«Балтийский государственный технический университет «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф.

Устинова»
(БГТУ «ВОЕНМЕХ» им. Д.Ф. Устинова)

ДОПУСКАЕТСЯ К ЗАЩИТЕ:
Факультет O Заведующий кафедрой
шифр кафедры
Выпускающая кафедра O4 .
Фамилия И.О. подпись
Группа O241 «_____» 201___ г.

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА

БАКАЛАВРА

Фомин Дмитрий Игоревич

Фамилия, имя, отчество обучающегося

На тему Исследование влияний технологических условий роста на

резкость гетерограниц соединений A3B5.

Направление подготовки 12.03.02.62 Оптотехника

индекс направления полное наименование направления

Консультант: Руководитель:
при необходимости подпись подпись

Доктор ф.-м. наук Копьев П.С.

ученая степень, ученое звание Фамилия ИО ученая степень, ученое звание Фамилия ИО

« » 201__г. « » 201__г.
Обучающийся:
Фомин Д.И.
подпись Фамилия ИО

« » 201 г.

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ
2018 г.
 Реферат
Цель работы – разработать технологию получения резких гетеропереходов
в квантовых ямах и сверхрешетках на основе InAs/GaSb методом МОС ГФЭ.
Полученные материалы будут использоваться для создания оптоэлектронных
приборов среднего и дальнего ИК диапазона солнечного спектра на подложках
GaSb.
Задачи: определение технологических режимов роста слоёв InAs/GaSb, для
получения переходных слоев с минимальной толщиной методом МОС ГФЭ.
Были проведены эксперименты по выращиванию напряженных
сверхрешеток InAs/GaSb. Были определены режимы роста эпитаксиальных
слоёв такие как: соотношения потоков V и III, скорость роста, пауза в подаче
реагентов между слоями, очередность подачи реагентов. Получены
качественные слои InAs/GaSb, что подтверждается исследованиями
фотолюминесценции полученных образцов, Полученные данные хорошо
согласуются с данными из отечественной и зарубежной литературы.
Объём диплома 51 страница, работа содержит 24 рисунка, 5 таблиц.
Список литературы состоит из 19 пунктов на основе работ отечественных и
зарубежных авторов.

Оглавлени

2
Реферат.........................................................................................................................2

Введение.......................................................................................................................5

Глава 1. Обзор литературы.........................................................................................6

1.1 Гетерограница....................................................................................................6

1.2 Квантовые ямы..................................................................................................8

1.3 Не идеальность гетерограниц.........................................................................12

1.4 Требования к материалам, образующим гетеропереход.............................14

1.5 Механизмы роста.............................................................................................16

1.6 Технологии роста полупроводниковых соединений...................................18

1.6.1 Жидкофазная эпитаксия..........................................................................18

1.6.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия............................................................19

1.6.3 Газофазная эпитаксия из металлорганических соединений................19

1.7 Постановка задачи...........................................................................................22

Глава 2. Основная часть. Установка и методы исследования...............................23

2.1 Установка МОС ГФЭ AIX200........................................................................23

2.2 Реактор AIX 200...............................................................................................25

2.3 Основные параметры МОС ГЭФ...................................................................28

2.3.1 Температура роста....................................................................................28

2.3.2 Отношение молярных потоков элементов BV / AIII в газовой фазе......29

2.4 Методы диагностики полупроводниковых гетероструктур........................30

2.4.1 Методы исследования поверхности элементов.....................................30

2.4.2 Атомно-силовой микроскоп....................................................................30

2.4.3 Просвечивающий электронный микроскоп...........................................30

3
 2.4.4 Фотолюминесценция................................................................................31

Глава 3. Получение и исследование сверхрешеток InAs/GaSb............................33

3.1 Особенности выращивания квантоворазмерных гетероструктур InAs/GaSb

методом МОСГФЭ................................................................................................34

3.2 Влияние прерывания роста между слоями на качество гетерограниц.......36

3.3 Влияние очередности подачи реагентов на качество гетерограниц..........40

3.4 Сверхрешетка из десяти пар слоев InAs/GaSb.............................................45

Заключение................................................................................................................49

Список литературы....................................................................................................50

4
 Введение
Прошло более 200 лет со дня открытия инфракрасного излучения и
начала разработки методов идентификации этого сигнала. Однако текущие
материальные системы и технологии для инфракрасных детекторов не
удовлетворяют возрастающую потребность в высокоэффективных
оптоэлектронных приборах инфракрасного спектра.
Таким образом, разработка оптоэлектронных приборов имеет большие
перспективы. И вместе с тем требует разработки новых материалов, которые в
свою очередь должны быть высокого качества и заданных характеристик.
В последнее время сверхрешетка InAs / GaSb типа II была рассмотрена
как перспективный кандидат для следующего поколения оптоэлектронных
приборов как для детектирования сигнала так и для излучения. Сверхрешетка
типа II представляет собой искусственную кристаллическую структуру,
состоящую из нескольких квантовых ям, расположенных рядом друг с другом
таким образом, что смежные квантовые ямы могут взаимодействовать.
Взаимодействие между несколькими квантовыми ямами обеспечивает
дополнительную степень свободы при адаптации свойств материала[1].
Одними из самых распространенных областей для оптоэлектронных
приборов является коммуникация, инфракрасные сенсоры для ракет и систем
наблюдения, мониторинг загрязнения окружающей среды и медицина. На
данный момент для всех этих областей, используется диапазон длин волн 1.5-5
и 8-14 мкм. Напряженные сверхрешетки GaSb/InAs могут применяться на всем
этом диапазоне при правильно заданных толщинах слоев.
Данная работа посвящена отработке технологии получения резких
квантоворазмерных слоев GaSb и InAs, методом газофазной эпитаксии из
металлорганических соединений (МОС ГФЭ). В дальнейшем полученные
материалы будут использоваться для изготовления оптоэлектронных приборов
инфракрасной части спектра.

5
 Глава 1. Обзор литературы
При конструировании радиоэлектронной аппаратуры на основе
монокристаллов важную роль играет качество границ между слоями. Самым
распространенным типом границы является граница подложка-слой, p-n
переход, и его частный случай гетерограница.
Особенно важны характеристики границы в оптоэлектронных приборах
для обеспечения резкого изменения показателя преломления и соответственно
обеспечения направления света с минимальными потерями энергии.

1.1 Гетерограница
Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников в одном
монокристалле. Гетеропереходы делятся на типы по взаимному расположению
зон на нем (Рис. 1). Комбинации различных гетеропереходов образуют
гетероструктуры[2].

Рис. 1. Варианты взаимного построения зон на гетеропереходе

• Тип I, при котором край зоны проводимости узкозонного материала (Eg1

< Eg2) лежит ниже, а край валентной зоны выше соответствующих краев зон
широкозонного материала (EC1 < EC2; EV1 > EV2). В случае двустороннего

6
гетероперехода типа I узкозонный материал представляет собой
потенциальную яму, как для электронов, так и для дырок.
• Тип II, при котором как край зоны проводимости, так и край валентной
зоны узкозонного материала лежат ниже соответствующего края зоны
широкозонного материала (EC1 < EC2; EV1 < EV2). При таком построении
узкозонный материал представляет собой потенциальную яму для электронов, а
широкозонный для дырок.
В рамках типа II различают подтипы IIa и IIb. Во втором случае разрыв
зоны проводимости на гетерогранице превышает ширину запрещенной зоны
узкозонного полупроводника (ΔEC > Eg2), так что край зоны проводимости
узкозонного материала лежит ниже края валентной зоны широкозонного
материала.
Тип I наиболее часто встречается и является наиболее широко
применяемым, так как локализация одновременно электронов и дырок
позволяет добиться высокой эффективности излучательной рекомбинации
вследствие наибольшего перекрытия волновых функций электронов и дырок[2].

7
 1.2 Квантовые ямы
Узкозонный полупроводник, помещенный в матрицу широкозонного
материала, может рассматриваться как потенциальная яма для носителей
заряда. Наличие потенциальных барьеров влияет на энергетический спектр
носителей заряда и может быть рассмотрено в рамках упрощенных
представлений квантовой механики. Волновое уравнение для стационарных
состояний имеет вид . Здесь – квантово-механический
оператор Гамильтона; ψ – волновая функция стационарного состояния; Е –
собственные значения энергии. Стационарными состояниями системы в
квантовой механике называются такие состояния, в которых энергия имеет
определенные значения, остающиеся постоянными во времени.
В случае плоской квантовой ямы потенциальная энергия зависит только от
одной координаты х. Этот случай представляет первостепенный интерес, так
как подобная квантовая яма может быть, например, сформирована помещением
достаточно тонкого слоя одного полупроводникового материала в обкладки
более широкозонного полупроводника. При этом волновая функция является
произведением функции от y и z на функцию только от х.
Для полупроводниковой квантовой ямы зависимость потенциальной
энергии от координаты может быть представлена с хорошим приближением в
виде симметричной прямоугольной потенциальной ямы: U(x) = 0 при 0<x<L и
U(x) = U0 при x>L либо x<0. В данном случае L может иметь смысл физической
ширины квантовой ямы, U0 – величина разрыва зоны проводимости (или
валентной зоны) на гетерогранице для случая электронного (дырочного)
квантования.
Представляют интерес решения, для которых значения энергии лежат
ниже энергетического края потенциальной ямы (E < U0). В этих случаях
принято говорить, что носители заряда локализованы в квантовой яме.
В области вне квантовой ямы уравнению Шредингера удовлетворяет
функция вида ψ(x) = Aexp(±k2x) .Знак « – » соответствует области х > L и «+»

8
области х<0. А в области квантовой ямы уравнению Шредингера удовлетворяет
волновая функция вида ψ(x)=Bsin(k1x + δ). Таким образом, волновая функция
представляет собой синусоиду в квантовой яме и экспоненциально затухает за
ее пределами[2].
В глубокой яме существует множество уровней размерного квантования
(рис 2). Основной (самый нижний) уровень располагается наиболее близко к
краю зоны материала ямы (приятого за 0 энергии). Приближенное выражение
для n-го уровня размерного квантования в глубокой яме, являющееся точным
решением для ямы с бесконечно высокими барьерами:

Таким образом, энергия размерного квантования в глубокой (и/или

широкой) яме не зависит от высоты барьеров и определяется лишь шириной
квантовой ямы.

Рис. 2. Волновые функции трех нижних уровней энергии

в глубокой квантовой яме

Несколько квантовых ям, достаточно далеко разнесенных друг от друга,

могут рассматриваться как изолированные. Взаимодействие электронных
состояний в таких ямах отсутствует. Если эти квантовые ямы одинаковы с
точки зрения ширины, высоты барьеров и других параметров, влияющих на
электронную структуру, каждая из них будет обладать одинаковым набором
энергетических уровней и волновых функций (рис. 3, а). Набор одинаковых
изолированных (не связанных) ям получил наименование – многократная
квантовая яма[2].
9
 Рис. 3. Переход от изолированных квантовых ям (а)
к туннельно-связанным ямам (б) или к сверхрешетке (в)
по мере уменьшения ширины барьеров

При уменьшении высоты барьера, разделяющего квантовые ямы, или его

ширины в результате туннельного проникновения волновых функций соседних
квантовых ям под разделяющим барьером происходит «обобществление»
волновых функций. Возникает два расщепленных уровня размерного
квантования (рис. 3, б). Величина расщепления пропорциональна

Где d – расстояние между соседними квантовыми ямами; (U 0 – E) –

глубина залегания рассматриваемого квантового уровня. Если же туннельно-
связанных ям несколько, уровень расщепляется на столько подуровней, сколько
ям входит в структуру. Сверхрешетка представляет собой набор чередующихся
туннельно-связанных квантовых ям (рис. 3, в). В известном смысле переход от
изолированных квантовых ям, к полупроводниковой сверхрешетке аналогичен
переходу от изолированных атомов к твердому телу.
Уровни размерного квантования туннельно-связанных ям образуют мини-
зону. Ширина мини-зоны определяется расщеплением уровня размерного
квантования и не зависит от числа ям, образующих сверхрешетку. Она
увеличивается при уменьшении ширины барьеров, а также при уменьшении
ширины ямы, так как при этом увеличивается туннельное связывание соседних
ям. Следует отметить, что если в исходной квантовой яме локализуется не
один, а несколько уровней размерного квантования, в сверхрешетке возникает
несколько мини-зон.

10
 Сверхрешетки с большим периодом ведут себя как полуметаллы, но когда
период сверхрешетки уменьшается, эффекты квантования усиливаются, что
приводит к переходу от полуметалла к полупроводнику с узкой щелью [1]
(рис. 4).
Сверхрешетки InAs/GaSb II типа одни из наиболее распространенных, так
как это сочетание материалов в напряженных сверхрешетках может
использоваться в большом диапазоне длин волн до 15 мкм, на этих длинах волн
работают все основные области применения оптоэлектронных приборов.

а)

б)
Рис. 4 а) Зонная диаграмма сверхрешетки InAs/GaSb, красные области
представляют собой запрещенные зоны InAs, а зеленые – GaSb.
б) зонная структура прямозонного материала с процессом поглощения света в
k-пространстве[1]

11
 1.3 Не идеальность гетерограниц
Рассмотрим не идеальность гетерограниц на примере квантовой ямы
(рис.5). Под не идеальностью понимают микроскопическую неоднородность[2]:
1) химического состава материала барьеров;
2) химического состава материала ямы;
3) ширины квантовой ямы (шероховатость гетероинтерфейсов).
Первые два фактора отсутствуют в случае использования бинарных
соединений. Однако они могут оказаться весьма значительными, если твердый
раствор имеет тенденцию к кластеризации (распаду на фазы, различающиеся
химическим составом).
Фактор шероховатости присутствует почти во всех реальных структурах с
квантовыми ямами. Наименьшей структурной единицей полупроводникового
материала в направлении выращивания является монослой (МС). В случае
полупроводников типа AIIIBV он обычно представляет собой две атомные
плоскости, образованные атомами III и V групп. Высота монослоя типично
составляет около 0.3 нм
В случае, когда осаждено целое число монослоев полупроводникового
материала, поверхность полупроводника может быть гладкой на атомном
уровне. Идеальная квантовая яма образована двумя атомно-гладкими
гетероинтерфейсами. Однако требование осаждения целого числа монослоев
трудно осуществить на практике при эпитаксиальном росте. Это обусловлено
неточным знанием скорости роста, а также отклонением скорости роста от
среднего значения, как в течение осаждения, так и по поверхности
эпитаксиальной пластины. Кроме того, по мере роста имеет место накопление
шероховатости. Таким образом, даже после осаждения целого числа монослоев
поверхность может иметь микроскопический рельеф.

12
 Рис. 5 Шероховатость интерфейсов

Таким образом, квантовая яма, сформированная эпитаксиальным методом,

типично имеет шероховатость гетероинтерфейсов. Типичная высота
шероховатости составляет 1 МС, однако возможен и более развитый рельеф
поверхности. Это явление приводит к тому, что в разных точках поверхности
квантовая яма имеет различную, хотя и близкую, ширину.

13
 1.4 Требования к материалам, образующим гетеропереход

Для того, чтобы в кристаллической решетке двух материалов,

составляющих гетеропереход, не было дефектов, необходимо как минимум,
чтобы два материала имели одну и ту же кристаллическую структуру и близкие
(∆α/α не более 10%) периоды решеток. В этом случае структура получается без
напряжений. Ясно, что не все материалы могут быть использованы для
создания гетероперехода.
На рисунке представлены наиболее часто применяемые материалы для
создания гетеропереходов. Руководствуясь приведенным рисунком 6, можно
создавать гетеропереходы «на заказ» с желаемой величиной разрыва зон или
квантовую яму с заданной формой потенциала[3].

Рис. 6 График зависимости энергии запрещенной зоны от постоянной

решетки для ряда полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки.
Затененные области объединяют группы полупроводников с близкими
постоянными решеток. Полупроводники, соединенные сплошными линиями,
образуют между собой стабильные твердые растворы. Штриховые линии
указывают на непрямые запрещенные зоны

14
 Если несоответствие решеток невелико, то пленка упруго деформируется
так, что кристаллы срастаются когерентно. В этом случае атомы,
расположенные по разные стороны границы раздела точно подходят один к
одному, а в растущей пленке образуется псевдоморфный слой. В пределах
этого слоя происходит плавный переход от периода решетки подложки к
периоду решетки объемного материала с соответствующим уменьшением
упругих деформаций.
При большом несоответствии периодов решеток избежать дислокаций на
границе можно, только если слой достаточно тонкий, чтобы упругие
деформации могли компенсировать растягивающие напряжения в тонкой
пленке, при дальнейшем росте слоев с таким же периодом решетки энергия
упругих деформаций пленки настолько возрастает, что когерентное срастание
кристаллов становится энергетически невыгодным (рис. 7). В этом случае
образуется полукогерентная граница раздела, на которой зарождаются краевые
дислокации, или дислокации несоответствия. Эти дислокации лежат в
плоскости псевдоморфного слоя и вместе с упругой деформацией в этом слое
компенсируют различие периодов решеток подложки и слоя[4].

Рис. 7 Схема образования псевдоморфного слоя и дислокаций

несоответствия при эпитаксиальном росте пленки

15
 1.5 Механизмы роста
Рост гетероструктуры происходит одним из трех методов (рис. 8) [5].
1. Послойный рост по механизму Франка-ван дер Мерве (Frankvan der
Merwe) осуществляется, когда атомы пленки сильнее связаны с подложкой, чем
друг с другом. При этом если осаждаемый материал и материал подложки
согласованы по постоянной решетки, происходит строго двумерный рост
пленки.
2. Островковый рост по механизму Вольмера – Вебера (Volmer – Weber)
осуществляется, когда атомы пленки сильнее связаны между собой, чем с
подложкой. Происходит островковый (трехмерный) рост материала на
подложке.
3. Послойно-островковый рост по механизму Странского – Крастанова
(Stranski – Krastanow). Этот механизм является промежуточным между
послойным и островковым ростом. После формирования двумерного
(смачивающего) слоя происходит рост трехмерных островков. Параметры
промежуточного слоя зависят от конкретного случая.

Рис. 8 Механизмы роста тонких пленок и наноструктур

16
 Механизм Франка-ван дер Мерве обеспечивает рост следующего слоя
только после полного заполнения предыдущего, и при таком механизме
шероховатость не превышает один слой. Следовательно, этот механизм
обеспечивает максимальную резкость гетероинтерфейса. А при росте по
механизму Вольмера – Вебера достигается максимальная шероховатость.
Следовательно, оптимальным методом в данной работе является механизм
Франка-ван дер Мерве.

17
 1.6 Технологии роста полупроводниковых соединений
На данный момент существуют несколько методик роста
полупроводниковых соединений. Они включают в себя как устаревшие –
жидкофазную эпитаксию (ЖФЭ), так и относительно новые, более популярные
– молекулярно-пучковую эпитаксию (МПЭ) и газофазную эпитаксию из
металлорганических соединений (МОС ГФЭ). Все технологии не идеальны,
каждая имеет свои преимущества и недостатки.
1.6.1 Жидкофазная эпитаксия
Жидкофазная эпитаксия применяется ещё со времен первых исследований
полупроводников A3B5 и A2B6. Метод позволяет получать эпитаксиальные слои
толщиной от долей до сотен микрометров, легировать эпитаксиальные слои с
заданным распределением примеси по толщине слоя, изготавливать
многослойные эпитаксиальные гетероструктуры.
Сущность метода жидкофазной эпитаксии состоит в приведении в контакт
подложки с пересыщенным раствором полупроводника в легкоплавком
растворителе (расплав). В результате контакта подложки с пересыщенным
расплавом растворенный в нем полупроводник выкристаллизовывается на
подложке в виде эпитаксиального слоя. Толщина его зависит от толщины
расплава, температурного интервала его охлаждения или времени нахождения
расплава в градиенте температур.
К недостаткам метода жидкофазной эпитаксии следует отнести
неизбежное присутствие в пленке компонентов растворителя. Тяжело
контролировать уровень легирования и толщины слоёв, получать сложные
профили легирования.
К технологическим преимуществам метода жидкофазной эпитаксии по
сравнению с конкурирующим методом газофазной эпитаксии следует отнести
простоту аппаратурного оформления, отсутствие токсичных реагентов,
небольшое отклонения состава эпитаксиального слоя от стехиометрического.

18
 1.6.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия
Молекулярно-лучевая эпитаксия представляет собой
усовершенствованную разновидность методики термического напыления в
условиях сверхвысокого вакуума. Давление остаточных газов в вакуумной
камере поддерживается ниже 10-8 Па.
Потоки атомов или молекул создаются в зоне генерации за счет испарения
жидких или сублимации твердых материалов, помещенных в эффузионные
ячейки (источники), являющиеся тиглями с диафрагмами.
Потоки испаренных веществ направляются на подложку, проходя зону
смешивания, и осаждаются на ней в зоне роста, образуя пленку из вещества
требуемого состава. Зону роста разделяют на три области: подложку, или
выросший слой, газовую смесь компонентов гетероструктуры в
приповерхностной области и переходный слой.
Основные требования к установке:
 В рабочей камере установки необходимо поддерживать сверхвысокий
вакуум (около 10−8 Па).
 Чистота испаряемых материалов должна достигать 99,999999 %.
 Необходим молекулярный источник, способный испарять тугоплавкие
вещества (такие как металлы) с возможностью регулировки плотности потока
вещества.
1.6.3 Газофазная эпитаксия из металлорганических соединений.
Метод МОС-гидридной эпитаксии заключается в осаждении из газовой
фазы пленок на нагретую подложку. В качестве источников элементов III
группы используются металлорганические соединения, а в качестве источников
элементов V — гидриды или их органические соединения[6].
Установки для МОСГФЭ сегодня — это в высокой степени авто-
матизированные аппараты, позволяющие в одном процессе проводить
осаждение на подложках суммарной площадью до 0,25 м2, а управляемые ком-
пьютером системы подачи в реактор газовых реагентов обеспечивают точность

19
регулирования количества реагентов и времени эпитаксиального роста. Со-
здание необходимой температуры в рабочей зоне реактора обычно
осуществляется с помощью ИК-излучателей или ВЧ-нагрева.
Осаждение соединений основано на реакциях:
АIII(СН3)3 + BVH3 → AIIIBV + ЗСН4,
AIII(С2Н5)3 + BVH3 → AIIIBV + ЗС2Н5
( AIII(СН3)3 – триметил, AIII(С2Н5)3 - триэтил, BVH3 – гидрид)
Основные проблемы МОС ГФЭ:
1. загрязнение эпитаксиального слоя (ЭС) посторонними примесями, в
первую очередь углеродом;
2. высокая токсичность гидридов элементов V группы;
3. высокая пожароопасность MOC.
Основные преимущества МОСГФЭ это:
1. простота контроля расхода реагентов;
2. высокая производительность;
3. независимая подача реагентов при получении твердых растворов;
4. высокая однородность свойств полученных материалов.

20
 Таблица 1. Сравнение методов эпитаксиального роста
Технология Преимущества Недостатки
ЖФЭ 1.Простые установки. 1.Тяжело контролировать
2.Высокая чистота получаемых уровень легирования
материалов. 2.Тяжело получить сложные
профили легирования.
МПЭ 1.Возможность получения резких 1.Низкая производительность.
интерфейсов. 2.Дорогие и сложные установки
2.In situ мониторинг с помощью ДБЭ.
МОС ГФЭ 1.Простота контроля расхода 1.Ядовитые и дорогие
реагентов. прекурсоры
2.Высокие скорости роста 2.Высокий уровень загрязнений
3.Высокая производительность эпитаксиальных слоёв
4.Позволяет получать структуры с посторонними примесями (в
нужным профилем легирования. первую очередь C)

В данной работе рассмотрен метод газофазной эпитаксии, так как он

применяется для серийного производства, имеет высокую скорость роста и
относительно низкую стоимость, вследствие этих факторов МОС ГФЭ имеет
большую перспективу для серийного производства.

21
 1.7 Постановка задачи
Целью данной работы является исследование влияний времени
прерывания роста между слоями и очередности подачи реагентов на резкость
гетерограниц на примере квантовых ям и сверхрешеток на основе GaSb и InAs
выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических
соединений (МОСГФЭ), т. е. метода широко применяющегося в массовом
производстве структур для оптоэлектроники.

22
 Глава 2. Основная часть. Установка и методы исследования
2.1 Установка МОС ГФЭ AIX200
Все эксперименты по выращиванию структур выполнялись на установке
газофазной эпитаксии из металлорганических соединений AIX 200.
AIX 200 – установка для эпитаксиального роста однородных слоев
полупроводниковых соединений AIIIBV производства Германии. Она может
использоваться как для научно-исследовательских, так и промышленных
целей. Горизонтальный реактор AIX 200 позволяет выращивать структуры на
одно- и двухдюймовых подложках. Геометрия реактора такова, что создаются
условия образования ламинарного газового потока. Это способствует более
тщательному управлению составом слоев и получению резких интерфейсных
границ. Равномерное вращение подложкодержателя (для улучшения
однородности выращиваемых слоев) реализовано применением технологии
Gas-Foil-Rotation®. Принцип этой системы заключается во вращении
подложкодержателя за счет газового потока без использования каких-либо
механических приводов.

Рис. 9 Установка AIX 200 Рис. 10 Реактор установки AIX 200

23
 В установке AIX 200 (рис. 9) установлен проточный кварцевый реактор
горизонтального типа (рис 10), работающий при пониженном давлении. Размер
горизонтального реактора AIX 200 позволяет выращивать структуры на
двухдюймовых подложках.
Для улучшения однородности выращиваемых слоев используется
равномерное вращение подложкодержателя, реализованное применением
технологии Gas-Foil-Rotation®. Принцип этой системы заключается во
вращении подложкодержателя за счет газового потока без использования
каких-либо механических приводов.

24
 2.2 Реактор AIX 200
Упрощенная схема высокотемпературной части реактора приведена на
рис. 11. Парогазовая смесь подается в кварцевый формирователь потока.
Пространство между формирователем потока и стенками внешнего реактора
продувается чистым водородом. Температура подложкодержателя
контролируется термопарой, расположенной в запаянной кварцевой трубке,
проходящей через подложкодержатель и подключенной к контроллеру
Eurotherm, входящему в состав установки AIX 200.
Газ-носитель Паро-газовая
(водород) смесь
Водород

Парогазовая
смесь
3
4 1
2 5
Водород

Рис. 11 Схема высокотемпературной части реактора 1-подложка;

2-подложкодержатель (графит); 3-термопара; 4-формирователь газового потока
(кварц); 5-внешний реактор (кварц)

Графитовый подложкодержатель нагревается ИК лампами (продольные

нагреватели).
Источники органических соединений.
Для органических соединений используют «барботеры» (сделанные из
нержавеющей стали; как правило, объемом 200 мл), которые установлены в
термостатах, находящихся в отсеке газораспределительной системы. Давление
паров над поверхностью органических соединений контролируется
температурой барботера.
Мольный расход металлорганики зависит от температуры и количества
проходящего через источник газа-носителя. Дополнительная продувка газового
25
канала, по которому осуществляется доставка паров органики в
газораспределительную систему, служит для предотвращения их конденсации
на стенках газового канала и ускорения движения газового фронта по каналу.
Источники элементов: III-группы – триметилгаллий (TMGa),
триэтилгаллий (TEGa), триметилалюминий (TMAl) и триметилиндий (TMIn);
V-группы – триметилсурьма (TMSb), арсин (AsH3) и фосфин (PH3) и источники
легирующих примесей – диэтилтеллур (DETe), диэтилцинк (DEZn) и силан
(SiH4). Каждый из реагентов поступает по отдельному трубопроводу до
введения в реактор. Это позволяет предотвратить паразитные реакции между
элементами в трубах газовой схемы.
Газовая система установки AIX 200 приведена на рисунке 12 и состоит из
газовой линии, системы подачи источников реагентов и легирующих примесей.

26
Рис. 12 Схема газовой системы установки AIX200
 2.3 Основные параметры МОС ГЭФ
К числу важнейших параметров процесса относятся температура
осаждения, давление в рабочем реакторе, отношение BV/AIII в газовой фазе[7].
2.3.1 Температура роста
Зависимость скорости эпитаксиального осаждения от температуры
содержит три характерных участка (рис. 13). В области низких температур
(область I) скорость роста эпитаксиальных слоев ограничивается разложением
металлорганических соединений и экспоненциально возрастает с ростом
температуры. С повышением температуры (область II) эти ограничения
снимаются, и скорость роста в преобладающей степени начинает зависеть от
скорости поступления компонентов осаждаемого материала к поверхности
подложки (в большинстве случаев процесс лимитируется поставкой источника
элемента AIII). В этой области температура в зоне осаждения практически не
влияет на скорость эпитаксиального роста. При более высоких температурах
(область III) скорость роста обычно снижается вследствие возрастания
десорбции реагентов с поверхности осаждения[7].

Рис. 13 Температурная зависимость скорости роста ЭС при МОСГФЭ

Для получения качественных слоев с резкими интерфейсами процесс

протекает во второй области, так как у атомов в приповерхностных слоях
достаточно энергии для диффузии и подвижности, для встраивания в решетку,
но недостаточно для десорбции атомов с поверхности роста.

28
 2.3.2 Отношение молярных потоков элементов BV / AIII
в газовой фазе
Концентрация источников элементов V и III групп в потоке газа-носителя
определяет условия роста и качество выращенных слоев. Для получения
качественного эпитаксиального слоя концентрация элементов пятой группы
должна превышать концентрацию элемента третей группы. Это связано с тем,
что скорость роста полностью определяется поступлением атомов III группы на
растущую поверхность (коэффициент прилипания близок к единице).
Элементы V группы имеют высокое равновесное давление, легко испаряются с
поверхности и для сохранения стехиометрического состава поверхности
приходится поддерживать высокое давление его паров[5].
Недостаток элементов 3 фазы приводит к выделению металлической фазы
на поверхности подложки.
Соотношение элементов V и III группы не постоянно для разных веществ,
так что для каждого набора подбирается свое оптимальное соотношение[7].

29
 2.4 Методы диагностики полупроводниковых гетероструктур
2.4.1 Методы исследования поверхности элементов
Самыми распространенными методами для определения поверхности
элементов являются методы электронной и зондовой микроскопий. Важная
особенность этих методов – неразрушаемость образца при исследовании.
Сканирующая зондовая микроскопия включает широкий спектр методов
исследования поверхности. Сканирующие зондовые микроскопы
подразделяются на следующие основные типы: сканирующий туннельный
микроскоп, предназначенный для измерения рельефа проводящих
поверхностей с высоким пространственным разрешением; ближнепольный
оптический микроскоп, который позволяет получать растровые изображения
поверхностей и объектов с разрешением ниже дифракционного предела;
атомно-силовой микроскоп, который используется для определения рельефа
поверхности с разрешением от десятков ангстрем вплоть до атомарного и, в
отличие от сканирующего туннельного микроскопа, позволяет исследовать как
проводящие, так и непроводящие поверхности.
2.4.2 Атомно-силовой микроскоп
Принцип работы атомно-силового микроскопа основан на регистрации
силового взаимодействия между поверхностью исследуемого образца и зондом.
В качестве зонда используется наноразмерное остриё, располагающееся на
конце упругой консоли, называемой кантилевером. Сила, действующая на зонд
со стороны поверхности, приводит к изгибу консоли. Появление
возвышенностей или впадин под остриём приводит к изменению силы,
действующей на зонд, а значит, и изменению величины изгиба кантилевера.
Таким образом, регистрируя величину изгиба, можно сделать вывод о рельефе
поверхности[7].
2.4.3 Просвечивающий электронный микроскоп
Просвечивающий  электронный микроскоп — высоковакуумный
высоковольтный прибор, в котором изображение от ультратонкого объекта

30
(толщиной менее 500 нм) формируется в результате взаимодействия пучка
электронов с веществом образца при прохождении через него насквозь.
Принцип действия просвечивающего электронного микроскопа
практически аналогичен принципу действия оптического микроскопа, но
вместо стеклянных линз используются магнитные и электроны вместо
фотонов. Пучок электронов, испускаемый электронной пушкой, фокусируется с
помощью собирающей линзы в маленькое пятно ∼2–3 мкм в диаметре на
образце и после прохождения через образец фокусируется с помощью
собирающей линзы для получения проекции увеличенного изображения на
специальном экране образца или детекторе.
Для удобства оценки данных применяется методика построения профиля
интенсивности изображения. На полученном графике хорошо видны толщины
слоев и резкость гетеропереходов.
2.4.4 Фотолюминесценция
Фотолюминесценция – люминесценция, возбуждаемая оптическим
излучением. Под действием лазерного излучения с энергией, равной или
превышающей ширину запрещенной зоны материала, происходит возбуждение
неравновесных носителей заряда. В дальнейшем при попадании в
потенциальную яму носители там локализуются, в результате чего наблюдается
люминесценция, вызванная рекомбинацией носителей заряда. При энергиях
возбуждения больше ширины запрещенной зоны процессам излучательной
рекомбинации будут предшествовать процессы термализации – процесс
перехода электрона и/или дырки на более низкое энергетическое состояние с
испусканием фононов. Процесс термализации имеет длительность намного
меньшую, чем время жизни электрона или дырки, вследствие чего, получаемое
на выходе излучение характеризует состояния с наиболее низкой энергией[8].
В зависимости от температуры окружающей среды в спектре
фотолюминесценции могут доминировать различные типы излучений. Так, при
комнатной температуре в спектре фотолюминесценции доминирует излучение,
вызванное собственной рекомбинацией, при температуре ниже комнатной
31
начинает доминировать излучение, связанное со свободными и связанными
экситонами, и при температуре ближе к 0 К можно наблюдать излучение
переходов с участием глубоких примесных уровней. Таким образом, по спектру
фотолюминесценции можно определить ширину запрещенной зоны материала,
его экситонный спектр, а также оценить концентрацию дефектов в структуре,
равномерность гетерограниц и концентрацию электронов.

32
 Глава 3. Получение и исследование сверхрешеток InAs/GaSb
Для эпитаксиального роста использовались подложки GaSb n-типа
проводимости с концентрацией носителей заряда в диапазоне от 1·10 17 до
1018 см-3, ориентированные в плоскости (100), легированные теллуром.
Так как подложки хранятся в течение длительного времени, то на
поверхности может образоваться собственный оксид. Для удаления оксида
предпочтительно использовать отжиг.
Отжиг проводился в реакторе установки при давлении 76 мм.рт.ст. в
атмосфере водорода с точкой росы не хуже −100ºC, суммарный поток через
реактор составлял 5.5л/мин при различных температурах отжига, приведенных
в таблице.
Табл. 2 Данные, полученные на атомно-силовом микроскопе в результате
отжига подложек GaSb при Т=600-700ºC

С отжигом при С отжигом при С отжигом при

Без отжига T=600ºC T=650ºC T=700ºC
2минуты 2минуты 2минуты

GaSb (100)

Поверхность без отжига имеет дефекты, отжиг в течение двух минут при
температуре T=600ºC не позволяет получить качественную поверхность, отжиг
при температуре T=650ºC и 700ºC существенно увеличивает качество
поверхности.
Отжиг при температуре T=650ºC позволяет получить поверхность
высокого качества.

33
 3.1 Особенности выращивания квантоворазмерных гетероструктур InAs/GaSb
методом МОСГФЭ
Большой интерес вызывают приборы на основе квантоворазмерных
гетероструктур и структур с напряженными сверхрешетками с
гетеропереходами III-типа GaSb/InAs. В первую очередь это связано с
широкими возможностями применения данных гетероструктур в области
инфракрасной оптоэлектроники в качестве светоизлучающих и фотоприемных
устройств, способных работать в спектральном диапазоне до 15 мкм.
Данные по зависимости толщины слоев в сверхрешетках GaSb/InAs
приведены в статьях [9-14] на рисунке 14 приведен сводный график.

Рис. 14 Зависимость длинны волны излучения сверхрешеток GaSb/InAs

от толщин слоев. На графике приведены данные для dGaSb=const=12 МС
и изменение толщины dInAs (синий), dInAs= const=8МС и изменение
толщины dGaSb (зеленый), также приведены данные для сверхрешеток
со слоями одинаковой толщины (черный). Точками отмечены
экспериментальные данные из статей [9-14]

34
 Резкость гетерограниц в сверхрешетках оказывает существенное влияние
на качество переходов и оптоэлектронные свойства приборов на их основе. Для
оценки влияний условий роста на резкость гетерограниц было исследовано
влияние времени прерывания роста после каждого выращенного слоя в
сверхрешетке и влияние очередности подачи одного реагента относительно
другого для каждого слоя сверхрешетки.
Были изготовлены структуры, содержащие последовательно
чередующиеся слои GaSb и InAs на подложках n-GaSb(100). Давление в
реакторе составляло 76мм.рт.ст., температура роста в диапазоне Т=500-600°С.
Подложка во время роста вращалась со скоростью 100 об/мин. Газ-носитель —
очищенный водород с точкой росы не хуже −100ºC, суммарный поток через
реактор составлял 5.5л/мин. Источники элементов для роста: триметилиндий
(ТМIn), триэтилгаллий (ТЕGa), триметилсурьма (ТМSb) и арсин (AsH 3).
Структуры преднамеренно не легировались. Скорость роста составила для
GaSb ~1нм/мин и для InAs ~11нм/мин.
Целью экспериментов являлось исследование возможности получения
тонких слоев с резкими границами раздела. Эти обстоятельства определяли
весь режим роста — малую скорость роста и полную замену газовой среды
между ростом соседних слоев.

35
 3.2 Влияние прерывания роста между слоями на
качество гетерограниц
Для оценки резкости гетерограниц были выращены сверхрешетки,
состоящие из 6 пар чередующихся слоев InAs и GaSb. Для получения резких
границ между слоями, подача соединений прерывалась после каждого
выращенного слоя InAs и GaSb, но продолжалась подача водорода в течение
времени t, которое определялось из соотношения: t≥Vp/G, где Vp – объём
реактора, см3; G – скорость протекания водорода, см3/с. Объем реактора
(ширина * высота * длинна) Vp≈8.4*2.5*26=546 см3; скорость протекания
водорода G=5.5л/мин≈92 см3/с тогда минимальное время выдержки при
переключении слоев t=546см3/92см3/с =8.81с.
Для подтверждения расчетных данных была выращена структура с
различными паузами при переключении потоков. Прерывание подачи между
каждыми двумя парами слоев InAs и GaSb составляла 1 минуту. Выдержка при
смене слоёв выбрана, исходя из расчетного времени переключения, и у первых
двух пар слоев InAs и GaSb составила 10 секунд, у вторых – 30 секунд, у
третьих – 50 секунд.

Рис. 15 Участок временной диаграммы подачи реагентов вовремя роста

36
 Рис. 16 Темнопольное изображение поперечного сечения образца

Квантовые ямы InAs хорошо видны, дефектов не наблюдалось на всем

поле просмотра.

Рис. 17 Структура, выращенная для оценки влияния выдержки роста на

резкость гетероинтерфейсов, темнопольные изображения поперечного сечения
образца, полученные при помощи туннельной микроскопии
37
 Особенности изображений:
Границы слоев планарные и выглядят одинаково для всех 6-и ям. Толщина
ям немного изменяется в латеральном направлении. Границы ям имеют более
темный контраст, чем GaSb и InAs. Это говорит об образовании на границе
тройного раствора InGaAs или InSbAs. Толщина самой границы GaSb/InAs
также имеет неоднородности по толщине.
По изображению был построен профиль интенсивности в направлении,
указанном стрелкой;

Рис. 18 Профиль интенсивности изображения в направлении [001]

Толщины слоев можно измерить 2-я способами: 1) классический: на

половинах высоты перепада интенсивности слоев и 2) по минимумам
интенсивности, которые соответствуют тройному раствору InGaAs или InSbAs.
Оба результата приведены в таблице ниже, так же в таблице приведена
толщина переходных слоев.

38
 Табл. 3 Толщины слоев при паузе между слоями
Описание Измерение
№
Соста Толщин
сло способ 1 способ 2
в а
я
14 GaSb 50 nm Крышка
выдержка t = 1 минута.
13 GaSb 3 nm выдержка при смене слоев
12 InAs 2 nm 19,8 A 13,3 A
t=50 секунд.
11 GaSb 3 nm 8,5 A 14,4 A
Толщина переходного слоя
10 InAs 2 nm 19,8 A 12,7 A
0.7-0.8nm
выдержка t = 1 минута.
9 GaSb 3 nm выдержка при смене слоев 12,7 A 19,5 A
8 InAs 2 nm 15,7 A 9,2 A
t=30 секунд.
7 GaSb 3 nm 15,0 A 21,9 A
Толщина переходного слоя
6 InAs 2 nm 17,8 A 11,3 A
0.6-0.7nm
выдержка t = 1 минута.
5 GaSb 3 nm выдержка при смене слоев 20,9 A 25,6 A
4 InAs 2 nm 14,4 A 8,9 A
t=10 секунд.
3 GaSb 3 nm 23,2 A 27,7 A
Толщина переходного слоя
2 InAs 2 nm 14,0 A 8,5 A
0.5-0.6nm
1 GaSb 400 nm Буфер
0 GaSb Подложка

В результате исследования было выявлено, что качество границ не

изменяется в зависимости от времени выдержки при переключении потоков,
что согласуется с расчетной формулой t≥Vp/G, и наиболее резкие границы
удается получить при приближении реального времени выдержки к
расчетному. Так же выявлено, что направление переключения (GaSb –> InAs
или InAs –> GaSb) не влияет на качество переходных слоев.

39
 3.3 Влияние очередности подачи реагентов на
качество гетерограниц
Для оценки влияния технологических условий на резкость гетерограниц
была выращена структура. Во время роста данной структуры технологически
изменялось начало роста слоев. Ниже приведено схематическое изображение
такой структуры с временной диаграммой подачи реагентов во время роста.

AsH3 Откр.
Закр.
Подача реагентов

20нм GaSb Откр.

TMIn Закр.

Откр.

Пауза
Пауза

Пауза
10нм InAs TMSb Закр.
Откр.
TEGa Закр.
10нм GaSb
5 5 5 5

10нм InAs Время t, c

AsH3 Откр.
Закр.
Подача реагентов

20нм GaSb Откр.

TMIn Закр.
Пауза

Откр.
Пауза

10нм InAs TMSb Закр.

Пауза

Откр.
TEGa Закр.
10нм GaSb
2 2 2 2

10нм InAs Время t, c

AsH3 Откр.
Закр.
Подача реагентов

20нм GaSb TMIn Откр.

Закр.
Пауза

Откр.
Пауза

TMSb Закр.
Пауза

10нм InAs Откр.

TEGa Закр.
10нм GaSb 5 5 5 5

Время t, c
10нм InAs

40
 20нм GaSb

10нм InAs

10нм GaSb

Подача реагентов
AsH3 Откр.
Закр.

10нм InAs TMIn Откр.

Закр.
16 -3

Пауза
0.5 мкм GaSb p~1 10 cm

Пауза

Пауза
Откр.
TMSb Закр.
Откр.
TEGa Закр.
Подложка n-GaSb 2 2 2 2

n~ (5-7) 1017cm-3 Время t, c

Рис. 19 Схематическое изображение структуры для определения

резкости гетерограницы и временная диаграмма
подачи реагентов во время роста

Время прерывания роста между слоями в серии - 10 секунд, между

сериями – 60 секунд.

Рис. 20 Темнопольные изображения поперечного сечения при помощи

просвечивающей электронной микроскопии

41
 В результате исследований установлено, что:
1) Все границы InAs/GaSb визуально выглядят одинаково вне
зависимости от времени выдержки при переключении потоков и вне
зависимости от направления переключения (GaSb –> InAs или InAs –> GaSb);
2) Толщины получившихся слоев имеют флуктуации. Толщины самой
границы GaSb/InAs также имеют неоднородности по толщине;
По изображению был построен профиль интенсивности в направлении,
указанном стрелкой;

Рис. 21 Профиль интенсивности изображения в направлении [001]

42
 Табл. 4 Толщины слоев при задержке подачи реагентов
Толщина
№ слоя переход описание
перехода, нм
17 GaSb крышка
16 InAs- GaSb Подача TMIn и TEGa 1.5
15 GaSb- InAs 2.1
раньше, чем AsH3 и
14 InAs- GaSb 2.7
13 GaSb- InAs TMSb на t = 5 секунд 3.2
Пауза 60 секунд
12 InAs- GaSb Подача TMIn и TEGa 2.3
11 GaSb- InAs 2.4
раньше, чем AsH3 и
10 InAs- GaSb 2.1
9 GaSb- InAs TMSb на t = 2 секунд 4.3
Пауза 60 секунд
8 InAs- GaSb Подача AsH3 и TMSb 1.7
7 GaSb- InAs 1.4
раньше, чем TMIn и
6 InAs- GaSb 1.6
5 GaSb- InAs TEGa на t = 5 секунд 3
Пауза 60 секунд
4 InAs- GaSb Подача AsH3 и TMSb 2
3 GaSb- InAs 1.8
раньше, чем TMIn и
2 InAs- GaSb 1.3
1 GaSb- InAs TEGa на t = 2 секунд 2.5
0 GaSb подложка
Более ранняя подача одного элемента на время 2-5 секунд не привела к
существенному изменению гетероинтерфейсов, так как это время роста меньше
расчетного при таких габаритах реактора и скорости потока газа-носителя.
Резкость границ при гетеропереходе после паузы в 60 секунд между подачей
реагентов существенно хуже, чем при паузе в 10 секунд.
Наиболее качественные границы гетеропереходов были получены при
времени выдержки t=10сек во время переключения потоков. Подача AsH3 и
TMSb раньше TMIn и TEGa существенно не влияет на качество
гетероинтерфейсов, но из логических соображений для предотвращения
образований соединений InSb на гетерограницах слоев предпочтительно
начинать подачу реагентов с TEGa при росте слоев GaSb и с AsH3 при росте
InAs.

43
 Для получения резких гетерограниц скорости роста для разных слоев
должны быть соизмеримы.

44
 3.4 Сверхрешетка из десяти пар слоев InAs/GaSb
Для подтверждения исследований была выращена сверхрешетка
InAs/GaSb, состоящая из 20 слоев, и приведены спектры люминесценции этой
структуры.
Были использованы подложки n-GaSb(100), легированные теллуром,
которые во время роста вращалась со скоростью 100 об/мин. Условия роста:
давление в реакторе 76 мм.рт.ст., температура роста в диапазоне Т=500°С.
Газ-носитель – водород с точкой росы не хуже -100ºС с суммарным потоком
через реактор 5,5 л/мин. Источники элементов для роста: триметилиндия
(ТМIn), триэтилгаллия (ТЕGa), триметилсурьма (ТМSb) и арсин (AsH3).
Источники легирующих примесей диэтилтеллур (DETe) - донор и силан (SiH4)
- акцептор. Скорость роста составила для GaSb ~1нм/мин и для InAs ~ 4
нм/мин.
При получении наногетероструктур со сверхрешеткой, выращивание
каждого слоя GaSb начиналось с подачи ТЕGa, выращивание каждого слоя InAs
начиналось с арсина, после выращивания каждого слоя GaSb и InAs прерывали
подачу упомянутых соединений в зону роста слоев и продолжали подавать
водород в течение 10 секунд.

45
 Рис. 22 Фотография в поперечном разрезе сверхрешетки, состоящей из 10
пар чередующихся слоев InAs и GaSb

По изображению был построен профиль интенсивности

Рис. 23 Профиль интенсивности изображения в направлении [001]

На графике виден ряд симметричных пиков с толщинами слоев в

диапазоне 3.5-4 нм и резкостью границ менее 1 нм. Симметричность графика
говорит о качественной структуре материала.

46
 а)

б)
Рис. 24 Спектры фотолюминесценции сверхрешетки, состоящей из 10
пар чередующихся слоев InAs и GaSb в диапазоне: а) 0.27-0.4 eV и
б) 0.5−0.9 eV

Для исследования люминесцентных свойств применялся метод

фотолюминесценции. Спектры фотолюминесценции измерялись с поверхности
образцов при температуре T=77K. В диапазоне длин волн 1400-2500 нм (0.45-
0.9 эВ) для возбуждения использовался лазер Nd :YAG с длиной волны
излучения 532 нм и интенсивностью освещения до 200 мВт. В диапазоне длин
47
волн 2200-4600 нм (0.27-0.55 эВ) для возбуждения использовался диодный
лазер с длинной волны излучения порядка 1 мкм, освещение проводилось в
импульсном режиме с мощностью импульсов в несколько ватт. Измерения
проводились на спектрометре МДР-23 с разрешением не хуже 5 нм.
На графиках явно выражены несколько пиков излучения. Пик излучения
при энергии 0.725эВ обусловлен тем, что исходная подложка была легирована
теллуром. На энергиях 0.801эВ и 335мэВ излучают соединения соответственно
GaSb и InAs. Наиболее широкий пик излучения при энергии в 322 мэВ дает
структура из 10 туннельно связанных квантовых ям или сверхрешетка. Так же
на графике присутствует пик поглощения на энергии 290 мэВ, обусловленный
поглощением диоксида углерода, находящемся в составе атмосферы, так как
измерения проводятся в воздушной среде.

48
 Заключение
В результате работы было исследовано влияние условий роста таких как
прерывание роста между слоями сверхрешетки и очередность подачи реагентов
на качество гетерограниц. Установлено, что наиболее качественные слои
можно получить при прерывании роста на время, близкое к отношению объема
реактора к скорости потока через этот реактор. Так же установлено, что при
подаче TMIn и TEGa раньше AsH3 и TMSb резкость границ существенно
снижается. Скорости роста для разных слоев должны быть соизмеримы.
Для подтверждения результатов была выращена сверхрешетка из десяти
пар слоев InAs GaSb и исследованы люминесцентные свойства этой структуры.
В результате исследования видны такие пики как:
Пик фотолюминесценции примесного теллура приходится на энергию
0.725эВ
Пик фотолюминесценции сверхрешетки приходится на энергию 322 мэВ.
Пик фотолюминесценции антимонида галлия и арсенида индия
приходится соответственно на энергию 0.801эВ и 335мэВ
Пик поглощения СО2 из атмосферы приходится на энергию 290 мэВ.

49
 Список литературы
1. Manijeh Razeghi and Binh-Minh Nguyen, Advances in mid-infrared
detection and imaging: a key issues review, Reports on Progress in Physics, 2014
2. А. Е. Жуков Лазеры на основе полупроводниковых наноструктур.
— СПб.: Элмор 2007. — 304 с.
3. Полупроводниковые гетероструктуры: гетеропереход. Учебно-
методическое пособие. / сост. П. А. Шиляев, Д. А. Павлов. — Н. Новгород:
Нижегородский госуниверситет, 2009. — 18 с.
4. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технические основы
электроники. — СПб.: Лань 2001. — 272с.
5. Методы исследования полупроводниковых гетероструктур. Учебно-
методическое пособие. / сост. М. А. Номан К. С. Хорьков П. Ю. Шамин. —
Владимир: Изд-во ВлГУ, 2014. – 80 с.
6. Gerald B. Stringfellow Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory
and Practice. — Academic Press— 620 с.
7. Р. Х. Акчурин МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и
основные тенденции развития, Материалы электронной техники №2 1999 г. стр.
4-12.
8. Основы физики твердого тела. Учебно-методическое пособие. /
сост. А. А. Позняк, В. А Полубок, А. В. Стрелюхин — Минск: Изд-во БГУИР,
2007. — 42 с.

9. A. Rogalski, P. Martyniuk, and M. Kopytko, InAs/GaSb type-II

superlattice infrared detectors: Future prospect, Applied physics reviews 4, 2017

10. A. M. Hoang, G. Chen, A. Haddadi, and M. Razeghi Demonstration of

high performance bias-selectable dual-band short-/mid-wavelength infrared
photodetectors based on type-II InAs/GaSb/AlSb superlattices, Applied physics
reviews 1, 2013

11. Andrew Hood, Darin Hoffman, Binh-Minh Nguyen, Pierre-Yves

Delaunay, Erick Michel, and Manijeh Razeghi, High differential resistance type-II In
As ∕ Ga Sb superlattice photodiodes for the longwavelength infrared, Applied physics
letters 89, 2006

50
 12. Binh-Minh Nguyen, Darin Hoffman, Yajun Wei, Pierre-Yves Delaunay,
Andrew Hood, and Manijeh Razeghi Very high quantum efficiency in type-II In As ∕
Ga Sb superlattice photodiode with cutoff of 12 μ m, Applied physics letters 89, 2007

13. H. Mohseni, M. Razeghi, G. J. Brown, and Y. S. Park, High-

performance InAs/GaSb superlattice photodiodes for the very long wavelength
infrared range Applied Physics Letters 78, 2001

14. Darin Hoffman, Andrew Hood, Frank Fuchs, and Manijeh Razeghi
Nonequilibrium radiation of long-wavelength In As ∕ Ga Sb superlattice photodiodes
Journal of Applied Physics 99, 2006

15. М. Е. Левинштейн, Г. С. Симин Барьеры от кристалла до

интегральной схемы.— М.: Наука 1987. — 320 с.
16. Савельев И. В. Курс общей физики Том III. Оптика, атомная
физика, физика атомного ядра и элементарных частиц. / Савельев И. В. — М.:
Наука, 1979 —537с.
17. Сивухин Д.В. Общий курс физики в 5т. Том IV. Оптика./Сивухин Д.
В. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2005. - 792 с.
18. M. Haase, Calculation and Design of MOVPE Input Parameters,
Biennial Report 2002/03 - Solid-State Electronics Department

19. Нефедов В. И., Черепин В. Т. Физические методы исследования

поверхности твердых тел. — М.: Наука 1983. — 293 с.

51