рального пульта управления 9. Одной из основных его ф у н к ц и й
является адресование кассет с пластинами в соответствующие р е ­
акторы электропечей. Д ля обеспечения высокой чистоты п р о ц е с ­
сов за каж ды м реактором зак р еп л ен ы только два оп ред ел ен н ы х
носителя кассет — загрузочный и приемный. Д ля р а с п о зн а в а н и я
каждый носитель имеет свой код, а считывающие устр ой ств а,
установленные в центральном пульте, направляют носители с
кассетами по трассе к соответствующим печам. С чи ты ваю щ и е
устройства, установленные в загрузочны х системах, по к о д а м
распознают «свои» носители с кассетам и и переводят си стем ы в
положение приема кассет на загрузочны е площадки со о тв етс тв ую ­
щих реакторов. При автоматическом направлении кассет в р е а к ­
торы на центральном пульте з а ж и г а е т с я табло с номером р е а к ­
тора.
241
 Центральный пульт управления оснащен видеоконтрольным
устройством 11, которое сообщает оператору информацию о ре­
а к то р ах , в которых идут процессы, о времени — текущем и ос­
тав ш е м ся до конца процесса, операциях (нагрев, охлаждение) и
д р . Н а другом табло пульта дается информация о работоспособ­
ности реакторов, наличии кассет на позициях загрузки, готовно­
сти загрузочных систем к работе и т. п. Кроме этого, каж дая
электроп ечь 12 оснащ ена пультом оперативной информации, ко ­
торы й показывает текущий параметр каждого реактора и позво­
л я е т зад ав ать и корректировать программу процесса в каждом
реактор е.
З о н а загрузки кассет в А П Л отделена от зоны печей и газо­
вой системы модулями пылезащиты 1, что обеспечивает в зоне
за гр у зк и высокие п о к аза тел и производственной гигиены.
Л инию обслуживает один оператор, в функции которого вхо­
д я т механизированная п ереукладка пластин из транспортных в
раб оч и е кассеты и наоборот, пуск линии в работу и контроль за
работой механизмов и агрегатов.
Д ругим примером такого комплексного подхода к проектиро­
ван и ю может служить линия японской фирмы «Нихон Дэнки».
О н а р азрабо тал а комплексную модульно-блочную линию изго­
товлен ия структур полупроводниковых микросхем с охватом т а ­
ки х операций, как очистка поверхности, дифф узия, напыление
пленок, фотолитография и контроль. Линия (рис. 152) состоит из

гг Участок
“Г напыления и
■ и з дырощибанил
г г г -1 » ! окисных пленок
Ддресоваиие r S rS
Jt игтпнпЛ/гпм_ *—1 Вход Т
/
N
j 1

16 ^ f -т г ш тц I № П 7

Р и с . 152. Схема линии ком плексной обработки пластин ф ирм ы «Нихон Денки»,
Я пония:
/ — ш каф для хранения; 2 — а в т о м а т промывки; 3 — ди ф ф узион ны е печи; 4 — тоннель
о ч и с тк и ; 5 — загрузчи ки; в — л ен то ч н ы й конвейер; 7 — ко н тр ольн ая а п п а р ату р а ; в — пульт
у п р а в л е н и я блоком ди ф ф узии ; « — у с т ан о в к а непрерывного н ап ы л ен и я; 10 — устан овка вы ­
р а щ и в а н и я окисных пленок; / / — у с т а н о в к а перегрузки с кварц евы х лотков в алю миние­
в ы е ; 1 2 — установка тер м о о б р аб о тки ; 13 — авто м ат нанесения ф оторези ста; 14 — установка
совм ещ ения и экспонирования; 15 — а в т о м а т проявления; 16 — а в т о м а т дублени я /7 —
п е р е г р у з к а с алю миниевых в теф л о н о в ы е лотки; 16, 19, 20 —.а в т о м а т ы травлен и я; 2 / —
а в т о м а т сн яти я ф оторезиста; 2 ! — ц ен тр ал ь н ы й пульт у п р авл ен и я; 23 — промы ш ленная
т е л е в и зи о н н а я кам ера, 24 — к в а р ц е в ы е лотки; 25 — тефлоновые л о тк и ; 2 6 — алю миниевые
лотки
четырех автоматизированных автономных блоков-модулей, с в я ­
занных транспортными средствами: промы вки и травления, д и ф ­
фузии и окисления, образования окисных пленок (н а п ы л е н и я ),
фотолитографии.
Основные технические данные линии
Число наименований оборудования, входящ его в л и н и ю ............................ 22
Число операций, которыми можно управлять с центрального пульта . 9
Число партий обрабаты ваемы х п л а с т и н ............................................................. 200
Число разновидностей пластин в партии ............................................................. 100
Продолжительность обработки одной партии, д н е й ...................................... 10— 16
Число различных типов применяемых к а с с е т .................................................... 3

Обработка пластин на линии выполняется циклически, п ричем

управление циклами осуществляется с центрального пульта у п ­
равления (рис. 153).
Центральный пульт управления ( Ц П У ) обеспечивает о б щ и й
контроль технологического потока о б р аб аты ваем ы х изделий. Н а
выходе каждого технологического блока машин имеется и н д и к а ­
торная панель, с помощью которой оператор может послать з а ­
прос о коде и программе технологической обработки п о ст у п аю ­
щей партии и получить ответ такж е в виде цифрового кода. Ц П У
отвечает, кроме того, на все вопросы относительно партии п л а ­
стин, проходящей обработку в данный момент. На линии м о ж н о
обрабатывать до 200 партий пластин, причем в каждой п а р т и и
может быть около 100 разновидностей пластин. Цикл о б р аб о т к и
одной партии длится от 2 до 3 недель.
В блоке фотолитографии автоматически выполняются с л е д у ­
ющие операции: подача резиста, нанесение фоторезиста на п л а ­
стины, подача пластин в зону сушки, суш ка, п редварительное

Рис. 153. Схем а управления

циклами линии обработки
пластин
243
 совмещение (электронно-оптическим методом), передача пластин
с позиции совмещ ения на позицию экспонирования, съем пла.
стин с позиции экспонирования, перегрузка в плоские кассеты,
подача на установку проявления (распылением), подача п л а­
стин в зону зад у б л и в ан и я, задубливание.
Вручную вы п олн яю т перенос пластин в устройство совмеще­
ния и точное их совмещение.
Начало операций и выбор нужного фотошаблона осуществля­
ются по сигналам с Ц П У . Все операции в блоке травления т а к ­
ж е начинаются по сигналам с ЦПУ. Устройства для очистки и
травления сходны и по внешнему виду, и конструктивно. Они
представляют собой р яд емкостей, в которые погружаются п ла­
стины в тефлоновых кассетах. Перенос пластин из емкости в
емкость и в ы д ер ж к а времени выполняются автоматически под
контролем ЦПУ.
Перед блоком диф ф узии имеются устройства (ш кафы), обес­
печивающие хранение межоперационного задела. Пластины по­
мещ аю т в эти устройства после классификации и укладки в к в ар­
цевые кассеты (лод очки). Подача кассет с пластинами из ш к а­
фов межоперационного хранения на конвейер тоннельной уста­
новки очистки п еред диффузионными печами и разгрузка конвей­
ера по выходе из печи осуществляются вручную. Перемещение
пластин от одной печи к другой, выбор нужной печи, загрузка в
печь, выдержки времени, подача газа — выполняются автомати­
чески по си гн алам с ЦПУ . Число сочетаний различных условий
мож ет достигать на этом этапе 600—800.
Выращивание окисных пленок выполняется в четырехкамер­
ной установке с резистивным подогревом по следующему циклу:
предварительный нагрев, создание слоев окиси кремния и боро­
силикатного стекла, охлаждение.
Всего на линии применяют три типа лотков-кассет:
в блоке промывки и травления — компактные, коррозионно­
стойкие и устойчивые к ультразвуковым колебаниям тефлоновые
кассеты;
в блоке ф отолитографии — алюминиевые, плоские и цилинд­
рические кассеты, обеспечивающие подачу пластин без механиче­
ских повреждений;
в блоке дифф узии — кварцевые термоустойчивые кассеты.
Д л я переукладки пластин из кассеты в кассету в линии ис­
пользуются специальны е установки. Таким образом, описываемая
линия не является полностью автоматической, хотя в течение
всего цикла об работки руки оператора не касаются пластин.
В линии удачно решены вопросы транспортировки: пластины
от агрегата к агр е гату передаются с помощью конвейера с авто­
матизированной перегрузкой их из одной кассеты в другую; ч а ­
стично решена т а к ж е проблема хранения пластин для создания
межоперационного з а д е л а перед блоком диффузии.
Все блоки объединены в единый автоматизированный комп­
лекс, управляемый маш иной с ЦПУ.
244
 _____/
г 5 5 **

Рис. 154. Ленты для сборки микросхем:

а — гибкие; б — ж есткие;
/ — выводы; 2 — п олиим идная п р о кл адк а; 3 — поли и м идная пленка; 4 — вывод; 5 — кон­
т а к тн а я площ адка

Создание автоматических линий сборки непрерывного дей ст­

вия возможно при использовании непрерывных лент. Ж естки е
ленты из ковара или никеля толщиной 0,15— 0,3 мм сл у ж а т о с ­
новой для изготовления полупроводникового прибора или м и кр о­
схемы. Гибкие ленты из алюминиевой или медной фольги тол щ и ­
ной 25—50 мкм используют для промежуточных соединений м е ж ­
ду кристаллом и выводами корпуса (или р а м к и ). Гибкие ленты
плакируют слоем пластмассы — полиимида (толщиной 30—
100 мкм), который повышает прочность ленты и позволяет с о х р а ­
нять взаимное расположение соединений (рис. 154). В ленте
штамповкой или травлением изготавливают р ам к у — основу к о р ­
пуса будущего прибора (рис. 154,6). Па основе таких лент о с у ­
ществляют автоматизированную сборку и герметизацию м и кро ­
схем или полупроводниковых приборов. К р и с тал л ы присоединя­
ются непосредственно к площадкам на р а м к а х или через про м е­
жуточную подложку. М онтаж соединений м е ж д у контактными
площадками кристаллов и выводами рам о к выполняется прово­
лочными перемычками или тонкой гибкой лентой — «паучком»
(рис. 154, а). Д л я защиты микросхемы на р а м к е формуется м е ­
таллокерамический корпус, который герметизируется стеклом. Б о ­
лее распространенным методом является герм ети зац ия прибора
пластмассой, которая осуществляется зал и в к о й или трансферным
прессованием.
Схема автоматической линии сборки тран зи сто ра, конструк­
ция которого выполнена на основе рамки, п о к а за н а на рис. 155.
Коваровая лента с катушки 1 роликами 2 п одается в а в то м а т и ­
ческий пресс 3, который производит вырубку выводов. Затем л е н ­
та обезжиривается в парах растворителя в к а м ер е 4. В ваннах 5,
6', 7 концы выводов покрываются золотом и лента промывается.
Затем проводится сушка в печи 8. Н а позиции 9 кристалл п р и ­
соединяется к базовому выводу, а в печи 10 проводится п ай ка.
245
Рис. 155. С хем а автом ати ч еск о й линии сборки тран зи стора

На позиции / / термокомпрессией присоединяются гибкие пере­

мычки. На позиции 12 к прибору приклеивается дно и крышка
корпуса, по к р а я м которых нанесен слой легкоплавкого стекла с
адгезивом. В печи 13 лента проходит термообработку, при кото­
рой связы ваю щ ее вещество выгорает, а стекло оплавляется и сое­
диняет м еж д у собой дно и крышку — герметизирует прибор. З а ­
тем специальным устройством 14 выводы отделяются от рамки
и проводится контроль с помощью установки 15. Устройство 16
вырубает б р ак о в ан н ы е Приборы и н ап равляет их в бункер 17.
На м а рки р овщ и к ах 18, 20 и 22 годные приборы маркируются и
на позициях 19, 21 и 23 перемещаются с металлической ленты
на пластиковые 24, 25 и 26, которые наматываются на катушки
28, 29, 30. П опутно проводят сушку в шкафу 27 и упаковку про­
зрачной лентой 31, 32, 33. Использованная коваровая лента н а­
матывается на катуш ку 34.
Из рассмотренны х примеров видно, что уровень автоматизации
линий зави си т о т степени отработанности технологического про­
цесса и конструкции обрабатываемого изделия.
ГЛАВА 16

П Р О М Ы Ш Л Е Н Н Ы Е РОБОТЫ В П Р О И З В О Д С Т В Е
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ и м и к р о с х ем

1. О БЛ А С Т И ПРИМ ЕНЕНИ Я ПРОМ Ы Ш ЛЕННЫ Х РО БО Т О В

Д л я современного полупроводникового производства

характерна высокая степень автоматизации основных технологи­
ческих процессов, без которой невозможно обеспечить выпуск из­
делий в необходимых количествах и высокого качества, однако
значительная часть вспомогательных операций выполняется еще
вручную. Опыт показывает, что автом атизи ровать многие вспомо­
гательные ручные операции традиционными ср едствам и невозмож­
но, поэтому возникла необходимость в со здании и широком при­
менении промышленных роботов. П ромы ш ленны е роботы для по­
лупроводникового производства должны о тл и ч ать ся прецизион­
ностью, быстродействием, надежностью, м а ло й массой и габ ар и т­
ными размерами, а так ж е удовлетворять треб ов ан и ям вакуумной
гигиены.
Внедрение роботов в полупроводниковое производство и м и к­
роэлектронику является дальнейшим естественным процессом р а з ­
вития механизации и автоматизации путем созд ан и я комплексно­
автоматизированных участков и цехов, у п р ав л яем ы х от ЭВМ и
позволяет полностью автоматизировать ка к отдельны е операции,
так и весь процесс производства в целом.
Наибольшее применение роботы могут найти при выполнении
следующих операций:
вспомогательных — транспортные операции, загрузка и вы ­
грузка изделий на рабочие позиции технологических машин, оп е­
раций складирования;
технологических — сборка (с применением сварки и пайки),
мойка, очистка, окраска и т. п.

2. Х А Р А К Т Е Р И С Т И К И И Н А З Н А Ч Е Н И Е О С Н О В Н Ы Х
С И СТЕМ П Р О М Ы Ш Л Е Н Н Ы Х Р О Б О Т О В

В настоящее время в отечественной и зарубежной про­

мышленности используют широкую н оменклатуру промышленных
роботов, отличающихся по своей конструкции и структуре.
Промышленный робот является автоматической машиной,
представляющей собой манипулятор с перепрограммируемым
устройством управления для выполнения в производственном про­
цессе двигательных и управляющих фукнций, заменяющих а н а ­
логичные функции человека при перемещении предметов произ­
водства и (или) технологической оснастки.
247
 Таким о б р а зо м , промышленный робот является универсаль­
ной технологической системой для выполнения разнообразных
действий, производимых человеком в процессе его трудовой д е я ­
тельности.
Обычно промы ш ленны е роботы в зависимости от их техноло­
гических возмож ностей делят на три поколения. Наиболее про­
стыми яв л яю тс я роботы первого поколения, работающие по ж е ­
сткой програм м е. Роботы второго поколения — адаптивные ро­
боты, способны частично приспосабливаться к окружаю щей об ­
становке и не требую т точного позиционирования и ориентации
деталей в связи с наличием технического зрения. Роботы третье­
го поколения — «разумные» роботы — способны самостоятельно
принимать р еш ен и я для выполнения поставленной задачи.
Различны е авторы отмечают еще до 10— 12-и различных к л а с ­
сификационных признаков, отличающих роботы друг от друга
(например, назначение, зона обслуживания, тип приводов, систе­
ма управления, грузоподъемность и т. д.). Но, несмотря на эти
различия, все конструкции роботов состоят из трех основных си­
стем — исполнительной, управляющей и информационной, отли­
чающихся степенью их совершенства и развития в той или иной
конкретной конструкции.
И сполн ительн ая система состоит из манипуляторов с привод­
ными устройствам и и механизма перемещения всего робота. П о­
следний м еханизм может иногда отсутствовать, тогда робот бу­
дет стационарны м .
М анипуляторы — многозвенные механизмы с управляемыми
приводами по всем степеням подвижности. Автоматическая систе­
ма управления робота приводит в движение манипуляторы и з а ­
ставляет их соверш ать перемещения, подобные движениям рук
человека в процессе его трудовой деятельности.
Робот м о ж е т иметь один, два и более манипуляторов. М ан и ­
пуляторы могут быть выполнены по трем схемам:
с р азд ел ьн ы м и приводами и управлением для каждого подвиж ­
ного соединения звеньев, т. е. д л я каж дой степени подвижности;
схема п рим ен яется для роботов со сложной кинематикой руки,
с приводами небольшой мощности;
с разд ел ьн ы м и приводами, но зависимым управлением по од ­
ной и более степеням подвижности;
с общими приводами по двум и более степеням подвижности;
чаще всего эту схему применяют при необходимости использова­
ния приводов большой мощности.
В роботах используют четыре типа приводов: электромехани­
ческий, пневматический, гидравлический и комбинированный.
Д ля полупроводниковой промышленности одним из важнейших
параметров оценки качества привода является его характеристи­
ка по вакуумной гигиене.
М анипуляторы осуществляют перемещения изделия или заго­
товки относительно основания. Конечное звено манипулятора —
захватное устройство, предназначено для захватывания и у д е р ж а ­
2 48
ния перемещаемого изделия или инструмента. З а х ва т н ы е
устройства обычно выполняют быстросменными. Захватное у с т ­
ройство вместе с устройством его ори ен тирован и я н азы ваю т
кистью.
Одной из основных характеристик робота является число с т е ­
пеней подвижности, определяемое его кинематической структу­
рой. Д л я удобства ан али за и синтеза ц ел есо об разн о кинематику
робота разделить на три составные части: ки н ем атик у основания,
кинематику манипулятора и кинематику кисти.
Кинематика основания. Определяется степенью подвижности
всего робота относительно технологического оборудования. П р а к ­
тика показывает, что обычно бывает достаточным , если основание
робота обладает одной степенью подвижности, т. е. обеспечивает
перемещение робота от одной машины к другой. Обеспечить в ы ­
сокую точность позиционирования в этом с л у ч а е весьма слож но
и у прецизионных роботов основание необходимо делать непо­
движным.
Кинематика манипулятора. О пределяется степенью подвиж но­
сти конца манипулятора с захватом относительно основания р о ­
бота. На выбор кинематической схемы м а н и п у л я то р а основное
влияние оказываю т величина и х арактер необходимых п ерем е­
щений захвата с изделием или инструментом в процессе его п е р е ­
носа.
Д л я перемещения объекта м анипулирования в заданное место
рабочей зоны необходимы три степени подвижности. Причем к и ­
нематические пары должны быть определенным образом сори ен ­
тированы в пространстве, чтобы обеспечить необходимую зону
обслуживания.
Увеличение числа степеней подвижности манипулятора до ч е ­
тырех способствует улучшению маневренности робота и п о з в о л я ­
ет реализовать более сотни различных структурны х вариантов
кинематических схем. Однако при этом м о ж е т снизиться точность
позиционирования.
Кинематика кисти. Кинематика кисти д о л ж н а обеспечить о р и ­
ентирование транспортируемых деталей при их установке в з а ­
данное положение. Поэтому она в значительной степени зав и си т
от кинематики манипулятора, т. е. от трае кто р и и перемещения
детали из начального положения в конечное, и типа прим енен­
ных в нем кинематических пар. Применение в манипуляторе в р а ­
щательных пар с подвижностью относительно различных осей т р е ­
бует применения в кинематике кисти так о го ж е количества в р а ­
щательных пар, что и в манипуляторе со степеням и подвижности
относительно тех ж е координатных осей. Э то необходимо д л я
обеспечения кистью соответствующей ори ен тац ии деталей по у г ­
ловым положениям.
Детали на технологическом оборудовании в основном у с т а н а в ­
ливаются с горизонтальным или в ерти кальн ы м расположением
осей. Поэтому кисть, имеющая две в р ащ а тел ь н ы е степени п о ­
движности относительно этих осей, будет достаточно у н и в ер с ал ь ­
17 З а к . .824 249
 ной. Кисть м а н и п у л я то р а робота обычно содержит в себе и п ри ­
вод захвата. Д в и ж е н и я элементов зах в ата в общее число степе­
ней подвижности робота не включают, так как они не изменяют
пространственного положения детали.
Таким о б р аз о м , кинематическую структуру промышленных ро­
ботов с одним манипулятором и одним захватом можно описать
следующей структурной формулой:
^ ^ос
где п — общее ч исло степеней подвижности робота; п0с', пн\ п к —
соответственно число степеней подвижности основания, манипуля­
тора и кисти.
Опыт промы ш ленной эксплуатации роботов показывает, что
достаточной универсальностью об ладаю т те из них, которые име­
ют 5—7 степеней подвижности.
Универсальными могут быть ка к подвижные, так и стацио­
нарные роботы с тремя степенями подвижности манипулятора и
двумя-тремя степенями подвижности кисти.
Меньшее ч исло степеней подвижности могут иметь специаль­
ные или специализированны е роботы, а большее — высокоманев­
ренные.
Важной характери сти кой робота является его рабочая зона.
Рабочая зона 3 (рис. 156) — это пространство, в котором мож ет
находиться р аб о ч и й орган (захват 2) манипулятора / промыш­
ленного робота при его функционировании и зафиксированном
положении устрой ства передвижения основания. Она определяет­
ся числом степеней подвижности, типом кинематических пар, их

»
Р и с. 156. Типы рабочих зон и систем
координат: <
а — п р ям оугольн ая; б — ц илиндрическая; в —
сф ер ич еская

250
взаимной ориентацией в пространстве и относительными р а з м е ­
рами звеньев манипулятора. Возможны сл едую щ и е типы р а б о ­
чих зон: плоскость, поверхность, парал л ел еп и пед, цилиндр, ш ар
и комбинированные. Тип рабочей зоны зав и си т от используемых
в конструкции кинематических пар и последовательности их р а с ­
положения. К аждому типу рабочей зоны соответствует своя си ­
стема координат — прямоугольная (рис. 1 5 6 ,а ) , цилиндрическая
(рис. 156,6), сферическая (рис. 156, в), у г л о в а я и другие.
Номинальная грузоподъемность робота определяется м а к си ­
мальной массой детали или инструмента, которую может поднять
и удержать робот своим захватом, при обеспечении установлен­
ных значений его эксплуатационных х арактери сти к. Это весьма
важно для машиностроительного производства, но для полупро­
водникового производства, оперирующего с изделиями н езначи­
тельной массы, грузоподъемность — не гл ав н ы й показатель. Н а
основе анализа машиностроительных детал ей разработана к л а с ­
сификация роботов по грузоподъемности. И х д ел ят на сверхлег­
кие, легкие, средние, тяжелые и сверхтяжелы е. О днако в полупро­
водниковом производстве применяют главны м образом сверхлег­
кие, легкие и иногда средние роботы (табл. 15).

Т а б л и ц а 15. Грузоподъемность промышленных роботов, применяемых

в полупроводниковом производстве

Тип робота Грузоподъемность, кг Н азначение

Сверхлегкий 0 ,1 ; 0 ,1 6 ; 0 ,2 5 ; 0 ,4 ;
0 ,6 3 ; 1 ,0
Перемещение изделий основного п р о и з­
водства

Легкий 1,6 ; 2 ,5 ; 6 ,3 ; 10,0

Средний 16; 25; 40; 63; 100 Перемещение деталей в электронном

маш иностроении и в транспортно-пере­
грузочны х системах

Д л я полупроводникового производства и микроэлектроники

при необходимости могут быть разработаны роботы и меньшей
грузоподъемности, чем 0,1 кг.
Погрешность позиционирования о п ред ел яется отклонением
фактического положения захвата м анипулятора от заданного у п ­
равляющей программой при выходе за х в а т а в точку рабочей з о ­
ны или при воспроизведении заданного контура. На этот п о к а з а ­
тель влияет сум марная погрешность позиционирования всех и с­
полнительных механизмов, приведенная к фактическому п о л о ж е ­
нию объекта манипулирования.
17* 251
 Погреш ность позиционирования мож ет оцениваться в линей­
ных или угловы х единицах. Д л я роботов, используемых в микро­
электронике, д опустим ая погрешность позиционирования очень
часто д о л ж н а бы ть существенно меньше ± 0 ,1 мм.
У п р а в л я ю щ и е системы. Цель системы программного ав то м а­
тического уп р ав л ен и я роботом — обеспечить перемещение в р аб о­
чей зоне з а х в а т а манипулятора по заранее заданной траектории.
Эта цель м о ж е т быть достигнута применением различных по
сложности и совершенству управляющих систем, например, ис­
пользованием относительно простых цикловых, позиционных или
контурных систем для роботов первого поколения, или сложных
адаптивных систем с управлением от ЭВМ для роботов второго
и третьего поколений. По компоновочному решению системы уп­
равления могут быть выполнены в виде автономного пульта или
блока уп равлен ия, встроенного в корпус робота.
Системы уп р ав л ен и я могут быть т ак ж е индивидуальные для
управления одним роботом и групповые для управления группой
роботов, используемых совместно с технологическим оборудова­
нием.
И н ф о р м а ц и о н н ы е системы состоят из датчиков и устройств
обработки поступаю щ ей информации. Она в значительной мере
определяет ф ункциональные возможности, сложность решаемых
роботами з а д а ч и обеспечивает безопасность обслуживающего
персонала. Функционально информационная система обеспечива­
ет: восприятие внешней среды, контроль состояния робота и тех­
нику безопасности Обычно датчики устанавливаю т на захвате и
в подвижных звен ьях манипулятора.
Промы ш ленны й робот состоит из большого числа функцио­
нальных м ехан изм ов и элементов, поэтому пространственная ком­
поновка их в р а б о т а х многовариантна.

3. Т Р Е Б О В А Н И Я К РО БОТАМ , П Р Е Д Н А З Н А Ч Е Н Н Ы М
Д Л Я П Р И М Е Н Е Н И Я В ЧИ СТЫ Х П О М Е Щ Е Н И Я Х

П рои зводство полупроводниковых приборов и инте­

гральных микросхем — комплекс разнообразных, значительно от­
личающихся по своей сущности и условиям проведения техноло­
гических о п ерац и й. Так, например, при изготовлении корпусов
приборов или р езк е слитков и шлифовке пластин требования к
вакуумной гигиене в производственных помещениях несколько
снижены. О бы чно эти операции проводятся в помещениях треть­
ей-пятой категори й вакуумной гигиены. Поэтому на заготовитель­
ной стадии производства к оборудованию не предъявляют очень
высоких треб ован ий в отношении ограничения генерации пы ле­
вых частиц. В с в я зи с этим в цехах наряду с технологическим
оборудованием применяют и обычные роботы, используемые в
приборо- и машиностроительных отраслях промышленности. К т а ­
ким роботам п р едъявляю т, главным образом, требование исклю­
чения механических повреждений обрабаты ваемы х изделий, ко-
252
 нечно, при условии, что они имеют соответствующ ие характери-
[ стики по габаритным размерам, точности, грузоподъемности, зо-
1 не обслуживания и т. д.
Несколько более высокие требования п р е д ъ я в л я ю т к пом ещ е­
ниям, а следовательно, и к оборудованию сборочно-контрольной
стадии производства. В этом случае производство изделий о с у ­
ществляется в помещениях второй или третьей категории по в а ­
куумной гигиене. Н а качество собранных п риборов могут вл иять
влага, аэрозоли, находящиеся в воздухе, и состав среды, о б р а з у ­
ющейся внутри корпуса, поэтому сборку п риборов часто осущ е­
ствляют ® защитной среде инертного газа.
Соответствующие требования, исклю чаю щ ие возможность п о ­
явления и попадания внутрь прибора вредны х д ля него веществ,
предъявляют и к технологическому оборудованию . Это же отн о ­
сится и к роботам, которые предполагается использовать на с б о ­
рочно-контрольных операциях. Очень о стор ож н о следует о тн о ­
ситься к применению роботов с пневмоприводом и пневмоавто­
матикой, так как используемый для этих ц елей воздух пневмосе­
тей содержит большое количество влаги и м а с л а , избавиться от
которых практически невозможно д аж е применением специальных
устройств для его очистки. По этим причинам выброс его в а т ­
мосферу цеха становится нежелательным. Н аивы сш и е же т р е б о ­
вания предъявляют к технологическому оборудованию и роботам,
используемым в структурообразующем э тап е производства, т. е.
в стадии формирования активных областей внутри полупроводни­
кового кристалла. Здесь наряду с повышенной точностью к ро-
1 ботам предъявляют требование минимальной генерации пылевых
или аэрозольных частиц в атмосферу чистого помещения. М а к ­
симально допустимые число и размеры этих частиц реглам енти­
руются соответствующими нормами и не д о л ж н ы превышать в е ­
личин, указанных в табл. 1. Естественно, робот в процессе его
функционирования, по крайней мере, в п р е д е л а х зоны его дей ст­
вия, не должен ухудш ать этих характеристик.
Итак, первым и важнейшим требованием к роботам, п р ед н а­
значенным для применения в чистых помещ ениях, является соот­
ветствие числа генерируемых пылевых и аэрозольных частиц
стандарту по вакуумной гигиене для помещ ения, в котором пр ед ­
полагается его эксплуатировать.
Так, например, некоторые зарубеж ны е ф и рм ы считают, что в
помещениях, относящикся по вакуумной гигиене к первой к а тего­
рии, могут использоваться роботы, испускающие не более 360 ча-
. стиц на кубический метр воздуха в минуту размером не более
0,5 мкм. Однако достичь этих показателей чрезвычайно трудно.
Робот, как и всякая производственная м а ш и н а , состоит из б о л ь ­
шого числа перемещающихся друг относительно друга деталей,
кинематических пар, механизмов, пневматических, гидравличе­
ских или электромеханических приводных устройств и т. д. Все
эти элементы, хотя и медленно, но изнаш и ваю тся в процессе р а ­
боты, а выход газа от пневмоприводов и пневмоавтоматики обыч-
253
 но о сущ ествляется прямо в атмосферу цеха. Продукты износа,
смазки и в ы х л о п а — это и есть те загрязняю щ ие чистое помеще- >
ние пылевые и аэрозольные частицы, от которых необходимо и з­
бавиться.
Больш инство роботов, выпускаемых в настоящее время для
нужд приборо- и машиностроительной промышленности, не име­
ет устройств з а щ и т ы от генерируемых роботом пылевых частиц.
Если же робот и имеет какие-либо защ итные кожухи, то их ос­
новное н азн ач ен и е прямо противоположно тому, что требуется
для полупроводникового производства и микроэлектроники. Эти
кожухи п ред н азн ачаю тся в основном для защиты механизмов ро­
бота от пыли и придания ему н адлеж ащ его внешнего вида. Они
не герметичны, многие кожухи при выполнении роботом своих
функций р а б о т а ю т как кузнечные меха, выдувая образовавшиеся
внутри него части ц ы в атмосферу помещения цеха и, более того, •(
сами являю тся источниками загрязнения, испуская довольно ин­
тенсивный поток частиц. Но потребность в роботах для исполь­
зования в чистых помещениях определяет необходимость в д о р а ­
ботке и использовании существующих конструкций. С этой целью
иногда вы п у ск аю т набор деталей для переоснащения некоторых
моделей роботов. В эти наборы входят различные рукава для вы­
движных элем ентов, уплотнительные кольца, герметизаторы, тру­
бы с соответствующими соединениями, спроектированные с целью
улавливания п ылевы х и аэрозольных частиц, выделяемых м еха­
низмами, выхлопом от пневмосистем и другими источниками з а ­
грязнений. По имеющимся данным, такой набор защитных эл е­
ментов позволяет уменьшить эмиссию в окружающую среду ч а ­
стиц диаметром до 0,5 мкм до уровня, меньшего 1850 частиц на
кубический метр в минуту. Но все же это не основное н ап рав л е­
ние в конструировании роботов для полупроводникового произ­
водства. П оэтом у необходимо специально создавать изделия для
работы в чистых помещениях, проектируя их таким образом, что­
бы они не испускали загрязняющих частиц.
Конструкция «чистого робота», естественно, значительно отли­
чается от обычного робота. Эти отличия заключаются в полной
ликвидации или сведении к минимуму числа трущихся поверх­
ностей, герм ети зац ии их рукавами из малопылящих м атери а­
лов, герметизации механических узлов типа редукторов, зубчатых
передач, муфт и других элементов с целью локализации распро­
странения п родуктов износа и применения специальных конструк­
тивных элементов, например таких, как мембраны, сильфоны,
пневматические пружины и т. п. Эти элементы имеют сравнитель­
но небольшой рабочий ход, но он может быть вполне достаточ­
ным для перем ещ ения рабочего органа или другого звена робо­
та, закрепленного на них без каких-либо передаточных устройств,
а только за счет упругой деформации.
Схемы устройства^ перемещения с использованием мембраны,
сильфона и трубчатой пружины (трубки Бурдона) показаны на
рис. 157.
254
Рис. 157. У стройства перемещ ения:
а — м ембранное; б — сильф онное; « — с трубчатой п р у ж и н ой

Выброс отработанного воздуха д о лж ен производиться в с п е ­

циальные трубопроводы, отводящие его из чистого помещения.
Большую роль в создании «чистых роботов» играют и сп ол ь­
зуемые материалы и технология их о б работки . Металлические д е ­
тали и узлы конструкции обрабаты ваю т т ак , чтобы сократить до
минимума возможность отслаивания чешуек материала. Д л я этих
целей пригодны полировка и плотное з е р к а л ь н о е гальваническое
покрытие. Совершенно недопустима кор рози я каких-либо д е т а ­
лей. Высокие требования предъявляют и к лакокрасочным п о ­
крытиям. Л а к и краски, применяемые д л я о кр аски строительных
конструкций в гермозонах, а таж е л ак о к р асо ч н ы е покрытия д л я
роботов должны быть стойкими, иметь хорош ее сцепление с о к р а ­
шиваемыми деталями, не шелушиться, не наб ух ать и не в сп у чи ­
ваться во влажной атмосфере, а так ж е не генерировать пы левы х
частиц.
Неметаллические материалы для р а зл и ч н ы х уплотнений, к о ­
жухов и рукавов так ж е должны оцениваться в отношении м и н и ­
мума выделения частиц в атмосферу чистого помещения.
Итак, в полупроводниковом производстве промышленные р о б о ­
ты в том исполнении, которое принято в приборо- и машино­
строении, можно применять только на заготовительном этапе п р о ­
изводства. Д л я сборочной стадии роботы необходимо модерн и зи ­
ровать с целью снижения числа посторонних частиц, вы деляемы х
в атмосферу чистого помещения, а д ля структурообразую щ его
э т а п а производства больших и сверхбольш их интегральных схем
необходимо созд авать новые «чистые роботы», требования к к о ­
торым по ряду параметров несоизмеримо выше требований,
предъявляемы х к роботам в общепринятом понимании.
255
 С П И С О К ЛИТЕРАТУРЫ I
I

1. А броян И. А., А н дронов А. П., Титов А. И. Ф изические основы эл ектрон ­

ной и ионной тех н о л о ги и . М .: Вы сш ая ш кола, 1984. 320 с.
2. А ндреев В. М ., Д ол ги н ов JI. М., Т ретьяков Д . Н. Ж и дк остн ая эп и та к ­
сия в технологии п ол упровод никовы х приборов. М .: Советское радио 1975.
328 с.
3. Б арил М. А., С ам ой л и к ов В. К. Г азовы е системы оборудования п р о и з­
в одства п ол у п р о в о д н и ко в ы х приборов и интегральны х схем. М.: Э нергия, 1978.
112 с.
4. Бочкин О. И., Б р у к В. А., Н и ки ф орова-Д ени сова С. Н. М еханическая
о бработка п о л у п р о в о д н и к о в ы х м атериалов. М.: В ы сш ая ш кола, 1977. 149 с.
5. Булкин А. Д ., Я кивчи к Н. И. Технология и оборудовани е прои зводства
силовы х п ол у п р о в о д н и к о в ы х приборов. М .: Э н ергоатом и здат, 1984. 255 с.
6. В акуум ны е си л ьн оточн ы е плазменны е устройства и их применение в т ех ­
нологическом о б о р у д о в а н и и м икроэлектроники/И . Г. Блинов, А. М. Д о р о д н о е,
В. Е. М инайчев и д р . М .: Э лектроника, вып. 7 и 8, 1974, 159 с.
7. Волчкевич J1. И., К овалев М. П., Кузнецов М. М. К омплексная а в т о м а ­
ти зац и я п рои зв о д ств а. М .: М аш иностроение, 1983. 269 с.
8. Е рм аков Е. С. Р об оты и манипуляторы электронной техники. М.: В ы с­
ш ая ш кола, 1983. 96 с.
9. Ефимов И. Е., К о зы р ь И. Я. Основы м икроэлектроники. М.: С в язь, 1975.
272 с.
10. И ванов А. А. П р оек ти рован и е систем автом атического м ан ипулирования
миниатю рны ми и зд ел и я м и . М.; М аш иностроение, 1981. 271 с.
11. К амы ш ны й Н. И. А втом атизация загр у зки станков. М.: М аш и нострое­
ние, 1977. 288 с.
12. Киреев В. Ю ., Д ан и л и н Б. С., К узнецов В. И. П лазм охим ическое и
ионно-химическое травлен ие микроструктур. М.: Радио и связь 1983
126 с.
13. К итай город ски й Ю. И., Яхимович Д . Ф. И н ж енерны й расчет у л ь т р а з в у ­
ковы х кол еб ател ьн ы х систем . М.: М аш иностроение, 1982. 56 с.
14. Козы рев Ю . Г. П ромы ш ленны е роботы. С правочник. М.: М аш и н острое­
ние, 1983. 375 с.
15. Корнилов Р. В., С андеров В. Л . Расчет ком плексов о б о р у д о ван и я м и к ­
роэлектроники. М.: Э н ер ги я, 1979. 104 с.
16. К рапухин В. В. П ечи д л я цветных и редких м еталлов. М.: М е тал л урги я,
1980. 320 с.
17. К рапухин В. В., С околов И. А., Кузнецов Г. Д . Ф изико-химические осн о­

256
вы технологии полупроводниковы х м атери ал ов. М .: М етал л урги я, 1982.
352 с.
18. К расулин Ю. Л ., Назаров Г. В. М и к р о св а р к а давлением. М.: М етал л у р ­
гия, 1976. 160 с.
19. Кривандин В. А., Филимонов Ю. Л . Т ео р и я кон струкц и и и расчеты м е ­
таллургических печей, т. I, М.: М еталлургия, 1978.
20. Кузнецов В. И., Немилов Н. Ф„ Шемякин В. Е. Э ксп л уатац и я в а к у у м ­
ного оборудования. М.: Энергия, 1978. 207 с.
21. Курносов А. И. М атериалы дл я п ол у п р о в о д н и к о в ы х приборов и интег­
ральны х схем. М.: В ы сш ая ш кола, 1980. 327 с.
22. Курносов А. И., Юдин В. В. Т ехнология п р о и зв о д с тв а полупроводнико­
вых приборов и ин тегральны х микросхем. М.: В ы сш ая ш кола, 1979. 367 с.
23. Л аб ун ов В. А., Д анилович Н. И. С оврем ен н ы е системы ионной и м п л а н ­
тации. З а р у б е ж н ая электрон ная техника, Вып. 3 (2 4 9 ). М .: Ц Н И И « Э л ек т р о н и ­
ка», 1982, с. 3 - 1 0 2 .
24. Л аб ун ов В. А., Д анилович Н. И., Грош ов В. В. М ногопучковы е и о н н ы е
источники д л я систем ионного травления — расп ы л ен и я. З а р у б е ж н а я э л е к т р о н ­
н ая техника, Вып. 5 (2 5 1 ). М.: 1982, Ц Н И И «Э л ек тр о н и к а» , 1982, с. 82— 120.
25. Л аб ун ов В. А., Рейосе Г. И онно-лучевые источники д л я об р аб о тк и п о ­
верхности тверды х тел и получения тонких пленок. З а р у б е ж н а я э л е к т р о н н а я
техника, Вып. 1 (247), М.: Ц Н И И Э лектроника, 1982, с. 3 — 42.
26. Л ннчевский Б. В. Техника м еталл урги ч еского эксперим ента. М .: М е ­
таллурги я, 1979. 256 с.
27. Лоднз Р., Паркер Р. Рост м онокристаллов. М .: М ир, 1974. 540 с.
28. М инайчев В. Е. Вакуумны е крионасосы . М .: Э нерги я, 1976. 151 с.
29. М оряков О. С. У стройство и н а л ад ка о б о р у д о в а н и я и п о л у п р о в о д н и к о ­
вого производства. М.: В ы сш ая ш кола, 1981. 336 с.
30. Мягков А. Т., Корсетов Е. М. Х и м ико-технологи ческая а п п а р ат у р а м ик­
роэлектроники. М .: Э нергия, 1979. 312 с.
31. Назаров Г. В., Гревцев Н. В. С в ар ка и п а й к а в м икроэлектронике. М .:
Советское радио, 1969. 192 с.
32. Наш ельский А. Я. Технология пол уп ровод н и ковы х м атериалов. М .: М е ­
таллурги я, 1972. 432 с.
33. Н иколаев И. М. О борудование и техн о л о ги я прои зводства п о л у п р о в о д ­
никовых приборов. М .: В ы сш ая ш кола, 1977. 269 с.
34. Оборудование полупроводникового п р о и зв о д с т в а /П . Н. М асленников,
| К. А. Л ав р ен тьев ) , А. Д . Гингис и др. П о д р ед ак ц и ей П. Н. М асленникова.
М.: Ради о и связь, 1981. 336 с.
35. Р о б о то тех н и к а/Ю . Д . А дрианов, Э. П . Б о б р и к о в , В. Н. Г он чарен ко и
др. П од редакцией Е. П . П опова, Е. И. Ю рьевича. М .: М аш иностроение, 1984.
288 с.
36. Розанов Л . Н. В акуумны е машины и у с тан о в к и . Л .: М аш и ностроение,
1975. 336 с.
37. Современные магнетронны е распы лительны е у с т р о й с т в а /В. А. Л а б у н о в ,
Н. И. Д анилович, А. С. Уксусов, В. Е. М инайчев. З а р у б е ж н а я электрон н ая т е х ­
ника. Вып. 10 (256), М .: Ц Н И И «Э лектроника», 1982, с. 3— 62.
38. Степаненко И. П. Основы м икроэлектроники. М .: С оветское ради о, 1980.
424 с.

257
 39. Сысоев В. В. А втом атизи рованн ое П роектирование линий и ком плектов
о б оруд ован и я п о л у п р о в о д н и к о в о го и м икроэлектронного производства. М .: Р а ­
дио и связь, 1982. 1 2 0 'с.
40. Технология и а п п а р ату р а газовой эп итаксии кремния и гер м ан и я/
И . М. С кворцов, И . И . Л ап и д у с , Б. В. Орион и др., М .: Энергия, 1978. 134 с.
41. Уфимцев В. Б., Акчурин P. X. Ф иэико хим ические основы ж и дкоф азн ой
эпитаксии. М .: М е т а л л у р ги я , 1983. 222 с.
42. Черняев В. Н., Кожитов Л. В. Технология эпитаксиальны х слоев ар-
сенида гал л и я и п р и б о р ы н а их основе. М.: Энергия, 1974.
43. Чистяков Ю. Д ., Райнова Ю. П. Ф изико-хим ические основы техн ол о­
гии м икроэлектроники. М .: М еталлурги я, 1979. 408 с.
44. Ш аум ян Г. А. К ом плексная автом атизаци я производственны х процессов.
М .: М аш иностроение, 1973. 639 с.
45. Шашков Ю. М. В ы ращ ивание м онокристаллов методом вы тягивания.
М.: М етал л урги я, 1982. 312 с.
46. Электронно-лучевая технология в изготовлении м икроэлектронны х при-
бо р о в /Д ж . Р. Б р ю эр , Д . С. Грннич, Д . Р. Х ерриот и др. П од ред. Д ж . Р . Б р ю ­
эра: П еревод с ан гл . М .: Р а д и о и связь, 1984. 336 с.
47. Электрофизические и электрохимические м етоды обработки м атериалов
(в двух т о м а х )/Б . А . А ртам о н о в Ю. С. Волков, В. И. Д р о ж а л о в а и д р ./П о д ред.
В. П. С олом енцева. М .: В ы сш ая ш кола, 1983, т. I, 247 с., т. II, 208 с.
 ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

А — — диф ф узи онны е

------- ту р бом ол ек ул ярн ы е
А втом атическая линия ------- м агн и то р азр яд н ы е
-------с гибкой связью ------криогенны е
-------с ж есткой связью В ибр ац и о н н ая обработка
— — разделенн ая на участки — с пром ы ш ленной частотой
А втом атическая линия сборки т р а н ­ — с У З частотой
зисторов В ихревы е токи
А втом атизи рованн ая поточная линия ------- глуб и н а проникновения
диффузии В о д а д еиони зированная
--------------- ф ункциональны й состав ------- м ар к и
.---------- -— .конструктивное исполнение ------- удел ьн ое сопротивление
--------------- устройство смены кассет В ы р ащ и в ан и е м онокристаллов
---------------модули пы лезащ иты ------- м етодом Ч охральского
Агрегат ------- м етодом Б ри д ж м ен а
А даптивные сварочны е работы
А ппаратура газовы х систем
----------- ф ильтры Г
----------- дозаторы
-- — -------------- ^смесители Г азо в о е тр авл ен и е
-----------регуляторы давлени я ------- особенности конструи ровани я
----------- регулятор расх о д а систем
----------- ротам етр Г азо в ы е системы
----------- трубопроводы Г ен ер ато р д л я ВЧ нагрева
АСУТП н аращ и ван и я эпитаксиальны х — эл ектром аш н нны й
структур — ионны й
— тиристорн ы й
Б — искровой
— л ам п о вы й
Бы строта действия насоса Г ерм озон а
Г р ад и ен т
В — осевой
— р ад и ал ьн ы й
Вакуум
— низкий Д
— средний
— высокий Д а т ч и к и процесса
— сверхвысокий — р а с х о д а водорода
В акуум н ая система — кон ц ен трац и и паров
— — схема — вы сокочастотной мощ ности
-------элементы Д и о д н ы е системы травлен ия
------- расчет ------------с катодн ой связью
-------классиф икация ------------с анодной связью
-------проектирование Д и ф ф у зн ы й комплекс
Вакуумные насосы ------- тр еб о в а н и я к конструкци и
------- механические с масляны м уп ­ ------- применяем ы е м атериалы
лотнением
 Д и ф ф у зи я --------------- м еханизм а подачи и об­
— коэф ф ициент ди ф ф узи и резки проволоки
--------------- м анипулятора
И --------------- м еханизм а подачи к р и стал ­
лов
И н дуктор ------------— системы наблю дения
— конструкция --------------- рабочего инструмента
— применение К ом пановка автом атических линий
И ндукционны й н агрев К онструкция теплового узла
----------- область применения К онтроль геометрических п ар ам ет­
И н тенсиф икация проц есса очистки ров пластин
------------гидром еханическим в о зд е й ­ Криогенный насос
ствием
----------- гидравлическим воздействием
----- 1------ подогревом р е аген та Л
------------применением ви брац и й Л иния
------------применением м еш алок — поточная
И о н н ая им плантация — м ехани зированная
------- на установках с доускорен и ем — ком плексно-м еханизированная
------- на установках с послеускоре- — авто м ати зи р о в ан н ая
нием —г непреры вно-поточная
------- элементы систем — преры вно-поточная
------- парам етры систем — с ж естки м ритмом
------- деф ектность реш етки — со свободны м ритмом
И он ны е источники — одн опредм етная
И он ное травление — м ногопредм етная
------- ионно-плазм енное
------- ионно-лучевое
------- ионно-химическое М
И он но-лучевая л и то гр а ф и я М агнитный поток
И спы тани я на герм етичность М агн иторазрядны й насос
И сточники теплового и злучен ия М агнитострикционны е излучатели
----------- резистивные М аксим альное (критическое) вы пуск­
----------- газо р азр яд н ы е ное давл ен и е насоса
И сточник распы ления М етоды направленной кри стал л и за­
------- резистивный ции
------- электронно-лучевой -----------Б р и д ж м ен а
------- диодный ----------- Ч охрал ьского
------- триодный ----------- зонной плавкой
------- магнетронны й -----------в ертикальной безтигельной
зонной плавкой
К М етоды контроля соединений
----------- разруш аю щ и е
К а сс ет а ж идкоф аэн ой эп и так си и ----------- не разруш аю щ ие
----------- порш невая ----------- критерии оценки качества
------------горизонтальная с порш невой М етоды нанесения фоторезиста
частью М етоды о саж д е н и я пленок в вакуум е
К инетика нагрева пластин М етоды прои зводства
К лассиф икация производствен ны х -------непоточный
помещ ений -------поточный
------------по м икроклим ату М етоды делен ия линий на участки
------------по чистоте возду ш н о й среды М еш алки
К лассиф икация ш ли ф овальн ы х с та н ­ — лопастны е
ков — пропеллерны е
К ом плекс оборудования — турбинны е
------- состав М икроскопы контрольны е — шины
------- униф икация М еханические насосы
К онструкц ии узлов сборочн ого о б о ­
р у д о в ан и я Н
----------------рабочего с тол и ка Н агрев
---------------- механизм а д а в л е н и я — индукционны й
260
I
------- коэф ф ициент трансформации -------------- - с «паучковы ми» в ы в о д а м и
-------К П Д П ечи сопротивления ■
------- удельная м ощ ность •------- прям ого нагрева
— резистивный ------- косвенного нагрева
— электронно-лучевой П л а зм а
у д ел ьн ая мощ ность — свойства
— лазером — парам етры
•— плазмой — н и зкотем пературная
— лучистый П редел ьн ое осаточное д а в л е н и е
------- характери сти ки источников и з­ П рои зводительнось насоса
лучения П лазм охим ическое тр ав л ен и е
-------К П Д анизотропия
Н агревательны е элементы П л ан етар н ы й механизм ш ли ф оваль­
-------граф итовы е ного станка
------- из проволоки П ол ировал ьны е станки
------- из ленты П олирование
Н аибольш ее рабочее давление насоса — электрохимическое
Н агреватель проточный — химнко-динамическое
------- структура П о точн ая линия
— толщ ина П ол уав том аи ческ ая (а в т о м а т и з и р о ­
Н аруш енный слой в а н н а я ) линия
П ром ы ш ленны й робот
О ------- технологические в о зм о ж н о с т и
------- исполнительная систем а
О борудование дл я очистки ----------- — м анипулятор
----------- установки --------------------схемы вы п ол н ен и я п р и ­
----------- агрегаты водов
----------- периодического действия ------- кинем атика основания
----------- непреры вного действия ------- кинем атика м ан и п у л ят о р а
-----------с проточными камерами ------- кинем атика кисти -
------------------- прямоточны ми — — число степенен п о д ви ж н о сти
------------------- противоточными рабочая зона
----------- узловой с о став ------- грузоподъемность
----------- требован и я к конструкции ------- погреш ность п о зи ц и о н и р о в ан и я
О риентация слитков ------- управляю щ ая система
-------оптическим методом ------- инф орм ационная си стем а
-------рентгеновским методом П роявл ен и е ф оторезиста
-------точность П ы л езащ и тн ая кам ера
Особенности полупроводникового ------- для обычных операций
производства ------- д л я химических оп ер ац и й
О ткачка химически активны х газов П ы л езащ и тн ая линия
Очистка П ьезокерам нческие У З и зл у ч а т е л и
— обезж ириванием — м атериалы
— травлением — типы
— отмывкой — мощ ности излучения

П Р

П еремеш иваю щ ие устройства Рабоч ие ж идкости д и ф ф у зи о н н ы х н а ­

-------типы сосов
-------эф ф ективность Распы ли тели (ф орсунки)
-------равн ом ерность перемеш ивания — невматические
-------конструктивны е характеристики — гидравлические
П ерспективны е способы сборки м ик­ — механические
росхем Р еакторы газовой эп итаксии
--------------- с ш ариковы м и выводами — горизонтальны й
--------------- со столбиковы м и вы во­ — вертикальны й
дами Р е а к т о р ы ж идкоф аэной э п и т а к с и и
--------------- с балочны ми выводами Р е зк а монокристаллов
--------------- с пром еж уточной п о д л о ж ­ ------- диском с внутренней а л м а з н о й
кой реж ущ ей кромкой
261
--------крепление инструмента Тепловой К П Д печи
--------преим ущ ества Тепловые потоки
--------реж и м ы резан ия -------к ристалла
--------реж ущ и й инструм ент -------р асп л ава
------- - стойкость инструм ента Теплота кр и стал л и зац и и
--------схем а резки Термическое окисление
Р е н тге н о л и то гр а ф и я Т срм ообрабока ф оторезиста
— д л и н а волны излучения -------терм оком прессионная
— источники геометрических иска­ ------ И К -излучением
ж ен и й Техническая система предприятия
Реф лекторы -----------компоненты
--------цилиндрические -----------место среди других систем
--------пораболические -----------уровни разви ти я
-------- плоские Технологически чи стая поверхность
Р еп р о гр ам м и р у ем ы е сварочн ы е ро­ Травление
боты — химическое
Р оботы — химико-динамическое
— о б л асти применения — динамическое
— об щ его назначения — полирую щ ее (см. ионное травле­
— д л я чисых помещений ние)
Требования к оборудованию с ис­
С пользованием пы лезащ итны х
С в а р о ч н а я установка (м ехан и зм ы устройств
-------- рабочий столик Токи высокой частоты
-------- м еханизм давлени я Турбом олекулярны й насос
-------- м еханизм подачи и о б р езк и
проволоки У
-------- м анипулятор
-------- м еханизм подачи к р и стал л о в Удельная поверхностная мощность
--------система наблю дения Установка
С бороч н ы е машины Установка в ак уум н ого напыления
С и стем а ионно-лучевого тр ан с п о р т а -----------конструкционны е материалы
С и с те м а нагрева -----------испарители
С истем ны й подход к проекти рован и ю -----------в ак у у м н ая система
С к о р о с ть вы тягивания ---------- : п о д л о ж к о д е р ж а тел ь (б а р а ­
С оед и н ен и я в микросхемах бан)
------------разм еры -----------системы вращ ения бараб ан а
------------ требования Установка совм ещ ения и экспониро­
------------м атериалы вания
С пособы резки м онокристаллов --------------- м еханизм поштучной вы ­
С т а д и и полупроводникового п р о и з­ дачи пластин
в о д с тв а --------------- м еханизм вертикальны х
------------заготови тел ьн ая перемещений пластин
------------с тр ук турообразую щ ая --------------- осветитель
------------сборочно-контрольная Устройства ускорени я ионов
------------ характерисикн У льтразвуковы е излучатели
С т а н к и одностороннего ш л и ф о в ан и я -------методы крепления
С т а н к и двустороннего ш л и ф о в ан и я -------назначение
С труктурн о-техн ол оги ч еская схем а -------пьезокерамические
п р о и зв о д с тв а микросхем -----------м атери ал ы
С у х а я очистка -----------мощ ности излучения
------- физическим методом -----------многослойные
---------------- отж игом ------ магнитострикционны е
---------------- ионным распы лением ------- рабочие тем пературы
------- химическим методом ------- интенсивность излучения
С хем ы компоновки стан к ов резки -------повыш енной частоты
сл и тк о в
Т Ф
Т енд ен ции развития оборудования Ф отолитограф ия
м икроэлектрон ики — к онтактная
262
— с зазором ------- вы бор покры тий
— проекционная — — вы бор конструктивного ИСПОЛ'
Ф оторезист н ен и я
— негативны й
— позитивный Ш
— терм оком прессионная суш ка 227
— и К -с у ш к а Ш ероховатость поверхности
Ф ронт кристаллизации Ш лиф ование
— одностороннее
— двустороннее
Ц — врезное
— торцевое
Ц ентриф уга д л я нанесения ф оторе­
зиста
--------------- на одну пластину Э
--------------- на группу пластин
Ц ентриф уги д л я химической обра­ Э кран ировка
ботки за к р ы та я
--------------- обл асти применения — откры тая
--------------- приводы вращ ения — акти вн ая
•---------------конструкции узлов крепле­ — пассивная
ния пластин Э л ек тр о д в и ж у щ ая си л а
--------------- конструкции узлов обра­ Э лектронная пуш ка
ботки Э лектронны й луч
— парам етры
Ч — б ал ан с мощности
Э лектронно-лучевая л и т о гр а ф и я
Ч и стая ком ната ------- растровы м скан и р о ван и ем
Ч истота отмы вки (методы контроля) ------- векторным скан и р о ван и ем
Чистый коридор ------- разреш аю щ ая сп особ н ость
Чистый робот ------- производительность
-------вы бор м атериалов -------методы совм ещ ения
------- вы бор м етодов обработки ------- область применения
 У Ч Е Б Н О Е П О С О БИ Е

И ван Григорьевич Блинов,

Л е в Васильевич К ож итов
О БО РУ Д О В А Н И Е П О ЛУ П РО В О Д Н И К О В О ГО П РО И ЗВО ДСТВА

Р е д а к т о р Л . П. С т р о г а н о в
Х удож ественны й р ед ак то р С. С. В о д ч и ц
Т ехнические редакторы А. С. Д а в ы д о в а , Л. А. М а к а р о в а
К орректоры Н. Г. Б о г о м о л о в а и Л. Л. Георгиевская
ИБ № 4229

С д а н о в н або р 10.11.86. П о дп исано в п еч ать 13.03.86. Т-04900. Ф орм ат 6 0 х 9 0 '/и Б ум ага

о ф с е т н а я N4 2. Гарнитура л и т е р а ту р н а я . П е ч а ть офсетная.У ел. печ. л. 16,5. Уел. кр.-отт. 16,5.
У ч.-и зд . л . 18,32. Т и раж 11 000 экз. З а к а з 824 Цена I р.

О рдена Трудового К р асн о го З н ам ен и издательство «М аш иностроение», 107076,

М о сква, С тромынский пер., 4
М о ско в ская тип ограф и я ЛА в С ою зполиграф прома при Государственном комитете
С С С Р по д ел ам и зд ател ьств, полиграф ии и книжной торговли, 109088, М осква,
Ю ж и о п о р то в а* ул.. 24.