Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF

Гарматюк С. С.
З А Д АЧ Н И К
по устройствам генерирования
и формирования радиосигналов
Учебное пособие для вузов
Рекомендовано Учебно-методическим объединением

вузов Российской федерации по образованию в области
радиотехники, электроники, биомедицинской техники
и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов
высших учебных заведений, обучающихся по направлению
210300 «Радиотехника»
Москва, 2012
УДК 621.373(075.8)
ББК 32.841я73-1
Г20
Рецензенты: профессор МЭИ (ТУ) Кулешов В. Н.,
профессор СпбГЭТУ (ЛЭТИ) Митрофанов А. В.
Г20 Гарматюк С. С.
Задачник по устройствам генерирования и формирования
радиосигналов. Учебное пособие для вузов. Рекомендовано
УМО.– М.: ДМК Пресс, 2012. – 672  с.
ISBN 978-5-94074-796-3
Книга содержит 2000 задач и вопросов по характеристикам и парамет-
рам высокочастотных активных элементов; электромагнитным цепям ВЧ и
СВЧ; энергетическим соотношениям в генераторах; ключевым и широкопо-
лосным усилителям; устройствам сложения мощностей; умножителям час-
тоты; автогенераторам и синтезаторам частот; передатчикам с амплитудной,
однополосной, импульсной и угловой модуляцией; генераторам на пролёт-
ных клистронах, магнетронах, митронах, ЛБВ; ламповым, транзисторным и
диодным генераторам СВЧ, а также квантовым генераторам.
По каждому разделу задачника даны основные расчетные соотношения,
приближённые к практическим. Для всех задач приведены решения и ответы.
В приложениях помещены справочные материалы и программы расчетов.
Задачник рассчитан на студентов, изучающих дисциплины «Устройства
генерирования и формирования радиосигналов» или «Радиопередающие
устройства», а также смежные дисциплины: «Теория радиотехнических це-
пей», «Электроника», «Схемотехника», «Устройства СВЧ и антенны», «Тео-
рия колебаний» и др. Книга содержит большое количество схем, расчетных
формул и примеров расчета и потому будет полезна в качестве справочника
студентам при курсовом и дипломном проектировании, инженерно-техни-
ческим работникам и квалифицированным радиолюбителям.
Гарматюк Сергей Сергеевич
Задачник
по устройствам генерирования и формирования радиосигналов
Учебное пособие для вузов
Главный редактор Мовчан Д. А.
dm@dmkpress.ru
Корректор Синяева Г. И.
Верстка Паранская Н. В.
Дизайн обложки Мовчан А. Г.
Подписано в печать 27.03.2012. Формат 60×90 1/16 .
Гарнитура «Петербург». Печать офсетная.
Усл. печ. л. 41,16. Тираж 500 экз.
© Гарматюк С. С., 2012

ISBN 978-5-94074-796-3 © Оформление, издание, ДМК Пресс, 2012
КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ
ОГЛАВЛЕНИЕ ......................................................................4
ПРЕДИСЛОВИЕ ................................................................. 12
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ ........................ 15
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ ... 16
1. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ............ 20
2. РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ................. 37
3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ................................................................... 45
4. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ ... 77
5. КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ ................................................ 87
6. СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ .................... 102
7. ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ............................... 114
8. УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ.............................................. 136
9. АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ ............................................. 143
10. ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ
И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............................ 245
11. ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ....... 255
12. ПЕРЕДАТЧИКИ С УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............... 277
13. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ...... 297
14. ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ,
ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ .......................................... 330
15. КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ ..................................... 384
16. ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ
ТИПА О ........................................................................... 397
17. ГЕНЕРАТОРЫ МАГНЕТРОННОГО ТИПА ....................... 415
18. КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ .......................................... 434
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ .................................................... 451
ПРИЛОЖЕНИЯ .............................................................. 658
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ............................... 667
ОГЛАВЛЕНИЕ
КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ .........................................................3

ПРЕДИСЛОВИЕ .................................................................... 12
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ............................ 15
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ.... 16
1. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ............ 20
1.1. Статические характеристики генераторных ламп
и транзисторов........................................................................................20
1.2. Аппроксимация статических характеристик ламп
и транзисторов........................................................................................23
1.3. Параметры ламп и транзисторов .....................................................24
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 30
Общие задачи и вопросы ...................................................................................30
Характеристики и параметры генераторных ламп ...................................30
Характеристики и параметры биполярных транзисторов.....................31
Характеристики и параметры МДП-транзисторов ..................................33
Характеристики и параметры MOSFET-транзисторов..........................34
Характеристики и параметры IGBT-транзисторов .................................35
Сравнение свойств высокочастотных АЭ....................................................35
2. РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ................. 37
2.1. Классификации режимов по напряженности .............................37
2.2. Нагрузочные характеристики генератора с внешним
возбуждением .........................................................................................39
2.3. Гармонический анализ косинусоидальных импульсов ...........39
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 41
Напряженность режима .....................................................................................41
Угол отсечки...........................................................................................................42
3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ ................................................................... 45
3.1. Основные параметры колебательных контуров.........................45
3.2. Параллельный колебательный контур ..........................................46
3.3. Последовательный колебательный контур ..................................49
3.4. Связанные колебательные контуры ...............................................51
3.5. Входные цепи генераторов.................................................................52
3.6. Выходные цепи генераторов .............................................................54
3.7. Схемы генераторов ...............................................................................57
ОГЛАВЛЕНИЕ 5
3.8. Фильтрация высших гармоник ........................................................59

3.9. Блокировочные и разделительные элементы .............................61
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 63
Параллельный колебательный контур .........................................................64
Последовательный колебательный контур .................................................66
Связанные колебательные контуры ..............................................................66
Входные цепи генераторов................................................................................68
Выходные цепи генераторов ............................................................................69
Схемы генераторов ..............................................................................................70
Фильтрация высших гармоник .......................................................................71
Блокировочные и разделительные элементы ............................................73
4. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ ... 77
4.1. Соотношения для выходных цепей генераторов .......................77
4.2. Соотношения для входных цепей генераторов ..........................79
4.3. Режимы работы генераторов .............................................................79
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 80
Энергетические соотношения во входной цепи ........................................81
Энергетические соотношения в выходной цепи .......................................81
Расчет генераторов на максимум общего КПД .........................................86
5. КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ ................................................ 87
5.1. Общие расчетные соотношения .......................................................87
5.2. Ключевые широкополосные усилители........................................90
5.3. Усилители с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки ......................................................................................92
5.4. Усилители с параллельным колебательным контуром
в цепи нагрузки ......................................................................................94
5.5. Ключевые усилители класса Е .........................................................95
5.6. Активные элементы ключевых генераторов................................96
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ ...................................................... 97
Широкополосные КУМ .....................................................................................98
КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки ...................................................................................................100
КУМ с параллельным колебательным контуром в цепи нагрузки ..100
Сравнение схем КУМ .......................................................................................101
6. СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ .................... 102
6.1. Параллельное включение активных элементов ...................... 102
6.2. Двухтактное включение активных элементов ......................... 103
6 ОГЛАВЛЕНИЕ
6.3. Мостовые схемы сложения мощностей ..................................... 105

ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 108
Общие вопросы ...................................................................................................108
Параллельное включение активных элементов ......................................108
Двухтактное включение активных элементов .........................................110
Мостовые схемы сложения мощностей .....................................................111
7. ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ............................... 114
7.1. Абсолютная полоса частот усилителя. Согласование
импедансов ........................................................................................... 114
7.2. Усилители с переключаемыми фильтрами ............................... 121
7.3. Усилители с раздельными полосами усиления ....................... 122
7.4. Усилители с распределенным усилением .................................. 123
7.5. Двухтактные усилители................................................................... 124
7.6. Трансформаторы на линиях ........................................................... 126
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 127
Общие вопросы ...................................................................................................127
Цепи согласования.............................................................................................127
Принцип постоянства полосы .......................................................................128
Параметры цепей согласования ....................................................................128
Усилители с переключаемыми фильтрами................................................131
Усилители с раздельными полосами усиления .......................................132
Усилители с распределенным усилением ..................................................132
Широкополосные трансформаторы ............................................................133
Схемы и режимы работы широкополосных усилителей .....................134
8. УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ.............................................. 136
8.1. Классификация умножителей частоты ...................................... 136
8.2. Параметры умножителей частоты ............................................... 137
8.3. Умножители частоты с активной нелинейностью .................. 137
8.4. Умножители частоты с нелинейной реактивностью ............. 138
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 139
Общие задачи и вопросы .................................................................................139
Умножители частоты с активной нелинейностью ..................................140
Умножители частоты с нелинейной реактивностью .............................142
9. АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ ............................................. 143
9.1. Структурные схемы и типы автогенераторов .......................... 143
9.2. Автогенераторы с цепью внешней обратной связи ................ 145
9.3. Автогенераторы на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением ......................................... 148
9.4. Схемы автогенераторов.................................................................... 151
9.5. Расчет электронного режима автогенераторов........................ 158

9.6. Расчет колебательной системы ..................................................... 163
9.7. Кварцевые автогенераторы ............................................................. 166
9.8. Автогенераторы на ПАВ .................................................................. 174
9.9. Синхронизация и затягивание частоты автогенераторов .... 179
9.10. Стабильность частоты автогенераторов .................................. 183
9.11. Нелинейное уравнение автогенератора ................................... 189
9.12. Метод медленно меняющихся амплитуд.
Квазилинейный метод.................................................................... 191
9.13. Процесс установления амплитуды автоколебаний ............. 195
9.14. Шумы в автогенераторах .............................................................. 196
9.15. Флуктуации частоты и фазы автоколебаний......................... 199
9.16. Паразитная автогенерация ........................................................... 200
9.17. Синтезаторы стабильных частот ................................................ 203
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 212
Автогенераторы с цепью внешней обратной связи ................................214
Автогенераторы на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением.........................................................217
Схемы автогенераторов....................................................................................218
Расчёт автогенераторов ....................................................................................219
Кварцевые резонаторы .....................................................................................220
Кварцевые автогенераторы .............................................................................222
Управляемые кварцевые генераторы ..........................................................223
ПАВ-резонаторы и ПАВ-линии задержки ................................................224
Автогенераторы и передатчики на ПАВ ....................................................224
Синхронизация частоты автогенераторов.................................................225
Затягивание частоты автогенераторов .......................................................226
Эффект длинной линии ...................................................................................227
Стабильность частоты автогенераторов.....................................................228
Измерение нестабильности частоты ...........................................................229
Нелинейное уравнение автогенератора .....................................................230
Метод медленно меняющихся амплитуд. Квазилинейный метод ....231
Процесс установления амплитуды автоколебаний ................................233
Шумы в автогенераторах ................................................................................234
Флуктуации частоты и фазы автоколебаний ...........................................237
Паразитная автогенерация .............................................................................239
Общие задачи и вопросы по синтезаторам частот ..................................241
Прямые синтезаторы частот ...........................................................................242
Синтезаторы с фазовой автоподстройкой частоты ................................243
Цифровые вычислительные синтезаторы .................................................244
Сравнение свойств синтезаторов .................................................................244
10. ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ

И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............................ 245
10.1. Амплитудная модуляция .............................................................. 245
10.2. Однополосная модуляция ............................................................ 247
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 249
Передатчики с амплитудной модуляцией .................................................249
Передатчики с однополосной модуляцией ...............................................253
11. ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ....... 255
11.1. Общие соотношения при импульсной модуляции .............. 255
11.2. Модуляторы с частичным разрядом накопительной
емкости ................................................................................................ 256
11.3. Модуляторы с полным разрядом формирующей линии ...... 260
11.4. Коммутаторные приборы .............................................................. 263
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 268
Модуляторы с частичным разрядом накопительной емкости ...........269
Модуляторы с полным разрядом формирующей линии .....................273
Коммутаторные приборы ................................................................................276
12. ПЕРЕДАТЧИКИ С УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............... 277
12.1. Общие соотношения при угловой модуляции ...................... 277
12.2. Параметры варикапов .................................................................... 280
12.3. Общие соотношения для модуляторов на емкостях
р-n-переходов .................................................................................... 283
12.4. Автотрансформаторная связь модулятора с контуром
автогенератора .................................................................................. 285
12.5. Емкостная связь модулятора с контуром
автогенератора .................................................................................. 287
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 288
Передатчики с частотной модуляцией .......................................................289
Параметры варикапов.......................................................................................290
Частотные модуляторы на варикапах .........................................................292
Передатчики с фазовой модуляцией. Преобразование фазовой
модуляции в частотную ...................................................................................294
Усилители мощности сигналов с УМ..........................................................295
13. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ...... 297
13.1. Параметры колебательных систем генераторов СВЧ ......... 297
13.2. Тороидальные резонаторы ............................................................ 299
13.3. Параметры линий с распределенными постоянными ........ 300
13.4. Параметры резонаторов на короткозамкнутых

отрезках линий ................................................................................. 304
13.5. Параметры резонаторов на разомкнутых отрезках линий ......309
13.6. Конструкции резонаторов на отрезках линий ....................... 311
13.7. Использование четвертьволновых и полуволновых
резонаторов ........................................................................................ 312
13.8. Связь резонаторов с нагрузкой ................................................... 315
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 317
Тороидальные резонаторы ..............................................................................318
Резонаторы на отрезках линий......................................................................319
Двухпроводные резонаторы ...........................................................................320
Коаксиальные резонаторы ..............................................................................321
Полосковые резонаторы ..................................................................................324
Волноводные резонаторы ................................................................................325
Связь с нагрузкой...............................................................................................325
Резонансные волномеры и режекторные фильтры ................................328
14. ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ,
ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ .......................................... 330
14.1. Генераторы СВЧ на электронных лампах ............................... 330
14.2. Генераторы СВЧ на транзисторах .............................................. 336
14.3. Генераторы СВЧ на диодах........................................................... 347
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 364
Общие задачи и вопросы по ламповым генераторам ............................364
Время пролета электронов в лампах ...........................................................365
Параметры генераторных ламп СВЧ ..........................................................366
Схемы и конструкции ламповых генераторов СВЧ ..............................366
Параметры колебательных систем ламповых генераторов .................368
Ламповые автогенераторы СВЧ ...................................................................369
Общие вопросы по транзисторным генераторам СВЧ .........................371
Схемы транзисторных усилителей СВЧ ..................................................372
Повышение КПД транзисторных генераторов ........................................373
Транзисторные автогенераторы СВЧ ........................................................374
Конструкции транзисторных генераторов СВЧ .....................................374
Общие вопросы по диодным генераторам.................................................376
Генераторы на туннельных диодах ...............................................................376
Генераторы на лавинно-пролетных диодах ...............................................377
Генераторы на диодах Ганна ...........................................................................378
Конструкции и эквивалентные схемы диодных генераторов.............379
Управление колебаниями диодных генераторов ....................................381
Стабилизация частоты диодных автогенераторов .................................381
Способы повышения КПД диодных генераторов ..................................382
Диодные усилители мощности......................................................................382

15. КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ ..................................... 384
15.1. Характеристики и параметры клистронов.............................. 384
15.2. Амплитудная и импульсная модуляция пролетных
клистронов ........................................................................................ 388
15.3. Фазовая модуляция пролетных клистронов.......................... 389
15.4. Энергетические соотношения в двухрезонаторных
пролетных клистронах ............................................................................390
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 391
Характеристики и параметры пролетных клистронов .........................392
Модуляция пролетных клистронов .............................................................394
Энергетические соотношения в двухрезонаторных пролетных
клистронах ............................................................................................................395
16. ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ
ТИПА О ........................................................................... 397
16.1. Классификация и особенности ламп бегущей волны ......... 397
16.2. Замедляющие структуры .............................................................. 400
16.3. Характеристики и параметры ЛБВ ........................................... 403
16.4. Усиление и модуляция ЛБВ ........................................................ 404
16.5. Экспериментальные характеристики ЛОВ ............................ 408
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 409
Общие вопросы ...................................................................................................409
Замедляющие структуры ................................................................................409
Характеристики и параметры ЛБВ .............................................................411
Усиление и модуляция ЛБВ ...........................................................................412
17. ГЕНЕРАТОРЫ МАГНЕТРОННОГО ТИПА ....................... 415
17.1. Особенности генераторов магнетронного типа..................... 415
17.2. Параметры генераторов магнетронного типа ........................ 419
17.3. Рабочие и нагрузочные характеристики магнетронов ....... 421
17.4. Рабочие и нагрузочные характеристики митронов ............. 422
17.5. Рабочие и нагрузочные характеристики амплитронов ...... 424
17.6. Синхронизация генераторов ........................................................ 425
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 426
Параметры магнетронов и митронов ..........................................................428
Рабочие характеристики магнетронов и митронов ................................428
Нагрузочные характеристики магнетронов и митронов ......................429
Стабилизация и синхронизация частоты ..................................................430
Модуляция магнетронов и митронов..........................................................431
Параметры амплитронов .................................................................................432

Нагрузочные характеристики амплитронов.............................................433
Модуляция платинотронов ............................................................................433
18. КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ .......................................... 434
18.1. Общие расчетные соотношения.................................................. 434
18.2. Оптические разонаторы ................................................................ 435
18.3. Параметры лазеров.......................................................................... 436
18.4. Модуляция оптического излучения.......................................... 438
18.5. Использование лазеров ................................................................. 442
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ .................................................... 443
Параметры лазеров ............................................................................................443
Стабильность частоты лазеров ......................................................................445
Модуляция лазеров ...........................................................................................446
Использование лазеров ....................................................................................448
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ......................................................... 451
ПРИЛОЖЕНИЯ ................................................................... 658
1. Параметры генераторных ламп ВЧ ................................................. 658
2. Параметры биполярных транзисторов .......................................... 658
3. Параметры мощных МДП-транзисторов...................................... 659
4. Параметры MOSFET-транзисторов ............................................... 660
5. Параметры IGBT-транзисторов ....................................................... 660
6. Коэффициенты разложения косинусоидального импульса .. 661
7. Таблица коэффициентов разложения
для косинусоидального импульса................................................... 661
8. Графики коэффициентов разложения
для косинусоидального импульса................................................... 662
9. Программы расчета резонансных частот резонаторов ............. 663
10. Программы расчета длин резонаторов для основного
типа колебаний и первого продольного обертона ..................... 665
11. Удельное поверхностное сопротивление проводников R11........ 666
12. Относительная диэлектрическая проницаемость
диэлектриков .......................................................................................... 666
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК .................................... 667
ПРЕДИСЛОВИЕ
Учебное пособие ориентировано на типовую программу курса «Ус-

тройства генерирования и формирования радиосигналов» специ-
альности «Радиотехника». В методическом плане автор опирался
на принципы, заложенные выдающимися учеными – профессорами
ЛЭТИ, МЭИ и МАИ: С.И. Бычковым, С.А. Дробовым, С.И. Евтя-
новым, И.В. Лебедевым, М.С. Нейманом и другими – одними из
создателей отечественной школы радиотехники.
Пособие содержит задачи и вопросы по характеристикам и пара-
метрам активных элементов; электромагнитным цепям ВЧ и СВЧ;
энергетическим соотношениям в генераторах; ключевым и широко-
полосным усилителям; устройствам сложения мощностей; умножи-
телям частоты; автогенераторам и синтезаторам частот; передатчикам
с амплитудной, однополосной, импульсной и угловой модуляцией;
генераторам на пролётных клистронах, магнетронах, митронах, ЛОВ
и ЛБВ; ламповым, транзисторным и диодным генераторам СВЧ, а
также квантовым генераторам. По каждому разделу даны основные
расчетные соотношения, приближённые к практическим. Для всех
задач приведены решения и ответы. В приложениях помещены спра-
вочные материалы и программы расчетов, необходимые для реше-
ния задач.
Для удобства поиска нужного раздела подробное оглавление до-
полнено кратким. Для заинтересованного читателя приведен крат-
кий библиографический список. Список сформирован в хронологи-
ческом порядке и включает наиболее значимые учебники, учебные
и справочные пособия, статьи и монографии за последние полвека.
Автор приносит извинения тем, чьи работы незаслуженно остались
неназванными. Ссылки на литературу даны по узким вопросам и в
случае существования противоречивых сведений.
Хотя большинство задач родилось на кафедре антенн и радиопере-
дающих устройств ТТИ ЮФУ, автор не имеет возможности указать
первоисточник каждой из приведенных в пособии задач. В разные
годы автору попадались различные внутривузовские издания, книги
и другие источники, дать ссылки на которые теперь невозможно.
Список литературы и в этом отношении далек от полноты.
Современная наука и техника развиваются невероятно быстро,
особенно в области разработки новых электронных устройств. По-
этому учебное пособие призвано знакомить читателя не только с
современным состоянием проблемы, но и с фундаментальными за-
ПРЕДИСЛОВИЕ 13
кономерностями, знание которых необходимо для завтрашнего дня.

В книге рассмотрены свойства перспективных приборов (MOSFET-
и IGBT-транзисторов, реверсивно-включаемых динисторов и др.).
Значительное внимание уделено перспективным схемам ключевых и
широкополосных усилителей, высокостабильным автогенераторам,
в том числе на ПАВ, цифровым синтезаторам частот. Рассмотрены
актуальные вопросы согласования импедансов, анализа переходных
процессов в автогенераторах и влияния шумов на частоту и фазу
автоколебаний, проектирования электромагнитных цепей генерато-
ров СВЧ и др.
Основная цель задачника – углубление и закрепление теорети-
ческих знаний, полученных студентами при изучении курса, а также
выработка навыков в решении практических задач. Эти навыки не-
обходимы и в инженерной, и в научной деятельности. Помимо задач,
связанных с выполнением расчетов, помещены вопросы. Назначе-
ние этих вопросов – способствовать углублению представлений о
физических процессах в рассматриваемых устройствах.
Чтобы облегчить понимание задач, в начале каждого раздела даны
краткие сведения из теории. При этом сложный и труднодоступный
материал изложен более подробно. Приведенных в задачнике сведе-
ний, формул и справочных данных вполне достаточно для решения
задач.
В пособие включены задачи и вопросы различной сложности – от
простейших до весьма сложных и трудоемких. В каждом подразделе
задачи и вопросы сгруппированы по узким темам и расположены в
порядке нарастания сложности.
Решение задач помогает уяснить смысл физических явлений,
закрепляет в памяти формулы, прививает навыки практического
применения теоретических знаний. Эту работу студенты могут про-
водить не только под руководством преподавателя, но и самосто-
ятельно (что наиболее эффективно!), поскольку по всем разделам
даны основные расчетные соотношения, необходимый справочный
материал, а также решения и ответы всех задач.
Пособие ориентирует студентов на активное применение средств
вычислительной техники (ВТ). В принципе, все вычислительные за-
дачи могут быть решены с помощью карандаша и бумаги. Однако по
мере усложнения задач быстро возрастает количество необходимых
операций, что увеличивает стоимость рабочего времени, затрачивае-
мого на получение результата. В этом случае использование средств
ВТ дает значительный экономический эффект. Владение навыками
14 ПРЕДИСЛОВИЕ
работы на ЭВМ не только дает возможность использования их для

решения различных задач, но и вырабатывает определенный «про-
граммистский» стиль мышления, умение четко и лаконично фор-
мировать свою мысль, правильно ставить задачу и находить пути
ее решения.
Задачник рассчитан на студентов, изучающих дисциплины «Уст-
ройства генерирования и формирования радиосигналов», или «Ра-
диопередающие устройства», а также смежные дисциплины: «Те-
ория радиотехнических цепей», «Электроника», «Схемотехника»,
«Устройства СВЧ и антенны», «Теория колебаний», «Электропре-
образовательные устройства РЭС» и др. Книга содержит большое
количество схем, расчетных формул и примеров расчета и потому
будет полезна в качестве справочника студентам радиотехнических
специальностей при курсовом и дипломном проектировании, ин-
женерно-техническим работникам, занимающимся разработкой и
эксплуатацией радиотехнических устройств, и квалифицированным
радиолюбителям.
Автор с глубокой благодарностью вспоминает своих учителей –
профессоров Московского авиационного института Неймана Миха-
ила Самойловича и Телятникова Леонида Ивановича, без которых
было бы невозможным создание настоящей книги.
Автор благодарит студентов-старшекурсников за помощь при
проведении расчетов и оформлении материалов книги.
Автор благодарен рецензентам за полезные советы и замечания,
способствовавшие существенному улучшению книги.
Отзывы и пожелания по книге просьба направлять в издательство.
С. Гарматюк
РЕКОМЕНДАЦИИ
ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ
Если вы хотите научиться плавать, то смело входите в воду.
Если вы хотите научиться решать задачи – решайте их!
Математик Пойа
Прежде чем решать задачу или отвечать на вопрос, необходимо по-
нять их сущность, смысл заданных величин, вспомнить физические
процессы, законы и соотношения, относящиеся к данному вопросу.
В основе любого из приемов решения задач лежит аналитико-синте-
тический метод. Можно указать следующую схему этого метода:
• ознакомление с условием задачи. Выделение главного вопроса
задачи (что неизвестно? Какова цель решения?);
• анализ содержания задачи. Исследование исходных данных
(что известно? Что дано?). Внесение дополнительных (уточня-
ющих) условий для получения однозначного ответа. При ана-
лизе очень полезно начертить схему, график или конструкцию,
относящуюся к задаче, и указать на этом рисунке исходные дан-
ные, распределение токов и напряжений и т. п. Часто самый
простой рисунок значительно помогает в решении задачи;
• составление плана решения;
• осуществление плана решения;
• проверка ответа (проверка размерностей, решение этой же за-
дачи другим способом, сопоставление полученного ответа с об-
щими принципами радиотехники, здравым смыслом и т. п.).
Эту схему решения можно выразить и другими словами:
• прочитай задачу и представь себе то, о чем в ней говорится;
• запиши задачу кратко или выполни чертеж;
• уясни, что показывает каждое число, повтори вопрос задачи;
• подумай, можно ли сразу ответить на вопрос задачи. Если нет,
то почему. Что нужно узнать сначала, что потом;
• составь план решения;
• выполни решение;
• проверь решение и ответь на вопрос задачи.
Точность расчетов должна быть в разумных пределах. Очень
часто студенты добиваются при вычислениях получения такой точ-
ности результата, которая совершенно не оправдывается точностью
использованных данных. Это создает иллюзию точного расчета,
приводит к бесполезным затратам труда и времени. «Цель расче-
тов – не числа, а понимание», – этот афоризм особенно справедлив
для высшей школы.
Решение задач – это практическое искусство, подобное плаванию;
научиться ему можно, только подражая хорошим образцам и посто-
янно практикуясь в самостоятельном решении задач!
Как сказал Освальд, «человек, не желающий вступать в воду, пока
не научился плавать, не научится плавать».
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ
И ОБОЗНАЧЕНИЙ
А – амплитуда колебаний
АГ – автогенератор
АМ – амплитудная модуляция
АПЧ – автоматическая подстройка частоты
АЧХ – амплитудно-частотная характеристика
АЭ – активный элемент
БТ – биполярный транзистор
ВАХ – вольт-амперная характеристика
ВОЛС – волоконно-оптическая линия связи
ВЧ – высокая частота (3…30 МГц)
ГВВ – генератор с внешним возбуждением (усилитель)
ГП – генераторный прибор
ГР – граничный режим
ГУН – генератор, управляемый напряжением
ДВ – длинные волны
ДГ – диод Ганна
ДНЗ – диод с накоплением заряда
ДУ – дифференциальное уравнение
ЗС – замедляющая структура
ЗЧ – звуковые частоты (16…20000 Гц)
ИМ – импульсная модуляция
ИТ – импульсный трансформатор
КБВ – коэффициент бегущей волны
КУМ – ключевой усилитель мощности
КР – кварцевый резонатор
КПД – коэффициент полезного действия
КСВ – коэффициент стоячей волны
КСЦ – корректирующе-согласующая цепь
КС – колебательная система
ЛГР – линия граничного режима
ЛБВ – лампа бегущей волны
ЛОВ – лампа обратной волны
ЛПД – лавинно-пролетный диод
М – индекс угловой модуляции
МРК – многорезонаторный пролетный клистрон
НР – недонапряженный режим
НХ – нагрузочная характеристика
ОБ – общая база
ОБП – одна боковая полоса
ОВЧ – очень высокие частоты (30…300 МГц)
ОИ – общий исток
ОКГ – опорный кварцевый или оптический квантовый генератор
ОМ – однополосная модуляция
ОЛС – оптическая линия связи
ОС – обратная связь
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ 17
ОЭ – общий эмиттер
П – эффективная ширина спектра ЧМ-колебания; полоса пропускания
ПАВ – поверхностные акустические волны
ПФ – полосовой фильтр
ПР – перенапряженный режим
ПТ – полевой транзистор
РВД – реверсивно включаемый динистор
СВ – средние волны
СВЧ – сверхвысокие частоты (3…30 ГГц)
СКП – средняя квадратическая погрешность (σ)
ССЧ – синтезатор стабильных частот
СТЦ – согласующе-трансформирующая цепь
СХ – статическая характеристика
СУ – согласующее устройство
СМХ – статическая модуляционная характеристика
ТД – туннельный диод
ТКЕ – температурный коэффициент емкости
ТКИ – температурный коэффициент индуктивности
ТКТ – температурный коэффициент выходного тока АЭ
ТКЧ – температурный коэффициент частоты
ТЛ – трансформатор на линиях
ТУМ – транзисторный усилитель мощности
ТЦ – трансформирующая цепь
УВЧ – ультравысокие частоты (300…3000 МГц); усилитель ВЧ
УМ – угловая модуляция, усилитель мощности
УПТ – усилитель постоянного тока
УРУ – усилитель с распределенным усилением
УЧ – умножитель частоты
Ф – коэффициент фильтраций
ФАП – фазовая автоматическая подстройка частоты
ФВЧ – фильтр верхних частот
ФД – фазовый детектор
ФМ – фазовая модуляция; фазовый модулятор
ФНЧ – фильтр низких частот
ЦС – цепь согласования; цепь связи
ЦВС – цифровой вычислительный синтезатор
ЧМ – частотная модуляция
ЧРК – частотное разделение каналов
ЧХ – частотная характеристика
ЭМВ – электромагнитная волна
ЭМС – электромагнитная совместимость
C – электрическая емкость
c – скорость распространения электромагнитных волн в вакууме
°С – температура Цельсия (°С= К – 273,16)
D – проницаемость активного элемента; дисперсия; диаметр
d – диаметр
e – заряд электрона (1,6 · 10–19 Кл)
E – напряжение, напряженность электрического поля
18 СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
E′вх – напряжение отсечки (запирания) активного элемента

f – частота гармонических колебаний
fs – граничная частота транзистора по крутизне
fт(fгр) – граничная частота коэффициента передачи тока
g1 – коэффициент формы тока по первой гармонике
G – активная проводимость
h – постоянная Планка (6,63 · 10–34 Дж·с)
i – мгновенное значение тока
Im – высота импульсов выходного тока АЭ
Iн – амплитуда тока в режиме молчания (несущей частоты)
k – постоянная Больцмана (1,38 · 10–23 Дж/К)
К – коэффициент обратной связи
КН – коэффициент нелинейных искажений
КР – коэффициент усиления по мощности
КС – коэффициент перекрытия емкости варикапа
L – индуктивность
m – коэффициент (глубина) амплитудной модуляции
l – длина
N – энергия, электрическая длина замедляющей структуры
– коэффициент включения колебательного контура, частотного
р
модулятора
Р0 – мощность, потребляемая от источника питания
Р1 – колебательная мощность
РК – мощность, рассеиваемая коллектором
РП – полезная мощность генератора (в нагрузке)
Q – добротность колебательного контура, добротность варикапа
q – скважность
rнас – сопротивление насыщения (rнас = 1/Sгр)
R, r – электрическое активное сопротивление, радиус
Re(z) – вещественная (резистивная) составляющая сопротивления
S – крутизна характеристики, площадь
S0 – дифференциальная крутизна активного элемента
S1 – модуль средней крутизны активного элемента
Sгр – крутизна линии граничного (критического) режима
t – время, толщина
Т – период следования импульсов, абсолютная температура
u – мгновенное значение напряжения
U – электрическое напряжение
UΩ – амплитуда модулирующего напряжения
νФ – фазовая скорость
W – энергия электромагнитного поля
x – реактивное сопротивление
Zв – волновое сопротивление
Z – комплексное входное сопротивление
α(θ) – коэффициент разложения косинусоидального импульса
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ 19
β0 – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

β – волновое число, фазовый множитель ( β = ω/νФ = 2πl/λл), скол
вершины импульса
γ(θ) – коэффициент разложения косинусоидального импульса
Δf – девиация частоты; полоса пропускания
Δφ – девиация фазы
δ – относительная погрешность измерений
ε – диэлектрическая проницаемость (относительная)
ea – абсолютная диэлектрическая проницаемость (εa = εε0)
e0 – электрическая постоянная (107/(4πс2) ≈ 8,85 · 10–12 Ф/м)
η – коэффициент полезного действия (КПД)
ηe – электронный КПД
ηк – контурный КПД
θ – угол отсечки
λЛ – длина волны в линии
μ – магнитная проницаемость (относительная)
μ0 – магнитная постоянная (4π · 10–7 ≈ 1,26 · 10–6 Гн/м)
μa – абсолютная магнитная проницаемость (μa = μμ0)
ξ – напряженность режима, обобщенная расстройка
ρ – характеристическое сопротивление, коэффициент стоячей
волны
σ – средняя квадратическая погрешность (СКП)
τ – время усреднения, длительность импульсов, постоянная
времени
Ф – девиация фазы ( индекс фазовой модуляции)
φ – фазовый угол (εa = εε0)
φос – сдвиг фаз в цепи обратной связи
φs – сдвиг фаз в активном элементе
φK – контактная разность потенциалов
ω0 – угловая резонансная частота (ω0 = 2πf0)
Ω – угловая частота модулирующего напряжения (Ω = 2πF)
1 ХАРАКТЕРИСТИКИ
И ПАРАМЕТРЫ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
1.1. Статические характеристики

генераторных ламп и транзисторов
Статические характеристики (СХ) АЭ представляют собой за-
висимости токов в цепях различных электродов от комбинаций
напряжений на электродах. При изменении одного из напряжений
напряжения на остальных электродах служат для СХ параметрами.
Различают три вида СХ: входные, выходные и проходные. Напри-
мер, для ламп входной СХ является зависимость тока управляющей
сетки от напряжения на этой сетке, выходной – зависимость тока
анода от напряжения на аноде, а проходной – зависимость тока ано-
да от напряжения на управляющей сетке. СХ различных АЭ имеют
существенные различия как в расположении кривых на поле харак-
теристик, так и в значениях токов и напряжений, действующих на
электродах. Однако при этом СХ ламп, БТ и ПТ имеют две общие
закономерности: при малых напряжениях на электродах СХ сущес-
твенно нелинейны, а при больших – почти линейны. СХ содержат
исчерпывающие сведения для выбора режимов АЭ и расчета их па-
раметров. Однако это справедливо только для диапазона рабочих
частот, в котором СХ не зависят от частоты.
На рис. 1.1 приведены условные обозначения триодов (ГУ-66А
и ГИ-7Б), а также их СХ в анодной (выходные) и анодно-сеточной
системе координат (проходные) [44]. Триод ГУ-66А в непрерывном
режиме работы обеспечивает колебательную мощность 100 кВт на
частотах до 30 МГц, а ГИ-7Б – импульсную мощность 20 кВт на
частотах до 2,6 ГГц.
СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕНЕРАТОРНЫХ ЛАМП И ТРАНЗИСТОРОВ 21
ia, A
ia, A
20
Л Г 500
ia
10
П Н A
+
60 60
Р
00
C
u
u
+2
a
50 50
c K
B
40 00 40
+1
5кB
U c= ГУ-66А
Uа =
30
0
20 20
10 10
0В
-30
0
2 кВ
3 6 9 12 15 ua, kB -400 -200 0 200 uc, B
а
ia, A
ia, A
Р
ЛГ
10 Н 1
П 20
1 кВ
+1
8 0,8
7 ГИ-7Б
0B
6 +6
2кB
U c=
Uа =
4 0
0,4
2 В 0,2
-40
0 1 2 3 4 5 6 7 ua, kB -40 -20 0 20

uc, B
б
Рис. 1.1. Условные обозначения, примеры идеализации СХ
и определения параметров генераторных триодов:
а – непрерывного действия; б – импульсного действия
На рис. 1.2 приведены условные обозначения тетродов (ГС-17Б

и ГУ-34Б), а также их выходные и проходные СХ [44]. Выходные
СХ тетродов (рис 1.2) сравнительно пологие, но круто обрываются
при напряжениях ua = ua гр ≈ Ec2 .Такой вид СХ типичен для многих
современных генераторных тетродов и объясняется перераспределе-
нием катодного тока между анодом и второй сеткой в области малых
напряжений на аноде 0 < ua < Ec2 [72]. При снижении ua анодный
ток ia быстро уменьшается, а ток второй сетки соответственно растет.
В современных тетродах для уменьшения тока экранирующей сетки
провода этой сетки помещают как бы в тень проводов управляющей
сетки. Вследствие этого в некоторых лампах, например ГУ-34Б, ток
22 ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
ia, A 375 В ia, A

24 ia 24
П EC2 A
кB
20
C2
u
,5
Н u C1 a 20
=5
c
200 В K
а
U
16 16
13
kB
12 B
ЛГР
U c=+100 ГС-17Б
0,8
12
8 Ec2 =0,8 kB
8
O
4 4
ua, kB 60
0
0,8 kB
1 2 3 4 -100 0 100 200 uc, B
а
ia, A ЛГР
П Н 10В
1,2 ia, A
Ec2 =500B 1,0
0
0,8 0,8
ГУ-34Б
U c=-10B
0,6
Ec2 =500B
0,4 0,4
-30В 0,2
ua, kB 400
0 0,4 0,8 1,2 -40 -20 0 uc, B
0,5 kB
б
Рис. 1.2. Условные обозначения, примеры идеализации СХ и
определения параметров генераторных тетродов со сдвинутой ЛГР
второй сетки при ua < Ec2 может принимать даже отрицательные

значения [72]. Металлокерамический тетрод ГС-17Б обеспечива-
ет максимальную колебательную мощность 4,6 кВт на частотах до
1 ГГц, а ГУ-34Б – 400 Вт на частотах до 250 МГц.
На рис. 1.3 приведены условные обозначения, а также выходные
и проходные СХ биполярного n-p-n-транзистора (2Т9102А-2) и
мощного полевого МДП-транзистора с n-проводимостью канала
(КП913А) [65, 78]. Транзистор 2Т9102А-2 обеспечивает максималь-
ную колебательную мощность 4,5 Вт на частоте 2 ГГц, а КП913А –
120 Вт на частотах до 400 МГц.
На рис. 1.4 приведены условные обозначения, а также выход-
ные и проходные статические характеристики металлоксидного
полупроводникового мощного полевого транзистора (Metal-Oxide
Semiconductor Power Field Effect Transistor) или, сокращенно,
MOSFET-транзистора и высоковольтного (Eкэ max = 1 700 В) би-
АППРОКСИМАЦИЯ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЛАМП И ТРАНЗИСТОРОВ 23
полярного транзистора с изолированным затвором (Insulated Gate

Bipolar Transistor) или, сокращенно, IGBT-транзистора [77]. Из
рис. 1.1…1.4 видно, что, несмотря на различия в значениях токов
и напряжений, действующих на электродах различных АЭ, их СХ
имеют близкую форму.
1.2. Аппроксимация статических

характеристик ламп и транзисторов
Сходство ВАХ ламп и транзисторов позволяет использовать еди-
ную форму их аппроксимации. Обычно используют простейшую
аппроксимацию СХ отрезками прямых (идеализацию). Примеры
идеализации СХ различных АЭ даны на рис. 1.1…1.4.
Аналитически аппроксимация характеристик выходных токов АЭ
может быть записана следующим образом:
• в области отсечки, при uвх ≤ E′вх
iвых (uвх) = 0;
• в области недонапряженного режима (области линейного
усиления), при uвых ≥ uвых гр
iвых=S (uвх + D uвых – Eвх0) ;
• в области перенапряженного режима (области насыщения),
при uвх ≥ uвх гр, uвых ≤ uвых гр
iвых= Sгр uвых,
здесь uвх и uвых – мгновенные значения входного и выход-
ного напряжений на электродах АЭ; S = Δiвых/Δuвх, при
uвых= const – крутизна проходной характеристики iвых (uвх)
активного элемента; Sгр = iвых/uвых гр =1/rнас – крутизна линии
граничного (критического) режима; rнас = 1/ Sгр – сопротив-
ление насыщения; E′вх = Eвх0 – D uвых – напряжение отсечки, т.
е. напряжение на входном электроде, при котором имеет мес-
то отсечка выходного тока; Eвх0 – напряжение приведения по
управляющему электроду, определяющее напряжение отсечки
(запирания) E′вх при uвых = 0. При D = 0 напряжение приве-
дения равно напряжению отсечки E′вх; D =Δuвх/Δuвых при
iвых= const – проницаемость АЭ. Для триодов D = 0,01…0,1; для
пентодов и лучевых тетродов D = 0,005…0,01, а для транзисто-
ров её обычно принимают равной нулю.
Приводимые в справочниках значения параметров S и D относят-

ся к номинальному режиму работы АЭ. Для произвольного режима
работы АЭ эти параметры нужно определять по его СХ в выбранной
области работы.
1.3. Параметры ламп и транзисторов

Параметры некоторых высокочастотных генераторных ламп даны
в прил. 1 [44, 73]. Примеры определения параметров ламп по СХ
даны на рис. 1.1 и 1.2.
Основными параметрами ламп являются:
P1max – максимальная колебательная мощность;
fmax – максимальная рабочая частота;
Sгр – крутизна линии граничного режима (ЛГР). ЛГР триодов –
прямая, проходящая на выходной ВАХ через начало коорди-
нат. Для многих современных генераторных тетродов ЛГР –
вертикальная прямая, исходящая из точки ua = ua гр ≈ Ec2;
S = Δia/Δuc при ua = const и Ec2 = const – крутизна проходной
характеристики в области недонапряженного режима;
Ea max и Ec2 max – максимально допустимые постоянные напряже-
ния на аноде и второй сетке;
Pa max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеи-
ваемая анодом;
D – проницаемость.
Параметры некоторых биполярных транзисторов даны в прил. 2
[73, 78]. Примеры определения параметров БТ по их СХ даны на
рис. 1.3, а.
Основными параметрами БТ являются:
β0(h21Э0) = Δiк/Δiб– статический коэффициент передачи тока в
схеме с ОЭ;
•
| β |= β 0 1 + ( f f β ) 2 – модуль коэффициента передачи тока
на высокой частоте;
Cк = Cка + Cкп – полная емкость коллекторного перехода, равная
сумме емкостей активной области перехода Cка и пассивной
области перехода Cкп при определенном напряжении Екб между
коллектором и базой, (паспортная величина);
ПАРАМЕТРЫ ЛАМП И ТРАНЗИСТОРОВ 25
Cэ = Cб + Cд – суммарная емкость эмиттерного перехода, равная

сумме барьерной емкости Cб и диффузионной емкости эмит-
терного перехода Cд = Sп/(2πfТ) (паспортная величина).При
больших токах диффузионная ёмкость может на несколько
порядков превышать зарядовую, поэтому обычно полагают
Cэ = Cд. В области отсечки Cд = Cб, а сопротивление рекомби-
нации rβ очень велико;
rб – сопротивление базы;
τк = rбCка – постоянная времени цепи обратной связи на высокой
частоте (паспортная величина) обычно Cка = (0,2…0,3)Cк, где
коэффициент 0,2 соответствует маломощным высокочастот-
ным приборам, а 0,3 – мощным;
rβ = h21Э0/Sп – усредненное активное сопротивление параллельной
схемы замещения перехода база-эмиттер в активной области
(сопротивление рекомбинации);
rнас = 1/Sгр – сопротивление насыщения между коллектором и
эмиттером транзистора (паспортная величина). На средних и
высоких частотах (f > 0,3fТ h21Э0 ) сопротивление rнас вч значи-
тельно больше своего низкочастотного значения;
Sгр = 1/rнас – крутизна линии граничного режима;
Sп – крутизна характеристики тока коллектора по переходу.
При комнатной температуре (25° С, или 300 К) можно принять
Sп = 39 ik, однако, с учетом разогрева транзистора при прохож-
дении через него тока обычно полагают Sп = 30 ik. При высоте
косинусоидального импульса коллекторного тока Im эту кру-
тизну следует определять для тока ik = 0,5 Im ;
S = rβSп (rб + rβ) – крутизна проходной характеристики на низ-
ких частотах при кусочно-линейной аппроксимации в области
недонапряженного режима;
Sf = S 1 + ( f fS ) 2 – модуль крутизны проходной характеристи-
ки на рабочей частоте. Комплексный характер крутизны мож-
но не учитывать вплоть до частот 0,5 fS;
S б = S h21Э 0 = 1 (rб + rβ ) – крутизна характеристики тока базы
на низких частотах;
[ ( )][
S б f = 1 + f ⋅ h21Э 0 fT
2
1+ (f fS )](
2
)
rβ + rб – модуль крутиз-
ны характеристики тока базы на рабочей частоте;
f г р ( f т ) = f и h21Э – граничная частота коэффициента передачи

тока транзистора для схемы с ОЭ (паспортная величина). На
частоте fгр модуль коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
экстраполируется к единице. В приведенной формуле значе-
ние h21Э соответствует высокой частоте измерения fи;
f S = f т ( S r б ) – граничная частота по крутизне (частота, при
которой модуль крутизны S падает в 2 раз против своего
низкочастотного значения);
f max = f т (30τ k ) – максимальная частота генерации. На этой
частоте коэффициент усиления транзистора по мощности ра-
вен единице;
fβ = fТ h21Э0– граничная частота по коэффициенту передачи тока
•
но приближенно считать, что модуль ¶h21Э0¶ падает обратно

базы. На этой частоте | β | = 0,707 β0 . На частотах f < 3fβ мож-
пропорционально частоте. Весь диапазон рабочих частот БТ

обычно разделяют на три области. В области низких частот
(0 ≤ f ≤ 0,3fβ) БТ можно рассматривать как безынерционный
АЭ с | β | ≈ β0. В области средних частот (0,3fβ < f < 3fβ) БТ –
инерционный АЭ. В диапазоне высоких частот f > 3fβ БТ так-
же инерционен; Его можно считать реактивным элементом с
•
мнимым коэффициентом усиления β ≈ − j f т f ;
Iк max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
Iки max – допустимый импульсный ток коллектора;
Eкэ max – максимально допустимое постоянное напряжение кол-
лектор-эмиттер;
uкэ нас – напряжение насыщения коллектор-эмиттер при задан-
ных токах базы и эмиттера;
Pк max – максимально допустимая постоянная мощность, рассеи-
ваемая коллектором.
Параметры некоторых полевых транзисторов с изолированным
затвором и n-проводимостью канала даны в прил. 3 [65, 73, 78]. При-
меры определения параметров ПТ по их СХ даны на рис. 1.3, б.
Основные параметры ПТ:
fmax – максимальная рабочая частота;
rнас – сопротивление насыщения (сопротивление, между стоком
и истоком в открытом состоянии транзистора);
S =Δiс/Δuзи – крутизна характеристики тока стока;

Cси (C22и) – ёмкость между стоком и истоком (выходная);
Eзи отс – напряжение отсечки;
Eси max – допустимое постоянное напряжение сток-исток;
Pс max – допустимая постоянная мощность, рассеиваемая стоком.
Параметры некоторых MOSFET-транзисторов даны в прил. 4
[68, 74, 77]. Примеры определения параметров MOSFET-транзис-
торов по их СХ даны на рис. 1.4, а.
Основными параметрами MOSFET-транзисторов являются:
Rси отк – сопротивление между стоком и истоком в открытом со-
стоянии транзистора (сопротивление насыщения);
iк, A ЛГР
iк iэ, A
П 20мА Н Б iб К
1,0
15мА uбэ uкэ 1
Э iэ
0,8 0,8
0,6 10мА 0,6
2T9102A-2
0,4 5мА 0,4 uкб=0
0,2 0,2
iб=1мА uкэ, B uбэ, B
0 2 4 8 12 0 0,4 0,6 0,8 1,0
а
iс, A
Р
iс, A
ЛГ
20
20
15 20
П С iс
З iз
15 uзи uси15 uси= 60В
Н И
u зи=12В 10
10
КП913А
10
5 5
8 uси, B uзи, B
0 10 20 30 40 50 5 10 15 20
б
и определения параметров генераторных транзисторов:
а − биполярного; б – полевого
uси нас – напряжение насыщения сток-исток (остаточное напря-

жение);
S – крутизна характеристики тока стока;
Eзи отс – напряжение отсечки (пороговое напряжение затвор-ис-
ток);
tвкл и tвыкл – время включения и выключения транзистора;
Cзи – ёмкость между затвором и истоком (входная);
Cси – ёмкость между стоком и истоком (выходная);
Cзс – ёмкость между затвором и стоком (проходная);
Iс max – максимально допустимый постоянный ток стока;
Iси max – максимально допустимый импульсный ток стока;
Uси max – допустимое напряжение между стоком и истоком;
Pс – допустимая постоянная мощность, рассеиваемая стоком.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT-
транзисторы) характеризуются практически той же системой пара-
метров, что и MOSFET-транзисторы. Отличие заключается в том,
что вместо сопротивления открытого канала приводится напряже-
ние насыщения (остаточное напряжение) коллектор-эмиттер. При-
меры определения параметров IGBT-транзисторов по их СХ даны
на рис. 1.4, б. Параметры некоторых IGBT-транзисторов даны в
прил. 5 [68, 77].
Основными параметрами IGBT-транзисторов являются:
Eкэ max – максимальное допустимое постоянное напряжение кол-
лектор-эмиттер;
Iк max – допустимый постоянный ток коллектора;
uкэ нас (uост) – напряжение насыщения коллектор-эмиттер (оста-
точное напряжение), определяемое для заданного тока коллек-
тора и напряжения на затворе;
Eзэ отс – напряжение отсечки (пороговое напряжение затвор-
эмиттер);
Eoff – энергия выключения в импульсном режиме.
Температурный коэффициент выходного тока (ТКТ) транзис-
торов характеризует относительное изменение тока при изменении
температуры на 1°:
ΔI 1
ТКТ = ,
I Δt o
где I – значение тока, измеренное при нормальной температуре
(обычно 25 °С);
∆I – алгебраическая разница между током, измеренным при за-
данной температуре, и током, измеренным при нормальной
температуре;
∆t° – алгебраическая разность между заданной и нормальной тем-
пературой.
С iс
iс, A
З iз
u iс, A
uзи И
си
300
10В
4В
В
8В
20
300
7В 6В
U зи= 200
200
IRFB1404
u
си=
2В
5В 1В
100 100
4В P=700Вт uзи, B
0 2 3 4 6 uси, B 0 4 56 10 15
а
i к, A
20В 12В iк, A
110
100 К iк 100
10В
11В
З
u u кэ
80 зэ Э
80
60 u =10В IXGH32N170 60
=2В
u
зэ
кэ
40 40 1,5В
8В
uкэ, B uзэ, B
0 2 4 5 6 5 10 15
б
и определения параметров мощных ключевых приборов:
а – MOSFET-транзистора; б – IGBT-транзистора
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
1.1. Какие АЭ используют в ВЧ-каскадах передатчиков?
1.2. Какие генераторные полупроводниковые приборы используют
в мощных каскадах передатчиков?
1.3. Каким требованиям должен удовлетворять идеальный ключ?
1.4. Какова тенденция развития полупроводниковых ключей?
1.5. Нарисуйте статические характеристики БТ, ПТ, триода, тетрода
и аппроксимируйте их отрезками прямых.
1.6. Почему для СХ ламп и транзисторов возможна единая форма
их аппроксимации?
1.7. Почему обычно используют кусочно-линейную аппроксимацию
СХ ламп и транзисторов?
1.8. Чем отличаются динамические характеристики АЭ от статичес-
ких?
1.9. Выберите тип и оцените количество: а) БТ; б) ПТ; в) генератор-
ных ламп из числа представленных в прил.1,2 и 3, необходимых
для блочно-модульного построения передатчика мощностью в
непрерывном режиме работы 2,8 кВт на частоте 250 МГц.
1.10. Из числа АЭ, представленных в прил. 1, 2 и 3, выберите оп-
тимальный для выходного каскада передатчика мощностью
200 кВт на частоте 100 МГц.
Характеристики и параметры генераторных ламп
1.11. Какова область использования генераторных ламп?
1.12. Какие параметры генераторных ламп благоприятствуют их ис-
пользованию в РПУ?
1.13. В каких каскадах передатчика обычно используют генератор-
ные лампы?
1.14. Определите максимальную колебательную мощность лампы
ГУ-82Б (прил. 1) на частоте: а) 250; б) 25; в) 2,5 МГц.
1.15. Определите крутизну лампы ГУ-67Б (прил. 1) на частоте:
а) 75; б) 7,5; в) 0,75 МГц.
1.16. Определите крутизну линии граничного режима лампы ГУ-53Б,
если при Ea = 10 кВ и Ua = 9,6 кВ амплитуда импульса анодного
тока в граничном режиме равна 20 А.
1.17. Из каких соображений выбирают величину напряжения пита-
ния экранирующей сетки тетрода?
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 31
1.18. По СХ триода ГУ-66А (рис. 1.1, а) определите его параметры:

а) S; б) Sгр; в) rнас; г) D; д) Eсо при ua= 20 кВ, ia = 50 А.
1.19. Рассчитайте напряжение отсечки анодного тока лампы ГУ-66А
(рис. 1.1, а) при анодном напряжении: а) 20; б) 10; в) 5 кВ, если
Eсо = 40 В, D = 0,017.
1.20. Сравните результаты расчета задачи 1.19 и данные идеализи-
рованных характеристик; объясните полученный результат.
1.21. По СХ триода ГИ-7Б (рис. 1.1, б) определите его параметры:
а) S; б) Sгр; в) rнас; г) D; д) Eсо при uс > 0.
1.22. Для предыдущей задачи вычислите напряжение отсечки анод-
ного тока при анодном напряжении а) 2 кВ; б) 1 кВ. Сравни-
те эти результаты и данные идеализированных характеристик;
объясните полученный результат.
1.23. По СХ тетрода ГC-17Б (рис. 1.2) определите его параметры:
а) S; б) ua гр; в) D; г) Eсо при iа =13 А, uа =5,5 кВ.
1.24. Для предыдущей задачи вычислите напряжение отсечки анод-
ного тока при анодном напряжении: а) 5,5 кВ; б) 0,8 кВ.
1.25. По СХ тетрода ГУ-34Б (рис. 1.2) определите его параметры:
а) S; б) ua гр; в) D; г) Eсо; д) E′c при Eс2 =500 В и iа > 0,5 А.
1.26. Определите коэффициент использования анодного напряже-
ния ξгр лампы ГУ-34Б при Eс2=500В, если анодное напряжение
равно: а) 2,5 кВ; б) 2,0 кВ; в) 1,5 кВ.
1.27. Определить максимально допустимый постоянный ток анода
лампы ГУ-53Б (прил. 1) при анодном напряжении : а) 12; б) 10;
в) 5 кВ.
1.28. Определите анодное напряжение лампы ГУ-53Б (прил. 1) в
граничном режиме работы при токе анода: а) 15; б) 10; в) 5 А.
1.29. Определите амплитуду входного напряжения в линейном режи-
ме работы генератора на лампе: а) ГУ-10А; б) ГУ-67Б; в) ГУ-34Б
(прил. 1), если амплитуда анодного тока численно равна 0,3 Iа0 max,
а Eа =Eа max.
1.30. Определите амплитуду импульса анодного тока в линейном ре-
жиме работы лампы: а) ГУ-34Б; б) ГУ-82Б; в) ГУ-84Б (прил. 1)
при амплитуде входного напряжения 40 В. Напряжение смеще-
ния равно напряжению запирания анодного тока.
Характеристики и параметры биполярных транзисторов
1.31. Определите амплитуду импульса коллекторного тока, если ам-
плитуда напряжения возбуждения равна 1 В, крутизна проход-
ной характеристики транзистора 6 См, напряжение смещения
на базе равно напряжению запирания коллекторного тока.
1.32. Определите амплитуду импульса коллекторного тока в гра-

ничном режиме, если напряжение питания коллекторной цепи
20 В, крутизна линии граничного режима 2 См, амплитуда кол-
лекторного напряжения равна 18 В.
1.33. По СХ транзистора 2Т9102А-2 (рис. 1.3, а) определите его па-
раметры: а) Sгр; б) rнас; в) β0; г) D при iк > 0,5 А.
•
1.34. Определите частоту, при которой | β |= β 0 / 2 .
1.35. Определите границы области средних частот транзистора:
а) 2Т927А; б) 2Т980А; в) 2Т930Б; г) 2Т942А; д) 2Т3115А-2
(прил. 2).
1.36. Определите крутизну линии граничного режима Sгр и сопро-
тивление насыщения rнас транзистора 2Т927А, если в граничном
режиме uкэ=0,6 В, а iк=10 А.
1.37. Определите сопротивление rнас нч транзистора: а) 2Т980А;
б) 2Т930Б; в) 2Т942А; г) 2Т3115А-2; (прил. 2), если при токе
Iко max их напряжения uкэ гр соответственно равны 3; 2,5; 1,5; 0,3 В.
1.38. Определите параметры S и fs транзистора 2Т942А (прил. 2) при
токе коллектора, равном: а) Iко max; б) 0,5 Iко max; в) 0,1Iко max.
1.39. У мощного транзистора коэффициент передачи по току в схеме
с общим эмиттером на низкой частоте равен 20, а на частоте
300 МГц – 3,5; сопротивление базы равно 0,5 Ом. Для режима
S = 5 См определите частоты fs, fT, fβ.
1.40. Определите максимальную частоту генерации транзистора:
а) ГТЗ11Е; б) КТ903А; в) 2Т904А; (прил. 2).
1.41. Определите крутизну линии граничного режима на низкой
частоте в номинальном режиме работы транзистора: а) ГТЗ11Е,
б) КТ903А, в) 2Т904А (прил. 2) и наибольшую рабочую часто-
ту, при которой это значение крутизны можно использовать.
1.42. Определите параметры Sп, S, rβ, fT, fs, fβ, Cka и Cэ транзистора:
а) ГТЗ11Е; б) КТ903А; в) 2Т904А (прил. 2) при комнатной
температуре, если амплитуды косинусоидальных импульсов
коллекторных токов этих транзисторов соответственно равны
50 мА, 10 А, 1,5 А.
1.43. Определите крутизну тока коллектора и тока базы транзисто-
ров предыдущей задачи на частоте 0,5 fs.
1.44. Определите сопротивление насыщения транзистора 2Т927А
на частоте 3 МГц, если при Θ = 90° и Eк = 28 В колебательная
мощность генератора в граничном режиме равна 140 Вт, а под-
водимая – 230 Вт.
1.45. Определите сопротивление rнас транзистора 2Т927А на частоте

30 МГц, если при Θ = 90° и Eк = 28 В колебательная мощность
генератора в граничном режиме равна 100 Вт, а ηе= 0,56.
1.46. Определите сопротивление насыщения транзистора 2Т930Б,
если при Θ = 90° и Eк = 28 В колебательная мощность генера-
тора в граничном режиме равна 80 Вт, а ηе = 0,5.
1.47. Получите приближенную формулу fT = fββ0 и определите отно-
сительную погрешность расчета по этой формуле: а) при β0 = 5;
б) при β0 = 10; в) при β0 = 20.
1.48. Получите приближенную формулу fT = fи|βи| и определите от-
носительную погрешность расчета по этой формуле при отно-
шении частот fи /fβ равном а) 2; б) 3; в) 4; г) 5.
1.49. Определите отношение частот fи /fβ при допустимой относи-
тельной погрешности расчета по формуле fT = fи|βи|, равной:
а) 10; б) 5; в) 3; г) 2%.
Характеристики и параметры МДП-транзисторов
1.50. Какие процессы определяют частотные свойства ПТ?
1.51. Какие факторы ограничивают максимальную рабочую частоту
МДП-транзисторов в ключевом режиме?
1.52. Какие особенности ПТ благоприятствуют их использованию:
а) в широкополосных усилителях, рабочая полоса которых за-
хватывает сравнительно низкие частоты; б) в усилителях, ра-
ботающих в классе А; в) при параллельном включении прибо-
ров; г) в усилителях колебаний с переменной амплитудой или
осуществляющих амплитудную модуляцию; д) в устройствах
повышенной эксплуатационной надёжности; е) в мощных кас-
кадах передатчиков однополосных систем.
1.53. По СХ транзистора КП913А (рис. 1.3, б) определите его пара-
метры: а) S; б) Sгр; в) rнас; г) E′зи; д) D при ic > 5 А.
1.54. Определите максимальную колебательную мощность транзис-
тора 2П933А (прил .3) на частоте: а)1000; б)100; в)10 МГц.
1.55. Определите крутизну S транзистора 2П928А (прил. 3) при токе
стока: а) 20; б) 10; в) 5 А.
1.56. Определите крутизну S транзистора 2П920А (прил. 3) на час-
тоте: а) 400; б) 40; в) 4 МГц.
1.57. Определите коэффициент использования напряжения стока
транзистора: а) 2П923А; б) 2П928А; в) 2П933А в типовом ре-
жиме работы генератора (прил. 3).
1.58. Определите амплитуду входного напряжения в линейном ре-

жиме работы генератора на транзисторе: а) 2П908А; б) 2П923А;
в) 2П928А; г) 2П933А, если амплитуда тока стока равна Iс max.
1.59. Определите сопротивление насыщения транзистора: а) 2П923А;
б) 2П928; в) 2П933А в типовом режиме генератора.
1.60. Определите сопротивление насыщения транзистора 2П920А
на частоте 400 МГц, если при Θ = 90° и Еси = 50 В колебатель-
ная мощность генератора в граничном режиме равна 150 Вт, а
подводимая – 263 Вт.
1.61. Определите сопротивление насыщения транзистора 2П933А в
типовом режиме его работы (прил. 3).
Характеристики и параметры MOSFET-транзисторов
1.62. По СХ низковольтного MOSFET-транзистора IRFB1404
(рис. 1.4, а) определите его сопротивление насыщения при на-
пряжении на затворе, равном: а) 20; б) 8; в) 7; г) 6 В.
1.63. Определите крутизну характеристики тока стока и напряже-
ние отсечки транзистора предыдущей задачи при напряжении
uси=4 В.
1.64. Определите максимальное напряжение uси нас транзисторов
№ 1…5 (прил. 4).
1.65. Определите максимальное напряжение uси нас транзисторов
№ 6, 7, 8 и 9 (прил. 4).
1.66. Постройте и прокомментируйте зависимость величины мак-
симального остаточного напряжения транзисторов № 1…9
(прил. 4) от допустимого напряжения Uси max.
1.67. Определите максимальную мощность, коммутируемую тран-
зисторами № 1…5 (прил. 4).
1.68. Выберите два наиболее мощных транзистора из представлен-
ных в прил. 4.
1.69. Определите изменение тока стока транзистора номер: а) 1; б) 2;
в) 3 (прил. 4) при изменении управляющего напряжения на
0,5 В.
1.70. Определите амплитуду управляющего напряжения транзисто-
ра номер а) 3; б) 4; в) 5 (прил. 4) при максимальной амплитуде
импульса тока стока, если напряжение смещения равно напря-
жению отсечки тока стока.
1.71. Определите величину постоянного тока, заряжающего
входную ёмкость транзистора предыдущей задачи за время
τф = 0,2 tвкл.
1.72. Оцените величину максимальной частоты следования импуль-

сов в ключевом режиме работы транзистора номер а) 1; б) 2;
в) 3; г) 4; д) 5; е) 6; (прил. 4), полагая, что длительность им-
пульсов равна длительности паузы и в 20 раз превышает время
коммутации транзистора tк = tвкл + tвыкл.
1.73. Определите время заряда входной емкости MOSFET-транзис-
тора КП753А (прил. 4) постоянным током: а) 0,1 А; б) 0,3 А;
в) 0,7 А до напряжения 1,4 В.
Характеристики и параметры IGBT-транзисторов
1.74. Каковы свойства IGBT-транзисторов?
1.75. Изобразите структуру ячейки IGBT-транзистора.
1.76. Почему IGBT-транзисторы характеризуются остаточным на-
пряжением, а не сопротивлением насыщения, как MOSFET?
1.77. По статическим характеристикам IGBT-транзистора (рис. 1.4, б)
определите напряжение насыщения при токе коллектора 80 А
и напряжении на затворе: а) 11 В; б) 12 В; в) 20 В.
1.78. Определите напряжение насыщения и максимальный ток кол-
лектора транзистора предыдущей задачи при напряжении на
затворе: а) 10; б) 11; в) 12 В.
1.79. Определите напряжение отсечки транзистора задачи 1.77 при
напряжении коллектора 10 В.
1.80. Определите сопротивление насыщения транзисторов № 1, 2, 3
и 4 (прил. 5) при температуре а) 25; б) 90 °С.
1.81. Определите температурный коэффициент транзисторов №
а) 1; б) 2; в) 3 (прил. 5).
1.82. Из представленных в прил. 5 транзисторов определите а) ком-
мутирующий наибольшую мощность; б) самый быстродейству-
ющий; в) самый инерционный.
Сравнение свойств высокочастотных АЭ
1.83. Сравните инерционность ламп, БТ и ПТ.
1.84. В каких случаях генераторные лампы имеют неоспоримое пре-
имущество перед полупроводниковыми приборами?
1.85. Сравните свойства ламп и транзисторов, используемых в мощ-
ных каскадах радиопередатчиков.
1.86. Сравните свойства ПТ и генераторных ламп.
1.87. Почему свойства БТ характеризуют гораздо большим количес-
твом параметров, чем ламп и ПТ?
1.88. Сравните температурную стабильность ПТ и БТ.
1.89. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов.

1.90. Каковы преимущества МДП-транзисторов по сравнению с БТ?
1.91. Какие факторы препятствуют замене в мощных каскадах пе-
редатчиков биполярных транзисторов полевыми?
1.92. Сравните систему параметров полевых и IGBT-транзисторов.
1.93. Сравните свойства ключей на биполярных, полевых и комби-
нированных транзисторах.
1.94. Сравните вид ВАХ электронных ламп и БТ.
1.95. Проведите ЛГР на выходных СХ триодов, транзисторов и тет-
родов.
РЕЖИМЫ РАБОТЫ
2 АКТИВНЫХ
ЭЛЕМЕНТОВ
2.1. Классификации режимов

по напряженности
Статические характеристики АЭ представляют зависимость токов
управляющего и выходного электродов АЭ от напряжений на этих
электродах. При изменении одного из напряжений, напряжения на
остальных электродах служат для СХ параметрами. На выходных
СХ ламп и транзисторов различают области недонапряженного и
перенапряженного режимов, а также область отсечки. Названия ре-
жимов (недонапряженный и перенапряженный) заимствованы из
классификации режимов генераторных ламп и отражают легкий
(недонапряженный) и, соответственно, тяжелый (перенапряжен-
ный) тепловые режимы той из сеток, на которую приходится на-
ибольшая доля тока эмиссии.
• В области недонапряженного режима (Н на рис. 1.1...1.3)
выходной ток зависит от всех напряжений, приложенных к
электродам АЭ. Эта область называется активной, и также
линейной или областью линейного усиления.
• В области перенапряженного режима (П на рис. 1.1...1.3)
выходной ток не зависит от напряжения на управляющем
электроде. В лампах эта область называется областью перена-
пряженного режима, в БТ областью насыщения, а в ПТ – об-
ластью изменения дрейфовой скорости.
• Линия граничного режима (ЛГР) разделяет области Н и П на
выходных СХ.
38 РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
• Область отсечки соответствует работе АЭ в режиме очень ма-

лых токов выходного электрода.
Динамический режим работы генератора. В выходную цепь ре-
ального генератора включают сопротивление нагрузки. Из-за паде-
ния напряжения на сопротивлении нагрузки изменение входного
напряжения вызывает изменение выходного напряжения, так что
рабочая точка в течение периода колебаний перемещается с одной
СХ на другую. Такой режим работы генератора называют динами-
ческим. Динамические характеристики, в отличие от статических,
представляют зависимости токов АЭ от напряжений на его элект-
родах при одновременном изменении входного и выходного напря-
жения. Выходная динамическая характеристика АЭ iвых(uвых) имеет
участок отрицательной крутизны; АЭ со стороны нагрузки представ-
ляет собой отрицательную проводимость (с ростом напряжения uвых
ток iвых уменьшается). Это означает, что АЭ способен отдавать мощ-
ность во внешнюю цепь. Наклон динамической характеристики за-
висит от величины сопротивления нагрузки и режима работы АЭ.
Различают недонапряженный, перенапряженный и граничный
динамические режимы. Количественно напряженность режима ха-
рактеризует коэффициент использования напряжения источника
питания выходной цепи (напряженность режима) :
ξ = Uвых/E,
где Uвых – амплитуда выходного напряжения;
E – напряжение источника питания.
В недонапряженном режиме ξ < ξгр, в граничном ξ = ξгр, в пере-
напряженном ξ > ξгр, а в сильноперенапряженном ξ > 1.
• Недонапряженным динамическим (НР) называют режим,
при котором рабочая точка в течение всего периода колебаний
находится в недонапряженной области. В НР минимальное
(остаточное) напряжение E – Uвых больше граничного (крити-
ческого) Uвых гр, импульсы выходного тока АЭ имеют косину-
соидальную форму, а ξ < ξгр.
• Граничным динамическим (ГР) называют режим, при ко-
тором рабочая точка лишь достигает ЛГР. В ГР остаточное
напряжение равно граничному (E – Uвых = Uвых гр), импульс
выходного тока имеет уплощенную вершину, а ξ = ξгр.
• Перенапряженным динамическим (ПР) называют режим, при
ГАРМОНИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ КОСИНУСОИДАЛЬНЫХ ИМПУЛЬСОВ 39
котором рабочая точка часть периода колебаний находится в

перенапряженной области. В ПР остаточное напряжение мень-
ше граничного (E – Uвых < Uвых гр), импульс выходного тока
имеет провал, глубина которого зависит от амплитуды напря-
жения Uвых на выходе АЭ, а ξ > ξгр.
• В сильноперенапряженном динамическом режиме Uвых > E и
ξ > 1. При этом в течение части периода ток анода отсутствует,
так что импульс анодного тока разделяется на две симметрич-
ные части, а в БТ и ПТ выходной ток течет в направлении,
противоположному току при НР.
2.2. Нагрузочные характеристики

генератора с внешним возбуждением
Под нагрузочными характеристиками генератора с внешним воз-
буждением (ГВВ) понимают зависимости токов, напряжений, мощ-
ностей, КПД и других показателей ГВВ от величины эквивалентно-
го сопротивления R выходной цепи АЭ току основной частоты при
неизменных значениях напряжений источников питания и напря-
жения возбуждения.
При малых значениях сопротивления R генератор находится в НР,
напряжение на выходе АЭ мало (Uвых < E), а импульс выходного тока
имеет форму отрезка косинусоиды с практически неизменным мак-
симальным значением Im (рис. 2.1). При увеличении R генератор пе-
реходит из НР в граничный (R = Rгр) и далее в ПР. В перенапряжен-
ном режиме в импульсе выходного тока появляется провал, который
увеличивается с ростом R. При дальнейшем увеличении R генератор
переходит в сильноперенапряженный режим (Uвых > E, ξ > 1).
2.3. Гармонический анализ

косинусоидальных импульсов
Режим работы АЭ характеризует угол отсечки Θ, определяемый
в угловых единицах. Он равен половине длительности протека-
ния тока через АЭ (рис. 2.1). Режим работы АЭ без отсечки тока
(Θ = 180°) называют режимом колебаний первого рода (класса А). В
этом режиме ток через АЭ протекает в течение всего периода воз-
буждающего сигнала. При Θ < 180° ток через АЭ протекает только

часть периода. Такой режим является нелинейным, его называют
режимом колебаний второго рода. Режим работы с Θ = 90° носит
название класса В, а с Θ < 90° – класса С. В режиме класса D АЭ
практически находится только в одном из двух состояний: отсечки
или насыщения. Такой режим работы АЭ называют ключевым. Его
разновидностью является режим класса Е [31, 39, 48, 51, 58, 71−73,
90−92, 104]. Схемная реализация ключевого режима класса Е отли-
чается тем, что паразитные элементы в этом генераторе входят в
состав колебательного контура, настроенного на частоту, близкую к
рабочей (ключевой генератор с формирующим контуром).
В типичных случаях
iвых iвых
недонапряженного и гра-
ничного режимов работы
генератора, возбуждаемо-
го квазигармоническим Im
uвх
сигналом, выходной ток θ 2θ
ωt
АЭ представляет собой 2π
периодическую последо-
вательность косинусои- Uвх
дальных импульсов дли- ωt
тельностью 2Θ (рис. 2.1).
Рис. 2.1. Временные диаграммы напряжения
По известному значе- и тока в режиме с отсечкой
нию угла отсечки можно
определить постоянную составляющую и амплитуду n-й гармоники
тока:
• при заданном значении высоты импульсов выходного тока Im
эти токи равны
I = I α (Θ ),
вых 0 m 0 I = I α (Θ );
вых n m n
• при заданных значениях напряжений Uвх и Uвых токи равны

I вых 0 = S (U в х − DU вых )γ 0 (Θ ), Iвых n = S (U в х − DU вых )γ n (Θ ),
где, S – крутизна проходной характеристики АЭ в области недо-
напряженного режима;
α n (Θ ) и γ n (Θ ) – коэффициенты разложения косинусоидаль-
ного импульса (коэффициенты Берга); n =1, 2.. .
• Коэффициент формы gn косинусоидального импульса зави-
сит только от величины угла отсечки Θ:
g n (Θ ) = I вых n I вых 0 = α n (Θ ) α 0 (Θ ) = γ n (Θ ) γ 0 (Θ ).
Расчетные формулы, таблицы и графики коэффициентов α n (Θ ),
γ n (Θ ) и g n (Θ ) даны в прил. 6…8 [14].
Напряженность режима
2.1. Нарисуйте СХ: а) триода; б) тетрода; в) БТ; г) ПТ. Укажите
области отсечки, недонапряженного и перенапряженного ре-
жимов.
2.2. Чем отличается динамический режим работы генератора от ста-
тического?
2.3. Изобразите временные диаграммы выходного тока: а) триода;
б) тетрода; в) БТ; г) ПТ, возбуждаемого квазигармоническим
сигналом при настройке контура в резонанс и работе генера-
тора в недонапряженном, граничном, перенапряженном и силь-
ноперенапряженном режимах с углом отсечки 90°.
2.4. Как изменится форма импульсов тока генератора предыдущей
задачи при небольшой расстройке его выходного контура?
2.5. Как изменится форма импульсов тока генератора задачи 2.3 при
значительной расстройке его выходного контура?
2.6. Чем различаются формы импульсов выходного тока ламп и
транзисторов в сильно перенапряженном режиме?
2.7. Определите напряженность режима лампового генератора, если
отношение токов Iсо /Iао равно: а) 0,03; б) 0,15; в) 0,3.
2.8. Оцените тепловые режимы сетки и анода триодного генератора,
работающего в: а) НР; б) ПР.
2.9. Почему обычно используют граничный режим работы генера-
тора?
2.10. Какое практическое значение имеют нагрузочные характерис-
тики генератора?
2.11. Почему выходной контур усилителя должен быть настроен в
резонанс на частоту входного сигнала?
2.12. Как избежать перегрева выходного электрода АЭ при включе-
нии генератора с ненастроенным выходным контуром?
2.13. Как изменятся постоянные составляющие токов базы и кол-
лектора, а также напряженность режима генератора, работаю-
щего в ГР, при увеличении: а) напряжения питания коллектора;
б) отпирающего напряжения на базе?
2.14. По какому из приборов, измеряющих постоянную составляю-

щую коллекторного тока, контурный ток и амплитуду напряже-
ния на коллекторе, можно точнее настроить контур в резонанс,
если генератор работает: а) в перенапряженном, б) в недона-
пряженном режиме?
2.15. Усилитель работает в НР. Как надо изменить: а) отпирающее
напряжение смещения на базе; б) напряжение коллекторного
питания; в) амплитуду напряжения возбуждения; г) резонанс-
ное сопротивление контура, чтобы режим стал граничным?
2.16. Генератор: а) с параллельным; б) с двухтактным включением
двух транзисторов работает в граничном режиме. Как изменится
режим генератора при выходе из строя одного транзистора?
2.17. Каким по напряженности был режим работы транзистора, если
при коротком замыкании нагрузки генератора постоянная со-
ставляющая коллекторного тока возрасла в два раза?
2.18. Как изменится напряженность режима транзистора выходного
каскада переносного связного передатчика при обрыве антен-
ны: а) четвертьволновой; б) сильно укороченной?
2.19. Постоянная составляющая анодного тока выходного каскада
передатчика равна 100 мА, тока сетки – 50 мА. Как нужно из-
менить связь с антенной, чтобы повысить мощность, передава-
емую в антенну?
Угол отсечки
2.20. Как определить по осциллограмме угол отсечки?
2.21. Почему мощные транзисторные и ламповые генераторы высо-
кой частоты работают с отсечкой тока?
2.22. Определите угол отсечки, при котором можно получить мак-
симальный электронный КПД усилителя.
2.23. Определите угол отсечки, при котором амплитуда: а) второй;
б) третьей; в) всех высших гармоник тока равна нулю.
2.24. Определите угол отсечки, при котором амплитуда: а) второй;
б) третьей гармоники максимальна.
2.25. Как изменится угол отсечки при увеличении амплитуды на-
пряжения возбуждения, если начальный угол отсечки равен:
а) 70°; б) 90°; в) 180°?
2.26. Как изменится угол отсечки при увеличении: а) сопротивления
нагрузки; б) Еп; в) Uвх; г) отпирающего напряжения смещения,
если начальный угол отсечки равен 90°?
2.27. Как можно уменьшить угол отсечки в ГВВ: а) ламповом;
б) транзисторном, если начальное значение Θ равно 180°?
2.28. Какие факторы ограничивают: а) минимальное; б) максималь-

ное значение угла отсечки выходного тока?
2.29. Оцените величину угла отсечки выходного тока АЭ из условия
получения максимальной колебательной мощности усилителя
при высоком КПД.
2.30. Почему в усилителях обычно выбирают угол отсечки в пре-
делах 60...120°?
2.31. Как изменятся величина электронного КПД и выходной мощ-
ности усилителя при уменьшении угла отсечки от 90° до а) 70°;
б) 60°; в) 50°?
2.32. Как по приборам установить угол отсечки импульсов выход-
ного тока 90°?
2.33. В выходную цепь генератора: а) лампового; б) транзисторно-
го включен короткозамкнутый отрезок линии. Частота пер-
вой гармоники выходного тока совпадает с основной частотой
резонатора. Какая из гармоник выходного тока представляет
наибольшую опасность с точки зрения фильтрации высших
гармоник? При каком угле отсечки выходного тока мощность
гармоник будет наименьшей?
2.34. Усилитель работает в ГР с углом отсечки 70°. Как изменятся
напряженность режима и угол отсечки при увеличении: а) со-
противления нагрузки; б) амплитуды входного сигнала; в) на-
пряжения питания выходной цепи; г) отпирающего напряже-
ния смещения; д) частоты входного сигнала?
2.35. Усилитель работает в граничном режиме с углом отсечки 90°.
Как изменится его электронный КПД при уменьшении ампли-
туды напряжения возбуждения в 2 раза?
2.36. Усилитель работает в ГР с углом отсечки 90°. Как изменятся
его электронный КПД и колебательная мощность при умень-
шении амплитуды напряжения возбуждения на 20%?
2.37. Какие настройки усилителя мощности: а) транзисторного (рис.
3.9); б) лампового (рис. 3.10) можно произвести по прибору,
измеряющему постоянную составляющую выходного тока?
2.38. Какие измерительные приборы транзисторного усилителя
(рис. 3.9) можно использовать, чтобы: а) установить угол от-
сечки выходного тока 90°; б) настроить выходной контур на
частоту входного сигнала; в) установить граничный режим?
2.39. Какие измерительные приборы лампового усилителя (рис. 3.10)
можно использовать, чтобы: а) установить угол отсечки выход-
ного тока 90°; б) настроить выходной контур на частоту вход-

ного сигнала?
2.40. Какой минимум измерительных приборов необходим для:
а) настройки выходного контура усилителя (рис. 3.9) в резо-
нанс и граничный режим при угле отсечки 90°; б) контроля
режима работы усилителя?
2.41. Каковы особенности работы АЭ в ключевом режиме?
2.42. Из каких условий выбирают режим возбуждения АЭ, работа-
ющего в ключевом режиме?
2.43. Возможна ли работа ГВВ на тетроде при токе Ic20: a) больше
нуля; б) равном нулю; в) меньше нуля?
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ
3 ЦЕПИ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ
3.1. Основные параметры колебательных

контуров
Основными параметрами колебательных контуров являются круго-
вая резонансная частота ω0, добротность Q и резонансное сопротив-
ление R при параллельном резонансе или сопротивлении потерь r
при последовательном резонансе.
Резонансная частота ω0 высокодобротных КС до величин порядка
1/Q2 одинакова для параллельного и последовательного резонансов,
а также для собственных колебаний. Ее величина определяется ус-
ловием равенства в КС максимальных значений магнитной и элек-
трической энергий NН = NЕ.
Величина добротности определяется отношением реактивной
мощности к мощности потерь Pпот, расходуемой при резонансе
Q = ω 0 N 0 Pпот ,
где N0 = NН = NЕ – энергия, запасенная в КС при резонансе.
Из приведенных соотношений в частности видно, что величина
резонансной частоты и добротности не зависит от точек измерения.
В любых точках КС величина ω0 и Q одинакова.
Колебательные системы (КС) любой сложности с сосредоточенны-
ми или распределенными параметрами удобно представлять в виде
эквивалентного параллельного или последовательного колебательно-
46 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
го контура с сосредоточенными параметрами. Такое представление

справедливо вблизи резонансной частоты ω0 высокодобротной (Q 1)
колебательной системы и при условии, что ее другие резонансные час-
тоты значительно отличаются от частоты ω0 [9]. На практике
эти условия использования эквивалентного контура обычно выпол-
няются.В случае последовательного возбуждения КС её представ-
ляют в виде последовательного колебательного контура, а в случае
параллельного возбуждения – параллельного. В радиопередающих
устройствах чаще используют параллельное возбуждение.
3.2. Параллельный колебательный контур

Колебательным контуром параллельного питания, или, сокращенно,
параллельным колебательным контуром, называется цепь, состав-
ленная из катушки индуктивности и конденсатора, подключенных
параллельно входным зажимам, к которым может быть присоединен
генератор или другие элементы цепи.
Схема эквивалентного параллельного U
контура показана на рис. 3.1. На этом ри- C rC
сунке сопротивления rC и rL учитывают
потери в емкости и индуктивности конту- I
Ik
ра. Сопротивление потребителя энергии L
(нагрузки) rП включено в индуктивную r r
ɉ
ветвь контура. На входных зажимах кон- L
Рис. 3.1. Параллельный
тура действует гармоническое напряже- колебательный контур
ние с амплитудой U.
Параллельный контур характеризуют три основных параметра:
резонансная частота ω0, добротность Q и резонансное сопротивле-
ние R. Резонансное сопротивление контура равно
R = U 2 2 Pпот ,
где U – амплитуда напряжения между теми точками КС, относи-
тельно которых определяется резонансное сопротивление. К этим
точкам КС подключаются внешние цепи или между ними произво-
дится возбуждение контура.
Основные расчетные соотношения для параллельного колеба-
тельного контура [4, 9, 22]:
• резонансная частота ω0 = 2π f 0 = 1 / LC ;
ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР 47
• изменение резонансной частоты при малом изменении его

параметров (∆L/L 1 и ∆C/C 1 )
Δω 0 ω 0 = −0,5(ΔL L + ΔC C );
• характеристическое сопротивление
ρ = L C = ω0 L = 1 (ω0 С );
• суммарное активное сопротивление обеих ветвей контура:
не нагруженного rk = rC + rL;
нагруженного rН = rC + rL + rП;
• добротность контура Q = ρ r = ω0 ( 2Δω0.7 ) ;
• резонансное сопротивление контура
L ρ2
R= = = Qρ = Q 2 r ;
Cr r
• комплексное входное сопротивление нагруженного контура
U ρ2 R ξR
Zвх = = = rвхн + j xвхн = н 2 − j ,
I rн (1 + j ξ ) 1+ ξ 1 + ξ2
⎡ ⎤
где ξ = Q ω − ω 0 – обобщенная расстройка. Для частот,
н⎢ ⎥
⎣ω0 ω ⎦ Δω
близких к резонансной частоте контура ( 1), ξ = 2QН∆ω/ω0;
ω0
• модуль входного сопротивления нагруженного контура
RН
Z ВХ = ,
1 + ξ2
2
Δω ⎛ Δω ⎞
при << 1 сопротивление равно Z в х = Rн 1 + 4Q ⎜⎜
2
⎟⎟ ;
ω0 н
⎝ ω0 ⎠
• фазовый угол входного сопротивления нагруженного контура
xв хН ⎡ ⎛ ω ω0 ⎞⎤
ϕ = arctg = arctg(−ξ) = arctg ⎢− QН ⎜⎜ − ⎟⎟⎥ .
rв хН ⎣ ⎝ ω0 ω ⎠⎦
При ∆ω/ω0 1 фазовый угол равен φ = –2QН∆ω/ω0.
• полоса пропускания контура по уровню 1 2

2Δω0.707 = ω0 Q = ω0 r ρ = ω0ρ R = 1 (RC ) = r L ;

• температурный коэффициент частоты
ТКЧ = Δf (ΔT f ) = −0,5(ТКИ + ТКЕ );
• КПД контура
η k = Pп P1 = 1 − Qн Q0 = 1 − Rн R0 = 1 − rk rн ,
где rk – сопротивление потерь контура;
rП – сопротивление потребителя энергии (нагрузки), пересчи-
танное в контур;
PП – полезная мощность (мощность, отдаваемая потребителю
энергии);
P1 – колебательная мощность (мощность, подводимая к коле-
бательной системе);
Qн = ρ rн и Rн = ρQн – добротность и сопротивление на-
груженного контура;
Q0 = ρ rk и R0 = ρQ0 – добротность и сопротивление нена-
груженного контура;
∆T и ∆f – изменение температуры и частоты;
ТКИ = ΔL ΔT L и ТКЕ = ΔC ΔT C – температурные коэф-
фициенты индуктивности и емкости.
Вид частотных характеристик параллельного колебательного кон-
тура показан на рис. 3.2.
ϕ
Z вх π
RH 2
Δω
ϕ = −2Q
ω0
Δω
rвх Δω 0 ω0
0 ω0
x вх
0,5 RH −π
2
а б
Рис. 3.2. Частотные характеристики параллельного колебательного контура:
а – полного входного сопротивления и его составляющих; б – фазовая
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР 49
Энергетические соотношения в контуре:

• колебательная мощность
P1 = 0,5U 2 Rн = 0,5I 2 R = 0,5 I k2 rн ;
• полезная мощность Pп = 0,5 I k2 rп ;
• амплитуда контурного тока I k= U ρ = I Q .
Схемы неполного включения параллельного колебательного кон-
тура показаны на рис. 3.3.
c1
L2 c
U, R L U, R
R, U L1 R, U c2
Рис. 3.3. Схемы неполного включения контура
Резонансное сопротивление при неполном (частичном) включе-

нии контура равно:
R'= p 2 R ,
где p = U ′ U = L1 (L1 + L2 ) = C1 (C1 + C 2 ) – коэффициент вклю-
чения контура.
3.3. Последовательный колебательный

контур
Колебательным контуром последовательного питания, или, сокра-
щенно, последовательным колебательным контуром называется
цепь, составленная из катушки индуктивности и конденсатора, со-
единенных последовательно относительно входных зажимов, к кото-
рым может быть подключен генератор или другие элементы цепи.
Схема эквивалентного последова-
тельного контура показана на рис. 3.4. U
Последовательный контур характери-

L C r
зуют три основных параметра: резо-
I
нансная частота ω0, добротность Q и
активное сопротивление r, учитываю- Рис. 3.4. Последовательный
колебательный контур
щее потери в контуре.
Активное сопротивление равно

r = 2 Pпот I 2 ,
где I – амплитуда тока в тех точках КС, относительно которых оп-
ределяется сопротивление r. К этим точкам подключается внешняя
цепь или между ними производится возбуждение контура.
Вид частотных характеристик последовательного колебательного
контура показан на рис. 3.5.
Z вх
ϕ
π
2
Δω
ω0
0
r Δω
Δω ϕ = 2Q
ω0
ω0
0 −π 2
а б
Рис. 3.5. Частные характеристики последовательного колебательного
контура: а – полного входного сопротивления; б – фазовая
Основные расчетные соотношения для последовательного коле-

бательного контура [4, 9, 22]:
• резонансная частота равна ω0 = 2πf 0 = 1 LC ;
• характеристическое сопротивление равно
ρ = L C = ω0 L = 1 (ω0C ) = r Q ;
• добротность равна Q = ω 0 N 0 Pпот = ρ r ;
• активное сопротивление равно r = ρ Q;
• полоса пропускания контура равна
2Δω 0.707 = ω 0 Q = ω 0 r ρ = r L ;
• комплексное входное сопротивление равно
Z в х = U I = rв х + j xв х = r (1 + jξ ),
xв х ⎡ω ω ⎤
где ξ= = t g ϕ = Q ⎢ − 0 ⎥ – обобщенная расстройка.
rв х ⎣ ω0 ω ⎦
СВЯЗАННЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ КОНТУРЫ 51
При малой относительной расстройке (∆ω/ω0 1), ξ = 2Q∆ω/ω0;
• модуль входного сопротивления Z в х = r 1 + ξ .

2
В области малых расстроек (∆ω/ω0 1) можно принять
Z в х = r 1 + (2Q Δω ω0 ) ;
2
• фазовый угол входного сопротивления ϕ = arctg ξ .

В области малых расстроек (∆ω/ω0 1) фазовый угол равен
φ = 2Q∆ω/ω0.
3.4. Связанные колебательные контуры

Связанными называются контуры, взаимно влияющие друг на дру-
га. Простейшим примером системы связанных контуров является
двухконтурная колебательная система. Контур, в который включе-
на ЭДС, называют первичным, а связанный с ним – вторичным.
К вторичному контуру присоединяют нагрузочное сопротивление.
Элементы, входящие как в первичный, так и во вторичный контур,
называют элементами связи.
Для количественной оценки степени связи между контурами ис-
пользуют понятия коэффициента связи kc, критического коэффици-
ента связи kкр и параметра связи pсв = kc/kкр. В типичном случае
использования идентичных контуров (Q1 = Q2 = Q), где Q1 и Q2 –
добротности первичного и вторичного контуров, критический коэф-
фициент связи равен kкр = 1/Q, а параметр связи равен pсв = kQ. От
величины параметра связи зависит вид АЧХ и ФЧХ системы связан-
ных колебательных контуров, а также их полоса пропускания. При
pсв < 1 резонансные кривые одногорбы; при pсв = 1 резонансные кри-
вые также одногорбы, но имеют уплощенную вершину; при pсв > 1
резонансные кривые получаются двугорбыми [4, 6, 9, 10, 22, 83].
Полоса пропускания двух связанных идентичных контуров по
уровню 0,707 равна [10, 22]:
при слабой связи (pсв ≤ 0,25) – 2Δω0.707 = 0,64 (RC );
при pсв = 0,68 – 2Δω0.707 = 1 (RC );

при критической связи (pсв = 1) – 2Δω0.707 = 2 (RC );
при предельной связи (pсв = 2,41) – 2Δω0.707 = 3 ,1 (RC ),

где 1/RC, R и C – соответственно полоса пропускания, резонансное
сопротивление и емкость одиночного контура.
Сиcтему связанных контуров можно свести к одному эквивалент-
ному контуру [4, 9, 22]. При рассмотрении первичного контура мож-
но отбросить вторичный контур, заменив его действие некоторым
эквивалентным, так называем вносимым комплексным сопротивле-
нием, включенным последовательно в первичный контур. При рас-
смотрении вторичного контура можно отбросить первичный контур,
заменив его электродвижущей силой, включенной последовательно
во вторичный контур.
3.5. Входные цепи генераторов

Во входную цепь генератора входят цепь управления АЭ (база-
эмиттер или затвор-исток транзистора или управляющая сетка-ка-
тод электронной лампы); источник входного сигнала; цепь связи
(ЦС), соединяющая источник сигнала и цепь управления; цепь по-
дачи напряжения смещения на управляющий электрод АЭ, а также
блокировочные и разделительные элементы, формирующие пути
протекания постоянной составляющей и первой гармоники вход-
ного тока АЭ. Цепь управления АЭ, источник входного сигнала и
цепь подачи смещения могут быть соединены двумя способами, об-
разуя схемы последовательного или параллельного питания входной
цепи.
Цепи связи, которые строятся с учетом реактивностей АЭ, при-
нято называть согласующими, а ЦС, в задачу которых входит вырав-
нивание коэффициента усиления АЭ в диапазоне частот, называют
цепями коррекции АЧХ.
На рис 3.6, а показана входная цепь триодного генератора с
автосмещением за счет постоянной составляющей сеточного тока
Iс0. Использована схема последовательного питания. Запирающее
напряжение на управляющей сетке равно Ес = R1 · Iс0; конденсатор
С1 – блокировочный. Входной контур L1C2 настроен на частоту
сигнала. Трансформатор Тр согласует сопротивления Rвх и Rвых.
На рис. 3.6, б представлена входная цепь генератора на БТ [58,
72]. Для подачи отпирающего напряжения Есм на базу транзисто-
ра использован делитель напряжения на сопротивлениях R1 и R2.
Сопротивление R3 обеспечивает стабилизацию тока Ik0 транзистора
ВХОДНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ 53
I ao
RВХ R ВЫХ RВХ L1 C2 L2 RВЫХ IKO Rвх Rвых
L1 L1
Tp
R2 C3
C1 L3 R3 R1 C1
C2 C1 EЭ
R1 R2
I co
EБ
EСМ Eз C2
R1
EC
а б в
Рис. 3.6. Входные цепи генераторов
за счет ООС по току. Стабилизация улучшается при увеличении

сопротивления R3 = Eэ/Ik0 и снижении величины сопротивления
RБ = R1 · R2/(R1 + R2). При увеличении сопротивления R3 возрас-
тает рассеиваемая на нем мощность, равная I2k0R3. При уменьшении
сопротивления RБ возрастает мощность, потребляемая от источни-
ка смещения. Следует также иметь в виду, что ток делителя дол-
жен быть гораздо больше тока базы Iб0: Eб/(R1 + R2) = (5…10) · Iб0,
так как в противном случае происходит автосмещение за счет
тока базы. Из компромиссных соображений обычно принимают
RБ = (3…5) · R3. Величину напряжения смещения Eсм определяют из
очевидного соотношения Eсм = Eэ + Eбэ, где Eбэ – напряжение между
базой и эмиттером транзистора, близкое к напряжению отсечки E'б.
Цепь согласования на рис. 3.6, б образована Г-цепочкой L1C1 в виде
ФНЧ; элементы L2C2 – цепь дополнительной фильтрации, а L3 и
C3 – разделительный и блокировочные элементы.
Расчет ЦС в виде Г-звена L1C1 типа ФНЧ (рис. 3.6, б и 3.9)
[31,58,72]. Цепочку L1C1 можно рассматривать как параллельный
контур с добротностью Q = Rв х Rвых − 1 . При Rв х Rвых ≥ 10 , что
соответствует Q ≥ 3, можно определить:
• полосу пропускания 2Δω 0.7 = ω 0 Q ;
• коэффициент фильтрации высших гармоник ( )
Φn = Q2 n2 −1 ;
2
• КПД цепи η T = 1 (1 + Q Q0 );
• величину элементов цепи C1 = Q ωRв х , L1 = Rвых Q ω , ( )
где ω0 – резонансная частота, на которой |Zвх| = Rвх;
Q0 – добротность ненагруженного контура L1C1;
n – номер гармоники.
Цепь дополнительной фильтрации L2C2 в виде последовательно-

го контура, настроенного на частоту основной гармоники коллек-
торного тока, повышает коэффициент фильтрации. Очевидно, что
чем больше L2, тем меньше C2 и тем ярче выражены резонансные
свойства цепи и лучше фильтрация высших гармоник, но тем уже
полоса пропускания и больше потери. Цепь L2C2 используют так-
же в случае, когда требуемая по расчету величина индуктивности
L1 получилась очень малой. Введение индуктивности L2 позволяет
увеличить суммарную индуктивность L1 + L2 до конструктивно ре-
ализуемой величины.
На рис. 3.6, в представлена входная цепь генератора на МОП-
транзисторе по схеме с ОИ [58, 72]. Напряжение смещения Eз
поступает на затвор транзистора через резистор R1. Этот резистор
шунтирует входную емкость транзистора C1 и обеспечивает в рабо-
чем диапазоне частот практически постоянное сопротивление Rвых
предыдущего каскада. Емкость в цепи смещения C2 – блокировоч-
ная. Цепь согласования L1C1, как и ЦС на рис. 3.6, б, представляет
собой фильтр нижних частот, однако в отличие от схемы рис. 3.6, б
она преобразует малое сопротивление Rвх в сравнительно большое
сопротивление Rвых. Такие ЦС используют на относительно низких
частотах. На этих частотах МДП-транзисторы в схеме с ОИ, а также
тетроды и триоды в схеме с ОК при работе без тока управляющей
сетки по входу эквивалентны емкости Cвх = C1, шунтированной бес-
конечно большим активным сопротивлением. Очевидно, что поме-
няв местами вход и выход ЦС на рис. 3.6, в можно использовать
расчетные соотношения, приведенные для ЦС рис. 3.6, б.
Расчет ЦС в виде Г-звена типа ФНЧ (рис. 3.6, в). При задан-
ных значениях частоты ω, входного сопротивления Rвх и емкости
C1 можно определить:
Q = 1/(ωC1Rвх ) 2 − 1; 2Δω0,7 = ω / Q; ηТ = 1 / (1 + Q / Q0 );
Rвых = 1 / ( Rв х (ω C1) );
2
L1 = Rвх Q / ω = 1/ (ω 2C1).
3.6. Выходные цепи генераторов

В выходную цепь генератора входят выходные зажимы АЭ; на-
грузка; цепь связи (ЦС), соединяющая выходные зажимы АЭ и
нагрузку; цепь подачи напряжения питания на выходной электрод
ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ 55
АЭ (коллектор или сток транзистора; анод электронной лампы), а

также блокировочные и разделительные элементы, формирующие
пути протекания постоянной составляющей и первой гармоники
выходного тока АЭ. Выходные зажимы АЭ, источник электропи-
тания и нагрузка могут быть соединены двумя способами, образуя
схемы последовательного и параллельного питания выходной цепи.
Цепи связи, которые строятся с учетом реактивностей АЭ, принято
называть согласующими.
На рис. 3.7, а, б показаны схемы последовательного питания
[58, 72]. В этих схемах напряжение питания на транзистор подается
через контурную индуктивность L1, которая в этом случае оказыва-
ется включенной по постоянному току последовательно с транзисто-
ром. Конденсатор С1 – блокировочный. В схеме рис. 3.7, а исполь-
зовано частичное включение нагрузки в емкостную ветвь контура.
Переменные контурные конденсаторы обеспечивают регулировку
связи с нагрузкой (антенной) и подстройку контура на частоту пер-
вой гармоники тока АЭ. На рис. 3.7, б показана кондуктивная связь
нагрузки с контуром L1C2 генератора. Емкость С3 обычно выбира-
ют достаточно большой, чтобы падение переменного напряжения на
ней было мало по сравнению с Uн.
Расчет ЦС в виде одиночного контура. При добротности Q ≥ 3
параллельных контуров (рис. 3.7, а, б) можно определить:
• коэффициент фильтрации высших гармоник Φ n = n 2Q 2 ;
• КПД контура при подключении сопротивления нагрузки па-
раллельно контуру η T = 1 (1 + Q Q0 ); при включении сопро-
тивления нагрузки в одну из ветвей контура η = 1 − Q Q0 ;
T
• резонансное сопротивление контура в месте подключения на-

грузки R'= p 2 R ,
где p = Uн/Uк – коэффициент включения нагрузки;
R = QωL1 – резонансное сопротивление нагруженного кон-
тура.
На рис. 3.7, в показана полосовая ЦС [31, 58, 72]. Она отличает-
ся от обычной П-цепочки в виде ФНЧ (рис. 3.9) введением допол-
нительных элементов L1, C2 и L3, образующих с элементами соот-
ветственно С1, L2 и С4 резонансные контуры. Напряжение питания
C2 L2
C2 C2 L1
C3 C1
L1 C4 RH
C1 C1 L1 C3 L3
C3 UH UH
EC RН
EK EC
а б в
Рис. 3.7. Выходные цепи генераторов
поступает на сток транзистора через контурную индуктивность L1.

Конденсатор С3 – блокировочный.
На рис. 3.8 показан один из наиболее распространенных вариан-
тов П-образной ЦС с дополнительным фильтром LФCФ [31, 58, 72].
При добротностях Q1 ≥ 3 и Q2 ≥ 3 П-цепочки, трансформирующей
сопротивление R2 в требуемую величину R1, можно определить:
• добротности цепей
Q1 = ωC1R1 , Q2 = ωC 2 R 2 =
R2
R1
(
1 + Q12 − 1 ; )
• суммарную добротность Q = Q1 + Q2 +Qф;
• КПД трансформатора η T = 1 (1 + Q Q0 );
• индуктивность трансформатора ( ( ))
L = R1 (Q1 + Q2 ) ω 1 + Q 2 ;
• индуктивность фильтра Lф = ω C ф ( 2
) = R1Q (1 + Q ),
−1
ф 1
2
где Qф – добротность дополнительного фильтра;

Q0 – собственная добротность ЦС. Так как обычно потери в
конденсаторах пренебрежительно малы, обычно полагают доб-
ротность Q0 равной добротности катушки индуктивности L.
L Lф Сф
R1 C1 C2 R2
Рис. 3.8. Схема П-трансформатора с дополнительным фильтром

СХЕМЫ ГЕНЕРАТОРОВ 57
При расчете обычно задаются величиной добротности Q1 и доб-

ротности фильтра Qф. Условие реализуемости трансформатора
Q12 > R1/R2 – 1 [31].
3.7. Схемы генераторов

На рис. 3.9 показана схема генератора с параллельным питанием
цепи базы и коллектора [58, 72]. Для согласования с нагрузкой ис-
пользован П-контур с реактивными элементами L4, C7 и C8. Эле-
менты C3,C4,C5 и C6 – блокировочные. Элементы L2, L3, C2 – раз-
делительные. Входная ЦС образована Г-цепочкой L1C1.
Eк
C5 I ко
C6
Uб L3
Uк Rк C9
L4
iк
L1 C2 C7 C8
Rн Uн
L2
C1
C4
C3
Iб0
Eб
Рис. 3.9. Схема генератора с параллельным питанием цепей
базы и коллектора
На рис. 3.10 показана схема тетродного генератора с последо-
вательным питанием входной и выходной цепи [9, 72]. Питающие
напряжения подаются на электроды лампы через контурные индук-
тивности L1, L4 и дроссель L3.
На рис. 3.11 показаны две практические схемы генераторов на
МДП-транзисторах [65, 72]. Генератор по схеме рис. 3.11, а на час-
тоте 30 МГц отдает в нагрузку мощность 10 Вт. Генератор по схеме
рис. 3.11, б на частоте 300 МГц отдает в нагрузку мощность 30 Вт
при общем КПД, равном 0,45. В выходной ЦС этого генератора ис-
пользован П-трансформатор с дополнительным фильтром (элемен-
ты C5…C8 и L1). Емкость C5 включает выходную емкость транзис-
тора Сси и монтажа См. Входная ЦС образована Г-цепочкой L1C1.
Конденсатор С2 – разделительный.
ia
C9
C6 L4 L5
C1
iC C13
C2 L3 C10 L6
L1
C3 C7 C11
IC20 I a0
L2 C5 C8 C12
EC2 Ea
C4
IC10
R1
EC1
Рис. 3.10. Схема генератора на тетроде с последовательным
питанием цепей сетки и анода
C4 100нФ
C1 2П901А C2 L1
510 50нГн Rн
33нФ 50
UC
C3
R1 100нФ
2,4к
50 В
а
C4
100нФ 35В
L2 500нГн
C5 C6 L1 11нГн
33
L1 C2
10нГн 1нФ C7 Rн
50
33 C8
2П909 А 75
C1 R1
33 1к
EЗ C3
10нФ
б
Рис. 3.11. Практические схемы ГВВ на МДП-транзисторах
ФИЛЬТРАЦИЯ ВЫСШИХ ГАРМОНИК 59
3.8. Фильтрация высших гармоник

Фильтрующие свойства ЦС характеризует коэффициент фильтра-
ции по мощности для n-ой гармоники тока АЭ [58]:
Фn = Re Z н1 Re Z нn ,
где Re Zн1 и Re Zнn – действительные (резистивные) составляющие
входного сопротивления нагрузки (фидера или антенны) в точках
подключения АЭ для первой и n-й гармоники тока АЭ. Эти состав-
ляющие входного сопротивления обычно определяют в предположе-
нии, что сопротивление нагрузки для первой и n-ой гармоник оди-
наковы, т. е. Rн = R2 = R2n (рис. 3.12). Величина сопротивлений R2
и R2n зависит от свойств антенны и фидера, соединяющего антенну
с цепью согласования.
Значения коэффициентов фильтрации Фn простейших ЦС при-
ведены в табл. 3.1, где Q – добротность нагруженной ЦС. На прак-
тике добротность нагруженного контура Q усилителя выбирают в
пределах от 10 до 30. При меньшей величине Q увеличивается ин-
тенсивность гармоник на выходе ЦС, а при более высокой растут
потери и соответственно снижается контурный КПД ηк = 1 – Q/Q0
из-за увеличения реактивных токов в резонансной цепи.
Расчетные формулы для ЦС 1…5 получены при Q0 Q ≥ 3…5, а ЦС
№ 6 при Q0 Q1 ≥ 3…5, Q0 Q2 ≥ 3…5, где Q1 = ω1С1R1, Q2 = ω1С2R2;
ω1 – частота первой гармоники тока АЭ.
При малых потерях в ЦС мощности основной частоты Р1 и гар-
моник Рn на выходе ЦС (в антенне) практически равны соответс-
твующим мощностям, отдаваемым АЭ (рис. 3.12). В этом случае
отношение излучаемых мощностей равно [58]:
Pn/P1 = (IAn/IA1)2 = (Iкn/Iк1)2(ReZнn/ReZн1) = (Iкn/Iк1)2/Фn,
где Pn = 0,5 IAn2 R2 – мощность излучения n-ой гармоники;
P1 = 0,5 IA12 R2 – мощность излучения первой гармоники;
IAn и IA1 – амплитуды токов n-ой и первой гармоник в антенне;
Iкn и Iк1 – амплитуды токов n-ой и первой гармоник активного
элемента. При косинусоидальной форме импульсов тока АЭ
отношение этих токов зависит только от величины угла отсеч-
ки Iкn/Iк1 = αn(Θ)/α1(Θ).
Из формул для отношения мощностей Pn/P1 видно, что коэффи-
циент фильтрации по мощности Фn равен квадрату коэффициента
фильтрации по току ФIn
Φ n = Φ I2n = (I k n I k1 ) (I I A1 ) .
2 2
An
Таблица 3.1. Коэффициенты фильтрации простейших цепей

согласования
Номер
Схема ЦС Расчётная формула
схемы
( )
L 2
1 C R2 Φn = Q2 n2 − 1
( )
2
C
Q2 n2 − 1
2 L R2 Φn =
n4
( )
2
C Q2 n2 − 1
3 L R2 Φn =
n2
C1
4 U1 L
C2
R2 Φ n = Q 2n 2
UH
при L1 = L2
L1
C
( )
R2 2
5 Q2 n2 − 1
L2 Φn =
n2
R1 L R2
6 U1
U
U2
Φ n = Q 2n 4 n 2 − 2 ( )
C1 C2
P1, Pn
ΙK1, ΙKn Ι A1,Ι An
АЭ R1,ReΖHn, U1 ЦС U2 ,R2
R1=ReΖH1 R2 =R2n =RH

Рис. 3.12. К фильтрации высших гармоник
БЛОКИРОВОЧНЫЕ И РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ 61
3.9. Блокировочные и разделительные

элементы
Блокировочные и разделительные элементы используют в генера-
торах для создания требуемых путей протекания постоянного и пе-
ременного токов.
• Блокировочные (шунтирующие) конденсаторы используют
для создания кратчайшего (с минимальным сопротивлением)
пути протекания токов высокой частоты, чтобы не допустить
их замыкание через цепь источника питания.
• Разделительные конденсаторы используют для того, чтобы
устранить короткое замыкание источника питания по постоян-
ному току, не нарушив протекания высокочастотных токов.
• Разделительные катушки индуктивности (дроссели) или ре-
зисторы используют для устранения замыкания токов высо-
кой частоты по цепи источника питания. В мощных каскадах
чаще всего используют дроссели, поскольку они имеют боль-
шое сопротивление на высокой частоте и минимальное – пос-
тоянному току.
Выбор разделительных и блокировочных

элементов в схемах параллельного питания
• емкости разделительных конденсаторов во входных и выход-
ных цепях генераторов (С2 на рис. 3.9; С1 на рис. 3.10; С1 и С4
на рис. 3.11, а) выбирают из условия получения малого (по от-
ношению к модулю сопротивления нагрузки Z) сопротивления
конденсатора на наименьшей рабочей частоте передатчика.
В ламповых генераторах Cр ≥ (20…100)/(ωZp2).
В генераторах на БТ обычно удовлетворяются соотношением
Cр ≥ (5…20)/(ωZp2) [71, 72];
• индуктивности разделительных дросселей в схемах однотак-
тных генераторов (L3 на рис. 3.6, б; L2 и L3 на рис. 3.9; L2
на рис. 3.11, б) выбирают из условия протекания через дрос-
сель либо малой части контурного тока (Iк) Lр > (10…20)pLК,
либо малой части первой гармоники тока через контур
Lр ≥ (10…30)Zp2/ω = (10…30)Qp2LК. Чем выше добротность кон-
тура Q, тем больше различие между этими токами (Iк = QI1).
Поэтому при Q > 10…20 на индуктивность дросселя наклады-
вают более жесткие ограничения [71, 72];
• индуктивности разделительных дросселей в схемах двухтакт-

ных генераторов (например, дросселя L5 на рис. 6.2) могут
быть снижены в 10…20 раз по сравнению с соответствующими
значениями однотактной схемы
Lр ≥ (1…2)LК или Lр ≥ (1…2)Rk/ω = (1…2)QLК;
• емкости блокировочных конденсаторов в схемах однотакт-
ных и двухтактных генераторов (С4 и С6 на рис. 3.9, 3.11, б и
рис. 6.2) выбирают из условия получения малого (по отноше-
нию к сопротивлению разделительного дросселя ωLр) сопро-
тивления на наименьшей рабочей частоте передатчика
Cбл ≥ (20…100)/(ω2Lр),
где ω – наименьшая рабочая частота передатчика;
Z – модуль сопротивления нагрузки. Для входной цепи это
модуль входного сопротивления генератора на частоте
сигнала. Для колебательного контура это резонансное
сопротивление R;
Q – добротность нагруженного контура;
р – коэффициент включения АЭ в контур.
Выбор блокировочных и разделительных

элементов в схемах последовательного питания
• емкости блокировочных конденсаторов во входных и выход-
ных цепях генераторов (С2 на рис. 3.6, в; С1 на рис. 3.7, а, б; С3
и С10 на рис. 3.10; С3 на рис. 3.11,а) выбирают из двух условий
[71, 72]:
1) малого (по отношению к модулю сопротивления нагрузки)
сопротивления блокировочного конденсатора на наимень-
шей рабочей частоте передатчика.
В ламповых генераторах Cбл ≥ (20…100)/(ωZ).
В генераторах на БТ обычно удовлетворяются соотношени-
ем Cбл ≥ (5…20)/(ωZ);
2) малого (по отношению к амплитуде напряжения на нагруз-
ке) падения напряжения на блокировочном конденсаторе,
поскольку параллельно выходному (или входному) контуру
подключена цепочка из двух последовательно включенных
емкостей: блокировочной емкости Сбл и выходной (или вход-
ной) емкости CА активного элемента – Cбл ≥ (50…100)CА;
• индуктивности разделительных дросселей Lp (L2 и L6 на

рис. 3.10) выбирают такой величины, чтобы резонансная часто-
та контура, образованного элементами Lp и Cбл, была в 7…15 раз
ниже рабочей частоты передатчика. В этом случае контур LpCбл
имеет небольшое сопротивление гармоникам тока АЭ и не раз-
рывает цепь их замыкания Lр ≥ (50…200)/(ω2Cбл).
3.1. Каково назначение цепей связи: а) согласующих; б) корректи-
рующих?
3.2. В каком диапазоне частот используют цепи коррекции генера-
торов на: а) лампах; б) транзисторах?
3.3. Какие требования предъявляют ко входным, межкаскадным и
выходным цепям согласования?
3.4. Из каких соображений выбирают добротность ненагруженного
и нагруженного контура ГВВ?
3.5. Почему в современных передатчиках согласующие Г-, П- и Т-це-
почки обычно выполняют в виде ФНЧ: в продольных вет-
вях включаются индуктивности, а в поперечных – емкости
(рис. 3.6, б, в; 3.8; 3.9; 3.11, б)?
3.6. Какие элементы используют в ЦС: а) ламповых; б) транзистор-
ных генераторов?
3.7. Почему в ЦС транзисторных генераторов сосредоточенные
LC-элементы используют на частотах до 10…18 ГГц, а в ЦС
ламповых генераторов только до 30…100 МГц?
3.8. На каких частотах необходимо использовать схему коррекции
АЧХ при включении БТ в схеме с: а) ОЭ; б) ОБ?
3.9. Какие ЦС целесообразно использовать при коэффициенте пере-
крытия по частоте Kf = fВ/fН, равном: а) Kf ≤ 1,1…1,2; б) Kf > 2…3;
в) 1,2 ≤ Kf ≤ 2…3?
3.10. Какова область использования: а) Г-трансформаторов; б) П-транс-
форматоров?
3.11. Сравните свойства Г-, П- и Т-трансформаторов.
3.12. Как можно улучшить основные параметры ЦС?
3.13. Сравните свойства П-трансформаторов: полосового (рис. 3.7, в)
и ФНЧ (рис. 3.8; 3.9; 3.11).
3.14. Из каких условий выбирают добротности Q1 , Q2 и Qф П-транс-

форматора?
3.15. Начертите схемы ЦС в виде Г-звеньев типа фильтров нижних
и верхних частот и сравните их свойства.
3.16. Сравните свойства ЦС в виде Г-звена (входная цепь на
рис. 3.9); Г-звена с дополнительным фильтром (рис. 3.6, б) и
П-трансформатора (рис. 3.7, в; 3.8; 3.9; 3.11).
3.17. Докажите, что любая последовательная цепь, состоящая из ре-
активности x и активного сопротивления r, может быть заме-
нена эквивалентной параллельной цепью из реактивности X и
активного сопротивления R. Определите отношение активных
сопротивлений R/r этих цепей (коэффициент трансформации).
3.18. Определите добротность Q цепи предыдущей задачи, необходи-
мую для трансформации сопротивления r =50 Ом в сопротивле-
ние R=2 500 Ом, а также величину сопротивлений x и X.
Параллельный колебательный контур
3.19. Определите резонансную частоту, добротность, характерис-
тическое и резонансное сопротивление параллельного коле-
бательного контура с параметрами: L = 10 мкГн, C = 80 пФ,
r = 10 Ом.
3.20. Резонансная частота параллельного колебательного конту-
ра равна 1 МГц, сопротивление потерь 9 Ом, индуктивность
45 мкГн. Определите емкость контура, его добротность и по-
лосу пропускания.
3.21. Определите добротность, полосу пропускания, а также частоты
f1 и f2, соответствующие границам полосы пропускания парал-
лельного колебательного контура с параметрами: L = 2,2 мГн,
C = 450 0пФ, rн = 220 Ом.
3.22. Определите пределы изменения емкости, добротности и по-
лосы пропускания параллельного колебательного контура при
перестройке его резонансной частоты от 150 до 415 кГц. Индук-
тивность контура равна 2,2 мГн; сопротивление потерь контура
rн от частоты не зависит и равно 285 Ом.
3.23. Постройте качественные графики зависимости резонансного
сопротивления параллельного колебательного контура от час-
тоты при перестройке контура: а) емкостью; б) индуктивностью
при условии, что добротность контура не зависит от частоты.
3.24. Определите добротность: а) параллельного б) последователь-
ного колебательного контура, если резонансная частота равна
150 МГц, емкость контура 80 пФ, амплитуда напряжения на

емкости при резонансе равна 50 В, мощность потерь 1 Вт.
3.25. Определите параметры параллельного колебательного контура
задачи 3.24.
3.26. Определите амплитуду контурного тока в ГВВ по схеме
рис. 3.7, а, если амплитуда первой гармоники коллекторного
тока равна 15 А, а добротность контура равна 20.
3.27. На какое напряжение и какой ток следует подбирать элементы
L и C контура ГВВ по схеме рис. 3.11, а, если Uc = 30 В, доб-
ротность контура равна 10, а его резонансное сопротивление
равно 50 Ом?
3.28. Определите величину резонансного сопротивления параллель-
ного колебательного контура, при которой его полоса пропус-
кания равна: а) 5; б) 10; в) 20 МГц, если емкость контура равна
20 пФ.
3.29. Получите формулу для определения КПД параллельного
колебательного контура при известных добротностях Q и Q0
в случае: а) включения сопротивления нагрузки rп в одну из
ветвей контура; б) подключения сопротивления нагрузки Rп
параллельно контуру.
3.30. Для задачи 3.29 определите максимальную величину отноше-
ния Q/Q0, при которой расхождение между формулами для
случаев: а) и б) не превышает а) 16%; б) 9%; в) 4%; г) 1%.
3.31. Определите коэффициент включения контура с резонансным
сопротивлением R = 400 Ом (рис. 3.3), если сопротивление R'
равно: а) 400; б) 100; в) 40; г) 4 Ом.
3.32. Определите рабочую частоту f0 и сопротивление R' усили-
теля по схеме рис. 3.7, а, если L1 = 31,8 нГн; С2 = 215,1 пФ;
С3 = 126,3 пФ; Qн=4,5.
3.33. Определите амплитуду напряжения на нагрузке усилителя
(рис. 3.7, б), если амплитуда напряжения на стоке транзистора
равна 12 В, а коэффициент включения контура равен: а) 1,0;
б) 0,5; в) 0,1. Падением напряжения на емкости С3 можно пре-
небречь.
3.34. Определите коэффициент включения контура, необходимый
для получения резонансного сопротивления 25 Ом, если ем-
кость контура равна 200 пФ, резонансная частота равна 50 МГц,
а добротность 30.
3.35. Резонансное сопротивление ненагруженного контура равно
10 кОм, ненагруженная добротность 100, контурный КПД ра-
вен 50%, коэффициент включения равен единице. Определите

сопротивление нагрузки, вносимое в контур.
3.36. Амплитуда анодного напряжения генератора 3000 В. Пара-
метры контура генератора: емкость 500 пФ, индуктивность
200 мкГн, добротность 100, коэффициент включения равен еди-
нице. Определите контурный ток и колебательную мощность.
Последовательный колебательный контур
3.37. Определите добротность и полосу пропускания последователь-
ного колебательного конура, если L = 640 мкГн, С = 320 пФ,
r = 144 Ом.
3.38. Определите параметры последовательного колебательного
контура задачи 3.24.
3.39. Определите параметры Q, C, ρ и r последовательного коле-
бательного контура, если резонансная частота контура равна
150 МГц, амплитуда тока, протекающего через контур, рав-
на 3,77 А, индуктивность контура 14 нГн, мощность потерь
1 Вт.
3.40. Определите амплитуду напряжения на элементах L и C после-
довательного контура (рис. 3.4), если амплитуда напряжения U
на контуре равна 1,8 В, а добротность равна 100.
3.41. На какое напряжение и какой ток следует подбирать элементы
L и С последовательного колебательного контура, если ампли-
туда напряжения на контуре равна 1,6 В, сопротивление потерь
контура равно 0,5 Ом, а добротность – 80?
3.42. Определите параметры L и С эквивалентной схемы кварцевой
пластины, если резонансная частота последовательного колеба-
тельного контура равна 3 МГц, сопротивление потерь 10 Ом,
а добротность равна 50 000.
3.43. Определите резонансную частоту и добротность кварцевой
пластины, если параметры её эквивалентной схемы равны:
С = 0,03 пФ; L = 34 мГн; r = 10,6 Ом.
3.44. Определите характеристическое сопротивление, добротность и
индуктивность эквивалентной схемы кварцевой пластины, если
резонансная частота последовательного колебательного конту-
ра равна 1 МГц, сопротивление 100 Ом, ёмкость 0,02 пФ.
Связанные колебательные контуры
3.45. Дайте примеры использования связанных колебательных кон-
туров в генераторах.
3.46. Дайте примеры вредного влияния связанных колебательных

контуров в генераторах.
3.47. Какие преимущества имеет двухконтурная схема выхода ге-
нератора по сравнению с одноконтурной?
3.48. Каков возможный порядок настройки двухконтурного генера-
тора?
3.49. На рис. 3.13 приведены нормированные ЧХ двухконтурной КС
генератора. Укажите возможный дефект каждого варианта и спо-
соб его устранения, если требуемая полоса частот равна 2Δf.
Рис. 3.13. ЧХ двухконтурной колебательной системы
3.50. В каких случаях и на каких частотах модуляции F возможна

перемодуляция АМ радиосигналов в усилителях мощности со
связанными колебательными контурами?
3.51. Какие требования предъявляют к форме АЧХ и ФЧХ колеба-
тельных систем при усилении сигналов с УМ? Сравните свойс-
тва одноконтурных и двухконтурных усилителей.
3.52. Определите сопротивление нагрузки системы из двух связан-
ных идентичных контуров при критической связи между ними,
если полоса пропускания системы равна: а) 5; б) 10; в) 20 МГц.
Ёмкость контура равна 20 пФ. Сравните это сопротивление с
сопротивлением одиночного параллельного контура.
3.53. Изобразите двухконтурные схемы выхода генератора при раз-
личных связях между контурами: а) индуктивной; б) кондук-
тивной; в) емкостной.
3.54. Какие требования предъявляются к многоконтурным КС уси-
лителей АМ колебаний?
3.55. Какую форму резонансной кривой имеют связанные колеба-
тельные контуры при различных параметрах связи: а) рсв > 1;
б) рсв = 1; в) рсв < 1?
3.56. Сравните величину полосы пропускания одиночного колеба-
тельного контура и колебательной системы с двумя идентич-
ными контурами при различных параметрах связи рсв: а) 2,41;
б) 1,0; в) 0,68; г) <0,68.
Входные цепи генераторов

3.57. Какие требования предъявляют ко входным и межкаскадным
цепям согласования?
3.58. Рассмотрите возможность замены Г-звеньев типа ФНЧ схем
на рис. 3.6, б и 3.9 на Г-звенья типа ФВЧ.
3.59. Поясните назначение элементов и свойства входной цепи ге-
нератора: а) рис. 3.6, а; б) рис. 3.6, б; в) рис. 3.6, в.
3.60. Для схемы рис. 3.6, а определите максимальную величину
резонансного сопротивления R0 контура, индуктивность L1 и
сопротивление автосмещения R1, если рабочая частота равна
30 МГц, входная ёмкость лампы Свх = 21 пФ, ёмкость монтажа
См = 15 пФ, Q0 = 120, Ec = 10В, Ico = 8мА.
3.61. Начертите эквивалентные по высокой частоте схемы входной
цепи генераторов, изображённых на рис. 3.6.
3.62. В каких случаях в Г-трансформатор вводят дополнительный
фильтр L2С2 (рис. 3.6, б)?
3.63. Из каких соображений выбирают параметры дополнительного
фильтра L2С2 (рис. 3.6, б)?
3.64. Что можно сделать, если расчётная величина индуктивности Г-
трансформатора получилась меньше конструктивно реализуемой?
3.65. Определите параметры 2Δf, Q, Ф2, Ф3, ηТ, С1 и L1 входной цепи
связи по схеме рис. 3.9, если рабочая частота равна 70 МГц,
Rвх = 72 Ом, Rвых = 1,1 Ом, Q0 = 80.
3.66. Как зависит величина КПД Г-цепочки (рис. 3.6, б) от величины
коэффициента трансформации Rвх/Rвых?
3.67. Определите параметры 2Δf, Q, Ф2, ηТ, С1 и L1 входной цепи
связи по схеме рис. 3.9, если рабочая частота равна 400 МГц,
Rвх = 50 Ом, Rвых= 4,3 Ом, Q0 = 100.
3.68. Определите величину элементов L2 и С2 дополнительной цепи
фильтрации предыдущей задачи (рис. 3.6, б), полагая величину
суммарной индуктивности равной L1 + L2 = 15 нГн.
3.69. Определите параметры 2Δf, Q, ηТ, L1 и Rвых= R1 цепи связи по
схеме рис. 3.6, в, если рабочая частота равна 10 МГц, Rвх = 50 Ом,
С1 = 40 пФ, Q0 = 100.
3.70. Определите параметры Q, С1 и L1 входной цепи связи по схе-
ме рис. 3.6, в, если рабочая частота равна 10 МГц, Rвх=50 Ом,
R1=3 кОм.
3.71. Определите параметры Q, L1, R1, ηТ входной цепи транзисто-
ра КП904А (рис. 3.6, в), если рабочая частота равна 16 МГц,
Rвх = 25 Ом, С1 = 70 пФ, Q0 = 60. На каких частотах используют

такую цепь согласования?
3.72. Определите величину элементов L1 и С1 входной цепи
рис. 3.6, в, если рабочая частота генератора равна 16 МГц,
Rвх = 25 Ом, Rвых = R1 = 800 Ом.
3.73. Получите формулы для определения величины Q, L1 и R1 вход-
ной цепи рис. 3.6, в при заданных значениях ω, Rвх = R1 и С1.
Выходные цепи генераторов
3.74. Какие требования предъявляют к выходным ЦС?
3.75. Какие устройства подключают к выходу генератора?
3.76. Поясните назначение элементов и свойства схем: а) рис. 3.7, а;
б) рис. 3.7, б; в) рис. 3.7, в.
3.77. Начертите эквивалентные схемы выходных цепей генераторов
(рис. 3.7, а, б) для токов и напряжений первой гармоники.
3.78. Определите величину элементов L1,C2 и С3 выходного кон-
тура усилителя по схеме рис. 3.7, а, если f0 = 100 МГц, Qн = 4,5,
Rк = 90 Ом, а сопротивление нагрузки равно 36 Ом.
3.79. Определите полосу пропускания, ηк и Uн выходной цепи рис.
3.7,а, если резонансная частота контура равна 70 МГц, Q0 = 80,
Q = 20, р = 0,2, амплитуда напряжения на коллекторе транзис-
тора равна 10 В.
3.80. Определите полосу пропускания, мощность в нагрузке и сопро-
тивление нагрузки выходной цепи рис. 3.7, а, если L1 = 120 нГн,
С2 = 60 пФ, С3 = 90 пФ, Q0 = 70, Q = 15, колебательная мощ-
ность равна 10 мВт.
3.81. Определите полосу пропускания, величину емкостей С2 и С3,
амплитуду первой гармоники коллекторного тока Iк1, Uн и мощ-
ность в нагрузке выходной цепи рис. 3.7, а, если f = 77 МГц,
L1 = 120 нГн, Q0 = 70, Q = 15, амплитуда напряжения на кол-
лекторе транзистора равна 4В, сопротивление нагрузки
R' = 140 Ом.
3.82. Определите Uн, р и мощность в нагрузке выходной цепи
рис. 3.7, б, если амплитуда напряжения на стоке транзистора
равна Uс = 40 В, Р1 = 8 Вт, ηк = 0,85, Rн = 50 Ом. Конденсатор
С3 – разделительный.
3.83. Выходная цепь лампового генератора собрана по схеме
рис. 3.7, б. Определите ηк, мощность в нагрузке РП, коэффици-
ент включения нагрузки и минимальную ёмкость разделитель-
ного конденсатора С3, если амплитуда анодного напряжения
равна Uа=2500 В, колебательная мощность равна Р1 = 500 Вт,

λ = 30 м, Rн = 500 Ом, Q0 = 200, ёмкость контура С = 100 пФ.
3.84. Для предыдущей задачи определите величину контурной индук-
тивности L, мощность потерь в контуре Рпот, характеристическое
сопротивление контура ρ, амплитуду анодного тока Iа1, амплиту-
ду тока в контуре Iк и полосу пропускания контура 2Δf.
3.85. Сравните свойства полосовой (рис. 3.7, в) и низкочастотной
(рис. 3.9) цепей согласования.
3.86. При указанных на рис. 3.11, а параметрах схемы определите
суммарную контурную ёмкость С, ёмкость монтажа См, полосу
пропускания 2Δf0,7 и контурный КПД усилителя, если рабочая
частота усилителя равна 30 МГц, выходная ёмкость транзистора
Сси = 25 пФ, добротность ненагруженного контура равна 100.
3.87. Определите величину элементов выходного П-трансформатора в
схеме усилителя рис. 3.11, б, если f0 = 300 МГц; добротность входной
цепи трансформатора Q2 = 3, её сопротивление – 10 Ом; добротность
фильтра Qф = 10; сопротивление выходной цепи равно 50 Ом.
Схемы генераторов
3.88. Сравните свойства схем последовательного и параллельного
питания генераторов.
3.89. Почему в передатчиках коротких волн чаще применяется пос-
ледовательное питание анодной цепи, а в передатчиках длин-
ных волн – параллельное питание?
3.90. Почему источник питания генератора и приборы постоянного
тока следует включать в разрыв провода, потенциал которого
по высокой частоте относительно корпуса равен нулю?
3.91. Сравните свойства фиксированного и автоматического (за счёт
постоянной составляющей сеточного тока) смещения в ГВВ на
триодах.
3.92. Почему в триодных ГВВ большой мощности, как правило, при-
меняется фиксированное смещение?
3.93. Почему в мощных ГВВ не используют катодное автосмеще-
ние?
3.94. Оцените величину сопротивления автосмещения при рабо-
те генератора по схеме рис. 3.6, а в граничном режиме, если
Ес = 300 В, Ia0 = 600 мА.
3.95. Определите величину резисторов в цепи смещения кремниево-
го транзистора (рис. 3.6, б), если Еб = 12 В; Еэ = 0,4 В; Iк0 = 0,2 А;
Θ = 90°.
3.96. Определите ток в цепи делителя и мощности, рассеиваемые

резисторами R1, R2 и R3 предыдущей задачи.
3.97. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.9.
3.98. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.10.
3.99. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.11, а.
3.100. Поясните назначение элементов и свойства схемы рис. 3.11, б.
3.101. Начертите схему ГВВ на БТ с параллельным питанием цепей. Во
входной цепи используйте согласующую Г-цепочку в виде ФНЧ,
а в выходной – П-трансформатор с двумя емкостными связями.
Включите приборы для настройки и контроля работы ГВВ.
3.102. Начертите схему ГВВ на тетроде с последовательным питанием
цепей. Используйте ЦС в виде параллельных колебательных кон-
туров. Включите измерительные приборы для настройки ГВВ.
3.103. Начертите схему усилителя на ПТ с последовательным пи-
танием выходной цепи и нулевым напряжением смещения на
затворе. В выходной цепи используйте параллельный колеба-
тельный контур.
3.104. Начертите схему ГВВ на МОП-транзисторе с параллельным
питанием цепей. Используйте согласующие П-цепочки в виде
НЧ-фильтров.
3.105. Начертите эквивалентные схемы генераторов, изображенных
на рисунках: а) 3.9; б) 3.10; в) 3.11, для токов и напряжений
первой гармоники.
Фильтрация высших гармоник
3.106. Определите коэффициенты фильтрации Ф2, Ф3, Ф5 цепи сог-
ласования: а) №1; б) №2; в) №3 (табл. 3.1) при Q = 10.
3.107. Определите коэффициенты фильтрации Ф2, Ф3, Ф5 цепи сог-
ласования: а) №5; б) №6; (табл. 3.1) при Q = 10 и объясните
полученные результаты.
3.108. Почему ЦС №1 имеет гораздо больший коэффициент филь-
трации, чем ЦС №2 и 3 (табл. 3.1)?
3.109. Почему коэффициент фильтрации ЦС №2 (табл. 3.1) слабо
зависит от номера гармоники?
3.110. Определите параметры Q0, ρ, L и C ЦС №3 (табл. 3.1) на час-
тоте 250 МГц, при R2 = 400 Ом для обеспечения контурного
КПД ηК = 0,9 при коэффициенте фильтрации Ф2, равном: а) 300;
б) 1 000. Оцените возможность реализации этих параметров.
3.111. Однотактный усилитель работает в граничном режиме с уг-
лом отсечки 80°. Коэффициент фильтрации второй гармоники
тока равен 400. Амплитуда тока нагрузки 10 А. Определите

амплитуду тока второй гармоники в нагрузке.
3.112. Определите коэффициент фильтрации третьей гармоники
тока, если угол отсечки коллекторного тока 60°, мощность из-
лучения на частоте третьей гармоники в 106 меньше мощности
излучения на частоте первой гармоники. Действительная со-
ставляющая сопротивления нагрузки на частоте третьей гар-
моники в 100 раз меньше сопротивления нагрузки на частоте
первой гармоники.
3.113. Усилитель работает в граничном режиме с углом отсеч-
ки 90°. Мощность излучения первой гармоники равна 60 Вт,
коэффициент фильтрации второй гармоники тока равен 100.
Определите мощность излучения второй гармоники, если дейс-
твительная составляющая сопротивления нагрузки на частоте
второй гармоники в 80 раз меньше сопротивления нагрузки на
частоте первой гармоники.
3.114. Два передатчика работают на одинаковые антенны, но име-
ют разные ЦС (рис. 3.12). Параметры цепей согласования: у
первого передатчика Q0 = 200, ηК = 93%; у второго – Q0 = 100,
ηК = 90%. В каком из передатчиков получается лучшая филь-
трация высших гармоник?
3.115. Выходная мощность однотактного усилителя, работающего в
граничном режиме при угле отсечки 65°, равна 20 кВт. Опреде-
лите необходимую величину коэффициента фильтрации: а) Ф2;
б) Ф3 при допустимой мощности гармоник 50 мВт.
3.116. Однотактный усилитель мощности работает в граничном ре-
жиме при колебательной мощности, равной P1 = 500 Вт; θ = 80°.
Определите мощность: а) второй; б) третьей гармоники в на-
грузке при использовании согласующей П-цепочки с добро-
тностью Q = 20.
3.117. Однотактный усилитель работает в граничном режиме с уг-
лом отсечки 90°. Амплитуда тока первой гармоники в антенне
равна 6 А. Определите амплитуду тока второй гармоники, если
Ф2 = 25·104.
3.118. Параллельный колебательный контур транзисторного гене-
ратора настроен на волну 500 м, емкость контура 1 нФ, сопро-
тивление потерь 3 Ом, отношение токов IK3/IK1 в коллекторной
цепи равно а) 0,63; б) 0,21. Определите отношение токов в ин-
дуктивной ветви контура.
3.119. Определите отношение токов в емкостной ветви колебатель-
ного контура предыдущей задачи.
3.120. Усилитель работает в граничном режиме. Угол отсечки выход-

ного тока равен 90°. В выходную цепь усилителя включен па-
раллельный колебательный контур. Определите минимальную
добротность контура, при которой форма напряжения на выход-
ном электроде АЭ будет близка к гармонической, если сопро-
тивление нагрузки включено: а) в индуктивную ветвь контура;
б) в емкостную ветвь контура; в) параллельно контуру.
3.121. Определите минимальную ёмкость С колебательного контура
предыдущей задачи при известных значениях рабочей частоты
усилителя ω0 и сопротивлении нагрузки R.
3.122. Определите коэффициент фильтрации Фn ЦС №1 (табл. 3.1)
для n-ой гармоники тока при Q0 Q ≥ 3…5.
при Q0 Q ≥ 3…5.
3.124. Почему коэффициент фильтрации Фn ЦС №2 (табл. 3.1) сла-
бо зависит от номера гармоники и гораздо меньшей величины,
чем у ЦС №1?
3.125. Начертите схему коллекторной цепи с использованием ЦС
№2 (табл. 3.1) и поясните назначение элементов.
при Q0 Q ≥ 3…5.
3.127. Сравните величину коэффициентов фильтрации ЦС №1, 2 и
3 и объясните полученные результаты.
при Q0 Q ≥ 3…5.
при Q0 Q ≥ 3…5 и L1=L2.
3.130. Почему отличаются расчетные формулы коэффициентов
фильтрации ЦС №4 и 5 (табл. 3.1)?
при Q0 Q1 ≥ 3…5 и Q0 Q2 ≥ 3…5.
3.132. Сравните величину коэффициентов фильтрации а) Ф2; б) Ф3;
в) Ф4 цепей согласования №1 и 6 (табл. 3.1) и объясните по-
лученный результат.
Блокировочные и разделительные элементы
3.133. Какие требования предъявляются к параметрам разделитель-
ных и блокировочных конденсаторов?
3.134. Нарисуйте эквивалентные схемы блокировочного и раздели-
тельного конденсаторов в широком диапазоне частот. Построй-
те их ЧХ и укажите область рабочих частот.
3.135. Резонансная частота блокировочного конденсатора равняет-

ся f. Как изменится эта частота при: а) параллельном; б) после-
довательном включении двух таких конденсаторов?
3.136. Для создания блокировочной емкости 600 пФ использовано:
а) параллельное включение двух одинаковых конденсаторов;
б) последовательное включение двух одинаковых конденса-
торов; в) включение одного конденсатора. Оцените величину
паразитной резонансной частоты для этих случаев, если пара-
зитная индуктивность одного конденсатора равна 2 нГн.
3.137. Как можно уменьшить влияние паразитных индуктивностей
блокировочных и разделительных конденсаторов?
3.138. Определите собственную резонансную частоту керамическо-
го конденсатора емкостью: а) 5; б) 50; в) 500; г) 5000 пФ при
индуктивности выводов 2 нГн.
3.139.Определите максимально допустимую емкость С блокиро-
вочного конденсатора для работы на частоте: а) 1000; б)100;
в) 10 МГц, при допустимом снижении её сопротивления xС на
20%, если индуктивность выводов конденсатора равна 1 нГн.
3.140. Как можно повысить собственную резонансную частоту кон-
денсатора, используемого в схеме генератора?
3.141. Определите тангенс угла потерь блокировочного конденсато-
ра емкостью 300 пФ, при котором мощность потерь не превысит
1,5 Вт на частоте 600 МГц, если амплитуда тока, протекающего
через конденсатор, равна: а) 10; б) 20; в) 50 А.
3.142. Почему в качестве блокировочных и разделительных элемен-
тов допустимо использование низкочастотных керамических
конденсаторов с большими значениями ε, TКЕ и tg δ?
3.143. Определите относительное изменение суммарного сопротив-
ления |Zн| при включении последовательно с резистором Rн раз-
делительного конденсатора, сопротивление |xC| которого равно:
а) Rн/50; б) Rн/20; в) Rн/10; г) Rн/5; д) Rн/3.
3.144. Почему в формулах для определения емкостей разделитель-
ных конденсаторов в схемах параллельного питания генерато-
ров на лампах и БТ используют различные коэффициенты?
3.145. Почему в формулах для определения емкостей блокировоч-
ных конденсаторов в схемах последовательного питания гене-
раторов на лампах и БТ используют различные коэффициен-
ты?
3.146. Из каких соображений выбирают величину емкости блоки-
ровочных конденсаторов в цепях смещения усилителей АМ-
или ОМ-сигналов в случае использования: а) автоматического;

б) фиксированного смещения?
3.147. Какие требования предъявляют к параметрам разделитель-
ных дросселей?
3.148. Изобразите эквивалентную схему и частотную характеристи-
ку дросселя в широком диапазоне частот. Укажите область его
рабочих частот.
3.149. Определите собственную резонансную частоту высокочастот-
ного дросселя с индуктивностью: а) 1; б) 10; в) 100 мкГн, если
его паразитная емкость равна 0,4 пФ.
3.150. Определите допустимую индуктивность высокочастотного
дросселя для работы на частоте: а) 300; б) 50; в) 20 МГц при
допустимом снижении его проводимости yL на 30%, если пара-
зитная емкость С дросселя равна 0,4 пФ.
3.151. Чем ограничена: а) минимальная; б) максимальная величина
блокировочных и разделительных элементов?
3.152. Почему индуктивности разделительных дросселей и емкости
блокировочных конденсаторов в двухтактных генераторах могут
быть во много раз меньшей величины, чем в однотактных?
3.153. Определите напряжение на блокировочном конденсаторе и
разделительном дросселе в схеме параллельного питания анод-
ной цепи, если напряжение питания равно 10 кВ, а коэффици-
ент использования анодного напряжения 0,9.
3.154. Определите минимальную величину емкостей раздели-
тельного и блокировочного конденсаторов и индуктивность
разделительного дросселя в схеме параллельного питания
коллекторной цепи УМ на БТ, если рабочая частота усилите-
ля и резонансное сопротивление R его выходной КС равны:
а) f = 30 МГц, R = 1,2 Ом; б) f = 100 МГц, R = 3,6 Ом.
3.155. Определите индуктивность дросселя Lp, емкости раздели-
тельного Ср и блокировочного Сбл конденсаторов в схеме па-
раллельного питания анода при полном включении лампы в
контур, если: а) резонансная частота контура равна 3 МГц,
его резонансное сопротивление равно R = 10 кОм, а индуктив-
ность – 20 мкГн; б) резонансная частота контура равна 10 МГц,
его резонансное сопротивление R = 2 кОм, а емкость – 60 пФ;
в) длина волны генератора равна 500 м, емкость контура
600 пФ, добротность 8.
3.156. Для предыдущей задачи определите отношение величины
переменной составляющей тока дросселя к первой гармонике
анодного тока.
3.157. Как изменятся параметры ГВВ (рис. 3.9) при замене дроссе-
лей резисторами?
3.158. Как изменятся режим работы генератора (рис. 3.9), если: а) за-
менить дроссели L2 и L3 короткозамыкающими перемычками;
б) изъять блокировочные конденсаторы С3, С4, С5 и С6?
3.159. Почему в генераторах недопустимо протекание переменных
токов через источники питания?
3.160. Как изменится режим работы генератора (рис. 3.10), если
заменить дроссели L2, L3, L6: а) короткозамыкающими пере-
мычками; б) резисторами?
3.161. Как изменится режим работы генератора (рис. 3.10) при от-
ключении блокировочных конденсаторов:а) С3; б) С6; в) С10;
г) С5, С8, С12; д) С4, С7, С11?
3.162. Получите формулу для определения: а) емкости разделитель-
ного конденсатора; б) индуктивности разделительного дроссе-
ля; в) емкости блокировочного конденсатора в схеме парал-
лельного питания анодной цепи, если коэффициент включения
АЭ в контур равен р, резонансное сопротивление контура R,
добротность Q, индуктивность LK, а амплитуда напряжения на
контуре равна U.
3.163. Для предыдущей задачи определите амплитуду первой гармо-
ники анодного тока Iа1, амплитуду тока в контуре IК и амплиту-
ду тока в дросселе IДр, если U = 8 кВ, р = 1, R = 10 кОм, Q = 10,
LK = 50 мкГн, L p= 1 мГн. Поясните полученные результаты.
3.164. Определите индуктивность дросселя и емкость блокировоч-
ного конденсатора при последовательном питании анодной
цепи, если резонансная частота контура равна 3·107 рад/с, ин-
дуктивность – 20 мкГн, сопротивление потерь равно 50 Ом,
выходная емкость лампы равна 12 пФ.
3.165. Получите формулу для определения: а) емкости блокировочного
конденсатора; б) индуктивности разделительного дросселя в схе-
ме последовательного питания анодной цепи при полном включе-
нии АЭ в контур, если резонансное сопротивление контура равно
R, рабочая частота – f, выходная емкость лампы равна CA.
3.166. Для предыдущей задачи определите: а) емкость блокировоч-
ного конденсатора; б) индуктивность разделительного дроссе-
ля, если R = 750 Ом, f = 30 МГц, CA = 40 пФ. Поясните полу-
ченные результаты.
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ
4 СООТНОШЕНИЯ
В ГЕНЕРАТОРАХ
4.1. Соотношения для выходных цепей

генераторов
• Высота импульса выходного тока АЭ равна
I вых m = S f (Uв х − DU 1) (1 − cos θ) = S f (Uв х − DU 1) γ1 (θ) α1 (θ),
где Sf – модуль крутизны выходного тока на рабочей частоте.
Для электронных ламп и ПТ частотной зависимостью крутиз-
ны во многих случаях можно пренебречь;
Uвх – амплитуда напряжения возбуждения;
D – проницаемость АЭ;
θ – угол отсечки выходного тока;
α1(θ), и γ1(θ) – коэффициенты разложения косинусоидаль-
ного импульса;
U1 – амплитуда первой гармоники выходного напряжения.
• Постоянная составляющая и амплитуда первой гармоники
выходного тока АЭ равны:
I вых 0 = I вых m α 0 (θ); I вых 1 = I вых m α1 (θ) = S f (U в х − DU1 )γ1 (θ).
• Коэффициент использования напряжения питания E (напря-
женность режима) АЭ равен
[ (
ξ гр = E 0,5 + 0,5 1 − 8P1 α1 (θ )S г р E 2 )] = 1– I выхm
/(SгрE) =
= 1– Iвых0/(α0(θ)SгрE) = α1(θ)SгрR1/(1 + α1(θ)SгрR1),

78 ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ
где E – напряжение питания выходного электрода АЭ;

P1 – колебательная мощность;
Sгр = 1/rнас– крутизна линии граничного режима АЭ;
R1 – сопротивление выходной цепи АЭ току Iвых1.
• Амплитуда первой (основной) гармоники выходного напря-
жения в граничном режиме работы АЭ равна
U1г р = Eξ г р .
• Сопротивление выходной цепи АЭ току Iвых1 равно
R1 = U 1 I вых 1 .
• Колебательная мощность АЭ равна
P1 = 0,5U1 I вых 1 = 0,5 U12 R1 = 0,5I вых
2
1 R1 .
• Мощность, потребляемая генератором, равна
P0 = E I вых 0 .
• Мощность, рассеиваемая на выходном электроде АЭ, равна
Pрас = P0 − P1 .
• Электронный КПД генератора равен
ηe = P1 P0 = 1 − Pрас P0 = 0,5 ξα1 (θ) α 0 (θ).
• Контурный КПД генератора равен ηк = Pп/P1,
где Pп – полезная мощность генератора (в нагрузке).
• Общий КПД генератора при оптимальной по общему КПД
1
напряженности режима ξ = 1 − , равен [9]:
1 + Mα1 (θ )
α1 (θ ) 1 + Mα1 (θ ) − 1
η=
2α 0 (θ ) 1 + Mα1 (θ ) + 1
,
где M = SгрR0 = Sгрρ Q0;

R0 – резонансное сопротивление ненагруженной выходной
колебательной системы генератора;
ρ – характеристическое сопротивление КС;
Q0 – добротность ненагруженной КС.
• Общий КПД генератора при заданных величинах K = Uвх1/U1
и ξ = [1 + N (1 − cos θ )]−1 , равен [9]:
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ГЕНЕРАТОРОВ 79
1 ⎡ 1 ⎤
η= ⎢ α1 (θ)− ,
2α 0 (θ)[1 + N (1 − cos θ)]⎣ M N (1 − cos θ)⎥⎦
где N = S(K – D)/Sгр.
4.2. Соотношения для входных цепей

• Мощность источника возбуждения для первой гармоники
входного тока равна Pвх = 0,5Uвх1Iвх1.
• Амплитуда напряжения возбуждения равна
I вых m
U вх 1 = + DU1 .
S f (1 − cos θ)
• Амплитуда первой гармоники входного тока на рабочей час-
( )
тоте f равна I вх 1 = S в х f U в х γ1 θв х .
• Средняя величина входного сопротивления АЭ по первой
гармонике входного тока равна Rвх = Uвх/Iвх1.
• Коэффициент усиления АЭ по мощности Кр = P1/Pвх.
• Коэффициент усиления по мощности биполярного транзис-
тора при f ≥ 3 f т h21эо равен
2 2
⎛ f ′⎞ ⎛ E ⎞ ⎛ P1′ ⎞
K p = K p′ ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜⎜ к ⎟⎟ ⎜⎜ ⎟⎟ ,
⎝ f ⎠ ⎝ Eк′ ⎠ ⎝ P1 ⎠
где К'р – коэффициент усиления на частоте f' при E'к и P'1.
4.3. Режимы работы генераторов

Различают пять режимов работы генераторов: режим класса A
(θ = 180˚), класса B (θ = 90˚), класса C (θ < 90˚), а также ключевые
режимы классов D и E [31, 39, 48, 51, 58, 71–73, 87, 90, 92, 104].
В ключевых режимах мощность, рассеиваемая на АЭ, минимальна.
Минимизация рассеиваемой мощности достигается путем макси-
мального приближения формы импульсов выходного тока и напря-
жения к меандру и созданию таких условий для АЭ, при которых

он находится либо в состоянии отсечки, либо в состоянии насыще-
ния.
Наиболее высокочастотными ключевыми генераторами являют-
ся УМ с формирующим контуром (класса Е). Выходная цепь УМ,
реализующего работу в режиме класса E, содержит формирующий
контур. За счет обеспечения выходной цепью оптимальных форм
напряжения и тока, протекающего через АЭ, удается снизить мощ-
ность, рассеиваемую выходным электродом АЭ в момент переклю-
чения, и тем самым улучшить энергетические показатели УМ. Мак-
симальная рабочая частота такого УМ в 2…15 раз выше, чем для
УМ с активной нагрузкой и при использовании высокочастотных
транзисторов составляет сотни мегагерц [72, 73, 92].
4.1. Каковы основные энергетические показатели ГВВ?
4.2. Какой показатель ГВВ определяет мощность в цепи: а) управ-
ляющего; б) выходного электрода?
4.3. Почему обычно нецелесообразно выполнять энергетические
расчеты генераторов с очень высокой точностью?
4.4. Какую форму тока и напряжения необходимо создать в выход-
ной цепи АЭ для получения: а) высокого электронного КПД;
б) малой мощности рассеяния на выходном электроде АЭ?
4.5. Как в мощном ламповом генераторе с резонансной нагрузкой
можно получить близкую к прямоугольной форму: а) импуль-
сов выходного тока; б) выходного напряжения?
4.6. Как влияет на величину электронного КПД: а) амплитуда вы-
ходного напряжения; б) резонансное сопротивление выходного
контура; в) расстройка выходного контура относительно его ре-
зонансной частоты; г) длительность импульсов выходного тока;
д) угол отсечки выходного тока?
4.7. Почему для получения высокого электронного КПД генератора
угол отсечки выходного тока АЭ обычно выбирают в пределах
от 60° до 120°?
4.8. Какие факторы снижают КПД ключевого УМ на БТ?
4.9. Сравните свойства генераторов, использующих ключевой ре-
жим работы транзисторов, и режимы A, B, C.
4.10. Усилитель по схеме рис. 3.7, а работает в граничном режиме.

Как изменится напряженность режима в случае обрыва четвер-
тьволновой антенны?
4.11. Показания приборов в ТУМ по схеме рис. 3.9 равны: а) Iк0 = 7 А,
Iб0 = 2,5 А; б) Iк0 = 8 А, Iб0 = 0,4 А; в) Uк = Eк = 28 В; г) Eк = 28 В,
Uк = 15 В. Как нужно изменить величину емкости связи С9 для
повышения мощности в нагрузке? Потерями мощности в КС
можно пренебречь.
4.12. Оцените величину угла отсечки для получения наибольшей
колебательной мощности генератора при высоком КПД и мак-
симальном использовании АЭ по току и напряжению.
4.13. Оцените максимальную величину электронного КПД генерато-
ра при работе в режиме класса: а) А (θ = 180°); б) В (θ = 90°);
в) С (θ = 60°); г) D; д) Е.
Энергетические соотношения во входной цепи
4.14. Как расходуется мощность, потребляемая цепью сетки ГВВ от
предыдущего каскада?
4.15. Определите мощности во входной цепи лампового ГВВ по схе-
ме рис. 3.10: а) расходуемую возбудителем; б) рассеиваемую
сеткой; в)выделяющуюся в источнике смещения.
4.16. Почему в генераторе по схеме рис. 3.10 возможен перезаряд ак-
кумулятора, используемого в качестве источника смещения Ec1?
Как избежать этого явления?
4.17. Колебательная мощность генератора 20 Вт, амплитуда напря-
жения на коллекторе 50 В. Определите напряжение смещения
и амплитуду напряжения возбуждения, если угол отсечки кол-
лекторного тока 90°, крутизна проходной характеристики равна
2 См, напряжение отсечки 0,7 В.
4.18. Почему коэффициент усиления по мощности генератора в клю-
чевом режиме заметно ниже, чем в недонапряженном?
Энергетические соотношения в выходной цепи
4.19. Запишите формулы для вычисления мощностей в выходной
цепи АЭ при гармоническом выходном напряжении: а) мгно-
венных; б) средних.
4.20. Определите мощность, рассеиваемую стоком транзистора, если
подводимая мощность равна 200 Вт, а электронный КПД равен:
а) 80; б) 85; в) 90; г) 95%;
4.21. Электронный КПД генератора равен 60%, мощность питания
коллекторной цепи 36 Вт, сопротивление ветвей нагруженного
контура равно rн = 3 Ом. Определите амплитуду тока в контуре

и колебательную мощность.
4.22. Усилитель работает на колебательную систему с резонансным
сопротивлением 90 Ом. Измерены: постоянная составляющая
коллекторного тока 0,2 А, напряжение питания коллекторной
цепи 35 В, амплитуда коллекторного напряжения 30 В. Опре-
делите колебательную мощность и электронный КПД
4.23. .Определите мощность в нагрузке и контурный КПД усилите-
ля, если колебательная мощность 84 Вт, эффективное значение
тока контура 2 А, сопротивление потерь контура 4 Ом.
4.24. Определите электронный, контурный и общий КПД генератора,
если напряжение питания коллектора равно 20 В, постоянная
составляющая тока коллектора 1,5 А, резонансное сопротивле-
ние нагруженного контура 7,6 Ом, эффективное напряжение на
контуре 13,5 В, мощность в нагрузке 21,6 Вт.
4.25. Мощность потерь на аноде лампы равна 600 Вт, амплитуда тока
в контуре – 20 А, постоянная составляющая анодного тока –
1 А, напряжение анодного питания – 3000 В. Определите ко-
лебательную мощность, электронный КПД и сопротивление
ветвей нагруженного контура rн.
4.26. Постоянная составляющая тока коллектора равна 1А, Uк = 25 В,
Eк = 27 В, угол отсечки коллекторного тока 90°. Определите
мощность, рассеиваемую коллектором.
4.27. Определите мощность, рассеиваемую анодом лампы усили-
теля, а также электронный, контурный и общий КПД, если
мощность питания анодной цепи равна 5 кВт, мощность в
нагрузке – 4 кВт, амплитуда анодного напряжения –3 кВ, ре-
зонансное сопротивление ненагруженного анодного контура
равно 20 кОм.
4.28. Определите колебательную мощность, амплитуду первой гар-
моники анодного тока и амплитуду тока в контуре, если амп-
литуда напряжения на контуре равна 10 кВ, емкость контура
равна 500 пФ, резонансная частота –2 МГц, добротность –
100.
4.29. Транзисторный генератор потребляет ток 0,8 А при напря-
жении питания 25 В. Мощность потерь в транзисторе равна
4 Вт, из них 1 Вт составляют потери в цепи базы. Определите
колебательную мощность, амплитуду первой гармоники тока
коллектора и электронный КПД, если коэффициент использо-
вания коллекторного напряжения равен 0,9.
4.30. Определите колебательную мощность и электронный КПД гене-

ратора, работающего в граничном режиме, если сопротивление
анодной цепи равно 8 кОм, θ = 90°, Ia0 = 80 мА, Ea = 1,2 кВ.
4.31. Транзисторный генератор работает в граничном режиме с уг-
лом отсечки 70˚, Eк = 50 В, Iк0 = 0,5 А. Характеристическое
сопротивление контура равно 20 Ом, активное сопротивление
ветвей нагруженного контура 8 Ом. Определите колебательную
мощность и электронный КПД генератора.
4.32. Мощность, потребляемая генератором, равна 500 Вт, мощность
потерь на аноде –100 Вт, мощность потерь в контуре равна
40 Вт. Определите мощность в нагрузке, КПД контура и всего
генератора.
4.33. Определите контурный КПД и максимальную мощность в на-
грузке генератора с максимальной колебательной мощностью
0,5 Вт, если резонансное сопротивление ненагруженного кон-
тура генератора в 10 раз больше сопротивления в граничном
режиме.
4.34. Резонансное сопротивление ненагруженного анодного контура
генератора в 4 раза больше сопротивления, которое требуется
для обеспечения граничного режима. Определите максимально
возможную мощность в нагрузке, если колебательная мощность
лампы в граничном режиме равна 1 кВт.
4.35. Определите мощность потерь в колебательной системе и на
аноде лампы, если при испытаниях генератора получено:
Ea = 10 кВ, Ia0 = 2 А, мощность в нагрузке равна 14,5 кВт, кон-
турный КПД 0,9.
4.36. Определите параметры ТУМ в граничном режиме работы: P0,
P1, ηe, Rк, Uк и Iк1, если Eк = 28 В, Sгр = 1 См, θ = 90°, Iк m = 7 А.
4.37. Определите параметры усилителя видеосигнала в недонапря-
женном режиме работы: P0, Pa, ηe, Uа, Iа1, Iа0, Iа m, Rа, Uc и Ec,
если P1 = 200 Вт, Eа = 1 кВ, Ec2 = 400 В, ξ = ξгр /1,2, θ = 90°.
В ЛУМ использован современный генераторный тетрод типа
ГУ-34Б с параметрами: S=70 мСм, Sгр = ∞, Ua гр = Ec2, E'c = –20 В,
D = 0,005.
4.38. Определите колебательную мощность высокочастотного гене-
ратора на транзисторе 2Т980А (прил. 2) в граничном режиме
работы при максимальном использовании транзистора по току
Iк max, если Eк = 50 В, θ = 90°.
4.39. Определите амплитуду выходного напряжения и колебатель-
ную мощность в граничном режиме работы высокочастотно-
го генератора на полевом транзисторе: а) 2П908А; б) 2П923А;

в) 2П928А (прил. 3) при Ic0 = 0,3 Ic max, полном использовании
транзистора по напряжению и угле отсечки 80˚.
4.40. Получите формулу для определения максимальной колеба-
тельной мощности генератора на ПТ при заданных значениях
Eси, Ic0, rнас и θ.
4.41. Определите параметры ξгр, Pси и ηe генератора на транзисторе
2П908А (прил. 3) при Eси = 40 В, θ = 80˚ и P1 = 2,5 Вт.
2П923А (прил. 3) при Eси = 50 В, θ = 80˚ и P1 = 104 Вт.
2П928А (прил. 3) при Eси = 50 В, θ = 80˚ и P1 = 214 Вт.
4.44. Определите электронный КПД генератора на транзисторе
2Т927А (прил. 2) в граничном режиме работы, если rнас = 0,4 Ом,
Р1 = 80 Вт, Ек = 28 В, а угол отсечки равен: а) 90°; б) 180°.
4.45. Определите мощность, рассеиваемую коллектором транзис-
тора 2Т980А в граничном режиме работы, если rнас = 0,5 Ом,
Р1 = 250 Вт, Ек = 50 В, а угол отсечки равен: а) 90°; б) 180°.
4.46. Электронный КПД лампового генератора в граничном режиме
работы равен 0,8. Определите мощность потерь на аноде лампы
и угол отсечки анодного тока, если Еа = 10 кВ, Uа = 9,5 кВ, со-
противление потерь нагруженного контура – 5 Ом, амплитуда
контурного тока – 40 А.
4.47. Определите амплитуду выходного напряжения генератора в
граничном режиме работы при максимальном использовании
транзистора: а) 2П908А; б) 2П923А; в) 2П928А (прил. 3) по
напряжению, если угол отсечки равен 75˚, а Ic0 = 0,4 Ic max.
4.48. Определите мощность, рассеиваемую стоком транзистора:
а) 2П923А; б) 2П928А; в) 2П933А (прил. 3), в типовом режиме
работы генератора.
4.49. Определите электронный КПД генератора при полном исполь-
зовании транзистора: а) 2П908А; б) 2П923А; в) 2П928А (прил. 3)
по напряжению, если угол отсечки равен 75˚, а Ic0 = 0,4Ic max.
4.50. Определите колебательную мощность и мощность, рассеива-
емую стоком транзистора: а) 2П908А; б) 2П923А; в) 2П928А
(прил. 3) при полном использовании транзистора по напряже-
нию, если угол отсечки равен 75°, а Ic0 = 0,4 Ic max.
4.51. Определите коэффициент использования коллекторного напря-
жения и электронный КПД генератора на транзисторе 2Т927А
(прил. 2) в граничном режиме работы при колебательной мощ-
ности: а) 50; б) 80; в) 100; г) 125 Вт, если рабочая частота ге-
нератора равна 30 МГц, Ек = 28 В, θ = 90°.
4.52. Определите электронный КПД генератора на транзисторе
2Т927А в граничном режиме работы при мощности Р1 = 100 Вт,
для θ = 90° и Ек = 28 В, если сопротивление насыщения тран-
зистора равно: а) 0,24 Ом; б) 0,4 Ом.
4.53. Определите потребляемую мощность, мощность, рассеиваемую
коллектором, и электронный КПД генератора на транзисторе
2Т930Б в граничном режиме работы при мощности Р1 = 80 Вт,
θ = 90° и Ек = 28 В, если сопротивление насыщения транзистора
равно: а) 0,3 Ом; б) 0,6 Ом.
4.54. При указанных на рис. 3.11, а параметрах схемы определите ве-
личину колебательной мощности в граничном режиме работы
ПТ, амплитуду напряжения Uc, электронный КПД и сопротив-
ление насыщения транзистора, если рабочая частота усилителя
равна 30 МГц, мощность в нагрузке 10 Вт, контурный КПД
0,95, напряжение отсечки транзистора равно 0,24 В, а крутизна
тока стока S = 0,15 См.
4.55. Определите мощность источника питания и мощность, рассеи-
ваемую стоком транзистора задачи 4.54.
4.56. Усилитель мощности на транзисторе 2Т927А (прил. 2) работает
в граничном режиме. Определите параметры выходной цепи
усилителя: Uк, Iк1, Iк0, Iк m, P0, Pк, ηe и Rк, если рабочая частота
УМ равна 30 МГц, P1 = 80 Вт, Ек = 29,5 В, θ = 90°.
4.57. При указанных на рис. 3.11, б параметрах схемы определите ве-
личину колебательной мощности в граничном режиме работы
АЭ, амплитуду напряжения на стоке транзистора Uc и электрон-
ный КПД, если мощность в нагрузке равна 30 Вт, контурный
КПД равен 0,83, а напряжение смещения равно напряжению
отсечки Еотс транзистора. Входное сопротивление цепи согла-
сования с нагрузкой равно 5,6 Ом.
4.58. Определите мощность источника питания, мощность, рассеи-
ваемую стоком, и сопротивление насыщения транзистора пре-
дыдущей задачи.
4.59. Определите угол отсечки, обеспечивающий максимальную ко-
лебательную мощность генератора при высоком электронном
КПД и заданном значении: а) амплитуды импульса выходного
тока Im; б) постоянной составляющей выходного тока I0; в) ам-
плитуды входного напряжения Uвх.
Расчет генераторов на максимум общего КПД

4.60. Почему расчет генераторов обычно производят на заданную
колебательную мощность, а не на мощность в нагрузке?
4.61. В каком случае расчет генераторов целесообразно производить
на заданную мощность в нагрузке?
4.62. Определите максимально возможный общий КПД генератора
на лампе ГУ-10А и соответствующие ему угол отсечки и на-
пряженность режима, если крутизна линии граничного режима
равна 18,2 мСм, а сопротивление ненагруженного анодного кон-
тура равно: а) 4,12 кОм; б) 5,5 кОм; в) 8,24 кОм; г) 11 кОм.
на транзисторе КТ90ЗА (прил. 2) и соответствующие ему угол
отсечки и напряженность режима, если крутизна ЛГР равна
0,5 См, а сопротивление ненагруженного выходного контура
равно: а) 50 Ом; б) 100 Ом; в) 200 Ом.
на транзисторе КТ9З0Б и соответствующие ему угол отсечки
и напряженность режима, если крутизна линии граничного ре-
жима равна 2 См, а сопротивление ненагруженного выходного
контура равно: а) 5 Ом; б) 10 Ом; в) 50 Ом.
4.65. Определите максимально возможный общий КПД генера-
тора на лампе ГУ-10А и соответствующие ему угол отсеч-
ки и напряженность режима, если крутизна лампы равна
18,7 мСм; крутизна линии граничного режима 18,2 мСм,
D = 0,025, сопротивление анодного контура R0 = 5,5 кОм,
К = Uс/Uа= 0,22.
4.66. Определите максимально возможный общий КПД мощного ге-
нератора на лампе ГУ-10А и соответствующие ему угол отсечки
и напряженность режима, если крутизна линии граничного ре-
жима лампы равна 18,2 мСм; сопротивление анодного контура
R0 = 11 кОм; параметр N равен: а) 0,1; б) 0,2.
на транзисторе 2Т904А и соответствующие ему угол отсечки
и напряженность режима, если крутизна линии граничного
режима на рабочей частоте равна 0,25 См; крутизна 2,5 См;
сопротивление ненагруженного выходного контура 400 Ом,
отношение напряжений Uб/Uк равно: а) 0,01; б) 0,02.
КЛЮЧЕВЫЕ
5 УСИЛИТЕЛИ
5.1. Общие расчетные соотношения

Для повышения КПД генератора выходной ток АЭ должен проте-
кать лишь в те промежутки времени, когда напряжение на выходном
электроде близко к нулю. Этот основной принцип повышения КПД
генератора можно реализовать различными способами.
1. В современных мощных СВ и ДВ передатчиках с анодной
модуляцией для повышения КПД и полезной мощности ши-
роко используются высшие гармоники ГВВ [71, 72]. Обычно
используют вторую или третью гармонику рабочей частоты.
Дополнительный резонансный контур, настроенный на час-
тоту соответствующей гармоники, включают в анодную цепь
предоконечного или оконечного каскада или в цепь управля-
ющей сетки оконечного каскада. Режим работы с использова-
нием двух частот называют бигармоническим. Возможны ре-
жимы и с большим количеством частот – полигармонические.
Использование высших гармоник позволяет исказить форму
импульсов выходного тока и напряжения АЭ так, чтобы их
вершины стали более плоскими, а скаты – более крутыми.
2. Наиболее радикальным решением проблемы повышения КПД
является использование ключевого режима, Сущность этого
режима заключается в том, чтобы задачу формирования фор-
мы напряжения и тока активного элемента (АЭ) возложить
не на КС, а на сам АЭ [31, 39, 48, 51, 58, 71–73, 90–92, 104].
В ключевом усилителе мощности (КУМ) АЭ работает в ре-
88 КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ
жиме электрического ключа, замыкаемого и размыкаемого с

частотой входного сигнала. В идеальном случае ключ должен
обладать нулевым сопротивлением в замкнутом состоянии и
бесконечным в разомкнутом. При этом в любой момент вре-
мени произведение тока, протекающего через ключ, и напря-
жения на нем будет равно нулю, т. е. на ключе не рассеивается
мощность. Поэтому в случае идеального ключа электронный
КПД равен 100%. Для реальных АЭ падение напряжения в
замкнутом состоянии uост не равно нулю. Например, для тран-
зисторных генераторов остаточное напряжение равно
uост = Ikm /Sгр = Ikm rнас = Icm Rси,
где I km – амплитуда импульса коллекторного тока;
S гр – крутизна линии граничного режима;
rнас = 1/Sгр – сопротивление насыщения;
Icm – максимальный ток стока транзистора;
Rси – сопротивление канала.
В идеализированном случае, т. е. без учета паразитных парамет-
ров и инерционных свойств АЭ импульсы выходного тока и напря-
жения имеют прямоугольную или косинусоидальную форму с углом
отсечки θ. Последовательность этих импульсов можно разложить в
ряд Фурье.
Для прямоугольных импульсов коллекторного тока ряд Фурье
имеет следующий вид:
i k = I km [αоп(θ) + α1п(θ)cos ωt + α2п(θ)cos 2ωt + …],
где α0п(θ) = θ/π и αnп(θ) = 2sin nθ/(nπ) – коэффициенты разложения
для прямоугольного импульса;
n – номер гармоники.
В частном случае при θ = π/2 ряд Фурье имеет вид
⎡1 2 ∞
sin( nπ / 2) ⎤
ik = I km ⎢ +
⎣2 π
∑
n =1 n
cos(nω t )⎥ .
⎦
Важно отметить, что этот ряд содержит только нечетные гармони-
ки тока, так как при четных n величина sin (nπ/2) обращается в нуль,
т. е. можно полагать, что при θ = π/2 номера гармоник тока равны
n = 2m – 1, где m = 1, 2, 3,…. При θ = π/2 амплитуда первой гармони-
ки коллекторного тока максимальна и равна I k1= 2Ikm/π = 0,637 Ikm.
ОБЩИЕ РАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ 89
Для косинусоидальных импульсов тока ряд Фурье имеет следу-

ющий вид:
i k = I km [αо (θ) + α1(θ) cos ωt + α2(θ) cos 2ωt + …],
где αо(θ) и αn(θ) – коэффициенты разложения косинусоидально-
го импульса. При θ = π/2 эти коэффициенты равны αо(π/2) = 1/π,
α1(π/2) = 0,5.
В ключевых генераторах вводятся два значения коэффициента
полезного действия:
• КПД преобразования ηп = ηe = Рн /Ро, (этот КПД также назы-
вают электронным и обозначают ηe) и
• КПД по первой гармонике η1 = Р1 /Ро,
где Рн – полная мощность, поступающая на нагрузку;
Р1 – мощность первой гармоники;
Р0 – мощность, потребляемая выходной цепью АЭ от ис-
точника питания.
В расчетных соотношениях КУМ на полевых транзисторах нужно
заменить ток коллектора Iк на ток стока Iс, напряжение коллектор-
эмиттер Uк на напряжение сток-исток Uси и сопротивление rнас на
сопротивление канала Rси отк. При оценке параметров КУМ можно
принять, что для современных БТ отношение напряжений равно
uост/Ек = 0,03…0,1; для полевого транзистора с длинным каналом
uост/Ес = 0,2…0,3; для ПТ с коротким каналом uост/Ес = 0,05…0,12
[72].
Мощность коммутативных потерь, обусловленная наличием па-
разитной емкости С п, равна
Рком = 0,5 Е2 Сп fр,
где Е – напряжение на емкости Сп; fр – рабочая частота КУМ.
Ключевые ГВВ подразделяются на три класса: генераторы с ре-
зистивной нагрузкой, генераторы с фильтровой (резонансной) на-
грузкой и генераторы с формирующим контуром [73]. Достоинством
ключевых генераторов с резистивной нагрузкой является широко-
полосность, однако их высокие энергетические показатели реализу-
ются лишь на относительно низких частотах. С ростом частоты ска-
зывается инерционность транзистора, влияние выходных емкостей
и индуктивностей выводов транзисторов и т. д. Наиболее высоко-
частотными являются ГВВ с формирующим контуром (генераторы
класса Е) [72, 73, 92, 104].
5.2. Ключевые широкополосные усилители

В простейшем случае ключевой режим может быть реализован в
широкополосном усилителе, схема и идеализированные временные
диаграммы которого приведены на рис. 5.1, а, б.
Для схемы рис. 5.1 выполняются следующие соотношения [51,
71–73]:
• мощность, потребляемая от источника коллекторного пита-
ния, равна
Р0 = Ек Iк0 = Ек Ikm θ/π;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе, равна
Рк = θ Ikm uост/π;
• полная мощность, поступающая в нагрузку, Рн = Р0 – Рк;
• мощность первой гармоники, поступающая в нагрузку
2
Р1 = 4 Ек Ikm ⎛⎜1 − U ОСТ ⎞⎛ sin θ ⎞ ;
⎟⎟⎜ ⎟
⎜
⎝ Ек ⎠⎝ π ⎠
Eк L2 iL C2
C1 iк
uк
Rн
L1
а
iк
I кm τu
Iк
0
−θ 0 θ 2π ωt
uк
Uк Eк
U кm
0 u ОСТ ωt
б
Рис. 5.1. Широкополосный КУМ на биполярном транзисторе:
а – схема; б – временные диаграммы
КЛЮЧЕВЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 91
• КПД преобразования: ηп = Рн/Р0 = 1 − uост/Ек;

• КПД по первой гармонике
4 ⎛ U ОСТ ⎞ sin 2 θ
η1 = Р1 /Р0 = ⎜1 − ⎟ ;
π ⎝⎜ Ек ⎠⎟ θ
• максимальное напряжение на коллекторе транзистора
U km = 2Uk + uост = 2Е к – uост;
• напряжение Uk равно Uk = Ек – uост;
• сопротивление нагрузки при θ = π/2: Rн = 2(Ек – uост)/Ikm.
На рис. 5.2 приведена схема широкополосного КУМ на
MOFET-транзисторе IRFZ48 [74]. На затвор транзистора поступают
прямоугольные импульсы напряжения с входа специализированной
микросхемы DA1 типа КР1033ЕУ16Б (аналог UC3845 ). Параметры
микросхемы: максимальная частота генератора 500 кГц; максималь-
ный коэффициент заполнения импульсов ШИМ 50%; ток потреб-
ления в рабочем режиме 17 мА; максимальное напряжение питания
30 В. Микросхема DA1 обеспечивает защиту транзистора VT1 от
перегрузки по току. Как только пороговое напряжение Uпор= Uи на
входе 3 микросхемы превысит 1 В, выход 6 замкнется на корпус и
транзистор отключится.
Т1 w2
+ 25 В
Ес
+ II RН UН
C5 C6 VD1
R 5 10к
1000,0 0,1 +
I C7
III 1,0
w1
DA1 Ic
C 1 470 1 COMP VT1
Ucc 7 UСИ
2 FB 6 U "
R1 OUT
3
" вых
100к 5 GND SEN
4 R/ C REF
8 R3 1к
+2 ,5В C4
R4 0,1 U
1000 И
C2 R 2 18к
4700 + 5В C3 0,1
Рис. 5.2. Широкополосный КУМ на MOSFET-транзисторе

Таким образом, величина максимально допустимого тока стока

транзистора VT1 зависит от величины сопротивления R4. Микро-
схема DA1 обеспечивает и стабилизацию выходного напряжения
усилителя. Напряжение с обмотки III трансформатора Т1 (рис. 5.2)
через резистор R5 поступает на вход 2 микросхемы DA1 и управляет
длительностью импульса на ее выходе (период следования импуль-
сов остается неизменным). Чем больше напряжение на выводе 2
микросхемы, тем меньше длительность импульса на затворе VT1
и, следовательно, тем меньше напряжение на вторичных обмотках
трансформатора. Это будет продолжаться до тех пор, пока на выво-
де 2 микросхемы DA1 не установится напряжение +2,5 В.
Для схемы КУМ, приведенной на рис. 5.2, при θ = π/2 выполня-
ются следующие соотношения:
• мощность, потребляемая от источника питания, равна
Ро = 0,5 Еc Iс;
• полная мощность, поступающая в нагрузку, равна
Рн = 0,5(Еc – uост) Ic = 0,5 I2cR'н = 0,5 U2н/Rн;
• мощность, рассеиваемая на стоке: Рс = 0,5 Ic uост;
• КПД преобразования ηп = 1 – uост/Ес ,
где R'н = (Ес – uост)/Ic = Rн/n2 – сопротивление нагрузки, пе-
ресчитанное к первичной обмотке трансформатора Т1;
Ро, Рн и Рс – мощности, средние за период следования им-
пульсов.
5.3. Усилители с последовательным

колебательным контуром в цепи нагрузки
На рис. 5.3, а, б приведены схема и идеализированные временные
диаграммы КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки (аналогичная схема на комплементарной паре
MOSFET-транзисторов приведена на рис. 6.3) [51, 58, 71–73, 91,
104]. В идеализированной схеме рис. 5.3, а коллекторный ток имеет
форму косинусоидальных импульсов с углом отсечки 90о, а коллек-
торное напряжение – прямоугольную форму.
Для схемы рис. 5.3, а из расчета на один транзистор и при угле
отсечки θ = π/2 справедливы следующие соотношения [51, 71, 73]:
Ukm = 2 Ek; Ik0 = Ikm/π; Ik1 = Ikm/2;
УСИЛИТЕЛИ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ КОЛЕБАТЕЛЬНЫМ КОНТУРОМ В ЦЕПИ... 93
• амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе

Uk1 = 4Ek/π – uост;
• мощность, потребляемая от источника коллекторного пита-
ния, равна
Р0 = Ек Iкm /π;
• мощность первой гармоники, поступающая в нагрузку:
Ек I к m ⎡ π uoст ⎤
P1 = ⎢1 − ⎥;
π ⎣ 4 Ек ⎦
• мощность, рассеиваемая на коллекторе каждого транзисто-
ра, равна
I к m uoст I к2m rнас
P'к=P"к= = ;
4 4
2 Eк L С
VT ' i'к
u'к
Lк Cк
VT ' i'к'
u'к' Rн
а
i'к
0 ωt
i'к'
I кm
−θ 0 θ ωt
u'к'
Ек U кт
uОСТ
0 π ωt
б
Рис. 5.3. КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки: а – схема; б – временные диаграммы
• КПД преобразования и КПД по первой гармонике равен
ηп = 1 − π
u ост
= η1;
4 Ек
• сопротивление нагрузки равно
RН= 4 Ек ⎛⎜1 − π uост ⎞⎟ ;

π I к m ⎝⎜ 4 Ек ⎟⎠
• суммарная мощность в нагрузке равна
PН = 2P1.
5.4. Усилители с параллельным

колебательным контуром в цепи нагрузки
На рис. 5.4, а, б приведены схема и идеализированные временные
диаграммы КУМ с параллельным колебательным контуром в
цепи нагрузки (входные цепи не показаны). Колебательный контур
КУМ настроен на частоту первой гармоники входного воздействия.
В идеализированной схеме рис. 5.4, а коллекторный ток имеет пря-
моугольную форму, а напряжение на коллекторах – форму косину-
соидальных импульсов.
Для схемы рис. 5.4, а из расчета на один транзистор при угле
отсечки θ = π/2 справедливы следующие соотношения [51, 71, 73]:
Uкm = π (Eк – uост) ≈ πЕк; Iко = Iкm/2; Iк1 = 2Iкm/π ;
• амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе
равна
Uк1 = 0,5 Uк;
• напряжение питания коллектора Ек = uост + Uк/π;
• мощность источника питания равна P0 = Eк Iкm/2;
• мощность первой гармоники, поступающая в нагрузку,
P1 = 0,5 Iкm (Ек – uост);
• мощность, рассеиваемая на коллекторе каждого транзисто-
ра, равна
P′к=P"к= 0,5Iкm uост;
• КПД преобразования и КПД по первой гармонике равны
ηп = 1 − uост /Ек = η1;
КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ КЛАССА Е. 95
iк'
u'к
Ск
Lк Rн
L
iк''
+ Eк
С
а
iк
I кm
−θ 0 θ ωt
iк''
0 ωt
u'к
Uк
E
u'к' 0 uост ωt
U кm
0 ωt
б
Рис. 5.4. КУМ с параллельным контуром в цепи нагрузки:
а – схема; б – диаграммы
• сопротивление нагрузки равно RН = 0,5 πUк/Iкm;

• суммарная мощность в нагрузке равна PН=2P1.
5.5. Ключевые усилители класса Е

Недостатки ГВВ в ключевом режиме с активной нагрузкой – быс-
трый рост потерь с увеличением рабочей частоты и низкий коэф-
фициент усиления по мощности – ограничивают область их при-
менения. Существенно ниже потери на высоких частотах имеют
генераторы с формирующим контуром (класса Е) [39, 48, 58, 72, 73,

90–92, 104]. В таких генераторах паразитные реактивности входят
в состав выходного колебательного контура. В режиме класса Е вы-
бором параметров выходной цепи АЭ предотвращают одновремен-
ное наличие значительного напряжения и значительного тока АЭ и
добиваются медленного возрастания напряжения на АЭ в процессе
переключения. В результате удается снизить мощность коммута-
тивных потерь и тем самым улучшить энергетические показатели
усилителя.
Схемы ГВВ в ключевом режиме с активной нагрузкой (см.
рис. 5.1, а) и формирующим контуром могут быть одинаковыми;
различия заключаются лишь в том, что в схеме с формирующим
контуром некоторые реактивные элементы образуют колебательный
контур, настроенный на частоту, близкую к рабочей. Максимальная
рабочая частота усилителей мощности в классе Е в 2…15 раз выше,
чем для УМ с активной нагрузкой и составляет сотни мегагерц [72,
73, 92]. Однако максимальное напряжение на выходном электроде
АЭ в 3…4 раза превышает напряжение питания, в связи с чем при-
ходится выбирать пониженные значения напряжения питания АЭ,
что несколько снижает выходную мощность и КПД генераторов.
5.6. Активные элементы ключевых

В ключевых генераторах используются электровакуумные, ионные
(газоразрядные) и полупроводниковые приборы: триоды, лучевые
тетроды, пентоды, тиратроны, таситроны, тиристоры, биполярные и
полевые транзисторы, а также разработанные в последние годы но-
вые полупроводниковые приборы: MOSFET и IGBI – транзисторы
и реверсивно включаемый динистор (РВД). Параметры некоторых
АЭ даны в приложении, разд. 1 и подразд. 11.4. Параметры некото-
рых РВД приведены в табл. 5.1 [67]. В табл. 5.1 обозначено:
Umax – максимально допустимое постоянное напряжение на
динисторе;
I – ток динистора;
uост – остаточное напряжение на открытом динисторе;
Iу – ток управления;
tвыкл. – время выключения.
Таблица 5.1. Параметры РВД
Тип
Umax ,кВ I, А Uост ,В Iу ,А tвыкл, мкс
прибора
РВД-Б-56 1,2 200 000 30 800 800

РВД-В-24 2,5 5000 10 200 200
РВД-Н-24 1,0 300 5 25 25
Критическая скорость нарастания напряжения для всех типов
динисторов не менее 1кВ/мкс.
Ключевые усилители мощности (КУМ) на основе динисторов
РВД-Н-24 на частоте 50 кГц имеют выходную мощность 50 кВт.
КУМ на основе блока динисторов РВД-В-76 коммутирует импульсы
тока 15 000 А при U = 10 кВ (мощность 150 МВт), длительности им-
пульсов 30 мкс и частоте переключений 1 кГц [67]. В ламповых КУМ
при КПД до 95% получают мощность несколько сот киловатт на
частотах до единиц мегагерц; в тиристорных КУМ получают сотни
киловатт на частотах до сотен килогерц; в транзисторных – десятки
киловатт на частотах до сотен килогерц и сотен ватт на частотах до
100 МГц. На LDMOSFET-транзисторах типа MRF184 разработаны
КУМ с выходной мощностью 36 и 63 Вт на частоте 910 МГц при
КПД 72% [92].
5.1. Каковы достоинства ключевого режима работы АЭ?
5.2. Каковы особенности ключевых усилителей мощности с точки
зрения: а) режима работы АЭ; б) выходных параметров?
5.3. Оцените величину максимального электронного КПД генера-
тора в различных режимах работы: а) линейном; б) с отсечкой
тока; в) ключевом.
5.4. В граничном режиме работы АЭ получена колебательная мощ-
ность 100 Вт при электронном КПД равном 0,7. Полагая, что
величина выходной мощности ограничена лишь допустимой
мощностью рассеяния активного элемента Рк, определите мак-
симальную колебательную мощность этого АЭ в ключевом
режиме при электронном КПД, равном: а) 0,8; б) 0,9; в) 0,95;
г) 0,98.
5.5. Нарисуйте эквивалентную схему выходной цепи КУМ. Какие

факторы ограничивают величину электронного КПД?
5.6. Какие факторы ограничивают максимальную рабочую частоту
КУМ?
5.7. Какие АЭ используют при построении КУМ?
5.8. Каким основным требованиям должны удовлетворять активные
элементы мощных КУМ?
5.9. Каковы рекордные параметры КУМ, использующих: а) элект-
ронные лампы; б) транзисторы; в) тиристоры? Каковы пути
повышения мощности КУМ?
5.10. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов при
их использовании в КУМ.
5.11. Сравните свойства КУМ на MOSFET, IGBT и биполярных
транзисторах.
5.12. Дайте примеры использования мощных высокочастотных
генераторов в: а) технологических установках; б) медицине;
в) быту; г) лазерной технике; д) радиотехнике.
Широкополосные КУМ
5.13. Определите максимальное значение полной мощности, посту-
пающей в нагрузку, и соответствующий ей КПД преобразования
ηп широкополосного КУМ при использовании в качестве клю-
ча: а) тетрода ГУ-53Б (Ia max= 30 А); б) биполярного транзистора
2Т947А; в) полевого транзистора 2П928А; г) MOSFET-тран-
зистора КП752Б; д) IGBI-транзистора IXLF19N250A; е) РВД-
Б-5; ж) РВД-В-24; з) РВД-Н-24 (прил. 1–5 и табл. 5.1).
5.14. Для широкополосного КУМ (рис. 5.1, а) изобразите и объяс-
ните временные диаграммы напряжений на базе транзистора,
на конденсаторе С2 и нагрузке, а также тока iL через дроссель
и напряжения на дросселе.
5.15. Из каких соображений определяют величину элементов С2 и
L2 широкополосного КУМ (рис. 5.1, а)?
5.16. Почему напряжение на коллекторе закрытого транзистора
широкополосного КУМ (рис. 5.1, а, б) почти вдвое превышает
напряжение питания Ек?
5.17. Почему в широкополосном КУМ (рис. 5.1, а) КПД по первой
гармонике меньше КПД преобразования?
5.18. Как в широкополосном КУМ можно выделить на нагрузке
сигнал только первой гармоники?
5.19. Из числа представленных в прил. 6 IGBT-транзисторов оп-
ределите транзистор: а) с наименьшим сопротивлением насы-
щения; б) обеспечивающий самый высокий КПД преобразова-

ния широкополосного КУМ; в) обеспечивающий наибольшую
мощность в нагрузке широкополосного КУМ.
5.20. Для широкополосного КУМ (рис. 5.1, а) определите величину
угла отсечки для получения: а) наибольшей мощности первой
гармоники; б) наибольшего КПД по первой гармонике.
5.21. Для широкополосного КУМ (рис. 5.1) получите расчетные
соотношения для определения: а) мощности, рассеиваемой на
коллекторе; б) мощности первой гармоники, поступающей в на-
грузку; в) КПД преобразования; г) сопротивления нагрузки.
5.22. Поясните назначение элементов КУМ на рис. 5.2.
5.23. Постройте идеализированные временные диаграммы напря-
жений на нагрузке, затворе, истоке и стоке транзистора VT1
(рис. 5.2) при токе стока 2 А и w2/w1 = 0,5.
5.24. Сравните свойства КУМ, изображенных на рис. 5.1 и 5.2.
5.25. Определите КПД преобразования КУМ при указанных на
рис. 5.2 параметрах схемы, если ток стока транзистора IRFZ48
равен: а) 2А; б) 4А; в) 8А; г) 16А.
5.26. Как осуществляется защита транзистора VT1 (рис. 5.2) от пе-
регрузки по току? Определите максимальный ток стока для
указанных на рис. 5.2 параметров схемы.
5.27. Определите мгновенную мощность, рассеиваемую транзисто-
ром VT1 задачи 5.26 при коротком замыкании нагрузки.
5.28. Получите расчетные соотношения для определения парамет-
ров КУМ (рис. 5.2) при угле отсечки θ = 0,5π: а) средних за
период следования импульсов мощностей Р0, Рн и рассеиваемой
стоком транзистора Рс; б) КПД преобразования; в) сопротивле-
ния нагрузки R'н = Rн/n2.
5.29. Получите расчетное соотношение для определения тока стока
транзистора VT1 усилителя (рис. 5.2) при заданной мощности
в нагрузке Рн, если известны параметры транзистора и напря-
жение питания Ес.
5.30. При указанных на рис. 5.2 параметрах схемы усилителя на
транзисторе IRFZ48 и θ = 0,5π определите мощности Рн и Рс, а
также КПД преобразования ηп, ток стока транзистора Iс, напря-
жения uост и Uи, сопротивление нагрузки транзистора R'H и ко-
эффициент трансформации n = w2/w1. Сопротивление нагрузки
усилителя равно RH = 75 Ом, напряжение на нагрузке равно:
а) 40; б) 80; в) 120 В. Потерями в трансформаторе и резисторе
R4 можно пренебречь.
5.31. Определите сопротивление резистора R4 широкополосного КУМ

(задача 5.30), при котором максимальный ток стока транзистора
не превысит: а) 1,7 А; б) 6,8 А; в) 15,4 А, а также мгновенную
мощность, рассеиваемую стоком транзистора при срабатывании
устройства защиты в случае короткого замыкания нагрузки.
КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки
5.32. Для схемы рис. 5.3, а изобразите и объясните временные диа-
граммы напряжений на базах транзисторов, коллекторных то-
ков и напряжений, а также тока нагрузки.
5.33. В усилителе с последовательным колебательным контуром
(рис. 5.3, а) использованы транзисторы: а) 2Т947А; б) 2Т956А
(прил. 2). При максимальном использовании транзисторов по
напряжению Eкэ max и току Iки max определите мощность первой
гармоники в нагрузке, мощность потерь, мощность источни-
ка питания и КПД по первой гармонике для верхней частоты
средневолнового диапазона (1,7 МГц). Инерционностью тран-
зисторов и коммутативными потерями пренебречь.
5.34. Определите мощность коммутативных потерь в КУМ (зада-
ча 5.33), обусловленную емкостью коллекторного перехода.
Оцените влияние этих потерь на величину КПД.
5.35. Для КУМ с последовательным колебательным контуром в
цепи нагрузки (рис. 5.3, а) из расчета на один транзистор и при
угле отсечки θ = 0,5π получите соотношения для определения:
а) токов Iк0 и Iк1, напряжения UKl и сопротивления нагрузки RH;
б) мощностей Р0, Р1 и Р″к; в) КПД преобразования ηп и КПД по
первой гармонике η1.
КУМ с параллельным колебательным контуром
в цепи нагрузки
5.36. В КУМ с параллельным колебательным контуром в цепи на-
грузки угол отсечки равен π/2. Из приборов №1…5 (прил. 5)
в КУМ использован транзистор с: а) наименьшим остаточ-
ным напряжением; б) наибольшим остаточным напряжением;
в) наибольшей коммутирующей мощностью; г) наименьшим
временем коммутации. Определите КПД преобразования
КУМ для случая, когда максимально допустимое напряже-
ние на стоке использованного MOSFET-транзистора равно
Uc_max=Eси max.
5.37. Для КУМ с параллельным колебательным контуром в цепи

нагрузки (рис. 5.4, а) из расчета на один транзистор и при
угле отсечки θ = π/2 получите соотношения для определения:
а) токов Iк0 и Iк1, напряжений Uк1 и Ек, а также сопротивления
нагрузки RH ; б) мощностей Р0, Р1 и Р′к; в) КПД преобразования
ηп и по первой гармонике η1.
Сравнение схем КУМ
5.38. Как происходит формирование прямоугольных импульсов на-
пряжения в схеме КУМ, изображенной на рис. 5.3, а и импуль-
сов тока – в схеме рис. 5.4, а?
5.39. Получите расчетные соотношения для определения сопротив-
ления нагрузки КУМ: а) широкополосного (рис. 5.1, а); б) с
последовательным колебательным контуром в цепи нагрузки
(рис. 5.3, а); в) с параллельным колебательным контуром в
цепи нагрузки (рис. 5.4, а).
5.40. Сравните величину мощности в нагрузке и КПД КУМ с пос-
ледовательным (рис. 5.3, а) и параллельным (рис. 5.4, а) ко-
лебательным контуром в цепи нагрузки при: а) одинаковых
напряжениях питания Eп и максимальных токах транзисторов
Ikm; б) при одинаковом использовании транзисторов по напря-
жению Ukm и току Ikm.
5.41. Какие требования предъявляют к выходной цепи УМ для ре-
ализации класса Е?
5.42. В каком диапазоне частот и почему целесообразно использо-
вать ТУМ в режиме класса Е?
5.43. Сравните свойства ключевых УМ: с формирующим контуром
и с активной нагрузкой?
СЛОЖЕНИЕ
6 МОЩНОСТЕЙ
ГЕНЕРАТОРОВ
6.1. Параллельное включение активных

элементов
Параллельное включение АЭ является простейшим решением зада-
чи увеличения мощности генераторов. При параллельном включе-
нии АЭ их напряжения и граничные частоты остаются такими же,
что и у одного АЭ, а токи, мощности и междуэлектродные емкости
складываются. Таким образом, N приборов при параллельной работе
могут теоретически дать в N раз большую мощность, чем один АЭ.
Комбинацию из N параллельно включенных АЭ, каждый из которых
имеет параметры S, Sгр, Е и т. п. можно рассматривать как один АЭ
с параметрами NS, NSгр, Е и т. п. Коэффициенты усиления генера-
тора по мощности и КПД остаются такими же, как при использо-
вании одного АЭ. Входная мощность генератора и потребляемая от
источника питания возрастают в N раз, а сопротивление нагрузки и
входное сопротивление в N раз уменьшаются.
На рис. 6.1 показана схема параллельного включения транзисто-
ров с разделением входных и выходных цепей, а также цепей кол-
лекторного питания [58, 72]. Для выравнивания эмиттерных токов
транзисторов использованы реактивные симметрирующие цепи на
индуктивностях L2 и L3. Транзисторы VT1 и VT2 включены по схе-
ме с ОБ. В усилителе с ОБ имеется 100%-ая ООС по току, снижаю-
щая уровень гармоник. Схема рис. 6.1 пригодна для использования
в УКВ и нижней части СВЧ-диапазонов.
ДВУХТАКТНОЕ ВКЛЮЧЕНИЕ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 103
С3 Iк' 0
А
L4
С7
L2 I к' L6 + Eк
С2
I э' VT1
С5
L3 С8
I к''
С1 L7 Uн Rн
I э'' VT 2 С6 С9
L1
L5
Iк'' 0
А
С4
Рис. 6.1. Усилитель на параллельно включенных транзисторах

с реактивными симметрирующими связями
При параллельном включении двух транзисторов напряже-

ние на нагрузке зависит от токов транзисторов I′к1 и I″к1 и равно
UН = (I′к1 + I″к1)Rн, а сопротивления R′н и R″н, на которые эти тран-
зисторы работают, равны [39, 71, 72]:
Rн′ = U н / I к′1 = Rн (1 + I k′′1 / I k′ 1 ) ;
Rн′′ = U н / I к′′1 = Rн (1 + I k′ 1 / I k′′1 ) .
Из этих соотношений видно, что сопротивление нагрузки одного
транзистора зависит от тока другого.
6.2. Двухтактное включение активных

элементов
Один из вариантов двухтактной схемы сложения мощностей двух
ГП приведен на рис. 6.2 [32, 71]. Напряжение возбуждения подается
на входы транзисторов VT′ и VT″ в противофазе, в результате чего
импульсы коллекторных токов транзисторов оказываются сдвину-
тыми на половину периода, в силу чего схему и называют двухтак-
тной. В двухтактной схеме сопротивления на первой гармонике R′н
и R″н, на которые работают транзисторы, равны [39, 72]:
Rн′ = U к′ / I к1′ = 0, 25Rн (1 + I k1
′′ / I k1
′ );
Rн′′ = U к′′ / I к′′1 = 0 ,25 Rн (1 + I k′ 1 / I k′′1 ) ,
104 СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ
I к' 1 k'
VT '
L2 Uк' С2
L1
С1
L6
Rн
L7 U н
L4 L5
L3 С3
U к'
k'
VT '
Iк' 1
+ Eб С4 + Eк
а б
Рис. 6.2. Двухтактный резонансный усилитель мощности
где Rн – сопротивление нагруженной КС относительно точек k′ и k″

подключения коллекторов транзисторов.
Из приведенных соотношений следует, что при двухтактном вклю-
чении АЭ, как и при их параллельном включении, сопротивление
нагрузки одного транзистора зависит от тока другого транзистора.
Величину блокировочных элементов схемы, показанной на
рис. 6.2, выбирают из условий [72]:
L5 ≥ L6; ωL5 ≥ Rн ; C 4 ≥ 20 / (ω 2 L5).
При точной симметрии плеч блокировочные элементы можно во-
обще не включать.
Для получения выигрыша в фильтрации четных гармоник (в срав-
нении с однотактным генератором) можно использовать, например,
дополнительный трансформатор (рис. 6.2, б) [72]. Этот трансфор-
матор включают между выходом двухтактного генератора (точки k′
и k″) и нагрузкой.
Разновидностью двухтактной схемы является непосредственное
встречно-параллельное соединение АЭ. При использовании комп-
лементарной пары транзисторов схемная реализация получается на-
иболее простой [71] (рис. 6.3). Для устранения сквозных токов через
силовые транзисторы и необходимо обеспечить задержку включе-
ния одного транзистора по отношению к другому. Поэтому в быст-
родействующих усилителях на затворы транзисторов и подают раз-
личные напряжения. На рис. 6.3 транзисторы по переменному току
соединены параллельно, а по постоянному току – последовательно.
МОСТОВЫЕ СХЕМЫ СЛОЖЕНИЯ МОЩНОСТЕЙ 105
2Ec L1 C1
+
Ic
VT'
L2 C2
VT"
Rн
Рис. 6.3. Двухтактный резонансный усилитель

на комплементарных МДП-транзисторах
В схеме использованы MOSFET-транзисторы с p-каналом (VT′) и

n-каналом (VT″). Общими электродами этих транзисторов являют-
ся стоки; при таком включении упрощается размещение транзис-
торов на радиаторе, служащем для отвода тепла. Последовательно
с сопротивлением нагрузки включен колебательный контур L2C2,
настроенный на частоту первой гармоники.
6.3. Мостовые схемы сложения

мощностей
При использовании мостовых схем сложения мощностей двух и
более генераторов обеспечивается их взаимная электрическая раз-
вязка. Каждый генератор работает независимо от других на опти-
мальную для него нагрузку. Под взаимной электрической развязкой
генераторов понимается независимость работы каждого из них от
режимов работы остальных, вплоть до их короткого замыкания (по
высокой частоте) или обрыва. Вследствие этого в мостовых схемах
достигается высокая надежность работы передатчика.
Классическая мостовая схема суммирования мощностей двух
идентичных синфазных генераторов Г1 и Г2, приведенная на рис. 6.4,
содержит четыре резистивных сопротивления [33, 50, 72].
При равенстве сопротивлений R1 = R2 и R3 = R4 выполняется ус-
ловие баланса моста – потенциалы точек Б и Б′ для генератора Г1,
а также точек А и А′ для генератора Г2 будут одинаковыми. При
равенстве потенциалов нагрузка, например, генератора Г1 останется
неизменной даже при коротком замыкании моста в точках Б и Б′
i1 А
R1 R2
u1 Б'
Г1 Б
R4 R3
i2
i2
i1
А'
u2
Γ2
Рис. 6.4. Классическая мостовая схема сложения мощностей
т. е. напряжение от одного из генераторов не поступает на выход

другого, и генераторы работают независимо друг от друга.
При равенстве сопротивлений R1 = R2 = R3 = R4 генераторы на-
гружены на одинаковые сопротивления Zвх1 = Zвх2 = R.
Направления токов i1 и i2 соответствуют действиям напряже-
ний u1 и u2 показанных на рис. 6.4. Токи i1 = u1/2R = I1 cos ωt и
i2 = u2/2R = kI1 (cos ωt + φ)суммируются в нагрузочных сопротив-
лениях R2 и R4 и вычитаются в балластных сопротивлениях R1 и
R3.Суммарные мощности на обоих нагрузочных и балластных со-
противлениях равны [33]:
Рн = I 12 R(1 + k 2 + 2k cos ϕ ) и РБ = I12 R (1 + k 2 − 2 k cos ϕ ) ,
где k = I1/I2 – отношение амплитуд токов, пропорциональное отно-
шению амплитуд генераторов Г1 и Г2;
φ – фазовый сдвиг между токами генераторов Г1 и Г2.
КПД моста равен [72]:
η м = Рн ( Рн + РБ ) = 1 + к 2 + 2к cos ϕ [2(1 + k 2 )].
Практическое использование схемы сложения мощностей рис. 6.4
затруднено, так как обычно имеется один нагрузочный элемент (а не
два, как на рис. 6.4). Кроме того, желательно, чтобы оба генератора
и нагрузка имели общую точку (нулевой потенциал). Реальные мос-
товые устройства выполняются на трансформаторах, LC-элементах
или линиях с распределенными параметрами.
МОСТОВЫЕ СХЕМЫ СЛОЖЕНИЯ МОЩНОСТЕЙ 107
Rвх
Г1 RБ
Rн
Rвх
Г2
RБ
Rвх
Г3
RБ
l
Рис. 6.5. Резонансный мост сложения по току
На рис. 6.5 приведена резонансная схема сложения мощностей

трех однотипных генераторов [32, 33, 71, 72]. Такие схемы, реали-
зуемые на отрезках полосковых или коаксиальных линий, широко
используются на практике. Они пригодны для сложения мощностей
произвольного числа N идентичных генераторов. Схема на рис. 6.5
содержит три одинаковых отрезка коаксиальных линий. Геометри-
ческая длина этих отрезков равна
l = λ л / 4 = 0,25λ / εμ = 0,25ν ф / f ,
где λл – длина волны в линии;
ε и μ – относительная диэлектрическая и магнитная проницае-
мости вещества, наполняющего линию;
ν ф = c / εμ – фазовая скорость волны в линии;
f– частота генератора.
Отрезки линий обеспечивают трансформацию сопротивления
NRн в Rвх и фазовый сдвиг на +90° или –90° с тем расчетом, чтобы
токи N генераторов суммировались в сопротивлении нагрузки Rн и
вычитались (поступая в противофазе) в балластных сопротивлени-
ях RБ. Для получения развязки генераторов и обеспечения их со-
гласования при заданном сопротивлении нагрузки Rн и требуемом
сопротивлении по генераторному входу Rвх должны выполняться
условия [71]:
RБ = Rвх; Z В = N Rн Rв х .
Для наибольшей широкополосности надо выбирать коэффици-

ент трансформации отрезков линий, равным единице. При этом
NRн = RБ = Rвх = ZВ. Относительная ширина рабочего диапазона мо-
жет составлять 10…30% [71].
Токи всех генераторов суммируются в сопротивлении нагрузки Rн
и компенсируются в балластных резисторах RБ = Rвх, включенных
по схеме многолучевой звезды.
В нагрузке и балластных резисторах симметричного моста-сумма-
тора с N идентичными генераторами при отказе (аварии) М генера-
торов соответственно выделяются мощности [32, 39, 58, 72]:
Рн. а в = Р1 N (1 − M / N ) 2 , РБ.ав = PM
1 (1 − M / N ),
где P1 – выходная мощность одного генератора.
Значение КПД моста-сумматора в аварийном режиме равно [39, 58]:
η м.а в = Рн.а в [ Р1 ( N − M ) ] = 1 − M / N .
Уменьшение мощности передатчика при аварии равно
Рн.ав Рн = (1 − M N ) 2 .
Общие вопросы
6.1. С какой целью используют совместную работу АЭ на общую наг-
рузку?
6.2. Перечислите способы сложения мощностей генераторов.
6.3. Каковы свойства блочно-модульного способа сложения мощ-
ностей генераторов?
6.4. Каковы свойства систем сложения мощностей в пространстве
(ФАР)?
6.5. В передатчике фазированной антенной решетки использовано
800 идентичных генераторов на ЛПД АА730Д. Мощность каж-
дого генератора 1 Вт. Определите мощность этого передатчика
при выходе из строя: а) 1; б) 10; в) 100 генераторов.
6.6. Каковы особенности систем сложения мощностей АГ?
Параллельное включение активных элементов
6.7. Каковы достоинства и недостатки генераторов с параллельным
включением АЭ?
6.8. Почему необходима симметрия токов АЭ при их параллельном
включении?
6.9. Перечислите условия, при которых выходная мощность гене-
ратора с параллельным включением АЭ может быть близка к
N-кратной мощности одного АЭ.
6.10. Какие меры принимают для симметрирования режимов тран-
зисторов при их параллельном включении?
6.11. Сравните свойства биполярных и полевых транзисторов при
их параллельном включении.
6.12. Генератор с параллельным включением идентичных транзис-
торов (рис. 6.1) работает в граничном режиме. Мощность в на-
грузке равна 100 Вт, амплитуда напряжения на нагрузке равна
UН = 10 В. В результате аварии транзистор VT2 сгорел. Опре-
делите сопротивление нагрузки RН и напряженность режима
для оставшегося транзистора.
6.13. Генератор на двух идентичных параллельно включенных тет-
родах работает в граничном режиме. Электронный КПД гене-
ратора равен 0,75, потребляемая мощность 6 кВт. В результате
аварии одна из ламп сгорела. Определите мощность потерь на
аноде оставшейся лампы Pa и колебательную мощность генера-
тора P1 до и после аварии.
6.14. Генератор на двух идентичных параллельно включенных
транзисторах работает в перенапряженном режиме, причем
Rk = 2Rк гр. Мощность в нагрузке равна 2 Вт. Определите мощ-
ность в нагрузке при отключении одного из транзисторов, по-
лагая, что в перенапряженном режиме Uk = Uк гр.
6.15. Использовано параллельное включение: а) двух; б) трех иден-
тичных транзисторов. Получите расчетные соотношения для
определения сопротивления по первой гармонике R′н, на кото-
рое работает каждый транзистор.
6.16. Генератор с параллельным включением транзисторов (задача
6.15) работает в граничном режиме. Для каждого из транзис-
торов токи и сопротивления нагрузки соответственно равны
I′к1 = 0,12 А, R′н = 120 Ом. Один из транзисторов сгорел. Опре-
делите напряженность режима и сопротивление нагрузки для
оставшихся транзисторов.
6.17. Начертите схему мощного генератора на параллельно вклю-
ченных транзисторах и поясните назначение ее элементов.
6.18. Сопротивление нагрузки лампового генератора в граничном
режиме работы равно Rн = 36 кОм, амплитуда напряжения

на нагрузке Uн = 9 кВ, коэффициент усиления по мощности
Kp = 50, электронный КПД ηe = 0,8, контурный КПД ηk = 0,75.
Определите входную мощность генератора Pвх, мощность в на-
грузке Pн, мощность источника питания P0 и амплитуду тока
нагрузки Iн. Как изменятся напряженность режима и парамет-
ры генератора при параллельной работе двух таких ламп на
сопротивление нагрузки: а) 10 кОм; б) 18 кОм; в) 36 кОм и
неизменном контурном КПД?
Двухтактное включение активных элементов
6.19. Каковы достоинства и недостатки двухтактных УМ?
6.20. Почему в двухтактных УМ обычно соединяют с корпусом сред-
нюю точку емкостной, а не индуктивной ветви (рис. 6.2, а)?
6.21. Почему в схеме двухтактного УМ (рис. 6.2, а) нельзя подклю-
чать блокировочный конденсатор к средней точке индуктивной
ветви контура?
6.22. Начертите схему двухтактного усилителя на БТ и поясните
назначение его элементов.
6.23. Можно ли без изменения схемы двухтактного УМ (рис. 6.2, а) ис-
пользовать его для: а) удвоения частоты; б) утроения частоты?
6.24. Какой выигрыш в фильтрации четных гармоник дает двухтакт-
ный УМ, схема которого приведена на рис. 6.2, а по сравнению
с однотактным генератором?
6.25. Как добиться малого уровня высших гармоник в нагрузке
двухтактного УМ? Какое ослабление высших гармоник удается
получить практически?
6.26. Почему при построении генераторов с широкополосными ви-
дами АМ или модулируемых короткими импульсами предпоч-
тение отдают двухтактным схемам?
6.27. Начертите схему усилителя мощности с коллекторной моду-
ляцией: а) импульсами микросекундной длительности б) ши-
рокополосным телевизионным сигналом. Какие элементы это-
го генератора могут исказить форму импульса и затрудняют
прохождение высоких частот?
6.28. Определите величину блокировочных элементов L5 и C4
двухтактного УМ (рис. 6.2, а), если f = 20 МГц, L6 = 40 нГн,
Rн =100 Ом.
6.29. Получите расчетные соотношения для определения вели-
чин блокировочных элементов L5 и C4 двухтактного УМ
(рис. 6.2, а).

6.30. Начертите схему экономичного пятиоктавного УМ с малым
уровнем высших гармоник и поясните принцип его работы.
6.31. Почему при построении многооктавных широкополосных уси-
лителей предпочтение отдают двухтактным схемам?
6.32. Резонансное сопротивление нагруженного контура С2, С3, L6,
L7 (рис. 6.2) равно Rн = 100 Ом. Определите величину: а) со-
противления контура относительно точек подключения емкос-
ти С2; б) сопротивлений R′н и R″н, на которые работают тран-
зисторы; в) сопротивления R′н при отключенном транзисторе
VT″.
лений по первой гармонике R′н и R″н, на которые работают
транзисторы двухтактного генератора (рис. 6.2, а).
6.34. Начертите принципиальную схему двухтактного УМ на ком-
плементарной паре транзисторов и поясните назначение его
элементов.
6.35. Начертите эквивалентные схемы двухтактного усилителя на
комплеметарных транзисторах (рис. 6.3): а) по переменному
току; б) по постоянному току.
6.36. Номинальная мощность в нагрузке усилителя на комплеме-
тарной паре транзисторов IRF7309 (рис. 6.3) равна 10 Вт. Как
изменится мощность в нагрузке при отключении транзистора:
а) VT′; б) VT″?
6.37. Определите КПД и мощности Pн, P′с, P″с двухтактного усилите-
ля на комплеметарной паре MOSFET-транзисторов (рис. 6.3)
типа IRF7309 (прил. 4) при напряжении питания 2Eс = 10 В и
максимальном токе стока Iст=2A.
Мостовые схемы сложения мощностей
6.38. Каковы свойства мостовых схем сложения мощностей?
6.39. Дайте классификацию мостовых схем по способу сложения,
частотным свойствам, элементной базе и т. п.
6.40. Объясните принцип работы мостовой схемы сложения мощ-
ностей генераторов. Почему в номинальном режиме работы не
рассеивается мощность на балластном сопротивлении?
6.41. Докажите, что для баланса моста (рис. 6.4) достаточно равенс-
тва отношения сопротивлений: R1/R3 = R2/R4.
6.42. Как изменятся мощности в нагрузочных и балластных сопро-
тивлениях моста-сумматора (рис. 6.4) при противофазной ра-
боте генераторов?
6.43. Как можно избежать потерь мощности в балластных резисторах мос-
та-сумматора (рис. 6.4) при отключении одного из генераторов?
6.44. Как можно сохранить высокий КПД мостовой схемы сложения
мощностей генераторов при отключении нескольких генерато-
ров или изменении соотношения их напряжений?
6.45. Для мостовой схемы сложения мощностей синфазных генера-
торов (рис. 6.4) получите формулы для определения: а) сум-
марной мощности в нагрузочных сопротивлениях; б) суммар-
ной мощности в балластных сопротивлениях; в) КПД моста.
6.46. Для мостовой схемы сложения мощностей генераторов (рис. 6.4)
при произвольных значениях k и φ определите: а) суммарную
мощность в нагрузочных сопротивлениях; б) суммарную мощ-
ность в балластных сопротивлениях; в) КПД моста.
6.47. Постройте график зависимости КПД моста-сумматора от вели-
чины: а) k при φ = 0; б) k при φ = 40°; в) φ при k = 1; г) φ при
k = 0,8.
6.48. Определите допустимый сдвиг фаз генераторов, при котором
КПД моста-сумматора будет не менее 0,87, если амплитуды ге-
нераторов различаются на: а) 20%; б) на 0%.
6.49. Определите допустимое различие амплитуд генераторов, при
котором КПД моста-сумматора равен 0,97, если фазовый сдвиг
между токами генераторов равен: а) 0°; б) 20°.
6.50. Каковы достоинства и недостатки классической мостовой схемы
(рис. 6.4), с точки зрения ее практического использования?
6.51. Какие элементы используют при построении широкополосных
мостовых устройств?
6.52. Какие элементы используют при построении узкодиапазонных
(резонансных) мостовых устройств?
6.53. Почему в резонансных устройствах сложения мощностей гене-
раторов (рис. 6.5) частоты, на которых обеспечивается развязка
генераторных входов, определяются из условия l = (2n + 1)λл/4,
где n = 0,1,2…?
6.54. При синфазной работе двух идентичных генераторов мощность в
нагрузочных резисторах моста-сумматора (рис. 6.4) равна 60 Вт.
Определите: а) КПД моста и мощность в балластных резонато-
рах при номинальном режиме работы; б) КПД моста, мощность
в нагрузочных и балластных резисторах при отключении одного
из генераторов. Объясните полученные результаты.
6.55. В симметричном мосте-сумматоре возможна авария одного
генератора. Определите необходимое количество идентичных

синфазных генераторов моста при допустимом понижении
мощности передатчика на: а) 50%; б) 25%; в) 20%; г) 10%.
6.56. В симметричном мосте-сумматоре с 40 идентичными синфаз-
ными генераторами произошла авария. Определите количест-
ва вышедших из строя генераторов, если мощность в нагрузке
уменьшилась на: а) 50%; б) 20%; в) 10%; г) 5%.
6.57. В симметричном мосте-сумматоре с N идентичными синфазны-
ми генераторами произошла авария М генераторов. Получите
расчетные формулы для определения: а) мощности в нагрузке
Pн ав; б) мощности в балластных резисторах PБ ав; в) КПД моста
в аварийном режиме.
6.58. Почему в мостовых схемах при выходе из строя М генераторов
мощность в нагрузке получается меньшей мощности оставших-
ся (N – М) генераторов?
лений Rвх, RБ и ZВ резонансного моста сложения мощностей
двух идентичных генераторов при заданном сопротивлении на-
грузки Rн из условия: а) одинаковых входных и нагрузочных
сопротивлений; б) получения наибольшей широкополосности
моста.
6.60. В устройстве сложения мощностей трех генераторов (рис. 6.5)
с рабочей частотой 1 ГГц использованы отрезки полосковых
линий. Линии заполнены диэлектриком с ε = 2,4 и μ = 1. Со-
противление нагрузки равно 50 Ом. Определите длину линии
l и величину сопротивлений Rвх, RБ и ZВ из условия: а) полу-
чения наибольшей широкополосности устройства; б) равенства
входных и нагрузочного сопротивлений.
ШИРОКОПОЛОСНЫЕ
7 УСИЛИТЕЛИ
7.1. Абсолютная полоса частот усилителя.

Согласование импедансов
Абсолютную полосу частот усилителя ограничивают инерционные
свойства АЭ и наличие реактивных составляющих в его входной и
выходной цепях. Доказано, что произвольный импеданс невозможно
согласовать с активным сопротивлением на всех частотах или даже
в конечной полосе частот [1, 12].
Типичная схема соединения генератора с нагрузкой показана на
рис. 7.1, где обозначено:
Г – идеальный генератор напряжения U;
RГ – выходное сопротивление генератора;
ЛП – линия передачи (коаксиальная, полосковая и т. п.) с вол-
новым сопротивлением, равным сопротивлению генератора
ZВ = RГ. Наличие в схеме ЛП не обязательно;
СТЦ – согласующе-трансформирующая цепь, преобразующая
данное сопротивление нагрузки в другое сопротивление необ-
ходимой величины. Эта операция называется согласованием
импедансов;
Zн – сопротивление нагрузки (входное сопротивление последую-
щего каскада, антенны и т. п.).
Оценка степени согласования. Проблема согласования импе-
дансов возникает при решении задачи о передаче максимальной
мощности от генератора к нагрузке. Степень согласования характе-
ризуется отличием полного входного сопротивления Zвх в сечении
АБСОЛЮТНАЯ ПОЛОСА ЧАСТОТ УСИЛИТЕЛЯ. СОГЛАСОВАНИЕ ИМПЕДАНСОВ 115
Uпад, Pпад Uотр, Pотр

A
Rг
U Г Г ЛП СТЦ Zн
Z вх
A
Рис. 7.1. Схема соединения генератора с нагрузкой
АА от сопротивления RГ. Для оценки степени согласования можно

использовать различные величины [12, 21, 37]:
• модуль коэффициента отражения
U отр ρ −1 Ротр Рн
Г = = = = 1− ;
U пад ρ +1 Рпад Рпад
• комплексный коэффициент отражения

Г = (Z в х − RГ ) / (Z в х + RГ ) ;
• коэффициенты стоячей и бегущей волны
1+ Г 1
ρ = КСВН = , КБВ = ;
1− Г ρ
2
• коэффициент передачи b = Pн / Рпад = 1 − Г ;
• потери на отражение (рабочее затухание)
a = 1/b = 1/(1 – | Г | 2) = Pпад/Pн, или a = 10 lg(Pпад/Pн), дБ;
• допуск на согласование ln(1 Г max ) ,

где Uпад и Uотр – амплитуда падающей и отраженной волны;
Pпад и Pотр – мощность падающей и отраженной волны;
Pн – мощность в нагрузке. В случае согласованной нагруз-
ки (Zвх = RГ) коэффициент отражения равен нулю и мощность
в нагрузке имеет максимальную величину
2
Рн max = Рпад = 0,5 U пад / Z в х .
116 ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Зависимости рабочего затухания a и допуска на согласование

ln(1/| Г | max) от модуля коэффициента отражения | Г | max, рассчитанные
по приведенным выше формулам, представлены на рис. 7.2.
Теоретические ограничения полосы согласования. На рис. 7.3
представлены простые, но практически очень важные случаи со-
гласования импеданса нагрузки, состоящего из сопротивления R,
шунтированного емкостью С, и сопротивления R с последователь-
но включенной индуктивностью L. Для согласования импедансов
нагрузки и генератора использована согласующе-трансформирую-
щая цепь (СТЦ). Выходная цепь генератора представлена в виде
генератора тока с амплитудой первой гармоники I1. На рис. 7.3, б
емкость С включает выходную емкость АЭ, монтажа, ламповых па-
нелек, реле и т. п.
1
ln
Г max
max
a, дБ
1,6 2,6
1,5 2,4
1,4 2,2
1,3 2,0
1,2
a 1,8
1,1 1,6
1,0 1,4
0,9 1,2
0,8 1,0
0,7 0,8
0,6 0,6
0,5 0,4
0,4 0,2
0
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 Г max
Рис. 7.2. Зависимость рабочего затухания и допуска на согласование
от модуля коэффициента затухания
Z
Zвх Z вх вх L
I1 I1
I
C 1
СТЦ R R СТЦ
C СТЦ
Iн
Iн
а б в
Рис. 7.3. Схемы согласования цепей: а, б – RC, в – RL
Вещественная (резистивная) составляющая входного сопротив-

ления Zвх параллельной RC цепи связана со значением емкости С
соотношением [1, 12, 29, 47, 71]:
∞
π
∫ Re(Z
0
вх )d ω =
2C
.
При использовании идеальной СТЦ (с бесконечным числом N

согласующих элементов) резистивная составляющая входного со-
противления Re(Zвх) постоянна и равна Rвх max в полосе частот Ω.
В остальном спектре частот она равна нулю. Для идеальной СТЦ
справедливо равенство ΩRвх max= π/(2C).
При использовании реальных СТЦ справедливо неравенство
ΩRвх max < π/(2C).
Доказано, что степень согласования, полоса частот, в которой
реализуется согласование, и постоянная времени RC или RL цепи
(рис. 7.3) связаны следующим образом [12]:
∞
1 π
∫ ln Г
0
dω ≤
τ
,
где τ = RC = L/R – постоянная времени RC или RL цепи.

Если величина | Г | постоянна и равна | Г | max в полосе частот Ω и
равна единице на остальных частотах, то из последнего уравнения
вытекает соотношение Ω ln(1/| Г | max) ≤ /τ.
Другими словами, произведение полосы пропускания на мини-
мальную величину ln(1/| Г | max) имеет максимальный предел, оп-
ределяемый постоянной времени RC или RL цепи. Из последних
уравнений также видно, что приближение к полному согласованию,
то есть уменьшение | Г | до сколь угодно малой величины на какой-
либо частоте, приводит к нежелательному использованию площа-
ди, описанной интегралом, и следовательно, к уменьшению полосы
пропускания Ω. Иллюстрацией этих зависимостей применительно к
1 1
ln ln
π Γ π Γ
Ωτ Ωτ
Ω Ω
ω ω
ωс ωн ω ср ωв
a б
Рис. 7.4. Оптимальные частотные характеристики СТЦ:
а – низкочастотной, б – полосовой
низкочастотному случаю является рис. 7.4, а. Если Ω – желаемая ве-

личина полосы частот (на рис. 7.4, а эта полоса равна граничной час-
тоте Ω = ωс), то наилучший возможный допуск согласования равен
[12] [ln(1/| Г |)]max = π/(Ωτ). Очевидно, что наилучшее использование
площади будет в том случае, когда величина ln(1/| Г |) постоянна в
желаемом диапазоне частот и равна нулю вне этого диапазона.
Практически прямоугольная характеристика, показанная на
рис. 7.4, а, не может быть реализована, так как для этого потребова-
лась бы СТЦ с бесконечным числом элементов. Однако при разум-
но ограниченном числе N элементов (звеньев) СТЦ цепи возможно
достаточно хорошее приближение к такой идеальной форме харак-
теристики.
Следует заметить, что сопротивления генератора R Г и наг-
рузки R могут совпадать и различаться, этот факт не является
принципиальным, поскольку теория согласующих цепей и соответс-
твующие методики расчета предусматривают использование идеаль-
ного трансформатора [12, 37]. Этот трансформатор можно включить
в любое сечение цепи (рис 7.1). Во многих случаях его удается за-
менить сочетанием катушек или конденсаторов.
Низкочастотные цепи согласования. На рис. 7.5, а, б показаны
широкополосные ЦС в виде низкочастотных лестничных фильтров
с тремя (N = 3) согласующими элементами (звеньями).
Полосовая цепь согласования получается из низкочастотной
цепи путем настройки на среднюю частоту диапазона ωср каждой
индуктивности с помощью последовательной емкости и каждой ем-
кости с помощью параллельной индуктивности. На рис. 7.6 показана
трехзвенная полосовая ЦС, соответствующая низкочастотной цепи,
изображенной на рис. 7.5, б. Полоса пропускания полосовой цепи
ωв – ωн = Ω после такого преобразования численно равна граничной
L1 L2 НАГРУЗКА НАГРУЗКА
L1
C L
С1 R C1 C2 R
a б
Рис 7.5. Низкочастотные ЦС: а – для параллельной RC-цепи,
б – для последовательной RL-цепи
частоте ωс первоначально взятой идеальной низкочастотной цепи

(рис. 7.4, а, б).
Принцип постоянства ширины полосы [1]. Преобразование сис-
темы, пропускающей нижние частоты в полосовую, обладает одним
простым свойством, имеющим большое значение. Оно заключается
в том, что преобразование катушки в параллельный колебательный
контур или конденсатора в последовательный не влияет на ширину
полосы частот, если остаются неизменными в первом случае вели-
чина индуктивности, а во втором – емкости. Принцип постоянства
ширины полосы при преобразовании системы, пропускающей ниж-
ние частоты, в систему полосовую для частотной характеристики
произвольного вида иллюстрирует рис. 7.7, а, б, где К – модуль ко-
эффициента передачи. На этих рисунках равные интервалы частот
указаны горизонтальными линиями А, В и С.
Зависимость допуска на согласование ln(1/|Г|max) от величины
2/(Ωτ) для различного числа элементов N согласующей лестничной
цепи показана на рис. 7.8 [12]. При N = ∞ эта зависимость является
прямой линией с наклоном, равным π/2, которая в соответствии с
уравнением [ln(1/|Г|)]max = π/(Ωτ) характеризует предельное значе-
ние допуска на согласование. Отсутствие согласующей цепи соот-
ветствует N = 0. На рис. 7.8 обозначено: Ω – полоса частот, в которой
реализуется согласование; τ = RC = L/R – постоянная времени RC
или RL цепи.
НАГРУЗКА
L1 C3 C4
L
L2 C1 C2 L3 R
Рис. 7.6. Трехзвенная полосовая ЦС

A A
B B
ω
C C
а б
Рис. 7.7. К принципу постоянства ширины полосы: а – характеристика ФНЧ;
б – характеристика ПФ, соответствующая характеристике ФНЧ
Следует заметить, что результаты, полученные для цепей с сосре-

доточенными параметрами, могут быть распространены на случай
систем с распределенными параметрами [12].
1
ln
Г max
max N =∞
3,2
7
2,8 5
2,4 3
2
2,0
1
1,6
1,2
0
0,8
0,4
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
2/(Ωτ)
Рис. 7.8. Допуск на согласование лестничной цепи
с N согласующими элементами
УСИЛИТЕЛИ С ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫМИ ФИЛЬТРАМИ 121
7.2. Усилители с переключаемыми

фильтрами
Схема усилителя с переключаемыми фильтрами показана на рис. 7.9
[72], где обозначено:
ГП – генераторный прибор (активный элемент);
Ф – полосовой фильтр (ПФ) или фильтр нижних частот;
СУ – согласующее устройство, обеспечивающее при перестройке
по частоте или изменении параметров нагрузки трансформа-
цию сопротивления Zн в номинальное нагрузочное сопротив-
ление ГП.
Ф1
Вход
ГП СУ
ФN Zн
Рис. 7.9. Структурная схема выходного каскада передатчика

с переключаемыми фильтрами
Идеализированные частотные характеристики фильтров показа-
ны на рис. 7.10, где обозначено:
a – затухание, вносимое фильтром;
ωн и ωв– нижняя и верхняя частота поддиапазона.
Исходя из требований к фильтрации высших гармоник, начиная
со второй, каждый фильтр проектируется на заданное значение за-
α ПОЛОСА
ПОДАВЛЕНИЯ α ПОЛОСА
ПОДАВЛЕНИЯ
ПОЛОСА ПОЛОСА
ПРОЗРАЧНОСТИ ПРОЗРАЧ-
НОСТИ
ω ω
ωн ωв 2ω н 2ωв ω н ωв 2ωн 2ωв
a б
Рис. 7.10. Идеализированные частотные характеристики
фильтров: а – ФНЧ, б – полосового
тухания a в полосе подавления от ω ≥ 2ωн. По этой причине коэф-

фициент перекрытия по частоте i-го фильтра не может быть более
двух (кωi = ωвi /ωнi < 2)По мере приближения кωi → 2 переходная об-
ласть между полосами прозрачности и подавления (от ωв до 2ωн на
рис. 7.10) сужается, что требует резкого усложнения фильтра.
Для транзисторных генераторов на частотах до 30…100 МГц
обычно используют ФНЧ. При одинаковом количестве звеньев они
содержат меньшее количество элементов, чем например, ПФ (см.,
например, рис. 7.5, в и 7.6). На частотах до 30…100 МГц влияние вы-
ходной емкости транзисторов незначительно и к фильтрам предъяв-
ляется только требование фильтрации высших гармоник [72].
В ламповых генераторах влияние выходной емкости сказывается
уже на частотах выше 1…2 МГц и потому необходимо использовать
ПФ. Полоса прозрачности ПФ меньше, чем у ФНЧ (см. рис. 7.10, а, б)
и потому ПФ могут обеспечить и фильтрацию высших гармоник, и
согласование импедансов [72].
7.3. Усилители с раздельными полосами

усиления
Схема усилителя с раздельными полосами усиления показана на
Д – делитель (частотно-разделительное устройство);
ГП – генераторный прибор (активный элемент);
Ф – полосовой фильтр;
С – сумматор (частотно-суммирующее устройство).
Принцип работы такого усилителя состоит в разделении полной
полосы частот передатчика на несколько смежных частотных полос,
ГП1 Ф1
Вход Д С
ГП N ФN Zн
Рис. 7.11. Структурная схема выходного каскада передатчика

с раздельными полосами усиления
УСИЛИТЕЛИ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ УСИЛЕНИЕМ 123
каждая шириной менее октавы, с помощью частотно-разделитель-

ного устройства, содержащего набор фильтров. Такое построение
обеспечивает равномерную частотную характеристику и потому
возможна работа с широкополосными сигналами. За счет повышен-
ного коэффициента использования напряжения питания усилитель
имеет более высокий КПД, чем несколько ГП, соединенных парал-
лельно [58, 71].
Количество фильтров N (рис. 7.9 и 7.11), обеспечивающих полосу
пропускания передатчика от ωвп до ωнп равно (полученное значение
округляют в большую сторону до целого числа),
• при одинаковых коэффициентах перекрытия фильтров кωi
N = lg кωп/lg кωi = ln кωп/ln кωi ;
• при одинаковых абсолютных рабочих полосах пропускания
фильтров ∆ω
N = (ωвп – ωнп)/∆ω,
где кωп = ωвп /ωнп – коэффициент перекрытия передатчика по час-
тоте;
кωi = ωвi /ωнi – коэффициент перекрытия по частоте i-го фильтра.
Абсолютные полосы пропускания фильтров равны:
• первого фильтра f в − f н = f н п (кω1 − 1) ;
• последнего фильтра f в − f н = f в п (1 − 1 / кω N ).
7.4. Усилители с распределенным

усилением
Основу УРУ, объединяющего N активных элементов, составляют
входная и выходная искусственные линии. Схема выходной линии
показана на рис. 7.12. Элементы L и C линии передачи образуют
ФНЧ, волновое сопротивление Zв и граничная частота (частота сре-
за) которого равны [71, 72]:
Z в = L C , ωгр = 2 LC .
Как правило, граничные частоты входной и выходной линий оди-
наковы и равны верхней рабочей частоте усилителя: ωв = ωгр.
Сопротивления нагрузочного Rн и балластного резисторов равны
волновому сопротивлению линии Rн = Rб = ZВ. Входное сопротив-
Cр L L L L Cр
Rб C/2 C C C/2 RН
Рис. 7.12. Схема выходной линии УРУ

ление линии в месте подключения каждого АЭ равно 0,5Zв, так как
нагрузка АЭ представляется в виде параллельного соединения двух
частей линии с входным сопротивлением Zв каждая.
Мощность в нагрузке и КПД УРУ по выходной цепи равны:
U ɧ2 I a12 N 2 Zɜ Ɋɧ 1 I a1 U ɧ 1
Ɋɧ , K g1 (T )[ ,
2Rɧ 8 Ɋ0 4 I a0 ȿ0 4
где Iа1 – амплитуда первой гармоники выходного тока АЭ;
Iа0 – постоянная составляющая выходного тока АЭ;
E0 – напряжение источника питания;
E0 = NI0 E0 – мощность источника питания;
Uн – амплитуда напряжения на нагрузке;
g1(θ) = Iа1/Iа0 – коэффициент формы косинусоидального им-
пульса;
ξ = U н / Е0 – коэффициент использования напряжения питания.
7.5. Двухтактные усилители

Схема двухтактного широкополосного усилителя с трансформатора-
ми на линиях (ТЛ) изображена на рис. 7.13 [29, 47, 58, 71, 86].
Во входную цепь усилителя включены корректирующе-согласу-
ющие цепи КСЦ и входной трансформатор ТЛ, обеспечивающий
симметричное противофазное возбуждение транзисторов. В качес-
тве трансформаторов выходной ЦС использованы линии передачи
(отрезки кабеля) с волновыми сопротивлениями ZВ1 и ZВ2. Линия ZВ2
с волновым сопротивлением ZВ2 = Rн использована для подключения
нагрузки к стокам транзисторов. Линия ZВ1 обеспечивает симметри-
рование плеч схемы по первой гармонике и шунтирование четных
гармоник выходных токов транзисторов.
Эквивалентные схемы выходной цепи усилителя показаны на
рис. 7.14. При противофазном возбуждении транзисторов четные
гармоники их выходных токов будут синфазны. В силу синфазнос-
ДВУХТАКТНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 125
C3
VT1
КСЦ
L4 ZВ1 ZВ2
L1
Вход C1 C2
ТЛ Eз
EC Rн
L2
L3
КСЦ
VT2
C4
Рис. 7.13. Схема двухтактного широкополосного усилителя
ти эти токи не замыкаются через сопротивление нагрузки, а вход-

ное сопротивление линии передачи для них определяется входным
сопротивлением короткозамкнутого отрезка линии ZВ1 длиной l
(рис. 7.14, б): Z в х = j Z В1t g (ωl εμ / с). . В реальных усилителях
длина линии l мала (l λл/4), так что можно принять равенство
тангенса аргументу.
При l λл/4 эквивалентная индуктивность линии равна
Lэ = Z В1l εμ / с,
где l – геометрическая длина линии; ε и μ – относительная величина
диэлектрической и магнитной проницаемости материала, заполня-
ющего внутреннюю полость линии; с – скорость света в вакууме;
VT1
2l Rɧ
Z ɜ1 Z ɜ1 Rɧ
2
Zɜ 1
VT2
Рис. 7.14. Эквивалентные схемы выходной цепи усилителя:

а – полная; б – для синфазных составляющих коллекторного тока;
в – для противофазных составляющих коллекторного тока
λл = λ ε μ = 2πc (ω ε μ ) – длина волны в линии.

При уменьшении величины эквивалентной индуктивности Lэ
уменьшается сопротивление цепи для токов четных гармоник и по-
тому улучшается фильтрация четных гармоник выходного тока.
Входное сопротивление линии передачи для противофазных гар-
моник выходных токов определяется входным сопротивлением ра-
зомкнутой линии длиной l (рис. 7.14, в):
Z в х = − j Z В1ctg (ωl εμ / с).
При малой длине линии (l λл/4), ее эквивалентная емкость
равна
Сэ = l εμ / (с Z В1 ).
Емкость Сэ подключена параллельно выходной цепи транзистора
и вместе с выходной емкостью транзистора шунтирует нагрузку.
Для идеальной СТЦ (рис. 7.3, а) максимальные значения нагру-
зочного сопротивления и мощности в нагрузке, ограниченные вели-
чиной емкости С и рабочей полосой частот Ω, равны [71]:
Rн = π / (2Ω С ) ; Рн max = 0,5 I12 Rн = πI12 / (4Ω C ) .
При большой величине произведения ΩС величина нагрузочно-
го сопротивления получается малой, поэтому мощность в нагрузке
может оказаться существенно ниже номинальной мощности ГП, ко-
торую он мог бы обеспечить в узкой полосе частот.
7.6. Трансформаторы на линиях

При заданных значениях нижней рабочей частоты ωн и сопротивле-
нии нагрузки R величину продольной индуктивности линии транс-
форматора на линиях (ТЛ) определяют из условия
L ≥ 10R/ωн.
Увеличить индуктивность L можно как за счет применения маг-
нитопровода с более высокой магнитной проницаемостью, так и за
счет увеличения числа витков обмотки, то есть увеличения длины
линии. На низких частотах ТЛ «переходит» в обычный трансфор-
матор с магнитной связью между обмотками.
Для расширения диапазона ТЛ в область высоких частот необхо-
димо уменьшать длину линии, чтобы при работе на верхней частоте
fв длина линии была меньше четверти длины волны в линии.
Геометрическая длина линии трансформатора на линиях равна [72]

l = (0,1...0,2)λ л min = (0,1...0,2)с / ( f в ε э ф ),
где λ л min = с / ( f в ε э ф ) – длина волны в линии на верхней рабочей
частоте fв трансформатора; c = 3·108 м/с – скорость света в вакууме;
εэф – эффективная диэлектрическая проницаемость вещества, запол-
няющего линию. Для стандартных кабелей ε э ф ≈ 1,5.
7.1. Какие генераторы принято считать широкодиапазонными?
7.2. Какие абсолютные полосы частот имеют широкодиапазонные
передатчики: а) мириаметровых; б) гектометровых; в) метро-
вых; г) дециметровых и более коротких волн?
7.3. Каковы достоинства широкодиапазонных генераторов без резо-
нансных контуров?
7.4. Каковы преимущества РПУ с широкополосными усилителями
по сравнению с узкополосными?
7.5. Какие факторы ограничивают полосу частот усилителя?
7.6. Какие пути используют для увеличения полосы частот УМ?
7.7. Каковы особенности построения и параметры транзисторных
широкополосных усилителей?
7.8. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов при их
использовании в широкополосных усилителях.
7.9. Каковы особенности построения и параметры ламповых широ-
кополосных усилителей?
Цепи согласования
7.10. Какие пассивные элементы и устройства используют для пос-
троения широкополосных усилителей?
7.11. Сформулируйте требования к: а) выходным; б) межкаскадным
ЦС мощных широкополосных усилителей.
7.12. Дайте примеры использования различных ЦС, изображенных
на рис.: а) 7.3, а; б) 7.3, б; в) 7.3, в.
7.13. Какую конфигурацию имеют СТЦ широкополосных усилите-
лей?
7.14. Изобразите схему широкополосной ЦС для параллельной RC
цепи в полосе частот: а) 0…ωс; б) ωн…ωв.
7.15. Изобразите схему широкополосной ЦС для последовательной

RL цепи в полосе частот: а) 0…ωс; б) ωн…ωв.
Принцип постоянства полосы
7.16. Полоса частот низкочастотной ЦС (рис. 7.5, а) равна 8 МГц.
Как изменится полоса частот при переходе к полосовой цепи
согласования со средней частотой диапазона: а) 80; б) 800;
в) 8000 МГц и неизменных параметрах нагрузки?
7.17. Полоса частот низкочастотной ЦС (рис. 7.5, б) равна 130 МГц.
Как изменится полоса частот при переходе к полосовой ЦС со
средней частотой диапазона: а) 1; б) 5; в) 10 ГГц и неизменных
параметрах нагрузки?
7.18. Докажите, что полоса пропускания 2Δω параллельного колебатель-
ного контура с резонансным сопротивлением R и емкостью С не
зависит от средней частоты полосы пропускания контура, которая
может быть выбрана путем изменения индуктивности контура L.
7.19. Докажите, что полоса пропускания последовательного контура
с сопротивлением потерь r и индуктивностью L не зависит от
средней частоты полосы пропускания контура, которая может
быть выбрана путем изменения емкости контура С.
7.20. Докажите, что частотный интервал между соответствующими
точками частотных характеристик низкочастотной системы в
виде конденсатора С и полосовой системы в виде параллельного
резонансного контура с такой же емкостью С будет одинаков, не-
зависимо от средней частоты полосы пропускания, которая мо-
жет быть выбрана путем изменения индуктивности контура L.
7.21. Докажите, что частотный интервал между соответствующими
точками частотных характеристик низкочастотной системы в
виде индуктивности L и полосовой системы в виде последова-
тельного резонансного контура с такой же индуктивностью L
будет одинаков, независимо от средней частоты полосы про-
пускания, которая может быть выбрана путем изменения ем-
кости контура С.
Параметры цепей согласования

7.22. Как изменится коэффициент передачи СТЦ при увеличении
реактивностей нагрузки: а) емкости С (рис. 7.3, а); б) индук-
тивности L (рис. 7.3, в)?
7.23. Изобразите ЧХ активной составляющей Re(Z) параллельной
RC цепи при сопротивлениях R и R1 > R.
7.24. Изобразите частотные характеристики активной составляющей

Re(Z) параллельной RC цепи (рис. 7.3, а) при использовании
оптимальных СТЦ: а) низкочастотной; б) полосовой.
7.25. Определите наклон прямой на рис. 7.8 при N = ∞.
7.26. Определите полосу частот цепи согласования рис. 7.5 при
| Г | = 0,13 , если: а) R = 600 Ом, С = 15 пФ; б) R = 75 Ом,
С = 13 пФ.
7.27. Определите количество звеньев выходной ЦС УМ, если сопро-
тивление R коллекторной цепи равно 8 Ом, выходная емкость
усилителя 90 пФ, коэффициент передачи цепи – 0,8, полоса
частот равна: а) 220; б) 400; в) 600; г) 850 МГц.
7.28. Определите количество звеньев выходной ЦС лампового гене-
ратора, если сопротивление R анодной цепи равно 4 кОм, вы-
ходная емкость С генератора – 27 пФ, коэффициент передачи
цепи – 0,8, полоса частот равна: а) 7; б) 5,7; в) 5,1; г) 2,7 МГц.
7.29. Определите полосу частот выходной ЦС УМ, если | Г | = 0, 2 ,
сопротивление нагрузки R равно 25 Ом, а паразитная емкость
С, шунтирующая нагрузку, равна 15 пФ. Число согласующих
элементов равно: а) 1; б) 2; в) 3; г) 7; д) ∞.
7.30. Оцените разумное число согласующих элементов предыдущей
задачи.
7.31. Определите допустимую величину емкости, шунтирующей со-
противление R = 2 кОм анодной цепи лампового генератора,
если полоса рабочих частот равна 4 МГц, коэффициент переда-
чи 0,96, число звеньев согласующей полосовой цепи равно 3.
7.32. Для предыдущей задачи начертите возможный вариант поло-
совой цепи согласования.
7.33. Сравните полосы частот низкочастотных выходных ЦС
(рис. 7.3, а) генераторных приборов одинаковой частоты и
мощности: а) транзистора 2П920А (Rc = 3 Ом, Сси = 180 пФ);
б) лампы ГС-41Б (Ra = 1600 Ом, Сa = 20 пФ). Объясните полу-
ченный результат.
7.34. Как изменятся полосы частот предыдущей задачи при исполь-
зовании полосовых ЦС?
7.35. Определите полосу частот задачи 7.33, если N = 2, а КСВН = 1,25.
7.36. Определите величину паразитной индуктивности L в схеме
согласования рис. 7.5, б, если сопротивление нагрузки равно
75 Ом, а коэффициент передачи в полосе 450 МГц равен 0,8.
7.37. Определите полосу рабочих частот трехзвенной полосовой ЦС
фидера и штыревой антенны, сопротивление излучения которой
равно 30 Ом, а последовательная индуктивность – 4,47 мкГн,

если допустимый КСВН цепи равен 2.
7.38. Начертите схему ЦС предыдущей задачи.
7.39. Определите коэффициент передачи ЦС (рис. 7.6) в полосе 36 МГц,
если сопротивление излучения R штыревой антенны равно 30 Ом,
а ее последовательная индуктивность L равна 400 нГн.
7.40. Определите полосу частот низкочастотной ЦС рис. 7.5, б при
рабочем затухании 0,8 дБ, если R = 20 Ом, L = 10 нГн. Число
согласующих элементов равно: а) ∞; б) 5; в) 3; г) 1.
задачи.
7.42. Как изменится полоса частот задачи 7.40 при использовании
полосовой ЦС (рис. 7.6)?
7.43. Определите рабочее затухание низкочастотной ЦС рис. 7.5, б
в полосе 1 ГГц, если R = 10 Ом, L = 5 нГн. Число согласующих
элементов равно: а) ∞; б) 5; в) 3; г) 1.
задачи.
7.45. Определите выигрыш в полосе и разумное число согласую-
щих элементов низкочастотной ЦС рис. 7.3, в при переходе
от N = 0 к числу согласующих элементов: а) 1; б) 2; в) 3, если
Г = 0,45.
7.46. Определите полосу частоты предыдущей задачи при N = 1,
если R = 70 Ом, L = 740 нГн.
7.47. Как изменится полоса частот задачи 7.46 при использовании
полосовой ЦС со средней частотой: а) 150 МГц; б) 1500 МГц?
7.48. Определите количество звеньев входной ЦС усилителя
(рис. 7.3, в), если R = 0,5 Ом; L = 1 нГн; | Г | = 0, 2 . Полоса час-
тот равна: а) 80; б) 100; в) 150; г) 180 МГц.
7.49. Определите допустимую величину индуктивности L входной
цепи усилителя (рис. 7.3, в), если R = 1 Ом; | Г | = 0, 25 Исполь-
. б) 300;
зована однозвенная ЦС. Полоса частот равна: а) 200;
в) 600 МГц.
7.50. Определите допустимую величину индуктивности рассеяния L
согласующего обмоточного трансформатора в схеме согласова-
ния рис. 7.5, б, если R = 50 Ом; коэффициент передачи на вер-
хней граничной частоте равен 0,98. Верхняя граничная частота
равна: а) 20; б) 50; в) 150 МГц.
7.51. Определите рабочее затухание входной ЦС усилителя
(рис. 7.5, б) в полосе 200 МГц, если R = 1 Ом, L = 1,5 нГн.
7.52. Определите разумное число согласующих элементов преды-

дущей задачи.
7.53. Каким требованиям должно удовлетворять сопротивление
Zвх = Rвх + jXвх в схеме рис. 7.1, чтобы в его активной составля-
ющей выделялась наибольшая мощность?
7.54. Для параллельной RC цепи докажите справедливость равенс-
∞
π
тва ∫ Re( z )dω = .
0 2C
Усилители с переключаемыми фильтрами

7.55. Почему коэффициент перекрытия по частоте фильтров гармо-
ник (рис. 7.9) не может быть более двух?
7.56. Получите формулы для определения абсолютной полосы про-
пускания фильтров с одинаковыми коэффициентами перекры-
тия по частоте Kωi а) первого; б) последнего каскада передатчи-
ка с полосой от ωнп до ωвп.
7.57. Каковы а) достоинства; б) недостатки усилителей с переклю-
чаемыми фильтрами (рис. 7.9)?
7.58. Почему в широкополосных ламповых усилителях с переклю-
чаемыми фильтрами (рис. 7.9) обычно используют ПФ, а в
транзисторных – ФНЧ?
7.59. Изобразите частотные характеристики ПФ и ФНЧ предыду-
щей задачи.
7.60. Определите количество переключаемых фильтров транзистор-
ного КВ передатчика, перекрывающего диапазон: а) 1,5…30 МГц;
б) 1,5…90 МГц, если коэффициенты перекрытия по частоте K
всех фильтров одинаковы и равны 1,7.
7.61. Определите абсолютные полосы пропускания первого и пос-
леднего фильтров предыдущей задачи.
7.62. Составьте структурную схему выходного каскада передатчика
задачи 7.60.
7.63. Определите количество переключаемых фильтров лампового
КВ передатчика, перекрывающего диапазон 1,5…30 МГц, если
коэффициенты перекрытия фильтров одинаковы и равны:
а) 1,12; б) 1,2.
7.64. Определите абсолютные полосы пропускания первого и пос-
леднего фильтров предыдущей задачи.
7.65. Составьте структурную схему выходного каскада передатчика
задачи 7.63.
Усилители с раздельными полосами усиления

7.66. Каковы а) достоинства; б) недостатки усилителей с раздельны-
ми полосами усиления?
7.67. Получите формулу для определения количества фильтров с
одинаковыми коэффициентами перекрытия Kωi при заданном
коэффициенте перекрытия передатчика по частоте.
7.68. Определите количество ПФ усилителя с раздельными поло-
сами усиления, перекрывающего диапазон: а) 500…1000 МГц;
б) 1000…2000 МГц, если рабочие полосы пропускания филь-
тров одинаковы и равны 65 МГц.
7.69. Определите коэффициенты перекрытия по частоте первого и
последнего фильтров предыдущей задачи.
7.70. Изобразите структурную схему выходного каскада передатчи-
ка задачи 7.68.
Усилители с распределенным усилением
7.71. Какова область использования УРУ?
7.72. Каковы а) достоинства; б) недостатки УРУ?
7.73. Какая идея положена в основу построения УРУ?
7.74. Сравните свойства однотактных и двухтактных УРУ.
7.75. Какие элементы выходной линии (рис. 7.12) определяют по-
лосу усиления УРУ?
7.76. Получите расчетное соотношение для определения емкости раз-
делительных конденсаторов выходной линии УРУ (рис. 7.12).
7.77. Из каких соображений выбирают величину граничной частоты
и емкости С выходной линии УРУ?
7.78. Как можно повысить КПД УРУ и уменьшить мощность потерь?
7.79. Получите формулу для определения мощности в нагрузке
УРУ при заданных значениях Rн, Iа1 и N.
7.80. Получите формулу для определения КПД УРУ при заданных
значениях Iа1, Iа0, Uн и E0.
7.81. Сравните КПД резонансного усилителя и УРУ при одинако-
вых токах и напряжениях. Объясните полученный результат.
7.82. Определите величину индуктивности L и резисторов Rб, Rн
выходной линии (рис. 7.12) для построения УРУ с верхней ра-
бочей частотой fв = 80 МГц, если выходная емкость АЭ равна:
а) 10; б) 20; в) 40 пФ.
7.83. Определите величину элементов линии Rб, Rн, L и Cр (рис. 7.12)
при полосе рабочих частот: а) 0,1…30 МГц; б) 0,2…50 МГц;
в) 1,0…100 МГц, если выходные емкости ламп равны 30 пФ.
7.84. Определите сопротивление нагрузки, мощность в нагрузке и

КПД УРУ на: а) четырех; б) шести; в) десяти лампах ГУ-82Б,
если Iа1 = 0,8 А, Iа0 = 0,5 А, Uн = 1,8 кВ, E0 = 2 кВ
7.85. В каком режиме работают лампы УРУ предыдущей задачи?
7.86. Сравните мощность в нагрузке и КПД усилителя с распреде-
ленным усилением (задача 7.84) и одноконтурного резонанс-
ного усилителя на одной лампе ГУ-82Б с такими же токами и
напряжениями.
7.87. Определите выходную мощность, сопротивление нагрузки и
верхнюю рабочую частоту УРУ на: а) четырех; б) шести; в) де-
сяти лампах ГУ-70Б, если Iа1 = 0,4 А, Uн = 1230 В, выходная
емкость С лампы равна 10 пФ.
7.88. Сравните широкополосность УРУ предыдущей задачи и оди-
ночного резонансного усилителя на лампе ГУ-70Б с таким же
током Iа1 и напряжением на нагрузке Uн, полагая, что нижняя
рабочая частота УРУ близка к нулю.
7.89. Определите мощность, сопротивление нагрузки и верхнюю
рабочую частоту (без учета частотных свойств транзистора)
УРУ на: а) четырех; б) шести; в) десяти транзисторах КТ980А,
если Iк1 = 11 А, Uн = 45 В, выходная емкость транзистора равна
С = 450 пФ.
7.90. Сравните широкополосность УРУ (задача 7.89) и одиночного
резонансного усилителя на транзисторе КТ980А с таким же
током Iк1 и напряжением на нагрузке Uн, полагая, что нижняя
рабочая частота УРУ близка к нулю.
7.91. Почему при существенно большей выходной емкости тран-
зистора и одинаковых выходных мощностях усилителей (за-
дачи 7.87 и 7.89) верхняя рабочая частота транзисторного УРУ
гораздо больше частоты лампового?
Широкополосные трансформаторы
7.92. Укажите область использования широкополосных трансфор-
маторов с магнитной и электромагнитной связью между об-
мотками.
7.93. Каковы свойства трансформаторов с магнитной связью между
обмотками?
7.94. Какие факторы ограничивают: а) минимальное; б) макси-
мальное значение рабочей частоты обмоточного трансфор-
матора?
7.95. Как можно расширить полосу пропускания обмоточного транс-
форматора?
7.96. Как можно изменить параметры обмоточного трансформатора:

а) увеличить основную индуктивность обмотки; б) уменьшить
индуктивности рассеяния и паразитные емкости?
7.97. Каковы свойства трансформаторов с электромагнитной связью
между обмотками?
7.98. С какой целью в ТЛ отрезки линий наматывают на феррито-
вый сердечник?
7.99. Какие требования предъявляют к сердечникам ТЛ?
7.100. Какие линии используют для построения ТЛ?
7.101. Из каких соображений определяют длину линий ТЛ?
7.102. Как можно расширить полосу пропускания ТЛ?
7.103. Определите необходимую величину продольной индуктивнос-
ти линии ТЛ, если сопротивление нагрузки равно 4,7 Ом, а диа-
пазон рабочих частот трансформатора равен: а) 0,1…100 МГц;
б) 1…300 МГц; в) 50…900 МГц.
7.104. Определите геометрическую длину линии ТЛ предыдущей
задачи, если εэф = 2,1.
Схемы и режимы работы широкополосных усилителей
7.105. Как обеспечить малый уровень гармоник выходного тока АЭ
в: а) однотактной; б) двухтактной схеме широкополосного уси-
лителя мощности ?
7.106. Определите электронный КПД и максимальные значения от-
носительной полосы частот усилителей при работе АЭ: а) в од-
нотактной схеме с углом отсечки 180°; б) в однотактной схеме с
углом отсечки 90°; в) в ключевом режиме с углом отсечки 90°;
г) в двухтактной схеме при косинусоидальной форме импульса
тока АЭ с углом отсечки 90°.
7.107. Составьте и обоснуйте схему УМ, относительная полоса уси-
ливаемых частот которого: а) не превышает октавы; б) почти
три октавы; в) теоретически не ограничена.
7.108. Как повысить степень использования АЭ по мощности при
заданной емкости С выходной цепи усилителя?
7.109. Как расширить абсолютную полосу частот Ω усилителя при
заданной емкости С его выходной цепи?
7.110. Как изменится степень использования АЭ по мощности при их
параллельном включении, если емкость С выходной цепи усилите-
ля образована: а) выходной емкостью АЭ; б) емкостью нагрузки?
7.111. Определите максимальное значение мощности в нагрузке АЭ
(рис. 7.3, а) при идеальной СТЦ и заданных значениях амп-
литуды тока I1, емкости С и полосы согласования. Сравните

величину этой мощности для ламп и транзисторов.
7.112. В каком случае выходную цепь АЭ удобно представлять в
виде генератора тока (рис. 7.3)?
7.113. Поясните назначение элементов: а) входной; б) выходной
цепи широкополосного усилителя (рис. 7.13).
7.114. Начертите схему двухтактного широкополосного усилителя
и поясните назначение элементов схемы.
7.115. Из каких соображений выбирают параметры линии с вол-
новым сопротивлением ZВ1 в схеме усилителя рис. 7.13: а) ве-
личину ее волнового сопротивления; б) длину 2l (рис. 7.14, а);
в) величину ε и μ?
7.116. Из каких соображений определяют величину блокировочных
(L1, L2, L3, L4, C1, C2) и разделительных (С3, С4) элементов
широкополосного усилителя (рис. 7.13).
7.117. Определите длину короткозамкнутого отрезка коаксиальной
линии для получения эквивалентной индуктивности: а) 2; б) 5;
в) 7 нГн, если ZВ = 50 Ом, ε = 2,5, μ = 1, l λл/4.
7.118. Определите величину эквивалентной индуктивности корот-
козамкнутого отрезка полосковой линии длиной: а) 15; б) 20;
в) 35 мм, если ZВ = 20 Ом, ε = 2,1, μ = 1, l λл/4.
7.119. Определите величину эквивалентной емкости разомкнутого
отрезка линии длиной а) 15; б) 20; в) 35 мм, если ZВ = 20 Ом,
ε = 2,1, μ = 1, l λл/4.
7.120. Получите формулу для расчета величины эквивалентной ин-
дуктивности короткозамкнутого отрезка линии при l λл/4.
7.121. Получите формулу для расчета величины эквивалентной ем-
кости разомкнутого отрезка линии при l λл/4.
7.122. Оцените погрешность использования приближенной форму-
лы при расчете эквивалентной реактивности короткозамкнуто-
го отрезка линии с распределенными параметрами, если длина
линии равна: а) 0,1 λл; б) 0,05 λл.
7.123. Оцените погрешность использования приближенной фор-
мулы при расчете эквивалентной реактивности разомкнутого
отрезка линии с распределенными параметрами, если длина
линии равна: а) 0,15 λл; б) 0,03 λл.
УМНОЖИТЕЛИ
8 ЧАСТОТЫ
8.1. Классификация умножителей

частоты
По принципу действия УЧ разделяют на три группы.
В УЧ первой группы (искажающих умножителях) воздействие
периодического колебания с основной частотой ω на нелинейный
элемент дает спектр токов, в котором содержится нужная гармоника
nω. Разновидностью искажающих УЧ являются радиоимпульсные
УЧ [27]. В качестве нелинейного элемента используют электронные
лампы, БТ, ПТ, диоды с накоплением заряда, варакторы, туннельные
диоды и т. п. [14, 27, 40, 50, 58, 69, 71, 72, 91].
В УЧ второй группы (синхронизированных автогенераторах) ав-
тогенераторы (чаще всего типа LC) с частотой, близкой к nω, синхро-
низируют стабильными колебаниями с частотой ω. Синхронизация
на гармонике входного колебания позволяет получить колебания с
частотой в n раз большей входной [27, 28, 35, 52].
В УЧ третьей группы (автогенераторах с фазовой автоподстрой-
кой частоты) автогенератор, делитель частоты и фазовый детектор
соединены в замкнутое кольцо. К АГ, собственная частота которого
близка к nω, подключен делитель частоты на n, выходное напряже-
ние которого подается на ФД. К другому входу ФД подключен ис-
точник колебаний, частота которого ω подлежит умножению. В ре-
зультате сравнения на ФД вырабатывается сигнал, корректирующий
фазу колебаний АГ так, что частота колебаний в нем становится
точно равной nω [39, 58, 71, 91].
УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ С АКТИВНОЙ НЕЛИНЕЙНОСТЬЮ 137
По типу нелинейности УЧ первой группы подразделяются на

два класса: с активной нелинейностью (лампы, БТ и ПТ в режиме
с отсечкой) и с нелинейной реактивностью (емкость p-n-перехода
варактора, коллекторного перехода транзистора и т. д.).
8.2. Параметры умножителей частоты

Основными параметрами УЧ являются:
• кратность (коэффициент) умножения частоты n;
• входная частота fвх или диапазон рабочих частот;
• входная мощность Pвх1 ;
• выходная (полезная) мощность Pп;
• мощность, потребляемая от источника питания P0;
• коэффициент полезного действия η = Pп/P0;
• эффективнось умножителя или коэффициент передачи по
мощности Pп/Pвх1;
• спектральный состав выходного сигнала.
8.3. Умножители частоты с активной

нелинейностью
Основные расчетные соотношения в транзисторных и ламповых ум-
ножителях частоты:
• амплитуда напряжения n-й гармоники на выходе УЧ в гра-
ничном режиме работы АЭ равна
U n.г р = Eξ г р = E [0,5 + 0,5 1 − 8 Pп / (α n (θ ) S г р E 2 ) ] ;

• высота импульса выходного тока АЭ равна
I вых m = S f (U в х − DU n )(1 − cos(θ)) = S f (U в х − DU n ) γ n (θ) / α n (θ);
• постоянная составляющая и амплитуда n-й гармоники вы-
ходного тока АЭ равны
I вых 0 = I вых m α 0 (θ) = S f (U в х − DU n ) γ 0 (θ) ,
I вых n = I вых m α n (θ) = S f (U в х − DU n ) γ n (θ) ;

138 УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ
• колебательная мощность n-й гармоники равна

Pn = 0,5U n I вых n = 0,5U n2 / Rn = 0,5 I вых
2
n Rn ;
• мощность, потребляемая УЧ от источника питания с выход-

ным напряжением E, равна P0 = EIвых 0;
• мощность, рассеиваемая на выходном электроде АЭ, равна
Pрас = P0 – P1;
• электронный КПД умножителя частоты равен
ηe = Pn / P0 = 1 − Pрас / P0 = 0,5ξα n (θ) / α 0 (θ) ;
• общий КПД умножителя частоты равен
η = η eη к = Pп / P0 ,
где E – напряжение питания выходного электрода АЭ;
Pn – колебательная мощность n-й гармоники;
Sгр = 1/rнас – крутизна линии граничного режима АЭ;
αn (θ) – коэффициент разложения косинусоидального им-
пульса при заданном угле отсечки θ;
Uвх – амплитуда напряжения возбуждения;
D – проницаемость АЭ;
Sf – модуль крутизны выходного тока на рабочей частоте.
Rn – сопротивление выходной цепи АЭ току Iвых n;
Pп – полезная мощность генератора (в нагрузке);
ηк = Pп/Pn – контурный КПД;
n = 1, 2, ….
• оптимальный угол отсечки θопт , при котором получаются мак-
симальные значения αn (θ), Pn и Iвых n, равен
θ опт = 120 0 / n .
Расчетные формулы, таблица и графики коэффициентов разло-
жения косинусоидального импульса даны в прил. 6…8.
8.4. Умножители частоты с нелинейной

реактивностью
Различают два режима работы варактора: закрытого перехода и с
частичным открыванием перехода. Варакторы с тормозящим полем
называют также диодами с накоплением заряда (ДНЗ) или с резким

восстановлением обратного сопротивления.
Уравнение баланса мощностей умножителя частоты
Pвх1 = Pn + Pпот ,
где Pпот– суммарная мощность потерь в фильтрах и варакторе.
Добротность варактора с закрытым переходом равна:
Qв = 1 / (ωСб r ) .
где r – последовательное сопротивление потерь варактора – суммар-
ное сопротивление толщи полупроводника, контактных соединений
и выводов диода.
Предельная частота варактора ( при Qв=1) равна:
ωпред = 1 / (Сб r ) .
Основные параметры некоторых умножительных диодов даны в
табл. 8.1, где обозначено:
Cд = Сб + Ск – общая емкость диода при запирающем напряжении 6 В.
Ск – емкость корпуса диода;
Qв – добротность варактора на заданной частоте f.
Таблица 8.1. Параметры умножительных диодов
Тип
КВ106Б КА613А КА608А КА604А КА615А КА617Б
прибора
fпред, ГГц – 20 60 100 600 1000
Cд, пФ 18 7 2,4 0,9 0,3 0,4
Ск, пФ 0,5 0,7 0,4 0,4 0,15 0,24
Qв (f, МГц) 60(50) – – – – –

8.1. Какие технические задачи позволяют решать УЧ?
8.2. Какие электронные и полупроводниковые приборы используют
в умножителях частоты ?
8.3. Почему в современных передатчиках обычно применяют УЧ

сравнительно малой мощности?
8.4. Почему режим умножения частоты обычно используют в мало-
мощных каскадах передатчиков?
8.5. Для определения кратности умножения частоты измеряют час-
тоту на входе и выходе передатчика. Какой из волномеров (ге-
теродинный или резонансный) более удобен для этой цели?
8.6. Почему колебательные контуры УЧ должны иметь высокую
добротность?
8.7. Как увеличить степень подавления входного сигнала и побоч-
ных частот в УЧ?
8.8. Определите величину относительной расстройки частоты
между выделяемой гармоникой n и соседними гармониками
n–1 и n+1, которые следует подавить, если: а) n = 2; б) 3;
в) 4; г) 5.
8.9. Составьте структурную схему УЧ на основе АГ с ФАПЧ.
8.10. Сравните принципы действия УЧ с активной и реактивной не-
линейностью.
8.11. Сравните свойства УЧ на основе синхронизированных автоге-
нераторов и ДНЗ.
8.12. Сравните свойства УЧ на основе синхронизированных автоге-
нераторов и ФАПЧ.
8.13. Какие УЧ целесообразно использовать: а) при высокой крат-
ности УЧ; б) в диапазоне СВЧ; в) в синтезаторах частот; г) в
диапазонных передатчиках?
Умножители частоты с активной нелинейностью
8.14. Какой режим по напряженности нужно использовать в а) лам-
повых; б) транзисторных УЧ для получения наибольшей мощ-
ности Pп и КПД?
8.15. Электронный КПД генератора, работающего в режиме усиле-
ния с углом отсечки входного тока АЭ 90˚, равен 0,7. Опреде-
лите электронный КПД этого генератора в режиме: а) удвоения
частоты при θ = 60°; б) утроения частоты при θ = 40° и неизмен-
ной напряженности режима.
8.16. Почему обычно используют ламповые и транзисторные УЧ не-
большой кратности ( n= 2; 3)?
8.17. Чем отличаются схемы и режимы АЭ ламповых или транзис-
торных УЧ от усилителей?
8.18. Начертите схему УЧ на: а) БТ; б) ПТ.
8.19. Определите электронный КПД удвоителя частоты, если ξ = 0,8,

а угол отсечки АЭ равен: а) 90°; б) 60°; в) 40°.
8.20. Определите электронный КПД утроителя частоты, если ξ = 0,7,
а угол отсечки равен: а) 90°; б) 60°; в) 40°.
8.21. Удвоитель частоты работает в граничном режиме с углом отсеч-
ки 60°. Как изменится величина колебательной мощности, если
установить угол отсечки 90°, сохранив прежними амплитуду
импульса тока и напряженность режима?
8.22. Удвоитель частоты работает в недонапряженном режиме с уг-
лом отсечки 60°. Как изменится величина колебательной мощ-
ности, если установить угол отсечки 90°, сохранив прежними
амплитуду импульса коллекторного тока и сопротивление на-
грузки?
8.23. Транзисторный утроитель частоты работает в граничном режи-
ме, угол отсечки равен 70°; D = 0. При изменении напряжения
смещения установлен угол отсечки 40°. Как изменится при
этом колебательная мощность утроителя?
8.24. Определите необходимую номинальную мощность лампы, что-
бы в режиме удвоения частоты она отдавала мощность 2 Вт.
Лампа полностью используется по току и напряжению. В но-
минальном режиме угол отсечки равен 90°.
8.25. Определите угол отсечки выходного тока АЭ, при котором
электронный КПД утроителя будет не хуже КПД усилителя с
углом отсечки 90°. Напряженность режима не меняется.
8.26. Определите максимальную колебательную мощность генерато-
ра в режиме: а) удвоения; б) утроения частоты, если в режиме
усиления при угле отсечки 90° его максимальная колебательная
мощность равна 5 Вт.
8.27. Сравните величину колебательных мощностей и электронных
КПД утроителей частоты при углах отсеки 60° и 120°, при D = 0
в случае одинаковых амплитуд Uвх и сопротивлений R3.
8.28. Определите углы отсечки, соответствующие максимальным
значениям коэффициентов αn (θ) при n = 2;3;4;5;6;7.
8.29. Определите изменение максимальной колебательной мощнос-
ти генератора при повышении кратности умножения частоты
от двух до семи.
8.30. Как изменится величина: а) колебательной мощности; б) элек-
тронного КПД; в) мощности возбуждения; г) сопротивления
нагрузки генератора, необходимого для граничного режима
работы при умножении частоты в 2; 3; 4; 5; 6 или 7 раз по
сравнению с режимом усиления при угле отсечки 90°? Генера-

тор работает в режиме максимальной колебательной мощности
при постоянных значениях Eк, Iк max, ξгр. Инерционностью АЭ
можно пренебречь.
Умножители частоты с нелинейной реактивностью
8.31. Какие нелинейные емкости используют в УЧ?
8.32. Оцените величину теоретического и реального КПД варактор-
ного умножителя частоты в режиме закрытого перехода.
8.33. Изобразите эквивалентную схему варактора: а) полную; б) в ре-
жиме закрытого перехода.
8.34. Изобразите вольт-фарадную и вольт-амперную характеристики
варактора.
8.35. Составьте и поясните структурную схему СВЧ передатчика с
варакторным умножителем частоты.
8.36. Изобразите функциональную схему варакторного УЧ.
8.37. Получите формулу для расчета общего КПД умножителя с ак-
тивной нелинейностью при заданном значении выходной мощ-
ности и мощности потерь.
8.38. Какова область использования УЧ на варакторах в режиме:
а) закрытого перехода; б) с отпиранием p-n-перехода?
8.39. В каком диапазоне частот используют: а) ДНЗ; б) варакторы?
8.40. Сравните свойства УЧ на ДНЗ и варакторах.
8.41. Почему УЧ на ДНЗ обеспечивают более высокую кратность
умножения, чем УЧ на варакторах?
8.42. Определите добротность варактора: а) КА613А; б) КА608А;
в) КА604А; г) КА615А; д) КА617Б на частоте 0,1fпред .
8.43. Определите частоту, на которой добротность варактора:
а) КА613А; б) КА608А; в) КА604А; г) КА615А; д) КА617Б рав-
на двадцати.
8.44. Определите последовательное сопротивление потерь и пре-
дельную частоту варактора КВ106Б.
8.45. Определите величину сопротивления потерь r варактора:
а) КА613А; б) КА608А; в) КА604А; г) КА615А; д) КА617Б.
АВТОГЕНЕРАТОРЫ
9 ГАРМОНИЧЕСКИХ
КОЛЕБАНИЙ
И СИНТЕЗАТОРЫ
ЧАСТОТ
9.1. Структурные схемы

и типы автогенераторов
Автогенераторы, как и генераторы с внешним (независимым) воз-
буждением, преобразуют энергию источника питания в энергию
электромагнитных колебаний высокой частоты. Однако в АГ на-
пряжение возбуждения подается не от внешнего источника, как в
ГВВ, а образуется за счет положительной обратной связи. Поэтому
частота и амплитуда автоколебаний определяются собственными
параметрами автогенератора.
АГ отличаются большим многообразием, однако в любом из них
можно выделить активный элемент (АЭ) и колебательную систему
(КС). В качестве АЭ обычно используют трехполюсники (электрон-
ные лампы, полевые и биполярные транзисторы) и двухполюсники
(диоды Ганна, туннельные и лавинно-пролетные диоды, отражатель-
ные клистроны, магнетроны, ЛОВ, лазеры).
На рис. 9.1 приведены структурные схемы АГ на трехполюсных
(а) и двухполюсных (б) АЭ.
Устройства, выполненные по схеме рис. 9.1, а, называются АГ
с цепью внешней обратной связи (ОС), а выполненные по схеме
рис. 9.1, б – автогенераторами с внутренней обратной связью или АГ
на двухполюсниках с отрицательным дифференциальным сопротив-
лением. В схемах рис. 9.1 АЭ компенсируют потери в КС. Это можно
трактовать как подключение к КС отрицательного дифференциаль-
ного сопротивления (отрицательной проводимости или крутизны),
компенсирующего сопротивление потерь. В трехполюсных АЭ от-
144 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
OC
АЭ КС
АЭ КС
а б
Рис. 9.1. Структурные схемы автогенераторов
рицательная крутизна их динамических характеристик создается за

счет внешней ОС. Выходная динамическая характеристика трехпо-
люсного АЭ iвых(uвых) имеет участок отрицательной крутизны, то есть
АЭ со стороны нагрузки представляет собой отрицательную прово-
димость (с ростом напряжения uвых ток iвых уменьшается).
Активные элементы АГ могут иметь динамические ВАХ N-типа
или S-типа (рис. 9.2). Характеристики N-типа имеют большинство
АЭ: туннельные диоды, диоды Ганна, электронные лампы, транзис-
торы, магнетроны. Режим работы этих АЭ однозначно определяет
напряжение. Для получения рабочей точки на падающем участке
ВАХ приборы типа N должны питаться от источника напряжения E
с малым внутренним сопротивлением, что соответствует сплошной
линии на рис. 9.2, а. Схема автогенератора с АЭ типа N должна со-
держать источник питания с малым внутренним сопротивлением и
параллельный колебательный контур.
Характеристики S-типа имеют лавинно-пролетные диоды, не-
оновые лампы, динисторы, тиристоры. Режим работы этих АЭ одно-
значно определяет ток. Для получения рабочей точки на падающем
участке ВАХ приборы типа S должны питаться от источника напря-
жения E с большим внутренним сопротивлением, что соответствует
сплошной линии на рис. 9.2, б. Схема АГ с АЭ типа S должна со-
i i
B
B
A
A
C C
u u
0 Е 0 Е
а б
Рис. 9.2. Динамические ВАХ: а – N-типа; б – S-типа
АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ 145
держать источник питания с большим внутренним сопротивлением

и последовательный колебательный контур.
Приборы типа N и S имеют отрицательные сопротивления на
участке BC (рис. 9.2). Наивыгоднейший режим самовозбуждения
получается в точке A – точке максимального значения модуля от-
рицательного сопротивлении.
Частота и мощность АГ зависят от используемого АЭ. Мало-
мощные АГ применяют в возбудителях передатчиков, гетеродинах
приемников, устройствах измерительной техники и т. п. Мощные АГ
применяют в выходных каскадах радиолокационных передатчиков,
установках для промышленного нагрева и т. п. Требования к мощ-
ным АГ аналогичны требованиям к усилителям мощности – обеспе-
чивать высокую выходную мощность и большой КПД. Ко всем АГ,
вне зависимости от области применения, предъявляют требования
по стабильности частоты автоколебаний.
По количеству колебательных контуров, входящих в состав коль-
ца самовозбуждения, различают одноконтурные, двухконтурные и
многоконтурные АГ [6].
Как и в ГВВ, возможны однотактные и двухтактные схемы ав-
тогенераторов.
В зависимости от диапазона рабочих частот и мощности в автоге-
нераторах используют КС с сосредоточенными или распределенными
параметрами.
При повышенных требованиях к стабильности частоты исполь-
зуют высокодобротные КС со стабильными параметрами, кварцевые
резонаторы, линии задержки и резонаторы на поверхностных акус-
тических волнах (ЛЗ, ПАВ), полые металлические и диэлектрические
резонаторы, резонаторы из сверхпроводящих материалов.
Автогенераторы могут быть автономными и неавтономными. Ав-
тономными называют АГ, специально не подверженные внешним
воздействиям. При внешнем воздействии на АГ возможны такие яв-
ления, как синхронизация частоты колебаний, деление и умножение
частоты, асинхронное возбуждение и гашение колебаний.
9.2. Автогенераторы с цепью внешней

обратной связи
Для самовозбуждения и работы автогенератора с цепью внешней
обратной связи необходимо и достаточно выполнение пяти условий:
[9, 19, 35, 50, 58, 69, 70, 71, 91, 103]:
• самовозбуждения колебаний S 0 K 'Z н > 1 ;

• баланса амплитуд S1 K 'Z н = 1 ;
• баланса фаз ϕ s + ϕ к ' + ϕ = 2π n ;

• устойчивости баланса амплитуд ∂S1 ∂А < 0;
• устойчивости баланса фаз ∂ (ϕ s + ϕ к ' + ϕ ) ∂ω < 0,
где S0 = ∂i/∂u – дифференциальная (малосигнальная) крутизна
проходной характеристики АЭ в точке возбуждения колеба-
ний;
D – проницаемость активного элемента. Для транзисторов и
многих ламп можно принять D = 0;
K′ = K – D – модуль приведённого коэффициента обратной
связи. При D ≈ 0 обычно полагают K′ = K;
U с U бэ U зи
K= = = – коэффициент обратной связи;
U a U кэ U си
Zн – модуль сопротивления нагруженной КС автогенератора
относительно точек подключения выходной цепи АЭ. Вблизи
резонансной частоты сопротивление КС близко к резонансно-
му и обычно принимают Zн = Rн;
S1 = Sγ1(θ) = Ik1/Uбэ – модуль средней крутизны по первой
гармонике выходного тока АЭ. В недонапряженном режиме
работы АЭ эта крутизна равна S1 = Sγ1(θ), где S – крутизна
проходной характеристики АЭ;
φS – фазовый угол средней крутизны АЭ (сдвиг фаз между
напряжением Uбэ и первой гармоникой тока Ik1);
φk′ – фазовый угол коэффициента обратной связи. При D ≈ 0
обычно полагают φk′ = φk;
φ – фазовый угол выходной КС. В области малых расстроек
(Δω/ω01) для параллельного колебательного контура спра-
ведливо приближенное равенство φ = –2QΔω/ω0 ;
Q – добротность КС автогенератора;
ω0 – резонансная частота КС;
А – амплитуда колебаний;
АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ 147
n = 0, 1, 2, …. Для большинства схем АГ n = 0. Исключение

составляют АГ, в которых сигнал в цепях АЭ и КС запаздывает
на один или несколько периодов.
Параметры S1, Zн и K в общем случае являются комплексными ве-
личинами, однако для практики наибольший интерес представляет
случай, когда фазовые углы φS, φ и φk малы и эти параметры можно
считать вещественными.
Схемы АГ с цепью внешней ОС приведены на рис. 9.3.
M
C Uк Ik
I
C1 U
L Ik
L1 L2
a б
Ik L1 U C3
Uк Ik
L1
C1 C2 C1 C2
в г
Рис. 9.3. Схемы автогенераторов: а – с индуктивной обратной связью;
б – индуктивная трехточка на полевом транзисторе;
в – емкостная трехточка на биполярном транзисторе;
г – Клаппа на биполярном транзисторе
Коэффициент обратной связи при малых потерях в колебатель-

ной системе автогенератора равен:
• для схемы с индуктивной ОС (рис. 9.3, а)
K = M/L,
где М – взаимная индуктивность между контурной катушкой
и катушкой обратной связи;
• для емкостной трёхточки (рис. 9.3, в) и схемы Клаппа
(рис. 9.3, г)
K = C1/C2;
• для индуктивной трёхточки (рис. 9.3, б)
K = L1/L2.
9.3. Автогенераторы на двухполюсниках

с отрицательным дифференциальным
сопротивлением
Во многих случаях генератор вместе с нагрузкой независимо от осо-
бенностей его схемы и конструкции удобно представить в виде обоб-
щённой эквивалентной схемы (рис. 9.4). Все параметры этой схе-
мы пересчитаны к выводам АЭ.
АЭ вместе с цепью обратной свя-
зи представлен проводимостью
G + jB, а колебательная система
G jB Gн jBн U
автогенератора (резонатор) вмес-
те с нагрузкой – проводимостью
Gн + jBн, [21, 35, 40, 50, 58, 69, 70, Рис. 9.4. Обобщенная эквивалентная
схема генератора
83, 84, 91].
Устройства, выполненные по схеме рис. 9.4, называются АГ на
двухполюсниках с отрицательным дифференциальным сопротивле-
нием или генераторами с внутренней обратной связью. Их работа
основана на том, что в колебательный контур вводится отрицатель-
ная активная проводимость G активного элемента. АГ на двухпо-
люсниках с отрицательным сопротивлением являются основными в
диапазоне СВЧ. Отрицательной активной проводимостью обладают,
например, отражательные клистроны, магнетроны, ЛОВ, лазеры и
диодные СВЧ-генераторы.
Условия самовозбуждения и работы АГ с внутренней обратной
связью могут быть записаны в следующем виде:
• самовозбуждения колебаний ⏐G0⏐> Gн;
• баланса амплитуд G1 = Gн, или G1Rн=1;
• баланса фаз В1 + Вн = 0;
• устойчивости баланса амплитуд
для характеристик N-типа ∂G1/∂U < 0,
для характеристик S-типа ∂R1/∂I < 0;
• устойчивости баланса фаз
для характеристик N-типа ∂φ/∂ω < 0,
для характеристик S-типа ∂φ/∂ω > 0,
где G0 = ∂i/∂u – дифференциальная активная проводимость АЭ в
точке возбуждения колебаний;
АВТОГЕНЕРАТОРЫ НА ДВУХПОЛЮСНИКАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНЫМ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМ... 149
G1 = I1/U – модуль средней за период колебаний активной про-

водимости АЭ по первой гармонике тока;
Gн = 1/Rн – модуль суммарной активности проводимости са-
мой КС и проводимости нагрузки;
Rн – сопротивление нагруженной КС;
Bн – суммарная реактивная проводимость КС и нагрузки;
B1 – средняя за период колебаний реактивная проводимость
активного элемента;
R1 = 1/G1 – модуль среднего за период колебаний активного
сопротивления АЭ по первой гармонике тока;
φ – фазовый угол КС. В области малых расcтроек (Δω/ω01)
справедливы приближенные равенства: для параллельного ко-
лебательного контура φ = –2Q Δω/ω0, а для последовательного
φ = 2Q Δω/ω0;
ω0 – резонансная частота КС.
АГ с цепью внешней ОС и на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением имеют много общего. Генера-
торы, выполненные по схемам рис. 9.3, могут быть представлены в
виде обобщённой эквивалентной схемы рис. 9.4. При этом влияние
цепи внешней ОС будет учтено наличием эквивалентной отрица-
тельной активной проводимости G.
Обычно в АГ на трехполюсных АЭ используют обозначение сред-
ней крутизны S1, а в АГ на двухполюсных АЭ – средней проводи-
мости G1. Характеристики средней крутизны S1(U) автогенераторов
на трехполюсных АЭ и средней проводимости G1(U) двухполюсных
АЭ с ВАХ N-типа подобны. Примерный вид этих характеристик по-
казан на рис. 9.5.
S1,G1 S1,G1
a a
1 1
Rн Rн
1
b b
1
S0 6
c c
2 2
d d
3 3
e S0 e
4 4
0 5 U 0 U` 5 U
а б
Рис. 9.5. Графическое решение уравнения баланса амплитуд
для мягкого (а) и жёсткого (б) режимов работы автогенератора
При выборе рабочей точки в области максимальной крутизны

(проводимости) АЭ (S0 ≈ Smax, G0 ≈ Gmax) получаются монотонные за-
висимости S1(U) и G1(U) (рис. 9.5, а). Режим самовозбуждения и
работы АГ с такими зависимостями принято называть мягким. При
включении АГ в мягком режиме сколь угодно малые флуктуации
напряжения приведут к плавному возрастанию амплитуды колеба-
ний до установившегося значения, соответствующего стационарно-
му режиму.
При выборе рабочей точки в области малой крутизны (прово-
димости) АЭ (S0 < Smax, G0 < Gmax) зависимости S1(U) и G1(U) по-
лучаются немонотонными (рис. 9.5, б). Режим самовозбуждения и
работы АГ с такими зависимостями принято называть жестким.
В жестком режиме производная ∂S1/∂U в области влево от точки 1
положительна. Поэтому режимы автогенерации с амплитудами, со-
ответствующими этой области, то есть меньшими, чем U′ (рис. 9.5, б),
оказываются неустойчивым по амплитуде и на практике не осущест-
вляются. В жестком режиме автоколебания возникают и срываются
скачком, причем для первоначального возбуждения колебаний не-
обходимо обеспечить большую величину сопротивления нагрузки
Rн (или К′Zн), а в некоторых случаях – и амплитуду внешнего воз-
действия. Обычно величина сопротивления нагрузки АГ не зависит
от напряжения U (линейна), поэтому зависимости 1/Rн и 1/(К′Zн)
изображены на рис. 9.5 горизонтальными прямыми a–e. В точках
пересечения кривых S1(U) или G1(U) и прямых a–e выполняется
условие баланса амплитуд.
На рис. 9.6 показаны фазовые характеристики параллельных ко-
лебательных контуров: а – одиночного; б – двух связанных при свя-
зи больше критического значения. По фазовым характеристикам
ϕ π
ϕ π
2 2
a
Δω c
ϕ = −2Q
ωо ωо ω01 ω03
ω ω02 ω
b
d
π π
− −
2 2
а б
Рис. 9.6. Фазовые характеристики параллельных колебательных контуров
СХЕМЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 151
из условия устойчивости баланса фаз можно определить области

устойчивой работы АГ, а из условия баланса фаз – величину гене-
рируемой частоты.
9.4. Схемы автогенераторов

В диапазонах длинных, средних и коротких волн наиболее употре-
бительными являются одноконтурные АГ. Поскольку реальные схе-
мы АГ всегда многоконтурные, одноконтурные АГ представляют со-
бой идеализированную модель полной схемы, точность которой тем
выше, чем больше удалены резонансные частоты паразитных кон-
туров от частоты автоколебаний. Колебательный контур, как прави-
ло, включают в выходную цепь АЭ, так как при таком включении
может быть получен более высокий КПД генератора. Для работы с
высоким электронным КПД резонансная частота выходной КС ав-
тогенератора, как и ГГВ, должна быть близка к частоте возбуждения.
При этом выходное высокочастотное напряжение противоположно
по фазе напряжению возбуждения. Противофазность этих напряже-
ний в АГ обеспечивают устройства ОС.
Наиболее распространенными схемами одноконтурных АГ явля-
ются:
• с индуктивной обратной связью (трансформаторная схема,
схема Мейснера) (рис. 9.3, а). В этой схеме противофазность
напряжений на входном и выходном электродах АЭ обеспечи-
вается соответствующим включением обмоток трансформато-
ра. В АГ использовано автоматическое смещение за счет тока
сетки и может быть использовано последовательное питание
анодной цепи;
• с кондуктивной обратной связью (индуктивная трехточка,
схема Хартли) (рис. 9.3, б, 9.7 и 9.8). В схемах индуктивной
трехточки используется частичное включение контура в вы-
ходную цепь АЭ. Коэффициент включения контура p в схемах
рис. 9.3, б, и 9.7 равен
p = Uк/U = L1/(L1 + L2) = 1/(1 + K).
В точку “а” схемы на рис. 9.7, а может быть подключен часто-
тный модулятор на варикапе. Особенностью схемы на рис. 9.8
является использование конденсатора С3 малой емкости, бла-
годаря чему уменьшается влияние АЭ на параметры контура;
2 мА
C1 KП303Ж C2 L1
33 0,1
a С4 +E
C1
L2 R1 100
70 нГн 180* С1 L2
L2 R3
C3 R1 L1
3,3 нФ 1К +E
L1 С2
C3
70 нГн С3
-2,5 В
R2
C2
R1
3,3 нФ
а б
Рис. 9.7. Схемы индуктивных трехточек: Рис. 9.8. Схема
а – с заземленным стоком; индуктивной трехточки
б – с заземленным затвором с заземленной базой
• с емкостной обратной связью (емкостная трехточка). Емкос-

тные трехточки с заземленным катодом (истоком) называют
схемами Пирса (рис. 9.10, г), а с заземленным анодом (коллек-
тором) или сеткой (базой) – Колпитца (рис. 9.9, 9.10, а, б, в).
В схемах емкостной трехточки используется частичное вклю-
чение контура в выходную цепь АЭ. Коэффициент включения
контура p в схемах на рис. 9.3, в, 9.9 и 9.10, а, б, в равен:
p = Uк/U = C1/(C1 + C2) = 1/(1 + K).
Особенностью схемы на рис. 9.10, г является использование кон-
денсатора С3 малой емкости, благодаря чему уменьшается влияние
АЭ на параметры контура. Схемы емкостных трехточек обычно ис-
пользуют при повышенных требованиях к стабильности частоты.
В автогенераторах на БТ (рис. 9.9 и 9.10, б) использовано внешнее
отпирающее смещение за счет делителя на резисторах R2 и R3 и
запирающее автоматическое смещение Еэ = IэоR1.
В схеме рис. 9.10, б светодиод служит для индикации напряжения
питания и стабилизации отпирающего напряжения на базе транзис-
тора. При изменении тока светодиода от 0,3 до 10 мА напряжение
на диоде почти постоянно и равно 1,6 В;
• схема Клаппа с дополнительным конденсатором С3 в индук-
тивной ветви емкостной трехточки (рис. 9.3, г и 9.11, а). Коэф-
фициент включения контура p в этих схемах равен
p = Uk/U = 1/(1 + K + C1/C3);
+ 13 В Uк + 7В
L1 C4 L1
C4 U
3,7 мкГн 10 нФ 30 нГн
1,0
C3 C1
C3
10нФ 85
1,0 R3
R3 6,8к КТ368
4,7к КТ608А 2SC3355
C1
7,1 нФ C2
C2 560
120 нФ
R2 R2
1,8к 2,2к
R1
R1
220
270
10 мА
4 мА
а б
Рис. 9.9. Схемы емкостных трехточек с заземленной базой
и различными рабочими частотами: а – 1 МГц; б – 100 МГц
• cхема Клаппа с дополнительной индуктивностью в емкостной

ветви индуктивной трехточки (рис. 9.11, б). Коэффициент об-
ратной связи в этой схеме равен K = Uб / Uk = L2 / L1, а коэф-
фициент включения p равен
p = Uk/U = 1/(1 + K + L3/L1).
Достоинством схемы рис. 9.11, б является возможность последо-
вательного питания цепей, а недостатком – наличие трех индук-
тивностей. Достоинством обеих схем Клаппа является возможность
независимого изменения коэффициента обратной связи К и коэф-
фициента включения контура p, что облегчает настройку АГ. Пос-
кольку в схемах Клаппа можно использовать сравнительно малые
контурные емкости С3, при осуществлении ЧМ в этих схемах пот-
ребуются варикапы небольшой емкости. Величина индуктивностей
в схемах Клаппа получается сравнительно большой и удобной для
практической реализации высокодобротных катушек. За счет повы-
шения добротности КС и уменьшения коэффициента включения в
схемах Клаппа удается получить более высокую стабильность час-
тоты, чем в обычной емкостной трехточке.
Двухконтурные АГ обычно применяются на сверхвысоких час-
тотах (f > 100 МГц), где влияние межэлектродных емкостей АЭ
U L1 L1 46 нГн
12 мкГн
C4 C1
33нФ U Uк 15
–8В
R2 C3
220*к Uк 33нФ
КТ315Б C1 R3
510 8,2 к КТ363Б
C3
0,22 C2
R2 82
1,2 к
C2 R1
39 нФ R1
3,3 к 560
АЛ307КМ
3 мА
1,5 мА
– 12 В
а б
+12 В
C1
R1
L1 L1 2N5485 6,8к
1,3 мкГн
C2
+E
С2 С3
R1
680 47
С1
C3 75
в г
Рис. 9.10. Схемы емкостных трехточек:
а – с заземленной базой, частота 2 МГц; б – с заземленной базой, частота 200 МГц;
в – с заземленным затвором; г – с заземленным истоком, частота 20 МГц
возрастает настолько, что реализация схем одноконтурных АГ ста-
новится практически невозможной. Наиболее употребительными
являются АГ с параллельной связью между контурами: с общим
эмиттером (катодом) (рис. 9.12, а), с общим коллектором (анодом)
(рис. 9.12, б) и общей базой (сеткой) (рис. 9.12, в).
Каждый из колебательных контуров образован одной из межэлек-
тродных емкостей АЭ и внешней индуктивностью, подключенной
к этой емкости. Одна из емкостей АЭ используется как элемент
обратной связи. Собственные резонансные частоты всех контуров
расстроены относительно частоты автоколебаний ω и представляют
+E С4
U С3 U С3
a С1
R3 L3
L1 Uк L1 Uк
С2
R1 Uб L2 С1 +
E
R1
R2 С2
L2
+EБ
а б
Рис. 9.11. Схемы Клаппа: а – с дополнительным конденсатором С3;
б – с дополнительной индуктивностью L3
собой эквивалентные индуктивности или емкости соответствую-

щей трехточки. Регулировка АГ по мощности (коэффициенту ОС)
и частоте осуществляется перестройкой соответствующих контуров.
Практически взаимонезависимая регулировка по мощности и час-
тоте получается в схеме с общей сеткой (базой). Регулировка по
мощности осуществляется перестройкой катодного контура, а по
частоте – анодного. Эта схема находит наибольшее практическое
применение.
Для каждой из рассмотренных схем одноконтурных и двухкон-
турных АГ могут быть осуществлены соответствующие двухтактные
варианты. Достоинствами двухтактных АГ, как и ГВВ, являются уве-
Lg, ωg La, ωa
C2 C2 C2
L2
C1 C1 C1 L1
L1 L1
C3 C3
L2 C3
L2
Lа, ωа Lg, ωg Cк, ωк Cк, ωк

а б в
Рис.9.12. Двухконтурные автогенераторы:
а – с общим катодом; б – с общим анодом; в – с общей сеткой
личение мощности в нагрузке, удобство применения при симмет-

ричных фидерах и антеннах, возможность работы с очень короткими
импульсами или с широкополосными видами АМ и др.
Диодные АГ обычно используют в диапазоне СВЧ. На рис. 9.13, а
показана схема генератора СВЧ на ТД. Колебательная система это-
го АГ образована емкостью перехода диода Cп и короткозамкнутым
отрезком несимметричной полосковой линии.
Схема низкочастотного генератора на ТД показана на рис. 9.13, б.
При работе на пониженных частотах (f < 1 ГГц) характеристичес-
кое и, соответственно, резонансное сопротивление КС, равное
Rн = Q / (ωСп), получаются слишком большой величины. Для умень-
шения резонансного сопротивления КС до приемлемого значения к
ТД подключают дополнительный конденсатор С1 (рис. 9.13, б). При
использовании конденсатора С1 резонансное сопротивление нагру-
женной КС автогенератора равно
Rн = 1/Gн = Qн/(ωС1).
Эквивалентная схема АГ с дополнительным конденсатором С1
и антипаразитным резистором R1 показана на рис. 9.13, в. Емкость
перехода Сп, емкость корпуса диода Ск (около 0,5 пФ), емкость С1,
индуктивность L1, индуктивность выводов диода Lв (0,2…2 нГн),
к нагрузке
R1
+E C1
L1
C2
C1
+E
R2
а б
ТД
LВ1 R1
LВ rп
G L1
LВ2
Rн
Cп Cк
C1
в
Рис. 9.13. Схемы автогенераторов на ТД:
а – принципиальная высокочастотного; б – принципиальная низкочастотного;
в – эквивалентная низкочастотного
индуктивность выводов Lв1 резистора R1 и индуктивность выводов

Lв2 конденсатора С1 образуют сложную КС. В таком АГ возможны
паразитные автоколебания на частоте ωпар = [Сп(Lв + Lв1 + Lв2)]-1/2.
На этой частоте сопротивление емкости С1 мало, а сопротивление
контурной индуктивности L1 – велико. Резистор R1 включен для
увеличения потерь в паразитном контуре. При малом резонансном
сопротивлении паразитного контура условие самовозбуждения па-
разитных колебаний не выполняется
(Lв + Lв1 + Lв2)/[Сп (rп + R1)] < 1/|G0|max,
где |G0|max – модуль максимальной дифференциальной активной про-
водимости ТД;
rп – сопротивление потерь ТД.
Резистор R1 используют лишь в случае крайней необходимости,
так как его подключение вносит в схему паразитную индуктивность
Lв1, искажает вид ВАХ диода относительно точек подключения вне-
шней цепи и, кроме того, может нарушить условие устойчивости ТД
по постоянному току.
Недостатками низкочастотных АГ на ТД являются сложность по-
давления паразитных колебаний, малая выходная мощность и низ-
кий КПД, однако такие генераторы удобно использовать в качестве
физической модели при исследовании свойств АГ.
Для расчета автогенераторов на ТД из арсенида галлия, наибо-
лее распространенных в настоящее время, можно использовать сле-
дующие ориентировочные соотношения:
• модуль максимальной дифференциальной проводимости ТД
равен
|G0|max = 5Iп [A, Cм];
• оптимальное сопротивление нагрузки равно
Rн = 1/Iп [A, Ом];
• максимальная колебательная мощность при оптимальном со-
противлении нагрузки и напряжения питания 0,35…0,4 В равна
P1 max = 0,07 Iп [A, Вт];
• постоянная составляющая тока ТД при максимальной коле-
бательной мощности равна
I0 = 0,4 Iп [A],
где Iп – пиковый ток ТД.
Схемы питания автогенераторов

Поскольку АГ является автономной системой, а не возбуждается
внешним сигналом, названия схем (с общей сеткой, с общим ано-
дом или с общим стоком) являются условными. В АГ можно за-
землить любую точку схемы, не меняя его электрический режим.
Выбор той или иной точки заземления определяется требованиями
к АГ и применяемым элементам. Например, может быть предусмот-
рено заземление коллектора транзистора, подключение варикапа,
удобство подключения нагрузки и т. п. Обычно нежелательны схе-
мы параллельного питания, у которых дроссели невысокого качес-
тва влияют на элементы контура и снижают стабильность частоты.
Кроме того, дроссели создают паразитные контуры, которые могут
вызвать паразитную автогенерацию. Чтобы уменьшить изменение
реактивных параметров БТ при изменении тока Iко, стремятся ста-
билизировать величину этого тока. Это достигается включением
в эмиттерную цепь резистора R1.Внешнее отпирающее напряже-
ние обеспечивает делитель напряжения на резисторах R2 и R3
(рис. 9.8, 9.9 и 9.10, б).
В АГ, выполненных по схеме емкостной трехточки, часто по
высокой частоте заземляют базу транзистора, а вместо дросселя
используют резистор R1, подключенный к эмиттеру транзистора
(рис. 9.9, 9.10, б). Этот резистор по высокой частоте включен парал-
лельно сравнительно низковольтной входной цепи АЭ. Шунтирую-
щим влиянием резистора R1 на КС автогенератора можно пренеб-
речь при выполнении неравенства
R1 К2Rн,
где К – коэффициент обратной связи;
К2Rн – резонансное сопротивление КС автогенератора, пересчи-
танное ко входной цепи АЭ.
По постоянному току резистор R1 создает OOC и тем самым ста-
билизирует величину выходного тока транзистора при изменении
температуры и питающих напряжений.
9.5. Расчет электронного режима

автогенераторов
Исходными данными для расчета электронного режима АГ обычно
являются рабочая частота f и требования по стабильности частоты,
величина колебательной мощности P1 или тока выходного электрода
РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННОГО РЕЖИМА АВТОГЕНЕРАТОРОВ 159
Iо и напряжение питания выходного электрода Е. По величине коле-

бательной мощности и рабочей частоте выбирают тип АЭ. Обычно
фазовые углы φs, φ и φk малы и автогенераторы генерируют частоты,
весьма близкие к резонансной частоте КС. При этом параметры S1,
Zн и K автогенератора можно считать вещественными величинами.
Таким образом, нагрузкой АЭ является активное сопротивление КС.
Поэтому расчет электронного режима ламп и транзисторов можно
вести по тем же формулам, что и для случая ГВВ. Различие состо-
ит лишь в величине параметров, которыми задаются при расчете.
Обычно задаются величиной угла отсечки θ, напряженностью режи-
ма ξ, контурным КПД ηк, сопротивлением смещения в цепи эмит-
тера Rэ или падением напряжения на сопротивлении автосмещения
Еэ = IэоRэ. Ориентировочные значения рекомендуемых параметров
даны в табл. 9.1. Значения параметров существенно зависят от необ-
ходимой стабильности частоты АГ. Низкая стабильность частоты
типична для мощных АГ. Мощные АГ на лампах и транзисторах
обычно работают непосредственно на нагрузку. Из-за нестабильнос-
ти параметров нагрузки, питающих напряжений, температуры и ме-
ханических воздействий в мощных АГ трудно обеспечить высокую
стабильность частоты. Основные требования к этим АГ – получение
заданной мощности в нагрузке при высоком КПД.
Таблица 9.1. Рекомендуемые значения параметров
Стабильность
Iо, мА ξ ηк
частоты
Высокая 1 – 20 0,2 – 0,5 0,1 – 0,3
Средняя 1 – 20 0,5 – 0,7 0,3 – 0,7
Низкая – (0,9– 1,1) ξгр 0,7 – 0,95
Параметры высокостабильных АГ выбирают из условия получе-

ния высокой стабильности частоты, при этом величина мощности
в нагрузке и КПД имеют второстепенное значение. В высокоста-
бильных АГ обычно используют маломощные высокочастотные по-
левые и биполярные транзисторы. В маломощных малогабаритных
АГ проще обеспечить стабильность питающих напряжений, термос-
табилизацию и ослабить влияние механических воздействий. Жела-
тельно использовать БТ на частотах, где ещё слабо проявляются их
инерционные свойства, то есть на частотах f ≤ (0,3…0,5) fs.
При выборе параметров высокостабильных АГ можно руко-

водствоваться следующими соображениями:
1. Выбор напряжения питания коллектора Eк и тока Iко. Оптималь-
ное значение напряжения питания равно Eк = 2…15 В, а тока
Iко = 1…20 мА. При слишком больших подводимых мощностях
возрастает нагрев деталей АГ, что снижает стабильность его
частоты. При Iко > 10…20 мА снижается частота fs транзистора,
а при Iко < 1…3 мА увеличивается нестабильность параметров
входной и выходной цепей транзистора и заметно возраста-
ет влияние дробового шума. С уменьшением напряжения Eк
увеличиваются нелинейные емкости транзистора. Кроме того,
при малых Eк небольшие колебания этого напряжения могут
вызвать перенапряженный режим АГ, что приводит к резкому
росту нестабильности частоты.
2. Выбор угла отсечки. Для получения простых и наглядных
расчетных соотношений при расчете электронного режима АГ
обычно используют кусочно-линейную аппроксимацию стати-
ческих характеристик ламп и транзисторов. Однако исполь-
зование кусочно-линейной аппроксимации при малых рабочих
токах, типичных для высокостабильных АГ, может дать сущес-
твенную погрешность, поскольку при очень малых рабочих
токах происходит не отсечка импульсов выходного тока АЭ,
а лишь искажение их формы. Поэтому расчетные параметры
должны быть уточнены при наладке макетов АГ.
Из баланса амплитуд Sγ1(θ) KRн = 1 видно, что режим работы АГ
существенно зависит от величины угла отсечки. При выборе угла
отсечки нужно иметь в виду, что при малых углах отсечки полу-
чается высокий электронный КПД автогенератора, однако ток АЭ
обогащен гармониками, что снижает стабильность генерируемой
частоты. Чем больше θ, тем лучше форма тока, однако с прибли-
жением θ к 180о понижаются стабильность амплитуды колебаний
и электронный КПД. Из компромиссных соображений принимают,
что в высокостабильных АГ условие самовозбуждения должно вы-
полняться с небольшим запасом
Rн/Rн min = 1/γ1(θ) = 1,3…5,
где Rн min – сопротивление выходной цепи АГ, при котором условие
самовозбуждения превращается в равенство.
Значениям Rн/Rн min от 1,3 до 5 соответствуют углы отсечки от 116
до 60°. Обычно угол отсечки в установившемся режиме автоколеба-
ний выбирают равным 60…100°.
РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННОГО РЕЖИМА АВТОГЕНЕРАТОРОВ 161
3. Выбор напряженности режима. В перенапряженном режиме

нестабильность частоты резко возрастает. Это вызвано тем, что
при искажении формы импульса выходного тока, богатом гар-
мониками, увеличивается влияние изменения состава высших
гармоник на частоту. Кроме того, в перенапряженном режиме
сильно возрастает ток базы БТ и увеличивается входная про-
водимость транзистора, а, следовательно, усиливается влияние
ее изменения на частоту. Для повышения стабильности часто-
ты используют недонапряженный режим работы АЭ.
4. Выбор контурного КПД. Связь колебательного контура с осталь-
ными элементами схемы автогенератора выгодно делать сла-
бой, чтобы возможные нестабильности этих элементов меньше
влияли на частоту автоколебаний. При этом вносимые цепями
связи потери в контур и контурный КПД получаются малы-
ми, а его нагруженная добротность Qн = Qо(1 – ηк) – высокой.
С увеличением Qн уменьшаются составляющие нестабильнос-
ти частоты, обусловленные изменениями питающих напряже-
ний, инерционностью АЭ и влиянием шумов.
5. Выбор величины сопротивления автосмещения Rэ или напря-
жения автосмещения Еэ. При эмиттерном автосмещении на-
пряжение источника питания Е и напряжение на коллекторе
(между коллектором и эмиттером) связаны соотношениями
Eк = E – IэоRэ ≈ E – IкоRэ = E – Eэ,
где Iэо = Iко + Iбо – постоянная составляющая тока эмиттера;
Еэ – напряжение эмиттерного автосмещения.
В рекомендованных режимах для АГ с повышенной стабильнос-
тью частоты ток базы Iбо мал и можно полагать Iко = Iэо. Благодаря
использованию сопротивления Rэ уменьшается зависимость тока
Iко, а, следовательно, и параметров транзистора от температуры и
питающих напряжений. Стабильность тока Iко повышается с увели-
чением сопротивления Rэ и, соответственно, напряжения Еэ. Одна-
ко чрезмерное увеличение сопротивления Rэ не дает существенного
выигрыша по стабильности частоты, но приводит к необходимости
увеличивать напряжение питания Е = Ек + Еэ. Оптимальное значе-
ние напряжения Eэ равно 1…2 В.
Величина сопротивления Rэ равна Rэ = Eэ/Iко. Оптимальную вели-
чину сопротивления можно также определить из соотношения
Rэ = (20…100)/S.
При использовании сопротивления Rэ вместо дросселя (рис. 9.9

и 9.10, б) величина Rэ может быть увеличена с тем, чтобы уменьшить
потери, вносимые этим резистором в КС автогенератора.
Соотношения для расчета электронного режима АГ в недона-
пряженном и граничном режимах работы АЭ:
• амплитуда напряжения на коллекторе (стоке, аноде)
Uk = ξ(E – Ik0Rэ) = ξEk;
• амплитуда первой гармоники выходного тока АЭ равна
I1 = I0g1(θ);
• сопротивление нагруженной выходной КС относительно то-
чек подключения АЭ равно
Rн =Uк /I1 ;
• модуль средней крутизны по первой гармонике выходного
тока АЭ равен
S1 = Sfγ1(θ),
где Sf – модуль крутизны проходной характеристики на рабочей
частоте. Крутизну Sf ламп и ПТ, практически постоянную в
рабочем диапазоне частот (Sf = S), определяют по статическим
характеристикам этих приборов или из справочных данных.
Крутизну БТ вычисляют для заданных значений тока тран-
зистора и рабочей частоты;
γ1(θ) – коэффициент разложения косинусоидального импуль-
са;
• коэффициент обратной связи равен
K = U б э / U к э = U з и / U с и = U с / U a = 1/ ( Rн S1 ) ;
• колебательная мощность равна P1 = 0,5U k I k1 ;
• напряжение источника питания равно E = Ek + I k 0 Rэ ;
• мощность источника питания равна P = E I k0 ;

• мощность, потребляемая АЭ, равна P0 = Ek I k 0 ;
• мощность, рассеиваемая коллектором, равна Pk = P0 − P1 ;
• мощность в нагрузке равна Pн = P1η k ;

РАСЧЕТ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ 163
• электронный КПД равен η e = P1 / P0 ;

• общий КПД равен η = Pн / P .
Дифференциальная крутизна БТ на рабочей частоте f равна
1 + (f / fS ) ,
2
Sf = S
β0
где S = – крутизна проходной характеристики на
rб + β0 / (30 I k 0 )
низких частотах;
β0(h21Э0) – статический коэффициент передачи тока (справоч-
ная величина);
rб = τk/Cka – сопротивление базы;
Ck = (3…5)Cka – полная емкость коллекторного перехода (спра-
вочная величина), где коэффициент 5 соответствует мощным
высокочастотным приборам, а 3 – маломощным;
τk = rбCka – постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте (справочная величина);
fS = fT/(S rб) – граничная частота по крутизне. При f ≤ (0,3…0,5)fS
можно полагать Sf = S;
fT(fгр) – граничная частота коэффициента передачи тока (спра-
вочная величина).
9.6. Расчет колебательной системы

В КС автогенератора необходимо использовать катушку индук-
тивности с высокой (Q0 ≥ 100) добротностью. Не следует выбирать
контур с очень малой индуктивностью и большой емкостью – это
не способствует повышению добротности, но увеличивает влияние
паразитной индуктивности выводов катушки и конденсаторов. Как
показывает практика, высокодобротную катушку можно реализо-
вать, если полную емкость контура C выбрать из ориентировочного
соотношения C = (3…10)λ [пФ, м]. Для получения наибольшей доб-
ротности катушки следует использовать посеребренный или медный
провод оптимального диаметра. При оптимальном диаметре провода
потери, обусловленные поверхностным эффектом и вихревыми то-
ками, получается минимальными. Для однослойных катушек диа-
метром 20…30 мм оптимальный диаметр провода равен 0,2…0,6 мм;
для многослойных катушек он не превышает 0,25…0,3 мм. Добро-
тность катушки получается максимальной при равенстве ее длины

и диаметра. Некоторые отступления от оптимальных соотношений
сопровождаются лишь незначительным снижением добротности.
При заданных значениях частоты автоколебаний f, коэффициента
обратной связи K, добротности QН нагруженной КС и резонансного
сопротивления Rн можно использовать следующие расчетные соот-
ношения:
в схеме с индуктивной обратной связью (рис. 9.3, а)
R Q 1
L= н , С = н = 2 , M = KL;
ωQн ωRн ω L
в схеме индуктивной трехточки (рис. 9.3, б и 9.7)
Qн 1 Rн
С1 = , L2 = 2 = , L1 = K L 2 ;
ω Rн (1 + K ) 2 ω С1(1 + K ) ω 3Qн C1
в схеме емкостной трехточки (рис. 9.3, в; 9.9 и 9.10)
Rн (1 + K ) 2 1+ K Qн
L1 = , С1 = 2 = , С 2 = С1 .
ω Qн ω L1 ω Rн (1 + K ) K
Для расчета КС автогенераторов по схеме Клаппа необходимо
дополнительно задаться одной из величин:
• индуктивностью контура L, например, из условия возможнос-
ти реализации высокой добротности катушки, или
• полной емкостью контура, например, из ориентировочного со-
отношения C = (3…10)λ [пФ, м], или
• емкостью C3, например, из условия осуществления ЧМ при
выбранной емкости варикапа.
Элементы КС автогенераторов связаны соотношениями:
для схемы рис. 9.11, а: L1 = L; С3 ≈ С; С = 1/(ω2L1);
для схемы рис. 9.11, б: С3 = С; L3 ≈ L; С = 1/(ω2L),
где С – полная (суммарная) емкость КС;
L – полная (суммарная) индуктивность КС.
При известной полной емкости контура C можно использовать
следующие расчетные соотношения:
• в схеме Клаппа с дополнительной емкостью (рис. 9.11, а)
С Qн , С1 , 1 С1
С1 = С2 = L1 = 2 , С 3 = ;
ωR K ω С С1 С −1− K
н
РАСЧЕТ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ 165
• в схеме Клаппа с дополнительной индуктивностью

(рис. 9.11, б)
, L 2 = K L1 , L = 1 , L3=L – L1 – L2.
Rн
L1 =
Qн Cω 3 ω 2С
Учет влияния паразитных индуктивностей

Свойства АГ существенно зависят и от неявных элементов его конс-
трукции, например, индуктивностей вывода и монтажа, различных
паразитных емкостей.
В высокочастотных транзисторных АГ, в первую очередь, необхо-
димо учитывать влияние паразитных индуктивностей конденсаторов
Lп, образованных собственными индуктивностями конденсаторов и
индуктивностью монтажа (соединительных проводников). Напри-
мер, индуктивность керамических конденсаторов равна 0,25…15 нГн.
В зависимости от типа конденсатора и конструкции АГ величина
индуктивности Lп может достигать 1…30 нГн. Индуктивность Lп
(рис. 9.14, а) изменяет полное сопротивление конденсатора. В диа-
пазоне рабочих частот конденсатора (гораздо меньших резонансной)
его кажущаяся емкость увеличивается относительно емкости иде-
ального конденсатора Cи из-за частичной компенсации емкостного
сопротивления конденсатора индуктивным.
С LП r Си
а б
Рис. 9.14. Эквивалентные схемы конденсаторов:
а – реального; б – идеального
Малая индуктивность Lп сравнительно слабо влияет на величину

резонансной частоты КС автогенератора, но существенно увеличи-
вает проводимость большой емкости на входе АЭ. Это увеличение
проводимости приводит к уменьшению коэффициента обратной
связи и может нарушить условие самовозбуждения АГ. Необходи-
мый номинал реального конденсатора можно определить из условия
равенства сопротивлений реального и идеального конденсаторов
1/(ωC) – ωLп = 1/(ωCп)
Cи
C= .
1 + ω 2 LпCи
Различие между емкостями C и Cи особенно значительно на вы-
соких частотах (f > 10 МГц) и при большой величине емкости C.
9.7. Кварцевые автогенераторы

Автогенераторы на LC-элементах обеспечивают относительную
нестабильность частоты до 10-4…10-5. Для получения более высокой
стабильности частоты используют механические колебательные
системы, из которых наиболее широкое распространение получили
кварцевые резонаторы (КР).
Кварцевые резонаторы
Эквивалентная электрическая схема КР может быть представлена в
виде параллельного соединения ёмкости кварцедержателя C0 и, в об-
щем случае, бесконечного числа Lкв Cкв rкв – контуров, резонансные
частоты которых совпадают с частотами механических колебаний
кварцевой пластины (рис. 9.15, а). Вблизи выбранной резонансной
частоты влиянием всех остальных последовательных контуров мож-
но пренебречь и использовать упрощённую эквивалентную схему
КР (рис. 9.15, б). Такая замена справедлива благодаря большому
разносу резонансных частот последовательных контуров и их вы-
сокой добротности.
Lкв n Lкв r экв

Со Со
С кв n С кв
xэкв
r кв n r кв
а б в
Рис. 9.15. Эквивалентные схемы кварцевого резонатора:
а – полная; б – на рабочей частоте; в – последовательного замещения
Если для простоты анализа принять rкв = 0, то частотная харак-

теристика КР имеет вид, показанный на рис. 9.16, а. Частотные ха-
рактеристики последовательной схемы замещения КР (рис. 9.15, в)
показаны на рис. 9.16, б.
Основными параметрами эквивалентной схемы КР являются
динамические индуктивность Lкв и ёмкость Cкв, ёмкость кварце-
держателя C0, сопротивление потерь rкв, добротность резонатора
Qк в = Lк в Cк в rк в и коэффициент включения p = Cкв/C0. Значения
параметров зависят от размеров кварцевой пластинки, типа среза,
КВАРЦЕВЫЕ АВТОГЕНЕРАТОРЫ 167
Xкв
r экв
ωкв ωп ω ωп ω
ω кв
Xэкв
а б
Рис. 9.16. Частотные характеристики кварцевого резонатора:
а – реактивного сопротивления; б – активного и реактивного сопротивления
последовательной схемы замещения
вида кварцедержателя, свойств материала и т. д. Параметры КР су-
щественно отличаются от параметров обычных КС. Добротность КР
может достигать значений 104…107 и более. Параметры лучших КР
приведены в табл. 9.2.
Таблица 9.2. Типичные параметры кварцевых резонаторов
Одна фемтофарада равна 1 фФ = 10-15 Ф
Тип
f, МГц rкв, Ом C0, пФ Cкв, фФ Qкв
колебаний
1,0 Основной 250 4,0 9,0 65000
2,0 Основной 70 3,5 10 110000
5,0 Основной 15 6,0 24 85000
10,0 Основной 12 6,0 24 50000
20,0 Основной 12 6,0 24 25000
45,0 3-й обертон 25 5,0 1,5 90000
100,0 5-й обертон 40 5,0 0,3 130000
Вблизи частоты любой из гармоник контур, эквивалентный КР,

имеет две характерные частоты: последовательного резонанса
ωк в = 1 / Lк вCк в
и параллельного резонанса
C к в C0
ωп = 1 / Lк в ⋅ ≈ ωк в (1 + 0,5 p ) .
C к в + C0
Интервал между частотами параллельного и последовательного
резонанса КР равен ωп – ωкв = 0,5pωкв.
Диапазон рабочих частот КР простирается от сотен герц до сотен
мегагерц. Высокочастотность КР обратно пропорциональна толщи-
не кварцевой пластины. На практике минимальная толщина квар-
цевой пластины составляет около 0,1 мм, что соответствует основ-
ной частоте около 20 МГц. На частотах, превышающих 5…20 МГц,
обычно используют механические гармоники КР. При этом можно
получить во много раз более высокую частоту АГ. Обычно исполь-
зуют резонансы на нечётных гармониках механических колебаний.
Установлено, что потери КР на некоторых гармониках (третьей, пя-
той) меньше, чем на основной частоте и достигается более высокая
добротность Qкв n= (1,5…3)Qкв. Благодаря меньшему значению ёмкос-
ти Cкв (Cкв n ≈ Cкв/n) (см. табл. 9.2) и соответственно меньшей связи
резонатора с АЭ и нагрузкой, обеспечивается лучшая стабильность
частоты. Связь КР со схемой АГ тем меньше, чем больше n.
Для высокостабильных микрогенераторов разработаны микроми-
ниатюрные КР. Например, российская компания «Пьезо» выпуска-
ет КР на частоты от 3,5 до 150 МГц с объёмом корпуса от 0,7 до
0,032 см3. Ведущие зарубежные фирмы выпускают КР в виде так
называемой обратной мезоструктуры, работающие на объёмных ко-
лебаниях сдвига по толщине, у которых частота первой гармоники
достигает 250 МГц! Используя такие КР, можно получить высокос-
табильные колебания вплоть до 750 МГц без умножения частоты.
Кварцевые автогенераторы
Многообразные схемы кварцевых автогенераторов можно разделить
на две большие группы. К первой группе схем относятся те, в кото-
рых КР используют как высокоэталонную индуктивность. Это так
называемые осцилляторные схемы. Ко второй группе схем относят-
ся те, в которых КР используется как высокодобротный последова-
тельный контур – фильтровые схемы.
Осцилляторные схемы
В них кварц включается вместо одной из индуктивностей в обоб-
щённой трёхточечной схеме. Колебания в этих схемах могут сущест-
вовать только тогда, когда кварц имеет индуктивное сопротивление,
т. е. в диапазоне частот от ωкв до ωп. При отсутствии или неисправ-

ности КР (шунтировании его или обрыве в цепи) генерация срыва-
ется. На практике чаще всего используется емкостная трёхточеч-
ная схема – классический генератор Пирса (рис. 9.17, а), наиболее
простая, надёжная и обеспечивающая наибольшую стабильность
частоты. Последнее обусловлено меньшим шунтированием КР са-
мим транзистором, малым влиянием собственных емкостей тран-
зистора на резонансную частоту КС и тем, что высшие гармоники
напряжений на базе и коллекторе ослаблены емкостями C1 и С2.
Кроме того, в схеме 9.17, а нет катушки индуктивности, что даёт
возможность интегрального построения АГ. Недостатки схемы со-
стоят в малой мощности АГ и больших емкостях C1 и C2 на низких
частотах. Поскольку связь КР со схемой АГ тем меньше, чем боль-
ше n, в простейших АГ самовозбуждение происходит на основной
частоте КР, для которой связь максимальна. Для самовозбуждения
кварцевого АГ на нужной механической гармонике кварцевого ре-
зонатора в схему АГ вводят дополнительные элементы (обычно LC
контур), исключающие самовозбуждение на основной частоте КР и
неиспользуемых гармониках.
На рис. 9.17, б показана схема индуктивной трёхточки с коле-
бательным контуром в выходной цепи. На частоте автоколебаний
этот контур эквивалентен индуктивности. В таком двухконтурном
АГ с общим истоком (катодом или эмиттером) генерируемая частота
в основном задаётся более низкочастотным из контуров. Поэтому
для того, чтобы частота АГ в основном определялась частотой КР,
выходной контур должен быть отстроен от резонансной частоты КР
в сторону более высоких частот. При увеличении расстройки выход-
ного контура или замене его индуктивностью уменьшается влияние
выходной цепи на генерируемую частоту и, следовательно, повыша-
ется стабильность частоты. При этом, однако, снижаются амплитуда
выходного напряжения и мощность, отдаваемая АГ. Наличие конту-
C1
L1
С2
R1
C3
С1 +E
а б
Рис. 9.17. Осцилляторные схемы автогенераторов
ра даёт возможность получить автоколебания на третьей или пятой

механической гармонике кварца. Выходной контур может быть так-
же настроен, например на вторую гармонику выходного тока. При
этом на нём выделяется удвоенная частота автогенерации. Кроме
того, достоинством данной схемы является возможность последова-
тельного питания выходной цепи, так как дроссели, используемые
при параллельном питании, имеют малую стабильность параметров,
что снижает стабильность частоты.
Фильтровые схемы
В них КР включают в цепь обратной связи или в колебательный
контур. Принцип работы таких схем основан на том, что сопротив-
ление КР минимально вблизи частоты последовательного резонанса
ωкв и резко возрастает при удалении от неё. Следовательно, условие
самовозбуждения, выполняемое вблизи частоты ωкв, будет нарушено
на всех других частотах. Генерацию требуемой гармоники обеспечи-
вает собственная КС автогенератора. Фильтровые схемы наиболее
часто используют при построении АГ, работающих на частотах вы-
сших механических гармоник КР. Их важным достоинством является
возможность перестройки с частоты одной механической гармоники
на другую путём изменения резонансной частоты КС. В подобных
АГ удаётся возбуждать колебания на гармониках с номерами вплоть
до 15-го. Схемы с кварцем в цепи ОС удобны и тем, что при неболь-
шой мощности на КР они могут отдавать значительную выходную
мощность. Наибольшая стабильность частоты и выходная мощность
АГ получаются при равенстве резонансной частоты КС и ωкв.
В фильтровых кварцевых АГ, в отличие от осцилляторных, ге-
нерация возможна даже при коротком замыкании КР или замене
его резистором, величина которого близка к rкв. Разумеется, что
исключение КР в фильтровых схемах исключает и кварцевую ста-
билизацию частоты, однако, обнаружить этот факт удаётся только
после тщательных измерений. Недостатком схем с КР в цепи ОС
является наличие дополнительной ОС через ёмкость C0, вследствие
чего возможна паразитная автогенерация. Для компенсации ёмкости
C0 на частотах до 100…200 МГц параллельно КР включают индук-
тивность. На частоте паразитного колебания эта индуктивность и
ёмкость C0 образуют фильтр–пробку. На частотах 100…200 МГц луч-
шие результаты по нейтрализации ёмкости C0 дают мостовые схемы.
Кроме того, они обеспечивают повышение стабильности частоты на
целый порядок.
На рис. 9.18 приведена одна из наиболее распространённых и вы-

сокочастотных схем АГ с КР в цепи обратной связи (так называемая
схема Батлера) [41].
Этот генератор устойчиво работает на частотах до 250…300 МГц.
Паразитные колебания подавляются благодаря глубокой отрица-
тельной связи по току с помощью резистора R3, а влияние ёмкости
C0 компенсируется с помощью индуктивности L2. Конденсаторы C1
и C2 – блокировочные. Несколько более высокую стабильность час-
тоты можно получить в двухкаскадных АГ. Например в двухкаскад-
ном АГ по схеме Батлера на частоте 100 МГц получена стабильность
10-7…10-8.
Стремление к интегральному исполнению поставило задачу со-
здания высокочастотных кварцевых АГ без применения катушек и
даже конденсаторов. Такой АГ на двух БТ работает на частотах до
300 МГц [41]. Поскольку стабильность частоты является критичес-
ким параметром радиолокационных, радионавигационных, измери-
тельных и других систем, требуется эксплуатационная стабильность
задающих генераторов этих систем вплоть до 1·10-10 (и 1·10-20 крат-
ковременно!). Как известно, основным фактором, дестабилизирую-
щим частоту кварцевого АГ, является изменение температуры окру-
жающей среды. Для ослабления влияния температуры применяется
термостатирование или термокомпенсация, а иногда они использу-
ются в комбинации [41]. Термокомпенсированные кварцевые АГ за-
метно уступают термостатированным по стабильности частоты, однако,
серьёзно превосходят их по экономичности энергопотребления и скорости
С2
0,047
-9 В
С3
L1 51 C4
100
R1 нГ С4 L1
13к 51
L2
С1 ГТ 346А C3
0,01 R3
R2 R3
2,4к 300
Вых .
а б
Рис. 9.18. Схемы Батлера: а – принципиальная; б – эквивалентная
выхода на режим после включения питания, а также по массогабаритным

параметрам. По сравнению же с простыми кварцевыми АГ (без термоком-
пенсации) они имеют в десятки раз лучшую стабильность частоты. На-
пример, один из мировых лидеров в области разработки и производства
прецизионных кварцевых АГ ОАО «Морион» освоил серийный выпуск
термокомпенсированных кварцевых АГ с нестабильностью частоты за
15 лет ±3 · 10-6 и термостатированных с нестабильностью частоты за 10 лет
±3 · 10-7 и кратковременной нестабильностью 1·10-12 [75].
В настоящее время всё большее применение находят кварцевые
АГ, использующие в качестве АЭ аналоговые и цифровые интеграль-
ные микросхемы.
Управляемые кварцевые генераторы
Управление частотой кварцевых АГ используется в случае срав-
нительно узкополосной частотной модуляции и манипуляции (де-
виация частоты 10 – 20 кГц) невысокими частотами (единицы кило-
герц) при не очень жёстких требованиях по линейности (единицы
процентов); при компенсации температурной нестабильности часто-
ты; при подстройке частоты в кольце ФАПЧ; при коррекции частоты
из-за старения КР и т.п. [41]. Для управления частотой обычно из-
меняют реактивное сопротивление, включённое последовательно с
резонатором. Поскольку включение такого сопротивления приводит
к отстройке частоты АГ относительно частоты последовательного
резонанса КР, для сохранения начальной настройки используют до-
бавочное реактивное сопротивление противоположного знака. Так,
если перестройка осуществляется изменением ёмкости конденсато-
ра C, то последовательно с ним необходимо включить катушку с
индуктивностью L = 1 (ω 2 C ) [41]. Диапазон перестройки частоты
кварцевого АГ существенно зависит от разноса между частотами
ωкв и ωп. Этот диапазон можно несколько увеличить подключением
к КР индуктивностей – параллельно, последовательно или комби-
нированно. В последнем случае частоты последовательного и па-
раллельного резонансов сдвигаются в противоположные стороны и
получается наибольший разнос частот ωкв и ωп.
Очевидно, что введение в кварцевый АГ реактивностей со срав-
нительно низкой стабильностью параметров приводит к снижению
стабильности частоты этого АГ. Поэтому в управляемых кварцевых
АГ лишь частично совмещаются высокая стабильность частоты ав-
тономных кварцевых АГ и прекрасная управляемость LC-генерато-
ров. С увеличением диапазона перестройки стабильность частоты
уменьшается, а нелинейность зависимости генерируемой частоты от

управляющего напряжения возрастает.
Наиболее широко управление частотой кварцевых АГ осущест-
вляется в диапазоне 5…30 МГц (чаще 10…15 МГц). В этом диапазоне
КР работают, как правило, на основной частоте, пьезоэлементы пред-
ставляют собой плоские пластинки и можно получить перестройку
по частоте порядка 10-5…10-3 при достаточно высокой стабильности
частоты. На частотах выше 5…30 МГц обычно используется умно-
жение частоты управляемого кварцевого АГ низкочастотного диа-
пазона. На очень низких частотах для получения больших преде-
лов перестройки используется выделение разностной частоты двух
кварцевых генераторов диапазона 5…30 МГц [41]. В ЧМ кварцевых
АГ невыгодно возбуждать КР на механических гармониках, так как
при этом уменьшается девиация частоты и увеличиваются нелиней-
ные искажения. Однако в некоторых случаях работу на механичес-
ких гармониках всё же используют с целью упрощения схемы за
счёт исключения умножителя частоты.
При выборе КР для генераторов, управляемых по частоте, следует
учитывать, что управляемость по частоте и стабильность частоты –
противоречивые требования. Действительно высокостабильные КР
имеют высокие добротности, малые ёмкости C0 и Cкв, малые коэф-
фициенты p и соответственно малые интервалы между частотами ωкв
и ωп и потому обеспечивают малые изменения частоты при измене-
ниях параметров цепей, подключённых к КР. Резонаторы, имеющие
большое значение p и C0, наиболее предпочтительны для генерато-
ров с электронным управлением частотой [41].
Механическое управление частотой КР для установления номи-
нального значения частоты обычно осуществляют путём шлифовки.
Для электронного управления частотой кварцевых АГ наиболее
широко используются варикапы. Это наиболее экономичные, мало-
габаритные, надёжные и стабильные из всех известных элементов,
реактивное сопротивление которых зависит от приложенного напря-
жения. Как правило, для управления частотой используется барьер-
ная ёмкость варикапов [41]. Важным параметром КГ, управляемых
напряжением, является линейность характеристики управления час-
тотой. При управлении частотой изменением напряжения на вари-
капе эта нелинейность обусловлена как нелинейной зависимостью
ёмкости варикапа от управляемого напряжения, так и нелинейной
зависимостью изменения частоты генератора от величины реактив-
ного сопротивления, включённого последовательно с резонатором.
Для линеаризации характеристики управления параллельно КР

включают индуктивность [41].
На рис. 9.19 приведена практическая схема кварцевого генератора
с перестраиваемой частотой. Генератор работает на третьей механи-
ческой гармонике КР – 27 МГц.
+12 В
Упр.
напряж.
C1 R2
C3
30k L4
R1 150
100k VT1
KT368A
L1 L2 C2
C4
33
L3 Вых.
VD1 ZQ1
R3 R4 C5
KB109 27МГц
10k 510 82
C1,C2 0,022мк
Рис. 9.19. Кварцевый генератор с перестраиваемой частотой
9.8. Автогенераторы на ПАВ

При построении высокостабильных АГ на частотах вплоть до 1…3 ГГц
в настоящее время все большее применение находят резонаторы и
линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Та-
кие АГ отличаются высокой технологичностью и большой механи-
ческой прочностью. Стабильность частоты их колебаний лишь на
один-полтора порядка хуже стабильности кварцевых АГ [41].
Резонаторы на ПАВ
Основой резонатора ПАВ является кварцевая пластина, вырезанная
из монокристалла кварца. На поверхность кварцевой пластины на-
несен тонкий слой металла. Чаще всего используется алюминий. В
металле сформирована структура резонатора. Основные элементы
конструкции одновходового и двухвходового резонаторов показаны
на рис. 9.20. Резонаторы состоят из одного или двух встречно-шты-
ревых преобразователей (ВШП), по обе стороны от которых распо-
ложены отражатели, выполненные в виде напыленных на поверх-
АВТОГЕНЕРАТОРЫ НА ПАВ 175
Rm Lm Cm
C0
a б
Рис. 9.20. Структура и эквивалентная схема одновходового резонатора (а).
Структура двухвходового резонатора (б)
ность кварцевой пластины параллельных друг другу металлических

полосок (решеток).
Электрический высокочастотный сигнал посредством ВШП за
счет пьезоэлектрического эффекта создает на поверхности кварца
механические (акустические) колебания, распространяющиеся в
виде волны. Такая волна получила название – поверхностная акус-
тическая волна (ПАВ). Скорость ПАВ в кварце в 100 000 раз мень-
ше скорости электромагнитной волны. Медленное распространение
акустической волны является основой миниатюризации приборов
ПАВ. Максимальная эффективность преобразования достигается на
частоте синхронизма, то есть на такой частоте подводимого элект-
рического сигнала, когда длина волны акустических колебаний сов-
падает с пространственным периодом электродов преобразователя.
Например, на частоте 433,92 МГц длина волны акустических коле-
баний составляет всего 7 мкм.
Две решетки на частоте синхронизма работают как два зеркала,
отражая акустическую волну. За счёт сохранения и накопления
энергии механических колебаний в области между решетками на
резонансной частоте образуется высокодобротная колебательная
система. Длина всей системы составляет несколько сотен длин волн.
При этом общая длина кварцевой подложки резонатора с частотой
433,92 МГц не превышает 3 мм. Максимальная добротность резона-
торов на ПАВ достигает 104. Существует три основных типа резо-
наторов: одновходовый, двухвходовый и связанный.
Эквивалентная схема одновходового резонатора (рис. 9.20, а) АГ с
одновходовыми резонаторами на ПАВ подобны схемам АГ с квар-
цевыми резонаторами. Схемы АГ с двухвходовыми резонаторами
аналогичны схемам с линиями задержки. Двухвходовый резонатор,
как и линия задержки, представляет собой узкополосный фильтр.
Основным его преимуществом перед линией задержки на ПАВ яв-
ляется больший коэффициент передачи.
Достоинствами резонаторов на ПАВ являются: кварцевая ста-

бильность частоты во времени и в диапазоне температур; низкий
уровень фазовых шумов, обеспечивающий исключительно высокую
чистоту спектра генерируемого сигнала; высокая добротность; от-
носительно высокий уровень допустимой рассеиваемой мощности;
высокая устойчивость к внешним механическим воздействиям; ми-
ниатюрность; высокая воспроизводимость эквивалентных парамет-
ров; разнообразие типов и конструкций; низкая цена.
Резонаторы на ПАВ весьма успешно зарекомендовали себя в ка-
честве элемента стабилизации частоты задающего генератора для ма-
ломощных передающих устройств. Такие устройства нашли весьма
широкое применение в радиотехнических системах малого радиуса
действия. Специально для приборов, относящихся к этому классу
систем, выделена полоса частот шириной 1,72 МГц в диапазоне час-
тот 433,05…434,79 МГц. Использование диапазона регламентируется
Европейским стандартом I-ETS 300 220 (433,92 МГц).
В течение последних лет частота 433,92 МГц, являющаяся сред-
ней частотой выделенного диапазона, всё интенсивнее используется
в странах европейского региона для системы дистанционного управ-
ления дверными замками автомобиля и его охранной сигнализации.
Высокая устойчивость к механическим воздействиям позволяет ис-
пользовать резонаторы ПАВ в системе безопасности автомобиля, ко-
торая ведёт мониторинг давления и температуры в каждом колесе с
использование радиоканала. Передатчик монтируется на каждое ко-
лесо и сохраняет работоспособность в течение срока службы шины.
На ОАО «АНГСТРЕМ» освоено производство одновходовых ре-
зонаторов ПАВ с частотой 433,92 МГц (РК1912, РК1412, РК1825),
которое ведется в едином технологическом процессе с полупро-
водниковыми ИС на мощной технологической линии. Типовые
значения основных параметров этих резонаторов: собственная доб-
ротность 1,2 · 104; статическая емкость С0 = 2,1 пФ; динамическое со-
противление Rm = 14 Ом; максимальное изменение рабочей частоты
в диапазоне температур от −40 до +85 °С равно FT = 60 кГц. Резона-
торы выпускаются в корпусах ТО-39, SIM-4M и QCC8 [94].
Линия задержки (ЛЗ) на ПАВ представляет собой полированную
кварцевую пластину, на поверхность которой нанесены два ВШП. За
счет прямого и обратного пьезоэффекта кварца один из ВШП преоб-
разует энергию электрических колебаний в энергию ПАВ, а другой
преобразует механические колебания в электрические. Расстояние
между штырями ВШП определяет собственную частоту ВШП (час-
АВТОГЕНЕРАТОРЫ НА ПАВ 177
тоту акустоэлектрического синхронизма). При совпадении частоты

внешнего воздействия с частотой синхронизма эффективность пре-
образования достигает максимального значения. Таким образом, ли-
ния задержки на ПАВ представляет собой узкополосный фильтр.
Практически удается реализовать добротность фильтра до 104.
Название устройства объясняется тем, что прохождение ПАВ как
вдоль преобразователей, так и между ними сопровождается значи-
тельной задержкой (до 100 мкс).
При построении АГ используется одна из трехточечных схем, а
линия задержки включается в цепь ОС. Для компенсации затухания
в линии задержки может потребоваться дополнительный усилитель
в цепи ОС.
Важным достоинством АГ на ПАВ является возможность осу-
ществления непосредственной ЧМ, и а также дискретной или плав-
ной перестройки частоты в широких пределах. Например, возможна
дискретная перестройка частоты АГ изменением рабочей длины ли-
нии задержки в цепи положительной ОС [41]. Перспективны (осо-
бенно на СВЧ) способы модуляции и перестройки частоты путем
изменения параметров самих устройств на ПАВ, например, изменяя
скорость распространения поверхностных акустических волн в пье-
зоподложке. Для этого в линии задержки или резонаторе на ПАВ
можно установить дополнительный электрод, на который подаются
постоянное и модулирующее напряжения, изменяющие скорость
распространения ПАВ [41].
На рис. 9.21 приведены схемы гетеродина на одновходовом ПАВ-
резонаторе с рабочей частотой 418 МГц.
АГ выполнен по схеме емкостной трехточки с заземленным кол-
лектором. ПАВ-резонатор используется как эквивалентная индук-
R2 330
R2 С5 +E
330 0,1 мк R1
+3,6 В 100k
R1 100k
VT1 U
L
С1 С2 4,7 C4 2,2 C3 R3 0,7 B
0,1
мк
ZQ1 R3 C3 Выход R3
418 МГц 560 4,7 C2 560
a б в
Рис. 9.21. Схемы гетеродина на ПАВ-резонаторе: а – принципиальная;
б – по высокой частоте; в – по постоянному току
тивность Lэ. Использована простая схема параметрической стаби-

лизации коллекторного тока. В схеме могут быть использованы
СВЧ-транзисторы с граничной частотой fT более 2 ГГц и коэффи-
циентом усиления по току β0 > 20, например, К372Б, КТ3186А9,
BFP67, BFG67, BFR93.
На рис. 9.22 приведена схема радиочастотного модуля передатчи-
ка на частоту 433,92 МГц.
+3...6 В
X1 R1 20k R3 20k
С6 С8
С1 0,1 мк 1000
L1 L2
0,01 мк L3
R2
VT1
X2 27k R4 47k C4 C7 C9 C10
1,5 10 6,8 200
VT2
C2 ZQ1
433,92 С3 R5 C5
300 5,1 470 5,1
МГц
Рис. 9.22. Схема радиочастотного модуля
Такие микромощные передатчики широко применяются в сис-

темах дистанционного управления или передачи данных малого
радиуса действия. Модуль передатчика состоит из задающего гене-
ратора на транзисторе VT1 и усилителя мощности на транзисторе
VT2. Частота задающего генератора стабилизирована одновходовым
ПАВ-резонатором. Контакт X1 используется для управления УМ.
На этот контакт подается напряжение 2…6 В. Изменением напряже-
ния можно регулировать режим транзистора VT2 по постоянному
току, а значит, потребляемый ток (15…50 мА) и выходную мощность
УМ (несколько милливатт).
В качестве антенны использован отрезок провода диаметром
0,5…1 мм и длиной около 16 см. В малогабаритных устройствах
целесообразно использовать спиральные антенны. На контакт X2
подается информационный сигнал с логическими уровнями. Через
ФНЧ R2C2R4 он поступает на базу транзистора VT1. При высоком
логическом уровне задающий генератор начинает работать, и пере-
датчик излучает мпульсный сигнал.
В модуле передатчика можно использовать транзисторы 2SC3356,
BFP67, BFG67, BFR93, KT3186A9.
СИНХРОНИЗАЦИЯ И ЗАТЯГИВАНИЕ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 179
9.9. Синхронизация и затягивание

частоты автогенераторов
Синхронизация частоты [7, 28, 30, 35, 40, 52, 84]. Поведение АГ,
находящегося под воздействием внешней силы, существенно зави-
сит от амплитуды и частоты этой силы. Если амплитуда очень мала
по сравнению с амплитудой автоколебаний и одновременно частота
fc значительно отличается от частоты f0 свободного АГ, то вынуж-
денные колебания существуют совместно с автоколебаниями. Ин-
терференция этих колебаний порождает биения, проявляющиеся в
периодическом изменении амплитуды результирующего колебания.
Средняя частота остается равной или очень близкой к f0. С умень-
шением расстройки частот fc и f0 картина меняется. Частота АГ из-
меняется, сближаясь с частотой внешнего воздействия, и при неко-
тором значении Δf = fc – f0, зависящем от соотношения амплитуд,
АГ начинает работать точно на частоте fc без каких-либо признаков
модуляции. Частота АГ оказывается захваченной (синхронизиро-
ванной) частотой вынуждающей силы. Синхронизация колебаний
широко используется в разнообразных радиотехнических, связных
и измерительных устройствах: для стабилизации частоты АГ, усиле-
ния ЧМ-колебаний, сложения мощности нескольких генераторов и
т.п. Без синхронизации невозможна работа осциллографов.
Синхронизация свойственна всем АГ и имеет место в некоторой
полосе частот 2Δf, называемой полосой синхронизации, или полосой
захватывания. Полоса синхронизации АГ в режиме гармонического
захватывания равна
k ⋅ f0
2Δ f =
Qв н K p − 1 ;
при Kp 1 и k ≈ 1 справедливы соотношения:
f0 f Pc
2Δ f = = 0 ,
Qв н K p Q вн Pвых
где f0 – частота автогенератора до введения синхронизирующего

колебания;
k – коэффициент, зависящий от типа, параметров и режима ра-
боты АЭ и генератора. Для приближенных расчетов можно
полагать k = 1;
Qн Q0 ⋅ Qн
Qв н = = – внешняя добротность КС;
ηк Q0 − Qн
Qн – добротность нагруженной колебательной системы;
Q0 – добротность ненагруженной колебательной системы;
ηк – контурный КПД;
Kp = Pвых/Pс – коэффициент усиления по мощности регенератив-
ного усилителя в режиме синхронизации;
Pс – мощность синхронизирующего колебания;
Pвых – выходная мощность автогенератора до введения синхрони-
зирующего колебания.
При внешнем воздействии на АГ возможно также умножение и
деление частоты воздействия fc в целое число n раз, в результате чего
частота АГ изменяется, становясь равной либо nfc (режим ультра-
гармонического захватывания или умножения частоты), либо fc/n
(режим субгармонического захватывания или деления частоты) [28,
35, 52]. Как и при синхронизации на основной частоте, синхрониза-
ция на гармонике или субгармонике имеет место в некоторой полосе
частот, пропорциональной амплитуде синхронизирующего сигнала.
В некоторых случаях с целью повышения стабильности частоты
магнетронов используют так называемые схемы самосинхронизации
[30]. При этом часть выходной мощности с помощью отрицательной
ОС, состоящей из направленного ответвителя и фазовращателя под-
водится через циркулятор к выходу магнетрона. Таким образом, на
выходе магнетрона получаются две волны: падающая (от магнетро-
на) и отраженная (из цепи внешней ОС). Поскольку для физичес-
ких процессов, происходящих в магнетроне, безразлично происхож-
дение второй волны (отражения от нагрузки или из цепи внешней
ОС), то самосинхронизацию можно рассматривать с точки зрения
явления затягивания частоты.
Процесс синхронизации нелинеен и описывается сложными диф-
ференциальными уравнениями. Простые, пригодные для инженер-
ных расчетов соотношения, характеризующие процесс синхрони-
зации АГ СВЧ, можно получить, рассматривая влияние внешнего
синхронизирующего сигнала на АГ как результат воздействия волны
напряжения, отраженной от нагрузки [7, 40]. Такая трактовка очень
наглядна, поскольку явление синхронизации становится эквивален-
тным явлению затягивания частоты.
Затягивание частоты [4, 6, 7, 9, 16, 19, 21, 35, 84, 103]. Затяги-
ванием частоты называют изменение частоты АГ при изменении
СИНХРОНИЗАЦИЯ И ЗАТЯГИВАНИЕ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 181
полной проводимости нагрузки и фиксированном режиме питания.

Явление затягивания частоты свойственно АГ с многоконтурными
и, в частности, с двухконтурными КС. Такие КС получаются как из-
за введения дополнительных колебательных контуров (например,
для повышения стабильности частоты или увеличения мощности и
КПД), так и из-за влияния других цепей (в том числе паразитных):
резонансной антенны, резонансного волномера, длинного нагрузоч-
ного фидера, в котором не обеспечен режим бегущей волны. Для
последнего случая явление затягивания частоты получило название
эффекта длинной линии.
Анализ явления затягивания частоты обычно проводят на приме-
ре наиболее часто встречающегося на практике АГ с двухконтурной
КС, когда колебательный контур АГ связан с нагрузочным контуром
[6, 7, 9, 19, 21, 30, 35, 69, 84, 103]. При перестройке вторичного (на-
грузочного) контура изменяется проводимость, вносимая из нагруз-
ки в контур АГ. Эта проводимость имеет и активную, и реактивную
составляющие. Изменение реактивной составляющей приводит к
изменению частоты АГ. Характер изменения генерируемой частоты
зависит от величины коэффициента связи kс между контурами. При
слабой связи (kс < 1/Q2, где Q2 – добротность нагрузочного контура)
перестройка нагрузочного контура приводит к плавному изменению
генерируемой частоты. При связи, превышающей критическое зна-
чение, (kкр = 1/Q2) имеют место скачки генерируемой частоты. Это
объясняется тем, что при сильной связи в системе двух связанных
контуров вместо одной появляется три резонансные частоты: ω01,
ω02, ω03 (рис. 9.6, б), АЧХ становится двугорбой, а на ФЧХ появля-
ется область, в которой ∂φ/∂ω > 0, (рис. 9.6, б) то есть не выпол-
няется условие устойчивости баланса фаз АГ. В случае двугорбой
резонансной кривой условия существования автоколебаний могут
выполняться лишь на частотах связи ω01 и ω03 (рис. 9.6, б). Генерация
той или иной частоты зависит от режима работы АЭ и начальных
условий. В мягком режиме работы АЭ возможно существование
только одного колебания с частотой либо ω01, либо ω03, а в жестком
возможно и одновременное существование этих колебаний.
В СВЧ-диапазоне изменение полной входной проводимости АГ
удобно характеризовать в терминах коэффициента стоячей волны
(КСВ) и фазы стоячей волны в точках входного сечения АГ. За вход-
ное сечение обычно принимают сечение выходного фланца АГ, а в
случае АГ с коаксиальным выводом энергии с последующим перехо-
дом на волновод – сечение волновода, соответствующее оси штыря,
служащего переходным элементом между коаксиальным выводом

и волноводом. Затягивание частоты СВЧ-генераторов принято ха-
рактеризовать максимальным изменением частоты, происходящим
при каком-либо фиксированном значении КСВ, если фаза отраже-
ния изменяется на 360°, то есть в любых физически осуществимых
пределах. Максимальное изменение частоты при КСВ, равном 1,5,
называется полосой (параметром, степенью) затягивания.
Эффект длинной линии [6, 7, 9, 16, 21, 39, 40, 69]. При работе АГ с
резонансными КС (в частности, магнетронных) на достаточно длин-
ный фидер, в котором не обеспечен режим бегущей волны, может
возникать неустойчивость частоты – эффект длинной линии. При-
чиной неустойчивости является резкая зависимость от частоты ре-
активной составляющей проводимости нагрузки АГ, или, что то же,
фазы коэффициента отражения φ во входном сечении АЭ
∂φ/∂ω = 2l/vф.
Генерируемая частота, в свою очередь, зависит от фазы коэффи-
циента отражения. Соответствующая зависимость выражается на-
грузочными характеристиками АГ. Таким образом, при изменении
частоты изменяется, в силу свойств фидера, фаза φ, а при изменении
фазы изменяется, в силу свойств АГ, генерируемая им частота, при-
чем в ту же сторону. Если обе производные ∂φ/∂ω и ∂ω/∂φ являют-
ся величинами одного знака, изменения фазы и частоты происходят
в одну и ту же сторону. При выполнении условия
∂ϕ ∂ω
>1
∂ω ∂ϕ
наступает неустойчивость по частоте, и возникают перескоки час-
тоты.
Наибольшая длина фидера, соединяющего автогенератор с на-
грузкой, при которой в автогенераторе еще не возникают перескоки
частоты, равна
5 (1 − Г ) vФ
2
lк р = ⋅ ⋅ ,
48π Г F0
где Г = ( ρ − 1) / ( ρ + 1) – модуль коэффициента отражения;

vф – фазовая скорость волны в фидере;
F0 – полоса затягивания при |Г| = 0,2;
ρ = Umax/Umin = Emax/Emin – коэффициент стоячей волны (КСВН).
СТАБИЛЬНОСТЬ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 183
Сокращенной записью в виде КСВН иногда пользуются, чтобы

подчеркнуть, что измеряемой величиной является напряжение (или
напряженность электрического поля) в максимуме и в минимуме
стоячей волны.
9.10. Стабильность частоты

Влияние дестабилизирующих факторов [6, 7, 9−11, 17 19, 39–41,
50, 64, 69, 71−73, 79, 84, 91, 103]. Стабильность частоты является од-
ним из важнейших параметров передатчика. В большинстве случаев
она определятся только стабильностью частоты его автогенерато-
ра. Стабильностью частоты колебаний называют постоянство ее
во времени. Воздействие внешних дестабилизирующих факторов и
внутренних шумов приводит к тому, что колебания на выходе АГ не
являются монохроматическими и могут быть представлены в виде
узкополосного сигнала со случайно изменяющейся амплитудой U(t)
и фазой φ(t)
u(t) = U(t) cos [ωot + φ(t)] = [Uo + ΔU(t)] cos Ф(t),
где Uo – среднее значение амплитуды колебаний;
ΔU(t) – отклонение амплитуды от ее среднего значения;
Ф(t) – полная текущая фаза колебаний.
Мгновенная частота такого колебания равна
ω(t) = dФ (t)/dt = ωo + Δω(t),
где ωо – не изменяющееся (среднее) значение частоты;
Δω(t) = dФ(t)/dt – отклонение мгновенного значения частоты от
среднего значения, содержащее в своем составе и медленные,
и быстрые компоненты.
Медленные изменения частоты имеют в основном детермини-
рованный характер и обусловлены преимущественно изменением
температуры и старением деталей АГ.
Изменение температуры АГ может происходить за счет измене-
ния температуры окружающей среды и за счет саморазогрева АЭ и
колебательной системы. Изменение температуры приводит к изме-
нению одного или нескольких фазовых углов, входящих в уравнение
баланса фаз, что сопровождается изменением частоты генерируемых
колебаний. Влияние температуры на частоту АГ количественно оце-

нивают так называемым температурным коэффициентом частоты,
равным
ТКЧ = Δf/(ΔТ · f),
где ΔТ – изменение температуры. Относительное изменение частоты
АГ при изменении температуры равно
Δf/fo = ΔТ · ТКЧ.
Влияние температуры на резонансную частоту КС автогенера-
тора оценивают температурным коэффициентом частоты контура,
равным
ТКЧ = −0,5(ТКЕ + ТКИ),
где ТКЕ = ΔС/(С ΔТ) и ТКИ = ΔL/(L ΔТ) – температурные коэффи-
циенты емкости и индуктивности.
Основные параметры типичных автогенераторов на LС, ПАВ и
кварцевых резонаторах приведены в табл. 9.3.
Таблица 9.3. Параметры автогенераторов
Максимальная Диапазон
Тип Добротность ТКЧ
перестройка рабочих
автогенератора КС (–30…+70°,С)
частоты, % частот, Гц
LC 10 – 103 10-5 – 10-4 ±30 103 – 1011

ПАВ 102 – 104 10-6 ±10 107 – 109
Кварцевый 103 – 107 Менее 10-6 ±0,05 103 – 108
Быстрые изменения частоты обязаны своим происхождением

шумам, вибрациям, пульсациям питающих напряжений и другим
быстроизменяющимся воздействиям, носящим обычно случайный
характер.
По физической природе дестабилизирующие факторы можно раз-
делить на две группы: технические и естественные.
Основными техническими дестабилизирующими факторами
являются изменения температуры, давления и влажности, механи-
ческие деформации, изменения параметров нагрузки и фликкер-
ные эффекты в элементах передатчика. Их величина существенно
зависит от типа используемых деталей и материалов, технологии
производства и мер, принятых для ослабления их влияния. Напри-
мер, у проволочных сопротивлений никакого фликкерного шума не
обнаруживается. Технические шумы – фликкерный шум и флуктуа-
ция параметров обязаны нестабильности электрических параметров

элементов радиосхем таких, например, как сопротивление, емкость,
крутизна АЭ. Чаще всего технические шумы обладают низкочас-
тотным спектром. Фликкерный шум, иначе называемый шумом эф-
фекта мерцания, шумом 1/f, низкочастотным или избыточным, был
впервые обнаружен при исследовании шумов электронных ламп. На
частотах менее примерно 1 кГц интенсивность шума резко возрас-
тала. Первую теорию и название этого шума предложил Шоттки в
1926 г. Следует отметить, что реальный физический процесс не мо-
жет обладать чисто фликкерным спектром, пропорциональным 1/f
во всем диапазоне частот. В большинстве схем АГ фликкерный шум
существует в диапазоне частот от 0,1 Гц до 5…10 кГц. Технические
дестабилизирующие факторы имеют в своем составе, помимо флук-
туационной, и детерменированные (регулярные) составляющие (из-
менение частоты при прогреве, фон источников питания и т. п.). Они
оказывают влияние на параметры радиочастотных колебаний не не-
посредственно, а через изменение параметров КС и АЭ. В принципе
технические дестабилизирующие факторы могут быть устранены,
однако на практике именно они являются основными источниками
нестабильности параметров автоколебаний.
К естественным дестабилизирующим факторам относят тепло-
вые и дробовые шумы. Естественные шумы – тепловой и дробовой,
соответственно обязаны тепловому движению носителей заряда и
дискретной природе заряда. Эти шумы влияют на работу АГ только
теми составляющими своего спектра, которые находятся в пределах
полосы пропускания КС путем непосредственного изменения пара-
метров автоколебаний. Естественные дестабилизирующие факторы
являются сравнительно быстрыми временными процессами. Они
принципиально не могут быть устранены и существуют всегда, неза-
висимо от типа используемых деталей и технологии производства.
Воздействие дестабилизирующих факторов на параметры АЭ и
КС автогенератора приводит к изменению одного или нескольких
фазовых углов, входящих в уравнение баланса фаз φs + φк +φ = 0, что
сопровождается изменением частоты автоколебаний. Относительное
отклонение частоты АГ при малых фазовых углах φs и φк равно
Δω/ω = 0,5(φs + φк )/Q = –0,5φ/Q,
где φs – фазовый угол крутизны АЭ;
φк – фазовый угол коэфициента ОС;
φ – фазовый угол КС.
Из последнего равенства видно, что изменения генерируемой

частоты тем меньше, чем меньше φs + φк и чем больше добротность
КС. Поэтому в высокостабильных АГ необходимо использовать АЭ
с малым фазовым углом (φs ≈ 0), в которых на частоте автоколеба-
ний еще не проявляются инерционные свойства, и уменьшать сдвиг
фазы в цепи ОС.
Крутизна фазовой характеристики контура dφ/dω максимальна
вблизи его резонансной частоты. Поэтому выбором схемы и пара-
метров АГ нужно стремиться, чтобы частота автоколебаний была
близка к резонансной частоте КС.
Суммарное отклонение частоты как при нарушении баланса фаз,
так и под влиянием отклонений резонансной частоты КС выража-
ется формулой (в предположении, что оба фактора вызывают изме-
нения частоты в одну сторону)
Δω/ω = 0,5|φs + φк|/Q + Δωо/ω.
Поэтому КС высокостабильного АГ, кроме высокой добротности,
должна также обладать свойством эталонности (постоянства) своей
резонансной частоты ωо при тряске, изменении температуры, влаж-
ности и т. п.
Чтобы соседние цепи слабо влияли на величину резонансной час-
тоты КС, должна быть применена ослабленная связь КС с соседни-
ми цепями и правильно выбрана величина емкости С эталонного
контура. Характеристическое сопротивление эталонного контура
ρ=1/(ωС), используемого при параллельном резонансе, должно быть
очень малым, а используемого при последовательном резонансе –
большим. Всем перечисленным требованиям к КС высокостабиль-
ных АГ в наибольшей степени удовлетворяют КС в виде кварцевых
пластин (кварцевые резонаторы). Они имеют очень высокие добро-
тности и характеристические сопротивления. Эталонность, то есть
постоянство во времени, резонансных частот кварцевых пластин
очень высока. В табл. 9.4 приведены основные параметры некото-
рых термокомпенсированных и прецизионных термостатированных
кварцевых генераторов [75, 79], где обозначено:
fвых − выходная частота;
δкр − кратковременная нестабильность частоты за 1 с;
δдол − долговременная нестабильность частоты за 1 год;
Р − мощность энергопотребления.
Таблица 9.4. Параметры высокостабильных кварцевых генераторов

Тип Модель, сайт,
f , МГц δкр δдол Р, Вт
генератора вых производитель
±3·10-6 ГК88-ТК,
Термокомп. 9…20 0,05
за 15 лет ОАО Морион
±2·10-6 ГК144-ТК,
Термокомп. 9…20 0,1
за 15 лет ОАО Морион
ГК142,
Термоcтаб. 4…16 1·10-12 1·10-8 4
ОАО Морион
253,
Термостаб. 1; 10 1·10-12 3·10-8 3
www.mti-milliren.com
CFPO-2S,
Термостаб. 5…13 5·10-12 8·10-9 8
www.cmac.com
FTS9300,
Термостаб. 45…135 5·10-12 1·10-8 1
www.symmetricom.com
Измерение нестабильности частоты [17, 50, 71, 73, 91]. Для ко-
личественной оценки медленных и быстрых изменений частоты
используют понятия долговременной, средневременной и кратковре-
менной нестабильности частоты. Измерение частоты всегда связано
с усреднением за определенный интервал времени τ. Поэтому все
частотомеры регистрируют не мгновенную, а среднюю частоту, оп-
ределяемую как
t1 + τ
1 Φ (t1 + τ) − Φ (t1 ) ,
ωср. (t1 , τ) =
τ ∫ ω(t )d t =
t1
τ
где t1 – момент начала измерения;
τ – интервал усреднения.
Для оценки долговременной нестабильности частоты принимают
интервал усреднения τ, равным одним суткам при времени наблю-
дения Тн один месяц, шесть месяцев или один год. Для оценки крат-
ковременной нестабильности частоты обычно принимают τ равным
1 мс, 10 мс и 100 мс при Тн = 100 с. Измерения средневременной
нестабильности проводят при промежуточных значениях τ и Тн.
Нестабильность частоты характеризуется абсолютным
Δω(t) = ω(t) − ωср. или относительным Δω(t)/ωср. отклонением мгно-
венной частоты от ее среднего значения ωср.
Для оценки абсолютного значения долговременной нестабиль-
ности частоты на практике обычно используется следующая вели-
чина:
Δfдол = fср.(t1 + Тн, τ) − fср (t1, τ),

где t1 – момент начала измерения;
fср = 0,5 ωср/π.
В случае проведения нескольких однотипных измерений в ка-
честве меры нестабильности принимается среднее арифметическое
результатов N изменений
N
1
Δ f дол. =
N
∑[ f
i =1
ср (ti + Т н ,τ ) − f с р (ti ,τ ) ] .
Абсолютное значение кратковременной нестабильности часто-
ты определяется как среднеквадратичное отклонение мгновенной
частоты относительно истинного значения частоты fо
N
1
Δf к р =
N
∑ Δf
i =1
2
ср
(ti , τ) ,
где Δfср (ti, τ) = fср (ti, τ) − fо;

N – число измерений усредненной частоты;
ti – момент начала i-го измерения;
Тн = tN – ti – время наблюдения, равное интервалу времени между
началом первого и последнего измерений.
При обработке результатов измерений определяют [71, 100−102]:
N
1
• среднее значение частоты fср =
N
∑ f (t , τ) ;
i =1
i
N
1
• оценку дисперсии D[ f с р (ti )] = σ =
N
2
∑ Δf
i =1
2
(ti , τ) ;
• абсолютную кратковременную нестабильность частоты (сред-
неквадратичное отклонение мгновенной частоты относительно
среднего значения) σ = D[ f с р (ti )] ;
• относительную нестабильность частоты σ / f с р = D / fср ,
где N – число измерений усредненной частоты;
Δf (ti , τ) = f (ti , τ) − f с р − отклонение частоты от среднего зна-
чения частоты fср при i-м измерении для данной серии изме-
рений и времени усреднения τ.
НЕЛИНЕЙНОЕ УРАВНЕНИЕ АВТОГЕНЕРАТОРА 189
Поскольку каждую серию измерений частоты выполняют при не-

изменном значении выбранного интервала усреднения, расчетные
соотношения можно представить в следующем виде [71 ]:
N N
1 1
fср =
N
∑f
i =1
i , D[ f с р (ti )] =
N
∑( f
i =1
i − fср )2 ,
где fi – результат i-го измерения частоты.

Для расчета нестабильности частоты по результатам измерений
целесообразно использовать ПК. Возможный вид окна программы
на языке Delphi при десяти измерениях частоты 2,5 МГц показан
на рис. 9.23.
Рис. 9.23. Окно программы вычисления нестабильности частоты
9.11. Нелинейное уравнение

автогенератора
На рис. 9.24 показаны схемы автогенераторов с трансформаторной
обратной связью при последовательной (рис. 9.24, а) и параллель-
ной (рис. 9.24, б) схемах замещения колебательного контура. Ак-
тивными элементами таких АГ могут быть электронные лампы или
транзисторы.
На рис. 9.25 показаны схемы АГ на двухполюсниках с отрицатель-
ным дифференциальным сопротивлением. Активными элементами
таких АГ могут быть, например, ТД, диоды Ганна или так называе-
мые транзитронные генераторы, работающие на пентодах. Исполь-
i=f(uЗ ) iL i=f(uЗ) iL
iC i iR
r C
M C M r
uЗ uЗ
L L C R
u
uC
+E +E
а б
Pис. 9.24. Схемы автогенераторов с трансформаторной ОС
зованы последовательная (рис. 9.25, а) и параллельная (рис. 9.25, б)

схемы замещения колебательного контура.Параллельная схема за-
мещения колебательного контура, не меняя сути дела, упрощает со-
ставление дифференциального уравнения для напряжения u, дейст-
вующего на контуре.
Составим уравнение для АГ по схеме (рис. 9.25, а). При обозна-
ченных направлениях токов в соответствии с законами Кирхгофа
для этого АГ имеем следующую систему уравнений:
f (u ) + iC + iL = 0, iC = C d u / d t , u = L d iL / d t + r iL .
du
Подставив в последнее уравнение значение тока iL = − f (u ) − C ,
dt
d 2u d
получим LC + [u r C + L f (u ) ]+ u + r f (u ) = 0 .
dt2 dt
Пренебрегая в этом ДУ последним членом, что справедливо при
Q 1, получим нелинейное ДУ, описывающее поведение АГ при
любых режимах работы,
i=f(u) i=f(u)
iL iC iL iR
iC
C r R
C
АЭ u АЭ u
L L
а б
Рис. 9.25. Схемы автогенераторов на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением
МЕТОД МЕДЛЕННО МЕНЯЮЩИХСЯ АМПЛИТУД. КВАЗИЛИНЕЙНЫЙ МЕТОД 191
d 2u d
LC + [L f (u ) + u r C ]+ u = 0.
dt2 dt
d f (u ) d f (u ) d u
Используя тождество = и учитывая, что для на-
dt du dt
растания амплитуды колебаний коэффициент при первой производ-
ной должен быть отрицательным, последнему ДУ можно придать
вид, более удобный для дальнейшего анализа,
d 2u d u ⎡ 1 d f (u ) r ⎤ 2
2
− ⎢ − ⎥ + ω0 u = 0, (9.1)
dt d t ⎣C d u L⎦
где ω02 = 1/(LC) – резонансная частота КС;
df(u)/du – модуль дифференциальной крутизны АЭ.
На рабочем (падающем) участке ВАХ активного элемента эта
крутизна отрицательна.
Поведение всех одноконтурных LC-автогенераторов описывают
однотипные нелинейные дифференциальные уравнения.
9.12. Метод медленно меняющихся

амплитуд. Квазилинейный метод
Для приближённого описания процессов в АГ с высокодобротной КС
обычно используют метод медленно меняющихся амплитуд (метод
Ван-дер-Поля) и переходят к так называемому укороченному ДУ,
содержащему лишь производную первого порядка [6, 35, 83, 84].
Сущность метода медленно меняющихся амплитуд состоит в том,
что предполагаемое решение нелинейного ДУ ищется в виде
u = U(t) cosωt (9.2)
причем амплитуда U(t) предполагается медленной функцией време-
ни в том смысле, что относительные изменения амплитуды за пе-
риод высокочастотного колебания малы (∆U/U 1). Функция U(t)
выражает то, что в радиотехнике называется огибающей. В процессе
установления автоколебаний меняются как амплитуда, так и часто-
та автоколебаний. Поскольку изменения частоты обычно невелики,
неизвестную пока частоту ω будем считать постоянной. Для того,
чтобы подставить принятое решение (9.2) в исходное ДУ (9.1), нуж-
но совершить операции дифференцирования. После двухкратного
дифференцирования предполагаемого решения получим
du dU
= cos ωt − ωU sin ωt ,
dt dt
d 2u d 2U dU
2
= 2 cos ωt − 2ω sin ωt − ω 2U cos ωt.
dt dt dt
Так как величины sin ωt и cos ωt соизмеримы, то при сравнении
слагаемых в выражениях для первой и второй производных сопос-
тавляем их сомножители. Имея в виду условие медленности изме-
нения амплитуды отбросим в значениях производных малые слага-
емые и получим
du d 2u dU
= −ωU sin ωt , 2
= −2ω sin ωt − ω2U cos ωt (9.3)
dt dt dt
Подставив (9.3) в (9.1) и приравняв нулю суммы коэффициентов
при sin ωt и cos ωt, получим
d U U ⎡ d f (u ) 1 ⎤
ω = ω0; − − ⎥ = 0, (9.4)
d t 2C ⎢⎣ d u R⎦
где R = L/(rC) – резонансное сопротивление нагруженной КС.
Из первого уравнения следует, что частота колебаний ω равна
резонансной частоте колебательной системы ω0. Второе уравнение –
так называемое укороченное ДУ.
Метод укороченного уравнения значительно упрощает последую-
щие этапы анализа, поскольку уравнение (9.4) содержит лишь про-
изводную первого порядка.
Для практического использования укороченного уравнения (9.4)
нужно перейти от мгновенного значения крутизны df(u)/du к амп-
литудному. Этот переход можно осуществить при помощи так назы-
ваемого квазилинейного метода, разработанного Ю. Б. Кобзаревым
[6, 9, 35, 39, 50, 58, 71, 83, 84]. Квазилинейный метод применяется
для исследования автогенераторов и других устройств, в которых
форма напряжений (или токов) близка к гармонической. Сущность
этого метода состоит в замене нелинейного элемента эквивалентным
линейным, характеризуемым средним параметром (параметром по
первой гармонике). Нелинейность схемы проявляется в зависимос-
ти среднего параметра от амплитуды.
Переход от мгновенных значений крутизны к амплитудным может
быть совершен следующим образом. При напряжении u = U(t) cosω0t
ток f(u) будет определяться выражением
f(u) = I0 + I1 cosω0t + I2 cos2ω0t + ….
МЕТОД МЕДЛЕННО МЕНЯЮЩИХСЯ АМПЛИТУД. КВАЗИЛИНЕЙНЫЙ МЕТОД 193
При Q 1 влиянием всех высших гармоник можно пренебречь,

то есть приближенно считать f(u) = I0 + I1 cosω0t. Дифференцируя
по времени выражения для напряжения и тока, получим
du d f (u )
= −ω0U sin ω0t , = −ω0 I1 sin ω0t .
dt dt
Сопоставив последние равенства, получим
d f (u ) I1
= = S1 = G1 ,
du U
где I1 – амплитуда первой гармоники тока;
S1– модуль средней за период колебаний крутизны (крутизны по
первой гармонике выходного тока АЭ);
G1– модуль средней за период колебаний отрицательной прово-
димости АЭ, определённой по первой гармонике тока.
Обозначение крутизны S обычно используют для ламп и транзис-
торов, а проводимости G – для двухполюсников.
Для определения амплитуды первой гармоники тока I1 использу-
ют как графический, так и аналитический методы. В радиотехнике
наибольшее распространение получили методы трёх и пяти ординат,
одинаково пригодные для графических и аналитических методов
расчёта. Метод пяти ординат является более точным, а метод трёх
ординат – наиболее простым.
Достоинством графического метода является наглядность. Пример
использования графического метода трёх ординат дан на рис. 9.26.
Для заданной рабочей точки А и амплитуды колебаний U находят
по ВАХ значения токов imax и imin и подставляют их в расчетную
формулу I1 = 0,5(imax – imin).
5
i,мА
4
2
i max i min
1
0 U,В
0.2 0.4 0.6 0.8
Рис. 9.26. Вольт-амперная характеристика туннельного диода

Аналитические методы расчёта являются более общими и, как

правило, менее громоздкими. Однако для осуществления аналити-
ческого расчёта необходимо иметь аналитическое выражение ВАХ.
В радиотехнике обычно используют аппроксимацию ВАХ отрезка-
ми прямых или степенным полиномом.
В общем случае можно использовать известную формулу ряда
2π
1
Фурье I1 =
π ∫ f (ωt ) cos ωt d t , однако при аппроксимации ВАХ
0
степенными полиномами можно достичь существенного упрощения
в выкладках, воспользовавшись известными тригонометрическими
формулами.
Наиболее употребительные формулы, используемые при гармо-
ническом анализе колебаний:
1 1
sin 2 α = − cos 2α ; sin 4 α =
3 1 1
− cos 2α + cos 4α ;
2 2 8 2 8
3 1 5 5 1
sin 3 α = sin α − sin 3α ; sin 5 α = sin α − sin 3α + sin 5α .
4 4 8 16 16
При аппроксимации ВАХ укороченными полиномами третьей
f(u) = a1u + a3u3 и пятой f(u) = a1u + a3u3 + a5u5 степени средняя
крутизна соответственно равна
3 3 5
S1 = a1 + a3U 2 и S1 = a1 + a3U 2 + a5U 4 .
4 4 8
Введем выражение средней крутизны в укороченное дифферен-
циальное уравнение (9.4)
dU U ⎡ 1⎤ dU U ⎡ 1⎤
− ⎢ S1 − ⎥ = 0 или − ⎢G1 − ⎥ = 0 (9.5)
d t 2C ⎣ R⎦ d t 2C ⎣ R⎦
Полученное уравнение составлено относительно амплитудных
значений напряжения U. Подставив в это уравнение выражение
средней крутизны, получим нелинейные ДУ первого порядка, ко-
торое всегда может быть решено методом разделения переменных.
Используя уравнение (9.5), можно найти амплитуду колебаний в
стационарном режиме, исследовать устойчивость режима и опреде-
лить динамику процесса установления амплитуды автоколебаний.
При аппроксимации полиномами третьей и пятой степени стацио-
нарные амплитуды колебаний соответственно равны
ПРОЦЕСС УСТАНОВЛЕНИЯ АМПЛИТУДЫ АВТОКОЛЕБАНИЙ 195
1/ R − a1 3a3 ⎛ 3a ⎞
2
8
U =2 и U2 = − + ⎜ 3 ⎟ − (a1 − 1/ R ) .
3a3 5a5 ⎝ 5a5 ⎠ 5a5
9.13. Процесс установления амплитуды

автоколебаний
Используя укороченное ДУ (9.5), можно исследовать динамику про-
цесса установления амплитуды автоколебаний. Расчёты существен-
но упрощаются, когда нужно найти не закон изменения во времени
амплитуды автоколебаний, а лишь время нарастания амплитуды
колебаний от начального до установившегося значения. В этом
случае характеристику средней крутизны (или проводимости) АЭ
можно аппроксимировать отрезками прямых G1 = zG0 (рис. 9.27).
В мягком режиме можно полагать коэффициент z, равным 0,8, а в
жёстком – 1,2.
G1 zG0 G1
G0 zG0
G0 1/R
1/R
U
0 Uн U 0 Uн
U ст U ст
а б
Рис. 9.27. Аппроксимация характеристик средней проводимости:
а – в мягком; б – в жестком режимах работы
Решив уравнение (9.5) при G1 = zG0, определим время установ-
ления амплитуды колебаний от начала самовозбуждения до устано-
вившегося значения
2 RC U CT
ty = ln ,
z RG0 − 1 U H
где UН и UСТ – начальная и стационарная амплитуда колебаний;
R и C – резонансное сопротивление и ёмкость нагруженной ко-
лебательной системы.
Начальная амплитуда колебаний зависит от напряжения шумов в
АГ, напряжения внешнего воздействия и напряжения ударного воз-
буждения при включении питающих напряжений.
Амплитуда напряжения ударного возбуждения КС автогенерато-

ра при включении питающих напряжений равна
di ρ d iL R d iL
U уд = L L = или U у д = 160 [Ом, МГц, мА/мкс, мкВ],
d t ω0 d t Q f0 d t
где R = Qρ – резонансное сопротивление нагруженной КС;
f0 – резонансная частота;
diL/dt – скорость изменения тока в индуктивности контура, рав-
ная скорости изменения выходного тока АЭ.
9.14. Шумы в автогенераторах

В радиоэлектронных устройствах основное влияние оказывают
дробовой и тепловой шумы. Влияние фликкер-шума (шум 1/f) на
высоких частотах гораздо меньше, поскольку его спектральная плот-
ность обратно пропорциональна частоте. В оптическом диапазоне
преобладают квантовые шумы. Влиянием квантовых шумов мож-
но пренебрегать до тех пор, пока соблюдается условие hf kT, где
h = 6,63·10-34 Дж·c – постоянная Планка.
Дробовой шум
Дисперсия (средний квадрат) и эффективное (среднеквадратич-
ное) значение флуктуационной составляющей тока равны (фор-
мула Шоттки) [6, 17, 83, 84]
2
σ i = 2e I 0 Δf ; σ i = σ i 2 ,
где e = 1,6·10-19 Кл – заряд электрона;
I0 – среднее значение тока;
∆f – полоса шумов.
Для численных расчетов удобно использовать равенство
σ i = 1,8 ⋅ 10 −5 I 0 Δf [мA, МГц].
Эффективное значение шумового напряжения равно [6, 17, 83, 84]:
• на резистивном сопротивлении R
Uдр = σu = σiR или U д р = 0,018 R I 0 Δf [Ом, мА, МГц, мкВ];
• на нагрузке в виде параллельного соединения R и C
U д р = 0 ,5eRI 0 / C или U д р = 9 R I 0 / C [Ом, мА, пФ, мкВ];

ШУМЫ В АВТОГЕНЕРАТОРАХ 197
• на нагрузке в виде параллельного колебательного контура

LC, шунтированного омическим сопротивлением R,
U д р = 0,5e R I 0 / C = 2,83 ⋅10 −10 R I 0 / C = 7,1 ⋅10 −10 R I 0 ⋅ 2Δ f 0, 7 или
R
I 0 R 3570 I0
U д р = 8,94 = I 0 2Δf 0 ,7 = [Ом, мА, пФ, МГц, мкВ],
C 44 ,6 C 2Δf 0 ,7
где 2∆f0,7 – полоса пропускания контура по уровню 0.707. Эта
полоса в /2 раза меньше шумовой (энергетической) полосы
контура ∆f [6, 83, 84].
Отношение колебательной мощности АГ к мощности его дробо-
вого шума Pдр равно
P1 Pд р = ( U U д р )2 = 1018 I 0 g12 2Δf 0 ,7 ,[A,Гц],
где I0– среднее значение тока АЭ;
g1 = I1/I0 – коэффициент формы тока.
В транзисторных и ламповых генераторах величина коэффициен-
та g1, в зависимости от угла отсечки θ, равна 1…2. В диодных гене-
раторах отношение токов I1/I0 зависит от материала диода и режима
работы генератора и обычно g1 ≤ 1. Например, коэффициент фор-
мы тока в генераторах на лавинно-пролетных диодах, работающих
в IМРАТТ-режиме, принимают равным 0,4 [71]. В генераторах на
диодах Ганна из арсенида галлия, работающих в пролетном режи-
ме, величина коэффициента g1 близка к 0,3, а в ОНОЗ-режиме – к
единице [71]. В генераторах на ТД из арсенида галлия, работающих
в режиме максимальной колебательной мощности, g1 ≈ 1 [23].
Тепловой шум
Дисперсия (средний квадрат) и эффективное (среднеквадратич-
ное) значение шумового напряжения на резистивном сопротивле-
нии R равны [17, 83, 84] (формула Найквиста):
σ u2 = U T2 = 4kTRΔf ; U T = U T2 ,
где k = 1,38·10-23 Дж/К – постоянная Больцмана;
T – абсолютная температура в кельвинах (K = °C + 273,16);
∆f – полоса шумов.
Для численных расчетов удобно использовать равенство
U T = 7 ,4 ⋅ 10 −3 T RΔf [Ом, МГц, мкВ].
Эффективное значение шумового напряжения на нагрузке в

виде параллельного колебательного контура LC, шунтированного
омическим сопротивлением R, равно
U T = 2πkTR ⋅ 2Δf 0, 7 .
Для численных расчетов при T = 293K= 20°C удобно использовать
следующие равенства:
U T = 0 ,16 2Δf 0 ,7 R = 64 C [Ом, МГц, пФ, мкВ],
где 2∆f0,7 – полоса пропускания контура по уровню 0,707. Эта полоса

в /2 раз меньше энергетический полосы контура [6, 83, 84].
Часто под σi2 и σu2 понимают средние мощности, выделяемые
соответственно флуктуациями тока и напряжения на резистивном
сопротивлении, равном 1-ому.
При сложении двух шумов (двух некоррелированных сигналов)
складываются квадраты их амплитуд. Эффективное значение сум-
марного шумового напряжения равно
U Ш = U д2р + U T2 .
Амплитуда напряжения шума UШ max в данный конкретный мо-
мент непредсказуема, но она подчиняется закону распределения
Гаусса и потому обычно принимают, что выброс шумового напря-
жения примерно в 3 раза превышает его эффективное значение
UШ max = 3UШ.
Отношение шумовых напряжений на нагрузке в виде парал-
лельного колебательного контура LC, шунтированного омическим
сопротивлением R, равно
U др e
= RI0 .
UT 2k T
Реальный спектр теплового шума ограничен предельной часто-

той
fmax = kT/h,
где h = 6,63·10-34 Дж·c – постоянная Планка.
На более высоких частотах напряжение теплового шума быстро
убывает.
ФЛУКТУАЦИИ ЧАСТОТЫ И ФАЗЫ АВТОКОЛЕБАНИЙ 199
9.15. Флуктуации частоты

и фазы автоколебаний
Эффективное (среднеквадратичное) значение частотной флуктуа-
ции автоколебания равно
f0 σ i f PШ f U
Δf э ф = = 0 = 0 Ш
2Q I1 2Q P1 2Q U .
Частотная флуктуация автоколебаний, обусловленная дробо-
вым шумом АЭ, равна
5 ⋅ 10 −10 ( 2Δf 0 ,7 )3 2
Δf э ф = [Гц,А].
g1 I 0
Среднеквадратичный набег фазы автоколебания, обусловлен-
ный влиянием шумов, равен
σi ω0 Δt PШ U
ϕэ ф = = 2Δω0, 7 Δt = Ш 2Δω0, 7 Δt ,
I1 Q P1 U
где f0, Q и 2∆f0,7, 2∆ω0,7 – резонансная частота, добротность и полоса
пропускания колебательного контура АГ;
σi – эффективное значение флуктуационной составляющей вы-
ходного тока АГ;
I0 – среднее значение выходного тока АЭ;
I1 – амплитуда первой гармоники выходного тока АЭ;
U и UШ – амплитуда колебаний и эффективное значение шумо-
вого напряжения на контуре АГ;
g1 = I1/I0 – коэффициент формы тока;
P0 – колебательная мощность АГ;
PШ – мощность шумов в АГ;
∆t – промежуток времени, за который определяется набег фазы
автоколебания.
Среднеквадратичная погрешность радиолокационного допле-
ровского измерителя скорости, обусловленная флуктуационным
набегом фазы автоколебания ∆φэф за время ∆t, при учете влияния
теплового и дробового шума АГ равна
c Δt PШ
σV = .
2TИ Q f 0 P1
При доминирующем влиянии дробового шума АГ эта погреш-

ность равна
0 ,1 Δt
σV = ,
TИ Q g1 I0
где TИ – время измерения (интервал усреднения) скорости;
∆t = 2R/c – промежуток времени, за который определяется набег
фазы автоколебаний;
R – дальность действия измерителя (расстояние между измери-
телем и объектом);
f0 и Q – резонансная частота и добротность нагруженной колеба-
тельной системы АГ;
g1 = I1/I0 – коэффициент формы тока;
с – скорость света.
9.16. Паразитная автогенерация

Паразитной называют автогенерацию нежелательную, возникаю-
щую самопроизвольно. Существуют различные причины паразитной
автогенерации. В большинстве случаев паразитные колебания су-
ществуют за счет ОС. Автогенерация за счет ОС возможна на любой
частоте во всех тех случаях, когда оказываются выполненными ус-
ловия существования автоколебаний. Условие самовозбуждения ко-
лебаний для паразитной автогенерации не является обязательным,
так как при достаточно большой амплитуде внешнего воздействия
(включение источника питания, внешние электромагнитные поля
и т.п.) автоколебания возникают и в жестком режиме работы АЭ.
Паразитная автогенерация возможна как в АГ, так и в каскадах не-
зависимого возбуждения.
Для предотвращения паразитной автогенерации за счет обрат-
ной связи достаточно нарушить хотя бы одно из условий существо-
вания автоколебаний. Обычно уменьшают величину резонансного
сопротивления паразитных колебательных контуров и величину
коэффициента ОС. Для уменьшения резонансного сопротивления
используют специальные антипаразитные сопротивления. Их дейс-
твие должно быть таково, чтобы они, устраняя паразитную автоге-
нерацию, не нарушали бы правильную работу каскадов на рабочей
частоте. Для этого используют либо различия в частотах рабочей
и паразитной генерации, либо различия в распределении токов в
ПАРАЗИТНАЯ АВТОГЕНЕРАЦИЯ 201
различных участках цепей. Для уменьшения коэффициента ОС ис-

пользуют АЭ с малыми проходными емкостями (тетроды и пенто-
ды), а также схемы усиления с общей сеткой. При неизменной вели-
чине проходной емкости коэффициент связи входного и выходного
контура будет тем меньше, чем больше емкости этих контуров.
Эффективный способ ослабления ОС через проходную емкость –
использование нейтродинных схем. Идея нейтродинных схем состо-
ит в компенсации (нейтрализации) вредной связи между входной и
выходной цепями при помощи искусственно создаваемой обратной
связи. Эта компенсирующая связь осуществляется обычно при по-
мощи специального так называемого нейтродинного конденсатора,
через который проходит ток, равный по амплитуде и противопо-
ложный по фазе емкостному току, проходящему через проходную
емкость АЭ. Наиболее просто нейтрализация осуществляется в
двухтактных генераторах.
Устранение паразитных колебаний, возникающих за счет обрат-
ной связи с мощных каскадов на его первые каскады, достигается
экранировкой входных и выходных цепей, правильным расположе-
нием элементов передатчика, устранением длинных высокочастот-
ных соединительных проводов, а также использованием в промежу-
точных каскадах умножителей частоты.
Для устранения прерывистой автогенерации уменьшают величи-
ну емкостей и сопротивлений в цепи автосмещения.
Основные меры борьбы с параметрической неустойчивостью –
снижение добротности паразитных контуров и глубины модуляции
их реактивных параметров.
Рассмотрим три примера возникновения паразитных автоколе-
баний. Первый пример – усилитель с колебательными контурами в
цепи сетки и анода ( рис. 9.28, а). В этой схеме жирными линиями
выделены индуктивности выводов и монтажа (соединительных про-
водников). Эти индуктивности и межэлектродные емкости играют
основную роль в диапазоне частот, много выше рабочей. Сопротив-
ление же рабочих контуров на высоких частотах мало и им можно
пренебречь. Эквивалентная схема усилителя на высоких частотах
показана на рис. 9.28, б. Ее можно рассматривать как двухконтурный
АГ. На частоте возможной генерации оба эти контура должны иметь
индуктивные сопротивления, а сама схема представляет индуктив-
ную трехточку.
Другим примером может служить АГ по схеме Клаппа с зазем-
ленной базой (рис. 9.29, а). Такую схему обычно используют при
L2
Саg Cаg L2
L1 Сак Сак
Сgк
Сgк L1
Рис. 9.28. Схемы усилителя: а – принципиальная; б – эквивалентная
осуществлении ЧМ, поскольку варикап со сравнительно малой ем-

костью может быть полностью подключен к колебательному конту-
ру АГ (между точкой “a” и корпусом). Эквивалентная схема АГ по
переменному току показана на рис. 9.29, б. В диапазоне частот, много
ниже рабочей, сопротивление емкости С3 велико, так что влиянием
цепи С3L1 можно пренебречь. На частоте возможной генерации кон-
денсаторы С1, С2 и дроссель в цепи питания L2 образуют емкостную
трехточку. Для устранения паразитных колебаний в контур С1, С2,
L2 введено антипаразитное сопротивление R2.
Третий пример – низкочастотный АГ на ТД (рис. 9.13, б). В диа-
пазоне частот, много выше рабочей, можно пренебречь влиянием
большого сопротивления индуктивности L1 и малого сопротивле-
ния емкости С1. Емкость диода Сп совместно с паразитными индук-
тивностями LВ, LR1, LВ2 образует параллельный контур (рис. 9.13, в).
Частота возможной генерации близка к резонансной частоте этого
контура.
R2 L2 C4
470 100мкГн 0,47
+13В
C3
820 R3 R2
10к C3
а
L1 С1
C1 40мкГн
КТ603 L1 L2
3нФ
C2
33нФ
R4
2,7к
R1 C4 С2
200 0,47
10мА
а б
Рис. 9.29. Схемы автогенератора: а – принципиальная; б – эквивалентная
СИНТЕЗАТОРЫ СТАБИЛЬНЫХ ЧАСТОТ 203
Паразитная генерация возможна при достаточно малой проводи-

мости колебательного контура
Сrп/(Lв + Lв2) < |G0|max,
где |G0|max = 5Iп, [мА, мСм] – модуль максимальной дифференциаль-
ной проводимости ТД из арсенида галлия;
Iп – пиковый ток ТД.
В некоторых случаях для устранения паразитной генерации ис-
пользуют антипаразитный резистор R1 (рис. 9.13, б, в).
9.17. Синтезаторы стабильных частот
Параметры синтезаторов частот

Синтезатором стабильных частот (ССЧ) или просто синтеза-
тором частот (СЧ) называют устройство, преобразующее исходное
опорное колебание с частотой f0 в колебание с другой частотой fi
(ί = 1, 2,…,N, где N – количество дискретных частот) при высоких
требованиях к погрешности установки частот fi, к уровню побочных
спектральных составляющих (ПСС) и к дополнительным собствен-
ным шумам.
СЧ с расширенными функциональными возможностями обеспе-
чивают быстрое переключение значений fί в широких пределах в
диапазоне сверхвысоких частот, формирование сигналов с заданны-
ми законами модуляции и спектральным составом при цифровом
управлении [89].
Устройства формирования стабильных сигналов создают фунда-
мент, на котором базируется сама возможность правильного и на-
дежного функционирования современных мобильных средств связи,
систем презиционных радиотехнических измерений, радионавига-
ции и радиолокации.
Основными техническими параметрами СЧ являются [32, 39,
53, 58, 64, 71, 72, 79, 89, 91, 96, 103]:
• минимальная (fmin) и максимальная (fmax) частоты диапазона.
Минимальные частоты современных СЧ составляют доли гер-
ца, а максимальные – десятки гигагерц;
• коэффициент перекрытия диапазона κд = fmax/fmin. В широкоди-
апазонных синтезаторах 1,2 ≤ κд ≤ 50…100;
• количество дискретных частот N. Значение N лежит в преде-
лах 1…105…106 и более, а типовые значения N = 1…1000;
• шаг перестройки частоты Δ. Для равномерной сетки частот

Δ = (fmax – fmin)/(N–1). Шаг перестройки определяет погрешность
установки заданного значения частоты и лежит в пределах от долей
герца до десятков килогерц;
• относительная нестабильность частоты Δf/f. При использова-
нии опорного кварцевого генератора (ОКГ) значения кратков-
ременной и долговременной нестабильностей частоты обычно
удовлетворяют условию 10-8 ≤ Δf/f ≤ 10-4. При нестабильнос-
тях 10-9…10-12 вместо ОКГ используют квантовые стандарты
частоты;
• уровень побочных колебаний D = 10 lg (Pпоб/Pп), характеризу-
ющий отношение мощности побочного колебания Pпоб на вы-
ходе возбудителя к пиковой мощности Pп на рабочей частоте.
Обычно D = –40…–60 дБ, а в отдельных случаях необходим
еще более низкий уровень D = –100…–140 дБ;
• время перестройки tпер с одной рабочей частоты на другую. Оно
определяется задачами РЭС. Как правило, время перестройки
обратно пропорционально шагу перестройки tпер = k/Δ. Коэф-
фициент пропорциональности k зависит от структуры СЧ;
• выходные напряжения СЧ характеризуются количеством од-
новременно функционирующих выходов и средними квадра-
тическими значениями мощностей на заданных сопротивле-
ниях нагрузки. Например, указывается, что на единственном
выходе СЧ с сопротивлением 50 Ом выделяется мощность
+10 дБ мВт, что соответствует мощности 10 мВт или среднему
квадратическому значению напряжения 70,7 мВ.
К технико-экономическим и технологическим параметрам СЧ от-
носят надежность, возможность дистанционного управления, уро-
вень потребляемой мощности, ремонтопригодность, массогабарит-
ные показатели, требуемые условия эксплуатации, цену и т. п.
Принципы построения генераторов

стабильных частот
В условиях с небольшим числом фиксированных частот исполь-
зуются коммутируемые кварцевые резонаторы (КР) или кварцевые
генераторы (КГ) [41]. Наиболее широко применяется способ пере-
ключения КР с помощью электронных ключей. При повышенных
требованиях к стабильности частоты используется коммутация не
КР, а кварцевых генераторов. Каждый резонатор (генератор) це-

лесообразно термокомпенсировать индивидуально. По принципу
кварц–волна построен, например, отечественный возбудитель ВТ-2,
обеспечивающий работу на одной из трех фиксированных частот.
Для получения большого числа высокостабильных частот исполь-
зуются синтезаторы частот. Схемы построения СЧ чрезвычайно
многообразны. В простейших синтезаторах используется интерпо-
ляционный принцип формирования выходных колебаний, предло-
женный Г. А. Зейтленком в 1932 г. [7,9]. При этом рабочая частота
получается путем сложения (или вычитания) вспомогательных час-
тот f1 и f2 (рис. 9.30). На смеситель поступают сигналы от эталонно-
го генератора ЭГ с частотой fэ и от диапазонного генератора Г с час-
тотой fг. Полосовой фильтр выделяет сигнал с частотой fэ + fг (или
fэ – fг). При изменении частоты fг и перестройке фильтра частота
выходного сигнала будет изменяться. По такому принципу построен
возбудитель ВЧД-100. Чем выше значение частоты fэ по сравнению
с fг, тем стабильнее рабочая частота, но тем жестче требования к
селективным возможностям полосового фильтра.
fвых= f э+ f г
fэ fг
ЭГ Г
Рис. 9.30. Структурная схема интерполяционного синтезатора
Однако интерполяционные синтезаторы не в состоянии удовлет-

ворить ряду современных требований, из которых главным является
обеспечение высокой стабильности частоты сигнала в сочетании с
хорошим подавлением сопутствующих колебаний. Переход от плав-
ного перекрытия диапазона частот к дискретному позволил сущест-
венно улучшить параметры синтезаторов.
Различают одноопорные и многоопорные СЧ. Системы синтеза
частот, работающие от одного опорного генератора, обеспечивают
фазовую когерентность между каждым из выходных колебаний. Под
когерентностью колебаний различающихся частот понимается, что
фазовый сдвиг между ними за вычетом линейно – изменяющейся во
времени компоненты, обусловленной различием номинальных зна-
чений частоты, не может неограничено возрастать и имеет постоян-

ное математическое ожидание. Многоопорные СЧ не обеспечивают
когерентности в этом смысле из-за неопределенности фаз незави-
симых генераторов опорных частот и неограниченного дрейфа их
разности фаз [79].
В радиоаппаратуре чаще всего используют одноопорные СЧ, вы-
ходные рабочие частоты которых образуются в результате когерен-
тных преобразований частоты одного опорного высокостабильного
АГ. Наиболее распространенными являются следующие методы син-
теза частот:
• прямой аналоговый синтез (Direct Analog Synthesis, DAS) на
основе структуры смеситель/фильтр/делитель, при котором
выходная частота получается непосредственно из опорной
частоты посредством операций смешения, фильтрации, умно-
жения и деления;
• косвенный (indirect) синтез на основе фазовой автоматической
подстройки частоты (Phase Locked Loop, PLL), при котором
выходная частота формируется с помощью дополнительного
генератора (чаще всего это генератор, управляемый напряже-
нием – Voltage Controlled Oscillator, VCO), охваченного петлей
ФАПЧ;
• прямой цифровой синтез (Direct Digital Synthesis, DDS), при ко-
тором выходной сигнал синтезируется цифровыми методами;
• гибридный синтез, представляющий собой комбинацию не-
скольких методов, описанных выше.
Каждый из этих методов синтеза частот имеет преимущества и
недостатки, следовательно, для каждого конкретного приложения
нужно делать выбор, основанный на наиболее приемлемой комби-
нации компромиссов.
Прямые и косвенные СЧ могут быть выполнены как на анало-
говой элементной базе, так и с применением цифровых устройств.
Переход к цифровой элементной базе позволяет улучшить массога-
баритные параметры СЧ, повысить надежность и технологичность,
но снижает максимальное значение рабочей частоты. СЧ, содержа-
щие цифровые устройства, дополнительно называются цифровыми.
Для получения густой сетки большого объема используют сов-
мещение нескольких сеток с различным шагом. При распределении
множества частот в десятичной системе записи получаются удоб-
ные для практики декадные синтезаторы частоты [58]. Значение
выходной частоты таких СЧ совпадает с показаниями декадных пе-

реключателей. Декадные СЧ могут быть построены по методу пря-
мого, или косвенного синтеза.
Прямые синтезаторы
Прямые синтезаторы (их также называют пассивными) строятся
на основе метода прямого синтеза. Этот метод синтеза называют
прямым, потому что в нем отсутствует процесс коррекции ошибки.
Следовательно, качество выходного сигнала напрямую связано с
качеством опорного сигнала. Фазовый шум такого синтезатора до-
статочно низок вследствие прямого синтеза. Перестройка по частоте
может быть очень быстрой.
Простейшие прямые аналоговые синтезаторы строятся с исполь-
зованием генераторов гармоник (ГГ) (рис. 9.31, а) [39, 58, 71, 72, 79,
91]. В качестве генераторов гармоник используются формирователи
импульсов, преобразующие выходное гармоническое колебание эта-
лонного генератора (ЭГ) с частотой fэ в последовательность корот-
ких видеоимпульсов или радиоимпульсов той же частоты. Спектр
такого сигнала содержит интенсивные высшие гармоники частоты
входного воздействия fm = m fэ, где m = 1, 2…, нужная из которых
выделяется полосовым фильтром (ПФ). По описанному принципу
построен синтезатор возбудителя ВТ-53 М.
Степень подавления нежелательных компонент на выходе син-
тезатора определяется параметрами ПФ. Фильтры на LC-элементах
имеют полосу пропускания на уровне – 60 дБ не уже 5%, что поз-
воляет выделять гармоники с номерами не более 20. Использование
электромеханических фильтров дает возможность довести mmax до 50,
а кварцевых фильтров и фильтров на ПАВ – до 100…150 [71].
Для лучшего подавления соседних гармоник обычно используют
двойное преобразование частоты – схему с компенсацией (вычита-
нием) ошибки, компенсационную цепь [39, 53, 58, 72, 79, 91]. В схеме
с вычитанием ошибки (рис. 9.31, б) после первого смесителя СМ1
частоты всех составляющих спектра ГГ понижаются на частоту fг
вспомогательного гетеродина до значений, при которых фильтр
Ф1 может легко подавить побочные колебания. Ширина поло-
сы пропускания Ф1 выбирается меньшей, чем шаг сетки. Фильтр
Ф1 – неперестраиваемый, это улучшает его параметры и упрощает
конструкцию. Подбором fг выбранную частоту mfэ – fг совмещает с
центральной частотой фильтра Ф1. На выходе смесителя СМ2 сиг-
нал с суммарной частотой mfэ – fг + fг = mfэ отделяется от остальных
выход Г
fг Ф2
fг fвых
m fэ СМ2
СМ1
ГГ m fэ - f г
Ф1
fэ
fэ
mfэ
ЭГ ГГ ЭГ
а б
Рис. 9.31. Структурные схемы синтезаторов с умножителем частоты:
а – простейшего; б – с двойным преобразованием частоты
комбинаций перестраиваемым фильтром Ф2. Применение одного и

того же гетеродина при двойном преобразовании частоты позволя-
ет исключить (скомпенсировать) влияние медленных уходов fг на
частоту выходного сигнала.
Видеоимпульсы на выходе генератора гармоник (рис. 9.31) харак-
теризуются периодом следования 1/fэ, длительностью τ и скважнос-
тью q = 1/(τfэ). Амплитуды спектральных компонентов последова-
тельности прямоугольных видеоимпульсов изменяются по закону
sin(mπ / q)
Am = 2 A ⋅
mπ
При q 1 аргумент синуса мал и потому с ростом m амплитуды
гармоник невысокого порядка изменяются незначительно, так что
на выходе ГГ можно получить несколько десятков дискретных гар-
моник заметной амплитуды.
Для повышения эффективности преобразования мощности ви-
деоимпульсов в мощность сетки частотных компонентов последо-
вательность видеоимпульсов преобразуют в последовательность
радиоимпульсов. С этой целью в выходную цепь ГГ включают ре-
зонансный контур с ударным возбуждением, настроенный примерно
на частоту k-й гармоники выходного сигнала. Этот контур форми-
рует последовательность радиоимпульсов с одинаковой начальной
фазой высокочастотного заполнения в каждом радиоимпульсе [79].
Огибающая спектра выходной последовательности полученных ко-
герентных радиоимпульсов максимальна для m = k и слабо изменя-

ется для значений кратности
(k – q/5) < m < (k + q/5).
Спектральные компоненты такого радиоимпульсного умножителя
частоты в точности кратны их частоте повторения fэ: fвых = mfэ [79].
В цифровых СЧ, построенных по методу прямого синтеза, ко-
лебание требуемой частоты fвых формируется из потока импульсов,
частота следования которых гораздо больше частоты выходных
колебаний. Одна из простейших схем цифрового синтеза (схема
двухуровневого синтезатора) представлена на рис. 9.32 [71]. В фор-
мирователе импульсов ФИ из гармонического колебания эталонно-
го генератора ЭГ формируется периодическая последовательность
коротких импульсов с частотой следования fэ fвых. Эти импульсы
поступают на вход делителя с переменным коэффициентом деле-
ния ДКПД. Коэффициент деления ДКПД выбирается таким, чтобы
частота следования импульсов на его выходе была в два раза выше
частоты выходного сигнала синтезатора. Триггер Т создает последо-
вательность прямоугольных импульсов со скважностью 2 и частотой
следования, равной заданной. В перестраиваемом фильтре Ф из этой
импульсной последовательности выделяется синусоидальный сиг-
нал с частотой первой гармоники. Изменяя коэффициент деления
ДКПД и перестраивая фильтр Ф, можно изменять частоту выходных
колебаний. Очевидно, что в общем случае, при некоторых значениях
fвых требуемый коэффициент деления ДКПД может оказаться не-
целым числом. Счетчиковые делители, на базе которых создается
ДКПД, не могут поделить частоту на нецелое число. В подобных
случаях счетнорешающее устройство СЧРУ по известному отличию
текущего коэффициента деления от среднего коэффициента деления
вычисляет временной сдвиг между формируемыми и идеальными им-
пульсами и управляет коэффициентом деления ДКПД. Совокупность
ДКПД и СЧРУ можно рассматривать как делитель с дробно-перемен-
ным коэффициентом деления. При этом сигнал на выходе синтезатора
будет иметь нужную частоту, но с некоторым колебанием фазы, изме-
няющейся по периодическому закону. Эти колебания фазы приводят к
появлению побочных составляющих в спектре выходного сигнала.
При использовании пассивных частотных фильтров невозможно
обеспечить малый шаг дискретных частот из-за сложности подав-
ления мешающих спектральных компонентов вблизи выделяемой
частоты. Более высокого качества фильтрации одного гармоничес-
fэ fэ f вых
ДПКД Т
ЭГ ФИ Ф
СЧРУ
Рис. 9.32. Структурная схема двухуровнего синтезатора частоты

кого колебания из сетки одновременно генерируемых частот можно
добиться за счет использования системы фазовой автоматической
подстройки частоты.
Синтезаторы с фазовой автоподстройкой частоты

Непрямые (косвенные или активные) СЧ строятся на основе ме-
тода косвенного синтеза (иногда называемого методом анализа).
Также синтезаторы содержат частотные фильтры на основе колец
автоматической подстройки частоты или компенсационные схемы
фильтрации с вычитанием частотных погрешностей АГ с плавной
перестройкой [79].
В простейшем синтезаторе с фазовой автоподстройкой частоты
(рис. 9.33) датчик опорных частот ДОЧ содержит эталонный ге-
нератор ЭГ и генератор гармоник ГГ, а источником колебаний ра-
бочей частоты служит перестраиваемый по частоте генератор ПГ
[39, 53, 58, 71, 72, 79, 89, 91, 103]. Собственная частота этого генера-
тора fг(t) грубой настройкой устанавливается вблизи частоты вы-
бранной гармоники ЭГ mfэ и непрерывно сравнивается с этой час-
тотой. Обнаружение ошибки обеспечивает фазовый дискриминатор
ФД. В ФД текущая фаза φг(t) колебаний ПГ сравнивается с фазой
эталонного сигнала φэ(t) и вырабатывается напряжение ошибки ед(t).
Его величина пропорциональна рассогласованию фаз, а полярность
соответствует знаку этого рассогласования.
Для придания системе желаемых динамических и фильтрующих
свойств в цепи управления ЦУ используют простейшие RC филь-
тры нижних частот. ЦУ преобразует напряжение ошибки в управ-
ляющее напряжение еу(t), подаваемое на управитель частоты УЧ.
Под действием управляющего напряжения в колебательный контур
ПГ через УЧ вносится корректирующая частотная расстройка Δf(t).
Добавляясь к собственной частоте fг(t) ПГ, она уменьшает текущее
ЭГ ГГ ФД ПГ
fэ mf э fг fвых
eд f
ДОЧ
УЧ
ЦУ
ey f
e
ФАП
Рис. 9.33. Структурная схема синтезатора с фазовой
автоподстройкой частоты
рассогласование фаз φ(t) = φг(t) – φэ(t) колебаний ПГ и ЭГ. При
монохроматическом эталонном сигнале возможен стационарный
синхронный режим, когда на ФД устанавливается постоянная раз-
ность фаз φ0 = const и полностью устраняется исходная расстройка
собственной частоты ПГ относительно эталонной. Помимо опера-
ции приравнивания частоты, система ФАП выполняет функцию
перестраиваемого узкополосного фильтра, подавляющего соседние
гармоники (m – 1)fэ и (m + 1)fэ, а также смежные с ними.
Цифровые вычислительные синтезаторы частот

Цифровые вычислительные синтезаторы (ЦВС), называемые так-
же прямыми цифровыми синтезаторами, – относительно новые
устройства, появившиеся в начале 70-х годов прошлого века. Еще
несколько лет назад прямые цифровые синтезаторы частоты (Direct
Digital Synthesizers, DDS) были диковинкой и имели ограниченную
область применения. Их широкое использование сдерживалось
сложностью реализации, а также недостаточно широким диапазоном
рабочих частот. Появление дешевых микросхем и удобных средств
разработки сделало ЦВС сегодня привлекательными для разных
сфер применения [79, 89, 96, 103].
Простейший ЦВС представляет собой (рис. 9.34) последователь-
но включенные накопитель фазы НКФ (аккумулятор кода фазы),
преобразователь кода ПК фазы kφ в код ординаты ks и цифроанало-
говый преобразователь ЦАП. Все цифровые узлы тактируются от
опорного генератора ОГ с частотой fт [79, 89]. На вход НКФ посту-
пает код частоты kf, а в регистр НКФ записан код начальной фазы
kφ0
kφ ku u(t)
kf НКФ ПК ЦАП
ОГ
fт
Рис. 9.34. Базовая структурная схема ЦВС
kφ0. С каждым импульсом тактовой частоты в НКФ к текущему коду

фазы прибавляется код частоты kf, так что на выходе НКФ накап-
ливается код выходной фазы
kϕ (i ) = kϕ 0 + ∑ kf ,
i
где i – текущий номер тактового импульса.
Форма выходного колебания на периоде записана в преобразова-
теле ПК в виде зависимости кода ординаты ks от кода фазы kφ.
ЦВС обладают наибольшими функциональными возможностями
при заданном качестве сигнала. Они уникальны своей цифровой
определенностью – генерируемый ими сигнал синтезируется со
свойственной цифровым системам точностью. Частота, амплитуда
и фаза сигнала в любой момент времени точно известны и подкон-
трольны. ЦВС практически не подвержены температурному дрейфу
и старению. Единственным элементом, который обладает свойствен-
ной аналоговым схемам нестабильностью, является ЦАП. Высокие
технические характеристики стали причиной того, что в последнее
время ЦВС вытесняют обычные аналоговые синтезаторы частот.
9.1. Чем АГ принципиально отличаются от усилителей?
9.2. Дайте примеры механических автоколебательных систем. Чем
они схожи с электрическими системами?
9.3. Дайте примеры: а) полезных; б) нежелательных электрических
и механических автоколебаний.
9.4. Какой режим работы АГ считается устойчивым по а) амплитуде;

б) частоте колебаний?
9.5. Возможно ли существование автоколебаний, если выполняются
не все пять условий самовозбуждения и работы АГ?
9.6. Пригодны ли общие условия самовозбуждения и устойчивой
работы АГ для сложных схем: а) двухконтурных; б) многокон-
турных; в) двухтактных; г) с кварцем?
9.7. Дайте примеры АГ, построенных на: а) двухполюсных; б) трёх-
полюсных АЭ.
9.8. Почему в условии самовозбуждения автогенератора фигурирует
крутизна S0, а в условиях баланса амплитуд и устойчивости
баланса амплитуд – S1?
9.9. В каком случае среднюю крутизну АЭ можно считать вещест-
венной величиной?
9.10. В чём заключается принципиальное отличие мягкого и жёст-
кого режимов работы АГ?
9.11. Как перейти из мягкого режима работы АГ в жёсткий?
9.12. Как получить: а) мягкий; б) жёсткий режим работы АГ при
одном и том же АЭ?
9.13. Почему любой АГ должен содержать нелинейный элемент?
9.14. Какие элементы АГ могут быть нелинейными?
9.15. Укажите область устойчивой работы АГ на характеристике
средней крутизны: а) рис. 9.5, а; б) рис. 9.5, б.
9.16. Поясните ход нагрузочных характеристик АГ на ТД в: а) мяг-
ком; б) жёстком режиме возбуждения колебаний.
9.17. Используя характеристики средней проводимости рис. 9.5, оп-
ределите максимально возможную амплитуду автоколебаний
в: а) мягком; б) жёстком режиме работы АГ.
9.18. Что произойдёт, если в АГ установить колебания с амплиту-
дой, соответствующей точке 6 на рис. 9.5, б?
9.19. Используя характеристику средней крутизны в мягком режиме
работы АГ (рис. 9.5, а), определите изменение амплитуды авто-
колебаний при перемещении прямой 1/Rн из: а) положения a в
положение e; б) из положения e в положение a.
9.20. Используя характеристику средней крутизны в жёстком ре-
жиме работы АГ (рис. 9.5, б), определите изменение амплиту-
ды автоколебаний при перемещении прямой 1/Rн из положения
а) a в e; б) e в a.
9.21. Почему самовозбуждение и срыв колебаний в мягком режиме
работы АГ происходят при одинаковых сопротивлениях на-
грузки Rн, а в жёстком – при разных (рис. 9.5)?
9.22. Как объяснить, что не работавший АГ иногда начинает ра-

ботать после: а) повторного включения; б) удара по корпусу;
в) повышения напряжения питания?
9.23. Укажите на фазовой характеристике: а) одиночного контура
(рис. 9.6, а); б) связанных контуров (рис. 9.6, б) области устой-
чивой работы АГ.
9.24. На каких резонансных частотах КС, фазовая характеристика
которой показана на рис. 9.6, б, возможны автоколебания?
9.25. Как можно определить свойства КС автогенератора?
9.26. В каких случаях фазовая характеристика КС имеет вид, пока-
занный на рис. 9.6, б?
9.27. В каких случаях возникает скачкообразное изменение частоты
автоколебаний? Как предотвратить это явление?
9.28. Как объяснить, что иногда при повторных включениях АГ ге-
нерирует колебания различных частот?
9.29. Какие частоты может генерировать АГ с многорезонансной
КС, фазовая характеристика которой показана на рис. 9.6, б, в:
а) мягком; б) жёстком режиме самовозбуждения?
9.30. Какие факторы определяют генерацию той или иной частоты
в АГ с многорезонансной КС?
9.31. Как обеспечить генерацию нужной частоты или нескольких
частот одновременно в АГ с многорезонансной КС в: а) мягком;
б) жёстком режиме самовозбуждения?
Автогенераторы с цепью внешней обратной связи
9.32. Начертите эквивалентные схемы одноконтурных АГ: а) с ин-
дуктивной ОС; б) индуктивной трёхточки; в) емкостной трёх-
точки; г) Клаппа.
9.33. Определите коэффициент включения контура в выходную
цепь АЭ для схемы: а) индуктивной трёхточки; б) емкостной
трёхточки; в) Клаппа.
9.34. Получите формулы для определения коэффициентов обратной
связи АГ, схемы которых показаны на рис. 9.3.
9.35. Запишите условия самовозбуждения и работы транзисторного
(лампового) автогенератора при высоком электронном КПД.
9.36. Запишите и поясните условия самовозбуждения и работы ав-
тогенератора с цепью внешней обратной связи. Дайте примеры,
когда эти условия могут не выполняться.
9.37. Используя рис. 9.5 и 9.6, дайте примеры, когда в АГ с цепью
внешней ОС не выполняется условие: а) самовозбуждения ко-
лебаний; б) баланса амплитуд; в) баланса фаз; г) устойчивости

баланса амплитуд; д) устойчивости баланса фаз.
9.38. Почему в автогенераторах на биполярных транзисторах необ-
ходимо подавать отпирающее начальное напряжение?
9.39. Почему в ламповых автогенераторах обычно используют авто-
матическое смещение за счёт токов сетки?
9.40. Поясните особенности использования автоматического и фик-
сированного смещения в транзисторных и ламповых АГ.
9.41. Поясните, почему в транзисторных автогенераторах для вы-
полнения условия самовозбуждения можно выбирать величину
коэффициента обратной связи меньшей, чем в триодных АГ.
9.42. Можно ли судить о наличии автогенерации по величине
а) анодного; б) сеточного токов лампы?
9.43. Как можно обеспечить работу лампового автогенератора при
малых углах отсечки?
9.44. Почему в АГ емкость блокировочного конденсатора, парал-
лельного сопротивлению автоматического смещения, выбира-
ют не слишком большой величины?
9.45. Определите частоту генерации и среднюю крутизну АЭ ав-
тогенератора, собранного по схеме индуктивной трёхточки
(рис. 9.3, б), если добротность контура равна 40, емкость кон-
тура 400 пФ, L1 = 68,7 мкГн, L2 = 0,7 мкГн.
9.46. Как можно построить характеристики средней крутизны:
а) лампы; б) транзистора?
9.47. При каких условиях характеристика средней крутизны S1(U)
лампы или транзистора может быть горизонтальной линией?
9.48. Постройте качественные зависимости средней крутизны S1 от
амплитуды напряжения возбуждения U при аппроксимации
динамической характеристики транзистора (лампы) отрезками
прямых для различных напряжений смещения Eвх: а) Eвх > E′вх;
б) Eвх = E′вх; в) Eвх < E′вх, где E′вх – напряжение отсечки (запира-
ния) выходного тока АЭ.
9.49. Как можно установить заданное значение амплитуды импульса
анодного тока автогенератора?
9.50. Как можно подобрать сопротивление автоматического смеще-
ния АГ, при котором угол отсечки анодного тока равен 90°?
9.51. Резонансное сопротивление контура автогенератора 5 кОм,
коэффициент включения контура 0,2; коэффициент обратной
связи 0,3; проницаемость лампы 0,05. Определите крутизну
лампы, необходимую для возникновения генерации.
9.52. Сопротивление контура работающего АГ – 5 кОм, коэффици-

ент обратной связи – 0,1. Определите среднюю крутизну АЭ.
9.53. Изобразите схему одноконтурного лампового АГ с индуктив-
ной ОС и выведите уравнения для расчёта генерируемой час-
тоты, резонансного сопротивления и коэффициента ОС. Запи-
шите условие самовозбуждения этого генератора.
9.54. Определите наименьшую частоту автогенератора с трансфор-
маторной обратной связью, перестраиваемого ёмкостью, если
коэффициент обратной связи равен 0,3; индуктивность контура
равна 10 мкГн; добротность – 50. Крутизна проходной харак-
теристики транзистора – 0,1 См. Влиянием коллекторного на-
пряжения на ток коллектора можно пренебречь.
9.55. Изобразите схему одноконтурного транзисторного автогене-
ратора с ёмкостной обратной связью, выведите уравнение для
расчёта генерируемой частоты, резонансного сопротивления
контура относительно точек включения транзистора и коэф-
фициента обратной связи. Запишите условие самовозбужде-
ния.
9.56. Самовозбудится ли генератор по схеме ёмкостной трёхточки,
если индуктивность контура равна 1,0 мкГн; ёмкость между ба-
зой и эмиттером транзистора равна 20 нФ, а между коллекто-
ром и эмиттером –5 нФ; добротность контура равна 50; D = 0;
крутизна транзистора в рабочей точке равна 10 мСм?
9.57. Определите длину волны трёхконтурного триодного ав-
тогенератора, если резонансные частоты контуров колеба-
тельной системы равны: ωaк = 2·108 рад/с, ωск = 2,8·108 рад/с,
ωас = 3,2·108 рад/с. Резонансные частоты всей колебательной
системы равны: ω1 = 2,5·108 рад/с, ω2 = 3,1·108 рад/с.
9.58. Определите амплитуды напряжений между катодами и меж-
ду сетками триодного двухконтурного двухтактного автогене-
ратора с общим анодом, если анодное напряжение Eа = 10 кВ,
коэффициент обратной связи равен 0,2, коэффициент исполь-
зования анодного напряжения Ua/Eа = 0,7.
9.59. Определите амплитуды напряжений между катодами и между
сетками триодного двухконтурного двухтактного автогенерато-
ра с общим анодом, если Eа = 12 кВ, коэффициент использо-
вания анодного напряжения 0,75, проницаемость лампы равна
0,015, средняя крутизна каждой лампы S1 = 3,5 мСм. Резонанс-
ное сопротивление колебательной системы относительно точек
анод-катод каждой лампы равно 1500 Ом.
Автогенераторы на двухполюсниках с отрицательным

дифференциальным сопротивлением
9.60. Дайте примеры АГ с внутренней обратной связью.
9.61. Почему в автогенераторах на ТД и диодах Ганна используют
параллельный колебательный контур, а в автогенераторах на
ЛПД – последовательный?
9.62. Каковы особенности низкочастотных АГ на ТД?
9.63. Почему в низкочастотных АГ на ТД велика опасность возбуж-
дения паразитных колебаний?
9.64. Какие требования предъявляются к параметрам ТД для пост-
роения низкочастотных АГ?
9.65. Почему при построении низкочастотного АГ на ТД (рис. 9.13)
необходимо обеспечить очень малую индуктивность выводов
конденсатора C1?
9.66. Как можно построить характеристики средней проводимости
туннельного диода?
9.67. Используя ВАХ туннельного диода (рис. 9.26), постройте ха-
рактеристики средней проводимости при напряжениях смеще-
ния: а) 0,2 В; б) 0,3 В; в) 0,4 В.
9.68. Используя характеристики средней проводимости ТД
(рис. 9.35), постройте нагрузочные характеристики автогене-
ратора в: а) мягком; б) жёстком режимах самовозбуждения.
9.69. Используя характеристики средней проводимости ТД
(рис. 9.35), определите амплитуду колебаний АГ при U0 = 0,3 В
и сопротивлении нагрузки: а) 50 Ом; б) 100 Ом; в) 200 Ом.
9.70. Используя характеристики G1 (рис. 9.35), определите амплиту-
ду колебаний автогенератора, если Rн = 250 Ом, а напряжение
смещения равно: а) 0,2 В; б) 0,3 В; в) 0,4 В.
|G1|, мСм 24
18 U0=0,2B
14 U0=0,3B
10 U0=0,4B
6
|G1 max|
|G0|
2
U, B
0 0,1 0,2 0,3 0,4
Рис. 9.35. Характеристики средней проводимости ТД
9.71. Автогенератор на ТД из арсенида галлия с пиковым током:

а) 2; б) 5; в) 20; г) 50 мА работает в режиме максимальной ко-
лебательной мощности при напряжении питания 0,4 В. Опре-
делите величину P1, ηe и Rн.
9.72. Определите индуктивность и ёмкость КС автогенератора на ТД
из арсенида галлия с пиковым током: а) 2; б) 5; в) 20; г) 50 мА,
если частота автоколебаний равна 0,5 МГц, а добротность на-
груженного контура равна 30.
9.73. Как изменятся параметры АГ на ТД при существенном:
а) уменьшении; б) увеличении сопротивления нагрузки отно-
сительно оптимального значения?
9.74. Автогенератор на ТД (рис. 9.13) работает в режиме максималь-
ной колебательной мощности. Как изменятся его параметры,
если при неизменной индуктивности и добротности контура
существенно: а) уменьшить; б) увеличить ёмкость С1?
9.75. Автогенератор на ТД типа 3И306Е (Iп = 2 мА, Сп = 12 пФ,
Lв = 1,5 нГн, rп = 10 Ом) работает в режиме максимальной коле-
бательной мощности на частоте 1 МГц (рис 9.13). Добротность
нагруженного контура равна 50. Определите: а) величину Rн и
P1; б) индуктивность и ёмкость контура; в) допустимую вели-
чину индуктивности Lв2, при которой можно не использовать
антипаразитный резистор R1.
Схемы автогенераторов
9.76. Почему в диапазоне ВЧ обычно используют одноконтурные
автогенераторы?
9.77.В каких случаях используют: а) одноконтурные; б) двухконтур-
ные; в) многоконтурные схемы АГ?
9.78. Почему колебательный контур, как правило, включён в вы-
ходную цепь АЭ?
9.79. Почему в автогенераторах нежелательно использовать схемы
параллельного питания?
9.80. Каковы свойства АГ с общей или заземлённой базой, общим
эмиттером, общим коллектором?
9.81. Из каких соображений в АГ соединяют с корпусом тот или
иной электрод АЭ?
9.82. Как зависит электрический режим автогенератора от точки
заземления схемы?
9.83. В каких случаях целесообразно использовать двухтактные схе-
мы АГ?
9.84. Изобразите эквивалентные схемы двухконтурных АГ с общим

анодом, общей сеткой, общим катодом.
9.85. Для двухконтурных автогенераторов (рис. 9.12) запишите со-
отношения между резонансными частотами контуров и часто-
той автоколебаний ω.
9.86. Поясните назначение элементов и особенности подачи пита-
ющих напряжений в АГ по схеме индуктивной трёхточки на
рисунке: а) 9.7, а; б) 9.7, б; в) 9.8.
9.87. Почему в емкостных трёхточках обычно заземляют управляю-
щий электрод АЭ (рис. 9.9 и 9.10)?
9.88. Поясните назначение элементов и особенности подачи пита-
ющих напряжений в АГ по схеме емкостной трёхточки на ри-
сунке: а) 9.9; б) 9.10, а; в) 9.10, б; г) 9.10, в; д) 9.10, г.
9.89. Поясните назначение элементов и особенности подачи питаю-
щих напряжений в АГ по схеме Клаппа на рисунке: а) 9.11, а;
б) 9.11, б.
Расчёт автогенераторов
9.90. Определите резонансную частоту КС АГ по схеме рис. а) 9.7, а;
б) 9.9, а; в) 9.9, б; г) 9.10, а; д) 9.10, б; е) 9.10, г.
9.91. В высокостабильном АГ использована однослойная катушка
индуктивности длиной 20 мм. Определите оптимальные диа-
метры провода и катушки.
9.92. В каком случае при расчёте АГ можно пренебречь реакцией
выходного напряжения на выходной ток и использовать зави-
симость не i = Ф(uВ + Du), а i = f(uВ)?
9.93. Определите параметры АГ со средней стабильностью частоты:
сопротивление выходной КС Rн, коэффициент обратной связи
К, колебательную мощность P1, мощность в нагрузке Pн и рассе-
иваемую выходным электродом (PK или Pc), а также электрон-
ный ηe и общий η КПД при следующих исходных данных:
а) рабочая частота f = 70 МГц, использован ПТ типа КП303Ж
(fmax = 100 МГц, S = 2,5 мСм), постоянная составляющая тока
стока Ic0 =2 мА, напряжение питания E = 2,5 В, напряжение ав-
тосмещения Eи = 0,5 В, угол отсечки θ = 120°, напряжённость
режима ξ = 0,65, контурный КПД ηк = 0,7;
б) рабочая частота f = 1 МГц, использован БТ типа КТ608А
(fт = 200 МГц, τк = 600 пс, β0 = 20, Ск = 15 пФ), постоянная со-
ставляющая коллекторного тока Iк0 = 10 мА, напряжение пита-
ния E = 13 В, напряжение автосмещения Eэ = 3 В, угол отсечки
θ = 85°, напряжённость режима ξ = 0,8, контурный КПД ηк = 0,6;

в) рабочая частота f = 100 МГц, использован БТ типа КТ368
(fт = 900 МГц, τк = 15 пс, β0 = 50, Ск = 1,7 пФ), постоянная со-
ставляющая коллекторного тока Iк0 = 4 мА, напряжение питания
E = 7 В, напряжение автосмещения Eэ = 1 В, угол отсечки θ = 110°,
напряжённость режима ξ = 0,6, контурный КПД ηк = 0,5.
9.94. Определите параметры КС автогенератора по схеме индук-
тивной трёхточки (рис. 9.7, а), если f = 73 МГц, Rн = 500 Ом,
Q0 = 100, ηк = 0,7, К = 1.
9.95. Определите параметры КС автогенератора по схеме емкост-
ной трёхточки (рис. 9.9, а), если f = 1 МГц, Rн = 500 Ом, Q0 = 60,
ηк = 0,6, К = 0,06.
9.96. Оцените шунтирующее влияние сопротивления эмиттерного
автосмещения R1 на КС автогенератора предыдущей задачи.
9.97. Определите параметры КС автогенератора по схеме емкостной
трёхточки (рис. 9.9, б), если f = 100 МГц, Rн = 660 Ом, Q0 = 70,
ηк = 0,5, К = 0,024.
9.99. Рассчитайте электронный режим и параметры КС автогенера-
тора по схеме емкостной трёхточки (рис. 9.10, а) на транзис-
торе КТ315Б (fт = 250 МГц, τк = 500 пс, β0 = 50, Ск = 7 пФ), если
рабочая частота равна 2 МГц, Iк0 = 1,5 мА, E = 12 В, θ = 115°,
ξ = 0,85, ηк = 0,3, Qн = 20.
9.101. Рассчитайте электронный режим и параметры КС автогенера-
тора по схеме емкостной трёхточки (рис. 9.10, б) на транзисторе
КТ363Б (fт = 1500 МГц, τк = 75 пс, β0 = 40, Ск = 2 пФ), если ра-
бочая частота равна 200 МГц, Iк0 = 3 мА, E = 8 В, θ = 110°, ξ = 0,7,
ηк = 0,75, Q0 = 80.
9.103. Получите формулы для расчёта КС автогенератора по схеме
Клаппа, показанной на рисунке: а) 9.11, а; б) 9.11, б, при извес-
тной полной ёмкости контура С.
Кварцевые резонаторы
9.104. Какие свойства кварцевых пластин позволяют применять их
в качестве КС автогенераторов?
9.105. Какие свойства кварцевых пластин благоприятны для полу-

чения высокой стабильности частоты АГ?
9.106. Какая из резонансных частот КР, используемого в АГ, явля-
ется более стабильной?
9.107. Какие факторы ограничивают: а) минимальную; б) макси-
мальную рабочую частоту КР?
9.108. Какова наибольшая рабочая частота современных КР?
9.109. Какие КР используют для построения АГ в диапазоне:
а) 0,1…1 МГц; б) 1…10 МГц; в) 10…100 МГц; г) более 100 МГц?
9.110. Почему ограничивают величину мощности, рассеиваемой
кварцевым резонатором?
9.111. Постройте частотную характеристику реактивного сопротив-
ления КР при rкв = 0. Поясните ее ход.
9.112. Постройте частотную характеристику активного сопротивле-
ния последовательной схемы замещения КР.
9.113. Определите интервал между частотами параллельного и пос-
ледовательного резонанса КР табл. 9.2 на частоте а) 1; б) 10;
в) 20; г) 45; д) 100 МГц. На какой из этих частот можно полу-
чить наибольшую перестройку частоты АГ?
9.114. Определите динамическую индуктивность КР табл. 9.2 на
частоте: а) 1; б) 5; в) 20; г) 100 МГц.
9.115. Определите параметры Cкв, Lкв и Qкв эквивалентной схемы КР,
если fкв = 1 МГц; С0 = 4 пФ; p = 1,5·10-3; rкв = 50 Ом.
9.116. Определите параметры Lкв, Qкв и p эквивалентной схемы КР,
если Cкв = 0,015 пФ; С0 = 10 пФ; fкв = 10 МГц; rкв = 5 Ом.
9.117. Определите параметры fкв, Qкв и p эквивалентной схемы КР,
если Lкв = 2·104 Гн; Скв = 0,08 пФ; С0 = 20 пФ; rкв = 10 кОм.
9.118. Определите добротность, характеристическое сопротивление,
динамическую индуктивность и интервал между частотами
параллельного и последовательного резонансов а) низкочас-
тотного вакуумного КР типа РВ-04 с параметрами: fкв = 4 кГц;
С0 = 20 пФ; p = 2·10-3; rкв = 104 Ом; б) среднечастотного гер-
метизированного КР типа РГ-07 с параметрами: fкв = 5 МГц;
С0 = 5 пФ; p = 2·10-3; rкв = 15 Ом; в) высокочастотного вакуум-
ного КР типа РВ-81 с параметрами: fкв = 150 МГц; С0 = 4 пФ;
p = 5·10-5; rкв = 50 Ом.
9.119. Получите приближённую формулу для расчёта частоты па-
раллельного резонанса КР при известных значениях ωкв и p.
9.120. Докажите, что КР обладает индуктивным сопротивлением в
очень узком диапазоне частот.
9.121. Почему на практике интервал между частотами ωп – ωкв обыч-

но получается меньше расчётного значения?
9.122. Как можно определить частотные свойства КР?
9.123. Как можно измерить параметры эквивалентной схемы КР:
С0, Cкв, Lкв и rкв?
9.124. Получите формулы для вычисления параметров С0, Cкв и Lкв
эквивалентной схемы КР по результатам измерений (см. ответ
к предыдущему вопросу).
Кварцевые автогенераторы
9.125. Какова область применения кварцевых АГ?
9.126. Каковы: а) достоинства; б) недостатки кварцевых АГ?
9.127. Какой основной фактор дестабилизирует частоту кварцевых
автогенераторов?
9.128. В чём состоит сущность термокомпенсации частоты АГ?
9.129. Определите относительную нестабильность частоты КР с
ТКЧ = 1·10-6 1/град при изменении температуры на: а) 2° С;
б) 25° С; в) 70° С.
9.130. Как можно повысить рабочую частоту кварцевого АГ?
9.131. Какую схему кварцевого автогенератора целесообразно ис-
пользовать в диапазоне частот: а) 0,1… 1 МГц; б) 1…10 МГц;
в) 10 …100 МГц; г) более 100 МГц для получения наибольшей
стабильности частоты?
9.132. Как получить относительную нестабильность частоты квар-
цевых АГ а) 10-5…10-6; б) 10-6…10-7; в) 10-8…10-10?
9.133. Какие факторы ограничивают максимальную выходную мощ-
ность кварцевых АГ?
9.134. Почему прецизионные кварцевые АГ имеют очень малую вы-
ходную мощность?
9.135. Какую схему кварцевого АГ целесообразно использовать для
получения максимальной выходной мощности?
9.136. Как изменится режим работы АГ по схеме на рисунке: а) 9.17;
б) 9.18 при замене КР блокировочной ёмкостью?
9.137. Определите величину индуктивности L2 АГ по схе-
ме рис. 9.18, а, если частота колебаний равна 100 МГц, а
С0 = 6 пФ.
9.138. Начертите эквивалентные схемы по высокой частоте и посто-
янному току однокаскадного АГ по схеме Батлера.
9.139. Поясните назначение элементов АГ по схемам рис. 9.17.
9.140. Поясните назначение элементов АГ по схеме рис. 9.18, а.
9.141. Сравните свойства АГ по схемам рис. 9.17, а и 9.17, б.

9.142. Из каких соображений выбирают величину резисторов R1, R2
и R3 автогенератора по схеме рис. 9.18, а.
9.143. Определите частоту колебаний, величину коэффициента об-
ратной связи и тока коллектора АГ по схеме рис. 9.18, а.
Управляемые кварцевые генераторы
9.144. В каких случаях принципиально необходимо осуществлять:
а) механическое; б) электронное управление частотой КР?
9.145. Как изменится величина частот ωкв и ωп, а также интервал
между ними при подключении параллельно КР: а) ёмкости;
б) индуктивности?
9.146. Как измениться величина частот ωкв и ωп, а также интервал
между ними при подключении последовательно с КР: а) ёмкос-
ти; б) индуктивности?
9.147. Как с помощью внешних цепей получить наибольший интер-
вал между частотами ωкв и ωп?
9.148. Какие элементы используют для электронного управления
частотой кварцевых АГ?
9.149. Какую из механических гармоник кварцевой пластины целе-
сообразно использовать для получения наилучших параметров
управляемого кварцевого АГ?
9.150. Начертите эквивалентные схемы по высокой частоте и посто-
янному току автогенератора, изображенного на рис. 9.19.
9.151. Поясните назначение элементов АГ по схеме на рис. 9.19.
9.152. Поясните назначение резистора R4 АГ по схеме рис. 9.19.
9.153. Как измениться режим работы АГ по схеме рис. 9.19, при за-
мене резистора R4 стабилизатором постоянного тока?
9.154. Как выбрать величину резистора R4 АГ по схеме рис. 9.19?
9.155. Какие факторы влияют на величину индуктивностей L2 и L3
управляемого АГ по схеме рис. 9.19?
9.156. Определите величину коэффициента обратной связи, индук-
тивности L1 и тока эмиттера АГ по схеме рис. 9.19 при ёмкости
варикапа 12 пФ.
9.157. Определите величину эквивалентной индуктивности Lэ и
индуктивности L4 колебательного контура С3L4 автогенера-
тора по схеме рис. 9.19, а также расстройку резонансной час-
тоты контура Δf = f0 − f относительно частоты автоколебаний
f = 27 МГц.
ПАВ-резонаторы и ПАВ-линии задержки

9.158. Каковы основные: а) достоинства; б) недостатки ПАВ-резо-
наторов?
9.159. Какой фактор является основой миниатюризации приборов
ПАВ?
9.160. Определите длину ПАВ в кварцевой пластине на частоте:
а) 20; б) 430; в) 1000 МГц.
9.161. Какие элементы составляют основу конструкции ПАВ-при-
боров?
9.162. Сравните свойства ПАВ-резонаторов и ПАВ-линий задержки
с точки зрения построения АГ.
9.163. Сравните свойства одновходовых и двухвходовых ПАВ-ре-
зонаторов.
9.164. Почему резонаторы на ПАВ, в основном, используют для
стабилизации частоты маломощных передающих устройств и
в РТС малого радиуса действия?
9.165. Определите динамические индуктивность и ёмкость, а также
интервал между частотами параллельного и последовательного
резонансов ПАВ-резонатора с частотой последовательного ре-
зонанса 434 МГц, если его добротность равна 12400, Rm = 16 Ом,
С0 = 2,5 пФ (рис. 9.20, а).
Автогенераторы и передатчики на ПАВ
9.166. Каков диапазон рабочих частот АГ на ПАВ-резонаторах?
9.167. Дайте примеры возможного использования передатчиков на
ПАВ-резонаторах.
9.168. Каковы: а) достоинства; б) недостатки АГ на ПАВ-резона-
торах?
9.169. Сравните свойства АГ на ПАВ-резонаторах и: а) LC-генера-
торов; б) кварцевых АГ.
9.170. Поясните назначение элементов АГ по схеме на рис. 9.21.
9.171. Определите величину индуктивности КС и коэффициента
ОС автогенератора по схеме рис. 9.21, а также максимально
возможную величину сопротивления Rн и добротности Qн его
КС. Влиянием ёмкостей транзистора можно пренебречь.
9.172. Определите величину тока Ik0 генератора по схеме рис. 9.21
при Е = 3,6 В и использовании кремниевого транзистора с β0,
равным: а) 20; б) 50; в) 100. Оцените стабильность коллектор-
ного тока при изменении β0.
9.173. Как можно изменить параметры АГ по схеме рис. 9.21, чтобы

ток Iк0 в меньшей степени зависел от величины β0?
9.174. Поясните назначение элементов радиочастотного модуля по
схеме рис. 9.22.
9.175. Начертите эквивалентные схемы АГ радиочастотного модуля
(рис. 9.22) по: а) высокой частоте; б) постоянному току и опи-
шите особенности этих схем.
9.176. Для параметров схемы АГ, указанных на рис. 9.22, определите
величину коэффициента ОС, индуктивности L1 и добротнос-
ти КС с учётом шунтирующего влияния резистора R5, если
суммарная ёмкость выходной цепи транзистора равна 2,3 пФ,
а собственная добротность КС автогенератора равна Q0 = 70.
Влиянием ёмкостей транзистора можно пренебречь.
9.177. Определите минимальную величину коэффициента ОС для
самовозбуждения АГ по схеме рис. 9.22, если при Iк0 = 2 мА
крутизна S0 равна 5 мСм, L1 = 70 нГн, добротность нагружен-
ной КС равна Qн = 30.
9.178. Определите максимальную скорость передачи данных радио-
частотного модуля по схеме рис. 9.22, если отношение длитель-
ности импульса τи к постоянной времени ФНЧ равно: а) 2; б) 4;
в) 16. Сравните свойства вариантов а), б) и в).
9.179. Как можно повысить стабильность частоты задающего АГ
радиочастотного модуля по схеме рис. 9.22?
Синхронизация частоты автогенераторов

9.180. В чём проявляется явление синхронизации частоты?
9.181. Как изменяется собственная частота автогенератора при син-
хронизации?
9.182. Как можно продемонстрировать явление синхронизации?
9.183. Возможна ли синхронизация: а) ламповых; б) транзисторных;
в) диодных; г) магнетронных; д) лазерных АГ?
9.184. Дайте примеры: а) полезного; б) вредного действия явления
синхронизации.
9.185. Каковы достоинства радиоэлектронных устройств, использу-
ющих явление синхронизации?
9.186. Почему стабилизацию частоты с помощью синхронизации
чаще всего осуществляют в диапазоне СВЧ?
9.187. Какова область использования: а) умножителей; б) делителей
частоты на базе синхронизированных генераторов?
9.188. Можно ли использовать явление синхронизации для усиле-
ния мощности?
9.189. Как можно повысить коэффициент усиления по мощности

синхронизированного АГ?
9.190. Как можно увеличить полосу синхронизации на: а) основной
частоте; б) гармонике; в) субгармонике?
9.191. Возможна ли синхронизация колебаний при соотношении
частот синхросигнала и свободного АГ близким к: а) 1:1; б) 1:2;
в) 2:1; г) 3:2?
9.192. Определите частоту автоколебаний при синхронизации, если
частота свободного АГ равна 50,5 МГц, а частота внешнего сиг-
нала: а) 25,3; б) 50,3; в) 100,8 МГц.
9.193. Можно ли считать собственные шумы автогенератора вне-
шним воздействием?
9.194. Как изменяется частота АГ под влиянием: а) внешних; б) собс-
твенных шумов?
9.195. Как можно определить мощность и частоту самосинхронизи-
рованного магнетрона?
9.196. В какую цепь АГ следует подавать синхронизирующий сиг-
нал? Как можно ввести синхронизирующее напряжение в:
а) ламповый; б) транзисторный; в) магнетронный; г) диодный
автогенератор?
9.197. Получите формулу для расчёта внешней добротности при из-
вестных значениях Qн и Q0. В каком случае справедливо при-
ближённое равенство Qвн ≈ Qн?
9.198. Определите полосу синхронизации АГ в режиме гармоничес-
кого захватывания, если f0 = 4 ГГц, Q0 = 200, Qн = 28, а коэффи-
циент усиления по мощности равен: а) 10 дБ; б) 20 дБ; в) 30 дБ;
г) 40 дБ.
9.199. Определите внешнюю добротность колебательной систе-
мы автогенератора для обеспечения полосы синхронизации
100 МГц на частоте 35 ГГц, если Кр = 20 дБ.
9.200. Определите полосу синхронизации автогенератора, если его
частота равна 0,7 ГГц, мощность 0,8 Вт, мощность синхронизи-
рующего колебания 20 мВт, Q0 = 150, Qн = 100.
Затягивание частоты автогенераторов
9.201. В каких из перечисленных АГ не происходит затягивания час-
тоты (отсутствует эффект длинной линии): ламповых, транзис-
торных, диодных, клистронных, магнетронных, ЛОВ?
9.202. Почему при плавной перестройке частоты нагрузочного кон-
тура АГ возможны скачкообразные изменения частоты авто-
колебаний?
9.203. В чём проявляются и в каких случаях возникают явления

затягивания частоты автогенераторов?
9.204. Как проявляется явление затягивания частоты в: а) стацио-
нарном; б) импульсном режиме работы АГ?
9.205. Какова особенность АГ с многорезонансными КС?
9.206. Из каких соображений выбирают величину связи контура АГ
с нагрузочным контуром?
9.207. Определите максимально допустимый коэффициент связи
между контуром АГ и нагрузочным контуром, при котором
отсутствуют скачки частоты АГ и тока в нагрузке, если добро-
тность нагрузочного контура равна: а) 10; б) 50; в) 250.
9.208. Почему рекомендуется осуществлять слабую связь АГ с ре-
зонансным волномером?
9.209. Дайте примеры: а) полезного действия затягивания частоты;
б) вредного действия затягивания частоты.
9.210. Почему при подсоединении к основному контуру АГ второго
(высокодобротного) контура достигается гораздо более высо-
кая стабильность частоты?
9.211. Как можно устранить затягивание частоты АГ?
Эффект длинной линии
9.212. Как проявляется эффект длинной линии в: а) стационарном
режиме работы АГ; б) импульсном режиме работы АГ?
9.213. Почему при большой длине фидера, соединяющего АГ с на-
грузкой, возможны перескоки частоты автоколебаний?
9.214. Почему при малой длительности импульсов τ автогенерато-
ра и достаточно большой длине l фидера отсутствует эффект
длинной линии? Определите минимальную длину фидера из
условия отсутствия эффекта длинной линии.
9.215. Определите минимальную длину коаксиального кабеля, при
которой отсутствует эффект длинной линии, если длительность
импульсов АГ равна: а) 0,05 мкс; б) 0,2 мкс; в) 0,5 мкс, а фазовая
скорость волны в кабеле равна Vф = 0,8 с.
9.216. Длина фидера, соединяющего АГ с нагрузкой, равна l; фаза
коэффициента отражения электромагнитной волны от нагруз-
ки равна φ0. Определите: а) фазу коэффициента отражения во
входном сечении АГ; б) производную фазы по частоте.
9.217. Определите максимально допустимую полосу затягивания
автогенератора из условия отсутствия перескоков частоты,
если длина фидера, соединяющего автогенератор с нагрузкой,
равна 1,5 м; Vф = 0,8 с; КСВН = 2.
9.218. Определите длину кабеля, соединяющего АГ с нагрузкой, из

условия отсутствия перескоков частоты, если фазовая скорость
волны в кабеле равна 0,9 с. КСВН в диапазоне рабочих частот
изменяется от 1,1 до 1,7, а полоса затягивания равна 60 МГц.
9.219. Как можно устранить эффект длинной линии?
Стабильность частоты автогенераторов
9.220. Почему необходимо обеспечивать высокую стабильность час-
тоты автогенераторов?
9.221. Какие факторы вызывают изменение частоты АГ?
9.222. Какие методы используют для повышения стабильности час-
тоты автогенераторов?
9.223. Как осуществляют параметрическую стабилизацию часто-
ты?
9.224. Какие требования предъявляют к КС высокостабильного ав-
тогенератора?
9.225. Как влияют на частоту автоколебаний: а) технические; б) ес-
тественные дестабилизирующие факторы?
9.226. Почему при создании высокочастотных высокостабильных
генераторов предпочтительней использовать задающие квар-
цевые АГ на возможно более высокие частоты, а не вводить
дополнительные каскады умножителей частоты?
9.227. Определите ТЧК контура и изменение его резонансной часто-
ты при увеличении температуры на 10 градусов, если темпера-
турные коэффициенты контурной индуктивности L = 35 мкГн
и ёмкости C = 64 пФ соответственно равны 15·10-6 и 25·10-6.
9.228. Определите абсолютное изменение частоты прецизионного
кварцевого резонатора при изменении температуры на 2,0 К,
если его ТЧК = 5·10-8; f0 =2,5 МГц.
9.229. В АГ использован контур с добротностью 30 и резонансной
частотой 30 МГц. Определите сдвиг генерируемой частоты от-
носительно резонансной, если D = 0; φs = –30°; φk = 40°.
9.230. Определите точное значение частоты автогенератора, если
D = 0; резонансная частота контура 3 МГц, его добротность
Q = 100; φs = –20°; φk = 0°.
9.231. Резонансная частота контура 3 МГц, добротность 100. Опре-
делите генерируемую частоту, если D = 0; φs = 0°; φk = 0,01 рад.
9.232. Сравните свойства автогенераторов на LC, ПАВ и кварцевых
резонаторах.
Измерение нестабильности частоты

9.233. Почему при обработке результатов измерений вычисляют
отклонение частоты от среднего, а не от истинного значения
частоты?
9.234. Сколько измерений частоты нужно выполнить при оценке ста-
бильности частоты АГ для заданного интервала усреднения?
9.235. Почему при практических измерениях абсолютное значение
кратковременной и долговременной нестабильности частоты
определяют по различным формулам?
9.236. Определите среднее значение частоты, её дисперсию и от-
носительную нестабильность, если измеренные значения час-
тоты равны: а) 2500073; 2500115; 2500106; 2500122; 2500087;
2500016; 2500091; 2500125; 2500138 и 2500054 Гц; б) f = f0 + Δf,
где f0 = 1,8 ГГц, Δf = 100073 Гц; 100115 Гц; 100106 Гц; 100122 Гц;
100087 Гц; 100016 Гц; 100091 Гц; 100212 Гц; 100125 Гц;
100138 Гц; 100054 Гц и 100207 Гц; в) f = f0 + Δf, где f0 = 170 МГц,
Δf = 502 Гц; 515 Гц; 532 Гц; 442 Гц; 495 Гц; 475 Гц; 498 Гц и
570 Гц.
9.237. Для каждого интервала усреднения определите среднее зна-
чение частоты, её дисперсию и относительную нестабильность
частоты. Объясните полученные результаты. Постройте график
зависимости относительной нестабильности частоты от време-
ни усреднения. Измеренные значения частоты при интервалах
усреднения τ = 1; 10; 10; 1000 и 10000 мс соответственно равны
(в килогерцах):
9.238. Постройте график зависимости относительной нестабильнос-

ти частоты от времени усреднения τ и объясните полученные
результаты, если измеренные значения частоты при τ = 1; 10;
100; 1000 и 10000 мс соответственно равны (в килогерцах):
9.239. Постройте график зависимости относительной нестабильнос-

ти частоты от времени усреднения τ и объясните полученные
результаты, если измеренные значения частоты при τ = 1; 10;
100; 1000 и 10000 мс соответственно равны (в килогерцах):
Нелинейное уравнение автогенератора

9.240. В каком случае для исследования автогенераторов следует
использовать: а) линейные; б) нелинейные ДУ?
9.241. Какая из схем, изображенных на рис. 9.25, является более

точной для высокостабильных АГ?
9.242. Определите величину сопротивления R при переходе от схе-
мы рис. 9.25, а к схеме, показанной на рис. 9.25, б.
9.243. Докажите, что в ДУ автогенераторов по схеме рис. 9.25, а при
Q 1 можно пренебречь членом r f(u).
9.244. Составьте ДУ автогенератора по схеме рис. 9.25, б относитель-
но напряжения на контуре u. Запишите условие самовозбужде-
ния (нарастания амплитуды колебаний) этого АГ.
9.245. Составьте ДУ автогенератора по схеме: а) рис. 9.24, а;
б) рис. 9.24, б относительно входного напряжения u. Можно
принять, что выходное напряжение uC не влияет на ток i и от-
сутствует входной ток АЭ. Запишите условие самовозбужде-
ния (нарастания амплитуды колебаний) этого АГ.
9.246. Начертите схему АГ на ПТ с индуктивной ОС и колебатель-
ным контуром во входной цепи АЭ. Используйте: а) последо-
вательную; б) параллельную схему замещения колебательного
контура. Составьте для этой схемы ДУ относительно напряже-
ния u во входной цепи АЭ. Ток входной цепи АЭ и проница-
емость АЭ можно принять, равными нулю. Запишите условие
самовозбуждения этого АГ.
9.247. Можно ли использовать нелинейное ДУ, описывающее пове-
дение одноконтурного АГ, для АГ со сложными КС: а) двухкон-
турных; б) многоконтурных; в) с распределенными параметра-
ми; г) при неполном включении контура?
9.248. Начертите схему: а) индуктивной; б) емкостной трехточки на
БТ с параллельной схемой замещения колебательного контура.
Составьте для этой схемы ДУ относительно напряжения u во
входной цепи АЭ. Ток входной цепи АЭ и проницаемость АЭ
можно принять равными нулю. Запишите условие самовозбуж-
дения этого АГ.
Метод медленно меняющихся амплитуд.
Квазилинейный метод
9.249. В каком случае при решении нелинейного ДУ автогенератора
можно использовать: а) метод медленно меняющихся ампли-
туд; б) квазилинейный метод?
9.250. Можно ли использовать метод медленно меняющихся амп-
литуд и квазилинейный метод для анализа АГ со сложными
колебательными системами?
9.251. Каковы особенности: а) графических; б) аналитических мето-

дов расчета нелинейных систем?
9.252. Почему при представлении графиков аналитическими урав-
нениями обычно используют аппроксимацию?
9.253. Охарактеризуйте основные виды аппроксимации, используе-
мые в радиотехнике: а) кусочно-линейную; б) полиномом тре-
тьей степени; в) полиномом пятой степени.
9.254. Какова должна быть наименьшая степень полинома, ап-
проксимирующего ВАХ активного элемента, при анализе АГ,
работающего в: а) мягком; б) жестком режиме?
9.255. Почему среднюю крутизну целесообразно определять при ап-
проксимации ВАХ укороченными полиномами, содержащими
слагаемые только нечетных степеней?
9.256. Получите аналитическое выражение для средней крутизны
при аппроксимации ВАХ полиномом третьей степени а) пол-
ным; б) укороченным.
9.257. Получите аналитическое выражение для средней крутизны
при аппроксимации ВАХ полиномом пятой степени а) полным;
б) укороченным.
9.258. Используя укороченное ДУ автогенератора, определите усло-
вие: а) самовозбуждения; б) стационарного режима.
9.259. Какое изменение амплитуды колебаний считается медлен-
ным?
9.260. Докажите справедливость неравенств dU/dt ωU и
d2U / dt2 ω2U в случае медленного по сравнению с периодом
колебаний T изменения амплитуды высокочастотного напря-
жения u = U · sinωt.
9.261. Используя метод медленно меняющихся амплитуд, получите
укороченное ДУ для одноконтурного АГ с высокодобротной КС,
если предполагаемое решение ДУ имеет вид u = U(t) · sinωt.
9.262. Определите знаки коэффициентов a1 и a3 при аппроксимации
ВАХ АЭ полиномом третьей степени.
9.263. Определите величину коэффициентов a1 и a3 при аппрокси-
мации ВАХ ТД полиномом третьей степени, если напряжение
смещения U0 на ТД равно: а) 0,2В; б) 0,3В; (см. рис. 9.35).
9.264. Определите стационарную амплитуду колебаний АГ при
аппроксимации ВАХ полиномом третьей степени, если
a1 = 15 мСм, a3 = –4 мА/В3, R = 300 Ом.
9.265. Определите стационарную амплитуду колебаний АГ при
аппроксимации ВАХ полиномом третьей степени, если
a1 = 120 мА/В, a3 = –1,3 мА/В3, добротность КС равна 200, а

характеристическое сопротивление равно: а) 0,05 Ом; б) 0,1 Ом;
в) 0,5 Ом.
9.266. Используя решение задачи 9.263, расcчитайте амплитуду ко-
лебаний при напряжении питания: а) 0,2 В; б) 0,3 В. Сопротив-
ление нагрузки равно 250 Ом.
9.267. Определите амплитуду колебаний по характеристикам сред-
ней проводимости (см. рис. 9.35) при R = 250 Ом и напряжении
питания U0, равном: а) 0,2 В; б) 0,3 В. Сравните полученные ре-
зультаты с расчетами предыдущей задачи.
9.268. Получите уравнение для расчета стационарной амплитуды
колебаний АГ при аппроксимации ВАХ полиномом: а) третьей;
б) пятой степени.
Процесс установления амплитуды автоколебаний
9.269. Каковы этапы самовозбуждения колебаний?
9.270. Как протекает процесс самовозбуждения колебаний?
9.271. Какие факторы определяют начальную амплитуду колебаний,
возникающих в контуре АГ?
9.272. Как можно уменьшить амплитуду напряжения ударного воз-
буждения КС АГ при включении питающих напряжений?
9.273. Определите амплитуду ударного возбуждения КС автогене-
ратора с характеристическим сопротивлением 300 Ом и резо-
нансной частотой 5 МГц, если скорость нарастания выходного
тока АЭ равна 0,2 мА/мкс.
9.274. Почему при импульсной модуляции АГ длительность радио-
импульсов получается меньше длительности модулирующих
импульсов?
9.275. Почему при одинаковых параметрах модулирующих импуль-
сов магнетрон создает радиоимпульсы меньшей длительности,
чем ламповый АГ такой же мощности и длины волны?
9.276. Почему в импульсных АГ имеют место флуктуации фронта
радиоимпульсов?
9.277. Как уменьшить время установления амплитуды колебаний
автогенератора?
9.278. Как выбрать параметры КС автогенератора для снижения
времени установления амплитуды автоколебаний?
9.279. Как можно повысить стабильность времени установления ам-
плитуды колебаний АГ?
9.280. Как уменьшить флуктуации фронта радиоимпульсов при им-
пульсной модуляции АГ?
9.281. Как влияют флуктуации фронта радиоимпульсов на парамет-

ры радиосистем?
9.282. Получите формулу для расчета напряжения ударного возбуж-
дения КС АГ при включении напряжения питания.
9.283. Как уменьшить амплитуду напряжения ударного возбужде-
ния при заданных значениях резонансного сопротивление КС
и резонансной частоты?
9.284. Определите амплитуду напряжения ударного возбуждения
КС автогенератора, если: а) R = 8 кОм, Q = 200, f0 = 1 ГГц;
б) R = 2 кОм, Q = 70, f0 = 40 МГц. Скорость нарастания выход-
ного тока АЭ равна 1 мА/мкс.
9.285. Определите время установления амплитуды автоколебаний
и количество колебаний n за время установления амплитуды,
если Uст/Uн = 1000; G0 = 10 мСм; z = 0,8. Параметры КС авто-
генератора: f0 = 900 МГц, С = 80 пФ; сопротивление R равно
а) 75 Ом; б) 150 Ом; в) 300 Ом.
9.286. Определите время установления амплитуды автоколеба-
ний и количество колебаний n за время установления амп-
литуды, если Uст/Uн = 1000, z = 0,8, а проводимость G0 равна:
а) 20 мСм; б) 40 мСм; в) 80 мСм. Параметры КС автогенерато-
ра: f0 = 1800 МГц, R = 75 Ом, Q = 40.
9.287. Определите время установления амплитуды колебаний АГ
в мягком режиме его работы (z = 0,8), если рабочая частота
равна 2 ГГц, добротность КС равна 80; R = 75 Ом; S0 = 60 мСм;
Uст = 7 В. Начальная амплитуда колебаний равна: а) 1 мВ;
б) 100 мкВ; в) 10 мкВ; г) 0.
9.288. Для АГ предыдущей задачи определите количество колеба-
ний за время установления амплитуды.
9.289. Определите относительное изменение времени установления
амплитуды колебаний АГ при уменьшении отношения Uст/Uн в:
а) 2; б) 5; в) 10 раз, если начальное значение отношения Uст/Uн
равно 104.
9.290. Определите время установления амплитуды автоколебаний
и количество колебаний n за время установления амплитуды,
если Uст/Uн = 200, G0 = 1 мСм, Z = 0,8. Параметры КС автогене-
ратора: Q = 100, f0 = 0,5 МГц, С = 10 нФ.
9.291. Как можно определить время установления амплитуды коле-
баний АГ и со сложной КС?
Шумы в автогенераторах
9.292. Как влияют на параметры АГ его собственные шумы?
9.293. Какова природа шума: а) теплового; б) дробового?

9.294. Какова природа шумов: а) естественных; б) технических?
9.295. Какой частотный спектр имеет шум а) дробовой; б) тепло-
вой?
9.296. Почему дробовой и тепловой шум часто называют белым?
9.297. Почему при увеличении полосы до бесконечно больших час-
тот шумовое напряжение не стремится к бесконечности, как это
следует из формулы Найквиста?
9.298. Почему формулу Найквиста нельзя использовать для беско-
нечного спектра частот?
9.299. Определите диапазон частот, в котором можно использовать
формулу Найквиста, пренебрегая квантовомеханическими эф-
фектами.
9.300. Постройте спектр теплового шума на резистивном сопротив-
лении при температуре: а) Т > 0; б) Т = 0.
9.301.Определите значение предельной частоты, ограничивающей
реальный спектр теплового шума при температуре: а) –100 °С;
б) 20 °С; в) 100 °С.
9.302. Используя формулу Найквиста, получите выражение для
численного расчета эффективного значения напряжения тепло-
вого шума колебательного контура с известными параметрами
R и 2 Δf0,7 при температуре: а) 20 °С; б) –60 °С; в) –273 °С.
9.303. Определите эффективное напряжение теплового шума на со-
противлении R = 10 кОм в полосе частот 10 кГц при 20 °С.
9.304. Определите суммарное напряжение теплового Uт и дробового
Uдр шума.
9.305. Определите отношение напряжений Uдр/Uт, при котором с
погрешностью ∆, равной: а) 0,1; б) 0,05; в) 0,02; г) 0,01 можно
пренебречь влиянием теплового шума.
9.306. Как зависит напряжение шума: а) теплового; б) дробового на
нагрузке в виде параллельного колебательного контура от ве-
личины резонансной частоты контура?
9.307. Определите эффективное значение шумового напряжения
на нагрузке в виде параллельного соединения R = 5 кОм и
С = 45 пФ при токе I0, равном: а) 1,5 мА; б) 10 мА.
9.308. Определите эффективное напряжение шума на выходе ре-
зистивного усилителя при токе I0 = 60 мА и сопротивлении
нагрузки 100 Ом. Величина емкости, шунтирующей нагрузку,
равна а) 8 пФ; б) 120 пФ.
9.309. Определите эффективное напряжение шума в колебательном
контуре с параметрами 2 Δf0.7 = 10 МГц, С = 4 пФ, возникающее

за счет дробового эффекта, если ток лампы равен 30 мА.
9.310. Определите эффективное значение шумового напряже-
ния на колебательном контуре с параметрами R = 4 кОм,
2Δf0.7 = 10 МГц, если ток I0 равен 30 мА.
9.311. Определите эффективное значение напряжения шумов на
контуре от дробового эффекта, если С = 2 пФ, R = 1 кОм, а ток
I0 равен 15 мА.
9.312. Определите эффективное значение флуктуационной состав-
ляющей и относительные флуктуации σi /I0 тока I0, равного:
а) 1 А; б) 1 мкА; в) 1·10-12 А, в полосе шириной 10 кГц.
9.313. Как зависит величина относительных флуктуаций тока от
его среднего значения?
9.314. Как физически объяснить зависимость величины относитель-
ных флуктуаций тока от его среднего значения (см. решения
задач 9.312 и 9.113)?
9.315. Определите дисперсию флуктуационной составляющей тока
и эффективное значение шумового напряжения от дробового
эффекта на резистивном сопротивлении, равном 10 кОм, если
I0 = 1 мА, а ∆f = 15 кГц.
9.316. Определите отношения шумовых напряжений Uдр/Uт на парал-
лельном колебательном контуре, шунтированным омическим со-
противлением R, при температуре: а) –60 °С; б) 20 °С; в) 60 °С.
9.317. Определите амплитуду высокочастотного напряжения на ко-
лебательном контуре автогенератора, при которой отношение
шумовых напряжений Uдр/Uт на контуре будет не меньше трех.
Автогенератор работает с углами отсечки выходного тока от 40
до 180° в диапазоне температур от –60 до 60 °С.
9.318. Используя решение предыдущей задачи оцените относитель-
ное влияние теплового и дробового шума в реальных АГ.
9.319. Определите минимальное значение постоянного напряжения
U = RI0, при котором в шумовом напряжении на резисторе R
дробовой шум начнет доминировать над тепловым. Температу-
ра резистора равна: а) –60 °С; б) 20 °С; в) 60 °С.
9.320. Колебательный контур включен в выходную цепь генератора.
Определите минимальную амплитуду выходного напряжения ге-
нератора I1R, при которой в шумовом напряжении на контуре дро-
бовой шум начнет доминировать над тепловым, если Т = 293 К, а
угол отсечки выходного тока равен: а) 60 °С; б) 80 С; в) 180 °С.
9.321. Колебательный контур включен в выходную цепь генератора.
Определите амплитуду выходного напряжения генератора I1R,
при которой мощность дробового шума превосходит мощность

теплового шума в: а) 1,5; б) 5; в) 10 раз, если Т = 293 К, а угол
отсечки выходного тока равен 80°.
9.322. Используя формулу Шоттки, получите выражение для чис-
ленного расчета эффективного значения напряжения дробово-
го шума в колебательном контуре с известными параметрами:
а) R и С; б) R и 2 Δf0.7; в) С и 2 Δf0.7.
9.323. Определите отношение колебательной мощности АГ к мощ-
ности его дробового шума при заданном значении полосы про-
пускания КС.
9.324. Как объяснить физически, что отношение мощностей P1/Pдр
прямо пропорционально величине тока I0 (см. решение преды-
дущей задачи)?
9.325. Определите отношение мощностей P1/Pдр при g1 = 1,4 и токe
I0 равном: а) 1; б) 10; в) 100 мА, если добротность КС автогене-
ратора равна 500, а резонансная частота равна 3 ГГц.
9.326. Как можно увеличить отношение мощностей P1/Pдр автоге-
нератора?
9.327. Как можно увеличить отношение амплитуды первой гармо-
ники тока к его флуктуационной составляющей?
9.328. Как объяснить физически, что при увеличении тока I0 увели-
чивается и отношение I1/σi (см. ответ к задаче 9.327)?
9.329. Определите величину постоянной составляющей тока АЭ,
при которой отношение σi/I0 равно: а) 10-4; б) 10-5; в) 10-6, если
Δf = 1 МГц. Объясните полученные результаты.
9.330. Определите отношение колебательной мощности АГ и мощ-
ности его дробового шума, если g = 1; 2Δf0.7 = 33МГц. Ток I0 ак-
тивного элемента pавен: а) 2 мА; б) 20 мА; в) 0,2 А;.
9.331. Определите отношение напряжений, Uдр/U, если полоса про-
пускания КС равна: а) 1 МГц; б) 10 МГц; в) 100 МГц, ток I0
равен 30 мА, а g = 1
9.332. Определите отношения мощностей P1/Pдр автогенератора на
диоде Ганна, если ток диода равен 0,5 А, g1 = 0,4, f0 = 33 ГГц, а
добротность КС равна: а) 500; б) 75; в) 30.
Флуктуации частоты и фазы автоколебаний
9.333. Как уменьшить частотную флуктуацию автоколебаний, обус-
ловленную дробовым шумом?
9.334. Как зависит величина частотной флуктуации АГ от а) часто-
ты автоколебаний; б) полосы пропускания КС?
9.335. Определите эффективное значение частотной флуктуации

АГ с рабочей частотой: а) 30 МГц; б) 3 ГГц, если добротность
контура равна 20, а Pш/P1 = 10-12.
9.336. Определите эффективное значение частотной флуктуации АГ
с рабочей частотой 3 ГГц, если добротность его КС равна а) 20;
б) 100; в) 500, а Pш/P1 = 10-12.
автоколебания при U/Uш = 105, если параметры КС автогене-
ратора равны: а) f0 = 176 МГц, Q = 55; б) f0 = 800 МГц, Q = 250;
в) f0 = 2400 МГц, Q = 750.
9.338. Определите эффективное значение частотной флуктуации ав-
токолебаний, обусловленной дробовым шумом АЭ, если ток АЭ
равен: а) 0,5 мА; б) 5 мА; в) 50 мА, g1 = 1,3, а 2 Δf0.7 = 1 МГц.
автоколебаний, обусловленной дробовым шумом АЭ, если ток
АЭ равен 10 мА, угол отсечки равен: а) 70°; б) 120°; в) 180°, а
2 Δf0.7 = 1 МГц.
9.340. Определите эффективное значение частотной флуктуации АГ
с рабочей частотой 800 МГц при токе I0, равном 10 мА и угле
отсечки 180°, если добротность КС автогенератора равна: а) 50;
б) 100; в) 200.
лампового АГ, обусловленной дробовым шумом АЭ, если
I0 = 30 мА, U = 180 В, R = 4 кОм, а полоса пропускания контура
равна: а) 1 МГц; б) 10 МГц.
9.342. Как объяснить физически, что величина частотной флуктуа-
ции, обусловленной дробовым шумом АЭ, обратно пропорци-
ональна величине тока I0?
9.343. Определите величину тока I0, при которой частотная флук-
туация, обусловленная дробовым шумом АЭ, не превысит:
а) 1 Гц; б) 10 Гц, если частота автоколебаний равна 180 МГц,
добротность контура 90, g1 = 1,5.
9.344. В каких случаях необходимо учитывать флуктуационный на-
бег фазы автоколебаний?
9.345. Как можно уменьшить флуктуационный набег фазы автоко-
лебаний при большом времени наблюдения?
9.346. Определите среднеквадратичный набег фазы автоколеба-
ний за время Δt, равное: а) 5 мкс; б) 100 мкс; в) 2 мс, если
P1/Pш = 2,27·109, f0 = 33 ГГц, а Q = 75.
9.347. Определите набег фазы автоколебания φэф за время Δt, рав-
ное: а) 1 мкс; б) 10 мкс; в) 100 мкс, если f0 = 33 ГГц, Q = 1000,

Uш/U = 10-5.
9.348. Определите погрешность доплеровского измерителя скорости
συ, обусловленную влиянием дробового шума АЭ, если ток АЭ
равен 0,5 А, g1 = 0,4, добротность КС равна: а) 500; б) 75; в) 30,
дальность действия измерителя равна 750 м, а интервал усред-
нения скорости 1 мс.
9.349. Определите погрешность доплеровского измерителя скоро-
сти, обусловленную влиянием шумов, если интервал усредне-
ния скорости равен 1 мс, дальность действия измерителя 750 м,
f0 = 33 ГГц. Отношение мощностей P1/Pш и полоса пропуска-
ния контура АГ равны: а) 2,4·109, 66 МГц; б) 3,6·108, 440 МГц;
в) 1,4·108, 1100 МГц.
9.350. Определите среднеквадратичную погрешность доплеровско-
го измерителя скорости, обусловленную влиянием естествен-
ных шумов, при Tи = 1 мс, Q = 100, f0 = 30 ГГц, Pш/P1 = 10-10 и
R = 1,5 км.
9.351. Определите относительную погрешность доплеровского изме-
рителя скорости συ, обусловленную влиянием дробового шума,
при Tи = 1 мс, Q = 100, I0 = 0,2 А, g1 = 1,32, R = 1,5 км и скорости
объекта υ = 4 м/с.
9.352. Определите максимальную дальность действия доплеровско-
го измерителя, при которой погрешность измерения скорости,
обусловленная влиянием дробового шума АЭ, не превысит:
а) 0,001 м/с; б) 0,01 м/с; в) 0,1 м/с, если интервал усреднения
скорости равен 1 мс. Ток АЭ, равен 0,5 А, g1 = 0,4, а добротность
КС равна 75.
9.353. Определите максимальную дальность действия доплеровс-
кого измерителя, при которой погрешность измерения скоро-
сти, обусловленная влиянием дробового шума АЭ не превысит
0,01 м/с, если интервал усреднения скорости равен: а) 10 мс;
б) 1 мс; в) 0,1 мс. Ток АЭ равен 0,5 А, g1 = 0,4, а добротность
КС равна 75.
Паразитная автогенерация
9.354. Почему в передатчиках недопустимы даже самые слабые па-
разитные автоколебания?
9.355. На каких частотах возможно возникновение паразитной ав-
тогенерации?
9.356. Какие элементы передатчика могут создавать КС и цепи об-
ратной связи паразитных автогенераций?
9.357. Какие виды связи входных и выходных цепей возможны в

усилителях?
9.358. Какие причины могут вызвать паразитные автоколебания?
9.359. В каких случаях возможна параметрическая автогенерация?
9.360. Каковы наиболее вероятные причины возникновения пара-
зитной автогенерации в: а) ламповых генераторах; б) транзис-
торных генераторах; в) устройствах с реактивными диодами
(умножители и делители частоты, модуляторы, параметричес-
кие усилители)?
9.361. По каким признакам можно судить о наличии паразитных
автоколебаний?
9.362. Как следует поступать при обнаружении паразитной автоге-
нерации?
9.363. Какие способы используют для устранения паразитных ав-
тогенераций?
9.364. Как можно увеличить затухание в паразитном колебательном
контуре?
9.365. Укажите не менее пяти способов ослабления паразитной ОС
в усилителе?
9.366. Как можно устранить параметрическую автогенерацию?
9.367. Почему в усилителе по схеме рис. 9.28, а на частотах, гораздо
больших рабочей частоты, можно пренебречь влиянием кон-
турных индуктивностей и емкостей?
9.368. Как можно устранить высокочастотную паразитную автоге-
нерацию в усилителе по схеме рис. 9,28, а?
9.369. Как можно устранить низкочастотную паразитную автогене-
рацию в АГ по схеме Клаппа (рис. 9.29, а)?
9.370. Из каких соображений определяют величину антипаразитно-
го резистора R2 в АГ по схеме Клаппа (рис. 9.29, а)?
9.371. Определите: а) рабочую частоту; б) частоту возможной па-
разитной генерации АГ по схеме рис. 9.29, а. Определите воз-
можность генерации основных и паразитных колебаний с ис-
пользованием антипаразитного резистора R2 и без него при
добротности рабочего и паразитного контуров Q = 50 и кру-
тизне S0 = 50 мСм.
9.372. Определите максимально допустимую индуктивность LВ2
из условия отсутствия паразитной автогенерации в схеме
рис. 9.13, б, но без резистора R1. Использован ТД типа АИ101Д
(Сп = 10 пФ, rп = 12 Ом, LВ = 1 нГн, In = 2 мА). При найденном
значении LВ2 определите добротность паразитного контура и
частоту возможных паразитных автоколебаний. Влиянием ем-

кости Ск можно пренебречь.
9.373. Определите минимально допустимую емкость перехода тун-
нельного диода Сп из условия отсутствия паразитной автогене-
рации в схеме рис. 9.13, б, но без резистора R1. Использован ТД
типа АИ101Д (Iп = 2 мА, rп = 12 Ом, Lв = 1 нГн). Индуктивность
LВ2 равна 5 нГн. Влиянием емкости Ск можно пренебречь. При
найденном значении Сп определите добротность паразитного
контура и частоту возможных паразитных автоколебаний.
9.374. Определите минимально допустимое сопротивление потерь
туннельного диода rп из условия отсутствия паразитной автоге-
нерации в схеме рис. 9.13, б, но без резистора R1. Использован
ТД типа АИ101В (Iп = 2мА, Сп = 3,7пФ, Lв = 1 нГн). Индуктив-
ность LВ2 равна 4,5 нГн. Влиянием емкости Ск можно пренеб-
речь. При найденном значении rп определите добротность
паразитного контура и частоту возможных паразитных авто-
колебаний.
Общие задачи и вопросы по синтезаторам частот
9.375. Чем объясняется широкое распространение СЧ в различных
видах радиотехнической аппаратуры?
9.376. Дайте примеры использования СЧ в радиотехнических уст-
ройствах.
9.377. Какие факторы определяют допустимую нестабильность час-
тоты передатчика и, соответственно, его возбудителя?
9.378. Какие параметры СЧ влияют на ЭМС радиосредств?
9.379. Какие параметры характеризуют качество СЧ?
9.380. Почему СЧ обычно имеют небольшую выходную мощ-
ность?
9.381. В каких устройствах можно обойтись без СЧ?
9.382. Почему при повышенных требованиях к стабильности часто-
ты в устройствах с небольшим числом фиксированных частот
осуществляют коммутацию кварцевых генераторов, а не квар-
цевых резонаторов?
9.383. Сравните свойства электронных и механических ключей, ис-
пользуемых для переключения кварцевых резонаторов.
9.384. Каковы: а) достоинства; б) недостатки источников высокоста-
бильных колебаний типа кварц-волна?
9.385. Каковы: а) достоинства; б) недостатки интерполяционных
синтезаторов?
9.386. Получите и поясните формулу для расчета относительной

нестабильности частоты интерполяционного синтезатора по
схеме рис. 9.30, если относительные нестабильности кварцевого
и диапазонного генераторов равны ∆fэ/fэ и ∆fг/fг, а fэ fг.
9.387. Из каких соображений выбирают частоту fг диапазонного ге-
нератора в интерполяционном синтезаторе (рис. 9.30)?
9.388. Какие максимальные частоты имеют цифровые узлы совре-
менных синтезаторов частот?
9.389. Почему в РЭА чаще всего используют одноопорные СЧ?
9.390. Какие типы активных элементов и виды КС используют при
построении источников опорных колебаний?
9.391. Какие требования предъявляются к генераторам гармоник?
Какие устройства используют в качестве генераторов гармо-
ник?
9.392. Определите номер m-й гармоники последовательности пря-
моугольных видеоимпульсов на выходе ГГ, для которой при
заданной скважности q отношение амплитуд гармоник А1/Аm
равно: а) 1,05; б) 1,1; в) 1,2; г) 1,4; д) 1,5; е) 2,0.
9.393. Определите скважность последовательности прямоугольных
видеоимпульсов на выходе ГГ, при которой отношение ампли-
туд гармоник А1/А20 равно: а) 1,05; б) 1,1; в) 1,2; г) 1,4; д) 1,5.
Прямые синтезаторы частот
9.394. Какие узлы образуют прямые СЧ?
9.395. Какие преобразования сигналов осуществляются в прямых
синтезаторах частоты?
9.396. Каковы а) достоинства; б) недостатки пассивных аналоговых
СЧ?
9.397. Сравните свойства СЧ, изображенных на рис. 9.31, а и 9.31, б.
9.398. Определите минимальную скважность последовательности
прямоугольных видеоимпульсов на выходе ГГ (рис. 9.31), при
которой отношение амплитуд гармоник А1/Аm равно 1,5, если
номер m-й гармоники равен: а) 5; б) 10; в) 20.
9.399. Определите максимальный коэффициент перекрытия диа-
пазона и шаг перестройки частоты синтезатора с умножени-
ем частоты (рис. 9.31, а) при использовании фильтров: а) на
LC-элементах (mmax = 20); б) электромеханических (mmax = 50);
в) кварцевых (mmax = 150), если частота эталонного генератора
равна 10 кГц. Каким образом изменяют выходную частоту этого
синтезатора?
9.400. Определите выходную частоту, шаг перестройки частоты и

минимально допустимую полосу пропускания фильтра Ф1 син-
тезатора с умножением частоты (рис. 9.31, б), если fэ = 30 кГц,
mmax = 12, fг = 350 кГц, а долговременная нестабильность часто-
ты перестраиваемого генератора равна 10-3.
9.401. Почему ширина полосы пропускания фильтра Ф1 (рис. 9.31, б)
выбирается меньшей, чем шаг сетки?
9.402. Определите частоты генераторов fэ и fг СЧ по схеме рис. 9.31, б,
если центральная частота фильтра Ф1 равна 0,1 МГц, а выход-
ная частота равна: а) 1,0; б) 1,2; в) 1,4 МГц.
9.403. Определите выходную частоту синтезатора по схеме рис. 9.31, б,
если частота mfэ равна 120 МГц, а fг = 119±0,1 МГц.
9.404. Какие требования предъявляются к полосовым фильтрам
синтезаторов частот по схемам рис. 9.30 и 9.31? Какие элемен-
ты используют для построения фильтров?
9.405. В синтезаторе частот по схеме рис. 9.31, б, выходная цепь ГГ
содержит резонансный контур ударного возбуждения, который
формирует радиоимпульсы со средней частотой f0 = 40 МГц,
длительностью τ = 30 нс и периодом повторения Т = 1 мкс. Час-
тота эталонного генератора равна fэ = 1 МГц, генератор Г пере-
страивается в пределах 30…60 МГц, а фильтр Ф1 выделяет по-
лосу частот fг – m fэ = (5±0,1) МГц. Определите коэффициент
перекрытия диапазона и шаг перестройки частоты этого СЧ.
9.406. Определите максимальное и минимальное значение кратнос-
ти m СЧ предыдущей задачи, при которых огибающая спектра
последовательности радиоимпульсов изменяется слабо. Срав-
ните эти значения с фактическими.
9.407. Каковы особенности двухуровневого синтезатора по схеме
рис. 9.32?
9.408. Как повысить рабочую частоту СЧ по схеме рис. 9.32?
9.409. Почему частота следования импульсов на выходе ДПКД
(рис. 9.32) должна быть в два раза выше частоты сигнала на
выходе синтезатора?
9.410. Как уменьшить уровень побочных составляющих на выходе
СЧ по схеме рис. 9.32 при нецелых значениях fэ/fвых?
Синтезаторы с фазовой автоподстройкой частоты
9.411. Каковы: а) достоинства; б) недостатки непрямых СЧ по срав-
нению с прямыми?
9.412. Какие элементы используют при построении управляемых по
частоте автогенераторов (ПГ на рис. 9.33)?
9.413. Какие типы фазовых дискриминаторов используют в СЧ?

9.414. Каковы: а) достоинства; б) недостатки простейшего син-
тезатора с ФАП (рис. 9.33)?
9.415. Как можно увеличить число дискретных частот на выходе
(уменьшить шаг перестройки) синтезатора с ФАП (рис. 9.33)?
9.416. Чем отличается построение цифрового и аналогового синте-
заторов с ФАП?
9.417. Каковы: а) достоинства; б) недостатки цифрового синтезатора
с ФАП по сравнению с аналоговым?
9.418. Как влияет ширина полосы пропускания ФНЧ в ЦУ синте-
затора с ФАП (рис. 9.33) на свойства системы?
Цифровые вычислительные синтезаторы
9.419. Изобразите структурную схему простейшего ЦВС.
9.420. Поясните принцип работы ЦВС по схеме рис. 9.34.
9.421. Каковы а) достоинства; б) недостатки ЦВС?
Сравнение свойств синтезаторов
9.422. Сравните свойства синтезаторов с плавным и дискретным
перекрытием диапазона частот.
9.423. Сравните свойства СЧ на аналоговой и цифровой элементной
базе.
9.424. Какие методы используют при построении современных син-
тезаторов?
9.425. Начертите структурную схему синтезатора: а) интерполяци-
онного; б) простейшего прямого аналогового; в) пассивного
цифрового двухуровневого; г) аналогового с ФАП; д) цифро-
вого вычислительного.
9.426. Какой тип СЧ можно считать оптимальным?
9.427. В чем заключаются преимущества и недостатки синтезаторов
частот по схемам рис. 9.30–9.33?
9.428. Сравните свойства синтезаторов с фазовой автоподстройкой
частоты и цифровых вычислительных синтезаторов.
10 ПЕРЕДАТЧИКИ
С АМПЛИТУДНОЙ
И ОДНОПОЛОСНОЙ
МОДУЛЯЦИЕЙ
10.1. Амплитудная модуляция

При амплитудной модуляции (АМ) переменной во времени явля-
ется амплитуда сигнала U(t). Мгновенное значение АМ-сигнала вы-
ражается формулой
u(t) = U(t) cos(ω0t + φ0),
В частном случае, когда сообщение (модулирующее напряжение)
имеет вид гармонического колебания с частотой Ω = 2 F и началь-
ной фазой, равной нулю (uΩ = UΩ cos Ωt), АМ-колебание можно опи-
сать соотношением
u(t) = Uмол(1 + m cos Ωt) cos ω0t,
где 0 ≤ m ≤ 1 – коэффициент (глубина) модуляции.
Расчетные соотношения для гармонического модулирующего
напряжения:
• максимальная и минимальная амплитуды колебаний
Umax = Uмол(1 + m); Umin = Uмол(1 – m);
U max − U min
• коэффициент модуляции m= ;
U max + U min
• мощность в режиме несущей частоты (молчания)
Pмол = Pнес = 0,5 U2мол/Pн;
• мощность в максимальном и минимальном режимах
Pmax = Pмол(1 + m)2; Pmin = Pмол(1 – m)2;
246 ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
• мощность одной боковой частоты Pбок = 0,25 m2Pмол.

• среднее значение мощности за период модулирующего сиг-
нала
Pср = Pмол + 2Pбок = Pмол(1 + 0,5m2);
• ширина спектра АМ-колебания 2∆f = 2Fmax;
• коэффициент модуляции на выходе одноконтурного резо-
нансного усилителя при частоте модуляции F и при совпа-
дении частоты несущего колебания с резонансной частотой
контура равен
m вых = m 1 + (2 F / 2Δf 0, 7 ) 2 ;
• относительное уменьшение глубины модуляции (коэффици-
ент демодуляции) на выходе одноконтурного резонансного
усилителя
[
D = mвых / m = 1 + (2 F / 2Δf 0.7 ) 2 ]−0 , 5
;
• постоянная составляющая и первая гармоника анодного тока
лампы (для транзисторных генераторов получаются аналогич-
ные соотношения с той лишь разницей, что для них проница-
емость D можно считать равной нулю)
I a 0 = S (U c − DU a ) γ 0 (Θ) = I a m α 0 (Θ) ;
I a1 = S (U c − DU a ) γ1 (Θ) = I a m α1 (Θ) ;
Ec − Ec'
• косинус угла отсечки cos Θ = − ,
U c − DU a
где Uнес = Uмол – амплитуда колебаний в режиме несущей (мол-
чания);
Rн – сопротивление нагрузки;
Fmax – максимальная частота сигнала;
m – коэффициент модуляции входного сигнала;
2∆f0,7 – полоса пропускания одноконтурного резонансного уси-
лителя по уровню 0,707;
S – крутизна проходной характеристики;
D – проницаемость;
Iа m – амплитуда импульса анодного тока;
Uc – амплитуда напряжения на сетке;
Ua – амплитуда напряжения на аноде;
Θ – угол отсечки;
ОДНОПОЛОСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ 247
Ec – напряжение смещения на сетке;

E′c– напряжение запирания (отсечки).
10.2. Однополосная модуляция

При однополосной модуляции (ОМ) изменяются одновременно ам-
плитуда и фазовый угол высокочастотного колебания, а огибающая
модулированного колебания повторяет ход мгновенных значений
модулирующего сигнала [39, 58, 63, 69, 72, 73, 91].
Временные диаграммы и спектры амплитудно-модулированного,
двухполосного и однополосного сигналов показаны на рис. 10.1, где
коэффициент модуляции равен единице, а мощность АМ-сигнала в
режиме несущей равна 100 Вт.
uΩ P, Вт
t
а 0
f
0
u P, Вт
200 Pmax=400 Вт
Pср =150 Вт АМ
t
100
б 0 f
P, Вт
u Pmax=400 Вт
200
Pср =200 Вт DSB
t 100
в 0
f
P, Вт
400
u Pmax=Pср =
300 400 Вт
t
г 0
200
SSB
100
f
Рис.10.1. Временные диаграммы и спектры сигналов: а – модулирующего;

б – амплитудно-модулированного; в – двухполосного; г – однополосного
Мгновенное значение сигнала с ОМ

u(t) = UmaxX(t) cos((ω0 ± Ωср) t ± Ф(t)),
где Umax – максимальное значение амплитуды;
X(t) = U/Umax – относительная амплитуда;
Ωср – средняя частота спектра модулирующего сигнала;
Ф(t) – мгновенная фаза модулирующего сигнала.
Знак ± показывает возможность выделения либо верхней, либо
нижней боковой полосы сигнала с ОМ.
Энергетические соотношения в ламповых усилителях колеба-
ний с ОМ (для транзисторных генераторов получаются аналогичные
соотношения) [39, 72]:
• первая гармоника анодного тока АЭ равна Iа1 = mIа1max;
• постоянная составляющая анодного тока АЭ равна
Iа0 = mIа0max;
• колебательная мощность равна P1 = m2P1max;
• мощность, потребляемая от источника питания, равна
P0 = mP0max;
• электронный КПД равен ηе = mηе max;
• отношение максимальных выходных мощностей передатчи-
ков с АМ и ОМ при одинаковом полезном эффекте на выходах
соответствующих приемников равно
Pmax A M (1 + X max ) 2
= ;
Pmin ОМ X 2 max
• отношение средних мощностей, потребляемых анодными це-
пями усилителей мощности передатчиков с АМ и ОМ при
одинаковых общих КПД и модуляции гармоническим напря-
жением,
P0ср АМ/P0ср ОМ = 2/X,
где Хmax – максимальное значение относительной амплитуды, чис-
ленно равное коэффициенту модуляции mmax;
Х – значение относительной амплитуды, численно равное ко-
эффициенту модуляции m.
10.1. Сравните свойства передатчиков с АМ и ОМ.
10.2. Изобразите спектры и векторные диаграммы при гармоничес-
ком модулирующем напряжении для случая: а) амплитудной;
б) балансной (АМ-сигнал с подавленной несущей); в) однопо-
лосной модуляции.
10.3. При гармоническом модулирующем напряжении изобразите
осциллограммы напряжений на выходе модуляторов: а) амп-
литудного; б) балансного; в) однополосного.
10.4. Для произвольного модулирующего сигнала изобразите осцил-
лограммы напряжений на выходе модуляторов: а) амплитудно-
го; б) балансного; в) однополосного.
10.5. При отсутствии модулирующего напряжения изобразите ос-
циллограммы напряжений на выходе модуляторов: а) ампли-
тудного; б) балансного; в) однополосного.
10.6. Определите отношение максимальных выходных мощностей
передатчиков с АМ и ОМ при одинаковых амплитудах сигнала
на выходах соответствующих приемников, если максимальный
коэффициент модуляции равен: а) 1; б) 0,8; в) 0,5.
10.7. Определите отношение средних мощностей, потребляемых
анодными цепями усилителей мощности передатчиков с АМ
и ОМ при одинаковых общих КПД, если коэффициент моду-
ляции равен: а) 1; б) 0,8; в) 0,5.
Передатчики с амплитудной модуляцией
10.8. В каких диапазонах частот применяют передатчики с АМ?
10.9. Укажите область применения передатчиков с АМ.
10.10. Укажите возможные способы осуществления АМ в выходном
каскаде передатчика.
10.11. Изобразите структурную схему АМ-передатчика: а) связного
носимого; б) радиовещательного; в) телевизионного. Сформу-
лируйте технические требования к передатчику.
10.12. Каким требованиям должен удовлетворять колебательный
контур в выходной цепи генератора при АМ?
10.13. Оцените число каналов вещательных радиостанций с АМ, ко-
торые можно разместить в средневолновом диапазоне. Границы
средневолнового диапазона от 0,5 до 1,5 МГц. Максимальная
частота модулирующего сигнала равна 12 кГц. Для ликвидации
перекрестных помех между каналами следует предусмотреть

защитный интервал шириной 1 кГц.
10.14. Укажите особенности и область применения базовой и сеточ-
ной модуляции.
10.15. Укажите особенности и область применения анодной и кол-
лекторной модуляции.
10.16. С какой целью используют комбинированную модуляцию?
10.17. В чем преимущество комбинированной коллекторной мо-
дуляции по сравнению с коллекторной модуляцией на один
каскад? Почему нецелесообразно осуществлять модуляцию на
коллектор в промежуточных каскадах передатчика?
10.18. Сравните особенности СМХ при: а) сеточной; б) базовой;
в) анодной; г) коллекторной модуляции. Укажите на харак-
теристиках области недонапряженного и перенапряженного
режимов и рабочие точки в режиме несущей.
10.19. Изобразите схему осуществления: а) базовой; б) коллекторной;
в) сеточной; г) анодной модуляции и эквивалентные схемы для
расчета амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) на низких
и высоких модулирующих частотах. Покажите вид АЧХ.
10.20. По каким причинам происходит завал АЧХ на низких и вы-
соких модулирующих частотах (задача 10.19).
10.21. Определите отношение мощности боковых составляющих к
мощности несущей АМ-передатчика при коэффициенте моду-
ляции: а) 1,0; б) 0,3.
10.22. Определите отношение мощности боковых составляющих к
средней за период модулирующего сигнала АМ-передатчика
при коэффициенте модуляции: а) 1,0; б) 0,5; в) 0,3.
10.23. Определите отношение мощности обеих боковых составляю-
щих к максимальной мощности АМ-передатчика при коэффи-
циенте модуляции: а) 1,0; б) 0,5; в) 0,3.
10.24. Мощность передатчика с АМ в режиме молчания 10 Вт. Оп-
ределите мощность в максимальном режиме при m = 0,7.
10.25. Определите мощность, приходящуюся на одну боковую час-
тоту АМ-колебания, если коэффициент модуляции равен 0,9;
амплитуда тока в антенне в режиме молчания 20 А; сопротив-
ление излучения равно 10 Ом.
10.26. Определите мощность, приходящуюся на обе боковые час-
тоты АМ-колебания, если коэффициент модуляции равен 0,8;
амплитуда тока в антенне в режиме молчания 10 А; сопротив-
ление излучения 6 Ом.
10.27. Выходная мощность передатчика с амплитудой модуляцией

в режиме молчания равна 30 Вт. Определите среднее за пери-
од модулирующей частоты значение выходной мощности, если
коэффициент модуляции равен 0,5.
10.28. Мощность, потребляемая коллекторной цепью усилителя в
режиме молчания, равна 10 Вт. Какую мощность в среднем за
период модулирующей частоты будет потреблять этот усили-
тель при коэффициенте модуляции 0,7?
10.29. Мощность, потребляемая коллекторной цепью усилителя в
режиме молчания, равна 20 Вт. Какую мощность отдает моду-
лятор при коллекторной модуляции усилителя, если m = 1?
10.30. Определите мощность модулятора для осуществления анод-
ной модуляции, если напряжение питания анодной цепи 10 кВ,
постоянная составляющая анодного тока 5 А, коэффициент мо-
дуляции равен 0,8.
10.31. Какое количество транзисторов с номинальной мощностью
20 Вт потребуется для обеспечения мощности в нагрузке в ре-
жиме молчания 8 Вт при: а) базовой; б) коллекторной модуля-
ции, если КПД контура равен 0,7, а m = 1?
10.32. Какое количество ламп с номинальной мощностью по 10 кВт
потребуется для обеспечения мощности в режиме молчания
8 кВт при: а) сеточной; б) анодной модуляции, если КПД кон-
тура равен 0,9, а m=1?
10.33. Лампу какой мощности следует выбирать при амплитудной
модуляции: а) на управляющую сетку; б) на третью сетку; в) на
анод, чтобы получить в режиме несущей частоты колебатель-
ную мощность 100 Вт при m = 1?
10.34. Какое напряжение источника коллекторного питания сле-
дует выбрать при коллекторной модуляции для получения
коэффициента модуляции 0,5 при амплитуде напряжения на
коллекторе в граничном режиме 45 В и максимальном исполь-
зовании транзистора по напряжению? Предельно допустимое
напряжение на коллекторном переходе транзистора равно
105 В.
10.35. Определите максимальное число радиостанций с АМ, ко-
торые могут одновременно работать в диапазоне частот:
а) 0,1…1 МГц; б) 1…10 МГц, если полоса модулирующих частот
равна 100…6300 Гц.
10.36. Ток i = 5(1 + 0,8 · cos 3000t) cos (6 · 106 t) протекает по резис-
тивной нагрузке, равной 75 Ом. Определите: а) частоту несу-
щей, частоту модулирующего сигнала и глубину модуляции;

б) максимальную, минимальную и среднюю за период модули-
рующего сигнала мощность в нагрузке.
10.37. Начертите схему транзисторного усилителя мощности при
модуляции смещением. Поясните назначение элементов схемы.
Почему этот усилитель должен работать с отсечкой тока?
10.38. Начертите схему транзисторного УМ с коллекторной моду-
ляцией. Поясните назначение элементов схемы. Почему этот
усилитель должен работать в перенапряженном режиме?
10.39. Как можно определить коэффициент модуляции по осцил-
лограмме АМ-сигнала? Получите расчетную формулу.
10.40. Как определить коэффициент модуляции по прибору, изме-
ряющему ток в контуре генератора в режимах молчания и мо-
дуляции?
10.41. Определите коэффициент модуляции, если ток в контуре в ре-
жиме молчания равен 8 А, а при АМ: а) 9 А; б) 9,5 А; в) 10 А.
10.42. Ток в контуре генератора в режиме несущей равен 5 А. Оп-
ределите контурный ток при АМ с m = 1.
10.43. Ток в антенне в режиме молчания равен 10 А, а при модуля-
ции 15 А. Является ли модуляция симметричной?
10.44. Определите коэффициент модуляции на выходе однокон-
турного резонансного усилителя АМ-сигнала с параметрами:
m = 0,8, f0 = 2,5 МГц, F = 15 кГц, если добротность контура равна
а) 50; б) 75; в) 100.
10.45. Определите добротность контура одноконтурного резонанс-
ного усилителя, при которой отношение m/mвых равно: а) 1,1;
б) 1,2; в) 1,3, если f0 = 2,5 МГц, а частота модулирующего сиг-
нала равна 15 кГц.
10.46. Определите полосу пропускания одноконтурного резонансно-
го усилителя телевизионного сигнала, при которой коэффици-
ент демодуляции не превысит 0,9, если Fmax = 8 МГц.
10.47 Постройте зависимость коэффициента демодуляции в одно-
контурном резонансном усилителе от относительного значения
модулирующей частоты АМ-сигнала 2F/2∆f0,7.
10.48. Получите формулу для расчета коэффициента модуляции на
выходе одноконтурного резонансного усилителя АМ-сигнала
при заданных значениях частоты модулирующего сигнала и
полосы пропускания контура.
10.49. Рассчитайте и постройте модуляционную характеристику:
а) Ia1(Ec); б) Ia0(Ec) тетродного генератора, если S = 25 мСм;
E′c = –12 В; Uc = 9 В; D = 0. Оцените интервал углов отсечки,

соответствующий линейному участку модуляционной характе-
ристки.
10.50. Рассчитайте и постройте модуляционную характеристику
Ia1(Uc) пентодного генератора, если S = 10 мСм; E′c = –30 В;
D = 0. Напряжение смещения равно: а) –25 В; б) –30 В;
в) –35 В. Дайте сравнительную оценку вида модуляционных
характеристик при различных напряжениях смещения.
10.51. При симметричной синусоидальной сеточной модуляции с
глубиной m = 1 напряжение анодного питания генератора рав-
но 1,5 кВ, постоянная составляющая анодного тока 145 мА,
эффективное значение тока в выходном контуре 6,12 А, сум-
марное сопротивление потерь контура 3 Ом. Определите мощ-
ность, рассеиваемую анодом в режиме молчания, в максималь-
ном режиме и среднюю за период модуляции.
Передатчики с однополосной модуляцией
10.52. В каких диапазонах частот применяют передатчики с ОМ?
10.53. Укажите особенности и область применения передатчиков с
однополосной модуляцией.
10.54. Какие требования предъявляются к выходному каскаду пе-
редатчика с ОМ?
10.55. Изобразите структурную схему передатчика с ОМ.
10.56. Назовите и охарактеризуйте методы формирования сигнала
с одной боковой полосой.
10.57. Определите число каналов связных радиостанций с ОМ, кото-
рые можно разместить в диапазоне частот от 28 до 29 МГц. По-
лосу модулирующих частот можно принять от 300 до 3400 Гц,
а промежуток между каналами – 900 Гц.
10.58. Как изменяется отношение максимальных выходных с мощ-
ностей передатчиков с АМ и с ОМ при одинаковых амплитудах
сигналов на выходах соответствующих приемников с ростом
коэффициента модуляции?
10.59. Как изменяется отношение средних мощностей, потребляе-
мых анодными цепями усилителей мощности передатчиков с
АМ и ОМ при одинаковых общих КПД, с уменьшением коэф-
фициента модуляции?
10.60. Определите электронный КПД усилителя колебаний с ОМ
при коэффициенте модуляции: а) 0,1; б) 0,5; в) 0,9, если в мак-
симальном режиме колебательная мощность равна 1 кВт, а пот-
ребляемая от источника анодного питания 1,4 кВт.
10.61. Почему КПД однополосных передатчиков обычно не превы-

шает 15…20%?
10.62. Как можно повысить КПД усилителей однополосных сиг-
налов?
10.63. Как обеспечить высокий КПД регулируемых источников пи-
тания передатчиков с ОМ?
10.64. Сравните приращение мощностей колебаний, модулирован-
ных гармонической функцией, относительно мощностей в ре-
жиме молчания для случаев АМ и ОМ при: а) m = 0,3; б) m = 0,5;
в) m = 0,8; г) m = 1,0. Сделайте вывод об эффективности ис-
пользования мощности передатчика в случаях осуществления
амплитудной и однополосной модуляции.
ПЕРЕДАТЧИКИ
11 С ИМПУЛЬСНОЙ
11.1. Общие соотношения

при импульсной модуляции
Основные особенности импульсной работы передатчиков опреде-
ляются скважностью
q = T τ = 1 ( Fτ ) ,
где Т, F и τ – период, частота следования и длительность импуль-
сов.
Средняя за период повторения импульсов мощность в нагрузке
модулятора равна
Рн = Рни /q = F τ Рни ,
где Рни – импульсная мощность модулятора.
Согласно теореме Котельникова, произвольный сигнал, спектр
которого не содержит частот выше fв, может быть полностью восста-
новлен, если известны его отсчетные значения, взятые через равные
промежутки времени 0,5/fв.
Типичные формы импульсов на выходе модуляторов показаны
на рис. 11.1, где обозначено:
Еmax – амплитуда импульса;
ΔE=Emax – Emin – скол вершины импульса;
τф – длительность фронта импульса (время нарастания импульса,
измеряемое между значением 0,1 и 0,9 от максимального зна-
чения амплитуды на нарастающем участке импульса);
256 ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
E
τ E max
0,9 E max
E
E min
0,9 E min
τ' Без дросселя
0,5 E max
0,1E max 0,1E min
0
t
τф τc
С диодом
Без диода Eобр max
Рис. 11.1. Формы импульсов на выходе модуляторов
τс – длительность среза импульса (время убывания импульса, из-

меряемое между значением 0,9 и 0,1 от максимального значе-
ния амплитуды на убывающем участке импульса);
τ′ – длительность импульса;
τ – длительность вершины импульса. Как видно из рисунка,
τ′ τ.
Спад (скол) вершины импульса оценивают коэффициентом
формы β = ΔE/Emax.
Основные параметры генераторов как нагрузок модуляторов:
Е и Епор – номинальное и пороговое напряжения;
Iои – номинальный ток в импульсе;
R0 = E / Iои – статическое сопротивление;
Rд = dE/dIои – динамическое (дифференциальное) сопротивление.
11.2. Модуляторы с частичным разрядом

накопительной емкости
Наиболее распространенными являются следующие схемы импульс-
ных модуляторов: резистивная (рис. 11.2), резистивно-дроссельная с
МОДУЛЯТОРЫ С ЧАСТИЧНЫМ РАЗРЯДОМ НАКОПИТЕЛЬНОЙ ЕМКОСТИ 257
C
Lк
Rог
Eп Iаи u
Rк
VL1
СП 1 CП2
Uа Rз нагрузка E
Uу Iои
Eсм
Рис. 11.2. Резистивный импульсный модулятор
демпфирующим (гасящим) диодом (рис. 11.3), дроссельно-диодная
и резистивно-трансформаторная [5, 8, 9, 19, 39, 40, 58, 66, 69, 70, 91].
На рис. 11.2 и 11.3 пунктиром показаны паразитные емкости этих
схем Сп1 и Сп2 . Суммарная паразитная емкость равна Сп=Сп1+Сп2.
• Длительность фронта импульса при модуляции генераторов с
различным типом вольт-амперных характеристик (ВАХ):
– при резко нелинейной нагрузке (магнетронного типа)
τф=ECп/Iаи=RoIоиСп /Iаи;
– при линейной нагрузке (триодного типа) в граничном и не-
донапряженном режимах работы коммутатора τф = 3R0Cп;
– при слабонелинейной нагрузке (приборов типа “О”) τф=2,5R0Cп,
где Iаи – анодный ток коммутатора.
• Длительность среза импульса в резистивном модуляторе
– при резко нелинейной нагрузке τс = 2,2 R′Cп;
– при линейной нагрузке τс = 2,2 R′RoCп /(R′ + Ro);
– при слабонелинейной нагрузке τс = 3 R′RoCп/(R′ + Ro),
где R′ = R3 ⋅ Roг/(Rз + Roг).
• Длительность среза импульса в резистивно-трансформатор-
ном или резистивно-дроссельном модуляторе для всех типов
нагрузки можно оценить по формуле
τс = СпLз/τ.
• Амплитуда обратного напряжения (рис.11.1) на нагрузке ре-
зистивно-трансформаторного или резистивно-дроссельного мо-
дулятора без использования демпфирующего диода равна
Eобр max = E 1 + τ τ c .
Rог iраз C
EП u
Iаи
Cn1 Cn2 Д
Lз нагрузка E
Uа
iL Iои
Eсм
Рис.11.3. Резистивно-дроссельный импульсный модулятор
с демпфирующим диодом
• Изменение напряжения на накопительном конденсаторе за

время длительности импульса и соответствующее ему отно-
сительное изменение напряжения на нагрузке (коэффициент
формы) равны
I ОИ τ E max τ ΔE τ ⋅ Rд
ΔU = U max − U min = = ; βc = = ,
С C Ro Emax C (Rд + Ri )⋅ Ro
где Ri – дифференциальное сопротивление модуляторной лампы

на рабочем участке ее ВАХ;
Rд – дифференциальное сопротивление нагрузки;
Rо =E/Ioи – статическое сопротивление нагрузки.
• Ток в зарядном дросселе (или в первичной обмотке импуль-
сного трансформатора) к концу импульса и пропорциональное
величине этого тока относительное изменение напряжения на
нагрузке равны
ΔE τ Ri Rд
ILmax = E ⋅ τ/Lз; β L = = .
Emax Lз (Ri + Rд )
• Относительное изменение напряжения на нагрузке, обуслов-
ленное уменьшением напряжения на накопительном конденса-
торе при его разряде и увеличением тока в зарядном дросселе
равно
β = βс+βL.
• Напряжение на накопительном конденсаторе равно
U = E + Ua = E + Iaи ⋅ Rм E(Rм + R0)/R0,
МОДУЛЯТОРЫ С ЧАСТИЧНЫМ РАЗРЯДОМ НАКОПИТЕЛЬНОЙ ЕМКОСТИ 259
где Rм и Ro – статические сопротивления соответственно модуля-

торного (коммутарного) и генераторного приборов;
Uа – падение напряжения на открытом коммутаторе.
• Напряжение источника анодного питания равно
ΔU
Eп = U min + ,
1 − exp(− 1 ( RCF ) )
где R = Rз + Roг.
• КПД зарядного процесса равен
U max + U min 2U max − ΔU 2U min + ΔU
ηз = = = .
2 Eп 2 Eп 2 Eп
• Мощности, рассеиваемые зарядным и ограничительным ре-

зисторами при заряде накопительного конденсатора, равны
Pз = Pп (1 − η з )Rз (Rз + Roг ), Po г = Pп (1 − η з )Ro г (R з )

+ Ro г ,
где Рп – мощность источника анодного питания.
• Потери в коммутаторе при разряде накопительного конден-
сатора равны
Рa раз = IaиUa/q = U2а/(q⋅Rм).
• Мощности, рассеиваемые зарядным и ограничительным ре-
зисторами при разряде накопительного конденсатора, равны
Pз = E
2
(q Rз ); ( ) ( )
Po г = ( E п − U a) q Ro г ≅ E п q Ro г .
2 2
• Мощность, рассеиваемая анодом коммутатора при заряде и

разряде паразитных емкостей, равна
Paк = 0,5CпFE 2.
• Мощность, рассеиваемая демпфирующим (сглаживающим)
диодом при гашении колебаний во время среза импульса,
равна
Paд = 0,5CпFE2(1 + 0,5τ/τc).
• Суммарная мощность коммутационных потерь (в коммутато-
ре и демпфирующем диоде) равна
Рк = Рак + Рад = Cп F E2(1 + 0,5τ/τc).
• Мощность потерь в импульсном трансформаторе (ИТ) равна

Pтр = Рн · (1 – ηтр)/ηтр,
где ηтр – КПД трансформатора.
• Мощность источника анодного питания равна
Pн + Pпот.р 2 Eп
в обшем случае: Pп = = ( Pн + Pпот. р ) ;
ηз 2U min + ΔU
в случае резистивно-дроссельного модулятора, не содержаще-
го ИТ и зарядный резистор,
Pп =
2 Eп
[P
н + Pк + Pа раз + ( Eп − U а ) 2 ( q Ro г ) ,]
2U min + ΔU
где Рпот. р – суммарная мощность потерь при разряде накопи-
тельного конденсатора, включающая потери в ИТ, коммутато-
ре, демпфирующем диоде, зарядном и ограничительном резис-
торах.
• КПД анодной цепи модулятора равен
η = Pн/Рп .
• При оптимальной величине ограничительного резистора
мощность источника анодного питания Рп минимальна, а КПД
η – максимален. Ввиду громоздкости соотношений для нахож-
дения оптимальной величины Roг целесообразно использовать
средства вычислительной техники.
11.3. Модуляторы с полным разрядом

формирующей линии
Схемы модуляторов с полным разрядом линии отличаются по типу
линии (с распределенными параметрами или искусственные; одно-
родные и неоднородные; одинарные, двойные и учетверенные; цепо-
чечные и т. п.); по виду заряда (резонансный или линейный) и по
виду источника питания (постоянное или переменное напряжение
питания) [5, 8, 9, 19, 39, 40, 58, 66, 69, 70, 91]. Эти отличия отражены
в названиях схем.
На рис. 11.4 показаны основные элементы схемы модулятора с ре-
зонансным зарядом однородной одинарной цепочечной линии через
диод от источника постоянного напряжения, где обозначено:
МОДУЛЯТОРЫ С ПОЛНЫМ РАЗРЯДОМ ФОРМИРУЮЩЕЙ ЛИНИИ 261
L or DЗ L L L
+ EП
U С С С
ИТ I OИ
U1 E Нагрузка
Рис. 11.4. Модулятор с резонансным зарядом линии через диод

от источника постоянного напряжения
Loг – ограничительный дроссель;
Dз – зарядный диод;
L и С – индуктивность и емкость ячейки формирующей линии;
ИТ – импульсный трансформатор;
U1 и Е – амплитуда импульсов напряжения на первичной обмотке
ИТ и на нагрузке;
U – напряжение на линии.
• Длительность импульса, формируемого линией с распреде-
ленными параметрами, равна τ = 2l μ ε c ,
где l – длина линии;
ε и μ – диэлектрическая и магнитная проницаемость вещества,
заполняющего линию.
• Длительность импульса, формируемого однородной линией
цепочечного типа, равна τ = 2k LC ,
где k – количество ячеек линии.
• Емкости и индуктивности ячеек однородной линии цепочеч-
ного типа, равны
C = τ ( 2 k Z в ) ; L = Z 2в C = 0,5τ Zв/k,
2
где Z в = L C = Δ ⋅ Ro n – волновое сопротивление линии;
n – коэффициент трансформации ИТ;
Δ = Zв/Rн = 1,05...1,15 – коэффициент рассогласования линии
с нагрузкой; в приближенных расчетах полагают Δ =1;
Ro = E/Iои – сопротивление нагрузки постоянному току;

Rн = Rо/n2 – сопротивление нагрузки постоянному току, пере-
считанное к первичной обмотке трансформатора.
Эквивалентная схема зарядной цепи модулятора с резонансным
зарядом линии показана на рис. 11.5, где обозначено
Lз=Loг+L1 – индуктивность зарядной цепи, включающая ин-
дуктивность ограничительного дросселя Loг и индуктивность
первичной обмотки ИТ L1; L3 R3 i3
Rз = roг + r1 + Riд – сопротивление +
зарядной цепи, включающее со-
противление обмотки ограничи- E Сл U
п
тельного дросселя roг, сопротив-
ление первичной обмотки ИТ r1 -
и сопротивление открытого за- Рис. 11.5. Эквивалентная схема
рядного (фиксирующего) диода; зарядной цепи
Сл = kC – ёмкость ячеек линии.
Параметры зарядного контура, изображенного на рис. 11.5:
• резонансная частота ω0 = 1/ Lз C л ;
• период собственных колебаний T0 = 2π/ω0 = 2π Lз C л ;
• характеристическое сопротивление ρ = ω0L = Lз C л ;
• добротность Q = ρ/Rз.
• Период и частота следования импульсов в модуляторе по
схеме рис. 11.4 равны:
− с диодом в зарядной цепи T ≥ 0,5T0 ; F ≤ 1/(π L з C л );
− без диода в зарядной цепи Т = 0,5Т0 ; F = 1/(π Lз C л ).
• Значение тока в зарядной цепи равно:
− максимальное Iз max = Еп / ρ = 2πCлЕп/Т0;
− среднее I з 0 = I з max T0 / ( πT ) = 2 Eп С л F ;
− эффективное Iзэ = 0,5Iз max To T .
• Мощность источника анодного питания равна
Pп = ЕпIз0 = 2Е2пСл F.
U max + U min π
• КПД зарядной цепи равен η з = = 1− ,
2 Eп 4Q
где Umax – максимальное напряжение на линии при ее заряде;
Umin – минимальное напряжение на линии при ее разряде.
КОММУТАТОРНЫЕ ПРИБОРЫ 263
• Максимальное напряжение при заряде линии равно

Umax = 2ηз ⋅ Eп.
• КПД разрядной цепи равен ηр= ηкηиηл,
где ηк = 0,9…0,99 – КПД коммутаторного прибора;
ηи = 0,8…0,95 – КПД импульсного трансформатора;
ηл = 0,98…0,99 – КПД формирующей линии.
• КПД анодной цепи модулятора равен
ηа = Рн/Рп = ηзηр,
где ηз и ηр – КПД зарядной и разрядной цепи.
• Относительная мощность в нагрузке при рассогласовании
линии с нагрузкой равна
Рн / Рн max = 4Δ/(1+Δ)2.
• Амплитуда импульса напряжения на первичной обмотке им-
пульсного трансформатора равна
Rн U max
U1 = U max η p = ηp ,
Rн + Z в 1+ Δ
где ηр – КПД разрядной цепи ;
Rн = R0 /n2 – сопротивление нагрузки модулятора постоянному
току, пересчитанное к первичной обмотке ИТ. В приближен-
ных расчетах обычно полагают Δ = 1 и ηр = 1.
• Амплитуда импульса напряжения на нагрузке равна
Е = nU1 η и .
11.4. Коммутаторные приборы

В первые годы развития импульсной и, в частности, радиолокаци-
онной техники в качестве коммутаторных приборов находили при-
менение электронные лампы, вращающиеся разрядники, тригатроны
и тиратроны [5, 8, 9, 39, 40, 44, 58, 66], а также нелинейные индук-
тивности (магнитные коммутаторы) [8, 39, 40, 58].
В последующие годы улучшались параметры этих коммутатор-
ных приборов и разрабатывались приборы новых классов.
Основные параметры некоторых импульсных модуляторных
тетродов приведены в табл. 11.1 [44].
В табл. 11.1 обозначено:

Uа max – максимально допустимое напряжение на аноде;
Ec2 – номинальное напряжение на второй сетке;
Iаи – номинальный анодный ток в импульсе;
Sгр – крутизна линии граничного режима;
Pа max – допустимая мощность, рассеиваемая анодом.
Таблица 11.1. Параметры импульсных модуляторных ламп
Тип прибора Uа max, кВ Ec2, кВ Iаи, А Sгр, Pа max, Долговеч-

мСм кВт ность, час
ГМИ-11 9 1,0 14 10 0,04 300

ГМИ-83В 20 1,25 15 25 0,06 300
ГМИ-32Б 40 1,75 50 30 2,0 1000
ГМИ-14Б 36 2,15 130 45 0,6 200
Основные параметры некоторых импульсных тиратронов при-

ведены в табл. 11.2 [44], где обозначено:
Uа max – наибольшая допустимая амплитуда прямого напряжения
на аноде;
Iаи – номинальный ток анода в импульсе;
Uост – падение напряжения на открытом тиратроне;
tр – время разогрева.
Таблица 11.2. Параметры импульсных тиратронов
Долговеч-
Тип прибора Uа max, кВ Iаи, А Uост,В tр, мин ность, час
ТГИ2-130/10 10 130 150 4 250
ТГИ3-325/16 16 325 150 5 600
ТГИ1-700/25 25 700 200 7 400
ТГИ1-5000/50 50 5000 200 7 1000
В последние годы разработаны тиратроны новых серий –ТДИ и

ТПИ.
Тиратроны ТДИ-серии (ТДИ1–150к/16, ТДИ–150к/25, ТДИ1–50к/50
и др.) предназначены для коммутации количества электричества
от 0,001 до нескольких десятков Кулон в импульсе. Основные их
отличия от функциональных аналогов – искровых разрядников, бо-
лее высокая долговечность (на 2…3 порядка), высокая стабильность
характеристик, возможность параллельной работы нескольких при-
боров на общую нагрузку. Эти приборы способны также конкуриро-

вать с ртутными игнитронами и вакуумными разрядниками.
Тиратроны ТПИ-серии (ТПИ1–0,2к/12, ТПИ1–1к/20 и др.), в
отличие от классических тиратронов, могут управляться как с ка-
тодной, так и с анодной стороны, обеспечивая время коммутации
менее 5 нс; выдерживая обратное напряжение до 100% от прямого.
При намного больших сроках службы они имеют низкую стоимость,
меньшие габариты и массу.
Таситроны (ТГУ1–5/12, ТГУ1–27/7 и др.) подобны водородным
тиратронам, отличаясь от тиратронов мелкозернистостью сетки
(порядка долей мм) и тем, что управление моментами зажигания
и гашения дугового разряда производится изменением потенциала
сетки без изменения анодного напряжения. Таситроны обладают вы-
сокой стабильностью включения и выключения, быстродействием и
большой коммутируемой мощностью [44].
Тиристоры (от греческого «thyra» – дверь) являются полупровод-
никовыми аналогами тиратронов. Тиристоры подразделяются на
неуправляемые (двухэлектродные), называемые динисторами, и
управляемые (трехэлектродные), называемые триодными тиристо-
рами или тринисторами. Различают запираемые и незапираемые
тринисторы. Запираемые тринисторы являются полностью управля-
емыми, то есть открываются и закрываются при подаче соответству-
ющих импульсов на управляющий электрод. Однако, они позволяют
коммутировать меньшие мощности, чем незапираемые тиристоры.
Поэтому в мощных модуляторах чаще используют триодные незапи-
раемые тиристоры, именуемые для краткости просто тиристорами.
Они обладают многими преимуществами полупроводниковых при-
боров. Современные импульсные тиристоры имеют рабочие напря-
жения до 2…2,5 кВ и могут коммутировать токи несколько десятков
килоампер.
Основными недостатками тиристоров являются невысокое
быстродействие (время выключения мощных приборов не менее
15…20 мкс), несинхронность переключения при групповом соедине-
нии и большие потери энергии при быстром нарастании коммути-
руемого тока, обусловленные локализацией процесса переключения
в узкой (100…300 мкм) области у электрода управления. Значитель-
ный (несколько сотен наносекунд) разброс моментов включения
определяет потенциальную ненадежность высоковольтных сборок
последовательно соединенных тиристоров из-за возможности про-
боя еще не включившихся приборов. Большие потери энергии при
переключении и сравнительно малое быстродействие затрудняют

использование тиристоров в мощных импульсных генераторах мик-
росекундного и субмикросекундного диапазона.
Биполярные и мощные МДП-транзисторы являются традицон-
ными полупроводниковыми коммутаторами. Мощные МДП-тран-
зисторы как отечественного, так и зарубежного производства имеют
рабочие напряжения до 1000 В, максимальные импульсные токи до
20 А и время переключения 10…50 нс [65, 68, 73, 77, 78]. Параметры
некоторых БП и МДП-транзисторов даны в прил. 2 и 3.
IGBT-транзисторы (биполярные транзисторы с изолированным
затвором совмещают лучшие черты биполярных и полевых тран-
зисторов. Эти приборы имеют высокий входной импеданс, как у
полевых транзисторов, и низкое падение напряжение в открытом
состоянии, как у БТ [68, 76, 77]. Их принципиальными достоинс-
твами являются синхронность переключения и малая мощность в
цепи управления. IGBT-транзисторы в настоящее время являются
наиболее популярными полупроводниковыми коммутаторами. Их
недостатками являются малая перегрузочная способность, сравни-
тельно малый импульсный ток (100…200 А) – невысокое рабочее на-
пряжение (2,5…3 кВ). Технология изготовления IGBT-транзисторов
очень сложна. В результате стоимость IGBT в 3…4 раза выше, чем
у тиристоров с близкими коммутационными возможностями. Поэ-
тому в мощных модуляторах приходится использовать много доро-
гостоящих приборов. Например, разработан модулятор магнетрона,
содержащий 100 IGBT-транзисторов. В модуляторе использовано
два вида защиты транзисторов по напряжению и три вида защи-
ты по току. Выходная мощность модулятора равна 5 МВт при дли-
тельности импульсов 0,6…6 мкс [76]. Остаточное напряжение IGBT
больше, чем у тиристора с тем же рабочим напряжением. Параметры
некоторых IGBT-транзисторов даны в прил. 5.
Наиболее перспективной альтернативой рассмотренным по-
лупроводниковым коммутаторам являются реверсивно включа-
емые динисторы (РВД), разработанные в начале 80-х гг. в ФТИ
им. А. Ф. Иоффе [67] и SOS-диоды [87].
РВД является четырехслойным ПП прибором тиристорного
типа, но, в отличие от тиристора, в нем нет электрода управления.
Переключение РВД инициируется при кратковременном изменении
полярности приложенного к прибору напряжения силовой цепи в
результате пропускания через него импульса обратного тока (тока
управления Iy). После прекращения тока Iy и восстановления пер-
воначальной полярности напряжения обеспечивается быстрое и од-

нородное включение прибора по всей площади полупроводниковой
структуры с очень малыми коммутационными потерями [67]. На-
пример, приборы типа РВД-223-250 имеют максимальное рабочее
напряжение 2,5 кВ и коммутируют ток 5000 А. При Iy = 100 А оста-
точное напряжение равно 40 В, а время установления стационарной
проводимости включения – 5мкс [67]. Возможно параллельное и
последовательное включение этих приборов. Разработаны высоко-
вольтные РВД-генераторы с импульсной мощностью 108…1010 Вт
[67]. Заводская маркировка РВД соответствует общепринятой для
мощных ПП тиристорного типа. Стоимость РВД не превышает
стоимости тиристоров с той же площадью полупроводникового
элемента. Благодаря малым коммутационным потерям энергии и
однородному по площади переключению РВД имеет очень боль-
шую (несколько десятков килоампер в микросекунду) предельную
скорость нарастания коммутируемого тока. Параметры некоторых
РВД приведены в табл. 5.1.
SOS-диоды (Semicondactor Opening Switch) – новые высоковоль-
тные полупроводниковые приборы, предназначенные для обрыва
тока высокой плотности за время порядка наносекунд, были разра-
ботаны в начале 90-х годов. SOS-эффект был обнаружен в обычных
высоковольтных полупроводниковых диодах, предназначенных для
выпрямления переменного тока, при подборе определенного соче-
тания плотности тока и времени накачки. SOS-диоды выдержива-
ют напряжения порядка 106 В и способны за несколько наносекунд
отключать килоамперные токи [85]. Они могут применяться в схе-
мах с индуктивным накопителем энергии. SOS-генераторы имеют
полностью твердотельную систему коммутации энергии, в связи с
чем сочетают высокую частоту следования импульсов, стабильность
выходных параметров и большой срок службы. Один из основных
недостатков SOS-генераторов заключается в относительно низком
уровне пиковой мощности по сравнению с генераторами на искро-
вых разрядниках. Однако, в последнее время был разработан SOS-
генератор с пиковой мощностью до 4 ГВт, выходным напряжением
0,4…1 МВ, длительностью импульса 8…10 нс, частотой следования
импульсов в постоянном режиме 300 Гц и в режиме пачки 1 кГц. Вы-
ходная средняя мощность при частоте следования импульсов 1 кГц
достигала 30 кВт [85].
11.1. В каких диапазонах частот применяют передатчики с ИМ?
11.2. Дайте примеры использования мощных импульсных генерато-
ров: а) в радиотехнике; б) в технологических установках; в) в
электрофизике и микроэлектронике; г) в медицине; д) в науч-
ных исследованиях; е) в лазерной технике.
11.3. Какие факторы ограничивают минимальную и максимальную
длительность импульса передатчика?
11.4. Чем ограничены минимальная и максимальная скважность?
11.5. Каковы особенности импульсной работы передатчиков?
11.6. Изобразите структурную схему импульсного передатчика.
11.7. Сравните свойства (рабочие напряжения и токи; потребляемая
мощность; габариты; масса; надежность; дальность действия)
передатчиков, работающих в импульсном и непрерывном режи-
мах работы при одинаковой средней мощности в нагрузке.
11.8. Почему в ИМ используют накопители энергии?
11.9. Почему при одинаковой мощности модуляторов габариты и
масса формирующей линии получаются меньшими, чем у на-
копительного конденсатора?
11.10. Назовите основные типы импульсных модуляторов.
11.11. Определите среднюю мощность на выходе модулятора, если
сопротивление нагрузки равно 420 Ом, ток 60 А. Частота сле-
дования импульсов 250 Гц, а длительность равна 4 мкс.
11.12. Определите импульсный ток нагрузки модулятора, если
среднее значение тока равно 20 мА. Длительность импульсов
1,1 мкс; частота следования 900 Гц.
11.13. Импульсная мощность в нагрузке модулятора равна 1,2 МВт;
КПД модулятора 0,7; длительность импульса 2 мкс; частота
следования импульсов 500 Гц. Определите мощность источни-
ка анодного питания.
11.14. Определите мощность источника анодного питания модуля-
тора, если Е = 10 кВ; Iои= 10 А; ηзар= 0,95; ηраз= 0,9; F = 1 кГц.
Длительность импульсов равна: а) 2 мкс; б) 5 мкс.
11.15. Оцените длительность радиоимпульсов и их несущую часто-
ту при импульсно-кодовой модуляции для случая тысячи те-
лефонных каналов. Полоса частот одного канала 300…3000 Гц.
Передача осуществляется группами одинаковых импульсов.
Максимальное количество импульсов в группе N равно семи.
Скважность q равна пяти. Каждый радиоимпульс содержит 200

периодов высокочастотных колебаний.
11.16. Оцените длительность и несущую частоту радиоимпульсов
при амплитудной импульсной модуляции для случая трех те-
левизионных каналов. Каждый радиоимпульс содержит сто пе-
риодов высокочастотных колебаний. Ширина спектра одного
канала 6,9 МГц. Скважность равна: а) двум; б) десяти.
11.17.Определите относительную нестабильность несущей частоты
передатчика задачи 11.16, если допустимый уход частоты со-
ставляет ±0,1 ширины спектра импульса.
Модуляторы с частичным разрядом накопительной
емкости
11.18. Какие коммутаторные приборы используют в модуляторах с
частичным разрядом накопительной емкости?
11.19. Как изменится режим работы коммутаторов импульсных
модуляторов по схеме: а) рис. 11.2; б) рис. 11.3 при коротком
замыкании нагрузки?
11.20. Как изменятся параметры выходного импульса модуляторов
по схемам рис. 11.2 и 11.3, работающих на линейную нагруз-
ку, если увеличить: накопительную емкость; зарядное сопро-
тивление; зарядную индуктивность; длительность и частоту
следования запускающих импульсов; амплитуду запускающих
импульсов; паразитную емкость, шунтирующую нагрузку; со-
противление нагрузки?
11.21. Почему в резистивно-дроссельном модуляторе длительность
импульса влияет на длительность среза?
11.22. Определите мощность потерь на аноде модуляторной
лампы, если ток лампы во время импульса равен 40 А; дли-
тельность импульса 1,5 мкс; частота следования 500 Гц. На-
пряжение на накопительной емкости равно 28 кВ, а на наг-
рузке – 26,5 кВ.
11.23. Определите мощность потерь на аноде модуляторной лампы,
если ток лампы во время импульса равен 10 А; скважность 1000.
Напряжение на накопительном конденсаторе равно 11 кВ, а на
нагрузке – 10 кВ. Модуляторная лампа во время пауз между
импульсами пропускает ток: а) 1 мА; б) 5 мА.
11.24. Определите емкость и рабочее напряжение накопительного
конденсатора в схеме резистивного модулятора, если макси-
мальное изменение напряжения на конденсаторе равно 200 В;
амплитуда импульса на нагрузке – 25 кВ; ток нагрузки равен

10 А. Длительность импульсов изменяется от 2 до 6 мкс.
11.25. Определите емкость накопительного конденсатора модулято-
ра по схеме рис. 11.2, если ток нагрузки равен 15 А, допустимое
снижение напряжения на нагрузке за время импульса равно
100 В; длительность импульсов равна: а) 0,8 мкс; б) 2,5 мкс.
11.26. Определите емкость накопительного конденсатора модуля-
тора по схеме рис. 11.2, если коэффициент спада вершины им-
пульса, обусловленый разрядом накопительного конденсатора,
равен 7·10-3; динамическое сопротивление амплитрона равно
70 Ом, его рабочее напряжение равно 26 кВ, а ток – 57 А;
дифференциальное сопротивление модуляторной лампы равно
20 Ом; длительность импульсов изменяется от 0,5 до 1 мкс.
11.27. Определите емкость накопительного конденсатора модуля-
тора по схеме рис. 11.2, если коэффициент спада вершины
импульса равен: а) 0,02; б) 0,1. Динамическое сопротивление
магнетрона равно 250 Ом, а статическое – 1 кОм. Дифферен-
циальное сопротивление коммутатора равно 100 Ом. Длитель-
ность импульсов равна 0,5...2 мкс.
11.28. Получите формулу для расчета максимального изменения
напряжения на накопительном конденсаторе для модуляторов
по схемам рис. 11.2 и рис. 11.3.
11.29. Определите величину зарядной индуктивности модулятора
по схеме рис.11.3, если напряжение на нагрузке – 5 кВ, до-
пустимое уменьшение тока нагрузки равно 1 А. Длительность
импульса изменяется от 5 до 10 мкс.
11.30. Определите относительное изменение напряжения на ЛОВ
типа “М”, обусловленное влиянием зарядного дросселя моду-
лятора по схеме рис.11.3, если индуктивность дросселя равна
1,9 мГн; динамическое сопротивление ЛОВ – 70 Ом; динами-
ческое сопротивление коммутатора равно 30 Ом; длительность
импульсов равна 1,5…2 мкс.
11.31. Получите формулу для расчета максимального тока в заряд-
ной индуктивности модулятора по схеме рис. 11.3.
11.32. Оцените изменение длительности фронта импульса, если пу-
тем изменения амплитуды импульса на сетке коммутирующей
лампы ее ток увеличен с 20 А до 30 А. Паразитная емкость
равна 400 пФ, напряжение на магнетроне 50 кВ.
11.33. На какой ток следует выбирать электронную коммутаторную
лампу для обеспечения длительности фронта импульса 30 нс,
если паразитная емкость модулятора равна 50 пФ; номиналь-
ное напряжение магнетрона – 15 кВ; сопротивление магнетро-

на постоянному току равно 1 кОм?
11.34. Определите величину паразитной емкости модулятора с час-
тичным разрядом накопительной емкости, если напряжение на
нагрузке равно 10 кВ, ток нагрузки равен 15 А, длительность
фронта импульса – 50 нc. Нагрузка: а) магнетрон; б) триодный
генератор. Что можно сделать для уменьшения длительности
фронта при заданной паразитной емкости?
11.35. Напряжение на нагрузке равно 30 кВ, а ток – 20 А. Определи-
те допустимую величину паразитной емкости модулятора для
обеспечения длительности фронта импульса 0,1 мкс. Нагрузка
модулятора: а) магнетрон; б) ЛБВ типа “О”.
11.36. Получите формулу для расчета длительности фронта импуль-
са напряжения на магнетроне модуляторов по схемам рис. 11.2
и рис. 11.3.
11.37. Определите длительность среза импульса напряжения на
магнетроне в резистивном модуляторе по схеме рис. 11.2,
если зарядное и ограничительное сопротивление равны
Rз= Ror = 20 кОм, а паразитная емкость Сп= 80 пФ.
11.38. Определите длительность среза импульса в резистивном мо-
дуляторе по схеме рис. 11.2, если Rз= Ror = 10 кОм; Сп= 200 пФ;
сопротивление нагрузки модулятора постоянному току 450 Ом;
нагрузка: а) линейная; б) слабонелинейная; в) резко нелинейная.
11.39. Определите длительность среза импульса модулятора по схе-
ме рис. 11.3, если Сп = 00 пФ; Lз = 10 мГн; F = 500 Гц; q = 1000.
11.40. Определите длительность среза импульса модулятора по схе-
ме рис. 11.3 при Сп= 110 пФ; Lз = 6 мГн и длительности импуль-
са: а) 1 мкс; б) 3 мкс. Объясните полученные результаты.
11.41. Получите формулу для расчета длительности среза импульса
модулятора по схеме рис. 11.3.
11.42. Получите формулу для расчета максимально возможно-
го обратного напряжения на нагрузке модулятора по схеме
рис. 11.3.
11.43. Определите напряжение анодного питания модулятора по
схеме рис. 11.2, мощности, рассеиваемые резисторами за вре-
мя длительности импульса, и мощность, рассеиваемую анодом
лампы, если τ = 2 мкс; F = 1 кГц; Rз = Ror = 10 кОм; Rм = 150 Ом;
С = 0,05 мкФ; Е = 10 кВ; Iои=10А.
11.44. Определите КПД зарядного процесса и напряжение питания
Еп модулятора по схеме рис. 11.3, если Ror = 20 кОм; F = 1 кГц;
С = 0,05 мкФ; Umax = 10 кВ; относительное изменение напря-

жения на накопительном конденсаторе ΔU/Umax равно: а) 0,05;
б) 0,1; в) 0,2.
11.45. Определите напряжение питания Еп модулятора по схеме
рис.11.3 и КПД зарядного процесса, если Ror = 20 кОм; С=0,05
мкФ; Umax= 10 кВ; ΔU/Umax = 0,2; частота следования импульсов
равна: а) 500 Гц; б) 5000 Гц.
11.46. Получите формулу для расчета КПД зарядного процесса мо-
дуляторов по схемам рис. 11.2 и 11.3.
11.47. Использован резистивно-дроссельный ИМ с демпфирующим
диодом (рис. 11.3). Параметры схемы: Ror = 10 кОм; Lз = 4,4 мГн;
С = 0,25 мкФ; Сп = 150 пФ. Коммутаторная лампа работает в
перенапряженном режиме, так что ее статическое и дифферен-
циальное сопротивления равны Rм = Ri = 20 Ом. Максимальный
анодный ток лампы 120 А. Параметры магнетрона: Iои = 60 А;
Е = 25 кВ; Rд = 50 Ом. Частота следования импульсов 1 кГц,
а их длительность 1 мкс. Определите: 1). падение напряжения
на открытом коммутаторе, максимальное и минимальное на-
пряжение на накопительной емкости; 2). мощность, рассеивае-
мую анодом коммутаторной лампы при разряде накопительной
емкости; 3). длительность фронта и среза модулирующего им-
пульса; 4). мощность коммутационных потерь на аноде лампы и
демпфирующего диода; 5). максимальное обратное напряжение
на нагрузке, которое может возникнуть при выходе из строя де-
мпфирующего диода; 6). максимальный ток в зарядной индук-
тивности; 7). коэффициенты спада вершины импульса βс, βL и
β; 8). напряжение и мощность источника анодного питания; 9).
КПД зарядного и разрядного процессов и общий КПД анодной
цепи модуляторов; 10). мощность, рассеиваемую ограничитель-
ным резистором при заряде и разряде накопительной емкости.
11.48. Определите величину ограничительного резистора задачи
11.47 из условия получения максимального КПД анодной цепи.
Для этого значения сопротивления нужно найти: а) напряже-
ние и мощность источника анодного питания; б) КПД анодной
цепи модулятора и зарядного процесса.
11.49. Определите напряжение и мощность источника анодно-
го питания модулятора по схеме рис. 11.3, если Ua = 1200 В,
Umax = 26200 В, ΔU = 240 В, Pн = 1,5 кВт; суммарная мощность по-
терь на анодах лампы и демпфирующего диода Рк + Ра раз = 237 Вт;
С = 0,25 мкФ; τ = 1 мкс; F = 1 кГц. Сопротивление ограничитель-
ного резистора равно: а) 5 кОм; б) 15 кОм; в) 20 кОм; г) 30 кОм.

Дайте объяснение полученным результатам.
Модуляторы с полным разрядом формирующей линии
11.50. Сравните свойства тиратронов и тиристоров, как коммутато-
ров модуляторов с полным разрядом линии.
11.51. Как изменятся параметры выходного импульса модулято-
ра по схеме рис.11.4 в случае: а) короткого замыкания диода;
б) разрыва зарядной цепи?
11.52. Как изменятся параметры выходного импульса модулятора
по схеме рис. 11.4, если уменьшить: емкость конденсаторов
формирующей линии; длину формирующей линии; зарядную
индуктивность; индуктивность первичной обмотки ИТ; индук-
тивность рассеяния ИТ; длительность и частоту следования
запускающих импульсов; амплитуду запускающих импульсов;
паразитную емкость, шунтирующую нагрузку; сопротивление
нагрузки?
11.53. Для получения прямоугольного импульса напряжения дли-
тельностью 50 нс использован коаксиальный кабель со сплош-
ной изоляцией. Определите длину кабеля, если относительная
диэлектрическая проницаемость изоляции равна: а) 2,3; б) 4.
11.54. Модулятор по схеме рис. 11.4 обеспечивает длительность им-
пульса 5 мкс. Определите суммарные емкость и индуктивность
линии, если ее волновое сопротивление равно 75 Ом.
11.55. Определите емкость и индуктивность ячейки однородной
линии цепочечного типа для формирования импульса дли-
тельностью 2,8 мкс. Линия содержит 7 ячеек; коэффициент
рассогласования линии с нагрузкой равен 1,1; сопротивление
нагрузки постоянному току – 233 Ом; коэффициент трансфор-
мации ИТ равен 3,2.
11.56. Получите формулы для расчета емкостей и индуктивностей
ячеек однородной линии цепочечного типа.
11.57. Определите ток анода тиратрона в импульсе, если ток нагруз-
ки равен 40 А, а коэффициент трансформации ИТ равен 4.
11.58. Определите КПД анодной цепи модулятора по схеме рис. 11.4,
если КПД коммутатора равен 0,95, КПД ИТ равен 0,9, а форми-
рующей линии – 0,99. Добротность зарядной цепи равна 15.
11.59. В ИМ по схеме рис. 11.4 суммарная емкость линии равна
40 нФ; частота следования импульсов равна 300...500 Гц. Опре-
делите максимальную величину зарядной индуктивности.
11.60. Определите максимальную зарядную индуктивность и КПД

зарядной цепи модулятора с четырехзвенной цепочечной ли-
нией по схеме рис. 11.4, если частота повторения импульсов
равна 600...1000 Гц, добротность цепи заряда равна 8. В линии
использованы конденсаторы емкостью по 2000 пФ.
11.61. Определите максимальную частоту следования импульсов
модулятора, напряжение на линии и КПД заряда, если (см.
рис. 11.4 и рис. 11.5) Lз = 20 Гн; Rз = 2 кОм; Еп = 7 кВ. Суммар-
ная ёмкость линии равна: а) 20 нФ; б) 30 нФ.
11.62. Определите максимальную частоту следования импульсов мо-
дулятора по схеме рис.11.4, напряжение питания и КПД заряда,
если Lз = 16 Гн; Rз = 500 Ом; Е = 11,7 кВ; Сл = 80 нФ; n = 1,2.
11.63. В импульсном модуляторе по схеме рис. 11.4 напряжение
питания равно Еп = 7,3 кВ; Lз = 12 Гн, Сл = 22 нФ, F = 500 Гц.
Определите мощность Pп, а также максимальное, среднее и эф-
фективное значения тока в зарядной цепи.
11.64. Определите напряжение Еп модулятора по схеме рис. 11.4,
если сопротивление нагрузки модулятора равно R0 = 900 Ом;
волновое сопротивление формирующей линии 35 Ом; напря-
жение на нагрузке 40 кВ; добротность зарядного контура 20.
11.65. Определите напряжение анодного питания модулятора по
схеме рис. 11.4, если напряжение на нагрузке равно 40 кВ; со-
противление нагрузки Ro = 900 Ом; волновое сопротивление
линии равно 100 Ом; добротность зарядной цепи равна 8.
11.66. Определите напряжение на первичной обмотке ИТ модуля-
тора по схеме рис. 11.4, если напряжение питания равно 12 кВ,
КПД зарядной цепи 0,92, а разрядной – 0,84.
11.67. Определите напряжение источника анодного питания моду-
лятора по схеме рис.11.4, если напряжение на нагрузке равно
28 кВ; добротность зарядного контура – 8; КПД разрядной
цепи – 0,87; КПД ИТ 0,85; коэффициент трансформации ра-
вен 3,5.
11.68. В импульсном модуляторе по схеме рис. 11.4. напряжение
питания равно Еп = 10 кВ; τ = 1 мкс; F = 300 Гц; импульсная
мощность в нагрузке равна 2 МВт; n = 2,5; добротность заряд-
ной цепи равна 10; КПД разряда линии – 0,85. Определите
напряжение на нагрузке и мощность источника анодного пи-
тания.
11.69. Определите наименьший коэффициент трансформации ИТ
модулятора по схеме рис. 11.4, волновое сопротивление линии
и максимальное напряжение на линии, если допустимое анод-

ное напряжение тиратрона равно 16 кВ, напряжение на нагруз-
ке равно 28 кВ, ток нагрузки равен 35 А.
11.70. Определите минимальный коэффициент трансформации ИТ
модулятора с резонансным зарядом линии, волновое сопротив-
ление линии и максимальное напряжение на линии, если макси-
мальное анодное напряжение цепочки коммутирующих тиристо-
ров равно 15 кВ, напряжение на нагрузке 50 кВ, ток 10 А.
11.71. Модулятор по схеме рис. 11.4 должен обеспечить напряжение
на нагрузке 20 кВ при токе 15 А. Добротность зарядной цепи
равна 15. Максимально допустимое напряжение на аноде ти-
ратрона 8 кВ. Определите минимальный коэффициент транс-
формации ИТ, волновое сопротивление линии и напряжение
источника анодного питания.
11.72. В ИМ по схеме рис.11.4 напряжение питания равно Еп = 5 кВ;
Lз = 4 Гн; Сл = 40 нФ; сопротивление открытого зарядного дио-
да равно 1 кОм; активное сопротивление дросселя 500 Ом. Оп-
ределите: а) КПД зарядной цепи, максимальное напряжение на
линии и максимальную частоту следования импульсов; б) тре-
бования к параметрам зарядного диода: обратное напряжение,
рассеиваемую мощность; максимальный ток; в) мощность ис-
точника питания Рп и напряжение на первичной обмотке ИТ
при согласованной нагрузке.
11.73. Напряжение на нагрузке модулятора с резонансным зарядом
линии от источника постоянного напряжения, но без диода
в зарядной цепи равно 25 кВ; ток нагрузки 58 А; допустимое
анодное напряжение тиратрона 16 кВ, частота следования им-
пульсов 300 Гц, скважность 500, КПД заряда линии 0,95, КПД
разряда 0,88, КПД ИТ 0,91. Определите минимальный коэф-
фициент трансформации ИТ и волновое сопротивление линии;
напряжение и мощность источника анодного питания; добро-
тность зарядной цепи и обратное напряжение на зарядном
дросселе; максимальное напряжение на линии и ее емкость;
суммарную мощность потерь в модуляторе.
11.74. Определите изменение мощности в нагрузке формирующей
линии при коэффициенте рассогласования линии с нагрузкой,
равном: а) 1,1; б) 1,2; в) 1,5; г) 2,0.
11.75. Определите напряжение источника анодного питания моду-
лятора по схеме рис.11.4, максимальное напряжение на линии
и амплитуду импульса напряжения на первичной обмотке ИТ,
если Е = 20 кВ, n = 3, ηи = 0,95, Q = 15, ηр = 0,9, Δ = 1,1.
11.76. Получите формулу для расчета относительной мощности в

нагрузке при рассогласовании линии с нагрузкой.
Коммутаторные приборы
11.77. Определите максимальную импульсную мощность в нагрузке,
мощность потерь и КПД коммутаторного тетрода типа: а) ГМИ-11;
б) ГМИ-83В; в) ГМИ-32Б; г) ГМИ-14Б (табл. 11.1.).
мощность потерь и КПД тиратрона типа: а) ТГИ2-130/10; б)
ТГИ3-325/16; в) ТГИ1-700/25; г) ТГИ1-5000/50 (табл. 11.2).
11.79. Определите максимальную импульсную мощность в нагруз-
ке, мощность потерь и КПД ПП коммутаторных приборов
(прил. 2...5): а) БТ 2Т947А; б) ПТ 2П928А; в) MOSFET-тран-
зистора КП752Б; г) IGВT-транзистора IXLF19N250A.
мощность потерь и КПД реверсивно включаемого диода типа:
а) РВД-Б-56; б) РВД-В-24; в) РВД-Н-24 (табл. 5.1).
11.81. Как можно увеличить: а) рабочее напряжение; б) амплитуду
коммутируемых импульсов тока; в) коммутируемую мощность
импульсного модулятора?
11.82. Определите количество мощных МДП-транзисторов типа:
а) 2П920А; б) 2П923А; в) 2П928А; г) 2П933А (прил. 3), необ-
ходимых для возбуждения инжекционных полупроводниковых
лазерных диодов импульсами тока 45 А. Сопротивление экви-
валентной нагрузки модулятора равно 0,25 Ом.
11.83. Сколько IGBT-транзисторов типа IRG4PH50UD (прил. 5) необ-
ходимо использовать для построения ИМ магнетрона; если КПД
магнетрона равен 0,6 , а выходная СВЧ мощность – 3 МВт?
11.84. Определите ток, необходимый для полного отпирания мощно-
го МДП-транзистора А702Б за время 5 нс при напряжении на
затворе 15 В, если входная емкость транзистора равна 1 нФ.
11.85. Сравните свойства коммутаторных приборов: электронных
ламп; тиратронов, тиристоров и нелинейных индуктивностей.
11.86. Каковы особенности МОП-транзисторов по сравнению с ком-
мутаторными лампами, тиратронами и тиристорами?
11.87. Сравните свойства импульсных тиристоров, IGBT-транзис-
торов и РВД.
11.88. Сравните свойства импульсных генераторов на РВД и SOS-
диодах.
ПЕРЕДАТЧИКИ
12 С УГЛОВОЙ
12.1. Общие соотношения при угловой

модуляции
Понятие угловой модуляци (УМ) объединяет как частотную (ЧМ),
так и фазовую (ФМ) разновидности модуляции. Частным случаем
ЧМ и ФМ является частотная и фазовая манипуляции. При осу-
ществлении УМ гармоническим сигналом мгновенное значение вы-
сокочастотного напряжения равно
u = U cos(ω 0 t + M sin Ωt + ϕ 0 ) ,
где ω0 – средняя (центральная) частота модулированного сигнала;
Ω = 2 F – частота модулирующего сигнала;
M – индекс модуляции;
φ0 – начальная фаза колебания. Для простоты записи обычно ее
полагают равной нулю.
Мгновенные значения частоты и фазы колебания связаны между
собой соотношениями:
() dϕ t() t
ωt =
dt
() ∫ ()
; ϕ t = ω t dt .
0
Отсюда следует, что частотная модуляция всегда сопровождается
изменением фазы, а фазовая – изменением частоты. Различия меж-
ду ЧМ и ФМ состоит в том, что при ЧМ пропорционально ампли-
туде модулирующего сигнала изменяется частота высокочастотного
278 ПЕРЕДАТЧИКИ С УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
напряжения, а при ФМ – фаза. Таким образом, индекс модуляции

при ЧМ равен M = Δω/Ω, а при фазовой Mϕ = Δϕ, где Δω и Δϕ – де-
виация частоты и фазы колебаний.
• Спектр однотонального сигнала с УМ содержит бесконечное
число составляющих, частоты которых равны ω0 ± nΩ, а ампли-
туды пропорциональны значениям Jn(M) — функции Бесселя
n-го индекса от аргумента M
∞
u = U 0 ∑ J n ( M ) cos(ω0 + nΩ )t .
n =0
При некоторых значениях M амплитуда несущего колебания с

частотой ω0 равна нулю. Значения M, являющиеся корнями урав-
нениями J0(M)=0, приведены в табл. 12.1.
Таблица 12.1. Корни уравнения J0(M) = 0
Номер
1 2 3 4 5 6 7
корня
M 2,405 5,520 8,654 11,792 14,931 18,071 21,212
• Мгновенная частота ЧМ-колебания при модуляции произ-

вольным сигналом uΩ(t) равна
f = f 0 + S f uΩ t ,()
где Sf – крутизна линейной модуляционной характеристики.
• Мгновенное значение высокочастотного напряжения ЧМ-ко-
лебания равно
⎛ t ⎞
u (t )= U cos⎜ ω0t + 2πS f uΩ (t )d t ⎟ .
∫
⎜ ⎟
⎝ 0 ⎠
При ЧМ гармоническим сигналом uΩ(t) = U cosΩt,
– мгновенная частота равна f = f0 + Δf cosΩt;
– фаза ЧМ-колебания равна ϕ = ω 0t + Δf sin Ωt ;
F
– мгновенное значение высокочастотного напряжения равно
u (t )= U cos[ω 0t + M sin Ωt ],
где Δf = SfUΩ – девиация частоты;
M = Δf/F – индекс частотной модуляции.
ОБЩИЕ СООТНОШЕНИЯ ПРИ УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИИ 279
Если ЧМ осуществляется сложным колебанием, то индекс мо-

дуляции есть отношение девиации частоты, соответствующей на-
ибольшей величине сигнала, к наиболее высокой из модулирующих
частот M = Δfmax/Fmax.
• Девиация частоты при преобразовании фазовой модуляции
в частотную (косвенный метод получения ЧМ) равна
Δf = F ⋅ Δϕ ,
где Δϕ = SϕUF – девиация фазы;
Sϕ – крутизна модуляционной характеристики.
При модуляции несколькими частотами девиация частоты оп-
ределяется на минимальной модулирующей частоте, которую пере-
датчик должен пропускать без искажений:
Δf = Fmin ⋅ Δϕ max .
• Ширина полосы частот, занимаемой ЧМ-колебанием, с уче-
том лишь тех составляющих спектра, амплитуды которых со-
ставляют не менее 1% амплитуды немодулированного колеба-
ния (эффективная ширина спектра) равна
(
П = 2 1 + М + М Fmax , )
где Fmax – наибольшая из модулирующих частот.
Искажения сигнала на выходе одноконтурного резонансного
усилителя колебаний с УМ при достаточно медленном изменении
мгновенной частоты входного сигнала (2∆f ≤ 2∆f0,7 и 2Fmax 2∆f0,7 –
условия применимости метода мгновенной частоты ) оценивают коэф-
фициентами нелинейных искажений и паразитной АМ [72, 83, 84]:
• коэффициент нелинейных искажений по максимальной (тре-
тьей) гармонике модулирующего сигнала при 2∆f < 2∆f0,7 ра-
вен
K н = Δ f 3 / Δ f = 2 M 2 ( Fmax / 2Δ f 0, 7 ) 3 = 2 Fmax (Δ f ) 2 / (2Δ f 0, 7 ) 3 ;
• коэффициент нелинейных искажений при 2∆f ≈ 2∆f0,7 равен
Kн = 0,13/M;
• коэффициент паразитной амплитудной модуляции в линей-
ном режиме работы усилителя равен
K = U max / U min = 1 + (2Δf / 2Δf 0, 7 ) 2 ,
где ∆f3 и ∆f – максимальная девиация частоты на третьей и
первой (основной) гармонике модулирующего сигнала;
2∆f0,7 – полоса пропускания одноконтурного резонансного

усилителя по уровню 0,707;
Fmax – наибольшая из модулирующих частот;
Umax и Umin – соответственно максимальная и минимальная
амплитуда сигнала на выходе усилителя.
12.2. Параметры варикапов

Эквивалентная схема варикапа по-
казана на рис. 12.1, где обозначено: R
LLв r
в
C – нелинейная емкость перехо-
да, образованная параллель-
ным включением барьерной СС
емкости Сб и диффузионной Ск к
С
Сдиф. В области закрытого пе-
рехода преобладает барьерная Рис. 12.1. Эквивалентная схема
емкость; варикапа
R – сопротивление, шунтирующее переход. У германиевых при-
боров это сопротивление достигает 1...10 МОм, а у кремни-
евых – более 10 МОм. Величина этого сопротивления резко
уменьшается при повышении температуры;
r – сопротивление, состоящее из сопротивлений толщи полупро-
водника, контактных соединений и выводов диода;
Lв – индуктивность выводов (в основном индуктивность токопод-
водящих проводников);
Cк – емкость корпуса (обычно Ск С).
n
⎛ ϕк ⎞
⎜ ϕ + U ⎟⎟
• Барьерная емкость перехода равна Cб = C0 ⎜ ,
⎝ к ⎠
где U – напряжение смещения (положительное для случая об-
ратных смещений на переходе);
C0 – емкость при U = 0;
φк – контактная разность потенциалов, равная 0,3…0,4В для
германиевых диодов и 0,7…0,8 В для кремниевых;
n – показатель степени, зависящий от типа варикапа. Для
варикапов с плавным переходом n = 0,3; с резким n = 0,5; со
сверхрезким n ≥ 1.
ПАРАМЕТРЫ ВАРИКАПОВ 281
• Коэффициент перекрытия барьерной емкости равен

n
C ⎛ ϕ + U max ⎞ ,
K c = б max = ⎜⎜ к ⎟
Cб min ⎝ ϕ к + U min ⎟⎠
где Umax – максимальное напряжение смещения; его величина
не должна превышать пробивного напряжения;
Umin – минимальное напряжение смещения; его величина
определяется допустимым снижением добротности перехода,
а также допустимыми значениями ТКЕ емкости перехода и
амплитуды высокочастотного напряжения на переходе.
Упрощенные эквивалентные схемы варикапа показаны на рис. 12.2,
где
С 1
Cэ = ≅ C ; Rэ = 2 2 .
1+ ω С r
2 2 2
ωC r
Схему, показанную на рис. 12.2, а, удобно использовать в области
низких частот. В этой области частот значения элементов Cэ и Rэ
не зависят от частоты и совпадают со значениями элементов C и R
эквивалентной схемы рис. 12.1.
Схему, изображенную на
рис. 12.2, б, удобно исполь- ССээ
зовать в области высоких СС rr
частот. В этой области Rэ
частот значения элементов
Rэ
C и r не зависят от частоты а б
и совпадают со значениями Рис. 12.2. Упрощенные эквивалентные
элементов C и r эквивален- схемы варикапа:
тной схемы рис. 12.1. а – параллельная; б – последовательная
• Добротность варикапа равна

на низких (ω < ωср) частотах Q = ωCRэ;
на высоких (ω > ωср) частотах Q = 1/ωCr;
на средней частоте ωс р = 1 (C R r ) рабочего диапазона доброт-
ность варикапа достигает максимального значения
Q max = 0,5 R r .
• Температурный коэффициент сопротивления Rэ равен
ΔRэ 1 2,5
TKRэ = ⋅ =− ,
Rэ ΔT T
где T – абсолютная температура.

• Температурный коэффициент емкости Cэ кремниевых прибо-
ров при комнатной температуре (300 К) равен
ΔСэ 1 16700
ТКЕэ = = ТКЕб − ⋅ 10 −6 ,
Сэ ΔТ Q2
где ТКЕб – температурный коэффициент барьерной емкости.
В типичном случае высокой добротности варикапа (Q > 20) вли-
янием второго слагаемого в формуле для ТКЕэ можно пренебречь
и считать ТКЕэ = ТКЕб. При использовании в качестве варикапов
стабилитронов или выпрямительных диодов, имеющих низкую доб-
ротность, величина ТКЕэ существенно зависит от добротности, что
затрудняет использование этих приборов в широкодиапазонных ге-
нераторах. В узком же диапазоне частот такая зависимость может
быть использована как явление полезное – она позволяет осущест-
вить термокомпенсацию.
Зависимость температурного коэффициента барьерной емкости
от напряжения смещения для кремниевых приборов с резким пере-
ходом при температуре 300 К приведена на рис. 12.3.
Шумы закрытого перехода в полосе частот ∆f равны:
• квадрат эффективного значения напряжения теплового шума
2
равен U ш т = 4kTrΔf ;
• квадрат эффективного значения тока дробового шума
ТКЕб⋅10 град
6 -1
600
500
400
300
200
100
U, B
1 2 5 10 15 20 30 40
Рис. 12.3. Зависимость температурного коэффициента барьерной емкости
от напряжения смещения
ОБЩИЕ СООТНОШЕНИЯ ДЛЯ МОДУЛЯТОРОВ НА ЕМКОСТЯХ Р-N-ПЕРЕХОДОВ 283
I 2 ш д р = 2e I 0 Δf ,
где k = 1,38⋅10-23 Дж/К – постоянная Больцмана;
e = 1,6⋅10-19 Кл – заряд электрона;
T – абсолютная температура;
r – последовательное сопротивление перехода;
I0 – обратный ток перехода, равный UМО/R.
Эффективные значения шумов колебательной системы (КС) с
варикапом при комнатной температуре относительно точек подклю-
чения варикапа равны:
• напряжение теплового шума
U ш т = 0,16 RВ 2Δ f 0, 7 [мкВ, Ом, МГц];
• напряжение дробового шума
100
U ш др = I 0 2Δ f 0, 7 [мкВ, пФ, мкА, МГц];
C f0
• суммарное напряжение шумов U ш = U 2 ш т + U 2 ш д р ,
где RВ – сопротивление КС в точках подключения варикапа;
2∆f0,7 – ширина полосы пропускания КС с варикапом;
C – емкость варикапа.
Максимальная амплитуда напряжения на варикапе равна
• из условия однозначности резонансной кривой контура с ва-
рикапом
U M ≤ 4(ϕк + U ) Qн ;
• из условия электрической прочности
U M ≤ 0,5U обр max ,
где Qн – добротность нагруженного контура с варикапом;
U – напряжение смещения на варикапе;
Uобр max – допустимое обратное напряжение на варикапе.
12.3. Общие соотношения для

модуляторов на емкостях р-n-переходов
Приводимые ниже формулы для частотных модуляторов на емкос-
тях р-п-переходов, имеющих автотрансформаторную или емкост-
ную связь с контуром автогенератора, справедливы при следующих

условиях [18]:
а) динамическая составляющая емкости модулятора, пересчитан-
ная в контур автогенератора, гораздо меньше контурной ем-
кости автогенератора C′М CК, что соответствует относитель-
но малой девиации частоты ЧМ-генератора ∆f f0;
б) переход закрыт, т.е. сумма амплитуд модулирующего и высоко-
частотного напряжений, приложенных р-п-переходу, не превы-
шает напряжения смещения на переходе: UΩ + Uω < UМО;
в) амплитуда модулирующего напряжения значительно меньше
напряжения смещения на варикапе (UΩ UМО) (см. рис. 12.4),
что соответствует условию получения малых нелинейных ис-
кажений;
г) частота модулирующего сигнала значительно меньше генери-
руемой частоты FМ f0.
На рис. 12.4 показаны временные диаграммы постоянного UМО,
модулирующего uΩ и высокочастотного uМ напряжений, приложен-
ных к варикапу.
C, пФ
16
14
12
10
Cmax
8 iпр
CMO 6
Cmin 4
u,В 2
20 15 10 5 2
0
u Umax UMO Umin 0,5
1,0
1,5
uM iо б р , мкА
iо б р uΩ
t
Рис. 12.4. Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики
варикапа КВ109А
АВТОТРАНСФОРМАТОРНАЯ СВЯЗЬ МОДУЛЯТОРА С КОНТУРОМ АВТОГЕНЕРАТОРА 285
• Амплитуда изменения емкости модулятора равна

CMM = nCMO U Ω U MO .
• Резонансное сопротивление колебательного контура автоге-
нератора при подключенном варикапе равно
Rэ R
R' =
р R + Rэ ,
2
где R – резонансное сопротивление контура без варикапа;

Rэ/p2 – эквивалентное сопротивление варикапа, пересчи-
танное к контуру автогенератора.
• Относительное изменение резонансного сопротивления на-
груженного колебательного контура автогенератора вследс-
твие изменения эквивалентного сопротивления Rэ варикапа
при модуляции равно
ΔR Δf Q н Δf Ск R '
=4 ⋅ =4 ,
R' f0 Q f 0 СM O Rэ
где Qн = R′ωCк – добротность нагруженного контура автоге-
нератора при подключенном варикапе; Q = RЭωCМО – добро-
тность варикапа; ∆f – девиация частоты.
• Относительное изменение резонансного сопротивления коле-
бательного контура АГ вследствие изменения характеристи-
ческого сопротивления контура ρ равно
∆R/R′ = 2∆f/f0.
Относительные изменения резонансного сопротивления контура
вследствие изменения Rэ и ρ имеют одинаковый знак. Например,
при увеличении напряжения на варикапе возрастает сопротивление
Rэ и снижается емкость варикапа C. Оба эти изменения приводят к
росту резонансного сопротивления и потому суммируются.
• Коэффициент паразитной амплитудной модуляции при рабо-
те автогенератора в недонапряженном режиме равен
∆U/U = ∆R/R′.
12.4. Автотрансформаторная связь

модулятора с контуром автогенератора
Схема с автотрансформаторной связью частотного модулятора с
контуром автогенератора показана на рис. 12.5. Ниже приведены
основные расчетные соотношения для этой схемы [18].
К автогенератору
Ск
Lк
См Uк
Сбл UM
UΩ С R2
p
UM O
R1
+U0
Рис. 12.5. Автотрансформаторная связь частотного модулятора
с контуром автогенератора
• Крутизна модуляционной характеристики равна

Δf n f0
Sf = =
[
U Ω 2U MO 1 + Cк СMO ⋅ р 2 ( )] .
• Емкость модулятора (варикапа), пересчитанная в контур ав-
тогенератора, равна
C 'M = р 2CM = р 2CMO + р 2CMM ,
где CМ = CМО + CММ – суммарная емкость модулятора;
p = UМ/Uк – коэффициент включения модулятора;
CМО – статистическая емкость модулятора при напряжении
смещения на варикапе UМО;
CММ CМО – амплитуда изменения емкости модулятора.
• Относительный сдвиг центральной частоты автогенератора
под воздействием модулирующего напряжения при n = 0,5:
2
Δf 0Ω 3 ⎛ Δf ⎞ ⎛1 ⎞
= − ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜ + Cк ⎟ .
f0 2 ⎝ f0 ⎠ ⎜ 2 CMO р ⎟
2
⎝ ⎠
• Относительный сдвиг центральной частоты автогенерато-
ра при изменении амплитуды высокочастотных колебаний и
n = 0,5 равен
2
Δ Δf 0 ω 3 ⎛ 1 ⎞ ⎛ U ω ⎞ ΔU ω
=− ⎜ ⎟⎜ ⎟
( )
.
f0 ⎜
16 ⎝ 1 + Cк СMO р 2 ⎟⎜U ⎟ U
⎠⎝ M O ⎠ ω
ЕМКОСТНАЯ СВЯЗЬ МОДУЛЯТОРА С КОНТУРОМ АВТОГЕНЕРАТОРА 287
• Коэффициенты нелинейных искажений по второй и третьей

гармоникам сигнала при n = 0,5 равны
⎛1 ⎞
Кн2 =
3 Δf ⎜ + Cк ⎟ = Δf 0Ω = 3 U Ω ; K K .
2 f0 ⎜ 2 CMO р 2 ⎟ Δf 8 U MO н3 н2
⎝ ⎠
• Относительная нестабильность напряжения смещения при
допустимом уходе частоты генератора (∆f0/f0)max и n = 0,5:
⎛ ΔU MO ⎞ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞
⎜ ⎟ = 4⎜ Δf 0 ⎟ ⎜1 + Cк ⎟ .
⎜ U ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ 2 ⎟
⎝ MO ⎠ max ⎝ f 0 ⎠ max ⎝ СMO р ⎠
12.5. Емкостная связь модулятора

с контуром автогенератора
Схема с емкостной связью частотного модулятора с контуром авто-
генератора показана на рис. 12.6. Ниже приведены основные расчет-
ные соотношения для этой схемы [18].
• Емкость модулятора (варикапа), пересчитанная в контур ав-
тогенератора, равна:
C′М = pCМО + p2CММ,
где CМО – статистическая емкость модулятора при напряжении
смещения на варикапе UМО;
UM Cс в
р= = – коэффициент включения модулятора;
U к Cс в + CM
CММ – амплитуда изменения емкости модулятора.
-U 0
R1 Lдр К автогенератору
Cр Cсв
UΩ
R2 UM O UM Lк Uк
Рис. 12.6. Емкостная связь частотного модулятора с контуром

автогенератора
• Крутизна модуляционной характеристики равна

Δf n f0
Sf = = .
(
U Ω 2U MO 1 р + Cк CMO ⋅ р 2 ( ))
• Относительная нестабильность напряжения смещения при
допустимом уходе частоты генератора (∆f0/f0)max и n = 0,5:
⎛ ΔU MO ⎞ ⎛ Δf ⎞ ⎛1 Cк ⎞
⎜ ⎟ = 4⎜⎜ 0 ⎟⎟ ⎜ + ⎟.
⎜ U ⎟ ⎜ р C 2 ⎟
⎝ MO ⎠ max ⎝ f0 ⎠ max ⎝ MO р ⎠
• Относительный сдвиг центральной частоты автогенератора под
воздействием модулирующего напряжения при n = 0,5 равен
2
Δf 0 Ω 1 ⎛ Δf ⎞ ⎛ ⎞
= − ⎜⎜ ⎟⎟ ⎜ 1 + Cк ⎟ .
f0 2 ⎝ f0 ⎜р р C ⎟
2
⎠ ⎝ MO ⎠
• Относительный сдвиг частоты автогенератора при изменении
амплитуды высокочастотных колебаний и n = 0,5 равен
2
Δ Δf 0 ω 1⎛ 1 ⎞ ⎛ Uω ⎞
⎟ ΔU ω .
=− ⎜ ⎟⎜
f0 ⎜ (
16 ⎝ 1 р + Cк CMO р 2 )⎟⎜
⎠ ⎝ U MO
⎟ U
⎠ ω
• Коэффициенты нелинейных искажений по второй и третьей

гармоникам сигнала при n = 0,5 равны
1 Δf ⎛⎜ 1 Cк ⎞
⎟ = Δf 0 Ω = 1 U Ω ; K K .
Кн2 = +
⎜
2 f 0 ⎝ р CMO р 2 ⎟ Δf 8 U MO н3 н2
⎠
12.1. Какую модуляцию называют: а) угловой; б) фазовой; в) час-
тотной?
12.2. Какова величина амплитуды центральной составляющей спек-
тра при угловой модуляции? Почему при УМ используют по-
нятие центральной или средней частоты сигнала, а не несущей,
как ее называют в спектре АМ колебаний?
12.3. Как следует выбрать индекс угловой модуляции, чтобы в спек-
тре сигнала отсутствовало несущее колебание?
12.4. Определите частоты модуляции: а) F1, F2 и F3; б) F4, F5, F6 и F7,
при которых в спектре ЧМ-сигнала отсутствует несущее коле-
бание, если частота девиации равна 75 кГц.
12.5. Как связаны девиация частоты и индекс угловой модуляции

с параметрами модулирующего сигнала при ФМ и ЧМ? Как
определить, какой вид модуляции (ФМ или ЧМ) осуществля-
ется в передатчике?
12.6. Какие характеристики используют для оценки качества работы
передатчиков с УМ?
12.7. В каких диапазонах частот применяют передатчики с угловой
модуляцией и манипуляцией? Укажите область применения
этих передатчиков.
12.8. Определите пределы изменения частоты ФМ-сигнала, с час-
тотой модуляции 15 кГц, если средняя частота сигнала равна
80 МГц, а индекс модуляции – 12. Запишите математическую
модель этого сигнала.
12.9. Каковы особенности угловой модуляции по сравнению с амп-
литудой, с точки зрения условий работы передатчика?
12.10. Изобразите временные диаграммы фазы и частоты ЧМ- и
ФМ-колебаний для модулирующего напряжения UcosΩt.
12.11.Запишите мгновенные значения напряжений при частотной
и фазовой модуляции гармоническим сигналом. Постройте их
осциллограммы и спектры.
Передатчики с частотной модуляцией
12.12. Охарактеризуйте методы формирования сигналов с ЧМ.
12.13. Изобразите структурные схемы передатчиков с: а) прямой;
б) косвенной; в) комбинированной частотной модуляцией.
12.14. Охарактеризуйте свойства управителей частоты, используе-
мых при формировании сигналов с ЧМ.
12.15. Охарактеризуйте свойства управителей частоты, используе-
мых при формировании сигналов с ЧМ.
12.16. Охарактеризуйте методы стабилизации средней частоты в
передатчиках с ЧМ.
12.17. Охарактеризуйте: а) структурные; б) схемные; в) режимные
методы уменьшения нелинейных искажений при ЧМ.
12.18. Какое количество ламп с номинальной мощностью 6 кВт пот-
ребуется для того, чтобы передатчик с ЧМ обеспечил мощность
10 кВт?
12.19. Определите изменение частоты АГ, если относительное изме-
нение контурной емкости равно 10-4, а длина волны – 10 м.
12.20. Определите относительное изменение емкости контура ЧМ-
генератора для обеспечения девиации 50кГц на выходе трех
удвоителей частоты. Частота задающего генератора 12,5МГц.
12.21. Определите относительное изменение контурной емкости

ЧМ-автогенератора, необходимое для обеспечения девиации
частоты 50 кГц на выходе четырех утроителей частоты. Частота
задающего генератора 0,5 МГц.
12.22. Определите эффективную ширину спектра ЧМ-сигнала, если
девиация частоты равна 75 кГц, а полоса модулирующих частот
равна 50…15000 Гц.
12.23. Сколько связных радиостанций с ЧМ-модуляцией могут одно-
временно работать в диапазоне частот: а) 0,2…1 МГц; б) 1…10 МГц;
в) 10…100 МГц, если максимальная частота модулирующего сиг-
нала равна 3,3 кГц, а девиация частоты — 50 кГц?
12.24. Оцените количество радиостанций с ЧМ, которые можно раз-
местить в УКВ-диапазоне. Можно принять следующие исходные
данные: границы УКВ диапазона от 65,8 до 73 МГц; девиация
частоты 50 кГц; диапазон модулирующих частот 30…15000 Гц;
ширина защитного интервала между каналами 10 кГц.
12.25. Как объяснить возможность приема ЧМ-колебаний приемни-
ком с амплитудным детектором?
Параметры варикапов
12.26. Каковы достоинства и недостатки варикапов?
12.27. Как изменится коэффициент перекрытия по емкости варика-
пов в случае их последовательного или параллельного включе-
ния? С какой целью используют такие включения ?
12.28. Из каких соображений выбирают максимальное и минималь-
ное напряжения на варикапе?
12.29. Определите коэффициент перекрытия тока по емкости Kс ва-
рикапа Д901Б (кремниевый диод с резким р-п-переходом) при
изменении напряжения смещения: а) от 0 до 5 В; б) от 5 до
10 В. Как изменится Kс при параллельном и последовательном
включении этих диодов?
12.30. Определите коэффициент перекрытия по емкости кремние-
вого варикапа при изменении напряжения смещения от 3 до
25 В, если: а) n = 1/3; б) n = 1/2; в) n = 1.
12.31. Определите коэффициент п, характеризующий крутизну
вольт-фарадной характеристики кремниевого варикапа КВ109А,
если при изменении напряжения смещения от 2,5 до 20 В его
емкость меняется от 12 до 1,9 пФ.
12.32. Определите показатель степени кремниевых варикапов типа
9051...9054, если при изменении напряжения смещения от
5 до 10 В их емкость соответственно изменяется: а) в 1,9 раза;

б) 3,5 раз; в) 6,5 раз; г) 12 раз.
12.33. Определите сопротивление r варикапа Д901А, если его доб-
ротность на частоте 50 МГц равна 25, а емкость 30 пФ.
12.34. Определите добротность варикапа Д902 на частоте: а) 10 МГц;
б) 30 МГц; в) 100 МГц, если его добротность на частоте 50 МГц
равна 30, а fcp < 1 МГц.
12.35. Определите сопротивления r и Rэ варикапа КВ109А, если на
частоте 50 МГц его добротность равна 300. Емкость перехода
при напряжении смещения 2,5 В равна 12 пФ, а fcp < 1 МГц.
Определите добротность варикапа на частоте: а) 150 МГц;
б) 500 МГц, в) 750 МГц.
12.36. Определите добротность кремниевого силового диода Д205
на частоте: а) 5 МГц; б) 30 МГц; в) 60 МГц, если эквивалентная
емкость диода равна 7 пФ, эквивалентное сопротивление на
частоте 60 МГц равно 1800 Ом, а fcp < 2 МГц.
12.37. Определите добротности стабилитронов Д808 и Д813 на час-
тоте 30 МГц, если их эквивалентные сопротивления Rэ на этой
частоте равны соответственно 2,7 кОм и 3,0 кОм, а эквивален-
тные емкости равны 190 пФ и 85 пФ.
12.38. Определите среднюю частоту и соответствующую ей макси-
мальную добротность варикапа КВ123А, если на частоте 50 МГц
добротность варикапа равна 250. При напряжении смещения 25 В
обратный ток варикапа равен 0,05 мкА, а емкость равна 3 пФ.
12.39. Определите максимальную добротность варикапа и частоту
fcp, если С = 50 пФ, r = 2 Ом, R = 10 МОм.
12.40. Получите формулы для определения добротности варикапа
на низких и высоких частотах через параметры его эквивален-
тной схемы.
12.41. Определите параметры эквивалентной схемы варикапа R и r
по результатам измерений С, Qmax и fcp.
12.42. Определите параметры эквивалентной схемы германиевого
варикапа, если на частоте 0,4 МГц добротность варикапа мак-
симальна и равна 200, а С = 60 пФ
12.43. Определите параметры Cэ и Rэ параллельной схемы замеще-
ния закрытого р-п-перехода через параметры r и C последова-
тельной схемы замещения перехода.
12.44. Определите параметры Rэ, TKEэ, TKRэ и емкость С кремниево-
го варикапа с резким переходом типа Д901 на частоте 50 МГц
при температуре 330 К и напряжении смещения: а) 3 В; б) 9 В.
На частоте 50 МГц при напряжении смещения 6 В емкость ва-

рикапа равна 22 пФ; добротность 30; r = 4 Ом.
12.45. Определите Cэ и TKEэ кремниевого варикапа со сверхрезким
переходом (n = 1) типа КВ117Б на частоте 100 МГц при напря-
жении смещения: а) 10 В; б) 15 В; в) 20 В. На частоте 50 МГц
при напряжении смещения 5 В емкость этого варикапа равна
27 пФ, добротность 150.
12.46. Определите температурный коэффициент эквивалентной
емкости TKEэ кремниевого силового диода Д205 с резким пе-
реходом при смещении 6 В на частоте: а) 5 МГц; б) 60 МГц.
Добротность диода на частоте 30 МГц равна 10, fcp < 2 МГц. На
какой частоте TKEэ = 0?
12.47. Определите напряжение шумов колебательного контура с
варикапом относительно точек подключения варикапа, если
f0 = 30 МГц, QН = 100, R′K = 20 Ом, T = 300 К. Емкость варика-
па равна 10 пФ, обратный ток 8 мкА.
12.48. Из условия однозначной резонансной кривой определите на-
ибольшую допустимую амплитуду напряжения на кремниевом
варикапе, включенном в колебательный контур. Добротность
контура с варикапом равна 240, минимальное напряжение сме-
щения равно 1,5 В.
Частотные модуляторы на варикапах
12.49. Из каких соображений определяют величину сопротивлений
резисторов в цепи питания модуляторов (рис. 12.5 и 12.6)?
12.50. Для частотных модуляторов, изображенных на рис. 12.5 и
12.6, составьте эквивалентные схемы для расчета ЧМХ в об-
ласти: а) низких и б) высоких модулирующих частот.
12.51. Определите емкость модулятора (рис. 12.5), пересчитанную
в контур автогенератора.
12.52. Определите емкость модулятора (рис. 12.6), пересчитанную
в контур автогенератора.
12.53. Определите девиацию частоты в схеме: а) автотрансформа-
торной; б) емкостной связи частотного модулятора с контуром
автогенератора, если емкость варикапа С = (8 + cosΩt) пФ, ко-
эффициент включения модулятора p = 0,1, LK = 2 мкГн. Частота
автогенератора в режиме молчания 50 МГц.
12.54. Определите девиацию частоты в схеме: а) автотрансформатор-
ной, б) емкостной связи частотного модулятора с контуром ав-
тогенератора, если емкость варикапа равна С = (8 + cosΩt) пФ,
p = 0,1, LK = 2 мкГн, CK = 6 пФ.
12.55. Определите коэффициент нелинейных искажений по вто-

рой гармонике модулирующего напряжения в модуляторе на
варикапе (рис. 12.5), если сдвиг центральной частоты автоге-
нератора под воздействием модулирующего напряжения равен
1,7 кГц, а девиация частоты равна 21,2 кГц.
12.56. В модуляторе на варикапе (рис. 12.6) сдвиг центральной
частоты под воздействием модулирующего напряжения равен
9,3 кГц, девиация частоты 206 кГц. Определите коэффициент
нелинейных искажений Кн2.
12.57. Определите емкость варикапа CМО частотного модулятора
(рис. 12.5), при которой Kн2 ≤ 6%. Центральная частота генера-
тора равна f0 = 25 МГц, девиация частоты 15 кГц, CK = 6 пФ,
коэффициент включения модулятора равен 0,1.
12.58. В частотном модуляторе (рис. 12.5) использован варикап с
резким переходом. Напряжение смещения UМО = 8 В; коэффи-
циент включения модулятора равен 0,1; средняя частота генера-
тора – 25 МГц; девиация частоты – 15 кГц; емкость контура ав-
тогенератора равна 6 пФ. Определите: а) емкость СМО варикапа,
при которой коэффициент нелинейных искажений не превысит
4%; б) амплитуду модулирующего напряжения при Кн2 = 0,04;
в) допустимую нестабильность напряжения смещения, при ко-
торой уход частоты автогенератора не превысит 500 Гц.
12.59. Определите коэффициент паразитной амплитудной модуля-
ции при ЧМ с помощью варикапа. Генератор работает в недо-
напряженном режиме. Частота генератора равна 50 МГц, де-
виация частоты 0,5 МГц, добротность контура автогенератора
QН = 50, добротность варикапа 230.
12.60. Определите закон изменения крутизны модуляционной ха-
рактеристики диапазонного генератора (рис. 12.6) при слабой
связи модулятора с контуром и перестройке частоты: а) емкос-
тью контура CK; б) индуктивностью контура LK.
12.61. Определите закон изменения крутизны модуляционной ха-
рактеристики диапазонного генератора (рис. 12.5) при слабой
связи с контуром и перестройкой частоты: а) емкостью контура
CK; б) индуктивностью контура LK.
12.62. Определите зависимость коэффициента включения модуля-
тора по схеме: а) рис. 12.5; б) рис. 12.6 от девиации частоты и
коэффициента нелинейных искажений при n = 0,5 и слабой
связи модулятора с контуром.
12.63. Определите зависимость относительной девиации частоты
модулятора по схеме: а) рис. 12.5; б) рис. 12.6 от коэффици-
ента нелинейных искажений, колебательной мощности АГ и

максимально допустимого напряжения на варикапе Uобр max при
слабой связи модулятора с контуром.
12.64. Определите крутизну модуляционной характеристики при:
а) автотрансформаторной; б) емкостной связи модулятора с
контуром в случае малых изменений емкости и напряжения
(∆C/C 1 и ∆U/U 1).
12.65. Определите зависимость коэффициента нелинейных искаже-
ний КН2 от амплитуды модулирующего напряжения модулято-
ра по схеме: а) рис. 12.5; б) рис. 12.6 при n = 0,5.
12.66. В модуляторе по схеме рис. 12.6 использован варикап Д901Б.
Напряжение смещения варикапа равно 6 В, его емкость равна
30 пФ, а добротность – 50. Коэффициент включения моду-
лятора равен 0,012. АГ работает в недонапряженном режиме.
Средняя частота генератора равна 30 МГц, девиация часто-
ты – 15 кГц, амплитуда колебаний – 2,5 В. Емкость контура
Ск = 4 пФ, нагруженная добротность – 50. Определите: 1) кру-
тизну модуляционной характеристики и амплитуду модулиру-
ющего напряжения; 2) коэффициент нелинейных искажений и
сдвиг центральной частоты автогенератора под воздействием
модулирующего напряжения; 3) сдвиг центральной частоты
автогенератора при изменении амплитуды высокочастотных
колебаний на 1%; 4) допустимую нестабильность напряжения
смещения при изменении частоты генератора на 10-5; 5) измене-
ние емкости варикапа CЭ при изменении температуры на 20 К;
6) коэффициент паразитной амплитудной модуляции.
Передатчики с фазовой модуляцией.
Преобразование фазовой модуляции в частотную
12.67. Охарактеризуйте способы осуществления ФМ.
12.68. Какое количество транзисторов с номинальной мощностью
2 Вт потребуется для того, чтобы выходной каскад ФМ-пере-
датчика обеспечил мощность 3 Вт?
12.69. Определите пределы изменения частоты ФМ-сигнала,
если центральная частота 80 МГц, частота модуляции 15 кГц,
M = 110.
12.70. Фазовая модуляция осуществляется путем расстройки оди-
ночного колебательного контура. Определите максимальную
девиацию фазы при допустимом отклонении модуляцион-
ной характеристики от линейной на: а) 20%; б) 10%; в) 5%;
г) 2,5%.
12.71. ЧМ получается путем преобразования фазовой. Какое умно-

жение частоты потребуется для получения девиации 50 кГц,
если полоса модулирующих частот равна 50...15000 Гц, макси-
мальная девиация фазы равна: а) 0,5 рад; б) 35°; в) 140°?
12.72. Постройте структурную электрическую схему вещательного
ЧМ-передатчика, работающего по схеме преобразования фа-
зовой модуляции в частотную, если f0 = 75 МГц, Δf = 50 кГц,
полоса модулирующих частот F = 30…15000 Гц. Определите
необходимую кратность умножения частоты; количество ут-
роителей частоты; частоту задающего генератора и количество
усилителей мощности, полагая мощность на выходе умножи-
телей равной 50 мВт. Коэффициент усиления по мощности
одного каскада равен 10. Импульсно-фазовый модулятор обес-
печивает девиацию фазы 2,3 рад. Мощность выходного каскада
равна 5 кВт. Какой спектр частот должен пропускать каждый
из каскадов этого передатчика?
12.73. Постройте структурную электрическую схему радиотелефон-
ного ЧМ-передатчика, работающего по схеме преобразования
фазовой модуляции в частотную, если f0 = 50 МГц, Δf = 15 кГц,
полоса модулирующих частот F = 300…3000 Гц. Определите не-
обходимую кратность умножения частоты; количество утроите-
лей частоты; частоту задающего генератора и количество уси-
лителей мощности, полагая мощность на выходе умножителей
равной 50 мВт, а коэффициент усиления по мощности одного
каскада равным 10. Фазовый модулятор обеспечивает деви-
ацию фазы 40°. Мощность выходного каскада равна 10 кВт.
Какой спектр частот должен пропускать каждый из каскадов
этого передатчика? Определите абсолютную и относитель-
ную нестабильность частоты передатчика, если относительная
нестабильность частоты задающего генератора равна 10–6.
Усилители мощности сигналов с УМ
12.74. В каком режиме по напряженности должны работать каскады
передатчика с УМ для ослабления паразитной АМ?
12.75. Каким требованиям должна удовлетворять выходная цепь
согласования передатчика с угловой модуляцией?
12.76. Какие требования предъявляются к форме: а) амплитудной;
б) амплитудно-частотной; в) фазочастотной характеристики
усилителя колебаний с УМ?
12.77. Определите число спектральных составляющих, которое дол-
жен пропускать ВЧ-тракт передатчика при ЧМ одним тоном.
12.78. Определите полосу пропускания одиночного контура усили-

теля ЧМ-колебаний, при которой коэффициент паразитной ам-
плитудной модуляции не превысит: а) 1,03; б) 1,05; в) 1,1, если
М = 9, полоса модулирующих частот равна 30…12000 Гц.
12.79. Определите ширину спектра ЧМ-колебаний, минимальную
полосу пропускания и максимальную добротность однокон-
турного резонансного усилителя ЧМ-колебаний, при которых
коэффициент нелинейных искажений не превысит: а) 0,3%;
б) 0,5%; в) 1%, если М = 3,3; полоса модулирующих частот рав-
на 30…15000 Гц, а длина волны 5 м.
12.80. Определите полосу пропускания одноконтурного резонансно-
го усилителя ЧМ-колебаний, при которой коэффициент пара-
зитной амплитудной модуляции не превысит: а) 1,03; б) 1,05;
в) 1,1, если девиация частоты равна 50 кГц, а полоса модули-
рующих частот равна 30…15000 Гц.
12.81. Автогенератор модулируется по частоте, λ = 200 м; Δf = 6 кГц;
полоса модулирующих частот равна 50…10000 Гц. Определите
ширину спектра ЧМ-колебаний и максимальную добротность
одиночного контура усилителя модулированных колебаний,
при которой коэффициент нелинейных искажений не превы-
сит: а) 0,3%; б) 0,5%; в) 1%.
12.82. Сравните свойства одноконтурных и двухконтурных резонан-
сных усилителей колебаний с УМ.
12.83. Оцените величину Кн на выходе одноконтурного резонансного
усилителя колебаний с УМ при: а) Δf = 0,25Δf0,7; б) Δf = Δf0,7 и
достаточно медленном изменении частоты входного сигнала.
12.84. Получите формулу для расчета ширины полосы пропускания
одноконтурного резонансного усилителя колебаний с УМ, при
которой коэффициент: а) нелинейных искажений; б) паразит-
ной АМ не превышает заданного значения. Условия примени-
мости метода мгновенной частоты выполняются.
12.85. Получите формулу для расчета коэффициента паразитной
амплитудной модуляции на выходе одноконтурного резонан-
сного усилителя колебаний с УМ при достаточно медленном
изменении мгновенной частоты входного колебания.
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ
13 ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ
СВЧ
13.1. Параметры колебательных систем

генераторов СВЧ
При переходе к сверхвысоким частотам электрические колебатель-
ные контуры, состоящие из катушек индуктивности и конденса-
торов, теряют свое основное достоинство – возможность получать
низкие резонансные частоты при относительно малых размерах.
Зато все более выявляются присущие LC-контурам недостатки –
низкие добротности, значительные поля рассеяния, сложность
теплоотвода и др. Применение в СВЧ-генераторах LC-контуров с
сосредоточенными параметрами возможно лишь до коротковолно-
вой части метрового диапазона длин волн для генераторов малой и
средней мощности и до длинноволновой части этого же диапазона
для генераторов большей мощности. Поэтому на СВЧ используют
в основном КС, состоящие из замкнутых металлических оболочек:
тороидальные, коаксиальные, полицилиндрические, сферические,
волноводные и другие типы резонаторов, а также КС в виде двух-
проводных и полосковых линий, представляющие собой переходные
формы между обычными колебательными контурами и замкнутыми
вибраторами. Такие КС называются полыми (объемными) резонато-
рами или просто резонаторами.
Размеры резонаторов могут быть по всем трем направлениям соиз-
меримы с длиной волны. Поэтому в общем случае резонаторы долж-
ны рассматриваться с помощью теории электромагнитного поля, как
системы с распределенными постоянными. Однако для удобства
298 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ
расчетов целесообразно представить любой сколь угодно сложный

резонатор в виде эквивалентного колебательного контура с сосре-
доточенными параметрами. Ввести конкретные «индуктивности» и
«емкости» в общем случае нельзя ввиду отсутствия физического
смысла подобных понятий в системах с распределенными парамет-
рами. Поэтому целесообразно рассматривать параметры, которые
можно измерить на СВЧ: резонансную частоту ω0, добротность Q0 и
резонансное сопротивление R при параллельном резонансе или сопро-
тивление потерь r при последовательном резонансе [9, 21].
Резонансную частоту высокодобротных КС с точностью до ве-
личин порядка 1/Q2 можно считать не зависящей от способов воз-
буждения колебаний, а именно одинаковой для параллельного и
последовательного резонансов, а также для собственных колебаний.
Ее величина в общем случае определяется из условия равенства друг
другу максимальных во времени значений магнитной и электричес-
кой энергий NН и NЕ в резонаторе: NН = NЕ.
Величина добротности определяется отношением реактивной
мощности к расходуемой при резонансе мощности:
Q = ω 0 N 0 Pпот ,
где Pпот – мощность, расходуемая при резонансе;
N0 = NН = NЕ– энергия, запасенная при резонансе.
Резонансное сопротивление при параллельном резонансе рав-
но
R U = 0,5U 2
Pпот ,
где U – амплитуда напряжения между теми точками резонатора,
относительно которых определяется сопротивление. К этим точкам
подключается напряжение возбуждения или нагрузка.
Активное сопротивление при последовательном резонансе
равно
r = 2 Pпот I 2 ,
где Pпот – мощность, расходуемая в резонаторе при резонансе;
I – амплитуда тока в тех точках резонатора, относительно кото-
рых определяется сопротивление r. К этим точкам резонатора
подключается напряжение возбуждения или нагрузка.
Представление резонаторов в виде эквивалентных LC-контуров
справедливо лишь вблизи резонансной частоты ω0 высокодобротного
(Q 1) резонатора и при условии, что другие резонансные частоты
ТОРОИДАЛЬНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ 299
значительно (более полосы пропускания 2∆ω0,7 = ω0/Q) отстоят от

частоты ω0 [9]. На практике эти условия обычно выполняются.
Кроме основных параметров ω0, Q, RU, r, характеризующих
КС, могут быть введены и производные от них дополнительные
параметры: характеристическое сопротивление ρ, индуктивность L
и емкость C эквивалентного контура.
В случае параллельного возбуждения эти дополнительные па-
раметры равны
ρU = RU Q = 0,5U 2 (ω 0 N 0 ); С = 1 (ω 0 ρ U ); L = ρU ω 0 .
В случае последовательного возбуждения резонатора его эк-
вивалентные параметры равны
ρ I = rI Q = 2ω 0 N 0 I 2 ; C = 1 (ω0 ρ I ) ; L = ρ I ω 0 .
Многочисленные типы резонаторов можно разделить на три ос-
новные группы [21]:
• резонаторы квазистационарного типа (например, тороидаль-
ные), имеющие ярко выраженные емкость и индуктивность;
• резонаторы на отрезках линий (коаксиальных, двухпроводных
или полосковых), возбужденных на волне ТЕМ;
• резонаторы на отрезках волноводов прямоугольного, круглого
или эллиптического сечения.
13.2. Тороидальные резонаторы

Эскиз одного из видов тороидаль-
ного резонатора дан на рис. 13.1.
В тороидальных резонаторах, в
отличие от коаксиальных, зазор
h между дисками весьма мал по
сравнению с другими размерами.
При основном типе колебаний
электрическое поле сосредоточе-
но преимущественно в зазоре h
между дисками.
Рис. 13.1. Тороидальный резонатор
Этот зазор играет роль сосре-
доточенной емкости. Магнитное поле сосредоточено преимущес-
твенно внутри тороида.
• Основные расчетные соотношения для тороидальных резо-

наторов [5, 9, 15, 21, 40]:
πd 2
– сосредоточенная емкость зазора С = ε а (1 + α );
4h
μ D
– индуктивность тороидального витка L = l a l n ;
2π d
– сопротивление потерь, учитывающее потери на токи прово-
димости в дисках и в тороидальном витке равно
R11 ⎛ 1 ⎛ 1 1⎞ D⎞
rK = ⎜ + 2l ⎜ + ⎟ + 2ln ⎟⎟;
⎜
2π ⎝ 2 ⎝D d⎠ d⎠
– добротность ненагруженного резонатора равна
1 L 2 ⎛D μ a hl ⎞⎟
Q0 = = ln ⎜⎜ ;
rK C πd rK ⎝ d ε a 2 (1 + α ) ⎟⎠
– резонансное сопротивление относительно дисков резона-
тора равно R0 = Q02 rK =
L
,
C rK
где α = 8h ⎛⎜ l n l + 1⎞⎟ – коэффициент, учитывающий краевые
πd ⎝ 4h ⎠ эффекты;
εa = εε0 – абсолютная диэлектрическая проницаемость;
ε – относительная диэлектрическая проницаемость;
10 −9 Ф – электрическая постоянная;
ε0 = = 8,85 ⋅10 −12
36π м
μa = μμ0 – абсолютная магнитная проницаемость;
μ – относительная магнитная проницаемость;
μ0 = 4 · 10-7 = 1,26 · 10-6 Гн/м – магнитная постоянная,
R11 – удельное поверхностное сопротивление внутренней
поверхности резонатора.
13.3. Параметры линий

с распределенными постоянными
На рис. 13.2 показаны поперечные сечения линий, отрезки которых
используют для построения СВЧ-генераторов.
• Волновые сопротивления линий равны [9, 15, 21, 38, 57, 73]:
– двухпроводной в свободном пространстве при D ≥ 2,5d
ПАРАМЕТРЫ ЛИНИЙ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПОСТОЯННЫМИ 301
Рис. 13.2. Поперечные сечения линий: а – двухпроводной; б – коаксиальной;

в – несимметричной полосковой; г – симметричной полосковой;
д – прямоугольного волновода; е – квазиэллиптического волновода;
ж – эллиптического волновода; з – круглого волновода
2D 2D
Z В = 120l n ≈ 276l g ;
d d
– коаксиальной Z В = 60 μ l n D ≈ 138 μ l g D ;
ε d ε d
– несимметричной полосковой при ≤ 0,25
t
b
300
ZВ = μ εэф ;
1+ b d
– симметричной полосковой при b/d ≥ 2, t/d ≤ 0,2 что соот-
200
ветствует Z В ε ≤ 70 Ом; Z В = ;
(1 + b d ) ε
– волноводной, возбуждаемой волной типа Н10
b μ ε
Z В = 377 ,
a 2
1 ⎛ λ ⎞
1 − ⎜⎜ ⎟
⎟
εμ ⎝ λ кр ⎠
где ε и μ – относительная диэлектрическая и магнитная про-
ницаемость материала, заполняющего линию;
( )
ε э ф = 0,5 1 + ε + (ε − 1) 1 + 10d b – эффективная диэлек-
трическая проницаемость подложки;
λКР – критическая длина волны.

Для низшей волны в прямоугольном волноводе λ Κ Ρ = 2a εμ ;
в квазиэллиптическом λ К Р = 2a (1 − 0,2 b a ) εμ ; в эллиптическом
λ К Р = 1,67 a εμ .
Использование волноводов эллиптического и квазиэллипти-
ческого сечений перспективно, поскольку эти волноводы просты в
изготовлении. Деформация их поперечного сечения не оказывает
сильного влияния на тип волны и плоскость поляризации, что дает
возможность простого сочленения частей прямоугольного и кругло-
го волноводов. Наибольшая диапазонность этих волноводов полу-
чается при a = 2b. Она на 25% меньше, чем дипазонность соответст-
вующего прямоугольного волновода, но почти в два раза больше,
чем у круглого.
• Условия отсутствия высших типов волн в линиях [21, 38, 73]:
π 2c
– в коаксиальной линии (D + d ) < λЛ , или f < ;
2 π (D + d ) ε
– в несимметричной полосковой линии 2b + d < λЛ;
– в симметричной полосковой линии 2b + d < λЛ, 4d < λЛ.
– в прямоугольном волноводе 0,5 λ < a < λ, 0 < b < 0,5 λ.
– в эллиптическом при a = 2b, 0,6 λ < a < 1,14 λ.
• Длина волны в линиях равна:
– в двухпроводной, коаксиальной и полосковой
λ 2πc c
λЛ =
= = ;
εμ ω εμ f εμ
λ
– в волноводной λЛ = ,
ε μ − (λ λ К С )
2
где λ– длина волны в свободном пространстве.

• Фазовая скорость волны в линиях равна:
– в двухпроводной, коаксиальной и полосковой νФ = c εμ ;
ε μ − (λ λК Р ) .
2
– в волноводной ν Ф = с
• Амплитуды тока и напряжения вдоль двухпроводной, коакси-
альной и полосковой линий с малыми потерями равны:
– на расстоянии z от короткозамкнутого конца линии
I Z = I Π cos βZ ; U Z = j Z B I Π sin βZ ;
ПАРАМЕТРЫ ЛИНИЙ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ПОСТОЯННЫМИ 303
– на расстоянии z от разомкнутого конца линии

UΠ
IZ = j sin βZ ; U Z = U Π cos βZ ,
ZB
где IП, UП – амплитуды тока и напряжения в пучности;
β = 2 π λ Л = 2 π εμ λ = ω ν Ф – фазовый множитель.
• Входное сопротивление линии равно [9, 15, 21, 40]:
– нагруженной на сопротивление ZН,
1 + j Z B t gβ l Z Н
Z Β Χ = ZН ;
1 + j Z Нt gβ l Z B
– короткозамкнутой на конце (ZН = 0) Z Β Χ = j Z B t gβ l ;
– разомкнутой на конце (ZН = ∞) Z Β Χ = − jZ B ctgβ l.
• Погонное сопротивление потерь на токи проводимости:
R1 ⎛ 1 1 ⎞
– в коаксиальной линии R1 = ⎜ + ⎟;
π ⎝D d⎠
– в двухпроводной открытой линии при D d
R1 = 2 R1 πd ,
где R11 – удельное поверхностное сопротивление.
• Максимальная напряженность электрического поля равна:
– в коаксиальной линии (у поверхности внутреннего цилиндра)
2U
E= ,
d ln(D d )
– в несимметричной и симметричной полосковых линиях
U d
E = 1,3
1+ ,
d D
где U – напряжение между цилиндрами коаксиальной линии
или между проводниками полосковой линии.
• Максимальная мощность, передаваемая линиями, равна [21,
38, 57]:
−3 2 D
– коаксиальной Pmax = 2 ⋅10 Emax d ε ln
2
;
d
– несимметричной полосковой Pmax = 9 ⋅10 −4 Emax
2
bd ε ;
– симметричной полосковой Pmax = 14 ⋅10 −4 Emax

2
bd ε ;
– волноводных:
для волны типа Н10 в прямоугольном волноводе, являющейся
основным типом волны для прямоугольного волновода,
( )
2
λКР = 2a; P = abE 1 − λ λ 2 [В/см, см, Вт];
max ΚΡ
1507
для волны типа Н11 в круглом волноводе, являющейся основ-
ным типом волны для круглого волновода,
1 − (λ λ Κ Ρ ) [В/см, см, Вт];

R2E 2 2
λКР = 3,41R; Pmax =
503
для волны типа Н01 в круглом волноводе
1 − (λ λ Κ Ρ ) [В/см, см, Вт],

R2E 2 2
λКР = 1,64R; Pmax =
500
где Emax – максимально допустимая напряженность электри-
ческого поля в линии.
Допустимую напряженность поля обычно принимают равной по-
ловине пробивной напряженности Eпроб. Пробивная напряженность
электрического поля сухого воздуха в диапазоне сантиметровых
волн имеет порядок 30 кВ/см. Примерно такая же величина опре-
деляет пробой воздуха и при постоянном напряжении.
При использовании круглых волноводов волна Н01 имеет большое
практическое значение. Весьма примечательной особенностью этой
волны являются малые потери в стенках. В силу этого волна Н01
представляет особый интерес в волноводных линиях дальней связи
и высокодобротных резонаторах, особенно в миллиметровом диапа-
зоне волн на частотах 50...100 ГГц.
13.4. Параметры резонаторов

на короткозамкнутых отрезках линий
Схема резонатора, образованного короткозамкнутым отрезком ли-
нии и емкостью С, показана на рис. 13.3.
Линии с распределенными постоянными (коаксиальные, полос-
ковые и волноводные) удобно представлять в виде эквивалентной
двухпроводной линии (рис. 13.3–13.6, 13.8, 13.9). Расчет резона-
ПАРАМЕТРЫ РЕЗОНАТОРОВ НА КОРОТКОЗАМКНУТЫХ ОТРЕЗКАХ ЛИНИЙ 305
торов на отрезках линий при l

использовании колебаний, со-
ответствующих основному резо- C
ΖВ
нансу, а также продольным обер-
тонам, может производиться при o
Z
помощи обычной теории линий
с распределенными постоянны- Рис. 13.3. Эквивалентная схема
ми. При этом принимается, что резонатора, образованного
короткозамкнутым отрезком
вдоль линии укладываются сто- линии и емкостью
ячие волны тока и напряжения,
а радиальные и азимутальные обертоны отсутствуют [5, 9, 14 ,15,
21, 38, 40, 57, 73].
• Уравнение для определения резонансных частот короткоза-
мкнутого резонатора (имеет вид ω = ω0 и β = β0)
1
t g β 0l = .
ω0 Z B C
Приведенное уравнение, определяющее резонансную частоту
ω = ω0, является трансцендентным и может быть решено лишь чис-
ленными или графическими методами. При численных расчетах
резонаторов целесообразно использовать средства вычислительной
техники. Для примера на рис. 13.4 показан вид окна программы рас-
чета резонансных частот и длин резонаторов, записанной на языке
turbodelphi.
Рис. 13.4. Окно программы расчета резонаторов

На рис. 13.5 дан пример графического решения трансцендентного

уравнения. Точки пересечения кривой 1/(ωC) и тангенсоиды дают
собственные частоты резонатора ω01, ω02, ω03 и т.д.
l
C
X
1
ω⋅C
0 ω 01 ω 02 ω 03 ω
Рис. 13.5. Графическое определение резонансных частот

короткозамкнутого отрезка линии, нагруженного на емкость
При решении задач 13.32, 13.38–13.40 и других использованы
программы MathCad. В приложениях 15 и 16 даны программы рас-
чета на языках Бейсик и Паскаль.
Четвертьволновый резонатор. На рис. 13.6 показано распреде-
ление амплитудных значений тока и напряжения вдоль линии без
потерь при С = 0 при видах колебаний n = 1 (основной тип коле-
баний), n = 2 (первый продольный обертон) и n = 3 (второй про-
дольный обертон). Для основного типа колебаний l = λЛО/4. Отсюда
и происходит название четвертьволновый резонатор.
l
Ix Ux
а
0 x
Ux
б
0 x
Ix
Ux
в
0 x
Ix
Рис. 13.6. Распределение тока и напряжения вдоль
четвертьволнового резонатора: а – основной тип колебаний;
б – первый продольный обертон; в – второй продольный обертон
ПАРАМЕТРЫ РЕЗОНАТОРОВ НА КОРОТКОЗАМКНУТЫХ ОТРЕЗКАХ ЛИНИЙ 307
При заданной длине резонатора l резонансная длина волны чет-

вертьволнового резонатора равна
λЛО = 4l/(2n – 1),
где n = 1,2,3 … Для основного типа колебаний n = 1; для первого
продольного обертона n = 2 и т. д.
Полуволновый резонатор. На рис. 13.7 показано распределение
амплитудных значений тока и напряжения вдоль линии без потерь
при С = ∞. Этот резонатор сводится к отрезку двухпроводной, ко-
аксиальной или полосковой линии, замкнутой на обоих концах, и
может мыслиться как комбинация двух четвертьволновых резона-
торов, соединенных открытыми концами.
l
Ix Ux
а
0 x
Ux
б Ix
0 x
Ux
Ix
в
0 x
Рис. 13.7. Распределение тока и напряжения вдоль полуволнового
резонатора: а – основной типа колебаний; б – первый продольный обертон;
в – второй продольный обертон
Для основного типа колебаний l = λЛО/2. Отсюда и происходит
название полуволновый резонатор. На рис. 13.7 также показано
распределение амплитудных значений тока и напряжения при ви-
дах колебаний n = 2 (первый продольный обертон) и n = 3 (второй
продольный обертон). При заданной длине резонатора l резонансная
длина волны равна
λЛО = 2l/n,
где n = 1, 2, 3…. Для основного типа колебаний n = 1; для первого
продольного обертона n = 2 и т. д.
Параметры резонаторов при произвольном значении

емкости С
• Длина линии, при которой имеет место резонанс на частоте ω0,
равна
λЛ 531λ 0 λ
l= arctg + n Л [Ом, м, пФ].
2π CZB 2
В частном случае (для коаксиальных, двухпроводных и полоско-
вых резонаторов) длина линии равна
λ0 531λ 0 λ
l= arctg + n 0 [Ом, м, пФ],
2 π εμ CZB 2 εμ
где n = 0,1,2,3…;
λЛ и λО – длина волны в линии и в свободном пространстве.
• Энергия, запасенная в линии при резонансе, равна
ZB
N0 = (2β 0 l + sin 2β 0 l )I П2 .
8ω 0
• Мощность потерь на токи проводимости в линии равна
1
PЛ = (2 β 0l + sin β 0l )R1I Π2 .
8β 0
• Мощность потерь в переходном сопротивлении контактов rКТЗ
короткозамыкающей перемычки равна
PКТЗ = 0,5 I П2 rКТЗ .
• Мощность потерь в переходном сопротивлении rКТЛ контак-
тов емкости C с линией (обычно это сопротивление контактов
соединения лампы или другого АЭ с линией) равна
PКТЛ = 0,5 I П2 rКТЛ cos 2 β 0l.
• Мощность потерь в диэлектрике, заполняющем линию, равна
Z В t gδ
Pε = (2 β 0l − sin 2 β 0l ) I П2 ,
8
где δ – угол потерь диэлектрика.
• Добротность нагруженного резонатора равна
ω0 N 0
QН = ,
PН + PЛ + PКТЗ + PКТЛ + Pε
где PН – мощность в нагрузке.
ПАРАМЕТРЫ РЕЗОНАТОРОВ НА РАЗОМКНУТЫХ ОТРЕЗКАХ ЛИНИЙ 309
• Характеристическое сопротивление эквивалентного парал-

лельного контура в точках линии с напряжением UZ равно
U Z2 4Z B sin 2 β 0 Z
ρ= = .
2ω 0 N 0 2 β 0l + sin 2 β 0l
• Резонансное сопротивление резонатора в точках линии с на-
пряжением UZ равно R = Qρ.
13.5. Параметры резонаторов

на разомкнутых отрезках линий
Эквивалентная схема резонатора, образованного разомкнутым от-
резком линии и емкостью С, показана на рис. 13.8.
Уравнение для определения резонансных частот резонатора
рис. 13.8 имеет вид:
ω0C Z B ctg β0l + 1 = 0, или t g (nπ − β0l ) = ω0C Z B .
Приведенное уравнение,
определяющее резонансную l
частоту ω = ω0, является
трансцендентным и может ΖВ C
быть решено лишь чис-
ленным или графическим o Z
методами. При численных Рис.13.8. Эквивалентная схема резонатора,
расчетах резонаторов це- образованного разомкнутым
лесообразно использовать отрезком линии и емкостью
средства вычислительной
техники. Для примера на рис. 13.4 показан вид окна программы рас-
чета резонансных частот и длин резонаторов, записанной на языке
turbodelphi. При решении задач 13.32, 13.38–13.40 и других использо-
ваны программы MathCad. В приложениях 15 и 16 даны программы
расчета резонансных частот и длин резонаторов на языках Бейсик и
Паскаль.
На рис. 13.9 дан пример графического решения трансцендентно-
го уравнения. Точки пересечения кривой 1/(ωC) и котангенсоиды
дают собственные частоты резонатора ω01, ω02, ω03 и т. д.
Четвертьволновый резонатор. При С = ∞ резонатор по схеме
рис. 13.8 преобразуется в четвертьволновый (см. рис. 13.6). При за-
данной длине l резонансная длина волны равна
λЛО = 4l/(2n – 1), C

l
где n = 1,2,3…. Для основно-
го типа колебаний n = 1; для X
первого продольного оберто-
на n = 2 и т. д. 1
Полуволновый резона-
ωC
тор. При С = 0 резонатор
по схеме рис. 13.8 сводится 0
к отрезку двухпроводной,
ω 01 ω 02 ω 03 ω
коаксиальной или полоско-
Рис. 13.9. Графическое определение
вой линии, разомкнутой на резонансных частот разомкнутого
обоих концах. Для основного отрезка линии, нагруженного на емкость
типа колебаний n = 1, при
этом l = λЛО/2. При заданной длине резонатора l резонансная длина
волны равна
λЛО = 2l/n,
где n = 1,2,3…. Для основного типа колебаний n = 1; для первого
продольного обертона n =2 и т. д.
Параметры резонаторов при произвольных значениях
емкости С
• Длина линии, при которой имеет место резонанс на частоте
ω0, равна
λЛ λЛ
l=n − arctg (ω0C Z B ).
2 2π
• Энергия, запасенная в линии при резонансе, равна
ZB
N0 = (2β 0 l − sin 2β 0 l )I П2 .
8ω 0
• Мощность потерь на токи проводимости в линии равна
R1U П2
PЛ = (2β 0 l − sin β 0 l ).
8β 0 Z B
• Мощность потерь в переходном сопротивлении rКТЛ контак-
тов емкости C с линией (обычно это сопротивление контактов
соединения АЭ с линией) равна
PКТЛ = 0,5 I П2 rКТЛ cos 2 β 0l.
• Мощность потерь в диэлектрике, заполняющем линию, равна
КОНСТРУКЦИИ РЕЗОНАТОРОВ НА ОТРЕЗКАХ ЛИНИЙ 311
U П2 t gδ
Pε = (2β0l + sin( 2β0l )). ,
8Z B
где δ – угол потерь диэлектрика.
• Добротность нагруженного резонатора равна
ω0 N 0
QН = ,
PН + PЛ + PКТЛ + Pε
где PН – мощность в нагрузке.
• Характеристическое сопротивление эквивалентного парал-
лельного контура в точках линии с напряжением UZ равно
U Z2 4Z B sin 2 β 0 Z
ρ= = .
2ω 0 N 0 2β 0 l − sin 2β 0 l
• Резонансное сопротивление резонатора в точках линии с на-
пряжением UZ равно R = Qρ.
13.6. Конструкции резонаторов

на отрезках линий
Конструкции некоторых коаксиальных резонаторов показаны на
d – внешний диаметр внутреннего цилиндра;
D – внутренний диаметр внешнего цилиндра;
h – зазор между крышкой и торцом внутреннего цилиндра;
l – геометрическая длина отрезка линии (длина резонатора).
а б в
Рис. 13.10. Конструкции коаксиальных резонаторов: а – с сосредоточенной
емкостью зазора С; б – четвертьволнового; в – полуволнового
Недостатком четвертьволнового резонатора, изображенного на

рис. 13.10, б, является излучение энергии из открытого конца. Излу-
чение легко устранить, сделав наружную трубку резонатора длиннее
внутреннего стержня.
Конструкции полосковых резонаторов, образованных короткозамк-
нутым отрезком линии и сосредоточенной емкостью С, показаны на
b – ширина полоски;
t – толщина полоски;
d – высота (толщина) подложки;
2d – расстояние между заземленными пластинами;
l – геометрическая длина отрезка линии (длина резонатора).
Рис. 13.11. Конструкции полосковых резонаторов:

а – на отрезке несимметричной линии; б – на отрезке симметричной линии
Недостатком симметричной полосковой линии (СПЛ) является

затрудненный доступ к внутреннему проводнику. Более удобна не-
симметричная полосковая линия (НПЛ) (рис. 13.11, а). НПЛ, выпол-
ненная на тонкой (d ≤ 1 мм) диэлектрической подложке с большой
диэлектрической проницаемостью (ε ≥ 10), получила название мик-
рополосковой линии (МПЛ). В отличие от НПЛ, изготовленной на
подложке с малой величиной ε, для МПЛ характерна концентрация
электрического поля в диэлектрике, в результате чего уменьшаются
потери на излучение и ослабляются паразитные связи [21, 32, 38].
13.7. Использование четвертьволновых

и полуволновых резонаторов
Основной областью использования четвертьволновых и полу-
волновых резонаторов являются резонансные волномеры малой и
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВЫХ И ПОЛУВОЛНОВЫХ РЕЗОНАТОРОВ 313
средней точности, а также режекторные фильтры [21]. Простые и эф-

фективные режекторные фильтры (РФ) целесообразно размещать,
например, на входе приемных и измерительных устройств в случае
перегрузки их входных цепей сигналами мощных передатчиков или
на выходе передатчиков для подавления их гармоник (рис. 13.12).
Для построения РФ используют как короткозамкнутые, так и разо-
мкнутые отрезки линий. На рис. 13.12, а дан пример использования
однозвенного фильтра на разомкнутом отрезке коаксиальной линии,
а на рис. 13.12, б – двухзвенного фильтра на короткозамкнутых от-
резках коаксиальных линий.
l
l
Г Г
λЛ/4
а б
Рис. 13.12. Режекторные фильтры на отрезках линий:
а – разомкнутой; б – короткозамкнутой
На рис. 13.13 приведены частотная характеристика входного
сопротивления четвертьволнового резонатора и графическая ил-
люстрация фильтрации четных гармоник тока, где ZB – волновое
сопротивление линии.
Входное сопротивление четвертьволнового отрезка идеальной ли-
нии без потерь на частотах ω0, 3ω0, 5ω0 и т. д. равно бесконечности
и линию можно рассматривать как параллельный резонансный кон-
Z BX
ZB
0 ω
In
0 ω0 2ω0 3ω0 4ω0

0 5ω0 0 ω
Рис. 13.13. Графическая иллюстрация фильтрации четных гармоник тока
тур. На частотах 0, 2ω0 и т. д. входное сопротивление этой линии

равно нулю и линия может быть уподоблена последовательному
колебательному контуру. Реальные линии всегда обладают некото-
рыми потерями. Поэтому входное сопротивление отрезков линий
любой длины не будет бесконечно большим или равным нулю, как
это имеет место для идеальной линии, а будет иметь резко выра-
женные максимумы RU и минимумы r соответственно на частотах
параллельного и последовательного резонанса, как это показано на
рис. 13.13.
• Входные сопротивления короткозамкнутых отрезков линий
равны:
4l 4Q Z B
при λЛО = , RU = ;
2n − 1 (2n − 1)π
, r = nπZ B .
2l
при λЛО =
n 2Q
• Входные сопротивления разомкнутых отрезков линий равны:
2l 2Q Z B
при λЛО = , RU = ;
n nπ
4l πZ (2n − 1)
при λЛО = , r= B ,
2n − 1 4Q
где l – длина линии; ZB – волновое сопротивление линии; Q –
добротность резонатора; n = 1, 2, 3 …
• Затухание a = PBХ/PBЫХ, вносимое РФ на частоте последова-
тельного резонанса, и затухание b = PBХ/PBЫХ, вносимое РФ
на частоте параллельного резонанса в случае равенства вол-
новых сопротивлений звеньев фильтра, фидера и сопротивле-
ния нагрузки равны:
2 2
для однозвенного фильтра a = ⎡1 + 1 Z B ⎤ ; b =
⎡ 1 ZB ⎤
⎢ 2 r ⎥ ⎢1 + ⎥ ;
⎣ ⎦ ⎣ 2 RU ⎦
для двухзвенного фильтра с четвертьволновой связью между
одинаковыми звеньями
2 2
⎡ Z ⎤
2
⎡ Z 1⎛ Z ⎞ ⎤
a = ⎢1 + B ⎥ ; b = ⎢1 + B + ⎜⎜ B ⎟⎟ ⎥ .
⎣ r ⎦ ⎢⎣ RU 2 ⎝ RU ⎠ ⎥⎦
СВЯЗЬ РЕЗОНАТОРОВ С НАГРУЗКОЙ 315
13.8. Связь резонаторов с нагрузкой

Правильное выполнение связи с нагрузкой является одним из су-
щественных условий качественной работы генератора. В генерато-
рах СВЧ используют кондуктивную, емкостную, индуктивную, ем-
костно-индуктивную и дифракционную связь с нагрузкой [5, 9, 14,
15, 21, 32, 40, 57, 73].
• Мощность в нагрузке при кондуктивной связи (рис. 13.14)
равна
U 2 rН sin 2 β0lСВ
PП = .
( )
2 rН2 + xН2 sin2 β0l
U
C
C l
l Zвф zн=rн+jxн
lсв Uн lсв
Рис. 13.14. Кондуктивная связь резонаторов с нагрузкой

• Расстояние от короткозамыкателя до точек подключения на-
грузочного фидера равно
λ0 ⎛U ⎞
lСВ = arcsin⎜ Н sin β0l ⎟, или
2 π εμ ⎝ U ⎠
λ0 r sin 2 β0l η K
lСВ = arcsin Н ⋅ ,
2 π εμ R0 1 − ηK
где R0 – резонансное сопротивление ненагруженной колеба-
тельной системы относительно точек подключения емкости C;
ηК – КПД контура.
• Мощность в нагрузке при емкостной связи (рис. 13.15) равна
U 2 rН sin 2 β0lСВ
PП = .
⎡ ⎛ 1 ⎞⎟ ⎤⎥
2
2 ⎢rН2 + ⎜ X Н − ⋅ sin 2 β0l

⎢ ⎜ ω C ⎟ ⎥
⎣ ⎝ 0 СВ ⎠
⎦
c c
U
cсв
2cсв 2c св
l l zн=rн+jx н
lсв lсв
Рис. 13.15. Емкостная связь резонаторов с нагрузкой
• Величина емкости связи равна

1
ССВ =
2
1 − ηK ⎛ sin β0lС В ⎞ или
ω0 rН R0 ⎜⎜ ⎟⎟ − rН2
ηK ⎝ sin β0l ⎠
531λ 0 sin β0l

ССВ ≈
1 − η K [пФ, м, Ом],
ε sin β0lСВ rН R0
ηK
где R0 – резонансное сопротивление ненагруженной колеба-
тельной системы относительно точек подключения емкости C;
ηК – КПД контура.
• Волновое сопротивление трансформирующего отрезка
линии равно
Z ВТР = Z В1Z В 2 .
Эскиз четвертьволнового согласующего трансформатора на по-
лосковой линии показан на рис. 13.16
Рис. 13.16. Четвертьволновый трансформатор сопротивления

Включение двухступенчатого трансформатора полного сопротив-
ления показано на рис. 13.17.
Рис. 13.17. Двухступенчатый трансформатор полного сопротивления

Если оба отрезка четвертьволновые (l1 = λЛ1/4; l2 = λЛ2/4), то
ZВХ = (ZВ1/ZВ2)2ZН. При активном сопротивлении нагрузки (ZН = RН)
для выполнения условия узкополосного согласования ZВХ(ω0) = RГ
следует выбрать легко реализуемое значение волнового сопротив-
ления первого отрезка ZВ1 и рассчитать необходимое волновое со-
противление второго отрезка Z В 2 = Z В1 RГ R Н .
13.1. Почему на СВЧ практически не используют КС, состоящие из
катушек индуктивности и конденсаторов?
13.2. Почему добротность LC-контуров получается меньшей, чем у
резонаторов?
13.3. Какие факторы затрудняют изготовление сосредоточенных ин-
дуктивностей и емкостей, пригодных для практического при-
менения в диапазоне СВЧ?
13.4. Возможны ли побочные типы колебаний в LC-контурах?
13.5. Какие КС используют в диапазоне СВЧ?
13.6. Каковы достоинства резонаторов по сравнению с LC-контурами
при их использовании в качестве КС генераторов СВЧ?
13.7. Почему тороидальные, коаксиальные и волноводные резонато-
ры могут иметь весьма большие добротности?
13.8. При каких условиях любой, сколь угодно сложный резонатор
можно представить в виде эквивалентного контура с сосредо-
точенными параметрами?
13.9. Для одного из типов колебаний резонатора известны: собс-
твенная частота 850 МГц, резонансное сопротивление при па-
раллельном возбуждении 12 кОм, добротность 340. Определите
параметры эквивалентного параллельного контура.
13.10. Определите параметры L, C, r эквивалентного последова-

тельного контура с сосредоточенными параметрами, если для
одного из типов колебаний резонатора известны f0 = 15 ГГц,
R = 50 кОм, 2∆f0,7 = 15 МГц.
13.11. Определите запасаемую в резонаторе энергию, если мощность
потерь в резонаторе равна 200 Вт, резонансная частота равна
3 ГГц, добротность 500.
13.12. Для одного из типов колебаний резонатора известны:
f0 = 500 МГц, Q = 6300, максимальная энергия магнитного поля
1 мДж, эффективное значение напряжения между точками
возбуждения 20 кВ. Определите сопротивление R относитель-
но точек возбуждения, мощность потерь Pпот, эквивалентную
индуктивность L, эквивалентную емкость С и максимальную
энергию, запасенную в этой емкости при резонансе.
Тороидальные резонаторы
13.13. Чем тороидальный резонатор отличается от коаксиального?
13.14. Определите индуктивность тороидального витка, сосредото-
ченную емкость зазора и резонансную частоту тороидального
резонатора (рис. 13.1) с воздушным наполнением и размерами
l = 2 см, d = 2 см, D = 5,4 см, h = 2 мм.
13.15. В тороидальном резонаторе (рис. 13.1) с воздушным наполне-
нием d = 6 см, D = 13 см, h = 3 мм. Определите высоту резона-
тора l для настройки в резонанс на частоту 800 МГц. Емкость
рассеивания можно не учитывать.
13.16. Определите резонансное сопротивление относительно дис-
ков тороидального резонатора и амплитуду тока проводимос-
ти в стенках резонатора, если L = 1,5 нГ, С = 0,5 пФ, Q = 610,
Pпот =10 Вт.
13.17. Определите резонансную частоту, добротность и резонансное
сопротивление относительно центральных дисков тороидаль-
ного медного резонатора (рис. 13.1) с воздушным наполнением,
если l = 3 см, d = 5 см, D = 12 см, h = 1 мм.
13.18. Определите величину диэлектрической проницаемости ма-
териала, заполняющего внутреннюю полость тороидального
резонатора (рис. 13.1), если резонансная частота до заполне-
ния резонатора диэлектриком равна 590 МГц, а после запол-
нения – 175 МГц, μ = 1.
13.19. Определите резонансную частоту, добротность, мощность по-
терь и запасенную при резонансе энергию тороидального ре-
зонатора (рис. 13.1) с воздушным наполнением, если l = 5 см,
d = 6 см, D = 12 см, h = 2 мм. Амплитуда напряжения в зазоре
1 кВ. Материал внутренней поверхности резонатора: а) медь; б)

серебро; в) золото; г) алюминий; д) инвар; е) латунь (прил. 11).
Резонаторы на отрезках линий
13.20. Какие типы колебаний обычно используют: а) в двухпровод-
ных; б) в коаксиальных; в) в полосковых резонаторах?
13.21. Каковы недостатки колебательных контуров на отрезках
двухпроводных и коаксиальных линий по сравнению с конту-
рами на отрезках волноводных линий?
13.22. В каком диапазоне волн используют КС на отрезках двухпро-
водных и коаксиальных линий?
13.23. Каковы преимущества волноводов и КС на отрезках волно-
водных линий в сравнении с двухпроводными, коаксиальными
и полосковыми линиями?
13.24. Добротность четвертьволнового резонатора с воздушным
наполнением (рис. 13.6) равна 800, волновое сопротивление
линии 63 Ом, длина линии – 7,7 см. Определите параметры
эквивалентного контура с сосредоточенными постоянными от-
носительно точек а–а на основной частоте.
13.25. Определите параметры R и ρ четвертьволнового резонатора
(рис. 13.6) относительно точек, отстоящих от короткозамыка-
теля на расстояние λл/8, если волновое сопротивление линии
равно 70 Ом, добротность 300.
13.26. Определите параметры R и ρ четвертьволнового полоскового
резонатора относительно точек, отстоящих от короткозамыка-
теля на расстояние: а) λл/4; б) λл/8, если волновое сопротивле-
ние линии –55 Ом, а добротность резонатора – 200.
13.27. Определите емкость контура, эквивалентного четвертьволно-
вому коаксиальному резонатору, наполненному радиофарфо-
ром, если волновое сопротивление линии равно 47 Ом, длина
линии – 12,6 см (рис. 13.10).
13.28. Определите характеристическое сопротивление коаксиального
резонатора (рис. 13.3) относительно точек подключения емкости
С = 0,7 пФ, если Zв = 30 Ом, резонансная частота равна 1,6 ГГц.
Длина резонатора измеряется таким образом, что при неизмен-
ной резонансной частоте резонатор возбуждается на а) основном
типе колебаний; б) первом продольном обертоне; в) втором про-
дольном обертоне; г) третьем продольном обертоне.
13.29. Резонатор с воздушным диэлектриком (рис. 13.3) возбуж-
ден на основной резонансной частоте 500 МГц, N0 = 4·10-6 Дж,
Q = 500, l = 10,5 см, Zв = 75 Ом, амплитуда напряжения на ем-
кости С равна 1000 В. Определите величину резонансного со-
противления относительно точек подключения емкости С, ве-

личину этой емкости и эквивалентной емкости КС.
13.30. К резонатору (задача 13.29) на расстоянии: а) 0,58 см; б)1,0 см
от короткозамыкателя подключается сопротивление нагрузки,
равное 150 Ом. Определите мощность потерь, КПД колебатель-
ной системы и резонансное сопротивление относительно точек
подключения емкости С.
13.31. Определите первые три резонансные частоты коаксиального
резонатора (рис. 13.10, б) длиной 10 см для случая: а) воздуш-
ного наполнения линии; б) наполнения линии полистиролом
ПТ-2,5 (прил.12).
13.32. Определите первые четыре резонансные частоты резонатора,
образованного короткозамкнутым отрезком коаксиальной ли-
нии длиной 1 м и емкостью С=10 пФ (рис. 13.10, а). Линия
заполнения диэлектриком с ε = 2,5 и μ = 1. Волновое сопротив-
ление линии равно 75 Ом.
13.33. Определите энергию электрического поля, запасаемую при
резонансе в отрезке линии, и энергию, запасаемую в емкости
С коаксиального резонатора (рис. 13.10, а), если f0 = 450 МГц,
l = 9 cм, Iп = 20 А, Zв = 45 Ом.
13.34. Как изменятся резонансное сопротивление и добротность ре-
зонатора при увеличении и его длины на полволны, если ос-
новные потери – в контактах короткозамыкателя?
13.35. Как изменяется резонансное сопротивление и добротность
резонатора при увеличении его длины на полволны, если ос-
новные потери – на токи проводимости?
13.36. Определите длину короткозамкнутого отрезка полосковой
линии (рис. 13.11) для настройки в резонанс на частоту 5 ГГц,
если Zв = 42 Ом, ε = 2,4, С = 1,0 пФ.
13.37. Покажите распределение амплитуды тока и напряжения
вдоль резонатора, образованного короткозамкнутым отрез-
ком линии и емкостью С (рис. 13.3), если длина линии равна
0,75λ > l > 0,5λ. В каком месте целесообразно расположить бло-
кировочный конденсатор и в каком – установочный изолятор,
чтобы вносимые ими потери и вероятность пробоя по поверх-
ности изолятора были малы?
Двухпроводные резонаторы
13.38. Определите длину короткозамкнутого отрезка двухпроводной
линии (рис. 13.3) для настройки в резонанс на частоту 270 МГц.
Линия имеет волновое сопротивление 180 Ом и нагружена на
емкость 26 пФ.
13.39. Определите первые четыре резонансные частоты резонато-

ра, образованного короткозамкнутым отрезком воздушной
двухпроводной линии длиной 21,2 см и емкостью С = 26 пФ
(рис. 13.3). Волновое сопротивление линии равно 180 Ом.
13.40. Определите частоту основного резонанса резонатора на двух-
проводной линии (рис. 13.3), если l = 15 см, D = 5 см, d = 2 см,
С = 3,6 пФ.
13.41. Определите величину емкости С резонатора на двух-
проводной линии (рис. 13.3), если l = 15 см, Zв = 193 Ом,
f0 = 241 МГц.
Коаксиальные резонаторы
13.42. Какие типы колебаний возможны, и какие используют в ко-
аксиальных резонаторах?
13.43. Определите величину сосредоточенной емкости коакси-
ального резонатора с воздушным наполнением (рис. 13.10,а),
если основная резонансная частота резонатора равна 462 МГц,
Zв = 41,5 Ом, l = 15 см. Как при неизменной резонансной часто-
те нужно изменить величину емкости С при уменьшении вол-
нового сопротивления линии в 1,4 раза?
13.44. Определите величину емкости, необходимой для настройки
в резонанс на частоту 500 МГц коаксиального резонатора (рис.
13.10, а), если l = 10 см, d = 4 см, D = 11 см, для случаев: а)
наполнение линии фторопластом-4; б) воздушного наполнения
линии (прил. 12).
13.45. В коаксиальном резонаторе с воздушным наполнением
(рис. 13.10, а) d = 1 см, D = 1,6 см, С = 0,7 пФ. Определите дли-
ну линии для настройки в резонанс на частоту 1600 МГц.
13.46. Определите пределы изменения длины l коаксиального резо-
натора с воздушным наполнением (рис. 13.10, а), если диапазон
волн равен λ = 50…100 см, С = 5 пФ, d = 4 см, D = 9,2 см. Оп-
ределите наименьшую длину волны, при которой в линии не
возникнут высшие типы волн, отличные от волны ТЕМ.
13.47. Для уменьшения геометрических размеров внутренняя об-
ласть коаксиальной линии (рис. 13.10, а) вместо воздуха за-
полнена фторопластом-4 (прил. 12). Во сколько раз уменьши-
лась длина резонатора, если f0 = 100 МГц, С = 8 пФ, d = 1 см,
D = 4 см?
13.48. Для уменьшения геометрических размеров внутренняя об-
ласть коаксиальной линии (рис. 13.10, а) вместо воздуха за-
полнена ультрафарфором (прил. 12). Как изменилась длина
резонатора, если f0 = 300 МГц, С = 5 пФ, d = 4 см, D = 9,2 см?
Определите наибольшую частоту, при которой в линии с ди-

электриком не возникнут высшие типы волн.
13.49. В коаксиальном резонаторе с воздушным диэлектриком
(рис. 13.10, а), С = 8 пФ, d = 1 см, D = 4см, l = 52 см. Определите
резонансную частоту резонатора для: а) основного типа коле-
баний; б) первого продольного обертона; в) второго продоль-
ного обертона. Как изменится соотношение между резонанс-
ными частотами обертонов при малом укорочении резонатора
(ω0CZв 1)?
13.50. Основная резонансная частота коаксиального резонатора с
воздушным наполнением (рис.13.10, а) равна 462 МГц, d = 2 см,
D = 4 см, l = 15 см. Определите резонансную частоту: а) перво-
го продольного обертона; б) второго продольного обертона;
в) третьего продольного обертона; г) четвертого продольного
обертона. На каких продольных обертонах возможно появле-
ние высших типов волн?
13.51. Изобразите качественный ход зависимости добротнос-
ти и резонансного сопротивления коаксиального резонатора
(рис.13.10, а) от величины емкости С. Длина резонатора регу-
лируется таким образом, что при изменении емкости С резонан-
сная частота остается постоянной. В резонаторе возбуждаются
колебания, соответствующие основному резонансу. Основную
долю потерь составляют: а) потери на токи проводимости в
стенках цилиндров; б) потери в нагрузке и переходном сопро-
тивлении контактов короткозамыкающей перемычки.
13.52. В коаксиальном резонаторе (рис. 13.10, а) возбуждаются
колебания на частоте основного резонанса и на продольных
обертонах. Геометрические размеры резонатора не изменяются.
Как изменяются добротность и ширина полосы пропускания
резонатора с ростом частоты, если основную долю потерь со-
ставляют: 1) потери на токи проводимости в стенках цилин-
дров, причем проводящей поверхностью резонатора является:
а) толстый слой меди; б) медная пленка, толщина которой рав-
на глубине проникновения электромагнитных волн в металл на
частоте третьего обертона; 2) потери в переходных контактах
короткозамыкателя, не зависящие от частоты?
13.53. В коаксиальном резонаторе (рис. 13.10, а) возбуждаются
колебания на частоте основного резонанса и на продольных
обертонах. Геометрические размеры резонатора не изменяются.
Основную долю потерь составляют потери в контактах корот-
козамыкателя. Считая, что мощность этих потерь и сопротив-
ление контактов rктз от частоты не зависят, изобразите часто-

тную характеристику резонатора для первых трех резонансных
частот относительно точек, отстоящих на расстояние λ2/4 от
короткозамыкателя (λ2 – резонансная длина волны второго
продольного обертона).
13.54. Для коаксиального резонатора (рис. 13.10, а), в котором ос-
новные потери – на токи проводимости в стенках цилиндров,
определите величину волнового сопротивления Zв линии, при
котором добротность максимальна. Как изменится добротность
при увеличении диаметра внешнего цилиндра при постоянном
волновом сопротивлении? Какие факторы ограничивают мак-
симальную величину диаметра внешнего цилиндра?
13.55. Определите отношение диаметров D/d резонатора
(рис. 13.10, а), соответствующее наибольшей величине добро-
тности, и ее уменьшение относительно максимального значе-
ния при отношении D/d 2,5 и 6,0. Считать, что основные по-
тери – на токи проводимости в стенках цилиндров. Диаметр D
не изменяется.
13.56. Определите отношение диаметров D/d коаксиального резо-
натора (рис. 13.10, а), при котором добротность Q уменьшится
в 1,16 раз относительно максимального значения. Считать, что
основные потери – на токи проводимости в стенках цилиндров.
Диаметр D не изменяется.
13.57. Определите волновое сопротивление коаксиальной линии,
при котором резонансное сопротивление коаксиального резо-
натора (рис. 13.10, а) имеет наибольшую величину, если основ-
ные потери – на токи проводимости в стенках цилиндров. Как
влияет на величину резонансного сопротивления увеличение
диаметра D внешнего цилиндра? Какие факторы ограничивают
максимальную величину этого диаметра?
13.58. Определите отношение диаметров D/d коаксиального резо-
натора (рис. 13.10, а), соответствующее наибольшей величине
резонансного сопротивления R, и уменьшение этого сопротивле-
ния относительно максимального значения при отношении D/d:
а) 4 и 20; б) 3,5 и 35. Основные потери – на токи проводимости
в стенках цилиндров. Диаметр D не изменяется.
13.59. Определите запас электрической прочности коаксиального
резонатора с воздушным диэлектриком (рис. 13.10, а), если
d = 1,5 см, D = 5 см, λ = 16 см, l = 10 см. Амплитуда напряжения
на емкости С равна 5 кВ. Пробивная напряженность электри-
ческого поля равна 20 кВ/см.
13.60. Максимальное напряжение между цилиндрами коаксиально-

го резонатора (рис. 13.10, а) равно 50 кВ, d = 6 см. Определите
диаметр D внешнего цилиндра, при котором максимальная на-
пряженность электрического поля между цилиндрами равна: а)
15 кВ/см; б) 30 кВ/см.
13.61. Определите отношение диаметров коаксиальной линии
(рис.13.2, б), обеспечивающее наибольшее пробивное напряже-
ние при заданной величине диаметра D внешнего цилиндра.
13.62. Определите отношение диаметров линии (рис. 13.2, б), обес-
печивающее наибольшую мощность, предаваемую по линии,
при заданной величине диаметра D внешнего цилиндра.
13.63. Определите отношение диаметров коаксиальной линии
(рис.13.2, б), обеспечивающее наибольшую мощность, переда-
ваемую по линии, при заданной рабочей частоте.
Полосковые резонаторы
13.64. Определите волновое сопротивление симметричной полоско-
вой линии (рис. 13.11, б), если b = 3 мм, 2d = 3 мм, t = 0,1 мм,
диэлектрик – полиэтилен.
13.65. Определите волновое сопротивление несимметричной по-
лосковой линии (рис. 13.11, а), если b = 2,5 мм, d = 0,75 мм,
t = 0,05 мм, ε = 2,25.
13.66. Определите размер 2d симметричной полосковой линии
(рис. 13.11), если Zв = 25 Ом, t = 0,05 мм, b = 3 мм. Диэлектрик:
а) полиэтилен; б) полистирол ПТ-2,5 (прил. 12).
13.67. Определите размер b СПЛ (рис. 13.11) и наименьшую рабо-
чую длину волны этой полосковой линии из условия отсутс-
твия высших типов волн, если Zв = 30 Ом, t = 0,03 мм, 2d = 5мм,
ε = 2,55.
13.68. Определите размер b СПЛ, заполненной полиэтиленом
(прил. 12), если t = 0,1 мм, 2d = 10 мм (рис. 13.11). Волновое
сопротивление линии равно: а) 40 Ом; б) 20 Ом; в) 10 Ом.
13.69. Определите ширину полоски несимметричной полосковой
линии, если волновое сопротивление линии 30 Ом. Исполь-
зована подложка из сапфирита (прил. 12) толщиной 0,5 мм
(рис. 13.11).
13.70. Определите величину сосредоточенной емкости С резонатора
на несимметричной полосковой линии с воздушным заполне-
нием (рис. 13.11), если f0 = 6 ГГц, l = 5 мм, d = 0,7 мм, b = 1,4 мм,
t = 0,01 мм. Определите наименьшую длину волны этого резо-
натора из условия отсутствия высших типов волн.
13.71. Получите формулу для расчета длины разомкнутого полосково-

го резонатора (рис. 13.8), настраиваемого на заданную частоту.
13.72. Определите наибольшую допустимую амплитуду тока в пуч-
ности резонатора на НПЛ с воздушным диэлектриком (рис.
13.11, а) из условия обеспечения электрической прочности,
если d = 2 мм, b = 10 мм, t = 0,1 мм. Резонатор возбужден на
продольном обертоне. Допустимая напряженность электричес-
кого поля равна 10 кВ/см.
Волноводные резонаторы
13.73. Определите критическую длину волны волновода с воздушным
наполнением: а) прямоугольного; б) квазиэллиптического; в) эл-
липтического сечения (рис. 13.2), если, а = 23 мм, b = 10 мм.
13.74. Определите длину волны в волноводе с воздушным напол-
нением на частоте 10 ГГц, если а = 2 см, b = 1 см. Использован
волновод: а) прямоугольного; б) квазиэллиптического; в) эл-
липтического сечения (рис. 13.2).
13.75. Подберите размеры а и b прямоугольного волновода (рис. 13.2)
с воздушным наполнением для генератора на частоту: а) 10 ГГц;
б) 20 ГГц; в) 30 ГГц.
13.76. Подберите размеры а и b эллиптического волновод (рис. 13.2)
для генератора на частоту: а) 30 ГГц; б) 60 ГГц.
13.77. Определите длину короткозамкнутого отрезка волноводного
резонатора с воздушным наполнением, нагруженного на ем-
кость 0,2 пФ (рис. 13.3) для настройки в резонанс на частоту
15 ГГц, если а = 12 мм, b = 6 мм. Сечение волновода: а) прямо-
угольное; б) эллиптическое (рис. 13.2).
13.78. Определите размеры волноводного резонатора с воздушным
наполнением для построения высокостабильного диодного
автогенератора с рабочей частотой 10,3 ГГц. Емкость диода
С = 0,4 пФ. Использован волновод: а) прямоугольного; б) эл-
липтического сечения (рис. 13.2).
Связь с нагрузкой
13.79. Изобразите тороидальный, коаксиальный и двухпроводный
резонаторы. Укажите место включения емкостного, индуктив-
ного и кондуктивного элементов связи при сильной связи с
нагрузкой.
13.80. Связь резонатора с нагрузкой осуществляется кабелем с
волновым сопротивлением 75 Ом; мощность в нагрузке равна
100 кВт. Определите амплитуду ЭДС в петле связи (падением

напряжения в петле можно пренебречь).
13.81. Длина резонатора (рис. 13.3) равна l = 20 см, Zв = 100 Ом,
Q0 = 200. Амплитуда высокочастотного напряжения на емкости
С равна 200 В. Основная резонансная частота равна 300 МГц.
В точках резонатора, где амплитуда высокочастотного напряже-
ния равна 10 В, присоединено сопротивление Rн = 50 Ом. Опре-
делите резонансное сопротивление и добротность нагруженно-
го резонатора: а) относительно точек подключения емкости С;
б) относительно точек подключения сопротивления Rн..
13.82. К четвертьволновому коаксиальному резонатору длиной
20 см, на расстоянии 10 см от короткозамкнутого конца под-
ключено сопротивление нагрузки R = 5 кОм. Добротность не-
нагруженного резонатора Q0 = 200, волновое сопротивление
линии равно 70 Ом. Резонатор возбужден на основном типе
колебаний. Определите резонансное сопротивление нагружен-
ного резонатора относительно точек а–а.
13.83. К четвертьволновому коаксиальному резонатору подключе-
но сопротивление нагрузки 1,5 кОм на расстоянии λл/8 от ко-
роткозамкнутого конца. Добротность нагруженного резонатора
Qн = 150, волновое сопротивление линии равно 130 Ом. Резона-
тор возбужден на основном типе колебаний. Определите резо-
нансное сопротивление нагруженного резонатора относительно
точек: а) а–а; б) подключения нагрузки.
13.84. К четвертьволновому двухпроводному резонатору на рассто-
янии 0,01λл от короткозамкнутого конца подключено сопротив-
ление нагрузки 75 Ом. Добротность ненагруженного резонато-
ра Q0 = 300, волновое сопротивление линии 200 Ом. Резонатор
возбужден на основном типе колебаний. Определите резонан-
сное сопротивление нагруженного резонатора относительно
точек: а) а–а; б) подключения нагрузки.
13.85. Определите длину lсв при кондуктивной связи резонатора с на-
груженным фидером (рис. 13.14), если f0 = 150 МГц, U = 12 кВ,
Pнагр = 150 кВт, l = 130 см, Zн = rн = 75 Ом. Диэлектрик – воздух.
13.86. Определите расстояние lсв при кондуктивной связи резонато-
ра с нагрузочным фидером (рис. 13.14), если λл = 1,5 м, U = 8 кВ,
Pнагр = 10 кВт, l = 30 см, Zн = 50 + j6 Ом. Диэлектрик – воздух.
13.87. Определите точку подключения нагрузочного фидера к ко-
аксиальному резонатору (рис. 13.14), если f0 = 200 МГц, доб-
ротность резонатора Q0 = 500, ηк = 0,7, Zвф = rн = 75 Ом, Хн = 0,
Zв = 41,5 Ом, l = 10,6 см.
13.88. При емкостной связи резонатора с нагрузочным фидером

(рис. 13.15), известны l = 16 см, Ссв = пФ, U = 900 В, Рп = 500 Вт,
Zн = 200 + j10 Ом, f0 = 400 МГц. Определите длину lсв.
13.89. Определите величину емкости связи Ссв резонатора с на-
грузочным фидером (рис. 13.15), если f0 = 300 МГц, Q0 = 700,
ηк = 0,8, Хн = 0, rн = 50 Ом, d = 3 см, D = 7,6 см, lсв = l = 7 см.
13.90. Определите величину емкости связи Ссв резонатора с на-
грузочным фидером (рис. 13.15), если f0 = 200 МГц, Q0 = 500,
ηк = 0,7, Хн = 0, rн = 75 Ом, d = 3,8 см, D = 7,6 см, l = 10,6 см,
lсв = 8 см.
13.91. Определите контурный КПД при емкостной связи резона-
тора с нагрузкой (рис. 13.15), если f0 = 600 МГц, Q0 = 1300,
Ссв = 0,5 пФ, rн = 50 Ом, Хн = 0, Zв = 50 Ом, l = 6 см, lсв = 3 см.
13.92. Кондуктивная связь резонатора с нагрузочным фидером за-
меняется емкостной связью (рис. 13.14 и 13.15). Определите
величину емкости связи Ссв, при которой мощность в нагрузке
остается неизменной, если f0 = 1200 МГц, Zн = 50 + j6 Ом.
13.93. Кондуктивная связь резонатора с нагрузочным фидером за-
меняется емкостной связью (рис. 13.14 и 13.15). Определите
величину емкости связи Ссв, при которой мощность в нагрузке
останется неизменной, если f0 = 300 МГц, Zн = 440 + j15 Ом.
13.94. Определите геометрические размеры четвертьволнового транс-
форматора полного сопротивления на НПЛ, согласующего со-
противление генератора 50 Ом и сопротивление нагрузки 10 Ом.
Средняя частота диапазона 2 ГГц. Использована подложка из
полистирола ПТ-10 (прил. 12) толщиной 1мм (рис. 13.16).
13.95. Определите геометрические размеры двухступенчатого чет-
вертьволнового трансформатора полного сопротивления на
МПЛ, согласующего сопротивление генератора 150 Ом и на-
грузки 500 Ом. Средняя частота диапазона 3 ГГц. Использова-
на подложка из диэлектрика ФЛАН-10 (прил. 12) толщиной 1
мм. Волновое сопротивление первого отрезка трансформатора
равно: а) 30 Ом; б) 50 Ом (рис. 13.17).
13.96. Получите формулу для расчета мощности в нагрузке а) при кон-
дуктивной связи; б) при емкостной связи (рис. 13.14 и 13.15).
13.97. Определите максимальную мощность, передаваемую коак-
сиальной линией с воздушным наполнением при d = 5 мм,
D/d = 3 и допустимой напряженности поля Е = 15 кВ/см.
13.98. Определите максимальную мощность, передаваемую НПЛ с
воздушным наполнением при b = 4,7 мм, d = 0,9 мм. Допусти-
мая напряженность поля равна Е = 15 кВ/см.
13.99. Определите максимальную мощность, передаваемую СПЛ

с воздушным наполнением, при допустимой напряженности
поля Е = 15 кВ/см, если высота подложки равна 0,8 мм, а ши-
рина полоски равна: а) 3 мм; б) 5 мм; в) 10 мм.
13.100. Определите максимальную мощность, передаваемую прямо-
угольным волноводом с воздушным наполнением на волне Н10,
если а = 10 мм, b = 23 мм, Е = 15 кВ/см, λ = 3,2 см.
13.101. Определите максимальную мощность, передаваемую круг-
лым волноводом с воздушным наполнением на волне Н11, если
R = 1 см, λ = 3,2 см.
13.102. Определите максимальную мощность, передаваемую круг-
лым волноводом с воздушным наполнением на волне Н01, если
R = 2,5 см, λ = 3,2 см.
Резонансные волномеры и режекторные фильтры
13.103. Определите первые три резонансные частоты полуволнового
резонатора (рис. 13.10) длиной 60 см для случая: а) воздуш-
ного наполнения линии; б) наполнения линии полистиролом
ПТ-2,5; в) наполнение линии фторопластом-4 (прил. 12).
13.104. Полуволновый коаксиальный резонатор с передвижным
поршнем (рис. 13.10) находится в вакууме и используется в ка-
честве волномера. Отсчет длины волны производится по двум
отсчетам резонанса путем непосредственного измерения разно-
сти длин резонатора ln и ln-1. Определите длину волны, если
ln = 4,125 см, ln-1 = 8,25 см. Какую поправку необходимо сделать
в случае воздушного наполнения резонатора при нормальных
атмосферных условиях (прил. 12)?
13.105. Определите первые три резонансные частоты четвертьвол-
нового коаксиального резонатора (рис. 13.10) длиной 1,8 см,
находящегося в вакууме. Как изменится величина резонансных
частот в случае воздушного наполнения резонатора при нор-
мальных атмосферных условиях (прил. 12)?
13.106. Добротность четвертьволнового резонатора равна 1500, вол-
новое сопротивление линии 55 Ом. Определите параметры R и
ρ на основной частоте резонатора относительно точек а–а.
13.107. Добротность четвертьволнового резонатора с воздушным
наполнением (рис. 13.10) равна 150, волновое сопротивление
линии 47 Ом, длина линии 12,6 см. Определите параметры R,
ρ и С эквивалентного контура с сосредоточенными постоянны-
ми относительно точек а-а для: а) основного типа колебаний;
б) первого продольного обертона; в) второго продольного обер-

тона; г) третьего продольного обертона.
13.108. Добротность четвертьволнового резонатора (рис. 13.10)
равна 170, волновое сопротивление линии – 25 Ом. Определи-
те резонансное сопротивление R относительно точек а–а для:
а) основного типа колебаний; б) первого продольного оберто-
на; в) второго продольного обертона; г) третьего продольного
обертона.
13.109. В однозвенном РФ (рис. 13.12, а) использован разомкну-
тый отрезок коаксиального кабеля со сплошной изоляцией
(ε = 2,25). Для этого фильтра: а) постройте эпюры напряже-
ния и тока, а также качественно оцените величину входного
сопротивления кабеля на частотах параллельного и последова-
тельного резонансов; б) определите длину кабеля при частоте
режекции 200 МГц в случаях использования основного типа
колебаний и первого продольного обертона.
13.110. В однозвенном РФ использован короткозамкнутый отрезок
линии с воздушным заполнением. Для этого фильтра: а) пост-
ройте эпюры напряжения и тока, а также качественно оцените
величину входного сопротивления линии на частотах парал-
лельного и последовательного резонансов; б) определите длину
линии при частоте режекции 200 МГц и затухание, вносимое
РФ на частотах параллельного и последовательного резонансов
в случае использования основного типа колебаний, если добро-
тность резонатора на частотах 100 и 200 МГц соответственно
равна 134 и 190. Сопротивление нагрузки, волновое сопротив-
ление линии и фидера равны 50 Ом.
13.111. Как изменятся длина РФ предыдущей задачи при использо-
вании линии с диэлектрическим наполнением, если: а) ε = 2,3;
б) ε = 1,4. Потерями в диэлектрике можно пренебречь.
13.112. Как изменятся параметры РФ задачи 13.110 при использо-
вании обертонов?
13.113. Определите параметры: а) однозвенного РФ; б) двухзвенного
РФ с четвертьволновой связью между одинаковыми звеньями на
частоте режекции 200 МГц при использовании короткозамкнутых
отрезков коаксиального кабеля со сплошной изоляцией (ε = 1,4).
Добротность резонатора на частотах 100 и 200 МГц соответствен-
но равна 600 и 800. Сопротивление нагрузки, волновое сопро-
тивление линии и фидера равно 50 Ом. Потерями в диэлектрике
кабеля можно пренебречь.
ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ
14 НА ЭЛЕКТРОННЫХ
ЛАМПАХ,
ТРАНЗИСТОРАХ
И ДИОДАХ
14.1. Генераторы СВЧ на электронных

лампах
В диапазонах метровых, дециметровых и нижней части сантимет-
рового диапазона длин волн в качестве генераторных приборов ис-
пользуют триоды и тетроды, имеющие специальную конструкцию.
Верхняя частота применения ламповых генераторов (около 20 ГГц)
ограничена инерцией электронов, влиянием индуктивностей выво-
дов лампы и ее межэлектродных емкостей, а также ростом потерь
в лампе и цепях согласования. В отличие от клистронов, ЛБВ и
других приборов СВЧ радиолампы могут использоваться на лю-
бой частоте ниже предельной. Наиболее широко их используют на
частотах примерно до 1 ГГц. В этом диапазоне частот лампы об-
ладают лучшими по сравнению с клистронами и ЛБВ весовыми и
объемными показателями, высоким КПД (до 60…70%) и невысокой
стоимостью, но существенно меньшим коэффициентом усиления
по мощности. Лампы нуждаются в более низком питающем напря-
жении, чем клистроны, они менее требовательны к согласованию
фидерного тракта, чем ЛБВ и амплитроны.
Влияние времени пролета электронов. В СВЧ-диапазоне необхо-
димо учитывать, что ток, наводимый движущимся зарядом q, течет
во внешних цепях в течение всего времени движения заряда внутри
лампы и посвоей величине пропорционален скорости заряда
I = υq d ,
где d – расстояние между соответствующими электродами лампы;
ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ 331
υ = 6 ⋅105 U [В, м/c] – скорость электронов, разогнанных постоянным

напряжением U.
Влиянием времени пролета электронов внутри лампы можно пренеб-
речь, если это время мало по сравнению с четвертью периода колебаний.
• Минимальная длина волны λmin, до которой можно вести расчет
генераторов без учета инерции электронов, равна [9, 40, 71]:
– из условия малости времени пролета в промежутке катод-
сетка
λ min = 4500d с к U с ,
– из условия малости времени пролета в промежутке сетка-
анод
λ min = 2000d а к U а с min ,
где Uc – амплитуда напряжения между сеткой и катодом;
Uас min– минимальное мгновенное напряжение между сеткой
и анодом;
dск и dас – расстояния сетка-катод и сетка-анод.
• Граничная (предельная, критическая) длина волны, при ко-
торой мощность и КПД триодного генератора уменьшаются
вдвое по сравнению с их значениями при больших длинах
волн, равна [9,40]
λ г р = 3000d с к U с = 40(d с к jmax )1 3 [см, А/см2, В],
где jmax – максимальное значение плотности тока эмиссии ка-
тода. Для оксидных катодов в непрерывном режиме работы
jmax = 2,5 А/см2, а в импульсном – jmax = 25 А/см2.
При критической (граничной) длине волны время пролета элек-
тронов составляет примерно третью часть периода высокочастот-
ных колебаний и лишь половина вылетевших из катода электронов
пролетает плоскость сетки. Остальные электроны возвращаются на
катод.
Параметры генераторных ламп СВЧ

Чтобы максимально уменьшить вредное влияние на параметры
генератора времени пролета, индуктивностей выводов лампы и ее
межэлектродных емкостей разработаны специальные конструкции
генераторных ламп. Дисковые триоды, предназначенные для рабо-
ты с коаксиальными резонаторами, разработаны в СССР под руко-
водством Н. Д. Девяткова в 1938–40 гг. Некоторые типы дисковых
332 ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ, ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ
триодов по виду похожи на башню маяка и поэтому называются

маячковыми.
Дальнейшим улучшением дисковых триодов являются металло-
керамические триоды, разработанные в Германии фирмой Telefunken
в 1944 г. Отечественные СВЧ-лампы начали широко применяться
с начала 50-х годов. Это были триоды типов ГИ-6Б, ГИ-7Б, ГС-9Б,
ГИ-11Б, ГИ-12Б, аналогичные триодам LD-6, LD-7, LD-11 и др. фир-
мы Telefunken.Для уменьшения времени пролета расстояния между
электродами в таких лампах делают небольшим – от сотых долей
до 1 мм. Межэлектродные емкости при этом удается сохранить от-
носительно малым за счет уменьшения площади электродов.
Параметры некоторых генераторных триодов и тетродов СВЧ-
диапазона приведены в табл. 14.1.
Таблица 14.1. Параметры генераторных ламп СВЧ
Максимальные значения параметров
Тип dcк
лампы P1 (dac), мм
f, МГц Eа , кВ Ec2 , В Pa, Вт
(P1и), Вт
8 0,5
Д2 500 – – –
– (1,0)
– –
ГИ-52А 500 41 – 400 000
(5 000 000) –
10 000 –
ГС-18Б 1000 6,5 900 15 000
– –
– –
ГИ-39Б 1200 20 – 440
(128 000) –
2 0,12
2С40 1500 0,25 – –
– (0,3)
ГИ-7Б 1700 30 2,5 – 0,35
350
(LD-7) 2700 (20 000) 9,0 – (1,2)
0,1 0,015
6С17КВ 3000 0,15 – 2
– –
ГИ-12Б 3300 3 0,8 0,15
– 80
(LD-12) 4300 (1000) 4,0 (0,5)
40 –
ГС33Б 4000 1,1 150 1000
– –
– 0,072
ГИ-22 5000 2,0 – 10
(400) (0,275)
– –
ГИ-32 5500 2,8 – –
(700) –
0,03 0,015
6С36К 10000 0,25 – 3,0
– –
При больших уровнях мощности используют тетродные генера-

торы СВЧ. В тетродах вторая (экранная) сетка соединяется по пос-
тоянному напряжению с анодом, благодаря чему электроны ускоря-
ются в промежутке между первой и второй сеткой до очень больших
скоростей. Это способствует малому времени пробега электронов от
второй сетки до анода. Основные отличия и преимущества тетродов
связаны с электронными явлениями, происходящими в выходном
зазоре между экранной сеткой и анодом.
Схемы и конструкции ламповых генераторов

В ламповых усилителях и автогенераторах СВЧ в основном использу-
ются резонаторы типа коаксиальной линии, нагруженной на междуэ-
лектродную емкость лампы. Наиболее распространенными являются
однотактные двухконтурные генераторы с общей сеткой. При этом
используют как одностороннее, так и двухстороннее расположение
резонаторов относительно лампы [8, 9, 15, 21, 32, 39, 40, 57, 58, 73].
Выбор точки заземления генератора производится главным образом
из соображений техники безопасности, а также с учетом удобства
изготовления источников питания и модулирующих устройств. За-
земление любого из электродов по постоянному току не оказывает
никакого влияния на параметры генератора, поскольку высокочас-
тотное поле не выходит за пределы замкнутой КС резонатора.
Для построения ламповых генераторов СВЧ используют вспомо-
гательные пассивные устройства: блокировочные элементы, настро-
ечные поршни, элементы обратной связи и связи с нагрузкой [8, 9,
15, 19, 21, 32, 39, 40, 57, 58, 73].
Блокировочные элементы. Для разделения электродов лампы по
постоянному току и устранения утечки высокочастотной энергии в
КС генераторов используют блокировочные конденсаторы цилин-
дрической или кольцевой формы. Их помещают в местах разреза
цилиндров, образующих резонаторы, или же в передвижных порш-
нях, осуществляющих настройку резонаторов. На коротких волнах
(короче 50 см) вместо блокировочных конденсаторов или в дополне-
ние к ним возможно применение четвертьволновых блокировочных
элементов, состоящих из отрезков линий, – Ш-образных и зигзаго-
образных поршней. Такие устройства могут выполнять одновремен-
но функции блокировочных конденсаторов и настроечных поршней.
Диэлектрические потери в блокировочном конденсаторе С равны
Pε = 0,5 I 2t g δ (ωС ) ,
где δ – угол потерь в диэлектрике;

I – амплитуда тока, протекающего через конденсатор.
Настроечные поршни. Передвижные поршни применяются для на-
стройки резонаторов. На практике используются разнообразные конс-
трукции как контактных, так и бесконтактных (реактивных) поршней.
Элементы обратной связи. Связь между резонаторами генератора
осуществляется через внутриламповую емкость, например, в случае
генератора с общей сеткой – через емкость анод-катод. Однако эта
емкость может оказаться слишком малой или слишком большой.
Для изменения величины емкости ОС используют дополнительные
элементы обратной связи. Эти элементы могут быть заменены экви-
валентной дополнительной емкостью, причем эта емкость в зависи-
мости от знака связи может быть положительной или отрицатель-
ной. Наиболее употребительными являются элементы ОС в виде
витков и электродов, осуществляющих кондуктивно-кондуктивную,
емкостно-емкостную и другие виды связи.
Связь с нагрузкой. Правильное выполнение связи с нагрузкой
является одним из существенных условий качественной работы ге-
нератора. В ламповых генераторах используют кондуктивную, ем-
костную, индуктивную и другие виды связи с нагрузкой.
Конструкции генераторов. Колебательная система генератора
может быть расположена либо внутри вакуумной оболочки лампы
(внутренняя конструкция), либо вне ее (внешняя конструкция). При
внутренней конструкции стенки резонатора могут являться одно-
временно вакуумной оболочкой лампы и отпадает необходимость
в диэлектрической оболочке, что позволяет уменьшить высокочас-
тотные потери. Недостатками внутренней конструкции являются
малый (10…20%) диапазон механической перестройки. Такие гене-
раторы могут быть использованы только в узком диапазоне частот.
Внутреннюю конструкцию имеют, например, резнатроны – мощные
тетродные генераторы, а также маломощные титанокерамические
лампы сантиметрового диапазона с частично встроенным контуром,
например, 6С36К, 6С45К и ГС-10.
На рис. 14.1 приведены эскиз конструкции и принципиальная
схема однотактного двухконтурного усилителя с общей сеткой, в
котором коаксиальные резонаторы расположены по разные стороны
относительно лампы.
На рис. 14.1 также показано распределение амплитуд высокочас-
тотных напряжений вдоль анодно-сеточного (1) и катодно-сеточ-
ного (2) резонаторов при возбуждении в этих резонаторах первых
+E a
+Ea
RБ
C БЛ1 Выход
UZ
Выход RБ
A
C БЛ1
1
z
K Вход
2
CБЛ2
UZ
RК
RК C БЛ2
Вход
Рис.14.1. Усилитель мощности с двухсторонним расположением
резонаторов относительно триода
продольных обертонов. Из соображений техники безопасности и
удобства эксплуатации с корпусом соединена сетка.
Напряжение смещения в этом генераторе создается автоматичес-
ки за счет прохождения постоянной составляющей катодного тока
через резистор Rк. За счет включения резистора Rк в цепь катода
лампы получается отрицательная обратная связь по току. Это – на-
иболее распространенный способ стабилизации рабочего режима
лампы. Для защиты лампы от прохождения чрезмерных токов в
случае пробоев или превышения напряжений, а также для допол-
нительной стабилизации режима в цепь анода включен балластный
резистор RБ.
На рис. 14.2 приведены эскиз конструкции и принципиальная
схема однотактного двухконтурного автогенератора с общей сет-
кой, в котором резонаторы расположены в одну сторону относи-
тельно лампы. На рис. 14.2 также показано распределение амплитуд
высокочастотных напряжений вдоль анодно-сеточного (1) и катод-
но-сеточного (2) резонаторов при возбуждении в этих резонаторах
основного типа колебаний. В генераторе использована дополнитель-
ная кондуктивно-емкостная связь между контурами (3). Эта связь
может быть представлена в виде эквивалентной дополнительной
междуэлектродной емкости С, подключенной параллельно выходной
емкости анод-катод лампы. Из соображений техники безопасности
+Ea +Ea
RБ
z CБ Л CБ Л
R1 RБ Выход
z 3
C CБ Л
K 1
C 2
Выход
UZ UZ R2 RК
R1
RК U R2
Рис.14.2. Автогенератор с односторонним расположением

резонаторов относительно триода
и удобства эксплуатации с корпусом соединен внешний цилиндр
анодно-сеточного резонатора (1).
В данном автогенераторе использована компенсационная схема
питания, имеющая наилучшие показатели с точки зрения стабили-
зации режима лампы. В схеме рис. 14.2 отрицательное смещение
на сетке получается как сумма двух напряжений: отрицательного за
счет падения напряжения на сопротивлении Rк и компенсационного
положительного напряжения U, возникающего за счет падения на-
пряжения на сопротивлении R2 делителя. В компенсационной схеме
можно использовать резистор Rк сравнительно большой величины;
этим достигается большая стабилизация режимов. Отношения плеч
делителя обычно принимают равным R1/R2 = 5…10. При большем
отношении достигается лучшая стабилизация, но повышается опас-
ность появления в процессе эксплуатации положительного напря-
жения на сетке.
В упрощенной схеме питания резистор R1 отсутствует. В этом
случае сопротивление утечки сетки R2 служит для ограничения пос-
тоянного тока, протекающего в сеточной цепи.
14.2. Генераторы СВЧ на транзисторах

Генераторы на транзисторах в сравнении с ламповыми отличаются
многообразием:
ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ТРАНЗИСТОРАХ 337
• по типам приборов – используют биполярные, различные по-

левые, включая МДП и с барьером Шоттки (ПТШ); исполь-
зуют проводимости типа n-p-n и p-n-p; три способа включе-
ния (на примере БТ возможно включение с ОЭ, ОБ или ОК);
различное конструктивное выполнение: в одном корпусе или
на одном основании размещаются одиночный, два однотипных
или комплементарных транзистора;
• по схемам построения различают резонансные (узкополос-
ные) и широкодиапазонные (на полосы до 100...1000 МГц);
выполненные по однотактной, двухтактной или квадратурной
схеме;
• по режимам работы – применяют недонапряженный, граничный,
ключевой, бигармонический или полигармонический режим.
Генераторы на биполярных транзисторах

Мощные высокочастотные генераторные БТ начали серийно вы-
пускаться с середины 60-х годов. БТ применяются от самых низ-
ких частот до, ориентировочно, 10 ГГц. Современные биполярные
генераторные транзисторы выпускаются для частотных диапазонов
30, 300 и 3000 МГц с полезной мощностью около 250, 150 и 10 Вт
соответственно.
Частотные свойства БТ наглядно представляют частотные харак-
•
теристики модуля | β | = β0 (1 + jω ωτ ) и фазового угла φβ коэффици-
ента усиления БТ с ОЭ (рис. 14.3).
На рис. 14.3 обозначено:
β0(h21эо) – коэффициент усиления на низких частотах;
φβ = –arctg(ω/ωβ)– фазовый угол, на который запаздывает коллек-
торный ток по отношению к базовому;
•
ωβ – частота, при которой | β | = 0,707β0 ;
•
ωт – частота, при которой | β | = 1 ;
НЧ, СЧ и ВЧ – диапазоны низких, средних и высоких частот.
Весь диапазон рабочих частот БТ удобно разделить на три облас-
ти. В области НЧ (0 ≤ ω ≤ 0,3ωβ) БТ можно рассматривать как безы-
нерционный АЭ. В диапазоне СЧ (0,3ωβ ≤ ω ≤ 3ωβ) и ВЧ (ω > 3ωβ)
БТ – инерционный АЭ. Из-за необходимости учета инерционных
свойств БТ расчетные соотношения для генераторов на БТ получа-
ются громоздкими. При расчете электронного режима генераторов
β&
β0
ϕβ
0,7β 0
45o β0
1
0
0,3ω β ωβ 3ω β ωT
НЧ СЧ ВЧ
Рис. 14.3. Частотные характеристики модуля и фазового угла
коэффициента усиления биполярного транзистора
на БТ целесообразно использовать средства ВТ. На рис. 14.4 показан

вид окна программы, созданной в среде графического программиро-
вания LabVIEW 8.2.1 по методике расчета ГВВ, описанной в работах
[72, 73]. Эта методика справедлива на частотах до [0,5…0,8]fт.
Усилители мощности на БТ вплоть до частоты 1 ГГц обычно вы-
полняются по схеме с ОЭ, а на более высоких частотах – по схеме
Рис. 14.4. Вид окна программы расчета ТУМ

с ОБ. Коэффициент усиления по мощности БТ для схемы с ОЭ в

области ВЧ (f > 3fβ) на частоте f при напряжении питания коллек-
торной цепи Eк и колебательной мощности P1 равен
Kр= K′р(f′/f)2 (Eк/E′к)2 (P′1/P1),
где K′р, E′р и P′1 – известные значения величин на частоте f′.
Генераторы на полевых транзисторах

Хотя принцип управления электрическим током с помощью элект-
рического поля был сформулирован в 1930 г., первые ПТ появились
в начале 60-х годов. Полевые транзисторы выпускаются с затвором
на основе p-n-перехода, с изолированным затвором (МДП-транзис-
торы) и с барьером Шоттки (ПТШ). Наибольшие генерируемые
мощности обеспечивают МДП-транзисторы и ПТШ. Первые мощ-
ные МДП-транзисторы КП901, КП902 были разработаны в СССР
и выпускаются серийно с 1973 г.
В настоящее время выпускаются МДП-транзисторы для работы в
диапазонах до 60, 300 и 3000 МГц с полезной мощностью около 70,
50 и 10 Вт. На частотах приблизительно до 1,5 ГГц МДП-транзис-
торы по мощностным параметрам приблизились к БТ, а по многим
другим параметрам их опередили. Например, усилитель на мощном
полевом транзисторе типа MRF184 при работе в классе E на час-
тоте 910 МГц обеспечивает выходную мощность 63 Вт при КПД
72% [92]. Полевые транзисторы с барьером Шоттки (ПТШ) обес-
печивают такую же величину мощности, как и БТ, но на частотах
примерно в 3 раза более высоких. Верхняя рабочая частота ПТШ
превышает 60 ГГц. АГ на ПТШ, стабилизированные диэлектричес-
кими резонаторами, используют в качестве гетеродинов на частотах
до 20 ГГц [73].
Схемы транзисторных усилителей СВЧ-диапазона

На рис. 14.5 и 14.7–14.9 приведены некоторые из наиболее извест-
ных и эффективных схем транзисторных УМ.
На рис. 14.5 приведена схема однокаскадного усилителя диа-
пазона 0...1,8 ГГц с допустимой неравномерностью АЧХ ±0,5 дБ.
Сопротивление нагрузки усилителя и источника сигнала равны
Rн = Rг = 50 Ом. Коэффициент усиления каскада по напряжению
равен 4,4. Входная КСЦ второго порядка образована элементами
С1, L1, входной индуктивностью транзистора Lвх = 0,34 нГн и его
входной емкостью Свх = 2,82 пФ. На выходе каскада включена КСЦ,
Рис. 14.5. Сверхширокополосный усилитель на ПТШ
практически не вносящая искажений в АЧХ каскада, образованная

элементами L3,C5, выходной емкостью транзистора Свых = 0,64 пФ
и его выходной индуктивностью Lвых= 0,3 нГн [86]. В усилителе ис-
пользован ПТШ типа 3П602А.
Основные параметры транзистора 3П602А [73]:
fт = 11...13 ГГц – граничная частота по току;
S = 80 мСм – крутизна тока стока;
Uсо = 0,6 В – пороговое напряжение стока;
Uотс = –5 В – напряжение отсечки тока стока;
Uотс.з = 0,5 – напряжение отсечки тока затвора;
rнас = 7,5 Ом – сопротивление насыщения;
Iс нас = 200 мА – ток насыщения стока;
Pрас.доп = 0,6 Вт – допустимая мощность рассеяния.
На рис. 14.6, а приведены входные iз(uзи) и проходные iс(uзи), а на
рис.14.6, б – выходные iс(uси) статические характеристики ПТШ.
Для стабилизации тока покоя транзистора 3П602А примене-
на активная коллекторная стабилизация на транзисторе КТ361А
(рис. 14.5). Физика работы этой схемы стабилизации заключается
в следующем. На базу транзистора VT1 подается фиксированное
напряжение смещения от базового делителя на резисторах R3 и
R5. Напряжение база-эмиттер открытого кремниевого БТ пример-
но равно 0,7 В. Поэтому при увеличении тока стока транзистора
ic, iз ic ic ЛГР
iз
u зи
uзи uси
0 0
U отс U о тсз U со
а б
Рис. 14.6. Статические характеристики ПТШ
VT2 и увеличении вследствие этого напряжения на резисторе R6

уменьшается напряжение между базой и эмиттером транзистора
VT1. Это ведет к уменьшению его коллекторного тока, снижению
падения напряжения на затворе транзистора VT2, что препятствует
увеличению тока стока транзистора VT2. При условии UR6 > 1 В, где
UR6 – напряжение на резисторе R6, изменение температуры окру-
жающей среды от –60° до +60° С приводит к нестабильности тока
покоя транзистора VT2, не превышающей 2% [86].
Индуктивность дросселя L2 определяется из условия слабого
шунтирования нагрузки коллекторной цепью транзистора VT2 на
частоте сигнала ωнL2 ≥ 10Rн, где ωн – нижняя граничная частота
полосы пропускания усилителя. Конденсаторы С2 и С4 емкостью
0,1...1 мкФ служат для разрыва петли ОС на ВЧ, где ОС начинает
носить комплексный характер и возможно самовозбуждение.
На рис. 14.7 приведена схема оконечных каскадов четырехкаскад-
ного УМ-диапазона 10...1050 МГц с неравномерностью АЧХ ±1,5 дБ
и коэффициентом усиления 41 дБ [86]. Максимальный уровень вы-
ходной мощности равен 1,3...1,8 Вт. Сопротивление нагрузки УМ и
источника или равны Rн = Rг = 50 Ом; потребляемый ток 640 мА.
Во всех каскадах усилителя использованы реактивные межкас-
кадные КСЦ третьего порядка, где в качестве одного из элементов
корректирующей цепи использована индуктивная составляющая
входного сопротивления транзистора. Все каскады усиления вклю-
чены по схеме с ОЭ и работают в режиме класса А с фиксированной
рабочей точкой. Токи покоя транзисторов VT1 и VT2 соответствен-
но равны 0,2 и 0,3 А. Стабилизация тока покоя всех транзисторов
достигается благодаря применению схемы активной коллекторной
стабилизации в каждом каскаде, подобно той, что использована в
усилителе на ПТШ (рис. 14.5). Ток покоя транзистора VT2 стаби-
лизирует транзистор VT4. На базу транзистора VT4 подается фикси-
Eп
Рис. 14.7. Сверхширокополосный усилитель на БТ

рованное напряжение смещения от базового делителя на резисторах
R6 и R7. Напряжение база-эмиттер отрытого кремниевого БТ КТ361
равно 0,7 В. Поэтому при увеличении коллекторного тока транзис-
тора VT2 и увеличении, вследствие этого, напряжения на резисторе
R8, уменьшается напряжение между базой и эмиттером транзисто-
ра VT4. Это ведет к уменьшению его коллекторного тока, который
является базовым током транзистора VT2, что, в свою очередь, пре-
пятствует увеличению коллекторного тока транзистора VT2. В слу-
чае уменьшения коллекторного тока транзистора VT2 напряжение
на резисторе R8 уменьшается, а транзистор VT4 открывается, уве-
личивая базовый ток транзистора VT2.
На выходе усилителя включены элементы L3 и C10, образующие
совместно с выходной емкостью транзистора VT2 фильтр нижних
частот. В усилителе использованы БТ типа КТ939А.
Основные параметры транзистора КТ939А [78]:
fт = 2500 МГц – граничная частота коэффициента передачи тока
транзистора для схемы с ОЭ;
Ск ≤ 5,5 пФ – емкость коллекторного перехода;
τк ≤ 9 пс – постоянная времени цепи ОС;
Iк maх = 400 мА – допустимый постоянный ток коллектора;
Pк max = 4 Вт – максимально допустимая постоянная мощность,
рассеивания коллектором.
На рис. 14.8 приведена схема однокаскадного усилителя с цент-
ральной частотой полосы пропускания, равной 1 ГГц, при относи-
+12 В Еп
Рис. 14.8. Полосовой усилитель на БТ
тельной полосе пропускания fв/fн= 1,1 [86]. Сопротивления нагруз-

ки УМ и источника сигнала равны Rн = Rг = 50 Ом. Коэффициент
усиления каскада по напряжению на частоте 1 ГГц равен 3,71.
Входная КСЦ третьего порядка образована элементами С2, С3,
L1 и входной индуктивностью транзистора Lвх = 0,75 нГн. Входное
сопротивление транзистора VT2 равно Rвх = 1,2 Ом [86]. На выходе
УМ включены элементы L3 и С6, образующие совместно с выходной
емкостью транзистора VT2 фильтр нижних частот. Схема активной
коллекторной стабилизации, выполненная на транзисторе VT1, ана-
логична схеме стабилизации, использованной в широкополосном
УМ (рис. 14.7)
На рис. 14.9 приведена упрощенная схема мощного двухкаскад-
ного полосового усилителя диапазона 430...440 МГц [86]. Подобные
усилители используются в радиолокации, системах подвижной, ста-
ционарной и любительской радиосвязи. Сопротивления нагрузки
УМ и источника сигнала равны Rн = Rг = 75 Ом. Выходная мощность
усилителя не менее 30 Вт; коэффициент усиления 14 ±1 дБ.
На входе усилителя включен делитель напряжения на резисторах
R1 и R2, обеспечивающий согласование входа усилителя с сопротив-
лением генератора. Стабилизатор напряжения базового смещения
используется для стабилизации угла отсечки транзисторов VT1 и
VT2 при изменении уровня входного сигнала и температуры тран-
зисторов, а также в качестве элемента управления коэффициентом
Eп
Рис. 14.9. Мощный полосовой усилитель на БТ
усиления усилителя. В УМ использованы полосовые межкаскадные

КСЦ третьего порядка, образованные элементами C1, C2, C6, C7 и
входными индуктивностями LВХ транзисторов VT1 и VT2. На выходе
транзистора VT2 включен трансформатор импедансов с коэффици-
ентом трансформации 1:25, выполненной в виде ФНЧ четвертого
порядка и состоящий из элементов L5, L6, C8, C9.
Для подавления высших гармонических составляющих в спектре
выходного сигнала на выходе УМ установлен Чебышевский фильтр
нижних частот четвертого порядка, состоящий из элементов L7, L8,
C11, C12.
Повышение КПД транзисторных генераторов СВЧ

Транзисторные генераторы СВЧ могут работать в ключевом режиме
[72, 73, 90, 92]. Главное достоинство ключевого режима – высокий
КПД выходной цепи АЭ, малая зависимость мощности и КПД от
амплитуды входного напряжения или тока АЭ, а также от разброса
параметров АЭ и их температурной нестабильности [31, 39, 48, 51,
58, 71–73, 90–92].
Ключевые генераторы разделяются на три класса: генераторы с
резистивной нагрузкой, генераторы с фильтровой (резонансной) на-
грузкой и генераторы с формирующим контуром. В ключевых гене-
раторах на БТ выходная емкость транзисторов вызывает значитель-

ные коммутативные потери на частотах более 20 МГц, а в полевых
МДП-транзисторах – выше 1...2 МГц. Поэтому на СВЧ используют
генераторы с формирующим контуром. В этих генераторах выход-
ная емкость транзистора входит в емкость формирующего контура
и поэтому не вызывает коммутативных потерь.
В сверхширокополосных УМ СВЧ-диапазона используют тран-
зисторы в режиме класса А с фиксированной рабочей точкой. Ис-
пользование в таких усилителях режимов с отсечкой выходного
тока с целью повышения их выходной мощности и КПД неприем-
лемо, так как в диапазоне частот выше [0,01...0,05]fт невозможно
осуществить глубокую общую или местную ООС для уменьшения
искажений сигнала. Для повышения среднего КПД таких УМ при
усилении сигналов различной амплитуды можно использовать ав-
томатическую регулировку режима транзисторов по постоянному
току. Повышение КПД достигается благодаря уменьшению потреб-
ляемой мощности в режиме усиления слабых сигналов. Методы ре-
ализации автоматической регулировки режима основаны на исполь-
зовании автоматической регулировки либо напряжения питания,
либо потребляемого тока. Более эффективной является регулировка
потребляемого тока [86].
Транзисторные автогенераторы СВЧ

Маломощные автогенераторы являются составной частью возбу-
дителей СВЧ-передатчиков, гетеродинов, свип-генераторов и т. п.
АГ на мощных СВЧ-транзисторах используют в передатчиках ма-
лой и средней мощности. Их частоту синхронизирует маломощный
стабильный по частоте сигнал.
Обычно СВЧ АГ строятся по трехточечным схемам, чаще – по
схеме емкостной трехточки. Особенностью АГ СВЧ является зна-
чительный сдвиг фазы φs между первыми гармониками выходного
тока и напряжения возбуждения. Этот фазовый сдвиг желательно
скомпенсировать, чтобы обеспечить работу АГ на наиболее крутом
участке фазовой характеристики его КС, т. е. вблизи ее резонансной
частоты.
Конструкции транзисторных генераторов СВЧ

Одна и та же электрическая схема на СВЧ может иметь несколь-
ко конструктивных вариантов исполнения. Использование сосре-
доточенных реактивных элементов обычно позволяет значительно

уплотнить монтаж схемы. Однако с увеличением рабочей частоты
возрастают потери в этих элементах и технологические трудности
их изготовления. Область использования сосредоточенных элемен-
тов в транзисторных генераторах СВЧ обычно ограничена частота-
ми 2…4 ГГц.
Транзисторы СВЧ имеют выводы электродов, предназначенные
для соединения с микрополосковыми линиями передачи. Поэтому
КС генераторов СВЧ могут выполняться из комбинаций сосредото-
ченных элементов (межэлектродных емкостей транзисторов и ми-
ниатюрных конденсаторов) и распределённых элементов (отрезков
микрополосковых линий).
Технология изготовления генераторов существенно зависит от
объёма производства. Единичные генераторы обычно выполняют-
ся по наиболее простой технологии – путем крепления элементов
схемы на печатных платах. В КСЦ, СТЦ и цепях фильтрации этих
генераторов применяются витые или плоскопечатные катушки ин-
дуктивности, а также индуктивности, образованные индуктивными
составляющими входных сопротивлений транзисторов или соедини-
тельными проводниками [86, 92]. В работе [86] описаны сверхши-
рокополосные (до 5600 МГц) и полосовые усилители мощностью
до 200 Вт. Например, усилитель диапазона 10…1050 МГц собран на
печатной плате из фольгированного с двух сторон стеклотекстоли-
та толщиной 1,5…2 мм. Основание усилителя выполнено из дюра-
люминия толщиной 10 мм. Выходная мощность усилителя равна
1,3…1,8 Вт, коэффициент усиления 41 дБ. Все транзисторы усили-
теля закреплены на основании с использованием теплопроводящей
пасты. В высокочастотном тракте усилителя использованы безын-
дуктивные конденсаторы типа К10-42, а в цепях фильтрации – типа
К10-17. Индуктивности реактивных межкаскадных СКЦ образова-
ны индуктивными составляющими входных сопротивлений тран-
зисторов. В качестве индуктивности выходного контура усилителя
использованы проволочные выводы разделительного конденсатора.
В работе [92] описаны макеты усилителей, работающих на частоте
910 МГц при выходной мощности 36 и 63 Вт с КПД 72%. В усили-
теле использован LDMOSFET-транзистор типа MRF184. Материал
подложки микрополосковых линий – Al2O3 – керамика с диэлект-
рической проницаемостью 9,8.
Серийные СВЧ-устройства в настоящее время выполняются пре-
имущественно по гибридно-плёночной технологии. Такие устройства
ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ДИОДАХ 347
сокращенно называют ГИС (гибридные интегральные схемы) [58, 73].

Первые мощные высокочастотные ГИС были созданы в 1990–1995 гг.
Основой конструкции ГИС является металлизированная диэлект-
рическая подложка с ε ≈ 10. В качестве подложек используются по-
ликор, ситалл, оксибериллиевая керамика (BeO), ФЛАН и др. По-
лоски, нанесенные на верхнюю поверхность подложки, совместно с
нижней металлизацией образуют отрезки микрополосковых линий.
В ГИС используется специальная элементная база, совместимая с
полосковой технологией. Навесные элементы: транзисторы, резисто-
ры и др. отличаются малыми габаритами и отсутствием проволочных
выводов. Использование в ГИС МОП-конденсаторов позволяет со-
кратить до долей миллиметра расстояние от транзисторной струк-
туры до ближайшего элемента СТЦ. Примером узла ГИС является
транзистор со встроенными в корпус СТЦ [37].
В настоящее время отечественные и зарубежные производители
выпускают обширную номенклатуру малогабаритных мощных (до
180 Вт) высокочастотных (от 40 до 1800 МГц) монолитных кремни-
евых усилительных модулей (далее – просто модулей) [73, 95]. Мо-
дули выполнены по гибридной технологии на основе КМОП-тран-
зисторов и представляют собой двух- или пятикаскадные усилители.
Благодаря применению в модулях полевых MOSFET-транзисторов
возможно снижение напряжения питания до 6…9 В. Содержащи-
еся в модулях оптимизированные цепи согласования по входу и
выходу обеспечивают высокий КПД, низкий уровень гармоник и
шума, устойчивость к самовозбуждению, стабильность и повторяе-
мость параметров изделия. В мощных модулях для мобильной РЭА
применен улучшенный теплоотвод, выполненный на основе окиси
бериллия (BeO). Параметры модулей непрерывно улучшаются. На-
пример, эффективность модулей возросла от 35…40% (в 1995–97 гг.)
до 45…50% (в 1998–1999 гг.).
14.3. Генераторы СВЧ на диодах

Бурное развитие физики полупроводников и совершенствование
технологических процессов микроэлектроники привели в конце 50-х
начале 60-х гг. к созданию нескольких классов активных приборов
СВЧ-диапазона, объединяемых общим названием – генераторные
диоды. Были созданы генераторы СВЧ-колебаний на туннельных
диодах (ГТД), лавинно-пролетных диодах (ГЛПД) и диодах Ганна
(ГДГ). В настоящее время источники колебаний малой мощности
миллиметрового и коротковолновой части сантиметрового диапазона

(от 10 до 100 ГГц и выше) в основном выполняются на ЛПД и ДГ.
На частотах ниже 10 ГГц диодные генераторы (ДГ) практически
вытеснены генераторами на БТ, а в диапазоне 10…40 ГГц с ДГ кон-
курируют устройства на ПТ. Малошумящие возбудители выполня-
ются на ДГ или БТ, имеющих малый уровень фазовых шумов вблизи
несущей.
Генераторы на туннельных диодах

Туннельные диоды (ТД) являются одними из первых полупровод-
никовых приборов, обладающих универсальными свойствами. С на-
чала их создания японским физиком Лео Есаки (Эсаки) в 1958 г.
ТД длительное время занимали важное место среди полупровод-
никовых СВЧ-приборов. На их основе было воздано много типов
малошумящих усилителей и маломощных генераторов в диапазоне
частот до 40 ГГц. Однако с появлением и развитием СВЧ-транзис-
торов, ЛПД и ДГ спрос на ТД стал резко сокращаться. Это связано
с тем, что по значению минимального достижимого коэффициента
шума они стали уступать усилителям на БТ и ПТ, а по минимальной
выходной мощности – ЛПД и ДГ.
ТД – двухполюсный прибор с отрицательным сопротивлением
на прямой ветви ВАХ (рис. 9.2, а, 9.26 и 14.10), обусловленным
туннельным прохождением электронов через тонкий p-n-переход.
В элементарной трактовке понятие «туннельный эффект» означает
способность электрона проходить (туннелировать) сквозь потенци-
альный барьер в переходе и появляться с другой его стороны без
потери энергии. Туннельный эффект – явление, имеющее квантовую
природу и не имеющее аналога в классической механике.
Iпр max i, CП
IП CП
Lк r
П
RД
u CП u
i Cк
IB u
0 UП UB Uпр max
а б
Рис. 14.10. Туннельный диод: а – вольт-амперная и вольт-фарадная
характеристики; б – эквивалентная схема
Поскольку работа ТД не связана с движением неосновных носи-

телей заряда, такой параметр как время жизни неосновных носите-
лей заряда, а также температурная зависимость их концентрации
для ТД не имеет большого значения. Это определяет сравнительно
слабую зависимость основных параметров ТД от температуры (ТД
могут работать при температуре до 250…450 °С) и ядерного облуче-
ния (радиационная стойкость ТД на несколько порядков выше, чем
у транзисторов, и составляет 1017 нейтр./см2). Средний срок служ-
бы ТД значительно превышает десятки тысяч часов, однако при
значительном токе на второй восходящей ветви ТД происходит их
деградация. Деградация в основном характеризуется уменьшением
пикового тока ТД.
Основными параметрами ТД являются (рис. 14.10):
Iп и Uп – пиковый ток и напряжение пика;
Iв и Uв – ток впадины и напряжение впадины;
Iп/Iв – отношение пикового тока к току впадины;
Rд = du/di = 1/Gд – дифференциальное отрицательное сопротив-
ление диода, определяемое на падающем участке его ВАХ. Для
генераторных ТД из GaAs можно считать |Rд |min = 0,2/Iп;
Rд ср = (Uв – Uп)/(Iп – Iв) – среднее значение отрицательного со-
противления всего падающего участка ВАХ. Для генераторных
ТД из GaAs можно считать Rд ср = 2,5|Rд |min = 0,5/Iп;
Cп – емкость перехода;
Cк – емкость корпуса. При анализе схем Cк обычно включают в
число внешних элементов, подсоединяемых к выводам ТД;
Cд = Cп + Cк – общая (полная) емкость ТД;
rп – сопротивление потерь (объема полупроводника, контактов
и выводов). Большинство ТД имеют rп = (0,05…0,2)Rд ср. На
частотах, превышающих 3…4 ГГц величина сопротивления rп
заметно возрастает из-за влияния поверхностного эффекта;
Lк – индуктивность корпуса;
f ɝɪ Rɞ rɩ 1 (2Sɋɩ Rɞ ) – граничная (предельная резистив-
ная) частота ТД. На этой частоте активная составляющая пол-
ного сопротивления ТД на его выводах равна нулю;
f р = Rд2 С п Lк − 1 (2πС п Rд ) – резонансная частота ТД. На
этой частоте реактивная составляющая импеданса ТД равна
нулю.
В табл. 14.2 приведены параметры некоторых генераторных ТД

из GaAs. Для этих диодов справедливы равенства: Uп = 0,2…0,3 В,
Uв = 0,55…0,6 В, Iп/Iв = 10, Cк = 0,6 пФ [23 ,34, 61].
Таблица 14.2. Параметры генераторных туннельных диодов
Тип fгр, Iп, rп, Cд, Lк,
диода ГГц мА Ом пФ нГн
ЗИ201Б 4,0 10 1,8 2,5…6 1,3
ЗИ201Д 6,7 20 1,3 3…7 1,3
ЗИ201И 5,4 50 0,8 6,5…15 1,3
ЗИ201Л 3,7 100 0,5 10…40 1,3
ЗИ202Б 10,0 10 2,1 1,5..3 0,5
ЗИ202Д 12,2 20 1,6 2…4 0,5
ЗИ202И 8,0 30 1,2 4…8 0,5
ЗИ202К 8,2 50 0,9 6…10 0,5
Наиболее распространенными являются ТД из германия (Ge)

и арсенида галлия (GaAs). Для генерирования колебаний обычно
используются арсенид-галлиевые ТД с пиковыми токами от 2 до
50 мА, так как ТД из GaAs позволяют при одном и том же пиковом
токе получить вдвое большую мощность; работают в более широком
интервале температур и на более высоких частотах.
Значения Uп и Uв ТД определяются почти исключительно типом
исходного материала, а величины Iп и Iв, rп и Cп– как использо-
ванным материалом, так и степенью легирования p- и n-областей и
площадью перехода.
На рис. 14.10, а приведены вольт-амперная и вольт-фарадная ха-
рактеристики ТД. При изменении u от 0 до Uв емкость изменяется
на 15%. Это изменение емкости мало влияет на энергетические па-
раметры генераторов, но может влиять на стабильность частоты.
Отрицательное сопротивление ТД сохраняется во всем диапазо-
не частот, начиная от постоянного тока до граничной частоты. Это
свойство ТД обеспечивает возможность создания весьма широкопо-
лосных усилителей и диапазонных АГ, но вместе создает значитель-
ные трудности в подавлении паразитных колебаний.
ТД применяются в режиме гармонических колебаний или пере-
ключения. К устройствам на ТД, работающих при гармонических
сигналах, относятся: генераторы, сверхрегенеративные усилители и
детекторы, резонансные и широкополосные усилители, умножители
и делители частоты, частотные детекторы и др.
На рис. 14.11 приведены схема и конструкция автодинного допле-

ровского локатора на ТД. В автодинах регистрируются и использу-
ются в качестве полезного сигнала изменения частоты, амплитуды
автоколебаний или тока в цепи питания АГ, происходящие под вли-
янием внешнего воздействия.
В автодинных радиолокаторах внешним воздействием является
электромагнитная энергия, отраженная от движущегося объекта и
воспринимаемая приемопередающей антенной локатора. В автодине
по схеме рис. 14.11 регистрируется напряжение доплеровской часто-
ты uд, вызванное изменением тока в цепи питания ТД. КС автоге-
нератора образована короткозамкнутым отрезком несимметричной
полосковой линии. Конденсатор C1 – блокировочный по высокой
частоте. Автодины на различных АЭ широко используются в систе-
мах ближней радиолокации, в устройствах охранной сигнализации,
для измерения скорости, вибраций, параметров материалов, подры-
ва боевого заряда и т. п.
u Д
С1
С1
К антенне
l
R2
l d
R1 b
EП
а б
Рис. 14.11. Доплеровский радиолокатор на туннельном диоде:
а – принципиальная схема; б – конструкция
Эквивалентные схемы ГТД показаны на рис. 14.12, где X – вне-

шняя реактивность. На частотах, меньших резонансной частоты ТД,
(типичный случай), эта реактивность имеет индуктивный харак-
тер, а на частотах, больших резонансной частоты ТД, – емкостной;
r – суммарное сопротивление потребителя энергии (нагрузки) и по-
терь в КС, пересчитанное к точкам подключения ТД.
При расчете электронного режима АГ на ТД из арсени-
да галлия на максимальную колебательную мощность, равную
P1 max = 0,77Iп [мА, мВт], можно использовать следующие соотноше-
ния:
rП LК r rП LК r
ТД RД RД
СП С К X СП X
а б
Рис. 14.12. Эквивалентная схема генератора на туннельном диоде:
а – полная; б – упрощенная
• сопротивление нагруженной КС относительно точек подклю-

чения ТД равно
Rн = 1/Iп [мА, кОм];
• напряжение смещения на ТД равно
Uп = 0,35…0,45 В;
• постоянная составляющая тока диода равна
I0 = 0,4Iп [мА].
Эффективное шумовое напряжение на контуре АГ, обусловлен-
ное дробовым шумом ТД, равно
U д р = 0,45 ⋅10 −11 2Δf 0, 7 I п [В, Гц, А]
или U д р = 14,2 2Δf 0, 7 I п [мкВ, МГц, мА].

Эффективное шумовое напряжение на контуре АГ, обусловлен-
ное тепловым шумом, равно
U т = 16 ⋅10 −11 2Δf 0,7 Rн
или U т = 0,16 2Δf 0, 7 Rн [мкВ, МГц, Ом].

Отношение максимальной колебательной мощности АГ к мощ-
ности его дробового шума Pдр равно
P1 max Pд р = (U1 U д р ) = 8,7 ⋅10
2 17
I 0 2Δf 0, 7 [А, Гц]
или P1 max Pд р = 8,7 ⋅108 I 0 2Δf 0, 7 [мА, МГц].
Частотная флуктуация автоколебания, обусловленная дробо-
вым шумом ТД, равна
3
Δf = 10 −9 (2Δf ) 2 I [Гц, А].
эф 0, 7 п
Дальность действия автодинного доплеровского локатора на ТД

(рис. 14.11), определяемая из условия равенства напряжения допле-
ровской частоты и напряжения, обусловленного дробовым шумом

ТД, равна
Rmax = S А ηк ηф S 0 f Qн I п [м, м2, А, Гц],
где SА – эффективная площадь приемо-передающей антенны;
ηк и ηф – КПД колебательной системы АГ и фидерного тракта;
S0 – эффективная отражающая поверхность объекта;
f – частота автоколебаний;
Qп – добротность нагруженной КС автогенератора;
Iп – пиковый ток ТД.
Генераторы на лавинно-пролетных диодах

Принцип действия ЛПД был сформулирован в 1958 г. американс-
ким физиком Ридом. Диод Рида удалось реализовать лишь в 1965 г.
Однако уже в 1959 г. научным коллективом во главе с А. С. Тагером
была получена генерация СВЧ-колебаний в схеме с обычным обрат-
носмещенным p-n-диодом. Тем самым был создан первый в мире ге-
нератор на ЛПД (ГЛПД). В настоящее время ЛПД – самые мощные
и самые высокочастотные генераторные диоды, обеспечивающие от
одного прибора в непрерывном режиме мощность примерно 15 Вт
при КПД 17…20 % на частоте 10 ГГц; 1 Вт при КПД 10% на частоте
60 ГГц; 0,1 Вт при КПД 3…4% на частоте 150 ГГц и 10…20 мВт на
частоте 300 ГГц [56, 58].
Работа ЛПД основана на явлениях лавинного пробоя обратносме-
щенного p-n-перехода и последующего дрейфа носителей тока в
полупроводнике. Практика показывает, что в качестве ЛПД может
работать любой p-n-переход хорошего качества, включая силовые
вентили. Свойства ЛПД и генераторов на ЛПД рассмотрены в ра-
ботах [36, 37, 39, 40, 45, 50, 52, 56, 58, 61, 69, 71, 72, 91, 103].
В настоящее время наиболее широко используются два режи-
ма работы ЛПД: пролетный (IMPATT) и режим с захваченной
плазмой (TRAPATT). Слова IMPATT и TRAPATT – сокращения,
образованные начальными буквами слов, отражающих названия
важнейших механизмов, предложенных для объяснения принци-
па действия ЛПД. IMPATT (сокращенно IM) – аббревиатура слов
IMPact Ionization Avalanche – ударная лавинная ионизация и Transit
Time – пролетное время, а TRAPATT (сокращенно TR) – TRApped
Plasma – захваченная плазма и Avalanche Triggered Transit – пробег
области лавинного умножения.
Результирующее различие между режимами IM и TR сводится

к возможности построения генераторов в разных диапазонах час-
тот. В пролетном режиме (IM) имеют место два явления: лавинная
ионизация (при пробое p-n-перехода), приводящая к генерации
носителей заряда и дрейфу последних через пролетную область за
некоторое время, необходимое для получения определенного сдвига
фаз между выходным током и напряжением на приборе. В режиме
IM ЛПД может работать в диапазоне до 100 ГГц и более и отдавать
мощность до 10…30 Вт при КПД 5…7%.
Высокоэффективный аномальный режим (TR) был открыт в
1967 г. Существование этого режима объясняется наличием в полу-
проводнике «захваченной» плазмы и периодическим перемещением
области лавинного пробоя вдоль пролетного участка. Внешне эта
аномальность проявляется в генерировании и усилении колебаний
с частотой fTR, в несколько раз меньшей, чем в пролетном режи-
ме fIM и в заметно больших значениях выходной мощности и КПД
(100…300 Вт и 10…30%). Схема генератора, обеспечивающая работу
ЛПД в режиме TR, имеет усложненную согласующую цепь с филь-
тром, который подавляет колебания с частотой fIM. При работе ЛПД
в режиме TR ток диода содержит мощную вторую гармонику и при
соответствующем построении схемы генератора можно получить
высокую мощность на частоте 2fTR. Однако вследствие высокого
уровня шумов ЛПД в режиме TR, этот режим используется редко.
Одной из разновидностей ЛПД являются BARITT-диоды, работа-
ющие в инжекционно-пролетном режиме. Слово BARITT – сокра-
щение, образованное начальными буквами слов BARrier Injection
Transit Time – барьерная инжекция, пролетное время. BARITT-дио-
ды имеют сравнительно малую выходную мощность и низкий КПД,
но в отличие от других ЛПД обладают малыми шумами, повышен-
ной линейностью фазовой характеристики и высокой надежностью
[34]. Поэтому они используются в маломощных и в малошумящих
усилителях приемных устройств СВЧ.
Вид статической ВАХ ЛПД приведен на рис. 14.13, а. При на-
пряжении на диоде, большем пробивного значения Uпрб, ток диода
резко возрастает. Напряжение питания Uр по модулю несколько
больше пробивного. На этом же рисунке изображена нагрузочная
характеристика диода по постоянному току. Динамическая ВАХ
ЛПД существенно отличается от статической (рис. 9.2). Рабочая
точка ГЛПД находится на падающем участке этой S-образной ха-
рактеристики.
Современные ЛПД изготавливают из кремния (первый элемент

обозначения типа диода К или 2), арсенида галлия (первый элемент
обозначения А или 3), фосфида индия и, в принципе, могут быть
получены на любом полупроводниковом материале.
Для анализа генераторов на ЛПД удобно использовать последо-
вательную эквивалентную схему, показанную на рис. 14.13, б. На
рис. 14.13, б обозначено:
Rд и Xд – активное и реактивное сопротивления полупроводни-
ковой структуры;
rп – сопротивление потерь диода;
Lк и Cк – индуктивность и емкость корпуса-патрона.
При анализе ГЛПД реактивные элементы корпуса-патрона Lк и Cк,
а также сопротивление потерь rп обычно относят к внешней цепи.
i r п Lк ЛПД
- -rд
Uр Uпрб u Rд Cк R
0
Рабочая Хд X
точка
Iр xд
а б в
Рис. 14.13. Лавинно-пролетный диод: а – вольт-амперная характеристика
диода; б – эквивалентная схема диода; в – схема ГЛПД
Основными параметрами ЛПД являются:

Pвых – минимальная выходная мощность в рабочем диапазоне час-
тот;
fн и fв – нижнее и верхнее значение рабочей частоты;
Uр и Uри – постоянное и импульсное рабочее напряжение;
Iр и Iри – постоянный и импульсный рабочий ток;
Cк, Cпер и Cд – емкость корпуса, емкость перехода и общая ем-
кость диода;
Lк – индуктивность корпуса.
Параметры некоторых ЛПД, предназначенных для непрерывно-
го и импульсного режима работы, приведены в табл. 14.3 [56, 61].
В таблице указаны минимальные значения выходной мощности
и типовые значения КПД. Емкость корпуса Cк этих диодов равна
0,17…0,7 пФ.
Таблица 14.3. Параметры лавинно-пролетных диодов
Тип диода Pвых,

f н, КПД, Uр, Iр, Cд, пФ
и его (Pвыхи),
fв, ГГц % (Uри), В (Iри), А (Lк), нГн
аналога Вт
2А709А 8,3 0,5 100 0,1 0,6
5
MS825B 9,0 – – – (0,3)
3А767Б 9,0 – – – 5,0
17
– 10,0 (25) (60) (1,5) (0,1)
3А745А 17,0 0,7 35 0,2 1,2
10
МА46041 21,0 – – – (0,1)
3А760Б-4 35,0 – – – 3,0
10
– 37,0 (5,4) (27) (1,9) (0,06)
3А765Г-4 54,0 – – – 8,0
7
– 58,0 (10) (30) (6) –
3А758В-4 62,0 0,4 32 0,15 1,5
6
– 66,0 – – – –
2А752Г-4 68,0 – – – –
5
471S4H-4111 79,0 (5) (20) (3) –
2А766А-4 88,0 – – – 1,5
2,5
– 92,0 (1,5) (20) (1,7) –
2А756В-4 95,0 0,06 15 0,15 –
5
ND8G96W 100,0 – – – –
Для питания ЛПД непрерывного режима обычно используют ис-

точники стабилизированного тока с Iр = 70…300 мА и высоким вы-
ходным дифференциальным сопротивлением. Рабочие напряжения
ЛПД составляют Uр = 50…100 В в сантиметровом и 15…20 В в мил-
лиметровом диапазонах. Минимальный ток, при котором возникает
генерация в ГЛПД, называют пусковым Iпуск. Обычно Iпуск = 0,8Iр.
Последовательная эквивалентная схема ГЛПД показана на
рис. 14.13, в, где физическая модель ЛПД представлена комплексным
сопротивлением –rд + j xд с отрицательной действительной частью, а R
и X – соответственно активная и реактивная составляющие полного
сопротивления внешней цепи. Сопротивление внешней цепи склады-
вается из сопротивления полезной нагрузки Rн, сопротивления по-
терь резонатора Rп и сопротивления потерь диода rп : R = Rн + Rп + rп.
Контурный КПД генератора равен ηк = 1 – (rп + Rп)/R. Величина ηк
зависит от конструкции внешней цепи, поэтому выходная мощность
генератора при использовании одного и того же диода может быть
различной. Обычно rп Rп, а полный КПД η = ηе ηк не превышает
10…20%.
Генераторы на диодах Ганна

В 1963 г. англичанин Дж. Ганн обнаружил явление спонтанного воз-
никновения колебаний электрического тока в однородных образцах
арсенида галлия и фосфида индия n-типа при напряженности элек-
трического поля, большей некоторого порогового значения. По име-
ни автора открытия это явление стали называть эффектом Ганна, а
созданные на его основе источники СВЧ-колебаний – генераторами
на диодах Ганна. Из физической сущности эффекта Ганна вытекают
другие варианты названия ДГ – Transferred-Electron Device (TED),
который переводится как прибор с переносом электронов (ППЭ);
диод с междолинным электронным переходом (МЭП-диод); диод с
междолинным переносом электронов (ДМП) и т. д. Свойства диодов
Ганна и генераторов на ДГ рассмотрены в работах [32, 34, 36, 37, 39,
40, 45, 50, 52, 56, 58, 61, 69, 71, 72, 91, 103].
В полупроводниках, проявляющих эффект Ганна, существует ин-
тервал значений напряженности электрического поля, в котором ток
убывает с ростом поля. В этом смысле говорят об отрицательной
дифференциальной проводимости (ОДП). Установленные ОДП пос-
ле включения внешнего поля в диодах из арсенида галлия занима-
ет около одной пикосекунды. Равномерное распределение поля в
области ОДП неустойчиво. За весьма малое время оно становится
неравномерным. При этом в рабочем слое ДГ возникают области с
повышенной напряженностью поля, называемые доменами сильного
поля или просто доменами.
Режимы работы ДГ в генераторной схеме различаются по типу
образующегося домена. Решающее влияние на тип домена оказы-
вает уровень высокочастотных колебаний на нагрузке u1 = U1const.
Один и тот же диод может работать в различных режимах, которые
последовательно переходят один в другой по мере изменения U1.
В зависимости от напряжения на диоде, а также параметров актив-
ного слоя, свойств нагрузки и температуры различают несколько
типовых режимов работы ДГ: доменный, гибридный, ограничения
накопления объемного заряда (ОНОЗ или LSA) и отрицательной
проводимости. В доменных режимах различают пролетный режим,
(открытый Ганном) и режимы задержки и гашения домена [56, 61].
Область малых U1 соответствует режиму отрицательной прово-
димости ДГ со статическим доменом. При U1 ≈ 0,6U0 существует
лишь нестационарный бегущий домен. Это – зона гибридных ре-
жимов, в которых обычно и работают диоды Ганна субмиллиметро-
вого диапазона. При предельной (мак- i

симальной) амплитуде колебаний в ДГ
обычно устанавливается режим ОНОЗ. Iпор
В этом режиме можно получить выход-
Iр
ную мощность до 0,3…0,5 Вт при КПД
2…5%. При импульсной работе ДГ мощ-
ность и КПД могут быть существенно
выше (2…6 кВт и 5…15%) [72].
0 Uпор Uр Eп u
Вид ВАХ диода Ганна приведен на
рис. 14.14.
Рис. 14.14. ВАХ диода Ганна
При малом напряжении u на диоде
домена нет и ток линейно зависит от напряжения на диоде. При
пороговом напряжении Uпор ток диода достигает максимального зна-
чения. При uпор > Uпор возникает домен, в результате чего ток умень-
шается (участок отрицательного сопротивления). В непрерывном
режиме напряжение питания обычно равно Eп = (2…3)Uпор = (3…8)
В. Для питания диодов Ганна используют источники стабилизиро-
ванного напряжения.
Параметры некоторых ДГ приведены в табл. 14.4 [56, 61].
Таблица 14.4. Параметры диодов Ганна
Тип fн, Pвых, (Pвы- Uр, Iр, Cд, пФ
диода fв, ГГц хи), мВт (Uри), В (Iри), А (Lк), нГн
3,86 10 9…12 0,3 0,45
3А721А
5,96 – – – (0,25)
8,5 – – – 0,4
3А750Б
8,9 (10000) (35…55) (15) (0,3)
11,7 – – – 0,4
3А762Л
12,05 (25000) (60…100) (15) (0,3)
16,7 200 4…7 2 0,04
3А746И
18,0 – – – (0,07)
25,95 25 2,5…4,5 1,1 0,03
3А744Б
37,56 – – – (0,15)
47,0 100 3…4,5 1,2 0,5
3А763Д
50,0 – – – (0,35)
42 5 2,5…3,5 0,15 0,5
АА768Е
55 – – – (0,35)
110 5 2…5,5 0,7 0,1
3А747Б
120 – – – (0,15)
Эквивалентная схема ДГ в корпусе похожа на эквивалентную

схему ТД (рис. 14.10, б). Она включает отрицательную проводи-
мость кристалла, шунтированную емкостью Cп, сопротивление
rп = 0,2…2 Ом, учитывающее потери в базе диода, диэлектрике и
соединительном проводнике, и параметры корпуса: индуктивность
LК = 0,05…0,6 нГн, и емкость CК = 0,1…0,5 пФ.
Основными параметрами ДГ являются:
fн и fв – нижнее и верхнее значение рабочей частоты;
Pвых и Pвых и – минимальная непрерывная и импульсная выходная
мощность в рабочем диапазоне частот;
Uр и Uри – постоянное и импульсное рабочее напряжение;
Iр и Iри – постоянный и импульсный рабочий ток;
Iпор – пороговый ток – значение постоянного тока ДГ в точке пер-
вого максимума ВАХ, при котором значение дифференциаль-
ной активной проводимости равно нулю;
Uпор – пороговое напряжение – значение постоянного напряже-
ния, соответствующее пороговому току ДГ;
rг – сопротивление диода Ганна – активное сопротивление ДГ, из-
меряемое при токе, значительно меньшем порогового (обычно
10 мА);
Lк и Cк – емкость и индуктивность корпуса;
Pрас max – максимально допустимое значение непрерывной рассеи-
ваемой мощности.
Конструкции и эквивалентные схемы

диодных генераторов
Конструктивное выполнение диодных генераторов весьма разно-
образно. Однако обычно генераторы, работающие в дециметровом
и длинноволновой части сантиметрового диапазона, создаются в
гибридно-интегральном исполнении, а в коротковолновой части
сантиметрового и миллиметровом диапазонах – на тороидальных
коаксиальных и волноводных резонаторах.
Вид полосковой конструкции диодного генератора показан на
рис. 14.11, б. КС генератора образована короткозамкнутым отрез-
ком несимметричной полосковой линии с воздушным наполнением.
Длина линии равна l, а ширина – b.
Вид коаксиальной конструкции диодного генератора показан на
рис. 14.15, а. Диод 1 установлен между центральным проводником 2
коаксиальной линии и короткозамыкающей стенкой 3 резонатора,
являющейся и теплоотводом. К стенке 3, изолированной от внешнего

проводника 4 коаксиальной линии диэлектрической втулкой 5, под-
ведено напряжение питания Eп. Контактный короткозамыкающий
подвижный поршень 6 служит для изменения длины l резонатора.
Коаксиальные конструкции, как правило, можно перестраивать во
всей полосе рабочих частот диода. Вывод энергии осуществляется
посредством диска 7 электрода связи.
Расчет полосковых и коаксиальных конструкций проводится с
использованием теории длинных линий при условии распростра-
нения в них поперечных электромагнитных волн (волн типа ТЕМ).
Волны типа ТЕМ являются основными для полосковых, двухпро-
водных и коаксиальных линий.
Вид волноводной конструкции диодного генератора показан на
рис. 14.15, б. Диод 1 установлен на широкой стенке 6 прямоуголь-
ного волновода с помощью токопроводящего винта 4 и штырей 7 и 8.
Нагрузка подключается к выходному фланцу волновода. Для регу-
лировки связи с нагрузкой использована диафрагма 5. Перестройка
частоты производится путем изменения длины l резонатора. В ре-
зонаторе использован контактный короткозамыкающий поршень 3.
Для увеличения диапазона и линейности перестройки использован
волновод уменьшенной высоты. Благодаря использованию волно-
вода малого поперечного сечения или уменьшению размеров резо-
натора в месте включения диода уменьшается число паразитных
резонансов.
Расчет волноводной конструкции можно производить с исполь-
зованием теории длинных линий аналогично полосковой и коакси-
а б
Рис. 14.15. Конструкции диодных генераторов:
а – коаксиальная, б – волноводная
альным конструкциям, если обеспечить в волноводном резонаторе

только один рабочий тип колебаний H10n [45]. При этом волновод
представляется на эквивалентной схеме отрезком линии передачи с
волновым сопротивлением Z в = 120π b

μ ε sin 2 (πla a ) и длиной
a 1 − ( λ 2 a ) 2 ( εμ )
волны в линии λ л =
λ ,
εμ − ( λ 2 а ) 2
где a и b – ширина и высота волновода;
λ – рабочая длина волны в свободном пространстве;
lа – удаление штырей 4, 8 от узкой стенки волновода;
ε и μ – относительная диэлектрическая и магнитная проницае-
мость материала, заполняющего волновод.
В волноводных конструкциях обычно используют волноводы
уменьшенной высоты. В этом случае переход к стандартному вол-
новоду осуществляется через согласующий трансформатор, выпол-
ненный в виде ступенчатого или плавного перехода.
Эквивалентные схемы диодных АГ включают три основных зве-
на: кристалл диода, корпус диода и внешнюю цепь. В простейшем
случае внешнюю цепь можно представить одиночным колебатель-
ным контуром. Эквивалентная схема диода в корпусе (рис. 14.10, б
и рис. 14.13, б) включает собственно кристалл и параметры корпу-
са: индуктивность, емкость и сопротивление rп = 0,3…2 Ом, учиты-
вающее потери в кристалле диода, диэлектрике и соединительном
проводнике.
Физическая модель диодного генератора может быть представ-
лена либо последовательной, либо параллельной эквивалентной
схемой. Однако на практике для анализа генератора на ЛПД бо-
лее удобно использовать последовательную эквивалентную схему
(рис. 14.13, в), а для генераторов на ТД и диодах Ганна – парал-
лельную (рис. 14.12) [69]. Эквивалентные схемы, приведенные на
рис. 14.12 и 14.13, в являются упрощенными. Полные эквивалентные
схемы диодных генераторов всегда являются многорезонансными.
Появление дополнительных резонансных частот может происходить
за счет влияния реактивных параметров корпуса диода, свойств КС,
неточности согласования генератора с нагрузкой или реактивных
элементов в цепи питания генератора.
Управление колебаниями диодных генераторов

Основными видами модуляции, используемыми в диодных генера-
торах, являются частотная (ЧМ) и импульсная (ИМ). Амплитудная
модуляция используется редко.
АМ и ИМ диодных генераторов можно осуществить с помощью
добавляемого в высокочастотный тракт управляемого аттенюатора.
В генераторах на ЛПД можно осуществить АМ изменением тока
питания. В генераторах на ДГ это невозможно из-за неоднозначной
зависимости уровня колебаний от напряжения питания.
Выходную импульсную мощность генераторов на ДГ можно су-
щественно повысить, использовав для питания диодов импульсное
напряжение, в 3…3,5 раза выше напряжения в непрерывном режи-
ме при длительности импульса не более 50 нс и скважности более
1000. При этих условиях тепловая энергия, выделяющаяся в диоде в
течение импульса, успевает релаксировать за время между импуль-
сами. Минимальная наработка на отказ диодов в указанном режиме
не меньше, чем в непрерывном, а выходная импульсная мощность
возрастает более чем на порядок [56].
Частотную модуляцию диодных АГ можно осуществить с помо-
щью варикапов или управляемых магнитным полем гиромагнитных
резонаторов на основе железоиттриевого граната (ЖИГ-сфера).
Можно также получить небольшую девиацию частоты, модулируя
питание диода.
Механическая перестройка частоты диодных генераторов в не-
больших пределах (1…2%) осуществляется введением в полость
резонатора металлических или диэлектрических штырей. Гораздо
большую перестройку частоты можно получить при изменении
длины резонатора. Диапазон механической перестройки частоты
зависит от типа диода, конструкции генератора и средней частоты.
Коаксиальные конструкции, как правило, можно перестраивать во
всей полосе рабочих частот диода. В волноводных конструкциях на
сантиметровых волнах отношение крайних частот генерации обычно
составляет 1,4...1,5. В миллиметровом диапазоне усиливается влия-
ние параметров корпуса диода и ЦС. В результате диапазон механи-
ческой перестройки частот обычно не превышает 10...20%.
Стабилизация частоты диодных автогенераторов

Воздействие дестабилизирующих факторов на параметры диода и
КС приводит к изменению одного или нескольких фазовых углов,
входящих в уравнение баланса фаз, что сопровождается изменени-

ем частоты генерируемых колебаний.
Долговременная нестабильность частоты автоколебательной зави-
сит от свойств диода и его КС, изменения режима питания, темпе-
ратуры и других факторов.
Кратковременная нестабильность, характеризуемая уровнем час-
тотных (фазовых) шумов, зависит от шумовых свойств диода и доб-
ротности его КС. Нагруженную добротность резонатора АГ можно
повысить с помощью комбинации трех способов: путем увеличения
добротности резонатора, в который помещен диод; подключения
дополнительного высокодобротного резонатора и ослабления связи
с нагрузкой. В ГТД на частотах до нескольких десятков мегагерц
используют кварцевые резонаторы. На более высоких частотах в АГ
используют цилиндрические резонаторы, обеспечивающие добро-
тность Q0 = 7…10 тыс., и диэлектрические резонаторы. Наибольшую
добротность среди неохлаждаемых резонаторов обеспечивают дис-
ковые диэлектрические резонаторы из лейкосапфирита (на 10 ГГц
их добротность равна Q0 = 200 тыс.) [58].
Способы повышения КПД диодных генераторов

Проблема повышения КПД приборов СВЧ является одной из
центральных в современной электронике. Повысить полный КПД
генератора η = ηе ηк можно путем увеличения его контурного
ηк = Pп/P1 = 1 – Pпот/P1 = 1 – Qн/Q0 = 1 – Rн/R0 и электронного ηк = P1/P0
КПД. Величина контурного КПД ηк = 0,3…0,9 зависит от диапазона
частот, потерь в диоде и качества выполнения КС генератора. Об-
щий метод повышения электронного КПД диодных генераторов –
использование высших гармоник (такие режимы принято называть
полигармоническими или релаксационными). Оценки показывают,
что при оптимальных структурах диодов, обеспечивающих соответс-
твующую форму высокочастотных токов и напряжений, и исполь-
зовании перспективных полупроводниковых материалов КПД ЛПД
может составлять более 80%, а ДГ – более 40% [45, 58].
Диодные усилители мощности

Наличие у диодов отрицательного динамического сопротивления в
некотором диапазоне частот позволяет использовать их для созда-
ния не только АГ, но и усилителей. В режиме усиления мощность,
выделяемая генераторным диодом, частично компенсирует потери
внешней цепи, так что в сопротивлении нагрузки происходит уси-

ление мощности, подводимой к диоду от источника сигнала, за счет
мощности, выделяемой генераторным диодом.
В зависимости от способа включения входного сигнала и на-
грузки различают проходные и отражательные диодные усилители.
Наибольшее практическое применение получили отражательные
усилители, так как они обладают рядом существенных преимуществ
по сравнению с проходными. В УМ и отражающего, и проходного
типов используется эффект регенеративного усиления недовозбуж-
денного АГ.
Коэффициент усиления диодных усилителей в малосигнальном
режиме составляет обычно 10..20 дБ при полосе от 0,5 до 40%. По
мере увеличения уровня подводимого сигнала Kр снижается до
3…8 дБ, а ЧХ становится более широкой и прямоугольной. Макси-
мальная выходная мощность усилителя соответствует паспортным
данным в генераторном режиме. Полоса пропускания отражатель-
ного УМ при Kр 1 равна [69]
Δf = 2 f (Q К ) ,
0 д р
где Qд = Х д rд – добротность диода (рис. 14.13, в).

В радиосистемах с УМ в качестве усилительных каскадов исполь-
зуют диодные АГ в режиме синхронизации внешним сигналом [45,
52, 58]. Величину коэффициента усиления синхронизированного АГ
можно оценить по формуле [7, 28, 45, 52, 84]
[
К р = f 0 ( П Qв н ) ],
2
где П = 2 Fmax (1 + M + M ) – полоса частот, занимаемая сигналом,

(эффективная ширина спектра ЧМ-сигнала);
Qв н = Qн ηк – внешняя добротность КС.
Общие задачи и вопросы по ламповым генераторам
14.1. Какие волны относят к диапазону СВЧ?
14.2. В каких диапазонах волн используют ламповые генераторы?
14.3. Укажите области применения электронных ламп СВЧ: а) трио-
дов; б) тетродов.
14.4. Сравните свойства триодов и тетродов СВЧ с другими гене-

раторами СВЧ-диапазона.
14.5. Почему одна и та же лампа в импульсном режиме способна
работать на более высоких частотах?
14.6. Каковы особенности тетродных генераторов СВЧ?
14.7. Почему тетродные генераторы СВЧ имеют более высокий
КПД, чем триодные?
14.8. Какие факторы определяют максимальную рабочую частоту лам-
повых генераторов? Каковы пути повышения рабочей частоты?
14.9. Каково условие получения: а) высокого электронного КПД;
б) малого рассеяния мощности на аноде лампы?
14.10. Почему современные ламповые генераторы обычно исполь-
зуют в диапазоне длин волн λ ≥ λmin?
14.11. Какие факторы влияют на стабильность частоты ламповых
автогенераторов?
14.12. Почему при укорочении длины волны снижается стабиль-
ность частоты ламповых АГ?
14.13. Почему при переходе из непрерывного режима работы лам-
пового генератора в импульсный можно получить: а) меньшую
величину сопротивления нагрузки в граничном режиме работы
лампы; б) больший электронный и контурный КПД?
14.14. Почему при работе ламп в импульсном режиме обычно ис-
пользуют анодную импульсную модуляцию?
14.15. Постройте качественную зависимость: а) выходной мощнос-
ти; б) коэффициента усиления; в) электронного КПД лампово-
го генератора от частоты.
Время пролета электронов в лампах
14.16. По каким причинам снижаются мощность и КПД триодного
генератора при укорочении длины волны?
14.17. Какое время пролета электронов между электродами лампы
считается большим? Как влияет время пролета электронов на
работу триодных и тетродных генераторов? Как можно умень-
шить время пролета электронов внутри лампы?
14.18. Как определить ток, текущий во внешней цепи генераторной
лампы, при большом времени пролета электронов?
14.19. Заряд q = 2 пКл пролетел плоскость сетки в момент време-
ни t1 и, двигаясь с постоянной скоростью, достиг анода через
интервал ∆t = 0,2 нс. Постройте импульс наведенного анодного
тока, полагая проницаемость сетки, равной нулю.
14.20. Определите время пролета электронов от катода до сетки при

нулевом напряжении смещения, если амплитуда напряжения
сетка-катод равна 100 В, а расстояние между сеткой и катодом
0,2 мм. При какой длине волны можно пренебречь влиянием
времени пролета электронов на работу этой лампы?
Параметры генераторных ламп СВЧ
14.21. При какой длине волны можно пренебречь влиянием времени
пролета электронов на работу: а) триода типа Д-2 (разработка
1936 г.), если Uc = 15 B, Uac min = 20 B; б) маячковой лампы типа
2С40 (разработка 1940 г.), если Uc = 3 B, Uac min = 4 B; в) совре-
менной титанокерамической лампы с частично встроенным
контуром типа 6С36К, если Uc = 4 В (табл. 14.1); г) мощного
импульсного триода, если Uc = 200 В, dск = 1,5 мм?
14.22. Определите граничную длину волны ламп задачи 14.21.
14.23. Оцените величину расстояния сетка–катод триода с оксид-
ным катодом типа: а) ГС-15Б в непрерывном режиме работы;
б) ГИ-39Б в импульсном режиме работы, если граничная длина
волны лампы равна 14 см.
14.24. Какие факторы определяют целесообразность применения
ламп в передатчиках СВЧ?
14.25. Какие требования предъявляют к конструкции генераторных
ламп СВЧ?
14.26. Какую максимальную выходную мощность позволяют полу-
чать ламповые генераторы СВЧ в: а) непрерывном; б) импуль-
сном режиме работы?
14.27. В каком диапазоне частот возможно использование радио-
ламп?
14.28. Возможно ли применение металлокерамических триодов и
тетродов СВЧ на более длинных волнах?
14.29. Какие факторы ограничивают: а) верхнюю; б) нижнюю час-
тоту применения ламповых генераторов?
14.30. Какие параметры генераторных ламп СВЧ благоприятствуют
их использованию в передатчиках?
Схемы и конструкции ламповых генераторов СВЧ
14.31. Какие ЦС используют в ламповых генераторах СВЧ?
14.32. Какие типы колебаний используют в резонаторах ламповых
генераторов СВЧ?
14.33. Определите длину короткозамкнутого отрезка линии с вол-
новым сопротивлением 40 Ом для создания на частоте 1,5 ГГц

индуктивности 5 нГн.
14.34. Определите тангенс угла потерь блокировочного конденсато-
ра емкостью 300 пФ, при котором мощность диэлектрических
потерь в нем не превысит 1,5 Вт. Амплитуда тока высокой час-
тоты, протекающего через блокировочный конденсатор, равна
120 А, частота 600 МГц.
14.35. Определите мощность потерь в блокировочном конденсато-
ре анодного контура генератора (рис. 14.1) на частоте 1,5 ГГц,
если емкость блокировочного конденсатора равна 720 пФ, а
тангенс угла потерь – 2·10-3. Амплитуда напряжения в пучнос-
ти анодного резонатора равна 15,6 кВ, волновое сопротивление
линии – 60 Ом.
14.36. В каком диапазоне частот могут быть использованы триоды
СВЧ: а) с внешними; б) с внутренними резонаторами?
14.37. Почему в большинстве случаев ламповые генераторы СВЧ
выполняют по двухконтурной схеме?
14.38. Сравните свойства односторонней и двухсторонней компо-
новки ламповых генераторов СВЧ (рис. 14.1 и 14.2).
14.39. Какое влияние на параметры генератора может оказать за-
земление: а) сетки; б) катода; в) анода лампового генератора с
коаксиальными резонаторами?
14.40. Из каких соображений производится выбор точки заземления
ламповых генераторов СВЧ (рис. 14.1 и 14.2)?
14.41. Сравните свойства однотактных и двухтактных генераторов.
14.42. Какие меры используют для стабилизации тока анода и
выходной мощности генератора при смене ламп, колебаниях
питающих напряжений и т. п.? Каковы их достоинства и не-
достатки?
14.43. Основная резонансная частота анодно-сеточного контура
(рис. 14.1) совпадает с частотой первой гармоники анодного
тока. Какая из гармоник тока представляет наибольшую опас-
ность с точки зрения выделения высших гармоник? При каком
угле отсечки анодного тока мощность высших гармоник будет
наименьшей?
14.44. Поясните особенности и назначение элементов усилителя
мощности СВЧ, изображенного на рис. 14.1.
14.45. Изобразите конструкцию двухконтурного однотактного три-
одного генератора с общей сеткой для случая плоских элект-
родов. Коаксиальные резонаторы расположены по обе стороны
от плоскости сетки. Сетка соединена с корпусом. Изобразите

эквивалентную схему генератора. Покажите распределение
амплитуды тока и напряжения вдоль резонаторов для случая
работы на первом обертоне. Изобразите схему питания генера-
тора при использовании автоматического смещения.
14.46. Изобразите конструкцию двухконтурного однотактного три-
одного генератора с общей сеткой для случая плоских электро-
дов. Коаксиальные резонаторы расположены с одной стороны
от плоскости сетки. Изобразите эквивалентную схему генера-
тора. Покажите распределение амплитуды тока и напряжения
вдоль резонаторов. Изобразите компенсационную схему пита-
ния генератора.
14.47. Изобразите конструкцию двухтактного двухконтурного три-
одного генератора с общей сеткой. Использованы двухпровод-
ные резонаторы. Изобразите эквивалентную схему генератора.
Покажите распределение амплитуды тока и напряжения вдоль
резонаторов для случая работы на основном типе колебаний.
Изобразите схему питания генератора при использовании ав-
томатического смещения.
Параметры колебательных систем ламповых генераторов
14.48. Определите КПД колебательной системы генератора, если из
расчета известны амплитуда первой гармоники анодного тока 5 А,
амплитуда анодного напряжения 14 кВ, эквивалентное сопро-
тивление ненагруженной колебательной системы R0 = 12 кОм.
14.49. Определите длину короткозамкнутого отрезка линии с волно-
вым сопротивлением 50 Ом для создания на частоте 150 МГц:
а) индуктивности 0,1 мкГн; б) емкости 7 пФ.
14.50. Анодно-сеточный резонатор (рис. 13.9) лампового генератора
настроен на частоту 500 МГц. Определите величину емкости
анод-сетка лампы, если l = 12 см, d = 1,8 см, D = 5 см. Коакси-
альная линия имеет воздушное наполнение.
14.51. В коаксиальный резонатор длиной 15 см и волновым сопро-
тивлением 75 Ом вставляют лампу с емкостью С = 7 пФ. Как
нужно изменить длину линии, чтобы резонансная длина волны
основного типа колебаний не изменилась?
14.52. Как нужно изменить величину произведения СZв резонатора,
включенного в анодную цепь лампового генератора, для того,
чтобы получить большую расстройку обертонов контура отно-
сительно частот гармоник анодного тока?
14.53. Определите резонансное сопротивление КС относительно

точек анод-катод двухконтурного генератора с общей сеткой,
если сопротивление нагрузки, пересчитанное ко входу анодно-
сеточной линии, равно 10 кОм; активное сопротивление, учи-
тывающее потери в анодно-сеточной линии и пересчитанное к
ее входу, равно 40 кОм; активное сопротивление, учитывающее
потери в катодно-сеточной линии и пересчитанное к ее входу,
равно 300 Ом. Кроме того, известны амплитуды напряжений
Ua = 1000 В и Uc = 200 В.
14.54. Определите добротность резонатора, образованного коротко-
замкнутым отрезком коаксиальной линии и емкостью С гене-
раторной лампы (рис. 13.9), если λл = 80 см, d = 6 см, D = 12 см,
l = 16 см, переходное сопротивление контактов короткозамы-
кателя равно rктз = 0,04 Ом, а сопротивление контактов соеди-
нения лампы с линией равно rктл = 0,03 Ом. Потерями на токи
проводимости в дисках и стенках цилиндров можно пренеб-
речь.
14.55. Резонатор образован короткозамкнутым отрезком коаксиаль-
ной линии с воздушным наполнением и емкостью С генера-
торной лампы (рис. 13.9). Определите добротность резонатора,
мощность потерь в стенках цилиндров Pл, торцевом диске Рд,
переходном сопротивлении контактов короткозамыкателя Рктз и
в контактах соединения лампы с линией Рктл, если f0 = 300 МГц,
d = 7 см, D = 18 см, l = 19 см, переходное сопротивление корот-
козамыкателя равно rктз= 0,05 Ом, сопротивление контактов со-
единения лампы с линией rктл = 0,03 Ом, ток в пучности равен
10 А. Стенки резонатора медные.
14.56. Определите наименьшую длину волны, при которой в линии
предыдущей задачи не возникнут высшие типы волн.
Ламповые автогенераторы СВЧ
14.57. Почему величина анодного напряжения существенно влияет
на частоту триодного АГ только в диапазоне СВЧ?
14.58. Как изменяется: а) форма импульса тока, пересекающего
плоскость сетки; б) уровень высших гармоник тока; в) запаз-
дывание по фазе первой гармоники наведенного анодного тока
относительно переменного напряжения на сетке по мере укоро-
чения рабочей длины волны триодного генератора?
14.59. Поясните механизм влияния: а) токов высших гармоник;
б) инерции электронов на величину угла φs автогенератора.
14.60. Как изменится частота АГ при увеличении: а) интенсивности

высших гармоник выходного тока; б) анодного напряжения?
14.61. Как можно уменьшить влияние: а) токов высших гармоник;
б) инерции электронов на частоту автоколебаний?
14.62. Определите относительное отклонение частоты автоколеба-
ний от резонансной частоты КС, необходимое для компенсации
угла φs при φs π.
14.63. Определите сдвиг генерируемой частоты относительно ре-
зонансной частоты контура, равной f0 = 3500 МГц, если φk = 0,
φs = 9°, а добротность контура равна а) 70; б) 200; в) 500.
14.64. Определите: а) минимальную; б) граничную длину волны
триодного АГ, если расстояние сетка–катод лампы равно 1 мм,
Ea = 3 кВ, напряженность режима равна 0,85, а K = 0,1.
14.65. Мощный триодный автогенератор используется в линии свя-
зи с импульсно-временной модуляцией. Как можно уменьшить
дрожание фронта выходного импульса?
14.66. Поясните особенности и назначение элементов АГ, изобра-
женного на рис. 14.2.
14.67. Как изменяются мощность и частота двухконтурного АГ с
общей сеткой при изменении длины катодной линии?
14.68. Определите амплитуды напряжений между катодами и меж-
ду сетками триодного двухконтурного двухтактного АГ на
двухпроводных линиях. Линии подключены к сеткам и катодам
ламп. Анодное напряжение равно Ea = 10 кВ, K = 0,2, коэффици-
ент использования анодного напряжения равен 0,7.
14.69. Определите амплитуды напряжений между катодами и между
сетками триодного двухконтурного двухтактного АГ на двух-
проводных линиях. Линии подключены к сеткам и катодам
ламп. Анодное напряжение равно Ea = 12 кВ, коэффициент
использования анодного напряжения 0,75, D = 0,015, средняя
крутизна каждой лампы равна Sср= 3,5 мСм. Резонансное со-
противление КС относительно точек анод–катод каждой лам-
пы равно 1500 Ом.
14.70. В двухконтурном АГ с общей сеткой на лампе ГИ-14Б для
улучшения условия самовозбуждения применен зонд обратной
связи, увеличивающий величину ёмкости анод–катод. Опре-
делите ёмкость этого зонда, если длина волны в линии равна
λл = 0,8 м, длина короткозамкнутого отрезка катодной линии
равна 0,2 м, коэффициент обратной связи равен 0,2. Межэлек-
тродные ёмкости лампы: Сак = 0,12 пФ, Сск = 20 пФ.
14.71. В двухконтурном АГ с общей сеткой на лампе ГИ-70Б для

улучшения условия самовозбуждения применён зонд обратной
связи, увеличивающий величину ёмкости анод-катод. Опреде-
лите ёмкость этого зонда, если длина волны в линии равна
λл = 10 см, длина короткозамкнутого отрезка катодной линии
равна 7,5 см, коэффициент обратной связи равен 0,3. Ёмкости
лампы равны: Сак = 0,075 пФ, Сск = 11,1 пФ.
14.72. Определите коэффициент обратной связи двухконтурного
автогенератора с общей сеткой на лампе ГИ-6Б, если длина
волны в линии равна λл = 60 см, длина катодной линии равна
20 см, а её волновое сопротивление – 70 Ом. Межэлектродные
ёмкости лампы равны: Сск = 11,35 пФ, Сак = 0,25 пФ.
Общие вопросы по транзисторным генераторам СВЧ
14.73. Какова область применения СВЧ транзисторных УМ?
14.74. Какие факторы затрудняют полную транзисторизацию радио-
передатчиков?
14.75. Каковы преимущества транзисторов перед лампами при их
использовании в РПУ?
14.76. Каковы недостатки мощных транзисторных генераторов
СВЧ?
14.77. Какие факторы ограничивают диапазон рабочих частот мощ-
ных высокочастотных транзисторов?
14.78. Какие факторы ограничивают мощность современных БТ?
14.79. Каковы особенности полевых транзисторов с барьером Шот-
тки?
14.80. Сравните свойства биполярных и МДП-транзисторов.
14.81. Сравните свойства МДП-транзисторов и генераторных ламп.
14.82. Каковы: а) достоинства; б) недостатки генераторов СВЧ на
МДП-транзисторах по сравнению с генераторами на БТ?
14.83. Почему в справочных данных БТ не приводятся ( в отличие
от ламп и ПТ) значения крутизны проходных характеристик?
14.84. Почему не рекомендуется использование СВЧ-транзисторов
на более низких частотах?
14.85. Почему в ГГВ на БТ обычно реализуют небольшие коэффи-
циенты усиления (Кр < 25...30)?
14.86. Почему мощные генераторные БТ выпускаются только n-p-n
проводимости?
14.87. Какие факторы затрудняют изготовление комплиментарных
биполярных транзисторов ?
14.88. Каковы достоинства и недостатки транзисторов со встро-

енными внутри корпуса цепями связи (внутрисогласованных
транзисторов)?
14.89. Каковы особенности двухтактных генераторов на комплемен-
тарных транзисторах?
14.90. Каковы особенности балансных транзисторов (сборок тран-
зисторов)?
Схемы транзисторных усилителей СВЧ
14.91. Какие требования предъявляются ко входным и межкаскад-
ным КСЦ транзисторных УМ?
14.92. Какие требования предъявляются к выходным КСЦ транзис-
торных УМ?
14.93. Какие устройства используют в качестве выходных согласу-
ющих цепей: а) широкополосных; б) полосовых транзисторных
передатчиков малой и средней мощности?
14.94. Каковы свойства входных (межкаскадных) КСЦ: а) второго;
б) третьего порядка?
14.95. Поясите назначение входной и выходной КСЦ усили-
теля: а) на ПТШ (рис. 14.5); б) диапазона 10...1050 МГц
(рис. 14.7).
14.96. Определите область ВЧ-транзистора: а) КТ939А (fт =2500 МГц,
β0 = 100); б) КТ930А (fт = 600 МГц, β0= 40).
14.97. Определите ток покоя Iс0 и режим работы транзистора VT2
сверхширокополосного УМ (рис. 14.5).
14.98. Определите напряжение смещения Ез транзистора предыду-
щей задачи, а также амплитуду тока стока Ic, амплитуду напря-
жения на затворе Uз и амплитуду напряжения на стоке Uс.
14.99. Определите мощность, рассеиваемую стоком Ррас транзисто-
ра из задачи 14.97, и коэффициент усиления транзистора по
напряжению.
14.100. Определите нижнюю граничную частоту полосы пропуска-
ния УМ (рис. 14.5) из условия слабого шунтирования нагрузки
коллекторной цепью транзистора VT2, если Rн = 50 Ом.
14.101. Определите ток покоя транзистора: а) VT1; б) VT2 широко-
полосного УМ (рис. 14.7).
14.102. Каково назначение диода VD1 на рис. 14.7?
14.103. Определите ток покоя и режим работы транзистора VT2 по-
лосового УМ (рис. 14.8).
14.104. Сравните мощность, рассеиваемую коллектором транзисто-
ра предыдущей задачи, с допустимой мощностью.
14.105. Какова область использования полосовых УМ?

14.106. Изобразите схему широкополосного усилителя: а) на ПТШ;
б) на БТ.
14.107. Изобразите схему полосового УМ на БТ.
14.108. Почему в широкополосных УМ транзисторы работают в не-
донапряженном режиме и без отсечки выходного тока?
14.109. Почему выходные каскады мощных полосовых УМ работа-
ют с отсечкой коллекторного тока?
14.110. В каком случае используется а) система активной коллек-
торной стабилизации; б) стабилизация напряжения базового
смещения мощных транзисторов?
14.111. Изобразите схему активной коллекторной стабилизации ра-
бочей точки мощных транзисторов, работающих в классе А.
14.112. Поясните принцип работы схемы активной коллекторной
стабилизации: а) в УМ на ПТШ (рис.14.5); б) в УМ диапазона
10...1050 МГц (рис. 14.7).
14.113. Определите коэффициент усиления по мощности КР тран-
зистора КТ930А в схеме полосового УМ (рис. 14.9), если на
частоте 400 МГц при Ек= 28 В и колебательной мощности 40 Вт
коэффициент усиления по мощности равен 6. Контурный КПД
полосового УМ равен 0,85.
14.114. Определите колебательную мощность транзистора VT1 УМ
(рис. 14.9), если КПД межкаскадной ЦС равен 0,9.
Повышение КПД транзисторных генераторов
14.115. Как можно повысить энергетическую эффективность (КПД
и выходную мощность) транзисторных УМ?
14.116. Как можно повысить КПД транзистора в режиме класса А
при усилении сигналов различной амплитуды?
14.117. Каковы достоинства и недостатки ключевого режима работы
транзисторов?
14.118. Какова область использования генераторов в ключевом ре-
жиме работы?
14.119. Каковы особенности ключевых генераторов с резистивной
нагрузкой?
14.120. Каковы особенности ключевых генераторов с фильтровой
нагрузкой?
14.121. Каковы особенности ключевых генераторов с формирую-
щим контуром (генераторов класса Е)?
14.122. В каком диапазоне частот целесообразно использовать ре-
жим класса Е транзисторных УМ?
Транзисторные автогенераторы СВЧ

14.123. Какова область использования транзисторных АГ СВЧ?
14.124. Почему в высокостабильных АГ следует применять транзис-
торы с высокой граничной частотой (fт ≥ 20f )?
14.125. Определите максимальную частоту генерации транзистора:
а) КТ939А; б) КТ904А; в) КТ903 (прил. 2).
14.126. Определите добротность контура АГ, при которой сдвиг ге-
нерируемой частоты относительно резонансной частоты конту-
ра не превысит а) 10-3; б) 10-4; в) 10-5, если φк= 3°, φs = –9°.
14.127. Определите отклонение частоты АГ от резонансной частоты
КС, равной f0 = 800 МГц, если φк = 0, φs = –3°, а Q = 120.
14.128. Определите сдвиг генерируемой частоты относительно резо-
нансной частоты КС при Q = 250, φк = 10°, φs = –15°.
14.129. Определите зависимость частоты АГ от углов φs и φк при
φs + φк π.
14.130. Докажите, что у высокостабильных АГ частота автоколеба-
ний близка к резонансной частоте КС.
14.131. Почему при φs + φк′ = 0 получаются наибольшая стабиль-
ность частоты и выходная мощность АГ? Как получить высо-
кую стабильность частоты?
Конструкции транзисторных генераторов СВЧ
14.132. В каком случае конденсаторы и индуктивные катушки име-
ют свойства элементов с сосредоточенными постоянными?
14.133. Почему резонансная частота блокировочного конденсатора
(с учётом суммарной индуктивности его выводов и монтажа)
должна быть гораздо выше рабочей частоты?
14.134. Определите резонансную частоту и диапазон рабочих частот
керамического конденсатора с индуктивностью выводов 1 нГн
и емкостью: а) 5; б) 50; в) 500 пФ.
14.135. Определите резонансную частоту и диапазон рабочих частот
слюдяного конденсатора с индуктивностью выводов 9 нГн и
емкостью: а) 50; б) 500 пФ.
14.136. Почему в СВЧ-схемах транзисторных генераторов возмож-
но возникновение низкочастотной паразитной генерации? Как
можно ее предотвратить?
14.137. Почему для многих мощных СВЧ-транзисторов указывается
наименьшая резонансная частота, при которой обеспечивается
заданная мощность?
14.138. Какие факторы ограничивают область частот, в которой це-
лесообразно применять микрополосковые линии?
14.139. Определите входное сопротивление короткозамкнутого от-

резка линии длиной l при длине волны в линии равной: а) 4l;
б) 2l; в) l?
14.140. Какое входное сопротивление имеет разомкнутый отрезок ли-
нии длиной l при длине волны в линии, равной: а) 4l; б) 2l; в) l?
14.141. Какие подложки используются в интегральных схемах
сверхвысоких частот?
14.142. Обоснуйте требования к подложкам интегральных схем.
14.143. Какие параметры характеризуют транзисторные УМ?
14.144. Каковы достоинства монолитных СВЧ-модулей?
14.145. Каковы направления развития СВЧ-модулей?
14.146. Как может осуществляться проектирование РПУ с исполь-
зованием интегральных схем СВЧ?
14.147. Сравните параметры СВЧ транзисторных УМ (диапазон
рабочих частот, полоса пропускания, выходная мощность и
КПД), изготовленных по различным технологиям.
14.148. Из каких соображений производится выбор варианта конст-
руктивного выполнения СВЧ транзисторного генератора?
14.149. В каких случаях целесообразно изготавливать транзистор-
ные УМ по технологии: а) простейшей с использованием печат-
ных плат и навесных элементов; б) гибридно-пленочной?
14.150. Какие преимущества дает разработчикам применение моно-
литных ВЧ усилителей?
14.151. В каких областях возможно использование СВЧ транзис-
торных УМ, выполненных: а) по простейшей технологии с
использованием навесных элементов и печатных плат; б) по
гибридно-пленочной технологии?
14.152. Определите первые три резонансные частоты резонатора,
образованного разомкнутым отрезком полосковой линии дли-
ной 14 мм и выходной емкостью транзистора КТ3123А, равной
1,4 пФ (рис. 13.8). Волновое сопротивление линии равно 25 Ом.
Параметры подложки: а) ε = 9,6, μ = 1; б) ε = 2,5, μ = 1.
14.153. Определите первые три резонансные частоты резонатора,
образованного разомкнутым отрезком полосковой линии дли-
ной 15 мм и выходной емкостью ПТШ 3П910Б, равной 2 пФ
(рис. 13.8). Волновое сопротивление линии равно 50 Ом, под-
ложка – фторопласт-4 (прил. 12).
14.154. Определите первую, вторую и десятую резонансные часто-
ты резонатора, образованного разомкнутым отрезком полоско-
вой линии длиной 30 мм и выходной емкостью транзистора
КТ610А, равной 5 пФ (рис. 13.8). Волновое сопротивление

линии равно 25 Ом, подложка – кварц (прил. 12).
14.155. Определите первые три резонансные частоты резонатора, об-
разованного короткозамкнутым отрезком воздушной полоско-
вой линии длиной 17 см и емкостью C := 3 · 10-12 Ф (рис. 13,3).
Волновое сопротивление линии равно 85 Ом.
Общие вопросы по диодным генераторам
14.156. В каких диапазонах частот используются генераторы на ди-
одах и транзисторах?
14.157. В каких режимах могут работать генераторы на диодах?
14.158. Как можно получить режим умножения частоты ДГ?
14.159. Сравните свойства ТД, диодов Ганна и ЛПД.
14.160. Почему питание ТД и ДГ должно осуществляться от источ-
ника питания с малым внутренним сопротивлением (источни-
ка напряжения), а ЛПД – от источника питания с большим
внутренним сопротивлением (источника тока)?
14.161. Почему для возбуждения колебаний ТД и ДГ следует вклю-
чать в параллельный колебательный контур, а ЛПД – в после-
довательный?
Генераторы на туннельных диодах
14.162. Каковы: а) достоинства; б) недостатки ТД и ГТД?
14.163. Каковы особенности и область применения ГТД?
14.164. Какова область использования ТД в режиме: а) гармоничес-
ких колебаний; б) переключения?
14.165. Чем ограничена: а) нижняя; б) верхняя рабочая частота ге-
нератора на ТД?
14.166. Определите максимальную колебательную мощность и
электронный КПД автогенератора на ТД типа: а) ЗИ201Б;
б) ЗИ201Д; в) ЗИ201И при напряжении смещения на диоде
0,4 В (табл. 14.2).
14.167. Как можно предотвратить паразитную СВЧ-генерацию в
низкочастотном АГ на ТД?
14.168. Определите наибольшее значение граничной частоты ТД
типа: а) ЗИ202Б; б) ЗИ202Д (табл. 14.2). Сравните расчетное
значение с табличным и объясните полученный результат.
14.169. Определите резонансные частоты диодов предыдущей зада-
чи при средних значениях отрицательного сопротивления. Как
можно осуществить генерацию на частотах, больших резонанс-
ной частоты диода?
14.170. Получите формулу для расчета граничной частоты ТД.

14.171. Получите формулу для расчета резонансной частоты ТД.
14.172. Возможна ли работа ГТД на частотах выше: а) граничной;
б) резонансной?
14.173. АГ на ТД типа: а) ЗИ202Б; б) ЗИ202К (табл. 14.2) работает
в режиме максимальной колебательной мощности на частоте
2500 МГц. Добротность нагруженной КС автогенератора равна
10. Определите эффективное шумовое напряжение на контуре
АГ, обусловленное дробовым шумом ТД.
14.174. Определите эффективное шумовое напряжение на контуре
АГ задачи 14.173, обусловленное тепловым шумом.
14.175. Определите мощность дробового и теплового шума АГ за-
дачи 14.173.
14.176. Определите отношение максимальной колебательной мощ-
ности АГ задачи 14.173 к мощности его дробового шума.
14.177. Определите частотную флуктуацию автоколебания АГ за-
дачи 14.173, обусловленную дробовым шумом ТД. Объясните
полученный результат.
14.178. Определите отношение мощностей дробового и теплового
шума АГ на ТД из AsGa в режиме максимальной колебательной
мощности.
14.179. АГ на ТД типа ЗИ201Д (табл. 14.2) работает в режиме макси-
мальной колебательной мощности. Емкость C одноконтурной
КС автогенератора равна 8 пФ. Определите амплитуду выход-
ного напряжения АГ, а также эффективные значения напряже-
ний теплового и дробового шума на контуре АГ.
14.180. АГ на ТД из AsGa работает в режиме максимальной колеба-
тельной мощности. Определите отношение его колебательной
мощности к мощности дробового шума.
14.181. Определите максимальную дальность обнаружения челове-
ка (S0 = 0,5 м2) доплеровским локатором на ТД типа ЗИ202Б
(рис. 14.11), если SA = 0,01 м2, f = 4 ГГц, Qн = 10, ηк = 0,5, ηф = 0,8.
Генераторы на лавинно-пролетных диодах
14.182. Какова область использования генераторов на ЛПД?
14.183. Каков принцип действия ЛПД?
14.184. Сравните свойства IM и TR режимов работы ЛПД.
14.185. Каковы: а) преимущества; б) недостатки ГЛПД в пролетном
режиме работы?
14.186. Каковы: а) преимущества; б) недостатки ГЛПД в аномаль-
ном режиме работы?
14.187. Какие требования предъявляются к КС ГЛПД при работе

в режиме TR?
14.188. Каковы особенности BARITT-диодов?
14.189. Какие факторы ограничивают диапазон рабочих частот
ГЛПД при изменении резонансной частоты его КС?
14.190. Почему источник питания ЛПД должен иметь большое
внутреннее сопротивление (рис. 14.13, а)?
14.191. Какие факторы определяют режим работы ГЛПД (автогене-
рация, усиление или синхронизация автоколебаний)?
14.192. Запишите уравнения баланса амплитуд и баланса фаз ГЛПД,
используя эквивалентную схему рис. 14.13, в.
14.193. Из какого материала изготовлены ЛПД типа: а) 3А760;
б) 2А752?
14.194. Оцените величину пускового тока ЛПД типа: а) 2А709А;
б) 3А767Б (табл. 14.3).
14.195. Определите потребляемую мощность P0 и мощность Pрас, рас-
сеиваемую ЛПД типа а) 3А745А; б) 2А756В-4 при номинальных
значениях рабочего тока и напряжениям диода (табл. 14.3).
14.196. Определите выходную мощность ЛПД типа: а) 2А752Г-4;
б) 2А756В-4 при типовом значении КПД и номинальных зна-
чениях рабочего тока и напряжения диода (табл. 14.3).
14.197. По данным табл. 14.3 сравните энергетические показатели
ГЛПД миллиметрового диапазона в импульсном и непрерыв-
ном режимах работы.
14.198. Получите формулу для расчета контурного КПД ГЛПД при
известных значениях R, Rп и rп (рис. 14.13, в).
Генераторы на диодах Ганна
14.199. Какова область применения генераторов на ДГ?
14.200. Сравните свойства генераторов на диодах Ганна и ЛПД.
14.201. Почему ВАХ диодов Ганна имеют симметричную форму?
14.202. Почему при симметричной ВАХ диода Ганна (рис. 14.14)
необходимо соблюдать указанную изготовителем полярность
включения диода?
14.203. Какие режимы ДГ относят к гибридным?
14.204. Каковы: а) преимущества; б) недостатки генераторов на ДГ
в доменных режимах работы?
14.205. Каковы: а) преимущества; б) недостатки генераторов на ДГ
при работе в режиме ОНОЗ?
14.206. Сравните свойства генераторов на ДГ с КС и без нее.
14.207. Как изменится выходная импульсная мощность генератора

на ДГ, если величина импульсного напряжения питания а) рав-
на напряжению питания в непрерывном режиме; б) в 3…3,5 раза
выше напряжения в непрерывном режиме?
14.208. Какие факторы ограничивает: а) максимальную; б) мини-
мальную длительность импульсов при подаче на ДГ импуль-
сного напряжения питания?
14.209. Охарактеризуйте свойства основных режимов работы ДГ.
14.210. Какие факторы ограничивают верхнюю частоту существо-
вания режима ОНОЗ?
14.211. Какие факторы определяют частоту колебаний АГ на ДГ в
режиме: а) с задержкой (запаздыванием) домена; б) с подавле-
нием (гашением) домена?
14.212. Какие факторы определяют режим работы ГДГ (автогене-
рация, усиление или синхронизация автоколебаний внешним
сигналом)?
14.213. Что ограничивает максимальную рабочую частоту ДГ?
14.214. Определите КПД автогенератора на ДГ типа: а) 3А721А при
Uр = 10 В; б) 3А750Б при Uр = 40 В; в) 3А744Б при Uр = 3,5 В;
г) 3А747Б при Uр = 3,5 В (табл. 14.4).
14.215. Определите мощность, рассеиваемую ДГ типа: а) 3А744Б;
б) 3А763Д; в) АА768Е; г) 3А747Б, если постоянное рабочее
напряжение на диоде равно 3В (табл. 14.4).
14.216. Определите максимальные значения подводимой и рассеи-
ваемой мощности АГ на ДГ типа 3А746И (табл. 14.4).
Конструкции и эквивалентные схемы диодных
14.217. Какие типы КС используются при построении ДГ?
14.218. Каковы свойства полосковых конструкций ДГ?
14.219. Поясните назначение и свойства элементов полосковой
конструкции диодного генератора (рис. 14.11).
14.220. Каковы свойства коаксиальных резонаторов?
14.221. Поясните назначение элементов коаксиальной конструкции
диодного генератора (рис. 14.15, а).
14.222. Каковы особенности волноводных резонаторов?
14.223. Поясните назначение элементов волноводной конструкции
диодного генератора (рис. 14.15, б).
14.224. Почему в некоторых генераторах СВЧ используют не основ-
ной тип колебаний линии, а продольный обертон?
14.225. Каково назначение настроечных элементов (подвижных чет-

вертьволновых трансформаторов, подстроечных штырей, ко-
роткозамкнутых шлейфов и диафрагм), используемых в ДГ?
14.226. Почему генераторы на TRAPATT-диодах имеют более слож-
ную конструкцию, чем генераторы на IMPATT-диодах, ТД и
диодах Ганна?
14.227. Нарисуйте и объясните возможный вид ЧХ КС диодных
генераторов.
14.228. При каких условиях сложную КС диодного генератора мож-
но представить в виде одиночного колебательного контура?
14.229. Изобразите эквивалентную схему генератора на а) ТД;
б) ЛПД; в) ДГ.
14.230. В каких случаях в диодных генераторах используют много-
резонансные КС?
14.231. В каких случаях в диодных генераторах возникают паразит-
ные автоколебания?
14.232. Какие меры используют для подавления паразитной автоге-
нерации в диодных генераторах?
14.233. На каких частотах возникнут автоколебания диодного ге-
нератора, если условия генерации выполняется на нескольких
резонансных частотах его КС?
14.234. Каков принцип действия стабилизирующих цепей, исполь-
зуемых в диодных генераторах?
14.235. Поясните назначение, устройство и сущность работы стаби-
лизирующих цепей, используемых в диодных генераторах.
14.236. Определите основную резонансную частоту полоскового ре-
зонатора, образованного короткозамкнутым отрезком воздуш-
ной линии длиной 10 см с волновым сопротивлением 42 Ом и
емкостью генераторного диода 0,27 пФ (рис. 13.3 и 14.11, а).
14.237. Определите первые три резонансные частоты КС, образо-
ванной короткозамкнутым отрезком полосковой линии длиной
4 мм и емкостью генераторного диода 1 пФ (рис. 13.3 и 14.11, а).
Волновое сопротивление линии, заполненной диэлектриком с
ε = 2,4, μ = 1, равно 42 Ом.
14.238. Определите первую, третью и седьмую резонансные частоты
КС, образованной разомкнутым отрезком полосковой линии
длиной 1 см и емкостью генераторного диода 0,4 пФ (рис. 13.8).
Волновое сопротивление линии равно 25 Ом. В качестве под-
ложки использован сапфирит (прил. 12).
14.239. Определите геометрические размеры резонатора, образован-
ного короткозамкнутым отрезком несимметричной полоско-
вой линии и емкостью генераторного диода, равной: а) 0,5 пФ;

б) 1,0 пФ; в) 2,0 пФ (рис. 13.11, а), если f0 = 5 ГГц, волновое
сопротивление линии равно 20 Ом. Использована подложка из
диэлектрика СТ50-1 (прил. 12) толщиной 1 мм.
14.240. Определите геометрические размеры резонатора, образован-
ного разомкнутым отрезком несимметричной полосковой ли-
нии и емкостью генераторного диода, равной 0,4 пФ (рис. 13.8),
если волновое сопротивление линии равно 25 Ом. Использова-
на подложка из поликора толщиной 0,25 мм (прил. 12). Резо-
нансная частота равна: а) 15 ГГц; б) 20 ГГц; в) 25 ГГц.
14.241. Определите длину l резонатора, образованного короткоза-
мкнутым отрезком прямоугольного волновода с воздушным
наполнением и емкостью генераторного диода, равной 0,2 пФ
(рис. 14.15, б) для настройки в резонанс на частоту 1 ГГц, если
а = 12 мм, b = 6 мм (рис. 13.2, д). Удаление штыря-держателя
диода от узкой стенки волновода равно 4 мм.
14.242. Определите длину l короткозамкнутого отрезка линии с
волновым сопротивлением Zв, эквивалентного индуктивности
L, если l < 0,08λ.
14.243. Определите длину l разомкнутого отрезка линии с волновым
сопротивлением Zв, эквивалентного емкости C, если l < 0,08λ.
Управление колебаниями диодных генераторов
14.244. Как можно осуществить АМ в генераторе на а) ТД; б) ДГ;
в) ЛПД?
14.245. Как можно осуществить ИМ диодного генератора?
14.246. Каковы особенности ИМ генераторов на ДГ?
14.247. Как можно осуществить ЧМ диодных генераторов?
14.248. Какие факторы ограничивают диапазон механической пере-
стройки частоты диодных генераторов?
Стабилизация частоты диодных автогенераторов
14.249. В каких устройствах необходима высокая стабильность час-
тоты диодных АГ?
14.250. Какие факторы вызывают изменение частоты диодных АГ?
14.251. Какие факторы определяют ширину: а) технической; б) ес-
тественной спектральной линии автоколебаний?
14.252. Какие методы используют для повышения стабильности
частоты диодных АГ?
14.253. Как можно повысить: а) долговременную; б) кратковремен-
ную стабильность частоты диодных АГ?
14.254. Какие способы используются для осуществления парамет-

рической стабилизации частоты диодных АГ?
14.255. Какова сущность эффекта стабилизации частоты за счет
дополнительного высокодобротного контура, подключенного к
активному резонатору АГ?
14.256. Каковы достоинства генераторов, стабилизированных вне-
шним высокодобротным резонатором?
14.257. Каковы особенности АГ с дополнительными высокодобро-
тными стабилизирующими резонаторами?
14.258. Определите полосу синхронизации АГ на ТД при мощности
синхронизирующего сигнала, равной: а) 0,25 мкВт; б) 1 мкВт;
в) 4 мкВт, если f0 = 1200 МГц, Pвых = 100 мкВт, Qн = 20.
14.259. Определите полосу синхронизации АГ на ТД при мощнос-
ти синхронизирующего сигнала, равной: а) 5нВт; б) 20нВт;
в) 0,1 мкВт, если f0 = 4 ГГц, Pвых = 50 мкВт, Qн = 27, ηк = 0,8.
Способы повышения КПД диодных генераторов
14. 260. Как можно повысить полный КПД диодного генератора?
14.261. Как можно повысить контурный КПД ДГ?
14.262. Определите увеличение полного КПД диодного генератора
при повышении его контурного КПД от 0,5 до 0,9 .
14.263. Каковы пути повышения электронного КПД ДГ?
14.264. В чем сущность полигармонического (релаксационного) ре-
жима работы диодных АГ?
Диодные усилители мощности
14.265. Какие явления используют при построении диодных УМ?
14.266. В каком диапазоне частот работают диодные УМ?
14.267.Изобразите эквивалентную схему диодного усилителя.
14.268. Какие факторы ограничивают максимальное значение коэф-
фициента усиления Kр диодных усилителей? Как можно по-
высить величину Kр?
14.269. Какие факторы ограничивают максимальную выходную
мощность диодных УМ?
14.270. Почему КС усилителей мощности на диодах, как правило,
бывают более сложными, чем КС автогенераторов?
14.271. Сравните свойства КС диодных усилителей и АГ.
14.272. Опишите устройство: а) проходных, б) отражательных дио-
дных усилителей.
14.273. Сравните свойства проходных и отражательных диодных
усилителей.
14.274. Как можно регулировать величину Kр усилителя а) на ЛПД;

б) на ДГ?
14.275. Определите полосу пропускания отражательного диодного
усилителя, если f0 = 33 ГГц, добротность диода равна 15, а Kр
равен а) 5 дБ, б) 10 дБ; в) 20 дБ.
14.276. Определите коэффициент усиления синхронизированного
АГ на ДГ при усилении ЧМ сигнала: а) с девиацией 60 МГц
и Fmax = 100 кГц; б) с девиацией 20 МГц и Fmax = 8 МГц, если
частота автоколебаний генератора равна 9,5 ГГц, а внешняя
добротность КС равна 19.
14.277. Определите мощность входного сигнала и коэффициент
усиления синхронизированного АГ на ЛПД при усилении 960
телефонных каналов с девиацией частоты 190 МГц, если каж-
дый канал занимает полосу частот от 0,3 до 3,3 кГц, f0 = 11 ГГц,
Pвых = 40 мВт, а внешняя добротность КС равна 5.
15 КЛИСТРОННЫЕ
ГЕНЕРАТОРЫ
15.1. Характеристики и параметры

клистронов
Клистроны относятся к классу электронно-лучевых приборов СВЧ
типа О. В приборах О-типа электроны распространяются прямоли-
нейно и группируются в сгустки продольной составляющей поля
радиосигнала, отдавая свою кинетическую энергию электромагнит-
ной волне. Общим признаком всех клистронов является применение
скоростной модуляции и последующее преобразование ее в моду-
ляцию электронного потока по плотности. Идея управления элек-
тронным пучком по скорости была высказана Д. А. Рожанским в
1932 г. Название клистрон происходит от греческого слова «клизо»,
обозначающего морской прибой.
По принципу действия клистроны подразделяются на пролетные
и отражательные. Наибольшее практическое применение находят
многорезонаторные пролетные клистроны (МРК). Они используют-
ся в усилителях мощности и умножителях частоты и имеют чрезвы-
чайно высокие энергетические параметры в диапазоне частот от 0,3
до 300 ГГц: выходную мощность до 1,0 МВт в непрерывном режиме
и до 100 МВт в импульсном при коэффициенте усиления до 60 дБ
и КПД более 40%. Свойства МРК описаны в работах [9, 21, 24–26,
30, 34, 39, 40, 43, 58, 64, 69–73, 80, 91, 103].
Отражательные клистроны обладают очень малой мощностью и
КПД и применяются главным образом в качестве гетеродинов при-
емников и АГ измерительных приборов.
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ КЛИСТРОНОВ 385
Упрощённая принипиальная схема усилителя на многорезонатор-

ном пролётном клистроне (МРК) показана на рис. 15.1. Этот клист-
рон имеет три внешних промежуточных резонатора. На входе и вы-
ходе усилителя включены ферритовые вентили. Резонаторный блок
прибора (резонатор и пролётные трубы), а также высокочастотный
тракт заземлены. Ускоряющее (анодное) напряжение E0 приложено
между анодом и катодом клистрона. На коллектор подаётся такое
же напряжение, как и на анод (резонаторы).
Вход Выход
3
+
E o Io
+
Рис. 15.1. Принципиальная схема клистронного усилителя
Параметры некоторых МРК в номинальном режиме работы при-

ведены в табл. 15.1.
Таблица 15.1. Параметры клистронов
Тип прибора КУ308 КИУ15 VА928 КУ352
Частота, ГГц 0,8...1,0 1,82 30...36 0,47…0,63
Импульсная выходная мощность Pвых, кВт 30 000
Средняя выходная мощность Pвых, кВт 4 18 1 25
Усиление Kр, дБ 45 35 50 50
Ширина полосы, МГц 4 20 30 10
Электронный КПД ηе, % 35 40 25 50
Анодное напряжение E0, кВ 10 280 10 15
Ток катода I0, А 1,2 300 0,5
КСВН вывода энергии 1,6 2,6 1,6
Число резонаторов N 4 4 5 6
386 КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ
Основными параметрами МРК являются:

• входная мощность Pвх = 0,5U12/(ρ1Q1);
• выходная мощность Pвых = P0ηeηк = P1ηк = 0,5U22ηк/(ρ2Q2);
• изменение выходной мощности при относительно малом из-
менении анодного напряжения ∆Pвых = 2,5Pвых∆E0/E0;
• мощность источника анодного питания P0 = E0I0;
• ускоряющее напряжение и ток катода в режиме, отличном от
номинального, (в предположении, что при небольших откло-
нениях от номинального режима электронный КПД клистрона
не изменяется)
E0 = E0ном(Pвых/Pвых ном)0,4, I0 = I0ном(E0/E0ном)1,5;
• электронный КПД при небольших отклонениях анодного на-
пряжения от номинального значения и Eк = E0
ηe = P1/P0;
• статическое сопротивление (сопротивление постоянному току)
R0 = E0/I0 = R0ном (E0ном/E0)0,5;
• динамическое (дифференциальное) сопротивление
RД = dE0/dI0 = 2/(3R0);
• максимальный коэффициент усиления клистрона
Kр = 15 +20 (N – 2) дБ;
• полоса пропускания одноконтурной выходной цепи клистрона
при отклонении АЧХ от максимального значения на 1 дБ
П = 0,5 f0/Qн;
• мощность, поступающая в нагрузку,
P = Pпад – Pотр = Pпад(1 – | Г |2);
• мощность волны, отражённой от нагрузки,
2
2 Г
Pотр = Pпад Г =P 2
;
1− Г
• отношение напряжения волны, отражённой от вывода энер-
гии клистрона Uотр.в, к напряжению волны, отражённой от
нагрузки, Uотр равно
U отр.в ГВ
= 2
G;
U отр Г (1 − Г В )
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ КЛИСТРОНОВ 387
где E0ном, I0ном, и Pвых ном – анодное напряжение, ток катода и

выходная мощность, соответствующие номинальному режиму
работы клистрона;
ηк = 1 – Qн/Q0 – контурный КПД;
Qн – добротность нагруженного выходного резонатора.
U1 и U2– амплитуды напряжений на входной и выходной КС
клистрона;
ρ1Q1 и ρ2Q2– характеристические сопротивления и добротнос-
ти входной и выходной КС;
N ≥ 2 – число резонаторов.
Pпад – мощность падающей волны;
U отр ρ −1
Г = = − модуль коэффициента отражения;
U пад ρ +1
ρ – коэффициент стоячей волны (КСВ). Сокращённой запи-
сью в виде КСВН иногда пользуются, чтобы подчеркнуть, что
измеряемой величиной является напряжение;
| ГВ | – (0,2…0,23) – модуль коэффициента отражения вывода
энергии клистрона;
| Г | – модуль коэффициента отражения от нагрузки;
G – затухание мощности ферритового вентиля на выходе клис-
трона в обратном направлении.
• электронный КПД в режиме рекуперации равен
P1 ηе
η′ = =
е E (I − I ) + I E 1 − (1 − E К E 0 ) I К I 0
0 0 К К К .
Схема питания пролетного клис-
трона в режиме рекуперации пока-
зана на рис. 15.2.
Типичная зависимость отноше-
Io Io Ik Ik ния токов Iк/I0 от отношения нап-
Eo ряжений Eк/E0 при номинальной
мощности возбуждения показана
+ Ek на рис. 15.3.
+
Рис. 15.2. Питание клистрона
в режиме рекуперации
Ik / Io
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
Ek / Eo
Рис. 15.3. Отношение токов клистрона в режиме рекуперации
15.2. Амплитудная и импульсная

модуляция пролетных клистронов
Основные расчетные соотношения:
• выходная мощность в максимальном режиме равна
Pвых.max = (1 + m)2 Pвых.нес;
• средняя выходная мощность за период модуляции
Pвых.ср = (1 + 0,5m2)Pвых.нес;
• электронный КПД при усилении АМ-колебаний или анодной
модуляции и небольших отклонениях анодного напряжения от
номинального значения
ηe ср = Pвых.ср/P0ср = Pвых.ном/P0ном;
• крутизна статической модуляционной характеристики при
анодной амплитудной модуляции
dPвых/dU0 = 2,5Pвых/E0;
• анодное напряжение клистрона при гармоническом модули-
рующем напряжении равно
R0 = E0нес + Uмcos Ωt;
• коэффициент (глубина) модуляции при АМ равен
5 Uм
m= ;
4 E0
• напряжение в режиме несущей и амплитуда модулирующего
напряжения при анодной модуляции в общем случае равны
ФАЗОВАЯ МОДУЛЯЦИЯ ПРОЛЁТНЫХ КЛИСТРОНОВ 389
0, 4
⎡ Pвых max ⎤
E 0 нес = E 0 ном ⎢ 2 ⎥ ;
⎣ (1 + m) Pвых ном ⎦
0,4
⎡ Pвых max ⎤
U м = 0,8mE0нес = 0,8mE0ном ⎢ ⎥ ;
⎢⎣ (1 + m)2 Pвых ном ⎥⎦
• напряжение в режиме несущей и амплитуда модулирующего
напряжения при полном использовании клистрона по мощ-
ности (Pвых.max = Pвых ном) равны
E0нес = E0ном/(1 + m)0,8; Uм = 0,8mE0ном/(1 + m)0,8;
• индекс ФМ, сопутствующей анодной АМ,
M = 5(N – 1)Uм/E0нес;
• импульсная мощность коммутатора Pни = E0I0;
• изменение анодного напряжения во время импульса при до-
пустимом изменении выходной мощности
∆E0 = 0,4E0∆Pвых/Pвых;
• изменение анодного напряжения во время импульса при до-
пустимом изменении фазы выходного колебания
E0
ΔE 0 = Δϕ ,
5( N − 1)
где N – число резонаторов клистрона;
Uм – амплитуда модулирующего напряжения.
15.3. Фазовая модуляция пролетных

клистронов
Основные расчетные соотношения при фазовой модуляции:
• крутизна статической модуляционной характеристики
dφ/dE0 = –5(N – 1)/E0;
• глубина АМ, сопутствующей ФМ клистрона,
m = 5Uм/(4E0);
• индекс ФМ, девиация частоты и ширина спектра при гармо-
ническом модулирующем напряжении Uмcos Ωt
M = ∆φ = 5(N – 1)Uм/E0; ∆ω = MΩ = 5Ω(N – 1)Uм/E0;

П = 2(1 + M + M )Ω;
где N – число резонаторов клистрона.
15.4. Энергетические соотношения

в двухрезонаторных пролетных клистронах
Приведённые ниже соотношения справедливы при очень малых углах
пролёта электронов первого и второго зазоров (Θ1π/2 и Θ2π/2):
• коэффициент усиления по мощности равен
2
⎡ U ⎤ R1
K p = Pвых Pвх = ⎢ 2 n ⎥ ηk ;
⎣ U1 ⎦ R2
• колебательная мощность n-й гармоники равна
Pn = I0U2n Jn(nX)/E0;
• электронный КПД равен ηe = Pn/P0 = U2n Jn(nX)/E0,
где U1 – амплитуда напряжения на входном зазоре;
U2n – амплитуда напряжения n-й гармоники на выходном за-
зоре;
R1 = ρ1QН1 и R2 = ρ2QН2 – резонансные сопротивления резона-
торов между точками приложения высокочастотных напряже-
ний U1 и U2; ⏐J (X )⏐ 1
0,582
QH1 и QH2 – нагруженные 0,5
0,4
добротности резонаторов; 0,3
ηк – КПД выходной коле- 0,2
бательной системы; 0,1
J1(nX) – функция Бесселя 0

0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 X
первого рода n-го порядка. 1,84
График функции ⎟ J1(X)⎟ Рис. 15.4. Функция Бесселя первого

приведён на рис. 15.4; рода первого порядка
U1 ω s
X = 0,5 – параметр группировки клистрона;
E0 v0
ω – угловая частота входного напряжения;
s – расстояние между серединами зазоров;
v0 = 6 · 105E0– скорость электронов к моменту входа в рабочий
зазор первого резонатора клистрона.
Максимальный электронный КПД клистрона получается при

U2n = E0 и оптимальном параметре группировки Xопт, при котором
функция Jn(nX) имеет максимальное значение ηе max = Jn(nXопт).
Значения Xопт и Jn(nXопт) для некоторых коэффициентов умноже-
ния n приведены в табл. 15.2.
Таблица 15.2. Оптимальный параметр группировки и Jn(nXопт)
n 1 2 3 4 5 8 10 16
Xопт 1,84 1,53 1,40 1,33 1,28 1,22 1,20 1,13
Jn(nXопт) 0,582 0,487 0,434 0,400 0,370 0,320 0,30 0,260
15.1. Укажите области применения пролётных клистронов.
15.2. Каковы особенности: а) МКР; б) клистродов по сравнению с
другими мощными генераторами диапазона СВЧ?
15.3. Укажите особенности и область применения: а) усилительных;
б) генераторных; в) умножительных клистронов.
15.4. Каков принцип работы приборов IOT (клистродов).
15.5. Каковы параметры и область применения приборов IOT (клист-
родов)?
15.6. Определите глубину АМ клистронного усилителя при пульса-
циях анодного напряжения: а) 0,04%; б) 0,2%; в) 0,8%.
15.7. Определите относительную стабильность анодного напряже-
ния клистрона: а) КУ308; б) КИУ15; в) VA928 при допустимом
изменении фазы выходного колебания 0,1 рад.
15.8. Определите амплитуду пульсаций ускоряющего напряжения
клистрона КУ308 в номинальном режиме работы, при которой
девиация частоты не превысит: а) 10-8f0; б) 10-7f0. Частота пуль-
саций равна 300 Гц.
15.9. Укажите меры по обеспечению безопасности персонала, обслу-
живающего МКР (защита от поражения электрическим током,
рентгеновского и СВЧ-излучений).
15.10. Изобразите принципиальную электрическую схемудвухкас-
кадного передатчика дециметрового диапазона, в котором за-
дающий генератор собран на металлокерамическом триоде, а

выходной каскад – на пролётном клистроне.
Характеристики и параметры пролетных клистронов
15.11. Оцените максимальную величину коэффициента усиления
клистрона, имеющего: а) два; б) четыре; в) шесть резонаторов.
Сравните с данными табл. 15.1.
15.12. Используя амплитудную характеристику клистрона КИУ15
(рис. 15.5), определите коэффициент усиления по мощности
при максимальной выходной мощности и анодном напряже-
нии: а) 250 кВ; б) 280 кВ.
15.13. Используя амплитудную характеристику клистрона КИУ15
(рис. 15.5), определите коэффициент усиления по мощности
при анодном напряжении 280 кВ и входной мощности равной:
а) 0,25 кВт; б) 0,5 кВт; в) 1 кВт; г) 2 кВт.
РВЫХ ,
МВт
Е0=280кВ
25
250кВ
20
15
10
0,5 1,0 1,5 2,0 РВХ , кВт
Рис. 15.5. Амплитудная характеристика клистрона
15.14. Как можно увеличить ширину полосы пропускания МРК?

15.15. Определите ТКЧ резонаторов клистрона: а) КУ308; б) КИУ15;
в) VA928, при котором изменение температуры на ±20К не при-
ведет к расстройке резонаторов и уменьшению коэффициента
усиления. Считать допустимым изменение резонансной часто-
ты на ±0,1 полосы пропускания клистрона.
15.16. Определите КПД выходного резонатора клистрона: а) КУ308;
б) КИУ15; в) VA928 (см. табл. 15.1).
15.17. Определите добротность ненагруженного выходного резонато-
ра клистрона: а) КУ308; б) КИУ15; в) VA928 (см. табл. 15.1).
15.18. Определите: а) ускоряющее напряжение и анодный ток клис-
трона КУ308 при выходной мощности 3 кВт.
15.19. Определите изменение выходной мощности клистрона

КУ308 при изменении анодного напряжения на: а) 0,5%; б) 1%;
в) 2%.
15.20. Определите относительное изменение выходной мощнос-
ти МРК при изменении ускоряющего напряжения на: а) 1%;
б) 2%; в) 4%.
15.21. Получите формулу для расчета выходной мощности МРК
при малом изменении ускоряющего напряжения.
15.22. Почему использование режима рекуперации позволяет повы-
сить КПД пролетного клистрона?
15.23. Определите увеличение электронного КПД клистрона в режи-
ме рекуперации, если отношение напряжений Eк/E0 (рис. 15.3)
равно: а) 0,8; б) 0,7; в) 0,4.
15.24. Определите суммарную мощность питания клистрона КУ308
в режиме рекуперации, если ток катода 1,2 А; анодное напря-
жение 10 кВ, напряжение на коллекторе равно: а) 9 кВ; б) 7 кВ;
в) 5 кВ.
15.25. Используя рис. 15.3, постройте зависимость η′e /ηe = φ(Eк/E0)
и отношение Eк/E0, при котором электронный КПД клистрона
получается максимальным.
15.26. Используя рис. 15.3, определите величину коллекторного на-
пряжения клистрона КУ308, при котором электронный КПД
будет наибольшим.
15.27. Определите статическое и динамическое сопротивления клис-
трона: а) КУ308; б) КИУ15; в) VA928; г) КУ352 в номинальном
режиме работы (табл. 15.1).
15.28. Получите формулу для расчета статического сопротивления
клистрона в режиме, отличном от номинального.
15.29. Определите изменение статического и динамического сопро-
тивлений клистрона при уменьшении ускоряющего напряжения
относительно номинального: а) на 10%; б) на 20%; в) на 50%.
15.30. Определите мощность волны, отраженной у вывода энергии
клистрона: а) КУ308; б) VA928 (табл. 15.1).
15.31. Определите затухание мощности ферритового вентиля в об-
ратном направлении, при котором напряжение волны, отра-
женной от нагрузки, не превысит 10% от напряжения волны,
отраженной у вывода энергии клистрона, если КСВН нагрузки
равен 1,5, а КСВН вывода энергии клистрона –1,6.
15.32. Определите отношение амплитуд Uотр в/Uотр клистрона КУ308,
если КСВН нагрузки равен 1,2. Между нагрузкой и клистро-
ном включен вентиль. Затухание мощности вентиля в обратном

направлении равно: а) 30 дБ; б) 20 дБ; в) 10 дБ.
Модуляция пролетных клистронов
15.33. Какие виды модуляции можно осуществить в клистронных
передатчиках?
15.34. Каковы причины искажения сигналов в усилительном клис-
троне?
15.35. Почему КПД клистрона в режиме усиления АМ-колебаний
существенно ниже, чем при усилении колебаний с угловой мо-
дуляцией?
15.36. На каком участке амплитудной характеристики клистро-
на следует работать при усилении: а) ЧМ- и ФМ-колебаний;
б) однополосного сигнала; в) АМ-колебаний?
15.37. Какие получаются искажения сигнала и КПД при использо-
вании клистрона для усиления АМ, ОМ, ФМ, ЧМ и импуль-
сно-модулированных сигналов?
15.38. Почему амплитудная характеристика усилительных клистро-
нов нелинейная?
15.39. Определите средний за период модуляции КПД усилителя
АМ-колебаний на клистроне КУ308 при Pвых.нес = 0,25Pвых ном, но-
минальном анодном напряжении и коэффициенте модуляции
а) 0,5; б) 0,8; в) 1,0 (табл. 15.1).
15.40. Определите средний за период модуляции КПД усилителя
АМ-колебаний на клистроне КУ308 при максимальном ис-
пользовании клистрона по мощности, номинальном анодном
напряжении и коэффициенте модуляции: а) 0,5; б) 0,8; в) 1,0.
15.41. Постройте статическую модуляционную характеристику при
анодной АМ клистрона: а) КУ308; б) VА928 (табл. 15.1).
15.42. Определите коэффициент АМ и индекс ФМ при анодной АМ
клистрона VA928, если E0нес = 10кВ, UМ =0,5кВ (табл. 15.1).
15.43. Определите напряжение в режиме несущей, амплитуду моду-
лирующего напряжения и индекс паразитной ФМ при анодной
АМ клистрона КУ308, если глубина модуляции равна: а) 0,6;
б) 0,8; в) 1,0; а Pвых.max = 0,8Pвых ном (табл. 15.1).
15.44. Определите напряжение в режиме несущей, амплитуду моду-
лирующего напряжения и девиацию частоты при анодной АМ
клистрона КУ308 (табл. 15.1) частотой 300 Гц и максимальном
использовании клистрона по мощности, если глубина модуля-
ции равна: а) 0,4; б) 0,6; в) 0,8.
15.45. Получите формулу для расчёта крутизны СМХ при анодной

АМ клистрона и определите зависимость этой крутизны от ве-
личины анодного напряжения.
15.46. Определите зависимость коэффициента модуляции от анод-
ного напряжения клистрона.
15.47. Получите формулы для расчёта напряжения в режиме несу-
щей и амплитуды модулирующего напряжения при осущест-
влении АМ изменением анодного напряжения клистрона.
15.48. Определите параметры P0, R0 и RД клистрона КИУ15 при
анодном напряжении: а) 280 кВ; б) 250 кВ; в) 200кВ.
15.49. Определите относительное изменение анодного напряжения
клистрона КИУ15 (табл. 15.1) за время длительности импульса,
если допустимое изменение фазы выходного колебания равно 0,01
рад, а относительное изменение выходной мощности не более 2%.
15.50. Определите общий КПД и крутизну СМХ при ФМ усилителя
на клистроне: а) КУ308; б) КИУ15; в) VA928 в номинальном
режиме работы.
15.51. Определите максимальную ширину спектра при ФМ четырёх-
резонаторного клистрона, если ускоряющее напряжение равно
15 кВ; амплитуда модулирующего напряжения равна 2 кВ, а
частота: а) 0...800 Гц; б) 0,3…300 кГц.
15.52. Определите амплитуду модулирующего напряжения и коэф-
фициент сопутствующей АМ при осуществлении ФМ клистро-
на КУ308, если E0 = E0ном, а индекс фазовой модуляции равен:
а) 0,6 рад; б) 1,2 рад; в) 2,4 рад.
Энергетические соотношения в двухрезонаторных
пролетных клистронах
15.53. Определите отношение амплитуд напряжений U21/U1 в двух-
резонаторном клистроне при малых углах пролёта электронов,
если коэффициент усиления по мощности равен 16 дБ; КПД
выходной колебательной системы 0,85; характеристические со-
противления входного и выходного резонаторов одинаковы, а
добротность входного резонатора в 1,3 раза больше добротнос-
ти выходного резонатора.
15.54. Определите мощность возбуждения и коэффициент усиления
по мощности клистрона при малых углах пролета электронов,
если амплитуды напряжений на первом и втором зазорах равны
0,5 кВ и 3 кВ; характеристические сопротивления резонаторов
одинаковы и равны 50 Ом; добротности входной и выходной
колебательной систем равны соответственно 5000 и 3000; КПД

выходной колебательной системы 0,8.
15.55. Определите максимальный электронный КПД и параметр nXопт
клистрона при умножении частоты: а) в 2; б) в 4; в) в 8 раз.
15.56. Определите максимальную колебательную мощность и элект-
ронный КПД клистрона при умножении частоты: а) в три, б) в
пять, в) в десять, г) в шестнадцать раз, если I0 = 0,01 А; U2n = E0
= 1,3 кВ. Углы пролета электронов малы. Как можно обеспе-
чить необходимое значение параметра группировки при неиз-
менном анодном напряжении?
15.57. Получите формулу для расчета амплитудной характеристики
Pвых (Pвх) двухрезонаторного клистрона в режиме: а) умножения
частоты при максимальном электронном КПД, б) усиления.
15.58. Рассчитайте амплитудную характеристику двухрезонаторно-
го клистрона в режиме усиления, если при входной мощности
0,5 Вт выходная мощность максимальна и равна 20 Вт.
15.59. Рассчитайте амплитудную характеристику двухрезонаторно-
го клистрона в режиме усиления, если при входной мощности
1 Вт выходная мощность максимальна, а коэффициент усиле-
ния по мощности равен 50.
16 ГЕНЕРАТОРЫ
НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ
ВОЛНЫ ТИПА О
16.1. Классификация и особенности ламп

бегущей волны
В лампах бегущей волны (ЛБВ) используется принцип непрерывно-
го взаимодействия потока электронов с бегущей электромагнитной
волной (ЭМВ), распространяющейся в нерезонансной КС. Этим
ЛБВ значительно отличаются от приборов СВЧ, использующих
резонансные КС, – триодов, тетродов, клистронов и магнетронов.
В ЛБВ вместо узкополосных резонансных КС используются широ-
кополосные замедляющие структуры (ЗС). Электромагнитное поле
ЗС представляет собой сумму бесконечного множества пространс-
твенных гармоник, одни из которых являются прямыми (их фазовая
скорость совпадает по направлению с групповой скоростью ЭМВ),
а другие – обратными (фазовая скорость противоположна группо-
вой). В ЛБВ электронный поток синхронно взаимодействует либо
с прямой гармоникой, либо с обратной. Свойства ЛБВ описаны в
работах [9, 21, 24, 25, 30, 34, 40, 43, 58, 69–72, 80, 91, 103].
Приборы, в которых электронный поток взаимодействует с пря-
мой замедленной волной или с прямой гармоникой появились в
1946 г. За этими приборами закрепилось название ламп прямой
волны или ламп бегущей волны (ЛБВ), несмотря на то, что лампа-
ми бегущей волны являются все приборы рассматриваемого класса.
В лампах прямой волны направления скорости электронного потока
νе, групповой νгр и фазовой νф скорости ЭМВ совпадают (рис. 16.1, а).
В лампах прямой волны вывод энергии расположен со стороны
398 ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ ТИПА О
Vгр Vгр
Vф Vф
Vе Vе
а б
Рис.16.1. Направления скоростей в лампах бегущей волны:
а – прямой волны; б – обратной волны
коллектора. Особенно ценным свойством ЛБВ является их широ-

кополосность, поскольку их рабочая полоса частот не ограничена
величиной нагружаемой добротности КС, как во всех усилительных
приборах с резонансной колебательной системой.
В широкополосных ЛБВ используют ЗС со слабой дисперсией
(рис. 16.2, а). При фиксированном ускоряющем напряжении ско-
рость электронов ν0 остается неизменной. Следовательно, чем слабее
дисперсия ЗС, тем шире диапазон частот, в пределах которого может
удовлетворяться условие фазового синхронизма. При использова-
нии ЗС с сильно выраженной дисперсией полоса пропускаемых час-
тот становится более узкой, но появляется возможность передвигать
ее по желанию в пределах широкого диапазона частот путем изме-
нения напряжения питания, разгоняющего электроны.
Приборы, в которых используется взаимодействие электронов с
обратными волнами (отрицательными пространственными гармо-
никами), появились в 1956 г. и получили название ламп обратной
волны (сокращенно ЛОВ). Лампы обратной волны иногда называют-
ся также карсинотронами (карцинотронами). Происхождение этого
названия связано с греческим словом «карсинос», обозначающим
рак. Такая ассоциация обусловлена обратным движением энергии
в ЛОВ по отношению к электронному потоку. В ЛОВ электронный
поток движется навстречу потоку энергии (рис. 16.1, б). В ЛОВ
вывод энергии находится на конце ЗС, обращенном к электронной
пушке. В ЛОВ электронный поток кроме обычной для него роли
звена, по которому энергия источника питания передается ЭМВ,
выполняет также роль звена принципиально неустранимой ОС.
Эта распределенная ОС может привести к самовозбуждению авто-
колебаний даже при идеальном согласовании на входе и на выходе.
В отличие от ЛБВ в ЛОВ обычно используют ЗС с неравномерной
дисперсионной характеристикой (рис. 16.2, б). Такая характеристи-
ка позволяет реализовать главное преимущество ЛОВ – широкий
диапазон электронной (электрической) настройки, т. е. зависимости
КЛАССИФИКАЦИЯ И ОСОБЕННОСТИ ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ 399
частоты генерируемых или усиливаемых колебаний от ускоряющего

напряжения ЛОВ.
Наиболее часто ЛОВ используют в режиме автогенерации. Чтобы
избежать резких скачков выходной мощности при изменении длины
волны, на конце ЗС, обращенном к коллектору, обычно включают
согласованную нагрузку, которая поглощает волну, отраженную от
рассогласованной внешней нагрузки. Очевидно, что при согласован-
ной нагрузке поглотитель не оказывает никакого влияния на вели-
чину выходной мощности ЛОВ.
Возможно использование ЛОВ и в качестве резонансного высоко-
добротного усилителя с широкодиапазонной электронной перестрой-
кой частоты. Усилитель на ЛОВ за счет ОС принципиально является
регенеративным и обычно работает вблизи порога самовозбуждения.
В усилительной ЛОВ вход СВЧ энергии располагается у коллекто-
ра, а выход у катода. Такие усилители весьма узкополосны и обычно
используются как высокоизбирательные устройства. Их полоса про-
пускания обратно пропорциональна коэффициенту усиления.
Генераторы на ЛБВ типа О выпускаются от дециметрового до
верхней части миллиметрового диапазона длин волн. Импульсные
ЛБВ позволяют получить выходные мощности от нескольких ме-
гаватт в дециметровом диапазоне волн до нескольких киловатт в
миллиметровом диапазоне. В режиме непрерывного генерирования
эти мощности составляют 100 и 1 кВт. Коэффициент усиления до-
стигает 60 дБ на один прибор. Полоса пропускания современных
ЛБВ типа О от десятков процентов до нескольких октав. Разрабо-
таны малошумящие, умножительные, ограничительные и фазовра-
щательные ЛБВ.
ЛБВ имеют гораздо бόльшую, чем клистроны, полосу частот,
однако они уступают клистронам по мощности, существенно ниже
и их КПД. ЛБВ требуют большого типа высокостабильных источ-
ников питания. К согласованию входных и выходных цепей ЛБВ
предъявляют жесткие требования. Рассогласование в любом из этих
трактов может привести к самовозбуждению усилителя.
Лампы прямой и обратной волны подразделяются на приборы
типа О и приборы типа М, различающиеся направлением и назначе-
нием постоянного магнитного поля. Буквенные обозначения О и М
для приборов с магнитными и поперечными полями заимствованы
из французской терминологии.
В приборах типа О используется продольное постоянное магнит-
ное поле, обеспечивающее практически прямолинейное движение
электронов вдоль ЗС.
В приборах типа М используется поперечное постоянное маг-

нитное поле. Электроны в лампах М-типа двигаются в постоянных
скрещенных электрическом и магнитном полях, как в обычных маг-
нетронных генераторах.
В приборах типа О эффективная передача энергии электронного
потока полю ЗС происходит лишь при скорости потока несколько
большей фазовой скорости ЭМВ. При νе > νф бόльшая часть элек-
тронов оказывается сгруппированной в области тормозящего поля.
Здесь они отдают энергию полю и происходит усиление бегущей
волны электромагнитного поля. По мере передачи энергии электро-
нов полю и его усиления электроны замедляются и при равенстве
скоростей усиление прекращается. Оптимальное значение началь-
ной скорости электронов равно νе нач = (1,1 – 1,2)νф. Для длительного
взаимодействия электронов с электромагнитным полем необходи-
мо соблюдать условие фазового синхронизма, т. е. приблизительного
совпадения скорости электронов с фазовой скоростью волны.
• Условие фазового синхронизма для приборов типа О
νе = (1,05 – 1,2)νф
При этом предполагается, что направление движения электронов
совпадает с направлением фазовой скорости волны.
• Скорость электронов в приборах типа О при νе с
νе = 6 · 105U0,
где U0 – величина ускоряющего напряжения;
с = 3 · 108м/с – скорость света.
16.2. Замедляющие структуры

Поскольку νе с, для достижения синхронизма уменьшают фазо-
вую скорость ЭМВ в замедляющих структурах (линиях задерж-
ки). В качестве замедляющей структуры может быть использова-
на спираль, гребенка, система встречных штырей и т. п. ЗС ламп
дециметрового и метрового диапазонов волн для уменьшения их
габаритов содержат сосредоточенные постоянные – индуктивности
и емкости, образующие периодическую линию задержки. Все ЗС
создают продольную составляющую электрического поля, необхо-
димую для взаимодействия электронного потока и ЭМВ. Эта со-
ставляющая отсутствует в волне, распространяющейся в свободном
пространстве.
ЗАМЕДЛЯЮЩИЕ СТРУКТУРЫ 401
Различают однородные и неоднородные замедляющие структуры.

К однородным ЗС относится спиральная линия передачи с малым
по сравнению с длиной волны шагом. Спираль является наиболее
широкополосной ЗС, она используется в большинстве конструкций
ЛБВ малой и средней мощности. К неоднородным относятся ЗС типа
одиночной или двойной гребенки, диафрагмированного волновода и
т. п. Неоднородные ЗС имеют высокую интенсивность продольной
составляющей электрического поля радиосигнала и крутую дис-
персионную характеристику, они не нуждаются в диэлектрических
опорах, обеспечивают хороший теплоотвод и потому используются
в мощных узкополосных ЛБВ.
В зависимости от типа ЗС и номера пространственной гармоники
фазовая скорость может уменьшаться с ростом частоты (нормальная
дисперсия) или увеличиваться (аномальная дисперсия). Дисперсия
вызывает ограничения в полосе усиливаемых частот, поскольку с
изменением фазовой скорости ЭМВ нарушается Условие фазового
синхронизма.
Спиральная ЗС
Типичная дисперсионная характеристика спиральной ЗС показана
на рис.16.2, а.
• Фазовая скорость волны в спиральной ЗС при D S равна
νф = cS/ D,
где S и D – шаг и диаметр спирали.
• Типичный диаметр спиральной ЗС равен
D = 0,5λ νф/c,
где λ – средняя длина волны.
Vф Vф
Vе
0 ƒ 0 ƒ
Δƒ Δƒ
а б
Рис. 16.2. Дисперсионные характеристики:
а – слабая нормальная; б – сильная аномальная
Периодическая ЗС
Типичная дисперсионная характеристика периодической ЗС пока-
зана на рис. 16.2, б.
• Фазовая скорость и длина волны пространственных гармо-
ник в периодической ЗС равны
ωL vф 0 L Lλ 0
vф n = = ; λn = ,
ϕ 0 + 2π n L + n λ 0 L + nλ0
где νф0 = ωL/φ0 – фазовая скорость основной (нулевой) про-
странственной гармоники;
ω – круговая частота;
L – расстояние между соседними ячейками (пространствен-
ный период ЗС);
λ0 = ωL/φ0 – длина волны нулевой пространственной гармоники;
– ≤ φ0 ≤ – фазовый сдвиг высокочастотного поля на ячейку
ЗС для нулевой пространственной гармоники;
n = 0, ±1, ±2… – номер пространственной гармоники.
Гармоника с n = 0 называется основной или нулевой. Гармоники
с |n| > 0 называют высшими, причем гармоники с n ≥ 1 являются
прямыми, а с n ≤ –1 — обратными. Основная гармоника может быть
прямой или обратной в зависимости от знака ϕ0.
Дисперсия пространственных гармоник в периодических ЗС
всегда является аномальной. Это следует из уравнений для νфn и
λn, приведенных выше. Отсюда можно сделать общий вывод, что в
условиях синхронизма с обратной волной частота колебаний, гене-
рируемых ЛОВ, при повышении ускоряющего напряжения должна
увеличиваться.
• Фазовое условие положительной обратной связи в ЛБВ
2cl = k λ νф,
где l – геометрическая длина ЗС;
λ – длина волны в свободном пространстве;
k – любое целое число
• Интервал между возможными частотами генерации ЛБВ
∆f = 0,5νф/l.
• Амплитудное условие отсутствия самовозбуждения ЛБВ без
поглотителя
2 2
KР Г 1 Г 2 < 1,
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ЛБВ 403
где KР – коэффициент усиления ЛБВ по мощности;

Г1 и Г2 – модули коэффициентов отражения на входе и выходе
ЗС;
Г = |UОТР|/|UПАД| = (ρ – 1)/(ρ + 1);
UОТР и UПАД – напряжения падающей и отраженной волны;
ρ – коэффициент стоячей волны (КСВН).
• Затухание мощности в поглотителе ЗС, достаточное для обес-
печения устойчивой работы ЛБВО,
G > Г1Г2КР,
где КР – коэффициент усиления ЛБВ по мощности без учета
потерь в поглотителе.
Поглощающую вставку обычно помещают в середине ЗС. С ее
помощью уменьшается ОС при отражении сигнала от выхода ЗС.
Метод поглощающей вставки, предложенный Пирсом в 1950 г., яв-
ляется наиболее известным и надежным методом подавления само-
возбуждения ЛБВ.
16.3. Характеристики и параметры ЛБВ

Основными характеристиками и параметрами ЛБВ являются:
• зависимость тока луча от ускоряющего напряжения
3 2 3
I0 = pU 0 2 = p 5 P 05 ;
• зависимость тока луча от напряжения на первом аноде
3
I0 = p1U a12 ;
• зависимость выходной мощности от ускоряющего напряже-
ния
5
Pвых = ηP0 = ηpU 0 2 ;
• ускоряющее напряжение равно U 0 = (P0 р ) 5 ;
2
• сопротивление постоянному току равно

−1 −4 −1
R Д = U 0 I 0 = P0 5
p 5
= U0 2
p
;
• динамическое (дифференциальное) сопротивление
RД = dU0/dI0 = 2R0/3;
где p и p1 – коэффициенты пропорциональности (первеансы)

электронной пушки по напряжениям U0 и Ua1;
P0 = U0I0 – мощность, потребляемая от источника питания;
Pвых – выходная мощность прибора;
η – КПД прибора.
16.4. Усиление и модуляция ЛБВ

Усиление колебаний
На рис. 16.3 показан один из вариантов питания усилительной ЛБВ.
Коллектор ЛБВ соединен с корпусом. На управляющий электрод,
первый и второй аноды поданы питающие напряжения Uy, Uа1 и U0.
Коллектор и второй анод (ЗС) соединены вместе (Uк = U0).
Pвх
Uн
C1
C2
Uy Pвых
I>
+
C3 + C4
Ua1
Uo
+
Рис. 16.3. Схема питания усилительной ЛБВ
Амплитудная модуляция
Схема осуществления амплитудной модуляции ЛБВ по первому ано-
ду приведена на рис. 16.4.
• Коэффициент (глубина) амплитудной модуляции равен
Pс р
m = (U max − U min ) (U max + U min ) = 2 −1 ,
Pнес
где Рср – среднее значение мощности за период модулирующе-
го сигнала.
УСИЛЕНИЕ И МОДУЛЯЦИЯ ЛБВ 405
Pвх
C1
C2
+ Uy Pвых
C3
+
Ua1 +
UΩ
Uo
Рис. 16.4. Схема осуществления амплитудной модуляции ЛБВ
Последнее расчетное выражение используют главным образом в

диапазоне СВЧ, где измерение высокочастотных напряжений и то-
ков осуществить трудно, а мощностей – сравнительно просто.
• Амплитуда модулирующего напряжения на управляющем
электроде или первом аноде равна
Uм у = mUy нес; Uм а1 = mUа1 нес,
где Uy нес и Uа1 нес – напряжения в режиме несущей (молчания).
• Мощность модулятора, определяемая величиной динамичес-
кого сопротивления нагрузки, равна
Pм = 0,5U2м /RД,
где Uм – амплитуда напряжения на модулируемом электроде;
RД – динамическое (дифференциальное) сопротивление на-
грузки модулятора.
• Мощность модулятора, определяемая величиной емкости на-
грузки, равна
Pм = СПΩmaxU2м,
где Ωmax – максимальная частота модулирующего сигнала;
СП – емкость, шунтирующая выход модулятора. Ее величина
определяется междуэлектродной емкостью ЛБВ, выходной ем-
костью модулятора и монтажными емкостями.
Импульсная модуляция
При подаче модулирующего напряжения на электрод с малым пот-
реблением тока (управляющий электрод ЛБВ) мощность модулято-
ра в основном определяется величиной емкости СП, шунтирующей

выход модулятора.
Схема осуществления импульсной модуляции ЛБВ средней и боль-
шой мощности, у которых обычно управляющий электрод соединен
с катодом, а первый анод и ЗС – с коллектором, показана на рис.
16.5, а. На рис.16.5, б показана схема осуществления импульсной
модуляции по управляющему электроду.
UK Pвх Uk
+
C1
C2 C3
+ Ua1
+ U0
C4 Uyэ
R2
R1 C5
а б
Рис. 16.5. Схемы осуществления импульсной модуляции ЛБВ:
а – по ЗС; б – по управляющему электроду
Управляющий электрод является бестоковым, и мощность им-

пульсного модулятора расходуется на перезаряд паразитных ем-
костей и емкости катод – управляющий электрод. Необходимая
величина управляющего напряжения составляет примерно 10% от
величины ускоряющего напряжения. В этой схеме на ЗС и коллек-
тор поданы различные напряжения, что позволяет осуществить ре-
куперативный метод повышения КПД. Снижая напряжение коллек-
тора до (0,3….0,5)U0 можно поднять КПД прибора до 50% и выше.
• Импульсная и средняя мощность модулятора при модуляции
на электрод со значительным потреблением тока равны
Pми = UI; Pм = UIτ/T = UI/q,
где U и I – напряжение и ток модулируемого электрода;
τ и Т – длительность и период следования импульсов;
q = T/τ – скважность.
• Импульсная и средняя мощность модулятора при модуляции
на электрод с малым потреблением тока равны
УСИЛЕНИЕ И МОДУЛЯЦИЯ ЛБВ 407
Pми = СПU2/τф; Pм = СПU2/T,

где τф – длительность фронта модулирующих импульсов;
Сп – емкость, шунтирующая выход модулятора. Её величина
определяется междуэлектродной емкостью ЛБВ, выходной ем-
костью модулятора и монтажными емкостями;
Т – период следования импульсов.
При подаче модулирующих импульсов на электрод с малым пот-
реблением тока (управляющий электрод ЛБВ) мощность модуля-
тора, в основном, расходуется на перезаряд паразитной емкости СП,
шунтирующей выход модулятора.
Типичные значения междуэлектродных емкостей ЛБВ равны:
• управляющий электрод-катод 20 пФ;
• первый анод-катод 10 пФ;
• спираль-катод 2 пФ;
• спираль-корпус 40 пФ.
Угловая модуляция
Схема осуществления угловой модуляции (УМ) ЛБВ показана на
рис. 16.6. Коллектор и ЗС прибора соединены с корпусом. Модули-
рующее напряжение приложено между корпусом и катодом ЛБВ.
• Крутизна фазовой характеристики ЛБВО равна
∆φ/∆U0 = –105N/U0 [В, град],
Рис. 16.6. Схема осуществления угловой модуляции ЛБВ

где ∆φ – разность фаз между колебаниями на входе и выходе;

N = l/λзс – число длин замедленных волн, укладывающихся на
длине ЗС (электрическая длина ЗС);
l – геометрическая длина ЗС;
λзс – длина замедленной волны взаимодействующей про-
странственной гармоники.
• Амплитуда модулирующего напряжения равна
∆U0 = ∆φU0/(105N) [В, град],
где Δϕ – девиация фазы (индекс фазовой модуляции).
• Коэффициент нелинейных искажений фазового модулятора
на ЛБВ по второй гармонике сигнала равен
3 ΔU 0 1 Δϕ (градус ) .
K2 = =
8 U0 280 N
16.5. Экспериментальные
характеристики ЛОВ
Типичные экспериментальные характеристики ЛОВО (зависимость
генерируемой частоты и выходной мощности от ускоряющего на-
пряжения U0) представлены на рис. 16.7.
f, МГц; P
2800
f
2400
P
2000
200 400 600 800 U0 , В

Рис. 16.7. Экспериментальные характеристики ЛОВ типа О
16.1. Каков принцип работы ЛБВ?
16.2. Укажите области использования ЛБВ.
16.3. Каковы особенности ЛБВ по сравнению с МРК?
16.4. Укажите области использования ламп прямой и обратной волны.
16.5. Дайте сравнительную оценку приборов типа О и М.
16.6. Дайте сравнительную оценку ЛОВО и ЛОВМ.
16.7. Укажите параметры и области использования ЛБВО и ЛОВО.
Замедляющие структуры
16.8. Укажите области применения ЗС с сильной и слабой диспер-
сией (рис. 16.2).
16.9. Сравните свойства спиральных и периодических ЗС.
16.10. Почему спиральные ЗС миллиметрового диапазона имеют
малый диаметр?
16.11. Почему в мощных ЛБВ миллиметрового диапазона не ис-
пользуют спиральные ЗС?
16.12. Определите фазовую скорость волны в спиральной ЗС, если
D = 3 мм, S = 0,4 мм.
16.13. Оцените величину ускоряющего напряжения ЛБВ со спи-
ральной ЗС, если шаг спирали равен 1 мм, а диаметр – 4 мм.
16.14. Определите шаг намотки спиральной ЗС миллиметрового
диапазона, если диаметр спирали равен 0,6 мм, а ускоряющее
напряжение равно 7 кВ.
16.15. Определите шаг и диаметр спиральной ЗС, если λ = 8 мм,
U0 = 5 кВ.
16.16. Определите размеры спиральной ЗС, если U0 = 10 кВ, диапа-
зон рабочих частот ЛБВ 30…34 ГГц.
16.17. Определите период L замедляющей структуры ЛБВ, если
λ0 = 12 мм, λ2 = 0,5 мм.
16.18. Определите частоту сигнала, усиливаемого ЛБВО, если угол
φ0 = π/6, L = 2 мм, n =0, U0 = 5 кВ.
16.19. В ЛБВО фазовый сдвиг равен φ0 = π/4, L = 3 мм, f = 1500 МГц.
Определите величину ускоряющего напряжения, при котором
поток электронов будет передавать энергию полю: а) нулевой,
б) первой пространственной гармоники.
16.20. Определите фазовую скорость: а) первой, б) второй, в) третьей про-
странственной гармоники ЛОВ, если Vф0 = 0,1 с, λ0 = 12 мм, L = 1 мм.
16.21. Определите ускоряющее напряжение ЛОВО при использова-

нии первой обратной гармоники, если f = 3 ГГц, L = 3 мм, фа-
зовая скорость прямой нулевой пространственной гармоники
равна 0,1 с.
16.22. Определите скорость электронов в ЛОВО при использовании
первой обратной гармоники, если f = 4 ГГц, L = 1,5 мм, фазовая
скорость прямой нулевой пространственной гармоники равна
0,05 с.
16.23. Определите частоту генерации ЛОВО при использовании
первой обратной пространственной гармоники, если ускоряю-
щее напряжение равно 3 кВ, L = 2 мм, фазовая скорость прямой
нулевой пространственной гармоники равна 108 м/с.
16.24.Постройте дисперсионную характеристику и график элект-
ронной настройки ЛОВО при изменении ускоряющего напря-
жения от 1,5 до 3,5 кВ, если использована ЗС типа встречных
штырей с L = 2 мм, φ0 = π, n = –1.
16.25. Определите тип ЛБВ и тип её ЗС, если частота автоколеба-
ний прямо пропорциональна U0.
16.26. Определите интервал между возможными частотами генера-
ции ЛБВ, если длина ЗС равна 0,5 м, а vф = 0,05 с.
16.27. Определите расстояние между возможными частотами гене-
рации ЛБВО, обусловленными отражениями ЭМВ от концов
ЗС, если U0 = 10 кВ, длина ЗС равна 0,5 м.
16.28. Получите фазовое условие положительной обратной связи в ЛБВ
и определите интервал между возможными частотами генерации.
16.29. Определите максимально возможный коэффициент усиления
ЛБВ, если модули коэффициентов отражения на концах ЗС
равны 0,05 и 0,07.
16.30. Определите модули коэффициентов отражения на концах ЗС,
полагая Г1 = Г2, при которых можно получить максимальный ко-
эффициент усиления ЛБВ, равный: а) 20 дБ; б) 30 дБ; в) 40 дБ.
16.31. Определите максимальный коэффициент усиления ЛБВ с
поглотителем в ЗС, ослабляющим ЭМВ на 15 дБ, если макси-
мальный коэффициент усиления без поглотителя определяется
отражениями ЭМВ от концов ЗС и равен 20 дБ. Отражением
волны от поглотителя можно пренебречь.
16.32. Для устранения самовозбуждения ЛБВ в середине ЗС вклю-
чен поглотитель, ослабляющий ЭМВ на 20 дБ. Определите мак-
симальный коэффициент усиления ЛБВ с поглотителем, если
модули коэффициентов отражения на концах ЗС равны 0,05 и
0,07. Отражением ЭМВ от поглотителя можно пренебречь.
16.33. В середине ЗС ЛБВ включен поглотитель, ослабляющий

электромагнитную волну на 20 дБ. Определите максимально
возможный коэффициент усиления ЛБВ, если КСВ на концах
ЗС равны 1,1 и 1,2. Отражением волн от поглотителя можно
пренебречь.
16.34. Получите амплитудное условие отсутствия самовозбуждения
ЛБВ без поглотителя в ЗС.
16.35. Для обеспечения устойчивой работы ЛБВО в её ЗС встро-
ен поглотитель. Определите необходимое затухание мощнос-
ти в поглотителе G, если усиление лампы без учета затухания
мощности в поглотителе равно КР, а модули коэффициентов
отражения на концах ЗС равны Г1 и Г2. Отражением волн от
поглотителя и затуханием отраженной волны в ЗС можно пре-
небречь.
Характеристики и параметры ЛБВ
16.36. Какие факторы определяют ширину рабочей полосы частот ЛБВО?
16.37. На каких частотах должно выполняться амплитудное условие
отсутствия самовозбуждения ЛБВ?
16.38. Какие факторы ограничивают полосу частот равномерного
усиления ЛБВО?
16.39. Почему частота автоколебаний ЛОВО с периодической ЗС
прямо пропорциональна U0?
16.40. Почему в ЛОВ частота автогенерации обычно прямо пропор-
циональна величине ускоряющего напряжения?
16.41. Как уменьшить дестабилизирующее влияние нагрузки на ра-
боту ЛБВ?
16.42. Почему частотная характеристика ЛБВ бывает существенно
неравномерной (“изрезаной”)?
16.43. Как можно перейти из режима автогенерации ЛОВО в режим
регенеративного усиления?
16.44. Почему в автогенераторах на ЛОВ отсутствует эффект длин-
ной линии?
16.45. Почему кривая выходной мощности ЛОВО (рис. 16.7) имеет
изрезанный характер?
16.46. Как можно обнаружить и устранить паразитную генерацию в
автогенераторе на ЛОВ?
16.47. В каких приборах с бегущей волной можно получить на-
ибольший коэффициент усиления?
16.48. Как можно повысить КПД ЛБВО?
16.49. Какие требования предъявляются к стабильности источников

питания ЛБВ?
16.50. Получите формулу для определения: а) ускоряющего напря-
жения, б) тока катода, в) сопротивления постоянному току
ЛБВО при заданной величине мощности электронного потока
P0 и первеанса р.
16.51. Получите формулу для определения динамического сопро-
тивления ЛБВО.
16.52. Определите статистическое и динамическое сопротивле-
ния, мощность Р0 и ток луча ЛБВ 518Н при ускоряющем на-
пряжении: а) 7,4 кВ; б) 8,2 кВ, если в номинальном режиме
Uон = 7,8 кВ, Iон = 1,8 А.
16.53. Определите крутизну фазовой характеристики ЛБВ 518Н в
номинальном режиме (задача 16.52), если электрическая длина
ЗС равна 40.
16.54. Сравните ход экспериментальной ЧХ ЛОВО (рис. 16.7) с
расчётной и объясните полученный результат.
Усиление и модуляция ЛБВ
16.55. Какие сигналы могут усиливать ЛБВ?
16.56. Какие виды модуляции можно осуществлять в передатчиках
на ЛБВ?
16.57. Какой вид должна иметь СМХ ЛБВ для неискаженной пе-
редачи АМ-сигнала?
16.58. Поясните назначение элементов в схеме питания усилитель-
ной ЛБВ (рис. 16.3).
16.59. Сравните способы осуществления АМ в ЛБВ.
16.60. Почему обычно не осуществляют АМ изменением ускоряю-
щего напряжения?
16.61. Почему при усилении АМ-сигналов появляется паразитная
фазовая модуляция?
16.62. Поясните назначение элементов в схеме рис. 16.4 осущест-
вления амплитудной модуляции ЛБВ.
16.63. Возможен ли импульсный режим работы ЛБВ, разработанной
для непрерывного режима?
16.64. Сравните свойства передатчиков при осуществлении импуль-
сной модуляции ЛОВ в случае подачи модулирующего напряже-
ния: а) на управляющий электрод; б) на первый анод; в) на ЗС.
16.65. Сравните свойства импульсных передатчиков при осущест-
влении импульсной модуляции усилительной ЛБВ в случае
подачи модулирующего напряжения: а) на управляющий элек-

трод; б) на первый анод; в) на ЗС.
16.66. Каковы причины искажения сигналов при осуществлении
импульсной модуляции усилительной ЛБВ в случае подачи
модулирующего напряжения: а) на управляющий электрод;
б) на первый анод; в) на ЗС?
16.67.Поясните назначение элементов в схеме рис. 16.5, б осущест-
вления импульсной модуляции ЛБВ.
16.68. Как можно осуществить фазовый модулятор на ЛБВ? Что
ограничивает максимальную девиацию фазы?
16.69. Какие искажения возможны в ЛБ при усилении ЧМ-коле-
баний?
16.70. Каковы причины искажения сигналов при осуществлении
ЧМ в генераторах на ЛБВ?
16.71. По каким приборам и как можно подобрать оптимальное ус-
коряющее напряжение ЛБВ?
16.72. По каким приборам и как можно произвести юстировку ЛОВ?
16.73. Определите коэффициент амплитудной модуляции ЛБВ,
если выходная мощность ЛБВ в режиме несущей равна 700 Вт,
а при модуляции гармоническим сигналом – 920 Вт.
16.74. Определите амплитуду модулирующего напряжения и мощ-
ность модулятора при амплитудной модуляции ЛБВ Z5161 по
схеме рис. 16.4, если m = 0,9; Ua1 нес = 3 кВ; полоса модулиру-
ющих частот от 10 до 100 кГц, выходная ёмкость модулятора
равна 5 пФ.
16.75. Определите амплитуду модулирующего напряжения и мощ-
ность модулятора при амплитудной модуляции ЛБВ УВ-229
по схеме рис. 16.4, если m = 1, Ua1 нес = 400 В; полоса модулиру-
ющих частот от 100 Гц до 3 МГц, выходная ёмкость модулятора
равна 4 пФ.
16.76. Импульсную модуляцию ЛБВ VA-644А осуществляют по схе-
ме рис. 16.5, а. Определите импульсную и среднюю мощность
модулятора, если I0 = 8 A, U0 = 2 кВ, S = 500.
16.77. Импульсную модуляцию ЛБВ VAS-811T1 осуществляют по
схеме рис. 16.5, б. Определите импульсную и среднюю мощ-
ность модулятора, если номинальное напряжение управляюще-
го электрода равно 80 В, а запирающее – 1000 В; длительность
фронта модулирующих импульсов равна 10 нс, скважность 20,
суммарная паразитная ёмкость, шунтирующая выход модуля-
тора, равна 40 пФ.
16.78. Определите девиацию фазы на выходе ЛБВО при изменении

напряжения ЗС на 1%, если N = 20.
16.79. Определите максимальную девиацию фазы ЛБВ, при которой
коэффициент нелинейных искажений не превышает 0,02, если
электрическая длина ЗС равна 25.
16.80. Определите паразитную девиацию частоты и фазы на выходе
ЛБВ, если пульсации напряжения на ЗС равны 1%; частота
пульсаций 300 Гц; электрическая длина ЗС равна 40.
16.81. Определите амплитуду модулирующего напряжения и
мощность модулятора при осуществлении частотной моду-
ляции ЛОВ, если f0 = 2600 МГц, девиация частоты 20 МГц,
ток луча 20 мА. Частотная характеристика ЛОВ приведена на
рис. 16.7.
16.82. Определите крутизну модуляционной характеристики, амп-
литуду модулирующего напряжения и коэффициент нелиней-
ных искажений при фазовой модуляции ЛБВ, если U0 = 1 кВ,
N = 30, девиация фазы ±90°.
16.83. Фазовую модуляцию ЛБВ УВ-204 осуществляет по схеме
рис. 16.6. Определите амплитуду модулирующего напряжения,
мощность модулятора и коэффициент нелинейных искажения
при девиации фазы: а) 90°, б) 200°, если U0 = 2,7 кВ, I0 = 70 мА.
Электрическая длина ЗС равна 20.
16.84. Определите амплитуду модулирующего сигнала ЛОВ и
мощность модулятора для получения девиации частоты
100 МГц, если крутизна частотной характеристики ЛОВ равна
Sf = 0,5 МГц/В, а дифференциальное сопротивление нагрузки
модулятора равно 8 кОм.
16.85. Определите мощность, потребляемую однотактным резистив-
ным модулятором при осуществлении амплитудной модуляции
ЛБВ на электрод с малым потреблением тока, если величина
емкости нагрузки равна СП, а максимальная частота модулиру-
ющего сигнала uМ = UМ sinΩt равна Ωmax.
16.86. Определите импульсную и среднюю мощность модулятора
с частичным разрядом накопительной емкости (рис. 11.2) при
модуляции ЛБВ на электрод с малым потреблением тока, если
амплитуда модулирующих импульсов равна U, длительность
фронта импульсов равна τФ, величина емкости нагрузки моду-
лятора равна СП, период следования и длительность импульсов
соответственно равны Т и τ.
17 ГЕНЕРАТОРЫ
МАГНЕТРОННОГО
ТИПА
17.1. Особенности генераторов

магнетронного типа
В приборах магнетронного типа (типа М), как и во всех лампах бе-
гущей волны, используется принцип непрерывного взаимодействия
потока электронов с ЭМВ, распространяющейся в замедляющей
структуре. Отличительной особенностью приборов типа М являет-
ся наличие в междуэлектродном пространстве взаимно перпендику-
лярных (скрещенных) постоянных (статических) электрического и
магнитного полей. Все приборы типа М работают при выполнении
условия синхронизма – равенства средней переносной скорости
электронов νe и фазовой скорости n-й пространственной гармоники
νфn, с которой взаимодействует электронный поток.
Условие синхронизма для приборов типа М νе = νф n.
В приборах типа М при отдаче электронами энергии высокочас-
тотному полю условие синхронизма их скорости не нарушается, поэ-
тому могут быть получены высокие (до 90%) значения электронного
КПД.
В настоящее время приборы типа М широко используются для
генерации мощных колебаний дециметрового, сантиметрового и
миллиметрового диапазонов. Они применяются в радиолокацион-
ных, навигационных, связных и других устройствах, что объясняет-
ся высоким КПД приборов, относительно невысокими питающими
напряжениями, простотой конструкции, их сравнительно небольши-
ми габаритами и массой.
416 ГЕНЕРАТОРЫ МАГНЕТРОННОГО ТИПА
Прообразом приборов типа М является многосегментный (мно-

горезонаторный) магнетрон. Первые конструкции многорезона-
торных магнетронов были разработаны Н. Ф. Алексеевым и Д. Е. Ма-
ляровым во второй половине тридцатых годов и были впервые
опубликованы в 1940 г. В последующие годы техника магнетронных
АГ получила очень широкое развитие. Появление магнетрона позво-
лило сделать большой шаг в развитии радиолокации и навигации.
Имея относительно простую конструкцию, малые массу и габари-
ты, магнетрон позволил существенно увеличить частоту и мощность
колебаний РПУ при весьма высоком КПД. Магнетроны работают
на фиксированной частоте или с перестройкой в относительно уз-
ком диапазоне частот (5…10%) в режиме непрерывной генерации,
импульсном или пакетно-импульсном режиме. Уровни мощности в
импульсном режиме составляют единицы – десятки мегаватт в де-
циметровом диапазоне и десятки киловатт в миллиметровом. Соот-
ветствующие значения средней или непрерывной мощности: сотни
киловатт в дециметровом и десятки – сотни ватт в миллиметровом
диапазонах. КПД магнетронов дециметрового диапазона достигает
75…85%, а длинноволновой части миллиметрового – 15…25%. Зна-
чительная часть магнетронов непрерывного генерирования, предна-
значенных для использования в быту, промышленности и сельском
хозяйстве, работает на частотах 0,915 и 2,45 ГГц, выделенных для
этих применений. Мощности таких приборов колеблются от десят-
ков ватт до 100 кВт при КПД до 70…80%.
Из конструктивных соображений анодный блок магнетрона обыч-
но заземляется, а на катод подается отрицательное напряжение
(рис. 17.1, а). Поэтому катод и цепь накала должны быть изолиро-
ваны от корпуса.
Свойства магнетронов наиболее подробно рассмотрены в работах
[5–9, 16, 19, 21, 24, 25, 34, 40, 58, 69–71, 103]. Недостатками клас-
сических магнетронов являются сравнительно низкая стабильность
Io
+
E
+ Uy Io
+
E
Uн
а б
Рис. 17.1. Схемы питания: а – магнетрона, б – митрона
ОСОБЕННОСТИ ГЕНЕРАТОРОВ МАГНЕТРОННОГО ТИПА 417
частоты и трудности осуществления перестройки рабочей частоты.

Эти недостатки в значительной степени преодолеваются в разно-
видностях магнетронных генераторов – приборах магнетронного
типа [9, 19, 21, 24, 25, 34, 39, 40, 43, 58, 60, 71, 80, 103]. Высокая
стабильность частоты генерируемых колебаний достигается в ко-
аксиальных и обращенных коаксиальных магнетронах. В их конс-
трукцию входит высокодобротный стабилизирующий резонатор,
связанный с “внутренней” КС магнетрона. Разработаны магнетро-
ны, настраиваемые напряжением (митроны), платинотроны, ЛОВ и
ЛБВ типа М и др. Сообщения о разработках митронов, платинотро-
нов и карматронов были опубликованы в 1953–1958 гг. [34].
Платинотроны принадлежат к классу приборов со скрещен-
ными полями, у которых электронный поток замкнут, а замедля-
ющая (резонаторная) система – разомкнута [21, 24, 34, 39, 40, 58,
69–71,103]. В них удачно сочетаются положительные свойства маг-
нетронов: высокий КПД большая мощность, небольшие габариты,
а также присущая приборам типа М возможность работы в ши-
рокой полосе частот. По устройству они отличаются от магнетро-
нов тем, что имеют два вывода – вход и выход, которые получены
разрывом кольцевых связок в одном из резонаторов. Кроме того,
число резонаторов в платинотроне выбирается нечетным (9…21),
что предотвращает возбуждение колебаний вида π, основных для
магнетронов. Платинотроны могут использоваться как в непрерыв-
ном, так и в импульсном режимах в качестве перестраиваемого АГ
или широкополосного усилителя. Платинотроны, предназначенные
для использования в качестве АГ, получили название стабилотро-
нов, а применяемые для усиления, – амплитронов. Достоинствами
амплитронов являются большой КПД, (70% и более) и значитель-
ная выходная мощность (в непрерывном режиме сотни киловатт, в
импульсном – до десятка мегаватт), а недостатками – невысокий
(около 20 дБ) коэффициент усиления, сравнительно узкая полоса
частот и невозможность работы при малом входном сигнале. Схема
импульсного усилителя на амплитроне показана на рис. 17.6.
Митроны (магнетроны, перестраиваемые напряжением)
обеспечивают широкий диапазон электронной перестройки при вы-
сокой линейности модуляционной характеристики и сравнительно
небольших перепадах выходной мощности [21, 24, 34, 39, 40, 58, 71,
91, 103]. Они изготавливаются в двух модификациях:
• широкополосные с отношением максимальной генерируемой
частоты к минимальной равным 2 : 1 или 3 : 1 и относительно
малой выходной мощностью (доли и единицы ватт);
• узкополосные с полосой перестройки 5…20% и повышенным

уровнем мощности (десятки ватт).
В митронах используют низкодобротную ЗС, замкнутую в кольцо,
а эмиттирующий катод вынесен из пространства взаимодействия.
Амплитудную модуляцию митрона следует осуществлять путем из-
менения напряжения на управляющем электроде (рис. 17.1, б и 17.3).
Сопротивление участка управляющий электрод – катод митрона не-
линейно. Частотную модуляцию митрона осуществляют путем из-
менения анодного напряжения, поскольку частота линейно зависит
от этого напряжения (рис. 17.3). Частотный модулятор может быть
выполнен как УНЧ, работающий на статическое сопротивление мит-
рона R0 = E/I0. Максимальная частота модулирующего напряжения
может быть того же порядка, что и частота генерируемых колебаний,
поскольку время установления колебаний в митроне соизмеримо с
периодом высокочастотных колебаний.
Надежность работы и удобство эксплуатации митронов в значи-
тельной степени зависят от выбранной схемы питания. Достоинс-
твами схемы питания с заземленным катодом являются: простота
схемы модуляции по управляющему (фокусирующему) электроду;
малая величина паразитной модуляции потока из-за уменьшения
влияния внешних электрических наводок по цепи питания накала.
Серьезный недостаток этой схемы – трудность защиты от высокого
анодного напряжения, так как корпус соединен с анодом. Высоко-
частотная линия передачи имеет непосредственный контакт с выво-
дом энергии митрона и также будет находиться под высоким напря-
жением. Этот недостаток отсутствует в схеме питания с заземленным
анодом, однако в этой схеме необходима тщательная экранировка
цепей питания накала и, кроме того, усложняется схема модуляции,
так как требуется изоляция модулятора от высокого анодного на-
пряжения. На рис. 17.1, б приведена схема питания с заземленным
анодом, наиболее распространенная.
ЛБВ типа М и ЛОВ типа М принадлежат к классу приборов со
скрещенными полями, у которых разомкнута и замедляющая (ре-
зонаторная) система, и электронный поток [21, 24, 34, 39, 40, 58,
71, 103].
Коэффициент полезного действия ЛБВ типа М достигает 50%.
Поэтому их применяют в качестве мощных выходных усилителей
непрерывного или импульсного сигнала. Уровень выходной мощ-
ности в непрерывном режиме составляет единицы киловатт, а в
импульсном – единицы мегаватт. Относительная ширина полосы
ПАРАМЕТРЫ ГЕНЕРАТОРОВ МАГНЕТРОННОГО ТИПА 419
усилителя достигает 25%. Коэффициент усиления обычно не более

15 дБ.
Усилительные ЛОВ типа М конструктивно отличаются от ЛБВ тем,
что у них вход расположен возле коллектора, а выход – у электронной
пушки. Усилитель на ЛОВ типа М регенерирован и работает вблизи
порога самовозбуждения. При переходе через этот порог усилитель
работает в режиме синхронизации автоколебаний внешним сигналом.
В типичных ЛОВ типа М на частоте 3 ГГц получена выходная мощ-
ность 1 кВт в непрерывном режиме и до 150 кВт в импульсном при
КПД 50%, полосе пропускания несколько процентов и электронной
перестройке в пределах 50% и коэффициенте усиления до 15 дБ.
Автогенераторные ЛОВ типа М (карсинотроны, карматроны и др.)
находят применение как мощные источники СВЧ-колебаний, допус-
кающие электронную перестройку в широком диапазоне частот. Их
используют в передатчиках с частотной или импульсной модуляцией
и передатчиках помех. Карматроны сочетают основные достоинства
магнетронов (устойчивая генерация колебаний большой мощности)
и ЛОВ типа М (электронная перестройка). Это обстоятельство от-
ражено в названии прибора, полученного от соединения двух слов
«карсинотрон» (ЛОВ М) и магнетрон. Конструкция карматронов по-
добна платинотронам: электронный поток замкнут, ЗС разомкнута и
нагружена на поглотитель, расположенный внутри прибора.
17.2. Параметры генераторов

магнетронного типа
• Поступательная продольная (переносная) скорость электро-
нов в приборах типа М равна
νе = E/(Bd),
где E – напряжение, приложенное между анодной системой и
катодом магнетрона;
B – магнитная индукция;
d – расстояние между анодом и катодом.
• Статическое сопротивление прибора (сопротивление посто-
янному току) равно
R0 = E/I0,
где E и I0 – анодное напряжение и анодный ток в рабочей точке.
• Динамическое (дифференциальное) сопротивление прибора

равно
dE ΔE
RД = ≈ .
dI ΔI
0 0
• Полный КПД прибора равен η = Рвых/(EI0).
• Относительное изменение тока прибора при изменении анод-
ного напряжения равно
ΔI 0 ΔE R0 .
= ⋅
I0 E RД
• Выходная мощность прибора
Рвых = ηEI0 = ηеηкEI0,
где η, ηе и ηк – полный, электронный и контурный КПД при-
бора.
• Средняя выходная мощность прибора равна
Рвых = Рвых и /q = Рвых и τF,
где Рвых и – импульсная мощность прибора; q – скважность;
F и τ – частота следования и длительность импульсов.
• Мощность, поступающая в нагрузку от согласованного гене-
ратора, (внутреннее сопротивление генератора равно волново-
му сопротивлению линии) равна
Pнагр = Pвых(1 – | Г |2),
где | Г | – модуль коэффициента отражения от нагрузки.
• Выходная мощность оконечного каскада передатчика равна
PА ⋅ α
Pвых = ,
ηф ⋅ (1 − Г н2 )
где PА – мощность в антенне;
α – прямое затухание вентиля на выходе передатчика;
ηф = 0,85…0,95 – КПД антенно-фидерного тракта;
Гн – модуль коэффициента отражения от нагрузки.
• Мощность модулятора равна
Rмод = 0,5U 2 Rд ,
где U – амплитуда модулирующего напряжения;
RД – динамическое сопротивление по модулируемому элект-
роду.
РАБОЧИЕ И НАГРУЗОЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МАГНЕТРОНОВ 421
Параметры некоторых типов магнетронов и митронов приведены

в табл. 17.1.
Таблица 17.1. Параметры магнетронов и митронов
МАГНЕТРОНЫ МИТРОНЫ
Тип прибора
М-62 МИ-88М 5J 26 720-AE ВТО-24 ВТО-246
Диапазон
2,375…2,425 36,45…37,15 1,22…1,35 2,8 2…4 2,8…3,2
частот, ГГц
Выходная
150 28000 550000 1100000 1,1 50
мощность, Вт
Скважность 2000 1000 2000
Анодное
2 14,4 28 24 2,2 2,7
напряжение E, кВ
Анодный ток I0 , А 0,15 14 46 53 0,01 0,06
Крутизна SfI, МГц/А 2 0,08
F0, МГц 40 2,5
17.3. Рабочие и нагрузочные

характеристики магнетронов
• Типичное пороговое напряжение магнетронов равно
Eпор = 0,8E.
• Типичная величина анодного напряжения магнетрона в номи-
нальном режиме работы при выходной мощности более 2 кВт
(для импульсных магнетронов – мощность в импульсе) рав-
на
Eпор = Pвых + 5 [кВ, кВт].
• Уход частоты магнетрона при небольшом (ΔI0 I0) измене-
нии тока питания равен
ΔfI = SfI ∆I0,
где SfI – крутизна зависимости генерируемой частоты от анод-
ного тока.
Рабочие и нагрузочные характеристики импульсного магнетрона
миллиметрового диапазона МИ-88М приведены на рис. 17.2.
360ɨ 20 ɆȽɰ
E, кВ P вых , кВт 35 ɤȼɬ
В0 = 0,68Т 40 ɤȼɬ 10 ɆȽɰ
14,5 60 25 ɤȼɬ
U0
14,4 50 270ɨ 90ɨ
P вых 0,1 0,2
14,3 40 'f = 0
14,2 I0 , A -20 ɆȽɰ
12 14 16 18 -10 ɆȽɰ
180ɨ
τи = 0,1 мкс; F = 5000 Гц τи = 0,1 мкс; F = 5000 Гц; I0 = 12 А
а б
Рис. 17.2. Характеристики магнетрона МИ-88М:
а – рабочие; б – нагрузочные
• Наибольшая длина фидера, соединяющего магнетрон с на-

грузкой, при которой в магнетроне еще не возникают перес-
коки частоты
(1 − Г )
2
5 υф
lкр = ⋅ ⋅ ,
48π Г F0
U ɨɛɪ Ʉɋȼ 1
где Ƚ – модуль коэффициента отражения от
U ɩɪ Ʉɋȼ 1
нагрузки;
Uпр и Uобр – амплитуды прямой и обратной волны;
КСВ – коэффициент стоячей волны;
υф – фазовая скорость волны в фидере;
F0 – коэффициент затягивания частоты, определяемый как
максимальное изменение генерируемой частоты при измене-
нии фазы коэффициента отражения на 360° и фиксированном
значении | Г | = 0,2 (КСВН = 1,5).

характеристики митронов
• Изменение частоты митрона при изменении анодного напря-
жения равно
Δfа = Sfa ∆E,
РАБОЧИЕ И НАГРУЗОЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МИТРОНОВ 423
где Sfa – крутизна зависимости генерируемой частоты от анод-

ного напряжения. В зависимости от геометрических размеров
пространства взаимодействия и величины магнитного поля эта
крутизна равна 0,5…5 МГц/В.
• Изменение частоты митрона при изменении напряжения на
управляющем электроде Uy равно
Δfy = Sfy ∆Uy,
где Sfy – крутизна зависимости генерируемой частоты от уп-
равляющего напряжения. В зависимости от конструкции элек-
тронной пушки эта крутизна для маломощных митронов равна
0,2…0,6 МГц/В, а для митронов средней и большой мощнос-
ти – 0,08…0,15 МГц/В.
• Изменение частоты митрона при изменении напряжения на-
кала равно
Δfн = Sfн ∆Uн,
где Sfн – крутизна зависимости генерируемой частоты от на-
пряжения накала. В зависимости от конструкции катода она
равна 5…10 МГц/В.
• Нелинейность (отклонение от прямой линии) зависимости
частоты митрона от анодного напряжения при неполном со-
гласовании митрона с высокочастотной нагрузкой равна
F⎛ 2π n ⋅ Δf ⎞
Δf н = ± ⎜ 1 − cos ⎟,
4⎝ f0 ⎠
где n – число волн, укладывающихся вдоль линии передачи;
Δf – интервал частот, в котором определяется нелинейность;
F – полоса затягивания частоты при данном КСВ нагрузки;
f0 – резонансная частота колебательной системы митрона.
Для узкого интервала частот Δf и короткой линии передачи
(2 n · Δf/f0 ≤ 1) формула для расчета нелинейности упрощается
Δfн = ±0,5F( n · Δf/f0)2.
Зависимости выходной мощности, анодного тока и генерируемой
частоты широкополосного митрона от анодного напряжения и от
напряжения на управляющем электроде показаны на рис. 17.3.
f, ГГц Рвых, Вт f, ГГц Рвых, Вт

2,2
4,8 ь 1,8 2,0
ост но
сть
4,4 щн 1,4 щ 1,4
мо мо
4,0 1,0 3,02 0,8
3,6 0,2
тот
а I0, мА ча
ст I0, мА
3,2 час 3,01 от
а
к
2,8 ано дный то 10 20
ый ток
2,4 5 3,00 анодн 10
1100 1300 1500 1700 E, В 120 240 360 480 Uy, В

Рис. 17.3. Характеристики широкополосного митрона

характеристики амплитронов
Характеристики приборов, катоды которых находятся в пространст-
ве взаимодействия, являются существенно нелинейными. Парамет-
ры таких приборов (амплитронов и им подобных) определяют по
экспериментальным характеристикам. Типичные вольт-амперные
и амплитудные характеристики амплитрона QKS-434 показаны на
рис. 17.4 и 17.5.
U0 , кВ
45 Pвых, кВт
я 2000
ени
сил ия
рыва у уси
лен P 0=2 МВ
т
ьс ва
40 ас т сры
Обл 1000
ла сть 1М
Вт
Об
600
Вт
Pвх =50 кВт 0,5 М
35 400
100 кВт
200 кВт
500 кВт
200
40 60 80 100 200 400 600
10 20 30 40 50 I0, А Pвх , кВт
Рис. 17.4. Вольт-амперные Рис. 17.5. Амплитудные

характеристики амплитрона характеристики амплитрона
• КПД амплитрона равен η = ( Рвых − Рвх ) /( I 0U 0 ) ,

где Рвх и Рвых – входная и выходная мощность амплитрона;
U0 и I0 – анодное напряжение и ток амплитрона.
Схема выходного каскада импульсного передатчика на амплитро-
не показана на рис. 17.6.
СИНХРОНИЗАЦИЯ ГЕНЕРАТОРОВ 425
Uн К антенне
α
0,5 dB/20 dB
Pвх
Рис. 17.6. Схема выходного каскада передатчика
Нагрузочные характеристики амплитрона QK-434 при

Рвх = 100 кВт и f = 1340 МГц приведены на рис. 17.7.
о
180
о 290 135
о
135
32 0 кВ т
кВт
360 кВт
о о
90 90
414 кВт
0,4 Г=0,5
0,2
т
45 о 0 кВ 45 о
40
к на 0 нер.
гр. к ге
Рис. 17.7. Нагрузочные характеристики амплитрона
17.6. Синхронизация генераторов

Полоса синхронизации генератора равна
2Δf = f (Qвн K p − 1) ,
при Kp 1 эта полоса равна
f f Pc
2Δf = = ,
Qвн K p Qвн Pвых
где f – частота генерации до введения синхронизирующего коле-
бания;
Qɧ Q0Qɧ
Qɜɧ – внешняя добротность колебательной систе-
Kk Q0 Qɧ мы прибора;
Qн – добротность нагруженной колебательной системы;
Q0 – добротность ненагруженной колебательной системы;
Kр = Рс /Рвых – коэффициент усиления по мощности регенератив-
ного усилителя в режиме синхронизации;
Рс – мощность синхронизирующего колебания;
Рвых – выходная мощность прибора до введения синхронизирую-
щего колебания.
17.1. Каков общий признак приборов магнетронного типа?
17.2. Какие приборы относят к классу генераторов магнетронного
типа?
17.3. Укажите области использования: а) магнетронов; б) митронов;
в) ЛБВМ и ЛОВМ.
17.4. Каковы свойства магнетронов?
17.5. Сравните энергетические показатели магнетронов дециметро-
вого и миллиметрового диапазонов.
17.6. Каковы свойства: а) широкополосных; б) узкополосных мит-
ронов?
17.7. Сравните: а) конструкции; б) возможные режимы работы пла-
тинотронов и магнетронов.
17.8. Каковы свойства амплитронов?
17.9. Каково назначение и области использования амплитронов?
17.10. Сравните энергетические показатели магнетронов (табл. 17.1)
и клистронов (табл. 15.1).
17.11. Каковы преимущества митронов по сравнению с: а) ЛОВ ти-
па О; б) клистронными и триодными генераторами?
17.12. Объясните, почему после приведения магнетрона в рабочий
режим в некоторых типах магнетронов необходимо уменьшать
или даже полностью выключать напряжение накала.
17.13. Магнетроны с неисправными подогревателями могут быть ис-
пользованы для работы, если подать на них номинальное анод-
ное напряжение при пониженной магнитной индукции (после

появления анодного тока индукция доводится до нормальной).
Как объяснить это явление? Как можно использовать магнет-
рон пакетного типа, у которого неисправный подогреватель?
17.14. Как можно контролировать работу генератора: а) в непрерыв-
ном; б) в импульсном режиме работы?
17.15. Определите тип ЛОВ и тип ее ЗС, если частота генерации
пропорциональна величине ускоряющего напряжения.
17.16. Импульсная мощность на выходе передатчика равна 200 кВт,
КПД фидера 0,8, КПД магнетрона 0,64. Какую среднюю мощ-
ность потребляет анодная цепь, если длительность импульсов
равна 2 мкс, а частота повторения 1 кГц?
17.17. Импульсная СВЧ мощность в нагрузке равна 1 МВт; КПД
фидера 0,9; полный КПД магнетрона 0,8; длительность им-
пульсов 5 мкс; частота следования 200 Гц. Определите среднюю
мощность источника анодного питания.
17.18. Почему при одинаковых дисперсионных характеристиках 3С
и одинаковых изменениях ускоряющих напряжений U0 изме-
рение частоты в генераторах на ЛОВМ получается большим,
нежели в генераторах на ЛОВО? Во сколько раз нужно изме-
нить ускоряющее напряжение ЛОВО и ЛОВМ для того, чтобы
изменить среднюю продольную скорость электронов в 2 раза?
В каком случае выходная мощность будет более постоянной?
17.19. Постройте дисперсионную характеристику и график элект-
ронной настройки ЛОВМ при изменении ускоряющего напря-
жения E от 2 до 4 кВ, если использована периодическая ЗС с
L = 2 мм, φ0 = π, n = –1.
17.20. В каких приборах с бегущей волной можно получить высокий
КПД?
17.21. Почему фазовая стабильность усилителей М-типа гораздо
выше, чем у усилителей О-типа?
17.22. Почему при равной выходной мощности питающие напряже-
ния приборов О-типа обычно выше, чем у приборов М-типа?
17.23. Почему при одинаковой выходной мощности габариты и мас-
са приборов О-типа больше, чем у приборов М-типа?
17.24. Сравните габариты и массу источников питания ЛБВ М- и
О-типов одинаковой СВЧ-мощности.
17.25. Почему в усилительных приборах М-типа возможно исполь-
зование неподогревных (холодных) вторично-эмиссионных
катодов?
17.26. Каковы достоинства амплитронов с неподогревными (холод-

ными) катодами?
17.27. Как можно использовать явление обратной бомбардировки
катода, имеющее место в приборах М-типа, при усилении им-
пульсных сигналов?
17.28. Каковы достоинства безмодуляторного режима работы им-
пульсных усилителей на ЛБВ М-типа?
Параметры магнетронов и митронов
17.29. Определите статическое и динамическое сопротивление маг-
нетрона, если E = 30 кВ; I0 = 50 A; Eпор = 27 кВ.
17.30. Определите статическое и динамическое сопротивление маг-
нетрона МИ-88М при токе 14 А (рис. 17.2).
17.31. Изобразите зависимость дифференциального сопротивления
магнетрона от величины анодного напряжения.
17.32. Определите статическое и динамическое сопротивление мит-
рона при Е = 1,5 кВ (рис. 17.3).
17.33. Оцените величину порогового напряжения магнетрона с им-
пульсной мощностью: а) 50 кВт; б) 300 кВт; в) 1,5 МВт.
17.34. Определите полный КПД магнетрона МИ-88М при вы-
ходной мощности: а) 30 кВт; б) 40 кВт; в) 50 кВт; г) 60 кВт
(рис. 17.2).
17.35. Определите полный КПД магнетрона: а) М-62; б) МИ-88М;
в) 5J26; г) 720-АЕ (табл. 17.1).
17.36. Определите полный КПД митрона: а) ВТО-24; б) ВТО-246
(табл. 17.1).
17.37. Определите среднюю мощность, рассеиваемую магнетроном,
если импульсная выходная мощность магнетрона равна 3 МВт,
КПД 0,59, длительность импульсов 5 мкс; частота следования
100 Гц.
17.38. Определите полный КПД и среднюю мощность, рассеиваемую
магнетроном, если импульсная выходная мощность магнетро-
на равна 240 кВт; номинальное анодное напряжение 15 кВ; ток
20 А; скважность 500.
Рабочие характеристики магнетронов и митронов
17.39. Определите относительное изменение анодного напряжения
магнетрона, при котором относительное изменение тока не пре-
высит 1%. Динамическое сопротивление магнетрона в 10 раз
меньше статического.
17.40. Определите относительное изменение тока магнетрона при

уменьшении анодного напряжения на: а) 0,5%; б) 1%; в) 2%,
если номинальное анодное напряжение магнетрона равно
30 кВ, а пороговое 25 кВ.
17.41. На рабочей характеристике магнетрона МИ-88М (рис. 17.2)
найдите точку, в которой выходная мощность равна 50 кВт. Для
этой точки определите исходные данные для расчета модуля-
тора: E, I0, R0 и Rд.
17.42. Определите изменение мощности и частоты магнетрона
МИ-88М при изменении анодного напряжения на: а) 0,35%;
б) 1% относительно номинального значения (табл. 17.1).
17.43. Определите изменение выходной мощности митрона
(рис. 17.3) при перестройке его частоты от 2,6 до 4 ГГц.
Нагрузочные характеристики магнетронов и митронов
17.44. В каком месте фидера, соединяющего генератор с нагрузкой,
следует размещать согласующие элементы, обеспечивающие в
фидере режим бегущей волны?
17.45. По нагрузочным характеристикам магнетрона МИ-88М
(рис. 17.2) определите максимально возможное изменение час-
тоты при модуле коэффициента отражения: а) 0,1; б) 0,2.
17.46. По нагрузочным характеристикам магнетрона (рис. 17.2) оп-
ределите коэффициент затягивания частоты магнетрона и мак-
симально возможное изменение частоты при КСВ 1,2.
17.47. Определите длину lкр фидера, соединяющего магнетрон с на-
грузкой, если фазовая скорость волны в фидере равна 1,2 с; КСВ
нагрузки 2; F0 = 65 МГц. Как можно устранить перескоки частоты
в магнетронном генераторе, работающем на длинный фидер?
17.48. Определите наибольшую длину фидера, соединяющего маг-
нетрон с нагрузкой, если модуль коэффициента отражения от
нагрузки равен 0,15; фазовая скорость – 0,8; коэффициент за-
тягивания частоты равен: а) 20 МГц; б) 15 МГц; в) 10 МГц. Что
нужно сделать, если допустимая длина фидера получилась мень-
шей, чем это необходимо по конструктивным соображениям?
17.49. Определите наибольшую длину волновода, соединяющего
магнетрон с нагрузкой, при которой в магнетроне еще не воз-
никают перескоки частоты, если КСВ нагрузки равен 1,2; длина
волны – 3,2 см; внутренние размеры волновода – 1,2×2,4 см;
коэффициент затягивания частоты равен 20 МГц.
17.50. Определите наибольшую допустимую длину фидера, соеди-
няющего магнетрон МИ-88М с нагрузкой, если КСВ равен:
а) 3; б) 2; в) 1. Фазовая скорость волны в фидере равна 1,1 с.

Объясните полученные результаты.
17.51. Определите наибольший КСВ из условия отсутствия пере-
скоков частоты магнетрона, если F0 = 40 МГц, длина фидера
16 м, υф = 1,1 с.
17.52. Определите наибольший КСВ из условия отсутствия переско-
ков частоты магнетрона, если коэффициент затягивания часто-
ты равен 5 МГц, длина фидера равна 3,3 м, υф = 2,5⋅108 м/с.
17.53. Между магнетроном и антенной включены два вращающихся
сочленения, дающие КСВ 1,1 и 1,05; КСВ антенны равен 1,2.
Обоснуйте место включения фазовращателя для получения ми-
нимального КСВ на выходе магнетрона, если все отраженные
волны синфазны. Какой минимальный КСВ можно при этом по-
лучить? Изменением амплитуды волны, проходящей через неод-
нородность, дающую КСВ ≈ 1 (| Г | 1), можно пренебречь.
17.54. Определите величину КСВ на выходе магнетрона при усло-
вии, что вентиль, включенный между магнетроном и антенной,
отражений не дает и имеет затухание для прямой волны 0,5 дБ,
а для обратной 10 дБ; КСВ, создаваемый антенной, равен: а) 1,5;
б) 2; в) 2,5.
17.55. Выходная мощность магнетрона равна 500 кВт. Определите
мощность, передаваемую в антенну, если КСВ антенны равен
1,3, а ферритовый вентиль, включенный между антенной и маг-
нетроном, имеет прямое затухание 0,6 дБ. Затуханием волны в
фидере можно пренебречь.
17.56. Определите нелинейность частотной характеристики митро-
на, имеющего диапазон перестройки 500 МГц при средней час-
тоте 4 ГГц и n = 1, если: а) при КСВ = 1,5 коэффициент F равен
12 МГц; б) при КСВ = 1,2 коэффициент F равен 6 МГц.
Стабилизация и синхронизация частоты
17.57. Перечислите основные причины нестабильности частоты ге-
нераторов и способы ослабления их влияния.
17.58. С какой целью используют синхронизацию частоты генера-
торов?
17.59. Магнетронный генератор работает на частоте 3000 МГц;
SfI = 0,3 МГц/А; Rд = 200 Ом. Определите скол вершины им-
пульса, если допустимое изменение частоты равно 3·10-4.
17.60. Определите изменение анодного напряжения магнетрона
МИ-88М относительно номинального значения, при котором
уход частоты автоколебаний не превысит 2 МГц.
17.61. Оцените максимальный уход частоты узкополосного мит-

ронного генератора при уменьшении на 5%: а) анодного; б) уп-
равляющего; в) накального напряжения, если в номинальном
режиме Е = 1500 В; Uу = 300 В; Uн = 12,6 В.
17.62. Определите уход частоты митрона (рис. 17.3) при изменении
на 10%: а) анодного; б) управляющего; в) накального напряже-
ния, если в номинальном режиме Е = 1,5 кВ; Uу = 300 В; напря-
жение накала 6,3 В. Крутизна зависимости частоты от напря-
жения накала равна 6 МГц/В.
17.63. Определите коэффициент усиления по мощности регенера-
тивного усилителя на магнетроне, если генерируемая частота
равна 5500 МГц; полоса синхронизации равна 10 МГц. Добро-
тность нагруженной колебательной системы магнетрона равна
22,5; контурный КПД равен 0,9.
17.64. Определите электронное смещение частоты стабилитрона,
коэффициент электронного смещения частоты которого равен
3 кГц/А, если за время импульса величина тока уменьшилась
на 10%, Pвых = 750 кВт, U0 = 36 кВ, nе = 52%.
17.65. Определите коэффициент усиления по мощности регене-
ративного усилителя на митроне, если генерируемая частота
равна 2500 МГц; полоса синхронизации 15 МГц; внешняя доб-
ротность колебательной системы митрона равна 10.
Модуляция магнетронов и митронов
17.66. Почему при импульсной модуляции магнетронов длитель-
ность СВЧ-импульсов получается меньше длительности моду-
лирующих?
17.67. Какие требования предъявляются к форме импульсов, моду-
лирующих магнетрон? Почему скорость нарастания напряже-
ния на магнетроне должна иметь определенную величину?
17.68. Что ограничивает максимальную скорость нарастания анод-
ного напряжения магнетрона? Как можно получить радиоим-
пульсы наносекундной длительности?
17.69. Из каких соображений выбирают амплитуду и длительность
пьедестальных импульсов, используемых при модуляции маг-
нетронов импульсами очень малой длительности?
17.70. Магнетрон используется в передатчике линии связи с им-
пульсно-временной модуляцией. Как можно уменьшить дро-
жание фронта выходного радиоимпульса?
17.71. Нарисуйте осциллограмму огибающей высокочастотного
импульса магнетрона при: а) нормальной работе магнетрона;
б) перескоке вида колебаний на протяжении одного и того же

импульса; в) перескоке одного вида колебаний на другой при
разных импульсах; г) нестабильности момента возбуждения
колебаний; д) искрениях или недовозбуждении колебаний на
отдельных импульсах.
17.72. Нарисуйте огибающую спектра выходного сигнала импуль-
сного магнетрона при: а) нормальной работе; б) перескоке вида
колебаний; в) повышенном электронном смещении частоты.
17.73. Определите наименьшую длительность фронта модулирую-
щего импульса магнетрона МИ-88М, если допустимая скорость
нарастания анодного напряжения равна 3·1011 В/с.
17.74. Оцените максимально возможную частоту модулирующего
анодного напряжения митрона при осуществлении ЧМ, если
частота автогенерации равна: а) 3 ГГц; б) 9 ГГц.
17.75. Оцените максимально возможную частоту модулирующего
напряжения, подаваемого на управляющий электрод митрона
при АМ, если частота генерации равна: а) 3 ГГц; б) 9 ГГц.
17.76. Определите мощность модулятора и девиацию частоты мит-
рона (рис. 17.3) при ЧМ, если амплитуда модулирующего анод-
ного напряжения равна: а) 30 В; б) 100 В; в) 200 В. Средняя
частота генерации равна 3,6 ГГц.
17.77. Определите амплитуду анодного напряжения и мощность
модулятора при ЧМ митрона (рис. 17.3), если средняя частота
автогенерации равна 2,8 ГГц, а девиация частоты 100 МГц.
17.78. Определите относительное изменение частоты и выходной
мощности митрона (рис. 17.3), если мощность в режиме несу-
щей равна 1,4 Вт, а амплитуда модулирующего напряжения на
управляющем электроде – 100 В.
Параметры амплитронов
17.79. Определите статистическое и динамическое сопротивления
амплитрона (рис. 17.4) при токе 25 А и Pвх = 100 кВт.
амплитрона (рис. 17.4) при токе 30 А, если входная мощность
равна: а) 100 кВт; б) 200 кВт; в) 500 кВт.
амплитрона (рис. 17.4) при входной мощности 500 кВт и токе:
а) 10 А; б) 30 А; в) 50 А.
17.82. Определите КПД усилителя на амплитроне, если Pвх = 130 кВт;
Рвых = 800 кВт; U0 = 39 кВ; I0 = 30 А.
17.83. Определите мощность источника питания и КПД амплитрона

(рис. 17.5), если Рвх = 100 кВт, а Рвых = 700 кВт.
17.84. Определите коэффициент усиления и КПД амплитрона
(рис. 17.5) при Рвх = 100 кВт, если мощность питания равна
а) 0,5 МВт; б) 1 МВт.
17.85. Определите коэффициент усиления и КПД амплитро-
на (рис. 17.5) при Р0 = 500 кВт и входной мощности, равной:
а) 60 кВт; б) 100 кВт; в) 400 кВт.
Нагрузочные характеристики амплитронов
17.86. Определите изменение выходной мощности амплитрона
QК-434 (рис. 17.7) при увеличении модуля коэффициента от-
ражения от 0 до 0,4, если фаза коэффициента отражения пос-
тоянна и равна 180˚.
17.87. Определите изменение выходной мощности амплитрона
QK-434 (рис. 17.7) при изменении фазы коэффициента отраже-
ния на ±90°, если ϕ0 = 180°, а КСВ равен: а) 1,5; б) 2,5.
17.88. Определите КСВ нагрузки амплитрона QК-434 (рис. 17.7)
при допустимом снижении мощности в нагрузке на: а) 20 %;
б) 30% от максимального значения.
17.89. Подберите режим работы амплитрона (рис. 17.5) для полу-
чения мощности в антенне 500 кВт, если ηф = 0,85, затухание
вентиля в прямом направлении равно α = 0,6 дБ, (рис. 17.6), а
КСВ = 1,3.
Модуляция платинотронов
17.90. Сравните свойства амплитронов в режимах усиления АМ,
ФМ, ЧМ и ИМ сигналов.
17.91. Поясните назначение элементов в схеме рис. 17.6 импульсной
модуляции амплитрона. Какие требования предъявляются к
входным сигналам усилителя?
17.92. Каковы особенности импульсной модуляции амплитронов?
17.93. Почему платинотроны нецелесообразно использовать для
осуществления АМ и усиления АМ колебаний?
17.94. Какие виды модуляции возможны в стабилотронах?
18 КВАНТОВЫЕ
ГЕНЕРАТОРЫ
18.1. Общие расчетные соотношения

Принцип действия квантовых генераторов основан на использо-
вании явления индуцированного (стимулированного, вынужденного)
излучения квантов электромагнитной энергии (фотонов). Индуци-
рованное излучение совпадает с вызвавшим его излучением по час-
тоте, фазе, поляризации и направлению распространения, т. е. имеет
место когерентное усиление электромагнитного излучения. Кванто-
вые генераторы работают в широком диапазоне волн – от субмилли-
метровых до ультрафиолетовых. Квантовые генераторы оптического
диапазона принято называть ОКГ (оптические квантовые генерато-
ры) или лазерами. Последний термин образован из начальных букв
слов английской фразы: “light amplification by stimulated emission of
radiation”, что в русском переводе означает: “усиление света с по-
мощью индуцированного излучения”. В настоящее время лазерами
называют квантовые генераторы всех диапазонов волн.
Идея о применении индуцированного излучения для усиления и
генерации когерентных ЭМВ была высказана В. А. Фабрикантом в
1951 г. В начале 50-х годов Н. Г. Басов, А. М. Прохоров и Ч. Таунс
предложили способ усиления и генерации излучения в радиочастот-
ной области с помощью индуцированного излучения. В 1955 г. был
создан лазер радиочастотного диапазона (λ = 1,27 см), а в 1960 г. –
оптического. С тех пор лазерная техника стала стремительно раз-
виваться. Построены лазеры, использующие в качестве рабочих
веществ (активных элементов) твердые тела, стекла, пластмассы,
жидкости и газы. Свойства лазеров рассмотрены в многочисленных
работах, например, [9, 39, 49, 54, 58, 70, 82, 85, 91, 93].
ОПТИЧЕСКИЕ РЕЗОНАТОРЫ 435
• Частота излученного или поглощенного кванта электромаг-

нитной энергии при оптическом (излучательном) переходе
частицы из одного энергетического состояние в другое рав-
на
f = ΔW/h,
где ΔW – разность энергий начального и конечного состояний
частицы;
h = 6,63⋅10-34 Дж⋅с – постоянная Планка.
• Условие самовозбуждения (возникновения автоколебаний)
квантового генератора
K20Г1Г2 > 1,
где K0 – ненасыщенный коэффициент усиления по мощности
в активном веществе квантового генератора с учетом потерь за
один проход сигнала;
Г1, Г2 – модули коэффициентов отражения от зеркал, учиты-
вающие и дифракционные потери.
• Баланс фаз для продольных типов колебаний
λq = 2l или 2nlfq = cq,
где l – длина резонатора (рис. 18.1);
c = 299792,5 ±0,3 км/с ≈ 3⋅108 м/с – скорость ЭМВ в вакууме;
n = εμ – коэффициент (показатель) преломления вещества,
заполняющего резонатор;
q = 2l/λ – целое модовое число (количество стоячих полуволн
вдоль длины резонатора);
λ = c/(fqn) – длина ЭМВ в веществе;
fq – частота продольного типа колебаний, близкая к соответс-
твующей резонансной частоте резонатора.
18.2. Оптические разонаторы

В оптическом диапазоне в качестве резонатора используют вариант
интерферометра Фабри-Перо. Он представляет собой два зеркала,
между которыми помещено активное вещество, как это изображено
на рис. 18.1. В резонаторе возможно бесчисленное множество ре-
зонансных частот, соответствующих различным типам колебаний
(модам).
436 КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ
Рис. 18.1. Оптический резонатор

• Интервал между соседними резонансными частотами резона-
тора для продольных типов колебаний (интервал между про-
дольными модами) равен
fq+1 – fq = c/(2nl).
• Добротность оптического резонатора равна
Q = 2 l/(αλ),
где α – коэффициент суммарных потерь в резонаторе;
λ = c/fq – длина волны продольной моды оптического излуче-
ния.
• Полоса пропускания резонатора по уровню половинной мощ-
ности (рис. 18.2) равна
Δfp = f/Q = cα/(2 l).
18.3. Параметры лазеров

На рис. 18.2 показан спектр излучения лазера в многомодовом ре-
жиме работы. Этот спектр образован N продольными модами и
несколькими поперечными модами. Огибающая поперечных мод
определяется полосой пропускания резонатора Δfp. Многомодовый
режим легче всего реализуется и обеспечивает наибольшую излу-
чаемую мощность. В одночастотном режиме существует одна спек-
тральная линия, соответствующая единственной продольной моде.
Одночастотный режим наиболее предпочтителен для оптической
связи, т. к. обеспечивает максимальное количество передаваемой
информации. Для полупроводниковых ОКГ этот режим иногда на-
зывают одномодовым.
• Количество продольных типов колебаний (мод) с мощностью
не менее половины от максимальной равно
ПАРАМЕТРЫ ЛАЗЕРОВ 437
Ɉɝɢɛɚɸɳɚɹ
ɤɪɢɜɨɣ ɭɫɢɥɟɧɢɹ
ɂɧɬɟɧɫɢɜɧɨɫɬɶ
' fp
' fT
f q-2 f q-1 f q c f q+1 f q+2 f

2nl
' fy
Рис. 18.2. Частотный спектр лазера
N = Δfу/(fq+1 – fq) = 2nlΔfу/c,

где Δfy – ширина спектральной линии излучения активного
(флуоресцирующего) вещества по уровню половинной мощ-
ности (ширина флуоресцентной линии) (рис. 18.2).
• Теоретическая ширина спектральной линии излучения равна
ΔfТ = 8 hfΔf2p/P,
где Р – мощность излучения лазера.
• Интервал когерентности (интервал времени, на протяжении
которого колебание можно считать когерентным)
τ = 1/Δf,
где Δf – ширина спектра излучения.
• Длина когерентности (расстояние вдоль луча, на котором со-
храняется когерентность)
lкогер = cτ = c/Δf.
• Дифракционный угол расхождения луча равен:
– по уровню первого минимума 2Θ = 2,44λ/d;
– по уровню половинной интенсивности 2Θ0,5 = λ/d,
где d – диаметр излучающей поверхности (рис. 18.1).
• Минимальный диаметр дифракционного круга рассеяния, в
который может быть сфокусирован луч лазера, равен
dкр = 2,44λF/D,
где D – диаметр объектива;
F – фокусное расстояние объектива
18.4. Модуляция оптического излучения

• Напряженность электрического поля E, прикладываемого к
кристаллу, при гармоническом модулирующем напряжении
u = U cos2 Ft равна:
– для модулятора с ячейкой продольной геометрии, где моду-
лирующее поле параллельно оптическому лучу (рис. 18.3)
E = U cos2 Ft/lk;
Рис. 18.3. Амплитудный модулятор с ячейкой продольной геометрии
– для модулятора с ячейкой поперечной геометрии и компенси-

рованной естественной анизотропией, где модулирующее поле
перпендикулярно оптическому лучу (рис. 18.4):
E = U cos2 Ft/b.
Рис. 18.4. Амплитудный модулятор с ячейкой поперечной геометрии

МОДУЛЯЦИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 439
• Фазовая задержка, вносимая ячейкой Поккельса (рис. 18.3

и 18.4), равна:
φ = 2 n30ВlkE/λ,
где n0 – коэффициент преломления электрооптического ве-
щества ячейки для обыкновенного луча, при напряженности
электрического поля, равной нулю;
В – электрооптическая постоянная;
lk – длина ячейки;
λ – длина ЭМВ в веществе.
• Полуволновое напряжение для кристаллов КДР и АДР (на-
пряжение, соответствующее разности фаз между колебаниями
в обыкновенном и необыкновенном лучах, равной π):
– для продольного электрооптического эффекта (рис. 18.3):
O
U 0,5λ ;
2n03 B
– для поперечного электрооптического эффекта (рис. 18.4):
bO
U 0,5λ .
2n03 Blk
Параметры электрооптических кристаллов приведены в табл. 18.1.
Таблица 18.1. Параметры электрооптических кристаллов
tgδ при частоте электрического
Тип В,
n0 ε поля, Гц
кристалла м/В
106 108 1010
KДР 10-11 1,5 20 5⋅10-4 5⋅10-4 —
-12 -3 -3
AДР 4⋅10 1,53 14 1⋅10 1⋅10 6⋅10-3
• Относительная интенсивность излучения на выходе электро-

оптических модуляторов (рис. 18.3 и 18.4) равна
ªS M º
– в общем случае I ª M M0 º u
sin 2 « » sin 2 « 0 »;
I0 ¬2 2 ¼ «2 U 2 »
¬ 0, 5λ ¼
ª º
– при ϕ 0 = π , I 0,5 1 sin M 0,5 1 sin S
« u
»,
2 I0 « U »
¬ 0,5λ¼
π
– при ϕ 0 = и гармоническом модулирующем сигнале
2
I 1 f § U ·
u = UsinΩt ¦ J k 1 ¨ S
¨ U ¸¸ sin 2k 1 :t ,
I0 2 k 0
© 0,5λ¹
где I0 – интенсивность излучения на входе модулятора;
ϕ0 – сдвиг фаз между обыкновенным и необыкновенным лу-
чом, вносимый фазовращателем;
Jk+1 – функция Бесселя первого рода;
k = 0,1,2…
Таким образом, на выходе модулятора получается постоянная со-
ставляющая с интенсивностью, равной половине интенсивности на
входе модулятора, гармоническая составляющая основной частоты
и высшие гармоники модулирующей частоты.
• Глубина модуляции интенсивности равна
I max − I min 2 I max
m= = −1 ,
I max + I min I0
где Imax и Imin – максимальное и минимальное значения интен-
сивности излучения на выходе амплитудного модулятора.
• Смещение частоты лазера равно
– при изменении геометрической длины резонатора (рис. 18.1)
Δf = fΔl/l;
– при изменении оптической длины резонатора (рис. 18.6)
lk Δn0 .
Δf = f
l − lk + n0 lk
• Уровень нелинейных искажений по максимальной (третьей)
гармонике электрооптических модуляторов интенсивности с
ячейками Поккельса равен
k3 = J3( U/U0,5λ)/J1( U/U0,5λ).
Зависимость уровня нелинейных искажений k3 от глубины моду-
ляции показана на рис. 18.5.
• Девиация частоты при использовании электрооптического
эффекта Поккельса (Δn0 = Вn30E/4) равна
cϕ Blk cn03 E
Δf = = ,
8π (l − lk + n0 lk ) 4λ (l − lk + n0 lk )
МОДУЛЯЦИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 441
k 3 ,%
8
m ,%
20 40 60 80 100
Рис. 18.5. Зависимость уровня нелинейных искажений

от глубины модуляции
где f – частота излучения лазера в отсутствии модулирующего
сигнала;
l и lk – длина резонатора и длина электрооптической ячейки,
обозначенные на рис. 18.1 и 18.6;
Δn0 – изменение коэффициента преломления электрооптичес-
кого вещества.
Рис. 18.6. Частотный модулятор

• Максимальное изменение частоты лазера при изменении гео-
метрической или электрической длины резонатора равно
Δf max < f q+1 – f q = 0,5 c l ; Δf max < f y .
• Емкость электрооптической ячейки относительно точек при-
ложения модулирующего напряжения равна
– при модулирующем поле параллельным оптическому лучу
(рис. 18.3):
Cя = εε0S/lk,
– при модулирующем поле перпендикулярным оптическому
лучу (рис. 18.4):
Cя = εε0S/b,
где ε – диэлектрическая проницаемость вещества ячейки;

ε0 = 8,86⋅10-12 Ф/м – диэлектрическая постоянная;
S – площадь электродов;
lk, b – расстояние между электродами.
• Мощность диэлектрических потерь в электрооптической
ячейке равна
Pε = U2FCяtg δ,
где U и F – амплитуда и частота модулирующего напряже-
ния;
tg δ – угол диэлектрических потерь в ячейке на модулирующей
частоте.
• Тепловое расширение корпуса резонатора равно
Δl = lαkΔt,
где Δt – изменение температуры корпуса;
αk – коэффициент термического расширения материала кор-
пуса (КТР).
ТКР наиболее употребительных материалов, используемых для
изготовления оптических резонаторов, приведены в табл. 18.2.
Таблица 18.2. Коэффициенты термического расширения
Материал КТР 1/град
Инвар 1⋅10-6
Суперинвар 0,5⋅10-6
Плавленный кварц 0,5⋅10-6
Ситаллы 1⋅10-7
18.5. Использование лазеров

• Дальность до объекта при импульсном методе измерения
R = 0,5ct,
где t – время прохождения энергии от излучателя до объекта
и обратно.
• Доплеровский сдвиг частоты электромагнитных колебаний,
отраженных от движущегося объекта, равен:
– при использовании немодулированного излучения
FД = 2fv/c,
– при использовании амплитудно-модулированного излуче-

ния
FД = FM ± 2FMv/c,
где f – частота электромагнитного колебания;
FM – частота модуляции;
v – радиальная скорость перемещения объекта.
Параметры лазеров
18.1. Сравните свойства спонтанного и индуцированного излучений.
18.2. Чем отличается излучение лазера от естественного света?
18.3. Как следует выбирать уровень мощности накачки, чтобы обес-
печить генерацию лазера на одной продольной моде?
18.4. Как следует выбирать длину резонатора, чтобы обеспечить ге-
нерацию лазера на одной продольной моде?
18.5. Определите длину волны излучения гелий-неонового лазе-
ра при использовании разности энергий перехода атома из
одного энергетического состояния в другое: а) 3,14⋅10-19 Дж;
б) 1,73⋅10- 19 Дж; в) 5,87⋅10-20 Дж.
18.6. В гелий-неоновой смеси ненасыщенные коэффициенты уси-
ления на единицу длины резонатора для волн излучения:
а) 3390 нм; б) 1150 нм; в) 633 нм составляют соответственно
20 дБ/м; 0,5 дБ/м; 0,2 дБ/м. На каких длинах волн можно по-
лучить генерацию, если длина активного вещества равна 0,5 м,
а модули коэффициентов отражения зеркал равны 0,98 и 0,7?
18.7. Определите минимальное значение модуля коэффициента от-
ражения Г2 задачи 18.6, при котором возможна генерация на
волне 633 нм.
18.8. Определите минимальную длину активного вещества зада-
чи 18.6, при которой возможна генерация на волне 633 нм.
18.9. Определите КПД гелий-неонового лазера, если питающее на-
пряжение равно 1,5 кВ, ток 30 мА, а мощность излучения рав-
на 25 мВт.
18.10. Определите КПД ионного аргонового лазера при использова-
нии для накачки сильноточного дугового разряда. Питающее
напряжение равно 250 В, ток разряда – 4 А, а мощность излу-
чения равна 1 Вт.
18.11. Определите КПД молекулярного лазера, если питающее на-

пряжение равно 9 кВ, ток разряда 1,5 А, а мощность излучения
равна 1,5 кВт.
18.12. Определите импульсную мощность и КПД рубинового ла-
зера, излучающего прямоугольные импульсы длительностью
5 мс, если энергия накачки равна 1,5 кДж, а энергия генерации
равна 0,3 Дж.
18.13. Определите импульсную мощность и КПД рубинового лазера
в режиме модулированной добротности при длительности пря-
моугольного импульса излучения 8 нс, если энергия накачки
равна 5 кДж, а энергия генерации – 0,5 Дж.
18.14. Определите КПД инжекционного лазера на арсениде галлия,
если напряжение накачки равно 15 В, ток накачки 6 А, а мощ-
ность излучения – 18 Вт.
18.15. Определите КПД и среднюю мощность излучения лазера с
импульсной мощностью 5 Вт, если частота повторения импуль-
сов равна 8 кГц, а длительность – 100 нс. Амплитуда импульсов
тока накачки равна 80 А, сопротивление лазера постоянному
току равно 0,08 Ом.
18.16. Определите дифракционный угол расхождения луча лазера по
уровню первого минимума, если диаметр излучающей поверх-
ности равен 1 см, а длина волны равна: а) 632,8 нм; б) 1150 нм;
в) 3390 нм.
18.17. Определите минимально достижимый угол расхождения луча
по уровню первого минимума лазера с рубиновым стержнем
диаметром 1,5 см на волне 694,3 нм.
18.18. Определите диаметр круга, в который можно сфокусировать
луч лазера, если диаметр объектива 1 см; фокусное расстоя-
ние 5 см; мощность излучения лазера 0,5 МВт; длина волны
694,3 нм. Сравните плотность мощности в этом круге и на по-
верхности Солнца (108 Вт/м2).
18.19. Определите дифракционный угол расхождения луча полу-
проводникового лазера по уровню половинной интенсивности,
если λ = 0,84 мкм. Толщина перехода равна d = 0,01 мм.
18.20. Определите длину когерентности гелий-неонового лазе-
ра, ширина спектральной линии излучения которого равна:
а) 1000 МГц; б) 1 МГц; в) 1 кГц.
18.21. Определите добротность и полосу пропускания резонатора ге-
лий-неонового лазера на волне 633 нм. Длина резонатора равна
1 м. Коэффициент суммарных потерь в резонаторе равен 0,02.
18.22. Определите теоретическую ширину спектральной линии из-

лучения гелий-неонового лазера на волне 633 нм. Мощность
излучения лазера равна 30 мВт, коэффициент суммарных по-
терь в резонаторе равен 0,02, длина резонатора 0,5 м.
18.23. Постройте спектр излучения лазера задачи 18.22 в режиме ге-
нерации продольных типов колебаний, если n = 1; Δfy = 1 ГГц.
18.24. Постройте теоретический спектр излучения лазера, если
l = 0,25 м; α = 0,02; n = 1; Δfy = 500 МГц; P = 2 мВт. Средняя час-
тота спектральной линии излучения активного вещества равна
2,6⋅1014 Гц.
18.25. Определите наибольшую длину резонатора лазера для полу-
чения одного продольного типа колебаний на волне: а) 633 нм;
б) 1150 нм; в) 3390 нм. Ширина спектральной линии излучения
активного вещества равна соответственно 1700, 900 и 300 МГц;
а n = 1.
18.26. Определите наибольшую допустимую длину резонатора ион-
ного лазера из условия получения одного продольного типа ко-
лебаний, если n = 1, а ширина спектральной линии излучения
активного вещества равна: а) 3500 МГц; б) 2500 МГц.
18.27. Определите наибольшую допустимую длину резонатора мо-
лекулярного лазера из условия получения одного продольного
типа колебаний, если n = 1, а ширина спектральной линии из-
лучения активного вещества равна 50 МГц.
Стабильность частоты лазеров
18.28. Как выбрать длину резонатора лазера для повышения ста-
бильности частоты?
18.29. Определите изменение частоты гелий-неонового лазера ЛГ-55
(λ = 633 нм) при изменении температуры корпуса лазера на:
а) 0,01; б) 0,05; в) 0,5 К. Зеркала резонатора жестко закреплены
на инваровых стержнях длиной 0,3 м. Ширина спектральной
линии излучения активного вещества не изменяется и равна
0,8 ГГц.
18.30. Определите изменение частоты гелий-неонового лазера ЛГ-75
(λ = 633 нм) при изменении температуры корпуса лазера на:
а) 0,01°; б) 0,05°; в) 0,5°. Зеркала резонатора жестко закреплены на
инваровых стержнях длиной 1 м. Ширина спектральной линии
излучения активного вещества не изменяется и равна 1,5 ГГц.
18.31. Определите допустимое изменение температуры резонатора
лазера ЛГ-75 задачи 18.30 для обеспечения стабильности час-
тоты: а) 10-6; б) 10-7; в) 10-8.
18.32. Определите относительную стабильность частоты гелий-нео-

нового лазера, излучающего на волне 633 нм. Длина резонатора
равна 20 см. Температура резонатора изменяется на ±5°. Корпус
резонатора изготовлен из: а) плавленного кварца; б) ситалла.
Ширина спектральной линии излучения активного вещества
не изменяется и равна 1,5 ГГц.
18.33. Для определения числа продольных типов колебаний, гене-
рируемых газовым лазером, анализируется спектр биений про-
дольных мод. Определите допустимое изменение температуры
лазера, при котором уход основной частоты биений 0,5с/l не
превысит 3 кГц. Зеркала резонатора укреплены на инваровых
стержнях длиной: а) 25 см; б) 1 м.
Модуляция лазеров
18.34. Какие виды модуляции можно осуществить в оптическом
диапазоне?
18.35. Определите величину полуволнового напряжения для слу-
чая продольного электрооптического эффекта в кристаллах:
а) КДР; б) АДР, если λ = 0,547 мкм.
18.36. Определите величину полуволнового напряжения для случая
поперечного электрооптического эффекта в кристаллах: а) КДР;
б) АДР, если λ = 0,547 мкм; b = 1 см; lk = 5 см (рис. 18.2).
18.37. Постройте статическую модуляционную характеристику ам-
плитудного поляризационного модулятора при использовании
линейного электрооптического эффекта. В модуляторе исполь-
зован кристалл КДР длиной 3 см. Длина волны оптического
излучения равна 633 нм, сдвиг фаз ϕ0, вносимый фазовращате-
лем, равен: а) 0; б) π/2.
18.38. Определите напряженность электрического поля в электро-
оптической ячейке задачи 18.37, при которой интенсивность
излучения на выходе модулятора равна половине интенсив-
ности на его входе.
18.39. В амплитудном поляризационном модуляторе модулирующее
поле параллельно оптическому лучу (рис. 18.3). Определите
амплитуду модулирующего напряжения, мощность диэлект-
рических потерь и коэффициент нелинейных искажений по
третьей гармонике, если длина волны излучения лазера равна
633 нм; глубина модуляции 80%; фазовращатель вносит сдвиг
фаз ϕ0 = π/2; частота модулирующего напряжения 100 МГц.
Электрооптические кристаллы имеют форму прямоугольного
параллелепипеда длиной 6 см и сечением 1×1 см2. Использова-

ны кристаллы: а) КДР; б) АДР.
18.40. В амплитудном поляризационном модуляторе модулирующее
поле перпендикулярно оптическому лучу, причем два электро-
оптических кристалла включены последовательно (рис. 18.4).
Определите амплитуду модулирующего напряжения, суммар-
ную мощность диэлектрических потерь в кристаллах и коэффи-
циент нелинейных искажений по третьей гармонике, если дли-
на волны излучения лазера равна 633 нм; глубина модуляции
80 %; фазовращатель вносит сдвиг фаз 0,5π; частота модули-
рующего напряжения 100 МГц. Электрооптические кристаллы
имеют форму прямоугольных параллелепипедов длиной 3 см и
сечением 1×1 см2. Использованы кристаллы: а) КДР; б) АДР.
18.41. Объясните, почему при одинаковой частоте и глубине моду-
ляции амплитуда модулирующего напряжения в модуляторе
с ячейкой поперечной геометрии (задача 18.40) меньше, чем в
модуляторе с ячейкой продольной геометрии (задача 18.39).
18.42. Объясните, почему мощности диэлектрических потерь в мо-
дуляторе с ячейкой продольной геометрии (задача 18.39) и в
модуляторе с ячейкой поперечной геометрии (задача 18.40)
получились одинаковыми.
18.43. Определите относительное изменение длины резонатора ла-
зера, необходимое для сдвига частоты на 1 МГц, при длине
волны 1150 нм.
18.44. Частотная модуляция излучения гелий-неонового лазера осу-
ществляется изменением геометрической длины резонатора при
помощи пьезоэффекта. Определите изменение геометрической
длины резонатора лазера для получения девиации частоты:
а) 10 МГц; б) 50 МГц; в) 100 МГц, если длина волны оптичес-
кого излучения равна 3390 нм, а длина резонатора – 0,5 м.
18.45. Докажите, что максимальное изменение частоты лазера при
изменении геометрической или электрической длины резона-
тора не превышает расстояния (в частотном измерении) между
двумя соседними продольными типами колебаний оптического
резонатора и ширины спектральной линии излучения активно-
го вещества.
18.46. Получите формулу для расчета смещения частоты лазера при
изменении геометрической длины резонатора.
18.47. Для осуществления частотной модуляции внутрь резонато-
ра гелий-неонового лазера ЛГ-55 помещен электрооптический
кристалл АДР (рис. 18.6). Определите крутизну модуляцион-

ной характеристики и максимально возможную девиацию час-
тоты, если лазер излучает на волне 633 нм. Длина резонатора
равна 0,3 м, длина кристалла – 2 см, ширина спектральной ли-
нии излучения активного вещества равна 700 МГц.
18.48. Для осуществления частотной модуляции внутрь резонатора
лазера помещен электрооптический кристалл КДР (рис. 18.6).
Определите крутизну модуляционной характеристики, если ла-
зер излучает на волне 633 нм. Длина резонатора равна 0,5 м, а
длина кристалла – 5 см.
лазера помещен электрооптический кристалл КДР (рис. 18.6).
Определите напряженность электрического поля в кристалле,
необходимую для получения девиации частоты 40 МГц. Лазер
излучает на волне 1150 нм; длина резонатора 0,5 м; длина крис-
талла равна 5 см.
лазера помещен электрооптический кристалл (рис. 18.6). Крис-
талл имеет форму прямоугольного параллелепипеда длиной
5 см и сечением 1×1 см2. Определите девиацию частоты и мощ-
ность диэлектрических потерь в кристалле, если длина волны
излучения лазера равна 633 нм; длина резонатора – 1 м; ампли-
туда модулирующего напряжения – 1 кВ; частота модулирую-
щего напряжения равна 100 МГц. Для модуляции использован
кристалл а) КДР, б) АДР.
18.51. Определите мощность диэлектрических потерь в кристал-
ле КДР задачи 18.50, если модулирующее напряжение равно
u = 2⋅103cos108t В.
18.52. Определите мощность диэлектрических потерь в кристалле
АДР задачи 18.50, если частота модулирующего напряжения
равна: а) 10 МГц; б) 10 ГГц.
Использование лазеров
18.53. Каковы особенности оптических систем связи?
18.54. Какой максимальный объем информации можно передать по
оптическому каналу?
18.55. Определите возможное количество каналов оптической сис-
темы связи с длиной волны 1,07 мкм в случае передачи: а) теле-
фонных сообщений (полоса 4 кГц); б) телевизионных программ
(полоса 9 МГц), если используемая полоса частот составляет
0,01% от несущей частоты.
18.56. Импульсный лазер используется для измерения расстояния

до объекта. Длительность фронта излучаемого импульса равна
10 нс. Импульс, отраженный от объекта, приходит через 0,32 мс.
Определите расстояние до объекта и погрешность измерения
этого расстояния, полагая, что погрешность измерения времени
определяется длительностью фронта импульса.
18.57. Лазерный передатчик используется для определения расстоя-
ния до спутника. Задержка отраженного импульса относитель-
но зондирующего равна 20 мс; погрешность измерения времени
задержки равна 10-5. Определите расстояние до спутника и пог-
решность измерения.
18.58. Для измерения расстояния от Земли до Луны и изуче-
ния рельефа лунной поверхности свет от рубинового лазера
(λ = 694,3 нм) с помощью объектива телескопа направляется
на Луну. Угол расхождения луча равен 5 мкрад. Свет проходит
расстояние от Земли до Луны и обратно за 2,5 с, точность от-
счета времени прохождения света равна 0,66 мкс. Определите
расстояние от Земли до Луны и диаметр светового пятна на
поверхности Луны.
18.59. Для получения голограммы использован гелий-неоновый
лазер с длиной волны 633 нм; l = 1,5 м; Δfy = 1500 МГц; n = 1.
Определите длину когерентности луча этого лазера.
18.60. Определите наибольшую допустимую ширину спектра излу-
чения лазера, используемого для получения голограммы, если
необходима длина когерентности 10 м.
18.61. Определите импульсную мощность и длительность импульса
рубинового лазера, необходимые для голографирования объек-
тов, движущихся со скоростью v = 100 м/с. Длина волны лазера
равна 694,3 нм; размер фотографической пластинки 5 см2, чувс-
твительность пластинки 10-3 Дж/см2. Перемещение объекта за
время съемки не должно превышать 0,1λ.
18.62. Определите доплеровский сдвиг частоты излучения лазера,
отраженного от ракеты, движущейся со скоростью 6 км/с, если
использовано излучение: а) немодулированное, f = 5⋅1014 Гц;
б) модулированное частотой 3 ГГц.
18.63. Длина резонатора гелий-неонового лазера (λ = 633 нм) равна
1,5 м, ширина флуоресцентной линии равна 1600 МГц, n = 1.
Рассчитайте разность частот между соседними продольными
модами. Объясните, почему длина когерентности этого лазе-
ра приблизительно равна длине когерентности некогерентной
флуоресцентной линии.
18.64. Первый эксперимент по определению расстояния между Зем-

лей и Луной был проведен с использованием рубинового ла-
зера (λ = 694 нм). Пучок лазера после прохождения телескопа
диаметром 1 м был направлен на Луну. Рассчитайте диаметр D
пятна на поверхности Луны по уровню половинной интенсив-
ности и время прохождения пучка от Земли до Луны и обратно
при расстоянии между ними R = 364 866 км. Как повлиял раз-
мер пятна на погрешность измерения расстояния? Как можно
уменьшить величину этой погрешности?
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
1.1. Лампы, полевые и биполярные транзисторы, комбинированные

полупроводниковые приборы типа IGBT-транзисторов, тирис-
торы, диоды Ганна, лавинно-пролётные и инжекционно-пролёт-
ные диоды, ТД, магнетроны, клистроны, ЛБВ и др.
1.2. Преимущественно биполярные, полевые, MOSFET- и IGBT-
транзисторы.
1.3. Идеальный ключ должен мгновенно, при нулевой мощности
управления, переключать бесконечно большие токи и бло-
кировать бесконечно большие напряжения, иметь нулевое
остаточное напряжение и нулевые токи утечки. Такой ключ
можно создать лишь при моделировании схем на ЭВМ. Ре-
альные ключи могут лишь в той или иной степени к нему
приближаться.
1.4. Во всём мире общей тенденцией развития является создание
комбинированных приборов, сочетающих полевое управле-
ние и биполярный механизм переноса тока. В настоящее вре-
мя наиболее совершенными ключевыми приборами являются
IGBT. Дополнительные физические резервы имеют новейшие
отечественные разработки: реверсивно включаемые динисторы
(РВД) и комбинированные СИТ МОП-транзисторы (КСМТ),
содержащие каскодно включённые тиристор с электростатичес-
кой индукцией и МОП-транзистор.
1.5. См. рис. 1.1…1.3.
1.6. СХ ламп, ПТ и БТ имеют близкую форму.
1.7. Как наиболее простую, но, тем не менее, обеспечивающую до-
статочную для инженерных расчётов точность.
1.8. Динамические характеристики определяют связь токов АЭ с
напряжениями на его электродах при одновременном измене-
нии входного и выходного напряжений, как это обычно и бы-
вает в реальных генераторах.
1.9. С учетом потерь мощности в цепях согласования принимаем
расчётную мощность 3,5 кВт.
а) наиболее мощным и высокочастотным является БТ 2Т930Б.
452 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
Учитывая, что максимальная колебательная мощность прибо-

ров обычно соизмерима с допустимой мощностью рассеяния, а
рабочая частота гораздо меньше частоты fт = 800 МГц, можно
принять Р1 = 150 Вт. При такой единичной мощности потребу-
ется около 24 транзисторов 2Т930Б; б) ПТ 2Т928А. В диапазо-
не рабочих частот выходная мощность ПТ практически постоянно
и, следовательно, потребуется 14 транзисторов; в) лампа ГУ-84Б.
Потребуется всего 3 таких лампы.
1.10. См. решение предыдущей задачи. Расчётная мощность –
250 кВт. Поскольку рабочая частота транзистора типа 2П928А
лишь в 2 раза меньше его граничной, можно принять Р1 = 200 Вт.
Потребуется около 1250 БТ транзисторов типа 2Т980А, или
1000 ПТ типа 2П928А, или всего одна лампа ГУ-105А; её и
надо использовать.
1.11. Лампы используются главным образом в передатчиках средней
и большой мощности в диапазонах длинных, средних, коротких
и ультракоротких волн.
1.12. Их широкий ассортимент по мощности (от долей ватта до еди-
ниц мегаватт) и рабочим частотам (от самых низких до единиц
ГГц и выше); возможность достижения высоких энергетических
и качественных показателей: КПД анодной цепи около 70%
(в бигармоническом режиме до 90…95%); коэффициент усиления
по мощности 30…80; малые нелинейные искажения; в интервале
температур окружающей среды от –60 до +70°С параметры ламп
практически на зависят от температуры; малая инерционность;
высокая надёжность и механическая прочность.
1.13. В выходных каскадах передатчиков; в промежуточных каска-
дах широкодиапазонных усилителей и, в частности, в УРУ; в
мощных усилителях звуковой частоты передатчиков с АМ, в
генераторах для высокочастотного нагрева.
1.14. а), б), в) 900 Вт. В широком интервале частот параметры ламп
практически не зависят от частоты.
1.15. а), б), в) 90 мСм. См. ответ к задаче 1.14.
1.16. Sгр = Ia.m/(Еα–Uα) = 50 мСм.
1.17. При снижении напряжения Eс2 можно получить более высокий
электронный КПД ηе = 0,5ξ g1(Θ) = 0,5(1 – Ec2/Eа)g1(Θ), однако
при малых значениях Ec2 для получения необходимого значения
амплитуды импульсов анодного тока приходится увеличивать
амплитуду напряжения возбуждения. При этом возрастают ток
Ic1 и мощностьРс1, а коэффициент усиления снижается.
1.18. а) S = Δia/Δuс = 45/300 = 150 мСм; б) Sгр = 50/2000 = 25 мСм;
в) 40 Ом; г) D = 100/6000 = 0,017; д) Eсо = Duа + uс – ia/S =
= 0,017 · 20000 – 45/0,15 = 40 В.
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 453
1.19. а) E′c = Eco – Duа = –300 В; б) –130 В; в) –45 В.

1.20. Расхождения небольшие; их можно объяснить погрешностями
измерения, построения и идеализации СХ.
1.21. См. решение задачи 1.18: а) 30 мСм; б) 7 мСм; в) 143 Ом;
г) 0,015; д) 0.
1.22. См. решение задач 1.19 и 1.20: а) –30 В; б) –15 В.
1.23. См. решение задачи 1.18: а) 80 мСм; б) uа гр ≈ Ec2 = 0,8 кВ;
в) D = 60/4700 = 0,013; г) 11,5 В.
1.24. См. решение задач 1.19 и 1.20: а) –60 В; б) 1 В.
1.25. См. решение задачи 1.18: а) 27 мСм; б) 500 В; в) 0; г) –30; д) –30 В.
1.26. а) ξгр = 1 – Ec2/Eа = 0,8; б) 0,75; в) 0,67.
1.27. а) Iao max = Pa max/Ea = 4,17 A; б) 5 А; в) 10 А.
1.28. а) ua гр = ia /Sгр = 300 В; б) 200 В; в) 100 В.
1.29. а) Iao max = Pa max/Ea max = 1 А; Uс = 0,3 Iao max/S = 16 В; б) 8,3 В; в) 6 В
1.30. а) Ia m = S, Uс = 2,8 А; б) 1,0 А; в) 2,3 А.
1.31. При ЕБ = Е′Б угол отсечки равен 90˚; Iк m = SUб = 6 · 1 = 6 А.
1.32. Iк m = Sгр(Ек – Uк) = 2(20 – 18) = 4 А.
1.33. а) Sгр = 1/2 = 0,5 См; б) 2 Ом; в) β0 = Δiк/Δiб ≈ Δiэ/Δiб =
=(0,8 – 0,3)/0,01 = 50; г) 0.
•
1.34. Из выражения для | β |получим f = fβ.
1.35. а) fβ = fТ/β0 = 7,5 МГц, от 2,25 до 22,5 МГц; б) 2…20 МГц; в) 4,8…
48 МГц; г) 22,5…225; д) 70…700 МГц.
1.36. Sгр = 16,7 См; rнас = 0,06 Ом.
1.37. а) 0,2; б) 0,25; в) 1,0; г) 30 Ом.
1.38. а) 35 См, 343 МГц; б) 19,7 См, 609 МГц; в) 4,4 См, 2727 МГц.
1.39. fT = f |h21Э| = 300 · 3,5 = 1050 МГц; fS = fT/(Srб) = 1050/(5 · 0,5) =
= 420 МГц; fβ = fT/h21Э = 1050/20 = 52,5 МГц.
1.40. a) fТ = 300 МГц; f max = f T / (30 ⋅τ K ) = 300 ⋅ 106 (30 ⋅ 60 ⋅ 10−12 ) =
= 408 МГц; б) 141 МГц; в) 882 МГц.
1.41. a) Sгр = 1/rнас = 1/15 = 0,067 См; fТ = 300 МГц; 0,3fТ/h21э0 = 1,8 МГц;
б) 0,83 См; 1,2 МГц; в) 0,5 См; 3,5 МГц.
1.42. a) SП = 39iк = 39·0,5·0,05 = 0,975 См; rβ = h21Э0/SП = 50/0,975 = 51,3 Ом;
S = SП rв (rб + rв ) = 0,975 ⋅ 51,3 (60 + 51,3) = 0,45 См; fТ = 300 МГц;
f S = f T ( S rб ) = 300 (0,45 ⋅ 60) = 11,1 МГц; Cк а = τ k rб = 1 пФ;

fβ = fт/h21Э0 = 300/50 = 6 МГц; CЭ = S П /(2πf T ) = 518 пФ.
Результаты расчетов сведены в таблицу:

Sп, S, rβ, fT, fS, fβ, СКА, Сэ,
Вариант
См См Ом МГц МГц МГц пФ нФ
а 0,98 0,45 51 300 11 6 1 0,52
б 195 13,6 0,15 120 4,4 4 100 260
в 29 7,3 1 350 16 12 5 13
1.43. а) S f = S 1 + ( f / f S ) 2 = 0,45 1 + 0,25 = 0,4 Cм;

Sб f = (1 + (5,5 ⋅ 50 300) )(1 + 0,25)
2
(51 + 60) = 11 мСм.
Результаты расчетов сведены в таблицу:
Вариант а б в
Sf, Cм 0,4 12,2 6,5
Sбf, мСм 11 475 271
1.44. Используя выражения для ηе = Р1/Р0 = 0,5ξ g1(Θ) и ξгр, получим

[ ]
ηе = 0,61, rнас = 0,125α1(Θ)E2к 1 − (4η е / g1 (Θ )− 1)2 / Р1 = 0,24 Ом.
1.45. См. решение задачи 1.44. r нас = 0,4 Ом.
1.46. См. решение задачи 1.44. r нас = 0,57 Ом.
1.47. Учитывая, что на частоте fт модуль коэффициента передачи
тока равен 1, получим 1+(f /f )2 = β 2, откуда f = f · β − 1 .
2
т β 0 Т β 0
При β0 1 получим f′Т = fβ·β0. Погрешность расчёта равна
1− β 02 − 1 / β 0 . а) 2; б) 0,5; в) 0,1%.
1.48. Модуль коэффициента передачи тока на частоте fи равен
β И = β 0 / 1 + (f И / f β ) . При fИ fβ получим |βИ| = β0 fβ /fИ = fT/fИ.
2
Погрешность расчёта равна 1 − (f И / f β )/ 1 + (f И / f β )2 . а) 10%;

б) 5%; в) 3%; г) 2%.
1.49. См. решение предыдущей задачи. а) 2; б) 3; в) 4; г) 5.
1.50. Частотные свойства ПТ в основном определяются процесса-
ми заряда и разряда входной, выходной и проходной емкостей.
Отсутствие процессов накопления и рассасывания зарядов по-
вышает быстродействие ПТ по сравнению с БТ.
1.51. Шунтирующее действие выходных и входных емкостей.
1.52. а), б), в), д) отрицательный температурный коэффициент тока
стока ПТ. Благодаря высокой термостабильности ПТ, напри-
мер, диапазона 400…1000 МГц могут устойчиво работать и на
более низких частотах, вплоть до 1,5 МГц;
г), е) малые длительности включения и выключения, практи-

ческое отсутствие процессов накопления зарядов, определяю-
щих инерционную нелинейность ПТ. Емкости ПТ слабо зави-
сят от приложенных напряжений.
1.53. а) S = 20/9 = 2,2 См; б) Sгр =1 См; в) rнас = 1 Ом; г) 8 В; д) 0.
1.54. а), б), в) 75 Вт. Благодаря высокой термостабильности и малой
инерционности ПТ, в отличие от БТ, могут работать в широком
диапазоне частот без снижения рабочих токов и напряжений
на низких частотах.
1.55. а), б), в) 1,7 См. ПТ выгодно отличаются от БТ постоянством
крутизны в активной области.
1.56. а), б), в) 1,6 См. ПТ, в отличие от БТ, могут считаться безынер-
ционными в большей части их рабочего диапазона частот.
1.57. а) ξ = 2ηе/g1 (Θ) = 0,42; б) 0,64; в) 0,38.
1.58. а) Uзи = Iс/S = 10 В; б) 10 В; в) 12,3 В; г) 12,9 В.
1.59. См. решение задачи 1.44. а) 3 Ом; б) 0,6 Ом; в) 1,6 Ом.
1.60. См решение задачи 1.44; 0,83 Ом.
1.61. См. решение задачи 1.44; 1,6 Ом.
1.62. а) Rси отк = 1,9/200 = 9,5 мОм; б) 11 мОм; в) 15 мОм; г) 20 мОм.
1.63. S = 200/2 = 100 См; Eзи отс = 4 В.
1.64. uси нас = Rси отк Iси max. Остаточные напряжения транзисторов 1,2,3,4
и 5 соответственно равны 5,8; 22; 27; 6,4; и 1,8 В.
1.65. См. решение предыдущей задачи. Напряжения uси нас транзисто-
ров 6, 7, 8 и 9 соответственно равны 12; 0,3; 4,8 и 9,5 В.
1.66. При построении можно использовать решения задач 1.64 и
1.65. Величина остаточного напряжения пропорционально ра-
бочему напряжению. Большое остаточное напряжение увели-
чивает мощность статических потерь в коммутаторе.
1.67. Pк = Iси max· Uси max. Мощности транзисторов 1,2,3,4 и 5 соответст-
венно равны 2,75; 1,95; 2,25; 4,0 и 3,0 кВт.
1.68. Наибольшую мощность Pк = Iси max· Uси max коммутируют тран-
зисторы номер 8 и 9: 40 и 38 кВт. У этих транзисторов также
наибольшая величина мощности Рс max.
1.69. а) ∆Iс = ∆Uзи S = 13,5 А; б) 1,5 А; в) 1,25 А.
1.70. а) Uзи = Iс max/S = 1,8 В; б) 2,9 В; в) 2,5 В.
τф
1.71. а) 1 I в х τ ф , откуда получим:
U зи =
Сз и ∫I
0
вх dt =
Сз и
U з и Сз и 1,8 ⋅ 900 ⋅10 −12
Iвх = = = 0,34 А ; б) 0,18 А; в) 0,1 А.
0,21tвкл 0,2 ⋅ 24 ⋅10 −9
1.72. Период следования импульсов равен Т = 1/F =2·20·(tвкл+tвыкл);
а) 35; б) 160; в) 305; г) 4,8; д) 13; е) 132 кГц.
1.73. См. решение задачи 1.71. а) 12,6 нс; б) 4,2 нс; в) 1,8 нс.
1.74. В настоящее время IGBT являются наиболее совершенными
серийно выпускаемыми ключевыми приборами комбинирован-
ного типа. Диапазоны токов и напряжений IGBT-транзисторов
быстро расширяются, они практически полностью вытеснили
все остальные типы ключей в диапазоне мощностей от единиц
до тысяч кВт. Недостатками IGBT-транзисторов являются зна-
чительное падение напряжения в открытом состоянии, пони-
женная стойкость к токам короткого замыкания и относительно
невысокое по сравнению с МДП-аналогами быстродействие.
1.75. Схемотехнически структуру ячейки можно представить ком-
бинацией двух главных составляющих: управляющего МДП-
транзистора и выходного биполярного p-n-p транзистора.
1.76. Выходные характеристики IGBT-транзисторов выходят не из
начала координат.
1.77. а) 4 В; б) 2,8 В; в) 2 В.
1.78. а) 3,2 В, 55 А; б) 4 В, 80 А; в) 5 В, 110 А.
1.79. 9 В.
1.80. а) 1,17; 0,31; 0,21 и 0,16 Ом; б) 2,33; 0,62; 0,31 и 0,24 Ом.
1.81. а), б) 7,7·10-3 1/град; в) 5,1·10-3 1/град.
1.82. а) транзистор №6 способен коммутировать максимальную
мощность Pmax = Eкэ max Iкэ max = 85 кВт; б) наименьшую энергию
Еoff имеет транзистор №2; в) наибольшую энергию Еoff имеет
транзистор №6.
1.83. Лампы и ПТ могут считаться безынерционными в большей
части их рабочего диапазона частот. БТ являются безынерци-
онными приборами лишь в 20% области их рабочих частот.
1.84. В устройствах большой мощности, при наличии проникающей
радиации, при большой разнице максимальной и минимальной
температур и т. д.
1.85. Преимущества транзисторов перед лампами в мощных устройс-
твах не так бесспорны, как в маломощных. Достоинствами тран-
зисторов являются устойчивость к механическим воздействиям;
мгновенная готовность к работе; большой срок службы (при ус-
ловии защиты от превышения допустимых напряжений и токов);
низкие питающие напряжения и др. Недостатками транзисторов
являются малая мощность; высокая чувствительность к пере-
грузкам и радиации; высокая стоимость мощных транзисторов;
склонность к паразитной генерации, большой разброс параметров
и др. По этим причинам полная транзисторизация экономически
оправдана при уровнях мощности не выше 1…10 кВт.
1.86. ПТ, как и электронные лампы, являются безынерционными
приборами, т. е. их параметры в рабочем диапазоне частот
практически постоянны. ПТ по сравнению с лампами имеют

преимущества, связанные с низковольтным питанием (десятки-
сотни вольт) и отсутствием накала. Выходная мощность ламп
гораздо больше, чем у ПТ.
1.87. Так как БТ являются инерционными приборами (см. ответ к
задаче 1.83).
1.88. В БТ существует механизм положительной тепловой обратной
связи: рост температуры приводит к увеличению тока БТ, что,
в свою очередь, вызывает его дополнительный разогрев и т. д.
В отличие от БТ температурный коэффициент ПТ отрицате-
лен. При прохождении тока ПТ нагревается, его сопротивление
увеличивается, снижается крутизна характеристик тока стока
S, происходит саморегуляция. Благодаря этому явлению зна-
чительно повышается эксплуатационная надёжность ПТ.
1.89. ПТ лишены ряда принципиальных недостатков БТ. Емкости
переходов БТ существенно зависят от приложенных напряже-
ний, что приводит к зависимости фазы выходного колебания от
частоты. Кроме того, нелинейности емкостей могут вызвать па-
разитные параметрические эффекты. Емкости ПТ значительно
слабее зависят от приложенных напряжений. ПТ могут считать-
ся безынерционными в большей части их рабочего диапазона
частот, а БТ являются безынерционными приборами лишь при-
мерно в 20% всей области их рабочих частот. Недостатком ПТ
является более существенная по сравнению с БТ зависимости
входного сопротивления от частоты, что приводит к усложне-
нию ЦС в широкополосных усилителях на ПТ. ПТ обладают
меньшей электрической прочностью в случае превышения до-
пустимых напряжений. См. также ответ к задачам 5.11 и 7.8.
1.90. МДП-транзисторы имеют высокое входное сопротивление и
малые токи управления; у них отсутствует эффект накаплива-
ния и рассасывания неосновных носителей, что обеспечивает
малые времена включения и выключения. Современные МДП-
транзисторы по уровню колебательной мощности догнали и пе-
регоняют биполярные. По величине остаточного напряжения на
стоке или сопротивления насыщения они не уступают биполяр-
ным, а учитывая более высокие рабочие напряжения на стоке,
достигающие 500…1000 В, по КПД заведомо их превышают.
1.91. У МДП-транзисторов ниже, чем у БТ, допустимая температура
кристалла и хуже радиационная стойкость. Кроме того, лавин-
ный пробой в МДП-транзисторах происходит за наносекунды,
а не микросекунды, как в БТ, что усложняет построение систем
защиты от такого пробоя.
1.92. IGBT-транзисторы характеризуются практически той же сис-
темой параметров, что и МДП-транзисторы. Отличие в том, что
вместо сопротивления открытого канала (rнас или Rси отк) при-

водится напряжение насыщения (остаточное напряжение uост)
коллектор-эмиттер.
1.93. Достоинством БТ являются весьма малые потери мощности в
открытом состоянии и невысокая стоимость. Их главные недо-
статки – большое потребление мощности по цепи управления
и невысокое быстродействие. Мощные МОП-транзисторы име-
ют существенно большее быстродействие и требуют значитель-
но меньшую мощность управления, чем БТ. При относительно
низких напряжениях (до 100 В) МОП-транзисторы обладают
свойствами практически идеального ключа. Однако при рабочих
напряжениях более 500 В вследствие униполярного механизма
токопереноса, МОП-транзисторы обладают большим остаточ-
ным напряжением в проводящем состоянии, увеличивающим
мощность статических потерь. Создание так называемых ком-
бинированных транзисторов позволяет объединить положитель-
ные свойства как биполярных, так и МОП-транзисторов.
1.94. Проходные статические характеристики БТ правые, а ламп –
левые. В области обратного знака напряжений на коллекторе
протекает ток коллектора обратного направления; при этом
возрастает ток базы прямого направления. Величина крутизны
тока коллектора пропорциональна току. Статические ВАХ БТ
сдвигаются при изменении температуры.
1.95. ЛГР для триодов и большинства типов транзисторов – пря-
мая, проходящая на выходных СХ через начало координат. У
современных тетродов ЛГР начинается на оси абсцисс в точке
ua = uа гр = EC2 и идёт вертикально вверх. У ПТШ ЛГР сдвинута
по оси абцисс на величину Uco.
2.1. См. рис. 1.1...1.3.
2.2. В динамическом режиме напряжения на входном и выходном
электродах АЭ изменяются одновременно.
2.3. В недонапряженном режиме выходной ток этих АЭ представля-
ет собой периодическую последовательность косинусоидальных
импульсов (рис. 2.1). В граничном режиме импульсы выходного
тока имеют уплощенную вершину, а в перенапряженном режи-
ме импульсы имеют провал, глубина которого зависит от амп-
литуды напряжения на выходе АЭ. В сильноперенапряженном
режиме в течение части периода анодный ток триода и тетрода
отсутствует, так что импульс разделяется на две симметричные
части, а в БТ и ПТ выходной ток становится отрицательным
(течет в направлении, противоположном току при НР).
2.4. В НР практически не изменится; в ГР исчезнет уплощение вер-
шины; в перенапряженном и сильноперенапряженном режимах
провал импульса сместится в ту или иную сторону в зависи-

мости от знака расстройки.
2.5. Генератор перейдет в НР и форма импульсов станет косинусо-
идальной.
2.6. См. ответ к задаче 2.3.
2.7. а) НР; б) ГР; в) ПР.
2.8. а) сетки легкий, а анода – тяжелый; б) сетки тяжелый, а ано-
да – легкий.
2.9. При заданных напряжениях питания, возбуждения и смещения
генератор в ГР отдает наибольшую мощность при высоком
КПД.
2.10. НХ используют при настройке генератора и оценке влияния
на его режим изменений параметров нагрузки.
2.11. При расстройке возрастает мощность, рассеиваемая на выход-
ном электроде АЭ, снижаются колебательная мощность и элек-
тронный КПД.
2.12. При настройке контура нужно в несколько раз уменьшить на-
пряжение питания выходного электрода и амплитуду напря-
жения возбуждения.
2.13. а) ток IК0 несколько возрастёт, а IБ0 уменьшится, режим станет
недонапряженным; б) токи возрастут, режим станет перенапря-
женным.
2.14. а) по приборам, измеряющим постоянную составляющую тока
коллектора или ток контура IК = Q·IК1, так как эти токи силь-
но зависят от сопротивления нагрузки; б) в недонапряженном
режиме можно точнее настроить контур, наблюдая изменения
амплитуды выходного напряжения.
2.15. Нужно увеличить амплитуду напряжения возбуждения, ре-
зонансное сопротивление контура и напряжение смещения; а
напряжение питания коллекторной цепи уменьшить.
2.16. Режим станет недонапряженным, так как из-за уменьшения кон-
турного тока уменьшится амплитуда выходного напряжения.
2.17. Из нагрузочной характеристики генератора видно, что возрас-
тание тока IК0 при уменьшении сопротивления нагрузки про-
исходит в перенапряженном режиме.
2.18. а) при обрыве четвертьволновой антенны в контур генерато-
ра не будет вноситься активное сопротивление нагрузки; ре-
зонансное сопротивление контура возрастет и режим станет
перенапряженным; б) при обрыве сильно укороченной антен-
ны в большей степени может измениться вносимое в контур
реактивное сопротивление. При этом изменится резонансная
частота контура. Сопротивление контура на рабочей частоте в
этом случае уменьшится, и режим станет недонапряженным.
2.19. Судя по соотношению токов, генератор работает в резко пере-

напряженном режиме. При увеличении связи с нагрузкой ре-
зонансное cопротивление нагруженной колебательной системы
уменьшится, а контурный КПД возрастет. В граничном режиме
возрастут и колебательная мощность, и мощность в антенне.
Следовательно, связь с антенной нужно увеличить.
2.20. Нужно установить на осциллограмме не менее двух импульсов
тока и воспользоваться соотношением θ = 2π ⋅ t T , где t – поло-
вина времени протекания тока за период следования импуль-
сов Т.
2.21. Для получения высокого электронного КПД.
2.22. Коэффициент g1(Θ) максимален при Θ = 0.
2.23. См. прил. 7,8; а) IВЫХ 2 = Imα2(Θ), Θ = 180°; б) 90 и 180°; в) 180°.
2.24. См. прил. 7,8; а) IВЫХ 2 = Imα2(Θ), Θ = 60°; б) Θ = 40°.
2.25. Можно использовать временные диаграммы напряжения и
тока, подобные изображенным на рис. 2.1. а) увеличится; б) не
изменится; в) уменьшится.
2.26. См. ответ задачи 2.25. а), б), в) не изменится; г) увеличится.
2.27. а), б) нужно увеличить запирающее напряжение смещения.
2.28. а) при очень малых углах отсечки необходимо применять боль-
шие напряжения смещения и возбуждения, что нежелательно.
Кроме того, уменьшается амплитуда первой гармоники выход-
ного тока, а значит, и выходная мощность АЭ; б) при Θ = 180°
электронный КПД усилителя не превышает 50%.
2.29. 60°≤ Θ ≤120°. См. ответ к предыдущей задаче. При углах отсеч-
ки, больших 120°, заметно снижается электронный КПД.
2.31. а), б), в) КПД, равный ηе = 0,5 ξ g1(Θ) в соответствии с увели-
чением коэффициента g1(Θ) несколько возрастет;
а), б), в) мощность, равная Р1 = 0,5 α1(Θ)ImЕПξ, в соответствии с
уменьшением α1(Θ) понизится на 13; 22 и 32%.
2.32. Первый способ. В рабочем режиме генератора регулировать на-
пряжение смещения на управляющем электроде АЭ, наблюдая
форму импульсов выходного тока. Второй способ. При UВХ = 0
регулировкой напряжения смещения установить выходной ток
АЭ раз в 10...20 меньшим рабочего, т. е. на границе активной
области и отсечки. В этом случае напряжение смещения будет
равно напряжению отсечки.
2.33. а), б) частоты гармоник тока находятся в соотношении 1 : 2 : 3…
Резонансные частоты короткозамкнутого отрезка линии отно-
сятся приблизительно как 1 : 3 : 5... Как видим, частота треть-
ей гармоники может быть близка к резонансной частоте про-
дольного обертона линии. При угле отсечки 90° коэффициент
α3(Θ) = 0 и амплитуда третьей гармоники равна нулю.
2.34. а), б), г) режим станет перенапряженным; в), д) режим станет

недонапряженным; б), г) угол отсечки увеличится; а), в), д)
угол отсечки не изменится.
2.35. Угол отсечки θ = 90° не изменится. Электронный КПД гене-
ратора η e = α1 (θ )U a (2α 0 (θ ) Ea ) , пропорциональный величине
напряжения U a = SU б γ1 (θ) Ra , уменьшится в два раза.
2.36. Величина угла отсечки 90° не изменится. Электронный
КПД генератора пропорционален величине напряжения
U К = SU б γ1 (θ) R и потому уменьшится на 20%. Колебательная
мощность генератора равна P1 = 0,5 I K1 R = 0,5( SU б γ1 (θ) R .
2 2
При уменьшении амплитуды на 20% мощность Р1 уменьшится

на [ 1 − (1 − 0,2) 2 ] ⋅100 = 36 % .
2.37. а), б) установить угол отсечки 90° (см. решение задачи 2.32);
а), б) настроить выходной контур в резонанс на частоту вход-
ного сигнала и установить ГР. При резонансе постоянная со-
ставляющая выходного тока минимальна и уменьшается в ГР
на 10...20% относительно своего значения в НР.
2.38. а) прибор, измеряющий ток IК0, (см. решение задачи 2.32);
б) прибор, измеряющий токи IК0, IБ0 или напряжение UК;
в) IК0 и IБ0. В ГР отношение токов равно IБ0/IК0 = 0,05...0,15.
2.39. а) прибор, измеряющий ток Iа0 (см. решение задачи 2.32);
б), в) Iа0, Iс10 и Iс20. В тетродах ток первой сетки очень мал. Обыч-
но о настройке анодного контура в резонанс и напряженности
режима судят по величине постоянной составляющей тока эк-
ранирующей сетки, однако в современных тетродах приняты
меры по уменьшению тока этой сетки (провода второй сетки
помещают как бы в тень проводов управляющей сетки). Вследс-
твие этого в некоторых лампах (ГУ-34Б и др.) ток второй сетки
равен нулю и даже может принимать отрицательное значение.
2.40. а) прибор, измеряющий ток IК0 (см. решение задач 2.32 и 2.37);
б) прибор, измеряющий напряжение на нагрузке UН.
2.41. АЭ находится практически в одном из двух состояний: отсечки
и насыщения.
2.42. Обычно из условий получения θ = 90° и прямоугольной формы
выходного тока.
2.43. а), б), в) возможна. В современных тетродах приняты конструк-
тивные меры по уменьшению тока экранирующей сетки. Вследс-
твие этого в некоторых лампах этот ток может принимать даже
отрицательные значения (см. также ответ к задаче 2.39).
3.1. а) прежде всего, преобразование (трансформация) комплекс-
ного сопротивления нагрузки в импеданс, требуемый для реа-
лизации оптимального режима работы АЭ; б) цепи коррекции
АЧХ выравнивают коэффициент усиления АЭ в диапазоне

частот. Такое выравнивание большей частью сопровождается
заметным снижением коэффициента усиления.
3.2. а) в широкодиапазонных ламповых генераторах обычно на час-
тотах до 30…100 МГц; б) обычно на частотах до 200 МГц в ГВВ
на БТ и до 500 и более МГц в ГВВ на МДП-транзиторах.
3.3. Ко всем цепям согласования в той или иной степени предъяв-
ляют следующие требования: 1) трансформировать импеданс
нагрузки в импеданс, требуемый для реализации оптимального
режима работы АЭ; 2) отфильтровывать высшие гармоники в
нагрузке (на входе следующего каскада или антенны); 3) обес-
печивать высокий КПД цепи на рабочей частоте; 4) обеспечи-
вать требуемую полосу пропускания. Кроме перечисленных
предъявляются также требования по электрической прочности,
стоимости, габаритам, массе, надежности и др.
3.4. Максимальная величина добротности Q0 определяется возмож-
ностью конструктивной реализации. Для обычных контуров
Q0max = 100…200. Чем больше добротность Q0, тем меньше мощ-
ность потерь в контуре. Добротность Qн обычно выбирают в
пределах от 5 до 20. При меньшей величине Qн увеличивается
интенсивность гармоник на выходе, а при более высокой рас-
тут потери из-за увеличения реактивного тока в резонансном
контуре.
3.5. При этом обеспечивается лучшая фильтрация гармоник и одно-
временно выходные емкости и индуктивности АЭ сравнитель-
но просто включаются в соответствующие LC-элементы, либо
образуют отдельные согласующие звенья. Кроме того, такие
ЦС удобны в конструктивной реализации как в виде сосредо-
точенных элементов, так и отрезков длинных линий.
3.6. а) на частотах до 30…100 МГц сосредоточенные LC-элемен-
ты, а на более высоких – коаксиальные линии; б) на частотах
до 1..3 ГГц – сосредоточенные LC – элементы, а на более высо-
ких несимметричные полосковые линии. В микроминиатюрном
исполнении сосредоточенные элементы используют на частотах
до 10..18 ГГц. В некоторых случаях более технологичные отрезки
полосковых линий используют, начиная с частот 100…300 МГц.
3.7. Электронные лампы имеют сравнительно большие габариты.
Чтобы устранить потери ЦС на излучение при длинах волн, со-
измеримых с размерами ламп, используют объемные, главным
образом коаксиальные резонаторы. Увеличивать габаритные
размеры ЦС приходится также вследствие высоких рабочих
напряжений и больших рассеваемых мощностей.
3.8. а) на частотах f > 0,3fт/β0 надо корректировать снижение коэф-
фициента усиления транзистора с ростом частоты; б) во всем

диапазоне рабочих частот можно считать модуль коэффициен-
та усиления транзистора по току постоянным и не использо-
вать схемы коррекции.
3.9. а) Г-, Т- и П-цепочки; б) ФНЧ – трансформаторы, которые
представляют соединение нескольких Г-цепочек. Чем боль-
ше коэффициент Kf, тем требуется большее число Г-цепочек;
в) широкополосные трансформаторы с магнитной или элект-
ромагнитной связью.
3.10. а) в узкополосных УМ в качестве межкаскадных ЦС
(рис. 3.6, б, в) с невысокими требованиями к фильтрации вы-
сших гармоник и КПД; б) широко используются в выходных
каскадах УМ (рис. 3.7, в; 3.8; 3.9; 3.11, б); они удобны и для свя-
зи между каскадами, когда требуется обеспечить гармоничес-
кую форму напряжения как на выходе предыдущего АЭ, так и
на входе последующего. При этом выходная и входная емкости
АЭ легко учитываются в элементах фильтра.
3.11. Г-трансформаторы состоят всего из двух элементов, просты в
регулировке. Потери в Г-цепочке минимально возможные и
пропорциональны коэффициенту трансформации Rвх/Rвых. Пе-
реход от Г- к П- и Т-цепочке ведет к возрастанию потерь в
3…5 раз и более. Однако, в отличие от П- и Т-цепочек, парамет-
ры 2Δf, Фn и ηт Г-цепочек однозначно определяются отноше-
нием сопротивлений Rвх/Rвых. Это ограничивает применимость
одиночных Г-цепочек, поскольку в одних случаях оказывается
неудовлетворительным Фn, в других – ηт или полоса пропус-
кания цепи.
3.12. 1) Коэффициент фильтрации можно повысить путем вклю-
чения в плечо трансформатора дополнительного фильтра
(рис. 3.6, б). 2) При очень больших отношениях Rвх/Rвых (по-
рядка 100 и выше) можно использовать каскадное соединение
двух Г-звеньев. Это позволяет расширить полосу пропускания
и повысить КПД цепи связи. 3) Вместо простейших Г-звеньев
использовать ЦС в виде П- и Т-трансформаторов. 4) Во всех
случаях необходимо использовать высокодобротные LC-эле-
менты.
3.13. В полосовой ЦС использованы дополнительные элементы L1,
C2 и L3, образующие с элементами C1, L2 и C4 последователь-
ный и параллельные контуры, настроенные в резонанс на час-
тоту сигнала. Таким образом, переход к полосовой ЦС казалось
бы увеличивает в два раза число LC-элементов. Однако практи-
чески происходит даже некоторое упрощение схемы, посколь-
ку дополнительные L1 и C2 элементы устанавливаются вместо
соответствующих блокировочных и оказываются значительно

меньшими по величине. Кроме того, в полосовой цепи можно
осуществить дополнительную трансформацию сопротивления.
3.14. При выборе Q необходимо обеспечить условие реализуемости
трансформатора и учитывать, что при увеличении добротности
возрастает коэффициент фильтрации, но уменьшаются полоса
пропускания и КПД трансформатора. Добротность RC-цепи, под-
ключенной к выходу АЭ, обычно выбирают не менее трех. При
этом в граничном и недонапряженном режимах работы АЭ обес-
печивается гармоническая форма напряжения на выходе АЭ.
3.15. Трансформирующие свойства обеих схем одинаковы, однако
ФНЧ (входные цепи усилителей на рис. 3.6 и 3.9) обеспечи-
вают лучшую фильтрацию гармоник и потому используются
чаще.
3.16. При малых добротностях Г-звено имеет плохую фильтрацию.
При больших Q фильтрация улучшается, но резко сужается
полоса пропускания цепи и снижается КПД ЦС. В Г-звене с
дополнительным фильтром улучшение фильтрации также до-
стигается за счет снижения полосы пропускания и снижения
КПД ЦС. П-трансформаторы с двумя емкостными связями
обеспечивают хорошую фильтрацию высших гармоник и поэто-
му широко используются в выходных каскадах передатчиков.
3.17. Суммарное сопротивление параллельной цепи равно
j R X ( R + j X ) = R X 2 ( R 2 + X 2 ) + j X R 2 ( R 2 + X 2 ) . Прирав-
няв активные и реактивные сопротивления цепей, получим
r = RX
2
( 2
)2
R + X , x = XR
2
( 2 2
)
R + X . Обозначив отношение
сопротивлений x/r = R/X = Q, определим отношение сопро-
тивлений R/r = Q2 + 1.
3.18. Q = R r − 1 = 7 ; x = Q·r = 350 Ом; X = R/Q = 357 Ом.
3.19. f0 = 5,627 МГц; ρ = L C = 353 Ом; Q = ρ/r = 35,3; R = 12,46 кОм.
3.20. 563 пФ; Q = 31,4; 2Δf0,7 = 31,8 кГц.
3.21. f0 = 159 кГц; ρ = 2210 Ом; Q = 10; 2Δf0,7 = 15,9 кГц.; f1 = 151 кГц;
f2 = 167 кГц.
3.22. Cmin= 67 пФ, Cmax= 512 пФ. Добротность контура на минималь-
ной частоте равна 7,3, а на максимальной – 20,1. Для рассмат-
риваемого случая полоса пропускания от частоты не зависит и
равна 2Δf0,7= f0/Q =rн/(2πL) = 20,6 кГц.
3.23. При перестройке контура емкостью величина резонансного
сопротивления прямо пропорциональна частоте R =ω0QL; при
перестройке индуктивностью R = Q/ω0C.
3.24. Учитывая, что энергия, запасенная в контуре при резонансе
равна NE=0,5CU2, получим Q = 94.
3.25. R = U2/2Pпот = Q · ρ = 1,25 кОм; ρ = 13,3 Ом; L = 14 нГн;

2Δf0,7 = 1,6 МГц; r = 0,14 Ом.
3.26. Q Iа1 = 300 А.
3.27. Максимальное напряжение на контуре равно Ec + Uc = 80 В. Ам-
плитуда контурного тока равна QUc/Rc = 6 А.
3.28. а) используя равенство 2ΔωRC = 1, получим R = 796 Ом;
б) 398 Ом; в) 199 Ом.
3.29. ηк = Pп/P1 = (P1–Pк)/P1; а) Pк = 0,5I2кrк; ηк = 1 – rк/(rк + rп) = 1 – Q/Q0;
б) Pк = 0,5U2/R0; ηк= R0/(R0 + Rп) = 1/(1 + Q/Q0).
3.30. а) 0,4; б) 0,3; в) 0,2; г) 0,1.
3.31. а) 1; б) 0,5; в) 0,32; г) 0,1.
3.32. f0 = 100 МГц; Rк = Qнω0L1 = 90 Ом; R′ = p2Rк = 36 Ом.
3.33. а) 12; б) 6; в) 1,2 В.
3.34. Сопротивление контура R = p2Qρ, откуда p = RωC Q = 0,23 .
2
3.35. При ηк = 50% сопротивление rП = rК = R0 Q0 = 1 Ом.
3.36. ρ = L C = 632 Ом; IK = Ua/ρ = 4,75 А; R = p 2Qρ = 63, 2 кОм;

P1 = 0,5U a2 R = 71, 2 Вт.
3.37. Q = L C r = 9,82 ; 2Δf0,7 = r/(2πL) = 35,8 кГц..
3.38. ρ = 13,3 Ом; L = 14 нГн; r = ρ/Q = 0,14 Ом; 2Δf0.7 = 1,6 МГц.
3.39. Учитывая, что энергия, запасённая в контуре при резонансе,
равна Nн = 0,5LI2, получим Q = 0,5ω0LI2/Pпот= 94; ρ = 13,3 Ом;
C = 80 пФ; r = 2Pпот/I2 = 0,14 Ом.
3.40. 180 В.
3.41. UL = UC = 1,6 · 80 = 128 В; I = 3,2 A.
3.42. L = r Q/ω0 = 26,5 мГн; C = 0,1 пФ.
3.43. f0 = 5 МГц; Q = 105.
3.44. ρ = 1/(ω0С) = 8 МОм; Q = ρ/r = 8·104; L = 1,3 Гн.
3.45. 1). В усилителях мощности; чаще всего – в выходных каскадах
мощных передатчиков, работающих на антенну. 2). В автогене-
раторах, в том числе с кварцевой стабилизацией частоты и со
стабилизирующими резонаторами.
3.46. 1). Паразитная связь входного и выходного контуров в УМ.
2). Явления затягивания частоты при работе автогенераторов
на длинный несогласованный фидер, комплексную нагрузку
или резонансный волномер. 3). Искажения АМ и ЧМ сигналов
в двухконтурных схемах выхода генератора при коэффициенте
связи больше критического.
3.47. Лучшая фильтрация высших гармонических составляющих,
возможность получения большей полосы пропускания (при
одинаковой добротности контуров) и более простая процедура
настройки схемы.
3.48. 1). Устраняют связь между контурами и настраивают в резо-

нанс первичный (коллекторный, анодный) контур. 2). При
минимальной связи между контурами настраивают в резонанс
вторичной (антенный) контур. 3). Изменяя связь между конту-
рами, добиваются максимального значения тока во вторичном
контуре.
3.49. 1). Дефекта нет. Изменения не нужны. 2). Плохая форма ЧХ.
Нужно уменьшить величину сопротивления нагрузки. 3). Пло-
хая форма ЧХ, нужно увеличить величину сопротивления на-
грузки. 4). Узкая ширина полосы. Нужно увеличить связь меж-
ду контурами. 5). Слишком большая ширина полосы. Нужно
уменьшить связь между контурами. 6). Неравные горбы. Нуж-
но изменить частоту первичного контура. 7). Уход центральной
частоты. Нужно уменьшить частоты контуров.
3.50. При коэффициенте связи k > kкр и коэффициенте модуляции
входного сигнала m = 1 на частотах модуляции F, соответству-
ющих подъёмам резонансной кривой КС, амплитуда колебаний
боковых частот на выходе системы превысит 50% от амплитуды
несущего колебания.
3.51. В пределах полосы частот усиливаемого сигнала амплитудная
характеристика А(ω) должна быть равномерной, а фазовая φ(ω)
линейной и симметричной относительно средней частоты ω0. В
двухконтурных усилителях при связи, близкой к критической,
нелинейные искажения усиленного сигнала получаются вдвое
меньшими, чем в одноконтурных.
3.52.а) используя равенство 2Δω0,7RC = √2, получим R = 1125 Ом;
б) 563 Ом; в) 281 Ом. Сопротивление системы двух конту-
ров в √2 раз больше сопротивления одиночного контура при
одинаковом входном сопротивлении и одинаковой входной
ёмкости.
3.53. а) см. рис. 3.10.
3.54. Многоконтурная система должна быть точно настроена в резо-
нанс на несущую частоту АМ колебания. Для многоконтурных
систем необходимо, чтобы и каждый контур, и вся система в
целом были в состоянии резонанса – так называемый полный
резонанс. В противном случае векторы боковых будут иметь
разную длину и окажутся смещенными по фазе относительно
своего нормального положения. АЧХ КС в полосе модулирую-
щих частот должна быть равномерной.
3.55. а) резонансная кривая имеет впадину; б) кривая резонанса од-
ногорба и имеет несколько уплощённую верхнюю часть; в) как
у одиночного контура.
3.56. а) в 3,1 раз больше; б) в √2 раз больше; в)равна; г) меньше.
3.57. См. ответ к вопросу 3.3.

3.58. Трансформаторные свойства звеньев одинаковы, однако ФНЧ
обеспечивает лучшую фильтрацию высших гармоник.
3.59. а) L1С2 – входной контур; R1С1 – цепь автосмешения. Напря-
жение смещения подаётся через индуктивность L1. Нагрузкой
предыдущего каскада является резистивная составляющая
входного сопротивления лампы по первой гармонике сеточно-
го тока Rвх = Uc/Ic1, резонансное сопротивление контура, а также
резистор R2. Резистор R2 включен для стабилизации суммар-
ного нагрузочного сопротивления и повышения устойчивости
работы ГВВ ценой снижения коэффициента усиления; б) L1С1 –
согласующая Г-цепочка; L2С2 – цепь дополнительной фильтра-
ции. Чем лучше фильтрация высших гармоник, тем уже полоса
пропускания и больше потери в ЦС. L3 – дроссель; С3 – блоки-
ровочный конденсатор; R1 и R2 – делитель в цепи питания базы;
R3 – сопротивление эмитерного автосмещения; в) L1С1 – согла-
сующая Г-цепочка. Потери в Г-цепочке минимально возмож-
ные, но цепочка обеспечивает небольшую фильтрацию высших
гармоник. С2 – блокировочная ёмкость в цепи питания затвора;
резистор R1 шунтирует входную цепь транзистора и тем самым
стабилизирует величину входного сопротивления в диапазоне
рабочих частот. Кроме того, резистор R1 обеспечивает нулевое
смещение МДП-транзистора, поскольку отсутствует постоян-
ная составляющая тока затвора.
3.60. Поскольку ёмкость С1 – блокировочная, величина сопро-
тивления R0 будет максимальной при минимальной контур-
ной ёмкости С2 = Свх + См = 36 пФ; R0 = Q0/(ωC2) = 17,7 кОм;
L1 = 1/(ω2С2) = 780 нГн; R1 = Ес/Iсо = 1,25 кОм.
3.61. Эквивалентные схемы получаются из принципиальных при
замене блокировочных и разделительных конденсатов корот-
козамыкающими перемычками, а разделительных индуктив-
ностей – бесконечно большими сопротивлениями.
3.62. 1). Для увеличения коэффициента фильтрации. 2). В случае,
когда расчётная величина индуктивности L1 получилась мень-
ше конструктивно реализуемой.
3.63. 1). Резонансная частота фильтра должна быть равна рабочей
частоте усилителя. 2). Чем больше индуктивность L2, тем луч-
ше фильтрация, но уже полоса и больше потери. 3). Собствен-
ная добротность элементов L2 и С2 должна быть большой.
3.64. 1). Использовать другой трансформатор. 2). Ввести в ЦС до-
полнительный фильтр (рис. 3.6, б).
3.65. Q = Rв х Rвых − 1 = 8 ; 2Δf = 8,75 МГц; Ф2 = 576; Ф3 = 4096; ηТ = 0,9;
С1 = Q/(ωRвх) = 252 пФ; L1 = RвыхQ/ω = 1/(ω2С1) = 20 нГн.
3.66. Из расчётных соотношений для Г-цепочки видно, что при

увеличении Rвх/Rвых добротность Г-цепочки возрастает, а КПД
снижается.
3.67. 2Δf = 123 МГц; Q = 3,26; Ф2 = 96; ηТ = 0,968; С1 = 26 пФ и
L1 = 5,6 нГн.
3.68. L2 = (L1 + L2) – L1 = 9,4 нГн; С2 = 16,8 пФ.
3.69. Q = 1 (ω С1Rв х ) 2 − 1 = 7,9; 2Δf = 1,26МГц; R1 = 1/(Rвхω2С12)=3170 Ом;
L1= 6,3 мкГн; ηТ = 0,93.
3.70. Q = 7,7; L1 = RвхQ/ω = 6,1 мкГн; С1 = Q/(ωRвых) = 41 пФ.
3.71. На относительно низких частотах при большой входной ёмкос-
ти АЭ. Q = 5,6; R1 = 808 Ом; L1 = 1,4 мкГн; ηТ = 0,9.
3.72. Q = 5,6; L1 = QRвх/ω = 1,4 мкГн; C1 = Q/(ωRвых) = 70 пФ.
3.73. Используя расчётные соотношения для Г-цепочки (рис 3.6, б),
получим L1/C1 = RвхRвых. Учитывая, что при Q ≥ 3 справедли-
во равенство ω2L1С1 = 1, определим отношение сопротивлений
Rвх/Rвых = (RвхωС1)2, необходимое для вычисления добротности.
3.75. В промежуточных каскадах – входная цепь следующего каска-
да; в оконечных – входное сопротивление фидера, питающего
антенну, либо непосредственно входное сопротивление самой
антенны или СУ, устанавливаемого перед ней.
3.76. а) в качестве ЦС использован параллельный контур с непол-
ным включением нагрузки. Переменными конденсаторами С2 и
С3 регулируют связь с нагрузкой и подстраивают контур в резо-
нанс. Конденсатор С1 – блокировочный. Схема отличается про-
стотой, но имеет небольшой коэффициент фильтрации высших
гармоник; б) в качестве ЦС использован параллельный контур.
Нагрузка включена в индуктивную ветвь контура через ёмкость
С3. При небольшой величине ёмкости С3 её можно использо-
вать для регулировки связи с нагрузкой. Конденсатор С1 – бло-
кировочный. Схема отличается простотой, но имеет небольшой
коэффициент фильтрации высших гармоник; в) использована
полосовая П-цепочка. Элементы L2, С2 образуют последова-
тельный, а элементы L1, С1 и L3, С4 – параллельные колеба-
тельные контуры, настроенные на среднюю частоту диапазона,
причём элементы L1 и С2 установлены вместо соответствующих
разделительных и оказываются значительно меньшими по вели-
чине. Данная ЦС обеспечивает необходимую трансформацию
сопротивлений и большой коэффициент фильтрации.
3.77. При составлении эквивалентных схем блокировочные и разде-
лительные конденсаторы заменяются проводниками с нулевым
сопротивлением, так как переменные напряжения на них малы.
См. рис. 3.3.
3.78. L1 = Rк/(ω0Qн) = 31,8 нГн; ёмкость контура равна С = Qн/(ω0Rк)=

= 79,6 пФ; р = (36/90)0,5 = 0,63; С3 = С/р = 126,3 пФ; С2 =
= 215,1 пФ.
3.79. 2Δf = 3,5 МГц; ηк = 0,8; Uн = рUк = 2 В.
3.80. f = 76,6 МГц; 2Δf = 5,1 МГц; ηк = 0,8; Рп = 8 мВт; R′ = р 2ωL1Q =
= 139 Ом.
3.81. 2Δf = 5,1 МГц; R = ωL1Q = 871 Ом; Iк1 = 4,6 мА;
р= R ' R = 0,4 = С2/(С2 + С3); С2С3/(С2 + С3) = 1/(4π2f2L)=
= 35,6 пФ; С3=89 пФ; С2=59,3 пФ; ηк = 0,8; Рп = 0,5Uк2ηк/R =
=7,3 мВт; Uн = 1,4 В.
3.82. Сопротивление нагрузки транзистора Rс = 0,5Uc2/Р1 = 100 Ом;
Рп = Р1 ηк = 6,8 Вт; Uн = 2 Р П R н = 26 В; р = 0,65.
3.83. f = с/λ = 10 МГц; R0 = Q0/(ωC) = 31,8 кОм; Rн = 0,5Uа2/P1 = 6,25 кОм;
ηК = 1 – Rн/R0 = 0,8; Pп=P1 ηк=400 Вт; Uн= 2 РП Rн =630 В;
p = Uн/Ua = 0,25; 1/(ωC3) ≤ Rн/20, откуда С3 ≥ 640 пФ.
3.84. L = 2,5 мкГн; ρ = 160 Ом; Рпот = Uа2/(2Q0ρ) = 98 Вт; Iа1 = 2Р1/Uа =
= 0,4 А; Iк = Uа/ρ = 15,6 А; Qн = Iк/Iа1 = 39; 2Δf = 256 кГц.
3.85. Полосовая ЦС содержит в 2 раза больше LС-элементов, однако
дополнительные элементы L1 и С2 устанавливаются вместо L3
и С9 (рис. 3.9) и оказываются значительно меньшими по вели-
чине. Кроме того, в полосовой ЦС возможна дополнительная
трансформация сопротивления.
3.86. Сопротивление ёмкости С4 на рабочей частоте равно
0,05 Ом Rн, так что влиянием этой ёмкости можно пре-
небречь; С = 1/(ω02L) = 563 пФ; См = С – С2 – Сси = 28 пФ;
R0 = ω0LQ0 = 940 Ом; Rн = 47,5 Ом; ηк = 1 – Rн/R0 = 0,95;
2Δf0,7 = 1/(2πRнС) = 6 МГц.
3.87. Обозначив R2 = 10 Ом, а R1 = 50 Ом, определим добротность
выходной цепи Q1 и условие реализуемости трансформатора
2
Q1= R1(1 + Q 2 ) / R 2 − 1 = 7; Q22 = 9 > R1/R2–1 = 4. В ёмкость С5
входят выходная ёмкость транзистора и ёмкость монтажа С5 =
Q2/(ωR2) = 160 пФ; С8 = Q1/(ωRн) = 75 пФ; Lф = QфR1/(ω(1+Q12))
= 5,3 нГн; ёмкость фильтра С6+С7 = 1/(ω2Lф) = 53 пФ; индук-
тивность трансформатора L = R1(Q1+Q2)/((1+Q12)ω) = 5,3 нГн;
суммарная индуктивность L3 = 10,6 нГн.
3.88. В случае последовательного питания к элементам ЦС приложе-
но напряжение питания, что усложняет изоляцию и операции
с ЦС. С другой стороны, при параллельном питании необхо-
дим блокировочный дроссель, который образует добавочную
параллельную ветвь ЦС, вносит в ЦС паразитную ёмкость и
дополнительные резонансы.
3.89. При более коротких волнах размеры элементов ЦС уменьша-

ются, что облегчает их изоляцию и экранирование от обслу-
живающего персонала. См. также ответ к предыдущей задаче.
3.90. Для уменьшения паразитных ёмкостей генератора и высокочас-
тотного напряжения в соединительных проводниках.
3.91. При небольших изменениях амплитуды входного сигнала и
резонансного сопротивления анодного контура использование
автосмещения повышает устойчивость выходной мощности в
слегка перенапряжённых режимах работы. Однако при очень
малой амплитуде входного сигнала или сильной расстройке
анодного контура смещение исчезает. При этом в лампах с
левой характеристикой (большой ток при нулевом смещении)
может получиться недопустимо большое рассеяние мощности
на аноде. Напряжение автосмещения не может превысить ве-
личину амплитуды напряжения возбуждения, что не позволяет
получить малые углы отсечки анодного тока.
3.92. См. ответ к предыдущей задаче.
3.93. При катодном автосмещении рассеиваемая мощность Ес(Ia0+Ic0)
много больше, чем при автосмещении за счёт сеточного тока
ЕсIc0.
3.94. В граничном режиме Iс0 = (0,05…0,1) Ia0 = (30…60) мА. R1 =
= Ес/ Iс0 = (5…10) кОм.
3.95. R3=Еэ/Iк0=2 Ом. При Θ=90° Ебэ=Е′б. Для кремниевых транзис-
торов Е′б=0,7 В, при этом Есм=1,1 В. При Есм Еб можно принять
RБ ≈ R2. Полагая RБ=5R3, получим R2=10 Ом,R1=99 Ом.
3.96. Мощность в резисторе R3 равна Iк02R3=80 мВт. Ток в цепи
делителя равен Еб/(R1+R2)=0,11 А. Мощности в резисторах R1
и R2 равны 1,2 Вт и 0,12 Вт.
3.97. Напряжения питания поступают через дроссели L2 и L3. Кон-
денсаторы С3, С4, С5, С6 – блокировочные. В цепи базы ис-
пользована согласующая Г-цепочка L1С1; она выполнена в виде
ФНЧ, при этом в L1 входит индуктивность вывода транзисто-
ра. Конденсатор С2 – разделительный. Элементы L4,С7 и С8
образуют П-контур в виде ФНЧ. П-контур с двумя ёмкостны-
ми связями обеспечивает хорошую фильтрацию высших гармо-
ник и широко используется в выходных каскадах передатчиков.
Переменным конденсатором С9 подбирают связь с нагрузкой.
Одновременно С9 предотвращает замыкание коллекторного
питания на корпус через сопротивление нагрузки. Контроль-
но-измерительные приборы служат для настройки и контроля
режима работы (Uн) усилителя.
3.98. Напряжения питания на электроды лампы поступают через кон-
турные индуктивности L1, L4 и дроссели L2, L3, L6. Дроссели L2,
L6 совместно с блокировочными конденсаторами С3, С5 и С10,

С12 образуют трёхзвенные ФНЧ (П-цепочки) и, следовательно,
обеспечивают хорошую развязку по цепям питания. Конденса-
торы С4, С6, С7, С8 – блокировочные. Во входной цепи исполь-
зован простейший контур L1С2 и конденсатор С1 для связи с
источником возбуждения. В выходной цепи ГВВ использованы
связанные колебательные контуры С9, L4 и С13, L5.
3.99. Использована простейшая схема усилителя. Источник сигнала
и сопротивление нагрузки подключены непосредственно к элек-
тродам транзистора через разделительные конденсаторы боль-
шой ёмкости С1 и С4. Резистор R1 обеспечивает нулевое смеще-
ние на затворе транзистора. Поскольку отсутствует постоянная
составляющая тока затвора, на резисторе R1 дополнительного
атосмещения не будет. Сопротивление резистора R1 выбрано из
условий стабилизации величины входного сопротивления тран-
зистора в диапазоне частот, но не чрезмерного шунтирования
входной цепи по ВЧ. Использована схема последовательного
питания выходной цепи. Напряжение питания поступает на
сток транзистора через контурную индуктивность L1. Суммар-
ная контурная ёмкость включает выходную ёмкость транзистора
Сси=25 пФ, ёмкость монтажа, а также ёмкость С2, включаемую
для создания низкого сопротивления по высшим гармоникам и
обеспечения близкого к гармоническому напряжения на выходе
усилителя. Конденсатор С3 – блокировочный.
3.100. Во входной цепи генератора использован П- трансформатор
с двумя ёмкостными связями. Регулировкой величины ёмкости
связи С1 входную цепь настраивают на частоту сигнала. Вторая
ёмкость связи образована суммарной ёмкостью канала транзис-
тора и ёмкостью монтажа. Конденсатор С2 – разделительный,
а С3 – блокировочный. Положительное напряжение смещения
поступает на затвор транзистора через резистор R1. Поскольку
отсутствует постоянная составляющая тока затвора, дополни-
тельного автосмещения на резисторе R1 не будет. Сопротив-
ление резистора R1 выбрано из условий малого шунтирова-
ния по ВЧ и стабилизации величины входного сопротивления
транзистора в диапазоне частот. В выходной цепи генератора
использован П-трансформатор с дополнительным фильтром,
обеспечивающим повышенную фильтрацию гармоник. Ём-
кость П-контура, подключённая к выходу трансформатора,
включает выходную ёмкость транзистора, ёмкость монтажа и
дополнительную ёмкость С5, необходимую для создания низ-
кого сопротивления цепи высшим гармоникам и обеспечения
близкого к гармоническому напряжения на выходе усилителя
(Q1 ≥ 3). Напряжение питания на сток транзистора поступает

через дроссель L2. Конденсатор С4 – блокировочный.
3.101. См. рис. 3.9.
3.102. См. рис. 3.10.
3.103. См. рис. 3.11, а.
3.104. См. рис. 3.11, б.
3.105. При составлении эквивалентных схем дроссели заменяются
разрывами, поскольку переменные токи в них малы, а блоки-
ровочные и разделительные конденсаторы – проводниками с
нулевым сопротивлением, т. к. на них малы переменные на-
пряжения.
3.106. а) 900; 6400 и 57600; б) 56; 79 и 92; в) 225; 711 и 2304.
3.107. а) 225; 711 и 2304 б) 3200; 57600 и 1,4·106. В ЦС №6 сопро-
тивление нагрузки R2 шунтирует малое сопротивление емкости
C2 токам высших гармоник (xc = 1/(nωC2)), что обеспечивает
лучшую фильтрацию.
3.108. В ЦС №1 малое сопротивление емкости С токам высших
гармоник (xc = 1/(nωC)) шунтирует цепь нагрузки, а большое
сопротивление индуктивности (xL = nωL) препятствует проте-
канию токов высших гармоник через нагрузку.
3.109. В этой ЦС последовательно с сопротивлением нагрузки R2
включено малое сопротивление емкости С токам высших гар-
моник (xc = 1/(nωC)).
3.110. а) Q = 4Ф2 / 9 = 11,5 ; Q0 = Q / (1 − η к ) = 115 ;
R0 = R2 ηK (1 − ηK ) = 3600 Ом ; ρ = R0 / Q0 = 31, 3 Ом;
L = ρ / ω = 20 нГн; C = 1/ (ωρ ) = 20, 3 пФ;
б) Q0 = 211; ρ = 17 Ом; L = 10,8 нГн; C = 37,4 пФ. Для вари-
анта б) затруднительно получить требуемые значения высокой
добротности Q0 и малой индуктивности L.
3.111. Используя формулу для коэффициента фильтрации по току,
получим IA2 = IA1 α2/(ФI2 α1) = 13 мА.
3.112. При различных сопротивлениях нагрузки отношение мощ-
ностей равно P3/P1 = (R3/R1)(IA3/IA1)2. Из этого равенства мож-
но найти отношение токов (IA3/IA1) = 10-2, тогда ФI3 = 35,4.
3.113. См. решение предыдущей задачи – 13,5 мкВт.
3.114. Коэффициент фильтрации прямо пропорционален величине
нагруженной добротности Q = Q0(1 – ηк). У первого передат-
чика Q = 14, а у второго Q = 10.
3.115. а) Ф2 = (α2/α1)(P1/P2) = 1,75·105; б) Ф3 = 3,1·104.
3.116. а) Ф2 = Q2n4(n2 – 2) = 32Q2, P2 = P1(IK2/IK1)2/Ф2 = 10,5 мВт;
б) 0,02 мВт.
3.117. В граничном режиме форма импульсов тока косинусоидаль-

на, так что I2 /I1 = α2(Θ)/α1(Θ) = 0,424;
IA2 = (I2 /I1)(IA1 /Ф2) = 5,1 мА.
3.118. f = c/λ = 0,6 МГц; Q = 1/(ωrC) = 88,4.
Первый способ решения – используем расчетную формулу для
коэффициента фильтрации ЦС №1:
−4
а) I A3 / I A1 = ( I K 3 / I K 1 ) / Ф3 = 9 ⋅10 ;
б) I A3 / I A1 = ( I K 3 / I K 1 ) / Ф3 = 6,6 ⋅10 −4 .
Второй способ – сравниваем сопротивления контура и его ин-
дуктивной ветви.
3.119. См. решение предыдущей задачи. Используя расчетную фор-
мулу для коэффициента фильтрации ЦС №2 (табл. 3.1), полу-
чим: а) 0,008; б) 0,0027.
3.120. а) допуская уровень амплитуд высших гармоник напряжения
на выходном электроде АЭ не более 1/20 амплитуды первой
гармоники, получим
Un I n Re( z ɧn ) D n (4) 1 1
d .
U1 I1 Re( z ɧ1 ) D1 (4) Ɏn 20
Учитывая, что α1(90°) = 0,5, α2(90°) = 0,21, а α3(90°) = 0, получим
Ф2 ≥ 8,4. Используя формулу табл. 3.1, получим Ф2 = 9Q2 ≥ 8,4,
откуда Q ≥ 1; б) Ф2 = 9Q2/16; Q ≥ 4; в) Ф2 = 9Q2/4; Q ≥ 2.
3.121. а) учитывая, что Q = ω0RC получим C ≥ 1/(ω0R);
б) C ≥ 4/(ω0R); в) C ≥ 2/(ω0R).
3.122. При Q0Q можно не учитывать сопротивления потерь эле-
ментов ЦС, а при Q > 3…5 ЦС можно рассматривать как на-
строенный параллельный колебательный контур. В таком
контуре на резонансной частоте ω0 характеристическое сопро-
тивление контура равно ω0L = 1/ω0С = ρ. Обозначив jnω0L = jρn
и 1/(jnω0С) = ρ/(jn), определим входное сопротивление ЦС
ρ R2 + j n ρ 2 и R ρ2
Zn = Re(Z n ) = 2 2 2 2
.
ρ − n ρ + j n R2
2
ρ (n − 1) + n 2 R2
Из последнего равенства можно найти величину входных со-

противлений. Подставив значение n=1, получим Re(Z1) = ρ2/R2
= Q2R2. При n>1, учитывая неравенство Q = ρ/R2 > 3…5, можно
пренебречь малым слагаемым n2R22; тогда Re(Zn) ≈ R2/(n2 – 1)2.
По определению коэффициент фильтрации равен
Фn = Re(Z1)/Re(Zn) = Q2(n2 – 1)2.
3.123. См. решение задачи 3.122.

R2 ρn 2 − j n ρ 2
Zn = , где ρ = ω0L = 1/ω0С.
ρ (n − 1) − j n R2
2
R2 ρ 2 n 4 ; Re(Z1) = ρ2/R2 = Q2R2;

Re(Z n ) = 2
ρ (n − 1) + n 2 R2
2 2
Re(Zn) ≈ R2n4/(1 – n2)2; Фn = Q2(n2 – 1)2/n4.

3.124. Индуктивность L не препятствует протеканию в нагрузку
токов высших гармоник, а сопротивление емкости С для этих
токов мало. ЦС №2 часто используют в межкаскадных цепях,
где элементы L и C включают вместо разделительных.
− j n ρ R2 , где ρ = ω0L = 1/ω0С.
Zn =
R2 ( n 2 − 1 ) − j n ρ
R2 ρ 2 n 2
Re(Z n ) = 2
; Re(Z1) = R2;
R2 (n 2 − 1) 2 + ρ 2 n 2
n2 1 | Q2 n2 1
2 2
Ɏ Q 2 n 2 1 n2 .
n
3.127. Коэффициент фильтрации ЦС №3 в n2 меньше, чем в ЦС
№1, но в n2 больше, чем в ЦС №2. В ЦС №3 конденсатор С,
шунтирующий нагрузку, имеет малое сопротивление для то-
ков высших гармоник. В ЦС №1 конденсатор С имеет малое
сопротивление для токов высших гармоник, а индуктивность
L препятствует протеканию токов высших гармоник через наг-
рузку.
3.128. См. решение задачи 3.122. Величину сопротивления ReZ1
определим из условия равенства мощностей 0,5U2/Re(Z1)=
=0,5Uн2/R2. Подставим в это равенство значение напряжения
Uн=UC2/(C1+C2) и получим Re(Z1)=R2(C1+C2)2/C22. При опре-
делении сопротивления Zn для упрощения вычислений можно
пренебречь большим сопротивлением индуктивности L токам
высших гармоник.
Тогда Z n = ρ1 ρ 2 + j n R2 ( ρ1 + ρ 2 ) , где ρ1 = 1/ω0С1; ρ2 = 1/ω0С2.
− n 2 R2 + j n ρ1
Re(Zn)=ρ12/(n2R2); Фn = n 2 R22 (C1 + C2 ) ω12C12 C22 .
2
Учитывая, что Q = Re( Z1 ) ρ = R2 (C1 + C2 )ω C1 C2 , получим Фn = Q2n2.

2n 2 ρ 3 − 4 j ρ 2 n R2 , где ρ = ω0 L1 = ω0 L2 = 1 (2ω0C ) .
Zn =
2 ρ R2 (n 2 − 1) + j ρ 2 (n 3 − 2n)
4n 2 ρ 4 R2
Re(Z n ) = 2
; Re(Z1) =4R2;
4 ρ 2 R2 (n 2 − 1) 2 + ρ 4 n 2 (n 2 − 2) 2
Фn = 4R22(n2 – 1)2/(ρ2n2) + (n2 – 2)2. Учитывая, что Q = R/(2 ρ)=
=2R2/ρ, получим Фn= Q2(n2 – 1)2/n2 + (n2 – 2)2 ≈ Q2(n2 – 1)2/n2.
3.130. Скорее всего, из-за пренебрежения влиянием индуктивности
L при расчете ЦС №4.
R2 ρ1 ρ 2 − n 2 ρ1 ρ R2 + j nρ1 ρ 2 ρ
Zn = , где ρ1 = 1/ω0С1;
ρ1 ρ 2 − n 2 ρ 2 ρ + j (n ρ1 R2 − n 3 ρ R2 + n ρ 2 R2 )
ρ2 = 1/ω0С2 и ρ = ω0L.
Величину сопротивления Re(Z1) = R1 = R2ρ12/ρ22 можно оп-
ределить либо путем преобразования значения Zn при n=1 с
учетом равенства ρ1 + ρ2 = ρ, либо из условия равенства мощ-
ностей 0,5U12R1 = 0,5U22R2, где U1/U2=ρ1/ρ2. С учетом равенства
ρ1 + ρ2 = ρ и неравенств R1>(3…5)ρ1, R2>(3…5)ρ2 получим
2 2
R2 ρ1 ρ 2
Re(Z n ) = 2 2
;
n ρ R2 − 2n 4 ρ 2 R2
6 2
4 2 2
Фn = n R2 ρ (n 2
−2 )ρ 4
2
2 4
=Q n (n 2
)
−2 .
3.132. а) n (n – 2)/(n – 1) = 3,55; б) 8,86; в) 15,93. ЦС №6 имеет
4 2 2 2
примерно в n2 больший коэффициент фильтрации благодаря

емкости С2, включенной параллельно резистору R2. Большая
проводимость nωC2 этой емкости шунтирует токи высших гар-
моник.
3.133. Обычные требования обеспечения необходимой емкости,
электрической прочности и т.п. Кроме того, поскольку раздели-
тельные конденсаторы включают в точки с высоким потенциа-
лом радиочастоты, их габариты должны быть небольшими, что-
бы их паразитная емкость относительно корпуса передатчика
не влияла на цепь радиочастоты. Блокировочные конденсаторы
должны иметь малую паразитную индуктивность. К стабиль-
ности емкости разделительных и блокировочных конденсато-
ров не предъявляют жестких требований.
3.134. См. рис. 3.4 и 3.5. Рабочие частоты конденсаторов должны
быть гораздо ниже резонансных.
3.135. а), б) не изменится.
3.136. а) 205; б) 103; в) 145 МГц.
3.137. Можно шунтировать конденсатор большой емкости конден-
сатором меньшей емкости с гораздо большей резонансной час-
тотой; использовать параллельное включение конденсаторов.
3.138. а) 1600 МГц; б) 500 МГц; в) 160 МГц; г) 50 МГц.

3.139. а) Δx = x C − ( x C − x L ) = ωL , Δ x xC = ω LC ,
2
C = (Δx xC ) (ω 2 L) = 5 пФ; б) 507 пФ; в) 50,7 нФ.

3.140. Использовать конденсаторы небольшой емкости с малой ин-
дуктивностью, а также параллельное включение конденсаторов
малой емкости.
3.141. а) 0,034; б) 0,0085; в) 0,0014.
3.142. К стабильности емкости и добротности этих конденсаторов
не предъявляют жестких требований, а благодаря использова-
нию керамики с большой диэлектрической проницаемостью
они имеют небольшие габариты и, следовательно, малую па-
разитную индуктивность, а также малую паразитную емкость
на корпус передатчика, что существенно для разделительных
конденсаторов.
3.143. а) ( Z н − Rн ) Rн = 1+(xC Rн )2 − 1 = 2 ⋅ 10 −4 ; б) 1,2·10-3; в) 5·10-3;
г) 0,02; д) 0,054.
3.144. Из-за гораздо меньших сопротивлений БТ сложнее обеспе-
чить малое сопротивление конденсаторов.
3.146. а) автосмещение должно быть безынерционным, чтобы успе-
вать следить за изменением огибающей при наибольшей час-
тоте модулирующего сигнала. Поэтому постоянная времени
СблR-цепей автосмещения должна быть небольшой; б) внешнее
смещение должно быть инерционным.
3.147. Обычные требования обеспечения необходимой индуктив-
ности, электрической прочности и т.п. Кроме того, эти дроссели
должны иметь малую паразитную емкость. К величине добро-
тности и стабильности индуктивности дросселей не предъяв-
ляют жестких требований.
3.148. См. рис. 3.1 и 3.2. Рабочая частота дросселя должна быть го-
раздо меньше резонансной.
3.149. а) 252; б) 80; в) 25 МГц.
3.150. а) Δy L = −1 (ω L ) − (ωC −1 (ω L )) = ωC , ΔyL / yL = ω 2 LC ,
( )
L = (Δy L / y L ) / ω C = 0, 21 ; б) 7,6; в) 47,5 мкГн.
2
3.151. а) при слишком малой величине они не будут выполнять свои

функции; б) с ростом номинала элементов увеличиваются их
габариты, масса и стоимость. Возрастает паразитная емкость
дросселей. Увеличиваются частотные искажения модулирую-
щих АМ или ИМ сигналов.
3.152. В двухтактных генераторах даже с учетом неизбежной асим-
метрии схемы переменное напряжение в средней точке контура
в 10…20 раз меньше, чем в однотактных.
3.153. К блокировочному конденсатору приложено напряжение

питания 10 кВ, а к дросселю – высокочастотное напряжение
Uа = ξEа = 9 кВ.
3.154. а) Ср= 5/(ωR) = 22 нФ, Lр = 64 нГн, Сбл = 9 нФ; б) Ср = 2,2 нФ,
Lр = 57 нГн, Сбл = 0,9 нФ.
3.155. а) Q = R/(ωLк) = 26,5; Lр ≥ 10Lк = 200 мкГн; Lр ≥ 10R/ω =
= 53,3 мГн. Из полученных значений выбираем большее, чтобы
через дроссель протекала лишь малая часть первой гармоники
тока анода; Ср ≥ 20/(ωR) = 106 пФ, Сбл ≥ 20/(ω2Lр) = 10,6 мкФ;
б) Q = RωC = 7,5; Lк = 4,2 мкГн; Lр ≥ 20Lк = 84 мкГн; Ср = 160 пФ;
в) f = 0,6 МГц, R = Q/(ωCк) = 3,5 кОм, Lр ≥ 2,3 мГн, Ср ≥ 1,5 нФ,
Сбл ≥ 612 пФ.
3.156. а) Iдр/Iа1 = LкQ/Lр = 0,1; б) 0,375; в) 0,4.
3.157. Использование резисторов упрощает конструкцию ГВВ и по-
вышает его устойчивость, поскольку исключаются резонансные
явления в дроссельных цепях. Однако, при этом увеличиваются
потери мощности Рпот = 0,5U2/R, где U – амплитуда высокочастот-
ного напряжения на резисторе R. Кроме того, возрастут потери
мощности в цепях питания Р0 = I02R, где I0 – постоянный ток, про-
текающий через резистор R. Из-за возрастания потерь уменьшат-
ся КПД и коэффициент усиления. По этой причине резисторы
обычно используют лишь в маломощных каскадах ГВВ.
3.158. а) источники питания и блокировочные конденсаторы С4,С6
закоротят входную и выходную цепи АЭ на частоте сигнала;
б) в идеальном случае бесконечно больших сопротивлений
ωL2 и ωL3 блокировочные конденсаторы были бы не нужны.
Однако, поскольку реальные дроссели имеют конечные сопро-
тивления, часть переменного тока базы и коллектора будет от-
ветвляться в источники питания.
3.159. Реальные источники питания могут иметь заметное сопротив-
ление переменному току и могут быть удалены от усилителя.
Соединительные провода также имеют значительное сопротив-
ление. Так как от общего источника, как правило, питаются не-
сколько каскадов, появляется опасность возникновения некон-
тролируемой связи между каскадами по переменному току. Эта
связь может вызвать изменение режима и самовозбуждения
усилителя. Если длина соединительных проводов соизмерима
с длиной волны, они выполняют роль антенны и хорошо излу-
чают электромагнитные волны.
3.160. а) в идеальном случае бесконечно малых сопротивлений бло-
кировочных конденсаторов 1/(ωС3), 1/(ωС6) и 1/(ωС10) ре-
жим не изменится. Однако, поскольку реальные конденсаторы
имеют конечные сопротивления, часть переменного тока сеток

и анода будет ответвляться в источники питания Ес1, Ес2 и Еа,
что может вызвать изменение режима и самовозбуждение гене-
ратора (см. ответ к предыдущей задаче); б) может быть повы-
шена устойчивость выходной мощности (аналогично влиянию
сопротивления автосмещения в цепи управляющей сетки), но
возрастут потери мощности в цепях питания.
3.161. а) уменьшится напряжение на контуре L1C2 из-за падения
напряжения на дросселе L2; б) резко возрастёт сопротивление
переменному току между экранной сеткой и катодом и, соот-
ветственно, связь входной и выходной цепей; в) из-за падения
напряжения на дросселе L6 уменьшится напряжение на конту-
ре С9L4 и на нагрузке; г) и д) возрастут переменные токи через
источник питания и измерительные приборы. При достаточно
малых сопротивлениях блокировочных конденсаторов 1/(ωС3),
1/(ωС6), 1/(ωС10) и больших сопротивлениях дросселей ωL2,
ωL3, ωL6 режим работы ГВВ практически не изменится.
3.162. Используя условия выбора величины элементов, получим
исходные уравнения: а) 1/(ωCр) ≤ Rp2/(20…100);
б) при Q<10 используем неравенство (10…30)Up/(ωLр) ≤ U/(ωLК);
при Q>10 используем неравенство (10…30)Up/(ωLр) ≤ Up/(p2R);
в) (20…100)/(ωCбл) ≤ ωLр.
3.163. Iа1 = U/R = 0,8 А; Iк = QIа1 = 8 А; ω = R/(QLк) = 2·107 рад/с;
Iр = U/(ωLp) = 0,4 A. При Lp/Lк = 20 дроссель незначительно рас-
страивает анодный контур и через него протекает лишь 1/20 часть
контурного тока, однако переменная составляющая тока дросселя
соизмерима с амплитудой первой гармоники анодного тока.
3.164. R = 7,2 кОм, Сбл ≥ 20/(ωR) = 95 пФ; Сбл ≥ 50·СА = 600 пФ. Из по-
лученных значений Сбл выбираем большее, тогда Lр ≥ 93 мкГн.
3.165. Используя условия выбора величины элементов, получим ис-
ходные уравнения: а) (20…100)/(ωCбл) ≤ R ; Сбл ≥ (50…100)·СА;
б) (7...15) L p Cɛɥ d Z .
3.166. а) Сбл≥ 50/(ωR)= 354 пФ; Сбл= 50·СА= 2000 пФ. Из двух
полученных значений выбираем большее, чтобы напря-
жение на Сбл было не более 1/50 напряжения на контуре;
LP ≥ 50/(ω2Cбл) = 0,7 мкГн. Резонансная частота контура, обра-
зованного Lp и Cбл, должна быть ниже рабочей частоты, с тем,
чтобы этот контур не разорвал цепь замыкания гармоник анод-
ного тока (эффект фильтра–пробки).
4.1. Выходная мощность, КПД и коэффициент усиления по мощ-
ности.
4.2. а) коэффициент усиления по мощности; б) КПД.
4.3. Из-за разброса ВАХ АЭ от прибора к прибору, разброса парамет-

ров элементов схемы и погрешностей измерительных приборов.
На ход ВАХ АЭ, особенно БТ, сильно влияет температура.
4.4. а), б) в идеальном случае ток и напряжение должны иметь фор-
му меандра, причем ток в выходной цепи должен протекать в
те моменты времени, когда напряжение на выходном электроде
близко к нулю.
4.5. Можно реализовать бигармонический режим, т. е. использовать
вторую или третью гармоники рабочей частоты: а) включить в
анодную цепь предыдущего каскада колебательную систему с
резонансными частотами ω и 2ω, а угол отсечки выбрать око-
ло 90° (максимум коэффициента α2(θ)) или включить в цепь
управляющей сетки выходного каскада резонансный контур,
настроенный на частоту 3ω. На этом контуре при прохожде-
нии сеточного тока выделяется напряжение третьей гармони-
ки; б) последовательно с нагрузкой включить дополнительный
колебательный контур, настроенный на частоту 3ω.
4.6. Для получения высокого электронного КПД требуется, чтобы
ток через АЭ проходил при малом напряжении на выходном
электроде ua min.
а), б) при достаточно большом резонансном сопротивлении
контура амплитуда выходного напряжения близка к напряже-
нию питания, а напряжение ua min мало;
в) при настройке контура на частоту возбудителя момент ми-
нимума напряжения ua соответствует середине импульса вы-
ходного тока;
г), д) при малых углах отсечки длительность импульсов вы-
ходного тока мала по сравнению с периодом колебаний и ток
протекает при минимальном значении напряжения ua.
4.7. При меньших углах отсечки КПД возрастает незначительно,
но резко увеличиваются амплитуда напряжения возбуждения
и напряжение смещения, т. е. мощность возбуждения и веро-
ятность пробоя на участке «управляющий электрод – корпус».
При углах отсечки, больших 120˚, заметно снижается КПД.
4.8. Потери мощности из-за инерционности БТ и коммутативные
потери из-за наличия в УМ паразитных реактивных элементов,
особенно заметные на ВЧ.
4.9. Для ключевого режима типичны наиболее высокий КПД ус-
тройств (до 85…95%), наилучшее использование транзисто-
ров по мощности, минимальные габариты аппаратуры, малая
чувствительность к разбросу параметров транзисторов, низкое
значение Кр и быстрый рост потерь с увеличением рабочей час-
тоты.
4.10. Сопротивление нагрузки генератора возрастет и режим станет

перенапряженным.
4.11. При малых потерях в КС мощность в нагрузке близка к ко-
лебательной мощности генератора Р1, которая максимальна в
граничном режиме. а,в) режим ТУМ перенапряженный. Уве-
личением емкости С9 можно снизить Rк и перевести ТУМ в
граничный режим; б), г) уменьшить емкость C9.
4.12. Мощность Р1 = 0,5UmaxImaxα1(θ) пропорциональна коэффициенту
α1(θ). Коэффициент α1 максимален при θ = 120° (см. прил. 7,8).
При θ = 120° получается сравнительно высокий КПД и макси-
мальная мощность.
4.13. ηe = 0,5ξg1(θ). Значения коэффициентов g1(θ) даны в прил. 7,8.
а) 0,5; б) 0,785; в) 0,9; г), е) в ключевых режимах величина КПД
близка к единице.
4.14. Одна часть мощности рассеивается на сетке, а другая выделяет-
ся в источнике смещения (или сопротивлении автосмещения).
См. также ответ к задачам 4.15 и 4.16.
4.15. а) Рc1 = 0,5UcIc11; б) Рc рас = Рc1–Рc0; в) Рc0 = |Ec1|–Ic10. В этих фор-
мулах первые индексы (с1) обозначают принадлежность к цепи
первой сетки, а последние (0 или 1) – постоянную составляю-
щую или первую гармонику.
4.16. При отрицательном (запирающем) смещении постоянная со-
ставляющая сеточного тока нормального направления, текущая
во внешней цепи от катода к сетке, заряжает аккумулятор. В
этом случае аккумулятор является потребителем мощности от
источника сигнала. Для разрядки аккумулятора можно исполь-
зовать резистор R1 подходящей величины.
4.17. Iк1 = 0,8 А, Uб = Iк1/Sγ1(θ) = 0,8 В, Eб = 0,7 В.
4.18. В ключевом режиме необходима большая амплитуда входного
тока для создания импульсов выходного тока прямоугольной
формы.
4.19. а) p0 = E0iвых , pрас = u вых iвых , pвых = p0 − pрас ;
T
1
б) P0 =
T ∫ p dt = E I
0
0 0 0 вых , Pрас = P0 − P1 , P1 = 0,5U вых I1 вых .
4.20. а) Pc = P0(1 – ηе) = 40 Вт; б) 30 Вт; в) 20 Вт; г) 10 Вт.

4.21. P1 = P0 ηe = 21,6 Вт, I к = 2 P1 rн = 3,8 А.
( )
4.22. P1 = 0,5U 2 R = 5 Вт, ηe = P1 Eк I к 0 = 0,71 .
4.23. Pпот = I к2 rк = 16 Вт, Pн = P1 − Pпот = 68 Вт, ηк = Pн P1 = 0,81 .
4.24. P1 = U к Rн = 24 Вт, η e = P1 P0 = 0,8 , η к = Pн P1 = 0,9 ,

2
η = Pн P0 = 21,6 (20 ⋅1,5) = 0,7 2 .

4.25. P1 = P0 − Pa = 2400 Вт, η e = P1 P0 = 0,8 , rн = 2 P1 I к2 = 12 Ом.
4.26. ηe = 0,7 2 , Pк = P0 (1 − η e )= 7,4 Вт.
4.27. Pпот = U 2 (2 R0 ) = 225 Вт, Pa = 775 Вт, ηe = P1 P0 = 0,84 ,
ηк = 94,7 %, η = 80 %.
4.28. R = Q (ω0C ) = 15,9 кОм, P1 = 0,5U 2 R = 3,14 кВт,
I a1 = U R = 0,63 А, I к = I a1Q = 63 А.
4.29. P0 = 20 Вт, P1 = 20 − (4 − 1) = 17 Вт, I к1 = 1,5 А, ηe = 0,85 .
4.30. I a1 = I a 0α1 α 0 = 126 мА, P1 = 0,5 I a21 R = 63 Вт, η e = 0,66 .
4.31. I к1 = I к 0α 1 α 0 = 0,865А, P1 = 0,5 I к21ρ 2 rн = 18,7 Вт, ηe = 0,75 .

4.32. Pп = P0 − Pа − Pпот = 360 Вт, η к = 0,9 , η = Pп P0 = 0,7 2 .
4.33. ηк = 1 − Rн R0 = 1 − 1 10 = 0,9 , Pп = P1ηк = 0,45 Вт.
4.34. ηк = 1 − Rн R0 = 0,75 , Pп = P1ηк = 750 Вт.
4.35. P0 = 20 кВт, P1 = 16,11 кВт, Pа = P0 − P1 = 3,89 кВт,
Pконт = 1,611 кВт.
4.36. U к = Eк − S г р I к m = 21 В, I к1 = I к m α1 (θ) = 3,5 А, ηe = 0,586,
P0 = Eк I к m α 0 (θ) = 62,7 2 Вт, P1 = 36,75 Вт, R1 = 6 Ом.
4.37. U a г р = Eа − ua г р = 600 В, U a = U а г р ξ ξ г р = 500 В,
I а1 = 2 P1 U a = 0,8 А, I а 0 = 0,5 А, I а m = 1,6 А, P0 = 500 Вт,
Pа = 300 Вт, ηe = 0,4 , Ra = U a I a1 = 625 Ом, U c = 25 В,
Ec = Ec′ = −20 В.
4.38. Из прил. 2 определяем rнас вч = 0,6 Ом, Iк max = 15 А; g1(θ)= 1,57;
α0(θ) = 0,32. Iк m = Iк max/α0(θ) = 46,9 А; Uк = Ек –rнас вчIк m = 21,9 В;
Iк1 = Iк maxg1(θ) = 23,5 А; P1 = 257 Вт.
4.39. См. решение задачи 4.38. а) 2,5 Вт; б) 104 Вт; в) 214 Вт.
( )
4.40. См. решение задачи 4.38. P1 = 0,5 Eс и − rнас I с 0 α 0 I с 0 g1 .
4.41. Из прил. 3 определяем rнас = 20 Ом. 0,84, 1,1 Вт, 0,7.
4.42. rнас = 1,2 Ом. 0,7, 78 Вт, 0,57.

4.43. rнас = 0,4 Ом. 0,82, 101 Вт, 0,68.
4.44. а) ξгр = 0,79, ηе = 0,6; б) ηе = 0,4.
4.45. а) ξгр = 0,727, ηе = 0,57, Pк = P1 (1 η е − 1)= 189 Вт; б) 444 Вт.
4.46. P1 = 0,5 I к2 rн = 4 кВт; P0 = P1 η e = 5 кВт; Pа = P0 − P1 = 1 кВт;
g1 (θ) = 2ηe ξ г р = 1,68 . Из прил. 7 находим θ = 75˚.
4.47. а) Ic max = 0,3 А, Eси max = 40 В, rнас = 20 Ом, α0(75˚) = 0,27;
I c m = 0,4 I c max α 0 (θ) = 0,44 А, U с и = Eс и max − I с m rнас = 31 В;
б) 28,7 В; в) 37,5 В.
4.48. а) Р1 = 50 Вт, ηе = 0,33, Pс и = P1 (1 − ηe ) ηe = 101,5 Вт; б) 250 Вт;
в) 175 Вт.
4.49. См. решение задачи 4.47. а) Uси = 31 В, ηе = 0,5Uси g1(θ)/Ес = 0,65;
б) 0,48; в) 0,63.
4.50. См. решение задачи 4.47. а) Р1 = 3 Вт, Рси = 1,7 Вт; б) 116 и
126 Вт; в) 266 и 156 Вт.
4.51. α1(90˚) = 0,5; rнас вч = 0,4 Ом. а) ξгр = 0,88, ηе = 0,5ξгрg1(θ) = 0,7;
б) ξгр = 0,79, ηе = 0,62; в) ξгр = 0,71, ηе = 0,56; г) режим нереа-
лизуем.
4.52. а) ηе = 0,5ξгрg1(θ) = 0,67; б) 0,56.
4.53. а) Р0 = 119 Вт, Рк = 39 Вт, ηе = 0,857; б) Р0 = 178 Вт, Рк = 98 Вт,
ηе = 0,45.
4.54. Пренебрегая малым сопротивлением емкости С4 на рабочей
частоте (XC4 Rн), получим U c = 2 Pн Rн = 31,6 В; uс нас = Ес –Uс=
=18,4 В; Р1 =Рн/ηк =10,5 Вт. Предполагая UзиЕзи отс можно при-
нять при нулевом смещении θ = 90°, тогда ηе = 0,5g1(θ)Uс/Ес =
= 0,49; Icm = Iс1/α1(θ) = 1,33 А; rнас = uс нас/Icm = 14 Ом; Uзи = Icm/S =
= 8,9 B Ези отс = 0,24 В.
4.55. Р0 = 21,4 Вт; Рс рас = 10,9 Вт.
4.56. При f = 30 МГц можно принять rнас = 0,4 Ом, тогда
Uк = ξгрЕк = 24,2 В; Iк1 = 2P1/Uк = 6,6 А; Iк0 = IIк1α0(θ)/α1(θ) = 4,2 А;
Iк m = Iк1/α1(θ) = 13,2 А; Р0 = 125 Вт; Рк = Р0 – Р1 = 45 Вт; ηе = 0,64;
Rк = Uк/Iк1 = 3,7 Ом.
4.57. P1 = Pн/ηк = 36,1 Вт; U c = 2 P1 Rс = 20,1 В. При Ез = Еотс, θ = 90°,
так что ηе = 0,5g1(θ)Uс/Ес = 0,45.
4.59. Р1 = 0,5Imα1(θ)Uвых = 0,5UвыхIвых0g1(θ) = 0,5Iвых1Rэ = 0,5RэAS(Uвх–DUвых) g1 (θ)E2.

4.58. Р0 = 80,2 Вт; Рс рас = 44,1 Вт; Iс m = 7,2 А; rнас = 2,1 Ом.
а) мощность Р1 максимальна при максимальном значении Iвых1

и, следовательно, α1. Коэффициент α1 максимален при θ = 120°.

При θ = 120° КПД сравнительно высок; б) мощность Р1, про-
порциональная коэффициенту g1(θ), растет при уменьшении θ,
потому что увеличивается КПД; в) максимальную мощность
можно получить при максимальном значении γ1 = 1, т. е.
при θ = 180° и КПД не более 50%.
4.60. При высоком контурном КПД эти мощности практически оди-
наковы, а расчет на заданную колебательную мощность гораздо
проще.
4.61. В случае малого значения ηк = 1 – R/R0, т. е. при сравнитель-
но большом сопротивлении R = U2/P, например, в генераторах
малой мощности или в импульсных генераторах при большой
амплитуде напряжения U; или же при малом сопротивлении
R0 = Q0/(ω0C), например, в высокочастотных генераторах.
4.62. Используем программу MathCad.
Srp := 18.2·10–3 См; Rn0 := 4.12 кОм; Rn1 := 5.5 кОм;
Rn2 := 8.24 кОм, Rn3 := 11 кОм, где вариантам а), б), в), г) соот-
ветствуют индексы i := 0;1;2;3.
1 + α1(θ )⋅ Srp⋅ Rn − 1
1 α1(θ ) i
ξrp(θ , i) := 1 − ; η (θ , i) := ⋅ ;
1 + α1(θ )⋅ Srp⋅ Rn 2⋅ α0(θ ) 1 + α1(θ )⋅ Srp⋅ Rn + 1
i i
Здесь коэффициенты α0(θ) и α1(θ) задаются как функции по

известным формулам.
η'0(θ ) := η (θ , 0) ; η'1(θ ) := η (θ , 1) ; η'2(θ ) := η (θ , 2) ; η'3(θ ) := η (θ , 3) ;
Зададим начальное приближение θ1 := 0,6 рад,
180 180
θ max 0 := ⋅Maximize (η '0 , θ 1) ; θ max 1 := ⋅Maximize (η '1 , θ 1) ;
π π
180 180
θ max 2 := ⋅Maximize (η '2 , θ 1) ; θ max 3 := ⋅Maximize (η '3 , θ 1) ;
π π
⎛ π ⎞ ⎛ π ⎞
ξ rpmaxi := ξrp ⎜θmaxi⋅ , i⎟ ; ηmax i := η⎜θmax i ⋅ , i⎟;
⎝ 180 ⎠ ⎝ 180 ⎠
а) ⎛⎜51.053⎞⎟ ⎛⎜0.807⎞⎟ ⎛⎜0.625⎞⎟
48.572 0.829 0.659
θ max = ⎜ ⎟ ξ rpmax = ⎜ ⎟ η max = ⎜ ⎟
б)
град; ; .
в) ⎜45.227⎟ ⎜0.855⎟ ⎜0.702⎟
⎜42.936⎟ ⎜0.872⎟ ⎜0.73 ⎟
г) ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Для наглядности построим графики:

ɤɨɷɮɮɢɰɢɟɧɬ ɢɫɩɨɥɶɡɨɜɚɧɢɹ ɄɉȾ K T
ɧɚɩɪɹɠɟɧɢɹ [
0.75
0.95
0.66
0.84
[rp(T 0) K(T 0)
[rp(T 1) 0.73 K(T 1) 0.57
[rp(T 2) K(T 2)
0.62 0.48
[rp(T 3) K(T 3)
0.51 0.39
0.4 0.3
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14
T ,ɪɚɞ T ,ɪɚɞ

Srp := 0.5 См; Rn0 := 50 Ом; Rn1 := 100 Ом; Rn2 := 200 Ом, где
вариантам а), б), в) соответствуют индексы i := 0;1;2.
См. решение задачи 4.62.
а)
⎛ 60.973⎞ ⎛0.697 ⎞ ⎛ 0.478⎞
б) θ max = ⎜ 54.643⎟ град; ξrpmax = ⎜ 0.772⎟ ; η max = ⎜ 0.574⎟ .
⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
в) ⎝ 48.58 ⎠ ⎝ 0.829⎠ ⎝ 0.659⎠
ɤɨɷɮɮɢɰɢɟɧɬ ɢɫɩɨɥɶɡɨɜɚɧɢɹ
ɧɚɩɪɹɠɟɧɢɹ [ ɄɉȾ K T
0.7
0.78 0.6
[rp(T 0) K(T 0)
0.66 0.5
[rp(T 1) K(T 1)
[rp(T 2) 0.54 K(T 2) 0.4
0.42 0.3
0.3 0.2
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14
T ,ɪɚɞ T ,ɪɚɞ

Srp := 2 См; Rn0 := 5 Ом; Rn1 := 10 Ом; Rn2 := 50 Ом, где вариан-
там а), б), в) соответствуют индексы i := 0;1;2.
а)
⎛69.267 ⎞ ⎛0.567 ⎞ ⎛0.342⎞
б) θ max = 63.026 ⎟
⎜ град; ξ rpmax = ⎜0.669 ⎟ ; η max = 0.445⎟ .
⎜
⎜48.58 ⎟ ⎜0.829 ⎟ ⎜0.659⎟
в) ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
0.78
0.58
[rp ( T 0)
0.66 K ( T 0)
[rp ( T 1) 0.46
K ( T 1)
[rp ( T 2) 0.54
K ( T 2) 0.34
0.42
0.22
0.3
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.1
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14
T , ɪɚɞ T ,ɪɚɞ

S := 18.7·10–3 См; Srp := 18.2·10–3 См; R0 := 5.5·103 Ом; D := 0.025;
S⋅ ( K − D)
К := 0.01; N := ; N = 0.2 ;
Srp
Здесь коэффициенты α0(θ) и α1(θ) задаются как функции, рас-

считанные по известным формулам.
180
θmax := ⋅ Maximize(η, θ1 );
π
ξrpmax := ξrp⎜ θmax⋅

⎛ π ⎞ ; ηmax := η ⎛ θmax⋅ π ⎞ ;
⎜
⎝ 180 ⎠ ⎝ 180 ⎠
а)
θmax=70.283град; ξrpmax=0.883; ηmax=0.63.
б)
1 0.65
0.94 0.52
0.88 0.39
[rp ( T ) K(T)
0.82 0.26
0.76 0.13
0.7 0
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.65 1.15 1.65 2.14 2.64
T , ɪɚɞ T , ɪɚɞ

S := 18.2·10–3 См; R0 := 11 кОм; N0 := 0.1; Nl := 0.2, где вариантам
а) и б) соответствуют индексы j := 0 и 1.
1
ξrp(θ , N) := ;
1 + N⋅ (1 − cos (θ ))
⎛
θ − ⎜ sin (θ )⋅ cos (θ ) −
π ⎞
η (θ , N) :=
⎝ N⋅ R0⋅ Srp ⎠
⎤ ;
2⋅ (sin (θ ) − θ ⋅ cos (θ ))⋅ ⎡⎣ 1 + N⋅ (1 − cos (θ ))⎤
η0(θ ) := η θ , N ( 0 ); η1(θ ) := η θ , N ( 1 );
180 180
θ max 0 := ⋅ Maximize ( η 0 , θ 1) ; θ max 1 := ⋅ Maximize (η 1 , θ 1) ;
π π
⎛θ max j ⋅ π , N j⎟⎞ ; ξ rpmax j:= ξrp ⎜⎛θ max j ⋅ π , N j⎟⎞ ;

η max j := η ⎜
⎝ 180 ⎠ ⎝ 180 ⎠
а)
⎛73.311⎞ град;
θ max = ⎜ ⎛0.933⎞ ; ⎛0.67⎞ .
⎟ ξ rpmax = ⎜ ⎟ η max = ⎜ ⎟
б) ⎝59.803⎠ ⎝0.91 ⎠ ⎝0.711⎠
1 0.75
0.94 0.6
[rp T N0 0.88 K T N0 0.45
[rp T N1 K T N 1
0.82 0.3
0.76 0.15
0.7 0
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.5 1.03 1.56 2.08 2.61 3.14

S := 2.5 См; Srp := 0.25 См; R0 := 400 Ом; D := 0; Кn := 0.01;
Кl := 0.02, где вариантам а) и б) соответствуют индексы j := 0;1.
⎡ S⋅ (K0 − D) ⎡
⎢ ⎢
N := ⎢
Srp ⎥ ; N = ⎛⎜ 0.1 ⎞ ;
⎢ S⋅ (K1 − D) ⎥ ⎝ 0.2 ⎠
⎢ ⎥
⎣ Srp ⎦
а) ⎛86.571⎞ град; ⎛0.914⎞ ; ⎛0.572⎞ .
θmax = ⎜ ⎟ ξrpmax = ⎜ ⎟ ηmax = ⎜ ⎟
б) ⎝70.339⎠ ⎝0.883⎠ ⎝0.629⎠
ɤɨɷɮɮɢɰɢɟɧɬ ɢɫɩɨɥɶɡɨɜɚɧɢɹ ɄɉȾ K T
ɧɚɩɪɹɠɟɧɢɹ [ 0.65
1
0.94 0.52
[rp T N 0 0.88 K T N 0 0.39
[rp T N 1 K T N 1
0.82 0.26
0.76 0.13
0.7 0
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.65 1.15 1.65 2.14 2.64
5.1. Наиболее высокий по сравнению с другими режимами КПД

устройств, наилучшее использование АЭ по мощности, мини-
мальные габариты аппаратуры, малая чувствительность к раз-
бросу параметров АЭ.
5.2. а) в ключевых усилителях АЭ работает в режиме электронного
ключа, замыкаемого и размыкаемого с частотой входного сигнала.
В идеальном случае ключ должен обладать нулевым сопротив-
лением в замкнутом состоянии и бесконечным в разомкнутом.
При этом энергия источника питания может быть преобразована
в высокочастотную без потерь в ключе, т. е. с электронным КПД,
равным 100%; б) в реальных устройствах электронный КПД до-
стигает 98%. Как следствие высокого КПД выходные мощности
КУМ в несколько раз превышают мощности, отдаваемые АЭ в
граничном режиме. Недостатками КУМ являются невозмож-
ность непосредственного усиления АМ колебаний и практически
мгновенный пробой АЭ в случае короткого замыкания нагрузки.
Коэффициент усиления по мощности в ключевом режиме го-
раздо меньше, чем в гармоническом, поскольку для обеспечения
ключевого режима АЭ вводится в состояние насыщения.
5.3. ηе = 0,5ξα1(θ)/α1(θ), где ξ ≤ 1 – коэффициент использования кол-
лекторного (анодного) напряжения. а) в линейном режиме угол
отсечки θ = 180°, при этом α1(θ)/α1(θ) = 1 и ηе ≤ 0,5;
б) при стремлении угла отсечки к нулю можно повысить ηе до
100%, однако при этом колебательная мощность также стре-
мится к нулю. Для реальных углов отсечки ηе max = 0,8; в) в ши-
рокополосном КУМ ηе max ≤ 0,81. В других схемах КУМ можно

получить ηе max = 0,95…0,98.
5.4. Мощность, рассеиваемая АЭ, равна Рк = P0(1 – ηе) = 30 Вт. Элек-
тронный КПД равен ηе = P1/P0 = P1/(P1 + Рк) , откуда
Р1 = Pкηе /(1 – ηе); а) 120 Вт; б) 270 Вт; в) 570 Вт; г) 1470 Вт.
5.5. Ключ, нагрузка и источник питания образуют последователь-
ную цепь, в которой при замкнутом ключе напряжение питания
приложено к сопротивлению нагрузки, а при разомкнутом – к
ключу. Электронный КПД снижается из-за потерь как в откры-
том, так и закрытом состояниях реальных АЭ, а также из-за
коммутационных потерь на интервалах переключения.
5.6. Из-за инерционности АЭ его переход из состояния насыщения
в состояние отсечки и обратно занимает некоторое время. В
это время рабочая точка АЭ находится в активной области, в
которой потери мощности гораздо больше, чем в состоянии
насыщения и отсечки. Кроме того, из-за наличия паразитных
емкостей Cп и индуктивностей Lп возрастают коммутативные
потери. При коммутации АЭ в этих реактивностях запасается и
затем рассеивается энергия 0,5U2Cп и 0,5I2Lп. Мощность потерь
пропорциональна величине этой энергии и рабочей частоте.
5.7. Электронные лампы, биполярные и полевые транзисторы, мощ-
ные переключательные полевые транзисторы с изолированным
затвором (MOSFET), комбинированные приборы (IGBT), ти-
ристоры, реверсивно включаемые динисторы.
5.8. В идеальном случае АЭ должен иметь нулевое сопротивление в
открытом состоянии, пропуская большие токи, и бесконечное
сопротивление в закрытом состоянии, выдерживая большие на-
пряжения. Переход из одного состояния в другое должен быть
практически мгновенным. Кроме того, АЭ должен иметь малые
паразитные емкости и большой коэффициент усиления.
5.9. а) в ламповых КУМ получают мощность порядка сотен киловатт
на частотах до единиц мегагерц при КПД до 95%; б) в транзис-
торных КУМ получают десятки киловатт на частотах до сотен
килогерц, единицы киловатт на частотах 10…20 МГц и сотни
ватт на частотах до 100 МГц; в) в тиристорных КУМ получают
сотни киловатт на частотах до сотен килогерц. Использование
более мощных приборов; объединение приборов в блоки; сум-
мирование мощностей КУМ, построенных на основе блоков.
5.10. Преимущества ПТ: малые времена переключения из открытого
состояния в закрытое и обратно; малая статическая мощность
управления; большое входное сопротивление; повышенная тем-
пературная стабильность; возможность параллельного включе-
ния большого типа приборов без принятия специальных мер
по выравниванию токов отдельных приборов. Недостатком ПТ

является значительный ток стока при нулевом напряжении за-
твор-исток. Это требует либо постоянного запирающего напря-
жения на затворе, либо формирования двухполярного управля-
ющего напряжения на затворе. Кроме того, сложно обеспечить
малое внутреннее сопротивление источника входного сигнала
для реализации высокого быстродействия ПТ.
5.11. БТ теперь используются в КУМ все реже и реже. Их место
занимают полевые транзисторы MOSFET и комбинирован-
ные приборы IGBT. Они выгодно отличаются от биполярных
большими допустимыми токами, низким сопротивлением в
открытом состоянии и практически бесконечным (на низких
частотах) входным сопротивлением. ПТ имеют более высокую
скорость переключения и повышенную теплоустойчивость,
так как рост температуры ПТ приводит к уменьшению тока
(см. прил.). Благодаря повышенной теплоустойчивости мож-
но включать параллельно достаточно большое количество ПТ.
Отсутствие теплового пробоя позволяет эффективнее исполь-
зовать ПТ по передаваемой мощности. Быстродействие IGBT
ниже, чем у MOSFET, однако выше, чем у БТ.
5.12. а) пастеризация продуктов питания, обработка металлов и ди-
электриков, сушка древесины, уничтожение вредителей и др.;
б) лечение, в том числе – злокачественных опухолей, стери-
лизация медицинских инструментов; в) приготовление пищи
в СВЧ-печках; г) накачка газоразрядных лазеров; д) радиове-
щательные, телевизионные, связные и радиолокационные пере-
датчики; радиоастрономия, радиопротиводействие и др.
5.13. а) Pн = Ia max·Ea max – I2a max/Sгр = 550 кВт, ηп = 0,92; б) 4750 Вт; 0,95;
в) 874 Вт; 0,832; г) 7216 Вт; 0,937; д) 79,9 кВт; 0,998; е) 234 МВт;
0,975; ж) 12,45 МВт; 0,996; з) 298,5 кВт; 0,995.
5.14. Форма напряжения на базе не имеет существенного значения,
поскольку в ключевом режиме транзистор вводится в состо-
яние насыщения. Напряжение на конденсаторе С2 несколько
возрастает при закрывании транзистора и снижается при его
открывании. Знакопеременное напряжение на нагрузке имеет
форму, близкую к прямоугольной. Поскольку постоянная со-
ставляющая напряжения на нагрузке равна нулю, площади,
ограниченные положительными и отрицательными полупе-
риодами выходного напряжения, должны быть одинаковыми.
В цепи питания КУМ течет практически постоянный ток iL.
Форма напряжения на дросселе повторяет форму напряжения
на нагрузке.
5.15. Емкость разделительного конденсатора С2 и индуктивность
дросселя L2 должны быть достаточно большой величины, что-

бы за время длительности импульса τи изменение напряжения
на конденсаторе С2 и тока в дросселе L2 были малыми:
τ
1 u I к o τu τ
; ΔI = 1 E d t = Eк τu 〈 〈 I .
u
C 2 ∫0 L 2 ∫0
ΔU = I кo d t = 〈 〈 E к к кo
C2 L2
5.16. Вследствие действия ЭДС самоиндукции дросселя, равной –
L2diL /dt.
5.17. И в напряжении на коллекторе, и в коллекторном токе од-
новременно присутствуют составляющие с частотами высших
гармоник – их произведение и определяет мощность высших
гармоник, которая поступает в нагрузку или балластный ре-
зистор.
5.18. Можно использовать систему дополняющих фильтров, обес-
печивающих во всей полосе частот резистивное входное со-
противление. Нагрузка подключается к выходу ФНЧ, а выход
ФВЧ нагружается балластным резистором, в котором рассеи-
вается мощность высших гармоник.
5.19. а) наименьшее сопротивление насыщения имеет транзис-
тор №6; при t=25°C оно равно 3,3/50 = 0,07 Ом; б) наиболь-
шее значение ηп имеет транзистор с наименьшим отношением
uост/Uкэ – №7, обеспечивающий ηп = 0,998; в) при высоком
КПД преобразования мощность в нагрузке близка к подво-
димой мощности P0max = Eкэ maxIк max. Наибольшую мощность P0
имеет транзистор № 6, обеспечивающий мощность в нагрузке
Pн = P0ηп = 84,8 кВт.
5.20. а) мощность P1 максимальна при θ = /2 и равна 4Iкm(Eк – uост)/ 2;
б) максимальный КПД по первой гармонике получается при
максимуме функции sin2θ/θ. При θ = 67° функция максимальна
и равна 0,724, а η1max = 0,922ηп.
1
θ
1
θ
θI к m uост
5.21. а) Рк = ∫
2π − θ
i u
к к d ( ω t ) = ∫
2π − θ
I к m uост d (ωt ) =
π
;
б) Р = 0,5 I к1U к1 = 0,5 ⋅ (2 sin θ π ) I к m ⋅ 2 ( Ек − uост ) ;

2
в) η П = PH P0 = ( Р0 − Рк ) Р0 ;
г) Rн = U н или R = U н = (Ек − uост ) .
2 2
н
Iн Рн Р0 − Рк
5.22. VТ1 – ключ; Т1 – согласующий трансформатор; элементы R1,
C1, R5, C7, VD1, обмотка III трансформатора и микросхема
DA1 обеспечивают стабилизацию амплитуды выходного напря-
жения; элементы R4, R3, C4 и микросхема DA1 обеспечивают

защиту транзистора от перегрузки по току; конденсаторы С5 и
С6 – блокировочные.
5.23. Напряжения имеют форму прямоугольных импульсов;
U н = Е п w2 / w1 = 12,5В; U и min = 0; U и max = I c R 4 = 0,2 В;
U c max = 2Е п = 50В; U с min = I c Rс и = 0,04В.
5.24. Основное преимущество КУМ с согласующим трансформато-
ром (рис. 5.2) – получение на нагрузке напряжения любой нуж-
ной величины, а также нескольких гальванически развязанных
напряжений. Использование специализированной микросхемы
позволяет легко осуществить стабилизацию выходного напря-
жения и защиту транзистора от перегрузки по току. Использо-
вание MOSFET-транзистора позволяет получить очень высо-
кий КПД преобразования КУМ. Серьезные недостатки этого
КУМ – подмагничивание сердечника трансформатора и потери
мощности на его перемагничивание. Основные преимущества
КУМ по схеме рис. 5.1 – возможность работы в широком диа-
пазоне частот и отсутствие согласующего трансформатора, ис-
кажающего форму импульсов.
5.25. а) uост = I c Rс и = 0,04 В; η п = 1 − u ост / Е с = 0,998 ; б) 0,997;
в) 0,994; г) U н = I c R 4 = 1,6 В > U пор = 1 В, следовательно, срабо-

тает защита транзистора от его перегрузки по току.
5.26. Использована быстродействующая схема защиты транзистора.
При перегрузке затвор транзистора VT1 замыкается на корпус;
I с max = U пор / R 4 = 10 А.
5.27. Р с = Е п I cmax = 250 Вт.
5.28. а) Р0 = 0,5 Е с I с , Рн = 0,5( Е с − u ост ) I с = 0,5 I c2 Rн′ = 0,5U н2 / Rн ;
Рс = 0,5 I с2 Rс и = 0,5 I с uост ; б) η п = 1 − Рс / Р0 = 1 − u ост / Е п ;

в) Rн′ = ( Е 0 − u ост ) / I с .
5.29. Рн = 0,5 I с2 Rн′ , где Rн′ = ( Eс − I с Rс и ) / I с – сопротивление
нагрузки транзистора. Используя эти равенства, получим
I с2 Rс и − I с Eс + 2 Pн = 0. Из этого квадратного уравнения можно

найти ток стока, однако при очень малой величине сопротивле-
ния Rси (типичной для MOSFET-транзисторов) первым членом
уравнения можно пренебречь. В этом случае I c = 2 Pн / E c .
5.30. При определении величин Р0 , Рн , Рс , η п , Rн′ и I c можно исполь-
зовать решение задач 5.28 и 5.29; U И = I c R 4; n = Rн / Rн′ .

Результаты расчета сведены в таблицу.
Pн, Pс, Iс, uост, Uи, R′н,
ηп n
Вт мВт А В В Ом
а 10,7 7,2 0,999 0,85 0,017 0,08 29 1,6
б 42,7 116 0,997 3,4 0,07 0,34 7,35 3,2
в 96 593 0,994 7,7 0,15 0,77 3,25 4,8
5.31. а) R 4 = U пор / I cmax = 1 / (2 ⋅ 0,85) = 0,59 Ом, Рс = Еn I c max = 42,5 Вт;

б) 0,15 Ом, 170 Вт; в) 0,065 Ом, 385 Вт.
5.32. Поочередное включение транзисторов достигается их противо-
фазным возбуждением. Коллекторные токи представляют со-
бой последовательность косинусоидальных импульсов с углом
отсечки 90°. Их форма не зависит от формы входного воздейс-
твия благодаря фильтрующему действию последовательного
контура LкCк, сопротивление которого мало для тока первой
гармоники и велико для токов высших гармоник. Напряжение
на коллекторе закрытого транзистора близко к напряжению
питания, а открытого к нулю. Благодаря фильтрующему дейс-
твию последовательно контура LкCк через нагрузку протекает
синусоидальный ток.
5.33. а) 2Eк = Uкэ max = 100 В, Iкm = Iкэ max = 50 А, rнас ВЧ = 0,1 Ом,
uост= Iкmrнас = 5 В, Pн = 2P1 = 1466 Вт, Pк = 2P′к = 125 Вт,
P0 = 1592 Вт, ηп = 0,92; б) 2Ек = 100 В, Iкm = 30 А, rнас ВЧ = 0,5 Ом,
uост= 15 В, Pн = 729 Вт, Pк = 226 Вт, P0 = 955 Вт, η1 = 0,76.
5.34. Емкости заряжаются до напряжения Uкm = 2Eк; а) для двух
транзисторов Рком = Е 2Сп f р = 100 2 ⋅ 800 ⋅10 −12 ⋅1,7 ⋅106 = 13,6 Вт;
б) Pком = 6,8 Вт. Потери на перезарядку коллекторных емкос-
тей получились значительно меньше мощности потерь Pк; они
практически не влияют на КПД.
5.35. а) I к 0 = I k mα 0 (θ ) = I k m / π , I к1 = I k mα1 (θ ) = I k m / 2 ,
U k1 = 2 Ekα1п (θ ) − uост = 4 Ek / π − uост , Rн = U k1 / (2 I k1 ) ;

б) мощность источника питания Рпит = 2 Ек I к 0 = 2 Р0 ,
откуда Р0 = Ек ⋅ I k m π , P1 = I k1U k1 2 ,
π /2
1 I k m uост
Pk′′ =
2π ∫ I k m cos(ωt )uост cos(ωt )d (ωt ) =
−π / 2
4
;
в) η п = ( Р0 − Р ′′) Р0 = η 1 = Р1 Р0 .
5.36. Остаточные напряжения транзисторов №1…5 соответственно
равны: 1,0; 5,5; 6,8; 1,6 и 0,45 В. Напряжение питания КУМ
равно Е с = U с max / π + u ост . При uост < U с max / π можно при-
нять Ес = U с max / π = Eс и max / π . а) для транзистора КП775А
Ес и max = 60 В, а η п = 1 − u ост Ес = 0,976; б) для транзистора КП753А
U ост = 6,8 В, а ηп = 0,957; в) для транзистора КП771А произведе-
ние I с max Ес и max = 4 кВА максимально, а ηп = 0,95; г) у транзис-
тора КП753А время коммутации tвкл + tвыкл = 87 нс мини-
мально, а ηп = 0,957.
5.37. а) I к 0 = I k m α 0 п (θ) = I k m / 2, I к1 = I k m α1п (θ) = 2 I k m / π,
U k1 = U k α1 (θ) = U k / 2, Ек = uост + U k α 0 (θ) = uост + U к / π ,
Rн = 2U k1 / I k1 = 0,5πU к / I k m ; б) Р0 = Ek I k 0 , P1 = 0,5 I k1U k1 ,
π/ 2
1 I k m uост
2π − π∫/ 2
′ ′′
Pk = Pk = I k m u ост d ( ωt ) = ;
2
в) ηп = 1 − Рк′ Р0 = 1 − uост / Ek , η1 = Р1 Р0 = ηп .
5.38. В схеме рис. 5.3 за счет поочередного отпирания транзисторов
напряжение на их коллекторах приобретает форму, близкую к
прямоугольной. В схеме рис. 5.4 ток дросселя L практически не
изменяется за период высокочастотных колебаний, благодаря
чему токи ik транзисторов приобретают форму прямоугольных
импульсов.
5.39. а) для прямоугольных импульсов напряжения на нагруз-
ке с углом отсечки θ = /2 сопротивление нагрузки равно
Rн = U k2 / Pн = U к2 /( Р0 ηп ) ; б) Rн = U k21 / (4 P1 ) или Rн = U к1 / (2 I k1 ) ;
в) Rн = 4 P1 / I к21 = 2U k1 / I k1.
5.40. Нужно учесть, что на рис. 5.3, а напряжение питания обоз-
начено как 2Ek = Eп. В расчетных формулах для этой схемы
нужно подставлять значение Ek = 0,5Eп. Обозначим отношение
мощностей КУМ по схемам рис. 5.3, а и рис. 5.4, а буквой М,
а отношение их КПД – буквой К.
а) M = Eп I k m ⎡1 − πuост ⎤ ⋅ 2 ⎡ uост ⎤ 1
1− ≈ ,
2π ⎣ ⎢ 2 Eп ⎦ Еп I k m ⎢⎣
⎥ Еп ⎥⎦ π
2 Е п − πu ост Еп
К= ⋅ < 1.
2Е п Е п − u ост
Как видим, для варианта а) схема с параллельным колебатель-
ным контуром в цепи нагрузки обеспечивает примерно втрое
большую мощность и более высокий КПД;
U I ⎡ ⎤
б) M = k m k m ⎢1 − πuост ⎥ ⋅ 2π
⎡ πuост ⎤
⎢1 − ⎥ ≈ 1;
2π ⎢⎣ 2U k m ⎥⎦ U k m I k m ⎢⎣ U k m ⎥⎦
2U k m − πuост U km
К= ⋅ > 1.
2U k m U k m − πuост
Как видим, при одинаковом использовании транзисторов по
току и напряжению обе схемы отдают в нагрузку примерно
одинаковые мощности, но КПД у КУМ по схеме рис. 5.3, а
больше. В силу этого обстоятельства на практике более распро-
странена схема с последовательным колебательным контуром.
5.41. Выбором параметров выходной цепи обеспечивают переход-
ную характеристику УМ, предотвращающую одновременное
наличие значительного напряжения и тока АЭ и обеспечива-
ющую медленное возрастание напряжения на АЭ в процессе
переключения. В результате снижается мощность коммутатив-
ных потерь АЭ.
5.42. От десятков до нескольких сотен мегагерц, когда время пере-
ключения АЭ составляет существенную часть периода усили-
ваемого сигнала. В этом режиме за счёт обеспечения выходной
цепью УМ оптимальных форм напряжения и выходного тока
АЭ удаётся снизить мощность, рассеваемую на коллекторе
(стоке) в момент переключения и тем самым улучшить энер-
гетические показатели.
5.43. УМ с формирующим контуром имеют существенно меньшие
потери при работе на высоких частотах, их максимальная рабо-
чая частота гораздо выше, однако максимальное напряжение на
выходном электроде в 3…4 раза превышает напряжение пита-
ния, в связи с чем приходится выбирать пониженные значения
напряжения питания, что снижает их выходную мощность и
КПД.
6.1. Для повышения выходной мощности передатчика; улучше-
ния фильтрации гармоник; расширения полосы пропускания
усилителя; реализации ИМ или широкополосных видов АМ;
облегчения теплового режима АЭ; построения фазированных
антенных решеток.
6.2. Параллельное или двухтактное включение АЭ; параллельное
или последовательное подключение к общей нагрузке иден-
тичных модулей; сложение мощностей в пространстве (ФАР);

мостовые схемы сложения мощностей; устройства распреде-
ленного усиления (усилители бегущей волны).
6.3. При сложении мощностей генераторов, выполненных в виде
идентичных модулей и подключаемых параллельно или пос-
ледовательно к общей нагрузке, сохраняются недостатки па-
раллельного и двухтактного включения АЭ. Из-за отсутствия
электрической развязки генераторов снижается надежность их
работы.
6.4. Достоинства систем: возможность повышения мощности из-
лучения на два-три порядка при использовании маломощных
генераторов и высокой надежности передатчика, поскольку вы-
ход из строя нескольких генераторов незначительно сказывает-
ся на параметрах системы; возможность быстрого управления
диаграммой направленности системы излучателей; отсутствие
фидерных устройств, соединяющих выходы генераторов с об-
щей нагрузкой. Для ослабления связи между выходными кас-
кадами передатчиков их антенны должны располагаться на рас-
стоянии не менее 3λ/4 одна от другой. По этой причине такие
системы широко используются лишь в диапазоне метровых и,
особенно, сантиметровых волн. Сложность и стоимость переда-
ющих ФАР возрастают пропорционально числу используемых
генераторов.
6.5. а) 799 Вт; б) 790 Вт; в) 700 Вт.
6.6. Колебания АГ должны быть когерентными, то есть синхрони-
зированными. Простейшим способом увеличения мощности
АГ является параллельное, последовательное или смешанное
соединение АЭ. Легче соединять двухполюсные АЭ (ТД, диоды
Ганна, ЛПД). Возможно также использование мостовых уст-
ройств, систем сложения мощностей в пространстве и др.
6.7. Параллельное включение АЭ – простейшее решение задачи уве-
личения мощности генераторов, однако с увеличением коли-
чества параллельно работающих АЭ повышается вероятность
возникновения неисправностей и возбуждения паразитных
колебаний.
6.8. Если токи АЭ не точно равны и не синфазны, АЭ будут нагру-
жены на различные комплексные сопротивления. Поэтому АЭ
будут отдавать пониженную против номинальной мощность и
иметь пониженный КПД.
6.9. Необходимо использовать АЭ с одинаковыми параметрами (в
противном случае некоторые из них будут работать с недог-
рузкой), обеспечить симметричное подключение нагрузки и
симметричное возбуждение АЭ.
6.10. В маломощных генераторах применяют эмиттерное автосмеще-

ние, а в мощных – реактивные симметрирующие цепи, вырав-
нивающие эмиттерные токи транзисторов (например, индуктив-
ности L2 и L3 на рис. 6.1). Кроме того, используют разделение
LC-элементов во входных и выходных цепях связи и коллектор-
ного питания (рис. 6.1). Транзисторы и блокировочные элемен-
ты должны иметь одинаковую конструкцию, обеспечивающую
одинаковые длины соединительных проводников.
6.11. Ввиду взаимного влияния, сложности в настройке, положитель-
ного температурного коэффициента для токов (с ростом темпе-
ратуры токи БТ возрастают, что ведет к еще большему повы-
шению температуры) параллельное включение БТ в настоящее
время используются сравнительно редко, причем не более двух-
трех транзисторов. Полевые МДП-транзисторы благодаря отри-
цательному температурному коэффициенту для токов гораздо
менее чувствительны к разбросу их параметров и несимметрии
в схеме. В ключевом режиме на относительно низких частотах
разброс параметров МДП-транзисторов почти не сказывается,
что позволяет включать параллельно десятки приборов.
6.12. Rн = 0,5U2/Pн = 0,5 Ом. При совместной работе транзисторов
Rн′ = Rн (1 + I k′′1 / I k′ 1 ) = 1 Ом. После аварии (I″k=0) сопротивление
R′н уменьшилось вдвое и режим стал недонапряженным.
6.13. До аварии P1 = P0 ηе = 4,5 кВт, Pа = 0,5(P0 – P1) = 750 Вт. После ава-
рии сопротивление нагрузки оставшейся лампы уменьшится в
два раза и режим лампы станет недонапряженным; ее ток, если
пренебречь реакцией анода, не изменится. В результате увеличе-
ния мощности потерь на аноде (Pа = 1500 Вт) уменьшится вдвое
колебательная мощность этой лампы P1 = 1125 Вт. В итоге коле-
бательная мощность генератора уменьшится в четыре раза.
6.14. Отключение одного из транзисторов вызовет уменьшение со-
противления нагрузки для другого в два раза и его режим
станет граничным. При неизменной амплитуде коллекторно-
го напряжения выходная мощность P = 0,5Uк2/Rк оставшегося
транзистора возрастет в два раза, а мощность в нагрузке не
изменится.
6.15. а) амплитуда напряжения на нагрузке равна U н = Rн ( I k′ 1 + I k′′1 ),
сопротивление равно Rн′ = U н / I k′1 = Rн (1 + I k′′1 / I k′ 1 ) ;
б) U н = Rн ( I k′ 1 + I k′′1 + I k′′′1 ) , Rн′ = Rн (1 + I k′′1 / I k′ 1 + I k′′′1 / I k′ 1 ) .
6.16. Используя решение задачи 6.15, получим: а) в граничном режи-
ме Rн = Rн′ / (1 + I k′′1 / I k′ 1 ) = 60 Ом, сопротивление для оставше-
гося транзистора Rн′ = Rн (1 + 0) = 60 Ом стало меньше прежних
120 Ом, следовательно, режим станет недонапряженным;

б) Rн = 40 Ом, R′н = 80 Ом. Поскольку сопротивление стало
меньше прежних 120 Ом, режим станет недонапряженным.
6.17. В мощных генераторах целесообразно использовать реактивные
симметрирующие цепи. Возможная схема такого генератора по-
казала на рис. 6.1. Транзисторы включены по схеме с ОБ. Эле-
менты L1, L4, L5 – дроссели. Входные (С1, С2, L2, L3) и выход-
ные (С5, С6, С7, С8, L6, L7, C9) цепи, а также цепи коллекторного
питания (L4, L5, C3, C4) транзисторов разделены. Разделение
цепей позволяет более легко обеспечить симметрию монтажа
схемы, скомпенсировать разброс коллекторных емкостей, вы-
ровнять режимы работы транзисторов путем индивидуальной
подстройки цепей связи каждого транзистора, контролировать
токи Ik0 каждого транзистора. При достаточно больших индук-
тивностях L2 и L3 (ωL 2 = ωL3 > zв х1σ ) величина входных
эмиттерных токов не зависит от входных сопротивлений тран-
зисторов zв х1σ : I э′ = I э′′ . Поскольку коэффициент усиления по
току в схеме с ОБ h21σ ≈ 1 , то одновременно обеспечивается
равенство амплитуд и коллекторных токов: I k′ = I k′′ .
6.18. Рн = 0,5U н2 / Rн = 1125 Вт , Рв х = Рн / K р = 22,5 Вт ,
Р0 = Рн / (η eη к ) = 1875 Вт , I н = U н / Rн = 250 мА. а) режим станет
недонапряженным, поэтому значения Uн, Кр и ηе уменьшатся.
Мощность в нагрузке будет меньше мощности 2Pн, а мощность
источника питания больше мощности 2P0; б) режим останется
граничным, поэтому значения Uн, Кр и ηе не изменятся, а сум-
марные значения Pвх, Pн, P0 и Iн увеличатся в два раза; в) режим
станет перенапряженным. Амплитуда напряжения Uн несколь-
ко возрастет, а значения Кр и ηе уменьшатся. Мощность в на-
грузке будет меньше мощности 2Pн, но больше Pн. Мощность
источника питания будет меньше мощности 2P0.
6.19. Достоинства двухтактных генераторов: резкое ослабление токов
четных гармоник в выходном контуре при сохранении высокого
КПД; наличие естественной нейтральной плоскости, облегчаю-
щее блокирование цепей питания от токов высокой частоты;
удобство применения при симметричных типах нагрузки; увели-
чение (теоретически в 2 раза) выходной мощности без примене-
ния параллельной работы АЭ; линеаризация нагрузки для пре-
дыдущего каскада за счет поочередной работы АЭ. Недостатки
двухтактных УМ: необходимость обеспечения симметрии при
изготовлении и регулировке генератора; повышенная вероят-
ность возникновения неисправностей и паразитных колебаний;

наличие двойного напряжения основной частоты на колебатель-
ном контуре и, соответственно, увеличенные потери в нем.
6.20. Чтобы обеспечить лучшую фильтрацию четных гармоник. Чет-
ные гармоники выходных токов АЭ синфазны и потому должны
замыкаться во внешнюю цепь от выходного электрода (анода,
коллектора или стока) к общему электроду. Чтобы сопротив-
ление цепи замыкания четных гармоник было минимальным,
они должны проходить через емкостную ветвь контура, как это
и предусмотрено в схеме рис. 6.2, а.
6.21. Если подключить блокировочный конденсатор к общей точке
катушек L6 и L7, единый колебательный контур С2, С3, L6, L7
распадется на два автономных.
6.22. Возможная схема двухтактного УМ показана на рис. 6.2, а.
Транзисторы включены по схеме с ОЭ. Катушки L1 и L2=L3
индуктивной связи обеспечивают симметричные противофаз-
ные напряжения на базах транзисторов. Элементы С1, L4, L5 –
блокировочные. Элементы L6=L7 и С2=С3 образуют выходной
колебательный контур.
6.23. а) нельзя; б) можно.
6.24. Никакой, поскольку провода симметричного фидера, соединя-
ющие коллекторы транзисторов и нагрузку, выполняют и роль
антенн. Эти расположенные рядом провода возбуждаются син-
фазно и излучают колебания второй и других четных гармоник.
Чтобы обеспечить фильтрацию, нужно включить, например,
между выходом УМ и нагрузкой дополнительный трансфор-
матор (рис. 6.2, б).
6.25. На частотах гармоник нужно закоротить на корпус оба эк-
випотенциальных проводника фидера, соединяющего выход
генератора и нагрузку. Это можно сделать, например, путем
подключения между выходом генератора и нагрузкой симмет-
ричного трансформатора (рис. 6.2, б). Кроме того, необходимо
обеспечить симметричность схемы и работы АЭ в обоих плечах.
Универсальным средством снижения уровня как четных, так
и нечетных гармоник в усилителях является введение ООС.
В усилителе с ОБ имеется 100% обратная связь по току, а в уси-
лителе с ОК – по напряжению. На практике удается ослабить
высшие гармоники при включении БТ с ОБ до – (20…30) дБ,
а при включении с ОЭ до – (15…20) дБ.
6.26. Блокировочные элементы генераторов затрудняют прохожде-
ние высоких модулирующих частот и искажают форму импуль-
сов. В двухтактном генераторе даже при неполной симметрии
через соединительные провода и блокировочные конденсаторы
проходят только небольшие уравнительные токи. Благодаря
этому блокировочные конденсаторы и дроссели могут быть

сравнительно малой величины. При точной симметрии плеч
блокировочные элементы можно вообще не включать.
6.27. а) и б) возможная схема генератора показана на рис. 6.2, а.
Вместо напряжения Eк нужно подать модулирующее напряже-
ние. См. ответ к задаче 6.26.
6.28. L5 ≥ L6 = 40 нГн, L5 ≥ Rн/ω = 800 нГн, C4 ≥ 1,6 нФ. При точной
симметрии плеч блокировочные элементы можно не вклю-
чать.
6.29. В двухтактном УМ величина блокировочных элементов может
быть снижена по отношению к расчетной для однотактной схе-
мы в 10…20 раз, а при точной симметрии плеч блокировочные
элементы можно вообще не включать.
6.30. В схеме УМ, изображенной на рис. 6.2, а, вместо колебатель-
ного контура нужно включить апериодическую резистивную
нагрузку. При работе с углом отсечки 90° получается срав-
нительно высокий КПД усилителя, а благодаря двухтактной
схеме ослаблены высшие гармоники. Фильтром подавить эти
гармоники невозможно, поскольку кратные гармоники частот
сигнала, особенно частот, находящихся в нижней части рабоче-
го диапазона, попадают в рабочую полосу усилителя.
6.32. При симметричной нагрузке полагаем, что С2=С3, p=0,5 и
I k′1 = I k′′1 . а) при коэффициенте включения p=0,5 сопротив-
ление равно p2Rн = 25 Ом; б) R′н = R″н = 50 Ом; в) R′н = 25 Ом.
6.33. Выходная мощность усилителя Pн равна сумме мощностей его
плеч Рн = 0,5U н2 / Rн = 0,5( I к′1U к′ + I к′′1U к′′ ) . При симметрии плеч
напряжения равны U к′ = U к′′ = 0,5U н . Используя последнее равенс-
тво, получим 4(U к′ ) 2 / Rн = I к′1U к′ + I к′′1U к′′ или 4U k′ / Rн = I к′1 + I к′′1 =
4U к′′ / Rн . Из последнего равенства можно найти искомые со-
отношения.
6.34. Возможная схема УМ показана на рис. 6.3. На затворы тран-
зисторов поступает знакопеременное напряжение, обеспечива-
ющее поочередное их открывание. Элементы L1, С1 блокиро-
вочные, а L2, С2 образуют последовательный колебательный
контур.
6.35. а) по переменному току транзисторы соединены параллельно;
б) по постоянному току транзисторы соединены последова-
тельно.
6.36. а) и б) разорвется цепь питания транзисторов ,так как они
включены по постоянному току последовательно.
6.37. Смотри подраздел 5.3.

π I c m Rс и
ηп = η1 = 1 − = 0,97; Рн = 2 Р1 = 2 Ес I c m η1 π = 6,2 Вт ;
4 Е
Рс′ = 0,25 I c m Rс и = 0,1 Вт ; Рс′′ = 0,05 Вт .
2 с
Как видим, несмотря на миниатюрность (корпус 5×4×1 мм),

микросборка IRF7309 имеет хорошие энергетические показа-
тели.
6.38. В мостовых схемах обеспечивается взаимная электрическая
развязка генераторов и, благодаря этому, достигается высокая
надежность работы передатчика. Принципиальный недостаток
мостовых схем – снижение КПД моста при изменении соотно-
шения напряжений на его входах относительно номинального
значения.
6.39. По фазовым соотношениям суммируемых сигналов – синфаз-
ные, противофазные и квадратурные мостовые устройства, в
которых генераторы работают соответственно в фазе (φ=0°),
в противофазе (φ=180°) и со сдвигом по фазе на φ=±90°;
способу сложения – по току или напряжению; частотным
свойствам – узкополосные (резонансные) и широкополосные;
элементной базе – трансформаторные, на элементах с сосредо-
точенными или распределенными параметрами; по числу ге-
нераторов – для двух генераторов (N=2) или произвольного
их числа (N>2).
6.40. В номинальном режиме балластное сопротивление оказывает-
ся включенным между эквипотенциальными точками.
6.41. При балансе моста потенциалы, например, точек А′ и Б′ должны
быть одинаковыми u1 ⋅ R 4 / (R1 + R 4 ) = u1 ⋅ R3 / (R 2 + R3). Это ра-
венство выполняется при R3=R4 и R1=R2 или R1/R3=R2/R4.
6.42. При φ= нагрузочные и балластные сопротивления поменяются
«ролями» по сравнению со случаем синфазной работы генерато-
ров. В этом можно убедиться путем анализа формул для мощ-
ностей Pн и Pбал или поменяв направление одного из токов.
6.43. При аварии целесообразно переключить работающий генера-
тор с моста сложения непосредственно на нагрузку.
6.44. Необходимо переключить работающие генераторы с моста
сложения непосредственно на нагрузку. Обычно это делается
автоматически с помощью системы обхода моста.
6.45. Для синфазных генераторов φ=0. На двух резисторах R выде-
2π
R 2
π ∫0
ляется мощность Р = i∑ d (ωt ).
2π
а) Рн = ( I1 + k I1 ) R cos 2 ωt d (ωt ) ;
2
∫2π
( I1 −πk I1 ) 2 R0
∫0 cos ωt d (ωt ) ; в) η M = 0,5(1 + k ) / (1 + k ) .
2 2
б) Рбал = 2
π
6.46. См. ход решения предыдущей задачи.
2π
а) Рн = R [ I1 cos ωt + I 2 cos(ωt + ϕ )] 2 d (ωt );
π 0 ∫
2π
б) Рбал = R ∫ (i1 − i 2 ) 2 d (ωt ) ; в) η M = Рн / ( Рн + Рбал ) .
π 0
6.47. Расчетные значения ηМ, необходимые для построения графи-
ков, приведены в таблицах.
k 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
а φ=0° ηМ 0,50 0,60 0,71 0,77 0,84 0,90
б φ=40° ηМ 0,50 0,58 0,65 0,71 0,76 0,80
k 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0

а φ=0° ηМ 0,94 0,97 0,908 0,997 1,0
б φ=40° ηМ 0,84 0,86 0,87 0,88 0,883
φ° 0 20 40 60 80 90
в k =1,0 ηМ 1,00 0,97 0,88 0,75 0,59 0,5
г k =0,8 ηМ 0,99 0,96 0,87 0,74 0,58 0,5
φ° 100 120 140 160 180

в k =1,0 ηМ 0,41 0,25 0,17 0,03 0
г k =0,8 ηМ 0,42 0,26 0,13 0,04 0,012
6.48. Используем ответы задачи 6.47. а) 40°; б) 40°.

6.49. Можно использовать ответы задачи 6.47: а) k=0,7; б) k =1,0.
6.50. Классическая схема обеспечивает взаимонезависимую работу
генераторов; при использовании идентичных синфазных гене-
раторов ее КПД достигает 100%. Для практического примене-
ния эта схема неудобна, поскольку содержит по два нагрузоч-
ных и балластных резистора, причем один из генераторов и
резисторы не имеют точки соединения с корпусом.
6.51. Трансформаторы с магнитной связью между обмотками или
трансформаторы-линии. Их обычно используют в диапазоне час-
тот от 0,1 до 1000 МГц при уровнях мощности до 10…20 кВт.
6.52. Сосредоточенные LC-элементы или отрезки линий с распреде-

ленными параметрами. В зависимости от требований к пара-
метрам устройств по степени развязки и согласования входов
относительная ширина рабочего диапазона может составлять
10…30%. Частотные характеристики мостовых устройств, ис-
пользующих линии с распределенными параметрами, носят
периодический характер.
6.53. На этих частотах линии передачи обеспечивают фазовый сдвиг
90°+n180°, необходимый для работы моста.
6.54. а) ηМ=1,0; Pбал=0; б) ηМ=0,5; Pн=15 Вт, Pбал=15 Вт. В номиналь-
ном режиме мощность на балластных резисторах не рассеи-
вается, так как они включены между эквипотенциальными
точками моста. При отключении одного генератора мощность
оставшегося делится поровну между нагрузкой и балластными
резисторами.
6.55. а) Рн.ав / Рн = 0,5 = ( N − 1) 2 / N 2 , откуда N≥3,4. Принимаем бли-
жайшее целое число N=4; б) 8; в) 10; г) 20.
6.56. Рн.а в / Рн = (1 − М 40 )2 = 0,5 , откуда M=11,7. Принимаем бли-
жайшее целое число М=12; б) 4; в) 2; г) 1.
6.57. а) необходимо учесть, что в мостовой схеме токи генераторов
взаимонезависимы. При работе N генераторов в нагрузку посту-
пает мощность N P1 = 0,5( I1 N ) 2 R , где P1 и I1 – мощность, и ток,
поступающие в нагрузку от одного генератора. Из этого равенст-
ва можно определить ток одного генератора I1 = 2 P1 / ( R N ) .
При работе N–М генераторов в нагрузку поступает мощность
Рн.а в = 0,5 R [ I1 ( N − M ) ] 2 = P1 ( N − M ) 2 / N ; б) мощность
N–M генераторов равна P1(N–M). Часть этой мощности пос-
тупает в нагрузку, а оставшаяся часть выделяется в балластных
резисторах Рбал = Р1 ( N − М ) − Р1 ( N − M ) 2 / N = P1 M ( N − M ) / N ;
в) η м.а в = Рн.а в / [ Р1 ( N − M ) ].
6.58. См. решение задачи 6.54. При аварии часть мощности остав-
шихся генераторов выделяется в балластных сопротивлениях
мостовой схемы.
6.59. а) Rвх = RБ = Rн; Zв = 2Rн; б) Zв = Rвх = RБ = 2Rн.
6.60. а) λ = c/f = 0,3 м, l = 48,4 мм, Zв = Rвх = RБ = 3Rн = 150 Ом;
б) l = 48,4 мм, Rвх = Rн = 50 Ом, Z в = N Rн Rв х = 86,6 Ом.
7.1. Генераторы с большим коэффициентом перекрытия по частоте
( К f = f max / f min > 1,7...1,8).
7.2. а) единицы килогерц; б) сотни килогерц; в) десятки мегагерц;
г) сотни и более мегагерц.
7.3. В таких генераторах можно обойтись без подстроечных и пере-
строечных элементов, что упрощает настройку и перестройку

передатчика, повышает его надежность. В широкодиапазонных
каскадах можно снизить токи и напряжения на реактивных
элементах колебательных систем, а следовательно, уменьшить
их габаритные размеры и потери мощности.
7.4. При использовании широкополосных усилителей появляется
возможность работать с несколькими узкополосными сигнала-
ми при едином тракте усиления; отпадает необходимость в пе-
рестройке усилительного тракта при переходе с одной рабочей
частоты на другую; применяя одни и те же широкополосные
модули, можно строить передатчики с различными рабочими
частотами.
7.5. Частотные свойства АЭ, а также реактивные составляющие
в его входной и выходной цепи. В нагрузке уровень высших
гармонических составляющих выходного тока АЭ должен быть
гораздо меньше уровня первой гармоники. Теоретически не-
ограниченное перекрытие по частоте обеспечивают двухтакт-
ные схемы при косинусоидальной форме импульсов выходного
тока при Θ = 90°.
7.6. Разрабатывают и используют СВЧ-транзисторы с малыми пара-
зитными реактивностями; УРУ; усилители с коммутируемыми
фильтрами в выходной цепи и усилители с раздельными по-
лосами усиления.
7.7. Благодаря относительно низким нагрузочным сопротивлениям
шунтирующее действие выходных емкостей современных БТ и
ПТ обычно сказывается только на частотах более 30…100 МГц.
В то же время из-за низких нагрузочных и особенно входных
сопротивлений сильно сказываются индуктивности входного
и общего электродов. Поэтому уже на частотах более 10…30
МГц необходимо учитывать снижение коэффициента усиления
и мощности транзистора. Для компенсации влияния паразит-
ных реактивностей транзисторов и выравнивания коэффици-
ента усиления в диапазоне частот используют корректирующе-
согласующие цепи. Диапазон рабочих частот транзисторных
усилителей составляет от 0,1…0,2 до 100…1000 МГц и выше.
Транзисторные УРУ строятся только в диапазоне СВЧ. Уси-
лители, выполненные на ПТ с барьером Шоттки, позволяют
получать в полосе 2…20 ГГц мощность в единицы ватт.
7.8. МДП и МОП-транзисторы имеют повышенную температурную
стабильность, поскольку с увеличением температуры ПТ ток
выходного электрода снижается, а не возрастает, как у БТ. У
ПТ отсутствует ток управляющего электрода, обусловленный
рекомбинацией носителей. Это значительно облегчает пост-
роение цепей смещения. До весьма высоких частот крутизну

ПТ можно считать не зависящей от частоты. См. также ответ
к задаче 7.7.
7.9. Электронные лампы являются практически безынерционными
АЭ. Их выходная мощность и коэффициент усиления практи-
чески постоянны от нулевой до граничной частоты. Рабочие
напряжения ламп сравнительно велики, а токи малы. Поэто-
му их сопротивления нагрузки, необходимые для получения
номинальной мощности, получаются большими. При этом
шунтирующее действие паразитной емкости, шунтирующей
нагрузку, проявляется уже на частотах 1…10 МГц. В то же вре-
мя индуктивности незначительно проявляются на частотах до
30…100 МГц. Для компенсации шунтирующего действия вход-
ных и выходных емкостей ламп используют корректирующие
цепи или переходят к усилителям с распределенным усилени-
ем. Мощность ламповых УРУ в непрерывном режиме дости-
гает единиц киловатт; диапазон рабочих частот от 0,1…0,2 до
30…120 МГц.
7.10. Индуктивности, емкости, одиночные LC-контуры, а также
фильтры нижних частот или полосовые фильтры на элементах
с сосредоточенными или распределенными параметрами; обмо-
точные трансформаторы и трансформаторы на линиях.
7.11. а) во всей полосе усиливаемых частот выходная цепь долж-
на обеспечить необходимое для АЭ сопротивление по первой
гармонике, высокий электронный КПД, фильтрацию высших
гармоник выходного тока или замыкание высших гармоник
тока АЭ, минуя нагрузку; б) должна обеспечить необходимое
сопротивление нагрузки предыдущему каскаду; корректиро-
вать неравномерность АЧХ усилителя, обусловленную инер-
ционностью АЭ и паразитными реактивностями схемы.
7.12. а) работа генератора на укороченную штыревую антенну или
длинный несогласованный фидер; б) выходная цепь АЭ. Емкость
С включает выходную емкость лампы или транзистора, а также
емкости монтажа; в) в таком виде можно представить на СВЧ
эквивалентные схемы входной цепи транзисторов по схеме с ОИ
и ОЭ или эквивалентную схему обмоточного трансформатора.
На высоких частотах индуктивность рассеяния трансформатора
включена последовательно с сопротивлением нагрузки.
7.13. Наиболее часто используют лестничные фильтры полиноми-
ального типа (рис. 7.5 и 7.6). Их последовательные ветви не
содержат параллельных колебательных контуров, а параллель-
ные ветви – последовательных контуров и поэтому они про-
ще при реализации на СВЧ. По сравнению с эллиптическими
фильтрами они обеспечивают больший коэффициент передачи

и меньшую неравномерность в полосе пропускания.
7.14. а) наиболее часто используют низкочастотные лестничные
фильтры (рис. 7.5, а); б) полосовая ЦС получается путем на-
стройки на среднюю частоту каждой индуктивности с помо-
щью последовательной емкости и каждой емкости с помощью
параллельной индуктивности.
7.15. а) рис. 7.5, б; б) рис. 7.6. См. также ответ задаче 7.14.
7.16. а), б), в) согласно принципу постоянства ширины полосы по-
лоса частот не изменится.
7.18. 2Δω = ω0 / Q = ω0 ρ / R = 1 / RC . Как видим, полоса зависит
только от величины элементов R и С.
7.19. 2Δω = ω 0 / Q = rω 0 / ρ = r / L . Как видим, полоса зависит
только от величины элементов r и L.
7.20. Пусть, например, в системе, пропускающей нижние частоты,
проводимость емкости С на частоте ω0 равна Вс= ωсС. В по-
лосовой системе реактивная проводимость соответствующей
ветви принимает значения ±Вс в двух точках на противопо-
ложных концах полосы пропускания. В этих точках, кото-
рые можно обозначить через ω1 и ω2, выполняются равенства
Вс = ω2С − 1 / (ω2 L) , − Вс = ω1С − 1 / (ω1 L) или Вс ω2 L = ω22 LC − 1,
− Вс ω1 L = ω12 LC − 1. Вычитая второе равенство из первого, по-
лучаем Вс (ω 2 + ω 1 ) = С (ω 22 − ω 12 ) или Вс = (ω 2 − ω 1 )С . Учи-
тывая, что Вс= ωсС, получаем ωc = ω2–ω1.
7.21. Пусть, например, в системе, пропускающей нижние частоты,
сопротивление индуктивности на частоте ωс равно xс= ωсL.
В полосовой системе реактивное сопротивление соответствую-
щей ветви принимает значения ±xс в двух точках на противо-
положных концах полосы пропускания. В этих точках, кото-
рые можно обозначить через ω1 и ω2, выполняются равенства
xc = ω2 L −1 / (ω2С ) , − xc = ω1 L − 1 / (ω1С ) , или xc ω2С = ω22 LС − 1,
− xcω1С = ω12 LС − 1. Вычитая второе равенство из первого, по-
лучаем xc (ω 2 + ω 1 ) = L(ω 2 − ω 1 ) или xc = L(ω 2 − ω 1 ) . Учитывая,
2 2
что xс= ωсL получаем ωc = ω2–ω1.

7.22. а), б) при увеличении реактивностей возрастает постоянная
времени τ. Из выражения ∫ = ln (1 / Г )d ω ≤ π / τ видно, что с
∞
0
увеличением τ снижается величина ln(1/|Г|) и, следовательно,
возрастает коэффициент отражения, а коэффициент передачи
уменьшается.
7.23. Re( z ) = R / [1 + (ωRC ) ]. На нулевой частоте значение Re(z) для
2
∞
сопротивления R1 больше, однако площади ∫ Re( z )dω обеих
0
характеристик одинаковы.
7.24. Площади частотных характеристик Re(z) и полосы частот
для вариантов а) и б) одинаковы. Вид характеристик см.на
рис. 7.4, а, б.
7.25. При N=∞ справедливо равенство l n (1 / Г ) [ ] = π / (Ω τ ) =
[ ]
= 0,5π 2 / (Ω τ ) , где множитель 0,5· – угловой коэффици-
max
ент.
7.26. ln(1/|Г|) = 2. Из рис. 7.8 при N=3 определяем величину
2/(Ωτ)=1,6. а) 22 МГц; б) 204 МГц.
7.27. Г = 1 − b = 0,45; ln(1/|Г|) = 0,8; а) 2/(Ωτ)=2. Из рис. 7.8 нахо-
дим, что N=0, т. е. можно обойтись без согласующих элементов;
б) 1; в) 2; г) ∞.
7.28. См. решение предыдущей задачи; а) согласование невозможно;
б) ∞; в) 3; г) 1.
7.29. ln(1/|Г|) = 1,6. Из рис. 7.8 определяем величину 2/(Ωτ): а) 472;
б) 606; в) 653; г) 772; д) 849 МГц.
7.30. Из ответов предыдущей задачи видно, что достаточно хорошее
приближение к идеальному случаю (N=∞) получается уже при
N=2…3.
7.31. Г = 1 − b = 0,2; ln(1/|Г|) = 1,6. Из рис. 7.8 определяем величи-
ну A=2/(Ωτ)=1,3. C=2/(AΩR)=30,6 пФ.
7.32. В низкочастотной цепи согласования (рис. 7.5, а) нужно парал-
лельно каждой емкости включить индуктивность, а последова-
тельно с каждой индуктивностью – емкость.
7.33. При одинаковых коэффициентах отражения полоса частот
транзисторного генератора в Ra Ca / ( RcCc ) =59 раз больше за
счет гораздо меньшего номинального сопротивления нагруз-
ки.
7.34. Согласно принципу постоянства ширины полосы, полосы час-
тот не изменятся.
7.35. Г = ( ρ − 1) / ( ρ + 1) = 0,111; ln(1/|Г|) = 2,2. Из рис. 7.8 определяем
величину 2/(Ωτ)=2; а) 295 МГц; б) 5 МГц.
7.36. Г = 1 − b = 0,447, ln(1/|Г|) = 0,8. Из рис. 7.8 при N=3 опреде-
ляем величину 2/(Ωτ)=0,6, откуда находим L=88 нГн.
7.37. Г = ( ρ − 1) / ( ρ + 1) = 0,33 ; ln(1/|Г|) = 1,1. Из рис. 7.8 определяем
величину 2/(Ωτ)=0,77, откуда Ω=17,4·106 рад/с.
7.38. См. рис. 7.6.

7.39. 2/(Ωτ)=0,66. Из рис. 7.8 определяем, что допуск на согласо-
вание при N=3 равен 0,85. Из рис. 7.2 определяем |Г| = 0,43;
2
b = 1 − Г = 0,815.
7.40. Из рис. 7.2 определяем, что допуск на согласование равен 0,9.
Из рис. 7.8 определяем значения 2/(Ωτ) при N = ∞; 5; 3 и 1: 0,55;
0,65; 0,7 и 0,9. При постоянной времени τ = L/R = 5·10–10 полоса
частот равна: а) 1,16; б) 0,98; в) 0,91; г) 0,71 ГГц.
7.41. Из ответов предыдущей задачи видно, что достаточно хорошее
приближение к идеальному случаю (при N=∞) получается уже
при N=3. Чем больше количество элементов, тем сложнее цепь
в реализации.
7.42. Согласно принципу постоянства ширины полосы, полоса час-
тот не изменится.
7.43. Из рис. 7.8 определяем допуск на согласование при 2/(Ωτ)=0,637
для заданного числа элементов N: 1; 0,9; 0,85 и 0,65. По кривым
рис. 7.2 определяем рабочее затухание: а) 0,65; б) 0,8; в) 0,9;
г) 1,3 дБ.
7.45. ln(1/|Г|) = 0,8. Из рис. 7.8 определяем, что величина A=2/(Ωτ)
при N=0; 1; 2 и 3 соответственно равна 1,7; 0,8; 0,65 и 0,6. По
этим данным видно, что полоса расширяется не резко в: а) 2,1;
б) 2,6; в) 2,8 раза и потому достаточно использовать 1…2 со-
гласующих элемента.
7.46. Из решения предыдущей задачи А=0,8. Используя равенство
Ω=2R/(AL), определим полосу частот – 37,6 МГц.
7.47. а), б) согласно принципу постоянства ширины полосы не из-
менится.
7.48. ln(1/|Г|) = 1,6. а) 2/(Ωτ)=2. Из рис. 7.8 находим количество зве-
ньев: а) 1; б) 2; в) ∞; г) согласование невозможно.
7.49. ln(1/|Г|) = 1,4. Из рис. 7.8 определяем величину 2/(Ωτ)=1,5.
а) 1,06; б) 0,71; в) 0,35 нГн.
7.50. Г = 1 − b = 0,14; ln(1/|Г|) = 1,95. Из рис. 7.8 при N=3 определя-
ем величину 2/(Ωτ)=1,6; L=R/(0,8Ω). а) 500; б) 200; в) 66 нГн.
7.51. 2/(Ωτ)=1,06. Из рис. 7.8 определяем, что при N=3 величина
ln(1/|Г|max)–1 равна 1,3. Из рис. 7.2 определяем L=0,3 дБ.
7.52. Определим затухание при N=1, 2, 5 и 7 (см. решение преды-
дущей задачи): L=0,7; 0,4; 0,25 и 0,2 дБ. Как видим, достаточно
малое затухание получается уже при N≥2.
7.53. Амплитуда тока в нагрузочной цепи равна
[ ]
I = E ( RГ + RВ х ) + Х В х
2 2 −0,5
. Активная мощность в сопротив-
[ ]−1
лении RВх равна: Р = 0,5 I 2 RВ х = 0,5 E 2 RВ х ( RГ + RВ х ) 2 + Х В2 х .
Отсюда видно, что первым условием получения максимума
мощности является равенство XВх=0. При выполнении этого
условия мощность равна: Рmax = 0,5 E 2 RВ х ( RГ + RВ х ) −2 . Диффе-
ренцируя Pmax по RВх и приравнивая производную нулю, нахо-
дим второе условие, при выполнении которого мощность Pmax
достигает наибольшего возможного (максимум-максиморум)
значения RВх = Rг.
7.54. Полное сопротивление параллельной RC-цепи равно
Z = R /( 1 + j ωRC ). Активная составляющая этого сопротивле-
ния (вещественная составляющая комплексного сопротивле-
R
ния) равна Re( Z ) = , а интеграл равен
1 + (ω R C ) 2
∞ ∞
1 d (ω R C ) 1 π
= [arct gω RC ]0 =
∞
∫0 Re( Z ) d ω = ∫
C 0 1 + (ω R C ) C
2
2C
.
7.55. Исходя из требований к фильтрации высших гармоник, начи-

ная со второй.
7.56. а) ωВ − ωн = ωн п К ω 1 − ωн п ; б) ωB − ωн = ωВ п − ωВ п / К ω N .
7.57. а) за счет сужения полосы усиливаемых частот повышается
степень использования АЭ по мощности при неизменной ве-
личине паразитной емкости, шунтирующей нагрузку. Необхо-
дим лишь один АЭ. В перестраиваемых широкодиапазонных
передатчиках сокращается время переходы с одной частоты на
другую и исключается трудоемкая ручная или сложная автома-
тическая перестройка колебательных систем. Осуществляется
эффективная фильтрация гармоник; б) при таком построении
недоступен режим усиления широкополосных сигналов или од-
новременная работа на нескольких частотах в различных под-
диапазонах. Такие усилители имеют большие габариты и массу,
поскольку из N переключаемых фильтров в работе находится
только один. Их недостатками являются также сложность в на-
стройке и необходимость высокой точности изготовления L- и
С-элементов (до 1%).
7.58. Влияние выходной емкости генераторных ламп начинает ска-
зываться уже при полосе частот 10…30 МГц. Повысить степень
использования лампы по мощности можно путем сужения по-
лосы усиливаемых частот (полосы прозрачности на рис. 7.10),
то есть путем использования ПФ. В транзисторных усилите-
лях из-за низких сопротивлений нагрузки, необходимых для
получения номинальной мощности, влияние выходной емкости
начинает сказываться при полосе частот 300 и более мегагерц.

Поэтому в транзисторных усилителях основное назначение
коммутируемых фильтров – фильтрация гармоник. Фильтра-
цию гармоник осуществляют и ПФ, и ФНЧ, но ФНЧ обычно
требуют заметно меньшего числа элементов.
7.59. См. рис. 7.10.
7.60. а) K ω п = f в п / f н п = 20 ; N = l gK ω п / l gK ω i = 5,6 ; округляем это
значение до целого числа – N= 6; б) N= 8.
7.61. а) полоса пропускания первого фильтра f н п ( К ω − 1) = 1,05 МГц ,
а последнего – f в п (1 − 1 / К ω ) = 12,35 МГц ; б)1,05 и 37,06МГц.
7.62. См. рис. 7.9.
7.63. См. решение задачи 7.60. а) N=27; б) N=17.
7.64. а) 0,18 и 3,2 МГц; б) 0,3 и 5 МГц.
7.65. См. рис. 7.9.
7.66. а) такие усилители обеспечивают равномерную частотную ха-
рактеристику и могут работать с широкополосными сигналами.
По степени использования мощности АЭ они эквивалентны
их параллельному соединению, но обладают большим КПД за
счет повышенного коэффициента использования питающего
напряжения; б) необходимость использования N генераторных
приборов и сложных частотно-разделительных и частотно-сум-
мирующих устройств.
7.67. Нужно найти логарифм выражения ( K ωi ) N = К ωп .
7.68. а) N=(1000–500)/65=7,7 округляем это значение до целого
числа N=8; б) N=16.
7.69. а) Кω1=565/500=1,13; Кω8=1000/935=1,07; б) 1,065 и 1,034.
7.70. См. рис. 7.11.
7.71. УРУ применяются в качестве широкополосных промежуточ-
ных и выходных каскадов передатчиков коротковолновых,
УКВ и дециметровых диапазонов.
7.72. а) УРУ обеспечивают в широкой полосе частот сложение мощ-
ностей генераторов при низких нагрузочных сопротивлениях и
высоком коэффициенте усиления. Они имеют достаточно вы-
сокую надежность. При числе АЭ более 6…10 выход из строя
одного- двух из них (разрыв или потеря эмиссии) незначитель-
но скажется на величине выходной мощности. По отношению
к нагрузке УРУ эквивалентен генератору с резистивным внут-
ренним сопротивлением, равным номинальному нагрузочному,
поэтому допустимо значительное рассогласование с нагрузкой
(КБВ≤0,3); б) сложность схемы, низкий КПД и значительное
недоиспользование большей части АЭ усилителя по мощности.
7.73. В УРУ использованы широкополосные цепи связи в виде ис-
кусственных линий. В состав линий входят емкости АЭ. Поэ-

тому в нагрузке УРУ суммируются токи АЭ, но не происходит
сложения их емкостей.
7.74. В однотактном УРУ, работающем с отсечкой тока, для подав-
ления высших гармонических составляющих необходимо ис-
пользовать выходной фильтр. Двухтактные УРУ имеют более
сложную конструкцию, однако даже при работе с отсечкой тока
создают выходное напряжение, близкое по форме к гармони-
ческому. Они могут обеспечить отношение высшей и низшей
рабочих частот fв / fн=10…20.
7.75. Прохождение низких частот определяют разделительные кон-
денсаторы Cр. Верхняя рабочая частота равна граничной часто-
те ФНЧ ωг р = 2 / LC.
7.76. На нижней рабочей частоте должно выполняться очевидное
условие 1 / (ω Ср ) ≤ Rн / 20 , откуда Ср ≥ 20 / (ωн Rн ) .
7.77. Частота ωгр равна верхней рабочей частоте усилителя. Емкости
С обычно образуются выходными емкостями АЭ и монтажа,
так как подключение дополнительных конденсаторов при не-
изменной полосе усиления ведет к снижению сопротивления
нагрузки, а, следовательно, и мощности в нагрузке.
7.78. Для повышения КПД можно использовать неоднородную вы-
ходную линию. Волновое сопротивление в начале этой линии
должно быть самым большим и снижаться по мере приближе-
ния к нагрузке. В этом случае амплитуда прямой волны для
всех АЭ будет большой и постоянной, а режим АЭ – близким
к граничному. Кроме того, необходимо использовать АЭ с боль-
шой крутизной линии граничного режима (малым сопротив-
лением насыщения) и режим работы с отсечкой выходного
тока.
7.79. Учитывая, что Rн = Zв, а входное сопротивление линии в месте
подключения каждого АЭ равно 0,5Zв, определим амплитуду
напряжения на нагрузке при использовании N активных эле-
ментов U н = 0,5 N I a1Z в , Рн = 0,5U н2 / Rн .
7.80. η = I a1 N Z в / (8 Ea I a 0 N ) . Определим амплитуду напряжения
2 2
на нагрузке, учитывая, что нагрузкой АЭ является параллель-

ное соединение двух частей линии с входным сопротивлением
Zв каждая, U н = 0,5 N I a1Z в . Из последнего равенства нужно оп-
ределить амплитуду тока Iа1 и подставить это значение в вы-
ражение для КПД.
7.81. Отношение КПД резонансного усилителя и УРУ равно
0,5 ( I a1 / I a 0 ) (U н / Ea ) / [ 0,25 ( I a1 / I a 0 ) (U н / Ea ) ] = 2. Причина сни-
жения КПД УРУ кроется в том, что амплитуды выходных на-
пряжений АЭ не одинаковы. Коэффициент использования на-

пряжения питания линейно возрастает с увеличением номера
АЭ. Обычно последний АЭ работает в граничном режиме. При
этом режим других АЭ будет недонапряженным.
7.82. Учитывая, что Rб = Rн = Zв, а fв = fгр, получим
а) L = 4 / (4π f г рС ) = 1,58 мкГн, Z в = L / C = 398 Ом; б) 0,79 мкГн,
2 2
199 Ом; в) 0,4 мкГн, 100 Ом.

7.83. Учитывая, что ωв = ωгр и Zв = Rб = Rн, получим
а) Rн = 2 / (2π f вС ) = 354 Ом , L = 4 / (ωв2С ) = 3,8 мкГн . Исполь-
зуя решение задачи 7.76, получим Ср ≥ 20 / (ωн Rн ) = 90 нФ ;
б) 589 Ом, 1,35 мкГн, 27 нФ, в) 1180 Ом, 0,34 мкГн, 2,7 нФ.
7.84. а) Rн = 2U н / ( N I a1 ) = 1125 Ом, Pн = 1440 Вт, η = 0,36; б) 750 Ом,
2160 Вт; 0,36; в) 450 Ом, 3600 Вт, 0,36.
7.85. Судя по отношению токов Iа1/Iа0 = 1,6 – с углом отсечки око-
ло 90°, а по отношению напряжений Uн/Eа = 0,9 – последняя
лампа работает в граничном режиме, а остальные в недонапря-
женном.
7.86. Мощность резонансного усилителя Р1 = 0,5U н I а1 =0,72 кВт,
его КПД равен η1 = Р1 / Еа I а 0 =0,72. Отношение КПД равно
η/η1=0,5. а) Pн/P1=2; б) Pн/P1=3; в) Pн/P1=5.
7.87. а) Rн = 2U н / ( N I a1 ) = 1537 Ом, Рн = 0,5U н2 / Rн = 492 Вт,
f г р = 1 / (π Rн С ) = 20,7 МГц; б) 1025 Ом, 738 Вт, 31 МГц;
в) 615 Ом, 1230 Вт, 51,8 МГц.
7.88. Резонансное сопротивление нагруженного контура равно
Rа = U н / I a1 = 3075 Ом. Полоса пропускания контура равна
2Δf = 1 / (2π Rа С ) = 5,18 МГц. Отношение полос равно f в / 2Δf :
а) 4; б) 6; в) 10.
7.89. а) Rн = 2U н / ( N I к1 ) = 2 Ом, Рн = 0,5U н2 / Rн = 506 Вт,
f г р = 1 / (π Rн С ) = 354 МГц; б) 1,36 Ом, 744 Вт, 520 МГц;
в) 0,82 Ом, 1235 Вт, 863 МГц.
7.90. См. решение задачи 7.88 Rк = 4,1 Ом, 2Δf = 86,4 МГц. а) 4;
б) 6; в) 10.
7.91. Благодаря низкому сопротивлению нагрузки транзисторного
УРУ, необходимому для получения номинальной выходной
мощности АЭ.
7.92. Трансформаторы различных типов используют во входных,
межкаскадных и выходных ЦС широкополосных генераторов.
Трансформаторы с магнитной связью между обмотками ис-
пользуют при относительно больших сопротивлениях цепей,

главным образом, в ламповых генераторах на частотах до 300
МГц. Трансформаторы на линиях (ТЛ) используют при относи-
тельно малых сопротивлениях, главным образом, в транзистор-
ных генераторах на частотах от 0,1 до 1000 и более МГц.
7.93. Основное достоинство обычных (обмоточных) трансформато-
ров – большой коэффициент перекрытия по частоте (102…103)
в диапазоне частот до 100…300 МГц при сравнительно больших
нагрузочных сопротивлениях (десятки и более Ом). Однако в
этих трансформаторах невозможно обеспечить равномерную
АЧХ при низких нагрузочных сопротивлениях и на высоких
частотах из-за влияния индуктивностей рассеяния, межвитко-
вых и межобмоточных емкостей.
7.94. а) основные индуктивности обмоток; б) индуктивности рас-
сеяния обмоток, паразитные межвитковые и межобмоточные
емкости.
7.95. Необходимо одновременно увеличивать основные индуктив-
ности обмоток и снижать индуктивности рассеяния и пара-
зитные емкости. Поскольку эти требования противоречивы,
полосу пропускания удается расширить путем использования
магнитопровода с большой магнитной проницаемостью и раци-
онального конструирования трансформатора.
7.96. а) Основная индуктивность обмотки равна L = w 2 Sμ / l c , где
w – количество витков в обмотке; S – площадь сечения маг-
нитопровода; μ – относительная магнитная проницаемость
магнитопровода; lс – средняя длина магнитной силовой линии
в магнитопроводе. Из этой формулы видно, что наиболее рез-
ко индуктивность L зависит от количества витков w; б) путем
уменьшения количества витков, а также рационального конс-
труирования трансформатора.
7.97. ТЛ содержат одну или несколько согласованных линий, чем
и объясняется их широкополосность. Линия, согласованная на
концах, имеет весьма широкую полосу пропускания. ТЛ ис-
пользуют для трансформации относительно малых сопротивле-
ний (единицы и даже доли Ома) в диапазоне частот от 0,1…1,0
до 1000 и более МГц.
7.98. Необходимость намотки линий передачи на ферритовый
сердечник определяется стремлением уменьшить синфазные
составляющие токов в проводниках линии, т. е. токов, проте-
кающих по обоим проводникам в одном направлении. Такие
продольные токи возникают, если противоположные концы
проводника находятся под различными продольными напря-
жениями, например, если один конец оплетки коаксиального
кабеля заземлен, а другой – подключен к точке схемы, где на-
пряжение отлично от нуля.

7.99. В качестве сердечников высокочастотных широкополосных
трансформаторов наиболее часто используют ферритовые
кольца. Феррит оказывает основное влияние на НЧ. Для уве-
личения продольной индуктивности необходимо использовать
ферриты с большой магнитной проницаемостью μ. Магнитная
проницаемость равна 1000…2000 на частотах 100…200 кГц и
300…600 на частотах 1…2 МГц. Кроме того, для повышения
продольной индуктивности при заданной длине кабеля необ-
ходимо, чтобы отношение площади поперечного сердечника к
периметру было максимальным. Поэтому из колец с прямо-
угольным сечением предпочтение следует отдать сердечникам,
у которых сечение – квадрат. Еще лучший показатель имеют
сердечники круглого сечения.
7.100. Симметричные полосковые (обозначаются РП) и коаксиаль-
ные (КВФ) линии с волновыми сопротивлениями от 3,2 Ом и
выше, а также двухпроводные в виде равномерно скрученных
проводов.
7.101. При увеличении длины линии можно увеличить число вит-
ков обмотки. При этом возрастет продольная индуктивность
обмотки, обеспечивающая работоспособность ТЛ в области
нижних рабочих частот. Однако на верхних частотах при рас-
согласованной нагрузке начинают сказываться резонансные
свойства линии. Поэтому следует ограничивать максимальную
длину линии lmax < (0,1...0,2)λ min , где λmin– длина волны в линии
на максимальной рабочей частоте.
7.102. На нижней рабочей частоте ωн индуктивные сопротивления
проводников линий должны быть значительно больше нагру-
зочных сопротивлений (ωн L > 10 R).. На верхней рабочей часто-
те длина линий должна быть меньше четверти длины волны в
линии (l max < 0,1...0,2λ min ). Таким образом, требования к длине
линий ТЛ противоречивы: для расширения диапазона в сторо-
ну ВЧ необходимо уменьшить длину линии, а для расширения
в сторону НЧ – увеличить, чтобы возросла продольная индук-
тивность L. Эти противоречия в значительной степени устра-
няются при правильном выборе конструкции ТЛ и феррита с
большой магнитной проницаемостью.
7.103. а) L ≥ 10 R / ωн = 75 мкГн; б) 7,5 мкГн; в) 0,15 мкГн.
7.104. а) l = (0,1...0,2)с / ( f в ε э ф ) = 21...42 см; б) 7…14 см; в) 2,3….4,7 см.
7.105. а) обеспечить гармоническую форму выходного тока путем
установки угла отсечки 180° при гармоническом входном сиг-
нале, использовать линейный участок ВАХ АЭ и ООС; б) обес-
печить симметрию схемы и строго косинусоидальные проти-
вофазные импульсы тока АЭ. В реальных схемах достигается

уровень второй и третьей гармоник на 20…40 дБ ниже уровня
первой.
7.106. а) относительная полоса частот теоретически не ограничена,
поскольку при колебаниях класса А отпадает задача фильтра-
ции высших гармоник. Амплитуда первой гармоники равна
постоянной составляющей, а амплитуды всех прочих гармоник
равны нулю. Электронный КПД η е = 0,5ξI 1 / I 0 не превышает 0,5
даже при ξ=1; б) полоса частот не более октавы. При этом даже
вторая гармоника низшей частоты диапазона не попадает в по-
лосу пропускания выходной цепи. Электронный КПД ηe≤0,8;
в) полоса частот почти три октавы, поскольку в выходном токе
АЭ отсутствует вторая гармоника. Электронный КПД ηe≤0,637
поскольку I k 0 = 0,5 I k m , I k1 = 2 I k m / π (см. раздел 5); г) полоса
частот теоретически не ограничена, поскольку при противо-
фазном возбуждении АЭ четные гармоники выходных токов
компенсируются, а 3-я, 5-я и более высокие гармоники равны
нулю. Электронный КПД ηe≤0,8
7.107. См. ответ к предыдущей задаче. а) это может быть однотак-
тный УМ с выходным ФНЧ или ПФ. Для получения малого
входного сопротивления фильтра на частотах высших гармо-
ник он должен начинаться с емкости в параллельной ветви;
б) широкополосный ключевой усилитель при прямоугольной
форме импульса выходного тока с углом отсечки 90°; в) двух-
тактная схема при косинусоидальной форме импульса тока АЭ
с углом отсечки 90° и противофазном возбуждении АЭ.
7.108. При малой величине нагрузочного сопротивления
Rн = π / (2Ω С ) = Re( Z в х ) АЭ недоиспользуется по мощности. По-
высить степень использования АЭ можно лишь сузив полосу
частот Ω путем использования усилителей с переключаемыми
фильтрами и раздельными полосами усиления, а также ПФ
вместо ФНЧ (рис. 7.10).
7.109. При использовании идеальной СТЦ полоса частот равна
Ω = π / (2 RнС ) , где Rн = Re( Z в х ) – нагрузочное сопротивление
АЭ (см. рис. 7.3,а) Из приведенного равенства видно, что единс-
твенной возможностью увеличения полосы является снижение
величины нагрузочного сопротивления Rн. Например, так пос-
тупают при построении согласующих цепей и выходных КС
ламповых телевизионных передатчиков. При расширении по-
лосы величина Rн может оказаться меньше номинального зна-
чения, что ведет к недоиспользованию АЭ по мощности.
7.110. а) не изменится, так как при суммировании токов и мощнос-
тей АЭ происходит пропорциональное сложение их емкостей;
б) возрастет, поскольку при неизменной величине емкости уве-

личится суммарный ток первой гармоники.
7.111. В идеальной СТЦ нет потерь, а частотная характеристика
имеет прямоугольную форму (Re( Z в х ) = Rв х ) . В этом случае
∞
∫ Re(Z
0
вх )d ω = Ω Rв х = π / (2C ) . Используя последнее равенс-
тво, определим величину активной составляющей входно-
го сопротивления Rв х = π / (2Ω С ) и мощности в нагрузке
Рн max = 0,5 I12 Rв х = π I12 / (4Ω C ) . Если полоса частот достаточно
велика, мощность Pн может оказаться существенно ниже типо-
вой мощности АЭ, которую он мог бы обеспечить в узкополос-
ном режиме. Для большинства электронных ламп эта зависи-
мость начинает сказываться уже на частотах выше 10…20 МГц.
Для транзисторов эта граница на порядок выше в силу того,
что они являются приборами низковольтными.
7.112. В недонапряженном режиме работы АЭ (лампы или транзис-
тора). В этом режиме выходной ток АЭ не зависит от сопро-
тивления нагрузки.
7.113. а) трансформатор на линиях ТЛ обеспечивает симметричное
противофазное возбуждение ПТ, включенных по схеме с общим
истоком; корректирующе-согласующие цепи (КСЦ) корректи-
руют частотные зависимости входного, выходного и переда-
точного импедансов транзистора и обеспечивают согласование
импедансов; элементы L1, L2, C1 – блокировочные; б) элементы
C2, L3 и L4 – блокировочные; конденсаторы С3 и С4 – раздели-
тельные, они предотвращают короткое замыкание цепей по пос-
тоянному току; линия ZВ1 обеспечивает шунтирование четных
гармоник выходных токов транзисторов и симметрирование
плеч схемы по первой гармонике; линия ZВ2 служит для под-
ключения несимметричной нагрузки к стокам транзисторов.
7.114. Возможная схема усилителя показана на рис. 7.13; см. ответ
к предыдущей задаче.
7.115. а) при уменьшении ZВ1 уменьшается величина индуктивнос-
ти Lэ = Z В1l εμ / с и, следовательно, улучшается фильтрация
четных гармоник выходного тока, но при этом одновременно
возрастает ёмкость Сэ = l ε μ / (с Z В1 ) , шунтирующая нагрузку;
б) и в) при уменьшении l, μ и ε уменьшается величина и LЭ
и CЭ. Минимальная длина l определяется из конструктивных
соображений (из условий обеспечения хорошего теплоотвода
транзисторы не могут быть расположены очень близко).
7.116. Как в обычных двухтактных усилителях, но с учетом рабочей
полосы частот от fН до fВ.

7.117. l = с Lэ / ( Z В ε μ ) . а) 7,6; б) 19; в) 26,6 мм.
7.118. а) 1,45; б) 1,93; в) 3,38 нГн.
7.119. а) 3,62; б) 4,83; в) 8,45 пФ.
7.120. Входное сопротивление короткозамкнутого отрезка линии
равно: Z В х = j Z Вt g (ωl εμ / с).. При малой длине линии (гораз-
до меньшей длины волны в линии) можно принять равенство
тангенса аргументу Z В х = j Z В ωl εμ / с = j ωLэ . Из последнего
равенства можно определить величину индуктивности LЭ.
7.121. Входное сопротивление разомкнутого отрезка линии равно:
Z В х = − j Z В с t g (ω l ε μ / с) . При малой длине линии (гораздо
меньшей длины волны в линии) можно принять равенство тан-
генса аргументу Z В х = − j Z Вс / (ω l ε μ ) = − j / (ω Сэ ) . Из последне-
го равенства можно определить величину емкости CЭ.
7.122. Учитывая, что длина волны в двухпроводной, коаксиальной и
полосковой линии равна λЛ= 2πc (ω εμ ) запишем отношение
эквивалентной индуктивности LЭ при использовании точной
формулы к индуктивности L′Э при использовании приближён-
ной формулы LЭ L'Э = t g (2πl λ Л ) (2πl λ Л ) : а) LЭ/L′Э=1,16;
б) 1,03.
7.123. См. решение задачи 7.122. CЭ CЭ′ = t g (2π l λЛ ) (2π l λЛ ) ,
где СЭ – ёмкость, определённая по точной формуле, а) 1,46;
б) 1,01.
8.1. 1). Получить частоты, гораздо более высокие, чем частота за-
дающего (например, кварцевого) генератора. 2). Создать сетку
стабильных частот. 3). Углубить модуляцию в передатчиках с
угловой модуляцией. 4). Повысить устойчивость передатчика
за счет ослабления паразитных связей.
8.2. Электронные лампы, транзисторы, варакторы, ДНЗ, клистроны,
ТД, ЛПД и др.
8.3. При одинаковых АЭ выходная мощность и КПД УЧ заметно
меньше, чем у усилителей.
8.4. Низкий КПД маломощных каскадов УЧ практически не влияет
на общий КПД передатчика.
8.5. Резонансный, так как высокая точность не требуется, а нали-
чие большого числа гармоник гетеродинного волномера может
вызвать ошибку.
8.6. Чтобы снизить в выходном колебании напряжения с частотой
возбуждения и других гармоник.
8.7. Можно уменьшить кратность умножения частоты n (см. ответ к
задаче 8.8), увеличить добротность контуров, использовать ре-
жекторные фильтры, АГ с ФАПЧ и синхронизированные АГ.

8.8. а) n / ( n − 1) = 2 ; n / ( n + 1) = 0,66 ; б) 1,5; 0,75; в) 1,33; 0,8; г) 1,25;
0,83.
8.9. В замкнутое кольцо соединены АГ с частотой, близкой к nω,
делитель частоты и ФД. К другому входу ФД подключен ис-
точник колебаний с частотой ω.
8.10. В транзисторных и ламповых УЧ осуществляется преобразо-
вание энергии источника питания в энергию n-й гармоники,
а в УЧ на нелинейной емкости преобразуется энергия первой
гармоники входного сигнала.
8.11. УЧ на основе синхронизированных АГ отличаются простотой;
они обеспечивают большее постоянство выходной мощности
и чистоту спектра выходного сигнала, особенно при большой
кратности умножения (n≥5).
8.12. УЧ на базе синхронизированных АГ отличаются простотой, их
чаще всего используют в диапазоне СВЧ, где трудно непосредс-
твенно получить мощный сигнал со стабильной частотой. Систе-
ма ФАПЧ обладает большими возможностями, но содержит до-
полнительные цепи и потому является технически более сложной.
Кроме того, эти цепи вносят лишние источники флуктуации.
8.13. а) УЧ на ДНЗ, радиоимпульсные УЧ, АГ с ФАПЧ; б) УЧ на
ДНЗ и синхронизированные АГ; в) АГ с ФАПЧ; г) широко-
диапазонные неперестраиваемые УЧ, например, двухтактные
удвоители частоты на ПТ.
8.14. а), б) граничный, как и в УМ.
8.15. ξ = 2·0,7/g1(θ)=0,89. a) ηe = 0,5ξα2(600)/α0(600)=0,563; б) ηe=0,56.
8.16. При большой кратности резко снижаются выходная мощность
и КПД. Кроме того, при увеличении n уменьшается относи-
тельная расстройка между выделяемой гармоникой и гармо-
никами, которые следует подавить, что затрудняет подавление
побочных частот (см. ответ к задаче 8.8).
8.17. Только тем, что выходной контур умножителя настроен на n-ю
гармонику частоты возбуждения, а режим АЭ выбирается из
условий получения максимальной мощности Pп и КПД соот-
ветствующей гармоники.
8.18. См. ответ 8.17. а) см., например, рис. 3.9; б) рис. 3.11.
8.19. а) ηe = 0,5ξα2(θ)/α0(θ) = 0,266; б) 0,506; в) 0,656.
8.20. а) ηe = 0,5ξα3(θ)/α0(θ) = 0; б) 0,22; в) 0,44.
8.21. Колебательная мощность равна P2 = 0,5Iamα2(θ)ξE, а
P2(60°)/P2(90°) = α2(60°)/α0(90°) = 1,3.
8.22.Колебательная мощность удвоителя равнаP2=0,5[Ikmα2(θ)]2R, а
P2(60°)/P2(90°) = [α2(60°)/α0(90°)]2 = (0,276/0,212)2 = 1,69.
8.23. P3 = 0,5[SUбγ3(θ)]2R; P3(70°)/P3(40°) = [γ3(70°)/γ3(40°)]2 =1,9.
8.24. Pn = 0,5Iamαn(θ)Ua. При одинаковых значениях Iam и Ua отноше-

ние мощностей равно P1/ P2 =α1(θ)/α2(θ). Оптимальный угол
отсечки при удвоении частоты равен 60°. P1=3,6 Вт.
8.25. α3(θ)/α0(θ) = α1(θ)/α0(θ) = 1,57. Угол отсечки, при котором
α3(θ)/α0(θ) = 1,57 можно определить, например, методом пос-
ледовательных приближений; θ=29°.
8.26. а) при одинаковых значениях Im и U величина колебательной
мощности P2 = 0,5Imα2(θ)U пропорциональна величине коэф-
фициента α2(θ) и будет максимальной при θ=60°. P2 = P1α2/α1=
= 2,76 Вт; б) 1,85 Вт.
8.27. Мощности P3 = 0,5[SUвх γ3(θ )]2R3 будут одинаковы, посколь-
ку γ3(60°) = γ3(120°). При одинаковых мощностях P3 величина
ηe обратно пропорциональна мощности P0; ηe(60°)/ηe(120°)=
= γ0(60°)/γ0(120°) = 5,9.
8.28. Используя программу MathCad, определим углы отсечки,
соответствующие максимальным значениям коэффициентов
αn(θ) при n = 2, 3, 4, 5, 6, 7. Для наглядности построим график
при n = 2.
n := 2
2 sin (n ⋅ θ )⋅ cos (θ ) − n ⋅ cos (n ⋅ θ )⋅ sin (θ )
α (θ ) := ⋅ θ := 0 , 0.1.. π
π
( )
n ⋅ n − 1 ⋅(1 − cos (θ ))
2
Maximize(α , θ )⋅180
60
π
Начальное значение: θ:=1.

Для остальных значений n находим, что углы отсечки соответс-
твенно равны 39,862°, 29,861°, 23,876°, 19,891°, 17,046°.
8.29. Колебательная мощность генератора Pn=0,5Iamαn(θ)ξЕa мак-
симальна при максимальном значении коэффициента αn(θ) и
максимальном использовании АЭ по току и напряжению. Сле-
довательно, P2/Pn=α2(θ2)/αn(θopt). Углы отсечки θopt, соответству-
ющие максимальным значениям коэффициентов αn(θ), были
определены в задаче 8.28. Используем программу MathCad.
60⋅ π 40⋅ π 30⋅ π 24⋅ π 20⋅ π 17⋅ π
; θ3 := ; θ4 := ; θ5 := ; θ6 := ; θ7 := .
180 180 180 180 180 180
При n:=2
2 sin ( n ⋅ θ2) ⋅ cos ( θ2) − n ⋅ cos ( n ⋅ θ2) ⋅ sin ( θ2)

α2 ⋅ , α2 0.276.
π
(
2
)
n ⋅ n − 1 ⋅( 1 − cos ( θ2) )
Аналогично находим α3, α4, α5, α6, α7. После этого находим
искомые отношения мощностей:
α2 α2 α2 α2 α2
1.494; 1.989; 2.485; 2.981; 3.477 .
α3 α4 α5 α6 α7
8.30. а) при заданных условиях величина колебательной мощности
Pn=0,5IknUk=0,5Ik maxαn(θ)ξгрЕk пропорциональна величине коэф-
фициента αn(θ). Отношение мощностей равно Pn(θopt)/P2(90°)=
=αn(θopt)/α1(90°). Коэффициенты αn(θopt) были определены в за-
даче 8.29. Используем программу MathCad.
90 S T1 sin ( T1) cos ( T1)
T1 , D1 D1 0.5 ,
180 S ( 1 cos ( T1) )
α2 α3 α4 α5 α6 α7
= 0.551 ; = 0.369 ; = 0.277 ; = 0.222 ; = 0.185 ; = 0.159 .
α1 α1 α1 α1 α1 α1
Эти величины близки к их приближённым значениям Pn/P1=1/n,
полученным в работе [39], − 0,50; 0,33; 0,25; 0,20; 0,17; 0,14;
б) ηen/ηe1=α0(90°)αe(θopt)/α1(90°)α0(θopt)=0,8. Таким образом, КПД
данного умножителя не зависит от кратности умножения.
в) Pвхn=0,5Uбэ1Iб1. С учётом соотношений Uбэ = Ikm /[S (1–cosθ)]
и Iб 1= Uбэ Sб γ(θ) получим
2
Pв х1 ⎛ 1 − cos θ opt ⎞ ⎛ 0 ⎞
0.5(1 − cos θ opt )
2
40 π
=⎜ ⎟⎟ ⎜ γ1 (9 0 ) ⎟ = ; θ= ;
⎜ 1 − cos 90 0 ⎜ γ (θ ) ⎟ 180
Pвхn ⎝ ⎠ ⎝ 1 opt ⎠ γ1 ( θ opt )
2
θ − sin(θ ) cos (θ ) 0.5(1 − cos(θ)
γ 1 (θ ) = ; S= ; S = 0,418,
π γ ( θ)
1
где S = Pвх1/Рвх2. Аналогично находим отношения мощностей
для остальных углов отсечки (см. задачу 8.28). Ответ: 0,639;
0,418; 0,311; 0,248; 0,206; 0,175. Эти величины близки к их при-
ближённым значениям Pвх1/Pвхn = 1,23/n, полученным в работе
[39], − 0,615; 0,410; 0,308; 0,25; 0,205; 0,176.
г) Rn=ξEk/(Ikmαn(θ)). Отношение сопротивлений равно
Rn/R1 =α1(90°)/αn(θopt). Коэффициенты αn(θopt) были определе-
ны в задаче 8.29. Из последнего равенства находим отношение
сопротивлений 1,814; 2,709; 3,608; 4,507; 5,406; 6,306. Эти вели-
чины близки к их приближённым значениям Rn/R1=n, получен-
ным в работе [39], − 2; 3; 4; 5; 6; 7.
8.31. Емкость перехода любого полупроводникового прибора: ем-

кость коллекторного перехода транзисторов, p-n-перехода ва-
ракторов и ДНЗ. Наибольшее применение находят варакторы
и ДНЗ, обладающие минимальными потерями.
8.32. Теоретический КПД при θ=0 равен 1, поскольку в идеальной
емкости нет потерь. Практически КПД<1 из-за потерь мощнос-
ти в варакторе, фильтрах и других элементах умножителя.
8.33. См. рис.: а) 12.1; б) 12.2, б, где С – барьерная емкость.
8.34. См. рис. 12.4.
8.35. После задающего генератора необходимо включить несколько
транзисторных усилителей, которые увеличивают мощность
колебаний до значения, несколько превышающего заданную
мощность в антенне. Поскольку варакторы используются там,
где нет подходящих по мощности транзисторов, выходные кас-
кады выполнены на варакторах. Варакторные умножители по-
вышают частоту до рабочего значения.
8.36. ВУЧ содержит соединенные последовательно источник входно-
го сигнала, входной и выходной фильтры, варактор и нагрузку.
8.37. η = 1/(1+Pпот/Pп).
8.38. а) используются на частотах более 10 ГГц в удвоителях и утро-
ителях частоты; б) используются на частотах менее 10 ГГц в УЧ
большой кратности. Мощность и КПД этих УЧ оказываются
достаточно большими даже при n=5…7.
8.39. а)отечественные диоды в диапазоне частот 100 МГц <f< 10 ГГц;
б) от единиц до сотен ГГц (см. табл. 8.1).
8.40. По сравнению с варакторами УЧ на ДНЗ обеспечивают более
высокий КПД при высокой кратности умножения.
8.41. В режиме частичного отпирания ДНЗ происходит скачек тока
диода, который приводит к увеличению интенсивности высо-
ких гармоник в спектре этого тока.
8.42. а) Qв = f пред / f = 10 ; б), в), г), д) 10.
8.43. а) 1ГГц; б) 3 ГГц; в) 5 ГГц; г) 30 ГГц; д) 50 ГГц.
8.44. 3 Ом; 3 ГГц.
8.45. а) r = 1 / [ 2π f пред (Сд − Ск ) ] = 1,3 Ом; б) 1,3 Ом; в) 3,2 Ом;
г) 1,8 Ом; д) 1 Ом.
9.1. АГ преобразуют энергию источника питания в энергию переменного
тока без внешнего возбуждения. Частота и амплитуда автоколеба-
ний определяется собственными параметрами АГ. Кроме того, для
АГ большое значение имеет процесс возникновения колебаний при
его запуске и вопросы устойчивости стационарного режима.
9.2. Смычковые и духовые музыкальные инструменты, часовые
механизмы, работа сердца, движение планет и др. Автоколеба-
тельные системы описывают одинаковые уравнения.
9.3. а) АГ радиочастотного и оптического диапазона, колебания стру-

ны, работа сердца и лёгких; б) самовозбуждение усилителей,
автоколебания мостов, крыльев самолёта (флаттер) и т. п.
9.4. а) если при любых малых отклонениях амплитуды колебаний
от стационарного уровня автоколебательная система стремится
вновь вернуться к состоянию со стационарной амплитудой;
б) при любых малых отклонениях частоты система стремится
вернуться к состоянию со стационарной частотой.
9.5. Не обязательным является условие самовозбуждения, однако,
в этом случае для возникновения автоколебаний необходимо
внешнее воздействие с достаточно большой амплитудой и час-
тотой, близкой к резонансной частоте КС автогенератора.
9.6. Пригодны.
9.7. а) магнетроны, лазеры, ЛОВ; отражательные клистроны; АГ на
ТД и ЛПД, ДГ; б) АГ на лампах и транзисторах.
9.8. Самовозбуждение автоколебаний происходит в режиме малых
амплитуд, а в стационарном амплитуда колебаний велика.
9.9. При энергетических расчётах АГ среднюю крутизну считают
вещественной величиной (φs0), поскольку можно пренебречь
небольшим сдвигом фаз, возникающим из-за наличия высших
гармонических составляющих входного напряжения, а также
запаздыванием первой гармоники выходного тока АЭ относи-
тельно этого напряжения.
9.10. В мягком режиме средняя крутизна при малых амплитудах
с ростом амплитуды колебаний падает, а в жёстком – растёт.
В мягком режиме амплитуда колебаний с изменением ОС из-
меняется плавно, а в жёстком – скачкообразно.
9.11. Нужно сместить рабочую точку в область малой крутизны S0
активного элемента.
9.12. Нужно выбрать рабочую точку: а) в точке перегиба ВАХ (в
области максимальной дифференциальной крутизны АЭ);
б) в области малой дифференциальной крутизны.
9.13. Нелинейный элемент ограничивает амплитуду автоколебаний.
Без него амплитуда увеличивалась бы вплоть до пробоя.
9.14. Чаще всего, АЭ. Иногда нелинейной является КС или цепь
обратной связи.
9.15. Условие устойчивости баланса амплитуд выполняется: а) на
всей кривой; б) правее точки 1.
9.16. а) условие устойчивости баланса амплитуд выполняется в
любой точке характеристики G1(U); б) условие устойчивости
баланса амплитуд выполняется лишь при G1>G1max и потому
возбуждение и срыв колебаний происходят при различных зна-
чениях Rн.
9.17. а), б) амплитуда максимальна при бесконечно большом сопро-

тивлении нагрузки ( точка 5 на рис. 9.5).
9.18. В точке 6 не выполняется условие устойчивости баланса ам-
плитуд, поэтому скачкообразно установятся колебания с амп-
литудой, соответствующей точкам 2 или 7.
9.19. а) амплитуда автоколебаний U плавно возрастёт от нуля до значе-
ния, соответствующего точке 4; б) плавно уменьшится до нуля.
9.20. а) условия самовозбуждения начнёт выполняться для прямой
d и скачком установится амплитуда, соответствующая точке
3. В точке 4 будет несколько большая амплитуда; б) плавно
уменьшится от значения, соответствующего точке 4 до соот-
ветствующего точке 1, а затем скачком до нуля.
9.21. В мягком режиме зависимость S1(U) монотонная, а в жёст-
ком – немонотонная, причём левее точки 1 на рис. 9.5, б не вы-
полняется условие устойчивости баланса амплитуд.
9.22. а) возможно, зависимость 1/Rн соответствует прямой c на
рис. 9.5, б. При этом условие самовозбуждения не выполня-
ется и для возбуждения колебаний необходимо внешнее воз-
действие, например, ударное возбуждение КС при включении
напряжения питания; б) возможно, при ударе уменьшилось со-
противление контактов и, соответственно, возросло сопротив-
ление Rн, так что стало выполняться условие самовозбуждения
(прямые d и e на рис. 9.5, б) или же из-за временного наруше-
ния контакта возникло внешнее воздействие достаточной амп-
литуды; в) возросла средняя крутизна (проводимость) S1.
9.23. Условие устойчивости баланса фаз выполняется: а) на всей
фазовой характеристике; б) на участках от a до b и от c до d.
9.24. На участках ω01 и ω03, так как на этих частотах выполняется
условие устойчивости баланса фаз.
9.25. Наиболее наглядно – снять частотную характеристику, напри-
мер, с помощью измерителя частотных характеристик. По ЧХ
можно определить резонансные частоты, полосу пропускания
и сопротивление на каждой из резонансных частот.
9.26. Такую характеристику могут иметь два связанных параллель-
ных контура при связи больше критического значения – двух-
контурная КС автогенератора; одноконтурный АГ при сильной
связи с резонансным волномером или резонансной нагрузкой
(колебательный контур, антенна или длинный фидер, в кото-
ром не обеспечен режим бегущей волны).
9.27. Скачки частоты возможны в АГ, КС которых имеют несколько
резонансных частот (см. ответ к вопросу 9.26). Для генерации
одной частоты нужно использовать КС с одной резонансной
частотой, или понизить резонансные сопротивления на неже-
лательных частотах, или же в момент возбуждения автоколеба-

ний подавать на АГ напряжение необходимой частоты.
9.28. Скорее всего, КС такого АГ имеет несколько резонансных
частот. Возбуждение автоколебаний на каждой из этих частот
зависит от величины резонансного сопротивления и полосы
пропускания КС, а также начальной частоты и амплитуды ко-
лебаний. При одинаковых условиях самовозбуждения генера-
ция той или иной частоты происходит по случайному закону.
9.29. Теоретически и экспериментально доказано, что а) в мягком
режиме работы возможна одновременная генерация только на
одной из резонансных частот КС. Для данной КС это могут
быть частоты ω01 или ω03. На частоте ω02 не выполняется усло-
вие устойчивости баланса фаз; б) в жёстком режиме возможен
полигармонический режим, то есть одновременная генерация
нескольких частот. Для данной КС это могут быть частоты ω02
или ω03, а также одновременно ω01 и ω03.
9.30. Теоретически и экспериментально доказано, что лучшие ус-
ловия самовозбуждения колебаний получаются при больших
значениях резонансного сопротивления и полосы пропускания
КС. При одинаковых условиях самовозбуждения решающее
значение имеет начальная амплитуда колебаний. Если же на-
чальная амплитуда колебаний определяется шумовым напря-
жением (например, дробовым шумом АЭ), то генерация той
или иной частоты происходит по случайному закону.
9.31. См. ответы к двум предыдущим вопросам. а) возможна гене-
рация только на одной из резонансных частот. Нужно обеспе-
чить на необходимой частоте большие значения резонансного
сопротивления и полосы пропускания КС или же в момент
самовозбуждения подать на АГ внешнее напряжение необхо-
димой частоты и достаточной амплитуды; б) самовозбуждение
колебаний в жёстком режиме невозможно. Для возбуждения
одной или нескольких частот необходимо подать на АГ вне-
шние напряжения соответствующих частот. При этом для воз-
буждения нескольких частот удобно использовать широкопо-
лосные сигналы, например шумовое напряжение или короткий
импульс.
9.32. См. рис. 9.3.
9.33. Задавшись током в контуре, нужно определить напряжения
на выходном электроде АЭ и на всём контуре и вычислить их
отношение.
9.34. а) U а = jωL I K ; U с = ± jωL I K ; K = −U с / U а = ± M / L . Для обеспе-
чения противофазности напряжений на сетке и аноде нужно
правильно выбрать подключение концов катушки ОС , тогда
К=M/L; б) напряжение сток-исток равно U си = j ωL1I K . Напря-

жение затвор-исток равно U зи = j ωL 2 I K , K = −U зи / U си = L 2 / L1 ;
в) и г) U бэ = I / jωC 2 , U к э = − I / jωC1 , K=C1/C2.
9.35. В таких АГ φа≈0, zн=Rн и φк′+φs≈0. S0K′Rн>1; S1K′Rн=1; φк′+φs+φ=0;
∂S1/∂A<0; ∂(φк′+φs+φ)/∂ω<0.
9.36. Условие баланса амплитуд может не выполняться, если слиш-
ком малы коэффициент обратной связи, средняя крутизна АЭ
или резонансное сопротивление колебательной системы. Усло-
вие баланса фаз может не выполняться, например, в генераторе
с индуктивной обратной связью при ошибочном подключении
выводов обмотки обратной связи. Условие самовозбуждения мо-
жет не выполняться, например, при малой крутизне АЭ в ра-
бочей точке. Амплитуда колебаний автогенератора может быть
неустойчивой в жёстком режиме возбуждения колебаний. Час-
тота автоколебаний может быть неустойчивой в многоконтур-
ных и, в частности, двухконтурных автогенераторах.
9.37. а) прямая a зависимости 1/Rн на рис. 9.5, а или прямые a,
b, c на рис. 9.5, б; б) прямые a на рис. 9.5, а,б; в) АГ по схе-
ме рис. 9.3, а при неправильном подключении катушки ОС;
г) участок характеристики левее точки 1 на рис. 9.5, б; д) учас-
ток b–c на рис. 9.6, б.
9.38. Начальное смещение необходимо для того, чтобы вывести ра-
бочую точку на ВАХ транзистора в область большой крутизны
выходного тока, иначе не произойдёт самовозбуждение.
9.39. В момент возбуждения колебаний сеточный ток и напряжение
автоматического смещения равны нулю, а крутизна S0 велика.
При нарастании амплитуды колебаний увеличиваются сеточ-
ный ток и напряжение смещения, обеспечивая малый угол от-
сечки, что необходимо для высокого электронного КПД.
9.40. В АЭ с «правыми» характеристиками необходимо использовать
фиксированное отпирающее напряжение такой величины, что-
бы крутизна проходной характеристики АЭ была достаточной
для самовозбуждения колебаний. Использование автоматичес-
кого или комбинированного смещения позволяет уменьшить
угол отсечки выходного тока после возбуждения автоколеба-
ний, а также стабилизировать режим работы АЭ.
9.41. Ввиду значительно большей крутизны транзисторов.
9.42. а) анодный ток протекает как при наличии, так и при отсутс-
твии автоколебаний и потому не может быть индикатором
автогенерации; б) при возникновении автоколебаний появля-
ются сеточный ток и напряжение на сопротивлении сеточного
автосмещения. Сеточный ток или напряжение автосмещения
удобно использовать для контроля за работой автогенератора.
9.43. Удобнее всего использовать автоматическое смещение за счёт

сеточного тока. При отсутствии колебаний такое смещение рав-
но нулю вследствие отсутствия сеточного тока. При нулевом
смещении θ=180° и крутизна S0 велика. При нарастании коле-
баний сеточный ток и напряжение смещения увеличиваются, а
угол отсечки уменьшается.
9.44. Во избежание прерывистой генерации. Последняя может воз-
никнуть, если постоянная времени RC-цепи автоматического
смещения превышает время нарастания амплитуды колебаний.
9.45. f=955 кГц. Из условия баланса амплитуд S1p2Qω(L1+L2)·L2/L1=1,
где p=L1/(L1+L2) находим S1=6 мСм.
9.46. а), б) при выбранных значениях питающих напряжений нужно,
например, графическим методом определить амплитуду первой
гармоники выходного тока I1 при нескольких значениях амплиту-
ды входного напряжения U и затем вычислить отношения I1/U.
9.47. В недонапряжённом режиме работы АЭ при углах отсечки вы-
ходного тока 90° или 180°.
9.48. а) при U < Eвх–Е′вх АЭ работает в классе А и S1=S0=const. При
U>Eвх–Е′вх c ростом U угол отсечки и, соответственно, S1 умень-
шаются. При U>Uгр АЭ перейдёт в перенапряжённый режим
и S1 резко уменьшится; б) θ=90°, в области недонапряжённого
режима S1=0,5S0=const; в) при U<Е′вх–Евх ток АЭ и S1 равны
нулю. С ростом U появится выходной ток и S1 начнет увели-
чиваться. При U>Uгр АЭ перейдёт в перенапряжённый режим
и S1 резко уменьшится.
9.49. Как и в ГВВ. Например, можно включить в анодную цепь
АГ активное сопротивление r, величина которого значительно
меньше резонансного сопротивления контура, и измерить амп-
литуду U импульсов высокочастотного напряжения на этом со-
противлении (пиковым вольтметром или осциллографом). При
этом амплитуда импульсов анодного тока будет равна U/r.
9.50. Первый вариант. Можно контролировать угол отсечки по
осциллограмме импульсов выходного тока. Второй вариант.
Можно сорвать автоколебания и установить угол отсечки с по-
мощью внешнего источника автосмещения так же, как в ГВВ.
Заметив необходимое напряжение смещения, возбудить АГ и
подобрать сопротивление автоматического смещения, которое
обеспечит такое же напряжение смещения.
9.51. S0≥1/[(K–D)Rp2]=20 мСм.
9.52. S1≥1/[(K–D)R]=2,2 мСм.
9.53. Схема АГ приведена на рис. 9.3, а. Частота генерации близка к
резонансной частоте анодного контура ω ≈ ω0 = LC . Резонанс-
ное сопротивление анодной цепи равно R =Q/ L / C , K=M/L.

Условие самовозбуждения S0(M/L–D) Q/ L / C >1.
9.54. Из условия самовозбуждения при D=0 получим S0KQω0L>1,
откуда f 0 > 1 / (2π S 0 K Q L) = 10,6 кГц.
9.55. Схема автогенератора приведена на рис. 9.3, в. Генерируемая
частота близка к резонансной частоте параллельного кон-
тура ω ≈ ω0 = (С1 + С 2) / ( L1C1C 2) . Коэффициент обратной
связи K=Uбэ/Uкэ=С1/С2. Коэффициент включения контура
относительно точек коллектор-эмиттер транзистора равен
p=Uкэ/(Uкэ+Uбэ)=C1/C2[C1(C1+C2)]=1/(1+K). Резонансное со-
противление относительно точек коллектор-эмиттер транзистора
равно p Qρ = R = ω0Q L / (1 + K ) = Q L / [ C1(1 + K ) ] .Условие
2 2 3/ 2
самовозбуждения S 0 ( K − D) R = S 0Q L ( K − D) / [ C1(1 + K ) 3 / 2 ] > 1 .

9.56. Первый способ. Определяем параметры: K=Uбэ/Uкэ=С1/С2=0,25;
p=Uкэ/(Uкэ+Uбэ)=C1/C2[C1(C1+C2)]=1/(1+K)=0,8; сопротив-
ление контура относительно точек коллектор-эмиттер равно
R = p 2Q ρ = p 2Q L(C1 + C 2) / [C1C 2] = p 2Q L( K + 1) / C1 = 506 Ом.
Подставив в условие самовозбуждения S0KR≥1 значения ве-
личин, получим 10·10-3·0,25·506=1,26>1. Неравенство выпол-
няется, следовательно, автогенератор самовозбудится. Второй
способ. Запишем условие самовозбуждения в общем виде и
получим тот же ответ S 0 K R = S 0 K Q L / [ C1(1 + K ) 3 / 2 ] = 1,26 > 1 .
9.57. Необходимая расстройка контуров получается на частоте
ω=3,1·108 рад/с; λ=2π·с/ω=6,06 м.
9.58. Ua=ξEa=7 кВ; Uc=KUa=1,4 кВ; амплитуда напряжения между
катодами равна Uкк=2Ua=14 кВ; амплитуда напряжения между
сетками равна Ucc=2Ua+2Uc=16,8 кВ.
9.59. K=1/[S1Ra]+D=(3,5·10-3·1,5·103)-1+0,015=0,205; Ua=ξEa=9 кВ;
Uc=KUa=1,85 кВ. Амплитуда напряжения между катодами рав-
на 2Ua=18 кВ. Амплитуда напряжения между сетками равна
2(Ua+Uc)=21,7 кВ.
9.60. Отражательные клистроны, магнетроны, ЛОВ, диодные СВЧ-
генераторы, лазеры.
9.61. Так как эти приборы имеют отрицательные сопротивления
различных типов.
9.62. Возможность работы в широком диапазоне частот, малые габа-
риты и масса, простота, малая выходная и потребляемая мощ-
ность, склонность к паразитной генерации.
9.63. Так как ТД имеют отрицательную проводимость в очень ши-
роком диапазоне частот.
9.64. Во избежание паразитной генерации следует использовать ТД
с малым пиковым током, большой величиной Cп и rп , но малой
величиной Lк.
9.65. Чтобы получить малое резонансное сопротивление паразитно-

го контура и тем самым избежать паразитной генерации.
9.66. При выбранном значении напряжения питания нужно гра-
фическим или аналитическим методом определить амплитуду
первой гармоники тока диода I1 при нескольких значениях амп-
литуды напряжения на диоде U и вычислить отношения I1/U.
9.67. См. рис. 9.36 к задаче 9.68.
9.68. U,B U,B
0,3 0,3
0,2
U 0 = 0,3В 0,2 U 0 = 0,4В
0,1 0,1
200 400 600 200 400 600

R H = 1 G0 R H , Ом R H = 1 G1 max R H = 1 G 0 RH ,О м
Рис.9.36. Нагрузочные характеристики автогенератора:
а – в мягком; б – в жестком режиме самовозбуждения
9.69. а) 0; б) 0,25 В; в) 0,28 В.
9.70. а) 0,16 В; б) 0,29 В; в) 0,38 В, но условие самовозбуждения
не выполняется; для возбуждения колебаний необходима либо
достаточная амплитуда внешнего воздействия, либо изменение
сопротивления нагрузки от Rн ≥ 350 Ом до номинального зна-
чения 250 Ом.
9.71. а) 0,14 мВт, 0,4, 500 Ом; б) 0,35 мВт, 0,4, 200 Ом; в) 1,4 мВт,
0,4, 50 Ом; г) 3,5 мВт, 0,4, 20 Ом.
9.72. а) Rн=1/Iп=500 Ом, С1=Q/(ω Rн)=19 нФ, L1=1/(ω2С1)=5,3 мкГн;
б) 47,6 нФ, 2,1 мкГн; в) 190 нФ, 0,53 мкГн; г) 476 нФ,
0,21 мкГн.
9.73. а) произойдёт срыв автоколебаний, так как нарушится условие
баланса амплитуд; б) уменьшатся колебательная мощность и
стабильность частоты, исказится форма выходного напряже-
ния.
9.74. а) увеличатся резонансное сопротивление контура и час-
тота автоколебаний, уменьшатся колебательная мощность и
стабильность частоты, исказится форма выходного напря-
жения; б) уменьшится резонансное сопротивление контура
RH = Q L / C , нарушится условие баланса амплитуд и про-
изойдёт срыв автоколебаний.
9.75. а) 500 Ом, 0,14 мВт; б) С1=Q/(ωRн)=16 нФ, 1,6 мкГн;
в) G0 max = 10 мСм, Lв 2 = Cп rп / G0 max − Lв = 10,5 нГн.
9.76. Как наиболее простые и обеспечивающие генерацию одной
частоты.
9.77. Реальные схемы АГ всегда многоконтурные. На практике ис-

пользуют идеализированные модели, точность которых тем
выше, чем больше удалены резонансные частоты паразитных
контуров от частоты автоколебаний. а) наиболее употребитель-
ны в диапазоне длинных, средних и коротких волн; б) чаще
всего на ультракоротких волнах и при кварцевой стабилиза-
ции частоты; в) преимущественно в диапазоне ультракоротких
волн.
9.78. При таком включении можно получить более высокий КПД.
9.79. Так как дроссели невысокого качества влияют на элементы
контура и снижают стабильность частоты. Кроме того, как и в
ГВВ, наличие дросселя в схеме благоприятствует возникнове-
нию паразитных автоколебаний.
9.80. Эти названия являются условными, так как АГ не возбужда-
ется внешним сигналом, а является автономной системой. Вы-
бор той или иной схемы определяется конструктивными тре-
бованиями к разрабатываемому АГ и применяемым элементам
(например, предусмотрено заземление коллектора транзистора
или подключение варикапа).
9.81. Из удобства теплоотвода, подачи питающих и модулирующих
напряжений.
9.82. Не зависит.
9.83. Как и в ГВВ – при симметричных видах нагрузки, осуществле-
нии широкополосных видов АМ, модуляции АГ очень коротки-
ми импульсами, а также для увеличения выходной мощности и
улучшения фильтрации выходного напряжения.
9.84. См. рис. 9.12.
9.85. Реактивности входной и выходной цепи АГ должны быть од-
ного знака, поэтому для схемы с общим катодом ω<ωa<ωg, с
общим анодом ωк<ω<ωg, c общей сеткой ωк<ω<ωa.
9.86. В этих схемах элементы C1, L1, L2 определяют резонансную
частоту КС АГ. Использовано частичное включение контура во
входную и выходную цепи АЭ. Резистор R1 создаёт ООС по
постоянному току и тем самым стабилизирует величину выход-
ного тока транзистора. Использована последовательная схема
питания выходной цепи АЭ; а) конденсаторы C2 и C3 – блоки-
ровочные; б) конденсаторы C2 и C3 – блокировочные, резистор
R1 включен параллельно входной цепи ПТ; в) конденсаторы
C2 и С4 – блокировочные, конденсатор небольшой ёмкости С3
обеспечивает слабую связь АЭ с КС; делитель R2, R3 создаёт
отпирающее напряжение на базе БТ.
9.87. В схемах с заземлённой базой или с заземлённым затвором
в цепи питания можно вместо дросселя использовать резис-
тор. По высокой частоте этот резистор включен параллельно

низкоомной входной цепи АЭ, так что можно пренебречь его
шунтирующим влиянием на КС.
9.88. Во всех схемах элементы L1, C1, C2 определяют резонансную
частоту КС автогенератора. В схемах рис. 9.9 и 9.10 резистор R1
создаёт ООС по постоянному току и тем самым стабилизирует
величину выходного тока транзистора. По переменному току
резистор R1 включен параллельно входной цепи транзистора
и выполняет роль дросселя. Делитель на резисторах R2 и R3
создаёт отпирающее напряжение на базе БТ. Конденсаторы С3
и С4 – блокировочные; в) светодиод служит для индикации
наличия напряжения питания и стабилизации отпирающего
напряжения на базе транзистора; д) конденсатор небольшой
ёмкости С3 обеспечивает слабую связь АЭ с КС. Резистор R1
включен параллельно выходной цепи АЭ и выполняет роль
дросселя; при малой ёмкости С3 резистор R1 слабо шунтиру-
ет КС автогенератора.
9.89. а) элементы L1, С1, С2 и С3 образуют КС автогенератора. Кон-
денсатор С4 – блокировочный, L2 – разделительный дроссель.
Элементы L2, R1 включены параллельно выходной цепи АЭ.
Использовано частичное включение контура во входную и вы-
ходную цепи АЭ. Резистор R1 в этой схеме удачно выполняет
две функции: обеспечивает ООС транзистора по постоянному
току и вносит потери в паразитный колебательный контур L2,
C1; б) элементы L1, L2, L3 и С3 образуют КС автогенератора.
Конденсаторы С1 и С2 – блокировочные. Использовано частич-
ное включение контура во входную и выходную цепи АЭ. Бла-
годаря наличию трёх контурных индуктивностей, использовано
последовательное питание входной и выходной цепи АЭ.
9.90. а) f 0 = 1 / [2π ( L1 + L 2) C1] = 7 4,05 МГц; б) 1,014 МГц;
в) 107,36 МГц; г) 2,05 МГц; д) 208,4 МГц; е) 16,98 МГц.
9.91. Диаметр провода 0,2…0,6 мм, катушки – 20 мм.
9.92. При DuuВ. Это неравенство обычно справедливо для тетро-
дов, пентодов, БТ и ПТ.
9.93. а) при f<fmax для ПТ можно принять Sf=S. Амплитуда первой
гармоники тока стока равна IC1=IC0g1(θ)=2,6 мА. Амплитуда на-
пряжения на стоке U C =(E–E И)ξ=1,3 В, R н=U C/I C1=500 Ом,
K=1/(S 0γ 1(θ)R н)=1, P 1=0,5U CI C1=1,7 мВт, P н=P 1η н =1,2 мВт,
P с=(E–E И)I C0–P 1=2,3 мВт, η е=P 1/P 0=0,4, η=P н/(ЕI C0)=0,24;
б) для определения дифференциальной крутизны тран-
зистора на рабочей частоте находим: r б=5τ К/С К=200 Ом,
S =75 мСм, f S=f T/(Sr б)=13 МГц. При f Sf можно принять
S f=S. I K1=I K0g 1(θ)=16мА. U К=(E–E Э)ξ=8 В, R н=U К/I К1=500 Ом,
K=1/(S fγ 1(θ)R н)=0,06, P 1=0,5U KI K1=64 мВт, P н=P 1η к=38 мВт,

P 0= (E–E Э)I К0=100 мВт, η е=P 1/P 0 =0,64, P К=P 0–P 1=36 мВт,
η=P н/(ЕI К0)=0,29;
в) см. вариант б) этой задачи; r б=44 Ом, S=110 мСм,
f S=186 МГц, S f=97 мСм, I K1=5,6 мА, U К=3,7 В, R н=660 Ом,
K=0,024, P 1=10,4 мВт, P н=5,2 мВт, P 0=24,5 мВт, P К=14,1 мВт,
η е=0,42, η=0,19.
9.94. Q H=Q 0(1–η K)=30, C1=Q/[ωR н(1+К) 2]=33 пФ,
L2=L1=[ω 2C1(1+К)] -1=71 нГн.
9.95. Q H=Q 0(1–η K)=24, L1=R н(1+К) 2/(ωQ H)=3,7 мкГн,
C1=Q H/[ωR н(1+К)]=7,2 нФ, C2=C1/К=120 нФ.
9.96. K2Rн=1,8 ОмR1=270 Ом – практически не шунтирует.
9.97. См. решение задачи 9.94; Qн=35, L1=31 нГн, С1=82 пФ. Ем-
кость идеального конденсатора равна C2н=C1/K=3400 пФ. Ем-
кость реального конденсатора при паразитной индуктивности
4 нГн равна С2=C2u /(1+ω2LпС2u)=528 пФ.
9.98. K2Rн=0,38 ОмR1=220 Ом – практически не шунтирует.
9.99. См. решения задач 9.93 и 9.95; rб=357 Ом, S=34 мСм, fS=20 МГц.
При fSf можно принять Sf=S. IK1=2 мА, EЭ=IК0R1=5 В,
UK=(12−5)·0,85=6 В, Rн=3 кОм, K=0,013, P1=6 мВт, Pн=1,8 мВт,
L1=12 мкГн, C1=520 пФ, C2=40 нФ.
9.100. K2Rн=0,5 Ом R1=3300 Ом – практически не шунтирует.
9.101. См. решения задач 9.93 и 9.95; rб=188 Ом, S = 63 мСм,
fS=126 МГц, Sf=34 мСм, IK1=4,2 мА, EЭ=IК0R1=1,7 В,
UK=(8−1,7)·0,7=4,4 В, Rн=1050 Ом, K=0,039, P1=9,2 мВт,
Pн=7 мВт, Qн=20, L1=45 нГн, C1=15 пФ, C2И=373 пФ. Ёмкость
конденсатора при LП=6 нГн равна С2=81 пФ.
9.102. K2RН=1,6 ОмR1=560 Ом – практически не шунтирует.
9.103. а) К=С1/С2, ω2L1C=1, коэффициент включения контура в вы-
ходную цепь АЭ равен p=C/C1=1/(1+K+C1/C3), Rн=p2Q/(ωC);
б) K=L2/L1, ω2С(L1+L2+L3)=1, p=ω2L2C=1(1+K+L3/L1), C3=C,
Rн=p2Q/(ωC).
9.104. Пьезоэлектрические.
9.105. Постоянство во времени резонансных частот, устойчивость к
внешним воздействиям (механическим, температурным, влаж-
ности, атмосферному давлению), высокая добротность, малые
габариты и эквивалентная ёмкость.
9.106. Обычно ωкв, так как ωп зависит от изменяющихся внешних
ёмкостей АГ, подключённых параллельно ёмкости С0.
9.107. Геометрические размеры кварцевой пластины. Чем меньше
размеры пластин, тем выше резонансные частоты. На практике
достижима минимальная толщина пластин около 0,1 мм, что
соответствует основной частоте около 20 МГц. При меньшей
толщине пластина становится хрупкой и затрудняется точная

подгонка частоты резонатора.
9.108. На основном типе колебаний около 30 МГц, а на механических
обертонах около 20…30 МГц. КР, работающие на объёмных коле-
баниях сдвига по толщине, имеют основную частоту 250 МГц.
9.109. При построении АГ, работающих на частотах более 5...10 МГц,
обычно используют КР с колебаниями на высших механичес-
ких гармониках.
9.110. Превышение допустимой мощности приводит к изменению
частоты, ускоренному старению или даже разрушению пьезо-
элемента. Кроме того, при повышенной мощности возрастает
амплитуда колебаний пьезоэлемента и резко увеличивается
связь основного колебания с нежелательными резонансными
частотами, то есть ухудшается моночастотность КР.
9.111. См. рис. 9.16, а. На очень низких частотах КР представляет
собой некоторую эквивалентную ёмкость. С повышением час-
тоты ёмкостное сопротивление последовательной ветви LквCкв
уменьшается, а индуктивное − возрастает. Равенство их вели-
чин достигается на частоте последовательного резонанса ωкв.
На частотах ω>ωкв существенно влияние ёмкости С0. В интер-
вале частот ωкв<ω<ωп реактивное сопротивление носит индук-
тивный характер, а на более высоких − ёмкостной.
9.112. См. рис. 9.16, б.
9.113. а) 1,125; б) 20; в) 40; г) 6,75; д) 3 кГц. На частоте 20 МГц.
9.114. а) 2,8 Гн; б) 0,04 Гн; в) 2,6 мГн; г) 8,4 мГн.
9.115. Скв=С0p=6·10-3 пФ; Lкв=4,2 Гн; Qкв=5,3·105.
9.116. p=1,5·10-3; Lкв=17 мГн; Qкв=2,1·105.
9.117. fкв=3,98 кГц; Qкв=5·104; p=4·10-3.
9.118. а) Скв=0,04 пФ; Lкв=4·104 Гн; ρ= Lк в Ск в =109 Ом; Qкв=
=ρкв/rкв=105; fп−fкв=0,5pfкв=4 Гц; б) 0,01пФ; 0,1 Гн; 3,16 МОм;
2·105; 5 кГц; в) 2·10-4 пФ; 5,6 мГн; 5,3 МОм; 1,06·105; 3750 Гц.
9.119. ωп =ωкв ⋅ 1 + p ≈ωкв(1+0,5p).
9.120. ωп−ωкв=0,5ωквp. Так как обычно p=5·10-2…5·10-5 (см. табл. 9.2),
то ωп −ωквωкв.
9.121. В реальных условиях параллельно ёмкости С0 подключены
ёмкости кварцедержателя и монтажа.
9.122. Измеряя частоту переменного напряжения, подаваемого на
КР. При совпадении этой частоты с одной из резонансных час-
тот КР резко увеличится амплитуда механических колебаний
кварцевой пластины, а следовательно, и ток через КР. Часто-
тную характеристику КР удобно наблюдать на измерителе час-
тотных характеристик, например Х1-47.
9.123.Параметры С0, Скв и Lкв можно определить, например, резо-

нансным методом. Сущность метода заключается в измерении
трёх частот: частоты последовательного резонанса fкв, частоты
параллельного резонанса fп и нового значения fп’, которое по-
лучается при подключении параллельно КР конденсатора с
известной ёмкостью С1. По измеренным частотам вычисляют
эквивалентные параметры:
f 'n − f к в fn − fкв 1
С0≈С1 ⋅ , Скв≈2С0 ⋅ , Lкв≈ 2 2 .
f n − f 'n fкв 2 π f к в Ск в
Сопротивление rкв можно определить методом замещения, за-
меняя КР малоёмкостным безындукционным резистором.
С ⎛ Ск в ⎞ ⎛ С ⎞
9.124. f′п=fкв ⋅ 1 + к в ≈fкв ⎜⎜1 + 0,5 ⋅ ⎟⎟ , fп≈fкв ⋅ ⎜1 + 0,5 ⋅ к в ⎟ ,
С0 + С1 ⎝ С + С1 ⎠
⎜ С0 ⎟⎠
0 ⎝
fn − fкв
откуда Скв≈2С0 ⋅ , подставив это значение Скв в выраже-
fкв f 'n − f к в
ние для f′п, получим С0≈С1 ⋅ ,.
f n − f 'n
9.125. В измерительной аппаратуре; в высокостабильных связных,
радиовещательных и других РПУ; в качестве гетеродинов при-
ёмников, в блоках синхронизации РЛС и т. п.
9.126. а) обеспечение высокой стабильности частоты, простота
включения КР в электрическую схему и изоляции его от де-
стабилизирующих факторов путём термостатирования, ваку-
умирования и т. п.; б) узкий диапазон перестройки частоты,
невозможность непосредственной стабилизации частоты гене-
раторов СВЧ, малая выходная мощность.
9.127. Изменение температуры.
9.128. В управлении частотой АГ, при котором управляющее воз-
действие вызывает изменения частоты, противоположные собс-
твенным температурным изменениям частоты АГ и в идеале
равные им по величине.
9.129. а) 2·10-6; б) 2,5·10-5; в) 7·10-5.
9.130. Использовать высокочастотный КР и механические гармони-
ки кварцевой пластины, а также гармоники тока АЭ.
9.131. а), б) осцилляторную с КР между коллектором и базой
транзистора, как обеспечивающую наибольшую стабильность
частоты; в) фильтровую с КР в цепи ОС; г) схемы Батлера и
мостовые схемы.
9.132. а) сравнительно легко даже при использовании радиолюби-
тельской технологии и обычных КР; б) необходимо исполь-
зовать термокомпенсацию; в) необходимо термостатирование.
Для вариантов б) и в) покупка промышленного генератора,

вероятно, является наилучшим решением проблемы.
9.133. Мощность, рассеиваемая на резонаторе. Она не должна пре-
вышать нескольких милливатт. В противном случае повышает-
ся нестабильность частоты, ускоряется процесс старения КР и
т. п., вплоть до разрушения КР.
9.134. При повышенных требованиях к стабильности частоты мощ-
ность, рассеиваемая на пьезоэлементе, не должна превышать
10 мкВт. См. ответы к вопросам 9.110 и 9.133.
9.135. С КР в цепи обратной связи.
9.136. а) генерация сорвётся; б) существенно возрастёт нестабиль-
ность частоты.
9.137. 0,42 мкГн.
9.138. См. рис. 9.18, б. Резисторы R1, R2 и R3 устанавливают режим
транзистора по постоянному току.
9.139. а) эквивалентная ёмкостная трёхточечная схема, К=С2/С1;
на частоте колебаний КР имеет индуктивное сопротивление;
б) двухконтурный АГ с общим истоком и ёмкостной связью меж-
ду контурами. На частоте колебаний КР и контур L1С2 имеют
индуктивные сопротивления. Конденсатор С3 – блокировочный.
Использована последовательная схема питания выходной цепи
при нулевом напряжении на затворе транзистора.
9.140. КС ёмкостной трёхточки с заземлённой базой образована
элементами L1, C3 и С4. В цепи ОС включён КР. Для компен-
сации паразитного влияния ёмкости С0 резонатора использо-
вана индуктивность L2. Резисторы R1, R2 и R3 устанавливают
режим транзистора по постоянному току. Резистор R3 создаёт
ООС по постоянному току и тем самым подавляет паразитные
колебания и стабилизирует величину коллекторного тока. Кон-
денсаторы С1 и С2 – блокировочные.
9.141. В АГ по схеме рис. 9.17, а роль контурной индуктивности
выполняет КР. Для питания выходной цепи необходимо ис-
пользовать дроссель или резистор. Параллельно нестабиль-
ным ёмкостям транзистора включены конденсаторы С1 и С2.
Достоинствами АГ по схеме рис. 9.17, б являются возможность
работы на механической гармонике КР и последовательное пи-
тание выходной цепи.
9.142. Ток делителя напряжения на резисторах R1 и R2 должен быть
гораздо больше тока базы. Оптимальное падение напряжения
на резисторе R3 равно 1...3 В. При увеличении R3 повышает-
ся стабильность тока Iк0 и меньше шунтируется входная цепь
транзистора. Однако чрезмерное увеличение R3 не даёт сущес-
твенного выигрыша по стабильности, но приводит к необходи-
мости увеличивать напряжение питания.
9.143. Частота колебаний близка к резонансной частоте колебатель-

ного контура L1, C3,C4 − 99,7 МГц, К=С4/С3=1. Можно при-
нять напряжение база-эмиттер открытого германиевого тран-
зистора равным 0,4 В, а Iк≈Iэ. Делитель создаёт напряжение
на базе 1,4 В. Напряжение эмиттерного автосмещения равно
1,4−0,4=1 В, а ток эмиттера равен 3,3 мА.
9.144. а) при установке номинального значения частоты в процессе
изготовления; б) для компенсации температурной нестабиль-
ности частоты и коррекции изменения частоты из-за старения,
при подстройке частоты в кольце ФАПЧ и т. п.
9.145. а) ωкв не изменится, ωп уменьшится, интервал уменьшится;
б) ωкв не изменится, ωп возрастёт, интервал увеличится.
9.146. а) ωкв увеличится, ωп не изменится, интервал уменьшится;
б) ωкв уменьшится, ωп не изменится, интервал увеличится.
9.147. Для получения наибольшего интервала нужно частоту ωкв
уменьшить, а ωп − увеличить. С этой целью подключают ин-
дуктивности последовательно с КР и параллельного ему.
9.148. Чаще всего − варикапы.
9.149. Основную.
9.150. Схема ёмкостной трёхточки с заземлённой базой и ёмкостями
связи C4 и C5. На частоте генерации контур L4C3 эквивалентен
индуктивности. Резисторы R2, R3 и R4 устанавливают режим
транзистора по постоянному току.
9.151. КР использован как высокодобротный последовательный кон-
тур. КС ёмкостной трёхточки с заземленной базой образована
конденсаторами С4, С5 и контуром L4C3. Этот контур на часто-
те генерации представляет собой эквивалентную индуктивность.
Индуктивности L2 и L3 сдвигают частоты параллельного и пос-
ледовательного резонанса КР в противоположные стороны,что
способствует линеаризации характеристики управления. Индук-
тивность L1 и ёмкость варикапа образуют последовательный ко-
лебательный контур с резонансной частотой 27 МГц. Резистор R1
включён в цепь подачи управляющего напряжения на варикап.
Большое сопротивление резистора R1 слабо шунтирует варикап.
Конденсаторы С1 и С2 – блокировочные. Резисторы R2, R3 и R4
устанавливают режим транзистора по постоянному току.
9.152. Резистор автосмещения R4 обеспечивает стабилизацию тока
транзистора благодаря отрицательной ОС по постоянному
току. Сравнительно большое сопротивление этого резистора
слабо шунтирует низкоомную входную цепь транзистора.
9.153. Существенно возрастет стабильность тока транзистора даже
при небольшом падении напряжения на стабилизаторе. Это
простое и экономичное решение.
9.154. Увеличение сопротивления R4 повышает стабильность тока

транзистора, но приводит к увеличению падения напряжения
на нём. См. ответ 9.142.
9.155. Параметры КР, рабочая частота и диапазон перестройки час-
тоты.
9.156. К=С4/С5=0,4; L1=2,9 мкГн. Напряжение база-эмиттер от-
крытого кремниевого транзистора можно принять равным
0,8 В. Делитель создаёт напряжение на базе 3 В. Напряжение
эмиттерного автосмещения равно 3–0,8=2,2 В, а ток эмитте-
ра – 4,3 мА.
9.157. Суммарная ёмкость колебательной системы АГ равна
С=23,5 пФ, Lэ=1/(ω2С)=1,46 мкГн. Проводимость контура равна
1 ξ
Yвх=1/Zвх= + j , где ξ ≈ 2QΔω/ω0, ρ=1/(ω0С3). Прирав-
Qρ Qρ
няв реактивные проводимости ξ/(Q ρ)=1/(ωLэ), полу-
чим Δω=1/(2ωC3Lэ), L4=1/(ω02C3)=0,2 мкГн, Δf=2,1 МГц,
f0=f +Δf =29,1МГц.
9.158. а) высокие рабочая частота, технологичность и устойчивость
к внешним воздействиям, миниатюрность, низкая цена и др.;
б) меньшая, чем у КР, стабильность частоты.
9.159. Медленное распространение акустической волны в пьезоэ-
лектрической подложке. Скорость ПАВ в кварце в 105 раз мень-
ше скорости электромагнитной волны.
9.160. а) 150 мкм; б) 7 мкм; в) 3 мкм.
9.161. Пьезоэлектрическая подложка, преобразователь ВЧ-сигнала
в акустические колебания и отражатели.
9.162. Резонаторы ПАВ имеют меньшие габариты, меньшие вноси-
мые потери (до 1…5 дБ), меньшую чувствительность к техно-
логическим дефектам и меньшие статические ёмкости.
9.163. Двухвходовый резонатор содержит не один, а два ВШП и
представляет собой узкополосный фильтр. Эквивалентная схе-
ма одновходного резонатора совпадает с эквивалентной схемой
кварцевого резонатора.
9.164. Из-за меньшей, чем у КР, стабильности частоты. Для мало-
мощных передатчиков разрешены сравнительно большие до-
пустимые отклонения частоты.
9.165. Cm=1/(ωQRm)=1,85 пФ; Lm=72 мкГн; 160 кГц.
9.166. От 10 МГц до 3 ГГц.
9.167. В системах пожарной и охранной сигнализации квартиры или
автомобиля; в мобильных системах дистанционного управле-
ния замками, гаражными воротами, шлагбаумами и игрушками;
для беспроводной передачи значений температуры, влажности,
атмосферного давления, скорости ветра и т. п.
9.168. а) высокие рабочая частота и стабильность частоты, возмож-

ность перестройки частоты в широких пределах и осущест-
вления непосредственной ЧМ, миниатюрность, устойчивость
к внешним воздействиям и др.; б) меньшая, чем у АГ на КР,
стабильность частоты и меньший, чем у LC-генераторов, диа-
пазон рабочих частот.
9.169. а) добротность КС и стабильность частоты АГ на ПАВ на
1...2 порядка выше, чем LC-генераторов, но LC-генераторы
имеют более широкий диапазон рабочих частот. АГ на ПАВ
обладает высокой механической прочностью и возможностью
микроэлектронного исполнения; б) АГ на ПАВ обеспечивают
гораздо более высокие рабочие частоты и механическую про-
чность, но меньшую стабильность частоты.
9.170. ПАВ-резонатор выполняет роль индуктивности КС. Конден-
саторы С2, С3 осуществляют положительную ОС. Резисторы
R2, R3 стабилизируют ток коллектора. Конденсатор С1 – бло-
кировочный, а С4 − связи с нагрузкой. Резистор R1 устанав-
ливает в цепи ток базы Iб, который вызывает ток коллектора
Iк=Iбβ0.
9.171. К=С3/С2=1, L=62 нГн. КС автогенератора шунтирует сопро-
тивление R3. Коэффициент включения этого сопротивления ра-
вен p=0,5. При Q0Qн можно принять Rн=p2QнωL≈R3=560 Ом,
откуда Qн=14.
9.172. Напряжение база-эмиттер открытого кремниевого транзисто-
ра можно принять равным 0,7 В. По второму закону Кирхгофа
E=U + (R2+R3)Iко и U=0,7+R1Iко/β0, откуда
а) Iко =(Е−0,7)β0/(R1+R2β0+R3β0)=0,5 мА; б) 1 мА; в) 1,5 мА.
При изменении β0 в пять раз ток изменится лишь в три раза.
9.173. Из выражения для тока Iк0 (см. решение предыдущей задачи)
видно, что Iк0 слабо зависит от β0 при (R2+R3) β0>R1. Нужно
уменьшить R1 либо увеличить сопротивление R2+R3 и исполь-
зовать транзисторы с большим значением β0.
9.174. Через резисторы R2, R4 на базу транзистора поступает вне-
шнее отпирающее смещение. На резисторе R5 выделяется на-
пряжение автосмещения. За счёт ООС это напряжение ста-
билизирует величину выходного тока АГ. Конденсаторы С3
и С5 осуществляют положительную ОС. L1 – индуктивность
КС автогенератора. L2 – блокировочный дроссель. C7L3C9 −
П-контур, согласующий выходную цепь УМ с антенной. С4,
С10 – конденсаторы межкаскадной связи и связи с нагрузкой.
Конденсаторы С1, С6, С8 – блокировочные.
9.175. а) ёмкостная трёхточка образована элементами L1C3C5 и ём-
костью выходной цепи транзистора. На частоте последователь-
ного резонанса ПАВ-резонатора база транзистора соединена с

корпусом. Резистор R5 шунтирует входную цепь транзистора;
б) на коллектор транзистора поступает напряжение питания
3...6 В, а на базу – отпирающее смещение через резисторы R2R4.
На резисторе R5 выделяется напряжение автосмещения.
9.176. К=0,225, суммарная ёмкость КС равна 1,9 пФ, L1=70 нГн.
Сопротивление ненагруженной КС относительно точек база-
эмиттер транзистора равно Q0ωL1K2/(1+K)2 = 452 Ом. При
шунтировании входной цепи транзистора сопротивлением
R5=470 Ом сопротивление КС и её добротность уменьшатся
примерно в два раза.
9.177. KS0Rн=KS0QнωL/(1+K)2=1, откуда К=0,038.
9.178. Постоянная времени ФНЧ равна τ=R2C2=8·10-6 с. Ско-
рость передачи данных равна: а) 0,5/τи=0,5/2τ =30,8 кбит/с;
б) 15,4 кбит/c; в) 3,8 кбит/с. При τи/τ = 2 скорость передачи
данных наибольшая, но форма модулирующих импульсов на
выходе ФНЧ близка к треугольной. При τи/τ = 16 форма им-
пульсов близка к прямоугольной, но мала скорость передачи
данных.
9.179. Можно установить непрерывный режим работы АГ и стаби-
лизировать величину питающих напряжений; увеличить доб-
ротность КС АГ в том числе, путём увеличения сопротивле-
ния резистора R5, шунтирующего входную цепь транзистора;
уменьшить величину коэффициента ОС, которая при нынеш-
них параметрах схемы в 6 раз больше необходимой для само-
возбуждения АГ (см. решение задач 9.176 и 9.177).
9.180. При воздействии на АГ внешнего сигнала колебания происхо-
дят не на собственной частоте АГ, а на частоте, равной, кратной
или дробно-кратной частоте внешнего сигнала.
9.181. АГ генерирует на ту частоту, на которую настроен его зада-
ющий контур, а на частоту внешнего сигнала (его гармоники
или субгармоники).
9.182. Нужно внести внешний сигнал в какую-либо высокочастот-
ную цепь работающего АГ. При изменении частоты этого сигна-
ла частота колебаний АГ в некоторой полосе перестройки будет
синхронизированной (захваченной) частотой сигнала.
9.183. Возможна синхронизация всех АГ.
9.184. а) синхронизация позволяет значительно повысить долго-
временную и кратковременную стабильность частоты. Взаим-
ная синхронизация в процессе сложения мощности нескольких
АГ в общей нагрузке или в пространстве даёт возможность уве-
личить выходную мощность. Явление синхронизации может
использоваться для умножения и деления частоты, усиления,
ограничения и детектирования сигналов с УМ и т. п.; б) при

наличии паразитных связей между АГ явление захватывания
возникает самопроизвольно и препятствует их работе на близ-
ких частотах.
9.185. Простота схемы и способность работать как на низких, так и
на очень высоких частотах.
9.186. В диапазоне СВЧ трудно непосредственно получить мощный
сигнал со стабильной частотой.
9.187. а) в основном диапазоне СВЧ; б) при построении синтезато-
ров и стандартов частоты, в возбудителях генераторов и гете-
родинах приёмников.
9.188. Да. При равенстве частоты автоколебаний и частоты вне-
шнего сигнала синхронизированный АГ по существу является
усилителем мощности.
9.189. Из формулы для полосы синхронизации видно, что коэффи-
циент усиления по мощности обратно пропорционален полосе
синхронизации и внешней добротности КС.
9.190. Нужно увеличить амплитуду синхросигнала.
9.191. Возможна.
9.192. а) 50,6; б) 50,3; в) 50,4 МГц.
9.193. Можно, так как шумы в АГ возникают независимо от автоко-
лебаний и по отношению к последним могут рассматриваться
как внешнее воздействие.
9.194. а), б) происходит хаотическое изменение фазы автоколеба-
ния. Это приводит к размытию спектра автоколебания. Вместо
дискретной спектральной линии, соответствующей монохромо-
тическому колебанию, получается сплошной спектр. Эти изме-
нения можно охарактеризовать среднеквадратичными значени-
ями частоты и фазы автоколебания.
9.195. По его нагрузочным характеристикам.
9.196. Можно подавать в любую высокочастотную цепь. а), б) непос-
редственно подать во входную или выходную цепь АГ; в), г) ес-
ли в конструкции АГ предусмотрен специальный вывод для
синхронизирующего напряжения, то непосредственно ввести
в колебательную систему. Если такого вывода нет, то следует
использовать циркулятор или же подключить синхронизирую-
щий источник к фидеру, соединяющему АГ с нагрузкой.
9.197. Нужно использовать равенство ηк=1–Qн/Q0. При высоком
контурном КПД Qвн≈Qн.
9.198. а) Qвн = 32,6, 2Δf = 38,8 МГц; б) 12,3 МГц; в) 3,9 МГц; г) 1,23 МГц.
9.199. Так как Kр1, то Qв н = f 0 (2Δf K р ) = 35 .
9.200. Qвн = Q0 Qн /(Q0–Qн) = 300. Так как Kр = 800/20 1, то
2Δf = f 0 (Qв н K р ) = 0,37 МГц.
9.201. В ЛОВ с внутриламповой нагрузкой, поглощающей волну, отра-

женную от рассогласованной внешней нагрузки, (см. разд. 16 и 17).
9.202. Потому что в некоторой полосе частот не выполняется усло-
вие устойчивости баланса фаз (рис. 9.6, б).
9.203. Явлениями затягивания частоты называются явления из-
менения частоты автогенератора под влиянием перестройки
нагрузочных цепей. Они возникают в случае, когда нагрузка
имеет реактивную составляющую входного сопротивления. Та-
кой нагрузкой могут быть: резонансный фильтрующий контур;
антенна; резонансный волномер; длинный фидер, в котором не
обеспечен режим бегущей волны. Изменения частоты при за-
тягивании могут быть не только плавными, но и скачкообраз-
ными.
9.204. а) при плавной перестройке нагрузочной цепи происходят
скачкообразные изменения частоты и амплитуды автоколеба-
ний; б) при включениях АГ случайно возникают автоколебания
той или иной частоты или же обеих частот одновременно.
9.205. В АГ с многорезонансными, и в частности, с двухконтурными
КС возможны два и более устойчивых стационарных режима
с различными частотами и амплитудами колебаний. Частота
автоколебаний в таких АГ зависит, в частности, от того, как
происходила перестройка КС: путём увеличения или уменьше-
ния ее резонансной частоты.
9.206. По мере возрастания связи АГ с нагрузочным контуром уве-
личивается максимум мощности, которая может быть передана
в нагрузку, но также увеличивается влияние нагрузочного кон-
тура на частоту и амплитуду автоколебаний. При связи больше
критической могут происходить скачки частоты автоколебаний
и тока в нагрузке.
9.207. а) 0,1; б) 0,02; в)0,004.
9.208. В резонансных волномерах используют высокодобротные
контуры, так что критическое значение коэффициента связи
kкр=1/Q2 получается очень малым. Кроме того, при слабой свя-
зи меньше погрешность измерения частоты, поскольку меньше
проводимость, вносимая из волномера в контур АГ.
9.209. а) увеличение стабильности частоты за счет подсоединения
к контуру АГ второго (высокодобротного) контура; б) скач-
кообразное изменение частоты автоколебаний при плавной
перестройке КС, невозможность настройки АГ на некоторые
частоты и т. п.
9.210. Благодаря высокой крутизне ∂В/∂ω характеристики реак-
тивной проводимости двухконтурной КС на рабочих частотах,
значительно большей, чем для одноконтурной КС.
9.211. Необходимо устранить или компенсировать реактивную со-

ставляющую нагрузки, вносимую в контур автогенератора.
С этой целью обеспечивают слабую связь резонансного волно-
мера с контуром автогенератора; обеспечивают в нагрузочном
фидере режим бегущей волны; уменьшают длину фидера; ис-
пользуют буферные каскады или ферритовые развязывающие
приборы.
9.212. а) плавная перестройка частоты АГ или вариация длины фи-
дера сопровождается скачкообразными изменениями частоты
и мощности автоколебаний, а в некотором интервале частот
генерация вообще невозможна; б) каждый очередной импульс
случайным образом возникает на одной из двух возможных
частот генерации.
9.213. При большой длине фидера l получается резкая зависимость
фазы коэффициента отражения от частоты ∂φ/∂ω=2l/Vф.
9.214. Если импульс закончится до прихода волны, отраженной от
нагрузки, не будет взаимодействия прямой и отраженной вол-
ны. Из неравенства τ<2l/Vф получим l>0,5τVф.
9.215. Используя решения предыдущей задачи, получим: а) 6 м;
б) 24 м; в) 60 м.
9.216. а) φ = 2ωl/Vф + φ0; б) ∂φ/∂ω = 2l/Vф.
9.217. Г = (ρ − 1) (ρ + 1) = 0,33 ; F0 < (5(1 − Г ) ⋅ υф ) ( 48π Г lк р ) = 7,2 МГц.
2
9.218. Г = 0,26; lк р = 5(1 − 0,26) 2 ⋅ 0,9 ⋅ 3 ⋅108 (48π ⋅ 0,26 ⋅ 6 ⋅107 ) = 0,3 м.
9.219. Можно уменьшить величину КСВ и длину линии между АГ
и нагрузкой, включить вблизи нагрузки вентиль или поглоти-
тель, а также использовать буферный каскад или АГ с малой
полосой затягивания.
9.220. В любой радиосистеме, независимо от ее назначения, диа-па-
зона рабочих частот и режима работы, повышение стабильности
частоты передатчика позволяет уменьшить необходимую ширину
полосы приемника и тем самым увеличить дальность действий
и повысить помехоустойчивость системы. Кроме того, высокая
стабильность частоты является необходимым условием качест-
венной передачи информации, точного определения параметров
движения цели, а также облегчает решение проблемы ЭМС, что
очень важно при современной загруженности эфира.
9.221. Изменение температуры АГ, механические воздействия, изме-
нение параметров нагрузки АГ и напряжений источников пи-
тания, изменения влажности и давления окружающей среды,
внешние электромагнитные поля, шумы АЭ и КС.
9.222. Наиболее широко применяются: параметрическая стабилиза-
ция частоты; синхронизация внешними колебаниями; исполь-
зование АПЧ; использование высокодобротных КС (кварцевых,

диэлектрических и сверхпроводящих резонаторов) и внешних
по отношению к генератору высокодобротных КС, которые
обеспечивают затягивание частоты стабилизируемого АГ.
9.223. Ослабление связи АГ с нагрузкой, стабилизация питающих
напряжений, использование термокомпенсации и термостаби-
лизации; использование в КС автогенератора материалов и
деталей с высокой эталонностью и малыми потерями; выбор
схемных решений, обеспечивающих наименьшее влияние ре-
жима АЭ и последующих каскадов на частоту автоколебаний.
9.224. КС высокостабильного АГ должна обладать высокой добро-
тностью и эталонностью; ёмкость эталонного контура, использу-
емого при параллельном резонансе, должна быть большой, а ис-
пользуемого при последовательном резонансе – малой. Частота
автоколебаний должна быть близка к резонансной частоте КС.
9.225. а) изменение температуры влечёт за собой изменение гео-
метрии катушек, конденсаторов, соединяющих шин и т. п.
В итоге меняется частота контура АГ. Изменение напряжений
на электродах АЭ приводит к изменению его междуэлектро-
дных емкостей, угла отсечки и амплитуды импульсов входного
и выходного токов. Это приводит к изменению фазовых углов.
Изменение параметров нагрузки изменяет резонансную часто-
ту КС и её добротность. Изменения температуры, влажности и
т. п. чаще всего обладают низкочастотным спектром и приводят
к медленным изменениям частоты автоколебаний; б) механизм
воздействия шумов на частоту автоколебаний разнообразен:
через изменения фазы автоколебаний, крутизны АЭ и т. п. На-
ибольший уровень шумов создают АЭ. Тепловые и дробовые
шумы приводят к быстрым изменениям частоты АГ.
9.226. Стабильность частоты передатчика определяется не только
стабильностью частоты АГ, но и параметрами умножителя час-
тоты. При каждом удвоении частоты фазовые шумы возрастают
приблизительно на 6 дБ. Кроме того, применение умножения
частоты усложняет аппаратуру, ведёт к увеличению габаритных
размеров и энергопотребления.
9.227. ТКЧ = 0,5(ТКИ + ТКЕ ) = 20 ⋅10 −6 , Δf = −ТКЧ ⋅ f ⋅ ΔT = −660 Гц.
9.228. Δf = ТКЧ ⋅ ΔT ⋅ f = 0,25 Гц.
9.229. ϕ = −2Q Δf f 0 = −(ϕ s + ϕk ) = −10 ,
0
Δf = ϕа f 0 (2Q) = 0.5 ⋅ 30 ⋅106 ⋅10 ⋅ π (180 ⋅ 30) = 87 кГц.

9.230. φ=−2QΔf/f0=−φsΔf=−0,5·3·106·20·π/(180·100)=−5,2 кГц,
f=2994,8 кГц.
9.231. ϕ = −2Q Δf f = −ϕ k , Δf = 0,5ϕ к f 0 Q = 150 Гц, f = (3 ⋅106 + 150) Гц.

9.232. Широко применяемые LC-автогенераторы обеспечивают на-
ибольшую перестройку частоты и наибольший диапазон рабо-
чих частот, однако обладают невысокой стабильностью частоты.
Добротность их колебательной системы обычно не превышает
100, а параметры не обладают достаточной стабильностью и
эталонностью. Автогенераторы на ПАВ по стабильности час-
тоты занимают промежуточное положение между LC-автоге-
нераторами (кроме АГ со сверхпроводящими резонаторами)
и кварцевыми АГ. Добротность колебательной системы АГ на
ПАВ лежит в пределах 100…10 000. Возможность построения
АГ без использования индуктивностей позволяет легко осу-
ществить микроэлектронное исполнение. Достоинствами АГ на
ПАВ являются малые габариты, масса, высокая механическая
прочность и малая чувствительность к вибрациям. Кварцевые
резонаторы имеют наибольшую добротность и обеспечивают
наибольшую стабильность частоты (табл. 9.3).
9.233. Истинное значение частоты f0 неизвестно, оно может быть по-
лучено только в результате бесконечного процесса измерений
с бесконечным совершенствованием методов и средств изме-
рений. При неограниченном увеличении числа измерений и в
отсутствии систематических погрешностей среднее арифмети-
ческое fср стремится к истинному значению частоты.
9.234. Количество измерений N выбирают из компромиссных сооб-
ражений. При увеличении N и в отсутствие систематических
погрешностей среднее арифметическое стремится к истинному
значению измеряемой величины. Однако проведение большого
числа испытаний отнимает много времени и требует высокой
стабильности условий эксперимента для исключения система-
тических погрешностей. Из этих соображений обычно выби-
рают (N=5…10).
9.235. Быстрые изменения частоты обязаны своим происхождени-
ем быстро изменяющимся воздействиям, носящим случайный
характер, и потому следует использовать формулу для сред-
неквадратичного отклонения. При медленных изменениях
частоты, характеризуемых долговременной нестабильностью
частоты, наибольшую роль играет детерминированная состав-
ляющая и потому используют формулу для среднего арифме-
тического.
9.236. а) fср=2500093 Гц; D=1243 Гц2; √D/fср=0,00141%; б) при
вычислениях следует отбросить промахи – Δf=100212 Гц
и 100207 Гц, которые сильно (на величину, превышаю-
щую 3σ) отличаются от результатов остальных измерений;
fср=1800100092,7031 Гц; D=1243,2100 Гц2; √D/fср=0,00000001958;

в) при вычислениях следует отбросить промахи – Δf = 442
и 570 Гц; fср=170000000+502,8333 Гц; D=309,8056 Гц2;
√D/fср=0,000001822.
9.237. Используем программу Mathcad при следующих обозначе-
ниях:
f1i, f2i, f3i, f4i, f5i – значение i-й частоты при времени усредне-
ния τ, равному 1; 10; 100; 1000 и 10000 мс соответственно;
N – количество измерений частоты;
fcp1, fcp2, fcp3, fcp4, fcp5 – среднее значение частоты;
D1, D2, D3, D4, D5 – дисперсия частоты;
σ1, σ2, σ3, σ4, σ5 – абсолютная нестабильность частоты;
F1, F2, F3, F4, F5 – относительная нестабильность частоты.
Расчётные формулы [71]:
N N
σ1
(f1 − fcp1)
1 1
N ∑ ∑
2
fcp1 := ⋅ f1 D1 := ⋅ F1 :=
i N i fcp1
i=1 i=1
σ1 := D1 .
Результаты расчёта сведены в таблицу.
τ, мс 1 10 100 1000 10000
fср, Гц 2000 2000,00002 2000,00004 2000,00004 2000.00004
D, Гц2 0 1,5999·10-3 1,9999·10-5 9,0000·10-8 7.5999·10-9

σ, Гц 0 0,0400 3,9999·10-3 3,0000·10-4 8.7177·10-5
F 0 1,9999·10-5 1,9999·10-6 1.4999·10-7 4.3588·10-8
Из таблицы видно, что во всех сериях измерений средние зна-

чения частоты получились практически одинаковыми. Это свиде-
тельствует о достаточной стабильности условий эксперимента. В
противном случае измерения пришлось бы повторить при более
стабильных условиях. Из таблицы также видно, что при времени
усреднения 1 мс случайная погрешность измерения частоты от-
сутствует (дисперсия частоты равна нулю). Это свидетельствует о
низкой точности частотомера в данном режиме работы. Измерения
частоты при τ=1мс являются недостоверными и потому при пост-
роении графика должны быть отброшены.
При построении графика использован режим отображения эк-
спериментальных точек. Точки на графике соединены отрезками
прямых. Ввиду большого диапазона величин использован логариф-
мический масштаб.
⎛ F1 ⎞ ⎛ 0.001 ⎞
⎜ F2 ⎟ ⎜ 0.01 ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
Присвоенные значения: a := ⎜ F3 ⎟ t := ⎜ 0.1 ⎟
⎜ F4 ⎟ ⎜ 1 ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ F5 ⎠ ⎝ 10 ⎠
4
1 .10
5
1 .10
6
a 1 .10
7
1 .10
8
1 .10
0.01 0.1 1 10
t
Из рисунка видно, что при малом времени усреднения τ диспер-

сия близка к дисперсии мгновенного отклонения частоты, а при
увеличении τ – убывает, стремясь к нулю.
3
1 .10
4
1 .10
5
a 1 .10
6
1 .10
7
1 .10 3
1 .10 0.01 0.1 1 10
t
5
1 .10
6
1 .10
a
7
1 .10
8
1 .10
0.1 1 10
t
9.240. а) при самовозбуждении колебаний, пока амплитуда коле-
баний мала, усиление АЭ является практически линейным и
АГ можно считать линейной системой; б) с ростом амплиту-

ды колебаний начинает проявляться нелинейность системы
(кривизна ВАХ АЭ) и усиление снижается. Таким образом, на
последнем этапе установления колебаний основную роль игра-
ет нелинейный характер системы, без учета которого не могут
быть определены процесс установления амплитуды колебаний
и стационарное состояние АГ.
9.241. Точнее схема 9.25, а, поскольку в высокостабильных АГ осу-
ществляют слабую связь с нагрузкой. При этом основные по-
тери будут в катушке индуктивности.
9.242. При высокой добротности контура R=L/(C·r).
9.243. u=f(u)R=f(u)rQ2 из этого равенства видно, что rf(u) в Q2
меньше u.
9.244. i+iC+iL+iR=i+Cdu/dt+1/L∫udt+u/R=0. Дифференцируя это
уравнение по t, получаем Cd2u/dt2+1/R·du/dt+di/dt+u/L=0.
Воспользовавшись тождеством di/dt=di/du·du/dt последне-
му ДУ можно придать окончательный вид d2u/dt2+1/C·du/dt·
·(1/R+df(u)/du)+ω02u=0, где ω02LC=1. Как и следовало ожидать,
получилось нелинейное ДУ. Для того чтобы амплитуда колеба-
ний нарастала, коэффициент при первой производной должен
быть отрицательным. Отсюда получается условие самовозбуж-
дения df(u)/du+1/R<0. При самовозбуждении амплитуда коле-
баний мала и поэтому df(u)/du=S0, где S0 – дифференциальная
крутизна АЭ в точке возникновения колебаний.
9.245. а) при принятых на рис. 9.24 обозначениях получим следу-
ющие уравнения для переменных составляющих токов и на-
пряжений i=iC+iL, iC=C·duC/dt, uC=riL+LiL/dt, u=±M·diL/dt. Знак
в правой части последнего уравнения зависит от того, каким
образом (встречно или согласно) включены катушки АГ. Из
условия баланса фаз выбираем знак плюс. Исключая из пер-
вого уравнения ток iC, получаем с помощью второго и третьего
уравнений LCd2iL/dt2+rC·diL/dt+iL=i. Для перехода к переменной
u полученное уравнение нужно продифференцировать и под-
ставить затем значения производных тока iL из соотношений
diL/dt=u/M, d2iL/dt2 =1/M·du/dt, d3iL/dt3 =1/M·d2uL/dt2. Тогда по-
лучим L/M·d2u/dt2+r/M·du/dt+u/(MC)=1/C·du/dt или d2u/dt2+
+r/L·du/dt+ω02u=ω02M·di/dt, где ω02LC=1. Воспользовавшись
тождеством di/dt=di/du·du/dt последнему ДУ можно придать
окончательный вид d2u/dt2+(r/L−ω02M·di/du)du/dt+ω02u=0.
Функция di/du и, соответственно, полученное ДУ – нелиней-
ны. Для того, чтобы амплитуда колебаний нарастала, коэффи-
циент при первой производной должен быть отрицательным.
Отсюда получается условие самовозбуждения r/L<ω02M·di/du.
Используя принятые обозначения K=M/L, R=L/(C·r) и учи-

тывая, что при самовозбуждении колебаний их амплитуда
мала и di/du=S0, условие самовозбуждения можно записать
в виде S0KR>1; б) исходные уравнения: i=iC+iL+iR, iL=1/L∫udt,
iC=Cdu/dt, iR=u/R, u3=Mdi2/dt=(M/L)u=Ku. После подстановок
получим: Cd2u/dt2+du/dt·1/R+u/L=di/dt. Воспользовавшись
тождеством di/dt=di/duз·duз/dt=di/duз·K·du/dt последнему
ДУ можно придать окончательный вид d2u/dt2+d/dt·(1/(RC)–
–K/Cdi/duз)+ω02·u=0. При самовозбуждении начальная ампли-
туда колебаний мала, di/duз= =S0 и условие самовозбуждения
можно записать в видe S0KR>1.
9.246. См. решение предыдущей задачи. Принятые обозначения:
i – ток в контуре; iC=f(u) – переменная составляющая тока
стока; u – напряжение на затворе, равное напряжению на
контуре; М – взаимная индуктивность между контурной ка-
тушкой и катушкой OC; K=M/L. а) в соответствии со вторым
законом Кирхгофа имеем уравнение напряжений на контуре
Ldi/dt+ri+1/C∫idt= MdiC/dt, где в правой части стоит ЭДС, на-
водимая в контуре катушкой связи. Учитывая, что u=1/C∫idt,
i=Cdu/dt и di/dt= Cd2u/dt2, получим LCd2u/dt2+rCdu/dt+u=
MdiC/dt или d2u/dt2+(r/L−ω02MdiС/du)du/dt+ω02u=0. KS0R>1,
где S0=df(u)/du, R=L/(C·r); б) iL=−iC−iR, u=LdiL/dt+MdiC/dt, от-
куда d2u/dt2+1/C·du/dt·(1/R−M/L·diC/du)+ω02u=0; S0KR>1.
9.247. Да, так как вблизи выбранной резонансной частоты слож-
ную высокодобротную КС можно представить в виде эквива-
лентного контура. Этот эквивалентный контур имеет такие же
основные параметры (резонансную частоту, добротность и со-
противление), как и сложная КС.
9.248. а) принятые обозначения: C – емкость КС, L1– индуктив-
ность в выходной цепи АЭ, L2 – индуктивность во входной
цепи АЭ, R – резонансное сопротивление КС относительно
точек подключения емкости C, K=L2/L1 – коэффициент ОС,
p – коэффициент включения контура в выходную цепь АЭ,
iK=f(u) и uK=u/K – переменные составляющие коллекторного
тока и напряжения. Для удобства анализа представим КС авто-
генератора в виде параллельного контура R′L′C′, включенного
в выходную цепь АЭ (см. ответ к вопросу 9.247). Используя
известные соотношения, определим параметры эквивалентно-
го контурa R’=p2R, L′=p2L, C′=C′/p2. Согласно закону Кирхгофа
iK=u/(KRp2)+C/(Kp2)·du/dt+1/(KLp2)·∫udt. Дифференцируя это
уравнение по t и используя тождество diк/dt=diк/du·du/dt, по-
лучим Cd2u/dt2+(1/R−Kp2 diк/du)du/dt+ u/L=0. Для самовоз-
буждения колебаний коэффициент при первой производной
должен быть отрицательным. Отсюда получаем условие само-

возбуждения KS0Rр2>1, где S0 – дифференциальная крутизна
АЭ в точке возникновения колебаний; б) KS0Rр2>1.
9.249. Эти методы пригодны для исследования колебаний, близких
по форме к синусоидальным. Такие колебания получаются при
использовании высокодобротных КС.
9.250. Можно. См. ответ к вопросу 9.247.
9.251. а) располагая графиками можно выполнить расчеты толь-
ко графическими методами. Их достоинством является на-
глядность, а недостатками громоздкость, относительно малая
точность и недостаточная общность; б) аналитические методы
расчета являются более общими и, как правило, менее громоз-
дкими, особенно при использовании ЭВМ. Однако для анали-
тического расчета необходимо иметь аналитическое выражение
нужной характеристики.
9.252. В связи с отсутствием или сложностью аналитических выра-
жений исследуемых характеристик, например, ВАХ ламп.
9.253. а) сущность широко распространенной кусочно-линейной
аппроксимации, предложенной А. И. Бергом, состоит в заме-
не реальной нелинейной характеристики ломаной, состоящей
из прямолинейных отрезков. Эта аппроксимация является до-
вольно грубой. Она передает малые количественные изменения
качественными скачками, однако в ней учитываются характер-
ные черты нелинейной характеристики; б) аппроксимация по-
линомом третьей степени широко применяется в научных ис-
следованиях. Для упрощения выкладок обычно используют так
называемые укороченные полиномы. При помощи этой аппрок-
симации получены фундаментальные результаты при исследо-
вании мягкого режима работы АГ. Однако полиномом третьей
степени недостаточно хорошо передает особенности характе-
ристик; в) выражения получаются относительно громоздкими,
однако эта аппроксимация позволяет исследовать более тонкие
свойства систем, например, жесткий режим работы АГ.
9.254. Для правильной передачи важнейших особенностей характе-
ристики S1(U) необходима: а) третья; б) 5-ая степень полинома.
9.255. Для упрощения расчетов, поскольку члены с четными степе-
нями не создают компонент первой гармоники тока.
9.256. а) u=Usinωt, i=f(u)=a0+a1u+a2u2+a3u3=a0+a1Usinωt+0,5a2U2–
0,5a2U2cos(2ωt)+3a3U3sin(ωt)/4−a3U3sin(3ωt)/4. Как видим, чле-
ны полинома a0 и a2u2 не создают компонент первой гармоники
тока. I1=a1U+3a3U3/4, S1=I1/U=a1+3a3U2/4; б) см. вариант а).
9.257. См. решение предыдущей задачи.
9.258. а) df(u)/du>1/R; б) df(u)/du=1/R.
9.259. Если за время одного периода колебаний относительное из-

менение амплитуды мало (ΔU/U1).
9.260. Условию медленности изменения амплитуды можно придать
такой вид ΔU=TdU/dtU, откуда dU/dt0,5ωU/π. После диф-
ференцирования получим d2U/dt20,5ωdU/(πdt)=0,25ω2U/π2.
Отбросив в полученных выражениях небольшие множители
0,5/π и 0,25/π2, получим искомые неравенства.
9.261. Пренебрегая малыми изменениями частоты, после двухкрат-
ного дифференцирования предполагаемого решения получим
du/dt=sinωtdU/dt+ωUcosωt, d2u/dt2=sinωt·d2U/dt2 +2ωcosωt·dU/dt–
–ω2Usinωt. Отбросив малые слагаемые производных и подста-
вив упрощенные значения производных в ДУ автогенератора
d2u/dt2−du/dt·(1/С·df(u)/dt−r/L)+ω2u=0, получим (2ωdU/dt−
–ωU/C·df(u)/du+rωU/L)cosωt–(ω2U+ω02U)sinωt=0. Приравняв
нулю коэффициенты при sinωt и cosωt, получим равенство
ω=ω0 и искомое уравнение.
9.262. При U=0, S1=a1>0. Увеличение амплитуды приводит в мягком
режиме к снижению крутизны S1, следовательно, a3<0.
9.263. При U=0, a1=G0, при U=Umax проводимость равна нулю;
а) a1=24 мА/В, Umax=0,17 В, a1+3a3Umax2/4=0, откуда a3=−1107 мА/В3;
б) a1=15,5 мА/В, a3=−215 мА/В3.
9.264. U=2· (1 / 300 − 15 ⋅10 −3 )/( −3 ⋅ 4 ⋅10 −3 ) =1,97 B.
9.265. а) R=Q·ρ=10 Ом. См. решение задачи 9.264 U=4,5 В; б) 10,1 В;
в) 12 В.
9.266. См. решение задачи 9.264. а) U=0,15 В; б) 0,27 В.
9.267. а) 0,17 В; б) 0,29 В. Результаты практически совпадают c рас-
четами – 0,15 и 0,27 В.
9.268. а) S1= a1+3/4 a3U2=1/R, откуда, U = 2 (1 / R − a1 )/( 3a 3 ) ;
б) a1=3a3U2/4+5a5U4/8 =1/R из этого биквадратного уравнения
можно найти амплитуду U.
9.269. Возникновение колебаний и последующее нарастание их
амплитуды до установившейся, определяемой режимом АЭ и
свойствами КС.
9.270. Для самовозбуждения необходима начальная амплитуда
колебаний (даже очень малая). Это могут быть, например,
свободные колебания в КС автогенератора, обусловленные
включением источников питания, а при отсутствии внешних
воздействий – собственные шумы АГ. Благодаря положитель-
ной обратной связи начальные колебания усиливаются и растут
по амплитуде. На начальном этапе, пока амплитуда колебаний
мала, усиление практически линейно.
9.271. Напряжение ударного возбуждения, шумы и внешнее воз-
действие. В момент включения питающих напряжений проис-
ходит ударное возбуждение свободных колебаний в контуре

АГ. Амплитуда этих колебаний зависит от скорости нарастания
питающего напряжения и параметров КС. Bеличина дробового
шума зависит от тока АЭ и параметров КС. Bеличина теплово-
го шума зависит от параметров КС и температуры.
9.272. Нужно уменьшить характеристическое сопротивление КС и
скорость нарастания выходного тока АЭ.
9.273. Uуд=160·300·0,2/5=1,9 мВ.
9.274. Для нарастания амплитуды автоколебаний требуется неко-
торое время. Например, в магнетронах это время составляет
примерно 50 периодов автоколебаний.
9.275. Самовозбуждение и работа магнетрона происходят при анод-
ном напряжении не ниже порогового.
9.276. Если при самовозбуждении АГ начальная амплитуда колеба-
ний определяется шумовым напряжением, то начало возникно-
вения каждого радиоимпульса зависит от выбросов шумового
напряжения и потому не является постоянным относительно
момента подачи модулирующего напряжения.
9.277. Нужно увеличить значения R, G0 и Uн, а емкость контура
уменьшить.
9.278. Наиболее эффективно уменьшать емкость контура С, а при
фиксированном значении емкости – увеличивать сопротивле-
ние контура R=Q/(ωC) путем увеличения его добротности.
9.279. Нужно подать на АГ вспомогательное напряжение с частотой,
близкой к резонансной частоте его КС. Амплитуда этого напря-
жения должна быть значительно больше шумового напряжения
и напряжения ударного возбуждения.
9.281. При фазово-импульсной модуляции такая флуктуация яв-
ляется причиной возникновения дополнительных шумов. В
импульсной радиолокации флуктуации фронта увеличивают
погрешность измерения дальности.
9.282. При включении питающих напряжений через АЭ и контур-
ную индуктивность L протекает ток iL. Этот ток создает на кон-
туре ударное напряжение с амплитудой U=LdiL /dt. Подставив
значение L=R/(Qω0), получим искомую формулу.
9.283. Можно уменьшить скoрость нарастания тока в контурной
индуктивности и повысить добротность КС.
9.284. а) 6,4 мкВ; б) 114 мкВ.
9.285. а) автоколебания не возникнут, так как RG0=0,75<1; б) 829 нс,
n=746; в) 237 нс, n=213.
9.286. а) С=Q/(ω0R)=47 пФ, 243 нс, n=438; б) 35 нс, n=63; в) 13 нс,
n=23;
9.287. а) С = Q/(ωR)=85 пФ, tу=43 нс; б)55 нс; в) 66 нс; г) ∞.
9.288. а) tу/Т=86; б) 110; в) 132; г) при Uн=0 автоколебания не воз-

никнут.
9.289. а) 7,5%; б) 17,5%; в) 25%.
9.290. R=Q/(ω0C)=3,18 кОм, tу=218 мкс, n=109.
9.291. В укороченном ДУ автогенератора нужно использовать па-
раметры контура, эквивалентного на выбранной резонансной
частоте сложной КС (см. ответ к вопросу 9.247).
9.292. Несмотря на кажущуюся малость шумов, они могут являть-
ся решающим фактором, определяющим кратковременную ста-
бильность частоты АГ и время нарастания амплитуды автоко-
лебаний до стационарного значения.
9.293. а) хаотическое тепловое движение носителей заряда в про-
водящих телах; б) дискретная природа заряда и статистическая
независимость движения отдельных носителей заряда.
9.294. а) естественные шумы – тепловой и дробовой, обязаны со-
ответственно тепловому движению носителей заряда и диск-
ретной природе заряда. Они существуют всегда, независимо
от способов изготовления элементов; б) технические шумы –
фликкерный шум и флуктуации параметров обязаны неста-
бильности электрических параметров элементов: сопротивле-
ний, емкостей, крутизны АЭ и т. п. Их величина существенно
зависит от технологии изготовления элементов.
9.295. а), б) горизонтальный частотный спектр, то есть одинаковую
мощность шума вплоть до очень высоких частот – порядка
1012 Гц.
9.296. Подразумевается некоторая аналогия с белым светом, имею-
щим сплошной и более менее равномерный спектр в опреде-
ленной полосе частот. В технике под белым шумом часто под-
разумевают гауссов шум со спектром, равномерным в заданной
(ограниченной) полосе частот.
9.297. На частотах f>kT/h напряжение теплового шума быстро убы-
вает.
9.298. На частотах f>kT/h существенно влияние квантово – ме-
ханических эффектов, а напряжение теплового шума быстро
убывает.
9.299. 0<f<kT/h. При комнатной температуре f6·1012 Гц.
9.300. а) до частот порядка f=kT/h напряжение флуктуаций оста-
ется почти постоянным, а на более высоких частотах быстро
убывает; б) при абсолютном нуле напряжение флуктуаций на
всех частотах равно нулю.
9.301. а) fmax=kT/h=3,6·1012 Гц; б) 1,6·1012 Гц; в) 7,8·1012 Гц;
9.302. а) учитывая, что Δf=0,5π2Δf0.7, получим Uт=0,16 R 2Δf 0.7 [мкВ,
Ом, МГц]; б) Uт=0,14 R 2Δf 0.7 ; в) Uт=0.
9.303. 1,3 мкВ.

9.304. Эти шумы статистически независимы, поэтому U ш = U т2 + U д2р .
( )
9.305. Δ = U т2 + U д2р − U д р U д р а) 2,2; б) 3,1; в) 5; г) 7.
9.306. Не зависит. Шумовое напряжение пропорционально абсо-
лютной полосе пропускания контура.
9.307. а) 116 мкВ; б) 300 мкВ.
9.308. а) 225 мкВ; б) 64 мкВ.
9.309. 1,5 мВ.
9.310. 1,5 мВ.
9.311. 770 мкВ.
9.312. а) 57 нА; 5,7·10-8; б) 57 пА, 5,7·10-5; в) 5,7·10-14А; 5,7·10-2.
9.313. σ i I 0 = 2eΔf I 0 . Относительные флуктуации больше для
малых токов.
9.314. Чем меньше величина тока тем, естественно, резче проявля-
ется его дискретная природа.
9.315. σi2=486·10-20А2, Uдр=22 мкВ.
9.316. а) 27 R I 0 ; б) 20 R I 0 ; в) 18 R I 0 .
9.317. По условию e I 0 R / ( 2k T ) ≥ 3 . Используя равенства U=I1R=
=I0R/g1(θ), получим U≥18kTg(θ)/e. Правая часть последнего не-
равенства для заданных условий максимальна при T=333 К и
g1(40°)=1,9, следовательно, U≥975 мВ.
9.318. Обычно амплитуда выходного напряжения АГ превышает
975 мВ. В таких АГ влиянием теплового шума можно пренеб-
речь.
9.319. а) U д р U т = e I 0 R /( 2k T ) , откуда I0R>2kT/e=36 мВ; б) 50 мВ;
в) 57 мВ.
9.320. а) Uдр= 0.5eRI 0 / C ; Uт = 2k T Rπ2Δf 0.7 , C= 1/(2πR2Δf0.7),
Uдр/Uт= e I 0 R / (2k T ) . Учитывая, что I0=I1/g1(θ), определим
напряжение на контуре I1R>2kTg1(θ)/e=144 мВ; б) 132 мВ;
в) 80 мВ.
9.321. а) Pд р Pт =(U д р U т ) = 1,5 . Используя решение предыдущей
2
задачи, получим I1R=3kTg1(θ)/e=124 мВ; б) 414 мВ; в) 828 мВ.

9.322. При выводе формулы нужно использовать равенства
2Δω0.7RC=1 и Δf=0,5π2Δf0.7.
2 −10
9.323. P1 Pд р = (U U д р ) = 0,5 I1 R /( 7.1 ⋅10 R I 0 2Δf 0.7 ) . Учитывая
2 2
2
равенство I1=I0/g1, получим P1 Pд р = 1018 I 0 g1 / 2Δf 0.7 .
9.324. Чем больше величина тока, тем слабее проявляется его дис-
кретная природа.
9.325. См. решение задачи 9.323. а) 3,3·108; б) 3,3·109; в) 3,3·1010.
9.326. Нужно увеличить ток I0и коэффициент формы тока, а полосу

пропускания КС уменьшить.
9.327. I1 / σ i = I1 / 2e I 0 Δ f = g1 I 0 / (2e Δ f ) . Как видно из получен-
ного выражения, необходимо выбирать малые углы отсечки
для повышения коэффициента формы тока g1, увеличивать ток
I0 и снижать полосу Δf.
9.328. Очевидно, что чем меньше величина тока, тем резче прояв-
ляется его дискретная природа.
9.329. а) I0= 2eΔf (I0/σi)2=32 мкА; б) 3,2 мА; в) 320 мА. См.ответ
предыдущей задачи.
9.330. а) 6·107; б) 6·108; в) 6·109.
9.331. а) 5,7·10-6; б) 1,8·10-5; в) 5,7·10-5.
9.332. а) 2Δf0.7 = 66 МГц, P1/Pдр=1,2·109; б) 1,8·108; в) 0,7·108.
9.333. Нужно увеличить коэффициент формы тока g1 и величину
тока I0, а полосу пропускания КС уменьшить.
9.334. а) не зависит; б) прямо пропорциональна.
9.335. а) 0,75Гц; б) 75 Гц
9.336. а) 75 Гц; б) 15 Гц; в) 3 Гц.
9.337. а), б), в) 2Δf0.7=3,2 МГц, Δfэф=16 Гц.
9.338. а) 17 Гц; б) 3 Гц; в) 0,9 Гц.
9.339. а) 1,4 Гц; б) 2 Гц; в) 2,6 Гц.
9.340. а) 320 Гц; б) 112 Гц; в) 40 Гц.
9.341. а) Uдр=490 мкВ, Δfэф=1,9 Гц; б) Uдр=1,5 мВ, Δfэф=58 Гц.
9.342. Чем меньше величина тока, тем резче проявляется его диск-
ретная природа.
9.343. а) 890 мА; б) 8,9 мА.
9.344. При больших интервалах наблюдения, особенно характерных
для радиоастрономии, а также во всех тех случаях, когда неко-
торые величины определяются через изменение фазы или ин-
терференционном методом, в частности, в радиолокационной
когерентно-импульсной технике.
9.345. Можно повысить отношение U/Uш и уменьшить полосу про-
пускания КС автогенератора, а также синхронизировать АГ
мощным монохроматическим сигналом.
9.346. а) 2,5·10-3 рад; б) 0,11 рад; в) 0,05 рад.
9.347. а) 1,4·10-4; б) 4,5·10-4; в) 1,4·10-3 рад.
9.348. а) Δt = 5 мкс, συ = 1,7·10-3 м/с; б) 1,1·10-2 м/с; в) 0,029 м/с.
9.349. а) 1,7·10-3 м/с; б) 0,0116 м/с; в) 0,028 м/с.
9.350. Δt = 10 мкс, συ = 2,7·10-3 м/с.
9.351. συ/υ = 1,5·10-3.
9.352. а) Δt = 82,6· [σ υ ⋅ TИ ⋅ Q ⋅ g1 ] ⋅ I 0 = 0,0372 мкс, R = 5,58 м; б) 558 м;
2
в) 56 км.
9.353. См. решение задачи 9.352. а) Δt = 372 мкс, R = 56 км;
б) Δt=3,72 мкс, R = 558 м; в) 5,58 м.
9.354. Паразитные автоколебания приводят к излучению паразит-

ных сигналов даже при отсутствии основного сигнала. При вза-
имодействии с основным сигналом они создают на нелинейных
элементах побочные колебания, искажают основной сигнал и
закон полезной модуляции. Мощные паразитные автоколеба-
ния могут повредить АЭ, вызвать пробой конденсаторов, пе-
регорание дросселей, резисторов и т. п.
9.355. На любых частотах как очень низких, так и очень высоких,
если выполняются условия существования автоколебаний.
9.356. Блокировочные конденсаторы, дроссели, взаимные индуктив-
ности неудачно расположенных катушек, а также неявные эле-
менты конструкции, например, индуктивности соединительных
проводов и различные паразитные емкости.
9.357. В ГВВ внутреннюю и внешнюю ОС создают межэлектродные
емкости и индуктивности выводов АЭ, а также электромагнит-
ные связи непосредственно или через общие цепи, например
цепи питания, цепи измерительных приборов и т. п.
9.358. Положительная ОС в каскаде усиления или в нескольких каска-
дах; слишком большие емкости и сопротивления в цепи автосме-
щения, вызывающие прерывистую автогенерацию; периодичес-
кие изменения энергоемких параметров системы (емкости или
индуктивности), вызывающие параметрическую автогенерацию.
9.359. При периодическом изменении величины нелинейных емкос-
тей или индуктивностей, например, в ГВВ на БТ из-за измене-
ния емкостей переходов в динамическом режиме работы.
9.360. а) паразитные ОС; б) паразитные ОС, электротепловая ОС,
параметрические эффекты; в) параметрические эффекты.
9.361. По скачкам параметров выходного сигнала при плавных из-
менениях рабочего режима, выходу из строя АЭ; по искаже-
нию закона модуляции, существенному отличию расчетных и
экспериментальных параметров каскада; по осциллограмме или
спектру сигнала; по наличию высокочастотного напряжения в
ГВВ при снятом возбуждении; по чрезмерному нагреву деталей
или свечению неоновой лампочки вблизи цепей, образующих
паразитный колебательный контур, срабатыванию системы за-
щиты от перегрузок (перегорают плавкие предохранители, раз-
мыкаются контакты автоматов перегрузок и т. п.).
9.362. Прежде всего, необходимо определить ее природу: частоту,
элементы, образующую колебательный контур и цепь ОС. Пос-
ле этого можно составить эквивалентную схему АГ и наметить
способы устранения паразитной автогенерации.
9.363. Включают специальные антипаразитные сопротивления, уст-
раняют длинные ВЧ соединительные проводники, экранируют
ВЧ цепи генератора, используют АЭ с малыми проходными

емкостями и схемы усиления с общей сеткой, правильно рас-
полагают элементы передатчика, используют в промежуточных
каскадах умножители частоты и др.
9.364. Можно включить в паразитный контур безындукционное
сопротивление, например – селитовый резистор; шунтировать
блокировочный дроссель резистором; уменьшить индуктив-
ность или увеличить емкость паразитного контура.
9.365. Использовать схему триодного генератора с общей сеткой или
экранированные лампы; использовать нейтрализацию; снижать
добротность дросселей и паразитных КС.
9.366. Можно внести затухание в паразитные контуры и уменьшить
глубину модуляции реактивных параметров схемы.
9.367. На очень высоких частотах сопротивления контурных емкос-
тей мало, а индуктивностей – велико.
9.368. Проще всего – включить в цепь сетки и анода небольшие
безындуктивные резисторы, снижающие добротности паразит-
ных контуров и практически не мешающие работе усилителя
на рабочей частоте. Чтобы дополнительно уменьшить влияние
этих резистров на рабочей частоте, их шунтируют индуктив-
ностями. Также можно использовать нейтрализацию, перейти
от триодов к экранированным лампам, уменьшить индуктив-
ности соединительных проводников.
9.369. Проще всего – включить последовательно с дросселем L2
антипаразитное сопротивление R2, снижающее резонансное
сопротивление паразитного контура.
9.370. С увеличением сопротивления антипаразитного резистора
снижается резонансное сопротивление паразитного контура,
но возрастают потери мощности в цепи питания.
9.371. а) f=1МГц, Rн=р2QωL1=560 Ом, К=1/11, КS0Rн=2,5 – автоко-
лебания возможны; б) f=3МГц. Без антипаразитного резистора
R2 − Rн= р2QωL2 = 7,9 кОм, К=1/11, КS0Rн = 36 > 1 – автоколе-
бания возможны. С резистором R2 − Q = ωL2/R2 = 0,4<1 – ав-
токолебания невозможны.
9.372. Lв2+Lв<CПRП/(5IП)=12 нГн, Lв2<12−1=11 нГн, f=460 МГц, Q=3.
9.373. См. решение задачи 9.372. Сп >5 пФ, f = 920 МГц, Q = 3.
9.374. См. решение задачи 9.372. rп >15Ом, f = 1,1 ГГц, Q = 2,6.
9.375. Тем, что измерения частоты могут производиться с наиболее
высокой точностью среди других физических измерений, а ши-
роко доступные источники опорных колебаний имеют чрезвы-
чайно малые собственные нестабильности частоты. См. также
ответ к вопросу 9.220.
9.376. СЧ широко используют в возбудителях передатчиков и в
качестве гетеродинов приемников, а также в измерительных
устройствах (сигнал – генераторы, анализаторы спектра, хро-

нометры и т. п.) и в приборах для физических исследований.
9.377. Диапазон рабочих частот передатчика, его назначение, исполь-
зуемый вид модуляции, выходная мощность.
9.378. Нестабильность частоты, уровни побочных и внеполосных
излучений.
9.379. Количество дискретных частот, шаг перестройки частоты,
Относительная нестабильность частоты, уровни побочных
колебаний и др.
9.380. При небольшой мощности (обычно 1…10 мВт) легче удовлет-
ворить другим требованиям к СЧ.
9.381. В устройствах с небольшим числом фиксированных час-
тот, например, в малоканальной аппаратуре связи или радио-
вещания.
9.382. Для устранения нестабильных коммутаторов (например, ком-
мутационных диодов) в цепях кварцевых резонаторов.
9.383. Электронные ключи обеспечивают большие скорости пере-
ключения и дистанционное переключение.
9.384. а) чистота спектра, простота и надежность; б) количество
фиксированных частот обычно не более 10, большое время пере-
хода с одной рабочей частоты на другую, сравнительно низкая
стабильность частоты, поскольку трудно обеспечить высоко-
качественное термостатирование коммутируемых АГ.
9.385. а) простота, плавность перекрытия интервала частот; б) низ-
кая стабильность частоты выходного сигнала, большой уровень
побочных колебаний.
9.386. (∆fэ+∆fг)/(fэ+fг) ≈ ∆fэ/fэ+∆fг/fг·fг/fэ. Относительная неста-
бильность выходной частоты будет тем меньше, чем меньше
отношение частот генераторов fг/fэ.
9.387. С понижением частоты fг повышается стабильность выход-
ной частоты, но уменьшается диапазон перестройки частоты и
сложнее подавлять побочные колебания.
9.388. Серийные интегральные ЦВС формируют квазигармони-
ческие сигналы с выходной частотой до 1 ГГц. Разработаны
узлы сумматора и ЦАП с тактовыми частотами до 40 ГГц.
9.389. СЧ, работающие от одного опорного генератора, обес-
печивают фазовую когерентность между каждым из выходных
колебаний. Кроме того, нужно учитывать, что каждый высоко-
стабильный опорный генератор совместно с устройством термо-
статирования – сложное и дорогое устройство.
9.390. В диапазоне частот от 1 кГц до 100 МГц при допустимой
кратковременной нестабильности частоты порядка 10-5…10-12
обычно используют транзисторные генераторы с кварцевым ре-
зонатором. Квантово-механические стандарты частоты имеют

наименьшую долговременную нестабильность частоты. В СВЧ
диапазоне используют арсенид – галлиевые полевые транзисто-
ры, ДГ и ЛПД, а также стабилизирующие частоту элементы КС:
линии задержки на ПАВ, сферы из железоиттриевого граната,
диэлектрические резонаторы из лейкосапфирита или других
высокодобротных диэлектриков, сверхпроводящие резонаторы
в сосудах с глубоким охлаждением.
9.391. ГГ должен создавать большое число гармоник с близкими
друг другу значениями амплитуды. Этому требованию наибо-
лее удовлетворяет последовательность импульсов экспоненци-
альной формы. Также импульсы создает, например, генератор,
работающий по принципу периодического разряда конденса-
тора на активное сопротивление. При использовании последо-
вательности прямоугольных импульсов, изменение амплитуды
m-й гармоники обратно пропорционально скважности.
9.392. а) А1/Аm=m sin(π/q)/sin(mπ/q). При qπ можно принять
sin(π/q)=π/q и А1/Аm=m π/q/sin(mπ/q)=1,05. Из полученно-
го уравнения определяем mπ/q=0,55, m=q/5,7; б) q/4; в) q/3;
г) q/2,3; д) q/2.
9.393. а) используя решение предыдущей задачи, получим
q = 5,7·m = 114; б) 80; в) 60; г) 46; д) 40.
9.394. Опорный (эталонный) генератор, умножители, делители и
преобразователи частоты, а также полосовые фильтры.
9.395. В прямых СЧ используются нелинейные преобразования сиг-
налов, создающие сетку одновременно присутствующих колеба-
ний ряда стабильных частот, а также цепи линейной частотной
фильтрации, выделяющие колебания одной из таких частот.
9.396. а) теоретически неограниченная возможность уменьшения
шага перестройки за счет увеличения числа декад; возможность
многократного использования однотипных узлов и блоков; ма-
лое время перестройки. Время установления частоты выходных
колебаний может быть доведено до микросекунд, десятков и
даже единиц наносекунд; б) худшая, по сравнению с активны-
ми, чистота спектра выходного сигнала, что связано с много-
кратным преобразованием частоты в тракте синтезатора. Обыч-
но уровень побочных спектральных составляющих в полосе
частот ∆f=3 кГц у таких синтезаторов составляет – 60…70 дБ
и мало зависит от отстройки.
9.397. Схема с двукратным преобразованием частоты сложнее, но
обеспечивает компенсацию медленных уходов частоты fг. Кро-
ме того, в этой схеме фильтр Ф1 работает на низкой фиксиро-
ванной промежуточной частоте, что облегчает осуществление
узкополосной фильтрации.
9.398. Используя решение задачи 9.392, получим: а) q = 2m = 10;
б) 20; в) 40.
9.399. а) kд=20, ∆=10 кГц; б) 50, 10 кГц; в) 150, 10 кГц. Перестройкой
фильтра.
9.400. fвых=360 кГц; ∆=30 кГц; ∆fг=0,35 кГц; 2∆f=0,7 кГц.
9.401. Чтобы на выходе СМ2 были колебания преимущественно
только одной из частот сетки, номер m которой определяется
настройкой перестраиваемого генератора Г.
9.402. а) fэ=0,2 МГц, fг=0,9 МГц; б) 0,2 МГц; 1,1 МГц; в) 0,2 МГц; 1,3 МГц.
9.403. 120 МГц.
9.404. Полосовые фильтры определяют степень подавления не-
желательных компонентов на выходе синтезатора. Они долж-
ны иметь очень узкую полосу пропускания. Их можно выпол-
нить из L- и C-элементов. Хорошую фильтрацию обеспечивают
электромеханические фильтры, а еще лучшую – кварцевые.
9.405. fвых=mfэ=fг–5 МГц. fвых min=25 МГц; fвых max=55 МГц; kд=55/25=
=2,2; ∆=fэ=1 МГц.
9.406. q=33, k=f0/fэ=40, откуда 33<m<47. Фактические зна-
чения m=fвых/fэ изменяются в большей степени и равны
25<m<55.
9.407. Это – одна из простейших схем СЧ. Максимальное значение
выходной частоты ограничено быстродействием используемого
ДПКД и сравнительно мало.
9.408. Нужно увеличить частоту fэ и использовать быстродейст-
вующий ДПКД.
9.409. Каждый импульс, поступающий на выход Т-триггера, изме-
няет состояние триггера на противоположное. Благодаря этому
на выходе триггера получаются прямоугольные импульсы со
скважностью 2, из которых легче выделить первую гармонику.
9.410. Нужно увеличить частоту fэ и, соответственно, повысить ко-
эффициент деления ДПКД.
9.411. а) низкий уровень побочных спектральных составляющих,
достигающий – 100...120 дБ в полосе частот 3 кГц при малых
отстройках от рабочей частоты и уменьшающийся с увеличени-
ем отстройки; б) большее время перестройки с одной рабочей
частоты на другую; уменьшение шага перестройки частоты, как
правило, сопряжено с увеличением инерционности системы.
9.412. Обычно транзисторы с LC-колебательной системой и управи-
телем частотой на варикапе.
9.413. Используются балансные или кольцевые диодные схемы,
активные аналоговые ФД, разнообразные импульсно-фазовые
дискриминаторы. Небалансные схемы ФД в СЧ не применя-
ются, так как имеют нежелательную чувствительность к вариа-

циям питающих напряжений и амплитудным нестабильностям
опорного генератора и генератора, управляемого напряжением.
9.414. а) высокая спектральная чистота выходного колебания; б) ма-
лое число дискретных частот на выходе, определяемое свойст-
вами генератора гармоник.
9.415. Для уменьшения шага перестройки можно уменьшить часто-
ту эталонного генератора; с помощью добавочных делителей и
умножителей частоты сформировать две шкалы опорных час-
тот – редкую и частую; ввести в систему ДПКД.
9.416. В цифровом синтезаторе аналоговые ФД и ДПКД заменены
соответственно на импульсно-фазовый дискриминатор (детек-
тор) (ИФД) и цифровой ДКПД. При этом между эталонным
генератором и ИФД, а также между выходом ГУН и входом
ДПКД включены формирователи импульсов, преобразующие
гармонические сигналы в последовательность импульсов.
9.417. а) используются в основном стандартные элементы цифровой
техники, а из аналоговых – один неперестраиваемый ФНЧ и
один перестраиваемый генератор; проще достигается уменьше-
ние шага сетки: достаточно увеличить коэффициент деления
ДПКД и уменьшить частоту сравнения; б) верхняя граница
диапазона частот ограничена быстродействием ДПКД; больше
время установления частоты колебаний; возрастает фазовый
шум в кольце ФАП, обусловленный конечностью и нестабиль-
ностью фронтов импульсов системы.
9.418. Чем уже полоса, тем лучше фильтрация сигнала ошибки.
Однако при этом ухудшаются динамические свойства системы
ФАП, и затрудняется ее ввод в синхронизм, так как сужается
полоса захвата системы ФАП.
9.419. Смотри рис. 9.34.
9.420. В состав НКФ (накапливающего сумматора) входят регистр
хранения кода начальной фазы гармонического колебания
и сумматор в двоичной позиционной системе счисления. На
вход ПК поступает код выходной фазы. Для формирования
отсчетов функции sin использован табличный метод. Переко-
дировочная таблица (Look Up Table) размещена в преобразо-
вателе кодов (постоянном запоминающем устройстве). Код,
который подается на вход ПК, является аргументом функции
sin, а выходной код ПК равен значению функции для данного
аргумента. Отсчеты с выхода ПК поступают на ЦАП, который
формирует на выходе синусоидальный сигнал. Все цифровые
узлы тактируются от высокостабильного опорного (тактового)
генератора ОГ.
9.421. а) очень высокое разрешение по частоте и фазе, управление

которыми осуществляется в цифровом виде; экстремально быс-
трый переход на другую частоту (или фазу), перестройка по
частоте без разрыва фазы, без выбросов и других аномалий,
связанных со временем установления; возможность парамет-
рической температурной компенсации и др.; б) с процессами
дискретизации и цифро-аналогового преобразования, который
имеет место в ЦВС, связаны и некоторые ограничения: мак-
симальная выходная частота не может быть выше половины
тактовой (на практике она еще меньше). Это ограничивает
максимальные значения рабочих частот ЦВС; спектральная
чистота выходного сигнала ЦВС сильно зависит от качества
ЦАП; потребляемая ЦВС мощность практически прямо про-
порциональна тактовой частоте и может достигать сотен мил-
ливатт. При больших тактовых частотах ЦВС могут оказаться
непригодными для устройств с батарейным питанием.
9.422. Достоинствами интерполяционных синтезаторов являются
простота и плавное перекрытие диапазона частот, однако они не
в состоянии обеспечить высокую стабильность частоты. Отказ
от перестраиваемых АГ, вносящих основную долю нестабиль-
ности в частоту выходного сигнала, и переход к дискретной
сетке частот позволяет существенно повысить стабильность
частоты, упрощает процесс смены рабочей частоты, способс-
твует внедрению автоматизации и телеуправления, позволяет
воспользоваться цифровой индикацией и т. п.
9.423. Использование цифровой элементной базы позволяет улуч-
шить массогабаритные показатели СЧ, повысить надежность и
технологичность, но снижает максимальное значение рабочей
частоты.
9.424. Прямой аналоговый синтез, косвенный синтез на основе
ФАПЧ, прямой цифровой синтез, а также гибридный синтез,
представляющий собой комбинацию различных методов.
9.425. См. рис.: а) 9.30; б) 9.31, а; в) 9.32; г) 9.33; д) 9.34.
9.426. Ни одно из технических решений СЧ не обладает абсолют-
ным преимуществом перед остальными, поскольку параметры
СЧ взаимосвязаны, а сочетания требуемых параметров (диапа-
зон и количество частот, быстродействие и др.) чрезвычайно
многообразны.
9.427. Интерполяционный синтезатор (рис. 9.30) обеспечивает плав-
ную (непрерывную) перестройку рабочей частоты, но имеет
низкую стабильность частоты. Синтезаторы, создающие коле-
бания дискретной шкалы частот, имеют лучшую стабильность
частоты. При достаточно малом шаге перестройки частоты раз-
личие между непрерывной и дискретной перестройками час-

тоты стирается. В синтезаторах с умножением частоты трудно
получить узкую полосу пропускания фильтра, необходимую
для подавления соседних гармоник. Двухуровневые цифро-
вые синтезаторы (рис. 9.32) относительно низкочастотны, так
как максимальное значение f0 ограниченно быстродействием
ДПКД. Недостаток СЧ по схемам рис. 9.31 и 9.33 – малое число
дискретных частот на выходе.
9.428. Как с технической, так и с экономической стороны ЦВС удов-
летворяет большинству критериев идеального синтезатора час-
тоты: простой, высокоинтегрированный, с малыми габаритами.
Кроме того, многие параметры ЦВС программно-управляемые,
что позволяет заложить в устройство новые возможности. Сов-
ременные ЦВС используют субмикронную CMOS-технологию,
трехвольтовую логику, миниатюрные корпуса. Одновременно
постоянно снижают цены на них. Однако на частотах сантимет-
рового и миллиметрового диапазонов использование цифровых
узлов прямых ЦВС затруднено. Здесь применяются синтезато-
ры с ФАП.
10.1. Сигналы с одной боковой полосой занимают наиболее узкую
полосу частот. Они экономичнее, чем передатчики с АМ. Энер-
гетический выигрыш при переходе от АМ к ОМ с подавлен-
ной несущей составляет 9…12 дБ, однако при этом существенно
усложняется схема передатчика, предъявляются более жесткие
требования к линейности СМХ и стабильности несущей час-
тоты (1⋅10-7).
10.2. P P P
f f f
Uбок Uбок
Uнес U бок
а б в
Рис.10.2. Спектры и векторные диаграммы при модуляции:
а – амплитудной; б – балансной; в – однополосной
10.3. См. рис. 10.1. Для построения можно использовать векторные
диаграммы, изображенные на рис. 10.2.
10.6. а) PmaxAM/PmaxOM=(1 + mmax)2/mmax2= 4; б) 5; в) 9.
10.7. а) P0срAM/P0срOM=2/m=2; б) 2,5; в) 4.
10.8. Во всех диапазонах радиочастот, а также в оптическом.

10.9. Передатчики с АМ применяют для телефонной связи, радио-
вещания, передачи телевизионных изображений.
10.10. Комбинированная модуляция, модуляция смещением, усиле-
ние модулированных колебаний, анодная (коллекторная) мо-
дуляция, изменением связи с нагрузкой.
10.11. а) Например, частота 27 МГц; стабильность частоты 1⋅10-4;
выходная мощность 5мВт; полоса модулирующих частот от 300
до 3300 Гц; масса 300 г; длина антенны 1 м; питание от батареи
аккумуляторов 7Д-0,1; диапазон рабочих температур от 30 °С
до 60 °С. Передатчик содержит автогенератор, буферный и вы-
ходной каскады. Использована комбинированная модуляция.
10.12. Наряду с требованиями, справедливыми в случае монохро-
матического сигнала (высокий КПД, заданный коэффициент
фильтрации и др.), предъявляется требование выбора полосы
пропускания в соответствии с шириной спектра модулирован-
ного сигнала (обеспечение искажений не более заданных).
10.13. Допустимое число каналов N = (1,5 – 0,5)⋅106/25⋅103 = 40.
10.14. При модуляции изменением напряжения во входной цепи АЭ
или при усилении модулированных колебаний АЭ работает в не-
донапряженном режиме и потому электронный КПД получается
низким. По этой причине, а также из-за нелинейности модуля-
ционных характеристик и трудных условий работы выходного
каскада модулятора базовая модуляция, как правило, не приме-
няется самостоятельно, но используется при комбинированной
модуляции. Сеточная модуляция используется также редко, в
основном, при широкополосных видах модуляции. Легче выпол-
нить маломощный модулятор и потому приходится мириться с
низким КПД передатчика. Режим усиления модулированных
колебаний широко используется в однополосных передатчиках.
Здесь используется недонапряженный режим и особое внимание
уделяется линейности модуляционной характеристики.
10.15. В мощных передатчиках чаще всего применяется анодная
модуляция. При анодной модуляции генератор работает в
перенапряженном режиме с высоким КПД, но необходимо
использовать модулятор гораздо более мощный, чем при се-
точной модуляции. Коллекторная модуляция – основной вид
АМ, применяемой в транзисторных генераторах. Этот вид мо-
дуляции отличается высокой эффективностью, как и анодная
модуляция. Однако одно из основных преимуществ модуляции
на анод, имеющее место в ламповых генераторах, и состоящее
в возможности получения более высокой мощности на высо-
кой частоте, чем при модуляции на сетку, пропадает, поскольку
обычно транзисторы не допускают даже кратковременного пре-

вышения напряжения на коллекторе. Поэтому при глубокой
модуляции на коллектор обычно приходится снижать посто-
янное напряжение на нем в два раза, что соответствует умень-
шению мощности в 2…3 раза.
10.16. Широко используют для линеаризации модуляционных ха-
рактеристик и облегчения режима работы АЭ.
10.17. При комбинированной модуляции модулируемый каскад
работает в граничном режиме, а не в резкоперенапряженном,
как при коллекторной модуляции. Благодаря этому на базе
транзистора выделяется меньшая мощность, а модуляцион-
ная характеристика получается более линейной. При моду-
ляции в промежуточных каскадах получается низкий КПД
передатчика,поскольку последующие каскады работают в ре-
жиме усиления модулированных колебаний.
10.18. При построении СМХ нужно использовать зависимости со-
ставляющих выходного тока АЭ от амплитуды импульса вы-
ходного тока и угла отсечки, например, Ia0 = Iam·α0(θ).
10.19. АЧХ представляют зависимость коэффициента модуляции от
частоты модулирующего сигнала при постоянном напряжение
на входе модулятора. На очень низких и высоких частотах АЧХ
опускаются, как говорят “заваливаются”. Эквивалентные схемы
для расчета АЧХ получают из анализа полной схемы устройс-
тва путем исключения элементов, слабо влияющих на коэффи-
циент передачи делителя напряжения.
10.20. На низких частотах – вследствие снижения сопротивления
индуктивностей, параллельных нагрузке модулятора (напри-
мер, индуктивности первичной обмотки трансформатора), и
возрастания сопротивления последовательных емкостей (на-
пример, разделительных конденсаторов). На высоких часто-
тах – за счет возрастания сопротивления последовательных
индуктивностей (например, блокировочных и индуктивности
рассеяния трансформатора) и уменьшения сопротивления па-
раллельных емкостей (например, блокировочных в цепи пита-
ния соответствующих электродов). Кроме того, при слишком
высокой добротности цепи согласования боковые частоты мо-
дулированного колебания могут попасть на склоны частотной
характеристики ЦС и, следовательно, возбуждать ЦС более
слабо, чем несущая частота.
10.21. а) 2 Pбок Рнес = m 2 2 = 0,5 ; б) 0,045.
( )
10.22. а) 2 Pбок Рс р = m 2 m 2 + 2 = 0,33 ; б) 0,11; в) 0,04.
10.23. а) 2 Pбок Рmax = 0,5 m 2 (1 + m)2 = 0,125 ; б) 0,055; в) 0,027.
10.24. Pmax = Pмол 1 + m ( )2 = 28,9 Вт.

10.25. Pбок = 0,25 Рмол ⋅ m 2 = 0,25 ⋅ 0,5 ⋅ 20 2 ⋅10 ⋅ 0,9 2 = 405 Вт.
10.26. Pбок = 0,5 Рмол ⋅ m 2 = 0,5 ⋅ 0,5 ⋅ I 2 rА ⋅ m 2 = 96 Вт.
( )
10.27. Pс р = Pмол 1 + 0,5m 2 = 33,75 Вт.
10.28. P0 мод = Р0 нес(1 + 0,5m 2) = 12,5 Вт.
10.29. Pмод = 0,5 m 2 P0 мол = 10 Вт.
10.30. Pмод = 0,5 m 2 Р0 мол = 16 кВт.
10.31. Колебательная мощность в максимальном режиме равна
P1max = Pп мол (1 + m) ηk = 45,7 Вт. Если используемые тран-
2
зисторы не могут работать в форсированном режиме, то для

обеспечения мощности 45,7 Вт в случаях а) и б) потребуется
по три транзистора.
10.32. Мощность в максимальном режиме равна
P1max = Pп мол (1 + m) ηk = 35,6 кВт. При сеточной модуляции
2
максимальная колебательная мощность равна номинальной и

поэтому количество ламп равно N = 35,6/10 = 4 шт. При анод-
ной модуляции максимальная колебательная мощность может
в два раза превысить номинальную, так как обычно допустимо
кратковременное увеличение анодного напряжения в два раза
и поэтому количество ламп равно N = 35,6/20 = 2шт.
10.33. См. решение задачи 10.32. а), б) 400 Вт; в) 200 Вт.
10.34. Удобно отметить заданные напряжения на ВАХ транзистора.
В максимальном режиме Eк max=Uк доп–Uк = 105–45 = 60 В. При
коллекторной модуляции Eк max=Eк мол(1+m), откуда Eк мол=40 В.
10.35. а) 71; б) 710.
10.36. а) 955 кГц, 477 Гц, 0,8 Гц; б) 3,04 кВт, 37,4 кВт, 1,24 кВт.
10.37. Отсечка необходима, поскольку составляющие коллекторно-
го тока Ik1 и Ik0 в недонапряженном режиме пропорциональны
коэффициентам γ1(θ) и γ0(θ).
10.38. Зависимости токов Ik1 и Ik0 от напряжения питания в ПР
линейны, а в НР – постоянны.
10.39. Umax=Uмол(1+m), Umin=Uмол(1–m). Из этих равенств легко найти m.
10.40. Получим формулу для расчета m при заданных токах. Колебатель-
ная мощность генератора равна P1мол = 0,5 I к2мол ⋅ rк ; P1мод = 0,5 I к2мод ⋅ rк .
Используя соотношение (
P1мод = P1мол 1 + 0,5m 2 , ) получим
( )
I к2мод = I к2мол 1 + 0,5m 2 , откуда m = 2 (I к мод I к мол )2 − 1 .
10.41. См. решение задачи 10.40. а) 0,73; б) 0,91; в) 1,06 − перемо-
дуляция.
10.42. См. решение задачи 10.40 – 6,12 А.

10.43. Используя решение предыдущей задачи, определим коэффи-
( )
циент модуляции m = 2 I к мод I к мол 2 − 1 = 1,58 . Максимальное
значение m при симметричной модуляции не может быть более
единицы, следовательно, модуляция несимметрична.
10.44. а) 0,686; б) 0,595; в) 0,512.
10.45. а) 38,2; б) 55,3; в) 69,2.
10.46. 33 МГц.
10.47. При 2F/2Δf0.7 = 1, 2, 3, 4 и 5 значения коэффициента демоду-
ляции равны 0,78; 0,45; 0,32; 0,24 и 0,2.
10.48. Амплитуды боковых частот сигнала на выходе усилителя
пропорциональны модулю коэффициента усиления на частоте
F. Используя формулу для модуля сопротивления колебатель-
ного контура получим искомую формулу.
10.49. Модуляционные характеристики можно рассчитать, напри-
мер, следующим образом: а) задаемся током Ia1 и определяем
γ1(θ) = Ia1/SUc; θ = f(γ1); Ec = –Uccosθ+E′c. На линейном участке
модуляционной характеристики можно использовать прибли-
женную зависимость Ia1= 0,5S[Uc + 4(Ec– E′c)/π]; б) задаемся
током Ia0 и определяем γ0(θ) = Ia0/SUc; θ= f(γ0); Ec = –Uccosθ + E′c.
Используя MathCad, получим S:=25 мСм; E′c= –12 В; Uc:=9 В;
D:=0;
а) ;
;
б) .
Из модуляционной характеристики видно, что линейный участок

находится при напряжениях смещения от −16,5 до −7,5 В, что со-
ответствует углам отсечки от 60° до 120°.
10.50. В общем случае модуляционную характеристику можно рас-

считать следующим образом. Задаемся амплитудой Uc и пос-
ледовательно определяем cosθ = (–Ec + E′c)/Uc; угол отсечки θ,
коэффициент γ1(θ) и ток Ia1 = SUcγ1(θ). В частном случае, при
E′c = Ec угол отсечки равен 90° и от амплитуды Uc не зависит, по-
этому Ia1 = 0,5SUc; б) при Uc = 20 В ток I1 = 100 мА. При θ > 90°
происходит ослабление модуляции; при θ = 90° – линейное
усиление; при θ < 90° – углубление модуляции.
10.51. В режиме молчания P0мол = P0ср = Ia0Ea = 217,5 Вт; P1мол =
= Pср/(1+0,5m2) = 74,9 Вт; Paмол= P0мол – P1мол = 142,6 Вт. В мак-
симальном режиме P0ma = P0мол(1+m) = 435, P1max = P1мол(1+m) =
= 299,6 Вт, Pamax = P0max – P1max = 135,4 Вт. Средние значения мощ-
ностей за период модулирующего сигнала равны P0мол = P0мод,
P1ср = Iк2rк = 112,4 Вт, Paср = P0ср – P1ср = 217,5−112,4 = 105,1 Вт.
10.52. Наиболее широко в диапазоне от 1,5 до 30 МГц.
10.53. Используются в различных системах радиосвязи, в том числе
и многоканальных. Ведутся разработки радиовещательных пе-
редатчиков с оптимальной амплитудно-фазовой (совместимой
однополосной) модуляцией. Экспериментальные передатчики
работают уже много лет. См. также ответ к задаче 10.1.
10.54. Выходной каскад является линейным усилителем мощности.
Он должен обеспечить заданную мощность в нагрузке при вы-
соком КПД, при малых нелинейных и частотных искажениях,
при допустимом уровне побочных излучений.
10.55. Однополосный сигнал формируется в возбудителе на низком
уровне мощности с последующим усилением однополосного
сигнала в каскадах линейного усиления.
10.56. Фильтровой, фазокомпенсационный, синтетический метод
Верзунова. В настоящее время широко используется метод пов-
торной балансной модуляции на базе высококачественных квар-
цевых и электромеханических полосовых фильтров. В последнее
время разработаны и внедряются однополосные модуляторы, ис-
пользующие цифровую обработку аналоговых сигналов.
10.57. N = (29–28)·106/4·103 = 250.
10.58. PmaxAM/PmaxOM = (1+m)2/m2. С ростом коэффициента модуляции
отношение мощностей уменьшается.
10.59. P0срAM/P0срOM = 2/m. С уменьшением коэффициента модуляции
это отношение возрастает, стремясь к бесконечности. Физичес-
ки это объясняется тем, что при отсутствии модулирующего
напряжения в случае АМ происходит излучение несущей в то
время, как при ОМ излучения нет.
10.60. а) ηэ = mηэ max=0,07; б) 0,36; в) 0,64.
10.61. Усилители модулированных колебаний работают с низким
средним коэффициентом использования по напряжению.
10.62. Регулировать напряжение питания усилителей в соответс-

твии с амплитудой усиливаемых колебаний таким образом,
чтобы сохранять в процессе усиления высокий коэффициент
использования ламп (транзисторов) по напряжению и, соот-
ветственно, высокий мгновенный и средний КПД.
10.63. Использовать ключевой режим работы регулируемых источ-
ников питания (режим класса D).
10.64. При АМ: а) Pcр/Pмол =1+0,5m2 =1,045; б) 1,125; в) 1,32; г) 1,5.
Как видим, обусловленное модуляцией приращение мощ-
ности колебания, которое в основном и определяет условия
выделения сообщения при приеме, даже при m=1 не превы-
шает половины мощности несущего колебания. При ОМ вся
выходная мощность передатчика используется для передачи
сообщения.
11.1. Импульсные передатчики используются в СВЧ и оптическом
диапазонах.
11.2. а) радиоуправление, радиотелеметрия, радионавигация, радио-
локация (в том числе сверхширокополосные РЛС XXI века без
использования СВЧ приборов), радиорелейные линии связи,
системы функционального поражения радиоэлектроники и
др.; б) магнитно-импульсная, электрогидравлическая, гидро-
импульсная и лазерная обработка материалов; в) импульсные
источники рентгеновского и нейтронного излучения; г) уста-
новки для разрушения камней в почках; д) ускорители заря-
женных частиц и установки термоядерного синтеза; испытание
мощных переключающих ПП и магнитных материалов, иссле-
дование быстропротекающих процессов; е) управление модуля-
торами лазерного излучения; возбуждение полупроводниковых
лазерных диодов.
11.3. Минимальная длительность импульсов зависит от несущей час-
тоты передатчика. За время длительности импульса должно про-
исходить хотя бы несколько (обычно около 100) периодов высо-
кочастотных колебаний. Максимальная длительность импульсов
ничем не ограничена. Однако следует иметь в виду, что катоды
приборов обладают повышенной импульсной эмиссией лишь
при малой длительности импульсов (примерно до 10 мкс).
11.4. При уменьшении скважности возрастают мощности, рассеива-
емые элементами схемы, средняя мощность в нагрузке и мощ-
ность, потребляемая от источника питания передатчика. При
скважностях около единицы имеет место непрерывный режим
работы. Максимальная скважность ничем не ограничена.
11.5. При сравнительно малой средней мощности импульсные пе-
редатчики имеют очень большую мощность в импульсе, что
требует применения очень больших токов и высоких напря-

жений во время импульса. При работе короткими импульсами
полоса частот, занимаемая спектром передатчика, получается
широкой.
11.6. Простейшие передатчики могут быть однокаскадными. Для
улучшения качественных показателей и, в первую очередь, для
повышения стабильности частоты передатчики делают много-
каскадными. Обычно используют анодную импульсную моду-
ляцию генераторного прибора.
11.7. В импульсных передатчиках напряжения и токи примерно в
√q раз больше, вследствие чего их габариты и масса возрастают,
а надёжность снижается. Потребляемая мощность и дальность
действия передатчиков определяются средней мощностью и
приблизительно одинаковы.
11.8. Благодаря использованию накопителя мощность источника
питания может быть во много раз меньше необходимой для
питания генератора во время импульса.
11.9. Накопительный конденсатор модулятора работает в режиме
частичного разряда и поэтому запасает энергии гораздо больше,
чем отдает за время импульса. Формирующая линия отдаёт за
время импульса всю запасенную в ней энергию.
11.10. С частичным разрядом накопительной емкости; с полным
разрядом формирующей линии; магнитные импульсные моду-
ляторы.
11.11. PН = I2оиR0Fτ = 1,5 кВт.
11.12. Iои = I0ср/Fτ = 20,2 А.
11.13. PП = PНИFτ/η = 1714 Вт.
11.14. a) PП = EIоиR0Fτ/(ηЗАР·ηРАЗ) = 234 Вт; б) 585 Вт.
11.15. При уплотнении тысячи телефонных каналов наивысшая час-
тота спектра равна 1000·fв=3 МГц. По теореме Котельникова
период следования групп импульсов равен ∆t=0,5/fв. Длитель-
ность радиоимпульсов равна τ=∆t/(qN)=4,8 нс. Несущая час-
тота равна f=200/τ=42 ГГц.
11.16. Период следования отсчетных импульсов для трёх каналов по
теореме Котельникова равен ∆t = 0,5/fв = 0,5/(6,9·106·3).
а) τи = ∆t/q=12 нс; f=100/τи=8,3 ГГц; б) 2,4 нс; 42 ГГц.
11.17. Ширина спектра импульса равна ∆f ≈ 1/τ. По условию задачи
11.16 τ = 100/f, поэтому ∆f = f/100. Относительная нестабиль-
ность частоты равна ∆f/f = 10–3.
11.18. Электронные лампы; транзисторы; таситроны и меатроны–
газоразрядные приборы, которые могут замыкать и размыкать
разрядную цепь в соответствии с управляющими сигналами. В
последнее время разработаны и внедряются высоковольтные

IGBT-транзисторы и РВД.
11.19. Режим станет недонапряженным и мощность, рассеиваемая
анодом лампы, резко возрастет.
11.20. При увеличении:
• накопительной ёмкости уменьшится скол вершины импульса;
• зарядного сопротивления уменьшится амплитуда импульса;
• зарядной индуктивности уменьшится скол вершины импуль-
са и увеличится длительность среза импульса;
• длительности запускающих импульсов увеличатся длитель-
ность и скол вершины выходного импульса. В резистивно-
дроссельном модуляторе уменьшится длительность среза
импульса;
• частоты следования запускающих импульсов снизится амп-
литуда импульсов;
• амплитуды запускающих импульсов уменьшится длитель-
ность фронта импульса и может увеличиться его амплиту-
да;
• паразитной ёмкости, шунтирующей нагрузку, увеличатся
длительность фронта и среза импульса;
• сопротивления нагрузки увеличится амплитуда импульса.
11.21. Максимальное значение тока в зарядном дросселе пропорци-
онально длительности импульса. За время длительности среза
при τс<τ величина этого тока меняется незначительно. Практи-
чески постоянный ток дросселя за время τс разряжает паразит-
ную ёмкость. Чем больше ток дросселя, тем меньше τс.
11.22. Uа = U–E = 1,5 кВ, P = UаIаиFτ = 45 Вт.
11.23. а) напряжение на аноде открытой лампы равно Uа = U – E =
= 1 кВ, а закрытой Uа = U = 11 кВ. Мощность потерь на ано-
де за время длительности импульсов равна Pа = UаIаи/q = 10 Вт.
Мощность потерь во время пауз Pа = UаIа = 11·103·1·10-3 = 11 Вт.
Суммарная мощность потерь равна 10+11=21 Вт; б) 65 Вт.
11.24. C = I 0и τ max ΔU = 0,3 мкФ. Рабочее напряжение конденсатора с
учётом падения напряжения на коммутаторе (1…3 кВ) должно
быть не менее 28 кВ.
11.25. Поскольку дифференциальные сопротивления нагрузки и
коммутатора неизвестны, принимаем, что нестабильности на-
пряжения на нагрузке и конденсаторе равны.
Тогда: а) C = I 0 и τ ΔE = 0,12 мкФ; б) 0,38 мкФ.
11.26. Сопротивление амплитрона постоянному току равно
R0 = E I 0 и = 456 Ом; С = τ max Rд / [β c ( Rд + Ri ) R o ] = 0, 2 4 мкФ.
11.27. См. решение задачи 11.26. а) 0,07 мкФ, б) 0,014 мкФ.
11.28. Изменение напряжения на конденсаторе при его разряде рав-

τ
max
1
но ΔU max =
C ∫ i d t , где i
0
p р
– разрядный ток. Как правило, на-
пряжение на накопительном конденсаторе и, соответственно,

разрядный ток изменяются за время длительнсти импульса
незначительно (iр ≈ E/R0 = I0и). В этом случае ΔUmax = τmaxI0и/С.
11.29. Нарастание тока iL приводит к снижению тока нагрузки. Ток
iL достигает наибольшего значения к концу импульса, поэтому
LЗ = Eτmax/iL = 0,05 Гн.
11.30. βL=RiRдτmax/[LЗ(Ri+ Rд)]=0,022. τ
1 max
Lз ∫0
11.31. Ток в зарядном дросселе равен I L max = E (t )d t . Обычно на-
пряжение на нагрузке за время длительности импульса изменя-
ется незначительно (E(t) ≈ E). Для этого случая ILmax=Eτmax/LЗ.
11.32. τф = ECП/Iаи и изменяется от 1,0 до 0,67мкс.
11.33. Ток в рабочей точке магнетрона равен Iаи = E/R0 = 15 А. Ток
заряда паразитной ёмкости равен Iаи = ECП/τф = 25 А. Коммута-
торная лампа должна обеспечить наибольший ток – 25 А.
11.34. а) CП = τфIаи/E = 75 пФ, б) CП = τфIаи/(3E) = 25 пФ. Для умень-
шения τф следует увеличить ток Iаи путём подачи на управляю-
щую сетку лампы напряжения большей амплитуды.
11.35. а) CП = τфIаи/E = 67 пФ, б) CП = τфIаи/(2,5E) = 27 пФ.
11.36. У приборов типа М при напряжениях, меньших порогово-
го, ( Eпор ≅ 0,9 E ) ток нагрузки очень мал и практически весь
ток коммутаторного прибора Iаи заряжает паразитную ёмкость.
При сравнительно малых токах зарядного и ограничительного
t
1
Cп ∫0
элементов схемы и D=0 справедливо равенство E = Iаиd t .
Учитывая определение длительности фронта как времени на-

растания амплитуды импульса от 0,1 E до 0,9 E и допущения,
принятые при выводе формулы, в виде поправочного множи-
теля, равного 1,25, получим τф = ECП/Iаи.
11.37. τ с = 2,2 R′Cп = 1,8 мкс .
11.38. Суммарное сопротивление цепей равно
R′ = Rз R0г ( Rз + R0 г ) = 5 кОм; а) τс = 2,2 R′R0Cп ( R′ + R0 ) = 0,18 мкс;
б) τ с = 3R ′R0 С п′ ( R ′ + R0 ) = 0,25 мкс; в) τс = 2,2 R′Cп = 2,2 мкс.
11.39. τ = 1/(qF) = 2 мкс; τ с = Сп Lз τ = 0,5 мкс .
11.40. а) τс = Сп Lз τ = 0,66 мкс , б) 0,22 мкс. См. ответ 11.21.
11.41. Ток в зарядном дросселе к концу длительности импульса

достигает максимального значения I L max = Eτ Lз . Величина
этого тока за время длительности среза при τc<τ меняется не-
значительно. Практически постоянный ток дросселя разряжает
паразитную ёмкость, в которой накоплен заряд ECП, за время
τс = E Cп I Lmax = Cп Lз τ . При использовании зарядного дроссе-
ля скорость изменения напряжения во время среза импульса
очень велика и поэтому полученное выражение можно исполь-
зовать для оценки длительности среза при различных уровнях
отсчёта: от Emin до нуля, или от Emin до 0,05Emin.
11.42. Максимальное обратное напряжение получается при отсутс-
твии гасящего диода. К моменту окончания импульса в контуре
CпLз запасена энергия W = 0,5(Cп E 2 + Lз I Lmax
2
) . Используя выраже-
ния Lз = τ τ с Сп и I L max = Eτ Lз , получим W = 0,5Cп E 2 (1 + τ τ c ) .
В момент максимума напряжения вся энергия сосредоточена
2
в паразитной ёмкости CП: W = 0,5Cп Eобр max . Из последних вы-
ражений получим E обр max = E 1 + τ τ c .
11.43. Ток коммутатора во время импульса равен
I а и = I o и + E Rз + E Ro г = 12 А . Падение напряжения на ком-
мутаторе равно U а = I а и Rм = 1800 В . Изменение напряже-
ния на накопительном конденсаторе ΔU = I 0и τ С = 400 В .
Максимальное напряжение на конденсаторе
U max = E + U а = 11,8 кВ. Минимальное напряжение на конденса-
торе U min = U max − ΔU = 11,4 кВ . Напряжение источника анодно-
го питания равно Eп = U min + ΔU [1 − exp( − 1 R C F )]= 12 кВ . Скваж-
ность q = 1 Fτ = 500 . Мощности, рассеиваемые резисторами,
2 2
равны Pо г = ( Eп − U а ) (qRo г ) = 20,8 Вт , Pз = E ( q Rз ) = 20 Вт , а
2
анодом лампы Pа = U аI а и q = I а и Rм q = 43, 2 Вт .
11.44. Используя MathCad, получим: Rог:=20 кОм; F:=1 кГц;
С:=0,05 мкФ; Umax:=10кВ; ΔU/Umax:= а) 0,05; б) 0,1; в) 0,2.
а) ΔU:=Umax·0,05; Umin:=Umax–ΔU;
En=1.029×104 В; ; η=0.947; б) En=1.058×104 В

η=0.898; в) En=1.116×104 В; η=0.806.
11.45. См. решение задачи 1.44. а) 10,3 кВ, 87,4%; б) 19 кВ; 47,4%.
11.46. По определению КПД зарядного процесса равен отношению
энергии, запасенной конденсатором за время заряда, к энергии,

отдаваемой источником питания за это же время, η з = Wc Wп .
2 2
Очевидно, что Wc = 0,5C (U max − U min ) . Энергия источника пи-
Т Т
тания равна Wп = ∫ Eп iз d t = Eп С ∫ d U = Eп C (U max − U min ) . Ис-
o o
пользуя выражения для WС и WП, получим η з = (U max + U min ) (2 Eп ) .
11.47. Используя MathCad, получим: Rог:=10 кОм; Lз:=4,4 мГн;
С:=0,25 мкФ; Сп:=150 пФ; Rм:=Ri:=20 Ом; Iamax:=120 A;
Iот:=60 А; Е:=25 кВ; Rд:=50 Ом; F:=1 кГц; τ:=1 мкс.
1) Uα:=Iои·Rм; Uα=1.2×103; Umax:=Uα–E; Umax=2.62×104 В;
; ΔU=240 В; Umin:=Umax–ΔU; Umax=2.596×104 В.
I ⋅U
1 ou а
2) q := ; q=1×103; P := ; Pа раз=72 Вт.
F ⋅τ араз q
3) ; τф=3.125×10-8c; ; τс=6.6×10-7c.
4) ; Pаk=46.875 Вт; ;
Pад=117.898 Вт; Pk:=Pаk+Pад; Pk=164.773 Вт.
5) ; В.
6) ; Ilmax = 5.682 А.
7) ; Rо=416.667 Ом; ;
; ; ;
; β = 0.01.
8) ; Eп=2.669×104 В; ;
P
ни
P := ; Вт; ;
н q 2
Ua
Вт; Pа раз = ; Pа раз=72Вт;
S⋅ RM
2 EП ⎡ (E − U a )2 ⎤
PП = ⎢ Pн + Pк + Pа раз + П ⎥ ; Pп= 1844 Вт;
2U min + ΔU ⎣⎢ q ⋅ RОГ ⎦⎥
9) ; ; η = 0.814 ; ;
.
10) при заряде Вт;
(E − U )2
при разряде n a = 6 4.964 Вт.
q⋅R
ог
11.48. Используем программу MathCad и ответы, приведенные в
предыдущей задаче.
Rнач:=3000 Ом; Umin:=25960 В; ΔU=240 В; Ua:=1200 В;
Рnнач:=3000 В; Iои:=60 А; E:=25×103 В; CF:=2.5×10-4; q:=1000;
суммарная рассеиваемая мощность P:=1737 Вт.
E⋅I
0 И ; Umax:=Umin–ΔU;
PП :=
q
· ª«
2º
§¨ U 'U §¨ U 'U · »
min ¸ « min
U ¸
a »
¨ 1 ¸ « ¨ 1 ¸ »
¨ R2* CF ¸ ¨ R2* CF ¸
f R2* 2
© 1e ¹ «P © 1e ¹ »
2 U 'U « q R2* »
min ¬ ¼
Программа поиска оптимального
7
Rог = z ← 10 значения сопротивления Rог со-
Rог ← 3000 ставлена при минимальной вели-
Pn ← 3000 чине мощности анодного питания
while f ( Rог ) < Pn Рn. Начальное значение сопро-
R ← Rог if f ( Rог ) < z тивления заведомо меньше пред-
z ← f ( Rог ) if f ( Rог ) < z полагаемого оптимального значе-
Rог ← Rог + 10
ния, а мощность – заведомо
больше. Поэтому будем последо-
R
вательно перебирать значения
Rог до тех пор, пока значение Pn не станет минимальным.
4 ΔU 4
Rог = 1.249 × 10 Ом; а) Eп := Umin + ; Eп = 2.684 × 10 B;
−1
Rог⋅CF
1−e
2⋅ E П ⎡ ⎤
( E −U a ) 2 ⎥ 3
Pп := ⋅ ⎢ P+ П ; Pп = 1.841 × 10 Вт;
2⋅U min + ΔU ⎢ q⋅ RО Г ⎥⎦
⎣ Pн
б) КПД анодной цепи модулятора: η := ; η = 0.815 ;
Pп
Umax + Umin
КПД зарядного процесса: ηз := ; ηз = 0.972 .
2 ⋅ Eп
11.49. Используя MathCad, получим: Umax=26200 B; ΔU:=240 В;
Ua=1200 B; τ:=10-6 с; F:=1000 Гц; Pн:=1500 Вт; C:=2.5·10-6 Ф;
мощность потерь на анодах лампы и демпфирующего диода
P:=237 Вт.
1 ΔU
Umin:=Umax–ΔU; q := ; Eп( Rог ) := Umin + ;
F⋅τ −1
Rог⋅C⋅F
1−e
2 ⋅ Eп ( Rо г ) ⎡ ( Eп ( Rо г ) − U a ) 2 ⎤
Рп ( Rо г ) := ⋅ ⎢ Pн + P + ⎥
2 ⋅U min + ΔU ⎣⎢ q ⋅ Rо г ⎦⎥
Rог=5000…30000
С ростом сопротивления Rог напряжение источника питания

увеличивается, а мощность источника питания при оптималь-
ном значении сопротивления минимальна. Как видно из рисун-
ка, этот экстремум весьма тупой.
11.50. Искровые разрядники, тиратроны, тригатроны, таситроны,
тиристоры, реверсивно включаемые динисторы и др.
11.51. а) форма выходного импульса не изменится, но модулятор

будет работать лишь при фиксированной частоте следования
запускающих импульсов, определяемой временем заряда ли-
нии; б) модулятор не будет работать.
11.52. При уменьшении:
• емкости конденсаторов формирующей линии увеличивается
волновое сопротивление линии и поэтому уменьшится амп-
литуда импульса. Из-за рассогласования линии форма напря-
жения станет многоступенчатой;
• длины линии уменьшится длительность выходного импульса;
• зарядной индуктивности уменьшится добротность зарядной
цепи, что может привести к снижению амплитуды выходного
импульса. Максимально возможная частота следования вы-
ходных импульсов увеличится;
• индуктивности первичной обмотки трансформатора увели-
чится скол вершины выходного импульса;
• индуктивности рассеяния длительность фронта импульса
уменьшится;
• длительности запускающих импульсов форма выходного им-
пульса не изменится, однако при чрезмерном уменьшении
длительности коммутатор не успеет открыться;
• частоты следования запускающих импульсов форма не из-
менится, если есть диод в зарядной цепи. В схеме без диода
изменится амплитуда импульса;
• амплитуды запускающих импульсов форма импульса не из-
менится, однако при чрезмерном уменьшении амплитуды
коммутатор не откроется;
• паразитной емкости уменьшится длительность фронта;
• сопротивления нагрузки уменьшится амплитуда выходного
импульса и его форма станет многоступенчатой.
11.53. а) l = 0,5 cτ ε = 4,94 м ; б) 3,75 м.
11.54. Cл = 0,5 τ Z в = 33,3 нФ , Lл = Z в2С л = 187 мкГн .
11.55. С = τ = τ n = 8 нФ ; L = Z в2С = τR0 Δ = 5 мкГн .
2
2k Z в 2k R0 Δ 2k n 2
11.56. Потерями в линии пренебрегаем. Из условия равенства энер-
гии, запасенной в линии и энергии, которая расходуется в со-
гласованном нагрузочном сопротивлении за время длительнос-
ти импульса 0,5CkU max 2
= τU max
2
(4 Z в ) определим емкость ячейки
линии. Индуктивность ячейки равна L = Z в2C .
.
11.57. I а и = n I o и = 160 A
11.58. η з = 1 − π 4Q = 0,948 ; η a = ηзηкηиη л = 0,8 .
−1
11.59. Lз = ( π Fmax Cл ) = 10,1Г н .
2 2
−1
11.60. Lз = ( π Fmax C k ) = 12,7 Гн; η з = 1 − π 4Q = 0,9 .
2 2
11.61. а) Fmax = (π LзCл ) −1 =503 Гц; Q = Lз С л Rз =15,8;

U max = 2E ηз = 13,3 кВ; η з = 1 − π (4Q) = 0,95 ;
п
б) 411 Гц; 13,1 кВ; 0,94.
11.62. Fmax = (π LзCл ) −1 = 282 Г ц ; Q = Lз С л Rз = 28,3 ;
η з = 1 − π (4Q з ) = 0,972 ; U max = 2 E n ; Eп = E / nη з = 10 кВ.
11.63. Период собственных колебаний зарядной цепи ра-
вен T0 = 2π LзСл = 3,2 мс . Период следования импульсов
T = 1 F = 2 мс ; ρ = 23 кОм ; I з max = Eп ρ = 0,31 A ;
I з 0 = I з maxT0 (πT ) = 0,16 A ; I з э = 0,5 I з max T0 T = 0,2 A
;
Pп = Eп I з 0 = 1,17 кВт .
11.64. Коэффициент трансформации при согласовании линии с
нагрузкой равен n = R0 Z в = 5,1 . Напряжение на первич-
ной обмотке ИТ равно U1 = E n = 7,9 кВ ; U max = 2U1 = 15,8 кВ ;
Eп = 0,5U max (1 − π 4Q) = 8,2 кВ .
11.65. n = R0 Z в = 3 ; U max = 2 E n = 26,7кВ ; Eп = 0,5U max (1 − π 4Q ) = 14,8 кВ.
11.66. U max = 2 Eп ηз = 22,08 кВ ; U1 = 0,5 ⋅ U max ηр = 9,27 кВ .
11.67. Напряжение на первичной обмотке ИТ равно
U1 = E (n ηи ) = 8,68 кВ . Напряжение на линии равно
U max = 2U1 ηр = 18,6 кВ ; Eп = 0,5U max (1 − π (4Q ) = 10,3 кВ.
11.68. ηз = 1 − π (4Q) = 0,92 ; U max = 2 Eп ηз = 18,4 кВ ; напряжение на наг-
рузке E = 0,5nU max ηр = 21,2 кВ ; Pп = Pн и Fτ (ηзар ηраз ) = 767 Вт .
11.69. Максимальное напряжение на линии не должно превы-
шать допустимое анодное напряжение тиратрона Umax=16 кВ.
При согласовании волнового сопротивления линии с нагруз-
кой U1 = 0,5U max = 8 кВ ; n = E U1 = 3,5 ; R0 = E I о и = 800 Ом ;
Z в = R0 n 2 = 65,3 Ом .
11.70. См. решение задачи 11.69. n = 6,7; Umax = 15 кВ; ZE = 112,5 Ом.
11.71. См. решение задачи 11.69. U1 = 0,5U max = 4 кВ; R0 = E I о и = 1333 Ом ;
n = E U 1 = 5; Z в = R0 n 2 = 53 Ом ; Eп = 0,5U max (1 − π / 4Q) = 4,2 кВ.
11.72. а) Q = Lз С л / Rз = 6,7; η з = 1 −π ( 4Q ) = 0,88; U max = 2 E пη з = 8,8 кВ;
Fmax = 1 (π LзСл ) = 796 Г ц ; Tmin = 1 Fmax = 1,26 мс ;

б) параметры диода и мощность питания следует опреде-
лять для максимальной частоты следования импульсов. Об-
ратное напряжение на диоде равно U обр = U max − Eп = 3,8 кВ ;
I з max = E п ρ = 0,5 A ; T0 = 2 π Lз C л = 2,51 м с ;
I з э = 0,5 I з max T0 T = 0,354 A ; Pa=Iзэ ·Ri=125 Вт;
2
в) I з 0 = 2 Eп Сл Fmax = 0,32 А; Pп = Eп I з0 = 3,2 кВт;

U 1 = 0,5U max = 4,4 кВ .
11.73. См. решение задачи 11.69. Umax=16кВ; U1 = 0,5U max η р =7,5 кВ;
n = E (U1 ηи ) = 3,5 ; R0 = E I о и = 431 Ом ; Z в = R0 n = 35 Ом ; на-
2
пряжение источника питания равно Eп = 0,5U max ηз = 8,4 кВ ;

Q = π / [4(1 − ηз )] = 15,7 . Мощность источника питания равна
Pп = Pни (qη зη рη и ) = 3,8 кВт . Суммарная мощность потерь в мо-
дуляторе равна Pпот = Pп − Pн и q = 900 Вт . Обратное напряжение
на зарядном дросселе равно U обр = U max − Eп = 7,6 кВ . Ёмкость
линии равна Сл = Pп (2 Eп2 F ) = 0,09 мкФ .
11.74. а) Pн Pн max = 4Δ (1 + Δ) 2 = 0,998 ; б) 0,992; в) 0,960; г) 0,889.
11.75. U1 = E (n ηи ) = 6,84 кВ ; U max = U1 (1 + Δ) ηp = 15,1 кВ ; η з = 1 − π 4Q =

= 0,948; Eп = 0,5U max ηз = 8 кВ .
11.76. Эквивалентная схема разрядной цепи содержит источник
напряжения Umax (максимальное напряжение на линии) и
включённые последовательно волновое сопротивление линии
ZВ, сопротивление нагрузки Rн, статическое сопротивление от-
крытого коммутатора Rм и сопротивление потерь в линии kR.
Обычно Rм Rн и kR Rн, при этом напряжение на нагрузке
равно U н = U max Rн ( Rн + Z в ) = U max (1 + Δ ) , а мощность в нагрузке
2
равна Pн = U max [( 1 + Δ ) 2 Rн ] . При Rн = ZВ мощность в нагрузке
2
максимальна Pн max = U max (4 Z в ) . Отношение мощностей равно
2
Pн Pн max = 4Δ (1 + Δ ) .
11.77. а) мощность в нагрузке максимальна при ua = Ua max и гра-
ничном режиме работы лампы Рн max = Iaи(Ua max – Iaи /Sгр) =
= 106,4 кВт; Pa = I2aи/Sгр = 19,6 кВт; КПД = Рн max/(Ua max Iaи) =
= 0,84; б) 291 кВт; 9 кВт; 0,97; в) 1917 кВт; 83,3 кВт; 0,96;
г) 4304 кВт; 376 кВт; 0,92 (см. табл. 11.2).
11.78. а) Рн max = Iaи(Ua max – uост) = 1,28 МВт; Ра = 19,5 кВт; 0,985;
б) 5,15 МВт; 48,75 кВт; 0,99; в) 17,4 МВт; 140 кВт; 0,992;
г) 249 МВт; 1 МВт; 0,996.
11.79. а) см. решение задач 11.77 и 11.78: 4750 Вт; 250 Вт; 0,95;
б) 874 Вт; 176 Вт; 0,832; в) 7216 Вт; 484 Вт; 0,937; г) 79,9 кВт;
124,8 Вт; 0,998.
11.80. а) см. решение задач 11.77. и 11.80: 234 МВт; 6 МВт; 0,975;
б) 12,45 МВт; 50 кВт; 0,996; в) 298,5 кВт; 1,5 кВт; 0,995.
11.81. а) использовать высоковольтные коммутаторы и их последо-
вательное включение; б) использовать сильноточные коммута-
торы и их параллельное включение; в) использовать блоки ком-
мутаторов, соединённых параллельно или последовательно.
11.82. Напряжение на нагрузке равно 45·0,25 = 11,25 В и не превы-
шает напряжение Еси max транзисторов. Используем параллель-
ное включение транзисторов. а) 45/15 = 3 шт; б) 4; в) 2; г) 5.
11.83. Один транзистор коммутирует мощность 1,2·103·42 = 50,4 кВт.
Необходимо 3·106/(0,6·50,4·103) ≈ 100 штук.
11.84. I = CU/τФ = 3 А.
11.85. Лампы практически безынерционны, они могут управлять от-
пиранием и запиранием тока, способны коммутировать мощ-
ности более 10 МВт. К форме импульсов, отпирающих лампу,
предъявляются жёсткие требования. Водородные тиратроны
имеют относительно большое время деионизации, способны
коммутировать мощности до сотен мегаватт. Потери на тират-
роне малы, требования к форме поджигающих импульсов не-
критичны, важна лишь крутизна фронта. Тиристоры уступают
водородным тиратронам по мощности и более инерционны. Не-
линейные индуктивности обладают высокой эксплуатационной
надёжностью и практически неограниченным сроком службы,
они способны работать в наносекундном диапазоне длитель-
ностей импульсов при импульсной мощности в сотни мегаватт
и напряжениях до нескольких мегавольт.
11.86. Лампы и тиратроны имеют ограниченный срок службы,
тиратроны – повышенный временной разброс, а тиристо-
ры – ограниченную частоту повторения импульсов. МОП-
транзисторы имеют высокое быстродействие, очень большой
коэффициент усиления по току, но сравнительно малые ра-
бочие напряжения и токи. При разработке схем необходимо
учитывать возможность пробоя МОП-транзисторов в случае
превышения напряжений затвор-исток или сток-исток.
11.87. Современные импульсные тиристоры имеют рабочие напря-
жения 2…2,5 кВ и могут коммутировать токи в несколько десят-
ков килоампер при длительности импульсов несколько сотен
микросекунд. Основными недостатками тиристоров являются

большое время включения (не менее 15…20 мкс) и большие
потери энергии при быстром нарастании коммутируемого тока,
обусловленные локализацией процесса переключения в узкой
(100…300 мкм) области у электрода управления. Значительный
(несколько сотен наносекунд) разброс моментов включения оп-
ределяет потенциальную ненадежность высоковольтных сборок
последовательно включенных тиристоров из-за возможности
пробоя ещё не включившихся приборов. IGBT-транзисторы
имеют малое время коммутации и обеспечивают синхронность
переключения при малой мощности управления. Однако они
имеют сравнительно малые рабочие напряжения (2…2,5 кВ) и
токи (100…200А). Стоимость IGBT в 3…4 раза выше, чем у ти-
ристора с близкими коммутационными возможностями. IGBT-
транзисторы имеют малую перегрузочную способность и боль-
шое падение напряжения в проводящем состоянии (больше, чем
у тиристора с тем же рабочим напряжением). Стоимость РДВ
не превышает стоимости тиристоров. Благодаря однородному
переключению по всей площади полупроводникового элемента
они имеют малые коммутационные потери энергии.
11.88. Малые коммутационные потери энергии в РДВ позволяют
эффективно использовать эти приборы для коммутации много-
килоамперных импульсов тока с микросекундной и субмикро-
секундной (≤0,5 мкс) длительностью фронта при импульсной
мощности одного прибора в несколько сотен МВт. Генераторы
на блоках из нескольких РДВ имеют импульсную мощность
108…1010 Вт. На основе SOS-диодов созданы сильноточные ге-
нераторы с пиковой мощностью до 4 ГВт, выходным напряже-
нием до 1 МВ и длительностью импульса 8…10 нс. Генераторы
на РДВ и SOS-диодах имеют полностью твердотельную систе-
му коммутации энергии, в связи с чем сочетают сравнительно
высокую частоту следования импульсов, стабильность выход-
ных параметров и большой срок службы.
12.1. а) в зависимости от модулирующего сигнала изменяется полная
фаза (для краткости просто фаза) колебаний; б) индекс модуля-
ции М пропорционален амплитуде модулирующего сигнала UΩ
и не зависит от его частоты Ω; в) девиация частоты пропорцио-
нальна UΩ и не зависит от его частоты Ω, т. е. индекс модуляции
М пропорционален UΩ и обратно пропорционален Ω.
12.2. Амплитуды спектральных составляющих зависят от индекса
модуляции М. При М = 2,4; 5,5; 8,6… функция Бесселя J0(М)
проходит через нуль и амплитуды центральных составляющих
равны нулю.
12.3. Из условия J0(М) = 0.

12.4. а) 75/2,405 = 31,185 кГц, 13,587 и 8,667 кГц; б) 6,360, 5,023,
4,150 и 3,536 кГц.
12.6. Используются характеристики, аналогичные характеристикам
передатчиков с АМ: статические модуляционные характерис-
тики (СМХ), представляющие собой зависимости ω или φ от
медленно изменяющегося модулирующего напряжения U; ди-
намические модуляционные характеристики, представляющие
те же зависимости, но при быстроизменяющемся напряжении
U; амплитудные характеристики, показывающие, как зависит
индекс модуляции М от амплитуды модулирующего напряже-
ния UΩ с частотой Ω; частотные характеристики, представ-
ляющие зависимость девиации частоты или фазы от частоты
сигнала Ω при постоянной амплитуде UΩ; зависимости ампли-
туды колебаний от модулирующего напряжения, представляю-
щие паразитную амплитудную модуляцию.
12.7. Передатчики с УМ преимущественно применяются в диапазо-
не ВЧ, СВЧ и более высоких частот, а также в оптическом диа-
пазоне. Их применяют в системах низовой телефонной связи;
радиорелейной; тропосферной и космической связи; для радио-
вещания на УКВ и звукового сопровождения телевидения.
12.8. Δf = MF = 180 кГц, fmin = (80–0,18) МГц, fmax = (80+0,18) МГц,
u(t) = U0cos(2π·80·106t+12sin(2π·15·103t)).
12.9. При УМ каскады ВЧ-тракта должны пропускать в несколько
раз большую полосу частот, чем при АМ. Каскады работают с
постоянной амплитудой, что позволяет получить оптимальные
энергетические соотношения. Можно использовать маломощ-
ные модуляторы. Удобные условия осуществления многока-
нальной передачи.
12.10. При ЧМ пропорционально амплитуде модулирующего сигна-
ла изменяется частота, а при ФМ – фаза.
12.11. При модулирующем сигнале UM cosΩt мгновенное значение
(
ВЧ напряжения при ЧМ равно u = U cos ω0t + Δω sin Ωt , а
Ω
)
( )
при ФМ – u = U cos ω0t + M ϕ sin Ωt . При малом индексе ЧМ
ширина спектра равна удвоенной частоте модуляции, как при
АМ. При большом индексе ЧМ ширина спектра пропорцио-
нальна девиации частоты.
12.12. Прямая ЧМ осуществляется путем изменения частоты АГ.
Она позволяет получить большую девиацию частоты, но тре-
бует использования мер по стабилизации средней частоты
сигнала. Косвенная ЧМ осуществляется с помощью фазовых
модуляторов. Она обеспечивает высокую стабильность часто-
ты, но малую девиацию частоты. Используется в передатчиках

звукового сопровождения телевидения, радиовещания, радио-
телефонии и телеграфии. Цифровые модуляторы обеспечивают
высокую стабильность параметров, их применяют при модули-
рующих частотах менее десятков килогерц. Комбинированную
модуляцию используют при широкополосных модулирующих
сигналах.
12.13. а) осуществляют модуляцию частоты задающего (в том числе
и кварцевого) генератора с умножением частоты и усилением
мощности в последующих каскадах; б) преобразуют ФМ в ЧМ
с умножением частоты и усилением мощности в последующих
каскадах; в) в области низких модулирующих частот использу-
ют прямой метод, а в области высоких – косвенный.
12.14. Прямую ЧМ можно осуществить либо путем изменения па-
раметров колебательной системы АГ с помощью управителя
частоты, либо путем изменения напряжения питания АГ. Не-
достатками первого способа являются усложнение схемы и
снижение стабильности частоты за счет введения дополнитель-
ного элемента. В СВЧ-диапазоне, особенно при повышенных
мощностях, ЧМ осуществляют путем изменения питающих
напряжений автогенератора. Происходящее при этом измене-
ние частоты определяется физическими свойствами прибора:
туннельного диода, ЛПД, диода Ганна, ЛОВ, митрона и др.
12.15. Наиболее используемые – варикапы. Их основные недостат-
ки – низкая температурная стабильность и большой уровень
нелинейных искажений. Используют также реактивные тран-
зисторы и лампы, вариконды, управители на ферритах, особен-
но типа ЖИГ. Ферритовые управители обеспечивают хорошую
линейность модуляционной характеристики, широкий диапа-
зон перестройки по частоте, малый ТКЧ, однако потребляют
большие мощности от источника управляющего сигнала.
12.16. Используют системы частотной и фазовой автоподстройки;
преобразователи ФМ в ЧМ; управляемые по частоте кварцевые
АГ; стабилизированные источники питания, термокомпенса-
цию, термостатирование, цифровые ЧМ; формируют ЧМ-сиг-
нал на пониженной промежуточной частоте.
12.17. а) используют двухтактные ЧМ с преобразователем частоты
и умножители частоты; б) возможно введение корректирую-
щих цепей, использование схем предыскажений модулирующе-
го сигнала, встречно-последовательное включение варикапов;
в) выбор оптимального коэффициента включения варикапа в
контур АГ, использование варикапов со сверхрезким переходом
и др.
12.18. Каскады ЧМ-передатчика работают с постоянной амплитудой

ВЧ-колебаний, поэтому достаточно двух ламп.
12.19. f 0 = c λ0 = 30 МГц; Δf = 0,5 f 0 ΔC C = 1,5 кГц.
12.20. Девиация частоты задающего генератора равна Δf = 50 ⋅103 23 =
= 6,25 кГц, тогда ΔC C = 2Δf f 0 = 10 −3 .
12.21. Изменение частоты задающего генератора равно
Δf = 50 ⋅103 34 = 617 Гц, тогда ΔC C = 2 Δf f = 2,5⋅10-3.
( )
12.22. M = Δf Fmax = 5; П = 2 Fmax 1 + M + M = 247 кГц.
12.23. M = Δf Fmax = 15. а) 6; б) 68; в) 681.
( )
12.24. П = 2 1 + M + M Fmax = 185 кГц. Число каналов равно
N = (73 − 65,8)⋅106 [(185 + 10)⋅103 ]= 37.
12.25. При расстройке высокочастотной цепи приемника относи-
тельно центральной частоты ЧМ-колебания эта цепь выпол-
няет роль частотного дискриминатора.
12.26. Достоинства: малые габариты, масса, потребляемая мощность,
способность работы на очень высоких частотах. Недостатки:
большой ТКЕ, низкие рабочие напряжения, низкая радиацион-
ная стойкость, значительные нелинейные искажения.
12.27. Коэффициент перекрытия не изменится, так как в равной
степени изменятся максимальное и минимальное значения
суммарной емкости варикапов. Параллельное включение ва-
рикапов используют с целью увеличения контурной емкос-
ти, а также ослабления влияния паразитной емкости контура.
Встречно-последовательное включение варикапов используют
с целью уменьшения нелинейных искажений и увеличения до-
пустимого напряжения на контуре.
12.28. Максимальное напряжение ограничено пробивным напря-
жением варикапа, а минимальное – допустимыми значениями
ТКЕ, добротности и напряжения шумов варикапа, а также усло-
вием обеспечения однозначности резонансной характеристики
контура с варикапом.
12.29. а) C max C min = (5,8 0,8) =1,7; б) 1,36. См. ответ 12.27.
12
12.30. C max C min = 3 25,8 3,8 = 1,9; б) 2,6; в) 6,8.

12.31. C max C min = 12 1,9 = (20,8 3,3) , откуда n = 1.
n
12.32. а) C max C min = 1,9 = (10,8 5,8 ) , откуда n = 1; б) 2; в) 3; г) 4.

n
12.33. r = 1/ωCQ = 4 Ом.

12.34. Q1 = 1/ωrC1, откуда Q1/Q2 = ω2/ω1. а) Q2 = Q1ω1/ω2 = 150; б) 50;
в) 15.
12.35. r = 1/ωCQ = 0,9 Ом; Rэ = Q/ωC = 80 кОм;
а) Q2 = Q1ω1/ω2 = 100; б) 30; в) 20.
12.36. а) Q2 = Q1f1/f2 = 4,7·60/5 = 57; б) 9; в) Q1 = ωRэC = 4,7.

12.37. Добротности стабилитронов Д808 и Д813 соответственно рав-
ны: Q = ωRэC = 97, Q = 48.
(
−1
12.38. r = 1/ωCQ = 4,2 Ом; R = UМО/I0= 5⋅108 Ом; f с p = 2π C R r = )
= 1 МГц; Qmax = 0,5 R r = 5400.
( )
−1
12.39. Q max = 0,5 R r = 1100; f с p = 2π C R r = 0,7 МГц.
12.40. Ограничимся диапазоном не очень высоких частот, в котором
можно пренебречь влиянием реактивностей Lв и Cк. На низких
частотах сопротивление емкости перехода 1/ωC велико и соиз-
меримо по величине с шунтирующим емкость сопротивлением
R (рис. 12.1). Последовательно с этими элементами включено
малое сопротивление r. Его влияние пренебрежимо мало и по-
этому добротность варикапа равна Q = R/ρ = ωRC. На высоких
частотах сопротивление емкости мало, шунтирующим влияни-
ем сопротивления R можно пренебречь и добротность варика-
па равна Q = ρ/r = 1/ωrC.
12.41. Q max = 0,5 R r ; (
f с p = 2πC R r
−1
)
откуда r =(4π f с pC Qmax) ;
−1
( )
R = Qmax πС f с р .
12.42. Используя решение предыдущей задачи, получим:
(
r = 4π f с рС Q max ) −1
( )
= 16,6 Ом; R = Q max π С f с р = 2,6 МОм.
12.43. Приравняем проводимости параллельной и пос-
ледовательной схем замещения закрытого перехода:
1 j ωC + ω 2 C 2 r
1 Rэ + jωCэ = =
r + 1 jω C 1 + ω 2 r 2C 2 . Из условия равенства дейс-
твительных и мнимых частей, получим Rэ = (1 + ω 2 r 2C 2 ) (ω 2C 2 r );
( )
Cэ = С 1 + ω2 r 2C 2 . При 1 ωС > r (Q > 1) Rэ = (ω 2C 2 r ) , а Сэ=С.
−1
( )
12.44. а) C = 2 2 ⋅ 10 (6,8 3,8 ) = 30 пФ. Rэ = 1 ω2C 2 r = 2,8 кОм.
−12 12
При высокой добротности варикапа ТКЕЭТКЕб=300⋅10-6 град-1

(рис. 12.3); ТКRЭ=–2,5/T=–7,6⋅10-3 град-1; б) 18 пФ; 7,8 кОм;
ТКЕЭ=140⋅10-6 град-1; ТКRЭ=–7,6⋅10-3град-1.
12.45. На частоте 100 МГц Q2 = Q1f1/f2 = 75. При высокой добро-
тности варикапа ТКЕЭТКЕб. Далее см. решение задачи 12.44
а) 14,5 пФ; 130⋅10-6 град-1; б) 9,9 пФ; 100⋅10-6 град-1; в) 7,5 пФ;
90⋅10-6 град-1.
12.46. Из рис. 12.3 при U=6 В находим ТКЕσ = 180⋅10-6 град-1.
а) Q2 = Q1f1/f2 = 60. При высокой добротности варикапа ТКЕЭ
ТКЕб=180⋅10−6⋅град−1; б) Q2 = Q1f1/f2 = 5; ТКЕЭ=ТКЕб–16700/Q22·
·10−6=–490·10−6 град-1; ТКЕЭ=0 при ТКЕб=16700/Q32·10−6 град-1;
откуда Q3 = 9,6. Такое значение добротности получается на час-

тоте f3 = Q1f1/Q3 = 31,2 МГц;
12.47. 2Δf 0,7 = f Q = 0,3МГц, Uш т=0,4 мкВ, Uш др=0,5 мкВ,
0 н
Uш=0,64 мкВ.
12.48. U M = 4 (ϕ к + U ) Q н = 0,6 В.
12.49. Отношение сопротивлений резисторов должно обеспечить
требуемое напряжение смещения на варикапе. Суммарное со-
противление этих резисторов должно быть значительно мень-
ше сопротивления R варикапа. Это необходимо для получе-
ния стабильного напряжения смещения, поскольку величина
сопротивления R сильно зависит от температуры.
12.50. Нужно нарисовать цепь подачи модулирующего напряжения
UΩ на варикап и выявить элементы, влияющие на величину
коэффициента передачи этого напряжения в диапазоне частот;
а) см. рис. 12.7; б) см. рис. 12.8.
Ср
UΩ R2 R1
Рис. 12.7. Эквивалентная схема частотного модулятора

для низких модулирующих частот
Ср Lдр
СМО Ссв СМО

UΩ R2 R1 UΩ
Сбл
а б
Рис. 12.8. Эквивалентные схемы модуляторов

для высоких модулирующих частот:
а – модулятор по схеме 12.5; б – модулятор по схеме 12.6.
12.51. Из закона сохранения энергии 0,5CM U M = 0,5CМ′ U к находим

2 2
С 'M = C M (U M U к ) = C M р 2 .
2
12.52. Суммарная емкость, подключенная к контуру АГ, рав-

( )
на СΣ = СM Cс в СM + Сс в = рCM . Так как CM = CM O + CM M и
CММCМО, то статическая составляющая суммарной емкости
равна pCМО. Определим переменную составляющую суммар-
ной емкости
[ (
d C M Cс в С M + Cс в )]=(С M )
+ Cс в Cс в − С M Cс в
= р 2 , от-
d CM ( С M + Cс в )
2
куда ΔCΣ = р 2 ΔС M = p 2C M M и C 'M = рС М О + р 2С М М .
12.53. Δf = 0,5 f 0 ΔC C , C = 1 ω2 Lк , откуда Δf = 2π 2 f 0 3 Lк ΔC . Изменения

емкости для вариантов а) и б) равны: ΔС = CM M ⋅ р = 0,01 пФ,
2
следовательно, Δ f = 2π 2 ⋅ 503 ⋅1018 ⋅ 2 ⋅10 −6 ⋅ 0,01 ⋅10 −12 = 49 кГц.

12.54. Следует учесть, что частота f0 для вариантов а) и б) бу-
дет различной. а) C 'M = р 2C M O + р 2C M M = 0,08 пФ + 0,01 пФ;
( (Cк + р С )Lк )
−1
f 0 = 2π 2
MO
= 45,7 МГц; Δf = 0,5 f 0 ΔC C =
−6
⋅ 0,01 6,08 = 37,6 кГц; б) C 'M = рCM O + р CM M =
2
= 0,5 ⋅ 45,7 ⋅ 10
= 0,8 пФ + 0,01 пФ; f0=43,2 МГц; ∆f=31,7 кГц.
12.55. К Н 2 = Δf 0 Ω Δf = 0,08.
12.56. К Н 2 = Δf 0 Ω Δf = 0,045.
⎛1
3 Δf ⎞
12.57. Из уравнения К н 2 = ⎜ + Cк ⎟ = 0,06 найдем C =9 пФ.
⎜ 2 С р2 ⎟
2 f0 МО
⎝ МО ⎠
12.58. а) См. решение задачи 12.57; CМО=13,5 пФ. б) из уравнения
Δf n f0
= при n=0,5 и CМО=13,5 пФ получим
U Ω 2U M O (1 + Cк СМ О ⋅ р 2 )
ΔU M O Δf 0 ⎜⎛ Cк ⎞⎟ −3
UΩ = 0,87 В; в) =4 1+ = 3,6 ⋅ 10 .
UMO ⎜ 2 ⎟
f 0 ⎝ СМ О ⋅ р ⎠
12.59. Относительное изменение резонансного сопротивления
контура вследствие изменения сопротивления Rэ равно
−3
ΔR R ' = 4 Δ f Q н ( f 0 Q ) = 9 ⋅ 10 , а вследствие изменения ха-
рактеристического сопротивления ρ: ΔR R' = 2 Δf f 0 = 20 ⋅10 −3 .
Суммарное изменение резонансного сопротивления рав-
но ΔR R' = 29 ⋅10 −3 . Коэффициент паразитной АМ равен
ΔU U = ΔR R' = 0,03 .
12.60. При слабой связи Cк /(CМО · p2)1/p1, а крутизна модуля-
ционной характеристики пропорциональна отношению f0/Cк.
а) подставив в выражение f0/Cк значение емкости
C к = 1 ( 2π f 0 ) L , увидим, что крутизна изменяется пропор-
2
ционально кубу частоты; б) емкость постоянна, следовательно,

крутизна пропорциональна частоте f0.
12.61. См. решение предыдущей задачи. а) f 03 ; б) f0.

12.62. а) при слабой связи Cк/(CМО · p2)1/p1 получим
Δf Ск , ' f 1 ɋɤ 'f 1 ɋɤ
К н 2 = 1,5 2
ɪ 1,2 ; б) ɪ 0, 7 .
f0 СМО р f0 Ʉɧ2 ɋɆɈ f 0 Ʉ ɧ 2 ɋɆɈ
12.63. При слабой связи Cк /(CМО · p2)1/p1. а) используя равенства
р = U M U к ; U M ≤ 0,5U обр max и U к2 = 2P1Q н ρ = 2 P1Q н (ω 0 C k ) ,
где Р1 – колебательная мощность АГ, а Qн – нагруженная добро-
2
π f0CкU обр max
тность контура АГ, получим р 2 = . При слабой связи
4 P1 Q н
Δf Ск Δf 2 СМ О 2
К н 2 = 1,5 , откуда
2 = Кн2 р . Подставив значение p2,
f0 СМ О р f0 3 Ск
2 2
f С U Δf π f 0 С М ОU обр max
получим Δf = π К н 2 0 М О обр max ; б) = Кн2 .
f0 6 P1Q н f0 2 P1Q н
n dC nC
12.64. а) из выражения C = C0 ⎜⎜ ϕ к
⎛ ⎞
⎟ получим = . При
⎝ ϕк +U ⎟
⎠ dU ϕк + U
Uφк и малых относительных изменениях емкости и напряже-
ния получим ΔC C = −n ΔU U . Используя последнее равенство,
получим CM M = −nCM O U Ω U M O , где CММ – амплитуда изменения
емкости модулятора, UΩ – амплитуда модулирующего напряже-
ния. Используя известное соотношение Δf f = −0,5 ΔC C , по-
Δf р 2 пСМ ОU Ω
лучим при ΔC = р 2СМ М и С = Ск + р 2СМ О : =− ,
f 2U M O (Cк + р 2СМ О )
Δf n f0
откуда =− ; б) решение аналогично вари-
UΩ 2U M O (1 + Cк (СМ О р 2 ))
анту а).
3 UΩ
12.65. Используя выражения для Кн2 и Sf, получим: а) К н 2 = ;
8 UMO
б) К н 2 = 1 U Ω .
8 UMO
12.66. Используя формулы подраздела 12.5, получим
1) Sf = 11,6 кГц/В; UΩ = Δf/Sf = 12/11,6 = 1 В;
2) Δf0Ω/Δf0 = –1,35 · 10 –5; Δf0Ω = –400 Гц; К н2 = Δf0Ω/Δf = 0,027;
3) ΔΔf0Ω/Δf = –1 · 10–6; ΔΔf0Ω = –30 Гц;
4) ΔUМО/ΔUМО = 4,35 · 10–3; ΔUМО = 26 мВ;
5) Значение ТКЕб при U = 6 В из рис. 12.3, равно 180 · 10–6 град-1,
тогда ТКЕэ = ТКЕб – 16700/Q2 · 10−6 = 170 · 10−6 град-1,

ΔCэ = Cэ · ΔТ · ТКЕэ = 0,1 пФ;
6) Относительные изменения резонансного сопротивления кон-
тура при изменении эквивалентного сопротивления варикапа
и характеристического сопротивления контура соответственно
ΔR Δf Q н ΔR 2Δf
равны =4 = 2 ⋅10 − 3 и = = 1⋅10 −3 . Суммарное
R' f0 Q R' f0
−3
изменение сопротивления равно ΔR R ' = 3 ⋅ 10 , а коэффици-
−3
ент паразитной АМ равен ΔU U = ΔR R ' = 3 ⋅10 .
12.67. В диапазоне высоких частот ФМ осуществляют путем преобра-
зования АМ в ФМ, использования различных фазосдвигающих
цепочек и мостовых схем. В диапазоне СВЧ применяют фазов-
ращатели проходного и отражательного типов, в которых ис-
пользуется зависимость фазы от параметров линии и нагрузки.
12.68. Каскады ФМ-передатчика работают с постоянной амплиту-
дой ВЧ-колебаний, поэтому достаточно двух транзисторов.
12.69. Δf = MF = 180 кГц. Пределы изменения частоты равны
(80 ± 0,18) МГц.
12.70. Отбросив несущественный в данном случае знак функции,
можно записать φ = b tg φ, где b – множитель, определяющий
допустимое отклонение модуляционной характеристики от ли-
нейной. Используя MathCad получим
φ := 1; φ( b ) := root (φ − b ⋅ tan (φ), φ) ;
a) при b := 0.8 φ( b ) = 43.575 deg ;
б) при b := 0.9 φ( b ) = 31.102 deg ;
в) при b := 0.95 φ( b ) = 22.161 deg ;
г) при b := 0.975 φ( b ) = 16.356 deg .
12.71. а) Δf = Fmin Δϕ max = 25 Гц, N = 2000; б) 1640; в) 410.
12.72. Необходимое умножение частоты N = Δ f / ( Fmin Δϕ max ) = 725 .
Количество утроителей частоты определяем из уравнения
3к=725, откуда к = 6. Частота задающего генератора равна
75 · 106/36=102,88кГц. Количество усилителей мощности опре-
деляем из уравнения 5 · 103/50 · 10-3 = 10m, откуда m = 5. Эффек-
тивная ширина спектра на входе умножителей частоты равна
32 кГц, а на выходе передатчика – 185 кГц.
12.73. См. решение задачи 12.72. Необходимо 4 утроителя частоты
и 6 каскадов усиления мощности. Частота АГ равна 617,3 кГц.
Ширина спектра сигнала на входе умножителей частоты 8 кГц,
а на выходе передатчика – 50 кГц. Абсолютная нестабильность
частоты передатчика равна 50 Гц, а относительная – 10-6.
12.74. В перенапряженном режиме.

12.75. В полосе частот сигнала частотная характеристика цепи долж-
на быть достаточно равномерной, а фазовая – линейной. Цепь
должна также иметь необходимую электрическую прочность,
устройства регулировки и т. п.
12.76. а) может быть и нелинейной; б) должна быть равномерной
в полосе частот сигнала; в) должна быть линейной в полосе
частот сигнала.
( )
12.77. П = 2 F 1 + M + M . Расстояние между спектральными со-
(
ставляющими F, поэтому их число равно 2 1 + M + M . )
12.78. Δf = MFmax = 108 кГц; 2Δf = 2Δf К 2 − 1 . а) 875 кГц; б) 675 кГц;
0, 7
в) 471 кГц. Условия применимости метода мгновенной частоты
выполняются.
( )
12.79. f0 = c/λ = 60 МГц; П = 2 Fmax 1 + M + M = 180 кГц,
2
а) 2 Δf 0, 7 = Fmax 3 2 M K Н = 290 кГц; Q = f0/2Δf0,7 = 207;
б) 245 кГц; 245; в) 194 кГц; 309. Условия применимости метода
мгновенной частоты выполняются.
12.80. а) 405 кГц; б) 312 кГц; в) 218 кГц. Условия применимости
метода мгновенной частоты выполняются.
( )
12.81. f0 = c/λ = 1,5 МГц; M = f/Fmax = 0,6; П = 2 1 + M + M Fmax =
3 2
= 47,5 кГц; а) 2 Δf 0, 7 = Fmax 2 M K Н = 62 кГц; Q = f0/2Δf0,7 = 24;
б) 28,6; в) 36. Условия применимости метода мгновенной час-
тоты выполняются.
12.82. В двухконтурных УМ получаются меньшие искажения сигна-
ла, поскольку полоса пропускания двухконтурной системы при
критической связи между контурами (kQ = 1) в 2 раз больше,
чем у одного контура.
12.83. а) K H = 0,004 ; б) K H = 0,13 . Для типичных значений M1
M M
величина Kн, как видим, не превышает нескольких процентов
даже при большой девиации частоты, соизмеримой с полосой
пропускания контура.
12.84. Используя формулы для расчетов коэффициентов нелиней-
ных искажений и паразитной амплитудной модуляции, полу-
чим а) 2Δf 0, 7 = Fmax 3 2 M 2 / K H ; б) 2Δf 0, 7 = 2Δf / K 2 − 1 .
12.85. При достаточно медленном изменении мгновенной частоты
амплитуда выходного сигнала пропорциональна модулю коэф-
фициента усиления при текущем значении мгновенной часто-
ты. Используя формулу для модуля сопротивления контура,
получим K = Z max / Z = 1 + (2QΔf / f 0 ) = 1 + (Δf / Δf 0,7 ) .
2 2
13.1. Поскольку LC-контуры имеют сравнительно низкие добротнос-

ти, значительные поля рассеяния, малую механическую жест-
кость и т.д.
13.2. Из-за больших потерь мощности на излучение, потерь мощ-
ности при прохождении токов проводимости через контакты и
вдоль проводников, потерь на токи, индуктируемые в окружа-
ющих предметах, а также потерь в диэлектриках.
13.3. Межвитковая емкость катушек индуктивности и индуктив-
ность выводов конденсаторов, приводящие к резонансу этих
элементов. Например, провод длиной 30 мм и диаметром 1 мм
обладает индуктивностью около 25 нГн.
13.4. Возможны из-за наличия паразитных индуктивностей у кон-
денсаторов и паразитных емкостей у индуктивностей. Резонан-
сные частоты, образуемые этими паразитными реактивностями,
гораздо больше основной резонансной частоты.
13.5. Тороидальные, коаксиальные, полосковые и волноводные ре-
зонаторы, состоящие из замкнутых металлических оболочек,
образующих внутреннюю полость. В этой полости и развива-
ются электромагнитные поля.
13.6. Высокие добротности; механическая жесткость; свойство са-
моэкранировки; легкость теплоотвода; удобство объединения с
электродами АЭ; возможность использования оболочек резо-
наторов как перегородок, отделяющих вакуум от атмосферы.
13.7. Благодаря малой мощности потерь. В замкнутых резонаторах
отсутствуют потери на излучение и токи, индуктируемые в ок-
ружающих проводниках; отсутствуют или сведены к минимуму
потери в диэлектриках; малы потери на токи проводимости и
в контактах.
13.8. Вблизи резонансной частоты высокодобротного (Q1) резона-
тора при условии, что другие резонансные частоты значительно
отличаются от рассматриваемой частоты.
( )
13.9. L = R (ω0Q ) = 12 ⋅103 6,3 ⋅ 850 ⋅106 ⋅ 340 = 6,6 нГн, r = R / Q = 0,1 Ом.
2
С = Q ( Rω0 ) = 340 (12 ⋅103 ⋅ 6 ,3 ⋅ 850 ⋅10 6 ) = 5,3 пФ.

13.10. Q = f 0 2Δf 0, 7 = 103 ; L = R (Qω0 ) = 0,53 нГн; C = Q ( Rω0 ) = 0,21 пФ;
r = R Q 2 = 0,05 Ом.
( )
13.11. N 0 = Q PПОТ ω0 = 500 ⋅ 200 6,28 ⋅ 3 ⋅109 = 5,3 мкДж.
13.12. При резонансе максимальные энергии электрического и маг-
нитного полей равны:
Р ПОТ = ω0 N 0 Q = 500 Вт; R = U э2ф PПОТ = 800 кОм;
L = R (ω0Q) = 40 нГн; С = Q ( Rω0 ) = 2,5 пФ.
13.13. Соотношением размеров – в тороидальном резонаторе

D λ/8; l λ/4; h l (рис. 13.1). При этих условиях отсутс-
твует существенная вариация электрического и магнитного
высокочастотных полей в радиальном, осевом и азимутильном
направлениях, что позволяет трактовать тороидальные резо-
наторы как контуры с сосредоточенными параметрами. Роль
сосредоточенной емкости C играет плоский зазор в центре ре-
зонатора, а роль сосредоточенной индуктивности L – цилин-
дрическая или тороидальная поверхность, образующая один
виток с развитой поверхностью. Резонансная частота колеба-
тельного контура равна ω0=1/ LC .
13.14. Используем программу MathCad. l:=2·10–2 м; d:=2·10–2 м;
D:=5.4·10–2 м; h:=2·10–3 м; ε0:=8.85·10–12; μ0:=4·π·10-7; εa:=ε·ε0;
8h l
μa:=μ·μ0; ε:=1; μ:=1; α := (ln( ) + 1);;
πd 4h
πd 2 μa D −1
C := εa ⋅ (1 + α(d, h , l)); L := l ⋅ ln( );; f 0 := (2π LC ) ;
4h 2π d
f0=1.756 ГГц; L=3.973 нГн; C=2.069 пФ.
13.15. C = εε 0 πd 2 (4h) = 8,28 пФ; L = 1 / ω 2C = 4,7 нГн;
l = 2π L (μ μ 0 ln( D d ) ) = 3 см.
13.16. R = Q L C = 33 кОм; r = R Q 2 = 0,09 Ом; I = 2 PПОТ r =15 А.
13.17. f 0 = 1 (2π LC ) = 520 МГц; для этой частоты R11 = 6·10–3 Ом;
rк = 3,7·10–3 Ом; Q = L C / rK = 6400 ; R = Q 2 rK = 150 кОм.
13.18. Изменится лишь сосредоточенная емкость зазора, пропорци-
2
ональная величине ε, ε′ = ε⎛⎜ f 0 f 0′ ⎟⎞ = 1 ⋅ (590 175)2 = 11,4.
⎝ ⎠
a) l:=5·10–2 м; d:=6·10-2 м; D:=12·10–2 м; h:=2·10–3 м;
D⎞
⋅ ⎛⎜ ln⎛⎜
l ⎞
+ 1⎞ ; α := 0.24 ; L := ⋅ l⋅ ln ⎛
8⋅ h μa
3 α := ;
Us := 1⋅ 10 A; π ⋅d ⎝ ⎝ 4⋅ h ⎠ ⎠ 2⋅ π ⎝d ⎠
2
π⋅ d
L = 6,931 нГн ; C := εa⋅ ⋅ (1 + α ( d , h , l) ) ; C = 15,52 пФ
4⋅ h
−1 2
Us ⋅ C( d , h , l)
f0 := (2⋅ π⋅ L⋅ C) ; f0 = 485,3 МГц ; N0 := ; N0 = 7,76 мкДж ;
2
На частоте 480 МГц R11 = 6 мОм (см. прил. 11).
R
⋅ ⎡⎢ + 2⋅ l⋅ ⎛⎜ + ⎞ + 2⋅ ln⎛⎜ ⎞⎤⎢ ;
11 1 1 1 D
r := rk = 4,189 мОм ;
k 2⋅ π ⎣ 2 ⎝D d⎠ ⎝ d ⎠⎦
1 L f0⋅ 2⋅ π⋅ N0
Q := ⋅ ; Q = 5045 ; Pпот := ; Pпот = 4,689 Вт ;
r C Q
k
Учитывая, что Q′ = QR11/R′11, определим добротность и мощ-
ность потерь для других материалов: б) 5226; 4,32 Вт; в) 3574;
6,31 Вт; г) 3684; 6,12 Вт; д) 1900; 11,87 Вт; е) 2677; 8,9 Вт.
13.20. Чаще всего используют основной тип колебаний, а также пер-
вый продольный обертон.
13.21. 1). Значительные потери мощности в металле и диэлектрике,
возрастающие с увеличением частоты. Особенно велики потери
во внутреннем проводнике коаксиальной линии, где имеется
наибольшая плотность высокочастотного тока. 2). Потери на
излучение в открытых двухпроводных линиях. 3). Сравни-
тельно низкая электрическая прочность между проводниками
линий.
13.22. Ввиду известных недостатков этих линий (см. ответ к преды-
дущей задаче) затруднено применение открытых двухпровод-
ных линий уже на волнах дециметрового диапазона, а коакси-
альных – сантиметрового.
13.23. Волноводы имеют наиболее простую и жесткую конструкцию.
Они имеют высокую электрическую прочность, так как у вол-
новодов наибольший путь возможного электрического пробоя
в области максимальной напряженности электрического поля.
Ввиду отсутствия внутреннего проводника отпадает необходи-
мость введения опор в волновод и, соответственно, нет потерь
в диэлектрике и малы потери на токи проводимости.
13.24. При z = l = 0,25 λл резонансное сопротивление равно
R = 4QZВ/ = 64 кОм; ρ = R/Q = 80 Ом; С = 1/(ω0 ρ) = 2 пФ.
13.25. При z = λл/8 и l = λл/4 резонансное сопротивление равно
R = 4QZВ sin2β0z/(2β0l + sin2β0l) = 2QZВ/ = 13,4 кОм;
ρ = R/Q = 44,6 Ом.
13.26. Используя решения задач 13.24 и 13.25, получим:
а) R = 4QZВ/ = 14 кОм; ρ = R/Q = 70 Ом;
б) R = 2QZВ/ = 7 кОм; ρ = R/Q = 35 Ом.
13.27. R = 4QZВ/(2n–1) ; ω0 = 2π с / (λ л ε μ ) = (2n − 1) π с (2l ε μ ) ;
ρ = R/Q; С = 1/(ω0 ρ) = 10,4 пФ.
λ 531 ⋅ λ0 λ
13.28. Длина резонатора l = 0 arctg + n 0 . Для основ-
2π C ⋅ ZB 2
ного типа колебаний l = 4 см, а для обертонов l = 13,3 см;
22,7 см и 32 см. Характеристическое сопротивление равно

4 Z В sin 2 β0l . Для основного типа колебаний ρ = 36 Ом,
ρ=
2β0l + sin 2β0l
а для обертонов ρ = 12; 7,3 и 5,1 Ом.
13.29. R = 0,5U 2 PПОТ = Q U 2 (2ω0 N 0 ) = 19,9 кОм;
C = (ω0 Z B tgβ 0l ) −1 = 2,1 пФ ; C ЭКВ = Q (ω 0 R ) = 8 пФ.
13.30. а) U H = U sin β0lC B sin β0l = 1000 sin 2π ⋅ 0,58 60 ⋅ (sin 2π ⋅10,5 60 )−1 =
= 69 В, PП = 0,5U H RH = 15,8 Вт; PПОТ = ω 0 N 0 Q0 = 25 Вт ,
2
ηК = PН ( PH + PПОТ ) = 15,8 / 40,8 = 0,39 ; Сопротивление нагруженно-

2
го резонатора равно RH = 0,5U H ( PП + PПОТ ) = 12,2 кОм;
б) Uн=120 В, Pп=48 Вт, Pпот=25 Вт, ηк=0,66, Rн=6,85 кОм.
13.31. а) 0,25; 0,75 и 1,25 ГГц; б) 0,156; 0,47 и 0,78 ГГц.
13.32. Используем программу MathCad. l:=1 м; C:=10·10–12 Ф;
Zв:=75 Ом; ε:=2.5; μ:=1; N=1,2,3,4, где N – порядковый номер
искомой резонансной частоты.
Первый вариант. Графическое решение.
⎛ ω0 ⋅ l⋅ ε⋅ μ ⎞ ; s2(ω0) :=
s1 (ω0) := tan ⎜
1 8 9
; i := 1⋅ 10 .. 2.2⋅ 10 , 3⋅ 10
8
⎝ c ⎠ ω0⋅ Zв⋅ C
Второй вариант. Аналитическое решение.

Уравнения для определения резонансных частот пред-
ставим в виде ω0 A ⋅ t g ω0 B − 1 = 0 , где A = CZВ; B = l εμ /с.
Используем метод простых итераций. Для сходимости ите-
рационного процесса уравнение нужно преобразовать:
ω 0 = π ( N − 1) / B + 1 / B ⋅ arctg (1 / ω 0 A), ; N=1;2;… где N – порядко-
вый номер искомой резонансной частоты. Наименьший но-
мер соответствует основной резонансной частоте, а осталь-
ные – продольным обертонам. Резонансные частоты находятся
в интервале между частотами последовательного π ( N − 1) / B и
параллельного 0,5π (2 N − 1) B резонансов. За начальное при-

ближение частоты примем среднее значение между частотами
продольного и последовательного резонансов:
π ⋅ (4 N − 3)
ω 0 := ⋅c;
4l ⋅ ε ⋅ μ
⎡ ( N 1) ⋅ c c ⎛ l ⎞ ⎤
ω 0 := root ⎢ω 0 π ⋅ − ⋅ atan⎜⎜ ⎟⎟ , ω 0⎥ ;
⎣⎢ l ε ⋅μ l ε ⋅μ ⎝ ω 0 ⋅ C ⋅ Z в ⎠ ⎦⎥
ω0:=2,613170ּ108; 7,923753ּ108; 1,340650ּ109; 1,904133ּ109 рад/c.
13.33. N H = N 0 = Z В (2β0l + sin 2β0l ) I П2 / 8ω0 = 2,15 мкДж. Часть энергии
электрического поля запасена в емкости С
N E C = 0,5 C ( I П Z B sin β0l ) 2 = 1,58 мкДж. Энергия электрического
поля, запасенная в линии, равна N E Л = N 0 − N E C = 0,57 мкДж.
13.34. Резонансное сопротивление R = 0,5 U 2 PПОТ не изменится,
поскольку в данном случае не изменяются амплитуда напряже-
ния и мощность потерь. Добротность резонатора Q = ω 0 N 0 PПОТ
возрастет поскольку увеличится объем резонатора и соответс-
твенно запасаемая в нем энергия.
13.35. Резонансное сопротивление R = 0,5U 2 PПОТ уменьшится, так
как возрастает мощность потерь. Добротность резонатора
Q = ω 0 N 0 PПОТ не изменится, так как в равной степени увели-
чатся запасаемая в резонаторе энергия и мощность потерь.
13.36. λ0=0,06 м; l = 0,06 (2π 2,4 )arctg(531 ⋅ 0,06 42 )+ n 0,06 2,4 = ( )
= (0,4 + n ⋅ 3,87) см.
13.37. Блокировочный конденсатор следует установить в узле тока,
а изолятор – в узле напряжения (рис. 13.6, б).
Zв:=180 Ом, f0:=270·106 Гц, Ф, c:=3·108 м/с,
c λ0 ⎛ λ0 ⎞ ⎛ λ0 ⎞
λ0 := = 1.11 см, l := ⋅ atan ⎜ 531 ⎜+ n⋅⎜ ⎜=
f0 2⋅ π ⎝ C ⋅ ZB ⎠ ⎝2 ε⋅μ⎠
⋅ atan ⎡ ⎤ = (21,2 + n55,5) см, где n=0,1,2…
1.11 1.11
= ⎢ 531 ⋅ ⎜
6.28 ⎣ ( 26 ⋅ 180) ⎦
13.39. См. решение задачи 13.32. l:=21.2·10-2 м; C:=26·10-12 Ф;
ZВ:=180 Ом; ε:=1; μ:=1. При N=1,2,3,4 получаем f0 = 85,78; 718,2;
1420 и 2126 МГц.
13.40. См. решение задачи 13.32. l:=15·10-2 м; d:=2·10-2 м; C:=3.6·10-12 Ф;
D:= 5·10-2 м; ε:=1; μ:=1; N:=1; Z В := 120 ⋅ ln( 2 ⋅ D ) ; ZВ=193,133 Ом;
d
f0 = 241,5 МГц.
13.41. C = 531λ 0 (Z В t g (2π ⋅ l λ 0 ))=3,6 пФ.

13.42. Чаще всего используют основной тип колебаний. Побочные
типы колебаний (обертоны) классифицируют по количеству
четвертей стоячих волн, располагающихся возле оси, азимута
или радиуса резонатора.
13.43. C = 531λ (Z B t g 2πl λ ) = 1 пФ. Емкость нужно увеличить в 1,4
раза.
( ( −1
13.44. а) Z B = 60 ε ⋅ ln D d = 41,9 Ом; C = ω0 Z B t g 2π f l ε c = 0,54 пФ; ))
б) C=3,1 пФ.
13.45. Используем программу MathCad. d:=0.01 м, D:=0.016 м,
C:=0.7·10–12 Ф, f0:=1600·106 Гц; с:=3·108 м/с; μ:=1; ε:=1; n:=0,1,2…
c
⋅ ln⎛⎜ ⎞ =28 Ом, λ0 :=
μ D =18,7 см;
ZB := 60 ⋅
ε ⎝d⎠ f 0
λ0 ⎛ λ0 ⎞ ⎛ λ0 ⎞
l := ⋅ atan ⎜ 531 + n⋅⎜ ⎜
=(4 + n 9,35) см.
2⋅ π C⋅ Z ⎜
⎝ B⎠ ⎝2 ε⋅μ⎠
13.46. Используем программу MathCad. λmin:=0.5 м, λmax:=1 м, C:=5·10-12 Ф,
μ ⎛D⎞
d:=0.04 м, D:=0.092 м, μ:=1, ε:=1; Z В := 60 ⋅ ⋅ ln⎜ ⎟ = 50 Ом,
ε ⎝d⎠
λmin ⎛ λ ⎞
λ>0.5π(D+d)=20,7 см. l min := ⋅ atan⎜⎜ 531 ⋅ ⎟ = 6,5 см, l =18,1 см.
2 ⋅π ⎝ C ⋅Z в ⎟⎠ max
13.47. Для воздушного наполнения Zв = 60 ln4/1 = 83 Ом.

В случае заполнения линии фторопластом-4 волно-
вое сопротивление уменьшится в ε раз и равно 57 Ом;
( −1
l1 l2 = ε ⋅ arctg (531λ C Z B1 ) arctg (531λ C Z B 2 ) = 1,3 . )
13.48. Используем программу MathCad. f0:=0.3·109 Гц, C:=5·10-12 Ф;
d:=0.04 м, D:=0.092 м. Для воздушного наполнения линии
⎞ λ0 ⎛ λ0
⋅ ln⎛⎜
μ D⎞
μ:=1; ε:=1; ZB := 60 ⋅ =50 Ом, l :=
⎜=18 см. ⋅ atan ⎜ 531
ε ⎝d⎠ 2⋅ π C ⋅ ZB ⎠ ⎝
⎛ 9.2 ⎞
При заполнении линии ультрафарфором ZB := ( 6.67) ⋅ ln ⎜
−1
=
⎝ 4 ⎠
=19,3 Ом, l = 8,6 см. Длина резонатора уменьшилась в 2,1 раза.
c
f2 = 580 МГц.
ª¬S( D d ) Hº¼
13.49. См. решение задачи 13.32. a) l:=52·10–2 м; C:=8·10–12 Ф;
μ D
D:=4·10-2 м; d:=1·10-2 м; ε:=1; μ:=1; N:=1; Z В := 60 ⋅ ⋅ ln ( ) ;
ε d
ZВ=75 Ом; f0=105,9 МГц; б) 344,2 МГц; в) 611,2 МГц. При
ω0CZВ1 резонансные частоты относятся приблизительно как

ряд последовательных нечетных чисел 1:3:5…
13.50. См. решение задачи 13.32. l:=15ּ10-2 м; D:=4ּ10-2 м; d:=2·10-2 м;
μ D
ε:=1; μ:=1; Z В := 60 ⋅ ⋅ ln ( ) ; ZВ=41,589 Ом. Из уравнения
ε d
ω0 ⋅ l
С = 1 / tg( ) ⋅ ω0 ⋅ Z В определяем C=2.213·10–10. Резонансные
c
частоты 1, 2, 3 и 4 продольных обертонов равны: а) 1,28 ГГц;
б) 2,072 ГГц; в) 3,05 ГГц; г) 4,038 ГГц. Из условия отсутствия
высших типов волн f < 2 ⋅ c / π ⋅ ( D + d ) = 3,3 ГГц видно, что появле-
ние высших типов волн возможно на третьем и более высоких
обертонах.
13.51. С увеличением емкости при постоянной резонансной час-
тоте длина линии l = c / ω0 ⋅ arctg 1 уменьшается. Харак-
ω0C Z B
теристическое сопротивление параллельного контура также
снижается ρ = 4Z B sin 2 β0l (2β0l + sin 2β0l ) . Рассмотрим час-
тные случаи: а) добротность резонатора Q = 2πZ B (λ0 R1 ) от
величины емкости не зависит, величина резонансного со-
противления R = Qρ при увеличении емкости уменьшает-
ся; б) добротность Q = 0,125Z B (2 β 0l + sin 2 β 0l )I П2 (PКТЗ + PH ).
Учитывая, что PКТЗ = 0,5 I П2 rКТЗ , PH = 0,5 I П2 rH , где rн – сопро-
тивление нагрузки, отнесенное к пучности тока, получим
Q = 0,25 Z B (2 β 0l + sin 2 β 0l ) (rКТЗ + rH ). Из последнего равенства
видно, что при уменьшении длины резонатора его добротность
уменьшается. Величина резонансного сопротивления R = Qρ
при увеличении емкости С уменьшается как вследствие умень-
шения добротности, так и вследствие уменьшения характерис-
тического сопротивления контура. Физически зависимости
Q(C) и R(C) объясняются тем, что в случае а) при уменьшении
длины резонатора снижаются запасенная в резонаторе энергия
и мощность потерь, а в случае б) запасенная энергия снижается,
а мощность потерь остается неизменной.
13.52. При большой толщине покрытия удельное поверхностное
сопротивление с ростом частоты увеличивается. При малой
толщине покрытия это сопротивление постоянно до тех частот,
при которых глубина проникновения токов высокой частоты
превышает толщину покрытия. 1, а). Добротность и ширина
полосы растут пропорционально f 0 . 1, б). На частотах более
низких, чем частота третьего обертона, добротность увеличива-
ется пропорционально величине частоты f0, а полоса пропуска-
ния резонатора постоянна. На частотах, больших частоты тре-

тьего обертона, добротность и ширина полосы увеличиваются
пропорционально величине f 0 . 2). Добротность увеличивает-
ся пропорционально частоте f0, а ширина полосы пропускания
не изменяется.
13.53. Учитывая, что PПОТ = 0,5 I П2 rКТЗ , а
N 0 = 0,125 Z B I П2 (2ω0l c + sin (2ω0l c) )/ ω0 получим
4rКТЗ
2Δω0,7 = ω0 / Q = Pпот / N 0 ≈ .
Z В(2 l c + (sin 2 ω0l c) ω0 )
В последнем равенстве второй член в скобках мал по сравне-
нию с первым, поэтому абсолютная полоса пропускания на
всех резонансных частотах примерно одинакова, а относитель-
ная убывает с увеличением номера обертона. Следовательно,
в случае, когда основные потери сосредоточены в короткоза-
мыкателе, добротность обертонов выше, чем основного тона.
Резонансное сопротивление колебательной системы равно
R = U Z2 2PПОТ = Z B2 rКТЗ ⋅ sin 2 (2πz λ 0 ). Изобразив распределение
амплитуд напряжения UZ вдоль резонатора при возбуждении
колебаний, соответствующих основному резонансу, а также
первому и второму продольным обертонам, мы увидим, что в
точках, отстоящих на расстояние λ2/4 от короткозамыкателя,
напряжение UZ основного типа колебаний наименьшее, а второ-
го продольного обертона – наибольшее. Поэтому резонансное
сопротивление для основного типа колебаний наименьшее, а
для второго обертона – наибольшее. Полученных соотношений
достаточно для приближенного построения частотной характе-
ристики резонатора.
13.54. Добротность коаксиального резонатора равна
2
2 πZ в 2 π 60l n D / d 1184 D l n x
Q= = = , где x = D/d. Опре-
λ 0 R1 λ 0 R11 (1 / D + 1 / d ) λ 0 R11 (1 + x )
делим величину х, при которой функция ln(x)/(1+x) макси-

мальна. Используем програм-
му MathCad. f(x)=ln(x)/(1+x).
Начальное значение: x:=1,1;
Maximize(f,x)=3,591; a:=3,591;
Zв=60ln(a); Zв=76,706 Ом.
Для наглядности строим гра-
фик.
Добротность коаксиального
резонатора максимальна при
D/d=3,591, что соответствует волновому сопротивлению ко-

аксиальной линии 76,7 Ом. Добротность Q прямо пропорцио-
нальна величине диаметра внешнего цилиндра. Максимальная
величина диаметра D ограничена допустимыми габаритами
резонатора и условием отсутствия высших типов волн в коак-
сиальной линии 0,5π(D+d)<λ.
13.55. Функция ln(x)/(1+x), где x=D/d и, соответственно, доброт-
ность максимальны при x=a=3,59 (задача 13.54).
F( a) F( a)
1.064 ; 1.088 .
F( 2.5) F( 6)
13.56. Функция F(x)= ln(x)/(1+x), где x = D/d и, соответственно, доб-
ротность максимальны при a = 3,59 (см. решение задачи 13.54).
Если максимальное значение функции, равное 0,278, умень-
F (a)
шится в 1,16 раза, то F (a ) = 0.278 F ( x) := F ( x) = 0.24 .
1.16
Найдём корни уравнения
Начальные значения примем из условий х<3,59 и х>3,59: х:=3;
root ⎛⎜ − 0.24, x⎞ ; а=2.113 и 7.295.
ln( x)
х:=10; a
⎝1+ x ⎠
Добротность максимальна при D/d = 3,591 и снижается в 1,16
раза при D/d, равном 2,113 или 7,295.
13.57. Формулу для расчёта резонансного сопротивления запишем
2
в виде R = Q p = A D (ln x ) / (1 + x ) , где А – постоянный коэф-
фициент; x=D/d Найдем максимум функции ln(x)2/(1+x).
Используем программу MathCad: х:=1, 1.1…30.

Для наглядности строим гра-
фик.
Начальное значение: х:=8.
Maximize(f,x)=9,186; а:=9.186;
Zв = 60ּln(a) Zв=133.061 Ом.
При увеличении диаметра D
резонансное сопротивление
увеличивается. Максимальная
величина диаметра D ограни-
чена условием отсутствия высших типов волн в коаксиальной
линии 0,5π(D+d)<λ и допустимыми габаритами линии.
13.58. Функция ln(x)2/(1+x), где x=D/d и, соответственно, со-
противление максимальны при а=9,186 (см. решение зада-
2
( ln( x) )
чи 13.57). F( x) := а) F(a)/F(4)=1.256; F(a)/F(20)=1.13;
1+ x
б) F(a)/F(3.5)=1.384; F(a)/F(35)=1.375.
13.59. ZВ=60·ln(5/1,5)=72 Ом. Длина резонатора l > λ/4, так что
резонатор возбужден на обертоне. Амплитуда напряжения в
Ul 5000
пучности равна U П = = = 7 кВ. Максимальная
sin βl sin (2π ⋅10 16)
2U 2 ⋅ 7000
напряженность поля равна E = = = 7,8 кВ/см.
d ln D d 1,5 ln (5 1,5)
Запас электрической прочности равен Eпроб/E = 20/7,8 = 2,5.
13.60. E = 2U(d · ln(D/d))–1, откуда:
а) ln(D/d)=2U/(Ed)=(2·50)/(15·6)=1,11; D=18 см; б) D=10 см.
13.61. Напряжённость электрического поля у поверхности внут-
реннего проводника равна E = 2Ux/(D · lnx), где x=D/d. При
заданных величинах U и D определим оптимальное отно-
шение диаметров. Найдём минимум функции x/ln(x). Ис-
пользуем программу MathCad.
ln( x)
f( x) := x := 1 , 1.1.. 10
2
x
Для наглядности строим график.
Начальное значение: х:=6.
Minimize(f,x)=2,718. При этом
волновое сопротивление коак-
сиальной линии равно 60 Ом.
13.62. Максимальная мощность, передаваемая коаксиальной ли-
нией, равна: Pmax = 2 ⋅ 10 −3 E 2 max d 2 ε l n D/d = A l n ( x ) / x , где
2
А – постоянный коэффициент;
x=D/d. Определим максимум фун-
кции ln x/x2, используя программу
ln( x)
MathCad. f( x) := x := 1 , 1.1.. 10
2
x
Начальное значение: х:=1,1.
Maximize(f,x)=1,649. Функция f(x)
максимальна при D/d=1,649, что
соответствует волновому сопротивлению 30 Ом.
13.63. Очевидно, что чем больше диаметры линии, тем большую
мощность можно передать. Максимальные значения диамет-
ров ограничены возникновением высших типов волн в линии.
Условие отсутствия высших типов волн 0,5π(D+d)<λл. При
заданной длине волны максимальная сумма диаметров посто-
янна: D+d=A, откуда D=A–d. Это значение диаметра подста-
−3 2 2 2
вим в формулу: Pmax = 2 ⋅ 10 E max d ε l nD/d = K l n ( x − 1) / x ,
где К – постоянный коэффициент, x=D/d. Определим макси-
мум функции ln (x–1)/x2. Ис-

пользуем программу MathCad.
ln( x − 1)
f( x) := x := 2.1, 2.2.. 10
2
x
Начальное значение: х:=2,1.
Maximize(f,x)=3,093. Функция
f(x) максимальна при х=3,093,
следовательно, D/d=3,093, что
соответствует волновому сопротивлению линии 44,5 Ом.
13.64. Условия применимости расчетных формул b/d = 3/1,5 = 2 и
t/d = 0,1/1,5 < 0,2 выполняются, следовательно,
(
Z B = 200 (1 + 2) 2,25 = 44 Ом.)
13.65. Используем программу MathCad. b:=2.5ּ10-3 м;
d:=0.75ּ10 -3
м; t:=0.05ּ10 -3
м; μ:=1; ε:=2.25,
eef = 0.5(1 + ε + (ε - 1)/ 1+10 d / b ) ; εef=1.938. Условие при-
менимости расчетной формулы t/b = 0,05/2,5 ≤ 0,25
μ
выполняется, поэтому Z := 300 ⋅ /( 1 + b/d) , Z = 49.737 Ом.
εe f
2b 6
13.66. а) 2d = = = 1,4 мм; б) 2d=1,5 мм.
200 ( Z B ε ) − 1 200 (25 2,25 ) − 1
( )
13.67. b = d 200 ( Z B ε ) − 1 = 7,9 мм. Условия отсутствия выс-
ших типов волн: 2b+ d = 2·7,9 + 3,14·2,5 = 24 мм < λ Л = λ ε ;
4d = 4·2,5 = 10 мм < λл. Откуда λ = λ Л ε = 2,4 2,55 = 3,8 см.
13.68. Z B ε ≤ 70 Ом, следовательно, можно использовать формулу
( )
b = d 200 ( Z B ε ) − 1 ; а) b=12 мм; б) b=28 мм; в) b=62 мм.
13.69. Используем программу MathCad. d:=0.5ּ10-3 м; Z:=30 Ом;
μ:=1; ε:=9.5 (прил. 12). Расчетные формулы: ширина полоски
b = (300/(Z ε e f ) − 1) d ; эффективная диэлектрическая про-
ницаемость eef = 0.5(1 + ε + (ε - 1)/ 1+10 d / b ) , где d – высота
подложки. Из приведенных формул видно, что ширина полос-
ки и эффективная диэлектрическая проницаемость – взаимо-
Give n
§1.361 u 103 · § H1 ·
0.5 ¨ 1 H e Hf
Find b Hef ¨ ¸ d¸
© 7.216 ¹ ¨ 1 10 ¸
© b¹
§ 300 1· d b b
3
1 . 361 10 ɦ .
¨ ¸
© Z Hef ¹
связанные величины. Поэтому составим программу расчета:
13.70. t/b = 0,01/1,4 ≤ 0,25, следовательно, можно использовать
формулу ZВ = 300/(1+b/d) = 100 Ом; λ0 = c/f0 = 5 см;
С = 531·0,05·(100·tg(2π · 0,5/5))–1 = 0,36 пФ. Условие отсутствия
высших типов волн 2b+ d = 2·1,4 + 3,14·0,7 = 4,3 мм < λ.
13.71. Нужно использовать условие резонанса tg(nπ – βl) = ω0CZВ.
13.72. Условие t/b = 0,1/10 < 0,25 выполняется, поэтому
ZВ = 300/(1+b/d) = 50 Ом. U max = E d (1,3 1 + d b ) = 1,4 кВ. Резо-
натор возбужден на обертоне, поэтому амплитуда напряжения
в пучности не должна превышать 1,4 кВ; IП = UП /ZВ = 28 А.
13.73. а) λкр = 2а = 4,6 см; б) λкр = 2а(1–0,2b/а) = 4,2 см;
в) λкр = 1,67а = 3,8 см;
13.74. λ = c/f = 3 см. а) λкр = 2а = 4 см; б) λкр = 3,6 см; в) λкр = 1,67а =
= 3,34 см. Длина волны в волноводе: а) 4,54 см; б) 5,4 смм;
в) 6,8 с.
13.75. Размер а выбираем из условия отсутствия высших волн
0,5λ<а<λ. Среднее значение а = 0,75λ. Размер b<0,5λ. Можно
принять b = 0,5а. Размеры волновода: а) а = 2,25 см; b = 1,12 см;
б) а = 1,12 см; b = 0,56 см; в) а = 7,5 мм; b = 3,7 мм.
13.76. Размер а выбираем из условия отсутствия высших типов
волн 0,6λ<а<1,14λ. Принимаем а = 0,87λ; b = 0,5а. а) а = 8,7 мм;
b = 4,3 мм; б) а = 4,35 мм; b = 2,2 мм.
13.77. См. решение задачи 13.48. В свободном пространстве λ = с/f=
= 2 см. Критическая длина волны равна а) λкр= 2а = 2,4 см;
б) λкр = 1,67а = 2 см. Как видим, для заданной частоты размер
а эллиптического волновода выбран неудачно, так как λ=λкр.
Волновое сопротивление равно а) 341 Ом; б) ∞. Длина волны в
линии а) 3,6 см; б) ∞. Длина резонатора равна: а) 0,09+n·1.8 см;
б) ∞.
13.78. Добротность резонатора высокостабильного АГ должна быть
большой. Большая добротность получается при λ/λкр ≈ 0,97.
Принимаем b = 0,5а. λ = с/f = 2,913 см а) а = λ/(2·0,97) = 15 мм;
b = 7,5 мм; б) а = λ/(1,67·0,97) = 18 мм; b = 9 мм; Zв = 775 Ом.
λЛ = λ 1 − (λ λК Р ) 2 =12 см.
Длина резонатора равна (0,095+n·6) см.
13.79. См. рис. 13.14 и 13.15. Для сильной связи с нагрузкой ин-
дуктивный и кондуктивный элементы связи нужно располагать
вблизи пучности магнитного поля (тока в резонаторе), а емкос-
тной – в пучности электрического поля (напряжения).

13.80. ЭДС= 2 P R = 2 ⋅100 ⋅103 ⋅ 75 = 3873 В.
13.81. IП = Ul /(ZВ sinβl) = 200/(100·sin(2π · 0,2)) = 2,1 А
PПОТ = ω 0 N 0 Q0 = Z В (2 β 0 l + sin 2 β 0 l ) I П2 (8Q0 ) =
= 100(2 ⋅ 2π ⋅ 0,2 + sin 2 ⋅ 2π ⋅ 0,2) ⋅ 2,12 (8 ⋅ 200 ) = 0,85 Вт.
Мощность в нагрузке равна PH = U H2 2 RН = 10 2 (2 ⋅ 50 ) = 1 Вт.
а) резонансное сопротивление относительно точек подключе-
ния емкости C равно R = 0,5U l ( PПОТ + PH ) = 10,7 кОм; б) со-
2
противление относительно точек подключения нагрузки равно

R = 0,5U H2 ( PПОТ + PH ) = 27 Ом.
а), б) QH = ω 0 N 0 (PПОТ + PH )= PПОТ Q0 (PПОТ + PH ) = 92.
13.82. Энергия, запасенная в резонаторе при l = λ/4, равна
N 0 = πZ В I П2 (8ω0 ) . Мощность потерь в резонаторе равна
PПОТ = ω 0 N 0 Q0 = πZ B I П2 (8Q0 ) . Напряжение на нагрузке равно
U H = Z B I П sin β0lС В = 0,7 Z B I П . Резонансное сопротивление рав-
но
2 2
2 2 I П ZВ
RH = I П ZВ (2 Pпот + 2 PН ) = = 6,4 кОм.
(
2 πI П ZВ (8Q )+ I П ZВ (4 R )
2 2 2
)
ZВ
13.83. а) R = = 2,7 кОм. б) при l = λл/8,
π (4Qн ) + Z В (2 R )
Н
U = I П Z В sin β0l = 0,7 I П Z В ; R = U 2 (2 PПОТ + 2 PН ) = 1,35 кОм.

13.84. Напряжение на нагрузке равно
U н = Z вI п. sinβ 0l св = 0,0628 . Z вI п = 0,0628 . U п.
ZВ
а) RН = = 15 кОм;
π (4Q) + 4 ⋅10 −3 Z В R
б) Rн = 0,5U н /(Pн+Pпот) = 0,06282.15.103 = 60 Ом.
2
13.85. U Н = 2 PН rН = 4,75 кОм; lС В min = λ 0 2π arcsin (U Н U sin( 2πl λ 0 ) ) =

= 10,2 см. При использовании обертонов lсв = (10,2 + nλ/2) см.
2
13.86. U СВ = 2 PН rН rН + xН 2 = 1012 В.
lсв = λ0/2π . arcsin(Uсв/U.sin(2πl/λ0)) = 3 cм.
13.87. R0 = Q0ρ = 9,2 кОм; lсв = 1,4 см.
13.88. Uсв = 570 В; lсв = 8 см.
13.89. ZВ = 60 · ln(D/d) = 56 Ом; R0 = Q0ρ = 17,3 кОм;
2
CС В = 1012 / (ω rН R0 (1 − ηК ) ηК − rН ) = 1,1 пФ.
13.90. ZВ = 60 · ln(D/d) = 41,5 Ом; R0 = Q0ρ = 9,3 кОм; Cсв=1,9 пФ.
13.91. Используем программу MathCad. f0:=0.6ּ109 Гц; C0:=1300;

CСВ:=0.5ּ10–12 Ф, rН:=50 Ом, XН:=0, ZВ:=50 Ом, l:=0.06 м, lсв:=0.03 м
(U z ) 2 4 ⋅ Z B ⋅ sin 2 ( β 0 ⋅ z )
R := Q ⋅ ρ = = = 47.5 кОм . Из форму-
2 ⋅ ω 0 ⋅ N 0 2 ⋅ β 0 ⋅1 + sin( 2 ⋅ β 0 ⋅1)
531λ ⋅ sin (β 0 ⋅ l)
лы CCB :=
(1 − η k) = 0.5 пФ определим кон-
sin (β 0 ⋅ lCB ) ⋅ r n ⋅ R0 ⋅
ηk
турный КПД: η k := 0.7 .
13.92. Ток нагрузки и соответственно мощность не изменятся,
если не изменится модуль суммарного сопротивления емкос-
ти связи и нагрузки Z Н = Z H + 1 jωCС В , откуда 1 ωCС В = 2 X Н ;
CC B = (2ωX н ) −1 = 11 пФ. Второй ответ очевиден: Cсв= ∞.
13.93. См. решение задачи 13.92. 35 пФ или ∞.
13.94. Используем программу MathCad. f:=2ּ109 Гц; d:=10-3 м;
Rg:=50 Ом; Rn:=10 Ом; с:=3ּ108 м/с; μ:=1; ε:=10 (см. прил.
12), εef=7,856; b=3,77 мм (см. решение задачи 13.69). Волно-
вое сопротивление трансформирующего отрезка линии равно:
(
Z = R g ⋅ R n = 22.3607 Ом; λ = c/f; l = λ 4 ⋅ εe f = 0.0134 м. )
13.95. Используем программу MathCad. а) f:=3ּ109 Гц; d:=10-3 м;
Rg:=150 Ом; Rn:=500 Ом; Zv1:=30 Ом; с:=3ּ108 м/с; μ:=1; ε:=10
(см. прил. 12). Волновое сопротивление и длина трансфор-
мирирующего отрезка линии равны Z 2 := Z1 ⋅ R g ;
Rn
l := c (4 f εe f ) . Используя программу расчета εef и b (см. ре-
шение задачи 13.69), получим: а) Zv2=16,432 Ом; εef1=7,556;
εef2=8,163; b1=2,638 мм; b2=5,39 мм; l1=9,095 мм; l2=8,75 мм;
б) Zv2=27,386 Ом; εef1=7,009; εef2=7,651; b1=1,266 мм;
b2=2,96 мм; l1=9,443 мм; l2=9,038 мм.
13.96. Pп=0,5Iн2rн; U н = U sin β 0lс в / sin β 0l . а) Iн2=Uн2/⏐Zн⏐2;
н [
б) I 2 = U 2 / r 2 + ( x − 1 / (ω С ) 2 .
н н н св ]
13.97. 123,4 кВт.
13.98. 8,6 кВт.
13.99. а) 7,6; б) 12,6; в) 25,2 кВт.
13.100. 246,7 кВт.
13.101. 154 кВт.
13.102. 1758 кВт.
13.103. а) 250, 500, 750 МГц; б) 156, 313, 470 МГц; в) 172, 345,
517 МГц.
13.104. λ Л = λ ε = 2(ln −1 − ln )= 8,25 см. Для воздуха ε = 1,00055,

следовательно, длину волны нужно увеличить в 1,00027
раза.
13.105. Резонансная длина волны равна λл = 4l/(2n–1), где n=1,2...
f = c (λЛ ε ) . Для вакуума f = 4,17; 12,5; 20,8 ГГц. Для воздуха ε
= 1,00055, так что в случае воздушного наполнения резонатора
частота уменьшится в 1,00027 раза.
13.106. При z = l = 0,25 λл резонансное сопротивление R = 4QZВ /π =
=4·1500·55/3,14=105 кОм; ρ = R/Q = 70 Ом.
13.107. В четвертьволновых резонаторах l = 0,25(2n–1)λл. а) для
основного типа колебаний n=1. В точках а–а z = l, резонанс-
ное сопротивление равно R = 4QZВ /π = 9 кОм; ρ = R/Q = 60
Ом; C = 1/(ω0 ρ) = 4,5 пФ; б) R = 4QZВ /3π = 3 кОм; ρ=20 Ом;
C=4,5 пФ; в) R = 4QZВ /5π = 1,8 кОм; ρ = 12 Ом; C=4,5 пФ;
г) R = 4QZВ /7π = 1,28 кОм; ρ = 8,6 Ом; C=4,5 пФ.
13.108. Используя решение задачи 13.107, получим а) R = 4QZВ /π=
= 5,4 кОм; б) R = 4QZВ /3π = 1,8 кОм; в) R = 4QZВ /5π = 1,1 кОм;
г) R = 4QZВ /7π = 770 Ом.
13.109. а) см. рис. 13.6 и 13.7. На частоте параллельного резонанса
сопротивление кабеля велико, а на частоте последовательно-
го – мало; б) λло= 4l/(2n–1); при n=1 и n=2 длина кабеля равна
25 см и 75 см.
13.110. а) см. рис. 13.6 и 13.7. На частоте параллельного резонанса
входное сопротивление линии велико, а на частоте последо-
вательного – мало; б) λло = 2l откуда l = 75 см, r = 0,41 Ом,
Ru = 8,5 кОм, а = 3840 = 35,8 дБ, b = 0,025 дБ.
13.111. Длина линии уменьшится в √ε раз; а) l = 50 см; б) 63 см.
13.112. Параметры РФ ухудшатся – увеличатся длина линии, со-
противление r и затухание b, а затухание а уменьшится.
13.113. а) l = 63 см, r = 0,092 Ом, Ru = 38 кОм, a = 48,7 дБ, b = 0,0057 дБ;
б) l = 63 см, r = 0,092 Ом, Ru = 39 кОм, a = 54,7 дБ, b = 0,011 дБ;
14.1. Специфические свойства диапазона СВЧ особенно сильно
проявляются на волнах короче 1 м. Поэтому к диапазону СВЧ
обычно относят дециметровые, сантиметровые, миллиметровые
и субмиллиметровые волны.
14.2. В диапазоне сантиметровых и более длинных волн.
14.3. а) измерительные генераторы малой и средней мощности; ге-
нераторы средней мощности для передатчиков телевизионной,
связной и навигационной аппаратуры; импульсные генераторы
средней и высокой мощности для радиолокационных передат-
чиков; преобразователи, умножители частоты и входные уси-
лители приемников диапазона СВЧ; б) мощные АГ и выходные
каскады передатчиков; устройства радиопротиводействия.
14.4. Достоинствами триодов и тетродов СВЧ являются сравнитель-

но низкие питающие напряжения и дешевизна; в усилительном
режиме они обеспечивают высокую стабильность фазовых ха-
рактеристик; триодные АГ имеют сравнительно высокую ста-
бильность частоты по отношению к изменениям питающих
напряжений; отсутствие устройств фокусировки электронно-
го потока, однако в сравнении с другими усилителями (ЛБВ,
клистроны и др.) триоды и тетроды СВЧ имеют малый коэф-
фициент усиления и узкую полосу пропускания.
14.5. В импульсном режиме напряжения могут быть значительно
увеличены без ограничений по рассеиваемой мощности на
аноде и по эмиссионной способности катода. При увеличении
напряжений уменьшается время пролета электронов междуэ-
лектродного пространства, что обеспечивает повышение коле-
бательной мощности и электронного КПД.
14.6. По сравнению с триодными генераторами они имеют более
высокий электронный КПД и более сложную конструкцию.
14.7. В тетродных генераторах на экранную сетку обычно подается
постоянное напряжение, близкое или равное анодному напря-
жению. Благодаря этому электроны ускоряются в промежутке
между первой и второй сеткой до очень больших скоростей,
что способствует малому времени их пролета от второй сет-
ки до анода. Уменьшение времени пролета способствует уко-
рочению импульса наведенного тока в выходной цепи, что
обеспечивает повышение амплитуды первой гармоники тока
и КПД.
14.8. Максимальная рабочая частота определяется двумя фактора-
ми: свойствами КС и пролетными явлениями при движении
электронов в междуэлектродном пространстве. Для продвиже-
ния ламп в сторону более высоких частот уменьшают внутри-
ламповые индуктивности и емкости вплоть до слияния лам-
пы с резонаторами в виде отрезков коаксиальных линий. Для
уменьшения времени пролета повышают напряжения на элек-
тродах и уменьшают междуэлектродные расстояния. Наиболее
благоприятной для обеспечения малых расстояний являются
плоскоэлектродная конструкция лампы.
14.9. а), б) малая скорость электронов, проходящих через лампу, при
их ударе об анод.
14.10. При λ< λmin происходит резкое снижение выходной мощности
и КПД генератора, а граничная длина волны всего в 1,5 раза
меньше минимальной.
14.11. Изменения питающих напряжений, температуры, параметров
ламп и нагрузки, механические воздействия и др.
14.12. При укорочении длины волны и неизменном времени пролета

электронов увеличивается запаздывание по фазе первой гар-
моники наведенного анодного тока относительно переменного
напряжения на сетке и возрастает влияние напряжений источ-
ников питания на этот внутриламповый сдвиг фаз, а, следова-
тельно, и на частоту автогенератора.
14.13. а) импульсная эмиссия катода возрастает во много раз боль-
ше, чем напряжение на катоде. Резкое увеличение тока Iа1 при-
ведет к снижению сопротивления Ra=Ua/Iа1; б) см. ответ к за-
даче 14.5. При уменьшении сопротивления нагрузки Rа можно
получить большее значение контурного КПД ηк = 1–Rа/R0.
14.14. При сеточной модуляции постоянное напряжение на аноде мо-
жет вызвать ионизацию остаточных газов в лампе, что влечет за
собой снижение электрической прочности. При импульсной по-
даче анодного напряжения устраняется дополнительный разогрев
анода за счет непрерывного прохождения токов, обусловленных
неполным запиранием катодного тока и термоэмиссией сетки.
14.15. а), б), в) кривые идут практически параллельно оси абсцисс
и резко снижаются на частоте, соответствующей граничной
длине волны.
14.16. При укорочении длины волны напряжения на сетке и аноде
успевают существенно измениться. Сетка теряет свою управля-
ющую способность, в результате чего плоскость сетки пересека-
ют широкие импульсы электронного тока. Ухудшаются условия
торможения электронов в промежутке сетка-анод, что приводит
к снижению колебательной мощности и электронного КПД.
14.17. Большим считается время пролета, соизмеримое с четвертью
периода высокочастотных колебаний. При большом времени
пролета увеличивается входная активная проводимость лампы,
импульс анодного тока становится ниже и шире, уменьшает-
ся величина первой гармоники тока Ia1, появляется сдвиг фаз
между Uc и Ia1. Часть электронов не успевают дойти до анода и
возвращаются на катод, вызывая его дополнительный нагрев.
Для уменьшения времени пролета уменьшают расстояния меж-
ду электродами лампы и увеличивают напряжения на элект-
родах.
14.18. Статические ВАХ в этом случае использовать нельзя. Нужно
найти скорость движения электронов, а затем определить на-
водимый ток. Наводимый ток имеет место во внешней цепи в
течение всего времени движения электронов внутри лампы и
по своей величине пропорционален их скорости.
14.19. ia =υq/d= q/Δt=10 мА. В момент времени t1 возникнет прямо-
угольный импульс анодного тока с амплитудой 10 мА и дли-
тельностью 0,2 нс.
−3
14.20. t = 0,2 ⋅10 (3 ⋅10 100 ) = 67 пс. Временем пролета электро-
5
нов можно пренебречь, если это время мало по сравнению с

четвертью периода колебаний t < T/4, откуда λmin= 4ct = 0,08 м.
Минимальную длину волны можно определить также непос-
редственно по формуле λ min = 4500 ⋅ 0,2 ⋅10 −3 100 = 0,09 м.
14.21. а) λ min = 4500 ⋅ d с к Uc = 0,58 м, λmin=2000dac/ U а min =0,45 м,
следовательно, λmin = 0,58 м; б) 0,31 м; в) 3,4 cм; г) 0,48 м.
14.22. а) 0,39 м; б) 0,2 м; в) 2,3 см; г) 32 см.
14.23. а) dck = (λгр/40)3јmax= 1 мм; б) 10 мм.
14.24.Технические требования к передатчику и технико-экономи-
ческие расчеты.
14.25. Конструкции генераторных ламп СВЧ должны обеспечивать
малые индуктивности вводов и малые междуэлектродные ем-
кости; удобство присоединения колебательных контуров СВЧ;
малые потери энергии; малые расстояния между электродами;
большую величину колебательной мощности. Поскольку неко-
торые из указанных требований противоречивы, реальные конс-
трукции ламп представляют собой компромиссное решение.
14.26. а) несколько сотен киловатт в дециметровом диапазоне при
КПД 60…70%; б) до единиц мегаватт (ГИ-52А, табл. 14.1).
14.27. Радиолампы могут использоваться на любой частоте ниже
граничной.
14.28. Возможно, но нецелесообразно, так как они дороже низко-
частотных ламп, неудобны для использования с другими резо-
наторами, кроме коаксиальных и потребляют больше энергии
в цепях накала.
14.29. а) верхняя частота (около 20 ГГц) ограничена наличием собс-
твенных индуктивностей выводов и межэлектродных емкостей,
инерцией электронов, а также ростом потерь в лампе и цепях
согласования; б) только целесообразностью. СВЧ-лампы много
дороже низкочастотных и приспособлены для использования с
коаксиальными резонаторами.
14.30. Широкий ассортимент ламп по мощности и частоте (табл. 14.1);
их параметры в широком интервале частот почти не зависят от
частоты; устойчивость к механическим воздействиям и радиа-
ции; возможность работы в интервале температур –60…+70°С;
высокий КПД; большая выходная мощность; повышенная вы-
ходная мощность в импульсном режиме работы.
14.31. Преимущественно короткозамкнутые отрезки коаксиальных
линий, а также двухпроводные и полосковые линии.
14.32. Преимущественно основной тип колебаний. Обертоны ис-
пользуют в случае, когда длина линии получается малой и ее
конструктивно невозможно выполнить на основном тоне.
14.33. (2,8+10n) см.

14.34. t g δ = 2 Pпот ωСб л I 2 = 235 ⋅10 −6 .
14.35. Блокировочный конденсатор находится в пучности тока
Iпучн = 260 А, Pε=10 Вт.
14.36. а) в принципе во всем диапазоне от нулевой частоты до гра-
ничной; б) только в пределах узкого диапазона частот.
14.37. Это вызвано конструктивными особенностями ламп, удобс-
твом подач питающих напряжений и удобством настройки.
В усилителях выходная КС позволяет удобно осуществлять
настройку на нужную частоту и связь с нагрузкой, а вход-
ная – возбуждение лампы от предыдущего каскада. В АГ двух-
контурная КС позволяет производить настройку на заданные
значения частоты, коэффициента обратной связи и мощности
в нагрузке.
14.38. Достоинствами двухсторонней конструкции считаются про-
стота и технологичность, а потому большая надежность в экс-
плуатации. Двухсторонняя конструкция позволяет выбрать
размеры резонаторов независимо друг от друга, однако она
имеет большие габариты; затруднено охлаждение анода, рас-
положенного внутри конструкции; при смене ламп необходимо
перемещать один из резонаторов. Достоинствами односторон-
ней конструкции являются компактность, удобство смены ламп
и охлаждения.
14.39. Никакого, поскольку высокочастотное поле не выходит за
пределы резонаторов.
14.40. Главным образом из соображений техники безопасности, а
также с учетом удобства изготовления источников питания.
Обычно стараются заземлить электрод, связанный с наружны-
ми, наиболее массивными металлическими частями и выводом
энергии.
14.41. В двухтактных генераторах провода питания могут быть
подведены к точкам, находящимся в узлах напряжения, что
позволяет обойтись без блокировочных конденсаторов. Это
обстоятельство имеет существенное значение при широкопо-
лосных видах амплитудной модуляции или при импульсной
модуляции, так как блокировочные элементы заваливают вы-
сокие модулирующие частоты и фронты импульсов. Однако в
двухтактных генераторах сложно обеспечить симметрию плеч.
14.42. Наиболее распространенный способ стабилизации – включе-
ние резистора Rk в цепь катода лампы. Наиболее эффективна
компенсационная схема питания. Кроме того, для защиты лам-
пы от прохождения чрезмерных токов в случае пробоев или
повышения напряжений, а также для дополнительной стаби-
лизации режима в цепь анода включают балластный резистор.

Общий недостаток этих способов – потери мощности на допол-
нительных резисторах.
14.43. Частоты гармоник тока находятся в соотношении 1 : 2 : 3...
При угле отсечки 90° коэффициент α3(θ) равен нулю. Отноше-
ние резонансных частот контура может быть близко к отноше-
нию чисел 1 : 3 : 5… Поскольку частота третьей гармоники тока
может быть близка к резонансной частоте второго продольного
обертона, целесообразно устанавливать угол отсечки 90°.
14.44. В однотактном двухконтурном усилителе с общей сеткой
резонаторы расположены по обе стороны от плоскости сетки.
Резонаторы образованы короткозамкнутыми отрезками ко-
аксиальных линий. Из соображений техники безопасности и
удобства эксплуатации с корпусом соединен внешний цилиндр.
Для подстройки анодно-сеточного (1) и катодно-сеточного (2)
резонаторов использованы передвижные реактивные коротко-
замыкатели. В короткозамыкателях находятся кольцевые бло-
кировочные конденсаторы Сбл1 и Сбл2, разделяющие электроды
лампы по постоянному току. В резонаторах возбуждены первые
продольные обертоны. Петля связи входной цепи усилителя
расположена вблизи пучности тока (магнитного поля), а зонд
связи выходной цепи – вблизи пучности напряжения (электри-
ческого поля). Резистор Rк создает отрицательную ОС по току.
Для предохранения лампы от прохождения чрезмерных токов в
случае пробоя или повышения напряжений в цепь анода вклю-
чен балластный резистор RБ.
14.45. См. рис. 14.1.
14.46. См. рис. 14.2.
14.47. Линии подключены к анодам и катодам ламп. Сетки ламп
соединены короткозамыкающей перемычкой. Эквивалентная
схема одного из плеч генератора показана на рис. 9.12,в. Распре-
деление напряжений вдоль резонаторов показано на рис. 14.1.
Возможные схемы питания генератора показаны на рис. 14.1 и
рис. 14.2.
14.48. Сопротивление нагруженной колебательной системы равно
RН = Ua/Ia1 = 14ּ103/5 = 2,8 кОм; ηк = 1–Rа/R0 = 0,77.
14.49. а) (0,34+1n) м; б) (0,6+1n) м;
14.50. C = (2π f 0 60 l n D d ⋅ t g (ωl c ) )−1 = 1,7 пФ.
14.51. Используем программу MathCad. l1:=0.15 м, R:=75 Ом,
С:=7ּ10–12 Ф, μ:=1; ε:=1. Без лампы λ0:=4; l1:=0.6 м; с лампой
λ0 λ
l := ⋅ atan(531 0 ) = 5,15 см. Линию нужно укоротить на
2 ⋅π C⋅R
9,85 см.
14.52. Нужно повысить величину произведения СZв. При этом на-

рушится кратность между резонансными частотами КС.
14.53.Мощность потерь в катодно-сеточной линии равна
Pпот = 0,5U с2 Rс = 66,7 Вт. Напряжение анод-сетка рав-
но U а с = U а + U с = 1200 В. Мощность потерь в анод-
но-сеточной линии равна Pпот = 0,5U2а с R а с = 18 Вт.
2
Мощность в нагрузке равна Pн = 0,5U а с / Rн = 7 2 Вт.
Сопротивление колебательной системы равно
Rн = 0,5U a2 ( Pпот + Pн ) = 0,5 ⋅106 (66,7 + 7 2 + 18) = 3,2 кОм.
Z 2β0l + sin 2β0l
14.54. ZВ = 60 · ln(D/d) = 41,6 Ом. Q = B = 740 .
4 rКТЗ + rКТЛ cos 2 β0l
14.55. Используем программу MathCad. f0:=0.3·1012 Гц, d:=0.07 м,
D:=0.18 м, l:=0.19 м, μ:=1; ε:=1, rКТЗ:=0.05 Ом, rКТЛ:=0.03 Ом,
⋅ ln⎛⎜ ⎞ = 56,7 Ом;
μ D
rП:=10 А, ZB := 60 ⋅
ε ⎝d⎠
1 ZB
⋅ (2 ⋅ β 0 l + sin (2 ⋅ β 0 l)) ⋅ (IΠ ) ;
2
tanβ0 l := ; N0 :=
ω 0 ⋅ ZB ⋅ C 8 ω0
ω0 N 0
Q := ;
PЛ + PД + PКТЗ + P КТЛ
(4.5 ⋅ 10− 3) R11
R11 := = 4,5·10–12 Ом; R1 := = 2,8·102 Ом/м.
λ ⎛1 1⎞
π⎜ + ⎟
⎝D d⎠
Мощность потерь на токи проводимости в линии равна
(Iп )2
PЛ := R1 ⋅ (2 ⋅ β 0 ⋅ l + sin( 2 ⋅ β 0 ⋅ l ) = 0,17 Вт;
8β 0
потери в торцевом диске равны
D2
R11 ( I )2 D
Pд = 0,5 ∫ ( I п )2 ⋅ d r = п ⋅ R11 ⋅ ln ( ) = 0,034 Вт;
d2
2 ⋅π ⋅ r 4 ⋅π d
потери в короткозамыкателе PКТЗ := 0,5 ⋅ ( I п ) 2 ⋅ rктз = 2,5 Вт;
в контактах лампы PКТЛ := 0,5 ⋅ ( I п ) 2 ⋅ rктл ⋅ cos(β 0 ⋅ l ) = 0,21 Вт.
ZВ ⋅ ( I п ) 2 (2 ⋅ β 0 ⋅ l + sin( 2 ⋅ β 0 ⋅ l )
Q := = 7 20 .
8 ⋅ ( PД + PЛ + PКТЗ + PКТЛ )
14.56. λ > 39,2 см.
14.57. В диапазоне СВЧ время пролета электронов соизмеримо с пе-
риодом колебаний. В результате получается значительный фа-
зовый сдвиг φs, сильно зависящий от анодного напряжения.
14.58. а) форма импульса искажается – срезается передняя часть

импульса и растягивается его хвост; б) при искажении формы
импульса соответственно возрастает уровень высших гармо-
ник тока; в) импульс запаздывает относительно напряжения
на сетке, причем это запаздывание становится заметным уже
при длинах волн, в 5…10 раз превышающих граничную длину
волны.
14.59. а) для высших гармоник тока колебательная цепь представ-
ляет собой почти чисто реактивное сопротивление. Это при-
водит к тому, что напряжение на колебательном контуре и на
выходе цепи ОС становится негармоническим. В результате
импульс тока становится несимметричным и появляется сдвиг
фазы первой гармоники тока относительно первой гармоники
возбуждающего напряжения; б) влияние инерции электронов
проявляется на ВЧ, когда время пролета электронов межэлек-
тродных промежутков оказывается соизмеримым с периодом
колебаний. В результате получается значительный фазовый
сдвиг между первой гармоникой тока и напряжением на уп-
равляющем электроде АЭ.
14.60. а) частота понизится из-за увеличения угла φs; б) частота воз-
растет из-за уменьшения времени пролета электронов и, соот-
ветственно, уменьшения угла φs.
14.61. а) чем выше добротность КС, тем ближе анодные и сеточные
напряжения к синусоидальным и тем слабее влияние высших
гармоник на частоту автоколебаний; б) нужно увеличить ско-
рость движения электронов.
14.62. Используя условие баланса фаз АГ и выражение для фазовой
характеристики контура, получим ∆f/f0 = 0,5φs /Q.
14.63. а) φs = –9° = –π/20 рад, ∆f = 0,5f0φs /Q = 3,9 МГц; б) 1,37 МГц;
в) 0,55 МГц.
14.64. а) Ua = 2550 В, Uс = 255 В, λmin=28 см, б) λгр=19 см.
14.66. В однотактном двухконтурном АГ с общей сеткой резонаторы
расположены с одной стороны от плоскости сетки. Резонато-
ры образованы короткозамкнутыми отрезками коаксиальных
линий. Из соображений техники безопасности и удобства экс-
плуатации с корпусом соединен внешний цилиндр анодно-се-
точного резонатора (1). Для подстройки анодно-сеточного (1) и
катодно-сеточного (2) резонаторов использованы передвижные
реактивные короткозамыкатели. В резонаторах возбужден ос-
новной тип колебаний. Использована кондуктивная связь АГ с
нагрузкой. Использован кондуктивно-емкостной элемент связи
(3). Резисторы R1, R2 и Rк образуют компенсационную схему
питания лампы. Балластный резистор RБ в цепи питания анода

предохраняет лампу от прохождения чрезмерных токов и до-
полнительно стабилизирует режим лампы.
14.67. Изменение длины катодной линии (рис. 14.2) приводит к из-
менению резонансной частоты катодного контура (рис. 9.12,в),
а, следовательно, к изменению эквивалентной емкости С2
(рис. 9.3,в) и коэффициента ОС К = С1/С2, влияющего на вели-
чину колебательной мощности АГ. При этом в типичном случае
К1 резонансная частота КС автогенератора и близкая к ней
частота автоколебаний изменяются незначительно, поскольку
С2С1.
14.68. Ua = 7 кВ; Uc = KUa = 1,4 кВ; амплитуда напряжения между
катодами равна Uкк = 2Ua = 14кВ; амплитуда напряжения между
сетками равна Uсс = 2Ua+2 Uc = 16,8 кВ.
14.69. K =1/[SсрRa]+D = 0,205; Ua = 9 кВ; Uc = KUa = 1,85 кВ. Амп-
литуды напряжений равны Uкк = 2Ua = 18 кВ, Uсс = 2(Ua+Uc) =
=21,7 кВ.
14.70. Входное сопротивление отрезка катодной линии равно
Zвх = jZвtg(2π·0,2/0,8) = ∞, следовательно, эквивалентная ем-
кость анод-катод равна Cэ = KCск = 0,2·20 = 4 пФ. Емкость зонда
равна C = Cэ – Cак = 3,88 пФ.
14.71. См. решение предыдущей задачи Cэ= KCск= 0,3·11,1 = 3,33пФ;
C = Cэ – Cак = 3,33–0,075 = 3,25пФ.
14.72. Входное сопротивление катодной линии равно
Xвх = jZвtg(2πl/λл) = –120 Ом. Эквивалентная емкость линии
равна Cэкв = 1/(ωXвх) = 2,66 пФ. Суммарная емкость сетка-ка-
тод равна 11,35+2,66 = 14 пФ; K = 0,25/14 = 0,018.
14.73. Промежуточные и выходные каскады передающих устройств
малой и средней мощности.
14.74. Недостатки транзисторных передатчиков связаны с высокой
стоимостью мощных СВЧ-транзисторов; высокой чувствитель-
ностью транзисторов к радиации и перезагрузкам; склонностью
транзисторов к паразитным колебаниям, в том числе парамет-
рическим. Построение передатчика усложняют большой разброс
параметров транзисторов, их температурная зависимость, низ-
кий коэффициент усиления транзисторов по мощности и др.
14.75. Низкие питающие напряжения транзисторов резко упрощают
систему защиты обслуживающего персонала. Возможно пита-
ние каскадов передатчика непосредственно от батарей аккуму-
лятора. Низкие питающие напряжения при относительно боль-
шой мощности определяют малые нагрузочные сопротивления.
По этой причине влияние паразитных емкостей, шунтирующих
нагрузку существенно меньше, чем в лампах. В передатчиках
мощностью приблизительно до 1 кВт полная замена ламп тран-

зисторами приводит к уменьшению габаритов и массы, тем бо-
лее заметному, чем меньше их мощности.
14.76. Малые входные и нагрузочные сопротивления затрудняют
согласование элементов передатчика и увеличивают влияние
индуктивности выводов и монтажа. В мощных каскадах тран-
зисторы часто используются в предельных режимах, что уско-
ряют ухудшение их свойств (деградацию) и снижают надеж-
ность. См. также ответ к вопросу 14.74.
14.77. Верхняя рабочая частота ограничена усилительными возмож-
ностями транзистора, а нижняя – опасностью нагрева струк-
туры БТ за время протекания одного импульса тока и разви-
тием вторичного пробоя. Аналогичные явления, но в гораздо
меньшей степени, обнаружены у ПТ СВЧ. Кроме того, полосу
рабочих частот существенно сужают реактивности корпуса, об-
разующие паразитные трансформирующие цепи и значительно
меняющие внешние импедансы транзистора, а также встроен-
ные внутри корпуса ЦС.
14.78. При увеличении мощности усложняется проблема отвода теп-
ла от кристалла, резко возрастает стоимость транзисторов, сни-
жаются их входные и нагрузочные сопротивления и все сильнее
сказывается вредное влияние индуктивностей выводов.
14.79. У ПТШ инерционность процессов на один – два порядка
меньше, чем у полевых транзисторов с p-n-переходом и МДП-
транзисторов. Мощные генераторы на ПТШ работают на час-
тотах до 25 и 45 ГГц при высоких КПД. Для ПТШ характер-
ны отрицательные значения напряжения отсечки тока стока
Uотс = –(2…6) В. Эквивалентная линия граничного режима
ПТШ начинается не с нуля, а с Uси = Uсо = (0,5…1,0) В – поро-
гового напряжения стока. Ток затвора появляется при положи-
тельном напряжении на затворе Uзи > Uотс з = (0,5…1) В.
14.80. МДП-транзисторы выгодно отличаются от БТ. Они имеют бо-
лее высокую температурную стабильность и эксплуатационную
надежность, меньшую инерционность и низкий уровень дробо-
вых шумов, обеспечивают большую колебательную мощность и
высокий КПД, высокие входные и нагрузочные сопротивления
и т. п. Однако у МДП-транзисторов ниже допустимая темпера-
тура кристалла и хуже радиационная стойкость; сложно реали-
зовать системы защиты от лавинного пробоя.
14.81. Малая инерционность процессов в МДП-транзисторе позво-
ляет рассматривать его работу в схемах генераторов как «по-
лупроводниковую» лампу со всеми преимуществами, связан-
ными с низковольтным питанием (десятки – сотни вольт) и
отсутствием накала. В отличие от электронных ламп в МДП-

транзисторах напряжение отсечки (запирания) для тока стока
положительное (Eотс > 0) и, кроме того, при отрицательных на-
пряжениях на стоке транзисторы пропускают отрицательный
ток стока (iс < 0).
14.82. а) благодаря отрицательному температурному коэффициенту
тока стока и отсутствию вторичного пробоя повышается экс-
плуатационная надежность генераторов и оказывается возмож-
ным существенно увеличить выходную мощность генератора за
счет параллельного или двухтактного включения транзисторов.
Генераторы на современных МДП-транзисторах превосходят
генераторы на БТ по уровню колебательной мощности и КПД.
См. также ответ к вопросам 1.86, 1.88–1.90; б) см. ответ к воп-
росу 1.91.
14.83. Крутизна БТ – величина не постоянная, она прямо пропор-
циональна величине коллекторного тока.
14.84. Во-первых, ограничение рабочих частот снизу связано с опас-
ностью возникновения вторичного пробоя в результате локаль-
ных превышений плотности тока («горячие точки», «шунти-
рование», «кумулятивный эффект»). Разрешенная нижняя
рабочая частота является справочным параметром, характер-
ным для мощных БТ СВЧ. Аналогичные явления, но в зна-
чительно меньшей степени, обнаружены у ПТ СВЧ. Работа на
более низких частотах допускается при резком снижении токов
и напряжений. Во-вторых, на низких частотах повышается ко-
эффициент усиления транзистора, что понижает устойчивость
работы генератора. В- третьих, транзистор с меньшим значени-
ем граничной частоты при той же мощности будет дешевле.
14.85. Чтобы предотвратить самовозбуждение ГВВ и использовать
дешевые БТ с небольшой граничной частотой.
14.86. Так как транзисторы с p-n-p проводимостью оказываются су-
щественно хуже по частотным свойствам.
14.87. Различные частотные свойства и температурные зависимости
параметров n-p-n и p-n-p транзисторов.
14.88. Встроенные ЦС повышают резистивную составляющую вход-
ного и выходного сопротивления и компенсируют реактивную
составляющую входного сопротивления в рабочей полосе час-
тот. Однако такие транзисторы невозможно использовать на
частотах, отличных от указанных в паспортных данных.
14.89. При использовании транзисторов с разным типом проводи-
мости (n-p-n и p-n-p) отпадает необходимость установки фа-
зовращателей на 180° на входе одного из транзисторов. В этом
случае транзисторы по входу и по выходу включаются парал-
лельно. Однако создание комплементарных БТ технологически

сложно. Поэтому обычно мощные высокочастотные двухтакт-
ные генераторы обычно строят на транзисторах одного типа
проводимости.
14.90. Балансный транзистор используется в схеме двухтактно-
го ГВВ. Он представляет собой два одинаковых, одного типа
проводимости транзистора, размещенных на одном основании
с максимальной близостью друг к другу. Близкое размещение
транзисторов позволяет значительно уменьшить индуктивность
общего вывода и повысить частоту двухтактных генераторов до
1...2 ГГц, а также упрощает задачу короткого замыкания на час-
тотах четных гармоник. Кроме того, при одинаковой выходной
мощности входное и нагрузочное сопротивление каждого балан-
сного транзистора получается в 2 раза больше, чем у обычного.
14.91. 1). В рабочем диапазоне частот трансформировать входное
сопротивление транзистора в оптимальное сопротивление на-
грузки предыдущего каскада. 2). Обеспечивать заданный ко-
эффициент фильтрации высших гармоник. 3). Корректировать
спад АЧХ усилителя, вызванный инерционными явлениями в
транзисторе. 4). Иметь высокий КПД. 5). Быть возможно более
простыми, дешевыми, удобными в регулировке и т. п.
14.92. 1). В рабочей полосе частот КСЦ должна преобразовывать
сопротивление нагрузки УМ в близкое к оптимальному сопро-
тивление нагрузки транзистора. 2). Для постоянной составля-
ющей выходного тока транзистора, а также высших гармоник
тока входное сопротивление КСЦ должно быть малым. 3). КПД
КСЦ должен быть высоким. 4). Быть возможно более просты-
ми, дешевыми, удобными в настройке, обеспечивать хороший
теплоотвод и т. п.
14.93. а) ФНЧ, включающие выходную емкость транзистора вы-
ходного каскада; б) ФНЧ или ПФ. ПФ обеспечивают лучшие
параметры УМ благодаря увеличению их коэффициента отра-
жения вне полосы рабочих частот.
14.94. а) КСЦ второго порядка содержит всего два реактивных эле-
мента, она является одной из наиболее эффективных с точки
зрения достижимых характеристик, простоты настройки и конс-
труктивной реализации; б) КСЦ третьего порядка содержит три
реактивных элемента, она позволяет реализовать коэффициент
усиления каскада, близкой к теоретическому пределу.
14.95. См. раздел 14.2.
14.96. а) от 75 до 2500 МГц; б) от 45 до 600 МГц.
14.97. Напряжение на токозадающем резисторе R6 равно
EсR5/(R3 + R5) – 0,7 = 2,5 В.
Iсо = 2,5/R6 = 125 мА < Iс нас = 200 мА. Транзистор работает в

недонапряженном режиме без отсечки тока стока (режим клас-
са А).
14.98. Eз = Uотс+ Iсо/S = –3,5 В; Uс ≤ Eс– Uсо– Iсо(R6 + rнас) = 3 В.
Отношение емкостей выходной КСЦ близко к единице, так что
сопротивление цепи стока равно Rс ≈ Rн; Iс1 = Uс/Rс = 60 мА;
Uз = Iс1/S = 0,75 В.
14.99. Pрас = Iсо(Eп – IсоR6) = 0,56 Вт; Uс/Uз = 4.
14.100. fн ≥ 10 Rн/(2πL2) = 4 МГц.
14.101. См. решение задачи 14.97. а) 0,26 А; б) 0,24 А.
14.102. Диод VD1 предназначен для защиты транзисторов от пробоя
при неправильном выборе полярности напряжения питания.
14.103. См. решение задачи 14.97. 0,1 А. Транзистор работает в не-
донапряженном режиме без отсечки коллекторного тока.
14.104. (12 – 5,1·0,1)0,1 = 1,1 < 4 Вт.
14.105. Используются в системах пейджинговой и сотовой связи,
теле- и радиовещании. Полосовые УМ диапазона 400…460 МГц
используются в радиолокации, системах подвижной, стацио-
нарной и любительской радиосвязи.
14.106. См. рис. а) 14.5; б) 14.7.
14.107. См. рис. 14.8 и 14.9.
14.108. Так как в противном случае будет искажена форма выходно-
го сигнала, а минимизация искажений формы выходного сигна-
ла с помощью глубокой общей или местной ООС в диапазоне
СВЧ невозможна.
14.109. Для повышения электронного КПД.
14.110. а) при работе транзисторов в режиме класса А (без отсечки
выходного тока); б) в транзисторах полосовых УМ, работаю-
щих с отсечкой выходного тока.
14.111. См. рис. 14.5 или 14.7, 14.8.
14.112. См. раздел 14.2.
14.113. P1 = 30/0,85 = 35,3 Вт, Eк = 18 В (рис. 14.9), Кр = 2,37.
14.114. Используя решение предыдущей задачи, получим
P1 = 35,5/(2,37·0,9) = 16,5 Вт.
14.115. В полосовых УМ возможен перевод УМ в ключевой режим.
В то время как, например, КПД усилителя в классе В принци-
пиально не выше 78,5%, КПД ключевых УМ может быть близ-
ким к 100%. В широкополосных УМ возможно использование
автоматической регулировки режима.
14.116. Введением автоматической регулировки режима – уменьше-
нием мощности, потребляемой УМ, в режиме усиления слабых
сигналов. Наиболее эффективно использовать автоматическую
регулировку потребляемого тока.
14.117. Ключевой режим отличается малой мощностью, рассеивае-

мой в транзисторе, что позволяет существенно повысить КПД
и надежность УМ, снизить его габариты и массу. Параметры
УМ в ключевом режиме слабо зависят от амплитуды входного
сигнала, разброса параметров транзисторов и температуры. Од-
нако этот режим обладает меньшим коэффициентом усиления
по мощности и непригоден для усиления колебаний с перемен-
ной амплитудой.
14.118. Главным образом – при усилении колебаний с постоянной
амплитудой, например, при усилении несущей частоты, ЧМ и
ОФМ колебаний, при импульсных видах модуляции, а также
при коллекторной (стоковой) АМ.
14.119. В ключевом режиме при резистивной нагрузке формы вы-
ходного тока и напряжения близки к прямоугольным. Поэтому
в нагрузке, помимо мощности Р1, выделяется мощность высших
гармоник. В связи с этим в оконечных каскадах применяют толь-
ко двухтактные ключевые генераторы, так как в них достигается
существенное ослабление второй гармоники. С ростом частоты
сказываются инерционность транзисторов, влияние выходных
емкостей и выводов транзисторов и т. д. Поэтому высокие энер-
гетические показатели ключевых генераторов с резистивной на-
грузкой реализуются лишь на относительно низких частотах.
14.120. В этих генераторах происходит преобразование мощности,
потребляемой от источника питания, в колебательную мощ-
ность без дополнительных потерь мощности на высшие гар-
моники, т. е. КПД по первой гармонике и электронный КПД
могут совпадать и приближаться к единице.
14.121. В этих генераторах выходная емкость АЭ является емкостью
формирующего контура и поэтому она не вызывает коммута-
ционных потерь, как в ключевых генераторах других классов.
Ключевые генераторы класса Е являются наиболее высокочас-
тотными. Напряжение на нагрузке в генераторах с одним фор-
мирующим контуром является существенно негармоническим.
Поэтому при использовании таких генераторов в оконечных
каскадах передатчика необходимо вводить дополнительные
цепи фильтрации.
14.122. В диапазоне частот от десятков до нескольких сотен мега-
герц, когда время переключения транзистора составляет сущес-
твенную часть периода усиливаемого сигнала.
14.123. Возбудители СВЧ-передатчиков, гетеродины приемников,
свип-генераторы, мощные каскады передатчиков и т. д.
14.124. Любой УМ вносит задержку усиливаемого сигнала из-за
конечного времени прохождения носителей тока, влияния
паразитных реактивностей и т. д. В АГ это явление приводит

к запаздыванию по фазе сигнала ОС. Это запаздывание тем
меньше, чем больше отношение граничной частоты транзисто-
ра к рабочей.
14.125. а) f max = f т 30τк = 3043 МГц; б) 882 МГц; в) 141 МГц.
14.126. а) 50; б) 500; в) 5000.
14.127. Δf = –0,5f0(φs + φк)/Q = –173 кГц.
14.128. φа = 6°; Δf/f0 = –0,5φа/Q = –2·10-4.
14.129. Используя условие баланса фаз автогенератора и выражение
для фазовой характеристики контура при малых φ, получим
Δω/ω0 = 0,5(φs + φк)/Q.
14.130. В высокостабильных АГ используют высокодобротные КС.
При малых потерях в элементах ОС φк ≈ 0. При n = 0 и φк = 0
сдвиг фаз в АЭ компенсируется сдвигом фаз в контуре, т. е.
φа = –φs. При правильном выборе типа АЭ и его режима φs ≈ 0.
Следовательно, при сделанных допущениях φа ≈ 0, т. е. f0 ≈ f.
14.131. При φs + φк′ = 0 справедливо равенство φа = 0. Следовательно,
резонансная частота КС совпадает с частотой автоколебаний.
На резонансной частоте крутизна фазочастотной характерис-
тики КС максимальна, что обеспечивает высокую стабильность
частоты. Кроме того, при φа = 0 получается наибольшая колеба-
тельная мощность. Нужно использовать высокочастотный АЭ
с малым углом φs или же фазирующую цепь, обеспечивающую
компенсацию угла φs.
14.132. Если их размеры l малы по сравнению с длиной волны
(l < (0,05…0,1λ)).
14.133. Чтобы обеспечить малое сопротивление цепи не только на
основной частоте, но и на частотах высших гармоник.
14.134. а) 2250 МГц; б) 710 МГц; в) 225 МГц. Рабочая частота кон-
денсатора должна быть гораздо меньше его резонансной час-
тоты.
14.135. а) 237 МГц; б) 75 МГц. См. ответ к предыдущей задаче.
14.136. СВЧ-транзисторы обладают на НЧ гораздо большим уси-
лением, чем в рабочем диапазоне. Для устранения НЧ само-
возбуждения рекомендуется уменьшать резонансное сопротив-
ление паразитных НЧ колебательных контуров, образованных
дросселями и блокировочными конденсаторами, например, пу-
тем включения в эти цепи резисторов.
14.137. В СВЧ-транзисторах вследствие малого объема кристалла
время установления температуры очень мало. Если транзистор
работает на низкой частоте, где период колебаний превышает
время установления теплового режима в кристалле, температу-
ра кристалла может оказаться выше допустимой.
14.138. На частотах примерно менее 100 МГц отрезки линий стано-

вятся слишком длинными. На высоких частотах возрастают по-
тери в линии и возможность возбуждения высших типов волн.
14.139. Теоретически а) ∞; б) 0; в) 0.
14.140. Теоретически а) 0; б) ∞; в) ∞.
14.141. Листовые диэлектрические материалы (стеклотекстолит,
фторопласт, ФЛАН и др.), а также специальные керамики (по-
ликор, ситалл, сапфир, оксибериллиевая керамика и др.).
14.142. Высокая диэлектрическая проницаемость подложки поз-
воляет в ε раз уменьшить размеры устройства, а высокая
теплопроводность – создавать на ее поверхности элементы,
способные рассеивать значительные мощности. Для экспери-
ментальной доводки интегральных схем нужны подложки, до-
пускающие механическую обработку (типа ФЛАН).
14.143. Полоса рабочих частот и гарантируемые в ней значения
выходной мощности, коэффициента усиления, КПД и КСВН;
сопротивления источника сигнала и нагрузки; напряжение пи-
тания; возможность регулировки уровня выходной мощности;
вид модуляции сигнала; габариты; масса и др.
14.144. Малые габариты и масса, высокая надежность, повторяе-
мость параметров, хорошие электрические параметры и др.
14.145. Повышение выходной мощности, коэффициента усиления и
КПД, уменьшение габаритов и создание миниатюрных модулей
для поверхностного монтажа на печатные платы, расширение
полосы рабочих частот, снижение цен.
14.146. В перспективе – сборка РПУ из унифицированных узлов
(задающих генераторов, умножителей частоты, УМ и т. д.).
14.147. По этим параметрам УМ, выполненные по наиболее простой
технологии [86 и 92], не уступают и даже превосходят УМ, из-
готовленные по гибридно-пленочной технологии [73, 95].
14.148. Исходя из объема производства, наличия необходимого для
производства оборудования, степени отработки схемы и др.
14.149. а) при экспериментальной отработке схем, единичном или
мелкосерийном производстве, отсутствии высокотехнологич-
ного оборудования; б) при массовом производстве и наличии
высокотехнологичного оборудования.
14.150. Упрощается и ускоряется процесс проектирования, монтажа
и настройки схемы. Можно существенно повысить надежность
РЭА, уменьшить количество электронных компонентов, массу
и габариты РЭА.
14.151. а), б) в связной (в том числе любительской), телекоммуни-
кационной, навигационной, радиолокационной, медицинской,
поисково-спасательной и другой РЭА.
14.152. Используем программу MathCad. а) l:=17ּ10–3 м, Z:=25 Ом,

С:=1,4ּ10–12 пФ, с:=3ּ108 м/с, μ:=1, ε:=9,6. Резонансные часто-
ты находятся в интервалах между частотами последователь-
ного и параллельного резонансов. За начальное приближение
можно принять частоту последовательного резонанса. N:=1,
N ⋅π⋅c
ω0 := , ω0:=1.789ּ1010 с, N=1,2,3 – порядковый номер
l ⋅ ε⋅μ
искомой резонансной частоты. Наименьший номер соответс-
твует основной резонансной частоте, а остальные – продоль-
ным обертонам.
N ⋅π⋅c c
ω0 := root (ω0 − + atan(ω0 ⋅ Z ⋅ C ),ω0) ω0:=1.512ּ1010 с
l ⋅ ε ⋅μ l ⋅ ε ⋅μ
ω0
f := f:=2.407ּ109 Гц. а) 2,407 ГГц; 4,946 ГГц; 7,608 ГГц;
2⋅π
б) 4,216 ГГц; 9,187 ГГц; 14,49 ГГц.
14.153. См. решение задачи 14.152. При l:=15ּ10–3 м, Z:=50 Ом,
С:=2ּ10–12 пФ, с:=3ּ108 м/с, μ:=1, ε:=2 резонансные частоты
равны 4,239 ГГц; 10,68 ГГц и 17,45 ГГц.
14.154. См. решение задачи 14.152. При l:=30ּ10–3 м; С:=5ּ10–12 пФ;
Z:=25 Ом; с:=3ּ108 м/с; μ:=1; ε:=3,8 резонансные частоты равны
1,788 ГГц; 4,094 ГГц и 24,41 ГГц.
14.155. См. решение задачи 13.32. При N=1,2,3 получим f0=311,3;
1035; 1856 МГц.
14.156. Генераторы на транзисторах и ТД используются во всех диа-
пазонах частот. Генераторы на ЛПД и ДГ обычно используются
на частотах от 10 до 100 ГГц и выше. На частотах ниже 10 ГГц
они вытеснены генераторами на БТ, а в диапазоне 10…40 ГГц
вытесняются устройствами на ПТ.
14.157. Генераторы на диодах могут работать как АГ в автономном
режиме или синхронизированном внешним сигналом, а также
как усилители и умножители частоты.
14.158. Можно синхронизировать диодный АГ частотой, близкой к
субгармонике собственной частоты генерации, либо выделить
одну из высокочастотных гармонических составляющих тока
или напряжения диода.
14.159. ТД обладает отрицательным сопротивлением от нулевых до
очень высоких частот, они могут работать при температуре до
250…450 °С, имеют высокую радиационную стойкость и боль-
шой срок службы, однако их выходная мощность не превышает
нескольких милливатт. ЛПД – наиболее мощные и самые высо-
кочастотные генераторные диоды. В непрерывном режиме ДГ
уступают ЛПД в 2…5 раз по мощности и КПД, но превосходят
ЛПД на 10…15 дБ по шумовым характеристикам и примерно

вдвое – по полосе рабочих частот.
14.160. В этом случае рабочая точка может быть установлена одно-
значно на падающем участке динамической ВАХ (рис. 9.2).
14.161. Так как при таком включении сохраняется устойчивое поло-
жение рабочей точки вне зависимости от режима работы цепи
переменного тока.
14.162. а) малая инерционность (ТД способны работать вплоть до
миллиметрового диапазона волн); устойчивость ТД к воздейс-
твию ядерного излучения на несколько порядков выше, чем у
транзисторов; схемы на ТД содержат минимальное число ком-
понентов, поскольку ТД является двухполюсником; наличие
отрицательной проводимости в очень широком диапазоне час-
тот; малые габариты, масса и потребляемая мощность; б) очень
малая выходная мощность; деградация при значительном токе
на второй восходящей ветви ТД; сложность подавления пара-
зитной генерации, поскольку ТД имеет отрицательную прово-
димость в очень широком диапазоне частот; сложность обеспе-
чения однонаправленной передачи сигналов.
14.163. Параметры ТД сравнительно слабо зависят от температуры и
ядерного облучения, генераторы на ТД могут работать в очень
широком диапазоне частот, они используют низковольтные
(около 1В) источники питания, однако их выходная мощность
не превышает нескольких милливатт. На ТД строят усилители
и АГ, в том числе прецизионные кварцевые.
14.164. а) автогенераторы ВЧ и СВЧ, сверхрегенеративные уси-
лители, резонансные и широкополосные усилители, преобра-
зователи и умножители частоты, амплитудные детекторы и
ограничители; б) триггеры, мультивибраторы, формирователи
импульсов.
14.165. а) только целесообразностью. На низких частотах в ГТД воз-
можно возникновение паразитных ВЧ-автоколебаний, а тран-
зисторные генераторы имеют гораздо лучшие энергетические
параметры; б) граничной частотой ТД.
14.166. а) P1=0,07Iп = 0,7 мВт; ηе = P1 (U 0 I 0 ) = 0, 44 ; б) 1,4 мВт; 0,44;
в) 3,5 мВт; 0,44.
14.167. Следует использовать ТД с малым пиковым током и малой
индуктивностью LВ, но с большой величиной Сп и rп, а также
обеспечить малую индуктивность выводов дополнительного
конденсатора C1 (рис. 9.13). При необходимости – использо-
вать антипаразитный резистор R1.
14.168. а) Rд
min
= 0,2 I п = 20 Ом, Cп = Cд – Cк = 0,9 пФ, fгр = 25,8 ГГц.
Расчетное значение fгр получено при минимальных величинах
Rд и Сд и потому существенно больше табличного значения,

поскольку в табл. 14.2 приведены не лучшие, а допустимые
значения параметров диодов; б) 26 ГГц.
14.169. а) Rд ср = 50 Ом, fр = 6,6 ГГц. На частотах, больших резо-
нансной, реактивное сопротивление ТД имеет индуктивный
характер. Для осуществления генерации к ТД должна быть
подсоединена нагрузка емкостного характера; б) 3,9 ГГц.
14.170. Используя эквивалентную схему ТД (рис. 14.10,б), опреде-
лим его входной импеданс
Rд
z д = rд + j xд = rп + jω Lп + Rд (1 + jω Cп Rд ) = rп + +
1 + ω 2Cп2 Rд2
С п Rд2
+ jω( Lп − ) . Приравняв нулю активную составля-
1 + ω 2 С п2 Rд2
ющую входного сопротивления ТД и учитывая, что на падаю-
щем участке ВАХ Rд<0, получим искомое выражение.
14.171. Приняв нулю реактивную составляющую входного сопро-
тивления ТД (см. решение задачи 16.170), получим искомое
выражение.
14.172. а) невозможна, так как при f > fгр активное сопротивление
ТД становится положительным; б) возможна. При f > fр реак-
тивное сопротивление ТД имеет индуктивный характер и пото-
му для осуществления генерации на частоте f > fр к ТД должна
быть подсоединена нагрузка емкостного характера.
14.173. а) 2∆f0,7 = 250 МГц, Iп = 10 мА, Uдр = 71 мкВ; б) 32 мкВ.
14.174. а) Rн = 100 Ом, Uт = 25 мкВ; б) 11 мкВ.
−11
14.175. а), б) Pд р = U д р Rн = 5 ⋅10 Вт, Pт = 6·10–12 Вт.
2
14.176. а) первый способ – используем решение предыдущей за-

дачи. P1 max = 0,07 I п = 0,7 мВт, P1 max Pд р = 1,4 ⋅10 7 ; второй спо-
соб – используем выражение для отношения мощностей при
I 0 = 0,4 I п = 4 мА и получим тот же результат; б) 7·107.
14.177. а) 40 кГц; б) 18 кГц. Чем больше величина тока, тем слабее
проявляется его дискретная природа. Чем больше ток ТД, тем,
соответственно, меньше флуктуация частоты АГ.
14.178. Используя равенство Rн = 1 I п , получим
Pд р Pт = (U д р Uт ) 2 = 8 .
14.179. P1=1,4 мВт, Rн = 50 Ом, U 1 = 2 P1 R н = 374 мВ,
2Δf 0,7 = 1 (2πRн С ) = 400 МГц, Uт = 22,6 мкВ, Uдр = 63,5 мкВ.
14.180. Используя равенства P1 max = 0,07 I п , I 0 = 0,4 I п , Rн = 1 I п и
Pд р = U д2р Rн , получим искомое выражение.
14.181. 7,6 м.
14.182. Выходные и промежуточные каскады доплеровских и им-
пульсных РЛС, а также систем связи; гетеродины приемников,
возбудители передатчиков, генераторы накачки параметричес-
ких усилителей. Поскольку ЛПД существенно уступают дру-
гим полупроводниковым приборам по коэффициенту шума,
они не могут претендовать на применение в малошумящих уст-
ройствах, но используются в качестве генераторов стабильного
белого шума как в непрерывном, так и в импульсном режимах.
Усилители на ЛПД используются в линиях связи и головках
самонаведения ракет. Генераторы с широкой электрической пе-
рестройкой используются в измерительной аппаратуре (гене-
раторы качающейся частоты, спектроанализаторы) и системах
радиопротиводействия (быстроперестраиваемые гетеродины,
задающие генераторы).
14.183. Принцип действия ЛПД основан на возникновении отрица-
тельного динамического дифференциального сопротивления в
диапазоне СВЧ, обусловленного процессами лавинного умно-
жения носителей заряда и их пролета через полупроводнико-
вый активный слой.
14.184. Обычно применяют нормальный пролетный режим ЛПД
(IM). В этом режиме КПД ниже, чем в аномальном (TR), но
достижимы лучше шумовые характеристики и гораздо более
высокие частоты генерации.
14.185. а) наибольший диапазон рабочих частот, большая мощность
при высоком КПД на высоких частотах; б) небольшой диапа-
зон электрической перестройки частоты, сравнительно высо-
кий уровень шумов.
14.186. а) большая мощность и высокий КПД; б) низкий диапазон
рабочих частот, высокий уровень шумов, небольшой диапазон
электрической перестройки частоты.
14.187. Идеальная внешняя цепь должна формировать импульсы
тока по форме близкие к меандру.
14.188. BARITT-диоды обладают малыми шумами и высокой на-
дежностью, однако их выходная мощность и КПД малы.
14.189. Допустимое снижение выходной мощности и КПД гене-
ратора. Оптимальные энергетические показатели получаются
на частоте пролетного режима fпр. На практике частота коле-
баний может быть отлична от частоты пролетного режима на
±30%.
14.190. Так как в противном случае небольшие изменения напряже-
ния питания или внутреннего сопротивления источника при-
ведут к значительному изменению тока диода.
14.191. Соотношение параметров диода и внешней цепи. Усилители

используют такие же КС, как и АГ, но с увеличенной связью с
нагрузкой. При этом резонансное сопротивление КС генерато-
ра уменьшается в такой степени, что не выполняется условие
самовозбуждения АГ.
14.192. –rд + R = 0; Xд + X = 0.
14.193. а) из арсенида галлия; б) из кремния.
14.194. а) I пуск = 0,8 I р = 80 мА; б) 1,2А.
14.195. а) P0 = 7 Вт, Pрас = P0 − Pвых = 6,3 Вт; б) 2,25Вт и 2,19Вт.
14.196. а) 12,6Вт; б) 112мВт.
14.197. Диоды типа 3А758В-4 и 2А752Г-4 имеют примерно одина-
ковый КПД, но выходная мощность импульсного диода в 12,5
раз больше.
14.198. η к = Рн Р1 = Rн R = ( R − rп − Rп ) R .
14.199. Такая же, как и ГЛПД (см. ответ 14.182), а также в различ-
ных малошумящих устройствах.
14.200. ДГ обычно используются в диапазоне от 7…8 до 100…150 ГГц.
В непрерывном режиме они уступают ЛПД в 2…5 раз по мощ-
ности и КПД, но превосходят ЛПД на 10…15 дБ по шумовым
характеристикам и примерно вдвое – по полосе рабочих частот.
Основная область применения ДГ – малошумящие АГ и вход-
ные каскады регенеративных усилителей.
14.201. В отличие от ТД, ЛПД и других диодов, свойства которых
определяются процессами в p-n-переходах, свойства ДГ харак-
теризуются явлениями, возникающими в объеме однородного
полупроводника с электронной проводимостью.
14.202. В принципе полярность постоянного напряжения, приложен-
ного к ДГ, безразлична, однако однако соблюдать полярность
необходимо,поскольку структура выпускаемых промышлен-
ностью диодов не симметрична относительно выводов диода.
14.203. К гибридным относят все режимы, являющиеся промежу-
точными между доменными и ОНОЗ. В гибридных режимах в
образце в течение большей части периода существует несфор-
мировавшийся домен.
14.204. а) широкий диапазон электрической перестройки частоты,
низкий уровень шумов, низковольтное питание; б) малая вы-
ходная мощность.
14.205. а) сравнительно большая импульсная мощность, широкий
диапазон электрической перестройки частоты; б) небольшая
средняя мощность, неустойчивость к выгоранию. Генерирова-
ние в ОНОЗ режиме возможно лишь в сравнительно узком
диапазоне изменения амплитуд гармонического сигнала, при-
ложенного к диоду, поэтому на практике приходится предус-

матривать специальные устройства для ввода генератора в ре-
жим ОНОЗ. Обычно это достигается за счет первоначального
возникновения пролетного режима на другой частоте, который
по мере возрастания амплитуды колебаний переходит в режим
ОНОЗ. Обычно генераторы работают в гибридном режиме.
14.206. ДГ генерирует колебания СВЧ даже при отсутствии КС, од-
нако использование КС позволяет существенно улучшить па-
раметры генератора: возрастают его выходная мощность и КПД
благодаря большой амплитуде напряжения на диоде; можно пе-
рестраивать частоту в широких пределах; уменьшается уровень
высших гармоник в нагрузке; снижается вероятность возбуж-
дения паразитных колебаний.
14.207. а) генератор обеспечит выходную импульсную мощность,
близкую к мощности в непрерывном режиме; б) импульсная
мощность возрастет более чем на порядок.
14.208. а) при длительности импульсов не более 50 нс и скважнос-
ти не менее 1 000 тепловая энергия, выделившаяся в диоде за
время импульса, успевает релаксировать за время между им-
пульсами. В этом режиме минимальная наработка диодов на
отказ будет не меньше, чем в непрерывном режиме; б) время
установления амплитуды колебаний. Кроме того, длительность
радиоимпульса должна быть не менее нескольких периодов вы-
сокочастотных колебаний.
14.209. Реальные ДГ в основном работают в зоне гибридных режи-
мов. Гибридными называют все режимы между ОНОЗ и чисто
доменными. В этой зоне существует лишь нестационарный бегу-
щий домен, достигающий наибольшего развития при амплитуде
колебаний U1 ≈ 0,6UР (рис. 14.14). В гибридных режимах достига-
ется КПД порядка 15%. Режим ОНОЗ основан на предотвраще-
нии формирования домена путем использования инерционности
данного процесса. Напряжение питания, рабочая частота и амп-
литуда U1 выбираются настолько большими, чтобы напряжение
на ДГ перескакивало через всю область отрицательной диффе-
ренциальной проводимости за время, малое по сравнению со
временем формирования домена. Максимальный КПД в режиме
ОНОЗ достигает 15…17%. Диоды в этом режиме используются
для получения больших импульсных мощностей.
14.210. На частотах более 120 ГГц режим ОНОЗ становится не-
возможным, поскольку длительность физических процессов,
определяющих передачу энергии поля электронам, становится
соизмеримой с периодом генерируемого радиосигнала и в те-
чение всего периода колебаний проводимость диода на частоте
генерации остается положительной.
14.211. а); б) частота определяется внешним резонатором и может

быть как выше, так и ниже пролетной частоты.
14.212. Как и в ГЛПД – соотношение параметров диода и внешней
цепи. См. ответ 14.191.
14.213. Инерционность процесса установления отрицательной диф-
ференциальной проводимости (ОДП) диода после включения
внешнего поля. В арсениде галлия установление ОДП занимает
около одной пикосекунды, что ограничивает рабочую частоту
ДГ на уровне 150 ГГц. В фосфиде индия время установления
ОДП меньше, а максимальная частота, соответственно, боль-
ше – около 200 ГГц.
14.214. а) 0,0033; б) 0,0167; в) 0,0065; г) 0,002.
14.215. а) Ррас = U p I p − Pвых = 3 ⋅1,1 − 25 ⋅10 −3 = 3,275 Вт; б) 3,5Вт;
в) 0,445Вт; г) 2,095Вт.
14.216. Р0 max = U p max I p = 14 Вт, Ррас max = Р0 max − Рвых = 13,8 Вт.
14.217. Тороидальные, коаксиальные, полосковые, микрополоско-
вые и волноводные резонаторы.
14.218. Полосковые конструкции легче, меньше, дешевле и надеж-
нее конструкций на объемных резонаторах. Они наиболее пер-
спективны для использования в малогабаритной аппаратуре.
Мощность и КПД полоскового генератора примерно на 1 дБ
меньше величин, получаемых от того же диода в объемных
конструкциях.
14.219. Использован короткозамкнутый отрезок открытой (несим-
метричной) полосковой линии с воздушным заполнением. Та-
кая линия является наиболее простой в изготовлении, однако
она имеет большие потери на излучение, чем линия, использу-
ющая подложку с большой диэлектрической проницаемостью
или симметричная полосковая линия. В качестве блокировоч-
ного конденсатора C1 использована посеребренная пластинка
слюды. Генераторный диод установлен между разомкнутым
концом полосковой линии и конденсатором C1. Напряжение
питания на диод поступает от источника питания Eп через де-
литель напряжения на резисторах R1 и R2. Использована кон-
дуктивная связь генератора с нагрузочным фидером.
14.220. Коаксиальные конструкции характеризуются простотой,
наибольшим диапазоном механической и электрической пе-
рестройки частоты и хорошим теплоотводом; они удобны при
осуществлении ЧМ с помощью варикапов.
14.221. Генераторный диод 1 установлен между центральным
проводником 2 коаксиальной линии и короткозамыкающей
стенкой 3 резонатора, служащей и теплооотводом. Стенка 3
изолирована от внешнего проводника 4 коаксиальной линии

диэлектрической втулкой 5. Широкодиапазонная настройка
по частоте осуществляется с помощью передвижного коротко-
замыкающего поршня 6. Для связи с нагрузкой использован
емкостной элемент связи 7.
14.222. Волновые резонаторы характеризуются малыми потерями,
хорошим теплооотводом, сравнительно узким диапазоном пе-
рестройки частоты; они легко миниатюризируются при запол-
нении диэлектриком и удобны при использовании в многоди-
одных генераторах.
14.223. Диод 1 установлен на утолщенной широкой стенке 6 пря-
моугольного волновода 2 с помощью токопроводящего винта
4, являющегося одновременно и теплооотводом. Напряжение
питания подводится через штырь-держатель 8, изолирован-
ный от корпуса диэлектрической прокладкой 9. Связь диода
с резонатором осуществляется с помощью небольшого штыря
7. Диафрагма 5 регулирует степень связи генератора с нагруз-
кой. Диафрагма представляет собой плоскую металлическую
пластинку, частично перекрывающую сечение волновода вбли-
зи выходного фланца.
14.224. Обычно в случаях, когда длина линии для основного типа
колебаний получается слишком малой и затруднена ее конс-
труктивная реализация.
14.225. Настроечные элементы позволяют регулировать величину
резонансных частот и сопротивлений КС таким образом, что-
бы обеспечить лучшие условия генерации на рабочей частоте и
предотвратить возникновение паразитных колебаний.
14.226. Это объясняется необходимостью подавления колебаний с
частотой fIM и фазирования высших гармоник для получения
импульсов тока, близких по форме к меандру.
14.227. ЧХ КС диодных генераторов подобны показанной на
рис. 13.13. Наличие нескольких резонансных частот объясня-
ется влиянием реактивных параметров корпуса диода, возник-
новением резонансных объемов при монтаже диода в КС и
свойствами самой КС.
14.228. Замена справедлива лишь при высокой (Q1) добротности
КС вблизи одной из ее резонансных частот и при условии, что
соседние резонансные частоты достаточно от нее удалены.
14.229. а), в) см. рис. 14.12; б) см. рис. 14.13.
14.230. Например, для возбуждения колебаний в режиме с захва-
ченной плазмой ЛПД или для увеличения КПД.
14.231. При выполнении условий генерации автоколебаний на час-
тотах, отличающихся от рабочей частоты АГ.
14.232. 1). Диод монтируют в резонаторе таким образом, чтобы

уменьшить число паразитных резонансов. С этой целью при-
меняют волноводные резонаторы уменьшенного поперечного
сечения или уменьшают размеры волновода в месте включе-
ния диода. 2). Используют различные стабилизирующие цепи.
3). Используют основной тип колебаний в линии или же пер-
вый продольный обертон.
14.233. В мягком режиме работы диода установится частота, для
которой больше резонансное сопротивление КС, а в жестком
режиме возможна одновременная генерация нескольких час-
тот.
14.234. Стабилизирующие цепи конструируют так, чтобы в области
рабочих частот они практически не влияли на работу генера-
тора, а за пределами этой области вносили в КС генератора
большое сопротивление потерь, предотвращающая тем самым
возникновение паразитной автогенерации.
14.235. Стабилизирующие цепи используют для подавления пара-
зитной автогенерации. Они состоят из балластного сопротив-
ления и шунтирующего его стабилизирующего LC-контура,
настроенного на рабочую частоту. Сущность работы стабилизи-
рующих цепей заключается в том, что отрицательное сопротив-
ление диода на частотах, отличающихся от рабочей более чем
на полосу пропускания стабилизирующего контура, компенси-
руется положительным балластным сопротивлением. На рабо-
чей частоте балластное сопротивление практически не влияет,
так как оно шунтировано высокодобротным стабилизирующим
контуром.
14.236. См. решение задачи 13.32. l:=10ּ10–2 м; С:=0,27ּ10–12 Ф;
ZВ:=42 Ом; μ:=1; ε:=1; N:=1; f0:=725,3 МГц.
14.237. См. решение задачи 13.32. l:=4ּ10–2 м; С:=1ּ10–12 Ф; ZВ:=42 Ом;
μ:=1; ε:=2,4. При N:=1,2,3 получаем f0:=4,99; 25,35 и 49,01 ГГц.
14.238. См. решение задачи 14.152. При l:=10–2 м; С:=0,4ּ10–12 Ф;
ZВ:=25 Ом; с:=3ּ108 м/с; μ:=1; ε:=9,5. Резонансные частоты рав-
ны 4,485 ГГц; 13,51 ГГц; 32,34 ГГц.
14.239. f:=5ּ109 Гц; d:=10–3 м; С:=0,5ּ10–12 Ф; Z:=20 Ом; μ:=1; ε:=8,2;
с:=3ּ108 м/с; εef:=6,652; b:=4,85 мм (см. решение задачи 13.69).
λ0
l1:=4,691ּ10–3; l 2 := ; а) (4,7+n11,6) мм; б) (3,7+n11,6) мм;
2 εe f
в) (2,5+n11,6) мм.
14.240. Используем программу MathCad. а) f:=15ּ109 Гц; d:=0,25ּ10–3 м;
Z:=25 Ом; С:=0,4ּ10–12 Ф; μ:=1; ε:=9,4; с:=3ּ108 м/с; εef:=7,324;
b:=0,858 мм (см. решение задачи 13.69). f0:=15ּ109; λ0:=0,02;
λ0 λ0
l1 := ; l1:=3,695ּ10–3; l 2 := ⋅ a tan(2 ⋅ π ⋅ f 0 ⋅ c ⋅ Z ) ;
2 ε1 2 ε1
−3 −4
l1:=8,89ּ10–4; lа = l1 − l 2 = 3,695 ⋅10 n − 0,889 ⋅10 .
а) n3,695– 0,889 мм; б) n2,771– 0,793 мм; в) n2,22– 0,709 мм.
14.241. См. решение задач 13.48 и 13.77. λ=2 см, λл=3,62 см,
ZВ:=255,7 Ом, l=(0,12+n1,81) см.
14.242. По условию задачи входное сопротивление линии
j Z в t g (ωl εμ c) равно сопротивлению индуктивности ωL.
Учитывая, что при x < 0,5 tgx ≈ x, получим l = c L ( εμ Z в ) .
14.243. См. решение предыдущей задачи. Используя равенство
− j Z в сtg(ωl εμ c) = − j (ωC ) , получим l = cC Z в ( εμ ) .
14.244. Во всех генераторах – с помощью добавляемого в тракт уп-
равляемого аттенюатора. а), в) – изменением режима питания.
В ГДГ это невозможно, поскольку зависимость уровня колеба-
ний от напряжения питания нелинейна, содержит разрыва и
гистерезисные области.
14.245. Возможна подача импульсного напряжения питания на диод,
а при непрерывном режиме работы генератора – коммутация
выходного тракта генератора с помощью модулятора на p-i-n-
диодах, диодах с барьером Шоттки или варикапах.
14.246. Импульсное напряжение питания примерно в три раза боль-
ше напряжения в непрерывном режиме, а выходная импуль-
сная мощность возрастает более чем в 10 раз. ИМ сопутствует
значительная ЧМ, обусловленная изменением температуры
рабочего слоя диода за время действия импульса. Для умень-
шения паразитной ЧМ переходят к импульсам наносекундной
длительности, дополняя эту меру синхронизацией модулируе-
мого генератора.
14.247. С помощью варикапов или ЖИГ-сфер. При изменении напря-
жения питания диода можно получить небольшую (0,1…0,3%)
девиацию частоты при значительной сопутствующей паразит-
ной АМ, которая возникает вследствие зависимости отрица-
тельного сопротивления диода от напряжения питания.
14.248. 1). Полоса рабочих частот диода, наиболее широкую поло-
су имеют ТД. 2). Конструкция генератора. Коаксиальные конс-
трукции обычно можно перестраивать во всей полосе рабочих
частот диода. 3). Параметры корпуса диода и промежуточных
ЦС. С повышением частоты их влияние усиливается.
14.249. Современные доплеровские РЛС, РЛС с качающейся часто-
той, системы радиорелейной и космической связи, измеритель-
ная аппаратура и пр. предъявляют все более жесткие требова-
ния к стабильности частоты АГ.
14.250. Одинаковые для всех АГ (см. ответ задачи 9.221).

14.251. а) технические шумы; фликкерные шумы диодов; флукту-
ации напряжений источников питания, сопротивлений и т. п.;
б) тепловые и дробовые шумы элементов АГ, а также фликкер-
шум (розовый шум, шум 1/f). Спектр фликкер-шума пример-
но описывается зависимостью 1/f и потому в высокочастот-
ных устройствах основное влияние имеют тепловой и дробовой
шумы.
14.252. Общие для всех АГ (см. ответ задачи 9.222).
14.253. а) стабилизировать напряжение питания и температуру ок-
ружающей среды; устранить механические воздействия и ис-
пользовать высокостабильный синхронизирующий генератор
и т. п.; б) использовать диоды с низким уровнем шума – ТД и
ДГ, использовать высокодобротные основной и дополнитель-
ный резонаторы, ослабить связь с нагрузкой, использовать вы-
сокостабильный синхронизирующий генератор.
14.254. Общие для всех АГ (см. ответ задачи 9.223).
14.255. При подключении дополнительного контура увеличивается
энергия, направляемая в КС генератора, что приводит к увели-
чению нагруженной добротности КС Q = ω 0 N 0 Pпот .
14.256. Это самые высокочастотные стабилизированные генера-
торы, работающие на основной частоте. Использование эта-
лонного высокодобротного резистора приводит к уменьше-
нию и долговременной, и кратковременной нестабильности
частоты.
14.257. При подключении дополнительного резонатора увеличива-
ется энергия, накапливаемая в КС генератора, что приводит к
увеличению нагруженной добротности КС. Однако при этом
увеличиваются и потери в КС генератора, что приводит к сни-
жению контурного КПД и уменьшению выходной мощности
генератора, Схема со стабилизирующим резонатором является
многоконтурной и, следовательно, в ней существуют не менее
двух резонансных частот и, соответственно, двух устойчивых
режимов генерации. В многоконтурных АГ возможны скачки
частоты и мощности выходных колебаний.
14.258. а) 2Δf = f 0 Pс Pвых Qв н = 3 МГц; б) 6 МГц; в) 12 МГц.
14.259. См. решение предыдущей задачи, Qвн=33,7 а)1,18 МГц;
б) 2,4 МГц; в) 5,3 МГц.
14.260. Можно использовать диоды и режим их работы с высоким
электронным КПД, снижать потери в КС, цепи питания и цепи
согласования.
14.261. Нужно уменьшить количество контактных соединений в КС
генератора; перенести контактные соединения в области мини-
мума тока проводимости; уменьшить потери в ФНЧ-цепи пи-

тания; уменьшить потери в диэлектрике и стенках резонатора;
использовать высокодобротные резонаторы, например, вместо
несимметричной полосковой линии использовать симметрич-
ную микрополосковую; увеличить связь с нагрузкой; исполь-
зовать совместную работу диодов, что позволит усилить связь
с нагрузкой и, соответственно, понизить сопротивление Rн на-
груженной КС генератора.
14.262. Увеличится в 1,8 раза.
14.263. Использование перспективных полупроводниковых матери-
алов и совершенствование многослойных полупроводниковых
структур генераторных диодов.
14.264. При оптимальной фазировке высшие гармоники, добавля-
ясь к основной, обеспечивают оптимальную форму напряжения
или тока генератора.
14.265. В синхронизируемых АГ – явление захватывания частоты,
а в УМ отражающего и проходного типа – эффект регенера-
тивного усиления.
14.266. В любом диапазоне частот, где динамическое сопротивление
диода отрицательно.
14.267. В качестве эквивалентной схемы усилителя может быть ис-
пользована эквивалентная схема АГ (рис. 9,4 или 14,13,в), в
которой внешняя СВЧ-цепь дополнена источником усиливае-
мого входного сигнала.
14.268. Максимальный Кр ограничен условием устойчивости. При на-
личии различных дестабилизирующих факторов Кр→ ∞ и про-
исходит самовозбуждение усилителя. При типовых значениях
нестабильности источника питания (∆U0/U0 = 0,01), температу-
ры (±20°) и рассогласовании нагрузки (| Г | < 0,08)Кр max ≤ 20 дБ.
Увеличение Кр возможно при уменьшении влияния дестабили-
зирующих факторов.
14.269. Максимальная выходная мощность реализуется в режиме
насыщения, при котором коэффициент усиления существенно
уменьшается относительно своего максимального значения и
не превышает 3…10дБ. Максимальная выходная мощность УМ
соответствует паспортным данным в генераторном режиме.
14.270. Подавление паразитных автоколебаний в схеме АГ по срав-
нению с усилителем значительно облегчается, так как под вли-
янием автоколебаний величина действующего отрицательного
сопротивления диода существенно уменьшается.
14.271. Усилители используют такие же КС, как и АГ, но с увеличен-
ной связью с нагрузкой. За счет увеличения потерь, вносимых
в КС генератора, резонансное сопротивление КС уменьшается
в такой степени, что не выполнятся условие самовозбуждения.

Кроме того, КС усилителей, как правило, содержат стабилизи-
рующие цепи, предназначенные для подавления паразитной ав-
тогенерации. В АГ (по сравнению с усилителями) подавление
паразитных колебаний значительно облегчается, так как под
влиянием автоколебаний величина действующего отрицатель-
ного сопротивления диода существенно уменьшается. Поэтому
КС АГ часто выполняются в упрощенном варианте.
14.272. а) в проходных усилителях для связи резонатора с нагрузкой
и источником сигнала используются два отдельных элемента
связи; при этом резонатор с диодом включается по схеме двух-
полюсника; б) в отражательных усилителях для связи резона-
тора с источником сигнала и нагрузкой используется феррито-
вый циркулятор; при этом резонатор с диодом включается по
схеме двухполюсника [45].
14.273. Отражательные усилители существенно превосходят про-
ходные по выходной мощности, полосе пропускания, коэффи-
циенту шума и чувствительности к изменению параметров на-
грузки [45]. Проходные усилители не обладают направленным
действиям. Они усиливают сигнал в обе стороны, что оказыва-
ется удобным, например, в линиях двусторонней связи.
14. 274. Значение коэффициента усиления определяется соотноше-
нием между параметрами диода и внешней цепи. При увеличе-
нии связи с нагрузкой снижается резонансное сопротивление
КС генератора, что приводит и снижение Кр. а) рабочий ток ди-
ода в режиме усиления меньше тока в режиме автогенерации.
При увеличении тока диода Кр возрастает, а полоса усиления
уменьшается. При токах диода, близких к пусковому, усили-
тель работает неустойчиво и может самовозбудиться; б) регу-
лировкой напряжения питания ДГ.
14.275. а) 2,3 ГГц; б) 1,3 ГГц; в) 0,4 ГГц.
14.276. а) М=600, П=125 МГц, Кр=16=12 дБ; б) М=2,5, П=81 МГц,
Кр=38=15,8 дБ.
14.277. М=60, П=435 МГц, Кр=25,6=14 дБ, Pвх =1,6 мВт.
15.1. Пролетные клистроны применяют в диапазоне частот от 0,3 до
300 ГГц в качестве усилителей мощности, автогенераторов, ум-
ножителей и преобразователей частоты. Их используют в око-
нечных каскадах передатчиков радиорелейных, тропосферных
и космических линий связи, РЛС дальнего действия, телевизи-
онных радиостанций и др.
15.2. а) МРК – мощные генераторы СВЧ, они обладают наивысшим
из всех СВЧ-усилителей коэффициентом усиления и достаточ-
но высоким КПД, долговечны и устойчивы в работе. Недостат-
ками клистронов являются сравнительно узкая полоса пропус-

кания, необходимость применения очень высокого напряжения
питания и высокая стоимость; б) клистроды (приборы IOT)
сочетают в себе достоинства МРК – высокая надёжность и
большой коэффициент усиления и тетрода – высокий КПД.
15.3. МРК – относительно узкополосные усилители средних, боль-
ших и сверхбольших мощностей с большим коэффициентом
усиления. Они используются в телевизионных передатчиках,
передатчиках радиолокационных станций, в передатчиках ра-
диорелейной, тропосферной и космической связи, для пита-
ния ускорителей частиц в ядерной физике, промышленного
СВЧ-нагрева; б) генераторные клистроны имеют высокую ста-
бильность частоты, малый уровень шумов, они используются
в радиорелейных линиях и как задающие генераторы в мощ-
ных передатчиках РЛС; в) умножительные клистроны позво-
ляют получить высокостабильные колебания в сантиметровом
и миллиметровом диапазонах волн путём умножения частоты,
стабилизированной кварцем, в 10 и более раз. Обычно для этой
цели применяют двухрезонаторные клистроны. Их выходная
мощность не превышает сотен милливатт, а КПД – единиц
процентов. В настоящее время они вытесняются варакторными
умножителями частоты.
15.4. Принцип работы IOT (клистродов) заключается в совмеще-
нии процессов, происходящих в обычных МРК и тетродах. В
приборах IOT процесс модуляции электронного потока ближе
к тетродному, а процесс передачи энергии электронного потока
выходному резонатору – к клистронному.
15.5. Приборы IOT обеспечивает очень высокий показатель
FOM = 100Pн синхр /Ро ср% = 120%, где Рн синхр – максимальная мощ-
ность сигнала изображения, соответствующая передаче верши-
ны синхроимпульсов; Ро ср – мощность видеосигнала средней
яркости. В обычном же клистронном усилителе FOM = 25%, а
в схеме с рекуперацией – 42%. IOT имеют всего три резонатора.
Ввиду перспективности приборов IOT на них переводятся все
ТВ клистронные передатчики.
15.6. а) m = 5ΔU 0 ( 4 E0 ) = 5·10-4; б) 2,5·10-3; в) 1·10-2.
15.7. а) ΔE0 / E0 = 0.2Δϕ /( N − 1) = Δϕ / 15 = 6,7·10-3; б) 6,7·10-3; в) 5·10-3.
15.8. а) Δf = 5 F ( N − 1)U м E0 ; при N = 4 и ∆f = 10 Гц получим
U M = Δf E0 (15 ⋅ F ) = 22 В; б) 220 В.
15.9. Для защиты персонала необходимо использовать независимые
электрические и механические блокировки элементов, нахо-
дящихся под высоким напряжением; при напряжениях более

20 кВ использовать свинцовые и другие защитные экраны от
рентгеновского излучения; использовать экранирующие и пог-
лощающие СВЧ-энергию материалы, тщательно выполнять
стыки фидерного СВЧ-тракта.
15.10. Можно использовать одну из схем триодных генераторов из
раздела 14 и схему клистронного усилителя (рис. 15.1).
15.11. а) Кр = 15 + 20(N – 2) = 15 дБ; б) 55 дБ; в) 95 дБ. Расчётные
значения Кр получились гораздо больше реальных вследствие
расширения полосы пропускания МРК путём расстройки про-
межуточных резонаторов относительно средней частоты.
15.12. а) Кр = Pвых/Pвх = 14·103 = 41,5 дБ; б) 43 дБ.
15.13. а) Кр = 10 lgPвых/Pвх = 49 дБ; б) 47 дБ; в) 44,5 дБ; г) 42 дБ.
15.14. Можно снижать добротность резонаторов, увеличивать их ко-
личество и относительную расстройку. Ширина полосы также
возрастает при увеличении (до оптимального уровня) входной
мощности. При этом частотная характеристика становится дву-
горбой, так как оптимальная группировка происходит на час-
тотах, отличных от частоты f0.
−5
15.15. а) ТКЧ= Δ f / ( f ΔT ) = 0.1 ⋅ 4 ⋅10 / (20 ⋅10 ) = 2 ⋅10 град-1;
6 9
б) 5·10-5 град-1 в) 5·10-6 град-1.

15.16. а) Kk K Ke Pɜɵɯ (E0 I0Ke ) 0,95; б) 0,9; в) 0,8.
15.17. Q0 = QH (1 - η k ) ; QH = f 0 2Δf ; Используя ответы задачи 15.16,
получим а) 2300; б) 450; в) 2700.
15.18. Параметры клистрона КУ308 в номинальном режиме:
Pвых ном= 4 кВт; E0 ном= 10 кВ; I0 ном= 1,2 А. При выходной мощ-
ности 3 кВт ускоряющее напряжение и ток катода равны:
E 0 = E 0 ном (Pвых Pвых ном ) = 9 кВ, I 0 = I 0 ном (E0 E0 ном )1,5 = 1 А.
0, 4
15.19. а) ΔPвых = 2,5 Pвых ΔE0 E0 = 50 Вт; б) 100 Вт; в) 200 Вт.
15.20. а) ΔPвых Pвых = 2,5 ΔE0 E0 = 2,5%; б) 5%; в) 10%.
15.21. Рвых = Pвых.ном ⋅ ( Е0 ЕОном )5 / 2 , откуда d Pвых d E0 = 2,5 ⋅ Pвых Е0 .
При ∆Е0/Е0 1 можно считать ηе=const, тогда
ΔРвых Рвых = 2,5 ⋅ ΔE0 E0 .
15.22. В режиме рекуперации на коллектор подают меньшее напря-
жение, чем на анод. На участке анод-коллектор электроны дви-
жутся в тормозящем электрическом поле и потому приходят на
коллектор со сравнительно малой скоростью. Мощность, рас-
сеиваемая коллектором, получается небольшой, а электронный
КПД – высоким.
15.23. а) η ′ η = 1 − I
e e
[ к о
(
I ⋅ 1− E E
к о
)] −1
= 1, 2 (отношение то-
ков Iк/I0 определяем из рис. 15.3); б) 1,3; в) 1,1.
15.24. а) при Eк/E0 = 0,9 из рис. 5.3 определяем Iк/I0 = 0,95;
Рпит = Е0 ( I 0 − I к ) + Ек I к = Е0 I 0 [1 − I к I 0 ⋅ (1 − Eк Е0 )] = 10,9 кВт;
б) 9,2 кВт; в) 10,2 кВт.
15.25. При Eк/E0 = 0,4; 0,6; 0,7; 0,8 и 0,9 определяем отношение ηе' ηe :
1,09; 1,28; 1,32; 1,22 и 1,10. Электронный КПД максимален при
Eк/E0 = 0,7.
15.26. Е0 = 10 кВ; используя ответ задачи 15.25, получим
(Ек/Е0)опт = 0,7, откуда Ек = 7кВ.
15.27. Используя данные табл.15.1, получим а) R0=E0/I0 = 8,3 кОм;
Rд = 2R0/3 = 5,6 кОм; б) 930 Ом; 620 Ом; в) 20 кОм; 13,3 кОм;
г) при высоком контурном КПД R0=ηеЕ20/Рвых= 4,5 кОм;
Rд = 3 кОм.
15.28. I 0 = I 0 ном ( Е0 Е0 ном )1,5 , откуда (Еном Е0 ) = Е0 I 0ном (I 0 Е0ном ) =
0,5
= R0/R0 ном, R0 = R0ном ⋅ Е0ном Е0 .

15.29. а) используя решение задачи 15.28, получим R0/R0 ном =
(
= RД RД ном = Е0 ном Е0
0,5 0,5
)
= (1 0,9 ) = 1,05 ; б) 1,12; в) 1,41.
2 2
15.30. а) Г В = (ρ − 1) (ρ + 1) = 0,23 ; Ротр = Рнагр Г (1 − Г ) = 225 Вт;
б) 56 Вт.
15.31. Г = (ρ − 1) (ρ + 1) = 0,2; Г В = 0,23;
G= Г
2
(1 − Г )
В
2 2
Г В ⋅ (U отр в U отр
2
)
2
= 68 раз = 15 дБ .
15.32. Г = (ρ − 1) (ρ + 1) = 0,09 . По
данным табл. 15.1 ГВ =
U отр в
ГВ
= (1,6 − 1) (1,6 + 1) = 0,23. а) = 2
G = 85 ; б) 27; в) 8,5.
U отр Г (1 − Г В )
15.33. В клистронных передатчиках осуществляют все виды моду-
ляции.
15.34. Искажения сигналов возникают из-за неравномерности амп-
литудно-частотной характеристики; нелинейности фазочастот-
ной и амплитудной характеристик и зависимости сдвига фаз
от входной мощности.
15.35. При усилении АМ-колебаний клистрон работает в классе А.
Подводимая к электродам мощность питания не изменяется, а
выходная мощность меняется в широких пределах.
15.36. а) в области максимальной выходной мощности; б) и в) на
линейном участке амплитудной характеристики.
15.37. При усилении АМ- и ОМ-сигналов рабочую точку выбира-
ют примерно посередине восходящего участка амплитудной ха-

рактеристики. В этом случае искажения будут наименьшими, а
КПД приблизительно в четыре раза меньше его максимально
достижимого значения. При усилении ЧМ, ФМ и импульсно-
модулированных сигналов работают в режиме насыщения. При
этом ослабляется паразитная амплитудная модуляция и ампли-
туда выходного сигнала более стабильна. Выходная мощность, а
следовательно, и КПД достигают максимальных значений. Для
полученных малых искажений ширина полосы пропускания
клистрона должна соответствовать ширине спектра сигнала.
15.38. Нелинейность амплитудной характеристики клистронов
обусловлена нелинейными процессами группировки электро-
нов и их взаимодействия с полем выходного зазора.
15.39. ηе с р = Рвых с р Р0ном = (1 + 0,5m 2 )Рвых нес Р0ном ;
а) Kɟ ɫɪ (1 0,5 m2 ) Ɋɜɵɯ.ɧɨɦ (4Ɋ0ɧɨɦ ) 9, 4%; б) 11%; в) 12,5%.
15.40. При максимальном использовании по мощности выходная
мощность клистрона в максимальном режиме равна его номи-
нальной мощности. Используя решение задачи 15.39, получим
1 + 0,5m 2 Рвых ном
а) ηе ср = ⋅ = 16,7% ; б) 13,6%; в) 12,5%.
(1 + m )2 Р0 ном
15.41. Сначала можно найти относительные величины анодно-
го напряжения и выходной мощности. Используя формулу
Рвых Рвых.ном = ( Е0 Е0ном )5 2 , определим, что при E0/E0 ном = 0,6; 0,8
и 1,1 относительная выходная мощность равна Рвых/Рвых ном =
=0,28; 0,57 и 1,27. а) используя табл. 15.1, получим, что при Е0,
равном 6 кВ; 8 кВ и 11 кВ, выходная мощность равна 1,1 кВт;
2,3 кВт; 5,1 кВт; б) 0,28 кВт; 0,57 кВт и 1,27 кВт.
15.42. m = 5U м (4 Е0 ) = 0,062 ; M = 5( N − 1)U м / E0 = 1 рад.
[
15.43. а) Е0 ном ⋅ 0,8 (1 + m )2] 0, 4
= 6,3 кВт; U м = 0,8 m Е0 нес = 3 кВ;
М = 5(N − 1)U M E 0 нес = 7,1рад; б) 5,7 кВ; 3,6 кВ; 9,6 рад; в) 5,2 кВ;
4,2 кВ; 12 рад.
15.44. а) Е0 нес = Е0 ном (1 + m ) = 8 кВ; U м = 0,8m E0 нес = 2,6 кВ; Δf=1,5 кГц;
0 ,8
б) 6,7 кВ; 3,2 кВ; 2,2 кГц; в) 6,2 кВ; 4 кВ; 2,9 кГц.
15.45. Используя равенство Pвых Pвых ном = ( E0 E0 ном ) , получим
2,5
d Pвых 2,5 Pвых ном 1,5 .

= 2,5 Pвых E0 = E0
d E0 ( E0 ном ) 2,5
Из последнего равенства видно, что с увеличением анодного
напряжения крутизна модуляционной характеристики резко
возрастает.
15.46. Из равенств Pmax = Pнес (1 + m) 2 и Pmin = Pнес (1 − m) 2 най-

дем Pmax − Pmin = 2ΔPвых = 4m Pнес , откуда m = 0.5ΔPвых Pнес .
Для клистрона ΔPвых Pвых = 2,5 ΔE0 E0 , следовательно,
т = 5ΔE0 (4 E0 ).
15.47. Испольуя равенства Pвых нес = Pвых max (1 + m) 2 и
0, 4
E0 = E0 ном ( Pвых Pвых ном ) получим
0, 4
⎡ Pвых max ⎤
E0 нес = E0 ном ⎢ ⎥ . Модуляционная характе-
⎣ (1 + m) Pвых ном ⎦
2
ристика линейна при относительно малом изменении анодно-

го напряжения UмE0 нес. Для этого случая амплитуда модули-
рующего напряжения равна U м = 2 ΔPвых E0 нес . Используя
ΔPвых 5 Pвых нес
формулу = 2m (см.решение задачи 15.46), получим
Pвых нес 0, 4
⎡ Pвых max ⎤
U м = 0,8 m E0 нес = 0,8 m E0 ном ⎢ ⎥ .
⎢⎣ (1 + m) Pвых
2
ном ⎥
⎦
15.48. а) I 0 = I 0 ном ( E0 E0 ном )1,5 = 253 A; Pни = I0E0 = 63 МВт;
R0 = E0/I0 = 988 кОм; Rд = 659; б) 84 МВт; 930 Ом; 620 Ом;
в) 36 МВт; 1 100 Ом; 740 Ом.
15.49. ΔE0 / E0 = Δϕ /[5(N − 1)]= 6,7 ⋅10 ; ΔE0 E0 = 0,4 ΔPвых Pвых = 8 ⋅10 −3 .
−4
Из двух полученных значений должно выполняться наимень-

шее.
15.50. а) η = Pвых Pо = 33,3%; d ϕ / d E0 = − 5(k − 1) E0 = −1,5 ⋅10 −3 рад В ;
б) 35,7%; –5,4·10-5 рад/В в) 20 %; –2·10-3 рад/В.
15.51. а) M=2; П = 2(1 + М + М ) Fв = 7 кГ ц ; б) 2,6 МГц.
15.52. Uм = 0,4 кВ; m=5Uм/4Е0 = 0,05; б) 0,8 кВ; 0,1; в) 1,6 кВ; 0,2.
15.53. U 21 / U1 = K pQ2 / (η k Q1 ) = 6 .
15.54. Рвх = Pпот = 0,5U21/R1 = 0,5 Вт; Р = 0,5U22ηк/R2 = 24 Вт; Кр = P/Pвх=
= 48 = 16,8 дБ.
15.55. Значения КПД и оптимального параметра группировки оп-
ределяем по табл. 15.2. а) 48,7%; 3,06; б) 40%; 5,32; в) 32%;
9,76.
15.56. а) P0 = I0E0 =13 Вт. Из табл. 15.2 при n=3 определяем
ηe max = 0, 434 , P3 max = P0ηe max = 5,6Вт; б) 4,8 Вт; 37%; в) 3,9 Вт;
30%; г) 3,4 Вт; 26%. При увеличении кратности умножения час-
тоты нужно уменьшать амплитуду напряжения возбуждения.
15.57. а) как видно из выражения Pвых n = I 0U 2 n ηk J n (n X ), , от входной

мощности зависят лишь величины U2n и X. Используя равенство
Pвых n = 0,5U 22nη k R2 , получим Pвых n = 2 I 02 R2 ηk J n2 (n X ) = A J n2 (n X ) ,
где А – постоянный коэффициент. В выражении для параметра
группировки от величины входной мощности зависит лишь на-
пряжение U1 = 2 R Pв х . Поэтому можно записать n X опт = В Рв х ,
где В – постоянный коэффициент. Используя полученные зави-
симости, определим выходную мощность Рвых n = A J n2 B Pв х ; ( )
б) Pвых = A J 12 ( B Pв х ) .
15.58. Используем ответ предыдущей задачи. Коэффициенты А и
В определяем из условий Рвых max = 20 Вт при J1 ( X опт ) = 0,582
и Х опт = В Рв х = 1,84 при Рвх = 0,5 Вт: A = 59 Вт; B = 2,6 Вт-0,5.
Расчетная формула имеет вид Рвых = 59 J12 (2,6 Pв х ) . Задаваясь
значениями Рвх и используя рис. 15.4., определяем Рвых. При
Рвх = 0,1 Вт; 0,3 Вт; 0,5 Вт; 1,0 Вт; и 1,5 Вт; выходная мощность
равна 8 Вт; 18 Вт; 20 Вт; 13 Вт и 4 Вт. Причиной уменьше-
ния выходной мощности при чрезмерном увеличении входной
является отклонение параметра группировки от оптимального
значения.
15.59. См. решения задач 15.57 и 15.58. Расчетная формула имеет
вид Рвых = 148 J12 (1,84 Pв х ) . При входной мощности 0,2 Вт;
0,6 Вт; 1,2 Вт; и 2,0 Вт выходная мощность соответственно рав-
на 21 Вт; 41 Вт; 49 Вт и 32 Вт.
16.1. В ЛБВ используется принцип непрерывного взаимодействия
электронов с полем электромагнитной волны, распространяю-
щейся по ЗС примерно со скоростью электронного потока.
16.2. ЛБВ средней и большой мощности применяются в качестве
промежуточных и оконечных усилителей передатчиков радио-
локационных станций и широкополосных ретрансляторов ра-
диорелейных и космических линий связи. Они используются
также при построении передатчиков активных помех. Мало-
мощные ЛБВ используются в качестве гетеродинов некоторых
типов СВЧ-приёмников и в панорамных измерителях КСВ, за-
тухания и других характеристик элементов СВЧ-трактов.
16.3. ЛБВ имеют более широкую полосу, однако уступают клистро-
нам по мощности, существенно ниже и их КПД. Обычно ЛБВ
требуют большего числа источников питания и чувствительны к
нестабильности напряжений питания. К согласованию входных и
выходных цепей ЛБВ предъявляют жесткие требования, так как
рассогласование может привести к самовозбуждению прибора.
16.4. Лампы прямой волны обычно используют в качестве усилите-

лей. Для получения автогенераторного режима искусственно
создают внешнюю цепь обратной связи. ЛОВ используют в
основном как АГ и синхронизированные генераторы, для ко-
торых характерно захватывание частоты генерации внешним
сигналом. Возможна работа ЛОВ и в режиме регенеративного
усиления.
16.5. Усилительные приборы типа М по сравнению с приборами типа О
имеют наибольший КПД (до 80%), наибольшие отношения выход-
ной мощности к массе, объёму и стоимости (при сравнимой выход-
ной мощности) и наименьшие величины питающих напряжений.
16.6. ЛОВМ имеют линейную частотную характеристику. Электрон-
ная перестройка частоты осуществляется меньшим изменением
напряжения, чем в лампах типа О. КПД ЛОВМ раза в два выше,
чем у ЛОВО. Недостатками ЛОВМ являются конструктивная
сложность, высокий уровень собственных шумов и склонность
к генерации боковых колебаний.
16.7. ЛБВО используют для широкополосного усиления сигналов
в передатчиках малой и большой мощности. В сантиметровом
диапазоне выходная мощность ЛБВО непрерывного действия
достигает 10 кВт, а импульсных – 5 МВт. Коэффициент уси-
ления маломощных ЛБВО достигает 30…60 дБ; КПД обычно
равен 20…30%; полоса рабочих частот составляет 50% и более
от средней частоты диапазона. Коэффициент усиления мощ-
ных ЛБВО достигает 40 дБ; КПД около 30%; полоса 10…15%.
ЛОВО наиболее часто используют в режиме автогенерации с
электронной перестройкой частоты (измерительные генерато-
ры качающейся частоты, гетеродины и т. п.). В режиме усиле-
ния ЛОВО представляет собой резонансный высокодобротный
усилитель с электронной перестройкой по частоте в широких
пределах. ЛОВО работают в диапазоне частот от 0,5 до 800 ГГц.
В основном их используют в качестве маломощных задающих
генераторов с электронной перестройкой частоты.
16.8. При слабой дисперсии ЗС условие синхронизма выполняется в
широкой полосе частот. Соответственно, получается очень ши-
рокополосные усилители. При сильной дисперсии полоса про-
пускаемых частот получается более узкой, но ее можно передви-
гать в диапазоне частот изменением скорости электронов.
16.9. Спиральные ЗС имеют нормальную слабую дисперсию, а пе-
риодические – обычно сильную аномальную; они имеют более
жесткую конструкцию и лучше рассеивают тепло.
16.10. Замедленная длина волны λЗ, пропорциональная длине волны
в свободном пространстве. Электрическое поле замедленной
волны быстро убывает по мере удаления от поверхности 3С.
Если диаметр спирали приближается к λЗ или превышает её,

то на электроны, двигающиеся вблизи оси спирали, действует
весьма слабое поле.
16.11. В миллиметровом диапазоне диаметр и шаг спиральных 3C
составляют доли миллиметра (см. задачи 16.14 и 16.15), а тол-
щина ленты или проволоки спирали – сотые доли миллиметра.
Гребенчатые ЗC имеют более жесткую конструкцию и более
высокую теплорассеивающую способность.
16.12. νф = 1,27⋅107 м/с.
16.13. νф = сS/(πD) = νe = 6·105 U 0 , откуда U0= 1 600 В.
16.14. νe = 6·105 U 0 = сS/(πD), откуда S = 0,31 мм.
16.15. νф = νe = 4,2·107 м/с; D = 0,5λνф/с = 0,56 мм; S = νфπD/с = 0,25 мм.
16.16. νф = νe = 6·107 м/с; λ = с/fcр = 9,375 мм; D = 0,5λνф/с = 0,94 мм;
S = νфπD/с = 0,59 мм.
16.17. Из выражения λ2 = Lλ0 /(L+2λ0) определяем L = 1 мм.
16.18. νe = 42·106 м/с = νф0 = ωL/φ0, откуда f = 1,75 ГГц.
16.19. а) νф0 = ωL/φ0 = 36·106 м/с; νф0 = νe, откуда U0 = 3 600 В;
б) νф1 = 4·106 м/с; U0 = 44 В.
16.20. а) νф-1 = νф0L/(L–λ0) = 2,7·106 м/с; б) 1,3·106 м/с; в) 8,6·105 м/с.
16.21. φ0 = ωL/νф0; νф-1 = 9·107/7 м/с = νe, откуда U0 = 460 В.
16.22. Подставив в формулу νф-1 = ωL/(2π–φ0) значение φ0=ωL/vф0,
получим νф-1 = Lfνф0/(νф0–Lf) = νe = 107 м/с.
16.23. См. решение задачи 16.22. νe = 33·106 м/с; f = νф0νe/[L(νф0+νe)] =
= 12,4 ГГц.
16.24. νe = νф-1 =–ωL/(2π–φ0), отрицательный знак перед выражением
указывает на то, что для получения синхронизма с гармоникой
n=–1 электронный поток должен двигаться навстречу группо-
вой скорости. Из этих равенств можно получить выражения
для расчета дисперсионной характеристики |νф-1 | = 2fL и гра-
фика электронной настройки f0 = 3·105 U 0 / L . Например, при
U0 = 2,5 кВ частота равна 7,5 ГГц, а фазовая скорость 3·107 м/с.
16.25. Из равенств vф = ve = 6 ⋅10 U 0 = A f , где А – постоянный ко-
5
эффициент, следует, что использована ЛОВ типа О с аномаль-

ной дисперсией ЗС. Дисперсия пространственных гармоник
всегда аномальна в периодической ЗС.
16.26. Δf = 0,5νф/l = 15 МГц.
16.27. νф = νe = 6·107 м/с; Δf = 0,5νф/l = 60 МГц.
16.28. Время пробега волны в обе стороны вдоль ЗС длиной l равно
2l/νф. Пренебрегая скачками фаз при отражениях на концах ЗС,
условие совпадения фаз падающей и отраженной волны можно
записать в виде 2l / vф = k T = k / f = k λ / c , где Т – период коле-

баний; k – целое число. Интервал между частотами генерации
ЛБВ определим из соотношения Δf = 0,5kνф/l для двух значе-
ний k, разнящихся на единицу, Δf = 0,5νф/l.
16.29. Кр = 1/(Г1Г2)2 = 8,2·104 или 49 дБ.
16.30. а) (Г1Г2)2 = 0,01. Г1 = Г2 = 0,31; б) Г1 = Г2 = 0,17; в) Г1 = Г2 = 0,1.
16.31. Г12Г22 = 0,01; усиление с поглотителем G/(Г12Г22) = 35 дБ.
16.32. Кр ≤ G2/(Г1Г2)2 = 8·108 или 89 дБ. Максимальное усиление ЛБВ
с поглотителем равно 89 – 20 = 69 дБ.
16.33. Г = (ρ–1)/(ρ+1); Г1Г2 = 1/231; Кр ≤ G2/(Г1Г2)2 = 5,3·106.
16.34. Если мощность сигнала на входе ЛБВ равна Рвх, то на выходе
имеем КpРвх. С выхода часть этой мощности отражается ко вхо-
ду ЛБВ и на входе претерпевает вторичное отражение. Мощ-
ность вторично отраженной волны равна Ротр = РвхГ12Г22Кр. Для
устойчивой работы необходимо, чтобы эта мощность была ма-
лой Ротр<Рвх. Из последнего неравенства получаем Г12Г22Кр<1.
16.35. Если мощность сигнала на входе ЛБВО равна Рвх, то на выходе
имеем Рвых = КpРвх/G. С выхода часть этой мощности отражается.
Отраженная волна распространяется ко входу ЛБВ, ослабляется
в G раз и на входе претерпевает вторичное отражение. Мощ-
ность вторично отраженной волны равна Рвых=РвхГ12Г22К/G2. Для
устойчивой работы необходимо, чтобы эта мощность была малой
Ротр<Рвх. Из последнего неравенства определяем G > Г1 Г 2 К .
16.36. Полоса частот ЛБВО определяется дисперсионной характе-
ристикой её 3С и согласованием на входе и выходе. Диспер-
сионная характеристика должна иметь горизонтальный рабо-
чий участок, ширина которого обычно составляет 30…100% от
средней частоты. Чем шире полоса, тем труднее обеспечить
согласование.
16.37. Во всей полосе усиления ЛБВ, так как самовозбуждение мо-
жет возникнуть и за пределами рабочей полосы частот.
16.38. В ЛБВО полоса частот определяется дисперсионной характе-
ристикой 3С и допустимой разностью между скоростью элект-
ронов и волны, с которой они взаимодействуют. Коэффициент
усиления ЛБВ снижается на низких частотах из-за уменьше-
ния числа длин волн вдоль 3С, а на высоких – из-за концент-
рации поля вблизи 3С. Существенно влияет на полосу частот
и качество согласования на концах 3С.
16.39. Дисперсия пространственных гармоник в периодических 3С
всегда является аномальной (рис. 16.2, б). При синхронизме
νф n = νe = 6 ⋅105 U 0 .
16.40. В ЛОВ обычно используют 3С с аномальной дисперсией
(рис. 16.2, б). С увеличением ускоряющего напряжения увели-

чивается скорость электронов. При выполнении условия син-
хронизма соответственно растёт и частота.
16.41. Влияние нагрузки уменьшается при включении между гене-
ратором и нагрузкой развязывающих приборов, ослабляющих
отраженную волну (например, ферритовых вентилей).
16.42. Одна из основных причин неравномерности – значительная
регенерация, положительная вблизи частот положительной
ОС (2lc = kλνф), и отрицательная для частот, расположенных
приблизительно посередине между ними. Для устранения
такого явления необходимо выполнение сильного условия –
Г12Г22Кр1.
16.43. Нужно установить ток луча I0 меньше пускового значения.
При малых значениях тока I0 усиление лампы мало и не вы-
полняется условие баланса амплитуд.
16.44. Если поглощающая нагрузка, расположенная вблизи коллек-
тора лампы, обеспечивает очень малое отражение в диапазоне
рабочих частот, то волны, отраженные от нагрузки, поглощают-
ся в согласованной внутриламповой нагрузке и не взаимодейс-
твуют с электронным пучком.
16.46. При существовании паразитной генерации электронная пере-
стройка сопровождается скачкообразными изменениями частоты.
Паразитная генерация возникает из-за ОС, вызываемой отражен-
ными волнами. Даже при её отсутствии отражённые волны приво-
дят к значительным перепадам выходной мощности в диапазоне
частот, поэтому должны быть уменьшены отражения высоко-
частотной мощности от поглотителя ЗС, устройства для вывода
энергии и от нагрузки. Влияние нагрузки можно уменьшить при
использовании вентиля, поглощающего отражённую волну.
16.47. В приборах О-типа благодаря использованию электронных
потоков большой протяженности, можно получить хорошую
электрическую развязку входа усилителя от выхода, особенно
при секционировании ЗС и использовании поглотителей. Уси-
ление ЛБВ О-типа достигает 30…60 дБ, а М-типа 6…30 дБ.
16.48. Для повышения КПД можно использовать изохронные ЗС,
у которых фазовая скорость рабочей пространственной гар-
моники постепенно уменьшается по длине; использовать до-
полнительное ускорение электронного потока, конструктивно
разбивая ЗС на несколько частей и подводя к ним напряжения,
возрастающие от входа ЗС к её выходу; использовать режим
рекуперации, т. е. на 20…30% уменьшать напряжение на кол-
лекторе по отношению к ускоряющему напряжению.
16.49. Требования к стабильности напряжений накала и коллектора

сравнительно невысоки. В некоторых ЛБВ с целью повыше-
ния КПД делают U K = (0,3...0,5)U 0 . Остальные напряжения
необходимо стабилизировать с точностью около 1%. Наиболее
высокие требования по стабильности предъявляются к напря-
жению питания ЗС, которое определяет скорость электронов в
пространстве взаимодействия.
16.50. Учитывая, что I 0 = p U 03 2 и Р0 = I 0U 0 , получим:
а) P0 = p U 05 2 , откуда U 0 = (P0 p )2 5 ; б) I 0 = P0 U 0 = p 2 5 P03 5 ;
в) R0 = U 0 I 0 = P0−1 5 p −4 5 .
16.51. RД = d U 0 d I 0 = 2 (3 p 2 3 I 01 3 ) = 2 R0 / 3 .
16.52. Первеанс по напряжению U0 равен p = Iон/Uон1,5 = 2,6·10-6 А/В1,5.
а) I0 = pU01,5 = 1,66 А; P0 = I0U0 = pUо2,5 = 12,3 кВт; R0 = 4460 Ом;
Rд = 2970 Ом; б) 1,94 А; 15,9 кВт; 4230 Ом; 2820 Ом.
16.53. Δϕ ΔU 0 = −0,54 град/В.
16.54. Используя условие синхронизма 6·105 U 0 = ωL/(φ0 + 2πn),
можно записать f = M U 0 . Коэффициент М определим для
средней точки диапазона: U0 = 600 В, f = 2 600 МГц. Тогда
f = 106,1 ⋅106 U 0 . Из последнего равенства определяем час-
тоты при напряжениях U0 = 200, 400 и 800 В: f = 1 500, 2 100
и 3 000 МГц. Как видим, крутизна расчетной характеристики
получилась немного больше экспериментальной. Основной
причиной “волнистости” экспериментальной частотной харак-
теристики является отражение высокочастотной мощности от
поглотителя ЗС, а так же от различных ее частей, от устройства
вывода энергии и от элементов внешнего тракта.
16.55. ЛБВ можно использовать для усиления сигналов с угловой,
амплитудной, однополосной и импульсной модуляцией.
16.56. В ЛБВ осуществляют амплитудную, импульсную и угловую
модуляцию.
16.57. СМХ по току должна быть линейной, а по мощности – квад-
ратичной (мощность пропорциональна квадрату тока).
16.58. Конденсаторы С1…С4 обеспечивают нулевой потенциал элек-
тродов ЛБВ по модулирующему напряжению. Это необходимо
для уменьшения искажений модулированных колебаний. Реле
максимального тока включено для защиты ЗС от перегрузки по
току, так как ЗС является наиболее уязвимым электродом ЛБВ.
Срабатывая, реле отключает лампу от источников питания.
16.59. Подавая модулирующее напряжение на управляющий элект-
род или первый анод, можно, в отличие от изменения напряже-
ния на ЗС, осуществить АМ при малой мощности модулятора и
незначительной сопутствующей фазовой модуляции. В ЛБВО
при этом получается линейная СМХ.
16.60. При осуществлении АМ ускоряющим напряжением необходим

модулятор большой мощности, кроме того получаются значи-
тельная паразитная угловая модуляция и нелинейная СМХ.
16.61. Изменение мощности, отбираемой полем от электронного по-
тока, связано с изменением скорости электронов, что приводит
к изменению фазы выходного сигнала. Типичные изменения
фазы составляют 2…4° на 1 дБ изменения входной мощности.
16.62. Модуляционный трансформатор осуществляет развязку це-
пей по постоянному току. При модуляции в цепях питания
электродов появляются составляющие токов высокой частоты.
Во избежание демодуляции источники питания заблокированы
конденсаторами С1…С3 большой ёмкости.
16.63. Такая ЛБВ может работать и в импульсном режиме, но при
любой скважности её импульсная мощность будет близка к
мощности непрерывного режима. Это объясняется тем, что
наилучшее взаимодействие электронов и поля обеспечивается
лишь при строго определенном напряжении на ЗС.
16.64. При модуляции по управляющему электроду необходим мо-
дулятор наименьшей мощности и легче сформировать моду-
лирующие импульсы со стабильными параметрами, однако в
промежутках между импульсами между катодом и ЗС прило-
жено высокое ускоряющее напряжение, что может привести к
ионизации остатков газа в ЛОВО. При подаче модулирующих
импульсов на ЗС необходим модулятор наибольшей мощности.
В амплитронных (как и магнетронных) генераторах единствен-
но возможной является ИМ анодным напряжением. См. также
ответ к задаче 16.65.
16.65. Импульсные передатчики на ЛБВ и ЛОВ подобны (см. ответ
к задаче 16.64). При модуляции по первому аноду возможно
неполное запирание тока луча ввиду наличия емкостной свя-
зи между электродами. Следует учитывать, что амплитрон при
снятом анодном напряжении практически без ослабления про-
пускает поступившую на вход мощность, а при поданном анод-
ном напряжении в отсутствие входного сигнала генерирует
шумы. С учетом переходных процессов нужно, чтобы входные
радиоимпульсы начинались несколько ранее и заканчивались
позднее, чем модулирующие импульсы.
16.66. Спад вершины модулирующего импульса приводит к изме-
нению выходной мощности и фазы выходного сигнала. Изме-
нение фазы от импульса к импульсу обусловлено пульсациями
и нестабильностями питающих напряжений. Наиболее сложно
стабилизировать амплитуду мощных высоковольтных импуль-
сов, поступающих на ЗС.
16.67. Конденсаторы С1…С4 – блокировочные; конденсатор С5 –

высоковольтный разделительный. Резисторы R1 и R2 включе-
ны в цепь подачи запирающего напряжения на управляющий
электрод.
16.68. В ЛБВ фаза выходного сигнала зависит от величины входной
мощности, напряжений на управляющем электроде, первом
аноде и ЗС. Наибольшая крутизна модуляционной характе-
ристики получается при изменении напряжения на ЗС. Этот
электрод обычно используют для осуществления фазовой мо-
дуляции. При изменении напряжения U0 даже на несколько
процентов резко падает коэффициент усиления лампы, так что
при допустимом уровне паразитной АМ максимальная девиа-
ция фазы составляет несколько сотен градусов.
16.69. Входной ЧМ-сигнал практически всегда имеет паразитную
АМ, которая из-за зависимости фазы выходного сигнала от
входной мощности переходит, в свою очередь, в ФМ. Преоб-
разование АМ в ФМ является основным источником нелиней-
ных искажений в этом режиме работы ЛБВ.
16.70. Обычно для осуществления ЧМ изменяют ускоряющее на-
пряжение U0, так как изменение напряжение на других элек-
тродах сильнее сказывается на генерируемой мощности. Для
ЛОВО зависимость генерируемой частоты от напряжения U0
квадратична, а для ЛОВМ – линейна. Паразитную АМ, воз-
никающую при изменении напряжения U0, можно скомпенси-
ровать соответствующим изменением напряжения на первом
аноде.
16.71. По максимальному значению выходной мощности.
16.72. По уменьшению тока спирали, увеличению тока коллектора
и выходной мощности.
16.73. m = 2 Pср / Pнес − 1 = 0,8 .
16.74. U м = m ⋅ U a1нес = 2,7 кВ; емкость, шунтирующая выход моду-
лятора, равна суммарной емкости между первым анодом и ка-
тодом ЛБВ и выходной емкости модулятора: Cп= 10+5 = 15 пФ;
мощность модулятора равна Pм= CпΩвUм2=69 Вт.
16.75. См. решение задачи 16.74. Uм = 400 В; Cп = 14 пФ; Pм = 42,3 Вт.
16.76. Pми = I0·U0 = 16 кВт; Pм = 32 Вт.
16.77. Uм = 1 000 – 80 = 920 В; Pми = CпUм2/τф = 3,4 кВт; Pм = 170 Вт.
16.78. Δϕ = −105 N ( ΔU / U 0 ) = −105 ⋅ 20 ⋅ 0, 01 = 21° .
16.79. Δϕ = 280k 2 N = 140 o .
16.80. Δϕ = −105 N ( ΔU / U 0 ) = ±42 ; f д = Δϕ F = 42 ⋅ 300π /180 = 220 Гц.
°
16.81. Частоте 2,6 ГГц соответствует ускоряющее напряжение U0 = 600 В.

По рис. 16.7 определяем крутизну Sf вблизи рабочей точки:
Sf = ∆f/∆U0 = 0,4 МГц/В; Uм = ∆fд /Sf = 50 В; R0 = U0/I0 = 30 кОм;
Rд = 2R0/3 = 20 кОм; Pм = 0,5Uм2/Rд = 62 мВт.
16.82. Δϕ / ΔU 0 = −105 N / U 0 = −3,15 град/В;
ΔU 0 = 90 / 3,15 = 28, 6 В; k2 = Δϕ /(280 N ) = 1, 07% .
16.83. а) ΔU 0 = ΔϕU 0 /(105 N ) = 116 В; Rд = 2R0/3 = 205,7 кОм;
Pм = 0,26 Вт; K2 = 1,6%; б) 258 В; 1,3 Вт; 3,6%.
16.84. Uм = fд /Sf = 200 В; Pм = 0,5Uм2/Rд = 2,5 Вт.
16.85. При допустимом снижении амплитуды модулирующего на-
пряжения на максимальной частоте сигнала в 2 раз вели-
чина сопротивления нагрузки модулятора равна R = 1/(CпΩmax).
Мгновенное значение тока, протекающего через резистор
R и ёмкость Cп, равно i = Cп d uм d t = U м Cп Ω cos Ωt . Мак-
симальная мощность, рассеиваемая резистором R, равна
2
0,5 (U мCп Ω max )2 R = 0,5U м Cп Ω max . Электронный КПД однотакт-
ного резистивного усилителя ηе = 0,5I1Uм/(I0E) не превышает
0,5. При ηе = 0,5 мощность, потребляемая модулятором, равна
Uм2CпΩmax.
16.86. Коммутаторный прибор заряжает ёмкость Cп практичес-
Ĳ
1 Ɏ
ки постоянным током I до напряжения U
Cɩ 0³Idt IW ɮ / Cɩ .
Величина напряжения U близка к напряжению источника пи-
тания модулятора. Поэтому импульсную мощность модулятора
можно принять равной Pми = UI = U Cп / τ ф . Средняя мощность
2
модулятора равна Pм = UIτ ф / T = UI / T .

17.1. В приборах магнетронного типа взаимодействие электронно-
го потока с полем ЗС происходит в скрещенных статических
электрическом и магнитном полях.
17.2. Кроме классических магнетронов к этому классу относят мит-
роны, платинотроны, ЛБВМ, ЛОВМ и др.
17.3. а) магнетроны используются в передатчиках РЛС и помех. Зна-
чительная часть магнетронов непрерывного генерирования ис-
пользуется в быту, промышленности и сельском хозяйстве. Они
работают на выделенных частотах 0,915 и 2,45 ГГц. Мощности
таких приборов колеблются от десятков ватт до 100 кВт при
КПД до 70…80%; б) митроны используются в свип-генерато-
рах, частотно или импульсно-модулированных передатчиках, в
системах радиопротиводействия; в) ЛБВМ и ЛОВМ широко ис-
пользуются в станциях космической связи и радиопротиводейс-
твия. Маломощные ЛОВМ используются в свип-генераторах.
17.4. Магнетроны являются наиболее эффективными АГ диапа-

зона дециметровых, сантиметровых и миллиметровых волн с
перестройкой частоты до 5…10%. Их недостатками являются
низкая стабильность рабочей частоты и трудность перестройки
частоты.
17.5. В дециметровом диапазоне максимальная импульсная мощ-
ность составляет десятки мегаватт при средней или непрерыв-
ной мощности сотни киловатт и КПД 75…85%. В миллиметро-
вом диапазоне максимальная импульсная мощность составляет
десятки киловатт при средней мощности десятки-сотни ватт и
КПД 15…25%.
17.6. а) обеспечивают перестройку частоты в 2…3 раза при выходной
мощности доли и единицы ватт; б) обеспечивают в дециметро-
вом и сантиметровом диапазонах длин волн мощность десятки
ватт при перестройке частоты на 5…20%. КПД митронов ниже,
чем у магнетронов и составляет 5…50%.
17.7. а) резонаторная система платинотрона разомкнута и имеет два
вывода, причём на один из них поступает входной сигнал, а к
другому подключается нагрузка; б) платинотрон может рабо-
тать как в режиме усиления, так и автогенерации.
17.8. Достоинствами амплитронов являются высокий уровень вы-
ходной мощности, высокий КПД (около 70%) и отсутствие
спектральных искажений при усилении.
17.9. Амплитроны используются для усиления колебаний с импуль-
сной и угловой модуляцией главным образом в оконечных кас-
кадах передатчиков связных и радиолокационных систем. При
усилении ЧМ- и ФМ-сигналов максимальная неравномер-
ность АЧХ амплитронов в рабочей полосе частот (около 10% от
средней частоты) обычно не превышает 6…8% (что значительно
лучше, чем у ЛБВ и клистронов), а ФЧХ – линейна. Возможно
использование платинотронов для передачи СВЧ-энергии. Ам-
плитрон с цепью обратной связи работает в качестве стабиль-
ного автогенератора (стабилотрона). Стабилотроны использу-
ются в РЛС с селекцией движущихся целей. По сравнению с
магнетроном у него лучшая стабильность частоты и меньшее
влияние нагрузки на режим.
17.10. Магнетроны и клистроны – мощные генераторы с высоким
КПД. Из представленных в таблицах приборов наибольшую
выходную мощность и наибольшее анодное напряжение имеет
клистрон КИУ15, а наибольший КПД – магнетрон 720-АЕ.
17.11. а) линейная ЧХ; повышенный уровень выходной мощности;
высокий КПД; малые перепады выходной мощности в диапа-
зоне электрической перестройки; б) линейная частотная харак-
теристика; широкий диапазон электрической перестройки при

малых перепадах мощности. Кроме того, простота конструкции
митронов и повышенная прочность обеспечивают их работос-
пособность в более тяжелых механических и климатических
условиях.
17.12. Некоторые электроны, покинувшие катод, попадают в уско-
ряющую фазу высокочастотного поля. Они получают добавоч-
ную энергию от этого поля, и после прохождения по первой же
петле циклоиды ударяются о катод, отдавая ему полученную
энергию высокочастотного поля. Такая электронная бомбарди-
ровка катода вызывает его дополнительное нагревание и может
привести к перегреву катода.
17.13. При пониженной магнитной индукции увеличивается элек-
тронная бомбардировка катода. После разогрева катода, что
заметно по возрастанию анодного тока, индукция доводится
до нормальной. Для уменьшения магнитной индукции можно
использовать ферромагнитный шунт.
17.14. Контролировать работу можно по величине анодного тока,
выходной мощности и частоты, а также по форме спектра, тем-
пературе анодного блока и огибающей радиоимпульса.
17.15. Дисперсия пространственных гармоник всегда аномальна в
периодической ЗС (абсолютная величина фазовой скорости с
ростом частоты увеличивается). При генерации выполняется
условие синхронизма, а в ЛОВМ скорость электронов пропор-
циональна величине ускоряющего напряжения. Следовательно,
использована ЛОВМ с периодической ЗС.
17.16. P0 Pɜɵɯ ɢW F /(K ɮK ) 781 Вт.
17.17. P0 Pɜɵɯ ɢW F /(KɮK ) 1, 4 кВт.
17.18. В ЛОВМ скорость электронного потока пропорциональна
величине U0, а в ЛОВО – U 0 . В ЛОВО нужно изменять
ускоряющее напряжение в 4 раза, а в ЛОВМ – в два. При
меньшем изменении напряжения выходная мощность более
постоянна.
17.19. Уравнение для построения дисперсионной характеристики
ν Фn1 = 4 ⋅10 −3 f [Гц, м/с] . Уравнение для построения графика
электронной настройки f = 250 E /( Bd ) .
17.20. Приборы М-типа обычно имеют более высокий КПД, так как
в этих приборах средняя скорость электронов вдоль ЗС посто-
янна и условие синхронизма не нарушается.
17.21. В приборах М-типа скорость электронных потоков при из-
менении режима (в том числе и мощности входного сигнала)
изменяется мало. Кроме того, эти приборы имеют малую элек-
трическую длину. В приборах О-типа изменение ускоряюще-

го напряжения сильнее сказывается на скорости электронных
сгустков. При большой длине ЗС (десятки и сотни длин волн)
это приводит к сильной фазовой нестабильности.
17.22. В приборах О-типа формируется электронный поток в виде
тонкого луча. При небольших токах приходится увеличивать
величину питающих напряжений.
17.23. В приборах О-типа отбор энергии ведётся вдоль длины элект-
ронного потока малого поперечного сечения и поэтому приходится
использовать ЗС и электронные потоки большой протяжённости.
17.24. Габариты и масса источников питания ЛБВМ меньше, так
как приборы М-типа имеют более высокий КПД и работают
при менее высоких питающих напряжениях, чем аналогичные
приборы О-типа. При напряжениях менее 30 кВ не нужна за-
щита от рентгеновского излучения.
17.25. При значительной мощности возбуждения молекулы остаточ-
ных газов, ионизируясь, бомбардируют катод, в результате чего
возникает вторичная эмиссия. Время процесса установления
тока в приборах с холодными катодами не превышает 5 нс.
17.26. Использование амплитронов с холодными катодами упрощает
схему передатчика и расход мощности на питание подогревате-
ля. При отсутствии входного СВЧ-сигнала ток в приборе равен
нулю. Возбуждение прибора происходит лишь под действием
входного сигнала. См. ответ к задаче 17.25.
17.27. Можно управлять работой усилителя с помощью входного
СВЧ-сигнала, отказавшись от обычно используемого в таких
случаях импульсного модулятора. При использовании вторич-
но-эмиссионного катода обратная бомбардировка возникает
только после начала генерации. Время установления тока в
приборах с холодным катодом не превышает 5 нс.
17.28. Благодаря исключению сложного импульсного модулятора
можно уменьшить стоимость, габариты и массу передатчика,
повысить его КПД.
17.29. R0 = E I 0 = 600 Ом; Rд = ( E − Eпор ) / I 0 = 60 Ом.
17.30. R0 = E I 0 = 14, 4 ⋅103 14 = 1 кОм; Rд = ∆E/∆I0 = 50 Ом.
17.31. При E< Епор дифференциальное сопротивление магнетрона
очень велико; при E > Епор это сопротивление мало и практи-
чески постоянно.
17.32. R0 = 1500 / 7, 5 ⋅ 10−3 = 200 кОм; Rд = ∆E/∆I0 = 100 кОм.
17.33. а) Eпор = 0,8( Pвых + 5) = 9, 6 кВ; б) 17,8 кВ; в) 35 кВ.
17.34. а) η = Pвых/(EI0) = 19% б) 21%; в) 22%; г) 23%.
17.35. а) η = Pвых/(EI0) = 50% б) 14%; в) 43%; г) 86%.

17.36. а) η = Pвых/(EI0) = 5% б) 30%.
17.37. Pпот = ( Pвых / η − Pвых ) Fτ = 1 кВт.
17.38. η = Рвых/(I0E) = 80%; Pпот=120 Вт.
17.39. ∆E/E = ∆I0Rд/(I0R0) = 0,1%.
ΔE R0 ΔE
17.40. а) ΔI0 =
E
⋅ = ⋅ = 3% ; б) 6%; в) 12%.
I0 E Rд E E − Eпор
17.41. E = 14,5 кВ; I0 = 15,9 A; Rд = 910 Ом; Rд = ∆E/∆I0 = 50 Ом.
17.42. а) динамическое сопротивление магнетрона определяем по
его рабочим характеристикам (рис. 17.2) Rд = ∆E/∆I0 = 50 Ом.
Изменение тока магнетрона равно ∆I0= ∆E/Rд = 1 А. Изменение
мощности равно (рис. 17.2) ΔPвых=4,3 кВт. Изменение частоты
равно ∆fI = Sf I·∆I0 = 2 МГц; б) 12 кВт; 5,6 МГц.
17.43. Из рис. 17.3 определяем ΔP = 1 Вт.
17.44. СУ следует включать возможно ближе к нагрузке. При этом
уменьшаются потери в линии и обеспечивается большая надеж-
ность при высокой мощности, поскольку основная часть линии
благодаря согласованию работает в режиме бегущей волны. Кро-
ме того, уменьшается влияние изменения электрической длины
линии на величину КСВН при изменении частоты генератора.
17.45. а) 20 МГц; б) 40 МГц.
17.46. F0 = 40 МГц; при КСВН=1,2 модуль коэффициента отражения
равен | Г | = (КСВН–1)/(КСВН+1) = 0,09, а ∆fmax =±10 МГц.
17.47. | Г | = (КСВН–1)/(КСВН+1) = 0,33; lкр = 24,5 см. Для устране-
ния перескоков частоты можно использовать магнетрон с ма-
лым коэффициентом F0 включить в фидер ферритовый вентиль
или элементы настройки, уменьшающие амплитуду отражен-
ной волны.
17.48. а) lкр = 5νф(1–| Г |)2/(F048 | Г |) = 1,9 м; б) 2,56 м; в) 3,8 м. Для
увеличения допустимой длины фидера можно использовать
ферритовый вентиль или элементы настройки, снижающие
амплитуду отраженной волны.
17.49. υф = c 1 − (λ 2a) 2 = 3 ⋅108 1 − (3,2 4,8)2 = 4 ⋅108 м/с;
| Г |=(КСВН–1)/(КСВН+1) = 0,09; lкр = 6 м.
17.50. По рис. 17.2 или табл. 17.1 определяем коэффициент затя-
гивания частоты F0 = 40 МГц. а) | Г | = 0,5; lкр = 14 см; б) 37 см;
в) ∞. При идеальном согласовании (КСВН=1) нет отраженной
волны и длина фидера может быть сколь угодно большой.
17.51. Из уравнения lкр = 5νф(1–| Г |)/(F048 | Г |) определяем допусти-
мые модули коэффициента отражения | Г1 | = 0,02; | Г2 | = 60,44.
Второе значение корня отбрасываем. Значению Г = 0,02 соот-

ветствует КСВ = (| Г |+1)/(| Г |–1) = 1,04.
17.52. См. решение задачи 17.51. Г1 = 0,27; КСВН = 1,74.
17.53. Модули коэффициентов отражения от вращающихся соч-
ленений и антенны равны: Г1 = 0,0476; Г2 = 0,0244; ГА = 0,091.
Поскольку отраженные волны синфазны, можно обеспечить
их частичную компенсацию, включив фазовращатель между
антенной и вращающимися сочленениями. При этом ампли-
туда обратной волны равна Uобр = Uпр(|ГА| – |Г1| – |Г2|) = 0,019Uпр;
Uобр/Uпр = 0,019, а КСВН на выходе магнетрона равен
КСВН = (| Г |+1)/(| Г |–1) = 1,04.
17.54. Суммарное затухание амплитуды волны, движущейся от гене-
ратора до антенны и обратно, равно 0,5 дБ +10 дБ = 10,5 дБ или
3,35 раза. а)модуль коэффициента отражения от антенны равен
| ГА | = (КСВН–1)/(КСВН+1) = 0,2 . Модуль коэффициента от-
ражения на выходе магнетрона равен Г = Uпр = |ГА |/(3,35Uпр) =
= 0,06. На выходе магнетрона КСВН=1,13; б) 1,22; в) 1,3.
17.55. | Г | = 0,13; 0,6 дБ соответствует затуханию мощности в 1,15
раз; Pнагр = Pвых(1 – |Г2 |)/1,15 = 427 кВт.
17.56. Условие 2 n∆f/f ≤ 1 выполняется, поэтому используем при-
ближенную формулу: а) Δf н = ±0, 5 F (π nΔf f 0 ) = ±0, 92 МГц;
2
б) ±0,46 МГц.
17.57. Уход частоты АГ происходит из-за изменения питающего
напряжения, величины магнитного поля, импеданса нагруз-
ки и температуры. Для стабилизации частоты стабилизируют
напряжение питания и величину магнитного поля; включают
между генератором и нагрузкой ферритовый вентиль, не про-
пускающий волну, отраженную от нагрузки; используют стаби-
лизирующий резонатор, АПЧ и синхронизацию частоты.
17.58. Синхронизацию используют для стабилизации частоты мощ-
ного АГ слабым эталонным сигналом; сложения мощностей АГ;
усиления сигналов с УМ. При импульсной работе магнетрона
использование генератора подвозбуждающих колебаний обес-
печивает возбуждение основного типа колебаний, благодаря
чему можно увеличить скорость нарастания амплитуды моду-
лирующих импульсов, что особенно важно при формировании
радиоимпульсов наносекундной длительности. При подвоз-
буждении также уменьшаются флуктуации фронта импульса
и устраняются пропуски импульсов.
17.59. ΔE = ΔfRд / S f 1 = 600 В.
17.60. Значение Sf1 определяем по табл. 17.1, а Rд – по рис. 17.2
ΔE = ΔfRд / Sf 1 = 50В.
17.61. Из типичных значений крутизны (подраздел 17.3) выбираем

наибольшие. а) ∆fа = Sfа·∆E = 375 МГц; б) ∆fy = Sfy·∆Uy = 9 МГц;
в) ∆fн = Sfн·∆Uн = 6,3 МГц.
17.62. Крутизну зависимости генерируемой частоты митрона определя-
ем по его характеристикам (рис. 17.3). а) Sfа = ∆fа/∆E = 2,4 МГц/В;
∆fа = 360 МГц; б) Sfy = ∆fy/∆Uy = 0,02 МГц; ∆fy = Sfy·∆Uy = 0,6 МГц;
в) ∆fн = Sfн·∆Uн = 3,8 МГц.
17.63. Кp = (fηк/2∆fQн)2 = 484 или 26,8 дБ.
17.64. I0 = P0/U0 = Pвых/(U0ηе) = 40 А; ∆I0 = 4 А; ∆f = 12 кГц.
17.65. Кp = (f/2∆fQвн)2 = 278 или 24,4 дБ.
17.66. В магнетронах нарастание амплитуды колебаний начинается
лишь после того, как анодное напряжение достигнет порогово-
го значения. Время установления колебаний равно приблизи-
тельно 50 периодам колебаний. Во время среза импульса при
напряжениях, меньших порогового, выходная мощность маг-
нетрона становится гораздо меньше номинальной.
17.67. Форма модулирующих импульсов должна быть близка к пря-
моугольной, чтобы обеспечить постоянство частоты и амплиту-
ды высокочастотных колебаний во время импульса. Скорость
нарастания анодного напряжения должна быть оптимальной.
При малой скорости может возбудиться низковольтный вид ко-
лебаний, а также возможно “дрожание” фронта радиоимпульса.
При слишком большой скорости не успевает возбудиться ос-
новной вид колебаний.
17.68. При слишком быстром нарастании напряжения на магнет-
роне возбуждаются колебания, отличные от основного. Для
возбуждения основного вида колебаний при формировании
радиоимпульсов малой длительности на магнетрон подают под-
возбуждающий маломощный сигнал соответствующей частоты
или же используют так называемый пьедестальный метод мо-
дуляции. В последнем случае модулирующий импульс состоит
из пьедестала и основной части.
17.69. Так называемый пьедестальный метод модуляции магнетрона
используют при формировании мощных радиоимпульсов нано-
секундной длительности. Длительность пьедестального импуль-
са значительно больше длительности рабочей части, а амплитуда
составляет 0,6…0,8 амплитуды суммарного импульса. Импульс
пьедестала имеет относительно небольшую крутизну фронта,
достаточную для установления основного вида колебаний. Во
время пьедестального импульса магнетрон генерирует 5…10% от
номинальной мощности. После того как с помощью пьедесталь-
ного импульса устанавливается режим порога генерации основ-
ного вида колебаний, на магнетрон подают рабочий импульс.
17.70. При подключении к магнетрону генератора подвозбуждающих

колебаний увеличивается скорость нарастания основного типа
колебаний и происходит стабилизация фазы колебаний, благо-
даря чему уменьшается дрожание фронта радиоимпульса.
17.71. См. рис. 17.8.
u
t
а б в г д
Рис.17.8. Осциллограммы импульсов

17.72. См. рис. 17.9.
P
f
а б в
Рис. 17.9. Вид огибающих спектра
17.73. Из табл. 17.1 определяем E=14,4 кВ; τф =48 нс.
17.74. а) поскольку время установления колебаний митронного ге-
нератора соизмеримо с периодом высокочастотных колебаний,
можно принять, что в одном периоде модулирующего напря-
жения укладывается 10 периодов высокочастотных колебаний;
F = f/10 = 300 МГц; б) 900 МГц.
17.75. См. решение задачи 17.74. а) 300 МГц; б) 900 МГц.
17.76. Из рис. 17.3 определяем Rд = ∆E/∆I0 = 100 кОм и Sfа = ∆fа/∆E =
= 2,4 МГц/В; а) Pмод = 0,5U2/Rд = 4,5 мВт; ∆f = Sfа·∆U = 72 МГц;
б) 50 мВт; 240 МГц; в) 200 мВт; 480 МГц.
17.77. См. решение задачи 17.76. U = ∆f/Sfа = 41,7 В; Pмод = 0,5U2/Rд =
= 8,7 мВт.
17.78. Из рис. 17.3 определяем S fy = Δf y / ΔU y = 0, 02 МГц/В;
Δf / f = S fyU y / f = 6, 7 ⋅10−4 ; ΔPвых / Pвых = 0,36 .
17.79. R0 = U 0 I 0 = 1500 Ом; Rд = 300 Ом.
17.80. а) 1320 Ом; 230 Ом; б) 1300 Ом; 230 Ом; в) 1270 Ом; 300 Ом.
17.81. а) 3200 Ом, 330 Ом; б) 1270 Ом; 300 Ом; в) 860 Ом, 230 Ом.
17.82. η = (800 – 130)·103/(30·39·103) = 0,57.
17.83. Из рис. 17.5 определяем P0 = 1 МВт; η = (Pвых − Pвх ) P0 = 60 %.
17.84. а) 6 дБ; 0,6; б) 8,4 дБ; 0,6.
17.85. а) 8 дБ; 0,64; б) 6 дБ; 0,6; в) 1,8 дБ; 0,4.
17.86. Выходная мощность уменьшится от 414 до 290 кВт.
17.87. а) Г = (ρ–1)/(ρ+1) =0,2. При таком коэффициенте отражения
выходная мощность практически постоянна и равна 340 кВт;
б) мощность изменяется от 290 до 320 кВт.
17.88. а) при снижении мощности на 20% от максимального значе-

ния 414 кВт мощность в нагрузке равна 331 кВт. Из рис. 17.7
определяем, что такая мощность получается при Г ≈ 0,2, что
соответствует КСВН = 1,5; б) КСВН = 2,5.
17.89. При затухании вентиля 0,6 дБ мощность уменьшается в 1,15
раза. При КСВ = 1,3 коэффициент отражения равен Гн = 0,13. Вы-
ходная мощность равна Pɜɵɯ PȺD /[Kɮ (1 Ƚ ɧ )] 688 кВт. Та-
2
кую мощность можно получить при P0 = 1 МВт и Pвх ≥ 80 кВт.

17.90. Амплитроны – перспективные усилители ЧМ- и ФМ-сиг-
налов. Их АЧХ и ФЧХ линейны в широкой полосе частот.
Неравномерность АЧХ амплитронов в рабочей полосе частот
обычно не превышает 6…8%, что значительно лучше, чем у ЛБВ
и клистронов. При ИМ на вход амплитрона желательно по-
давать сформированные СВЧ-импульсы, ибо в паузах между
импульсами непрерывный сигнал проходит через амплитрон с
небольшим затуханием. Передача АМ-сигнала затруднена,так
как при отсутствии входного сигнала амплитрон склонен к са-
мовозбуждению.
17.91. Ферритовый вентиль ослабляет волну, отраженную от нагруз-
ки, благодаря чему повышается стабильность фазы и амплиту-
ды выходного сигнала усилителя и предотвращается опасность
самовозбуждения. Модуляция непрерывной входной СВЧ-
мощности нежелательна, так как в паузах между модулирую-
щими импульсами амплитрон пропускает поступившую на вход
мощность практически без ослабления. С учетом переходных
процессов нужно, чтобы длительность входных радиоимпуль-
сов была на 10…20% больше длительности модулирующих.
17.92. С учётом переходных процессов нужно, чтобы входные радио-
импульсы начинались несколько ранее и заканчивались позд-
нее, чем модулирующие. См. ответы к задачам 17.90 и 17.91.
17.93. Платинотрон, используемый как амплитрон, является уси-
лителем, работающим в режиме насыщения с принудительной
синхронизацией автоколебаний. Особенностью амплитронов
является слабая зависимость выходной мощности от входной
(рис. 17.5). Область линейного усиления отсутствует. В пла-
тинотроне невозможно осуществить линейную АМ, изменяя
анодное напряжение.
17.94. В стабилотронах возможно осуществление импульсной и не-
глубокой частотной модуляции. Осуществление ИМ в стаби-
лотронах принципиально ничем не отличается от ИМ в маг-
нетронах. Стабилизирующее действие резонатора уменьшает
влияние изменения анодного напряжения на частоту генериру-
емых колебаний. Изменение анодного напряжения вызывает в
стабилотроне неглубокую ЧМ. Однако эта ЧМ сопровождается

глубокой АМ. Поэтому осуществление ЧМ и АМ изменением
анодного напряжения стабилотрона нецелесообразно. Для осу-
ществления ЧМ целесообразно использовать синхронизирую-
щий генератор, например, ЛОВО.
18.1. Спонтанные излучательные переходы происходят самопроиз-
вольно, вне зависимости от внешних условий. При спонтанном
излучении направления и поляризация квантов электромагнит-
ной энергии (фотонов) могут быть любыми. Спонтанное излу-
чение поэтому не когерентно. При индуцированном излучении
переход квантовой системы на более низкий уровень происходит
под воздействием фотонов. Индуцированное излучение совпадает
с вызвавшим его излучением по частоте, фазе, поляризации и на-
правлению распространения и потому является когерентным.
18.2. Обычные источники света подобны Солнцу: они являются ге-
нераторами шума. В отличие от них излучение лазера обладает
когерентностью, которая характеризуется шириной спектра из-
лучения, углом расхождения луча и поляризацией.
18.3. Нужно уменьшить мощность накачки до величины, близкой
к порогу самовозбуждения лазера. Однако в этом случае мощ-
ность излучения мала, а режим работы неустойчив.
18.4. При уменьшении длины резонатора возрастает интервал меж-
ду соседними резонансными частотами для продольных типов
колебаний. Величину этого интервала можно сделать сравни-
мой с полосой усиления активного вещества. В этом случае
будет возбуждаться только один продольный тип колебаний,
поскольку для ближайшего соседнего типа усиление окажется
недостаточным для достижения порога генерации. Однако при
уменьшении длины резонатора лазера снижаются усиление на
проход и выходная мощность.
18.5. а) λ = ch/W = 633 нм; б) 1150 нм; в) 3390 нм.
18.6. а) K 02 Г1 Г 2 = 100 ⋅ 0,98 ⋅ 0,7 = 68,6 > 1 , следовательно, генерация воз-
можна; б) К 02 Г1 Г 2 = 0,77 < 1 , генерации нет; в) K 02 Г1 Г 2 = 0,7 2 < 1 ,
генерации нет.
2
18.7. Г 2 > 1 (K 0 Г1 ) = 0 , 976 .
−0 ,5
18.8. К 0 > ( 0 , 98 ⋅ 0 , 7 ) = 1, 21 или 0,828 дБ; l ≥ 0,828/0,2 = 4,1 м.
18.9. η = P/(EI0) = 0,055%.
18.10. η = P/(EI0) = 0,1%.
18.11. η = P/(EI0) = 11%.
18.12. Pи = 0,3/(5·10-3) = 60 Вт; η = 0,3/1500 = 0,02%.
18.13. Pи = 0,5/(6·10-9) = 62,5 МВт; η = 0,5/5000 = 0,01%.
18.14. η = 18/(15·6)=20%.
18.15. η = Pи/(I2E0) = 1%; P = PиFτ = 4 мВт.

18.16. а) 2Θ = 2,44λ/d = 1,5·10-4 рад; б) 2,8·10-4 рад; в) 8,3·10-4 рад;
18.17. 2Θ = 2,44λ/d = 1,1·10-4 рад.
18.18. dпр = 2,44λ·F/D = 8,5 мкм; P/S = 8,8·1015 Вт/м2, что в 108 раз
больше, чем плотность мощности на поверхности Солнца!
18.19. Толщина перехода диода – это размер когерентного излучате-
ля в рассматриваемой геометрической плоскости; 2Θ = 2,44 d =
= λ/d = 0,2 рад. Обычно диод не излучает когерентно по всей
плоскости перехода, поэтому на практике ширина луча полу-
чается несколько большей.
18.20. a) lкогер = с/∆F = 0,3 м; б) 300 м ; в) 300 км. В атмосфере устой-
чивая интерференционная картина наблюдается на расстоянии
до 100 м.
18.21. Q = 2 l/(αλ) = 5·108; ∆fр = cα/(2 l) = 1 MГц.
18.22. ∆fр = cα/(2 l) = 2 МГц; f = с/λ = 5·1014; ∆fТ = 8 hf∆fр2/P =
= 1,2·10-3 Гц.
18.23. с/(2nl) = 300 МГц; N = 1000/300 = 3.
18.24. ∆fр = cα/(2 l) = 3,8 МГц; ∆fТ = 8 hf∆fр2/P = 0,01 Гц; fq+1 – fq =
= 600 МГц; N =500/600 = 1.
18.25. а) l ≤ с/(2nl ∆fy) = 8,8 см; б) 17 см; в) 50 см.
18.26. См. решение задачи 18.25. а) 4,3 см; б) 6 см.
18.27. См. решение задачи 18.25. 3 м.
18.28. Короткий резонатор может быть сделан весьма жестким, что об-
легчает стабилизацию частоты. При уменьшении длины резонато-
ра возрастает интервал между соседними резонансными частотами
и можно получить режим генерации одной продольной моды.
18.29. a) f = с/λ; ∆f = ∆lf/l = fαk∆t = 4,74 МГц; б) 23,7 МГц; в) 237 МГц.
Проверка: ∆fmax < 0,5с/l = 500 МГц; ∆fmax < ∆fy = 800 МГц.
18.30. a) f = с/λ; ∆f = ∆lf/l = fα∆t = 4,74 МГц; б) 23,7 МГц ;
в) ∆f = fαk∆t = 237 МГц, однако ∆f не может быть боль-
ше расстояния между соседними резонансными частотами
0,5с/l = 150 МГц, так что изменение частоты равно 237–150 =
= 87 МГц.
18.31. a) ∆t = (∆f/f)/αk = 10-6/10-6 = 1°; б) 0,1°; в) 0,01°.
18.32. a) f = с/λ; ∆f = f·αk·∆t = 4,74·1014·0,5·10-6·5 = ±1185 МГц. Макси-
мальный уход частоты равен ±375 МГц (см. решение задачи 18.30);
б) ∆f = ±237 МГц; ∆f/f = ±5·10-7.
18.33. 0,5с/l1 – 0,5с/l2 = ∆Fб; при l1 ≈ l2, ∆l = l2 – l1 = 2l12·∆Fб/c; ∆t = ∆l/(αk l1).
a) ∆l = 2·0,252·3·103/3·108 = 1,25 мкм; ∆t = 1,25·10-6/(10-6·0,25) = 5°;
б) 20°.
18.34. Возможна амплитудная, фазовая, частотная и поляризацион-
ная модуляция. Модулирующий процесс при модуляции может
быть как дискретным, так и непрерывным. Наиболее распро-

странён амплитудный способ модуляции, что объясняется от-
носительной технической простотой приёма таких сигналов.
18.35. а) Uλ/2 = λ/(2n03B) = 0,547·10-6/(2·1,53·10-11) = 8,1 кВт; б) 19 кВт.
18.36. а) Uλ/2 = λb/(2n03·Blk) = 1,6 кВ; б) 3,8 кВт.
l:=3 см; λ:=633×10-9;
КДР; сдвиг фаз φ0:
а) 0; б) π/2.
Фазовая задерж-
ка, вносимая ячей-
кой Поккельса, при
n0:=1,5; В:=10-11 м/В;
lk:=3 см; β:=10-5·Е.
а) I/I0:= I1(E):=
sin((5·10-6·E))2; б) I/I0:= sin2(5·10-6·E+π/4) = I2(E):= 0.5·(1+sin(10-5·E)).
18.38. а) sin2(5·10-6·E) = 0,5, откуда E = 1,57·105 В/м; б) sin(10-5·E)=0,
откуда E=0.
18.39. a) из рис. 18.5 определяем к3 = 3,5%. Из табл. 18.1 опреде-
ляем параметры кристалла КДР: B = 10-11 м/В; n0 = 1,5; ε = 20;
tgδ = 5·10-4. Используя равенства m = 2 I max I 0 − 1 и I max =
= 0, 5 I 0 (1 + sin ϕ max ) , определим m = sin ϕ max , откуда ϕ max = 0, 92.
Амплитуда напряженности электрического поля равна: E =
( )
λϕmax / 2π n03 Blk = 45 кВ/м. Амплитуда модулирующего напря-
жения равна U = E ⋅ lk = 2700 B. Емкость ячейки относительно
точек приложения модулирующего напряжения Ся = εε 0 S / lk =
= 20 ⋅ 8,86 ⋅ 10 −12 ⋅ 10−4 / 0, 06 = 0,3 пФ. Мощность потерь в ячейке рав-
на Pε = πU2FCяtgδ = 0,35 Вт; б) 6,3 кВ; 2,6 Вт; 3,5%; Cя = 0,21 пФ;
E = 105 кВ/м.
18.40. См. решение задачи 18.39. a) к3 = 3,5%; E = 450 В/см; U = 450 В;
Cя = 10,8 пФ; Pε = 0,35 Вт; б) к3 = 3,5%; E = 1050 В/см; U = 1050 В;
Cя = 7,5 пФ; Pε = 2,6 Вт.
18.41. При одинаковой напряженности поля Е расстояние между
электродами меньше в ячейке поперечной геометрии.
18.42. Отношение мощностей потерь в ячейках с продольной и по-
перечной геометрией при одинаковой напряженности электри-
2
ческого поля равно U 2 C (U12 C1 ) = lk2 Sb (b 2 lk S1 ) = 1 , где S = b и
S1 = blk – площади электродов.
18.43. ∆l/l = ∆f/f = 3,85·10-9.
18.44. a) f = с/λ; ∆l = ∆f·l/f = 107·0,5·3390·10-9/3·108 = 56,5 нм;
б) 282,5 нм; в) 565 нм.
18.45. Возбуждение колебаний происходит вблизи частоты мак-
симального коэффициента усиления K0. При малых значени-

ях K0 не выполняется условие самовозбуждения (см. подраз-
дел 18.4).
18.46. См. подраздел 18.4.
λ:= 633·10-9 м; l:= 0.3 м; lk:= 0.02 м. По табл. 18.1 определяем
параметры вещества кристалла АДР: В:= 4·1012 м/В; n:= 1,53;
c:= 3·108 м/с; ∆fy := 700·106 Гц. Крутизна модуляционной харак-
теристики равна
Blkcn3
S: ; S = 109.3 Гц·м/В. Максимальную девиа-
4O (1 lk nlk )
цию частоты определяем из неравенств: ∆fmax < 0,5с/l = 5·108 Гц
и Δfmax < ∆fy := 7·108 Гц.Таким образом, Δfmax ≤ 500 МГц. Величина
девиации ограничена также допустимыми значениями напря-
женности электрического поля и мощности рассеяния в крис-
талле.
18.48. См. решение задачи 18.47. 380 Гц·м/В.
18.49. См. решение задачи 18.47. 190 кВ/м.
U = 1000 В; ε0:= 8.86·10-12 Ф/м; λ:= 633·10-9 м; S:= 5·10-4 м2;
b:= 10-2 м; l:= 1 м; lk:= 0.05 м; E:= 105 В; c:= 3·108 м/с; F:= 108 Гц;
Cя(ε) = εε0S/b; P(tgδ,ε) = π·U2·F·Cя(ε)·tgδ.
3
B ⋅ lk ⋅ c ⋅ n ⋅ E
Δf (n , B, tgδ) := . По табл. 18.1 определяем пара-
4 ⋅ λ ⋅ ( l − lk + n ⋅ lk)
метры вещества кристаллов: а) при КДР: B = 10-11 м/В; n:= 1,5;
ε = 20; tgδ = 5·10-4; Δf (n , B, tgδ) = 1.951 × 10 Гц; Cя(ε) = 9 пФ;
7
P(tgδ,ε) = 1.392 Вт. б) при АДР: n:= 1,53; B:= 4·10-12 м/В;
tgδ = 10-3; Δf (n , B, tgδ) = 8.268 × 10 Гц;
6
ε = 14; Cя(ε) = 6 пФ;
P(tgδ,ε) = 1.948 Вт.
18.51. Pε = π·U2·F·Cя·tgδ = π·4·106·108·9·10-12·5·10-4/2π = 0.9 Вт.
18.52. См. решение задачи 18.51. a) 0,2 Вт; б) 1,2 кВт.
18.53. Большое количество каналов, обусловленное очень высокой
несущей частотой; малые габариты приемопередающих антенн
при высокой направленности и почти полном отсутствии бо-
ковых лепестков. Однако из-за высокой направленности луча
требуются специальные устройства наведения (нацеливания)
луча на приемник. В оптическом диапазоне преобладают кван-
товые шумы. Неустранимый квантовый шум ограничивает пре-
дельную чувствительность лазерной системы связи. Одной из
основных трудностей в освоении наземных лазерных систем
связи является ослабление и искажение оптического излучения

при прохождении через атмосферу, особенно при ее загрязне-
нии, выпадении осадков, в тумане.
18.54. В видимом и ближнем инфракрасном участках диапазона
(f = 1013…1015 Гц) принципиально возможны полосы частот
модуляции с верхним пределом 1011…1013 Гц. Для передачи
больших объемов информации необходимы широкополосные
оптические модуляторы.
18.55. Используемая полоса частот равна f = 10-4⋅с/λ = 28 ГГц. а) ко-
личество каналов равно 28⋅109/(4⋅103 ) = 7⋅106; ⋅б) 3 100.
18.56. R = 0,5ct = 48 км; ∆R = 0,5cτф = 1,5 м.
18.57. Суммарная погрешность измерения равна Δ = Δ12 + Δ 2 2 ,
где ∆1 и ∆2– погрешности измерения скорости света и време-
ни задержки. Относительная погрешность измерения скорости
−6
света, равная ±0, 3 / 299792, 5 = ±10 (подраздел 18.1), значитель-
но меньше погрешности измерения времени задержки, следо-
вательно,
3 −3 −3 −5
R = 0,5ct = 0, 5 ⋅ 299792, 5 ⋅ 10 ⋅ (20 ⋅ 10 ± 20 ⋅ 10 ⋅ 10 ) =
= 2 997 925 ±30 м.
18.58. См. решение задачи 18.57. R = 0,5ct = 374 661 800⋅106 ≈ 3,74⋅108 м.
Диаметр светового пятна равен 3,74⋅108⋅5⋅10-6 = 1,9 км.
18.59. N = 2 Δf у nl / c = 15 . Поскольку N1, ширина спектра излу-
чения лазера равна ширине спектральной линии излучения
активного вещества; lкогер = с/∆f = 0,2 м. Наибольшая глубина
объема равна длине когерентности. При глубине объема не бо-
лее 0,2 м на голограмме получится высококонтрастная интер-
ференционная картина.
18.60. ∆f = с/lкогер = 30 Мгц.
18.61. τи ≤ 0,1λ/υ = 0,7 нс. Необходима энергия 5⋅10-3 Дж;
−3 −9
P = 5 ⋅ 10 / 0, 7 ⋅ 10 = 7 МВт.
18.62. а) Fд = 2fυ/c = 20 ГГц; б) 3000+0,12 МГц.
18.63. Разность частот между соседними модами равна
Δf = 0, 5c / l = 100 МГц. Всего будет примерно 1500/100=15 мод,
следовательно, выходное излучение лазера практически соот-
ветствует излучению некогерентного источника света с той же
шириной полосы излучения.
18.64. t = 2R/c = 2,434123602 c, D = Rλ/d = 260 м. Вследствие боль-
шого диаметра пятна на поверхности Луны и изменения формы
поверхности в его пределах, точность этого эксперимента была
небольшой (около 1 м). Благодаря использованию специаль-
ных зеркал, установленных на Луне космонавтами, сейчас это
расстояние может быть измерено с точностью до нескольких
миллиметров [93].
ПРИЛОЖЕНИЯ
1. Параметры генераторных ламп ВЧ

Sгр Еα max
Тип Р1max, fmax, Рα max, кВт,
(S), (Ес2 max),
лампы кВт МГц (D)
мСм кВ
– 2,5 3,5
ГУ-34Б 0,4 250
(70) (0,5) (0,005)
28 2,0 1
ГУ-82Б 0,9 250
(26) (0,375) –
30 2,2 2,5
ГУ-84Б 1,2 250
(58) (0,4) –
18,2 10 10
ГУ-10А 10 26
(18,7) – (0,025)
24 10 25
ГУ-67Б 40 75
(90) – (0,006)
50 12 50
ГУ-53Б 80 70
(125) (1,8) (0,009)
– 10 –
ГУ-105А 250 200
(160) (1) –
– 24 –
ГУ-99А-1 2200 30
– (1) –
2. Параметры биполярных транзисторов

rнас β0 Iк max Pк max, Вт
Тип транзистора fТ, Cк, пФ
(rнас ВЧ), (rб), (Iки max), (Eкэ max),
и его аналога МГц (τк), пс
Ом Ом А В
2Т947А – 50 800 20 200
100
2N2816 (0,1) – – (50) (100)
КТ903А 1,2 30 100 3 30
120
2SD795 (3) (2) (200) (10) (60)
2T956A 0,3 40 400 15 100
130
2N2117 (0,5) – – (30) (100)
2T927A 0,06 20 120 10 80
150
2N6093 (0,4) (0,5) (17) (30) (35)
2T980A – 30 400 15 300
200
SD1407 (0,6) (0,2) – – (100)
ГT311E 15 50 2 0,05 0,15
300
2N2699 (20) (60 (60) – (10
ПРИЛОЖЕНИЯ 659
Продолжение прил. 2
rнас β0 Iк max Pк max, Вт
Тип транзистора fТ, Cк, пФ
(rнас ВЧ), (rб), (Iки max), (Eкэ max),
и его аналога МГц (τк), пс
Ом Ом А В
2T904A 2 30 6 0,8 5
350
2N5635 (3,7) (3) (15) (1,5) (60)
2T930Б 0,25 50 150 10 150
800
UMIL70 (0,5) (0,4) (12) – (30)
KT9175A – – 10 0,5 3,75
900
MRF628 – – – – (7,5)
– – 35 4 23
KT9193A 1000
– – – – (12,5)
2T942A – 40 20 1,5 25
3000
NE2005 (2,7) (0,25) (2,2) (3) (45)
2T3115A-2 – 30 0,6 0,01 0,1
7000
2N6617 (60) (20) (3,8) – (10)
3. Параметры мощных МДП-транзисторов

Тип транзистора и его аналога
Параметр 2П920А 2П928А 2П923А 2П933А 2П908А
F1208 F1012 MRF182 F1053 VN1304N2
fmax, МГц 400 400 1000 1000 2250
rнас, Ом 0,8 0,4 1,2 – 20
S, мСм 1600 1700 1200 700 30
Сси, пФ 160 180 – – 1,8
Еси max, В 50 50 50 45 40
Iс max, А 15 21 12 9 0,3
Pc max, Вт 130 250 100 160 3,5
Параметры типового режима
f, МГц 400 400 1000 1000 1760
Еси, В 50 50 50 45 35
Θ, град 90 90 90 90 90
Р1, Вт 160 250 50 75 1
ηе, % 55 50 33 30 –
660 ПРИЛОЖЕНИЯ
4. Параметры MOSFET-транзисторов
Тип Rси отк, tвкл С3 и Ic max Рс max,Вт
№ С3С ,
транзистора Ом (tвыкл), (Сс и), (Iси max), (Еси max),
п/п пФ
и его аналога (S), См нс пФ А В
КП741А 0,02 250 3500 50 150
1 510
IRFZ48 (27) (450) (1800) (290) (55)
КП752Б 1,0 60 1050 5,5 75
2 180
IRF732 (3) (100) (250) (22) (350)
КП753А 1,5 24 900 4,5 75
3 100
IRF832 (2,5) (58) (240) (18) (500)
КП771А 0,04 220 2800 40 150
4 200
STР40N10 (14) (170) (800) (160) (100)
КП775А 0,009 630 5200 50 150
5 650
2SK2498A (20) (1260) (2300) (200) (60)
3,0 50 2100 4 100
6 КП786А 55
(2,5) (140) (150) (12) (800)
IRF7309*n 0,05 – – 4 1,4
7 –
IRF7309*p 0,1 – – 3 (30)
0,06 – 11400 80 890
8 IXFN80N50Q2 –
– (250) – – (500)
0,25 – 12600 38 890
9 IXB38N100Q2 –
– (300) – – (1000)
* Микросборка из двух комплементарных транзисторов с n- и p-каналами
5. Параметры IGBT-транзисторов
№ Iк max, A uост, Еoff,

Тип транзистора Екэ max, В
п/п 25 0
900 В мДж
1 IXGT6N170A 1700 6 3 7 0,26
2 IXGT16N170A 1700 16 8 5 0,11
3 IXGTH24N170A 1700 24 16 5 1,7
4 IXGH32N170A 1700 32 21 5 2,4
5 IXGH10N170 1700 20 10 4 4,7
6 IXGH24N170 1700 50 24 3,3 12
7 IXLF19N250A 2500 32 19 3,9 3,6
8 IRG4PH50UD 1200 42 – – –
6. Коэффициенты разложения
косинусоидального импульса
sin θ − θ cos θ 2θ − sin 2θ θ − sin θ ⋅ cos θ
α 0 (θ ) = ; α1 (θ ) = = ;
π (1 − cos θ ) 2π (1 − cos θ ) π (1 − cos θ )
sin 2θ ⋅ cos θ − 2 cos 2θ ⋅ sin θ 2 sin 3 θ
α 2 (θ ) = = ;
3π (1 − cos θ ) 3π (1 − cos θ )
sin 3θ ⋅ cos θ − 3 cos 3θ ⋅ sin θ 2 sin 3 θ ⋅ cos θ
α 3 (θ ) = = ;
12π (1 − cos θ ) 3π (1 − cos θ )
2 sin nθ ⋅ cos θ − n cos nθ ⋅ sin θ γ (θ )
α n (θ ) = = n , где n = 2,3,4...;
π n(n 2 − 1) (1 − cos θ ) 1 − cos θ
1 1 2
γ 0 (θ ) = (sin θ − θ cos θ ); γ 1 (θ ) = (2θ − sin 2θ ); γ 2 (θ ) = sin 3 θ ;
π 2π 3π
1 ⎡ sin( n − 1)θ sin( n + 1)θ ⎤
γ 3 (θ ) = γ 2 (θ ) cos θ ; γ n (θ ) = − ; где n = 1,2,3,...;
πn ⎢⎣ n − 1 n + 1 ⎥⎦
I1 α1 (θ ) γ 1 (θ ) θ − sin θ ⋅ cosθ 2θ − sin 2θ
g1 (θ ) = = = = = ;
I 0 α 0 (θ ) γ 0 (θ ) sin θ − θ ⋅ cosθ 2(sin θ − θ ⋅ cosθ )
I n α n (θ ) γ n (θ )
g n (θ ) = = = .
I 0 α 0 (θ ) γ 0 (θ )
7. Таблица коэффициентов разложения

для косинусоидального импульса
θ0 cos θ α0 α1 α2 α3 γ0 γ1 g1
0 1,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 2,00
40 0,766 0,147 0,280 0,241 0,185 0,034 0,066 1,90
45 0,707 0,165 0,311 0,256 0,181 0,048 0,091 1,88
50 0,643 0,183 0,339 0,267 0,171 0,065 0,121 1,85
55 0,574 0,201 0,366 0,273 0,157 0,086 0,156 1,82
60 0,500 0,218 0,391 0,276 0,138 0,109 0,196 1,80
65 0,423 0,236 0,414 0,274 0,116 0,136 0,239 1,76
70 0,342 0,253 0,436 0,267 0,091 0,166 0,288 1,73
75 0,259 0,269 0,455 0,258 0,067 0,199 0,337 1,69
80 0,174 0,286 0,472 0,245 0,043 0,236 0,390 1,65
85 0,087 0,302 0,487 0,230 0,020 0,276 0,445 1,61
Продолжение прил. 7
θ 0
cos θ α0 α1 α2 α3 γ0 γ1 g1
90 0,000 0,319 0,500 0,212 0,000 0,319 0,500 1,57
95 0,087 0,334 0,510 0,193 0,017 0,363 0,554 1,53
100 0,174 0,350 0,520 0,172 0,030 0,411 0,611 1,49
105 0,259 0,364 0,526 0,152 0,039 0,458 0,662 1,45
110 0,342 0,379 0,531 0,131 0,045 0,509 0,713 1,40
115 0,423 0,392 0,534 0,111 0,047 0,558 0,760 1,36
120 0,500 0,406 0,536 0,092 0,046 0,609 0,805 1,32
125 0,574 0,419 0,536 0,074 0,042 0,659 0,843 1,28
130 0,643 0,431 0,534 0,058 0,037 0,708 0,878 1,24
135 0,707 0,443 0,532 0,044 0,031 0,756 0,908 1,20
140 0,766 0,453 0,528 0,032 0,024 0,801 0,934 1,17
150 0,866 0,472 0,520 0,014 0,012 0,881 0,979 1,10
160 0,940 0,487 0,510 0,004 0,004 0,944 0,989 1,05
170 0,985 0,496 0,502 0,001 0,001 0,985 0,997 1,01
180 1,000 0,500 0,500 0,000 0,000 1,000 1,000 1,00
8. Графики коэффициентов разложения

для косинусоидального импульса
9. Программы расчета резонансных

частот резонаторов
Вариант 1 (язык программирования Бейсик)
Данная программа при работе на быстрых ПК производит расчет
«мгновенно», поэтому необходимо перед расчетом запустить про-
грамму для замедления процессора.
1 SCREEN 2: CLS: PI=3,1415922654: Sc=3E8: E=1E-8
PRINT “Расчет частот резонатора, нагруженного на емкость”
PRINT: PRINT “Введите исходные данные : ”
INPUT “Сосредоточенная емкость, Ф “,Cc
INPUT “Волновое сопротивление, Ом “,Zw
INPUT “Относит. диэлектрич. проницаемость “,Ed
INPUT ”Относит. магнитная проницаемость “,Md
INPUT ”Длина резонатора, м “,L1
PRINT “Номер резонансной частоты”
INPUT ”(0 – основное колебание, 1 – 1-й обертон и т. д.) ”,N
A=Cc*Zw:B=(L1*SQR(Ed*Md))/Sc:X=(PI*2*N+1))/(2*B) :PRINT
12 PRINT ”Укажите тип резонатора : 1 – короткозамкнутый, ”
INPUT ” 2 – разомкнутый, “,Т
IF T=1 THEN GOTO 2
IF T=2 THEN GOTO 6
GOTO 12
2 GOSUB 4
IF ABS(F-X)<E THEN GOTO 7
X=F: GOTO 2
4 K=1/(A*X)
F=(ATN(K)/B)+PI*N/B : RETURN
6 GOSUB 8
IF ABS(F – X) < E THEN GOTO 7
X = F : GOTO 6
7 PRINT: PRINT”Резонансная частота, рад/с”; X
PRINT “Резонансная частота”, Гц; X/(PI*2) : GOSUB 20
8 F=(PI*(N+1)/B) – (ATN(A*Х)/B) : RETURN

20 PRINT: PRINT “Повторить расчет? (Y/N)”
21 A$ = INKEY$
IF A$ = ”Y” OR A$ = ”Y” THEN GOTO1
IF A$ = ”n” OR A$ = ”N” THEN GOTO22
GOTO 21
22 CLS: SYSTEM : RETURN
Вариант 2 (язык программирования Паскаль)

PROGRAM frequency
USES crt; CONST Pi = 3,141592654; sc = 3E+8; e = 1e – 08;
VAR cc, zw, ed, md, ll, n, p, x, t, a, b, z, f, k, s: real; yn: char;
PROCEDURE t1;
begin k := 1/(a*x); f := (Arctan(k)/b)+p*n/b; s := s+1; end;
PROCEDURE t2;
begin f := (p*(n+1)/b) – (arctan(a*x)/b); end;
BEGIN
yn := “y”; p := Pi; s := 0;
repeat
clrscr; textcolor (14); writeln; writeln;
writeln (“Расчет резонансных частот”);
textcolor (15); writeln;
writeln(“Введите исходные данные: “);
write (“Сосредоточенная емкость резонатора, пФ “);
readln(cc); cc := cc*(1e – 12);
write (“Волновое сопротивление, Ом “);
readln(zw);
write (“Относительная диэлектрическая проницаемость”);
readln(ed);
write (“Относительная магнитная проницаемость ”);
readln(md);
write (“Длина резонатора, м ”);
readln(ll);
writeln(“Номер резонансной частоты “);
writeln(“0 – основное колебание. “);
write (“1 – 1–й обертон и т. д. ”);
readln(n);
a := cc*zw; b := (ll*SQRT(ed*md))/sc; x := (p*(2*n+1))/(2*b);
writeln(“Укажите тип резонатора: 1 – короткозамкнутый “);
write (“ 2 – разомкнутый ”);
readln(t);
if t = 1 then begin t1; while (abs(f – x)>e)
and (s<200000) do begin x := f; t1; end; end;
if t = 2 then begin t2; while abs(f – x)>e do begin x := f; t2;
end; end; textcolor(12);
writeln(“Резонансная частота: “, x: 10: 4, “(рад/сек)”);
writeln(“ “, (x/(p*2)): 10: 4, “Гц”);
textcolor(7); writeln; write(“Повторить расчет? [y/n]”);
readln(yn); until yn<>”y”; END.
10. Программы расчета длин резонаторов

для основного типа колебаний и первого
продольного обертона
Вариант 1 (язык программирования Бейсик)
Данная программа при работе на быстрых ПК производит расчет
«мгновенно», поэтому необходимо перед расчетом запустить про-
грамму для замедления процессора.
1 SCREEN 2:CLS: PI=3,1415922654 : Sc=3E8: E=1E-8
PRINT ‘Расчет длин резонатора нагруженного на емкоcть для ’
PRINT ”Основного типа колебаний и первого продольного обертона”
PRINT: PRINT “Введите исходные данные”
INPUT “Сосредоточенная емкость, Ф “, Cc
INPUT “Волновое сопротивление, Ом “, Zw
INPUT:”Относит. диэлектрич. проницаемость “, Ed
INPUT: ”Относит. магнитная. проницаемость “, Md
INPUT: ”Резонансная частота “, Гц
“,Fr:PRINT
W=2*PI*Fr:A=W*B*Zw*Cc:Q=W*SQR(Ed*Md):P=Sc/Q:
D=ATN(A)
12 PRINT “Укажите тип резонатора : 1 – короткозамкнутый, ”
13 INPUT ” 2 – разомкнутый ”, T
IF T=1 THEN GOTO 2
IF T=2 THEN GOTO 6
GOTO 12
2 L = р*ATN(1/A):L1=L+(Sc/(2*Fr*SQR(Ed*Md))):GOTO 10
6 L = р*(PI-D): L1=L+(Sc/(2*Fr*SQR(Ed*Md)))
10 PRINT “Длина резонатора для основного типа колебаний , м “; L
PRINT”Длина резонатора для первого продольного обертона ,м “;L1
PRINT:PRINT “Повторить расчет? [Y/N]”
11 A$=INKEY$
IF A$=”y” OR A$=”Y” THEN GOTO 1
IF A$=”n”OR A$=”N” THEN GOTO 3
GOTO 11
3 CLS: SYSTEM
Вариант 2 (язык программирования Паскаль)

PROGRAM length
USES crt; CONST Pi = 3,141592654; sc = 3E+8; e = 1e – 08;
VAR cc, zw, ed, md, ll, t, a, fr, q, l, w, d, p: real; s: integer; yn: char;
BEGIN
yn := “y”; s := 0;
repeat
clrscr; textcolor (14); writeln; writeln;
writeln (“Расчет длин резонатора”);
textcolor (15); writeln;
writeln(“Введите исходные данные: “);
write (“Сосредоточенная емкость резонатора, пФ “);
readln(cc); cc := cc*(1e – 12);

write (“Волновое сопротивление, Ом “);
readln(zw);
write (“Относительная диэлектрическая проницаемость ”);
readln(ed);
write (“Относительная магнитная проницаемость ”);
readln(md);
write (“Резонансная частота, Гц ”);
readln(fr);
w:=2*Pi*fr; a:=cc*zw*w; q:=w*SQRT(ed*md); p:=sc/q;
d:=arctan(a);
writeln(“Укажите тип резонатора: 1 – короткозамкнутый “);
write (“ 2 – разомкнутый ”);
readln(t);
if t = 1 then begin l:=p*arctan(l/a);
ll:=p*(Pi+arctan(l/a)); end;
if t = 2 then begin ; l:=p*(Pi - arctan(a));
ll:=p*(2*Pi - arctan(a)); end; textcolor(12);
writeln(“Длина резонатора для основного типа колебания, м “);
writeln(l:10:10);
writeln(“Для первого продольного обертона, м );
writeln(ll:10:10);
textcolor(7); writeln; write(“Повторить расчет? [y/n]”);
readln(yn); until yn<>”y”; END.
11. Удельное поверхностное

сопротивление проводников R11 (Ом, МГц)
Серебро 2,51 · 10-4 f Золото 3,67 · 10-4 f
Латунь 4,90 · 10-4 f Медь 2,60 · 10-4 f
Инвар 6,90 · 10-4 f Алюминий 3,56 · 10-4 f
12. Относительная диэлектрическая

проницаемость диэлектриков
Воздух 1,00055 Радиофарфор 5,45
Кварц 3,8 Сапфир 13,2
Поликор 9,4 Сапфирит 9,5
Полистирол ПТ-2,5 2,55 СТ50-1 8,2
Полистирол ПТ-10 10,0 Ультрафарфор 6,67
Полиэтилен 2,25 ФЛАН-10 10,0
Фторопласт-4 2,1
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Боде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной

связью: Пер. с англ./ Под ред. А.А. Колосова и Л.А. Меерови-
ча. – М.: ИЛ, 1948. – 641 с.
2. Евтянов С.И. Радиопередающие устройства. – М.: Связьиздат,
1950. – 643 с.
3. Задачник по радиопередающим устройствам: Учебное пособие
для вузов/ Под ред. Евтянова С.И. и Гальперина Е.Р. – М.: Свя-
зьиздат, 1951. – 176 с.
4. Котельников В.А., Николаев А.М. Основы радиотехники. –М.:
Связьиздат, ч. I, 1950. – 371 с., ч. II, 1954. – 307 с.
5. Иванов А.Б., Сосновкин Л.Н. Импульсные передатчики СВЧ. –
М.: Сов. радио, 1956. – 615 с. Библиогр. 41 назв.
6. Штейн Н.И. Автогенераторы гармонических колебаний. – М.,
Л.: Госэнергоиздат, 1961. – 625 с. Библиогр. 279 назв.
7. Бычков С.И., Буренин Н.И., Сафаров Р.Т. Стабилизация часто-
ты генераторов СВЧ. – М.: Сов. радио, 1962. – 376 с. Библиогр.
131 назв.
8. Бернштейн Э.А., Рудяченко Н.К. Импульсные радиопередаю-
щие устройства: Учебн. пособие для студ. вузов. – Киев: Госте-
хиздат, 1963. – 248 с. Библиогр. 43 назв.
9. Нейман М.С. Курс радиопередающих устройств. – М.: Сов.
радио, 1965. – 594 с. Библиогр. 58 назв.
10. Грей Л., Грэхем Р. Радиопередатчики. – М.: Связь, 1965. – 480 с.
Библиогр. 472 назв.
11. Шитиков Г.Т. Стабильные диапазонные автогенераторы. – М.:
Сов. радио, 1965. – 614 с.
12. Фано Р.М. Теоретические ограничения полосы согласования
произвольных импедансов: Пер. с англ./ Под ред. Г.И. Слобо-
денюка. – М.: Сов. радио, 1965. – 69 с. Библиогр. 14 назв.
13. Лабутин В.К. Частотно-избирательные цепи с электронной на-
стройкой. – М.,Л.: Энергия, 1966. – 208 с. Библиогр. 189 назв.
14. Евтянов С.И. Ламповые генераторы. – М.: Связь, 1967. – 384 с.
15. Терентьев С.Н., Картавых В.Ф. Триодные передатчики деци-
метровых волн. – Киев: Техника, 1967. – 410 с.
16. Бычков С. И. Вопросы теории и практического применения
приборов магнетронного типа. – М.: Сов. Радио, 1967. – 216 с
17. Малахов А.Н. Флуктуации в колебательных системах. –М.: На-
ука, 1967. – 660 с. Библиогр. 340 назв.
18. Чудаков И.М. Частотная модуляция с помощью емкостей p-n-
переходов. – М.: Связь, 1968. – 108 с. Библиогр. 32 назв.
19. Дробов С.А., Бычков С.И. Радиопередающие устройства. – М.:
Сов. радио, 1969. – 720 с.
20. Родионов В.М. История радиопередающих устройств. – М.:
Наука,1969. – 214 с.
668 БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
21. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ: в 2-х т / Под ред.

Н.Д. Девяткова. – М.: Высш. шк. Т.1, 1970. – 440 с. Библиогр.
33 назв. Т.2, 1972. – 376 с. Библиогр. 54 назв.
22. Зернов Н.В., Карпов В.Г. Теория радиотехнических цепей. – Л.:
Энергия, 1972. – 816 с. Библиогр. 15 назв.
23. Генераторы гармонических колебаний на туннельных диодах /
В.С. Андреев и др. – М.: Энергия, 1972. – 215 с. Библиогр. 111
назв.
24. Верещагин Е.М. Модуляция в генераторах СВЧ. – М.: Сов. ра-
дио, 1972. – 304 с. Библиогр. 153 назв.
25. Уманский В.С. Усилительный тракт импульсных передающих
устройств СВЧ. – М.: Сов. радио, 1973. – 256 с. Библиогр. 80
назв.
26. Хайков А.З. Клистронные усилители. – М.: Связь, 1974. –
392 с.
27. Ризкин И.Х. Умножители и делители частоты. 2-е изд, доп. и
перераб. – М.: Связь, 1976. – 328 с. Библиогр. 281 назв.
28. Демьянченко А.Г. Синхронизация генераторов гармонических ко-
лебаний . – М.: Энергия, 1976. – 240 с. Библиогр. 135 назв.
29. Широкополосные радиопередающие устройства (Радиочастот-
ные тракты на полупроводниковых приборах) / Под ред. О.В.
Алексеева. – М.: Связь, 1978. – 302 с. Библиогр. 165 назв.
30. Минаев М.И. Радиопередающие устройства сверхвысоких час-
тот: Учебное пособие для вузов. – Минск: Высш. шк., 1978. –
224 с. Библиогр.83 назв.
31. Богачев В.М., Никифоров В.В. Транзисторные усилители мощ-
ности. – М.: Энергия, 1978. – 344 с. Библиогр. 77 назв.
32. Проектирование радиопередающих устройств СВЧ: Учебное
пособие для вузов / Под ред. Г.М. Уткина. – М.: Сов. радио,
1979. – 320 с. Библиогр. 94 назв.
33. Устройства сложения и распределения мощностей высокочас-
тотных колебаний / Под ред. З.И. Моделя. – М.: Сов. радио,
1980. – 296 с. Библиогр. 247 назв.
34. Кукарин С.В. Электронные СВЧ-приборы. Характеристики,
применение, тенденции. – М.: Радио и связь, 1981. – 272 с.
35. Андреев В.С. Теория нелинейных электрических цепей: Учеб-
ное пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1982. – 280 с.
36. Царапкин Д.П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. – М.: Радио
и связь, 1982. – 112 с. Библиогр. 139 назв.
37. Радиопередающие устройства / Под ред. О.А. Челнокова. – М.:
Радио и связь, 1982. – 256 с. Библиогр. 244 назв.
38. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых
устройств / Под ред. В.И. Вольмана. – М.: Радио и связь,
1982. – 328 с.
39. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов/ Л.А. Белов,
М.В. Благовещенский и др.; Под. ред. М.В. Благовещенского,
Г.М. Уткина. – М.: Радио и связь, 1982. – 408 с.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 669
40. Вамберский М.В. и др. Передающие устройства СВЧ: Учебное

пособие для вузов / Под ред. М.В. Вамберского. – М.: Высш.
шк., 1984. – 448 с. Библиогр. 37 назв.
41. Альтшуллер Г.Б. и др. Кварцевые генераторы: Справочное по-
собие. – М.: Радио и связь, 1984. – 232 с. Библиогр. 181 назв.
42. Родионов В.М. Зарождение радиотехники / Под ред. В.И. Си-
форова. – М.: Наука, 1985. – 240 с.
43. Электронные приборы СВЧ: Учебное пособие для вузов /
В.М. Березин и др. – М.: Высш. шк., 1985. – 296 с.
44. Кацнельсон Б.В., Калугин А.М., Ларионов А.С. Электроваку-
умные электронные и ионные приборы: Справочник / Под ред.
А.С. Ларионова. – М.: Энергия., 1985. – 920 с.
45. Давыдова Н.С., Данюшевский Ю.З. Диодные генераторы и уси-
лители СВЧ. – М.: Радио и связь, 1986. – 184 с.
46. Богачев В.М., Дмитриев С.В. Решение задачи предельного
широкополосного согласования на основе коэффициентных
ограничений Юлы // Радиотехника и электроника. – 1986. –
№12. – С. 2431 – 2435.
47. Проектирование радиопередающих устройств с применением
ЭВМ: Учебное пособие для вузов / Под ред. О.В. Алексеева. –
М.: Радио и связь, 1987. – 392 с. Библиогр. 46 назв.
48. Повышение эффективности мощных радиопередающих уст-
ройств / Под ред. А.Д. Артыма. – М.: Радио и связь, 1987. –
176 с. Библиогр. 51 назв.
49. Байбородин Ю.В. Основы лазерной техники. Для втузов. –
Киев: Техника, 1988. – 383 с. Библиогр. 87 назв.
50. Петров Б.Е., Романюк В.А. Радиопередающие устройства на
полупроводниковых приборах: Учебное пособие для вузов. –
М.: Высш. шк., 1989. – 232 с. Библиогр. 19 назв.
51. Мощные транзисторные устройства повышенной частоты /
А.А. Алексанян и др. – Л.: Энергоатомиздат, 1989. – 176 с.
52. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных
генераторах / Под ред. Н.Н. Фомина. – М.: Радио и связь,
1991. – 192 с. Библиогр. 204 назв.
53. Рыжков А.В., Попов В.Н. Синтезаторы частот в технике радио-
связи. – М.: Радио и связь, 1991. – 264 с.
54. Справочник по лазерной технике / Пер. с нем.; Под ред.
А.П. Напартовича. – М.: Энергоатомиздат, 1991. – 543 с.
55. Атаманцева Ф.С. Радиопередающие устройства. Сб. задач и
упражнений: Учебное пособие для техникумов. – М.: Радио и
связь, 1991. – 224 с. Библиогр. 10 назв.
56. Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды:
Справочник / Под ред. Б.А. Наливайко. – Томск: МГП «РАС-
КО», 1992. – 223 с. Библиогр. 14 назв.
57. Мешанов В.П. и др. Коаксиальные пассивные устройства / Под
ред. В.П. Мешанова. – Саратов: Изд-во Саратовского ун-та,
1993. – 416 с.
58. Устройства генерирования и формирования радиосигналов:

Учебник для вузов / Под ред. Г.М. Уткина, В.Н. Кулешова
и М.В. Благовещенского. – М.: Радио и связь, 1994. – 416 с.
59. 100 лет радио: Сб. статей / Под ред. В.В. Мигулина, А.В. Горо-
ховского. – М.: Радио и связь, 1995. – 384 с.
60. Достижения ученых России в области СВЧ- электроники. Сб.
статей // Радиотехника. Выпуск 1. – 1999. – №4. – С. 4 – 99.
Выпуск 2. – 2000. – №2. – С. 4 – 88. Выпуск 3. – 2001. – №2. –
С. 4 – 93. Выпуск 4. – 2002. – №2. – С. 5 – 100.
61. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. –
М.: Лайт Лтд., 2000. – 288 с. Библиогр. 36 назв.
62. Терминологический словарь по электронной технике: Словарь
терминов. Г.Н. Грязин, В.Н. Вениаминов, И.П. Жеребцов. –
СПб.: Политехника, 2001. – 264 с.
63. Шахмаев М.М. Системы радиосвязи с однополосной угловой
модуляцией. Казань: Фэн, 2001. – 191с.
64. Радиотехника: Энциклопедия / Под ред. Ю.Л. Мазора, Е.А. Ма-
чусского, В.И. Правды. – М.: Издательский дом ″Додэка – XXI″,
2002. – 944 с. Библиогр. 6 назв.
65. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / Под ред.
В.П. Дьяконова. – М.: Солон – Р, 2002. – 512 с. Библиогр.
253 назв.
66. Электронные приборы и устройства на их основе: Справ. книга /
Под ред. Ю.А. Быстрова. 2-е изд., перераб. и доп. – М.: ИП
Радио Софт, 2002. – 651 с. Библиогр. 11 назв.
67. Коротков С.В. Коммутационные возможности реверсивно
включаемых динисторов и принципы р.в.д – схемотехники
(обзор) // ПТЭ. – 2002. – №4. – С. 5–39. Библиогр. 45 назв.
68. Турута Е.Ф. Зарубежные транзисторы: справочник. – М.: Горя-
чая линия – Телеком, 2002. – 756 с.
69. Давыдова Н.С. Радиопередающие устройства: Учебное пособие
для вузов. – М.: Изд-во МАИ, 2003. – 340 с.
70. Гарматюк С.С. Задачник по радиопередающим устройствам.
Ч. II. – Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2003. – 157 с.
71. Генераторы высоких и сверхвысоких частот: Учебное пособие
для вузов / О.В. Алексеев, А.А. Головков, А.В. Митрофанов и
др. – М.: Высш. шк., 2003. – 326 с. Библиогр. 8 назв.
72. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / Под ред
В.В. Шахгильдяна. 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь,
2003. – 560 с. Библиогр. 94 назв.
73. Проектирование радиопередатчиков: Учеб. пособие для вузов /
Под ред. В.В. Шахгильдяна. – 4-е изд., перераб. и доп. – М.:
Радио и связь, 2003. – 656 с. Библиогр. 200 назв.
74. Колдунов А. Транзисторы MOSFET // Радиомир. – 2004. –
№4. – С. 26-27. – №5. – С. 28-30.
75. Яковлев С., Ильичев В. Высокостабильные малошумящие тер-
мокомпенсированные кварцевые генераторы – базовые модели
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 671
и их развитие // Chip News. – 2004. – №1. – С. 48-52.

76. Визирь В.А и др. Транзисторный модулятор сверхвысокочас-
тотного магнетрона // ПТЭ. – 2004. – №4. – С. 53-56..
77. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства,
характеристики, применение. – М.: Издательский дом "Додэ-
ка – XXI", 2005. – 384 с. Библиогр. 66 назв.
78. Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводнико-
вые приборы. – 5-е изд., доп. и испр. – М.: СОЛОН - Пресс,
2005. – 584 с. Библиогр. 10 назв.
79. Белов Л.А. Формирование стабильных частот и сигналов: учеб.
пособие для студ. вузов. – М.: ИЦ «Академия», 2005. – 224 с.
80. Генераторы и усилители СВЧ / Под ред. И.В. Лебедева. – М.:
Радиотехника, – 2005. – 352 с. Библиогр. 352 назв.
81. Шапкин В.И. Радио: открытие и изобретение – М.: ДМК Пресс,
2005. – 190 с. Библиогр. 146 назв.
82. Янг М. Оптика и лазеры, включая волоконную оптику и опти-
ческие волноводы: Пер. с англ. – М.: Мир, 2005. – 541 с.
83. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. – 5-е изд.–
М.: Высш. шк., 2005. – 462 с. Библиогр. 46 назв.
84. Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы: Учеб. по-
собие для вузов. – 5-е изд., испр. и доп. – М.: Дрофа, 2006. –
719 с. Библиогр. 41 назв.
85. Игнатов А.Н. Оптоэлектронные приборы и устройства: Учеб. посо-
бие. – М.: Эко-Трендз, 2006. – 272 с. Библиогр. 63 назв.
86. Титов А.А. Транзисторные усилители мощности МВ и ДМВ. –
М.: Солон-Пресс, 2006 и 2010. – 328 с. Библиогр. 141 назв.
87. Бушляков А.И. и др. Наносекундный SOS-генератор с пиковой
мощностью 4 ГВт // ПТЭ. – 2006. – №4. – С. 72-78.
88. Пролейко В. О значении электроники: военный аспект. // Chip
News. – 2006. – №5. – С. 4–8.
89. Белов Л.А. Современные синтезаторы стабильных частот и сиг-
налов // Радиотехника. – 2007. – №3. – С. 21 – 25.
90. Козырев В.Б., Алипов А.С. Ключевые генераторы классов FE
и DE // Радиотехника. – 2007. – №11. – С.28 – 34. Библиогр.
17 назв.
91. Ворона В.А. Радиопередающие устройства. Основы теории и
расчета: Учебное пособие для вузов. – М.: Горячая линия – Те-
леком, – 2007. – 384 с. Библиогр. 144 назв.
92. Баранов А.В. Дуальные СВЧ-усилители повышенной мощнос-
ти в классе Е // Радиотехника. – 2008. – №12. – С. 34 – 39.
93. Звелто О. Принципы лазеров / Пер. под науч. ред. Г. А. Шма-
онова. 4-е изд. – СПб.: Изд-во Лань, 2009. – 720 с. (Учеб. пос.
для вузов). Библиогр. 226 назв.
94. http://www.angstrem.ru.
95. http://www.mitsubicships.com/
96. http://www.caxapa.ru/lib/MyDDS
97. 302 новые профессиональные схемы: Пер. с нем. – СПб.: БхВ-

Петербург, 2009. – 461 с.
98. Дьяконов В.П. Генерация и генераторы сигналов. М.: ДМК
Пресс, 2009. – 384 с. Библиогр. 133 назв.
99. Макаров В.Н., Суходолец Л.Г. Перспективы развития мощных
передатчиков РЛС с использованием электровакуумных при-
боров СВЧ // Радиотехника, – 2010. – №1. – С. 97 – 106.
100. Румшинский Л . З. Математическая обработка результатов эк-
сперимента. – М.: Наука, 1971.− 192 с.
101. Протасов К.В. Статистический анализ экспериментальных
данных .– М.: Мир, 2005.– 142 с. Библиогр. 10 назв.
102. Гмурман В .Е. Теория вероятностей и математическая статис-
тика . – М.: Высшее образование, 2008. – 480 с.
103. Генерирование колебаний и формирование радиосигналов: Учеб.
пособие /В.Н.Кулешов, Н.Н.Удалов, В.М.Богачев и др.; под ред.
В.Н. Кулешова и Н.Н.Удалова. – М.: Издательский дом МЭИ,
2008. – 416 с. Библиогр. 21 назв.
104 .Баранов А.В. СВЧ-усилитель мощности класса Е с последова-
тельным формирующим контуром //Изв. вузов «Электрони-
ка». – 2011. – №2(88). – С. 71 – 80. Библиогр. 15 назв.

Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Гарматюк С. С.

Рекомендовано Учебно-методическим объединением

© Гарматюк С. С., 2012

КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ .........................................................3

3.8. Фильтрация высших гармоник ........................................................59

6.3. Мостовые схемы сложения мощностей ..................................... 105

9.5. Расчет электронного режима автогенераторов........................ 158

10. ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ

13.4. Параметры резонаторов на короткозамкнутых

Диодные усилители мощности......................................................................382

Параметры амплитронов .................................................................................432

Учебное пособие ориентировано на типовую программу курса «Ус-

кономерностями, знание которых необходимо для завтрашнего дня.

работы на ЭВМ не только дает возможность использования их для

E′вх – напряжение отсечки (запирания) активного элемента

β0 – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

1.1. Статические характеристики

0 1 2 3 4 5 6 7 ua, kB -40 -20 0 20

На рис. 1.2 приведены условные обозначения тетродов (ГС-17Б

ia, A 375 В ia, A

второй сетки при ua < Ec2 может принимать даже отрицательные

полярного транзистора с изолированным затвором (Insulated Gate

1.2. Аппроксимация статических

Приводимые в справочниках значения параметров S и D относят-

1.3. Параметры ламп и транзисторов

Cэ = Cб + Cд – суммарная емкость эмиттерного перехода, равная

f г р ( f т ) = f и h21Э – граничная частота коэффициента передачи

но приближенно считать, что модуль ¶h21Э0¶ падает обратно

пропорционально частоте. Весь диапазон рабочих частот БТ

S =Δiс/Δuзи – крутизна характеристики тока стока;

uси нас – напряжение насыщения сток-исток (остаточное напря-

1.18. По СХ триода ГУ-66А (рис. 1.1, а) определите его параметры:

1.32. Определите амплитуду импульса коллекторного тока в гра-

1.45. Определите сопротивление rнас транзистора 2Т927А на частоте

1.58. Определите амплитуду входного напряжения в линейном ре-

1.72. Оцените величину максимальной частоты следования импуль-

1.89. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов.

2.1. Классификации режимов

• Область отсечки соответствует работе АЭ в режиме очень ма-

котором рабочая точка часть периода колебаний находится в

2.2. Нагрузочные характеристики

2.3. Гармонический анализ

буждающего сигнала. При Θ < 180° ток через АЭ протекает только

• при заданных значениях напряжений Uвх и Uвых токи равны

2.14. По какому из приборов, измеряющих постоянную составляю-

2.28. Какие факторы ограничивают: а) минимальное; б) максималь-

ного тока 90°; б) настроить выходной контур на частоту вход-

3.1. Основные параметры колебательных

го контура с сосредоточенными параметрами. Такое представление

3.2. Параллельный колебательный контур

• изменение резонансной частоты при малом изменении его

• полоса пропускания контура по уровню 1 2

2Δω0.707 = ω0 Q = ω0 r ρ = ω0ρ R = 1 (RC ) = r L ;

Энергетические соотношения в контуре:

Рис. 3.3. Схемы неполного включения контура

Резонансное сопротивление при неполном (частичном) включе-

3.3. Последовательный колебательный

Последовательный контур характери-

Активное сопротивление равно

Основные расчетные соотношения для последовательного коле-

При малой относительной расстройке (∆ω/ω0 1), ξ = 2Q∆ω/ω0;

• модуль входного сопротивления Z в х = r 1 + ξ .

В области малых расстроек (∆ω/ω0 1) можно принять