Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ
Москва 2016
УДК 621.38
План УМД на 2015/2016 уч. г.
2
CОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
1.1. Электрические свойства веществ
1.2. Электрические заряды в полупроводниках
1.3. Энергетические диаграммы
1.4. Электропроводность полупроводников
1.5. Токи в полупроводниках
1.6. Особенности примесных полупроводников
1.7. Расчёт концентрации подвижных носителей заряда
2. ОБЩИЕ СВОЙСТВА КОНТАКТОВ ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
2.1. Контакты и структуры в электронике
2.2. Контактная разность потенциалов
2.3. Собственные токи в контактах
2.4. Электроёмкость контактов
2.5. Электрический и тепловой пробой в контактах.
3. КОНТАКТ МЕТАЛЛ – ПОЛУПРОВОДНИК. ДИОДЫ ШОТКИ
3.1. Основные свойства металло-полупроводниковых контактов
3.2. Диоды Шотки
4. КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Р- И N-ТИПА
4.1. Основные свойства p-n перехода
4.2. Основные числовые характеристики p-n перехода
4.3 Вольт-амперная характеристика p-n перехода
5. ДИОДЫ НА ОСНОВЕ M-N, P-N ПЕРЕХОДОВ И P-I-N СТРУКТУРЫ
5.1. Мощный выпрямительный диод
5.2. Импульсные и высокочастотные диоды
5.3. Стабилитрон
5.4. Варикап
5.5. Диоды на основе p-i-n структуры
5.6. Свето- и фото-диоды. Солнечные батареи
6. СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК.
МДП-ТРАНЗИСТОР
6.1. Основные свойства МДП-структуры
6.2 МДП-транзистор с индуцированным каналом
6.3. Основные параметры МДП-транзистора
6.4. Статические характеристики МДП-транзистора
6.5. МДП-транзистор с плавающим затвором
6.6. Арсенид-галлиевый полевой транзистор
7. N-P-N И P-N-P СТРУКТУРЫ. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
7.1. Основные свойства биполярного транзистора
7.2. Биполярный транзистор в схеме с общей базой
3
7.3. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
7.4. Статические характеристики биполярного транзистора
8. ИНЕРЦИОННЫЕ СВОЙСТВА МДП И БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
8.1. Причины инерционности МДП и биполярных транзисторов
8.2. Импульсные свойства МДП и биполярных транзисторов
8.3. Частотные свойства МДП и биполярных транзисторов
9. IGBT – ТРАНЗИСТОР
10. КОНТАКТ ПРОВОДНИК - ВАКУУМ. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ
11. КОМПЬЮТЕРНЫЕ МОДЕЛИ ЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
11.1. Компьютерная модель диода
11.2. Компьютерная модель транзистора
12. ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
13. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
4
ВВЕДЕНИЕ
5
1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
1.1 Электрические свойства веществ. Полупроводники
6
четырьмя валентными электронами и связан с четырьмя соседними атомами,
т.е. валентность кремния равна 4.
Рис. 1
7
генерацией, рис. 2а. Если генерация обусловлена тепловыми движениями
атомов, то это термогенерация. Генерация может вызываться и получением
кристаллом других видов энергии, например, световой при освещении
полупроводника.
Рис. 2
8
как электронную In, так и дырочную Ip составляющие. Движение дырки
поясняет рис. 3.
Рис. 3
9
располагается запрещённая зона, электронов в которой нет*. Разрешённая зона
ниже – валентная зона, соответствует энергиям валентных электронов.
Рис. 4
10
Рис. 5
Очевидно, что для превращения валентного электрона в свободный
электрон необходима энергия не меньше
Wз = Wc - Wv (1)
hν = hc / λ = Wз, (2)
11
концентрации n, p и чем быстрее они способны двигаться под действием
электрического поля:
12
Плотности электронного и дырочного диффузионного токов,
обусловленных диффузией свободных электронов и дырок, описываются
выражениями:
D = µkT/q, (9)
Рис. 6.
Ниже построены зависимости концентрации и градиента концентрации
дырок от координаты x. Очевидно, что в переходной области будет
13
происходить диффузия дырок слева направо. В глубине областей, где
полупроводник однороден, диффузии не будет.
Положительным направлением тока считается направление движения
положительных зарядов (или обратное направлению движения носителей
отрицательных зарядов). Именно так движутся дырки в образце, вдоль
положительного направления x. Согласно (8), отрицательный градиент образца
дал бы отрицательное значение плотности тока и току, если бы это выражение
не имело знак «минус».
Рис. 7
14
Донорная примесь порождает разрешённые уровни в запрещённой зоне,
вблизи дна зоны проводимости.
Электроны с таким уровнем энергии становятся свободными при
приобретении очень небольшой дополнительной энергии, энергии активации
Wакт. Поэтому активация примеси происходит уже при низких температурах,
когда термогенерация подвижных носителей самим полупроводником
незначительна. Зависимость концентрации свободных электронов n от
температуры Т приобретает вид рис. 8.
Рис. 8
n = Nд + ni ≈ Nд = const (10)
15
Появление акцепторных атомов приводит к появлению разрешённых уровней в
запрещённой зоне вблизи потолка валентной зоны, рис. 9.
Рис. 9
p = Nа + ni ≈ Nа = const, (11)
где Nа – концентрация акцепторной примеси.
На рис. 10 изображены фрагменты кристаллических решёток с донорным
(рис. 10а) и акцепторным (рис. 10б) атомом.
Рис. 10
16
При утрате одного из пяти валентных электронов донорного атома он
превращается в положительно заряженный ион. Суммарный заряд этого иона и
порождённого донорным атомом свободного электрона равен нулю,
полупроводник остаётся электрически нейтральным. Однако, если свободный
электрон исчезнет, например в результате рекомбинации, заряд иона
становится «заметным», электрическая нейтральность нарушается. Такие ионы
называются нескомпенсированными ионами донорной примеси. Каждый такой
ион, как и дырка, имеет заряд +q, однако в отличие от дырки является
неподвижным зарядом. Чем больше таких ионов, тем сильнее создаваемое ими
электрическое поле, которое влияет на процессы в полупроводнике.
Аналогично, при захвате акцепторным атомом недостающего валентного
электрона, он превращается в отрицательно заряженный ион. Возникшая при
этом дырка уравновешивает заряд иона, однако, если дырка исчезает из
окрестности иона, ион становится нескомпенсированным ионом акцепторной
примеси с зарядом –q. Суммарное электрическое поле таких ионов также
влияет на процессы в полупроводнике.
ni NC NV e 2T (12)
где NC и NV – эффективные плотности уровней в зоне проводимости и
валентной зоне, φЗ – ширина запрещенной зоны, φТ термический потенциал.
В неё входит ряд констант, определённых для используемых в
электронике полупроводников с высокой точностью и приводимых как в
научной, так и в учебной литературе. Кроме того, в литературе часто
указываются значения ni для основных полупроводников при комнатной
температуре Ткомн . При такой температуре для кремния ni ≈ 1010 см-3 . Обращает
на себя внимание ничтожность этой величины по сравнению с концентрацией
атомов самого полупроводника Nат ≈ 1023 см-3 .
Если известна концентрация примеси, например, донорной примеси Nд и
полупроводник используется в диапазоне температур, обеспечивающем
стабильность параметров, для определения концентрации основных носителей
можно воспользоваться формулой (10). При типичной для полупроводниковых
элементов концентрации примесей 1018 см-3 концентрация основных носителей
n будет такой же. Концентрацию неосновных носителей р можно найти из
соотношения:
np = ni2 (13)
17
Это соотношение отражает очевидный факт: если температура неизменна
(ni = const), то чем больше основных носителей, тем меньше неосновных, так
как с ростом концентрации основных носителей возрастает вероятность их
встречи с неосновными носителями и их рекомбинации.
Для рассматриваемого примера для кремния при комнатной
температуре из (13) следует:
18
Рис. 11
φк = φ1 - φ2 (14)
19
нарушается и даже разрушается в течение короткого времени. Причина –
электрохимическая коррозия, обусловленная наличием φк .
Рис. 12
20
Нарушение равновесия в отсутствие внешнего напряжения невозможно.
Например, при возникновении преобладания Iдф из-за усиления диффузии
увеличатся положительный и отрицательный заряд приграничных областей,
усилится электрическое поле и возрастёт встречный Iдр. Равновесие
восстановится.
Наличие и равенство Iдф и Iдр наблюдается в любых контактах, в которых
есть подвижные носители заряда и собственное электрическое поле.
Сб = εε0S/w (16)
21
Наличие емкости контакта, требующей времени на заряд и разряд,
определяет его быстродействие, т.е. способность быстро переходить из
закрытого состояния в открытое и наоборот.
22
3. КОНТАКТ МЕТАЛЛ – ПОЛУПРОВОДНИК. ДИОДЫ ШОТКИ
а) б)
Рис. 13
23
сопротивления ρ. Удельное сопротивление, в свою очередь, зависит от
концентрации носителей n и их подвижности µn:
к0 = m – п (19)
24
а) б)
Рис. 14
25
емкость чисто барьерная и небольшая, они отличаются высоким
быстродействием.
Рис. 15
26
области. В результате рекомбинации в приграничных областях концентрация
свободных электронов и дырок очень низкая, образуется обедненный слой. В
этом слое атомы примесей превращаются в нескомпенсированные ионы. Из-за
очень низкой концентрации подвижных носителей заряд нескомпенсированных
ионов примесей будет здесь главным типом электрических зарядов. В
приграничных областях возникают два слоя таких зарядов: отрицательный
заряд в р – области, положительный заряд в n – области, рис. 15. Эти заряды
создают собственное электрическое поле p-n перехода с контактной разностью
потенциалов φк0.
Собственное электрическое поле p-n перехода – тормозящее для
диффундирующих основных носителей (образует потенциальный барьер). Это
ограничивает диффузию основных носителей. Это же поле является
ускоряющим для неосновных носителей, что вызывает встречный дрейф
неосновных носителей, т.е. встречный дрейфовый ток Iдр = Iдф.p + Iдф.n. Чем
интенсивнее диффузия, тем сильнее поле перехода и больше дрейфовый ток.
Поэтому возникает устойчивое равновесие диффузионного и дрейфового токов,
в результате чего тока во внешней цепи нет. Выравнивания концентраций, как
это было бы, например, при диффузии газов, не происходит.
Если к переходу приложено внешнее напряжение, сила поля в переходе
изменяется. Когда к р – области приложен плюс внешнего источника, т.е.
при прямом напряжении, поле в переходе ослабевает (потенциальный барьер
понижается):
27
Контактную разность потенциалов в отсутствие внешнего напряжения k0
можно найти по формуле:
NANД
k0 = T ln –––––-- , (25)
2
ni
Подставив сюда значение термического потенциала при комнатной
температуре T = 0.025 В, типичные значения концентрации примесей
асимметричного p-n перехода для базы 1016, для эмиттера 1018 см-3 и
собственную концентрацию кремния при комнатной температуре ni ≈ 1010 см-3,
получим типичную величину:
E = Uобр/w (27)
28
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n перехода, в основной своей
части, как и ВАХ m-n контакта Шотки, описывается формулой Шокли (22).
Подчиняющуюся этой закономерности ВАХ называют идеализированной, или
теоретической ВАХ, рис. 16:
Рис. 16
29
утечки растёт с увеличением Uобр и, складываясь с I0, создаёт наклон
допробойной части ВАХ.
30
Импульсные диоды должны обладать минимальным временем
переключения из закрытого состояния в открытое и наоборот. В
высокочастотных диодах минимальны паразитные реактивные составляющие
токов. То и другое обеспечивается, в основном, минимизацией барьерной и
диффузионной ёмкостей диодов.
Уменьшение барьерной ёмкости m-n и p-n переходов, согласно (16),
достигается уменьшением площади контакта S. На сегодня, благодаря
интегральной технологии, она может составлять всего несколько десятков нм2.
Однако уменьшение S находится в противоречии с необходимостью обеспечить
заданный прямой ток. Поэтому выбор S и других величин в (16) всегда
компромиссен. Известны также попытки перехода от кремния к
полупроводникам с меньшей величиной εε0.
Диффузионная ёмкость отсутствует в диодах Шотки, что делает их
основным типом для указанных применений.
В диодах с p-n переходом диффузионную ёмкость удаётся уменьшить за
счёт уменьшения толщины базы. На рис. 17 изображены p-n+ диоды с обычной
(а) и тонкой базой (б):
а) б)
Рис. 17
31
Всё сказанное в равной степени относится к m-n и p-n переходам в
интегральных схемах, где они используются не только в качестве диодов, но и в
составе других элементов.
5.3. Стабилитрон
Рис. 18
5.4. ВАРИКАП
32
переход при обратном напряжении можно использовать, как ёмкостный
элемент. При прямом напряжении это невозможно, т.к. в этом случае
появляется на несколько порядков больший активный прямой ток.
Подставив (26) в (16) с учётом того, что при обратном напряжении к =
к0 + Uобр, получим:
½
Cб = [2εε0(к0 + Uобр)(Nа + Nд)/qNаNд] (28)
где m = 0,3…1.
Схема включения варикапа приведена на рис. 19. Здесь варикап
Рис. 19
33
Рис. 20
l < L, (30)
34
Рис. 21
λ = hc/Wз, (31)
35
Равновесие диффузионного и дрейфового токов нарушается и в режиме с
замкнутой внешней цепью в ней появляется фототок. В режиме с разомкнутой
внешней цепью на освещённом p-n переходе появляется фото-э.д.с., также
возникающая в результате нарушения равновесного состояния. В обоих
случаях фотодиод можно использовать для регистрации падающего на него
света. В частности, кремниевый фотодиод помещают на управляемых внешним
пультом электронных устройствах. Если в пульте применён кремниевый
светодиод, энергия квантов его света, согласно (2) и (31), достаточна для
генерации электронно-дырочных пар.
Поскольку в освещаемом p-n переходе происходит преобразование
световой энергии в электрическую, такие контакты используются в солнечных
батареях. При идеально прозрачной атмосфере и в космосе мощность светового
потока от Солнца на Земле достигает 1,4 кВт/м2.
6. СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК.
МДП-ТРАНЗИСТОР
Рис. 22
36
потенциал, меньший, чем на p-полупроводник), рис. 22б. Электрическое поле в
приповерхностном слое p-полупроводника будет направлять дырки в сторону,
диэлектрика и вытеснять электроны из той области. Концентрация дырок в
этом слое p+ будет повышенной (режим обогащения).
При подаче Uвн плюсом к металлу, рис. 22в, концентрация дырок в
приповерхностном слое p- будет пониженной из-за вытеснения отсюда дырок
созданным полем металлического слоя (режим обеднения). В то же время
концентрация свободных электронов в приповерхностном слое будет расти из-
за уменьшения вероятности их рекомбинации с дырками (см. (13)).
В результате уменьшения концентрации дырок и роста концентрации
свободных электронов, при некотором пороговом напряжении U0 их
концентрации сравняются и будут равны собственной концентрации ni, рис.
22г.
С дальнейшим ростом напряжения концентрация свободных электронов в
приповерхностном слое превысит концентрацию дырок и тип проводимости в
нем сменится с дырочного на электронный (режим инверсии).
Изменение состояния проводимости полупроводника под действием
электрического поля называется полевым эффектом. Транзисторы,
использующие полевой эффект, называются полевыми транзисторами.
Рис. 23
37
Здесь МДП-структура дополнена двумя снабженными металлическими
контактами «островками» n+-типа, между которыми может возникать канал n-
типа (рис.23,б). Эти области называют стоком и истоком. Внутренние контакты
с помощью обычных, омических контактов с металлом выведены на
поверхность, что позволяет соединять их с внешними цепями. Благодаря
высокой степени легирования, контакты обладают ничтожным
сопротивлением.
На рис. 23,б изображён МДП-транзистор с необходимыми для работы
подключениями. Здесь используется основная схема включения – с общим, или
заземлённым истоком. Это название отражает очевидное: в такой схеме исток
заземлён и является общим узлом для источников Uзи и Uси.
При подаче на затвор положительного напряжения Uзи, превышающего
пороговое напряжение U0, обеспечивается режим инверсии МДП-структуры. В
подзатворной области появляется слой полупроводника n-типа – канал. Канал
электрически соединяет исток и сток. Поэтому, если подано напряжение на
канал Uси, в канале появится ток канала. Ток канала, ток истока и ток стока
равны между собой. Этот ток принято называть током стока Iс. По характеру Iс
является дрейфовым током основных носителей.
Чем больше Uзи, тем больше толщина канала, концентрация свободных
электронов в нём и поэтому больше ток Iс.
При любых Uзи < U0 режим МДП-структуры – обогащение или обеднение.
Канала нет, исток и сток разделены полупроводником p-типа, ток между ними
невозможен (закрытое состояние транзистора, отсечка).
Полное название такого транзистора – МДП-транзистор с
индуцированным каналом n-типа, обусловлено тем, что под воздействием поля
затвора в нем появляется (индуцируется) канал со свойствами полупроводника
с электронной проводимостью.
Существуют и p-канальные МДП-транзисторы. В них используется МДП
структура с полупроводником n-типа. Р-канал появляется при отрицательном
напряжении Uзи < U0. Такие транзисторы менее распространены, т.к.
подвижность дырок меньше, чем подвижность свободных электронов. При
равных прочих условиях в n-канальном транзисторе ток в несколько раз
больше.
38
источника питания МДП интегральных схем и отдельных МДП-транзисторов.
Стоимость, размеры и масса источника может достигать половины этих
характеристик самого электронного устройства (например, батареи гаджета).
Пороговое напряжение определяется свойствами материалов МДП-
структуры и её главным размером – толщиной диэлектрического слоя d:
2 q 0 П N МП
U 0 МП , (32)
С0
39
изображены виды сверху на МДП-транзисторы с обычным (а) и увеличенным
(б) отношением W/L.
Важным параметром является также удельная крутизна B [А/В2]. Она
характеризует усилительные свойства МДП транзистора – зависимость
полезного выходного тока Iс от входного напряжения Uзи. В первом
приближении эта зависимость описывается двумя уравнениями:
Рис. 24
B = µεдε0W/d·L (35)
40
Статическими характеристиками называют графики зависимости одних
постоянных напряжений и токов электронных элементов и цепей от других их
напряжений и токов. Примерами статических характеристик являются ВАХ
диода Шотки или p-n диода.
Транзистор всегда включается как четырёхполюсник, имеющий вход и
выход. Входные характеристики связывают входные напряжения и токи,
выходные характеристики связывают выходные напряжения и токи.
Проходные, или переходные характеристики связывают входные токи или
напряжения с выходными.
Примером статической характеристики является проходная
характеристика МДП-транзистора, рис. 25. Она соответствует
Рис. 25
41
Рис.26
42
Рис. 27
Рис. 28 Рис. 29
43
т.е. при Uзи < U0, наступает режим инверсии полупроводника под
затвором. Канал исчезает, транзистор запирается. Стоко-затворная
характеристика МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа изображена
на рис. 29. Здесь же штриховая линия соответствует p-канальному варианту
транзистора.
Выходные характеристики всех рассмотренных в разделе 6.5
транзисторов имеют только количественные отличия, рис. 26.
Общепринятые условные обозначения всех МДП-транзисторов
приведены в Приложении 2.
Рис. 30 Рис. 31
44
транзистор с плавающим затвором обладает свойствами ячейки памяти,
способной хранить 1 бит информации.
Запись открытого состояния (условно единицы) осуществляется подачей
на затвор короткого положительного импульса, рис. 31. Стирание прежнего
заряда и переход в закрытое состояние (запись нуля) осуществляется подачей
короткого отрицательного импульса.
МДП-транзисторы с плавающим затвором и их разновидности получили
исключительно широкое распространение в современной электронике. На их
использовании, в частности, основывается работа флеш-памяти.
Рис. 32 Рис. 33
45
При подаче на затвор относительно подложки положительного
напряжения наступает обогащение канала. Обеднённый слой сужается, канал
расширяется. Ток канала Iс увеличивается (Uси ≠ 0). При подаче отрицательного
напряжения на затвор обеднённый слой расширяется. При пороговом
напряжении –U0 канал исчезает, транзистор запирается. Типичная стоко-
затворная характеристика GaAs-транзистора изображена на рис. 33.
Использование GaAs-транзистора при положительных напряжениях Uзи >
0,2…0,4 В приводит к отпиранию m-n перехода и появлению в нём
значительного тока. В основной схеме включения полевых транзисторов, схеме
с общим истоком, это входной ток Iз. Поэтому возрастает входная мощность и
снижается усиление транзистора. При Uзи > 0,2…0,4 В такой транзистор не
используется.
Большим достоинством GaAs является исключительно высокая
подвижность свободных электронов. Коэффициент подвижности µn арсенида
галлия в 6 раз превышает µn кремния. Поэтому быстродействие и частотные
свойства GaAs-транзисторов и интегральных схем потенциально намного
выше, чем кремниевых. Известны успешные применения таких транзисторов в
СВЧ диапазоне (спутниковая связь) и попытки применения GaAs в
сверхбыстродействующих ИС (цифровая электроника).
Рис. 34
46
Здесь изображён БТ со структурой [2] n+–р–n, хотя возможна, но менее
распространена p+–n -p структура. В работе таких БТ принципиальных
отличий нет. Области БТ получили следующие названия: n+ – эмиттер
(область, “испускающая” носители); р – база и n (на рис. 34 – область справа) –
коллектор (т.е. область, “собирающая” носители).
Каждая область снабжена омическими контактами металл-
полупроводник, служащими для подключения к внешним цепям. Названия
внешних контактов такие же, как у областей – эмиттер, база, коллектор. P-n
переход между эмиттером и базой получил название эмиттерный переход
(ЭП), между базой и коллектором – коллекторный переход (КП).
Важнейшими особенностями конструкции являются:
1) малая толщина базы, не более 0,5 мкм;
2) малая концентрация примеси в базе, порядка 1016 см-3;
3) большая концентрация примеси в эмиттере, до 1020 см-3.
Только при соблюдении перечисленных условий БТ способен проявлять
свои главные свойства: усиливать электрические сигналы, а также работать в
качестве ключа.
Возможны четыре режима БТ:
1) ЭП открыт, КП закрыт - активный, или усилительный режим.
Единственный режим, в котором возможно неискажённое усиление
сигналов;
2) ЭП закрыт, КП закрыт – режим отсечки. Используется в ключе,
закрытое состояние ключа;
3) ЭП открыт, КП открыт – режим насыщения. Используется в ключе,
открытое состояние ключа;
4) ЭП закрыт, КП открыт – инверсный режим, обратный по
отношению к активному режиму. Не используется, как не
эффективный.
Общепринятые условные обозначения БТ и схемы включения его как 4х-
полюсника приведены в [2].
47
Рис. 35
48
протекает небольшой по величине обратный ток коллектора Iкб0, создаваемый
обратным напряжением Uкб.
Таким образом, в указанном режиме в БТ действительны следующие
соотношения токов:
Iк = α Iэ + Iкб0 (37)
RН
K Р 2 , (39)
rЭ
I Эn NЭ
, (40)
I Эn I Эp N Э N Б
49
Качество процессов в базе характеризуется коэффициентом переноса κ,
который показывает, какая доля инжектированных в базу носителей избегает
рекомбинации и достигает КП:
κ = IK / IЭn (41)
I Эn I К I К
(42)
I Э I Эn I Э
Рис. 36
50
импульсные и частотные свойства лучше. В настоящее время БТ
изготавливаются преимущественно в виде дрейфовых транзисторов.
Рис. 37
Iэ = Iк + Iб (43)
(такой же, как и для схемы с общей базой, закон Кирхгофа)
β = Iк / Iб (45)
51
Из основных уравнений данных схем включения следует связь β и α:
β = α / (1 – α) (46)
а) б)
Рис. 38
52
По форме они такие же, как обратная ветвь ВАХ p-n перехода (см. рис.
14,б), но смещены от нуля на значение тока, созданного за счет
инжектированных из эмиттера в базу электронов. В отличие от ВАХ p-n
перехода, их принято помещать в первом квадранте, т.е. в перевёрнутом виде.
Выходные характеристики обычно изображают в виде семейства
характеристик. Это позволяет графически отразить не только зависимость
Iк(Uкб), но и зависимость Iк(Iэ).
По отношению к ВАХ p-n перехода выходные характеристики частично
смещены в область прямых напряжений. Следовательно, Iк остаётся большим в
отсутствие напряжения на КП и даже при небольших прямых напряжениях. Это
объясняется тем, что экстракция неосновных носителей из базы осуществляется
собственным полем КП. И только при небольших прямых напряжениях,
близких к к0, ток в нём исчезает из-за встречного диффузионного тока КП.
Входные и выходные характеристики БТ в схеме с общим эмиттером,
как и в схеме с общей базой, подобны ВАХ p-n перехода.
Входные характеристики изображены на рис. 39. Входное напряжение в
схеме с общим эмиттером UбЭ – это напряжение на ЭП. Входной ток – это
почти неизменная часть тока ЭП: Iб ≈ Iэ/β. Поэтому входные характеристики
Рис. 39
53
Рис. 40
54
длины проводников и толщины слоёв полупроводниковых элементов
минимальны, для них более характерно влияние паразитной ёмкости.
Основным паразитным реактивным параметром МДП-транзистора
является ёмкость между затвором и каналом Cзк, рис. 41,а.
а) б)
Рис. 41
Рис. 42
55
Инерционные свойства БТ в значительной степени определяются
ёмкостями его p-n переходов ЭП и КП. Учёт их влияния осложняется тем, что
характер и величина ёмкости зависят от напряжений и токов переходов (см.
разд. 5.2). Поэтому, наряду с величиной барьерной ёмкости ЭП и КП в
отсутствие внешнего напряжения Cб0, к основным параметрам инерционности
относят коэффициент влияния m из (29).
Ещё один фактор инерционности БТ - относительно медленное
перемещение инжектированных в базу носителей от ЭП к КП. Его влияние
учитывается временем пролёта области базы, или просто временем пролета τпр
[1].
а) б)
Рис. 43
56
Хотя eвх изменяется скачкообразно, входное напряжение обоих ключей
изменяется не мгновенно, так как требуется некоторое время на заряд входной
ёмкости, рис. 44, в, г. Поэтому отпирание обоих транзисторов начинается с
некоторой задержкой tз. В течение этого времени напряжения на затворе и
базе достигают порогового напряжения U0 и примерного напряжения
отпирания эмиттерного перехода U*. В течение времени нарастания tн
завершается заряд Cвх, разряд Свых и другие переходные процессы.
Токи достигают предельных значений Iс.нас и Iк.нас, что характерно для
режима насыщения, используемого в ключах, рис. 44 д,е.
Рис. 44 Рис. 45
57
режиме насыщения. Этот заряд исчезает, «рассасывается» не мгновенно и в
течение некоторого времени поддерживает ток экстракции.
Результатом переходных процессов является появление времён t10 и t01,
которые требуются ключам на переход из состояния логической 1 в состояние
логического 0 и наоборот, рис. 44 ж,з. Более детально работа ключей
рассматривается в курсе «Электроника» [1, 2].
Согласно (48), при ω = ωs, |S| = S0 /√2. В графическом виде АЧХ и ФЧХ
МДП транзистора изображены на рис. 46а.
58
а) б)
Рис. 46
β = Iк / Iб = β0 / (1 + jω/ωβ) (50)
59
Реже используется схема с общей базой, усиление которой значительно
меньше. В то же время такое включение обеспечивает равномерное усиление и
минимальный фазовый сдвиг в намного бóльшей полосе частот.
Более детально транзисторные усилители аналогового сигнала
рассматриваются в курсе «Электроника» [1, 2].
9. IGBT ТРАНЗИСТОР
Рис. 47
60
его условное обозначение, подчёркивающее сходство с МДП транзисторами и
БТ, рис. 47,б.
Структуру вида рис. 47,а в первом приближении можно рассматривать
как сочетание n-канального МДП транзистора и БТ со структурой n+-p-n, рис.
47,в. Прилегающие к коллектору n+ и p+ слои являются вспомогательными и
улучшают характеристики IGBT транзистора.
Основной ток в нём протекает в биполярной структуре, а управление
этим током осуществляется, как в МДП транзисторе, с помощью
изолированного затвора. Отсюда название транзистора - Insulated Gate Bipolar
Transistor, т.е. биполярный транзистор с изолированным затвором.
Рис. 48
61
(иногда полупроводник) катода с минимальной работой выхода или покрывают
его специальным составом.
На небольшом расстоянии от катода располагается второй электрод –
анод. Если напряжение на аноде по отношению к катоду положительное, анод
создаёт между катодом и анодом положительное электрическое поле. Это поле
заставляет электроны двигаться от катода к аноду. Возникает анодный ток Iа.
При отрицательном напряжении на аноде этого тока нет, так как эмиссия
свободных электронов происходит только с катода, и конвекционный ток не
протекает. Отсюда односторонняя проводимость, как и в диодах на основе m-n
и p-n переходов.
В электровакуумном триоде (рис. 49) имеется ещё один электрод –
Рис. 49
62
или малости входного (сеточного) тока мощность источника сигнала ничтожна
по сравнению с мощностью, выделяемой в нагрузке Рн = Iа2 ∙ Rн.
Следовательно, лампа обладает большим коффициентом усиления по
мощности.
С ростом отрицательного напряжения на сетке суммарное поле у катода
ослабевает. Это вызывает уменьшение тока анода Iа. При достаточно большом
отрицательном напряжении на сетке uC ток анода Iа исчезает (режим отсечки).
Электрические свойства триода хорошо отражает семейство анодных
характеристик – зависимостей Iа от Ua при различных напряжениях на
управляющей сетке Eс. Типичное триода изображено На рис. 50 изображено
семейство анодных характеристик пентода, у которого соединены электрически
все три сетки.
По анодным характеристикам хорошо видно, что влияние сеточного
Рис. 50
63
/ dUc . Все три параметра определяются при неизменности остальных токов и
напряжений [1]. Из приведённых формул следует:
= SRi (53)
64
Рис. 51
Рис. 52
(U – Uпр)/Rпр при U < Uпр (54)
65
мал, добавление Rут практически не изменяет положение остальных частей
ВАХ.
Частотные и импульсные свойства диода учитываются введением в
эквивалентную схему полной емкости диода С:
Рис. 53 Рис. 54
66
входной ток подается в открытый КП, а в закрытом ЭП появляется выходной
ток, рис. 55:
Рис. 55 Рис. 56
Рис. 57 Рис. 58
67
Поскольку БТ применяется преимущественно в интегральных схемах,
между его коллекторным слоем и кристаллом ИС существует p-n переход.
Поэтому модель дополняют ещё одним диодом DJ с его барьерной ёмкостью
CJ, которые отражают существование этого перехода в интегральной схеме,
рис. 58:
Рассмотренная модель получила название модели Эберса- Молла (по
имени создателей).
Может оказаться необходимым учёт и других особенностей БТ. Это
уточнённые температурные свойства, шумовые свойства, особенности
конструкции и размеров. Общее число параметров модели БТ в
профессиональных программах компьютерного моделирования электронных
схем приближается к 100.
68
Рис. 59
69
Временные диаграммы и подход к количественной оценке дробового
шума аналогичны тем, что относятся к тепловому шуму. Среднеквадратичный
дробовый шумовой ток вычисляется по формуле:
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
70