Лекция 8

• Биполярные транзисторы
• Устройство и принцип действия
биполярного транзистора
• Режимы работы
• Схемы подключения
• Параметры транзисторов
• Схемы замещения
• Температурные свойства
• Частотные свойства
 Устройство и принцип действия биполярного
транзистора

Биполярным транзистором называется полупроводниковый

прибор, имеющий два взаимодействующих между собой p-n-
перехода. Технология изготовления биполярных транзисторов
может быть различной — сплавление, диффузия, эпитаксия, —
что в значительной мере определяет характеристики прибора.
 Классификация транзисторов
Транзисторы классифицируются по допустимой мощности
рассеивания и по частоте.
1. Транзисторы по величине мощности, рассеиваемой
коллектором, делятся на транзисторы малой (Рк 3000 мВт),
средней (Рк до 1,5 кВт) и большой (Рк больше 1,5 кВт)
мощности.
2. По значению предельной частоты, на которой могут
работать транзисторы, их делят на низкочастотные (до 3
МГц), среднечастотные (до 30 МГц), высокочастотные (до
300 МГц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 МГц).
Низкочастотные маломощные транзисторы обычно
изготавливаются методом сплавления, поэтому их называют
сплавными.
В зависимости от последовательности чередования областей с
различным типом проводимости различают n-р-n-транзисторы
и р-n-р-транзисторы.

Средняя часть рассматриваемых структур называется базой,

одна крайняя область — коллектором, а другая — эмиттером.
 Режимы работы биполярного транзистора

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к

электродам транзистора, различают следующие режимы его
работы: линейный (усилительный), насыщения, отсечки и
инверсный.
В линейном режиме работы транзистора эмиттерный переход
смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном.
В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом
направлении, а в режиме отсечки — в обратном. И, наконец, в
инверсном режиме коллекторный переход смещен в прямом
направлении, а эмиттерный — в обратном. Кроме
рассмотренных режимов возможен еще один режим, который
является не рабочим, а аварийным — это режим пробоя.
 Работа транзистора основана на управлении токами
электродов в зависимости от приложенных к его переходам
напряжений. В линейном режиме, когда переход база-эмиттер
открыт благодаря приложенному к нему напряжению Еэ=Uбэ,
через него протекает ток базы Iб. Протекание тока базы
приводит к инжекции зарядов из области коллектора в область
базы, причем ток коллектора определяется как Iк = Iб, где  -
коэффициент передачи тока базы. Прямое напряжение (Uб), на
эмиттерном переходе связано с током коллектора уравнением
Эберса – Молла 𝐼𝐾 = 𝐼кб0 𝑒 𝑈бэ/𝜑𝑇 − 1 где Iк60 - обратный ток
коллекторного перехода при его обратном смещении, Т -
тепловой потенциал.
При изменении полярности напряжения на эмиттерном
переходе транзистор переходит в режим отсечки и ток
коллектора равен обратному току коллекторного перехода
Iк_обр=Iкб_o.
Выходные вольт-амперные характеристики транзистора
приведены на рис. Линейная область на этих характеристиках
отмечена штриховой линией. Транзистор будет находиться в
линейной области, если напряжение на коллекторе достаточно
большое и выходит за границу штриховой линии.

к
Отметим некоторые особенности характеристик транзистора в
линейной области. Во-первых, приращение тока коллектора
пропорционально изменению тока базы. Во-вторых, ток
коллектора почти не зависит от напряжения на коллекторе. В-
третьих, напряжение на базе не зависит от напряжения на
коллекторе и слабо зависит тока базы. Из сказанного следует, что
в линейном режиме транзистор для малых приращений тока базы
можно заменить источником тока коллектора, управляемого током
базы. При этом, если пренебречь падением напряжения между
базой и эмиттером, то можно считать этот переход коротким
замыканием. В результате для линейного режима можно
использовать простейшую модель транзистора, приведенную на
рис.
 Схемы включения
Схема с общей базой ОБ Схема с общим эмиттером ОЭ

Схема с общим коллектором ОК

 Статические параметры

Статическим режимом работы транзистора называется режим

при отсутствии нагрузки в выходной цепи. Статическими
характеристиками транзисторов называют графически
выраженные зависимости напряжения и тока входной цепи
(входные ВАХ) и выходной цепи (выходные ВАХ). Вид
характеристик зависит от способа включения транзистора.
Характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ
Входной характеристикой является зависимость: IЭ = f(UЭБ)
при UКБ = const.
Выходной характеристикой является зависимость: IК = f(UКБ)
при IЭ = const.
Характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ:
Входной характеристикой является зависимость: IБ = f(UБЭ)
при UКЭ = const.
Выходной характеристикой является зависимость: IК = f(UКЭ)
при IБ = const.
 ОБ
𝐼Э = 𝐼Б + 𝐼К
𝐼Э = 𝐼э𝑛 + 𝐼э𝑝
𝐼к = 𝐼кр + 𝐼кб0
Iк=Iэ

ОЭ

𝐼к = β𝐼Б + 𝐼кэ0
+𝑈кэ/𝑟кэ
 Параметры транзистора как
четырехполюсника
Транзистор является весьма сложным прибором и не может
быть полностью описан одной –– двумя величинами (как,
например, резистор или конденсатор), характеризующие его
зависимости имеют сложный и нелинейный характер, поэтому
для транзистора применяют различные схемы замещения ––
математические модели, характеризующие некоторые его
свойства с заданной точностью и в определённых пределах.
Для транзистора
работающим в
малосигнальном
(линейном) режиме,
транзистор заменятся
четырехполюсником
характеризующимся
h-параметрами.
Схема замещения в
h параметрах
Статические параметры
 Динамический режим

Напряжение по постоянному току на коллекторе транзистора

описывается соотношением: Uкэ = Eк - Iк*Rк, которое
называется динамической характеристикой. Для построения
динамической характеристики рассматривают два крайних
случая:
1. Iк = 0, в этом случае Uкэ =Eк ;
2. Uкэ = 0, в этом случае Iк max = Eк/Rк.

На оси абсцисс отложим отрезок, равный – напряжению

источника питания коллекторной цепи, а на оси ординат -
отрезок, соответствующий максимально возможному току в
цепи Iк max. Между этими точками проведем динамическую
характеристику.
 Динамический режим

Из анализа статических
характеристик транзистора и
динамической характеристики
каскада выделяют три режима
работы транзистора: режим
насыщения - оба перехода открыты,
падение напряжение на транзисторе
мало и равно Uкэ нас; режим отсечки -
оба перехода закрыты, падение
напряжение на транзисторе
описывается соотношением Uкэ
отс=Uкэ1 =Eк-Rк*Iкэ0Eк; активный
режим – эмиттерный переход
открыт, коллекторный закрыт.
Каскад работает в режиме усиления
электрических сигналов.
 Рабочая точка транзисторного каскада

Динамическая характеристика определяет

возможные соотношения между токами и
напряжениями в каскаде. Для определения
конкретного тока и напряжения выбирают
рабочую точку. Рабочей называется точка на
динамической характеристики, которая
определяет напряжение на транзисторе и
ток, протекающий через него, при
отсутствии входного сигнала. Рабочая точка
характеризуется 4-мя параметрами: Uк0, Iк0 и
Iб0 - определяют по выходной динамической
характеристике; Uб0 - определяют по
входной динамической характеристике.
Построение входной динамической
характеристики затруднительно, поэтому
для инженерных практических расчетов в
качестве входной динамической
характеристики принимается входная
статическая характеристика при напряжении
питания отличном от нуля.
 Усиление сигналов с помощью транзистора
Поясним качественно усиление электрических сигналов с помощью
транзистора. Для минимизации искажений рабочую точку выбирают в
середине линейного участка входной характеристики. Тогда базовый ток
будет изменяться по закону изменения входного напряжения
Усиление сигналов с помощью транзистора
 Эквивалентная схема транзистора
Применяются десятки эквивалентных схем транзистора, однако
наиболее широкое распространение получила Т-образная которая
наглядно иллюстрирует физические процессы в транзисторе.
 Эквивалентная схема транзистора

Компоненты Т-образной схемы:

• Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода rэ
rэ=dUэ/dIэ при Uк=const;
• диффузионная емкость эмиттерного перехода СЭ;
• коэффициент внутренней обратной связи по напряжению,
характеризующий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное из-за
модуляции толщины базы
эк=dUэ/dUк при Iэ=const;
• источник напряжения эк*Uк учитывающий влияние коллекторного
напряжения на эмиттере;
• объемное сопротивление базы rб;
• дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк;
rк=dUк/dIк при Iэ=const;
• барьерная емкость коллекторного перехода Ск;
• коэффициент передачи эмиттерного тока :
=Iк/Iэ при Uк=const;
Генератор тока *Iэ учитывающий усилительные свойства транзистора.
 Температурные свойства транзистора

Транзисторы в аппаратуре подвергаются нагреву как за счет

собственного тепла, выделяющегося при протекании по ним тока, так и
за счет внешних источников тепла. Рассмотрим влияние температуры
на параметры Т-образной эквивалентной схемы:
β1/(1-) – существенно возрастает из-за увеличения времени жизни
носителей заряда при возрастании температуры.
rэ - линейно зависит от температуры, поскольку rэ=T/Iэ, где Т –
температурный потенциал. При комнатной температуре температурный
потенциал составляет 25 мэВ.
эк – линейно зависит от температуры через температурный потенциал;
rб – возрастает из-за изменения удельного сопротивления материала
полупроводника;
rк||Rут – зависит в основном через диффузионную длину и должно
возрастать при увеличении температуры. В районе комнатной
температуры наблюдается спад из-за возрастания токов утечки.
Температурные свойства транзистора
 Температурные свойства транзистора

Наибольшее влияние на работу транзистора оказывает увеличение

обратного тока закрытого перехода при возрастании температуры
которое описывается соотношением:
I0(T)=I0(T0)*2T/T*
Пусть для примера Iк0=4мА, β=100, и Iкб0=1мкА а температура
изменилась на 40С. У германиевого транзистора Т*=8С. Тогда ток
коллектора при повышенной температуре составит:
в схеме ОБ Iк(Т)=Iк0+Iкб0(Т)=4,032мА;
в схеме ОЭ Iк(Т)=Iк0+Iкэ0(Т)=7,2мА.
В схеме ОЭ выходные характеристики и рабочая точка существенно
изменяются что может привести к заметным искажениям усиливаемого
сигнала.
Из анализа приведенного можно сделать вывод что схема ОБ обладает
заметно лучшими температурными свойствами.
Температурные свойства транзистора
 Частотные свойства транзистора

С повышением частоты усиление

транзисторных каскадов снижается
главным образом по трем причинам.
1. Шунтирующее действие барьерной
емкости. С возрастанием частоты
большая часть генератора тока
замыкается через барьерную емкость Ск.
2. Шунтирующее действие диффузионной
емкости. С возрастанием частоты
уменьшается падение напряжения на
эмиттерном переходe, а ток эмиттера
зависит от этого напряжения.
3. Инерционные свойства, приводящие к
отставанию тока коллектора и ток
эмиттера.
 Частотные свойства транзистора
Третью причину проиллюстрируем
векторными диаграммами.
На более высокой частоте запаздывание
тока коллектора относительно тока
эмиттера ведет к появлению заметного
сдвига фаз между этими токами. Теперь
ток базы равен геометрической разнице
токов Iэ и Iк вследствие чего он заметно
увеличивается. Коэффициент β
снижается.
Коэффициент усиления по току в схему ОБ и ОЭ описывается
соответственно соотношениями: =Iк/Iэ, β=Iк/Iб. Из анализа векторных
диаграмм следует, что наиболее сильно возрастает базовый ток. Это
позволяет сделать вывод о лучших частотных свойствах схемы с ОБ.
 Лекция 8
• Биполярные транзисторы
• Устройство и принцип действия
биполярного транзистора
• Режимы работы
• Схемы подключения
• Параметры транзисторов
• Схемы замещения
• Температурные свойства
• Частотные свойства
Спасибо за внимание