Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF

Гарматюк С. С.
З А Д АЧ Н И К
по устройствам генерирования
и формирования радиосигналов
Учебное пособие для вузов
Рекомендовано Учебно-методическим объединением

вузов Российской федерации по образованию в области
радиотехники, электроники, биомедицинской техники
и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов
высших учебных заведений, обучающихся по направлению
210300 «Радиотехника»
Москва, 2012
УДК 621.373(075.8)
ББК 32.841я73-1
Г20
Рецензенты: профессор МЭИ (ТУ) Кулешов В. Н.,
профессор СпбГЭТУ (ЛЭТИ) Митрофанов А. В.
Г20 Гарматюк С. С.
Задачник по устройствам генерирования и формирования
радиосигналов. Учебное пособие для вузов. Рекомендовано
УМО.– М.: ДМК Пресс, 2012. – 672  с.
ISBN 978-5-94074-796-3
Книга содержит 2000 задач и вопросов по характеристикам и парамет-
рам высокочастотных активных элементов; электромагнитным цепям ВЧ и
СВЧ; энергетическим соотношениям в генераторах; ключевым и широкопо-
лосным усилителям; устройствам сложения мощностей; умножителям час-
тоты; автогенераторам и синтезаторам частот; передатчикам с амплитудной,
однополосной, импульсной и угловой модуляцией; генераторам на пролёт-
ных клистронах, магнетронах, митронах, ЛБВ; ламповым, транзисторным и
диодным генераторам СВЧ, а также квантовым генераторам.
По каждому разделу задачника даны основные расчетные соотношения,
приближённые к практическим. Для всех задач приведены решения и ответы.
В приложениях помещены справочные материалы и программы расчетов.
Задачник рассчитан на студентов, изучающих дисциплины «Устройства
генерирования и формирования радиосигналов» или «Радиопередающие
устройства», а также смежные дисциплины: «Теория радиотехнических це-
пей», «Электроника», «Схемотехника», «Устройства СВЧ и антенны», «Тео-
рия колебаний» и др. Книга содержит большое количество схем, расчетных
формул и примеров расчета и потому будет полезна в качестве справочника
студентам при курсовом и дипломном проектировании, инженерно-техни-
ческим работникам и квалифицированным радиолюбителям.
Гарматюк Сергей Сергеевич
Задачник
по устройствам генерирования и формирования радиосигналов
Учебное пособие для вузов
Главный редактор Мовчан Д. А.
dm@dmkpress.ru
Корректор Синяева Г. И.
Верстка Паранская Н. В.
Дизайн обложки Мовчан А. Г.
Подписано в печать 27.03.2012. Формат 60×90 1/16 .
Гарнитура «Петербург». Печать офсетная.
Усл. печ. л. 41,16. Тираж 500 экз.
© Гарматюк С. С., 2012

ISBN 978-5-94074-796-3 © Оформление, издание, ДМК Пресс, 2012
КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ ......................................................................4
ПРЕДИСЛОВИЕ ................................................................. 12
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ ........................ 15
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ ... 16
1. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ............ 20
2. РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ................. 37
3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ................................................................... 45
4. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ ... 77
5. КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ ................................................ 87
6. СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ .................... 102
7. ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ............................... 114
8. УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ.............................................. 136
9. АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ ............................................. 143
10. ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ
И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............................ 245
11. ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ....... 255
12. ПЕРЕДАТЧИКИ С УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............... 277
13. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ...... 297
14. ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ,
ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ .......................................... 330
15. КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ ..................................... 384
16. ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ
ТИПА О ........................................................................... 397
17. ГЕНЕРАТОРЫ МАГНЕТРОННОГО ТИПА ....................... 415
18. КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ .......................................... 434
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ .................................................... 451
ПРИЛОЖЕНИЯ .............................................................. 658
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ............................... 667
ОГЛАВЛЕНИЕ
КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ .........................................................3

ПРЕДИСЛОВИЕ .................................................................... 12
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ............................ 15
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ.... 16
1. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ............ 20
1.1. Статические характеристики генераторных ламп
и транзисторов........................................................................................20
1.2. Аппроксимация статических характеристик ламп
и транзисторов........................................................................................23
1.3. Параметры ламп и транзисторов .....................................................24
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 30
Общие задачи и вопросы ...................................................................................30
Характеристики и параметры генераторных ламп ...................................30
Характеристики и параметры биполярных транзисторов.....................31
Характеристики и параметры МДП-транзисторов ..................................33
Характеристики и параметры MOSFET-транзисторов..........................34
Характеристики и параметры IGBT-транзисторов .................................35
Сравнение свойств высокочастотных АЭ....................................................35
2. РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ................. 37
2.1. Классификации режимов по напряженности .............................37
2.2. Нагрузочные характеристики генератора с внешним
возбуждением .........................................................................................39
2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов ...........39
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 41
Напряженность режима .....................................................................................41
Угол отсечки...........................................................................................................42
3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ ................................................................... 45
3.1. Основные параметры колебательных контуров.........................45
3.2. Параллельный колебательный контур ..........................................46
3.3. Последовательный колебательный контур ..................................49
3.4. Связанные колебательные контуры ...............................................51
3.5. Входные цепи генераторов.................................................................52
3.6. Выходные цепи генераторов .............................................................54
3.7. Схемы генераторов ...............................................................................57
ОГЛАВЛЕНИЕ 5
3.8. Фильтрация высших гармоник ........................................................59

3.9. Блокировочные и разделительные элементы .............................61
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 63
Параллельный колебательный контур .........................................................64
Последовательный колебательный контур .................................................66
Связанные колебательные контуры ..............................................................66
Входные цепи генераторов................................................................................68
Выходные цепи генераторов ............................................................................69
Схемы генераторов ..............................................................................................70
Фильтрация высших гармоник .......................................................................71
Блокировочные и разделительные элементы ............................................73
4. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ ... 77
4.1. Соотношения для выходных цепей генераторов .......................77
4.2. Соотношения для входных цепей генераторов ..........................79
4.3. Режимы работы генераторов .............................................................79
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 80
Энергетические соотношения во входной цепи ........................................81
Энергетические соотношения в выходной цепи .......................................81
Расчет генераторов на максимум общего КПД .........................................86
5. КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ ................................................ 87
5.1. Общие расчетные соотношения .......................................................87
5.2. Ключевые широкополосные усилители........................................90
5.3. Усилители с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки ......................................................................................92
5.4. Усилители с параллельным колебательным контуром
в цепи нагрузки ......................................................................................94
5.5. Ключевые усилители класса Е .........................................................95
5.6. Активные элементы ключевых генераторов................................96
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 97
Широкополосные КУМ .....................................................................................98
КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки ...................................................................................................100
КУМ с параллельным колебательным контуром в цепи нагрузки ..100
Сравнение схем КУМ .......................................................................................101
6. СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ .................... 102
6.1. Параллельное включение активных элементов ...................... 102
6.2. Двухтактное включение активных элементов ......................... 103
6 ОГЛАВЛЕНИЕ
6.3. Мостовые схемы сложения мощностей ..................................... 105

ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 108
Общие вопросы ...................................................................................................108
Параллельное включение активных элементов ......................................108
Двухтактное включение активных элементов .........................................110
Мостовые схемы сложения мощностей .....................................................111
7. ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ............................... 114
7.1. Абсолютная полоса частот усилителя. Согласование
импедансов ........................................................................................... 114
7.2. Усилители с переключаемыми фильтрами ............................... 121
7.3. Усилители с раздельными полосами усиления ....................... 122
7.4. Усилители с распределенным усилением .................................. 123
7.5. Двухтактные усилители................................................................... 124
7.6. Трансформаторы на линиях ........................................................... 126
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 127
Общие вопросы ...................................................................................................127
Цепи согласования.............................................................................................127
Принцип постоянства полосы .......................................................................128
Параметры цепей согласования ....................................................................128
Усилители с переключаемыми фильтрами................................................131
Усилители с раздельными полосами усиления .......................................132
Усилители с распределенным усилением ..................................................132
Широкополосные трансформаторы ............................................................133
Схемы и режимы работы широкополосных усилителей .....................134
8. УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ.............................................. 136
8.1. Классификация умножителей частоты ...................................... 136
8.2. Параметры умножителей частоты ............................................... 137
8.3. Умножители частоты с активной нелинейностью .................. 137
8.4. Умножители частоты с нелинейной реактивностью ............. 138
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 139
Общие задачи и вопросы .................................................................................139
Умножители частоты с активной нелинейностью ..................................140
Умножители частоты с нелинейной реактивностью .............................142
9. АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ ............................................. 143
9.1. Структурные схемы и типы автогенераторов .......................... 143
9.2. Автогенераторы с цепью внешней обратной связи ................ 145
9.3. Автогенераторы на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением ......................................... 148
9.4. Схемы автогенераторов.................................................................... 151
9.5. Расчет электронного режима автогенераторов........................ 158

9.6. Расчет колебательной системы ..................................................... 163
9.7. Кварцевые автогенераторы ............................................................. 166
9.8. Автогенераторы на ПАВ .................................................................. 174
9.9. Синхронизация и затягивание частоты автогенераторов .... 179
9.10. Стабильность частоты автогенераторов .................................. 183
9.11. Нелинейное уравнение автогенератора ................................... 189
9.12. Метод медленно меняющихся амплитуд.
Квазилинейный метод.................................................................... 191
9.13. Процесс установления амплитуды автоколебаний ............. 195
9.14. Шумы в автогенераторах .............................................................. 196
9.15. Флуктуации частоты и фазы автоколебаний......................... 199
9.16. Паразитная автогенерация ........................................................... 200
9.17. Синтезаторы стабильных частот ................................................ 203
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 212
Автогенераторы с цепью внешней обратной связи ................................214
Автогенераторы на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением.........................................................217
Схемы автогенераторов....................................................................................218
Расчёт автогенераторов ....................................................................................219
Кварцевые резонаторы .....................................................................................220
Кварцевые автогенераторы .............................................................................222
Управляемые кварцевые генераторы ..........................................................223
ПАВ-резонаторы и ПАВ-линии задержки ................................................224
Автогенераторы и передатчики на ПАВ ....................................................224
Синхронизация частоты автогенераторов.................................................225
Затягивание частоты автогенераторов .......................................................226
Эффект длинной линии ...................................................................................227
Стабильность частоты автогенераторов.....................................................228
Измерение нестабильности частоты ...........................................................229
Нелинейное уравнение автогенератора .....................................................230
Метод медленно меняющихся амплитуд. Квазилинейный метод ....231
Процесс установления амплитуды автоколебаний ................................233
Шумы в автогенераторах ................................................................................234
Флуктуации частоты и фазы автоколебаний ...........................................237
Паразитная автогенерация .............................................................................239
Общие задачи и вопросы по синтезаторам частот ..................................241
Прямые синтезаторы частот ...........................................................................242
Синтезаторы с фазовой автоподстройкой частоты ................................243
Цифровые вычислительные синтезаторы .................................................244
Сравнение свойств синтезаторов .................................................................244
10. ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ

И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............................ 245
10.1. Амплитудная модуляция .............................................................. 245
10.2. Однополосная модуляция ............................................................ 247
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 249
Передатчики с амплитудной модуляцией .................................................249
Передатчики с однополосной модуляцией ...............................................253
11. ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ....... 255
11.1. Общие соотношения при импульсной модуляции .............. 255
11.2. Модуляторы с частичным разрядом накопительной
емкости ................................................................................................ 256
11.3. Модуляторы с полным разрядом формирующей линии ...... 260
11.4. Коммутаторные приборы .............................................................. 263
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 268
Модуляторы с частичным разрядом накопительной емкости ...........269
Модуляторы с полным разрядом формирующей линии .....................273
Коммутаторные приборы ................................................................................276
12. ПЕРЕДАТЧИКИ С УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............... 277
12.1. Общие соотношения при угловой модуляции ...................... 277
12.2. Параметры варикапов .................................................................... 280
12.3. Общие соотношения для модуляторов на емкостях
р-n-переходов .................................................................................... 283
12.4. Автотрансформаторная связь модулятора с контуром
автогенератора .................................................................................. 285
12.5. Емкостная связь модулятора с контуром
автогенератора .................................................................................. 287
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 288
Передатчики с частотной модуляцией .......................................................289
Параметры варикапов.......................................................................................290
Частотные модуляторы на варикапах .........................................................292
Передатчики с фазовой модуляцией. Преобразование фазовой
модуляции в частотную ...................................................................................294
Усилители мощности сигналов с УМ..........................................................295
13. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ...... 297
13.1. Параметры колебательных систем генераторов СВЧ ......... 297
13.2. Тороидальные резонаторы ............................................................ 299
13.3. Параметры линий с распределенными постоянными ........ 300
13.4. Параметры резонаторов на короткозамкнутых

отрезках линий ................................................................................. 304
13.5. Параметры резонаторов на разомкнутых отрезках линий ......309
13.6. Конструкции резонаторов на отрезках линий ....................... 311
13.7. Использование четвертьволновых и полуволновых
резонаторов ........................................................................................ 312
13.8. Связь резонаторов с нагрузкой ................................................... 315
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 317
Тороидальные резонаторы ..............................................................................318
Резонаторы на отрезках линий......................................................................319
Двухпроводные резонаторы ...........................................................................320
Коаксиальные резонаторы ..............................................................................321
Полосковые резонаторы ..................................................................................324
Волноводные резонаторы ................................................................................325
Связь с нагрузкой...............................................................................................325
Резонансные волномеры и режекторные фильтры ................................328
14. ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ,
ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ .......................................... 330
14.1. Генераторы СВЧ на электронных лампах ............................... 330
14.2. Генераторы СВЧ на транзисторах .............................................. 336
14.3. Генераторы СВЧ на диодах........................................................... 347
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 364
Общие задачи и вопросы по ламповым генераторам ............................364
Время пролета электронов в лампах ...........................................................365
Параметры генераторных ламп СВЧ ..........................................................366
Схемы и конструкции ламповых генераторов СВЧ ..............................366
Параметры колебательных систем ламповых генераторов .................368
Ламповые автогенераторы СВЧ ...................................................................369
Общие вопросы по транзисторным генераторам СВЧ .........................371
Схемы транзисторных усилителей СВЧ ..................................................372
Повышение КПД транзисторных генераторов ........................................373
Транзисторные автогенераторы СВЧ ........................................................374
Конструкции транзисторных генераторов СВЧ .....................................374
Общие вопросы по диодным генераторам.................................................376
Генераторы на туннельных диодах ...............................................................376
Генераторы на лавинно-пролетных диодах ...............................................377
Генераторы на диодах Ганна ...........................................................................378
Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов.............379
Управление колебаниями диодных генераторов ....................................381
Стабилизация частоты диодных автогенераторов .................................381
Способы повышения КПД диодных генераторов ..................................382
Диодные усилители мощности......................................................................382

15. КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ ..................................... 384
15.1. Характеристики и параметры клистронов.............................. 384
15.2. Амплитудная и импульсная модуляция пролетных
клистронов ........................................................................................ 388
15.3. Фазовая модуляция пролетных клистронов.......................... 389
15.4. Энергетические соотношения в двухрезонаторных
пролетных клистронах ............................................................................390
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 391
Характеристики и параметры пролетных клистронов .........................392
Модуляция пролетных клистронов .............................................................394
Энергетические соотношения в двухрезонаторных пролетных
клистронах ............................................................................................................395
16. ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ
ТИПА О ........................................................................... 397
16.1. Классификация и особенности ламп бегущей волны ......... 397
16.2. Замедляющие структуры .............................................................. 400
16.3. Характеристики и параметры ЛБВ ........................................... 403
16.4. Усиление и модуляция ЛБВ ........................................................ 404
16.5. Экспериментальные характеристики ЛОВ ............................ 408
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 409
Общие вопросы ...................................................................................................409
Замедляющие структуры ................................................................................409
Характеристики и параметры ЛБВ .............................................................411
Усиление и модуляция ЛБВ ...........................................................................412
17. ГЕНЕРАТОРЫ МАГНЕТРОННОГО ТИПА ....................... 415
17.1. Особенности генераторов магнетронного типа..................... 415
17.2. Параметры генераторов магнетронного типа ........................ 419
17.3. Рабочие и нагрузочные характеристики магнетронов ....... 421
17.4. Рабочие и нагрузочные характеристики митронов ............. 422
17.5. Рабочие и нагрузочные характеристики амплитронов ...... 424
17.6. Синхронизация генераторов ........................................................ 425
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 426
Параметры магнетронов и митронов ..........................................................428
Рабочие характеристики магнетронов и митронов ................................428
Нагрузочные характеристики магнетронов и митронов ......................429
Стабилизация и синхронизация частоты ..................................................430
Модуляция магнетронов и митронов..........................................................431
Параметры амплитронов .................................................................................432

Нагрузочные характеристики амплитронов.............................................433
Модуляция платинотронов ............................................................................433
18. КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ .......................................... 434
18.1. Общие расчетные соотношения.................................................. 434
18.2. Оптические разонаторы ................................................................ 435
18.3. Параметры лазеров.......................................................................... 436
18.4. Модуляция оптического излучения.......................................... 438
18.5. Использование лазеров ................................................................. 442
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 443
Параметры лазеров ............................................................................................443
Стабильность частоты лазеров ......................................................................445
Модуляция лазеров ...........................................................................................446
Использование лазеров ....................................................................................448
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ......................................................... 451
ПРИЛОЖЕНИЯ ................................................................... 658
1. Параметры генераторных ламп ВЧ ................................................. 658
2. Параметры биполярных транзисторов .......................................... 658
3. Параметры мощных МДП-транзисторов...................................... 659
4. Параметры MOSFET-транзисторов ............................................... 660
5. Параметры IGBT-транзисторов ....................................................... 660
6. Коэффициенты разложения косинусоидального импульса .. 661
7. Таблица коэффициентов разложения
для косинусоидального импульса................................................... 661
8. Графики коэффициентов разложения
для косинусоидального импульса................................................... 662
9. Программы расчета резонансных частот резонаторов ............. 663
10. Программы расчета длин резонаторов для основного
типа колебаний и первого продольного обертона ..................... 665
11. Удельное поверхностное сопротивление проводников R11........ 666
12. Относительная диэлектрическая проницаемость
диэлектриков .......................................................................................... 666
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК .................................... 667
ПРЕДИСЛОВИЕ
Учебное пособие ориентировано на типовую программу курса «Ус-

тройства генерирования и формирования радиосигналов» специ-
альности «Радиотехника». В методическом плане автор опирался
на принципы, заложенные выдающимися учеными – профессорами
ЛЭТИ, МЭИ и МАИ: С.И. Бычковым, С.А. Дробовым, С.И. Евтя-
новым, И.В. Лебедевым, М.С. Нейманом и другими – одними из
создателей отечественной школы радиотехники.
Пособие содержит задачи и вопросы по характеристикам и пара-
метрам активных элементов; электромагнитным цепям ВЧ и СВЧ;
энергетическим соотношениям в генераторах; ключевым и широко-
полосным усилителям; устройствам сложения мощностей; умножи-
телям частоты; автогенераторам и синтезаторам частот; передатчикам
с амплитудной, однополосной, импульсной и угловой модуляцией;
генераторам на пролётных клистронах, магнетронах, митронах, ЛОВ
и ЛБВ; ламповым, транзисторным и диодным генераторам СВЧ, а
также квантовым генераторам. По каждому разделу даны основные
расчетные соотношения, приближённые к практическим. Для всех
задач приведены решения и ответы. В приложениях помещены спра-
вочные материалы и программы расчетов, необходимые для реше-
ния задач.
Для удобства поиска нужного раздела подробное оглавление до-
полнено кратким. Для заинтересованного читателя приведен крат-
кий библиографический список. Список сформирован в хронологи-
ческом порядке и включает наиболее значимые учебники, учебные
и справочные пособия, статьи и монографии за последние полвека.
Автор приносит извинения тем, чьи работы незаслуженно остались
неназванными. Ссылки на литературу даны по узким вопросам и в
случае существования противоречивых сведений.
Хотя большинство задач родилось на кафедре антенн и радиопере-
дающих устройств ТТИ ЮФУ, автор не имеет возможности указать
первоисточник каждой из приведенных в пособии задач. В разные
годы автору попадались различные внутривузовские издания, книги
и другие источники, дать ссылки на которые теперь невозможно.
Список литературы и в этом отношении далек от полноты.
Современная наука и техника развиваются невероятно быстро,
особенно в области разработки новых электронных устройств. По-
этому учебное пособие призвано знакомить читателя не только с
современным состоянием проблемы, но и с фундаментальными за-
ПРЕДИСЛОВИЕ 13
кономерностями, знание которых необходимо для завтрашнего дня.

В книге рассмотрены свойства перспективных приборов (MOSFET-
и IGBT-транзисторов, реверсивно-включаемых динисторов и др.).
Значительное внимание уделено перспективным схемам ключевых и
широкополосных усилителей, высокостабильным автогенераторам,
в том числе на ПАВ, цифровым синтезаторам частот. Рассмотрены
актуальные вопросы согласования импедансов, анализа переходных
процессов в автогенераторах и влияния шумов на частоту и фазу
автоколебаний, проектирования электромагнитных цепей генерато-
ров СВЧ и др.
Основная цель задачника – углубление и закрепление теорети-
ческих знаний, полученных студентами при изучении курса, а также
выработка навыков в решении практических задач. Эти навыки не-
обходимы и в инженерной, и в научной деятельности. Помимо задач,
связанных с выполнением расчетов, помещены вопросы. Назначе-
ние этих вопросов – способствовать углублению представлений о
физических процессах в рассматриваемых устройствах.
Чтобы облегчить понимание задач, в начале каждого раздела даны
краткие сведения из теории. При этом сложный и труднодоступный
материал изложен более подробно. Приведенных в задачнике сведе-
ний, формул и справочных данных вполне достаточно для решения
задач.
В пособие включены задачи и вопросы различной сложности – от
простейших до весьма сложных и трудоемких. В каждом подразделе
задачи и вопросы сгруппированы по узким темам и расположены в
порядке нарастания сложности.
Решение задач помогает уяснить смысл физических явлений,
закрепляет в памяти формулы, прививает навыки практического
применения теоретических знаний. Эту работу студенты могут про-
водить не только под руководством преподавателя, но и самосто-
ятельно (что наиболее эффективно!), поскольку по всем разделам
даны основные расчетные соотношения, необходимый справочный
материал, а также решения и ответы всех задач.
Пособие ориентирует студентов на активное применение средств
вычислительной техники (ВТ). В принципе, все вычислительные за-
дачи могут быть решены с помощью карандаша и бумаги. Однако по
мере усложнения задач быстро возрастает количество необходимых
операций, что увеличивает стоимость рабочего времени, затрачивае-
мого на получение результата. В этом случае использование средств
ВТ дает значительный экономический эффект. Владение навыками
14 ПРЕДИСЛОВИЕ
работы на ЭВМ не только дает возможность использования их для

решения различных задач, но и вырабатывает определенный «про-
граммистский» стиль мышления, умение четко и лаконично фор-
мировать свою мысль, правильно ставить задачу и находить пути
ее решения.
Задачник рассчитан на студентов, изучающих дисциплины «Уст-
ройства генерирования и формирования радиосигналов», или «Ра-
диопередающие устройства», а также смежные дисциплины: «Те-
ория радиотехнических цепей», «Электроника», «Схемотехника»,
«Устройства СВЧ и антенны», «Теория колебаний», «Электропре-
образовательные устройства РЭС» и др. Книга содержит большое
количество схем, расчетных формул и примеров расчета и потому
будет полезна в качестве справочника студентам радиотехнических
специальностей при курсовом и дипломном проектировании, ин-
женерно-техническим работникам, занимающимся разработкой и
эксплуатацией радиотехнических устройств, и квалифицированным
радиолюбителям.
Автор с глубокой благодарностью вспоминает своих учителей –
профессоров Московского авиационного института Неймана Миха-
ила Самойловича и Телятникова Леонида Ивановича, без которых
было бы невозможным создание настоящей книги.
Автор благодарит студентов-старшекурсников за помощь при
проведении расчетов и оформлении материалов книги.
Автор благодарен рецензентам за полезные советы и замечания,
способствовавшие существенному улучшению книги.
Отзывы и пожелания по книге просьба направлять в издательство.
С. Гарматюк
РЕКОМЕНДАЦИИ
ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ
Если вы хотите научиться плавать, то смело входите в воду.
Если вы хотите научиться решать задачи – решайте их!
Математик Пойа
Прежде чем решать задачу или отвечать на вопрос, необходимо по-
нять их сущность, смысл заданных величин, вспомнить физические
процессы, законы и соотношения, относящиеся к данному вопросу.
В основе любого из приемов решения задач лежит аналитико-синте-
тический метод. Можно указать следующую схему этого метода:
• ознакомление с условием задачи. Выделение главного вопроса
задачи (что неизвестно? Какова цель решения?);
• анализ содержания задачи. Исследование исходных данных
(что известно? Что дано?). Внесение дополнительных (уточня-
ющих) условий для получения однозначного ответа. При ана-
лизе очень полезно начертить схему, график или конструкцию,
относящуюся к задаче, и указать на этом рисунке исходные дан-
ные, распределение токов и напряжений и т. п. Часто самый
простой рисунок значительно помогает в решении задачи;
• составление плана решения;
• осуществление плана решения;
• проверка ответа (проверка размерностей, решение этой же за-
дачи другим способом, сопоставление полученного ответа с об-
щими принципами радиотехники, здравым смыслом и т. п.).
Эту схему решения можно выразить и другими словами:
• прочитай задачу и представь себе то, о чем в ней говорится;
• запиши задачу кратко или выполни чертеж;
• уясни, что показывает каждое число, повтори вопрос задачи;
• подумай, можно ли сразу ответить на вопрос задачи. Если нет,
то почему. Что нужно узнать сначала, что потом;
• составь план решения;
• выполни решение;
• проверь решение и ответь на вопрос задачи.
Точность расчетов должна быть в разумных пределах. Очень
часто студенты добиваются при вычислениях получения такой точ-
ности результата, которая совершенно не оправдывается точностью
использованных данных. Это создает иллюзию точного расчета,
приводит к бесполезным затратам труда и времени. «Цель расче-
тов – не числа, а понимание», – этот афоризм особенно справедлив
для высшей школы.
Решение задач – это практическое искусство, подобное плаванию;
научиться ему можно, только подражая хорошим образцам и посто-
янно практикуясь в самостоятельном решении задач!
Как сказал Освальд, «человек, не желающий вступать в воду, пока
не научился плавать, не научится плавать».
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ
И ОБОЗНАЧЕНИЙ
А – амплитуда колебаний
АГ – автогенератор
АМ – амплитудная модуляция
АПЧ – автоматическая подстройка частоты
АЧХ – амплитудно-частотная характеристика
АЭ – активный элемент
БТ – биполярный транзистор
ВАХ – вольт-амперная характеристика
ВОЛС – волоконно-оптическая линия связи
ВЧ – высокая частота (3…30 МГц)
ГВВ – генератор с внешним возбуждением (усилитель)
ГП – генераторный прибор
ГР – граничный режим
ГУН – генератор, управляемый напряжением
ДВ – длинные волны
ДГ – диод Ганна
ДНЗ – диод с накоплением заряда
ДУ – дифференциальное уравнение
ЗС – замедляющая структура
ЗЧ – звуковые частоты (16…20000 Гц)
ИМ – импульсная модуляция
ИТ – импульсный трансформатор
КБВ – коэффициент бегущей волны
КУМ – ключевой усилитель мощности
КР – кварцевый резонатор
КПД – коэффициент полезного действия
КСВ – коэффициент стоячей волны
КСЦ – корректирующе-согласующая цепь
КС – колебательная система
ЛГР – линия граничного режима
ЛБВ – лампа бегущей волны
ЛОВ – лампа обратной волны
ЛПД – лавинно-пролетный диод
М – индекс угловой модуляции
МРК – многорезонаторный пролетный клистрон
НР – недонапряженный режим
НХ – нагрузочная характеристика
ОБ – общая база
ОБП – одна боковая полоса
ОВЧ – очень высокие частоты (30…300 МГц)
ОИ – общий исток
ОКГ – опорный кварцевый или оптический квантовый генератор
ОМ – однополосная модуляция
ОЛС – оптическая линия связи
ОС – обратная связь
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ 17
ОЭ – общий эмиттер
П – эффективная ширина спектра ЧМ-колебания; полоса пропускания
ПАВ – поверхностные акустические волны
ПФ – полосовой фильтр
ПР – перенапряженный режим
ПТ – полевой транзистор
РВД – реверсивно включаемый динистор
СВ – средние волны
СВЧ – сверхвысокие частоты (3…30 ГГц)
СКП – средняя квадратическая погрешность (σ)
ССЧ – синтезатор стабильных частот
СТЦ – согласующе-трансформирующая цепь
СХ – статическая характеристика
СУ – согласующее устройство
СМХ – статическая модуляционная характеристика
ТД – туннельный диод
ТКЕ – температурный коэффициент емкости
ТКИ – температурный коэффициент индуктивности
ТКТ – температурный коэффициент выходного тока АЭ
ТКЧ – температурный коэффициент частоты
ТЛ – трансформатор на линиях
ТУМ – транзисторный усилитель мощности
ТЦ – трансформирующая цепь
УВЧ – ультравысокие частоты (300…3000 МГц); усилитель ВЧ
УМ – угловая модуляция, усилитель мощности
УПТ – усилитель постоянного тока
УРУ – усилитель с распределенным усилением
УЧ – умножитель частоты
Ф – коэффициент фильтраций
ФАП – фазовая автоматическая подстройка частоты
ФВЧ – фильтр верхних частот
ФД – фазовый детектор
ФМ – фазовая модуляция; фазовый модулятор
ФНЧ – фильтр низких частот
ЦС – цепь согласования; цепь связи
ЦВС – цифровой вычислительный синтезатор
ЧМ – частотная модуляция
ЧРК – частотное разделение каналов
ЧХ – частотная характеристика
ЭМВ – электромагнитная волна
ЭМС – электромагнитная совместимость
C – электрическая емкость
c – скорость распространения электромагнитных волн в вакууме
°С – температура Цельсия (°С= К – 273,16)
D – проницаемость активного элемента; дисперсия; диаметр
d – диаметр
e – заряд электрона (1,6 · 10–19 Кл)
E – напряжение, напряженность электрического поля
18 СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
E′вх – напряжение отсечки (запирания) активного элемента

f – частота гармонических колебаний
fs – граничная частота транзистора по крутизне
fт(fгр) – граничная частота коэффициента передачи тока
g1 – коэффициент формы тока по первой гармонике
G – активная проводимость
h – постоянная Планка (6,63 · 10–34 Дж·с)
i – мгновенное значение тока
Im – высота импульсов выходного тока АЭ
Iн – амплитуда тока в режиме молчания (несущей частоты)
k – постоянная Больцмана (1,38 · 10–23 Дж/К)
К – коэффициент обратной связи
КН – коэффициент нелинейных искажений
КР – коэффициент усиления по мощности
КС – коэффициент перекрытия емкости варикапа
L – индуктивность
m – коэффициент (глубина) амплитудной модуляции
l – длина
N – энергия, электрическая длина замедляющей структуры
– коэффициент включения колебательного контура, частотного
р
модулятора
Р0 – мощность, потребляемая от источника питания
Р1 – колебательная мощность
РК – мощность, рассеиваемая коллектором
РП – полезная мощность генератора (в нагрузке)
Q – добротность колебательного контура, добротность варикапа
q – скважность
rнас – сопротивление насыщения (rнас = 1/Sгр)
R, r – электрическое активное сопротивление, радиус
Re(z) – вещественная (резистивная) составляющая сопротивления
S – крутизна характеристики, площадь
S0 – дифференциальная крутизна активного элемента
S1 – модуль средней крутизны активного элемента
Sгр – крутизна линии граничного (критического) режима
t – время, толщина
Т – период следования импульсов, абсолютная температура
u – мгновенное значение напряжения
U – электрическое напряжение
UΩ – амплитуда модулирующего напряжения
νФ – фазовая скорость
W – энергия электромагнитного поля
x – реактивное сопротивление
Zв – волновое сопротивление
Z – комплексное входное сопротивление
α(θ) – коэффициент разложения косинусоидального импульса
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ 19
β0 – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

β – волновое число, фазовый множитель ( β = ω/νФ = 2πl/λл), скол
вершины импульса
γ(θ) – коэффициент разложения косинусоидального импульса
Δf – девиация частоты; полоса пропускания
Δφ – девиация фазы
δ – относительная погрешность измерений
ε – диэлектрическая проницаемость (относительная)
ea – абсолютная диэлектрическая проницаемость (εa = εε0)
e0 – электрическая постоянная (107/(4πс2) ≈ 8,85 · 10–12 Ф/м)
η – коэффициент полезного действия (КПД)
ηe – электронный КПД
ηк – контурный КПД
θ – угол отсечки
λЛ – длина волны в линии
μ – магнитная проницаемость (относительная)
μ0 – магнитная постоянная (4π · 10–7 ≈ 1,26 · 10–6 Гн/м)
μa – абсолютная магнитная проницаемость (μa = μμ0)
ξ – напряженность режима, обобщенная расстройка
ρ – характеристическое сопротивление, коэффициент стоячей
волны
σ – средняя квадратическая погрешность (СКП)
τ – время усреднения, длительность импульсов, постоянная
времени
Ф – девиация фазы ( индекс фазовой модуляции)
φ – фазовый угол (εa = εε0)
φос – сдвиг фаз в цепи обратной связи
φs – сдвиг фаз в активном элементе
φK – контактная разность потенциалов
ω0 – угловая резонансная частота (ω0 = 2πf0)
Ω – угловая частота модулирующего напряжения (Ω = 2πF)
1 ХАРАКТЕРИСТИКИ
И ПАРАМЕТРЫ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
1.1. Статические характеристики

генераторных ламп и транзисторов
Статические характеристики (СХ) АЭ представляют собой за-
висимости токов в цепях различных электродов от комбинаций
напряжений на электродах. При изменении одного из напряжений
напряжения на остальных электродах служат для СХ параметрами.
Различают три вида СХ: входные, выходные и проходные. Напри-
мер, для ламп входной СХ является зависимость тока управляющей
сетки от напряжения на этой сетке, выходной – зависимость тока
анода от напряжения на аноде, а проходной – зависимость тока ано-
да от напряжения на управляющей сетке. СХ различных АЭ имеют
существенные различия как в расположении кривых на поле харак-
теристик, так и в значениях токов и напряжений, действующих на
электродах. Однако при этом СХ ламп, БТ и ПТ имеют две общие
закономерности: при малых напряжениях на электродах СХ сущес-
твенно нелинейны, а при больших – почти линейны. СХ содержат
исчерпывающие сведения для выбора режимов АЭ и расчета их па-
раметров. Однако это справедливо только для диапазона рабочих
частот, в котором СХ не зависят от частоты.
На рис. 1.1 приведены условные обозначения триодов (ГУ-66А
и ГИ-7Б), а также их СХ в анодной (выходные) и анодно-сеточной
системе координат (проходные) [44]. Триод ГУ-66А в непрерывном
режиме работы обеспечивает колебательную мощность 100 кВт на
частотах до 30 МГц, а ГИ-7Б – импульсную мощность 20 кВт на
частотах до 2,6 ГГц.
СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕНЕРАТОРНЫХ ЛАМП И ТРАНЗИСТОРОВ 21
ia, A
ia, A
20
Л Г 500
ia
10
П Н A
+
60 60
Р
00
C
u
u
+2
a
50 50
c K
B
40 00 40
+1
5кB
U c= ГУ-66А
Uа =
30
0
20 20
10 10
0В
-30
0
2 кВ
3 6 9 12 15 ua, kB -400 -200 0 200 uc, B
а
ia, A
ia, A
Р
ЛГ
10 Н 1
П 20
1 кВ
+1
8 0,8
7 ГИ-7Б
0B
6 +6
2кB
U c=
Uа =
4 0
0,4
2 В 0,2
-40
0 1 2 3 4 5 6 7 ua, kB -40 -20 0 20

uc, B
б
Рис. 1.1. Условные обозначения, примеры идеализации СХ
и определения параметров генераторных триодов:
а – непрерывного действия; б – импульсного действия
На рис. 1.2 приведены условные обозначения тетродов (ГС-17Б

и ГУ-34Б), а также их выходные и проходные СХ [44]. Выходные
СХ тетродов (рис 1.2) сравнительно пологие, но круто обрываются
при напряжениях ua = ua гр ≈ Ec2 .Такой вид СХ типичен для многих
современных генераторных тетродов и объясняется перераспределе-
нием катодного тока между анодом и второй сеткой в области малых
напряжений на аноде 0 < ua < Ec2 [72]. При снижении ua анодный
ток ia быстро уменьшается, а ток второй сетки соответственно растет.
В современных тетродах для уменьшения тока экранирующей сетки
провода этой сетки помещают как бы в тень проводов управляющей
сетки. Вследствие этого в некоторых лампах, например ГУ-34Б, ток
22 ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
ia, A 375 В ia, A

24 ia 24
П EC2 A
кB
20
C2
u
,5
Н u C1 a 20
=5
c
200 В K
а
U
16 16
13
kB
12 B
ЛГР
U c=+100 ГС-17Б
0,8
12
8 Ec2 =0,8 kB
8
O
4 4
ua, kB 60
0
0,8 kB
1 2 3 4 -100 0 100 200 uc, B
а
ia, A ЛГР
П Н 10В
1,2 ia, A
Ec2 =500B 1,0
0
0,8 0,8
ГУ-34Б
U c=-10B
0,6
Ec2 =500B
0,4 0,4
-30В 0,2
ua, kB 400
0 0,4 0,8 1,2 -40 -20 0 uc, B
0,5 kB
б
Рис. 1.2. Условные обозначения, примеры идеализации СХ и
определения параметров генераторных тетродов со сдвинутой ЛГР
второй сетки при ua < Ec2 может принимать даже отрицательные

значения [72]. Металлокерамический тетрод ГС-17Б обеспечива-
ет максимальную колебательную мощность 4,6 кВт на частотах до
1 ГГц, а ГУ-34Б – 400 Вт на частотах до 250 МГц.
На рис. 1.3 приведены условные обозначения, а также выходные
и проходные СХ биполярного n-p-n-транзистора (2Т9102А-2) и
мощного полевого МДП-транзистора с n-проводимостью канала
(КП913А) [65, 78]. Транзистор 2Т9102А-2 обеспечивает максималь-
ную колебательную мощность 4,5 Вт на частоте 2 ГГц, а КП913А –
120 Вт на частотах до 400 МГц.
На рис. 1.4 приведены условные обозначения, а также выход-
ные и проходные статические характеристики металлоксидного
полупроводникового мощного полевого транзистора (Metal-Oxide
Semiconductor Power Field Effect Transistor) или, сокращенно,
MOSFET-транзистора и высоковольтного (Eкэ max = 1 700 В) би-
АППРОКСИМАЦИЯ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЛАМП И ТРАНЗИСТОРОВ 23
полярного транзистора с изолированным затвором (Insulated Gate

Bipolar Transistor) или, сокращенно, IGBT-транзистора [77]. Из
рис. 1.1…1.4 видно, что, несмотря на различия в значениях токов
и напряжений, действующих на электродах различных АЭ, их СХ
имеют близкую форму.
1.2. Аппроксимация статических

характеристик ламп и транзисторов
Сходство ВАХ ламп и транзисторов позволяет использовать еди-
ную форму их аппроксимации. Обычно используют простейшую
аппроксимацию СХ отрезками прямых (идеализацию). Примеры
идеализации СХ различных АЭ даны на рис. 1.1…1.4.
Аналитически аппроксимация характеристик выходных токов АЭ
может быть записана следующим образом:
• в области отсечки, при uвх ≤ E′вх
iвых (uвх) = 0;
• в области недонапряженного режима (области линейного
усиления), при uвых ≥ uвых гр
iвых=S (uвх + D uвых – Eвх0) ;
• в области перенапряженного режима (области насыщения),
при uвх ≥ uвх гр, uвых ≤ uвых гр
iвых= Sгр uвых,
здесь uвх и uвых – мгновенные значения входного и выход-
ного напряжений на электродах АЭ; S = Δiвых/Δuвх, при
uвых= const – крутизна проходной характеристики iвых (uвх)
активного элемента; Sгр = iвых/uвых гр =1/rнас – крутизна линии
граничного (критического) режима; rнас = 1/ Sгр – сопротив-
ление насыщения; E′вх = Eвх0 – D uвых – напряжение отсечки, т.
е. напряжение на входном электроде, при котором имеет мес-
то отсечка выходного тока; Eвх0 – напряжение приведения по
управляющему электроду, определяющее напряжение отсечки
(запирания) E′вх при uвых = 0. При D = 0 напряжение приве-
дения равно напряжению отсечки E′вх; D =Δuвх/Δuвых при
iвых= const – проницаемость АЭ. Для триодов D = 0,01…0,1; для
пентодов и лучевых тетродов D = 0,005…0,01, а для транзисто-
ров её обычно принимают равной нулю.
Приводимые в справочниках значения параметров S и D относят-

ся к номинальному режиму работы АЭ. Для произвольного режима
работы АЭ эти параметры нужно определять по его СХ в выбранной
области работы.
1.3. Параметры ламп и транзисторов

Параметры некоторых высокочастотных генераторных ламп даны
в прил. 1 [44, 73]. Примеры определения параметров ламп по СХ
даны на рис. 1.1 и 1.2.
Основными параметрами ламп являются:
P1max – максимальная колебательная мощность;
fmax – максимальная рабочая частота;
Sгр – крутизна линии граничного режима (ЛГР). ЛГР триодов –
прямая, проходящая на выходной ВАХ через начало коорди-
нат. Для многих современных генераторных тетродов ЛГР –
вертикальная прямая, исходящая из точки ua = ua гр ≈ Ec2;
S = Δia/Δuc при ua = const и Ec2 = const – крутизна проходной
характеристики в области недонапряженного режима;
Ea max и Ec2 max – максимально допустимые постоянные напряже-
ния на аноде и второй сетке;
Pa max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеи-
ваемая анодом;
D – проницаемость.
Параметры некоторых биполярных транзисторов даны в прил. 2
[73, 78]. Примеры определения параметров БТ по их СХ даны на
рис. 1.3, а.
Основными параметрами БТ являются:
β0(h21Э0) = Δiк/Δiб– статический коэффициент передачи тока в
схеме с ОЭ;
•
| β |= β 0 1 + ( f f β ) 2 – модуль коэффициента передачи тока
на высокой частоте;
Cк = Cка + Cкп – полная емкость коллекторного перехода, равная
сумме емкостей активной области перехода Cка и пассивной
области перехода Cкп при определенном напряжении Екб между
коллектором и базой, (паспортная величина);
ПАРАМЕТРЫ ЛАМП И ТРАНЗИСТОРОВ 25
Cэ = Cб + Cд – суммарная емкость эмиттерного перехода, равная

сумме барьерной емкости Cб и диффузионной емкости эмит-
терного перехода Cд = Sп/(2πfТ) (паспортная величина).При
больших токах диффузионная ёмкость может на несколько
порядков превышать зарядовую, поэтому обычно полагают
Cэ = Cд. В области отсечки Cд = Cб, а сопротивление рекомби-
нации rβ очень велико;
rб – сопротивление базы;
τк = rбCка – постоянная времени цепи обратной связи на высокой
частоте (паспортная величина) обычно Cка = (0,2…0,3)Cк, где
коэффициент 0,2 соответствует маломощным высокочастот-
ным приборам, а 0,3 – мощным;
rβ = h21Э0/Sп – усредненное активное сопротивление параллельной
схемы замещения перехода база-эмиттер в активной области
(сопротивление рекомбинации);
rнас = 1/Sгр – сопротивление насыщения между коллектором и
эмиттером транзистора (паспортная величина). На средних и
высоких частотах (f > 0,3fТ h21Э0 ) сопротивление rнас вч значи-
тельно больше своего низкочастотного значения;
Sгр = 1/rнас – крутизна линии граничного режима;
Sп – крутизна характеристики тока коллектора по переходу.
При комнатной температуре (25° С, или 300 К) можно принять
Sп = 39 ik, однако, с учетом разогрева транзистора при прохож-
дении через него тока обычно полагают Sп = 30 ik. При высоте
косинусоидального импульса коллекторного тока Im эту кру-
тизну следует определять для тока ik = 0,5 Im ;
S = rβSп (rб + rβ) – крутизна проходной характеристики на низ-
ких частотах при кусочно-линейной аппроксимации в области
недонапряженного режима;
Sf = S 1 + ( f fS ) 2 – модуль крутизны проходной характеристи-
ки на рабочей частоте. Комплексный характер крутизны мож-
но не учитывать вплоть до частот 0,5 fS;
S б = S h21Э 0 = 1 (rб + rβ ) – крутизна характеристики тока базы
на низких частотах;
[ ( )][
S б f = 1 + f ⋅ h21Э 0 fT
2
1+ (f fS )](
2
)
rβ + rб – модуль крутиз-
ны характеристики тока базы на рабочей частоте;
f г р ( f т ) = f и h21Э – граничная частота коэффициента передачи

тока транзистора для схемы с ОЭ (паспортная величина). На
частоте fгр модуль коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
экстраполируется к единице. В приведенной формуле значе-
ние h21Э соответствует высокой частоте измерения fи;
f S = f т ( S r б ) – граничная частота по крутизне (частота, при
которой модуль крутизны S падает в 2 раз против своего
низкочастотного значения);
f max = f т (30τ k ) – максимальная частота генерации. На этой
частоте коэффициент усиления транзистора по мощности ра-
вен единице;
fβ = fТ h21Э0– граничная частота по коэффициенту передачи тока
•
но приближенно считать, что модуль ¶h21Э0¶ падает обратно

базы. На этой частоте | β | = 0,707 β0 . На частотах f < 3fβ мож-
пропорционально частоте. Весь диапазон рабочих частот БТ

обычно разделяют на три области. В области низких частот
(0 ≤ f ≤ 0,3fβ) БТ можно рассматривать как безынерционный
АЭ с | β | ≈ β0. В области средних частот (0,3fβ < f < 3fβ) БТ –
инерционный АЭ. В диапазоне высоких частот f > 3fβ БТ так-
же инерционен; Его можно считать реактивным элементом с
•
мнимым коэффициентом усиления β ≈ − j f т f ;
Iк max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
Iки max – допустимый импульсный ток коллектора;
Eкэ max – максимально допустимое постоянное напряжение кол-
лектор-эмиттер;
uкэ нас – напряжение насыщения коллектор-эмиттер при задан-
ных токах базы и эмиттера;
Pк max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеи-
ваемая коллектором.
Параметры некоторых полевых транзисторов с изолированным
затвором и n-проводимостью канала даны в прил. 3 [65, 73, 78]. При-
меры определения параметров ПТ по их СХ даны на рис. 1.3, б.
Основные параметры ПТ:
fmax – максимальная рабочая частота;
rнас – сопротивление насыщения (сопротивление, между стоком
и истоком в открытом состоянии транзистора);
S =Δiс/Δuзи – крутизна характеристики тока стока;

Cси (C22и) – ёмкость между стоком и истоком (выходная);
Eзи отс – напряжение отсечки;
Eси max – допустимое постоянное напряжение сток-исток;
Pс max – допустимая постоянная мощность, рассеиваемая стоком.
Параметры некоторых MOSFET-транзисторов даны в прил. 4
[68, 74, 77]. Примеры определения параметров MOSFET-транзис-
торов по их СХ даны на рис. 1.4, а.
Основными параметрами MOSFET-транзисторов являются:
Rси отк – сопротивление между стоком и истоком в открытом со-
стоянии транзистора (сопротивление насыщения);
iк, A ЛГР
iк iэ, A
П 20мА Н Б iб К
1,0
15мА uбэ uкэ 1
Э iэ
0,8 0,8
0,6 10мА 0,6
2T9102A-2
0,4 5мА 0,4 uкб=0
0,2 0,2
iб=1мА uкэ, B uбэ, B
0 2 4 8 12 0 0,4 0,6 0,8 1,0
а
iс, A
Р
iс, A
ЛГ
20
20
15 20
П С iс
З iз
15 uзи uси15 uси= 60В
Н И
u зи=12В 10
10
КП913А
10
5 5
8 uси, B uзи, B
0 10 20 30 40 50 5 10 15 20
б
и определения параметров генераторных транзисторов:
а − биполярного; б – полевого
uси нас – напряжение насыщения сток-исток (остаточное напря-

жение);
S – крутизна характеристики тока стока;
Eзи отс – напряжение отсечки (пороговое напряжение затвор-ис-
ток);
tвкл и tвыкл – время включения и выключения транзистора;
Cзи – ёмкость между затвором и истоком (входная);
Cси – ёмкость между стоком и истоком (выходная);
Cзс – ёмкость между затвором и стоком (проходная);
Iс max – максимально допустимый постоянный ток стока;
Iси max – максимально допустимый импульсный ток стока;
Uси max – допустимое напряжение между стоком и истоком;
Pс – допустимая постоянная мощность, рассеиваемая стоком.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT-
транзисторы) характеризуются практически той же системой пара-
метров, что и MOSFET-транзисторы. Отличие заключается в том,
что вместо сопротивления открытого канала приводится напряже-
ние насыщения (остаточное напряжение) коллектор-эмиттер. При-
меры определения параметров IGBT-транзисторов по их СХ даны
на рис. 1.4, б. Параметры некоторых IGBT-транзисторов даны в
прил. 5 [68, 77].
Основными параметрами IGBT-транзисторов являются:
Eкэ max – максимальное допустимое постоянное напряжение кол-
лектор-эмиттер;
Iк max – допустимый постоянный ток коллектора;
uкэ нас (uост) – напряжение насыщения коллектор-эмиттер (оста-
точное напряжение), определяемое для заданного тока коллек-
тора и напряжения на затворе;
Eзэ отс – напряжение отсечки (пороговое напряжение затвор-
эмиттер);
Eoff – энергия выключения в импульсном режиме.
Температурный коэффициент выходного тока (ТКТ) транзис-
торов характеризует относительное изменение тока при изменении
температуры на 1°:
ΔI 1
ТКТ = ,
I Δt o
где I – значение тока, измеренное при нормальной температуре
(обычно 25 °С);
∆I – алгебраическая разница между током, измеренным при за-
данной температуре, и током, измеренным при нормальной
температуре;
∆t° – алгебраическая разность между заданной и нормальной тем-
пературой.
С iс
iс, A
З iз
u iс, A
uзи И
си
300
10В
4В
В
8В
20
300
7В 6В
U зи= 200
200
IRFB1404
u
си=
2В
5В 1В
100 100
4В P=700Вт uзи, B
0 2 3 4 6 uси, B 0 4 56 10 15
а
i к, A
20В 12В iк, A
110
100 К iк 100
10В
11В
З
u u кэ
80 зэ Э
80
60 u =10В IXGH32N170 60
=2В
u
зэ
кэ
40 40 1,5В
8В
uкэ, B uзэ, B
0 2 4 5 6 5 10 15
б
и определения параметров мощных ключевых приборов:
а – MOSFET-транзистора; б – IGBT-транзистора
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
1.1. Какие АЭ используют в ВЧ-каскадах передатчиков?
1.2. Какие генераторные полупроводниковые приборы используют
в мощных каскадах передатчиков?
1.3. Каким требованиям должен удовлетворять идеальный ключ?
1.4. Какова тенденция развития полупроводниковых ключей?
1.5. Нарисуйте статические характеристики БТ, ПТ, триода, тетрода
и аппроксимируйте их отрезками прямых.
1.6. Почему для СХ ламп и транзисторов возможна единая форма
их аппроксимации?
1.7. Почему обычно используют кусочно-линейную аппроксимацию
СХ ламп и транзисторов?
1.8. Чем отличаются динамические характеристики АЭ от статичес-
ких?
1.9. Выберите тип и оцените количество: а) БТ; б) ПТ; в) генератор-
ных ламп из числа представленных в прил.1,2 и 3, необходимых
для блочно-модульного построения передатчика мощностью в
непрерывном режиме работы 2,8 кВт на частоте 250 МГц.
1.10. Из числа АЭ, представленных в прил. 1, 2 и 3, выберите оп-
тимальный для выходного каскада передатчика мощностью
200 кВт на частоте 100 МГц.
Характеристики и параметры генераторных ламп
1.11. Какова область использования генераторных ламп?
1.12. Какие параметры генераторных ламп благоприятствуют их ис-
пользованию в РПУ?
1.13. В каких каскадах передатчика обычно используют генератор-
ные лампы?
1.14. Определите максимальную колебательную мощность лампы
ГУ-82Б (прил. 1) на частоте: а) 250; б) 25; в) 2,5 МГц.
1.15. Определите крутизну лампы ГУ-67Б (прил. 1) на частоте:
а) 75; б) 7,5; в) 0,75 МГц.
1.16. Определите крутизну линии граничного режима лампы ГУ-53Б,
если при Ea = 10 кВ и Ua = 9,6 кВ амплитуда импульса анодного
тока в граничном режиме равна 20 А.
1.17. Из каких соображений выбирают величину напряжения пита-
ния экранирующей сетки тетрода?
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 31
1.18. По СХ триода ГУ-66А (рис. 1.1, а) определите его параметры:

а) S; б) Sгр; в) rнас; г) D; д) Eсо при ua= 20 кВ, ia = 50 А.
1.19. Рассчитайте напряжение отсечки анодного тока лампы ГУ-66А
(рис. 1.1, а) при анодном напряжении: а) 20; б) 10; в) 5 кВ, если
Eсо = 40 В, D = 0,017.
1.20. Сравните результаты расчета задачи 1.19 и данные идеализи-
рованных характеристик; объясните полученный результат.
1.21. По СХ триода ГИ-7Б (рис. 1.1, б) определите его параметры:
а) S; б) Sгр; в) rнас; г) D; д) Eсо при uс > 0.
1.22. Для предыдущей задачи вычислите напряжение отсечки анод-
ного тока при анодном напряжении а) 2 кВ; б) 1 кВ. Сравни-
те эти результаты и данные идеализированных характеристик;
объясните полученный результат.
1.23. По СХ тетрода ГC-17Б (рис. 1.2) определите его параметры:
а) S; б) ua гр; в) D; г) Eсо при iа =13 А, uа =5,5 кВ.
1.24. Для предыдущей задачи вычислите напряжение отсечки анод-
ного тока при анодном напряжении: а) 5,5 кВ; б) 0,8 кВ.
1.25. По СХ тетрода ГУ-34Б (рис. 1.2) определите его параметры:
а) S; б) ua гр; в) D; г) Eсо; д) E′c при Eс2 =500 В и iа > 0,5 А.
1.26. Определите коэффициент использования анодного напряже-
ния ξгр лампы ГУ-34Б при Eс2=500В, если анодное напряжение
равно: а) 2,5 кВ; б) 2,0 кВ; в) 1,5 кВ.
1.27. Определить максимально допустимый постоянный ток анода
лампы ГУ-53Б (прил. 1) при анодном напряжении : а) 12; б) 10;
в) 5 кВ.
1.28. Определите анодное напряжение лампы ГУ-53Б (прил. 1) в
граничном режиме работы при токе анода: а) 15; б) 10; в) 5 А.
1.29. Определите амплитуду входного напряжения в линейном режи-
ме работы генератора на лампе: а) ГУ-10А; б) ГУ-67Б; в) ГУ-34Б
(прил. 1), если амплитуда анодного тока численно равна 0,3 Iа0 max,
а Eа =Eа max.
1.30. Определите амплитуду импульса анодного тока в линейном ре-
жиме работы лампы: а) ГУ-34Б; б) ГУ-82Б; в) ГУ-84Б (прил. 1)
при амплитуде входного напряжения 40 В. Напряжение смеще-
ния равно напряжению запирания анодного тока.
Характеристики и параметры биполярных транзисторов
1.31. Определите амплитуду импульса коллекторного тока, если ам-
плитуда напряжения возбуждения равна 1 В, крутизна проход-
ной характеристики транзистора 6 См, напряжение смещения
на базе равно напряжению запирания коллекторного тока.
1.32. Определите амплитуду импульса коллекторного тока в гра-

ничном режиме, если напряжение питания коллекторной цепи
20 В, крутизна линии граничного режима 2 См, амплитуда кол-
лекторного напряжения равна 18 В.
1.33. По СХ транзистора 2Т9102А-2 (рис. 1.3, а) определите его па-
раметры: а) Sгр; б) rнас; в) β0; г) D при iк > 0,5 А.
•
1.34. Определите частоту, при которой | β |= β 0 / 2 .
1.35. Определите границы области средних частот транзистора:
а) 2Т927А; б) 2Т980А; в) 2Т930Б; г) 2Т942А; д) 2Т3115А-2
(прил. 2).
1.36. Определите крутизну линии граничного режима Sгр и сопро-
тивление насыщения rнас транзистора 2Т927А, если в граничном
режиме uкэ=0,6 В, а iк=10 А.
1.37. Определите сопротивление rнас нч транзистора: а) 2Т980А;
б) 2Т930Б; в) 2Т942А; г) 2Т3115А-2; (прил. 2), если при токе
Iко max их напряжения uкэ гр соответственно равны 3; 2,5; 1,5; 0,3 В.
1.38. Определите параметры S и fs транзистора 2Т942А (прил. 2) при
токе коллектора, равном: а) Iко max; б) 0,5 Iко max; в) 0,1Iко max.
1.39. У мощного транзистора коэффициент передачи по току в схеме
с общим эмиттером на низкой частоте равен 20, а на частоте
300 МГц – 3,5; сопротивление базы равно 0,5 Ом. Для режима
S = 5 См определите частоты fs, fT, fβ.
1.40. Определите максимальную частоту генерации транзистора:
а) ГТЗ11Е; б) КТ903А; в) 2Т904А; (прил. 2).
1.41. Определите крутизну линии граничного режима на низкой
частоте в номинальном режиме работы транзистора: а) ГТЗ11Е,
б) КТ903А, в) 2Т904А (прил. 2) и наибольшую рабочую часто-
ту, при которой это значение крутизны можно использовать.
1.42. Определите параметры Sп, S, rβ, fT, fs, fβ, Cka и Cэ транзистора:
а) ГТЗ11Е; б) КТ903А; в) 2Т904А (прил. 2) при комнатной
температуре, если амплитуды косинусоидальных импульсов
коллекторных токов этих транзисторов соответственно равны
50 мА, 10 А, 1,5 А.
1.43. Определите крутизну тока коллектора и тока базы транзисто-
ров предыдущей задачи на частоте 0,5 fs.
1.44. Определите сопротивление насыщения транзистора 2Т927А
на частоте 3 МГц, если при Θ = 90° и Eк = 28 В колебательная
мощность генератора в граничном режиме равна 140 Вт, а под-
водимая – 230 Вт.
1.45. Определите сопротивление rнас транзистора 2Т927А на частоте

30 МГц, если при Θ = 90° и Eк = 28 В колебательная мощность
генератора в граничном режиме равна 100 Вт, а ηе= 0,56.
1.46. Определите сопротивление насыщения транзистора 2Т930Б,
если при Θ = 90° и Eк = 28 В колебательная мощность генера-
тора в граничном режиме равна 80 Вт, а ηе = 0,5.
1.47. Получите приближенную формулу fT = fββ0 и определите отно-
сительную погрешность расчета по этой формуле: а) при β0 = 5;
б) при β0 = 10; в) при β0 = 20.
1.48. Получите приближенную формулу fT = fи|βи| и определите от-
носительную погрешность расчета по этой формуле при отно-
шении частот fи /fβ равном а) 2; б) 3; в) 4; г) 5.
1.49. Определите отношение частот fи /fβ при допустимой относи-
тельной погрешности расчета по формуле fT = fи|βи|, равной:
а) 10; б) 5; в) 3; г) 2%.
Характеристики и параметры МДП-транзисторов
1.50. Какие процессы определяют частотные свойства ПТ?
1.51. Какие факторы ограничивают максимальную рабочую частоту
МДП-транзисторов в ключевом режиме?
1.52. Какие особенности ПТ благоприятствуют их использованию:
а) в широкополосных усилителях, рабочая полоса которых за-
хватывает сравнительно низкие частоты; б) в усилителях, ра-
ботающих в классе А; в) при параллельном включении прибо-
ров; г) в усилителях колебаний с переменной амплитудой или
осуществляющих амплитудную модуляцию; д) в устройствах
повышенной эксплуатационной надёжности; е) в мощных кас-
кадах передатчиков однополосных систем.
1.53. По СХ транзистора КП913А (рис. 1.3, б) определите его пара-
метры: а) S; б) Sгр; в) rнас; г) E′зи; д) D при ic > 5 А.
1.54. Определите максимальную колебательную мощность транзис-
тора 2П933А (прил .3) на частоте: а)1000; б)100; в)10 МГц.
1.55. Определите крутизну S транзистора 2П928А (прил. 3) при токе
стока: а) 20; б) 10; в) 5 А.
1.56. Определите крутизну S транзистора 2П920А (прил. 3) на час-
тоте: а) 400; б) 40; в) 4 МГц.
1.57. Определите коэффициент использования напряжения стока
транзистора: а) 2П923А; б) 2П928А; в) 2П933А в типовом ре-
жиме работы генератора (прил. 3).
1.58. Определите амплитуду входного напряжения в линейном ре-

жиме работы генератора на транзисторе: а) 2П908А; б) 2П923А;
в) 2П928А; г) 2П933А, если амплитуда тока стока равна Iс max.
1.59. Определите сопротивление насыщения транзистора: а) 2П923А;
б) 2П928; в) 2П933А в типовом режиме генератора.
1.60. Определите сопротивление насыщения транзистора 2П920А
на частоте 400 МГц, если при Θ = 90° и Еси = 50 В колебатель-
ная мощность генератора в граничном режиме равна 150 Вт, а
подводимая – 263 Вт.
1.61. Определите сопротивление насыщения транзистора 2П933А в
типовом режиме его работы (прил. 3).
Характеристики и параметры MOSFET-транзисторов
1.62. По СХ низковольтного MOSFET-транзистора IRFB1404
(рис. 1.4, а) определите его сопротивление насыщения при на-
пряжении на затворе, равном: а) 20; б) 8; в) 7; г) 6 В.
1.63. Определите крутизну характеристики тока стока и напряже-
ние отсечки транзистора предыдущей задачи при напряжении
uси=4 В.
1.64. Определите максимальное напряжение uси нас транзисторов
№ 1…5 (прил. 4).
1.65. Определите максимальное напряжение uси нас транзисторов
№ 6, 7, 8 и 9 (прил. 4).
1.66. Постройте и прокомментируйте зависимость величины мак-
симального остаточного напряжения транзисторов № 1…9
(прил. 4) от допустимого напряжения Uси max.
1.67. Определите максимальную мощность, коммутируемую тран-
зисторами № 1…5 (прил. 4).
1.68. Выберите два наиболее мощных транзистора из представлен-
ных в прил. 4.
1.69. Определите изменение тока стока транзистора номер: а) 1; б) 2;
в) 3 (прил. 4) при изменении управляющего напряжения на
0,5 В.
1.70. Определите амплитуду управляющего напряжения транзисто-
ра номер а) 3; б) 4; в) 5 (прил. 4) при максимальной амплитуде
импульса тока стока, если напряжение смещения равно напря-
жению отсечки тока стока.
1.71. Определите величину постоянного тока, заряжающего
входную ёмкость транзистора предыдущей задачи за время
τф = 0,2 tвкл.
1.72. Оцените величину максимальной частоты следования импуль-

сов в ключевом режиме работы транзистора номер а) 1; б) 2;
в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; (прил. 4), полагая, что длительность им-
пульсов равна длительности паузы и в 20 раз превышает время
коммутации транзистора tк = tвкл + tвыкл.
1.73. Определите время заряда входной емкости MOSFET-транзис-
тора КП753А (прил. 4) постоянным током: а) 0,1 А; б) 0,3 А;
в) 0,7 А до напряжения 1,4 В.
Характеристики и параметры IGBT-транзисторов
1.74. Каковы свойства IGBT-транзисторов?
1.75. Изобразите структуру ячейки IGBT-транзистора.
1.76. Почему IGBT-транзисторы характеризуются остаточным на-
пряжением, а не сопротивлением насыщения, как MOSFET?
1.77. По статическим характеристикам IGBT-транзистора (рис. 1.4, б)
определите напряжение насыщения при токе коллектора 80 А
и напряжении на затворе: а) 11 В; б) 12 В; в) 20 В.
1.78. Определите напряжение насыщения и максимальный ток кол-
лектора транзистора предыдущей задачи при напряжении на
затворе: а) 10; б) 11; в) 12 В.
1.79. Определите напряжение отсечки транзистора задачи 1.77 при
напряжении коллектора 10 В.
1.80. Определите сопротивление насыщения транзисторов № 1, 2, 3
и 4 (прил. 5) при температуре а) 25; б) 90 °С.
1.81. Определите температурный коэффициент транзисторов №
а) 1; б) 2; в) 3 (прил. 5).
1.82. Из представленных в прил. 5 транзисторов определите а) ком-
мутирующий наибольшую мощность; б) самый быстродейству-
ющий; в) самый инерционный.
Сравнение свойств высокочастотных АЭ
1.83. Сравните инерционность ламп, БТ и ПТ.
1.84. В каких случаях генераторные лампы имеют неоспоримое пре-
имущество перед полупроводниковыми приборами?
1.85. Сравните свойства ламп и транзисторов, используемых в мощ-
ных каскадах радиопередатчиков.
1.86. Сравните свойства ПТ и генераторных ламп.
1.87. Почему свойства БТ характеризуют гораздо большим количес-
твом параметров, чем ламп и ПТ?
1.88. Сравните температурную стабильность ПТ и БТ.
1.89. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов.

1.90. Каковы преимущества МДП-транзисторов по сравнению с БТ?
1.91. Какие факторы препятствуют замене в мощных каскадах пе-
редатчиков биполярных транзисторов полевыми?
1.92. Сравните систему параметров полевых и IGBT-транзисторов.
1.93. Сравните свойства ключей на биполярных, полевых и комби-
нированных транзисторах.
1.94. Сравните вид ВАХ электронных ламп и БТ.
1.95. Проведите ЛГР на выходных СХ триодов, транзисторов и тет-
родов.
РЕЖИМЫ РАБОТЫ
2 АКТИВНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
2.1. Классификации режимов

по напряженности
Статические характеристики АЭ представляют зависимость токов
управляющего и выходного электродов АЭ от напряжений на этих
электродах. При изменении одного из напряжений, напряжения на
остальных электродах служат для СХ параметрами. На выходных
СХ ламп и транзисторов различают области недонапряженного и
перенапряженного режимов, а также область отсечки. Названия ре-
жимов (недонапряженный и перенапряженный) заимствованы из
классификации режимов генераторных ламп и отражают легкий
(недонапряженный) и, соответственно, тяжелый (перенапряжен-
ный) тепловые режимы той из сеток, на которую приходится на-
ибольшая доля тока эмиссии.
• В области недонапряженного режима (Н на рис. 1.1...1.3)
выходной ток зависит от всех напряжений, приложенных к
электродам АЭ. Эта область называется активной, и также
линейной или областью линейного усиления.
• В области перенапряженного режима (П на рис. 1.1...1.3)
выходной ток не зависит от напряжения на управляющем
электроде. В лампах эта область называется областью перена-
пряженного режима, в БТ областью насыщения, а в ПТ – об-
ластью изменения дрейфовой скорости.
• Линия граничного режима (ЛГР) разделяет области Н и П на
выходных СХ.
38 РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
• Область отсечки соответствует работе АЭ в режиме очень ма-

лых токов выходного электрода.
Динамический режим работы генератора. В выходную цепь ре-
ального генератора включают сопротивление нагрузки. Из-за паде-
ния напряжения на сопротивлении нагрузки изменение входного
напряжения вызывает изменение выходного напряжения, так что
рабочая точка в течение периода колебаний перемещается с одной
СХ на другую. Такой режим работы генератора называют динами-
ческим. Динамические характеристики, в отличие от статических,
представляют зависимости токов АЭ от напряжений на его элект-
родах при одновременном изменении входного и выходного напря-
жения. Выходная динамическая характеристика АЭ iвых(uвых) имеет
участок отрицательной крутизны; АЭ со стороны нагрузки представ-
ляет собой отрицательную проводимость (с ростом напряжения uвых
ток iвых уменьшается). Это означает, что АЭ способен отдавать мощ-
ность во внешнюю цепь. Наклон динамической характеристики за-
висит от величины сопротивления нагрузки и режима работы АЭ.
Различают недонапряженный, перенапряженный и граничный
динамические режимы. Количественно напряженность режима ха-
рактеризует коэффициент использования напряжения источника
питания выходной цепи (напряженность режима) :
ξ = Uвых/E,
где Uвых – амплитуда выходного напряжения;
E – напряжение источника питания.
В недонапряженном режиме ξ < ξгр, в граничном ξ = ξгр, в пере-
напряженном ξ > ξгр, а в сильноперенапряженном ξ > 1.
• Недонапряженным динамическим (НР) называют режим,
при котором рабочая точка в течение всего периода колебаний
находится в недонапряженной области. В НР минимальное
(остаточное) напряжение E – Uвых больше граничного (крити-
ческого) Uвых гр, импульсы выходного тока АЭ имеют косину-
соидальную форму, а ξ < ξгр.
• Граничным динамическим (ГР) называют режим, при ко-
тором рабочая точка лишь достигает ЛГР. В ГР остаточное
напряжение равно граничному (E – Uвых = Uвых гр), импульс
выходного тока имеет уплощенную вершину, а ξ = ξгр.
• Перенапряженным динамическим (ПР) называют режим, при
ГАРМОНИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ КОСИНУСОИДАЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ 39
котором рабочая точка часть периода колебаний находится в

перенапряженной области. В ПР остаточное напряжение мень-
ше граничного (E – Uвых < Uвых гр), импульс выходного тока
имеет провал, глубина которого зависит от амплитуды напря-
жения Uвых на выходе АЭ, а ξ > ξгр.
• В сильноперенапряженном динамическом режиме Uвых > E и
ξ > 1. При этом в течение части периода ток анода отсутствует,
так что импульс анодного тока разделяется на две симметрич-
ные части, а в БТ и ПТ выходной ток течет в направлении,
противоположному току при НР.
2.2. Нагрузочные характеристики

генератора с внешним возбуждением
Под нагрузочными характеристиками генератора с внешним воз-
буждением (ГВВ) понимают зависимости токов, напряжений, мощ-
ностей, КПД и других показателей ГВВ от величины эквивалентно-
го сопротивления R выходной цепи АЭ току основной частоты при
неизменных значениях напряжений источников питания и напря-
жения возбуждения.
При малых значениях сопротивления R генератор находится в НР,
напряжение на выходе АЭ мало (Uвых < E), а импульс выходного тока
имеет форму отрезка косинусоиды с практически неизменным мак-
симальным значением Im (рис. 2.1). При увеличении R генератор пе-
реходит из НР в граничный (R = Rгр) и далее в ПР. В перенапряжен-
ном режиме в импульсе выходного тока появляется провал, который
увеличивается с ростом R. При дальнейшем увеличении R генератор
переходит в сильноперенапряженный режим (Uвых > E, ξ > 1).
2.3. Гармонический анализ

косинусоидальных импульсов
Режим работы АЭ характеризует угол отсечки Θ, определяемый
в угловых единицах. Он равен половине длительности протека-
ния тока через АЭ (рис. 2.1). Режим работы АЭ без отсечки тока
(Θ = 180°) называют режимом колебаний первого рода (класса А). В
этом режиме ток через АЭ протекает в течение всего периода воз-
буждающего сигнала. При Θ < 180° ток через АЭ протекает только

часть периода. Такой режим является нелинейным, его называют
режимом колебаний второго рода. Режим работы с Θ = 90° носит
название класса В, а с Θ < 90° – класса С. В режиме класса D АЭ
практически находится только в одном из двух состояний: отсечки
или насыщения. Такой режим работы АЭ называют ключевым. Его
разновидностью является режим класса Е [31, 39, 48, 51, 58, 71−73,
90−92, 104]. Схемная реализация ключевого режима класса Е отли-
чается тем, что паразитные элементы в этом генераторе входят в
состав колебательного контура, настроенного на частоту, близкую к
рабочей (ключевой генератор с формирующим контуром).
В типичных случаях
iвых iвых
недонапряженного и гра-
ничного режимов работы
генератора, возбуждаемо-
го квазигармоническим Im
uвх
сигналом, выходной ток θ 2θ
ωt
АЭ представляет собой 2π
периодическую последо-
вательность косинусои- Uвх
дальных импульсов дли- ωt
тельностью 2Θ (рис. 2.1).
Рис. 2.1. Временные диаграммы напряжения
По известному значе- и тока в режиме с отсечкой
нию угла отсечки можно
определить постоянную составляющую и амплитуду n-й гармоники
тока:
• при заданном значении высоты импульсов выходного тока Im
эти токи равны
I = I α (Θ ),
вых 0 m 0 I = I α (Θ );
вых n m n
• при заданных значениях напряжений Uвх и Uвых токи равны

I вых 0 = S (U в х − DU вых )γ 0 (Θ ), Iвых n = S (U в х − DU вых )γ n (Θ ),
где, S – крутизна проходной характеристики АЭ в области недо-
напряженного режима;
α n (Θ ) и γ n (Θ ) – коэффициенты разложения косинусоидаль-
ного импульса (коэффициенты Берга); n =1, 2.. .
• Коэффициент формы gn косинусоидального импульса зави-
сит только от величины угла отсечки Θ:
g n (Θ ) = I вых n I вых 0 = α n (Θ ) α 0 (Θ ) = γ n (Θ ) γ 0 (Θ ).
Расчетные формулы, таблицы и графики коэффициентов α n (Θ ),
γ n (Θ ) и g n (Θ ) даны в прил. 6…8 [14].
Напряженность режима
2.1. Нарисуйте СХ: а) триода; б) тетрода; в) БТ; г) ПТ. Укажите
области отсечки, недонапряженного и перенапряженного ре-
жимов.
2.2. Чем отличается динамический режим работы генератора от ста-
тического?
2.3. Изобразите временные диаграммы выходного тока: а) триода;
б) тетрода; в) БТ; г) ПТ, возбуждаемого квазигармоническим
сигналом при настройке контура в резонанс и работе генера-
тора в недонапряженном, граничном, перенапряженном и силь-
ноперенапряженном режимах с углом отсечки 90°.
2.4. Как изменится форма импульсов тока генератора предыдущей
задачи при небольшой расстройке его выходного контура?
2.5. Как изменится форма импульсов тока генератора задачи 2.3 при
значительной расстройке его выходного контура?
2.6. Чем различаются формы импульсов выходного тока ламп и
транзисторов в сильно перенапряженном режиме?
2.7. Определите напряженность режима лампового генератора, если
отношение токов Iсо /Iао равно: а) 0,03; б) 0,15; в) 0,3.
2.8. Оцените тепловые режимы сетки и анода триодного генератора,
работающего в: а) НР; б) ПР.
2.9. Почему обычно используют граничный режим работы генера-
тора?
2.10. Какое практическое значение имеют нагрузочные характерис-
тики генератора?
2.11. Почему выходной контур усилителя должен быть настроен в
резонанс на частоту входного сигнала?
2.12. Как избежать перегрева выходного электрода АЭ при включе-
нии генератора с ненастроенным выходным контуром?
2.13. Как изменятся постоянные составляющие токов базы и кол-
лектора, а также напряженность режима генератора, работаю-
щего в ГР, при увеличении: а) напряжения питания коллектора;
б) отпирающего напряжения на базе?
2.14. По какому из приборов, измеряющих постоянную составляю-

щую коллекторного тока, контурный ток и амплитуду напряже-
ния на коллекторе, можно точнее настроить контур в резонанс,
если генератор работает: а) в перенапряженном, б) в недона-
пряженном режиме?
2.15. Усилитель работает в НР. Как надо изменить: а) отпирающее
напряжение смещения на базе; б) напряжение коллекторного
питания; в) амплитуду напряжения возбуждения; г) резонанс-
ное сопротивление контура, чтобы режим стал граничным?
2.16. Генератор: а) с параллельным; б) с двухтактным включением
двух транзисторов работает в граничном режиме. Как изменится
режим генератора при выходе из строя одного транзистора?
2.17. Каким по напряженности был режим работы транзистора, если
при коротком замыкании нагрузки генератора постоянная со-
ставляющая коллекторного тока возрасла в два раза?
2.18. Как изменится напряженность режима транзистора выходного
каскада переносного связного передатчика при обрыве антен-
ны: а) четвертьволновой; б) сильно укороченной?
2.19. Постоянная составляющая анодного тока выходного каскада
передатчика равна 100 мА, тока сетки – 50 мА. Как нужно из-
менить связь с антенной, чтобы повысить мощность, передава-
емую в антенну?
Угол отсечки
2.20. Как определить по осциллограмме угол отсечки?
2.21. Почему мощные транзисторные и ламповые генераторы высо-
кой частоты работают с отсечкой тока?
2.22. Определите угол отсечки, при котором можно получить мак-
симальный электронный КПД усилителя.
2.23. Определите угол отсечки, при котором амплитуда: а) второй;
б) третьей; в) всех высших гармоник тока равна нулю.
2.24. Определите угол отсечки, при котором амплитуда: а) второй;
б) третьей гармоники максимальна.
2.25. Как изменится угол отсечки при увеличении амплитуды на-
пряжения возбуждения, если начальный угол отсечки равен:
а) 70°; б) 90°; в) 180°?
2.26. Как изменится угол отсечки при увеличении: а) сопротивления
нагрузки; б) Еп; в) Uвх; г) отпирающего напряжения смещения,
если начальный угол отсечки равен 90°?
2.27. Как можно уменьшить угол отсечки в ГВВ: а) ламповом;
б) транзисторном, если начальное значение Θ равно 180°?
2.28. Какие факторы ограничивают: а) минимальное; б) максималь-

ное значение угла отсечки выходного тока?
2.29. Оцените величину угла отсечки выходного тока АЭ из условия
получения максимальной колебательной мощности усилителя
при высоком КПД.
2.30. Почему в усилителях обычно выбирают угол отсечки в пре-
делах 60...120°?
2.31. Как изменятся величина электронного КПД и выходной мощ-
ности усилителя при уменьшении угла отсечки от 90° до а) 70°;
б) 60°; в) 50°?
2.32. Как по приборам установить угол отсечки импульсов выход-
ного тока 90°?
2.33. В выходную цепь генератора: а) лампового; б) транзисторно-
го включен короткозамкнутый отрезок линии. Частота пер-
вой гармоники выходного тока совпадает с основной частотой
резонатора. Какая из гармоник выходного тока представляет
наибольшую опасность с точки зрения фильтрации высших
гармоник? При каком угле отсечки выходного тока мощность
гармоник будет наименьшей?
2.34. Усилитель работает в ГР с углом отсечки 70°. Как изменятся
напряженность режима и угол отсечки при увеличении: а) со-
противления нагрузки; б) амплитуды входного сигнала; в) на-
пряжения питания выходной цепи; г) отпирающего напряже-
ния смещения; д) частоты входного сигнала?
2.35. Усилитель работает в граничном режиме с углом отсечки 90°.
Как изменится его электронный КПД при уменьшении ампли-
туды напряжения возбуждения в 2 раза?
2.36. Усилитель работает в ГР с углом отсечки 90°. Как изменятся
его электронный КПД и колебательная мощность при умень-
шении амплитуды напряжения возбуждения на 20%?
2.37. Какие настройки усилителя мощности: а) транзисторного (рис.
3.9); б) лампового (рис. 3.10) можно произвести по прибору,
измеряющему постоянную составляющую выходного тока?
2.38. Какие измерительные приборы транзисторного усилителя
(рис. 3.9) можно использовать, чтобы: а) установить угол от-
сечки выходного тока 90°; б) настроить выходной контур на
частоту входного сигнала; в) установить граничный режим?
2.39. Какие измерительные приборы лампового усилителя (рис. 3.10)
можно использовать, чтобы: а) установить угол отсечки выход-
ного тока 90°; б) настроить выходной контур на частоту вход-

ного сигнала?
2.40. Какой минимум измерительных приборов необходим для:
а) настройки выходного контура усилителя (рис. 3.9) в резо-
нанс и граничный режим при угле отсечки 90°; б) контроля
режима работы усилителя?
2.41. Каковы особенности работы АЭ в ключевом режиме?
2.42. Из каких условий выбирают режим возбуждения АЭ, работа-
ющего в ключевом режиме?
2.43. Возможна ли работа ГВВ на тетроде при токе Ic20: a) больше
нуля; б) равном нулю; в) меньше нуля?
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ
3 ЦЕПИ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ
3.1. Основные параметры колебательных

контуров
Основными параметрами колебательных контуров являются круго-
вая резонансная частота ω0, добротность Q и резонансное сопротив-
ление R при параллельном резонансе или сопротивлении потерь r
при последовательном резонансе.
Резонансная частота ω0 высокодобротных КС до величин порядка
1/Q2 одинакова для параллельного и последовательного резонансов,
а также для собственных колебаний. Ее величина определяется ус-
ловием равенства в КС максимальных значений магнитной и элек-
трической энергий NН = NЕ.
Величина добротности определяется отношением реактивной
мощности к мощности потерь Pпот, расходуемой при резонансе
Q = ω 0 N 0 Pпот ,
где N0 = NН = NЕ – энергия, запасенная в КС при резонансе.
Из приведенных соотношений в частности видно, что величина
резонансной частоты и добротности не зависит от точек измерения.
В любых точках КС величина ω0 и Q одинакова.
Колебательные системы (КС) любой сложности с сосредоточенны-
ми или распределенными параметрами удобно представлять в виде
эквивалентного параллельного или последовательного колебательно-
46 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
го контура с сосредоточенными параметрами. Такое представление

справедливо вблизи резонансной частоты ω0 высокодобротной (Q 1)
колебательной системы и при условии, что ее другие резонансные час-
тоты значительно отличаются от частоты ω0 [9]. На практике
эти условия использования эквивалентного контура обычно выпол-
няются.В случае последовательного возбуждения КС её представ-
ляют в виде последовательного колебательного контура, а в случае
параллельного возбуждения – параллельного. В радиопередающих
устройствах чаще используют параллельное возбуждение.
3.2. Параллельный колебательный контур

Колебательным контуром параллельного питания, или, сокращенно,
параллельным колебательным контуром, называется цепь, состав-
ленная из катушки индуктивности и конденсатора, подключенных
параллельно входным зажимам, к которым может быть присоединен
генератор или другие элементы цепи.
Схема эквивалентного параллельного U
контура показана на рис. 3.1. На этом ри- C rC
сунке сопротивления rC и rL учитывают
потери в емкости и индуктивности конту- I
Ik
ра. Сопротивление потребителя энергии L
(нагрузки) rП включено в индуктивную r r
ɉ
ветвь контура. На входных зажимах кон- L
Рис. 3.1. Параллельный
тура действует гармоническое напряже- колебательный контур
ние с амплитудой U.
Параллельный контур характеризуют три основных параметра:
резонансная частота ω0, добротность Q и резонансное сопротивле-
ние R. Резонансное сопротивление контура равно
R = U 2 2 Pпот ,
где U – амплитуда напряжения между теми точками КС, относи-
тельно которых определяется резонансное сопротивление. К этим
точкам КС подключаются внешние цепи или между ними произво-
дится возбуждение контура.
Основные расчетные соотношения для параллельного колеба-
тельного контура [4, 9, 22]:
• резонансная частота ω0 = 2π f 0 = 1 / LC ;
ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР 47
• изменение резонансной частоты при малом изменении его

параметров (∆L/L 1 и ∆C/C 1 )
Δω 0 ω 0 = −0,5(ΔL L + ΔC C );
• характеристическое сопротивление
ρ = L C = ω0 L = 1 (ω0 С );
• суммарное активное сопротивление обеих ветвей контура:
не нагруженного rk = rC + rL;
нагруженного rН = rC + rL + rП;
• добротность контура Q = ρ r = ω0 ( 2Δω0.7 ) ;
• резонансное сопротивление контура
L ρ2
R= = = Qρ = Q 2 r ;
Cr r
• комплексное входное сопротивление нагруженного контура
U ρ2 R ξR
Zвх = = = rвхн + j xвхн = н 2 − j ,
I rн (1 + j ξ ) 1+ ξ 1 + ξ2
⎡ ⎤
где ξ = Q ω − ω 0 – обобщенная расстройка. Для частот,
н⎢ ⎥
⎣ω0 ω ⎦ Δω
близких к резонансной частоте контура ( 1), ξ = 2QН∆ω/ω0;
ω0
• модуль входного сопротивления нагруженного контура
RН
Z ВХ = ,
1 + ξ2
2
Δω ⎛ Δω ⎞
при << 1 сопротивление равно Z в х = Rн 1 + 4Q ⎜⎜
2
⎟⎟ ;
ω0 н
⎝ ω0 ⎠
• фазовый угол входного сопротивления нагруженного контура
xв хН ⎡ ⎛ ω ω0 ⎞⎤
ϕ = arctg = arctg(−ξ) = arctg ⎢− QН ⎜⎜ − ⎟⎟⎥ .
rв хН ⎣ ⎝ ω0 ω ⎠⎦
При ∆ω/ω0 1 фазовый угол равен φ = –2QН∆ω/ω0.
• полоса пропускания контура по уровню 1 2

2Δω0.707 = ω0 Q = ω0 r ρ = ω0ρ R = 1 (RC ) = r L ;

• температурный коэффициент частоты
ТКЧ = Δf (ΔT f ) = −0,5(ТКИ + ТКЕ );
• КПД контура
η k = Pп P1 = 1 − Qн Q0 = 1 − Rн R0 = 1 − rk rн ,
где rk – сопротивление потерь контура;
rП – сопротивление потребителя энергии (нагрузки), пересчи-
танное в контур;
PП – полезная мощность (мощность, отдаваемая потребителю
энергии);
P1 – колебательная мощность (мощность, подводимая к коле-
бательной системе);
Qн = ρ rн и Rн = ρQн – добротность и сопротивление на-
груженного контура;
Q0 = ρ rk и R0 = ρQ0 – добротность и сопротивление нена-
груженного контура;
∆T и ∆f – изменение температуры и частоты;
ТКИ = ΔL ΔT L и ТКЕ = ΔC ΔT C – температурные коэф-
фициенты индуктивности и емкости.
Вид частотных характеристик параллельного колебательного кон-
тура показан на рис. 3.2.
ϕ
Z вх π
RH 2
Δω
ϕ = −2Q
ω0
Δω
rвх Δω 0 ω0
0 ω0
x вх
0,5 RH −π
2
а б
Рис. 3.2. Частотные характеристики параллельного колебательного контура:
а – полного входного сопротивления и его составляющих; б – фазовая
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР 49
Энергетические соотношения в контуре:

• колебательная мощность
P1 = 0,5U 2 Rн = 0,5I 2 R = 0,5 I k2 rн ;
• полезная мощность Pп = 0,5 I k2 rп ;
• амплитуда контурного тока I k= U ρ = I Q .
Схемы неполного включения параллельного колебательного кон-
тура показаны на рис. 3.3.
c1
L2 c
U, R L U, R
R, U L1 R, U c2
Рис. 3.3. Схемы неполного включения контура
Резонансное сопротивление при неполном (частичном) включе-

нии контура равно:
R'= p 2 R ,
где p = U ′ U = L1 (L1 + L2 ) = C1 (C1 + C 2 ) – коэффициент вклю-
чения контура.
3.3. Последовательный колебательный

контур
Колебательным контуром последовательного питания, или, сокра-
щенно, последовательным колебательным контуром называется
цепь, составленная из катушки индуктивности и конденсатора, со-
единенных последовательно относительно входных зажимов, к кото-
рым может быть подключен генератор или другие элементы цепи.
Схема эквивалентного последова-
тельного контура показана на рис. 3.4. U
Последовательный контур характери-

L C r
зуют три основных параметра: резо-
I
нансная частота ω0, добротность Q и
активное сопротивление r, учитываю- Рис. 3.4. Последовательный
колебательный контур
щее потери в контуре.
Активное сопротивление равно

r = 2 Pпот I 2 ,
где I – амплитуда тока в тех точках КС, относительно которых оп-
ределяется сопротивление r. К этим точкам подключается внешняя
цепь или между ними производится возбуждение контура.
Вид частотных характеристик последовательного колебательного
контура показан на рис. 3.5.
Z вх
ϕ
π
2
Δω
ω0
0
r Δω
Δω ϕ = 2Q
ω0
ω0
0 −π 2
а б
Рис. 3.5. Частные характеристики последовательного колебательного
контура: а – полного входного сопротивления; б – фазовая
Основные расчетные соотношения для последовательного коле-

бательного контура [4, 9, 22]:
• резонансная частота равна ω0 = 2πf 0 = 1 LC ;
• характеристическое сопротивление равно
ρ = L C = ω0 L = 1 (ω0C ) = r Q ;
• добротность равна Q = ω 0 N 0 Pпот = ρ r ;
• активное сопротивление равно r = ρ Q;
• полоса пропускания контура равна
2Δω 0.707 = ω 0 Q = ω 0 r ρ = r L ;
• комплексное входное сопротивление равно
Z в х = U I = rв х + j xв х = r (1 + jξ ),
xв х ⎡ω ω ⎤
где ξ= = t g ϕ = Q ⎢ − 0 ⎥ – обобщенная расстройка.
rв х ⎣ ω0 ω ⎦
СВЯЗАННЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ КОНТУРЫ 51
При малой относительной расстройке (∆ω/ω0 1), ξ = 2Q∆ω/ω0;
• модуль входного сопротивления Z в х = r 1 + ξ .

2
В области малых расстроек (∆ω/ω0 1) можно принять
Z в х = r 1 + (2Q Δω ω0 ) ;
2
• фазовый угол входного сопротивления ϕ = arctg ξ .

В области малых расстроек (∆ω/ω0 1) фазовый угол равен
φ = 2Q∆ω/ω0.
3.4. Связанные колебательные контуры

Связанными называются контуры, взаимно влияющие друг на дру-
га. Простейшим примером системы связанных контуров является
двухконтурная колебательная система. Контур, в который включе-
на ЭДС, называют первичным, а связанный с ним – вторичным.
К вторичному контуру присоединяют нагрузочное сопротивление.
Элементы, входящие как в первичный, так и во вторичный контур,
называют элементами связи.
Для количественной оценки степени связи между контурами ис-
пользуют понятия коэффициента связи kc, критического коэффици-
ента связи kкр и параметра связи pсв = kc/kкр. В типичном случае
использования идентичных контуров (Q1 = Q2 = Q), где Q1 и Q2 –
добротности первичного и вторичного контуров, критический коэф-
фициент связи равен kкр = 1/Q, а параметр связи равен pсв = kQ. От
величины параметра связи зависит вид АЧХ и ФЧХ системы связан-
ных колебательных контуров, а также их полоса пропускания. При
pсв < 1 резонансные кривые одногорбы; при pсв = 1 резонансные кри-
вые также одногорбы, но имеют уплощенную вершину; при pсв > 1
резонансные кривые получаются двугорбыми [4, 6, 9, 10, 22, 83].
Полоса пропускания двух связанных идентичных контуров по
уровню 0,707 равна [10, 22]:
при слабой связи (pсв ≤ 0,25) – 2Δω0.707 = 0,64 (RC );
при pсв = 0,68 – 2Δω0.707 = 1 (RC );

при критической связи (pсв = 1) – 2Δω0.707 = 2 (RC );
при предельной связи (pсв = 2,41) – 2Δω0.707 = 3 ,1 (RC ),

где 1/RC, R и C – соответственно полоса пропускания, резонансное
сопротивление и емкость одиночного контура.
Сиcтему связанных контуров можно свести к одному эквивалент-
ному контуру [4, 9, 22]. При рассмотрении первичного контура мож-
но отбросить вторичный контур, заменив его действие некоторым
эквивалентным, так называем вносимым комплексным сопротивле-
нием, включенным последовательно в первичный контур. При рас-
смотрении вторичного контура можно отбросить первичный контур,
заменив его электродвижущей силой, включенной последовательно
во вторичный контур.
3.5. Входные цепи генераторов

Во входную цепь генератора входят цепь управления АЭ (база-
эмиттер или затвор-исток транзистора или управляющая сетка-ка-
тод электронной лампы); источник входного сигнала; цепь связи
(ЦС), соединяющая источник сигнала и цепь управления; цепь по-
дачи напряжения смещения на управляющий электрод АЭ, а также
блокировочные и разделительные элементы, формирующие пути
протекания постоянной составляющей и первой гармоники вход-
ного тока АЭ. Цепь управления АЭ, источник входного сигнала и
цепь подачи смещения могут быть соединены двумя способами, об-
разуя схемы последовательного или параллельного питания входной
цепи.
Цепи связи, которые строятся с учетом реактивностей АЭ, при-
нято называть согласующими, а ЦС, в задачу которых входит вырав-
нивание коэффициента усиления АЭ в диапазоне частот, называют
цепями коррекции АЧХ.
На рис 3.6, а показана входная цепь триодного генератора с
автосмещением за счет постоянной составляющей сеточного тока
Iс0. Использована схема последовательного питания. Запирающее
напряжение на управляющей сетке равно Ес = R1 · Iс0; конденсатор
С1 – блокировочный. Входной контур L1C2 настроен на частоту
сигнала. Трансформатор Тр согласует сопротивления Rвх и Rвых.
На рис. 3.6, б представлена входная цепь генератора на БТ [58,
72]. Для подачи отпирающего напряжения Есм на базу транзисто-
ра использован делитель напряжения на сопротивлениях R1 и R2.
Сопротивление R3 обеспечивает стабилизацию тока Ik0 транзистора
ВХОДНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ 53
I ao
RВХ R ВЫХ RВХ L1 C2 L2 RВЫХ IKO Rвх Rвых
L1 L1
Tp
R2 C3
C1 L3 R3 R1 C1
C2 C1 EЭ
R1 R2
I co
EБ
EСМ Eз C2
R1
EC
а б в
Рис. 3.6. Входные цепи генераторов
за счет ООС по току. Стабилизация улучшается при увеличении

сопротивления R3 = Eэ/Ik0 и снижении величины сопротивления
RБ = R1 · R2/(R1 + R2). При увеличении сопротивления R3 возрас-
тает рассеиваемая на нем мощность, равная I2k0R3. При уменьшении
сопротивления RБ возрастает мощность, потребляемая от источни-
ка смещения. Следует также иметь в виду, что ток делителя дол-
жен быть гораздо больше тока базы Iб0: Eб/(R1 + R2) = (5…10) · Iб0,
так как в противном случае происходит автосмещение за счет
тока базы. Из компромиссных соображений обычно принимают
RБ = (3…5) · R3. Величину напряжения смещения Eсм определяют из
очевидного соотношения Eсм = Eэ + Eбэ, где Eбэ – напряжение между
базой и эмиттером транзистора, близкое к напряжению отсечки E'б.
Цепь согласования на рис. 3.6, б образована Г-цепочкой L1C1 в виде
ФНЧ; элементы L2C2 – цепь дополнительной фильтрации, а L3 и
C3 – разделительный и блокировочные элементы.
Расчет ЦС в виде Г-звена L1C1 типа ФНЧ (рис. 3.6, б и 3.9)
[31,58,72]. Цепочку L1C1 можно рассматривать как параллельный
контур с добротностью Q = Rв х Rвых − 1 . При Rв х Rвых ≥ 10 , что
соответствует Q ≥ 3, можно определить:
• полосу пропускания 2Δω 0.7 = ω 0 Q ;
• коэффициент фильтрации высших гармоник ( )
Φn = Q2 n2 −1 ;
2
• КПД цепи η T = 1 (1 + Q Q0 );
• величину элементов цепи C1 = Q ωRв х , L1 = Rвых Q ω , ( )
где ω0 – резонансная частота, на которой |Zвх| = Rвх;
Q0 – добротность ненагруженного контура L1C1;
n – номер гармоники.
Цепь дополнительной фильтрации L2C2 в виде последовательно-

го контура, настроенного на частоту основной гармоники коллек-
торного тока, повышает коэффициент фильтрации. Очевидно, что
чем больше L2, тем меньше C2 и тем ярче выражены резонансные
свойства цепи и лучше фильтрация высших гармоник, но тем уже
полоса пропускания и больше потери. Цепь L2C2 используют так-
же в случае, когда требуемая по расчету величина индуктивности
L1 получилась очень малой. Введение индуктивности L2 позволяет
увеличить суммарную индуктивность L1 + L2 до конструктивно ре-
ализуемой величины.
На рис. 3.6, в представлена входная цепь генератора на МОП-
транзисторе по схеме с ОИ [58, 72]. Напряжение смещения Eз
поступает на затвор транзистора через резистор R1. Этот резистор
шунтирует входную емкость транзистора C1 и обеспечивает в рабо-
чем диапазоне частот практически постоянное сопротивление Rвых
предыдущего каскада. Емкость в цепи смещения C2 – блокировоч-
ная. Цепь согласования L1C1, как и ЦС на рис. 3.6, б, представляет
собой фильтр нижних частот, однако в отличие от схемы рис. 3.6, б
она преобразует малое сопротивление Rвх в сравнительно большое
сопротивление Rвых. Такие ЦС используют на относительно низких
частотах. На этих частотах МДП-транзисторы в схеме с ОИ, а также
тетроды и триоды в схеме с ОК при работе без тока управляющей
сетки по входу эквивалентны емкости Cвх = C1, шунтированной бес-
конечно большим активным сопротивлением. Очевидно, что поме-
няв местами вход и выход ЦС на рис. 3.6, в можно использовать
расчетные соотношения, приведенные для ЦС рис. 3.6, б.
Расчет ЦС в виде Г-звена типа ФНЧ (рис. 3.6, в). При задан-
ных значениях частоты ω, входного сопротивления Rвх и емкости
C1 можно определить:
Q = 1/(ωC1Rвх ) 2 − 1; 2Δω0,7 = ω / Q; ηТ = 1 / (1 + Q / Q0 );
Rвых = 1 / ( Rв х (ω C1) );
2
L1 = Rвх Q / ω = 1/ (ω 2C1).
3.6. Выходные цепи генераторов

В выходную цепь генератора входят выходные зажимы АЭ; на-
грузка; цепь связи (ЦС), соединяющая выходные зажимы АЭ и
нагрузку; цепь подачи напряжения питания на выходной электрод
ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ 55
АЭ (коллектор или сток транзистора; анод электронной лампы), а

также блокировочные и разделительные элементы, формирующие
пути протекания постоянной составляющей и первой гармоники
выходного тока АЭ. Выходные зажимы АЭ, источник электропи-
тания и нагрузка могут быть соединены двумя способами, образуя
схемы последовательного и параллельного питания выходной цепи.
Цепи связи, которые строятся с учетом реактивностей АЭ, принято
называть согласующими.
На рис. 3.7, а, б показаны схемы последовательного питания
[58, 72]. В этих схемах напряжение питания на транзистор подается
через контурную индуктивность L1, которая в этом случае оказыва-
ется включенной по постоянному току последовательно с транзисто-
ром. Конденсатор С1 – блокировочный. В схеме рис. 3.7, а исполь-
зовано частичное включение нагрузки в емкостную ветвь контура.
Переменные контурные конденсаторы обеспечивают регулировку
связи с нагрузкой (антенной) и подстройку контура на частоту пер-
вой гармоники тока АЭ. На рис. 3.7, б показана кондуктивная связь
нагрузки с контуром L1C2 генератора. Емкость С3 обычно выбира-
ют достаточно большой, чтобы падение переменного напряжения на
ней было мало по сравнению с Uн.
Расчет ЦС в виде одиночного контура. При добротности Q ≥ 3
параллельных контуров (рис. 3.7, а, б) можно определить:
• коэффициент фильтрации высших гармоник Φ n = n 2Q 2 ;
• КПД контура при подключении сопротивления нагрузки па-
раллельно контуру η T = 1 (1 + Q Q0 ); при включении сопро-
тивления нагрузки в одну из ветвей контура η = 1 − Q Q0 ;
T
• резонансное сопротивление контура в месте подключения на-

грузки R'= p 2 R ,
где p = Uн/Uк – коэффициент включения нагрузки;
R = QωL1 – резонансное сопротивление нагруженного кон-
тура.
На рис. 3.7, в показана полосовая ЦС [31, 58, 72]. Она отличает-
ся от обычной П-цепочки в виде ФНЧ (рис. 3.9) введением допол-
нительных элементов L1, C2 и L3, образующих с элементами соот-
ветственно С1, L2 и С4 резонансные контуры. Напряжение питания
C2 L2
C2 C2 L1
C3 C1
L1 C4 RH
C1 C1 L1 C3 L3
C3 UH UH
EC RН
EK EC
а б в
Рис. 3.7. Выходные цепи генераторов
поступает на сток транзистора через контурную индуктивность L1.

Конденсатор С3 – блокировочный.
На рис. 3.8 показан один из наиболее распространенных вариан-
тов П-образной ЦС с дополнительным фильтром LФCФ [31, 58, 72].
При добротностях Q1 ≥ 3 и Q2 ≥ 3 П-цепочки, трансформирующей
сопротивление R2 в требуемую величину R1, можно определить:
• добротности цепей
Q1 = ωC1R1 , Q2 = ωC 2 R 2 =
R2
R1
(
1 + Q12 − 1 ; )
• суммарную добротность Q = Q1 + Q2 +Qф;
• КПД трансформатора η T = 1 (1 + Q Q0 );
• индуктивность трансформатора ( ( ))
L = R1 (Q1 + Q2 ) ω 1 + Q 2 ;
• индуктивность фильтра Lф = ω C ф ( 2
) = R1Q (1 + Q ),
−1
ф 1
2
где Qф – добротность дополнительного фильтра;

Q0 – собственная добротность ЦС. Так как обычно потери в
конденсаторах пренебрежительно малы, обычно полагают доб-
ротность Q0 равной добротности катушки индуктивности L.
L Lф Сф
R1 C1 C2 R2
Рис. 3.8. Схема П-трансформатора с дополнительным фильтром

СХЕМЫ ГЕНЕРАТОРОВ 57
При расчете обычно задаются величиной добротности Q1 и доб-

ротности фильтра Qф. Условие реализуемости трансформатора
Q12 > R1/R2 – 1 [31].
3.7. Схемы генераторов

На рис. 3.9 показана схема генератора с параллельным питанием
цепи базы и коллектора [58, 72]. Для согласования с нагрузкой ис-
пользован П-контур с реактивными элементами L4, C7 и C8. Эле-
менты C3,C4,C5 и C6 – блокировочные. Элементы L2, L3, C2 – раз-
делительные. Входная ЦС образована Г-цепочкой L1C1.
Eк
C5 I ко
C6
Uб L3
Uк Rк C9
L4
iк
L1 C2 C7 C8
Rн Uн
L2
C1
C4
C3
Iб0
Eб
Рис. 3.9. Схема генератора с параллельным питанием цепей
базы и коллектора
На рис. 3.10 показана схема тетродного генератора с последо-
вательным питанием входной и выходной цепи [9, 72]. Питающие
напряжения подаются на электроды лампы через контурные индук-
тивности L1, L4 и дроссель L3.
На рис. 3.11 показаны две практические схемы генераторов на
МДП-транзисторах [65, 72]. Генератор по схеме рис. 3.11, а на час-
тоте 30 МГц отдает в нагрузку мощность 10 Вт. Генератор по схеме
рис. 3.11, б на частоте 300 МГц отдает в нагрузку мощность 30 Вт
при общем КПД, равном 0,45. В выходной ЦС этого генератора ис-
пользован П-трансформатор с дополнительным фильтром (элемен-
ты C5…C8 и L1). Емкость C5 включает выходную емкость транзис-
тора Сси и монтажа См. Входная ЦС образована Г-цепочкой L1C1.
Конденсатор С2 – разделительный.
ia
C9
C6 L4 L5
C1
iC C13
C2 L3 C10 L6
L1
C3 C7 C11
IC20 I a0
L2 C5 C8 C12
EC2 Ea
C4
IC10
R1
EC1
Рис. 3.10. Схема генератора на тетроде с последовательным
питанием цепей сетки и анода
C4 100нФ
C1 2П901А C2 L1
510 50нГн Rн
33нФ 50
UC
C3
R1 100нФ
2,4к
50 В
а
C4
100нФ 35В
L2 500нГн
C5 C6 L1 11нГн
33
L1 C2
10нГн 1нФ C7 Rн
50
33 C8
2П909 А 75
C1 R1
33 1к
EЗ C3
10нФ
б
Рис. 3.11. Практические схемы ГВВ на МДП-транзисторах
ФИЛЬТРАЦИЯ ВЫСШИХ ГАРМОНИК 59
3.8. Фильтрация высших гармоник

Фильтрующие свойства ЦС характеризует коэффициент фильтра-
ции по мощности для n-ой гармоники тока АЭ [58]:
Фn = Re Z н1 Re Z нn ,
где Re Zн1 и Re Zнn – действительные (резистивные) составляющие
входного сопротивления нагрузки (фидера или антенны) в точках
подключения АЭ для первой и n-й гармоники тока АЭ. Эти состав-
ляющие входного сопротивления обычно определяют в предположе-
нии, что сопротивление нагрузки для первой и n-ой гармоник оди-
наковы, т. е. Rн = R2 = R2n (рис. 3.12). Величина сопротивлений R2
и R2n зависит от свойств антенны и фидера, соединяющего антенну
с цепью согласования.
Значения коэффициентов фильтрации Фn простейших ЦС при-
ведены в табл. 3.1, где Q – добротность нагруженной ЦС. На прак-
тике добротность нагруженного контура Q усилителя выбирают в
пределах от 10 до 30. При меньшей величине Q увеличивается ин-
тенсивность гармоник на выходе ЦС, а при более высокой растут
потери и соответственно снижается контурный КПД ηк = 1 – Q/Q0
из-за увеличения реактивных токов в резонансной цепи.
Расчетные формулы для ЦС 1…5 получены при Q0 Q ≥ 3…5, а ЦС
№ 6 при Q0 Q1 ≥ 3…5, Q0 Q2 ≥ 3…5, где Q1 = ω1С1R1, Q2 = ω1С2R2;
ω1 – частота первой гармоники тока АЭ.
При малых потерях в ЦС мощности основной частоты Р1 и гар-
моник Рn на выходе ЦС (в антенне) практически равны соответс-
твующим мощностям, отдаваемым АЭ (рис. 3.12). В этом случае
отношение излучаемых мощностей равно [58]:
Pn/P1 = (IAn/IA1)2 = (Iкn/Iк1)2(ReZнn/ReZн1) = (Iкn/Iк1)2/Фn,
где Pn = 0,5 IAn2 R2 – мощность излучения n-ой гармоники;
P1 = 0,5 IA12 R2 – мощность излучения первой гармоники;
IAn и IA1 – амплитуды токов n-ой и первой гармоник в антенне;
Iкn и Iк1 – амплитуды токов n-ой и первой гармоник активного
элемента. При косинусоидальной форме импульсов тока АЭ
отношение этих токов зависит только от величины угла отсеч-
ки Iкn/Iк1 = αn(Θ)/α1(Θ).
Из формул для отношения мощностей Pn/P1 видно, что коэффи-
циент фильтрации по мощности Фn равен квадрату коэффициента
фильтрации по току ФIn
Φ n = Φ I2n = (I k n I k1 ) (I I A1 ) .
2 2
An
Таблица 3.1. Коэффициенты фильтрации простейших цепей

согласования
Номер
Схема ЦС Расчётная формула
схемы
( )
L 2
1 C R2 Φn = Q2 n2 − 1
( )
2
C
Q2 n2 − 1
2 L R2 Φn =
n4
( )
2
C Q2 n2 − 1
3 L R2 Φn =
n2
C1
4 U1 L
C2
R2 Φ n = Q 2n 2
UH
при L1 = L2
L1
C
( )
R2 2
5 Q2 n2 − 1
L2 Φn =
n2
R1 L R2
6 U1
U
U2
Φ n = Q 2n 4 n 2 − 2 ( )
C1 C2
P1, Pn
ΙK1, ΙKn Ι A1,Ι An
АЭ R1,ReΖHn, U1 ЦС U2 ,R2
R1=ReΖH1 R2 =R2n =RH

Рис. 3.12. К фильтрации высших гармоник
БЛОКИРОВОЧНЫЕ И РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ 61
3.9. Блокировочные и разделительные

элементы
Блокировочные и разделительные элементы используют в генера-
торах для создания требуемых путей протекания постоянного и пе-
ременного токов.
• Блокировочные (шунтирующие) конденсаторы используют
для создания кратчайшего (с минимальным сопротивлением)
пути протекания токов высокой частоты, чтобы не допустить
их замыкание через цепь источника питания.
• Разделительные конденсаторы используют для того, чтобы
устранить короткое замыкание источника питания по постоян-
ному току, не нарушив протекания высокочастотных токов.
• Разделительные катушки индуктивности (дроссели) или ре-
зисторы используют для устранения замыкания токов высо-
кой частоты по цепи источника питания. В мощных каскадах
чаще всего используют дроссели, поскольку они имеют боль-
шое сопротивление на высокой частоте и минимальное – пос-
тоянному току.
Выбор разделительных и блокировочных

элементов в схемах параллельного питания
• емкости разделительных конденсаторов во входных и выход-
ных цепях генераторов (С2 на рис. 3.9; С1 на рис. 3.10; С1 и С4
на рис. 3.11, а) выбирают из условия получения малого (по от-
ношению к модулю сопротивления нагрузки Z) сопротивления
конденсатора на наименьшей рабочей частоте передатчика.
В ламповых генераторах Cр ≥ (20…100)/(ωZp2).
В генераторах на БТ обычно удовлетворяются соотношением
Cр ≥ (5…20)/(ωZp2) [71, 72];
• индуктивности разделительных дросселей в схемах однотак-
тных генераторов (L3 на рис. 3.6, б; L2 и L3 на рис. 3.9; L2
на рис. 3.11, б) выбирают из условия протекания через дрос-
сель либо малой части контурного тока (Iк) Lр > (10…20)pLК,
либо малой части первой гармоники тока через контур
Lр ≥ (10…30)Zp2/ω = (10…30)Qp2LК. Чем выше добротность кон-
тура Q, тем больше различие между этими токами (Iк = QI1).
Поэтому при Q > 10…20 на индуктивность дросселя наклады-
вают более жесткие ограничения [71, 72];
• индуктивности разделительных дросселей в схемах двухтакт-

ных генераторов (например, дросселя L5 на рис. 6.2) могут
быть снижены в 10…20 раз по сравнению с соответствующими
значениями однотактной схемы
Lр ≥ (1…2)LК или Lр ≥ (1…2)Rk/ω = (1…2)QLК;
• емкости блокировочных конденсаторов в схемах однотакт-
ных и двухтактных генераторов (С4 и С6 на рис. 3.9, 3.11, б и
рис. 6.2) выбирают из условия получения малого (по отноше-
нию к сопротивлению разделительного дросселя ωLр) сопро-
тивления на наименьшей рабочей частоте передатчика
Cбл ≥ (20…100)/(ω2Lр),
где ω – наименьшая рабочая частота передатчика;
Z – модуль сопротивления нагрузки. Для входной цепи это
модуль входного сопротивления генератора на частоте
сигнала. Для колебательного контура это резонансное
сопротивление R;
Q – добротность нагруженного контура;
р – коэффициент включения АЭ в контур.
Выбор блокировочных и разделительных

элементов в схемах последовательного питания
• емкости блокировочных конденсаторов во входных и выход-
ных цепях генераторов (С2 на рис. 3.6, в; С1 на рис. 3.7, а, б; С3
и С10 на рис. 3.10; С3 на рис. 3.11,а) выбирают из двух условий
[71, 72]:
1) малого (по отношению к модулю сопротивления нагрузки)
сопротивления блокировочного конденсатора на наимень-
шей рабочей частоте передатчика.
В ламповых генераторах Cбл ≥ (20…100)/(ωZ).
В генераторах на БТ обычно удовлетворяются соотношени-
ем Cбл ≥ (5…20)/(ωZ);
2) малого (по отношению к амплитуде напряжения на нагруз-
ке) падения напряжения на блокировочном конденсаторе,
поскольку параллельно выходному (или входному) контуру
подключена цепочка из двух последовательно включенных
емкостей: блокировочной емкости Сбл и выходной (или вход-
ной) емкости CА активного элемента – Cбл ≥ (50…100)CА;
• индуктивности разделительных дросселей Lp (L2 и L6 на

рис. 3.10) выбирают такой величины, чтобы резонансная часто-
та контура, образованного элементами Lp и Cбл, была в 7…15 раз
ниже рабочей частоты передатчика. В этом случае контур LpCбл
имеет небольшое сопротивление гармоникам тока АЭ и не раз-
рывает цепь их замыкания Lр ≥ (50…200)/(ω2Cбл).
3.1. Каково назначение цепей связи: а) согласующих; б) корректи-
рующих?
3.2. В каком диапазоне частот используют цепи коррекции генера-
торов на: а) лампах; б) транзисторах?
3.3. Какие требования предъявляют ко входным, межкаскадным и
выходным цепям согласования?
3.4. Из каких соображений выбирают добротность ненагруженного
и нагруженного контура ГВВ?
3.5. Почему в современных передатчиках согласующие Г-, П- и Т-це-
почки обычно выполняют в виде ФНЧ: в продольных вет-
вях включаются индуктивности, а в поперечных – емкости
(рис. 3.6, б, в; 3.8; 3.9; 3.11, б)?
3.6. Какие элементы используют в ЦС: а) ламповых; б) транзистор-
ных генераторов?
3.7. Почему в ЦС транзисторных генераторов сосредоточенные
LC-элементы используют на частотах до 10…18 ГГц, а в ЦС
ламповых генераторов только до 30…100 МГц?
3.8. На каких частотах необходимо использовать схему коррекции
АЧХ при включении БТ в схеме с: а) ОЭ; б) ОБ?
3.9. Какие ЦС целесообразно использовать при коэффициенте пере-
крытия по частоте Kf = fВ/fН, равном: а) Kf ≤ 1,1…1,2; б) Kf > 2…3;
в) 1,2 ≤ Kf ≤ 2…3?
3.10. Какова область использования: а) Г-трансформаторов; б) П-транс-
форматоров?
3.11. Сравните свойства Г-, П- и Т-трансформаторов.
3.12. Как можно улучшить основные параметры ЦС?
3.13. Сравните свойства П-трансформаторов: полосового (рис. 3.7, в)
и ФНЧ (рис. 3.8; 3.9; 3.11).
3.14. Из каких условий выбирают добротности Q1 , Q2 и Qф П-транс-

форматора?
3.15. Начертите схемы ЦС в виде Г-звеньев типа фильтров нижних
и верхних частот и сравните их свойства.
3.16. Сравните свойства ЦС в виде Г-звена (входная цепь на
рис. 3.9); Г-звена с дополнительным фильтром (рис. 3.6, б) и
П-трансформатора (рис. 3.7, в; 3.8; 3.9; 3.11).
3.17. Докажите, что любая последовательная цепь, состоящая из ре-
активности x и активного сопротивления r, может быть заме-
нена эквивалентной параллельной цепью из реактивности X и
активного сопротивления R. Определите отношение активных
сопротивлений R/r этих цепей (коэффициент трансформации).
3.18. Определите добротность Q цепи предыдущей задачи, необходи-
мую для трансформации сопротивления r =50 Ом в сопротивле-
ние R=2 500 Ом, а также величину сопротивлений x и X.
Параллельный колебательный контур
3.19. Определите резонансную частоту, добротность, характерис-
тическое и резонансное сопротивление параллельного коле-
бательного контура с параметрами: L = 10 мкГн, C = 80 пФ,
r = 10 Ом.
3.20. Резонансная частота параллельного колебательного конту-
ра равна 1 МГц, сопротивление потерь 9 Ом, индуктивность
45 мкГн. Определите емкость контура, его добротность и по-
лосу пропускания.
3.21. Определите добротность, полосу пропускания, а также частоты
f1 и f2, соответствующие границам полосы пропускания парал-
лельного колебательного контура с параметрами: L = 2,2 мГн,
C = 450 0пФ, rн = 220 Ом.
3.22. Определите пределы изменения емкости, добротности и по-
лосы пропускания параллельного колебательного контура при
перестройке его резонансной частоты от 150 до 415 кГц. Индук-
тивность контура равна 2,2 мГн; сопротивление потерь контура
rн от частоты не зависит и равно 285 Ом.
3.23. Постройте качественные графики зависимости резонансного
сопротивления параллельного колебательного контура от час-
тоты при перестройке контура: а) емкостью; б) индуктивностью
при условии, что добротность контура не зависит от частоты.
3.24. Определите добротность: а) параллельного б) последователь-
ного колебательного контура, если резонансная частота равна
150 МГц, емкость контура 80 пФ, амплитуда напряжения на

емкости при резонансе равна 50 В, мощность потерь 1 Вт.
3.25. Определите параметры параллельного колебательного контура
задачи 3.24.
3.26. Определите амплитуду контурного тока в ГВВ по схеме
рис. 3.7, а, если амплитуда первой гармоники коллекторного
тока равна 15 А, а добротность контура равна 20.
3.27. На какое напряжение и какой ток следует подбирать элементы
L и C контура ГВВ по схеме рис. 3.11, а, если Uc = 30 В, доб-
ротность контура равна 10, а его резонансное сопротивление
равно 50 Ом?
3.28. Определите величину резонансного сопротивления параллель-
ного колебательного контура, при которой его полоса пропус-
кания равна: а) 5; б) 10; в) 20 МГц, если емкость контура равна
20 пФ.
3.29. Получите формулу для определения КПД параллельного
колебательного контура при известных добротностях Q и Q0
в случае: а) включения сопротивления нагрузки rп в одну из
ветвей контура; б) подключения сопротивления нагрузки Rп
параллельно контуру.
3.30. Для задачи 3.29 определите максимальную величину отноше-
ния Q/Q0, при которой расхождение между формулами для
случаев: а) и б) не превышает а) 16%; б) 9%; в) 4%; г) 1%.
3.31. Определите коэффициент включения контура с резонансным
сопротивлением R = 400 Ом (рис. 3.3), если сопротивление R'
равно: а) 400; б) 100; в) 40; г) 4 Ом.
3.32. Определите рабочую частоту f0 и сопротивление R' усили-
теля по схеме рис. 3.7, а, если L1 = 31,8 нГн; С2 = 215,1 пФ;
С3 = 126,3 пФ; Qн=4,5.
3.33. Определите амплитуду напряжения на нагрузке усилителя
(рис. 3.7, б), если амплитуда напряжения на стоке транзистора
равна 12 В, а коэффициент включения контура равен: а) 1,0;
б) 0,5; в) 0,1. Падением напряжения на емкости С3 можно пре-
небречь.
3.34. Определите коэффициент включения контура, необходимый
для получения резонансного сопротивления 25 Ом, если ем-
кость контура равна 200 пФ, резонансная частота равна 50 МГц,
а добротность 30.
3.35. Резонансное сопротивление ненагруженного контура равно
10 кОм, ненагруженная добротность 100, контурный КПД ра-
вен 50%, коэффициент включения равен единице. Определите

сопротивление нагрузки, вносимое в контур.
3.36. Амплитуда анодного напряжения генератора 3000 В. Пара-
метры контура генератора: емкость 500 пФ, индуктивность
200 мкГн, добротность 100, коэффициент включения равен еди-
нице. Определите контурный ток и колебательную мощность.
Последовательный колебательный контур
3.37. Определите добротность и полосу пропускания последователь-
ного колебательного конура, если L = 640 мкГн, С = 320 пФ,
r = 144 Ом.
3.38. Определите параметры последовательного колебательного
контура задачи 3.24.
3.39. Определите параметры Q, C, ρ и r последовательного коле-
бательного контура, если резонансная частота контура равна
150 МГц, амплитуда тока, протекающего через контур, рав-
на 3,77 А, индуктивность контура 14 нГн, мощность потерь
1 Вт.
3.40. Определите амплитуду напряжения на элементах L и C после-
довательного контура (рис. 3.4), если амплитуда напряжения U
на контуре равна 1,8 В, а добротность равна 100.
3.41. На какое напряжение и какой ток следует подбирать элементы
L и С последовательного колебательного контура, если ампли-
туда напряжения на контуре равна 1,6 В, сопротивление потерь
контура равно 0,5 Ом, а добротность – 80?
3.42. Определите параметры L и С эквивалентной схемы кварцевой
пластины, если резонансная частота последовательного колеба-
тельного контура равна 3 МГц, сопротивление потерь 10 Ом,
а добротность равна 50 000.
3.43. Определите резонансную частоту и добротность кварцевой
пластины, если параметры её эквивалентной схемы равны:
С = 0,03 пФ; L = 34 мГн; r = 10,6 Ом.
3.44. Определите характеристическое сопротивление, добротность и
индуктивность эквивалентной схемы кварцевой пластины, если
резонансная частота последовательного колебательного конту-
ра равна 1 МГц, сопротивление 100 Ом, ёмкость 0,02 пФ.
Связанные колебательные контуры
3.45. Дайте примеры использования связанных колебательных кон-
туров в генераторах.
3.46. Дайте примеры вредного влияния связанных колебательных

контуров в генераторах.
3.47. Какие преимущества имеет двухконтурная схема выхода ге-
нератора по сравнению с одноконтурной?
3.48. Каков возможный порядок настройки двухконтурного генера-
тора?
3.49. На рис. 3.13 приведены нормированные ЧХ двухконтурной КС
генератора. Укажите возможный дефект каждого варианта и спо-
соб его устранения, если требуемая полоса частот равна 2Δf.
Рис. 3.13. ЧХ двухконтурной колебательной системы
3.50. В каких случаях и на каких частотах модуляции F возможна

перемодуляция АМ радиосигналов в усилителях мощности со
связанными колебательными контурами?
3.51. Какие требования предъявляют к форме АЧХ и ФЧХ колеба-
тельных систем при усилении сигналов с УМ? Сравните свойс-
тва одноконтурных и двухконтурных усилителей.
3.52. Определите сопротивление нагрузки системы из двух связан-
ных идентичных контуров при критической связи между ними,
если полоса пропускания системы равна: а) 5; б) 10; в) 20 МГц.
Ёмкость контура равна 20 пФ. Сравните это сопротивление с
сопротивлением одиночного параллельного контура.
3.53. Изобразите двухконтурные схемы выхода генератора при раз-
личных связях между контурами: а) индуктивной; б) кондук-
тивной; в) емкостной.
3.54. Какие требования предъявляются к многоконтурным КС уси-
лителей АМ колебаний?
3.55. Какую форму резонансной кривой имеют связанные колеба-
тельные контуры при различных параметрах связи: а) рсв > 1;
б) рсв = 1; в) рсв < 1?
3.56. Сравните величину полосы пропускания одиночного колеба-
тельного контура и колебательной системы с двумя идентич-
ными контурами при различных параметрах связи рсв: а) 2,41;
б) 1,0; в) 0,68; г) <0,68.
Входные цепи генераторов

3.57. Какие требования предъявляют ко входным и межкаскадным
цепям согласования?
3.58. Рассмотрите возможность замены Г-звеньев типа ФНЧ схем
на рис. 3.6, б и 3.9 на Г-звенья типа ФВЧ.
3.59. Поясните назначение элементов и свойства входной цепи ге-
нератора: а) рис. 3.6, а; б) рис. 3.6, б; в) рис. 3.6, в.
3.60. Для схемы рис. 3.6, а определите максимальную величину
резонансного сопротивления R0 контура, индуктивность L1 и
сопротивление автосмещения R1, если рабочая частота равна
30 МГц, входная ёмкость лампы Свх = 21 пФ, ёмкость монтажа
См = 15 пФ, Q0 = 120, Ec = 10В, Ico = 8мА.
3.61. Начертите эквивалентные по высокой частоте схемы входной
цепи генераторов, изображённых на рис. 3.6.
3.62. В каких случаях в Г-трансформатор вводят дополнительный
фильтр L2С2 (рис. 3.6, б)?
3.63. Из каких соображений выбирают параметры дополнительного
фильтра L2С2 (рис. 3.6, б)?
3.64. Что можно сделать, если расчётная величина индуктивности Г-
трансформатора получилась меньше конструктивно реализуемой?
3.65. Определите параметры 2Δf, Q, Ф2, Ф3, ηТ, С1 и L1 входной цепи
связи по схеме рис. 3.9, если рабочая частота равна 70 МГц,
Rвх = 72 Ом, Rвых = 1,1 Ом, Q0 = 80.
3.66. Как зависит величина КПД Г-цепочки (рис. 3.6, б) от величины
коэффициента трансформации Rвх/Rвых?
3.67. Определите параметры 2Δf, Q, Ф2, ηТ, С1 и L1 входной цепи
связи по схеме рис. 3.9, если рабочая частота равна 400 МГц,
Rвх = 50 Ом, Rвых= 4,3 Ом, Q0 = 100.
3.68. Определите величину элементов L2 и С2 дополнительной цепи
фильтрации предыдущей задачи (рис. 3.6, б), полагая величину
суммарной индуктивности равной L1 + L2 = 15 нГн.
3.69. Определите параметры 2Δf, Q, ηТ, L1 и Rвых= R1 цепи связи по
схеме рис. 3.6, в, если рабочая частота равна 10 МГц, Rвх = 50 Ом,
С1 = 40 пФ, Q0 = 100.
3.70. Определите параметры Q, С1 и L1 входной цепи связи по схе-
ме рис. 3.6, в, если рабочая частота равна 10 МГц, Rвх=50 Ом,
R1=3 кОм.
3.71. Определите параметры Q, L1, R1, ηТ входной цепи транзисто-
ра КП904А (рис. 3.6, в), если рабочая частота равна 16 МГц,
Rвх = 25 Ом, С1 = 70 пФ, Q0 = 60. На каких частотах используют

такую цепь согласования?
3.72. Определите величину элементов L1 и С1 входной цепи
рис. 3.6, в, если рабочая частота генератора равна 16 МГц,
Rвх = 25 Ом, Rвых = R1 = 800 Ом.
3.73. Получите формулы для определения величины Q, L1 и R1 вход-
ной цепи рис. 3.6, в при заданных значениях ω, Rвх = R1 и С1.
Выходные цепи генераторов
3.74. Какие требования предъявляют к выходным ЦС?
3.75. Какие устройства подключают к выходу генератора?
3.76. Поясните назначение элементов и свойства схем: а) рис. 3.7, а;
б) рис. 3.7, б; в) рис. 3.7, в.
3.77. Начертите эквивалентные схемы выходных цепей генераторов
(рис. 3.7, а, б) для токов и напряжений первой гармоники.
3.78. Определите величину элементов L1,C2 и С3 выходного кон-
тура усилителя по схеме рис. 3.7, а, если f0 = 100 МГц, Qн = 4,5,
Rк = 90 Ом, а сопротивление нагрузки равно 36 Ом.
3.79. Определите полосу пропускания, ηк и Uн выходной цепи рис.
3.7,а, если резонансная частота контура равна 70 МГц, Q0 = 80,
Q = 20, р = 0,2, амплитуда напряжения на коллекторе транзис-
тора равна 10 В.
3.80. Определите полосу пропускания, мощность в нагрузке и сопро-
тивление нагрузки выходной цепи рис. 3.7, а, если L1 = 120 нГн,
С2 = 60 пФ, С3 = 90 пФ, Q0 = 70, Q = 15, колебательная мощ-
ность равна 10 мВт.
3.81. Определите полосу пропускания, величину емкостей С2 и С3,
амплитуду первой гармоники коллекторного тока Iк1, Uн и мощ-
ность в нагрузке выходной цепи рис. 3.7, а, если f = 77 МГц,
L1 = 120 нГн, Q0 = 70, Q = 15, амплитуда напряжения на кол-
лекторе транзистора равна 4В, сопротивление нагрузки
R' = 140 Ом.
3.82. Определите Uн, р и мощность в нагрузке выходной цепи
рис. 3.7, б, если амплитуда напряжения на стоке транзистора
равна Uс = 40 В, Р1 = 8 Вт, ηк = 0,85, Rн = 50 Ом. Конденсатор
С3 – разделительный.
3.83. Выходная цепь лампового генератора собрана по схеме
рис. 3.7, б. Определите ηк, мощность в нагрузке РП, коэффици-
ент включения нагрузки и минимальную ёмкость разделитель-
ного конденсатора С3, если амплитуда анодного напряжения
равна Uа=2500 В, колебательная мощность равна Р1 = 500 Вт,

λ = 30 м, Rн = 500 Ом, Q0 = 200, ёмкость контура С = 100 пФ.
3.84. Для предыдущей задачи определите величину контурной индук-
тивности L, мощность потерь в контуре Рпот, характеристическое
сопротивление контура ρ, амплитуду анодного тока Iа1, амплиту-
ду тока в контуре Iк и полосу пропускания контура 2Δf.
3.85. Сравните свойства полосовой (рис. 3.7, в) и низкочастотной
(рис. 3.9) цепей согласования.
3.86. При указанных на рис. 3.11, а параметрах схемы определите
суммарную контурную ёмкость С, ёмкость монтажа См, полосу
пропускания 2Δf0,7 и контурный КПД усилителя, если рабочая
частота усилителя равна 30 МГц, выходная ёмкость транзистора
Сси = 25 пФ, добротность ненагруженного контура равна 100.
3.87. Определите величину элементов выходного П-трансформатора в
схеме усилителя рис. 3.11, б, если f0 = 300 МГц; добротность входной
цепи трансформатора Q2 = 3, её сопротивление – 10 Ом; добротность
фильтра Qф = 10; сопротивление выходной цепи равно 50 Ом.
Схемы генераторов
3.88. Сравните свойства схем последовательного и параллельного
питания генераторов.
3.89. Почему в передатчиках коротких волн чаще применяется пос-
ледовательное питание анодной цепи, а в передатчиках длин-
ных волн – параллельное питание?
3.90. Почему источник питания генератора и приборы постоянного
тока следует включать в разрыв провода, потенциал которого
по высокой частоте относительно корпуса равен нулю?
3.91. Сравните свойства фиксированного и автоматического (за счёт
постоянной составляющей сеточного тока) смещения в ГВВ на
триодах.
3.92. Почему в триодных ГВВ большой мощности, как правило, при-
меняется фиксированное смещение?
3.93. Почему в мощных ГВВ не используют катодное автосмеще-
ние?
3.94. Оцените величину сопротивления автосмещения при рабо-
те генератора по схеме рис. 3.6, а в граничном режиме, если
Ес = 300 В, Ia0 = 600 мА.
3.95. Определите величину резисторов в цепи смещения кремниево-
го транзистора (рис. 3.6, б), если Еб = 12 В; Еэ = 0,4 В; Iк0 = 0,2 А;
Θ = 90°.
3.96. Определите ток в цепи делителя и мощности, рассеиваемые

резисторами R1, R2 и R3 предыдущей задачи.
3.97. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.9.
3.98. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.10.
3.99. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.11, а.
3.100. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.11, б.
3.101. Начертите схему ГВВ на БТ с параллельным питанием цепей. Во
входной цепи используйте согласующую Г-цепочку в виде ФНЧ,
а в выходной – П-трансформатор с двумя емкостными связями.
Включите приборы для настройки и контроля работы ГВВ.
3.102. Начертите схему ГВВ на тетроде с последовательным питанием
цепей. Используйте ЦС в виде параллельных колебательных кон-
туров. Включите измерительные приборы для настройки ГВВ.
3.103. Начертите схему усилителя на ПТ с последовательным пи-
танием выходной цепи и нулевым напряжением смещения на
затворе. В выходной цепи используйте параллельный колеба-
тельный контур.
3.104. Начертите схему ГВВ на МОП-транзисторе с параллельным
питанием цепей. Используйте согласующие П-цепочки в виде
НЧ-фильтров.
3.105. Начертите эквивалентные схемы генераторов, изображенных
на рисунках: а) 3.9; б) 3.10; в) 3.11, для токов и напряжений
первой гармоники.
Фильтрация высших гармоник
3.106. Определите коэффициенты фильтрации Ф2, Ф3, Ф5 цепи сог-
ласования: а) №1; б) №2; в) №3 (табл. 3.1) при Q = 10.
3.107. Определите коэффициенты фильтрации Ф2, Ф3, Ф5 цепи сог-
ласования: а) №5; б) №6; (табл. 3.1) при Q = 10 и объясните
полученные результаты.
3.108. Почему ЦС №1 имеет гораздо больший коэффициент филь-
трации, чем ЦС №2 и 3 (табл. 3.1)?
3.109. Почему коэффициент фильтрации ЦС №2 (табл. 3.1) слабо
зависит от номера гармоники?
3.110. Определите параметры Q0, ρ, L и C ЦС №3 (табл. 3.1) на час-
тоте 250 МГц, при R2 = 400 Ом для обеспечения контурного
КПД ηК = 0,9 при коэффициенте фильтрации Ф2, равном: а) 300;
б) 1 000. Оцените возможность реализации этих параметров.
3.111. Однотактный усилитель работает в граничном режиме с уг-
лом отсечки 80°. Коэффициент фильтрации второй гармоники
тока равен 400. Амплитуда тока нагрузки 10 А. Определите

амплитуду тока второй гармоники в нагрузке.
3.112. Определите коэффициент фильтрации третьей гармоники
тока, если угол отсечки коллекторного тока 60°, мощность из-
лучения на частоте третьей гармоники в 106 меньше мощности
излучения на частоте первой гармоники. Действительная со-
ставляющая сопротивления нагрузки на частоте третьей гар-
моники в 100 раз меньше сопротивления нагрузки на частоте
первой гармоники.
3.113. Усилитель работает в граничном режиме с углом отсеч-
ки 90°. Мощность излучения первой гармоники равна 60 Вт,
коэффициент фильтрации второй гармоники тока равен 100.
Определите мощность излучения второй гармоники, если дейс-
твительная составляющая сопротивления нагрузки на частоте
второй гармоники в 80 раз меньше сопротивления нагрузки на
частоте первой гармоники.
3.114. Два передатчика работают на одинаковые антенны, но име-
ют разные ЦС (рис. 3.12). Параметры цепей согласования: у
первого передатчика Q0 = 200, ηК = 93%; у второго – Q0 = 100,
ηК = 90%. В каком из передатчиков получается лучшая филь-
трация высших гармоник?
3.115. Выходная мощность однотактного усилителя, работающего в
граничном режиме при угле отсечки 65°, равна 20 кВт. Опреде-
лите необходимую величину коэффициента фильтрации: а) Ф2;
б) Ф3 при допустимой мощности гармоник 50 мВт.
3.116. Однотактный усилитель мощности работает в граничном ре-
жиме при колебательной мощности, равной P1 = 500 Вт; θ = 80°.
Определите мощность: а) второй; б) третьей гармоники в на-
грузке при использовании согласующей П-цепочки с добро-
тностью Q = 20.
3.117. Однотактный усилитель работает в граничном режиме с уг-
лом отсечки 90°. Амплитуда тока первой гармоники в антенне
равна 6 А. Определите амплитуду тока второй гармоники, если
Ф2 = 25·104.
3.118. Параллельный колебательный контур транзисторного гене-
ратора настроен на волну 500 м, емкость контура 1 нФ, сопро-
тивление потерь 3 Ом, отношение токов IK3/IK1 в коллекторной
цепи равно а) 0,63; б) 0,21. Определите отношение токов в ин-
дуктивной ветви контура.
3.119. Определите отношение токов в емкостной ветви колебатель-
ного контура предыдущей задачи.
3.120. Усилитель работает в граничном режиме. Угол отсечки выход-

ного тока равен 90°. В выходную цепь усилителя включен па-
раллельный колебательный контур. Определите минимальную
добротность контура, при которой форма напряжения на выход-
ном электроде АЭ будет близка к гармонической, если сопро-
тивление нагрузки включено: а) в индуктивную ветвь контура;
б) в емкостную ветвь контура; в) параллельно контуру.
3.121. Определите минимальную ёмкость С колебательного контура
предыдущей задачи при известных значениях рабочей частоты
усилителя ω0 и сопротивлении нагрузки R.
3.122. Определите коэффициент фильтрации Фn ЦС №1 (табл. 3.1)
для n-ой гармоники тока при Q0 Q ≥ 3…5.
при Q0 Q ≥ 3…5.
3.124. Почему коэффициент фильтрации Фn ЦС №2 (табл. 3.1) сла-
бо зависит от номера гармоники и гораздо меньшей величины,
чем у ЦС №1?
3.125. Начертите схему коллекторной цепи с использованием ЦС
№2 (табл. 3.1) и поясните назначение элементов.
при Q0 Q ≥ 3…5.
3.127. Сравните величину коэффициентов фильтрации ЦС №1, 2 и
3 и объясните полученные результаты.
при Q0 Q ≥ 3…5.
при Q0 Q ≥ 3…5 и L1=L2.
3.130. Почему отличаются расчетные формулы коэффициентов
фильтрации ЦС №4 и 5 (табл. 3.1)?
при Q0 Q1 ≥ 3…5 и Q0 Q2 ≥ 3…5.
3.132. Сравните величину коэффициентов фильтрации а) Ф2; б) Ф3;
в) Ф4 цепей согласования №1 и 6 (табл. 3.1) и объясните по-
лученный результат.
Блокировочные и разделительные элементы
3.133. Какие требования предъявляются к параметрам разделитель-
ных и блокировочных конденсаторов?
3.134. Нарисуйте эквивалентные схемы блокировочного и раздели-
тельного конденсаторов в широком диапазоне частот. Построй-
те их ЧХ и укажите область рабочих частот.
3.135. Резонансная частота блокировочного конденсатора равняет-

ся f. Как изменится эта частота при: а) параллельном; б) после-
довательном включении двух таких конденсаторов?
3.136. Для создания блокировочной емкости 600 пФ использовано:
а) параллельное включение двух одинаковых конденсаторов;
б) последовательное включение двух одинаковых конденса-
торов; в) включение одного конденсатора. Оцените величину
паразитной резонансной частоты для этих случаев, если пара-
зитная индуктивность одного конденсатора равна 2 нГн.
3.137. Как можно уменьшить влияние паразитных индуктивностей
блокировочных и разделительных конденсаторов?
3.138. Определите собственную резонансную частоту керамическо-
го конденсатора емкостью: а) 5; б) 50; в) 500; г) 5000 пФ при
индуктивности выводов 2 нГн.
3.139.Определите максимально допустимую емкость С блокиро-
вочного конденсатора для работы на частоте: а) 1000; б)100;
в) 10 МГц, при допустимом снижении её сопротивления xС на
20%, если индуктивность выводов конденсатора равна 1 нГн.
3.140. Как можно повысить собственную резонансную частоту кон-
денсатора, используемого в схеме генератора?
3.141. Определите тангенс угла потерь блокировочного конденсато-
ра емкостью 300 пФ, при котором мощность потерь не превысит
1,5 Вт на частоте 600 МГц, если амплитуда тока, протекающего
через конденсатор, равна: а) 10; б) 20; в) 50 А.
3.142. Почему в качестве блокировочных и разделительных элемен-
тов допустимо использование низкочастотных керамических
конденсаторов с большими значениями ε, TКЕ и tg δ?
3.143. Определите относительное изменение суммарного сопротив-
ления |Zн| при включении последовательно с резистором Rн раз-
делительного конденсатора, сопротивление |xC| которого равно:
а) Rн/50; б) Rн/20; в) Rн/10; г) Rн/5; д) Rн/3.
3.144. Почему в формулах для определения емкостей разделитель-
ных конденсаторов в схемах параллельного питания генерато-
ров на лампах и БТ используют различные коэффициенты?
3.145. Почему в формулах для определения емкостей блокировоч-
ных конденсаторов в схемах последовательного питания гене-
раторов на лампах и БТ используют различные коэффициен-
ты?
3.146. Из каких соображений выбирают величину емкости блоки-
ровочных конденсаторов в цепях смещения усилителей АМ-
или ОМ-сигналов в случае использования: а) автоматического;

б) фиксированного смещения?
3.147. Какие требования предъявляют к параметрам разделитель-
ных дросселей?
3.148. Изобразите эквивалентную схему и частотную характеристи-
ку дросселя в широком диапазоне частот. Укажите область его
рабочих частот.
3.149. Определите собственную резонансную частоту высокочастот-
ного дросселя с индуктивностью: а) 1; б) 10; в) 100 мкГн, если
его паразитная емкость равна 0,4 пФ.
3.150. Определите допустимую индуктивность высокочастотного
дросселя для работы на частоте: а) 300; б) 50; в) 20 МГц при
допустимом снижении его проводимости yL на 30%, если пара-
зитная емкость С дросселя равна 0,4 пФ.
3.151. Чем ограничена: а) минимальная; б) максимальная величина
блокировочных и разделительных элементов?
3.152. Почему индуктивности разделительных дросселей и емкости
блокировочных конденсаторов в двухтактных генераторах могут
быть во много раз меньшей величины, чем в однотактных?
3.153. Определите напряжение на блокировочном конденсаторе и
разделительном дросселе в схеме параллельного питания анод-
ной цепи, если напряжение питания равно 10 кВ, а коэффици-
ент использования анодного напряжения 0,9.
3.154. Определите минимальную величину емкостей раздели-
тельного и блокировочного конденсаторов и индуктивность
разделительного дросселя в схеме параллельного питания
коллекторной цепи УМ на БТ, если рабочая частота усилите-
ля и резонансное сопротивление R его выходной КС равны:
а) f = 30 МГц, R = 1,2 Ом; б) f = 100 МГц, R = 3,6 Ом.
3.155. Определите индуктивность дросселя Lp, емкости раздели-
тельного Ср и блокировочного Сбл конденсаторов в схеме па-
раллельного питания анода при полном включении лампы в
контур, если: а) резонансная частота контура равна 3 МГц,
его резонансное сопротивление равно R = 10 кОм, а индуктив-
ность – 20 мкГн; б) резонансная частота контура равна 10 МГц,
его резонансное сопротивление R = 2 кОм, а емкость – 60 пФ;
в) длина волны генератора равна 500 м, емкость контура
600 пФ, добротность 8.
3.156. Для предыдущей задачи определите отношение величины
переменной составляющей тока дросселя к первой гармонике
анодного тока.
3.157. Как изменятся параметры ГВВ (рис. 3.9) при замене дроссе-
лей резисторами?
3.158. Как изменятся режим работы генератора (рис. 3.9), если: а) за-
менить дроссели L2 и L3 короткозамыкающими перемычками;
б) изъять блокировочные конденсаторы С3, С4, С5 и С6?
3.159. Почему в генераторах недопустимо протекание переменных
токов через источники питания?
3.160. Как изменится режим работы генератора (рис. 3.10), если
заменить дроссели L2, L3, L6: а) короткозамыкающими пере-
мычками; б) резисторами?
3.161. Как изменится режим работы генератора (рис. 3.10) при от-
ключении блокировочных конденсаторов:а) С3; б) С6; в) С10;
г) С5, С8, С12; д) С4, С7, С11?
3.162. Получите формулу для определения: а) емкости разделитель-
ного конденсатора; б) индуктивности разделительного дроссе-
ля; в) емкости блокировочного конденсатора в схеме парал-
лельного питания анодной цепи, если коэффициент включения
АЭ в контур равен р, резонансное сопротивление контура R,
добротность Q, индуктивность LK, а амплитуда напряжения на
контуре равна U.
3.163. Для предыдущей задачи определите амплитуду первой гармо-
ники анодного тока Iа1, амплитуду тока в контуре IК и амплиту-
ду тока в дросселе IДр, если U = 8 кВ, р = 1, R = 10 кОм, Q = 10,
LK = 50 мкГн, L p= 1 мГн. Поясните полученные результаты.
3.164. Определите индуктивность дросселя и емкость блокировоч-
ного конденсатора при последовательном питании анодной
цепи, если резонансная частота контура равна 3·107 рад/с, ин-
дуктивность – 20 мкГн, сопротивление потерь равно 50 Ом,
выходная емкость лампы равна 12 пФ.
3.165. Получите формулу для определения: а) емкости блокировочного
конденсатора; б) индуктивности разделительного дросселя в схе-
ме последовательного питания анодной цепи при полном включе-
нии АЭ в контур, если резонансное сопротивление контура равно
R, рабочая частота – f, выходная емкость лампы равна CA.
3.166. Для предыдущей задачи определите: а) емкость блокировоч-
ного конденсатора; б) индуктивность разделительного дроссе-
ля, если R = 750 Ом, f = 30 МГц, CA = 40 пФ. Поясните полу-
ченные результаты.
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ
4 СООТНОШЕНИЯ
В ГЕНЕРАТОРАХ
4.1. Соотношения для выходных цепей

генераторов
• Высота импульса выходного тока АЭ равна
I вых m = S f (Uв х − DU 1) (1 − cos θ) = S f (Uв х − DU 1) γ1 (θ) α1 (θ),
где Sf – модуль крутизны выходного тока на рабочей частоте.
Для электронных ламп и ПТ частотной зависимостью крутиз-
ны во многих случаях можно пренебречь;
Uвх – амплитуда напряжения возбуждения;
D – проницаемость АЭ;
θ – угол отсечки выходного тока;
α1(θ), и γ1(θ) – коэффициенты разложения косинусоидаль-
ного импульса;
U1 – амплитуда первой гармоники выходного напряжения.
• Постоянная составляющая и амплитуда первой гармоники
выходного тока АЭ равны:
I вых 0 = I вых m α 0 (θ); I вых 1 = I вых m α1 (θ) = S f (U в х − DU1 )γ1 (θ).
• Коэффициент использования напряжения питания E (напря-
женность режима) АЭ равен
[ (
ξ гр = E 0,5 + 0,5 1 − 8P1 α1 (θ )S г р E 2 )] = 1– I выхm
/(SгрE) =
= 1– Iвых0/(α0(θ)SгрE) = α1(θ)SгрR1/(1 + α1(θ)SгрR1),

78 ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ
где E – напряжение питания выходного электрода АЭ;

P1 – колебательная мощность;
Sгр = 1/rнас– крутизна линии граничного режима АЭ;
R1 – сопротивление выходной цепи АЭ току Iвых1.
• Амплитуда первой (основной) гармоники выходного напря-
жения в граничном режиме работы АЭ равна
U1г р = Eξ г р .
• Сопротивление выходной цепи АЭ току Iвых1 равно
R1 = U 1 I вых 1 .
• Колебательная мощность АЭ равна
P1 = 0,5U1 I вых 1 = 0,5 U12 R1 = 0,5I вых
2
1 R1 .
• Мощность, потребляемая генератором, равна
P0 = E I вых 0 .
• Мощность, рассеиваемая на выходном электроде АЭ, равна
Pрас = P0 − P1 .
• Электронный КПД генератора равен
ηe = P1 P0 = 1 − Pрас P0 = 0,5 ξα1 (θ) α 0 (θ).
• Контурный КПД генератора равен ηк = Pп/P1,
где Pп – полезная мощность генератора (в нагрузке).
• Общий КПД генератора при оптимальной по общему КПД
1
напряженности режима ξ = 1 − , равен [9]:
1 + Mα1 (θ )
α1 (θ ) 1 + Mα1 (θ ) − 1
η=
2α 0 (θ ) 1 + Mα1 (θ ) + 1
,
где M = SгрR0 = Sгрρ Q0;

R0 – резонансное сопротивление ненагруженной выходной
колебательной системы генератора;
ρ – характеристическое сопротивление КС;
Q0 – добротность ненагруженной КС.
• Общий КПД генератора при заданных величинах K = Uвх1/U1
и ξ = [1 + N (1 − cos θ )]−1 , равен [9]:
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ГЕНЕРАТОРОВ 79
1 ⎡ 1 ⎤
η= ⎢ α1 (θ)− ,
2α 0 (θ)[1 + N (1 − cos θ)]⎣ M N (1 − cos θ)⎥⎦
где N = S(K – D)/Sгр.
4.2. Соотношения для входных цепей

• Мощность источника возбуждения для первой гармоники
входного тока равна Pвх = 0,5Uвх1Iвх1.
• Амплитуда напряжения возбуждения равна
I вых m
U вх 1 = + DU1 .
S f (1 − cos θ)
• Амплитуда первой гармоники входного тока на рабочей час-
( )
тоте f равна I вх 1 = S в х f U в х γ1 θв х .
• Средняя величина входного сопротивления АЭ по первой
гармонике входного тока равна Rвх = Uвх/Iвх1.
• Коэффициент усиления АЭ по мощности Кр = P1/Pвх.
• Коэффициент усиления по мощности биполярного транзис-
тора при f ≥ 3 f т h21эо равен
2 2
⎛ f ′⎞ ⎛ E ⎞ ⎛ P1′ ⎞
K p = K p′ ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜⎜ к ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟⎟ ,
⎝ f ⎠ ⎝ Eк′ ⎠ ⎝ P1 ⎠
где К'р – коэффициент усиления на частоте f' при E'к и P'1.
4.3. Режимы работы генераторов

Различают пять режимов работы генераторов: режим класса A
(θ = 180˚), класса B (θ = 90˚), класса C (θ < 90˚), а также ключевые
режимы классов D и E [31, 39, 48, 51, 58, 71–73, 87, 90, 92, 104].
В ключевых режимах мощность, рассеиваемая на АЭ, минимальна.
Минимизация рассеиваемой мощности достигается путем макси-
мального приближения формы импульсов выходного тока и напря-
жения к меандру и созданию таких условий для АЭ, при которых

он находится либо в состоянии отсечки, либо в состоянии насыще-
ния.
Наиболее высокочастотными ключевыми генераторами являют-
ся УМ с формирующим контуром (класса Е). Выходная цепь УМ,
реализующего работу в режиме класса E, содержит формирующий
контур. За счет обеспечения выходной цепью оптимальных форм
напряжения и тока, протекающего через АЭ, удается снизить мощ-
ность, рассеиваемую выходным электродом АЭ в момент переклю-
чения, и тем самым улучшить энергетические показатели УМ. Мак-
симальная рабочая частота такого УМ в 2…15 раз выше, чем для
УМ с активной нагрузкой и при использовании высокочастотных
транзисторов составляет сотни мегагерц [72, 73, 92].
4.1. Каковы основные энергетические показатели ГВВ?
4.2. Какой показатель ГВВ определяет мощность в цепи: а) управ-
ляющего; б) выходного электрода?
4.3. Почему обычно нецелесообразно выполнять энергетические
расчеты генераторов с очень высокой точностью?
4.4. Какую форму тока и напряжения необходимо создать в выход-
ной цепи АЭ для получения: а) высокого электронного КПД;
б) малой мощности рассеяния на выходном электроде АЭ?
4.5. Как в мощном ламповом генераторе с резонансной нагрузкой
можно получить близкую к прямоугольной форму: а) импуль-
сов выходного тока; б) выходного напряжения?
4.6. Как влияет на величину электронного КПД: а) амплитуда вы-
ходного напряжения; б) резонансное сопротивление выходного
контура; в) расстройка выходного контура относительно его ре-
зонансной частоты; г) длительность импульсов выходного тока;
д) угол отсечки выходного тока?
4.7. Почему для получения высокого электронного КПД генератора
угол отсечки выходного тока АЭ обычно выбирают в пределах
от 60° до 120°?
4.8. Какие факторы снижают КПД ключевого УМ на БТ?
4.9. Сравните свойства генераторов, использующих ключевой ре-
жим работы транзисторов, и режимы A, B, C.
4.10. Усилитель по схеме рис. 3.7, а работает в граничном режиме.

Как изменится напряженность режима в случае обрыва четвер-
тьволновой антенны?
4.11. Показания приборов в ТУМ по схеме рис. 3.9 равны: а) Iк0 = 7 А,
Iб0 = 2,5 А; б) Iк0 = 8 А, Iб0 = 0,4 А; в) Uк = Eк = 28 В; г) Eк = 28 В,
Uк = 15 В. Как нужно изменить величину емкости связи С9 для
повышения мощности в нагрузке? Потерями мощности в КС
можно пренебречь.
4.12. Оцените величину угла отсечки для получения наибольшей
колебательной мощности генератора при высоком КПД и мак-
симальном использовании АЭ по току и напряжению.
4.13. Оцените максимальную величину электронного КПД генерато-
ра при работе в режиме класса: а) А (θ = 180°); б) В (θ = 90°);
в) С (θ = 60°); г) D; д) Е.
Энергетические соотношения во входной цепи
4.14. Как расходуется мощность, потребляемая цепью сетки ГВВ от
предыдущего каскада?
4.15. Определите мощности во входной цепи лампового ГВВ по схе-
ме рис. 3.10: а) расходуемую возбудителем; б) рассеиваемую
сеткой; в)выделяющуюся в источнике смещения.
4.16. Почему в генераторе по схеме рис. 3.10 возможен перезаряд ак-
кумулятора, используемого в качестве источника смещения Ec1?
Как избежать этого явления?
4.17. Колебательная мощность генератора 20 Вт, амплитуда напря-
жения на коллекторе 50 В. Определите напряжение смещения
и амплитуду напряжения возбуждения, если угол отсечки кол-
лекторного тока 90°, крутизна проходной характеристики равна
2 См, напряжение отсечки 0,7 В.
4.18. Почему коэффициент усиления по мощности генератора в клю-
чевом режиме заметно ниже, чем в недонапряженном?
Энергетические соотношения в выходной цепи
4.19. Запишите формулы для вычисления мощностей в выходной
цепи АЭ при гармоническом выходном напряжении: а) мгно-
венных; б) средних.
4.20. Определите мощность, рассеиваемую стоком транзистора, если
подводимая мощность равна 200 Вт, а электронный КПД равен:
а) 80; б) 85; в) 90; г) 95%;
4.21. Электронный КПД генератора равен 60%, мощность питания
коллекторной цепи 36 Вт, сопротивление ветвей нагруженного
контура равно rн = 3 Ом. Определите амплитуду тока в контуре

и колебательную мощность.
4.22. Усилитель работает на колебательную систему с резонансным
сопротивлением 90 Ом. Измерены: постоянная составляющая
коллекторного тока 0,2 А, напряжение питания коллекторной
цепи 35 В, амплитуда коллекторного напряжения 30 В. Опре-
делите колебательную мощность и электронный КПД
4.23. .Определите мощность в нагрузке и контурный КПД усилите-
ля, если колебательная мощность 84 Вт, эффективное значение
тока контура 2 А, сопротивление потерь контура 4 Ом.
4.24. Определите электронный, контурный и общий КПД генератора,
если напряжение питания коллектора равно 20 В, постоянная
составляющая тока коллектора 1,5 А, резонансное сопротивле-
ние нагруженного контура 7,6 Ом, эффективное напряжение на
контуре 13,5 В, мощность в нагрузке 21,6 Вт.
4.25. Мощность потерь на аноде лампы равна 600 Вт, амплитуда тока
в контуре – 20 А, постоянная составляющая анодного тока –
1 А, напряжение анодного питания – 3000 В. Определите ко-
лебательную мощность, электронный КПД и сопротивление
ветвей нагруженного контура rн.
4.26. Постоянная составляющая тока коллектора равна 1А, Uк = 25 В,
Eк = 27 В, угол отсечки коллекторного тока 90°. Определите
мощность, рассеиваемую коллектором.
4.27. Определите мощность, рассеиваемую анодом лампы усили-
теля, а также электронный, контурный и общий КПД, если
мощность питания анодной цепи равна 5 кВт, мощность в
нагрузке – 4 кВт, амплитуда анодного напряжения –3 кВ, ре-
зонансное сопротивление ненагруженного анодного контура
равно 20 кОм.
4.28. Определите колебательную мощность, амплитуду первой гар-
моники анодного тока и амплитуду тока в контуре, если амп-
литуда напряжения на контуре равна 10 кВ, емкость контура
равна 500 пФ, резонансная частота –2 МГц, добротность –
100.
4.29. Транзисторный генератор потребляет ток 0,8 А при напря-
жении питания 25 В. Мощность потерь в транзисторе равна
4 Вт, из них 1 Вт составляют потери в цепи базы. Определите
колебательную мощность, амплитуду первой гармоники тока
коллектора и электронный КПД, если коэффициент использо-
вания коллекторного напряжения равен 0,9.
4.30. Определите колебательную мощность и электронный КПД гене-

ратора, работающего в граничном режиме, если сопротивление
анодной цепи равно 8 кОм, θ = 90°, Ia0 = 80 мА, Ea = 1,2 кВ.
4.31. Транзисторный генератор работает в граничном режиме с уг-
лом отсечки 70˚, Eк = 50 В, Iк0 = 0,5 А. Характеристическое
сопротивление контура равно 20 Ом, активное сопротивление
ветвей нагруженного контура 8 Ом. Определите колебательную
мощность и электронный КПД генератора.
4.32. Мощность, потребляемая генератором, равна 500 Вт, мощность
потерь на аноде –100 Вт, мощность потерь в контуре равна
40 Вт. Определите мощность в нагрузке, КПД контура и всего
генератора.
4.33. Определите контурный КПД и максимальную мощность в на-
грузке генератора с максимальной колебательной мощностью
0,5 Вт, если резонансное сопротивление ненагруженного кон-
тура генератора в 10 раз больше сопротивления в граничном
режиме.
4.34. Резонансное сопротивление ненагруженного анодного контура
генератора в 4 раза больше сопротивления, которое требуется
для обеспечения граничного режима. Определите максимально
возможную мощность в нагрузке, если колебательная мощность
лампы в граничном режиме равна 1 кВт.
4.35. Определите мощность потерь в колебательной системе и на
аноде лампы, если при испытаниях генератора получено:
Ea = 10 кВ, Ia0 = 2 А, мощность в нагрузке равна 14,5 кВт, кон-
турный КПД 0,9.
4.36. Определите параметры ТУМ в граничном режиме работы: P0,
P1, ηe, Rк, Uк и Iк1, если Eк = 28 В, Sгр = 1 См, θ = 90°, Iк m = 7 А.
4.37. Определите параметры усилителя видеосигнала в недонапря-
женном режиме работы: P0, Pa, ηe, Uа, Iа1, Iа0, Iа m, Rа, Uc и Ec,
если P1 = 200 Вт, Eа = 1 кВ, Ec2 = 400 В, ξ = ξгр /1,2, θ = 90°.
В ЛУМ использован современный генераторный тетрод типа
ГУ-34Б с параметрами: S=70 мСм, Sгр = ∞, Ua гр = Ec2, E'c = –20 В,
D = 0,005.
4.38. Определите колебательную мощность высокочастотного гене-
ратора на транзисторе 2Т980А (прил. 2) в граничном режиме
работы при максимальном использовании транзистора по току
Iк max, если Eк = 50 В, θ = 90°.
4.39. Определите амплитуду выходного напряжения и колебатель-
ную мощность в граничном режиме работы высокочастотно-
го генератора на полевом транзисторе: а) 2П908А; б) 2П923А;

в) 2П928А (прил. 3) при Ic0 = 0,3 Ic max, полном использовании
транзистора по напряжению и угле отсечки 80˚.
4.40. Получите формулу для определения максимальной колеба-
тельной мощности генератора на ПТ при заданных значениях
Eси, Ic0, rнас и θ.
4.41. Определите параметры ξгр, Pси и ηe генератора на транзисторе
2П908А (прил. 3) при Eси = 40 В, θ = 80˚ и P1 = 2,5 Вт.
2П923А (прил. 3) при Eси = 50 В, θ = 80˚ и P1 = 104 Вт.
2П928А (прил. 3) при Eси = 50 В, θ = 80˚ и P1 = 214 Вт.
4.44. Определите электронный КПД генератора на транзисторе
2Т927А (прил. 2) в граничном режиме работы, если rнас = 0,4 Ом,
Р1 = 80 Вт, Ек = 28 В, а угол отсечки равен: а) 90°; б) 180°.
4.45. Определите мощность, рассеиваемую коллектором транзис-
тора 2Т980А в граничном режиме работы, если rнас = 0,5 Ом,
Р1 = 250 Вт, Ек = 50 В, а угол отсечки равен: а) 90°; б) 180°.
4.46. Электронный КПД лампового генератора в граничном режиме
работы равен 0,8. Определите мощность потерь на аноде лампы
и угол отсечки анодного тока, если Еа = 10 кВ, Uа = 9,5 кВ, со-
противление потерь нагруженного контура – 5 Ом, амплитуда
контурного тока – 40 А.
4.47. Определите амплитуду выходного напряжения генератора в
граничном режиме работы при максимальном использовании
транзистора: а) 2П908А; б) 2П923А; в) 2П928А (прил. 3) по
напряжению, если угол отсечки равен 75˚, а Ic0 = 0,4 Ic max.
4.48. Определите мощность, рассеиваемую стоком транзистора:
а) 2П923А; б) 2П928А; в) 2П933А (прил. 3), в типовом режиме
работы генератора.
4.49. Определите электронный КПД генератора при полном исполь-
зовании транзистора: а) 2П908А; б) 2П923А; в) 2П928А (прил. 3)
по напряжению, если угол отсечки равен 75˚, а Ic0 = 0,4Ic max.
4.50. Определите колебательную мощность и мощность, рассеива-
емую стоком транзистора: а) 2П908А; б) 2П923А; в) 2П928А
(прил. 3) при полном использовании транзистора по напряже-
нию, если угол отсечки равен 75°, а Ic0 = 0,4 Ic max.
4.51. Определите коэффициент использования коллекторного напря-
жения и электронный КПД генератора на транзисторе 2Т927А
(прил. 2) в граничном режиме работы при колебательной мощ-
ности: а) 50; б) 80; в) 100; г) 125 Вт, если рабочая частота ге-
нератора равна 30 МГц, Ек = 28 В, θ = 90°.
4.52. Определите электронный КПД генератора на транзисторе
2Т927А в граничном режиме работы при мощности Р1 = 100 Вт,
для θ = 90° и Ек = 28 В, если сопротивление насыщения тран-
зистора равно: а) 0,24 Ом; б) 0,4 Ом.
4.53. Определите потребляемую мощность, мощность, рассеиваемую
коллектором, и электронный КПД генератора на транзисторе
2Т930Б в граничном режиме работы при мощности Р1 = 80 Вт,
θ = 90° и Ек = 28 В, если сопротивление насыщения транзистора
равно: а) 0,3 Ом; б) 0,6 Ом.
4.54. При указанных на рис. 3.11, а параметрах схемы определите ве-
личину колебательной мощности в граничном режиме работы
ПТ, амплитуду напряжения Uc, электронный КПД и сопротив-
ление насыщения транзистора, если рабочая частота усилителя
равна 30 МГц, мощность в нагрузке 10 Вт, контурный КПД
0,95, напряжение отсечки транзистора равно 0,24 В, а крутизна
тока стока S = 0,15 См.
4.55. Определите мощность источника питания и мощность, рассеи-
ваемую стоком транзистора задачи 4.54.
4.56. Усилитель мощности на транзисторе 2Т927А (прил. 2) работает
в граничном режиме. Определите параметры выходной цепи
усилителя: Uк, Iк1, Iк0, Iк m, P0, Pк, ηe и Rк, если рабочая частота
УМ равна 30 МГц, P1 = 80 Вт, Ек = 29,5 В, θ = 90°.
4.57. При указанных на рис. 3.11, б параметрах схемы определите ве-
личину колебательной мощности в граничном режиме работы
АЭ, амплитуду напряжения на стоке транзистора Uc и электрон-
ный КПД, если мощность в нагрузке равна 30 Вт, контурный
КПД равен 0,83, а напряжение смещения равно напряжению
отсечки Еотс транзистора. Входное сопротивление цепи согла-
сования с нагрузкой равно 5,6 Ом.
4.58. Определите мощность источника питания, мощность, рассеи-
ваемую стоком, и сопротивление насыщения транзистора пре-
дыдущей задачи.
4.59. Определите угол отсечки, обеспечивающий максимальную ко-
лебательную мощность генератора при высоком электронном
КПД и заданном значении: а) амплитуды импульса выходного
тока Im; б) постоянной составляющей выходного тока I0; в) ам-
плитуды входного напряжения Uвх.
Расчет генераторов на максимум общего КПД

4.60. Почему расчет генераторов обычно производят на заданную
колебательную мощность, а не на мощность в нагрузке?
4.61. В каком случае расчет генераторов целесообразно производить
на заданную мощность в нагрузке?
4.62. Определите максимально возможный общий КПД генератора
на лампе ГУ-10А и соответствующие ему угол отсечки и на-
пряженность режима, если крутизна линии граничного режима
равна 18,2 мСм, а сопротивление ненагруженного анодного кон-
тура равно: а) 4,12 кОм; б) 5,5 кОм; в) 8,24 кОм; г) 11 кОм.
на транзисторе КТ90ЗА (прил. 2) и соответствующие ему угол
отсечки и напряженность режима, если крутизна ЛГР равна
0,5 См, а сопротивление ненагруженного выходного контура
равно: а) 50 Ом; б) 100 Ом; в) 200 Ом.
на транзисторе КТ9З0Б и соответствующие ему угол отсечки
и напряженность режима, если крутизна линии граничного ре-
жима равна 2 См, а сопротивление ненагруженного выходного
контура равно: а) 5 Ом; б) 10 Ом; в) 50 Ом.
4.65. Определите максимально возможный общий КПД генера-
тора на лампе ГУ-10А и соответствующие ему угол отсеч-
ки и напряженность режима, если крутизна лампы равна
18,7 мСм; крутизна линии граничного режима 18,2 мСм,
D = 0,025, сопротивление анодного контура R0 = 5,5 кОм,
К = Uс/Uа= 0,22.
4.66. Определите максимально возможный общий КПД мощного ге-
нератора на лампе ГУ-10А и соответствующие ему угол отсечки
и напряженность режима, если крутизна линии граничного ре-
жима лампы равна 18,2 мСм; сопротивление анодного контура
R0 = 11 кОм; параметр N равен: а) 0,1; б) 0,2.
на транзисторе 2Т904А и соответствующие ему угол отсечки
и напряженность режима, если крутизна линии граничного
режима на рабочей частоте равна 0,25 См; крутизна 2,5 См;
сопротивление ненагруженного выходного контура 400 Ом,
отношение напряжений Uб/Uк равно: а) 0,01; б) 0,02.
КЛЮЧЕВЫЕ
5 УСИЛИТЕЛИ
5.1. Общие расчетные соотношения

Для повышения КПД генератора выходной ток АЭ должен проте-
кать лишь в те промежутки времени, когда напряжение на выходном
электроде близко к нулю. Этот основной принцип повышения КПД
генератора можно реализовать различными способами.
1. В современных мощных СВ и ДВ передатчиках с анодной
модуляцией для повышения КПД и полезной мощности ши-
роко используются высшие гармоники ГВВ [71, 72]. Обычно
используют вторую или третью гармонику рабочей частоты.
Дополнительный резонансный контур, настроенный на час-
тоту соответствующей гармоники, включают в анодную цепь
предоконечного или оконечного каскада или в цепь управля-
ющей сетки оконечного каскада. Режим работы с использова-
нием двух частот называют бигармоническим. Возможны ре-
жимы и с большим количеством частот – полигармонические.
Использование высших гармоник позволяет исказить форму
импульсов выходного тока и напряжения АЭ так, чтобы их
вершины стали более плоскими, а скаты – более крутыми.
2. Наиболее радикальным решением проблемы повышения КПД
является использование ключевого режима, Сущность этого
режима заключается в том, чтобы задачу формирования фор-
мы напряжения и тока активного элемента (АЭ) возложить
не на КС, а на сам АЭ [31, 39, 48, 51, 58, 71–73, 90–92, 104].
В ключевом усилителе мощности (КУМ) АЭ работает в ре-
88 КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ
жиме электрического ключа, замыкаемого и размыкаемого с

частотой входного сигнала. В идеальном случае ключ должен
обладать нулевым сопротивлением в замкнутом состоянии и
бесконечным в разомкнутом. При этом в любой момент вре-
мени произведение тока, протекающего через ключ, и напря-
жения на нем будет равно нулю, т. е. на ключе не рассеивается
мощность. Поэтому в случае идеального ключа электронный
КПД равен 100%. Для реальных АЭ падение напряжения в
замкнутом состоянии uост не равно нулю. Например, для тран-
зисторных генераторов остаточное напряжение равно
uост = Ikm /Sгр = Ikm rнас = Icm Rси,
где I km – амплитуда импульса коллекторного тока;
S гр – крутизна линии граничного режима;
rнас = 1/Sгр – сопротивление насыщения;
Icm – максимальный ток стока транзистора;
Rси – сопротивление канала.
В идеализированном случае, т. е. без учета паразитных парамет-
ров и инерционных свойств АЭ импульсы выходного тока и напря-
жения имеют прямоугольную или косинусоидальную форму с углом
отсечки θ. Последовательность этих импульсов можно разложить в
ряд Фурье.
Для прямоугольных импульсов коллекторного тока ряд Фурье
имеет следующий вид:
i k = I km [αоп(θ) + α1п(θ)cos ωt + α2п(θ)cos 2ωt + …],
где α0п(θ) = θ/π и αnп(θ) = 2sin nθ/(nπ) – коэффициенты разложения
для прямоугольного импульса;
n – номер гармоники.
В частном случае при θ = π/2 ряд Фурье имеет вид
⎡1 2 ∞
sin( nπ / 2) ⎤
ik = I km ⎢ +
⎣2 π
∑
n =1 n
cos(nω t )⎥ .
⎦
Важно отметить, что этот ряд содержит только нечетные гармони-
ки тока, так как при четных n величина sin (nπ/2) обращается в нуль,
т. е. можно полагать, что при θ = π/2 номера гармоник тока равны
n = 2m – 1, где m = 1, 2, 3,…. При θ = π/2 амплитуда первой гармони-
ки коллекторного тока максимальна и равна I k1= 2Ikm/π = 0,637 Ikm.
ОБЩИЕ РАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ 89
Для косинусоидальных импульсов тока ряд Фурье имеет следу-

ющий вид:
i k = I km [αо (θ) + α1(θ) cos ωt + α2(θ) cos 2ωt + …],
где αо(θ) и αn(θ) – коэффициенты разложения косинусоидально-
го импульса. При θ = π/2 эти коэффициенты равны αо(π/2) = 1/π,
α1(π/2) = 0,5.
В ключевых генераторах вводятся два значения коэффициента
полезного действия:
• КПД преобразования ηп = ηe = Рн /Ро, (этот КПД также назы-
вают электронным и обозначают ηe) и
• КПД по первой гармонике η1 = Р1 /Ро,
где Рн – полная мощность, поступающая на нагрузку;
Р1 – мощность первой гармоники;
Р0 – мощность, потребляемая выходной цепью АЭ от ис-
точника питания.
В расчетных соотношениях КУМ на полевых транзисторах нужно
заменить ток коллектора Iк на ток стока Iс, напряжение коллектор-
эмиттер Uк на напряжение сток-исток Uси и сопротивление rнас на
сопротивление канала Rси отк. При оценке параметров КУМ можно
принять, что для современных БТ отношение напряжений равно
uост/Ек = 0,03…0,1; для полевого транзистора с длинным каналом
uост/Ес = 0,2…0,3; для ПТ с коротким каналом uост/Ес = 0,05…0,12
[72].
Мощность коммутативных потерь, обусловленная наличием па-
разитной емкости С п, равна
Рком = 0,5 Е2 Сп fр,
где Е – напряжение на емкости Сп; fр – рабочая частота КУМ.
Ключевые ГВВ подразделяются на три класса: генераторы с ре-
зистивной нагрузкой, генераторы с фильтровой (резонансной) на-
грузкой и генераторы с формирующим контуром [73]. Достоинством
ключевых генераторов с резистивной нагрузкой является широко-
полосность, однако их высокие энергетические показатели реализу-
ются лишь на относительно низких частотах. С ростом частоты ска-
зывается инерционность транзистора, влияние выходных емкостей
и индуктивностей выводов транзисторов и т. д. Наиболее высоко-
частотными являются ГВВ с формирующим контуром (генераторы
класса Е) [72, 73, 92, 104].
5.2. Ключевые широкополосные усилители

В простейшем случае ключевой режим может быть реализован в
широкополосном усилителе, схема и идеализированные временные
диаграммы которого приведены на рис. 5.1, а, б.
Для схемы рис. 5.1 выполняются следующие соотношения [51,
71–73]:
• мощность, потребляемая от источника коллекторного пита-
ния, равна
Р0 = Ек Iк0 = Ек Ikm θ/π;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе, равна
Рк = θ Ikm uост/π;
• полная мощность, поступающая в нагрузку, Рн = Р0 – Рк;
• мощность первой гармоники, поступающая в нагрузку
2
Р1 = 4 Ек Ikm ⎛⎜1 − U ОСТ ⎞⎛ sin θ ⎞ ;
⎟⎟⎜ ⎟
⎜
⎝ Ек ⎠⎝ π ⎠
Eк L2 iL C2
C1 iк
uк
Rн
L1
а
iк
I кm τu
Iк
0
−θ 0 θ 2π ωt
uк
Uк Eк
U кm
0 u ОСТ ωt
б
Рис. 5.1. Широкополосный КУМ на биполярном транзисторе:
а – схема; б – временные диаграммы
КЛЮЧЕВЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 91
• КПД преобразования: ηп = Рн/Р0 = 1 − uост/Ек;

• КПД по первой гармонике
4 ⎛ U ОСТ ⎞ sin 2 θ
η1 = Р1 /Р0 = ⎜1 − ⎟ ;
π ⎝⎜ Ек ⎠⎟ θ
• максимальное напряжение на коллекторе транзистора
U km = 2Uk + uост = 2Е к – uост;
• напряжение Uk равно Uk = Ек – uост;
• сопротивление нагрузки при θ = π/2: Rн = 2(Ек – uост)/Ikm.
На рис. 5.2 приведена схема широкополосного КУМ на
MOFET-транзисторе IRFZ48 [74]. На затвор транзистора поступают
прямоугольные импульсы напряжения с входа специализированной
микросхемы DA1 типа КР1033ЕУ16Б (аналог UC3845 ). Параметры
микросхемы: максимальная частота генератора 500 кГц; максималь-
ный коэффициент заполнения импульсов ШИМ 50%; ток потреб-
ления в рабочем режиме 17 мА; максимальное напряжение питания
30 В. Микросхема DA1 обеспечивает защиту транзистора VT1 от
перегрузки по току. Как только пороговое напряжение Uпор= Uи на
входе 3 микросхемы превысит 1 В, выход 6 замкнется на корпус и
транзистор отключится.
Т1 w2
+ 25 В
Ес
+ II RН UН
C5 C6 VD1
R 5 10к
1000,0 0,1 +
I C7
III 1,0
w1
DA1 Ic
C 1 470 1 COMP VT1
Ucc 7 UСИ
2 FB 6 U "
R1 OUT
3
" вых
100к 5 GND SEN
4 R/ C REF
8 R3 1к
+2 ,5В C4
R4 0,1 U
1000 И
C2 R 2 18к
4700 + 5В C3 0,1
Рис. 5.2. Широкополосный КУМ на MOSFET-транзисторе

Таким образом, величина максимально допустимого тока стока

транзистора VT1 зависит от величины сопротивления R4. Микро-
схема DA1 обеспечивает и стабилизацию выходного напряжения
усилителя. Напряжение с обмотки III трансформатора Т1 (рис. 5.2)
через резистор R5 поступает на вход 2 микросхемы DA1 и управляет
длительностью импульса на ее выходе (период следования импуль-
сов остается неизменным). Чем больше напряжение на выводе 2
микросхемы, тем меньше длительность импульса на затворе VT1
и, следовательно, тем меньше напряжение на вторичных обмотках
трансформатора. Это будет продолжаться до тех пор, пока на выво-
де 2 микросхемы DA1 не установится напряжение +2,5 В.
Для схемы КУМ, приведенной на рис. 5.2, при θ = π/2 выполня-
ются следующие соотношения:
• мощность, потребляемая от источника питания, равна
Ро = 0,5 Еc Iс;
• полная мощность, поступающая в нагрузку, равна
Рн = 0,5(Еc – uост) Ic = 0,5 I2cR'н = 0,5 U2н/Rн;
• мощность, рассеиваемая на стоке: Рс = 0,5 Ic uост;
• КПД преобразования ηп = 1 – uост/Ес ,
где R'н = (Ес – uост)/Ic = Rн/n2 – сопротивление нагрузки, пе-
ресчитанное к первичной обмотке трансформатора Т1;
Ро, Рн и Рс – мощности, средние за период следования им-
пульсов.
5.3. Усилители с последовательным

колебательным контуром в цепи нагрузки
На рис. 5.3, а, б приведены схема и идеализированные временные
диаграммы КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки (аналогичная схема на комплементарной паре
MOSFET-транзисторов приведена на рис. 6.3) [51, 58, 71–73, 91,
104]. В идеализированной схеме рис. 5.3, а коллекторный ток имеет
форму косинусоидальных импульсов с углом отсечки 90о, а коллек-
торное напряжение – прямоугольную форму.
Для схемы рис. 5.3, а из расчета на один транзистор и при угле
отсечки θ = π/2 справедливы следующие соотношения [51, 71, 73]:
Ukm = 2 Ek; Ik0 = Ikm/π; Ik1 = Ikm/2;
УСИЛИТЕЛИ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ КОЛЕБАТЕЛЬНЫМ КОНТУРОМ В ЦЕПИ... 93
• амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе

Uk1 = 4Ek/π – uост;
• мощность, потребляемая от источника коллекторного пита-
ния, равна
Р0 = Ек Iкm /π;
• мощность первой гармоники, поступающая в нагрузку:
Ек I к m ⎡ π uoст ⎤
P1 = ⎢1 − ⎥;
π ⎣ 4 Ек ⎦
• мощность, рассеиваемая на коллекторе каждого транзисто-
ра, равна
I к m uoст I к2m rнас
P'к=P"к= = ;
4 4
2 Eк L С
VT ' i'к
u'к
Lк Cк
VT ' i'к'
u'к' Rн
а
i'к
0 ωt
i'к'
I кm
−θ 0 θ ωt
u'к'
Ек U кт
uОСТ
0 π ωt
б
Рис. 5.3. КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки: а – схема; б – временные диаграммы
• КПД преобразования и КПД по первой гармонике равен
ηп = 1 − π
u ост
= η1;
4 Ек
• сопротивление нагрузки равно
RН= 4 Ек ⎛⎜1 − π uост ⎞⎟ ;

π I к m ⎝⎜ 4 Ек ⎟⎠
• суммарная мощность в нагрузке равна
PН = 2P1.
5.4. Усилители с параллельным

колебательным контуром в цепи нагрузки
На рис. 5.4, а, б приведены схема и идеализированные временные
диаграммы КУМ с параллельным колебательным контуром в
цепи нагрузки (входные цепи не показаны). Колебательный контур
КУМ настроен на частоту первой гармоники входного воздействия.
В идеализированной схеме рис. 5.4, а коллекторный ток имеет пря-
моугольную форму, а напряжение на коллекторах – форму косину-
соидальных импульсов.
Для схемы рис. 5.4, а из расчета на один транзистор при угле
отсечки θ = π/2 справедливы следующие соотношения [51, 71, 73]:
Uкm = π (Eк – uост) ≈ πЕк; Iко = Iкm/2; Iк1 = 2Iкm/π ;
• амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе
равна
Uк1 = 0,5 Uк;
• напряжение питания коллектора Ек = uост + Uк/π;
• мощность источника питания равна P0 = Eк Iкm/2;
• мощность первой гармоники, поступающая в нагрузку,
P1 = 0,5 Iкm (Ек – uост);
• мощность, рассеиваемая на коллекторе каждого транзисто-
ра, равна
P′к=P"к= 0,5Iкm uост;
• КПД преобразования и КПД по первой гармонике равны
ηп = 1 − uост /Ек = η1;
КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ КЛАССА Е. 95
iк'
u'к
Ск
Lк Rн
L
iк''
+ Eк
С
а
iк
I кm
−θ 0 θ ωt
iк''
0 ωt
u'к
Uк
E
u'к' 0 uост ωt
U кm
0 ωt
б
Рис. 5.4. КУМ с параллельным контуром в цепи нагрузки:
а – схема; б – диаграммы
• сопротивление нагрузки равно RН = 0,5 πUк/Iкm;

• суммарная мощность в нагрузке равна PН=2P1.
5.5. Ключевые усилители класса Е

Недостатки ГВВ в ключевом режиме с активной нагрузкой – быс-
трый рост потерь с увеличением рабочей частоты и низкий коэф-
фициент усиления по мощности – ограничивают область их при-
менения. Существенно ниже потери на высоких частотах имеют
генераторы с формирующим контуром (класса Е) [39, 48, 58, 72, 73,

90–92, 104]. В таких генераторах паразитные реактивности входят
в состав выходного колебательного контура. В режиме класса Е вы-
бором параметров выходной цепи АЭ предотвращают одновремен-
ное наличие значительного напряжения и значительного тока АЭ и
добиваются медленного возрастания напряжения на АЭ в процессе
переключения. В результате удается снизить мощность коммута-
тивных потерь и тем самым улучшить энергетические показатели
усилителя.
Схемы ГВВ в ключевом режиме с активной нагрузкой (см.
рис. 5.1, а) и формирующим контуром могут быть одинаковыми;
различия заключаются лишь в том, что в схеме с формирующим
контуром некоторые реактивные элементы образуют колебательный
контур, настроенный на частоту, близкую к рабочей. Максимальная
рабочая частота усилителей мощности в классе Е в 2…15 раз выше,
чем для УМ с активной нагрузкой и составляет сотни мегагерц [72,
73, 92]. Однако максимальное напряжение на выходном электроде
АЭ в 3…4 раза превышает напряжение питания, в связи с чем при-
ходится выбирать пониженные значения напряжения питания АЭ,
что несколько снижает выходную мощность и КПД генераторов.
5.6. Активные элементы ключевых

В ключевых генераторах используются электровакуумные, ионные
(газоразрядные) и полупроводниковые приборы: триоды, лучевые
тетроды, пентоды, тиратроны, таситроны, тиристоры, биполярные и
полевые транзисторы, а также разработанные в последние годы но-
вые полупроводниковые приборы: MOSFET и IGBI – транзисторы
и реверсивно включаемый динистор (РВД). Параметры некоторых
АЭ даны в приложении, разд. 1 и подразд. 11.4. Параметры некото-
рых РВД приведены в табл. 5.1 [67]. В табл. 5.1 обозначено:
Umax – максимально допустимое постоянное напряжение на
динисторе;
I – ток динистора;
uост – остаточное напряжение на открытом динисторе;
Iу – ток управления;
tвыкл. – время выключения.
Таблица 5.1. Параметры РВД
Тип
Umax ,кВ I, А Uост ,В Iу ,А tвыкл, мкс
прибора
РВД-Б-56 1,2 200 000 30 800 800

РВД-В-24 2,5 5000 10 200 200
РВД-Н-24 1,0 300 5 25 25
Критическая скорость нарастания напряжения для всех типов
динисторов не менее 1кВ/мкс.
Ключевые усилители мощности (КУМ) на основе динисторов
РВД-Н-24 на частоте 50 кГц имеют выходную мощность 50 кВт.
КУМ на основе блока динисторов РВД-В-76 коммутирует импульсы
тока 15 000 А при U = 10 кВ (мощность 150 МВт), длительности им-
пульсов 30 мкс и частоте переключений 1 кГц [67]. В ламповых КУМ
при КПД до 95% получают мощность несколько сот киловатт на
частотах до единиц мегагерц; в тиристорных КУМ получают сотни
киловатт на частотах до сотен килогерц; в транзисторных – десятки
киловатт на частотах до сотен килогерц и сотен ватт на частотах до
100 МГц. На LDMOSFET-транзисторах типа MRF184 разработаны
КУМ с выходной мощностью 36 и 63 Вт на частоте 910 МГц при
КПД 72% [92].
5.1. Каковы достоинства ключевого режима работы АЭ?
5.2. Каковы особенности ключевых усилителей мощности с точки
зрения: а) режима работы АЭ; б) выходных параметров?
5.3. Оцените величину максимального электронного КПД генера-
тора в различных режимах работы: а) линейном; б) с отсечкой
тока; в) ключевом.
5.4. В граничном режиме работы АЭ получена колебательная мощ-
ность 100 Вт при электронном КПД равном 0,7. Полагая, что
величина выходной мощности ограничена лишь допустимой
мощностью рассеяния активного элемента Рк, определите мак-
симальную колебательную мощность этого АЭ в ключевом
режиме при электронном КПД, равном: а) 0,8; б) 0,9; в) 0,95;
г) 0,98.
5.5. Нарисуйте эквивалентную схему выходной цепи КУМ. Какие

факторы ограничивают величину электронного КПД?
5.6. Какие факторы ограничивают максимальную рабочую частоту
КУМ?
5.7. Какие АЭ используют при построении КУМ?
5.8. Каким основным требованиям должны удовлетворять активные
элементы мощных КУМ?
5.9. Каковы рекордные параметры КУМ, использующих: а) элект-
ронные лампы; б) транзисторы; в) тиристоры? Каковы пути
повышения мощности КУМ?
5.10. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов при
их использовании в КУМ.
5.11. Сравните свойства КУМ на MOSFET, IGBT и биполярных
транзисторах.
5.12. Дайте примеры использования мощных высокочастотных
генераторов в: а) технологических установках; б) медицине;
в) быту; г) лазерной технике; д) радиотехнике.
Широкополосные КУМ
5.13. Определите максимальное значение полной мощности, посту-
пающей в нагрузку, и соответствующий ей КПД преобразования
ηп широкополосного КУМ при использовании в качестве клю-
ча: а) тетрода ГУ-53Б (Ia max= 30 А); б) биполярного транзистора
2Т947А; в) полевого транзистора 2П928А; г) MOSFET-тран-
зистора КП752Б; д) IGBI-транзистора IXLF19N250A; е) РВД-
Б-5; ж) РВД-В-24; з) РВД-Н-24 (прил. 1–5 и табл. 5.1).
5.14. Для широкополосного КУМ (рис. 5.1, а) изобразите и объяс-
ните временные диаграммы напряжений на базе транзистора,
на конденсаторе С2 и нагрузке, а также тока iL через дроссель
и напряжения на дросселе.
5.15. Из каких соображений определяют величину элементов С2 и
L2 широкополосного КУМ (рис. 5.1, а)?
5.16. Почему напряжение на коллекторе закрытого транзистора
широкополосного КУМ (рис. 5.1, а, б) почти вдвое превышает
напряжение питания Ек?
5.17. Почему в широкополосном КУМ (рис. 5.1, а) КПД по первой
гармонике меньше КПД преобразования?
5.18. Как в широкополосном КУМ можно выделить на нагрузке
сигнал только первой гармоники?
5.19. Из числа представленных в прил. 6 IGBT-транзисторов оп-
ределите транзистор: а) с наименьшим сопротивлением насы-
щения; б) обеспечивающий самый высокий КПД преобразова-

ния широкополосного КУМ; в) обеспечивающий наибольшую
мощность в нагрузке широкополосного КУМ.
5.20. Для широкополосного КУМ (рис. 5.1, а) определите величину
угла отсечки для получения: а) наибольшей мощности первой
гармоники; б) наибольшего КПД по первой гармонике.
5.21. Для широкополосного КУМ (рис. 5.1) получите расчетные
соотношения для определения: а) мощности, рассеиваемой на
коллекторе; б) мощности первой гармоники, поступающей в на-
грузку; в) КПД преобразования; г) сопротивления нагрузки.
5.22. Поясните назначение элементов КУМ на рис. 5.2.
5.23. Постройте идеализированные временные диаграммы напря-
жений на нагрузке, затворе, истоке и стоке транзистора VT1
(рис. 5.2) при токе стока 2 А и w2/w1 = 0,5.
5.24. Сравните свойства КУМ, изображенных на рис. 5.1 и 5.2.
5.25. Определите КПД преобразования КУМ при указанных на
рис. 5.2 параметрах схемы, если ток стока транзистора IRFZ48
равен: а) 2А; б) 4А; в) 8А; г) 16А.
5.26. Как осуществляется защита транзистора VT1 (рис. 5.2) от пе-
регрузки по току? Определите максимальный ток стока для
указанных на рис. 5.2 параметров схемы.
5.27. Определите мгновенную мощность, рассеиваемую транзисто-
ром VT1 задачи 5.26 при коротком замыкании нагрузки.
5.28. Получите расчетные соотношения для определения парамет-
ров КУМ (рис. 5.2) при угле отсечки θ = 0,5π: а) средних за
период следования импульсов мощностей Р0, Рн и рассеиваемой
стоком транзистора Рс; б) КПД преобразования; в) сопротивле-
ния нагрузки R'н = Rн/n2.
5.29. Получите расчетное соотношение для определения тока стока
транзистора VT1 усилителя (рис. 5.2) при заданной мощности
в нагрузке Рн, если известны параметры транзистора и напря-
жение питания Ес.
5.30. При указанных на рис. 5.2 параметрах схемы усилителя на
транзисторе IRFZ48 и θ = 0,5π определите мощности Рн и Рс, а
также КПД преобразования ηп, ток стока транзистора Iс, напря-
жения uост и Uи, сопротивление нагрузки транзистора R'H и ко-
эффициент трансформации n = w2/w1. Сопротивление нагрузки
усилителя равно RH = 75 Ом, напряжение на нагрузке равно:
а) 40; б) 80; в) 120 В. Потерями в трансформаторе и резисторе
R4 можно пренебречь.
5.31. Определите сопротивление резистора R4 широкополосного КУМ

(задача 5.30), при котором максимальный ток стока транзистора
не превысит: а) 1,7 А; б) 6,8 А; в) 15,4 А, а также мгновенную
мощность, рассеиваемую стоком транзистора при срабатывании
устройства защиты в случае короткого замыкания нагрузки.
КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки
5.32. Для схемы рис. 5.3, а изобразите и объясните временные диа-
граммы напряжений на базах транзисторов, коллекторных то-
ков и напряжений, а также тока нагрузки.
5.33. В усилителе с последовательным колебательным контуром
(рис. 5.3, а) использованы транзисторы: а) 2Т947А; б) 2Т956А
(прил. 2). При максимальном использовании транзисторов по
напряжению Eкэ max и току Iки max определите мощность первой
гармоники в нагрузке, мощность потерь, мощность источни-
ка питания и КПД по первой гармонике для верхней частоты
средневолнового диапазона (1,7 МГц). Инерционностью тран-
зисторов и коммутативными потерями пренебречь.
5.34. Определите мощность коммутативных потерь в КУМ (зада-
ча 5.33), обусловленную емкостью коллекторного перехода.
Оцените влияние этих потерь на величину КПД.
5.35. Для КУМ с последовательным колебательным контуром в
цепи нагрузки (рис. 5.3, а) из расчета на один транзистор и при
угле отсечки θ = 0,5π получите соотношения для определения:
а) токов Iк0 и Iк1, напряжения UKl и сопротивления нагрузки RH;
б) мощностей Р0, Р1 и Р″к; в) КПД преобразования ηп и КПД по
первой гармонике η1.
КУМ с параллельным колебательным контуром
в цепи нагрузки
5.36. В КУМ с параллельным колебательным контуром в цепи на-
грузки угол отсечки равен π/2. Из приборов №1…5 (прил. 5)
в КУМ использован транзистор с: а) наименьшим остаточ-
ным напряжением; б) наибольшим остаточным напряжением;
в) наибольшей коммутирующей мощностью; г) наименьшим
временем коммутации. Определите КПД преобразования
КУМ для случая, когда максимально допустимое напряже-
ние на стоке использованного MOSFET-транзистора равно
Uc_max=Eси max.
5.37. Для КУМ с параллельным колебательным контуром в цепи

нагрузки (рис. 5.4, а) из расчета на один транзистор и при
угле отсечки θ = π/2 получите соотношения для определения:
а) токов Iк0 и Iк1, напряжений Uк1 и Ек, а также сопротивления
нагрузки RH ; б) мощностей Р0, Р1 и Р′к; в) КПД преобразования
ηп и по первой гармонике η1.
Сравнение схем КУМ
5.38. Как происходит формирование прямоугольных импульсов на-
пряжения в схеме КУМ, изображенной на рис. 5.3, а и импуль-
сов тока – в схеме рис. 5.4, а?
5.39. Получите расчетные соотношения для определения сопротив-
ления нагрузки КУМ: а) широкополосного (рис. 5.1, а); б) с
последовательным колебательным контуром в цепи нагрузки
(рис. 5.3, а); в) с параллельным колебательным контуром в
цепи нагрузки (рис. 5.4, а).
5.40. Сравните величину мощности в нагрузке и КПД КУМ с пос-
ледовательным (рис. 5.3, а) и параллельным (рис. 5.4, а) ко-
лебательным контуром в цепи нагрузки при: а) одинаковых
напряжениях питания Eп и максимальных токах транзисторов
Ikm; б) при одинаковом использовании транзисторов по напря-
жению Ukm и току Ikm.
5.41. Какие требования предъявляют к выходной цепи УМ для ре-
ализации класса Е?
5.42. В каком диапазоне частот и почему целесообразно использо-
вать ТУМ в режиме класса Е?
5.43. Сравните свойства ключевых УМ: с формирующим контуром
и с активной нагрузкой?
СЛОЖЕНИЕ
6 МОЩНОСТЕЙ
ГЕНЕРАТОРОВ
6.1. Параллельное включение активных

элементов
Параллельное включение АЭ является простейшим решением зада-
чи увеличения мощности генераторов. При параллельном включе-
нии АЭ их напряжения и граничные частоты остаются такими же,
что и у одного АЭ, а токи, мощности и междуэлектродные емкости
складываются. Таким образом, N приборов при параллельной работе
могут теоретически дать в N раз большую мощность, чем один АЭ.
Комбинацию из N параллельно включенных АЭ, каждый из которых
имеет параметры S, Sгр, Е и т. п. можно рассматривать как один АЭ
с параметрами NS, NSгр, Е и т. п. Коэффициенты усиления генера-
тора по мощности и КПД остаются такими же, как при использо-
вании одного АЭ. Входная мощность генератора и потребляемая от
источника питания возрастают в N раз, а сопротивление нагрузки и
входное сопротивление в N раз уменьшаются.
На рис. 6.1 показана схема параллельного включения транзисто-
ров с разделением входных и выходных цепей, а также цепей кол-
лекторного питания [58, 72]. Для выравнивания эмиттерных токов
транзисторов использованы реактивные симметрирующие цепи на
индуктивностях L2 и L3. Транзисторы VT1 и VT2 включены по схе-
ме с ОБ. В усилителе с ОБ имеется 100%-ая ООС по току, снижаю-
щая уровень гармоник. Схема рис. 6.1 пригодна для использования
в УКВ и нижней части СВЧ-диапазонов.
ДВУХТАКТНОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 103
С3 Iк' 0
А
L4
С7
L2 I к' L6 + Eк
С2
I э' VT1
С5
L3 С8
I к''
С1 L7 Uн Rн
I э'' VT 2 С6 С9
L1
L5
Iк'' 0
А
С4
Рис. 6.1. Усилитель на параллельно включенных транзисторах

с реактивными симметрирующими связями
При параллельном включении двух транзисторов напряже-

ние на нагрузке зависит от токов транзисторов I′к1 и I″к1 и равно
UН = (I′к1 + I″к1)Rн, а сопротивления R′н и R″н, на которые эти тран-
зисторы работают, равны [39, 71, 72]:
Rн′ = U н / I к′1 = Rн (1 + I k′′1 / I k′ 1 ) ;
Rн′′ = U н / I к′′1 = Rн (1 + I k′ 1 / I k′′1 ) .
Из этих соотношений видно, что сопротивление нагрузки одного
транзистора зависит от тока другого.
6.2. Двухтактное включение активных

элементов
Один из вариантов двухтактной схемы сложения мощностей двух
ГП приведен на рис. 6.2 [32, 71]. Напряжение возбуждения подается
на входы транзисторов VT′ и VT″ в противофазе, в результате чего
импульсы коллекторных токов транзисторов оказываются сдвину-
тыми на половину периода, в силу чего схему и называют двухтак-
тной. В двухтактной схеме сопротивления на первой гармонике R′н
и R″н, на которые работают транзисторы, равны [39, 72]:
Rн′ = U к′ / I к1′ = 0, 25Rн (1 + I k1
′′ / I k1
′ );
Rн′′ = U к′′ / I к′′1 = 0 ,25 Rн (1 + I k′ 1 / I k′′1 ) ,
104 СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ
I к' 1 k'
VT '
L2 Uк' С2
L1
С1
L6
Rн
L7 U н
L4 L5
L3 С3
U к'
k'
VT '
Iк' 1
+ Eб С4 + Eк
а б
Рис. 6.2. Двухтактный резонансный усилитель мощности
где Rн – сопротивление нагруженной КС относительно точек k′ и k″

подключения коллекторов транзисторов.
Из приведенных соотношений следует, что при двухтактном вклю-
чении АЭ, как и при их параллельном включении, сопротивление
нагрузки одного транзистора зависит от тока другого транзистора.
Величину блокировочных элементов схемы, показанной на
рис. 6.2, выбирают из условий [72]:
L5 ≥ L6; ωL5 ≥ Rн ; C 4 ≥ 20 / (ω 2 L5).
При точной симметрии плеч блокировочные элементы можно во-
обще не включать.
Для получения выигрыша в фильтрации четных гармоник (в срав-
нении с однотактным генератором) можно использовать, например,
дополнительный трансформатор (рис. 6.2, б) [72]. Этот трансфор-
матор включают между выходом двухтактного генератора (точки k′
и k″) и нагрузкой.
Разновидностью двухтактной схемы является непосредственное
встречно-параллельное соединение АЭ. При использовании комп-
лементарной пары транзисторов схемная реализация получается на-
иболее простой [71] (рис. 6.3). Для устранения сквозных токов через
силовые транзисторы и необходимо обеспечить задержку включе-
ния одного транзистора по отношению к другому. Поэтому в быст-
родействующих усилителях на затворы транзисторов и подают раз-
личные напряжения. На рис. 6.3 транзисторы по переменному току
соединены параллельно, а по постоянному току – последовательно.
МОСТОВЫЕ СХЕМЫ СЛОЖЕНИЯ МОЩНОСТЕЙ 105
2Ec L1 C1
+
Ic
VT'
L2 C2
VT"
Rн
Рис. 6.3. Двухтактный резонансный усилитель

на комплементарных МДП-транзисторах
В схеме использованы MOSFET-транзисторы с p-каналом (VT′) и

n-каналом (VT″). Общими электродами этих транзисторов являют-
ся стоки; при таком включении упрощается размещение транзис-
торов на радиаторе, служащем для отвода тепла. Последовательно
с сопротивлением нагрузки включен колебательный контур L2C2,
настроенный на частоту первой гармоники.
6.3. Мостовые схемы сложения

мощностей
При использовании мостовых схем сложения мощностей двух и
более генераторов обеспечивается их взаимная электрическая раз-
вязка. Каждый генератор работает независимо от других на опти-
мальную для него нагрузку. Под взаимной электрической развязкой
генераторов понимается независимость работы каждого из них от
режимов работы остальных, вплоть до их короткого замыкания (по
высокой частоте) или обрыва. Вследствие этого в мостовых схемах
достигается высокая надежность работы передатчика.
Классическая мостовая схема суммирования мощностей двух
идентичных синфазных генераторов Г1 и Г2, приведенная на рис. 6.4,
содержит четыре резистивных сопротивления [33, 50, 72].
При равенстве сопротивлений R1 = R2 и R3 = R4 выполняется ус-
ловие баланса моста – потенциалы точек Б и Б′ для генератора Г1,
а также точек А и А′ для генератора Г2 будут одинаковыми. При
равенстве потенциалов нагрузка, например, генератора Г1 останется
неизменной даже при коротком замыкании моста в точках Б и Б′
i1 А
R1 R2
u1 Б'
Г1 Б
R4 R3
i2
i2
i1
А'
u2
Γ2
Рис. 6.4. Классическая мостовая схема сложения мощностей
т. е. напряжение от одного из генераторов не поступает на выход

другого, и генераторы работают независимо друг от друга.
При равенстве сопротивлений R1 = R2 = R3 = R4 генераторы на-
гружены на одинаковые сопротивления Zвх1 = Zвх2 = R.
Направления токов i1 и i2 соответствуют действиям напряже-
ний u1 и u2 показанных на рис. 6.4. Токи i1 = u1/2R = I1 cos ωt и
i2 = u2/2R = kI1 (cos ωt + φ)суммируются в нагрузочных сопротив-
лениях R2 и R4 и вычитаются в балластных сопротивлениях R1 и
R3.Суммарные мощности на обоих нагрузочных и балластных со-
противлениях равны [33]:
Рн = I 12 R(1 + k 2 + 2k cos ϕ ) и РБ = I12 R (1 + k 2 − 2 k cos ϕ ) ,
где k = I1/I2 – отношение амплитуд токов, пропорциональное отно-
шению амплитуд генераторов Г1 и Г2;
φ – фазовый сдвиг между токами генераторов Г1 и Г2.
КПД моста равен [72]:
η м = Рн ( Рн + РБ ) = 1 + к 2 + 2к cos ϕ [2(1 + k 2 )].
Практическое использование схемы сложения мощностей рис. 6.4
затруднено, так как обычно имеется один нагрузочный элемент (а не
два, как на рис. 6.4). Кроме того, желательно, чтобы оба генератора
и нагрузка имели общую точку (нулевой потенциал). Реальные мос-
товые устройства выполняются на трансформаторах, LC-элементах
или линиях с распределенными параметрами.
МОСТОВЫЕ СХЕМЫ СЛОЖЕНИЯ МОЩНОСТЕЙ 107
Rвх
Г1 RБ
Rн
Rвх
Г2
RБ
Rвх
Г3
RБ
l
Рис. 6.5. Резонансный мост сложения по току
На рис. 6.5 приведена резонансная схема сложения мощностей

трех однотипных генераторов [32, 33, 71, 72]. Такие схемы, реали-
зуемые на отрезках полосковых или коаксиальных линий, широко
используются на практике. Они пригодны для сложения мощностей
произвольного числа N идентичных генераторов. Схема на рис. 6.5
содержит три одинаковых отрезка коаксиальных линий. Геометри-
ческая длина этих отрезков равна
l = λ л / 4 = 0,25λ / εμ = 0,25ν ф / f ,
где λл – длина волны в линии;
ε и μ – относительная диэлектрическая и магнитная проницае-
мости вещества, наполняющего линию;
ν ф = c / εμ – фазовая скорость волны в линии;
f– частота генератора.
Отрезки линий обеспечивают трансформацию сопротивления
NRн в Rвх и фазовый сдвиг на +90° или –90° с тем расчетом, чтобы
токи N генераторов суммировались в сопротивлении нагрузки Rн и
вычитались (поступая в противофазе) в балластных сопротивлени-
ях RБ. Для получения развязки генераторов и обеспечения их со-
гласования при заданном сопротивлении нагрузки Rн и требуемом
сопротивлении по генераторному входу Rвх должны выполняться
условия [71]:
RБ = Rвх; Z В = N Rн Rв х .
Для наибольшей широкополосности надо выбирать коэффици-

ент трансформации отрезков линий, равным единице. При этом
NRн = RБ = Rвх = ZВ. Относительная ширина рабочего диапазона мо-
жет составлять 10…30% [71].
Токи всех генераторов суммируются в сопротивлении нагрузки Rн
и компенсируются в балластных резисторах RБ = Rвх, включенных
по схеме многолучевой звезды.
В нагрузке и балластных резисторах симметричного моста-сумма-
тора с N идентичными генераторами при отказе (аварии) М генера-
торов соответственно выделяются мощности [32, 39, 58, 72]:
Рн. а в = Р1 N (1 − M / N ) 2 , РБ.ав = PM
1 (1 − M / N ),
где P1 – выходная мощность одного генератора.
Значение КПД моста-сумматора в аварийном режиме равно [39, 58]:
η м.а в = Рн.а в [ Р1 ( N − M ) ] = 1 − M / N .
Уменьшение мощности передатчика при аварии равно
Рн.ав Рн = (1 − M N ) 2 .
Общие вопросы
6.1. С какой целью используют совместную работу АЭ на общую наг-
рузку?
6.2. Перечислите способы сложения мощностей генераторов.
6.3. Каковы свойства блочно-модульного способа сложения мощ-
ностей генераторов?
6.4. Каковы свойства систем сложения мощностей в пространстве
(ФАР)?
6.5. В передатчике фазированной антенной решетки использовано
800 идентичных генераторов на ЛПД АА730Д. Мощность каж-
дого генератора 1 Вт. Определите мощность этого передатчика
при выходе из строя: а) 1; б) 10; в) 100 генераторов.
6.6. Каковы особенности систем сложения мощностей АГ?
Параллельное включение активных элементов
6.7. Каковы достоинства и недостатки генераторов с параллельным
включением АЭ?
6.8. Почему необходима симметрия токов АЭ при их параллельном
включении?
6.9. Перечислите условия, при которых выходная мощность гене-
ратора с параллельным включением АЭ может быть близка к
N-кратной мощности одного АЭ.
6.10. Какие меры принимают для симметрирования режимов тран-
зисторов при их параллельном включении?
6.11. Сравните свойства биполярных и полевых транзисторов при
их параллельном включении.
6.12. Генератор с параллельным включением идентичных транзис-
торов (рис. 6.1) работает в граничном режиме. Мощность в на-
грузке равна 100 Вт, амплитуда напряжения на нагрузке равна
UН = 10 В. В результате аварии транзистор VT2 сгорел. Опре-
делите сопротивление нагрузки RН и напряженность режима
для оставшегося транзистора.
6.13. Генератор на двух идентичных параллельно включенных тет-
родах работает в граничном режиме. Электронный КПД гене-
ратора равен 0,75, потребляемая мощность 6 кВт. В результате
аварии одна из ламп сгорела. Определите мощность потерь на
аноде оставшейся лампы Pa и колебательную мощность генера-
тора P1 до и после аварии.
6.14. Генератор на двух идентичных параллельно включенных
транзисторах работает в перенапряженном режиме, причем
Rk = 2Rк гр. Мощность в нагрузке равна 2 Вт. Определите мощ-
ность в нагрузке при отключении одного из транзисторов, по-
лагая, что в перенапряженном режиме Uk = Uк гр.
6.15. Использовано параллельное включение: а) двух; б) трех иден-
тичных транзисторов. Получите расчетные соотношения для
определения сопротивления по первой гармонике R′н, на кото-
рое работает каждый транзистор.
6.16. Генератор с параллельным включением транзисторов (задача
6.15) работает в граничном режиме. Для каждого из транзис-
торов токи и сопротивления нагрузки соответственно равны
I′к1 = 0,12 А, R′н = 120 Ом. Один из транзисторов сгорел. Опре-
делите напряженность режима и сопротивление нагрузки для
оставшихся транзисторов.
6.17. Начертите схему мощного генератора на параллельно вклю-
ченных транзисторах и поясните назначение ее элементов.
6.18. Сопротивление нагрузки лампового генератора в граничном
режиме работы равно Rн = 36 кОм, амплитуда напряжения

на нагрузке Uн = 9 кВ, коэффициент усиления по мощности
Kp = 50, электронный КПД ηe = 0,8, контурный КПД ηk = 0,75.
Определите входную мощность генератора Pвх, мощность в на-
грузке Pн, мощность источника питания P0 и амплитуду тока
нагрузки Iн. Как изменятся напряженность режима и парамет-
ры генератора при параллельной работе двух таких ламп на
сопротивление нагрузки: а) 10 кОм; б) 18 кОм; в) 36 кОм и
неизменном контурном КПД?
Двухтактное включение активных элементов
6.19. Каковы достоинства и недостатки двухтактных УМ?
6.20. Почему в двухтактных УМ обычно соединяют с корпусом сред-
нюю точку емкостной, а не индуктивной ветви (рис. 6.2, а)?
6.21. Почему в схеме двухтактного УМ (рис. 6.2, а) нельзя подклю-
чать блокировочный конденсатор к средней точке индуктивной
ветви контура?
6.22. Начертите схему двухтактного усилителя на БТ и поясните
назначение его элементов.
6.23. Можно ли без изменения схемы двухтактного УМ (рис. 6.2, а) ис-
пользовать его для: а) удвоения частоты; б) утроения частоты?
6.24. Какой выигрыш в фильтрации четных гармоник дает двухтакт-
ный УМ, схема которого приведена на рис. 6.2, а по сравнению
с однотактным генератором?
6.25. Как добиться малого уровня высших гармоник в нагрузке
двухтактного УМ? Какое ослабление высших гармоник удается
получить практически?
6.26. Почему при построении генераторов с широкополосными ви-
дами АМ или модулируемых короткими импульсами предпоч-
тение отдают двухтактным схемам?
6.27. Начертите схему усилителя мощности с коллекторной моду-
ляцией: а) импульсами микросекундной длительности б) ши-
рокополосным телевизионным сигналом. Какие элементы это-
го генератора могут исказить форму импульса и затрудняют
прохождение высоких частот?
6.28. Определите величину блокировочных элементов L5 и C4
двухтактного УМ (рис. 6.2, а), если f = 20 МГц, L6 = 40 нГн,
Rн =100 Ом.
6.29. Получите расчетные соотношения для определения вели-
чин блокировочных элементов L5 и C4 двухтактного УМ
(рис. 6.2, а).

6.30. Начертите схему экономичного пятиоктавного УМ с малым
уровнем высших гармоник и поясните принцип его работы.
6.31. Почему при построении многооктавных широкополосных уси-
лителей предпочтение отдают двухтактным схемам?
6.32. Резонансное сопротивление нагруженного контура С2, С3, L6,
L7 (рис. 6.2) равно Rн = 100 Ом. Определите величину: а) со-
противления контура относительно точек подключения емкос-
ти С2; б) сопротивлений R′н и R″н, на которые работают тран-
зисторы; в) сопротивления R′н при отключенном транзисторе
VT″.
лений по первой гармонике R′н и R″н, на которые работают
транзисторы двухтактного генератора (рис. 6.2, а).
6.34. Начертите принципиальную схему двухтактного УМ на ком-
плементарной паре транзисторов и поясните назначение его
элементов.
6.35. Начертите эквивалентные схемы двухтактного усилителя на
комплеметарных транзисторах (рис. 6.3): а) по переменному
току; б) по постоянному току.
6.36. Номинальная мощность в нагрузке усилителя на комплеме-
тарной паре транзисторов IRF7309 (рис. 6.3) равна 10 Вт. Как
изменится мощность в нагрузке при отключении транзистора:
а) VT′; б) VT″?
6.37. Определите КПД и мощности Pн, P′с, P″с двухтактного усилите-
ля на комплеметарной паре MOSFET-транзисторов (рис. 6.3)
типа IRF7309 (прил. 4) при напряжении питания 2Eс = 10 В и
максимальном токе стока Iст=2A.
Мостовые схемы сложения мощностей
6.38. Каковы свойства мостовых схем сложения мощностей?
6.39. Дайте классификацию мостовых схем по способу сложения,
частотным свойствам, элементной базе и т. п.
6.40. Объясните принцип работы мостовой схемы сложения мощ-
ностей генераторов. Почему в номинальном режиме работы не
рассеивается мощность на балластном сопротивлении?
6.41. Докажите, что для баланса моста (рис. 6.4) достаточно равенс-
тва отношения сопротивлений: R1/R3 = R2/R4.
6.42. Как изменятся мощности в нагрузочных и балластных сопро-
тивлениях моста-сумматора (рис. 6.4) при противофазной ра-
боте генераторов?
6.43. Как можно избежать потерь мощности в балластных резисторах мос-
та-сумматора (рис. 6.4) при отключении одного из генераторов?
6.44. Как можно сохранить высокий КПД мостовой схемы сложения
мощностей генераторов при отключении нескольких генерато-
ров или изменении соотношения их напряжений?
6.45. Для мостовой схемы сложения мощностей синфазных генера-
торов (рис. 6.4) получите формулы для определения: а) сум-
марной мощности в нагрузочных сопротивлениях; б) суммар-
ной мощности в балластных сопротивлениях; в) КПД моста.
6.46. Для мостовой схемы сложения мощностей генераторов (рис. 6.4)
при произвольных значениях k и φ определите: а) суммарную
мощность в нагрузочных сопротивлениях; б) суммарную мощ-
ность в балластных сопротивлениях; в) КПД моста.
6.47. Постройте график зависимости КПД моста-сумматора от вели-
чины: а) k при φ = 0; б) k при φ = 40°; в) φ при k = 1; г) φ при
k = 0,8.
6.48. Определите допустимый сдвиг фаз генераторов, при котором
КПД моста-сумматора будет не менее 0,87, если амплитуды ге-
нераторов различаются на: а) 20%; б) на 0%.
6.49. Определите допустимое различие амплитуд генераторов, при
котором КПД моста-сумматора равен 0,97, если фазовый сдвиг
между токами генераторов равен: а) 0°; б) 20°.
6.50. Каковы достоинства и недостатки классической мостовой схемы
(рис. 6.4), с точки зрения ее практического использования?
6.51. Какие элементы используют при построении широкополосных
мостовых устройств?
6.52. Какие элементы используют при построении узкодиапазонных
(резонансных) мостовых устройств?
6.53. Почему в резонансных устройствах сложения мощностей гене-
раторов (рис. 6.5) частоты, на которых обеспечивается развязка
генераторных входов, определяются из условия l = (2n + 1)λл/4,
где n = 0,1,2…?
6.54. При синфазной работе двух идентичных генераторов мощность в
нагрузочных резисторах моста-сумматора (рис. 6.4) равна 60 Вт.
Определите: а) КПД моста и мощность в балластных резонато-
рах при номинальном режиме работы; б) КПД моста, мощность
в нагрузочных и балластных резисторах при отключении одного
из генераторов. Объясните полученные результаты.
6.55. В симметричном мосте-сумматоре возможна авария одного
генератора. Определите необходимое количество идентичных

синфазных генераторов моста при допустимом понижении
мощности передатчика на: а) 50%; б) 25%; в) 20%; г) 10%.
6.56. В симметричном мосте-сумматоре с 40 идентичными синфаз-
ными генераторами произошла авария. Определите количест-
ва вышедших из строя генераторов, если мощность в нагрузке
уменьшилась на: а) 50%; б) 20%; в) 10%; г) 5%.
6.57. В симметричном мосте-сумматоре с N идентичными синфазны-
ми генераторами произошла авария М генераторов. Получите
расчетные формулы для определения: а) мощности в нагрузке
Pн ав; б) мощности в балластных резисторах PБ ав; в) КПД моста
в аварийном режиме.
6.58. Почему в мостовых схемах при выходе из строя М генераторов
мощность в нагрузке получается меньшей мощности оставших-
ся (N – М) генераторов?
лений Rвх, RБ и ZВ резонансного моста сложения мощностей
двух идентичных генераторов при заданном сопротивлении на-
грузки Rн из условия: а) одинаковых входных и нагрузочных
сопротивлений; б) получения наибольшей широкополосности
моста.
6.60. В устройстве сложения мощностей трех генераторов (рис. 6.5)
с рабочей частотой 1 ГГц использованы отрезки полосковых
линий. Линии заполнены диэлектриком с ε = 2,4 и μ = 1. Со-
противление нагрузки равно 50 Ом. Определите длину линии
l и величину сопротивлений Rвх, RБ и ZВ из условия: а) полу-
чения наибольшей широкополосности устройства; б) равенства
входных и нагрузочного сопротивлений.
ШИРОКОПОЛОСНЫЕ
7 УСИЛИТЕЛИ
7.1. Абсолютная полоса частот усилителя.

Согласование импедансов
Абсолютную полосу частот усилителя ограничивают инерционные
свойства АЭ и наличие реактивных составляющих в его входной и
выходной цепях. Доказано, что произвольный импеданс невозможно
согласовать с активным сопротивлением на всех частотах или даже
в конечной полосе частот [1, 12].
Типичная схема соединения генератора с нагрузкой показана на
рис. 7.1, где обозначено:
Г – идеальный генератор напряжения U;
RГ – выходное сопротивление генератора;
ЛП – линия передачи (коаксиальная, полосковая и т. п.) с вол-
новым сопротивлением, равным сопротивлению генератора
ZВ = RГ. Наличие в схеме ЛП не обязательно;
СТЦ – согласующе-трансформирующая цепь, преобразующая
данное сопротивление нагрузки в другое сопротивление необ-
ходимой величины. Эта операция называется согласованием
импедансов;
Zн – сопротивление нагрузки (входное сопротивление последую-
щего каскада, антенны и т. п.).
Оценка степени согласования. Проблема согласования импе-
дансов возникает при решении задачи о передаче максимальной
мощности от генератора к нагрузке. Степень согласования характе-
ризуется отличием полного входного сопротивления Zвх в сечении
АБСОЛЮТНАЯ ПОЛОСА ЧАСТОТ УСИЛИТЕЛЯ. СОГЛАСОВАНИЕ ИМПЕДАНСОВ 115
Uпад, Pпад Uотр, Pотр

A
Rг
U Г Г ЛП СТЦ Zн
Z вх
A
Рис. 7.1. Схема соединения генератора с нагрузкой
АА от сопротивления RГ. Для оценки степени согласования можно

использовать различные величины [12, 21, 37]:
• модуль коэффициента отражения
U отр ρ −1 Ротр Рн
Г = = = = 1− ;
U пад ρ +1 Рпад Рпад
• комплексный коэффициент отражения

Г = (Z в х − RГ ) / (Z в х + RГ ) ;
• коэффициенты стоячей и бегущей волны
1+ Г 1
ρ = КСВН = , КБВ = ;
1− Г ρ
2
• коэффициент передачи b = Pн / Рпад = 1 − Г ;
• потери на отражение (рабочее затухание)
a = 1/b = 1/(1 – | Г | 2) = Pпад/Pн, или a = 10 lg(Pпад/Pн), дБ;
• допуск на согласование ln(1 Г max ) ,

где Uпад и Uотр – амплитуда падающей и отраженной волны;
Pпад и Pотр – мощность падающей и отраженной волны;
Pн – мощность в нагрузке. В случае согласованной нагруз-
ки (Zвх = RГ) коэффициент отражения равен нулю и мощность
в нагрузке имеет максимальную величину
2
Рн max = Рпад = 0,5 U пад / Z в х .
116 ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Зависимости рабочего затухания a и допуска на согласование

ln(1/| Г | max) от модуля коэффициента отражения | Г | max, рассчитанные
по приведенным выше формулам, представлены на рис. 7.2.
Теоретические ограничения полосы согласования. На рис. 7.3
представлены простые, но практически очень важные случаи со-
гласования импеданса нагрузки, состоящего из сопротивления R,
шунтированного емкостью С, и сопротивления R с последователь-
но включенной индуктивностью L. Для согласования импедансов
нагрузки и генератора использована согласующе-трансформирую-
щая цепь (СТЦ). Выходная цепь генератора представлена в виде
генератора тока с амплитудой первой гармоники I1. На рис. 7.3, б
емкость С включает выходную емкость АЭ, монтажа, ламповых па-
нелек, реле и т. п.
1
ln
Г max
max
a, дБ
1,6 2,6
1,5 2,4
1,4 2,2
1,3 2,0
1,2
a 1,8
1,1 1,6
1,0 1,4
0,9 1,2
0,8 1,0
0,7 0,8
0,6 0,6
0,5 0,4
0,4 0,2
0
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 Г max
Рис. 7.2. Зависимость рабочего затухания и допуска на согласование
от модуля коэффициента затухания
Z
Zвх Z вх вх L
I1 I1
I
C 1
СТЦ R R СТЦ
C СТЦ
Iн
Iн
а б в
Рис. 7.3. Схемы согласования цепей: а, б – RC, в – RL
Вещественная (резистивная) составляющая входного сопротив-

ления Zвх параллельной RC цепи связана со значением емкости С
соотношением [1, 12, 29, 47, 71]:
∞
π
∫ Re(Z
0
вх )d ω =
2C
.
При использовании идеальной СТЦ (с бесконечным числом N

согласующих элементов) резистивная составляющая входного со-
противления Re(Zвх) постоянна и равна Rвх max в полосе частот Ω.
В остальном спектре частот она равна нулю. Для идеальной СТЦ
справедливо равенство ΩRвх max= π/(2C).
При использовании реальных СТЦ справедливо неравенство
ΩRвх max < π/(2C).
Доказано, что степень согласования, полоса частот, в которой
реализуется согласование, и постоянная времени RC или RL цепи
(рис. 7.3) связаны следующим образом [12]:
∞
1 π
∫ ln Г
0
dω ≤
τ
,
где τ = RC = L/R – постоянная времени RC или RL цепи.

Если величина | Г | постоянна и равна | Г | max в полосе частот Ω и
равна единице на остальных частотах, то из последнего уравнения
вытекает соотношение Ω ln(1/| Г | max) ≤ /τ.
Другими словами, произведение полосы пропускания на мини-
мальную величину ln(1/| Г | max) имеет максимальный предел, оп-
ределяемый постоянной времени RC или RL цепи. Из последних
уравнений также видно, что приближение к полному согласованию,
то есть уменьшение | Г | до сколь угодно малой величины на какой-
либо частоте, приводит к нежелательному использованию площа-
ди, описанной интегралом, и следовательно, к уменьшению полосы
пропускания Ω. Иллюстрацией этих зависимостей применительно к
1 1
ln ln
π Γ π Γ
Ωτ Ωτ
Ω Ω
ω ω
ωс ωн ω ср ωв
a б
Рис. 7.4. Оптимальные частотные характеристики СТЦ:
а – низкочастотной, б – полосовой
низкочастотному случаю является рис. 7.4, а. Если Ω – желаемая ве-

личина полосы частот (на рис. 7.4, а эта полоса равна граничной час-
тоте Ω = ωс), то наилучший возможный допуск согласования равен
[12] [ln(1/| Г |)]max = π/(Ωτ). Очевидно, что наилучшее использование
площади будет в том случае, когда величина ln(1/| Г |) постоянна в
желаемом диапазоне частот и равна нулю вне этого диапазона.
Практически прямоугольная характеристика, показанная на
рис. 7.4, а, не может быть реализована, так как для этого потребова-
лась бы СТЦ с бесконечным числом элементов. Однако при разум-
но ограниченном числе N элементов (звеньев) СТЦ цепи возможно
достаточно хорошее приближение к такой идеальной форме харак-
теристики.
Следует заметить, что сопротивления генератора R Г и наг-
рузки R могут совпадать и различаться, этот факт не является
принципиальным, поскольку теория согласующих цепей и соответс-
твующие методики расчета предусматривают использование идеаль-
ного трансформатора [12, 37]. Этот трансформатор можно включить
в любое сечение цепи (рис 7.1). Во многих случаях его удается за-
менить сочетанием катушек или конденсаторов.
Низкочастотные цепи согласования. На рис. 7.5, а, б показаны
широкополосные ЦС в виде низкочастотных лестничных фильтров
с тремя (N = 3) согласующими элементами (звеньями).
Полосовая цепь согласования получается из низкочастотной
цепи путем настройки на среднюю частоту диапазона ωср каждой
индуктивности с помощью последовательной емкости и каждой ем-
кости с помощью параллельной индуктивности. На рис. 7.6 показана
трехзвенная полосовая ЦС, соответствующая низкочастотной цепи,
изображенной на рис. 7.5, б. Полоса пропускания полосовой цепи
ωв – ωн = Ω после такого преобразования численно равна граничной
L1 L2 НАГРУЗКА НАГРУЗКА
L1
C L
С1 R C1 C2 R
a б
Рис 7.5. Низкочастотные ЦС: а – для параллельной RC-цепи,
б – для последовательной RL-цепи
частоте ωс первоначально взятой идеальной низкочастотной цепи

(рис. 7.4, а, б).
Принцип постоянства ширины полосы [1]. Преобразование сис-
темы, пропускающей нижние частоты в полосовую, обладает одним
простым свойством, имеющим большое значение. Оно заключается
в том, что преобразование катушки в параллельный колебательный
контур или конденсатора в последовательный не влияет на ширину
полосы частот, если остаются неизменными в первом случае вели-
чина индуктивности, а во втором – емкости. Принцип постоянства
ширины полосы при преобразовании системы, пропускающей ниж-
ние частоты, в систему полосовую для частотной характеристики
произвольного вида иллюстрирует рис. 7.7, а, б, где К – модуль ко-
эффициента передачи. На этих рисунках равные интервалы частот
указаны горизонтальными линиями А, В и С.
Зависимость допуска на согласование ln(1/|Г|max) от величины
2/(Ωτ) для различного числа элементов N согласующей лестничной
цепи показана на рис. 7.8 [12]. При N = ∞ эта зависимость является
прямой линией с наклоном, равным π/2, которая в соответствии с
уравнением [ln(1/|Г|)]max = π/(Ωτ) характеризует предельное значе-
ние допуска на согласование. Отсутствие согласующей цепи соот-
ветствует N = 0. На рис. 7.8 обозначено: Ω – полоса частот, в которой
реализуется согласование; τ = RC = L/R – постоянная времени RC
или RL цепи.
НАГРУЗКА
L1 C3 C4
L
L2 C1 C2 L3 R
Рис. 7.6. Трехзвенная полосовая ЦС

A A
B B
ω
C C
а б
Рис. 7.7. К принципу постоянства ширины полосы: а – характеристика ФНЧ;
б – характеристика ПФ, соответствующая характеристике ФНЧ
Следует заметить, что результаты, полученные для цепей с сосре-

доточенными параметрами, могут быть распространены на случай
систем с распределенными параметрами [12].
1
ln
Г max
max N =∞
3,2
7
2,8 5
2,4 3
2
2,0
1
1,6
1,2
0
0,8
0,4
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
2/(Ωτ)
Рис. 7.8. Допуск на согласование лестничной цепи
с N согласующими элементами
УСИЛИТЕЛИ С ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫМИ ФИЛЬТРАМИ 121
7.2. Усилители с переключаемыми

фильтрами
Схема усилителя с переключаемыми фильтрами показана на рис. 7.9
[72], где обозначено:
ГП – генераторный прибор (активный элемент);
Ф – полосовой фильтр (ПФ) или фильтр нижних частот;
СУ – согласующее устройство, обеспечивающее при перестройке
по частоте или изменении параметров нагрузки трансформа-
цию сопротивления Zн в номинальное нагрузочное сопротив-
ление ГП.
Ф1
Вход
ГП СУ
ФN Zн
Рис. 7.9. Структурная схема выходного каскада передатчика

с переключаемыми фильтрами
Идеализированные частотные характеристики фильтров показа-
ны на рис. 7.10, где обозначено:
a – затухание, вносимое фильтром;
ωн и ωв– нижняя и верхняя частота поддиапазона.
Исходя из требований к фильтрации высших гармоник, начиная
со второй, каждый фильтр проектируется на заданное значение за-
α ПОЛОСА
ПОДАВЛЕНИЯ α ПОЛОСА
ПОДАВЛЕНИЯ
ПОЛОСА ПОЛОСА
ПРОЗРАЧНОСТИ ПРОЗРАЧ-
НОСТИ
ω ω
ωн ωв 2ω н 2ωв ω н ωв 2ωн 2ωв
a б
Рис. 7.10. Идеализированные частотные характеристики
фильтров: а – ФНЧ, б – полосового
тухания a в полосе подавления от ω ≥ 2ωн. По этой причине коэф-

фициент перекрытия по частоте i-го фильтра не может быть более
двух (кωi = ωвi /ωнi < 2)По мере приближения кωi → 2 переходная об-
ласть между полосами прозрачности и подавления (от ωв до 2ωн на
рис. 7.10) сужается, что требует резкого усложнения фильтра.
Для транзисторных генераторов на частотах до 30…100 МГц
обычно используют ФНЧ. При одинаковом количестве звеньев они
содержат меньшее количество элементов, чем например, ПФ (см.,
например, рис. 7.5, в и 7.6). На частотах до 30…100 МГц влияние вы-
ходной емкости транзисторов незначительно и к фильтрам предъяв-
ляется только требование фильтрации высших гармоник [72].
В ламповых генераторах влияние выходной емкости сказывается
уже на частотах выше 1…2 МГц и потому необходимо использовать
ПФ. Полоса прозрачности ПФ меньше, чем у ФНЧ (см. рис. 7.10, а, б)
и потому ПФ могут обеспечить и фильтрацию высших гармоник, и
согласование импедансов [72].
7.3. Усилители с раздельными полосами

усиления
Схема усилителя с раздельными полосами усиления показана на
рис. 7.11, где обозначено:
Д – делитель (частотно-разделительное устройство);
ГП – генераторный прибор (активный элемент);
Ф – полосовой фильтр;
С – сумматор (частотно-суммирующее устройство).
Принцип работы такого усилителя состоит в разделении полной
полосы частот передатчика на несколько смежных частотных полос,
ГП1 Ф1
Вход Д С
ГП N ФN Zн
Рис. 7.11. Структурная схема выходного каскада передатчика

с раздельными полосами усиления
УСИЛИТЕЛИ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ УСИЛЕНИЕМ 123
каждая шириной менее октавы, с помощью частотно-разделитель-

ного устройства, содержащего набор фильтров. Такое построение
обеспечивает равномерную частотную характеристику и потому
возможна работа с широкополосными сигналами. За счет повышен-
ного коэффициента использования напряжения питания усилитель
имеет более высокий КПД, чем несколько ГП, соединенных парал-
лельно [58, 71].
Количество фильтров N (рис. 7.9 и 7.11), обеспечивающих полосу
пропускания передатчика от ωвп до ωнп равно (полученное значение
округляют в большую сторону до целого числа),
• при одинаковых коэффициентах перекрытия фильтров кωi
N = lg кωп/lg кωi = ln кωп/ln кωi ;
• при одинаковых абсолютных рабочих полосах пропускания
фильтров ∆ω
N = (ωвп – ωнп)/∆ω,
где кωп = ωвп /ωнп – коэффициент перекрытия передатчика по час-
тоте;
кωi = ωвi /ωнi – коэффициент перекрытия по частоте i-го фильтра.
Абсолютные полосы пропускания фильтров равны:
• первого фильтра f в − f н = f н п (кω1 − 1) ;
• последнего фильтра f в − f н = f в п (1 − 1 / кω N ).
7.4. Усилители с распределенным

усилением
Основу УРУ, объединяющего N активных элементов, составляют
входная и выходная искусственные линии. Схема выходной линии
показана на рис. 7.12. Элементы L и C линии передачи образуют
ФНЧ, волновое сопротивление Zв и граничная частота (частота сре-
за) которого равны [71, 72]:
Z в = L C , ωгр = 2 LC .
Как правило, граничные частоты входной и выходной линий оди-
наковы и равны верхней рабочей частоте усилителя: ωв = ωгр.
Сопротивления нагрузочного Rн и балластного резисторов равны
волновому сопротивлению линии Rн = Rб = ZВ. Входное сопротив-
Cр L L L L Cр
Rб C/2 C C C/2 RН
Рис. 7.12. Схема выходной линии УРУ

ление линии в месте подключения каждого АЭ равно 0,5Zв, так как
нагрузка АЭ представляется в виде параллельного соединения двух
частей линии с входным сопротивлением Zв каждая.
Мощность в нагрузке и КПД УРУ по выходной цепи равны:
U ɧ2 I a12 N 2 Zɜ Ɋɧ 1 I a1 U ɧ 1
Ɋɧ , K g1 (T )[ ,
2Rɧ 8 Ɋ0 4 I a0 ȿ0 4
где Iа1 – амплитуда первой гармоники выходного тока АЭ;
Iа0 – постоянная составляющая выходного тока АЭ;
E0 – напряжение источника питания;
E0 = NI0 E0 – мощность источника питания;
Uн – амплитуда напряжения на нагрузке;
g1(θ) = Iа1/Iа0 – коэффициент формы косинусоидального им-
пульса;
ξ = U н / Е0 – коэффициент использования напряжения питания.
7.5. Двухтактные усилители

Схема двухтактного широкополосного усилителя с трансформатора-
ми на линиях (ТЛ) изображена на рис. 7.13 [29, 47, 58, 71, 86].
Во входную цепь усилителя включены корректирующе-согласу-
ющие цепи КСЦ и входной трансформатор ТЛ, обеспечивающий
симметричное противофазное возбуждение транзисторов. В качес-
тве трансформаторов выходной ЦС использованы линии передачи
(отрезки кабеля) с волновыми сопротивлениями ZВ1 и ZВ2. Линия ZВ2
с волновым сопротивлением ZВ2 = Rн использована для подключения
нагрузки к стокам транзисторов. Линия ZВ1 обеспечивает симметри-
рование плеч схемы по первой гармонике и шунтирование четных
гармоник выходных токов транзисторов.
Эквивалентные схемы выходной цепи усилителя показаны на
рис. 7.14. При противофазном возбуждении транзисторов четные
гармоники их выходных токов будут синфазны. В силу синфазнос-
ДВУХТАКТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 125
C3
VT1
КСЦ
L4 ZВ1 ZВ2
L1
Вход C1 C2
ТЛ Eз
EC Rн
L2
L3
КСЦ
VT2
C4
Рис. 7.13. Схема двухтактного широкополосного усилителя
ти эти токи не замыкаются через сопротивление нагрузки, а вход-

ное сопротивление линии передачи для них определяется входным
сопротивлением короткозамкнутого отрезка линии ZВ1 длиной l
(рис. 7.14, б): Z в х = j Z В1t g (ωl εμ / с). . В реальных усилителях
длина линии l мала (l λл/4), так что можно принять равенство
тангенса аргументу.
При l λл/4 эквивалентная индуктивность линии равна
Lэ = Z В1l εμ / с,
где l – геометрическая длина линии; ε и μ – относительная величина
диэлектрической и магнитной проницаемости материала, заполня-
ющего внутреннюю полость линии; с – скорость света в вакууме;
VT1
2l Rɧ
Z ɜ1 Z ɜ1 Rɧ
2
Zɜ 1
VT2
Рис. 7.14. Эквивалентные схемы выходной цепи усилителя:

а – полная; б – для синфазных составляющих коллекторного тока;
в – для противофазных составляющих коллекторного тока
λл = λ ε μ = 2πc (ω ε μ ) – длина волны в линии.

При уменьшении величины эквивалентной индуктивности Lэ
уменьшается сопротивление цепи для токов четных гармоник и по-
тому улучшается фильтрация четных гармоник выходного тока.
Входное сопротивление линии передачи для противофазных гар-
моник выходных токов определяется входным сопротивлением ра-
зомкнутой линии длиной l (рис. 7.14, в):
Z в х = − j Z В1ctg (ωl εμ / с).
При малой длине линии (l λл/4), ее эквивалентная емкость
равна
Сэ = l εμ / (с Z В1 ).
Емкость Сэ подключена параллельно выходной цепи транзистора
и вместе с выходной емкостью транзистора шунтирует нагрузку.
Для идеальной СТЦ (рис. 7.3, а) максимальные значения нагру-
зочного сопротивления и мощности в нагрузке, ограниченные вели-
чиной емкости С и рабочей полосой частот Ω, равны [71]:
Rн = π / (2Ω С ) ; Рн max = 0,5 I12 Rн = πI12 / (4Ω C ) .
При большой величине произведения ΩС величина нагрузочно-
го сопротивления получается малой, поэтому мощность в нагрузке
может оказаться существенно ниже номинальной мощности ГП, ко-
торую он мог бы обеспечить в узкой полосе частот.
7.6. Трансформаторы на линиях

При заданных значениях нижней рабочей частоты ωн и сопротивле-
нии нагрузки R величину продольной индуктивности линии транс-
форматора на линиях (ТЛ) определяют из условия
L ≥ 10R/ωн.
Увеличить индуктивность L можно как за счет применения маг-
нитопровода с более высокой магнитной проницаемостью, так и за
счет увеличения числа витков обмотки, то есть увеличения длины
линии. На низких частотах ТЛ «переходит» в обычный трансфор-
матор с магнитной связью между обмотками.
Для расширения диапазона ТЛ в область высоких частот необхо-
димо уменьшать длину линии, чтобы при работе на верхней частоте
fв длина линии была меньше четверти длины волны в линии.
Геометрическая длина линии трансформатора на линиях равна [72]

l = (0,1...0,2)λ л min = (0,1...0,2)с / ( f в ε э ф ),
где λ л min = с / ( f в ε э ф ) – длина волны в линии на верхней рабочей
частоте fв трансформатора; c = 3·108 м/с – скорость света в вакууме;
εэф – эффективная диэлектрическая проницаемость вещества, запол-
няющего линию. Для стандартных кабелей ε э ф ≈ 1,5.
Общие вопросы
7.1. Какие генераторы принято считать широкодиапазонными?
7.2. Какие абсолютные полосы частот имеют широкодиапазонные
передатчики: а) мириаметровых; б) гектометровых; в) метро-
вых; г) дециметровых и более коротких волн?
7.3. Каковы достоинства широкодиапазонных генераторов без резо-
нансных контуров?
7.4. Каковы преимущества РПУ с широкополосными усилителями
по сравнению с узкополосными?
7.5. Какие факторы ограничивают полосу частот усилителя?
7.6. Какие пути используют для увеличения полосы частот УМ?
7.7. Каковы особенности построения и параметры транзисторных
широкополосных усилителей?
7.8. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов при их
использовании в широкополосных усилителях.
7.9. Каковы особенности построения и параметры ламповых широ-
кополосных усилителей?
Цепи согласования
7.10. Какие пассивные элементы и устройства используют для пос-
троения широкополосных усилителей?
7.11. Сформулируйте требования к: а) выходным; б) межкаскадным
ЦС мощных широкополосных усилителей.
7.12. Дайте примеры использования различных ЦС, изображенных
на рис.: а) 7.3, а; б) 7.3, б; в) 7.3, в.
7.13. Какую конфигурацию имеют СТЦ широкополосных усилите-
лей?
7.14. Изобразите схему широкополосной ЦС для параллельной RC
цепи в полосе частот: а) 0…ωс; б) ωн…ωв.
7.15. Изобразите схему широкополосной ЦС для последовательной

RL цепи в полосе частот: а) 0…ωс; б) ωн…ωв.
Принцип постоянства полосы
7.16. Полоса частот низкочастотной ЦС (рис. 7.5, а) равна 8 МГц.
Как изменится полоса частот при переходе к полосовой цепи
согласования со средней частотой диапазона: а) 80; б) 800;
в) 8000 МГц и неизменных параметрах нагрузки?
7.17. Полоса частот низкочастотной ЦС (рис. 7.5, б) равна 130 МГц.
Как изменится полоса частот при переходе к полосовой ЦС со
средней частотой диапазона: а) 1; б) 5; в) 10 ГГц и неизменных
параметрах нагрузки?
7.18. Докажите, что полоса пропускания 2Δω параллельного колебатель-
ного контура с резонансным сопротивлением R и емкостью С не
зависит от средней частоты полосы пропускания контура, которая
может быть выбрана путем изменения индуктивности контура L.
7.19. Докажите, что полоса пропускания последовательного контура
с сопротивлением потерь r и индуктивностью L не зависит от
средней частоты полосы пропускания контура, которая может
быть выбрана путем изменения емкости контура С.
7.20. Докажите, что частотный интервал между соответствующими
точками частотных характеристик низкочастотной системы в
виде конденсатора С и полосовой системы в виде параллельного
резонансного контура с такой же емкостью С будет одинаков, не-
зависимо от средней частоты полосы пропускания, которая мо-
жет быть выбрана путем изменения индуктивности контура L.
7.21. Докажите, что частотный интервал между соответствующими
точками частотных характеристик низкочастотной системы в
виде индуктивности L и полосовой системы в виде последова-
тельного резонансного контура с такой же индуктивностью L
будет одинаков, независимо от средней частоты полосы про-
пускания, которая может быть выбрана путем изменения ем-
кости контура С.
Параметры цепей согласования

7.22. Как изменится коэффициент передачи СТЦ при увеличении
реактивностей нагрузки: а) емкости С (рис. 7.3, а); б) индук-
тивности L (рис. 7.3, в)?
7.23. Изобразите ЧХ активной составляющей Re(Z) параллельной
RC цепи при сопротивлениях R и R1 > R.
7.24. Изобразите частотные характеристики активной составляющей

Re(Z) параллельной RC цепи (рис. 7.3, а) при использовании
оптимальных СТЦ: а) низкочастотной; б) полосовой.
7.25. Определите наклон прямой на рис. 7.8 при N = ∞.
7.26. Определите полосу частот цепи согласования рис. 7.5 при
| Г | = 0,13 , если: а) R = 600 Ом, С = 15 пФ; б) R = 75 Ом,
С = 13 пФ.
7.27. Определите количество звеньев выходной ЦС УМ, если сопро-
тивление R коллекторной цепи равно 8 Ом, выходная емкость
усилителя 90 пФ, коэффициент передачи цепи – 0,8, полоса
частот равна: а) 220; б) 400; в) 600; г) 850 МГц.
7.28. Определите количество звеньев выходной ЦС лампового гене-
ратора, если сопротивление R анодной цепи равно 4 кОм, вы-
ходная емкость С генератора – 27 пФ, коэффициент передачи
цепи – 0,8, полоса частот равна: а) 7; б) 5,7; в) 5,1; г) 2,7 МГц.
7.29. Определите полосу частот выходной ЦС УМ, если | Г | = 0, 2 ,
сопротивление нагрузки R равно 25 Ом, а паразитная емкость
С, шунтирующая нагрузку, равна 15 пФ. Число согласующих
элементов равно: а) 1; б) 2; в) 3; г) 7; д) ∞.
7.30. Оцените разумное число согласующих элементов предыдущей
задачи.
7.31. Определите допустимую величину емкости, шунтирующей со-
противление R = 2 кОм анодной цепи лампового генератора,
если полоса рабочих частот равна 4 МГц, коэффициент переда-
чи 0,96, число звеньев согласующей полосовой цепи равно 3.
7.32. Для предыдущей задачи начертите возможный вариант поло-
совой цепи согласования.
7.33. Сравните полосы частот низкочастотных выходных ЦС
(рис. 7.3, а) генераторных приборов одинаковой частоты и
мощности: а) транзистора 2П920А (Rc = 3 Ом, Сси = 180 пФ);
б) лампы ГС-41Б (Ra = 1600 Ом, Сa = 20 пФ). Объясните полу-
ченный результат.
7.34. Как изменятся полосы частот предыдущей задачи при исполь-
зовании полосовых ЦС?
7.35. Определите полосу частот задачи 7.33, если N = 2, а КСВН = 1,25.
7.36. Определите величину паразитной индуктивности L в схеме
согласования рис. 7.5, б, если сопротивление нагрузки равно
75 Ом, а коэффициент передачи в полосе 450 МГц равен 0,8.
7.37. Определите полосу рабочих частот трехзвенной полосовой ЦС
фидера и штыревой антенны, сопротивление излучения которой
равно 30 Ом, а последовательная индуктивность – 4,47 мкГн,

если допустимый КСВН цепи равен 2.
7.38. Начертите схему ЦС предыдущей задачи.
7.39. Определите коэффициент передачи ЦС (рис. 7.6) в полосе 36 МГц,
если сопротивление излучения R штыревой антенны равно 30 Ом,
а ее последовательная индуктивность L равна 400 нГн.
7.40. Определите полосу частот низкочастотной ЦС рис. 7.5, б при
рабочем затухании 0,8 дБ, если R = 20 Ом, L = 10 нГн. Число
согласующих элементов равно: а) ∞; б) 5; в) 3; г) 1.
задачи.
7.42. Как изменится полоса частот задачи 7.40 при использовании
полосовой ЦС (рис. 7.6)?
7.43. Определите рабочее затухание низкочастотной ЦС рис. 7.5, б
в полосе 1 ГГц, если R = 10 Ом, L = 5 нГн. Число согласующих
элементов равно: а) ∞; б) 5; в) 3; г) 1.
задачи.
7.45. Определите выигрыш в полосе и разумное число согласую-
щих элементов низкочастотной ЦС рис. 7.3, в при переходе
от N = 0 к числу согласующих элементов: а) 1; б) 2; в) 3, если
Г = 0,45.
7.46. Определите полосу частоты предыдущей задачи при N = 1,
если R = 70 Ом, L = 740 нГн.
7.47. Как изменится полоса частот задачи 7.46 при использовании
полосовой ЦС со средней частотой: а) 150 МГц; б) 1500 МГц?
7.48. Определите количество звеньев входной ЦС усилителя
(рис. 7.3, в), если R = 0,5 Ом; L = 1 нГн; | Г | = 0, 2 . Полоса час-
тот равна: а) 80; б) 100; в) 150; г) 180 МГц.
7.49. Определите допустимую величину индуктивности L входной
цепи усилителя (рис. 7.3, в), если R = 1 Ом; | Г | = 0, 25 Исполь-
. б) 300;
зована однозвенная ЦС. Полоса частот равна: а) 200;
в) 600 МГц.
7.50. Определите допустимую величину индуктивности рассеяния L
согласующего обмоточного трансформатора в схеме согласова-
ния рис. 7.5, б, если R = 50 Ом; коэффициент передачи на вер-
хней граничной частоте равен 0,98. Верхняя граничная частота
равна: а) 20; б) 50; в) 150 МГц.
7.51. Определите рабочее затухание входной ЦС усилителя
(рис. 7.5, б) в полосе 200 МГц, если R = 1 Ом, L = 1,5 нГн.
7.52. Определите разумное число согласующих элементов преды-

дущей задачи.
7.53. Каким требованиям должно удовлетворять сопротивление
Zвх = Rвх + jXвх в схеме рис. 7.1, чтобы в его активной составля-
ющей выделялась наибольшая мощность?
7.54. Для параллельной RC цепи докажите справедливость равенс-
∞
π
тва ∫ Re( z )dω = .
0 2C
Усилители с переключаемыми фильтрами

7.55. Почему коэффициент перекрытия по частоте фильтров гармо-
ник (рис. 7.9) не может быть более двух?
7.56. Получите формулы для определения абсолютной полосы про-
пускания фильтров с одинаковыми коэффициентами перекры-
тия по частоте Kωi а) первого; б) последнего каскада передатчи-
ка с полосой от ωнп до ωвп.
7.57. Каковы а) достоинства; б) недостатки усилителей с переклю-
чаемыми фильтрами (рис. 7.9)?
7.58. Почему в широкополосных ламповых усилителях с переклю-
чаемыми фильтрами (рис. 7.9) обычно используют ПФ, а в
транзисторных – ФНЧ?
7.59. Изобразите частотные характеристики ПФ и ФНЧ предыду-
щей задачи.
7.60. Определите количество переключаемых фильтров транзистор-
ного КВ передатчика, перекрывающего диапазон: а) 1,5…30 МГц;
б) 1,5…90 МГц, если коэффициенты перекрытия по частоте K
всех фильтров одинаковы и равны 1,7.
7.61. Определите абсолютные полосы пропускания первого и пос-
леднего фильтров предыдущей задачи.
7.62. Составьте структурную схему выходного каскада передатчика
задачи 7.60.
7.63. Определите количество переключаемых фильтров лампового
КВ передатчика, перекрывающего диапазон 1,5…30 МГц, если
коэффициенты перекрытия фильтров одинаковы и равны:
а) 1,12; б) 1,2.
7.64. Определите абсолютные полосы пропускания первого и пос-
леднего фильтров предыдущей задачи.
7.65. Составьте структурную схему выходного каскада передатчика
задачи 7.63.
Усилители с раздельными полосами усиления

7.66. Каковы а) достоинства; б) недостатки усилителей с раздельны-
ми полосами усиления?
7.67. Получите формулу для определения количества фильтров с
одинаковыми коэффициентами перекрытия Kωi при заданном
коэффициенте перекрытия передатчика по частоте.
7.68. Определите количество ПФ усилителя с раздельными поло-
сами усиления, перекрывающего диапазон: а) 500…1000 МГц;
б) 1000…2000 МГц, если рабочие полосы пропускания филь-
тров одинаковы и равны 65 МГц.
7.69. Определите коэффициенты перекрытия по частоте первого и
последнего фильтров предыдущей задачи.
7.70. Изобразите структурную схему выходного каскада передатчи-
ка задачи 7.68.
Усилители с распределенным усилением
7.71. Какова область использования УРУ?
7.72. Каковы а) достоинства; б) недостатки УРУ?
7.73. Какая идея положена в основу построения УРУ?
7.74. Сравните свойства однотактных и двухтактных УРУ.
7.75. Какие элементы выходной линии (рис. 7.12) определяют по-
лосу усиления УРУ?
7.76. Получите расчетное соотношение для определения емкости раз-
делительных конденсаторов выходной линии УРУ (рис. 7.12).
7.77. Из каких соображений выбирают величину граничной частоты
и емкости С выходной линии УРУ?
7.78. Как можно повысить КПД УРУ и уменьшить мощность потерь?
7.79. Получите формулу для определения мощности в нагрузке
УРУ при заданных значениях Rн, Iа1 и N.
7.80. Получите формулу для определения КПД УРУ при заданных
значениях Iа1, Iа0, Uн и E0.
7.81. Сравните КПД резонансного усилителя и УРУ при одинако-
вых токах и напряжениях. Объясните полученный результат.
7.82. Определите величину индуктивности L и резисторов Rб, Rн
выходной линии (рис. 7.12) для построения УРУ с верхней ра-
бочей частотой fв = 80 МГц, если выходная емкость АЭ равна:
а) 10; б) 20; в) 40 пФ.
7.83. Определите величину элементов линии Rб, Rн, L и Cр (рис. 7.12)
при полосе рабочих частот: а) 0,1…30 МГц; б) 0,2…50 МГц;
в) 1,0…100 МГц, если выходные емкости ламп равны 30 пФ.
7.84. Определите сопротивление нагрузки, мощность в нагрузке и

КПД УРУ на: а) четырех; б) шести; в) десяти лампах ГУ-82Б,
если Iа1 = 0,8 А, Iа0 = 0,5 А, Uн = 1,8 кВ, E0 = 2 кВ
7.85. В каком режиме работают лампы УРУ предыдущей задачи?
7.86. Сравните мощность в нагрузке и КПД усилителя с распреде-
ленным усилением (задача 7.84) и одноконтурного резонанс-
ного усилителя на одной лампе ГУ-82Б с такими же токами и
напряжениями.
7.87. Определите выходную мощность, сопротивление нагрузки и
верхнюю рабочую частоту УРУ на: а) четырех; б) шести; в) де-
сяти лампах ГУ-70Б, если Iа1 = 0,4 А, Uн = 1230 В, выходная
емкость С лампы равна 10 пФ.
7.88. Сравните широкополосность УРУ предыдущей задачи и оди-
ночного резонансного усилителя на лампе ГУ-70Б с таким же
током Iа1 и напряжением на нагрузке Uн, полагая, что нижняя
рабочая частота УРУ близка к нулю.
7.89. Определите мощность, сопротивление нагрузки и верхнюю
рабочую частоту (без учета частотных свойств транзистора)
УРУ на: а) четырех; б) шести; в) десяти транзисторах КТ980А,
если Iк1 = 11 А, Uн = 45 В, выходная емкость транзистора равна
С = 450 пФ.
7.90. Сравните широкополосность УРУ (задача 7.89) и одиночного
резонансного усилителя на транзисторе КТ980А с таким же
током Iк1 и напряжением на нагрузке Uн, полагая, что нижняя
рабочая частота УРУ близка к нулю.
7.91. Почему при существенно большей выходной емкости тран-
зистора и одинаковых выходных мощностях усилителей (за-
дачи 7.87 и 7.89) верхняя рабочая частота транзисторного УРУ
гораздо больше частоты лампового?
Широкополосные трансформаторы
7.92. Укажите область использования широкополосных трансфор-
маторов с магнитной и электромагнитной связью между об-
мотками.
7.93. Каковы свойства трансформаторов с магнитной связью между
обмотками?
7.94. Какие факторы ограничивают: а) минимальное; б) макси-
мальное значение рабочей частоты обмоточного трансфор-
матора?
7.95. Как можно расширить полосу пропускания обмоточного транс-
форматора?
7.96. Как можно изменить параметры обмоточного трансформатора:

а) увеличить основную индуктивность обмотки; б) уменьшить
индуктивности рассеяния и паразитные емкости?
7.97. Каковы свойства трансформаторов с электромагнитной связью
между обмотками?
7.98. С какой целью в ТЛ отрезки линий наматывают на феррито-
вый сердечник?
7.99. Какие требования предъявляют к сердечникам ТЛ?
7.100. Какие линии используют для построения ТЛ?
7.101. Из каких соображений определяют длину линий ТЛ?
7.102. Как можно расширить полосу пропускания ТЛ?
7.103. Определите необходимую величину продольной индуктивнос-
ти линии ТЛ, если сопротивление нагрузки равно 4,7 Ом, а диа-
пазон рабочих частот трансформатора равен: а) 0,1…100 МГц;
б) 1…300 МГц; в) 50…900 МГц.
7.104. Определите геометрическую длину линии ТЛ предыдущей
задачи, если εэф = 2,1.
Схемы и режимы работы широкополосных усилителей
7.105. Как обеспечить малый уровень гармоник выходного тока АЭ
в: а) однотактной; б) двухтактной схеме широкополосного уси-
лителя мощности ?
7.106. Определите электронный КПД и максимальные значения от-
носительной полосы частот усилителей при работе АЭ: а) в од-
нотактной схеме с углом отсечки 180°; б) в однотактной схеме с
углом отсечки 90°; в) в ключевом режиме с углом отсечки 90°;
г) в двухтактной схеме при косинусоидальной форме импульса
тока АЭ с углом отсечки 90°.
7.107. Составьте и обоснуйте схему УМ, относительная полоса уси-
ливаемых частот которого: а) не превышает октавы; б) почти
три октавы; в) теоретически не ограничена.
7.108. Как повысить степень использования АЭ по мощности при
заданной емкости С выходной цепи усилителя?
7.109. Как расширить абсолютную полосу частот Ω усилителя при
заданной емкости С его выходной цепи?
7.110. Как изменится степень использования АЭ по мощности при их
параллельном включении, если емкость С выходной цепи усилите-
ля образована: а) выходной емкостью АЭ; б) емкостью нагрузки?
7.111. Определите максимальное значение мощности в нагрузке АЭ
(рис. 7.3, а) при идеальной СТЦ и заданных значениях амп-
литуды тока I1, емкости С и полосы согласования. Сравните

величину этой мощности для ламп и транзисторов.
7.112. В каком случае выходную цепь АЭ удобно представлять в
виде генератора тока (рис. 7.3)?
7.113. Поясните назначение элементов: а) входной; б) выходной
цепи широкополосного усилителя (рис. 7.13).
7.114. Начертите схему двухтактного широкополосного усилителя
и поясните назначение элементов схемы.
7.115. Из каких соображений выбирают параметры линии с вол-
новым сопротивлением ZВ1 в схеме усилителя рис. 7.13: а) ве-
личину ее волнового сопротивления; б) длину 2l (рис. 7.14, а);
в) величину ε и μ?
7.116. Из каких соображений определяют величину блокировочных
(L1, L2, L3, L4, C1, C2) и разделительных (С3, С4) элементов
широкополосного усилителя (рис. 7.13).
7.117. Определите длину короткозамкнутого отрезка коаксиальной
линии для получения эквивалентной индуктивности: а) 2; б) 5;
в) 7 нГн, если ZВ = 50 Ом, ε = 2,5, μ = 1, l λл/4.
7.118. Определите величину эквивалентной индуктивности корот-
козамкнутого отрезка полосковой линии длиной: а) 15; б) 20;
в) 35 мм, если ZВ = 20 Ом, ε = 2,1, μ = 1, l λл/4.
7.119. Определите величину эквивалентной емкости разомкнутого
отрезка линии длиной а) 15; б) 20; в) 35 мм, если ZВ = 20 Ом,
ε = 2,1, μ = 1, l λл/4.
7.120. Получите формулу для расчета величины эквивалентной ин-
дуктивности короткозамкнутого отрезка линии при l λл/4.
7.121. Получите формулу для расчета величины эквивалентной ем-
кости разомкнутого отрезка линии при l λл/4.
7.122. Оцените погрешность использования приближенной форму-
лы при расчете эквивалентной реактивности короткозамкнуто-
го отрезка линии с распределенными параметрами, если длина
линии равна: а) 0,1 λл; б) 0,05 λл.
7.123. Оцените погрешность использования приближенной фор-
мулы при расчете эквивалентной реактивности разомкнутого
отрезка линии с распределенными параметрами, если длина
линии равна: а) 0,15 λл; б) 0,03 λл.
УМНОЖИТЕЛИ
8 ЧАСТОТЫ
8.1. Классификация умножителей

частоты
По принципу действия УЧ разделяют на три группы.
В УЧ первой группы (искажающих умножителях) воздействие
периодического колебания с основной частотой ω на нелинейный
элемент дает спектр токов, в котором содержится нужная гармоника
nω. Разновидностью искажающих УЧ являются радиоимпульсные
УЧ [27]. В качестве нелинейного элемента используют электронные
лампы, БТ, ПТ, диоды с накоплением заряда, варакторы, туннельные
диоды и т. п. [14, 27, 40, 50, 58, 69, 71, 72, 91].
В УЧ второй группы (синхронизированных автогенераторах) ав-
тогенераторы (чаще всего типа LC) с частотой, близкой к nω, синхро-
низируют стабильными колебаниями с частотой ω. Синхронизация
на гармонике входного колебания позволяет получить колебания с
частотой в n раз большей входной [27, 28, 35, 52].
В УЧ третьей группы (автогенераторах с фазовой автоподстрой-
кой частоты) автогенератор, делитель частоты и фазовый детектор
соединены в замкнутое кольцо. К АГ, собственная частота которого
близка к nω, подключен делитель частоты на n, выходное напряже-
ние которого подается на ФД. К другому входу ФД подключен ис-
точник колебаний, частота которого ω подлежит умножению. В ре-
зультате сравнения на ФД вырабатывается сигнал, корректирующий
фазу колебаний АГ так, что частота колебаний в нем становится
точно равной nω [39, 58, 71, 91].
УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ С АКТИВНОЙ НЕЛИНЕЙНОСТЬЮ 137
По типу нелинейности УЧ первой группы подразделяются на

два класса: с активной нелинейностью (лампы, БТ и ПТ в режиме
с отсечкой) и с нелинейной реактивностью (емкость p-n-перехода
варактора, коллекторного перехода транзистора и т. д.).
8.2. Параметры умножителей частоты

Основными параметрами УЧ являются:
• кратность (коэффициент) умножения частоты n;
• входная частота fвх или диапазон рабочих частот;
• входная мощность Pвх1 ;
• выходная (полезная) мощность Pп;
• мощность, потребляемая от источника питания P0;
• коэффициент полезного действия η = Pп/P0;
• эффективнось умножителя или коэффициент передачи по
мощности Pп/Pвх1;
• спектральный состав выходного сигнала.
8.3. Умножители частоты с активной

нелинейностью
Основные расчетные соотношения в транзисторных и ламповых ум-
ножителях частоты:
• амплитуда напряжения n-й гармоники на выходе УЧ в гра-
ничном режиме работы АЭ равна
U n.г р = Eξ г р = E [0,5 + 0,5 1 − 8 Pп / (α n (θ ) S г р E 2 ) ] ;

• высота импульса выходного тока АЭ равна
I вых m = S f (U в х − DU n )(1 − cos(θ)) = S f (U в х − DU n ) γ n (θ) / α n (θ);
• постоянная составляющая и амплитуда n-й гармоники вы-
ходного тока АЭ равны
I вых 0 = I вых m α 0 (θ) = S f (U в х − DU n ) γ 0 (θ) ,
I вых n = I вых m α n (θ) = S f (U в х − DU n ) γ n (θ) ;

138 УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ
• колебательная мощность n-й гармоники равна

Pn = 0,5U n I вых n = 0,5U n2 / Rn = 0,5 I вых
2
n Rn ;
• мощность, потребляемая УЧ от источника питания с выход-

ным напряжением E, равна P0 = EIвых 0;
• мощность, рассеиваемая на выходном электроде АЭ, равна
Pрас = P0 – P1;
• электронный КПД умножителя частоты равен
ηe = Pn / P0 = 1 − Pрас / P0 = 0,5ξα n (θ) / α 0 (θ) ;
• общий КПД умножителя частоты равен
η = η eη к = Pп / P0 ,
где E – напряжение питания выходного электрода АЭ;
Pn – колебательная мощность n-й гармоники;
Sгр = 1/rнас – крутизна линии граничного режима АЭ;
αn (θ) – коэффициент разложения косинусоидального им-
пульса при заданном угле отсечки θ;
Uвх – амплитуда напряжения возбуждения;
D – проницаемость АЭ;
Sf – модуль крутизны выходного тока на рабочей частоте.
Rn – сопротивление выходной цепи АЭ току Iвых n;
Pп – полезная мощность генератора (в нагрузке);
ηк = Pп/Pn – контурный КПД;
n = 1, 2, ….
• оптимальный угол отсечки θопт , при котором получаются мак-
симальные значения αn (θ), Pn и Iвых n, равен
θ опт = 120 0 / n .
Расчетные формулы, таблица и графики коэффициентов разло-
жения косинусоидального импульса даны в прил. 6…8.
8.4. Умножители частоты с нелинейной

реактивностью
Различают два режима работы варактора: закрытого перехода и с
частичным открыванием перехода. Варакторы с тормозящим полем
называют также диодами с накоплением заряда (ДНЗ) или с резким

восстановлением обратного сопротивления.
Уравнение баланса мощностей умножителя частоты
Pвх1 = Pn + Pпот ,
где Pпот– суммарная мощность потерь в фильтрах и варакторе.
Добротность варактора с закрытым переходом равна:
Qв = 1 / (ωСб r ) .
где r – последовательное сопротивление потерь варактора – суммар-
ное сопротивление толщи полупроводника, контактных соединений
и выводов диода.
Предельная частота варактора ( при Qв=1) равна:
ωпред = 1 / (Сб r ) .
Основные параметры некоторых умножительных диодов даны в
табл. 8.1, где обозначено:
Cд = Сб + Ск – общая емкость диода при запирающем напряжении 6 В.
Ск – емкость корпуса диода;
Qв – добротность варактора на заданной частоте f.
Таблица 8.1. Параметры умножительных диодов
Тип
КВ106Б КА613А КА608А КА604А КА615А КА617Б
прибора
fпред, ГГц – 20 60 100 600 1000
Cд, пФ 18 7 2,4 0,9 0,3 0,4
Ск, пФ 0,5 0,7 0,4 0,4 0,15 0,24
Qв (f, МГц) 60(50) – – – – –

8.1. Какие технические задачи позволяют решать УЧ?
8.2. Какие электронные и полупроводниковые приборы используют
в умножителях частоты ?
8.3. Почему в современных передатчиках обычно применяют УЧ

сравнительно малой мощности?
8.4. Почему режим умножения частоты обычно используют в мало-
мощных каскадах передатчиков?
8.5. Для определения кратности умножения частоты измеряют час-
тоту на входе и выходе передатчика. Какой из волномеров (ге-
теродинный или резонансный) более удобен для этой цели?
8.6. Почему колебательные контуры УЧ должны иметь высокую
добротность?
8.7. Как увеличить степень подавления входного сигнала и побоч-
ных частот в УЧ?
8.8. Определите величину относительной расстройки частоты
между выделяемой гармоникой n и соседними гармониками
n–1 и n+1, которые следует подавить, если: а) n = 2; б) 3;
в) 4; г) 5.
8.9. Составьте структурную схему УЧ на основе АГ с ФАПЧ.
8.10. Сравните принципы действия УЧ с активной и реактивной не-
линейностью.
8.11. Сравните свойства УЧ на основе синхронизированных автоге-
нераторов и ДНЗ.
8.12. Сравните свойства УЧ на основе синхронизированных автоге-
нераторов и ФАПЧ.
8.13. Какие УЧ целесообразно использовать: а) при высокой крат-
ности УЧ; б) в диапазоне СВЧ; в) в синтезаторах частот; г) в
диапазонных передатчиках?
Умножители частоты с активной нелинейностью
8.14. Какой режим по напряженности нужно использовать в а) лам-
повых; б) транзисторных УЧ для получения наибольшей мощ-
ности Pп и КПД?
8.15. Электронный КПД генератора, работающего в режиме усиле-
ния с углом отсечки входного тока АЭ 90˚, равен 0,7. Опреде-
лите электронный КПД этого генератора в режиме: а) удвоения
частоты при θ = 60°; б) утроения частоты при θ = 40° и неизмен-
ной напряженности режима.
8.16. Почему обычно используют ламповые и транзисторные УЧ не-
большой кратности ( n= 2; 3)?
8.17. Чем отличаются схемы и режимы АЭ ламповых или транзис-
торных УЧ от усилителей?
8.18. Начертите схему УЧ на: а) БТ; б) ПТ.
8.19. Определите электронный КПД удвоителя частоты, если ξ = 0,8,

а угол отсечки АЭ равен: а) 90°; б) 60°; в) 40°.
8.20. Определите электронный КПД утроителя частоты, если ξ = 0,7,
а угол отсечки равен: а) 90°; б) 60°; в) 40°.
8.21. Удвоитель частоты работает в граничном режиме с углом отсеч-
ки 60°. Как изменится величина колебательной мощности, если
установить угол отсечки 90°, сохранив прежними амплитуду
импульса тока и напряженность режима?
8.22. Удвоитель частоты работает в недонапряженном режиме с уг-
лом отсечки 60°. Как изменится величина колебательной мощ-
ности, если установить угол отсечки 90°, сохранив прежними
амплитуду импульса коллекторного тока и сопротивление на-
грузки?
8.23. Транзисторный утроитель частоты работает в граничном режи-
ме, угол отсечки равен 70°; D = 0. При изменении напряжения
смещения установлен угол отсечки 40°. Как изменится при
этом колебательная мощность утроителя?
8.24. Определите необходимую номинальную мощность лампы, что-
бы в режиме удвоения частоты она отдавала мощность 2 Вт.
Лампа полностью используется по току и напряжению. В но-
минальном режиме угол отсечки равен 90°.
8.25. Определите угол отсечки выходного тока АЭ, при котором
электронный КПД утроителя будет не хуже КПД усилителя с
углом отсечки 90°. Напряженность режима не меняется.
8.26. Определите максимальную колебательную мощность генерато-
ра в режиме: а) удвоения; б) утроения частоты, если в режиме
усиления при угле отсечки 90° его максимальная колебательная
мощность равна 5 Вт.
8.27. Сравните величину колебательных мощностей и электронных
КПД утроителей частоты при углах отсеки 60° и 120°, при D = 0
в случае одинаковых амплитуд Uвх и сопротивлений R3.
8.28. Определите углы отсечки, соответствующие максимальным
значениям коэффициентов αn (θ) при n = 2;3;4;5;6;7.
8.29. Определите изменение максимальной колебательной мощнос-
ти генератора при повышении кратности умножения частоты
от двух до семи.
8.30. Как изменится величина: а) колебательной мощности; б) элек-
тронного КПД; в) мощности возбуждения; г) сопротивления
нагрузки генератора, необходимого для граничного режима
работы при умножении частоты в 2; 3; 4; 5; 6 или 7 раз по
сравнению с режимом усиления при угле отсечки 90°? Генера-

тор работает в режиме максимальной колебательной мощности
при постоянных значениях Eк, Iк max, ξгр. Инерционностью АЭ
можно пренебречь.
Умножители частоты с нелинейной реактивностью
8.31. Какие нелинейные емкости используют в УЧ?
8.32. Оцените величину теоретического и реального КПД варактор-
ного умножителя частоты в режиме закрытого перехода.
8.33. Изобразите эквивалентную схему варактора: а) полную; б) в ре-
жиме закрытого перехода.
8.34. Изобразите вольт-фарадную и вольт-амперную характеристики
варактора.
8.35. Составьте и поясните структурную схему СВЧ передатчика с
варакторным умножителем частоты.
8.36. Изобразите функциональную схему варакторного УЧ.
8.37. Получите формулу для расчета общего КПД умножителя с ак-
тивной нелинейностью при заданном значении выходной мощ-
ности и мощности потерь.
8.38. Какова область использования УЧ на варакторах в режиме:
а) закрытого перехода; б) с отпиранием p-n-перехода?
8.39. В каком диапазоне частот используют: а) ДНЗ; б) варакторы?
8.40. Сравните свойства УЧ на ДНЗ и варакторах.
8.41. Почему УЧ на ДНЗ обеспечивают более высокую кратность
умножения, чем УЧ на варакторах?
8.42. Определите добротность варактора: а) КА613А; б) КА608А;
в) КА604А; г) КА615А; д) КА617Б на частоте 0,1fпред .
8.43. Определите частоту, на которой добротность варактора:
а) КА613А; б) КА608А; в) КА604А; г) КА615А; д) КА617Б рав-
на двадцати.
8.44. Определите последовательное сопротивление потерь и пре-
дельную частоту варактора КВ106Б.
8.45. Определите величину сопротивления потерь r варактора:
а) КА613А; б) КА608А; в) КА604А; г) КА615А; д) КА617Б.
АВТОГЕНЕРАТОРЫ
9 ГАРМОНИЧЕСКИХ
КОЛЕБАНИЙ
И СИНТЕЗАТОРЫ
ЧАСТОТ
9.1. Структурные схемы

и типы автогенераторов
Автогенераторы, как и генераторы с внешним (независимым) воз-
буждением, преобразуют энергию источника питания в энергию
электромагнитных колебаний высокой частоты. Однако в АГ на-
пряжение возбуждения подается не от внешнего источника, как в
ГВВ, а образуется за счет положительной обратной связи. Поэтому
частота и амплитуда автоколебаний определяются собственными
параметрами автогенератора.
АГ отличаются большим многообразием, однако в любом из них
можно выделить активный элемент (АЭ) и колебательную систему
(КС). В качестве АЭ обычно используют трехполюсники (электрон-
ные лампы, полевые и биполярные транзисторы) и двухполюсники
(диоды Ганна, туннельные и лавинно-пролетные диоды, отражатель-
ные клистроны, магнетроны, ЛОВ, лазеры).
На рис. 9.1 приведены структурные схемы АГ на трехполюсных
(а) и двухполюсных (б) АЭ.
Устройства, выполненные по схеме рис. 9.1, а, называются АГ
с цепью внешней обратной связи (ОС), а выполненные по схеме
рис. 9.1, б – автогенераторами с внутренней обратной связью или АГ
на двухполюсниках с отрицательным дифференциальным сопротив-
лением. В схемах рис. 9.1 АЭ компенсируют потери в КС. Это можно
трактовать как подключение к КС отрицательного дифференциаль-
ного сопротивления (отрицательной проводимости или крутизны),
компенсирующего сопротивление потерь. В трехполюсных АЭ от-
144 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
OC
АЭ КС
АЭ КС
а б
Рис. 9.1. Структурные схемы автогенераторов
рицательная крутизна их динамических характеристик создается за

счет внешней ОС. Выходная динамическая характеристика трехпо-
люсного АЭ iвых(uвых) имеет участок отрицательной крутизны, то есть
АЭ со стороны нагрузки представляет собой отрицательную прово-
димость (с ростом напряжения uвых ток iвых уменьшается).
Активные элементы АГ могут иметь динамические ВАХ N-типа
или S-типа (рис. 9.2). Характеристики N-типа имеют большинство
АЭ: туннельные диоды, диоды Ганна, электронные лампы, транзис-
торы, магнетроны. Режим работы этих АЭ однозначно определяет
напряжение. Для получения рабочей точки на падающем участке
ВАХ приборы типа N должны питаться от источника напряжения E
с малым внутренним сопротивлением, что соответствует сплошной
линии на рис. 9.2, а. Схема автогенератора с АЭ типа N должна со-
держать источник питания с малым внутренним сопротивлением и
параллельный колебательный контур.
Характеристики S-типа имеют лавинно-пролетные диоды, не-
оновые лампы, динисторы, тиристоры. Режим работы этих АЭ одно-
значно определяет ток. Для получения рабочей точки на падающем
участке ВАХ приборы типа S должны питаться от источника напря-
жения E с большим внутренним сопротивлением, что соответствует
сплошной линии на рис. 9.2, б. Схема АГ с АЭ типа S должна со-
i i
B
B
A
A
C C
u u
0 Е 0 Е
а б
Рис. 9.2. Динамические ВАХ: а – N-типа; б – S-типа
АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ 145
держать источник питания с большим внутренним сопротивлением

и последовательный колебательный контур.
Приборы типа N и S имеют отрицательные сопротивления на
участке BC (рис. 9.2). Наивыгоднейший режим самовозбуждения
получается в точке A – точке максимального значения модуля от-
рицательного сопротивлении.
Частота и мощность АГ зависят от используемого АЭ. Мало-
мощные АГ применяют в возбудителях передатчиков, гетеродинах
приемников, устройствах измерительной техники и т. п. Мощные АГ
применяют в выходных каскадах радиолокационных передатчиков,
установках для промышленного нагрева и т. п. Требования к мощ-
ным АГ аналогичны требованиям к усилителям мощности – обеспе-
чивать высокую выходную мощность и большой КПД. Ко всем АГ,
вне зависимости от области применения, предъявляют требования
по стабильности частоты автоколебаний.
По количеству колебательных контуров, входящих в состав коль-
ца самовозбуждения, различают одноконтурные, двухконтурные и
многоконтурные АГ [6].
Как и в ГВВ, возможны однотактные и двухтактные схемы ав-
тогенераторов.
В зависимости от диапазона рабочих частот и мощности в автоге-
нераторах используют КС с сосредоточенными или распределенными
параметрами.
При повышенных требованиях к стабильности частоты исполь-
зуют высокодобротные КС со стабильными параметрами, кварцевые
резонаторы, линии задержки и резонаторы на поверхностных акус-
тических волнах (ЛЗ, ПАВ), полые металлические и диэлектрические
резонаторы, резонаторы из сверхпроводящих материалов.
Автогенераторы могут быть автономными и неавтономными. Ав-
тономными называют АГ, специально не подверженные внешним
воздействиям. При внешнем воздействии на АГ возможны такие яв-
ления, как синхронизация частоты колебаний, деление и умножение
частоты, асинхронное возбуждение и гашение колебаний.
9.2. Автогенераторы с цепью внешней

обратной связи
Для самовозбуждения и работы автогенератора с цепью внешней
обратной связи необходимо и достаточно выполнение пяти условий:
[9, 19, 35, 50, 58, 69, 70, 71, 91, 103]:
• самовозбуждения колебаний S 0 K 'Z н > 1 ;

• баланса амплитуд S1 K 'Z н = 1 ;
• баланса фаз ϕ s + ϕ к ' + ϕ = 2π n ;

• устойчивости баланса амплитуд ∂S1 ∂А < 0;
• устойчивости баланса фаз ∂ (ϕ s + ϕ к ' + ϕ ) ∂ω < 0,
где S0 = ∂i/∂u – дифференциальная (малосигнальная) крутизна
проходной характеристики АЭ в точке возбуждения колеба-
ний;
D – проницаемость активного элемента. Для транзисторов и
многих ламп можно принять D = 0;
K′ = K – D – модуль приведённого коэффициента обратной
связи. При D ≈ 0 обычно полагают K′ = K;
U с U бэ U зи
K= = = – коэффициент обратной связи;
U a U кэ U си
Zн – модуль сопротивления нагруженной КС автогенератора
относительно точек подключения выходной цепи АЭ. Вблизи
резонансной частоты сопротивление КС близко к резонансно-
му и обычно принимают Zн = Rн;
S1 = Sγ1(θ) = Ik1/Uбэ – модуль средней крутизны по первой
гармонике выходного тока АЭ. В недонапряженном режиме
работы АЭ эта крутизна равна S1 = Sγ1(θ), где S – крутизна
проходной характеристики АЭ;
φS – фазовый угол средней крутизны АЭ (сдвиг фаз между
напряжением Uбэ и первой гармоникой тока Ik1);
φk′ – фазовый угол коэффициента обратной связи. При D ≈ 0
обычно полагают φk′ = φk;
φ – фазовый угол выходной КС. В области малых расстроек
(Δω/ω01) для параллельного колебательного контура спра-
ведливо приближенное равенство φ = –2QΔω/ω0 ;
Q – добротность КС автогенератора;
ω0 – резонансная частота КС;
А – амплитуда колебаний;
АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ 147
n = 0, 1, 2, …. Для большинства схем АГ n = 0. Исключение

составляют АГ, в которых сигнал в цепях АЭ и КС запаздывает
на один или несколько периодов.
Параметры S1, Zн и K в общем случае являются комплексными ве-
личинами, однако для практики наибольший интерес представляет
случай, когда фазовые углы φS, φ и φk малы и эти параметры можно
считать вещественными.
Схемы АГ с цепью внешней ОС приведены на рис. 9.3.
M
C Uк Ik
I
C1 U
L Ik
L1 L2
a б
Ik L1 U C3
Uк Ik
L1
C1 C2 C1 C2
в г
Рис. 9.3. Схемы автогенераторов: а – с индуктивной обратной связью;
б – индуктивная трехточка на полевом транзисторе;
в – емкостная трехточка на биполярном транзисторе;
г – Клаппа на биполярном транзисторе
Коэффициент обратной связи при малых потерях в колебатель-

ной системе автогенератора равен:
• для схемы с индуктивной ОС (рис. 9.3, а)
K = M/L,
где М – взаимная индуктивность между контурной катушкой
и катушкой обратной связи;
• для емкостной трёхточки (рис. 9.3, в) и схемы Клаппа
(рис. 9.3, г)
K = C1/C2;
• для индуктивной трёхточки (рис. 9.3, б)
K = L1/L2.
9.3. Автогенераторы на двухполюсниках

с отрицательным дифференциальным
сопротивлением
Во многих случаях генератор вместе с нагрузкой независимо от осо-
бенностей его схемы и конструкции удобно представить в виде обоб-
щённой эквивалентной схемы (рис. 9.4). Все параметры этой схе-
мы пересчитаны к выводам АЭ.
АЭ вместе с цепью обратной свя-
зи представлен проводимостью
G + jB, а колебательная система
G jB Gн jBн U
автогенератора (резонатор) вмес-
те с нагрузкой – проводимостью
Gн + jBн, [21, 35, 40, 50, 58, 69, 70, Рис. 9.4. Обобщенная эквивалентная
схема генератора
83, 84, 91].
Устройства, выполненные по схеме рис. 9.4, называются АГ на
двухполюсниках с отрицательным дифференциальным сопротивле-
нием или генераторами с внутренней обратной связью. Их работа
основана на том, что в колебательный контур вводится отрицатель-
ная активная проводимость G активного элемента. АГ на двухпо-
люсниках с отрицательным сопротивлением являются основными в
диапазоне СВЧ. Отрицательной активной проводимостью обладают,
например, отражательные клистроны, магнетроны, ЛОВ, лазеры и
диодные СВЧ-генераторы.
Условия самовозбуждения и работы АГ с внутренней обратной
связью могут быть записаны в следующем виде:
• самовозбуждения колебаний ⏐G0⏐> Gн;
• баланса амплитуд G1 = Gн, или G1Rн=1;
• баланса фаз В1 + Вн = 0;
• устойчивости баланса амплитуд
для характеристик N-типа ∂G1/∂U < 0,
для характеристик S-типа ∂R1/∂I < 0;
• устойчивости баланса фаз
для характеристик N-типа ∂φ/∂ω < 0,
для характеристик S-типа ∂φ/∂ω > 0,
где G0 = ∂i/∂u – дифференциальная активная проводимость АЭ в
точке возбуждения колебаний;
АВТОГЕНЕРАТОРЫ НА ДВУХПОЛЮСНИКАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ... 149
G1 = I1/U – модуль средней за период колебаний активной про-

водимости АЭ по первой гармонике тока;
Gн = 1/Rн – модуль суммарной активности проводимости са-
мой КС и проводимости нагрузки;
Rн – сопротивление нагруженной КС;
Bн – суммарная реактивная проводимость КС и нагрузки;
B1 – средняя за период колебаний реактивная проводимость
активного элемента;
R1 = 1/G1 – модуль среднего за период колебаний активного
сопротивления АЭ по первой гармонике тока;
φ – фазовый угол КС. В области малых расcтроек (Δω/ω01)
справедливы приближенные равенства: для параллельного ко-
лебательного контура φ = –2Q Δω/ω0, а для последовательного
φ = 2Q Δω/ω0;
ω0 – резонансная частота КС.
АГ с цепью внешней ОС и на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением имеют много общего. Генера-
торы, выполненные по схемам рис. 9.3, могут быть представлены в
виде обобщённой эквивалентной схемы рис. 9.4. При этом влияние
цепи внешней ОС будет учтено наличием эквивалентной отрица-
тельной активной проводимости G.
Обычно в АГ на трехполюсных АЭ используют обозначение сред-
ней крутизны S1, а в АГ на двухполюсных АЭ – средней проводи-
мости G1. Характеристики средней крутизны S1(U) автогенераторов
на трехполюсных АЭ и средней проводимости G1(U) двухполюсных
АЭ с ВАХ N-типа подобны. Примерный вид этих характеристик по-
казан на рис. 9.5.
S1,G1 S1,G1
a a
1 1
Rн Rн
1
b b
1
S0 6
c c
2 2
d d
3 3
e S0 e
4 4
0 5 U 0 U` 5 U
а б
Рис. 9.5. Графическое решение уравнения баланса амплитуд
для мягкого (а) и жёсткого (б) режимов работы автогенератора
При выборе рабочей точки в области максимальной крутизны

(проводимости) АЭ (S0 ≈ Smax, G0 ≈ Gmax) получаются монотонные за-
висимости S1(U) и G1(U) (рис. 9.5, а). Режим самовозбуждения и
работы АГ с такими зависимостями принято называть мягким. При
включении АГ в мягком режиме сколь угодно малые флуктуации
напряжения приведут к плавному возрастанию амплитуды колеба-
ний до установившегося значения, соответствующего стационарно-
му режиму.
При выборе рабочей точки в области малой крутизны (прово-
димости) АЭ (S0 < Smax, G0 < Gmax) зависимости S1(U) и G1(U) по-
лучаются немонотонными (рис. 9.5, б). Режим самовозбуждения и
работы АГ с такими зависимостями принято называть жестким.
В жестком режиме производная ∂S1/∂U в области влево от точки 1
положительна. Поэтому режимы автогенерации с амплитудами, со-
ответствующими этой области, то есть меньшими, чем U′ (рис. 9.5, б),
оказываются неустойчивым по амплитуде и на практике не осущест-
вляются. В жестком режиме автоколебания возникают и срываются
скачком, причем для первоначального возбуждения колебаний не-
обходимо обеспечить большую величину сопротивления нагрузки
Rн (или К′Zн), а в некоторых случаях – и амплитуду внешнего воз-
действия. Обычно величина сопротивления нагрузки АГ не зависит
от напряжения U (линейна), поэтому зависимости 1/Rн и 1/(К′Zн)
изображены на рис. 9.5 горизонтальными прямыми a–e. В точках
пересечения кривых S1(U) или G1(U) и прямых a–e выполняется
условие баланса амплитуд.
На рис. 9.6 показаны фазовые характеристики параллельных ко-
лебательных контуров: а – одиночного; б – двух связанных при свя-
зи больше критического значения. По фазовым характеристикам
ϕ π
ϕ π
2 2
a
Δω c
ϕ = −2Q
ωо ωо ω01 ω03
ω ω02 ω
b
d
π π
− −
2 2
а б
Рис. 9.6. Фазовые характеристики параллельных колебательных контуров
СХЕМЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 151
из условия устойчивости баланса фаз можно определить области

устойчивой работы АГ, а из условия баланса фаз – величину гене-
рируемой частоты.
9.4. Схемы автогенераторов

В диапазонах длинных, средних и коротких волн наиболее употре-
бительными являются одноконтурные АГ. Поскольку реальные схе-
мы АГ всегда многоконтурные, одноконтурные АГ представляют со-
бой идеализированную модель полной схемы, точность которой тем
выше, чем больше удалены резонансные частоты паразитных кон-
туров от частоты автоколебаний. Колебательный контур, как прави-
ло, включают в выходную цепь АЭ, так как при таком включении
может быть получен более высокий КПД генератора. Для работы с
высоким электронным КПД резонансная частота выходной КС ав-
тогенератора, как и ГГВ, должна быть близка к частоте возбуждения.
При этом выходное высокочастотное напряжение противоположно
по фазе напряжению возбуждения. Противофазность этих напряже-
ний в АГ обеспечивают устройства ОС.
Наиболее распространенными схемами одноконтурных АГ явля-
ются:
• с индуктивной обратной связью (трансформаторная схема,
схема Мейснера) (рис. 9.3, а). В этой схеме противофазность
напряжений на входном и выходном электродах АЭ обеспечи-
вается соответствующим включением обмоток трансформато-
ра. В АГ использовано автоматическое смещение за счет тока
сетки и может быть использовано последовательное питание
анодной цепи;
• с кондуктивной обратной связью (индуктивная трехточка,
схема Хартли) (рис. 9.3, б, 9.7 и 9.8). В схемах индуктивной
трехточки используется частичное включение контура в вы-
ходную цепь АЭ. Коэффициент включения контура p в схемах
рис. 9.3, б, и 9.7 равен
p = Uк/U = L1/(L1 + L2) = 1/(1 + K).
В точку “а” схемы на рис. 9.7, а может быть подключен часто-
тный модулятор на варикапе. Особенностью схемы на рис. 9.8
является использование конденсатора С3 малой емкости, бла-
годаря чему уменьшается влияние АЭ на параметры контура;
2 мА
C1 KП303Ж C2 L1
33 0,1
a С4 +E
C1
L2 R1 100
70 нГн 180* С1 L2
L2 R3
C3 R1 L1
3,3 нФ 1К +E
L1 С2
C3
70 нГн С3
-2,5 В
R2
C2
R1
3,3 нФ
а б
Рис. 9.7. Схемы индуктивных трехточек: Рис. 9.8. Схема
а – с заземленным стоком; индуктивной трехточки
б – с заземленным затвором с заземленной базой
• с емкостной обратной связью (емкостная трехточка). Емкос-

тные трехточки с заземленным катодом (истоком) называют
схемами Пирса (рис. 9.10, г), а с заземленным анодом (коллек-
тором) или сеткой (базой) – Колпитца (рис. 9.9, 9.10, а, б, в).
В схемах емкостной трехточки используется частичное вклю-
чение контура в выходную цепь АЭ. Коэффициент включения
контура p в схемах на рис. 9.3, в, 9.9 и 9.10, а, б, в равен:
p = Uк/U = C1/(C1 + C2) = 1/(1 + K).
Особенностью схемы на рис. 9.10, г является использование кон-
денсатора С3 малой емкости, благодаря чему уменьшается влияние
АЭ на параметры контура. Схемы емкостных трехточек обычно ис-
пользуют при повышенных требованиях к стабильности частоты.
В автогенераторах на БТ (рис. 9.9 и 9.10, б) использовано внешнее
отпирающее смещение за счет делителя на резисторах R2 и R3 и
запирающее автоматическое смещение Еэ = IэоR1.
В схеме рис. 9.10, б светодиод служит для индикации напряжения
питания и стабилизации отпирающего напряжения на базе транзис-
тора. При изменении тока светодиода от 0,3 до 10 мА напряжение
на диоде почти постоянно и равно 1,6 В;
• схема Клаппа с дополнительным конденсатором С3 в индук-
тивной ветви емкостной трехточки (рис. 9.3, г и 9.11, а). Коэф-
фициент включения контура p в этих схемах равен
p = Uk/U = 1/(1 + K + C1/C3);
+ 13 В Uк + 7В
L1 C4 L1
C4 U
3,7 мкГн 10 нФ 30 нГн
1,0
C3 C1
C3
10нФ 85
1,0 R3
R3 6,8к КТ368
4,7к КТ608А 2SC3355
C1
7,1 нФ C2
C2 560
120 нФ
R2 R2
1,8к 2,2к
R1
R1
220
270
10 мА
4 мА
а б
Рис. 9.9. Схемы емкостных трехточек с заземленной базой
и различными рабочими частотами: а – 1 МГц; б – 100 МГц
• cхема Клаппа с дополнительной индуктивностью в емкостной

ветви индуктивной трехточки (рис. 9.11, б). Коэффициент об-
ратной связи в этой схеме равен K = Uб / Uk = L2 / L1, а коэф-
фициент включения p равен
p = Uk/U = 1/(1 + K + L3/L1).
Достоинством схемы рис. 9.11, б является возможность последо-
вательного питания цепей, а недостатком – наличие трех индук-
тивностей. Достоинством обеих схем Клаппа является возможность
независимого изменения коэффициента обратной связи К и коэф-
фициента включения контура p, что облегчает настройку АГ. Пос-
кольку в схемах Клаппа можно использовать сравнительно малые
контурные емкости С3, при осуществлении ЧМ в этих схемах пот-
ребуются варикапы небольшой емкости. Величина индуктивностей
в схемах Клаппа получается сравнительно большой и удобной для
практической реализации высокодобротных катушек. За счет повы-
шения добротности КС и уменьшения коэффициента включения в
схемах Клаппа удается получить более высокую стабильность час-
тоты, чем в обычной емкостной трехточке.
Двухконтурные АГ обычно применяются на сверхвысоких час-
тотах (f > 100 МГц), где влияние межэлектродных емкостей АЭ
U L1 L1 46 нГн
12 мкГн
C4 C1
33нФ U Uк 15
–8В
R2 C3
220*к Uк 33нФ
КТ315Б C1 R3
510 8,2 к КТ363Б
C3
0,22 C2
R2 82
1,2 к
C2 R1
39 нФ R1
3,3 к 560
АЛ307КМ
3 мА
1,5 мА
– 12 В
а б
+12 В
C1
R1
L1 L1 2N5485 6,8к
1,3 мкГн
C2
+E
С2 С3
R1
680 47
С1
C3 75
в г
Рис. 9.10. Схемы емкостных трехточек:
а – с заземленной базой, частота 2 МГц; б – с заземленной базой, частота 200 МГц;
в – с заземленным затвором; г – с заземленным истоком, частота 20 МГц
возрастает настолько, что реализация схем одноконтурных АГ ста-
новится практически невозможной. Наиболее употребительными
являются АГ с параллельной связью между контурами: с общим
эмиттером (катодом) (рис. 9.12, а), с общим коллектором (анодом)
(рис. 9.12, б) и общей базой (сеткой) (рис. 9.12, в).
Каждый из колебательных контуров образован одной из межэлек-
тродных емкостей АЭ и внешней индуктивностью, подключенной
к этой емкости. Одна из емкостей АЭ используется как элемент
обратной связи. Собственные резонансные частоты всех контуров
расстроены относительно частоты автоколебаний ω и представляют
+E С4
U С3 U С3
a С1
R3 L3
L1 Uк L1 Uк
С2
R1 Uб L2 С1 +
E
R1
R2 С2
L2
+EБ
а б
Рис. 9.11. Схемы Клаппа: а – с дополнительным конденсатором С3;
б – с дополнительной индуктивностью L3
собой эквивалентные индуктивности или емкости соответствую-

щей трехточки. Регулировка АГ по мощности (коэффициенту ОС)
и частоте осуществляется перестройкой соответствующих контуров.
Практически взаимонезависимая регулировка по мощности и час-
тоте получается в схеме с общей сеткой (базой). Регулировка по
мощности осуществляется перестройкой катодного контура, а по
частоте – анодного. Эта схема находит наибольшее практическое
применение.
Для каждой из рассмотренных схем одноконтурных и двухкон-
турных АГ могут быть осуществлены соответствующие двухтактные
варианты. Достоинствами двухтактных АГ, как и ГВВ, являются уве-
Lg, ωg La, ωa
C2 C2 C2
L2
C1 C1 C1 L1
L1 L1
C3 C3
L2 C3
L2
Lа, ωа Lg, ωg Cк, ωк Cк, ωк

а б в
Рис.9.12. Двухконтурные автогенераторы:
а – с общим катодом; б – с общим анодом; в – с общей сеткой
личение мощности в нагрузке, удобство применения при симмет-

ричных фидерах и антеннах, возможность работы с очень короткими
импульсами или с широкополосными видами АМ и др.
Диодные АГ обычно используют в диапазоне СВЧ. На рис. 9.13, а
показана схема генератора СВЧ на ТД. Колебательная система это-
го АГ образована емкостью перехода диода Cп и короткозамкнутым
отрезком несимметричной полосковой линии.
Схема низкочастотного генератора на ТД показана на рис. 9.13, б.
При работе на пониженных частотах (f < 1 ГГц) характеристичес-
кое и, соответственно, резонансное сопротивление КС, равное
Rн = Q / (ωСп), получаются слишком большой величины. Для умень-
шения резонансного сопротивления КС до приемлемого значения к
ТД подключают дополнительный конденсатор С1 (рис. 9.13, б). При
использовании конденсатора С1 резонансное сопротивление нагру-
женной КС автогенератора равно
Rн = 1/Gн = Qн/(ωС1).
Эквивалентная схема АГ с дополнительным конденсатором С1
и антипаразитным резистором R1 показана на рис. 9.13, в. Емкость
перехода Сп, емкость корпуса диода Ск (около 0,5 пФ), емкость С1,
индуктивность L1, индуктивность выводов диода Lв (0,2…2 нГн),
к нагрузке
R1
+E C1
L1
C2
C1
+E
R2
а б
ТД
LВ1 R1
LВ rп
G L1
LВ2
Rн
Cп Cк
C1
в
Рис. 9.13. Схемы автогенераторов на ТД:
а – принципиальная высокочастотного; б – принципиальная низкочастотного;
в – эквивалентная низкочастотного
индуктивность выводов Lв1 резистора R1 и индуктивность выводов

Lв2 конденсатора С1 образуют сложную КС. В таком АГ возможны
паразитные автоколебания на частоте ωпар = [Сп(Lв + Lв1 + Lв2)]-1/2.
На этой частоте сопротивление емкости С1 мало, а сопротивление
контурной индуктивности L1 – велико. Резистор R1 включен для
увеличения потерь в паразитном контуре. При малом резонансном
сопротивлении паразитного контура условие самовозбуждения па-
разитных колебаний не выполняется
(Lв + Lв1 + Lв2)/[Сп (rп + R1)] < 1/|G0|max,
где |G0|max – модуль максимальной дифференциальной активной про-
водимости ТД;
rп – сопротивление потерь ТД.
Резистор R1 используют лишь в случае крайней необходимости,
так как его подключение вносит в схему паразитную индуктивность
Lв1, искажает вид ВАХ диода относительно точек подключения вне-
шней цепи и, кроме того, может нарушить условие устойчивости ТД
по постоянному току.
Недостатками низкочастотных АГ на ТД являются сложность по-
давления паразитных колебаний, малая выходная мощность и низ-
кий КПД, однако такие генераторы удобно использовать в качестве
физической модели при исследовании свойств АГ.
Для расчета автогенераторов на ТД из арсенида галлия, наибо-
лее распространенных в настоящее время, можно использовать сле-
дующие ориентировочные соотношения:
• модуль максимальной дифференциальной проводимости ТД
равен
|G0|max = 5Iп [A, Cм];
• оптимальное сопротивление нагрузки равно
Rн = 1/Iп [A, Ом];
• максимальная колебательная мощность при оптимальном со-
противлении нагрузки и напряжения питания 0,35…0,4 В равна
P1 max = 0,07 Iп [A, Вт];
• постоянная составляющая тока ТД при максимальной коле-
бательной мощности равна
I0 = 0,4 Iп [A],
где Iп – пиковый ток ТД.
Схемы питания автогенераторов

Поскольку АГ является автономной системой, а не возбуждается
внешним сигналом, названия схем (с общей сеткой, с общим ано-
дом или с общим стоком) являются условными. В АГ можно за-
землить любую точку схемы, не меняя его электрический режим.
Выбор той или иной точки заземления определяется требованиями
к АГ и применяемым элементам. Например, может быть предусмот-
рено заземление коллектора транзистора, подключение варикапа,
удобство подключения нагрузки и т. п. Обычно нежелательны схе-
мы параллельного питания, у которых дроссели невысокого качес-
тва влияют на элементы контура и снижают стабильность частоты.
Кроме того, дроссели создают паразитные контуры, которые могут
вызвать паразитную автогенерацию. Чтобы уменьшить изменение
реактивных параметров БТ при изменении тока Iко, стремятся ста-
билизировать величину этого тока. Это достигается включением
в эмиттерную цепь резистора R1.Внешнее отпирающее напряже-
ние обеспечивает делитель напряжения на резисторах R2 и R3
(рис. 9.8, 9.9 и 9.10, б).
В АГ, выполненных по схеме емкостной трехточки, часто по
высокой частоте заземляют базу транзистора, а вместо дросселя
используют резистор R1, подключенный к эмиттеру транзистора
(рис. 9.9, 9.10, б). Этот резистор по высокой частоте включен парал-
лельно сравнительно низковольтной входной цепи АЭ. Шунтирую-
щим влиянием резистора R1 на КС автогенератора можно пренеб-
речь при выполнении неравенства
R1 К2Rн,
где К – коэффициент обратной связи;
К2Rн – резонансное сопротивление КС автогенератора, пересчи-
танное ко входной цепи АЭ.
По постоянному току резистор R1 создает OOC и тем самым ста-
билизирует величину выходного тока транзистора при изменении
температуры и питающих напряжений.
9.5. Расчет электронного режима

автогенераторов
Исходными данными для расчета электронного режима АГ обычно
являются рабочая частота f и требования по стабильности частоты,
величина колебательной мощности P1 или тока выходного электрода
РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННОГО РЕЖИМА АВТОГЕНЕРАТОРОВ 159
Iо и напряжение питания выходного электрода Е. По величине коле-

бательной мощности и рабочей частоте выбирают тип АЭ. Обычно
фазовые углы φs, φ и φk малы и автогенераторы генерируют частоты,
весьма близкие к резонансной частоте КС. При этом параметры S1,
Zн и K автогенератора можно считать вещественными величинами.
Таким образом, нагрузкой АЭ является активное сопротивление КС.
Поэтому расчет электронного режима ламп и транзисторов можно
вести по тем же формулам, что и для случая ГВВ. Различие состо-
ит лишь в величине параметров, которыми задаются при расчете.
Обычно задаются величиной угла отсечки θ, напряженностью режи-
ма ξ, контурным КПД ηк, сопротивлением смещения в цепи эмит-
тера Rэ или падением напряжения на сопротивлении автосмещения
Еэ = IэоRэ. Ориентировочные значения рекомендуемых параметров
даны в табл. 9.1. Значения параметров существенно зависят от необ-
ходимой стабильности частоты АГ. Низкая стабильность частоты
типична для мощных АГ. Мощные АГ на лампах и транзисторах
обычно работают непосредственно на нагрузку. Из-за нестабильнос-
ти параметров нагрузки, питающих напряжений, температуры и ме-
ханических воздействий в мощных АГ трудно обеспечить высокую
стабильность частоты. Основные требования к этим АГ – получение
заданной мощности в нагрузке при высоком КПД.
Таблица 9.1. Рекомендуемые значения параметров
Стабильность
Iо, мА ξ ηк
частоты
Высокая 1 – 20 0,2 – 0,5 0,1 – 0,3
Средняя 1 – 20 0,5 – 0,7 0,3 – 0,7
Низкая – (0,9– 1,1) ξгр 0,7 – 0,95
Параметры высокостабильных АГ выбирают из условия получе-

ния высокой стабильности частоты, при этом величина мощности
в нагрузке и КПД имеют второстепенное значение. В высокоста-
бильных АГ обычно используют маломощные высокочастотные по-
левые и биполярные транзисторы. В маломощных малогабаритных
АГ проще обеспечить стабильность питающих напряжений, термос-
табилизацию и ослабить влияние механических воздействий. Жела-
тельно использовать БТ на частотах, где ещё слабо проявляются их
инерционные свойства, то есть на частотах f ≤ (0,3…0,5) fs.
При выборе параметров высокостабильных АГ можно руко-

водствоваться следующими соображениями:
1. Выбор напряжения питания коллектора Eк и тока Iко. Оптималь-
ное значение напряжения питания равно Eк = 2…15 В, а тока
Iко = 1…20 мА. При слишком больших подводимых мощностях
возрастает нагрев деталей АГ, что снижает стабильность его
частоты. При Iко > 10…20 мА снижается частота fs транзистора,
а при Iко < 1…3 мА увеличивается нестабильность параметров
входной и выходной цепей транзистора и заметно возраста-
ет влияние дробового шума. С уменьшением напряжения Eк
увеличиваются нелинейные емкости транзистора. Кроме того,
при малых Eк небольшие колебания этого напряжения могут
вызвать перенапряженный режим АГ, что приводит к резкому
росту нестабильности частоты.
2. Выбор угла отсечки. Для получения простых и наглядных
расчетных соотношений при расчете электронного режима АГ
обычно используют кусочно-линейную аппроксимацию стати-
ческих характеристик ламп и транзисторов. Однако исполь-
зование кусочно-линейной аппроксимации при малых рабочих
токах, типичных для высокостабильных АГ, может дать сущес-
твенную погрешность, поскольку при очень малых рабочих
токах происходит не отсечка импульсов выходного тока АЭ,
а лишь искажение их формы. Поэтому расчетные параметры
должны быть уточнены при наладке макетов АГ.
Из баланса амплитуд Sγ1(θ) KRн = 1 видно, что режим работы АГ
существенно зависит от величины угла отсечки. При выборе угла
отсечки нужно иметь в виду, что при малых углах отсечки полу-
чается высокий электронный КПД автогенератора, однако ток АЭ
обогащен гармониками, что снижает стабильность генерируемой
частоты. Чем больше θ, тем лучше форма тока, однако с прибли-
жением θ к 180о понижаются стабильность амплитуды колебаний
и электронный КПД. Из компромиссных соображений принимают,
что в высокостабильных АГ условие самовозбуждения должно вы-
полняться с небольшим запасом
Rн/Rн min = 1/γ1(θ) = 1,3…5,
где Rн min – сопротивление выходной цепи АГ, при котором условие
самовозбуждения превращается в равенство.
Значениям Rн/Rн min от 1,3 до 5 соответствуют углы отсечки от 116
до 60°. Обычно угол отсечки в установившемся режиме автоколеба-
ний выбирают равным 60…100°.
РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННОГО РЕЖИМА АВТОГЕНЕРАТОРОВ 161
3. Выбор напряженности режима. В перенапряженном режиме

нестабильность частоты резко возрастает. Это вызвано тем, что
при искажении формы импульса выходного тока, богатом гар-
мониками, увеличивается влияние изменения состава высших
гармоник на частоту. Кроме того, в перенапряженном режиме
сильно возрастает ток базы БТ и увеличивается входная про-
водимость транзистора, а, следовательно, усиливается влияние
ее изменения на частоту. Для повышения стабильности часто-
ты используют недонапряженный режим работы АЭ.
4. Выбор контурного КПД. Связь колебательного контура с осталь-
ными элементами схемы автогенератора выгодно делать сла-
бой, чтобы возможные нестабильности этих элементов меньше
влияли на частоту автоколебаний. При этом вносимые цепями
связи потери в контур и контурный КПД получаются малы-
ми, а его нагруженная добротность Qн = Qо(1 – ηк) – высокой.
С увеличением Qн уменьшаются составляющие нестабильнос-
ти частоты, обусловленные изменениями питающих напряже-
ний, инерционностью АЭ и влиянием шумов.
5. Выбор величины сопротивления автосмещения Rэ или напря-
жения автосмещения Еэ. При эмиттерном автосмещении на-
пряжение источника питания Е и напряжение на коллекторе
(между коллектором и эмиттером) связаны соотношениями
Eк = E – IэоRэ ≈ E – IкоRэ = E – Eэ,
где Iэо = Iко + Iбо – постоянная составляющая тока эмиттера;
Еэ – напряжение эмиттерного автосмещения.
В рекомендованных режимах для АГ с повышенной стабильнос-
тью частоты ток базы Iбо мал и можно полагать Iко = Iэо. Благодаря
использованию сопротивления Rэ уменьшается зависимость тока
Iко, а, следовательно, и параметров транзистора от температуры и
питающих напряжений. Стабильность тока Iко повышается с увели-
чением сопротивления Rэ и, соответственно, напряжения Еэ. Одна-
ко чрезмерное увеличение сопротивления Rэ не дает существенного
выигрыша по стабильности частоты, но приводит к необходимости
увеличивать напряжение питания Е = Ек + Еэ. Оптимальное значе-
ние напряжения Eэ равно 1…2 В.
Величина сопротивления Rэ равна Rэ = Eэ/Iко. Оптимальную вели-
чину сопротивления можно также определить из соотношения
Rэ = (20…100)/S.
При использовании сопротивления Rэ вместо дросселя (рис. 9.9

и 9.10, б) величина Rэ может быть увеличена с тем, чтобы уменьшить
потери, вносимые этим резистором в КС автогенератора.
Соотношения для расчета электронного режима АГ в недона-
пряженном и граничном режимах работы АЭ:
• амплитуда напряжения на коллекторе (стоке, аноде)
Uk = ξ(E – Ik0Rэ) = ξEk;
• амплитуда первой гармоники выходного тока АЭ равна
I1 = I0g1(θ);
• сопротивление нагруженной выходной КС относительно то-
чек подключения АЭ равно
Rн =Uк /I1 ;
• модуль средней крутизны по первой гармонике выходного
тока АЭ равен
S1 = Sfγ1(θ),
где Sf – модуль крутизны проходной характеристики на рабочей
частоте. Крутизну Sf ламп и ПТ, практически постоянную в
рабочем диапазоне частот (Sf = S), определяют по статическим
характеристикам этих приборов или из справочных данных.
Крутизну БТ вычисляют для заданных значений тока тран-
зистора и рабочей частоты;
γ1(θ) – коэффициент разложения косинусоидального импуль-
са;
• коэффициент обратной связи равен
K = U б э / U к э = U з и / U с и = U с / U a = 1/ ( Rн S1 ) ;
• колебательная мощность равна P1 = 0,5U k I k1 ;
• напряжение источника питания равно E = Ek + I k 0 Rэ ;
• мощность источника питания равна P = E I k0 ;

• мощность, потребляемая АЭ, равна P0 = Ek I k 0 ;
• мощность, рассеиваемая коллектором, равна Pk = P0 − P1 ;
• мощность в нагрузке равна Pн = P1η k ;

РАСЧЕТ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ 163
• электронный КПД равен η e = P1 / P0 ;

• общий КПД равен η = Pн / P .
Дифференциальная крутизна БТ на рабочей частоте f равна
1 + (f / fS ) ,
2
Sf = S
β0
где S = – крутизна проходной характеристики на
rб + β0 / (30 I k 0 )
низких частотах;
β0(h21Э0) – статический коэффициент передачи тока (справоч-
ная величина);
rб = τk/Cka – сопротивление базы;
Ck = (3…5)Cka – полная емкость коллекторного перехода (спра-
вочная величина), где коэффициент 5 соответствует мощным
высокочастотным приборам, а 3 – маломощным;
τk = rбCka – постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте (справочная величина);
fS = fT/(S rб) – граничная частота по крутизне. При f ≤ (0,3…0,5)fS
можно полагать Sf = S;
fT(fгр) – граничная частота коэффициента передачи тока (спра-
вочная величина).
9.6. Расчет колебательной системы

В КС автогенератора необходимо использовать катушку индук-
тивности с высокой (Q0 ≥ 100) добротностью. Не следует выбирать
контур с очень малой индуктивностью и большой емкостью – это
не способствует повышению добротности, но увеличивает влияние
паразитной индуктивности выводов катушки и конденсаторов. Как
показывает практика, высокодобротную катушку можно реализо-
вать, если полную емкость контура C выбрать из ориентировочного
соотношения C = (3…10)λ [пФ, м]. Для получения наибольшей доб-
ротности катушки следует использовать посеребренный или медный
провод оптимального диаметра. При оптимальном диаметре провода
потери, обусловленные поверхностным эффектом и вихревыми то-
ками, получается минимальными. Для однослойных катушек диа-
метром 20…30 мм оптимальный диаметр провода равен 0,2…0,6 мм;
для многослойных катушек он не превышает 0,25…0,3 мм. Добро-
тность катушки получается максимальной при равенстве ее длины

и диаметра. Некоторые отступления от оптимальных соотношений
сопровождаются лишь незначительным снижением добротности.
При заданных значениях частоты автоколебаний f, коэффициента
обратной связи K, добротности QН нагруженной КС и резонансного
сопротивления Rн можно использовать следующие расчетные соот-
ношения:
в схеме с индуктивной обратной связью (рис. 9.3, а)
R Q 1
L= н , С = н = 2 , M = KL;
ωQн ωRн ω L
в схеме индуктивной трехточки (рис. 9.3, б и 9.7)
Qн 1 Rн
С1 = , L2 = 2 = , L1 = K L 2 ;
ω Rн (1 + K ) 2 ω С1(1 + K ) ω 3Qн C1
в схеме емкостной трехточки (рис. 9.3, в; 9.9 и 9.10)
Rн (1 + K ) 2 1+ K Qн
L1 = , С1 = 2 = , С 2 = С1 .
ω Qн ω L1 ω Rн (1 + K ) K
Для расчета КС автогенераторов по схеме Клаппа необходимо
дополнительно задаться одной из величин:
• индуктивностью контура L, например, из условия возможнос-
ти реализации высокой добротности катушки, или
• полной емкостью контура, например, из ориентировочного со-
отношения C = (3…10)λ [пФ, м], или
• емкостью C3, например, из условия осуществления ЧМ при
выбранной емкости варикапа.
Элементы КС автогенераторов связаны соотношениями:
для схемы рис. 9.11, а: L1 = L; С3 ≈ С; С = 1/(ω2L1);
для схемы рис. 9.11, б: С3 = С; L3 ≈ L; С = 1/(ω2L),
где С – полная (суммарная) емкость КС;
L – полная (суммарная) индуктивность КС.
При известной полной емкости контура C можно использовать
следующие расчетные соотношения:
• в схеме Клаппа с дополнительной емкостью (рис. 9.11, а)
С Qн , С1 , 1 С1
С1 = С2 = L1 = 2 , С 3 = ;
ωR K ω С С1 С −1− K
н
РАСЧЕТ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ 165
• в схеме Клаппа с дополнительной индуктивностью

(рис. 9.11, б)
, L 2 = K L1 , L = 1 , L3=L – L1 – L2.
Rн
L1 =
Qн Cω 3 ω 2С
Учет влияния паразитных индуктивностей

Свойства АГ существенно зависят и от неявных элементов его конс-
трукции, например, индуктивностей вывода и монтажа, различных
паразитных емкостей.
В высокочастотных транзисторных АГ, в первую очередь, необхо-
димо учитывать влияние паразитных индуктивностей конденсаторов
Lп, образованных собственными индуктивностями конденсаторов и
индуктивностью монтажа (соединительных проводников). Напри-
мер, индуктивность керамических конденсаторов равна 0,25…15 нГн.
В зависимости от типа конденсатора и конструкции АГ величина
индуктивности Lп может достигать 1…30 нГн. Индуктивность Lп
(рис. 9.14, а) изменяет полное сопротивление конденсатора. В диа-
пазоне рабочих частот конденсатора (гораздо меньших резонансной)
его кажущаяся емкость увеличивается относительно емкости иде-
ального конденсатора Cи из-за частичной компенсации емкостного
сопротивления конденсатора индуктивным.
С LП r Си
а б
Рис. 9.14. Эквивалентные схемы конденсаторов:
а – реального; б – идеального
Малая индуктивность Lп сравнительно слабо влияет на величину

резонансной частоты КС автогенератора, но существенно увеличи-
вает проводимость большой емкости на входе АЭ. Это увеличение
проводимости приводит к уменьшению коэффициента обратной
связи и может нарушить условие самовозбуждения АГ. Необходи-
мый номинал реального конденсатора можно определить из условия
равенства сопротивлений реального и идеального конденсаторов
1/(ωC) – ωLп = 1/(ωCп)
Cи
C= .
1 + ω 2 LпCи
Различие между емкостями C и Cи особенно значительно на вы-
соких частотах (f > 10 МГц) и при большой величине емкости C.
9.7. Кварцевые автогенераторы

Автогенераторы на LC-элементах обеспечивают относительную
нестабильность частоты до 10-4…10-5. Для получения более высокой
стабильности частоты используют механические колебательные
системы, из которых наиболее широкое распространение получили
кварцевые резонаторы (КР).
Кварцевые резонаторы
Эквивалентная электрическая схема КР может быть представлена в
виде параллельного соединения ёмкости кварцедержателя C0 и, в об-
щем случае, бесконечного числа Lкв Cкв rкв – контуров, резонансные
частоты которых совпадают с частотами механических колебаний
кварцевой пластины (рис. 9.15, а). Вблизи выбранной резонансной
частоты влиянием всех остальных последовательных контуров мож-
но пренебречь и использовать упрощённую эквивалентную схему
КР (рис. 9.15, б). Такая замена справедлива благодаря большому
разносу резонансных частот последовательных контуров и их вы-
сокой добротности.
Lкв n Lкв r экв

Со Со
С кв n С кв
xэкв
r кв n r кв
а б в
Рис. 9.15. Эквивалентные схемы кварцевого резонатора:
а – полная; б – на рабочей частоте; в – последовательного замещения
Если для простоты анализа принять rкв = 0, то частотная харак-

теристика КР имеет вид, показанный на рис. 9.16, а. Частотные ха-
рактеристики последовательной схемы замещения КР (рис. 9.15, в)
показаны на рис. 9.16, б.
Основными параметрами эквивалентной схемы КР являются
динамические индуктивность Lкв и ёмкость Cкв, ёмкость кварце-
держателя C0, сопротивление потерь rкв, добротность резонатора
Qк в = Lк в Cк в rк в и коэффициент включения p = Cкв/C0. Значения
параметров зависят от размеров кварцевой пластинки, типа среза,
КВАРЦЕВЫЕ АВТОГЕНЕРАТОРЫ 167
Xкв
r экв
ωкв ωп ω ωп ω
ω кв
Xэкв
а б
Рис. 9.16. Частотные характеристики кварцевого резонатора:
а – реактивного сопротивления; б – активного и реактивного сопротивления
последовательной схемы замещения
вида кварцедержателя, свойств материала и т. д. Параметры КР су-
щественно отличаются от параметров обычных КС. Добротность КР
может достигать значений 104…107 и более. Параметры лучших КР
приведены в табл. 9.2.
Таблица 9.2. Типичные параметры кварцевых резонаторов
Одна фемтофарада равна 1 фФ = 10-15 Ф
Тип
f, МГц rкв, Ом C0, пФ Cкв, фФ Qкв
колебаний
1,0 Основной 250 4,0 9,0 65000
2,0 Основной 70 3,5 10 110000
5,0 Основной 15 6,0 24 85000
10,0 Основной 12 6,0 24 50000
20,0 Основной 12 6,0 24 25000
45,0 3-й обертон 25 5,0 1,5 90000
100,0 5-й обертон 40 5,0 0,3 130000
Вблизи частоты любой из гармоник контур, эквивалентный КР,

имеет две характерные частоты: последовательного резонанса
ωк в = 1 / Lк вCк в
и параллельного резонанса
C к в C0
ωп = 1 / Lк в ⋅ ≈ ωк в (1 + 0,5 p ) .
C к в + C0
Интервал между частотами параллельного и последовательного
резонанса КР равен ωп – ωкв = 0,5pωкв.
Диапазон рабочих частот КР простирается от сотен герц до сотен
мегагерц. Высокочастотность КР обратно пропорциональна толщи-
не кварцевой пластины. На практике минимальная толщина квар-
цевой пластины составляет около 0,1 мм, что соответствует основ-
ной частоте около 20 МГц. На частотах, превышающих 5…20 МГц,
обычно используют механические гармоники КР. При этом можно
получить во много раз более высокую частоту АГ. Обычно исполь-
зуют резонансы на нечётных гармониках механических колебаний.
Установлено, что потери КР на некоторых гармониках (третьей, пя-
той) меньше, чем на основной частоте и достигается более высокая
добротность Qкв n= (1,5…3)Qкв. Благодаря меньшему значению ёмкос-
ти Cкв (Cкв n ≈ Cкв/n) (см. табл. 9.2) и соответственно меньшей связи
резонатора с АЭ и нагрузкой, обеспечивается лучшая стабильность
частоты. Связь КР со схемой АГ тем меньше, чем больше n.
Для высокостабильных микрогенераторов разработаны микроми-
ниатюрные КР. Например, российская компания «Пьезо» выпуска-
ет КР на частоты от 3,5 до 150 МГц с объёмом корпуса от 0,7 до
0,032 см3. Ведущие зарубежные фирмы выпускают КР в виде так
называемой обратной мезоструктуры, работающие на объёмных ко-
лебаниях сдвига по толщине, у которых частота первой гармоники
достигает 250 МГц! Используя такие КР, можно получить высокос-
табильные колебания вплоть до 750 МГц без умножения частоты.
Кварцевые автогенераторы
Многообразные схемы кварцевых автогенераторов можно разделить
на две большие группы. К первой группе схем относятся те, в кото-
рых КР используют как высокоэталонную индуктивность. Это так
называемые осцилляторные схемы. Ко второй группе схем относят-
ся те, в которых КР используется как высокодобротный последова-
тельный контур – фильтровые схемы.
Осцилляторные схемы
В них кварц включается вместо одной из индуктивностей в обоб-
щённой трёхточечной схеме. Колебания в этих схемах могут сущест-
вовать только тогда, когда кварц имеет индуктивное сопротивление,
т. е. в диапазоне частот от ωкв до ωп. При отсутствии или неисправ-

ности КР (шунтировании его или обрыве в цепи) генерация срыва-
ется. На практике чаще всего используется емкостная трёхточеч-
ная схема – классический генератор Пирса (рис. 9.17, а), наиболее
простая, надёжная и обеспечивающая наибольшую стабильность
частоты. Последнее обусловлено меньшим шунтированием КР са-
мим транзистором, малым влиянием собственных емкостей тран-
зистора на резонансную частоту КС и тем, что высшие гармоники
напряжений на базе и коллекторе ослаблены емкостями C1 и С2.
Кроме того, в схеме 9.17, а нет катушки индуктивности, что даёт
возможность интегрального построения АГ. Недостатки схемы со-
стоят в малой мощности АГ и больших емкостях C1 и C2 на низких
частотах. Поскольку связь КР со схемой АГ тем меньше, чем боль-
ше n, в простейших АГ самовозбуждение происходит на основной
частоте КР, для которой связь максимальна. Для самовозбуждения
кварцевого АГ на нужной механической гармонике кварцевого ре-
зонатора в схему АГ вводят дополнительные элементы (обычно LC
контур), исключающие самовозбуждение на основной частоте КР и
неиспользуемых гармониках.
На рис. 9.17, б показана схема индуктивной трёхточки с коле-
бательным контуром в выходной цепи. На частоте автоколебаний
этот контур эквивалентен индуктивности. В таком двухконтурном
АГ с общим истоком (катодом или эмиттером) генерируемая частота
в основном задаётся более низкочастотным из контуров. Поэтому
для того, чтобы частота АГ в основном определялась частотой КР,
выходной контур должен быть отстроен от резонансной частоты КР
в сторону более высоких частот. При увеличении расстройки выход-
ного контура или замене его индуктивностью уменьшается влияние
выходной цепи на генерируемую частоту и, следовательно, повыша-
ется стабильность частоты. При этом, однако, снижаются амплитуда
выходного напряжения и мощность, отдаваемая АГ. Наличие конту-
C1
L1
С2
R1
C3
С1 +E
а б
Рис. 9.17. Осцилляторные схемы автогенераторов
ра даёт возможность получить автоколебания на третьей или пятой

механической гармонике кварца. Выходной контур может быть так-
же настроен, например на вторую гармонику выходного тока. При
этом на нём выделяется удвоенная частота автогенерации. Кроме
того, достоинством данной схемы является возможность последова-
тельного питания выходной цепи, так как дроссели, используемые
при параллельном питании, имеют малую стабильность параметров,
что снижает стабильность частоты.
Фильтровые схемы
В них КР включают в цепь обратной связи или в колебательный
контур. Принцип работы таких схем основан на том, что сопротив-
ление КР минимально вблизи частоты последовательного резонанса
ωкв и резко возрастает при удалении от неё. Следовательно, условие
самовозбуждения, выполняемое вблизи частоты ωкв, будет нарушено
на всех других частотах. Генерацию требуемой гармоники обеспечи-
вает собственная КС автогенератора. Фильтровые схемы наиболее
часто используют при построении АГ, работающих на частотах вы-
сших механических гармоник КР. Их важным достоинством является
возможность перестройки с частоты одной механической гармоники
на другую путём изменения резонансной частоты КС. В подобных
АГ удаётся возбуждать колебания на гармониках с номерами вплоть
до 15-го. Схемы с кварцем в цепи ОС удобны и тем, что при неболь-
шой мощности на КР они могут отдавать значительную выходную
мощность. Наибольшая стабильность частоты и выходная мощность
АГ получаются при равенстве резонансной частоты КС и ωкв.
В фильтровых кварцевых АГ, в отличие от осцилляторных, ге-
нерация возможна даже при коротком замыкании КР или замене
его резистором, величина которого близка к rкв. Разумеется, что
исключение КР в фильтровых схемах исключает и кварцевую ста-
билизацию частоты, однако, обнаружить этот факт удаётся только
после тщательных измерений. Недостатком схем с КР в цепи ОС
является наличие дополнительной ОС через ёмкость C0, вследствие
чего возможна паразитная автогенерация. Для компенсации ёмкости
C0 на частотах до 100…200 МГц параллельно КР включают индук-
тивность. На частоте паразитного колебания эта индуктивность и
ёмкость C0 образуют фильтр–пробку. На частотах 100…200 МГц луч-
шие результаты по нейтрализации ёмкости C0 дают мостовые схемы.
Кроме того, они обеспечивают повышение стабильности частоты на
целый порядок.
На рис. 9.18 приведена одна из наиболее распространённых и вы-

сокочастотных схем АГ с КР в цепи обратной связи (так называемая
схема Батлера) [41].
Этот генератор устойчиво работает на частотах до 250…300 МГц.
Паразитные колебания подавляются благодаря глубокой отрица-
тельной связи по току с помощью резистора R3, а влияние ёмкости
C0 компенсируется с помощью индуктивности L2. Конденсаторы C1
и C2 – блокировочные. Несколько более высокую стабильность час-
тоты можно получить в двухкаскадных АГ. Например в двухкаскад-
ном АГ по схеме Батлера на частоте 100 МГц получена стабильность
10-7…10-8.
Стремление к интегральному исполнению поставило задачу со-
здания высокочастотных кварцевых АГ без применения катушек и
даже конденсаторов. Такой АГ на двух БТ работает на частотах до
300 МГц [41]. Поскольку стабильность частоты является критичес-
ким параметром радиолокационных, радионавигационных, измери-
тельных и других систем, требуется эксплуатационная стабильность
задающих генераторов этих систем вплоть до 1·10-10 (и 1·10-20 крат-
ковременно!). Как известно, основным фактором, дестабилизирую-
щим частоту кварцевого АГ, является изменение температуры окру-
жающей среды. Для ослабления влияния температуры применяется
термостатирование или термокомпенсация, а иногда они использу-
ются в комбинации [41]. Термокомпенсированные кварцевые АГ за-
метно уступают термостатированным по стабильности частоты, однако,
серьёзно превосходят их по экономичности энергопотребления и скорости
С2
0,047
-9 В
С3
L1 51 C4
100
R1 нГ С4 L1
13к 51
L2
С1 ГТ 346А C3
0,01 R3
R2 R3
2,4к 300
Вых .
а б
Рис. 9.18. Схемы Батлера: а – принципиальная; б – эквивалентная
выхода на режим после включения питания, а также по массогабаритным

параметрам. По сравнению же с простыми кварцевыми АГ (без термоком-
пенсации) они имеют в десятки раз лучшую стабильность частоты. На-
пример, один из мировых лидеров в области разработки и производства
прецизионных кварцевых АГ ОАО «Морион» освоил серийный выпуск
термокомпенсированных кварцевых АГ с нестабильностью частоты за
15 лет ±3 · 10-6 и термостатированных с нестабильностью частоты за 10 лет
±3 · 10-7 и кратковременной нестабильностью 1·10-12 [75].
В настоящее время всё большее применение находят кварцевые
АГ, использующие в качестве АЭ аналоговые и цифровые интеграль-
ные микросхемы.
Управляемые кварцевые генераторы
Управление частотой кварцевых АГ используется в случае срав-
нительно узкополосной частотной модуляции и манипуляции (де-
виация частоты 10 – 20 кГц) невысокими частотами (единицы кило-
герц) при не очень жёстких требованиях по линейности (единицы
процентов); при компенсации температурной нестабильности часто-
ты; при подстройке частоты в кольце ФАПЧ; при коррекции частоты
из-за старения КР и т.п. [41]. Для управления частотой обычно из-
меняют реактивное сопротивление, включённое последовательно с
резонатором. Поскольку включение такого сопротивления приводит
к отстройке частоты АГ относительно частоты последовательного
резонанса КР, для сохранения начальной настройки используют до-
бавочное реактивное сопротивление противоположного знака. Так,
если перестройка осуществляется изменением ёмкости конденсато-
ра C, то последовательно с ним необходимо включить катушку с
индуктивностью L = 1 (ω 2 C ) [41]. Диапазон перестройки частоты
кварцевого АГ существенно зависит от разноса между частотами
ωкв и ωп. Этот диапазон можно несколько увеличить подключением
к КР индуктивностей – параллельно, последовательно или комби-
нированно. В последнем случае частоты последовательного и па-
раллельного резонансов сдвигаются в противоположные стороны и
получается наибольший разнос частот ωкв и ωп.
Очевидно, что введение в кварцевый АГ реактивностей со срав-
нительно низкой стабильностью параметров приводит к снижению
стабильности частоты этого АГ. Поэтому в управляемых кварцевых
АГ лишь частично совмещаются высокая стабильность частоты ав-
тономных кварцевых АГ и прекрасная управляемость LC-генерато-
ров. С увеличением диапазона перестройки стабильность частоты
уменьшается, а нелинейность зависимости генерируемой частоты от

управляющего напряжения возрастает.
Наиболее широко управление частотой кварцевых АГ осущест-
вляется в диапазоне 5…30 МГц (чаще 10…15 МГц). В этом диапазоне
КР работают, как правило, на основной частоте, пьезоэлементы пред-
ставляют собой плоские пластинки и можно получить перестройку
по частоте порядка 10-5…10-3 при достаточно высокой стабильности
частоты. На частотах выше 5…30 МГц обычно используется умно-
жение частоты управляемого кварцевого АГ низкочастотного диа-
пазона. На очень низких частотах для получения больших преде-
лов перестройки используется выделение разностной частоты двух
кварцевых генераторов диапазона 5…30 МГц [41]. В ЧМ кварцевых
АГ невыгодно возбуждать КР на механических гармониках, так как
при этом уменьшается девиация частоты и увеличиваются нелиней-
ные искажения. Однако в некоторых случаях работу на механичес-
ких гармониках всё же используют с целью упрощения схемы за
счёт исключения умножителя частоты.
При выборе КР для генераторов, управляемых по частоте, следует
учитывать, что управляемость по частоте и стабильность частоты –
противоречивые требования. Действительно высокостабильные КР
имеют высокие добротности, малые ёмкости C0 и Cкв, малые коэф-
фициенты p и соответственно малые интервалы между частотами ωкв
и ωп и потому обеспечивают малые изменения частоты при измене-
ниях параметров цепей, подключённых к КР. Резонаторы, имеющие
большое значение p и C0, наиболее предпочтительны для генерато-
ров с электронным управлением частотой [41].
Механическое управление частотой КР для установления номи-
нального значения частоты обычно осуществляют путём шлифовки.
Для электронного управления частотой кварцевых АГ наиболее
широко используются варикапы. Это наиболее экономичные, мало-
габаритные, надёжные и стабильные из всех известных элементов,
реактивное сопротивление которых зависит от приложенного напря-
жения. Как правило, для управления частотой используется барьер-
ная ёмкость варикапов [41]. Важным параметром КГ, управляемых
напряжением, является линейность характеристики управления час-
тотой. При управлении частотой изменением напряжения на вари-
капе эта нелинейность обусловлена как нелинейной зависимостью
ёмкости варикапа от управляемого напряжения, так и нелинейной
зависимостью изменения частоты генератора от величины реактив-
ного сопротивления, включённого последовательно с резонатором.
Для линеаризации характеристики управления параллельно КР

включают индуктивность [41].
На рис. 9.19 приведена практическая схема кварцевого генератора
с перестраиваемой частотой. Генератор работает на третьей механи-
ческой гармонике КР – 27 МГц.
+12 В
Упр.
напряж.
C1 R2
C3
30k L4
R1 150
100k VT1
KT368A
L1 L2 C2
C4
33
L3 Вых.
VD1 ZQ1
R3 R4 C5
KB109 27МГц
10k 510 82
C1,C2 0,022мк
Рис. 9.19. Кварцевый генератор с перестраиваемой частотой
9.8. Автогенераторы на ПАВ

При построении высокостабильных АГ на частотах вплоть до 1…3 ГГц
в настоящее время все большее применение находят резонаторы и
линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Та-
кие АГ отличаются высокой технологичностью и большой механи-
ческой прочностью. Стабильность частоты их колебаний лишь на
один-полтора порядка хуже стабильности кварцевых АГ [41].
Резонаторы на ПАВ
Основой резонатора ПАВ является кварцевая пластина, вырезанная
из монокристалла кварца. На поверхность кварцевой пластины на-
несен тонкий слой металла. Чаще всего используется алюминий. В
металле сформирована структура резонатора. Основные элементы
конструкции одновходового и двухвходового резонаторов показаны
на рис. 9.20. Резонаторы состоят из одного или двух встречно-шты-
ревых преобразователей (ВШП), по обе стороны от которых распо-
ложены отражатели, выполненные в виде напыленных на поверх-
АВТОГЕНЕРАТОРЫ НА ПАВ 175
Rm Lm Cm
C0
a б
Рис. 9.20. Структура и эквивалентная схема одновходового резонатора (а).
Структура двухвходового резонатора (б)
ность кварцевой пластины параллельных друг другу металлических

полосок (решеток).
Электрический высокочастотный сигнал посредством ВШП за
счет пьезоэлектрического эффекта создает на поверхности кварца
механические (акустические) колебания, распространяющиеся в
виде волны. Такая волна получила название – поверхностная акус-
тическая волна (ПАВ). Скорость ПАВ в кварце в 100 000 раз мень-
ше скорости электромагнитной волны. Медленное распространение
акустической волны является основой миниатюризации приборов
ПАВ. Максимальная эффективность преобразования достигается на
частоте синхронизма, то есть на такой частоте подводимого элект-
рического сигнала, когда длина волны акустических колебаний сов-
падает с пространственным периодом электродов преобразователя.
Например, на частоте 433,92 МГц длина волны акустических коле-
баний составляет всего 7 мкм.
Две решетки на частоте синхронизма работают как два зеркала,
отражая акустическую волну. За счёт сохранения и накопления
энергии механических колебаний в области между решетками на
резонансной частоте образуется высокодобротная колебательная
система. Длина всей системы составляет несколько сотен длин волн.
При этом общая длина кварцевой подложки резонатора с частотой
433,92 МГц не превышает 3 мм. Максимальная добротность резона-
торов на ПАВ достигает 104. Существует три основных типа резо-
наторов: одновходовый, двухвходовый и связанный.
Эквивалентная схема одновходового резонатора (рис. 9.20, а) АГ с
одновходовыми резонаторами на ПАВ подобны схемам АГ с квар-
цевыми резонаторами. Схемы АГ с двухвходовыми резонаторами
аналогичны схемам с линиями задержки. Двухвходовый резонатор,
как и линия задержки, представляет собой узкополосный фильтр.
Основным его преимуществом перед линией задержки на ПАВ яв-
ляется больший коэффициент передачи.
Достоинствами резонаторов на ПАВ являются: кварцевая ста-

бильность частоты во времени и в диапазоне температур; низкий
уровень фазовых шумов, обеспечивающий исключительно высокую
чистоту спектра генерируемого сигнала; высокая добротность; от-
носительно высокий уровень допустимой рассеиваемой мощности;
высокая устойчивость к внешним механическим воздействиям; ми-
ниатюрность; высокая воспроизводимость эквивалентных парамет-
ров; разнообразие типов и конструкций; низкая цена.
Резонаторы на ПАВ весьма успешно зарекомендовали себя в ка-
честве элемента стабилизации частоты задающего генератора для ма-
ломощных передающих устройств. Такие устройства нашли весьма
широкое применение в радиотехнических системах малого радиуса
действия. Специально для приборов, относящихся к этому классу
систем, выделена полоса частот шириной 1,72 МГц в диапазоне час-
тот 433,05…434,79 МГц. Использование диапазона регламентируется
Европейским стандартом I-ETS 300 220 (433,92 МГц).
В течение последних лет частота 433,92 МГц, являющаяся сред-
ней частотой выделенного диапазона, всё интенсивнее используется
в странах европейского региона для системы дистанционного управ-
ления дверными замками автомобиля и его охранной сигнализации.
Высокая устойчивость к механическим воздействиям позволяет ис-
пользовать резонаторы ПАВ в системе безопасности автомобиля, ко-
торая ведёт мониторинг давления и температуры в каждом колесе с
использование радиоканала. Передатчик монтируется на каждое ко-
лесо и сохраняет работоспособность в течение срока службы шины.
На ОАО «АНГСТРЕМ» освоено производство одновходовых ре-
зонаторов ПАВ с частотой 433,92 МГц (РК1912, РК1412, РК1825),
которое ведется в едином технологическом процессе с полупро-
водниковыми ИС на мощной технологической линии. Типовые
значения основных параметров этих резонаторов: собственная доб-
ротность 1,2 · 104; статическая емкость С0 = 2,1 пФ; динамическое со-
противление Rm = 14 Ом; максимальное изменение рабочей частоты
в диапазоне температур от −40 до +85 °С равно FT = 60 кГц. Резона-
торы выпускаются в корпусах ТО-39, SIM-4M и QCC8 [94].
Линия задержки (ЛЗ) на ПАВ представляет собой полированную
кварцевую пластину, на поверхность которой нанесены два ВШП. За
счет прямого и обратного пьезоэффекта кварца один из ВШП преоб-
разует энергию электрических колебаний в энергию ПАВ, а другой
преобразует механические колебания в электрические. Расстояние
между штырями ВШП определяет собственную частоту ВШП (час-
АВТОГЕНЕРАТОРЫ НА ПАВ 177
тоту акустоэлектрического синхронизма). При совпадении частоты

внешнего воздействия с частотой синхронизма эффективность пре-
образования достигает максимального значения. Таким образом, ли-
ния задержки на ПАВ представляет собой узкополосный фильтр.
Практически удается реализовать добротность фильтра до 104.
Название устройства объясняется тем, что прохождение ПАВ как
вдоль преобразователей, так и между ними сопровождается значи-
тельной задержкой (до 100 мкс).
При построении АГ используется одна из трехточечных схем, а
линия задержки включается в цепь ОС. Для компенсации затухания
в линии задержки может потребоваться дополнительный усилитель
в цепи ОС.
Важным достоинством АГ на ПАВ является возможность осу-
ществления непосредственной ЧМ, и а также дискретной или плав-
ной перестройки частоты в широких пределах. Например, возможна
дискретная перестройка частоты АГ изменением рабочей длины ли-
нии задержки в цепи положительной ОС [41]. Перспективны (осо-
бенно на СВЧ) способы модуляции и перестройки частоты путем
изменения параметров самих устройств на ПАВ, например, изменяя
скорость распространения поверхностных акустических волн в пье-
зоподложке. Для этого в линии задержки или резонаторе на ПАВ
можно установить дополнительный электрод, на который подаются
постоянное и модулирующее напряжения, изменяющие скорость
распространения ПАВ [41].
На рис. 9.21 приведены схемы гетеродина на одновходовом ПАВ-
резонаторе с рабочей частотой 418 МГц.
АГ выполнен по схеме емкостной трехточки с заземленным кол-
лектором. ПАВ-резонатор используется как эквивалентная индук-
R2 330
R2 С5 +E
330 0,1 мк R1
+3,6 В 100k
R1 100k
VT1 U
L
С1 С2 4,7 C4 2,2 C3 R3 0,7 B
0,1
мк
ZQ1 R3 C3 Выход R3
418 МГц 560 4,7 C2 560
a б в
Рис. 9.21. Схемы гетеродина на ПАВ-резонаторе: а – принципиальная;
б – по высокой частоте; в – по постоянному току
тивность Lэ. Использована простая схема параметрической стаби-

лизации коллекторного тока. В схеме могут быть использованы
СВЧ-транзисторы с граничной частотой fT более 2 ГГц и коэффи-
циентом усиления по току β0 > 20, например, К372Б, КТ3186А9,
BFP67, BFG67, BFR93.
На рис. 9.22 приведена схема радиочастотного модуля передатчи-
ка на частоту 433,92 МГц.
+3...6 В
X1 R1 20k R3 20k
С6 С8
С1 0,1 мк 1000
L1 L2
0,01 мк L3
R2
VT1
X2 27k R4 47k C4 C7 C9 C10
1,5 10 6,8 200
VT2
C2 ZQ1
433,92 С3 R5 C5
300 5,1 470 5,1
МГц
Рис. 9.22. Схема радиочастотного модуля
Такие микромощные передатчики широко применяются в сис-

темах дистанционного управления или передачи данных малого
радиуса действия. Модуль передатчика состоит из задающего гене-
ратора на транзисторе VT1 и усилителя мощности на транзисторе
VT2. Частота задающего генератора стабилизирована одновходовым
ПАВ-резонатором. Контакт X1 используется для управления УМ.
На этот контакт подается напряжение 2…6 В. Изменением напряже-
ния можно регулировать режим транзистора VT2 по постоянному
току, а значит, потребляемый ток (15…50 мА) и выходную мощность
УМ (несколько милливатт).
В качестве антенны использован отрезок провода диаметром
0,5…1 мм и длиной около 16 см. В малогабаритных устройствах
целесообразно использовать спиральные антенны. На контакт X2
подается информационный сигнал с логическими уровнями. Через
ФНЧ R2C2R4 он поступает на базу транзистора VT1. При высоком
логическом уровне задающий генератор начинает работать, и пере-
датчик излучает мпульсный сигнал.
В модуле передатчика можно использовать транзисторы 2SC3356,
BFP67, BFG67, BFR93, KT3186A9.
СИНХРОНИЗАЦИЯ И ЗАТЯГИВАНИЕ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 179
9.9. Синхронизация и затягивание

частоты автогенераторов
Синхронизация частоты [7, 28, 30, 35, 40, 52, 84]. Поведение АГ,
находящегося под воздействием внешней силы, существенно зави-
сит от амплитуды и частоты этой силы. Если амплитуда очень мала
по сравнению с амплитудой автоколебаний и одновременно частота
fc значительно отличается от частоты f0 свободного АГ, то вынуж-
денные колебания существуют совместно с автоколебаниями. Ин-
терференция этих колебаний порождает биения, проявляющиеся в
периодическом изменении амплитуды результирующего колебания.
Средняя частота остается равной или очень близкой к f0. С умень-
шением расстройки частот fc и f0 картина меняется. Частота АГ из-
меняется, сближаясь с частотой внешнего воздействия, и при неко-
тором значении Δf = fc – f0, зависящем от соотношения амплитуд,
АГ начинает работать точно на частоте fc без каких-либо признаков
модуляции. Частота АГ оказывается захваченной (синхронизиро-
ванной) частотой вынуждающей силы. Синхронизация колебаний
широко используется в разнообразных радиотехнических, связных
и измерительных устройствах: для стабилизации частоты АГ, усиле-
ния ЧМ-колебаний, сложения мощности нескольких генераторов и
т.п. Без синхронизации невозможна работа осциллографов.
Синхронизация свойственна всем АГ и имеет место в некоторой
полосе частот 2Δf, называемой полосой синхронизации, или полосой
захватывания. Полоса синхронизации АГ в режиме гармонического
захватывания равна
k ⋅ f0
2Δ f =
Qв н K p − 1 ;
при Kp 1 и k ≈ 1 справедливы соотношения:
f0 f Pc
2Δ f = = 0 ,
Qв н K p Q вн Pвых
где f0 – частота автогенератора до введения синхронизирующего

колебания;
k – коэффициент, зависящий от типа, параметров и режима ра-
боты АЭ и генератора. Для приближенных расчетов можно
полагать k = 1;
Qн Q0 ⋅ Qн
Qв н = = – внешняя добротность КС;
ηк Q0 − Qн
Qн – добротность нагруженной колебательной системы;
Q0 – добротность ненагруженной колебательной системы;
ηк – контурный КПД;
Kp = Pвых/Pс – коэффициент усиления по мощности регенератив-
ного усилителя в режиме синхронизации;
Pс – мощность синхронизирующего колебания;
Pвых – выходная мощность автогенератора до введения синхрони-
зирующего колебания.
При внешнем воздействии на АГ возможно также умножение и
деление частоты воздействия fc в целое число n раз, в результате чего
частота АГ изменяется, становясь равной либо nfc (режим ультра-
гармонического захватывания или умножения частоты), либо fc/n
(режим субгармонического захватывания или деления частоты) [28,
35, 52]. Как и при синхронизации на основной частоте, синхрониза-
ция на гармонике или субгармонике имеет место в некоторой полосе
частот, пропорциональной амплитуде синхронизирующего сигнала.
В некоторых случаях с целью повышения стабильности частоты
магнетронов используют так называемые схемы самосинхронизации
[30]. При этом часть выходной мощности с помощью отрицательной
ОС, состоящей из направленного ответвителя и фазовращателя под-
водится через циркулятор к выходу магнетрона. Таким образом, на
выходе магнетрона получаются две волны: падающая (от магнетро-
на) и отраженная (из цепи внешней ОС). Поскольку для физичес-
ких процессов, происходящих в магнетроне, безразлично происхож-
дение второй волны (отражения от нагрузки или из цепи внешней
ОС), то самосинхронизацию можно рассматривать с точки зрения
явления затягивания частоты.
Процесс синхронизации нелинеен и описывается сложными диф-
ференциальными уравнениями. Простые, пригодные для инженер-
ных расчетов соотношения, характеризующие процесс синхрони-
зации АГ СВЧ, можно получить, рассматривая влияние внешнего
синхронизирующего сигнала на АГ как результат воздействия волны
напряжения, отраженной от нагрузки [7, 40]. Такая трактовка очень
наглядна, поскольку явление синхронизации становится эквивален-
тным явлению затягивания частоты.
Затягивание частоты [4, 6, 7, 9, 16, 19, 21, 35, 84, 103]. Затяги-
ванием частоты называют изменение частоты АГ при изменении
СИНХРОНИЗАЦИЯ И ЗАТЯГИВАНИЕ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 181
полной проводимости нагрузки и фиксированном режиме питания.

Явление затягивания частоты свойственно АГ с многоконтурными
и, в частности, с двухконтурными КС. Такие КС получаются как из-
за введения дополнительных колебательных контуров (например,
для повышения стабильности частоты или увеличения мощности и
КПД), так и из-за влияния других цепей (в том числе паразитных):
резонансной антенны, резонансного волномера, длинного нагрузоч-
ного фидера, в котором не обеспечен режим бегущей волны. Для
последнего случая явление затягивания частоты получило название
эффекта длинной линии.
Анализ явления затягивания частоты обычно проводят на приме-
ре наиболее часто встречающегося на практике АГ с двухконтурной
КС, когда колебательный контур АГ связан с нагрузочным контуром
[6, 7, 9, 19, 21, 30, 35, 69, 84, 103]. При перестройке вторичного (на-
грузочного) контура изменяется проводимость, вносимая из нагруз-
ки в контур АГ. Эта проводимость имеет и активную, и реактивную
составляющие. Изменение реактивной составляющей приводит к
изменению частоты АГ. Характер изменения генерируемой частоты
зависит от величины коэффициента связи kс между контурами. При
слабой связи (kс < 1/Q2, где Q2 – добротность нагрузочного контура)
перестройка нагрузочного контура приводит к плавному изменению
генерируемой частоты. При связи, превышающей критическое зна-
чение, (kкр = 1/Q2) имеют место скачки генерируемой частоты. Это
объясняется тем, что при сильной связи в системе двух связанных
контуров вместо одной появляется три резонансные частоты: ω01,
ω02, ω03 (рис. 9.6, б), АЧХ становится двугорбой, а на ФЧХ появля-
ется область, в которой ∂φ/∂ω > 0, (рис. 9.6, б) то есть не выпол-
няется условие устойчивости баланса фаз АГ. В случае двугорбой
резонансной кривой условия существования автоколебаний могут
выполняться лишь на частотах связи ω01 и ω03 (рис. 9.6, б). Генерация
той или иной частоты зависит от режима работы АЭ и начальных
условий. В мягком режиме работы АЭ возможно существование
только одного колебания с частотой либо ω01, либо ω03, а в жестком
возможно и одновременное существование этих колебаний.
В СВЧ-диапазоне изменение полной входной проводимости АГ
удобно характеризовать в терминах коэффициента стоячей волны
(КСВ) и фазы стоячей волны в точках входного сечения АГ. За вход-
ное сечение обычно принимают сечение выходного фланца АГ, а в
случае АГ с коаксиальным выводом энергии с последующим перехо-
дом на волновод – сечение волновода, соответствующее оси штыря,
служащего переходным элементом между коаксиальным выводом

и волноводом. Затягивание частоты СВЧ-генераторов принято ха-
рактеризовать максимальным изменением частоты, происходящим
при каком-либо фиксированном значении КСВ, если фаза отраже-
ния изменяется на 360°, то есть в любых физически осуществимых
пределах. Максимальное изменение частоты при КСВ, равном 1,5,
называется полосой (параметром, степенью) затягивания.
Эффект длинной линии [6, 7, 9, 16, 21, 39, 40, 69]. При работе АГ с
резонансными КС (в частности, магнетронных) на достаточно длин-
ный фидер, в котором не обеспечен режим бегущей волны, может
возникать неустойчивость частоты – эффект длинной линии. При-
чиной неустойчивости является резкая зависимость от частоты ре-
активной составляющей проводимости нагрузки АГ, или, что то же,
фазы коэффициента отражения φ во входном сечении АЭ
∂φ/∂ω = 2l/vф.
Генерируемая частота, в свою очередь, зависит от фазы коэффи-
циента отражения. Соответствующая зависимость выражается на-
грузочными характеристиками АГ. Таким образом, при изменении
частоты изменяется, в силу свойств фидера, фаза φ, а при изменении
фазы изменяется, в силу свойств АГ, генерируемая им частота, при-
чем в ту же сторону. Если обе производные ∂φ/∂ω и ∂ω/∂φ являют-
ся величинами одного знака, изменения фазы и частоты происходят
в одну и ту же сторону. При выполнении условия
∂ϕ ∂ω
>1
∂ω ∂ϕ
наступает неустойчивость по частоте, и возникают перескоки час-
тоты.
Наибольшая длина фидера, соединяющего автогенератор с на-
грузкой, при которой в автогенераторе еще не возникают перескоки
частоты, равна
5 (1 − Г ) vФ
2
lк р = ⋅ ⋅ ,
48π Г F0
где Г = ( ρ − 1) / ( ρ + 1) – модуль коэффициента отражения;

vф – фазовая скорость волны в фидере;
F0 – полоса затягивания при |Г| = 0,2;
ρ = Umax/Umin = Emax/Emin – коэффициент стоячей волны (КСВН).
СТАБИЛЬНОСТЬ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 183
Сокращенной записью в виде КСВН иногда пользуются, чтобы

подчеркнуть, что измеряемой величиной является напряжение (или
напряженность электрического поля) в максимуме и в минимуме
стоячей волны.
9.10. Стабильность частоты

Влияние дестабилизирующих факторов [6, 7, 9−11, 17 19, 39–41,
50, 64, 69, 71−73, 79, 84, 91, 103]. Стабильность частоты является од-
ним из важнейших параметров передатчика. В большинстве случаев
она определятся только стабильностью частоты его автогенерато-
ра. Стабильностью частоты колебаний называют постоянство ее
во времени. Воздействие внешних дестабилизирующих факторов и
внутренних шумов приводит к тому, что колебания на выходе АГ не
являются монохроматическими и могут быть представлены в виде
узкополосного сигнала со случайно изменяющейся амплитудой U(t)
и фазой φ(t)
u(t) = U(t) cos [ωot + φ(t)] = [Uo + ΔU(t)] cos Ф(t),
где Uo – среднее значение амплитуды колебаний;
ΔU(t) – отклонение амплитуды от ее среднего значения;
Ф(t) – полная текущая фаза колебаний.
Мгновенная частота такого колебания равна
ω(t) = dФ (t)/dt = ωo + Δω(t),
где ωо – не изменяющееся (среднее) значение частоты;
Δω(t) = dФ(t)/dt – отклонение мгновенного значения частоты от
среднего значения, содержащее в своем составе и медленные,
и быстрые компоненты.
Медленные изменения частоты имеют в основном детермини-
рованный характер и обусловлены преимущественно изменением
температуры и старением деталей АГ.
Изменение температуры АГ может происходить за счет измене-
ния температуры окружающей среды и за счет саморазогрева АЭ и
колебательной системы. Изменение температуры приводит к изме-
нению одного или нескольких фазовых углов, входящих в уравнение
баланса фаз, что сопровождается изменением частоты генерируемых
колебаний. Влияние температуры на частоту АГ количественно оце-

нивают так называемым температурным коэффициентом частоты,
равным
ТКЧ = Δf/(ΔТ · f),
где ΔТ – изменение температуры. Относительное изменение частоты
АГ при изменении температуры равно
Δf/fo = ΔТ · ТКЧ.
Влияние температуры на резонансную частоту КС автогенера-
тора оценивают температурным коэффициентом частоты контура,
равным
ТКЧ = −0,5(ТКЕ + ТКИ),
где ТКЕ = ΔС/(С ΔТ) и ТКИ = ΔL/(L ΔТ) – температурные коэффи-
циенты емкости и индуктивности.
Основные параметры типичных автогенераторов на LС, ПАВ и
кварцевых резонаторах приведены в табл. 9.3.
Таблица 9.3. Параметры автогенераторов
Максимальная Диапазон
Тип Добротность ТКЧ
перестройка рабочих
автогенератора КС (–30…+70°,С)
частоты, % частот, Гц
LC 10 – 103 10-5 – 10-4 ±30 103 – 1011

ПАВ 102 – 104 10-6 ±10 107 – 109
Кварцевый 103 – 107 Менее 10-6 ±0,05 103 – 108
Быстрые изменения частоты обязаны своим происхождением

шумам, вибрациям, пульсациям питающих напряжений и другим
быстроизменяющимся воздействиям, носящим обычно случайный
характер.
По физической природе дестабилизирующие факторы можно раз-
делить на две группы: технические и естественные.
Основными техническими дестабилизирующими факторами
являются изменения температуры, давления и влажности, механи-
ческие деформации, изменения параметров нагрузки и фликкер-
ные эффекты в элементах передатчика. Их величина существенно
зависит от типа используемых деталей и материалов, технологии
производства и мер, принятых для ослабления их влияния. Напри-
мер, у проволочных сопротивлений никакого фликкерного шума не
обнаруживается. Технические шумы – фликкерный шум и флуктуа-
ция параметров обязаны нестабильности электрических параметров

элементов радиосхем таких, например, как сопротивление, емкость,
крутизна АЭ. Чаще всего технические шумы обладают низкочас-
тотным спектром. Фликкерный шум, иначе называемый шумом эф-
фекта мерцания, шумом 1/f, низкочастотным или избыточным, был
впервые обнаружен при исследовании шумов электронных ламп. На
частотах менее примерно 1 кГц интенсивность шума резко возрас-
тала. Первую теорию и название этого шума предложил Шоттки в
1926 г. Следует отметить, что реальный физический процесс не мо-
жет обладать чисто фликкерным спектром, пропорциональным 1/f
во всем диапазоне частот. В большинстве схем АГ фликкерный шум
существует в диапазоне частот от 0,1 Гц до 5…10 кГц. Технические
дестабилизирующие факторы имеют в своем составе, помимо флук-
туационной, и детерменированные (регулярные) составляющие (из-
менение частоты при прогреве, фон источников питания и т. п.). Они
оказывают влияние на параметры радиочастотных колебаний не не-
посредственно, а через изменение параметров КС и АЭ. В принципе
технические дестабилизирующие факторы могут быть устранены,
однако на практике именно они являются основными источниками
нестабильности параметров автоколебаний.
К естественным дестабилизирующим факторам относят тепло-
вые и дробовые шумы. Естественные шумы – тепловой и дробовой,
соответственно обязаны тепловому движению носителей заряда и
дискретной природе заряда. Эти шумы влияют на работу АГ только
теми составляющими своего спектра, которые находятся в пределах
полосы пропускания КС путем непосредственного изменения пара-
метров автоколебаний. Естественные дестабилизирующие факторы
являются сравнительно быстрыми временными процессами. Они
принципиально не могут быть устранены и существуют всегда, неза-
висимо от типа используемых деталей и технологии производства.
Воздействие дестабилизирующих факторов на параметры АЭ и
КС автогенератора приводит к изменению одного или нескольких
фазовых углов, входящих в уравнение баланса фаз φs + φк +φ = 0, что
сопровождается изменением частоты автоколебаний. Относительное
отклонение частоты АГ при малых фазовых углах φs и φк равно
Δω/ω = 0,5(φs + φк )/Q = –0,5φ/Q,
где φs – фазовый угол крутизны АЭ;
φк – фазовый угол коэфициента ОС;
φ – фазовый угол КС.
Из последнего равенства видно, что изменения генерируемой

частоты тем меньше, чем меньше φs + φк и чем больше добротность
КС. Поэтому в высокостабильных АГ необходимо использовать АЭ
с малым фазовым углом (φs ≈ 0), в которых на частоте автоколеба-
ний еще не проявляются инерционные свойства, и уменьшать сдвиг
фазы в цепи ОС.
Крутизна фазовой характеристики контура dφ/dω максимальна
вблизи его резонансной частоты. Поэтому выбором схемы и пара-
метров АГ нужно стремиться, чтобы частота автоколебаний была
близка к резонансной частоте КС.
Суммарное отклонение частоты как при нарушении баланса фаз,
так и под влиянием отклонений резонансной частоты КС выража-
ется формулой (в предположении, что оба фактора вызывают изме-
нения частоты в одну сторону)
Δω/ω = 0,5|φs + φк|/Q + Δωо/ω.
Поэтому КС высокостабильного АГ, кроме высокой добротности,
должна также обладать свойством эталонности (постоянства) своей
резонансной частоты ωо при тряске, изменении температуры, влаж-
ности и т. п.
Чтобы соседние цепи слабо влияли на величину резонансной час-
тоты КС, должна быть применена ослабленная связь КС с соседни-
ми цепями и правильно выбрана величина емкости С эталонного
контура. Характеристическое сопротивление эталонного контура
ρ=1/(ωС), используемого при параллельном резонансе, должно быть
очень малым, а используемого при последовательном резонансе –
большим. Всем перечисленным требованиям к КС высокостабиль-
ных АГ в наибольшей степени удовлетворяют КС в виде кварцевых
пластин (кварцевые резонаторы). Они имеют очень высокие добро-
тности и характеристические сопротивления. Эталонность, то есть
постоянство во времени, резонансных частот кварцевых пластин
очень высока. В табл. 9.4 приведены основные параметры некото-
рых термокомпенсированных и прецизионных термостатированных
кварцевых генераторов [75, 79], где обозначено:
fвых − выходная частота;
δкр − кратковременная нестабильность частоты за 1 с;
δдол − долговременная нестабильность частоты за 1 год;
Р − мощность энергопотребления.
Таблица 9.4. Параметры высокостабильных кварцевых генераторов

Тип Модель, сайт,
f , МГц δкр δдол Р, Вт
генератора вых производитель
±3·10-6 ГК88-ТК,
Термокомп. 9…20 0,05
за 15 лет ОАО Морион
±2·10-6 ГК144-ТК,
Термокомп. 9…20 0,1
за 15 лет ОАО Морион
ГК142,
Термоcтаб. 4…16 1·10-12 1·10-8 4
ОАО Морион
253,
Термостаб. 1; 10 1·10-12 3·10-8 3
www.mti-milliren.com
CFPO-2S,
Термостаб. 5…13 5·10-12 8·10-9 8
www.cmac.com
FTS9300,
Термостаб. 45…135 5·10-12 1·10-8 1
www.symmetricom.com
Измерение нестабильности частоты [17, 50, 71, 73, 91]. Для ко-
личественной оценки медленных и быстрых изменений частоты
используют понятия долговременной, средневременной и кратковре-
менной нестабильности частоты. Измерение частоты всегда связано
с усреднением за определенный интервал времени τ. Поэтому все
частотомеры регистрируют не мгновенную, а среднюю частоту, оп-
ределяемую как
t1 + τ
1 Φ (t1 + τ) − Φ (t1 ) ,
ωср. (t1 , τ) =
τ ∫ ω(t )d t =
t1
τ
где t1 – момент начала измерения;
τ – интервал усреднения.
Для оценки долговременной нестабильности частоты принимают
интервал усреднения τ, равным одним суткам при времени наблю-
дения Тн один месяц, шесть месяцев или один год. Для оценки крат-
ковременной нестабильности частоты обычно принимают τ равным
1 мс, 10 мс и 100 мс при Тн = 100 с. Измерения средневременной
нестабильности проводят при промежуточных значениях τ и Тн.
Нестабильность частоты характеризуется абсолютным
Δω(t) = ω(t) − ωср. или относительным Δω(t)/ωср. отклонением мгно-
венной частоты от ее среднего значения ωср.
Для оценки абсолютного значения долговременной нестабиль-
ности частоты на практике обычно используется следующая вели-
чина:
Δfдол = fср.(t1 + Тн, τ) − fср (t1, τ),

где t1 – момент начала измерения;
fср = 0,5 ωср/π.
В случае проведения нескольких однотипных измерений в ка-
честве меры нестабильности принимается среднее арифметическое
результатов N изменений
N
1
Δ f дол. =
N
∑[ f
i =1
ср (ti + Т н ,τ ) − f с р (ti ,τ ) ] .
Абсолютное значение кратковременной нестабильности часто-
ты определяется как среднеквадратичное отклонение мгновенной
частоты относительно истинного значения частоты fо
N
1
Δf к р =
N
∑ Δf
i =1
2
ср
(ti , τ) ,
где Δfср (ti, τ) = fср (ti, τ) − fо;

N – число измерений усредненной частоты;
ti – момент начала i-го измерения;
Тн = tN – ti – время наблюдения, равное интервалу времени между
началом первого и последнего измерений.
При обработке результатов измерений определяют [71, 100−102]:
N
1
• среднее значение частоты fср =
N
∑ f (t , τ) ;
i =1
i
N
1
• оценку дисперсии D[ f с р (ti )] = σ =
N
2
∑ Δf
i =1
2
(ti , τ) ;
• абсолютную кратковременную нестабильность частоты (сред-
неквадратичное отклонение мгновенной частоты относительно
среднего значения) σ = D[ f с р (ti )] ;
• относительную нестабильность частоты σ / f с р = D / fср ,
где N – число измерений усредненной частоты;
Δf (ti , τ) = f (ti , τ) − f с р − отклонение частоты от среднего зна-
чения частоты fср при i-м измерении для данной серии изме-
рений и времени усреднения τ.
НЕЛИНЕЙНОЕ УРАВНЕНИЕ АВТОГЕНЕРАТОРА 189
Поскольку каждую серию измерений частоты выполняют при не-

изменном значении выбранного интервала усреднения, расчетные
соотношения можно представить в следующем виде [71 ]:
N N
1 1
fср =
N
∑f
i =1
i , D[ f с р (ti )] =
N
∑( f
i =1
i − fср )2 ,
где fi – результат i-го измерения частоты.

Для расчета нестабильности частоты по результатам измерений
целесообразно использовать ПК. Возможный вид окна программы
на языке Delphi при десяти измерениях частоты 2,5 МГц показан
на рис. 9.23.
Рис. 9.23. Окно программы вычисления нестабильности частоты
9.11. Нелинейное уравнение

автогенератора
На рис. 9.24 показаны схемы автогенераторов с трансформаторной
обратной связью при последовательной (рис. 9.24, а) и параллель-
ной (рис. 9.24, б) схемах замещения колебательного контура. Ак-
тивными элементами таких АГ могут быть электронные лампы или
транзисторы.
На рис. 9.25 показаны схемы АГ на двухполюсниках с отрицатель-
ным дифференциальным сопротивлением. Активными элементами
таких АГ могут быть, например, ТД, диоды Ганна или так называе-
мые транзитронные генераторы, работающие на пентодах. Исполь-
i=f(uЗ ) iL i=f(uЗ) iL
iC i iR
r C
M C M r
uЗ uЗ
L L C R
u
uC
+E +E
а б
Pис. 9.24. Схемы автогенераторов с трансформаторной ОС
зованы последовательная (рис. 9.25, а) и параллельная (рис. 9.25, б)

схемы замещения колебательного контура.Параллельная схема за-
мещения колебательного контура, не меняя сути дела, упрощает со-
ставление дифференциального уравнения для напряжения u, дейст-
вующего на контуре.
Составим уравнение для АГ по схеме (рис. 9.25, а). При обозна-
ченных направлениях токов в соответствии с законами Кирхгофа
для этого АГ имеем следующую систему уравнений:
f (u ) + iC + iL = 0, iC = C d u / d t , u = L d iL / d t + r iL .
du
Подставив в последнее уравнение значение тока iL = − f (u ) − C ,
dt
d 2u d
получим LC + [u r C + L f (u ) ]+ u + r f (u ) = 0 .
dt2 dt
Пренебрегая в этом ДУ последним членом, что справедливо при
Q 1, получим нелинейное ДУ, описывающее поведение АГ при
любых режимах работы,
i=f(u) i=f(u)
iL iC iL iR
iC
C r R
C
АЭ u АЭ u
L L
а б
Рис. 9.25. Схемы автогенераторов на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением
МЕТОД МЕДЛЕННО МЕНЯЮЩИХСЯ АМПЛИТУД. КВАЗИЛИНЕЙНЫЙ МЕТОД 191
d 2u d
LC + [L f (u ) + u r C ]+ u = 0.
dt2 dt
d f (u ) d f (u ) d u
Используя тождество = и учитывая, что для на-
dt du dt
растания амплитуды колебаний коэффициент при первой производ-
ной должен быть отрицательным, последнему ДУ можно придать
вид, более удобный для дальнейшего анализа,
d 2u d u ⎡ 1 d f (u ) r ⎤ 2
2
− ⎢ − ⎥ + ω0 u = 0, (9.1)
dt d t ⎣C d u L⎦
где ω02 = 1/(LC) – резонансная частота КС;
df(u)/du – модуль дифференциальной крутизны АЭ.
На рабочем (падающем) участке ВАХ активного элемента эта
крутизна отрицательна.
Поведение всех одноконтурных LC-автогенераторов описывают
однотипные нелинейные дифференциальные уравнения.
9.12. Метод медленно меняющихся

амплитуд. Квазилинейный метод
Для приближённого описания процессов в АГ с высокодобротной КС
обычно используют метод медленно меняющихся амплитуд (метод
Ван-дер-Поля) и переходят к так называемому укороченному ДУ,
содержащему лишь производную первого порядка [6, 35, 83, 84].
Сущность метода медленно меняющихся амплитуд состоит в том,
что предполагаемое решение нелинейного ДУ ищется в виде
u = U(t) cosωt (9.2)
причем амплитуда U(t) предполагается медленной функцией време-
ни в том смысле, что относительные изменения амплитуды за пе-
риод высокочастотного колебания малы (∆U/U 1). Функция U(t)
выражает то, что в радиотехнике называется огибающей. В процессе
установления автоколебаний меняются как амплитуда, так и часто-
та автоколебаний. Поскольку изменения частоты обычно невелики,
неизвестную пока частоту ω будем считать постоянной. Для того,
чтобы подставить принятое решение (9.2) в исходное ДУ (9.1), нуж-
но совершить операции дифференцирования. После двухкратного
дифференцирования предполагаемого решения получим
du dU
= cos ωt − ωU sin ωt ,
dt dt
d 2u d 2U dU
2
= 2 cos ωt − 2ω sin ωt − ω 2U cos ωt.
dt dt dt
Так как величины sin ωt и cos ωt соизмеримы, то при сравнении
слагаемых в выражениях для первой и второй производных сопос-
тавляем их сомножители. Имея в виду условие медленности изме-
нения амплитуды отбросим в значениях производных малые слага-
емые и получим
du d 2u dU
= −ωU sin ωt , 2
= −2ω sin ωt − ω2U cos ωt (9.3)
dt dt dt
Подставив (9.3) в (9.1) и приравняв нулю суммы коэффициентов
при sin ωt и cos ωt, получим
d U U ⎡ d f (u ) 1 ⎤
ω = ω0; − − ⎥ = 0, (9.4)
d t 2C ⎢⎣ d u R⎦
где R = L/(rC) – резонансное сопротивление нагруженной КС.
Из первого уравнения следует, что частота колебаний ω равна
резонансной частоте колебательной системы ω0. Второе уравнение –
так называемое укороченное ДУ.
Метод укороченного уравнения значительно упрощает последую-
щие этапы анализа, поскольку уравнение (9.4) содержит лишь про-
изводную первого порядка.
Для практического использования укороченного уравнения (9.4)
нужно перейти от мгновенного значения крутизны df(u)/du к амп-
литудному. Этот переход можно осуществить при помощи так назы-
ваемого квазилинейного метода, разработанного Ю. Б. Кобзаревым
[6, 9, 35, 39, 50, 58, 71, 83, 84]. Квазилинейный метод применяется
для исследования автогенераторов и других устройств, в которых
форма напряжений (или токов) близка к гармонической. Сущность
этого метода состоит в замене нелинейного элемента эквивалентным
линейным, характеризуемым средним параметром (параметром по
первой гармонике). Нелинейность схемы проявляется в зависимос-
ти среднего параметра от амплитуды.
Переход от мгновенных значений крутизны к амплитудным может
быть совершен следующим образом. При напряжении u = U(t) cosω0t
ток f(u) будет определяться выражением
f(u) = I0 + I1 cosω0t + I2 cos2ω0t + ….
МЕТОД МЕДЛЕННО МЕНЯЮЩИХСЯ АМПЛИТУД. КВАЗИЛИНЕЙНЫЙ МЕТОД 193
При Q 1 влиянием всех высших гармоник можно пренебречь,

то есть приближенно считать f(u) = I0 + I1 cosω0t. Дифференцируя
по времени выражения для напряжения и тока, получим
du d f (u )
= −ω0U sin ω0t , = −ω0 I1 sin ω0t .
dt dt
Сопоставив последние равенства, получим
d f (u ) I1
= = S1 = G1 ,
du U
где I1 – амплитуда первой гармоники тока;
S1– модуль средней за период колебаний крутизны (крутизны по
первой гармонике выходного тока АЭ);
G1– модуль средней за период колебаний отрицательной прово-
димости АЭ, определённой по первой гармонике тока.
Обозначение крутизны S обычно используют для ламп и транзис-
торов, а проводимости G – для двухполюсников.
Для определения амплитуды первой гармоники тока I1 использу-
ют как графический, так и аналитический методы. В радиотехнике
наибольшее распространение получили методы трёх и пяти ординат,
одинаково пригодные для графических и аналитических методов
расчёта. Метод пяти ординат является более точным, а метод трёх
ординат – наиболее простым.
Достоинством графического метода является наглядность. Пример
использования графического метода трёх ординат дан на рис. 9.26.
Для заданной рабочей точки А и амплитуды колебаний U находят
по ВАХ значения токов imax и imin и подставляют их в расчетную
формулу I1 = 0,5(imax – imin).
5
i,мА
4
2
i max i min
1
0 U,В
0.2 0.4 0.6 0.8
Рис. 9.26. Вольт-амперная характеристика туннельного диода

Аналитические методы расчёта являются более общими и, как

правило, менее громоздкими. Однако для осуществления аналити-
ческого расчёта необходимо иметь аналитическое выражение ВАХ.
В радиотехнике обычно используют аппроксимацию ВАХ отрезка-
ми прямых или степенным полиномом.
В общем случае можно использовать известную формулу ряда
2π
1
Фурье I1 =
π ∫ f (ωt ) cos ωt d t , однако при аппроксимации ВАХ
0
степенными полиномами можно достичь существенного упрощения
в выкладках, воспользовавшись известными тригонометрическими
формулами.
Наиболее употребительные формулы, используемые при гармо-
ническом анализе колебаний:
1 1
sin 2 α = − cos 2α ; sin 4 α =
3 1 1
− cos 2α + cos 4α ;
2 2 8 2 8
3 1 5 5 1
sin 3 α = sin α − sin 3α ; sin 5 α = sin α − sin 3α + sin 5α .
4 4 8 16 16
При аппроксимации ВАХ укороченными полиномами третьей
f(u) = a1u + a3u3 и пятой f(u) = a1u + a3u3 + a5u5 степени средняя
крутизна соответственно равна
3 3 5
S1 = a1 + a3U 2 и S1 = a1 + a3U 2 + a5U 4 .
4 4 8
Введем выражение средней крутизны в укороченное дифферен-
циальное уравнение (9.4)
dU U ⎡ 1⎤ dU U ⎡ 1⎤
− ⎢ S1 − ⎥ = 0 или − ⎢G1 − ⎥ = 0 (9.5)
d t 2C ⎣ R⎦ d t 2C ⎣ R⎦
Полученное уравнение составлено относительно амплитудных
значений напряжения U. Подставив в это уравнение выражение
средней крутизны, получим нелинейные ДУ первого порядка, ко-
торое всегда может быть решено методом разделения переменных.
Используя уравнение (9.5), можно найти амплитуду колебаний в
стационарном режиме, исследовать устойчивость режима и опреде-
лить динамику процесса установления амплитуды автоколебаний.
При аппроксимации полиномами третьей и пятой степени стацио-
нарные амплитуды колебаний соответственно равны
ПРОЦЕСС УСТАНОВЛЕНИЯ АМПЛИТУДЫ АВТОКОЛЕБАНИЙ 195
1/ R − a1 3a3 ⎛ 3a ⎞
2
8
U =2 и U2 = − + ⎜ 3 ⎟ − (a1 − 1/ R ) .
3a3 5a5 ⎝ 5a5 ⎠ 5a5
9.13. Процесс установления амплитуды

автоколебаний
Используя укороченное ДУ (9.5), можно исследовать динамику про-
цесса установления амплитуды автоколебаний. Расчёты существен-
но упрощаются, когда нужно найти не закон изменения во времени
амплитуды автоколебаний, а лишь время нарастания амплитуды
колебаний от начального до установившегося значения. В этом
случае характеристику средней крутизны (или проводимости) АЭ
можно аппроксимировать отрезками прямых G1 = zG0 (рис. 9.27).
В мягком режиме можно полагать коэффициент z, равным 0,8, а в
жёстком – 1,2.
G1 zG0 G1
G0 zG0
G0 1/R
1/R
U
0 Uн U 0 Uн
U ст U ст
а б
Рис. 9.27. Аппроксимация характеристик средней проводимости:
а – в мягком; б – в жестком режимах работы
Решив уравнение (9.5) при G1 = zG0, определим время установ-
ления амплитуды колебаний от начала самовозбуждения до устано-
вившегося значения
2 RC U CT
ty = ln ,
z RG0 − 1 U H
где UН и UСТ – начальная и стационарная амплитуда колебаний;
R и C – резонансное сопротивление и ёмкость нагруженной ко-
лебательной системы.
Начальная амплитуда колебаний зависит от напряжения шумов в
АГ, напряжения внешнего воздействия и напряжения ударного воз-
буждения при включении питающих напряжений.
Амплитуда напряжения ударного возбуждения КС автогенерато-

ра при включении питающих напряжений равна
di ρ d iL R d iL
U уд = L L = или U у д = 160 [Ом, МГц, мА/мкс, мкВ],
d t ω0 d t Q f0 d t
где R = Qρ – резонансное сопротивление нагруженной КС;
f0 – резонансная частота;
diL/dt – скорость изменения тока в индуктивности контура, рав-
ная скорости изменения выходного тока АЭ.
9.14. Шумы в автогенераторах

В радиоэлектронных устройствах основное влияние оказывают
дробовой и тепловой шумы. Влияние фликкер-шума (шум 1/f) на
высоких частотах гораздо меньше, поскольку его спектральная плот-
ность обратно пропорциональна частоте. В оптическом диапазоне
преобладают квантовые шумы. Влиянием квантовых шумов мож-
но пренебрегать до тех пор, пока соблюдается условие hf kT, где
h = 6,63·10-34 Дж·c – постоянная Планка.
Дробовой шум
Дисперсия (средний квадрат) и эффективное (среднеквадратич-
ное) значение флуктуационной составляющей тока равны (фор-
мула Шоттки) [6, 17, 83, 84]
2
σ i = 2e I 0 Δf ; σ i = σ i 2 ,
где e = 1,6·10-19 Кл – заряд электрона;
I0 – среднее значение тока;
∆f – полоса шумов.
Для численных расчетов удобно использовать равенство
σ i = 1,8 ⋅ 10 −5 I 0 Δf [мA, МГц].
Эффективное значение шумового напряжения равно [6, 17, 83, 84]:
• на резистивном сопротивлении R
Uдр = σu = σiR или U д р = 0,018 R I 0 Δf [Ом, мА, МГц, мкВ];
• на нагрузке в виде параллельного соединения R и C
U д р = 0 ,5eRI 0 / C или U д р = 9 R I 0 / C [Ом, мА, пФ, мкВ];

ШУМЫ В АВТОГЕНЕРАТОРАХ 197
• на нагрузке в виде параллельного колебательного контура

LC, шунтированного омическим сопротивлением R,
U д р = 0,5e R I 0 / C = 2,83 ⋅10 −10 R I 0 / C = 7,1 ⋅10 −10 R I 0 ⋅ 2Δ f 0, 7 или
R
I 0 R 3570 I0
U д р = 8,94 = I 0 2Δf 0 ,7 = [Ом, мА, пФ, МГц, мкВ],
C 44 ,6 C 2Δf 0 ,7
где 2∆f0,7 – полоса пропускания контура по уровню 0.707. Эта
полоса в /2 раза меньше шумовой (энергетической) полосы
контура ∆f [6, 83, 84].
Отношение колебательной мощности АГ к мощности его дробо-
вого шума Pдр равно
P1 Pд р = ( U U д р )2 = 1018 I 0 g12 2Δf 0 ,7 ,[A,Гц],
где I0– среднее значение тока АЭ;
g1 = I1/I0 – коэффициент формы тока.
В транзисторных и ламповых генераторах величина коэффициен-
та g1, в зависимости от угла отсечки θ, равна 1…2. В диодных гене-
раторах отношение токов I1/I0 зависит от материала диода и режима
работы генератора и обычно g1 ≤ 1. Например, коэффициент фор-
мы тока в генераторах на лавинно-пролетных диодах, работающих
в IМРАТТ-режиме, принимают равным 0,4 [71]. В генераторах на
диодах Ганна из арсенида галлия, работающих в пролетном режи-
ме, величина коэффициента g1 близка к 0,3, а в ОНОЗ-режиме – к
единице [71]. В генераторах на ТД из арсенида галлия, работающих
в режиме максимальной колебательной мощности, g1 ≈ 1 [23].
Тепловой шум
Дисперсия (средний квадрат) и эффективное (среднеквадратич-
ное) значение шумового напряжения на резистивном сопротивле-
нии R равны [17, 83, 84] (формула Найквиста):
σ u2 = U T2 = 4kTRΔf ; U T = U T2 ,
где k = 1,38·10-23 Дж/К – постоянная Больцмана;
T – абсолютная температура в кельвинах (K = °C + 273,16);
∆f – полоса шумов.
Для численных расчетов удобно использовать равенство
U T = 7 ,4 ⋅ 10 −3 T RΔf [Ом, МГц, мкВ].
Эффективное значение шумового напряжения на нагрузке в

виде параллельного колебательного контура LC, шунтированного
омическим сопротивлением R, равно
U T = 2πkTR ⋅ 2Δf 0, 7 .
Для численных расчетов при T = 293K= 20°C удобно использовать
следующие равенства:
U T = 0 ,16 2Δf 0 ,7 R = 64 C [Ом, МГц, пФ, мкВ],
где 2∆f0,7 – полоса пропускания контура по уровню 0,707. Эта полоса

в /2 раз меньше энергетический полосы контура [6, 83, 84].
Часто под σi2 и σu2 понимают средние мощности, выделяемые
соответственно флуктуациями тока и напряжения на резистивном
сопротивлении, равном 1-ому.
При сложении двух шумов (двух некоррелированных сигналов)
складываются квадраты их амплитуд. Эффективное значение сум-
марного шумового напряжения равно
U Ш = U д2р + U T2 .
Амплитуда напряжения шума UШ max в данный конкретный мо-
мент непредсказуема, но она подчиняется закону распределения
Гаусса и потому обычно принимают, что выброс шумового напря-
жения примерно в 3 раза превышает его эффективное значение
UШ max = 3UШ.
Отношение шумовых напряжений на нагрузке в виде парал-
лельного колебательного контура LC, шунтированного омическим
сопротивлением R, равно
U др e
= RI0 .
UT 2k T
Реальный спектр теплового шума ограничен предельной часто-

той
fmax = kT/h,
где h = 6,63·10-34 Дж·c – постоянная Планка.
На более высоких частотах напряжение теплового шума быстро
убывает.
ФЛУКТУАЦИИ ЧАСТОТЫ И ФАЗЫ АВТОКОЛЕБАНИЙ 199
9.15. Флуктуации частоты

и фазы автоколебаний
Эффективное (среднеквадратичное) значение частотной флуктуа-
ции автоколебания равно
f0 σ i f PШ f U
Δf э ф = = 0 = 0 Ш
2Q I1 2Q P1 2Q U .
Частотная флуктуация автоколебаний, обусловленная дробо-
вым шумом АЭ, равна
5 ⋅ 10 −10 ( 2Δf 0 ,7 )3 2
Δf э ф = [Гц,А].
g1 I 0
Среднеквадратичный набег фазы автоколебания, обусловлен-
ный влиянием шумов, равен
σi ω0 Δt PШ U
ϕэ ф = = 2Δω0, 7 Δt = Ш 2Δω0, 7 Δt ,
I1 Q P1 U
где f0, Q и 2∆f0,7, 2∆ω0,7 – резонансная частота, добротность и полоса
пропускания колебательного контура АГ;
σi – эффективное значение флуктуационной составляющей вы-
ходного тока АГ;
I0 – среднее значение выходного тока АЭ;
I1 – амплитуда первой гармоники выходного тока АЭ;
U и UШ – амплитуда колебаний и эффективное значение шумо-
вого напряжения на контуре АГ;
g1 = I1/I0 – коэффициент формы тока;
P0 – колебательная мощность АГ;
PШ – мощность шумов в АГ;
∆t – промежуток времени, за который определяется набег фазы
автоколебания.
Среднеквадратичная погрешность радиолокационного допле-
ровского измерителя скорости, обусловленная флуктуационным
набегом фазы автоколебания ∆φэф за время ∆t, при учете влияния
теплового и дробового шума АГ равна
c Δt PШ
σV = .
2TИ Q f 0 P1
При доминирующем влиянии дробового шума АГ эта погреш-

ность равна
0 ,1 Δt
σV = ,
TИ Q g1 I0
где TИ – время измерения (интервал усреднения) скорости;
∆t = 2R/c – промежуток времени, за который определяется набег
фазы автоколебаний;
R – дальность действия измерителя (расстояние между измери-
телем и объектом);
f0 и Q – резонансная частота и добротность нагруженной колеба-
тельной системы АГ;
g1 = I1/I0 – коэффициент формы тока;
с – скорость света.
9.16. Паразитная автогенерация

Паразитной называют автогенерацию нежелательную, возникаю-
щую самопроизвольно. Существуют различные причины паразитной
автогенерации. В большинстве случаев паразитные колебания су-
ществуют за счет ОС. Автогенерация за счет ОС возможна на любой
частоте во всех тех случаях, когда оказываются выполненными ус-
ловия существования автоколебаний. Условие самовозбуждения ко-
лебаний для паразитной автогенерации не является обязательным,
так как при достаточно большой амплитуде внешнего воздействия
(включение источника питания, внешние электромагнитные поля
и т.п.) автоколебания возникают и в жестком режиме работы АЭ.
Паразитная автогенерация возможна как в АГ, так и в каскадах не-
зависимого возбуждения.
Для предотвращения паразитной автогенерации за счет обрат-
ной связи достаточно нарушить хотя бы одно из условий существо-
вания автоколебаний. Обычно уменьшают величину резонансного
сопротивления паразитных колебательных контуров и величину
коэффициента ОС. Для уменьшения резонансного сопротивления
используют специальные антипаразитные сопротивления. Их дейс-
твие должно быть таково, чтобы они, устраняя паразитную автоге-
нерацию, не нарушали бы правильную работу каскадов на рабочей
частоте. Для этого используют либо различия в частотах рабочей
и паразитной генерации, либо различия в распределении токов в
ПАРАЗИТНАЯ АВТОГЕНЕРАЦИЯ 201
различных участках цепей. Для уменьшения коэффициента ОС ис-

пользуют АЭ с малыми проходными емкостями (тетроды и пенто-
ды), а также схемы усиления с общей сеткой. При неизменной вели-
чине проходной емкости коэффициент связи входного и выходного
контура будет тем меньше, чем больше емкости этих контуров.
Эффективный способ ослабления ОС через проходную емкость –
использование нейтродинных схем. Идея нейтродинных схем состо-
ит в компенсации (нейтрализации) вредной связи между входной и
выходной цепями при помощи искусственно создаваемой обратной
связи. Эта компенсирующая связь осуществляется обычно при по-
мощи специального так называемого нейтродинного конденсатора,
через который проходит ток, равный по амплитуде и противопо-
ложный по фазе емкостному току, проходящему через проходную
емкость АЭ. Наиболее просто нейтрализация осуществляется в
двухтактных генераторах.
Устранение паразитных колебаний, возникающих за счет обрат-
ной связи с мощных каскадов на его первые каскады, достигается
экранировкой входных и выходных цепей, правильным расположе-
нием элементов передатчика, устранением длинных высокочастот-
ных соединительных проводов, а также использованием в промежу-
точных каскадах умножителей частоты.
Для устранения прерывистой автогенерации уменьшают величи-
ну емкостей и сопротивлений в цепи автосмещения.
Основные меры борьбы с параметрической неустойчивостью –
снижение добротности паразитных контуров и глубины модуляции
их реактивных параметров.
Рассмотрим три примера возникновения паразитных автоколе-
баний. Первый пример – усилитель с колебательными контурами в
цепи сетки и анода ( рис. 9.28, а). В этой схеме жирными линиями
выделены индуктивности выводов и монтажа (соединительных про-
водников). Эти индуктивности и межэлектродные емкости играют
основную роль в диапазоне частот, много выше рабочей. Сопротив-
ление же рабочих контуров на высоких частотах мало и им можно
пренебречь. Эквивалентная схема усилителя на высоких частотах
показана на рис. 9.28, б. Ее можно рассматривать как двухконтурный
АГ. На частоте возможной генерации оба эти контура должны иметь
индуктивные сопротивления, а сама схема представляет индуктив-
ную трехточку.
Другим примером может служить АГ по схеме Клаппа с зазем-
ленной базой (рис. 9.29, а). Такую схему обычно используют при
L2
Саg Cаg L2
L1 Сак Сак
Сgк
Сgк L1
Рис. 9.28. Схемы усилителя: а – принципиальная; б – эквивалентная
осуществлении ЧМ, поскольку варикап со сравнительно малой ем-

костью может быть полностью подключен к колебательному конту-
ру АГ (между точкой “a” и корпусом). Эквивалентная схема АГ по
переменному току показана на рис. 9.29, б. В диапазоне частот, много
ниже рабочей, сопротивление емкости С3 велико, так что влиянием
цепи С3L1 можно пренебречь. На частоте возможной генерации кон-
денсаторы С1, С2 и дроссель в цепи питания L2 образуют емкостную
трехточку. Для устранения паразитных колебаний в контур С1, С2,
L2 введено антипаразитное сопротивление R2.
Третий пример – низкочастотный АГ на ТД (рис. 9.13, б). В диа-
пазоне частот, много выше рабочей, можно пренебречь влиянием
большого сопротивления индуктивности L1 и малого сопротивле-
ния емкости С1. Емкость диода Сп совместно с паразитными индук-
тивностями LВ, LR1, LВ2 образует параллельный контур (рис. 9.13, в).
Частота возможной генерации близка к резонансной частоте этого
контура.
R2 L2 C4
470 100мкГн 0,47
+13В
C3
820 R3 R2
10к C3
а
L1 С1
C1 40мкГн
КТ603 L1 L2
3нФ
C2
33нФ
R4
2,7к
R1 C4 С2
200 0,47
10мА
а б
Рис. 9.29. Схемы автогенератора: а – принципиальная; б – эквивалентная
СИНТЕЗАТОРЫ СТАБИЛЬНЫХ ЧАСТОТ 203
Паразитная генерация возможна при достаточно малой проводи-

мости колебательного контура
Сrп/(Lв + Lв2) < |G0|max,
где |G0|max = 5Iп, [мА, мСм] – модуль максимальной дифференциаль-
ной проводимости ТД из арсенида галлия;
Iп – пиковый ток ТД.
В некоторых случаях для устранения паразитной генерации ис-
пользуют антипаразитный резистор R1 (рис. 9.13, б, в).
9.17. Синтезаторы стабильных частот
Параметры синтезаторов частот

Синтезатором стабильных частот (ССЧ) или просто синтеза-
тором частот (СЧ) называют устройство, преобразующее исходное
опорное колебание с частотой f0 в колебание с другой частотой fi
(ί = 1, 2,…,N, где N – количество дискретных частот) при высоких
требованиях к погрешности установки частот fi, к уровню побочных
спектральных составляющих (ПСС) и к дополнительным собствен-
ным шумам.
СЧ с расширенными функциональными возможностями обеспе-
чивают быстрое переключение значений fί в широких пределах в
диапазоне сверхвысоких частот, формирование сигналов с заданны-
ми законами модуляции и спектральным составом при цифровом
управлении [89].
Устройства формирования стабильных сигналов создают фунда-
мент, на котором базируется сама возможность правильного и на-
дежного функционирования современных мобильных средств связи,
систем презиционных радиотехнических измерений, радионавига-
ции и радиолокации.
Основными техническими параметрами СЧ являются [32, 39,
53, 58, 64, 71, 72, 79, 89, 91, 96, 103]:
• минимальная (fmin) и максимальная (fmax) частоты диапазона.
Минимальные частоты современных СЧ составляют доли гер-
ца, а максимальные – десятки гигагерц;
• коэффициент перекрытия диапазона κд = fmax/fmin. В широкоди-
апазонных синтезаторах 1,2 ≤ κд ≤ 50…100;
• количество дискретных частот N. Значение N лежит в преде-
лах 1…105…106 и более, а типовые значения N = 1…1000;
• шаг перестройки частоты Δ. Для равномерной сетки частот

Δ = (fmax – fmin)/(N–1). Шаг перестройки определяет погрешность
установки заданного значения частоты и лежит в пределах от долей
герца до десятков килогерц;
• относительная нестабильность частоты Δf/f. При использова-
нии опорного кварцевого генератора (ОКГ) значения кратков-
ременной и долговременной нестабильностей частоты обычно
удовлетворяют условию 10-8 ≤ Δf/f ≤ 10-4. При нестабильнос-
тях 10-9…10-12 вместо ОКГ используют квантовые стандарты
частоты;
• уровень побочных колебаний D = 10 lg (Pпоб/Pп), характеризу-
ющий отношение мощности побочного колебания Pпоб на вы-
ходе возбудителя к пиковой мощности Pп на рабочей частоте.
Обычно D = –40…–60 дБ, а в отдельных случаях необходим
еще более низкий уровень D = –100…–140 дБ;
• время перестройки tпер с одной рабочей частоты на другую. Оно
определяется задачами РЭС. Как правило, время перестройки
обратно пропорционально шагу перестройки tпер = k/Δ. Коэф-
фициент пропорциональности k зависит от структуры СЧ;
• выходные напряжения СЧ характеризуются количеством од-
новременно функционирующих выходов и средними квадра-
тическими значениями мощностей на заданных сопротивле-
ниях нагрузки. Например, указывается, что на единственном
выходе СЧ с сопротивлением 50 Ом выделяется мощность
+10 дБ мВт, что соответствует мощности 10 мВт или среднему
квадратическому значению напряжения 70,7 мВ.
К технико-экономическим и технологическим параметрам СЧ от-
носят надежность, возможность дистанционного управления, уро-
вень потребляемой мощности, ремонтопригодность, массогабарит-
ные показатели, требуемые условия эксплуатации, цену и т. п.
Принципы построения генераторов

стабильных частот
В условиях с небольшим числом фиксированных частот исполь-
зуются коммутируемые кварцевые резонаторы (КР) или кварцевые
генераторы (КГ) [41]. Наиболее широко применяется способ пере-
ключения КР с помощью электронных ключей. При повышенных
требованиях к стабильности частоты используется коммутация не
КР, а кварцевых генераторов. Каждый резонатор (генератор) це-

лесообразно термокомпенсировать индивидуально. По принципу
кварц–волна построен, например, отечественный возбудитель ВТ-2,
обеспечивающий работу на одной из трех фиксированных частот.
Для получения большого числа высокостабильных частот исполь-
зуются синтезаторы частот. Схемы построения СЧ чрезвычайно
многообразны. В простейших синтезаторах используется интерпо-
ляционный принцип формирования выходных колебаний, предло-
женный Г. А. Зейтленком в 1932 г. [7,9]. При этом рабочая частота
получается путем сложения (или вычитания) вспомогательных час-
тот f1 и f2 (рис. 9.30). На смеситель поступают сигналы от эталонно-
го генератора ЭГ с частотой fэ и от диапазонного генератора Г с час-
тотой fг. Полосовой фильтр выделяет сигнал с частотой fэ + fг (или
fэ – fг). При изменении частоты fг и перестройке фильтра частота
выходного сигнала будет изменяться. По такому принципу построен
возбудитель ВЧД-100. Чем выше значение частоты fэ по сравнению
с fг, тем стабильнее рабочая частота, но тем жестче требования к
селективным возможностям полосового фильтра.
fвых= f э+ f г
fэ fг
ЭГ Г
Рис. 9.30. Структурная схема интерполяционного синтезатора
Однако интерполяционные синтезаторы не в состоянии удовлет-

ворить ряду современных требований, из которых главным является
обеспечение высокой стабильности частоты сигнала в сочетании с
хорошим подавлением сопутствующих колебаний. Переход от плав-
ного перекрытия диапазона частот к дискретному позволил сущест-
венно улучшить параметры синтезаторов.
Различают одноопорные и многоопорные СЧ. Системы синтеза
частот, работающие от одного опорного генератора, обеспечивают
фазовую когерентность между каждым из выходных колебаний. Под
когерентностью колебаний различающихся частот понимается, что
фазовый сдвиг между ними за вычетом линейно – изменяющейся во
времени компоненты, обусловленной различием номинальных зна-
чений частоты, не может неограничено возрастать и имеет постоян-

ное математическое ожидание. Многоопорные СЧ не обеспечивают
когерентности в этом смысле из-за неопределенности фаз незави-
симых генераторов опорных частот и неограниченного дрейфа их
разности фаз [79].
В радиоаппаратуре чаще всего используют одноопорные СЧ, вы-
ходные рабочие частоты которых образуются в результате когерен-
тных преобразований частоты одного опорного высокостабильного
АГ. Наиболее распространенными являются следующие методы син-
теза частот:
• прямой аналоговый синтез (Direct Analog Synthesis, DAS) на
основе структуры смеситель/фильтр/делитель, при котором
выходная частота получается непосредственно из опорной
частоты посредством операций смешения, фильтрации, умно-
жения и деления;
• косвенный (indirect) синтез на основе фазовой автоматической
подстройки частоты (Phase Locked Loop, PLL), при котором
выходная частота формируется с помощью дополнительного
генератора (чаще всего это генератор, управляемый напряже-
нием – Voltage Controlled Oscillator, VCO), охваченного петлей
ФАПЧ;
• прямой цифровой синтез (Direct Digital Synthesis, DDS), при ко-
тором выходной сигнал синтезируется цифровыми методами;
• гибридный синтез, представляющий собой комбинацию не-
скольких методов, описанных выше.
Каждый из этих методов синтеза частот имеет преимущества и
недостатки, следовательно, для каждого конкретного приложения
нужно делать выбор, основанный на наиболее приемлемой комби-
нации компромиссов.
Прямые и косвенные СЧ могут быть выполнены как на анало-
говой элементной базе, так и с применением цифровых устройств.
Переход к цифровой элементной базе позволяет улучшить массога-
баритные параметры СЧ, повысить надежность и технологичность,
но снижает максимальное значение рабочей частоты. СЧ, содержа-
щие цифровые устройства, дополнительно называются цифровыми.
Для получения густой сетки большого объема используют сов-
мещение нескольких сеток с различным шагом. При распределении
множества частот в десятичной системе записи получаются удоб-
ные для практики декадные синтезаторы частоты [58]. Значение
выходной частоты таких СЧ совпадает с показаниями декадных пе-

реключателей. Декадные СЧ могут быть построены по методу пря-
мого, или косвенного синтеза.
Прямые синтезаторы
Прямые синтезаторы (их также называют пассивными) строятся
на основе метода прямого синтеза. Этот метод синтеза называют
прямым, потому что в нем отсутствует процесс коррекции ошибки.
Следовательно, качество выходного сигнала напрямую связано с
качеством опорного сигнала. Фазовый шум такого синтезатора до-
статочно низок вследствие прямого синтеза. Перестройка по частоте
может быть очень быстрой.
Простейшие прямые аналоговые синтезаторы строятся с исполь-
зованием генераторов гармоник (ГГ) (рис. 9.31, а) [39, 58, 71, 72, 79,
91]. В качестве генераторов гармоник используются формирователи
импульсов, преобразующие выходное гармоническое колебание эта-
лонного генератора (ЭГ) с частотой fэ в последовательность корот-
ких видеоимпульсов или радиоимпульсов той же частоты. Спектр
такого сигнала содержит интенсивные высшие гармоники частоты
входного воздействия fm = m fэ, где m = 1, 2…, нужная из которых
выделяется полосовым фильтром (ПФ). По описанному принципу
построен синтезатор возбудителя ВТ-53 М.
Степень подавления нежелательных компонент на выходе син-
тезатора определяется параметрами ПФ. Фильтры на LC-элементах
имеют полосу пропускания на уровне – 60 дБ не уже 5%, что поз-
воляет выделять гармоники с номерами не более 20. Использование
электромеханических фильтров дает возможность довести mmax до 50,
а кварцевых фильтров и фильтров на ПАВ – до 100…150 [71].
Для лучшего подавления соседних гармоник обычно используют
двойное преобразование частоты – схему с компенсацией (вычита-
нием) ошибки, компенсационную цепь [39, 53, 58, 72, 79, 91]. В схеме
с вычитанием ошибки (рис. 9.31, б) после первого смесителя СМ1
частоты всех составляющих спектра ГГ понижаются на частоту fг
вспомогательного гетеродина до значений, при которых фильтр
Ф1 может легко подавить побочные колебания. Ширина поло-
сы пропускания Ф1 выбирается меньшей, чем шаг сетки. Фильтр
Ф1 – неперестраиваемый, это улучшает его параметры и упрощает
конструкцию. Подбором fг выбранную частоту mfэ – fг совмещает с
центральной частотой фильтра Ф1. На выходе смесителя СМ2 сиг-
нал с суммарной частотой mfэ – fг + fг = mfэ отделяется от остальных
выход Г
fг Ф2
fг fвых
m fэ СМ2
СМ1
ГГ m fэ - f г
Ф1
fэ
fэ
mfэ
ЭГ ГГ ЭГ
а б
Рис. 9.31. Структурные схемы синтезаторов с умножителем частоты:
а – простейшего; б – с двойным преобразованием частоты
комбинаций перестраиваемым фильтром Ф2. Применение одного и

того же гетеродина при двойном преобразовании частоты позволя-
ет исключить (скомпенсировать) влияние медленных уходов fг на
частоту выходного сигнала.
Видеоимпульсы на выходе генератора гармоник (рис. 9.31) харак-
теризуются периодом следования 1/fэ, длительностью τ и скважнос-
тью q = 1/(τfэ). Амплитуды спектральных компонентов последова-
тельности прямоугольных видеоимпульсов изменяются по закону
sin(mπ / q)
Am = 2 A ⋅
mπ
При q 1 аргумент синуса мал и потому с ростом m амплитуды
гармоник невысокого порядка изменяются незначительно, так что
на выходе ГГ можно получить несколько десятков дискретных гар-
моник заметной амплитуды.
Для повышения эффективности преобразования мощности ви-
деоимпульсов в мощность сетки частотных компонентов последо-
вательность видеоимпульсов преобразуют в последовательность
радиоимпульсов. С этой целью в выходную цепь ГГ включают ре-
зонансный контур с ударным возбуждением, настроенный примерно
на частоту k-й гармоники выходного сигнала. Этот контур форми-
рует последовательность радиоимпульсов с одинаковой начальной
фазой высокочастотного заполнения в каждом радиоимпульсе [79].
Огибающая спектра выходной последовательности полученных ко-
герентных радиоимпульсов максимальна для m = k и слабо изменя-

ется для значений кратности
(k – q/5) < m < (k + q/5).
Спектральные компоненты такого радиоимпульсного умножителя
частоты в точности кратны их частоте повторения fэ: fвых = mfэ [79].
В цифровых СЧ, построенных по методу прямого синтеза, ко-
лебание требуемой частоты fвых формируется из потока импульсов,
частота следования которых гораздо больше частоты выходных
колебаний. Одна из простейших схем цифрового синтеза (схема
двухуровневого синтезатора) представлена на рис. 9.32 [71]. В фор-
мирователе импульсов ФИ из гармонического колебания эталонно-
го генератора ЭГ формируется периодическая последовательность
коротких импульсов с частотой следования fэ fвых. Эти импульсы
поступают на вход делителя с переменным коэффициентом деле-
ния ДКПД. Коэффициент деления ДКПД выбирается таким, чтобы
частота следования импульсов на его выходе была в два раза выше
частоты выходного сигнала синтезатора. Триггер Т создает последо-
вательность прямоугольных импульсов со скважностью 2 и частотой
следования, равной заданной. В перестраиваемом фильтре Ф из этой
импульсной последовательности выделяется синусоидальный сиг-
нал с частотой первой гармоники. Изменяя коэффициент деления
ДКПД и перестраивая фильтр Ф, можно изменять частоту выходных
колебаний. Очевидно, что в общем случае, при некоторых значениях
fвых требуемый коэффициент деления ДКПД может оказаться не-
целым числом. Счетчиковые делители, на базе которых создается
ДКПД, не могут поделить частоту на нецелое число. В подобных
случаях счетнорешающее устройство СЧРУ по известному отличию
текущего коэффициента деления от среднего коэффициента деления
вычисляет временной сдвиг между формируемыми и идеальными им-
пульсами и управляет коэффициентом деления ДКПД. Совокупность
ДКПД и СЧРУ можно рассматривать как делитель с дробно-перемен-
ным коэффициентом деления. При этом сигнал на выходе синтезатора
будет иметь нужную частоту, но с некоторым колебанием фазы, изме-
няющейся по периодическому закону. Эти колебания фазы приводят к
появлению побочных составляющих в спектре выходного сигнала.
При использовании пассивных частотных фильтров невозможно
обеспечить малый шаг дискретных частот из-за сложности подав-
ления мешающих спектральных компонентов вблизи выделяемой
частоты. Более высокого качества фильтрации одного гармоничес-
fэ fэ f вых
ДПКД Т
ЭГ ФИ Ф
СЧРУ
Рис. 9.32. Структурная схема двухуровнего синтезатора частоты

кого колебания из сетки одновременно генерируемых частот можно
добиться за счет использования системы фазовой автоматической
подстройки частоты.
Синтезаторы с фазовой автоподстройкой частоты

Непрямые (косвенные или активные) СЧ строятся на основе ме-
тода косвенного синтеза (иногда называемого методом анализа).
Также синтезаторы содержат частотные фильтры на основе колец
автоматической подстройки частоты или компенсационные схемы
фильтрации с вычитанием частотных погрешностей АГ с плавной
перестройкой [79].
В простейшем синтезаторе с фазовой автоподстройкой частоты
(рис. 9.33) датчик опорных частот ДОЧ содержит эталонный ге-
нератор ЭГ и генератор гармоник ГГ, а источником колебаний ра-
бочей частоты служит перестраиваемый по частоте генератор ПГ
[39, 53, 58, 71, 72, 79, 89, 91, 103]. Собственная частота этого генера-
тора fг(t) грубой настройкой устанавливается вблизи частоты вы-
бранной гармоники ЭГ mfэ и непрерывно сравнивается с этой час-
тотой. Обнаружение ошибки обеспечивает фазовый дискриминатор
ФД. В ФД текущая фаза φг(t) колебаний ПГ сравнивается с фазой
эталонного сигнала φэ(t) и вырабатывается напряжение ошибки ед(t).
Его величина пропорциональна рассогласованию фаз, а полярность
соответствует знаку этого рассогласования.
Для придания системе желаемых динамических и фильтрующих
свойств в цепи управления ЦУ используют простейшие RC филь-
тры нижних частот. ЦУ преобразует напряжение ошибки в управ-
ляющее напряжение еу(t), подаваемое на управитель частоты УЧ.
Под действием управляющего напряжения в колебательный контур
ПГ через УЧ вносится корректирующая частотная расстройка Δf(t).
Добавляясь к собственной частоте fг(t) ПГ, она уменьшает текущее
ЭГ ГГ ФД ПГ
fэ mf э fг fвых
eд f
ДОЧ
УЧ
ЦУ
ey f
e
ФАП
Рис. 9.33. Структурная схема синтезатора с фазовой
автоподстройкой частоты
рассогласование фаз φ(t) = φг(t) – φэ(t) колебаний ПГ и ЭГ. При
монохроматическом эталонном сигнале возможен стационарный
синхронный режим, когда на ФД устанавливается постоянная раз-
ность фаз φ0 = const и полностью устраняется исходная расстройка
собственной частоты ПГ относительно эталонной. Помимо опера-
ции приравнивания частоты, система ФАП выполняет функцию
перестраиваемого узкополосного фильтра, подавляющего соседние
гармоники (m – 1)fэ и (m + 1)fэ, а также смежные с ними.
Цифровые вычислительные синтезаторы частот

Цифровые вычислительные синтезаторы (ЦВС), называемые так-
же прямыми цифровыми синтезаторами, – относительно новые
устройства, появившиеся в начале 70-х годов прошлого века. Еще
несколько лет назад прямые цифровые синтезаторы частоты (Direct
Digital Synthesizers, DDS) были диковинкой и имели ограниченную
область применения. Их широкое использование сдерживалось
сложностью реализации, а также недостаточно широким диапазоном
рабочих частот. Появление дешевых микросхем и удобных средств
разработки сделало ЦВС сегодня привлекательными для разных
сфер применения [79, 89, 96, 103].
Простейший ЦВС представляет собой (рис. 9.34) последователь-
но включенные накопитель фазы НКФ (аккумулятор кода фазы),
преобразователь кода ПК фазы kφ в код ординаты ks и цифроанало-
говый преобразователь ЦАП. Все цифровые узлы тактируются от
опорного генератора ОГ с частотой fт [79, 89]. На вход НКФ посту-
пает код частоты kf, а в регистр НКФ записан код начальной фазы
kφ0
kφ ku u(t)
kf НКФ ПК ЦАП
ОГ
fт
Рис. 9.34. Базовая структурная схема ЦВС
kφ0. С каждым импульсом тактовой частоты в НКФ к текущему коду

фазы прибавляется код частоты kf, так что на выходе НКФ накап-
ливается код выходной фазы
kϕ (i ) = kϕ 0 + ∑ kf ,
i
где i – текущий номер тактового импульса.
Форма выходного колебания на периоде записана в преобразова-
теле ПК в виде зависимости кода ординаты ks от кода фазы kφ.
ЦВС обладают наибольшими функциональными возможностями
при заданном качестве сигнала. Они уникальны своей цифровой
определенностью – генерируемый ими сигнал синтезируется со
свойственной цифровым системам точностью. Частота, амплитуда
и фаза сигнала в любой момент времени точно известны и подкон-
трольны. ЦВС практически не подвержены температурному дрейфу
и старению. Единственным элементом, который обладает свойствен-
ной аналоговым схемам нестабильностью, является ЦАП. Высокие
технические характеристики стали причиной того, что в последнее
время ЦВС вытесняют обычные аналоговые синтезаторы частот.
9.1. Чем АГ принципиально отличаются от усилителей?
9.2. Дайте примеры механических автоколебательных систем. Чем
они схожи с электрическими системами?
9.3. Дайте примеры: а) полезных; б) нежелательных электрических
и механических автоколебаний.
9.4. Какой режим работы АГ считается устойчивым по а) амплитуде;

б) частоте колебаний?
9.5. Возможно ли существование автоколебаний, если выполняются
не все пять условий самовозбуждения и работы АГ?
9.6. Пригодны ли общие условия самовозбуждения и устойчивой
работы АГ для сложных схем: а) двухконтурных; б) многокон-
турных; в) двухтактных; г) с кварцем?
9.7. Дайте примеры АГ, построенных на: а) двухполюсных; б) трёх-
полюсных АЭ.
9.8. Почему в условии самовозбуждения автогенератора фигурирует
крутизна S0, а в условиях баланса амплитуд и устойчивости
баланса амплитуд – S1?
9.9. В каком случае среднюю крутизну АЭ можно считать вещест-
венной величиной?
9.10. В чём заключается принципиальное отличие мягкого и жёст-
кого режимов работы АГ?
9.11. Как перейти из мягкого режима работы АГ в жёсткий?
9.12. Как получить: а) мягкий; б) жёсткий режим работы АГ при
одном и том же АЭ?
9.13. Почему любой АГ должен содержать нелинейный элемент?
9.14. Какие элементы АГ могут быть нелинейными?
9.15. Укажите область устойчивой работы АГ на характеристике
средней крутизны: а) рис. 9.5, а; б) рис. 9.5, б.
9.16. Поясните ход нагрузочных характеристик АГ на ТД в: а) мяг-
ком; б) жёстком режиме возбуждения колебаний.
9.17. Используя характеристики средней проводимости рис. 9.5, оп-
ределите максимально возможную амплитуду автоколебаний
в: а) мягком; б) жёстком режиме работы АГ.
9.18. Что произойдёт, если в АГ установить колебания с амплиту-
дой, соответствующей точке 6 на рис. 9.5, б?
9.19. Используя характеристику средней крутизны в мягком режиме
работы АГ (рис. 9.5, а), определите изменение амплитуды авто-
колебаний при перемещении прямой 1/Rн из: а) положения a в
положение e; б) из положения e в положение a.
9.20. Используя характеристику средней крутизны в жёстком ре-
жиме работы АГ (рис. 9.5, б), определите изменение амплиту-
ды автоколебаний при перемещении прямой 1/Rн из положения
а) a в e; б) e в a.
9.21. Почему самовозбуждение и срыв колебаний в мягком режиме
работы АГ происходят при одинаковых сопротивлениях на-
грузки Rн, а в жёстком – при разных (рис. 9.5)?
9.22. Как объяснить, что не работавший АГ иногда начинает ра-

ботать после: а) повторного включения; б) удара по корпусу;
в) повышения напряжения питания?
9.23. Укажите на фазовой характеристике: а) одиночного контура
(рис. 9.6, а); б) связанных контуров (рис. 9.6, б) области устой-
чивой работы АГ.
9.24. На каких резонансных частотах КС, фазовая характеристика
которой показана на рис. 9.6, б, возможны автоколебания?
9.25. Как можно определить свойства КС автогенератора?
9.26. В каких случаях фазовая характеристика КС имеет вид, пока-
занный на рис. 9.6, б?
9.27. В каких случаях возникает скачкообразное изменение частоты
автоколебаний? Как предотвратить это явление?
9.28. Как объяснить, что иногда при повторных включениях АГ ге-
нерирует колебания различных частот?
9.29. Какие частоты может генерировать АГ с многорезонансной
КС, фазовая характеристика которой показана на рис. 9.6, б, в:
а) мягком; б) жёстком режиме самовозбуждения?
9.30. Какие факторы определяют генерацию той или иной частоты
в АГ с многорезонансной КС?
9.31. Как обеспечить генерацию нужной частоты или нескольких
частот одновременно в АГ с многорезонансной КС в: а) мягком;
б) жёстком режиме самовозбуждения?
Автогенераторы с цепью внешней обратной связи
9.32. Начертите эквивалентные схемы одноконтурных АГ: а) с ин-
дуктивной ОС; б) индуктивной трёхточки; в) емкостной трёх-
точки; г) Клаппа.
9.33. Определите коэффициент включения контура в выходную
цепь АЭ для схемы: а) индуктивной трёхточки; б) емкостной
трёхточки; в) Клаппа.
9.34. Получите формулы для определения коэффициентов обратной
связи АГ, схемы которых показаны на рис. 9.3.
9.35. Запишите условия самовозбуждения и работы транзисторного
(лампового) автогенератора при высоком электронном КПД.
9.36. Запишите и поясните условия самовозбуждения и работы ав-
тогенератора с цепью внешней обратной связи. Дайте примеры,
когда эти условия могут не выполняться.
9.37. Используя рис. 9.5 и 9.6, дайте примеры, когда в АГ с цепью
внешней ОС не выполняется условие: а) самовозбуждения ко-
лебаний; б) баланса амплитуд; в) баланса фаз; г) устойчивости

баланса амплитуд; д) устойчивости баланса фаз.
9.38. Почему в автогенераторах на биполярных транзисторах необ-
ходимо подавать отпирающее начальное напряжение?
9.39. Почему в ламповых автогенераторах обычно используют авто-
матическое смещение за счёт токов сетки?
9.40. Поясните особенности использования автоматического и фик-
сированного смещения в транзисторных и ламповых АГ.
9.41. Поясните, почему в транзисторных автогенераторах для вы-
полнения условия самовозбуждения можно выбирать величину
коэффициента обратной связи меньшей, чем в триодных АГ.
9.42. Можно ли судить о наличии автогенерации по величине
а) анодного; б) сеточного токов лампы?
9.43. Как можно обеспечить работу лампового автогенератора при
малых углах отсечки?
9.44. Почему в АГ емкость блокировочного конденсатора, парал-
лельного сопротивлению автоматического смещения, выбира-
ют не слишком большой величины?
9.45. Определите частоту генерации и среднюю крутизну АЭ ав-
тогенератора, собранного по схеме индуктивной трёхточки
(рис. 9.3, б), если добротность контура равна 40, емкость кон-
тура 400 пФ, L1 = 68,7 мкГн, L2 = 0,7 мкГн.
9.46. Как можно построить характеристики средней крутизны:
а) лампы; б) транзистора?
9.47. При каких условиях характеристика средней крутизны S1(U)
лампы или транзистора может быть горизонтальной линией?
9.48. Постройте качественные зависимости средней крутизны S1 от
амплитуды напряжения возбуждения U при аппроксимации
динамической характеристики транзистора (лампы) отрезками
прямых для различных напряжений смещения Eвх: а) Eвх > E′вх;
б) Eвх = E′вх; в) Eвх < E′вх, где E′вх – напряжение отсечки (запира-
ния) выходного тока АЭ.
9.49. Как можно установить заданное значение амплитуды импульса
анодного тока автогенератора?
9.50. Как можно подобрать сопротивление автоматического смеще-
ния АГ, при котором угол отсечки анодного тока равен 90°?
9.51. Резонансное сопротивление контура автогенератора 5 кОм,
коэффициент включения контура 0,2; коэффициент обратной
связи 0,3; проницаемость лампы 0,05. Определите крутизну
лампы, необходимую для возникновения генерации.
9.52. Сопротивление контура работающего АГ – 5 кОм, коэффици-

ент обратной связи – 0,1. Определите среднюю крутизну АЭ.
9.53. Изобразите схему одноконтурного лампового АГ с индуктив-
ной ОС и выведите уравнения для расчёта генерируемой час-
тоты, резонансного сопротивления и коэффициента ОС. Запи-
шите условие самовозбуждения этого генератора.
9.54. Определите наименьшую частоту автогенератора с трансфор-
маторной обратной связью, перестраиваемого ёмкостью, если
коэффициент обратной связи равен 0,3; индуктивность контура
равна 10 мкГн; добротность – 50. Крутизна проходной харак-
теристики транзистора – 0,1 См. Влиянием коллекторного на-
пряжения на ток коллектора можно пренебречь.
9.55. Изобразите схему одноконтурного транзисторного автогене-
ратора с ёмкостной обратной связью, выведите уравнение для
расчёта генерируемой частоты, резонансного сопротивления
контура относительно точек включения транзистора и коэф-
фициента обратной связи. Запишите условие самовозбужде-
ния.
9.56. Самовозбудится ли генератор по схеме ёмкостной трёхточки,
если индуктивность контура равна 1,0 мкГн; ёмкость между ба-
зой и эмиттером транзистора равна 20 нФ, а между коллекто-
ром и эмиттером –5 нФ; добротность контура равна 50; D = 0;
крутизна транзистора в рабочей точке равна 10 мСм?
9.57. Определите длину волны трёхконтурного триодного ав-
тогенератора, если резонансные частоты контуров колеба-
тельной системы равны: ωaк = 2·108 рад/с, ωск = 2,8·108 рад/с,
ωас = 3,2·108 рад/с. Резонансные частоты всей колебательной
системы равны: ω1 = 2,5·108 рад/с, ω2 = 3,1·108 рад/с.
9.58. Определите амплитуды напряжений между катодами и меж-
ду сетками триодного двухконтурного двухтактного автогене-
ратора с общим анодом, если анодное напряжение Eа = 10 кВ,
коэффициент обратной связи равен 0,2, коэффициент исполь-
зования анодного напряжения Ua/Eа = 0,7.
9.59. Определите амплитуды напряжений между катодами и между
сетками триодного двухконтурного двухтактного автогенерато-
ра с общим анодом, если Eа = 12 кВ, коэффициент использо-
вания анодного напряжения 0,75, проницаемость лампы равна
0,015, средняя крутизна каждой лампы S1 = 3,5 мСм. Резонанс-
ное сопротивление колебательной системы относительно точек
анод-катод каждой лампы равно 1500 Ом.
Автогенераторы на двухполюсниках с отрицательным

дифференциальным сопротивлением
9.60. Дайте примеры АГ с внутренней обратной связью.
9.61. Почему в автогенераторах на ТД и диодах Ганна используют
параллельный колебательный контур, а в автогенераторах на
ЛПД – последовательный?
9.62. Каковы особенности низкочастотных АГ на ТД?
9.63. Почему в низкочастотных АГ на ТД велика опасность возбуж-
дения паразитных колебаний?
9.64. Какие требования предъявляются к параметрам ТД для пост-
роения низкочастотных АГ?
9.65. Почему при построении низкочастотного АГ на ТД (рис. 9.13)
необходимо обеспечить очень малую индуктивность выводов
конденсатора C1?
9.66. Как можно построить характеристики средней проводимости
туннельного диода?
9.67. Используя ВАХ туннельного диода (рис. 9.26), постройте ха-
рактеристики средней проводимости при напряжениях смеще-
ния: а) 0,2 В; б) 0,3 В; в) 0,4 В.
9.68. Используя характеристики средней проводимости ТД
(рис. 9.35), постройте нагрузочные характеристики автогене-
ратора в: а) мягком; б) жёстком режимах самовозбуждения.
9.69. Используя характеристики средней проводимости ТД
(рис. 9.35), определите амплитуду колебаний АГ при U0 = 0,3 В
и сопротивлении нагрузки: а) 50 Ом; б) 100 Ом; в) 200 Ом.
9.70. Используя характеристики G1 (рис. 9.35), определите амплиту-
ду колебаний автогенератора, если Rн = 250 Ом, а напряжение
смещения равно: а) 0,2 В; б) 0,3 В; в) 0,4 В.
|G1|, мСм 24
18 U0=0,2B
14 U0=0,3B
10 U0=0,4B
6
|G1 max|
|G0|
2
U, B
0 0,1 0,2 0,3 0,4
Рис. 9.35. Характеристики средней проводимости ТД
9.71. Автогенератор на ТД из арсенида галлия с пиковым током:

а) 2; б) 5; в) 20; г) 50 мА работает в режиме максимальной ко-
лебательной мощности при напряжении питания 0,4 В. Опре-
делите величину P1, ηe и Rн.
9.72. Определите индуктивность и ёмкость КС автогенератора на ТД
из арсенида галлия с пиковым током: а) 2; б) 5; в) 20; г) 50 мА,
если частота автоколебаний равна 0,5 МГц, а добротность на-
груженного контура равна 30.
9.73. Как изменятся параметры АГ на ТД при существенном:
а) уменьшении; б) увеличении сопротивления нагрузки отно-
сительно оптимального значения?
9.74. Автогенератор на ТД (рис. 9.13) работает в режиме максималь-
ной колебательной мощности. Как изменятся его параметры,
если при неизменной индуктивности и добротности контура
существенно: а) уменьшить; б) увеличить ёмкость С1?
9.75. Автогенератор на ТД типа 3И306Е (Iп = 2 мА, Сп = 12 пФ,
Lв = 1,5 нГн, rп = 10 Ом) работает в режиме максимальной коле-
бательной мощности на частоте 1 МГц (рис 9.13). Добротность
нагруженного контура равна 50. Определите: а) величину Rн и
P1; б) индуктивность и ёмкость контура; в) допустимую вели-
чину индуктивности Lв2, при которой можно не использовать
антипаразитный резистор R1.
Схемы автогенераторов
9.76. Почему в диапазоне ВЧ обычно используют одноконтурные
автогенераторы?
9.77.В каких случаях используют: а) одноконтурные; б) двухконтур-
ные; в) многоконтурные схемы АГ?
9.78. Почему колебательный контур, как правило, включён в вы-
ходную цепь АЭ?
9.79. Почему в автогенераторах нежелательно использовать схемы
параллельного питания?
9.80. Каковы свойства АГ с общей или заземлённой базой, общим
эмиттером, общим коллектором?
9.81. Из каких соображений в АГ соединяют с корпусом тот или
иной электрод АЭ?
9.82. Как зависит электрический режим автогенератора от точки
заземления схемы?
9.83. В каких случаях целесообразно использовать двухтактные схе-
мы АГ?
9.84. Изобразите эквивалентные схемы двухконтурных АГ с общим

анодом, общей сеткой, общим катодом.
9.85. Для двухконтурных автогенераторов (рис. 9.12) запишите со-
отношения между резонансными частотами контуров и часто-
той автоколебаний ω.
9.86. Поясните назначение элементов и особенности подачи пита-
ющих напряжений в АГ по схеме индуктивной трёхточки на
рисунке: а) 9.7, а; б) 9.7, б; в) 9.8.
9.87. Почему в емкостных трёхточках обычно заземляют управляю-
щий электрод АЭ (рис. 9.9 и 9.10)?
9.88. Поясните назначение элементов и особенности подачи пита-
ющих напряжений в АГ по схеме емкостной трёхточки на ри-
сунке: а) 9.9; б) 9.10, а; в) 9.10, б; г) 9.10, в; д) 9.10, г.
9.89. Поясните назначение элементов и особенности подачи питаю-
щих напряжений в АГ по схеме Клаппа на рисунке: а) 9.11, а;
б) 9.11, б.
Расчёт автогенераторов
9.90. Определите резонансную частоту КС АГ по схеме рис. а) 9.7, а;
б) 9.9, а; в) 9.9, б; г) 9.10, а; д) 9.10, б; е) 9.10, г.
9.91. В высокостабильном АГ использована однослойная катушка
индуктивности длиной 20 мм. Определите оптимальные диа-
метры провода и катушки.
9.92. В каком случае при расчёте АГ можно пренебречь реакцией
выходного напряжения на выходной ток и использовать зави-
симость не i = Ф(uВ + Du), а i = f(uВ)?
9.93. Определите параметры АГ со средней стабильностью частоты:
сопротивление выходной КС Rн, коэффициент обратной связи
К, колебательную мощность P1, мощность в нагрузке Pн и рассе-
иваемую выходным электродом (PK или Pc), а также электрон-
ный ηe и общий η КПД при следующих исходных данных:
а) рабочая частота f = 70 МГц, использован ПТ типа КП303Ж
(fmax = 100 МГц, S = 2,5 мСм), постоянная составляющая тока
стока Ic0 =2 мА, напряжение питания E = 2,5 В, напряжение ав-
тосмещения Eи = 0,5 В, угол отсечки θ = 120°, напряжённость
режима ξ = 0,65, контурный КПД ηк = 0,7;
б) рабочая частота f = 1 МГц, использован БТ типа КТ608А
(fт = 200 МГц, τк = 600 пс, β0 = 20, Ск = 15 пФ), постоянная со-
ставляющая коллекторного тока Iк0 = 10 мА, напряжение пита-
ния E = 13 В, напряжение автосмещения Eэ = 3 В, угол отсечки
θ = 85°, напряжённость режима ξ = 0,8, контурный КПД ηк = 0,6;

в) рабочая частота f = 100 МГц, использован БТ типа КТ368
(fт = 900 МГц, τк = 15 пс, β0 = 50, Ск = 1,7 пФ), постоянная со-
ставляющая коллекторного тока Iк0 = 4 мА, напряжение питания
E = 7 В, напряжение автосмещения Eэ = 1 В, угол отсечки θ = 110°,
напряжённость режима ξ = 0,6, контурный КПД ηк = 0,5.
9.94. Определите параметры КС автогенератора по схеме индук-
тивной трёхточки (рис. 9.7, а), если f = 73 МГц, Rн = 500 Ом,
Q0 = 100, ηк = 0,7, К = 1.
9.95. Определите параметры КС автогенератора по схеме емкост-
ной трёхточки (рис. 9.9, а), если f = 1 МГц, Rн = 500 Ом, Q0 = 60,
ηк = 0,6, К = 0,06.
9.96. Оцените шунтирующее влияние сопротивления эмиттерного
автосмещения R1 на КС автогенератора предыдущей задачи.
9.97. Определите параметры КС автогенератора по схеме емкостной
трёхточки (рис. 9.9, б), если f = 100 МГц, Rн = 660 Ом, Q0 = 70,
ηк = 0,5, К = 0,024.
9.99. Рассчитайте электронный режим и параметры КС автогенера-
тора по схеме емкостной трёхточки (рис. 9.10, а) на транзис-
торе КТ315Б (fт = 250 МГц, τк = 500 пс, β0 = 50, Ск = 7 пФ), если
рабочая частота равна 2 МГц, Iк0 = 1,5 мА, E = 12 В, θ = 115°,
ξ = 0,85, ηк = 0,3, Qн = 20.
9.101. Рассчитайте электронный режим и параметры КС автогенера-
тора по схеме емкостной трёхточки (рис. 9.10, б) на транзисторе
КТ363Б (fт = 1500 МГц, τк = 75 пс, β0 = 40, Ск = 2 пФ), если ра-
бочая частота равна 200 МГц, Iк0 = 3 мА, E = 8 В, θ = 110°, ξ = 0,7,
ηк = 0,75, Q0 = 80.
9.103. Получите формулы для расчёта КС автогенератора по схеме
Клаппа, показанной на рисунке: а) 9.11, а; б) 9.11, б, при извес-
тной полной ёмкости контура С.
Кварцевые резонаторы
9.104. Какие свойства кварцевых пластин позволяют применять их
в качестве КС автогенераторов?
9.105. Какие свойства кварцевых пластин благоприятны для полу-

чения высокой стабильности частоты АГ?
9.106. Какая из резонансных частот КР, используемого в АГ, явля-
ется более стабильной?
9.107. Какие факторы ограничивают: а) минимальную; б) макси-
мальную рабочую частоту КР?
9.108. Какова наибольшая рабочая частота современных КР?
9.109. Какие КР используют для построения АГ в диапазоне:
а) 0,1…1 МГц; б) 1…10 МГц; в) 10…100 МГц; г) более 100 МГц?
9.110. Почему ограничивают величину мощности, рассеиваемой
кварцевым резонатором?
9.111. Постройте частотную характеристику реактивного сопротив-
ления КР при rкв = 0. Поясните ее ход.
9.112. Постройте частотную характеристику активного сопротивле-
ния последовательной схемы замещения КР.
9.113. Определите интервал между частотами параллельного и пос-
ледовательного резонанса КР табл. 9.2 на частоте а) 1; б) 10;
в) 20; г) 45; д) 100 МГц. На какой из этих частот можно полу-
чить наибольшую перестройку частоты АГ?
9.114. Определите динамическую индуктивность КР табл. 9.2 на
частоте: а) 1; б) 5; в) 20; г) 100 МГц.
9.115. Определите параметры Cкв, Lкв и Qкв эквивалентной схемы КР,
если fкв = 1 МГц; С0 = 4 пФ; p = 1,5·10-3; rкв = 50 Ом.
9.116. Определите параметры Lкв, Qкв и p эквивалентной схемы КР,
если Cкв = 0,015 пФ; С0 = 10 пФ; fкв = 10 МГц; rкв = 5 Ом.
9.117. Определите параметры fкв, Qкв и p эквивалентной схемы КР,
если Lкв = 2·104 Гн; Скв = 0,08 пФ; С0 = 20 пФ; rкв = 10 кОм.
9.118. Определите добротность, характеристическое сопротивление,
динамическую индуктивность и интервал между частотами
параллельного и последовательного резонансов а) низкочас-
тотного вакуумного КР типа РВ-04 с параметрами: fкв = 4 кГц;
С0 = 20 пФ; p = 2·10-3; rкв = 104 Ом; б) среднечастотного гер-
метизированного КР типа РГ-07 с параметрами: fкв = 5 МГц;
С0 = 5 пФ; p = 2·10-3; rкв = 15 Ом; в) высокочастотного вакуум-
ного КР типа РВ-81 с параметрами: fкв = 150 МГц; С0 = 4 пФ;
p = 5·10-5; rкв = 50 Ом.
9.119. Получите приближённую формулу для расчёта частоты па-
раллельного резонанса КР при известных значениях ωкв и p.
9.120. Докажите, что КР обладает индуктивным сопротивлением в
очень узком диапазоне частот.
9.121. Почему на практике интервал между частотами ωп – ωкв обыч-

но получается меньше расчётного значения?
9.122. Как можно определить частотные свойства КР?
9.123. Как можно измерить параметры эквивалентной схемы КР:
С0, Cкв, Lкв и rкв?
9.124. Получите формулы для вычисления параметров С0, Cкв и Lкв
эквивалентной схемы КР по результатам измерений (см. ответ
к предыдущему вопросу).
Кварцевые автогенераторы
9.125. Какова область применения кварцевых АГ?
9.126. Каковы: а) достоинства; б) недостатки кварцевых АГ?
9.127. Какой основной фактор дестабилизирует частоту кварцевых
автогенераторов?
9.128. В чём состоит сущность термокомпенсации частоты АГ?
9.129. Определите относительную нестабильность частоты КР с
ТКЧ = 1·10-6 1/град при изменении температуры на: а) 2° С;
б) 25° С; в) 70° С.
9.130. Как можно повысить рабочую частоту кварцевого АГ?
9.131. Какую схему кварцевого автогенератора целесообразно ис-
пользовать в диапазоне частот: а) 0,1… 1 МГц; б) 1…10 МГц;
в) 10 …100 МГц; г) более 100 МГц для получения наибольшей
стабильности частоты?
9.132. Как получить относительную нестабильность частоты квар-
цевых АГ а) 10-5…10-6; б) 10-6…10-7; в) 10-8…10-10?
9.133. Какие факторы ограничивают максимальную выходную мощ-
ность кварцевых АГ?
9.134. Почему прецизионные кварцевые АГ имеют очень малую вы-
ходную мощность?
9.135. Какую схему кварцевого АГ целесообразно использовать для
получения максимальной выходной мощности?
9.136. Как изменится режим работы АГ по схеме на рисунке: а) 9.17;
б) 9.18 при замене КР блокировочной ёмкостью?
9.137. Определите величину индуктивности L2 АГ по схе-
ме рис. 9.18, а, если частота колебаний равна 100 МГц, а
С0 = 6 пФ.
9.138. Начертите эквивалентные схемы по высокой частоте и посто-
янному току однокаскадного АГ по схеме Батлера.
9.139. Поясните назначение элементов АГ по схемам рис. 9.17.
9.140. Поясните назначение элементов АГ по схеме рис. 9.18, а.
9.141. Сравните свойства АГ по схемам рис. 9.17, а и 9.17, б.

9.142. Из каких соображений выбирают величину резисторов R1, R2
и R3 автогенератора по схеме рис. 9.18, а.
9.143. Определите частоту колебаний, величину коэффициента об-
ратной связи и тока коллектора АГ по схеме рис. 9.18, а.
Управляемые кварцевые генераторы
9.144. В каких случаях принципиально необходимо осуществлять:
а) механическое; б) электронное управление частотой КР?
9.145. Как изменится величина частот ωкв и ωп, а также интервал
между ними при подключении параллельно КР: а) ёмкости;
б) индуктивности?
9.146. Как измениться величина частот ωкв и ωп, а также интервал
между ними при подключении последовательно с КР: а) ёмкос-
ти; б) индуктивности?
9.147. Как с помощью внешних цепей получить наибольший интер-
вал между частотами ωкв и ωп?
9.148. Какие элементы используют для электронного управления
частотой кварцевых АГ?
9.149. Какую из механических гармоник кварцевой пластины целе-
сообразно использовать для получения наилучших параметров
управляемого кварцевого АГ?
9.150. Начертите эквивалентные схемы по высокой частоте и посто-
янному току автогенератора, изображенного на рис. 9.19.
9.151. Поясните назначение элементов АГ по схеме на рис. 9.19.
9.152. Поясните назначение резистора R4 АГ по схеме рис. 9.19.
9.153. Как измениться режим работы АГ по схеме рис. 9.19, при за-
мене резистора R4 стабилизатором постоянного тока?
9.154. Как выбрать величину резистора R4 АГ по схеме рис. 9.19?
9.155. Какие факторы влияют на величину индуктивностей L2 и L3
управляемого АГ по схеме рис. 9.19?
9.156. Определите величину коэффициента обратной связи, индук-
тивности L1 и тока эмиттера АГ по схеме рис. 9.19 при ёмкости
варикапа 12 пФ.
9.157. Определите величину эквивалентной индуктивности Lэ и
индуктивности L4 колебательного контура С3L4 автогенера-
тора по схеме рис. 9.19, а также расстройку резонансной час-
тоты контура Δf = f0 − f относительно частоты автоколебаний
f = 27 МГц.
ПАВ-резонаторы и ПАВ-линии задержки

9.158. Каковы основные: а) достоинства; б) недостатки ПАВ-резо-
наторов?
9.159. Какой фактор является основой миниатюризации приборов
ПАВ?
9.160. Определите длину ПАВ в кварцевой пластине на частоте:
а) 20; б) 430; в) 1000 МГц.
9.161. Какие элементы составляют основу конструкции ПАВ-при-
боров?
9.162. Сравните свойства ПАВ-резонаторов и ПАВ-линий задержки
с точки зрения построения АГ.
9.163. Сравните свойства одновходовых и двухвходовых ПАВ-ре-
зонаторов.
9.164. Почему резонаторы на ПАВ, в основном, используют для
стабилизации частоты маломощных передающих устройств и
в РТС малого радиуса действия?
9.165. Определите динамические индуктивность и ёмкость, а также
интервал между частотами параллельного и последовательного
резонансов ПАВ-резонатора с частотой последовательного ре-
зонанса 434 МГц, если его добротность равна 12400, Rm = 16 Ом,
С0 = 2,5 пФ (рис. 9.20, а).
Автогенераторы и передатчики на ПАВ
9.166. Каков диапазон рабочих частот АГ на ПАВ-резонаторах?
9.167. Дайте примеры возможного использования передатчиков на
ПАВ-резонаторах.
9.168. Каковы: а) достоинства; б) недостатки АГ на ПАВ-резона-
торах?
9.169. Сравните свойства АГ на ПАВ-резонаторах и: а) LC-генера-
торов; б) кварцевых АГ.
9.170. Поясните назначение элементов АГ по схеме на рис. 9.21.
9.171. Определите величину индуктивности КС и коэффициента
ОС автогенератора по схеме рис. 9.21, а также максимально
возможную величину сопротивления Rн и добротности Qн его
КС. Влиянием ёмкостей транзистора можно пренебречь.
9.172. Определите величину тока Ik0 генератора по схеме рис. 9.21
при Е = 3,6 В и использовании кремниевого транзистора с β0,
равным: а) 20; б) 50; в) 100. Оцените стабильность коллектор-
ного тока при изменении β0.
9.173. Как можно изменить параметры АГ по схеме рис. 9.21, чтобы

ток Iк0 в меньшей степени зависел от величины β0?
9.174. Поясните назначение элементов радиочастотного модуля по
схеме рис. 9.22.
9.175. Начертите эквивалентные схемы АГ радиочастотного модуля
(рис. 9.22) по: а) высокой частоте; б) постоянному току и опи-
шите особенности этих схем.
9.176. Для параметров схемы АГ, указанных на рис. 9.22, определите
величину коэффициента ОС, индуктивности L1 и добротнос-
ти КС с учётом шунтирующего влияния резистора R5, если
суммарная ёмкость выходной цепи транзистора равна 2,3 пФ,
а собственная добротность КС автогенератора равна Q0 = 70.
Влиянием ёмкостей транзистора можно пренебречь.
9.177. Определите минимальную величину коэффициента ОС для
самовозбуждения АГ по схеме рис. 9.22, если при Iк0 = 2 мА
крутизна S0 равна 5 мСм, L1 = 70 нГн, добротность нагружен-
ной КС равна Qн = 30.
9.178. Определите максимальную скорость передачи данных радио-
частотного модуля по схеме рис. 9.22, если отношение длитель-
ности импульса τи к постоянной времени ФНЧ равно: а) 2; б) 4;
в) 16. Сравните свойства вариантов а), б) и в).
9.179. Как можно повысить стабильность частоты задающего АГ
радиочастотного модуля по схеме рис. 9.22?
Синхронизация частоты автогенераторов

9.180. В чём проявляется явление синхронизации частоты?
9.181. Как изменяется собственная частота автогенератора при син-
хронизации?
9.182. Как можно продемонстрировать явление синхронизации?
9.183. Возможна ли синхронизация: а) ламповых; б) транзисторных;
в) диодных; г) магнетронных; д) лазерных АГ?
9.184. Дайте примеры: а) полезного; б) вредного действия явления
синхронизации.
9.185. Каковы достоинства радиоэлектронных устройств, использу-
ющих явление синхронизации?
9.186. Почему стабилизацию частоты с помощью синхронизации
чаще всего осуществляют в диапазоне СВЧ?
9.187. Какова область использования: а) умножителей; б) делителей
частоты на базе синхронизированных генераторов?
9.188. Можно ли использовать явление синхронизации для усиле-
ния мощности?
9.189. Как можно повысить коэффициент усиления по мощности

синхронизированного АГ?
9.190. Как можно увеличить полосу синхронизации на: а) основной
частоте; б) гармонике; в) субгармонике?
9.191. Возможна ли синхронизация колебаний при соотношении
частот синхросигнала и свободного АГ близким к: а) 1:1; б) 1:2;
в) 2:1; г) 3:2?
9.192. Определите частоту автоколебаний при синхронизации, если
частота свободного АГ равна 50,5 МГц, а частота внешнего сиг-
нала: а) 25,3; б) 50,3; в) 100,8 МГц.
9.193. Можно ли считать собственные шумы автогенератора вне-
шним воздействием?
9.194. Как изменяется частота АГ под влиянием: а) внешних; б) собс-
твенных шумов?
9.195. Как можно определить мощность и частоту самосинхронизи-
рованного магнетрона?
9.196. В какую цепь АГ следует подавать синхронизирующий сиг-
нал? Как можно ввести синхронизирующее напряжение в:
а) ламповый; б) транзисторный; в) магнетронный; г) диодный
автогенератор?
9.197. Получите формулу для расчёта внешней добротности при из-
вестных значениях Qн и Q0. В каком случае справедливо при-
ближённое равенство Qвн ≈ Qн?
9.198. Определите полосу синхронизации АГ в режиме гармоничес-
кого захватывания, если f0 = 4 ГГц, Q0 = 200, Qн = 28, а коэффи-
циент усиления по мощности равен: а) 10 дБ; б) 20 дБ; в) 30 дБ;
г) 40 дБ.
9.199. Определите внешнюю добротность колебательной систе-
мы автогенератора для обеспечения полосы синхронизации
100 МГц на частоте 35 ГГц, если Кр = 20 дБ.
9.200. Определите полосу синхронизации автогенератора, если его
частота равна 0,7 ГГц, мощность 0,8 Вт, мощность синхронизи-
рующего колебания 20 мВт, Q0 = 150, Qн = 100.
Затягивание частоты автогенераторов
9.201. В каких из перечисленных АГ не происходит затягивания час-
тоты (отсутствует эффект длинной линии): ламповых, транзис-
торных, диодных, клистронных, магнетронных, ЛОВ?
9.202. Почему при плавной перестройке частоты нагрузочного кон-
тура АГ возможны скачкообразные изменения частоты авто-
колебаний?
9.203. В чём проявляются и в каких случаях возникают явления

затягивания частоты автогенераторов?
9.204. Как проявляется явление затягивания частоты в: а) стацио-
нарном; б) импульсном режиме работы АГ?
9.205. Какова особенность АГ с многорезонансными КС?
9.206. Из каких соображений выбирают величину связи контура АГ
с нагрузочным контуром?
9.207. Определите максимально допустимый коэффициент связи
между контуром АГ и нагрузочным контуром, при котором
отсутствуют скачки частоты АГ и тока в нагрузке, если добро-
тность нагрузочного контура равна: а) 10; б) 50; в) 250.
9.208. Почему рекомендуется осуществлять слабую связь АГ с ре-
зонансным волномером?
9.209. Дайте примеры: а) полезного действия затягивания частоты;
б) вредного действия затягивания частоты.
9.210. Почему при подсоединении к основному контуру АГ второго
(высокодобротного) контура достигается гораздо более высо-
кая стабильность частоты?
9.211. Как можно устранить затягивание частоты АГ?
Эффект длинной линии
9.212. Как проявляется эффект длинной линии в: а) стационарном
режиме работы АГ; б) импульсном режиме работы АГ?
9.213. Почему при большой длине фидера, соединяющего АГ с на-
грузкой, возможны перескоки частоты автоколебаний?
9.214. Почему при малой длительности импульсов τ автогенерато-
ра и достаточно большой длине l фидера отсутствует эффект
длинной линии? Определите минимальную длину фидера из
условия отсутствия эффекта длинной линии.
9.215. Определите минимальную длину коаксиального кабеля, при
которой отсутствует эффект длинной линии, если длительность
импульсов АГ равна: а) 0,05 мкс; б) 0,2 мкс; в) 0,5 мкс, а фазовая
скорость волны в кабеле равна Vф = 0,8 с.
9.216. Длина фидера, соединяющего АГ с нагрузкой, равна l; фаза
коэффициента отражения электромагнитной волны от нагруз-
ки равна φ0. Определите: а) фазу коэффициента отражения во
входном сечении АГ; б) производную фазы по частоте.
9.217. Определите максимально допустимую полосу затягивания
автогенератора из условия отсутствия перескоков частоты,
если длина фидера, соединяющего автогенератор с нагрузкой,
равна 1,5 м; Vф = 0,8 с; КСВН = 2.
9.218. Определите длину кабеля, соединяющего АГ с нагрузкой, из

условия отсутствия перескоков частоты, если фазовая скорость
волны в кабеле равна 0,9 с. КСВН в диапазоне рабочих частот
изменяется от 1,1 до 1,7, а полоса затягивания равна 60 МГц.
9.219. Как можно устранить эффект длинной линии?
Стабильность частоты автогенераторов
9.220. Почему необходимо обеспечивать высокую стабильность час-
тоты автогенераторов?
9.221. Какие факторы вызывают изменение частоты АГ?
9.222. Какие методы используют для повышения стабильности час-
тоты автогенераторов?
9.223. Как осуществляют параметрическую стабилизацию часто-
ты?
9.224. Какие требования предъявляют к КС высокостабильного ав-
тогенератора?
9.225. Как влияют на частоту автоколебаний: а) технические; б) ес-
тественные дестабилизирующие факторы?
9.226. Почему при создании высокочастотных высокостабильных
генераторов предпочтительней использовать задающие квар-
цевые АГ на возможно более высокие частоты, а не вводить
дополнительные каскады умножителей частоты?
9.227. Определите ТЧК контура и изменение его резонансной часто-
ты при увеличении температуры на 10 градусов, если темпера-
турные коэффициенты контурной индуктивности L = 35 мкГн
и ёмкости C = 64 пФ соответственно равны 15·10-6 и 25·10-6.
9.228. Определите абсолютное изменение частоты прецизионного
кварцевого резонатора при изменении температуры на 2,0 К,
если его ТЧК = 5·10-8; f0 =2,5 МГц.
9.229. В АГ использован контур с добротностью 30 и резонансной
частотой 30 МГц. Определите сдвиг генерируемой частоты от-
носительно резонансной, если D = 0; φs = –30°; φk = 40°.
9.230. Определите точное значение частоты автогенератора, если
D = 0; резонансная частота контура 3 МГц, его добротность
Q = 100; φs = –20°; φk = 0°.
9.231. Резонансная частота контура 3 МГц, добротность 100. Опре-
делите генерируемую частоту, если D = 0; φs = 0°; φk = 0,01 рад.
9.232. Сравните свойства автогенераторов на LC, ПАВ и кварцевых
резонаторах.
Измерение нестабильности частоты

9.233. Почему при обработке результатов измерений вычисляют
отклонение частоты от среднего, а не от истинного значения
частоты?
9.234. Сколько измерений частоты нужно выполнить при оценке ста-
бильности частоты АГ для заданного интервала усреднения?
9.235. Почему при практических измерениях абсолютное значение
кратковременной и долговременной нестабильности частоты
определяют по различным формулам?
9.236. Определите среднее значение частоты, её дисперсию и от-
носительную нестабильность, если измеренные значения час-
тоты равны: а) 2500073; 2500115; 2500106; 2500122; 2500087;
2500016; 2500091; 2500125; 2500138 и 2500054 Гц; б) f = f0 + Δf,
где f0 = 1,8 ГГц, Δf = 100073 Гц; 100115 Гц; 100106 Гц; 100122 Гц;
100087 Гц; 100016 Гц; 100091 Гц; 100212 Гц; 100125 Гц;
100138 Гц; 100054 Гц и 100207 Гц; в) f = f0 + Δf, где f0 = 170 МГц,
Δf = 502 Гц; 515 Гц; 532 Гц; 442 Гц; 495 Гц; 475 Гц; 498 Гц и
570 Гц.
9.237. Для каждого интервала усреднения определите среднее зна-
чение частоты, её дисперсию и относительную нестабильность
частоты. Объясните полученные результаты. Постройте график
зависимости относительной нестабильности частоты от време-
ни усреднения. Измеренные значения частоты при интервалах
усреднения τ = 1; 10; 10; 1000 и 10000 мс соответственно равны
(в килогерцах):
9.238. Постройте график зависимости относительной нестабильнос-

ти частоты от времени усреднения τ и объясните полученные
результаты, если измеренные значения частоты при τ = 1; 10;
100; 1000 и 10000 мс соответственно равны (в килогерцах):
9.239. Постройте график зависимости относительной нестабильнос-

ти частоты от времени усреднения τ и объясните полученные
результаты, если измеренные значения частоты при τ = 1; 10;
100; 1000 и 10000 мс соответственно равны (в килогерцах):
Нелинейное уравнение автогенератора

9.240. В каком случае для исследования автогенераторов следует
использовать: а) линейные; б) нелинейные ДУ?
9.241. Какая из схем, изображенных на рис. 9.25, является более

точной для высокостабильных АГ?
9.242. Определите величину сопротивления R при переходе от схе-
мы рис. 9.25, а к схеме, показанной на рис. 9.25, б.
9.243. Докажите, что в ДУ автогенераторов по схеме рис. 9.25, а при
Q 1 можно пренебречь членом r f(u).
9.244. Составьте ДУ автогенератора по схеме рис. 9.25, б относитель-
но напряжения на контуре u. Запишите условие самовозбужде-
ния (нарастания амплитуды колебаний) этого АГ.
9.245. Составьте ДУ автогенератора по схеме: а) рис. 9.24, а;
б) рис. 9.24, б относительно входного напряжения u. Можно
принять, что выходное напряжение uC не влияет на ток i и от-
сутствует входной ток АЭ. Запишите условие самовозбужде-
ния (нарастания амплитуды колебаний) этого АГ.
9.246. Начертите схему АГ на ПТ с индуктивной ОС и колебатель-
ным контуром во входной цепи АЭ. Используйте: а) последо-
вательную; б) параллельную схему замещения колебательного
контура. Составьте для этой схемы ДУ относительно напряже-
ния u во входной цепи АЭ. Ток входной цепи АЭ и проница-
емость АЭ можно принять, равными нулю. Запишите условие
самовозбуждения этого АГ.
9.247. Можно ли использовать нелинейное ДУ, описывающее пове-
дение одноконтурного АГ, для АГ со сложными КС: а) двухкон-
турных; б) многоконтурных; в) с распределенными параметра-
ми; г) при неполном включении контура?
9.248. Начертите схему: а) индуктивной; б) емкостной трехточки на
БТ с параллельной схемой замещения колебательного контура.
Составьте для этой схемы ДУ относительно напряжения u во
входной цепи АЭ. Ток входной цепи АЭ и проницаемость АЭ
можно принять равными нулю. Запишите условие самовозбуж-
дения этого АГ.
Метод медленно меняющихся амплитуд.
Квазилинейный метод
9.249. В каком случае при решении нелинейного ДУ автогенератора
можно использовать: а) метод медленно меняющихся ампли-
туд; б) квазилинейный метод?
9.250. Можно ли использовать метод медленно меняющихся амп-
литуд и квазилинейный метод для анализа АГ со сложными
колебательными системами?
9.251. Каковы особенности: а) графических; б) аналитических мето-

дов расчета нелинейных систем?
9.252. Почему при представлении графиков аналитическими урав-
нениями обычно используют аппроксимацию?
9.253. Охарактеризуйте основные виды аппроксимации, используе-
мые в радиотехнике: а) кусочно-линейную; б) полиномом тре-
тьей степени; в) полиномом пятой степени.
9.254. Какова должна быть наименьшая степень полинома, ап-
проксимирующего ВАХ активного элемента, при анализе АГ,
работающего в: а) мягком; б) жестком режиме?
9.255. Почему среднюю крутизну целесообразно определять при ап-
проксимации ВАХ укороченными полиномами, содержащими
слагаемые только нечетных степеней?
9.256. Получите аналитическое выражение для средней крутизны
при аппроксимации ВАХ полиномом третьей степени а) пол-
ным; б) укороченным.
9.257. Получите аналитическое выражение для средней крутизны
при аппроксимации ВАХ полиномом пятой степени а) полным;
б) укороченным.
9.258. Используя укороченное ДУ автогенератора, определите усло-
вие: а) самовозбуждения; б) стационарного режима.
9.259. Какое изменение амплитуды колебаний считается медлен-
ным?
9.260. Докажите справедливость неравенств dU/dt ωU и
d2U / dt2 ω2U в случае медленного по сравнению с периодом
колебаний T изменения амплитуды высокочастотного напря-
жения u = U · sinωt.
9.261. Используя метод медленно меняющихся амплитуд, получите
укороченное ДУ для одноконтурного АГ с высокодобротной КС,
если предполагаемое решение ДУ имеет вид u = U(t) · sinωt.
9.262. Определите знаки коэффициентов a1 и a3 при аппроксимации
ВАХ АЭ полиномом третьей степени.
9.263. Определите величину коэффициентов a1 и a3 при аппрокси-
мации ВАХ ТД полиномом третьей степени, если напряжение
смещения U0 на ТД равно: а) 0,2В; б) 0,3В; (см. рис. 9.35).
9.264. Определите стационарную амплитуду колебаний АГ при
аппроксимации ВАХ полиномом третьей степени, если
a1 = 15 мСм, a3 = –4 мА/В3, R = 300 Ом.
9.265. Определите стационарную амплитуду колебаний АГ при
аппроксимации ВАХ полиномом третьей степени, если
a1 = 120 мА/В, a3 = –1,3 мА/В3, добротность КС равна 200, а

характеристическое сопротивление равно: а) 0,05 Ом; б) 0,1 Ом;
в) 0,5 Ом.
9.266. Используя решение задачи 9.263, расcчитайте амплитуду ко-
лебаний при напряжении питания: а) 0,2 В; б) 0,3 В. Сопротив-
ление нагрузки равно 250 Ом.
9.267. Определите амплитуду колебаний по характеристикам сред-
ней проводимости (см. рис. 9.35) при R = 250 Ом и напряжении
питания U0, равном: а) 0,2 В; б) 0,3 В. Сравните полученные ре-
зультаты с расчетами предыдущей задачи.
9.268. Получите уравнение для расчета стационарной амплитуды
колебаний АГ при аппроксимации ВАХ полиномом: а) третьей;
б) пятой степени.
Процесс установления амплитуды автоколебаний
9.269. Каковы этапы самовозбуждения колебаний?
9.270. Как протекает процесс самовозбуждения колебаний?
9.271. Какие факторы определяют начальную амплитуду колебаний,
возникающих в контуре АГ?
9.272. Как можно уменьшить амплитуду напряжения ударного воз-
буждения КС АГ при включении питающих напряжений?
9.273. Определите амплитуду ударного возбуждения КС автогене-
ратора с характеристическим сопротивлением 300 Ом и резо-
нансной частотой 5 МГц, если скорость нарастания выходного
тока АЭ равна 0,2 мА/мкс.
9.274. Почему при импульсной модуляции АГ длительность радио-
импульсов получается меньше длительности модулирующих
импульсов?
9.275. Почему при одинаковых параметрах модулирующих импуль-
сов магнетрон создает радиоимпульсы меньшей длительности,
чем ламповый АГ такой же мощности и длины волны?
9.276. Почему в импульсных АГ имеют место флуктуации фронта
радиоимпульсов?
9.277. Как уменьшить время установления амплитуды колебаний
автогенератора?
9.278. Как выбрать параметры КС автогенератора для снижения
времени установления амплитуды автоколебаний?
9.279. Как можно повысить стабильность времени установления ам-
плитуды колебаний АГ?
9.280. Как уменьшить флуктуации фронта радиоимпульсов при им-
пульсной модуляции АГ?
9.281. Как влияют флуктуации фронта радиоимпульсов на парамет-

ры радиосистем?
9.282. Получите формулу для расчета напряжения ударного возбуж-
дения КС АГ при включении напряжения питания.
9.283. Как уменьшить амплитуду напряжения ударного возбужде-
ния при заданных значениях резонансного сопротивление КС
и резонансной частоты?
9.284. Определите амплитуду напряжения ударного возбуждения
КС автогенератора, если: а) R = 8 кОм, Q = 200, f0 = 1 ГГц;
б) R = 2 кОм, Q = 70, f0 = 40 МГц. Скорость нарастания выход-
ного тока АЭ равна 1 мА/мкс.
9.285. Определите время установления амплитуды автоколебаний
и количество колебаний n за время установления амплитуды,
если Uст/Uн = 1000; G0 = 10 мСм; z = 0,8. Параметры КС авто-
генератора: f0 = 900 МГц, С = 80 пФ; сопротивление R равно
а) 75 Ом; б) 150 Ом; в) 300 Ом.
9.286. Определите время установления амплитуды автоколеба-
ний и количество колебаний n за время установления амп-
литуды, если Uст/Uн = 1000, z = 0,8, а проводимость G0 равна:
а) 20 мСм; б) 40 мСм; в) 80 мСм. Параметры КС автогенерато-
ра: f0 = 1800 МГц, R = 75 Ом, Q = 40.
9.287. Определите время установления амплитуды колебаний АГ
в мягком режиме его работы (z = 0,8), если рабочая частота
равна 2 ГГц, добротность КС равна 80; R = 75 Ом; S0 = 60 мСм;
Uст = 7 В. Начальная амплитуда колебаний равна: а) 1 мВ;
б) 100 мкВ; в) 10 мкВ; г) 0.
9.288. Для АГ предыдущей задачи определите количество колеба-
ний за время установления амплитуды.
9.289. Определите относительное изменение времени установления
амплитуды колебаний АГ при уменьшении отношения Uст/Uн в:
а) 2; б) 5; в) 10 раз, если начальное значение отношения Uст/Uн
равно 104.
9.290. Определите время установления амплитуды автоколебаний
и количество колебаний n за время установления амплитуды,
если Uст/Uн = 200, G0 = 1 мСм, Z = 0,8. Параметры КС автогене-
ратора: Q = 100, f0 = 0,5 МГц, С = 10 нФ.
9.291. Как можно определить время установления амплитуды коле-
баний АГ и со сложной КС?
Шумы в автогенераторах
9.292. Как влияют на параметры АГ его собственные шумы?
9.293. Какова природа шума: а) теплового; б) дробового?

9.294. Какова природа шумов: а) естественных; б) технических?
9.295. Какой частотный спектр имеет шум а) дробовой; б) тепло-
вой?
9.296. Почему дробовой и тепловой шум часто называют белым?
9.297. Почему при увеличении полосы до бесконечно больших час-
тот шумовое напряжение не стремится к бесконечности, как это
следует из формулы Найквиста?
9.298. Почему формулу Найквиста нельзя использовать для беско-
нечного спектра частот?
9.299. Определите диапазон частот, в котором можно использовать
формулу Найквиста, пренебрегая квантовомеханическими эф-
фектами.
9.300. Постройте спектр теплового шума на резистивном сопротив-
лении при температуре: а) Т > 0; б) Т = 0.
9.301.Определите значение предельной частоты, ограничивающей
реальный спектр теплового шума при температуре: а) –100 °С;
б) 20 °С; в) 100 °С.
9.302. Используя формулу Найквиста, получите выражение для
численного расчета эффективного значения напряжения тепло-
вого шума колебательного контура с известными параметрами
R и 2 Δf0,7 при температуре: а) 20 °С; б) –60 °С; в) –273 °С.
9.303. Определите эффективное напряжение теплового шума на со-
противлении R = 10 кОм в полосе частот 10 кГц при 20 °С.
9.304. Определите суммарное напряжение теплового Uт и дробового
Uдр шума.
9.305. Определите отношение напряжений Uдр/Uт, при котором с
погрешностью ∆, равной: а) 0,1; б) 0,05; в) 0,02; г) 0,01 можно
пренебречь влиянием теплового шума.
9.306. Как зависит напряжение шума: а) теплового; б) дробового на
нагрузке в виде параллельного колебательного контура от ве-
личины резонансной частоты контура?
9.307. Определите эффективное значение шумового напряжения
на нагрузке в виде параллельного соединения R = 5 кОм и
С = 45 пФ при токе I0, равном: а) 1,5 мА; б) 10 мА.
9.308. Определите эффективное напряжение шума на выходе ре-
зистивного усилителя при токе I0 = 60 мА и сопротивлении
нагрузки 100 Ом. Величина емкости, шунтирующей нагрузку,
равна а) 8 пФ; б) 120 пФ.
9.309. Определите эффективное напряжение шума в колебательном
контуре с параметрами 2 Δf0.7 = 10 МГц, С = 4 пФ, возникающее

за счет дробового эффекта, если ток лампы равен 30 мА.
9.310. Определите эффективное значение шумового напряже-
ния на колебательном контуре с параметрами R = 4 кОм,
2Δf0.7 = 10 МГц, если ток I0 равен 30 мА.
9.311. Определите эффективное значение напряжения шумов на
контуре от дробового эффекта, если С = 2 пФ, R = 1 кОм, а ток
I0 равен 15 мА.
9.312. Определите эффективное значение флуктуационной состав-
ляющей и относительные флуктуации σi /I0 тока I0, равного:
а) 1 А; б) 1 мкА; в) 1·10-12 А, в полосе шириной 10 кГц.
9.313. Как зависит величина относительных флуктуаций тока от
его среднего значения?
9.314. Как физически объяснить зависимость величины относитель-
ных флуктуаций тока от его среднего значения (см. решения
задач 9.312 и 9.113)?
9.315. Определите дисперсию флуктуационной составляющей тока
и эффективное значение шумового напряжения от дробового
эффекта на резистивном сопротивлении, равном 10 кОм, если
I0 = 1 мА, а ∆f = 15 кГц.
9.316. Определите отношения шумовых напряжений Uдр/Uт на парал-
лельном колебательном контуре, шунтированным омическим со-
противлением R, при температуре: а) –60 °С; б) 20 °С; в) 60 °С.
9.317. Определите амплитуду высокочастотного напряжения на ко-
лебательном контуре автогенератора, при которой отношение
шумовых напряжений Uдр/Uт на контуре будет не меньше трех.
Автогенератор работает с углами отсечки выходного тока от 40
до 180° в диапазоне температур от –60 до 60 °С.
9.318. Используя решение предыдущей задачи оцените относитель-
ное влияние теплового и дробового шума в реальных АГ.
9.319. Определите минимальное значение постоянного напряжения
U = RI0, при котором в шумовом напряжении на резисторе R
дробовой шум начнет доминировать над тепловым. Температу-
ра резистора равна: а) –60 °С; б) 20 °С; в) 60 °С.
9.320. Колебательный контур включен в выходную цепь генератора.
Определите минимальную амплитуду выходного напряжения ге-
нератора I1R, при которой в шумовом напряжении на контуре дро-
бовой шум начнет доминировать над тепловым, если Т = 293 К, а
угол отсечки выходного тока равен: а) 60 °С; б) 80 С; в) 180 °С.
9.321. Колебательный контур включен в выходную цепь генератора.
Определите амплитуду выходного напряжения генератора I1R,
при которой мощность дробового шума превосходит мощность

теплового шума в: а) 1,5; б) 5; в) 10 раз, если Т = 293 К, а угол
отсечки выходного тока равен 80°.
9.322. Используя формулу Шоттки, получите выражение для чис-
ленного расчета эффективного значения напряжения дробово-
го шума в колебательном контуре с известными параметрами:
а) R и С; б) R и 2 Δf0.7; в) С и 2 Δf0.7.
9.323. Определите отношение колебательной мощности АГ к мощ-
ности его дробового шума при заданном значении полосы про-
пускания КС.
9.324. Как объяснить физически, что отношение мощностей P1/Pдр
прямо пропорционально величине тока I0 (см. решение преды-
дущей задачи)?
9.325. Определите отношение мощностей P1/Pдр при g1 = 1,4 и токe
I0 равном: а) 1; б) 10; в) 100 мА, если добротность КС автогене-
ратора равна 500, а резонансная частота равна 3 ГГц.
9.326. Как можно увеличить отношение мощностей P1/Pдр автоге-
нератора?
9.327. Как можно увеличить отношение амплитуды первой гармо-
ники тока к его флуктуационной составляющей?
9.328. Как объяснить физически, что при увеличении тока I0 увели-
чивается и отношение I1/σi (см. ответ к задаче 9.327)?
9.329. Определите величину постоянной составляющей тока АЭ,
при которой отношение σi/I0 равно: а) 10-4; б) 10-5; в) 10-6, если
Δf = 1 МГц. Объясните полученные результаты.
9.330. Определите отношение колебательной мощности АГ и мощ-
ности его дробового шума, если g = 1; 2Δf0.7 = 33МГц. Ток I0 ак-
тивного элемента pавен: а) 2 мА; б) 20 мА; в) 0,2 А;.
9.331. Определите отношение напряжений, Uдр/U, если полоса про-
пускания КС равна: а) 1 МГц; б) 10 МГц; в) 100 МГц, ток I0
равен 30 мА, а g = 1
9.332. Определите отношения мощностей P1/Pдр автогенератора на
диоде Ганна, если ток диода равен 0,5 А, g1 = 0,4, f0 = 33 ГГц, а
добротность КС равна: а) 500; б) 75; в) 30.
Флуктуации частоты и фазы автоколебаний
9.333. Как уменьшить частотную флуктуацию автоколебаний, обус-
ловленную дробовым шумом?
9.334. Как зависит величина частотной флуктуации АГ от а) часто-
ты автоколебаний; б) полосы пропускания КС?
9.335. Определите эффективное значение частотной флуктуации

АГ с рабочей частотой: а) 30 МГц; б) 3 ГГц, если добротность
контура равна 20, а Pш/P1 = 10-12.
9.336. Определите эффективное значение частотной флуктуации АГ
с рабочей частотой 3 ГГц, если добротность его КС равна а) 20;
б) 100; в) 500, а Pш/P1 = 10-12.
автоколебания при U/Uш = 105, если параметры КС автогене-
ратора равны: а) f0 = 176 МГц, Q = 55; б) f0 = 800 МГц, Q = 250;
в) f0 = 2400 МГц, Q = 750.
9.338. Определите эффективное значение частотной флуктуации ав-
токолебаний, обусловленной дробовым шумом АЭ, если ток АЭ
равен: а) 0,5 мА; б) 5 мА; в) 50 мА, g1 = 1,3, а 2 Δf0.7 = 1 МГц.
автоколебаний, обусловленной дробовым шумом АЭ, если ток
АЭ равен 10 мА, угол отсечки равен: а) 70°; б) 120°; в) 180°, а
2 Δf0.7 = 1 МГц.
9.340. Определите эффективное значение частотной флуктуации АГ
с рабочей частотой 800 МГц при токе I0, равном 10 мА и угле
отсечки 180°, если добротность КС автогенератора равна: а) 50;
б) 100; в) 200.
лампового АГ, обусловленной дробовым шумом АЭ, если
I0 = 30 мА, U = 180 В, R = 4 кОм, а полоса пропускания контура
равна: а) 1 МГц; б) 10 МГц.
9.342. Как объяснить физически, что величина частотной флуктуа-
ции, обусловленной дробовым шумом АЭ, обратно пропорци-
ональна величине тока I0?
9.343. Определите величину тока I0, при которой частотная флук-
туация, обусловленная дробовым шумом АЭ, не превысит:
а) 1 Гц; б) 10 Гц, если частота автоколебаний равна 180 МГц,
добротность контура 90, g1 = 1,5.
9.344. В каких случаях необходимо учитывать флуктуационный на-
бег фазы автоколебаний?
9.345. Как можно уменьшить флуктуационный набег фазы автоко-
лебаний при большом времени наблюдения?
9.346. Определите среднеквадратичный набег фазы автоколеба-
ний за время Δt, равное: а) 5 мкс; б) 100 мкс; в) 2 мс, если
P1/Pш = 2,27·109, f0 = 33 ГГц, а Q = 75.
9.347. Определите набег фазы автоколебания φэф за время Δt, рав-
ное: а) 1 мкс; б) 10 мкс; в) 100 мкс, если f0 = 33 ГГц, Q = 1000,

Uш/U = 10-5.
9.348. Определите погрешность доплеровского измерителя скорости
συ, обусловленную влиянием дробового шума АЭ, если ток АЭ
равен 0,5 А, g1 = 0,4, добротность КС равна: а) 500; б) 75; в) 30,
дальность действия измерителя равна 750 м, а интервал усред-
нения скорости 1 мс.
9.349. Определите погрешность доплеровского измерителя скоро-
сти, обусловленную влиянием шумов, если интервал усредне-
ния скорости равен 1 мс, дальность действия измерителя 750 м,
f0 = 33 ГГц. Отношение мощностей P1/Pш и полоса пропуска-
ния контура АГ равны: а) 2,4·109, 66 МГц; б) 3,6·108, 440 МГц;
в) 1,4·108, 1100 МГц.
9.350. Определите среднеквадратичную погрешность доплеровско-
го измерителя скорости, обусловленную влиянием естествен-
ных шумов, при Tи = 1 мс, Q = 100, f0 = 30 ГГц, Pш/P1 = 10-10 и
R = 1,5 км.
9.351. Определите относительную погрешность доплеровского изме-
рителя скорости συ, обусловленную влиянием дробового шума,
при Tи = 1 мс, Q = 100, I0 = 0,2 А, g1 = 1,32, R = 1,5 км и скорости
объекта υ = 4 м/с.
9.352. Определите максимальную дальность действия доплеровско-
го измерителя, при которой погрешность измерения скорости,
обусловленная влиянием дробового шума АЭ, не превысит:
а) 0,001 м/с; б) 0,01 м/с; в) 0,1 м/с, если интервал усреднения
скорости равен 1 мс. Ток АЭ, равен 0,5 А, g1 = 0,4, а добротность
КС равна 75.
9.353. Определите максимальную дальность действия доплеровс-
кого измерителя, при которой погрешность измерения скоро-
сти, обусловленная влиянием дробового шума АЭ не превысит
0,01 м/с, если интервал усреднения скорости равен: а) 10 мс;
б) 1 мс; в) 0,1 мс. Ток АЭ равен 0,5 А, g1 = 0,4, а добротность
КС равна 75.
Паразитная автогенерация
9.354. Почему в передатчиках недопустимы даже самые слабые па-
разитные автоколебания?
9.355. На каких частотах возможно возникновение паразитной ав-
тогенерации?
9.356. Какие элементы передатчика могут создавать КС и цепи об-
ратной связи паразитных автогенераций?
9.357. Какие виды связи входных и выходных цепей возможны в

усилителях?
9.358. Какие причины могут вызвать паразитные автоколебания?
9.359. В каких случаях возможна параметрическая автогенерация?
9.360. Каковы наиболее вероятные причины возникновения пара-
зитной автогенерации в: а) ламповых генераторах; б) транзис-
торных генераторах; в) устройствах с реактивными диодами
(умножители и делители частоты, модуляторы, параметричес-
кие усилители)?
9.361. По каким признакам можно судить о наличии паразитных
автоколебаний?
9.362. Как следует поступать при обнаружении паразитной автоге-
нерации?
9.363. Какие способы используют для устранения паразитных ав-
тогенераций?
9.364. Как можно увеличить затухание в паразитном колебательном
контуре?
9.365. Укажите не менее пяти способов ослабления паразитной ОС
в усилителе?
9.366. Как можно устранить параметрическую автогенерацию?
9.367. Почему в усилителе по схеме рис. 9.28, а на частотах, гораздо
больших рабочей частоты, можно пренебречь влиянием кон-
турных индуктивностей и емкостей?
9.368. Как можно устранить высокочастотную паразитную автоге-
нерацию в усилителе по схеме рис. 9,28, а?
9.369. Как можно устранить низкочастотную паразитную автогене-
рацию в АГ по схеме Клаппа (рис. 9.29, а)?
9.370. Из каких соображений определяют величину антипаразитно-
го резистора R2 в АГ по схеме Клаппа (рис. 9.29, а)?
9.371. Определите: а) рабочую частоту; б) частоту возможной па-
разитной генерации АГ по схеме рис. 9.29, а. Определите воз-
можность генерации основных и паразитных колебаний с ис-
пользованием антипаразитного резистора R2 и без него при
добротности рабочего и паразитного контуров Q = 50 и кру-
тизне S0 = 50 мСм.
9.372. Определите максимально допустимую индуктивность LВ2
из условия отсутствия паразитной автогенерации в схеме
рис. 9.13, б, но без резистора R1. Использован ТД типа АИ101Д
(Сп = 10 пФ, rп = 12 Ом, LВ = 1 нГн, In = 2 мА). При найденном
значении LВ2 определите добротность паразитного контура и
частоту возможных паразитных автоколебаний. Влиянием ем-

кости Ск можно пренебречь.
9.373. Определите минимально допустимую емкость перехода тун-
нельного диода Сп из условия отсутствия паразитной автогене-
рации в схеме рис. 9.13, б, но без резистора R1. Использован ТД
типа АИ101Д (Iп = 2 мА, rп = 12 Ом, Lв = 1 нГн). Индуктивность
LВ2 равна 5 нГн. Влиянием емкости Ск можно пренебречь. При
найденном значении Сп определите добротность паразитного
контура и частоту возможных паразитных автоколебаний.
9.374. Определите минимально допустимое сопротивление потерь
туннельного диода rп из условия отсутствия паразитной автоге-
нерации в схеме рис. 9.13, б, но без резистора R1. Использован
ТД типа АИ101В (Iп = 2мА, Сп = 3,7пФ, Lв = 1 нГн). Индуктив-
ность LВ2 равна 4,5 нГн. Влиянием емкости Ск можно пренеб-
речь. При найденном значении rп определите добротность
паразитного контура и частоту возможных паразитных авто-
колебаний.
Общие задачи и вопросы по синтезаторам частот
9.375. Чем объясняется широкое распространение СЧ в различных
видах радиотехнической аппаратуры?
9.376. Дайте примеры использования СЧ в радиотехнических уст-
ройствах.
9.377. Какие факторы определяют допустимую нестабильность час-
тоты передатчика и, соответственно, его возбудителя?
9.378. Какие параметры СЧ влияют на ЭМС радиосредств?
9.379. Какие параметры характеризуют качество СЧ?
9.380. Почему СЧ обычно имеют небольшую выходную мощ-
ность?
9.381. В каких устройствах можно обойтись без СЧ?
9.382. Почему при повышенных требованиях к стабильности часто-
ты в устройствах с небольшим числом фиксированных частот
осуществляют коммутацию кварцевых генераторов, а не квар-
цевых резонаторов?
9.383. Сравните свойства электронных и механических ключей, ис-
пользуемых для переключения кварцевых резонаторов.
9.384. Каковы: а) достоинства; б) недостатки источников высокоста-
бильных колебаний типа кварц-волна?
9.385. Каковы: а) достоинства; б) недостатки интерполяционных
синтезаторов?
9.386. Получите и поясните формулу для расчета относительной

нестабильности частоты интерполяционного синтезатора по
схеме рис. 9.30, если относительные нестабильности кварцевого
и диапазонного генераторов равны ∆fэ/fэ и ∆fг/fг, а fэ fг.
9.387. Из каких соображений выбирают частоту fг диапазонного ге-
нератора в интерполяционном синтезаторе (рис. 9.30)?
9.388. Какие максимальные частоты имеют цифровые узлы совре-
менных синтезаторов частот?
9.389. Почему в РЭА чаще всего используют одноопорные СЧ?
9.390. Какие типы активных элементов и виды КС используют при
построении источников опорных колебаний?
9.391. Какие требования предъявляются к генераторам гармоник?
Какие устройства используют в качестве генераторов гармо-
ник?
9.392. Определите номер m-й гармоники последовательности пря-
моугольных видеоимпульсов на выходе ГГ, для которой при
заданной скважности q отношение амплитуд гармоник А1/Аm
равно: а) 1,05; б) 1,1; в) 1,2; г) 1,4; д) 1,5; е) 2,0.
9.393. Определите скважность последовательности прямоугольных
видеоимпульсов на выходе ГГ, при которой отношение ампли-
туд гармоник А1/А20 равно: а) 1,05; б) 1,1; в) 1,2; г) 1,4; д) 1,5.
Прямые синтезаторы частот
9.394. Какие узлы образуют прямые СЧ?
9.395. Какие преобразования сигналов осуществляются в прямых
синтезаторах частоты?
9.396. Каковы а) достоинства; б) недостатки пассивных аналоговых
СЧ?
9.397. Сравните свойства СЧ, изображенных на рис. 9.31, а и 9.31, б.
9.398. Определите минимальную скважность последовательности
прямоугольных видеоимпульсов на выходе ГГ (рис. 9.31), при
которой отношение амплитуд гармоник А1/Аm равно 1,5, если
номер m-й гармоники равен: а) 5; б) 10; в) 20.
9.399. Определите максимальный коэффициент перекрытия диа-
пазона и шаг перестройки частоты синтезатора с умножени-
ем частоты (рис. 9.31, а) при использовании фильтров: а) на
LC-элементах (mmax = 20); б) электромеханических (mmax = 50);
в) кварцевых (mmax = 150), если частота эталонного генератора
равна 10 кГц. Каким образом изменяют выходную частоту этого
синтезатора?
9.400. Определите выходную частоту, шаг перестройки частоты и

минимально допустимую полосу пропускания фильтра Ф1 син-
тезатора с умножением частоты (рис. 9.31, б), если fэ = 30 кГц,
mmax = 12, fг = 350 кГц, а долговременная нестабильность часто-
ты перестраиваемого генератора равна 10-3.
9.401. Почему ширина полосы пропускания фильтра Ф1 (рис. 9.31, б)
выбирается меньшей, чем шаг сетки?
9.402. Определите частоты генераторов fэ и fг СЧ по схеме рис. 9.31, б,
если центральная частота фильтра Ф1 равна 0,1 МГц, а выход-
ная частота равна: а) 1,0; б) 1,2; в) 1,4 МГц.
9.403. Определите выходную частоту синтезатора по схеме рис. 9.31, б,
если частота mfэ равна 120 МГц, а fг = 119±0,1 МГц.
9.404. Какие требования предъявляются к полосовым фильтрам
синтезаторов частот по схемам рис. 9.30 и 9.31? Какие элемен-
ты используют для построения фильтров?
9.405. В синтезаторе частот по схеме рис. 9.31, б, выходная цепь ГГ
содержит резонансный контур ударного возбуждения, который
формирует радиоимпульсы со средней частотой f0 = 40 МГц,
длительностью τ = 30 нс и периодом повторения Т = 1 мкс. Час-
тота эталонного генератора равна fэ = 1 МГц, генератор Г пере-
страивается в пределах 30…60 МГц, а фильтр Ф1 выделяет по-
лосу частот fг – m fэ = (5±0,1) МГц. Определите коэффициент
перекрытия диапазона и шаг перестройки частоты этого СЧ.
9.406. Определите максимальное и минимальное значение кратнос-
ти m СЧ предыдущей задачи, при которых огибающая спектра
последовательности радиоимпульсов изменяется слабо. Срав-
ните эти значения с фактическими.
9.407. Каковы особенности двухуровневого синтезатора по схеме
рис. 9.32?
9.408. Как повысить рабочую частоту СЧ по схеме рис. 9.32?
9.409. Почему частота следования импульсов на выходе ДПКД
(рис. 9.32) должна быть в два раза выше частоты сигнала на
выходе синтезатора?
9.410. Как уменьшить уровень побочных составляющих на выходе
СЧ по схеме рис. 9.32 при нецелых значениях fэ/fвых?
Синтезаторы с фазовой автоподстройкой частоты
9.411. Каковы: а) достоинства; б) недостатки непрямых СЧ по срав-
нению с прямыми?
9.412. Какие элементы используют при построении управляемых по
частоте автогенераторов (ПГ на рис. 9.33)?
9.413. Какие типы фазовых дискриминаторов используют в СЧ?

9.414. Каковы: а) достоинства; б) недостатки простейшего син-
тезатора с ФАП (рис. 9.33)?
9.415. Как можно увеличить число дискретных частот на выходе
(уменьшить шаг перестройки) синтезатора с ФАП (рис. 9.33)?
9.416. Чем отличается построение цифрового и аналогового синте-
заторов с ФАП?
9.417. Каковы: а) достоинства; б) недостатки цифрового синтезатора
с ФАП по сравнению с аналоговым?
9.418. Как влияет ширина полосы пропускания ФНЧ в ЦУ синте-
затора с ФАП (рис. 9.33) на свойства системы?
Цифровые вычислительные синтезаторы
9.419. Изобразите структурную схему простейшего ЦВС.
9.420. Поясните принцип работы ЦВС по схеме рис. 9.34.
9.421. Каковы а) достоинства; б) недостатки ЦВС?
Сравнение свойств синтезаторов
9.422. Сравните свойства синтезаторов с плавным и дискретным
перекрытием диапазона частот.
9.423. Сравните свойства СЧ на аналоговой и цифровой элементной
базе.
9.424. Какие методы используют при построении современных син-
тезаторов?
9.425. Начертите структурную схему синтезатора: а) интерполяци-
онного; б) простейшего прямого аналогового; в) пассивного
цифрового двухуровневого; г) аналогового с ФАП; д) цифро-
вого вычислительного.
9.426. Какой тип СЧ можно считать оптимальным?
9.427. В чем заключаются преимущества и недостатки синтезаторов
частот по схемам рис. 9.30–9.33?
9.428. Сравните свойства синтезаторов с фазовой автоподстройкой
частоты и цифровых вычислительных синтезаторов.
10 ПЕРЕДАТЧИКИ
С АМПЛИТУДНОЙ
И ОДНОПОЛОСНОЙ
МОДУЛЯЦИЕЙ
10.1. Амплитудная модуляция

При амплитудной модуляции (АМ) переменной во времени явля-
ется амплитуда сигнала U(t). Мгновенное значение АМ-сигнала вы-
ражается формулой
u(t) = U(t) cos(ω0t + φ0),
В частном случае, когда сообщение (модулирующее напряжение)
имеет вид гармонического колебания с частотой Ω = 2 F и началь-
ной фазой, равной нулю (uΩ = UΩ cos Ωt), АМ-колебание можно опи-
сать соотношением
u(t) = Uмол(1 + m cos Ωt) cos ω0t,
где 0 ≤ m ≤ 1 – коэффициент (глубина) модуляции.
Расчетные соотношения для гармонического модулирующего
напряжения:
• максимальная и минимальная амплитуды колебаний
Umax = Uмол(1 + m); Umin = Uмол(1 – m);
U max − U min
• коэффициент модуляции m= ;
U max + U min
• мощность в режиме несущей частоты (молчания)
Pмол = Pнес = 0,5 U2мол/Pн;
• мощность в максимальном и минимальном режимах
Pmax = Pмол(1 + m)2; Pmin = Pмол(1 – m)2;
246 ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
• мощность одной боковой частоты Pбок = 0,25 m2Pмол.

• среднее значение мощности за период модулирующего сиг-
нала
Pср = Pмол + 2Pбок = Pмол(1 + 0,5m2);
• ширина спектра АМ-колебания 2∆f = 2Fmax;
• коэффициент модуляции на выходе одноконтурного резо-
нансного усилителя при частоте модуляции F и при совпа-
дении частоты несущего колебания с резонансной частотой
контура равен
m вых = m 1 + (2 F / 2Δf 0, 7 ) 2 ;
• относительное уменьшение глубины модуляции (коэффици-
ент демодуляции) на выходе одноконтурного резонансного
усилителя
[
D = mвых / m = 1 + (2 F / 2Δf 0.7 ) 2 ]−0 , 5
;
• постоянная составляющая и первая гармоника анодного тока
лампы (для транзисторных генераторов получаются аналогич-
ные соотношения с той лишь разницей, что для них проница-
емость D можно считать равной нулю)
I a 0 = S (U c − DU a ) γ 0 (Θ) = I a m α 0 (Θ) ;
I a1 = S (U c − DU a ) γ1 (Θ) = I a m α1 (Θ) ;
Ec − Ec'
• косинус угла отсечки cos Θ = − ,
U c − DU a
где Uнес = Uмол – амплитуда колебаний в режиме несущей (мол-
чания);
Rн – сопротивление нагрузки;
Fmax – максимальная частота сигнала;
m – коэффициент модуляции входного сигнала;
2∆f0,7 – полоса пропускания одноконтурного резонансного уси-
лителя по уровню 0,707;
S – крутизна проходной характеристики;
D – проницаемость;
Iа m – амплитуда импульса анодного тока;
Uc – амплитуда напряжения на сетке;
Ua – амплитуда напряжения на аноде;
Θ – угол отсечки;
ОДНОПОЛОСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ 247
Ec – напряжение смещения на сетке;

E′c– напряжение запирания (отсечки).
10.2. Однополосная модуляция

При однополосной модуляции (ОМ) изменяются одновременно ам-
плитуда и фазовый угол высокочастотного колебания, а огибающая
модулированного колебания повторяет ход мгновенных значений
модулирующего сигнала [39, 58, 63, 69, 72, 73, 91].
Временные диаграммы и спектры амплитудно-модулированного,
двухполосного и однополосного сигналов показаны на рис. 10.1, где
коэффициент модуляции равен единице, а мощность АМ-сигнала в
режиме несущей равна 100 Вт.
uΩ P, Вт
t
а 0
f
0
u P, Вт
200 Pmax=400 Вт
Pср =150 Вт АМ
t
100
б 0 f
P, Вт
u Pmax=400 Вт
200
Pср =200 Вт DSB
t 100
в 0
f
P, Вт
400
u Pmax=Pср =
300 400 Вт
t
г 0
200
SSB
100
f
Рис.10.1. Временные диаграммы и спектры сигналов: а – модулирующего;

б – амплитудно-модулированного; в – двухполосного; г – однополосного
Мгновенное значение сигнала с ОМ

u(t) = UmaxX(t) cos((ω0 ± Ωср) t ± Ф(t)),
где Umax – максимальное значение амплитуды;
X(t) = U/Umax – относительная амплитуда;
Ωср – средняя частота спектра модулирующего сигнала;
Ф(t) – мгновенная фаза модулирующего сигнала.
Знак ± показывает возможность выделения либо верхней, либо
нижней боковой полосы сигнала с ОМ.
Энергетические соотношения в ламповых усилителях колеба-
ний с ОМ (для транзисторных генераторов получаются аналогичные
соотношения) [39, 72]:
• первая гармоника анодного тока АЭ равна Iа1 = mIа1max;
• постоянная составляющая анодного тока АЭ равна
Iа0 = mIа0max;
• колебательная мощность равна P1 = m2P1max;
• мощность, потребляемая от источника питания, равна
P0 = mP0max;
• электронный КПД равен ηе = mηе max;
• отношение максимальных выходных мощностей передатчи-
ков с АМ и ОМ при одинаковом полезном эффекте на выходах
соответствующих приемников равно
Pmax A M (1 + X max ) 2
= ;
Pmin ОМ X 2 max
• отношение средних мощностей, потребляемых анодными це-
пями усилителей мощности передатчиков с АМ и ОМ при
одинаковых общих КПД и модуляции гармоническим напря-
жением,
P0ср АМ/P0ср ОМ = 2/X,
где Хmax – максимальное значение относительной амплитуды, чис-
ленно равное коэффициенту модуляции mmax;
Х – значение относительной амплитуды, численно равное ко-
эффициенту модуляции m.
10.1. Сравните свойства передатчиков с АМ и ОМ.
10.2. Изобразите спектры и векторные диаграммы при гармоничес-
ком модулирующем напряжении для случая: а) амплитудной;
б) балансной (АМ-сигнал с подавленной несущей); в) однопо-
лосной модуляции.
10.3. При гармоническом модулирующем напряжении изобразите
осциллограммы напряжений на выходе модуляторов: а) амп-
литудного; б) балансного; в) однополосного.
10.4. Для произвольного модулирующего сигнала изобразите осцил-
лограммы напряжений на выходе модуляторов: а) амплитудно-
го; б) балансного; в) однополосного.
10.5. При отсутствии модулирующего напряжения изобразите ос-
циллограммы напряжений на выходе модуляторов: а) ампли-
тудного; б) балансного; в) однополосного.
10.6. Определите отношение максимальных выходных мощностей
передатчиков с АМ и ОМ при одинаковых амплитудах сигнала
на выходах соответствующих приемников, если максимальный
коэффициент модуляции равен: а) 1; б) 0,8; в) 0,5.
10.7. Определите отношение средних мощностей, потребляемых
анодными цепями усилителей мощности передатчиков с АМ
и ОМ при одинаковых общих КПД, если коэффициент моду-
ляции равен: а) 1; б) 0,8; в) 0,5.
Передатчики с амплитудной модуляцией
10.8. В каких диапазонах частот применяют передатчики с АМ?
10.9. Укажите область применения передатчиков с АМ.
10.10. Укажите возможные способы осуществления АМ в выходном
каскаде передатчика.
10.11. Изобразите структурную схему АМ-передатчика: а) связного
носимого; б) радиовещательного; в) телевизионного. Сформу-
лируйте технические требования к передатчику.
10.12. Каким требованиям должен удовлетворять колебательный
контур в выходной цепи генератора при АМ?
10.13. Оцените число каналов вещательных радиостанций с АМ, ко-
торые можно разместить в средневолновом диапазоне. Границы
средневолнового диапазона от 0,5 до 1,5 МГц. Максимальная
частота модулирующего сигнала равна 12 кГц. Для ликвидации
перекрестных помех между каналами следует предусмотреть

защитный интервал шириной 1 кГц.
10.14. Укажите особенности и область применения базовой и сеточ-
ной модуляции.
10.15. Укажите особенности и область применения анодной и кол-
лекторной модуляции.
10.16. С какой целью используют комбинированную модуляцию?
10.17. В чем преимущество комбинированной коллекторной мо-
дуляции по сравнению с коллекторной модуляцией на один
каскад? Почему нецелесообразно осуществлять модуляцию на
коллектор в промежуточных каскадах передатчика?
10.18. Сравните особенности СМХ при: а) сеточной; б) базовой;
в) анодной; г) коллекторной модуляции. Укажите на харак-
теристиках области недонапряженного и перенапряженного
режимов и рабочие точки в режиме несущей.
10.19. Изобразите схему осуществления: а) базовой; б) коллекторной;
в) сеточной; г) анодной модуляции и эквивалентные схемы для
расчета амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) на низких
и высоких модулирующих частотах. Покажите вид АЧХ.
10.20. По каким причинам происходит завал АЧХ на низких и вы-
соких модулирующих частотах (задача 10.19).
10.21. Определите отношение мощности боковых составляющих к
мощности несущей АМ-передатчика при коэффициенте моду-
ляции: а) 1,0; б) 0,3.
10.22. Определите отношение мощности боковых составляющих к
средней за период модулирующего сигнала АМ-передатчика
при коэффициенте модуляции: а) 1,0; б) 0,5; в) 0,3.
10.23. Определите отношение мощности обеих боковых составляю-
щих к максимальной мощности АМ-передатчика при коэффи-
циенте модуляции: а) 1,0; б) 0,5; в) 0,3.
10.24. Мощность передатчика с АМ в режиме молчания 10 Вт. Оп-
ределите мощность в максимальном режиме при m = 0,7.
10.25. Определите мощность, приходящуюся на одну боковую час-
тоту АМ-колебания, если коэффициент модуляции равен 0,9;
амплитуда тока в антенне в режиме молчания 20 А; сопротив-
ление излучения равно 10 Ом.
10.26. Определите мощность, приходящуюся на обе боковые час-
тоты АМ-колебания, если коэффициент модуляции равен 0,8;
амплитуда тока в антенне в режиме молчания 10 А; сопротив-
ление излучения 6 Ом.
10.27. Выходная мощность передатчика с амплитудой модуляцией

в режиме молчания равна 30 Вт. Определите среднее за пери-
од модулирующей частоты значение выходной мощности, если
коэффициент модуляции равен 0,5.
10.28. Мощность, потребляемая коллекторной цепью усилителя в
режиме молчания, равна 10 Вт. Какую мощность в среднем за
период модулирующей частоты будет потреблять этот усили-
тель при коэффициенте модуляции 0,7?
10.29. Мощность, потребляемая коллекторной цепью усилителя в
режиме молчания, равна 20 Вт. Какую мощность отдает моду-
лятор при коллекторной модуляции усилителя, если m = 1?
10.30. Определите мощность модулятора для осуществления анод-
ной модуляции, если напряжение питания анодной цепи 10 кВ,
постоянная составляющая анодного тока 5 А, коэффициент мо-
дуляции равен 0,8.
10.31. Какое количество транзисторов с номинальной мощностью
20 Вт потребуется для обеспечения мощности в нагрузке в ре-
жиме молчания 8 Вт при: а) базовой; б) коллекторной модуля-
ции, если КПД контура равен 0,7, а m = 1?
10.32. Какое количество ламп с номинальной мощностью по 10 кВт
потребуется для обеспечения мощности в режиме молчания
8 кВт при: а) сеточной; б) анодной модуляции, если КПД кон-
тура равен 0,9, а m=1?
10.33. Лампу какой мощности следует выбирать при амплитудной
модуляции: а) на управляющую сетку; б) на третью сетку; в) на
анод, чтобы получить в режиме несущей частоты колебатель-
ную мощность 100 Вт при m = 1?
10.34. Какое напряжение источника коллекторного питания сле-
дует выбрать при коллекторной модуляции для получения
коэффициента модуляции 0,5 при амплитуде напряжения на
коллекторе в граничном режиме 45 В и максимальном исполь-
зовании транзистора по напряжению? Предельно допустимое
напряжение на коллекторном переходе транзистора равно
105 В.
10.35. Определите максимальное число радиостанций с АМ, ко-
торые могут одновременно работать в диапазоне частот:
а) 0,1…1 МГц; б) 1…10 МГц, если полоса модулирующих частот
равна 100…6300 Гц.
10.36. Ток i = 5(1 + 0,8 · cos 3000t) cos (6 · 106 t) протекает по резис-
тивной нагрузке, равной 75 Ом. Определите: а) частоту несу-
щей, частоту модулирующего сигнала и глубину модуляции;

б) максимальную, минимальную и среднюю за период модули-
рующего сигнала мощность в нагрузке.
10.37. Начертите схему транзисторного усилителя мощности при
модуляции смещением. Поясните назначение элементов схемы.
Почему этот усилитель должен работать с отсечкой тока?
10.38. Начертите схему транзисторного УМ с коллекторной моду-
ляцией. Поясните назначение элементов схемы. Почему этот
усилитель должен работать в перенапряженном режиме?
10.39. Как можно определить коэффициент модуляции по осцил-
лограмме АМ-сигнала? Получите расчетную формулу.
10.40. Как определить коэффициент модуляции по прибору, изме-
ряющему ток в контуре генератора в режимах молчания и мо-
дуляции?
10.41. Определите коэффициент модуляции, если ток в контуре в ре-
жиме молчания равен 8 А, а при АМ: а) 9 А; б) 9,5 А; в) 10 А.
10.42. Ток в контуре генератора в режиме несущей равен 5 А. Оп-
ределите контурный ток при АМ с m = 1.
10.43. Ток в антенне в режиме молчания равен 10 А, а при модуля-
ции 15 А. Является ли модуляция симметричной?
10.44. Определите коэффициент модуляции на выходе однокон-
турного резонансного усилителя АМ-сигнала с параметрами:
m = 0,8, f0 = 2,5 МГц, F = 15 кГц, если добротность контура равна
а) 50; б) 75; в) 100.
10.45. Определите добротность контура одноконтурного резонанс-
ного усилителя, при которой отношение m/mвых равно: а) 1,1;
б) 1,2; в) 1,3, если f0 = 2,5 МГц, а частота модулирующего сиг-
нала равна 15 кГц.
10.46. Определите полосу пропускания одноконтурного резонансно-
го усилителя телевизионного сигнала, при которой коэффици-
ент демодуляции не превысит 0,9, если Fmax = 8 МГц.
10.47 Постройте зависимость коэффициента демодуляции в одно-
контурном резонансном усилителе от относительного значения
модулирующей частоты АМ-сигнала 2F/2∆f0,7.
10.48. Получите формулу для расчета коэффициента модуляции на
выходе одноконтурного резонансного усилителя АМ-сигнала
при заданных значениях частоты модулирующего сигнала и
полосы пропускания контура.
10.49. Рассчитайте и постройте модуляционную характеристику:
а) Ia1(Ec); б) Ia0(Ec) тетродного генератора, если S = 25 мСм;
E′c = –12 В; Uc = 9 В; D = 0. Оцените интервал углов отсечки,

соответствующий линейному участку модуляционной характе-
ристки.
10.50. Рассчитайте и постройте модуляционную характеристику
Ia1(Uc) пентодного генератора, если S = 10 мСм; E′c = –30 В;
D = 0. Напряжение смещения равно: а) –25 В; б) –30 В;
в) –35 В. Дайте сравнительную оценку вида модуляционных
характеристик при различных напряжениях смещения.
10.51. При симметричной синусоидальной сеточной модуляции с
глубиной m = 1 напряжение анодного питания генератора рав-
но 1,5 кВ, постоянная составляющая анодного тока 145 мА,
эффективное значение тока в выходном контуре 6,12 А, сум-
марное сопротивление потерь контура 3 Ом. Определите мощ-
ность, рассеиваемую анодом в режиме молчания, в максималь-
ном режиме и среднюю за период модуляции.
Передатчики с однополосной модуляцией
10.52. В каких диапазонах частот применяют передатчики с ОМ?
10.53. Укажите особенности и область применения передатчиков с
однополосной модуляцией.
10.54. Какие требования предъявляются к выходному каскаду пе-
редатчика с ОМ?
10.55. Изобразите структурную схему передатчика с ОМ.
10.56. Назовите и охарактеризуйте методы формирования сигнала
с одной боковой полосой.
10.57. Определите число каналов связных радиостанций с ОМ, кото-
рые можно разместить в диапазоне частот от 28 до 29 МГц. По-
лосу модулирующих частот можно принять от 300 до 3400 Гц,
а промежуток между каналами – 900 Гц.
10.58. Как изменяется отношение максимальных выходных с мощ-
ностей передатчиков с АМ и с ОМ при одинаковых амплитудах
сигналов на выходах соответствующих приемников с ростом
коэффициента модуляции?
10.59. Как изменяется отношение средних мощностей, потребляе-
мых анодными цепями усилителей мощности передатчиков с
АМ и ОМ при одинаковых общих КПД, с уменьшением коэф-
фициента модуляции?
10.60. Определите электронный КПД усилителя колебаний с ОМ
при коэффициенте модуляции: а) 0,1; б) 0,5; в) 0,9, если в мак-
симальном режиме колебательная мощность равна 1 кВт, а пот-
ребляемая от источника анодного питания 1,4 кВт.
10.61. Почему КПД однополосных передатчиков обычно не превы-

шает 15…20%?
10.62. Как можно повысить КПД усилителей однополосных сиг-
налов?
10.63. Как обеспечить высокий КПД регулируемых источников пи-
тания передатчиков с ОМ?
10.64. Сравните приращение мощностей колебаний, модулирован-
ных гармонической функцией, относительно мощностей в ре-
жиме молчания для случаев АМ и ОМ при: а) m = 0,3; б) m = 0,5;
в) m = 0,8; г) m = 1,0. Сделайте вывод об эффективности ис-
пользования мощности передатчика в случаях осуществления
амплитудной и однополосной модуляции.
ПЕРЕДАТЧИКИ
11 С ИМПУЛЬСНОЙ
МОДУЛЯЦИЕЙ
11.1. Общие соотношения

при импульсной модуляции
Основные особенности импульсной работы передатчиков опреде-
ляются скважностью
q = T τ = 1 ( Fτ ) ,
где Т, F и τ – период, частота следования и длительность импуль-
сов.
Средняя за период повторения импульсов мощность в нагрузке
модулятора равна
Рн = Рни /q = F τ Рни ,
где Рни – импульсная мощность модулятора.
Согласно теореме Котельникова, произвольный сигнал, спектр
которого не содержит частот выше fв, может быть полностью восста-
новлен, если известны его отсчетные значения, взятые через равные
промежутки времени 0,5/fв.
Типичные формы импульсов на выходе модуляторов показаны
на рис. 11.1, где обозначено:
Еmax – амплитуда импульса;
ΔE=Emax – Emin – скол вершины импульса;
τф – длительность фронта импульса (время нарастания импульса,
измеряемое между значением 0,1 и 0,9 от максимального зна-
чения амплитуды на нарастающем участке импульса);
256 ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
E
τ E max
0,9 E max
E
E min
0,9 E min
τ' Без дросселя
0,5 E max
0,1E max 0,1E min
0
t
τф τc
С диодом
Без диода Eобр max
Рис. 11.1. Формы импульсов на выходе модуляторов
τс – длительность среза импульса (время убывания импульса, из-

меряемое между значением 0,9 и 0,1 от максимального значе-
ния амплитуды на убывающем участке импульса);
τ′ – длительность импульса;
τ – длительность вершины импульса. Как видно из рисунка,
τ′ τ.
Спад (скол) вершины импульса оценивают коэффициентом
формы β = ΔE/Emax.
Основные параметры генераторов как нагрузок модуляторов:
Е и Епор – номинальное и пороговое напряжения;
Iои – номинальный ток в импульсе;
R0 = E / Iои – статическое сопротивление;
Rд = dE/dIои – динамическое (дифференциальное) сопротивление.
11.2. Модуляторы с частичным разрядом

накопительной емкости
Наиболее распространенными являются следующие схемы импульс-
ных модуляторов: резистивная (рис. 11.2), резистивно-дроссельная с
МОДУЛЯТОРЫ С ЧАСТИЧНЫМ РАЗРЯДОМ НАКОПИТЕЛЬНОЙ ЕМКОСТИ 257
C
Lк
Rог
Eп Iаи u
Rк
VL1
СП 1 CП2
Uа Rз нагрузка E
Uу Iои
Eсм
Рис. 11.2. Резистивный импульсный модулятор
демпфирующим (гасящим) диодом (рис. 11.3), дроссельно-диодная
и резистивно-трансформаторная [5, 8, 9, 19, 39, 40, 58, 66, 69, 70, 91].
На рис. 11.2 и 11.3 пунктиром показаны паразитные емкости этих
схем Сп1 и Сп2 . Суммарная паразитная емкость равна Сп=Сп1+Сп2.
• Длительность фронта импульса при модуляции генераторов с
различным типом вольт-амперных характеристик (ВАХ):
– при резко нелинейной нагрузке (магнетронного типа)
τф=ECп/Iаи=RoIоиСп /Iаи;
– при линейной нагрузке (триодного типа) в граничном и не-
донапряженном режимах работы коммутатора τф = 3R0Cп;
– при слабонелинейной нагрузке (приборов типа “О”) τф=2,5R0Cп,
где Iаи – анодный ток коммутатора.
• Длительность среза импульса в резистивном модуляторе
– при резко нелинейной нагрузке τс = 2,2 R′Cп;
– при линейной нагрузке τс = 2,2 R′RoCп /(R′ + Ro);
– при слабонелинейной нагрузке τс = 3 R′RoCп/(R′ + Ro),
где R′ = R3 ⋅ Roг/(Rз + Roг).
• Длительность среза импульса в резистивно-трансформатор-
ном или резистивно-дроссельном модуляторе для всех типов
нагрузки можно оценить по формуле
τс = СпLз/τ.
• Амплитуда обратного напряжения (рис.11.1) на нагрузке ре-
зистивно-трансформаторного или резистивно-дроссельного мо-
дулятора без использования демпфирующего диода равна
Eобр max = E 1 + τ τ c .
Rог iраз C
EП u
Iаи
Cn1 Cn2 Д
Lз нагрузка E
Uа
iL Iои
Eсм
Рис.11.3. Резистивно-дроссельный импульсный модулятор
с демпфирующим диодом
• Изменение напряжения на накопительном конденсаторе за

время длительности импульса и соответствующее ему отно-
сительное изменение напряжения на нагрузке (коэффициент
формы) равны
I ОИ τ E max τ ΔE τ ⋅ Rд
ΔU = U max − U min = = ; βc = = ,
С C Ro Emax C (Rд + Ri )⋅ Ro
где Ri – дифференциальное сопротивление модуляторной лампы

на рабочем участке ее ВАХ;
Rд – дифференциальное сопротивление нагрузки;
Rо =E/Ioи – статическое сопротивление нагрузки.
• Ток в зарядном дросселе (или в первичной обмотке импуль-
сного трансформатора) к концу импульса и пропорциональное
величине этого тока относительное изменение напряжения на
нагрузке равны
ΔE τ Ri Rд
ILmax = E ⋅ τ/Lз; β L = = .
Emax Lз (Ri + Rд )
• Относительное изменение напряжения на нагрузке, обуслов-
ленное уменьшением напряжения на накопительном конденса-
торе при его разряде и увеличением тока в зарядном дросселе
равно
β = βс+βL.
• Напряжение на накопительном конденсаторе равно
U = E + Ua = E + Iaи ⋅ Rм E(Rм + R0)/R0,
МОДУЛЯТОРЫ С ЧАСТИЧНЫМ РАЗРЯДОМ НАКОПИТЕЛЬНОЙ ЕМКОСТИ 259
где Rм и Ro – статические сопротивления соответственно модуля-

торного (коммутарного) и генераторного приборов;
Uа – падение напряжения на открытом коммутаторе.
• Напряжение источника анодного питания равно
ΔU
Eп = U min + ,
1 − exp(− 1 ( RCF ) )
где R = Rз + Roг.
• КПД зарядного процесса равен
U max + U min 2U max − ΔU 2U min + ΔU
ηз = = = .
2 Eп 2 Eп 2 Eп
• Мощности, рассеиваемые зарядным и ограничительным ре-

зисторами при заряде накопительного конденсатора, равны
Pз = Pп (1 − η з )Rз (Rз + Roг ), Po г = Pп (1 − η з )Ro г (R з )

+ Ro г ,
где Рп – мощность источника анодного питания.
• Потери в коммутаторе при разряде накопительного конден-
сатора равны
Рa раз = IaиUa/q = U2а/(q⋅Rм).
• Мощности, рассеиваемые зарядным и ограничительным ре-
зисторами при разряде накопительного конденсатора, равны
Pз = E
2
(q Rз ); ( ) ( )
Po г = ( E п − U a) q Ro г ≅ E п q Ro г .
2 2
• Мощность, рассеиваемая анодом коммутатора при заряде и

разряде паразитных емкостей, равна
Paк = 0,5CпFE 2.
• Мощность, рассеиваемая демпфирующим (сглаживающим)
диодом при гашении колебаний во время среза импульса,
равна
Paд = 0,5CпFE2(1 + 0,5τ/τc).
• Суммарная мощность коммутационных потерь (в коммутато-
ре и демпфирующем диоде) равна
Рк = Рак + Рад = Cп F E2(1 + 0,5τ/τc).
• Мощность потерь в импульсном трансформаторе (ИТ) равна

Pтр = Рн · (1 – ηтр)/ηтр,
где ηтр – КПД трансформатора.
• Мощность источника анодного питания равна
Pн + Pпот.р 2 Eп
в обшем случае: Pп = = ( Pн + Pпот. р ) ;
ηз 2U min + ΔU
в случае резистивно-дроссельного модулятора, не содержаще-
го ИТ и зарядный резистор,
Pп =
2 Eп
[P
н + Pк + Pа раз + ( Eп − U а ) 2 ( q Ro г ) ,]
2U min + ΔU
где Рпот. р – суммарная мощность потерь при разряде накопи-
тельного конденсатора, включающая потери в ИТ, коммутато-
ре, демпфирующем диоде, зарядном и ограничительном резис-
торах.
• КПД анодной цепи модулятора равен
η = Pн/Рп .
• При оптимальной величине ограничительного резистора
мощность источника анодного питания Рп минимальна, а КПД
η – максимален. Ввиду громоздкости соотношений для нахож-
дения оптимальной величины Roг целесообразно использовать
средства вычислительной техники.
11.3. Модуляторы с полным разрядом

формирующей линии
Схемы модуляторов с полным разрядом линии отличаются по типу
линии (с распределенными параметрами или искусственные; одно-
родные и неоднородные; одинарные, двойные и учетверенные; цепо-
чечные и т. п.); по виду заряда (резонансный или линейный) и по
виду источника питания (постоянное или переменное напряжение
питания) [5, 8, 9, 19, 39, 40, 58, 66, 69, 70, 91]. Эти отличия отражены
в названиях схем.
На рис. 11.4 показаны основные элементы схемы модулятора с ре-
зонансным зарядом однородной одинарной цепочечной линии через
диод от источника постоянного напряжения, где обозначено:
МОДУЛЯТОРЫ С ПОЛНЫМ РАЗРЯДОМ ФОРМИРУЮЩЕЙ ЛИНИИ 261
L or DЗ L L L
+ EП
U С С С
ИТ I OИ
U1 E Нагрузка
Рис. 11.4. Модулятор с резонансным зарядом линии через диод

от источника постоянного напряжения
Loг – ограничительный дроссель;
Dз – зарядный диод;
L и С – индуктивность и емкость ячейки формирующей линии;
ИТ – импульсный трансформатор;
U1 и Е – амплитуда импульсов напряжения на первичной обмотке
ИТ и на нагрузке;
U – напряжение на линии.
• Длительность импульса, формируемого линией с распреде-
ленными параметрами, равна τ = 2l μ ε c ,
где l – длина линии;
ε и μ – диэлектрическая и магнитная проницаемость вещества,
заполняющего линию.
• Длительность импульса, формируемого однородной линией
цепочечного типа, равна τ = 2k LC ,
где k – количество ячеек линии.
• Емкости и индуктивности ячеек однородной линии цепочеч-
ного типа, равны
C = τ ( 2 k Z в ) ; L = Z 2в C = 0,5τ Zв/k,
2
где Z в = L C = Δ ⋅ Ro n – волновое сопротивление линии;
n – коэффициент трансформации ИТ;
Δ = Zв/Rн = 1,05...1,15 – коэффициент рассогласования линии
с нагрузкой; в приближенных расчетах полагают Δ =1;
Ro = E/Iои – сопротивление нагрузки постоянному току;

Rн = Rо/n2 – сопротивление нагрузки постоянному току, пере-
считанное к первичной обмотке трансформатора.
Эквивалентная схема зарядной цепи модулятора с резонансным
зарядом линии показана на рис. 11.5, где обозначено
Lз=Loг+L1 – индуктивность зарядной цепи, включающая ин-
дуктивность ограничительного дросселя Loг и индуктивность
первичной обмотки ИТ L1; L3 R3 i3
Rз = roг + r1 + Riд – сопротивление +
зарядной цепи, включающее со-
противление обмотки ограничи- E Сл U
п
тельного дросселя roг, сопротив-
ление первичной обмотки ИТ r1 -
и сопротивление открытого за- Рис. 11.5. Эквивалентная схема
рядного (фиксирующего) диода; зарядной цепи
Сл = kC – ёмкость ячеек линии.
Параметры зарядного контура, изображенного на рис. 11.5:
• резонансная частота ω0 = 1/ Lз C л ;
• период собственных колебаний T0 = 2π/ω0 = 2π Lз C л ;
• характеристическое сопротивление ρ = ω0L = Lз C л ;
• добротность Q = ρ/Rз.
• Период и частота следования импульсов в модуляторе по
схеме рис. 11.4 равны:
− с диодом в зарядной цепи T ≥ 0,5T0 ; F ≤ 1/(π L з C л );
− без диода в зарядной цепи Т = 0,5Т0 ; F = 1/(π Lз C л ).
• Значение тока в зарядной цепи равно:
− максимальное Iз max = Еп / ρ = 2πCлЕп/Т0;
− среднее I з 0 = I з max T0 / ( πT ) = 2 Eп С л F ;
− эффективное Iзэ = 0,5Iз max To T .
• Мощность источника анодного питания равна
Pп = ЕпIз0 = 2Е2пСл F.
U max + U min π
• КПД зарядной цепи равен η з = = 1− ,
2 Eп 4Q
где Umax – максимальное напряжение на линии при ее заряде;
Umin – минимальное напряжение на линии при ее разряде.
КОММУТАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ 263
• Максимальное напряжение при заряде линии равно

Umax = 2ηз ⋅ Eп.
• КПД разрядной цепи равен ηр= ηкηиηл,
где ηк = 0,9…0,99 – КПД коммутаторного прибора;
ηи = 0,8…0,95 – КПД импульсного трансформатора;
ηл = 0,98…0,99 – КПД формирующей линии.
• КПД анодной цепи модулятора равен
ηа = Рн/Рп = ηзηр,
где ηз и ηр – КПД зарядной и разрядной цепи.
• Относительная мощность в нагрузке при рассогласовании
линии с нагрузкой равна
Рн / Рн max = 4Δ/(1+Δ)2.
• Амплитуда импульса напряжения на первичной обмотке им-
пульсного трансформатора равна
Rн U max
U1 = U max η p = ηp ,
Rн + Z в 1+ Δ
где ηр – КПД разрядной цепи ;
Rн = R0 /n2 – сопротивление нагрузки модулятора постоянному
току, пересчитанное к первичной обмотке ИТ. В приближен-
ных расчетах обычно полагают Δ = 1 и ηр = 1.
• Амплитуда импульса напряжения на нагрузке равна
Е = nU1 η и .
11.4. Коммутаторные приборы

В первые годы развития импульсной и, в частности, радиолокаци-
онной техники в качестве коммутаторных приборов находили при-
менение электронные лампы, вращающиеся разрядники, тригатроны
и тиратроны [5, 8, 9, 39, 40, 44, 58, 66], а также нелинейные индук-
тивности (магнитные коммутаторы) [8, 39, 40, 58].
В последующие годы улучшались параметры этих коммутатор-
ных приборов и разрабатывались приборы новых классов.
Основные параметры некоторых импульсных модуляторных
тетродов приведены в табл. 11.1 [44].
В табл. 11.1 обозначено:

Uа max – максимально допустимое напряжение на аноде;
Ec2 – номинальное напряжение на второй сетке;
Iаи – номинальный анодный ток в импульсе;
Sгр – крутизна линии граничного режима;
Pа max – допустимая мощность, рассеиваемая анодом.
Таблица 11.1. Параметры импульсных модуляторных ламп
Тип прибора Uа max, кВ Ec2, кВ Iаи, А Sгр, Pа max, Долговеч-

мСм кВт ность, час
ГМИ-11 9 1,0 14 10 0,04 300

ГМИ-83В 20 1,25 15 25 0,06 300
ГМИ-32Б 40 1,75 50 30 2,0 1000
ГМИ-14Б 36 2,15 130 45 0,6 200
Основные параметры некоторых импульсных тиратронов при-

ведены в табл. 11.2 [44], где обозначено:
Uа max – наибольшая допустимая амплитуда прямого напряжения
на аноде;
Iаи – номинальный ток анода в импульсе;
Uост – падение напряжения на открытом тиратроне;
tр – время разогрева.
Таблица 11.2. Параметры импульсных тиратронов
Долговеч-
Тип прибора Uа max, кВ Iаи, А Uост,В tр, мин ность, час
ТГИ2-130/10 10 130 150 4 250
ТГИ3-325/16 16 325 150 5 600
ТГИ1-700/25 25 700 200 7 400
ТГИ1-5000/50 50 5000 200 7 1000
В последние годы разработаны тиратроны новых серий –ТДИ и

ТПИ.
Тиратроны ТДИ-серии (ТДИ1–150к/16, ТДИ–150к/25, ТДИ1–50к/50
и др.) предназначены для коммутации количества электричества
от 0,001 до нескольких десятков Кулон в импульсе. Основные их
отличия от функциональных аналогов – искровых разрядников, бо-
лее высокая долговечность (на 2…3 порядка), высокая стабильность
характеристик, возможность параллельной работы нескольких при-
боров на общую нагрузку. Эти приборы способны также конкуриро-

вать с ртутными игнитронами и вакуумными разрядниками.
Тиратроны ТПИ-серии (ТПИ1–0,2к/12, ТПИ1–1к/20 и др.), в
отличие от классических тиратронов, могут управляться как с ка-
тодной, так и с анодной стороны, обеспечивая время коммутации
менее 5 нс; выдерживая обратное напряжение до 100% от прямого.
При намного больших сроках службы они имеют низкую стоимость,
меньшие габариты и массу.
Таситроны (ТГУ1–5/12, ТГУ1–27/7 и др.) подобны водородным
тиратронам, отличаясь от тиратронов мелкозернистостью сетки
(порядка долей мм) и тем, что управление моментами зажигания
и гашения дугового разряда производится изменением потенциала
сетки без изменения анодного напряжения. Таситроны обладают вы-
сокой стабильностью включения и выключения, быстродействием и
большой коммутируемой мощностью [44].
Тиристоры (от греческого «thyra» – дверь) являются полупровод-
никовыми аналогами тиратронов. Тиристоры подразделяются на
неуправляемые (двухэлектродные), называемые динисторами, и
управляемые (трехэлектродные), называемые триодными тиристо-
рами или тринисторами. Различают запираемые и незапираемые
тринисторы. Запираемые тринисторы являются полностью управля-
емыми, то есть открываются и закрываются при подаче соответству-
ющих импульсов на управляющий электрод. Однако, они позволяют
коммутировать меньшие мощности, чем незапираемые тиристоры.
Поэтому в мощных модуляторах чаще используют триодные незапи-
раемые тиристоры, именуемые для краткости просто тиристорами.
Они обладают многими преимуществами полупроводниковых при-
боров. Современные импульсные тиристоры имеют рабочие напря-
жения до 2…2,5 кВ и могут коммутировать токи несколько десятков
килоампер.
Основными недостатками тиристоров являются невысокое
быстродействие (время выключения мощных приборов не менее
15…20 мкс), несинхронность переключения при групповом соедине-
нии и большие потери энергии при быстром нарастании коммути-
руемого тока, обусловленные локализацией процесса переключения
в узкой (100…300 мкм) области у электрода управления. Значитель-
ный (несколько сотен наносекунд) разброс моментов включения
определяет потенциальную ненадежность высоковольтных сборок
последовательно соединенных тиристоров из-за возможности про-
боя еще не включившихся приборов. Большие потери энергии при
переключении и сравнительно малое быстродействие затрудняют

использование тиристоров в мощных импульсных генераторах мик-
росекундного и субмикросекундного диапазона.
Биполярные и мощные МДП-транзисторы являются традицон-
ными полупроводниковыми коммутаторами. Мощные МДП-тран-
зисторы как отечественного, так и зарубежного производства имеют
рабочие напряжения до 1000 В, максимальные импульсные токи до
20 А и время переключения 10…50 нс [65, 68, 73, 77, 78]. Параметры
некоторых БП и МДП-транзисторов даны в прил. 2 и 3.
IGBT-транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным
затвором совмещают лучшие черты биполярных и полевых тран-
зисторов. Эти приборы имеют высокий входной импеданс, как у
полевых транзисторов, и низкое падение напряжение в открытом
состоянии, как у БТ [68, 76, 77]. Их принципиальными достоинс-
твами являются синхронность переключения и малая мощность в
цепи управления. IGBT-транзисторы в настоящее время являются
наиболее популярными полупроводниковыми коммутаторами. Их
недостатками являются малая перегрузочная способность, сравни-
тельно малый импульсный ток (100…200 А) – невысокое рабочее на-
пряжение (2,5…3 кВ). Технология изготовления IGBT-транзисторов
очень сложна. В результате стоимость IGBT в 3…4 раза выше, чем
у тиристоров с близкими коммутационными возможностями. Поэ-
тому в мощных модуляторах приходится использовать много доро-
гостоящих приборов. Например, разработан модулятор магнетрона,
содержащий 100 IGBT-транзисторов. В модуляторе использовано
два вида защиты транзисторов по напряжению и три вида защи-
ты по току. Выходная мощность модулятора равна 5 МВт при дли-
тельности импульсов 0,6…6 мкс [76]. Остаточное напряжение IGBT
больше, чем у тиристора с тем же рабочим напряжением. Параметры
некоторых IGBT-транзисторов даны в прил. 5.
Наиболее перспективной альтернативой рассмотренным по-
лупроводниковым коммутаторам являются реверсивно включа-
емые динисторы (РВД), разработанные в начале 80-х гг. в ФТИ
им. А. Ф. Иоффе [67] и SOS-диоды [87].
РВД является четырехслойным ПП прибором тиристорного
типа, но, в отличие от тиристора, в нем нет электрода управления.
Переключение РВД инициируется при кратковременном изменении
полярности приложенного к прибору напряжения силовой цепи в
результате пропускания через него импульса обратного тока (тока
управления Iy). После прекращения тока Iy и восстановления пер-
воначальной полярности напряжения обеспечивается быстрое и од-

нородное включение прибора по всей площади полупроводниковой
структуры с очень малыми коммутационными потерями [67]. На-
пример, приборы типа РВД-223-250 имеют максимальное рабочее
напряжение 2,5 кВ и коммутируют ток 5000 А. При Iy = 100 А оста-
точное напряжение равно 40 В, а время установления стационарной
проводимости включения – 5мкс [67]. Возможно параллельное и
последовательное включение этих приборов. Разработаны высоко-
вольтные РВД-генераторы с импульсной мощностью 108…1010 Вт
[67]. Заводская маркировка РВД соответствует общепринятой для
мощных ПП тиристорного типа. Стоимость РВД не превышает
стоимости тиристоров с той же площадью полупроводникового
элемента. Благодаря малым коммутационным потерям энергии и
однородному по площади переключению РВД имеет очень боль-
шую (несколько десятков килоампер в микросекунду) предельную
скорость нарастания коммутируемого тока. Параметры некоторых
РВД приведены в табл. 5.1.
SOS-диоды (Semicondactor Opening Switch) – новые высоковоль-
тные полупроводниковые приборы, предназначенные для обрыва
тока высокой плотности за время порядка наносекунд, были разра-
ботаны в начале 90-х годов. SOS-эффект был обнаружен в обычных
высоковольтных полупроводниковых диодах, предназначенных для
выпрямления переменного тока, при подборе определенного соче-
тания плотности тока и времени накачки. SOS-диоды выдержива-
ют напряжения порядка 106 В и способны за несколько наносекунд
отключать килоамперные токи [85]. Они могут применяться в схе-
мах с индуктивным накопителем энергии. SOS-генераторы имеют
полностью твердотельную систему коммутации энергии, в связи с
чем сочетают высокую частоту следования импульсов, стабильность
выходных параметров и большой срок службы. Один из основных
недостатков SOS-генераторов заключается в относительно низком
уровне пиковой мощности по сравнению с генераторами на искро-
вых разрядниках. Однако, в последнее время был разработан SOS-
генератор с пиковой мощностью до 4 ГВт, выходным напряжением
0,4…1 МВ, длительностью импульса 8…10 нс, частотой следования
импульсов в постоянном режиме 300 Гц и в режиме пачки 1 кГц. Вы-
ходная средняя мощность при частоте следования импульсов 1 кГц
достигала 30 кВт [85].
11.1. В каких диапазонах частот применяют передатчики с ИМ?
11.2. Дайте примеры использования мощных импульсных генерато-
ров: а) в радиотехнике; б) в технологических установках; в) в
электрофизике и микроэлектронике; г) в медицине; д) в науч-
ных исследованиях; е) в лазерной технике.
11.3. Какие факторы ограничивают минимальную и максимальную
длительность импульса передатчика?
11.4. Чем ограничены минимальная и максимальная скважность?
11.5. Каковы особенности импульсной работы передатчиков?
11.6. Изобразите структурную схему импульсного передатчика.
11.7. Сравните свойства (рабочие напряжения и токи; потребляемая
мощность; габариты; масса; надежность; дальность действия)
передатчиков, работающих в импульсном и непрерывном режи-
мах работы при одинаковой средней мощности в нагрузке.
11.8. Почему в ИМ используют накопители энергии?
11.9. Почему при одинаковой мощности модуляторов габариты и
масса формирующей линии получаются меньшими, чем у на-
копительного конденсатора?
11.10. Назовите основные типы импульсных модуляторов.
11.11. Определите среднюю мощность на выходе модулятора, если
сопротивление нагрузки равно 420 Ом, ток 60 А. Частота сле-
дования импульсов 250 Гц, а длительность равна 4 мкс.
11.12. Определите импульсный ток нагрузки модулятора, если
среднее значение тока равно 20 мА. Длительность импульсов
1,1 мкс; частота следования 900 Гц.
11.13. Импульсная мощность в нагрузке модулятора равна 1,2 МВт;
КПД модулятора 0,7; длительность импульса 2 мкс; частота
следования импульсов 500 Гц. Определите мощность источни-
ка анодного питания.
11.14. Определите мощность источника анодного питания модуля-
тора, если Е = 10 кВ; Iои= 10 А; ηзар= 0,95; ηраз= 0,9; F = 1 кГц.
Длительность импульсов равна: а) 2 мкс; б) 5 мкс.
11.15. Оцените длительность радиоимпульсов и их несущую часто-
ту при импульсно-кодовой модуляции для случая тысячи те-
лефонных каналов. Полоса частот одного канала 300…3000 Гц.
Передача осуществляется группами одинаковых импульсов.
Максимальное количество импульсов в группе N равно семи.
Скважность q равна пяти. Каждый радиоимпульс содержит 200

периодов высокочастотных колебаний.
11.16. Оцените длительность и несущую частоту радиоимпульсов
при амплитудной импульсной модуляции для случая трех те-
левизионных каналов. Каждый радиоимпульс содержит сто пе-
риодов высокочастотных колебаний. Ширина спектра одного
канала 6,9 МГц. Скважность равна: а) двум; б) десяти.
11.17.Определите относительную нестабильность несущей частоты
передатчика задачи 11.16, если допустимый уход частоты со-
ставляет ±0,1 ширины спектра импульса.
Модуляторы с частичным разрядом накопительной
емкости
11.18. Какие коммутаторные приборы используют в модуляторах с
частичным разрядом накопительной емкости?
11.19. Как изменится режим работы коммутаторов импульсных
модуляторов по схеме: а) рис. 11.2; б) рис. 11.3 при коротком

Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF

Оригинальное название:

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Гарматюк С. С.

Рекомендовано Учебно-методическим объединением

© Гарматюк С. С., 2012

КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ .........................................................3

3.8. Фильтрация высших гармоник ........................................................59

6.3. Мостовые схемы сложения мощностей ..................................... 105

9.5. Расчет электронного режима автогенераторов........................ 158

10. ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ

13.4. Параметры резонаторов на короткозамкнутых

Диодные усилители мощности......................................................................382

Параметры амплитронов .................................................................................432

Учебное пособие ориентировано на типовую программу курса «Ус-

кономерностями, знание которых необходимо для завтрашнего дня.

работы на ЭВМ не только дает возможность использования их для

E′вх – напряжение отсечки (запирания) активного элемента

β0 – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

1.1. Статические характеристики

0 1 2 3 4 5 6 7 ua, kB -40 -20 0 20

На рис. 1.2 приведены условные обозначения тетродов (ГС-17Б

ia, A 375 В ia, A

второй сетки при ua < Ec2 может принимать даже отрицательные

полярного транзистора с изолированным затвором (Insulated Gate

1.2. Аппроксимация статических

Приводимые в справочниках значения параметров S и D относят-

1.3. Параметры ламп и транзисторов

Cэ = Cб + Cд – суммарная емкость эмиттерного перехода, равная

f г р ( f т ) = f и h21Э – граничная частота коэффициента передачи

но приближенно считать, что модуль ¶h21Э0¶ падает обратно

пропорционально частоте. Весь диапазон рабочих частот БТ

S =Δiс/Δuзи – крутизна характеристики тока стока;

uси нас – напряжение насыщения сток-исток (остаточное напря-

1.18. По СХ триода ГУ-66А (рис. 1.1, а) определите его параметры:

1.32. Определите амплитуду импульса коллекторного тока в гра-

1.45. Определите сопротивление rнас транзистора 2Т927А на частоте

1.58. Определите амплитуду входного напряжения в линейном ре-

1.72. Оцените величину максимальной частоты следования импуль-

1.89. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов.

2.1. Классификации режимов

• Область отсечки соответствует работе АЭ в режиме очень ма-

котором рабочая точка часть периода колебаний находится в

2.2. Нагрузочные характеристики

2.3. Гармонический анализ

буждающего сигнала. При Θ < 180° ток через АЭ протекает только

• при заданных значениях напряжений Uвх и Uвых токи равны

2.14. По какому из приборов, измеряющих постоянную составляю-

2.28. Какие факторы ограничивают: а) минимальное; б) максималь-

ного тока 90°; б) настроить выходной контур на частоту вход-

3.1. Основные параметры колебательных

го контура с сосредоточенными параметрами. Такое представление

3.2. Параллельный колебательный контур

• изменение резонансной частоты при малом изменении его

• полоса пропускания контура по уровню 1 2

2Δω0.707 = ω0 Q = ω0 r ρ = ω0ρ R = 1 (RC ) = r L ;

Энергетические соотношения в контуре:

Рис. 3.3. Схемы неполного включения контура

Резонансное сопротивление при неполном (частичном) включе-

3.3. Последовательный колебательный

Последовательный контур характери-

Активное сопротивление равно

Основные расчетные соотношения для последовательного коле-

При малой относительной расстройке (∆ω/ω0 1), ξ = 2Q∆ω/ω0;

• модуль входного сопротивления Z в х = r 1 + ξ .