Министерство образования Российской Федерации

Пермский государственный технический университет

И .И . Б о б р о в

УСИЛИТЕЛИ

Утверждено в качестве учебного пособия

редакционно-издательским советом
Пермского государственного
технического университета

Пермь 2003
УДК 621.382
Б72
Рецензенты: А .^ Южаков - вице-президент Западно-Уральского фи­
лиала Международной академии информатизации, д-р
техн. наук;
Э.С. Заневский - доцент кафедры «Автоматика и телеме­
ханика» Пермского государственного технического уни­
верситета, канд. техн. наук.
Бобров И.И.
Б72 Усилители: Учеб, пособие / Перм. гос. техн. ун-т. Пермь, 2003.
175 С. ИЗДАНИЕ ВТОРОЕ ИСПРАВЛЕННОЕ
1БВЫ 5-88151-250-2

Рассмотрены транзисторные и микроэлектронные усилители

ременного тока низкой частоты н усилители постоянного тока.
>иведено описание принципа работы и построения схем предвари-
пьных усилителей и выходных усилителей мощности. Дан анализ
раметров и характеристик усилителей. Значительное внимание уде-
но рассмотрению и анализу микроэлектронных усилителей с учетом
временного уровня развития элементной базы РЭА. Пособие пред-
значено для студентов электротехнических специальностей.

УДК 621.382

ISBN 5-88151-250-2 © Пермский государственный

технический университет, 2005
 3

Оглавление

1. Классификация и параметры усилителей 6

1.1. Назначение и классификация усилителей 6
1.1.1. Назначение усилителей 6
1.1.2. Классификация усилителей 7
1.2. Основные показатели (параметры) работы усилителя 9
1.2.1. Коэффициент усиления 10
1.2.2. Частотные и фазовые (линейные) искажения 11
1.2.3. Частотная характеристика усилителя 11
1.2.4. Нелинейные искажения 14
1.2.5. Внутренние помехи усилителя 15
1.2.6. Амплитудная характеристика . 15
1.2.7. Коэффициент полезного действия . 16
1.2.8. Переходная характеристика . 16
1.2.9. Входное и выходное сопротивления 17
2. Усилительный каскад предварительного усиления УНЧ 18
2.1. Способы включения усилительных (активных) элементов 18
2.2. Усилительный каскад с коллекторной нагрузкой 18
2.2.1. Режим покоя 20
2.2.2. Работа схемы 21
2.2.3. Графический анализ работы каскада 24
2.3. Выбор и задание режима покоя 2<>
2.3.1. Выбор режима покоя . 20
2.3.2. Способы задания режима покоя 28
2.4. Стабильность режима покоя. Стабилизация режима покоя 30
2.4.1. Причины нестабильности режима покоя 30
2.4.2. Следствия ухода рабочей точки А 33
2.4.3. Стабилизация режима покоя 33
2.4.4. Коэффициент нестабильности N 36
2.4.5. Стабильность типовых схем 40
2.5. Режим переменного тока 41
2.5.1. Эквивалентная схема каскада 42
2.5.2. Параметры каскада в области средних частот 45
2.5.3. Область низших частот
2.5.4. Область высших частот
2.6. Обратная связь в усилителях 62
2.6.1. Виды обратной связи 62
2.6.2. Влияние обратной связи на параметры усилителя 65
2.6.3. ООС и стабильность коэффициентов усиления 68
2.6.4. ООС и Нелинейные искажения 69
2.6.5. ООС и частотные искажения 69
2.6.6. Усилительный каскад с ООС 70
 4

2.6.7 Эмиттерный повторитель (каскад ОК) 72

2.7. Микроэлектронные усилители 74
2.7.1. Усилители с использованием ИС малой степени
интеграции....... 74
2.7.2. Частотная характеристика в области низших частот 77
2.7.3. Частотная характеристика в области высших частот 79
3. Усилители мощности .. 80
3.1. Особенности работы УМ 80
3.1.1. Режим работы УМ 80
3.1.2. Классы усиления 81
3.2. Однотактный усилитель мощности класса А . 83
3.2.1. Схема и ее работа. 83
3.2.2. Нагрузочная линия по переменному току 85
3.2.3. Энергетические соотношения в УМ 87
3.2.4. Выходной сигнал 89
3.3. Оценка коэффициента гармоник (нелинейных искажений) 89
3.3.1. Построение сквозной динамической характеристики 90
3.3.2. Оценка (расчет) коэффициента гармоник и способы
его уменьшения 91
3.4. Трансформаторный двухтактный усилитель мощности класса В 93
3.4.1. Схема и ее работа 93
3.4.2. Построение нагрузочной линии ВС и входной
характеристики КМ 96
3.4.3. Энергетические соотношения в классе В 96
3.4.4. Входной сигнал 98
3.4.5. Определение коэффициента гармоник в классе В 99
3.5. Бестрансформаторный усилитель мощности класса В (АВ) 101
3.5.1. Схема УМ на составных транзисторах и ее работа 101
3.5.2. Энергетические соотношения 107
3.5.3. Входной сигнал . 108
3.5.4. Определение глубины ОС по переменному току /Л 110
3.5.5. Определение коэффициента гармоник
для бестрансформаторного УМ 110
3.6. Микроэлектронные усилители мощности 114
3.6.1. Усилитель К174УН7 114
4 Усилители постоянного тока (УПТ). Операционные
усилители (ОУ) 119
4.1. Назначение и особенности УПТ 119
4.1.1. Согласование уровней потенциалов при межкаскадной
связи 121
4.1.2. Дрейф нуля в УПТ 123
4.2. Дифференциальные усилители 125
4.2.1. Схема, особенности ДУ 125
 3

4.2.2. Работа ДУ 128

4.23. Погрешности (ошибки) ИС-ДУ 133
4.3. Улучшенные варианты ИС-ДУ 136
4.3.1. Модифицированная схема Дарлингтона 136
4.3.2. Сложная схема ИС-ДУ с активной нагрузкой 137
4.4. Интегральные операционные усилители (ОУ) . 138
4.4.1. Схемы перехода от дифференциальных выходов ДУ
к одиночному или схемы приведения полного
дифференциального сигнала к одному выходу 139
4.4.2. Схемы сдвига уровней.......................................................... 142
4.4.3. Выходные каскады О У ........................................................ 142
4.4.4. Операционный усилитель К140УДI 143
4.4.5. Операционный усилитель К140УД7 145
4.4.6. Программируемые ОУ 149
4.4.7. Разновидности ОУ 152
4.5. Применение ОУ в усилительных схемах.................................... 154
4.5.1. Параметры О У ..................................................................... 154
4.5.2. Инвертирующее включение ОУ........................................... 156
4.5.3. Неинвертирующее включение ОУ....................................... 160
4.6. Частотные свойства ОУ. Понятие об устойчивости ОУ 162
4.6.1. Асимптотические ЛАЧХ и ФЧХ (диаграммы Боде)
одиночного каскада ............................................................. 162
4.6.2. Асимптотические ЛАЧХ и ФЧХ (диаграммы Боде)
некорректнрованного ОУ. Понятие об устойчивости 163
4.6.3. Диаграммы Боде корректированного ОУ 166
4.6 4. Экспериментальное определение величин
корректирующих элементов 169
4.7. Практические схемы с ОУ 170
4.7.1. Нуль-орган 170
4.7.2. Компаратор. 171
4.7.3. Мультивибратор. 172
4.7.4. Одновибратор....................................................................... 173
4.7.5. RC-автогенератор с мостом Вина ........................................ 174
Список литературы 175
 6

КЛАССИФИКАЦИЯ И ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЕЙ

1.1. Назначение и классификация усилителей

1.1.1. Назначение усилителей

Усилители электрических сигналов применяют в самых различных
областях науки и техники. Наиболее широко используют усилители в ра­
диовещании, телевидении, вычислительной технике, ядерной физике, ра­
диолокации и радионавигации, автоматике, медицине и т.д. Усилители
можно применять как самостоятельные устройства и как составную часть
более сложных аппаратов. Что же представляет собой усилитель? Усили­
телем электрических сигналов называют устройство, которое позволяет
при наличии на его входе сигнала с малым уровнем мощности получить на
нагрузке, включенной на выходе, тот же сигнал, но со значительно боль­
шим уровнем мощности. Мерой величин сигналов на входе и выходе мо­
жет быть также величина напряжения или тока. Блок-схема усилительного
устройства показана на рис. 1.1.

Рис. 1.1

Усилительное устройство включает в себя собственно усилитель, ис­

точник питания постоянного тока, источник усиливаемого сигнала Ет и на­
грузку Я„. Усилитель имеет входные и выходные клеммы (вход и выход).
Ко входу усилителя подключается источник усиливаемого сигнала с ЭДС
Ех и внутренним сопротивлением /?г, обеспечивающий на входных зажи­
мах усилителя сигнал, характеризуемый величинами р\у щу /р Обычно ве­
личина щ измеряется милливольтами (иногда микровольтами). Источни­
ком сигнала может быть датчик сигнала или предыдущий усилитель. К
выходу усилителя подключается нагрузка. Нагрузкой может быть и вход
последующего усилителя. Усиленный сигнал на выходе (в нагрузке) ха­
рактеризуется величинами рг, и2, 12.
 7

Эффект усиления заключается в том, что в нагрузку поступает энер­

гия 01 источника питания постоянного тока (не от источника сигнала!),
преобразованная под воздействием (управлением) усиливаемого (входно­
го) сигнала (ри Ни /|) в выходной сигнал (рь и2у /2), имеющий форму вход­
ного сигнала, но значительно больший уровень (иногда на много поряд­
ков), чем сигнал на входе.
Источник питания (как правило, источник постоянного тока) - прин­
ципиально необходимое звено в усилительном устройстве. Преобразова­
ние энергии этого источника в энергию усиленного сигнала производится
при помощи активного (усилительного) элемента. В качестве активного
элемента, как правило, используются транзисторы разных типов. В даль­
нейшем в пособии будут рассматриваться только транзисторные усилите­
ли, как дискретные, так и микроэлектронные.
Для связи активных элементов с источником сигнала и нагрузкой, а
также для связи их между собой, для задания необходимых условий рабо­
ты активного элемента используются пассивные элементы: резисторы,
конденсаторы, дроссели и др. В микросхемах конденсаторы и дроссели не
применяются. Активный элемент (транзистор) совместно со всеми вспомо­
гательными элементами, обеспечивающими его нормальную работу, назы­
вается усилительным каскадом. Несколько связанных между собой каска­
дов (может быть один каскад совместно с источником питания) образуют
усилительное устройство, которое обычно подразделяется на собственно
усилитель и источник питания. При этом в собственно усилителе выделя­
ется ещё предварительный усилитель (первые каскады) и выходной усили­
тель (последний каскад) - усилитель мощности. При этом каскады предва­
рительного усилителя и оконечный усилитель (усилитель мощности) раз­
личаются режимом работы. Считается, что предварительные каскады ра­
ботают в режиме очень малых сигналов (малосигнальный режим), а око­
нечные усилители - в режиме большого сигнала (нелинейный режим). Ес­
ли последний каскад работает в режиме малого сигнала, то деление на
предварительные и оконечные каскады теряет смысл и все каскады рас­
сматриваются как предварительные (малосигнальные). Подробно смысл
малого и большого сигналов будет раскрыт позднее.
Как правило, оконечные каскады (усилители мощности) отличаются
и устройством (схемой), но это отличие необязательно.

1.1.2. Классификация усилителей

В соответствии с обширной областью применения существует боль­
шое число типов усилителей, отличающихся тем или иным признаком (те­
левизионные, локационные, измерительные и г.д.). Однако усилители,
предназначенные для совершенно различных целей, могут быть одинако­
выми или очень близкими по устройству. Поэтому классификация усиди-
 8

телей по их применению в той или иной области дает мало сведений об их

свойствах и особенностях Обычно усилители классифицируют по диапа­
зону и величине усиливаемых частот, виду активных элементов, назначе­
нию усилителя и по характеру входного сигнала.
По диапазону и величине усиливаемых частот различают:
1. Усилители постоянного тока (УПТ) - усилители для усиления
сигналов, частота которых может изменяться от 0 до некоторой частоты Л
(обычно не очень большой) (рис. 1.2,а). Существенной особенностью этих
усилителей является способность усиливать сигналы постоянного тока.

ф и
УВЧ
/
о
/. }0 /.
в
Рис. 1.2

2. Усилители низкой частоты (УНЧ) - усилители сигналов перемен­

ного тока с частотами от нижней частоты / м(обычно в пределах 50 * 300
Гц) до верхней частоты / п (рис. 1.2,б). Для воспроизведения речи и музыки
./и составляет 10 -г 20 кГц.
3. Усилители высокой частоты (УВЧ) - усилители радиосигналов,
частоты которых сосредоточены в узком диапазоне около центральной
частоты /о (рис. 1.2,в), /о составляет сотни килогерц и выше. Для УВЧ ха­
рактерным является условие / ь - « /> или /» / / и ~ 1. Они составляют
группу избирательных (селективных) усилителей и находят широкое при­
менение в радиоприемных устройствах.
 9

4. Широкополосные усилители - усилители сигналов с частотами о

/н > 0 (как правило,./и составляет единицы или десятки Гц) до/в, достигаю­
щей десятков мГц.
По назначению усилители подразделяются на усилители напряже­
ния, тока и мощности. Если основной задачей является усиление напряже­
ния до необходимой величины, то усилители относятся к усилителям на­
пряжения. Если основное условие - усиление тока до необходимой вели­
чины, то усилители считаются усилителями тока. Усилителями мощности
называют выходные (оконечные) каскады, способные отдать в нагрузку
заданную мощность.
По характеру входного сигнала усилители подразделяются на усили­
тели непрерывных сигналов и усилители импульсных сигналов. К первой
группе относятся усилители, в которых переходные процессы установле­
ний колебаний практически могут не учитываться (скорость изменения
сигнала не велика по сравнению с быстродействием усилителя). Наоборот,
в усилителях импульсных сигналов переходный процесс установления ко­
лебания является определяющим для нахождения формы выходного сиг­
нала, т.е. форма этого сигнала зависит не только от формы сигнала на вхо­
де, но и от свойств усилителя (скорость изменения сигнала превышает бы­
стродействие усилителя). Согласно приведенной классификации полная
характеристика усилителя должна включать в себя все указанные призна­
ки, например, “транзисторный усилитель напряжения низкой частоты”,
“транзисторный усилитель мощности низкой частоты”, “интегральный
усилитель постоянного тока” и т.д.

1.2. Основные показатели (параметры) работы усилителя

Важнейший показатель, характеризующий работу усилителя, - ко­
эффициент усиления. Но наряду с усилением сигнала, являющимся полез­
ным эффектом, в усилителе происходят некоторые изменения формы сиг­
нала, называемые искажениями. В результате искажений сигнал на выходе
имеет форму, отличающуюся в той или иной мере от его формы на входе.
Этот эффект искажения, безусловно, не является полезным, но он неизбе­
жен и с ним приходится считаться.
Поэтому усилитель, кроме количественной оценки эффекта усиле­
ния, характеризуется и степенью искажения сигнала. К основным показа­
телям работы усилителя относятся: коэффициент усиления, частотная, фа­
зовая и амплитудная характеристики, уровень линейных и нелинейных ис­
кажений, уровень шумов, КПД, динамический диапазон и др. Для усили­
телей импульсных сигналов широко используется переходная характери­
стика.
 10

1.2.1. Коэффициент усиления

Коэффициент усиления показывает, во сколько раз полезный эффект

в нагрузке на выходе усилителя больше эффекта на входе, создаваемого
источником сигнала. В соответствии с тем, что является основным при
усилении, усилитель характеризуется коэффициентом усиления напряже­
ния К„. тока Ki и мощности Кр. Они определяются в установившемся ре­
жиме при гармоническом сигнале на входе.
Коэффициент усиления мощности Кр показывает, во сколько раз
мощность на выходе Л, отдаваемая в нагрузку, больше мощности Ни под­
водимой ко входу усилителя (учитывается при этом активная мощность):
Кр й о .!)
р,
Коэффициент усиления по напряжению - отношение выходного на­
пряжения 0 2 к входному 0 1:

Ки (1.2)
о,
Коэффициент усиления по току - отношение выходного тока / 2 ко
входному току / | :
К, = 4 . (1.3)
В усилительной технике для оценки коэффициентов усиления при­
меняют специальную единицу - децибел.
КРш■>= Ю - \gKpy
(дг.)= 20 • \^Ки\ (1.4)
2 0 -1 ^,.
Зависимость между линейными и логарифмическими значениями
коэффициентов усиления показана в табл. 1.1.

Таблица 1.1

раз к„ 1 кл, ДГ*ад. раз К, 1 КЛ,

дБ дБ
0,500 -3,0 -6,0 2 3 6
0,707 -1.5 -3.0 10 10 20
1,000 0 0 100 20 40
2,000 1.5 3,0
 II

Часто усилитель состоит из нескольких каскадов (если усиление од­

ного каскада мало): выходной сигнал первого каскада включается на вход
второго и т.д. Тогда результирующий коэффициент £*п>л-каскадного
усилителя равняется произведению коэффициентов усиления отдельных
каскадов:
(1.5)
Результирующий коэффициент усиления в децибелах равен сумме
коэффициентов отдельных каскадов, выраженных в децибелах:
(16)

1.2.2. Частотные и фазовые (линейные) искажения

Сигнал на входе усилителя может быть гармоническим или сложной
формы. Сигнал любой формы можно представить состоящим из целого ря­
да гармонических составляющих (гармоник). Если усилитель усиливает
одинаково все гармоники, то сигнал на выходе будет повторять по форме
сигнал на входе. Однако, как уже указывалось, в усилителе имеются реак­
тивные элементы (конденсаторы, дроссели, межэлектродные емкости и
др.), сопротивление переменному току которых зависит от частоты. По­
этому в реальных усилителях гармоники с разными частотами усиливают­
ся по-разному, т.е. коэффициент усиления изменяется с изменением часто­
ты. На выходе усилителя изменяется соотношение между амплитудами
гармоник и форма сложного сигнала будет отличаться от формы сигнала
на входе. Искажения такого рода называют частотными искажениями.
Кроме частотных, в усилителе возникают фазовые искажения, кото­
рые получаются из-за того, что при прохождении сигнала через усилитель
происходит изменение фазы сигнала, вызванное теми же реактивными
элементами. Причем фаза каждой гармоники меняется по-разному. Поэто­
му фазовые сдвиги могут привести к изменению взаимного расположения
гармоник на выходе и к искажению сигнала, даже если все гармоники уси­
ливаются одинаково. И частотные, и фазовые искажения являются линей­
ными, так как они вызываются линейными элементами (емкостями, индук­
тивностями). При этом форма гармонического сигнала (отдельной гармо­
ники) не изменяется, а искажения сложного сигнала получаются из-за от­
носительного изменения отдельных гармоник по величине и по фазе.

1.2.3* Частотная характеристика усилителя

Представление о величине и характере частотных искажений дает
частотная характеристика усилителя. Она представляет собой зависимость
модуля коэффициента усиления / ) от частоты (коэффициент усиления
в общем случае является комплексным). Примерный вид частотной харак-
 12

теристики УНЧ показан на рис. 1.3,а. Обычно еб строят в полулогарифми­

ческом масштабе: по оси ординат используют линейный масштаб, по оси
абсцисс - логарифмический. Эго вызвано тем, что диапазон усиливаемых
частот современных усилителей довольно высок. Весь этот диапазон ус­
ловно разбит на область средних частот, в которых усиление практически
не зависит от частоты (Ко), и области высших и низших частот, где усиле­
ние существенно изменяется с изменением частоты. Низшую частоту/,, на
которой усиление снижается до заданной величины ДГ„, называют низшей
граничной частотой, а высшую частоту/,, на которой коэффициент усиле­
ния уменьшается до заданной величины Кп, - высшей граничной частотой.

К(Л А низкие средние | высшие

частоты частоты | частоты
К. 1 Кл
| Ко ч
___ 1____ /
•У
/. к---------- ------------- Н /.
а

Рис. 1.3

Кн и Кшмогут быть различными, но чаще их задают одинаковыми (КН=КВ).

Область частот ДГ о т / до / (ДГ - / - / ) называют полосой пропускания
усилителя. В пределах полосы пропускания коэффициент усиления не
опускается ниже Ки и Кь. Для анализа усилителей часто используют нор­
мированную частотную характеристику А/(/), показанную на рис. 1.3,6:
К (/)
Л/(/> = (1.7)
Ко
Частота/измеряется в герцах (Гц). Вместо циклической частоты/в
литературе нередко используется круговая частота со, измеряемая в радиа-
нах/сек. Частоты/и со различаются постоянным коэффициентом
со 2п • /
 13

Поэтому частотные зависимости от/и от а>9например, К ( / \ М (/) и

К(а>), М((о\ различаются только масштабом по оси частот (о) или/). Ха­
рактеристики К( ( ) и Л /(/) отличаются только масштабом по оси ординат
и в равной мере могут использоваться для анализа усилителей. В области
средних частот М (/) = 1, а в области высших и низших частот М (/) < 1.
Для конкретной частоты, например/, значение М(/\) является мерой час­
тотных искажений, называемой коэффициентом неравномерности частот­
ной характеристики. М( / ) может выражаться в линейных единицах или
децибелах, как и К (/). Допускаемая величина частотных искажений в пре­
делах полосы пропускания определяется характером нагрузки. Например,
в усилителях для воспроизведения речи и музыки они могут составлять
±10 дБ, а в измерительных усилителях - десятые и сотые доли децибела.
На практике часто за граничные частоты /„ и / принимаются частоты, на
которых коэффициент усиления уменьшается в /2 раз, т.е. когда Кн = Кв
- 0,707Ко, этому соответствуют частотные искажения Мн= Мв = - 3 дБ.
В некоторых случаях вводят дополнительную величину
1
У (Я = (1.8)
Щ /У
называемую коэффициентом частотных искажений. А иногда коэффици­
ентом частотных искажений называют величину М (/) из формулы (1.7).
Однако и М (/) из выражения (1.7) и У (/) из уравнения (1.8) имеют одина­
ковый смысл. В дальнейшем изложении будем использовать величину
М (П
Для л-каскадного усилителя
М{я)=М г М2-...-Мп, (1.9)

м $ ) *=м кдб) + м г ш +•■•+ м п(дб) ■ (1.10)

Фазовая характеристика <p(f) дает представление о зависимости от
частот^ фазового сдвига выходного сигнала по отношению к входному.
Примерный вид фазовой характеристики показан на рис. 1.4,а. Фазовые ис­
кажения отсутствуют, если фазовые сдвиги равны нулю - ç>(f) = 0 или фа­
зовая Характеристика имеет линейную зависимость от частоты (идеальная
фазовал характеристика):
РСЯ (1.11)
где время прохождения сигнала через усилитель.
Идеальная фазовая характеристика приведена на рис. 1.4,6.
0 фазовой характеристике не учитываются фазовые сдвиги, которые
вносятся некоторыми типами усилительных каскадов и составляют 180°.
 14

Эти углы, изменяя лишь полярность сигнала, не дают искажений. Для л-

каскадного усилителя результирующий фазовый сдвиг <р(м) равен сумме
фазовых сдвигов отдельных каскадов:
<р{п)= Ы Л + < Р г(Л + + *■(/). 0.12)
Следует отметить, что фазовую характеристику используют относи­
тельно редко, так как для анализа усилителя в большинстве случаев доста­
точно частотной характеристики. Тем более, что частотная характеристика
однозначно определяет и фазовую характеристику (для минимально-фазо­
вых цепей):
М (Л 1с08*(Л1. (1.13)
Поскольку и частотные, и фазовые искажения являются функциями
частоты, то нередко их вместе называют частотными и разделяют на ам­
плитудно-частотные и фазочастотные. В соответствии с этим рассматри­
вают амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) и фазочастотные ха­
рактеристики (ФЧХ).

1.2.4. Нелинейные искажения

Искажения, вызываемые нелинейными элементами, называют нели­

нейными. Активные элементы (транзисторы) при работе с сигналами
большой амплитуды становятся заметно нелинейными, они являются ос­
новной причиной нелинейных искажений. Причиной нелинейных искаже­
ний могут быть и трансформаторы, из-за нелинейности характеристики
намагничивания сердечника. В отличие от линейных, нелинейные искаже­
ния приводят к изменению формы гармонического сигнала. При гармони­
ческом входном сигнале выходной сигнал не является гармоническим. В
нем появляются дополнительные (высшие) гармоники - это характерная
особенность нелинейных систем. При усилении гармонического сигнала
нелинейные искажения оцениваются коэффициентом гармоник
 15

„ _ 1 /« '¿ ■ к 'г.н -" * .

-— • (Ь
где и 1т - амплитуда основной (первой) гармоники;
и^м и Пущ- амплитуды дополнительных (высших) гармоник.
Часто в расчётах используют нормированные величины гармоник:

8 - ^ 2т 8 - 8 - ^ 4м (1 15)
Тогда Кг можно записать через нормированные гармоники:

Кг = ^ ¡ + ¿ 1 + 6 } (1.16)
Допустимая величина Кг определяется характером нагрузки. Напри­
мер, для вещательной аппаратуры среднего качества КТ должно быть не
более 5 * 7 % (обычно Кг измеряется в процентах), для аппаратуры высше­
го качества - не более 1 + 2 %.

1.2.5. Внутренние помехи усилителя

На выходе усилителей появляется некоторое напряжение даже тогда,

когда отсутствует сигнал на входе. Эго напряжение называют напряжени­
ем помех (/по*. Причина его.- внутренние помехи, обусловленные шумом
транзисторов (особенно первых каскадов), фонами и наводками и т.д. По­
мехи приводят к ограничению чувствительности усилителя, так как для
надежного распознавания сигнала напряжение его должно во много раз
превышать напряжение помех. Помехи стремятся свести к минимуму.
Борьба с ними представляет довольно трудную задачу. Более подробно о
помехах можно прочитать, например, в работе [6].

1.2.6. Амплитудная характеристика

Зависимость амплитуды (действующего значения) выходного сигна­

ла от амплитуды (действующего значения) входного сигнала ( / ^ / ( ^ т )
называют амплитудной характеристикой. Примерный вил амплитудной
характеристики показан на рис. 1.5. При отсутствии искажений и помех это
должна быть прямая (пунктир):
И\т- (1.17)
 16

Рис. 1.5

Однако реальные характеристики заметно отличаются от прямой.

Наличие внутренних помех (Г/ПОм) приводит к тому, что характеристика
начинается не из нуля. При большой амплитуде сигнала сказываются не­
линейности транзисторов и характеристика отклоняется от линейной. В
пределах
и Хяmin— U\m — U\mтах
усилитель является линейной системой.
Отношение
и _ ^1/итах (1.18)
У п1/1ттт
называют динамическим диапазоном усилителя.

1.2.7. Коэффициент полезного действия

КПД усилителя
(1.19)
где - полезная мощность, отдаваемая усилителем в нагрузку;
Лклр - мощность, потребляемая от источника питания.

1.2.8. Переходная характеристика

Эта характеристика представляет собой зависимость мгновенного
значения выходного сигнала от времени м2 ( О при изменении входного
сигнала скачком на некоторую величину, принимаемую за единицу. Сиг­
нал такого вида называется единичной функцией <т\( /),
 17

0, /<о,
1, />0.
На практике чаще используют нормированную переходную характе­
ристику
Л(/) = (120)
и, =о,(/)

Переходную характеристику особенно широко применяют для ана­

лиза усилителей импульсных сигналов.
Следует указать, что частотная, фазовая и переходная характеристи­
ки линейной системы жестко связаны между собой. Характер одной из
них, например частотной, однозначно определяет остальные две: фазовую
(равенство (1.13» и переходную [1]:

Н(р) = М(Р) (121)

Р ’
где h(p) - изображение переходной функции Л( /) по Лапласу;
М(р) - изображение частотной характеристики по Лапласу, получаемое
из частотной характеристики M{j<o) заменой jen оператором р.

1.2.9. Входное и выходное сопротивления

Усилитель характеризуется входным Явх и выходным ДВы\ сопротив­

лениями, для низких частот (см. рис. 1.1):

£г =0 (1.22)

От соотношения величин Я„х и Иг зависит доля мощности источника

сигнала, передаваемая на вход усилителя, а от соотношения ^ и - до­
ля мощности усилителя, поступающая в нагрузку.
 18

2. УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО

УСИЛИТЕЛЯ УНЧ

2.1. Способы включения усилительных (активных) элементов

При изучении транзисторов были рассмотрены три возможных спо­

соба включения транзистора в электрической цепи: с общей базой (ОБ), с
общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК). По способу включения
активного элемента (транзистора) возможны три разновидности (типа)
усилительных каскадов с существенно различными свойствами. Однако
наибольшее распространение получили каскады, в которых транзистор
включен с общим эмиттером (ОЭ). Эти каскады получили также (кроме
ОЭ) название усилительных каскадов с коллекторной нагрузкой. Каскад с
коллекторной нагрузкой (каскад ОЭ) будет рассмотрен подробно.
Каскады с другими способами включения транзистора (ОБ и ОК)
используются сравнительно редко, в специальных случаях. Поэтому кас­
кады ОБ и ОК будут рассмотрены кратко (каскад ОК - в разделе «Обрат­
ная связь в усилителях»).

2.2. Усилительный каскад с коллекторной нагрузкой

Одиночный каскад составляет основу любого усилителя, состоящего

из нескольких каскадов. Иногда усилитель состоит только из одного кас­
када, и тогда каскад является самостоятельным усилителем. Усилительный
каскад с коллекторной нагрузкой (каскад ОЭ) самый распространенный
как в дискретных транзисторных усилителях, так и в микроэлектронных
усилителях (в микросхемах). Этот каскад отличается простотой схемы и в
то же время позволяет получать наиболее высокие коэффициенты усиле­
ния тока, напряжения и мощности. Возможно несколько разновидностей
этого каскада. На рис.2.1,а приведена наиболее простая (с минимальным
количеством деталей) электрическая принципиальная схема (в дальнейшем
- просто схема) каскада с фиксированным постоянным током базы (разно­
видность каскада). Смысл понятия «фиксированный ток» будет раскрыт
позднее.
На схемах и в натуре, как правило, используется однопроводная (не­
симметричная) передача электрических сигналов и потенциалов (постоян­
ных и переменных), когда один вывод источника сигнала, источника пита­
ния и схемы соединяется с корпусом (корпус обычно соединяется с зем­
лей) и принимается за нуль. Второй вывод является потенциальным, по
нему и передаются электрические сигналы и потенциалы. При этом все
электрические потенциалы отсчитываются относительно общего провода
(корпуса, земли).
 19

На схемах указывается не источник питания, а только точка (клем­

ма), к которой подключается потенциальный вывод источника питания
(второй вывод соединяется с корпусом), величина и знак потенциала в этой
точке в вольтах, например, «-15 В» или «+20 В». Эго означает, что в ука­
занную точку нужно подключить напряжение -15 В (или + 20 В). В учеб­
ной литературе часто указывается не численное значение, а «-£п» или
«+£> (когда численное значение в вольтах несущественно).

Рис. 2.1

Нагрузка В* на рис. 2.1,а включена в коллекторную цепь (отсюда и

название). Источник питания (+£У, резистор ВЖ 9коллектор и эмиттер тран­
зистора образуют главную цепь каскада (ее часто называют выходной це­
пью). В этой цепи формируется усиленный сигнал за счет изменения тока
коллектора 1Жпод управлением входного сигнала. Входная цепь, подклю­
ченная к базе транзистора, является цепью управления каскада. Источник
усиливаемого сигнала с ЭДС ег и внутренним сопротивлением Яг подклю­
чается к цепи управления (входной цепи) каскада и управляет током /к в
выходной цепи.
Однако такое включение нагрузки, как на рис. 2.1,а, возможно толь­
ко в том случае, если в нагрузке допустимо протекание постоянного тока
коллектора. Если постоянный ток не допустим в нагрузке, то нагрузка Ви
подключается так, как показано на рис. 2.1,6. При этом схема немного ус­
ложняется. Главная же цепь (+Ет В*, коллектор-эмиттер) остается неиз­
менной. Следует иметь в виду, что вариант, показанный на рис. 2.1,6, наи­
более распространен, при этом нагрузкой каскада часто яв.тяется вход сле­
дующего каскада.
Остальные элементы (детали) схемы выполняют вспомогательную
роль. Так, конденсатор С?\ предотвращает передачу постоянного потен­
циала коллектора транзистора в нагрузку, а конденсатор Ср - передачу по­
 20

стоянного потенциала базы транзистора в источник сигнала, а также шун­

тирование базовой цепи транзистора источником сигнала (источником
сигнала может быть обмотка датчика или трансформатора, тогда обмотка
просто зашуширует базу транзистора по постоянному току на корпус). Ре­
зистор /?| обеспечивает необходимый режим транзистора по постоянному
току (режим покоя).

2.2.1. Режим покои

Эго понятие имеет очень большое значение как для работы каскада,
так и для ее изучения. Так называют режим при отсутствии входного сиг­
нала (ег = 0 или щ - 0). Но при этом в каскаде протекают постоянные токи
н в узлах каскада имеются постоянные напряжения. На рис. 2.2 режим по­
коя отмечен точкой А. Этот режим называют также режимом по постоян­
ному току, начальной рабочей точкой, рабочей точкой покоя. Все названия
равноправны. Постоянные токи в режиме покоя на рис.2.2 (в точке Л) это-
/■а» Ьа- Постоянное напряжение в точке А - С/пд, £/<ьа* £/<за (потенциал ба­
зы относительно корпуса). Независимыми являются координаты точки А
на выходных характеристиках -/^а и £/**. Они задаются (выбираются) пе­
ред построением каскада. На рисунке 22 1ща * 2 мА, £/г*а = +5 В. Коорди­
наты точки А (/кд, Цоа) связаны уравнением баланса ЭДС и напряжений в
выходной цепи:
£„^С /0 + / , £ . . (2.1)

Рве. 2.2
 I

На практике часто используют полученное из (2 1) уравнение нагрузочной

характеристики по постоянному току;
(2.2)
справедливое для любой точки по постоянномх тою. в том числе и для
точки А (I юА ■=I п / кА RK). Уравнение (2 2) является уравнением пря­
мой НС Нафузочную характериешку (ЧС) по постоянному току строят
по двум точкам на осях координат по точке Н, в которой Икл О,
/ к -1 /V и точке ( , в которой /к 0. Г ю = /:п Остальные величины
(/«л- Гл.а, ( -\\) определяются липом транзистора и выбранными ранее ве­
личинами /к.л, U%-»\ Например. /6А=/каР- определяются по входной
характерислике выбранного транзистора при токе 1с.\ На рис. 2.1
I GA = I но для других схем это может быть не так. Смысл (/РЛ будет
раскрыт позднее в схеме каскада с эмиттерной стабилизацией. Для точки А
\и рисунка 2 1.6 можно определить по входной характеристике (V>\
- 0.25 В
Указанные параметры (координаты) режима покоя Окл, ^»-а, /лд) оп­
ределены пока теоретически, по характеристикам. Такое определение на­
зывают выбором режима покоя Однако схему практически надо постротггь
так. чтобы эти выбранные ранее величины были реализованы на практике,
т е должен быть задан выбранный режим на практике и реальные величи­
ны должны соответствовать выбранным Правила выбора и способы зада­
ния режима покоя будут рассмотрены подробнее позднее
1юнятие режима покоя и все понятия и требования, связанные с ним,
справедливы для усилителей любых типов Рассматриваемые понятия и
требования ,ч режиму покоя б\д\т использоваться в дальнейшем и для дру-
I их типов усилил елей без дополни тельных объяснений

2.2.2. Работа схемы

При появлении усиливаемого сигнала л [ст т0 ) через разделитель­

ную емкость ( г на входе каскада появляется переменное управляющее на­
пряжение /о. а в цепи базы протекает переменная составляющая тока базы
связанные с е соотношениями

(2 3)

Для простоты напряжение //. и ток /6 приняты синусоидальными.

Входной сигнал будет накладываться на режим покоя Гак во входной
 22

(базовой) цепи вместе с постоянной составляющей тока покоя /од будет

протекать переменная составляющая тока базы /б_. Токи /бд, /б-бУДУ7
суммироваться в базовой цепи (по правилам линейной или нелинейной це­
пи). Так, при положительной полуволне тока /6_ постоянный ток базы бу­
дет увеличиваться, а при отрицательной полуволне тока /б_ полный ток
базы будет уменьшаться. Полный ток базы /б под управлением входного
сигнала и\ будет изменяться (увеличиваться или уменьшаться) от величи­
ны тока покоя /бд до ( / 6А ± / бт). При соблюдении определённых условий
(основным из которых является выполнение режима малого сигнала) мо­
жет быть использован принцип суперпозиции. Тогда происходит алгеб­
раическое суммирование переменной и постоянной составляющих тока в
цепи. Для базовой (входной) цепи в этом случае можно записать:

;б = ^6А + 'б-> "бэ = ^бэА + “б- • (2.4)

В зависимости от соотношения величины /?вх и Яг возможны пре­
дельные режимы входной цепи каскада в отличие от (2.3):
1. Режим генератора ЭДС - Иг « /?вх, при этом

мб - = м1=<-'г. 'ь~= Т ~ - (25)

'*в.\
Источник сигнала ег по отношению к входной цепи каскада является ис­
точником (генератором) ЭДС.
2. Режим генератора тока - Ит » Двх, при этом

«б- = «I = 'б- • Лах. 'б- = у - • (2-6)

Источник сигнала в этом случае является генератором (источником) тока.

В транзисторе, включенном по схеме ОЭ, ток коллектора управляет­
ся током базы ( / к = / б -р + /*0). Поэтому полный ток коллектора /* под
управлением переменной составляющей тока базы /б_ тоже будет изме­
няться от величины тока покоя /цд, т.е. в нём тоже появится переменная со­
ставляющая /к_, которая будет алгебраически суммироваться с током по­
коя /цд:
'к-ЛсА +'«-• (2-7>
Переменная составляющая тока коллектора в р раз больше Г|ере-
менной составляющей тока базы /б_:

= Р-'б~ (2.8)
и является, по сути, уже усиленным сигналом. Однако почти всегда требу­
ется усиленный (выходной) сигнал в виде переменного напряжения мк^(а
не тока ), т.е. требуется преобразовать в ик„ . Такую функцию пре­
образования в выходной цепи выполняет резистор /?к (называемый коллек­
торной нагрузкой). Протекая через резистор Ак, переменная составляющая
тока /к_ создает на нем переменную составляющую падения напряжения:

««=Р '6- Я«
Однако, как уже указывалось, выходной сигнал снимается между коллек­
тором и корпусом. Переменная составляющая выходного сигнала ик__ рав­
на по величине и ^ , но противоположна по знаку (это вытекает из (2.2):
при увеличении тока /* и росте напряжение на коллекторе падает).
=-**«-•
Полное напряжение на коллекторе тоже можно представить суммой
переменной и постоянной составляющих:

(2.9)
Почти всегда нагрузка Я„, для которой производится усиление сиг­
нала, не может быть включена в коллекторную цепь. В нагрузку Ии требу­
ется передать только переменную составляющую сигнала, тогда нагрузка
И„ подключается к коллекторной цепи через разделительный конденсатор
ГР1, пропускающий только переменную составляющую сигнала, как пока­
зано на рис. 2.1,6. На этом рисунке показано, что под действием //к_ часть
переменного тока /к^ через конденсатор Гр) ответвляется в нагрузку /{,, и
образует выходной ток (ток нагрузки) /и^ Величина переменной состав­
ляющей напряжения на коллекторе ик^ в этом случае определяется сопро­
тивлением параллельно включенных резисторов и Я,„ называемым часто
эквивалентным сопротивлением по переменному току:
(2.10)

Рабочая точка при этом будет перемещаться по нагрузочной характеристи­

ке для переменного тока, на рис. 2.2,а это линия </, проходящая через точ­
ку А. Уравнение этой нагрузочной характеристики:

(2.11)
 24

Для повышения уровня выходного сигнала (в нагрузке Ии) нужно,

чтобы большая часть тока /н_ ответвлялась в нагрузку. Для этого сопро­
тивление Кк надо выбирать в несколько раз больше /{„. Ориентировочно
можно считать, что необходимо выполнение условия

Лк >(лИО)Лн.

2.2.3. Графическнй анализ работы каскада

Болес полное представление о работе каскада лает графический ана­

лиз. при котором получают графики (кривые) изменения токов и напряже­
ний (2.2), (2.3), (2 4). (2.7), (2.9), (2.10) совместно с выходными и входными
характеристиками, приведенными на рис. 2.2. Нагрузочная прямая И(
(2.2) построена для = 2,5 КОм. /:„ - 10 В. а нагрузочная прямая для пе­
ременного тока а - для 1,8 КОм (Ик I КОм) Для анализа исполь­
зуют синусоидальный входной сигнал /б_. Из точки покоя А проводят оси
времени г для переменных составляющих /н_ (влево) и (вниз). Для
входного сигнала /с,^ ось времени / совмещают с коллекторной характери­
стикой, проходящей через точку А (соответствующей току покоя базы / й, ,
равного 0,1 мА на рис. 2.2,а). Затем на эту ось времени наносят кривую /6^
(синусоида) с учётом расстояния между коллекторными характеристиками
в величинах тока базы. На рис. 2.2 а коллекторные характеристики приве­
дены для токов базы, отличающихся на 0,05 мА. т е. интервал между кол­
лекторными характеристиками потоку базы равен 0,05 мА ( Д/б~ 0,05 мА).
Для упрощения анализа амплитуды переменной составляющей сигнала
/ б,„ тоже выбрана равной 0.05 мА ( /б;„ - 0.05 мА). По графику /б~ можно
построить графики /и и напряжений //к Для этого на графике /б_
выбирают несколько точек, находят соответс1вующие им значения /к_,
//к^, иб~ и по иим значениям строят графики /к. . мк //6. На рис 2.2,а
для анализа выбраны три :очки ¡рафика /6_. соответствующие значениям-
юка базы /Гу, (точка 1\ / 0, +- /Л,„ (точка Г). / 6, /6;„ (точка 2). Для сину­
соидального сигнала ¡рёх гочек вполне достаточно. Затем для каждой из
выбранных точек находят соответствующие значения /к^, На­
пример. для точки 1 ток базы увеличился до значения / бА + / б,„ ~ 0,15 мА.
11ри этом ток коллектора также увеличился и рабочая точка А перемести­
лась вверх по Н(’ в точку Г пересечения нагрузочной прямой Н( с кол­
лекторной характеристикой, соответствующей току базы / 6А + I . Коор­
динаты этой точки Г и есть величины тока коллектора /к (ось ординат) и
напряжения коллектора (ось абсцисс). На оси времени для токов отмеча­
 25

ется точка Г, соответствующая величине тока и в точке Г, равной

/ ы + / т , а на оси времени для напряжений - точка \т , соответствующая
величине напряжения ик в точке Г, равной - Vт . По точке Г
(/к = /^4 + /т ) и значениям /к = для двух моментов времени (до и по­
сле точки Г) строят первую полусинусоиду тока /к_ (масштаб по оси вре­
мени выбирают произвольным), соответствующую увеличению тока базы.
Аналогично по точке Г (мк = 11^ - £/т ) и значениям ик = £7^ для двух
моментов времени (до и после точки Г ) строят первую полуволну напря­
жения мк_. При этом следует отметить, что если принять первую полуси­
нусоиду тока /к__ положительной (ток коллектора увеличивается), то пер­
вая полусинусоида напряжения ик_ будет отрицательной (напряжение на
коллекторе уменьшается). Точно так же строят вторую полусинусоиду то­
ка /к_ и напряжения по точке 2 графика /б_: находят точку пересечения
2' нагрузочной прямой ВС с коллекторной характеристикой, соответст­
вующей току базы / ы - 16т = 0,05 мА, по координатам этой точки опре­
деляют точки 2я и 2т и строят полусинусоиды тока /к_(/^ - 1т ) и напря­
жения *^(£7,^ +£/„,). Теперь полусинусоида тока отрицательна (ток /к
уменьшается), а полусинусоида напряжения положительна (напряже­
ние ик увеличивается). Используя синусоидальную кривую тока /6_ нало­
женного на ток базы покоя 1Ы, можно найти кривую напряжения по
входной характеристике (рис. 2.2,6). Для этого из точки А на входной ха­
рактеристике проводят оси времени / для тока /6_ и напряжения . Для
каждого значения тока /б_ находят значение напряжения и ^ 9 которое
представляет собой координату на оси напряжений точки пересечения го­
ризонтальной линии, соответствующей выбранному значению тока
/бОб = 1ьа + ;б~) с входной характеристикой. По полученным значениям
иб~ строят график мб_, как это показано на рис. 2.2,6.
Для анализа несинусоидального сигнала /б_ точек нужно брать зна­
чительно больше. При этом потребуются промежуточные коллекторные
характеристики, которые можно «достроить» методом интерполяции. На
рис. 2.2 штриховкой отмечены полные (мгновенные) значения тока /к, на­
пряжений ик и м6, а также значение падения напряжения на резисторе
("«к = ' Л )
Из построений на рис. 2.2 видно, что ток коллектора /к и напряже­
ние коллектора ик изменяются под управлением входного сигнала .
Изменения эти (ик_ и /к_) пропорциональны входному сигналу. Однако
ток /к и напряжение ик при этом остаются всегда положительными (для
транзисторов п-р-п типа), т.е. /к и ик являются пульсирующими, в то вре­
 26

мя как входной сигнал /6_ имеет положительные и отрицательные полу­

волны. Таким образом, ток /к и напряжение ик не являются увеличенными
копиями входного сигнала. Однако в составе пульсирующих /к, ик имеют­
ся «увеличенные копии входного сигнала» (усиленный сигнал) - это пере­
менные составляющие /к_(с амплитудой 1т ) и ик„ с (амплитудой Vт ).
Как уже указывалось, в большинстве случаев требуется выделение ик_,
/к„ из полных значений /к, мк.
Из построений на рис. 2.2 можно определить амплитуду усиленного
сигнала 1т и Ппп а также амплитуду 1/6т (/„,= 0,8 мА, и т - \ В,
— 0,1 В) и найти коэффициенты усиления: ¡^и - ^ т / ^ б К ~
~ 1,иРбт = 16. На практике такой способ определения параметров каскада
не используется, т.к. параметры каскада значительно проще находятся по
эквивалентной схеме каскада для малых переменных сигналов, что и будет
сделано далее.
Следует ещё отметить, что из-за нелинейности входной характери­
стики при синусоидальном токе /б^ переменное напряжение и ^ несину-
соидапьно. Полуволна, соответствующая увеличению тока базы (+^бш),
меньше полуволны, соответствующей уменьшению тока базы
{~~иб,,, >+^б/н) Это различие особенно велико для больших амплитуд
сигналов (для большого сигнала). Однако для очень малых амплитуд сиг­
нала Обт « ¡ы ) это различие несущественно. Кроме того, при синусои­
дальном токе базы несинусоидальность напряжения никак не отража­
ется на форме выходного сигнала. Рхли к входу каскада будет подключен
источник ЭДС (У?г = 0), то на входе будет задана синусоида напряжения
мб(мб = и,). Вот тогда ток базы /6_ будет несинусоидальным, т.е. уже во
входной цепи могут возникать нелинейные искажения. Более подробно не­
линейные искажения будут рассмотрены при анализе выходных каскадов,
а здесь лишь указана особенность входной цепи каскада.

2.3. Выбор и задание режима покоя

2.3.1. Выбор режима покоя

Режим покоя нужно выбирать так, чтобы во всём диапазоне измене­

ния входного тока /б~емУ соответствовали бы пропорциональные измене­
ния выходных величин напряжения (ик^) и тока (/к_), т.е. необходимо
обеспечить линейный режим для переменных составляющих. В Общем
случае это условие выполняется в режиме малого сигнала:
 27

Л* « Л и (1иА»1т ,и аА » и т ) (2.12)

В предварительных каскадах величина сигнала бывает, как правило,

налой, особенно в первых каскадах, поэтому условие (2.12) может быть
выполнено легко и неоднозначно. Однако нужно выбирать режим покоя
так, чтобы условие (2.12) выполнялось при минимально возможном по­
треблении энергии от источника питания Еа . Для предварительных каскад
дов наиболее предпочтительным режимом покоя является режим измере­
ния ¿-параметров, указанный в справочнике. Этот режим называют ещё
типовым режимом. Для многих маломощных транзисторов режим измере­
ния (типовой режим) характеризуется величинами / к= 1 мА, (/0 = 5 В.
Его и нужно выбирать в качестве режима покоя, даже если переменный
входной сигнал очень мал (в пределах микровольт, микроампер). Типовой
режим выгоден еще и тем, что, выбрав режим измерения в качестве режи­
ма повоя, можно справочные ¿-параметры использовать в расчетах без до­
полнительных вычислений. В последних каскадах предварительного уси­
лителя (перед усилителем мощности) амплитуда сигнала увеличивается
настолько, что использовать типовой режим уже нельзя. В этом случае ток
/*1 и напряжение £7^ приходится выбирать больше типовых, чтобы
обеспечить линейный режим. Если выбранный режим покоя существенно
отличается от типового, необходимо заново определять (рассчитывать) ма­
лосигнальные параметры транзистора для этого режима. Другой предель­
ный режим каскада - режим большого сигнала, когда амплитуда перемен­
ных составляющих мало отличается от величины тока покоя и напря-
«ш ппош * . При этом режим покоя должен быть выбран так, что­
бы при максимальных значениях усиливаемого сигнала (± 7 ^ ) токи базы
%, коллектора #ж и напряжения базы £7^, коллектора £7Ю оставались по­
ложительными (для транзисторов п-р-п типа), т.е. чтобы не нарушался
усилительный (активный) режим транзистора. Для выполнения этого пре­
дельного условия величины 7 ^ , выбирают с учётом заданных ам­
плитуд выходного напряжения 1/т и тока 1Я (£7Ж= 1т

^ошах ^ У т + ^юпйп* ^ |3\

/« ■ * * -/* * Ли * Л .Н Ш ..
где 1штЛшш £7оввх- значения тока и напряжения коллектора при мини­
мальном значении сигнала (|'вт4и = - 7 ^ £0);
7к|Ыа составляет доли мА (или единицы мА),
*Лотю*Я««;
 28

/ кгаах, и кэгощ- максимальное значение тока и минимальное значение

напряжения коллектора при максимальном значении
сигнала (/б =1Ы + 1 ^ ) ; 1я т х й(Еп/Як), и ютЫ 20,2В
для германиевых и 2(1*2)В для кремниевых транзи-
сторов.
При выборе режима покоя нужно учитывать, что при работе каскада
не допускается превышение максимально допустимых величин / кдоа и
^кэдоп * приводимых в справочниках для каждого транзистора. Для этого
необходимо выполнение следующих условий:

Еи ^ Ладов*
июА-1ш4*Ъюо* (2-14)

при наихудших условиях работы (при максимальной температуре).

23.2. Способы задания режима покоя

Выбранный выше режим покоя реализуется на практике выбором
(расчетом) соответствующих резисторов схемы. При этом режим покоя (в
чистом виде) может быть задан двумя способами.
1. Заданием (смещением) фиксированного тока базы. В этом случа
при помощи источника питания Еп и резистора /?| задается (фиксируется)
ток базы покоя , как это показано на рис. 2.1,а:

Еп * (215)
Ли
*1
так как и ш <>Еа . Этот ток не зависит от условий работы транзистора
(/бл = const). Обычно Еп и ^6А выбираются заранее. Из условия (2.Г5) оп­
ределяется
(2.16)
*6А
Для рассматриваемых ЕП= 10 В, = 0,1 мА, Я, = 10 В / 0,1 мА =
= 100 кОм.
Это самый экономичный (/Я| =/&*) и простой вариант (минималь­
ное количество элементов схемы) задания режима покоя. Однако в этом
случае обеспечивается наихудшая стабильность режима покоя (в процессе
 29

работы каскада режим покоя может произвольно изменяться, например,

при изменении температуры).
2. Заданием (смещением) фиксированного потенциала базы В этой
схеме при помощи делителя /?|,Я2 и задается (фиксируется) потенциал
базы , в режиме покоя, как показано на рис. 2.3:

,, Я2 И*Ю
64 л, + (л2 II я ю ) ’
где и2 II Квч = ^2 *^в\ № г +^вх)* К - сопротивление между базой и
эмиттером транзистора.

Чтобы исключить влияние Явх на величину II^ (Ивх может изме­

няться, например, при изменении температуры), необходимо выбирать ма­
лую величину •
Кг «Квх* (2.17)
тогда
(/&., ~ /- п - - - (218)
" К, + Я2
и потенциал 1/^ тоже оказывается зафиксированным при помощи внеш­
них элементов £ п, /?,, /?2. Однако, при этом в схеме появляется элемент
И2 и, что более существенно, от источника питания Еп потребляется до­
вольно большой ток делителя / ;|:
/ .,* 0 * 5 )1М (2-19)
Величина / д может быть сравнима с величиной / к.,, т е. это неэкономич­
ный способ. К тому же он не обеспечивает необходимой стабильности ре­
жима покоя.
 3«

Из-за плохой стабильности режима покоя оба способа его задания в

чистом виде имеют ограниченное применение. На практике схему смеще­
ния выбирают так, чтобы одновременно с заданием режима покоя обеспе­
чивалась и необходимая стабильность его. Для этого используют, напри­
мер, распространённую схему эмиттерной стабилизации.

2.4. Стабильность режима покоя.

Стабилизация режима покоя

Специфической особенностью транзисторных каскадов (в дискрет­

ном и интегральном варианте) является необходимость принятия специ­
альных мер для стабилизации режима покоя (точки А). В противном слу­
чае режим покоя может значительно изменяться (самопроизвольно). Ниже
рассматриваются вопросы стабильности режима покоя и способы его ста­
билизации.

2.4.1. Причины нестабильности режима покоя

Самопроизвольный уход рабочей точки (точки А) вызывается изме­

нением тока покоя транзистора 1к4. Изменение же тока коллектора / к при
постоянных напряжения питания и параметрах внешних элементов (на­
пример, резисторов) схемы происходит, в основном, из-за изменения па­
раметров транзистора. Можно выделить три основные причины изменения
тока 1^, называемые дестабилизирующими факторами.
1. Изменение теплового тока / ко.
2. Изменение коэффициента передачи тока а (или коэффициента
усиления тока базы р ).
3. Изменение напряжения на эмиттерном переходе 11^ при постоян­
ном токе эмиттера / э, характеризуемое температурным коэффициентом
напряжения (ТКН). Внешне это проявляется в смещении выходной харак­
теристики.
Чаще всего эти изменения вызываются отклонением температуры
переходов из-за повышения или понижения температуры окружающей
среды, из-за изменения мощности рассеяния на переходах. Однако измене­
ния / ко, а(р), И35 могут быть обусловлены временным изменением пара­
метров транзистора (старением транзистора) и разбросом параметров тран­
зисторов от образца к образцу (при смене транзисторов). Поскольку воз­
действие всех указанных факторов на режим покоя одинаково, а с темпе­
ратурным фактором приходится сталкиваться чаще всего, то в дальнейшем
будет рассматриваться только влияние температуры на режим покоя. Все
 31

указанные выше параметры транзистора - /*,, а (или Р), зависит от

температуры, и изменение каждого из них приводит к изменению тока по­
хож / вд . Эго вытекает из формулы, определяющей величину тока коллек­
тора / в (в схеме ОБ):
/.= /„ + « /3 . (2.20)
Можно считать, что при малых приращениях дестабилизирующих фактсь
ров Д /в , Да, ДГ/,5 они действуют независимо друг от друга [1, 2], т.е.
приращение тока коллектора в схеме с общей базой (Д / к можно найти
как сумму трех независимых слагаемых, полученных из (2.20) по правилам
нахождения приращений (дифференциалов):
(Д /,)0б=Д/ю + Д а -/э + о - Д /3. (2.21)
Величина Д /ю в (2.21) находится с учётом того, что тепловой ток / ю уд­
ваивается на каждые 10° повышения температуры:
/-20и
/ и,= (/»)20°с-2 10 (2.22)
Величину Да (или Ар) можно найти из графиков зависимости коэффици­
ента а (или Р ) от температуры, приводимых в справочниках. Можно так­
же использовать усреднённую зависимость р от температуры, отражаю­
щую увеличение Р на 0,5 % на градус при повышении температуры сверх
+ 25°С н уменьшение Р на 0,3 % на градус при уменьшении температуры
ниже+25°С [4]:
(РХ>25<>=Р + ('О-2 5 о) 0,005Р,
(2.23)
(р),<25° = р -(2 5 0 -/°)о,003р.
Величину Д /э и (2.21) можно наши, если ток / э в (2.20) представить сле­
дующей формулой:
ЛЭ"" (Д
1 з+ Л бО -а))’ (2.24)

где Еэ - ЭДС источника напряжения в цепи эмиттера;

и у5 - напряжение на эмиттерном переходе (по вольгамперной ха­
рактеристике (ВАХ));
/?э - сопротивление в цепи эмиттера;
- сопротивление в цепи базы.
 12

Роль сопротивлений Яэ, Я6 более подробно будет рассмотрена в разделе

2.4.4
С учётом (2.24)
А /,- , ц - --------(2.25)
3 (Лэ + «6(1-а)) Лэ + Лб /(> + р)
Величина Д^/.^ при постоянном токе эмиттера определяется разностью
температуры перехода и температуры окружающей среды ЛГ и темпера­
турным коэффициентом напряжения (ТКМ) £, равным в среднем
- 2 мВ/град:
Л^/э6=^-А Г (2.26)
С учётом (2.25) (Д/к из (2.21) можно представить в виде:

(Д/к Ь = Д/ко + Да • / , ------ -------------- (2.27)

' к/о6 " 3 Яэ +Л6 /(1 + Р)
или
(Д/к)„* = Л/«, + Аа • / , + — —г (2.28)
к;о6 3 Л ,+Я б(1 + р)
В (2.28) учтено отрицательное значение £.
Для практического применения в (2.27), (2.28) лучше заменить (по
правилам нахождения дифференциалов) Аа на (ДР)/(1 + Р)2 и
Iэ =^б •(! +Р), тогда

/ 6 АР а Д(/Эб
(^^к)об “ (2.27')
1+Р Лэ + /?б ,(1+ Р)’

/ б др а •£ •ДГ
(А/к)о6=Д /1 (2.28')
1+р я , + лв 0 + Р)
Из (2.27), (2.28) вытекает, что изменение любого из дестабилизирующих
факторов / ко, а (или (3), и ^ ведёт к изменению тока коллектора в схеме
ОБ, что, в свою очередь, ведет к изменению тока в схеме ОБ, и, вследствие
этого, к изменению / к1 (в схеме ОЭ) на величину А / к, которая может быть
значительно больше (Д /К)т-. Подробно взаимосвязь (Д /К)()Л и Д /к будет
рассмотрена в разделе 2.4.4.
 33

2.4.2. Следствие ухода рабочей точки А

При изменении тока покоя рабочая точка А перемешается на на­

грузочной прямой ВС в новое положение, например, А* с координатами
1'жл* У'шлл (нрн повышении температуры), как показано на рис. 2.4. При
этом условия работы каскада изменяются и могут произойти два явления:
1. В новом режиме А9 изменятся параметры транзистора - Р, гэ
гк, т.к. они зависят от режима (от тока / к и от напряжения и ю). Поэтому
в этом режиме параметры каскада (ВШ9 Ки, К§) будут другие и мо­
гут не выполняться расчетные условия, т.е. каскад не обеспечит заданных
технических условий.

Рис. 2.4 Рис. 2.5

2. Рабочая точка А! сместится к краю рабочего участка нагрузочной

прямой ВС настолько, что участки нагрузочной характеристики при по­
ложительной (+/5,,) и отрицательной ( - 7 ^ ) амплитудах входного сигна­
ла будут резко различны (в' < а'), а это приводит к появлению больших
нелинейных искажений.
Как крайний случай точка А может переместиться на самый край
рабочего участка прямой ВС (в точку М). Тогда одна полуволна исчезнет
совсем.

2.4.3. Стабилизация режима покоя

Поскольку изменение напряжений и токов в режиме покоя определя­
ется не только изменением параметров транзистора, но и внешними (пас­
сивными) элементами схемы (см., например, равенство (2 27)). то при пра­
 34

вильном выборе пассивных элементов схемы можно значительно умень­

шить действие дестабилизирующих факторов на режим покоя, т.е. стаби­
лизировать рабочую точку. Стабилизация рабочей точки является одной из
важнейших задач при построении транзисторных каскадов. Она осуществ­
ляется при помощи того или иного вида отрицательной обратной связи.
1. Отрицательная обратная связь по напряжению, или коллекторная
стабилизация. При такой стабилизации производится смещение фиксиро­
ванным током базы, но резистор смещения /?, подключается не к отрица­
тельному полюсу источника питания £ п, а к коллектору транзистора
(рис.2.5). Ток смещения 1^4 в этой схеме определяется величиной а
не£п:
/ _ ~ ^юА
Ы Я, Я,
Стабилизация рабочей точки происходит следующим образом. Пусть
ток коллектора увеличится на величину Д /к, например, при повышении
температуры. Тогда напряжение на коллекторе уменьшится на величину
Д/к Як:
^1зА = ^к 14 ” Д/К‘Як-
Но уменьшение I/|Ы, согласно формуле, приведет к уменьшению
тока базы на величину Д /б и, следовательно, к уменьшению тока коллек­
тора на величину р д / 6, т.е. к возвращению тока коллектора к первона­
чальному значению . Резистор /?4 в этой схеме выполняет две функции:
стабилизацию рабочей точки и смещения. Выполнить оптимально два ус­
ловия при помощи одного резистора невозможно. Поэтому хорошая стаби­
лизация получается только тогда, когда сопротивление резистора /?к вели­
ко, а сопротивление мало, т.е. при сравнительно малых Д / к получают­
ся большие А1/ю и значительные Д /б. При малых Як схема малоэффек­
тивна. На практике возможны различные модификации этой схемы, позво­
ляющие получить лучшую стабильность рабочей точки. Принцип их тот
же самый, поэтому они здесь не рассматриваются.
2. Обратная связь по току, или эмиттерная стабилизация. Схема с
эмиттерной стабилизацией приведена на рис.2.6,а. При такой стабилизации
производится смещение фиксированным потенциалом базы 1 /^ , но в цепь
эмиттера для стабилизации рабочей точки включается резистор стабилиза­
ции /?э, на котором осуществляется отрицательная обратная связь По току
Стабилизация происходит следующим образом. Пусть ток коллектора воз­
растает на величину Д /к, например, при повышении температуры. Тогда
увеличится падение напряжения на Лэ на величину Д£/э =А1к к э (т.к
 35

А /э * А /в). Но потенциал базы постоянный (он зафиксирован при помо­

щи делителя Л, - Я2). Поэтому напряжение на эмитгерном переходе £7^
уменьшится на величину А£7, (увеличится положительный потенциал
эмиттера при постоянном, более положительном потенциале базы), так как
£76э=£7б -£7э.

а б
Рис. 2.6
В результате уменьшается ток базы, что, в свою очередь, ведет к уменьше­
нию тока коллектора и возвращению его в сторону , т.е. схема стремит­
ся к восстановлению исходного режима. В результате изменение тока кол­
лектора будет намного меньше, чем при отсутствии стабилизации. Рези­
стор /?э шунтируется конденсатором Сэ большой емкости (несколько де­
сятков и даже сотен микрофарад) для того, чтобы сопротивление перемен­
ному току этой цепи было ничтожно малым (близко к нулю). В противном
случае произойдет нежелательное уменьшение коэффициента усиления.
Падение напряжения £7, в цепи эмиттера (£7Э= / э Лэ) приводит к неиз­
бежному смещению эмиттерного перехода в обратном направлении. Эго
смещение компенсируется при помощи делителя - /?2 путем увеличе­
ния потенциала базы £/¿1 на величину £7Э(£7^ = £7^ + £7^).
Схема с эмиггерной стабилизацией позволяет одновременно выпол­
няв условия стабилизации и смещения. Однако она сложнее схемы кол­
лекторной стабилизации. Кроме того, в цепи делителя расходуется непро­
изводительно большая мощность.
Таким образом, для транзисторных каскадов при помощи внешних
резисторов /?1,/?2 и Дэ одновременно выбирается необходимое смещение
и производится стабилизация рабочей точки. Сопротивления резисторов
выбирают так, чтобы выполнить оба эти условия.
 36

Иногда применяют комбинированную стабилизацию рабочей точки.

Ее используют в тех случаях, когда требуется особо высокая степень ста­
билизации.

2.4.4. Коэффициент нестабильности 5

Для количественной оценки стабильности режима покоя и выбора

элементов цепей смещения и стабилизации (/?|,/?2»А3) вводят коэффици­
ент нестабильности [1]
.<>= — , (2.29)
Д /7
где А / к - результирующее изменение тока покоя коллектора, обусловлен­
ное изменением температуры и действием схемы стабилизации;
А1Т - приращение тока в коллекторном переходе, обусловленное из­
менением температуры и эквивалентное воздействию всех трёх
дестабилизирующих факторов, которое можно получить из
(2.27), (2.28) и представить в виде
ЛгАР а-АС/зб
Д /г =(ДЛс)о6 = ^«0 + (2.30)
1+р Я*
или
¡6 ' АР , а Ч - А т
Д /г = Д/цо
1+р Л* ’
где
Я* =(Я, + ',) + (Яб + гб )* Лэ + Лб, (2.31)
я ,я 2
Я6 =
я ,+ я 2 ’
/¿I, /^-резисторы делителя на схеме (см. рис. 2.5,6);
/•э, гб - малосигнальные параметры транзистора.
Первые два слагаемых в (2.30) совпадают с первыми двумя слагае­
мыми в (2.27), (2.28), поскольку они возникают в коллекторном переходе.
Протекая последовательно через эмиттерный переход, эти слагаемые мо­
гут существенно увеличиться из-за взаимодействия переходов. Третье сла­
гаемое обусловлено появлением приращения А / э в эмитгерном переходе.
В коллекторный переход оно передаётся с коэффициентом а . Некоторые
исследователи расчёт стабилизации режима покоя ведут раздельно для
первых двух слагаемых и для третьего слагаемого в (2.27), (2.28), для чего
вводят два коэффициента нестабильности: 57 и Б(; [3]. Однако, третье
 37

слагаемое в (2.30) можно преобразовать и выделить его эквивалент, анало­

гичный первым двум по воздействию на конечный результат (приращение
Д /к) [1], что значительно проще. В пособии используется второй подход.
Формулу (2.25) можно преобразовать:
д/ -д М и -р ) -ь и * (1 + р)
(2.32)
э (дэ + /?6) + р - л э (Лэ + Дб) (1 + р -Г б )'
где
Г6 = Иэ +Яб (2.33)

Коэффициент Гб называют коэффициентом токораспределения

(Д/К) в базовой цепи на ток базы (Д/б) и ток эмиттера (Д / э). Он будет
многократно использоваться при последующем изложении.
Коэффициент 1+ Р в (2.32), как будет показано ниже, как раз и
1+ Р -Г б
отражает степень увеличения приращений тока, возникающих в коллек­
торном переходе и протекающих последовательно через эмиттерный пере­
ход. Поэтому часть тока Д /э из (2.32), равная ■ , может быть пред-
/?э + /?б
ставлена в формуле (2.30) как возникающая в коллекторном переходе и
может рассматриваться так, как и первые два слагаемых в (2.30).
Если суммарное приращение теплового тока А1Т в коллекторном
переходе, частично или полностью, протекает через эмиттерный переход
(в схеме ОЭ), то в результате взаимодействия р-п переходов часть прира­
щения тока Д /г , протекая через эмиттерный переход, увеличивается в
(1+ р) раз (аналогично тому, что = (1 + Р]/ко). При этом общее прира­
щение коллекторного тока Д /к будет больше величины Д1Т. Степень
увеличения (величина Д /к) будет определяться долей А1Т, протекающей
через эмиттерный переход, а это, в свою очередь, зависит от соотношения
сопротивлений в цепи эмиттера # э и в цепи базы Я6 (рис. 2.7). На этом
рисунке представлена эквивалентная схема для медленных приращений
постоянных токов Д /к, Д /б, Д /э. Она не пригодна для переменных со­
ставляющих.
При разомкнутой базовой цепи (7?б = оо) всё приращение Д1Т про­
текает через эмиттерный переход. От взаимодействия р-п переходов при­
ращение тока в коллекторном переходе увеличится в (1 + р) раз, что и от­
ражено генератором тока в выходной цепи (1 + р) •Д1Т. При замыкании
базовой цепи в неё будет ответвляться часть тока коллектора Д / б, которая
 3»

ДМ1+Р)

будет управлять коллекторным током (изменять его). Этот процесс отра­

жён в выходной цепи генератором тока р • А /б, который уменьшает общее
приращение тока в коллекторной цепи (Д /б направлено навстречу нор­
мальному току базы, отмеченному на рис. 2.7 пунктирной стрелкой). В це­
пи коллектора установится результирующее приращение Д / к (пока неиз­
вестное). Его можно представить как разность токов в выходной коллек­
торной цепи:
Д /к =(р + 1 )Л /7. - р Л / 6. (2.34)
Величину Д / б из схемы на рис. 2.7 можно найти как часть Д / к.

д /6 = '% = д /„ б* (2 35)
я; + ц
где Г6 - коэффициент токораспределения в базовой цепи, показывающий,
какая часть приращения постоянного тока Д /к ответвляется в
базовую цепь (уже использовался в (2.32) и дан в (2.33)).
Подставив значение Д / б в (2.34) и произведя несложные преобразо­
вания, а также учтя (2.29), получим
«. д/к 1+р (2.36)
Д/г 1+ Р- Г6
В теории обратной связи (которая рассматривается в подразделе 2.6)
знаменатель (1 + р-Г б) из (2.36) называют глубиной обратной связи /*’ а
коэффициент Г6 - коэффициентом обратной связи.
Вернёмся к величине Д /э в (2.25) и (2.32). Если третью составляю­
щую в (2.30) умножить на N из (2.36), получим исходную величину Д /э в
(2.25) или в (2.32), что подтверждает правильность объединения всех трёх
дестабилизирующих факторов в одной величине Д /7 в (2.30).
 39

Анализ коэффициента нестабильности Из (2.36) следует, что вели­

чина .V определяется величиной Гб, т.е. соотношением сопротивлений /?,
и Яб. При изменении Г6 от нуля (чистая схема ОЭ, Д/б =0) до единицы
(чистая схема ОБ, Д/6 = Д /к) Я изменяется в пределах:

0 < Г б <1,
(2.37)
0+Р)£Л’£1.
Например, если Яэ » то Гб = 1 и S » 1 т.е. Д /к « Д1Т, что соответст­
вует схеме ОБ (с разомкнутым эмиттером, Д /э = 0, Д/6 = Д/к). Это наи­
лучшая стабильность. Наоборот, при R3 « *6 ^ 6 = 0 . .V-1+P и
Д/к =(Р + 1)-Д/^, что соответствует схеме ОЭ (с разомкнутой базой,
А/б =0, Д/Э= Д /К). Это наихудшая стабильность.
Для получения хорошей стабильности режима покоя необходимо,
чтобы величина коэффициента нестабильности S была возможно мини­
мальной, т.е. S -> 1. Для этого необходимо, чтобы Гб -> 1, или вытекаю­
щее из него условие:
Лэ » /% . (2.38)
Условие (2.38) является надёжным ориентиром при проектировании
стабильных транзисторных каскадов. Однако достаточно полное его вы­
полнение возможно лишь в микроэлектронных каскадах при использова­
нии специфических методов, например в интегральных дифференциаль­
ных усилителях (которые будут подробно рассмотрены позднее). В дис­
кретных транзисторных каскадах выполнить условие (2.38) практически не
удаётся. Дело в том, что для выполнения этого условия необходимо увели­
чивать сопротивление Яэ и уменьшать Яб. Однако на то и другое сущест­
вуют ограничения. Так, уменьшение Я6 ведёт к увеличению тока делителя
/л (см. рис. 2.6) и шунтированию входа усилителя (Явх). Для хорошей
стабильности необходимы соотношения /д » , 7?вх » / ^ . И то и дру­
гое допустимо в определённых пределах:
Лб >(3*5)Явх,
(2.39)
/д >(5^10)/&1.
Таким образом, на величину /?б существует ограничение снизу.
Увеличение сопротивления Яэ ведёт к увеличению напряжения
И3 = Но выбирать большую величину (при больших Яэ) Г/э нельзя
из-за малых допустимых напряжений транзисторов (несколько десятков
 40

вольт). Как следует из (2.14), величина Еа ограничена допустимыми на­

пряжениями. На практике величину Vэ выбирают в пределах:
£/,=(0,и0,3)£п (2.40)
ИЛИ
Я,£(0,1*0,3)-^-.
1кА
Таким образом, на величину Я3 накладывается ограничение сверху.
Практические рекомендации. Практически целесообразно начать
расчёт стабильности с выполнения ограничений (2.39) и (2.40). Затем при
найденных Я3 и Я6 вычисляется »V из (2.36). Если найденная таким обра­
зом величина Я не превышает 4 - 5, то стабильность режима покоя можно
считать удовлетворительной. Как правило, при выполнении ограничений
стабильность бывает удовлетворительной (£<4ч-5). При этом соотноше­
ние Яэ и Я$ находится в пределах Яэ *(0,5 ч- 1)Дб, что довольно далеко от
(2.38). На практике предпочтительнее в (2.39) выбирать величину тока де­
лителя /д. В этом случае сопротивление делителя находится очень просто:

*2 " « - " 6 * + " , . Я.

и ' + ^6.4
Затем определяется R6 из (2.31).

2.4.5. Стабильность типовых схем

Теперь можно определить температурную стабильность некоторых
рассмотренных схем:
1. Схема со смещением фиксированным током базы (см. рис.2.1). В
этой схеме / й4 = const, поэтому Д/б = 0, a R6 » Яэ, ( = гб + /?,, R3 = г3),
значит, Гб = 0, а
№ 1+ Р,
т.е. Д /к =(1 + р)Д/г , что указывает на очень плохую стабильность рабочей
точки, о чём упоминалось при рассмотрении этой схемы.
2. Схема с коллекторной стабилизацией (см. рис. 2.5). В этой схеме

А/с = А/«-'Л = А / . Г „
6 Z^+Я, * *
где
я,
Г,
Я .+ Я ,'
 41

Подставив Л/б в (2.34), можно найти равенство Д /к = Д /г (1 + р )-

- Р •Д/к • Гк, из которого, с учетом (2.39), легко определить
1+ р
(2.41)
д/г 1+ ргк
Из этой формулы следует, что .V= I при Гк = / , или при /?к » Я,.
Однако Лк и /?, выбираются из условий выбранного режима покоя, поэто­
му будет задана и величина Остается только ее определить согласно
формуле (2.41). Удовлетворительная стабилизация получается при условии
/?к %Л, и не слишком малом 7?к (и /?,), так как малое Я, шунтирует вход
каскада, уменьшая коэффициент усиления.
3. Схема с эмитгерной стабилизацией (см. рис. 2.6,а) обеспечивает
при Яб *ЛЭ Я = 2...5и стабильность рабочей точки в 5-10 раз более вы­
сокую, чем схема с коллекторной стабилизацией.
Как уже указывалось, для получения более стабильного режима по­
коя применяют комбинированные способы стабилизации. Иногда для ста­
билизации рабочей точки используют и нелинейные элементы (термозави­
симые). Однако для схем с нелинейными элементами необходимо выби­
рать элементы цепи стабилизации индивидуально. Поэтому применение их
сильно ограничено. Более полные сведения о стабилизации рабочей точки
можно найти, например, в работах [1,3].

2.5. Режим переменного тока

Основным назначением усилительного каскада является усиление

сигнала переменного тока, поданного на вход каскада. Рассмотренный ра­
нее режим по постоянному току обеспечивает нормальную работу каскада
по переменному току. Если режим покоя выбран и задан правильно (по
изложенным выше правилам), то усиление сигнала переменного тока про­
исходит без осложнений (как бы «само собой», «автоматически»). Если же
в режиме усиления сигнала переменного тока появились нарушения, то в
первую очередь причину надо искать в нарушении режима покоя. При
правильно выбранном и заданном режиме покоя предварительный каскад
работает в линейном режиме, в котором переменные составляющие тока
коллектора /*_ и напряжение коллектора ик„ по величине пропорциональ­
ны величине входного сигнала Об-)- Пропорциональность между пере­
менными составляющими (линейность режима) сохраняется в определён­
ных пределах изменения токов и напряжений. Линейность сохраняется,
пока параметры транзистора (Р, гэ гб г*) остаются неизменными при из­
 42

менении токов и потенциалов транзистора. В самом общем случае линей­

ность обеспечивается для любой рабочей точки, если выполняется жёсткое
условие:
(2.42)
т.е. для очень маленьких амплитуд переменных составляющих токов /ш,
и напряжений 11пп 11^ транзистор можно считать линейной системой.
Режим, при котором выполняется условие (2.42), называют режимом мало­
го сигнала. Однако если рабочая точка в процессе усиления не выходит за
пределы линейных участков выходных характеристик, где к тому же ха­
рактеристики расположены на одинаковом расстоянии друг от друга (эк­
видистантны), линейность режима по переменному току сохраняется в
пределах всех этих участков выходных характеристик, т.е. жёсткие усло­
вия (2.42) для транзистора могут быть расширены и амплитуды тока 1т и
напряжения 1.1т могут достигать значительных величин (без нарушения
линейности). Нелинейность входной характеристики транзистора не про­
является и не нарушает рассмотренный выше расширенный режим. Одна­
ко если источник сигнала ег, включенный на входе каскада, является ис­
точником ЭДС (в этом случае на входе задано синусоидальное напряжение
щ), то каскад можно считать линейным только в пределах условий «мало­
го сигнала» (2.42). Как уже указывалось,при рассмотрении режима покоя,
графоаналитическим методом можно построить кривые переменных /к_,
ик_ при заданной величине и форме /б_, определить некоторые параметры
каскада - Ки, . Но для линейных режимов, каким является режим по
переменному току в предварительных каскадах, необходимые для расчёта
и анализа усилителей сведения (в т.ч. и параметры каскада) можно полу­
чить значительно проще. Для этого составляются линейные схемы заме­
щения (эквивалентные схемы) и по ним рассчитываются все параметры
каскада.

2.5.1. Эквивалентная схема каскада

Эквивалентная схема для переменных составляющих составляется

по принципиальной электрической схеме (см. рис. 2.6). Сначала приводит­
ся схема замещения транзистора. На рис. 2.8,а транзистор представлен Т-
образной эквивалентной схемой с внутренними параметрами (обведена
пунктиром). Затем поочерёдно со стороны выхода (коллектора) и входа
(базы) подключаются к эквивалентной схеме транзистора \ЛГ те элементы
схемы, которые имеются на принципиальной схеме. При этом не включа­
ют в эквивалентную схему каскада те элементы схемы (принципиальной),
сопротивление переменному току которых не влияет на частотную харак­
 43

теристику (т.е. им можно пренебречь), например в области средних частот.

Такие элементы в последовательной цепи закорачиваются, а из параллель­
ных цепей удаляются. В первую очередь это относится к источнику пита­
ния £ п, который считается источником ЭДС. При этом его внутреннее со­
противление принимается равным нулю (кстати и для переменных и для
постоянных составляющих) и для переменных составляющих £п закора­
чивается: потенциальная шинка «+ Ь'п» соединяется (мысленно) с общей
шинкой (только на эквивалентной схеме для переменных составляющих!).
Разделительные ёмкости Ср, ( р1 и блокирующая ёмкость ( \ закорачива­
ются как элементы последовательной цепи, а барьерная ёмкость коллек­
торного перехода ( ’* удаляется (как элемент параллельной цепи) на том
основании, что они не влияют на параметры (частотную характеристику)
усилителя в области средних частот (значит сопротивление ёмкостей ( р,
< Р1, Сэ очень мало, а ёмкости С* очень велико по сравнению с остальны­
ми элементами цепей). С учётом приведённых выше правил составлена
полная эквивалентная схема усилительного каскада (схема которого при­
ведена на рис. 2.6,а) для переменных составляющих в области средних
частот на рис. 2.8,а. Со стороны выхода к транзистору \ГГ подключены ре­
зисторы и /?н параллельно (Ср, и /;п закорочены). Со стороны входа
подключены сопротивления делителя Н,, И2 и источник сигнала сг, Нг
(всё параллельно, т.к. Еп и ( р закорочены).
Замечание I. Для предварительного (не выходного) каскада нагруз­
кой является вход последующего каскада с его входным сопроявлением
^вх.сл и сопротивлениями делителя /?1сл, /¿2сл, как показано на рис. 2.6,6.
Поэтому выходная цепь Т-образной эквивалентной схемы будет отличать­
ся от приведенной на рис. 2.8,а: правее точек а,б вместо /?н будут подклю­
чены элементы входной цепи следующего каскада -
( Ябед = Д1сл ///?2сл), Явх.сл» как показано на рис. 2.8,6. При этом полезной
нагрузкой является НП4Я. В резисторах делителя дополнительно теря­
ется часть усиленного сигнала.
Замечание 2. Возможны два варианта разделения элементов много­
каскадного усилителя на отдельные каскады:
1. В первый каскад включаются все элементы его входной цепи - И{.
Гр, /?,, Д2. В выходную цепь включаются элементы схемы до раздели­
тельного конденсатора Нк. Все остальные каскады могут быть
представлены такой же эквивалентной схемой, но для каждого каскада
нужно определять соответствующие сп, Кг/, /,, (обычно вместо /, исполь-
 44

зуют 1^), что представляет известные неудобства. В конце раздела будут

кратко рассмотрены параметры и порядок определения еи , Лг/, /и.
2. Деление производится по базовым выводам транзистора для всех
каскадов, поэтому эквивалентные схемы всех каскадов одинаковы. Сопро­
тивление делителя (или другие элементы входной цепи) относятся к пре­
дыдущему каскаду, т.е. включаются в выходную цепь предыдущего каска­
да. Роль полезной нагрузки играет о,. На рис. 2.8,а такое деление пока­
зано вертикальными пунктирными линиями. При этом делении появляется
дополнительное звено - входная цепь со своим коэффициентом передачи
К ^ , который будет входить в общий коэффициент (1.5):

а б

Рис. 2.8

Следует отметить, что общий результат вычисления параметров для

всего усилителя должен быть одинаковым для обоих вариантов, хотя па­
раметры отдельных каскадов для разных вариантов могут отличаться. Оба
варианта в литературе используются примерно одинаково. Каждый из них
имеет свои достоинства и недостатки.
В пособии за основу принят второй вариант, при котором, по мне­
нию автора, выражения для вычисления параметров каскада получаются
довольно простыми и наглядными, а также одинаковыми для всех каска­
дов, кроме входной цепи. Следует также указать, что в некоторых источ­
никах литературы используются произвольные (бессистемные) варианты
деления на каскады.
 45

2.5.2. Параметры каскада в области средних частот

По эквивалентной схеме усилительного каскада для переменных со­

ставляющих (см. рис. 2.8,а) легко могут быть определены параметры кас­
када (Ки , Я ^ , ЛВЬ1Х) для средних частот. Они должны быть выражены
через элементы схемы (малосигнальные параметры транзистора гэ, гб, г*,
Р, резисторы Як, Лн, Л,, Я2 и другие).
Эквивалентный коэффициент Р»г. Ток /к, протекающий во внешней
цепи Лвнеш, будет несколько меньше величины Р0 •/6, т.к. часть тока Р0 •/б
ответвляется в параллельную цепь г* С учётом сопротивлений параллель­
ных цепей из рис. 2.8,а можно найти

К =- = Р,ок *#б> (2.43')

г :+ я
где Лвнсш - эквивалентное сопротивление внешней цепи, на рис. 2.8,а это -
Як// Яи = . Для упрощения анализа удобно заменить реальную величи­
ну Р0 эквивалентной Р01С, определённой по отношению к току /к [1]. Из
(2.43') следует, что
'* = Р* « Г
г»к =В
Но угк» (2.43)
'б '•к+Я»,
•
у = '« • (2.44)

ук называют коэффициентом токораспределения в коллекторной цепи.

Хотя эквивалентный коэффициент рок не является параметром толь­
ко транзистора (учитывается Лвнеш), он используется часто, при этом г*
уже не приводится на схемах. ^
Входное сопротивление Яп Определяется как сопротивление пере­
менному току между базой транзистора и общим проводом (без учёта де­
лителя Л,, Л2), как отношение входного напряжения их к входному то­
ку /6:
(2.45')
!6
Переменное напряжение и, можно представить как сумму падений
напряжений на элементах входной цепи:
 4<>

«I = 'б'б + = 'б'б + 'б О + Рок К = к + 'эО + Рок)!

Подставив //, в (2.45'), можно найти

К„л =г6 + Г,(1 + Рок)= к + '•,) (! + Рок •Тбо)• (2 45)

где

г, * гб ~ малосигнальные параметры транзистора (дифференциальное со­

противление эмиттера и объёмное сопротивление базы):

г>= — . гб =(50...200) Ом.

1*л
На практике, как правило, имеет место соотношение /- ¿ « Я ^ (ун =1,
Р0|С= Р0), что эквивалентно короткому замыканию в выходной цепи по пе­
ременному току. Поэтому входное сопротивление

Я „ = г6 + гэ(1 + р0)=/»1|э. (2.45')

Иногда используют другое выражение для входного сопротивления, в ко­
торое входит Яде из (2.45) и внешнее сопротивление источника сигна­
ла Я':
= К + я .х = К + 'б + »-,(1+рок)=(л; + г6 + гэ)-(1+рок •Уб). (2.46)
где
Гб = (2.47)
К + >6 + гэ
уб - коэффициент токораспределения переменной составляющей в базовой
цепи. Коэффициент у^ в (2.45) является частным случаем (2.47) при
Я' =0. Я' может состоять из нескольких сопротивлений -Я г и сопротив­
лений делителя базы (Я' = Я,//Я2//Яг). Для промежуточных каскадов
роль Яг играет выходное сопротивление предыдущего каскада
(Яг„ = Явыхл_|). После того, как определено Явх, эквивалентную схему
каскада можно ещё упростить и сделать более удобной и наглядной для
определения остальных параметров каскада. Такая «упрощённая» эквива­
лентная схема каскада приведена на рис. 2.9. Правда, в этой схеме каскада
Явх является уже параметром каскада (а не элементом схемы), но вместе с
этим Явх мало отличается от четырёхполюсникового параметра транзи­
 47

стора /|Пэ. Поскольку У?^ из (2.45) определяется легко, эквивалентная

схема на рис. 2.9 может использоваться с самого начала. Конечно, в «уп­
рощённой» схеме утрачены внутренние связи элементов транзистора гэ>
г6, г* Но взаимодействие их учтено в Явх и рок, во всех остальных пара­
метрах каскада эти элементы так же учитываются через Я^ и Р^. В по­
следующих разделах «упрощённая» эквивалентная схема (см. рис. 2.9) бу­
дет часто использоваться.

^вых /„

а б
Рис. 2.9

Выходное сопротивление каскада У?,1Лу. Следует заметить, что само­

стоятельно /?ВЫЛ при анализе используется редко. Оно автоматически вхо­
дит в выражения других параметров, например коэффициентов усиления.
Явих определяется со стороны выходных зажимов при отключенной на­
грузке ( Ян на рис. 2.8,а). Все остальные элементы схемы (левее линии а б)
входят в Явд, определяемое как отношение переменного напряжения м2 к
протекающему под его воздействием току /2 в выходной цепи при отклю­
ченной нагрузке и при отсутствии сигнала ( сг = 0) на входе:

Из рис. 2.9,а нетрудно определить, что Явих образуют параллельно

включенные Як и выходное (внутреннее) сопротивление транзистора Я,

При расчётах и анализе учитывают, как правило, приближённое зна­

чение Л,:

я,*,*;, (2.48)
 48

что и отображено на рис. 2.9,а (через (2.43)).

На практике почти всегда выполняется соотношение
(2.48')
поэтому на практике часто используют соотношение:
(2.49)
Замечание 3. Для нахождения точного значения величина пере­
менного тока /к (при ег = 0) находится аналогично тому, как было найдено
приращение тока покоя Д /к на рис. 2.7 при нахождении коэффициента не­
стабильности Я. А именно, при разомкнутой базе (/6 = 0) в выходной
(коллекторной) цепи транзистора протекает ток /'к = и2/{г* + гэ)= н2/ гк
При замыкании базовой цепи в ней ответвляется (переменный) ток базы
/б = уб •/к и в выходной цепи появляется генератор тока - р -/б = -у6р •1К.
Искомый ток /к будет равен разности:

'к = - т - УбР'*>
по нему и находят :

Л /= ^ - =лГ0+ГбР). (2.50)
I, сг=0

где Р - обычный (не эквивалентный) коэффициент усиления тока базы;

Уб -■ - коэффициент токораспределения /к_ в базовой цепи

К+>б+Г.
(2.47) для переменного тока /*_ (аналогично (2.33) для медленных изме-
нений А/ к).

^ = | 51 ^ = Я' //^ //Лг. (2.51)

Величина уб (значит, и Я,) определяется соотношением сопротивле­

ний в (2.47). Возможны два предельных случая:
1. /?' » (гэ + гб), тогда уб = 0 и Я, = г* Это возможно при высоко­
омном делителе Я,, Я2 и источнике тока на входе (Яг «<*>).
2. Л' = 0 ,тогда Убо = — 2— и Я, = гк*(1+ р* у ^ ). При этом возмо-
гэ +гб
жен гипотетический случай гэ » гб, тогда /?, = г*(1+ р) = гк.
 49

Таким образом, точное значение выходного сопротивления транзи­

стора находится в пределах
гк < Я < гк> (2 52)
оставаясь всегда больше г* Принятая в (2.48) величина /I, = г* является
минимально возможной. Но даже н эта минимальная величина часто не
учитывается, т.к. внешне параллельные цепи имеют ещё много меньшее
сопротивление, что и учтено в (2.49).
Коэффициент усиления напряжения
_ _ Рок ’16 ^экв _ о ^экв (2 53)
«1 'б А х «.х ’

(2-54)
эквивалентное сопротивление всех параллельно включенных сопротив­
лений в выходной цепи.
Замечание 4. Для предварительного каскада, выход которого под­
ключен ко входу следующего каскада, в (2.53) изменяется только величи-
на К'кв.
/<;„ = « „ //« ,„ ///Лсл//«.., сл- (2 54)
Иногда я;кв полезно представить как И'зкв = НвЫ
1ХII Ин. В (2.53) и2 найдено
как произведение тока генератора тока Р0/6 на эквивалентное сопротивле­
ние выходной цепи этому току И'экв (падение напряжения на /{'„).
Коэффициент усиления тока

К1А™
1\ — "_ Р<ок *б *^эк (2.55)
° 'б 'б'Ян °* Я.
В (2.55) /, = и2//?н »а и2 определено ранее.
Коэффициент усиления мощности Кс. При необходимости его нахо­
дят как произведение /Г/0 •Кио:

_ о к1Уэкв . о /хэкв
а9
(2.56)
Кр =Ко'Кио
я
Дополнение . Для первого варианта разбиения элементов общей схе­
мы на отдельные каскады (п.2.5.1, замечание 2) параметры по переменно­
му току имеют несколько иной вид. Эти параметры снабжены штрихами.
 50

Входное сопротивление определяется как отношение щ и /, и

представляет собой сопротивление параллельной цепи из сопротивлений
делителя Лб и найденного из (2.45) :

гу _ и1 _ ^б ' __ р // п Я6 = А Л к . (2.57)
Л, +Л2
Выходное сопротивление

»' х -—я/хэкв ~ г» . О ” • „ ""

/хвы - д К’ (2.58)
я, + я* г; + я*

/?вих будет играть роль Яг для следующего каскада.

Коэффициент усиления напряжения Я*^ определяется как отноше­
ние и'2 к ЭДС источника сигнала ет:

_ и2 _ Рок;б ‘ ^экв Р о к (2 59)

“ ег 'б(Л г+ < х)’(Лб+л.х) _ (лг + л ;х) (/<б+/?.хг

гДе 'б = 'I • р— ~ из (2 45)’ " из (2 57)’ "н = "г2

Для последующих каскадов (/I > 1) сопротивление источника сигна­

ла Яг„ равно выходному сопротивлению предыдущего ((я - 1)-го) каскада,
а ЭДС источника сигнала равна напряжению и\ предыдущего каскада,

п ~ ^вых(л-1) = К*{п-1)» етп - иПп-\У (2.60)

2.5.3. Область низших частот

В области низших частот уменьшается коэффициент усиления, что

вытекает из типовой частотной характеристики, показанной на рис. 1.3
Это происходит из-за увеличения сопротивления по переменному току
разделительных ( ( ’р) и блокирующих (Сэ) ёмкостей, и эти емкости нужно
включать в эквивалентную схему, а коэффициенты усиления надо вычис­
лять с учётом сопротивления этих ёмкостей. Однако одновременный учёт
обоих конденсаторов приводит к довольно сложному выражению частот­
ной характеристики, которое весьма затруднительно для анализа. Резуль­
тирующая низшая граничная частота /н, обусловленная совместным влия­
нием ёмкостей Гр, Гэ, на уровне 0,7 не имеет достаточно простой связи с
 31

низшими граничными частотами /¡ф, / ю, обусловленными Ср1, Сэ по от­

дельности.
Поэтому анализ проводит раздельно для Ср! и Сэ, а затем результа­
ты объединяют и получают общий результат с некоторой погрешностью.
Влияние разделительных емкостей (Ср]У Предположим сначала, что
С, =ооэ и выясним роль Ср| (Ср *<*>). Приведённая запись означает, что
величина ёмкости Сэ настолько велика, что на низшей граничной частоте
/ф» обусловленной только Ср!, роль блокирующей Сэ ёмкости ещё со­
всем не проявляется (влияние Сэ начинает сказываться на частоте, много
меньшей / щ). При этих условиях Сэ оставляем закороченной и в эквива­
лентную схему не включаем. В эквивалентной схеме, приведённой на рис.
2.10, учитывается только Ср|. Кроме того, эта схема составлена для каска­
да, выход которого подключён ко входу следующего каскада (см. рис.
2.6,6, 2.8,6, 2.9,6), поскольку на практике приходится почти всегда рас­
сматривать именно такую схему. Для схемы на рис.2.6,а в полученных
формулах надо п р и н ять= < х> , = 7^.

Рис. 2.10

Коэффициент усиления К(ю).

(2.61)

где
(2.62)
 52

Рок *^эо *^кхсл _Рд> -^ (2.63)

* « (* ,« + * « 0 .) *ач
В (2.61) IIг найдено как произведение /£ Я*хсл» а - как часть тока
Рок^ ответвляющегося в параллельную цепь из С’р| * /?^хсл (см. рис. 2.10):

Рок^б ' *э.

Ь=
^экв + ,. + Я« сл
7ю ^ р |
С учётом (2.63) выражение (2.61) можно представить в удобном для ана­
лиза виде:

а д - П Г * ----- (2.61)
1+ 11 ./°>тнр]
которое включает в себя амплитудно-частотную характеристику (АЧХ)
(см. рис. 1.3):
кш
к и = - (2.64*)
^1 + (|/ / » - т ар)Р

и фазочастотную характеристику (ФЧХ) (см. рис. 1.4):

ср(ш)=агс1£— =^.
«*ч> 2
На практике вместо (2.64') чаще используют нормированную АЧХ:
* И «М I
р н = ----------- (2.64)
К- +

Для анализа частотных искажений в УНЧ, как правило, бывает дос­

таточно АЧХ, заданной выражением (2.64). Это выражение определяет
всю низкочастотную часть АЧХ. Уровень же частотных искажений задаёт­
ся одной точкой АЧХ с координатами , / н:

(• „ - 2 * ./.). (2.65)
"Р а/| + | ((йи тнр)2
 53

Единственной величиной в (2.65), которую можно изменять для выполне­

ния задания Л/н, / н, является постоянная Из (2.65) можно получить
условия для её выбора:
1
^нр ^
анр '
где

— 1= -I (2.66)
М нр в

Выражение типа будет часто использоваться в дальнейшем,

поэтому введено его условное обозначение аир для сокращения записи
формул. При заданной величине величина может быть определен
на сразу из (2.66), она может служить одной из заданных величин.
Постоянная тнр в (2.66) включает в себя несколько элементов (см.
(2.62)), из которых не связана пока никакими условиями лишь ёмкость
('р\9 которая и рассчитывается из (2.66) для выполнения задания Мир,

(2.67)
<р1 вн®и(ЯЭКВт+ лЯ'
хВХСЛ) ' /н (^ЭКВ ^вх сл)

Как правило, величина Гр| находится в пределах десятых долей и единиц

мкФ.
Влияние блокирующей ёмкости С\. Теперь примем С.р, =оо и выяс­
ним роль Гэ (Сэ * оо). Смысл записи тот же, что был при учёте СР1%только
ёмкости Гр, и Сэ поменялись местами, т.е. на низшей граничной частоте
/нэ, обусловленной блокирующей ёмкостью, роль разделительной ёмкости
( ’п ещё совсем ничтожна (она проявится на частотах, много меньших /,,).
Поэтому Ср, в эквивалентную схему не включается (остаётся закорочен­
ной).
Параллельную цепь из С.3, /?э нужно включить последовательно с гэ
и учитывать её сопротивление (комплексное) при вычислении входного
сопротивления в (2.44). Нахождение Мнэ, обусловленное ёмкостью Сэ,
почти повторяет нахождение Мнр, поэтому здесь приводится лишь резуль­
тат определения А/нэ:
 54

>/1+ 1 /(® н -0 2 ’
где
* т = С 3-К> (2.69)

л ;= /Ц г ,+3 ^ ) , (2.70)

Я' определяется из (2.51); Я' - это эквивалентное сопротивление пере­

менному току между эмиттером транзистора УТ и общим проводом, в ко­
торое входят две параллельные ветви - Яэ и Явхо6 = гэ + (гб + Я')/(1 + р).
Для вьтолнения задания Мю, / п выбирается тю (аналогично (2.66)):

(2.71)

В свою очередь, в (2.69) только Сэ не связана никакими условиями. Она и

выбирается:
Сэ * (2.72)
°КЭ®Н *Яэ акэ ' ’УнЯ,
Следует отметить, что величина сопротивления Явх ^ в параллельной вет­
ви (2.70) бывает существенно меньше Яэ. Так, если источник сигнала яв­
ляется источником ЭДС (Яг * 0), то Я' « гэ и составляет единицы или де­
сятки Ом. Поэтому величина Сэ обычно достигает сотен (или даже тысяч)
микрофарад.
Совместное влияние ёмкостей С^ и С3. Его находят приближенно,
считая, что СР1и Сэ действуют независимо:
1 ___________ 1
(2.73)
>/1+ • Т"р)2 V1+ 1/(«»я • тго)2
При этом заданный на каскад уровень снижения Мн\ нужно разбить на два
сомножителя А/Го и А/„р и для расчета бмостей Ср и Сэ использовать полу­
ченные Мт и А/нр соответственно.
Точность (2.73) тем выше, чем больше различие в величинах тнр и
тю. На практике рекомендуется использовать так называемый метод худ­
шего параметра [3], в соответствии с которым как раз и выбирается
Т|ф» Тю или Тнр«тю.
 55

Максимальная погрешность (2.73) получается при сравнимых вели­

чинах Тир и тш (Тар * тю). При этом происходит более сильный спад АЧХ и
Быстрый рост фазового сдвига (см. рис. 1.3 и 1.4).
Коэффициент усиления по току £,(©). Нормированная АЧХ |£ /|/К’0
и ФЧХ будут такие же, как в (2.64) и (2.65), следовательно, анализ |АГ; |
производится так же.

2.5.4. Область высших частот

Снижение коэффициентов усиления в этой области частот (правее

области средних частот на рис. 1.3) обусловлено зависимостью параметров
транзистора от частоты и влиянием реактивных элементов внешних цепей
(емкости монтажа и нагрузки, комплексной нагрузки и др ).
Наибольшее влияние на частотную характеристику (на частотные
искажения) оказывают частотно-зависимый коэффициент усиления тока
базы р(о>) и барьерная емкость коллекторного перехода .
Частотная зависимость коэффициента р(©) обусловлена диффузи­
онным характером движения носителей тока в базе и рассмотрена в разде­
ле «Транзистор», где получена формула зависимости р от частоты:
РО _ Ро _ Ро
Р(<*) =
1+ ' ЮТ1> 1+ у.® 1+ у /_
и
Частотная зависимость Р(©) характеризуется постоянной времени тр
или граничной частотой (или ©р = 2тг/ р) в схеме ОЭ. В свою очередь, тр,
& сор являются производными от граничной частоты (паспортного пара­
метра) в схеме ОБ (или ©а) или т«:
^ ^ ^ • О + р ) , ©р = <Рд Та =-
1+ р’ 1+ Р' ©А
Барьерная емкость С* включена параллельно генератору тока 01^
и дифференциальному сопротивлению коллекторного перехода г* С уве­
личением частоты уменьшается комплексное сопротивление параллельной
цепи из и г* и увеличивается ответвляющийся в нее ток енератора то-
кар-1 что ведет к уменьшению тока и во внешней цепи, т е. к уменьше­
нию коэффициента усиления каскада. Сами С* и г* становятся комплекс­
ными, т.к. они зависят от Р(©):
 $6

1+Уют,,

В (2.74) Ро - обыкновенная, не эквивалентная.

Все параметры каскада, зависящие от Р(со),С*, г*, становятся ком­
плексными (частотно-зависимыми). Это - входное сопротивление 2Ь%(вме­
сто Двх), выходное сопротивление транзистора (вместо Л/ ~гк ), коэффи­
циенты усиления по току К{((о) и напряжению Ки (о ).
На рис. 2.11,а приведена эквивалентная схема каскада в области
высотах частот с учетом всех перечисленных выше условий.

". [> . © IX |> .

ж ^

Рис. 2.11

Анализ этой схемы в общем виде, с учетом всех частотно-зависимых

(комплексных) элементов приводит к появлению дополнительных полюсов
и нулей в частотной характеристике и делает анализ весьма сложным. Для
упрощения анализа вначале, как правило, вводят ряд ограничений, наибо­
лее результативными из которых являются два:
1. Одиночный каскад. Прежде всего принимают, что внешние цепи
каскада содержат только активные элементы (резисторы), вследствие чего
частотные искажения (снижение коэффициентов усиления) обусловлива-
 57

клея только частотно-зависимыми параметрами транзистора. Это означа­

ет, что сначала анализируется одиночный (не промежуточный) каскад с ак­
тивной нагрузкой Яи на выходе. Затем, с учетом полученных результатов,
рассматривается промежуточный каскад с комплексной нагрузкой на вы­
ходе [6], каковой является входное сопротивление следующего каскада
Ъюисш*
2. Эквивалентный коэффициент |Зк(со). Влияние обоих, указанных
ранее, частотно-зависимых параметров транзистора (Р(со) и С*(со)) на час­
тотную характеристику сводят к одному эквивалентному коэффициенту
усиления тока базы рк(со) (или рк( /) ) с эквивалентной постоянной трк
(или эквивалентной граничной частотой / рк) [1,6]:

=Тр у. + х \, (2.75)
1+ уЮТрк
где рок - низкочастотный эквивалентный коэффициент из (2.43), ук - из
(2.44),
(2.76)
/Г » - из (2.54).
Первое слагаемое тр7* в (2.75) отражает «вклад» коэффициента Р(©),
а второе слагаемое т** - «вклад» барьерной емкости С* в эквивалентную
постоянную Трк.
Эквивалентные рв(ю) и тр* в (2.75) легко могут быть получены, если
внешний ток /к (см. рис. 2.11,а) принять за ток эквивалентного генератора
Рв(со) /б и определить его долю в токе исходного генератора 0(со) •/б с
учетом шунтирующих элементов:
Р(и>) ' У ^ | (2.77)
Р » =
+ * 2«
(1+ у<атр)
где (2.78)
(1 + У<от,)’

хк —Ск -гк —Ск •гж.

Подставив из (2.78) в (2.77), после несложных преобразований
можно найти
 ¿го соответствует (2.75).
На ряс. 2.11,6 приведена эквивалентная схема с учетом введенных
эквивалентных параметров и т ^ с активной нагрузкой Ян. На этой схеме
уже нет и г*, а Я*= оо.
Параметры гяскяпя в области выспгах частот определяются с учетом
введенных эквивалентных (Зк и по схеме на рис. 2.11,6.
Входное сопротивление
При источнике ЭДС на входе (Яг= 0)

/ _ и* _ г , г [\ , ) ('Ь+'эХ1* ■/«*»)+ '»Р*> _

'' И, * \ 1+ 7“ ^ ) 1+ У<0Тр,

(2.79)
1+ У«*р« ” ** 1+ уютр, *
где Яис убо-из (2.45), т ^ -и з (2.76).
Как уже указывалось, почта всегда Яг > 0, поэтому вместо частного
коэффициента у® нужно использовать общий коэффициент ув из (2.47).
Тогда
т' = Трк (2.80)
* 1+ РоГв
Коэффициент усиления по напряжению Ки(со).

= у ™ ? ') — £ а - , (2.81)
«1 <«-2» О+ у ю т р ^ ^ + уоп ^) 1+ Уозт,
где
(2.82)
т- ^ г г ^ 7

постоянная коэффициента усиления в области высших частот.

 Постоянная твможет значительно изменяться при разных величинах

0 < К <00.

<Т„ <т р*- (2.83)

1+ РоУпо
Так для коэффициента усиления по току ( Я' = оо . = 0) тн = Трк.

К,
к ,(со)---- ^ (2.84)
1+ 7(отн 1+ ./о)ТПк

Таким образом, в зависимости от величины 1{\ может значительно

изменяться высшая граничная частота /„ каскада: при - со она наимень-
г.
шая, при IV, * 0 она значительно больше (в раз).
г\ +
В комплексных выражениях (2.81) и (2.84) содержатся АЧХ:
Кп
\к\ = (2.85)
д/Г+^Х,)2
и ФЧХ в радианах:
(р= -агс!ё(сотв). (2 86)

На практике вместо (2.85) удобнее использовать нормированную

АЧХ
к
(2.87)
м - У - >/• + (("т,.)"

Уровень частотных искажений в области высших частот (как и в об­

ласти низших) задается одной точкой на нормированной АЧХ с координа­
тами /., (оэи = 27г/и)

1
М = (2.88)
К / | + (ш„Т ):
В (2.88) величины Л7„ и ш„ заданы. Для выполнения »аданныч \сл-
вий необходимо выбирать постоянную т„ т (^ 88)
 60

где

Коэффициент ав и его назначение аналогичны коэффициенту ан в

(2.66) и его назначению (см. подраздел 2.5.3).
Величина т„, согласно (2.82), определяется величиной тРк из (2.75):

Соотношение между тр и т'к в (2.75) различно для разных частотных

групп транзисторов:
1. Для низкочастотной группы, f a < 3 МГц,
» t;, тР1(=тр=т„(1+р0уг,).
Граничная частота транзистораj a должна удовлетворять условию:
f >J l ± P K _
О»0 + P o je )’
2. Для среднечастотной группы, 3 МГц < / а < 30 МГц,

можно ввести коэффициент веса к: х'К= £тр. Тогда трк = тр(1 + к), и

^ (I +^)(l + Р)/в
«.O + PoY«) '
3. Для высокочастотной группы , fa> 30 МГц,

= ti <
1+ РоУв ’ к 2л/; -О + РоУв)-"«

В этой группе для выполнения заданных условий необходимо выби­

рать низкоомное внешнее сопротивление цепи, что ведет к значительной
потери мощности в выходной цепи.
Промежуточный каскад. На выходе этого каскада включена ком­
плексная нагрузка 2ВХСЛ, как показано на рис. 2.11,в. Чтобы учесть ее влия­
ние на АЧХ, нужно в (2.81) заменить /{'1КВна Z^кн.
 61

,0 •%яжся ________^яих *^ЕХСдО+ .А°Трк.сл )_____

** Явш+^юсл (л к , ^шж.сяО+ -/®т Рк.ся)
( ,* ^ )
/С О + У ю т'^)
(290)
(1 + уштр,,«)

где ¿и - из (2.79), индекс ся - означает «следующий каскад»,

^рК-СЛ*^ВЫХ 4- ^Р* *^ВХ.СЛ (2.91)

^Рхэ.сл ""
^■ЫХ ^ВХО! ^ых + Лвхсл’

тг - ТРК
* 1+ РжоТв
Подставив Т-яь в (2.81), можно найти
£ АГцА+уц^«^
и^^+ уал ^+ У © ^Эсд)'

Выражение (2.92) значительно сложнее. (2.81), и полный анализ его в

рамках зтого курса затруднителен. Однако можно сделать некоторые уп­
рощения. Например, два соседних каскада обычно мало отличаются друг
от друга по схеме и по режиму. Можно принять их одинаковыми, тогда

1+усот^ -1 + усот'р* и К\] = ~ (2.93)

1+ 7^рхЭс
На практике часто выполняется условие /?*« » ЯвхС1., тогда с учетом
(291)
^рхэ.сл —^рк.сл
и анализ (2.93) существенно упрощается:
£ _ Кцо _ Кцо (2.94)
и 1+ У(отрьет 1+ ушт,

Анализ такого промежуточного каскада (при выполнении принятых

условий —одинаковые каскады, Явих » Xnx.cn) ничем не отличается от ана­
лиза одиночного каскада, приведенного ранее. Только постоянная
т, = 1 ^ определяется граничной частотой/, о, следующего каскада.
 62

Следует отметить, что даже некоторое различие в постоянных т'рк и

Трксл мало отразится на результатах анализа в рамках настоящего курса,
т.к. Трк существенно меньше Трк, а значит, частоты / ¿ , / р'ксл существенно
больше высшей граничной частоты /¡, которая будет определяться по
(2.92) постоянной тркэсл. Отклонения от принятой АЧХ (см. рис. 1.3) бу­
дут происходить за пределами полосы пропускания. Анализ АЧХ на этих
частотах выходит за рамки курса.

2.6. Обратная связь в усилителях

2.6.1. Виды обратной связи

В усилителях широко используются обратные связи. При помощи

обратной связи (ОС) можно изменять параметры усилителя (как правило,
для улучшения этих параметров).
Под обратной связью понимают передачу части усиленного сигнала
с выхода снова на вход усилителя, где происходит суммирование сигнала
обратной связи с внешним сигналом. Усилитель с обратной связью (рис.
2.12) включает в себя цепь (звено) прямой передачи и цепь (звено) обрат­
ной передачи.
Цепь (звено) прямой передачи представляет собой усилительное зве­
но без обратной связи, характеризуемое рассмотренными ранее парамет­
рами (Ки, К1у Двх, Двых, Мь А/в). Наиболее существенным из них для рас­
смотрения свойств обратной связи является коэффициент прямой переда­
чи. На рис. 2.12,а это коэффициент усиления по напряжению Кц =
Цепь (звено) обратной передачи (связи) формирует сигнал обратной
связи из выходного сигнала и передает его во входную цепь. Цепь обрат­
ной связи характеризуется коэффициентом обратной связи (передачи). На
рис. 2.12,а это коэффициент передачи по напряжению уи = £/<*/£/2 ♦
Контур, включающий в себя цепь прямой и обратной передачи, на­
зывают петлей обратной связи. В зависимости от способа прохождения
сигнала обратной связи на вход усилителя различают:
а) внутреннюю обратную связь, обусловленную физическими свой­
ствами усилительного элемента (транзистора);
б) паразитную, обусловленную неудачным монтажом, полями рас­
сеивания и т.д.;
в) внешнюю, вводимую преднамеренно для улучшения параметров
усилителя.
Первые два вида порой бывает даже трудно установить, но они су­
ществуют вопреки желанию разработчика, зачастую ухудшая свойства
усилителя (особенно его устойчивость). Из этих двух видов кратко рас­
 63

смотрим лишь паразитную обратную связь через источник питания, с ко­

торой часто приходится сталкиваться на практике.
Внешняя обратная связь всегда существует в явном виде и является
управляемой. Этот вид обратной связи рассмотрим более подробно. Рас­
сматривать будем только однопетлевую ОС. Полученные при этом выводы
можно полностью применять и к паразитной и внутренней обратной связи,
если они выявлены и найдены их количественные критерии. Обратная
связь подразделяется по способу сложения сигнала обратной связи [/«(или
/ос) и внешнего сигнала [/|(или /¡) на входе усилителя, на
последовательную (на входе внешний сигнал Ц\ и сигнал обратной связи
[/ос включаются последовательно, т.е. происходит сложение напряжений
1}\ и [/ос) и параллельную (на входе внешний сигнал ¡\ и сигнал обратной
связи /ос включаются параллельно - сложение токов).
По способу образования сигнала обратной связи [/ос (или /ос) из вы­
ходного сигнала [/2 (или /2) различают обратную связь по напряжению ([/ос
или /ос пропорциональны выходному напряжению [/2, при этом ток /2
может быть любой величины, вплоть до /2 = 0, см. рис. 2.12,а и обратную
связь по току (/ос или [/ос пропорциональны выходному току /2, при этом
напряжение [/2 может быть любой величины, вплоть до [/2 = 0, см. рис.
2.12,6).

а б
Рис.2.12

Таким образом, возможны четыре типа обратной связи:

1. Последовательная обратная связь по напряжению, приведена на
рис. 2.12,а, т.е. на входе (/«= [/1+ [/«, а на выходе [/<*= уи¡-Ь Цепь прямой
передачи здесь характеризуется коэффициентом усиления по напряжению
Ки = Ш и ^ а цепь обратной передачи (связи) - коэффициентом передачи
по напряжению уш= (/«/[/2.
2. Параллельная обратная связь по току. Этот вид обратной связи по­
казан на рис. 2.12,6. Усилительные свойства цепи (звена) прямой передачи
 64

здесь представлены коэффициентом усиления тока АГ/, равного /2//1Х, а цепь

обратной связи коэффициентом у/, равного /<*//2-
Кроме этих типов обратной связи могут быть еще два типа, являю­
щиеся комбинациями входных н выходных цепей, показанных на рис. 2.12.
3. Последовательная обратная связь по току. Сигналом обратной свя­
зи здесь является напряжение Ц*, пропорциональное выходному току /2.
Сигнал иж суммируется с внешним сигналом II\ на входе в последова­
тельной цепи. Как усилительный параметр цепи прямой передачи здесь
целесообразно использовать крутизну прямой передачи £п = У^Лх, а цепь
обратной связи характеризовать передаточным сопротивлением уг= и^12.
4. Параллельная обратная связь по напряжению. Сигналом обратной
связи здесь является ток /«*, пропорциональный выходному напряжению
и2. Сигнал /ж суммируется с внешним сигналом /1 на входе в параллельной
цепи. За усилительный параметр цепи прямой передачи в этой схеме целе­
сообразно взять сопротивление прямой передачи Яп= £/2//вх, а Цепь обрат­
ной передачи следует характеризовать передаточной проводимостью
Т, = /оЛ/2.
В табл. 2.1 приведены соотношения между коэффициентами прямой
передачи всех четырех типов (Ки, АГ/, 5П, Яп), позволяющие при необходи­
мости переходить от любого из этих коэффициентов к трем остальным.
Например, почти всегда определяется Ки (иногда АГ,), а обратная связь
включается по третьему типу. Тогда в соответствии с табл. 2.1 5^ = АГ*// Я„.
В табл. 2.2 приведены соотношения между коэффициентами обратной пе­
редачи (у„, у,-, у„ уг), позволяющие при необходимости переходить от любо­
го из этих коэффициентов к трем остальным.

Таблица 2.1
Коэф. прямой Ки к, & Я„
передачи
Ки - АГ/Ян/ЯВх 5п Ян я п/явх
к, АГ*/ЯВХ/Я„ - *^ПЯвх Яп/Ян
ъ КиШю я./я.* - ЯП/(Я„ Явх)
КиКвх А,Я„ *$пя„ я вх

Таблица 2.2
Коэф. обратной Ги УГ У/
передачи
Уи - Гг/Я„ У»Явх/я„
У5 У-/Я.Х - УгКНт Я„) Г//Ян
_____1г_____ Гу Яи У!>Ип,Я« - Г/Я.Х
_____ У< Умян/Явх УзЪ Гг/ Я.Х
 65

Сложение напряжений на входе (последовательная ООС) наиболее

эффективно при Я г = О (источник ЭДС ), а сложение токов на входе (па­
раллельная ООС) при Я , = 0 не имеет смысла.
Сложение токов на входе (параллельная ООС) наиболее эффек­
тивно при Я ^(источник тока).Сложение напряжений на входе (по­
следовательная ООС) при Я г а: не имеет смысла
На практике чаще всего бывают промежуточные варианты, те
между источником ЭДС и источником тока, что уменьшает эффективность
ООС из-за снижения коэффициента обратной связи и требует обязательно­
го учета величины Я , при определении коэффициента обратной связи у.

2.6.2. Влияние обратной связи на параметры усилителя

При введении обратной связи можно говорить о новом усилителе (на
рис. 2.12 обведен пунктиром) с новыми параметрами. Параметры усилите­
ля с обратной связью в отличие от прежних параметров (без ОС) принято
дополнять индексами: Кц**, К, <*, Яшх Явчос, Л/„ ос, А/, <* и т.д.
Из рис. 2.12,а можно найти, что коэффициент усиления

К С-*” *г г1 *
Л0 (2.95)
Г/.
и2= к и „ (2%)
^ос = уЛ/2 =^;У«(/вч, (2.9-Д
где£г - коэффициент усиления усилителя, не охваченного ОС (коэффи­
циент прямой передачи), к и =
уу- коэффициент обратной связи,
У„ = Г/ос/(А. (2.98)
На вход звена прямой передачи поступает сумма напряжений:
(/вх=(/1+^.= Г /1П ,Л ^вх,
из которой можно найти
= ^вхО-Уи/ад. (2 99)
Подставив выражение для из (2.99) в (1), можно найти с учетом (2.95)
к К к
*00 = (2.100)
1-Уи-Кг 1 - 7 ~ Г •
Равенство (2.100) является основным уравнением устройств с обрат­
ной связью (не только для усилителей). Знаменатель (2.100) 1;' = 1 - у„А'г
называют фактором (или глубиной) обратной связи, а произведение Т =
 66

= уи К{ - петлевым усилением. Аналогичное уравнение можно получить

для усилительных параметров (коэффициента прямой передачи) всех че­
тырех типов ОС. Можно характеризовать изменение усилительного пара­
метра обобщенным уравнением (для всех четырех типов):
к к =к
к ос (2.100')
\- y - k 1-7’ Р
в котором для каждого из четырех коэффициентов прямой передачи ( к 11%
к,- , 5’п, Лп) нужно брать соответствующий коэффициент обратной переда­
чи (уг, у,, уг, уя). Фактор Р и петлевое усиление Т для всех типов одинаковы:
Уи к г = у/ АГ, = уГЛ’„ =улД„ (2.101)

При определении коэффициентов прямой передачи ( к 1:,К,у Л'п, )

нужно учитывать подключенную к выходу усилителя цепь обратной связи.
Так, на рис. 2.12,а (1-й тип ОС) при определении Кцо в (2.53) нужно еще
учесть параллельную ветвь из входного сопротивления (Двху) звена обрат­
ной связи:

При определении Кю на рис. 2.12,6 (2-й тип ОС) вместо Л„ нужно

брать сумму Д„ + Двху, как в знаменателе (2.55), так и в

/ ч - Ы (К„ + я«*).
При определении коэффициентов обратной передачи (у*,, у„ уг, у,)
нужно учитывать, что к выходу звена обратной связи (ДВыху) подключена
входная цепь усилителя. Так, на рис. 2.12,а параллельно Двыху подключена
цепь Двх+ Иг (или Двх + Дад пред.).
Величины Кос, Р* Т в общем случае могут быть комплексными. В
этом случае анализ сильно усложняется, т.к. при изменении частоты будут
изменяться фазовые сдвиги в цепях прямой ( К ) и обратной (у ) передачи, а
также произведение у к (как по величине, так и по знаку). В дальнейшем
рассматривается упрощенный вариант ОС, когда коэффициенты прямой и
обратной передачи принимаются вещественными.
В отношении у это почти всегда выполняется, т.к. цепь обратной свя­
зи обычно состоит из резисторов. В отношении К это справедливо лишь в
области средних частот. Значит, все дальнейшие рассуждения будут спра­
ведливы лишь для области средних частот.
Положительная и отрицательная ОС. При введенных выше упроще­
ниях, т е при вещественных К и у, сигналы на входе И\И будут либо в
 67

фазе (ф = 0*), либо в противофазе (ф - 180*). В первом случае К и у имеют

одинаковый знак, сигналы 11\ и иж будут арифметически суммироваться
(£/„= 11\ + иж)9а сигнал Цщцбудет увеличиваться за счет иж. В этом случае
петлевое усиление положительно (К у > 0), а обратную связь называют по­
ложительной обратной связью (ПОС). Тогда:
К
*пос (2.102)
1 -г*
При ПОС фактор 1 - уК < 1 и АГпос > *. ПОС почти не применяется в
усилителях. Во втором случае (Ц\ и иж в противофазе) у и К имеют разные
знаки, сигнал иж будет вычитаться из внешнего сигнала (£/вх- £Л - £/«),
а сигнал ип будет уменьшаться за счет иж. В этом случае петлевое усиле­
ние отрицательно (у* < 0), а ОС называют отрицательной обратной связью
(00С). Тогда:
К
*оос (2.103)
1+Г*
При ООС фактор 1 - уК > 1 и Коос < К. При глубокой ООС единицей
в (2.103) можно пренебречь, тогда

В этом случае *оос вообще не зависит от свойств усилителя (цепи

прямой передачи). ООС очень широко применяется в усилителях, поэтому
в дальнейшем под ОС будет подразумеваться только ООС, при этом будут
использоваться индексы “ос” (а не “оос”).
ООС (любого из 4 типов) может охватывать один каскад, тогда она
называется местной ООС. Если обратная связь охватывает все (или почти
все) каскады, тогда ее называют общей ООС. Иногда применяют
отдельные цепи общей ООС по переменному и постоянному току. Как
правило, в усилителе имеется несколько петлей ООС. Тогда анализ
многопетлевой ООС может быть сведен к последовательному
рассмотрению действия однопетлевых ООС (сначала местных, а затем
общих) путем определения эквивалентных параметров частей усилителя с
однопетлевой ООС.
ООС и параметры усилителя. Проведя простые вычисления, анало­
гичные вычислениям Кььс, можно легко определить, как изменяются пара­
метры усилителя при всех четырех типах ООС. Результаты расчетов све­
дены в табл. 2.3. В дальнейшем будет, в основном, рассматриваться ООС
на примере 1-го типа (последовательная по напряжению). Для практиче­
ского применения весьма полезно равенство факторов ^ (или петлевых
усилений 7) для всех четырех типов ООС [7]. Это позволяет находить ^
 68

(или Т) для наиболее удобного типа ООС и использовать его в любом

другом типе ООС.
Таблица 2.3
ОС по входу ОС по•выходу
по напряжению по току
; Последовательная ЪьгКиЩ + УиК[)у Я„«=Л7(1 + УАг) (Зй-тип)
(сложение КХ=Ъ (1-й тип)
напряжений)
^ВХ.ОС=^Вх0 УиК{]) ЛвХ.ОС=/?вх/(1 Уг^п)
Лвых.ос= ^вых!{. 1 + УцКи) ^ВЫХ.ОС=^ВЫх/(1 Уг^п)
Параллельная Лп.ос=Л|/(1 + У,Лп) (4-Йтип) КшгКЛ 1 + УЛ),
: (сложение токов) Кцос-Ки (2-й тип)
I
^ВХ.ОС=^Вх/( 1 уА ) ^ВХ.ОС=^В\( 1 УД)
1
Дых.ос~КъыхК1 У^п) ^вых.ос=^вых( 1 ^ УД)

2.6.3. ООС и стабильность коэффициентов усиления

При помощи ООС весьма эффективно повышается стабильность ко­

эффициентов усиления (коэффициентов прямой передачи). Так, ООС 1-го
типа стабилизирует величину Кц. Найдя дифференциалы левой и правой
частей (2.103), можно найти [3]:

А^У/ос _
К(,ж К ',(\ + уиКц У (2,05)
что означает, что относительная нестабильность (в %) усилителя, охвачен­
ного ООС (ЬКиЛ<1,ос\ в (1+ УиКц) раз меньше относительной нестабиль­
ности (в %) коэффициента усиления АКц/Кц. Для транзисторных усилите­
лей это весьма важно, т.к. их коэффициент усиления Ки может изменяться
в широких пределах из-за изменений р. Чем глубже ООС, тем стабильнее
Кгос. При очень глубокой ООС в соответствии с (2.104) стабильность Кцх
вообще не зависит от изменений Ки (2.105).
Аналогично стабилизируется при 2-м типе ООС, £п при 3-м типе
ООС и при 4-м типе ООС, т.е. их относительные изменения АК/К»
А А Д , / / ? П уменьшаются в ^раз. При этом не имеет значения, какой
из дестабилизирующих факторов действует. Это может быть изменение
нагрузки, питающего напряжения, изменение параметров транзистора в за­
висимости от частоты или температуры. Стабилизирующее действие ООС
является основой снижения частотных (линейных) и нелинейных искаже­
ний и шумов, а также стабилизации режимов покоя транзистора в усилите­
 69

лях. Так, в рассмотренной ранее схеме эмитгерной стабилизации режима

покоя (см. рис. 2.5) действует ООС по постоянному току.

2.6.4. ООС и нелинейные искажения

Обычно нелинейные искажения характеризуются коэффициентом

гармоники Кг. Из малосигнальной (линейной) теории ООС следует, что ко­
эффициент гармоник Ктлс усилителя, охваченного ООС, меньше в F раз,
чем коэффициент гармоник Кгусилителя без ООС:
„ Кт
*г.ос =-jT (2.106)

Объясняется это тем, что высшие гармоники, возникающие в усили­

теле (их нет во внешнем сигнале), уменьшаются в ^раз вместе с полезным
(внешним) сигналом. Уменьшение полезного сигнала можно скомпенсиро­
вать увеличением внешнего сигнала, не содержащего высших гармоник.
Уменьшение гармоник в /«'раз ничем не компенсируется.
Однако равенство (2.106) дает удовлетворительные результаты на
практике при сравнительно малом начальном значении Ки не превышаю­
щим 5 %. В общем же уменьшение Кг под действием ООС получается
меньше, чем в (2.106). Для ориентировочных расчетов рекомендуется эм­
пирическая формула определения обеспечивающая некоторый запас:

(2.106')
F -(l + 0,l*r )
где Кгвыражено в процентах.

2.6.5. ООС и частотные искажения

При введении ООС уменьшаются частотные искажения, расширяет­

ся полоса пропускания и со стороны низких, и со стороны высоких частот.
Именно для снижения частотных искажений часто вводят ООС.
Однако изменение коэффициента неравномерности Мн или А/„ ам­
плитудно-частотной характеристики в общем виде находится в довольно
сложной зависимости от глубины ООС. Для принятых выше упрощений
(область средних частот, минимально-фазовые цепи) эта зависимость уп­
рощается, и для коэффициентов ащъ я|П, ан в (2.66), (2.71), (2.87) можно
найти, что под воздействием ООС они уменьшаются в Рраз:
 70

(2.107)

Уменьшение частотных искажений объясняется тем, что на высших

и низших частотах уменьшается, коэффициент усиления (КН<К0., КЪ<К0),
значит, уменьшается глубина обратной связи (при неизменном коэффици­
енте обратной связи у):
(1 + г к и) < о + у*0) > (1 + у/:»),
т.е. коэффициент усиления в области низших и высших частот уменьша­
ется в меньшее число раз, чем в области средних частот.

2.6.6. Усилительный каскад с ООС

Рассмотрим в качестве примера широко применяемую местную ООС

в каскаде, схема которого приведена на рис. 2.13. Для получения ООС в
эмиперную цепь включено сопротивление Лос, на котором выделяется
сигнал обратной связи иж. Сигнал иж находится во входной цепи и вычи­
тается из входного сигнала 1/\. Обозначения сигналов на рис. 2.13 соответ­
ствуют обозначениям, введенным на рис. 2.12,а. Заметим сразу, что ис­
пользовать для обратной связи по переменному току резистор /?э обычно
не удается, т.к. величина сопротивления 7?, выбирается по критерию ста­
бильности режима покоя, ^для обратной связи по переменному току оно
оказывается слишком большим.

Рис. 2.13 Рис. 2.14

 71

Для определения параметров каскада с ООС воспользуемся равенст­

вами (2.100), (2.103), для чего определим необходимые величины:

= Р *^эо ! » ^эо = (2.108)

у _ ^ОС __ Р' *6 ‘Ц* _ ^ОС

^ р /5 я ^ ’
где (/«= 1,Яос= (Р + 1) /вЛос= р /йЯ«; С/2= Р /«ЛЧо

Глубина (фактор) обратной связи Р.

Р = \+Уи -Ку =1+ *ос Р =0+

М кч
Кшш ^ Я.Х
Параметры каскада с ООС:
Лютс- = Лвх( 1 + уцКи) ~ + РЛос, (2.109)

1/2 _ р -л ;- _ р -л ;»
(2.110)
^1 1+ Тс/*Х1/ Л ^ + р -^ с Л.Х.ОС
г _ *2 _ Р‘^8 ‘ _ /у- (2.111)
'“ "<8 Л. »8 Ь
При вычислении в качестве коэффициента прямой передачи исполь­
зованы коэффициент усиления по напряжению Ки и коэффициент обрат­
ной связи по напряжению уи. Однако сигнал обратной связи иж пропор­
ционален выходному току, значит, имеет место ООС по току. По входу
ООС последовательная, т.е. это последовательная ООС по току, т.е. 3-й
тип. В этом случае в качестве коэффициента прямой передачи рекоменду­
ется брать крутизну прямой передачи а в качестве коэффициента обрат­
ной передачи - передаточное сопротивление уг. Использование £„ и угдает
тот же результат.
Докажем это:
^ _ *2 _ Р *(у "^эп _ Р' ^экв
(2.112)
^шх ^6* ^ъх *^вх

у _^ос_ Р *(в *^ос _*ос*н (2 113)

Р /б ^ » / ^ н “ *;» ’
ГДе ¡2~ Р £/«= *б(1 + Р)Лос = Р /вЛос, (Лх = 1бЛ.х.
 72

Определим фактор обратной связи

/=■= Н7Д, = 1 + ЯоЛРД'ж»/ Д'жвЯнЯвх = 1 + Р Я Л ,
получаем тот же результат, т.е. угЯп= у^/АГс/ = Г.
^„ос = ^„//7= р Д'™/Д,Лх(1 + рДос/Двх) = Р Я1* / ЯЛ*«. (2.114)

Сравнив Я(/ос И*^пос» МОЖНО НаИТИ, ЧТОЛщц;= Я^ое/Яц, что соответствует

табл. 2.1.
Крутизна прямой передачи £пна практике как параметр используется
редко. Для вычисления же фактора Р или петлевого усиления Т можно ис­
пользовать более привычный параметр Кс, как это и следует из рассмот­
ренного примера.

2.6.7. Эмиттерный повторитель (каскад ОК)

Эмиттерный повторитель (ЭП) используется для согласования низ­

коомной нагрузки (/?„ мало) с высокоомным сопротивлением источника
сигнала (Яг велико), т.к. имеет большое входное сопротивление и малое
выходное сопротивление. Схема ЭП приведена на рис 2.14. Выходное на­
пряжение I ^2, снимаемое с эмиттера, почти повторяет по величине и фазе
внешний сигнал V\ (отсюда и название - ЭП). Эту схему можно получить
из схемы ОЭ введением 100%-ной ООС 1-го типа. В этом случае ее удобно
анализировать, используя свойства ООС. Но эту схему можно представить
и как усилительный каскад ОК, в котором транзистор включен по схеме
ОК, т.к. коллекторный выход транзистора по переменному току является
общим электродом для входной и выходной цепи. В этом случае анализ
схемы можно провести так же, как это было сделано для схемы ОЭ, т.е.
составить эквивалентную схему каскада для переменных составляющих с
учетом Т-образной схемы транзистора ОК. Этот метод использован в
работах [1], [3], [4]. Разумеется, результаты должны быть одинаковы и в
том, и в другом случае. Ниже приводится приближенный краткий анализ
ЭП с учетом свойств ООС. За исходные данные берутся параметры схемы
ОЭ: Ям, из (2.53), Янх из (2.45), Я',к|1 из (2.54), А'„ из (2.55), Я*, из (2.59) и
табл. 2.3.
Глубина обратной связи /Л
/ .= | + у„ .А „ = 1 + ^ (2.115)

где у„ = -1, К, = р /Г,к„ / / и /Г-„ = Я, || Я„

 7.1

Входное сопротивление
К*
кт ,,,= — = *.* -0+Э -)>
1*0,
/?вхлп=/?вч+р/?^. (2.116)
Входное сопротивление собственно повторителя (без учета сопро­
тивлений делителя /?|, Л2) Лвх.тп может быть очень большим, хотя и ограни­
чено сверху величиной гк [1]. Это является достоинством ЭП, обеспечи­
вающим работу источника сигнала в режиме холостого хода. Однако на
практике с учетом сопротивлений делителя И\у 1*2 эквивалентное входное
сопротивление 1*\„ = /?вхл,, || 1*ь не превышает нескольких десятков килоом.
Определим коэффициенты усиления Кпп:
Щ К± = _____К„: р л ;.
лк Г'эп ~- лг Гос -“ 2 - (2.117)
ИI /*' 1+ рл; ^ п + Р ^ к ./л « ) ’

¡С = Р *^экв
,ы л ^ + р л ;^

Кгт< 1, но при увеличении доли слагаемого р/Лю» в (2.117) стремит­

ся к единице
* 1» если р/^ -ид, » 1*п\- (2.118)
При Я'г=0 Кпт = Кет

К
К/эп = А/ос
К - ;2
. - Р^ » ”- Р *^э*в
п _у /Э , 10х
(2.119)
^ ^ Ан
Выходное сопротивление Квых..ш находится с учетом того, что ООС
осуществляется по напряжению
п ЫХ.ЭП—
АВ _ пАВЫ.\.ОС_ * «—*_ ._ —_ *- , ( *_„ /Р>
.- .
Р 1+ Р-^кв/*Вх Дэ+Дзх/Р’

К,« ,п = а, IIЛи /р = Л, II(г,+(г8 + Л'г)/р). (2.120)

Яных ,и состоит из параллельных ветвей между эмиттером транзисто­
ра и общим проводом (корпусом): одна ветвь - 1*>, другая ветвь - г, + (гь +
+ /¿'г)/р (через транзистор с эмиттерного выхода) является входным сопро­
тивлением в схеме с общей базой (ОБ) с учетом сопротивления Я\ .
При 1*'г = 0 Л'ылх.ш * и может не превышать нескольких единиц
(или десятков) Ом, т.е. ЭП с выхода близок к источнику ЭДС. На практике
 74

/¿иыч >„не превышает 200 + 300 Ом (при Л', * 0). Малое выходное сопротив­
ление ЭП также является достоинством и позволяет подключать к выходу
комплексную низкоомную нагрузку'. Во всех формулах этого пункта ис­
пользовано приближение (1+ р) %р.

2.7. Микроэлектронные усилители

Для создания усилителей различного назначения широко использу­

ются интегральные микросхемы (ИС). Усилитель, построенный на базе
ИС, далее будет называться микроэлектронным усилителем. Усилительные
ИС относятся к линейным микросхемам, поэтому их часто называют ли­
нейными ИС. Промышленность выпускает большое количество линейных
(усилительных) ИС, которые с успехом могут быть использованы при по­
строении предварительных усилителей низкой частоты (УНЧ) широкого
применения, рассмотренных в предыдущих разделах в дискретном вариан­
те. В микроэлектронном варианте могут быть реализованы и многие дру­
гие разновидности усилителей. Некоторые из них будут рассмотрены да­
лее.
При построении микроэлектронных усилителей, наряду с ИС в схему
почти всегда приходится включать навесные элементы (резисторы, кон­
денсаторы, дроссели), которые могут влиять на работу ИС и на формиро­
вание параметров усилительного устройства в целом. Из большой гаммы
выпускаемых линейных ИС можно выделить три группы ИС, используе­
мых в усилительных устройствах:
1. Линейные ИС малой степени интеграции, используемые в предва­
рительных усилителях общего применения. Это ИС типа К118УН1,
К538УН1, УН2, УНЗ, К122УН1, содержащие, как правило, один, два, реже
три каскада.
2. Универсальные линейные ИС - операционные усилители. Они бу­
дут подробно рассмотрены в главе «Усилители постоянного тока».
3. Специализированные ИС, ориентированные на определенный
класс аппаратуры. Наиболее широко из этой группы используется в высо­
кокачественной радио- и телеаппаратуре серия К174. В этой группе име­
ются и микросхемы для высококачественной звуковоспроизводящей аппа­
ратуры. Микроэлектронные усилители мощности будут рассмотрены в
главе «Усилители мощности».

2.7.1. Усилители с использованием ИС малой степени интеграции

При анализе усилителей на базе ИС этой группы могут использо­

ваться расчетные соотношения предыдущих разделов, поскольку принци-
 75

пиапьные схемы этих ИС довольно просты и мало отличаются от рассмот­

ренных ранее транзисторных схем. На базе этих ИС можно создать мало­
мощные УНЧ любого назначения. Однако нужно иметь в виду, что прин­
ципиальная схема и параметры ИС жестко заданы и не могут быть измене­
ны. Вопросы, связанные с анализом УНЧ этого типа, рассмотрены на при­
мере применения в УНЧ микросхемы К122УН1. На рис. 2.15,а показана ее
принципиальная схема. В табл. 2.4 даны ее электрические параметры на
частоте 12 кГц для типовой схемы включения, приведенной на рис. 2.15,6.
Эта ИС представляет собой двухкаскадный усилитель с непосредственны­
ми связями (между каскадами), охваченный параллельной ООС (отрица­
тельной обратной связью) по току. ООС по постоянному току обеспечива­
ет стабильность режима покоя, а ООС по переменному току - стабиль­
ность параметров по переменному току. Однако в типовом режиме (см.
рис. 2.15,6) ООС по переменному току устраняется включением блоки­
рующего конденсатора О и в этом случае ИС имеет параметры, приведен­
ные в табл. 2.4. В нижних трех строках этой таблицы указаны параметры
ИС К122УН1Б при введении ООС по переменному току (без блокировоч­
ного конденсатора ( \ т.е. (1 = 0) [2].
В связи с тем, что коэффициент усиления ИС сильно зависит 01 ве­
личины сопротивления нагрузки в диапазоне /(„=0 .16 кОм, нагрузка /(„
(при малой ее величине) подключается к выходу ИС (вывод 9) через эмнт-
терный повторитель на УТЗ.
Таблица 2.4
( 3»/^н Параметр Варианты ИС
А Б 1 _в Г Л
(*! = К( 400-800 600- ! 500- 800- 1200-
= 100,0 1200 1 1000 ; 1600 2400
мкФ, £,„в 6,3 6,3 ! 12-6 1 12,6 12.6
/(„=СО /(их, кОм 2 2 э 2
- 1
/(ви\> кОм 1.6 1,6 ',6 ' 1,6 1,6
2,4-3,8
(/|ЮСТ. В1Л\» В 2.4-3,8 | 7,0-9.6 ! 7.0-9,6 7,0-9,6
Аилр* мА 3.5 ! 3,5 5 ! 5 5
/нис, кГц | юо 1 100 100 100 80
АТ, % | 2/0,2 2/0.2 | 2/0.4 2/0.4 2/0,4
При //в|4\, В
(/„„ мкВ 4 ! 4 4 4 4
г,= о. К,:к \ 140-190 200-280 180-280
'Л|. = 00 /(ьхис, Ом 30-40 \ 1
1 !
1 ./ н.ис, кГЦ ________ 1 500 ] _______ ]
Примечание: I/ш- напряжения шумов, приведенные ко входу.
76

Рис. 2.15
 77

При практическом применении ИС могут возникнуть два варианта:

1. Величины всех элементов ИС (резисторов) известны, как указано
на рис. 2.15,а. Для многих ИС эти величины указаны в различных справоч­
никах и пособиях.
В этом случае в анализе могут быть использованы все методы расче­
та дискретных схем предыдущих разделов, т.е. могут быть определены ре­
жим покоя, его стабильность, параметры по переменному току. Может
быть введена ООС по переменному гоку с заданной глубиной А, например,
включением резистора последовательно с конденсатором (V ИС при этом
становится достаточно гибкой.
2. Величины элементов ИС (резисторов) не известны. В этом случае
нужно руководствоваться паспортными данными и рекомендациями по
включению навесных элементов (типовой схемой включения).

2.7.2. Частотная характеристика в области низших частот

Как правило, усилительные ИС выполнены с непосредственными

связями и могут усиливать сигналы постоянного тока (/„ = 0). Для обеспе­
чения заданной частотной характеристики УНЧ в области низших частот
(/„, Л'/,,V) в схему включают разделительные конденсаторы (навесные) на
входе и на выходе ИС. При этом заданные./,,, Ми^ могут обеспечиваться
совместно обоими конденсаторами. Тогда при отсутствии блокировочного
конденсатора в цепи эмиттера (( \ на рис. 2.15,6) в соответствии с подраз­
делом 2.3
^ иX ^ IIн\ М н.ш\ * (2.121)

где Ми ■Ч - 1 (2.122)
, ( I Г 1 ( 1
1+

*„нх = ( \ ’(Я,■+ ^н.иич ^'2 ’(^кых.не » (2.123)

где ( , - разделительный конденсатор на входе ИС;
( ': - разделительный конденсатор на выходе ИС:
Я, - сопротивление источника сигнала;
Ип- сопротивление нагрузки;
Янхис» Янихт - входное и выходное сопротивления ИС из паспортных
данных.
При заданных Л/„„ Я,- обычно требуется определить величину емко­
сти. Из (2.121) - (2.123) можно найти
 78

1
С,=

1
(2.124)
о.Гн.вых *^71/н(^ВЫХ.ИС ^н)

Заданные Ун и Л/и£ могут быть обеспечены одним разделительным

конденсатором. Тогда при отсутствии блокировочного конденсатора в це­
пи эмиттера
^ б о Лживых -Л/„£. (2.125)

При этом второй конденсатор может отсутствовать (при согласова­

нии режимов по постоянному току без конденсатора) либо быть настолько
большим, иго постоянная этой цепи будет во много раз превышать посто­
янную первой цепи.
При наличии блокирующего конденсатора в цепи эмиттера транзи­
стора УТ2 (Сз на рис. 2.15,6) в формировании низкочастотной части час­
тотной характеристики могут участвовать три или два конденсатора:
=А^н.и 'Мнлих -ЛУнэ2, (2.126)
где
(2.127)

(2.128)

Лг - выходное сопротивление предыдущего звена.

Из (2.126), (2.127) чаще находят

(2.129)
 79

2ЛЗ. Частотная характеристика в области высших частот

Частотные свойства ИС рассматриваемого уровня в области высших

частот определяются высшей граничной частотой ИС/ВЖ(на которой ко­
эффициент усиления уменьшается на 3 дБ). Заданная в исходных данных
на усилитель высшая граничная частота/ не должна превышать/*;, т.е.
Л и с* /.- (2.130)
Если Л и / .ж близки по величине, то на этом формирование высоко­
частотной части заканчивается. Однако ИС имеют, как правило, более вы­
сокое значение / ПМС9 иногда намного превышающее величину / проекти­
руемого усилителя. В этом случае нужно формировать частотную характе­
ристику в области высших частот, сообразуясь с требованиями задания ( /)
путем включения навесных элементов (конденсаторов) в выходные цепи
ИС. Проще всего и всегда выполнимо (но не всегда выгоднее) подключе­
ние конденсатора параллельно выходу ИС, как указано пунктиром на рис.
2.15,6. Цепь из С*, Яи и выходного сопротивления /?выхис будет формиро­
вать новый полюс в частотной характеристике и соответствующую ему
граничную частоту/'* « , которая и должна быть равна заданной:

(2.131)
2 2ят ’
где
IV _ ^вых.ис *К (2.132)
Лвыхнс+Лн
При заданных/,, Мл (Мь Ф0,7) и Лэо рассчитывают С*:

(2.133)
2я/в -Л’з,

У ряда ИС имеются дополнительные выводы, выходное сопротивле­

ние которых значительно превышает ЯВых.ис- Использование таких выводов
позволяет существенно уменьшить величину С*.
 ко

3. УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ
3.1. Особенности работы УМ
3.1.1. Режим работы УМ

До сих пор рассматривались предварительные усилители, в которых

амплитуды переменных составляющих /т, I были очень малы (режим ма­
лого сигнала) Такие усилители по переменному току анализировались при
помощи линейных эквивалентных схем. Однако по мере продвижения сиг­
нала от входа к выходу усилителя амплитуда сигнала увеличивается. От­
ношения

(3 1)

(/.* - постоянная составляющая тока) называют коэффициентами использо­

вания тока (ц/) и напряжения (£). Они определяют эффективность преобра­
зования энергии источника питания в энергию полезного сигнала - КПД
усилителя. Основной задачей выходного (оконечного) каскада является
отдача в нагрузку полезной мощности /*,„ необходимой для нормально­
го функционирования нагрузки. При этом коэффициент усиления каскада
имеет второстепенное значение. При значительной величине Ри важное
значение приобретает КПД каскада. Режим работы выходного каскада вы­
бирается так, чтобы заданная мощность Ри в нагрузку подавалась при мак­
симально возможном использовании транзистора по току' и напряжению.
Выходные каскады, отдающие в нагрузку полезную мощность, близ­
кую к максимально возможной для данного транзистора, называют усили­
телями мощности.
Следует подчеркнуть, что такое определение связано не с абсолют­
ной величиной отдаваемой мощности, а с сопоставлением отдаваемой
мощности с предельно возможной для данного типа транзистора. Внешне
схемы усилителей мощности могут ничем не отличаться от схем предвари­
тельных усилителей, различны лишь их режимы работы, мощные каскады
отличаются большими коэффициентами использования тока и напряже­
ния. Однако эта чисто количественная разница вызывает целый ряд спе­
цифических особенностей в работе каскада и обусловливает необходи­
мость иного подхода к их анализу.
Гак, для получения максимально возможной полезной мощности
приходится использовать большую часть характеристик транзистора, за­
хватывая иногда и заведомо нелинейные участки, т е. усилители мощности
работают в режиме большого сигнала. При этом "малосигнальные" стати­
ческие параметры не остаются постоянными На граничных участках ха-^
рактеристик возникают значительные нелинейные искажения, ограничи­
 81

вающие возможности увеличения \р и £. Поэтому расчет усилителей мощ­

ности по эквивалентным схемам с использованием "малосигнальных" па­
раметров дает неверные результаты. Усилители мощности рассчитывают
графически по входным и выходным характеристикам транзисторов для
области средних частот. Часто в них используют трансформаторное вклю­
чение нагрузки.
Это объясняется тем, что максимальное использование транзистора
по току и напряжению одновременно (что эквивалентно получению мак­
симально возможной мощности на входе УМ) возможно при определенной
(назовем ее оптимальной) величине сопротивления в цепи коллектора
#ко1гг Поэтому прямое включение 11н в выходную цепь УМ почти всегда
исключает указанное выше условие максимального использования транзи­
стора по току и напряжению. Трансформатор, называемый выходным, по­
зволяет в любом случае согласовать реальную нагрузку /¿„ с оптимальной
величиной Ик шгг. И только в редких случаях удается удовлетворительно
согласовать с Як01ТТ без трансформатора в так называемых бестранс-
форматорных усилителях мощности.
Таким образом, особенности усилителей мощности можно сформу­
лировать следующим образом:
1. Работа усилительных элементов с большими коэффициентами ц/ и
$■
2. Необходимость оценки нелинейных искажений (коэффициента
Кг)утак как допустимая величина Кг ограничивает максимальные значения
фи£.
3. Использование больших участков входных и выходных характе­
ристик, это обусловливает необходимость расчета каскадов графическим
способом.
4. Необходимость использования выходного трансформатора для
согласования нагрузки с оптимальным сопротивлением каскада.
В транзисторных усилителях мощности наряду с каскадами ОЭ ши­
роко используются также каскады ОБ, благодаря возможности согласова­
ния низкоомной нагрузки с высокоомным /?выхгь Однако в дальнейшем
подробно будет рассмотрен каскад ОЭ, так как он значительно чаще дру­
гих применяется в реальных схемах усилителей мощности. Кроме того, все
выводы, полученные для каскада ОЭ, справедливы и для каскада ОБ, не­
обходимо лишь использовать характеристики и параметры каскада ОБ.

3.1.2. Классы усиления

В усилителях мощности в зависимости от режима работы транзисто­
ра различают классы усиления А, В и С. Класс усиления задается величи­
ной начального смещения 1/спа (или /бА).
 Х2

Класс А. Начальное смешение выбирается так, что рабочая точка по­

коя находится на середине нагрузочной характеристики (как, например, на
рис. 2.2,а). Транзистор в классе А никогда не бывает закрыт, и ток выход­
ной цепи /2 пропорционален входному сигналу в любой момент времени (с
тем или иным Кг). Из рис. 2.2,а нетрудно установить, что для класса А
L шох - Ал» Ummus —А», (3.2)
т.е.
(3.3)
(индекс А означает класс).
Все рассмотренные до сих пор усилительные каскады работали в
классе А. Однако при увеличении отдаваемой мощности класс А невыго­
ден из-за низкого КПД.
Класс В. Начальное смещение выбирается на границе запирания
транзистора:
/& = О (Г/*,А=0)
(индекс В означает класс).
Транзистор в режиме покоя находится на границе запирания (точка А
на рис. 3.1). Ток в коллекторной цепи протекает только в течение одного
полупериода, в течение другого полупериода транзистор закрыт. На
рис. 3.1 изображена входная характеристика транзистора А = (Г/<г>) и диа­
граммы входного напряжения 11\ и тока базы /<*. Ток А протекает только
полпериода (20 = я). Ток коллектора по форме совпадает с током /б.
Но реальные характеристики транзисторов нелинейны (указаны
пунктиром). Для уменьшения искажений в начале характеристик реальный
режим отличается от «идеального». Практически в режиме покоя протека­
ет некоторый ток /рАчерез усилительный прибор, режим покоя определя­
ется точкой А' Такой режим называется классом АВ. Однако постоянные
составляющие при этом обычно очень малы, и работа каскада рассматри­
вается так же, как для «идеального» класса В. Из раздела о выпрямителях
известно, что для тока в форме полусинусоиды постоянная составляющая
/,/ и амплитуда первой гармоники 1т следующие:
гтах / _ 1/ тах
(3.4)
71 ’ т 2 ’
откуда следует, что
— = —= const, (3.5)
'« 2
те.
>
V
-С
 83

Это позволяет в классе В получать более высокий КПД (£А * £в).

Однако резкое отличие выходного тока (полусинусоида) от входного сиг­
нала (синусоида) обусловливает очень высокий коэффициент нелинейных
искажений Кг (например КиГ2 = 42 %). Поэтому класс В в одиночных кас­
кадах не используют, а применяют только в двухтактных каскадах.
В классе С начальное смещение выбирают таким, что в выходной
цепи протекает ток меньше полпериода (20 < к). При этом КПД еще боль­
ше повышается. Класс С применяется редко. В пособии он не рассматри­
вается.

3.2. Однотактный усилитель мощности класса А

3.2.1. Схема и ее работа
Чаще всего он бывает трансформаторным. Схема трансформаторно­
го однотактного усилителя мощности класса А приведена на рис. 3.2. От
рассмотренного ранее каскада (см. рис. 2.1,а, 2.6,а) он отличается тем. что
нагрузка по переменному току включена в коллекторную цепь через

От предо­
конечного
каскада

Рис. 3.2
 84

выходной трансформатор Тр. На рис. 3.3 приведены характеристики тран­

зистора с нагрузочными линиями по постоянному (АЕп) и переменному
(ВС) току, используемые для анализа и расчета УМ.
На рис 3.2 использована эмиттерная стабилизация режима покоя.
Однако осуществить этот способ стабилизации в усилителе мощности
труднее, т.к. величина Яэ получается малой (десятки Ом), и для исключе­
ния отрицательной ОС для переменных составляющих величина емкости
Су должна быть очень большой. Поэтому в УМ применяют и другие спо­
собы задания и стабилизации режима покоя. Так, резистор /?э либо вообще
не включают (при этом ухудшается стабильность), либо включают его без
конденсатора С* вводя тем самым ООС по постоянному и переменному
току. Для дальнейшего анализа принято /?э » 0, что мало отражается на ре­
зультатах.

Сопротивление постоянному току в коллекторной цепи мало. Оно

определяется только активным сопротивлением Г\ первичной обмотки Щ
(или Г|+ Я, при Яу * 0), поэтому напряжение покоя и^л мало отличается от

иКуА=Еп- г 1.1кА*Е п (3.6)

и нагрузочная линия по постоянному току АЕ„ почти вертикальна.
По переменному току в коллекторной цепи транзистора действует
приведенное (пересчитанное через коэффициент трансформации N
= ИЪ/Й'О к первичной обмотке 1¥\ сопротивление Я'н =Яи/ ы 2 Это со­
противление определяет наклон нагрузочной линии ВС по переменному
току, а также определяет соотношения между переменными составляющи­
 85

ми тока и напряжения = V т /1 т )
На практике же, наоборот, выгоднее по наклону нагрузочной линии
ВС определять величину 7?',. При этом сначала наносится нагрузочная ли­
ния ВС с учетом указанной ранее оптимальности использования транзи­
стора.

3.2.2. Нагрузочная линия по переменному току

Следует иметь в виду, что из исходных данных имеются только R„ и

Величины /{,, и :V еще необходимо определить. Для этого сначала на
выходные характеристики выбранного транзистора наносят нагрузочную
линию ВС для переменного тока. Предварительно на выходные характери­
стики желательно нанести ограничительные линии, обозначающие макси­
мально допустимые для транзистора ток коллектора /доп, напряжение кол­
лектора IJдоп, мощность рассеяния Рдоп. Рабочая точка не должна выходить
за эти ограничительные линии.
Прежде всего транзистор ставят в режим максимального использо­
вания по напряжению. Для этого выбирают точку С с координатами i/mmax,
/кmin-
(Дс»шах^ ^Дюп- (3.7)
Затем находят точку В с координатами ГДо,™,, /кточ- Для нахождения
величины /кта\ возможны два условия:
1. Получение максимальной мощности на выходе каскада для вы­
бранного транзистора, для чего нужно взять максимально возможную ве­
личину /ктач, учитывая ТОЛЬКО/доп
Л шах^ Дюп- (3.8)
Условия (3.7). (3.8) должны выполняться с запасом (до 20 %).
2. Получение заданной мощности Р переменного тока в коллектор­
ной цепи транзистора, так как транзистор почти всегда имеет запас по
мощности и получение максимально возможной мощности не требуется. В
этом случае /к |Па\ вычисляется из условия получения заданной мощности
при выбранной величине Г/ттах-
8/>_
#ктах“ ... ш. .-+ /*Kinin • (3.9)
v''кэпах *'кэпй|1/
(Длишь /к min определяются по характеристикам (см. рис. 3.3). Для увеличе­
ния КПД они должны быть малыми. Но это ведет к увеличению нелиней­
ных искажений, поэтому выбор I /к-, тш, /к min всегда является компромисс­
ным.
 Кб

Через точки В и С проводят нагрузочную линию (прямую) по пере­

менному току. Наклон этой линии и будет определять величину того оп­
тимального сопротивления Ик01ГГ, о котором говорилось выше. Оно должно
быть равно приведенному сопротивлению нагрузки

И ^кэптх ^кэтт _ ^' т

копт = «• ^к тах ” пип ^т
(3.10).

Величина мощности больше мощности в нагрузке /'„ на величину

потерь в выходном трансформаторе Тр

(3-11)
7тР ’
где п г,, - КПД трансформатора из табл. 3.1.

Таблица 3.1
! / ', Вт Птр /\В т Птр
0,1 - 1,0 0,70 - 0,80 100 0,93 - 0,97
1,0-10,0 . 0,80-0,85 1000 0,98
; 10,0-100,0 1 0,83 - 0,93

По величине /{,, и /Л. (/?к о1гг) находят коэффициент трансформации

выходного трансформатора Л'
^2 (3.12)
И'. I Лтр
После нанесения линии ВС устанавливают координаты режима по­
коя ( V*д, /кд так, чтобы получить наибольшие и равные амплитуды напря­
жения (>„, и тока
/ ^ /.* _ ^ кэпмх ^' кэним . г/ ~ ^ кэпих
юА 7'п “"г 1' кэпип ~ ^ »
(3.13)
/ _ ^к1пах~ ^кпип , / ^ ^кшах
' кА ^ "г 1кпип ^ ^

Определение И\%, Л' и проведение линии Ж* можно провести и в

другой последовательности, например, при заранее заданной величине Я1Ь
но тогда труднее добиться оптимальности режима в выходной цепи транс­
форматора.
При правильно выполненном графическом построении (расчете) ве­
личин в выходной цепи получаются оптимальные энергетические показа­
тели (соотношения), которым при анализе и расчет6 УМ уделяется основ­
ное внимание.
 87

3.2.3. Энергетические соотношения в УМ

При определении энергетических соотношений определяются мощ­

ности переменного тока, потребления от источника питания, рассеяния и
КПД.
1. Мощность переменного тока Р~ в коллекторной цепи при сину
соидальном сигнале определяется амплитудами ит и 1т и ее величина
должна бьггь больше мощности в нагрузке Рн на величину потерь в выход­
ном трансформаторе:

Л = и ,1 . Р. (3.14)
2 ЛТр *
где Птр- КПД трансформатора Тр из табл. 3.1.
Максимальная мощность Р~ пш достигается при максимальных ам­
плитудах напряжения итпахи тока 1т щах, т.е. при полном использовании
нагрузочной линии ВС от В до С:

р ^ям м и'^тм _ тлх пд1п)‘(^1о шах ^кэ тт ] (3.15)

2. Мощность потребления от источника питания Рпт? (в классе А оп

ределяется постоянными величинами Еп и /кд)*
Р ^ - Е пи . (3.16)
3. КПД каскада (без учета Лтр) находится как отношение мощностей
А.иЛпир»
Р- /,-Ц . (3.1 Г)
Р -» ~21и Е„'
с учетом (3.1)
А 1г (3 17)

На практике для класса А и схемы ОЭ коэффициенты с,Аи у л нахо­

дятся в пределах £* £ 0,8...0,9, ц;'42 0,8...0,9, поэтому максимальный КПД
(при максимальном сигнале)
V £ 0,35...0,4.
При непрерывном изменении сигнала средний КПД еще меньше
1 ^ 0 , 2 0 . ..0,3
 кх

Для схемы ОБ й 0,9... 1,0, ц9Л<>0,9... 1,0 и КПД может достигнуть

теоретически максимально возможной величины:
П^тах £ 0,5.
4. Мощность рассеяния Р ^ . Эго - разница между Рп<щ>и Р~9рассеи­
ваемая транзистором в виде тепла в окружающую среду

= (3'8)
с учетом
« ¿ е *(3 + 5)Л.-(3 + 5)-й-. (3.18')
^Тр
Равенства (3.18) являются исходными для выбора транзистора по
допустимой мощности рассеяния Рдоп:

Г*т > 0 + 5 )— (3.19)

Чтр
Таким образом, в классе А транзистором рассеивается мощность
/'росс, в несколько раз превышающая полезную мощность Р~~. Максимальная
мощность рассеяния Pp.cc шах будет при отсутствии сигнала (Р~=0):

^расспих " Лклр “ *Ль4*

(3.20)
^доп > 'Лс4*

Условия (3.7), (3.8), (3.19) налагают ограничения на параметры тран­

зистора и величину Е„:

Л >/,шах*
I/ т<
Л >/*расетах * (3.21)
(Г
Е„ <
2
 Х9

3.2.4. Входной сигнал

Параметры входного сигнала находят по входным и выходным ха­

рактеристикам транзистора (см. рис. 3.3):
I. Определяют амплитуды тока базы ¡ат и напряжения Испт - По вы
ходным характеристикам определяют /б шах и /б тш , при которых ток кол­
лектора достигает /|Пачи /щшсоответственно, и амплитуду тока базы /бМ:
г _ ^бтах ” Л>1шп
‘бт --------- ^------- * (3.22)
По входной характеристике(рис.3.3,6) находят щах и 1 /& ^ с о ­
ответствующие токам /бшах и /б шш» и определяют амплитуду и ^ т\

// _ ^бэтах ” ^бэтт
и бпт ~ ^ --------- • (3-23)
2. Входную мощность Рвх определяют с учетом (3.22) и (3.23):
г» _ (^бпшх ” т т ) *("бэтах “ ^бэтт ) ^ ...
Гвх " -------------------- £-------------------- (3.24)

3. Входное сопротивление определяют как среднее между точками М

иКс учетом (3.22) и (3.23):
о _ ^бэ шах “ ^бэ т т ____
Квхср ~ (3.25)
/ бтах 7бтт
Величины Явх, Явх ср., /б т являются исходными для расчета предоко­
нечного каскада. Из-за низкого КПД класс А применяется при небольших
значениях мощности £.. При Я- > 1 * 2 Вт использование класса А стано­
вится невыгодным даже при питании от промышленной сети. В перенос­
ной аппаратуре н микроэлектронных УМ класс А не используется.

3.3. Оценка коэффициента гармоник (нелинейных искажений)

Как уже указывалось, для получения максимальной Р и приемлемо­

го КПД приходится увеличивать коэффициенты чр и 4, т.е. захватывать и
нелинейные участки характеристик (уменьшать /К1Пш, (/п тт), что приводит
к возрастанию коэффициента гармоник Кг Однако для каждой нагрузки
допускается определенный уровень нелинейных искажений Кг Факти­
ческий КТ не должен превышать допустимый уровень Кг до Поэтому каж­
дый раз после того, как положение нагрузочной линии ВС определено и
установлены /„шх и (/щшш* необходимо определить величину Кг. Поскольку
нелинейные искажения определяются в основном нелинейностью выход­
ных и входных характеристик, то и расчет (оценку) Кг производят по
 90

сквозной динамической характеристике 1К= / (Ег\ учитывающей нелиней­

ности выходной и входной характеристик.

3.3.1. Построение сквозной динамической характеристики

Построение 1К= /(Е г) производится по выходным и входным харак­

теристикам в следующей последовательности:
1. Находятся /Г|, /к2,.... и7 в точках пересечения 1,2,..., 7 статических
выходных характеристик с нагрузочной линией ВС для переменного тока
(рис. 3.4). Количество точек пересечения определяется числом выходных
характеристик в справочнике для данного транзистора (или снятых экспе­
риментально) и может быть больше или меньше числа точек, показанных
на рис. 3.4.
2. По входной характеристике (см. рис. 3.4,а) определяется напряже­
ние база-эмиттер £/б1,Ця, .... и& для токов Ли, Ла» Лг7, соответствующих
токам коллектора Лл, Лд,..., /к7 в точках 1,2,..., 7 на рис. 3.4.

Рис. 3.4

3. По напряжениям (Ли, Цц, Уел, токам Лч, Лз2, ... А>7 и величине
внутреннего сопротивления источника сигнала /?г находят величину ЭДС
источника синусоидального сигнала Ег для каждой точки по уравнениям:
Ян = £Лн + 1<ыЯг,
+ /« Л , (3.26)

ЕГ7 -Сел + Лт7^г.

 91

Для выходного каскада (УМ) Яг является выходным сопротивлением

предыдущего каскада и согласно (2.51)

Яг ~ ЯВ14х.црсд | |Яс>„.

3. По токам /К1, /^2, ..., /к7 и величинам ЭДС ЯГ|, Я,2, Яг? строится
сквозная динамическая характеристика /к /(Я,), приведенная на рис. 3.5.

3.3.2. Оценка (расчет) коэффициента гармоник

и способы ею уменьшения

1. На сквозной динамической характеристике (см. рис. 3.5) Нт\ при­

нимается за Яг 1Пць Я,-7 - я, 1ППЧ, а весь диапазон Я, ,Пш- Я, |пач - за двой­
ную амплитуду Я, (Я, .ш.ч - Яг ,Ш п 2Яг „,). Затем находятся пять значений
тока (пять ординат) /(, , /пи1Ч, /|ПШ, /,, /2, соответствующие значениям сину-
соидального сигнала Я, Равного 0. Ег т - Е г т л соответ-
ственно.
2. По значениям эти\ токов находятся амплитуды гармоник 1\„,, /гш,
, А*» и среднее значение тока /,/:
 У2

f _ ^max ^niin Л ^2
/ i* ” ---------- Э ’
f _ Ana\ Лтп “ 2/y
У2ш ~ ^ ♦
/ _ ^ma\ ~ ^min ~ Л ~ ^2)
3,я 6 ’ (3.27)
/ _ ^mn\ + ^min ” ^Л l + 6/()
/4»,---------------- Г2 •
f _ ^max "*■^min + 2( Л + 72)
i d ----------------

Правильность вычислений (3.27) проверяется по формуле

7|т faт~ hm А/ Auav

3. По амплитудам гармоник из (3.27) находится А', с учетом (1.14):

(3 28)

Наряду с амплитудами токов гармоник (3.27) используют также нор­

мированные токи гармоник [6]:
_ hm 6, = — (3.29)
$2
Л»
Тогда выражение для определения Кхможет быть записано в виде
К, =^&l+8j +Ô; (3.30)
Некоторые амплитуды из (3.27) или нормированные токи из (3.29)
могут быть отрицательными. Для одного каскада это значения не имеет, но
при вычислении суммарного коэффициента гармоник £,v для двух и более
каскадов производят алгебраическое сложение величин из (3.27) или (3.29)
для одноименных гармоник разных каскадов. Тогда учет знака обязателен,
т.к. при разных знаках возможна частичная (или даже полная) взаимная
компенсация одноименных гармоник, вносимых разными каскадами.
4. Если величина найденного по (3.28) или (3.30) Kt превышает до­
пустимую КТдоп, то проще и эффективнее всего будет ввести ООС с глуби­
ной Fy (например, включить в цепь эмиттера сопротивления обратной свя­
зи Лее, как на рис. 2.14).
Если же введение ООС нежелательно, то уменьшить Кт можно из­
менением положения нагрузочной линии ВС и изменением величины /?,
(величины Явыхпрсд) При этом требуется вновь произвести расчет Кх. В
 93

случае невозможности уменьшения таким путем величины Кг до требуе­

мой Кг ¡ж можно заменить транзистор на более мощный и произвести рас­
чет УМ заново.

3.4. Трансформаторный двухтактный усилитель мощности класса В

3.4.1. Схема и ее работа

При значительных мощностях нагрузки Рн используют класс В. Поч­

та всегда в усилителях класса В применяют двухтактные схемы. Схема та­
кого УМ приведена на рис. 3.6. Она сложнее, чем схема однотакгного УМ,
и состоит из двух транзисторов (плеч) УТ2 и УТЗ. Каждое плечо работает
в режиме класса АВ.

+£»

Задание токов покой /*<2» /ыз

1щлг - Лсяз = (0,05...0,1)/твх (3.31)

осуществляется при помощи общего делителя ]?ь Я,2 в цепи баз транзисто­
ров УТ2 и УТЗ. Нижнее плечо делителя - это либо параллельное со­
единение резистора Яг и термосопротивления /?т, либо дифференциальное
сопротивление (сопротивление переменному току) гд диода УО. При по­
мощи Яг осуществляется термостабилизация (температурная компенсация)
режима покоя, т.к. в этой схеме резистор для стабилизации режима по­
коя в эмиттерные цепи нс включается из-за того, что постоянная состав­
ляющая токов эмиттеров Изменяется с изменением величины сигнала, как
это следует из (3.4). В схему, показанную на рис. 3.6, для термостабилиза-
пии включен диод УО.
 94

Более точно задание начальных токов /<ш, Лш (или /*,|2, /клз) произ­
водится с учетом индивидуальных входных характеристик транзисторов
УТ2 и УТЗ. Первичная обмотка выходного транзистора Тр2 имеет две
одинаковые обмотки У/\' и " Магнитодвижущие силы этих обмоток на­
правлены встречно. Для правильной работы такого усилителя на входы его
транзисторов необходимо подавать два одинаковых по величине, но нахо­
дящихся в противофазе напряжения и\ и щ" Для этой цели в схеме дол­
жен быть специальный фазоинверсный каскад (фазойнвертор). Наиболее
просто инвертирование (поворот на 180°) фазы осуществляется при помо­
щи трансформаторного предоконечного каскада на транзисторе УТ1,
трансформатор Тр1 которого имеет две одинаковые вторичные обмотки.
На этих обмотках и образуются противофазные напряжения щ’ и ?/|" Кро­
ме инвертирования фазы этот каскад должен обеспечить необходимую
входную мощность (токи /с>2|М , /бЗш, напряжения (/«„„ (/<ут) выходного кас­
када.
При подаче на входы транзисторов противофазных напряжений и\' и
ы\" один из транзисторов открывается и проводит ток, а другой в это время
остается закрытым. На рис. 3.6 сначала открывается транзистор УТ2 (на
его базе действует положительная полуволна щ '), а УТЗ закрывается и со
своей половиной обмотки "отключается от схемы. По обмотке про­
текает полуволна тока /к2, и в нагрузке Иптрансформируется напряжение и2
условно положительной полярности. В течение второго полупериода тран­
зистор УТ2 закрывается и со своей половиной обмотки ИУ отключается от
схемы, а ток проводит транзистор УТЗ. По обмотке ИУ' протекает полу­
волна тока /к.; и в нагрузке /?,, трансформируется напряжение и2 уже другой
полярности. Таким образом, в транзисторах поочередно протекают полу-
синусоиды тока /*2, /кз, а в нагрузке ток /2 протекает непрерывно и имеет
форму синусоиды (при синусоидальном иО. При этом удается очень силь­
но уменьшить нелинейные искажения, возникающие в одиночном каскаде
(плече), работающем в классе В, т.к. в двухтактной схеме эти искажения
взаимно компенсируются.
Транзисторы с обмотками ИУ.ИУ' представляют как бы единый ис­
точник энергии переменного тока с амплитудами тока /„, и напряжения
При этом транзистор УТ2 формирует положительную амплитуду тока
(и отрицательную I/т2), а транзистор УТЗ - отрицательную амплитуду тока
/„,з (и положительную (¡тз). Поэтому выходные характеристики УТЗ на
рис.3.7,а построены как бы для отрицательных токов и напряжений (в 3-м
квадранте) и в точке А состыкованы с выходными характеристиками тран­
зистора УТ2.
 95

Рис. 3.7
 96

3.4.2. Построение нагрузочной линии ВС и входной

характеристики КМ

Нагрузочная линия для переменного тока ВС на рис.3.7,а проводится

через точку В с координатами 1 ^ 2, тт2 и точку С с координатами /|Пах3,
^ютшз- Для одинаковых транзисторов эти величины одинаковы, поэтому
на рис.3.7,а они обозначены /1пах, (без индексов) Эти величины опре­
деляются так же, как для однотактного УМ класса А. Индивидуальные на­
грузочные линии для транзисторов УТ2, УТЗ проходят, как указано пунк­
тиром, через точки А' и А" Поскольку магнитные потоки обмоток IV|' IV\"
направлены встречно, а напряжения (ток) в нагрузке пропорциональны
разности магнитных потоков, нагрузочная линия ВС9для обоих транзисто­
ров строится для разностного тока -/кз и проходит через точку А на оси
напряжений, в которой напряжение 11*^1 = ^Лыз = Е„. По наклону линии ВС9
определяется оптимальное сопротивление /?копт в коллекторной цепи:
п _п —^ т _ £п “ ^кэшт
Кн ~ Як опт ~ -------- , (3.32)
‘т 1тах
и вычисляется коэффициент трансформации N для половины обмотки (IV|'
или IVГ):

Индивидуальные входные характеристики транзисторов УТ2, УТЗ

указаны на рис.3.7,б пунктиром. Начальное смещение 1с>л2» Лмз выбирается
так, чтобы входная характеристика, построенная для разностного тока Ля -
Да, была близка к прямой и проходила через 0 (Лиг Лиз). В этом случае
устраняются нелинейные искажения типа «ступенька» во входной цепи
(пунктирная кривая), особенно сильные около начала координат.

3.4.3. Энергетические соотношения в классе В

Эти соотношения имеют такое же важное значение, как и в классе А.
Определяются и анализируются те же величины:
1 Мощность переменного тока Р.. в коллекторных цепях транзисто­
ров УТ2 и УТЗ:
Р - Ц .У . цт _ № , У /» = /„ (3-34)
2 2Л 2Л„
Величина Р должна быть больше Рына величину потерь:
 97

Р
Р = н (3.34*)
*7тр
где птр - КПД трансформатора Тр2 по табл.З.1.
2. Мощность потребления Р11ат)>:
Лкпр = 2Еп1а = 2Еп ■ (3.35)

3. Коэффициент полезного действия 1]Вв классе В:

П**_ *^шах _ * = * СН (3.36)
Л«Р 4 в£'п 4 Ь
Максимального значения ци - 0,78 КПД достигает при £в I, но это
возможно только в схеме ОБ. В схеме ОЭ £в < 0,9 и максимальный КПД в
схеме ОЭ не превышает 0,7 0,65.
4. Мощность рассеяния:
р1 расе
в - 1р потр (3.37е)

Однако /ряс зависит от величины £в, входящей в Р (3.34) и в цв

(3.36):
2 кВ2
/>и
1 расе = -1 (3.37)
2Я'

Максимальная мощность рассеяния 1П0Хможет быть найдена как

экстремум функции (3.37). Для нахождения экстремума надо взять произ­
водную по £в и приравнять ее к нулю:

2 % -о . (3.38)
зги
Решив (3.38), можно найти, что максимум мощности рассеяния по­
лучается не при максимальном сигнале, а при коэффициенте использова­
ния напряжения
5в = - » | (3.39)
Л 3
и достигает величины
/>Н _ (3.40')
1 раселпах г ~ _2
 98

С учетом (3.34)
2Е1
рост,шах (3.40)
*2К
При всех других значениях максимальная мощность рассеяния
уменьшается. Поскольку сигнал (Ут) все время изменяется от 0 до ЕПу то
средняя мощность рассеяния Рржсср будет меньше, чем в (3.40). Ориентир
ровочно для выбора транзисторов можно считать, что
рВ
1Р рвасс.ср (3.41)
(1.5-5-2,0)
После получения остальных данных производится уточнение
^раослвах по формуле (3.37). Мощность, рассеиваемая одним транзистором,
в два раза меньше, чем (3.41), и допустимая мощность рассеяния транзи­
стора Рля, выбирается предварительно из следующего условия:
рВ
(3.42)

Величина Рв в (3.41) и (3.42) определяется согласно (3.34'). Для

транзисторов УТ2 и УТЗ должны выполняться условия (3.21).

3.4.4. Входной сигнал

Параметры входного сигнала находят по входной и выходной харак­
теристикам транзисторов УТ2 и УТЗ (см. рис. 3.7).
1. Амплитуды тока и напряжения базы:
/<* = /в— - /<и, £/*. = ¿/бпшх- Уса , (3.43)
где 1бт ~ /&п2 = /бтЗ, Убт ~ У6т1 ~~ Убт),
/<И = /(М2 = /(ИЗ ” 1жА/ Рэ
находится из входной характеристики (несмещенной) при токе базы
Ли-
2. Среднее входное сопротивление:
п _ У_бт__ У6шах УбА (3.44)
Нвх.ср - .
‘6т /б шах “ /бА
3. Входная мощность:
 99

р _ ^вт^бт _ (Л>пшх Лы)*(^бдшх ^6Л)

вх ^ (3.45)
2
При наличии Я2 в делителе базы эквивалентное сопротивление Я2'
выбирают из условия
/^М 0> И ,5)Д ВХС1Х. (3.46)
При этом возрастает амплитуда входного напряжения в (3.43):

(3.47)
Увеличивается и входное сопротивление:

Л ;* .Ф = ^ = Л.х.ср + Л2 , (3.441)
1Ьт
и входная мощность:
^ = - 5= у ^ - (3.45*)

3.4.5. Определение коэффициента гармоник в классе В

Коэффициент гармоник Кг определяется, как и в классе А, по сквоз­

ной динамической характеристике. Для расчета Кг всего каскада достаточ­
но построить сквозную динамическую характеристику /к = / ( £ г) для одно­
го плеча (верхнего УТ2) так же, как для класса А (подраздел 3.3.1), с ис­
пользованием уравнений (3.26), в которых

К =(гкГ ^12)||^1»
где Ы\ - II\ / Ц\ - коэффициент трансформации трансформатора Тр1, ана­
логично (3.33). Кроме Яг в уравнении (3.26) надо учесть величину Я2', т.к.
IIг включена последовательно с входным сопротивлением:

Яг/='Льг^вЛЯг+*2 )• (3.48)
На рис. 3.8 приведена сквозная динамическая характеристика верх­
него плеча:
1. По этой характеристике находятся токи /'щах (для Ег =Еут\ Л (для
ЕТ=0,5 Егт\ / о(для Ег = 0).
2. По найденным токам с учетом возможной асимметрии плеч нахо­
дим токи /тах, /щ«ъ /о, / ь 12 для сквозной динамической характеристики все­
го каскада [6], аналогично найденным на рис. 3.5:
 НК)

Рис. 3.8

^1па.\ = ^ тих 0 й)у

/. - /.'( Ь в \
/„ Л»г( 1 в) /оЧ! «) 2<?/о\ (3.49)
/: Л(1 «),
Ашп~ Апа\( 1
где в - коэффициент асимметрии плеч:

Л= /та ^ Л ш * 3 (3.50)
^пшх2 + ^тахЗ
здесь /1Пах2, /|Пахз максимальные токи плеч УТ2, УТЗ, соответствующие
равным и противофазным амплитудам ЭДС источника сигнала (+/;Г/»»и
-/¿г«). Асимметрия обусловлена, в основном, различием коэффициентов р2
и р3. При различии в величине р не более 20 % следует принимать в =
= 0,15-5- 0,20.
3. По формулам (3.27) находятся амплитуды гармоник /|„„ /2ш, /зт, !Лт
и /(/, или нормированные гармоники из (3.29) с использованием (3.49).
4. По формулам (3.28) определяется коэффициент гармоник Кг.
Для уменьшения асимметрия плеч (уменьшения К\ ) в цепь эмиттера
транзистора с большим током /щих включают симметрирующий резистор
/Л'(или) II", как показано на рис. 3.(>.
 101

3.5. Бестрансформаторный усилитель мощности класса В (АВ)

В последнее время широкое распространение, особенно в бытовой
технике, получили бестрансформаторные усилители мощности класса
В(АВ). Только такие усилители применяются в микроэлектронике УМ. В
этих усилителях нет громоздких трансформаторов, разделительных кон­
денсаторов. Они имеют хорошие частотные и амплитудные характеристи­
ки и легко реализуются по интегральной технологии. Однако нужно иметь
в виду, что непосредственное подключение нагрузки к усилителю без
согласующего трансформатора возможно лишь при величине /{„, близкой к
оптимальному сопротивлению в коллекторной цепи транзистора /Сот,
введенному в подразделах 3.3 и 3.4 при рассмотрении УМ. Это условие
легко выполняется для транзисторных УМ с низким напряжением питания
(в пределах 15 - 30 В) и при средней мощности нагрузки /*„ (до 10-20 Вт).
Так, при 1\,= 5 Вт и Я„ = 24 В сопротивление Кко|1Т =10 Ом. Нагрузка с та­
ким сопротивлением может быть подключена непосредственно к транзи­
сторам оконечного каскада.
Обычно сопротивление звуковоспроизводящих устройств находится
в пределах 4 - 2 0 Ом. Для таких нагрузок всегда можно выбрать транзи­
стор и Еи по условию Икот = Лн, что и обусловило широкое распростране­
ние бестрансформаторных усилителей. Как правило, применяются двух­
тактные УМ на транзисторах разного типа проводимости (р-п-р и п-р-п).
Для возбуждения (раскачки) таких УМ не нужен фазоинверсный каскад,
т.к. на вход подается однофазный сигнал. Предоконечный каскад в УМ яв­
ляется обычным резистивным каскадом.
В микроэлектронных УМ применяются также и однотипные транзи­
сторы. Понятно, что при этом необходим фазоинверсный каскад, но для
микросхем это не является проблемой.
Существует довольно много разновидностей бестрансформаторных
УМ как в дискретном, так и в интегральном (микросхемном) вариантах. В
качестве примера ниже рассматривается двухтактный бестрансформатор­
ный усилитель класса В(АВ) на составных транзисторах.

3.5.1. Схема УМ на составных транзисторах и ее работа

Такой усилитель является почти типовым в дискретном варианте для
средних мощностей нагрузки и часто применяется в интегральном вариан­
те. Необходимость применения составных транзисторов с\ язана с тем, что
на практике довольно трудно подобрать мощные транзисторы р-п-р и п-р-п
с мало отличающимися параметрами (малой асимметрией). При использо­
вании составных транзисторов эта задача решается значительно проще.
Схема УМ на составных транзисторах с однотактным резистивным
предоконечным каскадом приведена на рис. 3.9. В этой схеме транзисторы
У2, УЗ (оба п-р-п) образуют составной транзистор верхнего плеча структу-
 102

ры п-р-пу включенный по схеме с общим коллектором (ОК). По перемен­

ному току этот транзистор работает в режиме эмитгерного повторителя
РП). Эквивалентные параметры такого транзистора [6]:

\22 = гкЗ

Лю2Д = ЛсоЗ +0 + /Ь)Лсо2» (3.51)

Рг^ -Р г + А 0 + ^2)*^2 *Ру

к *

ОЯн

Транзисторы У4,У5 (У4 - р-п-р типа, У5 - п-р-п типа) образуют со­

ставной транзистор нижнего плеча структуры р-п-р с эквивалентным Р^:
Р о = Р4(1+Р5)*р4р5 (3.52)
Такой каскад (нижнее плечо) можно рассматривать как два каскадно
соединенных транзистора, каждый из которых работает в схеме ОЭ. В
эмкттерную цепь транзистора У4 включено выходное напряжение <рЛ чем
создается 100 % -ная ООС (последовательная по напряжению). Такое пле­
чо характеризуется высоким входным и малым выходным сопротивления­
ми, совпадающими по фазе с входным и выходным напряжениями,и коэф­
фициентом усиления по напряжению, мало отличающимся от единицы,
т.е. параметры составного транзистора нижнего плеча соответствуют па­
раметрам составного транзистора верхнего плеча. Такой каскад с состав­
 103

ными транзисторами называют каскадом с искусственной дополнительной

симметрией. Усилительные свойства его соответствуют усилительным
свойствам эмиттерного повторителя.
Режим покоя. Выходной каскад работает в режиме АВ, точно так же,
как и двухтактный трансформаторный усилитель класса В (подраздел 3.4).
Ток покоя выходных транзисторов УЗ,У5 выбирается в соответствии с
(3.31):
/*» = /*«£(0,05 + 0.1)/,««. (3.53)
Для задания и стабилизации режима покоя в бестрансформаторных
усилителях используются две системы (цепи):
1. Цепь между точками бв, состоящая на рис. 3.9 из диода Д. Но эта
цепь может состоять: из резистора; диода и терморезистора параллельно;
диода н резистора последовательно; резистора и терморезистора парал­
лельно и др. При помощи этой цепи задаются начальные токи (3.53) вы­
ходных транзисторов н осуществляется стабилизация (термокомпенсация)
этих токов. Для этого напряжение и9б между точками в, б должно быть
равно сумме базовых смещений У2 и У4 (или близко к ней):
«Лб = %Я2+£/<Ы4 Э2. (3.54)
Напряжения £/од и £/<ы4 определяются в соответствии с подразде­
лом 3.4.2 и рис.3.7,б.

а б
Рис. 3.10

При изменении температуры эта цепь должна удерживать токи

(3.53), для чего соответствующим образом должно меняться напряжение
Например, при повышении температуры растут токи 7*4э, 7*44, но
уменьшается напряжение на диоде (ткн = -2 мВ/град). Значит, уменьша­
ются (7<ы2, С/<ы4 и рост токов /^з, 1ка5 существенно замедляется. Элементы
цепи вб рассчитываются так, чтобы стабилизация (термокомпенсация) то­
ков 7ыз, 7*45была удовлетворительной.
2. Система гальванической двухконтурной ООС. Один контур охва­
 104

тывает два каскада (между точкой а и базой VI) и состоит из резисторов

Яи Яг (Яг необязательно). Эго параллельная ООС по напряжению. Она реа­
гирует на изменения 1/ш, т.е. стабилизирует ил.
Другой контур охватывает один каскад на VI (местная ООС) и со­
стоит из резистора Яц (совместно с делителем Я\9 Яг). Эго - последова­
тельная ОС по току, реагирует на изменения тока /ыь стабилизирует 1гли а
значит и потенциал Оалх. По условию работы оконечного каскада величи­
на Д,| не превышает 25 ч- 50 Ом [6]. Поскольку потенциал 11А привязан к
потенциалу (см. рис.3.9):
ия = и,аА\ + £/<М4 *иъЛи
то, по сути, имеет место комбинированная система стабилизации режима
покоя каскада на VI: эмитгерная стабилизация (на /?, совместно с делите­
лем /?1, Яг) и коллекторная стабилизация (Я\ включен между коллектором и
базой VI).
Эмитгерная стабилизация выбирается и рассчитывается в соответст­
вии с подразделом 2.4.4 (одновременно с выбором и заданием режима по­
коя). Глубина параллельной ООС (точка а - база VI) ограничивается вели­
чиной тока делителя 1Лв соответствии с подразделом 2.4, а также допусти­
мой асимметрией ("перекосом") токов 1^5 и /**з (/*45 - /*4э -/д), ток делите­
ля ограничивают:
^ (0 ,1 - 0 ,0 5 ^ . (3.55)
При большом "перекосе" увеличиваются нелинейные искажения.
Глубина ООС для постоянного (Я=) и переменного (Г_) тока различна из-за
наличия конденсаторов С\ и Сэ. Поэтому возможно раздельное задание ве­
личин Яши Я~.
Глубина обратной связи Г- . Для хорошей стабильности режима по­
коя (потенциала точки а) глубина ОС по постоянному току Я, должна быть
как можно больше. Величину Г» можно легко найти, если представить
прямую цепь сопротивлением прямой передачи ЯПуа обратную цепь - про­
водимостью обратной передачи . С учетом рис. 3.10 и подраздела 2.6.1:

^ = 1 + ^ = 1+-------— о ------------- , (3.56)

(1 + Л,7Д,Х1 + Л.х.,/Я2)
где
А/дос Яо (3.57)
Л у Г '^ + ^ Ж '’

(3.58)
д/в
 105

(3.59)

(3.60)
(я1С+ я;х д 2 +Двх.эГ
= Л, + Я2 II /?вхз * Я„ /?вхз = гб1(гэ1 + Яэ1XI + Р. X (3.61)

ЯК*Я4 /?з.
Учитывая соотношения токов /д, /Схм (/д> (3 -г* 5) /с^н), а также соот­
ношения сопротивлений Яих/, и /?2 (Яих.»> Я2у примем /Д,х, = (2 * 3)К2), тогда
величина Р не может быть большой:
Р < р,/(8 -г 20). (3.62)
Максимум /7=,па\ может быть достигнут при Я, = 0 (тогда Я2^ Я*хУ
<Р,/(4^6). (3.62')
Глубина ООС по переменному току Р будет рассмотрена далее.
Следует иметь в виду, что при максимальном.токе делителя /д (ми­
нимально допустимых сопротивлениях Я\, Я2) изменение глубины ООС
одного контура ведет к противоположному изменению глубины ООС дру­
гого. Например, увеличение глубины местной ООС с увеличением Я,\ ве­
дет к уменьшению глубины параллельной ООС, т.к уменьшается доля тока
обратной связи, ответвляющаяся в цепь базы АД-*к/. При уменьшении Я,\
уменьшается глубина местной ООС на Я>\ и увеличивается глубина парал­
лельной ООС. Происходит перераспределение тока обратной связи между
/¿: и базой. По-видимому, возможен максимум суммарной глубины ООС.
однако в литературе этот вопрос количественно не исследован.
Коэффициент нестабильности N. Результирующая стабильность ре­
жима покоя (потенциала точки а (Г/а= 0,5/:„ )) определяется совместным
действием обоих контуров гальванической ООС - двухкаскадного и мест­
ного. С учетом (3.54) можно принять, что
АН» — I - Д/к! (Я* +Я.4). (3.63)
Основным источником нестабильности режима покоя - /У/, является
нестабильность тока покоя предоконечного каскада на VI - Д/к) Поэтому
систему, стабилизации удобно анализировать по условие м удерживания
величины /к| в заданных пределах, как в подразделе 2.4.4, по величине ко­
эффициента нестабильности N. С учетом действия обоих контуров ООС, а
также соотношений (2.36) и (3.56), определяющих количественные оценки
местной (на Я ,) и двухкаскадной ООС, можно найти
 106

s ш&Ь, »+ P ___________ Ч-Р , (3-64)

Д/т 1+ Р(Г(п + Г«1с) , р Г К,Л' +

где
/¿,Д (3.65)
Y"‘ (Л ,+ Л )1КЛ1(+«,')’
/<к/<2
(3.66)
Y60C" ( « K+ /<iK«:+//.x.,)'
Лк = Л, + К4 K.VJ = гб1 + (г„ + Л,, XI + Pi К К[ = «1 + «2II Л.х.,

Коэффициент у*» находится так же, как в (2.36), только появляется

дополнительный множитель R[/(RK+ R[) из-за того, что верхний вывод И\
подключается к точке а (к коллектору VI). Коэффициент у{лк- может быть
найден из (3.56) с учетом замечаний к (2.36).
Заданным для системы стабилизации является допустимое отклоне­
ние &( Uло|| потенциала точки а от (/а = 0,5 которое сводится к заданию
A/Ki.юн согласно (3.63).
Д/кдоп £ Диадой (Ry R-i)-
Величина А/т в (3.64) вычисляется из (2.30). Из (2.64) может быть
найдена величина Naon:
‘Удои —А/К| доп Д/т-
Работа схемы. Однофазный сигнал (м„ ) с выхода предоконечного
каскада на VI (без разделительного конденсатора) подается на общий вход
(базы V2 и V4) оконечного каскада на составных транзисторах п-р-п
и р-п-р. Транзисторы п-р-п и р-п-р проводят (усиливают) ток по очереди
При положительной полуволне сигнала и» (на рис.3.9 сигнал м<?- синусои­
да) проводит ток транзистор п-р-п верхнего плеча, нижний транзистор
р-п-р закрыт. При отрицательной полуволне сигнала м,-, проводит ток тран­
зистор р-п-р нижнего плеча, а верхний транзистор п-р-п закрыт. Таким об­
разом, составные транзисторы п-р-п. р-п-р работают точно так же, как VT2.
VT3 на рис.3.6. В нагрузке RH протекают обе полуволны тока, поэтом\
сигнал в нагрузке R„ приобретает ту же форму, что и (мй).
Предоконечный каскад на транзисторе VI выполнен по обычной
схеме ОЭ с эмиттерной стабилизацией (резистор Я,\ и делитель /¿|ф, /fy,)
режима покоя. Коллеюорной нагрузкой по постоянному току является
сумма R4 + Ry. Резистор ft* по переменному току подключен параллельно
участкам база - эмиттер составных транзисторов (верхний конец Ra через
конденсатор ('г соединен с точкой а), что существенно уменьшает пере­
 107

менное напряжение на Л», следовательно, и потерю в нем полезного сигна­

ла. Кроме того, цепь Ля, С\ позволяет получить амплитуду сигнала Пд*
больше, чем 0,5 Е„. Например, при росте напряжения ин (щ) повышается
потенциал точки а, а также и потенциал Е\хточки соединения Ля и Л4, т.к.
Е'и=1/а+ис;
При амплитудном значении ин (мв = 7/вт ) величина может быть
значительно больше Е\\.

3.5.2. Энергетические соотношения

Эти соотношения во многом совпадают с таковыми из подраздела

3.4.2. Определяются они так же графоаналитическим методом. Построение
нагрузочной характеристики ВС на выходных характеристиках транзисто­
ров УЗ, У5 и результирующей входной характеристики КМ для составных
транзисторов производится точно так же, как описано в подразделе 3.4.2. и
представлено на рис. 3.7 Необходимо учесть, что выходными на рис. 3.9
являются транзисторы УЗ, У5 вместо У2, УЗ на рис.3.6 и 3.7 соответствен­
но. Кроме того, Л'„ для схемы на рис. 3.9 задано:
Я'., Л„+Я*,
что необходимо учитывать при проведении линии ВС т.е. точки В и С то­
же заданы:
/в "А: =(/¿11/2 //щ шшУ( Лц+ К,я).
Часть мощности выходных транзисторов (/\.) теряется в симметри­
рующих резисторах Л,д, Л,5 (Л..я = Л*), которые включены по переменному
току последовательно с нагрузкой Лн. Для учета этих потерь вводят КПД
выходной цепи г)В|4Ч:
Пвмч = Лн/(Л„+Л>,). (3.67)
Мощность переменного тока Р на выходах транзисторов должна
быть больше мощности нагрузки Р„ на величину этих потерь:
р —I! 14 1! т _ 1Рн
^ Лвы\
Величина г|н14Хвыбирается в пределах г||114Х= 0,8 -г 0,9. Выбором вели­
чины г|„ыч задается величина Л,я (Л*). Все остальные энергетические соот­
ношения в выходной цепи определяются формулами (3.35) ч- (3.42) под­
раздела 3.4.2.
 108

3.5.3. Входной сигнал

Входным сигналом для всего усилителя является нвх, /ВХОс на входе

предоконечного каскада на VI. Но чтобы найти величины нвх, /вх на входе
(базе) VI, необходимо определить параметры сигнала на входе транзисто­
ров V3, V5, затем на входе инверсных транзисторов VT2 ,УТ4 и уже потом
~ Ивх» *вх.ос*
1. Параметры входной (базовой) цепи транзисторов УЗ. У5. Эти па­
раметры определяются так же, как в подразделе 3.4.4. По выходным харак­
теристикам с нагрузочной прямой ВС\ построенной для нагрузки Л’„ = /?„+
и напряжения питания £„/2, определяются:
70шах = 7ота\3 = /бтах5» 1бЛ= 7бАЗ = /рд5 (3.68)
По входным характеристикам находят
7Тб)ща\ —ПсптахЗ = ^Спта\5> 7/(г>Л= ^СпАЗ = 7/(пА5 (3.69)
Амплитуды тока базы 7&„, напряжение между базой и эмиттером
входное сопротивление Т?вх.ср и входная мощность Рнк определяются
по формулам (3.43), (3.44) и (3.45).
2. Параметры входной (базовой) цепи транзисторов У2. У4. Сначала
находят токи коллектора транзистора У2 - 7К1Пах2, /кл2, которые определя­
ются базовыми токами /б 1пах , 7Сх.1 (3.68) и токами, идущими в резистор Лэ2
(Иц). Резисторы Т?э2, улучшают стабильность каскада и уменьшают не­
линейные искажения, но одновременно ухудшают режим работы предоко­
нечного каскада, увеличивая его выходную мощность. С учетом этих усло­
вий величину 11,2 (Л*4) выбирают в следующих пределах [6]:
Ъ 2>а(1<ьхз + Рз/Ъз), (3.70)
где 7^x3 =гбз + /*,з( 1 РЛ а -1 -т- 3.
С учетом (3.70) находят токи 7КПих2, 1ы2-
7ктах2 = 7ощахЗ ' 0 + Мо), 1^12 = 7гх.|3*( 1 + 1/я). (3.71)
Определяют токи базы транзистора У2:
7с>тах2 = 7Кшо\2 7 Рг, /(М2 = 7*12 7 Рг> (3-72)
7<™2 ~ 7бша\2 - 7(42
Величину р в (3.72) рекомендуется брать минимальной [6].
По входной ВАХ транзистора У2 находят:
77(1)П1а\2 (ДЛЯ 7о„Ш
Х2 ), Ису>Л2 (ДЛЯ 7рд2 )
и амплитуду
 109

Усом2 “ и<Ьтжх2 ~ ^бзА2- 0-73)

Следует отметить, что в (3.69) и (3.73) находятся напряжения между
базой и эмиттером транзистора, например Ц*шл. Эти напряжения намного
меньше, чем напряжение возбуждения оконечного каскада ит в точке в
(положительная полуволна):
1 /..- С ^ - 2 + « ь .о + « . , (3.74)
т.к. транзисторы У2, УЗ работают в режиме эмитгерного повторителя.
Если параметры У4 значительно (более 40 %) отличаются от пара­
метров У2, то для базовой цепи У4 делают отдельный расчет, такой же,
как для базовой цепи У2. Напряжение возбуждения нижнего плеча мень­
ше, чем (3.74):
ия0 = и<ьт4 + Лшх ит , Л-ых-из (3.67). (3.74')
3. Параметры входной (базовой) цепи предоконечного каскада. Сна­
чала находят сигналы £/«,4г(^) без учета ОС:

(3-75)
А(/
Р|/^4
где
Ши жвЛ' ^ Ж - ^ + ^ О + РЛ

Убм2 бтЗ + / т АэЗ

| кт! = лбт2 '
Затем определяют входной сигнал (/««ос, £/Вх*ос) с учетом ОС:
В каскаде действует параллельная по входу ОС, увеличивающая
входной ток в М раз (/„ я ос * /« /г~). Однако ток /м ос находят с учетом
величин сигналов на входе (£/к м) и на выходе в точке а (£/« ) без учета Я.
М:
^ О С = ( б » 1 + ^ Ц * {/т. (3.76)
К1
Входное напряжение при параллельной ОС не изменяется:
Увхжск: - ( / « . (3.76')
По величинам /^ л ос. ^юия ос определяют входное сопротивление
Ли.ос Ивходную МОЩНОСТЬ РюсОС*
(3.77)
‘кип ОС

в ЛклОС^вс.
*шх.ОС - 2 (3.78)
 по

3.5.4. Определение глубины ОС по переменному току К

Величина глубины ОС по переменной составляющей А7 определяет­

ся так же, как величина ^ в (3.56). Только вместо сопротивления прямой
передачи Ип проводимости обратной цепи у<? по постоянному току нужно
использовать сопротивление прямой передачи Яп и проводимости обрат­
ной цепи ул по переменному току (сопротивление емкостей С\, С\\ прини­
мается равным нулю). С учетом рис.3.10,6 и подраздела 2.6.1
_________ А_________
(3.79)
р -,+Л " Ъ ~ (1 + /Ги /Л4) (1 + ^ ! К г)'

где ^'бос _ ^2 (3.80)

и2 (/Г2+Явх )/<’,._'

Я _ Ц2 _ (3.81)
П 'бОС Я4+Л’и

'бОС =
(Л4+Л*и КЛ’2+Лах)’
/?’.I- -Л+ЛЧПЛ.»
I 211 ач I- / Л- =Лг-+^«2'
.

Явх =гб1 + Гэ|0 + А)’

*г = ^вых.прсд * ^4 •

3.5.5. Определение коэффициента гармоник

для бестрансформаторного УМ

В бестрансформаторном УМ необходимо учитывать нелинейные ис­

кажения как в оконечном каскаде на составных транзисторах, так и в пре­
доконечном каскаде на транзисторе VI (см. рис. 3.9). Поэтому для вычис­
ления суммарного коэффициента гармоник КГу всего УМ амплитуды гар­
моник (3-27) или нормированные гармоники (3.29) находят отдельно для
оконечного и предоконечного каскадов. С учетом вёличин обоих каска­
дов определяют [6]

« Л = л/(^2п + А>о)2 + (^Зп + ^Зо)2 + (^4п + ^4о)2 » (3 82)

 III

где 820.830, &4о “ нормированные токи гармоник оконечного каскада;

§2п» 8зп, §4п - нормированные токи гармоник предоконечного каскада.
Определение гармоник для оконечного каскада. Необходимо по­
строить общую сквозную динамическую характеристику для одного
(верхнего) плеча на составном транзисторе У2-УЗ так же, как для одного
плеча трансформаторного двухтактного УМ в подразделе 3.4.5. Величина
ЭДС источника сигнала Еи (в (3.26), (3.48)) для /-й точки на входе оконеч­
ного каскада (в точке в на рис.3.9) вычисляется по следующей формуле:
Еп - /<и/ Лг + Ысп21 + иСпУ+ *кЗ/(Л,3 +ЛН), (3.83)
где И, = ¡и
Последнее слагаемое в (3.83) учитывает местную ОС по току в эмит-
терном повторителе на У2-УЗ. Для определения величин нужно найти
/*2/ по (3.71), /*62/ по (3.73) и (/(г)2/—по входной ВАХ транзистора У2. Все ос­
тальные действия выполняются так же, как в подразделе 3.4.5, и в резуль­
тате получают нормированные токи гармоник 8г0. 8з0, 840 (или амплитуды
Лим Д/ц), по которым в соответствии с (3.30) или (3.28) может быть вы­
числен коэффициент гармоник К10 для оконечного каскада. Нахождение
К1о необязательно.
Определение гармоник для предоконечного каскада. Этот каскад ра­
ботает в режиме класса А и сквозная динамическая характеристика стро­
ится так же, как для УМ класса А в подразделе 3.3.1. Однако построение
нагрузочной характеристики ВС (см. рис. 3.4,а) для предоконечного каска­
да имеет особенности, обусловливаемые характером нагрузки и способом
ее подключения. На рис. 3.11 приведены выходные характеристики тран­
зистора VI с нагрузочной линией ВС по постоянному току. Сопротивление
по постоянному току /?к=определяется суммой:
Л,- Иа + Яз + Л,,. (3.84)
При построении ВС\ кроме точки С (£п)> заданной величиной являет­
ся напряжение покоя:
^ = 0,5^ -(/* * ,-Мм, (3.85)
где I/Л., /*.1 • Л,| * (0.5 -г 2)В.
Величина тока покоя /^должна удовлетворять условию:
АсЛ—Асда Астш Ыт2 * ^Км Аспип» (3.86)
где 1М, /бт2 //<„, - амплитуда переменной составляющей тока коллекто­
ра;
/я», - амплитуда переменной составляющей тока в резисторе Я*.
 12

Как уже указывалось, резистор ¡и по переменному току подключен

параллельно базово-эмитгерным цепям оконечных транзисторов (см.
рис. 3.9), т.к. верхний вывод Л» через конденсатор С\ подключен к точке а
(к эмиттерам оконечных транзисторов). Это резко уменьшает переменные
величины напряжения и тока в резисторе А*, уменьшая тем самым нагруз­
ку на транзистор VI.
Амплитуды тока в В4 при положительной (/ я»,) и отрицательной
(Гнм) неодинаковы:
#+ _ Н бэ т 2 М бэ т 3 * 1т ^ эЗ ? - = ^ бэ т 4 оп\
Нм г< * Нм гъ • V*• *
К4 К4
Однако наличие конденсатора в цепи последовательно с резистором 114
приводит к выравниванию амплитуд, и в ¡и протекает ток усредненной ве­
личины 1нт (Гнт< ¡Нм < ¡'ятУ
Учитывая реальные величины напряжений база-эмиттер (Нс™,2.3.4) и
напряжение на выводе (/да, можно найти, что
/Ля< (0,15 + 0,25)¡бт2 (/бы). (3.88)
С учетом (3.86) и (3.88) можно приближенно найти
/*,<(1,2 -г 1,5)Л*2 (¡ш). (3.89)
С учетом (3.89) и (3.85) координаты точки А становятся заданными,
и линию ВС можно провести через точки С и А до пересечения с осью то­
ков в точке В, в которой находится ток /д, а затем и :
Л - Яу + Яа 4 /^1 = Вп / 1ц.
 ш

Соотношение между /^, /?4 и /?„ в [6] рекомендуется в широких пре­

делах:
(0,1 ч-0,2)Я4 >Я3 >(15 + 30)Я„. (3.90)

Величина находится из (3.85) и (3.89). Нагрузочная линия по

переменному току проходит через точку А и имеет меньший (в пределе та­
кой же) наклон, чем линия по постоянному току (ВС). Это объясняется
тем, что сумма амплитуд /я™(3.88) и (3.89) не превышает величины ,
а значит, и величины возможной амплитуды тока /%„ в резисторе Я4, если
бы не было конденсатора С2 (¡'и», /К5 /ы - /*| )■ Таким образом, можно
использовать нагрузочную линию В(' по постоянному току для построения
сквозной динамической характеристики, на которой указаны точки 1...5.
Все остальное для построения сквозной динамической характери­
стики и нахождения амплитуд гармоник /2,,,,, *Лш». ¡Атп или нормированных
токов гармоник 62» , 5зп , 84„ делается так же, как в подразделах 3.3.1 и
3.3.2. В соответствии с (3.30) или (3.28) может быть определен коэффици­
ент гармоник Кт предоконечного каскада.
Определение суммарного коэффициента гармоник По найден­
ным в предыдущих подпунктах величинам гармоник 82п, 8*,,, 84„ и 82о. 8з0.
640по (3 82) находится суммарный коэффициент гармоник Кт предоконеч­
ного и А.’,ч, оконечного каскадов. По ним (найденным Ат , Кго) можно при­
ближенно найти КгV[6]:

(3.91)

Величина в (3.82) или (3.91) найдена без учета параллельной ОС

с глубиной (фактором) I7 , которая уменьшает нелинейное искажение в I7

/ччк’ КгV//' (3.92)

и сравнивается с заданной Кг-ид(А',-ос ^ А',•ил).
Величина F находится из (3.79) и является достаточно большой. При
недостаточной величине I7 вводят еще контур ООС только для перемен­
ной составляющей [6], чтобы увеличить I7 и уменьшить Глубокая
ОС (большая величина И ) позволяет получить малую величину А**- , да­
же при значительной несимметрии плеч УМ.
 114

3.6. Микроэлектронные усилители мощности

Широкое распространение для усиления мощности, особенно в бы­
товой аппаратуре, получили аналоговые (усилительные) микросхемы. Та­
кие микроэлектронные УМ, в отличие от рассмотренных ранее бестранс-
форматорных УМ, имеют в своём составе предварительные каскады и
часто представляют собой единый усилитель низкой частоты (предвари­
тельный усилитель и выходной каскад), хотя их и называют усилителями
мощности. Выходная мощность А« переменного тока таких УМ обычно не
превышает 10 ч- 20 Вт. Ограничение выходной мощности обусловлено на­
пряжением питания £п, не превышающим, как правило, 20 В, что, в свою
очередь, ограничивает амплитуду напряжения 1/т выходного сигнала ((/„,<
£п). Ограничения накладываются и условиями теплоотвода.
Можно выделить два вида микроэлектронных УМ:
1. Специализированные ИС, ориентированные на определённый
класс аппаратуры. В основном это теле-, радио-, аудио- и видеоаппаратура
Такие ИС, часто называемые УНЧ (или УЗЧ), ориентированы для работы в
жестко заданных условиях: величины £п, Я», Лмх, ^Лх, Ах- Пример такого
УМ будет рассмотрен подробно далее.
2. Усилители смешанного типа, когда выходной каскад УМ строится
на мощных транзисторах по типу бестрансформаторного УМ (подраздел
2.5), а предварительный усилитель выполняется на базе универсального
микроэлектронного усилителя - операционного усилителя (ОУ). Такой ва­
риант является более гибким и позволяет разнообразить параметры УМ в
соответствии с заданными техническими условиями. Однако величина вы­
ходной мощности Л,ых усилителя этого вида тоже ограничена величиной
напряжения питания ОУ, так как амплитуда входного сигнала оконечного
каскада, работающего в режиме эмиттерного повторителя,ограничена ам­
плитудой выходного сигнала операционного усилителя. Операционные
усилители будут рассмотрены далее в главе “Усилители постоянного то­
ка”. Различные варианты УМ и их расчёт подробно описаны в работе [9]

3.6.1. Усилитель К174УН7

Специализированные усилители первого вида имеются в разных се­
риях ИС. В табл. 3.2 приведены параметры некоторых типов таких УМ.
Однако, как уже указывалось в подразделе 2.7, наиболее широко в высоко­
качественной аппаратуре используются ИС серии К174. В этой серии име­
ется более десятка типов усилителей мощности низкой частоты, разли­
чающихся принципиальной схемой и параметрами. Значительная часть их
представлена в табл. 3.2. Усилитель К174УН7 является средним по слож­
ности принципиальной схемы и параметрам. Варианты узлов этого усили­
теля повторяются во многих других усилителях. Схема К174УН7 приведе­
на на рис. 3.12.
 115

Таблица 3.2
Тип мик­ Яп. РВЫХу /н, к г, ^вх» Ут вх» кпд Лютр
росхемы В Вт Гц кГц % кОм мВ % (^вх=0),
мА
К174УН4А 9 1,7 30 20 2 10 - 50 10
К174УН5 15 4,5 40 20 2 50 60 50 20
К174УН7 12 2 30 20 1 10 - - 30
К174УН9А 15 7 20 20 1 100 80 - 30
К174УН9Б 15 7 20 20 2 100 80 - 30
К174УН11 ±17 15 20 20 1 100 250 - <100
К174УН12 15 • 20 20 0,5 3000 40 ■ 10-80
Управляе­
мый
К174УН14 15 5,5 30 20 10 70 40 - 50
К538УНЗ 16 0 3000 10 200 5
Сверхма-
лошумный

каскад

РИС. 3.12
 Схема усилителя. Усилитель состоит из трёх каскадов: входного,
предоконечного и оконечного. Сразу можно отметить большое количество
транзисторов (что характерно для всех микросхем) по сравнению с усили­
телем на дискретных компонентах. показаннын,например, на рис. 3.9.
Входной каскад. Ативным (усилительным) элементом входного
каскада является составной р-п-р транзистор VI-V2, включенный по схе­
ме ОЭ. В коллекторной цепи выходного транзистора V2 вместо резистора
Як включён транзистор V3, который называют активной нагрузкой. Кол­
лекторный ток покоя его /кз..|, а также коллекторные токи транзисторов
V9 - /9, VI3 - /ц, стабилизированы при помощи стабилизирующей цепи
DI, V4, V5, т.е. /Ki..| = /к5, /9= /о = /К4- Такие стабилизаторы тока называются
генераторами стабильного тока (ГСТ). Активная нагрузка и ГСТ широко
применяются в микроэлектронных усилителях и будут подробно рассмот­
рены в главе 4 при рассмотрении операционных усилителей. Выход вход­
ного каскада (коллектор V2) подключён ко входу предоконечного каскада
(к базе V7).
Предоконечный каскад. Выполнен на транзисторах V7, V8, V10.
Транзисторы V7, V8 включены по схеме ОК (эмиттерные повторители).
Транзистор V10 включён по схеме ОЭ. В его коллекторную цепь (вместо
Як) тоже включена активная нагрузка - транзистор V9 со стабилизирован­
ным коллекторным током /ч. Выход предоконечного каскада (коллектор
V10) подключён ко входам верхнего и нижнего плеч оконечного каскада.
В коллекторную цепь V10 включён диод D3 для задания режима АВ око­
нечного каскада аналогично тому, как это сделано в бестрансформаторном
транзисторном УМ (см. рис. 3.9).
Оконечный каскад. Двухтакгный оконечный каскад работает в ре­
жиме АВ и построен по типу транзисторного бестрансформаторного УМ
(см. рис. 3.9). Верхнее плечо выполнено на составном транзисторе п-р-п
типа, состоящем из транзисторов VI4, VI6, а нижнее плечо - на составном
транзисторе р-п-р типа, состоящем из транзисторов V il, VI7. Таким обра­
зом, схемы предоконечного и оконечного каскадов аналогичны схемам со­
ответствующих каскадов бестрансформаторного Транзисторного УМ, рас­
смотренного в подразделе 3.5. Там же подробно описаны составные тран­
зисторы и их свойства, главным из которых являются большие коэффици­
енты усиления тока базы р составного транзистора ((3.51),(3.52)): рм>~
- PirPi6, Р11.|7 = P11P17. Потенциалы входов верхнего (база VI4) и нижнего
(база V I1) плеч разнесены на величину прямого напряжения на диоде D3,
что обеспечивает задание режима АВ (незначительное смещение оконеч­
ного каскада). Однако по режиму работы оконечный каскад, в отличие от
оконечного каскада дискретного транзисторного УМ (см. рис. 3.9), являет­
ся усилителем тока. Для осуществления режима усилителя тока в схему
включены стабилизаторы тока V9, V13.
 117

Работа схемы. Поскольку ток коллектора V3 стабилизирован и не

может изменяться от воздействия транзистора V2, то все изменения тока
коллектора V2, вызванные входным сигналом, передаются в базу транзис­
тора V7, т е. активная нагрузка увеличивает коэффициент усиления вход­
ного каскада. В предоконечном каскаде происходит дальнейшее усиление
сигнала и в коллекторной цепи V10 усиленный сигнал генерирует ток /к-т.
пропорциональный величине входного сигнала. При изменении /кш и при
неизменных (стабилизированных) токах /ч, /п происходит «токовое»
управление оконечным каскадом. Так, в режиме покоя /ч= !к\0. Часть это­
го тока ответвляется параллельно диоду D3, образуя токи покоя баз со­
ставных транзистора - Ли, /г»и (Asm = Ли)- При уменьшении тока /кю ток А,
“вытесняется” в базу V14 ровно настолько, насколько уменьшается ток /К|()
(A/би = - А/Кю). В начале уменьшения /кц, закрывается транзистор VII
вследствие увеличения потенциала коллектора V10. При полном закрыва­
нии V10 весь ток Л переводится в базу VI4. Величиной /9 ограничена ве­
личина /бм: Igi4< А>.
При увеличении тока /Кк, (от тока покоя -/кц, > /Кки) вначале быстро
закрывается верхнее плечо (транзистор VI4), а затем все увеличение тока
Ат происходит за счет увеличения тока базы /бц ДЛп = +A/Kin Макси­
мальное значение тока базы нижнего плеча /бц достигается тогда, когда
весь ток / |з (стабилизатор V13) будет переведен в базу VII (Ли ~ leu)'.
/fill max^ /1.3
До этого (при /К|(| < А,) почти весь ток /и (/'ки) протекает через це­
почку D4, D5, VI5 Ггг. устраняет перекос тока в выходной цепи в режиме
покоя: Гк1з = Ли Равенство стабилизированных токов Л, Лз обеспечивает
равенство и стабильность токов баз и выходных токов оконечных состав­
ных транзисторов.
Разумеется, при отсутствии сигнала на входе, т.е. в режиме покоя,
все потенциалы входов, выходов согласованы.
Более подробно токовое управление и согласование потенциалов
при отсутствии конденсаторов в схеме будет рассмотрено при изучении
УПТ (гл. 4).
Типовая схема включения. При включении аналоговых микросхем в
схему устройства обычно требуется довольно много навесных компонен­
тов (конденсаторов, резисторов). В технической документации на микро­
схемы приводятся типовые схемы включения микросхем, на которых ука­
зываются все навесные компоненты, их параметры и поря ток подключе­
ния. Только при указанных параметрах навесных компонентов (величин
сопротивлений, емкостей, потенциалов) обеспечиваются номинальные па­
раметры микросхемы. На рис. 3.13 приведена типовая схема включения
усилителя К174УН7. Все навесные компоненты (4 резистора и 8 конденса­
торов) обеспечивают номинальный режим функционирования усилителя,
 1К

его стабильность и устойчивость. Так, к выводу 5 подключается внешняя

цепь (С4, С5), формирующая частотную характеристику усилителя в об­
ласти высших частот. К выводу 6 подключается внешняя цепь обратной
связи по переменному току, которая позволяет регулировать коэффициент
усиления (устанавливать необходимую глубину обратной связи /*У Кон­
денсатор С2, подключенный к выводу 7, совместно с резистором Я5 обра­
зует фильтр для переменных составляющих, обеспечивая постоянство тока
стабилизирующей цепи (Б1, У4, У5). Цепь из ЯЗ, С6, подключенная к вы­
водам 1,4, 12, аналогична цепи из ЯЗ, С2 в схеме бестрансформаторного
УМ (см. рис. 3.9). Она обеспечивает повышенное напряжение на выводе 4.
На рис. 3.9 это напряжение обозначено Е'хи и работа этой цепи рассмотрена
раньше.
В технической документации приводится информация о том, как из­
меняются параметры усилителя, если условия не соответствуют типовым.
Например, величина сопротивления нагрузки /{„ или величина напряжения
источника питания Еххмогут быть не равны типовым Обычно это графиче­
ские зависимости. Для примера на рис. 3.14 приведены графики зависимо­
сти выходной мощности от напряжения питания У:'„ (рис. 3.14,а) (пунктир­
ными линиями обозначена область разброса параметра^ и зависимости ко­
эффициента гармоник Кг от выходной мощности. Приводится ещё ряд за­
висимостей.
 119

О 6 9 12 Ел, В 0 1 2 3 4 ЛыХ,Вт

а б
Рис. 3.14

4. УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (УПТ).

ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ (ОУ)

4.1. Назначение и особенности УПТ

Как уже указывалось в подразделе 1.1, усилителями постоянного то­

ка (УПТ) называют такие усилители, которые могут усиливать сигналы
постоянного напряжения или сигналы медленно изменяющегося напряже­
ния. Коэффициент усиления этих усилителей должен иметь определенную
величину (АТо) и при/ = 0. Высшая граничная частота/ в УПТ может быть
примерно такой же, как в КС-усилителях. На рис. 4.1 приведена АЧХ (ам­
плитудно-частотная характеристика) \К(/)\ УПТ. Такие усилители исполь­
зуют в стабилизаторах напряжения и тока, электронных вольтметрах, сле­
дящих системах автоматики и др. Очень часто УПТ являются основой ре­
шающих усилителей, применяющихся для выполнения математических
операций суммирования, интегрирования, дифференцирования и логариф­
мирования.
 120

\т \

Рис. 4.1 }

Режим покоя для УПТ выбирается точно так же, как и для рассмот­
ренных ранее каскадов, только резистор ¡1, (в цепи эмиттера транзистора)
не шунтируется емкостью (С,), так как усилитель должен усиливать часто­
ты, начиная о т /= 0. Для связи каскадов между собой и с нагрузкой в УПТ
не могут использоваться реактивные элементы, поскольку они не передают
постоянной составляющей. Поэтому в УПТ применяют гальваническую
связь. Такая связь состоит из элементов, проводящих постоянный ток. В
связи с этим в УПТ возникают существенные трудности, которых нет в
усилителях переменного тока:
1. Выход (коллектор) предыдущего каскада, имеющий достаточно
высокий потенциал (до 10 В и более), должен быть соединен по постоян­
ному току с входом (базой) следующего каскада, имеющим значительно
меньший потенциал (менее 1 В). При этом должен обеспечиваться нор­
мальный режим предыдущего и последующего каскадов по постоянному
току, т.е. должен сохраняться выбранный режим покоя в каждом каскаде.
Таким образом, возникает проблема согласования уровней потенциа­
лов при межкаскадных соединениях. Часто используют выражение
“согласование потенциалов”
2. Вследствие гальванической связи (при согласованных уровнях по­
тенциалов) все изменения в режиме покоя (режиме по постоянному току) в
предыдущих каскадах передаются и усиливаются последующими каскада­
ми. Этот процесс приводит к тому, что при отсутствии входного сигнала
(V| = 0) на выходе усилителя появляется выходное напряжение ((¡2 * 0), не
отличимое от усиленного входного сигнала (на выходе появляется как бы
ложный сигнал). Такое выходное напряжение называют дрейфом нуля -
1>л Появляется проблема дрейфа нуля, которая существенно усложняет
задачу создания стабильного УПТ.
 121

4.1.1. Согласование уровней потенциалов

при межкаскадной связи
Согласование потенциала выхода предыдущего каскада с потенциа­
лом входа последующего каскада может быть получено двумя способами:
1. Понижением уровня потенциала выхода предыдущего каскада
(коллектора УТ1) (/КХ4\ на рис. 4.2 до уровня потенциала входа последую­
щего каскада (базы УТ2) Г/(Ы2- В качестве источника напряжения исполь­
зуются батарея, стабилитрон (для дискретных УПТ), но чаще - падение
напряжения на сопротивлении Ясм от протекающего по нему тока /см (для
дискретных и микроэлектронных УПТ), как показано на рис. 4.2. Нужная
величина напряжения сдвига вниз (/см находится как разность потенциалов
в режиме покоя:
(/см= I 1 “ УспЛ2 (4.1)
Пусть, например, (/¡ы| = +6 В, = +1 В. Тогда 1/ш = 6 - 1 = +5 В.
Для уменьшения тока нагрузки (увеличения сопротивления нагрузки
и коэффициента усиления по напряжению АТ*;) предыдущего каскада часто
между выходом предыдущего каскада и входом последующего каскада
включается эмиттерный повторитель (УТЗ на рис. 4.2). В этом случае ток
базы /вз, вытекающий из выходной цепи (коллектора) УТ1 и являющийся
током нагрузки, в (1+ р3) раз меньше тока /^ 3 - тока смещения. Сопротив­
ление нагрузки для каскада УТ1 при этом увеличивается в (1 + р3) раз. При
этом в Г/смвходит и напряжение Г/<ыз-’
Г/см = Г/(ЫЗ + /СмЛем- (4.2)

Рис. 4.2
 122

Часто величина тока смещения /см стабилизируется специальным

стабилизатором тока. На рис. 4.2 такой стабилизатор представлен генера­
тором тока /ш. Этот способ часто применяется в микроэлектронных усили­
телях. Потенциал может быть сдвинут вниз (понижен) до нуля или даже
более (т.е. потенциал входа последующего каскада может иметь другую
полярность). Разумеется, часть полезного сигнала теряется в цепи связи.
2. Повышением потенциала входа последующего каскада (базы УТ2)
иб на рис.4.3,а до уровня потенциала выхода предыдущего каскада (кол­
лектора УТ1) и ^ ! . Такой способ называют “сдвигом вверх” Для этого в
цепь эмиттера (эмиттеров) последующего каскада (УТ2) включают сопро­
тивление (А,) необходимой величины (для всех УПТ), как показано на
рис.4.3,а, или стабилитрон (для дискретных УПТ). Величина необходимого
сдвига вверх определяется разностью:
£/«“ /сы Дэ=Цы.-£/(Ы2 (4.3)

На сопротивлении Аэ образуется отрицательная обратная связь

(ООС) для полезного сигнала, уменьшающая величину коэффициента уси­
ления по напряжению Кц. При этом также уменьшается напряжение пита­
ния второго каскада Е'п на величину исыпо сравнению с Еп.
Для уменьшения ООС вместо одного транзистора во втором каскаде
включают два эмиттерно-связанных транзистора УТ2 и УТЗ одного типа,
как показано на рис.4.3,б. Здесь транзистор УТ2 играет ту же роль, что и на
рис.4.3^а, а транзистор УТЗ устраняет ООС. Ток
Д -Д и + Ллэ (4.4)
и почти не меняется при усилении сигнала, т.е. потенциал связанных эмит­
теров, равный ДА> остается постоянным. Это объясняется тем, что увели­
 123

чение тока /12 на величину Л/12 вызывает увеличение потенциала эмиттеров

Д£/>= Д/,2 Я», что при фиксированном потенциале базы УТЗ обуславливает
уменьшение напряжения Д^/сьз на такую же величину и, как следствие,
уменьшение тока на величину ДАг ~ - ДАз.
В результате ток Д и потенциал эмиттера остаются неизменными, т.е.
устраняется ООС. На рис.4.2, 4.3 не указаны цепи согласования потенциа­
лов входа первого каскада (базы УТ1) с источником сигнала и выхода вто­
рого каскада (коллектора УТ2) с нагрузкой, которые тоже должны быть.

4.1.2. Дрейф нуля в УПТ

Появление дрейфа нуля легко пояснить на примере трехкаскадного

УПТ, структурная схема которого приведена на рис. 4.4. Пусть коэффици­
енты усиления по напряжению всех каскадов равны 10, т.е. все каскады
одинаковы (К\ = Кг = = Ю), а общий коэффициент КV = К\К2Ку = 1000.
Пусть в каждом каскаде режим покоя может изменяться на одинаковую ве­
личину Ы!\ = Д(/2 ^ Д^Д = 0,1 В, что для усилителей переменного тока ха­
рактеризует хорошую стабильность режима покоя (малую величину X). Од­
нако в УПТ Д^/!, возникшее в первом каскаде, передается и усиливается
всеми последующими каскадами. В результате на выходе усилителя с уче­
том ДГЛ и ДГД появляется изменение выходного напряжения Д(/„14Х(при
отсутствии входного сигнала, т.е. при 11\= 0):
Д^/вых = ДГ/| К2 К1+ Ш 2Кг + Шг = 11,1 В. (4.5)

Рис. 4.4

Вот это измеИени®выходного напряжения ДГ/ВЫХпри отсутствии по­

лезного сигнала на входе усилителя называют абсолютным дрейфом нуля
^1др
(/др^

Основную до/*ю в ^др согласно (4.5) составляет дрейф нуля, обуслов­

ленный первым каскадом - ДГ/|К2К\ = 10 В. Наиболее универсальным по­
казателем дрейфа ИУля, характеризующим качество УПТ независимо от
 124

числа каскадов, является приведенный (ко входу) дрейф нуля ДГ/др, кото­
рый определяется делением абсолютного дрейфа нуля на коэффициент
усиления:
Ш ц= 1/ф 1К (4.6)

Так, любой каскад усилителя и весь усилитель, показанный на рис.4.4,

имеют одинаковый приведенный дрейф нуля:
Д*/дЕ =11,1/ 1000 = 0,011 В, Д^/др, = Д(/др2 = 0,1 / 10 = 0,01 в.
Приведенный дрейф относят ко времени и оценивают как 10 мВ/мин,
0,5 В/ч и т.д. Для полупроводниковых УПТ (всех типов) дрейф нуля обу­
словливается в основном изменением температуры, поэтому вводится при­
веденный дрейф, относящийся к изменению температуры, например Д//;ф=
= 1 мВ/град, 10 мкВ/град и т.д.
Следует иметь в виду, что рассмотренные в предыдущих разделах
усилители переменного тока (УНЧ) имеют большой дрейф нуля и почти не
пригодны для УПТ. В доинтегральной электронике создавалось много все­
возможных специальных схем УПТ, часто довольно сложных, позволяю­
щих уменьшить дрейф нуля до приемлемой величины. Наименьший дрейф
нуля получали в УПТ с двойным преобразованием сигнала, в которых
входной сигнал постоянного тока преобразовывался в сигнал переменного
тока, затем усиливался усилителем переменного тока, а на выходе снова
преобразовывался в сигнал постоянного тока.
Однако сейчас проблема создания УПТ эффективно решается микро­
электронными средствами. Особенно продуктивно используются для УПТ
микроэлектронные дифференциальные усилители (ДУ) и операционные
усилители (ОУ). Поэтому в дальнейшем в качестве УПТ будут подробно
рассмотрены только ДУ и ОУ, поскольку упомянутые ранее дискретные
УПТ практически утратили свое значение.
Сразу следует отметить, что и ДУ, и ОУ имеют намного более широ­
кую область применения, чем УПТ. Так, ОУ, являющиеся многоцелевыми
микроэлектронными усилителями, могут выполнять все простые аналого­
вые функции, а также математические операции. В частности, при помощи
ОУ осуществляются функции УНЧ, УВЧ, ПЧ, УПТ, генерирования колеба­
ния, преобразования формы и частоты сигнала, усиления мощности, срав­
нения сигналов и др. На базе ОУ реализуется суммирующие, интегри­
рующие, дифференцирующие, логарифмирующие и другие усилители.
Усиление сигналов постоянного тока (УПТ) является лишь одной из
многочисленных операций, выполняемых при помощи ОУ Поэтому в этой
главе, кроме УПТ, будут рассмотрены некоторые другие варианты приме­
нения ОУ, наиболее часто встречающиеся на Практике.
 125

4.2. Дифференциальные усилители

42.1. Схема, особенности ДУ

Исключительно важную роль в схемотехнике интегральных схем

(ИС) играют дифференциальные усилители (ДУ). Выпускаются отдельные
самостоятельные ДУ, содержащие один или два каскада. Но чаще ДУ ис­
пользуются в качестве первых каскадов в более сложных усилительных
ИС. ДУ определяют наиболее значимые параметры всего усилителя, такие
как уровень шумов, чувствительность, стабильность параметров н др. По­
этому к ДУ предъявляются жесткие требования. Разработано и выпускает­
ся много разновидностей ДУ. В принципе ДУ могут быть созданы и из
дискретных компонентов, но наиболее эффективны интегральные ДУ (ИС-
ДУ). На рис.4.5 приведена принципиальная схема простого ДУ. Собствен­
но ДУ включает в себя два простых усилительных каскада на транзисторах
- VI, У2, включенных по схеме ОЭ, имеет два входа (Вх.1, Вх.2) и два вы­
хода (в, г). ДУ представляет собой мостовую (балансную) схему. Два верх­
них плеча моста - резисторы Я*\ и два нижних плеча - транзисторы
VI, V2. К одной диагонали моста аб подключено напряжение питания £п. с
другой диагонали вг снимается выходной сигнал С/де. Уже это позволяет
уменьшить дрейф нуля. Так, в сбалансированном мосте колебания £„ (в
диагонали аб) не передаются на выход (в диагональ вг). Однако для полу­
чения высококачественного ДУ этого недостаточно. Чтобы получить высо­
кокачественные ДУ, необходимо выполнить определенные условия. Сфор­
мулируем эти условия:

Вх.1

Рис. 4.5

I. Постоянство тока /о независимо от изменения режима транзисто­

ров ДУ (VI,У2). Ток /оявляется суммой токов эмиттеров транзисторов ДУ.
Постоянство /о обеспечивается специальным стабилизатором тока. На
рнс.4.5 этот стабилизатор обозначен как ГСТ (генератор стабильного тока).
 126

Это важнейшее условие обеспечивает высокую стабильность режима по­

коя, постоянство параметров ДУ, малый дрейф нуля и др.
2. Идентичность пары транзисторов VI, У2 (одинаковость всех пара­
метров), резисторов #К|, /?к2. Эту идентичность обеспечивает современный
высокий уровень технологии ИС. В дискретной электронике приемлемая
идентичность транзисторов не могла быть гарантирована. По этой причине
дискретные ДУ не находили широкого применения.
3. Большое входное сопротивление ДУ. Обеспечивается схемными
решениями и режимом покоя транзисторов VI, V2. Так, в ДУ, используе­
мых в первых каскадах более сложных микроэлектронных усилителей, для
получения большого входного сопротивления применяется так называемый
режим микротоков, при которых ток /о (ток покоя) не превышает 100 мкА.
Более подробно режим микротоков будет рассмотрен далее в подразделе
"Интегральный ГСТ” Высокое входное сопротивление ДУ обусловливает
режим источников сигнала (с'|, с2), близкий к режиму источника ЭДС
(режим холостого хода). Только такой ДУ, в котором выполняются
сформулированные выше условия, составляет основу микроэлектронных
входных каскадов УПТ, он и будет рассматриваться далее.
Идеальный ДУ. Для упрощения анализа работы и расчета
параметров ДУ принимают ряд упрощений. Считают стабилизатор тока Л,
идеальным (Япгт = °°» Л/о = 0), считают, что транзисторы VI,У2 и резисто­
ры Яц, Я^ совершенно идентичны (Р1 = р2, гЭ( = гЭ2, гб| = /КО| = /Ко2, Як, =
= Я^). Тогда при отсутствии входного сигнала (С| = 0, с?2 = 0) в левой поло­
вине ДУ (VI, ЯК|) протекает половина тока /«(Д| = /о/2) и в правой полови­
не ДУ (У2, - половина тока /« (Л2 = /«/2). Напряжения покоя =
I /кл-12 одинаковы (мост сбалансирован):
Цгг4. = (^42 = 11шл = 5. - (А/2) Як. (4.7)
Это напряжение (4.7) называют также напряжением баланса (Г/^,). На
рис.4.8 это участок от 0 до /|. Такой ДУ считают идеальным. Токи баз
транзисторов /гх.ц, /<ш устанавливаются автоматически на уровне /() / (2 х
х (1+Р)). В точке б устанавливается (тоже автоматически) небольшой отри­
цательный потенциал (доли вольта), обеспечивающий протекание токов
баз /б.||, Лш от корпуса с нулевым потенциалом к точке б.
Интегральный ГСТ. Стабилизация тока /п в ДУ решается методами,
специфичными для интегральных схем, при малых напряжениях питания
(Я, * 6... 15 В). Схема интегрального ГСТ приведена на рис.4.6,а.
В основе решения ГСТ лежит высокая степень идентичности пара­
метров пары интегральных транзисторов УЗ,У4. Транзистор У4 включен
диодом, ток /| через него задается резистором Я| и источником Я,
 127

д, -<Лн
я. Я,
На базах транзисторов УЗ, У4 устанавливаются одинаковые напряжении
значит, при идентичных параметрах транзисторов ток /о, протекающий
через УЗ, равен току !\ (пренебрегая током /в). При этом на коллектор УЗ
достаточно подать небольшое напряжение (Ло, (единицы вольт). Ток А>яв­
ляется “копией" гока Л, и для стабильности /0 достаточно обеспечить ста­
бильность Л, что в ИС достигается при малых напряжениях £, (5 - 10 В).
Такую схему называют “токовым зеркалом“ (/0 является зеркальным от­
ражением тока /]) или “токовым отражателем“ На рнс.4.6 приведена схема
одинарного токового зеркала. Для стабилизации токов в ИС применяют
также двойное токовое зеркало, которое обеспечивает лучшую стабилиза­
цию, но имеет более сложную схему [8].
При изменении режима в цепи протекания тока /0 (изменение ЕП9 па­
раметров транзисторов и др.) возникают колебания напряжения А(/г>э на
коллекторе транзистора УЗ, которые при идеальном ГСТ не должны вызы­
вать приращений тока ДА, (при постоянстве 1\ ). Однако для приращений
фанзистор УЗ представляет конечное эквивалентное сопротивление /?>(хо­
тя и очень большое), равное дифференциальному сопротивлению коллек­
торною перехода гк (около 1 МОм). Поэтому приращения Д(/К,э вызывают
чалые приращения тока А/0:
и (4.8)
" к. >*«

Эквивалентом такого ГСТ по эффективности в дискретной технике при

нормальной величине тока в 1 мА был бы источник в 1000 В (при /?, =
 128

= 1 МОм). Такие напряжения не реализуемы даже в дискретной технике.

Это сравнение указывает на весьма высокую эффективность интегрального
ГСТ.
В первых каскадах ИС-ДУ используется режим микротоков (/« со­
ставляет несколько десятков мкА) для получения высокого входного со­
противления,
/и .» < - ,( 1 + Э ) - Ь ! ! ± Е .2 ь 2 ± г > .Ь ,м ,
Л Л) 'в
а также для уменьшения уровня шума во входной цепи и уменьшения тока
потребления от источника питания. Для получения очень малого /(, в эмит-
терные цепи включают резисторы Яъ Яу, как показано на рис.4.6,б. При
этом ток /0 определяется соотношением [7]:

/, +<рт 1п(~)
/о ----------- ё-------(4.Ю)

где <рт - температурный потенциал (для Т = 300 К <рт = 26 мВ). Яг берут

обычно малой величины (или Яг= 0). При легко достижимых в ИС величи­
нах Я\ = Яу = 10 кОм, Я, = 5В токи 1\ = 0,5 мА, /()= 10 мкА.
Получается, что ток /» в схеме на рис.4.6,б и в равенстве (4.10) по­
вторяет (отражает) ток 1\ с коэффициентом, меньшим единицы, - масшта­
бируется (при помощи резистора Яу). Масштабирование тока /о может быть
выполнено также заданием разных величин площадей /?-л-переходов тран­
зисторов УЗ, У4 (без резистора Яу). Масштаб определяется отношением
площадей /7-л-переходов и жестко задается при производстве ИС. При по­
мощи же резистора Яу масштаб можно изменять плавно [7].

4.2.2. Работа ДУ

На рис.4.7 показана полная схема ИС - ДУ (со схемой ГСТ). В зави­

симости от способа подключения сигнала ко входу (входам) ДУ различают
дифференциальный и синфазный сигналы. Реакция (усиление) ДУ на диф­
ференциальный сигнал коренным образом отличается от реакции ДУ на
синфазный сигнал.
Дифференциальный сигнал. Усиливаемый сигнал 11д обычно под­
ключается между входами (Вх.1, Вх.2), как показано на рис.4.7 Такой сиг­
нал называют дифференциальным. В цепи источника сигнала 1/л (в базовой
цепи) должна быть точка заземления для протекания постоянного тока (то­
ка покоя) баз транзисторов VI,У2. Точка заземления в базовой цепи может
быть произвольной - заземляется либо средняя точка источника сигнала 1!д
 129

(что предпочтительнее), либо одна из выходных клемм источника сигнала

ил(Вх.1 или Вх.2). На входы ДУ могут подключаться два источника сигна­
ла <?|, е2у как показано на рис.4.5. Тогда величина дифференциального
сигнала определяется их разностью:
иа = ег е2. (4.11)
Дифференциальный сигнал иа распределяется поровну между вхо­
дами транзисторов VI, У2 и на входе каждого транзистора (между базой и
эмиттером) действуют одинаковые по величине, но противоположные по
полярности управляющие напряжения иу\у11у2
£/У| = -Г/У2 = £/д/2, £/д = 211у1= 21/у2. (4.12)
На рис.4.8 приведены графики изменения напряжения в ДУ под влиянием
дифференциального сигнала Цл (под влиянием иу|, иу2). Сигнал Г/д начина­
ет увеличиваться с момента /|. Полярность Иду Иу\уиу2 указана на рис.4.7.
Под влиянием (управлением) Иу\ ток коллектора /К| транзистора VI увели­
чивается, а напряжение коллектора (/К| уменьшается согласно (4.7):
Ик\ —1/хА~ ~ Еп Ас1^к1•
Под влиянием 1/у2 ((1у2 = -(/У| ) ток коллектора 1& транзистора V2
уменьшается, а напряжение коллектора и& увеличивается:
Г/к2= и*А + = Еп~ /*2^*2-
 130

Изменения напряжений коллекторов АГ/К|, А^к2 будут одинаковыми по ве­

личине (т.к. транзисторы VI, V2 идентичны, а сумма токов эмиттеров /о
жестко стабилизирована ГСТ - /« = const), но противоположны по знаку:
Д*/к1= -ДГ/й.
Изменяться А(/*,, Ы!& будут до тех пор, пока будут изменяться токи
коллекторов, т.е. до тех пор, пока ток коллектора одного из транзисторов
достигнет величины /()(на рис.4.7 это /К|), а ток другого транзистора станет
равным нулю (на рис.4.7 это /*2).
За полный выходной дифференциальный сигнал f/Wix^ принимается
напряжение между коллекторами транзисторов (между выходами):
1!щ4ЧД=^1 -f/tf-A f/tf + A f/rf^ A f/,, (4.13)
которое равно также сумме отклонений А(¡к\%ДГ/кг напряжений коллекто­
ров от напряжения баланса ( (от напряжения покоя). Можно снять сиг­
нал также с одного выхода (с одного коллектора) относительно земли
(корпуса) А(/К| (или А[/&). Тогда он будет в два раза меньше полного вы­
ходного дифференциального сигнала I/ныхд. Практически всегда использу­
ют полный сигнал (/внх.л. Часто возникает необходимость приведения пол­
ного дифференциального сигнала к одному выходу, что будет подробно
рассмотрено далее.
Параметры ДУ. Важнейшим для ДУ является дифференциальный ко­
эффициент усиления по напряжению АГЛи дифференциальное входное со­
противление /?вхд.
 ш

Дифференциальный коэффициент усиления Кл определяется отно­

шением полного выходного дифференциального сигнала к входному диф­
ференциальному сигналу:
Ишхл = 2А(/К, = 2Ш ж2
Кд •(4.14)
Па 2Х/у1 21/у2

Но отношение ДГ/К| / Пу\ (Д^/кг! {Д-г) является коэффициентом усиле­

ния каскада на транзисторе VI (У2), который усиливает сигнал обычным
порядком и определяется формулой (2.53):

к -к -"¿ -« А . (4.15)

/?вхл рассчитывается так же, как в формуле (2.45):

Двхл = Гб + /%( 1 + Р).
В (4.15) принято считать, что М1К\ = |Д(/к2| =■Д(Ас, р| = Рг = Р<>, /Ап = Кг =
~ 1/у\ = К/у2| = ^Агэ ^вх*»1 = ^в\'|2 = ^ну» •
Сравнивая (4.15) и (4. Нелегко найти Ка :

(4.16)

Коэффициент усиления Кл дифференциального усилителя из двух

плеч - VI, V2, по величине равен коэффициенту усиления одного плеча
Кт (Кт)- Объясняется это тем, что каждая половина ДУ усиливает
половину входного сигнала.
Входное дифференциальное сопротивление
п »— 11л
__ Д_ ия
^■ч “— ~_
~Д (4.17)

Учитывая, что потенциал точки соединения эмиттеров (точки б на

рис. 4.5) остается неизменным (для переменного тока - заземленным),
входной ток (ток баз /<>) протекает только по цепи база - эмиттер транзи­
стора VI, база - эмиттер V2, источник сигнала. Поэтому входное сопро­
тивление /?вХд для источника сигнала Иа будет составлять сумма входных
сопротивлений транзисторов VI, V2
^нх.д ~ ^вх.э1 ^ ^вхл2 “ 2/^Вхл —2[Гр + Г)(1 + Р)]- (4.18)
 132

Соотношения (4.14) - (4.18) получены при условии А/0 = О (Я/ = оо),

хотя на практике Д/0 * 0. Однако всегда выполняется условие Я/ > и
погрешности формул (4.14) - (4.18) очень малы.
Синфазный сигнал Синфазным называют сигнал UGф, присутствую­
щий одновременно (в фазе) на обоих входах. Его можно представить как
сигнал, подключенный между параллельно соединенным входами Вх.1,
Вх.2 и землей (корпусом). Конечно, на практике входы ДУ не запараллели­
вают, но синфазный сигнал на входах присутствует. Например, в общем
случае с двумя источниками сигнала e¡9е2 (см. рис.4.5) величина синфазно­
го сигнала определяется их полусуммой:

1/сф=£^ - (419)
Качество ДУ во многом определяется его реакцией на синфазный
сигнал. ДУ с идеальным ГСТ (Д/0 = 0, Я/ = оо) не должен реагировать на
синфазный сигнал, т.е. коэффициент усиления Ксфсинфазного сигнала ра­
вен нулю (АГСф= 0). Это очень ценное свойство ДУ, которое позволяет вы­
делял» очень малый полезный (дифференциальный) сигнал на фоне боль­
шого синфазного сигнала (иногда на порядок и более превышающего (/д).
Роль синфазного сигнала часто играют помехи. Например, слабый сигнал
датчика ил проводами подключается между входами Вх.1, Вх.2. На обоих
проводах одновременно при этом может наводиться одинаковая по вели­
чине и фазе помеха от внешних полей, являющаяся синфазным сигналом.
Величина помехи може! быть очень большой. Идеальный ДУ выделяет и
усиливает слабый сигнал датчика (дифференциальный сигнал) и никак не
реагирует на помеху. В выходном сигнале ивъа помеха уже отсутствует.
В реальных ДУ с реальным ГСТ Д/о * 0, Я, * оо. Поэтому К&* 0, но
очень мал, так как падение напряжения Д/о Я/ является сигналом ООС (от­
рицательной обратной связи) для синфазного сигнала. С учетом ООС мож­
но найти Я* для реальных ДУ:
к _А{/ВЫХ рД,
(4.20)
сф V* Я.Х/2 + ЯД1+Р)
Результатом отклика неидеального ДУ на синфазный сигнал (4.20)
является увеличение тока /о на величину Д/о. При этом изменяется (умень­
шается) напряжение баланса на Д//вал> как показано на рис.4.8 пунктиром.
Для количественной оценки реакции ДУ на синфазный сигнал (возможно­
сти ДУ различать малый дифференциальный сигнал на фоне большого
синфазного) используется показатель (параметр) ООСС - отношение ос­
лабления синфазного сигнала:
ООСС = 2 0 (АГс*/ /Гя) [дБ]. (4-21)
 133

Этот параметр приводится в паспортных данных. Величина АТ«*

обычно не указывается. Для современных ИС - ДУ ООСС находится в
пределах от -60 до -120 дБ (К^КЛ= ЮЛ.ЛО*6). Некоторые исследователи
параметр ООСС называют и обозначают по-другому.
Входное сопротивление синфазному сигналу ЛвххФ находится с
учетом ООС на Я, и того, что входы транзисторов VI, У2 соединены па­
раллельно для синфазного сигнала:
Дв>ссф = Явю/2 + Я, (1+Р) * рЯ„ (4.22)
Я, = гк» 1 МОм.

4.2.3. Погрешности (ошибки) ИС - ДУ

Даже при очень тщательной отработке технологии производства ИС
есть сложности в получении пары полностью идентичных интегральных
транзисторов. В ИС-ДУ используют пары транзисторов (VI, V2, см.
рис.4.7), различие в параметрах которых может достигать 5-10 % [7]. Это
приводит к тому, что реальный ДУ оказывается несбалансированным при
отсутствии входного сигнала. На рис.4.9 приведены выходные характери­
стики реального (кривая /) и идеального ДУ (кривая 2). Реальная ха­
рактеристика смещена по отношению к идеальной на величину входного
напряжения смещения нуля исыо (положительного или отрицательного).
Наличие (¡шо означает, что при отсутствии сигнала на входе (Цл = 0) ха­
рактеристика 1 не проходит через нуль (Г/вых * 0), а имеется напряжение
ошибки Д(/вых на выходе. Чтобы сбалансировать реальный ДУ при отсутст­
вии сигнала (сделать (/вых= 0), на вход усилителя при помощи специальной
схемы балансировки подается напряжение Г/см<). Входное напряжение сме­
щения исмо является параметром ДУ и во многом определяет его качество.
Величина исмо находится в пределах 1 - 10 мВ [ 2,7].

Рис. 4.9
 134

Причин появления ошибки несколько. Основная причина - некото­

рая неидентнчность следующих параметров пары транзисторов:
1. Различие входных характеристик транзисторов Vl9 V2 (рис.4.10,
а). При равных токах баз (/6i= #<п) напряжения на базах Ucu U&. отличаются
на Д(/<*.

2. Различие коэффициентов усиления тока базы, Р| * р2. При одина­

ковых токах эмиттера, равных /« / 2, требуются разные токи баз, /$\ * /¿:
(рис. 4.10,6), а это приводит к разнице базовых напряжений наД(/г" Раз­
ность входных токов Д1с является параметром ДУ и составляет доли мик­
роампера.
3. Различие коллекторных сопротивлений (не превышает 1 %). При
этом для балансировки необходимо также неравенство токов коллекторов,
/К1 * /к2, поскольку для балансировки требуется равенство 1К\ЯК\ =
Следовательно, требуется дополнительно вводить в базовую цепь смеще­
ние М/с"'. Сумма составляющих Д^сЛ Д^п", М/сш со своими знаками и
представляет, в основном, величину (/см0:
Г/см(,= + Д*/«"+ ЬЩ " (4.23)
Это постоянная ошибка во входной цепи. Ее легко скомпенсировать,
как будет показано ниже.
Существенное влияние на показатели качества ИС-ДУ оказывает
температурный дрейф нуля, который определяется температурным дрей­
фом разности базовых напряжении 1с / ДТ. У высококачественных ДУ
Д(/б/ДГ не превышает 1 - 5 мкВ/град [6,7].
 135

Кроме указанных ошибок вклад в общую ошибку ДУ могут вносить

ошибка от синфазного сигнала, ошибки от колебаний источников питания
£>, временный дрейф входного тока и входного напряжения [7].
Балансировка ИС-ДУ. Основную долю в исы0 вносят Д(/б', А/<•» (см.
рис.4.10). Минимальную ошибку можно получить при раздельной компен­
сации А(/6\ Д/б (Аиб"). Однако схема балансировки при раздельной ком­
пенсации получается слишком сложной. На практике часто используется
более простая схема балансировки (рис. 4.11), обеспечивающая достаточно
хороший результат.

Необходимое напряжение для компенсации снимают с потенциомет­

ра Я4 и подают на один из входов (вход 2 на рис.4.11). Потенциометр Я4
должен обеспечить получение разнополярного напряжения компенсации,
для чего в среднем положении движка потенциометра напряжение на нем
должно быть равно нулю по отношению к общей точке. Резистор ЯЗ имеет
большое сопротивление (/?з » Я2). Для точной балансировки имеет значе­
ние соотношение эквивалентных сопротивлений Я ^ входов 1 и 2 с
учетом всех внешних резисторов (Я 1, Я2, ЯЗ и т.д.) и входного дифферен­
циального сопротивления /?вх.д. Например, Я-^а ~ /?г11/?з11Двх.д- Опти­
мальное соотношение Я^\ и квг зависит от величины разностного входно­
го тока А/б , и для каждого ДУ имеется свое оптимальное соотношение.
Поэтому практически обеспечить оптимальное соотношение трудно. Хо­
роший результат получается и при равенстве
Я^кн1 —Лкв2» (4.24)
которое и рекомендуется выполнять во всех случаях, если не удается или
нецелесообразно получение оптимального соотношения.
 136

4.3. Улучшенные варианты ИС-ДУ

Описанный выше ИС-ДУ с простой схемой является усилителем

среднего качества. Его входное сопротивление не превышает нескольких
десятков килоом, а дифференциальный коэффициент усиления находится в
пределах 10. Последнее обусловлено тем, что в режиме микротоков резко
уменьшается коэффициент усиления тока базы р. В высококачественных
ИС-ДУ применяются более сложные схемы, обеспечивающие лучшие па­
раметры. Имеется много улучшенных разновидностей схем ИС-ДУ Ниже
приводится краткое описание некоторых вариантов улучшенных схем ДУ.
Более полно и подробно они описаны в работах [7,8].

4.3.1 Модифицированная схема Дарлингтона

Модифицированная схема Дарлингтона показана на рис. 4.12. Вход­

ные транзисторы этого ДУ выполнены составными: VI, У2 на входе 1 и
УЗ, У4 на входе 2. Из дискретной электроники известно, что общий коэф­
фициент усиления составного транзистора
Ре * Ру| *Руг,

что позволяет получить высокое входное сопротивление (сотни килоом).

Дополнительные цепи утечки токов эмиттеров первых транзисторов (VI,
УЗ), состоящие из резисторов ЯЗ, Н4 (с малым сопротивлением) и диода
У5, стабилизируют входное сопротивление, уменьшая его вариации при
колебаниях температуры. ИС-ДУ с составными транзисторами на входе
 137

имеет повышенные напряжение смещения нуля £/смо и его температурный

дрейф, а также более высокий уровень шума. Поэтому такой ИС-ДУ чаще
применяется во втором каскаде усилителей, состоящих из нескольких кас­
кадов. При этом принимаются меры для уменьшения и&д и стабилизации
входного сопротивления, для чего вводят дополнительные элементы и из­
меняют схему. Составные транзисторы использованы в отечественных уси­
лителях К153УД1 А, Б (второй каскад), К140УД2 А, Б (первый и второй
каскады).

4.3.2. Сложная схема ИС-ДУ с активной нагрузкой

На рис.4.13 приведена сложная схема ДУ,использующаяся в последних

моделях высококачественных усилителей. Этот ДУ имеет сложное вклю­
чение усилительных транзисторов У2, У4 (левое плечо), УЗ, У5 (правое
плечо). Входные эмиттерные повторители (У2,УЗ) работают в режиме
микротоков, обеспечивая большое входное дифференциальное сопротив­
ление Лвх.д, малую входную емкость и малое выходное сопротивление /?Вых-
Для получения большого /?вхди Ки= 1 требуется большое значение р тран­
зисторов У2, УЗ, при этом ЛВЬ1Хэмитгерных повторителей практически ма­
ло отличается от гэ (при ЛИСт= 0):
Явых.,п*гэ = 7 --

Рис. 4.13
 ПК

Это сопротивление является сопротивлением источника сигнала для

последующей ступени ДУ, в которой транзисторы У4,У5 /?-л-/?-типа вклю­
чены по схеме ОБ. Сумма токов баз /«» транзисторов У4,У5 и коллекторов
/отранзисторов У2,УЗ (/«» +/ о = /и) стабилизируется сложным ГСТ, работа
которогр будет рассмотрена в следующем разделе. На рис. 4.13 ГСТ пред­
ставлен1условно. Каскады ОБ (У4,У5) имеют очень большое выходное со­
противление (И, = /■*). около I Мом. При идентичности параметров У4, У5
общая точка баз по высокой частоте имеет нулевой потенциал ("заземле­
на"), так как из-за высокой симметрии плеч разность сигналов в точке а
близка к нулю. В качестве высокоомных нагрузок усилительных каскадов
ОБ (на транзисторах У4, У5) используются каскады 0 3 на транзисторах
У7, У8, имеющие эквивалентное внутреннее сопротивление /*к. на уровне
сотен килоом. Интегральные резисторы И\9 ИЗ небольшой величины уве­
личивают внутреннее сопротивление каскадов 0 3 (У7, У8). Эти же рези­
сторы используются для балансировки ДУ
Применение высокоомных активных нагрузок (каскадов ОЭ в ка­
честве нагрузки) позволяет получить большой коэффициент усиления
дифференциального сигнала Кл без высокоомных резистивных дорожек,
занимающих большую площадь кристалла
Так при легко достижимых значениях гк-, = 100 кОм, р,,.,,.,, ^ 5, /, =
= 40 мкА, фт = 26 мВ получается Кл = 300 [7]. С несимметричного выхода
снимается полный дифференциальный сигнал.

4.4. Интегральные операционные усилители (ОУ)

Наибольшее распространение среди интегральных усилительных

схем получили операционные усилители (ОУ). Операционный усилитель
является универсальным аналоговым элементом. зависимости от конфи­
гурации внешних (навесных) цепей обратной связи ОУ могут использо­
ваться для выполнения большинства аналоговых функций, в первую оче­
редь традиционных математических функций суммирования, вычитания,
интегрирования, дифференцирования и логарифмирования. Кроме того, на
ОУ реализуются всевозможные усилители постоянного и переменного то­
ка, видеоусилители, усилители - ограничители, повторители (буферные
каскады), активные фильтры, модуляторы и демодуляторы, генераторы
гармонических и импульсных сигналов, генераторы линейно изменяющих­
ся напряжений (ГЛИН), ЦАП, АЦП и др.
Широкое распространение в аппаратуре средней точности получили
так называемые массовые ИС-ОУ (или ИС-ОУ широкого применения).
Главное их достоинство - сравнительная дешевизна и доступность, обу­
словленные их миллионными тиражами. Значительно в меньших коЛичест"
вах выпускаются и так называемые высокоточные ИС-ОУ частного приме­
нения. Однако следует иметь в виду, что технология производства непре­
рывно совершенствуется и по параметрам массовые ОУ "подтягиваются" к
высокоточным. В качестве примера рассмотрим ОУ массового примене­
ния.
Состав ОУ. Операционный усилитель является многокаскадным, в
его состав входят входной (первый) каскад 1ДУ, усилитель напряжения
(второй каскад) 2ДУ, третий каскад образуют выходной усилитель напря­
жения совместно с выходным усилителем мощности, генераторы стабиль­
ного тока, устройства сдвига уровня и др. Более совершенными (по усло­
вию устойчивости) являются двухкаскадные ОУ, включающие в себя
сложный ДУ с большим коэффициентом усиления (первый каскад и вы­
ходной усилитель напряжения или тока) совместно с выходным усилите­
лем мощности (второй каскад). На рис. 4.14 приведена структурная схема

Рис. 4.14
трехкаскадного ОУ. Как входные усилители напряжения всегда использу­
ются рассмотренные ранее дифференциальные усилители, качества кото­
рых целиком определяют качества ОУ. Как выходные усилители мощности
используются либо одиночные эмиттерные повторители на п-р-п-
транзисторах, либо более сложные двухтактные схемы на базе п-р-п- и р-п-
/э-транзисторов. Каскады ОУ соединяются между собой специальными
схемами сдвига уровня и перехода от дифференциальных выходов к оди­
ночному. Ниже рассмотрены наиболее распространенные схемотехни­
ческие решения ОУ (дополнительно к описанным ранее ДУ).

4.4.1. Схемы перехода от дифференциальных выходов ДУ

к одиночному или схемы приведения полного дифференциального
сигнала к одному выходу

Схемы перехода применяются для того, чтобы использовать полный

дифференциальный сигнал, образовавшийся между двумя выходами ДУ,
при переходе к одиночному входу относительно земли. Выход ОУ одиноч­
ный, значит, и вход выходного каскада ОУ тоже одиночный. Если на вход
выходного каскада подать сигнал с одного выхода ДУ (см. рис. 4.7), то по
отношению к земле сигнал этого выхода будет составлять только половину
 140

полного сигнала ДУ, развиваемого между его выходами. Во избежание по­

тери половины сигнала и применяются схемы перехода с полной внутрен­
ней отрицательной обратной связью.
Схема перехода с эмитгерными повторителями. На рис.4.15 приведе­
на распространенная схема перехода с эмитгерными повторителями
(У5У 6). Повторитель на У5 используется в цепи отрицательной обратной
связи 2ДУ (транзисторы УЗ, У4). Выходы каскада 1ДУ симметрично на*
гружаются входами 2ДУ. В левом плече 2ДУ (транзистор УЗ) образуется
параллельная отрицательная обратная связь по напряжению по цепи кол­
лектор УЗ - эмиттерный повторитель У5 - резистор Ш . Коэффициент уси­
ления этого плеча близок к единице. Сигнал с выхода эмиттерного повто­
рителя У5 вводится на вход правого плеча 2ДУ (транзистор У4) и сумми­
руется с сигналом правого выхода 1ДУ (транзистор У2). На входе У4 сум­
марный сигнал равен полному дифференциальному сигналу между коллек­
торами VI и V I Фазировка сигналов показана на схеме условно импульса­
ми.

Схема перехода в эмиттерно-связаннъгх каскадах. На рис. 4.16 приве­

дена другая схема преобразования, применяемая в ОУ первого поколения.
Второй каскад (2ДУ) в этой схеме выполнен по типу эмиттерно-связаннъгх
каскадов (см. рис. 4.3,6). Сигнал с правого выхода 1ДУ (транзистор У2)
через эмиттерный повторитель УЗ, являющийся левым плечом 2ДУ, под­
водится к эмиттеру транзистора У4 - правому плечу 2ДУ. К базе У4 под­
водится сигнал с выхода левого плеча 1ДУ (транзистор VI)- Между базой
и эмиттером У4 действует полный дифференциальный сигнал, образую­
щийся между выходами 1ДУ (между коллекторами VI, У2).
Схема перехода в ДУ с активной нагрузкой. В схеме с активной
нагрузкой (см. рис. 4.13), кроме получения высокоомНЫх активных
 141

нагрузок - транзисторов У7, У8, полный дифференциальный выходной

сигнал (между коллекторами У4, У5) приведен к одному (несимметрично*
му) выходу (коллектора У5). Для этого нагрузочные транзисторы У7, У8
включены по схеме токового зеркала, в котором У7 является ведущим (ток
1К7 - эквивалентом тока 1\ в схеме на рис. 4.6), а У8 - ведомым, зеркально
повторяющим ток коллектора У7. Коллектор У7 в отличие от схемы на
рис.4.6 соединен с базами через прямосмещенный переход база*эмиттер
У6, т е. транзистор У7 работает не в диодном режиме. Для задания токов
баз У7, У8 из цепи коллектора У7 отбирается ток /<*, в (1 + Р) раз мень­
ший, чем в схеме на рис. 4.6. Такую схему называют двойным токовым
зеркалом [8]. В режиме покоя токи плеч ДУ одинаковы и равны /«/2. Тако­
ва же величина токов нагрузочных транзисторов У7, У8. Ток выхода равен
нулю (Д/н= 0).
Пусть под воздействием входного сигнала 1/д токи баз транзисторов
У2, УЗ (токи входов) изменяются на величину Л/гь как указано стрелками
на рис. 4.13. Изменяются и токи коллекторов на величину Д/к (Д/к = рД/д)
транзисторов У4, У5 (токи выходов). Ток коллектора 1К4уменьшается, а ток
/к$увеличивается:
1%4 = /,>/2-Д/., /к5 = /о^ + Д/к. (4.25)
Выходной ток цепи Д/„ равен разности токов /К5,1&.
А/н = /К5-/«* = /К5 -/к4 = 2Д/к, (4.26)
т.к. /** = /К7(зеркальное отражение), а /К7 = /*4.
Выходное напряжение
Д^вых = Д/„ К™ « А/н я„ = 2 Д/к Л„, (4.27)
где = гк || гк* || Ян = Ян. Д(/мдх равно полному дифференциальному сиг­
налу.
 142

4.4.2. Схемы сдвига уровней

При отсутствии сигнала на входе ОУ сигнал на выходе также должен

быть равен нулю. Однако потенциал выхода ДУ, с которого сигнал переда­
ется на выходной каскад, при этом не равен нулю, а определяется режи­
мом покоя (/,со. Для согласования уровней выхода ДУ и входа выходного
каскада используются схемы сдвига уровня. Действие их основано на по­
нижении (сдвиг вниз) или повышении (сдвиг вверх) потенциала выхода
предыдущего каскада до потенциала входа выходного каскада. Наиболее
распространенные схемы сдвига уровня “вниз” и “вверх” мало отличаются
от уже описанных в подразделе 4.1.1. Схема сдвига уровня не должна вно­
сить дополнительных ошибок в работу ОУ (например, от колебаний Е^
Г 0|ср), поэтому для сдвига уровня используют стабилизированные токи.

4.4.3. Выходные каскады ОУ

Выходной каскад ОУ, представляющий собой, как правило, много­

транзисторную схему, должен обеспечивать требуемую амплитуду сигнала
на низкоомной нагрузке (т.е. иметь малое ЕВых ) Этот каскад не должен
иметь существенный собственный уход постоянного уровня, чтобы не вно­
сить заметную долю ошибки в сигналы ошибок от входных каскадов. Схе­
ма выходного каскада строится так, чтобы им можно было управлять от
одного полюса источника сигнала (с одного выхода ДУ, сдвинутого на ве­
личину напряжения покоя транзистора ДУ). Весь выходной каскад от вы­
хода до точки управления часто охватывается отрицательной обратной свя­
зью, которая стабилизирует на определенном уровне коэффициент усиле­
ния и выходное сопротивление. В качестве выходных каскадов ОУ иногда
используются выходные каскады цифровых микросхем типа ДТЛ или ТТЛ,
в которые могут включаться дополнительные элементы для улучшения па­
раметров каскада. Простейшими выходными каскадами в ОУ являются,
например, эмиттерные повторители (К140УД1(А,Б), К140УД5(А,Б)). В бо­
лее поздних разработках, особенно в ОУ второго поколения, применяются
более сложные выходные каскады, построенные на транзисторах с допол­
нительной симметрией (р-п-р, п-р-п, так называемые комплементарные
каскады), аналогичные выходным каскадам бестрансформаторных УНЧ.
На рис. 4.17,а показана часто применяемая схема выходного компле­
ментарного каскада на одиночных транзисторах VI, У2. Выходной каскад
питается от двух источников питания Еп и Е, (чаще они обозначаются Ей
Ег).Оба транзистора являются эмиттерными повторителями, что обеспечи­
вает одинаковые выходные (малые) сопротивления и коэффициенты уси­
ления для положительной и отрицательной полярностей сигнала. Такой
 143

каскад управляется однофазным сигналом ¿/вх. Удовлетворительная сим­

метрия входных и выходных сопротивлений обоих плеч в этой схеме дос­
тигается при нестрогом согласовании коэффициентов (3р.п.р и Р„_/М| (инте­
гральные />-л-/7-транзисторы, как правило, имеют худшие параметры). Для
точного выравнивания свойств обоих плеч двухтактного каскада в совре­
менных схемах применяется так называемый композитный р-п-р-
транзистор, состоящий из двух транзисторов, включенных особым спосо­
бом (УЗ и У4 на рис. 4.17,6). Интегральный композитный /м!-/?-транзистор
позволяет с помощью низкокачественного р-п-р-транзистора УЗ и обычно­
го /7-/?-я-7ранзистора У4 получить эквивалент высококачественного р-п-р-
транзистора с большим коэффициентом усиления, равным произведению
коэффициентов усиления р-п-р- и /1-/>л-транзисторов. В верхнем плече
(см. рис.4.17,6) может применяться составной транзистор VI, У2 (как на
рис.3.9) или одиночный л-/?-я-транзистор. Кроме основных усилительных
элементов, указанных на рис. 4.17, в выходные каскады для стабилизации
режима включают дополнительные элементы, например ГСТ. Нередко
применяется токовое управление выходным каскадом, например в ОУ
К140УД7, который будет описан далее.

4.4.4. Операционный усилитель К140УД1

На рис. 4.18 приведена принципиальная схема многоцелевого ОУ

типа К140УД1. Две разновидности этой схемы А и Б отличаются только
величиной напряжения источников питания ЕПу Е^ Аналогичную схему
имеет и ОУ новой разработки К140УД5 (А, Б). На рис. 4.18 пунктиром вы­
делены все узлы ОУ, рассмотренные ранее по отдельности.
Так, схема 1ДУ соответствует схеме, показанной на рис. 4.7, схема
2ДУ совместно с устройством перехода от дифференциального сигнала к
 144

одиночному - схеме на рис 4.16. Схемы генераторов стабильного тока

ГСТ 1, ГСТ 2 аналогичны схемам, изображенным на рис. 4.7. Ведущим для
обоих ГСТ является общий транзистор V5, через который протекает сум­
марный эмиггерный ток транзисторов V3, V4 второго каскада (2ДУ). При
таком включении имеет место обратная связь по синфазному сигналу, еще
сильнее уменьшается ООСС, определяемое равенством (4.21). На резисто­
ре /?, образуется напряжение сдвига вверх потенциала эмиттеров, что по­
зволяет увеличить потенциал баз V3, V4 и коллекторов VI, V2. Схема
сдвига уровня, выполненная на резисторе Ro и ГСТ 2 (соответствующая
рис. 4.2), сдвигает выходное напряжение 2ДУ (Uk4) вниз на величину покоя
UtM транзистора V4. При отсутствии сигналов на входах ОУ (9 и 10, см.
рис. 4.18) сигнал на выходе схемы сдвига (коллектор V6'), а значит, и на
выходе ОУ равен нулю. Для уменьшения нагрузки 2ДУ сигнал с него сни­
мается через эмиггерный повторитель (V7). В качестве выходного каскада
используется эмиггерный повторитель (V8). Особенностью выходного
каскада является наличие положительной обратной связи, увеличивающей
коэффициент усиления по напряжению в несколько раз. Сигнал обратной
связи с резистора Roc вводится в цепь эмиттера V61. Фазировка сигналов на
схеме показана условно импульсами. Например, при положительном сиг­
нале на выходе повышается напряжение на Roc (уменьшается отрицатель­
ное падение напряжения на Roc) и потенциал эмиттера V6', что ведет к
уменьшению тока через Ro и повышению напряжения на базе транзистора
 145

\/8. Таким образом, транзисторы У8, У6' образуют третью ступень усиле­
ния напряжения (амплитуды) сигнала, коэффициент усиления напряжения
Кг этой ступени не превышает 5 (по условиям устойчивости) [7] Парамет­
ры ОУ приведены в табл.4.1.

4.4.5. Операционный усилитель К140УД7

На рис. 4.19 приведена принципиальная схема двухкаскадного уси­

лителя второго поколения типа К140УД7, в которой использованы новые
схемотехнические решения и достижения технологии линейных ИС, в ча­
стности ИС-транзисторы р-п-р-типа высокого качества. Первый каскад
этого ОУ выполнен по сложной схеме, приведенной на рис.4.13 (обозначе­
ния элементов входного ДУ такие же, как на рис. 4.13). Стабилизация то­
ков в схеме осуществляется стабилизатором (ГСТ) сложной формы (тран­
зисторы VI, У9, У10, V I1, V12, У15 и резистор 115). Ведущий ток ГСТ - /|,
задается цепью из двух ведущих транзисторов (в режиме диода) VIО, VII
и резистора Я5. Пара идентичных транзисторов VI О, VI2, транзистор V I1
и резистор Я5 стабилизируют ток Л, входного ДУ (ток /« отражает в мас­
штабе ток /|). Ток А, представляет сумму токов баз /<ютранзисторов У4.У5
и токов коллекторов А»*транзисторов У2,УЗ , т.е. /о является суммой токов
эмиттеров транзисторов У4,У5 (или У2,УЗ), как и в схеме на рис 4.18:

Л) = Азо + А> = Ла + ^5 = ^2 + Лз ( 4.28)

Ток /и - это ток коллектора транзистора У9, а У9 является ведомым
в ГСТ, состоящем из пары идентичных транзисторов VI, У9 Через веду­
щий в этой паре транзистор VI, работающий в режиме диода, протекает
сумма токов коллекторов транзисторов V2, V3:

А) 'к, ^к2 4" Асз • ( 4.29)

Токи баз 7*4, /г>5 (7с>2, Ли) и токи коллекторов /К4, /К5 (/к2> /кз) автомати­
чески (как и в схеме на рис. 4.7,4.18) устанавливаются на уровне

I - 1 . - 1 - Аэо _ А)
си Л5 г. 2 2(1 +Р)’

1/ к4 = /1к5 ~ 1Iк - !л> —1П

/ •

ГСТ, образованный парой идентичных транзисторов Vil, VI5, ста­

билизирует ток коллектора Iv\* транзистора VI5 Транзистор VI5 является
ведомым в этой паре и его ток /к^ повторяет (отражает) ток ¡\
 Таблица 4.1
Труп- Тип ОУ Коосс, (/«.о, м и Л»х, /.X, Л/.Х, и, Аютр 1**и#2,
пы тыс. дБ мВ мкВ/град МОм нА нА МГц В/мкс (/вых), В
ОУ мА
К140УД5 2,5 60 5 20 0,05 5000 1000 8 6 6 ±12,6
1 К140УД6 50 80 5 20 2,0 50 10 1 3 3 ±15
К140УД7 50 100 5 6 0,4 200 50 1 1 3 ±15
К553УД5 1000 100 1 100 20 3,5
К140УД13 0,01 90 0,05 0,5 0,5 0,2 0,01 3 ±15
2 К140УД17 200 106 0,07 3 12 6 0,4 0,1 5 ±15
К140УД24 1000 120 0,005 0,05 0,01 2 2,5 5 ±15
К140УД11 30 80 10 250 200 15 50 15 ±15
3 К154УД4 10 74 6 1500 500 30 400 7 ±15
К544УД2 20 ^ 70 30 1000 0,5 0,1 15 20 7 ±15
К574УД1 100 90 20 ю4 5 0,5 18 90 8 ±15
4 К140УД12 200 70 5 10 5 1 0,3 0,1 ±0,5+18)
К1407УДЗ 20 100 5 5 1000 50 3 0,5 0,1-2 ±(2+12)
5 К1408УД1 70 70 8 40 10 0,8 2 (100) ±27
К157УД1 50 70 5 50 400 100 0,5 1.5 (1000) ±15
Иде-
аль- СО 00 0 0 оо 0 0 0
 147

^к!5 “ / |5 + /|5 “ Л (4.30)

В двухколлекторном транзисторе VI5 полный ток коллектора /К|5

(/К15= et 15 Д15) распределяется между коллекторами 1, 2 на токи /,'5, /"5,
пропорционально площадям коллекторных /г-н-переходов. И это распреде­
ление остается постоянным. Ток /¡5 участвует в токовом управлении вы­
ходным каскадом. Второй каскад выполнен на транзисторе V16 (по схеме
ОЭ). Этот каскад является генератором тока, пропорционального входному
дифференциальному сигналу UAна входах ДУ (выводы 2, 3). Уже выход­
ной сигнал ДУ является токовым - Д/„ (см. рис. 4.13). Этот сигнал (А/„)
усиливается эмиттерным повторителем на V14 и подается в базу V16
(Д/о1б= Д/,1* (1 + Ры))- Ток Д/(Ч6 усиливается транзистором V16 (Д/Кк,= А/„ х
х (1 + ры) • р,Д
Токовое управление выходным каскадом. Выходной каскад на тран­
зисторах V21, V23 аналогичен каскаду на рис.4.17,а, показанному и опи­
санному в подразделе 4.4.3. Для уменьшения искажений (задания режима
АВ) постоянный потенциал баз V21, V23 разнесен на величину 2(/(ы, ста­
билизированную источником малого опорного напряжения (транзисторы
VI7, VI8), включенного между базами точно так же, как диод D на рис.3.9.
 14«

К цепям баз выходных транзисторов V21. V23 подключены два генератора

тока
1 Часть тока/и* ( /¡* )
/ ; ч - / кИ 'Г* (4 3П
2 Часть тока /К!,. (за вычетом тока /,%). усиленная эмитгерным по
вторителем на V19:
<Лчб-/Г*Х1 + Р,*> <4.32i
Величина токов баз foi, /год выходных транзисторов определяется
разностью токов генераторов тока (4 31), (4.32), а не напряжением предо-
конечною каскада, как на рис. 3.9. При этом ток /¡5 (4 31) не изменяется, а
только перераспределяется (под управлением VI6) между цепями базы
V21 и коллектора V16 (через транзистор VI9).
В режиме покоя токи (4.31) и (4.32) равны. Токи эмиттеров транзи­
сторов V2I.V23 также равны, Vbыч= 0. При этом ток /¡5 полностью проте­
кает в коллектор VI6 (через VI9). При увеличении отрицательного сигнала
выхода ДУ (Д/„ < 0) уменьшается ток /к\ь Ток /¡^ переходит (вытесняется)
в базу VT21 на величину, равную уменьшению /К|6, умноженную на
(1+Рм.)-
*^Г»21 = ^к1б(* + Pl»)^ •
Повышается ток коллектора (эмиттера) V21 и на выходе увеличива­
ется положительный сигнал. Для получения максимального положитель­
ного сигнала на выходе (+Г/ВЫчма\) ток /,'5 должен быть не менее foi

Л'5^А621шах
В режиме покоя ток foh i должен быть не менее следующей вели-
чины:
/ Aï /wax
г» 1 '(vM (4 33)
*kJîi1—' IV ‘
Л+Р>9>
При увеличении положительного сигнала выхода ДУ (Д/,,^ 0) увели­
чивается ток /, сверх тока покоя (4 33) (сверх тока /,%) Разница
(/к|с, /|%)(1 ь Р|9) - /¡5 втекает в коллектор У16 из базы У23. Повышается
ток коллектора (эмиттера) У23. На выходе увеличивается отрицательный
сигнал. Для получения максимального отрицательного сигнала ток /к^
должен увеличиваться сверх тока (4.33) на величину, не менее /<ц*тих-

^б21шд\
^к16ш«х —
1+ Pl9
 149

Затяга выхода ОУ от перегрузки. Элементы V20, RIO осуществляют

защиту выхода ОУ от короткого замыкания (от перегрузки) при положи­
тельном сигнале. При большом положительном токе выхода в результате
падения напряжения на RIO открывается транзистор V20, который шунти­
рует вход транзистора V21, предотвращая дальнейшее нарастание тока вы­
хода. Защита выхода от короткого замыкания при отрицательном сигнале
выполняется элементами V22, R ll, V24, R9, VI3 При большом отрица­
тельном выходном токе в результате падения напряжения на RI 1 открыва­
ется транзистор V22. Ток транзистора V22 усиливается транзистором VI3,
производится шунтирование входа эмиттерного повторителя V14 и второ­
го эмиттера транзистора VI9, что предотвращает дальнейшее увеличение
сигнала на входе транзистора V23, а значит, и увеличение выходного тока.
Параметры ОУ типа К140УД7 приведены в табл. 4.1.

4.4.6. Программируемые ОУ
Программируемым называют ОУ, важнейшие параметры которых
(Яод Литр и др.) могут изменяться (программироваться) при помощи
внешнего сигнала управления (сигнала установки). На рис.4.20 приведена
упрощенная схема программируемого ОУ типа К1407УД3. Этот ОУ явля­
ется широкополосным с малым уровнем шума. На упрощенной схеме не
указаны неглавные компоненты (обслуживающие компоненты). Схема ОУ
содержит три каскада:
1- й каскад - 1ДУ на транзисторах VI, У2 с резисторными коллек
торными нагрузками Rl, Я2, аналогичен ДУ на рис. 4.5,4.7;
2- й каскад - 2ДУ на транзисторах УЗ, У4 с активной нагрузкой
(ГСТ 3), аналогичен схеме ДУ на рис. 4.13;
3- й каскад выполнен на транзисторах У5, У6 и является усилителем
тока. В этом каскаде происходит перераспределение стабилизированных
токов /4, 1$ между базами выходных транзисторов У7, У8 и транзисторами
У5, У6. Эта часть схемы представляет еще один распространенный в ОУ
вариант токового управления выходным каскадом. Все токи в схеме, кроме
цепи выходных транзисторов У7, У8, стабилизированы. ГСТ 1 стабилизи­
рует ток эмиттеров транзисторов VI, У2 (1ДУ), точно так же, как в схеме
на рис 4.7. ГСТ 2 стабилизирует ток эмиттеров транзисторов УЗ, У4 (2ДУ).
ГСТ 3 выполняет функции активной нагрузки 2ДУ. ГСТ 4 стабилизирует
ток и , являющийся суммой тока эмиттера У5 и тока базы УГ*
и = Л>5 + Ли*
ГСТ 5 стабилизирует ток /5, являющийся суммой тока эмиттера У6 и
тока базы У7:
h ” Л>6 + ^б7*
 150

Рис. 4.20

ГСТ 1 ... ГСТ 4 выполнены по схеме, показанной на рис 4.6,б, т.е. в

этих ГСТ выходной (ведомый) повторяет (отражает) задающий ток в мас­
штабе (к не равно 1). ГСТ 5 выполнен по схеме на рис 4.6,а.
Работа схемы. Работа 1ДУ и 2ДУ подробно описана ранее. Выход­
ной каскад (УМ) управляется током. В схему токового управления входят
стабилизаторы тока ГСТ 4, ГСТ 5, транзисторы У5, У6 и выходные тран­
зисторы У7, У8. Транзисторы У7, У8 образуют двухтактный усилитель
мощности класса АВ по схеме, показанной на рис. 4.17,а. Выходной сигнал
с выхода 2ДУ (с коллектора У4) Л/мо.4 поступает в базы транзисторов У5,
У6, соединенные параллельно.
При увеличении сигнала Д/мо.4 положительной полярности ток
эмиттера транзистора У5 повышается, а ток базы /« транзистора У8
уменьшается (от тока покоя Дм небольшой величины). Ток /ю быстро
уменьшается до нуля и весь ток /4переводится в цепь эмиттера У5. С этого
момента Дз = Д и увеличиваться больше не может. С этого же момента ус­
танавливается ток ГСТ 5 - /з ш /*5 = Д . Сигнал ДДщ.4 положительной по­
лярности является закрывающим для транзистора У6, ток его коллектора
/* уменьшается и точно на такую же величину увеличивается ток базы 1&
транзистора У7 (ДД735 -АМ- Увеличивается выходной ток /,7 транзистора
 151

VI. При токовом управлении выходное напряжение £/вых определяется ве­

личинами выходного тока (/,7) и сопротивления нагрузки /?„:

^вых = Дых *К* •

Ток /Э7 и [Дых растут до тех пор, пока не закроется транзистор У6 и
весь ток Д не будет переведен в базу У7 (/<57= /5 = Д). При этом /вых и ¿Дых
достигнут максимального значения.
При увеличении ДДых.4 отрицательной полярности ток транзистора
У6 быстро достигает величины Д (/эв = А) и больше не изменяется (при
этом /57= 0). Транзистор У5 начинает закрываться, его ток Д5 уменьшается
и ток А переводится в базу транзистора У8 (точно так же, как при проти­
воположной полярности ДДых.4 ток Д переводился в базу VI). В результате
растет отрицательный ток выхода - и отрицательное напряжение выхода
(£Дых = Дв • Ян). Максимального значения отрицательной полярности вы­
ходной сигнал (/вых, £Дых) достигает после полного закрывания транзистора
V5 и перевода всего тока Д в базу У8 (Дв = Д). Максимальные токи баз вы­
ходных транзисторов равны и определяются током Д:
^68шах = Л>7тах = А •
Резистор ЯЗ в цепи коллектора транзистора VI является элементом
(частью) цепи зашиты VI от перегрузки (к.з.), аналогичной цепи защиты в
схеме на рис 4.19.
Программирование режима. Все ГСТ в схеме взаимосвязаны: выход­
ной ток одного ГСТ является входным током другого. Ток выхода ГСТ 5 Д
определяется величиной тока Д (при положительном сигнале Д = А). Ток
выхода ГСТ 4 Д - входным (задающим) током ГСТ 1. Ведущий транзистор
в ГСТ 1 и ГСТ 4 общий, как в схеме на рис. 4.18. Выходной ток ГСТ 2 Д
задается суммой токов коллекторов транзисторов VI, У2, т.е. Д тоже зада­
ется током ГСТ 1. Таким образом, при изменении задающего (входного)
тока ГСТ 1 пропорционально ему изменяются токи всех ГСТ. Входной (за­
дающий) ток ГСТ 1 через вывод 1 задается от внешнего источника и явля­
ется током управления Дпр (или установки Дет). На рис 4.20 вывод 1 через
резистор Яупр подключен к шине +£„ (цепь указана пунктиром), т.е. задан
постоянный ток /улр и тем самым задан постоянный режим ОУ. Вывод 1
может быть подключен к устройству управления, которое может изменять
ток /улр (режим ОУ) в соответствии с заданной программой. В этом и за­
ключается программирование режима ОУ. Ток Д^ может изменяться от
единиц до сотен мкА. Изменяя величину ДлР, один и тот же ОУ можно пе­
ревести в нормальный режим с током потребления в единицы мА, или в
микромощный режим с током потребления в единицы (или десятки) мкА.
Мнкромощный режим широко используется в аппаратуре, работающей с
батарейным питанием. В паспортных данных на ОУ приводятся сведения
 152

(графики) зависимости тока потребления /ПОтрот тока управления /ущ, и гра­

фики зависимости основных параметров от тока /ПОТр

4.4.7. Разновидности ОУ
Благодаря непрерывному совершенствованию технологии производ­
ства и развитию схемотехники ОУ, значительно улучшено их качество.
Очень сильно увеличены дифференциальный коэффициент усиления КА
(до 106 и более), коэффициент подавления синфазного сигнала £оосс (до
120 дБ и более). Значительно увеличены частота единичного усиления /
(более 30 МГц), быстродействие (К (скорость нарастания выходного на­
пряжения, до 500 В/мкс) и входное дифференциальное сопротивление /?вхд
(до Ю9Ом).Значительно уменьшены входные токи /вх и разность входных
токов Д/вх (достигнут уровень /вх в десятые доли нА).Обеспечена эффек­
тивная защита выходных каскадов ОУ от перегрузки и короткого замыка­
ния. В современных ОУ широко используются супер-Р-транзисторы
(р>5000), полевые и биполярные транзисторы. Для иллюстрации упомяну­
тых выше достижений в табл. 4.1 приведены паспортные данные некото­
рых отечественных ОУ, дающие представление о качестве ОУ Там же
указаны параметры "идеального" ОУ, чтобы можно было оценить степень
приближения реальных ОУ к идеальному. Во многих случаях применения
ОУ требуется включение так называемых навесных компонентов (резисто­
ров, конденсаторов и др.). В справочниках, кроме параметров, даются ти­
повые схемы включения ОУ, на которых приводятся сведения о навесных
компонентах.
В зависимости от назначения параметры ОУ существенно различа­
ются. При практическом применении ОУ подразделяются на группы, су­
щественно отличающиеся параметрами. В табл. 4.1 ОУ размещены по
группам:
1. ОУ общего применения (универсальные) характеризуются сред­
ними значениями параметров по сравнению с максимально достигнутым
уровнем и суммарной погрешностью в пределах единиц процентов. Это
самая многочисленная группа. ОУ этой группы широко используются в
усилительных устройствах любого назначения (УВЧ, УНЧ, УПТ и др.), в
генераторах сигналов различной формы, преобразователях, стабилизато­
рах, активных фильтрах и др.
Следует отметить, что требование улучшения параметров ОУ про­
тиворечивы. улучшение одного параметра ведет к ухудшению другого.
Например, увеличение коэффициента усиления Кл ведет к ухудшению час­
тотных свойств (к уменьшению /¡). ОУ общего применения отличаются
средним значением всех параметров.
2. Прецизионные (инструментальные) ОУ характеризуются очень
большим значением коэффициентов Кд (более 106), АГсххх (более 120дБ),
 низким уровнем шума, очень малым смешением нуля ГсмП (до 5 мкВ),
пренебрежимо малым дрейфом основных параметров (дрейф смещения
нуля АГСМ„ достигает 0.05 мкВ/град) и средней погрешностью не более до­
лей процента. Одни из самых высоких значений указанных параметров
имеет ОУ типа К140УД24. Его параметры уже мало отличаются от пара­
метров идеального ОУ Для ОУ этой группы характерно низкое быстро­
действие (малые /| и Щ . Основное назначение прецизионных ОУ - усиле­
ние без искажений очень слабых электрических сигналов датчиков, сопро­
вождаемых значительным уровнем синфазных, температурных и других
помех. Часть ОУ этой группы выполнена по схеме с двойным преобразова­
телем сигнала, когда слабый сигнал постоянного тока преобразуется (мо­
дулируется) в переменный, усиливается усилителем переменного тока, а
затем снова преобразуется (демодулируется) в постоянный. Этот процесс и
ОУ сокращенно обозначают МДМ (модуляция-демодуляция). Двойное
преобразование сигнала применялось и в дискретных УПТ. В табл.4.1 это
ОУ типа К140УД13, К140УД24
3. Быстродействующие ОУ обеспечивают скорость нарастания вы­
ходного напряжения более 20 - 50 В/мкс. Для повышения быстродействия
в ОУ вводят дополнительный высокочастотный (ВЧ) канал, максимально
сокращают число каскадов - до двух (а ОУ типа К154УДЗ состоит из од­
ного каскада (ДУ)), используют преимущественно высококачественные
биполярные п-р-п- и /7-канальные МОП-транзисторы, широко используют
каскадное включение транзисторов и глубокие ООС. Эти ОУ потребляют
значительно большую мощность от источника питания, чем ОУ первой
группы. По основным показателям (кроме /1 и (Д) быстодействующие ОУ
уступают ОУ первой группы.
4. Микромошные ОУ могут работать в микрорежиме, который ха­
рактеризуется либо малым током потребления (единицы, десятки мкА).
либо малым напряжением источника питания (около 1 В), либо и тем и
другим одновременно. Микромощные ОУ применяются в малогабаритной
аппаратуре, в том числе с батарейным питанием, часто работающей в ре­
жиме ожидания. Как правило, это программируемые (управляемые) ОУ.
могущие работать как в микрорежиме, так и в режиме ОУ общего приме­
нения. В микрорежим они переводятся путем уменьшения тока управления
/\и,>(см. рис. 4.20) до единиц мкА. Напряжение источников питания таких
ОУ может изменяться в широких пределах ( ±1 В ±15 В).
5. Мощные ОУ имеют повышенную величину выходного тока (до
1А и более) при питании от источника с напряжением ±’5 В (К157УД1)
или повышенное напряжение источника питания (до 30 В) с выходным то­
ком до 0,1 А (К1408УД1).
 154

4.5. Применение ОУ в усилительных схемах

4.5.1. Параметры ОУ

Качество ОУ определяется его параметрами, важнейшими из кото­

рых являются: Кл - коэффициент усиления дифференциального сигнала на
низкой частоте, определяемый отношением выходного сигнала ОУ к вход­
ному сигналу 1ДУ;/| - частота единичного усиления (частота, на которой
Кл уменьшается до I): /?вх.д- входное дифференциальное сопротивление,
равное входному сопротивлению дифференциального усилителя (1ДУ);
1/смо - напряжение смещения нуля, которое определяется целиком входным
каскадом 1ДУ согласно (4.23); /вх - входной ток (ток баз транзисторов
IДУ); Д/вх - разность входных токов баз транзисторов 1ДУ; /?Ни\ - выход­
ное сопротивление, определяемое выходным каскадом; ООСС - отноше­
ние ослабления синфазного сигнала в децибелах согласно (4.21); Е{ Е^ -
номинальные напряжения питания (на рисунках обозначены Еп /ь); /,|от -
ток, потребляемый от источников питания; Ищи* - амплитуда выходного
сигнала; Г/вхл ~ допустимое входное дифференциальное напряжение;
1/вх.сннф- допустимое входное синфазное напряжение согласно (4.19).
Полный набор параметров ОУ содержит не менее 20 наименований
[7], однако не все они даются в справочниках. Например, в табл. 4.1 приве­
дены параметры рассмотренных ранее ОУ, взятые из технических паспор­
тов, в ней для сравнения указаны параметры идеального ОУ
Идеальный ОУ. Для оценки качества ОУ широко используют поня­
тие "идеальный ОУ" Свойства идеального ОУ определяются идеальными
параметрами, приведенными в табл. 4.1. Конечно, эти свойства полностью
не могут быть достигнуты, поэтому в каждом случае судят лишь о степени
приближения параметров данного ОУ к идеальным параметрам. Идеальные
параметры широко используются и в теории, что намного упрощает рас­
четные формулы. На рис. 4.21 приведена выходная (передаточная) харак­
теристика идеализированного ОУ с конечным КЛ\ оо) и идеальными
остальными параметрами (кривая 1). У нее имеется область воспроизведе­
ния АН с постоянным Кл. Кривой 2 представлена выходная характе­
ристика реального ОУ. Она смещена на величину {/«,». При приближении
выходного сигнала к ±^/ВЫх.»пх Кл уменьшается.
Отрицательная обратная связь и параметры ОУ. Практически во
всех схемах операционные усилители используются с отрицательной об­
ратной связью (ОС), осуществляемой при помощи навесных элементов.
ОС играет определяющую роль в использовании ОУ: с ее помощью фор­
мируются параметры и характеристики схем с ОУ, устраняются или ослаб­
ляются отрицательные свойства отдельных звеньев. На рис. 4.22,а приве­
дена общая схема включения ОУ с ОС, в которой цепь обратной связи об-
 133

разована резисторами /?1 и Лос. При больших значениях Кл усилитель

идеализируют и принимают /„ = 0, £/«= 0, /1 = -/<*, «>.
Например, при К#** 104 и £/,*« = 10 В £/« составляет всего 1 мВ, т.е.
максимальный сигнал на входе не должен превышать 1 мВ. Приняв потен­
циал точки 2 равным нулю (так как £/вх = 0), можно найти, что 1\ = £/|/7?1,
/ос =* и»их/Яос- Подставив эти значения в равенство 1\ = /ос, легко найти

т.е. коэффициент усиления не зависит от свойств ОУ, а целиком определя­

ется цепью обратной связи. Остальные параметры ОУ также изменяются
под влиянием ОС. При введении ОС операционные усилители становятся
универсальными,- благодаря чему и находят широкое применение в качест­
ве: усилителей напряжения и тока с постоянной составляющей; решающих
усилителей, буферных усилителей, масштабирующих усилителей; усили­
телей переменного тока, Усилителей рассогласования в САР, генераторов
гармонических колебаний, прямоугольных импульсов и пилообразного на­
пряжения; элементов преобразователей код-аналог и аналог-код; стаби­
лизаторов напряжения и ДР.
Режим работы ОУ может быть непрерывным и импульсным. В не­
прерывном режиме ОУ с ОС может быть включен в одном из трех режи­
мов: инвертирующем, неДОвертирующем, дифференциальном.
В соответствии с ГОСТ 2.743-91 ОУ как элемент схемы обозначается
так, как показано на рис. 4.22,6. Почти так же обозначается и любой
 15(.

Рис. 4.22

другой усилитель (в том числе и транзисторный). Разница только в вели­

чине коэффициента усиления после треугольника (у ОУ - ос, у любог о дру­
гого усилителя конкретное число). Например, на рис. 4.22.в показана
схема всего усилителя (рис. 4.22,6 включая ОУ и цепь обратной связи) с
Л',к = 10. Для устранения затруднений в “узнавании'’ ОУ как элемента схе­
мы в пособии принято ‘ старое” обозначение ОУ, как на рис. 4 22,а.

4.5.2. Инвертирующее включение ОУ

Так называют включение, при котором выходной сигнал //И14ч сдви­

нут по фазе на 180° (находится в противофазе) по отношению к усиливае­
мому сигнал> Принципиальная схема инвертирующего включения ОУ
приведена на рис. 4.23 (номера выводов соответствуют номерам вывода
о У типа К140УД6. К140УД7) Вход ОУ, на который подан усиливаемый
сигнал ( (конг 2),называют инвертирующим и обозначают знаком «О»
Раньше его обозначали значком Другой вход ОУ (конт 3) называют
нсинвер1иру10|цим Раньше его обозначали значком Нсинвертирую-
ппш вход в гг011 схеме заземлен (имеет нулевой потенциал). На схеме ОУ
лоино прсгсгавлен его параметрами, заключенными в треугольник.
1ЛО-ШЫМ дифференциальным сопротивлением /¿мчл дифференциальным
ко)ффицието\1 усиления Кл. выходным сопротивлением И,. Отрицатель­
ная обратная связь всегда включается между выходом 6 и инвертирующим
входом 2. 11а рис 4.23 ОС образована резисторами Кос. /И
Параметры инвертирующего усилителя определяются цепью ОС и
свойствами ОУ Для упрощения анализа и расчетов ОУ считают идеаль-
 157

ным. Для схемы на рис. 4.22 очевидны равенства:

и» -и *
/ос Л =/«х + Аос
1— ¡ г Кос

Для идеального ОУ (/„= 0, /„= 0 , Кл= » , тогда

Л -/о с - (4.35)

Из равенств (4.35) легко находятся параметры инвертирующего уси­

лителя:
I. Инвертирующий коэффициент усиления

К, Чш Дос _ Л _ (4.36)
Ух К\ Уос

б в
Рис.4.23
 158

В разделе обратной связи Кт - это коэффициент усиления Кос усилителя,

охваченного глубокой отрицательной связью с коэффициентом обратной
связи уос В соответствии с (2.104) КЮ
1= АТ«*= 1/уос-
При изменении сопротивления Дос в пределах 0 < Дек.' < « коэффи­
циент Кт изменяется в пределах 0 < КЮ {< Кл. Практически Дос не может
выбираться малым, так как в него ответвляется часть выходного (весьма
небольшого) тока, уменьшая ток нагрузки.
Для реальных ОУ (Кя < ») коэффициент Кюч> несколько меньше оп­
ределенного по формуле (4.36):

I— (4.36')
1+ Хл'Уос
*Л-Г«г
Для современных ОУ А'инр очень близок к Кт .
2. Входное сопротивление Двхин легко находится с учетом (4.35) и
того, что потенциал точки 2 равен нулю (так как (/вх= 0):

Д ^ -Д р (4.37)

Для реальных ОУ ((/вх * 0) потенциал точки 2 отличен от нуля, по­

этому Дпх„,фчуть больше Д| [7,8]:

Л.х.»ф=Я| + ^ | | ( Л . х.д + Л2). (4.37)

3. Выходное сопротивление Двых.ин находится с учетом свойств ОС

по напряжению:

Д- */ (4.38)
1+ ‘Уос
при Кл эо, ДВЬ1ХИН ^ 0
4. Ошибка на выходе (/отин обусловлена напряжением смещения ну­
ля I/см<» и разностью входных токов /вх входного дифференциального кас­
када (1ДУ). Синфазный сигнал на входах этой схемы отсутствует (Г/Сф= 0).
Величина Нат-т зависит от величин сопротивлений Дь Д2, Д(х:. Минималь­
ная величина ошибки [7,8]

^^ош.ин ” ^смО 1+ ^ с | + д г«X ^ос (4.39)

*4
получается при выполнении условий балансировки:
Л1||Лос = Л2.
 159

Резистор R2 включается для балансировки, величина сопротивления

Ri определяется из условия балансировки. Если условие не выполнено, ве­
личина ошибки увеличивается по сравнению с полученной по формуле
(439).
Инвертирующее включение ОУ используется в масштабных (с за­
данным коэффициентом Кт ) и суммирующих усилителях. Простейшей
схемой масштабного усилителя является инвертирующий повторитель
сигнала (см. рис. 4.22), в котором Ri = Roc = Я, поэтому согласно (4.36)
Кт = -1 и -U\. Инвертирующее включение используется и во многих
других схемах [7].
Инвестирующий сумматор. Подключив несколько источников сиг­
нала к инвертирующему входу схемы на рис. 4.23,а, можно произвести до­
вольно точное суммирование входных сигналов (с одновременным усиле­
нием суммы сигналов). Такую схему, приведенную на рис. 4.23,в, называ­
ют инвертирующим сумматором. С учетом идеальности ОУ можно полу­
чить равенства, аналогичные (4.35):
+...+ /„
Ишь , - 1А , Л I , (4.40)
'ос
Кос
Подставив значения токов в первую строку, легко получить равенст­
во
С «»

Выходное напряжение Î U равно сумме входных сигналов ?/|, (/2,

..., IJ„ с их весовыми коэффициентами = RaciR* с противоположным зна­
ком. Если все сопротивления равны (Ri = Ri = = Rn = R \ то (4.41) упро­
щается:
(4.42)
или при Roc = R

Для выполнения условий балансировки (4.24) необходимо выполне­

ние соотношений

или

R\ R2 Kqc
 160

4.5.3. Неинвертирующее включение ОУ

Схема неинвертирующего включения ОУ приведено на рис. 4.24,а.

Усиливаемый сигнал 1/| подается на неинвертирующий вход 3. Выходной
сигнал ¿/»ых находится в фазе с И\. Отрицательная обратная связь между
выходом и инвертирующим входом 2 образована резисторами Яос, К1. Ус­
ловные обозначения внутри треугольника те же, что и на рис. 4.23.
Параметры неинвертирующего усилителя определяются цепью ОС и
свойствами ОУ, который считается идеальным. С учетом идеальности ОУ
для схемы на рис. 4.24,а очевидны равенства:

которые позволяют легко найти параметры неинвергирующего включения:

1. Неинвертирующий коэффициент усиления

(4.43)

где уос = — —-------коэффициент обратной (отрицательной) связи неин-

Rqc+Ri
ьергирующего включения ОУ на рис. 4.24,а. При изменении сопротивле­
ний /?|, Ruc коэффициент К1ти изменяется в пределах I < К ж < Кл. Для ко­
эффициента справедливы замечания, сделанные по отношению Кт
(4.36).

а б

Рис. 4.24
 161

2. Входное сопротивление Rшк.ииинаходится с учетом свойств отрица­

тельной обратной связи последовательного типа по входу:

+ > * * « -£ -• (4 44)
Ч Лнил
ЯвхнинТем больше, чем больше у ^ . Это является важным свойством
неинвертирующего включения.
3. Выходное сопротивление /¿вмхнин такое же, как при инвертирую­
щем включении, и определяется равенством (4.38) с учетом величины
Уоси-
я,ВЫХ.ИИ'
1+ ^дГосн
4. Ошибка на выходе (/ош.нин определяется также величинами (/см» и
Д/вх (как для инвертирующего), но добавляется ошибка от синфазного сиг­
нала Г/син, т.к. на входах этой схемы всегда присутствует синфазный сигнал
[7,8].
А^ош.нин = (^ ш0 + Аи он XI + ) + А/вх ’ Яос (4.45)
К1
при выполнении условия балансировки Я2 = Я|||Яос. Величина синфазного
сигнала всегда равна Uu так как 0ЪХ= 0, потенциалы входов 2 и 3 одинако­
вы и равны U\.
Неинвертирующее включение ОУ используется в масштабных уси­
лителях с высоким входным сопротивлением. Часто применяется неинвер­
тирующий повторитель (Ани* = 1), называемый также буферным. В схеме
повторителя, приведенной На рис. 4.23,6, исключен резистор R\ (R\ = оо), а
величина Roc выбирается равной сопротивлению источника сигнала (для
балансировки). Выбор Roc - 0 (тоже дает = 1) не обеспечивает условий
балансировки.
Буферный повторитель, подобно эмиттерному повторителю, имеет
высокое входное сопротивление

Явх.буф■" ЯВх.д *Кд

и очень малое выходное сопр0тивление

R - рг
^ВЫХ.буф = ^ •
*д
Буферный повторитель применяется для согласования низкоомной
нагрузки с низкоомным вЫкодным сопротивлением и по эффективности
намного превосходит эмиттврный повторитель. В принципе можно на базе
 162

схемы 4.24,а построить неинвертирующий сумматор [3]. Однако в таком

сумматоре имеется взаимное влияние входных сигналов. При изменении
количества входных сигналов изменяются параметры неинвертирующего
сумматора. Эффективнее произвести суммирование инвертирующим сум­
матором, затем полученный результат еще раз инвертировать инверти­
рующим повторителем.

4.6. Частотные свойства ОУ. Понятие об устойчивости ОУ

Из предыдущего анализа следует, что ОУ в схемах используется с

довольно глубокой отрицательной обратной связью (ОС). Коэффициенты
усиления с ОС определяются формулами (4.36), (4.43). Однако эти соот­
ношения выполняются в области низких частот (до 200 кГц в ОУ типа
К140УД1В). В области более высоких частот коэффициент усиления ОУ
К{/) (зависит от частоты) падает и глубина Т7 обратной связи уменьшается.
Наряду с уменьшением коэффициента усиления на высоких частотах уве­
личивается разность фаз <р выходного сигнала относительно входного. На
низких частотах разность фаз <р между выходным сигналом и сигналом ин­
вертирующего входа (на который подается П\) равна 180°, а на высоких
частотах разность фаз увеличивается и становится больше 180° При при­
ближении разности фаз <р к 360° отрицательная ОС переходит в положи­
тельную и ОУ может самовозбудиться (потерять устойчивость). Для пре­
дотвращения самовозбуждения (для повышения устойчивости) ОУ коррек­
тируют частотную характеристику. Для каждого ОУ коррекция произво­
дится с учетом его конкретных свойств. Ниже дается краткое определение
критериев устойчивости и рассматривается порядок проведения коррекции
с использованием диаграмм Боде.

4.6.1. Асимптотические ЛАЧХ и ФЧХ (диаграммы Боде)

одиночного каскада

В состав ОУ входит несколько каскадов. В области высоких частот

коэффициент усиления каждого каскада уменьшается, начиная с частоты
среза /ы - верхней граничной частоты каскада. Этот спад обусловлен па­
разитными емкостями и частотными свойствами интегральных транзисто­
ров. В области высоких частот такой каскад можно представить эквива­
лентной схемой, приведённой на рис. 4.25,а, а его частотная характеристи­
ка определяется формулой
 163

(4.46)

Из уравнения (4.46) можно получить амплитудно-частотную и фазо-

частотную характеристики (ЛАЧХ и ФЧХ) в логарифмическом мас­
штабе [7,8]:

(4.47)

Под ф понимают дополнительный фазовый сдвиг в области высоких час­

тот к низкочастотному фазовому сдвигу в 180°.

а б
Рис. 4.25

На рис. 4.25,6 ЛАЧХ и ФЧХ (4.47) представлены пунктирными ли­

ниями, сплошными линиями изображены асимптотические диаграммы,
или диаграммы Боде [7, 8]. № рис. 4.25 и формул (4.47) следует, что соот­
ношения (4.36), (4.43) справедливы только до частоты среза^. Начиная с /п
происходит спад ЛАЧХ с крутизной 20 дБ на декаду, а разность фазы <р
довольно быстро увеличивается на 90° (в пределах двух декад частоты). На
частоте среза^ фазовый сдвиг ф = 45°. Однако на диаграммах Боде прини­
мают, что ф меняется скачком на 90° на частоте среза / Л9 т.е. ФЧХ можно
изображать на диаграммах Боде графиком 1 или 2. Одиночный каскад яв­
ляется абсолютно устойчивым.

4.6.2. Асимптотические ЛАЧХ н ФЧХ (диаграммы Боде)

некоррелированного ОУ. Понятие об устойчивости

Каждый каскад ОУ имеет частотную характеристику вида (4.46) с

разными частотами среза. Результирующая частотная характеристика мо­
жет быть представлена в виде произведения (для трех каскадов):
 164

¿ О о > )= * 1 * 2 *э = (4.48)

которому соответствуют идеализированная ЛАЧХ и ФЧХ всего ОУ:

где Ко —Ко\ • Кщ • Коу

На рис.4.26 сплошными линиями показаны диаграммы Боде ЛАЧХ и
ФЧХ (4.49), а пунктирными - диаграммы Боде отдельных каскадов с час­
тотами срезаЛьУ^Лз- Диаграммы Боде на рис. 4.26 соответствуют опера­
ционному усилителю типа К140УД1А {/ь\ = 0,2 МГц,/2 = 2 М Гц,/з = 20
МГц). Крутизна спада ЛАЧХ в диапазоне частот/| -/& равна 20 дБ на де­
каду (как в одиночном каскаде), в диапазоне/2 -Лз - 40 дБ, а в диапазоне
более/ >Лз - 60 дБ/дек. Фазовый сдвиг на/ш\ составляет 90°, на/2 - 180°,
н а /з - 270°. Такую частотную характеристику называют трехполюсной.
Данную характеристику имели ОУ первого поколения. ОУ второго поко­
ления имеют двухполюсную характеристику. В дальнейшем рассматрива­
ется коррекция трехполюсного ОУ, однако все выводы могут быть исполь­
зованы и для двухполюсных ОУ.

Рис. 4.26
 165

При введении ОС коэффициент усиления ОУ, охваченного ОС, оп­

ределяется формулой
К (№ = Кры)
(4.50)
1-Уос К (№ ¡7
где К((о) определяется по формуле (4.48), а у()с - элементами цепи об­
ратной связи по формулам (4.36), (4.43). Обычно ОС осуществляется при
помощи резисторов и поэтому не вносит фазовых сдвигов. На рис. 4.26 по­
казана диаграмма для |£пс|| с коэффициентом обратной связи >(*т !АГск:11
постоянен в соответствии с (4.36), (4.43) только до пересечения с диаграм­
мой спада, причем пересечение происходит на участке, где крутизна спада
составляет 40 дБ/дек. а суммарный фазовый сдвиг <р = 180°. При этом ОС
переходит в положительную и при коэффициенте усиления, большем еди­
ницы, происходит самовозбуждение усилителя (выполняются условия са­
мовозбуждения - баланс фаз и баланс амплитуд). На базе ОУ. имеющего
ЛАЧХ, приведенную на рис. 4.26, не может быть построен усилитель с
Кос = 100 (40 дБ) и менее. Устойчивое усиление возможно только при
меньшей глубине ОС (при большем Кос), при которой разность фаз <р не
превышает 180° Границей устойчивой работы ОУ с ЛАЧХ, приведенной
на рис. 4.26, является глубина ОС с коэффициентом обратной связи уое2
(Уос2 < Ус«) и коэффициентом К{К^ равным 1000 (60 дБ). На рис. 4.26 по­
казана диаграмма Боде (ЛАЧХ) усилителя с К ы соответствующая грани­
це устойчивой работы усилителя с ОС. Эта диаграмма пересекается с диа­
граммой спада с точке ./¿2, в которой фазовый сдвиг составляет 135°, т.е.
баланс фаз не выполняется и имеется запас в 45° до предельного фазового
сдвига (в 180°). Этот запас по углу называют запасом устойчивости по фа­
зе, и он не должен быть меньше 45°. Для ОУ типа К140УД1В величина
'А'ск’г! составляет 60 дБ. Таким образом, ОУ типа К140У1В может обеспе­
чить устойчивую работу усилителя с ОС с коэффициентом усиления не
менее 1000. Для количественной оценки границы устойчивости и условий
коррекции используют петлевое усиление Дсо), которое согласно (4.50)
определяется как

П М = ^ - 1= -Уос **(./<■>) (4 51)

На низких частотах |7’(/ш)| существенно больше единицы и отрица­

тельно (т.е. имеет место отрицательная ОС). Потеря устой1ивости наступа­
ет при |7Х/со)| = 1 и ф = 180°, когда знаменатель в формуле (4.50) становит­
ся равным нулю. А при |71[/а))| = I и ф = -135° ОУ устойчив. Именно этого
условия и добиваются при коррекции с учетом заданной полосы пропуска­
ния /£ и глубины ОС (Кос)-
 166

4.63. Диаграммы Боде корректированного ОУ

При практическом применении, как правило, требуется более глубо­

кая ОС, чем уос2- При этом для предотвращения самовозбуждения необхо­
димо производить коррекцию частотной характеристики. Для проведения
коррекции делаются специальные выводы из ОУ, к которым подключают­
ся корректирующие цепочки резисторов и емкостей. Коррекция сводится к
изменению частотной характеристики ОУ (4.48) путем компенсации неко­
торых полюсов (сомножителей в знаменателе) вносимыми нулями (сомно­
жителями в числителе) и внесением дополнительных полюсов. Коррекция
всегда производится с учетом свойств конкретного ОУ. Для этого исполь­
зуют интегрирующие Ж -цепи или дифференцирующие цепи. Наиболее
общим является включение интегрирующих фильтров в качестве коррек­
тирующих цепей. Такая коррекция ухудшает частотные свойства ОУ, при
этом срезается высокочастотная часть ЛАЧХ. Схема включения такого
фильтра для К140ОУД1В приведена на рис.4.27. Фильтр образуют вноси­
мые элементы /?к, С\ и элемент каскада Я,- (обычно это выходное сопротив­
ление предыдущего каскада, для К140УД1В Я, = 10 кОм). Частотную ха­
рактеристику этого звена можно представить в виде

я к + —!— 1 + ,Х
_______ у(|)Ск _ 1+ ______/ и
(4.52)
+ 1+ Х ’
/„

где т„ = /?/'«, т* = (.'«(Я, + Я/).

Частотная характеристика ОУ с корректирующим звеном будет

иметь вид

*0-
* ( » = ________________ ч 'Л иК))_____
(4.53)
(I + 2/'/ /в тХ1 + 2Х1 + #//,3X 1 + /Г / / „ ) '
 167

Для того чтобы скомпенсировать один из низкочастотных полюсов,

обычно /В|, достаточно выбрать элементы /?к, Ск так, чтобы./^ = ./£*, для чего
необходимо
^Л — (4.54)

Тогда скорректированная частотная характеристика будет иметь вид

К (усо) = (4.55)
( • + # / / .2 XI + # / / вз XI + # / /„ )
В формуле (4.55) исчез один сомножитель в знаменателе (полюс) с
частотой среза./ы, но появился другой с частотой среза
1 I
Л ,= 2 т ., (4.56)
2яГ:.(/?,+ / ^ ) ’
которая может выбираться достаточно низкой (намного ниже /¡,2 и.Лз), что­
бы крутизна спада была 20 дБ/дек во всей полосе пропускания, а фазовый
сдвиг ф на частоте среза./в был равен 135° (с запасом устойчивости в 45°).
Для выполнения этих условий можно провести либо частную, либо
полную коррекцию. Они существенно различаются по практическим дей­
ствиям. Наиболее просто, особенно для начинающих, использовать пол­
ную коррекцию. Частная коррекция сложнее, требует больше данных и
расчетов, но обеспечивает большую полосу пропускания. Полная коррек­
ция является предельным вариантом частной коррекции. Поэтому вначале
будет рассматриваться частная коррекция.
Частная коррекция. На диаграмме для заданного АГ<х: (30 дБ на рис.
4.28) отмечается точка I) с частотой, равной заданной частоте среза / в' . Из
этой точки I) проводится прямая линия С£) с крутизной 20 дБ/дек до пере­
сечения с горизонтальной диаграммой, соответствующей Ко, в точке ('.
Гакова должна быть ЛАЧХ корректированного усилителя. В точке Г опре­
деляется частота /¿. При известных частотах ./¿,./В| и сопротивлении /?,
величины корректирующих элементов С.’к, могут быть найдены для двух
уравнений (4.54), (4.56) с двумя неизвестными:

/ 1 г - 1
2я-Гк(Д,+ /?к) в1 2лГкЯк'
Величины Д„./в1 определяются типом ОУ (для К140ОУД1В /?, = 10
кОм, /В| = 0,2 МГц), /¿- находится по диаграммам Боде (см. рис. 4.28). Час­
тота среза / в' проектируемого усилителя не может быть больше /В2 ( / в <
</*г). В паспортных данных ОУ приводятся варианты цепей коррекции и
величины корректирующих элементов.
 168

Рис. 4.28

Полная коррекция. Скорректированная ЛАЧХ с наклоном в 20

дБ/дек (однополосная ЛАЧХ) проводится из точки В (частота в точке В
равна частоте ./2» на которой в некоррелированном ОУ разность фаз <ррав­
на 135°) пересечения новой ЛАЧХ АВ с осью частот, в которой Кос = 1
(Кос “ 0 дБ).
Эта частота и будет частотой единичного усиления /1. Дальнейшие
действия по расчету корректирующих звеньев совпадают с таковыми при
частной коррекции. При полной коррекции усилитель становится абсо­
лютно устойчивым, вплоть до Кос = 1 (Кос = 0 дБ). Необходимо отметить
две особенности полной коррекции ОУ, влияющие на процесс практиче­
ского применения ОУ:
1. Полоса пропускания при полной коррекции (/■) наименьшая: часто
та среза^ меньше частоты/\ в Кос раз:

/.= (4.57)

2. Промышленность выпускает ряд полностью скорректированных

ОУ. Элементы коррекции находятся внутри микросхемы. На принципи­
альных схемах таких ОУ имеется корректирующий конденсатор Ск. Кроме
того, в паспортных данных таких ОУ нет никаких сведений о навесных це­
пях коррекции.
 169

При отсутствии навыков в расчете частной коррекции лучше исполь­

зовать полностью скорректированные ОУ. Однако могут возникнуть труд­
ности в обеспечении заданной полосы пропускания у. при больших значе­
ниях Кос- В работе [9] приводятся варианты схемных решений для преодо­
ления этих трудностей.
В технической документации на ОУ указываются способы включения
корректирующей цепи и величины элементов. Однако параметры ОУ*
имеют существенный разброс, рекомендации по коррекции приводятся для
наихудшего ОУ. При этом лучшие ОУ могут не доиспользоваться по час­
тоте пропускания. Максимальное использование любого ОУ по частоте
можно обеспечить, если элементы корректирующей цепи будут определе­
ны экспериментально для конкретного ОУ.

4.6.4. Экспериментальное определение величин

корректирующих элементов

При индивидуальном макетировании усилителя на ОУ можно ис­

пользовать простой способ обеспечения устойчивости конкретного образ­
ца ОУ, основанный на графическом определении элементов корректирую­
щей цепи, приведенной на рис. 4.27. Сначала измеряется на низкой частоте
Дифференциальный коэффициент усиления К# без ОС. Затем замыкается
цепь обратной связи с выбранным Кос. Измеряется частота генерации
На диаграмме Боде для петлевого усиления |7{а>)| отмечается точка А (рис.
4.29) на оси частот, соответствующая частоте Из этой точки строится
перпендикуляр вниз от оси и на нем отмечается точка В ниже оси частот на
-10 дБ (запас устойчивости по амплитуде, в точке В петлевое усилие
меньше единицы). Из точки В проводят прямую с наклоном -20 дБ/дек до
пересечения в точке С с графиком петлевого усилия |7(со)|. По точке пере­
сечения С определяют частоту /*. По частоте известному сопротивле­
нию (Ю кОяГдля К140УД1В) и низкочастотному значению петлевого
усиления |7(а>)| рассчитывают параметры корректирующей цепи /?к, Ск:

Рис. 4.29
 1
1 2п Г М + Ь У

Для более совершенной коррекции требуются и более сложные кор­

ректирующие цепи, н методика расчета, которые можно найти в работах
[7,8].

4.7. Практические схемы с ОУ

Кроме усилителей, на базе ОУ строится большое число аналоговых

устройств. Ниже рассмотрены некоторые из них, часто используемые на
практике.

4.7.1. Нуль-орган
Нуль-орган применяется для фиксации (резким изменением выхол-
ного сигнала С/2) момента равенства нулю (при смене полярности) входно­
го сигнала 11\.
ОУ с большим коэффициентом усиления Ка позволяют строить про­
стые схемы нуль-органов (рис. 4.30), поскольку при дифференциальном
входном сигнале ип величиной не более 1 мВ (£/(, £/£) выходной сигнал
и2 достигает максимального уровня ¿¿У** и далее не изменяется (ОУ вхо­
дит в насыщение). Диаграммы на рис. 4.30 поясняют работу схемы. При

а б
Рис. 4.30
большом входном сопротивлении /?вхнн неинвертирующего включения цьх
практически равно С/| (ит = СД). В моменты /2, *з, и входной сигнал [/,
меняет полярность и выходное напряжение £/2 в эти моменты переключа­
ется от и^т до -Уъп (и. обратно). Однако следует учитывать, что перекую-
 171

чение ОУ происходит при изменении 11\ в окрестностях нуля в пределах

от Щ до и [ и занимает конечное время, хотя Щ , и[ не превышают 1 мВ.
При медленном изменении Ц\ в окрестностях нуля (как при / = /2) время
переключения ОУ / = . Резистор Я вводится для ограничения тока
при больших величинах Ц\. Для ограничения сигнала ивх между входами
ОУ могут включаться диоды VI, У2 (на рис. 4.30 показано пунктиром).
Для компенсации ошибки от смещения нуля можно ввести цепь баланси­
ровки (см. рис. 4.11).

4.7.2. Компаратор

Компаратор применяется для сравнения двух напряжений по вели­

чине [7]. Схемы компараторов и временные диаграммы для разнополяр­
ных напряжений приведены на рис. 4.31,а,в, а однополярных напряже­
нии - на рис. 4.31,6,г. Изменяющееся напряжение С/|(0 сравнивается с
опорным Ооа- В момент равенства модулей Ц\ и (/« происходит переклю­
чение ОУ, как и в нуль-органе на рис. 4.30, так как режимом ОУ управляет
дифференциальный сигнал (/„<, равный разности модулей 1/\ и (в зави­
симости от схемы один из модулей может быть с весовым коэффициен­
том). Следовательно, для переключения ОУ в компараторе справедливы
все замечания, приведенные для нуль-органа. Так, на рис. 4.31 показано,
что переключение происходит в течение отрезка Д/, в котором 11\ изменя­
ется от и[ до

Рис. 4.31
 те

4.7.3. Мультивибратор

На рис. 432 приведена схема мультивибратора на ОУ, которая дает

на выходе прямоугольные импульсы [7]. Ее можно представить как компа­
ратор, у которого ит подается с выхода ОУ на неинвертирующий вход че­
рез делители £ ], К2:

Р . 1 - И — !•

Рис. 4.32

При этом образуется положительная ОС, ускоряющая переключение

ОУ. Ро& изменяющегося сигнала U\(t) играет напряжение конденсатора
которое сравнивается с U** в момент их равенства происходит пере­
ключение. Временные диаграммы на рис.4.32,б поясняют работу мульти­
вибратора. Пусть в начальный момент Ui = + Um а С/св 0. Ёмкость С заря­
жается по экспоненте 1. В момент /( U¿t) сравняется с (/<* по величине н
дамряпстм, но дальше Uc будет больше £/«ь т.е. сменится знак С/м, а зна­
чит, произойдет переключение ОУ и Ui станет равно -Í7*. Емкость С нач­
нет перезаряжаться но экспоненте 2 и в момент h опять сравняется по ве­
личине и знаку с Uaa, а затем изменится знак Un и опять Произойдет пере­
ключение ОУ. Так происходит непрерывно. Длительность перезаряда Т\
емкости от + усы до - уш определяет период Г колебаний Мультивибратора
Р.7]:

(4.60)
 173

При у = 0,47 Т= 2ЛосС а частота повторения выходных импульсов

1
/- (4.61)
2ЛЬсС
Праюинесю! (4.61) можно использовать при Я\ = Л2-

4.7.4. Одновнбратор

Схема одновибратора (ОВ) и временные диаграммы приведены на

рис. 4.33. Схема ОВ в основном повторяет схему мультивибратора. Чтобы
схема имела одно устойчивое состояние, времязадающая емкость С1 за-
шунтирована диодом-ограничителем VI. При указанном на рнс. 433
включении VI положительное напряжение ис при перезарядке фиксирует­
ся на уровне напряжения ия| открытого диода VI, величиной около 03 -
0,5 В, и в таком состоянии ОВ "ожидает" прихода внешнего запускающего
импульса (/,. В этом состоянии (интервал 0 + /1) С/«, положительно. Запус­
кающий импульс и з> подаваемый на неинвертирующий вход, должен по­
низить потенциал этого входа до уровня, меньшего иш\ на инвертирующем
входе, чтобы сигнал £/„ изменил полярность. Значит, (У, должен быть от­
рицательным. Импульс (/, укорачивается до остроконечного иу при помо­
щи дифцепочки С2, /?4 и ограничивающего диода V2. В момент /1 импульс
иу проходит на неинвертирующий входи производит переключение ОУ.

с /° Г Т Г
Л
Т

Рис. 4.33
 174

После этого в интервале $\ - /2 происходит цикл перезарядки емкости С1 от

+(/«| до - уит (как в мультивибраторе), длительность которого [3,7]

(4.62)
При Ri = R2
Т’эад = 0,7/?^ С. (4.63)
В момент /2 происходит переключение ОУ и перезаряд конденсатора
CI, но положительное напряжение Uç(t) фиксируется на уровне Ù%\
(близком к нулю) и ОВ переходит в режим "ожидания". Чтобы ускорить
разряд С1 от -уLJm до ил|, (восстановление) параллельно Roc включается
цепочка R3, V3, причем эффективное ускорение восстановления происхо­
дит при /?э « Roc. Если изменить направление включения диодов VI, V3 и
V2, то все напряжения (см. рис. 4.33) изменятся на противополож­
ные.

4.7.5. КС-автогенератор с мостом Вина

Схема ЯС-автогенератора с мостом Вина приведена на рис. 4.34,а.

Положительная обратная связь осуществляется через избирательную RC-
цепь из элементов ¿1, 72. Отрицательная ОС на инвертирующий вход вы­
полняется через элементы Яос, /?1, она предназначена для стабилизации
формы и амплитуды колебания. Передаточная |£лН и фазовая фдс характе­
ристики избирательной цепи ¿1,72 приведены на рис. 4.34,6. На частоте/о

б
Рис. 4.34
 175

|/Гиг| имеет максимальное {качение, а ф/., равно нулю (выполняется баланс

фаз). При |/и>с1 > 3 (при этом выполняется баланс амплитуд) схема генери­
рует колебания, по форме близкие к гармоническим, с частотой

/•_ _ !_
2лКС
Роль элементов Л к , Н\ такая же, как в полупроводниковых КС-
автогенераторах на транзисторах: стабилизация амплитуды и формы коле­
баний.

Список литературы

1. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных

схем. М.: Энергия, 1973.
2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1980.
3. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. М.: Высшая школа,
1982.
4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М.: Высшая школа, 1991.
5. Бобров И.И. Микроэлектронные элементы в автоматизированных
электроприводах: Учеб, пособие / Перм. политехи, ин-т. Пермь, 1984.
6. Проектирование транзисторных усилителей звуковых частот / Под
ред. Н.Л. Безладнова. М.: Связь, 1978.
7. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы. М.: Сов. радио, 1979.
8. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М.: Радио и
связь, 1982, 1993.
9. Бобров И.И. Расчет дискретных и микроэлектронных усилителей:
Учеб, пособие / Перм. гос. техн. ун-т. Пермь, 1998.
10. Бобров И.И. Основы промышленной электроники: Курс лекций /
Перм. политехи, ин-т. Пермь, 1971.
 БОБРОВ Иннокентий Иванович

УСИЛИТЕЛИ

Учебное пособие

Лит. редактор Н.Г Важенина

Техн. редактор Г.Я. Шилоносова
Корректор В.А. Козьмина

Лицензия ЛР № 020370 от 29.01.97

Подписано к печати 29.03.03. Формат 60x90/16.

Печать офсетная. Набор компьютерный. Уел. печ. л. 11.
Уч.-изд. л. 9,4. Тираж 150. Заказ 37.

Редакционно-издательский отдел и ротапринт

Пермского государственного технического университета
Адрес: 614600. Пермь, Комсомольский пр., 29а