Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF
Задачник по устройствам генерирования и формирования радиосигналов 2012 PDF
З А Д АЧ Н И К
по устройствам генерирования
и формирования радиосигналов
Учебное пособие для вузов
Москва, 2012
УДК 621.373(075.8)
ББК 32.841я73-1
Г20
Рецензенты: профессор МЭИ (ТУ) Кулешов В. Н.,
профессор СпбГЭТУ (ЛЭТИ) Митрофанов А. В.
Г20 Гарматюк С. С.
Задачник по устройствам генерирования и формирования
радиосигналов. Учебное пособие для вузов. Рекомендовано
УМО.– М.: ДМК Пресс, 2012. – 672 с.
ISBN 978-5-94074-796-3
Книга содержит 2000 задач и вопросов по характеристикам и парамет-
рам высокочастотных активных элементов; электромагнитным цепям ВЧ и
СВЧ; энергетическим соотношениям в генераторах; ключевым и широкопо-
лосным усилителям; устройствам сложения мощностей; умножителям час-
тоты; автогенераторам и синтезаторам частот; передатчикам с амплитудной,
однополосной, импульсной и угловой модуляцией; генераторам на пролёт-
ных клистронах, магнетронах, митронах, ЛБВ; ламповым, транзисторным и
диодным генераторам СВЧ, а также квантовым генераторам.
По каждому разделу задачника даны основные расчетные соотношения,
приближённые к практическим. Для всех задач приведены решения и ответы.
В приложениях помещены справочные материалы и программы расчетов.
Задачник рассчитан на студентов, изучающих дисциплины «Устройства
генерирования и формирования радиосигналов» или «Радиопередающие
устройства», а также смежные дисциплины: «Теория радиотехнических це-
пей», «Электроника», «Схемотехника», «Устройства СВЧ и антенны», «Тео-
рия колебаний» и др. Книга содержит большое количество схем, расчетных
формул и примеров расчета и потому будет полезна в качестве справочника
студентам при курсовом и дипломном проектировании, инженерно-техни-
ческим работникам и квалифицированным радиолюбителям.
Гарматюк Сергей Сергеевич
Задачник
по устройствам генерирования и формирования радиосигналов
Учебное пособие для вузов
Главный редактор Мовчан Д. А.
dm@dmkpress.ru
Корректор Синяева Г. И.
Верстка Паранская Н. В.
Дизайн обложки Мовчан А. Г.
Подписано в печать 27.03.2012. Формат 60×90 1/16 .
Гарнитура «Петербург». Печать офсетная.
Усл. печ. л. 41,16. Тираж 500 экз.
ОГЛАВЛЕНИЕ ......................................................................4
ПРЕДИСЛОВИЕ ................................................................. 12
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ ........................ 15
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ ... 16
1. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ............ 20
2. РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ................. 37
3. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ
ГЕНЕРАТОРОВ................................................................... 45
4. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ ... 77
5. КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ ................................................ 87
6. СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ .................... 102
7. ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ............................... 114
8. УМНОЖИТЕЛИ ЧАСТОТЫ.............................................. 136
9. АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ
И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ ............................................. 143
10. ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ
И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............................ 245
11. ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ....... 255
12. ПЕРЕДАТЧИКИ С УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ............... 277
13. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ...... 297
14. ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ,
ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ .......................................... 330
15. КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ ..................................... 384
16. ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ
ТИПА О ........................................................................... 397
17. ГЕНЕРАТОРЫ МАГНЕТРОННОГО ТИПА ....................... 415
18. КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ .......................................... 434
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ .................................................... 451
ПРИЛОЖЕНИЯ .............................................................. 658
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ............................... 667
ОГЛАВЛЕНИЕ
С. Гарматюк
РЕКОМЕНДАЦИИ
ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ
Если вы хотите научиться плавать, то смело входите в воду.
Если вы хотите научиться решать задачи – решайте их!
Математик Пойа
Прежде чем решать задачу или отвечать на вопрос, необходимо по-
нять их сущность, смысл заданных величин, вспомнить физические
процессы, законы и соотношения, относящиеся к данному вопросу.
В основе любого из приемов решения задач лежит аналитико-синте-
тический метод. Можно указать следующую схему этого метода:
• ознакомление с условием задачи. Выделение главного вопроса
задачи (что неизвестно? Какова цель решения?);
• анализ содержания задачи. Исследование исходных данных
(что известно? Что дано?). Внесение дополнительных (уточня-
ющих) условий для получения однозначного ответа. При ана-
лизе очень полезно начертить схему, график или конструкцию,
относящуюся к задаче, и указать на этом рисунке исходные дан-
ные, распределение токов и напряжений и т. п. Часто самый
простой рисунок значительно помогает в решении задачи;
• составление плана решения;
• осуществление плана решения;
• проверка ответа (проверка размерностей, решение этой же за-
дачи другим способом, сопоставление полученного ответа с об-
щими принципами радиотехники, здравым смыслом и т. п.).
Эту схему решения можно выразить и другими словами:
• прочитай задачу и представь себе то, о чем в ней говорится;
• запиши задачу кратко или выполни чертеж;
• уясни, что показывает каждое число, повтори вопрос задачи;
• подумай, можно ли сразу ответить на вопрос задачи. Если нет,
то почему. Что нужно узнать сначала, что потом;
• составь план решения;
• выполни решение;
• проверь решение и ответь на вопрос задачи.
Точность расчетов должна быть в разумных пределах. Очень
часто студенты добиваются при вычислениях получения такой точ-
ности результата, которая совершенно не оправдывается точностью
использованных данных. Это создает иллюзию точного расчета,
приводит к бесполезным затратам труда и времени. «Цель расче-
тов – не числа, а понимание», – этот афоризм особенно справедлив
для высшей школы.
Решение задач – это практическое искусство, подобное плаванию;
научиться ему можно, только подражая хорошим образцам и посто-
янно практикуясь в самостоятельном решении задач!
Как сказал Освальд, «человек, не желающий вступать в воду, пока
не научился плавать, не научится плавать».
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ
И ОБОЗНАЧЕНИЙ
А – амплитуда колебаний
АГ – автогенератор
АМ – амплитудная модуляция
АПЧ – автоматическая подстройка частоты
АЧХ – амплитудно-частотная характеристика
АЭ – активный элемент
БТ – биполярный транзистор
ВАХ – вольт-амперная характеристика
ВОЛС – волоконно-оптическая линия связи
ВЧ – высокая частота (3…30 МГц)
ГВВ – генератор с внешним возбуждением (усилитель)
ГП – генераторный прибор
ГР – граничный режим
ГУН – генератор, управляемый напряжением
ДВ – длинные волны
ДГ – диод Ганна
ДНЗ – диод с накоплением заряда
ДУ – дифференциальное уравнение
ЗС – замедляющая структура
ЗЧ – звуковые частоты (16…20000 Гц)
ИМ – импульсная модуляция
ИТ – импульсный трансформатор
КБВ – коэффициент бегущей волны
КУМ – ключевой усилитель мощности
КР – кварцевый резонатор
КПД – коэффициент полезного действия
КСВ – коэффициент стоячей волны
КСЦ – корректирующе-согласующая цепь
КС – колебательная система
ЛГР – линия граничного режима
ЛБВ – лампа бегущей волны
ЛОВ – лампа обратной волны
ЛПД – лавинно-пролетный диод
М – индекс угловой модуляции
МРК – многорезонаторный пролетный клистрон
НР – недонапряженный режим
НХ – нагрузочная характеристика
ОБ – общая база
ОБП – одна боковая полоса
ОВЧ – очень высокие частоты (30…300 МГц)
ОИ – общий исток
ОКГ – опорный кварцевый или оптический квантовый генератор
ОМ – однополосная модуляция
ОЛС – оптическая линия связи
ОС – обратная связь
СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ 17
ОЭ – общий эмиттер
П – эффективная ширина спектра ЧМ-колебания; полоса пропускания
ПАВ – поверхностные акустические волны
ПФ – полосовой фильтр
ПР – перенапряженный режим
ПТ – полевой транзистор
РВД – реверсивно включаемый динистор
СВ – средние волны
СВЧ – сверхвысокие частоты (3…30 ГГц)
СКП – средняя квадратическая погрешность (σ)
ССЧ – синтезатор стабильных частот
СТЦ – согласующе-трансформирующая цепь
СХ – статическая характеристика
СУ – согласующее устройство
СМХ – статическая модуляционная характеристика
ТД – туннельный диод
ТКЕ – температурный коэффициент емкости
ТКИ – температурный коэффициент индуктивности
ТКТ – температурный коэффициент выходного тока АЭ
ТКЧ – температурный коэффициент частоты
ТЛ – трансформатор на линиях
ТУМ – транзисторный усилитель мощности
ТЦ – трансформирующая цепь
УВЧ – ультравысокие частоты (300…3000 МГц); усилитель ВЧ
УМ – угловая модуляция, усилитель мощности
УПТ – усилитель постоянного тока
УРУ – усилитель с распределенным усилением
УЧ – умножитель частоты
Ф – коэффициент фильтраций
ФАП – фазовая автоматическая подстройка частоты
ФВЧ – фильтр верхних частот
ФД – фазовый детектор
ФМ – фазовая модуляция; фазовый модулятор
ФНЧ – фильтр низких частот
ЦС – цепь согласования; цепь связи
ЦВС – цифровой вычислительный синтезатор
ЧМ – частотная модуляция
ЧРК – частотное разделение каналов
ЧХ – частотная характеристика
ЭМВ – электромагнитная волна
ЭМС – электромагнитная совместимость
C – электрическая емкость
c – скорость распространения электромагнитных волн в вакууме
°С – температура Цельсия (°С= К – 273,16)
D – проницаемость активного элемента; дисперсия; диаметр
d – диаметр
e – заряд электрона (1,6 · 10–19 Кл)
E – напряжение, напряженность электрического поля
18 СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
ia, A
ia, A
20
Л Г 500
ia
10
П Н A
+
60 60
Р
00
C
u
u
+2
a
50 50
c K
B
40 00 40
+1
5кB
U c= ГУ-66А
Uа =
30
0
20 20
10 10
0В
-30
0
2 кВ
3 6 9 12 15 ua, kB -400 -200 0 200 uc, B
а
ia, A
ia, A
Р
ЛГ
10 Н 1
П 20
1 кВ
+1
8 0,8
7 ГИ-7Б
0B
6 +6
2кB
U c=
Uа =
4 0
0,4
2 В 0,2
-40
кB
20
C2
u
,5
Н u C1 a 20
=5
c
200 В K
а
U
16 16
13
kB
12 B
ЛГР
U c=+100 ГС-17Б
0,8
12
8 Ec2 =0,8 kB
8
O
4 4
ua, kB 60
0
0,8 kB
1 2 3 4 -100 0 100 200 uc, B
а
ia, A ЛГР
П Н 10В
1,2 ia, A
Ec2 =500B 1,0
0
0,8 0,8
ГУ-34Б
U c=-10B
0,6
Ec2 =500B
0,4 0,4
-30В 0,2
ua, kB 400
0 0,4 0,8 1,2 -40 -20 0 uc, B
0,5 kB
б
Рис. 1.2. Условные обозначения, примеры идеализации СХ и
определения параметров генераторных тетродов со сдвинутой ЛГР
iк, A ЛГР
iк iэ, A
П 20мА Н Б iб К
1,0
15мА uбэ uкэ 1
Э iэ
0,8 0,8
0,6 10мА 0,6
2T9102A-2
0,4 5мА 0,4 uкб=0
0,2 0,2
iб=1мА uкэ, B uбэ, B
0 2 4 8 12 0 0,4 0,6 0,8 1,0
а
iс, A
Р
iс, A
ЛГ
20
20
15 20
П С iс
З iз
15 uзи uси15 uси= 60В
Н И
u зи=12В 10
10
КП913А
10
5 5
8 uси, B uзи, B
0 10 20 30 40 50 5 10 15 20
б
Рис. 1.3. Условные обозначения, примеры идеализации СХ
и определения параметров генераторных транзисторов:
а − биполярного; б – полевого
28 ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
ΔI 1
ТКТ = ,
I Δt o
где I – значение тока, измеренное при нормальной температуре
(обычно 25 °С);
∆I – алгебраическая разница между током, измеренным при за-
данной температуре, и током, измеренным при нормальной
температуре;
∆t° – алгебраическая разность между заданной и нормальной тем-
пературой.
С iс
iс, A
З iз
u iс, A
uзи И
си
300
10В
4В
В
8В
20
300
7В 6В
U зи= 200
200
IRFB1404
u
си=
2В
5В 1В
100 100
4В P=700Вт uзи, B
0 2 3 4 6 uси, B 0 4 56 10 15
а
i к, A
20В 12В iк, A
110
100 К iк 100
10В
11В
З
u u кэ
80 зэ Э
80
60 u =10В IXGH32N170 60
=2В
u
зэ
кэ
40 40 1,5В
8В
uкэ, B uзэ, B
0 2 4 5 6 5 10 15
б
Рис. 1.4. Условные обозначения, примеры идеализации СХ
и определения параметров мощных ключевых приборов:
а – MOSFET-транзистора; б – IGBT-транзистора
30 ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
1.1. Какие АЭ используют в ВЧ-каскадах передатчиков?
1.2. Какие генераторные полупроводниковые приборы используют
в мощных каскадах передатчиков?
1.3. Каким требованиям должен удовлетворять идеальный ключ?
1.4. Какова тенденция развития полупроводниковых ключей?
1.5. Нарисуйте статические характеристики БТ, ПТ, триода, тетрода
и аппроксимируйте их отрезками прямых.
1.6. Почему для СХ ламп и транзисторов возможна единая форма
их аппроксимации?
1.7. Почему обычно используют кусочно-линейную аппроксимацию
СХ ламп и транзисторов?
1.8. Чем отличаются динамические характеристики АЭ от статичес-
ких?
1.9. Выберите тип и оцените количество: а) БТ; б) ПТ; в) генератор-
ных ламп из числа представленных в прил.1,2 и 3, необходимых
для блочно-модульного построения передатчика мощностью в
непрерывном режиме работы 2,8 кВт на частоте 250 МГц.
1.10. Из числа АЭ, представленных в прил. 1, 2 и 3, выберите оп-
тимальный для выходного каскада передатчика мощностью
200 кВт на частоте 100 МГц.
Характеристики и параметры генераторных ламп
1.11. Какова область использования генераторных ламп?
1.12. Какие параметры генераторных ламп благоприятствуют их ис-
пользованию в РПУ?
1.13. В каких каскадах передатчика обычно используют генератор-
ные лампы?
1.14. Определите максимальную колебательную мощность лампы
ГУ-82Б (прил. 1) на частоте: а) 250; б) 25; в) 2,5 МГц.
1.15. Определите крутизну лампы ГУ-67Б (прил. 1) на частоте:
а) 75; б) 7,5; в) 0,75 МГц.
1.16. Определите крутизну линии граничного режима лампы ГУ-53Б,
если при Ea = 10 кВ и Ua = 9,6 кВ амплитуда импульса анодного
тока в граничном режиме равна 20 А.
1.17. Из каких соображений выбирают величину напряжения пита-
ния экранирующей сетки тетрода?
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 31
g n (Θ ) = I вых n I вых 0 = α n (Θ ) α 0 (Θ ) = γ n (Θ ) γ 0 (Θ ).
Расчетные формулы, таблицы и графики коэффициентов α n (Θ ),
γ n (Θ ) и g n (Θ ) даны в прил. 6…8 [14].
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Напряженность режима
2.1. Нарисуйте СХ: а) триода; б) тетрода; в) БТ; г) ПТ. Укажите
области отсечки, недонапряженного и перенапряженного ре-
жимов.
2.2. Чем отличается динамический режим работы генератора от ста-
тического?
2.3. Изобразите временные диаграммы выходного тока: а) триода;
б) тетрода; в) БТ; г) ПТ, возбуждаемого квазигармоническим
сигналом при настройке контура в резонанс и работе генера-
тора в недонапряженном, граничном, перенапряженном и силь-
ноперенапряженном режимах с углом отсечки 90°.
2.4. Как изменится форма импульсов тока генератора предыдущей
задачи при небольшой расстройке его выходного контура?
2.5. Как изменится форма импульсов тока генератора задачи 2.3 при
значительной расстройке его выходного контура?
2.6. Чем различаются формы импульсов выходного тока ламп и
транзисторов в сильно перенапряженном режиме?
2.7. Определите напряженность режима лампового генератора, если
отношение токов Iсо /Iао равно: а) 0,03; б) 0,15; в) 0,3.
2.8. Оцените тепловые режимы сетки и анода триодного генератора,
работающего в: а) НР; б) ПР.
2.9. Почему обычно используют граничный режим работы генера-
тора?
2.10. Какое практическое значение имеют нагрузочные характерис-
тики генератора?
2.11. Почему выходной контур усилителя должен быть настроен в
резонанс на частоту входного сигнала?
2.12. Как избежать перегрева выходного электрода АЭ при включе-
нии генератора с ненастроенным выходным контуром?
2.13. Как изменятся постоянные составляющие токов базы и кол-
лектора, а также напряженность режима генератора, работаю-
щего в ГР, при увеличении: а) напряжения питания коллектора;
б) отпирающего напряжения на базе?
42 РЕЖИМЫ РАБОТЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Q = ω 0 N 0 Pпот ,
где N0 = NН = NЕ – энергия, запасенная в КС при резонансе.
Из приведенных соотношений в частности видно, что величина
резонансной частоты и добротности не зависит от точек измерения.
В любых точках КС величина ω0 и Q одинакова.
Колебательные системы (КС) любой сложности с сосредоточенны-
ми или распределенными параметрами удобно представлять в виде
эквивалентного параллельного или последовательного колебательно-
46 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
ϕ
Z вх π
RH 2
Δω
ϕ = −2Q
ω0
Δω
rвх Δω 0 ω0
0 ω0
x вх
0,5 RH −π
2
а б
Рис. 3.2. Частотные характеристики параллельного колебательного контура:
а – полного входного сопротивления и его составляющих; б – фазовая
ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР 49
c1
L2 c
U, R L U, R
R, U L1 R, U c2
Z вх
ϕ
π
2
Δω
ω0
0
r Δω
Δω ϕ = 2Q
ω0
ω0
0 −π 2
а б
Рис. 3.5. Частные характеристики последовательного колебательного
контура: а – полного входного сопротивления; б – фазовая
ρ = L C = ω0 L = 1 (ω0C ) = r Q ;
• добротность равна Q = ω 0 N 0 Pпот = ρ r ;
• активное сопротивление равно r = ρ Q;
• полоса пропускания контура равна
2Δω 0.707 = ω 0 Q = ω 0 r ρ = r L ;
• комплексное входное сопротивление равно
Z в х = U I = rв х + j xв х = r (1 + jξ ),
xв х ⎡ω ω ⎤
где ξ= = t g ϕ = Q ⎢ − 0 ⎥ – обобщенная расстройка.
rв х ⎣ ω0 ω ⎦
СВЯЗАННЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ КОНТУРЫ 51
Z в х = r 1 + (2Q Δω ω0 ) ;
2
I ao
RВХ R ВЫХ RВХ L1 C2 L2 RВЫХ IKO Rвх Rвых
L1 L1
Tp
R2 C3
C1 L3 R3 R1 C1
C2 C1 EЭ
R1 R2
I co
EБ
EСМ Eз C2
R1
EC
а б в
Рис. 3.6. Входные цепи генераторов
• КПД цепи η T = 1 (1 + Q Q0 );
• величину элементов цепи C1 = Q ωRв х , L1 = Rвых Q ω , ( )
где ω0 – резонансная частота, на которой |Zвх| = Rвх;
Q0 – добротность ненагруженного контура L1C1;
n – номер гармоники.
54 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
C2 L2
C2 C2 L1
C3 C1
L1 C4 RH
C1 C1 L1 C3 L3
C3 UH UH
EC RН
EK EC
а б в
Рис. 3.7. Выходные цепи генераторов
Q1 = ωC1R1 , Q2 = ωC 2 R 2 =
R2
R1
(
1 + Q12 − 1 ; )
• суммарную добротность Q = Q1 + Q2 +Qф;
• полосу пропускания 2Δω 0.7 = ω 0 Q ;
• КПД трансформатора η T = 1 (1 + Q Q0 );
• индуктивность трансформатора ( ( ))
L = R1 (Q1 + Q2 ) ω 1 + Q 2 ;
• индуктивность фильтра Lф = ω C ф ( 2
) = R1Q (1 + Q ),
−1
ф 1
2
L Lф Сф
R1 C1 C2 R2
Eк
C5 I ко
C6
Uб L3
Uк Rк C9
L4
iк
L1 C2 C7 C8
Rн Uн
L2
C1
C4
C3
Iб0
Eб
Рис. 3.9. Схема генератора с параллельным питанием цепей
базы и коллектора
На рис. 3.10 показана схема тетродного генератора с последо-
вательным питанием входной и выходной цепи [9, 72]. Питающие
напряжения подаются на электроды лампы через контурные индук-
тивности L1, L4 и дроссель L3.
На рис. 3.11 показаны две практические схемы генераторов на
МДП-транзисторах [65, 72]. Генератор по схеме рис. 3.11, а на час-
тоте 30 МГц отдает в нагрузку мощность 10 Вт. Генератор по схеме
рис. 3.11, б на частоте 300 МГц отдает в нагрузку мощность 30 Вт
при общем КПД, равном 0,45. В выходной ЦС этого генератора ис-
пользован П-трансформатор с дополнительным фильтром (элемен-
ты C5…C8 и L1). Емкость C5 включает выходную емкость транзис-
тора Сси и монтажа См. Входная ЦС образована Г-цепочкой L1C1.
Конденсатор С2 – разделительный.
58 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
ia
C9
C6 L4 L5
C1
iC C13
C2 L3 C10 L6
L1
C3 C7 C11
IC20 I a0
L2 C5 C8 C12
EC2 Ea
C4
IC10
R1
EC1
Рис. 3.10. Схема генератора на тетроде с последовательным
питанием цепей сетки и анода
C4 100нФ
C1 2П901А C2 L1
510 50нГн Rн
33нФ 50
UC
C3
R1 100нФ
2,4к
50 В
а
C4
100нФ 35В
L2 500нГн
C5 C6 L1 11нГн
33
L1 C2
10нГн 1нФ C7 Rн
50
33 C8
2П909 А 75
C1 R1
33 1к
EЗ C3
10нФ
б
Рис. 3.11. Практические схемы ГВВ на МДП-транзисторах
ФИЛЬТРАЦИЯ ВЫСШИХ ГАРМОНИК 59
Φ n = Φ I2n = (I k n I k1 ) (I I A1 ) .
2 2
An
( )
L 2
1 C R2 Φn = Q2 n2 − 1
( )
2
C
Q2 n2 − 1
2 L R2 Φn =
n4
( )
2
C Q2 n2 − 1
3 L R2 Φn =
n2
C1
4 U1 L
C2
R2 Φ n = Q 2n 2
UH
при L1 = L2
L1
C
( )
R2 2
5 Q2 n2 − 1
L2 Φn =
n2
R1 L R2
6 U1
U
U2
Φ n = Q 2n 4 n 2 − 2 ( )
C1 C2
P1, Pn
ΙK1, ΙKn Ι A1,Ι An
АЭ R1,ReΖHn, U1 ЦС U2 ,R2
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
3.1. Каково назначение цепей связи: а) согласующих; б) корректи-
рующих?
3.2. В каком диапазоне частот используют цепи коррекции генера-
торов на: а) лампах; б) транзисторах?
3.3. Какие требования предъявляют ко входным, межкаскадным и
выходным цепям согласования?
3.4. Из каких соображений выбирают добротность ненагруженного
и нагруженного контура ГВВ?
3.5. Почему в современных передатчиках согласующие Г-, П- и Т-це-
почки обычно выполняют в виде ФНЧ: в продольных вет-
вях включаются индуктивности, а в поперечных – емкости
(рис. 3.6, б, в; 3.8; 3.9; 3.11, б)?
3.6. Какие элементы используют в ЦС: а) ламповых; б) транзистор-
ных генераторов?
3.7. Почему в ЦС транзисторных генераторов сосредоточенные
LC-элементы используют на частотах до 10…18 ГГц, а в ЦС
ламповых генераторов только до 30…100 МГц?
3.8. На каких частотах необходимо использовать схему коррекции
АЧХ при включении БТ в схеме с: а) ОЭ; б) ОБ?
3.9. Какие ЦС целесообразно использовать при коэффициенте пере-
крытия по частоте Kf = fВ/fН, равном: а) Kf ≤ 1,1…1,2; б) Kf > 2…3;
в) 1,2 ≤ Kf ≤ 2…3?
3.10. Какова область использования: а) Г-трансформаторов; б) П-транс-
форматоров?
3.11. Сравните свойства Г-, П- и Т-трансформаторов.
3.12. Как можно улучшить основные параметры ЦС?
3.13. Сравните свойства П-трансформаторов: полосового (рис. 3.7, в)
и ФНЧ (рис. 3.8; 3.9; 3.11).
64 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
3.157. Как изменятся параметры ГВВ (рис. 3.9) при замене дроссе-
лей резисторами?
3.158. Как изменятся режим работы генератора (рис. 3.9), если: а) за-
менить дроссели L2 и L3 короткозамыкающими перемычками;
б) изъять блокировочные конденсаторы С3, С4, С5 и С6?
3.159. Почему в генераторах недопустимо протекание переменных
токов через источники питания?
3.160. Как изменится режим работы генератора (рис. 3.10), если
заменить дроссели L2, L3, L6: а) короткозамыкающими пере-
мычками; б) резисторами?
3.161. Как изменится режим работы генератора (рис. 3.10) при от-
ключении блокировочных конденсаторов:а) С3; б) С6; в) С10;
г) С5, С8, С12; д) С4, С7, С11?
3.162. Получите формулу для определения: а) емкости разделитель-
ного конденсатора; б) индуктивности разделительного дроссе-
ля; в) емкости блокировочного конденсатора в схеме парал-
лельного питания анодной цепи, если коэффициент включения
АЭ в контур равен р, резонансное сопротивление контура R,
добротность Q, индуктивность LK, а амплитуда напряжения на
контуре равна U.
3.163. Для предыдущей задачи определите амплитуду первой гармо-
ники анодного тока Iа1, амплитуду тока в контуре IК и амплиту-
ду тока в дросселе IДр, если U = 8 кВ, р = 1, R = 10 кОм, Q = 10,
LK = 50 мкГн, L p= 1 мГн. Поясните полученные результаты.
3.164. Определите индуктивность дросселя и емкость блокировоч-
ного конденсатора при последовательном питании анодной
цепи, если резонансная частота контура равна 3·107 рад/с, ин-
дуктивность – 20 мкГн, сопротивление потерь равно 50 Ом,
выходная емкость лампы равна 12 пФ.
3.165. Получите формулу для определения: а) емкости блокировочного
конденсатора; б) индуктивности разделительного дросселя в схе-
ме последовательного питания анодной цепи при полном включе-
нии АЭ в контур, если резонансное сопротивление контура равно
R, рабочая частота – f, выходная емкость лампы равна CA.
3.166. Для предыдущей задачи определите: а) емкость блокировоч-
ного конденсатора; б) индуктивность разделительного дроссе-
ля, если R = 750 Ом, f = 30 МГц, CA = 40 пФ. Поясните полу-
ченные результаты.
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ
4 СООТНОШЕНИЯ
В ГЕНЕРАТОРАХ
[ (
ξ гр = E 0,5 + 0,5 1 − 8P1 α1 (θ )S г р E 2 )] = 1– I выхm
/(SгрE) =
α1 (θ ) 1 + Mα1 (θ ) − 1
η=
2α 0 (θ ) 1 + Mα1 (θ ) + 1
,
1 ⎡ 1 ⎤
η= ⎢ α1 (θ)− ,
2α 0 (θ)[1 + N (1 − cos θ)]⎣ M N (1 − cos θ)⎥⎦
где N = S(K – D)/Sгр.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
4.1. Каковы основные энергетические показатели ГВВ?
4.2. Какой показатель ГВВ определяет мощность в цепи: а) управ-
ляющего; б) выходного электрода?
4.3. Почему обычно нецелесообразно выполнять энергетические
расчеты генераторов с очень высокой точностью?
4.4. Какую форму тока и напряжения необходимо создать в выход-
ной цепи АЭ для получения: а) высокого электронного КПД;
б) малой мощности рассеяния на выходном электроде АЭ?
4.5. Как в мощном ламповом генераторе с резонансной нагрузкой
можно получить близкую к прямоугольной форму: а) импуль-
сов выходного тока; б) выходного напряжения?
4.6. Как влияет на величину электронного КПД: а) амплитуда вы-
ходного напряжения; б) резонансное сопротивление выходного
контура; в) расстройка выходного контура относительно его ре-
зонансной частоты; г) длительность импульсов выходного тока;
д) угол отсечки выходного тока?
4.7. Почему для получения высокого электронного КПД генератора
угол отсечки выходного тока АЭ обычно выбирают в пределах
от 60° до 120°?
4.8. Какие факторы снижают КПД ключевого УМ на БТ?
4.9. Сравните свойства генераторов, использующих ключевой ре-
жим работы транзисторов, и режимы A, B, C.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 81
ности: а) 50; б) 80; в) 100; г) 125 Вт, если рабочая частота ге-
нератора равна 30 МГц, Ек = 28 В, θ = 90°.
4.52. Определите электронный КПД генератора на транзисторе
2Т927А в граничном режиме работы при мощности Р1 = 100 Вт,
для θ = 90° и Ек = 28 В, если сопротивление насыщения тран-
зистора равно: а) 0,24 Ом; б) 0,4 Ом.
4.53. Определите потребляемую мощность, мощность, рассеиваемую
коллектором, и электронный КПД генератора на транзисторе
2Т930Б в граничном режиме работы при мощности Р1 = 80 Вт,
θ = 90° и Ек = 28 В, если сопротивление насыщения транзистора
равно: а) 0,3 Ом; б) 0,6 Ом.
4.54. При указанных на рис. 3.11, а параметрах схемы определите ве-
личину колебательной мощности в граничном режиме работы
ПТ, амплитуду напряжения Uc, электронный КПД и сопротив-
ление насыщения транзистора, если рабочая частота усилителя
равна 30 МГц, мощность в нагрузке 10 Вт, контурный КПД
0,95, напряжение отсечки транзистора равно 0,24 В, а крутизна
тока стока S = 0,15 См.
4.55. Определите мощность источника питания и мощность, рассеи-
ваемую стоком транзистора задачи 4.54.
4.56. Усилитель мощности на транзисторе 2Т927А (прил. 2) работает
в граничном режиме. Определите параметры выходной цепи
усилителя: Uк, Iк1, Iк0, Iк m, P0, Pк, ηe и Rк, если рабочая частота
УМ равна 30 МГц, P1 = 80 Вт, Ек = 29,5 В, θ = 90°.
4.57. При указанных на рис. 3.11, б параметрах схемы определите ве-
личину колебательной мощности в граничном режиме работы
АЭ, амплитуду напряжения на стоке транзистора Uc и электрон-
ный КПД, если мощность в нагрузке равна 30 Вт, контурный
КПД равен 0,83, а напряжение смещения равно напряжению
отсечки Еотс транзистора. Входное сопротивление цепи согла-
сования с нагрузкой равно 5,6 Ом.
4.58. Определите мощность источника питания, мощность, рассеи-
ваемую стоком, и сопротивление насыщения транзистора пре-
дыдущей задачи.
4.59. Определите угол отсечки, обеспечивающий максимальную ко-
лебательную мощность генератора при высоком электронном
КПД и заданном значении: а) амплитуды импульса выходного
тока Im; б) постоянной составляющей выходного тока I0; в) ам-
плитуды входного напряжения Uвх.
86 ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СООТНОШЕНИЯ В ГЕНЕРАТОРАХ
⎡1 2 ∞
sin( nπ / 2) ⎤
ik = I km ⎢ +
⎣2 π
∑
n =1 n
cos(nω t )⎥ .
⎦
Важно отметить, что этот ряд содержит только нечетные гармони-
ки тока, так как при четных n величина sin (nπ/2) обращается в нуль,
т. е. можно полагать, что при θ = π/2 номера гармоник тока равны
n = 2m – 1, где m = 1, 2, 3,…. При θ = π/2 амплитуда первой гармони-
ки коллекторного тока максимальна и равна I k1= 2Ikm/π = 0,637 Ikm.
ОБЩИЕ РАСЧЕТНЫЕ СООТНОШЕНИЯ 89
Eк L2 iL C2
C1 iк
uк
Rн
L1
а
iк
I кm τu
Iк
0
−θ 0 θ 2π ωt
uк
Uк Eк
U кm
0 u ОСТ ωt
б
Рис. 5.1. Широкополосный КУМ на биполярном транзисторе:
а – схема; б – временные диаграммы
КЛЮЧЕВЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ 91
C5 C6 VD1
R 5 10к
1000,0 0,1 +
I C7
III 1,0
w1
DA1 Ic
C 1 470 1 COMP VT1
Ucc 7 UСИ
2 FB 6 U "
R1 OUT
3
" вых
100к 5 GND SEN
4 R/ C REF
8 R3 1к
+2 ,5В C4
R4 0,1 U
1000 И
C2 R 2 18к
4700 + 5В C3 0,1
2 Eк L С
VT ' i'к
u'к
Lк Cк
VT ' i'к'
u'к' Rн
а
i'к
0 ωt
i'к'
I кm
−θ 0 θ ωt
u'к'
Ек U кт
uОСТ
0 π ωt
б
Рис. 5.3. КУМ с последовательным колебательным контуром
в цепи нагрузки: а – схема; б – временные диаграммы
94 КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ
ηп = 1 − π
u ост
= η1;
4 Ек
• сопротивление нагрузки равно
iк'
u'к
Ск
Lк Rн
L
iк''
+ Eк
С
а
iк
I кm
−θ 0 θ ωt
iк''
0 ωt
u'к
Uк
E
u'к' 0 uост ωt
U кm
0 ωt
б
Рис. 5.4. КУМ с параллельным контуром в цепи нагрузки:
а – схема; б – диаграммы
Тип
Umax ,кВ I, А Uост ,В Iу ,А tвыкл, мкс
прибора
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
5.1. Каковы достоинства ключевого режима работы АЭ?
5.2. Каковы особенности ключевых усилителей мощности с точки
зрения: а) режима работы АЭ; б) выходных параметров?
5.3. Оцените величину максимального электронного КПД генера-
тора в различных режимах работы: а) линейном; б) с отсечкой
тока; в) ключевом.
5.4. В граничном режиме работы АЭ получена колебательная мощ-
ность 100 Вт при электронном КПД равном 0,7. Полагая, что
величина выходной мощности ограничена лишь допустимой
мощностью рассеяния активного элемента Рк, определите мак-
симальную колебательную мощность этого АЭ в ключевом
режиме при электронном КПД, равном: а) 0,8; б) 0,9; в) 0,95;
г) 0,98.
98 КЛЮЧЕВЫЕ УСИЛИТЕЛИ
С3 Iк' 0
А
L4
С7
L2 I к' L6 + Eк
С2
I э' VT1
С5
L3 С8
I к''
С1 L7 Uн Rн
I э'' VT 2 С6 С9
L1
L5
Iк'' 0
А
С4
I к' 1 k'
VT '
L2 Uк' С2
L1
С1
L6
Rн
L7 U н
L4 L5
L3 С3
U к'
k'
VT '
Iк' 1
+ Eб С4 + Eк
а б
Рис. 6.2. Двухтактный резонансный усилитель мощности
2Ec L1 C1
+
Ic
VT'
L2 C2
VT"
Rн
i1 А
R1 R2
u1 Б'
Г1 Б
R4 R3
i2
i2
i1
А'
u2
Γ2
Рис. 6.4. Классическая мостовая схема сложения мощностей
Rвх
Г1 RБ
Rн
Rвх
Г2
RБ
Rвх
Г3
RБ
l
η м.а в = Рн.а в [ Р1 ( N − M ) ] = 1 − M / N .
Уменьшение мощности передатчика при аварии равно
Рн.ав Рн = (1 − M N ) 2 .
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие вопросы
6.1. С какой целью используют совместную работу АЭ на общую наг-
рузку?
6.2. Перечислите способы сложения мощностей генераторов.
6.3. Каковы свойства блочно-модульного способа сложения мощ-
ностей генераторов?
6.4. Каковы свойства систем сложения мощностей в пространстве
(ФАР)?
6.5. В передатчике фазированной антенной решетки использовано
800 идентичных генераторов на ЛПД АА730Д. Мощность каж-
дого генератора 1 Вт. Определите мощность этого передатчика
при выходе из строя: а) 1; б) 10; в) 100 генераторов.
6.6. Каковы особенности систем сложения мощностей АГ?
Параллельное включение активных элементов
6.7. Каковы достоинства и недостатки генераторов с параллельным
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 109
включением АЭ?
6.8. Почему необходима симметрия токов АЭ при их параллельном
включении?
6.9. Перечислите условия, при которых выходная мощность гене-
ратора с параллельным включением АЭ может быть близка к
N-кратной мощности одного АЭ.
6.10. Какие меры принимают для симметрирования режимов тран-
зисторов при их параллельном включении?
6.11. Сравните свойства биполярных и полевых транзисторов при
их параллельном включении.
6.12. Генератор с параллельным включением идентичных транзис-
торов (рис. 6.1) работает в граничном режиме. Мощность в на-
грузке равна 100 Вт, амплитуда напряжения на нагрузке равна
UН = 10 В. В результате аварии транзистор VT2 сгорел. Опре-
делите сопротивление нагрузки RН и напряженность режима
для оставшегося транзистора.
6.13. Генератор на двух идентичных параллельно включенных тет-
родах работает в граничном режиме. Электронный КПД гене-
ратора равен 0,75, потребляемая мощность 6 кВт. В результате
аварии одна из ламп сгорела. Определите мощность потерь на
аноде оставшейся лампы Pa и колебательную мощность генера-
тора P1 до и после аварии.
6.14. Генератор на двух идентичных параллельно включенных
транзисторах работает в перенапряженном режиме, причем
Rk = 2Rк гр. Мощность в нагрузке равна 2 Вт. Определите мощ-
ность в нагрузке при отключении одного из транзисторов, по-
лагая, что в перенапряженном режиме Uk = Uк гр.
6.15. Использовано параллельное включение: а) двух; б) трех иден-
тичных транзисторов. Получите расчетные соотношения для
определения сопротивления по первой гармонике R′н, на кото-
рое работает каждый транзистор.
6.16. Генератор с параллельным включением транзисторов (задача
6.15) работает в граничном режиме. Для каждого из транзис-
торов токи и сопротивления нагрузки соответственно равны
I′к1 = 0,12 А, R′н = 120 Ом. Один из транзисторов сгорел. Опре-
делите напряженность режима и сопротивление нагрузки для
оставшихся транзисторов.
6.17. Начертите схему мощного генератора на параллельно вклю-
ченных транзисторах и поясните назначение ее элементов.
6.18. Сопротивление нагрузки лампового генератора в граничном
110 СЛОЖЕНИЕ МОЩНОСТЕЙ ГЕНЕРАТОРОВ
боте генераторов?
6.43. Как можно избежать потерь мощности в балластных резисторах мос-
та-сумматора (рис. 6.4) при отключении одного из генераторов?
6.44. Как можно сохранить высокий КПД мостовой схемы сложения
мощностей генераторов при отключении нескольких генерато-
ров или изменении соотношения их напряжений?
6.45. Для мостовой схемы сложения мощностей синфазных генера-
торов (рис. 6.4) получите формулы для определения: а) сум-
марной мощности в нагрузочных сопротивлениях; б) суммар-
ной мощности в балластных сопротивлениях; в) КПД моста.
6.46. Для мостовой схемы сложения мощностей генераторов (рис. 6.4)
при произвольных значениях k и φ определите: а) суммарную
мощность в нагрузочных сопротивлениях; б) суммарную мощ-
ность в балластных сопротивлениях; в) КПД моста.
6.47. Постройте график зависимости КПД моста-сумматора от вели-
чины: а) k при φ = 0; б) k при φ = 40°; в) φ при k = 1; г) φ при
k = 0,8.
6.48. Определите допустимый сдвиг фаз генераторов, при котором
КПД моста-сумматора будет не менее 0,87, если амплитуды ге-
нераторов различаются на: а) 20%; б) на 0%.
6.49. Определите допустимое различие амплитуд генераторов, при
котором КПД моста-сумматора равен 0,97, если фазовый сдвиг
между токами генераторов равен: а) 0°; б) 20°.
6.50. Каковы достоинства и недостатки классической мостовой схемы
(рис. 6.4), с точки зрения ее практического использования?
6.51. Какие элементы используют при построении широкополосных
мостовых устройств?
6.52. Какие элементы используют при построении узкодиапазонных
(резонансных) мостовых устройств?
6.53. Почему в резонансных устройствах сложения мощностей гене-
раторов (рис. 6.5) частоты, на которых обеспечивается развязка
генераторных входов, определяются из условия l = (2n + 1)λл/4,
где n = 0,1,2…?
6.54. При синфазной работе двух идентичных генераторов мощность в
нагрузочных резисторах моста-сумматора (рис. 6.4) равна 60 Вт.
Определите: а) КПД моста и мощность в балластных резонато-
рах при номинальном режиме работы; б) КПД моста, мощность
в нагрузочных и балластных резисторах при отключении одного
из генераторов. Объясните полученные результаты.
6.55. В симметричном мосте-сумматоре возможна авария одного
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 113
U Г Г ЛП СТЦ Zн
Z вх
A
Рис. 7.1. Схема соединения генератора с нагрузкой
2
• коэффициент передачи b = Pн / Рпад = 1 − Г ;
• потери на отражение (рабочее затухание)
a = 1/b = 1/(1 – | Г | 2) = Pпад/Pн, или a = 10 lg(Pпад/Pн), дБ;
1,5 2,4
1,4 2,2
1,3 2,0
1,2
a 1,8
1,1 1,6
1,0 1,4
0,9 1,2
0,8 1,0
0,7 0,8
0,6 0,6
0,5 0,4
0,4 0,2
0
0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 Г max
Рис. 7.2. Зависимость рабочего затухания и допуска на согласование
от модуля коэффициента затухания
АБСОЛЮТНАЯ ПОЛОСА ЧАСТОТ УСИЛИТЕЛЯ. СОГЛАСОВАНИЕ ИМПЕДАНСОВ 117
Z
Zвх Z вх вх L
I1 I1
I
C 1
СТЦ R R СТЦ
C СТЦ
Iн
Iн
а б в
Рис. 7.3. Схемы согласования цепей: а, б – RC, в – RL
1 1
ln ln
π Γ π Γ
Ωτ Ωτ
Ω Ω
ω ω
ωс ωн ω ср ωв
a б
Рис. 7.4. Оптимальные частотные характеристики СТЦ:
а – низкочастотной, б – полосовой
L1 L2 НАГРУЗКА НАГРУЗКА
L1
C L
С1 R C1 C2 R
a б
Рис 7.5. Низкочастотные ЦС: а – для параллельной RC-цепи,
б – для последовательной RL-цепи
L
L2 C1 C2 L3 R
A A
B B
ω
C C
а б
Рис. 7.7. К принципу постоянства ширины полосы: а – характеристика ФНЧ;
б – характеристика ПФ, соответствующая характеристике ФНЧ
1
ln
Г max
max N =∞
3,2
7
2,8 5
2,4 3
2
2,0
1
1,6
1,2
0
0,8
0,4
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
2/(Ωτ)
Рис. 7.8. Допуск на согласование лестничной цепи
с N согласующими элементами
УСИЛИТЕЛИ С ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫМИ ФИЛЬТРАМИ 121
Ф1
Вход
ГП СУ
ФN Zн
α ПОЛОСА
ПОДАВЛЕНИЯ α ПОЛОСА
ПОДАВЛЕНИЯ
ПОЛОСА ПОЛОСА
ПРОЗРАЧНОСТИ ПРОЗРАЧ-
НОСТИ
ω ω
ωн ωв 2ω н 2ωв ω н ωв 2ωн 2ωв
a б
Рис. 7.10. Идеализированные частотные характеристики
фильтров: а – ФНЧ, б – полосового
122 ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
ГП1 Ф1
Вход Д С
ГП N ФN Zн
• последнего фильтра f в − f н = f в п (1 − 1 / кω N ).
Cр L L L L Cр
Rб C/2 C C C/2 RН
C3
VT1
КСЦ
L4 ZВ1 ZВ2
L1
Вход C1 C2
ТЛ Eз
EC Rн
L2
L3
КСЦ
VT2
C4
Рис. 7.13. Схема двухтактного широкополосного усилителя
2l Rɧ
Z ɜ1 Z ɜ1 Rɧ
2
Zɜ 1
VT2
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие вопросы
7.1. Какие генераторы принято считать широкодиапазонными?
7.2. Какие абсолютные полосы частот имеют широкодиапазонные
передатчики: а) мириаметровых; б) гектометровых; в) метро-
вых; г) дециметровых и более коротких волн?
7.3. Каковы достоинства широкодиапазонных генераторов без резо-
нансных контуров?
7.4. Каковы преимущества РПУ с широкополосными усилителями
по сравнению с узкополосными?
7.5. Какие факторы ограничивают полосу частот усилителя?
7.6. Какие пути используют для увеличения полосы частот УМ?
7.7. Каковы особенности построения и параметры транзисторных
широкополосных усилителей?
7.8. Сравните свойства полевых и биполярных транзисторов при их
использовании в широкополосных усилителях.
7.9. Каковы особенности построения и параметры ламповых широ-
кополосных усилителей?
Цепи согласования
7.10. Какие пассивные элементы и устройства используют для пос-
троения широкополосных усилителей?
7.11. Сформулируйте требования к: а) выходным; б) межкаскадным
ЦС мощных широкополосных усилителей.
7.12. Дайте примеры использования различных ЦС, изображенных
на рис.: а) 7.3, а; б) 7.3, б; в) 7.3, в.
7.13. Какую конфигурацию имеют СТЦ широкополосных усилите-
лей?
7.14. Изобразите схему широкополосной ЦС для параллельной RC
цепи в полосе частот: а) 0…ωс; б) ωн…ωв.
128 ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
OC
АЭ КС
АЭ КС
а б
Рис. 9.1. Структурные схемы автогенераторов
i i
B
B
A
A
C C
u u
0 Е 0 Е
а б
Рис. 9.2. Динамические ВАХ: а – N-типа; б – S-типа
АВТОГЕНЕРАТОРЫ С ЦЕПЬЮ ВНЕШНЕЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ 145
M
C Uк Ik
I
C1 U
L Ik
L1 L2
a б
Ik L1 U C3
Uк Ik
L1
C1 C2 C1 C2
в г
Рис. 9.3. Схемы автогенераторов: а – с индуктивной обратной связью;
б – индуктивная трехточка на полевом транзисторе;
в – емкостная трехточка на биполярном транзисторе;
г – Клаппа на биполярном транзисторе
S1,G1 S1,G1
a a
1 1
Rн Rн
1
b b
1
S0 6
c c
2 2
d d
3 3
e S0 e
4 4
0 5 U 0 U` 5 U
а б
Рис. 9.5. Графическое решение уравнения баланса амплитуд
для мягкого (а) и жёсткого (б) режимов работы автогенератора
150 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
ϕ π
ϕ π
2 2
a
Δω c
ϕ = −2Q
ωо ωо ω01 ω03
ω ω02 ω
b
d
π π
− −
2 2
а б
Рис. 9.6. Фазовые характеристики параллельных колебательных контуров
СХЕМЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 151
2 мА
C1 KП303Ж C2 L1
33 0,1
a С4 +E
C1
L2 R1 100
70 нГн 180* С1 L2
L2 R3
C3 R1 L1
3,3 нФ 1К +E
L1 С2
C3
70 нГн С3
-2,5 В
R2
C2
R1
3,3 нФ
а б
Рис. 9.7. Схемы индуктивных трехточек: Рис. 9.8. Схема
а – с заземленным стоком; индуктивной трехточки
б – с заземленным затвором с заземленной базой
+ 13 В Uк + 7В
L1 C4 L1
C4 U
3,7 мкГн 10 нФ 30 нГн
1,0
C3 C1
C3
10нФ 85
1,0 R3
R3 6,8к КТ368
4,7к КТ608А 2SC3355
C1
7,1 нФ C2
C2 560
120 нФ
R2 R2
1,8к 2,2к
R1
R1
220
270
10 мА
4 мА
а б
Рис. 9.9. Схемы емкостных трехточек с заземленной базой
и различными рабочими частотами: а – 1 МГц; б – 100 МГц
U L1 L1 46 нГн
12 мкГн
C4 C1
33нФ U Uк 15
–8В
R2 C3
220*к Uк 33нФ
КТ315Б C1 R3
510 8,2 к КТ363Б
C3
0,22 C2
R2 82
1,2 к
C2 R1
39 нФ R1
3,3 к 560
АЛ307КМ
3 мА
1,5 мА
– 12 В
а б
+12 В
C1
R1
L1 L1 2N5485 6,8к
1,3 мкГн
C2
+E
С2 С3
R1
680 47
С1
C3 75
в г
Рис. 9.10. Схемы емкостных трехточек:
а – с заземленной базой, частота 2 МГц; б – с заземленной базой, частота 200 МГц;
в – с заземленным затвором; г – с заземленным истоком, частота 20 МГц
возрастает настолько, что реализация схем одноконтурных АГ ста-
новится практически невозможной. Наиболее употребительными
являются АГ с параллельной связью между контурами: с общим
эмиттером (катодом) (рис. 9.12, а), с общим коллектором (анодом)
(рис. 9.12, б) и общей базой (сеткой) (рис. 9.12, в).
Каждый из колебательных контуров образован одной из межэлек-
тродных емкостей АЭ и внешней индуктивностью, подключенной
к этой емкости. Одна из емкостей АЭ используется как элемент
обратной связи. Собственные резонансные частоты всех контуров
расстроены относительно частоты автоколебаний ω и представляют
СХЕМЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 155
+E С4
U С3 U С3
a С1
R3 L3
L1 Uк L1 Uк
С2
R1 Uб L2 С1 +
E
R1
R2 С2
L2
+EБ
а б
Рис. 9.11. Схемы Клаппа: а – с дополнительным конденсатором С3;
б – с дополнительной индуктивностью L3
L1 L1
C3 C3
L2 C3
L2
к нагрузке
R1
+E C1
L1
C2
C1
+E
R2
а б
ТД
LВ1 R1
LВ rп
G L1
LВ2
Rн
Cп Cк
C1
в
Рис. 9.13. Схемы автогенераторов на ТД:
а – принципиальная высокочастотного; б – принципиальная низкочастотного;
в – эквивалентная низкочастотного
СХЕМЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 157
1 + (f / fS ) ,
2
Sf = S
β0
где S = – крутизна проходной характеристики на
rб + β0 / (30 I k 0 )
низких частотах;
β0(h21Э0) – статический коэффициент передачи тока (справоч-
ная величина);
rб = τk/Cka – сопротивление базы;
Ck = (3…5)Cka – полная емкость коллекторного перехода (спра-
вочная величина), где коэффициент 5 соответствует мощным
высокочастотным приборам, а 3 – маломощным;
τk = rбCka – постоянная времени цепи обратной связи на высо-
кой частоте (справочная величина);
fS = fT/(S rб) – граничная частота по крутизне. При f ≤ (0,3…0,5)fS
можно полагать Sf = S;
fT(fгр) – граничная частота коэффициента передачи тока (спра-
вочная величина).
С LП r Си
а б
Рис. 9.14. Эквивалентные схемы конденсаторов:
а – реального; б – идеального
Кварцевые резонаторы
Эквивалентная электрическая схема КР может быть представлена в
виде параллельного соединения ёмкости кварцедержателя C0 и, в об-
щем случае, бесконечного числа Lкв Cкв rкв – контуров, резонансные
частоты которых совпадают с частотами механических колебаний
кварцевой пластины (рис. 9.15, а). Вблизи выбранной резонансной
частоты влиянием всех остальных последовательных контуров мож-
но пренебречь и использовать упрощённую эквивалентную схему
КР (рис. 9.15, б). Такая замена справедлива благодаря большому
разносу резонансных частот последовательных контуров и их вы-
сокой добротности.
а б в
Рис. 9.15. Эквивалентные схемы кварцевого резонатора:
а – полная; б – на рабочей частоте; в – последовательного замещения
Xкв
r экв
ωкв ωп ω ωп ω
ω кв
Xэкв
а б
Рис. 9.16. Частотные характеристики кварцевого резонатора:
а – реактивного сопротивления; б – активного и реактивного сопротивления
последовательной схемы замещения
вида кварцедержателя, свойств материала и т. д. Параметры КР су-
щественно отличаются от параметров обычных КС. Добротность КР
может достигать значений 104…107 и более. Параметры лучших КР
приведены в табл. 9.2.
Таблица 9.2. Типичные параметры кварцевых резонаторов
Одна фемтофарада равна 1 фФ = 10-15 Ф
Тип
f, МГц rкв, Ом C0, пФ Cкв, фФ Qкв
колебаний
1,0 Основной 250 4,0 9,0 65000
2,0 Основной 70 3,5 10 110000
5,0 Основной 15 6,0 24 85000
10,0 Основной 12 6,0 24 50000
20,0 Основной 12 6,0 24 25000
45,0 3-й обертон 25 5,0 1,5 90000
100,0 5-й обертон 40 5,0 0,3 130000
C к в C0
ωп = 1 / Lк в ⋅ ≈ ωк в (1 + 0,5 p ) .
C к в + C0
Интервал между частотами параллельного и последовательного
резонанса КР равен ωп – ωкв = 0,5pωкв.
Диапазон рабочих частот КР простирается от сотен герц до сотен
мегагерц. Высокочастотность КР обратно пропорциональна толщи-
не кварцевой пластины. На практике минимальная толщина квар-
цевой пластины составляет около 0,1 мм, что соответствует основ-
ной частоте около 20 МГц. На частотах, превышающих 5…20 МГц,
обычно используют механические гармоники КР. При этом можно
получить во много раз более высокую частоту АГ. Обычно исполь-
зуют резонансы на нечётных гармониках механических колебаний.
Установлено, что потери КР на некоторых гармониках (третьей, пя-
той) меньше, чем на основной частоте и достигается более высокая
добротность Qкв n= (1,5…3)Qкв. Благодаря меньшему значению ёмкос-
ти Cкв (Cкв n ≈ Cкв/n) (см. табл. 9.2) и соответственно меньшей связи
резонатора с АЭ и нагрузкой, обеспечивается лучшая стабильность
частоты. Связь КР со схемой АГ тем меньше, чем больше n.
Для высокостабильных микрогенераторов разработаны микроми-
ниатюрные КР. Например, российская компания «Пьезо» выпуска-
ет КР на частоты от 3,5 до 150 МГц с объёмом корпуса от 0,7 до
0,032 см3. Ведущие зарубежные фирмы выпускают КР в виде так
называемой обратной мезоструктуры, работающие на объёмных ко-
лебаниях сдвига по толщине, у которых частота первой гармоники
достигает 250 МГц! Используя такие КР, можно получить высокос-
табильные колебания вплоть до 750 МГц без умножения частоты.
Кварцевые автогенераторы
Многообразные схемы кварцевых автогенераторов можно разделить
на две большие группы. К первой группе схем относятся те, в кото-
рых КР используют как высокоэталонную индуктивность. Это так
называемые осцилляторные схемы. Ко второй группе схем относят-
ся те, в которых КР используется как высокодобротный последова-
тельный контур – фильтровые схемы.
Осцилляторные схемы
В них кварц включается вместо одной из индуктивностей в обоб-
щённой трёхточечной схеме. Колебания в этих схемах могут сущест-
вовать только тогда, когда кварц имеет индуктивное сопротивление,
КВАРЦЕВЫЕ АВТОГЕНЕРАТОРЫ 169
C1
L1
С2
R1
C3
С1 +E
а б
Рис. 9.17. Осцилляторные схемы автогенераторов
170 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
С3
L1 51 C4
100
R1 нГ С4 L1
13к 51
L2
С1 ГТ 346А C3
0,01 R3
R2 R3
2,4к 300
Вых .
а б
Рис. 9.18. Схемы Батлера: а – принципиальная; б – эквивалентная
172 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
VD1 ZQ1
R3 R4 C5
KB109 27МГц
10k 510 82
C1,C2 0,022мк
Резонаторы на ПАВ
Основой резонатора ПАВ является кварцевая пластина, вырезанная
из монокристалла кварца. На поверхность кварцевой пластины на-
несен тонкий слой металла. Чаще всего используется алюминий. В
металле сформирована структура резонатора. Основные элементы
конструкции одновходового и двухвходового резонаторов показаны
на рис. 9.20. Резонаторы состоят из одного или двух встречно-шты-
ревых преобразователей (ВШП), по обе стороны от которых распо-
ложены отражатели, выполненные в виде напыленных на поверх-
АВТОГЕНЕРАТОРЫ НА ПАВ 175
Rm Lm Cm
C0
a б
Рис. 9.20. Структура и эквивалентная схема одновходового резонатора (а).
Структура двухвходового резонатора (б)
a б в
Рис. 9.21. Схемы гетеродина на ПАВ-резонаторе: а – принципиальная;
б – по высокой частоте; в – по постоянному току
178 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
Qн Q0 ⋅ Qн
Qв н = = – внешняя добротность КС;
ηк Q0 − Qн
Qн – добротность нагруженной колебательной системы;
Q0 – добротность ненагруженной колебательной системы;
ηк – контурный КПД;
Kp = Pвых/Pс – коэффициент усиления по мощности регенератив-
ного усилителя в режиме синхронизации;
Pс – мощность синхронизирующего колебания;
Pвых – выходная мощность автогенератора до введения синхрони-
зирующего колебания.
При внешнем воздействии на АГ возможно также умножение и
деление частоты воздействия fc в целое число n раз, в результате чего
частота АГ изменяется, становясь равной либо nfc (режим ультра-
гармонического захватывания или умножения частоты), либо fc/n
(режим субгармонического захватывания или деления частоты) [28,
35, 52]. Как и при синхронизации на основной частоте, синхрониза-
ция на гармонике или субгармонике имеет место в некоторой полосе
частот, пропорциональной амплитуде синхронизирующего сигнала.
В некоторых случаях с целью повышения стабильности частоты
магнетронов используют так называемые схемы самосинхронизации
[30]. При этом часть выходной мощности с помощью отрицательной
ОС, состоящей из направленного ответвителя и фазовращателя под-
водится через циркулятор к выходу магнетрона. Таким образом, на
выходе магнетрона получаются две волны: падающая (от магнетро-
на) и отраженная (из цепи внешней ОС). Поскольку для физичес-
ких процессов, происходящих в магнетроне, безразлично происхож-
дение второй волны (отражения от нагрузки или из цепи внешней
ОС), то самосинхронизацию можно рассматривать с точки зрения
явления затягивания частоты.
Процесс синхронизации нелинеен и описывается сложными диф-
ференциальными уравнениями. Простые, пригодные для инженер-
ных расчетов соотношения, характеризующие процесс синхрони-
зации АГ СВЧ, можно получить, рассматривая влияние внешнего
синхронизирующего сигнала на АГ как результат воздействия волны
напряжения, отраженной от нагрузки [7, 40]. Такая трактовка очень
наглядна, поскольку явление синхронизации становится эквивален-
тным явлению затягивания частоты.
Затягивание частоты [4, 6, 7, 9, 16, 19, 21, 35, 84, 103]. Затяги-
ванием частоты называют изменение частоты АГ при изменении
СИНХРОНИЗАЦИЯ И ЗАТЯГИВАНИЕ ЧАСТОТЫ АВТОГЕНЕРАТОРОВ 181
lк р = ⋅ ⋅ ,
48π Г F0
Измерение нестабильности частоты [17, 50, 71, 73, 91]. Для ко-
личественной оценки медленных и быстрых изменений частоты
используют понятия долговременной, средневременной и кратковре-
менной нестабильности частоты. Измерение частоты всегда связано
с усреднением за определенный интервал времени τ. Поэтому все
частотомеры регистрируют не мгновенную, а среднюю частоту, оп-
ределяемую как
t1 + τ
1 Φ (t1 + τ) − Φ (t1 ) ,
ωср. (t1 , τ) =
τ ∫ ω(t )d t =
t1
τ
где t1 – момент начала измерения;
τ – интервал усреднения.
Для оценки долговременной нестабильности частоты принимают
интервал усреднения τ, равным одним суткам при времени наблю-
дения Тн один месяц, шесть месяцев или один год. Для оценки крат-
ковременной нестабильности частоты обычно принимают τ равным
1 мс, 10 мс и 100 мс при Тн = 100 с. Измерения средневременной
нестабильности проводят при промежуточных значениях τ и Тн.
Нестабильность частоты характеризуется абсолютным
Δω(t) = ω(t) − ωср. или относительным Δω(t)/ωср. отклонением мгно-
венной частоты от ее среднего значения ωср.
Для оценки абсолютного значения долговременной нестабиль-
ности частоты на практике обычно используется следующая вели-
чина:
188 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
N
1
• оценку дисперсии D[ f с р (ti )] = σ =
N
2
∑ Δf
i =1
2
(ti , τ) ;
• абсолютную кратковременную нестабильность частоты (сред-
неквадратичное отклонение мгновенной частоты относительно
среднего значения) σ = D[ f с р (ti )] ;
• относительную нестабильность частоты σ / f с р = D / fср ,
где N – число измерений усредненной частоты;
Δf (ti , τ) = f (ti , τ) − f с р − отклонение частоты от среднего зна-
чения частоты fср при i-м измерении для данной серии изме-
рений и времени усреднения τ.
НЕЛИНЕЙНОЕ УРАВНЕНИЕ АВТОГЕНЕРАТОРА 189
i=f(uЗ ) iL i=f(uЗ) iL
iC i iR
r C
M C M r
uЗ uЗ
L L C R
u
uC
+E +E
а б
Pис. 9.24. Схемы автогенераторов с трансформаторной ОС
а б
Рис. 9.25. Схемы автогенераторов на двухполюсниках с отрицательным
дифференциальным сопротивлением
МЕТОД МЕДЛЕННО МЕНЯЮЩИХСЯ АМПЛИТУД. КВАЗИЛИНЕЙНЫЙ МЕТОД 191
d 2u d
LC + [L f (u ) + u r C ]+ u = 0.
dt2 dt
d f (u ) d f (u ) d u
Используя тождество = и учитывая, что для на-
dt du dt
растания амплитуды колебаний коэффициент при первой производ-
ной должен быть отрицательным, последнему ДУ можно придать
вид, более удобный для дальнейшего анализа,
d 2u d u ⎡ 1 d f (u ) r ⎤ 2
2
− ⎢ − ⎥ + ω0 u = 0, (9.1)
dt d t ⎣C d u L⎦
где ω02 = 1/(LC) – резонансная частота КС;
df(u)/du – модуль дифференциальной крутизны АЭ.
На рабочем (падающем) участке ВАХ активного элемента эта
крутизна отрицательна.
Поведение всех одноконтурных LC-автогенераторов описывают
однотипные нелинейные дифференциальные уравнения.
du dU
= cos ωt − ωU sin ωt ,
dt dt
d 2u d 2U dU
2
= 2 cos ωt − 2ω sin ωt − ω 2U cos ωt.
dt dt dt
Так как величины sin ωt и cos ωt соизмеримы, то при сравнении
слагаемых в выражениях для первой и второй производных сопос-
тавляем их сомножители. Имея в виду условие медленности изме-
нения амплитуды отбросим в значениях производных малые слага-
емые и получим
du d 2u dU
= −ωU sin ωt , 2
= −2ω sin ωt − ω2U cos ωt (9.3)
dt dt dt
Подставив (9.3) в (9.1) и приравняв нулю суммы коэффициентов
при sin ωt и cos ωt, получим
d U U ⎡ d f (u ) 1 ⎤
ω = ω0; − − ⎥ = 0, (9.4)
d t 2C ⎢⎣ d u R⎦
где R = L/(rC) – резонансное сопротивление нагруженной КС.
Из первого уравнения следует, что частота колебаний ω равна
резонансной частоте колебательной системы ω0. Второе уравнение –
так называемое укороченное ДУ.
Метод укороченного уравнения значительно упрощает последую-
щие этапы анализа, поскольку уравнение (9.4) содержит лишь про-
изводную первого порядка.
Для практического использования укороченного уравнения (9.4)
нужно перейти от мгновенного значения крутизны df(u)/du к амп-
литудному. Этот переход можно осуществить при помощи так назы-
ваемого квазилинейного метода, разработанного Ю. Б. Кобзаревым
[6, 9, 35, 39, 50, 58, 71, 83, 84]. Квазилинейный метод применяется
для исследования автогенераторов и других устройств, в которых
форма напряжений (или токов) близка к гармонической. Сущность
этого метода состоит в замене нелинейного элемента эквивалентным
линейным, характеризуемым средним параметром (параметром по
первой гармонике). Нелинейность схемы проявляется в зависимос-
ти среднего параметра от амплитуды.
Переход от мгновенных значений крутизны к амплитудным может
быть совершен следующим образом. При напряжении u = U(t) cosω0t
ток f(u) будет определяться выражением
f(u) = I0 + I1 cosω0t + I2 cos2ω0t + ….
МЕТОД МЕДЛЕННО МЕНЯЮЩИХСЯ АМПЛИТУД. КВАЗИЛИНЕЙНЫЙ МЕТОД 193
2
i max i min
1
0 U,В
0.2 0.4 0.6 0.8
1/ R − a1 3a3 ⎛ 3a ⎞
2
8
U =2 и U2 = − + ⎜ 3 ⎟ − (a1 − 1/ R ) .
3a3 5a5 ⎝ 5a5 ⎠ 5a5
G1 zG0 G1
G0 zG0
G0 1/R
1/R
U
0 Uн U 0 Uн
U ст U ст
а б
Рис. 9.27. Аппроксимация характеристик средней проводимости:
а – в мягком; б – в жестком режимах работы
Решив уравнение (9.5) при G1 = zG0, определим время установ-
ления амплитуды колебаний от начала самовозбуждения до устано-
вившегося значения
2 RC U CT
ty = ln ,
z RG0 − 1 U H
где UН и UСТ – начальная и стационарная амплитуда колебаний;
R и C – резонансное сопротивление и ёмкость нагруженной ко-
лебательной системы.
Начальная амплитуда колебаний зависит от напряжения шумов в
АГ, напряжения внешнего воздействия и напряжения ударного воз-
буждения при включении питающих напряжений.
196 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
Дробовой шум
Дисперсия (средний квадрат) и эффективное (среднеквадратич-
ное) значение флуктуационной составляющей тока равны (фор-
мула Шоттки) [6, 17, 83, 84]
2
σ i = 2e I 0 Δf ; σ i = σ i 2 ,
где e = 1,6·10-19 Кл – заряд электрона;
I0 – среднее значение тока;
∆f – полоса шумов.
Для численных расчетов удобно использовать равенство
σ i = 1,8 ⋅ 10 −5 I 0 Δf [мA, МГц].
Эффективное значение шумового напряжения равно [6, 17, 83, 84]:
• на резистивном сопротивлении R
Uдр = σu = σiR или U д р = 0,018 R I 0 Δf [Ом, мА, МГц, мкВ];
• на нагрузке в виде параллельного соединения R и C
R
I 0 R 3570 I0
U д р = 8,94 = I 0 2Δf 0 ,7 = [Ом, мА, пФ, МГц, мкВ],
C 44 ,6 C 2Δf 0 ,7
где 2∆f0,7 – полоса пропускания контура по уровню 0.707. Эта
полоса в /2 раза меньше шумовой (энергетической) полосы
контура ∆f [6, 83, 84].
Отношение колебательной мощности АГ к мощности его дробо-
вого шума Pдр равно
P1 Pд р = ( U U д р )2 = 1018 I 0 g12 2Δf 0 ,7 ,[A,Гц],
где I0– среднее значение тока АЭ;
g1 = I1/I0 – коэффициент формы тока.
В транзисторных и ламповых генераторах величина коэффициен-
та g1, в зависимости от угла отсечки θ, равна 1…2. В диодных гене-
раторах отношение токов I1/I0 зависит от материала диода и режима
работы генератора и обычно g1 ≤ 1. Например, коэффициент фор-
мы тока в генераторах на лавинно-пролетных диодах, работающих
в IМРАТТ-режиме, принимают равным 0,4 [71]. В генераторах на
диодах Ганна из арсенида галлия, работающих в пролетном режи-
ме, величина коэффициента g1 близка к 0,3, а в ОНОЗ-режиме – к
единице [71]. В генераторах на ТД из арсенида галлия, работающих
в режиме максимальной колебательной мощности, g1 ≈ 1 [23].
Тепловой шум
Дисперсия (средний квадрат) и эффективное (среднеквадратич-
ное) значение шумового напряжения на резистивном сопротивле-
нии R равны [17, 83, 84] (формула Найквиста):
σ u2 = U T2 = 4kTRΔf ; U T = U T2 ,
где k = 1,38·10-23 Дж/К – постоянная Больцмана;
T – абсолютная температура в кельвинах (K = °C + 273,16);
∆f – полоса шумов.
Для численных расчетов удобно использовать равенство
U T = 7 ,4 ⋅ 10 −3 T RΔf [Ом, МГц, мкВ].
198 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
L2
Саg Cаg L2
L1 Сак Сак
Сgк
Сgк L1
R2 L2 C4
470 100мкГн 0,47
+13В
C3
820 R3 R2
10к C3
а
L1 С1
C1 40мкГн
КТ603 L1 L2
3нФ
C2
33нФ
R4
2,7к
R1 C4 С2
200 0,47
10мА
а б
Рис. 9.29. Схемы автогенератора: а – принципиальная; б – эквивалентная
СИНТЕЗАТОРЫ СТАБИЛЬНЫХ ЧАСТОТ 203
fвых= f э+ f г
fэ fг
ЭГ Г
Прямые синтезаторы
Прямые синтезаторы (их также называют пассивными) строятся
на основе метода прямого синтеза. Этот метод синтеза называют
прямым, потому что в нем отсутствует процесс коррекции ошибки.
Следовательно, качество выходного сигнала напрямую связано с
качеством опорного сигнала. Фазовый шум такого синтезатора до-
статочно низок вследствие прямого синтеза. Перестройка по частоте
может быть очень быстрой.
Простейшие прямые аналоговые синтезаторы строятся с исполь-
зованием генераторов гармоник (ГГ) (рис. 9.31, а) [39, 58, 71, 72, 79,
91]. В качестве генераторов гармоник используются формирователи
импульсов, преобразующие выходное гармоническое колебание эта-
лонного генератора (ЭГ) с частотой fэ в последовательность корот-
ких видеоимпульсов или радиоимпульсов той же частоты. Спектр
такого сигнала содержит интенсивные высшие гармоники частоты
входного воздействия fm = m fэ, где m = 1, 2…, нужная из которых
выделяется полосовым фильтром (ПФ). По описанному принципу
построен синтезатор возбудителя ВТ-53 М.
Степень подавления нежелательных компонент на выходе син-
тезатора определяется параметрами ПФ. Фильтры на LC-элементах
имеют полосу пропускания на уровне – 60 дБ не уже 5%, что поз-
воляет выделять гармоники с номерами не более 20. Использование
электромеханических фильтров дает возможность довести mmax до 50,
а кварцевых фильтров и фильтров на ПАВ – до 100…150 [71].
Для лучшего подавления соседних гармоник обычно используют
двойное преобразование частоты – схему с компенсацией (вычита-
нием) ошибки, компенсационную цепь [39, 53, 58, 72, 79, 91]. В схеме
с вычитанием ошибки (рис. 9.31, б) после первого смесителя СМ1
частоты всех составляющих спектра ГГ понижаются на частоту fг
вспомогательного гетеродина до значений, при которых фильтр
Ф1 может легко подавить побочные колебания. Ширина поло-
сы пропускания Ф1 выбирается меньшей, чем шаг сетки. Фильтр
Ф1 – неперестраиваемый, это улучшает его параметры и упрощает
конструкцию. Подбором fг выбранную частоту mfэ – fг совмещает с
центральной частотой фильтра Ф1. На выходе смесителя СМ2 сиг-
нал с суммарной частотой mfэ – fг + fг = mfэ отделяется от остальных
208 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
выход Г
fг Ф2
fг fвых
m fэ СМ2
СМ1
ГГ m fэ - f г
Ф1
fэ
fэ
mfэ
ЭГ ГГ ЭГ
а б
Рис. 9.31. Структурные схемы синтезаторов с умножителем частоты:
а – простейшего; б – с двойным преобразованием частоты
fэ fэ f вых
ДПКД Т
ЭГ ФИ Ф
СЧРУ
ЭГ ГГ ФД ПГ
fэ mf э fг fвых
eд f
ДОЧ
УЧ
ЦУ
ey f
e
ФАП
Рис. 9.33. Структурная схема синтезатора с фазовой
автоподстройкой частоты
рассогласование фаз φ(t) = φг(t) – φэ(t) колебаний ПГ и ЭГ. При
монохроматическом эталонном сигнале возможен стационарный
синхронный режим, когда на ФД устанавливается постоянная раз-
ность фаз φ0 = const и полностью устраняется исходная расстройка
собственной частоты ПГ относительно эталонной. Помимо опера-
ции приравнивания частоты, система ФАП выполняет функцию
перестраиваемого узкополосного фильтра, подавляющего соседние
гармоники (m – 1)fэ и (m + 1)fэ, а также смежные с ними.
kφ0
kφ ku u(t)
kf НКФ ПК ЦАП
ОГ
fт
Рис. 9.34. Базовая структурная схема ЦВС
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
9.1. Чем АГ принципиально отличаются от усилителей?
9.2. Дайте примеры механических автоколебательных систем. Чем
они схожи с электрическими системами?
9.3. Дайте примеры: а) полезных; б) нежелательных электрических
и механических автоколебаний.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 213
18 U0=0,2B
14 U0=0,3B
10 U0=0,4B
6
|G1 max|
|G0|
2
U, B
0 0,1 0,2 0,3 0,4
Рис. 9.35. Характеристики средней проводимости ТД
218 АВТОГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СИНТЕЗАТОРЫ ЧАСТОТ
u P, Вт
200 Pmax=400 Вт
Pср =150 Вт АМ
t
100
б 0 f
P, Вт
u Pmax=400 Вт
200
Pср =200 Вт DSB
t 100
в 0
f
P, Вт
400
u Pmax=Pср =
300 400 Вт
t
г 0
200
SSB
100
f
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
10.1. Сравните свойства передатчиков с АМ и ОМ.
10.2. Изобразите спектры и векторные диаграммы при гармоничес-
ком модулирующем напряжении для случая: а) амплитудной;
б) балансной (АМ-сигнал с подавленной несущей); в) однопо-
лосной модуляции.
10.3. При гармоническом модулирующем напряжении изобразите
осциллограммы напряжений на выходе модуляторов: а) амп-
литудного; б) балансного; в) однополосного.
10.4. Для произвольного модулирующего сигнала изобразите осцил-
лограммы напряжений на выходе модуляторов: а) амплитудно-
го; б) балансного; в) однополосного.
10.5. При отсутствии модулирующего напряжения изобразите ос-
циллограммы напряжений на выходе модуляторов: а) ампли-
тудного; б) балансного; в) однополосного.
10.6. Определите отношение максимальных выходных мощностей
передатчиков с АМ и ОМ при одинаковых амплитудах сигнала
на выходах соответствующих приемников, если максимальный
коэффициент модуляции равен: а) 1; б) 0,8; в) 0,5.
10.7. Определите отношение средних мощностей, потребляемых
анодными цепями усилителей мощности передатчиков с АМ
и ОМ при одинаковых общих КПД, если коэффициент моду-
ляции равен: а) 1; б) 0,8; в) 0,5.
Передатчики с амплитудной модуляцией
10.8. В каких диапазонах частот применяют передатчики с АМ?
10.9. Укажите область применения передатчиков с АМ.
10.10. Укажите возможные способы осуществления АМ в выходном
каскаде передатчика.
10.11. Изобразите структурную схему АМ-передатчика: а) связного
носимого; б) радиовещательного; в) телевизионного. Сформу-
лируйте технические требования к передатчику.
10.12. Каким требованиям должен удовлетворять колебательный
контур в выходной цепи генератора при АМ?
10.13. Оцените число каналов вещательных радиостанций с АМ, ко-
торые можно разместить в средневолновом диапазоне. Границы
средневолнового диапазона от 0,5 до 1,5 МГц. Максимальная
частота модулирующего сигнала равна 12 кГц. Для ликвидации
250 ПЕРЕДАТЧИКИ С АМПЛИТУДНОЙ И ОДНОПОЛОСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
E
τ E max
0,9 E max
E
E min
0,9 E min
τ' Без дросселя
0,5 E max
0
t
τф τc
С диодом
Без диода Eобр max
C
Lк
Rог
Eп Iаи u
Rк
VL1
СП 1 CП2
Uа Rз нагрузка E
Uу Iои
Eсм
Рис. 11.2. Резистивный импульсный модулятор
демпфирующим (гасящим) диодом (рис. 11.3), дроссельно-диодная
и резистивно-трансформаторная [5, 8, 9, 19, 39, 40, 58, 66, 69, 70, 91].
На рис. 11.2 и 11.3 пунктиром показаны паразитные емкости этих
схем Сп1 и Сп2 . Суммарная паразитная емкость равна Сп=Сп1+Сп2.
• Длительность фронта импульса при модуляции генераторов с
различным типом вольт-амперных характеристик (ВАХ):
– при резко нелинейной нагрузке (магнетронного типа)
τф=ECп/Iаи=RoIоиСп /Iаи;
– при линейной нагрузке (триодного типа) в граничном и не-
донапряженном режимах работы коммутатора τф = 3R0Cп;
– при слабонелинейной нагрузке (приборов типа “О”) τф=2,5R0Cп,
где Iаи – анодный ток коммутатора.
• Длительность среза импульса в резистивном модуляторе
– при резко нелинейной нагрузке τс = 2,2 R′Cп;
– при линейной нагрузке τс = 2,2 R′RoCп /(R′ + Ro);
– при слабонелинейной нагрузке τс = 3 R′RoCп/(R′ + Ro),
где R′ = R3 ⋅ Roг/(Rз + Roг).
• Длительность среза импульса в резистивно-трансформатор-
ном или резистивно-дроссельном модуляторе для всех типов
нагрузки можно оценить по формуле
τс = СпLз/τ.
• Амплитуда обратного напряжения (рис.11.1) на нагрузке ре-
зистивно-трансформаторного или резистивно-дроссельного мо-
дулятора без использования демпфирующего диода равна
Eобр max = E 1 + τ τ c .
258 ПЕРЕДАТЧИКИ С ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
Rог iраз C
EП u
Iаи
Cn1 Cn2 Д
Lз нагрузка E
Uа
iL Iои
Eсм
Рис.11.3. Резистивно-дроссельный импульсный модулятор
с демпфирующим диодом
Pз = E
2
(q Rз ); ( ) ( )
Po г = ( E п − U a) q Ro г ≅ E п q Ro г .
2 2
Pп =
2 Eп
[P
н + Pк + Pа раз + ( Eп − U а ) 2 ( q Ro г ) ,]
2U min + ΔU
где Рпот. р – суммарная мощность потерь при разряде накопи-
тельного конденсатора, включающая потери в ИТ, коммутато-
ре, демпфирующем диоде, зарядном и ограничительном резис-
торах.
• КПД анодной цепи модулятора равен
η = Pн/Рп .
• При оптимальной величине ограничительного резистора
мощность источника анодного питания Рп минимальна, а КПД
η – максимален. Ввиду громоздкости соотношений для нахож-
дения оптимальной величины Roг целесообразно использовать
средства вычислительной техники.
L or DЗ L L L
+ EП
U С С С
ИТ I OИ
U1 E Нагрузка
Е = nU1 η и .
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
11.1. В каких диапазонах частот применяют передатчики с ИМ?
11.2. Дайте примеры использования мощных импульсных генерато-
ров: а) в радиотехнике; б) в технологических установках; в) в
электрофизике и микроэлектронике; г) в медицине; д) в науч-
ных исследованиях; е) в лазерной технике.
11.3. Какие факторы ограничивают минимальную и максимальную
длительность импульса передатчика?
11.4. Чем ограничены минимальная и максимальная скважность?
11.5. Каковы особенности импульсной работы передатчиков?
11.6. Изобразите структурную схему импульсного передатчика.
11.7. Сравните свойства (рабочие напряжения и токи; потребляемая
мощность; габариты; масса; надежность; дальность действия)
передатчиков, работающих в импульсном и непрерывном режи-
мах работы при одинаковой средней мощности в нагрузке.
11.8. Почему в ИМ используют накопители энергии?
11.9. Почему при одинаковой мощности модуляторов габариты и
масса формирующей линии получаются меньшими, чем у на-
копительного конденсатора?
11.10. Назовите основные типы импульсных модуляторов.
11.11. Определите среднюю мощность на выходе модулятора, если
сопротивление нагрузки равно 420 Ом, ток 60 А. Частота сле-
дования импульсов 250 Гц, а длительность равна 4 мкс.
11.12. Определите импульсный ток нагрузки модулятора, если
среднее значение тока равно 20 мА. Длительность импульсов
1,1 мкс; частота следования 900 Гц.
11.13. Импульсная мощность в нагрузке модулятора равна 1,2 МВт;
КПД модулятора 0,7; длительность импульса 2 мкс; частота
следования импульсов 500 Гц. Определите мощность источни-
ка анодного питания.
11.14. Определите мощность источника анодного питания модуля-
тора, если Е = 10 кВ; Iои= 10 А; ηзар= 0,95; ηраз= 0,9; F = 1 кГц.
Длительность импульсов равна: а) 2 мкс; б) 5 мкс.
11.15. Оцените длительность радиоимпульсов и их несущую часто-
ту при импульсно-кодовой модуляции для случая тысячи те-
лефонных каналов. Полоса частот одного канала 300…3000 Гц.
Передача осуществляется группами одинаковых импульсов.
Максимальное количество импульсов в группе N равно семи.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 269
u = U cos(ω 0 t + M sin Ωt + ϕ 0 ) ,
где ω0 – средняя (центральная) частота модулированного сигнала;
Ω = 2 F – частота модулирующего сигнала;
M – индекс модуляции;
φ0 – начальная фаза колебания. Для простоты записи обычно ее
полагают равной нулю.
Мгновенные значения частоты и фазы колебания связаны между
собой соотношениями:
() dϕ t() t
ωt =
dt
() ∫ ()
; ϕ t = ω t dt .
0
Отсюда следует, что частотная модуляция всегда сопровождается
изменением фазы, а фазовая – изменением частоты. Различия меж-
ду ЧМ и ФМ состоит в том, что при ЧМ пропорционально ампли-
туде модулирующего сигнала изменяется частота высокочастотного
278 ПЕРЕДАТЧИКИ С УГЛОВОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
ТКЕб⋅10 град
6 -1
600
500
400
300
200
100
U, B
1 2 5 10 15 20 30 40
Рис. 12.3. Зависимость температурного коэффициента барьерной емкости
от напряжения смещения
ОБЩИЕ СООТНОШЕНИЯ ДЛЯ МОДУЛЯТОРОВ НА ЕМКОСТЯХ Р-N-ПЕРЕХОДОВ 283
I 2 ш д р = 2e I 0 Δf ,
где k = 1,38⋅10-23 Дж/К – постоянная Больцмана;
e = 1,6⋅10-19 Кл – заряд электрона;
T – абсолютная температура;
r – последовательное сопротивление перехода;
I0 – обратный ток перехода, равный UМО/R.
Эффективные значения шумов колебательной системы (КС) с
варикапом при комнатной температуре относительно точек подклю-
чения варикапа равны:
• напряжение теплового шума
U ш т = 0,16 RВ 2Δ f 0, 7 [мкВ, Ом, МГц];
• напряжение дробового шума
100
U ш др = I 0 2Δ f 0, 7 [мкВ, пФ, мкА, МГц];
C f0
• суммарное напряжение шумов U ш = U 2 ш т + U 2 ш д р ,
где RВ – сопротивление КС в точках подключения варикапа;
2∆f0,7 – ширина полосы пропускания КС с варикапом;
C – емкость варикапа.
Максимальная амплитуда напряжения на варикапе равна
• из условия однозначности резонансной кривой контура с ва-
рикапом
U M ≤ 4(ϕк + U ) Qн ;
• из условия электрической прочности
U M ≤ 0,5U обр max ,
где Qн – добротность нагруженного контура с варикапом;
U – напряжение смещения на варикапе;
Uобр max – допустимое обратное напряжение на варикапе.
u,В 2
20 15 10 5 2
0
u Umax UMO Umin 0,5
1,0
1,5
uM iо б р , мкА
iо б р uΩ
t
Рис. 12.4. Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики
варикапа КВ109А
АВТОТРАНСФОРМАТОРНАЯ СВЯЗЬ МОДУЛЯТОРА С КОНТУРОМ АВТОГЕНЕРАТОРА 285
К автогенератору
Ск
Lк
См Uк
Сбл UM
UΩ С R2
p
UM O
R1
+U0
Рис. 12.5. Автотрансформаторная связь частотного модулятора
с контуром автогенератора
-U 0
R1 Lдр К автогенератору
Cр Cсв
UΩ
R2 UM O UM Lк Uк
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
12.1. Какую модуляцию называют: а) угловой; б) фазовой; в) час-
тотной?
12.2. Какова величина амплитуды центральной составляющей спек-
тра при угловой модуляции? Почему при УМ используют по-
нятие центральной или средней частоты сигнала, а не несущей,
как ее называют в спектре АМ колебаний?
12.3. Как следует выбрать индекс угловой модуляции, чтобы в спек-
тре сигнала отсутствовало несущее колебание?
12.4. Определите частоты модуляции: а) F1, F2 и F3; б) F4, F5, F6 и F7,
при которых в спектре ЧМ-сигнала отсутствует несущее коле-
бание, если частота девиации равна 75 кГц.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 289
2D 2D
Z В = 120l n ≈ 276l g ;
d d
– коаксиальной Z В = 60 μ l n D ≈ 138 μ l g D ;
ε d ε d
– несимметричной полосковой при ≤ 0,25
t
b
300
ZВ = μ εэф ;
1+ b d
– симметричной полосковой при b/d ≥ 2, t/d ≤ 0,2 что соот-
200
ветствует Z В ε ≤ 70 Ом; Z В = ;
(1 + b d ) ε
– волноводной, возбуждаемой волной типа Н10
b μ ε
Z В = 377 ,
a 2
1 ⎛ λ ⎞
1 − ⎜⎜ ⎟
⎟
εμ ⎝ λ кр ⎠
где ε и μ – относительная диэлектрическая и магнитная про-
ницаемость материала, заполняющего линию;
( )
ε э ф = 0,5 1 + ε + (ε − 1) 1 + 10d b – эффективная диэлек-
трическая проницаемость подложки;
302 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ
( )
2
λКР = 2a; P = abE 1 − λ λ 2 [В/см, см, Вт];
max ΚΡ
1507
для волны типа Н11 в круглом волноводе, являющейся основ-
ным типом волны для круглого волновода,
X
1
ω⋅C
0 ω 01 ω 02 ω 03 ω
Ix Ux
а
0 x
Ux
б
0 x
Ix
Ux
в
0 x
Ix
Рис. 13.6. Распределение тока и напряжения вдоль
четвертьволнового резонатора: а – основной тип колебаний;
б – первый продольный обертон; в – второй продольный обертон
ПАРАМЕТРЫ РЕЗОНАТОРОВ НА КОРОТКОЗАМКНУТЫХ ОТРЕЗКАХ ЛИНИЙ 307
Ix Ux
а
0 x
Ux
б Ix
0 x
Ux
Ix
в
0 x
Рис. 13.7. Распределение тока и напряжения вдоль полуволнового
резонатора: а – основной типа колебаний; б – первый продольный обертон;
в – второй продольный обертон
Для основного типа колебаний l = λЛО/2. Отсюда и происходит
название полуволновый резонатор. На рис. 13.7 также показано
распределение амплитудных значений тока и напряжения при ви-
дах колебаний n = 2 (первый продольный обертон) и n = 3 (второй
продольный обертон). При заданной длине резонатора l резонансная
длина волны равна
λЛО = 2l/n,
где n = 1, 2, 3…. Для основного типа колебаний n = 1; для первого
продольного обертона n = 2 и т. д.
308 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ
U П2 t gδ
Pε = (2β0l + sin( 2β0l )). ,
8Z B
где δ – угол потерь диэлектрика.
• Добротность нагруженного резонатора равна
ω0 N 0
QН = ,
PН + PЛ + PКТЛ + Pε
где PН – мощность в нагрузке.
• Характеристическое сопротивление эквивалентного парал-
лельного контура в точках линии с напряжением UZ равно
U Z2 4Z B sin 2 β 0 Z
ρ= = .
2ω 0 N 0 2β 0 l − sin 2β 0 l
• Резонансное сопротивление резонатора в точках линии с на-
пряжением UZ равно R = Qρ.
а б в
Рис. 13.10. Конструкции коаксиальных резонаторов: а – с сосредоточенной
емкостью зазора С; б – четвертьволнового; в – полуволнового
312 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ
l
l
Г Г
λЛ/4
а б
Рис. 13.12. Режекторные фильтры на отрезках линий:
а – разомкнутой; б – короткозамкнутой
На рис. 13.13 приведены частотная характеристика входного
сопротивления четвертьволнового резонатора и графическая ил-
люстрация фильтрации четных гармоник тока, где ZB – волновое
сопротивление линии.
Входное сопротивление четвертьволнового отрезка идеальной ли-
нии без потерь на частотах ω0, 3ω0, 5ω0 и т. д. равно бесконечности
и линию можно рассматривать как параллельный резонансный кон-
Z BX
ZB
0 ω
In
U
C
C l
l Zвф zн=rн+jxн
lсв Uн lсв
c c
U
cсв
2cсв 2c св
l l zн=rн+jx н
lсв lсв
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
13.1. Почему на СВЧ практически не используют КС, состоящие из
катушек индуктивности и конденсаторов?
13.2. Почему добротность LC-контуров получается меньшей, чем у
резонаторов?
13.3. Какие факторы затрудняют изготовление сосредоточенных ин-
дуктивностей и емкостей, пригодных для практического при-
менения в диапазоне СВЧ?
13.4. Возможны ли побочные типы колебаний в LC-контурах?
13.5. Какие КС используют в диапазоне СВЧ?
13.6. Каковы достоинства резонаторов по сравнению с LC-контурами
при их использовании в качестве КС генераторов СВЧ?
13.7. Почему тороидальные, коаксиальные и волноводные резонато-
ры могут иметь весьма большие добротности?
13.8. При каких условиях любой, сколь угодно сложный резонатор
можно представить в виде эквивалентного контура с сосредо-
точенными параметрами?
13.9. Для одного из типов колебаний резонатора известны: собс-
твенная частота 850 МГц, резонансное сопротивление при па-
раллельном возбуждении 12 кОм, добротность 340. Определите
параметры эквивалентного параллельного контура.
318 ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРОВ СВЧ
+E a
+Ea
RБ
C БЛ1 Выход
UZ
Выход RБ
A
C БЛ1
1
z
K Вход
2
CБЛ2
UZ
RК
RК C БЛ2
Вход
Рис.14.1. Усилитель мощности с двухсторонним расположением
резонаторов относительно триода
продольных обертонов. Из соображений техники безопасности и
удобства эксплуатации с корпусом соединена сетка.
Напряжение смещения в этом генераторе создается автоматичес-
ки за счет прохождения постоянной составляющей катодного тока
через резистор Rк. За счет включения резистора Rк в цепь катода
лампы получается отрицательная обратная связь по току. Это – на-
иболее распространенный способ стабилизации рабочего режима
лампы. Для защиты лампы от прохождения чрезмерных токов в
случае пробоев или превышения напряжений, а также для допол-
нительной стабилизации режима в цепь анода включен балластный
резистор RБ.
На рис. 14.2 приведены эскиз конструкции и принципиальная
схема однотактного двухконтурного автогенератора с общей сет-
кой, в котором резонаторы расположены в одну сторону относи-
тельно лампы. На рис. 14.2 также показано распределение амплитуд
высокочастотных напряжений вдоль анодно-сеточного (1) и катод-
но-сеточного (2) резонаторов при возбуждении в этих резонаторах
основного типа колебаний. В генераторе использована дополнитель-
ная кондуктивно-емкостная связь между контурами (3). Эта связь
может быть представлена в виде эквивалентной дополнительной
междуэлектродной емкости С, подключенной параллельно выходной
емкости анод-катод лампы. Из соображений техники безопасности
336 ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ, ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ
+Ea +Ea
RБ
z CБ Л CБ Л
R1 RБ Выход
z 3
C CБ Л
K 1
C 2
Выход
UZ UZ R2 RК
R1
RК U R2
β&
β0
ϕβ
0,7β 0
45o β0
1
0
0,3ω β ωβ 3ω β ωT
НЧ СЧ ВЧ
Рис. 14.3. Частотные характеристики модуля и фазового угла
коэффициента усиления биполярного транзистора
ic, iз ic ic ЛГР
iз
u зи
uзи uси
0 0
U отс U о тсз U со
а б
Рис. 14.6. Статические характеристики ПТШ
Eп
+12 В Еп
Eп
Iпр max i, CП
IП CП
Lк r
П
RД
u CП u
i Cк
IB u
0 UП UB Uпр max
а б
Рис. 14.10. Туннельный диод: а – вольт-амперная и вольт-фарадная
характеристики; б – эквивалентная схема
ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ДИОДАХ 349
l
R2
l d
R1 b
EП
а б
Рис. 14.11. Доплеровский радиолокатор на туннельном диоде:
а – принципиальная схема; б – конструкция
rП LК r rП LК r
ТД RД RД
СП С К X СП X
а б
Рис. 14.12. Эквивалентная схема генератора на туннельном диоде:
а – полная; б – упрощенная
i r п Lк ЛПД
- -rд
Uр Uпрб u Rд Cк R
0
Рабочая Хд X
точка
Iр xд
а б в
Рис. 14.13. Лавинно-пролетный диод: а – вольт-амперная характеристика
диода; б – эквивалентная схема диода; в – схема ГЛПД
а б
Рис. 14.15. Конструкции диодных генераторов:
а – коаксиальная, б – волноводная
ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ДИОДАХ 361
волны в линии λ л =
λ ,
εμ − ( λ 2 а ) 2
где a и b – ширина и высота волновода;
λ – рабочая длина волны в свободном пространстве;
lа – удаление штырей 4, 8 от узкой стенки волновода;
ε и μ – относительная диэлектрическая и магнитная проницае-
мость материала, заполняющего волновод.
В волноводных конструкциях обычно используют волноводы
уменьшенной высоты. В этом случае переход к стандартному вол-
новоду осуществляется через согласующий трансформатор, выпол-
ненный в виде ступенчатого или плавного перехода.
Эквивалентные схемы диодных АГ включают три основных зве-
на: кристалл диода, корпус диода и внешнюю цепь. В простейшем
случае внешнюю цепь можно представить одиночным колебатель-
ным контуром. Эквивалентная схема диода в корпусе (рис. 14.10, б
и рис. 14.13, б) включает собственно кристалл и параметры корпу-
са: индуктивность, емкость и сопротивление rп = 0,3…2 Ом, учиты-
вающее потери в кристалле диода, диэлектрике и соединительном
проводнике.
Физическая модель диодного генератора может быть представ-
лена либо последовательной, либо параллельной эквивалентной
схемой. Однако на практике для анализа генератора на ЛПД бо-
лее удобно использовать последовательную эквивалентную схему
(рис. 14.13, в), а для генераторов на ТД и диодах Ганна – парал-
лельную (рис. 14.12) [69]. Эквивалентные схемы, приведенные на
рис. 14.12 и 14.13, в являются упрощенными. Полные эквивалентные
схемы диодных генераторов всегда являются многорезонансными.
Появление дополнительных резонансных частот может происходить
за счет влияния реактивных параметров корпуса диода, свойств КС,
неточности согласования генератора с нагрузкой или реактивных
элементов в цепи питания генератора.
362 ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ, ТРАНЗИСТОРАХ И ДИОДАХ
[
К р = f 0 ( П Qв н ) ],
2
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы по ламповым генераторам
14.1. Какие волны относят к диапазону СВЧ?
14.2. В каких диапазонах волн используют ламповые генераторы?
14.3. Укажите области применения электронных ламп СВЧ: а) трио-
дов; б) тетродов.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 365
3
+
E o Io
+
Рис. 15.1. Принципиальная схема клистронного усилителя
Усиление Kр, дБ 45 35 50 50
Число резонаторов N 4 4 5 6
386 КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ
Ik / Io
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
Ek / Eo
Рис. 15.3. Отношение токов клистрона в режиме рекуперации
0, 4
⎡ Pвых max ⎤
E 0 нес = E 0 ном ⎢ 2 ⎥ ;
⎣ (1 + m) Pвых ном ⎦
0,4
⎡ Pвых max ⎤
U м = 0,8mE0нес = 0,8mE0ном ⎢ ⎥ ;
⎢⎣ (1 + m)2 Pвых ном ⎥⎦
• напряжение в режиме несущей и амплитуда модулирующего
напряжения при полном использовании клистрона по мощ-
ности (Pвых.max = Pвых ном) равны
E0нес = E0ном/(1 + m)0,8; Uм = 0,8mE0ном/(1 + m)0,8;
• индекс ФМ, сопутствующей анодной АМ,
M = 5(N – 1)Uм/E0нес;
• импульсная мощность коммутатора Pни = E0I0;
• изменение анодного напряжения во время импульса при до-
пустимом изменении выходной мощности
∆E0 = 0,4E0∆Pвых/Pвых;
• изменение анодного напряжения во время импульса при до-
пустимом изменении фазы выходного колебания
E0
ΔE 0 = Δϕ ,
5( N − 1)
где N – число резонаторов клистрона;
Uм – амплитуда модулирующего напряжения.
0,582
QH1 и QH2 – нагруженные 0,5
0,4
добротности резонаторов; 0,3
ηк – КПД выходной коле- 0,2
U1 ω s
X = 0,5 – параметр группировки клистрона;
E0 v0
ω – угловая частота входного напряжения;
s – расстояние между серединами зазоров;
v0 = 6 · 105E0– скорость электронов к моменту входа в рабочий
зазор первого резонатора клистрона.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 391
n 1 2 3 4 5 8 10 16
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
15.1. Укажите области применения пролётных клистронов.
15.2. Каковы особенности: а) МКР; б) клистродов по сравнению с
другими мощными генераторами диапазона СВЧ?
15.3. Укажите особенности и область применения: а) усилительных;
б) генераторных; в) умножительных клистронов.
15.4. Каков принцип работы приборов IOT (клистродов).
15.5. Каковы параметры и область применения приборов IOT (клист-
родов)?
15.6. Определите глубину АМ клистронного усилителя при пульса-
циях анодного напряжения: а) 0,04%; б) 0,2%; в) 0,8%.
15.7. Определите относительную стабильность анодного напряже-
ния клистрона: а) КУ308; б) КИУ15; в) VA928 при допустимом
изменении фазы выходного колебания 0,1 рад.
15.8. Определите амплитуду пульсаций ускоряющего напряжения
клистрона КУ308 в номинальном режиме работы, при которой
девиация частоты не превысит: а) 10-8f0; б) 10-7f0. Частота пуль-
саций равна 300 Гц.
15.9. Укажите меры по обеспечению безопасности персонала, обслу-
живающего МКР (защита от поражения электрическим током,
рентгеновского и СВЧ-излучений).
15.10. Изобразите принципиальную электрическую схемудвухкас-
кадного передатчика дециметрового диапазона, в котором за-
392 КЛИСТРОННЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ
25
250кВ
20
15
10
Vгр Vгр
Vф Vф
Vе Vе
а б
Рис.16.1. Направления скоростей в лампах бегущей волны:
а – прямой волны; б – обратной волны
Спиральная ЗС
Типичная дисперсионная характеристика спиральной ЗС показана
на рис.16.2, а.
• Фазовая скорость волны в спиральной ЗС при D S равна
νф = cS/ D,
где S и D – шаг и диаметр спирали.
• Типичный диаметр спиральной ЗС равен
D = 0,5λ νф/c,
где λ – средняя длина волны.
Vф Vф
Vе
0 ƒ 0 ƒ
Δƒ Δƒ
а б
Рис. 16.2. Дисперсионные характеристики:
а – слабая нормальная; б – сильная аномальная
402 ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ ТИПА О
Периодическая ЗС
Типичная дисперсионная характеристика периодической ЗС пока-
зана на рис. 16.2, б.
• Фазовая скорость и длина волны пространственных гармо-
ник в периодической ЗС равны
ωL vф 0 L Lλ 0
vф n = = ; λn = ,
ϕ 0 + 2π n L + n λ 0 L + nλ0
где νф0 = ωL/φ0 – фазовая скорость основной (нулевой) про-
странственной гармоники;
ω – круговая частота;
L – расстояние между соседними ячейками (пространствен-
ный период ЗС);
λ0 = ωL/φ0 – длина волны нулевой пространственной гармоники;
– ≤ φ0 ≤ – фазовый сдвиг высокочастотного поля на ячейку
ЗС для нулевой пространственной гармоники;
n = 0, ±1, ±2… – номер пространственной гармоники.
Гармоника с n = 0 называется основной или нулевой. Гармоники
с |n| > 0 называют высшими, причем гармоники с n ≥ 1 являются
прямыми, а с n ≤ –1 — обратными. Основная гармоника может быть
прямой или обратной в зависимости от знака ϕ0.
Дисперсия пространственных гармоник в периодических ЗС
всегда является аномальной. Это следует из уравнений для νфn и
λn, приведенных выше. Отсюда можно сделать общий вывод, что в
условиях синхронизма с обратной волной частота колебаний, гене-
рируемых ЛОВ, при повышении ускоряющего напряжения должна
увеличиваться.
• Фазовое условие положительной обратной связи в ЛБВ
2cl = k λ νф,
где l – геометрическая длина ЗС;
λ – длина волны в свободном пространстве;
k – любое целое число
• Интервал между возможными частотами генерации ЛБВ
∆f = 0,5νф/l.
• Амплитудное условие отсутствия самовозбуждения ЛБВ без
поглотителя
2 2
KР Г 1 Г 2 < 1,
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ЛБВ 403
Pвх
Uн
C1
C2
Uy Pвых
I>
+
C3 + C4
Ua1
Uo
+
Рис. 16.3. Схема питания усилительной ЛБВ
Амплитудная модуляция
Схема осуществления амплитудной модуляции ЛБВ по первому ано-
ду приведена на рис. 16.4.
• Коэффициент (глубина) амплитудной модуляции равен
Pс р
m = (U max − U min ) (U max + U min ) = 2 −1 ,
Pнес
где Рср – среднее значение мощности за период модулирующе-
го сигнала.
УСИЛЕНИЕ И МОДУЛЯЦИЯ ЛБВ 405
Pвх
C1
C2
+ Uy Pвых
C3
+
Ua1 +
UΩ
Uo
Рис. 16.4. Схема осуществления амплитудной модуляции ЛБВ
Импульсная модуляция
При подаче модулирующего напряжения на электрод с малым пот-
реблением тока (управляющий электрод ЛБВ) мощность модулято-
406 ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ ТИПА О
UK Pвх Uk
+
C1
C2 C3
+ Ua1
+ U0
C4 Uyэ
R2
R1 C5
а б
Рис. 16.5. Схемы осуществления импульсной модуляции ЛБВ:
а – по ЗС; б – по управляющему электроду
Угловая модуляция
Схема осуществления угловой модуляции (УМ) ЛБВ показана на
рис. 16.6. Коллектор и ЗС прибора соединены с корпусом. Модули-
рующее напряжение приложено между корпусом и катодом ЛБВ.
• Крутизна фазовой характеристики ЛБВО равна
∆φ/∆U0 = –105N/U0 [В, град],
16.5. Экспериментальные
характеристики ЛОВ
Типичные экспериментальные характеристики ЛОВО (зависимость
генерируемой частоты и выходной мощности от ускоряющего на-
пряжения U0) представлены на рис. 16.7.
f, МГц; P
2800
f
2400
P
2000
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие вопросы
16.1. Каков принцип работы ЛБВ?
16.2. Укажите области использования ЛБВ.
16.3. Каковы особенности ЛБВ по сравнению с МРК?
16.4. Укажите области использования ламп прямой и обратной волны.
16.5. Дайте сравнительную оценку приборов типа О и М.
16.6. Дайте сравнительную оценку ЛОВО и ЛОВМ.
16.7. Укажите параметры и области использования ЛБВО и ЛОВО.
Замедляющие структуры
16.8. Укажите области применения ЗС с сильной и слабой диспер-
сией (рис. 16.2).
16.9. Сравните свойства спиральных и периодических ЗС.
16.10. Почему спиральные ЗС миллиметрового диапазона имеют
малый диаметр?
16.11. Почему в мощных ЛБВ миллиметрового диапазона не ис-
пользуют спиральные ЗС?
16.12. Определите фазовую скорость волны в спиральной ЗС, если
D = 3 мм, S = 0,4 мм.
16.13. Оцените величину ускоряющего напряжения ЛБВ со спи-
ральной ЗС, если шаг спирали равен 1 мм, а диаметр – 4 мм.
16.14. Определите шаг намотки спиральной ЗС миллиметрового
диапазона, если диаметр спирали равен 0,6 мм, а ускоряющее
напряжение равно 7 кВ.
16.15. Определите шаг и диаметр спиральной ЗС, если λ = 8 мм,
U0 = 5 кВ.
16.16. Определите размеры спиральной ЗС, если U0 = 10 кВ, диапа-
зон рабочих частот ЛБВ 30…34 ГГц.
16.17. Определите период L замедляющей структуры ЛБВ, если
λ0 = 12 мм, λ2 = 0,5 мм.
16.18. Определите частоту сигнала, усиливаемого ЛБВО, если угол
φ0 = π/6, L = 2 мм, n =0, U0 = 5 кВ.
16.19. В ЛБВО фазовый сдвиг равен φ0 = π/4, L = 3 мм, f = 1500 МГц.
Определите величину ускоряющего напряжения, при котором
поток электронов будет передавать энергию полю: а) нулевой,
б) первой пространственной гармоники.
16.20. Определите фазовую скорость: а) первой, б) второй, в) третьей про-
странственной гармоники ЛОВ, если Vф0 = 0,1 с, λ0 = 12 мм, L = 1 мм.
410 ГЕНЕРАТОРЫ НА ЛАМПАХ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ ТИПА О
Диапазон
2,375…2,425 36,45…37,15 1,22…1,35 2,8 2…4 2,8…3,2
частот, ГГц
Выходная
150 28000 550000 1100000 1,1 50
мощность, Вт
Скважность 2000 1000 2000
Анодное
2 14,4 28 24 2,2 2,7
напряжение E, кВ
Анодный ток I0 , А 0,15 14 46 53 0,01 0,06
Крутизна SfI, МГц/А 2 0,08
360ɨ 20 ɆȽɰ
E, кВ P вых , кВт 35 ɤȼɬ
В0 = 0,68Т 40 ɤȼɬ 10 ɆȽɰ
14,5 60 25 ɤȼɬ
U0
14,4 50 270ɨ 90ɨ
P вых 0,1 0,2
14,3 40 'f = 0
14,2 I0 , A -20 ɆȽɰ
12 14 16 18 -10 ɆȽɰ
180ɨ
τи = 0,1 мкс; F = 5000 Гц τи = 0,1 мкс; F = 5000 Гц; I0 = 12 А
а б
Рис. 17.2. Характеристики магнетрона МИ-88М:
а – рабочие; б – нагрузочные
(1 − Г )
2
5 υф
lкр = ⋅ ⋅ ,
48π Г F0
U ɨɛɪ Ʉɋȼ 1
где Ƚ – модуль коэффициента отражения от
U ɩɪ Ʉɋȼ 1
нагрузки;
Uпр и Uобр – амплитуды прямой и обратной волны;
КСВ – коэффициент стоячей волны;
υф – фазовая скорость волны в фидере;
F0 – коэффициент затягивания частоты, определяемый как
максимальное изменение генерируемой частоты при измене-
нии фазы коэффициента отражения на 360° и фиксированном
значении | Г | = 0,2 (КСВН = 1,5).
Uн К антенне
α
0,5 dB/20 dB
Pвх
Рис. 17.6. Схема выходного каскада передатчика
360 кВт
о о
90 90
414 кВт
0,4 Г=0,5
0,2
т
45 о 0 кВ 45 о
40
к на 0 нер.
гр. к ге
Рис. 17.7. Нагрузочные характеристики амплитрона
Qɧ Q0Qɧ
Qɜɧ – внешняя добротность колебательной систе-
Kk Q0 Qɧ мы прибора;
Qн – добротность нагруженной колебательной системы;
Q0 – добротность ненагруженной колебательной системы;
Kр = Рс /Рвых – коэффициент усиления по мощности регенератив-
ного усилителя в режиме синхронизации;
Рс – мощность синхронизирующего колебания;
Рвых – выходная мощность прибора до введения синхронизирую-
щего колебания.
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Общие задачи и вопросы
17.1. Каков общий признак приборов магнетронного типа?
17.2. Какие приборы относят к классу генераторов магнетронного
типа?
17.3. Укажите области использования: а) магнетронов; б) митронов;
в) ЛБВМ и ЛОВМ.
17.4. Каковы свойства магнетронов?
17.5. Сравните энергетические показатели магнетронов дециметро-
вого и миллиметрового диапазонов.
17.6. Каковы свойства: а) широкополосных; б) узкополосных мит-
ронов?
17.7. Сравните: а) конструкции; б) возможные режимы работы пла-
тинотронов и магнетронов.
17.8. Каковы свойства амплитронов?
17.9. Каково назначение и области использования амплитронов?
17.10. Сравните энергетические показатели магнетронов (табл. 17.1)
и клистронов (табл. 15.1).
17.11. Каковы преимущества митронов по сравнению с: а) ЛОВ ти-
па О; б) клистронными и триодными генераторами?
17.12. Объясните, почему после приведения магнетрона в рабочий
режим в некоторых типах магнетронов необходимо уменьшать
или даже полностью выключать напряжение накала.
17.13. Магнетроны с неисправными подогревателями могут быть ис-
пользованы для работы, если подать на них номинальное анод-
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ 427
Ɉɝɢɛɚɸɳɚɹ
ɤɪɢɜɨɣ ɭɫɢɥɟɧɢɹ
ɂɧɬɟɧɫɢɜɧɨɫɬɶ
' fp
' fT
π
– при ϕ 0 = и гармоническом модулирующем сигнале
2
I 1 f § U ·
u = UsinΩt ¦ J k 1 ¨ S
¨ U ¸¸ sin 2k 1 :t ,
I0 2 k 0
© 0,5λ¹
где I0 – интенсивность излучения на входе модулятора;
ϕ0 – сдвиг фаз между обыкновенным и необыкновенным лу-
чом, вносимый фазовращателем;
Jk+1 – функция Бесселя первого рода;
k = 0,1,2…
Таким образом, на выходе модулятора получается постоянная со-
ставляющая с интенсивностью, равной половине интенсивности на
входе модулятора, гармоническая составляющая основной частоты
и высшие гармоники модулирующей частоты.
• Глубина модуляции интенсивности равна
I max − I min 2 I max
m= = −1 ,
I max + I min I0
где Imax и Imin – максимальное и минимальное значения интен-
сивности излучения на выходе амплитудного модулятора.
• Смещение частоты лазера равно
– при изменении геометрической длины резонатора (рис. 18.1)
Δf = fΔl/l;
– при изменении оптической длины резонатора (рис. 18.6)
lk Δn0 .
Δf = f
l − lk + n0 lk
• Уровень нелинейных искажений по максимальной (третьей)
гармонике электрооптических модуляторов интенсивности с
ячейками Поккельса равен
k3 = J3( U/U0,5λ)/J1( U/U0,5λ).
Зависимость уровня нелинейных искажений k3 от глубины моду-
ляции показана на рис. 18.5.
• Девиация частоты при использовании электрооптического
эффекта Поккельса (Δn0 = Вn30E/4) равна
cϕ Blk cn03 E
Δf = = ,
8π (l − lk + n0 lk ) 4λ (l − lk + n0 lk )
МОДУЛЯЦИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 441
k 3 ,%
8
m ,%
20 40 60 80 100
ЗАДАЧИ И ВОПРОСЫ
Параметры лазеров
18.1. Сравните свойства спонтанного и индуцированного излучений.
18.2. Чем отличается излучение лазера от естественного света?
18.3. Как следует выбирать уровень мощности накачки, чтобы обес-
печить генерацию лазера на одной продольной моде?
18.4. Как следует выбирать длину резонатора, чтобы обеспечить ге-
нерацию лазера на одной продольной моде?
18.5. Определите длину волны излучения гелий-неонового лазе-
ра при использовании разности энергий перехода атома из
одного энергетического состояния в другое: а) 3,14⋅10-19 Дж;
б) 1,73⋅10- 19 Дж; в) 5,87⋅10-20 Дж.
18.6. В гелий-неоновой смеси ненасыщенные коэффициенты уси-
ления на единицу длины резонатора для волн излучения:
а) 3390 нм; б) 1150 нм; в) 633 нм составляют соответственно
20 дБ/м; 0,5 дБ/м; 0,2 дБ/м. На каких длинах волн можно по-
лучить генерацию, если длина активного вещества равна 0,5 м,
а модули коэффициентов отражения зеркал равны 0,98 и 0,7?
18.7. Определите минимальное значение модуля коэффициента от-
ражения Г2 задачи 18.6, при котором возможна генерация на
волне 633 нм.
18.8. Определите минимальную длину активного вещества зада-
чи 18.6, при которой возможна генерация на волне 633 нм.
18.9. Определите КПД гелий-неонового лазера, если питающее на-
пряжение равно 1,5 кВ, ток 30 мА, а мощность излучения рав-
на 25 мВт.
18.10. Определите КПД ионного аргонового лазера при использова-
нии для накачки сильноточного дугового разряда. Питающее
напряжение равно 250 В, ток разряда – 4 А, а мощность излу-
чения равна 1 Вт.
444 КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ
1.73. См. решение задачи 1.71. а) 12,6 нс; б) 4,2 нс; в) 1,8 нс.
1.74. В настоящее время IGBT являются наиболее совершенными
серийно выпускаемыми ключевыми приборами комбинирован-
ного типа. Диапазоны токов и напряжений IGBT-транзисторов
быстро расширяются, они практически полностью вытеснили
все остальные типы ключей в диапазоне мощностей от единиц
до тысяч кВт. Недостатками IGBT-транзисторов являются зна-
чительное падение напряжения в открытом состоянии, пони-
женная стойкость к токам короткого замыкания и относительно
невысокое по сравнению с МДП-аналогами быстродействие.
1.75. Схемотехнически структуру ячейки можно представить ком-
бинацией двух главных составляющих: управляющего МДП-
транзистора и выходного биполярного p-n-p транзистора.
1.76. Выходные характеристики IGBT-транзисторов выходят не из
начала координат.
1.77. а) 4 В; б) 2,8 В; в) 2 В.
1.78. а) 3,2 В, 55 А; б) 4 В, 80 А; в) 5 В, 110 А.
1.79. 9 В.
1.80. а) 1,17; 0,31; 0,21 и 0,16 Ом; б) 2,33; 0,62; 0,31 и 0,24 Ом.
1.81. а), б) 7,7·10-3 1/град; в) 5,1·10-3 1/град.
1.82. а) транзистор №6 способен коммутировать максимальную
мощность Pmax = Eкэ max Iкэ max = 85 кВт; б) наименьшую энергию
Еoff имеет транзистор №2; в) наибольшую энергию Еoff имеет
транзистор №6.
1.83. Лампы и ПТ могут считаться безынерционными в большей
части их рабочего диапазона частот. БТ являются безынерци-
онными приборами лишь в 20% области их рабочих частот.
1.84. В устройствах большой мощности, при наличии проникающей
радиации, при большой разнице максимальной и минимальной
температур и т. д.
1.85. Преимущества транзисторов перед лампами в мощных устройс-
твах не так бесспорны, как в маломощных. Достоинствами тран-
зисторов являются устойчивость к механическим воздействиям;
мгновенная готовность к работе; большой срок службы (при ус-
ловии защиты от превышения допустимых напряжений и токов);
низкие питающие напряжения и др. Недостатками транзисторов
являются малая мощность; высокая чувствительность к пере-
грузкам и радиации; высокая стоимость мощных транзисторов;
склонность к паразитной генерации, большой разброс параметров
и др. По этим причинам полная транзисторизация экономически
оправдана при уровнях мощности не выше 1…10 кВт.
1.86. ПТ, как и электронные лампы, являются безынерционными
приборами, т. е. их параметры в рабочем диапазоне частот
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 457
n2 1 | Q2 n2 1
2 2
Ɏ Q 2 n 2 1 n2 .
n
3.127. Коэффициент фильтрации ЦС №3 в n2 меньше, чем в ЦС
№1, но в n2 больше, чем в ЦС №2. В ЦС №3 конденсатор С,
шунтирующий нагрузку, имеет малое сопротивление для то-
ков высших гармоник. В ЦС №1 конденсатор С имеет малое
сопротивление для токов высших гармоник, а индуктивность
L препятствует протеканию токов высших гармоник через наг-
рузку.
3.128. См. решение задачи 3.122. Величину сопротивления ReZ1
определим из условия равенства мощностей 0,5U2/Re(Z1)=
=0,5Uн2/R2. Подставим в это равенство значение напряжения
Uн=UC2/(C1+C2) и получим Re(Z1)=R2(C1+C2)2/C22. При опре-
делении сопротивления Zn для упрощения вычислений можно
пренебречь большим сопротивлением индуктивности L токам
высших гармоник.
Тогда Z n = ρ1 ρ 2 + j n R2 ( ρ1 + ρ 2 ) , где ρ1 = 1/ω0С1; ρ2 = 1/ω0С2.
− n 2 R2 + j n ρ1
Re(Zn)=ρ12/(n2R2); Фn = n 2 R22 (C1 + C2 ) ω12C12 C22 .
2
4n 2 ρ 4 R2
Re(Z n ) = 2
; Re(Z1) =4R2;
4 ρ 2 R2 (n 2 − 1) 2 + ρ 4 n 2 (n 2 − 2) 2
Фn = 4R22(n2 – 1)2/(ρ2n2) + (n2 – 2)2. Учитывая, что Q = R/(2 ρ)=
=2R2/ρ, получим Фn= Q2(n2 – 1)2/n2 + (n2 – 2)2 ≈ Q2(n2 – 1)2/n2.
3.130. Скорее всего, из-за пренебрежения влиянием индуктивности
L при расчете ЦС №4.
3.131. См. решение задачи 3.122.
R2 ρ1 ρ 2 − n 2 ρ1 ρ R2 + j nρ1 ρ 2 ρ
Zn = , где ρ1 = 1/ω0С1;
ρ1 ρ 2 − n 2 ρ 2 ρ + j (n ρ1 R2 − n 3 ρ R2 + n ρ 2 R2 )
ρ2 = 1/ω0С2 и ρ = ω0L.
Величину сопротивления Re(Z1) = R1 = R2ρ12/ρ22 можно оп-
ределить либо путем преобразования значения Zn при n=1 с
учетом равенства ρ1 + ρ2 = ρ, либо из условия равенства мощ-
ностей 0,5U12R1 = 0,5U22R2, где U1/U2=ρ1/ρ2. С учетом равенства
ρ1 + ρ2 = ρ и неравенств R1>(3…5)ρ1, R2>(3…5)ρ2 получим
2 2
R2 ρ1 ρ 2
Re(Z n ) = 2 2
;
n ρ R2 − 2n 4 ρ 2 R2
6 2
4 2 2
Фn = n R2 ρ (n 2
−2 )ρ 4
2
2 4
=Q n (n 2
)
−2 .
3.132. а) n (n – 2)/(n – 1) = 3,55; б) 8,86; в) 15,93. ЦС №6 имеет
4 2 2 2
⎛ π ⎞ ⎛ π ⎞
ξ rpmaxi := ξrp ⎜θmaxi⋅ , i⎟ ; ηmax i := η⎜θmax i ⋅ , i⎟;
⎝ 180 ⎠ ⎝ 180 ⎠
а) ⎛⎜51.053⎞⎟ ⎛⎜0.807⎞⎟ ⎛⎜0.625⎞⎟
48.572 0.829 0.659
θ max = ⎜ ⎟ ξ rpmax = ⎜ ⎟ η max = ⎜ ⎟
б)
град; ; .
в) ⎜45.227⎟ ⎜0.855⎟ ⎜0.702⎟
⎜42.936⎟ ⎜0.872⎟ ⎜0.73 ⎟
г) ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
484 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
0.66
0.84
[rp(T 0) K(T 0)
[rp(T 2) K(T 2)
0.62 0.48
[rp(T 3) K(T 3)
0.51 0.39
0.4 0.3
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14
T ,ɪɚɞ T ,ɪɚɞ
0.78 0.6
[rp(T 0) K(T 0)
0.66 0.5
[rp(T 1) K(T 1)
0.42 0.3
0.3 0.2
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14
T ,ɪɚɞ T ,ɪɚɞ
ɤɨɷɮɮɢɰɢɟɧɬ ɢɫɩɨɥɶɡɨɜɚɧɢɹ
ɧɚɩɪɹɠɟɧɢɹ [ ɄɉȾ K T
0.78
0.58
[rp ( T 0)
0.66 K ( T 0)
[rp ( T 1) 0.46
K ( T 1)
[rp ( T 2) 0.54
K ( T 2) 0.34
0.42
0.22
0.3
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.1
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14
T , ɪɚɞ T ,ɪɚɞ
0.94 0.52
0.88 0.39
[rp ( T ) K(T)
0.82 0.26
0.76 0.13
0.7 0
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.65 1.15 1.65 2.14 2.64
T , ɪɚɞ T , ɪɚɞ
486 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
⎛
θ − ⎜ sin (θ )⋅ cos (θ ) −
π ⎞
η (θ , N) :=
⎝ N⋅ R0⋅ Srp ⎠
⎤ ;
2⋅ (sin (θ ) − θ ⋅ cos (θ ))⋅ ⎡⎣ 1 + N⋅ (1 − cos (θ ))⎤
η0(θ ) := η θ , N ( 0 ); η1(θ ) := η θ , N ( 1 );
Зададим начальное приближение θ1 := 1,2 рад,
180 180
θ max 0 := ⋅ Maximize ( η 0 , θ 1) ; θ max 1 := ⋅ Maximize (η 1 , θ 1) ;
π π
0.94 0.6
[rp T N1 K T N 1
0.82 0.3
0.76 0.15
0.7 0
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.5 1.03 1.56 2.08 2.61 3.14
T , ɪɚɞ T , ɪɚɞ
⎡ S⋅ (K0 − D) ⎡
⎢ ⎢
N := ⎢
Srp ⎥ ; N = ⎛⎜ 0.1 ⎞ ;
⎢ S⋅ (K1 − D) ⎥ ⎝ 0.2 ⎠
⎢ ⎥
⎣ Srp ⎦
а) ⎛86.571⎞ град; ⎛0.914⎞ ; ⎛0.572⎞ .
θmax = ⎜ ⎟ ξrpmax = ⎜ ⎟ ηmax = ⎜ ⎟
б) ⎝70.339⎠ ⎝0.883⎠ ⎝0.629⎠
Для наглядности построим графики:
ɤɨɷɮɮɢɰɢɟɧɬ ɢɫɩɨɥɶɡɨɜɚɧɢɹ ɄɉȾ K T
ɧɚɩɪɹɠɟɧɢɹ [ 0.65
1
0.94 0.52
[rp T N 1 K T N 1
0.82 0.26
0.76 0.13
0.7 0
0 0.63 1.26 1.88 2.51 3.14 0.65 1.15 1.65 2.14 2.64
T , ɪɚɞ T , ɪɚɞ
C 2 ∫0 L 2 ∫0
ΔU = I кo d t = 〈 〈 E к к кo
C2 L2
5.16. Вследствие действия ЭДС самоиндукции дросселя, равной –
L2diL /dt.
5.17. И в напряжении на коллекторе, и в коллекторном токе од-
новременно присутствуют составляющие с частотами высших
гармоник – их произведение и определяет мощность высших
гармоник, которая поступает в нагрузку или балластный ре-
зистор.
5.18. Можно использовать систему дополняющих фильтров, обес-
печивающих во всей полосе частот резистивное входное со-
противление. Нагрузка подключается к выходу ФНЧ, а выход
ФВЧ нагружается балластным резистором, в котором рассеи-
вается мощность высших гармоник.
5.19. а) наименьшее сопротивление насыщения имеет транзис-
тор №6; при t=25°C оно равно 3,3/50 = 0,07 Ом; б) наиболь-
шее значение ηп имеет транзистор с наименьшим отношением
uост/Uкэ – №7, обеспечивающий ηп = 0,998; в) при высоком
КПД преобразования мощность в нагрузке близка к подво-
димой мощности P0max = Eкэ maxIк max. Наибольшую мощность P0
имеет транзистор № 6, обеспечивающий мощность в нагрузке
Pн = P0ηп = 84,8 кВт.
5.20. а) мощность P1 максимальна при θ = /2 и равна 4Iкm(Eк – uост)/ 2;
б) максимальный КПД по первой гармонике получается при
максимуме функции sin2θ/θ. При θ = 67° функция максимальна
и равна 0,724, а η1max = 0,922ηп.
1
θ
1
θ
θI к m uост
5.21. а) Рк = ∫
2π − θ
i u
к к d ( ω t ) = ∫
2π − θ
I к m uост d (ωt ) =
π
;
в) η П = PH P0 = ( Р0 − Рк ) Р0 ;
г) Rн = U н или R = U н = (Ек − uост ) .
2 2
н
Iн Рн Р0 − Рк
5.22. VТ1 – ключ; Т1 – согласующий трансформатор; элементы R1,
C1, R5, C7, VD1, обмотка III трансформатора и микросхема
DA1 обеспечивают стабилизацию амплитуды выходного напря-
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 491
π /2
1 I k m uост
Pk′′ =
2π ∫ I k m cos(ωt )uост cos(ωt )d (ωt ) =
−π / 2
4
;
в) η п = ( Р0 − Р ′′) Р0 = η 1 = Р1 Р0 .
5.36. Остаточные напряжения транзисторов №1…5 соответственно
равны: 1,0; 5,5; 6,8; 1,6 и 0,45 В. Напряжение питания КУМ
равно Е с = U с max / π + u ост . При uост < U с max / π можно при-
нять Ес = U с max / π = Eс и max / π . а) для транзистора КП775А
Ес и max = 60 В, а η п = 1 − u ост Ес = 0,976; б) для транзистора КП753А
U ост = 6,8 В, а ηп = 0,957; в) для транзистора КП771А произведе-
ние I с max Ес и max = 4 кВА максимально, а ηп = 0,95; г) у транзис-
тора КП753А время коммутации tвкл + tвыкл = 87 нс мини-
мально, а ηп = 0,957.
5.37. а) I к 0 = I k m α 0 п (θ) = I k m / 2, I к1 = I k m α1п (θ) = 2 I k m / π,
U k1 = U k α1 (θ) = U k / 2, Ек = uост + U k α 0 (θ) = uост + U к / π ,
Rн = 2U k1 / I k1 = 0,5πU к / I k m ; б) Р0 = Ek I k 0 , P1 = 0,5 I k1U k1 ,
π/ 2
1 I k m uост
2π − π∫/ 2
′ ′′
Pk = Pk = I k m u ост d ( ωt ) = ;
2
в) ηп = 1 − Рк′ Р0 = 1 − uост / Ek , η1 = Р1 Р0 = ηп .
5.38. В схеме рис. 5.3 за счет поочередного отпирания транзисторов
напряжение на их коллекторах приобретает форму, близкую к
прямоугольной. В схеме рис. 5.4 ток дросселя L практически не
изменяется за период высокочастотных колебаний, благодаря
чему токи ik транзисторов приобретают форму прямоугольных
импульсов.
5.39. а) для прямоугольных импульсов напряжения на нагруз-
ке с углом отсечки θ = /2 сопротивление нагрузки равно
Rн = U k2 / Pн = U к2 /( Р0 ηп ) ; б) Rн = U k21 / (4 P1 ) или Rн = U к1 / (2 I k1 ) ;
в) Rн = 4 P1 / I к21 = 2U k1 / I k1.
5.40. Нужно учесть, что на рис. 5.3, а напряжение питания обоз-
начено как 2Ek = Eп. В расчетных формулах для этой схемы
нужно подставлять значение Ek = 0,5Eп. Обозначим отношение
мощностей КУМ по схемам рис. 5.3, а и рис. 5.4, а буквой М,
а отношение их КПД – буквой К.
а) M = Eп I k m ⎡1 − πuост ⎤ ⋅ 2 ⎡ uост ⎤ 1
1− ≈ ,
2π ⎣ ⎢ 2 Eп ⎦ Еп I k m ⎢⎣
⎥ Еп ⎥⎦ π
494 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
2 Е п − πu ост Еп
К= ⋅ < 1.
2Е п Е п − u ост
Как видим, для варианта а) схема с параллельным колебатель-
ным контуром в цепи нагрузки обеспечивает примерно втрое
большую мощность и более высокий КПД;
U I ⎡ ⎤
б) M = k m k m ⎢1 − πuост ⎥ ⋅ 2π
⎡ πuост ⎤
⎢1 − ⎥ ≈ 1;
2π ⎢⎣ 2U k m ⎥⎦ U k m I k m ⎢⎣ U k m ⎥⎦
2U k m − πuост U km
К= ⋅ > 1.
2U k m U k m − πuост
Как видим, при одинаковом использовании транзисторов по
току и напряжению обе схемы отдают в нагрузку примерно
одинаковые мощности, но КПД у КУМ по схеме рис. 5.3, а
больше. В силу этого обстоятельства на практике более распро-
странена схема с последовательным колебательным контуром.
5.41. Выбором параметров выходной цепи обеспечивают переход-
ную характеристику УМ, предотвращающую одновременное
наличие значительного напряжения и тока АЭ и обеспечива-
ющую медленное возрастание напряжения на АЭ в процессе
переключения. В результате снижается мощность коммутатив-
ных потерь АЭ.
5.42. От десятков до нескольких сотен мегагерц, когда время пере-
ключения АЭ составляет существенную часть периода усили-
ваемого сигнала. В этом режиме за счёт обеспечения выходной
цепью УМ оптимальных форм напряжения и выходного тока
АЭ удаётся снизить мощность, рассеваемую на коллекторе
(стоке) в момент переключения и тем самым улучшить энер-
гетические показатели.
5.43. УМ с формирующим контуром имеют существенно меньшие
потери при работе на высоких частотах, их максимальная рабо-
чая частота гораздо выше, однако максимальное напряжение на
выходном электроде в 3…4 раза превышает напряжение пита-
ния, в связи с чем приходится выбирать пониженные значения
напряжения питания, что снижает их выходную мощность и
КПД.
6.1. Для повышения выходной мощности передатчика; улучше-
ния фильтрации гармоник; расширения полосы пропускания
усилителя; реализации ИМ или широкополосных видов АМ;
облегчения теплового режима АЭ; построения фазированных
антенных решеток.
6.2. Параллельное или двухтактное включение АЭ; параллельное
или последовательное подключение к общей нагрузке иден-
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 495
2π
а) Рн = ( I1 + k I1 ) R cos 2 ωt d (ωt ) ;
2
∫2π
( I1 −πk I1 ) 2 R0
∫0 cos ωt d (ωt ) ; в) η M = 0,5(1 + k ) / (1 + k ) .
2 2
б) Рбал = 2
π
6.46. См. ход решения предыдущей задачи.
2π
а) Рн = R [ I1 cos ωt + I 2 cos(ωt + ϕ )] 2 d (ωt );
π 0 ∫
2π
б) Рбал = R ∫ (i1 − i 2 ) 2 d (ωt ) ; в) η M = Рн / ( Рн + Рбал ) .
π 0
6.47. Расчетные значения ηМ, необходимые для построения графи-
ков, приведены в таблицах.
k 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
а φ=0° ηМ 0,50 0,60 0,71 0,77 0,84 0,90
б φ=40° ηМ 0,50 0,58 0,65 0,71 0,76 0,80
φ° 0 20 40 60 80 90
в k =1,0 ηМ 1,00 0,97 0,88 0,75 0,59 0,5
г k =0,8 ηМ 0,99 0,96 0,87 0,74 0,58 0,5
0
увеличением τ снижается величина ln(1/|Г|) и, следовательно,
возрастает коэффициент отражения, а коэффициент передачи
506 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
уменьшается.
7.23. Re( z ) = R / [1 + (ωRC ) ]. На нулевой частоте значение Re(z) для
2
∞
сопротивления R1 больше, однако площади ∫ Re( z )dω обеих
0
характеристик одинаковы.
7.24. Площади частотных характеристик Re(z) и полосы частот
для вариантов а) и б) одинаковы. Вид характеристик см.на
рис. 7.4, а, б.
7.25. При N=∞ справедливо равенство l n (1 / Г ) [ ] = π / (Ω τ ) =
[ ]
= 0,5π 2 / (Ω τ ) , где множитель 0,5· – угловой коэффици-
max
ент.
7.26. ln(1/|Г|) = 2. Из рис. 7.8 при N=3 определяем величину
2/(Ωτ)=1,6. а) 22 МГц; б) 204 МГц.
7.27. Г = 1 − b = 0,45; ln(1/|Г|) = 0,8; а) 2/(Ωτ)=2. Из рис. 7.8 нахо-
дим, что N=0, т. е. можно обойтись без согласующих элементов;
б) 1; в) 2; г) ∞.
7.28. См. решение предыдущей задачи; а) согласование невозможно;
б) ∞; в) 3; г) 1.
7.29. ln(1/|Г|) = 1,6. Из рис. 7.8 определяем величину 2/(Ωτ): а) 472;
б) 606; в) 653; г) 772; д) 849 МГц.
7.30. Из ответов предыдущей задачи видно, что достаточно хорошее
приближение к идеальному случаю (N=∞) получается уже при
N=2…3.
7.31. Г = 1 − b = 0,2; ln(1/|Г|) = 1,6. Из рис. 7.8 определяем величи-
ну A=2/(Ωτ)=1,3. C=2/(AΩR)=30,6 пФ.
7.32. В низкочастотной цепи согласования (рис. 7.5, а) нужно парал-
лельно каждой емкости включить индуктивность, а последова-
тельно с каждой индуктивностью – емкость.
7.33. При одинаковых коэффициентах отражения полоса частот
транзисторного генератора в Ra Ca / ( RcCc ) =59 раз больше за
счет гораздо меньшего номинального сопротивления нагруз-
ки.
7.34. Согласно принципу постоянства ширины полосы, полосы час-
тот не изменятся.
7.35. Г = ( ρ − 1) / ( ρ + 1) = 0,111; ln(1/|Г|) = 2,2. Из рис. 7.8 определяем
величину 2/(Ωτ)=2; а) 295 МГц; б) 5 МГц.
7.36. Г = 1 − b = 0,447, ln(1/|Г|) = 0,8. Из рис. 7.8 при N=3 опреде-
ляем величину 2/(Ωτ)=0,6, откуда находим L=88 нГн.
7.37. Г = ( ρ − 1) / ( ρ + 1) = 0,33 ; ln(1/|Г|) = 1,1. Из рис. 7.8 определяем
величину 2/(Ωτ)=0,77, откуда Ω=17,4·106 рад/с.
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 507
[ ]−1
лении RВх равна: Р = 0,5 I 2 RВ х = 0,5 E 2 RВ х ( RГ + RВ х ) 2 + Х В2 х .
Отсюда видно, что первым условием получения максимума
мощности является равенство XВх=0. При выполнении этого
условия мощность равна: Рmax = 0,5 E 2 RВ х ( RГ + RВ х ) −2 . Диффе-
ренцируя Pmax по RВх и приравнивая производную нулю, нахо-
дим второе условие, при выполнении которого мощность Pmax
достигает наибольшего возможного (максимум-максиморум)
значения RВх = Rг.
7.54. Полное сопротивление параллельной RC-цепи равно
Z = R /( 1 + j ωRC ). Активная составляющая этого сопротивле-
ния (вещественная составляющая комплексного сопротивле-
R
ния) равна Re( Z ) = , а интеграл равен
1 + (ω R C ) 2
∞ ∞
1 d (ω R C ) 1 π
= [arct gω RC ]0 =
∞
∫0 Re( Z ) d ω = ∫
C 0 1 + (ω R C ) C
2
2C
.
∫ Re(Z
0
вх )d ω = Ω Rв х = π / (2C ) . Используя последнее равенс-
тво, определим величину активной составляющей входно-
го сопротивления Rв х = π / (2Ω С ) и мощности в нагрузке
Рн max = 0,5 I12 Rв х = π I12 / (4Ω C ) . Если полоса частот достаточно
велика, мощность Pн может оказаться существенно ниже типо-
вой мощности АЭ, которую он мог бы обеспечить в узкополос-
ном режиме. Для большинства электронных ламп эта зависи-
мость начинает сказываться уже на частотах выше 10…20 МГц.
Для транзисторов эта граница на порядок выше в силу того,
что они являются приборами низковольтными.
7.112. В недонапряженном режиме работы АЭ (лампы или транзис-
тора). В этом режиме выходной ток АЭ не зависит от сопро-
тивления нагрузки.
7.113. а) трансформатор на линиях ТЛ обеспечивает симметричное
противофазное возбуждение ПТ, включенных по схеме с общим
истоком; корректирующе-согласующие цепи (КСЦ) корректи-
руют частотные зависимости входного, выходного и переда-
точного импедансов транзистора и обеспечивают согласование
импедансов; элементы L1, L2, C1 – блокировочные; б) элементы
C2, L3 и L4 – блокировочные; конденсаторы С3 и С4 – раздели-
тельные, они предотвращают короткое замыкание цепей по пос-
тоянному току; линия ZВ1 обеспечивает шунтирование четных
гармоник выходных токов транзисторов и симметрирование
плеч схемы по первой гармонике; линия ZВ2 служит для под-
ключения несимметричной нагрузки к стокам транзисторов.
7.114. Возможная схема усилителя показана на рис. 7.13; см. ответ
к предыдущей задаче.
7.115. а) при уменьшении ZВ1 уменьшается величина индуктивнос-
ти Lэ = Z В1l εμ / с и, следовательно, улучшается фильтрация
четных гармоник выходного тока, но при этом одновременно
возрастает ёмкость Сэ = l ε μ / (с Z В1 ) , шунтирующая нагрузку;
б) и в) при уменьшении l, μ и ε уменьшается величина и LЭ
и CЭ. Минимальная длина l определяется из конструктивных
соображений (из условий обеспечения хорошего теплоотвода
транзисторы не могут быть расположены очень близко).
7.116. Как в обычных двухтактных усилителях, но с учетом рабочей
516 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
Maximize(α , θ )⋅180
60
π
При n:=2
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 519
Аналогично находим α3, α4, α5, α6, α7. После этого находим
искомые отношения мощностей:
α2 α2 α2 α2 α2
1.494; 1.989; 2.485; 2.981; 3.477 .
α3 α4 α5 α6 α7
8.30. а) при заданных условиях величина колебательной мощности
Pn=0,5IknUk=0,5Ik maxαn(θ)ξгрЕk пропорциональна величине коэф-
фициента αn(θ). Отношение мощностей равно Pn(θopt)/P2(90°)=
=αn(θopt)/α1(90°). Коэффициенты αn(θopt) были определены в за-
даче 8.29. Используем программу MathCad.
90 S T1 sin ( T1) cos ( T1)
T1 , D1 D1 0.5 ,
180 S ( 1 cos ( T1) )
α2 α3 α4 α5 α6 α7
= 0.551 ; = 0.369 ; = 0.277 ; = 0.222 ; = 0.185 ; = 0.159 .
α1 α1 α1 α1 α1 α1
Эти величины близки к их приближённым значениям Pn/P1=1/n,
полученным в работе [39], − 0,50; 0,33; 0,25; 0,20; 0,17; 0,14;
б) ηen/ηe1=α0(90°)αe(θopt)/α1(90°)α0(θopt)=0,8. Таким образом, КПД
данного умножителя не зависит от кратности умножения.
в) Pвхn=0,5Uбэ1Iб1. С учётом соотношений Uбэ = Ikm /[S (1–cosθ)]
и Iб 1= Uбэ Sб γ(θ) получим
2
Pв х1 ⎛ 1 − cos θ opt ⎞ ⎛ 0 ⎞
0.5(1 − cos θ opt )
2
40 π
=⎜ ⎟⎟ ⎜ γ1 (9 0 ) ⎟ = ; θ= ;
⎜ 1 − cos 90 0 ⎜ γ (θ ) ⎟ 180
Pвхn ⎝ ⎠ ⎝ 1 opt ⎠ γ1 ( θ opt )
2
θ − sin(θ ) cos (θ ) 0.5(1 − cos(θ)
γ 1 (θ ) = ; S= ; S = 0,418,
π γ ( θ)
1
где S = Pвх1/Рвх2. Аналогично находим отношения мощностей
для остальных углов отсечки (см. задачу 8.28). Ответ: 0,639;
0,418; 0,311; 0,248; 0,206; 0,175. Эти величины близки к их при-
ближённым значениям Pвх1/Pвхn = 1,23/n, полученным в работе
[39], − 0,615; 0,410; 0,308; 0,25; 0,205; 0,176.
г) Rn=ξEk/(Ikmαn(θ)). Отношение сопротивлений равно
Rn/R1 =α1(90°)/αn(θopt). Коэффициенты αn(θopt) были определе-
ны в задаче 8.29. Из последнего равенства находим отношение
сопротивлений 1,814; 2,709; 3,608; 4,507; 5,406; 6,306. Эти вели-
чины близки к их приближённым значениям Rn/R1=n, получен-
ным в работе [39], − 2; 3; 4; 5; 6; 7.
520 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
0,2
U 0 = 0,3В 0,2 U 0 = 0,4В
0,1 0,1
9.218. Г = 0,26; lк р = 5(1 − 0,26) 2 ⋅ 0,9 ⋅ 3 ⋅108 (48π ⋅ 0,26 ⋅ 6 ⋅107 ) = 0,3 м.
9.219. Можно уменьшить величину КСВ и длину линии между АГ
и нагрузкой, включить вблизи нагрузки вентиль или поглоти-
тель, а также использовать буферный каскад или АГ с малой
полосой затягивания.
9.220. В любой радиосистеме, независимо от ее назначения, диа-па-
зона рабочих частот и режима работы, повышение стабильности
частоты передатчика позволяет уменьшить необходимую ширину
полосы приемника и тем самым увеличить дальность действий
и повысить помехоустойчивость системы. Кроме того, высокая
стабильность частоты является необходимым условием качест-
венной передачи информации, точного определения параметров
движения цели, а также облегчает решение проблемы ЭМС, что
очень важно при современной загруженности эфира.
9.221. Изменение температуры АГ, механические воздействия, изме-
нение параметров нагрузки АГ и напряжений источников пи-
тания, изменения влажности и давления окружающей среды,
внешние электромагнитные поля, шумы АЭ и КС.
9.222. Наиболее широко применяются: параметрическая стабилиза-
ция частоты; синхронизация внешними колебаниями; исполь-
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 541
⎛ F1 ⎞ ⎛ 0.001 ⎞
⎜ F2 ⎟ ⎜ 0.01 ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
Присвоенные значения: a := ⎜ F3 ⎟ t := ⎜ 0.1 ⎟
⎜ F4 ⎟ ⎜ 1 ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ F5 ⎠ ⎝ 10 ⎠
4
1 .10
5
1 .10
6
a 1 .10
7
1 .10
8
1 .10
0.01 0.1 1 10
t
4
1 .10
5
a 1 .10
6
1 .10
7
1 .10 3
1 .10 0.01 0.1 1 10
t
9.239. См. решение задачи 9.237.
5
1 .10
6
1 .10
a
7
1 .10
8
1 .10
0.1 1 10
t
9.240. а) при самовозбуждении колебаний, пока амплитуда коле-
баний мала, усиление АЭ является практически линейным и
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 545
2
равенство I1=I0/g1, получим P1 Pд р = 1018 I 0 g1 / 2Δf 0.7 .
9.324. Чем больше величина тока, тем слабее проявляется его дис-
кретная природа.
9.325. См. решение задачи 9.323. а) 3,3·108; б) 3,3·109; в) 3,3·1010.
552 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
в) 56 км.
9.353. См. решение задачи 9.352. а) Δt = 372 мкс, R = 56 км;
б) Δt=3,72 мкс, R = 558 м; в) 5,58 м.
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 553
узкополосной фильтрации.
9.398. Используя решение задачи 9.392, получим: а) q = 2m = 10;
б) 20; в) 40.
9.399. а) kд=20, ∆=10 кГц; б) 50, 10 кГц; в) 150, 10 кГц. Перестройкой
фильтра.
9.400. fвых=360 кГц; ∆=30 кГц; ∆fг=0,35 кГц; 2∆f=0,7 кГц.
9.401. Чтобы на выходе СМ2 были колебания преимущественно
только одной из частот сетки, номер m которой определяется
настройкой перестраиваемого генератора Г.
9.402. а) fэ=0,2 МГц, fг=0,9 МГц; б) 0,2 МГц; 1,1 МГц; в) 0,2 МГц; 1,3 МГц.
9.403. 120 МГц.
9.404. Полосовые фильтры определяют степень подавления не-
желательных компонентов на выходе синтезатора. Они долж-
ны иметь очень узкую полосу пропускания. Их можно выпол-
нить из L- и C-элементов. Хорошую фильтрацию обеспечивают
электромеханические фильтры, а еще лучшую – кварцевые.
9.405. fвых=mfэ=fг–5 МГц. fвых min=25 МГц; fвых max=55 МГц; kд=55/25=
=2,2; ∆=fэ=1 МГц.
9.406. q=33, k=f0/fэ=40, откуда 33<m<47. Фактические зна-
чения m=fвых/fэ изменяются в большей степени и равны
25<m<55.
9.407. Это – одна из простейших схем СЧ. Максимальное значение
выходной частоты ограничено быстродействием используемого
ДПКД и сравнительно мало.
9.408. Нужно увеличить частоту fэ и использовать быстродейст-
вующий ДПКД.
9.409. Каждый импульс, поступающий на выход Т-триггера, изме-
няет состояние триггера на противоположное. Благодаря этому
на выходе триггера получаются прямоугольные импульсы со
скважностью 2, из которых легче выделить первую гармонику.
9.410. Нужно увеличить частоту fэ и, соответственно, повысить ко-
эффициент деления ДПКД.
9.411. а) низкий уровень побочных спектральных составляющих,
достигающий – 100...120 дБ в полосе частот 3 кГц при малых
отстройках от рабочей частоты и уменьшающийся с увеличени-
ем отстройки; б) большее время перестройки с одной рабочей
частоты на другую; уменьшение шага перестройки частоты, как
правило, сопряжено с увеличением инерционности системы.
9.412. Обычно транзисторы с LC-колебательной системой и управи-
телем частотой на варикапе.
9.413. Используются балансные или кольцевые диодные схемы,
активные аналоговые ФД, разнообразные импульсно-фазовые
дискриминаторы. Небалансные схемы ФД в СЧ не применя-
558 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
f f f
Uбок Uбок
Uнес U бок
а б в
Рис.10.2. Спектры и векторные диаграммы при модуляции:
а – амплитудной; б – балансной; в – однополосной
10.3. См. рис. 10.1. Для построения можно использовать векторные
диаграммы, изображенные на рис. 10.2.
10.4. См. ответ к задаче 10.3.
10.5. См. ответ к задаче 10.3.
10.6. а) PmaxAM/PmaxOM=(1 + mmax)2/mmax2= 4; б) 5; в) 9.
10.7. а) P0срAM/P0срOM=2/m=2; б) 2,5; в) 4.
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 561
б) .
3) ; τф=3.125×10-8c; ; τс=6.6×10-7c.
4) ; Pаk=46.875 Вт; ;
Pад=117.898 Вт; Pk:=Pаk+Pад; Pk=164.773 Вт.
5) ; В.
6) ; Ilmax = 5.682 А.
7) ; Rо=416.667 Ом; ;
; ; ;
; β = 0.01.
8) ; Eп=2.669×104 В; ;
P
ни
P := ; Вт; ;
н q 2
Ua
Вт; Pа раз = ; Pа раз=72Вт;
S⋅ RM
572 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
2 EП ⎡ (E − U a )2 ⎤
PП = ⎢ Pн + Pк + Pа раз + П ⎥ ; Pп= 1844 Вт;
2U min + ΔU ⎣⎢ q ⋅ RОГ ⎦⎥
9) ; ; η = 0.814 ; ;
.
10) при заряде Вт;
(E − U )2
при разряде n a = 6 4.964 Вт.
q⋅R
ог
11.48. Используем программу MathCad и ответы, приведенные в
предыдущей задаче.
Rнач:=3000 Ом; Umin:=25960 В; ΔU=240 В; Ua:=1200 В;
Рnнач:=3000 В; Iои:=60 А; E:=25×103 В; CF:=2.5×10-4; q:=1000;
суммарная рассеиваемая мощность P:=1737 Вт.
E⋅I
0 И ; Umax:=Umin–ΔU;
PП :=
q
· ª«
2º
§¨ U 'U §¨ U 'U · »
min ¸ « min
U ¸
a »
¨ 1 ¸ « ¨ 1 ¸ »
¨ R2* CF ¸ ¨ R2* CF ¸
f R2* 2
© 1e ¹ «P © 1e ¹ »
2 U 'U « q R2* »
min ¬ ¼
Программа поиска оптимального
7
Rог = z ← 10 значения сопротивления Rог со-
Rог ← 3000 ставлена при минимальной вели-
Pn ← 3000 чине мощности анодного питания
while f ( Rог ) < Pn Рn. Начальное значение сопро-
R ← Rог if f ( Rог ) < z тивления заведомо меньше пред-
z ← f ( Rог ) if f ( Rог ) < z полагаемого оптимального значе-
Rог ← Rог + 10
ния, а мощность – заведомо
больше. Поэтому будем последо-
R
вательно перебирать значения
Rог до тех пор, пока значение Pn не станет минимальным.
4 ΔU 4
Rог = 1.249 × 10 Ом; а) Eп := Umin + ; Eп = 2.684 × 10 B;
−1
Rог⋅CF
1−e
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 573
2⋅ E П ⎡ ⎤
( E −U a ) 2 ⎥ 3
Pп := ⋅ ⎢ P+ П ; Pп = 1.841 × 10 Вт;
2⋅U min + ΔU ⎢ q⋅ RО Г ⎥⎦
⎣ Pн
б) КПД анодной цепи модулятора: η := ; η = 0.815 ;
Pп
Umax + Umin
КПД зарядного процесса: ηз := ; ηз = 0.972 .
2 ⋅ Eп
11.49. Используя MathCad, получим: Umax=26200 B; ΔU:=240 В;
Ua=1200 B; τ:=10-6 с; F:=1000 Гц; Pн:=1500 Вт; C:=2.5·10-6 Ф;
мощность потерь на анодах лампы и демпфирующего диода
P:=237 Вт.
1 ΔU
Umin:=Umax–ΔU; q := ; Eп( Rог ) := Umin + ;
F⋅τ −1
Rог⋅C⋅F
1−e
2 ⋅ Eп ( Rо г ) ⎡ ( Eп ( Rо г ) − U a ) 2 ⎤
Рп ( Rо г ) := ⋅ ⎢ Pн + P + ⎥
2 ⋅U min + ΔU ⎣⎢ q ⋅ Rо г ⎦⎥
Rог=5000…30000
2k Z в 2k R0 Δ 2k n 2
11.56. Потерями в линии пренебрегаем. Из условия равенства энер-
гии, запасенной в линии и энергии, которая расходуется в со-
гласованном нагрузочном сопротивлении за время длительнос-
ти импульса 0,5CkU max 2
= τU max
2
(4 Z в ) определим емкость ячейки
линии. Индуктивность ячейки равна L = Z в2C .
.
11.57. I а и = n I o и = 160 A
11.58. η з = 1 − π 4Q = 0,948 ; η a = ηзηкηиη л = 0,8 .
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 575
−1
11.59. Lз = ( π Fmax Cл ) = 10,1Г н .
2 2
−1
11.60. Lз = ( π Fmax C k ) = 12,7 Гн; η з = 1 − π 4Q = 0,9 .
2 2
11.78. а) Рн max = Iaи(Ua max – uост) = 1,28 МВт; Ра = 19,5 кВт; 0,985;
б) 5,15 МВт; 48,75 кВт; 0,99; в) 17,4 МВт; 140 кВт; 0,992;
г) 249 МВт; 1 МВт; 0,996.
11.79. а) см. решение задач 11.77 и 11.78: 4750 Вт; 250 Вт; 0,95;
б) 874 Вт; 176 Вт; 0,832; в) 7216 Вт; 484 Вт; 0,937; г) 79,9 кВт;
124,8 Вт; 0,998.
11.80. а) см. решение задач 11.77. и 11.80: 234 МВт; 6 МВт; 0,975;
б) 12,45 МВт; 50 кВт; 0,996; в) 298,5 кВт; 1,5 кВт; 0,995.
11.81. а) использовать высоковольтные коммутаторы и их последо-
вательное включение; б) использовать сильноточные коммута-
торы и их параллельное включение; в) использовать блоки ком-
мутаторов, соединённых параллельно или последовательно.
11.82. Напряжение на нагрузке равно 45·0,25 = 11,25 В и не превы-
шает напряжение Еси max транзисторов. Используем параллель-
ное включение транзисторов. а) 45/15 = 3 шт; б) 4; в) 2; г) 5.
11.83. Один транзистор коммутирует мощность 1,2·103·42 = 50,4 кВт.
Необходимо 3·106/(0,6·50,4·103) ≈ 100 штук.
11.84. I = CU/τФ = 3 А.
11.85. Лампы практически безынерционны, они могут управлять от-
пиранием и запиранием тока, способны коммутировать мощ-
ности более 10 МВт. К форме импульсов, отпирающих лампу,
предъявляются жёсткие требования. Водородные тиратроны
имеют относительно большое время деионизации, способны
коммутировать мощности до сотен мегаватт. Потери на тират-
роне малы, требования к форме поджигающих импульсов не-
критичны, важна лишь крутизна фронта. Тиристоры уступают
водородным тиратронам по мощности и более инерционны. Не-
линейные индуктивности обладают высокой эксплуатационной
надёжностью и практически неограниченным сроком службы,
они способны работать в наносекундном диапазоне длитель-
ностей импульсов при импульсной мощности в сотни мегаватт
и напряжениях до нескольких мегавольт.
11.86. Лампы и тиратроны имеют ограниченный срок службы,
тиратроны – повышенный временной разброс, а тиристо-
ры – ограниченную частоту повторения импульсов. МОП-
транзисторы имеют высокое быстродействие, очень большой
коэффициент усиления по току, но сравнительно малые ра-
бочие напряжения и токи. При разработке схем необходимо
учитывать возможность пробоя МОП-транзисторов в случае
превышения напряжений затвор-исток или сток-исток.
11.87. Современные импульсные тиристоры имеют рабочие напря-
жения 2…2,5 кВ и могут коммутировать токи в несколько десят-
ков килоампер при длительности импульсов несколько сотен
578 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
( )
R = Qmax πС f с р .
12.42. Используя решение предыдущей задачи, получим:
(
r = 4π f с рС Q max ) −1
( )
= 16,6 Ом; R = Q max π С f с р = 2,6 МОм.
12.43. Приравняем проводимости параллельной и пос-
ледовательной схем замещения закрытого перехода:
1 j ωC + ω 2 C 2 r
1 Rэ + jωCэ = =
r + 1 jω C 1 + ω 2 r 2C 2 . Из условия равенства дейс-
твительных и мнимых частей, получим Rэ = (1 + ω 2 r 2C 2 ) (ω 2C 2 r );
( )
Cэ = С 1 + ω2 r 2C 2 . При 1 ωС > r (Q > 1) Rэ = (ω 2C 2 r ) , а Сэ=С.
−1
( )
12.44. а) C = 2 2 ⋅ 10 (6,8 3,8 ) = 30 пФ. Rэ = 1 ω2C 2 r = 2,8 кОм.
−12 12
UΩ R2 R1
Ср Lдр
а б
С 'M = C M (U M U к ) = C M р 2 .
2
ной емкости
[ (
d C M Cс в С M + Cс в )]=(С M )
+ Cс в Cс в − С M Cс в
= р 2 , от-
d CM ( С M + Cс в )
2
584 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
( (Cк + р С )Lк )
−1
f 0 = 2π 2
MO
= 45,7 МГц; Δf = 0,5 f 0 ΔC C =
−6
⋅ 0,01 6,08 = 37,6 кГц; б) C 'M = рCM O + р CM M =
2
= 0,5 ⋅ 45,7 ⋅ 10
= 0,8 пФ + 0,01 пФ; f0=43,2 МГц; ∆f=31,7 кГц.
12.55. К Н 2 = Δf 0 Ω Δf = 0,08.
12.56. К Н 2 = Δf 0 Ω Δf = 0,045.
⎛1
3 Δf ⎞
12.57. Из уравнения К н 2 = ⎜ + Cк ⎟ = 0,06 найдем C =9 пФ.
⎜ 2 С р2 ⎟
2 f0 МО
⎝ МО ⎠
12.58. а) См. решение задачи 12.57; CМО=13,5 пФ. б) из уравнения
Δf n f0
= при n=0,5 и CМО=13,5 пФ получим
U Ω 2U M O (1 + Cк СМ О ⋅ р 2 )
ΔU M O Δf 0 ⎜⎛ Cк ⎞⎟ −3
UΩ = 0,87 В; в) =4 1+ = 3,6 ⋅ 10 .
UMO ⎜ 2 ⎟
f 0 ⎝ СМ О ⋅ р ⎠
12.59. Относительное изменение резонансного сопротивления
контура вследствие изменения сопротивления Rэ равно
−3
ΔR R ' = 4 Δ f Q н ( f 0 Q ) = 9 ⋅ 10 , а вследствие изменения ха-
рактеристического сопротивления ρ: ΔR R' = 2 Δf f 0 = 20 ⋅10 −3 .
Суммарное изменение резонансного сопротивления рав-
но ΔR R' = 29 ⋅10 −3 . Коэффициент паразитной АМ равен
ΔU U = ΔR R' = 0,03 .
12.60. При слабой связи Cк /(CМО · p2)1/p1, а крутизна модуля-
ционной характеристики пропорциональна отношению f0/Cк.
а) подставив в выражение f0/Cк значение емкости
C к = 1 ( 2π f 0 ) L , увидим, что крутизна изменяется пропор-
2
−1 2
Us ⋅ C( d , h , l)
f0 := (2⋅ π⋅ L⋅ C) ; f0 = 485,3 МГц ; N0 := ; N0 = 7,76 мкДж ;
2
На частоте 480 МГц R11 = 6 мОм (см. прил. 11).
590 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
R
⋅ ⎡⎢ + 2⋅ l⋅ ⎛⎜ + ⎞ + 2⋅ ln⎛⎜ ⎞⎤⎢ ;
11 1 1 1 D
r := rk = 4,189 мОм ;
k 2⋅ π ⎣ 2 ⎝D d⎠ ⎝ d ⎠⎦
1 L f0⋅ 2⋅ π⋅ N0
Q := ⋅ ; Q = 5045 ; Pпот := ; Pпот = 4,689 Вт ;
r C Q
k
Учитывая, что Q′ = QR11/R′11, определим добротность и мощ-
ность потерь для других материалов: б) 5226; 4,32 Вт; в) 3574;
6,31 Вт; г) 3684; 6,12 Вт; д) 1900; 11,87 Вт; е) 2677; 8,9 Вт.
13.20. Чаще всего используют основной тип колебаний, а также пер-
вый продольный обертон.
13.21. 1). Значительные потери мощности в металле и диэлектрике,
возрастающие с увеличением частоты. Особенно велики потери
во внутреннем проводнике коаксиальной линии, где имеется
наибольшая плотность высокочастотного тока. 2). Потери на
излучение в открытых двухпроводных линиях. 3). Сравни-
тельно низкая электрическая прочность между проводниками
линий.
13.22. Ввиду известных недостатков этих линий (см. ответ к преды-
дущей задаче) затруднено применение открытых двухпровод-
ных линий уже на волнах дециметрового диапазона, а коакси-
альных – сантиметрового.
13.23. Волноводы имеют наиболее простую и жесткую конструкцию.
Они имеют высокую электрическую прочность, так как у вол-
новодов наибольший путь возможного электрического пробоя
в области максимальной напряженности электрического поля.
Ввиду отсутствия внутреннего проводника отпадает необходи-
мость введения опор в волновод и, соответственно, нет потерь
в диэлектрике и малы потери на токи проводимости.
13.24. При z = l = 0,25 λл резонансное сопротивление равно
R = 4QZВ/ = 64 кОм; ρ = R/Q = 80 Ом; С = 1/(ω0 ρ) = 2 пФ.
13.25. При z = λл/8 и l = λл/4 резонансное сопротивление равно
R = 4QZВ sin2β0z/(2β0l + sin2β0l) = 2QZВ/ = 13,4 кОм;
ρ = R/Q = 44,6 Ом.
13.26. Используя решения задач 13.24 и 13.25, получим:
а) R = 4QZВ/ = 14 кОм; ρ = R/Q = 70 Ом;
б) R = 2QZВ/ = 7 кОм; ρ = R/Q = 35 Ом.
13.27. R = 4QZВ/(2n–1) ; ω0 = 2π с / (λ л ε μ ) = (2n − 1) π с (2l ε μ ) ;
ρ = R/Q; С = 1/(ω0 ρ) = 10,4 пФ.
λ 531 ⋅ λ0 λ
13.28. Длина резонатора l = 0 arctg + n 0 . Для основ-
2π C ⋅ ZB 2
ного типа колебаний l = 4 см, а для обертонов l = 13,3 см;
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 591
б) F(a)/F(3.5)=1.384; F(a)/F(35)=1.375.
13.59. ZВ=60·ln(5/1,5)=72 Ом. Длина резонатора l > λ/4, так что
резонатор возбужден на обертоне. Амплитуда напряжения в
Ul 5000
пучности равна U П = = = 7 кВ. Максимальная
sin βl sin (2π ⋅10 16)
2U 2 ⋅ 7000
напряженность поля равна E = = = 7,8 кВ/см.
d ln D d 1,5 ln (5 1,5)
Запас электрической прочности равен Eпроб/E = 20/7,8 = 2,5.
13.60. E = 2U(d · ln(D/d))–1, откуда:
а) ln(D/d)=2U/(Ed)=(2·50)/(15·6)=1,11; D=18 см; б) D=10 см.
13.61. Напряжённость электрического поля у поверхности внут-
реннего проводника равна E = 2Ux/(D · lnx), где x=D/d. При
заданных величинах U и D определим оптимальное отно-
шение диаметров. Найдём минимум функции x/ln(x). Ис-
пользуем программу MathCad.
ln( x)
f( x) := x := 1 , 1.1.. 10
2
x
Для наглядности строим график.
Начальное значение: х:=6.
Minimize(f,x)=2,718. При этом
волновое сопротивление коак-
сиальной линии равно 60 Ом.
13.62. Максимальная мощность, передаваемая коаксиальной ли-
нией, равна: Pmax = 2 ⋅ 10 −3 E 2 max d 2 ε l n D/d = A l n ( x ) / x , где
2
А – постоянный коэффициент;
x=D/d. Определим максимум фун-
кции ln x/x2, используя программу
ln( x)
MathCad. f( x) := x := 1 , 1.1.. 10
2
x
Начальное значение: х:=1,1.
Maximize(f,x)=1,649. Функция f(x)
максимальна при D/d=1,649, что
соответствует волновому сопротивлению 30 Ом.
13.63. Очевидно, что чем больше диаметры линии, тем большую
мощность можно передать. Максимальные значения диамет-
ров ограничены возникновением высших типов волн в линии.
Условие отсутствия высших типов волн 0,5π(D+d)<λл. При
заданной длине волны максимальная сумма диаметров посто-
янна: D+d=A, откуда D=A–d. Это значение диаметра подста-
−3 2 2 2
вим в формулу: Pmax = 2 ⋅ 10 E max d ε l nD/d = K l n ( x − 1) / x ,
где К – постоянный коэффициент, x=D/d. Определим макси-
598 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
( )
13.67. b = d 200 ( Z B ε ) − 1 = 7,9 мм. Условия отсутствия выс-
ших типов волн: 2b+ d = 2·7,9 + 3,14·2,5 = 24 мм < λ Л = λ ε ;
4d = 4·2,5 = 10 мм < λл. Откуда λ = λ Л ε = 2,4 2,55 = 3,8 см.
13.68. Z B ε ≤ 70 Ом, следовательно, можно использовать формулу
( )
b = d 200 ( Z B ε ) − 1 ; а) b=12 мм; б) b=28 мм; в) b=62 мм.
13.69. Используем программу MathCad. d:=0.5ּ10-3 м; Z:=30 Ом;
μ:=1; ε:=9.5 (прил. 12). Расчетные формулы: ширина полоски
b = (300/(Z ε e f ) − 1) d ; эффективная диэлектрическая про-
ницаемость eef = 0.5(1 + ε + (ε - 1)/ 1+10 d / b ) , где d – высота
подложки. Из приведенных формул видно, что ширина полос-
ки и эффективная диэлектрическая проницаемость – взаимо-
Give n
§1.361 u 103 · § H1 ·
0.5 ¨ 1 H e Hf
Find b Hef ¨ ¸ d¸
© 7.216 ¹ ¨ 1 10 ¸
© b¹
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 599
§ 300 1· d b b
3
1 . 361 10 ɦ .
¨ ¸
© Z Hef ¹
связанные величины. Поэтому составим программу расчета:
13.70. t/b = 0,01/1,4 ≤ 0,25, следовательно, можно использовать
формулу ZВ = 300/(1+b/d) = 100 Ом; λ0 = c/f0 = 5 см;
С = 531·0,05·(100·tg(2π · 0,5/5))–1 = 0,36 пФ. Условие отсутствия
высших типов волн 2b+ d = 2·1,4 + 3,14·0,7 = 4,3 мм < λ.
13.71. Нужно использовать условие резонанса tg(nπ – βl) = ω0CZВ.
13.72. Условие t/b = 0,1/10 < 0,25 выполняется, поэтому
ZВ = 300/(1+b/d) = 50 Ом. U max = E d (1,3 1 + d b ) = 1,4 кВ. Резо-
натор возбужден на обертоне, поэтому амплитуда напряжения
в пучности не должна превышать 1,4 кВ; IП = UП /ZВ = 28 А.
13.73. а) λкр = 2а = 4,6 см; б) λкр = 2а(1–0,2b/а) = 4,2 см;
в) λкр = 1,67а = 3,8 см;
13.74. λ = c/f = 3 см. а) λкр = 2а = 4 см; б) λкр = 3,6 см; в) λкр = 1,67а =
= 3,34 см. Длина волны в волноводе: а) 4,54 см; б) 5,4 смм;
в) 6,8 с.
13.75. Размер а выбираем из условия отсутствия высших волн
0,5λ<а<λ. Среднее значение а = 0,75λ. Размер b<0,5λ. Можно
принять b = 0,5а. Размеры волновода: а) а = 2,25 см; b = 1,12 см;
б) а = 1,12 см; b = 0,56 см; в) а = 7,5 мм; b = 3,7 мм.
13.76. Размер а выбираем из условия отсутствия высших типов
волн 0,6λ<а<1,14λ. Принимаем а = 0,87λ; b = 0,5а. а) а = 8,7 мм;
b = 4,3 мм; б) а = 4,35 мм; b = 2,2 мм.
13.77. См. решение задачи 13.48. В свободном пространстве λ = с/f=
= 2 см. Критическая длина волны равна а) λкр= 2а = 2,4 см;
б) λкр = 1,67а = 2 см. Как видим, для заданной частоты размер
а эллиптического волновода выбран неудачно, так как λ=λкр.
Волновое сопротивление равно а) 341 Ом; б) ∞. Длина волны в
линии а) 3,6 см; б) ∞. Длина резонатора равна: а) 0,09+n·1.8 см;
б) ∞.
13.78. Добротность резонатора высокостабильного АГ должна быть
большой. Большая добротность получается при λ/λкр ≈ 0,97.
Принимаем b = 0,5а. λ = с/f = 2,913 см а) а = λ/(2·0,97) = 15 мм;
b = 7,5 мм; б) а = λ/(1,67·0,97) = 18 мм; b = 9 мм; Zв = 775 Ом.
λЛ = λ 1 − (λ λК Р ) 2 =12 см.
Длина резонатора равна (0,095+n·6) см.
13.79. См. рис. 13.14 и 13.15. Для сильной связи с нагрузкой ин-
дуктивный и кондуктивный элементы связи нужно располагать
вблизи пучности магнитного поля (тока в резонаторе), а емкос-
600 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
н [
б) I 2 = U 2 / r 2 + ( x − 1 / (ω С ) 2 .
н н н св ]
13.97. 123,4 кВт.
13.98. 8,6 кВт.
13.99. а) 7,6; б) 12,6; в) 25,2 кВт.
13.100. 246,7 кВт.
13.101. 154 кВт.
13.102. 1758 кВт.
13.103. а) 250, 500, 750 МГц; б) 156, 313, 470 МГц; в) 172, 345,
517 МГц.
602 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
−3
14.20. t = 0,2 ⋅10 (3 ⋅10 100 ) = 67 пс. Временем пролета электро-
5
14.181. 7,6 м.
14.182. Выходные и промежуточные каскады доплеровских и им-
пульсных РЛС, а также систем связи; гетеродины приемников,
возбудители передатчиков, генераторы накачки параметричес-
ких усилителей. Поскольку ЛПД существенно уступают дру-
гим полупроводниковым приборам по коэффициенту шума,
они не могут претендовать на применение в малошумящих уст-
ройствах, но используются в качестве генераторов стабильного
белого шума как в непрерывном, так и в импульсном режимах.
Усилители на ЛПД используются в линиях связи и головках
самонаведения ракет. Генераторы с широкой электрической пе-
рестройкой используются в измерительной аппаратуре (гене-
раторы качающейся частоты, спектроанализаторы) и системах
радиопротиводействия (быстроперестраиваемые гетеродины,
задающие генераторы).
14.183. Принцип действия ЛПД основан на возникновении отрица-
тельного динамического дифференциального сопротивления в
диапазоне СВЧ, обусловленного процессами лавинного умно-
жения носителей заряда и их пролета через полупроводнико-
вый активный слой.
14.184. Обычно применяют нормальный пролетный режим ЛПД
(IM). В этом режиме КПД ниже, чем в аномальном (TR), но
достижимы лучше шумовые характеристики и гораздо более
высокие частоты генерации.
14.185. а) наибольший диапазон рабочих частот, большая мощность
при высоком КПД на высоких частотах; б) небольшой диапа-
зон электрической перестройки частоты, сравнительно высо-
кий уровень шумов.
14.186. а) большая мощность и высокий КПД; б) низкий диапазон
рабочих частот, высокий уровень шумов, небольшой диапазон
электрической перестройки частоты.
14.187. Идеальная внешняя цепь должна формировать импульсы
тока по форме близкие к меандру.
14.188. BARITT-диоды обладают малыми шумами и высокой на-
дежностью, однако их выходная мощность и КПД малы.
14.189. Допустимое снижение выходной мощности и КПД гене-
ратора. Оптимальные энергетические показатели получаются
на частоте пролетного режима fпр. На практике частота коле-
баний может быть отлична от частоты пролетного режима на
±30%.
14.190. Так как в противном случае небольшие изменения напряже-
ния питания или внутреннего сопротивления источника при-
ведут к значительному изменению тока диода.
622 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
λ0 λ0
l1 := ; l1:=3,695ּ10–3; l 2 := ⋅ a tan(2 ⋅ π ⋅ f 0 ⋅ c ⋅ Z ) ;
2 ε1 2 ε1
−3 −4
l1:=8,89ּ10–4; lа = l1 − l 2 = 3,695 ⋅10 n − 0,889 ⋅10 .
а) n3,695– 0,889 мм; б) n2,771– 0,793 мм; в) n2,22– 0,709 мм.
14.241. См. решение задач 13.48 и 13.77. λ=2 см, λл=3,62 см,
ZВ:=255,7 Ом, l=(0,12+n1,81) см.
14.242. По условию задачи входное сопротивление линии
j Z в t g (ωl εμ c) равно сопротивлению индуктивности ωL.
Учитывая, что при x < 0,5 tgx ≈ x, получим l = c L ( εμ Z в ) .
14.243. См. решение предыдущей задачи. Используя равенство
− j Z в сtg(ωl εμ c) = − j (ωC ) , получим l = cC Z в ( εμ ) .
14.244. Во всех генераторах – с помощью добавляемого в тракт уп-
равляемого аттенюатора. а), в) – изменением режима питания.
В ГДГ это невозможно, поскольку зависимость уровня колеба-
ний от напряжения питания нелинейна, содержит разрыва и
гистерезисные области.
14.245. Возможна подача импульсного напряжения питания на диод,
а при непрерывном режиме работы генератора – коммутация
выходного тракта генератора с помощью модулятора на p-i-n-
диодах, диодах с барьером Шоттки или варикапах.
14.246. Импульсное напряжение питания примерно в три раза боль-
ше напряжения в непрерывном режиме, а выходная импуль-
сная мощность возрастает более чем в 10 раз. ИМ сопутствует
значительная ЧМ, обусловленная изменением температуры
рабочего слоя диода за время действия импульса. Для умень-
шения паразитной ЧМ переходят к импульсам наносекундной
длительности, дополняя эту меру синхронизацией модулируе-
мого генератора.
14.247. С помощью варикапов или ЖИГ-сфер. При изменении напря-
жения питания диода можно получить небольшую (0,1…0,3%)
девиацию частоты при значительной сопутствующей паразит-
ной АМ, которая возникает вследствие зависимости отрица-
тельного сопротивления диода от напряжения питания.
14.248. 1). Полоса рабочих частот диода, наиболее широкую поло-
су имеют ТД. 2). Конструкция генератора. Коаксиальные конс-
трукции обычно можно перестраивать во всей полосе рабочих
частот диода. 3). Параметры корпуса диода и промежуточных
ЦС. С повышением частоты их влияние усиливается.
14.249. Современные доплеровские РЛС, РЛС с качающейся часто-
той, системы радиорелейной и космической связи, измеритель-
ная аппаратура и пр. предъявляют все более жесткие требова-
ния к стабильности частоты АГ.
628 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
15.19. а) ΔPвых = 2,5 Pвых ΔE0 E0 = 50 Вт; б) 100 Вт; в) 200 Вт.
15.20. а) ΔPвых Pвых = 2,5 ΔE0 E0 = 2,5%; б) 5%; в) 10%.
15.21. Рвых = Pвых.ном ⋅ ( Е0 ЕОном )5 / 2 , откуда d Pвых d E0 = 2,5 ⋅ Pвых Е0 .
При ∆Е0/Е0 1 можно считать ηе=const, тогда
ΔРвых Рвых = 2,5 ⋅ ΔE0 E0 .
15.22. В режиме рекуперации на коллектор подают меньшее напря-
жение, чем на анод. На участке анод-коллектор электроны дви-
жутся в тормозящем электрическом поле и потому приходят на
коллектор со сравнительно малой скоростью. Мощность, рас-
сеиваемая коллектором, получается небольшой, а электронный
КПД – высоким.
РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ 633
15.23. а) η ′ η = 1 − I
e e
[ к о
(
I ⋅ 1− E E
к о
)] −1
= 1, 2 (отношение то-
ков Iк/I0 определяем из рис. 15.3); б) 1,3; в) 1,1.
15.24. а) при Eк/E0 = 0,9 из рис. 5.3 определяем Iк/I0 = 0,95;
Рпит = Е0 ( I 0 − I к ) + Ек I к = Е0 I 0 [1 − I к I 0 ⋅ (1 − Eк Е0 )] = 10,9 кВт;
б) 9,2 кВт; в) 10,2 кВт.
15.25. При Eк/E0 = 0,4; 0,6; 0,7; 0,8 и 0,9 определяем отношение ηе' ηe :
1,09; 1,28; 1,32; 1,22 и 1,10. Электронный КПД максимален при
Eк/E0 = 0,7.
15.26. Е0 = 10 кВ; используя ответ задачи 15.25, получим
(Ек/Е0)опт = 0,7, откуда Ек = 7кВ.
15.27. Используя данные табл.15.1, получим а) R0=E0/I0 = 8,3 кОм;
Rд = 2R0/3 = 5,6 кОм; б) 930 Ом; 620 Ом; в) 20 кОм; 13,3 кОм;
г) при высоком контурном КПД R0=ηеЕ20/Рвых= 4,5 кОм;
Rд = 3 кОм.
15.28. I 0 = I 0 ном ( Е0 Е0 ном )1,5 , откуда (Еном Е0 ) = Е0 I 0ном (I 0 Е0ном ) =
0,5
б) 6,7 кВ; 3,2 кВ; 2,2 кГц; в) 6,2 кВ; 4 кВ; 2,9 кГц.
15.45. Используя равенство Pвых Pвых ном = ( E0 E0 ном ) , получим
2,5
б) ±0,46 МГц.
17.57. Уход частоты АГ происходит из-за изменения питающего
напряжения, величины магнитного поля, импеданса нагруз-
ки и температуры. Для стабилизации частоты стабилизируют
напряжение питания и величину магнитного поля; включают
между генератором и нагрузкой ферритовый вентиль, не про-
пускающий волну, отраженную от нагрузки; используют стаби-
лизирующий резонатор, АПЧ и синхронизацию частоты.
17.58. Синхронизацию используют для стабилизации частоты мощ-
ного АГ слабым эталонным сигналом; сложения мощностей АГ;
усиления сигналов с УМ. При импульсной работе магнетрона
использование генератора подвозбуждающих колебаний обес-
печивает возбуждение основного типа колебаний, благодаря
чему можно увеличить скорость нарастания амплитуды моду-
лирующих импульсов, что особенно важно при формировании
радиоимпульсов наносекундной длительности. При подвоз-
буждении также уменьшаются флуктуации фронта импульса
и устраняются пропуски импульсов.
17.59. ΔE = ΔfRд / S f 1 = 600 В.
17.60. Значение Sf1 определяем по табл. 17.1, а Rд – по рис. 17.2
ΔE = ΔfRд / Sf 1 = 50В.
650 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
t
а б в г д
f
а б в
Рис. 17.9. Вид огибающих спектра
17.73. Из табл. 17.1 определяем E=14,4 кВ; τф =48 нс.
17.74. а) поскольку время установления колебаний митронного ге-
нератора соизмеримо с периодом высокочастотных колебаний,
можно принять, что в одном периоде модулирующего напря-
жения укладывается 10 периодов высокочастотных колебаний;
F = f/10 = 300 МГц; б) 900 МГц.
17.75. См. решение задачи 17.74. а) 300 МГц; б) 900 МГц.
17.76. Из рис. 17.3 определяем Rд = ∆E/∆I0 = 100 кОм и Sfа = ∆fа/∆E =
= 2,4 МГц/В; а) Pмод = 0,5U2/Rд = 4,5 мВт; ∆f = Sfа·∆U = 72 МГц;
б) 50 мВт; 240 МГц; в) 200 мВт; 480 МГц.
17.77. См. решение задачи 17.76. U = ∆f/Sfа = 41,7 В; Pмод = 0,5U2/Rд =
= 8,7 мВт.
17.78. Из рис. 17.3 определяем S fy = Δf y / ΔU y = 0, 02 МГц/В;
Δf / f = S fyU y / f = 6, 7 ⋅10−4 ; ΔPвых / Pвых = 0,36 .
17.79. R0 = U 0 I 0 = 1500 Ом; Rд = 300 Ом.
17.80. а) 1320 Ом; 230 Ом; б) 1300 Ом; 230 Ом; в) 1270 Ом; 300 Ом.
17.81. а) 3200 Ом, 330 Ом; б) 1270 Ом; 300 Ом; в) 860 Ом, 230 Ом.
17.82. η = (800 – 130)·103/(30·39·103) = 0,57.
17.83. Из рис. 17.5 определяем P0 = 1 МВт; η = (Pвых − Pвх ) P0 = 60 %.
17.84. а) 6 дБ; 0,6; б) 8,4 дБ; 0,6.
17.85. а) 8 дБ; 0,64; б) 6 дБ; 0,6; в) 1,8 дБ; 0,4.
17.86. Выходная мощность уменьшится от 414 до 290 кВт.
17.87. а) Г = (ρ–1)/(ρ+1) =0,2. При таком коэффициенте отражения
выходная мощность практически постоянна и равна 340 кВт;
б) мощность изменяется от 290 до 320 кВт.
652 РЕШЕНИЯ И ОТВЕТЫ
Продолжение прил. 2
rнас β0 Iк max Pк max, Вт
Тип транзистора fТ, Cк, пФ
(rнас ВЧ), (rб), (Iки max), (Eкэ max),
и его аналога МГц (τк), пс
Ом Ом А В
2T904A 2 30 6 0,8 5
350
2N5635 (3,7) (3) (15) (1,5) (60)
2T930Б 0,25 50 150 10 150
800
UMIL70 (0,5) (0,4) (12) – (30)
KT9175A – – 10 0,5 3,75
900
MRF628 – – – – (7,5)
– – 35 4 23
KT9193A 1000
– – – – (12,5)
2T942A – 40 20 1,5 25
3000
NE2005 (2,7) (0,25) (2,2) (3) (45)
2T3115A-2 – 30 0,6 0,01 0,1
7000
2N6617 (60) (20) (3,8) – (10)
4. Параметры MOSFET-транзисторов
Тип Rси отк, tвкл С3 и Ic max Рс max,Вт
№ С3С ,
транзистора Ом (tвыкл), (Сс и), (Iси max), (Еси max),
п/п пФ
и его аналога (S), См нс пФ А В
КП741А 0,02 250 3500 50 150
1 510
IRFZ48 (27) (450) (1800) (290) (55)
КП752Б 1,0 60 1050 5,5 75
2 180
IRF732 (3) (100) (250) (22) (350)
КП753А 1,5 24 900 4,5 75
3 100
IRF832 (2,5) (58) (240) (18) (500)
КП771А 0,04 220 2800 40 150
4 200
STР40N10 (14) (170) (800) (160) (100)
КП775А 0,009 630 5200 50 150
5 650
2SK2498A (20) (1260) (2300) (200) (60)
3,0 50 2100 4 100
6 КП786А 55
(2,5) (140) (150) (12) (800)
IRF7309*n 0,05 – – 4 1,4
7 –
IRF7309*p 0,1 – – 3 (30)
0,06 – 11400 80 890
8 IXFN80N50Q2 –
– (250) – – (500)
0,25 – 12600 38 890
9 IXB38N100Q2 –
– (300) – – (1000)
* Микросборка из двух комплементарных транзисторов с n- и p-каналами
5. Параметры IGBT-транзисторов
6. Коэффициенты разложения
косинусоидального импульса
sin θ − θ cos θ 2θ − sin 2θ θ − sin θ ⋅ cos θ
α 0 (θ ) = ; α1 (θ ) = = ;
π (1 − cos θ ) 2π (1 − cos θ ) π (1 − cos θ )
sin 2θ ⋅ cos θ − 2 cos 2θ ⋅ sin θ 2 sin 3 θ
α 2 (θ ) = = ;
3π (1 − cos θ ) 3π (1 − cos θ )
sin 3θ ⋅ cos θ − 3 cos 3θ ⋅ sin θ 2 sin 3 θ ⋅ cos θ
α 3 (θ ) = = ;
12π (1 − cos θ ) 3π (1 − cos θ )
2 sin nθ ⋅ cos θ − n cos nθ ⋅ sin θ γ (θ )
α n (θ ) = = n , где n = 2,3,4...;
π n(n 2 − 1) (1 − cos θ ) 1 − cos θ
1 1 2
γ 0 (θ ) = (sin θ − θ cos θ ); γ 1 (θ ) = (2θ − sin 2θ ); γ 2 (θ ) = sin 3 θ ;
π 2π 3π
1 ⎡ sin( n − 1)θ sin( n + 1)θ ⎤
γ 3 (θ ) = γ 2 (θ ) cos θ ; γ n (θ ) = − ; где n = 1,2,3,...;
πn ⎢⎣ n − 1 n + 1 ⎥⎦
I1 α1 (θ ) γ 1 (θ ) θ − sin θ ⋅ cosθ 2θ − sin 2θ
g1 (θ ) = = = = = ;
I 0 α 0 (θ ) γ 0 (θ ) sin θ − θ ⋅ cosθ 2(sin θ − θ ⋅ cosθ )
I n α n (θ ) γ n (θ )
g n (θ ) = = = .
I 0 α 0 (θ ) γ 0 (θ )
θ0 cos θ α0 α1 α2 α3 γ0 γ1 g1
0 1,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 2,00
40 0,766 0,147 0,280 0,241 0,185 0,034 0,066 1,90
45 0,707 0,165 0,311 0,256 0,181 0,048 0,091 1,88
50 0,643 0,183 0,339 0,267 0,171 0,065 0,121 1,85
55 0,574 0,201 0,366 0,273 0,157 0,086 0,156 1,82
60 0,500 0,218 0,391 0,276 0,138 0,109 0,196 1,80
65 0,423 0,236 0,414 0,274 0,116 0,136 0,239 1,76
70 0,342 0,253 0,436 0,267 0,091 0,166 0,288 1,73
75 0,259 0,269 0,455 0,258 0,067 0,199 0,337 1,69
80 0,174 0,286 0,472 0,245 0,043 0,236 0,390 1,65
85 0,087 0,302 0,487 0,230 0,020 0,276 0,445 1,61
662 ПРИЛОЖЕНИЯ
Продолжение прил. 7
θ 0
cos θ α0 α1 α2 α3 γ0 γ1 g1
90 0,000 0,319 0,500 0,212 0,000 0,319 0,500 1,57
95 0,087 0,334 0,510 0,193 0,017 0,363 0,554 1,53
100 0,174 0,350 0,520 0,172 0,030 0,411 0,611 1,49
105 0,259 0,364 0,526 0,152 0,039 0,458 0,662 1,45
110 0,342 0,379 0,531 0,131 0,045 0,509 0,713 1,40
115 0,423 0,392 0,534 0,111 0,047 0,558 0,760 1,36
120 0,500 0,406 0,536 0,092 0,046 0,609 0,805 1,32
125 0,574 0,419 0,536 0,074 0,042 0,659 0,843 1,28
130 0,643 0,431 0,534 0,058 0,037 0,708 0,878 1,24
135 0,707 0,443 0,532 0,044 0,031 0,756 0,908 1,20
140 0,766 0,453 0,528 0,032 0,024 0,801 0,934 1,17
150 0,866 0,472 0,520 0,014 0,012 0,881 0,979 1,10
160 0,940 0,487 0,510 0,004 0,004 0,944 0,989 1,05
170 0,985 0,496 0,502 0,001 0,001 0,985 0,997 1,01
180 1,000 0,500 0,500 0,000 0,000 1,000 1,000 1,00