Тема12 : Полупроводниковый транзистор (плакаты№110-113).

12.1.Устройство биполярного транзистора .

12.2.Схемы включения биполярного транзистора.
12.3.Входные и выходные характеристики биполярного транзистора.
12.4.Динамический режим биполярного транзистора.
12.5.Напряжения смещения на базе и термостабилизация режима работы
транзисторных схем.
12.5.Униполярные (полевые) транзисторы. Схемы включения. Основные
характеристики .
12.1.Устройство биполярного транзистора(плакат№110).
Подобно электронной лампе полупроводниковый триод обладает усилительными
свойствами.
Транзистор можно рассматривать как соединение двух плоскостных диодов.
В частности германиевый транзистор строится на основе очень тонкой пластинки из германия.
с двух сторон на нее влияет по капле индия (плакат №110)
По отношению к германию индий является акцепторной примесью ,поэтому атомы индия
,проникая в германий , образуют в нем под застывшими каплями индия два слоя с дырочной
проводимостью. Этим способом в пластине германия создается два р-n-перехода по
отношению к последним припаиваются проводники для соединения прибора с внешней целью.
Т.о. транзистор состоит из трех слоев , разделенных двумя переходами.
В частности в германиевом триоде два крайних слоя обладают дырочной –р-
проводимостью ,а внутренний слой имеет электронную –n-проводимость , в соответствии с
чем прибор называют типа p-n-p.
Кремниевые транзисторы чаще изготовляют типа n-p-n. Но принцип их действия
одинаков ,различие состоит лишь в выборе полярности присоединяемых источников энергии.
В транзисторе типа p-n-p один из крайних слоев соединяется с источником постоянного тока в
проводящем направлении + батареи (плакат№ 110).
Он является основным источником носителей тока (дырок) и называется эмиттером : он
эмиттирует (испускает)заряды. В условном обозначении эмиттер указывается стрелкой .
Другой запирающий слой соединяется с источником напряжения в непроводящем
направлений и называется коллектором –соберателем основных носителей зарядов.
Средний слой транзистора называется базой.
В схеме включения + батареи смещения (Еэ=1В) через регулируемое сопротивление Rэ
подается на Эмиттер. Минус соединен с базой. Коллектор – с минусом другой батареи (10-
20В). Сопротивление Rк является нагрузкой цепи коллектора.
Управление током p-n перехода.
Если к переходу p-n приложено обратное напряжение, то в запирающем слое тока нет- он
представляет собой изолятор.
Небольшой обратный ток через переход обусловлен неосновными носителями заряда. Их
концентрация возрастает с повышением t-ры. Измерения t-ру можно регулировать величину
обратного тока. Также он меняется с изменениям электрического поля вблизи p-n перехода.
 Следует отметить, что изготавливают транзисторы таким образом, чтобы концентрация
основных носителей заряд (электрона или дырки) в эмиттерном слое была больше, чем в
коллекторном, а в базе (заряды противоположного знака) концентрация должна быть меньше
чем в коллекторе.
В цепи коллектора при Iэ=0 устанавливается обратный ток небольшой величины (минус
батареи подключен к p-Ge , переход p-n коллектор – база заперт).
Переход p-n в маломощной цепи эмиттера (Еэ<1В) включен в прямом направлении(+
источника к p-Ge); переход открыт ,и величина тока Iэ зависит только от сопротивления Rэ.
Появление тока в цепи эмиттера увеличивает обратный ток в цепи коллектора.
Влияние тока эмиттера Iэ на ток коллектора объясняется следующим : ток эмиттера вызван
движением основных носителей заряда в p-Ge- дырками. Попадая в n-Ge, где в избытке
свободные электроны ,одна часть дырок будет заполнена , но часть и низ достигнет перехода
n-p коллектора . поступление дырок в запертый электронно-дырочный переход коллектора
значительно снижает его сопротивление. Ток в коллекторе растет .
Т.о. усиление в транзисторе основано на управлении обратным током коллекторного
перехода током другого , рядом расположенного эмиттерного перехода.

Коэффициент передачи тока α.

Зависимость Iк от Iэ при постоянном Uк характеризуется коэффициентом передачи тока α.

(плакат№ 110).
На линейном участке α=const это один из основных параметров полупроводниковых
транзисторов α = 0,95-0,99.
Коэффициент усиления
Если считать ток эмиттера входящим ,а ток коллектора выходящим, то в триоде нет
усиления тока α ≈1. В нем происходит усиление мощности .

Действительно при Iк=Iэ изменение мощности ΔPк больше изменения ΔPэ т.к. ЭДС Ек
превышает Еэ в 10-20 раз.

12.2. Схемы включения биполярного транзисторов(плакат№111)

Транзистор в усилительный каскад может быть включен тремя способами (плакат №111):
1)по схеме с общей базой (ОБ)
2)по схеме с общим эмиттером (ОЭ)
3)по схеме с общим коллектором (ОК)
Различные схемы включения имеют разные свойства ,но принцип усиления электронных
колебаний в них одинаков.
Усилительный каскад, собранный по схеме с общей базой, обладает малым входным
сопротивлением (порядка единиц Ом) и большим выходным (порядка сотен килоом) .
Низкое входное сопротивление каскада с общей базой является его существенным
недостатком.
В многокаскадных схемах это сопротивление оказывается шунтирующее действие на
сопротивление предыдущего каскада и резко снижает усиление этого каскада по направлению
и мощности , что ограничивает ее применение в усилительных устройствах . Она дает
усиление по направлению и мощности порядка до 1000.
 В схеме с общим эмиттером входной сигнал также прикладывается к выводам эмиттера и
базы , а источник питания коллектора с Rн включены между выводами эмиттера и коллектора.
Т.о. эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей.
Особенностью этой схемы является то , что входным током является не ток эмиттера ,а
небольшой ток базы. Поэтому входное сопротивление значительно больше ( сотни Ом) , чем у
каскада с общей базой . Также больше (десятки килоом) выходное сопротивление.
Достоинством схемы является большое усиление по току. В данном случае коэффициент
усиления по току
Коэффициент усиления по напряжению для схемы с общим эмиттером имеет примерно такую
же величину ,как и для схемы с общей базой.
Uвых=Iк*Rн, т.е. зависит от тех же величин , что и в схеме с общей базой .
Коэффициент усиления мощности Kp=Ki*Ku- значительно больше , чем для схемы с общей
базой и может достигать нескольких тысяч.
В схеме с общим коллектором входящим током ,как и в схеме (б) является ток базы, а
выходным-ток эмиттера. Поэтому коэффициент усиления по току для этой схемы :

Входное сопротивление этой схемы очень велико (до сотен килоом), а выходное , наоборот,
мало (десятки –сотни Ом). Поэтому каскад с общим коллектором имеет коэффициент усиления по
напряжению меньше единицы (Ku= 0,9…0,95) , а усиление по мощности несколько меньше
коэффициента по току .
Данная схема применяется реже ,чем предыдущие и служит в основном для согласования
сопротивлений между отдельными каскадами усилителя.

12.3. Характеристики биполярных транзисторов . Статический режим.

В транзисторах всегда взаимно связаны четыре величины : входные и выходные токи и

напряжения . Одним семейством характеристик эти зависимости показать нельзя. Поэтому
пользуются двумя семействами.
Наибольшее распространение получили входные и выходные х-ки для схем с общей базой и с
общим эмиттером.
Для схемы с общей базой входная х-ка представляет собой зависимость тока эмиттера Iэ от
напряжения между эмиттером и базой Uэб при постоянном напряжении между коллектором и
базой Uкб ,т.е. Iэ=f(Uэб) при Uкб=const.
Типичные входные статические х-ки транзистора с общей базой имеют вид ,
представленный на рисунке1.

Рис.1. Рис.2.
 Как видно они аналогичны V-A х-ке p-n- перехода для прямого тока причем изменение
Uкб слабо влияет на ток эмиттера .
Это объясняется тем ,что электрическое поле , создаваемое напряжением Uк б, кв схеме с ОБ
почти полностью сосредоточенно в коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние
на прохождение зарядов через эмиттерный переход.
Выходные х-ки транзистора для этой схемы ( с ОБ) изображают зависимость тока коллектора
от напряжения на коллекторе при Iэ=const и имеет вид представленный на рисунке 2.
Из рисунка видно , что при нормальной рабочей полярности напряжения Uкб, когда коллекторный
переход работает в обратном направлений, выходные х-ки представляют собо1 почти прямые
линии. Объясняется это тем , что коллекторный ток создается за счет диффузии носителей зарядов
протекающих от эмиттера через базу к коллектору . Поэтому величина коллекторного тока
определяется главным образом величиной тока эмиттера и незначительно зависит от напряжения
Uкб.
Для схемы с общим эмиттером статической входной х-кой является зависимость тока базы Iб от
напряжения Uбэ (база –эмиттер) при постоянном напряжении Uкэ (коллектор –эмиттер) Iб =f(Uбэ)
при Uкэ=const.
Из плаката№110 видно ,что с ростом напряжения Uкэ ток базы Iб уменьшается .
Это объясняется тем , что при увеличении Uкэ растет напряжение , приложенное к
коллекторному переходу в обратном направлении, уменьшается вероятность рекомбинации
носителей заряда в базе ,т.к. почти все носители быстро втягиваются в коллектор .
Выходные характеристики для схемы с ОЭ имеют следующий вид (плакат№110) Iк=f (Uкэ)
Из схемы видно , что напряжение , приложенное к коллекторному переходу равно Uкэ-Uбэ, так
как эти напряжения между точками коллектора –базы оказались включёнными встречно. Поэтому
при IUкэ1<lUбэ1 напряжении. Это приводит к тому , что крутизна характеристики уменьшается
они будут почти параллельны абсциссе.
Положение каждой из выходных характеристик зависит , главным образом , от величины тока
базы.
12.4. Работа транзистора в динамическом режиме . Импульсные устройства.
Полупроводниковые импульсные устройства объединяют обширную группу устройств ,в
которых транзистор служит бесконтактным ключом.
Рассмотрим работу биполярного трансформатора с О.Э. в режиме ключа (рис . 3).

Рис.3. Рис.4.
 Если напряжение на входе ключа Uбэ =0 ,то токи в цепях коллектора и базы равны Iкэ=-
Iб=Iко, где Iко –ток через p-n переход, равный для различных транзисторов 1-10 МА и
указываемый иногда ток параметр.
Этот режим работы транзистора соответствует разомкнутому положению ключа ( закрытое
положение ) при котором ток в цепи коллектора имеет минимальное значение :
Iк min=Iко и (-Uкэ)=Ек ( на диаграмме точка М) ( рис. 4)
Очевидно ,что при Uбэ>0 транзистор будет закрыт.
Если напряжение на входе плавно уменьшать от нулевого значения до Uбэ<0, то ток базы
сначала достигнет нулевого значения , а затем станет положительным (Iб>0).

При положительном токе базы ток коллектора также будет увеличиваться ,т.к. Iк=  βIб т.у.
транзисторный ключ начнет открываться . Ток коллектора достигнет максимального значения
Iк max =Eк/Rк при токе базы Iб= Iб насыщения (точка N на рис. 4).
При дальнейшем увеличении тока базы Iб ≥Iб нас= Ек/Rк ток коллектора практически не
меняется.
Этот режим работы транзистора соответствует замкнутому положению ключа ( открытое
состояние) ,при котором напряжение –Uкэ ≈Uкэ min≈0.
Преимущества : транзисторный ключ не имеет подвижных частей , имеет большое
быстродействие и малые размеры ,для его управления требуется источник энергии малой
мощности.
Различают импульсные устройства с несколькими устойчивыми состояниями и устройства с
несколькими временно устойчивыми состояниями.
Во первых для измерения устойчивого состояния нужно одно внешнее воздействие для
изменения режима ключа .
Во вторых : открытое и закрытое состояние ключа получаем периодически без внешнего
воздействия или состояние ключа восстанавливается через некоторое время после
одноразового внешнего воздействия.
Линия M-N на рисунке 4 носит название нагрузочной прямой и определяется напряжением
источника Eк и сопротивлением Rк. Все промежуточные положения точек на линии нагрузки
характеризуют возможные напряжения и токи в соответствующих цепях транзистора при
подаче сигнала на входе с учётом сопротивления нагрузки.
Любому значению тока базы соответствуют вполне определённые значения тока коллектора
и коллекторного напряжения. Если в режим покоя до поступления входного сигнала был
установлен (например от делителя напряжения ) так базы lб2, то рабочая точка Р на
нагрузочной прямой укажет соответствующие этому току значения lкр и Uкэр.
12.5.Напряжения смещения на базе и термостабилизация режима работы
транзисторных схем.
Для получения наименьших искажений усиливаемого сигнала рабочую точку P следует
располагать на середине отрезка N-M нагрузочной прямой построенной в семействе выходных
характеристик транзистора (рис.4). Положение этой точки (P) соответствует току смещения в
цепи базы Iб.р. Поэтому для получения выбранного режима необходимо обеспечить
требуемую величину тока смещения в цепи базы. Для этого и служит резистор( или резисторы)
Rб (Rб1-Rб2) (см.плакат№120)
Из всех известных схем которые формирует необходимое смещение в цепи базы , наиболее
эффективной является схема с фиксированным напряжения смещения на базе (плакат №120)
 Резисторы Rб1 –Rб2 составляют делитель напряжения подключенный параллельно источнику
питания Ек.
Ток делителя Ig≈ (2…5) I б.р
Пренебрегая внутренним сопротивлением источника , можно считать , что Rб1 и Rб2
включены параллельно друг другу.
Поэтому необходимо, чтобы
Т.е. делитель ,образованный Rб1 ,и Rб2 должен обладать достаточно большим сопротивлением
( порядка к ).
При построении транзисторных схем (усилителей , генераторов сигналов т.д) необходимо
принимать меры для стабилизации положения раб. точки на характеристиках. Основной
дестабилизирующий фактор нарушающий устойчивую работу транзисторных схем –влияния
температуры. Существуют различные способы термостабилизации режима работы
транзисторных каскадов. Наиболее распространенная на рисунке 120б,с.
В этой схеме навстречу фиксированному с Rб2, включено напряжение , возникающее на
резисторе Rэ при прохождении через него тока эмиттера . С повышением температуры
постоянная составляющая коллекторного тока возрастает , т.к. Iэ=Iб+Iк .С ростом Iэ как
следует растет и падение напряжения Iэ*Rэ. В результате напряжение между эмиттером и
базой Uбэ уменьшится , что приведет к уменьшению тока базы Iб , а следовательно и тока Iк. С
уменьшением температуры процесс обратный .
В большинстве случаев резистор Rэ шунтируется конденсатором Сэ большой
емкости(десятки µF) для отвода переменной составляющей тока Iэ от Rэ (рис.120б).

12.6.Полевые транзисторы(плакат№112).
Полевым транзистором называется трех электродный полупроводниковый прибор, в котором
ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля , а
управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем , создаваемым
напряжением , приложенным к управляющему электроду .
По своим конструктивным особенностям все полевые транзисторы можно разделить на две
группы :
а) полевые транзисторы с p-n- переходами (канальные или униполярные транзисторы);
б) полевые транзисторы с изолированным затвором.
Полевой транзистор с p-n-переходом (112) представляет собой кристалл германия с
электронной n-проводимостью ,на верхние и нижнее ребра которого нанесен тонкий слои
полупроводника с p- проводимостью ,между ними образуется канал (плакат№112)
Изготавливают полевые транзисторы как с каналом типа n , так с каналом типа р. Принцип
действия у них одинаков : различия заключаются лишь в полярности подводимых
напряжений. Включение канала в электрическую цепь обеспечивает с помощью двух
электродов , один из которых называется истоком (И), а второй- стоком(С ).
Вывод, подсоединении к области n-(или р-) типа ,является управляющим электродом и
называется затвором (З), выводы И,С,З соответствует (в порядке перечисления) эмиттеру,
коллектору и базе биполярного транзистора.
Подводимое между стоком и истоком напряжение Ес.u. вызывает движение электронов
полупроводника в канале и прохождение тока через транзистор в направление от истока к
стоку.
 Напряжение Ез.и. приложено к p-n переходу в обратном направлении. Чем больше оно по
величине ,тем больше ширина перехода . Канал становится уже , его сопротивление возрастает
и ток в цепи стока уменьшается. Изменение напряжения между стоком и затвором ( при Uc и
Rн=cost) можно управлять током Iс в цепи стока. Подключив последовательно с Ези источник
усиливаемого переменного напряжения Uвх, можно изменять ток в канале Iс по закону
изменения входного направления. Ток стока, проходя через сопротивление нагрузки Rн ,
создает на нем усиленное падение напряжения изменяющееся по закону Uвх.
Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют структуру метал-диэлектрик
(окисел) –полупроводник. Их часто называют МДП или МОП –транзисторами.
Основой прибора служит пластина монокристаллического кремния р-типа (плакат №112)
область истока и стока представляют собой участки кремния, сильно легированные примесью
n-типа. Расстояние между истоком и стоком 1 мм. На этом участке расположена узкая
слаболегированная полоска кремния nтипа (канал). Затвором служит металлическая
пластинка 1, изолированная от канала слоем диэлектрика 2 толщиной примерно 0,1 мм. В
качестве диэлектрика используется пленка двуокиси кремния, выращенная при высокой
температуре . В зависимости от полярности затвора по отношению к истоку канал может
меняться обедняться или обогащаться электронами ,таким образом изменяя сопротивление
канала между стоком и истоком.
Характеристики транзистора представлены на плакате №113.
Полевые транзисторы могут быть использованы в схемах усилителей ,генераторов ,
переключателей и др.
На плакате№113 показаны возможные схемы включения полевых транзисторов с общим
истоком, затвором и стоком.
Использованная литература.
Общая электротехника с основами электроники./В.А.Гаврилюк и др. Киев.
"Вища школа",1989