КАТАЛОГ ИЗДЕЛИЙ

Содержание

Изделия общепромышленного применения ....................................................................................... 2

Полевые n-канальные транзисторы ...................................................................................2
Диоды Шоттки.........................................................................................................................3
Новые диоды Шоттки ............................................................................................................4
Быстровосстанавливающиеся диоды .................................................................................4
Силовые модули ......................................................................................................................5
Биполярные транзисторы (n-p-n) ........................................................................................6
IGBT...........................................................................................................................................6
ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы ..................................................................7
Стабилизаторы напряжения.................................................................................................8
Автомобильная электроника................................................................................................8
Изделия специального назначения....................................................................................................... 9
Полевые n-канальные транзисторы ...................................................................................9
Диоды Шоттки.......................................................................................................................10
Быстровосстанавливающиеся диоды ...............................................................................11
Изделия в стадии разработки и/или освоения.................................................................11
Бескорпусные изделия .........................................................................................................12
Биполярные транзисторы ...................................................................................................13
ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы ................................................................14
Интегральные микросхемы ................................................................................................14
ИС серии 106 и ОС106 ......................................................................................................14
ИС серии 134 и ОС134 ......................................................................................................15
ИС серии 1504 и ОС1504 ..................................................................................................15
ИС серии 1505 и ОС1505 ..................................................................................................16
ИС серии 5574 ....................................................................................................................17
ПЛИС...................................................................................................................................18
Габаритные чертежи корпусов............................................................................................................ 19
 Изделия общепромышленного применения
Полевые n-канальные транзисторы
Тип Аналог VDS, В ID @TC=25°C, А RDS(on), Ом PD @ TC=25°C, Вт Корпус
КП707А1 400 151 1
КП707Б1 600 101 2 50
КП707В1 800 71 3
КП707В2 650-800 6-91 2,3-3
КТ-28-2
КП707Г1 700 81 2,5
КП707Д1 500 12 1,5 50
КП707Е1 750 8 5
КП767А IRF620 200 5,2 0,8
КП767А9 200 4,5 0,8 42 КТ-89
КП767Б IRF630 9 0,4 74 КТ-28-2
200
КП767В(В91) IRF640 18 0,18 125 (КТ-90)
КП767Г IRF624 2,8 1,1 50
250
КП767Д IRF634 8,1 0,45 74 КТ-28-2
КП768А IRF720 400 3,3 1,8 50
КП768А9 400 2,8 1,8 42 КТ-89
КП768Б IRF721 350 1,8
КП768В IRF722 400 3,3 50
2,5
КП768Г IRF723 350
КП768Д IRF730 400 КТ-28-2
1
КП768Е IRF731 350 (КТ-90)
5,5 74
КП768Ж IRF732 400
1,5
КП768И IRF733 350
КП768К(К91) IRF740 400 10 0,55 125
КП768Л IRF741 350 0,55
КП768M IRF742 400 10 125
0,8 КТ-28-2
КП768Н IRF743 350
КП769А IRF520 100 9,2 0,27 60
КП769А9 100 7 0,27 42 КТ-89
КП769Б IRF530 14 0,16 88 КТ-28-2
100
КП769В(В91) IRF540 28 0,077 150 (КТ-90)
КП770А IRF820 500
3
КП770Б IRF821 450
2,5 50
КП770В IRF822 500
4
КП770Г IRF823 450
КП770Д IRF830 500
1,5
КП770Е IRF831 450
4,5 74
КП770Ж IRF832 500
2,5
КП770И IRF833 450
КП770К 500
0,85 КТ-28-2
КП770Л 450
10 125
КП770М 500
1
КП770Н 450
КП782А 50
10 0,2 43
КП782Б 60
КП782В IRFZ20 50
17 0,1 60
КП782Г IRFZ24 60
КП782Д IRFZ30 50
30 0,05 88
КП782Е IRFZ34 60
КП790А IRFP150 100 41 0,055 230
КП793А IRFP250 30 0,085 190
200
КП793Б 22 0,12 150 КТ-43В
КП794А IRFP350 400 16 0,3
190
КП795А 500 14 0,4
КП809А(А2) 400 251 0,3 100 (150)
КТ-9 (КТ-43В)
КП809Б(Б2) 500 201 0,6 100
КП809Ж(Ж2) 450 251 0,4 100(50) КТ-9 (КТ-43В)
КП812А1 50 0,028 125
КП812Б1 60 40 0,035 КТ-28-2
КП812В1 35 0,05
100
КП813А(А2) 0,12
200 18 КТ-9 (КТ-43В)
КП813Б(Б2) 0,18
Примечание 1 - Импульсный ток стока

2
Диоды Шоттки (сборки - общий катод)
Значения параметров приведены для диода или диода сборки (в скобках - для сборки)
VFM @ IF(AV) IRM @ VRRM, мА
Тип Аналог IF(AV), А VRRM, В Корпус
TC=25°C, А TC=25°C TC=125°C
КД238АС/ЭВ 25
КД238БС/ЭВ (2x7,5) 0,65 35 1 101 КТ-28-2
КД238ВС/ЭВ 45
КД268А(АС) 0,65 25
КД268Б(БС) 0,75 50
1 10
КД268В(ВС) 0,85 75 КТ-28-1
3(2x3)
КД268Г(ГС) 0,9 100 (КТ-28-2)
КД268Д(ДС) 0,95 150 1,5 15
КД268Е(ЕС) 1 200 2 20
КД269А(АС), АС912 0,65 25
КД269Б(БС), БС912 0,75 50
1 10
КД269В(ВС), ВС912 0,85 75
5(2x5)
КД269Г(ГС), ГС912 0,9 100
КД269Д(ДС), ДС912 (10CTQ150) 0,95 150 1,5 15
КД269Е(ЕС), ЕС912 1 200 2 20
КД270А(АС) 0,65 25
КД270Б(БС) (MBR1515CT) 0,75 50
1 10
КД270В(ВС) 8TQ080 0,85 75
7,5(2x7,5)
КД270Г(ГС) 8TQ100 0,9 100
КД270Д(ДС) 0,95 150 1,5 15
КД270Е(ЕС) 1 200 2 20
КД271А(АС) 0,65 25 КТ-28-1
КД271Б(БС) (MBR2045CT) 0,75 50 (КТ-28-2)
1 10
КД271В(ВС) (MBR2080CT) 0,85 75
10(2x10)
КД271Г(ГС) (MBR20100CT) 0,9 100
КД271Д(ДС) (20CTQ150) 0,95 150 1,5 15
КД271Е(ЕС) , ЕС912 (MBR20200CT) 1 200 2 20
КД272А(АС) 0,7 25
КД272Б(БС) (30CTQ045) 0,8 50
1 10
КД272В(ВС) (30CTQ080) 0,9 75
КД272Г(ГС) (30CTQ100) 0,95 100
15(2x15)
КД272Д(ДС) 1,05 150 1,5 15
КД272Е(ЕС) 1,15 200
КД272Ж(ЖС) 250 2 20
1,2
КД272И(ИС) 300
КД273А(АС), АС912 0,7 25
2 20TQ045
КД273Б(БС), БС91 0,8 50
(40CTQ045) 1 10
2 КТ-28-1
КД273В(ВС), ВС91 20(2x20) 0,9 75
(КТ-28-2)
КД273Г(ГС), ГС912 (43CTQ100) 0,95 100
КД273Д(ДС), ДС912 (40CTQ150) 1,05 150 1,5 15
КД273Е(ЕС), ЕС912 1,15 200 2 20
КД289А(АС) 0,65 25
КД289Б(БС) 0,75 50
1 10
КД289В(ВС) 0,85 75 КТ-28-1
1(2x1)
КД289Г(ГС) 0,9 100 (КТ-28-2)
КД289Д(ДС) 0,95 150 1,5 15
КД289Е(ЕС) 1 200 2 20
КД290А(АС) 0,65 25
КД290Б(БС) 0,75 50
1 10
КД290В(ВС) 0,85 75 КТ-28-1
2(2x2)
КД290Г(ГС) 0,9 100 (КТ-28-2)
КД290Д(ДС) 0,95 150 1,5 15
КД290Е(ЕС) 1 200 2 20
Примечания 1 - TC=100°C. 2 - Корпус КТ-90.

3
Новые диоды Шоттки (сборки - общий катод)
Значения параметров приведены для диода или диода сборки (в скобках - для сборки)
VRRM,, IF(AV), IFSM, EAS, RthJC, VFM @ IF(AV), В IRM @ VRRM, мА Корпус
Тип Аналог
В А А 1 мДж 2 ºC/Вт TС=25°С TС=125°С TС=25°С TС=125°С
КД271ГС2
MBR20100CT 100 150 130 3,3 0,83 0,73 0,005 6
(КД271ГС91)
(2x10)
КД271ЕС2
200 120 2,5 3,3 0,89 0,79 0,005 5
(КД271ЕС91)
КТ-28-2
КД272ЕС2
200 (2x15) 150 2,5 3 0,89 0,79 0,005 5 (КТ-90)
(КД272ЕС91)
КД273КС 30CTQ045
45 250 150 2,5 0,77 0,67 0,015 15
(КД273КС91) (30CTQ045S)
(2x30)
КД273ЛС
63CTQ100 100 220 130 2,5 0,90 0,80 0,015 15
(КД273ЛС91)
КД272Д2
150 15 220 80 3 0,85 0,75 0,005 5
(КД272Д91) КТ-28-1
КД273Л (КТ-90)
100 30 220 130 2,5 0,90 0,80 0,015 15
(КД273Л91)
КД273МС3 40CPQ045 45 320 150 2,5 0,77 0,67 0,030 30
КД273НС3 100 300 130 2 0,89 0,79 0,020 15
(2x40)
КД273ПС3 150 280 80 2 0,95 0,85 0,015 15 КТ-43В
КД273РС3 200 250 2,5 2 0,95 0,85 0,015 15
КД273С3 150 60 500 80 1,5 0,95 0,85 0,050 50
Примечания
1 - Однополупериодный синусоидальный импульс длительностью 10 мс, TС=25°С
2 - TC =25 °C, IAS=2 А, L=10 мГн.

Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки - общий катод)

Значения параметров приведены для диода или диода сборки (в скобках - для сборки)
VFM @ IF(AV) IRM @ VRRM, мА
Тип Аналог IF(AV), А VRRM, В trr, нс Корпус
TC=25°C, В TC=25°C TC=125°C
КД640А(АС) 400
КД640Б(БС) 500
HFA08TB60
КД640В(ВС) 600
(HFA16TA60C) 1,7 8
КД640Г(ГС) 700 КТ-28-1
КД640Д(ДС) 8(2x8) 800 0,5 60 (КТ-28-2)
КД640Е(ЕС) 550
КД640Ж(ЖС) 900
КД640И(ИС) 3 1000 5
КД640K(KC) HFA08TB120 1200
КД640ВС91 1,7 600 8 КТ-90
КД641А(АС) 400
КД641Б(БС) 500
HFA15TB60
КД641В(ВС) 600
(HFA30TA60C) 1,7 КТ-28-1
15(2x15)
КД641Г(ГС) 700 (КТ-28-2)
КД641Д(ДС) 800 0,5 8 60
КД641Е(ЕС) 550
КД641Ж(ЖС) 1,3 400
КД641АС91 400
КД641БС91 (2х15) 1,7 500 КТ-90
КД641ВС91 600
КД644А(АС) 1,05 200 50
КД644Б(БС) 1,2 300
60
КД644В(ВС) 1,3 400
КТ-28-1
КД644Г(ГС) 25(2x25) 500 0,5 10
(КТ-43В)
КД644Д(ДС) 550
1,7 75
КД644Е(ЕС) HFA25TB60 600
КД644Ж(ЖС) 700
КД663АС9 (2х1) 1,5 600 0,1 1 60 КТ-89

4
Силовые модули
Силовые модули на полевых транзисторах
Тип Аналог VDS, В ID, А IDM, А RDS(on), Ом PD @ TC=25°C, Вт RthJC, ºC/Вт Корпус
МТКП1-200-0,55 55 200 600 0,001 500 0,25
МТКП1-150-0,6 IRFK4H054 150 450 0,008 400 0,31
60
МТКП1-200-0,6 200 600 0,005 500 0,25
МТКП1-80-2 IRFK4H250 80 240 0,022 403 0,31
200
МТКП1-100-2 100 300 0,017 500 0,25 TO-244 Мод.1
МТКП1-50-4 IRFK4H350 50 150 0,075 400 0,31
400
МТКП1-70-4 70 210 0,05 500 0,25
МТКП1-36-5 IRFK4H450 36 108 0,15 403 0,31
500
МТКП1-50-5 50 150 0,1 500 0,25
Силовые модули на диодах Шоттки
Значения параметров приведены для диода или элемента модуля (в скобках - для модуля)
VFM @ IF(AV) IRM @ VRRM, мА RthJC,
Тип Аналог VRRM, В IF(AV), А Корпус
TC=25°C, В TC=25°C TC=100°C ºC/Вт
МД4-200-0,5 50 0,75
МД4-200-0,75 75 0,8
(0,4)
МД4-200-1 203CMQ100 100 100(2x100) 0,9 3 40
TO-244 Мод.2
МД4-200-1,5 209CMQ150 150 1
Изолированный
МД4-200-2 1,15 (0,25)
МД4-240-2 200 120(2х120) 1.2 3 0,45
0,15
МД4-360-2 180(2x180) 1,1 1 (0,35)
МПД4-240-0,5 50 0,75
МПД4-240-0,75 75 0,8
4 40 (0,25)
МПД4-240-1 203CNQ100 100 0,9
120(2x120) TO-244 Мод.3
МПД4-240-1,5 209CNQ150 150 1
Неизолированный
МПД4-240-2 200 1,15
0,5
МПД4-240-3 1,2 3 40
300
МПД4-150-3 75(2x75) 1,3 0,7
МПД1-120-0,5 120 4 40
0,4
МПД1-150-0,5 50 150 0,75 5 50
МПД1-180-0,5 180 6 60 0,3
МПД1-120-0,75 120 4 40
0,4
МПД1-150-0,75 75 150 0,8 5 50
МПД1-180-0,75 180 6 60 0,3
МПД1-120-1 123NQ100 120 4 40
0,4
МПД1-150-1 100 150 0,9 5 50
МПД1-180-1 183NQ100 180 6 60 0,3 D-67
МПД1-120-1,5 129NQ150 120 4 40
0,4
МПД1-150-1,5 189NQ150 150 150 1 5 50
МПД1-180-1,5 180 6 60 0,3
МПД1-120-2 120 0,4
3 40
МПД1-150-2 150 1,15 0,35
МПД1-180-2 200 180 6 60 0,3
МПД1-240-2 240 0,3
1,1 0,15 10
МПД1-360-2 360 0,25
Силовые модули на быстровосстанавливающихся диодах
Значения параметров приведены для диода или элемента модуля (в скобках - для модуля)
VFM @ IF(AV) IRM @ VRRM RthJC,
Тип Аналог VRRM, В IF(AV), А t , нс Корпус
TJ=25°C, В TJ=25°C, мА rr ºC/Вт
МДЧ4-120-4-А6 HFA120MD40C 60(2x60) 0,5 (0,5)
МДЧ4-160-4-А6 HFA160MD40C 400 80(2x80) 1,3 0,75 (0,45)
МДЧ4-200-4-А6 HFA200MD40C 100(2x100) 1 (0,4) TO-244 Мод.2
МДЧ4-100-6-А6 HFA100MD60C 50(2x50) 1,5 0,5 0,9 Изолированный
МДЧ4-140-6-А6 HFA140MD60C 600 70(2x70) 1,4 0,75 (0,45)
МДЧ4-180-6-А6 HFA180MD60C 90(2x90) 1,5 0,5 0,8
МПДЧ4-200-4-А6 400 1,3 TO-244 Мод.3
100(2x100) 0,5 (0,5)
МПДЧ4-200-6-А6 600 1,5 100 Неизолированный
МПДЧ1-75-4-А6 75 0,5 (0,6)
МПДЧ1-90-4-А6 HFA90NH40 400 90 1,3 0,75 0,35
МПДЧ1-100-4-А6 100 0,5 (0,5)
МПДЧ1-75-6-А6 HFA70NH60 75 0,5 (0,6)
D-67
МПДЧ1-90-6-А6 600 90 1,5 0,75 (0,35)
МПДЧ1-100-6-А6 HFA105NH60 100 0,5 (0,5)
МПДЧ1-90-7-А6 700 90 1,7 0,75 0,35
МПДЧ1-60-10-Р5 1000 60 1,6 1 200 0,6

5
Биполярные транзисторы (n-p-n)
Тип Аналог PCmax,Вт VCER/VCEOmax, В ICmax, А h21E VCEsat, В ICBO, мА fT, МГц Корпус
2N479A
КТ301Г 10-30
2N1390 3@
КТ301Д 0,15 30/30 0,05 20-60 (IC=10мА 0,01 30
КТ301Е VC101 40-120 IB=1мА)
КТ301Ж 80-300
КТ312А 2N702 20/20 10 80 КТЮ-3-1
BCY42
КТ312Б 35/35 25
2SC33 0,8 @
VCY43 0,225 0,03 (IC=20мА, 0,01
120
BF240 IB=2мА)
КТ312В 20/20 50
2SC306
2SC281
2,5 @
2SC2562
КТ805АМ -/160 (IC=5А,
2SC3422
IB=0,5А)
>15
5@
КТ805БМ 30 -/135 5 (IC=5А, 25 20 КТ-28-2
IB=0,5А)
3@
КТ805ИМ -/60 >25 (IC=2А,
IB=0,2А)

IGBT
IC, А
Тип Аналог VCSE, В PD @ TC=25°C, Вт Корпус
TC=25°C TC=100°C
КЕ705А IRGB14C40L 430
КЕ705Б 390
20 14 100 КТ-28-2
КЕ705В HGTP14N40F3VL 430
КЕ705Г 390

6
ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы
Транзисторы для подвижных средств радиосвязи
Тип Аналог f, МГц POUT, Вт VCC, В GPmin, дБ η, % Корпус
КТ929А(А1) 8 10(9)
2
КТ920А 8.5 КТ-17
60(55)
КТ920Б 2N6080 50÷175 5 6 (КТ-15)
КТ920В 2N6081, 2N5590 20 5
КТ958А BM40-12 40 6 50 КТ-32
12.6
КТ925А 2 8
КТ925Б 100÷320 5/7 6 КТ-17
60
КТ925В 2N5590 20 5
КТ960А 100÷400 40 4 КТ-32

Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи

Тип Аналог f, МГц POUT, Вт VCC, В GPmin, дБ η, % Корпус
КТ922А 2N5641 5 10
КТ922Б 2N5642 20 7,5 55 КТ-17
КТ922В 2N5643 50÷175 40 6
КТ931А 2N6369 80 5,5 50 КТ-32
КТ971А 150 5 55 КТ-56
КТ907А 2N3733 9 3 40 КТ-4
КТ934А 2N5635, 2N6202 3 8
КТ934Б 2N5636, 2N6203 12 6 50 КТ-17
КТ934В 2N5637 100÷400 25 5
КТ930А 2N6362 40 7
КТ-32
КТ930Б 2N6364 75 5,5
50
КТ970А 100 6 КТ-56
КТ985АС 220÷400 125 5,5 КТ-45
28
КТ909А 2N5177 20 3
45 КТ-15
КТ909Б 100÷500 40 3
КТ9105АС 100 5 50 КТ-45
КТ9104А 5 9 40
КТ-42
КТ9104Б 20 8,5
350÷700
КТ991АС 55 7,8 50
KT-44
КТ9101АС 100 5,5
КТ911А 400÷1800 0.8 3 25 Аналог
КТ911Б 0.8 3 30 Mt-62
КТ962А D10-28 10 6 36
КТ962Б DM20-28 400÷1000 20 5,5
40 КТ-17
КТ962В DM40-28 40 5
КТ976А 60 3 45

Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры

Импульс
Тип Аналог f, МГц POUT(Pulse), Вт VCC, В GPmin, дБ Корпус
τ, мкс Q
КТ984А MSC1075M 75 7
КТ984Б MSC1250M 720÷820 250 50 6 10 100 КТ-42
КТ9109А MSC1550M 500 5.5

Линейные транзисторы для УКВ ЧМ и телевизионного вещания

Импульс
Тип Аналог f, МГц POUT(PEP), Вт GPmin, дБ M3, дБ Корпус
VC, В IC, А
КТ983А BLX-96 0,5 6 0,2
КТ983Б 40÷860 1,5 5,5 -60 25 0,35 КТ-17
КТ983В 3,5 5 0,8
КТ9116А 5 14 -58 1,2
170÷230 28 КТ-56
КТ9116Б 15 10 -55 2,6

7
Стабилизаторы напряжения
Функциональное
Тип Аналог VOUT, В IOUT, А ΔVOUT, % TCP, ºC Корпус
назначение
КР142ЕН5А -45÷+70
VC7805 5
КР142ЕН5А1 -45÷+125
1,5 4
КР142ЕН5Б -45÷+70
VC7806 6
КР142ЕН5Б1 -45÷+125
КР142ЕН5В -45÷+70
VC7805 5
КР142ЕН5В1 -45÷+125
2 7
КР142ЕН5Г -45÷+70
VC7806 6
КР142ЕН5Г1 -45÷+125
КР142ЕН8А -45÷+70
VC7809 9
КР142ЕН8А1 -45÷+125
КР142ЕН8Б -45÷+70
VC7812 12 1,5 6
КР142ЕН8Б1 -45÷+125
КР142ЕН8В -45÷+70
VC7815 15
КР142ЕН8В1 -45÷+125
КР142ЕН8Г -45÷+70
VC7809 Стабилизатор 9
КР142ЕН8Г1 -45÷+125
фиксированного
КР142ЕН8Д -45÷+70
VC7812 напряжения 12 1 8
КР142ЕН8Д1 -45÷+125
положительной
КР142ЕН8Е полярности -45÷+70
VC7815 15 КТ-28-2
КР142ЕН8Е1 -45÷+125
КР142ЕН9А -45÷+70
VC7820 20
КР142ЕН9А1 -45÷+125
КР142ЕН9Б -45÷+70
VC7824 24 1,5 4
КР142ЕН9Б1 -45÷+125
КР142ЕН9В -45÷+70
VC7827 27
КР142ЕН9В1 -45÷+125
КР142ЕН9Г -45÷+70
VC7820 20
КР142ЕН9Г1 -45÷+125
КР142ЕН9Д -45÷+70
VC7824 24 1
КР142ЕН9Д1 -45÷+125
6
КР142ЕН9Е -45÷+70
КР142ЕН9Е1 -45÷+125
VC7827 27
КР142ЕН9К -45÷+70
1,5
КР142ЕН9К1 -45÷+125
КР142ЕН12А Регулируемый 1,5
LM317T 1.2÷37
КР142ЕН12Б стабилизатор 1
КР142ЕН18А напряжения 1 8 -10÷+70
LM337T положительной 1.2÷26.5
КР142ЕН18Б полярности 1,5

Автомобильная электроника
Одноканальные контроллеры системы зажигания
Тип Аналог I3, мА V3 V6, В I16, мА V16, В I15, мА VR, В TJ, ºC Ptot, Вт Корпус
КР1055ХП1Р L497 0,65 DIP-16
200 Внутр. -15÷150
K1055ХП1Т 1,2 SO-16J
ограничено 28 300 28 15 -16
K1055ХП1АР1 0,65 DIP-16
250 до VZ3 -55÷175
K1055ХП1АТ1 1,2 SO-16J
Примечание 1 - Контроллеры с функцией октан-корректора.

Двухканальный контроллер системы зажигания

Тип Аналог U0out1, мВ U0out2, мВ U1out1, мВ U1out2, мВ Корпус
КР1055ВЮ1Т 40 40 450-800 450-800 SO-16L

Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (N-P-N)

Параметры при T = 25ºC
Тип Аналог PCmax,Вт V(br)CES/(br)CEOmax, В ICmax, А h21E VCEsat, В ICBO, мА fT, МГц Корпус
КТ8232А1 BU941 350/350 1,8 @
125 20 >300 (IC=8А, 0.1 10 КТ-43В
КТ8232Б1 300/300 IB=0,1А)

8
 Изделия специального назначения
Полевые n-канальные транзисторы
Параметры Корпус
Тип Аналог ТУ
VDS, В ID @TC=25°C, А RDS(on), Ом PD @ TC=25°C, Вт (аналог)
Транзисторы в металлопластмассовых корпусах
2П767А IRF620 5 0,8 50
200
2П767В IRF640 16 0,18 100
2П768А IRF720 3 1,8 55 КТ-28-2
400

АЕЯР.432140.220 ТУ
2П768К IRF740 9 0,55 125 (TO-220AB)
2П769А IRF520 8,5 0,27 50
100
2П769В IRF540 25 0,077 100
2П767А9 IRFR220 200 4,5 0,8
КТ-89
2П768А9 IRFR320 400 2,8 1,8 42
(DPak)
2П769А9 IRFR120 100 7 0,27
2П767В91 IRF640S 200 16 0,18 100
КТ-90
2П768К91 IRF740S 400 9 0,55 125
(D2Pak)
2П769В91 IRF540S 25 0,077 100
100
2П790А IRFP150 35 0,055 150 КТ-43В
2П793А IRFP250 200 27 0,085 155 (TO-218)
Транзисторы в металлокерамических корпусах
2П707Б 600 3,6 2 100 (1)
КТ-56
2П767В3 16 0,18
200
2П767В92 IRFN240 16 0,18
100
2П769В92 IRFN140 100 25 0,077
2П770К92 IRF440 500 8 0,85
КТ-94
2П790А92 IRF150 100 35 0,055
(SMD-1)
2П793А92 IRF250 200 27 0,085
150
2П794А92 IRF350 400 15 0,3
2П795А92 IRFN450 500 14 0,4
2П707В2 IRFPE30 800 4,1 3 125
2П767В2 IRFY240C 200 16 0,18 100
2П769В2 IRFY140C 100 14 0,077 75 КТ-28А-2.01

АЕЯР.432140.273 ТУ
2П770К2 IRFY440C 500 8 0,85
100
2П782Ж2 IRFM054 60 16 0,040
2П790А4 IRFM150 100 30 0,055 120
2П793А4 IRFM250 200 25 0,085 130 КТ-43А-1.01
2П795А4 IRFM450 500 14 0,4 150
Транзисторы в металлостеклянных корпусах
2П767В1 IRF240 200 16 0,18
100
2П769В1 IRF140 100 25 0,077
2П770К1 IRF440 500 8 0,85
2П782Ж1 IRF044 60 45 0,028 125
2П790А1 IRF150 100 35 0,055
150 КТ-9С
2П793А1 IRF250 27 0,085
200 (TO-204AA)
2П793Б1 IRF240 20 0,12 125
2П794А1 IRF350 15 0,3 150
400
2П794Б1 IRF350 10 0,3 100
2П795А1 IRF450 14 0,4 150
500
2П795Б1 IRF440 10 0,6 125
Транзисторы с датчиком тока в металлокерамических корпусах
АЕЯР.432140.

2П7146А IRC530 100 14 0,16

2П7146Б IRC630 200 9 0,4 65
294 ТУ

2П7146В IRC634 250 8,1 0,45

КТ-56А
2П7147А IRC540 100 25 0,077
2П7147Б IRC640 200 16 0,18 100
2П7147В IRC644 250 14 0,28
Примечание 1 - АЕЯР.432140.160 ТУ

9
Диоды
Диоды Шоттки (Значения параметров приведены для диода или диода сборки, в скобках - для сборки)
Параметры
Корпус
Тип Аналог VFM @ IF(AV) IRM @ VRRM, мА ТУ
IF(AV), А VRRM, В trr, нс (аналог)
TC=25°C, В TC=25°C TC=125°C
Диоды Шоттки (сборки - общий катод) в металлопластмассовых корпусах
2Д269АС[АС91] 0,65 25 5,5
2Д269БС[БС91] 0,75 50 7,5
2Д269ВС[ВС91] 0,85 75 10
(2x5) 0,5
2Д269ГС[ГС91] 0,9 100 10,0
2Д269ДС[ДС91] 0,95 150 8,0 КТ-28-2
2Д269ЕС[ЕС91] 1,0 200 10 (TО-220AB)
2Д273АС[АС91] 0,7 25 0,5 8,0 [КТ-90
2Д273БС[БС91] 0,8 50 0,1 10 (D2Pak)]
2Д273ВС[ВС91] 0,9 75 0,5 6,5
(2x20) -
2Д273ГС[ГС91] 0,95 100 0,1 10

АЕЯР.432120.217 ТУ
2Д273ДС[ДС91] 1,05 150 0,5 8,0
2Д273ЕС[ЕС91] 1,15 200 0,5 6,0
2Д290АС[АС9] 0,65 25 0,5 7,5
2Д290БС[БС9] 0,75 50 0,1 4,5 КТ-28-2
2Д290ВС[ВС9] 0,85 75 6,5 (TО-220AB)
(2x2)
2Д290ГС[ГС9] 0,9 100 4,5 [КТ-89
0,5 (DPak)]
2Д290ДС[ДС9] 0,95 150 5,5
2Д290ЕС[ЕС9] 1,0 200 6,0
Диоды Шоттки (сборки - общий катод) в металлокерамических корпусах
2Д273АС2 0,7 25
2Д273БС2 0,8 50
1 10
2Д273ВС2 0,9 75
(2х20) КТ-28А-2.01
2Д273ГС2 0,95 100
-
2Д273ДС2 1,05 150 1,5 15
2Д273ЕС2 1,15 200 2,0 20
2Д272Е1 1,1 200 15
15 1 КТ-32А
2Д272И1 1,15 300 20
2ДШ2123А94 IN5817 0,45 20
TC=100°C
1 10
2ДШ2123Б94 IN5819 0,6 40
2ДШ2123В94 10BQ015 1 0,34 15 0,5 12
2ДШ2123Г94 10BQ040 0,53 40 0,4 4
КТ-93
2ДШ2123Д94 10BQ100 0,78 100 0,5 12,5

АЕЯР.432120.297 ТУ
(SMD-0.5)
2ДШ2124А94 31DQ03 0,55 30
3 25
2ДШ2124Б94 31DQ04 0,55 40
3,3
2ДШ2124В94 31DQ06 0,58 60 30
1 -
2ДШ2124Г94 31DQ10 0,85 100 10
2ДШ2125А92 50SQ080 0,66 80
5
2ДШ2125Б92 50SQ100 0,66 100 0,55 7
2ДШ2125В92 8TQ100 8 0,72 100
КТ-94
2ДШ2125ГС92 30CPQ060 0,6 60 0,8 45
(SMD-1)
2ДШ2125ДС92 30CPQ100 (2х15) 0,86 100 0,55 7
2ДШ2126АС92 30CPQ150 1 150 0,1 15
2ДШ2126БС92 MBR20200CT (2х10) 0,9 200 1 50

10
Быстровосстанавливающиеся диоды (Значения параметров приведены для диода или диода сборки, в скобках - для сборки)
Параметры
Корпус
Тип Аналог VFM @ IF(AV) IRM @ VRRM, мА ТУ
IF(AV), А VRRM, В trr, нс (аналог)
TC=25°C, В TC=25°C TC=125°C
Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки - общий катод) в металлопластмассовых корпусах

АЕЯР.432120.223 ТУ
2Д640ВС[ВС91] HFA16TA60C (2x8) 600 КТ-28-2
2Д641АС[АС91] HFA30TA60C 400 (TО-220AВ)
1,7 0,5 8
2Д641БС[БС91] (2x15) 500 60 [КТ-90
2Д641ВС[ВС91] 600 (D2Pak)]
2Д663АС9 (2x1) 1,5 600 0,1 1 КТ-89 (DPak)
Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки - общий катод) в металлокерамических корпусах
2Д641В1 15 1,7 600 0,1 3 60 КТ-32А
2Д640ВС2 2х8 1,7 600 0,5 8 60 КТ-28А-2.01
2Д675А94 10BF40 1 0,5 КТ-93
1,4 0,01 50

АЕЯР.432120.
2Д676А94 30BF40 3 400 (TC=100°C) (SMD-0,5)

296 ТУ
2Д677А92 APT15D40K 15 1,5 КТ-94
0,15 3 50
2Д677Б92 APT15D60K 15 1,8 600 (SMD-1)
2Д678АС93 RURG3020 (2х30) 1 200 0,25 45 КТ-95
5
2Д678БС93 30EPF06 (2х30) 1,41 600 0,15 160 (SMD-2)

Изделия в стадии разработки и/или освоения

Полевые n-канальные транзисторы
Параметры Корпус
Тип Аналог
VDS, В ID @TC=25°C, А RDS(on), Ом PD @ TC=25°C, Вт (аналог)
2П767В5 IRFY240C 200 16 0,18
КТ-97А
2П769В5 IRFY140C 100 14 0,077 100
(TO-257AA)
2П770К5 IRFY440C 500 8 0,85
2П768К6 IRFM340 400 9 0,55 150
2П782Ж6 IRFY044 60 35 0,028 125
2П790А6 IRFM150 100 30 0,055 150
2П793А6 IRFM250 25 0,085
200 КТ-97В-1.10
2П793Б6 IRFM240 20 0,12 125
(TO-254AA)
2П794А6 IRFM350 15 0,3 150
400
2П794Б6 OM60195A 10 0,3 100
2П795А6 IRFM450 14 0,4 150
500
2П795Б6 IRFM440 10 0,6 125
2П767В7 IRFY240C 200 16 0,18
100
2П769В7 IRFY140C 100 14 0,077
КТ-97В-1.08
2П790А7 IRFM150 100 30 0,055
(TO-254AA)
2П793А7 IRFM250 200 25 0,085 150
2П795А7 IRFM450 500 14 0,4
2П768К8 IRFM340 400 9 0,55 КТ-97В-1.09
150
2П794А8 IRFM450 500 14 0,4 (TO-254AA)
Диоды Шоттки (сборки - общий катод)
Параметры
Корпус
Тип Аналог VFM @ IF(AV) IRM @ VRRM, мА
IF(AV), А VRRM, В (аналог)
TC=25°C, В TC=25°C TC=125°C
2Д269ЕС5 (2х5) 1 0,5 1
200
2Д272Е5 30СRQ150 15 1,1 1 15
КТ-97А
2Д273ДС5 40CTQ150 (2х20) 1,05 150 1,5 15
(TO-257AA)
2Д273ЕС5 (2х20) 1,15 2 20
200
2Д290ЕС5 (2х2) 1 0,5 6
2Д273ДС7 40CTQ150 (2х20) 1,05 150 1,5 15 КТ-97В-1.08
2Д273ЕС7 (2х20) 1,15 200 2 20 (TO-254AA)
2ДШ2134АС4 63CPQ100 (2х30) 0,9 100 0,3 25 КТ-43А-1.01
КТ-97В-1.10
2ДШ2134АС6 63CPQ100 (2х30) 0,9 100 0,3 25
(TO-254AA)
Быстровосстанавливающиеся диоды (сборки - общий катод)
2Д640ВС5 (2х8) 1,7 600 0,5 8 КТ-97А
2Д641В5 HFA15TB60 15 0,1 3 (TO-257AA)
КТ-97В-1.08
2Д641В7 15 1,7 600 0,1 3
(TO-257AA)
КТ-97В-1.10
2Д678АС6 RURG3020 (2х30) 1 200 0,25 5
(TO-254AA)

11
 Бескорпусные изделия

Полевые транзисторы Диоды

Параметры Параметры ( TC=25°C)
Тип ТУ
VDS, В RDS(on), Ом Тип VFM @ ТУ
VFM @ IF=1А, В I @ VRRM, мА
2П767А-5 200 0,8 IF=1А, В RM

АЕЯР.432140.
2П768А-5 1,8 Диоды Шоттки
400
2П768К-5 0,55 2Д269А-5 0,5 29

220 ТУ
2П769А-5 0,27 2Д269Б-5 0,55 55
2П769В-5 100 0,077 2Д269В-5 0,6 83
2П790А-5 0,055 2Д269Г-5 0,62 110
2П793А-5 200 0,085 2Д269Д-5 0,68 163
2П707Б-5 600 2,0 2Д269Е-5 0,71 215
2П707В-5 800 3,0 2Д273А-5 0,45 29

АЕЯР.432120.217 ТУ
2П767В-5 200 0,18 2Д273Б-5 0,48 55
2П770К-5 500 0,85 АЕЯР.432140.273 ТУ 2Д273В-5 0,5 83
0,09
2П770К2-5 500 0,85 2Д273Г-5 0,52 110
2П782Ж-5 0,028 2Д273Д-5 0,56 163
60
2П782Ж2-5 0,04 2Д273Е-5 0,6 215
2П793Б-5 200 0,12 2Д290А-5 0,55 29
2П794А-5 2Д290Б-5 0,64 55
400 0,3
2П794Б-5 2Д290В-5 0,72 83
2П795А-5 2Д290Г-5 0,78 110
0,4
2П795А4-5 500 2Д290Д-5 0,81 163
2П795Б-5 0,6 2Д290Е-5 0,86 215
2П7146А-5 104 0,15 2Д272Е1-5 0,65 215
АЕЯР.432140.

0,15
2П7146Б-5 208 0,36 2Д272И1-5 0,75 325
294 ТУ

2П7146В-5 260 0,41 2ДШ2123А-5 0,42 24

2П7147А-5 104 0,075 2ДШ2123Б-5 0,56 45 0,35
2П7147Б-5 208 0,17 2ДШ2123В-5 0,318 19
2П7147В-5 260 0,25 2ДШ2123Г-5 0,49 45 0,3
2ДШ2123Д-5 0,74 110 0,07

АЕЯР.432120.297ТУ
2ДШ2124А-5 34
0,45
2ДШ2124Б-5 45 0,3
2ДШ2124В-5 0,47 66
2ДШ2124Г-5 0,61 110 0,07
2ДШ2125А-5 89
2ДШ2125Б-5 0,52 0,15
110
2ДШ2125В-5
2ДШ2125Г-5 0,44 66 0,3
2ДШ2125Д-5 0,52 110 0,15
2ДШ2126А-5 0,57 165
0,07
2ДШ2126Б-5 0,65 218
Быстровосстанавливающиеся диоды
2Д640В-5 1,1 645
АЕЯР.432120.

2Д641А-5 435
223 ТУ

1,38
2Д641Б-5 540 0,08
2Д641В1-5 0,95 640
2Д663А-5 1,38 645

12
Биполярные транзисторы
PCmax, VCER/VCEOmax, ICBO, fT,
Тип Аналог Тип ICmax, А h21E VCEsАt, В Корпус1
Вт В мА МГц
2Т301Г 10-32
30/30 0,05 3@
2Т301Д 2N1390 20-60
n-p-n 0,15 (IC=10мА 0,005 60 КТЮ-3-1
2Т301E 40-120
20/20 0,06 IB=1мА)
2Т301Ж 80-300
2Т312А 12-100 0,5 @ 80
(IC=20мА,
2Т312Б 25-100
IB=2мА)
0,225 30/30 0,06 0,01
n-p-n 0,35 @ 120 КТЮ-3-1
2Т312В 50-250 (IC=20мА,
IB=2мА)
2Т312Д 0,06 12/12 0,008 20-100 - 0,001 -
2Т837А 80/70 >15
2Т837Б 60/55 >30
0,9 @
2Т837В 45/40 >40
p-n-p 30 8 (IC=3А, 0,15 5 КТ-28-2
2Т837Г 80/70 >15
IB=0,37А) (TО-220AB)
2Т837Д 60/55 >30
2Т837E 45/40 >40
1HТ251(ОС) 2N3903 1@
0,4 30-150 (IC=0,4А, 0,006 200
1HТ251А(ОС)
4хn-p-n IB=0,8А)
транзистора 0,8 @
2ТС690АС(ОСМ) 2N4123 0,3 50-150 (IC=0,25А, 0,005 300
IB=0,5А)
0,4 45 401.14-6
2ТС622А(ОС) 2N3905 1,3 @
0,4 25-150 (IC=0,4А, 0,01 200
2ТС622Б(ОС) 4хp-n-p IB=0,8А)
транзистора 1@
2Т689АС(ОСМ) 2N3799 0,3 50-150 (IC=0,25А, 0,07 300
IB=0,5А)
Примечание 1 - В скобках - корпуса-аналоги

13
ВЧ и СВЧ мощные биполярные транзисторы
Транзисторы для подвижных средств радиосвязи
Тип Аналог f, МГц POUT, Вт VCC, В GPmin, дБ η, % Корпус
2Т929А 8 10
2
2Т920А 8,5
60 КТ-17
2Т920Б 2N6080 50÷175 5 6
2Т920В 2N6081 20 5
2Т958А BM40-12 40 6 50 КТ-32
12,6
2Т925А 2 8
2Т925Б 100÷320 5/7 6 КТ-17
60
2Т925В 2N5590 20 5
2Т960А 100÷400 40 4 КТ-32

Транзисторы для стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи

Тип Аналог f, МГц POUT, Вт VCC, В GPmin, дБ η, % Корпус
2Т922А 2N5641 5 10
2Т922Б 2N5642 20 7,5 55 КТ-17
2Т922В 2N5643 50÷175 40 6
2Т931А 2N6369 80 6 50 КТ-32
2Т971А 150 5 55 КТ-56
2Т907А 2N3733 8 3 40 КТ-4
2Т934А 2N5635, 2N6202 3 8
2Т934Б 2N5636, 2N6203 12 6 50 КТ-17
2Т934В 2N5637 100÷400 25 5
2Т930А 2N6362 40 7,5
КТ-32
2Т930Б 2N6364 75 6
50
2Т970А 100 6 КТ-56
2Т985АС 220÷400 125 5,5 КТ-45
28
2Т909А 2N5177 17 3
45 КТ-15
2Т909Б 100÷500 35 3
2Т9105АС 100 5 50 КТ-45
2Т9104А 5 9 40
КТ-42
2Т9104Б 20 8,5
350÷700
2Т991АС 55 7,8 50
KT-44
2Т9101АС 100 5,5
2Т911А 400÷1800 0,8 3 25 Аналог
2Т911Б 0,8 3 30 Mt-62
2Т962А D10-28 10 6 36
2Т962Б DM20-28 400÷1000 20 5,5
40 КТ-17
2Т962В DM40-28 40 5
2Т976А 60 3 45

Импульсные транзисторы для навигационной и телеметрической аппаратуры

Импульс
Тип Аналог f, МГц POUT(Pulse), Вт VCC, В GPmin, дБ Корпус
τ, мкс Q
2Т984А MSC1075M 75 7
2Т984Б MSC1250M 720÷820 250 50 6 10 100 КТ-42
2Т9109А MSC1550M 500 5,5

Интегральные микросхемы
ИС серии 106 и ОС106 (Напряжение питания: VCC =(5±0,5) В)
Тип
106ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2, ЛБ2А
106ЛБ5, ЛБ5А, ЛБ6, ЛБ6А
106ЛР1, ЛР1А, ЛР2, ЛР2А
106ЛД1, ЛД1А, ЛД2, ЛД2А
106ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А
106ТР1, Р1А, ТР2, ТР2А
ОС106ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2 ЛБ2А
ОС106ЛБ5, ЛБ5А, ЛБ6, Б6А
ОС106ЛР1, ЛР1А, ЛР2, ЛР2А
ОС106ЛД1, ЛД1А, ЛД2, ЛД2А
ОС106ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А
ОС106ТР1, ТР1А, ТР2, ТР2А
Функция Корпус
2х3И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
8И-НЕ с расширением по ИЛИ
4И-4И/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 401.14-3
8-входовый расширитель 4105.14-16
2х4-входовых расширителя
R-S триггер с элементами 3И на входе
2х3И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
8И-НЕ с расширением по ИЛИ
4И-4И/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
401.14-3
8-входовый расширитель
2х4-входовых расширителя
R-S триггер с элементами 3И на входе

14
ИС серии 134 и ОС134 (Напряжение питания: VCC =(5±0,5) В)
Тип Функция Корпус
134ЛБ1А, ЛБ1Б 4х2И-НЕ
134ЛБ2А, ЛБ2Б 2х4И-НЕ и инвертор
134ЛР1А, ЛР1Б 2И-2И/2ИЛИ-НЕ и 2И-4И/2ИЛИ-НЕ
134ЛР2А, ЛР2Б 2И-2И-2И-3И-4И/4ИЛИ-НЕ
134ТВ1 J-K триггер
134ТВ14 2хJ-K триггера
134РМ1 2х2-разрядных D-регистра
401.14-3
134ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик
4105.14-16
134ИР1, ИР1А 4-разрядный сдвиговый регистр
134ИР2 8-разрядный сдвиговый регистр
134ИР8ЭВ 8-разрядный последовательный сдвиговый регистр с параллельным выходом
134КП8 3хмультиплексора 2-1
134КП9 2хмультиплексора 4 -1
134КП10 Мультиплексор 8-1
134ИП2 8-разрядная схема контроля четности
134ИД6 Двоично-десятичный дешифратор
134ИМ4 4-разрядный полный сумматор 402.16-33
134ИП4 Схема ускоренного переноса
134ИПЗ АЛУ 405.24-2
134РУ6, РУ6А Статическое ОЗУ 1024х1 4112.16-2
ОС134ЛБ1А, ЛБ1Б 4х2И-НЕ
ОС134ЛБ2А, ЛБ2Б 2х4И-НЕ и инвертор
ОС134ЛР1А, ЛР1Б 2И-2И/2ИЛИ-НЕ и 2И-4И/2ИЛИ-НЕ
ОС134ЛР2А, ЛР2Б 2И-2И-2И-3И-4И/4ИЛИ-НЕ
ОС134ТВ1 J-K триггер
ОС134ТВ14 2хJ-K триггера
ОС134РМ1 2х2-разрядных D-регистра
ОС134ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик 401.14-3
ОС134ИР1, ИР1А 4-разрядный сдвиговый регистр
ОС134ИР2 8-разрядный сдвиговый регистр
ОС134ИР8ЭВ 8-разрядный последовательный сдвиговый регистр с параллельным выходом
ОС134КП8 3хмультиплексора 2-1
ОС134КП9 2хмультиплексора 4 -1
ОС134КП10 Мультиплексор 8-1
ОС134ИП2 8-разрядная схема контроля четности
ОС134ИД6 Двоично-десятичный дешифратор
ОС134ИМ4 4-разрядный полный сумматор 402.16-33
ОС134ИП4 Схема ускоренного переноса
ОС134ИПЗ АЛУ 405.24-2
ОС134РУ6, РУ6А Статическое ОЗУ 1024х1 4112.16-2

ИС серии 1504 и ОС1504 (Напряжение питания: VCC =(5±0,5) В)

Тип Функция Корпус
1504ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2, ЛБ2А 2х3И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
1504ЛБ5, ЛБ5А, ЛБ6, ЛБ6А 8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
1504ЛАЗЭВ, ЛАЗАЭВ 4х2И-НЕ
1504ЛА4ЭВ, ЛА4АЭВ 3х3И-НЕ
1504ЛА6ЭВ, ЛА6АЭВ 2х4И-НЕ с повышенной нагрузочной способностью
1504ЛА8ЭВ, ЛА8АЭВ 4х2И-НЕ с открытым коллектором 401.14-5
1504ЛР1, ЛР1А, ЛР2, ЛР2А 4И-4И/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ 401.14-5.01
1504ЛР11АЭВ, БЭВ 2х2И-2И/2ИЛИ-НЕ
1504ЛД1, ЛД1А 8-входовый расширитель
1504ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А 2х4-входовых расширителя
1504ТР1, ТР1А, ТР2, ТР2А R-S триггер с элементами 3И на входе
1504ТВ1 J-K триггер
ОС1504ЛБ1, ЛБ1А, ЛБ2, ЛБ2А 2х3И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
ОС1504ЛБ5, ЛБ5А, ЛБ6, ЛБ6А 8И-НЕ/ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
ОС1504ЛАЗЭВ, ЛАЗАЭВ 4х2И-НЕ
ОС1504ЛА4ЭВ, ЛА4АЭВ 3х3И-НЕ
ОС1504ЛА6ЭВ, ЛА6АЭВ 2х4И-НЕ с повышенной нагрузочной способностью
ОС1504ЛА8ЭВ, ЛА8АЭВ 4х2И-НЕ с открытым коллектором
401.14-5
ОС1504ЛР1, ЛР1А, ЛР2, ЛР2А 4И-4И/2ИЛИ-НЕ с расширением по ИЛИ
ОС1504ЛР11АЭВ, БЭВ 2х2И-2И/2ИЛИ-НЕ
ОС1504ЛД1, ЛД1А 8-входовый расширитель
ОС1504ЛД5, ЛД5А, ЛД6, ЛД6А 2х4-входовых расширителя
ОС1504ТР1, ТР1А, ТР2, ТР2А R-S триггер с элементами 3И на входе
ОС1504ТВ1 J-K триггер

15
ИС серии 1505 и ОС1505 (Напряжение питания: VCC =(5±0,5) В)
Тип Функция Корпус
1505ЛБ1А, ЛБ1Б 4х2И-НЕ
1505ЛБ2А, ЛБ2Б 2х4И-НЕ и инвертор
1505ЛА2АЭВ, ЛА2БЭВ 8И-НЕ
1505ЛА8АЭВ, ЛА8БЭВ 4х2И-НЕ с открытым коллектором
1505ЛР1А, ЛР1Б 2И-2И/2ИЛИ-НЕ и 2И-4И/2ИЛИ-НЕ
1505ЛР2А, ЛР2Б 2И-2И-2И-3И-4И/4ИЛИ-НЕ
1505ЛР4АЭВ, ЛР4БЭВ 4И-4И-2ИЛИ-НЕ
1505ТВ1 J-K триггер
1505ТВ14 2хJ-K триггера
401.14-5
1505РМ1 2х2-разрядных D-регистра
401.14-5.01
1505ТМ2АЭВ, ТМ2БЭВ 2хD-триггера с Установкой и Сбросом
1505ИЕ2 4-разрядный двоично-десятичный счетчик
1505ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик
1505ИР1, ИР1А 4-разрядный сдвиговый регистр
1505ИР2 8-разрядный сдвиговый регистр
1505КП8 3хмультиплексора 2-1
1505КП9 2хмультиплексора 4-1
1505КП10 Мультиплексор 8-1
1505ИП2 8-разрядная схема контроля четности
1505ИД6 Двоично-десятичный дешифратор
1505ИМ4 4-разрядный полный сумматор 402.16-33
1505ИП4 Схема ускоренного переноса
1505ИПЗ АЛУ 405.24-2
ОС1505ЛБ1А, ЛБ1Б 4х2И-НЕ
ОС1505ЛБ2А, ЛБ2Б 2х4И-НЕ и инвертор
ОС1505ЛА2АЭВ, ЛА2БЭВ 8И-НЕ
ОС1505ЛА8АЭВ, ЛА8БЭВ 4х2И-НЕ с открытым коллектором
ОС1505ЛР1А, ЛР1Б 2И-2И/2ИЛИ-НЕ и 2И-4И/2ИЛИ-НЕ
ОС1505ЛР2А, ЛР2Б 2И-2И-2И-3И-4И/4ИЛИ-НЕ
ОС1505ЛР4АЭВ, ЛР4БЭВ 4И-4И-2ИЛИ-НЕ
ОС1505ТВ1 J-K триггер
ОС1505ТВ14 2хJ-K триггера
ОС1505РМ1 2х2-разрядных D-регистра 401.14-5
ОС1505ТМ2АЭВ, ТМ2БЭВ 2хD-триггера с Установкой и Сбросом
ОС1505ИЕ2 4-разрядный двоично-десятичный счетчик
1505ИЕ5 4-разрядный асинхронный двоичный счетчик
ОС1505ИР1, ИР1А 4-разрядный сдвиговый регистр
ОС1505ИР2 8-разрядный сдвиговый регистр
ОС1505КП8 3хмультиплексора 2-1
ОС1505КП9 2хмультиплексора 4-1
ОС1505КП10 Мультиплексор 8-1
ОС1505ИП2 8-разрядная схема контроля четности
ОС1505ИД6 Двоично-десятичный дешифратор
ОС1505ИМ4 4-разрядный полный сумматор 402.16-33
ОС1505ИП4 Схема ускоренного переноса
ОС1505ИПЗ АЛУ 405.24-2

16
ИС серии 5574

8-разрядный параллельный регистр 5574ИР37Т

• питание микросхемы 3,3±0,3 В;
• расширенный диапазон питания микросхемы – 2,3 – 3,6 В;
• 5-вольтовая толерантность входов/выходов;
• выходной ток - ±24mA
• устойчивость к воздействию статического потенциала - не менее 2000 В
• 20-выводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа (4153.20)

Основные параметры (значения параметров даны для 85ºС).

Диапазон рабочих температур, °С от минус 60 до плюс 125
Максимальная тактовая частота, МГц не менее 100
Выходное напряжение высокого уровня, В (UСС=3 В, IОН= – 24 мА) не менее 2,2
Выходное напряжение низкого уровня, В (UСС=3 В, IОН= 24 мА) не более 0,55
Ток потребления, мкА (UСС=3,6 В) не более 15
Время задержки распространения при включении/выключении, нс не более 9,5

12-ти и 16-ти разрядные параллельные шинные формирователи 5574АП1Т, 5574АП2Т

• питание микросхемы 3,3±0,3 В;

• расширенный диапазон питания микросхемы – 2,3 – 3,6 В;
• 5-вольтовая толерантность входов/выходов;
• выходной ток - ±24mA
• устойчивость к воздействию статического потенциала - не менее 2000 В
• 88-выводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа (4235.88-1)

Основные параметры (значения параметров даны для 85ºС).

Параметр 5574АП1Т 5574АП2Т
Диапазон рабочих температур, °С от минус 60 до плюс 125
Выходное напряжение высокого уровня, В (UСС=3 В, IОН= – 24 мА) не менее 2,2
Выходное напряжение низкого уровня, В (UСС=3 В, IОН= 24 мА) не более 0,55
Ток потребления, мкА (UСС=3,6 В) не более 15 не более 20
Время задержки распространения при включении/выключении, нс не более 9,5 не более 9

17
ПЛИС на 50 тыс.вентилей 5576ХС1Т
• питание микросхемы - 3,3±0,3 В;
• 5-вольтовая толерантность входов/выходов;
• встроенный блок тестирования (Joint Test Action Group, JTAG) с использованием периферийного сканирования
схемы (BST), совместимый с IEEE Std. 1149.1-1990;
• встроенная система реконфигурации (ICR) осуществляется посредством внешних конфигурационных устройств,
интеллектуальным контроллером или JTAG портом.
• 240-выводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа

Основные функциональные параметры:

Параметр Значение
Типовая логическая емкость, вент. 50000
Количество логических элементов 2880
Количество логических блоков 360
Емкость встроенной памяти, бит 20480
Количество триггеров 3184
Количество пользовательских выводов 189

Основные характеристики:
Диапазон рабочих температур, °С от минус 60 до плюс 85
Частота переключения 8-ми разрядного счетчика, МГц не менее 100
Выходное напряжение низкого уровня, В (UCC =3В, Iol=12mA) не более 0,45
Выходное напряжение высокого уровня, В (UCC =3В, Iol=-4mA) не менее 2,4
Входное напряжение, В не более 5,5, не менее –0,2
Ёмкость нагрузки, пФ не более 100

ПЛИС с повышенной нагрузочной способностью 5576ХС2Т

• питание микросхемы - 3,3±0,3 В;
• 5-вольтовая толерантность входов/выходов;
• встроенный блок тестирования (Joint Test Action Group, JTAG) с использованием периферийного сканирования
схемы (BST), совместимый с IEEE Std. 1149.1-1990;
встроенная система реконфигурации (ICR) осуществляется посредством внешних конфигурационных устройств,
интеллектуальным контроллером или JTAG портом.
• программируемая нагрузочная способность элементов ввода/вывода (12/24 мА);
• 108-выводной металлокерамический корпус для поверхностного монтажа

Основные функциональные параметры:

Параметр Значение
Типовая логическая емкость, вент. 2500
Количество логических элементов 208
Количество логических блоков 26
Количество триггеров 272
Количество пользовательских выводов 68

18
 Габаритные чертежи корпусов

КТ-28-2 (TO-220AB) КТ-90 (D2Pak)

КТ-43В (TO-218) КТ-89 (DPak)

Расположение выводов
Вывод Транзистор Диодная сборка
1 Затвор Анод
2,4 Сток Катод
3 Исток Анод

19
 КТ-28А-2.01

КТ-43А-1.01

Расположение выводов
Вывод Транзистор Диодная сборка
1 Затвор Анод
2,4 Сток Катод
3 Исток Анод

20
КТ-93 (SMD-0.5) КТ-94 (SMD-1)

КТ-95 (SMD-2)

Расположение выводов
Вывод Транзистор Диодная сборка Диод
1 Сток Катод Катод
2 Затвор Анод Анод
3 Исток Анод Свободный

21
 КТ-9С (TO-204AA)

Расположение выводов
1 - Затвор
2 - Сток
3 - Исток

КТ-97А (TO-257AA) КТ-97В (TO-254AA)

Расположение выводов
Вывод Транзистор Диодная сборка
1 Затвор Анод Расположение выводов (КТ-97В-1.08,.10)
2,4 Сток Катод Вывод Транзистор Диодная сборка Диод
3 Исток Анод 1 Затвор Анод Анод
1
2,4 Сток Катод Катод
3 Исток Анод Анод
(1)
В КТ-97В-1.08 вывод 4 - изолированный

Расположение выводов (КТ-97В-1.09)

Вывод Транзистор
1,4 Сток
2 Исток
3 Затвор

22
КТ-32А

КТ-56А

23
 D-67 ТО-244 Мод.3 (неизолированный)

ТО-244 Мод.2 (изолированный)

ТО-244 Мод.1

24