Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Лекція№17
Типовые расчеты электронных схем
План:
17.1.Расчет транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером
17.1.1. Основные понятия
17.1.2. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с ОЭ
17.1.3. Задание на работу
17.1.4. Порядок расчета транзисторного усилителя по схеме с ОЭ
17.2. Расчёт импульсного усилителя
17.2.1 Выбор схемы усилителя
17.2.2 Выбор транзистора
17.2.3 Расчет оконечного каскада
17.2.3.1 Рабочая точка оконечного каскада
17.2.3.2 Расчет сопротивлений оконечного каскада
17.2.4 Расчет первого каскада усилителя
17.2.4.1 Рабочая точка первого каскада
17.2.5 Расчет ёмкостей усилителя
17.2.6 Расчет рассеивающих мощностей резисторов
244
Основи промислової електроніки Лекція№17
Рис. 1, а Рис. 1, б
245
Основи промислової електроніки Лекція№17
Рис.2
Резисторы R1 и R2 используются для задания режима покоя каскада. Поскольку биполярный
транзистор управляется током, ток покоя управляемого элемента (в данном случае ток I бп )
создается заданием соответствующей величины тока базы покоя I бп . Резистор R1 предназначен
для создания цепи протекания тока I бп . Совместно с R2 резистор R1 обеспечивает исходное
напряжение на базе U бп относительно зажима ”+” источника питания.
Резистор Rэ является элементом отрицательной обратной связи, предназначенным для
стабилизации режима покоя каскада при изменении температуры. Температурная зависимость
параметров режима покоя обусловливается зависимостью коллекторного тока покоя I кп от
температуры. Основными причинами такой зависимости являются изменения от температуры
246
Основи промислової електроніки Лекція№17
I
начального тока коллектора ко ( э) , напряжения U бэ и коэффициента β . Температурная
I
нестабильность указанных параметров приводит к прямой зависимости тока кп от температуры.
При отсутствии мер по стабилизации тока I кп , его температурные изменения вызывают изменение
режима покоя каскада, что может привести, как будет показано далее, к режиму работы каскада в
нелинейной области характеристик транзистора и искажению формы кривой выходного сигнала.
Вероятность появления искажений повышается с увеличением амплитуды выходного сигнала.
Проявление отрицательной обратной связи и ее стабилизирующего действия на ток I кп
нетрудно показать непосредственно на схеме рис. 2. Предположим, что под влиянием температуры
I I
ток кп увеличился. Это отражается на увеличении тока эп , повышении напряжения
U эп = I эп ⋅ Rэ и соответственно снижении напряжения U бэп = U бп − U эп . Ток базы I бп
уменьшается, вызывая уменьшение тока I кп , чем создается препятствие наметившемуся
увеличению тока I кп . Иными словами, стабилизирующее действие отрицательной обратной связи,
создаваемой резистором Rэ , проявляется в том, что температурные изменения параметров режима
покоя передаются цепью обратной связи в противофазе на вход каскада, препятствуя тем самым
изменению тока I кп , а, следовательно, и напряжения U кэп .
Конденсатор Сэ шунтирует резистор Rэ по переменному току, исключая тем самым
проявление отрицательной обратной связи в каскаде по переменным составляющим. Отсутствие
конденсатора Сэ привело бы к уменьшению коэффициентов усиления схемы.
Название схемы «с общим эмиттером» означает, что вывод эмиттера транзистора по
переменному току является общим для входной и выходной цепи каскада.
Принцип действия каскада ОЭ заключается в следующем. При наличии постоянных
составляющих токов и напряжений в схеме подача на вход каскада переменного напряжения
приводит к появлению переменной составляющей тока базы транзистора, а, следовательно,
переменной составляющей тока в выходной цепи каскада (в коллекторном токе транзистора). За
счет падения напряжения на резисторе
Rк создается переменная составляющая напряжения на
C p2
коллекторе, которая через конденсатор передается на выход каскада - в цепь нагрузки.
Рис.3
Рассмотрим основные положения, на которых базируется расчет элементов схемы каскада,
предназначенных для обеспечения требуемых параметров режима покоя (расчет по постоянному
току).Анализ каскада по постоянному току проводят графоаналитическим методом, основанным на
247
Основи промислової електроніки Лекція№17
Рис.4
Схема замещения каскада ОЭ приведена на рис. 4, где транзистор представлен его схемой
замещения в физических параметрах. Сопротивление каскада по переменному току определяется
R ~ = Rк Rн
сопротивлениями резисторов Rк и Rн , включенных параллельно, т. е. н ║ .
Rн− = Rк + Rэ
Сопротивление нагрузки каскада по постоянному току больше, чем по
248
Основи промислової електроніки Лекція№17
R~ =R к R
переменному току н ║ н.
Поскольку при наличии входного сигнала напряжение и ток транзистора представляют собой
суммы постоянных и переменных составляющих, линия нагрузки по переменному току проходит
через точку покоя " П " (рис. 3, а). Наклон линии нагрузки по переменному току будет больше, чем
по постоянному току. Линию нагрузки по переменному току строят по отношению приращений
напряжения к току: ∆U кэ ∆I к = U выхm I кm .
Исходные данные:
1) напряжение на выходе каскада U вых.max (напряжение на нагрузке);
2) сопротивление нагрузки Rн ;
3) нижняя граничная частота f н ;
4) допустимое значение коэффициента частотных искажений каскада в области
нижних частот М н ;
5) напряжение источника питания Епит .
Примечание. Считать, что каскад работает в стационарных условиях (
Т min = +15C o ; Т max = +25C o ).
При расчете влиянием температуры на режим транзистора пренебрегаем.
Определить:
1) тип транзистора;
2) режим работы транзистора;
3) сопротивление коллекторной нагрузки Rк ;
4) сопротивление в цепи эмиттера Rэ ;
5) сопротивления делителя напряжения R1 и R2 стабилизирующие режим
работы транзистора;
С
6) емкость разделительного конденсатора р ;
7) емкость конденсатора в цепи эмиттера Сэ ;
8) коэффициент усиления каскада по напряжению.
249
Основи промислової електроніки Лекція№17
С
Емкость разделительного конденсатора р
1 1
Cp = = = 0,3
2πf н ( Rк + Rн ) М н2 − 1 2 * 3,14 * 150(572 + 2856) 1,4 2 − 1
мкФ
Емкость конденсатора в цепи эмиттера Сэ
10 10
Cэ = = = 20
2πf н Rэ 2 * 3,14 * 150 * 572 мкФ
Для полного устранения отрицательной обратной связи необходимо включить
C э >=20 мкФ.
Коэффициент усиления каскада по напряжению
U
K u = выхт = 2,5 / 0,11 = 23
U вхт
251
Основи промислової електроніки Лекція№17
U вых 5
h21э = = = 250 (2)
U вх 0.02
252
Основи промислової електроніки Лекція№17
2,2 ⋅ R б
fh 21 Э ≥ =
2π ⋅ h11 э ( t `ф − 2 , 2 ⋅ C k ⋅ h 21 э ⋅ R `H − 2 , 2 ⋅ C H ⋅ R `H )
2 , 2 ⋅ 10 4
= = (3)
2 ⋅ 3,14 ⋅ 5 (1, 4 ⋅ 10 − 3 − 2 , 2 ⋅ 7 ⋅ 10 −12 ⋅ 8 , 66 ⋅ 1000 − 2 , 2 ⋅ 10 − 7
= 500 ( кГц )
Рис.1
253
Основи промислової електроніки Лекція№17
Iб (мА)
2,5
1,5
0,5
Uбэ (В)
0
0 0,5 1
рис.2
∆U БЭ 0,05
Rвхэ = = = 125(Ом) (4)
∆I Б 0,00004
t − t окр 40
PMAX = PRVAX 20 = 150 ⋅ 10− 3 = 0,075( Вт)
MAX
t MAX − 20 80
254
Основи промислової електроніки Лекція№17
E К − U КЭпост 10 − 0,5
R К + RЭ = = = 2,1(кОм) (7)
I Кпост 0,0045
Rн 2000
k = h21Э ⋅ = 8,66 ⋅ = 134 (8)
RвхЭ 125
U вых 0,2
k Треб = = = 10 (9)
U вх 0,02
k − k ОС 134 − 10
γ = = = 0,09 (10)
k ⋅ k ОС 134 ⋅ 10
Iкпост = 1 (мА)
Iбпост = 0,05 (мА)
Uбэп = 0,35 (В)
Для расчёта усилителя по переменному току необходимо первоначально по
формулам (8) и (9) вычислить значения коэффициента усиления каскада без
отрицательной обратной связи и требуемого коэффициента усиления соответственно.
Rн 2000
k = h21Э ⋅ = 8,66 ⋅ = 134
RвхЭ 125
U вых 0,5
k Треб = = = 25
U вх 0,02
k − k ОС 134 − 25
γ= = = 0,03
k ⋅ k ОС 134 ⋅ 25
U ОС I ⋅R (h + 1) ⋅ RЭ
γ= = Эm Э = 21Э
U ВЫХ I Кm ⋅ R Н h21Э ⋅ R Н
257
Основи промислової електроніки Лекція№17
I Кпост ⋅ R Э 0,001 ⋅ 54
R4 = = = 120(Ом)
I Дел − I Бпост 0,0005 − 0,00005
tu 1 1 1 20 ⋅ 10 −6 1 1 1
Cp = + + = + + =
δC э R H + Rвх R r1 + Rвх 2 R r 2 + R H 0,19 2000 + 106 2000 + 106 4000
0,0001 ⋅ 0,00119 = 0,12( мкФ)
258
Основи промислової електроніки Лекція№17
где
h21' 500
h21, = = 0,896 Rвхб1 = = 58(Ом)
1 + h21' 8,66
Заключение
259