ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ

Министерство образования и науки Российской Федерации
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА
И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ
XIII Международная научно-практическая конференция,

посвященная 55 летию ТУСУРа
29 ноября – 1 декабря 2017 г.
Материалы докладов
В двух частях
Часть 1
В-Спектр
Томск – 2017
УДК 621.37/39 + 681.3
ББК (Ж/О) 32.84.85.965
Э 45
Э 45 Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIII Международной научно-

практической конференции (29 ноября – 1 декабря 2017 г.): в 2 ч. – Ч. 1. – Томск: В-Спектр, 2017. –
30 с.
ISBN 978-5-91191-362-5
ISBN 978-5-91191-363-2 (Ч. 1)
Сборник содержит материалы докладов, представленных на XIII Международной научно-практической

конференции «Электронные средства и системы управления» (Томск, 29 ноября – 1 декабря 2017 г.), по сле-
дующим направлениям: радиотехнические и телекоммуникационные системы; наноэлектроника СВЧ; нано-
технологии в электронике; антенны и микроволновые устройства СВЧ; нелинейная оптика; интеллектуальная
силовая электроника и преобразовательная техника; плазменная электроника; биомедицинская электроника;
автоматизация и оптимизация систем управления и обработка информации; интеллектуальные системы про-
ектирования, автоматизация проектирования электронных устройств и систем; информационная безопас-
ность; информационные технологии в управлении и принятии решений; информационные технологии в обу-
чении; инновации в сфере электроники и управления; оптоэлектроника и фотоника; видеоинформационные
технологии и цифровое телевидение.
Для студентов, преподавателей и специалистов, интересующихся проблемами систем управления.
УДК 621.37/39 + 681.3
ББК (Ж/О) 32.84.85.965
Конференция проводится при финансовой поддержке

Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ).
Проект № 17-07-20564
Часть статей секций 2–22 направлена для публикации

в журнале «Доклады ТУСУРа»
ISBN 978-5-91191-362-5
ISBN 978-5-91191-363-2 (Ч. 1)
 ТУСУР, 2017
 Коллектив авторов, 2017
XIII Международная научно-практическая конференция, посвященная 55-летию ТУСУРа, 29 ноября – 1 декабря 2017 г.
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ 3
ГЕНЕРАЛЬНЫЙ СПОНСОР КОНФЕРЕНЦИИ –

ООО «КЕЙСАЙТ ТЕКНОЛОДЖИЗ»
ООО «Кейсайт Текнолоджиз», Тел.: 495 797 39 00

Россия, 115054, г. Москва, Факс: 495 797 39 02
Космодамианская наб., 52, стр. 3. www.keysight.ru
Keysight Technologies – мировой технологический лидер на рынке контрольно-измерительных

решений для электронной, оборонной, аэрокосмической и телекоммуникационной промышленности.
Как самостоятельная компания Keysight Technologies была образована в 2014 г. в результате
стратегического разделения компании Agilent Technologies, которая, в свою очередь, до 1999 г. вхо-
дила в корпорацию Hewlett-Packard. Первый измерительный прибор под маркой Hewlett-Packard
был выпущен более 75 лет назад.
В настоящий момент компания Keysight Technologies предоставляет самый широкий на рынке
спектр лабораторных, модульных и портативных контрольно-измерительных приборов, в том числе
оборудование для радиоизмерений (генераторы сигналов, анализаторы сигналов, анализаторы це-
пей), осциллографы и приборы общего назначения (мультиметры, источники питания, генераторы
импульсов, системы сбора данных, логические анализаторы, ручные приборы), решения для тести-
рования телекоммуникаций, а также системы автоматизированного проектирования и моделирова-
ния электронных устройств.
В России приборы Keysight Technologies, ранее производимые под маркой Hewlett-Packard /
Agilent, используются уже более 45 лет и по праву считаются наиболее точным и надежным кон-
трольно-измерительным оборудованием на рынке.
Российский офис компании Keysight Technologies предлагает своим клиентам локальную тех-
ническую и сервисную поддержку, техническую документацию на русском языке. Для серий мало-
габаритных осциллографов, генераторов сигналов и анализаторов спектра разработаны русско-
язычные интерфейсы пользователя. На большинство приборов есть сертификаты об утверждении
типа средств измерений. На постоянной основе ведется работа по включению в Госреестр новых
приборов Keysight Technologies.
Среди крупнейших заказчиков Keysight Technologies в России ведущие научно-исследователь-
ские институты, конструкторские бюро, вузы, крупнейшие операторы связи.
В 2012 г. компания Keysight Technologies открыла два дополнительных региональных офиса в
России – в Приволжском и Сибирском федеральных округах. В 2013 г. дополнительный офис от-
крыт в Ростове-на-Дону, в 2014 г. – в Санкт-Петербурге.
Информация о компании Keysight Technologies доступна в сети Интернет по адресу:
www.keysight.ru
Генеральный директор ООО «Кейсайт Текнолоджиз»

Смирнова Галина Владимировна
4 ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ
АО «ПКК МИЛАНДР»
АО «ПКК Миландр», Тел.: 495 981 5433 Т

124498, г. Москва, Зеленоград, Факс: 495 981 5436 Ф
Георгиевский проспект, дом 5. www.milandr.ru
АО «ПКК Миландр» (г. Зеленоград) является одним из ведущих предприятий радиоэлектрон-

ного комплекса России. Основная специализация компании – реализация проектов в области разра-
ботки и производства изделий микроэлектроники (микроконтроллеры, микропроцессоры, микро-
схемы памяти, микросхемы приемопередатчиков, микросхемы преобразователей напряжения, ра-
диочастотные схемы), универсальных электронных модулей и приборов промышленного и коммер-
ческого назначения, разработки программного обеспечения для современных информационных
систем и изделий микроэлектроники.
Отличительная особенность предприятия – это обеспечение создания интегральных микросхем
и электронных модулей от процессов проектирования и производства инновационных продуктов,
востребованных рынком, до постоянного технического сопровождения всех реализованных проектов.
В течение последних десяти лет «Миландром» выполнено более 220 опытно-конструкторских
работ в интересах аппаратурных промышленных предприятий. Разработано и доведено до серийно-
го выпуска 363 типономинала интегральных микросхем.
Основными потребителями изделий под маркой «Миландр» являются российские приборо-
строительные предприятия – изготовители аппаратуры связи, радиотехнических систем, бортовых
вычислителей и систем телеметрии.
«Миландр» имеет свои представительства в городах: Москва, Нижний Новгород, Воронеж,
Екатеринбург и Солнечногорск.
Офисные и производственные помещения, занимаемые компанией, составляют свыше 7 000 м2.
В коллективе компании работают свыше 550 высококвалифицированных специалистов, вклю-
чая 23 кандидата наук.
Система менеджмента качества предприятия соответствует требованиям ГОСТ ISO 9001–2011
и распространяется на разработку и производство интегральных микросхем; пьезоэлектрических
приборов и электромеханических фильтров, металлокерамических корпусов интегральных микро-
схем, многокристальных модулей и микросборок, источников вторичного электропитания и радио-
электронной аппаратуры.
Секция 2. Радиотехнические и телекоммуникационные системы 5
Секция 2
РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ
СИСТЕМЫ
Сопредседатели секции – Шарыгин Герман Сергеевич, д.т.н., профессор каф. РТС,
Тисленко Владимир Ильич, д.т.н., профессор каф. РТС
УДК 621.317.7.023
Т. Абдирасул уулу, Е.В. Алексеев, Г.Г. Жук, Д.Е. Миненко, А.В. Убайчин
Практические аспекты реализации радиометрического приемника

S-диапазона на основе супергетеродинного метода приема
Приводится способ создания супергетеродинного СВЧ-приемника микроволновой радиометрической системы, пред-
назначенной для исследования природных сред. Приведена структурная схема разработанного приемника радиомет-
рической системы S-диапазона. Представлены спроектированные макеты печатных узлов. Описан процесс сборки и
отладки блока промежуточной частоты. Представлены результаты серии экспериментов по исследованию характери-
стик блока промежуточной частоты.
Ключевые слова: смеситель, гетеродин, микроволновая радиометрия, нулевой метод, долговременная ста-
бильность, электромагнитная совместимость.
Особое место в исследованиях природных сред ников детерминированного электромагнитного из-

занимает микроволновая радиометрия как один из лучения, например радиосвязи, радиолокаторов и
методов изучения различных внутренних физиче- т.д. В связи с этим, актуальной задачей является соз-
ских явлений и природных образований путем изме- дание радиометрических приемников с рабочей поло-
рений электромагнитных колебаний в диапазоне сой частот, составляющей 1–3% от центральной [10].
СВЧ, вызванных тепловыми колебаниями заряжен- Реализация узких полос пропускания достига-
ных частиц в структуре вещества [1–3]. В основе ется в приемниках прямого усиления путем приме-
радиометрических измерений находится аппаратная нения многозвенных фильтров, состоящих из шести
часть, технические характеристики которой, помимо и более резонаторов, что приводит к повышению
методологических решений по обработке получен- затухания в тракте, увеличению габаритов, массы,
ных данных, определяют метрологический уровень стоимости и т.д. [11].
результатов проведенных исследований [4]. Классическим способом для формирования уз-
При радиометрических измерениях необходимо ких полос в приемниках является перенос рабочей
учитывать случайные вариации параметров аппара- частоты в низкочастотную область спектра. В дан-
туры [5]. Они обусловлены, с одной стороны пре- ной работе приводится вариант построения суперге-
дельным усилением, составляющим порядка 120 дБ теродинного приемника для микроволновой радио-
по всему измерительному тракту, а с другой – оди- метрической системы на основе нулевого метода
наковой природой измеряемых сигналов и собствен- измерений.
ных тепловых шумов приемника. Уменьшение влия- Структурная схема
ния изменений параметров на системном уровне в Согласно проведенным ранее исследованиям,
радиометрических системах на сегодняшний день нулевой метод является одним из наиболее опти-
достигается путем применения в радиометре нуле- мальных для создания микроволновых радиометров
вого метода измерений [6]. [12]. Нашим коллективом разработаны технические
Помимо задач стабилизации параметров при- решения в области реализации модификации нуле-
емников, существует необходимость повышения вого метода измерений в микроволновых радиомет-
электромагнитной совместимости радиометриче- рах [12].
ских систем. Особой актуальностью решение этой Следует отметить, что во многих источниках,
задачи обладает для систем, рабочая полоса частот посвященных нулевым радиометрам [13–15], упо-
которых находится в L- и S-диапазонах [7–10]. Один минается о применении супергетеродинных прием-
из вариантов решения задачи повышения электро- ников, однако практических реализаций таковых в
магнитной совместимости заключается в необходи- проведенном обзоре литературы отмечено не было.
мости выделения узких полос частот, предназначен- Для восполнения этого пробела применительно к
ных для средств радиоастрономии, дистанционного технике нулевых радиометрических систем и повы-
зондирования и т.д., в которых нет побочных источ- шения эффективности их применения разработана
структурная схема супергетеродинного приемника Топология макета усилителя промежуточной
нулевого микроволнового радиометра. Структурная частоты показана на рис. 2.
схема приемника представлена на рис. 1.
Приведенная структурная схема супергетеро-
динного приемника состоит из смесителя СМ, гете-
родина Г, усилителя промежуточной частоты УПЧ,
первого фильтра нижних частот ФНЧ1, второго уси-
лителя промежуточной частоты УПЧ2, третьего уси-
лителя промежуточной частоты УПЧ3, второго
фильтра нижних частот ФНЧ2, квадратичного детек-
тора КД и усилителя постоянного тока УПТ.
СМ УПЧ ФНЧ1 УПЧ2 УПЧ3

Вход
Гет ФНЧ2
КД Рис. 2. Топология макета УПЧ
Реализация требования электромагнитной со-

УПТ вместимости осуществляется путем фильтрации
принимаемых сигналов в области промежуточных
Выход
частот. Это достигается путем применения двух по-
Рис. 1. Структурная схема супергетеродинного приемника следовательно включенных ФНЧ1 и ФНЧ2. ФНЧ
Представленное схемотехническое решение по- реализованы на основе интегральных фильтров
зволяет осуществлять перенос требуемого диапазона LFCV-45 + (рабочий диапазон от 0 до 80 МГц) и
частот в область нижних частот в зависимости от LFCN-225 + (рабочий диапазон от 0 до 350 МГц).
применяемых ФНЧ в соответствии с классической По спроектированным топологическим моде-
теорией и методологией переноса частоты при по- лям изготовлены макеты фильтров. На рис. 3 и 4
мощи супергетеродинных приемников. приведены передаточные характеристики ФНЧ1 и
Практическая реализация ФНЧ2 соответственно.
Процесс разработки приемника осуществлен
поэтапно. Это подразумевает проектирование от-
дельных устройств (подмодулей), входящих в состав
приемника, с целью их последующей настройки
оптимизации и сбора в единый модуль [6, 7]. Основ-
ные подмодули представляют собой смеситель для
переноса измеряемого сигнала из диапазона СВЧ в
область нижних частот. Макет смесителя реализован
на микросхеме HMC-175MS8. Работоспособность
макета смесителя устанавливалась на эксперимен-
тальной установке, включающей в себя генератор
шума М31305-1, выполняющего функцию источника
входного сигнала, гетеродин (измеритель модуля
коэффициента передачи и отражения панорамный,
Р2М-3200) и анализатор спектра R&DFS300 для
Рис. 3. Передаточная характеристика ФНЧ1
оценки спектра сигнала на выходе смесителя.
Примененная микросхема для реализации сме- Как видно из графика АЧХ (см. рис. 3) частота
сителя позволяет осуществлять перенос частоты в среза ФНЧ1 составляет 80 МГц. Характеристика его
диапазоне от 1,7 до 4,5 ГГц с соответствующим диа- внеполосного затухания не удовлетворяет заданным
пазоном промежуточных частот 0–1 ГГц. Ослабле- требованиям в пределах рабочей полосы частот уси-
ние сигнала на преобразование составляет 8–11 дБ. лителя промежуточной частоты, так как выше
УПЧ выполнен на основе малошумящего уси- 900 МГц у данного фильтра возникает нежелатель-
лителя GALI-S66+, данный усилитель удовлетворяет ная вторая полоса пропускания. Следовательно, с
требованиям разрабатываемого устройства рядом учетом широкой полосы УПЧ (0–3 ГГц), необходимо
технических характеристик, таких как диапазон обеспечить дополнительное ослабление сигнала в
усиления (0–3 ГГц), усилением в рабочей полосе рабочей полосе УПЧ. Для этого применен фильтр с
(15–18 дБ), удовлетворительный коэффициент шума более широкой полосой пропускания и с достаточно
(2,4 дБ), корпус для поверхностного монтажа большим ослаблением сигнала в высокочастотной
(SOT-89). области рабочей полосы.
ся за счет установки МШУ во входную часть радио-
метра.
Заключение
Спроектирован супергетеродинный приемник
для радиометра нулевого метода измерений. Разра-
ботана структурная схема приемника радиометриче-
ской системы S-диапазона. Спроектированы макеты
печатных узлов с учетом электромагнитной совмес-
тимости СВЧ- и НЧ-элементов. Разработка макетов
осуществлена с применением элементной базы за-
рубежного производства наряду с отечественными
электронными компонентами. Этот факт является
недостатком представленного технического реше-
ния. Изготовлены макеты печатных плат. Проведены
Рис. 4. Передаточная характеристика ФНЧ2 сборка и монтаж блока ПЧ. Проведен ряд экспери-
ментов по исследованию характеристик блока ПЧ.
Таким образом, обеспечивается достаточное Результаты серии экспериментальных измере-
ослабление сигнала в более широком диапазоне час- ний проанализированы, сравнительный анализ ос-
тот, что находится далеко за пределами рабочего новных параметров показал следующее:
диапазона УПЧ. Последовательное подключение – разработанный приемник обладает усилением
этих фильтров обеспечивает формирование требуе- 43 дБ (типовое значение усиления высокочастотного
мой полосы частот с удовлетворительным внепо- тракта радиометрических приемников составляет
лосным затуханием на зеркальных каналах. ФНЧ2, 50–60 дБ),
частота среза которого равна 350 МГц, обеспечивает – обеспечена рабочая полоса в 80 МГц, что на-
минимальное затухание полезных сигналов в час- ходится в пределах 1–3% от S-диапазона частот,
тотном диапазоне 0–350 МГц и обладает ослаблени- – ослабление сигнала вне рабочей полосы со-
ем вне рабочего диапазона в усредненном значении ставляет 55 дБ.
минус 35 дБ в полосе до 5–7 ГГц. Комбинированное В дальнейшем планируется серия лабораторных
использование двух этих фильтров дает лучший эф- испытаний. Лабораторные испытания включают в
фект в частотной избирательности приемника. На себя исследования чувствительности и долговре-
рис. 5 приведена результирующая АЧХ блока ПЧ. менной и температурной стабильности разработан-
ного приемника. Разрабатывается блок входной
сверхвысокочастотной части радиометрической сис-
темы S-диапазона. Проводятся эксперименты по
реализации режима широкополосного сканирования
по частоте при исследовании природных сред на
основе разработанного приемника.
Благодарности
Авторы выражают свою признательность кол-
лективу СКБ «Смена» за неоценимую помощь в ор-
ганизации работ и техническую поддержку. Профес-
сору Томского государственного университета сис-
тем управления и радиоэлектроники А.В. Филатову
(кафедра ТОР) за полезное обсуждение материалов
статьи.
Рис. 5. Передаточная характеристика приемника
Литература
В соответствии с концепцией разработки полу- 1. Убайчин А.В., Филатов А.В. Многоприемниковые
ченная передаточная характеристика удовлетворяет микроволновые радиометрические системы на основе
требованиям, о которых говорилось в начале статьи. модифицированного метода нулевых измерений. – Томск:
Блок ПЧ обеспечивает избирательность на уровне ТУСУР, 2014. – 154 с.
1–3% в рабочем S-диапазоне частот. Также прием- 2. Филатов А.В. Двухканальный микроволновый ра-
диометр повышенной точности / А.В. Филатов, А.В. Убай-
ник обладает усилением 43 дБ в рабочем диапазоне
чин, Н.О. Жуков // Радиотехника. – 2011. – № 1. – С. 47–55.
частот и достаточным ослаблением вне рабочей 3. Краус Дж Д. Радиоастрономия / пер. с англ.; под
полосы. ред. В.В. Железнякова. – М.: Сов. радио, 2007. – 456 с.
Недостатком приведенной системы, как и всех 4. Абдирасул уулу Т., Убайчин А.В., Алексеев Е.В. и
супергетеродинных приемников, являются повы- др. Разработка концепции передачи информационных
шенные собственные шумы. Однако в разработан- сообщений посредством недетерминированых радиосиг-
ной структурной схеме этот недостаток нивелирует- налов тепловой природы // 26-я Междунар. Крым. конф.
«СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» 10. Космические радиометры L-диапазона/ Н.А. Ар-
(КрыМиКо’2016), Севастополь, 4–10 сентября 2016 г.: манд, М.Т. Смирнов, Ю.Г. Тищенко и др. // Космонавтика
матер. конф.: в 13 т. – Москва; Минск; Севастополь, и ракетостроение. – 2008. – № 2. – С. 39–43.
2016. – Т. 1. – 170 с. 11. Алексеев П.В. Микроволновый сканирующий ра-
5. Филатов А.В. Микроволновый четырехканальный диометр интегрального влажностного зондирования атмо-
нулевой радиометр L-диапазона / А.В. Филатов, А.В. Убай- сферы (МИВЗА) // Исследование Земли из космоса. –
чин, Д.Е. Параев // Приборы и техника эксперимента. – 2003. – № 5. – С. 68–77.
2012. – № 1. – С. 67–72. 12. Алексеев Е.В., Жук Г.Г., Убайчин А.В. Разработка
6. Filatov A.V., Ubaichin A.V., Paraev D.E. A microwave блока низкочастотной обработки сигналов модифициро-
four-channel null L-band radiometer // Instruments and Ex- ванного нулевого микроволнового радиометра // матер.
perimental Techniques. – 2012. – Vol. 55, № 1. – РР. 59–64. конф. «Научная сессия ТУСУР–2015». – Т. 1 – С. 222–232.
7. Алексеев Е.В., Жук Г.Г., Убайчин А.В., Филатов А.В. 13. Гошин Г.Г., Фатеев А.В. О применении метода
Радиометрический приемник пассивной системы радио- электродинамического подобия при моделировании широ-
видения // Информационно-измерительная техника и тех- кополосных устройств СВЧ // Изв. высш. учеб. завед. Фи-
нологии. –Томск: Изд-во Том. гос. университета, 2016. – зика. – 2010. – Т. 53. – № 9-2. – С. 180–181.
С. 374–378. 14. Хапин Ю.Б. Микроволновый радиометр-
8. Camps A., Tarongi J.M. Microwave radiometer resolu- спектрометр с предельными характеристиками для изуче-
tion optimization using variable observation times // Remote ния Земли из космоса в диапазоне 6…220 ГГц / Ю.Б. Ха-
Sensing. – 2010. – Vol. 2. – PP. 1826–1843. пин, А.В. Кузьмин. А.Г. Семин, Е.А. Шарков // Современ-
9. Анализ СВЧ-радиометрических данных L-диа- ные проблемы дистанционного зондирования Земли из
пазона, полученных в эксперименте на РС МКС/ А.Б. Ак- космоса. – 2013. – Т. 10. – № 4. С. 64–75.
вилонова, М.Т. Смирнов, О.О. Кузнецов, А.А. Халдин // 15. Filatov A.V., Ubaichin A.V. The dynamic properties
Современные проблемы дистанционного зондирования of a digital radiometer system and its operating efficiency //
Земли из космоса. – 2013. – Т. 10, № 2. – С. 252–262. Measurement Techniques. – 2012. – Vol. 54. – № 10. – PP. 1–6.
УДК 621.3.083.5
Е.В. Алексеев, Т. Абдирасул уулу, Д.Е. Миненко, А.В. Убайчин
Блок низкочастотной обработки сигналов микроволновой

радиометрической системы
Представлена разработанная структурная схема универсального блока низкочастотной обработки сигналов
микроволновой радиометрической системы. Приведены особенности реализации основных частей универсаль-
ного блока низкочастотной обработки. Даны практические рекомендации для разработки специализированных
блоков низкочастотной обработки.
Ключевые слова: радиометрическая система, дистанционное зондирование, исследование природных сред,
аналоговая обработка сигналов, радиометрические измерения, сдвиг уровня, операционные усилители.
Среди широкого класса прикладных радиоиз- Большую роль в обеспечении заданного при
мерительных задач, выполняемых при помощи тех- проектировании уровня метрологических характе-
ники микроволнового диапазона, особое место за- ристик радиометров играет блок низкочастотной
нимают измерения, связанные с оценкой параметров обработки сигналов [2].
собственного электромагнитного излучения природ- В представленной работе рассмотрена струк-
ных сред, объектов и феноменов. Данные измерения турная схема универсального блока низкочастотной
позволяют решать специфические задачи дистанци- обработки сигналов для микроволновых радиомет-
онного измерения температуры, контроля окружаю- ров различных типов.
щей среды, экологического мониторинга, неразру- Для обеспечения заданного уровня метрологи-
шающего контроля, ранней неинвазивной медицин- ческих характеристик блока низкочастотной обра-
ской диагностики и некоторых специальных прило- ботки необходимо обеспечить стабильность выпол-
жений. В каждом из перечисленных приложений для нения следующих функций: усиления, фильтрации и
реализации измерений используются специализиро- оцифровки продетектированных сигналов, посту-
ванные приемники электромагнитного излучения – пающих с радиометрического приемника.
микроволновые радиометры. Обобщенная структурная схема микроволновой
Микроволновые радиометрические системы радиометрической системы, представленная на рис. 1,
основаны на приеме и обработке электромагнитного состоит из антенны (A), приемника (ПР), низкочас-
теплового излучения объекта, что обусловливает их тотного блока (НЧБ) и устройства управления (УУ).
общую структуру, которая состоит из антенны, ра- Блок низкочастотной обработки сигналов (вы-
диометрического приемника, низкочастотного блока делен пунктиром на рис. 1) состоит из предвари-
и устройства управления [1]. тельного усилителя ПУ, усилителя постоянного тока
УПТ, синхронного фильтра СФ и аналого-цифрового трическая принципиальная усилителя постоянного
преобразователя АЦП. тока представлена на рис. 3.
НЧБ R2 R10
DA.1А DA.1В
А ПР ПУ УУ R1 +U
R3 +U
Вход
Выход
–U
УПТ R5 –U
KУ1
R8
R6
СФ R4 R7 R9
+U –U
KУ2
АЦП Рис. 2. Схема электрическая принципиальная предвари-

тельного усилителя: R1 – 5,1 кОм; R2 – 250 кОм;
Рис. 1. Структурная схема микроволнового радиометра R3 – 22 кОм; R4 – 25 кОм; R5 – 51 кОм; R6 – 470 кОм;
R7 – 22 кОм; R8 – 22 кОм; R9 – 25 кОм; R10 – 51 кОм;
Вход НЧБ связан с выходом радиометрического DA1 – TL072C
приемника, последним звеном которого является
детектор. Типовое усиление в радиометрическом R2 R4
приемнике составляет 50–70 дБ, что обеспечивает
выходное напряжение на детекторе порядка DA1.А DA1.B
Вход R1 +
5–20 мкВ при исследовании природных сред с шу- R3 +
Выход
мовой температурой до 300 К [3]. Эта особенность
обусловливает необходимость применения прецизи- –U
–U
онного малошумящего усилителя для увеличения KУ1 KУ2
амплитуды продетектированных сигналов [4, 5].
Усиление шумового сигнала с постоянной со- Рис. 3. Схема электрическая принципиальная схема
ставляющей, обусловленной собственными шумами усилителя постоянного тока: R1 – 510 Ом; R2,
R3 – 5,1 кОм; R4 – 100 кОм; DA1 – TL072C
радиометрического приемника и шумами антенны,
приводит к необходимости коррекции уровня сигна-
ла. Эта операция также осуществляется в блоке ПУ. Для использования полного динамического
Для выполнения этих функций применен пред- диапазона аналого-цифрового преобразователя сум-
варительный усилитель с внешней компенсацией марный коэффициент усиления НЧБ составляет 200
сдвига на основе микросхемы TL072C в инверти- (Kу1 = 10 и Kу2 = 20) [9].
рующем включении, схема электрическая принци- Для обеспечения возможности работы НЧБ в
пиальная которого представлена на рис. 2 [6]. радиометрах различных типов (компенсационном,
Выбор номиналов резисторов произведен в со- модуляционном и нулевом) необходимо обеспечить
ответствии с критериями технической документации три и более блоков динамического интегрирования
на операционный усилитель [7]. Для обеспечения (синхронных фильтров). В данной реализации они
режима управления напряжением на неинверти- выполнены на основе аналогового мультиплексора
рующем входе DA1.B резистор R6 выбирается исхо- ADG1204 и представлены на рис. 3 [10, 11].
дя из критерия Аналоговый мультиплексор подключает выходы
R 6  R5  R8 . (1) S1, S2, S3, S4 к общему входу D в зависимости от
С учетом (1) и номиналов R5 и R8 номинал ре- состояния управляющего двоичного сигнала уст-
зистора R6 выбран равным 470 кОм. ройства управления, который поступает через входы
Использование инвертирующего включения A1 и A0. Вход EN является разрешающим. Динами-
операционных усилителей обусловлено повышен- ческое интегрирование осуществляется за счет по-
ными требованиями к линейности передаточной следовательного подключения конденсаторов через
характеристики детектора. Линеаризация достигает- соответствующие выводы к резистору R1. При этом
ся за счет изменения коэффициента передачи ПУ, происходит аналоговое усреднение принимаемого
путем изменения его входного сопротивления, обу- шумового сигнала соответствующего уровня [12].
словленного изменяющимся выходным сопротивле- Оцифровка сигнала осуществляется при помо-
нием детектора [8]. щи аналого-цифрового преобразователя ADS7887. В
Усилитель постоянного тока осуществляет опе- данной реализации блока низкочастотной обработки
рации усиления сигнала в полосе частот 0–1,5 МГц сигналов можно реализовать два вида интегрирова-
и выполнен на основе операционного усилителя ния: аналоговое и цифровое. Эта особенность также
TL072C в инвертирующем включении. Схема элек- обусловлена универсальностью НЧБ.
DD1 Литература
С1 S1 1. Алексеев П.В. Микроволновый сканирующий
S2 радиометр интегрального влажностного зондирования
С2
D R1 Вход атмосферы (МИВЗА) / Исследование Земли из космоса. –
С3 S3 2003. – № 5. – С. 68–77.
2. Алексеев Е.В., Жук Г.Г., Убайчин А.В. Разра-
С4 S4 Выход ботка блока низкочастотной обработки сигналов модифи-
цированного нулевого микроволнового радиометра // Ма-
тер. конф. «Научная сессия ТУСУР–2015». – Т. 1. –
Преобразователь С. 222–232.
3. Алексеев Е.В., Анишин М.Н., Газитов С.Р. и др.
A0 A1 EN Радиометрический приемник для радиотеплолокационной
системы 3-мм диапазона длин волн // 26-я Междунар.
+U Крым. конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные
Рис. 4. Структурная схема синхронного фильтра: С1, С2 , технологии» (КрыМиКо’2016). Севастополь, 4–10 сентяб-
С3 , С4 – 1 мкФ; R1 – 200 кОм; DD1 – ADG1204 ря 2016 г.: матер. конф.: в 13 т. – Москва; Минск; Сева-
стополь, 2016. – Т. 1. – 170 с.
4. Korolev A.M. A Measuring Square-Law Diode De-
tector / A.M. Korolev, A.N. Korol, A.V. Poladich,
V.I. Shkodin / Instruments and Experimental Techniques. –
Заключение 2009. – Vol. 52, No. 6. – PP. 793–795.
В представленной работе приведена структур- 5. Многоприемниковые микроволновые радиомет-
ная схема универсального блока низкочастотной рические системы на основе модифицированного метода
обработки сигналов микроволновых радиометров. нулевых измерений / А.В. Убайчин, А.В. Филатов. –
Освещены аспекты разработки отдельных функцио- Томск: Изд-во Том. гос. ун-та систем упр. и радиоэлек-
нальных блоков НЧБ. Приведены перечень и вари- троники. – 2014. – 154 с.
ант реализации функции НЧБ для обеспечения уни- 6. Краус Дж Д. Радиоастрономия / пер. с англ.; под
ред. В.В. Железнякова. – М.: Сов. радио, 2007. – 456 с.
версальности применения.
7. Техническая документация на операционный
Даны практические рекомендации для разра- усилитель TL072 [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
ботки новых версий специализированных блоков http://www.ti.com/product/TL072/datasheet (дата обраще-
низкочастотной обработки. Приведен вариант реали- ния: 11.05.17).
зации предварительного усилителя, обеспечивающе- 8. Филатов А.В. Радиометрические системы нуле-
го линеаризацию амплитудной характеристики микро- вого метода измерений / А.В. Филатов. – Томск: Том. гос.
волнового радиометра по методике, описанной в [13]. ун-т систем упр. и радиоэлектроники, 2007. – 276 с.
В настоящее время осуществляется серия лабо- 9. Мамий А.Р. Операционные усилители / А.Р. Ма-
раторных испытаний разработанного НЧБ. Плани- мий, В.Б. Тлячев. − Майкоп: АГУ, 2005. − 192 с.
10. Фрейтер Р.Н. Синхронный интегратор и демоду-
руется серия полевых исследований в составе ра-
лятор // Приборы для научных исследований. – 1965. –
диометрических систем различных типов. Т. 36. – № 5. – С. 53–57
Благодарности 11. Ипатов А.В., Берлинг А.Б. Низкочастотное вы-
ходное устройство радиоастрономического приемника с
Авторы выражают свою признательность про- синхронным интегратором // Изв. вузов. Радиофизика. –
фессору Томского государственного университета 1973, Т. 16, № 5. – С. 712–715.
систем управления и радиоэлектроники А.В. Фила- 12. Техническая документация на аналоговый муль-
тову (кафедра ТОР) за полезное обсуждение мате- типлексор ADG1204 [Электронный ресурс]. – Режим дос-
риалов статьи, зав. каф. КУДР А.Г. Лощилову за тупа: http://www.analog.com/ru/products/switches-multi-
plexers/analog-switches-multiplexers/adg1204.html (дата
ценные консультации и всему коллективу СКБ обращения: 12.05.17).
«Смена» за неоценимую помощь в организации ра- 13. Федосеев Л.И. и др. Радиометр 3-миллиметро-
бот по практической реализации устройства и тех- вого диапазона длин волн с модулятором-калибратором //
ническую поддержку. Изв. вузов. Радиофизика. – 2007. – Т. 50, № 10. – С. 948–953.
УДК 621. 391
Е.Д. Бычков
Метод регистрации и оценка состояния канала связи

на основе концепций мягких вычислений
Рассматривается регистрация двоичного элемента в дискретном канале со стиранием с использованием нели-
нейной шкалы, которая сконструирована на основе нечеткой функции принадлежности, концепции теории не-
четких множеств. Показан источник потерь информации двоичного элемента при его регистрации традицион-
ным способом. Приведен механизм компенсации потерь информации на основе нелинейной шкалы.
Ключевые слова: дискретный канал, нечеткая шкала, информация.
Задаче повышения эффективности регистрации Рассмотрим дискретный канал связи (рис. 1). В
единичных двоичных элементов посвящено множе- приемной части канала устройства преобразования
ство работ [1–6 ], в которых казалось бы решены сигналов (УПС) содержится пороговое устройство
все основные проблемы при принятии решения о (ПУ). Оно предназначено для ограничения сигнала
состоянии единичного элемента, т.е. «0» или «1». после демодулятора с целью достоверной регистра-
Однако появление усовершенствованных аппарат- ции единичного элемента. При этом, следует отме-
ных и программных средств, основанных на новых тить, что теряется часть информации о сигнале, ко-
элементных базах и математических концепциях, торая может быть и существенной. Рассчитаем по-
позволяет по-другому подойти к решению этой за- терю количества информации на единичный элемент
дачи с более эффективными результатами. после ПУ.
Рис. 1. Структурная схема системы передачи дискретных сообщений
Дифференциальная энтропия сигнала с помехой Разность дифференциальных энтропий сигна-

y(t) до порогового устройства ПУ (точка «b») или на лов каналов КПТ и полунепрерывного определяется
выходе канала КПТ при условии нормального рас- выражением
пределения искажений соответствует выражению h  h( y )  h( y ')  log 2 Y 2e  log 2 Y ' 2 3 
[7–9]
Y
1  log 2 e /6, бит/отсчет. (1)
h( y )  log 2  y 2  log 2 e  log 2  y 2e , бит. Y '
2
Энтропия сигнала на выходе полунепрерывного Разность энтропий h есть количество потерян-
канала (точка «d» на рис. 1), т.е. после порогового ной информации на отсчет о состоянии сигнала по-
устройства ПУ, определяется следующим образом. сле его ограничения ПУ. Если y = y', то потеря ин-
Известно, что при прохождении сигнала y(t) че- формации на каждый отсчет принятого сигнала со-
рез ПУ ограничивается его пиковая мощность, сле- ставит
довательно, можно предположить, что меняется и h  log 2 e /6  0,254 бит/отсчет. (2)
закон распределения вероятности плотности сигнала Следует отметить, что разность дифференци-
y'(t) на симметричный равномерный закон w(y) = 1/2a.
альных энтропий эквивалентна доли длительности
Дифференциальная энтропия сигнала с равномер-
краевых (дроблений) искажений отсчета ti сигнала,
ным распределением после ПУ имеет вид [7, 8]
h  i. Будем считать, что ti–1 = ti = ti+1 , i = 1... k
h( y ')  log 2 2a  log 2  y ' 2 3. в интервале длительности сигнала Т. Тогда среднее
значение краевых искажений за интервал длитель- «1» за интервал времени Т [11 ]. Процесс оценива-
ности сигнала Т составит ния сигнала приведен на рис. 2.
t  k   k Процедура формирования нечеткой меры
 . (3) 
T множества U (tk ) через вычисление нечеткого инте-
Таким образом, при гипотезе о равномерной грала, т.е. выполнение процедуры свертки
плотности вероятности распределения сигнала на ~
выходе порогового устройства и равенстве диспер- g[U (tk )]   U k (uk )  g (k ), (4)
сий y = y' краевые искажения за интервал, Т могут U
составить   25,4%. где g (k ) – нечеткая плотность интервала k .
Потери информации за интервал Т от действия Принятие решения о наиболее возможном двоичном
порогового устройства можно компенсировать (точ- числе е* принимается по правилу
ка «с» рис. 1), используя устройство оценки значи-
мости отсчетов сигнала (в интервале [0, 1] ) в мо- 1, если g[U (tk )]  g (U 0 ),

менты стробирования (дискретизации) интервала Т. e  стирание, если g[U (tk )]  g (U 0 ),
*
(5)
Для решения этой задачи предлагается использовать  
в устройстве нелинейную шкалу, по которой будет 0, если g[U (tk )]  g (U 0 ),
оцениваться значимость каждого отсчета. Данная где g (U 0 )  фиксированная наперед заданная мера
шкала строится на основе концепций теории нечёт- единичного элемента, может быть половиной мощ-
ких множеств, т.е. представляется в виде специаль- ности или среднего уровня принятого единичного
но сконструированной унимодальной функции при- элемента.
надлежности G (1) (u ) [10], по которой оценивается Приведем оценку количества информации вно-
принятие сигналов  Z [U (tk )] , затем методом нечет- симой априорной шкалой на основе функции при-
надлежности G (1) (u ) (см. рис. 2). Функцию
кого интегрирования функции  Z [U (tk )] принима-
ется решение о типе двоичных сигналов «0» или G (1) (u ) аппроксимируем сигмоидной функцией.
1

Z [U(tk)]
μG(1)(u)
0,5


0
0 1
1 22 33 44 55 66 77 88 99 10
1 11
1 12
1 13
1 14
1 15
1
tt
2
2B
U(t)
U(t
U
Рис. 2. Процесс оценивания сигнала через нечеткую шкалу: U(t) – сигнал; μG(1)(u) – априорная шкала;
μZ [U(tk)] – апостериорная функция нечеткого процесса
Расчет количества информации сигмоидной где а – крутизна; с – центр сигмоиды; х – текущее

функции значение функции.
Одним из видов сигмоидной функции выберем Пусть даны исходные данные: крутизна а = 3;
выражение: центр сигмоиды с = 4; входные значения сигнала в
1 вольтах, х = 1, …, 6 В. Область S-оценки сигнала
( x )  , ( x)0,1, (6)
 a ( x c )
1 e
находится в пределах 2, …, 6 В. Оценка сигала будет Ai  A ( xi )log 2  A ( xi ), Bi  (1  A ( xi ))log 2 (1 A ( xi )),
производится с шагом Δх = 0,4 В.
H (C ) 5,672
Количество информации нечеткой шкалы на H (отсчет)    0,567 бит/отсчет.
n 10
основе сигмоидной функции будет определяться по
методике [12, 13]:  g (i)
i 1
n  ( x )log  ( x )  
G i 2 G i Как показывают расчеты примера, количество
H (G )    , бит, (7)
(1   ( x ))  log (1   ( x )) информации, вносимое нелинейной шкалой
i 1  G i 2 G i 
где n – количество дискретных отсчетов на шкале.  Z [U (tk )] , примерно соответствует 0,567 бит/отчет.
Количество информации на отсчет определяет- Учитывая вероятностный характер сигнала, бу-
ся так: дем считать, что моменты появления отсчетного
H (G ) сигнала равновероятны. Вероятности нечеткого со-
H (отсчет)  , бит/отсчет, бытия определяются выражением p( xi ) ( xi )  p( xi )
n
 g (i) [14]. Тогда информация сигнала за период T, по
i 1 (8)
Шеннону, составит
n n  p ( x )log p ( x )  
 g (i)  0, 0  g (i )  1. H (U )   
i 2 i
, бит. (9)
i 1   
i 1  (1  p ( xi ))log 2 (1  p ( xi ))
Здесь g(i) – вес измеряемой величины, g(i) = 1. Количество информации на отсчет определяет-
Результаты расчета сведем в табл. 1. ся аналогично вышеприведенному выражению (8).
Согласно решениzv по выражениям (7), (8) и Результаты расчета сведем в табл. 2.
расчетной табл. 1 вычисленные слагаемые имеют С учетом решений выражений (8), (9) и расчет-
результат ной табл. 2 вычисленные слагаемые имеют результат
Ai= 2,888 бит, Bi = 2,784 бит,
 Ai  2,546 бит,  Bi  0,455 бит ,
H (C )   Ai   B j  5,672 бит,
H (C) Ai Bj 3 бит , H(отсчет) = 0,3 бит/отсчет.
где
Таблица 1
Расчет энтропии сигмоидной функции
x 2 2,4 2,8 3,2 3,6 4 4,4 4,8 5,2 6
( x ) 0,015 0,04 0,085 0,17 0,3 0,5 0,6 0,84 0,925 0,93
( x ) 0,985 0,96 0,915 0,83 0,7 0,5 0,4 0,16 0,075 0,07
log 2 ( x) –6,059 –4,66 –3,556 –2,556 –1,737 –1 –0,737 –0,252 –0,112 –0,105
log 2 ( x) –0,022 –0,0589 –0,128 –0,269 –0,515 –1 –1,322 –2,644 –3,737 –3,836
Ai –0,0909 –0,186 –0,302 –0,434 –0,521 –0,5 –0,442 –0,211 –0,104 –0,097
Bj –0,0215 –0,0565 –0,123 –0,223 –0,360 –0,5 –0,529 –0,423 –0,280 –0,268
Таблица 2
Расчет компенсированной информации
x 2 2,4 2,8 3,2 3,6 4 4,4 4,8 5,2 6
p ( x ) 0,0015 0,004 0,0085 0,017 0,03 0,05 0,06 0,084 0,0925 0,093
p ( x ) 0,9985 0,996 0,9915 0,983 0,97 0,95 0,94 0,916 0,9075 0,907
log 2 p ( x ) –9,389 –7,96 –6,878 –5,878 –5,059 –4,322 –4,059 –3,573 –3,434 –3,427
log 2 p ( x ) –0,0022 –0,00578 –0,0123 –0,0247 –0,0439 –0,074 –0,0893 –0,127 –0,14 –0,141
Ai –0,0141 –0,032 –0,0582 –0,0999 –0,152 –0,216 –0,243 –0,300 –0,317 –0,319
–0,0022 –0,00576 –0,0122 –0,0243 –0,0426 –0,0703 –0,0839 –0,116 –0,127 –0,128
B i
Согласно вышеприведенному расчету (табл. 1 пользованием аппарата нечеткой логики позволит

и 2) количество информации, потерянной (2) при повысить достоверность приема.
регистрации сигнала с использованием ПУ, можно
компенсировать, применив нелинейную шкалу (6).
Следовательно, при регистрации сигнала можно 1. Зайдлер Е. Системы передачи дискретной инфор-
уменьшить количество стираний в дискретном кана- мации. – М.: Связь, 1977. – 512 с.
ле со стиранием и увеличить достоверность приема 2. Зюко А.Г. Теория электрической связи / А.Г. Зю-
дискретных сигналов. ко, Д.Д. Кловский, В.И. Коржик, М.В. Назаров; под ред.
Д.Д. Кловского. – М.: Радио и связь, 1999. – 432 с.
Таким образом, использование устройства
3. Коржик В.И. Расчет помехоустойчивости систем
оценки и регистрации дискретных сигналов с ис- передачи дискретных сообщений: справочник / В.И. Кор-
жик, Л.М. Финк, К.Н. Щелкунов; под ред. Л.М. Финка. – 10. Бычков Е.Д. Математические модели управления
М.: Радио и связь, 1981. – 232 с. состояниями цифровой телекоммуникационной сети с
4. Прокис Дж. Цифровая связь / пер. с англ.; под использованием теории нечетких множеств. – Омск: Изд-
ред. Д.Д. Кловского. – М.: Радио и связь, 2000. – 800 с. во ОмГТУ, 2010. – 236 с.
5. Теория передачи сигналов на железнодорожном 11. Патент 145409 RU, МПК G06N 7/02 (2006.01).
транспорте / под ред. Г.В. Горелова. – М.: Транспорт, Устройство регистрации единичного элемента с исполь-
2001. – 415 с зованием методов нечеткой логики / Е.Д. Бычков,
6. Шувалов В.П. Прием сигналов с оценкой их каче- О.Н. Коваленко, Д.Н. Коваленко RU). Заявлено
ства. – М.: Связь, 1979. – 240 с. 10.01.2014; Опубл. 20.09.2014. Бюл. № 26.
7. Дмитриев В.И. Прикладная теория информации. – 12. De Luca, Termini S.A. Definition of Non-
М.: Радио, 1989. – 332 с. – Режим доступа: probabilistic Entropy in the Setting of fuzzy sets theory //
http://pws49.awardspace.com/informaz/dmitriev_1.pdf Information and Control. – 1972. – Vol. 20. – PP. 301–312.
8. Прохоров В.С. Теория информации. – Режим дос- 13. Deshmukh K.C., Khot P.G. Generalized Measures of
тупа: http://mp.fizteh.urfu.ru/InformationTheory/1.Теор.курс/ Fuzzy Entropy and their Properties // International Journal of
7.%20Доп.литература/В.С.%20Прохоров.%20Теория%20и Research in Engineering and Technology (IJRET). – 2000. –
нформации.%20Лекции.pdf. Vol. 1, No. 1. – РР. 89–93.
9. Фурсов В.А. Теория информации. – Самара: Изд- 14. Трухаев Р.И. Модели принятия решений в усло-
во Самар, гос. аэрокосм, ун-та, 2011. – 128 с. – Режим виях неопределенности. – М.: Наука, 1981. – 258 с.
доступа: http://www.ssau.ru/files/education/uch_posob/Тео-
рия%20информации-Фурсов%20ВА.pdf
УДК 621.396
А.В. Паращинец, А.Е. Ефремова, Е.В. Рогожников
Аппаратное обеспечение для построения самоорганизующейся

беспроводной сенсорной сети
Рассмотрено формирование аппаратной части беспроводной сенсорной сети, описана структура узла, входяще-
го в состав беспроводной сенсорной сети, а также произведен обзор его компонентов.
Ключевые слова: беспроводная сенсорная сеть, БСС, узел, самоорганизация.
Беспроводные сенсорные сети (БСС), или устройств, составляющих эту систему. В данной
Wireless sensor networks (WSN), в последнее время статье описывается формирование аппаратной части
получили широкое распространение и привлекли беспроводной сенсорной сети.
немалый интерес как со стороны производителей Состав аппаратной части
технических решений, так и со стороны академиче- Аппаратная часть узла БСС представляет собой
ского сообщества. Со стороны производителей ин- устройство управления (роль которого зачастую иг-
терес вызван широким кругом применений сенсор- рает микроконтроллер), трансивер и набор сенсоров.
ных сетей в различный областях, таких как медици- Функциональная схема узла БСС представлена на
на, мониторинг окружающей среды и живых су- рис. 1.
ществ, координация и коммуникация беспилотных
аппаратов и т.д. Многообразие применений сенсор- МК Трансивер
ных сетей для потребителей делает эту технологию
перспективной и коммерчески выгодной в обозри-
мом будущем. Со стороны же академического сооб-
щества интерес вызван многообразием реализаций, Сенсоры
а также рядом интересных задач, возникающих пе- Рис. 1. Функциональная схема узла БСС
ред разработчиком подобных систем [1].
Беспроводная сенсорная сеть представляет со- Однако необходимо отметить, что несмотря на
бой группу устройств, способных к динамической то, что сенсоры являются важной частью рассматри-
самоорганизации сети, а также построению опти- ваемых сетей, основная инженерная задача связана с
мального маршрута передачи данных от одного уда- обеспечением самоорганизации сети. Основным же
ленного узла к другому. инструментом для самоорганизации является управ-
БСС условно можно разделить на два связан- ление трансивером посредством управляющего уст-
ных между собой уровня: программного и аппарат- ройства.
ного обеспечения. Под программным обеспечением Также важными составляющими являются ав-
понимается вся совокупность инструкций, заложен- тономность и мобильность узлов, а значит элементы
ная в логические устройства управления системой. питания не позволят включить в состав узла компо-
Под аппаратным – совокупность всех электронных ненты с высоким энергопотреблением. Таким обра-
зом, используемые устройства должны обладать вы- Как видно из рис. 2, плата модуля, кроме мик-
сокой энергоэффективностью. росхемы трансивера с обвязкой в виде пассивных
Устройство управления компонентов и разъема, включает в себя кварцевый
Под устройством управления подразумевается генератор и печатную антенну. В подобной модифи-
устройство, способное исполнять машинные инст- кации дальность связи зависит от многих факторов,
рукции и иметь поддержку периферийных интер- таких как наличие преград в зоне работы, а также
фейсов. допустимое количество ошибок, при котором связь
В качестве устройства управления зачастую ис- можно считать целесообразной. Однако производи-
пользуются микроконтроллеры производства фирмы тель модулей заявляет, что дальность связи состав-
STMicroelectronics. Данное решение обусловлено ляет порядка нескольких сотен метров в зависимо-
широкой распространенностью данных микрокон- сти от выбранной чувствительности модуля. Также
троллеров и одним из лучших соотношений це- доступна модель данного трансивера со встроенным
на/производительность на рынке. усилителем и антенной. Данная модификация пред-
Целевыми в данном случае являются модели ставлена на рис. 3.
микроконтроллеров с низким энергопотреблением, а
именно серии STM8L, STM32 L0, STM32 L1,
STM32 L4.
Приемопередающий модуль
В качестве приемопередающего модуля может
быть использован nRF24L01+ производства Nordic
Semiconductor. Данный модуль выбран из-за воз-
можности применения в энергоэффективных систе-
мах, а также широкой распространенности на рынке.
Модуль обладает следующими ключевыми ха-
рактеристиками [2]:
 рабочая частота 2,4 ГГц (ISM-диапазон);
 скорости передачи 250 кбит/с; 1 Мбит/с;
2 Мбит/с; Рис. 3. Внешний вид модуля nRF24L01+
 низкое энергопотребление (11,3 мА в режиме с усилителем мощности и антенной
передачи при уровне мощности 0 дБм; 13,5 мА в
режиме приема на скорости 2 Мбит/с); По заверениям производителя данная модифи-
 диапазон питающих напряжений от 1,9 до 3,6 В; кация способна обеспечивать дальность связи по-
 дискретные входы толерантны к 5 В логиче- рядка километра [2].
ским уровням; Данный модуль подключается к микроконтрол-
 кварцевый генератор 16 МГц; леру через SPI-интерфейс. SPI-интерфейс представ-
 аппаратная реализация формирования паке- ляет собой последовательный синхронный стандарт
тов, что облегчает работу с данными модулями. передачи данных в режиме полного дуплекса, пред-
На рис. 2 показан внешний вид наиболее часто назначенный для обеспечения высокоскоростного
встречающейся модификации данного модуля. сопряжения микроконтроллеров и периферии. На
рис. 4 представлена функциональная схема реализа-
ции SPI-интерфейса.
На рис. 5 представлена подробная структурная
схема модуля nRF24L01+.
Из особенностей можно отметить использова-
ние GFSK-модуляции, а также наличие ядра, отве-
чающего за формирование пакетов особой структу-
ры, которую производитель именует Enhanced
Shockburst™ packet format.
Структура пакета nRF24L01+ представлена на
Рис. 2. Внешний вид модуля nRF24L01+ рис. 6.
MISO
MOSI
SCLK
SS
CLK
Рис. 4. Функциональная схема SPI-интерфейса
Рис. 5. Структурная схема модуля nRF24L01+
Заголовок Адрес Контроль пакетов Полезная нагрузка Контрольная сумма

[1 байт] [3-5 байт] [9 бит] [0-32 байта] [0-1 байта]
Рис. 6. Структура пакета nRF24L01+
К особенностям стоит отнести то, что микро- ская адресация. Также для проведения «полевых»
контроллер может оперировать только полем Payload испытаний необходимо подключение источников
(поле полезной нагрузки) в общей длине пакета питания с последующим разнесением узлов БСС в
nRF24L01+. пространстве. Необходимым является определение
Одно из важных ограничений, которое накла- приемлемой дальности передачи/приема на выбран-
дывает канальный уровень передатчика, состоит в ных режимах работы приемника.
том, что у каждого передатчика можно настроить до Заключение
шести адресов соединений; таким образом, группа В статье произведен обзор основных компонен-
устройств, работающих на одной несущей частоте, тов, входящих в состав аппаратной части БСС. Рас-
может работать не более чем с шестью устройствами. смотрены структура узла БСС, составляющие, а так-
Полезной функцией также является возмож- же их характеристики.
ность повторной передачи пакетов вплоть до 15 по-
пыток, что повышает вероятность доставки пакетов
до принимающего устройства. Интервал между по-
вторной отправкой пакета также является настраи- 1. Беспроводные сенсорные сети [Электронный ре-
ваемой величиной. сурс]. – Режим доступа: https://geektimes.ru/post/95011/,
Таким образом, макет узла, входящего в БСС, свободный (дата обращения: 05.07.2017).
представляет собой микроконтроллер STM32 2. nRF24L01+ Ultra low power 2.4GHz RF Transceiver
IC [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
(STM8) с подключенным посредством SPI-интер-
http://www.nordicsemi.com/eng/Products/2.4GHz-
фейса трансивером nRF24L01+. С помощью микро- RF/nRF24L01P, свободный (дата обращения: 07.07.2017).
контроллера происходит сбор данных и динамиче-
УДК 621.391
А.Е. Ефремова, А.В. Паращинец
Беспроводные сенсорные сети, структура и маршрутизация

Представлены принцип построения и отличительные особенности беспроводной сенсорной сети, а также рас-
смотрено формирование сети на основе LEACH-протокола в программной среде MATLAB.
Ключевые слова: беспроводные сенсорные сети, самоорганизация, маршрутизация, отличительные особенно-
сти, LEACH-протокол.
Беспроводные сенсорные сети (БСС) представ- В основном каждый сенсорный узел содержит
ляют собой множество распределенных устройств, датчики, устройства обработки и передачи инфор-
называемых узлами сенсорной сети, способных са- мации, системы определения местоположения и
мостоятельно организовывать устойчивую сеть и блок питания. Узлы координируются между собой
работающих в одном радиочастотном диапазоне. для получения информации о физической среде.
Каждый из этих сенсорных узлов имеет возмож- методы для эффективного обнаружения маршрута и
ность собирать и направлять данные либо другим передачи данных от узлов к БС, чтобы увеличить
датчикам, либо обратно на внешнюю базовую стан- время жизни сети.
цию (БС). Базовая станция способна подключать Маршрутизация в БСС очень сложна из-за при-
сенсорную сеть к существующей инфраструктуре сущих характеристик, которые отличают эти сети от
связи или к Интернету, где пользователь может других беспроводных сетей, таких как беспровод-
иметь доступ к данным. ные ad-hoc-сети или сотовые сети.
На рис. 1 представлена схема взаимосвязи узлов Отличительные особенности БСС от других
БСС. беспроводных сетей
Использование беспроводной сенсорной сети 1. Из-за относительно большого количества
может оказать значительное влияние на эффектив- датчиков невозможно построить глобальную схему
ность различных приложений в гражданских и во- адресации для организации большого количества
енных целях, таких как обнаружение вторжений, сенсорных узлов, поскольку на обслуживание ID
мониторинг погоды, безопасность и тактическое необходимо выделить большие ресурсы. Таким об-
наблюдение, мониторинг внешних условий, таких разом, традиционные IP-протоколы не могут приме-
как температура, движение, звук, освещение или няться к БСС, так как чаще всего получение данных
наличие определенных объектов и управление запа- является более важным, чем знание идентификато-
сами. ров тех узлов, которые отправили данные.
2. Почти любое применение сенсорных сетей
требует потока данных, полученных от нескольких
источников, к конкретной БС. Это не значит, что
поток данных не может быть многоадресным или
одноранговым.
3. Узлы жестко ограничены с точки зрения
энергии, обработки данных и хранения информации.
Таким образом, они требуют тщательного управле-
ния ресурсами.
4. В большинстве случаев узлы в БСС обычно
являются стационарными после её организации, за
исключением, возможно, нескольких мобильных
узлов. Узлы в других традиционных беспроводных
сетях могут перемещаться, что приводит к непред-
сказуемым и частым топологическим изменениям.
Рис. 1. Схема взаимосвязи узлов БСС Однако в отдельных случаях некоторым узлам дат-
чиков разрешено перемещаться и изменять свое ме-
Построение сенсорной сети для таких приме- стоположение (хотя и с очень низкой подвижностью).
нений может осуществляться случайным образом 5. Сенсорные сети направлены на конкретные
(сбрасываться с самолета) или может быть установ- задачи, то есть требования к сети изменяются в за-
лено вручную (датчики пожарной тревоги на объек- висимости от применения. Например, сложная про-
те). Для контроля условий при стихийном бедствии блема точного тактического наблюдения отличается
большое количество датчиков можно сбросить с от той, которая требуется для периодического мони-
вертолета. Сеть этих датчиков может помочь спаса- торинга погоды.
тельным операциям, определив местонахождение 6. Важна осведомленность о местоположении
выживших, опасные зоны, и сделать осведомленной сенсорных узлов, поскольку сбор данных обычно
спасательную группу об общей ситуации в зоне бед- зависит от местоположения. Например, методы, ос-
ствия. нованные на триангуляции [5], позволяют узлам
На протяжении последних нескольких лет про- датчиков аппроксимировать свое положение, ис-
водились исследования [1–4], направленные на изу- пользуя мощность радиосигнала из нескольких из-
чение возможностей самоорганизации датчиков вестных точек.
сбора и обработки данных, а также координации и Протокол маршрутизации беспроводной
управления энергией, так как узлы датчиков ограни- сенсорной сети
чены в энергоснабжении и пропускной способности. В настоящее время для БСС существует много
Таким образом, чрезвычайно необходимы иннова- различных протоколов маршрутизации, которые
ционные методы, которые позволяют сделать сеть учитывают неотъемлемые свойства БСС [6, 7]. Наи-
более эффективной, что увеличит срок службы сети. более известным являются иерархический протокол
Такая возможность в сочетании с самоорганизацией LEACH (Low-energy adaptive clustering hierarchy).
сети датчиков создает множество проблем при про- В LEACH-протоколе формирование сети осу-
ектировании и управлении БСС и требует энерго- ществляется следующим образом. Используя сто-
сбережения на всех уровнях стека сетевых протоко- хастический алгоритм, из всех сенсорных узлов оп-
лов. Например, на сетевом уровне важно определить ределяются головные узлы. Они в свою очередь
транслируют сообщение о том, что они являются В результате моделирования после 1000 циклов
головными узлами сети. После чего остальные узлы три узла погибло из пятидесяти.
присоединяются к какому-либо кластеру на основе В качестве входных данных используются ха-
уровня мощности этого сигнала, полученного от рактеристики применяемой аппаратуры, а именно:
головного узла. Когда все узлы организовались в мощность передатчика, чувствительность приемни-
кластеры, головной узел создает расписание и на- ка и энергия, требуемая для агрегации пакетов,
значает каждому узлу кластера свой временной ин- приема и передачи данных. Также задаются такие
тервал TDMA, когда он может передавать данные. параметры, как максимальное число циклов работы
После получения данных головной узел объединяет, сети, координаты базовой станции, размеры поля и
сжимает данные и пересылает их на базовую стан- количество используемых узлов. Сенсорные узлы,
цию (приемник). После каждого цикла работы снова распределенные в поле случайным образом, делятся
избираются головные узлы и формируются класте- на два типа – обычные и продвинутые. Под продви-
ры. Чтобы осуществить передачу данных между нутыми подразумевается узлы, у которых в два раза
кластерами, LEACH также использует CDMA, что больше энергии, чем у обычных узлов.
позволяет минимизировать помехи, возникающие от В результате работы с данной моделью можно
соседних узлов. получить общее представление о работе LEACH-
Для наглядной демонстрации работы LEACH- протокола, узнать количество погибших узлов спус-
протокола создана модель в среде математического тя заданное количество циклов работы и найти оп-
моделирования MATLAB, которая позволяет рас- тимальное соотношение между мощностными ха-
смотреть функционирование сенсорной сети на ос- рактеристиками узлов и их автономностью, что, в
нове данного протокола. На рис. 2, 3 представлены свою очередь, может быть использовано при подбо-
характеристики алгоритма в начале передачи сооб- ре оборудования для организации реальной БСС.
щения и после 1000 циклов работы при условиях, Заключение
когда на поле размером 100×100 м размещены 50 В статье описаны возможные области примене-
узлов, а координаты базовой станции – (50,50). ния беспроводной сенсорной сети, а также её струк-
тура. Рассмотрены отличительные особенности этой
сети от других беспроводных сетей, таких как бес-
проводные ad-hoc-сети или сотовые сети. Для де-
монстрации работы LEACH-протокола рассмотрена
Расстояние, м
модель сети в среде MATLAB.
1. Abakumov P., Koucheryavy A. The cluster head selec-
tion algorithm in the 3D USN // Proceeding, International
Conference on Advanced Communication Thechnology. –
2014. – Phoenix Park, Korea.
2. Кучерявый А.Е. Выбор головного узла кластера в
однородной беспроводной сенсорной сети / А.Е. Кучеря-
вый, А.Салим // Электросвязь. – 2009. – №8. – C. 32–36.
Расстояние, м  3. Аль-Наггар Я.М. Алгоритм выбора головного узла
Рис. 2. Случайное расположение узлов: о – обычные узлы; кластера для всепроникающих сенсорных сетей с исполь-
+ – продвинутые узлы; * – головные узлы; зованием нечеткой логики и диаграмм Вороного // Элек-
× – базовая станция тросвязь. – 2014. – № 9.
4. Hoodgar1 M., Mehrani1 M., Attarzadeh N., Azimifar
M. An energy efficient three dimensional coverage method for
Wireless Sensor Networks.
5. Bulusu N., Heidemann J., Estrin D. GPS-less low
Расстояние, м
cost outdoor localization for very small devices. Technical

report 00-729 // Department of Computer Science, University
of Southern California. – 2000. Texas, Apr.
6. Краснобаев В.А., Горбенко Р.А. Протоколы мар-
шрутизации в беспроводных сенсорных сетях // Системи
управління, навігації та зв'язку. – 2013. – №2 (26). –
С. 114–120.
7. Безрук В.М. Выбор предпочтительных протоколов
маршрутизации узлов беспроводной сенсорно-
актуаторной сети / В.М. Безрук, А.Н. Зеленин, В.А. Власо-
ва и др. // Восточно-Европейский журнал передовых тех-
нологий. – 2016. –№1 (79). – С. 4–9. – Режим доступа:
Расстояние, м  http://journals.uran.ua/eejet/article/viewFile/60605/56917
Рис. 3. Состояние сети после 1000 циклов: (дата обращения: 22.08.2017).
о – обычные узлы; + – продвинутые узлы; * – головные
узлы; – погибшие узлы; × – базовая станция
УДК 621.396.621.59
Г.Г. Жук, Д.Е. Миненко, Т. Абдирасул уулу, А.В. Убайчин
Устройство управления микроволновой

радиометрической системой
Приводится описание устройства управления микроволновой радиометрической системой на основе модифи-
кации нулевого метода измерений. Представлена структурная схема разработанного устройства управления.
Рассмотрен вариант реализации интерфейса связи радиометра с учетом электромагнитной совместимости. При-
веден способ реализации устройства термостатирования входной части приемника радиометрической системы.
Ключевые слова: микроволновые радиометры, модификация нулевого метода измерений, дистанционное зон-
дирование, нулевой радиометр, устройство управления.
Методами микроволновой радиометрии успеш- связи ИС с электронно-вычислительной машиной

но решаются задачи прогнозирования изменений ЭВМ, датчик температуры ДТ, устройство управле-
климата, движения биомасс Мирового океана, ис- ния нагревателем УУН и нагреватель.
следования параметров атмосферы, влажности поч- Микроконтроллер выполняет функции генери-
вы и т.д. рования управляющих сигналов широтно- (tшим) и
Микроволновые радиометрические системы по амплитудно-импульсной модуляций (tаим), управляет
сравнению с системами, использующими инфра- мощностью опорного генератора канала подшумли-
красные методы зондирования, обладают преиму- вания, выполняет управление синхронным фильт-
ществами, которые заключаются в способности по- ром, производит прием и анализ выходных сигналов
лучать глубинный тепловой профиль независимо от компаратора, осуществляет контроль температуры
погодных условий и времени суток. входной части приемного тракта, выполняет предва-
Среди широкого класса радиометрических сис- рительную обработку данных и передает данные на
тем особое место занимают радиометры на основе блок интерфейса связи.
модификации нулевого метода измерений [1]. Мо- Выбор архитектуры микроконтроллера обу-
дификация нулевого метода позволяет повысить словлен его быстродействием, разрядностью, разме-
метрологические характеристики радиометрических ром памяти и количеством портов ввода-вывода,
систем по сравнению с классическими радиометра- наличием встроенных таймеров-счетчиков и т.д.
ми[1]. В основу функционирования нулевой моди- Обязательным условием выбора является необходи-
фицированной радиометрической системы заложен мость наличия последовательных интерфейсов
алгоритм синхронного выполнения двух видов им- UART (для обмена данными с ЭВМ) и SPI (подклю-
пульсной модуляции – амплитудной и широтной. чение датчика температуры, управление опорным
Данная особенность позволяет снизить влияние ос- генератором шума и т.д.).
новных дестабилизирующих факторов работы мик- Для выполнения совокупности этих функций
роволновых радиометров (дрейфа, флуктуации соб- было принято решение использовать 8-разрядный
ственной шумовой температуры и коэффициента микроконтроллер AT90USB162, выполненный на
усиления приемников) и выразить шумовую темпе- основе RISC-архитектуры [2]. Его основное пре-
ратуру антенны косвенно через длительность сигна- имущество заключается в наличии встроенных в
ла широтно-импульсной модуляции [1]. ядро микроконтроллера аппаратных счетчиков. Вы-
В представленной работе описывается разра- ходы счетчиков соединены с физическими выводами
ботка устройства управления модифицированного микроконтроллера, управление которыми осуществ-
нулевого радиометра. Назначение устройства управ- ляется с помощью программирования соответст-
ления заключается в генерировании двух управ- вующих регистров. Таким образом, управление сиг-
ляющих сигналов широтной и амплитудно-импульс- налами tшим и tаим осуществляется на аппаратном
ной модуляции, анализа выходного сигнала компа- уровне по достижению счетчиком заданной величи-
ратора, управлении синхронным фильтром, предва- ны, без участия в этом основного ядра микрокон-
рительной обработке данных (расчет среднего зна- троллера. В микроконтроллер встроено два счетчи-
чения, дисперсии и т.д.), контроле температуры из- ка, каждый из которых способен управлять двумя
мерительного тракта и обмена данными с внешней физическими выводами одновременно. Все счетчи-
электронно-вычислительной машиной. ки имеют тактовую синхронизацию от одного такто-
Для управления всеми рабочими процессами вого генератора с возможностью гибкой перестрой-
приемной части радиометрической системой было ки частоты синхронизации при помощи целочис-
разработано специальное устройство управления ленного или дробного деления.
микроволновой радиометрической системой. На На рис. 2 приведена функциональная схема
рис. 1 представлена структурная схема разработан- устройства управления на базе микроконтроллера
ного устройства управления. Структурная схема AT90USB162. Контроллер широтно-импульсной
включает в себя микроконтроллер МК, интерфейс модуляции (ШИМ) вызывает подпрограмму преры-
вания, осуществляющую вызов подпрограммы сигналы управления tшим и tаим в радиометр. По этой
математической обработки данных, передачу дан- же шине происходит прием логических сигналов
ных на ЭВМ, контроллер SPI и контроллер шины компаратора приемника.
данных. Интерфейс связи
Контроллер SPI осуществляет обмен с датчиком Применение систем микроволновой радиомет-
температуры во входном блоке радиометра. По па- рии нецелесообразно без решения ряда задач элек-
раллельной шине данных контроллера ввода/вывода тромагнитной совместимости.
Нагреватель SPI Блок управления

ДТ УУН
Микроволновый нулевой UART

радиометр МК ИС ЭВМ
tаим
tшим
Рис. 1. Структурная схема устройства управления радиометрической системой
Контроллер Тактовый Счетчик

ШИМ генератор
Прерывание ШИМ Прерывание (формирование

ШИМ АИМ)
Математическая Контроллер
обработка измерений шины
ввода/вывода
Передача информа-
ции на ЭВМ Выходные данные
Контроллер SPI компаратора
Данные с датчика
температуры
Сигналы управления входного блока
СВЧ переключателем
Сигналы управления
Сигналы управления
источником опорно-
синхронным фильтром
го генератора шума
Рис. 2. Функциональная схема устройства управления на базе микроконтроллера AT90USB162
Одной из таких задач является реализация ин- себе те же элементы, что и передатчик, и дополнен
терфейса передачи данных от измерительной высо- преобразователем интерфейса UART/USB ПИ3.
кочастотной части системы к обрабатывающей
ЭВМ, находящейся, как правило, на значительном Передатчик
(до нескольких километров) расстоянии от прием- Data+
УУ
ной антенны. Ключевые требования к реализации МК ГР1 ПИ1 Data-
интерфейса заключаются в минимизации побочного
электромагнитного излучения, в том числе в рабочей
полосе частот радиометрической системы и пропу- Приемник
скной способностью не менее 100 кбит/с. В резуль-
ЭВМ ПИ3 ГР1 ПИ2
тате анализа было принято решение об использова-
нии интерфейса RS-485 и его интеграции в блок
управления радиометрической системой [3]. Рис. 3. Структурная схема интерфейса RS-485
В соответствии со стандартом RS-485 разрабо-
тана модификация интерфейса связи микроволново- Особенностью интерфейса является то, что
го радиометра и ЭВМ, изображённая на рис. 3. порты RS-485 подключены к линии передачи на
Приемники сигнала являются дифференциаль- большом расстоянии друг от друга и потенциалы их
ными – сигнальные линии «Data+» и «Data–». общих точек могут сильно различаться. В этом слу-
Разработанный интерфейс включает в себя чае для исключения пробоя выходных каскадов
микроконтроллер МК, передатчик, приемник и микросхем трансиверов (приемопередатчиков) ин-
ЭВМ. Передатчик состоит из гальванической раз- терфейса принято решение об использовании галь-
вязки ГР и преобразователя интерфейса RS-485 ванической изоляции между портами RS-485 и об-
ПИ1и ПИ2. Приемник, в свою очередь, содержит в щей точкой.
о
Практическая реализация интерфейса RS-485 ковый корпус при комнатной температуре +23 С, в
выполнена следующим образом. Управляющий мик- течение 25 мин на устройство управления нагрева-
роконтроллер МК радиометрической системы пере- телем подавалось питание. Первые 10 мин фиксация
дает результаты измерений по последовательной значений производилась через каждые 10 с, после-
шине UART на 3-канальный цифровой изолятор дующие 15 мин – через 20 с.
ADuM1301, предназначенный для гальванической 35
Температура, o C
развязки от физического уровня RS-485. Преобразо-
ватель интерфейса реализован на микросхеме 30
ADM485. На обрабатывающей ЭВМ интерфейс под-
ключается к последовательному порту при помощи 25
преобразователя на базе микросхемы FT232. Время, с
После изготовления макетов передатчика и при-
20
емника интерфейса связи RS-485 были проведены 0 500 1000 1500
испытания по передаче данных на ЭВМ на различ-
ные расстояния. По полученным результатам был Рис. 5. График выхода нагревателя на рабочий режим
построен график зависимости допустимой длины
кабеля от скорости передачи данных (рис. 4). Заключение
В представленной работе в полной мере рас-
1300
Скорость передачи, кбит/с крыты аспекты разработки отдельных блоков всего
1100 устройства управления нулевым радиометров.
900 Предложенное техническое решение позволяет
700 обеспечить метрологические характеристики всей
микроволновой радиометрической системы, задан-
500
Длина кабеля, м ные при проектировании, снизить энергопотребле-
300 ние и улучшить массогабаритные показатели.
0 50 100 150 200 250 300
Разработка устройства управления осуществле-
Рис. 4. Зависимость допустимой длины кабеля от скорости на с учетом электромагнитной совместимости с при-
передачи для интерфейса RS-485 емной частью. Функциональные возможности уст-
ройства управления позволяют с достаточной скоро-
Устройство управления нагревателем стью получать, обрабатывать и передавать всю необ-
В корпусе радиометра входная часть приемника ходимую информацию об исследуемом объекте и
помещается на нагревательный элемент, предназна- состоянии всей системы на ЭВМ, находящийся как в
ченный для поддержания постоянной температуры непосредственной близости, так и на значительном
+45 °C с точностью ±0,1°C при изменении темпера- удалении.
туры окружающей среды в пределах от минус 20 до В представленном варианте реализации устрой-
плюс 30 °C со скоростью 10 °C/ч. При температуре ства управления микроволновой радиометрической
окружающей среды 0 °C время выхода на рабочий системой дополнительно интегрировано устройство
режим составляет около 16 мин. управления нагревателем на основе измерительного
Для исключения внутренних помех от цифро- моста Уинстона. Концепция реализации всего тер-
вых устройств блок управления нагревателем собран мостата позволяет избежать влияния внутренних
по аналоговой схеме. В качестве датчика температу- помех от цифровых устройств.
ры используется термистор с отрицательным темпе- В дальнейшем нашим коллективом планируется
ратурным коэффициентом сопротивления. разработка всей радиометрической системы и про-
Блок управления нагревателем собран на осно- ведение комплексных испытаний.
ве измерительного моста Уинстона [4]. Напряжение
опорного источника составляет 5 В. Поддерживае- Благодарности
мая температура устанавливается регулировкой по- Авторы выражают свою признательность про-
строечного резистора. Нагреватель комбинирован- фессору Томского государственного университета
ный, состоит из полевого транзистора и распреде- систем управления и радиоэлектроники А.В. Фила-
ленного резистора. Максимальная мощность нагре- тову (каф. ТОР) за полезное обсуждение материалов
вателя составляет 20 Вт. статьи, старшему преподавателю каф. КУДР
После разработки устройства управления на- А.А. Бомбизову за ценные консультации и коллекти-
гревателем был проведен ряд испытаний по выходу ву СКБ «Смена» за неоценимую помощь в органи-
нагревателя на рабочий температурный режим. По зации работ и техническую поддержку.
результатам проведенных испытаний построен гра-
фик зависимости температуры от времени, пред- Литература
ставленный на рис. 5. 1. Убайчин А.В. Многоприемниковые микроволно-
Из графика следует, что рабочая температура вые радиометрические системы на основе модифициро-
разработанного макета составляет 32 оС с точностью ванного метода нулевых измерений / А.В. Убайчин,
±0,1°C. Измерения проводились следующим обра- А.В. Филатов. – Томск: Изд-во Том. гос. ун-та систем упр.
зом: нагревательный элемент помещался в пласти- и радиоэлектроники. – 2014. – 154 с.
2. Новиков Ю.В. Введение в цифровую схемотех- Г.Г. Жук, Е.В. Алексеев, А.В. Убайчин // Научная сессия
нику / Ю.В. Новиков. – М.: Интернет-университет инфор- ТУСУР–2016: матер. Всерос. науч.-техн. конф. студентов,
мационных технологий, 2007. – 343 с. аспирантов и молодых ученых, Томск, 25–27 мая 2016 г.
3. Жук Г.Г. Разработка и создание интерфейса пере- 4. Измерительный мост [Электронный ресурс]. –
дачи данных для микроволновой радиометрической сис- Режим доступа: http://zpostbox.ru/izmeritelnyi_most.html
темы с высокой электромагнитной совместимостью / (дата обращения: 15.05.2017).
УДК 621.376
В.А. Кологривов
Энергетическая и спектральная эффективности способов

мультиплексирования разноскоростных сигнальных потоков
в радиоканале
Представлены функциональные модели модемов с мультиплексированием двух разноскоростных цифровых
сигнальных потоков в один радиоканал с фазовым типом модуляции (PSK) и исследованы их энергетические и
спектральные характеристики. Приведен анализ полученных результатов исследования с позиций энергетиче-
ской и спектральной эффективностей предложенных функциональных решений.
Ключевые слова: модельное исследование, мультиплексирование разноскоростных сигнальных потоков,
соотношение сигнал/шум, полоса пропускания, помехоустойчивость, энергетическая и спектральная эффектив-
ности.
Постановка задачи исследования щих импульсов с выходов фазового кодера, посту-

В связи с насыщением радиодиапазона и увели- пающие с одинаковой скоростью на входы преобра-
чением объема передаваемой информации актуаль- зователей частоты «перемножители 1 и 2». На вто-
ными характеристиками систем передачи информа- рые входы преобразователей поступают опорные
ции являются энергетическая и спектральная эффек- гармонические колебания («опорное колебание 1 и
тивности, скорость передачи, помехоустойчивость, 2» одной несущей частоты и ортогональные по фа-
необходимость мультиплексирования сигнальных зе). Суммируя сигналы с выходов преобразователей,
потоков, в том числе и разноскоростных [1, 2]. В то получаем квадратурно-модулированное колебание
же время улучшение одной из них приводит к ухуд- несущей частоты. Требуемая полоса обработки оп-
шению других, поэтому актуальными являются ис- ределяется размерностью модуляции. Ортогональ-
следование и установление взаимосвязи перечис- ность по фазе несущего колебания в квадратурных
ленных характеристик при изменении определяю- каналах обеспечивает разделение квадратурных со-
щих параметров системы передачи. В работе приво- ставляющих на приемной стороне.
дится описание методики и результатов модельного Вместо ортогональных колебаний одной часто-
исследования взаимосвязи основных характеристик ты можно использовать ортогональный разнос не-
простой системы передачи двух мультиплексируе- сущих, который определяется длительностью моду-
мых разноскоростных потоков данных при измене- лирующих импульсов (символов) и способом прие-
нии отношения скоростей потоков и типа исполь- ма (когерентный, некогерентный). В данном случае
зуемой модуляции. Для упрощения принято, что требуемая полоса обработки возрастает на величину
разноскоростные потоки кратны. разноса несущих частот. Ортогональность несущих
Для повышения частотной эффективности циф- также обеспечивает разделение квадратурных со-
ровых радиоканалов передачи данных обычно ис- ставляющих на приемной стороне.
пользуют PSK- или QAM-модуляции. При этом чем Такое мультиплексирование можно назвать
выше размерность модуляции, тем выше спектраль- мультиплексированием на этапе модуляции. Здесь
ная эффективность, но тем хуже помехоустойчи- сигналы двух BPSK-модуляторов объединяются в
вость. сумматоре (см. рис. 1). Это функциональное реше-
Возможные решения частотного ние позволяет мультиплексировать (уплотнять) два
мультиплексирования разных модулирующих потока одной скорости при
Рассмотрим возможные варианты частотного использовании как одной несущей частоты с разно-
мультиплексирования разноскоростных потоков. сом фазы на 90°, так и двух ортогональных несущих
Наиболее простым решением частотного мульти- частот.
плексирования двух разноскоростных потоков дан- Для мультиплексирования двух разноскорост-
ных является использование структуры квадратур- ных потоков данных также применимо функцио-
ного модулятора, приведенного на рис. 1. нальное решение, изображенное на рис. 1. В этом
В традиционном варианте «потоки 1 и 2» пред- случае также возможно использование ортогональ-
ставляют собой квадратурные потоки модулирую- ных колебаний одной частоты, однако понятие орто-
гональных по частоте несущих на интервале дли- Упрощенная функциональная модель спек-
тельности импульса (символа) здесь применимо трально-эффективного модема с мультиплексирова-
только в предположении, что биты потоков кратны и нием двух разноскоростных потоков данных и фазо-
длительность скоростного потока определяет орто- вой модуляцией при отношении скоростей потоков
гональный разнос частот несущих. данных 3:1 изображена на рис. 3.
Описание функциональной модели (см. рис. 3)
Передающая часть модели модема представлена
двумя разноскоростными источниками потоков дан-
ных (блоки 1 и 2). В качестве генераторов потоков
данных использованы источники псевдослучайных
битовых последовательностей с соответствующими
параметрами дискретизации по времени. Блок 3
преобразует скоростной поток в кратное число па-
раллельных подпотоков. Число параллельных под-
потоков определяется отношением скоростей исход-
ных потоков. Блок 4 мультиплексирует параллель-
Рис. 1. Функциональная схема квадратурного модулятора ные подпотоки с низкоскоростным потоком. В
принципе низкоскоростной поток также может быть
Обсуждение предлагаемых решений перед мультиплексированием распараллелен. Блок 5
Для сохранения энергетической либо спек- производит нормирование длительностей импульсов
тральной эффективности объединенного канала пе- (битов) полученного мультиплексированием кодово-
редачи предлагается исследовать возможность муль- го символа. Фазовый кодер (блок 6) кодовому сим-
типлексирования потоков данных на этапе фазового волу назначает фазовое состояние i и вырабатыва-
кодирования. Здесь возможны два варианта по-
строения мультиплексоров разноскоростных пото- ет квадратурные модулирующие импульсы, пропор-
ков данных – энергетически эффективное и спек- циональные значениям cos(i ) и sin(i ) . Длитель-
трально эффективное. В обоих вариантах также ность модулирующих импульсов в данном случае
предполагается, что скорости разноскоростных по- определяется низкоскоростным потоком. В блоке 7
токов кратны. В работе исследуются функциональ- осуществляется квадратурная модуляция одной либо
ные решения с одной несущей и фазовым разделе- двумя ортогональными по частоте несущими.
нием каналов. Канал распространения радиосигнала (блок 8)
Первый вариант энергетически эффективно- представляет собой простейшую модель канала с
го мультиплексирования двух разноскоростных добавлением аддитивного белого гауссового шума
потоков данных в один радиоканал с фазовой моду- определенной интенсивности (дисперсии).
ляцией PSК также иллюстрируется рис. 1. При этом Приемная часть функциональной модели моде-
оба потока интерпретируются как высокоскоростные ма начинается с канального фильтра (блок 9) обес-
и подаются на фазовый кодер, на выходе которого печивающего фильтрацию шумов и помех канала
образуются квадратурные проекции фазовых со- распространения и определяющего соотношение
стояний и поступают на входы квадратурного моду- сигнал/шум приемо-передающей системы.
лятора рис. 1. Предварительно можно отметить, что Квадратурный демодулятор (блок 10) выделяет
спектральная и энергетическая эффективности и квадратурные модулирующие импульсы пропорцио-
помехоустойчивость первого варианта будут соот- нальные cos(i ) и sin(i ) и производит регенера-
ветствовать показателям QPSK-модема высокоско-
ростного потока данных. В качестве опорных коле- цию их формы. Фазовый декодер (блок 11) по при-
баний возможно использование колебания как одной нятым квадратурным составляющим определяет
несущей частоты ортогональные по фазе, так и двух текущее фазовое состояние и ставит ему в соответ-
ортогональных по частоте несущих. Модель мульти- ствие кодовый символ (набор битов). Блок 12 осу-
плексирования разноскоростных потоков данных по ществляет преобразование мультиплексированных
первому варианту приведена на рис. 2. Структура и битов скоростного потока из параллельного пред-
принцип функционирования модели практически ставления в последовательное. Принятые биты ско-
соответствуют QPSK-модему. ростного и нормального потоков подаются на детек-
Второй вариант спектрально эффективного торы ошибок (блоки 13 и 14). Туда же поступают
мультиплексирования двух разноскоростных пото- исходные передаваемые потоки для подсчета числа
ков данных в один радиоканал с PSК-модуляцией ошибок.
представляет комбинированное функциональное Элементы теории
решение на основе разбиения скоростного потока на Основной характеристикой, определяющей ка-
параллельные подпотоки и объединения с низкоско- чество любой системы передачи, является отноше-
ростным (нормальным) потоком в фазовом кодере ние сигнал/шум на ее входе:
при использовании соответствующей размерности SNR  S N ,
PSK- или QAM-модуляции (см. рис. 3). где S – мощность сигнала; N – мощность шумов.
Спектральная эффективность системы мобиль- Условия модельного эксперимента
ной связи представляет собой отношение скорости Моделирование производилось в относитель-
передачи данных на 1 Гц используемой полосы час- ных масштабах времени и частоты. Модельному
тот (бит/с/Гц) [2] исследованию подверглись функциональные реше-
  R W бит/сек Гц , ния как первого, так и второго вариантов при отно-
шениях скоростей потоков данных 1:1, 2:1, 3:1, 4:1.
где Rb  1 Tb – битовая скорость передачи; Уровень мощности сигнала на выходе модуля-
W  Rs  1 Ts – полоса пропускания, определяемая тора исследуемых моделей равен S  0,5 . Уровень
символьной скоростью. Обратная величина спек- мощности шума в канале передачи N и соответст-
тральной эффективности соответствует удельному венно соотношение сигнал/шум варьировались в
расходу полосы частот на передачу бита данных [2]: процессе модельного исследования изменением па-
  1  W Rb  Rs Rb  Tb Ts . раметра дисперсии генератора псевдослучайной
последовательности с гауссовым законом распреде-
Энергетическая эффективность модуляции оп- ления (в модели канала распространения).
ределяется мощностью, необходимой для передачи Во время модельного эксперимента на выходе
информации с заданной достоверностью [2]. Для ФНЧ-демодулятора перед блоком принятия решений
цифровых систем используется нормированное зна- контролировалось отношение сигнал/шум S N , а
чение соотношения сигнал/шум, представляющее удельный расход полосы на передачу бита данных
удельный расход энергии на передачу бита данных: определялся отношением символьной скорости к
Eb N 0  S N W Rb  SNR  , битовой (скорости поступления входных данных)
где Eb  S  Tb  S Rb – энергия бита данных;   Rs Rb . Заметим, что в случае двухканальных
N 0  N W – односторонняя спектральная плотность разноскоростных систем суммарная скорость посту-
мощности шума. пления входных данных определяется сложением
Помехоустойчивость цифровых систем переда- скоростей канала Rb  Rb1  Rb 2 . Удельный расход
чи принято характеризовать зависимостью вероят- энергии на передачу бита данных [2] определялся
ности битовой ошибки Pb от удельного расхода выражением Eb N 0  SNR  .
энергии на передачу бита данных Eb N 0 . Результаты модельных исследований сведены в
таблицу.
Рис. 2. Модель модема с мультиплексированием разноскоростных потоков данных на основе QPSK-модуляции
Рис. 3. Модель модема с мультиплексированием разноскоростных потоков данных на основе 16 PSK-модуляции
Результаты модельных исследований модемов с мультиплексированием разноскоростных потоков
№ Тип модуляции T1 T2 или Tb Ts W  1 Ts SNR , дБ , раз (дБ) Eb N 0 , дБ nerr1 nerr 2 или nerr
1 QPSK 1/1 1 1 8,1/8,2 1/2(–3,01) 5,1/5,2 2/1
2 QPSK 0,5/1 0,5 2 7,9/7,4 2/3(–1,76) 6,1/5,6 2/3
3 QPSK 0,25/1 0,25 4 8,7/8,7 4/5(–0,96) 7,7/7,7 1/3
4 8PSK 0,5/1 1 1 13,6/12,9 1/3(–4,77) 8,8/8,1 2/2
5 16PSK 1/3 3 1/3 19,8/18,8 1/4(–6,02) 13,8/12,8 3/1
6 16PSK 0,5/1,5 1,5 2/3 21,0/20,8 4/21(–7,20) 13,8/13,6 2/1
7 16PSK 0,25/0,75 0,75 4/3 21,3/20,4 1/3(–4,77) 16,5/15,6 2/1
8 QPSK clas 0,5 1 1 8,7/8,4 1/2(–3,01) 5,7/5,4 3
9 8PSK clas 0,5 1,5 2/3 13,7/13,3 1/3(–4,77) 8,9/8,5 5
10 16PSK clas 0,5 2,0 1/2 21,5/20,2 1/4(–6,02) 15,5/14,2 6
Строки таблицы представляют: провождается пропорциональным ростом удельного

 в строках 1–3 представлены результаты моде- расхода энергии на передаваемый бит информации.
лирования первого варианта модема на основе Результаты исследования второго варианта
QPSK-модуляции при отношениях скоростей пото- модема
ков данных 1:1, 2:1 4:1; Строка 4 таблицы соответствует отношению
 в строке 4 представлены результаты модели- скоростей потоков 2:1. Скоростной поток разделяет-
рования второго варианта модема на основе 8 PSK- ся на два параллельных подпотока и мультиплекси-
модуляции при отношении скоростей потоков дан- руется на входе фазового кодера с низкоскоростным
ных 2:1; потоком, образуя трехбитовый управляющий сим-
 в строках 5–7 представлены результаты моде- вол, но длительностью в два бита, что соответствует
лирования второго варианта модема на основе модуляции 8 PSK. Сравнение результатов со строкой
16 PSK-модуляции при отношении скоростей пото- 9 таблицы показывает, что при близких значениях
ков данных 3:1 с разными длительностями битов; удельного расхода энергии на передачу одного бита
 в строках 8–10 для сравнения представлены данных суммарное число ошибок в разноскорост-
результаты моделирования классических модемов ных каналах почти совпадает с числом ошибок в
QPSK, 8 PSK и 16 PSK. классическом модеме 8 PSK. Следовательно, под-
Для удобства сравнения соотношение сиг- тверждается, что система с мультиплексированием
нал/шум исследуемых систем подбирался таким, (отношение скоростей потоков 2:1) имеет помехо-
чтобы вероятности битовых ошибок были примерно устойчивость Pb , определяемую модуляцией (в дан-
одинаковыми (порядка 103 ). ном случае 8PSK).
Результаты исследования первого варианта Удельный расход полосы пропускания по срав-
модема нению со случаем QPSK (см. строку 2 таблицы)
Сравнивая строки 1 и 8 таблицы, видим, что сократился в 2 раза. Удельный расход энергии на
суммарное число ошибок двух равноскоростных передачу одного бита информации возрос примерно
потоков данных совпадает с числом ошибок стан- на 3 дБ, как и в случае классических 8PSK и QPSK
дартного QPSK-модема при примерно одинаковых (см. строки 8 и 9 таблицы). То есть при переходе от
соотношениях SNR и Eb N 0 . При этом удельный QPSK- к 8PSK-модуляции происходит обмен энерге-
тической эффективности на спектральную.
расход полосы частот на передачу бита для стан-
Строка 6 таблицы соответствует отношению
дартного QPSK-модема и модема, объединяющего
скоростей потоков 3:1. Скоростной поток разделяет-
два потока одной скорости, также одинаков. При
ся на три параллельных подпотока и мультиплекси-
мультиплексировании на основе QPSK-модема од-
руется на входе фазового кодера с низкоскоростным
новременно передаются оба потока с битами, рав-
потоком, образуя четырехбитовый управляющий
ными дебитам, т.е. скорости передачи систем одина-
символ, длительностью в три бита (1,5), что соот-
ковые. Следовательно, при сходных SNR и  поме-
ветствует модуляции 16 PSK. Сравнение результатов
хоустойчивость системы Pb с мультиплексировани- со строкой 10 таблицы показывает, что при близких
ем потоков определяется QPSK-модуляцией. значениях SNR удельные расходы полос пропуска-
Сравнение строк 1–3 таблицы показывает, что с ния 4/21 и 1/4 различаются примерно в 1,3 раза, и
увеличением относительной скорости потоков, при это объясняет разницу удельных расходов энергии
сохранении числа ошибок на прежнем уровне, изме- примерно на 2 дБ.
ренные значения сигнал/шум изменяются в неболь- Сравнение строк 5, 6, 7 таблицы показывает
ших пределах. При этом требуемая полоса пропус- влияние изменения удельного расхода энергии на
кания и удельный расход полосы пропускания на передачу одного бита информации при вариации
передаваемый бит информации возрастают, что при- относительных скоростей потоков и спектральных
водит к росту удельного расхода энергии на переда- эффективностей.
ваемый бит информации примерно на 1 дБ на каж- Заключение
дое удвоение отношения скоростей потоков. Таким Предложены и исследованы два варианта муль-
образом, падение спектральной эффективности со- типлексирования разноскоростных потоков данных,
энергетически и/или спектрально эффективных, и стями и могут быть использованы в качестве базо-
прослежены ситуации обмена энергетической эф- вых при построении модемов передачи данных.
фективности на спектральную и наоборот.
Представленные результаты модельных иссле-
дований поддаются физической интерпретации, 1. Боев Н.М. Управление энергетической эффектив-
коррелируют с результатами классических QPSK-, ностью совмещенных каналов передачи данных единой
8 PSK-, 16 PSK-модемов и подтверждают энергети- системы связи / Н.М. Боев, Ю.А. Лебедев // Вестник Сиб-
ческую или спектральную эффективности предло- ГАУ им. акад. М.Ф. Решетнева. – Красноярск: СибГАУ,
2013. – Вып. 1 (47). – С. 11–15.
женных функциональных решений.
2. Песков С.Н. Основы цифровых технологий. – Ч. 2:
Исследованные функциональные решения Методы модуляции. Помехоустойчивость / С.Н. Песков,
мультиплексирования разноскоростных потоков А.И. Барг, М.В. Балков [Электронный ресурс]. – Режим
данных позволяют в определенных пределах варьи- доступа: //www.konturm.ru/download/stat/2005/290805.pdf,
ровать энергетической и спектральной эффективно- свободный (дата обращения: 16.09.15).
УДК 621.396.41
А.С. Коряковцев, А.В. Помазанов
Нелинейная модель отечественного GaN-транзистора и

проектирование СВЧ-усилителя мощности диапазона 2,7–3,1 ГГц
Получена нелинейная модель отечественного GaN-транзистора и представлены результаты проектирования
СВЧ-усилителя мощности на основе полученной модели.
Ключевые слова: СВЧ-усилитель мощности, нелинейная модель, выходная мощность, коэффициент полезного
действия, коэффициент передачи, коэффициент отражения.
В настоящее время быстрое развитие полупро- Результаты исследования

водниковых технологий мощных СВЧ-транзисторов Перед началом разработки нелинейной модели
возросло в связи с необходимостью совершенство- и проектирования усилителя мощности был прове-
вания различных радиоэлектронных, радиолокаци- дён обзор параметров отечественного транзистора.
онных и систем телекоммуникаций диапазона СВЧ. Научно-исследовательский институт электрон-
Повсеместно проводится переход от громоздких ной техники (НИИЭТ) занимается разработками и
электровакуумных приборов, таких как клистроны, производством изделий микроэлектроники, микро-
магнетроны, лампы бегущей волны, к мощным по- ЭВМ, периферийных ИС, биполярных, полевых,
лупроводниковым усилителям, которые на сегод- DMOS- и LDMOS-, GaN-транзисторов и т.д. Модель,
няшний день всё более и более миниатюризированы. а именно ТНГ40010-28, которая будет исследована,
Основные требования, которые предъявляются принадлежит этой фирме.
к усилителю мощности, следующие: Транзистор имеет следующие характеристики:
– высокая линейность; – выходная мощность 10 Вт;
– уровень выходной мощности; – напряжение питания 28 В;
– высокий КПД; – коэффициент усиления по мощности 10 дБ.
– диапазон рабочих частот; Мощный нитридгаллиевый транзистор предна-
– коэффициент передачи; значен для работы в усилителях мощности до
– коэффициенты отражения по входу и выходу; 6000 МГц [4].
– напряжение питания; Были предоставлены S-параметры модели и па-
– малые габариты. раметры оптимального импеданса со стороны ис-
Усилитель мощности представляет собой уст- точника и нагрузки для транзистора.
ройство, которое усиливает сигнал, поступающий на Так как одних S-параметров и оптимального
его вход, до определённого уровня. импеданса недостаточно для проектирования усили-
Нелинейная модель транзистора в значительной теля мощности, необходимо получить нелинейную
мере упрощает процесс разработки устройств, таких модель. Наличие нелинейной модели транзистора в
как усилители мощности, которые являются одной значительной мере упрощает процесс разработки
из необходимых частей радиотехнических систем. устройства. Появляется возможность более точного
Задачей исследования и проектирования яв- и менее затратного по времени и экономическим
лялось получение нелинейной модели отечественно- ресурсам расчёта.
го GaN-транзистора ТНГ40010-28 и проектирование Нелинейная модель ТНГ40010-28 будет выпол-
СВЧ-усилителя мощности диапазона 2,7–3,1 ГГц. нена на основе нелинейной модели T2G6000528-Q3
фирмы TriQuint, поскольку транзисторы имеют схо- дующие выводы: нелинейная модель приближённо
жие параметры и отличаются лишь корпусами. отражает характеристики транзистора, но следует
Характеристики транзистора T2G6000528-Q3: отметить, что это лишь имитация, выполненная на
– выходная мощность 10 Вт; базе транзистора T2G6000528-Q3 фирмы TriQuint.
– напряжение питания 28 В; Как поведёт себя реальный транзистор в составе
– коэффициент усиления по мощности больше спроектированного усилителя мощности, проверить
10 дБ. можно будет лишь на практике.
TriQuint T2G6000528-Q3 – GaN-транзистор на С помощью блока LPTUNER или идеального
SiC-HEMT, предназначен для работы в усилителях трансформатора, позволяющего с наибольшей точ-
мощности до 6 ГГц [5]. ностью добиться согласования нагрузки с источни-
На рис. 1 представлена схема включения нели- ком, определено, способна ли полученная нелиней-
нейной модели для измерения S-параметров. ная модель в составе усилителя дать мощность 10 Вт.
В результате проведённого сравнения S-пара- На рис. 2 представлена схема включения, а на
метров, предоставленных фирмой-разработчиком, и рис. 3 – график зависимости выходной мощности от
полученной нелинейной модели можно сделать сле- входной на частоте 2,9 ГГц.
Рис. 1. Нелинейная модель транзистора ТНГ4010-28

LPTUNER
PORT_PS1 ID=TU2
P=1 Mag=0.475
Z=50 Ohm SUBCKT Ang=-164.5 Deg
PStart=25 dBm ID=S3 Fo=2900 MHz
PStop=35 dBm NET="T2G6000528Q3" Zo=50 Ohm
PStep=1 dB
1 2
PORT
LPTUNER P=2
ID=TU1 Z=50 Ohm
Mag=0.825
Ang=161.5 Deg
Fo=2900 MHz
Zo=50 Ohm
Рис. 2. Схема включения трансформаторов
Рис. 3. График зависимости выходной мощности от входной на частоте 2,9 ГГц
На частоте 2,9 ГГц при входной мощности гласования от мнимой составляющей импеданса.
30 дБмВт максимальная мощность составляет Выходная цепь согласования представлена на рис. 5.
40,5 дБмВт, или больше 10 Вт, что говорит о воз-
можности использования полученной модели в про-
ектировании СВЧ-усилителя с выходной мощностью
10 Вт.
Результаты проектирования
Для входной цепи согласования, с учётом
трансформации вниз, возьмём рекомендуемую че-
тырёхэлементную, на основе Г-звена ФВЧ (рис. 4).
Рис. 5. Рекомендуемая выходная цепь согласования
Данная согласующая цепь легко реализуется на

практике. Выходная разделительная ёмкость СВ
необходима для отделения постоянной составляю-
щей выходного тока. Ёмкость не участвует в преоб-
разовании выходного импеданса.
В дальнейшем произведён перевод сосредото-
ченных элементов в микрополосковые линии.
Рис. 4. Четырёхэлементная согласующая цепь Схема усилителя мощности в микрополосковом
исполнении представлена на рис. 6.
Выходная цепь согласования будет представ- Топология усилителя представлена на рис. 7.
лять собой несколько простейших ФНЧ-цепей с На рис. 8–11 представлены характеристики
включённой параллельно индуктивностью. Индук- СВЧ-усилителя мощности после электромагнитного
тивность позволяет избавиться на выходе цепи со- моделирования.
SUBCKT
ID=S11
NET="600F2R7"
MLIN MLIN MLIN MLIN SUBCKT MLIN MLIN MLIN MLIN

PORT ID=TL8 SUBCKT ID=TL1 ID=TL2 ID=TL26 ID=S3 ID=TL25 ID=TL28 SUBCKT ID=TL30
ID=TL27
P=2 W=4.188 mm ID=S16 W=1.965 mm MTEE$ W=6.379 mm W=9.163 mm NET="T2G6000528Q3" W=3.669 mm MTEE$ W=5.112 mm ID=S28 W=2.006 mm
W=5.132 mm
Z=50 Ohm L=2.116 mm NET="600F2R7" L=9.67 mm ID=TL3 L=4.939 mm L=3.89 mm L=1.001 mm ID=TL32 L=7.997 mm NET="600F6R8" L=14.97 mm
L=11.93 mm
1 2
1 2 1 2
3 3 MSTEP$ PORT
SUBCKT ID=TL31 P=6
ID=S7 Z=50 Ohm
NET="ERJ3GEYJ270"
MTRACE
ID=TL33
SUBCKT MSUB
W=1.502 mm
ID=S17 Er=4.8
L=18.48 mm
NET="ERJ3GEYJ121" H=0.5 mm
BType=2
T=0.035 mm
M=0.6
Rho=1
Tand=0.017
ErNom=4.8
Name=FR4
MLIN
ID=TL17
W=1.3 mm
L=2 mm
MSTEP$
ID=TL18
MLIN SUBCKT MLIN
ID=TL45 ID=S26 ID=TL36
W=1.5 mm NET="600F2R7" W=1.5 mm 1
MTRACE L=1.5 mm L=1 mm
ID=TL23 3 MTEE$
W=1.3 mm ID=TL51
L=14 mm
BType=2 2
VIA
M=0.6 ID=V2
D=0.635 mm
MLIN MLIN H=0.813 mm
SUBCKT T=0.036 mm
W=1.3 mm RHO=1
1 NET="600F0R2"W=1.3 mm MLIN
L=1 mm L=1 mm ID=TL37
MTEE$ 3 W=1.5 mm
ID=TL19 L=1 mm
2
VIA
ID=V6 MLIN MLIN
D=0.635 mm SUBCKT
H=0.762 mm W=1.5 mm W=1.5 mm
NET="600F100" 1
T=0.036 mm L=1.5 mm L=1 mm
RHO=1
MLIN 3 MTEE$
ID=TL5 ID=TL52
W=1.3 mm
L=1 mm 2
VIA
ID=V8
D=0.635 mm
SUBCKT T=0.036 mm
W=1.3 mm RHO=1
1 NET="600F100" W=1.3 mm MLIN
MTEE$ 3 W=1.5 mm
ID=TL20 L=1 mm
2
VIA
ID=V1 MLIN MLIN
D=0.635 mm SUBCKT
H=0.762 mm W=1.5 mm W=2 mm
NET="600F101" 1
T=0.036 mm L=1.5 mm L=1 mm
RHO=1
MLIN 3 MTEE$
ID=TL7 ID=TL53
W=1.3 mm
L=1 mm 2
VIA
ID=V9
D=0.635 mm
SUBCKT T=0.036 mm
W=1.3 mm RHO=1
1 NET="600F101" W=1.3 mm MLIN
MTEE$ 3 W=1.5 mm
ID=TL21 L=1 mm
2
VIA
ID=V5 MLIN MLIN
D=0.635 mm ID=TL48 ID=TL42
H=0.762 mm SUBCKT
W=1.5 mm ID=S18 W=1.5 mm 1
T=0.036 mm L=1.5 mm L=1 mm
RHO=1 NET="600F181"
MLIN 3 MTEE$
ID=TL11 ID=TL54
W=1.3 mm
L=1 mm 2
VIA
ID=V10
D=0.635 mm
SUBCKT T=0.036 mm
W=1.3 mm RHO=1
1 NET="600F181" W=1.3 mm MLIN
MTEE$ 3 W=1.5 mm
ID=TL22 L=1 mm
2
VIA
ID=V7
D=0.635 mm
H=0.762 mm
T=0.036 mm
MLIN
RHO=1
MLIN ID=TL44
ID=TL24 W=3 mm
W=1.3 mm L=3 mm
L=1 mm
MLIN
ID=TL12
W=3 mm
L=3 mm
Рис. 6. Электрическая схема СВЧ-усилителя мощности
Рис. 7. Топология усилителя
Рис. 8. S-параметры СВЧ-усилителя в дБ Рис. 9. Выходная мощность в полосе в дБмВт
Рис. 10. Коэффициент полезного действия Рис. 11. Коэффициент устойчивости усилителя
Последний этап проектирования СВЧ-усили-

теля мощности диапазона 2,7–3,1 ГГц – разводка
печатной платы в комплексной системе автоматизи-
рованного проектирования (САПР) радиоэлектрон-
ных средств Altium Designer (рис. 12).
1. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители
Рис. 12. Топология печатной платы СВЧ. – М.: Сов. Радио, 1980.– 368 с.
2. Балакирев А., Туркин А. Развитие технологии нит- 6. T2G6000528-Q3 – Qorvo [Электронный ресурс]. –
рида галлия и перспективы его применения в СВЧ-элект- Режим доступа: www.qorvo.com/products/d/da003816 (дата
ронике // Современная электроника. – 2015. – № 4. – обращения: 02.05.2017).
С. 28–32. 7. Матей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ,
3. Мощные нитридгаллиевые транзисторы (GaN) согласующие цепи и цепи связи. – Ч. 1 / пер. с англ.; под
[Электронный ресурс]. – Режим доступа: ред. Л.В. Алексеева и Ф.В.Кушнира. – М.: Связь, 1971. –
http://www.compel.ru/lib/ne/2015/7/2-moshhnyie-nitrid- 439 с.
gallievyie-tranzistoryi-gan-ot-epc-konets-eryi-kremniya (дата 8. Яковенко В.А. Аналитический расчёт согласую-
обращения: 03.05.2017). щих цепей лестничной структуры [Электронный ресурс]. –
4. Построение и характеристики СВЧ-монолитных Режим доступа: http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2006/
усилителей мощности на основе полупроводниковых ма- 276.pdf // Электронный научный журнал «Исследовано в
териалов GaAs и GaN [Электронный ресурс]. – Режим России». – 2006 (дата обращения: 08.05.2017).
доступа: http://cyberleninka.ru/article/n/postroenie-i-harak- 9. Каганов В.И. СВЧ-полупроводниковые радиопе-
teristiki-svch-monolitnyh-usiliteley-moschnosti-na-osnove- редатчики. – М.: Радио и связь, 1981. – 400 с.
poluprovodnikovyh-materialov-gaas-i-gan (дата обращения: 10. Разевиг В.Д. Проектирование СВЧ-устройств с
12.05.2017). помощью MicrowaveOffice. – М.: Солон-пресс, 2003. – 492 с.
5. ТНГ40010-28 – НИИЭТ [Электронный ресурс]. – 11. Дмитриев Е.Е. Основы моделирования в
Режим доступа: http://niiet.ru/wp-content/uploads/showcase.pdf Microwave Office 2009. – 2011. – 177 с.
(дата обращения: 01.05.2017).
УДК 621.396
Р.С. Куликов, Д.В. Царегородцев
Модифицированный алгоритм адаптивного фильтра

С развитием вычислительной техники и увеличением требований к точности фильтрации находят применение
все более сложные подходы к методам оптимальной фильтрации. При этом, как правило, невозможно одно-
временно повышать важные показатели качества. В данной работе предлагается модифицированный метод
адаптивной фильтрации, сокращающий время адаптации и её точность, а также результаты моделирования и
применения в проектируемой системе.
Ключевые слова: адаптивная фильтрация, усреднение по АПВ, точность фильтрации, время адаптации.
В настоящее время методы оптимальной α , которые будем полагать случайными величина-

фильтрации находят широкое применение при про- ми с заданной плотностью вероятности pap α.
ектировании радиотехнических систем. Здесь и да-
Пусть сообщение задаётся в виде линейной
лее под оптимальным понимается фильтр, обеспе-
марковской случайной модели
чивающий минимум среднего квадрата ошибки
фильтрации. Данные методы хорошо работают при x k (α )  Fk 1 (α)x k 1 (α )  G k 1 (α )κ k 1 , (1)
выполнении ряда допущений (в частности, предпо- где κ k 1  векторный дискретный белый гауссов
ложение о гауссовском виде апостериорной плот- формирующий шум с матрицей дисперсий
ности вероятностей (АПВ) случайных процессов). 2 _min 0 0
Важную роль при этом играют априорные знания
разработчика о статистических характеристиках D (α )  σ 2  0 2 _max 0 – диагональная мат-
полезного сообщения и шума наблюдения.
На практике необходимые допущения выпол- 0 0 2 _min
няются частично либо не выполняются вовсе, а раз- рица, x k (α )  вектор состояния, α  вектор апри-
работчик зачастую находится в условиях априорной
неопределенности, что создаёт дополнительные орно неизвестных параметров, определяющих рас-
трудности при разработке оборудования. Сущест- пределения полезного сообщения, с априорно из-
вуют и методы преодоления данных трудностей. вестной плотностью вероятности pap α .
Будем полагать, что закон распределения слу- На вход фильтра поступают наблюдения:
чайных процессов известен заранее, а априорная y k  x k 1 (α )  n n k 1 , (2)
неопределённость заключается в том, что заранее где n k 1  векторный дискретный белый гауссов
неизвестны параметры распределений (математиче-
ское ожидание, дисперсия и пр.). Неизвестные па- шум наблюдения с матрицей дисперсий
раметры полагаются постоянными на интервале на- 1 0 0
блюдения случайными величинами со своими зако- Dn  σ 2n  0 1 0 .
нами распределения. 0 0 1
Модели информативного процесса x k (α ) и на-
Матрицы дисперсий шумов наблюдения и форми-
блюдений y k – известны. Неизвестны параметры рующего Dn , D  определяются их дискретными
спектральными плотностями и периодом дискрети- фильтра с идентичной структурой, но разными по-
зации: лосами пропускания: широкополосный для опти-
Dn  S n T , (3) мальной оценки в случае большой дисперсии фор-
D  S  T . (4) мирующего шума и узкополосный для случая малой
дисперсии формирующего шума, а также блок ус-
В процессе наблюдений нужно формировать реднения по АПВ.
оценку вектора состояния в каждый тактовый мо- Начальные значения априорных вероятностей
мент времени с минимально возможной среднеквад- большого и малого значений дисперсии формирую-
ратической ошибкой ск_min  min M x  xˆ   .
2 щего шума выбираются довольно произвольно;
  здесь они принимаются равными 1/2.
Для получения такой оценки с априорно неоп- Во время адаптации при неизменной динамике
ределённым вектором параметров α необходимо информативного процесса оценка АПВ одного кана-
получать оценку АПВ вектора параметров α и про- ла возрастает до единицы, а другого – падает до ну-
изводить усреднение по его области значений [αmin, ля. После этого в силу рекуррентности используе-
αmax]. Решением данной задачи является адаптивный мых выражений для оценки АПВ всегда будет ис-
фильтр. пользоваться только один канал для конечной оцен-
Один из подходов к практической реализации ки дальности при любом последующем изменении
усреднения по АПВ вектора параметров α заключа- динамики. То есть фильтр перестает быть адаптив-
ется в том, что его область значений [αmin, αmax] раз- ным. Чтобы этого избежать, ограничивают мини-
бивается (дискретизируется с шагом Δα) на множе- мально возможное значение канальной АПВ Рmin.
ство возможных значений вектора параметров При этом необходимо выбирать компромиссное зна-
α1 = αmin, α2 = αmin + Δα, …, αM = αmax. Далее для ка- чение: чем меньше Рmin, тем точнее адаптация, но
ждого из возможных значений вектора параметров при этом увеличивается время адаптации. Это на-
αi строится оптимальный фильтр; вместе они обра- глядно продемонстрировано путём моделирования
зуют многоканальный фильтр: каждый канал опти- на рис. 1: для фильтра А порог РАmin = 10–2, для
мален для «своего» фиксированного значения векто- фильтра В порог РВmin = 10–7. Оценивается опти-
ра параметров αi. К этому фильтру добавляется блок мальное значение полосы пропускания.
адаптации, в котором производится оценка апосте- Эффективная полоса, Гц
риорных вероятностей. Выходная оценка многока-
нального адаптивного фильтра является взвешенной
суммой канальных оценок:
M
xˆ k   xˆ k (α i ) P (α i Y0k ). (5)
i 1
Таким образом, производится приближённое
усреднение по АПВ; данный подход относится к
интегральной адаптации. Адаптация заключается в
перестройке канальных АПВ P(αi Y0k ) вектора па- Такты
Рис. 1. Влияние Рmin на время и точность адаптации
раметров α. Этот подход является самым вычисли-
тельно требовательным, но и самым близким к оп- Видно, что адаптация фильтра A с высоким по-
тимальному при достаточном числе каналов M (при рогом РАmin = 10–2 проходит гораздо быстрее, чем
достаточно малом шаге Δα). адаптация фильтра B с низким порогом РВmin = 10–7.
Изменяя параметры адаптивных фильтров, Однако при большом пороге РАmin = 10–2 точность
можно добиваться изменения значений показателей адаптации хуже. Это происходит в связи с ненуле-
качества, характеризующих процесс адаптации. При вым влиянием оценки «холостого» канала при ус-
этом, как правило, невозможно повышать одновре- реднении по АПВ; и чем выше порог Рmin, тем силь-
менно несколько показателей качества. Далее пред- нее влияние «холостого» канала.
лагается подход, позволяющий снизить время адап- Видно, что время адаптации к слабой динамике
тации и повысить её точность применительно к ме- полезного сообщения на начальном отрезке, когда
тоду адаптации с усреднением по АПВ. обе апостериорные вероятности Р( 2 ) и Р( 2 )
Для простоты примем вектор состояния с одной min max
компонентой – расстоянием между приемником и равны 1/2, практически не зависит от порога Рmin.
передатчиком. Дисперсия формирующего шума мо- При этом адаптация проходит существенно быстрее,
жет принимать два априорно неизвестных значения, чем на финальном отрезке, когда один из каналов
достаточно отличающиеся друг от друга, чтобы ха- близок к «отключению».
рактеризовать различную динамику процесса. На Идея предлагаемого метода состоит в том, что-
интервале наблюдения будет иметься три стадии ди- бы использовать различные пороговые значения
намического воздействия: слабое – сильное – слабое. Рmin для каждого канала: повышенное значение для
Получающийся при такой постановке задачи узкополосного канала и повышенное для широкопо-
фильтр представляет собой два линейных следящих лосного.
На рис. 2 представлены результаты моделиро- Данный подход был использован при проекти-
вания при условиях, аналогичных условиям модели- ровании прецизионной локальной радионавигаци-
рования на рис. 1. Отличия в выборе минимальных онной системы, где параллельно работают многока-
порогов. В адаптивном фильтре В пороги РВmin= 10–7 нальные адаптивные фильтры – по одному на каж-
для обоих канальных фильтров – как и ранее. В дый канал измерения дальности. Для сравнения по-
фильтре C пороги имеют разные значения для ка- лученных практических результатов с результатами
нальных фильтров: РСmin= 10–2 для узкополосного моделирования ограничимся двумя каналами в адап-
канального фильтра и РСmin= 10–7 для широкополос- тивном фильтре. При этом значения пороговых ка-
ного канального фильтра. нальных АПВ выберем, как и ранее: Рmin= 10–7 для
широкополосного канального фильтра, Рmin= 10–2
Эффективная полоса, Гц
для узкополосного канального фильтра и всех кана-
лов сравниваемого адаптивного фильтра.
На рис. 3 представлено изменение канальных
АПВ для каждого адаптивного фильтра. Здесь канал
А рассчитан на малую динамику информативного
процесса, канал В – на большую.
Видно, что использование предложенного ме-
тода действительно позволяет существенно сокра-
тить время адаптации к малодинамичным процес-
сам, тем самым увеличивая качество слежения за
процессами, динамика которых имеет свойство бы-
Такты стро изменяться.
Рис. 2. Использование различных пороговых значений
Рmin в каналах Литература
Видно, что при таком подходе значительно 1. Перов А.И., Статистическая теория радиотехниче-
ских систем. – М.: Радиотехника, 2003. – 400 с.
уменьшилось время и точность адаптации к малоди- 2. Первачев С.В. Адаптивная фильтрация сообщений /
намичному воздействию, а точность адаптации к С.В. Первачев, А.И. Перов. – М.: Радио и связь, 1991. –
высокодинамичному воздействию уменьшилась не- 160 с.
значительно. 3. Фам Хай Чунг. Разработка и исследование алго-
ритмов адаптации цифровых радиотехнических следящих
систем радионавигационных и радиолокационных прием-
ников: Дис. ... канд. техн. наук: 05.12.14. – М., 2005. –
182 с. РГБ ОД, 61:05-5/3866.
4. Куликов Р.С. Разработка и исследование адаптив-
ных систем фазовой автоподстройки и их применение в
аппаратуре потребителей спутниковых навигационных
систем: дис. ... канд. техн. наук: 05.12.14. – М., 2010. –
276 с. РГБ ОД, 61 10-5/2270.
5. Стратонович P.Л. Принципы адаптивного приема. –
М.: Сов. радио, 1973. – 144 с.
6. Репин В.Г., Тартаковский Г.П. Статистический
синтез при априорной неопределенности и адаптация ин-
формационных систем. – М.: Сов.е радио, 1977. – 432 с.
7. Репин В.Г., Тартаковский Г.П. Адаптация систем
приема и обработки информации и теория статистических
решений // Автомат. и телемех. – 1968. – № 3. – С. 71–84.
Рис. 3. Результаты практического применения метода
УДК 621.396.018.424
В.Н. Овсянникова, В.А. Кологривов
Модельное исследование многоканальной сверхширокополосной

радиосвязи на основе временного разделения каналов
Исследование возможностей многоканальной сверхширокополосной радиосвязи на основе производной им-
пульсов Гаусса и Рэлея с использованием временного разделения каналов.
Ключевые слова: сверхширокополосный сигнал, разделение во времени, производная импульса Гаусса, про-
изводная импульса Рэлея.
В наше время повышаются требования к скоро- этом возрастают требования к системам синхрони-
сти передачи данных, качеству связи, увеличению зации.
трафика, необходимости повторного использования Гауссов импульс
частот радиодиапазона и пр. Развитие сверхшироко- Многие явления природы и техники, в том чис-
полосной СШП-связи вносит новый виток в разра- ле и сигналы, описываются функцией Гаусса.
ботку беспроводных систем передачи данных. Импульсы гауссовой (колоколообразной) фор-
Первое определение термина «сверхширокопо- мы удобно использовать в радиосвязи – их спектр
лосные сигналы» (Ultra Wide Band) было дано в имеет такую же колоколообразную форму, в которой
1990 г. агентством DARPA (НИОКР) Министерства отсутствуют боковые лепестки (см. рис. 1).
обороны США. Но зародилась СШП-связь намного
раньше, ещё в 50–60-е годы ХХ в.
СШП (UWB) является эффективной альтерна-
тивой технологии беспроводного доступа, обеспечи-
вающей обмен данными по радиоканалу между пе-
риферийными устройствами ПК и мобильными уст-
ройствами на небольших расстояниях с очень высо-
кой скоростью и небольшими расходами энергии. С
помощью широкого радиочастотного (РЧ) диапазона
разработка UWB позволяет передавать по беспро-
водному каналу на небольшие расстояния (напри- Рис. 1. Последовательность импульсов Гаусса
мер, около здания или небольшого офиса) сущест-
венно большие объемы информации и за меньшее Временной форме импульса Гаусса соответст-
время, нежели классические беспроводные техноло- вует выражение [3]:
гии. В сочетании с малым энергопотреблением и А  t2 
импульсным характером данных СШП позволяет SИГ (t )   exp   ,
2  22 
достичь высокой скорости передачи данных без по-  
мех оборудованию других применяющихся сегодня где А – коэффициент амплитуды, принимается рав-
беспроводных стандартов, таких как Wi-Fi, WiMAX ным единице; σ – коэффициент формы; π – постоян-
и стандарты сотовой связи [1]. ная, равная 3,14.
Применение сигналов без несущей частоты Форма сверхкоротких импульсов описывается
В основе СШП системы связи для передачи моноциклом Гаусса, или первой производной им-
различного рода информации лежит идея примене- пульса Гаусса (рис. 2).
ния сигналов без несущей частоты. Рекуррентная формула n-й производной им-
Если не использовать несущую частоту, а пы- пульса Гаусса имеет вид
таться излучать видеоимпульсы, то для того, чтобы n 1 n 1 t
S n t     S t    S n 1 t  ,
их спектр оказался в радиодиапазоне, требуется сде-  2
2
лать их сверхкороткими. Поэтому для организации где n – порядок производной.
радиосвязи без несущей используют определенной
формы сверхкороткие импульсы модулированных
информационными последовательностями. Именно
таким способом реализуется СШП-связь, где в каче-
стве сверхкоротких импульсов используются произ-
водные импульсов Гаусса или Рэлея.
Внедрение СШП-сигналов с малой длительно-
стью позволяет существенно расширить используе-
мый диапазон частот и сохранить качество переда-
ваемых данных на высоком уровне. Рис. 2. Первые производные импульса Гаусса
За счет того, что уменьшается длительность и
увеличивается скважность излучаемых импульсов, Импульс Рэлея
возникает возможность продуктивно бороться с пе- Импульс Рэлея описывается экспоненциальной
реотражениями, вызванными предметами, находя- функцией, умноженной на параметр времени
щимися на пути распространения между источни- (рис. 3). Спектральная плотность импульса Рэлея
ком, передающим информацию, и приемником [2]. также описывается экспоненциальной функцией и
Временное разделение каналов не будет иметь боковых лепестков.
Разделение во времени реализуется на основе В СШП-связи используются не сами импульсы
введения понятия кадра и разделения его на времен- Рэлея, а их производные, которые имеют вид крат-
ные слоты. ковременных «всплесков».
Системы с временным разделением являются Первая производная содержит один переход че-
перспективными для СШП-истем беспроводного рез 0 (рис. 4), вторая производная будет содержать
доступа с высокой скоростью передачи, однако при уже 2 перехода через 0. Производные импульсов
получаются узкими и им соответствуют сверхширо- ∆t = 0,1, т.е. скважность равна Q = 10. Ширина спек-
кие спектры, что как раз и требуется в СШП-связи [3]. тральной плотности СШП-сигналов составила по-
рядка 13 Гц. При эквивалентном изменении масшта-
ба в 10–9 раз получаем ∆t = 0,1 нс и ширину спек-
тральной плотности порядка 13 ГГц, что вполне со-
гласуется с диапазоном современных СШП-систем.
Исследование помехоустойчивости
Помехоустойчивость отображается графиком
водопадоподобной характеристики, который в свою
очередь характеризуется зависимостью вероятности
появления битовой ошибки от отношения сиг-
Рис. 3. Последовательность импульсов Рэлея
нал/шум.
Временной форме импульса Рэлея соответству- Для вычисления отношения сигнал/шум необ-
ет выражение ходимо измерить мощность сигнала, а потом – сиг-
 2t 2  нала с шумами. Для измерения мощности сигнала
4t
S t    exp    , S-канала необходимо присоединить измеритель
2  2  мощности в точки либо А, либо В, либо С (см. рис. 5).
 
где σ – коэффициент формы импульса; π – постоян- Для измерения мощности сигнала с шумами SN од-
ная, равная 3,14. ного из каналов подключаем измеритель мощности в
Производные от импульса Рэлея определяются точки либо D, либо E, либо F.
следующим рекуррентным выражением: В результате соотношение сигнал/шум n-го ка-
4t n 1 4n n  2 нала можно рассчитать по формуле
S n t     S t   S ,  S 
2 2 SNR  10  log   , дБ.
где n – порядок производной.  SN  S 
Число ошибок nerr фиксируется блоком детек-
тора ошибок (см. рис. 5). После чего, изменяя мощ-
ность ГШК и соответственно SNR, повторяем изме-
рения и обеспечиваем построение графика водопа-
доподобной характеристики.
Элементы методики. Подбором мощности
ГШК добиваемся числа ошибок в каналах примерно
nerr = 1 и производим измерения SNR. Затем, поэтап-
но увеличивая мощность ГШК, изменяем SNR, кон-
Рис. 4. Первые производные импульсов Рэлея тролируя число ошибок, и строим водопадоподоб-
ную характеристику.
Сигналы, соответствующие производным им-
пульсов Рэлея, также получили распространение в
СШП-системах.
Исследование модели СШП-системы на
основе импульсов Гаусса и Рэлея и временного
разделения каналов
Рассмотрим упрощенную функциональную мо-
дель 3-канальной СШП-системы на основе импуль-
сов Гаусса и Рэлея и временного разделения каналов
(рис. 5). Основное отличие укрупненных моделей
Гаусса и Рэлея состоит в передающей части, где на-
ходится генератор импульсов и происходит форми- Рис. 5. Укрупненная функциональная схема 3-канального
рование производных импульсов Гаусса либо Рэлея. СШП-модема: ГИ – генератор импульса Гаусса или Рэлея;
В передающей части есть генератор селекти- ИИ – информационный источник 1, 2, 3;
рующих импульсов, с помощью которых реализует- ГСИ – генератор селективных по времени импульсов;
ся разнесение каналов по времени (временные сло- ЭЗ – элемент задержки; ИМ – измеритель мощности;
ты) внутри кадра. О – осциллограф; ГШК – генератор шума канала;
ВС – временной селектор; БКО – блок корреляционной
Исходные данные. Моделирование ведется во
обработки; А, В, С, D, E, F – точки измерения мощности
временной области с использованием относитель-
ных масштабов по времени и частоте. Скорость Результат исследования помехоустойчивости
цифрового потока была выбрана равной R = 1, соот- 3-канальной СШП-системы на основе производной
ветственно длительность бита τ = 1, длина иссле- импульсов Гаусса изображен на рис. 6.
дуемой импульсной последовательности составляет Из рис. 6 видно, что соотношению сигнал/шум
L = 10000 бит. Длительность импульсов Гаусса и –2,4 дБ соответствует вероятность битовой ошибки
Рэлея и соответственно их производных составляет 10–4.
Из рис. 7 видно, что соотношению сигнал/шум
–2,6 дБ соответствует вероятность битовой ошибки
10–4.
Таким образом, графики водопадоподобных ха-
рактеристик СШП-систем на основе производных
импульсов Рэлея и Гаусса и временного разделения
каналов совпадают с точностью вплоть до 0,2 дБ.
Водопадоподобные характеристики располагаются в
области отрицательных значений SNR, что обуслов-
лено корреляционной обработкой данных в модеме.
Моделирование подтвердило возможность по-
строения многоканальных СШП-систем на основе
импульсов Гаусса и Рэлея и временного разделения
Рис. 6. График зависимости вероятности появления каналов. Соотнесение масштабов моделирования
битовой ошибки 3-канальной СШП-системы на основе подтвердило сверхширокополосность исследуемых
импульсов Гаусса и временного разделения каналов систем. Результаты моделирования могут быть ис-
от соотношения сигнал/шум пользованы при разработке реальных СШП-модемов.
Результат исследования помехоустойчивости
3-канальной СШП-системы на основе импульсов Литература
Рэлея изображен на рис. 7.
1. Дмитриев В. Технология передачи информации с
использованием сверхширокополосных сигналов (UWB). –
Ч. 1 // Компоненты и технологии. – 2003. – №9. – С. 72–76
[Электронный ресурс] – Режим доступа: свободный
http://www.kit-e.ru/articles/wireless/2003_09_72.php
2. Абдрахманова Г.И. Системы, сети и устройства те-
лекоммуникаций: повышение эффективности сверхширо-
кополосных систем связи на основе оптимизации формы
импульсов: автореф. дис. … канд. техн. наук. – Уфа,
2013. – 19 с. [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
http://www.ugatu.su/assets/files/do-cuments/nich/dissov/d7/
14.11.13/abdrahmanova_avtoreferat.pdf
3. Грахова Е.П. Системы, сети и устройства телеком-
муникаций: повышение эффективности сверхширокопо-
лосных беспроводных систем связи на основе спектраль-
Рис. 7. График зависимости вероятности появления бито-
ной модуляции: дис. … канд. техн. наук. – Уфа, 2016. –
вой ошибки 3-канальной СШП-системы на основе им-
197 с. [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
пульсов Рэлея и временного разделения каналов от соот-
http://www.ugatu.ac.ru/assets/files/documents/dissov/07/2016/
ношения сигнал/шум
Grakhova_E_P/diss.pdf
УДК 629.78
Е.С. Паскаль
Экспериментальная оценка уровня сигнала спутниковых

радионавигационных систем при разных углах места
космического аппарата
Исследованы характеристики сигнала GPS при различных углах места космического аппарата (КА), в том числе
малых углах. Данные, полученные в ходе эксперимента, могут быть применены для исследования возможности
приема сигналов GPS при малых углах места в разнесенных на большие расстояния приемных пунктах.
Ключевые слова: GPS, угол места, отношение сигнал/шум.
В данном эксперименте принимаются сигналы тему автоматического слежения, которая позволяет

спутников GPS-приемником Ashtech Z-12. Приемник отслеживать одновременно все спутники, находя-
Ashtech Z-12 – GPS-приемник, работающий с сигна- щиеся в его поле зрения.
лами системы глобального позиционирования. При- Проведение эксперимента
емник предназначен для навигации и точного распо- Запись сигналов GPS производилась приемни-
знавания местоположения спутниковых объектов ком Ashtech z-12 с использованием всенаправленной
[1]. Приемник имеет 12 независимых каналов и сис- антенны. Полученные данные описывают характе-
ристики принятого сигнала. Наибольший интерес
для исследования представляли отношение сигнал/
шум и угол места спутника GPS, полученные для
различных диапазонов, таких как L1, L1P и L2P. На
рис. 1–9 представлены уровень отношения сигнал/
шум в относительных величинах и углы места КА
относительно приемника. За единицу времени взят
интервал записи сигнала, равный 100 мс реального
времени.
Рис. 5. График зависимости S/N от номера отсчета

спутника №2 диапазона L2P
Рис. 1. График зависимости S/N

от номера отсчета спутника №1 диапазона L1P

от номера отсчета спутника №2 диапазона L1



от номера отсчета спутника №1 диапазона L1

При исследовании полученных графиков замет-

ны искажения сигнала. Замечено, что данные иска-
жения появляются на определенных углах места при
исследовании сигнала разных спутников. Таким об-
Рис. 4. График зависимости S/N разом, можно полагать, что данные искажения вы-
от номера отсчета спутника №2 диапазона L1P званы либо способом приема, либо прохождением
сигнала в заданном направлении. Графики представ-
лены на рис. 10–12.
Рис. 12. График зависимости угла места КА

от номера отсчета спутника №3
Также были рассмотрены случаи, когда спутник
находился на постоянном углу места, при котором
менялся угол азимута (рис. 13, 14). При малых углах
Рис. 9. График зависимости S/N места от 0 до 20° наблюдается ухудшение отноше-
от номера отсчета спутника №3 диапазона L1 ния сигнал/шум.
Рис. 13. График зависимости угла места

Рис. 10. График зависимости угла места КА от номера отсчета спутника №4
от номера отсчета спутника №1

Данные, полученные в результате исследования

будут использованы для исследования трансионо-
Рис. 11. График зависимости угла места КА
от номера отсчета спутника №2 сферного зондирования сигналами ГНСС при боль-
шом разносе приемных пунктов.
В ходе работы были практически определены Литература
углы места, при которых возникают значительные
1. Z-12 GPS Receiver Operation and Reference Manual.
искажения сигнала, это позволит учитывать эти диа- [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
пазоны углов при исследовании разнесенного прие- ftp://ftp.ashtech.com/OEM_Sensor_ADU/Legacy%20products
ма сигналов. /Z12/z12.pdf, свободный (дата обращения: 30.07.2017).
УДК 621.375.026
А.С. Половников
Адаптивный корректор нелинейных искажений

на базе ряда Вольтерры с переменными коэффициентами
Представлена новая математическая модель предкорректора, разработанная с учетом особенностей появления
нелинейных искажений в усилителях мощности СВЧ-сигналов с OFDM-модуляцией. Данная модель состоит из
каскадного соединения статического и динамического предкорректоров. Принцип действия динамического
предкорректора основан на использовании ряда Вольтерры с переменными коэффициентами. В данной работе
также предложен алгоритм адаптивной настройки предкорректора. Приведены результаты вычислительного
эксперимента, показывающие его эффективность.
Ключевые слова: корректор нелинейных искажений, предкоррекция, линеаризация, эффект памяти, усилитель
мощности.
К современным радиосистемам теле-, радиове- схемы Догерти, out-phasing, ключевые схемы. Пере-
щания и мобильной связи предъявляются высокие даточная характеристика таких усилителей сильно
требования с точки зрения скорости передачи дан- отличается от усилителей класса AB и имеет суще-
ных и помехоустойчивости. Это стимулирует вне- ственную нелинейность. Следует отметить, что тра-
дрение сложных методов цифровой модуляции с диционные предкорректоры на базе рядов Вольтер-
высокой спектральной эффективностью, обеспечи- ры с трудом подходят для таких усилителей. Поэто-
вающих наилучшее использование имеющегося му существует потребность в разработке новых, бо-
диапазона частот. Одним из следствий использова- лее совершенных способов предкоррекции.
ния таких методов модуляции является высокое зна- Если рассмотреть историю развития методов
чение пик-фактора передаваемых сигналов, что при- предкоррекции усилителей мощности, можно уви-
водит к снижению коэффициента полезного дейст- деть следующие тенденции. Сначала появилась идея
вия усилителя мощности. использовать ряд Вольтерры для формирования пре-
Усилители мощности высоких частот работают дыскажения. Поскольку ряд Вольтерры имеет боль-
в наиболее энергетически выгодном режиме, когда шое количество коэффициентов, первые усилия бы-
значение выходной мощности близко к насыщению. ли направлены на сокращение их количества. Так
Этот режим работы соответствует максимальным появились модели полиномиального типа [2]. Далее
нелинейным искажениям выходного сигнала. Для целью исследователей стало повышение точности
того чтобы передатчик обеспечивал требуемую моделирования за счет более точного представления
площадь покрытия и высокое качество передачи статической нелинейности. Результатом этой работы
данных, величина нелинейных искажений выходно- стало появление модели на базе модифицированного
го сигнала не должна превышать определенного ряда Вольтерры и модели с ограничением динами-
уровня. Добиться приемлемого уровня нелинейных ческой девиации [3, 4]. Появление усилителей ново-
искажений от усилителя, работающего в режиме го типа, таких как схема Догерти и схема с отслежи-
насыщения, без применения коррекции невозможно. ванием огибающей, потребовало увеличения гибко-
В настоящее время главным методом коррекции сти моделирования. В результате были разработаны
нелинейных искажений стала цифровая предкоррек- варианты кусочных моделей [5].
ция. За последние два десятилетия предложено В каких направлениях следует продолжать
большое количество подходов к построению пред- дальнейшие разработки методов предкоррекции не-
корректоров нелинейных искажений. Большинство линейных искажений? Известные методы предкор-
решений, используемых на практике, основано на рекции основываются на предположении, что уси-
применении модифицированных или упрощенных литель – это слабонелинейное инерционное устрой-
рядов Вольтерры [1]. Объясняется это тем, что такие ство, о характере нелинейности которого ничего
системы легко могут быть реализованы в виде циф- неизвестно. Поэтому в корректорах используются
ровых схем. И что более важно, они отлично подхо- общие подходы к моделированию таких устройств,
дят для коррекции получивших широкое распро- такие как ряд Вольтерры. Причем набор базисных
странение усилителей мощности класса AB, у кото- функций при создании модели выбирается часто без
рых передаточная характеристика линейна при ма- достаточного обоснования. В то же время представ-
лом уровне входного сигнала и становится нелиней- ляется перспективным при создании модели учиты-
ной с увеличением амплитуды сигнала. Однако мо- вать особенности нелинейных свойств усилителей,
дель Вольтерры имеет внутренние ограничения, принимая во внимание механизм появления эффекта
обусловленные слабой сходимостью ряда Вольтерры. памяти. Нелинейные свойства усилителей мощности
В последние годы разрабатываются более со- имеют следующие особенности:
вершенные с точки зрения энергоэффективности 1. Уровень мощности, приходящийся на нели-
схемы построения усилителей: многоуровневые нейные искажения в выходном сигнале усилителя,
во много раз меньше мощности полезного сигнала. где x(n) – комплексная амплитуда входного сигнала
Даже очень нелинейные усилители имеют соотно- динамического предкорректора, ud(n) – комплексная
шение (мощность полезного сигнала/мощность ис- амплитуда выходного сигнала динамического пред-
кажений) не менее 20–25 дБ. корректора, (| x(n)|,| x(n 1)|,| x(n  2)|,,| x(n  M )|)x(n) –
2. Уровень мощности искажений, обусловлен- корректирующий сигнал, каждое мгновенное значе-
ных эффектом памяти, меньше общего уровня нели- ние которого зависит от M предыдущих значений
нейных искажений. Это означает, что большая часть входного сигнала.
мощности приходится на искажения, вызванные Выполним следующую подстановку:
статической нелинейностью усилителя.  (| x(n)|,| x(n 1)|,| x(n  2)|,| x( n  M )|) 
3. У современных усилителей мощности полоса
пропускания, как правило, значительно шире поло-   (| x(n)|, e1 , e2 ,, eM ) , (4)
сы, занимаемой полезным сигналом. Таким образом, где ei | x(n  i )|  | x(n)| .
можно считать, что эффект памяти является резуль- Разложим Ψ'(…) в ряд Тейлора по переменным
татом динамического изменения передаточной ха- ei, принимая во внимание, что при
рактеристики усилителя вследствие изменений мо- e1 (n)  e2 (n)  eM (n)  0 , (| x(n)|,e1 ,e2 ,,eM )  0
дуля амплитуды сигнала.
M1
В данной работе рассматривается математиче-
 (| x (n)|, e1 , e2 ,, eM )   1,i (| x(n)|)ei 
ская модель предкорректора, созданная с учетом i 1
указанных выше факторов. M2 M2
Математическая модель предкорректора     2,i ,k (| x( n)|)ei ek 
Схема корректора нелинейных искажений пока- i 1 k 1
зана на рис. 1. Корректор состоит из двух каскадов: M3 M3 M3
предкорректора со статической нелинейной характе-     3,i ,k ,l (| x( n)|)ei ek el  . (5)
ристикой и динамического предкорректора. i 1 k 1 l 1
Таким образом, получаем аппроксимацию
функции Ψ'(…) с помощью ряда Вольтерры, коэф-
фициенты которого зависят от амплитуды входного
сигнала.
Функция  (| x(n)|, e1 , e2 ,, eM ) предназначена
для моделирования очень малых отклонений полез-
Рис. 1. Структурная схема корректора ного сигнала, необходимых для компенсации эффек-
нелинейных искажений та памяти. Для этого применим ряды Вольтерры
малой степени и малой глубины памяти. Причем для
Передаточная характеристика статического ядер ряда Вольтерры большей степени глубина при-
предкорректора описывается следующей формулой: нимаемой во внимание памяти может быть меньше,
y (n)  K s (| x(n)|) x(n) , (1) чем для ядер малой степени.
где x(n) – комплексная амплитуда входного сигнала Запишем математическую модель динамическо-
статического предкорректора, y(n) – комплексная го предкорректора в матричном виде:
амплитуда выходного сигнала статического пред- ud (n)  C (| x(n)|) (n) x(n) , (6)
корректора, K(|x(n)|) – комплексный коэффициент где C (| x(n)|)  c0 (| x(n)|) c1 (| x(n)|)  cS (| x(n)|) –
передачи предкорректора, который зависит от ам-
коэффициенты, которые динамически зависят от
плитуды входного сигнала.
амплитуды входного сигнала.
Статический корректор обеспечивает линеари-
В выражении (6) приняты обозначения:
зацию усредненных передаточных характеристик
 (n)  1 1 (n) 2 (n)  S (n)
T
усилителя. При быстрых изменениях амплитуды – набор базис-
входного сигнала в выходном сигнале усилителя
будет появляться сигнал ошибки коррекции, обу- ных функций; S  M1  M 22  M 33  M PP – макси-
словленный действием эффекта памяти. Таким обра- мальное количество коэффициентов; P – максималь-
зом, выходной сигнал усилителя равен ная степень полинома;
y (n)  kx(n)  (| x(n)|,| x(n 1)|,| x(n  2)|,) x(n) , (2) ei1 , s [1...M1 ], i1 [1...M1 ],
где составляющая (| x(n)|,| x(n 1)|,| x(n  M )|) x(n) – e e , s [ M1  1M1  M 22 ],
 i1 i2
сигнал ошибки коррекции.  i1 , i2 [1M 2 ],
Статический предкорретор в структуре рис. 1 s    , (7)
основан на модели, предложенной в работе [6]. Он ei ei ei , s [( M1  ...  M PP11  1)
 1 2 P
компенсирует ошибку коррекции статического пред-  ( M1  ...  M PP11  M PP )],
корректора, добавляя во входной сигнал статическо-  i1 , i2 ...iP [1M P ].
го предкорректора корректирующий сигнал: Например, при максимальной степени полино-
ud ( n )  x ( n )  ма, равной 3, и при глубине памяти составляющих
 (| x(n)|,| x(n 1)|,| x( n  2)|,| x( n  M )|) x( n) , (3) первого, второго и третьего порядка соответственно
3, 2, 1 набор базисных функций выглядит следую-
щим образом:
 1 
 | x(n  1)|  | x( n)| 
 | x(n  2)|  | x( n)| 
 | x(n  3)|  | x( n)| 
 ( n)   (| x(n 1)|  | x(n)|) 2  . (8)
 2 
 (| x(n  2)|  | x( n)|) 
(| x(n 1)|  | x(n)|)(| x(n  2)| 3
 | x( n)|)
 (| x(n 1)|  | x(n)|) 
В целом математическая модель предкорректо-
ра имеет вид
ud ( n)  C (| x ( n)|) (n) x( n) ,
y (n)  K s (| ud (n)|)ud (n) . (9)
Зависимость Ks(|ud(n)|) представим в виде сте-
пенного полинома, а составляющую C(|x(n)|) – в
виде таблицы:
ud ( n )  C  ( n ) x ( n ) ,
Рис. 2. Система адаптивной настройки динамического
y (n)  A (| ud (n)|)ud (n) , (10) корректора
где C [c0i c1i ... cKi ] – коэффициенты, которые дина-
мически зависят от амплитуды входного сигнала; Настройка коэффициентов производится с по-
мощью итерационной процедуры, описываемой
N  1, ( N 1)x | x(n)| N x,
  формулой
i ; (11)
1, x | x(n)| 2x, c j ,i,k 1  c j ,i,k  (n) j (n) x* (n) , (14)
0, 0  | x ( n )| x ,

где k – номер итерации; j – номер коэффициента,
A  [a1...aP ] – коэффициенты статического предкор- соответствующий номеру базисной функции; μ –
s
T коэффициент, определяющий скорость сходимости
ректора; (| ud (n)|)  | ud (n)| | ud (n)|2  | ud (n)|sP  ; алгоритма; x*(n) – амплитуда сигнала, комплексно-
 
Ps – степень полинома статического предкорректора. сопряженного по отношению к входному сигналу;
Адаптивная настройка предкорректора i – зависит от амплитуды сигнала.
Алгоритм адаптивной настройки корректора После определенного количества итераций ко-
выполняется в два этапа. На первом этапе оценива- эффициенты динамического корректора 2 копируют-
ются коэффициенты статического предкорректора. ся в динамический корректор 1.
Для этого на вход усилителя подается полезный сиг- Результаты моделирования
нал и производится запись выборок входного и вы- Для моделирования усилителя использовалась
ходного сигналов усилителя. Затем производится модель, описанная в [7], которая воспроизводит эф-
решение системы уравнений: фект памяти, обусловленный действием цепи пита-
| y (n)| ya (n) ния стока транзистора. Тестовый сигнал представ-
xa (n)  A ( a ) , n  [1N ] , лял собой циклическую последовательность из 2048
ga ga отсчетов. Спектр сигнала состоял из 128 несущих
max(| ya (n)|) частот, каждая из которых имела случайную ампли-
ga  , (12)
max(| xa (n)|) туду и фазу. Амплитуды спектральных составляю-
щих имели равномерное распределение в диапазоне
где xa(n) – отсчеты выборки значений комплексной
[0...1]. Фазы имели равномерное распределение в
амплитуды входного сигнала усилителя; ya(n) – от-
диапазоне [–π …+π]. Ширина спектра сигнала
счеты выборки значений комплексной амплитуды
8 МГц. Тестовый сигнал был нормирован и ограни-
выходного сигнала усилителя; ga – коэффициент
чен по уровню так, чтобы пиковые значения сигнала
усиления усилителя после линеаризации.
не превышали 1, а пик-фактор был равен 0,15. Дан-
Так как система уравнений (12) является пере-
ный сигнал представляет собой модель сигнала с
определенной, решение определяется методом наи-
OFDM-модуляцией.
меньших квадратов. На втором этапе производится
При моделировании использовались следующие
настройка динамического предкорректора. Алгоритм
параметры: количество итераций обучения адаптив-
настройки динамического корректора поясняет схе-
ного корректора – 10, количество выборок входного
ма на рис. 2.
и выходного сигнала, которые использовались для
В систему добавлен вспомогательный динами-
обучения адаптивного предкорректора на одной ите-
ческий корректор 2 (см. рис. 2), коэффициенты кото-
рации, – 50, количество итераций обучения адаптив-
рого настраиваются так, чтобы минимизировать
ного корректора, приходящихся на одну выборку, –
среднюю мощность сигнала ошибки:
100, количество уровней динамической части пред-
(n)  ( ya (n)  g a x(n))/ g a  ud  (n) . (13)
корректора – 200, коэффициент μ для алгоритма
адаптивной предкоррекции – 1,0. Набор базисных приведены графики, демонстрирующие результаты
функций в динамическом предкорректоре представ- вычислительного эксперимента.
лен в выражении (8). Выводы
В результате выполненной работы предложена
модель предкорректора, учитывающая особенности
механизма эффекта памяти в усилителях мощности
СВЧ. Предкорректор состоит из последовательного
соединения статического и динамического предкор-
ректоров. Динамическая часть предкорректора по-
строена с использованием ряда Вольтерры с дина-
мическими коэффициентами. Предложен метод
адаптивной настройки предкорректора. Выполнен
вычислительный эксперимент, подтверждающий эф-
фективность предложенного метода предкоррекции.
1. John Wood. Behavioral modeling and linearization of
RF power amplifiers. – Boston: Artech House, 2014. – 362 p.
2. Morgan R., Ma Z. et al. A Generalized Memory Poly-
Рис. 3. Спектры сигналов: 1 – тестового; 2 – выходного nomial Model for Digital Predistortion of RF Power Amplifi-
без коррекции; 3 – выходного сигнала только ers // IEEE Trans. on Signal Proc. – Oct. 2006. – Vol. 54. –
при статической предкоррекции; 4 – выходного PP. 3852–3860.
при динамической предкоррекции 3. Ngoya E., Quindroit C., Nebus J.M. On the Continu-
ous-Time Model for Nonlinear-Memory Modeling of RF
При моделировании были получены следующие Power Amplifiers // IEEE Transactions on Microwave Theory
результаты: уровень нелинейных искажений усили- and Techniques. – 2009. – Vol. 57, № 12. – РP. 3278–3292.
теля без коррекции –13,2 дБ; уровень нелинейных 4. Zhu A.J. Pedro C., Brazil T.J. Dynamic Deviation Re-
искажений при использовании только статической duction-Based Volterra Behavioral Modeling of RF Power
предкоррекции –38,3 дБ; уровень нелинейных иска- Amplifiers // IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques. – Dec. 2006. – Vol. 54, No. 12. – PP. 4323–4332.
жений при использовании динамической предкор-
5. Zhu A. Decomposed Vector Rotation-Based Behav-
рекции –49,8 дБ. ioral Modeling for Digital Predistortion of RF Power Amplifi-
Таким образом, применение динамической ers // IEEE Transactions on Microwave Theory and Tech-
предкоррекции по предложенной модели позволило niques. – 2015. – № 2 (63). – РР. 737–744.
в рассмотренном примере уменьшить уровень нели- 6. Половников А.С., Хрусталев В.А., Матвеев С.Ю.
нейных искажений более чем на 10 дБ. При исполь- Моделирование усилителей мощности с помощью ряда
зовании динамической предкоррекции уровень вне- Вольтерры–Винера с переменными коэффициентами //
полосных составляющих в спектре выходного сиг- Вопросы радиоэлектроники. – 2017. – № 4. – C. 93–98.
нала усилителя увеличился не более чем на 4 дБ по 7. Polovnikov A.S., Matveev S.Yu., Khrustalev V.A.,
Goychuk V.M. Simulation of power amplifiers with memory
сравнению со спектром входного сигнала. На рис. 3
effect // Proceedings of IFOST–2016. – 2016. – PP. 338–341.
УДК 629.78
П.А. Полянских
Исследование возможностей приема сигнала спутника ГНСС

в нескольких точках поверхности Земли при большом
пространственном разносе приемников
Описаны результаты исследования возможности приема сигнала при малых углах места в разнесенных на
большие расстояния приемных пунктах в ограниченном во времени сеансе связи со спутником.
Ключевые слова: угол места, навигация, ионосфера, разнесенный прием.
При приеме сигнала глобальной навигационной В случае же с приемом сигнала одного спутни-
спутниковой системы (ГНСС) в одной точке есть ка ГНСС в нескольких точках поверхности Земли
возможность проводить прием сигнала при большом возникают ситуации, когда нет возможности прини-
угле места, а также в относительно большом интер- мать сигнал одного спутника с той же длительно-
вале времени. Это обусловлено принципами по- стью сеанса и углах места, как при приеме в одной
строения ГНСС, будь то GPS, ГЛОНАСС либо иные. точке. Обусловлено это как принципами построения
ГНСС, так и геометрическим положением приемных пользовании сигнала GPS есть теоретическая воз-
пунктов. можность приема сигнала более одного сеанса в сутки.
Наибольший интерес для изучения приема сиг- Однако расчетные углы места в данных точках
налов ГНСС в разнесенных точках на поверхности будут очень малы (единицы градусов), что возможно
Земли представляет изучение влияние ионосферы на ухудшит практический прием сигналов и внесет по-
сигналы, проходящие через нее. Таким образом, при правки на время доступа, поэтому необходимо вы-
приеме сигнала в одной точке Земли недостаточно бирать расчетные сеансы связи с заведомо большей
получаемых сведений о принятом сигнале и искаже- длительностью. На рис. 3–6 представлены результа-
ниях, полученных при приеме его в одной точке. ты измерений параметров сигнала при малых углах
Для исследования этих явлений выполнялся прием места.
сигналов от одного и того же спутника ГНСС в точ- Использование разнесенного приема сигналов
ках, имеющих большой географический разнос. Та- одного спутника в целях изучения влияния ионо-
кими точками были выбраны НИИ РТС ТУСУРа, сферы на проходящий сигнал позволит исследовать
располагающийся в г. Томске, о. Итуруп в районе часть ионосферы как некий ограниченный объем,
о. Сахалин, г. Севастополь, Респ. Крым. Удаленность границы которого можно условно рассчитать гео-
точек относительно НИИ РТС по прямой более метрически, имея расчетные углы азимута и места
4 тыс. км. в точках приема и информацию о излучающем
Для получения пригодных для обработки дан- спутнике.
ных на сеанс связи накладывается ограничение по
минимальному времени доступа к спутнику. Соглас-
но наложенным ограничениям, проводится компью-
терное моделирование расчетных орбит спутников,
фиксируются время доступа к спутнику и углы мес-
та спутников.
Рис. 3. График зависимости отношения S/N от времени

наблюдения, диапазон частот L1P
Рис. 1. Расчетное время доступа к спутнику Navstar-75
Рис. 4. График зависимости отношения S/N

от времени наблюдения, диапазон частот L2P
Рис. 2. Расчетное время доступа к спутнику Navstar-48
Согласно графикам на рис. 1, 2 есть временные Рис. 5. График зависимости отношения S/N
интервалы, в которые возможен прием, а при ис- от времени наблюдения, диапазон частот L1
получат продолжение в работах, нацеленных на изу-
чение трансионосферных явлений, например, для
использования сигналов ГНСС для зондирования
ионосферы [1]. На сегодня использование сигналов
ГНСС для зондирования ионосферы достаточно час-
то используется, но гораздо реже используется не-
сколько разнесенных приемных пунктов с использо-
ванием одного сигнала. Учитывая тот факт, что па-
раметры ионосферы обусловлены в определенной
Рис. 6. График зависимости угла места мере природными явлениями, происходящими на
от времени наблюдения поверхности Земли, видимо, существует возмож-
Дальнейшим шагом в исследовании станет изу- ность с помощью зондирования ионосферы сигна-
чение корреляционных характеристик сигнала, при- лами ГНСС удаленно прогнозировать природные
нятых в разных точках, изучение других возможных катаклизмы.
волновых явлений, таких как интерференция при
малых углах. Также интерес представляет зависи- Литература
мость отношения сигнал/шум при различных факто-
рах. 1. Перевалова Н.П. Исследование ионосферных воз-
Изучение влияние ионосферы стало одним из мущений методом трансионосферного GPS-зондирования.
[Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://ru.iszf.irk.
первых шагов в исследовании возможности одно-
ru/images/8/8c/PerevalovaNP.pdf, свободный (дата обраще-
временного приема одного сигнала на большом рас- ния: 14.07.2017).
стоянии при малых углах места. Данные изыскания
УДК 621.396.96
Т.И. Сабитов, М.А. Степанов, А.В. Киселев
Модель распределенного радиолокационного объекта

на основе коррелированных излучателей
Рассмотрена модель распределенного радиолокационного объекта, составленная из излучателей коррелирован-
ных сигналов. В качестве критерия адекватности использовано совпадение законов распределения шумов коор-
динат для модели и замещаемого объекта. Точнее совпадение параметров – математического ожидания и пара-
метра, определяющего ширину распределения. Получены соотношения, позволяющие по значениям этих пара-
метров рассчитать мощности подводимых к излучателям сигналов и их коэффициент корреляции. Определены
границы области достижимых значений параметров функции распределения шумов координат. Теоретические
выводы подтверждены результатами численных экспериментов.
Ключевые слова: моделирование, радиолокация, шумы координат, закон распределения.
В настоящее время к радиолокационной техни- модели, основанные на точечных излучателях. Дос-
ке предъявляются высокие требования по точности таточно хорошо рассмотрены и изучены модели,
определения координат радиолокационных целей. В основанные на излучателях детерминированных и
связи с этим возникает задача моделирования реаль- независимых сигналов. Первые способны модели-
ных радиолокационных объектов. При этом следует ровать излучение от светящихся точек, однако тре-
учитывать, что все реальные объекты являются рас- буют крайне точного позиционирования излучате-
пределенными, то есть многоточечными, что приво- лей, что является существенным недостатком. Вто-
дит к необходимости учета такого явления, как шу- рые же способны моделировать отражения от рас-
мы координат (ШК) [1]. Под ШК понимают сле- пределенных поверхностей и лишены недостатка
дующее: наблюдаемая в точке приема электромаг- моделей на детерминированных сигналах, но для
нитная волна является результатом случайного сум- адекватного моделирования требуют большее коли-
мирования отраженных от светящихся точек объекта чество излучателей. Вместе с тем до сих пор не рас-
волн, при этом в точке приема будут наблюдаться сматривался вариант модели, к излучателям которой
флуктуации несферического фазового фронта. Учи- подводятся случайные сигналы с заданным коэффи-
тывая, что наиболее точным методом определения циентом корреляции.
направления на цель является фазовый метод, то Решение задачи
положение кажущегося центра излучения (КЦИ) Как известно [1], функция плотности распреде-
распределенного объекта будет флуктуировать. ления вероятностей (ПРВ) ШК имеет вид
В полунатурном моделировании распределен- 
W ( )  ,
ных объектов наибольшую популярность получили 2  (1    (  m) 2 )3/2
2
где m – математическое ожидание измеренных коор- Получившееся уравнение имеет два возможных
динат объекта; µ – параметр, от которого зависит решения, каждое из которых соответствует прирав-
ширина распределения;  – обобщенная угловая ко- ниванию нулю множителей выражения слева от зна-
ордината (например, азимут или угол места). ка равенства.
В качестве критерия адекватности воспользуем- Первый вариант решения получается при
ся совпадением ПРВ ШК для модели и замещаемого cos(2t )  0 :
объекта. По сути, равенством параметров m и µ для  n
модели и объекта. t   , n .
Рассмотрим конфигурацию из двух излучаю- 4 2
щих точек, к которым подводятся коррелированные  
Так как t [0; ] , то t  , тогда tan(t) 1m0 ,
сигналы. Отношение мощностей, подводимых к из- 2 4
2
лучателям, обозначим  . Коэффициент взаимной тогда из второго уравнения системы (1) получим
2
корреляции сигналов – r.  1
r . (5)
Используя известные результаты, имеем [1]: 2 1
  2 1 Второй вариант находится при
  m, 2 2 2 2
1  2r   
2 cos(2t )   cos(2t )  2m  m  cos(2t )  0 :
 (1)
2
1  2r     . 2m 2
cos(2t )  ;
 2 1  m 2 2
   2
 2 1  r
1  2m 2 
Найдем значения  2 и r, необходимые для по- t   arccos    n, n  ;
2 1  m22  2 
лучения требуемых m и .  
Сделаем замену: r  cos(),   tan(t ) . Так как 1  2m 2 
t   arccos  .
1  r  1 и 0     , то разумно задать преде- 2  1 
 
 1 
лы [0; ] и t [0; ] соответственно. Так как 0  arccos( x)    arccos( x)[ ;0] ,
2 2 2
Для системы (1) с учетом проведенной замены

и того, что sin()  sin() (при [0; ] ), после не- а t [0; ] , то возможен лишь один вариант решения:
2
сложных тригонометрических преобразований по-
1  2m 2 
лучим t  arccos  .
2  1  m 2 2   2 
 cos(2t )  
1  cos()sin(2t )  m, Тогда

 (2)
 1  cos( )sin(2 t ) 1  2m 2 
 .   tan  arccos   . (6)
 sin()sin(2t )  2 1  m2  2   2 
 
Перемножив уравнения системы (2), найдем
Подставив полученное  в первое уравнение
1 системы (1), получим
m   .
sin()tan(2t ) (1  m)  2 1  m
После преобразований r  . (7)
2 m
Соотношения (6) и (7) справедливы для m  0 ,
2 1
sin   . (3) иначе нужно использовать (5) и (6).
m2  2 tan 2 (2t ) Определим возможности модели по замещению
Выразим cos() из первого уравнения системы распределенного радиолокационного объекта, то
(2) и возведем его в квадрат: есть пределы, в которых могут изменяться парамет-
(cos(2t )  m)2 ры m и  при физически реализуемых  2 и r.
2
cos   . (4) Выполнив в (7) замену   tan(t ) , получим вы-
m2 sin 2 (2t )
Складываем (3) и (4): ражение для r как функции, зависящей только
от m и :
1 (cos(2t )  m) 2
sin 2   cos 2    . 2 2  1  m 2 2   2
m 2 2 tan 2 (2t ) m2 sin 2 (2t ) r . (8)
2
 2 
После несложных преобразований получим
уравнение 
1  m22  2 1    2m
 1  m 2 2   2 
 

cos(2t ) cos(2t )   2 cos(2t )  2m 2  m 2 2 cos(2t )  0. Отдельно рассмотрим два случая: m 1 и m 1 .
1. Первый случай ( m 1 ). Исследуем полученную функцию на монотон-
ность. При заданном m имеем
Для 0  r 1 получим

2 2 1  m2  2   2  0 ;  1 1  2m 2 r 

  1
1 r 1  m2 1  r 2  2 1  m 2 (1  r 2 ) 
 . (9)   (11)
1  m2 2r 
Для 1 r  0 :  1  r 2   r  1  m 2 (1  r 2 )  .
  2 1  r 2 
1
2 2 1  m2  2   2  0 ;   . (10) Приравняем полученное выражение к нулю,
1  m2 чтобы найти точки экстремумов. После математиче-
Найдем функцию  r , m , для этого перемно- ских преобразований получим
жим уравнения системы (1): r   1  m2 (1  r 2 ) .
 2 1 Существует единственное решение данного
= .
2 m 1  r 2 уравнения: r  1 . Однако в этой точке производная
не существует. Таким образом, можно утверждать,
После подстановки выражения для  имеем 
что  0 для любого r в пределах от –1 до 1.
4 2 r
 ;
 1
2 1  r 2 (1  m2  2   2 )2  4m2  4 Подставим в (11) r  0 , получим  0 .
r 1  m2
1 r 2 m2 1 4  2m2 11 r 2   22 1 r 2  0 ;
2
Это означает, что функция  r , m монотонно воз-
растает на промежутке r 1; 1 .
r  1  m 2 (1  r 2 )
Тогда для 0  r 1
 .
2 2 1
1  r (1  m )  min   r  0  ;  max   r 1   ,
Это соотношение справедливо для 1  m  1 . 1  m2
Определимся со знаком перед корнем. Для а для 1 r  0
0  r 1 должно выполняться условие (9), которое 1
 max   r  0  ;
запишем в виде
1  m2
r  1  m 2 (1  r 2 ) r  1  m 2 (1  r 2 )
1
 ,  min   r  1  lim 0 .
2 2 2 r 1 1  r 2 (1  m 2 )
1  r (1  m ) 1 m
откуда после преобразований получим 2. Рассмотрим случай m  1 . Из (8) следует, что
2 2 r  0 , а также
r  1  m (1  r )  0 .
1
Неравенство будет справедливым лишь в том 2 2  1  m 2 2   2  0 ;  2 .
случае, если будет выбран знак «плюс». 1  m2
Для 1 r  0 должно выполняться условие Неравенство выполняется для любых m и 
(10). Запишем его в виде (при условии, что m 1 ), значит, μ может принимать
r  1  m 2 (1  r 2 ) два допустимых значения:
1
 . r  1  m 2 (1  r 2 )
1  r 2 (1  m 2 ) 1  m2
 .
Неравенство будет справедливым лишь в том 1  r 2 (1  m2 )
случае, если будет выбран знак «плюс».
Исследуя функцию (8) на монотонность при
Обобщая полученные результаты, можно сде-
фиксированном m, запишем
лать вывод, что для 1  r 1 и 1  m 1 :
r  1  m 2 (1  r 2 )
r 2 

 f 

(1  m 2 ) f   2 (1  m 2 ) 1  
 .
1  r 2 (1  m2 ) f  4m 2 4 (m 2  1)  4m 2 2 
  0 ,
Так как для 1  r 1 и 1  m 1 f 

2 2
r  1 m (1 r )  0 , то знак модуля можно опустить: 1
где f  (1  m2  2   2 )2  4m 2 4 ;  2   .
 r  1  m 2 (1  r 2 )  1  m2
 
  .
При m  1   1/ m 2  1 – точка экстремума.
2 2
1  r (1  m )
Определимся, какой это экстремум.
Пусть  =0+ – бесконечно малая положитель- ра; i – i-й отсчет сигнала, принятого моделью
ная величина, тогда f 1 и суммарной диаграммой направленности пеленгатора.
ПРВ моделируемых ШК определялась путем
20   1 (m 2  1) 
r
 0

1 
 2

 1  m  1 
1 
  4(0) . построения гистограммы случайного процесса F i .
Рассчитывались параметры mmod и  mod , получив-
Величина положительная, а значит, до точки шиеся в результате моделирования. Полученные
экстремума функция будет возрастать. Следователь- значения сравнивались с задаваемыми. Проведенные
1 эксперименты показали хорошее соответствие зада-
но,   – точка максимума. ваемых и получаемых величин.
m2 1 Например, для пар m и , равных (0, 5); (–0,5;
После ряда несложных математических преоб- 5); (0,75; 1,2), имеем  и r: (1; 0,923); (0,356; 0,871);
разований получим значение функции в точке мак- (2,228; –0,152). А по результатом моделирования
симума: получили пары mmod и  mod , равные (0; 4,9959);
 1  m 2 1 (–0,4998; 5,0017); (0,7535; 1,1955).
rmax  r     . Заключение
 2  m
 m  1  1. Получены соотношения, позволяющие рас-
Немонотонность функции r , m и наличие считать мощности и коэффициент корреляции сиг-
точки максимума говорят о том, что одному значе- налов, подводимых к излучателям двухточечной мо-
нию r могут соответствовать два значения  , опре- дели распределенного радиолокационного объекта,
при которых обеспечивается адекватность модели по
деляемых  2 . Это подтверждает ранее сделанный критерию совпадения функции распределения шу-
вывод о том, что  может принимать два допусти- мов координат.
мых значения. 2. Определены пределы, в которых могут изме-
няться параметры функции распределения шумов
При этом при r  rmax величина μ принимает
координат при физически реализуемых величинах
комплексное значение, что говорит о физической параметров излучаемых сигналов.
нереализуемости модели с такими параметрами. 3. Методами численного моделирования полу-
Апробация полученных результатов чено подтверждение справедливости найденных
Для проверки полученных соотношений была соотношений.
реализована двухточечная модель с помощью мето- 4. Полученные соотношения могут быть ис-
дов численного моделирования. К излучателям мо- пользованы для синтеза геометрических моделей
дели, расположенным в точках с координата- распределенных объектов при математическом и
ми 1  1 и 2 1 , подводились коррелированные имитационном моделировании.
сигналы, квадратурные компоненты которых пред-
ставляют собой нормальные случайные процессы с
нулевым математическим ожиданием и заданными Литература
мощностями. 1. Островитянов Р.В. Статистическая теория радио-
Положение точки излучения определялось по локации протяженных целей / Р.В. Островитянов, Ф.А. Ба-
известному соотношению [2] салов. – М.: Радио и связь, 1982. – 232 с.
2. Канащенков А.И. Радиолокационные системы
  i 
F i  Re ,
многофункциональных самолетов. – Т. 1. РЛС – информа-
  i  ционная основа боевых действий многофункциональных
самолетов. Системы и алгоритмы первичной обработки
где Δ(i) – i-й отсчет сигнала, принятого моделью радиолокационных сигналов / А.И. Канашенков,
разностной диаграммой направленности пеленгато- В.И. Меркулов. – М.: Радиотехника, 2006. – 656 с.
УДК 621.396
Б.А. Беляев, А.Н. Бабицкий, Н.М. Боев, А.А. Сушков
Проектирование малогабаритного нелинейного усилителя

мощности портативного приемопередатчика системы
ближнепольной магнитной связи
Предложен вариант реализации нелинейного нерезонансного усилителя мощности, предназначенного для инте-
грации в носимый комплект системы ближнепольной магнитной связи. Усилитель мощности имеет следующие
характеристики: диапазон питающих напряжений – до 150 В; потребляемая мощность – до 200 Вт; максималь-
ный ток в нагрузке – до 100 А; диапазон рабочих частот – до 200 кГц; габаритные размеры – 100×100×60 мм;
масса – 300 г. Система мобильной ближнепольной магнитной связи при использовании разработанного усили-
теля обеспечивает связь на расстояниях до 150 м.
Ключевые слова: системы ближнепольной магнитной связи, магнитно-индуктивные системы связи, магнитная
связь, усилитель мощности.
Системы ближнепольной магнитной связи по- рядом недостатков [4] и в современных системах не
лучают все большее распространение при организа- используется.
ции каналов передачи данных в сложных условиях, На рис. 1 показана отвечающая современным
в которых классические системы передачи инфор- требованиям структурная схема передатчика и при-
мации посредством модулирования электромагнит- емника системы ближнепольной связи.
ных или акустических волн неэффективны [1]. При
использовании низкочастотных магнитных полей
удается организовать канал связи с различными под-
водными и подземными объектами, однако реализа-
ция систем ближнепольной связи сопряжена с реше-
нием ряда проблем, в первую очередь связанных с
увеличением рабочей дальности связи [2]. Предель-
ная дальность магнитно-индуктивных систем связи
существенно ограничена быстрым убыванием ам-
плитуды сигнала в пространстве, которая обратно
пропорциональна третьей степени расстояния; зату-
хание сигнала на трассе в значительной степени за-
висит от электрической проводимости среды; рабо-
чий диапазон частот систем ближнепольной связи
перегружен передающимися по линиям электропе-
редачи помехами, создаваемыми различным им-
пульсным оборудованием. Как следствие, при разра-
ботке систем ближнепольной связи необходимо мак-
симально эффективно использовать спектральный и Рис. 1. Структурная схема передатчика и приемника
энергетический ресурсы канала связи, а также мак- системы ближнепольной магнитной связи
симизировать эффективность работы аналоговых
узлов системы связи. Основные параметры системы связи (рис. 1)
Организация связи с подвижными объектами определяются на программном уровне (программно-
требует создания малогабаритных приемопередаю- определяемая система связи). Полезная информация
щих устройств, эффективно работающих на боль- от источника данных поступает на канальный (по-
ших расстояниях при минимальном энергопотреб- мехоустойчивый) кодер и формирователь комплекс-
лении. Наибольшие габаритные размеры и потреб- ной огибающей (квадратурный модулятор), после
ление в составе приемопередатчика системы ближ- чего комплексный сигнал переносится на несущую
непольной связи имеет выходной усилитель мощно- частоту квадратурным смесителем и преобразуется в
сти. И если, например, для организации передачи аналоговый вид. Аналоговый сигнал усиливается и
информации в шахты мощность и габаритные раз- подается на передающую антенну – катушку, фор-
меры усилителя мощности наземного передатчика мирующую магнитное поле. Возможны два варианта
не имеют решающего значения, то при проектиро- построения выходных каскадов передатчика – резо-
вании переносного комплекта приемопередающего нансный и нерезонансный. На практике чаще всего
оборудования вопросы снижения массогабаритных используется нерезонансная схема построения, по-
зволяющая использовать максимально доступную
параметров выходят на первый план.
полосу частот для передачи информации [2].
Основные принципы построения систем
На приемной стороне в качестве антенны ис-
ближнепольной магнитной связи
пользуется магнитометрический преобразователь, в
В общем случае система ближнепольной маг-
нитной связи состоит из передатчика, нагруженного роли которого в простейшем случае выступает ин-
на формирующую магнитное поле индуктивность, и дукционная антенна – рамочная или ферритовая. В
целях снижения влияния электрических помех и
приемника, использующего магнитометрический
датчик для приема полезного сигнала, передаваемо- уменьшения массогабаритных параметров для
го посредством модуляции низкочастотного магнит- приема сигналов может быть использован датчик
ного поля. Наиболее простая реализация системы слабых магнитных полей на основе тонких магнит-
ближнепольной передачи голосовых данных подра- ных пленок [5, 6]. Быстрое убывание сигнала с рас-
зумевает прямое формирование переменного маг- стоянием приводит к необходимости использования
нитного поля по сигналам от микрофона на звуко- нескольких каскадов петель автоматической регули-
вых частотах без сжатия, кодирования и переноса ровки уровня усиления (АРУ), первый каскад вы-
спектра частот [3]. Однако такой подход обладает полняется в аналоговом виде и стабилизирует уро-
вень сигнала на входе аналого-цифрового преобра-
зователя (АЦП), последующие каскады реализуются ния перехода транзисторов в линейный режим рабо-
цифровым способом. ты. Каждый транзистор мостовой схемы управляет-
Главной отличительной особенностью струк- ся отдельной схемой, включающей в себя: гальвани-
турной схемы, показанной на рис. 1, относительно чески развязанный источник питания с двуполяр-
классических современных систем связи является ным выходом относительно истока транзистора;
усилитель мощности, работающий на индуктивную гальваническую изоляцию входного сигнала; мощ-
нагрузку. По сравнению с классической рамочной ный высокоскоростной драйвер транзистора на им-
антенной, сопротивление излучения которой стре- пульсный ток до 30 А IXDD630; схему формирова-
мятся максимизировать, передающая антенна систе- ния траектории переключения транзистора; элемен-
мы ближнепольной магнитной связи имеет пренеб- ты защиты.
режимо малое сопротивление излучения, т.е. не яв-
ляется эффективным излучателем электромагнит-
ных волн. Дальность работы системы связи опреде-
ляется магнитным моментом, создаваемым пере-
дающей катушкой, который в свою очередь прямо
пропорционален току. Таким образом, для увеличе-
ния дальности работы системы связи необходимо
максимизировать ток в передающей катушке, что
требует разработки специализированных усилителей
мощности.
Проектирование усилителя мощности
В рамках поставленной задачи требовалось раз-
работать портативный усилитель мощности для пе-
реносной системы ближнепольной магнитной связи.
Особенностью переносного варианта системы связи Рис. 2. Структурная схема нелинейного усилителя
является ограничение на максимальную площадь мощности передатчика системы ближнепольной связи
передающей катушки – не более 0,25 м2, тогда как
для обеспечения связи на расстояниях до 150 м тре- Для повышения надежности работы схемы при
буется поддержание магнитного момента катушки высоких токах в нагрузке питание управляющих
2
на уровне не менее 50 А·м [2], что при заданной схем и силовое питание не имеют гальванической
площади соответствует 200 ампер-виткам. То есть связи и могут быть независимыми. Необходимо от-
для четырехвитковой катушки, например, величина метить, что при работе на чисто реактивную нагруз-
тока должна быть не менее 50 А. Большие токи в ку индуктивного характера происходит обмен энер-
нагрузке заставляют обратить особое внимание на гией между передающей индуктивностью и набором
коэффициент полезного действия усилителя, кото- блокировочных конденсаторов, тангенс угла потерь
рый при батарейном питании особенно важно мак- которых должен быть не хуже 10–3 на рабочей частоте.
симизировать. На рис. 3 показана трехмерная модель разрабо-
В целях повышения эффективности работы вы- танного усилителя мощности.
ходного усилителя мощности ближнепольной сис-
темы связи силовые транзисторы усилителя должны
работать в импульсном режиме (класс D). При ис-
пользовании частотных и фазовых видов манипуля-
ции, амплитуда сигналов которых не несет полезной
информации, выходной усилитель мощности может
быть реализован в виде мостового инвертора напря-
жения, управляемого дискретным однобитным сиг-
налом (рис. 2).
Цифровой сигнал на несущей частоте с выхода
модулятора поступает на схему формирования
управляющих сигналов мостового инвертора напря-
жения, вход схемы имеет гальваническую развязку.
На выходе схемы присутствуют четыре сигнала
управления драйверами силовых транзисторов с
необходимой временной задержкой между включе-
ниями транзисторов каждого полумоста (dead time). Рис. 3. Модель усилителя мощности передатчика
Входной сигнал проходит через полосовой фильтр: системы ближнепольной магнитной связи
нижние частоты отсекаются в целях предотвраще-
ния протекания больших токов через индуктивную Силовые транзисторы в корпусе HSOF-8 раз-
нагрузку; высокие частоты (короткие импульсы) в мещаются на печатной плате с алюминиевым осно-
спектре сигнала ограничиваются для предотвраще- ванием и широкими токопроводящими дорожками.
В зависимости от рабочего напряжения усилителя
мощности и рабочей частоты могут быть использо- тем магнитной связи является использование совре-
ваны транзисторы IPT012N08N5, IPT059N15N3 и менных карбид-кремниевых полевых транзисторов,
др. Рассеиваемая на транзисторах мощность может обладающих низким сопротивлением открытого
достигать 150 Вт, что требует применения активной канала при высоких рабочих напряжениях порядка
системы охлаждения. Отвод тепла от транзисторов 1–2 кВ.
производится через алюминиевую печатную плату, Характеристики мобильной ближнепольной
закрепленную на радиаторе с вентилятором. системы связи с использованием разработанного
В целях минимизации паразитных индуктивно- усилителя приведены в таблице.
стей драйверы силовых транзисторов размещаются
на многослойной печатной плате непосредственно Параметры системы ближнепольной магнитной связи
над транзисторами. Блокировочные конденсаторы, Параметр Значение Ед. изм.
снабберные и защитные цепи размещаются возле Передатчик
транзисторов. При необходимости, в зависимости от Рабочая частота 24 кГц
частотного диапазона и рабочих токов, устанавли- Площадь передающей катушки 0,25 м2
ваются дополнительные выносные блокировочные Число витков катушки 3 –
Напряжение на катушке, не бо- 100 В
конденсаторы, соединяемые с печатной платой про-
лее
водниками большого сечения с низкой паразитной Ток в катушке, не более 70 А
индуктивностью. Параметры блокировочных емко- Магнитный момент, не менее 50 А·м2
стей подбираются согласно рабочей частоте системы Потребляемая передатчиком 150 Вт
связи. При несущей частоте 100 кГц, например, мо- мощность, не более
жет быть использована емкость на 60 мкФ Приемник
B32678G3606K000, имеющая собственный последо- Спектральная плотность ам- 10–14 Тл/Гц1/2
вательный резонанс вблизи рабочей частоты систе- плитуды собственных шумов
мы связи. приемника, не хуже
Заключение Полоса частот приемника 5 кГц
На рис. 4 показана фотография макетного вари- Отношение сигнал/шум на 11/5 дБ
анта усилителя. расстоянии 150 м, не хуже
(радиальная/тангенциальная
составляющие)
Разработанный усилитель мощности применя-

ется в системах ближнепольной связи, производи-
мых предприятием АО «НПП «Радиосвязь».
1. Sharma A.K. Magnetic Induction-Based Non-
Conventional Media Communications: A Review / A.K. Shar-
ma, S. Yadav, S.N. Dandu, V. Kumar et al. // IEEE Sensors
Journal. – 2017. – Vol. 17, No 4. – PР. 926–940.
2. Бабицкий А.Н. Ближнепольные системы передачи
цифровой информации / А.Н. Бабицкий, Т.Н. Батурин,
Б.А. Беляев и др. // Сб. тр. конф. «Перспективные системы
Рис. 4. Фотография усилителя мощности передатчика
и задачи управления». – 2017. – С. 476–488.
системы ближнепольной магнитной связи
3. Сандовский В.А. Расчет параметров беспроводной
связи с шахтой / В.А. Сандовский, Ю.И. Скворцов // Ра-
В ходе испытаний усилителя мощности прове- диотехника. – 1977. – Т. 32, №13. – С. 55–59.
рялась работоспособность при предельных услови- 4. Шварц Б.А. Оперативная беспроводная индуктив-
ях: напряжениях до 150 В; токах до 100 А; частотах ная связь внутри предприятия. Основы теории и расчета. –
до 200 кГц. Необходимо отметить, что обеспечение М.: Связь, 1978. – 208 с.
связи на расстояниях более 100 м для мобильных 5. Бабицкий А.Н. Магнитометр слабых квазистацио-
абонентов в условиях городских помех требует ис- нарных и высокочастотных полей на резонансных микро-
пользования помехоустойчивых видов многочастот- полосковых преобразователях с тонкими магнитными
пленками / А.Н. Бабицкий, Б.А. Беляев, Н.М. Боев и др. //
ной манипуляции (адаптированный вид COFDM) и Приборы и техника эксперимента. – 2016. – №3. –
значительного увеличения магнитного момента, что С. 96–104.
сопряжено с увеличением габаритных размеров и 6. Бабицкий А.Н. Датчики слабых магнитных полей
потребляемой мощности до неприемлемых для мо- на основе тонких магнитных пленок / А.Н. Бабицкий,
бильных систем связи значений. Одним из возмож- Т.Н. Батурин, Б.А. Беляев и др. // Сб. тр. конф. «Перспек-
ных путей дальнейшего совершенствования ком- тивные системы и задачи управления». – 2017. –
пактных усилителей мощности ближнепольных сис- С. 411–421.
УДК 621.396.41
А.А. Токбаева, В.А. Кологривов
Исследование компромисса между модуляцией и кодированием

Исследованы возможности повышения эффективности систем передачи информации путём нахождения компромис-
са между модуляцией и кодированием.
Рассмотрены виды функциональных моделей сигнально-кодовых конструкций в системе цифровой радиосвязи.
Изучены структурные схемы систем с BPSK-, QPSK- и 8-PSK-модуляциями, исследованы особенности совместного
применения модуляции и кодирования для достижения компромиссных параметров между скоростью передачи и
помехоустойчивостью.
Ключевые слова: модуляция, кодирование, цифровая радиосвязь, BPSK-, QPSK-, 8-PSK-модемы, помехо-
устойчивость, моделирование.
С целью повышения пропускной способности ствляется путем модуляции. Обратный процесс но-
передача данных производится с использованием сит название демодуляции.
модуляции высоких размерностей, в то же время Модуляция это процесс изменения одного или
повышение размерности модуляции приводит к нескольких параметров высокочастотного несущего
снижению помехоустойчивости. колебания по закону низкочастотного информацион-
В технике цифровой связи методы модуляции иг- ного сигнала [2, 3].
рают весьма значительную роль. Помимо своей ос- В исследуемых модемах используются про-
новной функции – преобразования передаваемых стейшие виды цифровой модуляции (BPSK, QPSK и
символов в сигналы и процесс, модуляция является 8-PSK).
составной частью общего процесса согласования Помехоустойчивое кодирование
сигнала с характеристиками канала [1]. Практически важный вывод работ Шеннона со-
Применение помехоустойчивого кодирования стоит в том, что если скорость передачи информа-
(ПК) позволяет повысить энергетическую эффек- ции меньше пропускной способности канала, то с
тивность на 5–6 дБ за счет снижения удельной ско- использованием кодов, исправляющих ошибки,
рости в 2–3 раза. Переход от двоичных сигналов можно создать систему связи со сколь угодно малой
радиоканала к многопозиционным сигналам приво- вероятностью ошибки на выходе декодера канала.
дит к повышению удельной скорости в 1,5–2 раза Кодирование заключается во внесении избы-
при одновременном существенном снижении энер- точности в передаваемый поток битов с целью полу-
гетической эффективности. Сигнально-кодовые кон- чения возможности обнаружения и исправления
струкции (СКК), в которых сочетаются оба упомя- ошибок на приёмной стороне [1, 4].
нутых выше подхода, позволяют повысить энерге- Задача декодирования состоит в получении
тическую эффективность без снижения удельной k-элементной комбинации из принятого n-разрядно-
скорости или же повысить скорость без снижения го кодового слова при одновременном обнаружении
энергетической эффективности либо обеспечить или исправлении ошибок.
повышение обоих показателей эффективности одно- В исследуемых модемах используется линей-
временно. ный алгебраический блочный код (6, 3).
При построении сигнально-кодовой конструкции Энергетическая эффективность
важнейшей проблемой является согласование сис- Помехоустойчивость исследуемых модемов оп-
тем модуляции и кодирования, при котором обеспе- ределяется зависимостью вероятности битовой
чиваются высокая удельная скорость и одновремен- ошибки от соотношения сигнал/шум. Отношение
но высокая помехоустойчивость. сигнал/шум является основной характеристикой,
Основными параметрами систем цифровой связи определяющей качество приема данных, и влияет на
при нахождении компромисса между модуляцией и энергетическую эффективность модуляции. Отно-
кодированием являются помехоустойчивость и ско- шение сигнал/шум на входе системы определяется
рость передачи. из выражения [3]
Модуляция (манипуляция) S E R
SNR   b b , (1)
Для передачи по любому каналу связи цифро- N N0  W
вое сообщение, представляющее собой последова- где S – мощность сигнала; N – мощность шумов;
тельность символов, необходимо преобразовать в Еb – энергия бита; N0 – спектральная мощность шу-
аналоговый сигнал – изменяющуюся во времени ма; W – занимаемая полоса пропускания; Rb – бито-
физическую величину. вая скорость передачи.
Кроме того, канал связи способен пропускать Скорость передачи
лишь определенную полосу частот, так что сформи- Скорость передачи определяется видом цифро-
рованный аналоговый сигнал должен этой полосе вой модуляции, а именно числом передаваемых би-
соответствовать. Указанное преобразование осуще- тов за 1 символ.
Компромисс между скоростью модуляции и по- пульсы, а на вторые входы – квадратурные состав-
мехоустойчивостью следует из формулы Шеннона [4]: ляющие колебания несущей частоты. Сигналы с вы-

C  W  log 2 1  S 
N
, (2) хода преобразователей поступают в сумматор. Сум-
матор одновременно используется как простейшая
где С – пропускная способность; W – полоса пропус- модель канала распространения – на дополнитель-
кания; S – мощность сигнала; N – мощность шума. ный вход сумматора подается псевдослучайная по-
Из данного соотношения следует, что пропуск- следовательность шумов канала с нормальным рас-
ная способность может быть повышена либо за счет пределением.
увеличения полосы пропускания, либо за счет по-
вышения энергетической эффективности.
Описание модели модема
Упрощенная функциональная схема BPSK-
модема приведена на рис. 1.
Рис. 2. Упрощенная схема QPSK/8-PSK-модемов:

ГНЧ – генератор несущей частоты; ГПСП – генератор
псевдослучайной последовательности; ФК – фазовый
кодер; ФНЧ – фильтр нижних частот; MUX – мультиплек-
Рис. 1. Упрощенная схема BPSK-модема: ГНЧ – генератор сор; ПФ – полосовой фильтр; ФД – фазовый декодер;
несущей частоты; ГПСП – генератор псевдослучайной ППП – преобразователь параллельного кода
последовательности; ПФ – полосовой фильтр; в последовательный; Д – дисплей
ФНЧ – фильтр нижних частот; ПРС – пороговая
решающая схема; Д – дисплей Квадратурный демодулятор представлен дву-
мя умножителями (преобразователями), на первые
Передающая часть представлена генератором входы которых через полосно-пропускающие фильт-
псевдослучайной последовательности. Далее, если ры поступает принятый сигнал, а на вторые входы –
необходимо, используется помехоустойчивый кодер. квадратурные составляющие колебания несущей
BPSK-модулятор представлен умножителем, на один частоты.
вход которого поступает псевдослучайная последо- Фазовый декодер (ФД) квадратурным состав-
вательность, а на другой вход – гармоническое коле- ляющим принятых управляющих импульсов ставит
бание генератора несущей частоты. в соответствие двух- или трехбитовые символы в
Канал распространения представлен сумма- виде векторов.
тором, на дополнительный вход которого подается Преобразователь параллельного кода в по-
псевдослучайная последовательность шумов канала следовательный (ППП) трансформирует векторное
с нормальным распределением. представление символов в поток битов.
Приёмная часть. На входе приёмной части Условие проведения эксперимента
стоит полосно-пропускающий фильтр. Демодулятор Моделирование проводилось в относительных
представлен умножителем, на один вход которого масштабах времени и частоты. Длина бита исходной
поступает принятый сигнал, а на второй вход – гар- последовательности равна   1 , соответственно ши-
монические колебания опорного генератора. На вы- рина основного лепестка спектральной плотности
ходе демодулятора стоит фильтр нижних частот равна W  2   2 . В эксперименте длина бито-
(ФНЧ) для фильтрации высокочастотных состав- вой последовательности равна 10 3 битов. Относи-
ляющих преобразователя. Далее следуют пороговая тельная частота несущего колебания равна 15 .
решающая схема, если необходимо, декодер и дис-
С ростом арности модуляции от BPSK до 8-PSK
плей.
скорость передачи битов за 1 символ нарастает от 1
Измерения мощностей сигнала и шума произ-
до 3. При использовании линейного блочного кода
водятся на выходе фильтра нижних частот (ФНЧ)
(6, 3) скорость битового потока уменьшается в
т.е. на входе схемы принятия решений (пороговой
2 раза.
решающей схемы).
Методика измерений
Функциональные схемы модемов c QPSK и
Исследование помехоустойчивости сводится к
8-PSK модуляциями отличаются от предыдущей
измерению водопадоподобной характеристики –
схемы BPSK-модема наличием фазового кодера и
зависимости вероятности битовой ошибки от соот-
квадратурного модулятора и демодулятора (рис. 2).
ношения сигнал/шум. Изменение соотношения сиг-
Фазовый кодер (ФК) из поступающей битовой
нал/шум производится с помощью установки пара-
последовательности образует двух- или трехбитовые
метра дисперсии генератора псевдослучайной по-
символы и ставит им в соответствие фазовые со-
следовательности модели канала распространения.
стояния и управляющие квадратурные импульсы.
Для псевдослучайной последовательности с нор-
Квадратурный модулятор состоит из двух ум-
мальным распределением параметр дисперсии экви-
ножителей (преобразователей), на первые входы
валентен мощности шума. При большой длине ис-
которых поступают управляющие квадратурные им-
пытаний частота появления ошибок стремится к шения сигнал/шум (SNR) при вероятности битовой
вероятности битовой ошибки. ошибки 10–3 равно примерно 5 дБ. А наихудший
В эксперименте удобно вначале выставить такое результат по помехоустойчивости показала модель
соотношение сигнал/шум, при котором число ошибок 8-PSK без кодера. Значение соотношения сиг-
при максимальном числе испытаний равно 1. Затем, нал/шум (SNR) при вероятности битовой ошибки
поэтапно увеличивая мощность шумов канала, фик- 10–3 равно примерно 15,5 дБ. Применение блочного
сируем число битовых ошибок. Результат экспери- кодера (6, 3) повышает энергетическую эффектив-
мента отображаем графически в виде водопадопо- ность модемов независимо от вида модуляции при-
добной характеристики. мерно на 4–5 дБ.
Результаты эксперимента
Приведем результаты модельного исследования
сигнально-кодовых конструкций цифровой радио- Результаты модельного исследования при Pb  103
связи на основе BPSK-, QPSK- и 8-PSK-модемов с Тип модуля- Без кодера С кодером
целью достижения компромиссных параметров ме- ции Скорость SNR, Скорость SNR,
жду скоростью передачи и помехоустойчивостью. передачи дБ передачи дБ
BPSK 1 10,10 1/2 5,61
В процессе исследования отслеживалось соот-
QPSK 2 9,03 1 5,00
ношение сигнал/шум (SNR), измерения уровней
8-PSK 3 15,44 1,5 10,22
сигнала и помех производились на выходе фильтра
нижних частот (ФНЧ), т.е. на входе блока принятия
решений.
Для дальнейшего анализа компромисса между
С целью отслеживания влияния вида модуляции
модуляцией и кодированием в таблице приведены
на основные параметры модемов, исследовались
результаты моделирования при вероятности битовой
BPSK-, QPSK-, 8-PSK-модуляции. При исследова-
ошибки 10–3.
нии помехоустойчивости модемов, основными фик-
Итак, имеем исходный поток данных с BPSK-
сируемыми параметрами являются: полоса пропус-
модуляцией и скоростью передачи, равной 1. Соот-
кания, SNR и вероятность битовой ошибки, которые
ношение сигнал/шум (SNR) при вероятности бито-
позволяют судить о спектральной и энергетической
вой ошибки равной Pb=10–3, составило SNR10,1 дБ .
эффективности модемов.
Результаты модельных исследований помехо- Применение блочного кодера (6,3) снижает ско-
устойчивости BPSK-, QPSK-, 8-PSK-модемов при- рость передачи вдвое, но соотношение сигнал/шум
ведены на рис. 3. В таблице приведены результаты становится равным SNR  5,61 дБ . Если бы требо-
модельных исследований при вероятности битовой ваниt по энергетической эффективности было пре-
ошибки Pb=10–3. валирующим, то это решение вполне устроило бы
разработчиков. Однако часто превалирующим явля-
Вероятность битовой ошибки, Рb ется требование по скорости передачи.
Для повышения скорости передачи можно перей-
ти к модуляции QPSK, которая увеличивает скорость
вдвое, однако соотношение сигнал/шум становится
равным SNR  9, 03дБ , т.е. скорость передачи воз-
росла вдвое, а SNR снизился всего на 1 дБ. Приме-
нение блочного кода (6,3) возвращает скорость к
прежнему значению, а SNR  5, 00 дБ , т.е. данное
решение позволяет вдвое снизить SNR .
Применение модуляции 8-PSK втрое увеличивает
исходную скорость передачи, однако соотношение
сигнал/шум становится равным SNR  15, 44 дБ , что
Cоотношение сигнал/шум SNR недопустимо много. Применение помехоустойчиво-
го кодера этой ситуации приводит к снижению ско-
рости до 1,5 раза, а соотношение сигнал/шум стано-
вится равным SNR  10, 22 дБ .
Таким образом, переход к модуляции 8-PSK с
помехоустойчивым кодером позволил, не изменяя
существенно SNR , в 1,5 раза увеличить скорость
передачи по отношению к исходному варианту
Рис. 3. Результаты модельного исследования BPSK-, BPSK-модуляции.
QPSK- и 8-PSK-модемов с кодером и без кодера Следовательно, изменение модуляции и приме-
нение помехоустойчивого кодирования позволяет
Наилучший результат по помехоустойчивости находить компромисс между скоростью передачи и
показала модель QPSK с кодером. Значение соотно- энергетической эффективностью.
Литература 3. Основы цифровых технологий. – Ч. II: Методы мо-
дуляции [Электронный ресурс]. − Режим доступа:
1. Банкет В.Л. Сигнально-кодовые конструкции в те- http://www.konturm.ru/download/stat/2005/290805.pdf (дата
лекоммуникационных системах. – Одесса: Феникс, 2009. – обращения: 12.05.2017).
180 с. 4. Коваль А.С. Модуляция и кодирование. ВГУ, ФКН,
2. Квадратурная фазовая манипуляция (QPSK и ИС [Электронный ресурс]. − Режим доступа:
BPSK) [Электронный ресурс]. − Режим доступа http://www.cs.vsu.ru/~kas/doc/infonets/infonets04.pdf (дата
http://www.dsplib.ru/content/qpsk/qpsk.html (дата обраще- обращения: 19.05.2017).
ния: 19.05.2017).
УДК 654.165
Д.Б. Шмаков
Оценка обеспеченности населения Томской области сервисами

мобильной связи и беспроводного мобильного доступа
в Интернет
Проведен анализ и сделаны выводы об обеспеченности городского и сельского населения Томской области сер-
висами мобильной связи и беспроводного доступа в Интернет по сетям сотовой связи различных поколений.
Обозначены наиболее острые проблемы в обеспеченности мобильной связью в Томской области.
Ключевые слова: мобильная связь, беспроводный доступ в Интернет, цифровое неравенство, Томская область.
В современном мире возможность быстрого и Проблема цифрового неравенства в Томской

легкого доступа к информации имеет исключитель- области практически до настоящего момента не ис-
но большое значение. Не вызывает сомнения тот следовалась, хотя и опубликован ряд статей, посвя-
факт, что основным средством хранения и передачи щенных проблеме цифрового неравенства в России
информации является глобальная информационная и мире в целом, например [1–3]. В указанных стать-
сеть Интернет. Наличие постоянного доступа к ней ях проблема цифрового неравенства рассматривает-
определяет для каждого отдельного человека воз- ся на макроуровне, даются оценки экономическим и
можность решения им ряда практических задач, та- социальным аспектам данной проблемы, таким как
ких как доступ к удаленному банковскому обслужи- уровень дохода пользователей и уровень их образо-
ванию, электронным сервисам государственных ус- вания. Технической же стороне проблемы, по мне-
луг, дистанционному получению образования, поис- нию автора, не уделено достаточного внимания.
ковым системам, и многих других. Очевидно, что Кроме того, оценки, сделанные для России и мира в
члены общества, обладающие возможностью посто- целом, не дают представления о масштабах пробле-
янного высокоскоростного доступа в сеть Интернет, мы для отдельно взятого региона. Поэтому пред-
находятся в преимущественном положении перед ставляется целесообразным дать некоторые количе-
теми, кто такого доступа не имеет. ственные оценки доступности беспроводного под-
Проблема существенного различия в возможно- ключения к сети Интернет для различных районов
сти использования информационно-коммуникацион- Томской области и указать на наиболее острые про-
ных технологий (ИКТ), а значит, и в возможности блемы в обеспеченности связью.
потребления информационных услуг для отдельных Проведение оценки
категорий населения известна как проблема цифро- Для проведения оценки рассчитаем удельное
вого неравенства. Проблема эта сложна и много- количество базовых станций (БС) сотовой связи,
гранна: возможность использования ИКТ определя- приходящихся на 1000 жителей, для каждого муни-
ется не только наличием постоянного доступа в Ин- ципального образования в Томской области. При
тернет, но также его стоимостью, доступностью этом будем учитывать совокупное количество БС
технических средств, наличием навыков использо- для всех сотовых операторов, представленных в
вания ИКТ и другими факторами. Комплексное рас- данном муниципальном образовании, но раздельно
смотрение проблемы цифрового неравенства в Том- по каждой радиотехнологии. Министерство массо-
ской области в рамках данной публикации, очевид- вых коммуникаций и связи Российской Федерации
но, невозможно. Поэтому предполагается дать оцен- (Минкомсвязь России) оценивает плотность (про-
ку лишь возможности мобильного беспроводного никновение) подвижной радиотелефонной связи,
подключения к сети Интернет для населения Том- рассчитывая количество абонентских устройств на
ской области как одному из важнейших факторов, 100 человек населения. По этому параметру Томская
определяющих доступность информационно-комму- область в 2016 г. оказалась на 38-м месте среди рос-
никационных сервисов. сийских регионов с показателем 178,85 абонентских
устройств на 100 человек [4]. Количество БС сото- чество в сельской местности даже выше, чем в горо-
вой связи в регионах Минкомсвязи России не оце- дах. Большое удельное число БС стандарта GSM для
нивается, однако очевидно, что чем больше БС при- Каргасокского (3,97), Парабельского (3,07) и Алек-
ходится на 1000 жителей, тем выше доступность сандровского (2,81) районов Томской области можно
этих БС для населения, тем меньшую абонентскую объяснить наличием на их территориях нефтяных и
нагрузку они имеют и предположительно могут газовых месторождений, обслуживаемых дополни-
обеспечить большую скорость передачи данных при тельными БС. При этом население, проживающее на
прочих равных условиях. Будем считать, что опера- территориях месторождений, не является постоян-
торы сотовой связи при расположении БС всегда ным и в статистику не входит. Ожидаемо, что лиде-
стремятся получить максимально возможный охват рами по удельному числу БС стандарта LTE являют-
населения, чтобы получить максимальную прибыль ся территории с высокой плотностью населения:
с каждой БС, т.е. с точки зрения плотности обслу- г. Томск (1,45), Томский р-н (1,17), г. Стрежевой
живаемого населения БС расположены оптимально (0,93), г. Северск (0,88). Если для сравнения принять
в большинстве случаев. удельные показатели для областного центра как эта-
В настоящее время в Томской области действу- лонные, то можно заключить, что значительная
ют 4 оператора сотовой связи – ПАО «МТС», ПАО часть населения в сельских районах в достаточной
«Мегафон» (включая ООО «Скартел»), ПАО «Вым- степени обеспечена сотовой связью второго (GSM) и
пелКом», ООО «Т2-Мобайл». Сети связи этих опе- третьего (UMTS) поколений, однако обеспеченность
раторов представлены технологиями трех поколе- сотовой связью четвертого (LTE) поколения остается
ний: GSM (второе поколение, 2G), UMTS (третье крайне низкой.
поколение, 3G), LTE (четвертое поколение, 4G). Отсутствие возможности высокоскоростного
Данные о количестве зарегистрированных БС сото- доступа в Интернет по сетям 4G, однако, не является
вой связи в регионе по состоянию на август 2017 г. главной проблемой в обеспечении связью в сельских
получим с помощью интернет-ресурса [5]. Данные о районах: в отдельных населенных пунктах сотовая
количестве населения Томской области с разбивкой связь может отсутствовать вовсе либо быть пред-
по муниципальным образованиям доступны лишь ставленной базовыми станциями ограниченного
по состоянию на 1 января 2017 г. [6]. Исходные дан- числа операторов, что сужает для населения воз-
ные, а также расчетные удельные показатели сведе- можность выбора оператора и тарифных планов.
ны в табл. 1. Рассмотрим эту проблему на примере Тегуль-
Для удобства сравнения отобразим полученные детского района Томской области как имеющего
результаты на диаграмме (рис. 1). наименьшее количество населения. Покажем коли-
Из рис. 1 видно, что БС стандарта GSM количе- чество базовых станций в каждом из 14 населенных
ственно преобладают во всех без исключения муни- пунктов, входящих в состав Тегульдетского района,
ципальных образованиях, причем удельное их коли- с разбивкой по операторам и технологиям.
Таблица 1
Численность населения по муниципальным образованиям Томской области и количество БС сотовой связи
Количество БС сотовой связи всех
Численность Количество БС сотовой связи всех
Муниципальное операторов по технологиям,
№ п/п населения, операторов по технологиям, шт.
образование шт./1000 жителей
чел.
GSM (2G) UMTS (3G) LTE (4G) GSM (2G) UMTS (3G) LTE (4G)
1 г. Томск 594053 1054 594 860 1,77 1,00 1,45
2 г. Кедровый 3250 8 2 2 2,46 0,62 0,62
3 г. Стрежевой 41733 58 37 39 1,39 0,89 0,93
4 г. Северск 114313 166 86 101 1,45 0,75 0,88
5 Александровский р-н 8174 23 8 5 2,81 0,98 0,61
6 Асиновский р-н 34117 71 38 15 2,08 1,11 0,44
7 Бакчарский р-н 12077 24 10 2 1,99 0,83 0,17
8 Верхнекетский р-н 15949 27 12 1 1,69 0,75 0,06
9 Зырянский р-н 11942 20 9 2 1,67 0,75 0,17
10 Каргасокский р-н 19625 78 27 9 3,97 1,38 0,46
11 Кожевниковский р-н 20351 41 21 5 2,01 1,03 0,25
12 Колпашевский р-н 38667 61 32 18 1,58 0,83 0,47
13 Кривошеинский р-н 12258 24 16 5 1,96 1,31 0,41
14 Молчановский р-н 12460 30 18 5 2,41 1,44 0,40
15 Парабельский р-н 12374 38 27 5 3,07 2,18 0,40
16 Первомайский р-н 16972 38 21 6 2,24 1,24 0,35
17 Тегульдетский р-н 6142 17 10 2 2,77 1,63 0,33
18 Томский р-н 73469 186 130 86 2,53 1,77 1,17
19 Чаинский р-н 11766 22 9 1 1,87 0,76 0,08
20 Шегарский р-н 19199 41 21 10 2,14 1,09 0,52
Шегарский р-н
LTE (4G)
Чаинский р-н
UMTS (3G)
Томский р-н
Тегульдетский р-н GSM (2G)
Первомайский р-н
Парабельский р-н
Молчановский р-н
Кривошеинский р-н
Колпашевский р-н
Кожевниковский р-н
Каргасокский р-н
Зырянский р-н
Верхнекетский р-н
Бакчарский р-н
Асиновский р-н
Александровский р-н
г. Северск
г. Стрежевой
г. Кедровый
г. Томск
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4

Рис. 1. Количество БС сотовой связи всех операторов по технологиям на 1000 жителей
Таблица 2
Количество базовых станций сотовой связи в Тегульдетском районе Томской области
№ Населенный пункт Численность на- Количество базовых станций, шт.
п/п селения (в скобках указано количество операторов)
чел. % GSM UMTS LTE
1 п. Белый Яр 404 6,58 1 (1) 0 0
2 д. Новошумилово 87 1,42 0 0 0
3 д. Озерное 18 0,29 0 0 0
4 п. Берегаево 739 12,03 3 (3) 2 (2) 0
5 п. Красный Яр 4 0,07 0 0 0
6 д. Красная Горка 190 3,09 0 0 0
7 с. Тегульдет 3958 64,44 7 (4) 5 (4) 2 (2)
8 д. Байгалы 47 0,77 2 (2) 0 0
9 д. Куяновская Гарь 49 0,80 0 0 0
10 п. Центрополигон 45 0,73 0 0 0
11 п. Четь-Конторка 171 2,78 0 0 0
12 п. Покровский Яр 54 0,88 0 0 0
13 п. Черный Яр 372 6,06 4 (4) 3 (2) 0
14 п. Орловка 4 0,07 0 0 0
Данные о количестве жителей в отдельных на- 89,88%; по сетям третьего поколения (UMTS)
селенных пунктах получим из [7] по состоянию на 82,53%; по сетям четвертого поколения (LTE)
01.01.2017. Отметим, что расстояния между насе- 64,44%.
ленными пунктами в Тегульдетском районе в боль- При этом не ограничены в выборе оператора,
шинстве случаев не позволяют осуществлять уве- предоставляющего услуги по сетям GSM, 70,5%
ренный прием базовыми станциями сигналов жителей, 19,38% имеют ограниченный выбор опера-
абонентских станций из соседних населенных пунк- тора, 10,12% не обеспечены сотовой связью вовсе.
тов без использования специальных технических Не ограничены в выборе оператора, предоставляю-
средств – усилителей мощности (минимальное рас- щего услуги по сетям UMTS, лишь жители районно-
стояние составляет 8 км между д. Красная Горка и п. го центра (64,44% жителей), 18,09% имеют ограни-
Черный Яр). ченный выбор оператора, 17,48% не обеспечены
Анализ данных из табл. 2 показывает, что обес- вовсе. Возможность использования сетей LTE име-
печенность сотовой связью в Тегульдетском районе ют лишь жители районного центра (64,44% жите-
составляет: по сетям второго поколения (GSM) лей) с ограниченным выбором оператора.
Выводы ление должно иметь равный доступ к цифровой ин-
1. Высокие показатели охвата сотовой связью фраструктуре. Наличие технической возможности
в Томской области в целом достигаются в основном решения этой проблемы не вызывает сомнений, од-
за счет охвата населения областного центра, круп- нако, оно оказывается невозможным без админист-
ных городов, а также райцентров, т.е. населенных ративного и экономического вмешательства государ-
пунктов, имеющих наибольшую плотность населения. ства. Возможным решением могла бы стать обяза-
2. Значение охвата населения сотовой связью тельная установка базовых станций во всех без ис-
существенно варьируется при проведении оценки по ключения населенных пунктах с перераспределени-
районам области в отдельности. Как показано на ем финансовой нагрузки на остальных абонентов
примере Тегульдетского района, она может состав- сотовой связи. Однако это неизбежно вызовет рост
лять лишь 89,88% охвата наиболее ранней техноло- тарифов мобильной связи. Другим решением может
гией GSM для отдельно взятого района. быть предоставление бюджетных дотаций операто-
3. Сельские районы области в основном обес- рам сотовой связи. Эти дотации могли бы компенси-
печены сотовой связью устаревших технологий вто- ровать стоимость установки и обслуживания потен-
рого поколения (GSM) и частично третьего поколе- циально убыточных базовых станций.
ния (UMTS). Обеспеченность сотовой связью техно-
логий четвертого поколения (LTE) остается крайне
низкой. 1. Волченко О.В. Динамика цифрового неравенства в
4. Жители сельских населенных пунктов в той России // Мониторинг общественного мнения: Экономи-
или иной степени ограничены в выборе оператора ческие и социальные перемены. – 2016. – № 5. – С. 163–182.
сотовой связи. В каждом конкретном населенном 2. Бекетов Н.В. Информационное разнообразие и
цифровое неравенство в развитии России // Информаци-
пункте набор представленных операторов и техно-
онные ресурсы России. – 2009. – № 5. – С. 27–31.
логий сотовой связи может существенно отличаться. 3. Скрыльникова Н.А. Управление инновационными
На примере Тегульдетского района показано, что ни процессами на основе концепции технологического пакета //
в одном из населенных пунктов, включая районный Вестник Том. гос. ун-та. Экономика. – 2010. – № 12. –
центр, полный набор всех возможных технологий С. 52–58.
сотовой связи не обеспечивается всеми 4 оператора- 4. Статистика отрасли [Электронный ресурс]. – Ре-
ми сотовой связи. жим доступа: http://minsvyaz.ru/ru/activity/statistic/
5. Имеются населенные пункты, жители кото- statistika-otrasli, свободный (дата обращения: 01.09.2017).
рых полностью лишены возможности пользования 5. Радиоэлектронные средства // Федеральная авто-
матизированная информационно-аналитическая система в
сотовой связью. На примере Тегульдетского района
области использования радиочастотного спектра и средств
показано, что численность жителей таких населен- массовой коммуникации. – URL: http://fais-rfs.ru/radio/
ных пунктов может составлять значительную часть (дата обращения: 01.09.2017).
общей численности населения и превышать 10%. 6. Численность постоянного населения Томской об-
6. Неравномерность в обеспечении связью лег- ласти на 1 января 2017 г. [Электронный ресурс]. – Режим
ко объяснима экономическими интересами операто- доступа: http://tmsk.gks.ru/wps/wcm/connect/rosstat_ts/tmsk/
ров сотовой связи. Тем не менее существующее по- resources/47b8ea80404dd47f9b8effc7692f4691/nas-17.pdf,
ложение вещей не может считаться приемлемым: свободный (дата обращения: 01.09.2017).
сельские жители оказываются в дискриминирован- 7. Реестр административно-территориальных единиц
Томской области на 1 января 2017 года [Электронный ре-
ном положении по сравнению с городским населе-
сурс]. – Режим доступа: https://tomsk.gov.ru/adm, свобод-
нием. Очевидно, что в современном мире все насе- ный (дата обращения: 01.09.2017).
УДК 621.396.018.424
Е.В. Шпарова, В.А. Кологривов
Модельное исследование многоканальной сверхширокополосной

радиосвязи на основе частотного разделения каналов
Исследование возможностей многоканальной сверхширокополосной радиосвязи на основе производных им-
пульсов Гаусса и Рэлея с частотным разделением каналов.
Ключевые слова: сверхширокополосная связь, частотное разделение каналов, импульсы Гаусса, импульсы
Рэлея, многоканальная связь, моделирование, отношение сигнал/шум, количество ошибок.
На сегодняшний день высокие требования электромагнитная совместимость и т.д. Эти требо-

предъявляются к эффективности и функционально- вания, как правило, определяют качество функцио-
сти систем передачи информации. К таким требова- нирования радиоэлектронных средств (РЭС). Один
ниям относятся помехоустойчивость, скрытность, из способов решения этой проблемы заключается в
применении новых нестандартных видов сигналов. Импульс Рэлея
Таковыми являются сверхширокополосные (СШП) В СШП связи используются не сами импульсы
сигналы. Главное их достоинство по сравнению с Рэлея, а их производные, которые имеют вид крат-
классическими узкополосными и широкополосными ковременных «всплесков» (рис. 3).
сигналами состоит в том, что СШП-сигналы пере-
дают большее количество информации и обеспечи-
вают скрытность и хорошую устойчивость к подав-
лению. Несмотря на ряд преимуществ, у данных
видов сигналов есть особенность. Она заключается
в принципиальной неприменимости классических
методов генерации, излучения, приема и обработки
сигнала, а также соответствующих технических Рис. 3. Последовательность импульсов Рэлея
средств, которые основаны на преобразовании Фу-
рье, использовании резонансных свойств элементов Временной форме импульса Рэлея соответству-
и устройств для СШП-сигналов [1]. ет выражение
К сверхширокополосным сигналам относятся 4t 2t 2
все сигналы со спектральной полосой, которая не S (t )   exp( ),
2 2
меньше 1,5 ГГц, а также сигналы, у которых ширина
где σ – коэффициент формы импульса; π – постоян-
спектральной полосы составляет не менее 25% от
ная, равная 3,14.
значения центральной частоты.
Производные от импульса Рэлея (рис. 4) опре-
Многоканальные СШП-системы используют
деляется следующим рекуррентным выражением:
разделение каналов по форме, времени и частоте. В
работе исследуется система с разделением по часто- 4t n 1 4t n  2
SИГ (t )   S (t )  S (t ) ,
2
те [1, 2].  2
Гауссов импульс где n – порядок производной.
Импульсы Гаусса удобно использовать в радио- Сигналы, соответствующие производным им-
связи, т.к. их спектр имеет такую же колоколообраз- пульсов Рэлея, получили распространение в СШП-
ную форму и отсутствуют боковые лепестки (рис. 1). системах [3].
Временной форме импульса Гаусса соответст-
вует выражение
A t2
SИГ (t )   exp( ),
2 22
где А – коэффициент амплитуды, принимается рав-
ным единицы; σ – коэффициент формы; π – посто-
янная, равная 3,14. Рис. 4. Первые производные импульсов Рэлея
Исследование модели СШП-системы

на основе производных импульсов Гаусса и
Рэлея и частотного разделения каналов
Рассмотрим упрощенную функциональную мо-
дель 3-канальной СШП-системы на основе импуль-
сов Гаусса и Рэлея и частотного разделения каналов
Рис. 1. Последовательность импульсов Гаусса
(рис. 5). Основное отличие укрупненных схем на
основе импульсов Гаусса и Рэлея состоит в пере-
Форма сверхкоротких импульсов описывается
дающей части, где находится генератор импульсов и
моноциклом Гаусса, т.е. первой производной им-
происходит формирование производных.
пульса Гаусса (рис. 2).
Исходные данные. Скорость цифрового потока
Рекуррентная формула n-й производной им-
была выбрана равной R = 1, соответственно дли-
пульса Гаусса имеет вид
тельность бита τ = 1, длина исследуемой импульс-
n 1 n 1 t
S n (t )    S (t )   S n 1 (t ) , ной последовательности составляет L = 1000 бит.
2 2
  При моделировании СШП-модемов использова-
где n – порядок производной [3]. лись относительная частота и время. Распределение
несущих по диапазону реализуется в соответствии с
правилом: w3/w2 = w2/w1, где w1 = 20π; w2 = 30π;
w3 = 45π.
Длительность модулирующих импульсов Гаусса
и Рэлея (которые посажены на несущую) и их про-
изводных составляет ∆t = 0,25. Ширина спектраль-
ной плотности СШП-сигналов по уровню 3 дБ со-
Рис. 2. Первые производные импульса Гаусса ставила порядка 11 Гц.
Рис. 5. Укрупненная функциональная схема 3-канального СШП-модема: ГИ – генератор импульса Гаусса или Рэлея;
ГИ – генератор импульса; ГН – генератор несущей; ГПСП – генератор псевдослучайной последовательности;
Х – перемножитель; ГШК – генератор шума каналов; ИМ – измеритель мощности; К – коррелятор; О – осциллограф
Исследование помехоустойчивости
Для исследования помехоустойчивости системы
необходимо измерять отношение сигнал/шум и фик-
сировать число ошибок.
Для вычисления отношения сигнал/шум необ-
ходимо измерить чистый сигнал Si и смесь сигнала
с шумом M . Для измерения мощностей сигналов в
передатчике производим их измерения в каждом из
каналов (до сумматора – точки A, B, C).
Мощность смеси сигналов с шумом произво-
дится на выходе сумматора (точка D), тогда значение
SNR вычисляется из соотношения
SNR=10  log  Si M  Si  .
В детекторах ошибок каждого из каналов фик-
сируется число ошибок при заданном SNR. После
чего, изменяя мощность ГШК и SNR, многократно Рис. 6. График зависимости вероятности появления
битовой ошибки 3-канальной СШП-системы на основе
повторяя измерения, обеспечиваем построение гра- производных импульсов Гаусса и частотного разделения
фика водопадоподобной характеристики. каналов от соотношения сигнал/шум
Элементы методики
Подбором мощности ГШК добиваемся числа
ошибок в каналах, равного единице, и производим
измерения SNR. Затем, поэтапно увеличивая мощ-
ность ГШК, изменяем SNR, контролируя число оши-
бок, и строим водопадоподобную характеристику.
3-канальной СШП-системы на основе производной
импульсов Гаусса изображен на рис. 6.
3-канальной СШП-системы на основе производных
импульсов Рэлея изображен на рис. 7.
Выводы. По результатам испытаний видно, что
при вероятности битовой ошибки 10–3 соотношение
сигнал/шум (SNR) каналов СШП-модемов на основе
производных импульсов Гаусса и Рэлея в среднем
составляет –7,5 дБ. Рис. 7. График зависимости вероятности появления бито-
Наблюдается разброс характеристик помехо- вой ошибки 3-канальной СШП-системы на основе произ-
устойчивости по каналам, что обусловлено разными водных импульсов Рэлея и частотного разделения каналов
несущими. от соотношения сигнал/шум
Кривые помехоустойчивости смещены влево в Ч. 1 // Компоненты и технологии. – 2003. – №9– С. 72–76.
сторону отрицательных значений SNR в дБ, что обу- [Электронный ресурс] – Режим доступа: свободный
словлено использованием корреляционной обработ- http://www.kit-e.ru/articles/wireless/2003_09_72.php
кой принятых сигналов. 2. Абдрахманова Г.И. Системы, сети и устройства те-
лекоммуникаций: повышение эффективности сверхширо-
Моделирование подтвердило возможность по- кополосных систем связи на основе оптимизации формы
строения многоканальных СШП-систем на основе импульсов: автореф. дис. … канд. техн. наук. – Уфа, 2013. –
производных импульсов Гаусса и Рэлея и частотного 19 с. [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
разделения каналов. Соотнесение масштабов моде- http://www.ugatu.su/assets/files/
лирования по времени и частоте подтверждает documents/nich/dissov/d7/14.11.13/abdrahmanova_avtoreferat.pdf
сверхширокополосность исследуемых систем. Ре- 3. Грахова Е.П. Системы, сети и устройства телеком-
зультаты моделирования могут быть использованы муникаций: повышение эффективности сверхширокопо-
при разработки реальных СШП-модемов. лосных беспроводных систем связи на основе спектраль-
ной модуляции: дис. … канд. техн.х наук [Электронный
Литература ресурс]. – Уфа, 2016. – 197 с. – Режим доступа:
http://www.ugatu.ac.ru/assets/files/documents/dissov/07/2016/
1. Дмитриев В. Технология передачи информации с Grakhova_E_P/diss.pdf
использованием сверхширокополосных сигналов (UWB):
Секция 3
НАНОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ.
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ,
АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ
УСТРОЙСТВ И СИСТЕМ
Председатели секции: Бабак Леонид Иванович, д.т.н., профессор каф. КСУП;
Черкашин Михаил Владимирович, к.т.н., доцент каф. КСУП
УДК 621.396.41
Ю.Н. Бидненко, Д.А. Жабин, А.В. Помазанов, А.С. Коряковцев
Проектирование монолитного широкополосного малошумящего

усилителя диапазона 15–30 ГГц по SiGe-BiCMOS-технологии
Представлены результаты разработки широкополосного малошумящего усилителя (МШУ) диапазона 15–
30 ГГц. Данный МШУ является частью приемного модуля K-диапазона и обеспечивает усиление сигнала ра-
диочастоты на входе субгармонического смесителя. В рабочей полосе усилитель обладает малым коэффициен-
том шума (< 3 дБ), коэффициенты отражения по входу и выходу не превышают –10 дБ. Коэффициент усиления
МШУ не менее 10 дБ. Дли синтеза согласующих цепей применялись методы визуального проектирования и ге-
нетические алгоритмы. Схема выполнена по SiGe-BiCMOS-технологии IHP SG25H3. Площадь кристалла со-
ставляет 0,48 мм2.
Ключевые слова: СВЧ-усилитель, СВЧ-монолитная интегральная схема, малошумящий усилитель, коэффици-
ент устойчивости, коэффициент шума, SiGe-технологии; IHP SG25H3, визуальное проектирование, генетиче-
ский алгоритм, САПР, электромагнитное моделирование.
SiGe-технологии становятся хорошим выбором Цель проделанной работы сводилась к проекти-

для изготовления аналоговых монолитных инте- рованию СВЧ МШУ по комплексу требований к его
гральных схем СВЧ-диапазона и особенно систем на характеристикам в широкой полосе частот.
кристалле, где совместно с радиотрактом находится Требования, предъявляемые к усилителю:
цифровая часть управления и обработки сигналов. – рабочая полоса частот от 15 до 30 ГГц;
Хорошо развитый техпроцесс c минимальными тех- – коэффициент усиления не менее 10 дБ;
нологическими нормами позволяет выполнять мик- – коэффициент шума не более 3 дБ;
росхемы с высокой степенью интеграции, сократить – согласование по входу с нагрузкой 50 Ом не
размеры микросхем, снизить энергопотребление, хуже –10 дБ;
повысить быстродействие, уменьшить процент бра- – согласование по выходу с нагрузкой 50 Ом не
ка с пластины и в итоге снизить цену конечного хуже –10 дБ.
продукта (в сравнении с GaAs- и InP-структурами). Проектирование усилителя
Неотъемлемой составляющей любого приемно- Анализ SiGe-BiCMOS-технологии SG25H3
го радиомодуля является малошумящий усилитель фирмы IHP показал, что оптимальным выбором для
(МШУ), который усиливает принимаемый сигнал получения минимальных шумов при максимальном
радиочастоты с минимумом вносимых искажений коэффициенте передачи будет использование бипо-
(шумов) и как следствие повышает чувствитель- лярного транзистора ihp_npnH3_PI с общей длиной
ность всего приемника в целом. эмиттера 0,84×12 = 10,08 мкм. Базовая усилительная
В статье представлены результаты проектиро- ячейка проектируемого МШУ на этом транзисторе
вания двухкаскадного МШУ для частотного диапа- показана на рис. 1. Транзистор в ячейке включен по
зона 15–30 ГГЦ, который является частью приемно- схеме с общим эмиттером. Делитель R2–R3 необхо-
го модуля K-диапазона и обеспечивает усиление дим для подачи в цепь базы напряжения смещения, а
сигнала радиочастоты на входе субгармонического индуктивность L2 – для формирования отрицатель-
смесителя. МШУ выполнен в виде монолитной ин- ной обратной связи.
тегральной микросхемы (МИС) на основе SG25H3 Правильный выбор рабочей точки и величины
BiCMOS-технологии фирмы IHP. эмиттерной индуктивности позволяет обеспечить
Секция 3. Наноэлектроника СВЧ. Интеллектуальные системы проектирования 61
безусловную устойчивость выбранного транзистора лителей Region были построены области допусти-
в рабочей полосе частот, а также сблизить значения мых значений (ОДЗ) входных и выходных импедан-
оптимальных импедансов для согласования транзи- сов (рис. 3 и 4) схемы рис. 1 [1, 5]. ОДЗ приведены
стора на минимум коэффициента шума и двухсто- для диапазона частот 15–30 ГГц.
роннего согласования по входу. Годографы Sopt_Гin
(оптимальный импеданс по входу для обеспечения Требования к характеристикам ячейки усилительного
двустороннего согласования) и Sopt_NF (оптималь- каскада МШУ
ный импеданс по входу для обеспечения минималь- ∆f, ГГц G, дБ F, дБ |S11|, дБ |S22|, дБ k
ного коэффициента шума) показаны на рис. 2. 15–30 5,5–6,0 2,3–2,8 ≤ –16 ≤ –16 > 1
Рис. 1. Стабилизированная ячейка усилительного каскада
Рис. 3. ОДЗ входного импеданса ячейки усилительного

каскада
Рис. 2. Годографы оптимальных импедансов

для согласования на минимум шума и двухстороннего
согласования по входу
Номиналы выбранных элементов R2, R3 и L1 Рис. 4. ОДЗ выходного импеданса ячейки усилительного
показаны на рис. 1. Напряжение питания каскада
Vbe = Vce = 1,5 В. Делитель формирует в цепи базы
На основе полученных ОДЗ в программе синте-
напряжение смещения, равное 0,87 В.
за согласующих цепей (СЦ) gMatch были построены
В САПР Keysight ADS на основе нелинейной
входная и выходная согласующие цепи усилительно-
модели транзистора ihp_npnH3_PI из библиотеки
го каскада МШУ [2]. Синтезированная электриче-
IHP были получены S-параметры схемы рис. 1 в ра-
ская принципиальная схема усилительного каскада
бочей полосе частот. А также, исходя из предельных
приведена на рис. 5. Параметры рассеяния, коэффи-
значений ячейки усилительного каскада по парамет-
циент устойчивости и коэффициент шума приведе-
рам NFmin и Gmax, были сформулированы требования,
ны на рис. 6 и 7.
предъявляемые к характеристикам усилительного
Для удовлетворения требованиям технического
каскада МИС МШУ (таблица).
задания по коэффициенту усиления МШУ финаль-
Используя полученные S-параметры и значения
ная версия усилителя была получена последователь-
из таблицы как входные данные для программы по
ным включением двух усилительных каскадов, изо-
визуальному проектированию транзисторных уси-
браженных на рис. 5. Электрическая принципиаль-
ная схема двухкаскадного МШУ приведена на рис. Из ОДЗ входного импеданса усилительного
8. Элементы L1 и R1 необходимы для обеспечения каскада (см. рис. 3) видно, что конденсатор С1 вы-
абсолютной устойчивости одиночного каскада (см. полняет скорее разделительную функцию, чем со-
рис. 5) от нуля до нижней границы рабочей полосы гласующую, и его также нет в межкаскадной СЦ
частот, и из межкаскадной цепи они были исключены. МШУ.
Параметры рассеяния, коэффициент устойчиво-
сти и коэффициент шума двухкаскадного МШУ
приведены на рис. 9 и 10.
На основе разработанной электрической прин-
ципиальной схемы двухкаскадного МШУ была
спроектирована топология кристалла МИС МШУ
(рис. 11). Размеры кристалла 520×920 мкм. Проек-
тирование топологии было выполнено в программ-
ной среде Cadence. Численный электромагнитный
анализ топологии устройства проводился в САПР
ADS Momentum.
Рис. 5. Схема усилительного каскада МШУ
Рис. 9. S-параметры двухкаскадного малошумящего

Рис. 6. S-параметры усилительного каскада МШУ СВЧ-усилителя в дБ
Рис. 7. Коэффициент шума и устойчивость усилительного

каскада МШУ Рис. 10. Коэффициент шума и устойчивость
двухкаскадного МШУ в дБ
Рис. 8. Электрическая принципиальная схема

двухкаскадного МШУ Рис. 11. Топология кристалла МИС усилителя
Заключение L.I. Babak, M.V. Cherkashin // IEEE MTT-S Int. Microwave
Авторы, используя методы визуального проек- Symp. Digest. – 2001. – Vol. 3. – P. 2095–2098.
тирования и генетические алгоритмы, на технологии 2. Жабин Д.А. Методика автоматизированного син-
теза согласующе-корректирующих цепей по областям
IHP SG13H3 разработали топологию широкополос-
допустимых значений иммитанса / Д.А. Жабин, Л.И. Ба-
ного малошумящего усилителя с полосой рабочих бак. – В наст. сборнике.
частот 15–30 ГГц. По результатам расчета данный 3. Микроэлектронные устройства СВЧ: учеб. посо-
МШУ отвечает всему комплексу требований к его бие / Г.И. Веселов, Е.Н. Егорова, Ю.Н. Алехин и др.; под
характеристикам. ред. Г.И. Веселова. – М.: Высш. школа, 1988. – 280 с.
Работа финансировалась Министерством обра- 4. Матей Д.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры СВЧ,
зования и науки РФ совместно с индустриальным согласующие цепи и цепи связи. – Ч. 1 / пер. с англ.; под
партнером ООО «Микран» в рамках выполнения ред. Л.В. Алексеева и Ф.В. Кушнира. – М.: Связь, 1971. –
проектной части государственного задания 439 с.
8.3423.2017/4.6. 5. Бабак Л.И. «Визуальное» проектирование двух-
каскадного монолитного малошумящего усилителя
Х-диапазона / Л.И. Бабак, М.В. Черкашин, Ф.И. Шеерман,
Литература А.А. Баров // 17-я Междунар. Крым. конф. «СВЧ-техника
1. Babak L.I. Interactive «visual» design of matching и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо`2007). –
and compensation networks for microwave active circuits / Севастополь: Вебер, 2007. – Т. 1. – С. 101–102.
УДК 621.396.41
Ю.Н. Бидненко
Широкополосный интегральный трансформатор Маршанда

для двойного балансного субгармонического смесителя
на ячейке Гильберта, выполненного по SiGe-технологии
Представлены результаты разработки широкополосного симметрирующего трансформатора Маршанда с поло-
сой частот 7–14 ГГц. Трансформатор является частью приемного модуля K-диапазона и обеспечивает подачу
сигнала гетеродина (8–10,5 ГГц) на субгармонический смеситель, выполненный по схеме Гильберта. В рабочей
полосе трансформатор обладает малыми вносимыми потерями (< 1,8 дБ), амплитудным (< 0,15 дБ) и фазовым
(< 2,5 град) разбалансами. Устройство реализуется по 0,13 мкм SiGe-технологии, площадь составляет 0,125 мм2
без учета измерительных площадок и заземляющего экрана.
Ключевые слова: симметрирующий трансформатор, трансформатор Маршанда, SiGe-технологии, электромаг-
нитное моделирование.
Несмотря на большую технологичность, попу- заземления микросхемы. Для перехода в микросхе-

лярность и массовость кремниевых микросхем, есть мах от несимметричных сигналов к симметричным
ряд принципиальных сложностей, связанных с их и наоборот используют интегральные симметри-
использованием в аналоговой и цифровой электро- рующие трансформаторы (англ. balun).
нике. С увеличением плотности компоновки функ- Топология трансформатора
циональных элементов и узлов на кристалле намно- При разработке симметрирующих трансформа-
го острее стоит задача обеспечения их электромаг- торов в интегральном исполнении пытаются обеспе-
нитной совместимости. Кроме того, в стандартных чить компромисс между следующими желаемыми
кремниевых технологиях чаще всего отсутствует
их показателями: широкая полоса частот, мини-
возможность изготовления сквозных заземляющих
мальные вносимые потери, минимальная площадь
отверстий. Если в СВЧ-устройстве все же требуется
наличие физической «земли», приходится использо- топологии (и, как следствие, низкая цена устройст-
вать внешнее заземление, что может сильно ухуд- ва), минимальный амплитудный и фазовый разба-
шить параметры устройства. ланс на выходах трансформатора. В таблице пред-
Использование дифференциальной схемотехни- ставлены основные характеристики интегральных
ки при проектировании аналоговых и цифровых трансформаторов, изготовленных по различным по-
интегральных схем дает возможность преодолеть лупроводниковым технологиям (прежде всего SiGe).
описанные трудности. Дифференциальные (баланс- Настоящая работа посвящена разработке инте-
ные) схемы позволяют подавлять синфазные шумы и грального симметрирующего трансформатора типа
наводки, четные моды в спектрах сигналов, обеспе- Маршанда с лицевой связью диапазона 7–14 ГГц.
чивают хорошую развязку между каналами в раз- Трансформатор используется для подачи сигнала
личных схемах преобразования частоты ([1–6] и гетеродина (8–10,5 ГГц) на выполненный по схеме
др.). За счет наличия «виртуальной» земли (средней Гильберта субгармонический смеситель приемного
точки) снижаются требования к качеству внешнего тракта K-диапазона.
Сравнительная таблица характеристик симметрирующих трансформаторов
Диапазон Вносимые Амплитудный Фазовый Площадь,
Статья Технология
частот, ГГц потери, дБ разбаланс, дБ разбаланс, град мм2
1 0,13 мкм SiGe (IHP SG13S) 7–15 <8 < 0.13 < 0,4 0,135
2 InP DHBT 15–30 <4 <1 <6 0,15
3 0,13 мкм SiGe (IBM) 11,5–46,5 <6 <1 < 1,36 0,03
4 0,13 мкм SiGe 6,5–28,5 <6 <1 < 1,65 0,054
5 0,18 мкм SiGe 10–40 < 10 < 1,5 < 10 0,06
Эта работа 0,13 мкм SiGe 7–14 <5 < 0,15 < 2,5 0,126
На рис. 1 и 2 представлены топология и

3D-модель структуры разработанного трансформа-
тора. В используемой 0,13 мкм SiGe-технологии
доступны семь слоев металлизации. При этом два
верхних слоя TopMetal1 и TopMetal2 обладают наи-
большей удельной проводимостью и используются
как основные для формирования топологии связан-
ных линий, перемычки между линиями формируют-
ся в слоях M5–M3.
Рис. 1. Топология интегрального симметрирующего

трансформатора Маршанда
Рис. 3. Параметры рассеяния симметрирующего

трансформатора с учетом измерительных площадок
Рис. 2. 3D-модель трансформатора
Результаты расчета
Численный электромагнитный (ЭМ) анализ
устройства проводился в САПР ADS Momentum. На
рис. 3 и 4 представлены результаты ЭМ-модели-
рования параметров рассеяния, а также амплитудно-
го и фазового разбалансов трансформатора с учетом
измерительных площадок (см. рис. 1). Значения ам-
плитудного и фазового разбалансов были рассчита-
ны по формулам:
Delta S = |dB(S21) – dB(S31)|, (1)
Delta F = |180° – |φ(S21) – φ(S31)||. (2)
На рис. 5 и 6 приведены результаты ЭМ расчета
элементов матрицы рассеяния и характеристик раз-
баланса трансформатора без учета измерительных
площадок.
Потери мощности в рассматриваемых структу-
рах в основном обусловлены конечной проводимо-
стью слоев металлизации и могут быть снижены
лишь путем увеличения ширины сигнальных линий.
Однако последнее может привести к возрастанию
коэффициента отражения и общих габаритов уст- Рис. 4. Амплитудный и фазовый разбалансы
ройства. трансформатора с учетом измерительных площадок
В работе разработана топология широкополос-
ного симметрирующего трансформатора Маршанда,
выполняемого на основе 0,13 мкм SiGe-технологии.
Трансформатор работает в полосе частот 7–14 ГГц.
Обладая сравнительно небольшими габаритами
(S = 0,125 мм2), он характеризуется минимумом вно-
симых потерь для выбранной технологии (< 1,8 дБ),
малыми разбалансами амплитуды и фазы (0,15 дБ и
2,4 град соответственно).
Работа финансировалась Министерством обра-
зования и науки РФ совместно с индустриальным
партнером ООО «Микран» в рамках выполнения
проектной части государственного задания
8.3423.2017/4.6.
1. Chakraborty S. Milner L.E., Hall L.T. et al. Charac-
terisation of a transformer balun for a 7–15 GHz SiGe fre-
quency doubler // IEEE 2nd Australian Microwave Sympo-
sium (AMS), 2016. Adelaide, SA. – 2016. – PР. 35–36.
Рис. 5. Параметры рассеяния симметрирующего 2. Johansen T., Krozer V. Analysis and design of
трансформатора без учета измерительных площадок lumped element Marchand baluns // MIKON–2008. 17th In-
ternational Conference on Microwaves, Radar and Wireless
Communications. Wroclaw. – 2008. – PР. 1–4.
3. Luo X. Compact ultra-wideband stacked-spiral-
coupled balun using center-tapped float-shield and port-
coupled compensation line // IEEE MTT-S International
Microwave Symposium Digest (MTT). Seattle, 2013. WA. –
2013. – PP. 1–3.
4. Qian H.J., Luo X. Compact 6.5–28.5 GHz On-Chip
Balun With Enhanced Inband Balance Responses // IEEE
Microwave and Wireless Components Letters. Dec. 2016. –
Vol. 26, No. 12. – PP. 993–995,
5. Chiang M.J., Wu H.S., Tzuang C.K.C. A compact
CMOS Marchand balun incorporating meandered multilayer
edge-coupled transmission lines // IEEE MTT-S International
Microwave Symposium Digest. –Boston. MA. – 2009. –
PP. 125–128.
6. Kokolov A.A., Salnikov A.S., Scheyerman F.I.,
Schevlyakov M.L., Babak L.I. A 1–4.5 GHz MMIC mixer
based on SiGe BiCMOS technology // 13th International Sci-
entific-Technical Conference on Actual Problems of Electron-
Рис. 6. Амплитудный и фазовый разбалансы ics Instrument Engineering (APEIE–2016). – Novosibirsk,
трансформатора без учета измерительных площадок 2016. – PP. 97–100.
УДК 621.375.4
М.В. Черкашин, А.А. Коколов
Усилитель промежуточной частоты на основе CMOS-технологии

Представлена разработка дифференциального усилителя промежуточной частоты для монолитной интеграль-
ной схемы универсального приемника ВЧ-тракта, выполненного на основе 0,25 мкм CMOS-технологии SG25V
фирмы IHP (Германия).
Ключевые слова: монолитные интегральные схемы, дифференциальный усилитель, приемопередающий мо-
дуль СВЧ-диапазона.
Как правило, приемопередающие модули по технологиям полупроводников A3B5 (GaAs, GaN).

(ППМ) СВЧ-диапазона выполняют на основе моно- Однако построение МИС для ППМ на основе SiGe
литных интегральных схем (МИС), изготавливаемых BiCMOS- или CMOS-технологий [1–3] позволяют
разместить аналоговые и цифровые схемы управле- каскадов задается с помощью токовых зеркал, вы-
ния (драйверы) на одном кристалле. Это позволяет полненных на транзисторах Q1, Q6 и Q7. Резистор
реализовать ППМ на основе концепции «система на RBias служит для установки тока для «токовых зер-
одном кристалле» и в результате уменьшить массу, кал». RF1и RF2 улучшают согласование входа УПЧ
габариты и стоимость ППМ, снизить энергопотреб- с трактом передачи сигнала.
ление.
Важной частью радиочастотного тракта ППМ
является усилитель промежуточной частоты, реали-
зующий основное усиление и избирательность (со-
вместно с полосовым фильтром). В настоящей рабо-
те представлены результаты проектирования усили-
теля промежуточной частоты (УПЧ) для МИС ППМ
на основе 0,25 мкм BiCMOS-технологии SG25V
фирмы IHP (Германия), который в отличие от усили-
теля, представленного ранее в [4], выполнен на ос-
нове «чистой» CMOS-технологии без использования
SiGe HBT. Также выход данного УПЧ (по требова- Рис. 2. Фрагмент топологии МИС ППМ с УПЧ
нию заказчика) сделан несимметричным.
Топология разработанного усилителя в составе
Разработка усилителя промежуточной
МИС ППМ показана на рис. 2 (размер кристалла
частоты
Исходные требования к характеристикам уси- УПЧ без учета контактных площадок 150400 мкм).
лителя представлены в табл. 1. Характеристики УПЧ, полученные с помощью мо-
делирования в AWR MWO с применением реальных
Таблица 1 моделей элементов, показаны на рис. 3 и 4, а также
Исходные требования к характеристикам УПЧ
сведены в табл. 2.
Параметр Значение |S21|, дБ |S11|, |S22|, дБ
Диапазон частот Δf , МГц 50…500 25 0
Коэффициент усиления G, дБ 20±1 |S21|
Модуль входного |s11| / выходного коэф- -5
–12 / –12 20
фициента отражения |s22|, дБ, не более
Коэффициент шума, дБ, не более 3
Выходная мощность при сжатии на 1 дБ, 15 -10
12
дБм, не менее
Потребляемый ток, мА, не более 100 -15
10
Напряжение питания, В 5±1 |S22|
Упрощенная схема УПЧ показана на рис. 1, он 5 -20
имеет дифференциальный вход и несимметричный |S11|
выход.
0 -25
+VD 0,01 0,1 1 10 50
Частота, ГГц
Рис. 3. Малосигнальные частотные характеристики УПЧ
RBias R11 Q3 Q5 R21 (моделирование)
Q8
KP, дБ Pвых, дБм
RF_OUT 25 20
RF_IN RF_IN
1 Q2 Q4 2
RF1 R12 R22 RF2
R22 20 15
Q1 Q6 Q7
15 10
Рис. 1. Упрощенная схема УПЧ на CMOS

Усилитель включает в себя два каскада: первый 10 5
дифференциальный каскад выполнен на транзисто- -30 -20 -10 0
рах NMOS Q2, Q4, на транзисторах PMOS Q3, Q5 Мощность Pвх, дБм
реализована динамическая нагрузка для этих тран- Рис. 4. Зависимость коэффициента передачи и выходной
зисторов, второй каскад – буферный, выполнен на мощности от уровня входного сигнала на частоте 500 МГц
транзисторе PMOS Q8. Ток покоя первого и второго (моделирование)
Таблица 2
Характеристики УПЧ
Усилитель f, МГц |S21|, дБ |S11|, дБ |S22|, дБ NF, дБ Рвых1дБ, дБм Е, В / IDC, мА
Требования 50…500 201 –12 –12 3 12 5 / 100
УПЧ из [4] 50…500 330,5 –15 –15 1,85 11 5 / 90
УПЧ CMOS 50…500 210,5 –15 –15 2 13.6 5 /75
Разработанный усилитель имеет в полосе технических комплексов космического, воздушного,

50–500 МГц коэффициент усиления 210,5 дБ, морского и наземного базирования» при поддержке
входной коэффициент отражения |S11| ≤ –15 дБ, вы- РФФИ и администрации Томской области.
ходной коэффициент отражения |S22| ≤ –15 дБ, ли-
нейную выходную мощность Рвых1дБ > 13,5 дБм, по-
требляемый ток 75 мА при напряжении питания 5 В. 1. Bahl I.J. Control Components Using Si, GaAs, and GaN
УПЧ сохраняет работоспособность при вариации Technologies. – Boston: Artech House, 2014. – 310 p.
напряжения питания в диапазоне 3…6 В. 2. Bettidi A. et al. X-Band Transmit/Receive Module
MMIC Chip-Set Based on Emerging GaN- and SiGe-Tech-
nologies // IEEE Symp. on Phased Array Syst. and Tech. –
В настоящей статье представлена разработка 2010. – PP. 250–255.
дифференциального усилителя промежуточной час- 3. Добуш И.М., Коколов А.А., Шеерман Ф.И. и др.
тоты для МИС универсального приемника Разработка монолитных интегральных схем цифрового
ВЧ-тракта, выполненного на основе 0,25 мкм аттенюатора и смесителя диапазона 1–4,5 ГГц на основе
CMOS-технологии фирмы IHP SG25V (Германия). SiGe-технологии // Матер. 26-й Междунар. Крым. конф.
В настоящее время МИС ППМ находится на изго- «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»
товлении. (КрыМиКо’2016). – Севастополь, 2016. – C. 214–220.
Данная работа выполнялась в рамках научного 4. Черкашин М.В., Сальников А.С. Дифференциаль-
ный усилитель промежуточной частоты на основе SiGe
проекта № 16-47-700286 «Анализ, исследование и
BiCMOS технологии // Матер. XII Междунар. науч.-практ.
разработка перспективных радиотехнических сис- конф. «Электронные системы и средства управления»
тем и устройств силовой электроники для робото- (ЭССУ–2016). – Томск: В-Спектр, 2016. – Ч. 1. – С. 63–64.
УДК 621.372.8
Д.А. Конкин
Моделирование оптических компонентов на основе 0,25 мкм

SiGe-БиКМОП-технологии с использованием метода конечных
элементов
Представлены результаты моделирования оптического прямоугольного волновода и кольцевого оптического
резонатора в зависимости от длины волны оптического излучения с использованием метода конечных элемен-
тов. Проведено сравнение результатов моделирования кольцевого резонатора на основе двумерной модели ре-
зонатора и метода эффективного показателя преломления. Показано, что использование эффективного показа-
теля преломления, рассчитываемого на одной длине волны диапазона, приводит к появлению погрешностей в
передаточной функции.
Ключевые слова: метод конечных элементов, кольцевой резонатор, оптический волновод, метод эффективно-
го показателя преломления.
Кремниевая фотоника привлекает все больший В отличие от классических материалов, исполь-

интерес со стороны разработчиков быстродейст- зуемых для изготовления оптических интегральных
вующих и широкополосных систем передачи дан- компонентов, кремний обладает рядом преиму-
ных, поскольку линии передачи на основе металли- ществ. Основными из них являются хорошо отрабо-
ческих кабелей обладают малой полосой пропуска- танная в электронной промышленности технология
ния и высоким затуханием. В оптических системах обработки кремния, позволяющая создавать струк-
передачи полоса пропускания ограничена лишь воз- туры с размерами десятки и сотни нанометров, а
можностями электронных схем, используемых в также высокая разница показателей преломления.
приемном и передающем трактах, однако эти огра- Последнее позволяет создавать одномодовые волно-
ничения преодолеваются за счет использования тех- воды и структуры, удерживающие свет, с характер-
нологии оптического мультиплексирования при ма- ными размерами в сотни нанометров и радиусами
лом затухании порядка 0,2 дБ/км [1–3]. изгиба в единицы микрометров. В свою очередь, это
дает возможность разрабатывать компактные уст- используется понятие группового показателя пре-
ройства обработки сигналов, такие как фильтры, ломления, который может быть найден из эффектив-
модуляторы, мультиплексоры и демультиплексоры, с ного показателя преломления:
размерами, не превышающими единиц миллиметров nгр = neff – λ(dneff /dλ). (2)
[4–10]. Еще одним очень важным преимуществом Результаты численного моделирования указан-
полупроводниковых кремниевых технологий явля- ных характеристик прямоугольного волновода сече-
ется возможность совмещения на одном чипе как нием 500×220 нм, изготовленного на кремнии, при-
оптических, так и электронных компонентов схемы, ведены на рис. 1.
что позволяет производить полную интеграцию
Показатель преломления, отн. ед.

электронно-оптических приемопередающих уст-
ройств.
Для моделирования оптических устройств в на-
стоящее время существует множество различных
методов, которые включают в себя методы на основе
конечно-разностной аппроксимации, граничных
элементов, метода конечного объема, метода момен-
тов и их различные модификации [11]. В настоящей
работе осуществлено моделирование параметров
оптического волновода и кольцевого резонатора на
основе 0,25 мкм SiGe-БиКМОП-технологии. Кроме Длина волны, мкм
того, выполнен сравнительный анализ результатов
Рис. 1. Характеристики прямоугольного волновода
моделирования кольцевого резонатора с использова- сечением 500×220 нм на кремнии
нием двумерной модели и метода эффективного по-
казателя преломления (МЭПП). Другим типом устройств, часто используемых в
Методика и результаты моделирования интегральной фотонике, являются кольцевые резо-
При проектировании фотонных устройств базо- наторы. Они применяются для изготовления фильт-
вым элементом является оптический волновод, ко- ров, модуляторов, мультиплексоров, демультиплек-
торый используется как для доставки сигнала от соров, линий задержки и т.д.
источника до приемника, так и для создания на его Для оценки параметров кольцевых резонаторов
основе других более сложных элементов, в том чис- могут быть использованы данные, полученные при
ле кольцевых резонаторов, интерферометров, моду- анализе волноводов. В работе [12] показано, что для
ляторов и т.д. Для анализа оптического волновода кольцевого резонатора, изготовленного из волновода
был использован свободно распространяемый пакет с групповым показателем преломления nгр, область
FreeFem++, обеспечивающий моделирование мето- свободной дисперсии т.е. расстояние между сосед-
дом конечных элементов. ними резонансами) описывается формулой
Одним из важных устройств электронно-
оптических систем являются оптические волноводы. 2
FSR  , (3)
Хорошо известно, что в линейном режиме распро- nгр 2R
странение электромагнитного поля в оптических где λ – центральная длина волны, на которой работа-
волноводах описывается с помощью постоянной ет резонатор; nгр – групповой показатель преломле-
распространения, которая является решением гра- ния волновода, из которого изготовлен резонатор, и
ничной задачи на собственные значения для неодно- R – радиус резонатора. При этом результаты числен-
родного уравнения Гельмгольца [11]: ного моделирования достаточно точно соответству-
2 E  0 k02 E  0 . (1) ют оценкам, выполненным по формуле (3). Однако
В случае если материал волновода является не- полное описание характеристик резонатора требует
поглощающим, решение данного уравнения пред- знания коэффициента связи между резонатором и
ставляет собой периодическую функцию координа- возбуждающим волноводом, который не выражается
ты вдоль оси волокна с характерным периодом, об- простой формулой, а требует дополнительных вы-
ратно пропорциональным вещественному числу β, числений. В этом случае моделирование оптических
получившему название постоянной распростране- резонаторов с использованием численных методов
ния. Однако в литературе достаточно часто исполь- позволяет непосредственно найти характеристики
зуют величину постоянной распространения, нор- разрабатываемых компонентов.
мированную к волновому числу в вакууме, эта вели- Процесс моделирования резонатора отличается
чина получила название эффективного показателя от процесса, использовавшегося при моделировании
преломления: neff = β/k0. И хотя эффективный пока- волновода. Хотя основное уравнение, описывающее
затель преломления точно описывает распростране- распространение излучения, остается неизменным, в
ние в волноводе монохроматического излучения, его случае резонатора вместо решения задачи на собст-
становится недостаточно для описания распростра- венные значения производится непосредственное
нения импульсных сигналов, которое связано с рас- решение дифференциального уравнения (1), из ко-
пространением группы волн. В последнем случае торого затем производится экстракция интересую-
щих величин. Следует отметить, что, хотя рассмат- к двумерной. Указанный эффект происходит из-за
риваемое устройство и является трехмерным, моде- того, что показатель преломления трехмерного вол-
лирование осуществляется в двух измерениях. Такой новода в одном из направлений заменяется эффек-
подход позволяет значительно сократить требуемый тивным показателем преломления пленки толщиной,
объем памяти и время моделирования. Для компен- равной высоте волновода. Этот эффективный пока-
сации ошибки, вызванной переходом от трехмерной затель ниже, чем показатель преломления материа-
модели к двумерной, используется МЭПП [11]. ла, из которого изготовлен волновод. Такая замена
Результаты моделирования кольцевого резона- приводит к увеличению диаметра поля моды и, как
тора радиусом 5 мкм приведены на рис. 2. Для изу- следствие, соответствующему увеличению коэффи-
чения влияния перехода от трех измерений к двум циента связи волновода и резонатора, что видно из
выполнено моделирование планарной структуры без рис. 3. Если сравнить полученные результаты, вид-
использования метода эффективного показателя но, что связь волновода с резонатором увеличилась,
преломления (рис. 3), а также исследован случай, в это следует из уменьшения добротности резонанса
котором эффективный показатель преломления был (увеличение полосы пропускания) и увеличения
рассчитан только для одной длины волны (рис. 4). коэффициента передачи резонатора вне резонанса.
4 а) 2 б)
4 2
3 1
3 1
Рис. 2. Распределение интенсивности светового поля в
кольцевом резонаторе при отстройке от резонанса (а) Длина волны, нм
и при совпадении длины волны с резонансной (б). Рис. 4. Параметры рассеяния для кольцевого резонатора.
Цифрами обозначены номера портов Сплошные линии – метод эффективного показателя
преломления с его расчетом для каждой длины волны,
штриховые – модель с использованием эффективного
показателя преломления, рассчитанного на длине волны
1550 нм. Остальные обозначения – как на рис. 3
Дополнительно был выполнен сравнительный

анализ результатов моделирования при использова-
нии эффективного показателя, рассчитанного на од-
ной длине волны, в сравнении с моделью, в которой
эффективный показатель преломления рассчитыва-
ется на каждой длине волны. Результаты этих расче-
тов представлены на рис. 4. Из них следует, что ис-
пользование эффективного показателя преломления,
Длина волны, нм рассчитанного только для одной длины волны, при-
Рис. 3. Параметры рассеяния для кольцевого резонатора. водит к изменению области свободной дисперсии
Сплошные линии – метод эффективного показателя (см. кривые, обозначенные сплошными и штрихо-
преломления, штриховые – модель без использования выми линиями на рис. 4).
метода эффективного показателя преломления. Точками Заключение
на графике указаны резонансные длины волн Выполнен анализ оптического волновода и оп-
ненагруженного резонатора
тического кольцевого резонатора на основе 0,25 мкм
SiG-БиКМОП-технологии. При моделировании ха-
Из представленных графиков можно установить рактеристик оптических компонентов использован
сразу несколько особенностей. Во-первых, это сдвиг открытый пакет моделирования FreeFem++ на осно-
резонанса при нагружении резонатора, во-вторых, – ве метода конечных элементов. В результате сравни-
значительное отличие характеристик резонатора, тельного анализа результатов моделирования коль-
полученных с использованием метода эффективного цевого резонатора показано, что использование ме-
показателя преломления и на основе двумерной мо- тода эффективного показателя преломления позво-
дели. ляет повысить достоверность моделирования трех-
Если первое – хорошо изученный факт в физике мерных структур при использовании только двумер-
колебаний [13], то второе требует пояснений, по- ной сетки. Это значительно сокращает как время,
скольку связано с переходом от трехмерной модели
так и объем вычислительных ресурсов, требуемых 7. Rito P.A. Monolithically Integrated Segmented Linear
для моделирования оптических устройств. Driver and Modulator in EPIC 0.25-µm SiGe:CBi-CMOS-
Проект был выполнен при финансовой под- Platform / P.А. Rito, I.G. López, D. Petousi, L. Zimmermann
et al. // IEEE Transactions on Microwave Theory and
держке Министерства образования и науки РФ, про-
Techniques. – 2016. – Vol. 64, No 12. – PР. 4561–4572.
ект № 8.4029.2017/4.6. 8. Soldano L.B. Optical Multi-Mode Interference De-
Литература vices Based on Self-Imaging : Principles and Applications /
L.B. Soldano, E.C.M. Pennings // J. Lightw. Technol. –
1. Agrawal G.P. Fiber-Optic Communications Systems. – 1995. – Vol. 13, No. 4. – PР. 615–627.
NY: John Wiley & Sons, 2002. – 530 p. 9. Soref R. Electrooptical effects in silicon / R. Soref,
2. Noe R. Essentials of Modern Optical Fiber Commu- B. Bennett // IEEE Journal of Quantum Electronics. – 1987. –
nication. – Berlin: Springer, 2010. – 283 p. Vol. 23, No. 1. – PР. 123–129
3. DeCusatis C. Fiber optic data communication: tech- 10. Bogaerts W. Silicon microring resonators /
nological trends and advances. – NY: Academic Press, 2002. – W. Bogaerts, P. De Heyn, T. Van Vaerenbergh et al. // Laser
590 p. Photonics Rev. – 2012. – Vol. 6, No. 1. – PР. 47–73.
4. Ahmed J. Optical Signal Processing by Silicon 11. Lavrinenko A.V. Numerical Methods in Photonics /
Photonics / J. Ahmed, M. YakoobSiyal, F. Adeel, A. Hussain. – A.V. Lavrinenko, J. Lagsgaard, N. Gregersen et al. – NY: CRC
NY: Springer, 2013. Press, 2015. – 358 p.
5. Chrostowski L. Silicon photonics design / 12. Rabus D.G. Integrated Ring Resonators: The Con-
L. Chrostowski, M. Hochberg. – UK: Cambridge University pendium. – NY: Springer, 2007. –256 p.
Press, 2015. 13. Пиппард А. Физика колебаний / пер. с англ.; под
6. Spector S. Silicon photonics devices for integrated ред. А.Н. Матвеева. – М.: Высш. шк., 1985. – 456 c.
analog signal processing and sampling / S. Spector, C. Sorace-
Agaskar // Nanophotonics. – 2014. – № 3(4–5). – PР. 313–327.
УДК 621.396.41
А.В. Помазанов, А.С. Коряковцев
Проектирование полосового фильтра на основе 0,25 мкм

SiGe-БиКМОП-технологии
Получена модель полосового фильтра с использованием пассивных компонентов на основе 0,25 мкм
SiGe-БиКМОП-технологии и представлены результаты моделирования на основе полученной модели.
Ключевые слова: пассивные компоненты, индуктивность, емкость, монолитная интегральная схема.
Пассивные компоненты широко используются очевидное преимущество перед GaAs, оно заключа-
в согласующих цепях, резонаторах, фильтрах, цепях ется в существенном увеличении степени интегра-
питания. В настоящее время возрастает интерес к ции аналого-цифровых МИС, в том числе система
уменьшению размеров и уменьшению мощности на кристалле (СНК), включающих как СВЧ-анало-
пассивных компонентов, полезно интегрировать мно- говые схемы, так и быстродействующие цифровые
гие пассивные компоненты по возможности на чипе. КМОП-блоки [4].
Частотные фильтры предназначены для выде- LC-фильтры были первыми фильтрами, кото-
ления или подавления частей спектра сигналов и рые применялись в устройствах передачи сигналов.
являются важными компонентами большинства ра- Элементы фильтра выбираются таким образом, что-
диотехнических устройств [1]. Проектирование по- бы обеспечить передачу максимальной мощности в
лосовых фильтров СВЧ-диапазона представляет со- полосе пропускания. Пассивные фильтры устойчи-
бой сложную техническую задачу. Можно выделить вы, не требуют источников питания, имеют низкую
два основных этапа проектирования фильтров [2]: чувствительность характеристик к изменениям но-
1. Структурный и параметрический синтез. миналов элементов.
2. Корректировка параметров по результатам Методы синтеза LC-фильтров достаточно хо-
макетирования. рошо разработаны. Имеется обширная справочная
Задачей исследования и проектирования яв- литература, которая содержит данные о фильтрах
ляется получение модели полосового фильтра (ПФ) различных порядков. Процедура расчета фильтра
на основе 0,25 мкм SiGe-БиКМОП-технологии. сводится к выбору типа и порядка фильтра.
Результаты исследования Результаты проектирования
По динамическим характеристикам SiGe-техно- Схема ПФ на пассивных компонентах пред-
логия выдерживает конкуренцию с доминирующей ставлена на рис. 1.
сегодня GaAs-СВЧ-технологией. Возможность ис- Моделирование выполнялось в среде автомати-
пользования БиКМОП добавляет SiGe-технологии зированного проектирования ADS. На рис. 2 пред-
ставлены основные характеристики ПФ (на идеаль- Следующим этапом проектирования была за-
ных элементах). мена идеальных элементов реальными из библиоте-
ки IHP SG25H3. На рис. 3 представлены основные
характеристики ПФ (на реальных элементах).
Электромагнитный анализ моделируется для
более точного представления характеристик уст-
ройства.
Рис. 1. Схема ПФ на идеальных компонентах
Рис. 3. Характеристики ПФ на реальных элементах
На рис. 5 представлена топология полосового

фильтра, выполненного по технологии 0,25 мкм
SiGe-БиКМОП.
Индуктивности находятся в слое металлизации
TopMetal1, конденсаторы – в слое Metal12 и Metal3,
соединительные линии выполнены в слое
TopMetal2.
Рис. 2. Характеристики ПФ на идеальных элементах
Рис. 4. Модель подложки 0,25 мкм SiGe-БиКМОП-технологии
1. Маттей Г.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры
СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. – Т. 1. – М.: Связь,
1971. – 439 с.
2. Маттей Г.Л., Янг Л., Джонс Е.М.Т. Фильтры
СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. – Т.2. – М.: Связь,
1972. – 495 с.
3. Беляков А.Ю., Петров Е.В., Попов В.В., Штейн-
гарт А.П. Расчет СВЧ полосовых фильтров с частотными
характеристиками специального вида // Вестник НовГУ.
Сер.: Техн. науки. – 2015. – №91. – С. 45–51.
Рис. 5. Топология полосового фильтра 4. Немудров В., Бычков М., Ионов Л., Малышев И.
СВЧ кремний-германиевые монолитные интегральные
схемы: преимущества и достижения [Электрон-
ный ресурс]. – Режим доступа: http://www.electronics.ru/
files/article_pdf/4/article_4768_220.pdf (дата обращения:
03.09.2017).
dB(S(1,1))
dB(S(2,1))
Рис. 6. Характеристики ФНЧ на реальных компонентах

с электромагнитным моделированием
УДК 621.382
А.С. Сальников, А.Е. Горяинов, И.М. Добуш, А.А. Калентьев, Д.В. Гарайс
Численно-аналитические методики для быстрого построения

моделей интегральных GaAs- и Si-катушек индуктивности
Рассматриваются методики экстракции модели в виде эквивалентной схемы для интегральных спиральных ка-
тушек индуктивности. Рассматриваемые методики автоматизированы и позволяют получить модель катушки за
время порядка нескольких секунд. Методики основаны на аналитических формулах, а не полной оптимизации
всех параметров, поэтому получаемые значения элементов имеют физических смысл. Эксперименты по по-
строению моделей показали высокую точность построенных моделей в диапазоне до частоты собственного ре-
зонанса для спиральных катушек индуктивности, изготовленных на GaAs- и Si-подложках.
Ключевые слова: интегральная катушка индуктивности, монолитная катушка индуктивности, GaAs-
технология, Si-технология, кремниевая технология, построение модели катушки индуктивности, эквивалентная
схема, экстракция.
Несмотря на то, что методики построения мо- мер, схемы GaAs- и Si-активных фазированных
делей интегральных спиральных катушек индук- решёток [8, 9] содержат более 20 катушек индук-
тивности развиваются уже более 30 лет [1], инте- тивности.
рес к данной теме не снижается. Основные причи- Часто ЭС-модели и S-параметры противопос-
ны этого в интенсивном развитии систем автома- тавляются как два способа моделирования элемен-
тизированного проектирования и появлении новых ты СВЧ-интегральных схем. Модели в виде ЭС
полупроводниковых технологий (GaAs, GaN, Si, имеют такие преимущества, как а) возможность
SOI, SOS и др.). За это время предложены разные оптимизации и синтеза [10] схемы благодаря мас-
эквивалентные схемы (ЭС) и способы экстракции, штабируемости; б) адекватность на постоянном
различающиеся по сложности и своим возможно- токе, что важно при нелинейном и шумовом ана-
стям [1–7]. лизе; в) возможность анализа выхода годных. С
Модели спиральной катушки важны при про- другой стороны, S-параметры более точны, осо-
ектировании СВЧ-интегральных схем для усиле- бенно на частотах выше резонансной.
ния, генерации, преобразования частоты, управле- Таким образом, оба подхода должны исполь-
ния амплитудой и фазой сигнала [3, 6], их качество зоваться совместно, дополняя друг друга. В связи с
определяет успех проектирования схемы. Напри- этим задача разработки эффективных методик экс-
тракции ЭС является актуальной. Лишь некоторые Параметры спирали рассчитываются в облас-
из предложенных методик могут быть автоматизи- ти низких частот, полагая емкость Cp пренебрежи-
рованы [5–7], однако использование в них пара- мо малой:
метрической оптимизации зачастую приводит к 1  1   1 
неудовлетворительному результату. L p  Ls  Im   , Rs  Re . (3)
  y12   y12 
Таким образом, была поставлена задача раз-
работки методики, обеспечивающей высокую точ- Отметим, что область низких частот выбира-
ность без использования финальной оптимизации ется для каждой катушки индивидуально, напри-
всех параметров ЭС. В настоящей работе эта зада- мер, можно использовать частоту, где добротность
ча решена и представлена методика, позволяющая достигает максимума. Для отношения Lp/(Lp+Ls)
в полностью автоматическом режиме получить был получен эмпирический коэффициент k, зави-
модель интегральной катушки индуктивности для сящий от параметров спирали как
двух технологий изготовления. При этом высокая 17,125
k , (4)
точность достигается без использования оптими- Rs ( L p  Ls )  30,24
зации всех элементов схемы.
где Lp и Ls выражены в нГн. Наконец, параметр Cp
Методики построения моделей катушек
определяется как
индуктивности
Выбранные ЭС спиральных катушек индук- 1 L p  Im( z ) Ls 
тивности для двух исследуемых технологий пока- Cp     , (5)
  Re2 ( z )  L p  Im( z ) Rs 2  2 Ls 2 
заны на рис. 1.  
где z = (–1/y12). Cp определяется на высоких часто-
тах вблизи резонанса.
После экстракции элементов ЭС по формулам
(1)–(5) мы получаем набор значений. Для выбора
определенного значения используется метод мо-
дифицированной статистической медианы, пред-
ложенный в [11]. Медиана более устойчива к вы-
бросам и ближе к значению, выбираемому инже-
нером.
Катушки на основе Si-технологии
Для катушки на Si-подложке ЭС представлена
а на рис. 1, б. Для определения значений Rsub, Cox,
Csub, Rdc и Llow была использована методика [3],
обозначение Llow принято для (Ldc + Lsk). Для выбо-
ра определенного значения из частотной зависи-
мости параметра также использовался метод мо-
дифицированной статистической медианы.
Способ определения параметров Lsk, Rsk, Cp
отличается от предложенного в [3]. Возьмем две
характерные точки частотной зависимости доб-
ротности – максимум и частоту собственного ре-
зонанса (первое пересечение с осью х) – и потре-
буем, чтобы добротность в этих двух точках по-
вторяла результат измерений. Для ЭС на рис. 1, б
б получим выражение для y11:
Рис. 1. Структуры ЭС катушек индуктивности:  1 
a – GaAs-технология; б – Si-технология jCox1   jcub1 
y11    Rsub1   jwC 
p
Катушки на основе GaAs-технологии. ЭС 1
jCox1  Csub1  
для катушки на GaAs-подложке представлена на Rsub1
рис. 1, а. Параметры подложки рассчитываются по 1
известным выражениям:  . (6)
Rsk jLsk
 1   1  Rdc  jLdc 
Rsub1  Re  , Rsub 2  Re  , (1) Rsk  jLsk
y  y
 11 12  y  y
 22 12  Для левого вывода катушки введем обозначе-
1 ния для частоты собственного резонанса ω01, мак-
  1 
Csub1  Im   , симума добротности Qmax1 и частоты, где этот мак-
  y11  y12  симум достигается, ωq1. В практических случаях
1 эти величины могут быть определены из результа-
  1 
Csub 2  Im   . (2) тов измерений или ЭМ-моделирования. Тогда мы
  y22  y12  можем записать следующие соотношения:
Im  y11 01    0 ,   Q
Im y11 q1 
. (7)
Результаты экспериментов
Работоспособность методик подтверждена с
Re  y   
max1
11 q1
помощью электромагнитного моделирования и
Таким образом, подставляя определенные результатов измерений. Параметрами катушек яв-
значения ω01, Qmax1, ωq1 в выражение (6) и записы- лялись ширина спирали W и число оборотов NT.
вая его в форме (7), получим два уравнения. Ана- Для GaAs-технологии были смоделированы
логичным образом для правого вывода обозначим 25 ка-тушек с параметрами W = 5–25 мкм и NT =
частоту собственного резонанса ω02, максимум 1,5–5,5. Для Si-технологии были смоделированы
добротности Qmax2 и её частоту ωq2 на выходе, ис- 24 катушки с параметрами W = 5–20 мкм и NT = 3–
пользуя значение y22. Запишем для выхода анало- 8. Для обеих технологий несколько катушек были
гичные соотношения: изготовлены и измерены их параметры.
Im  y22 02    0 , 
Im y22 q 2  
 Qmax 2 . (8) На рис. 2, а представлено сравнение измерен-

Re y22 q 2   ных и полученных с помощью параметрической
модели S-параметров для спиральной катушки с
Выражения (7), (8) дают переопределенную параметрами W = 10 мкм, NT = 4,5 на GaAs-под-
систему уравнений для неизвестных Lsk, Rsk, и Cp. ложке. Ошибка по S-параметрам до частоты резо-
Для её решения можно использовать нелинейное нанса (17,2 ГГц) не превышает 4% по амплитуде и
программирование, например метод симплекса. 6° по фазе (кроме низкочастотных выбросов).
Границы значений переменных определяются тех- На рис. 2, б представлено сравнение измерен-
нологическими ограничениями. ных и полученных с помощью параметрической
После получения моделей катушек для раз- модели S-параметров для спиральной катушки с
ных геометрических размеров может быть по- параметрами W = 7 мкм, NT = 8 на Si подложке.
строена параметрическая модель, в которую гео- Ошибка по S-параметрам до частоты резонанса
метрические размеры входят в виде параметров.
(6,2 ГГц) не превышает 3,7% по амплитуде и 3,4°
Автоматическая процедура построения парамет-
по фазе (кроме низкочастотных выбросов).
рических моделей на основе многомерных поли-
номов изложена в [12].
|S11 |, dB
0
-5
-10
-15 EC Model
Measurement
-20
φ(S11 ), degree
50
25
0
-25
-50
-75
-100
0 10 20 30 40
Frequency, GHz
|S21 |, dB
0
-10
-20
-30
-40 EC Model
-50 Measurement
-60
φ(S21 ), degree
180
120
60
0
-60
-120
-180
0 10 20 30 40
Frequency, GHz
а б
Рис. 2. Результаты моделирования и измерения катушек индуктивности: a – GaAs; б – Si
Заключение 4. Yang G. Modified T-Model With an Improved
Предложены новые методики построения мо- Parameter Extraction Method for Silicon-Based Spiral
делей интегральных спиральных катушек индук- Inductors / G. Yang, Z. Wang, K. Wang // IEEE Microwave
тивности. Методики пригодны для моделирования and Wireless Components Letters. – 2014. – Vol. 24, №. 11. –
РP. 817–819.
катушек на подложках GaAs и Si. Использование 5. Post J.E. Optimizing the Design of Spiral Inductors
методики позволило построить точную модель on Silicon // IEEE Transactions on Circuits and Systems II:
элемента на основе ЭМ-моделирования. Экспери- Analog and Digital Signal Processing. – 2000. – Vol. 47,
ментальные исследования на нескольких элемен- №. 1. – РP. 15–17.
тах подтвердили достоверность рассмотренных 6. Modeling of double– π equivalent circuit for on-
подходов к моделированию интегральных катушек chip symmetric spiral inductors / Y. Tang, B. Liu, L. Zhang,
индуктивности. J. Pan et al. // Solid-State Electronics. – 2008. – Vol. 52. –
Стоит отметить хорошее совпадение с резуль- PР. 1058–1063.
татами измерений без финальной оптимизации 7. Parameter extraction of geometry dependent RF
planar inductor model / V. Durev, E. Gadjeva, M. Hristov //
всех параметров ЭС. Без сомнения, в случае силь- Proc. of the 17th Conf. on Mixed Design of Integrated Cir-
но зашумленных измерений, возможно, потребует- cuits and Systems (MIXDES). – 2010. – РР. 420–424.
ся провести оптимизацию. Но даже в этом случае 8. A compact high performance X-band core-chip with
методика будет полезна, поскольку даст очень хо- on board serial-to-parallel conversion / W. Ciccognani,
рошее начальное приближение. M. Ferrari, G. Ghione, E. Limiti et al. // 40 th European
Основное преимущество предложенной мето- Microwave Conference (EuMC). – 2010. – рP. 902–905.
дики заключается в возможности её полной авто- 9. X-band SiGe bi-complementary metal–oxide
матизации. Построение модели одного размера semiconductor transmit/receive module core chip for phased
занимает менее 1 с. Построение параметрической array RADAR applications / T. Dinc, E. Özeren,
C. Çalışkan, H. Kayahan et al. // IET Microwaves, Antennas
модели – порядка 15 мин, но решение некоторых & Propagation. – 2015. – Vol. 9, № 9. – РP. 948–956.
технических вопросов позволит значительно уско- 10. Genetic-algorithm based synthesis of microwave
рить этот процесс. amplifiers using parametric models of MMIC elements /
A.A. Kalentyev, D.V. Garays, L.I. Babak et al. // 22nd Conf.
on Microwave and Telecommunication Technology
1. Arvas S. Spiral inductor model extraction: A survey (CriMiCo). – 2012. – РP. 131–132.
of the field // 13th Wireless and Microwave Technology 11. Горяинов А.Е. Автоматизированный синтез мо-
Conference. – 2012. – PР. 1–7. делей пассивных СВЧ-компонентов в виде эквивалент-
2. Efficient Scalable Modeling of Double-π Equivalent ных схем на основе оптимального выбора звеньев и
Circuit for On-Chip Spiral Inductors / Y.G. Ahn, S.K. Kim, прямой экстракции // Доклады ТУСУРа. – 2016. – Т. 19,
J.H. Chun, B.S. Kim // IEEE Trans. Microw. Theory Techn. – № 3. – С. 32–41.
2009. – Vol. 57, № 10. – PР. 2289–2300. 12. Горяинов А.Е. Методика автоматизированного
3. Oh N.-J. A Simple Model Parameter Extraction синтеза параметрических моделей пассивных компонен-
Methodology for an On-Chip Spiral Inductor / N.-J. Oh, тов СВЧ-монолитных интегральных схем / А.Е. Горяи-
S.-G. Lee // ETRI Journal. – 2006. – Vol. 28, №. 1. – нов, Л.И. Бабак // Доклады ТУСУРа. – 2016 – Т. 19,
PР. 115–118. № 4. – С. 101–107.
УДК 621.375.026
Р.К. Собянин, А.А. Коколов
Разработка высокоэффективного СВЧ-усилителя мощности

класса F-диапазона 5,5–5,8 ГГц
Представлены результаты разработки высокоэффективного усилителя мощности диапазона 5,5–5,8 ГГц на
GaN-HEMT-транзисторе. C целью повышения выходной мощности и КПД был осуществлен оптимальный вы-
бор импедансов нагрузки транзистора на основной частоте f0 и гармониках 2f0, 3f0. Разработанный усилитель
обладает следующими параметрами: Pout > 36 дБм, G > 10 дБ, PAE > 50% в диапазоне частот Δf = 5,6–5,8 ГГц.
Ключевые слова: высокоэффективный усилитель мощности, GaN-HEMT.
СВЧ-усилители мощности (УМ) являются од- многом определяют важнейшие параметры совре-
ними из важнейших и самых распространенных менных радиоэлектронных систем (РЭС), такие как
устройств современных радиоэлектронных систем, дальность действия, излучаемую и потребляемую
таких как системы мобильной связи, беспроводной мощность, габариты и массу, надежность и стоимость.
Интернет, радионавигационные системы, военная Для того чтобы повысить скорость и качество
техника – радиолокационные станции, самолеты передачи данных, современные беспроводные сис-
нового поколения и т.п. Усилители мощности во темы быстро развиваются: появляется множество
новых стандартов передачи данных, повышаются тоте f0 и гармониках 2f0, 3f0 (частоты 5,65; 11,3 и
рабочие частоты, используются новые полупровод- 16,95 ГГц), обеспечивающие высокое значение PAE,
никовые технологии, ужесточаются требования к выходную мощность Pout (таблица). Форма тока и
размерам, выходной мощности, КПД и т.п. напряжения на внутреннем источнике тока транзи-
Наиболее используемыми и перспективными стора для УМ класса F, полученные при моделиро-
технологиями производства полупроводниковых вании, представлены на рис. 1.
усилителей мощности в СВЧ- и КВЧ-диапазоне яв-
ляются гетероструктурные HEMT (High Electron Результаты load-pull-моделирования
Mobility Transistor) технологии на основе полупро- Часто-
Zin, Ом Zout, Ом Pout, дБм PAE, %
водниковых соединений GaN. Транзисторы на осно- та, ГГц
5,65 4,67 + j23,0 11,0 + j19,7
ве GaN имеют значительно лучшие параметры
(плотность выходной мощности, КПД и др.) по 11,3 2,0 – j81,7 2,0 – j24,0 39 68
сравнению с традиционными GaAs-HEMT- и 16,95 152 – j938 641 – j700
LDMOS-технологиями [1].
Среди существующих типов СВЧ УМ одним из
наиболее перспективных с точки зрения выходной
мощности и КПД являются усилители класса F и
Е. Для реализации высокоэффективного УМ необхо-
димо выполнение нескольких критериев [2]:
1. Снижение потерь (рассеивания) мощности
путем управления формой тока и напряжения, т.е.
временные диаграммы тока и напряжения не долж-
ны пересекаться во времени.
2. Снижение уровня высших гармонических
составляющих на выходе УМ.
Для усилителей класса F выполнение указан-
ных условий обеспечивается путем оптимального
выбора импеданса нагрузки транзистора не только Рис. 1. Форма выходных сигналов тока и напряжения на
на основной частоте f0, но и на четных и нечетных GaN-транзисторе при настройке импедансов нагрузки на
высших гармониках. На четных гармониках форми- частотах f0, 2f0 и 3f0 (f0 = 5,65 ГГц)
руется режим короткого замыкания, в то время как
для нечетных гармоник формируется режим холо- Далее по полученным импедансам были разра-
стого хода [3]. На практике, как правило, ограничи- ботаны входная и выходная СЦ. Итоговая схема УМ
ваются второй и третьей гармониками – 2f0, 3f0. вместе с разделительными и блокировочными кон-
В данной работе рассматривается проектирова- денсаторами приведена на рис. 2. При моделирова-
ние и экспериментальное исследование однокаскад- нии характеристик УМ использовались модели
ного высокоэффективного УМ-класса F-диапазона SMD-компонентов, предоставленные производите-
5,5–5,8 ГГц на основе GaN-HEMT-транзистора. лями (Murata, Panasonic, Coilcraft), расчет микропо-
Проектирование УМ лосковых линий и неоднородностей проводился на
При проектировании УМ использовалась нели- основе материла Rogers 4350B (h = 0,762 мм,
нейная модель GaN-HEMT-транзистора ε = 3,48).
CGHV1F006S фирмы Cree. К усилителю предъявля-
лись следующие требования:
 коэффициент усиления GT не менее 10 дБ;
 выходная мощность Pout не менее 36 дБм;
 КПД по добавленной мощности PAE не менее
60%;
 согласование по входу и выходу: |S11| и
|S22| < –10 дБ;
 усилитель должен быть безусловно устойчи-
вым во всем частотном диапазоне (K > 1).
Первый этап проектирования заключался в ста-
билизации транзистора. Были рассчитаны RC-цепь
на входе транзистора и резистор во входной цепи Рис. 2. Принципиальная схема однокаскадного УМ
питания, обеспечивающие устойчивость при как мож-
но большем значении коэффициента усиления [4]. На рис. 3 приведены результаты моделирования
Следующий этап заключается в синтезе выход- в зависимости от частоты, выходная мощность Pout,
ной СЦ. С помощью load-pull-моделирования в сре- коэффициент усиления GT, КПД по добавленной
де Keysight ADS были получены значения импедан- мощности PAE, а также коэффициенты отражения
сов нагрузки и генератора для УМ на основной час- по входу и выходу |S11| и |S22|.
Рис. 4. Фотография изготовленного высокоэффективного

Рис. 3. Результаты моделирования однокаскадного УМ УМ класса F
в зависимости от частоты
Таким образом, в диапазоне частот 5,5–5,8 ГГц На рис. 5 изображена структурная схема стенда
при моделировании достигнута выходная мощность для проведения экспериментального исследования
Pout = 38 дБм при PAE = 56…70% и усилении разработанного усилителя.
GT = 13±0,5 дБ. Малосигнальные S-параметры были измерены
Изготовление и экспериментальное при Vds = 40 В, Ids = 60 мА, при помощи ENA Key-
исследование УМ sight E5071C в диапазоне до 10 ГГц. На рис. 6 при-
На рис. 4 приведена фотография изготовленного ведено сравнение измеренных (сплошная линия) и
УМ класса F. рассчитанных (пунктирная линия) S-параметров УМ.
Рис. 5. Структурная схема стенда для экспериментального исследования УМ
б
а
Рис. 6 (начало)
На рис. 7. представлен графики измеренных
значений выходной мощности Pout, коэффициента
усиления GT и КПД по добавленной мощности PAE
в зависимости от частоты входного сигнала. Изме-
рения проводились при помощи стенда, изображен-
ного на рис. 5.
Как видно из рис. 7, разработанный усилитель
обладает следующими параметрами: Pout > 36 дБм,
GT > 10 дБ, PAE > 50% в диапазоне частот
Δf = 5,6–5,8 ГГц. Для диапазона Δf = 5,5–5,6 ГГц
заданные к УМ требования не выполняются:
Pout = 34,1 дБм, GT = 9,1 дБ, PAE = 20%.
Причины отличий результатов измерений от
в моделирования могут быть следующие: разброс но-
Рис. 6 (окончание). Измеренные (сплошная линия) миналов SMD-компонентов; влияние SMA-разъе-
и смоделированные S-параметры (пунктирная линия) мов, неточность нелинейной модели GaN-транзисто-
разработанного УМ: а – |S11|; б – |S22|; в – |S21| ра. Для улучшения выходных характеристик в даль-
нейшем планируется настройка разработанного УМ.
1. Коколов А.А., Черкашин М.В. Построение и ха-
рактеристики СВЧ-монолитных усилителей мощности на
основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN //
Доклады ТУСУРа. – 2011. – Т. 2, Ч. 2. – С. 17–23.
2. Крыжановский В.Г. Транзисторные усилители с
высоким КПД. – Донецк: Апекс, 2004. – 448 с.
3. Colantonio P. High Efficiency RF and Microwave
Solid State Power Amplifier / P. Colantonio, F. Giannini,
E. Limiti. – John Wiley & Sons Ltd, 2009. – 511 p.
4. Собянин Р.К., Коколов А.А. Проектирование уси-
лителя мощности класса F // Матер. докл. XXI Всерос.
науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых уче-
Рис. 7. Измеренные характеристики выходной мощности ных «Научная сессия ТУСУР–2016». – 2016.
Pout, коэффициента усиления GT и КПД по добавленной
мощности PAE изготовленного УМ
УДК 004.942
Н.А. Торхов, Л.И. Бабак
Компактная модель планарного диода с вискером ТГц-диапазона

Разработана уточненная компактная модель кристалла планарного диода с анодным выводом в виде воздушно-
го моста с вискером, обеспечивающая возможность моделирования его амплитудных, фазовых и шумовых ха-
рактеристик в СВЧ-, КВЧ- и ТГц-диапазонах.
Ключевые слова: СВЧ, КВЧ, ТГц, компактная модель, диод Шоттки.
Недостатком известных компактных моделей лена тем, что линейные размеры используемых в
планарных диодов диапазонов дециметровых и сан- настоящее время полупроводниковых (например,
тиметровых волн [1–3], ограничивающих их эффек- арсенид-галлиевых GaAs) кристаллов детекторных,
тивное применение в более высокочастотных СВЧ-, смесительных и умножительных диодов в СВЧ-,
КВЧ- и ТГц-диапазонах, является недостаточное КВЧ- и ТГц-диапазонах могут быть менее 100 мкм.
число элементов эквивалентной схемы (ЭС), что не С учетом диэлектрической проницаемости
позволяет описать электрические характеристики GaAs12,64 такие размеры близки к длине электро-
всех основных конструктивных компонентов диод- магнитной волны  в материале GaAs: ~280 мкм для
ного кристалла в СВЧ-, КВЧ- и ТГц-диапазонах. 300 ГГц и ~85 мкм для 1 ТГц. Заметим, что в арсе-
Необходимость в совершенствовании ЭС обуслов- ниде галлия величина /12 для частоты 300 ГГц бу-
дет соответствовать 23,5 мкм, а для частоты 1 ТГц – лить более мелкие конструктивные компоненты ди-
7 мкм, это соизмеримо с линейными размерами от- одного кристалла и затем описать их соответствую-
дельных конструктивных компонентов диодного щими дополнительными элементами ЭС.
кристалла. Таким образом, для адекватного описа- Так, эквивалентный элемент 3 на рис. 1 описыва-
ния характеристик СВЧ-, КВЧ- или ТГц-диода не- ет результирующее резистивное сопротивление RS,
обходимо учесть влияние даже имеющих такие ма- которое образовано резистивным сопротивлением
лые размеры его конструктивных компонентов, а RBM барьерной металлизации 3-1, сопротивлением
значит, необходимо введение дополнительных экви- RL эпитаксиальных слоев структуры 3-2, сопротив-
валентных элементов в ЭС [5]. лениями катода RC 3-3 и вискера RW 3-4, сопротив-
В настоящей работе улучшение компактной ЭС- лением Rbr воздушного моста 3-5, сопротивлением
модели диодного кристалла (т.е. модели в виде ЭС) Rctd вывода катода 3-6, сопротивлением RSC подлож-
достигается путем: ки 3-7, сопротивлениями металлизаций контактных
– добавления в ЭС дополнительных элементов, площадок RCS 3-8 и RAS 3-9.
описывающих линейные электрические характери- Эквивалентный элемент 4 описывает индуктив-
стики всех основных «внутренних» и «внешних» ность диода Lf, образованную последовательно
конструктивных элементов диода; включенными индуктивностями воздушного моста
– заменой нелинейных эквивалентных элементов Lbr 4-1 и вывода катода Lctd 4-2.
CJ(U), RJ(U) и генератора фликер-шума i1 новыми Эквивалентный элемент 5 описывает интеграль-
элементами CJ*(U), RJ*(U) и i1*, более точно описы- ную электрическую емкость Сpp диодного кристал-
вающими нелинейные электрические характеристи- ла, образованную емкостью Cppair между анодом и
ки основного активного элемента (выпрямляющего катодом по воздуху 5-1, емкостью Cctd между выво-
контакта) и его взаимосвязи с остальными элемен- дом омического контакта и гетероструктурой 5-2 и
тами ЭС; емкостью Csub подложки 5-3.
– построением дополнительных электрических Эквивалентный элемент 6 описывает интеграль-
соединений, определяющих электрические взаимо- ную электрическую емкость Cfp между анодным
связи линейных и нелинейных элементов ЭС друг с контактом и поверхностью, которая включает ем-
другом. кость Ci между периферией анодного контакта и
Близкой к предлагаемой по сути является ЭС- окружающей его поверхностью 6-1, емкость CW вис-
модель планарного полупроводникового диода с кер–поверхность 6-1, емкость CbOC между шляпкой
балочным выводом [4] (рис. 1), содержащая два не- вискера и металлизацией катода 6-3 и емкость Cbr
линейных и шесть линейных взаимосвязанных эле- между воздушным мостом и гетероэпитаксиальны-
ментов. ми слоями мезаструктуры 6-4.
Для работы детекторных и преобразовательных
диодов в СВЧ-, КВЧ- и ТГЦ-диапазонах толщины
их баз обычно не должны превышать 100 нм. Это
значительно меньше длины свободного пробега го-
рячих (не собственных) электронов, которая, на-
пример для GaAs, может достигать 0,8 мкм. Такие
Рис. 1. Компактная ЭС-модель планарного диода электроны преодолевают тонкую базу диода балли-
с барьером Шоттки [4] стически, т.е. без рассеяния. В этом случае для адек-
ватного описания вольт-амперных характеристик
Нелинейные элементы указанной ЭС: 1 – нели- IJ*(U) (генератор тока) и нелинейной емкости CJ*(U)
нейное сопротивление RJ контакта металл–полупро- таких контактов необходимо уже использовать фи-
водник (М-П) с барьером Шоттки (БШ); 2 – нели- зические механизмы, основанные на теории балли-
нейная емкость CJ. стического переноса электронов через потенциаль-
Линейные элементы ЭС: 3 – последовательное ные барьеры произвольной формы [6, 7]. При этом
сопротивление RS; 4 – индуктивность диода Lf; 5 – для контактов микронных и наноразмеров следует
емкость анод–катод Cpp; 6 – емкость между анодным учитывать краевые [8] и размерные [9] эффекты.
контактом и поверхностью Cfp; 7 – емкость фильтра С учетом вышеизложенного детального анализа
по питанию анода Cpad1; 8 – емкость фильтра по пи- конструктивных компонентов разработана уточнен-
танию катода Cpad2. ная компактная ЭС-модель, описывающая прибор-
Такая компактная модель диода может быть эф- ные характеристики диодов с анодными выводами в
фективно использована для проектирования инте- виде воздушных мостов с вискером [10] с учетом
гральных диодных схем в СВЧ- и КВЧ-диапазонах новой модели взаимосвязей нелинейных элементов
до ~110 ГГц [4]. [11]. Согласно нашим исследованиям, диоды с вис-
Однако, согласно физическим представлениям, керами, выполненные по технологиям «Мезапод-
некоторые элементы представленной на рис. 1 ЭС ложка» (рис. 2) и «Меза-Меза» (рис. 3), могут быть
описывают интегральное влияние сразу нескольких описаны одинаковой эквивалентной схемой. Такой
конструктивных компонентов диода. Поэтому для же ЭС можно описать и приборные характеристики
уточнения модели диода необходимо сначала выде- диодов с балочными выводами [12].
стью CbOC между шляпкой вискера и металлизацией
катода; 6-4 – емкостью Cbr между воздушным мос-
том и гетероэпитаксиальными слоями меза-
структуры; 7 – электрической емкостью фильтра по
питанию анода Cpad1, 8 – электрической емкостью
фильтра по питанию катода Cpad2.
Как уже отмечалось, предлагаемая ЭС описывает
физические эффекты и процессы в диоде с воздуш-
ным выводом. В качестве основного активного пре-
образовательного нелинейного конструктивного
элемента таких диодов выступают выпрямляющие
контакты (Шоттки, p–n, p–i–n, планарно-легирован-
а ные, резонансно-туннельные переходы и др.). В ка-
честве пассивных линейных элементов – диссипа-
тивные (омические контакты, эпитаксиальные слои,
барьерная металлизация, соединения, выводы и
т.п.), определяющие резистивное сопротивление R
таких элементов, и реактивные (межэлементная
изоляция, объемные и балочные выводы, контакт-
ные площадки и т.п.) элементы, определяющие их
емкость C и индуктивность L.
В предлагаемой ЭС пассивные реактивные и
диссипативные линейные элементы диода могут
б образовывать паразитные колебательные контуры,
Рис. 2. Электронно-микроскопическое изображение n-n+ свойства которых в СВЧ-, КВЧ- и ТГц-диапазонах
GaAs{100} кристалла планарного диода Шоттки с виске- оказывают значительное влияние на приборные ха-
ром и выводами в виде воздушных мостов, изготовленно- рактеристики диода. В частности, паразитные кон-
го по технологии «Мезаподложка» – а, и схематическое туры могут образовывать некоторые внешние эле-
изображение его ЭС – б
менты ЭС – например, в области катода эквивалент-
В разработанной ЭС-модели конструктивные ные элементы 3-3, 3-6, 4-2, 3-8, 5-2, в области анода
элементы внутреннего диода будем описывать сле- элементы 3-9, 3-5, 4-1, 6-4, 5-1 и т.д.
дующими элементами: 1 – генератором тока IJ*(U), Влияние указанных факторов необходимо учи-
определяемым из баллистической модели переноса тывать при проектировании МИС по диодным тех-
горячих электронов, краевых эффектов, фракталь- нологиям в СВЧ-, КВЧ- и ТГц-диапазонах. Кроме
ной геометрии интерфейса и гетероэпитаксиальных этого, в этих частотных диапазонах уже сильно про-
слоев; 2 – нелинейной емкостью CJ*(U) выпрям- является электромагнитное взаимодействие между
ляющего контакта; 3-1 – сопротивлением барьерной отдельными конструктивными элементами диодно-
металлизации RBM; 6-1 – электрической емкостью Ci го кристалла и элементами конструкции МИС.
между периферией анодного контакта и окружаю- Важно отметить, что для повышения рабочей
щей его поверхностью; 3-2 – сопротивлением гете- частоты и расширения частотного диапазона диод-
роэпитаксиальных слоев RL между выпрямляющим ных МИС не всегда нужно стремиться к исполь-
и омическим контактами; 3-3 – сопротивлением ка- зованию предельно достижимых топологических
тода RC; 9 – генератором фликер-шума i1*; 10 – гене- норм – например, минимальных диаметров выпрям-
ратором теплового шума i3; 11 – генератором дробо- ляющих контактов D. В большинстве случаев ис-
вого шума i2. пользование точных компактных ЭС-моделей дио-
Внешние конструктивные элементы диода, дов при проектировании МИС с помощью САПР
включая и вискер, описываются следующими эле- позволяет учесть влияние паразитных элементов
ментами ЭС: 3-4 – сопротивлением вискера RW; конструкции диодного кристалла и скомпенсиро-
3-5 – сопротивлением воздушного моста Rbr; 3-6 – вать это влияние подбором определенных конструк-
сопротивлением Rctd вывода катода; 3-7 – электриче- тивных элементов МИС. Такой подход позволяет с
ским сопротивлением RSC подложки; 3-8 – электри- максимальной эффективностью использовать по-
ческим сопротивлением RCS катодной контактной тенциальные возможности нелинейных конструк-
площадки; 3-9 – электрическим сопротивлением RAS тивных элементов (барьеров Шоттки, p–n-переходов
анодной контактной площадки; 4-1 – индуктивно- и т.п.) диодов и повысить их рабочие частоты до
стью воздушного моста Lbr; 4-2 – индуктивностью ТГц-диапазона. В качестве примера такого подхода
Lctd вывода катода; 5-1– емкостью Cppair между ано- можно привести работающие в терагерцовом час-
дом и катодом по воздуху; 5-2 – емкостью Cctd меж- тотном диапазоне устройства фирмы Virginia Diodes
ду выводом омического контакта и гетерострукту- Inc. (WR1.0AMC-S, WR1.0AMC-M и WR1.0AMC-L),
рой; 5-3 – емкостью подложки Csub; 6-2 – электриче- выполненные по диодным технологиям с большими
ской емкостью вискер-поверхность CW; 6-3 – емко- проектными нормами [13, 14].
3. Методика определения параметров диодов СВЧ /
Н.Б. Гудкова, О.С. Зуева, И.В. Самсонова и др. // Элек-
тронная техника. – 2007. – Cер. 1, СВЧ-техника, вып.
1(489). – С. 80–86.
4. Analytical Extraction of a Schottky Diode Model From
Broadband – Parameters / A.Y. Tang, V. Drakinskiy,
K. Yhland et al. // IEEE Transactions on Microwave Theory
and Techniques. – 2013. – Vol. 61, No. 5. – PР. 1870–1878.
5. Фуско В. СВЧ-цепи. Анализ и автоматизированное
проектирование: пер. с англ. – М.: Радио и связь, 1990. –
288 с.
6. Торхов Н.А. Эффект баллистического переноса
электронов в Me-n-n+ GaAs-структурах с барьером Шотт-
а ки // ФТП. – 2001. – № 35(7). – С. 823–830.
7. Чуприков Н.Л. Матрица переноса одномерного
уравнения Шредингера // ФТП. – 1992. – Т. 26. – № 12. –
С. 2040–2047.
8. Торхов Н.А. Влияние периферии контактов металл-
полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические
характеристики // ФТП. – 2011. – Т. 45. – № 1. С. 70–86.
9. Торхов Н.А. Метод определения значений фрак-
тальной размерности интерфейсов электрических контак-
тов металл–полупроводник из их статических приборных
характеристик // Поверхность. – 2010. – № 1. – С. 1–15.
10. Торхов Н.А. Способ изготовления диода с виске-
б ром терагерцового диапазона: МПК51 H01L21/329 2006.01
Рис. 3. Электронно-микроскопическое изображение n-n+ (РФ); заявитель и патентообладатель АО «НИИПП»,
In-GaAs{100} кристалла планарного диода Шоттки г. Томск. – № 2016102531/28(003677); заявл. 26.01.2016.
с вискером и анодным выводом в виде воздушного моста, 11. Торхов Н.А. Модель взаимосвязей нелинейных
изготовленного по технологии «Меза-меза» – а, элементов эквивалентной схемы компактной модели дио-
и схематическое изображение его ЭС – б да терагерцового диапазона: МПК H01L29/47 (РФ); заяви-
тель и патентообладатель АО «НИИПП» г. Томск. –
Таким образом, предложена пригодная для про-
№ 2016104746/20(007592); заявл. 11.02.2016.
ектирования в САПР в СВЧ-, КВЧ- и ТГц-диапа- 12. СВЧ-диод с барьером Шоттки и способ его изго-
зонах подробная универсальная компактная ЭС- товления: патент Рос. Федерации: МПК6 H01L29/47 /
модель планарного диода с выводом в виде воздуш- В.Г. Божков, Т.М. Табакаева, Н.И. Курман; заявитель и
ного моста с вискером, учитывающая основную со- патентообладатель НИИПП, г. Томск. – № 94018447/25;
вокупность конструктивных элементов [15]. Эта заявл. 20.05.1994; опубл. 20.08.1996.
модель позволяет моделировать не только ампли- 13. New Approach to the Design and the Fabrication of
тудные, но и фазовые, и шумовые нелинейные элек- THz Schottky Bamier Diodes / A. Jelenski, A. Grub,
трические характеристики выпрямляющих контак- V. Krozer et al. // IEEE Transactions on Microwave Theory
and Techniques. – 1993. – Vol. 41(4), No.4. – PР. 549–557.
тов в более высокочастотных диапазонах (до ТГц)
14. Интегрированные источники и приемники компа-
по сравнению с известными. нии «Virginia Diodes, Inc.» [Электронный ресурс]. – Ре-
Литература жим доступа: http://www.vadiodes.com/en/products/com-
pact-receiver-modules-mixamc-i, свободный (дата обраще-
1. Low-Parasitic Planar Schottky Diodes for Millimeter- ния: 02.10.2017).
Wave Integrated Circuits / John W. Archer, C.J. Smith // IEEE 15. Торхов Н.А. Компактная модель диода с вискером
Transactions on Microwave Theory and Techniques. – 1990. – терагерцового диапазона: МПК51 H01L29/47 2006/01 (РФ);
Vol. 38, No. 1. – PР. 15–22. заявитель и патентообладатель АО «НИИПП» г. Томск. –
2. Зи C. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х № 2016104780/28(007636); заявл. 11.02.2016.
кн. – М.: Мир, 1984. – 449 с.
УДК 621.317.7.023
A.V. Ubaichin, T.A. Abdirasul, E.V. Alekseev, G.G. Zhuk, D.E. Minenko
Fluctuation sensitivity of microwave radiometers

This paper offers a comparative analysis of the fluctuation sensitivity of radiometers of different types. We have
considered mathematical models of fluctuation sensitivity , taking into account the destabilizing factors. Practical
recommendations on the approaches to increasing the fluctuation sensitivity have been provided. We have covered the
results of the calculation of fluctuation sensitivity on a standard radiometry receiver that operated in different modes.
Keywords: Fluctuation sensitivity, anomalous fluctuations of the receiver, temporary instability, radio physical re-
search, scientific instrumentation.
Introduction As compared to the compensating radiometer, the
Radiometric resolution is one of the basic charac- structural scheme of a switching radiometer (see Fig. 2)
teristics of radiometers. It determines the level of device is fitted with an additional switch (SW), noise generator
fitness for sensing natural processes with minimum (NG) and synchronous detector (SD) [2]. If we take into
changes in the brightness temperature. In this paper, we account the parameters of the switch, then sensitivity
have included a comparative analysis of the fluctuation ΔTA, of the switching radiometer is determined via the
sensitivity of radiometers of different types as well as following formula:
the ways of increasing the sensitivity.
Radiometric resolution 2
TA TN  TPh 1 
Compensating radiometers are one of the most f 
TA  ,
widespread radiometer types and they have potentially
TNG TN  TPh 1  T  G 
2
highest sensitivity [1]. However, due to the influence of 2   A TNG   
anomalous fluctuations of receiver parameters, practical f  G
implementations of compensating radiometers cannot (2)
achieve the theoretical (potential) sensitivity. Fig. 1 where TPh – physical temperature of the input switch;
shows a generalized structural scheme of a compensat- α – losses of the input switch; TNG – noise temperature
ing radiometer. of the noise generator.
By analyzing formula (2) we can conclude that the
sensitivity of switching radiometers is reduced, which is
TA TN, ΔG, G Δf
caused by: 1) the losses in the input switch (SW); 2) the
reduction of the equivalent time of signal accumulation
A LNA BPF SLD
by 2 times (as compared to compensating radiometers);
3) the influence of anomalous fluctuations and an
τ
equivalent increase in the noise power at the input due
INT to the input of noise generator signal into the measure-
ment path.
Fig. 1. Generalized structural scheme of a compensating Improved sensitivity in switching radiometers is
radiometer
possible through technological facilitation: reduced
The structural scheme comprises antenna A, low- losses in the SW, reduced anomalous fluctuations in the
noise amplifier (LNA), bandpass filter (BPF), square- receiver, reduced physical temperature of the SW, re-
law detector (SLD) and integrator (INT). The sensitivity ceiver, etc.
of the compensating radiometer ΔTA, is determined A special case in radiophysical sensing implements
via [5]: the null method of measurement where the last summon
of formula (2) is reduced to zero (applicable to (2)
2
1  G  where TA = TNG) thus making high stability radiometers
TA  TN  TA     , (1) based on this method possible [3]. Figure 3 shows
f    G 
a generalized structural scheme of high stability radi-
where TA is the noise temperature of the LNA, Δf is the
ometers.
bandwidth of the BPF, t is the time constant of the inte-
grator, TA is the noise temperature of the antenna, the
relation of ΔG to G is the amount of normalized fluctua- NG2
tions of the receiver's transmission coefficient. By ana-
lyzing formula (1) we can conclude that the sensitivity TNG2
TA α, TPh TN Δf
of the compensating radiometer is reduced as the noise
temperature of the antenna increases. Here, the sensitiv- A SW LNA BPF
ity is determined by the technological parameters of the
receiver. These parameters (apart from the parameters TNG1 τ
pre-defined during hardware design, Δf, τ) influence
SF SLD
anomalous fluctuations. NG1
Figure 2 shows the structural scheme of a switch-
ing radiometer. Fig. 3. Generalized structural scheme of high stability
radiometers
TA α, TPh TN, ΔG, G Δf

As compared to switching radiometers, the
A SW LNA BPF structural scheme (see Fig. 3) is fitted with reference
generator (NG2), and synchronous filter (SF) performs
TNG τ the synchronous filtration of the signals from the
NG SD SLD
antenna and the noise generators [4, 5]. The sensitivity
of a high stability radiometer is described via the
Fig. 2. Structural scheme of a switching radiometer following formula:
TNG1  TNG1  TNG2  TNG1  4  TN  TPh  1
the separation of antenna's signal in time across the
  receiver channels.
f  f  Conclusion
TA  , Having analyzed the results of the comparative
2
2TN  TPh  1 TA TA  TNG2  2TNG1 evaluation of the mathematical models, we conclude the
 
f  f  following. If we consider the practical applications
(3) where high fluctuation sensitivity is required, then it
where TNG1 and TNG2 are the noise temperatures of the makes sense to use high stability microwave
first and second noise generators, respectively. radiometers. The sensitivity can be increased
If we analyze expression (3), we can conclude that extensively (without technology improvements) by
in high stability radiometers, there is no influence of utilizing multiple receivers. In all types of microwave
anomalous fluctuations of transmission coefficient, and radiometers, the fluctuation sensitivity depends on the
the fluctuation sensitivity is reduced as the noise tem- values of the noises measured. This peculiarity makes
peratures of reference noise generators increases. compensating radiometers the preferred choice over
In papers [6–8], a new method of increasing fluc- switching radiometers for noise signals that are close to
tuation sensitivity was described. It is based on the absolute zero. For high stability radiometers, the
multi-receiver design principle used together with the creation of new principles for the measurement process
null method of measurement. Here, increased fluctua- workflow is a pressing objective, as they should provide
tion sensitivity is implemented based on the following: for reduced power of reference noise generators in order
1) the physical effects that emerge when the meas- to increase the fluctuation sensitivity. Increased
ured noise signal is compared to reference noise sources sensitivity in high stability radiometers can be achieved
that have low dispersion; by removing the switch from the input microwave part.
2) the continuous measurement of the signal from Evidently, this is the objective for future research in this
the antenna implemented by dividing it across different promising area.
receivers in time. Acknowledgements
Figure 4 shows a generalized structural scheme of The authors the team of Special Design Bureau
a high stability multi-receiver radiometer. «Smena» for all-around support in doing this research
and for helping us in solving technical issues pertinent
α, TPh TN, Δf N·τ
to modeling.
TNG2
RCVR1 SF1 References
NG2
1. Yesepkina Ye.A., Korol'kov D.V., Pariyskiy U.N. Ra-
dioteleskopy i radiometry. M.: Nauka, 1973. – 416 p.
TN, Δf N·τ 2. Camps A., Tarongi J.M. Microwave radiometer resolu-
TA
RCVR2 SF2 tion optimization using variable observation times / Remote
A SW Sensing. – 2010. – Vol. 2. – PP. 1826–1843.
3. Ubaichin, A.V. Filatov A.V. Mnogopriyemnikovyye
mikrovolnovyye radiometricheskiye sistemy na osnove
TNG1 TN, Δf N·τ modifikatsii nulevogo metoda izmereniy/ – Tomsk: idatel'stvo
RCVRN SFN TUSUR. – 2014. – 154 p. (In Russ.)
NG1
4. Vorsin N.N., Militsky Yu. A., Shaisky V.M., Etkin V.S.
Fig. 4. Structural scheme of a high stability multi-receiver Realizatsiya predel'noy chuvstvitel'nosti modulyatsionnykh
radiometer SVCh-radiometrov / Izvestiya vuzov. Radiofizika. – 1987. –
Vol. 30, No. 8. – PP. 931–938. (In Russ.)
The fluctuation sensitivity of a multi-receiver radi- 5. Filatov A.V., Ubaichin A.V., Bombizov A.A. A two-
ometer is described by the following expression: receiver microwave radiometer with high transfer characteris-
tic linearity / Measurement Techniques. – 2013. – Vol. 55,
T2 No. 11. – PP. 1281–1286.
2(TNG1  TN  TPh  (1  ))2  NG2
4 , (4) 6. Filatov A.V., Ubaichin A.V., Paraev D.E. A microwave
TA  four-channel null L-band radiometer / Instruments and Ex-
N f 
perimental Techniques. – 2012. –Vol. 55, No 1. – PP. 59–64.
where N is the number of receivers. If we analyze 7. United States Patent ICC G01S 3/02 20060101
formula (4), we can conclude that the fluctuation G01S003/02/. Multi–channel radiometer imaging system /
sensitivity in multi-receiver radiometers is increasing Ammar, Danny F. – pub. March 9, 2006.
proportionally to the square root from the number of 8. Filatov A.V., Ubaichin A.V. The dynamic properties of
receiver channels relative to the sensitivity of a single a digital radiometer system and its operating efficiency /
receiver channel, without increasing the duration of Measurement Techniques. – 2012. – Vol. 54, No. 10. – PP. 1.
measurements. This is in accordance with the theoretical 9. Filatov A.V., Ubaichin A.V., Zhuk N.O. Dvukh-
kanal'ny radiometr povyshennoy tochnosti / Radiotekhnika. –
[8] and experimental [9, 10] research. Increased
2011. – No. 1. – PP. 47–53.
sensitivity is achieved by increasing the time constant of 10. Kunkee D.B., Poe G.A., Boucher D.J. et al. Design
the synchronous filter. Here, the properties of the and Evaluation of the First Special Sensor Microwave Imager /
measurements have dynamics on par with high stability Sounder / IEEE Transaction on Geoscience Remote Sensing. –
radiometers with one receiver. This is possible due to 2008. – No. 4. – PP. 863–883.
УДК 621.375.4
Д.А. Жабин, И.М. Добуш
Синтез топологии МИС малошумящего усилителя диапазона

36–40 ГГц на основе GaAs-pHEMT-технологии
Представлен процесс автоматизированного структурно-параметрического синтеза топологии монолитной инте-
гральной схемы (МИС) транзисторного однокаскадного малошумящего усилителя (МШУ) диапазона
36–40 ГГц на основе 0,15 мкм GaAs-pHEMT-технологии. Для автоматизации проектирования топологии была
использована программа синтеза СВЧ МШУ Geneamp v2, построенная на базе генетического алгоритма.
Ключевые слова: СВЧ-монолитная интегральная схема, транзисторный малошумящий усилитель, топология,
синтез, генетический алгоритм, САПР.
В настоящее время в связи с переходом радио- Таблица 1

электронных систем на современную элементную Требования к характеристикам МШУ
базу (МИС) и освоением все более высокочастотных ∆f, ГГц G, дБ F, дБ |S11|, дБ |S22|, дБ k
диапазонов в мире резко возросло количество раз- 36–40 7,1±0,35 ≤ 2,5 ≤ –10 ≤ –10 >1
рабатываемых СВЧ-полупроводниковых устройств Подготовка фрагментов МШУ для синтеза
(ППУ). В частности, важнейшей проблемой являет- В качестве активного элемента выбран транзи-
ся разработка принципиальной схемы и топологии стор с шириной затвора Wg = 4×50 мкм в рабочей
СВЧ ППУ с использованием элементов выбранной точке Vds = 3 В, Ids = 20 мА. На частоте 40 ГГц он
технологии. Данный этап требует значительных за- имеет минимальный коэффициент шума Fmin≈1,52 дБ
трат времени и труда разработчика и во многом оп- и максимальный коэффициент усиления Gmax≈8,15 дБ.
ределяет качественные характеристики устройств. В В рабочей полосе частот транзистор является абсо-
то же время сейчас он наименее формализован и лютно устойчивым (k > 1), однако есть частотные
автоматизирован. Тематике автоматического по- интервалы за пределами этой полосы, где транзи-
строения топологий СВЧ-устройств посвящено стор потенциально неустойчив (k < 1). Анализ уси-
только небольшое число работ [1–3], опубликован- лительных возможностей транзистора в выбранном
ных в последние годы. Таким образом, в настоящее режиме работы показывает, что для обеспечения
время практически отсутствуют эффективные сис- необходимого коэффициента усиления в усилителе
тематические подходы и программы, позволяющие достаточно использовать один каскад.
выполнить одновременно структурный (схемный) и Далее в соответствии с методикой [4] с исполь-
топологический синтез СВЧ ППУ с учетом ком- зованием библиотеки элементов для выбранной
плекса характеристик и точных моделей элементов. 0,15 мкм GaAs-pHEMT-технологии в САПР
Для решения данной задачи в [4] была предло- Microwave Office были подготовлены фрагменты
жена методика автоматизированного синтеза топо- цепи для пассивных сосредоточенных элементов и
логии СВЧ-транзисторного малошумящего усилите- линий передачи (ЛП), а также площадок. Затем для
ля (МШУ), основанная на генетическом алгоритме каждого фрагмента при различных сочетаниях варь-
(ГА), описана также новая версия программы Ge- ируемых параметров сгенерированы наборы его S-
neamp v2, реализующая эту методику. В настоящей параметров на 481 частотной точке в диапазоне час-
работе представлены результаты синтеза МИС одно- тот 2…50 ГГц (шаг 0,1 ГГц). Опишем используемые
каскадного МШУ диапазона 36–40 ГГц с применени- при синтезе основные фрагменты цепи.
ем указанной методики и программы Geneamp v2. 1. Последовательно и параллельно включен-
Требования к МИС МШУ ные интегральные МДМ-конденсаторы. Изменяе-
Исходные требования, предъявляемые к харак- мые параметры: ширина и длина в диапазоне 10–
теристикам МИС МШУ, приведены в табл. 1. При 100 мкм. Для каждого типа включения получено по
синтезе характеристики усилителя рассчитываются 50 наборов S-параметров.
2. Последовательно и параллельно включен-
в 41 частотной точке (диапазон 36…40 ГГц, шаг
ные интегральные резисторы. Изменяемые парамет-
0,1 ГГц), тогда как требования к коэффициенту ус-
ры: ширина и длина в диапазоне 10–100 мкм. Для
тойчивости k задаются в диапазоне 2–50 ГГц. каждого типа включения получено по 100 наборов
На структуру усилителя были наложены сле- S-параметров.
дующие ограничения: используются входная и вы- 3. Последовательно и параллельно включен-
ходная СКЦ; в цепи истока транзистора разрешено ные спиральные круглые катушки индуктивности.
использование цепи последовательной индуктивной Использовались три различных типоразмера катуш-
обратной связи (ОС); СКЦ должны обеспечить по- ки, отличающихся величиной индуктивности (0,21,
дачу напряжений питания на транзисторы, а также 0,37, 0,52 нГн). Для каждого типа включения полу-
развязку входа и выхода МШУ по постоянному то- чено по три набора S-параметров.
ку. На входе и выходе МИС МШУ должны присут- 4. Последовательно и параллельно включен-
ствовать сигнальные контактные площадки. ные ЛП. Изменяемым параметром является длина
линии в диапазоне 10–500 мкм. Для каждого типа указанных топологий геометрические размеры всех
включения получено по 50 наборов S-параметров. пассивных компонентов, включая ЛП, найдены в
5. Схемы подачи напряжения питания и сме- автоматическом режиме.
щения на транзистор. Данные фрагменты цепи не Решения были экспортированы в САПР
содержат изменяемых параметров. Microwave Office (MWO). Для получения оконча-
Полученные наборы S-параметров были загру- тельных топологий МИС МШУ необходимо вос-
жены в программу Geneamp v2, далее они использо- пользоваться редактором топологий в MWO. Дора-
вались для синтеза МИС МШУ в соответствии с [3]. ботка всех топологий заключалась в ручном разме-
Результаты синтеза топологии МИС МШУ щении (как правило, просто сдвиге) сгенерирован-
В ходе процесса проектирования проведено 15 ных топологических рисунков фрагментов схемы на
запусков процесса синтеза, в качестве критерия ос- кристалле МИС (рис. 1).
тановки выбрано достижение времени 60 мин. В Характеристики найденных решений, включая
итоге было получено 7 различных схем и топологий значение целевой функции (ЦФ), время синтеза и
МИС МШУ, удовлетворяющих требованиям. Для размеры кристалла, приведены в табл. 2.
Рис. 1. Синтезированная и окончательная топологии МИС МШУ в САПР Microwave Office
Таблица 2
Характеристики синтезированных GaAs МИС МШУ
Схема Время, Размеры,
G, дБ F, дБ |S11|, дБ |S22|, дБ k Значение ЦФ
МШУ мм:cc мм2
1 7,28±0,27 2,4 –10,23 –19,44 1,04 1,67·10286 39:34 1,21,1
2 7,24±0,28 2,45 –10,37 –17,41 1,01 2,6·10242 43:48 1,01,0
3 7,20±0,20 2,4 –10,43 –10 1,01 0,019 44:23 1,21,0
4 7,27±0,25 2,34 –11,56 –17,24 1,01 8,384·10261 52:57 1,21,0
5 7,28±0,32 2,48 –10,63 –15,05 1,01 3,69·10257 01:21 1,00,8
6 7,27±0,30 2,49 –13,05 –18,89 1,01 9,86·10232 10:46 1,11,0
7 7,20±0,20 2,3 –11,2 –15,03 1,01 3,7·10215 24:53 1,01,3
Среднее 7,25±0,26 2,4 –11,06 –13,32 1,01 – 31:06 1,11,0
Среди всех полученных решений решение 7 в ние показывает, что автоматически синтезированная
табл. 2 (топология МИС МШУ на рис. 1) обеспечи- МИС МШУ по параметрам (в расчете на один кас-
вает наименьшие значения коэффициента шума и кад) не уступает коммерческой микросхеме.
неравномерности АЧХ. На рис. 2 представлена уп-
рощенная принципиальная схема МИС МШУ, соот-
ветствующая этой топологии. Следует отметить, что
полная схема для моделирования МИС МШУ со-
стоит из 87 элементов, а при синтезе конструктив-
ные параметры варьировались у 24 элементов. На
рис. 3 изображены результаты моделирования час-
тотных характеристик МИС МШУ, учитывающие
все элементы топологии.
Коммерческих аналогов разработанной МИС
однокаскадного МШУ диапазона 36–40 ГГц (реше-
ние 7 в табл. 2) найдено не было.
Ближайшим аналогом является МИС двухкас-
кадного МШУ CHA2391-99F фирмы UMS с рабочей
полосой 36–40 ГГц, обладающая коэффициентом
усиления G = 150,5 дБ, коэффициентом шума
F < 3 дБ, модулями входного и выходного коэффици- Рис. 2. Упрощенная схема синтезированной МИС МШУ
ентов отражения |S11|  –12 дБ, |S22|  –8 дБ. Сравне- диапазона 36…40 ГГц
зультатам конкурса «Конкурс проектов фундамен-
тальных научных исследований, проводимый РФФИ
и субъектами Российской Федерации».
1. Afacan E. A mixed domain sizing approach for RF
circuit synthesis / E. Afacan // IEEE 19th International Sym-
posium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits &
Systems, Kosice. – 2016. – PР. 1–4.
2. Tseng T. An Efficient Two-Phase ILP-Based Algo-
rithm for Precise CMOS RFIC Layout Generation / T. Tseng,
B. Li, C. Yeh et al. // IEEE Transactions on Computer-Aided
Рис. 3. Частотные характеристики МИС МШУ
Design of Integrated Circuits and Systems – 2016. – No. 99. –
PР. 1–14.
Заключение 3. Liu B. An efficient high-frequency linear RF amplifier
Показано, что предложенная в работе [4] мето- synthesis method based on evolutionary computation and
дика автоматизированного синтеза линейных и ма- machine learning techniques / B. Liu, N. Deferm, D. Zhao et
лошумящих СВЧ ТУ на основе ГА позволяет полу- al. // Computer-Aided Design of Integrated Circuits and
чить одновременно практически реализуемое схе- Systems, IEEE Transactions. – 2012. – Vol. 31, No. 7. –
мотехническое решение с учетом особенностей тех- PР. 981–993.
нологии изготовления и первоначальный вариант 4. Калентьев А.А. Методика автоматизированного
топологии. Представленный пример синтеза GaAs синтеза СВЧ МШУ с учетом особенностей топологии /
А.А. Калентьев, И.М. Добуш, Д.А. Жабин и др. // Сб. тру-
МИС МШУ диапазона частот 36–40 ГГц подтвер- дов 25-й Междунар. Крым. конф. «СВЧ-техника и теле-
ждает эффективность методики. коммуникационные технологии». – Севастополь: Вебер,
Работа выполнена в рамках научного проекта 2015. – С. 119–120.
№ 16-47-700286, получившего поддержку по ре-
УДК 621.375.4
Д.А. Жабин, Л.И. Бабак
Декомпозиционный синтез СВЧ-транзисторных усилителей

на основе сочетания визуальной процедуры и генетического
алгоритма
Представлена реализация декомпозиционного метода синтеза СВЧ-транзисторных усилителей (ТУ) с реактив-
ными согласующе-корректирующими цепями (СКЦ), основанная на сочетании интерактивных «визуальных»
процедур и генетического алгоритма (ГА). При этом используется разработанный метод автоматического син-
теза СКЦ по заданным областям допустимых значений (ОДЗ) иммитанса с помощью ГА. Подход позволяет бы-
стро и эффективно выполнить автоматизированный синтез многокаскадных СВЧ ТУ по комплексу требований
к характеристикам.
Ключевые слова: СВЧ-транзисторный усилитель, декомпозиционный метод синтеза, «визуальное» проектиро-
вание, генетический алгоритм, САПР.
СВЧ-транзисторные усилители (ТУ) в настоя- Для автоматизации этапа схемотехнического

щее время являются одним из наиболее распростра- проектирования достаточно широкого класса СВЧ
нённых типов СВЧ-полупроводниковых устройств ППУ, в частности ТУ в [1, 2] был предложен деком-
(ППУ). Вопросам их проектирования посвящено позиционный метод синтеза (ДМС) активных СВЧ-
большое количество работ. Тем не менее проблема цепей. ДМС предполагает декомпозицию первона-
разработки высококачественных усилителей остает- чальной сложной задачи проектирования СВЧ ТУ на
ся весьма актуальной, что связано с недостатками и ряд более простых задач синтеза пассивных двух– и
ограничениями существующих подходов к проекти- четырехполюсных корректирующих цепей (КЦ).
рованию СВЧ ТУ [1]. При этом вначале по комплексу требований к харак-
На практике при разработке СВЧ ТУ использу- теристикам ТУ (коэффициент усиления, форма
ют системы автоматизированного проектирования АЧХ, коэффициент шума, выходная мощность и др.)
(САПР) СВЧ-устройств. Однако существующие определяются области допустимых значений (ОДЗ)
САПР в первую очередь ориентированы на решение иммитанса КЦ на фиксированных частотах полосы
задач моделирования и конструкторского проекти- пропускания. Далее по ОДЗ осуществляется синтез
рования, они не позволяют автоматизировать задачу КЦ. Однако используемые методы синтеза КЦ по
получения схемы СВЧ ТУ. заданным произвольным областям ОДЗ иммитанса
[1] являются сложными и трудоемкими, требуют дачи применялись интерактивные «визуальные»
значительных затрат времени и не всегда позволяют процедуры проектирования реактивных СКЦ. Одна-
получать близкие к оптимальным решения. ко эффективность такого подхода значительно сни-
В настоящей работе представлена реализация жается из-за значительных затрат времени и необ-
декомпозиционного подхода к автоматизированно- ходимости специфического опыта у разработчика в
му синтезу СВЧ ТУ с реактивными КЦ, использую- использовании программы «визуального» проекти-
щая сочетание интерактивных «визуальных» проце- рования пассивных цепей Locus [4].
дур и генетического алгоритма (ГА). Она использу- В настоящей работе при декомпозиционном
ет метод автоматического синтеза КЦ по заданным проектировании СВЧ ТУ на этапе синтеза реактив-
ОДЗ иммитанса с помощью ГА [3] и позволяет вы- ных СКЦ по ОДЗ входного и/или выходного коэф-
полнить проектирование СВЧ ТУ, исходя из задан- фициентов отражения (иммитансов) цепи вместо
ных требований к их параметрам. «визуальных» процедур используется предложенная
Комбинированная методика в [3] процедура автоматического синтеза СКЦ с по-
декомпозиционного синтеза СВЧ ТУ мощью ГА. Такая комбинированная методика про-
В отличие от известных подходов, представ- ектирования СВЧ ТУ на основе сочетания ДМС,
ленная в [1, 2] методика на основе ДМС позволяет визуального подхода и ГА является гораздо более
осуществить синтез малошумящих и мощных широ-
эффективной, позволяет значительно упростить и
кополосных многокаскадных СВЧ ТУ с реактивны-
ускорить разработку широкополосных многокас-
ми согласующе-корректирующими цепями (СКЦ)
кадных СВЧ ТУ, а также улучшить характеристики
по комплексу требований к характеристикам с уче-
том взаимного влияния усилительных каскадов. усилителей.
Наиболее важной частью методики является синтез В общем случае усилитель представляет собой
межкаскадных реактивных СКЦ. Он должен осуще- ряд последовательно (каскадно) соединенных друг с
ствляться по ОДЗ, заданным одновременно для другом активных блоков (АБ), представляющих со-
входного и выходного коэффициентов отражения бой транзисторы с подключенныvb к ним двухпо-
цепи, только в этом случае возможен полный кон- люсными цепями коррекции и обратной связи (ОС).
троль комплекса характеристик многокаскадного Между АБ включаются реактивные или диссипа-
усилителя. В работе [4] для решения указанной за- тивнst четырехполюсные СКЦ (рис. 1).
ES
СКЦN+1
СКЦi+1
СКЦ1
СКЦi
Z0 Z0
АБ1 АБi АБi+1
(1) (i) (i) (i) (i+1) (i+1)

ГS ГS Гout ГL ГS Гin
Рис. 1. Структурная схема N-каскадного усилителя с реактивными СКЦ
Перед началом проектирования на фиксирован- последовательности синтеза СКЦ, назначение тре-

ных частотах f k (k 1, m ) полосы пропускания бований к характеристикам отдельных усилитель-
ных каскадов, обеспечение устойчивости усилителя,
f  [fL, fU] задаются требования к характеристикам
а также реализация синтеза межкаскадных СКЦ [1].
МШУ:
G–  G  G+, F  F+, m1(2)  m+1(2), k  1, (1) ОДЗ коэффициентов отражения Г(Si ) и Г(Li ) строятся
где G – коэффициент усиления по мощности; F – по совокупности ограничений вида (1) на характе-
коэффициент шума; m1 и m2 – модули входного и ристики i-го усилительного каскада.
выходного коэффициентов отражения; k – инвари- Следует отметить, что при проектировании
антный коэффициент устойчивости; G–, G+, F+, m+1, СВЧ ТУ на основе ДМС различаются два типа ОДЗ
m+2 – граничные значения указанных характеристик. коэффициентов отражения [1]. Если в процессе про-
Комбинированная методика основана на после- ектирования ТУ часть СКЦ уже синтезирована и
довательном построении ОДЗ ES(i ) ( f k ) , EL(i ) ( f k ) известна одна из нагрузок АБi ( Г(Si ) или Г(Li ) ), тогда
соответственно коэффициентов отражения источни- строятся так называемые «односторонне нагружен-
ка сигнала Г(Si ) и нагрузки Г(Li ) для каждого усили- ные» ОДЗ. В частности, «односторонне нагружен-
тельного каскада АБi ( i  1, N , где N – число каска- ная» область ES0(i ) содержит все множество значе-
дов) на ряде фиксированных частот fk и последую- ний коэффициента отражения источника сигнала
щем синтезе реактивных СКЦ на основе ГА по этим Г(Li ) , удовлетворяющих системе неравенств (1) при
ОДЗ. Особенностями проектирования многокаскад-
известном коэффициенте отражения нагрузки
ных СВЧ-усилителей на основе ДМС по сравнению
с однокаскадными являются определенный выбор Г(Li ) = Г0(
L .
i)
Очевидно, положение и форма ОДЗ
ES0(i ) на плоскости Г(Si ) зависят от значений Г(Li ) . СКЦ [1]. Обозначим ГS ≡ Г(1), Г ≡ Г(N) и рассмотрим
случай, когда синтез начинается со входной СКЦ.
Аналогично, «односторонне нагруженная» ОДЗ При этом процедура проектирования СКЦ сле-
EL0(i ) включает в себя все множество значений ко- дующая:
эффициента отражения нагрузки Г(Li ) , отвечающих 1) Нахождение на фиксированных частотах fk
системе неравенств (1) при известном коэффициенте полных ОДЗ ЕS(fk) на комплексной плоскости коэф-
фициента отражения ГS.
отражения источника сигнала Г(Si ) = Г0( i)
S .. Положе- 2) Синтез на основе ГА входной СКЦ по
ние и форма этой области на плоскости зависят от ЕS(fk); определение частотной зависимости коэффи-
значений Г(Si ) . циента отражения синтезированной входной СКЦ
Если же обе нагрузки Г(Si ) и Г(Li ) АБi пока не Г(0)
S (f).
известны, в этом случае строятся «полные» ОДЗ 3) Нахождение на плоскости коэффициента
ES(i )
или EL(i ) .
Область ES(i ) содержит полное мно- отражения ГL «односторонне нагруженных» ОДЗ
EL(0) ( f ) при значениях Г S ( f k )=Г(0)
S ( f k ) , т.е. при
жество допустимых точек Г(Si ) – иначе говоря, таких
подключенной входной СКЦ.
точек, для каждой из которых найдется хотя бы одно 4) Синтез на основе ГА выходной СКЦ по
значение Г(Li ) , удовлетворяющее системе (1). При «односторонне-нагруженным» ОДЗ EL(0) ( f k ) .
этом полная ОДЗ ES(i ) не зависит от коэффициента В работе приводятся примеры проектирования
СВЧ ТУ, подтверждающие эффективность предло-
отражения нагрузки Г(Li ) . Аналогично ОДЗ EL(i ) со- женной методики.
держит полное множество допустимых точек Г(Li ) , Заключение
В настоящей статье представлена комбиниро-
она не зависит от коэффициента отражения источ- ванная методика декомпозиционного синтеза мно-
ника сигнала Г(Si ) . гокаскадных СВЧ ТУ, основанная на сочетании ин-
Проектирование многокаскадного усилителя терактивных «визуальных» процедур и ГА. Методи-
(см. рис. 1) начинается с синтеза с использованием ка позволяет автоматизировать и упростить процесс
ГА одной из межкаскадных СКЦ. проектирования многокаскадных малошумящих и
Процесс проектирования включает следующие мощных СВЧ ТУ.
этапы: Работа выполнена в рамках научного проекта
1) Формулирование требований к отдельным № 16-47-700286, получившего поддержку по ре-
усилительным каскадам. зультатам конкурса «Конкурс проектов фундамен-
2) Построение на частотах fk полных ОДЗ ко- тальных научных исследований, проводимый РФФИ
и субъектами Российской Федерации».
эффициентов отражения Г(1) (2)
L и Г S для АБ1 и АБ2.
3) Синтез межкаскадной СКЦ2 по ОДЗ, полу-
ченным на предыдущем шаге. Литература
4) Вычисление параметров соединения АБ1 – 1. Бабак Л.И. Теория, методы и алгоритмы автомати-
СКЦ2 – АБ2, представление этого соединения в виде зированного синтеза СВЧ-транзисторных усилителей на
отдельного блока – составного АБ'2. основе декомпозиционного подхода: дис. ... д-ра техн.
5) Уточнение требований, построение на час- наук / Бабак Л.И. – Томск, 2012. – Т. 1. – 360 с.
тотах fk полных ОДЗ для составного АБ'2 и АБ3. 2. Бабак Л.И. Структурный синтез СВЧ-полупровод-
никовых устройств на основе декомпозиционного подхода
6) Синтез следующей межкаскадной СКЦ3 по
/ Л.И. Бабак // Изв. Том. политехн. ун-та. –2006. – Т. 309,
полученным ОДЗ. Процесс продолжается, пока не №8. – С. 160–165.
будут синтезированы все межкаскадные СКЦ и оп- 3. Жабин Д.А. Методика автоматизированного син-
ределены параметры составного АБ'n = АБ1–СКЦ2– теза согласующе-корректирующих цепей по областям
АБ 2–СКЦ2–…–СКЦn– АБ n. допустимых значений иммитанса / Д.А. Жабин,
7) Получение полных ОДЗ на частотах fk для Л.И. Бабак. – В наст. сборнике.
составного АБ n. Синтез входной и выходной СКЦ 4. Самуилов А.А. Методика «визуального» проекти-
по найденным ОДЗ. рования цепей на сосредоточенных элементах для широ-
Порядок синтеза с помощью ГА входной и вы- кополосного согласования двух комплексных нагрузок /
А.А. Самуилов, М.В. Черкашин, Л.И. Бабак // Доклады
ходной СКЦ такой же, как и при «визуальном» про-
ТУСУРа. – 2013, № 2 (28). – С. 30–39.
ектировании однокаскадного ТУ с реактивными
Секция 4. Нанотехнологии в электронике 89
Секция 4
НАНОТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
Председатель секции – Троян Павел Ефимович, д.т.н., профессор, зав. каф. ФЭ
УДК 621.382.323
Т.Ю. Сидорюк, Д.В. Билевич, А.А. Попов, A.C. Сальников
Моделирование корпуса СВЧ-транзистора

Статья посвящена исследованию характеристик корпуса транзистора. Приведены результаты электромагнитно-
го моделирования корпуса. Конечной целью исследования является оценка влияния корпуса на характеристики
транзистора и учет корпуса в модели транзистора.
Ключевые слова: СВЧ-транзистор, СВЧ-корпус, S-параметры, электромагнитное моделирование.
Мощные нитрид-галлиевые СВЧ-транзисторы в изменения, и стараться учитывать их. Также можно

настоящее время все более востребованы в качестве измерять частотные характеристики корпуса и про-
современной элементной компонентной базы для ектировать схемы, используя эту информацию.
применения в перспективных системах связи в каче- Для учета влияния корпуса было решено по-
стве усилительного элемента. С повышением требо- строить его трехмерную модель и с помощью элек-
ваний к энергопотреблению, массе и габаритным тромагнитного моделирования получить его пара-
размерам современной электронной аппаратуры, метры, которые в дальнейшем можно использовать
повышению тактико-технических характеристик для предсказания поведения транзистора в данном
разрабатываемых изделий нитрид-галлиевый тран- корпусе.
зистор является перспективным прибором. В связи с Построение корпуса велось поэтапно (рис. 2) с
повышением мощности транзисторов увеличивается верификацией полученных результатов (рис. 4). Ре-
количество энергии, рассеивающейся на элементе, зультат трехмерного электромагнитного моделиро-
что приводит к нагреву элемента и участка схемы. вания сравнивался с моделированием идентичной
Это в свою очередь вызывает изменение характери- конструкции, но представленной в виде схемы.
стик прибора и не позволяет схеме выполнять свое Для того чтобы избежать ошибок и контролиро-
предназначение. Чтобы компенсировать этот эффект вать параметры, получаемые в результате моделиро-
и предотвратить перегрев пластин, мощные транзи- вания, трёхмерная модель строилась по принципу
сторы помещают в корпуса, которые позволяют от- усложнения модели. Первым шагом было построе-
вести излишнее тепло и закрепить транзистор в схе- ние микрополоскового тракта и оценка его влияния
ме. Но данное решение имеет ряд недостатков. на волну. В качестве диэлектрика использовалась
Одним из них является то, что при использова- керамика с диэлектрической проницаемостью 9,6 и
нии мощных транзисторов количество тепла, кото- тангенсом диэлектрических потерь 0,001. Гранич-
рое необходимо отводить, велико, что приводит к ные условия были выбраны следующие: подложка
увеличению размеров теплоотводящих элементов и имеет нулевой потенциал, боковые стороны имеют
последующему увеличению размеров корпуса. Дру- открытые границы (воздух), с торцов установлены
гим же негативным эффектом является то, что кор- волноводные порты и искусственно добавлено про-
пус оказывает влияние на высокочастотные пара- странство, сверху установлена воздушная среда с
метры транзистора. Это происходит из-за появления толщиной, равной пяти толщинам модели.
паразитных элементов: емкостей, индуктивностей, По результатам видно (рис. 3), что коэффициент
резисторов, которые возникают в корпусе при про- передачи близок к единице, следовательно, микро-
хождении СВЧ-сигнала. Важной технической зада- полосковый тракт передаёт СВЧ-энергию, и можно
чей является проектирование корпуса таким обра- предположить, что моделирование проведено кор-
зом, чтобы при размещении в нём транзистора па- ректно.
раметры прибора продолжали соответствовать тре- Путем усложнения модели мы получили трёх-
бованиям. мерную модель корпуса, выбранного для моделиро-
В данном исследовании для моделирования ис- вания (см. рис. 1). Так как в производстве в корпус
пользовался металлокерамический корпус транзи- помещается не один транзистор, а набор транзи-
стора [1], представленный на рис. 1. сторных ячеек, моделирование было проведено в
Чтобы учесть влияние паразитных элементов, двух вариантах: с одной (рис. 5) и пятью (рис. 6)
необходимо понимать, какие участки корпуса вносят парами проводов.
Рис. 1. Геометрические размеры корпуса транзистора
а б в
г д е
Рис. 2. Этапы построения корпуса
Рис. 3. S-параметры микрополосковой линии
Рис. 4. Сравнение идеальных элементов и ЭМ модели
Рис. 5. S-параметры корпуса с одной парой проводов
Рис. 6. S-параметры корпуса с пятью парами проводов
Полученная в итоге модель корпуса позволяет 2. Chron J., Campovecchio M., Barataud D. et al. Design
извлечь характеристики корпуса в требуемом час- and Modeling Method of Package for Power GaN HEMTs to
тотном диапазоне и учесть их при проектировании Limit the Input Matching Sensitivity / 2011 Workshop on
схем с мощными транзисторами. Также в дальней- Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Cir-
cuits, April 18–19. – 2011. – PР. 81–84.
шем планируется разработать модель корпуса в виде 3. Flucke J., Schmьckle F.-J., Rudolph M., Heinrich W.
эквивалентной схемы, чтобы её можно было интег- Modeling the Package of a GaN Power Transistor. Р. 18
рировать в САПР для упрощения процесса разра- 4. Halder S., Kharabi F., Howle T., McMacken J. et al.
ботки схем. Broadband lumped package modeling for scaling multi-cell
GaN HEMT power devices / RF Micro Devices. P. 3.
Литература 5. Schnieder F., Schmuckle F., Heinrich W., Rudolph M.
1. Чертежи корпусов мощных СВЧ-транзисторов An Analysis of Source Connections in GaN Power Transistor
[Электронный реcурс]. – Режим доступа: Packages. P. 4.
http://www.syntezmicro.ru/uploads/images/RF/Drawings/SOT
1227A(B).pdf, свободный (дата обращения: 15.05.2017).
УДК 539.23
Л.Р. Битнер, Т.И. Данилина
Электрофизические свойства диэлектрических пленок

при повышенных температурах
Исследованы изоляционные свойства пленок двуокиси кремния, осажденных методом ионно-плазменного рас-
пыления на массивные металлические подложки. Приводятся характеристики образцов до и после длительных
воздействий повышенных температур.
Ключевые слова: двуокись кремния, тонкопленочная изоляция, ионно-плазменное осаждение.
Для создания некоторых микроэлектронных рия. Вблизи этих микроострий происходит локаль-
устройств, например различного рода датчиков, тре- ное усиление электрического поля, что и приводит к
буется надежная изоляция элементов схемы от про- ухудшению изоляционных свойств тонкопленочных
водящей подложки, обеспечивающая необходимые конденсаторов.
параметры в течение длительного времени при по- На свежеприготовленных образцах была изуче-
вышенных температурах. В качестве тонкопленоч- на температурная зависимость основных парамет-
ной изоляции чаще всего используют пленки дву- ров тонкопленочных структур в диапазоне темпера-
окиси кремния, свойства которых во многом зависят тур 20–300 °С (рис. 1).
от технологии их нанесения.
В работе приводятся результаты исследования 14 0,005
тангенс угла диэл. потерь

изоляционных свойств пленок, осажденных методом 13,5
реактивного ионно-плазменного распыления в маг- 0,004
13
нетронном устройстве. Распылению подвергались 12,5 0,003
Lg R
мишени из монокристаллического кремния в атмо- 12

сфере кислорода. Толщина пленок двуокиси крем- 11,5 0,002
ния составляла 2,8–3 мкм. В качестве подложки ис- 11
пользовались металлические шайбы из стали 0,001
10,5
ЭП-920, предварительно отполированные до 12–13-го 10 0
класса. Материалом верхнего электрода служили 0 100 200 300
термически напыленные пленки алюминия или на- Температура, оС
несенные ионно-плазменным распылением слои R tg d
вольфрама, молибдена и никеля. Рис. 1. Зависимость сопротивления и тангенса угла
Перед нанесением изоляции подложки прогре- диэлектрических потерь конденсаторной структуры
вались в вакууме до 200–250 °С. сталь – двуокись кремния – никель от температуры
Для исследования параметров диэлектрических сразу после изготовления
пленок на поверхности подложек методами фотоли-
тографии формировались конденсаторные структу- Тангенс угла диэлектрических потерь при на-
ры с верхним электродом в форме квадрата площа- греве монотонно возрастает, а сопротивление изоля-
дью 1 мм2. Количество конденсаторов на одной под- ции падает, причем в области температур от 150 до
ложке зависит от ее размеров и составляет от не- 250 °С наблюдается нестабильность проводимости,
скольких десятков до сотни. что указывает на возможные химические и струк-
Для всех элементов на одной подложке измеря- турные превращения в тонкопленочных структурах
лись тангенс угла диэлектрических потерь на часто- и необходимость термообработки образцов.
те 1 кГц, а также токи утечки между верхним и Длительные воздействия температуры 300 °С
нижним электродами при напряжении 10 В. После проводились в печи в условиях атмосферного давле-
чего рассчитывались средние значения параметров. ния. Для измерений образцы вынимались, охлажда-
При комнатной температуре лучшие результаты лись до комнатной температуры, после регистрации
показали структуры с верхним алюминиевым элек- параметров вновь помещались в печь. Результаты
тродом: сопротивление не ниже 1012 Ом и tg не измерений от длительности термообработки приве-
выше 10–3. В случае когда верхним электродом слу- дены на рис. 2, из которого следует, что основные
жили пленки вольфрама или молибдена, параметры изменения параметров происходят в первые 20–30 ч.
на порядок хуже. Объясняется это тем, что при ион- Сопротивление изоляции увеличивается, а тангенс
ном распылении металлов энергия атомов, посту- угла диэлектрических потерь уменьшается. После
пающих на поверхность диэлектрического слоя, зна- чего происходит плавное ухудшение изоляционных
чительно выше, чем при термическом испарении. свойств.
Следовательно, атомы вольфрама и молибдена про- Объяснить первоначальное улучшение пара-
никают дальше в диэлектрическую пленку по раз- метров при термообработке можно уплотнением
личного рода микродефектам, создавая микроост- пленки, отжигом дефектов, структурными и хими-
ческими изменениями. Как следствие, на темпера- пылением в магнетронном устройстве, обладают
турной зависимости сопротивления исчезают раз- хорошими изолирующими свойствами и высокой
личного рода нестабильности (рис. 3). стабильностью по отношению к воздействию тем-
пературы.
15 0,0025
тангенс угла диэл. потерь

14 0,002
13 0,0015
Lg R
12 0,001
11 0,0005
10 0
0 100 200 300 400 500
Время, час.
R tg d
Рис. 2. Изменение сопротивления и тангенса угла
диэлектрических потерь конденсаторной структуры
сталь – двуокись кремния – никель от температуры Рис. 3. Зависимость сопротивления и тангенса угла ди-
в процессе термообработки при температуре 300 °С электрических потерь конденсаторной структуры сталь –
двуокись кремния – никель от температуры после термо-
Электрическая прочность конденсаторов после обработки в течение 500 ч при температуре 300 °С
термообработки составляет 170–200 МВ/м.
Дополнительно исследовалась устойчивость
образцов к термоударам. Пластины находились по-
очередно в камере тепла (300 °С) и холода (– 60 °С) 1. Битнер Л.Р., Ведерников В.А., Данилина Т.И. Вы-
по 30 мин. Перемещение между камерами проводи- сокотемпературные резистивные и диэлектрические плен-
лось за одну минуту. Общее число термоударов рав- ки // Приборы и системы управления. – 1990. – №3. –
нялось 30, после чего ни один образец не вышел из С. 36–38.
2. Данилина Т.И., Троян П.Е. Электрофизические
строя.
свойства диэлектрических пленок в МДМ-структурах //
Таким образом, диэлектрические пленки дву- Изв. вузов. Физика. – 2010. – №4. – С. 8–11.
окиси кремния, нанесенные ионно-плазменным рас-
УДК 539.231
А.А. Чистоедова, С.В. Смирнов
Фотоэлектрические свойства пленок ITO

Приведены исследования фотоэлектрических свойств пленок ITO, полученных магнетронным распылением на
стеклянных подложках после отжига. Подтверждена прямая зависимость между содержанием кислорода в сре-
де напыления и оптическими свойствами пленки. Установлен прыжковый механизм электропроводности ITO и
рассчитаны концентрация и подвижность основных носителей.
Ключевые слова: пленки ITO, проводимость Мотта, подвижность и концентрация носителей.
Одной из задач современной оптоэлектроники кислорода. ITO находит применение не только как
является повышение внешней квантовой эффектив- прозрачное проводящее покрытие, но и в качестве
ности полупроводниковых источников света на ос- омических контактов. Пленки, полученные этим
нове соединений AIIIBV. Одним из направлений ре- методом, как правило, имеют нестехиометрический
шения этой задачи является оптимизация конструк- состав и высокую неоднородность по толщине. Уст-
ции омического контакта. Известно, что в кристал- ранить эти недостатки возможно высокотемператур-
лах происходит локализация тока по периметру ным отжигом в кислородсодержащей атмосфере.
омического контакта. Для уменьшения локализации Цель работы: определение механизма электропро-
тока необходимо увеличивать площадь контакта, но водности, типа проводимости, концентрации и подвиж-
увеличение его площади приводит к уменьшению ности основных носителей заряда в пленках ITO.
площади световыводящей поверхности [1, 2]. По- Объекты исследований и методика
этому в настоящее время используют светопропус- измерений
кающие проводящие покрытия на основе оксидов В качестве объектов исследований выбраны об-
индия и олова (ITO), получаемые методом магне- разцы пленок ITO, полученные методом магнетрон-
тронного распыления на постоянном токе из ком- ного распыления, толщиной приблизительно 100 нм
пактной мишени в газовой смеси на основе аргона и с напыленными металлическими контактами. Плен-
ки напылялись в среде аргона и кислорода с разным По экспериментально полученным данным ко-
процентным содержанием кислорода на покровные эффициента пропускания можно определить шири-
стекла. Далее производился отжиг в атмосфере азота ну оптической щели.
при температуре 600 °С в течение 25 мин.
Процентное содержание кислорода в составе
пленок определялось с помощью растрового элек-
тронного микроскопа Hitachi TM-1000, оснащенного
системой энергодисперсионного микроанализатора.
Частотная зависимость электропроводности пленок
исследовалась на измерителе иммитанса Е7-20.
Подвижность носителей определялась с помощью
магниторезистивного эффекта.
Результаты и обсуждение
Рис. 1. Зависимость коэффициента пропускания от длины
Методом электронной микроскопии был опре-
волны для двух образцов
делен химический состав пленок ITO. Была уста-
новлена прямая связь между содержанием кислоро- Для этого необходимо перестроить график ко-
да в среде напыления и его количеством в составе эффициента пропускания от длины волны в коорди-
пленки. При этом большее содержание кислорода натах зависимости квадрата коэффициента погло-
делает пленку прозрачной, что важно с точки зрения щения α2 от энергии падающего света hc/λ по фор-
оптики. Для дальнейших исследований выбраны муле (1):
образцы, содержащие самое меньшее (образец № 1) и
самое большее содержание кислорода (образец № 2). 1 (1  R ) 2
  ln , (1)
С помощью измерителя иммитанса Е7-20 была d T
получена частотная зависимость сопротивления где d – толщина плёнки, d=100 нм; R – коэффициент
пленок, которая представлена в таблице. отражения, для покровного стекла R = 5,5%; T – ко-
эффициент пропускания.
Частотная зависимость сопротивления
образцов пленок Эти зависимости представлены на рис. 2.
f, Гц R, Ом (образец № 1) R, Ом (образец № 2)
25 16,526 50,272
100 16,525 50,275
1000 16,515 50,260
104 16,505 50,242
105 16,536 50,187
106 16,387 48,45
Из таблицы следует, что сопротивление образца
№ 2 с большим содержанием кислорода намного
превышает сопротивление образца № 1. Это может
быть связано с тем, что с увеличением кислорода в
составе ITO количество дефектов уменьшается, а
следовательно, уменьшается число локализирован-
ных на кислородных вакансиях электронов. Поэтому Рис. 2. Зависимость квадрата коэффициента поглощения
уменьшается электропроводность и сопротивление от энергии для двух образцов
увеличивается. Также содержание кислорода опре-
деляет время релаксации, так как изменяется число Ширину оптической щели можно рассчитать по
вакансий. правилу Урбаха:
Также из таблицы видно, что сопротивление c  2
E g  , (2)
пленок изменяется с частотой, что соответствует  A2
прыжковому механизму проводимости Мотта [3]. где А – некоторый коэффициент, зависящий от эф-
Ранее было установлено, что данные образцы
пленок не имеют кристаллических образований, фективной массы; c – скорость света, c  3 108 м/с ;
поэтому будем считать их аморфными [4]. Для по- λ – длина волны излучения;  – постоянная Планка,
строения энергетической диаграммы ITO, что явля-   6,62 1034 Дж  с .
ется основной задачей исследований, была рассчи- Электронный тип проводимости пленок ITO
тана ширина оптической щели, которая является был установлен с помощью метода термоЭДС.
аналогом запрещенной зоны для аморфного мате- Магниторезистивный эффект представляет со-
риала. бой изменение сопротивления пленки при постоян-
На рис. 1 представлены зависимости коэффици- ном магнитном поле [5]. Формула для расчета под-
ента пропускания T от длины волны λ для двух об- вижности основных носителей заряда определяется
разцов. по формуле (3):
2 2
R ( B )  R(0) B , (3) средственно влияет на его оптические свойства, а
именно его увеличение приводит к увеличению ко-
где R(B) – сопротивление материала в присутствии эффициента пропускания пленки. Установлено, что
магнитного поля; R(0) – сопротивление материала в
пленки ITO обладают электронной проводимостью и
отсутствие магнитного поля; B – магнитная индук- определено значение ширины оптической щели –
ция, B = 300 мТл; μ – подвижность носителей. приблизительно 3,5 эВ. Рассчитаны концентрация и
По приведенной формуле было рассчитано зна-
подвижность основных носителей заряда.
чение подвижности носителей заряда для образца
№ 2 – 3 м2/(В·с).
Концентрация основных носителей заряда оп-
ределяется через сопротивление по формуле (4): 1. Сергеев В.А., Ходаков А.М. Расчет и анализ рас-
1 пределений плотности тока и температуры по площади
n , (4) структуры InGaN/GaN мощных светодиодов // Физика и
v en техника полупроводников. – 2010. – Т. 44, вып. 2. –
где ρ – удельное сопротивление пленки; e – заряд С. 230–234.
электрона, e 1,6 1019 Кл . 2. Дохтуров В.В. Влияние локализации тепловыде-
ления на тепловое сопротивление мощных полупроводни-
Удельное сопротивление пленки определяется ковых источников света / В.В. Дохтуров, С.В. Смирнов,
по формуле (5): Ю.С. Гончарова // Полупроводниковая светотехника. –
RS 2013. – Т. 3, № 23. – С. 18–19.
v  , (5)
l 3. Мотт Н., Дэвис Э. Электроные процессы в некри-
где R – сопротивление пленки при комнатной темпе- сталлических веществах. – М.: Мир, 1974. – С. 57–60.
ратуре; l – длина пленки в направлении протекания 4. Чистоедова А.А., Жидик Ю.С. Исследование рель-
ефа и химического состава ITO до и после отжига // Науч-
тока; S – площадь сечения пленки.
ная сессия ТУСУР–2017: матер. Междунар. науч.-техн.
Таким образом, концентрация основных носи- конф. студентов, аспирантов и молодых ученых, посвя-
телей равна приблизительно 4·1023 м–3 для образца щенной 55-летию ТУСУРа, Томск, 10–12 мая 2017 г.:
№ 2. в 8 ч. – Томск: В-Спектр, 2017. – Ч. 2. – С. 155–157.
В ходе исследований установлено, что процент- 5. Киреев П.С. Физика полупроводников: учеб. посо-
ное содержание кислорода в среде напыления непо- бие для вузов. – М.: Высшая школа, 1969. – С. 285–293.
УДК 621.396.41
Т.И. Данилина, И.А. Чистоедова
Выбор толщины проводящих пленок для субмикронной

металлизации
Педставлены результаты исследований влияния толщины проводящих пленок на основе Al–Ti–Mo на сопро-
тивление слоев. Пленки получены электронно-лучевым испарением толщиной d = 3–100 нм.
Определена критическая толщина металлизации, начиная с которой, наблюдается резкое возрастание сопротив-
ления слоев. Установлено влияние материала металлизации на значение критической толщины. Проведенные
расчеты и исследование коэффициента отражения металлических слоев хорошо совпадают с результатами экс-
периментов.
Ключевые слова: субмикронная металлизация, электронно-лучевое испарение, сопротивление проводящих
пленок, структура пленок, коэффициент отражения.
Развитие сверхбольших интегральных схем с Переход к субмикронной металлизации требует

большим быстродействием (СБИС) требует умень- дополнительных исследований по выбору критиче-
шения всех размеров элементов, в том числе толщи- ской толщины металлизации. С целью решения этой
ны металлизации. Толщина проводящих пленок ме- задачи были проведены электрические и оптические
таллизации становится менее 50 нм, а для диффузи- измерения проводящих пленок на основе алюминия
онно-барьерных слоев (ДБС) уже достигает уровня и титана с толщиной в диапазоне 10–100 нм.
10 нм [1–4]. Осаждение пленок алюминия и титана на
На определенной стадии роста пленка состоит кремниевые пластины проводили методом элек-
из отдельных островков, которые по мере срастания тронно-лучевого испарения в вакууме 10–5 Па на
образуют сетчатую структуру, а затем уже сплош- установке Orion-B со скоростью 0,5 нм/с. Контроль
ную пленку. При превращении островковой пленки толщины пленок осуществлялся с помощью
в сплошную ее поверхностное сопротивление кварцевого датчика с точностью 0,1 нм.
уменьшается на несколько порядков. Происходит Образцы с различной толщиной проводящих
также существенное изменение оптического спектра пленок имели хорошую адгезию и зеркальную по-
пропускания (отражения) [5–6]. верхность.
Структура пленок изучалась с помощью атом- массивных материалов в 2–7 раз в зависимости от
но-силового микроскопа Certus Optic U. условий напыления и хранения образцов. Проведен-
ные исследования позволяют приблизительно оце-
нить критическую толщину проводящих пленок,
меньше которой технологически нецелесообразно
выбирать толщину металлизации. Таким образом,
критическая толщина составляет соответственно для
алюминиевой металлизации 25–30 нм, а для титано-
вой металлизации – менее 40–50 нм.
Полученные результаты нашли подтверждение
при дальнейших оптических исследованиях зависи-
а мости коэффициента отражения от толщины пленок.
Расчет проведен для системы кремний – пленка –
воздух в широком диапазоне длин волн. На рис. 2
представлены зависимости для длины волны излу-
чения 550 нм и угле 45 град. Толщина, равная нулю,
соответствует кремниевой подложке.
Коэффициент отражения для пленок с толщи-
ной 100 нм составляет для алюминия 0,924, а для
титана 0,57. Расчеты показывают резкое уменьше-
ние коэффициента отражения для пленок алюминия
при толщине менее 30 нм. Для пленок титана в этом
диапазоне наблюдается слабое изменение коэффи-
б циента отражения.
Рис. 1. 3D-изображение (а) и профиль сечения (б) образца Для всех образцов были реализованы оптиче-
алюминия толщиной 10 нм
ские измерения на спектроскане, результаты пред-
ставлены на рис. 3. Наблюдается достаточно хоро-
Полученные сканы демонстрируют наличие
шее совпадение оптических характеристик по ре-
шероховатой поверхности. С ростом толщины пле-
зультатам расчетов и экспериментов.
нок от 10 до 100 нм шероховатость для алюминия
Совокупность проведенных исследований по-
возрастает от 10 до 40 нм, а для титана уменьшает-
зволяет рекомендовать критическую толщину про-
ся от 50 до 10 нм. Это отличие может быть связано с
водящих пленок для металлизации на основе алю-
тем, что при электронно-лучевом испарении одно-
миния более 30 нм, на основе титана – более 50 нм.
стороннее поступление молекулярного потока по-
рождает тенденцию к образованию столбчатой
структуры, например в пленках алюминия.
Удельное поверхностное сопротивление прово-
дящих пленок измерялось с помощью четырехзон-
дового метода. Результаты исследований представ-
лены на рис. 2.
Рис. 3. Зависимость коэффициента отражения

от толщины слоя
Таким образом, в работе определена критиче-

ская толщина металлизации, начиная с которой, на-
блюдается резкое возрастание сопротивления про-
Рис. 2. Зависимость удельного поверхностного водящего слоя. Установлено влияние материала ме-
сопротивления пленок алюминия и титана от толщины
таллизации на значение критической толщины.
С уменьшением толщины пленок удельное по- Литература
верхностное сопротивление возрастает для алюми-
1. Kumar S., Gerhardt R.A. Measurement Science and
ния и титана примерно в 20 раз, т.е. проявляется
Technology. – 2012. – Vol. 23, №3.
известный размерный эффект. Этот эффект для пле- 2. Holwill R.J. Materials Science and Engineering:
нок с субмикронными размерами обусловлен рас- A. – 1989. – Vol. 116. – PP. 143–5.
сеянием электронов на поверхностях [7]. 3. Toyoda S., Kiyota T., Tamagawa K., Yamakawa H.
Удельное объемное сопротивление для пленок Materials Science and Engineering: A. – 1993. – Vol. 163,
толщиной 100 нм больше, чем для соответствующих № 2. – PP. 167–70.
4. Kawabata K., Tanaka T., Kajioka H. Materials Sci- 6. Jeyachandran Y.L., Karunagaran B., Narayandass Sa.K.
ence and Engineering: A. – 1993. – Vol. 163, № 2. – et al. Materials Science and Engineering: A. – 2006. –
PP. 163–65. Vol. 431, № 1–2. – PP. 277–284.
5. Fujimura N., Nishida N., Ito T., Nakayama Y. Mate- 7. Chopra K.L. Electrical phenomena in thin films. –
rials Science and Engineering: A. – 1989. – Vol. 108. – M., Russia, 1972. – 435 p.
PP. 153–57.
УДК 621.396.41
Е.В. Ерофеев, И.В. Федин, И.В. Юнусов, В.В. Федина
Разработка мощных GaN-транзисторов

с субмикронным затвором на основе плёнок нитрида титана
Представлены результаты разработки мощных GaN-транзисторов с субмикронным затвором на основе пленок
нитрида титана, формируемых методом реактивного магнетронного распыления. Разработанный GaN-транзис-
тор работал в режиме обогащения с величиной порогового напряжения отпирания Uпор = 0,7 В и максимальным
током сток-исток Iси = 0,4 A/мм при напряжении затвор-исток Uзи = 8 В. Максимальное значение тока затвор-
исток GaN-транзистора в открытом состоянии составило Iзи = 9 мкA/мм при напряжении затвор-исток Uзи = 8 В.
Напряжение пробоя сток-исток GaN-транзистора в закрытом состоянии составляло Uси = 200 В при расстоянии
сток-исток Lси = 5,5 мкм.
Ключевые слова: нитрид галлия, мощный транзистор, субмикронный затвор, тонкие пленки, нитрид титана.
Повышение эффективности использования пер- алмазом), – это высокие характеристики GaN-

вичных энергетических ресурсов, а также электри- приборов при относительно низких затратах на их
ческой энергии является сегодня важнейшей научно- изготовление. Возможность работы GaN-приборов
технической проблемой, стоящей перед цивилизо- на более высоких частотах позволит повысить энер-
ванным миром. В условиях постепенного истощения гоэффективность преобразователя и упростить его
удобных для разработки месторождений нефти и миниатюризацию. При этом за счет отказа от ряда
газа, нарастающего экологического неблагополучия пассивных элементов (фильтров) в схеме преобразо-
техногенного происхождения, а также быстрого рос- вателя можно добиться снижения массогабаритных
та энергопотребления в развивающихся странах показателей конечного устройства и уменьшить се-
особое значение приобретает повышение эффектив- бестоимость его производства [2].
ности преобразования вырабатываемой электро- Для применения в силовых коммутационных
энергии. В настоящее время в США, Японии и Ев- устройствах требуются нормально закрытые GaN-
ропе эффективность преобразования электроэнергии транзисторы, работающие в режиме обогащения.
достигает более 60–80%, в то время как в РФ эта Для создания нормально закрытых GaN-транзис-
цифра составляет не более 30–40%. Простые оценки торов чаще всего используют подзатворную область
показывают, что повышение этой цифры до мирово- на основе GaN-p-типа, легированного магнием
го уровня позволит сэкономить в стране около 20% (p-GaN) [3–6]. При этом электрические характери-
электроэнергии, что сопоставимо с вкладом гидро- стики GaN-транзисторов с подзатворной p-GaN-
или атомной энергетики. областью определяются главным образом материа-
Эффективность работы преобразователя элек- лом используемого барьера Шоттки к p-GaN-об-
троэнергии, главным образом, определяется исполь- ласти. Перспективными материалами затворной ме-
зуемой электронной компонентной базой в виде ак- таллизации могут быть тугоплавкие металлы (Ti, Ta,
тивных полупроводниковых приборов – мощных W, WSi), а также их нитриды, формируемые мето-
транзисторов и диодов. Базовым материалом сило- дами реактивного магнетронного распыления [7, 8].
вой полупроводниковой электроники на протяжении В настоящей работе представлены результаты
последних пятидесяти лет является кремний (Si). разработки мощных GaN-транзисторов с субмик-
Согласно последней редакции Международной до- ронным затвором на основе тонких пленок нитрида
рожной карты развития полупроводников (ITRS, титана (TiN), формируемых методом реактивного
http://www.itrs.net/) кремниевая технология практи- магнетронного распыления.
чески достигла своих предельных возможностей и в Методика эксперимента
области силовой электроники наиболее перспектив- В первой серии экспериментов исследовалось
ными становятся приборы на основе нитрид галлия влияние режимов магнетронного распыления на
(GaN) [1]. электрофизические параметры тонких пленок нит-
Основная причина того, что нитриду галлия от- рида титана, осаждаемых на кремниевые подложки.
дается предпочтение перед другими широкозонны- Для этого на пластине формировалась фоторези-
ми полупроводниковыми материалами (GaAs, SiC, стивная маска с рисунком в виде последовательно-
сти резистивных элементов, что позволяло опреде- лось напыление металлизации омического контакта
лить удельное электрическое сопротивление плёнок. на основе пленок Ta/Al к областям стока и истока
Перед осаждением пленок подложки проходили об- транзистора. После напыления металлизации оми-
работку в водном растворе соляной кислоты для ческих контактов фоторезистивная маска удалялась
удаления собственного окисла с последующей про- и в атмосфере очищенного азота проводился быст-
мывкой в деионизованной воде и сушкой в потоке рый термический отжиг контактов при температуре
очищенного азота. Вакуумная откачка проводилась T = 550 °С в течение t = 60 с. Затем на поверхность
до остаточного давления атмосферы не хуже пластины производилось осаждение защитного ди-
p = 4,5·10–5 Па. Мишень проходила предваритель- электрика на основе нитрида кремния толщиной
ную очистку распылением в атмосфере аргона в те- 100 нм с последующим реактивным ионным травле-
чение t = 10 мин. Поток аргона был фиксирован и нием окон к областям стока, истока и затвора GaN-
составлял jar = 25 см3/мин. При напылении плёнок транзистора.
использовали три режима потока азота: jn = 3,7 и Электрические параметры GaN-транзисторов
14 см3/мин (доля азота в парогазовой смеси состав- по постоянному току исследовались с помощью из-
ляла n = 12, 28 и 56% соответственно) и три режи- мерителя характеристик полупроводниковых прибо-
ма мощности разряда: P = 250, 500 и 750 Вт. ров HP4156A. Микроскопические изображения по-
Толщина плёнок определялась микроскопией перечного сечения отдельных элементов GaN-тран-
скола образцов на сканирующем электронном мик- зисторов исследовались с помощью сканирующей
роскопе Zeiss Supra 55. Удельное электрическое со- электронной микроскопии Zeiss Supra 55.
противление тонких пленок ρ определялось исходя Экспериментальные результаты
из геометрии тестовых элементов на пластине. На рис. 1 приведены экспериментальные зави-
Во второй серии экспериментов проводились симости скорости осаждения плёнок нитрида титана
работы по разработке мощных GaN-транзисторов с от мощности разряда (P = 250, 500 и 750 Вт) для
субмикронным затвором на основе тонких пленок трёх потоков азота (jn = 3, 7 и 14 см3/мин).
нитрида титана, осаждаемых в оптимальных режи-
мах на основании результатов первой серии экспе-
риментов.
В экспериментах использовались гетероэпитак-
сиальные структуры типа p-GaN/AlGaN/GaN, выра-
щенные методом металл-органической газофазовой
эпитаксии на кремниевых подложках диаметром
100 мм. Гетероструктура включала в себя буферный
слой на основе GaN, легированного железом толщи-
ной 2 мкм, канальный слой GaN, барьерный слой
Al0.25Ga0.75N и p-GaN-слой, легированный магнием
толщиной 50 нм. Рис. 1. Экспериментальные зависимости скорости
На начальном этапе пластина подвергалась хи- осаждения V плёнок TiN от мощности разряда P
мической обработке с целью очистки от органиче- для потоков азота jn = 3, 7 и 14 см3/мин
ских загрязнений на поверхности. Далее на поверх-
ность пластины производилось напыление тонкой Как видно из рис. 1, при мощности разряда
пленки на основе нитрида титана толщиной 100 нм Р = 250 Вт скорость осаждения тонких плёнок нит-
методом реактивного магнетронного распыления. рида титана практически не зависит от величины
Затем производилось осаждение диэлектрика на ос- потока азота jn и составляет V ≈ 5 нм/мин. Однако с
нове нитрида кремния (Si3N4) толщиной 100 нм. Да- увеличением мощности разряда Р при потоках азота
лее на поверхности в местах расположения затворов jn = 3 и 7 см3/мин и при потоке азота jn = 14 см3/мин
методами оптической литографии формировалась наблюдается разница в скоростях осаждения. Кроме
фоторезистивная маска. Методом селективного того, при увеличении мощности разряда Р вне зави-
плазмохимического травления по резистивной маске симости от величины потока азота jn наблюдается
производилась последовательная операция травле- рост скорости осаждения пленок.
ния плёнок нитрида кремния и нитрида титана с На рис. 2 приведены экспериментальные зави-
последующим удалением фоторезистивной маски с симости удельного электрического сопротивления
поверхности пластины. Далее методом селективного () тонких плёнок TiN от потока азота jn для мощно-
плазмохимического травления в индуктивно-связан- стей разряда P = 250, 500 и 750 Вт.
ной плазме по твердой маске на основе SiN/TiN Как видно из рис. 2, характер зависимости
производилось формирование самосовмещённой удельного сопротивления  от потока азота jn для
подзатворной области на основе p-GaN с последую- разных мощностей разряда не одинаков. При малых
щим формированием межприборной мезаизоляции. потоках азота в смеси с увеличением мощности раз-
Длина основания p-GaN-области после процесса ряда P наблюдается рост удельного сопротивления 
травления составляла 1,3 мкм. Далее методом элек- пленок. Однако с увеличением плотности потока
тронно-лучевого испарения в вакууме производи- азота в смеси до jn = 14 см3/мин наблюдается обрат-
ная зависимость, что может быть обусловлено изме-
нением размера зёрен тонкой плёнки.
Рис. 4. Микроскопическое изображение поперечного

сечения подзатворной p-GaN-области транзистора
с металлизацией на основе TiN
Рис. 2. Экспериментальные зависимости удельного

электрического сопротивления тонких плёнок TiN
от плотности потока азота в смеси jn для мощностей
разряда P = 250, 500 и 750 Вт
Минимальное удельное сопротивление пленок

нитрида титана наблюдалось у образцов, сформиро-
ванных при мощности разряда P = 500 Вт и потоке
азота jn = 7 см3/мин, а также мощности разряда
P = 750 Вт и потоке азота jn = 14 см3/мин (67 и
58,5 мкОм*см, соответственно). Однако высокая
термическая стабильность величины удельного со-
противления тонких пленок после их термообработ- Рис. 5. Вольт-амперные характеристики мощного
ки при Т = 500–600 °С в течение t = 60 с наблюда- GaN-транзистора с субмикронным затвором
на основе нитрида титана
лась только у образцов, сформированных во втором
режиме осаждения (P = 750 Вт, jn = 14 см3/мин). Та-
Из рис. 5 видно, что минимальное сопротивле-
ким образом, данный режим осаждения тонких пле-
ние мощного GaN-транзистора в открытом состоя-
нок нитрида титана был принят за основной и ис-
нии составляет Ron = 9 Ом·мм при напряжении за-
пользовался далее в работах при формировании
твор-исток Uзи = 8 В. При этом напряжение пробоя
субмикронного затвора мощного GaN-транзистора.
сток-исток GaN-транзистора в закрытом состоянии
На рис. 3 и 4 представлены микроскопические
(Uзи = 0 В) составило Uси = 200 В.
изображения разработанного GaN-транзистора с
На рис. 6 представлены зависимости тока сток-
субмикронным затвором на основе тонких пленок
исток (1) и затвор-исток (2) мощного GaN-транзис-
нитрида титана, а также подзатворной области на
тора с субмикронным затвором на основе нитрида
основе p-GaN с длиной основания 1,3 мкм. Расстоя-
титана от напряжения затвор-исток.
ния затвор-исток и сток-исток GaN-транзистора,
представленного на рис. 3, составляли Lзи = 1 мкм и
Lси = 5,5 мкм соответственно.
Рис. 6. Зависимости тока сток-исток (1) и затвор-исток (2)

Рис. 3. Микроскопическое изображение поперечного мощного GaN-транзистора с субмикронным затвором
сечения мощного GaN-транзистора с подзатворной на основе нитрида титана от напряжения затвор-исток
областью на основе p-GaN
Из рис. 6 видно, что разработанный GaN-тран-
На рис. 5 представлены вольт-амперные харак- зистор работает в режиме обогащения с величиной
теристики мощного GaN-транзистора с субмикрон- порогового напряжения отпирания Uпор = 0,7 В и
ным затвором на основе нитрида титана. максимальным током сток-исток Iси = 0,4 A/мм при
напряжении затвор-исток Uзи = 8 В. Величина на- Благодарности
чального тока утечки сток-исток GaN-транзистора в
Авторы работы выражают благодарность кол-
закрытом состоянии составила порядка Iси = 5 мкA/мм
лективу научно-производственного комплекса
при напряжении затвор-исток Uзи = –3 В.
«Микроэлектроника» АО «Научно-производствен-
На рис. 6 представлена зависимость тока за-
ной фирмы «Микран» (г. Томск) и коллективу Науч-
твор-исток от напряжения затвор-исток. При напря-
но-образовательного центра «Нанотехнологии» Том-
жений затвор-исток Uзи = 5 В величина тока, проте-
ского государственного университета систем управ-
кающего через затвор транзистора, составляет по-
ления и радиоэлектроники (ТУСУР) за содействие в
рядка Iзи = 1,5 мкА/мм. Однако при дальнейшем уве-
проведении экспериментальной части работы и об-
личении напряжения на затворе (Uзи > 5 В) происхо-
суждении результатов.
дит экспоненциальное увеличение тока затвор-
Работа выполнена при финансовой поддержке
исток, что может быть обусловлено инжекцией ды-
Министерства образования и науки РФ в рамках
рок из подзатворной области на основе p-GaN в ка-
соглашения № 14.577.21.0250 от 26.09.17, уникаль-
нал транзистора [4]. Максимальное значение тока
ный идентификатор проекта RFMEFI57717X0250.
затвор-исток GaN-транзистора в открытом состоя-
нии составило Iзи = 9 мкA/мм при напряжении за- Литература
твор-исток Uзи = 8 В. 1. Briere M. GaN-based Power Device Platform. The ar-
Заключение rival of a new paradigm in conversion technology. – URL:
Мощные транзисторы на основе эпитаксиаль- http://www.powersystemdesign.com
ных гетероструктур AlGaN/GaN, работающие в ре- 2. GaN-on-Silicon wafers: the enabler of GaN power
жиме обогащения, являются перспективной эле- electronics. – Power Devices. – 2012. – № 4. – PP. 6–9.
3. Würfl J., Hilt O., Bahat-Treidel E. et al. Technologi-
ментной базой для создания устройств силовой cal approaches towards high voltage, fast switching GaN
электроники следующего поколения. power transistors // ECS Trans. – 2013. – Vol. 52, №. 1. –
В данной работе представлены результаты раз- PP. 979–989.
работки мощных нормально закрытых GaN-транзис- 4. Uemoto Y., Hikita M., Ueno H. et al. Gate injection
торов с субмикронным затвором на основе пленок transistor (GIT) – A normally-off AlGaN/GaN power transis-
tor using conductivity modulation // IEEE Trans. On Electron
нитрида титана, формируемых методом реактивного devices. – 2007. – Vol. 54, № 12. – PP. 3393–3395.
магнетронного распыления. 5. Meneghesso G., Zanandrea A., Stocco A. et al. GaN-
Разработанный нормально закрытый GaN-тран- HEMTs devices with Single- and Double-heterostructure for
зистор обладает величиной порогового напряжения power switching applications // IEEE Int. Reliab. Phys. Symp.
отпирания Uпор = 0,7 В и максимальным током сток- (IRPS), Monterey, CA, USA. – 2013. – PP. 3C1.1–3C1.7.
6. Hilt O., Bahat-Treidel E., Cho E. et al. Impact of
исток Iси = 0,4 A/мм при напряжении затвор-исток Buffer Composition on the Dynamic On-State Resistance of
Uзи = 8 В. Ток утечки затвор-исток составил High-Voltage AlGaN/GaN HFETs // 24th Int. Symp. on
Iзи = 9 мкA/мм при напряжении затвор-исток Uзи = 8 В. Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD). – 2012. –
Напряжение пробоя сток-исток GaN-транзистора в PP. 345–348.
закрытом состоянии составляло Uси = 200 В при рас- 7. Lee F., Su L.-Y., Wang C.-H. et al. Impact of gate
metal on the performance of p-GaN/AlGaN/GaN high electron
стоянии сток-исток Lси = 5,5 мкм и Uзи = 0 В. mobility transistors // IEEE Electron Device Letters. – 2015. –
Разработанный в настоящей работе мощный Vol. 36, №. 3. – PP. 232–234.
GaN-транзистор может быть успешно использован 8. Hwang I., Kin J., Choi H.S. et al. p-GaN gate HEMTs
при разработке преобразователей напряжения высо- with tungsten gate metal for high threshold voltage and low
кой эффективности. gate current // IEEE Electron Device Letters. – 2013. –
Vol. 34, № 2. – PP. 202–204.
УДК 621.382.323
В.В. Федина, Е.В. Ерофеев, И.В. Федин
Моделирование нормально закрытых силовых GaN-HEMT

в среде Silvaco TCAD
Представлены результаты технологического моделирования нормально закрытого силового транзистора с вы-
сокой подвижностью электронов на основе гетероструктуры AlGaN/GaN с подзатворной областью на основе
p-GaN. Моделирование проводилось в среде Silvaco TCAD. Исследовались зависимость порогового напряже-
ния и максимального тока стока от толщины барьерного слоя AlGaN и мольной доли алюминия в нем. Увели-
чение мольной доли алюминия от 0,1 до 0,3 в барьерном слое AlGaN приводит к снижению порогового напря-
жения от 3,3 до 2 В и росту тока насыщения транзистора с 3 до 60 мА. Увеличение толщины барьерного слоя
AlGaN с 5 до 25 нм приводит к падению порогового напряжения с 3,2 до 1 В и увеличению тока насыщения ис-
ток-сток (Iнас) до максимального значения Iнас = 46 мА. Полученные результаты согласуются с данными из ли-
тературных источников.
Ключевые слова: технологическое моделирование, HEMT на основе GaN, гетероструктура, зонная диаграмма,
передаточная характеристика.
Широкозонные полупроводники, такие как нит- На рис. 2 представлена зонная диаграмма за-
рид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), привле- творной области, где видно формирование двух ге-
кают всё большее внимание разработчиков как пер- теропереходов на границе p-GaN/AlGaN и
спективные материалы силовой электроники. В на- AlGaN/GaN, что подтверждается работой [1].
стоящее время транзисторы с высокой подвижно- На рис. 3 представлена передаточная характе-
стью электронов на основе гетероструктур ристика транзистора, полученного в результате мо-
AlGaN/GaN рассматриваются как замена устарев- делирования, и передаточная характеристика реаль-
шим кремниевым приборам, благодаря своим от- ного p-GaN/AlGaN/GaN-транзистора с такой же пе-
личным свойствам, таким как низкое сопротивление риферией и мольной долей алюминия в AlGaN. По-
в проводящем канале, высокая плотность тока и вы- роговое напряжение (Uпор) смоделированного тран-
сокие пробивные напряжения [1, 2]. Однако для ис- зистора составило 2,6 В, что сравнимо с пороговым
пользования GaN-транзисторов в силовой электро- напряжением реального транзистора, составляюще-
нике требуются транзисторы, работающие в режиме го 1,9 В. Возможно, данное расхождение вызвано
обогащения, со значением порогового напряжения упрощением модели, не учитывающим реальную
Vпор > 1 В. В настоящее время одним из наиболее высоту барьера Шоттки, сформированного металлом
перспективных способов получения нормально- затвора к p-GaN-области.
закрытых GaN-транзисторов является использова-
ние подзатворной области на основе p-GaN. Целью
настоящей работы является технологическое моде-
лирование в среде Silvaco TCAD конструкции гете-
ростурктуры, требуемой для получения мощного
GaN-транзистора, работающего в режиме обогаще-
ния. Моделирование заключалось в расчете зависи-
мостей порогового напряжения Vпор и максимально-
го тока стока транзистора Iси в зависимости от тол-
щины барьерного слоя AlGaN, а также мольной доли
алюминия в нем.
В работе использовалась транзисторная гетеро-
структура на основе pGaN/AlGaN/GaN, представ-
ленная на рис. 1. Структура включала в себя буфер-
ный слой GaN толщиной 2 мкм, легированный Fe,
нелегированный канал из GaN (35 нм), барьерный Рис. 2. Зонная диаграмма моделируемого транзистора
слой на основе AlxGa1–xN с мольной долей алюми-
ния 25% и подзатворную область p-GaN (60 нм), Также в данной работе проводилось моделиро-
легированнyю Mg. В качестве затворной металлиза- вание зависимости порогового напряжения (Uпор) и
ции использовался никель толщиной 140 нм. тока насыщения (IСИ) GaN-транзистора от мольной
доли алюминия (x(Al)) в слое AlxGa1–xN. Толщина
слоя p-GaN была фиксирована и составляла 60 нм.
Из рис. 4, а видно, что увеличение мольной до-
ли алюминия от 0,1 до 0,3 приводит к снижению
порогового напряжения от 3,3 до 2 В. Из рис. 2, б
видно, что увеличение мольной доли алюминия
приводит к росту тока насыщения транзистора с 3
Рис. 1. Поперечное сечение используемой транзисторной до 60 мА. Оба полученных утверждения согласуют-
гетероструктуры AlGaN/GaN ся с результатами, полученными в [2].
а б
Рис. 3. Передаточная характеристика смоделированного (а) и реального (б) транзисторов
а б
Рис. 4. Зависимость порогового напряжения (Uпор) и тока насыщения (Iнас) от мольной доли Al (x(Al)),
полученные в результате моделирования
а б
Рис. 5. Зависимости порогового напряжения (UпорР) и тока насыщения (Iнас) от толщины барьерного слоя AlGaN (d),
полученные в результате моделирования
Так же в данной работе проводилось моделиро- 2. Увеличение мольной доли алюминия от 0,1
вание зависимости порогового напряжения (Uпор) и до 0,3 в барьерном слое AlGaN приводит к сниже-
тока насыщения (Iси) от толщины барьерного слоя нию порогового напряжения от 3,3 до 2 В и росту
AlGaN (d) при фиксированной мольной доле алю- тока насыщения транзистора с 3 до 60 мА.
миния x(Al) = 0,25 (рис. 5). Как видно из рис. 5, а, 3. Увеличение толщины барьерного слоя AlGaN
увеличение толщины барьерного слоя AlGaN с 5 до с 5 до 25 нм приводит к падению порогового напря-
25 нм приводит к падению порогового напряжения с жения с 3,2 до 1 В и увеличению тока насыщения
3,2 до 1 В. Из рис. 5, б видно, что увеличение тол- исток-сток (Iнас) до максимального значения Iнас = 46
щины слоя AlGaN с 5 до 15 нм приводит к увеличе- мА.
нию тока насыщения исток-сток (Iси) с 26 до 46 мА. 4. Полученные в результате моделирования
Дальнейшее увеличение толщины барьерного электрические характеристики GaN-транзистора
слоя приводит к падению тока насыщения сток- согласуются с результатами эксперимента.
исток. Полученные данные согласуются с результа- Работа выполнена при финансовой поддержке
тами из [1]. Министерства образования и науки РФ (Соглашение
Заключение № 14.577.21.0204 от 27.10.15). Уникальный иденти-
В данной работе приведены результаты моде- фикатор проекта RFMEFI57715X0204.
лирования нормально закрытого транзистора на ос-
нове гетероструктуры pGaN/AlGaN/GaN в среде
Silvaco TCAD. Полученные результаты согласуются 1. Taube A. Modelowanie normalnie wyłączonych
с данными из литературных источников. tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN // XII
В результате моделирования было установлено: Krajova Konferencja Elektroniki. – 2013.
1. В подзатворной области образуется двойной 2. Madhurima V. Characteristics of AlGaN/GaN
гетеропереход на границе полупроводнков HEMT with PType GaN Gate and AlGaN Buffer // Interna-
tional Journal of Innovative Research in Computer and Com-
pGaN/AlGaN и AlGaN/GaN.
munication Engineering. – 2013. – Vol. 1, Issue 10. –
PР. 2358–2362.
УДК 621.396.41
Е.И. Ипатова, В.В. Каранский, И.А. Рогачёв
Формирование вжигаемых омических контактов

к AlGaN/GaN HEMT
Представлены результаты формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/AlN/GaN. Получена
экспериментальная зависимость контактного сопротивления от толщины слоев металлизации Ti/Al/Ni/Au и ре-
жимов вжигания, а также зависимость сопротивления омических контактов от глубины рецесса.
Ключевые слова: нитрид галлия, омические контакты, AlGaN/GaN-HEMT.
В настоящее время широкое применение для HEMT и анализ факторов, влияющих на их сопро-
изготовления СВЧ-транзисторов, в частности тран- тивление.
зисторов с высокой подвижностью электронов Для формирования омических контактов ис-
(HEMT), находят гетероструктуры на основе нитри- пользовались эпитаксиальные гетероструктуры
да галлия (AlGaN/GaN) [1], что обусловлено боль- AlGaN/AlN/GaN на сапфировой подложке (рис. 1),
шой шириной запрещенной зоны (∆Eg = 3,47 эВ для полученные методом MOCVD в физико-техническом
GaN и ∆Eg = 6,2 эВ для AlGaN), высоким пробивным институте им. А.Ф. Иоффе в г. Санкт-Петербурге.
напряжением (Uпроб > 100 В), высокой слоевой кон-
центрацией электронов (ne>1013 см–2) и подвижно-
стью носителей заряда (1500–2000 см2/В·с) в дву-
мерном проводящем канале (2DEG).
Характеристики приборов определяются каче-
ством гетероструктур AlGaN/GaN и постростовых
операций, поэтому по мере ужесточения требований
к параметрам и повышения степени сложности кон-
струкций приборов особое внимание уделяется сле-
дующим операциям: Рис. 1. Исходные структуры
– создание надежных контактов, способных вы-
держивать высокие рабочие температуры; В ходе экспериментов омические контакты бы-
– сочетание различных видов травления; ли сформированы на 18 пластинах, на 12 из которых
– отработка пассивации поверхности, создание исследовалась зависимость сопротивления от тол-
диэлектрических слоев под затвором [2]. щины напыляемых металлов и температуры вжига-
При создании омических контактов на гетеро- ния, а на 6 – влияние рецесса.
структурах AlGaN/GaN возникают трудности с по- Согласно сопроводительному листу для полу-
лучением низкого удельного сопротивления и низ- чения вжигаемых омических контактов необходимо
кой шероховатости поверхности металлических сло- провести следующие операции:
ев после процесса вжигания [3]. 1) формирование мезаизоляции (рис. 2):
В общем случае создание омических контактов – обработка поверхности пластин в кислород-
состоит из формирования рисунка контактов, нане- ной плазме;
сения многослойной системы металлизации и по- – формирование фоторезистивной (ФР) маски
следующей высокотемпературной обработки. Наи- (позитивный фоторезист SPR-700 толщиной 1,2 мкм);
более распространенной является металлизация – травление SixNy и эпитаксиальных слоев (глу-
Ti-Al-Ni-Au [4]. Сопротивление омического контак- бина 100 нм);
та определяется соотношением толщин слоев Ti/Al, – снятие ФР-маски и обработка пластин в орга-
а для исключения образования соединений золота с нических растворителях;
алюминием вводят барьерный слой Ni. Слой Au 2) формирование омических контактов (рис. 3):
необходим для уменьшения сопротивления металли- – обработка пластин в кислородной плазме и
зации. освежение поверхности GaN;
Изменение рельефа металлизации происходит – травление SixNy и эпитаксиальных слоев (ре-
под действием больших температур обработки по- цесс) через ФР-маску;
верхности (T > 800 °С) и приводит к затруднению – напыление многослойной металлизации
формирования металлизации затвора, а также ска- Ti/Al/Ni/Au ;
зывается на параметрах полевого транзистора. С – снятие ФР-маски и обработка пластин в орга-
другой стороны, снижение температуры вжигания нических растворителях;
омических контактов приводит к росту их сопротив- – вжигание омических контактов и контроль
ления [4]. параметров.
Таким образом, целью данной работы является В табл. 1 показаны толщины слоев металлиза-
формирование омических контактов к AlGaN/GaN- ции Ti/Al/Ni/Au (dME), температура вжигания (Т) и
результаты измерения удельного сопротивления RС, Ом·мм
1,5
омических контактов (RС) методом длинных линий
(TLM). Время вжигания составило 40 с.
1,4
1,3
1,2
1,1 10/70/50/50
20/140/50/50
1,0 10/70/90/50
20/140/90/50
0,9
830 840 850 860 870

Т, °С
Рис. 2. Мезаизоляция Рис. 4. Зависимость сопротивления омических контактов
от толщины слоев металлизации Ti/Al/Ni/Au (нм)
и температуры вжигания
Таблица 2
Параметры металлизации, глубины рецесса, вжигания
и контактное сопротивление омических контактов
Глубина R C,
Образец Металлизация Т, °С
рецесса, нм Ом·мм
13 0 0,9
14 6 0,81
15 Ti/Al/Ni/Au 8 0,66
830
16 20/140/50/50 12 0,62
17 15 0,39
18 18 1,1
Рис. 3. Омические контакты
Рецесс представляет собой формирование кана-
Таблица 1
вок в гетероструктуре под омические контакты с
Параметры металлизации, вжигания и контакт-
ное сопротивление омических контактов
целью уменьшения их сопротивления (рис. 5).
Образец dME, нм Т, °С RC, Ом·мм
1 10/70/90/50 830 1,2
2 10/70/90/50 850 1,28
3 10/70/90/50 870 1,33
4 10/70/50/50 830 1,3
5 10/70/50/50 850 1,35
6 10/70/50/50 870 1,36
7 20/140/50/50 830 0,9
8 20/140/50/50 850 1,17
9 20/140/50/50 870 1,18
10 20/140/90/50 830 1,4
11 20/140/90/50 850 1,42
12 20/140/90/50 870 1,46 Рис. 5. Рецесс под омические контакты
По результатам экспериментов была получена Влияние глубины рецесса на удельное сопро-

зависимость сопротивления омических контактов от тивление омических контактов показано на рис. 6, из
толщины слоев металлизации и температуры вжига- которого видно, что удельное сопротивление омиче-
ния (рис. 4). ских контактов уменьшается по мере приближения к
Из полученных данных видно, что при увели- области 2DEG и возрастает при пересечении прово-
чении температуры вжигания удельное контактное дящего канала гетероструктуры.
сопротивление омических контактов также возраста- В результате работы были получены вжигаемые
ет. Наименьшее сопротивление было достигнуто при омические контакты к гетероструктурам
толщине металлизации Ti/Al/Ni/Au 20/140/50/50 нм и AlGaN/AlN/GaN, выбраны оптимальные толщины
при температуре вжигания Т = 830 °С в течение 40 с слоев металлизации (Ti/Al/Ni/Au 20/140/50/50 нм) и
и составило 0,9 Ом·мм. режимы вжигания (Т = 830 °С, t = 40 с), при этом
Данные образцы были выбраны для изучения минимальное контактное сопротивление для
влияния рецесса на сопротивление омических кон- образцов без рецесса составило 0,9 Ом·мм. После
тактов (табл. 2). проведения рецесса на глубину 17 нм – 0,39 Ом·мм.
AlGaN (XAl=0,31) AlN GaN Литература
1,2
RC, Оммм 1. Javorka P. Fabrication and characterization of Al-
1,1 GaN/GaN high electron mobility transistors // Institute of Thin
1,0 Films and Interfaces. – 2004. – 127 p.
2. Ковалев А.Н. Современные методы усовершенст-
0,9 вования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов // Мате-
0,8
риалы электронной техники. – 2007. – № 2. – С. 4–17.
3. Рогачёв И.А. Особенности формирования омиче-
0,7 ских контактов и затвора HEMT на гетероструктурах
AlGaN/GaN / И.А. Рогачёв, А.В. Князьков, О.И. Мешков,
0,6
А.С. Курочка // Перспективные технологии, оборудование
0,5 и аналитические системы для материаловедения и нано-
материалов. – 2016. – С. 18–25.
0,4
4. Павлов А.Ю. Влияние технологических приемов
0 5 10 15 20 на морфологию и сопротивление омических контактов к
h, нм гетероструктурам на основе GaN / А.Ю. Павлов, В.Ю. Пав-
Рис. 6. Зависимость сопротивления омических контактов лов, Ю.В. Федоров // Мокеровские чтения. 5-я науч.-практ.
от глубины рецесса конф. по физике и технологии наногетероструктурной
СВЧ-электроники, 21–22 мая 2014 г.: тезисы докл. – М.:
НИЯУ МИФИ, 2014. – С. 27–28.
УДК 621.396.41
В.В. Каранский, Е.О. Ипатова
Влияние электронной обработки на электропроводность

приповерхностных слоев марганец-цинковых ферритов
Установлено, что решающее влияние на электрофизические свойства (электропроводность, концентрация
ионизированных донорных центров) оказывают двухвалентные катионы железа Fe+2. Методом инфракрасной
Фурье-спектроскопии исследуется распределение катионов железа Fe+2 в Mn-Zn феррите структуры шпинели,
полученного методом термического спекания.
Ключевые слова: феррит, шпинель, инфракрасная Фурье-спектроскопия, электропроводность, электронный
пучок.
Ферриты структуры шпинели нашли широкое ботка поверхности Mn-Zn-феррита проводилась с

применение для изготовления элементной базы мик- помощью электронной пушки с плазменным источ-
роэлектроники радиочастотного и СВЧ-диапазона. ником электронов. В таблице приведены параметры
Широкое распространение получили марганец- электронно-лучевой обработки.
цинковые ферриты, в которых становится возмож-
ным управление магнитными и электрическими Параметры электронно-лучевой обработки
свойствами за счет изменения их микро- и нано- Mn-Zn-феррита
структуры. Поэтому наряду с влиянием объемной № I, мА U, кВ PS, Вт/см2
1 130 5 380
микроструктуры материала на свойства ферритов,
2 230 6 810
влияние также будет оказывать и поверхностная
микроструктура. В настоящее время наиболее пер- В результате низкоэнергетического электронно-
спективным методом для изменения свойств припо- лучевого воздействия в приповерхностных слоях
верхностных слоев материалов является электрон- Mn-Zn-ферритов изменялся фазовый и химический
ная обработка. Все больше работ посвящается ис- состав.
следованию возможности изменения электрофизи- Исследования химического и фазового состава
ческих характеристик в приповерхностных слоях приповерхностных слоев Mn-Zn-ферритов проводи-
путем воздействия не поверхность низкоэнергетиче- лись на растровом электронном микроскопе
ского электронного пучка [1, 2]. К примеру, слои с TM-1000 (Hitachi, Япония) и инфракрасном Фурье-
повышенной электропроводностью используют при спектрометре («Инфралюм ФТ-801»).
создании приборов и устройств, такой развиваю- На рис. 1, а представлена микроструктура по-
щейся отрасли электроники, как спинтроника. верхности Mn-Zn-феррита до обработки низкоэнер-
В работе исследуются поликристаллические гетическим электронным пучком с размером зерна
Mn-Zn-ферриты химического состава 5–20 мкм.
Mn0,6Zn0,4Fe2O3. Образцы были изготовлены методом Из рис. 1, а видно, что морфология данной по-
термического спекания и имели цилиндрическую верхности имеет микроскопические структурные
форму диаметром 1,5 см и толщиной 0,5 см. Обра- нарушения – поверхностные дефекты, которые в
значительной степени определяют электрофизиче- На рис. 2 представлена температурная зависи-
ские свойства (поверхностное сопротивление, элек- мость электропроводности Mn-Zn-феррита. Электро-
тропроводность) приповерхностных слоев твердых проводность измерялась четырехзондовым методом.
тел. На рис. 1, б и в представлены микроструктуры
поверхности Mn-Zn-феррита после обработки низ-
коэнергетическом электронным пучком с плотно-
стью мощности 380 и 810 Вт/см2 соответственно. Из
рисунков видно, что увеличение плотности мощно-
сти электронного пучка приводит к уменьшению
количества межзеренных границ и пор (уменьше-
нию концентрации поверхностных дефектов), что
приведет к улучшению электрофизических свойств
приповерхностных слоев Mn-Zn-ферритов.
Рис. 2. Температурная зависимость электропроводности

исходного феррита (1) и обработанных электронным
пучком с плотностью мощности 380 Вт/см2 (2)
и 810 Вт/см2 (3)
Из рис. 2 видно, что при увеличении плотности

мощности электронного пучка увеличивается элек-
тропроводности в приповерхностных слоях. Увели-
чение электропроводность можно объяснить, ис-
пользуя теорию Верви [3–5]. Предположение Верви
а
основано на том, что на механизм электропроводно-
сти магнитных материалов решающее влияние ока-
зывают двухвалентные катионы железа Fe2+. Ионы
железа начинают обмениваться валентностями при
условии, что в феррите в эквивалентных кристалло-
графических узлах решетки располагаются ионы,
имеющее валентность, отличающуюся на единицу
[6]. Новое валентное состояние перемещается по
кристаллу и увеличивает электропроводность при
условии, что концентрация ионов с переменной ва-
лентностью велика. Очевидно, для подтверждения
данной гипотезы необходимо определить концен-
трацию ионизированных донорных центров Fe2+.
Концентрация ионизированных донорных центров
б Fe2+ имеет порядок 1025–1026 м–3, что подтверждает
увеличение электропроводности.
Для подтверждения теории Верви и интерпре-
тации полученных результатов представляет интерес
информация об инфракрасных Фурье-спектрах
Mn-Zn-феррита.
На рис. 3 представлены инфракрасные Фурье-
спектры отражения Mn-Zn-феррита структуры
шпинели.
Из рис. 3 видно, что при увеличении плотности
мощности электронного пучка увеличивается ам-
плитуда валентных колебаний химической связи
FeO, что связано с увеличением концентрации ионов
Fe2+. Увеличение концентрации ионов Fe2+ связано с
в восстановлением трехвалентного железа, что связа-
Рис. 1. Микроструктуры поверхности Mn-Zn-ферритов но с потерей кислорода.
исходного образца (а), обработанных электронным Установлено, что изменение структуры припо-
пучком с плотностью мощности 380 Вт/см2 (б) верхностного слоя связано с частичной потерей в
и 810 Вт/см2 (в) решетке феррита кислорода и частичным переходом
трехвалентного железа в двухвалентное, показано, Литература
что решающее влияние на электрофизические ха- 1. Саврук Е.В., Смирнов С.В. Исследование структу-
рактеристики Mn-Zn-ферритов оказывают двухва- ры алюмооксидной керамики после электронной и лазер-
лентные ионы железа Fe2+, а также получены слои с ной обработки // Заводская лаборатория. Диагностика
повышенной электропроводностью (с 0,1 до материалов. – 2011. – Т. 77, № 6. – С. 32–35.
80 Ом–1м–1) в результате низкоэнергетического элек- 2. Savruk E.V., Smirnov S.V. Nanotexturing of ceramic
тронно-лучевого воздействия. products surface by means of low-energy electron and laser
exposure // 12th International Conference and Seminar on
Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2011. –
Proceedings, 2011. – PP. 96–99.
3. Распределение катионов в механосинтезированном
магнетите / С.И. Новиков, Е.М. Лебедева и др. // Физика
твердого тела. – 2002. – Т. 44, №1. – С. 119–127.
4. Бокий Г.Б. Введение в кристаллохимию. – М.:
МГУ, 1954. – 405 с.
5. Шуберт К. Кристаллические структуры двухком-
понентных фаз. – М.: Металлургия, 1978. – 531 с.
6. Левин Б.Е. Физико-химические основы получения,
свойства и применения ферритов / Б.Е. Левин, Ю.Д. Третья-
ков, Л.М. Летюк. – М.: Металлургия, 1979. – 427 с.
Рис. 3. Инфракрасные Фурье-спектры исходного
феррита (1) и обработанных электронным пучком
с плотностью мощности 380 Вт/см2 (2) и 810 Вт/см2 (3)
УДК 621.382.2
О.Н. Минин, Д.И. Засухин, Е.А. Викторова
Формирование отражающего контакта Ni/Ag

к p-области светодиодных кристаллов на основе GaN
Представлены результаты измерения удельного контактного сопротивления к p-слою нитрида галлия системы
металлов Ni/Ag. Впервые исследовано влияние нанесения контакта в двух вакуумных циклах с предваритель-
ным окислением Ni. Проведено сравнение параметров омических контактов к p-слою GaN и характеристик све-
тодиода при отжиге в различных средах (N2+O2 и N2) и при различных температурах.
Ключевые слова: светодиод, нитрид галлия, омический контакт, Ni/Ag.
В настоящее время область применения свето- полупроводник и атомов Ga из полупроводника в

диодных источников света продолжает расти в связи металл. Образование соединения Au(Ag)-Ga приво-
с тем, что светодиоды обладают рядом преиму- дит к росту числа вакансий Ga в p-слое нитрида гал-
ществ: высокая светоотдача, большой срок службы и лия [4]. Также происходит взаимодействие кислоро-
малое энергопотребление. да с остаточными в приповерхностном слое атомами
Светодиодная flip-chip-конструкция базируется водорода с последующим образованием H2O. Нали-
на том, что вывод основной части генерируемого чие водорода является следствием легирования
излучения осуществляется через сапфировую под- структуры атомами Mg в процессе эпитаксиального
ложку. Для этого контакт к p-GaN-слою, занимаю- выращивания с применением MgH2. Накопление
щий большую площадь кристалла, должен обладать атомов водорода в приповерхностном слое умень-
хорошими отражающими свойствами. Наиболее шает концентрацию свободных носителей. Взаимо-
распространенным вариантом контакта к p-GaN- действие с кислородом позволяет увеличить концен-
слою является система металлов Ni/Au [1, 2], однако трацию свободных носителей за счет удаления ато-
отражающие способности такого контакта невысо- мов водорода [1].
ки. Успешным решением увеличения светоотдачи Стоит также отметить, что в результате терми-
является замена слоя Au на слой Ag [3]. ческого воздействия на омические контакты на ос-
Важным требованием для формирования оми- нове серебра в среде кислорода происходит форми-
ческого контакта на основе Ni/Au(Ag) к p-GaN-слою рование пузырьков, рост дырок и агломератов се-
является проведение процесса отжига в окислитель- ребра. Образование данных дефектов подробно опи-
ной среде [2]. В результате этого происходит образо- сано в статье [5].
вание прозрачной пленки NiOx, через которую осу- В данной работе представлен метод формиро-
ществляется диффузия атомов Au(Ag) из металла в вания омического контакта к p-слою GaN на основе
Ni/Ag путем напыления металлов в двух вакуумных тивление омического контакта при отжиге 350 °С
циклах: напыление тонкого слоя Ni (2 нм) методом 60 с равно 4·10–1 Ом·см2, что не является удовлетво-
электронно-лучевого испарения, напыление Ag рительным результатом. Однако, при отжиге омиче-
(200 нм) методом термического испарения. На осно- ского контакта при температуре 400 °С 60 с в среде
ве полученных контактов были изготовлены свето- N2 наблюдается линейность ВАХ, это говорит о том,
диодные кристаллы и проведены измерения вольт- что сформированный контакт является омическим,
амперных характеристик, а также измерение свето- и его удельное контактное сопротивление равно
отдачи. 4·10–3 Ом·см2.
Эксперимент
Изготовление светодиодных кристаллов осуще-
ствлялось на основе эпитаксиальной структуры
GaN, выращенной на профилированной подложке
сапфира методом газофазной эпитаксии. Профиль
сапфировой подложки представляет собой каскад
равносторонних конусов высотой 1,5 мкм. Состав
эпитаксиальной структуры следующий: p-слой GaN
толщиной 0,15 мкм легированный Mg с концентра-
цией 1017 см–3, 5 пар квантовых ям InGaN/GaN,
n-слой GaN толщиной 5 мкм, легированный Si с кон-
центрацией 1018 см–3, буферный нелегированный
GaN-слой толщиной 3 мкм.
Омический контакт к n-слою-GaN выполнен на ос-
нове системы металлов Ti/Al/Ni/Au (10/100/30/100 нм),
полученной методом электронно-лучевого испаре-
ния с последующим быстрым термическим отжигом
в среде азота при температуре 710 °С в течение 30 с. Рис. 2. ВАХ омических контактов на основе Ni/Ag,
Омический контакт к p-слою GaN выполнен на отожженных в среде N2 при различных температурах:
основе металлов Ni/Ag (2/200 нм). Формирование a – 300 °С 60 с; b – 350 °С 60 с; c – 400 °С 60 с
пленки Ni осуществлялось методом электронно-
лучевого испарения. Далее пленка Ag была сформи-
рована методом термического испарения. Быстрый
термический отжиг контакта осуществлялся в среде
N2+O2 и в среде N2 при различных температурах и
времени процесса.
Для оценки удельного контактного сопротивле-
ния был использован метод CTLM (circular
transmission line method), заключающийся в исполь-
зовании радиальной геометрии контактных площа-
док [6]. Расстояние между площадками составляет
10, 15, 20, 25 и 30 мкм при фиксированном размере
внешнего радиуса 100 мкм (рис. 1).
Для оценки светоотдачи полученных кристал-
лов использовалась величина генерируемого фото-
тока в результате облучения кремниевого фотодиода
ФД-24К.
Рис. 3. ВАХ омических контактов на основе Ni/Ag,
отожженных в среде N2+O2 при различных температурах:
a – 300 °С 60 с; b – 350 °С 60 с; c – 400 °С 60 с
Из рис. 3 видно, что в среде N2+O2 при темпе-

Рис. 1. Схематический вид тестов CTLM ратурах отжига 300 °С полученные контакты не яв-
ляются омическими. Удельное контактное сопро-
Результаты тивление омического контакта при отжиге 300° С
Отжиг контактов проводился при температурах 60 с равно 6·10–2 Ом·см2. C увеличением температу-
300, 350 и 400 °С в течение 60 с. Результаты измере- ры отжига до 350 °С наблюдается выпрямление
ний удельного контактного сопротивления пред- ВАХ и уменьшение удельного контактного сопро-
ставлены на рис. 2 и 3. тивления до 2·10–4 Ом·см2. При отжиге в среде
Из рис. 2 видно, что в среде N2 при температу- N2+O2 при 400 °С было получено минимальное зна-
рах отжига 300 и 350 °С полученные контакты не чение удельного контактного сопротивления
являются омическими. Удельное контактное сопро- 8·10–5 Ом·см2.
Как видно из полученных результатов, наи-
меньшее значения удельного контактного сопротив-
ления достигается при отжиге в течение 60 с при
температуре 400 °С как в N2, так и в N2+O2,
4·10–3 и 8·10–5 Ом·см2 соответственно. Достаточно
большое различие полученных значений удельного
контактного сопротивления можно объяснить тем,
что при отжиге в N2 влияние активации примеси Mg
гораздо меньше, чем при отжиге в N2+O2. Макси-
мальное значение отжига в 400 °С обусловлено тем,
что при больших температурах серебро начинает
собираться в капли, что приводит к значительному
снижению коэффициента отражения [5]. На рис. 4
представлен внешний вид полученных контактов в
различных средах отжига.
Рис. 5. Зависимость коэффициентов отражения

от длины волны для образцов, отожженных в среде:
a – N2; b – N2+O2
a б
Рис. 4. Внешний вид омического контакта Ni/Ag
к р-слою GaN после отжига в среде: а – N2; б – N2+O2
Значение удельного контактного сопротивления

у контакта, полученного после отжига в N2+O2, зна-
чительно меньше, чем у контакта, полученного в N2.
Однако внешний вид контактов показывает, что по-
верхность контакта, полученного в N2, имеет более
гладкую поверхность, что говорит о ее большей от-
ражающей способности. Шероховатость поверхно- Рис. 6. Зависимость фототока от рабочего тока
сти серебра составила 20 и 50 нм в средах N2 и для светодиодных кристаллов с омическим контактом на
N2+O2 соответственно. На рис. 5 представлен график основе: a – Ni/Ag (отжиг в N2+O2); b – Ni/Ag (отжиг в N2);
зависимости коэффициента отражения от длины c – Ni/Au (отжиг в N2+O2)
волны падающего света.
Из представленных на рис. 5 графиков видно,
что коэффициент отражения контакта, полученного
при отжиге в среде N2+O2 при длинах волн синего
диапазона (460–480 нм), составляет 88–91%. С дру-
гой стороны, контакт, полученный в среде N2, имеет
больший коэффициент отражения: 93–95%.
На основе полученных контактов были изготов-
лены светодиодные кристаллы. Также были изготов-
лены кристаллы с контактом к p-слою GaN на осно-
ве Ni/Au. Результаты измерения светоотдачи полу-
ченных кристаллов, а также ВАХ представлены на
рис. 6 и 7.
Как видно из рис. 6 и 7, замена контакта на ос-
нове золота на контакт на основе серебра позволяет
увеличить значение светоотдачи в 2,7 раза при рабо- Рис. 7. ВАХ светодиодов, изготовленных с омическим
чем токе светодиода 350 мА. Полученные в резуль- контактом к p-слою на основе: a – Ni/Ag (отжиг в N2+O2);
тате этого кристаллы с контактом на основе серебра b – Ni/Ag (отжиг в N2); c – Ni/Au (отжиг в N2+O2)
имеют коэффициент полезного действия ~30% по
сравнению с кристаллами с контактом на основе Также из рис. 6 видно, что при рабочем токе
золота ~13%. светодиода в 350 мА значение фототока светодиода с
омическим контактом к р-области GaN Ni/Ag, ото- Литература
жженным в среде N2+O2, на 20% выше, чем у свето- 1. Qiao D. A study of the Au/Ni ohmic contact on p-GaN
диода с омическим контактом Ni/Ag, отожженным в / D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau et al. // J of Applied Physics. –
среде N2. Данный факт говорит о том, что на свето- 2000. – Vol. 88, No. 7. – РP. 4196–4200.
отдачу наибольшее влияние оказывает общее сопро- 2. Lee Ch-T. Mechanism Investigation of NiOx in
тивление светодиода, чем незначительный прирост Au/Ni/p-Type GaN Ohmic Contacts Annealed in Air /
по коэффициенту отражения (~5%). Ch-T Lee, Y-J Lin, T-Hs Lee // J of Electronic Materials. –
Заключение 2003. – Vol. 32, No. 5. – РP 341–345.
Представленный способ создания омического 3. Kumbham V. Ohmic and Highly Reflective Ag based
контакта на основе серебра позволяет изготовить contacts on p-GaN for Resonant Cavity Light Emitting Diodes /
V. Kumbham, S. Kuchibhatla, K. Lee et al. // Mater. Res. Soc.
контакт к p-области-GaN со значением удельного Symp. Proc. – 2011. – Vol. 1288.
–3 –5 2
контактного сопротивления 4·10 и 8·10 Ом·см 4. Jang H.W. Mechanism for ohmic contact formation of
после отжига в среде N2 и N2+O2 соответственно. Ni/Ag contacts on p-type GaN / Ho Won Jang, Jong-Lam Lee //
Полученные контакты имеют коэффициент отраже- J. of Applied Physics. – 2004. – Vol. 85, No. 24. – PР. 5919–5922.
ния 88–91% при отжиге в N2+O2, и 93–95% при от- 5. Sharma S.K. Hillock formation, hole growth and ag-
жиге в N2. Значение светоотдачи полученных кри- glomeration in thin silver films / S. K. Sharma, J. Spitz // Thin
сталлов, использующих контакт на основе серебра, в Solid Films. – 1980. – No. 65. – PР. 339–350.
2,7 раза больше, чем у кристаллов с контактом на 6. Marlow G.S. The effects of contact size and non-zero
основе золота. Значение коэффициента полезного metal resistance on the determination of specific contact resis-
tance / G.S. Marlow, M.B. Das // Solid-State Electronics. –
действия таких кристаллов ≈30%. 1982. – Vol. 25, No. 2. – РР. 91–94.
УДК 621.3.049.77
А.А. Попов, Д.В. Билевич, Т.Ю. Сидорюк, И.В. Кулинич, А.С. Сальников
Построение поведенческих моделей процесса проявления

фоторезистивной маски
Рассмотрены методы построения поведенческих моделей процесса проявления первичной фоторезистивной
маски. Разработаны поведенческие модели с использованием двух методов машинного обучения: линейной
регрессии и искусственной нейронной сети. Построенные модели позволяют предсказывать ширину бокового
проявления первичной фоторезистивной маски на основе параметров проявителя и режима проявления.
Ключевые слова: первичная фоторезистивная маска, боковое проявление, машинное обучение, линейная рег-
рессия, искусственные нейронные сети.
В настоящее время при производстве щего на данную величину. Поведенческие модели

СВЧ-электроники широко применяются гетеро- построены с применением методов машинного обу-
структурные полевые транзисторы с высокой под- чения и анализа данных (искусственные нейронные
вижностью электронов (HEMT) на основе полупро- сети, многомерная линейная регрессия) [2]. В каче-
водниковых соединений AIIIBV. Важным этапом стве исходных данных были использованы результа-
производства HEMT-транзисторов является блок ты серии реальных экспериментов по проявлению
формирования затвора [1]. первичной фоторезистивной маски.
Существует несколько технологий получения Описание эксперимента
затвора в зависимости от его конфигурации (трапе- Экспериментальные данные для построения
циевидные, Т-образные, Y-образные) и требуемых поведенческих моделей были получены при форми-
геометрических параметров. В основе каждой из ровании затвора методом направленного двойного
технологий лежит метод получения фоторезистив- углового напыления. Особенностью данного метода
ной маски, через которую производится напыление является угловое напыление вторичной диэлектри-
металлизации затвора. При разработке технологии ческой маски через первичную фоторезистивную
проявления маски особую сложность представляет маску для уменьшения длины затвора СВЧ-
определение параметров технологического режима, транзистора.
а также выявление факторов, наиболее сильно При формировании затвора данным методом в
влияющих на процесс проявления. процессе травления подзатворного заглубления су-
В данной статье рассматриваются поведенче- ществует вероятность травления высоколегирован-
ские модели процесса проявления фоторезистивной ной n+-области на периферии. Это обусловлено на-
маски, применяемые для предсказания величины личием зазора между первичной и вторичной мас-
бокового проявления первичной маски, а также вы- ками. Данный зазор образуется из-за большого бо-
явления фактора процесса, наиболее сильно влияю- кового проявления нижнего слоя фоторезиста в пер-
вичной маске. Для уменьшения вероятности травле- проявления измерялась на электронном микроскопе.
ния высоколегированных n+-областей необходимо На рис. 2 представлены микрофотографии бокового
контролировать ширину бокового проявления ниж- проявления фоторезиста.
него слоя фоторезиста в первичной маске. Микро- Математические методы построения
фотография травления подзатворного заглубления поведенческих моделей
по вторичной маске с протравленными n+ областями В данной статье используются следующие ус-
представлена на рис. 1. ловные обозначения: скалярные величины опреде-
ляются строчным курсивом, векторы в общем слу-
чае являются векторами-столбцами и обозначаются
жирным строчным курсивом (например, x ). Матри-
цы представлены жирным прописным курсивом
(например, X ), где xij (i  1,  , I ; j  1,  , J ) являет-
ся ij-м элементом матрицы X  I  J  . Операция
транспонирования матрицы обозначена через над-
строчный индекс Т (например, X T ).
В теории машинного обучения наблюдения
принято называть множеством объектов X , а на-
блюдаемые переменные – множеством ответов Y .
Рис. 1. Травление высоколегированных областей при
Зависимость, связывающая множество объектов с
формировании подзатворного заглубления множеством ответов, называют целевой функцией
y* : X  Y , значения которой yi  y *  xi  известны
Для проведения эксперимента использовались только на конечном подмножестве объектов
полупроводниковые подложки GaAs. При формиро-  x1 ,, xl   X . Пары «объект–ответ»  xi , yi  назы-
вании первичной фоторезистивной маски подложки
ваются прецедентами, а совокупность пар
подвергались химической очистке путём обработки
X   xi , yi i 1 называется обучающей выборкой.
l l
в органических растворителях и последующей суш-
ки в потоке азота. Далее следовала термическая об- Задача обучения по прецедентам заключается в том,
работка пластин для удаления остатков растворителя. чтобы по выборке X l восстановить зависимость
На очищенные пластины методом центрифуги- y*, т.е. построить функцию a : X  Y , которая
рования последовательно наносились слои фоторе-
зистов LOR5B и AZ1505. При этом каждый нане- приближала бы целевую функцию y *  x  , причём
сённый слой просушивался при определённой тем- не только на объектах обучающей выборки, но и на
пературе. Вскрытие окна в верхнем слое фоторези- всём множестве X . Если имеется несколько призна-
ста было проведено путём последовательного экс- ков f1 , , f n , то вектор f   f1  x  , , f n  x   назы-
понирования и проявления. вают признаковым описанием объекта x  X . Сово-
При проведении экспериментов по проявлению
купность признаковых описаний всех объектов вы-
нижнего слоя фоторезиста и определении факторов,
влияющих на ширину бокового проявления, в каче- борки X l , записанную в виде таблицы размера
стве переменных процесса были выбраны 5 пере- l  n, называют матрицей объектов-признаков.
менных, включающих геометрические размеры ма- В данной работе объектами являются экспери-
сок, параметры состава проявителя, а также время ментальные наблюдения, ответами – результаты из-
проявления. мерения ширины бокового проявления, а признако-
вое описание объекта формируется из переменных,
влияющих на процесс проявления.
Линейный регрессионный анализ – это стати-
стический метод, позволяющий установить и иссле-
довать связь между двумя и более переменными при
условии, что функция зависимости является линей-
ной. Целью регрессионного анализа является по-
строение поведенческой модели, которая предсказы-
вает взаимосвязь между контролируемыми входны-
ми факторами (входными данными) и заданным от-
кликом (наблюдаемым значением).
Линейная модель регрессии представляет собой
Рис. 2. Боковое проявление нижнего слоя фоторезиста линейную комбинацию признаков с коэффициента-
в первичной маске ми α   n :
n
Для удаления проявителя пластины погружа- g  x, α     j f j  x .
лись в деионизированную воду. Ширина бокового j 1
Ввиду большого числа объектов, задачу по- При построении линейной регрессионной мо-
строения алгоритма решают в матричном виде. Та- дели был рассчитан вектор параметров α . Для по-
ким образом, F  f j  xi   матрица объектов- строения нелинейной модели было произведено
l n обучение искусственной нейронной сети с двумя
признаков; y   yi l 1  целевой вектор ответов; скрытыми слоями по методу обратного распростра-
нения ошибки. Для того чтобы порядок входных
α  j n1  вектор параметров. В матричных обо-
величин не влиял на адекватность модели, было
значениях функционал Q принимает вид применено центрирование и шкалирование данных.
l Оценка точности моделей производилась по обу-
 
Q α, X l    g  xi , α   yi   Fα  y
i 1
2 2
 min .
α
чающей и по контрольной выборке ввиду малого
числа экспериментальных наблюдений.
В матричном виде необходимое условие мини- На рис. 3 представлены графики, характери-
мума записывается в виде зующие точность построенных моделей. Прямая,
Q проходящая через начало координат, соответствует
  2 F T  F   y  0, точному совпадению предсказанного и измеренного
α
значения. По отклонению точки от данной прямой
откуда следует, что
можно судить о величине ошибки, т.е. об отклоне-
F T Fα  F T y. нии предсказанного значения от действительного.
Данная система линейных уравнений относи- Из рисунка видно, что построенная модель на
тельно α называется нормальной системой для за- основе нейронной сети с достаточной точностью
предсказывает ширину бокового проявления фоторе-
дачи наименьших квадратов [3]. Если матрица F T F
зиста как на обучающей, так и на тестовой выборке.
размера n  n не вырождена, то решением нормаль-
Для повышения точности модели на основе линей-
ной системы является вектор ной регрессии требуется больший объём обучающей
 
1
α*  F T F FT y  F  y . выборки для более точного определения вектора
параметров.
Матрица F    F T F  F T называется псевдо-
1
обратной для прямоугольной матрицы F . Подстав-

ляя найденное решение в исходный функционал,
получаем
Q  α *  PF y  y ,
2
 
1
где PF  FF   F F T F FT  проекционная
матрица.
Для построения моделей процессов, которые
являются нелинейными по отношению к входным
параметрам, требуются более сложные методы. Од-
ним из таких методов является искусственная ней-
ронная сеть [4]. Возможности обучения, а также
высокая адаптивность и робастность искусственных
нейронных сетей позволяют применять их для ре-
шения сложных задач, где другие традиционные а
математические методы не дают желаемых результа-
тов. Нейронные сети способны устанавливать слож-
ные соответствия между зашумленными и/или не-
линейными данными, определяя взаимосвязи между
различными наборами входных и выходных данных.
Искусственная нейронная сеть представляет собой
сеть соединённых между собой нейронов. Выходные
данные такой сети являются взвешенными нелиней-
ными преобразованиями входных данных [5].
Построение поведенческих моделей
После проведения 59 экспериментов была со-
ставлена матрица F входных параметров и матрица
Y , содержащая соответствующие значения ширины
б
бокового проявления. Матрицы значений F и Y Рис. 3. Графики, характеризующие точность моделей:
были разделены на две выборки: обучающую а – на основе линейной регрессии;
(50 наблюдений) и контрольную (9 наблюдений). б – на основе нейронной сети
Также из уравнения модели на основе линейной Литература
регрессии был определён фактор, который вносит 1. Ерофеев Е.В. Способ формирования наноразмер-
наибольший вклад в боковое проявление фоторези- ного затвора для GaAs-СВЧ-транзисторов с высокой под-
ста. Для переменной «состав раствора» было полу- вижностью электронов / Е.В. Ерофеев, А.И. Казимиров,
чено максимальное абсолютное значение коэффици- И.В. Кулинич // Доклады Том. гос. ун-та систем управле-
ента регрессии. ния и радиоэлектроники. – 2012. – № 2(26), ч. 1. – С. 53–56.
Заключение 2. Изучение подходов к построению поведенческих
Результаты исследования показали возможность моделей технологического процесса / А.А. Попов,
применения методов машинного обучения для по- Д.В. Билевич, Т.Ю. Сидорюк, А.С. Сальников // Матер.
строения моделей технологических процессов. По- Междунар. науч.-техн. конфер. студентов, аспирантов и
молодых учёных «Научная сессия ТУСУР–2017». – Ч. 2. –
строенная модель на основе искусственной нейрон- Томск: В-Спектр, 2017. – С. 140–142.
ной сети обладает высокой обобщающей способно- 3. Воронцов К.В. Математические методы обучения
стью, поскольку способна предсказывать ширину по прецедентам (теория обучения машин) [Электронный
бокового проявления на основе параметров, исполь- ресурс]. – Режим доступа: http://www.machinelearning.ru/
зуемых при проведении процесса проявления, с дос- wiki/images/6/6d/Voron-ML-1.pdf, свободный (дата обра-
таточной точностью. щения: 29.07.2017).
Однако, для модели на основе линейной регрес- 4. Haykin S. Neural Networks: A Comprehensive Foun-
сии требуется обучающая выборка большего объёма dation. – 2nd ed. – NJ: Prentice-Hall, 1998. – 842 p.
(большее число экспериментальных наблюдений). 5. May Gary S. Fundamentals of semiconductor manu-
facturing and process control / Gary S. May, Costas J. Spanos. –
NJ: Willey-Interscience, 2006. – 463 p.
УДК 621.382.323
Д.В. Билевич, А.А. Попов, Т.Ю. Сидорюк, А.С. Сальников
Экстракция параметров источника тока Ids в нелинейной модели

Описан способ экстракции параметров источника тока Ids в нелинейной модели Angelov. Представлены резуль-
таты моделирования ВАХ транзистора и сравнение полученных результатов с реальными измерениями транзи-
стора с высокой подвижностью электронов на основе GaAs. Среднеквадратичное отклонение по всем точкам
ВАХ составляет 2,73 мА (при Idsmax = 110 мА).
Ключевые слова: нелинейная модель, большесигнальная модель Angelov, GaAs pHEMT, экстракция пара-
метров.
Современные требования к СВЧ-монолитным электротермических эффектов, что невозможно при

интегральным схемам (МИС) могут сильно разли- использовании модели EEHEMT.
чаться от области их применения. Например, для Процесс построения большесигнальных (нели-
военной и космической промышленности качество нейных) моделей включает в себя несколько этапов.
таких схем должно быть очень высоко. Достижение В данной статье приводится описание одного из
высокого качества СВЧ МИС возможно при изго- этапов, а именно экстракция параметров источника
товлении данных схем на основе транзисторов с тока Ids.
высокой подвижностью электронов (HEMT – High Методика получения параметров
Electron Mobility Transistor). При проектировании В используемой большесигнальной модели по-
таких схем используются как малосигнальные моде-
ведение источника Ids описывается следующими
ли, так и большесигнальные модели. Малосигналь-
параметрами: Rd, Rs, Ipk0, Vpks, ΔVpks, P1, P2, P3, αr, αs,
ные модели позволяют описать поведение транзи-
стора в определённой рабочей точке на всём диапа- λ, B1, B2, Lsb0, Vtr, Vsb2. Для экстракции параметров
зоне рабочих частот в условиях низкой мощности источника тока используются данные ВАХ иссле-
сигнала. Большесигнальные модели применяются дуемого транзистора. Данный набор параметров
для описания поведения транзистора во всех рабо- можно объединить по группам в зависимости от
чих точках одновременно при разных уровнях мощ- влияния параметров на вид ВАХ. Параметры Vpks,
ности сигнала [1]. ΔVpks, P1, P2 и P3 являются основными параметрами,
На сегодняшний день известны несколько не- определяющими поведение тока в активном режиме.
линейных моделей: CFET, EEHEMT, Angelov, каж- Параметры Rd, Rs, αr и αs определяют поведение
дая из которых позволяет описать требуемые харак- ВАХ в области отсечки до коленного напряжения
теристики [2]. Среди перечисленных моделей мо- Vknee. Параметр λ описывает модуляцию канала. Па-
дель Angelov достаточно точно описывает характе- раметры Lsb0, Vtr и Vsb2 соответствуют участку пробоя
ристики транзисторов, изготовленных на основе на ВАХ транзистора. Схематично вышесказанное
GaAs и GaN, а также позволяет учитывать влияние обобщено на рис. 1.
Значения параметров Rd и Rs получают из мало- ну ВАХ (рис. 2) в областях, на которых эти парамет-
сигнальной модели [3]. Параметр Ipk0 определяется ры влияют на вид ВАХ. Значение параметра Vpks на-
как половинное значение тока в точке Vds = Vknee и ходится на пересечении значения Ipk0 и проходной
при положительном напряжении на затворе Vgs. Зна- ВАХ. Найденные таким образом значения являются
чения параметров αr, αs и λ определяются по накло- первым приближением.
Ток сток-исток Ids, А
Напряжение на стоке V, В
Рис. 1. Области влияния параметров источника тока Ids на выходную ВАХ транзистора
Ток сток-исток Ids, А
Рис. 2. Определение параметров αr, αs и λ
Для того чтобы уточнить уже найденные пара- целевой функции. Данный алгоритм в процессе оп-
метры, а также получить значения остальных пара- тимизации выполнялся до 400 раз.
метров, проводилась аппроксимация поверхности Полученные параметры после аппроксимации
ВАХ. Аппроксимация проводилась линейным мето- позволяют получить достаточно близкую ВАХ тран-
дом наименьших квадратов. Уравнение для поверх- зистора.
ности было взято из [4]. Ниже представлено уравне- Результаты экспериментов
ние, описывающее поверхность ВАХ через искомые Для проверки предложенная выше методика
параметры. была использована для получения ВАХ СВЧ-тран-
I ds  I pk 0  1 tanh  tanhr s  1 tanh Vds   зистора. Исходные данные были получены при ис-
следовании транзистора, изготовленного по
1   Vds  Lsb0  exp Vgs  Vds  Vtr , (1) 0,15 мкм GaAs-pHEMT-технологии с шириной за-
твора 160 мкм. На рис. 3 представлено сравнение
где
измеренной ВАХ реального транзистора, изготов-
 P1m  Vgs Vpkm   P2  Vgs Vpkm   P3 Vgs Vpkm  ,
2 3
ленного на основе GaAs и построенной модели.
На основе полученных результатов можно сде-
 
2
Vpkm Vpks Vpks Vpks  tanh s Vds  Vsb2  Vgs Vds Vtr , лать вывод, что данная методика позволяет получить

P1m  P1  1  B1 cosh 2  B2  Vds  . достаточно точное описание ВАХ без применения
оптимизации. Среднеквадратичное отклонение
Аппроксимация проводилась с использованием составило 2,725 мА при максимальном значении
метода доверительных областей для минимализации Ids = 110 мА.
Ток сток-исток Ids, А ление всех параметров происходит автоматически и
не занимает много времени – от 5 до 10 мин.
Для повышения точности модели можно ис-
пользовать дальнейшую оптимизацию, используя
результаты экстракции в качестве первого прибли-
жения. Высокая точность экстракции позволяет про-
вести оптимизацию в течение всего нескольких ми-
нут, при этом существенно уменьшая вероятность
того, что оптимизация не даст желаемого результата.
1. Aaen P. Modeling and Characterization of RF and Mi-
crowave Power FETs / P. Aaen, D. Bridges, J.A. Pla,
J.C. Wood. – Cambridge, U.K.: Cambridge Univ. Press,
Напряжение на стоке V, В 2007. – 308 p.
Рис. 3. Сравнение реальных измерений и модели Ids: 2. Rudolph M. Nonlinear Transistor Model Parameter
–– – модель; · · · – измерение Extraction Techniques / M. Rudolph, C. Fager, D.E. Root. –
Cambridge, U.K.: Cambridge Univ. Press, 2011. – 352 p.
Заключение 3. Билевич Д.В. Построение линейной модели СВЧ-
В данной статье представлен способ экстракции транзистора / Д.В. Билевич, А.А. Попов, Т.Ю. Сидорюк //
Матер. Междунар. науч.-техн. конф. студентов, аспиран-
параметров источника тока Ids в большесигнальной
тов и молодых ученых «Научная сессия ТУСУР–2017». –
модели транзистора. Отличительной особенностью Томск: Спектр-В, 2017. – Ч. 2. – С. 117–120.
данного способа является его хорошая точность да- 4. Angelov_Model (Angelov (Chalmers) Nonlinear
же без использования оптимизации. Одним из пре- GaAsFET Model) [Электронный реcурс]. – Режим доступа:
имуществ данного способа является то, что опреде- http://edadocs.software.keysight.com/pages/viewpage.action?
pageId=5271822, свободный (дата обращения: 14.07.2017).
УДК 539-2
Ю.В. Сахаров
Электрофизические свойства тонкопленочных оксидных

диэлектриков, модифицированных углеродом
Предложен физический метод получения пористых оксидных пленок в вакуумных условиях. Исследованы
структура и свойства пористых пленок, полученных в результате самоорганизации при магнетронном распыле-
нии составной мишени. Установлены корреляции количества и размера пор, структуры и свойств пористых
пленок. Показано, что процесс самоорганизации, приводящий к формированию пространственно распределен-
ных пор, изменяет электрофизические свойства диэлектрических пленок и расширяет их функциональное на-
значение.
Ключевые слова: пористые пленки, углерод, самоорганизация, диоксид кремния, пентаоксид тантала, диоксид
титана, пентаоксид ниобия.
В последние годы изучению пористых пленок ления изделий микро- и наноэлектроники. Цель
диэлектриков был придан новый импульс в связи с данной работы заключалась в разработке совмести-
существенным расширением сферы их практическо- мых с технологическим процессом производства
го применения. Такие пленки могут применяться как интегральных схем методов формирования порис-
в микроэлектронике в качестве изоляционных мате- тых пленок оксидных материалов, а также установ-
риалов с низкой диэлектрической проницаемостью, ление взаимосвязи технологических режимов фор-
фотонике в качестве просветляющих покрытий в мирования пленок с их структурными и электрофи-
оптоэлектронных приборах, так и в качестве исход- зическими свойствами.
ных материалов для получения наномембран и се- Методика эксперимента и измерений
лективных газочувствительных сенсорных уст- В основе предлагаемого метода заложен прин-
ройств. В связи с этим разработано достаточно мно- цип самоорганизации, протекающий в плазме
го методов получения пористой структуры диэлек- тлеющего разряда, создаваемого магнетронным ис-
трика, такие как анодирование, золь-гель метод, точником распыления, катодом которого выступали
матричный (темплатный) синтез. Все перечислен- составные мишени Si:C (графит) или Ta:C (графит),
ные методы являются химическими, что затрудняет Ti:C (графит), Nb:C (графит). При этом площадь
их встраивание в традиционные маршруты изготов- графита на составной мишени, выраженная в про-
центах – Sc варьировалось, что отражалось на изме- центного содержания графита на составной мишени
нении количества и размеров пор. Распыление про- при Sc < 40%, однако при больших значениях Sc ка-
водилось в атмосфере кислорода при давлении в чественный вид зависимостей различался (рис. 1).
вакуумной камере 410–3 мм рт. ст. При таких усло-  tg 103 tg 103
виях получаются диэлектрические пленки диоксида 
кремния (SiO2) и пентаоксида тантала (Ta2O5), пен- 30
5
таоксида ниобия (Nb2O5), диоксида титана (TiO2), а
введение углерода должно способствовать формиро- 4 25
ванию развитой пористой структуры. Ранее данный 3 15
метод был запатентован и применялся для получе-
ния пленок SiO2 с низкой диэлектрической прони- 2 10
цаемостью [1], однако предполагается, что он может 1 5
быть распространен и на другие оксидные пленки, в
частности Ta2O5, Nb2O5, TiO2, применяемые в микро- 0 10 20 30 40 50 60 70
и наноэлектронике. Формирование пор при таком Sc, %
процессе объясняется образованием газообразных а
соединений СО или СО2, которые, покидая пленку,
 tg 102 tg 102
разрыхляют ее, образуя в ней сквозные поры и газо- 
вые включения.
Толщина диэлектрических пленок при проведе- 24 5
нии электрофизических исследований составляла 22 4
около 100 нм. Толщина диэлектрика выбиралась
исходя из глубины открытых пор, доступных для 20 3
адсорбции, – 60–100 нм. В качестве электродов при
18 2
проведении электрических измерений использова-
лись пленки Al, нанесенные термическим испарени- 16 1
ем в вакууме. Толщина нижнего электрода составля- 14
ла 100 нм, а верхнего – 30 нм. Для увеличения дос- 0 10 20 30 40 50 60 70
тупности пор для адсорбента напыление пленки Sc, %
алюминия для верхнего электрода проводилось при б
скользящих углах к плоскости подложки. Конденса-
торные структуры Al-SiO2-Al, Al-Ta2O5-Al,   tg 102 tg 102
28
Al-Nb2O5-Al и Al-TiO2-Al формировались в виде
матриц с активной площадью 1х1 мм2 на ситалло- 26 10
вых подложках размером 60480,6 мм. 24 8
Определение количества и размеров пор осуще- 22 6
ствлялось с помощью емкостной порометрии [2].
Ширина оптической щели Тауца (EТ ) определялась 20 4
экстраполяцией зависимости (αE)1/2 от энергии фо- 18 2
тона E в диапазоне длин волн 200–1100 нм. Спек- 16
тральная зависимость коэффициента поглощения 0 10 20 30 40 50 60 70
пленок (α) определялась по спектрам пропускания и Sc, %
отражения с помощью спектрометра USB2000. Оп- в
ределение толщины и коэффициента преломления  tg 102 tg 10
диэлектрических пленок осуществлялось с помо- 
щью спектрального эллипсометрического комплек- 60 5
са. Для исследования поверхности пленок использо-
55 4
вался электронный микроскоп на базе нанолитогра-
фа Raith-150 Two. Микроанализ осуществлялся с 50 3
помощью микроанализатора Bruker Quantax 50 EDX 45 2
в составе электронного микроскопа Hitachi
TM-1000. Спектральный анализ исследуемых пле- 40 1
нок был проведен с использованием ИК-спектромет- 35
0 10 20 30 40 50 60 70
ра в диапазоне частот 500–5000 см–1.
Sc, %
Результаты экспериментов и их анализ
г
Исследование электрических свойств. Исследо- Рис. 1. Зависимости диэлектрической проницаемости и
вание электрической емкости структур Al-SiO2-Al и соответствующего тангенса угла диэлектрических потерь
Al-Ta2O5-Al показало общую тенденцию по измене- на низких частотах (1 кГц) от количества углерода, вво-
нию диэлектрической проницаемости и тангенса димого в пленку, для следующих диэлектриков:
угла диэлектрических потерь с увеличением про- SiO2 (а); Ta2O5 (б); Nb2O5 (в); TiO2 (г)
Очевидно, что уменьшение диэлектрической этом ИК-спектры исследуемых пленок показывают
проницаемости для пленок диэлектриков может резкое увеличение поглощения на длине волны
быть связано только с образованием пор и газовых  = 2350 см–1, соответствующее колебаниям связей
включений, поскольку все другие возможные явле- С–О. Также есть изменения в области: 1 =3000 см–1,
ния (образование химических связей с углеродом, 2 =3400 см–1, 3 =3600 см–1, а также небольшие из-
образование углеродных включений) привели бы к менения пика 4 = 935–940 см–1. Пики 1, 2, 3
противоположному результату. Снижение тангенса обычно относят к ОН-группам и молекулам Н2O,
угла диэлектрических потерь связано с уменьшени- пик ν4 принадлежит Si-O-Si связи (валентные коле-
ем активной составляющей сквозного тока, что обу- бания).
словлено образованием обедненных областей за счет
захвата носителей заряда ловушками на поверхно-
сти пор. При этом в качестве основного механизма
предполагается прыжковый механизм электропро-
водности с частичным захватом на ловушках. Рост
тангенса угла диэлектрических потерь при Sc >50%
связан с обеднением пленок кислородом и образова-
нием локальных областей неполного окисления.
Исследование оптических свойств. Исследова-
ния физических свойств диэлектрических пленок
показали изменение показателя преломления n и
ширины оптической щели EТ. При этом поведение
показателя преломления коррелирует с изменением
диэлектрической проницаемости, что хорошо согла-
суется с теорией. Уменьшение ширины оптической
щели может быть связано как с изменением элек-
тронной структуры самих диэлектрических пленок, а
так и с наличием газа в порах.
Исследование пористости. Исследование по-
ристости методом емкостной порометрии показало,
что с ростом значения Sc пористость пленок значи-
тельно увеличивается, достигая предельного значе-
ния 60–70% (при Sc  50%). Повышение Sc >50% не
приводит к существенному увеличению пористости.
Величина связанности пор получилась на уровне
0,04, т.е. поры в основном изолированы. Значитель-
ная часть пор имеет размеры 5–10 нм, доля микро-
пор составляет около 50% от общего объема
Исследование структуры. Исследования пока-
зали, что присутствие углерода на составной мише-
ни приводит к формированию самоорганизующейся
пористой структуры, имеющей регулярное про-
странственное распределение и высокую плотность
(рис. 2, а). При этом скол структуры диэлектрика
(рис. 2, б) показывает образование игольчатой струк-
туры, промежутки между которыми являются мик-
ропорами. Подобная пористая структура наблюдает-
ся при анодировании алюминия и образовании -
Al2O3 [3]. На рис. 2 представлены микрофотографии б
для структуры Nb2O5 на кремниевой подложке, по- Рис. 2. Микрофотографии поверхности (а)
добные результаты наблюдаются и для других ис- и скола структуры (б) Si-Nb2O5
следуемых диэлектриков – TiO2, Ta2O5, SiO2, однако
размер игл и пространств между ними отличается.
При этом стоит отметить, что с ростом Sc размер игл Предположительно это может быть связано с
увеличивается, а соответственно и пространство наличием воды в порах за счет капиллярного эффек-
между ними. та, а также продуктов реакции – газов СО или СО2.
Спектральный анализ. Анализ состава иссле- Это также может быть связано с адсорбцией газов
дуемых пленок SiO2, выполненный с помощью мик- СО или СО2 из атмосферы.
роанализатора, показал некоторое увеличение коли- Процессы адсорбции и десорбции. Особенно-
чества кислорода с ростом Sc, аналогичный рост стью пористых систем как объектов структурно-
наблюдался и в пленках Ta2O5, Nb2O5, TiO2. При фазового исследования является наличие процессов
адсорбции и капиллярной конденсации, имеющих
большое прикладное значение в качестве активных
С, пФ Sc = 48%
элементов сенсоров, датчиков влажности, фильтров Sc = 0%
обратного осмоса. В их структуре заложена естест- 800
венная возможность использования высокой чувст- 700
вительности электрофизических параметров порис-
того слоя с металлом или полупроводником к внеш- 600
ним факторам, в частности к адсорбции паров воды.
Выбор паров воды обусловлен не столько ма- 500
лыми значениями кинетического диаметра (dH2O =
400
= 0,264 нм) и площади посадочной площадки
(S = 0,125 нм2) молекулы воды, сколько очень высо- 300
кой величиной диэлектрической проницаемости
( = 81) [4]. При этом для воды минимальный радиус 200
0 20 40 60 80 100
пор составляет 1,2 нм, что соответствует конденса-
p/p0, %
ции при относительной влажности p/p0  35%. Это а
обстоятельство должно приводить к существенному
изменению электрического импеданса пористого tg  Sc = 0% Sc = 48%
слоя при адсорбции водяного пара и относительной
влажности более 35%.
Результаты исследования влияния адсорбции 0,12
паров воды на емкость и тангенс угла диэлектриче- 0,10
ских потерь структуры Al-SiO2-Al с немодифициро-
ванным (Sc = 0%) и модифицированным диэлектри- 0,08
ком (Sc = 48%) представлены на рис. 3, а, б. Для уда-
ления адсорбентов из пор экспериментальные об- 0,06
разцы выдерживались в вакууме не менее двух су- 0,04
ток. Непосредственные измерения проводились в
сухом азоте при атмосферном давлении. При таком 0,02
подходе остаточное давление паров воды в камере 0 20 40 60 80 100
считали соответствующим условному значению p/p0, %
нулевой относительной влажности (p/p0 = 0%). На- б
сыщение парами воды (относительная влажность Рис. 3. Зависимость емкости (а) и тангенса угла
воздуха p/p0 = 100%) устанавливалось в камере пу- диэлектрических потерь (б) на высокой частоте (1 МГц)
тем напуска водяного пара через капилляр. Проме- от влажности воздуха для структуры
Al-SiO2-Al с немодифицированным (Sc = 0%)
жуточные значения относительной влажности воз- и модифицированным диэлектриком (Sc = 48%)
духа задавали с помощью водно-глицеринового рас-
твора соответствующей пропорции. Выводы
Если для структуры Al-SiO2-Al с немодифици- Модификация тонких пленок оксидных диэлек-
рованным (Sc = 0%) диэлектриком при изменении триков углеродом в процессе их напыления приво-
относительной влажности p/p0 от 0 до 100% элек- дит к изменению кинетики роста и формированию
трическая емкость возрастала в полтора раза (см. самоорганизующейся упорядоченной микропорис-
рис. 3, а), то в случае с модифицированным диэлек- той структуры, содержащей большое количество
триком (Sc = 48%) емкость увеличилась в четыре
открытых и закрытых (тупиковых) пор. При этом
раза. При этом тангенс угла диэлектрических потерь
количество пор, их размер и структура определяют-
в случае с модифицированным диэлектриком (Sc =
ся показателем Sc. Это изменяет электрофизические
48%) возрос более чем на порядок, тогда как для
параметры диэлектрических пленок, приводя к
немодифицированного диэлектрика – возрос в пол-
тора раза (см. рис. 3, б). Подобные изменения про- уменьшению эффективной диэлектрической прони-
исходили и в случае с другими исследуемыми ди- цаемости, уменьшению тангенса диэлектрических
электриками – Ta2O5, Nb2O5, TiO2 и их невозможно потерь, электропроводности, показателя преломле-
объяснить без предположения о заполнении парами ния и величины оптической щели Тауца. Величина
воды свободного объема пор под верхним этих изменений также определяется показателем Sc.
Al-электродом. Развитая поверхность и высокая гид- Полученные пленки благодаря процессам ад-
рофильность диоксида кремния способствуют зна- сорбции и капиллярной конденсации могут найти
чительной адсорбции молекул воды, изменяя элек- широкое применение в устройствах микро- и нано-
трофизические свойства пористых материалов, что электроники в качестве активных элементов сенсо-
может представлять интерес для разработки на их ров [5], датчиков влажности, фильтров обратного
основе сенсоров влажности. осмоса.
Литература 3. Напольский К.С. Калибровочные решетки на ос-
нове самоорганизующихся структур пористого оксида
1. Пат. 2439743 РФ, МПК: H 01 L 21 316,B 82 B 3 00. алюминия / К.С. Напольский, И.В. Росляков, А.А. Елисеев
Способ получения пористого диоксида кремния / и др. // Альтернативная энергетика и экология. – 2009. –
С.П. Усов (РФ), Ю.В. Сахаров (РФ), П.Е. Троян (РФ). – № 11(79). – С. 86–89.
№ 2010118778/28; заявл. 11.05.2010; опубл. 10.01.2012. 4. Таблицы физических величин: справочник / под
Бюл. № 1. ред. И.К. Кикоина. – М.: Атомиздат, 1976. – 1008 с.
2. Adamyan, A.Z. Capacitance method for determination 5. Пат. №101197 РФ, МПК: G 01 N 27 12. Чувстви-
of basic parameters of porous silicon / A.Z. Adamyan, тельный элемент датчика углеводородов / С.П. Усов (РФ),
Z.N. Adamian, V.M. Aroutiounian // Phys. Stat. Sol. (c). – Ю.В. Сахаров (РФ), П.Е. Троян (РФ). –
2007. – Vol. 4, No. 6. – РP. 1976–1980. № 2010116215/28; заявл. 23.04.2010; опубл. 10.01.2011.
Бюл. № 1.
УДК 621.382.323
П.Е. Сим, Н.Е. Курбанова, О.И. Демченко, Л.Э. Великовский
Влияние конструкции полевого электрода на распределение

электрического поля в СВЧ-GaN-HEMT
Рассматриваются различные вариации конструкций полевого электрода. Представлены результаты двумерного
физического моделирования полевого гетероструктурного транзистора с высокой подвижностью электронов на
основе нитрида галлия с различными электродами с учетом поляризационных процессов. Полученные резуль-
таты моделирования показали, что использование полевого электрода приводит к уменьшению электрического
поля на краю затвора со стороны стокового электрода, улучшению характеристик прибора и повышению на-
дежности транзистора.
Ключевые слова: AlGaN/GaN, полевой электрод, модели физического моделирования, электрические поля,
HEMT.
Высокие значения плотности носителей заряда, Silvaco TCAD, предназначенном для моделирования
напряжения пробоя, скорости насыщения электро- устройств микроэлектроники. Полученные расчеты
нов и теплопроводности полупроводников на основе хорошо согласуются с экспериментальными данны-
GaN привели к созданию СВЧ-усилителей высокой ми работ [5].
мощности и высокой эффективности, работающих Данная структура состоит из cap-слоя GaN тол-
на частотах до 100 ГГц [1]. Применение GaN- щиной 2 нм и концентрацией примеси 2,5·1019 см–3,
транзисторов существенно улучшает параметры нелегированного барьерного AlGaN слоя толщиной
усилителей, модуляторов и других ключевых уст- 20 нм и мольной долей алюминия 0,23, нелегиро-
ройств современных радиоэлектронных систем. Та- ванных спейсерного и буферного слоев толщиной
ким образом, AlGaN/GaN-HEMT с высокими экс- 1 нм и 1,7 мкм соответственно. Поверхность струк-
плуатационными характеристиками являются одним туры запассивирована тонким слоем SiN толщиной
из наиболее перспективных направлений СВЧ-полу- 100 нм.
проводниковой электроники.
Производительность СВЧ-мощного GaN-HEMT
сильно зависит от эффекта коллапса тока и характе-
ристики пробоя вблизи отсечки [2]. Пробой в режи-
ме отсечки прибора при высоком напряжении на
стоке и снижение тока стока в процессе испытаний
на надежность связаны с пиком напряженности
электрического поля вблизи затвора со стороны сто-
ка. Различные методы, такие как пассивация по- Рис. 1. AlGaN/GaN-HEMT с полевым электродом
верхности структуры транзистора пленкой SiNx [3] и
создание полевого электрода, применяются для того, Источником 2DEG являются донорные поверх-
чтобы устранить вышеперечисленные эффекты [4]. ностные состояния в слое cap-GaN. Расстояние от
Полевой электрод также снижает риск деградации истока до стока Lsd = 4 мкм, от истока до затвора
материала в режимах высокой мощности. Lsg = 0,95 мкм, длина затвора Lg = 0,2 мкм. Оптими-
В данной статье в качестве оптимизации GaN- зация полевого электрода проводилась на данной
HEMT была исследована технология полевого элек- структуре. Согласно исследованиям [6] затворный
трода. Распределение электрического поля в канале полевой электрод приводит к повышению емкости
транзистора было построено с использованием дву- между затвором и стоком, ухудшая частотные свой-
мерного моделирования. Приборно-технологическое ства транзистора. Второй вид конструкции полевого
моделирование проводилось в программном пакете электрода создает высокую входную емкость за-
твор–исток. Соединение полевого электрода со сто- На рис. 3 показано состояние транзистора при
ком встречается, как правило, в сочетании с другими нулевом напряжении на затворе. Как видно из ри-
его типами. Применение двойного полевого элек- сунка, уровень Ферми лежит выше зоны проводимо-
трода является типичным решением для производи- сти GaN-полупроводника, ниже которого существу-
телей СВЧ-транзисторов. Двойная конструкция по- ют допустимые энергетические уровни в квантовой
зволяет повысить напряжение пробоя транзистора, яме [10]. Наличие энергетических уровней приводит
при этом СВЧ-характеристики прибора заметно не к высокой слоевой концентрации носителей 2DEG в
ухудшаются, понижается емкость между затвором и открытом состоянии прибора. Согласно расчетам эта
стоком. Первый затворный электрод (FP1 на рис. 1) концентрация 2DEG составляет N2DEG=7,67·1012 см–2.
используется для подавления коллапса тока под за- Пик распределения сглаженный вследствие решения
твором. Второй электрод (FP2 на рис. 1) выполняет самосогласованной задачи Шредингера–Пуассона.
функцию щита электрического поля между первым
полевым электродом и стоком, исключая повышение
емкости затвор–сток [7]. FP2 формируется в пленке
нитрида кремния (SiNx) и подключен к истоку.
В модуле Atlas была создана физическая модель
транзистора с различными видами полевого элек-
трода и без. Построена геометрическая структура
GaN-HEMT с расчетной сеткой, в каждой ее области
рассчитаны основные уравнения полупроводников.
При расчетах уравнений полупроводников исполь-
зовался численный метод Ньютона. Для описания
переноса заряда в полупроводнике была использо-
вана дрейфово-диффузионная модель. Данная мо-
дель наиболее верно мописывает физику полупро-
водниковых приборов. Спонтанная (Psp) и пьезо-
электрическая (Ppi) поляризации, характерные для
Рис. 2. Модель структуры cap-GaN/AlGaN/AlN/GaN-HEMT
вюрцитной структуры кристаллов нитридов III груп-
пы, были включены в расчеты. Общее значение по-
ляризации (Pt) рассчитывалось как [8]
Pt = Psp + Pрi. (1)
Значение Psp линейно зависит от мольной доли
алюминия и для базовых материалов является таб-
личной величиной, Ppi вдоль оси с определяется как
as  a0 ( x)  C13 ( x) 
Pрi = 2  e31 ( x)  e33 ( x)  , (2)
a0 ( x)  C33 ( x) 
где е13 и е33 – пьезоэлектрические постоянные; С13 и
С33 – постоянные эластичности. Параметр а0 – по-
стоянная решетки используемых материалов, а аs –
среднее значение постоянной решетки для слоев,
расположенных выше и ниже рассматриваемого
слоя. В симуляцию также была включена модель
генерации – рекомбинации носителей Шокли–Рида–
Холла (SRH). Рис. 3. Зонная диаграмма cap-GaN/AlGaN/AlN/GaN-HEMT
Низкополевая подвижность носителей задавалась и распределение 2DEG
посредством включения модели FMCT – модифици-
рованная подвижность Фараманда–Кои–Томаса. Для Для нахождения напряжения отсечки было по-
описания поведения носителей в полупроводнике дано отрицательное смещение (Vth) на затвор
при высоких значениях напряженности электриче- GaN-HEMT. Оно составило Vth = –6,5 В. При подаче
ского поля была использована высокополевая под- отрицательного напряжения произошло обеднение
вижность для материалов на основе GaN – GANSAT. канала, и концентрация электронов 2DEG уменьши-
Плотность состояний в 2DEG и концентрация носи- лась до N2DEG = 5,88·109 см–2.
телей были определены в результате решения само- Расчет значений напряженности электрического
согласованной задачи Шредингера–Пуассона. поля проводился при закрытом режиме работы тран-
На рис. 2 приведена смоделированная структура, зистора. Закрытое состояние прибора обеспечивает
типичная для производства СВЧ-GaN-HEMT. наличие максимальных электрических полей. Расче-
В результате расчета была построена зонная ты проводились для максимального напряжения ме-
диаграмма прибора с распределением концентрации жду затвором и стоком при Vgs = –15 В и Vds = 100 В.
2DEG (рис. 3). Данные значения напряжений выбраны, потому что
при типичном напряжении питания мощного (FP2), которая также была реализована (рис. 7, а), и
СВЧ-транзистора 50 В и реактивной нагрузке в построено распределение поля в ней (рис. 7, б).
СВЧ-тракте на транзисторе будут в режиме большо-
го сигнала появляться напряжения, более чем в
2 раза превышающие напряжение питания. Длина
затвора была выбрана равной 0,2 мкм, что является
типичным значением для современных нитридных
технологий, рассчитанных на работу на частотах до
20 ГГц.
Были смоделированы и рассчитаны поля для
структуры GaN-HEMT без конструкции полевого
электрода (рис. 4).
а б
Рис. 6. Структура GaN-HEMT с FP1 и Т-образным
затором – а; распределение поля в канале
с учетом Т-образного затвора и истокового FP – б
В этой конструкции поля на краю затвора и FP1
самые низкие из рассмотренных выше вариантов –
меньше 1 МВ/см, и дальнейшее увеличение напря-
жения приводит в основном к увеличению поля на
границе FP2. После того как мы остановились на
Рис. 4. Распределение электрического поля вдоль канала конкретной конструкции полевого электрода – двой-
для структуры без FP ном FP, было продолжено исследование по оптими-
Как видно из рис. 4, поля в транзисторе будут зации выбранной структуры. Для этого было по-
очень высокие, что приведет к большому риску де- строено распределение поля в канале транзистора в
градации и пробоя на краю затвора. Распределение зависимости от длины FP.
напряженности поля здесь и далее показано для об-
ласти между краями истока и стока транзистора.
Численно напряженность поля под затвором со сто-
роны стока составит 2 МВ/см, что близко к напря-
жению пробоя нитрида галлия как материала
(3,3 МВ/см). Полученные значения напряженности
согласуются с работой [9]. Максимум напряженно-
сти поля в истоковой стороне затвора связан с отри-
цательным потенциалом затвора.
Если добавить полевой электрод (рис. 5, а), мож-
но увидеть из распределения поля (рис. 5, б), что а б
Рис. 7. Конструкция транзистора с двумя полевыми
оно уменьшится в 1,5 раза. электродами – а; распределение электрического поля – б
Истоковый электрод был удлинен в сторону
стока. Таким образом, при удлинении истокового
электрода пик напряженности электрического поля в
канале на краю FP2 остался примерно тем же, толь-
ко сдвинулся в сторону стока.
Отдалив FP2 к стоку относительно затвора, так-
же был проведен расчет электрического поля в
структуре. Уменьшение пика на втором электроде не
наблюдалось.
а б Затем было решено увеличить толщину диэлек-
Рис. 5. Структура GaN-HEMT с FP1– а; трика для FP2 на 0,1 мкм над затвором (рис. 8, а).
распределение поля в канале с учетом FP1 – б
Данное решение позволило снизить пик поля на
Было проведено преобразование модели тран- краю затвора и получить примерно равные по вели-
зистора. Сформирована обычная симметричная чине пики поля на всех трех критических зонах
шляпа на затворе (рис. 6, а) и оставлена конструкция (рис. 8, б).
с истоковым электродом. Как можно видеть из Этот вариант выглядит наиболее оптимальным
рис. 6, б, наличие шляпы вместе с FP позволяет из всех рассчитанных. Пик напряженности поля был
уменьшить напряженность поля в канале до снижен до 0,8 МВ/см.
1,1 МВ/см. В статье было проведено двумерное моделиро-
В GaN-технологии наиболее часто встречается вание AlGaN/GaN-HEMT. Была построена модель
структура с двумя FP – затворным (FP1) и истоковым транзистора с учетом поляризационных эффектов и
решена самосогласованная задача Шредингера– твора и деградацию материала транзистора, связан-
Пуассона. Самосогласованная задача позволила рас- ную с наличием полей и температуры.
считать концентрацию 2DEG в канале GaN-HEMT и Полученные результаты не противоречат имею-
получить сглаженный пик распределения электро- щимся теоретическим значениям и хорошо согласу-
нов. Рассмотренная модель прибора требует даль- ются с экспериментальными данными [1, 5, 6, 10].
нейшей доработки. Не решена проблема с поведени-
ем профиля концентрации 2DEG в барьерном слое
транзистора и не учтены ловушечные центры и их 1. Pala N. et al. Drain-to-gate field engineering for im-
влияние на устройство. proved frequency response of GaN-based HEMTs // Solid-
State Electron. – 2008. – Vol. 52, No. 8. – PP. 1217–1220.
2. Peng M., Zheng Y., Wei K., Chen X., Liu X. X-band
AlGaN/GaN HEMTs with high microwave power perform-
ance // Sci. China Phys. Mech. Astron. – Mar. 2011. – Vol. 54,
No. 3. – PP. 442–445.
3. Ohno Y., Nakao T., Kishimoto S. et al. Effects of
surface passivation on breakdown of AlGaN/GaN high-
electron-mobility transistors // Appl. Phys. Lett. – Mar. 2004. –
Vol. 84, No. 12. – PP. 2184–2186.
а б 4. Liu L. Reliability study of GaN-based high electron
Рис. 8. Структура транзистора с двумя FP и утолщенным mobility transistors. – PhD, University of Florida, 2013.
слоем диэлектрика под FP2 – а; 5. Saito W., Kuraguchi M., Takada Y. et al. Design Op-
распределение электрического поля – б timization of High Breakdown Voltage AlGaN-GaN Power
HEMT on an Insulating Substrate for RON A-VB Tradeoff
Для увеличения напряжения пробоя на краю за- Characteristics // IEEE Trans. Electron Devices. – Jan. 2005. –
твора со стороны стока были проведены моделиро- Vol. 52, No. 1. – PP. 106–111.
вание и оптимизация полевого электрода. Были рас- 6. Weiwei K. TCAD Simulation and Modeling of Al-
смотрены базовые конструкции электрода – затвор- GaN/GaN HFETs. – PhD, North Carolina State University, 2008.
ный FP, FP, подключенный к истоку, двойная конст- 7. Fornetti F. Characterization and Performance Opti-
рукция FP и ее модификации. Показано, что вариант mization of GaN HEMTs and Amplifiers for Radar Applica-
конструкции из двух полевых электродов – затвор- tions. – PhD, University of Bristol, 2010.
8. Demchenko O., Zykov D., Kurbanova N. Research
ного и стокового с оптимизированной толщиной possibilities of Silvaco TCAD for physical simulation of gal-
диэлектрика позволяет снизить и выровнять макси- lium nitride power transistor. – 2016. – P. 060007.
мальные значения поля для всех трех электродов. 9. Greco G. AlGaN/GaN heterostructures for enhance-
Оптимизация позволила расщепить пик напряжен- ment mode transistors. – PhD, University of Catania, 2012.
ности у края затвора и уменьшить электрическое 10. Romanini P. et al. Very High Performance GaN-
поле в канале с 2 до 0,8 МВ/см. Данное решение HEMT devices by Optimized Buffer and Field Plate Technol-
должно снизить локальный перегрев в области за- ogy // Proceedings of the 1st European Microwave Integrated
Circuits Conference. – Sep. 2006. – Vol. 1. – PP. 61–64.
Секция 5. Антенны и микроволновые устройства 123
Секция 5
АНТЕННЫ И МИКРОВОЛНОВЫЕ УСТРОЙСТВА
Сопредседатели секции – Гошин Геннадий Георгиевич, д.ф.-м.н., профессор
каф. СВЧиКР; Сычев Александр Николаевич, д.т.н., профессор каф. КСУП
УДК 621.396.663
С.А. Завадский, О.А. Юрцев
Широкополосная кольцевая антенная решетка

биконусных антенн для радиопеленгатора
Описывается кольцевая антенная решетка биконусных проволочных антенн. Приводятся результаты численно-
го моделирования при различных геометрических параметрах одиночной биконусной антенны и кольцевой ре-
шетки биконусных антенн. Определены параметры, при которых одиночная биконусная антенна согласована в
диапазоне частот 30–1450 МГц. Рассматривается влияние взаимосвязи антенн в кольцевой решетке на диа-
грамму направленности и входное сопротивление излучателя в решетке.
Ключевые слова: биконусная антенна, кольцевая решетка, численное моделирование, метод интегральных
уравнений.
Кольцевые антенные решетки рассмотрены во делирования изменялись конструкция и геометриче-

многих публикацих [1–5 и др.]. В большинстве ра- ские параметры (размеры и угловые величины). Да-
бот рассмотрены вопросы определения координат лее приводятся результаты моделирования варианта,
радиоисточника пеленгаторами с кольцевыми ан- который обеспечивает максимальную полосу частот
тенными решетками (КАР). В большинстве опубли- по критерию согласования: коэффициент стоячей
кованных работ в качестве излучателей КАР исполь- волны (КСВ) не более двух в фидере с заданным
зованы вибраторные антенны. В частности, в работе волновым сопротивлением.
[4] в качестве излучателя КАР применен широкопо-
лосный планарный вибратор, в плечи которого
включены дополнительные реактивные и резистив-
ные элементы, что обеспечило согласование его в
полосе частот с коэффициентом перекрытия, рав-
ным 5, и однолепестковую диаграмму направленно-
сти (ДН) в электрической плоскости. В [5] в качест-
ве трехэлементной КАР рассмотрен объемный про-
волочный вибратор – биконусная антенна. Однако
сведений о диапазонных свойствах его в составе
КАР не приводится.
Ряд работ посвящен исследованию широкопо-
лосных вибраторных антенн, но не в составе КАР.
В литературе недостаточно рассмотрены широ-
кополосные и сверхширокополосные антенны в ка-
честве элементов КАР с учетом взаимодействия.
Настоящая статья в некоторой степени восполняет
этот пробел. В ней проведен численный анализ би-
конусных вибраторов различной конструкции с це-
лью поиска варианта, обеспечивающего согласова-
ние в сверхширокой полосе частот. Анализ прове-
ден методом интегральных уравнений (ИУ). В каче-
стве ИУ использовано ИУ Поклингтона [6]. При его
решении использованы импульсные функции в ка- Рис. 1. Варианты биконусных антенн
честве базисных и весовых. Использована также
известная программа MMANA [7]. Результаты численного моделирования
Некоторые из исследованных биконусных ан- Численный анализ показал, что вариант 3 на
тенн показаны на рис. 1. В процессе численного мо- рис. 1 имеет худшие электрические характеристики.
Варианты 1, 2 и 4 мало отличаются друг от друга, но частотах. На рисунках приводятся также значения
вариант 1 конструктивно более прост. Далее для коэффициентов направленного действия (КНД).
этого варианта приводятся результаты исследования
входного сопротивления, КСВ и ДН от числа про-
водников по образующим конусов, от наличия про-
водников на торцах конусов (радиальных и кольце-
вых), угла при вершине конусов. В качестве примера
биконусной антенны, на котором иллюстрируются
исследованные закономерности, рассмотрена бико-
нусная антенна с длиной образующей каждого
конуса равной L = 2200 мм, и радиусом проводни-
ков 10 мм.
На рис. 2 приведены результаты расчета актив-
ной ( R ) и реактивной ( X ) составляющих входного
сопротивления в диапазоне частот 30–1450 МГц для
угла при вершине конусов   60 при числе про-
водников по образующим N = 5. На рис. 3 показана
зависимость КСВ от частоты в линии с волновым
сопротивлением Ro  150 Ом в том же диапазоне
частот.
Сама биконусная антенна показана на рис. 4.
Электрическая плоскость (Е-плоскость) – это плос-
кость, содержащая ось Y , магнитная плоскость
(Н-плоскость) – это плоскость XZ .
150
100
50
0
-50
500 1 000
Частота, МГц
Рис. 2. Зависимость входного сопротивления
от частоты: тонкая линия – R , толстая линия – X
500 1 000
Рис. 3. Зависимость КСВ от частоты
Рис. 5. ДН в Е-плоскости
Видно, что с ростом частоты увеличивается из-

резанность ДН. Необходимо отметить, что и одно-
Рис. 4. Биконусная антенна с длиной образующей
лепестковая ДН в Е-плоскости за счет влияния зем-
конусов L = 2200 мм и углом при вершине   60
ли также будет изрезана не меньше. Это иллюстри-
руется рис. 6, на котором показана ДН полуволново-
го вибратора на частоте 1450 МГц. Подстилающая
Как видно, антенна согласована в диапазоне поверхность − сухая почва. Высота подъема вибра-
частот с коэффициентом перекрытия тора над поверхностью земли 5 м. Из сравнения
K  f max / f min = 1450/50 = 29. Однако в этом диапа- рис. 5 для частоты 1450 МГц и рис. 6 следует, что
зоне ДН в Е- и Н-плоскостях существенно зависят изрезанность ДН полуволнового вибратора за счет
от частоты. Для иллюстрации этого на рис. 5 приве- влияния земли значительно больше, чем для бико-
дены расчетные ДН в Е-плоскости на отдельных нусной антенны без учета земли.
Для иллюстрации сделанных выводов на рис. 8
приведена зависимость входного сопротивления от
частоты, а на рис. 9 − ДН в Е- и Н-плоскостях для
биконусной антенны с двумя проводниками по обра-
зующим конусов. При этом биконусная антенна пре-
вратилась в плоский проволочный вибратор с тре-
угольными плечами.
200
Рис. 6. ДН в Е-плоскости с учетом влияния земли
0
для полуволнового вибратора
-200
В Н-плоскости ДН также изрезана, начиная с 500 1 000
частоты 150 МГц для угла конусности 60°. На рис. 7 Частота, МГц
показаны ДН в Н-плоскости на двух частотах. Вид- Рис. 8. Зависимость входного сопротивления
но, что изрезанность достигает 3 дБ и кореллирует с от частоты: тонкая линия – R , толстая линия – X
числом проводников по образующим конусов.
Рис. 9. ДН в Е- и Н-плоскостях для биконусной антенны

Рис. 7. ДН в Н-плоскости для биконусной антенны с двумя проводниками по образующим конусов
на двух частотах
Взаимодействие биконусных антенн в составе
Изрезанность ДН в Н-плоскости составляет кольцевой антенной решетки приводит к искажению
3–4 дБ. ДН каждого излучателя в Е- и Н-плоскостях и к
Параметры биконусной антенны при неизмен- ухудшению согласования.
ных длине образующей конуса и диаметре провод- Все приведенные численные результаты были
ников, образующих антенну, зависят от угла конус- получены с помощью оригинальной программы
ности и числа проводников по образующим конусов. BICONS, использующей метод интегральных урав-
Результаты численного анализа этих закономерно- нений. Кольцевая решетка биконусных антенн чис-
стей позволяют сделать следующие выводы: ленно моделировалась в известной программе
1. При увеличении угла конусности β: MMANA [7]. Ниже приводятся результаты модели-
 диапазон частот, в котором антенна согласова- рования. Исследованные закономерности иллюстри-
на с линией передачи, смещается в сторону высоких руются на примере кольцевой решетки биконусных
частот; антенн с ранее указанными геометрическими пара-
 изрезанность ДН в Е-плоскости уменьшается, метрами. Радиус кольцевой решетки Ra = 2500 мм,
в Н-плоскости возрастает. число излучателей в решетке N a = 6. Решетка схе-
2. При уменьшении числа проводников по об- матически показана на рис. 10. При моделировании
разующим конусов полоса частот согласования возбуждалась одна биконусная антенна, располо-
уменьшается, а изрезанность ДН в Н-плоскости воз- женная на оси Y. Эта антенна на рис. 10 отмечена
растает. черным кружком.
Z
X
Рис. 10. Расположение биконусных антенн
в кольцевой решетке
На рис. 11 приведены результаты расчета ДН в

вертикальной плоскости (в Е-плоскости), входное
сопротивление и КНД для тех частот, для которых
эти результаты по одиночной биконусной антенне
показаны на рис. 2 и 5.
Рис. 12. ДН в Е-плоскости, входное сопротивление

и КНД ( Ga ) на частотах 900 и 1450 МГц
1. Юдин В.В. Кольцевые антенные решетки: схемно-
пространственная мультиплексная и направленное излу-
чение. – М.: Радио и связь, 2001. – 189 с.
2. Дубровин А.В. Потенциальная точность измерения
направления на излучатель для пеленгационных средств с
кольцевыми антенными решетками // Антенны. – М.: Ра-
дио и связь, 2006. – Вып. 2(105). – С. 29–31.
3. Виноградов А.Д. Оптимизация структур плоских
эквидистантных кольцевых антенных решеток широкопо-
лосных фазочувствительных радиопеленгаторов с круго-
вой зоной действия // Антенны. – М.: Радио и связь,
2008. – С. 5–16.
4. Виноградов А.В. Анализ широкополосности ра-
диопеленгаторов ОВЧ-УВЧ-диапазонов с малоэлемент-
ными антенными кольцевыми антенными решетками /
А.В. Виноградов, А.Ю. Михин, Г.В. Подшивалова,
Т.И. Шпилова // Антенны. – М.: Радио и связь. – 2008,
№ 7-8 (134-135). – С. 7–15.
5. Виноградов А.В. Систематические ошибки радио-
Рис. 11. ДН в Е-плоскости, входное сопротивление пеленгаторов с широкодиапазонными трехэлементными
и КНД ( Ga ) на частотах 30 и 300 МГц эквидистантными кольцевыми антенными решетками из
объемных вибраторных антенн / А.В. Виноградов,
О степени изменения ДН, КНД и входного со- П.А. Левашов, В.А. Мельников, Е.Н. Сажин // Антенны. –
противления биконусной антенны за счет взаимо- М.: Радио и связь, 2009. – № 4 (143). – С. 11–17
6. Вычислительные методы в электродинамике // Под
действия в составе решетки можно судить, сравни- ред. Р. Митры. – М.: Мир, 1977. – 243 с.
вая результаты, приведенные на рис. 2, 5 и 11, 12. 7. Гончаренко И. Компьютерное моделирование ан-
С увеличением радиуса решетки степень взаи- тенн. – М.: Радио Софт, 2002. – 80 с.
модействия излучателей уменьшается.
УДК 621.372
А.И. Кравченко, Г.Г. Гошин
Сверхширокополосная согласованная нагрузка

Представлен процесс разработки топологии микрополосковой согласованной нагрузки, предназначенной для
использования в качестве составной части направленных устройств в диапазоне частот до 60 ГГц. В качестве
согласованной нагрузки использована топология резистора крестообразной формы с элементами, компенси-
рующими паразитные составляющие. Нагрузка разработана и исследована с помощью электродинамического
моделирования. Согласованная нагрузка имеет модуль коэффициента отражения не хуже минус 40 дБ в диапа-
зоне частот 0–60 ГГц. Достигнутых характеристик достаточно для использования как в составе направленных
устройств, так и в качестве отдельного элемента СВЧ-тракта.
Ключевые слова: микрополосковая линия, топология, резистор, согласованная нагрузка.
Для использования в направленных устройст- гия резистора крестообразной формы с продольной

вах СВЧ- и КВЧ-диапазонов необходима эталонная прорезью (рис. 3).
согласованная нагрузка, имеющая небольшие разме-
ры и достаточно малый коэффициент отражения.
Согласованная нагрузка – это однопортовое
пассивное устройство, поглощающее падающую
мощность. Наиболее важный электрический пара-
метр согласованной нагрузки – это степень её согла-
сования с волновым сопротивлением тракта, в кото-
ром она работает. Степень согласования определяет-
ся по значению модуля коэффициента отражения
(КО) от входа нагрузки. Способ выполнения согла-
сованной нагрузки зависит от типа волноведущего
тракта [1]. Самая простая согласованная нагрузка –
это резистор с сопротивлением, равным волновому Рис. 1. Согласованная нагрузка с резистором в форме
сопротивлению тракта. Такая согласованная нагруз- квадрата: 1 – заземляющее отверстие; 2 – заземлённый
ка имеет приемлемый модуль КО, когда размер ре- проводник; 3 – резистивный слой;
зистора намного меньше длины волны. В диапазоне 4 – сигнальный проводник
СВЧ элементы волноведущего тракта, в том числе
согласованные нагрузки, больше размеров длины
волны, поэтому надо применять топологию, в кото-
рой паразитные параметры сведены к минимуму.
Разработка и исследование согласованной
нагрузки
В данной статье рассмотрим согласованную на-
грузку для микрополосковой линии передачи, вы-
полненной на диэлектрике из керамики по тонко-
плёночной технологии. Толщина металлизации
10 мкм, поверхностное сопротивление резистивного
слоя 50 Ом/кв. Наиболее распространённая тополо-
гия согласованной нагрузки для микрополосковой
линии с волновым сопротивлением 50 Ом представ-
ляет собой закороченный на заземление резистор в Рис. 2. Модуль коэффициента отражения согласованной
форме квадрата (рис. 1). Такая согласованная на- нагрузки с резистором в форме квадрата
грузка имеет большую паразитную индуктивность и
соответственно плохой модуль КО, может приме- Взяв за основу эту топологию, вычислим с по-
няться в частотном диапазоне до 8–10 ГГц (рис. 2). мощью системы автоматизированного проектирова-
При этом модуль КО будет не лучше чем минус ния (САПР) нужную длину и ширину резисторов на
20 дБ. В [2] приведены различные топологии рези- проход и на проводник заземления, соответствую-
сторов. Для расширения частотного диапазона пред- щие линии с резистором с ослаблением 20 дБ. Про-
лагается использовать топологию с резистором кре- дольная прорезь, показанная на рис. 3, компенсирует
стообразной формы с прорезью, включенным в мик- паразитную индуктивность резистора на проход.
рополосковую линию для компенсации паразитной Для того чтобы компенсировать паразитные пара-
индуктивности резистивного слоя. метры резисторов на заземлённый проводник, меж-
Для сопротивления резистивного слоя в ду полосковыми проводниками добавим компенси-
50 Ом/кв., наилучшие характеристики имеет тополо- рующие ёмкости. Данная топология микрополоско-
вой линии с резистором имеет расчётные характери-
стики, представленные на рис. 4.
Рис. 5. Согласованная нагрузка крестообразной формы с

прорезью посередине: 1 – сигнальный проводник, 2 – ре-
зистивный проводник, 3 – заземлённый проводник, 4 –
заземляющее отверстие
Рис. 3. Микрополосковая линия с резистором и компенси-

рующими элементами: 1 – сигнальный проводник;
2 – резистивный проводник; 3 – заземлённый проводник;
4 – заземляющее отверстие
Рис. 6. Модуль коэффициента отражения согласованной

нагрузки крестообразной формы с прорезью посередине
Рис. 4. Характеристики линии с резистором
Из графиков следует, что в микрополосковой

линии с резистором модуль КО не хуже минус 30 дБ
Рис.7. Согласованная нагрузка крестообразной формы с
вплоть до частоты 50 ГГц. Модуль коэффициента
согласующими резисторами с прорезью посередине: 1 –
передачи (КП) в линии с резистором соответствует сигнальный проводник, 2 – резистивный проводник, 3 –
минус 20 дБ до частоты 50 ГГц. Для использования заземлённый проводник, 4 – заземляющее отверстие
топологии в качестве согласованной нагрузки нет
необходимости требовать хорошую неравномер-
ность модуля КП. Для получения модуля КО нагруз-
ки не хуже минус 40 дБ будет достаточно использо-
вания одного каскада линии с резистором с КП ми-
нус 20 дБ. Топология и характеристики согласован-
ной нагрузки представлены на рис. 5, 6. Из графика
видим, что получен расчётный модуль КО не больше
минус 35 дБ до частоты 45 ГГц.
Дальнейшее расширение частотного диапазона
возможно с помощью добавления второго каскада
линии с резистором либо добавлением двух парал-
лельно подключенных согласующих резисторов по
100 Ом на разомкнутый на конце тракт (рис. 7). Рас- Рис. 8. Модуль коэффициента отражения согласованной
чётный график КО такой топологии показан на нагрузки крестообразной формы с согласующими рези-
рис. 8. сторами с прорезью посередине
Как видно из графика, согласованная нагрузка электрической подложке из керамики толщиной
имеет КО не хуже минус 40 дБ до частоты 60 ГГц. 0,254 мм. В диапазоне частот 0–60 ГГц получено
Минимальный зазор между проводниками (ме- значение модуля КО не хуже минус 40 дБ. Тополо-
жду компенсирующими конденсаторами и зазем- гию можно использовать и с другой толщиной ди-
лённым проводником) равен 35 мкм и соизмерим с электрического материала после корректировки её
толщиной металлизации в 10 мкм. Использование размеров.
согласованной нагрузки на частотах до 60 ГГц пред-
полагает изготовление топологии согласованной
нагрузки с большей точностью. Следует отметить,
что диаметр заземляющих отверстий и их местопо- 1. Сазонов Д.М. Антенны и устройства СВЧ: учеб-
ложение влияют на значение паразитной индуктив- ник. – М: Высш. школа, 1988.  432 с.
ности, которая приведёт к ухудшению модуля КО на 2. Гошин Г.Г. Анализ и моделирование сверхширо-
частотах 50–60 ГГц. кополосных фиксированных аттенюаторов СВЧ-диапазона /
Г.Г. Гошин, С.Ю. Екимов, В.П. Семибратов, А.В. Фатеев //
Доклады ТУСУРа. – 2011. – Т. 1, № 2. – С. 223–226.
Рассчитана топология микрополосковой согла-
сованной нагрузки с размерами 0,97×0,43 мм на ди-
УДК 621.396.67
Н.Б. Чернова, М.Ю. Маслов
Исследование основных показателей печатных фрактальных

антенн в системах радиолокации и радионавигации
Кратко рассмотрены проблемы, с которыми сталкиваются глобальные навигационные спутниковые системы
при распространении электромагнитных волн, и изучение путей их решения с помощью антенной техники. Для
поставленной цели были разработаны две малогабаритные печатные антенны, миниатюризация которых дости-
гается за счет применения фрактальной геометрии. Внимание при экспериментальном исследовании их харак-
теристик излучения было сконцентрировано на определении вида поляризации.
Ключевые слова: спутниковая навигация, круговая поляризация, печатные антенны, фрактальная геометрия,
теорема Декарта об окружностях.
Печатные антенны (ПА) находят широкое при- воздействие переотраженных сигналов на точность
менение в различных радиоэлектронных устройст- измерения дальности.
вах и системах благодаря их миниатюрности и высо- Важно отметить, что разработанные и предло-
кой технологичности [1]. Особое место среди них женные методы не отличаются своей универсально-
занимают антенны круговой поляризации. Интерес к стью и имеют специфические изъяны: так, первый
ним обусловлен перспективами их использования в способ подразумевает большие габариты и сложные
системах спутниковой навигации GPS, ГЛОНАСС, схемы питания. Второй способ не рассматривается в
Galileo и т.д. Это объясняется тем, что в заданных рамках данной статьи. А последний не относится к
условиях к антенным системам предъявляются стро- методам решения проблемы за счёт конструкции
гие требования по борьбе с переотраженными сиг- антенной системы. Таким образом, перспективным
налами, которые, в свою очередь, маскируют реаль- направлением развития глобальных навигационных
ный пиковый уровень полезного сигнала на входе спутниковых системах (ГНСС) и борьбы за качество
приемника. Соизмеримость уровней отраженного и принимаемых сигналов является исследование по-
прямого сигналов неизбежно влечет за собой суще- ляризационных характеристик печатных антенн.
ственные искажения полезного сигнала, а следова- Постановка задачи
тельно, погрешности в схемах слежения и измери- A. Требования по поляризационным характери-
тельных цепях приемника. стикам к антеннам ГНСС
С целью уменьшения влияния отраженных сиг- Из теории известно, что отраженные волны (пе-
налов на ГЛОHACC/GPS/Galileo приемник разрабо- реотраженные сигналы) на приемной стороне будут
таны различные способы его уменьшения: иметь противоположное падающей волне (прямому
1) использование специальных антенных экранов; сигналу) направление вращения вектора электриче-
2) выбор оптимального угла возвышения, обес- ского поля (Е) [2, 3].
печивающего прием сигналов от спутников с мини- Ясно, что должны иметь место некоторые поля-
мальным воздействием отраженных сигналов; ризации излучаемой волны, которые достигают при-
3) использование специальных алгоритмов об- емника в неизмененном виде, т.е собственные поля-
работки сигнала в приемнике, минимизирующих ризации. Из этого можно сделать вывод, что при
заведомо известном типе поляризации передающей ми. Последни, в свою очередь представляет собой
антенны задача приемной стороны сводится лишь к трехпроводную полосковую линию передачи, обра-
её поддержанию. Для ГНСС собственной поляриза- зованную двумя параллельными узкими щелями,
цией является круговая с правым вращением выполненными на фольгированном слое диэлектри-
(RHCP) [4]. Такой выбор продиктован влиянием ческого материала подложки. Итерационный про-
ионосферы на распространение электромагнитной цесс основывается на теореме Декарта об окружно-
волны. стях [7].
B. Обоснование выбора конструкции антенной
системы
Классические решения в области ПА, к кото-
рым относится в первую очередь полуволновая ПА,
имеют максимальный габаритный размер а, характе-
ризующий длину излучающего элемента, прибли-
женно определяемый следующим соотношением [5]:
а ≈ λ/  , (1)
где λ – длина волны на рабочей частоте; ε – относи-
тельная диэлектрическая проницаемость материала,
из которого выполнена ПА.
На частотах 1–2 ГГц ПА с малой диэлектриче-
ской проницаемостью ε = 2–3 имеют размеры по-
рядка 70–100 мм, что неприменимо в малогабарит- Рис. 1
ной мобильной приемной аппаратуре потребителя Экспериментальное исследование
ГНСС. Соотношение (1) показывает один из воз- фрактальной ПА с копланарным волноводом
можных путей миниатюризации ПА, который состо- A. Описание опытных образцов ПА
ит в увеличении ε. и экспериментальной установки
Среди других направлений миниатюризации Исходя из поставленных целей были изготовле-
ПА можно выделить «сворачивание» и использова- ны 4 опытных образца: первые два являются непо-
ние фрактальной геометрии. Оба подхода основаны средственно самой щелевой фрактальной ПА с ко-
на увеличении электрической длины антенны за счёт планарным волноводом и отличаются лишь числом
перехода от излучающих элементов, описываемых итераций. Так, один из них состоит из полного на-
прямыми линиями, к заполняющим пространство бора итераций, что соответствует рис. 1 (ra1, rb1, rc1,
кривым. В первом случае такого эффекта добиваются rd1, r e2–1 , r e2–2 , r f3–1, rf3–2), а второй – только из первых
с помощью щелей, выполненных в проводнике ПА и двух этапов итераций (ra1, rb1, rc1, rd1, re2–1, re2–2).
удлиняющих путь, который проходят токи от одной Следующие два опытных образца представляют со-
кромки проводника до другой. В антенной технике бой плоские двухзаходные Архимедовы спирали
такой метод представлен меандровым монополем, (рис. 2), единственно различающиеся направления-
монополем в виде серпантинной линии и др. ми намотки, что находит прямое отражение в на-
Фрактальная геометрия в контексте антенных правлении вращения вектора Е.
систем подразумевает электрически малые антенны
(ЭМА), базирующиеся на геометрических объектах
не целочисленной размерности, а дробной, что
внешне проявляется в рекурсивном повторении ис-
ходного шаблона [6]. Делая историческую ссылку,
важно отметить, что первые публикации по электро-
динамике фрактальных структур относятся к 80-м
годам прошлого века, и представлены в работах
Я. Кима и Д. Джаггарда. С тех пор развитие фрак-
тальных антенн продвигалось семимильными шага-
ми, своё практическое применение нашли кривые
Коха, кривые Пеано, фракталы Минковского, лома-
ные Гильберта и всевозможные их модификации.
В данной работе представлена щелевая фрак- Рис. 2
тальная ПА с копланарным волноводом (рис. 1). Ее
основная структура включает в себя апертуру, внут- Все габариты и геометрические размеры опыт-
ренний и внешний проводники и линию питания, в ных образцов рассчитаны по полуволновой модели
качестве которой, как уже упоминалось, был выбран и обусловлены необходимостью обеспечения уве-
копланарный волновод с целью добиться более ши- ренного приема сигналов, как минимум, от трех сис-
рокой полосы пропускания, лучшего согласования тем спутниковой навигации с полным покрытием их
по сопротивлениям и меньших потерь излучения в рабочих диапазонов, каковыми являются: для GPS:
сравнении с обычными микрополосковыми линия- 1575,42; 1227,60 и 1176,45 МГц; для Galileo:
1575,42; 1278,75; 1176,45 и 1207,14 МГц; для щения. Ход эксперимента включает в себя вращение
ГЛОНАСС: 1602; 1246 и 1207,14 МГц. приемной антенны по оси, перпендикулярной на-
Все четыре антенных образца выполнены на правлению распространения вектора Е, на 360° с
однослойных диэлектрических подложках из мате- целью фиксирования максимального (Аmax) и мини-
риала FR-4 с ε = 4,4, каждая толщиной 1,535 мм, где мального (Аmin) значений коэффициента передачи,
0,035 мм – толщина фольги. Щелевые фрактальные что соответствует согласованному и рассогласован-
ПА занимают площадь 130×130 мм2, диаметр апер- ному режимам. Далее рассчитывается коэффициент
туры составляет 126 мм, ширина щелей копланарно- эллиптичности (КЭ) по нижеприведенной формуле,
го волновода равняется 0,5 мм, а ширина проводя- из значений которого можно судить о типе поляри-
щей линии копланарного волновода – 2,5 мм. зации исследуемой антенной системы:
Арихимедовы спирали имеют 3 витка и следующие КЭ = Аmax – Аmin. (2)
физические размеры: D0 = 184,5 мм, Di = 17 мм, Важным условием для получения достоверных
Sa = 5,582 мм, Wa = 5,582 мм. экспериментальных данных является экранирование
Экспериментально поляризационную характе- от внешних воздействий. Последнее достигается за
ристику (ПХ) определяют с помощью процесса счёт безэховой камеры (БЭК), представляющей со-
приема-передачи, организованного между двумя бой помещение с покрытием из радиопоглощающего
антенными системами, где передающей является материала (РПМ), блокирующего отражение
исследуемый на предмет определения ПХ образец, а радиоволн от стен. Ряд экспериментов, описывае-
приемной – образец с известной ПХ. В нашем слу- мых в данной статье, проводился в БЭК, обеспечи-
чае, в качестве приемной антенны использовались вающей затухание электромагнитной энергии около
Арихимедовы спирали, не вызывающие сомнений в 30 дБ. Внешний вид экспериментальной установки
своей круговой поляризации и направлении ее вра- проиллюстрирован на рис. 3.
Рис. 3
B. Результаты эксперимента экспериментального исследования, результаты кото-

Предложенная щелевая фрактальная ПА обла- рого подробно описаны в [8], стоит отметить, что:
дает линейной поляризацией, что подтверждается 1. Щелевая фрактальная ПА имеет достаточно
пренебрежительно малой разницей (~3 дБм) между широкую полосу пропускания в диапазоне от
максимальным (−37,04 дБм) и минимальным 1100 до 1700 МГц, т.е. 68,33% для образца ПА с
(−40,3 дБм) значениями коэффициента передачи. полным набором итераций и 78,33% для опытного
Помимо этого, наблюдается сильный антенный образца с первыми двумя итерациями. Последнее
эффект фидера (АЭФ), сущность которого заключа- служит доказательством полноценного покрытия
ется в том, что фидер начинает участвовать в про- диапазонов рабочих частот ГНСС.
цессе приема, в то время как он должен служить 2. ДН щелевой фрактальной ПА далека от тре-
только для передачи высокочастотной энергии от бований, продиктованных областью применения.
антенны к приемнику. Это приводит к искажению Так, опытный образец с полным набором итераций
диаграммы направленности (ДН) антенны, к умень- характеризуется двунаправленностью излучения,
шению КПД линии передачи энергии высокочастот- где главный лепесток имеет ширину около 40%.
ных колебаний и другим негативным явлениям. Образец с первыми двумя итерациями имеет четыре
Характеристики ДН и коэффициента отражения значимых лепестка, обозримых на нормированной
по входу (S11) не входят в рамки данного исследова- ДН, равноудаленных друг от друга на 45° с шири-
ния, но, опираясь на данные ранее проведенного ной не более 15% каждый.
Выводы удаленная от центра на некоторое расстрояние, схе-
Данная статья рассматривает щелевую фрак- мы питания.
тальную ПА с точки зрения поляризационных ха- Также оптимизация данной антенной системы
рактеристик как альтернативного метода борьбы с должна включать в себя решения относительно
переотраженными сигналами спутниковой навига- АЭФ. Как один из самых очевидных путей умень-
ции на приемной стороне. Основная идея заключа- шения антенного эффекта можно выделить непо-
лась в создании антенной системы собственных по- средственное увеличение площади внешнего про-
ляризаций, т.е. в случае ГНСС – круговых с правым водника, что, в свою очередь, является нежелатель-
вращением. В ходе проведения вышеописанного ным с точки зрения миниатюризации.
эксперимента не удалось подтвердить или опроверг-
нуть выдвинутую гипотезу, т.к. предложенная щеле-
вая фрактальная ПА обладает линейной поляризаци- 1. Wong K.L. Compact and broadband microstrip anten-
ей, что подтверждается уровнем её излучения на nas: NY. John Wiley & Sons, 2002. – 329 p.
принимающей стороне в согласованном и рассогла- 2. Татаринов В.Н., Татаринов С.В., Лигтхарт Л.П.
сованном режимах. Линейная поляризация, будучи Введение в современную теорию поляризации радиолока-
ционных сигналов. – Т. 1: Поляризация плоских ЭМВ и её
вертикальной или горизонтальной при прохождении
преобразования. – Томск: ТГУ, 2006.
ионосферы, меняет плоскость своего распростране- 3. Канарейкин Д.Б, Павлов Н.Ф., Потехин В.А. По-
ния на противоположную и, как следствие, на при- ляризация радиолокационных сигналов. – М.: Сов. радио,
емной стороне векторы поляризаций не совпадают и 1966.
КПД приемной части падает. 4. ГОСТ Р 56424–2015. Глобальная навигационная
Из отрицательных результатов опыта можно спутниковая система. Морская дифференциальная под-
сделать вывод, что изготовленное устройство при- система. Размещение спутниковых антенн контрольно-
емной антенной сигналов ГНСС с RHCP не являет- корректирующей станции. Общие требования.
ся. В самом деле, рабочие частоты, рассчитанные 5. Панченко Б.А., Нефедов Е.И. Микрополосковые
антенны. – М.: Радио и связь, 1986.
при проектировании антенны, покрывают диапазо-
6. Слюсар В. Фрактальные антенны. Принципиально
ны заявленных систем GPS, ГЛОНАСС и Galileo. новый тип «ломаных» антенн. – Ч. 2. Электроника //
Следовательно, среди причин несоответствия требо- НТБ. – 2007. – № 6. – С. 82–89.
ваниям следует рассматривать: геометрию и взаим- 7. Liu J.C., Chang D.C., Soong D. et al. Circular fractal
ное расположение излучателей антенной системы. antenna approaches with Descartes circle theorem for multi-
Так, чтобы добиться формирования поля с круговой band/wide-band applications // Microw. Opt. Technol. Lett.,
поляризацией, необходимо либо нарушить симмет- Mar. 2005. – Vol. 44, No. 5. – РР. 404–408.
рию фрактальной структуры, либо запитать ПА та- 8. Chernova N.B., Kulikov A.A. CPW-fed fractal slot
ким образом, чтобы возбуждались два ортогональ- antenna design for ultra wide band applications // Труды Ме-
ждунар. симп. «Надежность и качество». – Пенза, 2017. –
ных колебания с соответствующими фазами и ам-
Т. 2. – С. 365–370.
плитудами, т.е. двухточечная или одноточечная, но
УДК 621.396.674.1
В.П. Кисмерешкин, А.В. Колесников, Н.А. Косточкина
К вопросу формирования однонаправленного излучения

Представлены результаты численного моделирования систем «излучатель – отражатель» в широком диапазоне
частот. Результаты сопоставлены с ранее полученными экспериментальными результатами на конструктивных
аналогах. Показано, что модель относительно адекватно отражает эффект расширения полосы частот, но экспе-
риментальные результаты несколько лучше полученных при численном моделировании.
Ключевые слова: вибратор, петлевой вибратор, диапазонный излучатель, отражатель, коэффициент направ-
ленного действия, обратное излучение, импеданс.
Традиционно однонаправленное излучение Попытки выйти из этого круга были предпри-

формируют с помощью системы из двух вибраторов, няты еще в 60-е годы прошлого века, при этом экс-
один из которых активный, а другой пассивный с периментальным путем удалось достичь неплохих
индуктивным характером (2l > λ/2). Вариант отра- результатов [1, 2], но необходимых обобщений сде-
жателя в виде проводящей плоскости в данном слу- лано не было, и потому указанные решения не на-
чае мы не рассматриваем. При всей простоте систе- шли широкого применения.
мы «вибратор – вибратор» ей присущ недостаток: В настоящее время в связи с необходимостью
полоса рабочих частот, где имеет место удовлетво- разработки ряда антенных систем в ДМВ-диапазоне
рительное подавление обратного излучения, остав- данное направление исследований оказывается сно-
ляет желать лучшего. ва востребованным, и потому авторы обращаются к
данной тематике повторно с привлечением совре- тивления, обеспечивающего хорошее согласование с
менных вычислительных средств. трактами 50 и 75 Ом. Соответственно размеры излу-
В данной работе представлены результаты мо- чателя приняты SH = 0,5λmax, SE = 0,25λmax, где SH/λmax
делирования различных систем «излучатель – отра- и SE/λmax – размеры излучателя в Н- и Е-плоскостях,
жатель», которые соотнесены с ранее полученными отнесенные к максимальной длине волны. Заметим,
экспериментально. что лучшие варианты положены в основу конструк-
В работе [3] были приведены предварительные тивной реализации в документацию ряда разрабо-
результаты исследований системы «линейный виб- ток, которые внедрены в производство и успешно
ратор – петлевой замкнутый вибратор», которые по- эксплуатируются в технике связи. При этом отрад-
казали нетривиальное взаимодействие друг с дру- ным является факт удовлетворительного согласова-
гом, проявляющееся в расширении полосы частот по ния моделей и конструктивных решений, что явля-
сравнению с традиционной «вибратор – вибратор». ется залогом дальнейшего успешного совершенст-
В данной работе расширены модификации сис- вования антенных систем в УКВ- и ДМВ-диапа-
тем, все они численно промоделированы, что позво- зонах.
лило выявить более эффективные системы. Кроме Таким образом, достигнуто две цели. Одна из
того, расширены параметры оценки эффективности: них свидетельствует о соответствии физической и
фигурируют коэффициент направленного действия, виртуальной моделей, а другая – об удачном про-
уровень обратного излучения и полоса пропускания. граммном обеспечении применительно к подобного
При этом в качестве активного излучателя взят диа- рода задачам.
пазонный [4, 5], обеспечивающий гармоничное кон- На рис. 1 представлены варианты отражающих
структивное сопряжение в полосе частот как на- структур, которые подвергались экспериментально-
правленных характеристик, так и входного сопро- му исследованию и численному моделированию.
а б в
Рис. 1. Варианты отражающих структур
Полученные результаты базировались на из- не частот имеет явные преимущества в части пере-
вестном положении о необходимости иметь индук- крытия по частоте, что согласуется с диапазонными
тивный характер в рефлекторе. Данная же работа свойствами 2-рамочного излучателя, его конструк-
расширяет это положение: необходимо иметь индук- тивными и электрическими преимуществами и с
тивный импеданс отражателя в виде структуры с результатами экспериментальных исследований.
определенным соотношением между напряженно-
Сравнительные данные измерений эффективности
стями электрического и магнитного полей (W = E/H) вариантов рефлекторов
на его поверхности, о чем свидетельствуют прове- Вариант отражающей Кf Uобр/U180°
денные исследования. структуры Э М П Э М П
В каждой из приведенных отражающих струк- а 1,6 – 1,4 0,18 – 0,1
тур характер импеданса вдоль оси Z индуктивный. б – 2,3 1,4 – 0,3 0,1
Они отличаются друг от друга степенью подавления 0,2*
в 1,68 2,6 1,72 0,08 0,3
обратного излучения и полосой частот. 0,1**
Сравнительные результаты экспериментального
исследования, численного моделирования и адек- Полученные результаты были внедрены в це-
ватных промышленных образцов представлены в лый ряд изделий. Среди них антенное устройство
таблице, где Э – эксперимент; М – моделирование; для районов Крайнего Севера, антенная система для
П – промышленный образец; * – значение для диа- приема TV в диапазоне 170–860 МГц, приемо-
пазона частот 170–240 МГц; ** – значение для диа- передающая антенная решетка с повышенным КУ.
пазона частот 470–860 МГц. Таким образом, направление, основанное на
Следует заметить, что рассматриваемый способ диапазонных отражающих структурах в комплексе с
снижения обратного излучения в широком диапазо- диапазонными излучателями, позволяет использо-
вать полученные результаты при проектировании 3. Кисмерешкин В.П. Восьмиэлементная антенна. –
различных систем в УКВ- ДМВ-диапазоне. Омск, 1970. – З с. – Информ. листок № 0220276.
4. А.с. № 138277, МКИ H 01 Q 9/16. Диапазонная ан-
Литература тенна / К.П. Харченко. – № 670320/26; заявл. 16.06.1960;
опубл. 01.01.1961. Бюл. № 10.
1. А.с. № 216803, МКИ Н 04. Проволочный рефлек-
5. А.с. № 191647, МКИ H 01 Q 9/28. Диапазонная на-
тор / В.П. Кисмерешкин. – № 1105187/26-9; заявл.
правленная антенна / В.П. Кисмерешкин, К.П. Харченко,
23.09.66; опубл. 26.04.68. Бюл. № 15.
П.П. Мартынов. – № 1057654/26-9; заявл. 15.11.66; опубл.
2. Пат. № 2113039, МКИ Н 01 Q 15/14. Широкопо-
26.01.67. Бюл. № 4.
лосный рефлектор / В.П. Кисмерешкин, Г.Н. Лобова. –
№ 96122764; заявл. 28.11.96; опубл. 10.06.98.
УДК 621.396.67
М.М. Абулкасымов, Т.Г. Черныш, А.С. Шостак
Контроль неоднородных сред в диапазоне УКВ и СВЧ

Представлены результаты теоретического исследования влияния неоднородных сред на сопротивление широ-
кополосной антенны, расположенной вблизи границы раздела. Проанализирована возможность использования
данного влияния при зондировании неоднородных сред в диапазоне УКВ и СВЧ.
Ключевые слова: широкополосная антенна, зондирование, комплексное сопротивление, неоднородная среда.
В настоящее время широко развиваются радио- зовать переносное приемопередающее устройство,

физические методы дистанционного зондирования рассчитанное на зондирование плоскими волнами в
при анализе различных однородных и неоднородных диапазоне УКВ, является очень сложной задачей.
структур. Потребность в развитии данных методов Постановка задачи и геометрическая модель
обусловлена наличием широкого круга практиче- Целью данной работы является анализ возмож-
ских задач, таких как поиск противопехотных мин, ности использования зависимости модуля полного (с
контроль нарушений в природных и техногенных учетом внесенного) сопротивления линейной широ-
средах: в грунтах строительных площадок, дорож- кополосной антенны от частоты для идентификации
ных покрытиях, фундаментах, газо- и нефтепрово- неоднородности, что позволило бы избавиться от
дах, различных грунтах после катастроф и т.д. В ограничений, связанных с использованием плоских
переносных приемопередающих системах для ре- волн.
шения данных задач часто применяются методы В представленной для исследования модели
зондирования плоскими волнами. Зачастую источ- (рис. 1) полуволновая антенна с размером плеча l
ником информации о неоднородности при зондиро- поднята относительно исследуемой многослойной
вании плоскими волнами является график зависимо- структуры на высоту h. Размер плеча антенны l ра-
сти коэффициента отражения от частоты. Пример вен четверти средней длины волны λср, присущей
устройства и метода неразрушающего контроля при диапазону рабочих частот исследуемой широкопо-
использовании плоских волн в диапазоне СВЧ, был лосной антенны.
ранее представлен в работе [1]. Однако использова-
ние плоских волн накладывает определенные огра-
ничения на данный тип устройств, а именно требу-
ется обеспечение пространства между антенной и
исследуемой средой, которое бы превышало длину
волны примерно в 10 раз. Данное ограничение не
существенно в диапазоне СВЧ, но является серьез-
ным лимитирующим фактором при конструирова-
нии переносных устройств неразрушающего кон-
троля, работающих в более длинноволновых диапа-
зонах, так как возникает необходимость обеспече-
ния высоты расположения антенны, неприемлемо Рис. 1. Геометрия задачи
большой для данного типа устройств. Не стоит за-
бывать и о том, что частота напрямую влияет на раз- Исследуемая многослойная структура в качест-
решающую способность и глубину зондирования. С ве примера для простоты расчетов была выбрана
увеличением частоты возрастает разрешающая спо- плоскослоистой, четырехслойной, а также однород-
собность, и в то же время уменьшается глубина зон- ной в X- и Y-направлениях. Каждый слой характери-
дирования. Из вышесказанного следует, что реали- зуется собственными параметрами, такими как тол-
щина Ti и комплексная диэлектрическая проницае- однородностью сопротивления) от частоты для раз-
мость  i . Первый слой T1 представляет собой воз- личных неоднородностей, можно заметить общую
душное пространство, слой T3 характеризует иско- тенденцию нарастания периодичности зависимости
мую неоднородность, а слои T2 и T4 – среду ее зале- с увеличением глубины залегания искомой неодно-
гания. Второй и третий слои имеют конечные ли- родности. Появление экстремумов обусловлено по-
нейные размеры, четвертый слой представлен полу- луволновыми максимумами и четвертьволновыми
пространством T4    . минимумами. Можно заметить некую зеркальность
графиков для разных неоднородностей, это связано с
Для исследования были выбраны диапазон ра- резкими отличиями природы неоднородности в пла-
бочих частот от 300 до 600 МГц и соответствующая не диэлектрических свойств. Из графиков видна
ему линейная широкополосная антенна. Расчеты возможность, на фоне отсутствия неоднородности
проводились по формулам [2, 3], адаптированным (кривая 1 рис. 2, 3) обнаружения и локализации не-
для четырехслойной модели. Для того, чтобы оце- однородности по глубине залегания. Также ранее в
нить влияние неоднородностей при различной глу- работе [4] было исследовано влияние размеров не-
бине залегания T2 на зависимость модуля полного однородности на характер зависимости.
комплексного сопротивления широкополосной ан-
тенны от частоты, были рассмотрены неоднородно-
сти, такие как воздушная полость  3 1  0,001 j и
металлоподобный объект  3  2,5  107 j . Размер
Полное сопротивление, Ом
неоднородности T3 в обоих случаях принят равным
10 см. Высота расположения антенны выбрана рав- 3 4
ной 3 см, так как это значение примерно соответст- 5
вует расстоянию, на котором проводят зондирование
переносными системами в полевых условиях. Иско- 1
мая неоднородность залегает в однородной структу-
ре, имитирующей влажный почвогрунт с комплекс- 2
ными диэлектрическими параметрами  2 и  4 , рав-
ными 15  0,01 j . Ниже приведены для сравнения и
дальнейшего анализа графики зависимостей модуля
полного комплексного сопротивления широкопо- Частота, МГц
лосной антенны от частоты (рис. 2, 3) при наличии Рис. 3. Зависимость модуля полного комплексного сопро-
тивления широкополосной антенны от частоты. В качест-
воздушной и металлоподобной неоднородности, а
ве неоднородности выступает металлоподобный объект:
также при ее отсутствии. 1 – при отсутствии неоднородности; 2 – при глубине зале-
гания 1 см; 3 – при глубине залегания 5 см; 4 – при глуби-
не залегания 10 см; 5 – при глубине залегания 15 см
2
Выводы
Полное сопротивление, Ом
1 Проделанное теоретическое исследование влия-

ния искомой неоднородности, находящейся в толще
5 укрывающей среды, на сопротивление широкопо-
лосной антенны позволяет сделать следующие
выводы:
1. Исследование показало возможность исполь-
3 зования данных об изменении сопротивления ан-
тенны в качестве источника информации о неодно-
4 родности, что может в свою очередь избавить уст-
ройство от ограничений, связанных с использовани-
ем плоских волн в диапазоне УКВ.
2. Многие известные методы обработки инфор-
Рис. 2. Зависимость модуля полного комплексного сопро- мации при подповерхностном зондировании не по-
тивления широкополосной антенны от частоты. В качест-
зволяют достаточно эффективно решать задачи об-
ве неоднородности выступает воздушная прослойка:
1 – при отсутствии неоднородности; 2 – при глубине зале-
наружения, локализации и идентификации неодно-
гания 1 см; 3 – при глубине залегания 5 см; 4 – при глуби- родностей, поэтому использование данных о внесен-
не залегания 10 см; 5 – при глубине залегания 15 см ном в приземную антенну сопротивлении может по-
мочь улучшить существующие методы зондирования,
Анализ результатов а также даст возможность создания самостоятель-
Если сравнивать графики зависимостей модуля ных устройств, работающих на данных принципах.
полного комплексного сопротивления широкопо- 3. Данные о внесенном подстилающей средой
лосной антенны (с учетом внесенного средой и не- сопротивлении могут быть использованы для луч-
шей настройки и улучшения условий эксплуатации лируемого полупространства на параметры линейных
приземных антенн. вибраторных антенн // Журнал радиоэлектроники. –
2001. – №1. – С. 1–11.
Литература 3. Шостак А.С., Авдоченко Б.И., Загоскин В.В. и
др. Входной импеданс ультравысокочастотной линейной
1. Абулкасымов М.М., Черныш Т.Г., Шостак А.С.
антенны, расположенной над трехслойной средой // Изв.
Метод неразрушающего контроля состояния взлетно-
посадочной полосы // Измерение, контроль, информатиза- вузов. Физика. – 2006. – №8. – С. 79–82.
ция: матер. XVII Междунар. науч.-техн. конф. – 2016. – 4. Абулкасымов М.М., Джакыпов К.А., Черныш Т.Г.,
С. 217–219. Шостак А.С. Исследование влияния неоднородной плос-
2. Шостак А.С., Лукьянов С.П., Дума А.Р., Загос- кослоистой структуры на импеданс широкополосной ан-
кин В.В. Анализ теоретических и экспериментальных тенны // Доклады ТУСУРа. – 2017. – Т. 20, № 2. –
исследований влияния диэлектрических свойств контро- С. 19–22.
УДК 621.396.41
К.А. Джакыпов, М.М. Абулкасымов, А.С. Шостак
Исследование влияния однородной плоскослоистой структуры

на взаимный импеданс двух линейных вибраторных антенн
Представлены результаты теоретического исследования влияния однородной плоскослоистой структуры на
взаимный импеданс двух линейных вибраторных антенн, расположенных вблизи границы раздела. Расчеты
проведены для однородной среды при различных значениях диэлектрической проницаемости. Приведен анализ
полученных результатов теоретического исследования.
Ключевые слова: линейные вибраторные антенны, импеданс, зондирование, однородная структура.
В настоящее время линейные электрические ницы раздела, а также рассматривается случай взаи-
вибраторы широко используются в антенной техни- модействия двух параллельных полуволновых ан-
ке. Они применяются как самостоятельные антенны тенн, расположенных над поверхностью подсти-
на декаметровых, метровых, дециметровых и сан- лающей среды. В [2] взаимодействие двух парал-
тиметровых волнах, так и в качестве элементов в лельных полуволновых антенн рассматривается
составе сложных антенных систем. На практике в лишь для однородной среды с комплексной диэлек-
подавляющем большинстве случаев линейные виб- трической проницаемостью  2  10  0,1i .
раторы, применяемые в виде самостоятельных ан- В данной работе теоретически исследуется
тенн, располагают либо на подвижных или стацио- влияние однородных плоскослоистых сред на вза-
нарных объектах, либо вблизи границы раздела зем- имный импеданс двух линейных вибраторных ан-
ля–воздух. Электрические параметры земли (прово- тенн, расположенных вблизи границы раздела.
димость, диэлектрическая проницаемость и т.д.) Постановка задачи
оказывают значительное влияние на электрические Линейные вибраторные антенны A1 и A2 распо-
характеристики антенн. Необходимость учета влия- ложены над горизонтально-слоистой средой парал-
ния среды на параметры антенн возникает при кон- лельно друг другу и границам раздела слоев (рис. 1);
струировании практически любой связной аппара- одна из них может быть передающей (активной), а
туры, эксплуатирующейся вблизи земной поверхно- вторая – приемной (пассивной). Взаимодействую-
сти. Большое значение имеет учет влияния среды на щие антенны имеют размер плеча l, равный четвер-
характеристики антенн для задач дистанционного ти длины волны  . Исследуемая однородная струк-
зондирования различных материальных полупрово- тура состоит из двух слоев. Каждый слой характери-
дящих сред, в том числе и подстилающих сред таких зуется собственной толщиной Ti и комплексной ди-
как почвогрунты, горные породы, части строитель- электрической проницаемостью  i . Слой T1 – воз-
ных сооружений, дорожные покрытия, взлетно-
посадочные полосы и т.д. [1, 2, 4]. душное пространство, в котором расположены ан-
Метод наведенных ЭДС дает возможность ко- тенны, а слой T2 является полупространством, т.е.
личественно определить степень влияния реальной ( T2   ). Начало координат находится на границе
земли на входные сопротивления линейного вибра- между слоями T1 и T2. Ось Z перпендикулярна по-
тора и, следовательно, на величину коэффициента верхностям раздела слоев. Антенна A1 длиной 2l1
усиления [1]. С помощью этого метода в работе [2] расположена на высоте h1, антенна A2 длиной 2l2 –
теоретически исследуется влияние неоднородных на высоте h2. Антенна A1 расположена в плоскости
плоскослоистых структур на импеданс линейной XOZ симметрично относительно начала координат-
полуволновой антенны, расположенной вблизи гра- ной оси Z. Антенна A2 смещена относительно начала
координат в направлении оси Y на величину y и по
оси X на величину c. Антенны настроены на частоту
сопротивление, ∆R, Ом
300 МГц. Требуется определить взаимный импеданс
Внесенное активное
антенн в присутствии границы раздела при различ-
ных значениях комплексной диэлектрической про-
ницаемости  2 .
y/λ
сопротивление, ∆X, Ом
Внесенное реактивное
Рис. 1. Геометрия задачи y/λ
В работе [2] рассматривается математическая

б
модель линейной полуволновой антенны, основан-
Рис. 2. Зависимость внесенного полупространством вза-
ная на методе наводимых ЭДС и позволяющая моде- имного активного сопротивления ∆R (а) и реактивного
лировать входные сопротивления антенны с высокой сопротивления ∆X (б) от расстояния между антеннами y/λ
точностью. Согласно данной модели распределение на различных высотах h/λ для комплексной диэлектриче-
токов вдоль антенн A1 и A2 принимается синусои- ской проницаемости  2  3,5  0,01 j :
дальным, и взаимный импеданс антенн в присутст- 1 – при h/λ = 0,01; 2 – при h/λ = 0,03; 3 – при h/λ = 0,05;
вии границы раздела записывается следующим об- 4 – при h/λ = 0,08; 5 – при h/λ = 0,1
разом:
Z1,2  Z 0  Z , (1)
где Z 0 – характеризует взаимный импеданс двух

антенн в свободном пространстве (в отсутствие гра-
ниц раздела); Z – вторичный взаимный импеданс,
обусловленный в присутствии границы раздела. В
литературе [4] имеются подробные таблицы значе-
ний Z 0 в зависимости от расстояния между антен-
нами y. Расчеты Z проводились по формулам, при- y/λ
веденным в [2]. Расчеты проводились при следую-
щих условиях: h1 = h2; l1 = l2; T2   ; c = 0. а
Далее приведены графики зависимости внесен-
Внесенное реактивное сопро-
ного полупространством взаимного активного со-

противления ∆R и реактивного сопротивления ∆X от
тивление, ∆X, Ом
расстояния между антеннами y/λ на различных вы-

сотах h/λ для различных значений комплексной ди-
электрической проницаемости  2 :  2  3,5  0,01 j
(рис. 2, а, б);  2  7  0,25 j (рис. 3, а, б);  2 12  0,5 j
(рис. 4, а, б). Также приведены зависимости взаим-
ного активного Rсв.пр и реактивного Xсв.пр сопротив-
y/λ
лений двух линейных вибраторных антенн, распо-
ложенных в свободном пространстве.
б
На рис. 5, а, б приведены кривые – зависимости Рис. 3. Зависимость внесенного полупространством вза-
полного активного сопротивления Rполн (а) и полного имного активного сопротивления ∆R (а) и реактивного
реактивного сопротивления Xполн (б) от расстояния сопротивления ∆X (б) от расстояния между антеннами y/λ
между антеннами y/λ на различных высотах h/λ для на различных высотах h/λ для комплексной диэлектриче-
комплексной диэлектрической проницаемости ской проницаемости  2  7  0,25 j :
 2  3,5  0,01 j . 1 – при h/λ = 0,01; 2 – при h/λ = 0,03; 3 – при h/λ = 0,05;
4 – при h/λ = 0,08; 5 – при h/λ = 0,1
На рис. 6 приведены кривые зависимости моду-
ля полного сопротивления |Z| от расстояния между
антеннами y/λ на различных высотах h/λ для
 2  3,5  0,01 j .
Полное сопротивление, |Z|, Ом

y/λ
а
сопротивление, ∆X, Ом
Внесенное реактивное
y/λ
Рис. 6. Зависимость модуля полного сопротивления |Z|

от расстояния между антеннами y/λ на различных
высотах h/λ:
1 – при h/λ = 0,01; 2 – при h/λ = 0,03; 3 – при h/λ = 0,05;
4 – при h/λ = 0,08; 5 – при h/λ = 0,1
y/λ
б Анализ результатов
Рис. 4. Зависимость внесенного полупространством вза- Из графиков зависимостей внесенного полу-
имного активного сопротивления ∆R (а) и реактивного пространством взаимного активного сопротивления
сопротивления ∆X (б) от расстояния между антеннами y/λ ∆R и реактивного сопротивления ∆X от расстояния
на различных высотах h/λ для  2  12  0,5 j : между антеннами y/λ на различных высотах h/λ (см.
1 – при h/λ = 0,01; 2 – при h/λ = 0,03; 3 – при h/λ = 0,05; рис. 2–4) можно заметить, что при условии разноса
4 – при h/λ = 0,08; 5 – при h/λ = 0,1 антенн y/λ > 0,04 кривые 1–5 находятся в противо-
фазе с соответствующими кривыми для свободного
пространства (Rсв.пр и Xсв.пр). На рис. 5, а, б при рас-
сопротивление, Rполн., Ом
стоянии между антеннами y/λ > 0,04 кривые полного

Полное активное
активного сопротивления и полного реактивного

сопротивления имеют осциллирующий затухающий
характер. При сближении антенн ( y /   0 ) сум-
марные сопротивления стремятся к предельному
значению (см. рис. 5, а, б). По мере увеличения рас-
стояния между антеннами ( y /    ) модуль полно-
y/λ
го сопротивления стремится к нулю ( Z  0 ) (см.
а рис. 6).
Из графиков зависимостей внесенного полу-
пространством взаимного активного сопротивления
сопротивление, Xполн., Ом
∆R и реактивного сопротивления ∆X от расстояния

Полное реактивное
между антеннами y/λ видно, что при малых высотах

(h = 0,01λ, h = 0,03λ) влияние среды ощущается за-
метным образом, что проявляется существенными
изменениями на графиках (см. рис. 2–4). По мере
увеличения высоты h/λ величины ∆R и ∆X резко
уменьшаются, и основную роль начинают играть
взаимное активное Rсв.пр и реактивное Xсв.пр сопро-
y/λ тивление двух линейных вибраторных антенн,
расположенных в свободном пространстве (см.
б рис. 2, а, б и 5, а, б).
Рис. 5. Зависимость полного активного сопротивления
Для того чтобы оценить влияние диэлектриче-
Rполн (а) и полного реактивного сопротивления Xполн (б)
от расстояния между антеннами y/λ на различных ской проницаемости на взаимный импеданс антенн,
высотах h/λ: был построен график зависимости модуля внесенно-
1 – при h/λ = 0,01; 2 – при h/λ = 0,03; 3 – при h/λ = 0,05; го сопротивления от расстояния y/λ на высоте
4 – при h/λ = 0,08; 5 – при h/λ = 0,1 h/λ = 0,03 для различных значений  2 (рис. 7).
зовано при конструировании линейных вибраторных
Внесенное сопротивление, |∆Z|, Ом антенн, расположенных вблизи поверхности земли.
2. Зависимости полного активного сопротив-
ления Rполн и полного реактивного сопротивления
Xполн от расстояния между антеннами y/λ на различ-
ных высотах h/λ имеют осциллирующий затухаю-
щий характер.
3. По зависимости модуля внесенного сопро-
тивления от расстояния между антеннами y/λ имеет-
ся возможность различать диэлектрические прони-
цаемости различных сред по положениям экстремумов.
y/λ 4. Полученные результаты будут полезны при
Рис. 7. Зависимость модуля внесенного сопротивления расчетах антенных систем геолокаторов, состоящих
|∆Z| от расстояния между антеннами y/λ на высоте из двух первоначально развязанных по первичному
h/λ = 0,03: 1 – при  2  3,5  0,01 j ; сигналу антенн.
2 – при  2  7  0,25 j ; 3 – при  2  12  0,5 j
Из рис. 7 видно, что по характеру зависимости 1. Лавров Г.А., Князев А.С. Приземные и подземные
модуля внесенного сопротивления имеется возмож- антенны. – М.: Сов. Радио, 1965. – 472 с.
ность различать диэлектрические проницаемости 2. Шостак А.С., Лукьянов С.П., Дума А.Р., Загос-
различных сред по положениям экстремумов. кин В.В. Анализ теоретических и экспериментальных
Выводы исследований влияния диэлектрических свойств контро-
Проведенные теоретические исследования лируемого полупространства на параметры линейных
вибраторных антенн // Журнал радиоэлектроники. –
влияния однородной плоскослоистой структуры на
2001. – №1. – С. 1–11.
взаимный импеданс двух линейных вибраторных 3. Шостак А.С., Першанин Д.А. Особенности зонди-
антенн позволяют сделать следующие выводы: рования неоднородных материальных сред с помощью
1. Исследование влияния однородной плоско- линейных антенн // Изв. вузов. Физика. – 2012. – №8/3. –
слоистой структуры на взаимный импеданс двух С. 136–137.
линейных вибраторных антенн может быть исполь- 4. Марков Г.Т. Антенны. – М.: ГЭИ, 1960. – 535 с.
УДК 621.396.677
С.К. Доманов
Экспериментальное исследование влияния отклонения

измерительного зонда от нормали к плоскости сканирования
на характеристики направленности зеркальной антенны
Приведены результаты восстановления диаграммы направленности (ДН) двухзеркальной осесимметричной ан-
тенны К-диапазона с эллиптической поляризацией по результатам измерения амплитудно-фазового распреде-
ления (АФР) ближнего поля в плоском сканере при отклонении зондовой антенны от нормали к плоскости ска-
нирования.
Ключевые слова: антенные измерения, ближнее поле, двухзеркальная осесимметричная антенна, отклонённый
зонд.
Для осуществления точных измерений радио- зондовой антенны от её оси вращения, несмотря на
технических (РТХ) антенн на планарном автомати- высокую точность изготовления элементов измери-
зированном измерительно-вычислительном ком- тельного оборудования. Зондовые антенны являются
плексе (АИВК) ближнего поля [1] важным аспектом сменными нестационарными устройствами в соста-
является точность позиционирования антенны-зонда ве АИВК. Это приводит к постепенному износу кон-
в заданной системе координат [2]. Помимо переме- тактных частей, что становится причиной возникно-
щения антенны-зонда в декартовых координатах, вения прецессий.
осуществляется вращение по крену (по поляриза- На рис. 1, 2 схематично показаны номинальное
ции), необходимое для измерения двух ортогональ- (не отклонённое) и отклонённое положения зондо-
ных составляющих вектора напряженности электри- вой антенны от нормали к поверхности сканирова-
ческого поля и расчёта суммарной ДН. На практике ния и возникающее вследствие этого линейное сме-
во всех случаях имеет место некоторое отклонение щение апертуры зонда.
двухзеркальных антенн К-диапазона и выработка
практических рекомендаций по исключению данно-
го фактора при проведении наземной эксперимен-
тальной отработки (НЭО) антенн космических ап-
паратов.
Эксперимент проводился на базе АО «Инфор-
мационные спутниковые системы» им. акад.
М.Ф. Решетнёва» (АО «ИСС»). АИВК представляет
собой плоский горизонтальный сканер производства
Рис. 1. Неотклонённое положение зондовой антенны компании ООО «НПП «ТРИМ СШП Измерительные
Системы», с рабочей областью 10×16 м. Точность
позиционирования по направляющим составляет
0,05 мм, погрешность восстановления уровней ДН
на уровнях 0–(–10) дБ не превышает 0,2 дБ, на
уровнях –10–(–20) не более 0,3 дБ, на уровнях
–20–(–30) – не более 0,5 дБ, на уровнях –30–(–40) –
не более 1 дБ, аппаратная погрешность углов вос-
становленной ДН – не более 0,02° [1].
Объектом исследования являлась двухзеркаль-
ная осесимметричная антенна K-диапазона с близ-
кой к круговой (КЭ ≈ 0,9) поляризацией со следую-
щими геометрическими параметрами: основное зер-
кало – параболоид вращения диаметром 900 мм;
Рис. 2. Отклонение зондовой антенны от нормали малое зеркало – гиперболоид вращения диаметром
к поверхности сканирования и возникновение линейного
200 мм; облучатель – конический гофрированный
смещения апертуры зонда
рупор с диаметром апертуры 55 мм; рабочая частота
Целью исследований, описываемых в работе, 20,8 ГГц, длина волны λ ≈ 15 мм. Расстояние от точ-
является экспериментальная оценка влияния откло- ки вращения зонда (см. рис. 2) до плоскости скани-
нения продольной оси зондовой антенны в виде от- рования составляло 800 мм. Расстояние от апертуры
крытого конца прямоугольного волновода на РТХ зонда до апертуры исследуемой антенны (ИА) 400 мм.
3 1
4
2 4 3 5
5
2
1
Рис. 3. Сечения суммарной ДН, рассчитанные с учётом и без учёта зонда:

1 – исходное положение; 2 – статистическое измерение (повтор без изменения условий); 3 – отклонение зонда
на 0,25° (линейное смещение ≈3,5 мм, или 0,2 λ); 4 – отклонение зонда на 2° (линейное смещение ≈28 мм, или 2 λ);
5 – отклонение зонда на 3° (линейное смещение ≈42 мм, или 3 λ)
Рис. 4. Сечения суммарных ДН для различных углов отклонения зондовой антенны
Первоначально проводился цикл статистиче- Измеряя время оклика оптического луча от ре-
ских измерений, по результатам которых погреш- перных точек, радар позволяет измерить их положе-
ность измерений не превысила погрешность АИВК. ние с точностью до 0,15 мм на расстоянии порядка
Для получения наиболее точных результатов изме- 15 м от объекта измерений.
рений в ближней зоне необходимо учитывать харак- Выводы
теристики направленности измерительной антенны Линейное смещение апертуры зонда в виде от-
(зонда). крытого конца прямоугольного волновода в преде-
На рис. 3 представлены сечения суммарных ДН лах 0,2 λ не приводит к увеличению погрешности
ИА в плоскости, соответствующей плоскости H зон- восстановления ДН, превышающей погрешность
довой антенны, рассчитанной с учётом и без учёта АИВК вплоть до уровня –40 дБ.
ДН зондовой антенны. Видно, что по мере удаления Экспериментально установлено, что отклоне-
от нормали к апертуре антенны уровень боковых ние продольной оси зондовой антенны на угол, про-
лепестков (УБЛ) ДН становится выше, однако в екция которого в линейном отношении превышает
данном случае изменение амплитуды ДН не превы- длину рабочей волны в 3 раза, не приводит к откло-
шает погрешность АИВК, которая составляет на нению электрической оси антенны и позволяет вос-
уровнях ДН ниже –30 дБ порядка 0,5 дБ. станавливать ДН до уровня –23 дБ с точностью, не
На рис. 4 показаны сечения суммарных ДН в превышающей погрешность АИВК.
азимутальной плоскости, рассчитанные по результа-
там измерений с различным углом отклонения зон-
довой антенны.
Из рис. 4 следует, что наибольший разброс зна-
чений ДН исследуемой антенны наблюдается для
отклонения на 3°, что соответствует линейному пе-
ремещению на 42 мм, превышающему λ в 3 раза.
Отклонение значений ДН начинают превышать
погрешность АИВК:
 для линейного смещения на 0,2 λ – на уров-
нях –40 дБ;
 для линейного смещения на 2 λ – на уровнях
–33 дБ;
 для отклонения зонда на 3 λ – на уровнях
–23 дБ.
Для устранения отклонения зондовой антенны
от нормали к плоскости сканирования предлагается
использовать оптические системы контроля, такие
как лазерные дальномерные системы (радары) типа
MV 224, MV 260 и др. производства компании Metris а б
[3]. На рис. 5, а представлена антенна-зонд компа- Рис. 5. Зондовая антенна диапазона 18–26,5 ГГц – а;
нии Satimo [4], применявшаяся для проведения вы- лазерный радар MV 260 – б
шеописанных экспериментов, на которой располо-
жены реперные точки (специальные оптические Для минимизации отклонения зонда от номи-
сферы), установленные на магниты. На рис. 5, б по- нального положения целесообразно использовать
казан лазерный радар MV 260. прецизионные лазерные радары.
В работе исследовано влияние отклонения зон- Кн. 1. ООО НПП «СШП ТРИМ», ТМСА.044.040.00Б РЭ. –
да от нормали к поверхности сканирования на ха- СПб., 2012. – 41 с.
рактеристики направленности зеркальных антенн. 2. Newell A. Error analysis techniques for planar near-
field measurements // IEEE Trans. Antennas Propagat. – Jun.
Влияние отклонения зонда на измерение уровня
1988. – Vol. 36, Nо. 6. – РР. 754–768.
кроссполяризации и кроссполяризационной развяз- 3. Laser Radar MV224/260 [Электронный ресурс]. –
ки – предмет дальнейших исследований. Режим доступа:
Литература http://www.metris3d.hu/laserradar_eng_1107.pdf, свободный
(дата обращения: 4.08.2017).
4. Open Ended Waveguides [Электронный ресурс]. –
1. Автоматизированный измерительно-вычисли-
Режим доступа: http://www.mvg-world.com/en/products/
тельный комплекс (АИВК) для измерений радиотехниче-
field_product_family/antenna-1/open-ended-waveguide (дата
ских характеристик антенн в составе КА и автономно
обращения: 4.08.2017).
ТМСА 1.0-40.0 БЗ/ГСП 044: рук-во по эксплуатации:
УДК 621.396.677
Особенности измерения коэффициента эллиптичности

на автоматизированном измерительном комплексе
дальней зоны в частотной области
Рассматриваются особенности измерения коэффициента эллиптичности (КЭ) антенн с эллиптической поляри-
зацией на автоматизированном измерительно-вычислительном комплексе (АИВК) дальней зоны в частотной
области. Показано, что для получения корректного результата измерений необходимо предварительно опреде-
лить положение большой и малой осей поляризационного эллипса исследуемой антенны (ИА) и пространст-
венно совместить их с плоскостью колебаний вектора напряжённости электрического поля вспомогательной
антенны.
Ключевые слова: антенные измерения, дальняя зона, двухзеркальная осесимметричная антенна, поляризаци-
онный эллипс, коэффициент эллиптичности.
Несмотря на современные тенденции, связан- зиционирующих устройств (точность углового шага

ные с активным переходом от методов измерений в порядка 0,01°); системой синхронизации по сигналу
дальней зоны (ДЗ) к АИВК, работающих на сокра- GPS/ГЛОНАСС, позволяющей синхронизировать по
щённых расстояниях [1], традиционные методы не времени работу генератора и приёмника; беспровод-
утратили своей актуальности. Традиционный метод ной системой дистанционного управления опорно-
измерения характеристик антенн в дальней зоне поворотным устройством вспомогательной антенны
(ДЗ), называемый «методом вышки» [2], позволяет (как правило, передающей); многофункциональным
проводить наиболее оперативную (до нескольких программным обеспечением (ПО), позволяющим
минут, в зависимости от требуемых углов измерения организовать управление всеми основными состав-
ДН и рабочей частоты исследуемой антенны) оценку ляющими измерительного полигона из комнаты опе-
характеристик направленности антенн, проводя из- ратора, а также провести обработку, анализ и обес-
мерения только в главных сечениях ДН. В то же печить графическое представление измеренной ин-
время современная реализация измерительного по- формации.
лигона ДЗ на базе АИВК позволяет проводить в том Структурная схема ПО для АИВК ДЗ представ-
числе объёмные измерения комплексной ДН и на лена на рис. 1.
основе измеренных данных рассчитывать вторичные Измерительный полигон на основе АИВК ДЗ
характеристики, такие как коэффициент усиления и производства компании ООО НПП «ТРИМ СШП
коэффициент направленного действия; координаты измерительные системы» [3, 4], расположенный в
фазового центра; измерения поляризационных ха- Акционерном обществе «Информационные спутни-
рактеристик (ПХ) (коэффициента эллиптичности, ковые системы» им. акад. М.Ф. Решетнёва» (АО
угла наклона оси поляризационного эллипса и на- «ИСС»)» [5], представляет собой разнесённые в
правления вращения вектора поляризации); уровней пространстве передающую и приёмную части, меж-
кроссполяризации и кроссполяризационной развязки. ду которыми располагается ниспадающий рельеф
Современные АИВК дальней зоны отличаются протяжённостью 2,5 км.
использованием приёмных и передающих уст- Объектом испытаний являлась двухзеркальная
ройств, работающих в широкой полосе частот, антенна Кассегрена с эллиптической поляризацией,
имеющих высокий динамический диапазон и, в це- располагающаяся на ОПУ, с помощью которого
лом расширенный функционал; прецизионных по- осуществлялось сканирование путём поворота ан-
2
тенны в плоскости азимута и угла места в секторе S (k , )
10×10°. Вспомогательная антенна закреплялась не- F (k , )  10log . (1)
S (k , 0 )2 max
подвижно и являлась передающей.
Объёмная амплитудная ДН (рис. 2) рассчитыва-
ется как модуль векторной суммы диаграмм направ-
ленности, измеренных для отдельных ортогональ-
ных составляющих поля. Для системы координат
(, )
F (, )  F2 (, )  F2 (,  ). (2)
Рис. 1. Структурная схема программного обеспечения

автоматизированного измерительно-вычислительного
комплекса дальней зоны
Поляризационные характеристики антенны из-

меряются методом разложения волны на ортого-
нально-поляризованные компоненты электрического
поля в линейном базисе. При этом вспомогательная
антенна излучает линейно поляризованное электро-
магнитное поле (в нашем случае вертикальной по- Рис. 2. Объёмное представление суммарной амплитудной
ляризации). Перед началом измерений необходимо диаграммы направленности исследуемой антенны в коор-
провести взаимную юстировку исследуемой и вспо- динатах «Азимут – угол места»
могательной антенн и устранить прецессию при по-
вороте антенн по оси поляризации. В ходе измере- Переход от составляющих F , F к азиму-
ний одного сечения ДН накапливается массив изме-
тальной FA и угломестной FE составляющим под-
рительной информации в виде значений комплекс-
робно описан в [4].
ного коэффициента передачи S (, ) на заданных
Параметры поляризационного эллипса опреде-
частотах. Затем для требуемой частоты k опреде- ляются соотношением амплитуд и фаз гармониче-
ляется максимальное значение S (k , )max , соответ- ских сигналов на ортогональных поляризациях. По-
ствующее направлению главного максимума 0 , и ложим, что сигналы S (, )1 и S (, )2 соответст-
проводится вычисление нормированной ДН в тре- вуют вертикальной и горизонтальной поляризации
буемом представлении (как правило, в логарифми- вспомогательной антенны. Тогда KЭ рассчитывается
ческом масштабе). следующим образом:
2 2 4
 S (, ) 2 )   S (, ) 2   S (, )2 
1     1  2   cos(2  arg( S (, ) 21 )   
 S (, )1   S (, )1   S (, )1 
KЭ = . (3)
 S (, ) 2 
2     sin(arg( S (, )21 ))
 S (, )1 
Знак рассчитанного KЭ будет определять на- временного АИВК исследуемая антенна, как прави-
правление вращения вектора напряжённости элек- ло, непрерывно перемещается в азимутальной плос-
трического поля. кости, затем в шаговом режиме изменяется положе-
Отличие традиционного метода измерения KЭ ние в угломестной плоскости и цикл повторяется до
от метода измерения с помощью современного полного измерения заданного сектора. После этого
АИВК заключается в следующем: традиционный антенна поворачивается на 90 градусов по крену и
метод подразумевает непрерывное вращение ИА по вышеописанная операция повторяется. Такой метод
крену с фиксацией максимального и минимального измерения может приводить к некорректному изме-
уровней сигнала, соответствующих различным по- рению KЭ, поскольку исходное положение может не
ложениям поляризационного эллипса. После чего по соответствовать совмещённому положению большой
известным формулам определялся KЭ либо кросс- (или малой) осей поляризационного эллипса. Для
поляризационная развязка. При использовании со- корректного измерения KЭ требуется путём поворота
ИА по крену найти положение, при котором будет зависимости KЭ при различных начальных установ-
зафиксирован максимальный уровень сигнала. Это ках поляризационного эллипса ИА.
положение будет соответствовать совпадению боль-
шой оси поляризационного эллипса с плоскостью
поляризации вектора Е вспомогательной антенны
(рис. 3, а). Затем после проведения цикла измерений
будут сформированы исходные данные для даль-
нейшего расчёта в ПО.
На рис. 3 представлено упрощённое геометри-
ческое представление положения поляризационных
эллипсов ИА в плоскости колебания вектора напря-
женности Е электрического поля вспомогательной
антенны. а б
Если большая полуось поляризационного эл- Рис. 3. Взаимное расположение поляризационного эллип-
липса ИА не будет совпадать с плоскостью основной са исследуемой антенны и плоскости колебаний вектора Е
поляризации вспомогательной антенны (рис. 3, б), вспомогательной антенны с линейной вертикальной
КЭ исследуемой антенны будет существенно завы- поляризацией для исходного (–) и ортогонального (--)
положений: а – корректное, б – некорректное
шен. На рис. 4 представлены графики частотной
Рис. 4. Частотная зависимость измеренного КЭ при различных начальных положениях исследуемой антенны
Таким образом, корректный выбор первона- materialy_nauchno_prakticheskogo_seminara.pdf, свободный

чального положения ИА существенно влияет на ре- (дата обращения: 10.09.2017).
зультат определения KЭ. В данном случае макси- 2. Захарьев Л.Н. Методы измерения характеристик
мальная разница в расчете KЭ составила 0,16. При антенн СВЧ / Л.Н. Захарьев, А.А. Леманский, В.И. Турчин
и др. – М.: Радио и связь, 1985. – 368 с.
некорректном выборе первоначального положения 3. TRIM Сверхширокополосные измерительные
ИА результат измерений KЭ может стать причиной системы [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
подтверждения выполнения заданных требований http://trimcom.ru/, свободный (дата обращения: 10.09.2017).
антенной, которая им не соответствует. Данные осо- 4. Автоматизированный измерительно-
бенности измерения KЭ в автоматизированном ре- вычислительный комплекс (АИВК) ТМСА1.0-50.0 Д 072
жиме пока не отражены в руководстве по эксплуата- (дальнее поле): Руководство по эксплуатации
ции АИВК. ТМСА.072.050.00Д РЭ. ООО НПП «ТРИМ СШП Измери-
тельные системы». – СПб., 2014. – 134 с.
Литература 5. АО «Информационные спутниковые системы»
им. акад. М.Ф. Решетнёва» [Электронный ресурс]. – Ре-
1. Матер. науч.-практ. семинара по вопросам про-
жим доступа: https://www.iss-reshetnev.ru/, свободный (да-
ведения антенных измерений в блжней зоне [Электронный
та обращения: 10.09.2017).
ресурс]. – Режим доступа: http://trimcom.ru/post/9-
УДК 543.42.061
К.М. Красников, А.С. Шостак, М.М. Абулкасымов
Спектральный анализ сигналов, отраженных от среды

с многослойной структурой
Анализируются особенности поведения модулей коэффициентов отражения электромагнитных радиоволн при
прямом падении на контролируемую среду. Исследуется возможность использования результатов зондирова-
ния для определения электрофизических свойств слоев подстилающих сред с объектами, находящимися в них.
Ключевые слова: спектральный анализ, модуль коэффициента отражения, спектральная плотность, зондиро-
вание.
Для обнаружения местоположения объектов i 1  i

или поверхностей раздела, находящихся под землей Ri,i  0 Ri,i 1  , (2)
или расположенных внутри визуально непрозрачных i 1  i
конструкций, используются подповерхностные ра-
Ri,i 1  Ri 1,k exp( j 4hi 1 /( i 1 ))
диолокаторы. Основной проблемой обнаружения Ri,k  , (3)
объектов, находящихся под землей, являются мало- 1  Ri,i 1 Ri 1,k exp( j 4ihi 1 /( i 1 ))
различимые диэлектрические проницаемости объек-
где k ≠ i, k ≠ i+1.
та и среды распространения электромагнитных ра- Используя формулы (1)–(3), найдем формулы
диоволн. Для решения данной задачи были проана- для коэффициента отражения R1,3 в случае принятой
лизированы модули коэффициента отражения от
нами модели исследования:
среды с последующим их спектральным преобразо-
ванием. R1,2  R2,3 exp( 1 ) 4h2
R1,3  , где 1   j . (4)
Постановка задачи 1  R1,2 R2,3 exp( 1 )  2
На слоисто-неоднородную диэлектрическую
По формуле (3) были рассчитаны модули коэф-
среду из свободного пространства (έ = 1, µ = 1) па-
фициентов отражения среды, в качестве значений
дает плоская электромагнитная волна Р (рис. 1).
диэлектрической проницаемости были использова-
Требуется определить значения коэффициента отра-
ны экспериментальные значения образцов дерново-
жения (Rотр) от исследуемой среды в случае нахож-
подзолистой почвы, отобранных с различных глубин
дения на поверхности среды диэлектрических слоёв.
исследуемой природной среды (рис. 2). На рис. 2
Верхний слой и подстилающая среда имеют полу-
данные 1 соответствуют профильному распределе-
бесконечные толщины, а толщина второго сравни-
нию влажности с глубиной, эти данные использова-
тельно тонкого слоя – переменная величина, соизме-
лись для моделирования. Изменение вида графиков
римая с длиной волны. Значения έ второго слоя и
с течением времени обусловлено процессами проте-
подстилающей среды (третьего слоя) изменяются в
кания воды с поверхности грунта в нижние слои и
ходе эксперимента.
процессами высыхания поверхности. Эти процессы
нестационарные во времени и зависят от погодных
условий [1].
Рис. 1. Геометрия задачи
Математическая модель
Известно, что коэффициент отражения много-
слойной среды определяется по рекуррентной
Рис. 2. Профильное распределение диэлектрических
формуле
характеристик почвогрунтов
R1,2  R2,n exp( j 4h2 /(  2 ))
R1,n  , (1) В результате были получены модули коэффици-
1  R1,2 R2,n exp( j 4h2 /(  2 ))
ентов отражения (ǀRотр.ǀ) от исследуемой среды в
где зависимости от частоты и глубины залегания неод-
нородности в свободном полупространстве при составляющих и модуля амплитуды спектра. По ре-
профильных распределениях. Толщина неоднород- зультатам строится график модуля спектральной
ности (Т) равна 0,1 м с диэлектрической проницае- плотности (рис. 4).
мостью (έ), равной 2. После чего было рассчитано Также был произведен расчет модулей коэффи-
их среднее значение, и это значение вычли из пре- циентов отражения с последующим вычитанием из
дыдущих коэффициентов (рис. 3). этих составляющих модулей коэффициентов отра-
Кривая 1 показывает коэффициент отражения в жения в невозмущенной среде (рис. 5). Нумерация
возмущенной среде с неоднородностью, находящей- кривых соответствует графику, показанному на рис. 3.
ся вровень с поверхностью. Кривые 2, 3 и 4 соответ- После расчёта коэффициентов отражения был
ствуют коэффициентам отражения с неоднородно- произведен спектральный анализ, результаты кото-
стями, лежащими на глубине 5, 10 и 15 см. рого приведены на рис. 6.
После чего была разработана модель для иссле- На рис. 6 изображены спектральные плотности
дования спектральных плотностей зондирующих зондирующих импульсов: 1 – спектральная плот-
одиночных импульсов. ность зондирующего импульса с неоднородностью,
При определении спектральной плотности им- лежащей вровень с поверхностью; 2, 3, 4 – спек-
пульса произвольной формы программа распадается тральные плотности зондирующего импульса с не-
на две части. В первой – производится аппроксима- однородностями, лежащими на глубине 5, 10 и 15 см.
ция функции, представленной в табличной форме, с Сравнив рис. 4 и 6, видно, что максимумы вто-
помощью сплайн-интерполяции. График одного им- рых гармоник показывают прямую зависимость ме-
пульса, построенного на основании введенных дан- жду глубиной залегания и спектральной плотно-
ных, до и после интерполяции приводится в самой стью: чем больше спектральная плотность, тем
программе. глубже находится неоднородность. Также видно, что
После произведенной интерполяции во второй спектральные плотности кривых, находящихся под
части программы производится расчет спектральной номером 4, идентичны.
функции с определением синусной и косинусной
Рис. 3. График коэффициентов отражения возмущенной среды с вычитанием средней составляющей этих коэффициентов
Рис. 4. График спектральных плотностей для коэффициентов отражения, приведенных на рис. 3
Рис. 5. График коэффициентов отражения возмущенных сред с последовательным вычитанием коэффициентов отражения
невозмущенной среды
Рис. 6. График спектральных плотностей для коэффициентов отражения, приведенных на рис. 5
Выводы объектов грунтовых сред; поиска мин; поиска под-

Анализируя полученные результаты, можно земных коммуникаций (труб, кабелей); археологиче-
сделать следующие выводы: ских изысканий; неразрушающего контроля инже-
1. Метод с вычитанием среднего значения мо- нерных сооружений: оснований зданий, земляного
дулей коэффициентов отражения из каждого значе- полотна железных, автомобильных дорог.
ния модуля коэффициента отражения возмущенной
среды и метод с вычитанием из модулей коэффици-
ентов отражения среды с неоднородностью модулей
коэффициентов отражения среды без неоднородно- 1. Шостак А.С., Загоскин В.В., Лукьянов С.П., Кара-
сти с последующим их спектральным анализом, по- уш А.С. О возможности определения диэлектрической
зволяют выявить неоднородность. проницаемости верхних слоев подстилающих сред по
2. Данные методы подходят для сравнительного измеренным коэффициентам отражения при наклонном
зондировании плоскими волнами вертикальной и горизон-
анализа глубины залегания неоднородностей.
тальной поляризации в СВЧ-диапазоне // Журнал радио-
Данные методы могут быть использованы для электроники. – 1999. – № 11.
обнаружения и исследования подповерхностных
УДК 621.316.849
Г.Г. Савенков, В.П. Разинкин
Широкополосная пленочная нагрузка в СВЧ-диапазоне

Рассмотрена микрополосковая плёночная нагрузка СВЧ-диапазона. Описана структура нагрузки, содержащей
последовательно включенные отрезки микрополосковых линий передачи с диссипативными потерями и без по-
терь. Проведена оценка частотных свойств данной нагрузки с использованием средств компьютерного модели-
рования.
Ключевые слова: микрополосковая нагрузка, нагруженная линия передачи, КСВ.
Оконечные согласованные нагрузки широко Для оценки частотных свойств многоэлемент-

применяются в качестве составных элементов СВЧ- ной нагрузки, выполненной на основе микрополос-
устройств различного функционального назначения: ковой линии передачи с потерями с использованием
радиопередающих устройств, циркуляторов, пере- плёночных резистивных вставок, воспользуемся
ключателей, делителей и сумматоров мощности, известным расчетным выражением для входного
направленных ответвителей, а также в радиоизме- сопротивления нагруженной линии передачи:
рительном оборудовании. Основными недостатками R  ch l   Z  sh  l 
используемых в настоящее время коаксиальных и Zin  Z , (1)
волноводных нагрузок являются значительные га- R  sh  l   Z  ch  l 
баритные размеры и ограниченная полоса рабочих где R – сопротивление, включенное на конце линии
частот. Кроме того, конструктивно и технологиче- передачи с потерями, равное входному сопротивле-
ски сложно обеспечивается отвод рассеиваемой теп- R0  jL0
ловой энергии от внутренних диссипативных эле- нию микроволновой нагрузки; Z  –
ментов. Также трудно обеспечить электрическую G0  jC0
подстройку элементов согласования. волновое сопротивление микрополосковой линии
По сравнению с мощными коаксиальными и передачи с потерями; R0 – погонное (на единицу
волноводными нагрузками большой мощности плё- длины) сопротивление микрополоскового провод-
ночные резисторы, нанесенные на диэлектрическую ника; G0 – погонная проводимость диэлектрика мик-
подложку (планарные плёночные резисторы), имеют рополосковой линии передачи; L0 – погонная индук-
ряд существенных преимуществ. Они более техно- тивность микрополоскового проводника; C0 – по-
логичны, имеют сравнительно малые габаритные гонная емкость микрополоскового проводника; ω –
размеры, и у них проще конструкция отвода тепло- частота входного высокочастотного сигнала;
вой мощности. Это объясняется использованием в
качестве диэлектрической подложки бериллиевой
  R0  jL0   G0  jC0  – постоянная распро-
керамики, обладающей теплопроводностью, сопос- странения микрополосковой линии передачи с поте-
тавимой с теплопроводностью меди [1–3]. рями; j  1 .
Микрополосковая нагрузка, представленная на
Для многоэлементных нагрузок, содержащих
риc. 1, содержит диэлектрическую подложку, на
несколько поглощающих резистивных плёнок и ме-
нижней стороне которой располагается металлизи-
таллических вставок (рис. 1), соотношение (1) при-
рованное основание, а на верхней – полосковый
меняется многократно, т.е. входное сопротивление
проводник, выполненный в виде последовательно
соединённых металлическими перемычками погло- последовательно рассчитывается от конца нагрузки
щающих плёнок одинаковой ширины, равной ши- до ее входа.
рине входной микрополосковой линии [4–6].
Данная распределённая нагрузка обладает дос-
таточно высоким уровнем допустимой входной
мощности высокочастотного сигнала, что обуслов-
лено равномерным распределением рассеиваемой
мощности по всей длине микрополосковой нагрузки
за счет соответствующего выбора поверхностного
сопротивления поглощающих резистивных плёнок.
Отметим также, что нагрузки данного типа предна-
Рис. 1. Микрополосковая нагрузка
значены для работы в широкой полосе частот и
имеют простую конструкцию. Однако в литературе
Из анализа описания к (1) следует, что при от-
отсутствуют обоснование выбора первоначальной
сутствии потерь в диэлектрике (G0→0 ) в области
структуры распределённых нагрузок и рекоменда-
низких частот (ω→∞) волновое сопротивление мик-
ции по определению геометрических и электриче-
ских параметров. Необходимо также провести ис- рополосковой линии с потерями Z и постоянная
следование частотных свойств широкополосных распространения γ существенно зависят от частоты.
нагрузок данного типа. Тем не менее за счет поглощения мощности в мик-
рополосковой линии передачи, выполненной на ос- В качестве диэлектрической подложки для мик-
нове резистивных плёнок, в исследуемой нагрузке рополосковой нагрузки был выбран оксид бериллия
обеспечивается достаточно хорошее качество согла- с относительной диэлектрической проницаемостью
сования на частотах 1–5 ГГц. Для оценки качества 6,6 и толщиной 4 мм. Ширина резистивных плёнок и
согласования определим частотную зависимость металлических перемычек была принята равной
коэффициента стоячей волны (КСВ) по входу: 5,6 мм, что соответствует волновому сопротивлению
1  микрополосковой линии передачи 50 Ом.
KCB  , (2)
1 
Z  Ri
где   in – коэффициент отражения по входу;
Zin  Ri
Ri – сопротивление источника сигнала (обычно со-
противление источника сигнала равно сопротивле-
нию нагрузки Ri = R).
Оценка частотной зависимости Zin была прове-
дена в среде MathCad. По соотношениям (1) и (2) на
различных частотах были рассчитаны значения КСВ
для следующих типовых параметров микрополоско-
вой 50-омной линии передачи с потерями:
Ri = 50 Ом; R0 = 3,15·103 Ом/м; L0 = 4,282 Гн/м;
С0 = 1,713 Ф/м; l = 0,05 м. Отметим, что указанные
значения L0 и С0 соответствуют выбранной величине
волнового сопротивления 50 Ом микрополосковой
линии передачи без потерь.
Расчеты были проведены для трех вариантов: Рис. 2. Зависимость КСВ от частоты линии передачи с
1) R = 0 Ом (короткозамкнутая на конце линия пере- потерями: 1 – R = 0 Ом; 2 – R = 50 Ом; 3 – R→∞
дачи с потерями); 2) R = 50 Ом (линия передачи с
потерями нагружена на номинальное сопротивле- Топология исследуемой многоэлементной мик-
ние); 3) R→∞ (разомкнутая на конце линия передачи рополосковой нагрузки представлена на рис. 3. Час-
с потерями). На графиках, показанных на рис. 2, тотная зависимость КСВ, рассчитанная численным
отчетливо виден эффект пульсации КСВ, обычно электродинамическим методом, показана на рис. 4.
проявляющейся в линиях передачи большой длины.
Из анализа графиков рис. 2 также следует, что в об-
ласти низких частот (1 ГГц и менее) согласование
ухудшается и резко возрастает КСВ. Например, на
частотах в области 1 ГГц значение КСВ увеличива-
ется до 3. При этом чем больше частота входного
высокочастотного сигнала, тем лучше качество со- Рис. 3. Топология многоэлементной нагрузки
гласования. Предельная рабочая частота в области
КСВ
высоких частот определяется частотным ограниче- 3,5
нием для микрополосковой линии передачи, связан-
ным с конечным размером ширины микрополоска. 3
Теоретически улучшение согласования на высоких
частотах объясняется большим затуханием, как па- 2,5
дающих, так и отраженных волн. Причем величина
затухания определяется произведением 2
  l   R 0  jL0 G0  jC0   l и увеличивается с
1,5
ростом частоты. В области низких частот (1 ГГц и
менее) качество согласования ухудшается и значи-
1
тельно возрастает КСВ за счет того, что при  0 и 0 1 2 3 4 5
отсутствии потерь в диэлектрике (G0 = 0) значение Частота, ГГц
l = 0. Рис. 4. Зависимость КСВ от частоты многоэлементной
Проведенные расчеты также показали, что для нагрузки
обеспечения хорошего согласования на частотах
выше 1 ГГц целесообразно выбирать погонное со- Выводы
противление микрополосковой линии передачи с В результате исследования частотных свойств
потерями R0 > 3·103 Ом/м и ее длину l ≥ 0,05 м. рассматриваемой микрополосковой нагрузки была
Далее в работе было проведено численное элек- выявлена тенденция улучшения качества согласова-
тродинамическое моделирование частотных свойств ния с ростом частоты. Это обусловлено увеличением
многоэлементной микрополосковой нагрузки. затухания отраженных волн от конца нагрузки в от-
резках линий передачи с потерями. Исследованную кин, В.А. Хрусталев, С.Ю. Матвеев. – Новосибирск: Изд-
нагрузку целесообразно применять для мощных во НГТУ, 2008. – 316 с.
СВЧ-устройств сантиметрового диапазона. 4. Синьков Ю.А. Патент РФ № 2335833, Н01Р 1/24.
Микрополосковая нагрузка. – Опубл. 10.10.2008. БИ № 28.
Литература 5. Рубанович М.Г. Патент РФ № 2449431, H01 P/24.
Многоэлементная СВЧ-нагрузка / М.Г. Рубанович,
1. Савенков Г.Г., Разинкин В.П., Рубанович М.Г. Плё- В.А. Хрусталев, Ю.В. Востряков и др. Опубл. 27.04.12.
ночные СВЧ-нагрузки в форме сектора круга // Сб. докл. БИ №12.
междунар. конф. EDM–2017. – 2017. 6. Rubanovich M.G., Razinkin V.P., Khrustalev V.A. et
2. Рубанович М.Г. Широкополосные аттенюаторы al. Broad band Microwave Attenuators of the High Level
высокого уровня мощности / М.Г. Рубанович, В.А. Хру- Power // 12th International Conference on Actual Problems of
сталев, В.П. Разинкин. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, Electronics Instrument Engineering (APEIE). – Novosibirsk,
2016. – 323 с. Russia, 2014. – PP. 390–392.
3. Разинкин В.П. Широкополосные управляемые
СВЧ-устройства высокого уровня мощности / В.П. Разин-
Секция 6. Приборы и методы контроля 151
Секция 6
ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ
Сопредседатели секции – Лощилов Антон Геннадьевич, зав. каф. КУДР, начальник
СКБ «Смена», к.т.н., Филатов Александр Владимирович, проф. каф. ТОР, д.т.н.
УДК 621.394.762.1
И.И. Александров, С.П. Караульных, В.М. Кобзев, А.Г. Лощилов
Коммутатор для тестирования безразъемных разветвителей

с трансформаторной связью по ГОСТ Р 52072–2003
Выполнен анализ требований, предъявляемых к способам контроля безразъемных разветвителей с трансформа-
торной связью на соответствие требованиям ГОСТ Р 52072–2003. Предложены технические решения по разра-
ботке коммутатора, позволяющего автоматизировать процедуру контроля. Изготовлен опытный образец ком-
мутатора и проведены его предварительные испытания.
Ключевые слова: ГОСТ Р 52072–2003, автоматизация, контроль, разветвитель, измерение.
В настоящее время в авиационной и космиче- – измерение сопротивления электрических це-

ской отрасли широко используются проводные ин- пей шинного соединения входа/выхода разветвителя
формационные магистрали для организации муль- [2, разд. 5.1.1.1];
типлексного канала обмена информации между под- – измерение сопротивления разветвителя между
системами. Требования к организации канала обме- входом/выходом сигнальных проводников высокого
на регламентируются стандартом [1], а требования к и низкого уровней магистральной шины [2, разд.
параметрам компонентов физической среды (кабе- 5.1.1.2];
лям, согласующим резисторам, разветвителям с – измерение сопротивления разветвителя сиг-
трансформаторной и непосредственной связями) – нальных проводников высокого и низкого уровней
стандартом [2]. на входе/выходе шлейфа [2, разд. 5.1.1.3];
Как правило, на производстве тестирование – испытание диэлектрических материалов элек-
компонентов информационных магистралей осуще- трических цепей разветвителя [2, разд. 5.1.2];
– измерение сопротивления изоляции между
ствляется либо в ручном режиме, либо с использова-
каждым сигнальным проводником входа/выхода
нием автоматизированных рабочих мест [3].
шины, шлейфа и экранирующим корпусом конст-
Новые тенденции в космической технике на-
рукции разветвителя [2, разд. 5.1.3.1];
правлены на сокращение массы и себестоимости – измерение сопротивления изоляции между
изделий, поэтому всё чаще промежуточные узлы сигнальными проводниками входа/выхода шины и
изготавливаются в бескорпусном и безразъемном шлейфа [2, разд. 5.1.3.2];
исполнении. Основной проблемой при выполнении – измерение параметров выходного сигнала
контроля параметров таких узлов является нере- разветвителя с трансформаторной связью на выходе
шённая задача надёжной коммутации с измеритель- магистральной шины [2, разд. 5.1.4.1];
ным комплексом и проведение автоматизированных – измерение импеданса разветвителя без согла-
измерений всех электрических параметров изделия сующего резистора [2, разд. 5.1.4.2];
согласно [2] за одно подключение. – измерения величины подавления синфазных
Целью настоящей работы является разработка помех [2, разд. 5.1.4.3];
специализированного коммутирующего устройства – тест разветвителя с трансформаторной связью
(коммутатора) для тестирования безразъемных раз- без согласующего резистора по параметру отноше-
ветвителей с трансформаторной связью на соответ- ния размаха выходного сигнала, измеренного на
ствие требованиям ГОСТ Р 52072–2003. шинном выходе, к размаху входного сигнала, пода-
Анализ требований ваемого на вход шлейфа [2, разд. 5.1.5.1];
В отношении безразъемного разветвителя с – тест разветвителя с трансформаторной связью
трансформаторной связью был проведен анализ и без согласующего резистора по параметру отноше-
определена номенклатура способов контроля для ния размаха выходного сигнала, измеренного на вы-
обеспечения требований [2]. В перечень вошли сле- ходе шлейфа, к размаху входного сигнала, подавае-
дующие виды тестов: мого на шинный вход [2, разд. 5.1.5.2].
Таким образом, исходя из анализа стандарта [2], Структурная схема системы была заимствована
для полной проверки работоспособности разветви- у автоматизированной системы контроля компонен-
теля необходимо осуществить одиннадцать видов тов информационных магистралей, разработанной
тестов. Перечисленные выше тесты включают в себя ранее [3].
следующие виды измерений: измерение электриче- Ключевое отличие состоит в конструкции ком-
ского сопротивления электрических цепей на посто- мутатора, который должен обеспечивать безразъем-
янном токе; испытание диэлектрических материалов ное подключение объекта тестирования к измери-
электрических цепей; измерение сопротивления тельным устройствам.
изоляции электрических цепей; измерение импульс- Объект контроля представляет собой безразъ-
ных и частотных характеристик. емный разветвитель с трансформаторной связью,
Исходя из требований стандарта, были сформу- имеющий пару входов/выходов для подключения к
лированы требования к коммутационным цепям магистральной линии и от двух до четырёх каналов
разрабатываемого устройства: шлейфа. Принципиальная схема разветвителя,
– коммутируемое переменное напряжение 600 В; имеющего два канала для подключения шлейфов,
– коммутируемое постоянное напряжение 250 В; изображена на рис. 1.
– максимальный допустимый коммутируемый Разработка коммутатора
ток 500 мА; На основании требований к перечню способов
– диапазон рабочих частот 0–10 МГц; контроля и режимам подключения к входам/выходам
– обеспечение дифференциального режима воз- объекта контроля разработана структурная схема
действия и измерения сигналов. коммутатора, изображённая на рис. 2.
Рис. 1. Принципиальная схема разветвителя
Рис. 2. Структурная схема коммутатора
Коммутатор содержит следующие функцио- ждому из тестов, и проводились измерения сопро-
нальные узлы: узел управления, узел усиления, тивления этих цепей.
узел коммутации и кросс-плату. Узел управления, На втором этапе, для анализа характеристик
позволяющий обеспечить связь с управляющим изготовленного коммутатора, проведено его тести-
компьютером и переключение режимов измерения. рование в режиме имитации теста на измерение
Узел усиления обеспечивает дифференциальный активного сопротивления по [2, разд. 5.1.1.1]. Для
режим измерения импульсных характеристик раз- этих целей использовался резистор номиналом
ветвителя и функцию нормирования сигналов. 27 Ом. Выводы резистора присоединялись к кон-
Узел коммутации позволяет обеспечить измери- тактным разъемам, предназначенным для подклю-
тельный тракт, который изменяется в зависимости чения к шинным и шлейфным входам/входам раз-
от типа теста и режима подключения. Изменение ветвителя.
измерительного тракта осуществляется с помо-
щью электромеханических реле управление кото-
рыми осуществляется с помощью узла управле-
ния. Согласно паспортным данным на используе-
мые электромеханические реле данные реле удов-
летворяют требованиям, предъявляемым к комму-
татору. Кросс-плата обеспечивает прижимной кон-
такт измерительных входов/выходов коммутатора
к контактным площадкам объекта контроля. Осо-
бенностью кросс-платы является наличие разъе-
мов с подпружиненными контактами P 816-22-005-
001101 [4], которые обеспечивают электрическое
соединение. Фотография отсека приведена на рис. 3.
Рис. 4. Фотография коммутатора
Оценка проводилось путём сравнения харак-

теристик, измеренных непосредственно измерите-
лем Agilent E4980А, с характеристиками, измерен-
ными через изготовленный коммутатор. Результа-
ты измерений показали, что коммутатор вносит
погрешность в измерение сопротивления не более
±0,3%.
Исходя из полученных предварительных ре-
зультатов, можно сделать вывод, что коммутатор
пригоден для выполнения тестов на измерение
активного сопротивления безразъемных разветви-
телей с трансформаторной связью.
1. ГОСТ Р 52070–2003. Интерфейс магистральный
последовательный системы электронных модулей. –
Рис. 3. Отсек для объекта тестирования Введ. 2004-01-01. – М.: Изд-во стандартов, 2003. – 26 с.
2. ГОСТ Р 52072–2003. Интерфейс магистральный
Кросс-плата расположена в специальном от- последовательный системы электронных модулей. Тес-
секе, в который помещается объект тестирования. тирование компонентов физической среды. Общие тре-
Объект тестирования фиксируется в отсеке с по- бования к методам контроля. – Введ. 2004-01-01. – М.:
мощью специального поджима. Изд-во стандартов, 2003. – 14 с.
Фотография коммутатора приведена на рис. 4. 3. Автоматизированная система контроля парамет-
Предварительные испытания ров информационных магистралей и их компонентов
для систем управления космических аппаратов / А.Г.
Были проведены предварительные испытания
Лощилов, А.А. Бомбизов, С.П. Караульных и др. // Изв.
коммутатора в двух режимах. вузов. Физика. – 2012. – № 9/3. – С. 72–78.
На начальном этапе выполнена проверка пра- 4. P 816-22-005-001101 [Электронный ресурс]. – Ре-
вильности подключений. Для этих целей с помо- жим доступа: https://www.mill-max.com/products/socket/
щью программного обеспечения последовательно 816-XX-XXX-10-001101 свободный (дата обращения:
замыкались группы ключей, соответствующие ка- 12.05.2016).
УДК 621.396.41
С.А. Артищев, А.Д. Другова, А.Г. Лощилов
Установка для измерения параметров механических ударных

воздействий в задаче диагностики изделий из бетона
Представлены результаты разработки стенда для измерения параметров электромеханического ударника, пред-
назначенного для контроля дефектности бетонных изделий. Стенд позволяет измерять основные параметры
ударного воздействия: скорость движения ударного бойка и длительность удара. Полученные результаты по-
зволят повысить повторяемость и обеспечить оптимальные режимы воздействия при диагностике бетонных из-
делий на основе анализа продуктов механоэлектрического преобразования.
Ключевые слова: соленоид, магнитное поле, ферромагнитный стержень, длительность удара, сила удара.
При строительстве и эксплуатации бетонных мент удара. Для этой цели на верхнем конце стержня
сооружений существует необходимость контроля их установлена пластина, имеющая чередующиеся ще-
качества. Прежде всего, наличие дефектов устанав- ли и размещенная между светоизлучателем и фото-
ливается при анализе внешнего вида конструкций. приемником оптрона. Структурная схема экспери-
Далее проводят инструментальное или лабораторное ментальной установки приведена на рис. 1.
определение прочности и деформационных характе-
ристик элементов конструкций. В данной работе
рассматриваются особенности реализации метода,
2
основанного на явлении механоэлектрических пре-
образований в диэлектрических материалах при их
импульсном механическом возбуждении [1,2]. На
3
текущем этапе разрабатывается устройство обеспе-
чения зондирующих воздействий для реализации
данного метода. Устройство должно включать в себя
механизм, совершающий ударное воздействие на 1
бетон, и датчик для регистрации электрического
отклика.
Разработка измерительного стенда 4
Для реализации ударного воздействия исполь-
зуется электромагнит (соленоид) с подвижным фер-
ромагнитным стержнем внутри [3]. Для получения
сведений о дефектности бетона по электрическому
отклику необходимо обеспечить удар достаточной Рис. 1. Экспериментальная установка для измерения
энергии и минимальной длительности. Это достига- параметров ударного воздействия: 1 – соленоид;
2 – фотоприемник; 3 – стержень с пружиной;
ется путем выбора соответствующих материалов
4 – выводы, подключенные к стержню и основанию
стержня и основания, величины управляющего тока
соленоида, электрических и конструктивных пара- Движение стержня приводит к появлению по-
метров соленоида и т.д. Выбор и оптимизация опти- следовательности импульсов UV на выходе фотопри-
мальных параметров ударника является сложной емника. Длительность каждого импульса t соответ-
инженерной задачей. Для решения этой задачи ствует времени прохождения стержнем расстояния,
предложено реализовать экспериментальную уста- равного размеру щели S. Тогда скорость стержня V
новку, которая позволила бы производить измерения определяется в каждой контрольной точке по
основных параметров ударного воздействия и осу- формуле
ществлять их оптимизацию. S
В качестве основных параметров ударного воз- V . (1)
действия, значимых, согласно [4], были выбраны t
длительность удара (tуд) и кинетическая энергия При известной массе стержня m кинетическая
бойка (EК). энергия рассчитывается по формуле
Для измерения длительности удара tуд между mV 2
стержнем (бойком) и основанием, пластиной по ко- EK  . (2)
2
торой осуществляется удар, подается разность по- Таким образом, измеряя длительность tуд и
тенциалов. Регистрация тока, протекающего по энергию ЕК удара, можно охарактеризовать ударное
электрической цепи в момент касания, позволяет воздействие в целом.
определить длительность ударного импульса tуд. Для управления данными параметрами необхо-
Задача определения кинетической энергии димо обеспечивать некоторую энергию магнитного
стержня сводится к измерению его скорости в мо- поля W:
2
LI
W , (3)
2
2
где I – ток в соленоиде; L = μμ0n S/l – индуктивность
соленоида.
Из формулы (3) следует, что параметры удара
определяются индуктивностью соленоида и силой
тока, протекающего через него. Кроме того, в конст-
рукции ударного механизма используется пружина
(поз. 3, рис. 1) для возврата стержня в исходное по-
ложение после удара. Следовательно, энергия маг-
нитного поля соленоида переходит в кинетическую Рис. 3. Сигнал с оптического датчика для измерения
энергию стержня и потенциальную энергию пружины: скорости стержня
W  EK  EПР . (4)
Также следует отметить, что длительность уда-
ра связана со свойствами материалов соударяющих-
ся тел [5]. Однако на данном этапе работы влияние
упругопластических деформаций не учитывается.
Экспериментальные исследования
Согласно вышеописанной структурной схеме
был разработан макет ударного механизма, пред-
ставленный на рис. 2.
Рис. 4. Изменение скорости стержня за время движения

2
1 3
Рис. 5. Импульс в момент касания стержня и основания
Рис. 2. Макет ударного механизма Результаты измерения длительности удара при

изменении параметров катушки индуктивности
На соленоид 1 подается управляющее импульс- Индуктивность, мГн
ное напряжение. Короткая длительность импульса № измерения 9 5 3 1
позволяет работать с большим напряжением, при Длительность удара, мкс
этом не приводя к перегреву проводов обмотки со- 1 68 70 79 96
леноида. Металлический сердечник втягивается 2 72 72 72 92
магнитным полем. При этом оптический датчик 2 3 68 80 78 102
фиксирует движение контрольных точек в виде ще- 4 76 75 76 80
лей на пластине, размещенной на стержне. Результат 5 82 70 80 78
измерения оптическим датчиком представлен на 6 68 70 76 94
рис. 3. Для каждого импульса по формуле (1) рас- 7 68 72 73 84
8 78 55 84 94
считывается текущее значение скорости стержня. На
9 78 84 90 78
рис. 4 представлен график изменения скорости. 10 74 86 80 80
Пружина 3 сжимается и возвращает стержень в Среднее значение 73 73 79 88
исходное положение после удара по металлическому
основанию. При этом в момент удара на выводах 4 Из таблицы видно, что при увеличении индук-
фиксируется импульс напряжения, представленный тивности длительность удара сокращается. Однако
на рис. 5. увеличение витков приводит к возрастанию актив-
С помощью описанного макета были проведены ного сопротивления, а следовательно, к уменьше-
измерения параметров удара для катушек различ- нию тока соленоида и энергии магнитного поля (при
ного номинала. Результаты измерений представлены фиксированном управляющем напряжении). Следо-
в таблице. вательно, необходимо подобрать соотношение меж-
ду индуктивностью катушки и ее сопротивлением пазоне от 3 до 9 мГн незначительно влияет на ско-
для достижения максимальной энергии магнитного рость удара.
поля согласно формуле (3). Целесообразно использовать соленоид меньшей
Проведен ряд измерений параметров удара при индуктивности, что сократит время переходного
различной силе тока соленоида. Результаты измере- процесса в цепи. Показанные закономерности по-
ний представлены на рис. 6 и 7. зволят уменьшить длительность ударного воздейст-
вия и уточнить требования к управляющему сигна-
180 лу. Данная задача будет решена на следующем этапе
Энергия магнитного поля, мДж
160 работы.
140 9 мГн Заключение
120 В работе проведено исследование параметров
100 электромеханического ударника, предназначенного
80 5 мГн для контроля дефектности бетонных изделий. С по-
60 3 мГн мощью разработанного стенда измерены основные
40 параметры ударного воздействия, установлена их
20 1 мГн
связь с конструктивными параметрами ударника и
0 управляющего сигнала. На основании полученных
2,8 3,2 3,6 4 4,4 4,8 5,2 5,6 6
Ток, А данных сформированы задачи для дальнейшей рабо-
Рис. 6. Зависимость энергии магнитного поля от тока ты по созданию устройства контроля бетонных из-
соленоида делий.
Работа выполнена за счет гранта Российского
научного фонда (проект №16-19-10119).
1,6
1,4
Скорость стержня, м/с
1,2 1. Фурса Т.В., Осипов К.Ю., Данн Д.Д. Разработка не-

9 мГн разрушающего метода контроля прочности бетона с дефект-
1
5 мГн ной структурой на основе явления механоэлектрических
0,8 преобразований // Дефектоскопия. – 2011. – № 5. – С. 39–47.
0,6 3 мГн 2. Fursa T.V., Osipov K.Yu., Lyukshin B.A., Utsyn G.E.
0,4 1 мГн The development of a method for crack-depth estimation in
0,2 concrete by the electric response parameters to pulse
mechanical excitation // Meas. Sci. Technol. – 2014. – Vol. 25,
0
2,8 3,2 3,6 4 4,4 4,8 5,2 5,6 6 No.5. – Р. 055605 (10 p).
Ток, А 3. Фурса Т.В., Осипов К.Ю., Данн Д.Д. Устройство
для регистрации электрических и акустических сигналов
Рис. 7. Зависимость скорости стержня в момент удара от при механическом возбуждении материалов. Патент
тока соленоида № 100233, бюлл. № 34, опубл. 10.12.2010.
4. Фурса Т.В., Савельев А.В., Осипов К.Ю. Исследо-
Представленные характеристики позволяют вание взаимосвязи параметров электромагнитного отклика
оценить связь основных параметров ударного воз- из диэлектрических материалов с характеристиками удар-
действия с конструктивными параметрами ударника ного возбуждения // ЖТФ. – 2003. – Т. 73, вып. 11. –
и режимами управления. Из рис. 6 видно, что с уве- С. 59–63.
личением индуктивности соленоида энергия маг- 5. Батуев Г.С., Голубков Ю.В., Ефремов А.К., Федо-
сов А.А. Инженерные методы исследования ударных про-
нитного поля катушки увеличивается. Однако из
цессов. – 2-е изд., перераб. – М.: Машиностроение, 1977. –
рис. 7 видно, что увеличение индуктивности в диа- 240 с.
УДК 621.315.592
А.А. Томашевич, С.Г. Еханин, К.К. Слепцов, С.Л. Аржаков
Изменение картин туннельной электролюминесценции

светодиодов на основе нитрида галлия в зависимости
от режимов и времени испытаний
Проводилось наблюдение за изменением цветового состава и площади туннельной электролюминесценции све-
тоизлучающего диода в зависимости от режима и времени испытаний. В результате исследования в фотографи-
ях туннельной электролюминесценции выявлены сплошная и точечная составляющие структуры. Сплошная со-
ставляющая туннельной электролюминесценции светоизлучающих диодов может лечь в основу метода ранней
диагностики стадии развития деградационных явлений, а точечная составляющая фотографий туннельной элек-
тролюминесценции может лечь в основу метода, осуществляющего контроль за флуктуациями концентрации
индия, возникающими при росте эпитаксиальных пленок (входной контроль). Разработанное программное
обеспечение позволяет исследовать планарные изображения сверхслабых источников свечения (картин свече-
ния светоизлучающих диодов в режиме в туннельной электролюминесценции).
Ключевые слова: светодиод, спектральная характеристика, механизмы деградации, туннельная электролюми-
несценция.
Светодиодное освещение стало прекрасной аль- Светодиод устанавливается на предметный сто-

тернативой традиционным лампам накаливания и лик микроскопа МИМ-7, фиксируется и подключа-
люминесцентным светильникам. Светоизлучающие ется к прецизионному измерителю LRC E4980A.
диоды (СИД) приобретают популярность благодаря После подачи напряжения 3 В, настраивается фокус
своим преимуществам. Низкое энергопотребление, микроскопа. Далее выставляется напряжение 2,2 В с
долговечность, механическая прочность, влагоза- точностью 0,01 В, при котором возникает достаточ-
щищенность, виброустойчивость – это не полный но интенсивная туннельная электролюминесценции
перечень преимуществ светодиодов [1]. без признаков инжекционной. Получаем фотогра-
Однако увеличение яркости СИД в большинст- фию ТЭЛ с выдержкой 30 с, после чего светодиод
ве случаев связывается с увеличением величины устанавливается на испытание. По окончании испы-
рабочей плотности тока, что наиболее существенно тания производится повторная фотосъемка картины
влияет на степень деградации гетероструктур СИД. ТЭЛ. Полученные фотографии подвергаются анали-
Известно, что характеристики туннельной электро- зу в программе.
люминесценции (ТЭЛ) СИД значительно зависят от Результаты
особенностей технологии изготовления и степени Рассмотрим пример обработки изображения
дефектности гетероструктуры (начальной и приоб- ТЭЛ СИД, которая представлена на рис. 1. Результат
ретенной) [2]. анализированной картины представлен на рис. 1, б,
Туннельная электролюминесценция в СИД на- области зеленого, красного и желтого цветов закра-
блюдается при относительно малых напряжениях на шены (выделены). В табл. 1 приведены процентное
p–n-переходе, когда он практически «закрыт», и все соотношение и количественное значение цветов.
напряжение оказывается приложенным к гетерост-
руктуре. При напряжениях примерно 2,1–2,3 В на-
пряженность электрического поля в гетероструктуре
становится достаточной для наблюдения ТЭЛ [3].
В литературных источниках [4–7] имеется ин-
формация о связи спектральных характеристик ТЭЛ
с накоплением дефектов в процессе деградации в
одноямных светодиодах, а для случая многоямных
светодиодов такая информация отсутствует. По-
видимому, в связи с тем, что толщина активного
слоя в многоямных гетероструктурах во много раз
больше и поэтому напряженность поля в активной
области и яркость ТЭЛ должна быть существенно
ниже. Тем не менее особенности механизмов ТЭЛ
могли бы дать дополнительную информацию о де-
градационных явлениях в гететроструктурах сверх-
ярких светодиодах (в том числе для создания новых а
методов ранней диагностики).
Описание исследуемого объекта и методики
эксперимента
В работе исследовались светодиоды с чипом-
кристаллом SL-V-B24AD фирмы SEMILEDS.
Эти светодиоды изготавливаются в металлопо-
лимерном корпусе, пригодном как для ручного по-
верхностного монтажа, так и для автоматизирован-
ного поверхностного монтажа.
Экспериментальная установка:
 прецизионный измеритель LRC E4980A для
установления режима ТЭЛ,
 фотоаппарат Canon EOS 650D,
 микроскоп МИМ-7,
 установка для проведения испытаний, лабора-
торный блок питания MASTECH HY3003, б
 программное обеспечение для анализа спектра. Рис. 1. ТЭЛ СИД до и после анализа в ПО
Таблица 1 ногои желтого цветов, а изменение свечения точеч-
Результаты анализа в программе ных составляющих не прослеживается, что отражает
Красный Зеленый Желтый планарное распределение квантовых ям (точек), ко-
% Кол-во % Кол-во % Кол-во торые обусловлены флуктуацией стехиометрическо-
Светодиоды 71 3456004 13 648845 15 735040 го состава пленки, а цвет излучения квантовых ям –
Программное обеспечение является точным ин- их глубиной, а значит, флуктуацией концентрации
струментом для определения цветового состава изо- индия.
бражения и может применяться для анализа измене- После испытаний 84 ч наблюдается увеличение
ния оптических характеристик переходных процессов. сплошной составляющей зеленого цвета и уменьше-
Исследование ТЭЛ СИД в зависимости от ние сплошной составляющей красного цвета, но
времени испытаний точечные составляющие не изменились, что доказы-
На рис. 2 представлен ТЭЛ СИД в зависимости вает связь с квантовыми ямами. Увеличение сплош-
от времени испытаний, после 33 ч (см. рис. 2, б) и ной составляющей зеленого цвета мы связываем с
после 84 ч (см. рис. 2, в). начальной стадией развития деградационных явлений.
После испытаний 33 ч наблюдается увеличение В табл. 2 приведены процентное соотношение и
площади сплошных составляющих красного, зеле- количественное содержание цветов.
а б в
Рис. 2. ТЭЛ СИД в зависимости от времени испытаний t, ч: а – t = 0; б – t = 33; в – t = 84
а б в
Рис. 3. ТЭЛ СИД после анализа в ПО в зависимости от времени испытаний t, ч: а – t = 0; б – t = 33; в – t = 84
а б в
Рис. 4. Выделенная область ТЭЛ СИД после анализа в ПО для детального исследования в зависимости
от времени испытаний t, ч: а – t = 0; б – t = 33; в – t = 84
Таблица 2
Результаты анализа в программе
Время испытаний, ч Красный Зеленый Желтый
% Кол-во % Кол-во % Кол-во
0 73 1254466 22 378284 4 74469
33 72 2599608 23 827725 5 164284
84 62 2214198 33 1162147 5 186556
Заключение пленок (входной контроль), и может лечь в основу

Полученные изображения ТЭЛ СИД имеют метода ранней диагностики стадии развития дегра-
сплошную и точечную структуру. После длительных дационных явлений.
испытаний наблюдается увеличение площади
сплошной составляющей ТЭЛ зеленого цвета и
уменьшение площади сплошной составляющей
красного цвета. Это свидетельствует о том, что из- 1. Светодиоды приобретают популярность благодаря
менение спектральных характеристик сплошной своим преимуществам [Электронный ресурс]. – Режим
составляющей ТЭЛ в процессе испытаний отражает доступа: http://www.mk.ru/social/article/2014/04/03/1008766
динамику и механизм процессов начальной стадии -svetodiodyi-priobretayut-populyarnost-blagodarya-svoim-
preimuschestvam.html (дата обращения: 29.05.2017).
дефектообразования.
2. Полищук А.П., Туркин А.В. Деградация полупро-
Таким образом, изображения ТЭЛ СИД могут водниковых светодиодов на основе нитрида галлия и его
являться чувствительным инструментом выявления твердых растворов // Компоненты и технологии. – 2008. –
кинетики накопления и распределения по площади № 2.
дефектов, образующихся в процессе работы СИД. 3. Бочкарева Н.И., Жирнов E.A., Ефремов А.А. и др.
Полученные изображения ТЭЛ имеют сплошную и Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность
точечную структуру. Доказано, что если максимум электролюминесценции InGaN/GaN-светодиодов // Физика
спектра сплошной составляющей зависит от прило- и техника полупроводников. – 2005. – Т. 39, вып. 5.
женного напряжения, то эта составляющая является 4. Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е. и др.
Изменения люминесцентных и электрических свойств
ТЭЛ в чистом виде. Цвет и площадь точечной ком-
светодиодов из InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе //
поненты от напряжения не меняются, что свиде- ФТП. – 1999. – Т. 33, вып. 2.
тельствует о том, свечение точек обусловлено кван- 5. Юнович А.Э. Дивакансия азота – возможная при-
товыми ямами. чина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида
Разработанное программное обеспечение по- галлия // ФТП. – 1998. – Т. 32. – №10.
зволяет произвести пиксельный анализ слабых мик- 6. Бочкарева Н.И., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т. и др.
роисточников в автоматизированном режиме. Разра- Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация
ботанная методика анализа точечных и сплошных голубых светодиодов // ФТП. – 2006. – Т. 40, вып. 1.
составляющих фотографий ТЭЛ может лечь в осно- 7. Васильева Е.Д., Закгейм А.Л., Снегов Ф.М. и др.
ву метода контроля флуктуаций концентрации ин- Некоторые закономерности деградации синих светодиодов
на основе InGaN/GaN // Светотехника. – 2007. – № 5.
дия, которые возникают при росте эпитаксиальных
УДК 621.396.41
А.Б. Кумбасов, С.А. Артищев
Исследование свойств распределенных дефектов

коаксиального тракта
Проведены измерения коаксиального кабельного тракта с помощью измерительных приборов DSA8300 Digital
Sampling Oscilloscope компании Tektronix и векторного анализатора цепей OBZOR-804/1 компании PLANAR.
Затем на основе полученных измерений построена математическая модель, учитывающая изменение волнового
сопротивления тракта и позволяющая моделировать разные типы неоднородностей кабеля.
Ключевые слова: рефлектометр, стробоскопический осциллограф, падающая и отраженная волны, дефект, мо-
делирование.
Диагностика кабельных линий связи в телеком- белей широко распространено, и необходимость в

муникациях, а также в различных системах управ- использовании кабелей с медными жилами еще бу-
ления и контроля сохраняет актуальность, несмотря дет иметь место довольно продолжительное время.
на стремительное развитие волоконно-оптических Кабели с медными жилами широко применяются на
линий связи. Использование таких типов кабелей, магистральных, городских и зоновых участках сети.
как коаксиальные, витая пара, и прочих медных ка- Потребители и поставщики услуг связи ежедневно
сталкиваются с повреждениями кабелей, расходы на амплитуда отражённого сигнала, а по горизонталь-
устранение которых занимают существенную часть. ной оси – время. Строго говоря, импульсный реф-
Поэтому появляющиеся в кабельной линии связи лектометр измеряет именно временную задержку
дефекты доставляют немало проблем как потреби- между входным воздействием и отражённым сигна-
телю, так и организациям, поставляющим услуги лом. Однако, зная скорость распространения элек-
связи [1]. тромагнитной волны в кабеле, можно трансформи-
В связи с этим возникает проблема, связанная с ровать ось времени в ось расстояний, что и сделано
поддержанием кабельных линий связи в исправном во всех импульсных рефлектометрах [2].
состоянии, существует необходимость своевремен- Моделирование кабельной линии
ной профилактики и быстрого устранения возмож- Для того чтобы смоделировать коаксиальную
ных неисправностей кабелей. Особенно важным кабельную линию необходимо знать частотные ха-
является точное определение места повреждения рактеристики, которые определяются ее погонными
кабельной линии связи. Это наиболее актуально в значениями параметров R, G, L, C. Волновое сопро-
условиях города или в зимнее время, так как позво- тивление p(f) и постоянную распространения γ(f)
ляет значительно сократить затраты на устранение можно найти, зная выражения частотной зависимо-
неисправности. сти погонного комплексного сопротивления и час-
На сегодняшний день для решения этих про- тотной зависимости погонной комплексной прово-
блем применяют приборы, специально предназна- димости:
ченные для диагностики кабелей, называемые реф-  ( f )  Z ( f )Y ( f ) , (1)
лектометрами, которые позволяют определять не
только неоднородности, но и удаленные поврежде- p( f )  Z ( f ) , (2)
Y( f )
ния, а также тип дефекта (короткое замыкание, низ-
коомная утечка, обрывы и т.д.). Они основываются где Z ( f )  R ( f )  j 2L – частотная зависимость по-
на использовании метода импульсной рефлектомет- гонного комплексного сопротивления;
рии.
Однако в явном виде фиксируется расстояние R ( f )  R(0)  R f – частотная зависимость по-
f0
до сосредоточенных неоднородностей. В данной гонного комплексного сопротивления;
работе рассматривается возможность обнаружения Y ( f )  G ( f )  j 2fC – частотная зависимость по-
распределенных дефектов, например отклонение
диаметров проводников или изолятора от заданного гонной комплексной проводимости.
значения на протяженном участке, что приводит к Экспериментальные исследования
изменению волнового сопротивления. С помощью измерительного прибора DSA8300
Цель данной работы − исследовать распреде- Digital Sampling Oscilloscope (цифровой стробоско-
лённые неоднородности коаксиальных кабелей и пический осциллограф DSA8300) была измерена и
рассмотреть возможность их обнаружения. рефлектограмма для четырех отрезков коаксиально-
Описание метода исследования го кабеля RG58A/U с различным волновым сопро-
Импульсная рефлектометрия – это измерение тивлением. А частотные характеристики этих же
отражений во временной области, т.е. генератор зон- кабелей были измерены векторным анализатором
дирующих импульсов посылает в кабельную линию цепей Planar Обзор-804/1. В качестве тестового сиг-
короткий электрический импульс. Приёмник отра- нала был задан импульс с амплитудой 3 В и дли-
жённых сигналов через равные промежутки времени тельностью примерно 1000 нс.
захватывает сигналы с линии и отображает их на Необходимо отметить, что в математической
устройстве отображения прибора. Таким образом, на модели должна получиться рефлектограмма, похо-
экране импульсного рефлектометра строится гра- жая на полученную в ходе эксперимента. Экспери-
фик, на котором по вертикальной оси отображается ментальная рефлектограмма показана на рис. 3.
U, В 5
0,3
1
0,28 2 3 4
0,26
0,24
t,с
0,22
 
3,5 4  4,5 5 5,5
Рис. 1. Экспериментальная рефлектограмма: 1 – соединение; 2 – начало дефект;

3 – конец дефекта; 4 – начало дефекта, 5 – конец линии
Вывод Литература
В данной работе была построена модель линии 1. Методы определения места повреждения силовых
передачи, позволяющая рассчитывать рефлекто- кабельных линий [Электронный ресурс]. – Режим досту-
грамму для кабеля с заданными параметрами. Кроме па: http://pribor-ar.ru/metody_opredeleniya_mesta_povrezhde,
того, существует возможность рассчитывать и час- свободный.
тотные характеристики кабеля. Были проведены 2. Метод импульсной рефлектометрии (TDR). Как
расчеты нескольких отрезков кабелей. найти обрыв в кабеле [Электронный ресурс]. – Режим
Также в результате эксперимента удалось обна- доступа:http://www.ersted.ru/stati/reflektometrija/impulsnaya
ружить неоднородности на небольших отрезках ли- -reflektometriya, свободный.
нии передачи с отклонением волнового сопротиве- 3. Дефекты и повреждения кабелей [Электронный
ресурс]. – Режим доступа: http://chem21.info/info/1915284,
ния в несколько ом. свободный.
Необходимо отметить, что на данном этапе раз- 4. Виды повреждений кабельных линий, краткая
работанная модель определяет амплитуду и дли- характеристика методов их обнаружения [Электронный
тельность, но пока некорректоно определяет форму ресурс]. – Режим доступа:
отклика, т.е. не удовлетворяет требованиям и нужда- http://bibliofond.ru/view.aspx?id=479529, свободный.
ется в доработке. 5. Тарасов Н.А. Использование метода импульсной
На следующем этапе работы предполагается рефлектометрии для определения повреждений кабельных
исправить данную модель и разработать методику линий [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
определения местоположения распределенного де- http://www.reis205.narod.ru/metod.htm, свободный.
фекта.
УДК 615.831.6
М.А. Канина, П.С. Матросова, К.С. Суханова, М.Н. Романовский
Анализ влияния ритмической визуальной стимуляции

на пропускную способность человека-оператора
Рассмотрены стохастические связи скорости переработки информации операторами-мужчинами и женщинами
до и под воздействием ритмической визуальной стимуляции с частотой 10 Гц за счет мерцания символов на эк-
ране отображения информации при зеленом, красном и синем фоне.
Ключевые слова: пропускная способность человека-оператора, ритмическая визуальная стимуляция, корреля-
ционно-регрессионный анализ.
Оператор антропотехнической системы – свое- довательно выводящая на экран в случайном поряд-

образный канал связи между средствами отображе- ке символы, представленные на клавиатуре. Ско-
ния информации и органами управления. Пропуск- рость переработки информации (СПИ) оценена по
ная способность такого канала связи зависит от мно- формуле C = (Q – N)/T, где T – время, потраченное
гих факторов, в частности от функционального со- на перебор оператором всех Q элементов множества
стояния человека-оператора. символов, N – количество ошибок.
В [1] сообщалось, что ритмическая визуальная Проведены три серии экспериментов. Цвет фо-
стимуляция (ВС) оператора с частотой 10 Гц за счет на в серии устанавливали в последовательности зе-
мерцания символов на экране отображения инфор- леный – красный – синий, цвет символов – черный.
мации приводит к повышению его пропускной спо- СПИ предопределяют два взаимозависимых
собности и надежности (уменьшению количества фактора: время T и количество ошибок N. На этапе
ошибок). Повышение пропускной способности объ- спецификации выбрана двухфакторная линейная
яснено сокращением времени ответных реакций – регрессия y = b0 + b1· x1 + b2· x2. Параметры уравне-
времени поиска оператором нужных символов на ний регрессии определены методом наименьших
клавиатуре. квадратов. Статистическая значимость уравнений
Цель настоящей работы – оценить стохастиче- (α = 0,05) проверена с помощью критериев Фишера
ские связи скорости переработки информации опе- и Стьюдента. Анализ первичных данных проведен с
раторами – мужчинами и женщинами – до и под использованием программы Excel 2007 с соответст-
воздействием ВС. вующими надстройками.
Методика анализа Результаты и обсуждение
Первичные экспериментальные данные взяты Для операторов-мужчин рост выборочной сред-
из работы [1]. В ней участвовали 10 мужчин и 10 ней СПИ под воздействием ВС сопровождается зна-
женщин с нормальным зрением в возрасте 19–20 чительным уменьшением ряда других параметров
лет. Использована компьютерная программа, после- выборки (табл. 1); моментный коэффициент асим-
метрии, положительный без ВС, под воздействием при зеленом фоне, на 24,6% – при красном, на 21,8% –
ВС изменяет знак на противоположный. Среднее при синем; для женщин, соответственно – на 4,9; 9
время выполнения теста уменьшается на 27,4%, и 9,5%. Далее приведены результаты регрессионно-
среднее число ошибок – на 84,5%. го анализа при максимальных изменениях СПИ, –
для операторов-мужчин при зеленом фоне, для
Таблица 1
Зависимость параметров от средней СПИ
женщин – при синем. По критерию Фишера полу-
для операторов-мужчин ченные уравнения регрессии (табл. 3, 4) статистиче-
Фон С S As V, % ски надежны.
Зеленый 0,625/0,833 0,0297/0,0161 0,12/–0,79 27,57/15,22
Красный 0,676/0,842 0,0271/0,0109 0,27/–0,68 24,35/12,37
Синий 0,705/0,859 0,0224/0,0093 0,30/–0,47 21,21/11,21
В табл. 1 отображены следующие параметры:

выборочная средняя – C; несмещенная оценка дис-
персии – S; моментный коэффициент асимметрии –
As; коэффициент вариации – V СПИ операторами-
мужчинами без (числитель) и в процессе (знамена-
тель) ВС.
Смена цвета фона приводит к некоторому росту
выборочной средней СПИ, причем как с ВС, так и
без ВС, в последовательности зеленый – красный –
синий, что соответствует порядку следования функ-
циональных проб (ФП). При этом увеличивается
коэффициент асимметрии и уменьшаются другие
параметры, но не столь значительно, как под воздей-
ствием ВС (рис. 1, а, б).
Для операторов-женщин под воздействием ВС
(табл. 2) выборочная средняя СПИ увеличивается
менее значимо, чем для мужчин, другие параметры
выборки существенно не изменяются. Моментный
коэффициент асимметрии СПИ без ВС отрицателен
(левостороннее смещение) и увеличивается по мо-
дулю под воздействием ВС. Среднее время выпол-
нения теста уменьшается на 5,6%, среднее число
ошибок – на 19,3%.
Таблица 2
Зависимость параметров от средней СПИ
для операторов-женщин
Фон С S As V, %
Зеленый 0,613/0,643 0,0286/0,0286 –0,33/–0,47 26,83/26,29
Красный 0,624/0,680 0,0237/0,0287 –0,52/–0,76 24,68/24,94
Синий 0,623/0,682 0,0286/0,0297 –0,45/–0,84 27,16/25,30

выборочная средняя – С; несмещенная оценка дис-
персии – S; моментный коэффициент асимметрии –
As; коэффициент вариации – V СПИ операторами-
женщинами без (числитель) и в процессе (знамена-
тель) ВС.
Рис. 1. Накопленная частота (а, в) и вероятность попада-
При смене цвета фона без ВС большинство па- ния в i-й интервал (б, г) СПИ операторами мужчинами
раметров существенно не изменяется. Под воздейст- (а, б) и женщинами (в, г) без (1, 2, 3) и в процессе (4, 5, 6)
вием ВС накопленная частота F и максимум распре- ВС при зеленом (1, 4), красном (2, 5) и синем (3, 6) фоне
деления вероятности p (рис. 1, в, г) сдвигается в об-
ласть больших значений СПИ менее значимо, чем Таблица 3
Результаты расчетов
для мужчин (рис. 1, а, б). Выборочная средняя СПИ
Пол b0 b1·103 b2·103 β1 β2
с ВС и модуль моментного коэффициента асиммет-
м 1,189/1,560 –8,2/–14,2 –9,2*/–24,5 –0,859/–0,993 –0,136/–0,248
рии несколько увеличиваются при смене цвета фона
ж 1,226/1,227 –8,48/–8,46 –16,29/–14,62 –0,838/–0,759 –0,368/–0,35
в последовательности зеленый – красный – синий, * – Коэффициент статистически не значим (α > 0,05).
т.е. в последовательности экспериментов в серии.
Средние значения СПИ под воздействием ВС В табл. 3 отображены следующие параметры:
для операторов-мужчин увеличиваются на 33,3% коэффициенты уравнения C = b0 + b1·T+ b2·N и
β – коэффициенты без (числитель) и в процессе вокупности) изменения результата y от своей сред-
(знаменатель) ВС для операторов-мужчин (м) и ней величины при изменении фактора xj на 1% от
женщин (ж). своего среднего значения.
Таблица 4 Таблица 7
Результаты расчетов Коэффициенты парной корреляции признаков
Пол A, % Δb0 Δb1·103 Δb2·103 без (числитель) и в процессе ВС (знаменатель)
1,1; 1,28/1,51; –9,74; –6,69/–15,1; –20; 1,58/–31,1; для операторов-женщин
м 7,89/2,32 1,61 –13,2 –18 – C T N
1,19; 1,27/1,16; –9,1; –7,85/–9,62; – –19; –13,6/–19; C 1/1 –0,9212/–0,9211 –0,5573/–0,702
ж 3,71/6,06 1,29 7,29 –10,3
T 1/1 0,2262/0,4635
В табл. 4 отображены следующие параметры: Под воздействием ВС в случае мужчин усили-
средние ошибки аппроксимации A и доверительные вается связь C с T и существенно ослабляется с N.
интервалы (α = 0,05) параметров моделей Δbj без Коэффициент парной корреляции rT,N даже изменяет
(числитель) и в процессе (знаменатель) ВС для опе- знак: без ВС связь T и N заметная и прямая, с ВС –
раторов-мужчин (м) и женщин (ж) слабая и обратная. В случае женщин связь C с T не-
Под воздействием ВС для мужчин дисперсии значительно ослабляется и усиливается связь с N,
результата и параметров моделей уменьшаются знак rT,N не изменяется.
(табл. 5), для женщин – увеличиваются. Для операторов-мужчин косвенное (опосредо-
Таблица 5 ванное) влияние фактора T на результат C (rT,N ·β2,
Результаты расчетов табл. 7) под воздействием ВС ослабляется, в случае
Пол Sb0 Sb1·103 Sb2·103 S·103 σ женщин – усиливается.
м 0,043/0,024 0,744/0,462 5,25/3,19 3,71/0,393 0,0614/0,0222 Тесноту совместного влияния факторов на ре-
ж 0,0196/0,0321 0,304/0,568 1,33/2,13 0,736/1,82 0,0271/0,0427 зультат характеризует индекс множественной корре-
ляции R. Чем плотнее фактические значения yj рас-
полагаются относительно линии регрессии, тем
дисперсии параметров bj, несмещенная оценка дис-
меньше остаточная дисперсия и, следовательно,
персии S и среднеквадратичное отклонение σ ре-
больше величина R. Долю каждого фактора в общей
зультата без (числитель) и в процессе (знаменатель)
вариации результата определяют коэффициенты
ВС для операторов-мужчин (м) и женщин (ж).
раздельной детерминации (отдельного определения)
Каждый фактор влияет на результат не только
dj2 = ry,xj·βj. Совместное влияние факторов на вариа-
прямо, но и косвенно (через другой фактор). Полное
бельность результата характеризует коэффициент
влияние xj на y характеризует коэффициент линей-
детерминации R2.
ной парной корреляции ry,xj. По шкале Чеддока при
Индексы множественной корреляции RCTN (см.
0,1 ≤ |ry,xj| < 0,3 связь xj и y слабая; при 0,3 ≤ |ry,xj| ≤ 0,5 –
табл. 7) рассчитаны по известным значениям линей-
умеренная; при 0,5 ≤ |ry,xj| ≤ 0,7 – заметная; при
ных коэффициентов парной корреляции. Коэффици-
0,7 ≤ |ry,xj| ≤ 0,9 – высокая; при |ry,xj| > 0,9 – весьма
ент детерминации RVTN 2 и доля фактора T в вариа-
высокая.
бельности результата – dT2 под воздействием ВС
Уравнение регрессии в стандартизированной
уменьшаются для мужчин и увеличиваются для
форме: ty = β1·tx1 + β1·tx1. Начало отсчета стандарти-
женщин. Сумма долей dT2 и dN2 равна коэффициенту
зированного признака tx совмещено со средним зна-
детерминации RVTN 2.
чением x, единицы изменения – среднеквадратичное
Коэффициенты регрессии bj при разнотипных
отклонение x. Коэффициент βj – мера прямого влия-
факторах несопоставимы. Уравнение регрессии до-
ния фактора xj на результат. Косвенное (опосредо-
полняют соизмеримыми показателями тесноты свя-
ванное) влияние xj определяется как сумма произве-
зи фактора с результатом, позволяющими ранжиро-
дений rxj,xi·βj по всем факторам модели.
вать факторы по силе их влияния. К таким показате-
Для операторов-мужчин (табл. 6) и для женщин
лям тесноты связи относят β-коэффициенты, а также
(табл. 7) наибольшее влияние на результат C оказы-
частные коэффициенты корреляции и эластичности.
вает фактор T. До ВС связь C с T обратная и весьма
высокая, с N – обратная и заметная. Таблица 8
Коэффициенты детерминации, доли факторов T и N в
Таблица 6 общей вариации результата и оценки опосредованного
Матрица коэффициентов парной корреляции влияния фактора T на результат без (числитель) и в
признаков без ВС (числитель) и в процессе ВС процессе (знаменатель) ВС для операторов-мужчин (м)
(знаменатель) для операторов-мужчин и женщин (ж)
– C T N Пол RV,T,N RV,T,N 2 dT2 dN2 rT,N ·β2
C 1/1 –0,934/–0,955 –0,608/–0,098 0,941/ 0,886/ 0,8/ 0,083/ –0,075/
T 1/1 0,549/–0,151 м
0,986 0,972 0,95 0,024 –0,038
0,9884/ 0,9769/ 0,77/ 0,2/ –0,083/
Частный коэффициент корреляции характери- ж
0,9721 0,9449 0,7 0,25 –0,162
зует влияние на результат y фактора xj при неизмен-
ных значениях других факторов. Коэффициент эла- Частные коэффициенты корреляции (табл. 8)
стичности Exj показывает процент (в среднем по со- дают более объективную характеристику тесноты
связи признаков. Под воздействием ВС в случае предопределяются общими для них причинами (кос-
операторов-мужчин теснота связи заметно увеличи- венная регрессия). При прочих равных условиях
вается, особенно значимо для T и N. В случае жен- СПИ – коррелят функционального состояния чело-
щин происходит незначительное снижение тесноты века-оператора.
связи. Для операторов-мужчин без ВС рассмотренная
Частные коэффициенты эластичности (табл. 9) двухфакторная модель объясняет вариабельность
позволяют заключить, что доминирующее влияние СПИ изменениями времени T на 80% и изменениями
времени T и влияние числа ошибок N на результат числа ошибок N на 8,3%. Под воздействием ВС 95%
ослабляются под воздействием ВС. Влияние числа вариабельности СПИ объясняются изменениями T и
ошибок для операторов-женщин более значимо, чем 2,4% – изменениями N.
для мужчин. Для операторов-женщин без ВС вариабельность
Таблица 9 СПИ объясняется изменениями времени T на 74% и
Частные коэффициенты корреляции r и эластичности изменениями N на 24%. Под воздействием ВС – на
E без (числитель) и в процессе (знаменатель) ВС для 69% изменениями T и на 27% – N.
операторов мужчин (м) и женщин (ж) Необъясненные двухфакторной моделью вариа-
Пол rC,T/N rC,N/T rT,N/C ET EN
ции СПИ под воздействием ВС уменьшаются с 14 до
–0,905/ –0,319/ –0,067/ –0,85/ –0,048/
м
–0,986 –0,828 –0,831 –0,83 –0,043
8% для мужчин и увеличиваются с 2,7 до 4%
–0,983/ –0,92/ –0,889/ –0,87/ –0,0975/ для женщин, что сопоставимо с ошибками аппрок-
ж симации.
–0,944 –0,798 –0,661 –0,74 –0,0657
Коэффициент вариации – V изменений СПИ под

воздействием ВС – ΔC значительно больше 33%
(табл. 10). Следовательно, совокупность ΔC неодно-
родна и выборочная средняя для нее недостаточно
типична.
Таблица 10
Выборочная средняя ΔC, доверительный интервал
ΔCδ, несмещенная оценка дисперсии S, моментный
коэффициент асимметрии As, коэффициент
вариации V изменений СПИ операторами-мужчинами
под воздействием ВС
Пол ΔC ΔCδ S As V, %
м 0,21 0,14; 0,28 0,0333 –0,052 86,37
ж 0,059 0,014; 0,1 0,0143 –0,49 201,03
Двухфакторная регрессия ΔC статистически не-

надежна, поэтому для последующего анализа ис-
пользована парная линейная регрессия.
Коэффициент парной корреляции числа ошибок
N и времени выполнения теста Т под воздействием
ВС для женщин увеличивается с 0,253 до 0,345; для
мужчин – уменьшается с 0,422 до –0,186, что согла-
суется с результатами двухфакторного анализа.
Рис. 2. Регрессионные прямые ΔС на С без ВС
Связь СПИ без ВС и приращения СПИ под воз- для операторов-мужчин (а) и женщин (б) при зеленом (1),
действием ВС для мужчин обратная и высокая красном (2) и синем (3) фоне
(рис. 2, а), для женщин – слабая при зеленом и крас-
ном фоне, умеренная при синем (рис. 2, б). В проведенных экспериментах операторы-
Влияние цвета на функциональное состояние мужчины лучше женщин знакомы с клавиатурой.
человека зависит от многих факторов [2]. Красный Эффект ВС уменьшается с ростом СПИ без ВС и
цвет, с одной стороны и зеленый или синий – с дру- более выражен для операторов-мужчин.
гой, обычно действуют разнонаправленно. В прове- Цвет фона слабо влияет на СПИ и эффектив-
денных экспериментах цвет фона слабо влияет на ность ВС.
СПИ и эффективность ВС. При смене цвета фона в
порядке следования функциональных проб опреде- Литература
ляющее значение имеет, по-видимому, эффект по- 1. Ахраров Н.М., Баранова Ю.А., Васильева М.В.,
следействия ВС в процессе эксперимента. Для опе- Романовский М.Н. Ритмическая стимуляция пропускной
раторов-женщин влияние ВС на СПИ менее значи- способности человека-оператора // Фундаментальные
мо, чем для мужчин, соответственно возрастает от- проблемы радиоэлектронного приборостроения. – 2015. –
носительное влияние цвета фона. Т. 15, №5. – С. 60–63.
Заключение 2. Базыма Б.А. Цвет и психика [Электронный ре-
СПИ без и в процессе ВС не состоят непосред- сурс]. – Режим доступа: http://www.klex.ru/22q, свободный
ственно в причинно-следственных отношениях, но (дата обращения: 19.06.2015).
УДК 615.831.6
Ю.А. Баранова, М.Н. Романовский
О ритмической стимуляции зрительного восприятия

человека-оператора
Рассмотрены результаты ритмической визуальной стимуляции (ВС) зрительного восприятия человека-
оператора за счет прерываний освещения с частотой 10 Гц. Для определения параметров зрительного воспри-
ятия использован корректурный тест Э. Ландольта. Проведен корреляционно-регрессионный анализ экспери-
ментальных данных. Установлено, что при неосознаваемой ВС с длительностью прерываний 10 мкс эффект ВС
более выражен, чем при видимых мерцаниях.
Ключевые слова: зрительное восприятие, ритмическая визуальная стимуляция, тест Ландольта, корреляцион-
но-регрессионный анализ.
Переработка и передача информации операто- ляции светового потока. В экспериментах с неосоз-

ром системы «человек–машина» представляется в наваемой ВС не сообщалась последовательность функ-
виде «информационной воронки», – широкая часть циональных проб, что исключало эффект плацебо.
воронки соответствует рецепторам оператора, сред- Проведен корреляционно-регрессионный ана-
няя – корковому уровню, узкая – уровню ответных лиз скорости переработки информации с использо-
реакций [1]. ванием программы Exel 7 с соответствующими над-
Согласно [2] ритмическая визуальная стимуля- стройками. Коэффициенты уравнений регрессии
ция (ВС) человека-оператора с частотой 10 Гц – за определены методом наименьших квадратов. Стати-
счет мерцания символов на экране отображения ин- стическая значимость уравнений (α = 0,05) провере-
формации – приводит к повышению его пропускной на с помощью критериев Фишера и Стьюдента.
способности и надежности (уменьшению количест- Результаты и обсуждение
ва ошибок). Повышение пропускной способности Показатель продуктивности P и скорость пере-
связано с сокращением времени ответных реакций работки информации C – интегральные характери-
(поиска нужных символов на клавиатуре). стики зрительного восприятия – предопределяются
Цель настоящей работы – экспериментальное значениями точности работы A и числа просмотрен-
исследование влияния ВС на зрительное восприятие ных колец Q.
человека-оператора. По завершении ВС уменьшаются выборочные
Методика эксперимента средние всех параметров зрительного восприятия
Излучатель установки для ВС представлял со- (табл. 1). Уменьшение Q в отдельных экспериментах
бой матрицу светодиодов, цвет излучения – зеленый. сопровождается, как правило, ростом A. По резуль-
Электропитание светодиодов осуществляли от ис- татам однофакторного дисперсионного анализа раз-
точника тока. Для модуляции светового потока ис- личия P и C без и под воздействием ВС статистиче-
пользовали ключ на биполярном транзисторе и ге- ски значимы при α = 0,1.
нератор прямоугольных импульсов. Частота следо- Таблица 1
вания импульсов модуляции составляла 10 Гц, дли- Выборочные средние без (числитель) и в процессе
тельность – 10 мкс (неосознаваемая ВС) и 500 мкс (знаменатель) ВС и их относительные изменения δ под
(видимое мерцание). воздействием ВС
Q, δQ, A, δA, P, δP, C δC,
В работе участвовали 20 студентов с нормаль- Tимп, мкс
шт. % отн. ед. % шт. % бит/с %
ным зрением в возрасте от 20 до 22 лет. Для опреде- 332,6/ 0,87/ 282,8/ 1,36/
ления параметров зрительного восприятия исполь- 10 7,7 2,3 9,2 10,3
358,1 0,89 308,7 1,50
зовали корректурный тест Э. Ландольта [3]. 311,6/ 0,90/ 275,0/ 1,30/
Проведено шесть серий из десяти эксперимен- 500 5,9 2,3 8,7 7,7
330,0 0,94 299,0 1,40
тов с временным зазором в одну неделю или более.
По завершении эксперимента подсчитывали общее Уравнения двухфакторной регрессии C = b0 +
число просмотренных колец – Q, число пропущен- + b1·Q + b2·A (табл. 2, 3) статистически надежны.
ных и неправильно вычеркнутых колец – N, число Наибольшее влияние на C и P оказывает фактор Q.
колец, которые следовало вычеркнуть, – M. Рассчи- Без ВС при Tимп = 10 мкс связь C с Q прямая и
тывали показатель точности работы A = (M – N)/M, высокая, с A – прямая и очень слабая (табл. 4). Ко-
показатель продуктивности P = A·Q, скорость пере- эффициенты парной корреляции rC,A статистически
работки информации C = (0,5436·Q – 2,807·N)/T, где не значимы по критерию Стьюдента. Частные коэф-
0,5436 бит – средняя величина информации каждого фициенты корреляции до ВС свидетельствуют о
кольца; 2,807 бит – величина потери информации, весьма высокой тесноте связи между признаками
приходящаяся на одно кольцо; Т = 120 с – время вы- (табл. 5). Вариабельность C на 90,8% объясняется
полнения теста. изменениями Q и A (табл. 6). Сумма долей Q и A в
В каждом эксперименте испытуемые выполня- общей вариабельности C равна коэффициенту де-
ли тест дважды – в процессе модуляции и без моду- терминации RC,Q,A2.
Таблица 2 Таблица 6
Коэффициенты регрессии C на Q и A в естественной – Индексы множественной корреляции, коэффициенты
bj и стандартизированной – βj форме без (числитель) детерминации, доли Q и A в общей вариации C
и в процессе (знаменатель) ВС и оценки косвенного влияния Q на C без (числитель)
Tимп, мкс b0 b1 b2 β1 β2 и в процессе (знаменатель) ВС
–0,854 / 0,00401/ 0,9981/ 1,05/ 0,512/ Tимп, мкс RC,Q,A RC,Q,A2 dQ2 dA2 rQ,A ·β2
10
–0,056* 0,00275 0,6276 0,868 0,379 0,953/ 0,908/ 0,87/ 0,0347/ –0,217/
10
–0,889/ 0,0043/ 0, 936*/ 1,035/ 0,273/ 0,864 0,747 0,68 0,069 –0,086
500
–1,063 0,0041 1,169 0,999 0,435 0,993/ 0,986/ 1/ 7·10–4/ –0,071/
500
0,972 0,945 0,9 0,089 –0,100
Таблица 3
Средние ошибки аппроксимации – O и доверительные Таблица 7
интервалы (α = 0,05) параметров моделей – Δbj без Коэффициенты парной корреляции признаков
(числитель) и в процессе (знаменатель) ВС без ВС (числитель) и в процессе (знаменатель) ВС
Tимп, мкс O, % Δb0 Δb1·103 Δb2 при Tимп = 500 мкс
3,65/5,17 –1,32; 3,31; 0,64; – C Q A
10 –0,39/–0,65; 4,72/1,83; 1,36/0,15; C 1/1 0,964/0,898 0,0026/0,204*
0,54 3,68 1,10 Q 1/1 –0,261/–0,231
2,07/ –1,07; 4,08; 0,77;
500 3,45 –0,7/–1,37; 4,51/3,7; 1,11/0,91; Таблица 8
–0,76 4,52 1,43 Разности коэффициентов уравнений двухфакторной
регрессии C с ВС и без ВС
Tимп, мкс bΔ0 bΔ1 bΔ2
Таблица 4
10 0,798 –0,00126 –0,370
Коэффициенты парной корреляции признаков
без ВС (числитель) и в процессе (знаменатель) ВС 500 –0,174 –0,0002 0,233
при Tимп = 10 мкс Эмпирические распределения вероятностей C и
– C Q A
P под воздействием ВС сдвигаются в область боль-
C 1/1 0,8329/ 0,7818 0,0677*/0,1819*
ших значений и в значительной степени повторяют
Q 1/1 –0,4235/–0,2266
распределение Q (рис. 1). При Tимп = 10 мкс эффект
Таблица 5
ВС более выражен, чем при 500 мкс.
Частные коэффициенты корреляции – r и эластично-
сти – E без (числитель) и в процессе (знаменатель) ВС
Tимп, мкс rC,Q/A rC,A/Q rQ,A/C E1 E2
0,953 / 0,839 / –0,869/ 0,98/ 0,64/
10
0,859 0,591 –0,602 0,66 0,37
0,999/ 0,992/ –0,992/ 1,01/ 0,62/
500
0,992 0,98 –0,978 0,96 0,75
Под воздействием ВС уменьшаются коэффици-

енты уравнений регрессии в стандартной форме
(β-коэффициенты, см. табл. 2). Статистическая зна-
чимость коэффициента b0 не подтверждается. Кор-
реляционная связь C с Q прямая и высокая, с A –
прямая и слабая (см. табл. 4). Коэффициент парной
корреляции rC,A статистически не значим. При неиз-
менных значениях других факторов теснота связи
между признаками (см. табл. 5) существенно ниже,
чем без ВС. Снижаются также коэффициент детер-
минации, доли Q и A в общей вариации C, косвенное
влияние Q на C (табл. 6).
При Tимп = 500 мкс без ВС коэффициент b2
двухфакторной регрессии (см. табл. 2) статистически
не значим. Под воздействием ВС статистически не
значим коэффициент корреляции rC,A (табл. 7). При
неизменных значениях других факторов теснота
связи между признаками (см. табл. 5) весьма высо-
кая. Коэффициент детерминации (см. табл. 6) без ВС
несколько ниже, чем под воздействием ВС, – сум-
марный вклад изменений Q и A в вариабельность C
снижается с 98,6 до 94,5%.
Разность уравнений регрессии C с ВС и без ВС Рис. 1. Вероятности попадания в i-й интервал Q (а), C (б)
(табл. 8) при Tимп = 10 мкс более реалистична, чем и P (в) без (1, 3) и в процессе (2, 4) ВС при длительности
при Tимп = 500 мкс. импульсов модуляции 10 (1, 2) и 500 (3, 4) мкс
Парная линейная регрессия C = a + b·Q (табл. 9) C сдвигается практически по линии тренда (см.
подтверждает доминирующее влияние на вариа- рис. 2, б). Выборочные дисперсии признаков
бельность C изменений фактора Q. Коэффициенты уменьшаются под воздействием ВС, уменьшается
детерминации R2 статистически надежны по крите- объясненная (факторная), но увеличивается оста-
рию Фишера. Уравнения регрессии C на A статисти- точная дисперсия модели (см. табл. 10).
чески не значимы. Двухфакторный регрессионный анализ продук-
тивности P затруднен мультиколлинеарностью –
Таблица 9
Параметры парной регрессии C на Q, коэффициенты
тесной корреляционной связью факторов A и Q.
детерминации – R² и эластичности – E без (числитель) Парная линейная регрессия P = a + b·Q (см. рис. 3,
и в процессе (знаменатель) ВС табл. 11) по критерию Фишера статистически на-
Tимп , мкс a b β R² E дежна. Однако уравнения регрессии (см. рис. 3,
0,296*/ 0,0032/ 0,833/ 0,694/ 0,78/ табл. 11) нежелательно использовать из-за большой
10
0,602 0,0025 0,782 0,611 0,6 ошибки аппроксимации и возможной гетероскеда-
500
0,058*/ 0,0041/ 0,964/ 0,929/ 0,96/ стичности (непостоянства дисперсий отклонений), –
0,152* 0,0038 0,898 0,807 0,89 тест ранговой корреляции Спирмена и тест Голд-
фелда–Квандта дают разные результаты.
При Tимп = 10 мкс под воздействием ВС коэф-
фициент a увеличивается до статистически значи-
мого уровня, уменьшаются коэффициент b и другие
параметры (табл. 9, рис. 2, а). Выборочные диспер-
сии C и Q изменяются разнонаправленно, возрастает
объясненная (факторная) дисперсия модели, оста-
точная дисперсия существенно не изменяется
(табл. 10).
Рис. 3. Регрессионные прямые P на Q без (1, 3)

и в процессе (2, 4) ВС при длительности импульсов
модуляции 10 (а) и 500 (б) мкс
Вместе с тем регрессии C и P на Q отличаются

количественно, что естественно, но качественно
совпадают.
Таблица 11
Рис. 2. Регрессионные прямые C на Q без (1, 3)
Параметры парной регрессии P на Q, коэффициенты
и в процессе (2, 4) ВС при длительности импульсов
детерминации – R² и эластичности – E без (числитель)
модуляции 10 (а) и 500 (б) мкс
и в процессе (знаменатель) ВС
Таблица 10 Tимп, мкс a b β R² E
Выборочные дисперсии результативного – SC и 99,33*/ 0,552/ 0,624/ 0,39/ 0,65/
10
факторного – SQ признаков, ошибки аппроксимации – 150,9 0,441 0,557 0,31 0,51
O, объясненные – Sоб и остаточные – Sост дисперсии без 28,97*/ 0,814 / 0,896/ 0,80/ 0,9/
(числитель) и в процессе (знаменатель) ВС 500
46,64* 0,774 0,803 0,64 0,85
Tимп, мкс SQ SC O, % Sоб. Sост.
3956,13/ 0,0585/ 7,61/ 0,731/ 0,02/ Снижение значений коэффициентов детермина-
10
4432,32 0,046 6,81 0,506 0,02 ции и повышение необъясненной дисперсии под
3567,21/ 0,0639/ 3,71/ 1,723 / 0,00481/
500 воздействием ВС и при двухфакторной, и при пар-
3030,17 0,0549 4,38 1,285 0,0115
ной регрессии можно интерпретировать как резуль-
При Tимп = 500 мкс под воздействием ВС суще- тат влияния неких факторов, не существенных в
ственно не изменяется коэффициент b, совокупность отсутствие ВС.
Таблица 12 восприятия, – продуктивности P и скорости перера-
Выборочные дисперсии результативного – SP и ботки информации C на 7–10%.
факторного – SQ признаков, ошибки аппроксимации – Влияние ВС на зрительное восприятие менее
σ, объясненные – Sоб и остаточные – Sост дисперсии значимо, чем на ответную реакцию человека-
без (числитель) и в процессе (знаменатель) ВС
оператора [2].
Tимп, мкс SQ SP σ, % Sоб. Sост.
3956,1/ 3086,8/ 21661,2/ 2118,8/
При неосознаваемой ВС эффект ВС более вы-
10 6,2/11 ражен, чем при видимых мерцаниях.
4432,3 2776,7 15491,1 2155,6
3567,2/ 2942,2/ 68476,6/ 623,9/ Литература
500 3,7/7
3030,2 2818,4 52711,1 1074,9
1. Душков Б.А., Королев А.В., Смирнов Б.А. Энцик-
Ошибки аппроксимации увеличиваются под лопедический словарь: Психология труда, управления,
инженерная психология и эргономика [Электронный ре-
воздействием ВС. Группа испытуемых сформирова-
сурс]. – Режим доступа: http://vocabulary.ru/dictionary/
на случайным образом. Естественно предположить, 896/word/propuCknaja-CpoCobnoCt-operatora. – 19.06.15.
что ВС приводит к усилению различий в функцио- 2. Ахраров Н.М., Баранова Ю.А., Васильева М.В.,
нальном состоянии испытуемых, что находит отра- Романовский М.Н. Ритмическая стимуляция пропускной
жение в увеличении дисперсии ошибки регрессии. способности человека-оператора // Фундаментальные
Заключение проблемы радиоэлектронного приборостроения. – 2015. –
Как осознаваемая, так и на неосознаваемая ВС Т. 15, №5. – С. 60–63.
человека-оператора с частотой 10 Гц приводит к 3. Сысоев В.П. Методика диагностики работоспо-
повышению интегральных параметров зрительного собности. Тест Э. Ландольта. – СПб.: Иматон, 1996. – 30 с.
УДК 621.317.79+658.562.4
А.Ю. Дракин, А.Н. Школин
Разработка автоматизированных измерительных комплексов

для испытаний микросхем высокочастотных импульсных
преобразователей напряжения
Рассматриваются вопросы, посвященные разработке автоматизированных измерительных комплексов для ис-
пытаний интегральных микросхем высокочастотных импульсных преобразователей напряжения. Описывается
пример реализации тестового оборудования, в котором для минимизации объемов подготовительной
нормативно-справочной информации применяется поведенческая модель испытуемой микросхемы.
Ключевые слова: тестер микросхем, импульсные преобразователи напряжения, поведенческая модель,
VHDL-AMS.
Высокочастотные импульсные преобразователи теров), разработанных на основе базовых кристал-

напряжения (ИПН) широко используются во вто- лов – серии импульсных понижающих стабилизато-
ричных источниках питания, которые имеются прак- ров с регулируемым и фиксированными выходными
тически во всех изделиях электротехнической и ра- напряжениями. Данные микросхемы предназначены
диотехнической промышленности – в компьютерах, для замены аналогов изделий иностранного произ-
телевизорах, в различных автоматизированных уст- водства, разрешенных к применению в радиоэлек-
ройствах и системах. В электрооборудовании совре- тронном оборудовании перспективных и модерни-
менных технических объектов насчитывается до зируемых образцов вооружения, военной и специ-
нескольких десятков таких микросхем. Выход из альной техники наземного, воздушного, морского и
строя одной микросхемы может привести к тяжелым космического базирования. Микросхемы представ-
последствиям, что обусловливает необходимость лены понижающими импульсными стабилизаторами
организации сплошного входного контроля таких на ток до 1–5 А и понижающе-повышающими им-
изделий. Кроме того, задача автоматизированного пульсными стабилизаторами на ток до 5 А.
контроля параметров интегральных микросхем ре- Комплекс выполнен с использованием оборудо-
шается при их производстве на различных стадиях вания National Instruments [1] и включает в себя:
(на пластине, после корпусирования, и т.д.) и в зави- – модули PXIe-4139 – источники / измерители;
симости от видов приемки. – модуль PXIe-4142 – четыре источника / изме-
В рамках решения этой задачи авторами разра- рителя;
ботан автоматизированный измерительный комплекс – модуль PXIe-5114 – АЦП;
для испытаний микросхем высокочастотных им- – модуль PXIe-2567 – 64-канальнный модуль
пульсных преобразователей (далее по тексту – тес- для управления внешними реле;
– модуль PXIe-6230 –таймер / генератор и НСИ. Поведенческая модель позволяет в компакт-
управление внешними устройствами; ной форме описать любые внешние воздействия и
– модуль PXIe-1078 – PXI шасси (корзина); условия и возможные реакции описываемой инте-
– модуль PXIe-8821 – контроллер 2,6 GHz intel гральной микросхемы.
Core i3 – 4110E dual core processor; Поведенческие модели можно реализовать с
– тест-адаптеры с контактными устройствами помощью высокоуровневого языка описания аппара-
под различные типы корпусов микросхем; туры VHDL (от англ. Very-High-Speed Hardware
– блок подключения многозондовой установки Description Language). В частности, в данной работе
для контроля параметров на пластине. применялась разновидность языка VHDL-AMS в
Комплекс (тестер) обеспечивает измерение ряда соответствии со стандартом IEEE 1076.1 [2]. Дан-
статических и динамических параметров в несколь- ный язык позволяет описать смешанные поведенче-
ких поддиапазонах, а также управление внешними ские модели AMS (от англ. Analog and Mixed Signal),
устройствами (зонд, сортировщик, камера тепла / также реализовать описание мультидисциплинарных
холода). Контроль параметров проводится, как в моделей. Что позволяет моделировать взаимосвязь
режиме с измерением значения параметра, так и в электрических и тепловых параметров микросхем
режиме разбраковки по принципу «Брак/Годен». импульсных преобразователей напряжения [3–7].
Тестер обеспечивает возможность задания типа ИС, В целях повышения скорости вычислений
плана классификации, режимов тестирования. предлагается минимизировать расчетную полную
В связи с тем, что ряд измеряемых параметров электрическую схему интегральной микросхемы
является температурно-зависимыми, а испытания (ИМС) посредством организации аналоговой части
производятся при широкой номенклатуре темпера- только для электрических интерфейсов по конкрет-
тур нами предлагается подход, позволяющий мини- ным выводам ИМС. Задание внешнего теплового
мизировать объемы подготовительной нормативно- воздействия предлагается организовать посредством
справочной информации (НСИ), содержащей норма- дополнительного интерфейса модели, не имеющего
тивные значения величин измеряемых параметров, физического аналога в качестве конкретного вывода
необходимой для обеспечения различных режимов ИМС. Подключенная к указанным интерфейсам
измерений. Это достигается за счет отказа от ис- внутренняя функциональная модель должна быть
пользования таблиц величин норм технических дан- описана большей частью алгоритмически.
ных для каждого возможного набора условий внеш- В качестве примера для анализа была выбрана
ней среды и вида испытаний. Возможность такого микросхема ИПН LM2596 фирмы Texas instruments
отказа обусловлена использованием поведенческой [8]. Внутренняя структура данной микросхемы со-
модели тестируемого изделия в качестве источника гласно справочным данным приведена на рис. 1.
Рис. 1. Структура микросхемы LM2596
Для этой микросхемы фирмой-производителем приведена на рис. 2, в ней представлены следующие

разработана макромодель на языке PSPICE, которая функциональные блоки:
использовалась для верификации предлагаемой по- – коммутирующий выходной ключ на основе
веденческой модели. Функциональная схема модели идеализированного ключа с температурно-зависи-
мыми параметрами его дифференциального сопро- Для практической реализации поведенческой
тивления и напряжения насыщения в открытом со- модели на языке VHDL-AMS была выбрана среда
стоянии; моделирования SystemVision фирмы Mentor Graphics
– блок усилителя ошибки, реализованный на [9]. Данный продукт имеет реализацию в виде ин-
базе блока с передаточной функцией, описанной с тернет-сервиса на базе облачных технологий. Внеш-
помощью преобразования Лапласа; ний вид модели в указанной среде моделирования
– блоки ограничения входного и выходного сиг- приведен на рис. 5.
налов усилителя ошибки; Результат влияния температуры можно отсле-
– блок функционального генератора пилообраз- дить на примере напряжения на выводе микросхемы
ного и стробирующего сигналов; VOUT. Полная осциллограмма данного напряжения
– блоки ограничений работы микросхемы по приведена на рис. 6. Учитывая, что напряжение пи-
току и температуре. тания микросхемы по выводу VIN равно 12 В, не-
Временные зависимости выходного напряжения достающая разница в максимуме напряжении VOUT
и тока в момент запуска преобразователя, приведен- как раз обусловлена остаточным падением напряже-
ные на рис. 3, 4, имеют хорошее совпадение с ния на силовой части микросхемы. Изменение этого
PSpice-моделью даже при низких точностных на- остаточного напряжения и частоты коммутации под
стройках решателя среды моделирования. действием температуры приведено на рис. 7.
Рис. 2. Функциональная схема поведенческой модели

Напряжение, В
Время, мс
Рис. 3. График выходного напряжения ИПН в момент начала работы
Ток, А
Время, мс
Рис. 4. График тока дросселя ИПН в момент начала работы
Рис. 5. Внешний вид тестовой модели ИПН в среде SystemVision

Время, мс
Рис. 6. Напряжение на выводе микросхемы VOUT

Время, мс
Рис. 7. Влияние температуры на напряжение на выводе микросхемы VOUT (1 – 25 °С; 2 – 70 °С)
Выводы 3. Ashenden P.J. The system designer's guide to VHDL-
Созданная поведенческая модель позволяет по- AMS: analog, mixed-signal, and mixed-technology modeling /
лучить адекватные результаты моделирования при P.J. Ashenden, G.D. Peterson, D.A. Teegarden. – San Fran-
сравнении со значительно более сложной SPICE- cisco: Morgan Kaufmann, 2002. – 800 p.
моделью, обеспечивая при этом значительный выиг- 4. Advances in design and specification languages for
рыш в производительности и экономии вычисли- SoCs: selected contributions from FDL'04 / ed. by P. Boulet. –
Dordrecht, The Netherlands: Springer, 2005. – 305 с.
тельных ресурсов.
5. Cooper S. Introduction To The VHDL-AMD
Полученные результаты позволяют сделать вы-
Modeling Language / S. Cooper, Mentor Graphics / Denver
вод о возможности использования поведенческих Chapter IEEE Power. Electron. Soc. [Электроный ресурс]. –
моделей в качестве основы для получения норма- Режим доступа: http://www.denverpels.org/Downloads/
тивно-справочной информации для процесса тести- Denver_PELS_20071113_Cooper_VHDL-AMS.pdf, свобод-
рования электронных компонентов, что позволяет ный (дата обращения: 05.08.2017).
значительно сократить объем подготовительных 6. Karimi G.R. Behavioral modeling and simulation of
работ при организации автоматизированного тести- semiconductor devices and circuits using VHDL-AMS /
рования изделий микроэлектроники. G.R. Karimi, S. Mirzakuchaki // Iranian Journal of Electrical
and Electronic Engineering. – 2008. – Vol. 4, № 4. – РP. 165–175.
Благодарности 7. Pecheux F. Modeling and simulation of multi-
Работа выполнена при финансовой поддержке discipline systems using bond graphs and VHDL-AMS /
Министерства образования и науки РФ (проект F. Pеcheux et al. // Proceedings of the International
Conference on Bond Graph Modeling and Simulation
№ 8.1729.2017/4.6).
(ICBGM). – New Orleans, Louisana. – 2005. – PР. 149–155.
Литература 8. LM2596 Simple switcher Power Converter 150-kHz
3-A Step-Down Voltage Regulator. Texas Instruments. [Элек-
1. National Instruments: тестирование, измерения и троный ресурс]– Режим доступа: http://www.ti.com/
встраиваемые системы [Электроный ресурс]. – Режим product/lm2596, свободный (дата обращения: 20.07.2017).
доступа: http://www.ni.com/ru-ru.html, свободный (дата 9. SystemVision Cloud.The Free Cloud-Based
обращения: 05.08.2017). Simulation Tool. Mentor Graphics [Электроный ресурс]. –
2. IEEE standard VHDL analog and mixed-signal
Режим доступа: https://systemvision.com, свободный (дата
extensions: approved 18 March 1999. – New York: Inst. of
Electrical and Electronics Engineers, 1999. – 303 p. обращения: 20.08.2017).
УДК 621.315.592
А.А. Томашевич, С.Г. Еханин, С.Л. Аржаков, К.К. Слепцов
Исследование изменений обратных вольт-амперных

характеристик светодиодов на основе нитрида галлия
в зависимости от режимов и времени испытаний
Проведены теоретические и экспериментальные результаты исследования вольт-амперных характеристик све-
тодиодов на основе нитрида галлия. Описаны результаты исследования изменений вольт-амперных характери-
стик светодиодов в зависимости от режимов и времени испытаний. Представлены графики изменения прямой и
обратной ветвей вольт-амперных характеристик, изменения плотности тока в зависимости от режимов и време-
ни испытаний. Описан эффект восстановления параметров светодиодов при многочасовом «отдыхе». Предлага-
ется метод контроля за динамикой накопления дефектов в структуре светодиода в процессе испытаний при раз-
ных режимах. Обсуждены полученные результаты.
Ключевые слова: светодиод, вольт-амперная характеристика, механизмы деградации, туннельная электролю-
минесценция, кристаллические поля.
В настоящее время светодиоды на основе GaN лабораторий современным дорогостоящим оборудо-

(далее – СИД) являются перспективными элемента- ванием. В связи с этим становится актуальным раз-
ми приборов освещения и индикации. Они имеют работка методик, которые позволяли бы проводить
множество плюсов в сравнении с другими источни- раннюю диагностику деградации и выбирать опти-
ками света. мальный режим работы СИД. Данная работа посвя-
Однако долговечность СИД напрямую зависит щена исследованию ранней диагностики деградации
от конкретного производителя и разброса парамет- СИД на основе GaN с помощью измерений ВАХ в
ров. Также в СИД протекают процессы деградации, области микро- и нанотоков в зависимости от режи-
которые являются одной из главных проблем совре- мов и времени испытаний.
менной светодиодной светотехники. Экспериментальная часть
Существуют методы ранней диагностики де- В качестве объекта исследования выбраны СИД
градации СИД, известные из уровня техники, неко- фирмы «SemiLEDs», модель «SL-V-B24AD», они
торые из них довольно требовательны к оснащению созданы на основе кристаллов GaN без люминофор-
ного покрытия и собраны в стандартном пластмас- Изменения на прямой и обратной ветви ВАХ в
совом корпусе типа 5050. По своим электрическим и области микро- и нанотоков являются чувствитель-
фотометрическим параметрам они являются типич- ным инструментом, выявляющим динамику дегра-
ными представителями изделий, выпускаемых, как дационных явлений в СИД, связанных с накоплени-
отечественными, так и зарубежными предприятия- ем дефектов в гетероструктуре.
ми. Поэтому результаты проведенных исследований Ниже представлены результаты эксперимен-
на этих СИД могут быть распространены на другие тальных измерений прямых и обратных ветвей ВАХ
подобные изделия. СИД в области микро- и нанотоков до и после испы-
Были использованы следующие методы и обо- таний. На рис. 1, 2 представлены графики, позво-
рудование:
ляющие наглядно увидеть деградацию СИД в зави-
 для исследования электрических характери-
симости от времени и режимов испытаний.
стик использовали автоматизированный прецизион-
Как видно из рис. 1, 2, кривые ВАХ «свежего» и
ный измеритель LCR фирмы «Keysight» (США) мо-
дель E4980A, а также автоматизированный ком- после испытания показывают значительные измене-
плекс «Построитель ВАХ 3.0»; ния по сравнению с новыми. Как и в работе [1], бы-
 для измерения температурных характеристик ло замечено, что обратные токи СИД на начальной
был использован тепловизор фирмы «Testo» (Гер- стадии деградации растут относительно медленно,
мания), модель 876; однако затем резко ускоряются вплоть до выхода
 для испытаний был использован лаборатор- образца из строя.
ный источник питания фирмы «Mastech» (Гонконг),
модель HY3003.
Рис. 1. Деградация параметров СИД
Рис. 2. Деградация параметров СИД, светодиод №2
Подбор режима для оптимальной работы испытаний и отдыха при значениях ниже 0,13 А,
СИД без деградации параметров красными кривыми показаны фазы испытаний и
Используя предлагаемый метод контроля за ди- отдыха при значениях выше 0,13 А. Для светодиода
намикой накопления дефектов в СИД в процессе №2 с радиатором (рис. 4), значения оптимального
испытаний при разных режимах электрической на- рабочего тока выше и соответствуют описанным в
грузки, можно выделить режим, при котором интен- официальной технической документации, опти-
сивность деградационных явлений (изменения роста мальными являются значения до 0,16 А.
обратной ВАХ в области микротоков) будет соответ- Как только рабочий ток светодиодов выходит за
ствовать заявленному производителем сроку службы указанные пределы, резко ускоряются деградацион-
в различных условиях эксплуатации СИД. ные процессы, обусловленные увеличением тун-
Например, для светодиода №4 в связи с отсут- нельной рекомбинации, приводящим к дополни-
ствием теплоотвода оптимальными рабочими тока- тельному выделению тепла, возникновению допол-
ми являются значения до 0,13 А, так как выше этого нительных механических напряжений и дефектов, а
значения уже происходят деградационные процессы значит, и увеличению плотности состояний вблизи
в СИД. На рис. 3 синими кривыми показаны фазы гетерограниц.
Рис. 3. Светодиод №4
Рис. 4. Светодиод №2
Обсуждение результатов. Выводы – в процессе испытаний при постоянной темпе-

Проведенный теоретический и эксперимен- ратуре окружающей среды температура кристалла
тальный анализ ВАХ полупроводниковых светодио- растет со временем за счет уменьшения величины
дов фирмы «SemiLEDs», модель «SL-V-B24AD», в светового потока (излучательной рекомбинации) и
корпусе типа 5050 показал, что: увеличения доли выделяющейся тепловой мощно-
– деградация параметров СИД не является по- сти (туннельной рекомбинации).
стоянной величиной, а зависит как от плотности Методами ступенчатых испытаний при темпе-
тока, так и от эффективности теплоотвода; ратурах выше номинального (испытания без радиа-
тора) и номинальных токах определены начальные Многочасовой отдых СИД после испытаний
параметры активации процессов деградации прямо- (нахождение в выключенном состоянии при комнат-
го напряжения и обратного тока. ной температуре) приводит к некоторому эффекту
Произведен анализ полученных данных, были «восстановления»: уменьшению тока утечки,
обнаружены нестабильности в ВАХ и интенсивно- уменьшению влияния электрических диполей, уве-
сти туннельной электролюминесценции на микро- личению напряжения участка роста обратной ВАХ.
фотографиях, подтверждающие деградацию СИД. Используя предлагаемый метод контроля за ди-
Заключение намикой накопления дефектов в СИД в процессе
В данной работе исследованы изменения ВАХ испытаний при разных режимах электрической на-
СИД в области микро- и нанотоков в зависимости от грузки, можно выделить режим, при котором интен-
режимов и времени испытаний. Были проведены сивность деградационных явлений (изменения роста
эксперименты по ранней диагностике деградации обратной ВАХ в области микротоков) будет соответ-
параметров СИД. ствовать заявленному производителем сроку службы.
Показано, что изменения на прямой и обратной
ветви ВАХ в области микро- и нанотоков являются
чувствительным инструментом, выявляющим дина- 1. Huang L., Yu T., Chen Z. Et al. Different degradation
мику деградационных явлений в СИД, связанных с behaviors of InGaN/GaN MQWs blue and violet LEDs //
накоплением дефектов в гетероструктуре. Journal Of Luminescence. – 2009. – № 129. – РР. 1981–1984.
УДК 532.217
Е.И. Тренкаль, А.Г. Лощилов
Макет измерительного зонда нового типа

для измерения уровней многослойных сред
Представлены результаты макетирования измерительного зонда нового типа, содержащего управляемые сосре-
доточенные включения. В качестве управляемых включений были использованы СВЧ-диоды Шоттки HSMS-
8202. Продемонстрирован режим управления характеристиками измерительного зонда. Полученные результаты
позволяют реализовать алгоритм измерения параметров исследуемых сред при проведении уровнеметрических
измерений.
Ключевые слова: измерение уровня, TDR, метод, VTDR, измерительный зонд, управляемое включение.
Одним из типовых процессов в современной распространения сигнала, которая, в свою очередь,

промышленности является измерение уровня со- зависит от параметров среды.
держимого в емкостях и резервуарах. При этом со- Определение скорости распространения сигна-
держимое может представлять собой комбинацию из ла в каждом из слоёв является достаточно сложной
нескольких сред со слоистой структурой и различ- задачей. В большинстве существующих технических
ными параметрами. При наличии подобной много- решений определение скорости распространения
слойной структуры в резервуаре важной задачей основывается на использовании справочных данных
является её анализ, включающий определение коли- об измеряемых средах либо данных, полученных в
чества слоёв и положения границ раздела между процессе калибровки. Однако используемые сведе-
ними. Примером подобной задачи может служить ния могут не соответствовать действительности в
мониторинг послойного состава жидкостей на ста- момент измерения, что может привести к значитель-
дии очистки нефтепродуктов, которая требует опре- ной погрешности при определении уровней [6].
деления уровней нефти, подтоварной воды и слоя Таким образом, задача поиска способа, позво-
эмульсии. ляющего в режиме реального времени определять
Решение такой задачи возможно ограниченным параметры слоёв многофазных сред при измерении
количеством методов, одним из которых является их уровня, является актуальной и востребованной в
метод импульсной рефлектометрии (TDR) [1–5]. В промышленности.
работе [5] представлены подробный обзор и анализ Основы метода рефлектометрии
существующих публикаций, описывающих приме- во временной области
нение метода в области измерения уровней много- Поставленная задача может быть решена пред-
фазных сред. ложенным в работе [6] способом, основой которого
Положение уровня в TDR-методе определяется является использование специальной конструкции
исходя из задержки отраженного от границы раздела измерительного зонда (управляемый TDR-зонд),
фаз импульсного сигнала (отклика). При этом за- содержащего сосредоточенные включения с управ-
держка отклика зависит от длины слоя и скорости ляемыми электрическими параметрами – управляе-
мые включения. При этом их локализация вдоль
зонда заранее определена, а параметры могут быть 2) в режиме калибровки должна быть обеспече-
изменены в необходимый момент времени. На рис. 1 на возможность однозначной селекции откликов от
представлена модель управляемого TDR-зонда для каждого из управляемых включений.
анализа многослойной жидкости. Макетирование и экспериментальное
исследование
В работе предложен макет измерительного зон-
да нового типа – зонд с регулируемой рефлекто-
граммой (Variable Time Domain Reflectogram Probe).
Измерительный зонд представляет собой линию
передачи с установленными в нее управляемыми
включениями, при этом рефлектограмма зонда может
изменяться под воздействием управляющего сигнала.
Управляющим сигналом является постоянное
напряжение (напряжение смещения). В качестве
управляемых включений в настоящей реализации
макета использованы СВЧ-диоды Шоттки.
Преимущество предложенного решения состо-
ит в том, что управление параметрами включений
осуществляется по той же линии, по которой рас-
пространяется измерительный сигнал, и необходи-
мость в дополнительных линиях управления исклю-
чается.
Рис. 1. Пример использования зонда для анализа На рис. 2 представлена схема эксперименталь-
многослойной жидкости ной установки, которая включает в себя:
– генератор импульсов;
Преимущество предложенного решения заклю- – стробоскопический осциллограф;
чается в том, что в процессе измерения возможно – разветвитель;
целенаправленно изменить рефлектограмму объекта – втулку питания;
исследования за счет изменения параметров управ- – управляемый TDR-зонд (VTDR Probe).
ляемых включений; т.к. рефлектограмма является в Для получения тестового сигнала использовал-
каком-то роде пространственной проекцией погру- ся опорный генератор Geozondas GZ1105DLP2,
женного в исследуемую среду измерительного зон- формирователь импульса GZ1117DN-35 и аттенюа-
да, изменение параметров искусственной неодно- торы, обеспечивающие амплитуду выходного сигна-
родности позволит локализовать отклик от этой не- ла не более 1 В с длительностью около 40 пс. Сфор-
однородности. В результате наличие подобных «ре- мированный сигнал через разветвитель Picosecond
ференсных» точек на рефлектограмме предоставляет 5372 поступал на стробоскопический осциллограф
широкие возможности для исследования и анализа DSA 8300 и объект исследования, подключенный
измеренных характеристик. через втулку питания Picosecond 5545, необходимую
Процедура измерения включает в себя два для формирования напряжения смещения.
режима:
– режим калибровки, при котором последова- Uc
тельно изменяются состояния управляемых нагрузок
и определяются параметры исследуемых сред; Bias
– режим измерения, в котором определяются Tee
уровни многофазной среды, основываясь на полу-
ченных в режиме калибровки сведениях.
Развернутое описание алгоритма работы и его
VTDR Probe
моделирование представлены в [6]. Стоит отметить,

что в работе описан идеализированный случай, в
котором параметры каждого из управляемых вклю-
чений могут контролироваться независимо и изме-
няться в пределах от идеального согласования с ли-
нией передачи до режима полного отражения сигнала. Рис. 2. Структурная схема экспериментальной установки
На практике достижение даже приближенных
характеристик является достаточно сложной зада- Для анализа режимов управления импульсными
чей. Поэтому целесообразно обозначить условия, характеристиками был изготовлен фрагмент измери-
соблюдение которых позволит обеспечить описан- тельного зонда, представляющий собой отрезок
ный функционал управляемого TDR-зонда: компланарной линии передачи с включенным в него
1) в режиме измерения влияния управляемых СВЧ-диодом HSMS-8202. Катод диода подключался
включений на распространение сигнала должно к сигнальному проводнику, а анод – к проводнику
быть минимальным; земли. На вход макета подавался импульсный сигнал
отрицательной полярности с различными напряже- На рефлектограмме (см. рис. 5) можно выде-
ниями смещения, равными 0, 1 и 2 В. лить следующие сигналы: отклик от входа макета
На рис. 3 представлены отклики диода при раз- измерительного зонда (поз. 1); отклики от первой
личных режимах возбуждения. (поз. 2) и второй (поз. 3) управляемых неоднородно-
стей; отклик от разомкнутого выхода измерительно-
U, В го зонда (поз. 4).
Uc = 2 В
На рис. 6 приведены рефлектограммы макета
управляемого TDR-зонда, частично погруженного в
0 жидкость. Расстояние от начала линии передачи до
границы раздела воздух–жидкость составляла около
Uc=1 В
180 мм. Штриховая линия соответствует режиму без
смещения, сплошная – напряжению смещения, рав-
–0,1
ному 2 В.
Uc = 0 В
U, В
0,1 0,2 0,3 t, нс
Рис. 3. Отклик от СВЧ-диода при различных напряжениях 2
смещения 3
0,05
В случае воздействия отрицательного импульса
при отсутствии напряжения смещения (Uc = 0 В) 0
диод переходит в открытое состояние, что приводит 4
к формированию отклика амплитудой около 0,15 В.
–0,05
При наличии небольшого положительного смеще- 1 5
ния (Uc = 1 В) диод переходит в открытое состояние
лишь частично, при дальнейшем увеличении напря-
жения (Uc = 2 В) сохраняется закрытое состояние 2 4 t, нс
Рис. 6. Рефлектограмма линии передачи с двумя управ-
диода. Отклик в закрытом состоянии обусловлен ляемыми включениями, где 1 – отклик от входа измери-
собственными паразитными параметрами СВЧ-диода. тельной линии; 2, 4 – отклики от первого и второго диода;
На рис. 4 приведена фотография макета измери- 3 – отклик от границы раздела воздух–вода; 5 – отклик от
тельного зонда, содержащего два управляемых конца измерительной линии
включения, расположенных на расстоянии 60 и
220 мм от начала линии. Общая длина линии пере- Из рис. 6 видно, что повышение напряжения
дачи измерительного зонда составляет 280 мм. смещения приводит к уменьшению амплитуды от-
клика от управляемых включений, что приводит к
увеличению амплитуды откликов от границы разде-
ла воздух–вода и конца измерительного зонда. Этот
факт может служить критерием для идентификации
откликов от управляемых включений. Также стоит
отметить, что высокий коэффициент отражения от
границы раздела воздух–жидкость приводит к тому,
Рис. 4. Фото линии передачи с двумя управляемыми что амплитуда отклика от второго диода значительно
включениями уменьшается.
На рис. 5 приведена рефлектограмма зонда, из- В работе представлены результаты макетирова-
меренная «на воздухе» при отсутствии напряжения ния измерительного зонда нового типа. Продемон-
смещения (штриховая линия) и напряжении смеще- стрирован режим управления характеристиками из-
ния, равном 2 В (сплошная линия). мерительного зонда. Полученные результаты позво-
U, В ляют реализовать алгоритм [6] измерения парамет-
ров исследуемых сред при проведении уровнемет-
0,1 2 3
рических измерений.
0
1. Harney W.J. Electromagnetic level indicating (EMLI)
system using time domain reflectometry / W.J. Harney,
C.P. Nemarich // OCEANS ’83, Proceedings. – 1983. –
1
–0,1 PP. 233–236.
4
2. Nemarich C.P. Time domain reflectomerty liquid level
sensors // IEEE Instrumentation & Measurement Magazine. –
4 t, нс 2001. – Vol. 4. – PP. 40–44.
2
Рис. 5. Рефлектограмма линии передачи 3. Gerding M. Precision level measurement based on
с двумя управляемыми включениями time-domain reflection (TDR) measurements / M. Gerding,
T. Musch, B. Schiek // Advances in Radio Science. – 2002. – lov // Proceedings of TUSUR University. – 2016. – Vol. 19,
PP. 27–31. No. 4. – PP. 67–73.
4. Cataldo A. Remote sensing of liquid characteristics 6. Trenkal E.I. New approach for increasing the precision
using Time Domain Reflectometry / A. Cataldo, A. Lay- of TDR analysis of multilayer environments / E.I. Trenkal,
Ekuakille, C. De Carlo // Proceedings of the SPIE. – 2002. – A.G. Loshchilov // Proceedings of TUSUR University. –
Vol. 4814. – PP. 465–473. 2016. – Vol. 19, No. 4. – PP. 5–9.
5. Trenkal E.I. Izmerenie urovnej zhidkosti metodom
impul'snoj reflektometrii (obzor) / E.I. Trenkal, A.G. Loshchi-
УДК 621.316.71
М.П. Сухоруков, Д.С. Торгаева, В.В. Мамлина
Сравнительный анализ методов определения динамического

уровня жидкости в межтрубном пространстве нефтяной скважины
Одним из важнейших диагностических параметров работы нефтяной скважины является динамический уровень
жидкости в межтрубном пространстве. Рассмотрены основные методы определения динамического уровня
жидкости, не требующие остановки работы скважины и ее разгерметизации, а также проведен их сравнитель-
ный анализ.
Ключевые слова: эхометрирование, динамограмма, термоманометрическая система, штанговый глубинный
насос, ваттметрограмма, динамический уровень жидкости, добывающая скважина, датчики давления и темпе-
ратуры.
В настоящее время добыча нефти производится ческого и гидродинамического сопротивления

помощью штанговых глубинных насосных устано- вследствие увеличения веса штанговой колонны и
вок (ШГН) и установок погружных электроцентро- возрастания выталкивающей силы, действующей на
бежных насосов (УЭЦН). Несмотря на большое ко- нее, что приведет к еще большему снижению коэф-
личество недостатков ШГН (громоздкость наземной фициента подачи и производительности насоса [4, 5].
части, неполная герметизация устья скважины, ог- Колебание уровня жидкости в межтрубном про-
раниченная производительность и т.д.), большая странстве также негативно сказывается на работе
часть фонда добывающих скважин России оборудо- насоса, т.к. приводит к колебаниям нагрузки на всех
вана именно этим типом насоса. Также стоит отме- узлах установки, быстрому износу и выходу из
тить, что ШГН является наиболее подходящим для строя деталей и механизмов ШГН [6].
добычи нефти в жестких сложных условиях (глубо- Различают следующие методы измерения ди-
кое залегание пласта, примесь песка или парафина, намического уровня жидкости:
высокий газовый фактор), что особо актуально для • эхометрирование и волнометрирование;
использования в малодебитных скважинах [1]. • термоманометрическая система;
Огромное влияние на работу ШГН оказывает • динамометрирование и ваттметрирование.
динамический уровень жидкости в межтрубном Эхометрирование и волнометрирование
пространстве нефтяной скважины. При несоответст- Эхометрирование и волнометрирование явля-
вии режима работы насоса скорости поступления ются одними из самых распространенных методов
жидкости из пласта может наблюдаться снижение ее определения динамического уровня жидкости в
динамического уровня, что приведет к уменьшению межтрубном пространстве нефтяной скважины. Они
давления на приеме насоса. При этом может про- основаны на вычислении произведения скорости
изойти разгазирование нефти, что приведет к непол- распространения звуковой волны в газовой среде на
ному заполнению насоса жидкостью и уменьшению время прохождения сигнала от точки расположения
подачи. Дальнейшее снижение динамического уров- источника (устье скважины) до уровня жидкости и
ня приведет к срыву подачи, и, в случае несрабаты- обратно [7]. При измерении в скважинах с низким
вания аварийного отключения, к работе насоса в давлением применяется эхометрирование, а с высо-
режиме сухого трения, что приведет к износу дета- ком – волнометрирование.
лей и выходу его из строя [3]. Однако при использовании данного метода
При высоком содержании газа в нефтеводяной можно получить недостоверный результат. Во-
смеси рекомендуется увеличивать глубину погруже- первых, на эхограмме достаточно тяжело распознать
ния насоса под динамический уровень, что приведет реальное положение уровня жидкости из-за наличия
к увеличению давления на приеме насоса, и боль- шумов на входе приемника сигнала. Также на аку-
шая часть газа в нефти будет находиться в раство- стический сигнал оказывают влияние вибрации ко-
ренном состоянии, что, в свою очередь, положи- лонны насосно-компрессорных труб, переотражения
тельно повлияет на производительность ШГН. Од- сигнала от неоднородностей в межтрубном про-
нако при этом может произойти увеличение механи- странстве, а также акустический шум насоса [8]. По
этой причине полезный сигнал может быть неотли- ный силовой кабель). Термоманометрическая систе-
чим от помех. Во-вторых, акустическая волна отра- ма позволяет оценивать состояния газа и жидкости в
жается не только от поверхности жидкости, но и от межтрубном пространстве в режиме реального вре-
любой границы раздела сред с существенным изме- мени, однако существенным ее недостатком являет-
нением плотности. Доказано, что при плотности ся дороговизна.
газожидкостной смеси 200 кг/м3 достаточно для на-
Давление, МПа
дежной фиксации отклика. Например, зачастую на
поверхности жидкости образуется столб пены, кото-
рая представляет собой газожидкостную смесь,
плотность которой увеличивается по глубине [9].
В-третьих, скорость распространения звуковой вол-
ны в межтрубном пространстве скважины не явля-
ется постоянной величиной, ее значение зависит от
температуры, давления, плотности и состава газа и
может меняться от скважины к скважине с одинако-
вым межтрубным давлением даже в пределах одного
месторождения [9, 10].
Несмотря на обилие недостатков, эхометриче-
ский метод является основным в нефтедобывающей
промышленности, поскольку он достаточно прост в
осуществлении и недорог [11]. Множество работ
посвящено исследованию различных методик и
средств, повышающих точность измерений уровня Вертикальная вличина скважины, м
Рис. 1. Определение уровня жидкости в скважине
жидкости эхометрированием. Например, в работах
[9, 12–14] рассматриваются алгоритмы оценки вре- В [19] описан похожий метод определения ди-
мени регистрации отраженных сигналов, а также намического уровня. Датчики температуры необхо-
предлагаются структурные схемы формирователей димо располагать по всей длине скважины на рас-
импульсов для зондирования межтрубного про- стоянии не менее 20–40 м друг от друга. После оп-
странства, позволяющие получить более мощный роса всех датчиков температуры формируется тер-
сигнал, различимый на фоне помех. Работы [15, 16] мограмма, по которой вычисляется градиент темпе-
описывают методы определения скорости звука в ратур в каждой точке. Точка с максимальным значе-
скважине: расчетный, трубный и метод реперов. нием градиента будет являться границей раздела
Термоманометрическая система сред (рис. 2).
Данный метод предполагает размещение датчи-
ков давления и температуры вдоль ствола скважины
на расстоянии 100 м друг от друга [17]. При опреде-
лении динамического уровня жидкости производит-
ся последовательный опрос датчиков. После записи
координат точки «глубина, давление» в массив, со-
ответствующий области скважины, заполненной
газом, производится вычисление коэффициента кор-
реляции точек всего массива методом наименьших
квадратов. Операция повторяется до тех пор, пока
величина коэффициента не изменится более чем на
10% по отношению к предыдущему его значению.
Данная точка свидетельствует о том, что опраши-
ваемый датчик погружен в жидкость. С этого мо-
мента «координаты» записываются в другой массив,
соответствующий области скважины, заполненной
жидкостью. После проведения опроса по данным,
записанным в массивы, строятся 2 графика зависи-
мости давления от глубины расположения датчиков.
Точка пересечения соответствует уровню жидкости
(рис. 1) [11, 17, 18].
Авторами работ [11, 17] предлагается разме-
щать датчики давления вдоль бронированного кабе-
ля, идущего вертикально вниз по стволу скважины,
поэтому данный метод идеально подходит для при-
менения в УЭЦН (поскольку насос располагается в Рис. 2. Определение уровня жидкости в скважине
нижней части установки, к нему идет изолирован- по температурному градиенту
Динамометрирование и ваттметрирование Работа выполнена при финансовой поддержке
Существуют способы определения динамиче- Министерства образования и науки Российской Фе-
ского уровня жидкости по динамограммам (зависи- дерации в рамках проекта ФЦП «Исследования и
мости нагрузки на полированный шток от его хода) разработки по приоритетным направлениям разви-
и ваттметрограммам (зависимости мощности, по- тия научно-технологического комплекса России на
требляемой двигателем, от времени). 2014–2020 годы», Соглашение № 14.574.21.0157
Исходя из графика динамограммы, можно су- (уникальный идентификатор RFMEFI57417X0157).
дить не только о нагрузке на полированный шток, но
и о дебите скважины и состоянии насосной установ- Литература
ки в целом. Динамограмма является результатом
взаимодействия огромного числа факторов, поэтому 1. Губарев М.И. Возможности и перспективы
ее расшифровка является весьма трудоемкой зада- строительства «умных» скважин // Проблемы геологии и
освоения недр: труды XX Междунар. симп. им. акад.
чей. Зачастую о любых отклонениях от нормы судят
М.А. Усова студентов и молодых ученых, посвященного
по отклонению реальной динамограммы от ее иде- 120-летию со дня основания Томского политехнического
альной математической модели. университета, Томск, 4–8 апреля 2016 г. – Томск, 2016. –
В [20] предлагается методика расчета измене- Т. 2. – С. 723–726.
ния динамического уровня жидкости по идеальной 2. Садов В.Б. Оценка параметров нефтедобычи и
динамограмме. Исходными данными являются па- управление насосной установкой с использованием дина-
раметры самого насоса, а также глубина его погру- мограмм // Вестник ЮУрГУ. Сер.: Компьютерные техно-
жения и величина давления в трубе. Этот метод логии, управление, радиоэлектроника. – 2013. – №2. –
оценки является косвенным и требует больших вы- С. 33–41.
3. Иоаким Г. Добыча нефти и газа: производст.-
числительных мощностей. Однако обычно измене-
практ. изд. / Г. Иоаким; пер. с рум. П.А. Петрова. – М.:
ние динамического уровня отслеживается для пре- Недра, 1966. – 544 с.
дотвращения неполного заполнения насоса жидко- 4. Оркин К.Г., Юрчук А.М. Расчеты в технологии и
стью. Попадание газа в цилиндр насоса вызывает технике добычи нефти. – М.: Недра, 1967. – 380 с.
существенные изменения формы динамограммы. В 5. Щуров И.В. Повышение эффективности эксплуа-
частности, при уменьшении давления на приемном тации скважин за счет оптимизации кинематических ха-
клапане насоса, вызванного большим содержанием рактеристик штанговых насосов: автореф. дис. … канд.
газа в нефти или снижением динамического уровня геол. наук по специальности: 25.00.17 «Разработка и экс-
до приема насоса, динамограмма из вида рис. 3, а плуатация нефтяных и газовых месторождений».
6. Исмагулова А.И. Системы автоматического регу-
переходит к виду рис. 3, б [21].
лирования динамического уровня жидкости в скважине в
штанговых глубинно-насосных установках // ИВД. –
2012. – №4-1. – 87 с.
7. Налимов К.Г. Информационная система эхомет-
рирования многоимпульсными сигналами для определе-
ния уровня жидкости в нефтедобывающих скважинах:
дис. … канд. техн. наук: спец. 05.13. 01. – 2007.
8. Кочегуров А.И., Кочегурова Е.А. Анализ приме-
нения фазочастотных алгоритмов прослеживания сигна-
Рис. 3. Практические динамограммы работы ШГН: лов для измерения уровня жидкости в нефтедобывающих
а – нормальная работа при малом числе качаний; скважинах // Изв. ТПУ. – 2011. – №5. – С. 56–59.
б – влияние газа 9. Карнаухов М.Л., Пьянкова Е.М. Современные
методы гидродинамических исследований скважин: спра-
Динамограммы и ваттметрограммы связаны вочник инженера по исследованию скважин. – М.: Инфра-
сложными нелинейными зависимостями. Определе- инженерия, 2010. – 432 с.
10. Пугачев Е.В., Налимов Г.П., Гаус П.О. Определе-
ние динамического уровня жидкости и других пара-
ние уровня жидкости и скорости звука в затрубном про-
метров работы насоса по ваттметрограммам являет- странстве добывающей скважины // Нефтяное хозяйство. –
ся актуальной задачей, поскольку позволяет контро- 2003. – № 2. – С. 50–52.
лировать работу насосной установки по показаниям 11. Денисламов И.З., Исаев И.З. Перспективы интел-
одного-единственного датчика (практически все лектуализации нефтедобывающих скважин // Технологии
ШГН оборудованы датчиками мощности). Однако добычи и использования углеводородов. – 2016. – №1 (6). –
расшифровка ваттметрограмм является еще более С. 1–6.
трудоемким процессом, что является существенным 12. Сикора Е.А. Экспериментальные характеристики
недостатком этого метода [22]. порохового генератора акустических сигналов для эхомет-
рирования скважин // Изв. ТПУ. – 2010. – №1.
Выводы
13. Кочегуров А.И. Анализ алгоритмов измерения
Из рассмотренных методов наиболее перспек- временного положения сложных сигналов по оценкам их
тивным является метод определения динамического фазочастотных характеристик // Проблемы информатики. –
уровня жидкости по ваттметрограмме, поскольку он 2011. – № 2 (10). – С. 44–50.
не требует установки дополнительного оборудова- 14. Кутейников И. С. Контроль уровня жидкости в
ния и позволяет определять состояние всей насос- нефтяной скважине // О важности информационных тех-
ной установки по одному-единственному параметру. нологий в производстве и образовании. – 61 с.
15. Глушаненко Ф.Н., Силкин С.И., Куприянов В.В. жин // Технологии добычи и использования углеводоро-
Анализ акустических методов применительно к гидроди- дов. – 2014. – №4 (3). – С. 1–5.
намическим свойствам пласта // Проблемы геологии и 19. Бормашов В.П. Уточнение динамического уров-
освоения недр: труды XX Междунар. симп. им. акад. ня затрубной жидкости в механизированных скважинах с
М.А. Усова студентов и молодых ученых, посвященного помощью глубинной термограммы // Нефтяное хозяйство. –
120-летию со дня основания Томского политехнического 2007. – № 7. – С. 124–128.
университета, Томск, 4–8 апреля 2016 г. – Томск, 2016. – 20. Исмагулова А.И., Романенко Н.Г. Моделирование
Т. 2. – С. 325–327. процесса измерения динамического уровня жидкости в
16. Петрушин Е.О., Арутюнян А.С. Анализ гидроди- штанговой глубинно-насосной установке на основе
намических исследований насосных скважин Восточно- средств динамометрирования // Вестник АГТУ. Сер.:
сургутского нефтяного месторождения // Наука. Техника. Управление, вычислительная техника и информатика. –
Технологии (Политехнический вестник). – 2015. – № 3. – 2013. – №1. – С. 29–37.
С. 59–80. 21. Белов И.Г. Исследование работы глубинных на-
17. Денисламов И.З., Гафаров Ш.А., Еникеев Р.М. сосов динамографом. – М.: Гостоптехиздат, 1960.
Гидростатическая информационная составляющая сква- 22. Сакаев А.Ф. Контроль и диагностика состояния
жинных флюидов // Проблемы сбора, подготовки и транс- оборудования штанговых глубинных насосов косвенным
порта нефти и нефтепродуктов. – 2014. – № 4. – С. 7–25. методом по ваттметрограмме с использованием искусст-
18. Денисламов И.З., Денисламова Г.И., Еникеев Р.М. венных нейронных сетей // Записки Горного института. –
Датчики давления на службе у интеллектуальных сква- 2007. – С. 101–104.
Секция 7
НЕЛИНЕЙНАЯ ОПТИКА
Председатель секции – Шандаров Станислав Михайлович, д.ф.-м.н., профессор, зав. каф. ЭП
УДК 621.372.8
А.Д. Безпалый, В.М. Шандаров
Исследование формирования оптически индуцированных

канальных волноводов вдоль «нефоторефрактивных»
направлений кристалла ниобата лития
Рассмотрены экспериментальные результаты, показывающие возможности формирования канальных волно-
водных структур вдоль «нефоторефрактивных» направлений ниобата лития лазерным излучением.
Ключевые слова: оптическое индуцирование, поточечное экспонирование, ниобат лития, фоторефрактивный
эффект, канальные волноводы.
Необходимость применения элементов управ- Целью данной работы является исследование

ления и локализации световых потоков на основе формирования канальных волноводных структур
фоторефрактивных материалов привела к стреми- при их поточечном индуцировании в фоторефрак-
тельному развитию исследований в области инте- тивном слое кристалла ниобата лития.
гральной оптики [1]. Одним из таких материалов Оптическое индуцирование волноводных
является ниобат лития, легирование различными структур
примесями которого повышает его фоторефрактив- В нашем случае канальные волноводы индуци-
ную чувствительность к воздействию света [2], бла- ровались путем последовательного поточечного экс-
годаря чему появляется возможность формировать понирования поверхности кристаллического образца
внутри кристалла такие структуры, как канальные LiNbO3 Y-среза c размерами 30×3×15 мм3 по осям X,
волноводы и дифракционные решетки [3]. На сего- Y, Z фокусированным лазерным пучком. Припо-
дняшний день известны различные методы форми- верхностная область пластины легирована ионами
рования волноводных и дифракционных элементов меди, толщина легированного слоя составляет около
[4], однако наиболее интенсивно сейчас исследуют- 100 мкм. Источниками света являлись YAG:Nd3+-
ся возможности их индуцирования лазерным излу- лазер с длиной волны излучения λ = 532 нм и полу-
чением [5]. проводниковый лазер с λ = 450 нм. Поляризация
Оптическое индуцирование канальных волно- экспонирующего излучения с мощностью 5–40 мВт
водов и дифракционных решеток можно осуществ- соответствовала обыкновенной волне кристалла.
лять различными способами, например, при помощи Расстояние между центрами экспонированных точек
фокусировки лазерного излучения цилиндрической составляло в разных экспериментах от 10 до 50 мкм.
линзой, амплитудной маски или, фокусируя свето- Площадь экспонируемого участка поверхности в
разных экспериментах изменялась от ~300 до
вой пучок сферической линзой, производить после-
2000 мкм2.
довательное поточечное экспонирование [6, 7].
Экспонированные области представляют собой
Поточечное формирование позволяет контроли-
2 параллельные полоски, сформированные из 12 то-
ровать локализацию экспонирующего излучения как
чек (рис. 1, а, б), и 25 (рис. 2, а, б) с различным рас-
по глубине кристалла, так и по его поперечным и
стоянием между их центрами. Время экспонирова-
продольным координатам, влияя тем самым на рас-
ния точки в разных экспериментах изменялось от 5
пределение суммарной интенсивности в фотореф-
до 12 с, минимальный диаметр светового пучка по
рактивном материале. Так, при индуцировании ка- уровню половинной интенсивности составлял 16 мкм.
нальных волноводов появляется возможность осу- При ориентации световой полоски вдоль опти-
ществлять периодическую модуляцию их парамет- ческой оси формирование фоторефрактивных фазо-
ров с различным шагом, что, в свою очередь, влияет вых элементов считается запрещенным (рис. 3, 4),
на продольную однородность структур, а также за- однако поточечное экспонирование поверхности
давать различную топологию и управлять ею в про- кристалла узким световым пучком показывает, что
цессе формирования. такая возможность появляется.
Секция 7. Нелинейная оптика 183
Моделирование распределения интенсивно-
сти индуцирующего светового поля
Влияние распределения суммарной интенсив-
ности излучения на изменение показателя прелом-
ления материала при его поточечном экспонирова-
нии фокусированным пучком можно описать выра-
жениями:
In(x, y) = I0[exp(–[(x – (n – 1)·l)2) + (y – q)2])]2, (2а)
Isum(x, y) = I1(x, y) + I1(x, y) + In(x, y), (2б)
а б где I0 – амплитудный множитель; l – сдвиг между
Рис. 1. Результат зондирования структуры, сформирован-
центрами пучков (мкм) вдоль оси Х, q – сдвиг между
ной поточечным экспонированием с расстоянием между
центрами точек 50 мкм центрами пучков (мкм) вдоль оси Y; Isum – суммарная
интенсивность; In – интенсивность n-го пучка.
Использовав математическую среду для реше-
ния задач технических вычислений MatLab R2015a,
нами получена модель суммарного распределения
интенсивности в линейном приближении при пото-
чечном экспонировании с шагом 20 и 40 между цен-
трами точек (рис. 5, 6).
а б
Рис. 2. Результат зондирования структуры, сформирован-
ной поточечным экспонированием с расстоянием между
центрами точек 25 мкм
Рис. 5. Распределение суммарной интенсивности

индуцирующего поля Isum(x, y) при поточечном
б экспонировании световым пучком с диаметром d = 16 мкм
по уровню половинной интенсивности при расстоянии
l = 16 мкм между центрами последовательно
перекрывающихся точек вдоль оси X
Рис. 3. Результат зондирования структур, сформирован-

ных перпендикулярно оптической оси кристалла поточеч-
ным методом (а) и с помощью цилиндрической линзы (б)
Рис. 6. Распределение суммарной интенсивности индуци-

рующего поля Isum(x, y) при поточечном экспонировании
б световым пучком с диаметром d = 16 мкм
при расстоянии l = 40 мкм между центрами
последовательно перекрывающихся точек вдоль оси X
Из рис. 5, 6 видно, что от изменения расстояния

Рис. 4. Результат зондирования структур сформированной
вдоль оптической оси кристалла поточечным
между световыми пятнами вдоль оси X зависит уро-
методом (а) и несформированной с помощью вень суммарной интенсивности индуцирующего
цилиндрической линзы (б) поля. Так появляется возможность влиять на изме-
нение показателя преломления материала и управ- оптической оси) и влияние индуцирующего светово-
лять тем самым однородностью структур. Следует го поля на параметры волноводных структур – пото-
отметить, что данное математическое описание чечного экспонирования на их продольную одно-
справедливо лишь для случая, когда насыщаемый родность. Такие структуры допускают многократ-
характер фоторефрактивной нелинейности не при- ную оптическую реконфигурацию, что представляет
нимается во внимание. Однако, оно наглядно демон- интерес в плане их использования в полностью оп-
стрирует, с какой топологией будет сформирована тических устройствах фотоники.
структура. Изменяя дистанцию между центрами
экспонируемых точек вдоль оси Y, можно проводить
их формирование с различной шириной. При сдвиге Данное исследование проведено при финансо-
одной из полос вдоль оси X на половину расстояния вой поддержке Министерства образования и науки
между центрами пятен формируется структура, ана- Российской Федерации (проект № 3.1110.2017/4.6 в
логичная форме волновода с s-образной топологией, рамках Госзадания вузу).
что наглядно демонстрирует результат моделирова-
ния на рис. 7.
1. Kip D. Photorefractive waveguides in oxide crystals:
fabrication, properties, and applications // Appl. Phys. B. –
1998. – Vol. 67. – PP. 131–150.
2. Петров М.П. Фоторефрактивные кристаллы в ко-
герентной оптике / М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хо-
менко. – СПб.: Наука. С.-Петербургское отд., 1992. – 320 с.
3. Шандаров С.М., Шандаров В.М., Мандель А.Е.,
Буримов Н.И. Фоторефрактивные эффекты в электрооп-
тических кристалах. – Том: Томск. гос. ун-т систем упр. и
радиоэлектроники, 2012. – 242 с.
4. Тренихин П.А., Шандаров В.М., Чен Ф. Исследо-
вание возможности продольной оптической модуляции
одномерных фоторефрактивных фотонных решеток в нио-
бате лития / Доклады ТУСУРа. – 2011. – № 2 (24), ч. 2. –
Рис. 7. Распределение суммарной интенсивности индуци- Томск: ТУСУР. – C. 131–134.
рующего поля Isum(x, y) при поточечном экспонировании 5. Marco Bazzan and Cinzia Sada. Optical waveguides
световым пучком с диаметром d = 16 мкм по уровню in lithium niobate: Recent developments and applications //
половинной интенсивности при расстоянии l = 25 мкм Applied Physic Reviews. – October 2015. – Vol. 2. –
между центрами последовательно перекрывающихся PР. 040603-1–040603-25.
точек вдоль оси X 6. Kanshu A. Optically-induced defect states in photonic
lattices:formation of defect channels, directional couplers, and
Заключение disordered lattices leading to Anderson-like light localization /
Таким образом, в работе экспериментально A. Kanshu, C.E. Rüter, D. Kip, V.M. Shandarov // Appl. Phys.
продемонстрированы возможности индуцирования B. – 2009. – Vol. 95, № 3. – РР. 537–543.
канальных волноводных структур вдоль «нефото- 7. Vittadello L. Photorefractive direct laser writing /
L. Vittadello, A. Zaltron, N. Argiolas et al. // J. Phys. D: Appl.
рефрактивных» направлений кристалла LiNbO3
Phys. – 2016. – Vol. 49 (125103). – 9 p.
(ориентация экспонированных полосок параллельна
УДК 535.44
А.В. Литвяков, Е.С. Сим, С.М. Шандаров, М.Г. Кистенева, Н.И. Буримов
Динамика двухволнового взаимодействия на отражательных

решетках в кристалле германата висмута
Представлены результаты экспериментального исследования динамики двухволнового усиления на отража-
тельной голографической решетке и развития фотоиндуцированного поглощения света с λ = 532 нм в кристалле
Bi12GeO20 среза (100), подвергнутого предварительной засветке некогерентным излучением.
Ключевые слова: динамическая голография, кристалл германата висмута, отражательная фоторефрактивная
голограмма.
Кристаллы класса силленитов Bi12SiO20, голографии как в пропускающей, так и в отража-

Bi12GeO20 и Bi12TiO20, обладающие хорошей фото- тельной геометрии [1–6]. Авторами [3] при реализа-
чувствительностью и электрооптическими свойст- ции голографической интерферометрической систе-
вами, используются в качестве функциональных мы реального времени отдано предпочтение моно-
материалов для реализации устройств динамической кристаллам Bi12GeO20 (BGO), BGO:Cu и Bi12SiO20
(BSO), вследствие возможности использования об- от его выходной грани. Динамика изменений во
разцов со значительными поперечными размерами, времени интенсивностей пучков Ip(t) и Is(t), про-
30×30 мм2 и более, с высокой оптической однород- шедшего через кристалл и испытывающего взаимо-
ностью. При этом они отмечают, что в пропускаю- действие на отражательной голограмме, регистриро-
щей геометрии оптимальные углы между взаимо- валась фотодиодами PD3 и PD1, соответственно.
действующими световыми пучками зависят от ис- Светоделительный куб BS и фотодиод PD2 исполь-
пользуемого образца среза (110) и длины волны λ и зовались для контроля дрейфа мощности входного
лежат в диапазоне между 40 и 52°, а кристаллы BGO лазерного пучка с интенсивностью I0, а затвор G2
и BGO:Cu для λ = 514 нм имеют эквивалентные позволял открывать и перекрывать его в ходе экспе-
времена отклика. Голограммы отражательного типа риментов.
в кристалле BGO среза (100) позволили автору [4] Для исследования влияния предварительной за-
экспериментально продемонстрировать в реальном светки на динамику формирования отражательной
времени вычитание изображений в схеме четырех- фоторефрактивной решетки использовались некоге-
волнового смещения, реализованной на длине волны рентное излучение синего и красного светодиодов
λ = 514 нм с использованием светового излучения LED c длинами волн λb ≈ 455 нм или λr ≈ 700 нм и
аргонового лазера. Влияние внешней некогерентной изображающая линза L, обеспечивающая на входной
подсветки на динамику формирования отражательных грани образца BGO интенсивности излучения 110
голограмм в кристалле Bi12TiO20 среза (100) лазер- или 50 мВт/см2 соответственно. Затвор G1 исполь-
ными пучками с длиной волны λ = 633 нм и на со- зовался для блокировки подсвечивающего некоге-
путствующее развитие в нем фотоиндуцированного рентного излучения после экспозиции кристалла до
оптического поглощения исследовалось в работе [7]. необходимой дозы облучения, составляющей
В настоящей работе представлены результаты 230 Дж/см2. При этом время экспозиции синим из-
экспериментальных исследований динамики двух- лучением составляло 2100 с, а красным – 4800 с.
волнового усиления на отражательной решетке и Естественная релаксация наведенных изменений
развития фотоиндуцированного поглощения в неле- происходила в течение суток, что и определяло про-
гированном кристалле BGO среза (100), а также межуток между различными экспериментами, пре-
влияния его предварительной засветки на характе- вышающий 24 ч.
ристики формируемой голограммы. Временные зависимости коэффициента двух-
Методика эксперимента пучкового усиления Γ(t), отражающие динамику
Для исследования динамики формирования от- взаимодействия на отражательной голограмме и фо-
ражательных решеток, а также фотоиндуцирован- тоиндуцированных изменений показателя поглоще-
ных изменений показателя оптического поглощения ния кристалла Δk(t), наблюдаемые при блокировке
использовалась экспериментальная установка, схема подсвечивающего пучка затвором G1 после включе-
которой представлена на рис. 1. ния в момент времени t = 0 входного лазерного пуч-
ка с помощью затвора G2, рассчитывались из экспе-
риментальных данных по методике, изложенной в
[8], по формулам:
1  I s (t ) I p (0) I 0 (t ) 
2
Г (t )   ln  , (1)
d  I 2p (t ) I s (0) I 0 (0) 
 
1  I (t ) I 0 (0) 
k (t )    ln  s . (2)
d  I s (0) I 0 (t ) 
Экспериментальные результаты
Рис. 1. Схема экспериментальной установки: Типичные временные зависимости интенсивно-
Laser – твердотельный лазер (λ = 532 нм); LED – свето- сти пучков, взаимодействующих на отражательной
диоды (λb ≈ 450 нм и λr ≈ 700 нм); G1, G2 – затворы; голограмме и испытывающих фотоиндуцированное
L – изображающая линза; BS – светоделительный куб; поглощение, при ориентации вектора линейной по-
PD1, PD2, PD3 – pin-фотодиоды BPW-34;
BGO – образец кристалла германата висмута
ляризации падающего пучка вдоль оси [001] на
входной грани исходного образца BGO (т.е. до его
предварительной экспозиции некогерентным излу-
Световой пучок от твердотельного лазера c
чением), представлены на рис. 2.
длиной волны λ = 532 нм, имеющий интенсивность
Соответствующие зависимости для динамики
I0 ≈ 140 мВт/см2 и линейную поляризацию на вход-
коэффициента двухпучкового усиления и показателя
ной грани образца, использовался для записи отра-
поглощения, рассчитанные по формулам (1) и (2),
жательных голограмм в кристалле BGO среза (100)
показаны на рис. 3.
толщиной d = 10,5 мм. В соответствии с методикой,
Как видно из рис. 3, обе кривые характеризуют-
описанной в [8], формирование фоторефрактивной
ся наличием двух участков: быстрого и медленного.
решетки с вектором K , ориентированным вдоль оси Коэффициент усиления имеет отрицательное значе-
[100], происходило за счет интерференции проходя- ние, достигающее около 0,012 см–1 на быстром на-
щего через образец светового пучка с отраженным
чальном участке, а далее его временная зависимость На рис. 4 представлены результаты эксперимен-
имеет немонотонный характер. Показатель погло- тов по двухпучковому взаимодействию на отража-
щения кристалла BGO при этом быстро увеличива- тельной решетке в кристалле BGO, как подвергну-
ется на начальном участке; после него наблюдается том предварительной засветке некогерентным излу-
переход к более медленному участку, где фотоинду- чением, так и в исходном состоянии. Вектор линей-
цированные изменения достигают максимума, а за- ной поляризации падающего пучка, как и в преды-
тем медленно уменьшаются со временем. дущем случае, был ориентирован вдоль оси [001].
а
Рис. 2. Временные зависимости интенсивностей сигналь-
ного Is и прошедшего Ip пучков, нормированные на на-
чальные значения, при записи отражательной фотореф-
рактивной голограммы в кристалле Bi12GeO20
б
Рис. 4. Временные зависимости: а – коэффициентов
двухпучкового усиления и б – изменений показателя по-
глощения в кристалле Bi12GeO20: Г, Δk – без предвари-
тельной засветки, Гb, Δkb – после предварительной засвет-
а ки синим излучением, Гr , Δkr – после предварительной
засветки красным излучением
Из рис. 4 следует, что максимальные изменения

как в коэффициенте двухпучкового усиления Γ(t),
так и в изменениях в показателе поглощения Δk(t)
наблюдаются при предварительной засветке излуче-
нием светодиода с λr ≈ 700 нм, а минимальные – без
какого-либо предварительного облучения. На всех
кривых можно выделить два участка: быстрый и
медленный. Если характер зависимостей Γ(t) на
рис. 4, а существенно зависит от начальных условий
формирования отражательной голограммы, то для
Δk(t) различия в кривых 1, 2 и 3 носят в основном
б
количественный характер.
Рис. 3. Временные зависимости: а – коэффициента двух- Заключение
пучкового усиления Γ(t); б – изменений показателя погло- Таким образом, экспериментально продемонст-
щения Δk(t) в кристалле Bi12GeO20 рировано, что предварительная экспозиция кристал-
ла BGO некогерентным излучением из видимой об- measurements on large objects // Applied Physics B: Lasers
ласти спектра (λb ≈ 455 нм или λr ≈ 700 нм) влияет and Optics. – 1999. – Т. 68. – №. 5. – РР. 1073–1083.
как на формирование в нем фоторефрактивных от- 4. Ja Y. H. Real-time image subtraction in four-wave
mixing with photorefractive Bi12GeO20 crystals // Optics
ражательных голограмм лазерным излучением с
Communications. – 1982. – Vol. 42, № 6. – РP. 377–380.
длиной волны 532 нм, так и на наблюдаемые при 5. Kukhtarev N., Che, B.S., Venkateswarl, P., Salam G.,
этом процессы фотоиндуцированного изменения Klein M. Reflection holographic gratings in [111] cut
оптического поглощения. Bi12TiO20 crystal for real time interferometry // Optics
Работа выполнена при поддержке Министерст- communications. – 1993. – Vol. 104, № 1-3. – PР. 23–28.
ва образования и науки Российской Федерации в 6. Колегов А.А., Шандаров С.М., Симонова Г.В. и др.
рамках проектной части Госзадания на 2017 г. и Адаптивная интерферометрия, использующая динамиче-
РФФИ (грант 16-29-14046-офи_м). ские отражательные голограммы в кубических фотореф-
рактивных кристаллах // Квантовая электроника. – 2011. –
Литература Т. 41, №9. – С. 847–852.
7. Колегов А.А. Формирование фоторефрактивной
1. Петров М.П. Фоторефрактивные кристаллы в ко-
решетки в кристалле титаната висмута в условиях внеш-
герентной оптике / М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хо-
ней некогерентной подсветки / А.А. Колегов и др. // Тр.
менко. – СПб.: Наука, 1992. – 320 с.
Пятой Междунар. конф. молодых ученых и специалистов
2. Kamshilin A.A., Romashko R.V., Kulchin Y.N.
«Оптика–2007». – СПб.: СПбГУИТМО, 2007. – С. 15–16.
Adaptive interferometry with photorefractive crystals // Jour-
8. Шандаров С.M. Фоторефрактивные эффекты в
nal of Applied Physics. – 2009. – Vol. 105, №. 3. – P. 1101.
электрооптических кристаллах / С.М. Шандаров и др. –
3. Georges M.P., Lemaire P.C. Real-time holographic
Томск: Том. гос. ун-т систем упр. и радиоэлектроники,
interferometry using sillenite photorefractive crystals. Study
2007. – 242 с.
and optimization of a transportable set-up for quantified phase
УДК 535.421:773.93
А.О. Семкин, И.А. Викулина, К.О. Гусаченко, Д.И. Дудник
Исследование условий волноводного режима распространения

оптического излучения в волноводных каналах
в фотополимерно-жидкокристаллических композициях
Представлены результаты теоретического исследования условий волноводного режима распространения, а
также модового состава оптического излучения в системе волноводных каналов, голографически сформиро-
ванных в фотополимерно-жидкокристаллических композициях. Модовый состав излучения определен путем
решения дисперсионного уравнения для TE-мод. Определена зависимость модового состава оптического излу-
чения от условий формирования волноводных каналов.
Ключевые слова: фотополимерно-жидкокристаллические материалы, ФПМ-ЖК, модовый состав, система
волноводных каналов, математическое моделирование.
Создание интегрально-оптических элементов в угольному. В эксперименте, представленном в рабо-

настоящее время является весьма актуальной зада- те [3], показано, что путем уменьшения угла падения
чей. Особенно перспективным представляется соз- записывающего излучения можно формировать
дание управляемых волноводов, условиями распро- структуры со сложным ангармоническим простран-
странения света в которых можно управлять с по- ственным профилем показателя преломления.
мощью внешнего воздействия, например электриче- На рис. 1 показаны система волноводных кана-
ского поля. Одним из возможных решений данной лов и расчетный профиль показателя преломления
задачи является формирование системы волновод- из [2].
ных каналов голографическим методом в фотополи- Целью данной работы является исследование
меризущейся композиции, содержащей жидкие кри- условий волноводного режима распространения све-
сталлы [1]. та в волноводных каналах, голографически сформи-
В работе [2] была теоретически обоснована рованных в ФПМ-ЖК, и определение модового
возможность формирования управляемой системы состава оптического излучения, распространяюще-
волноводных каналов с квазипрямоугольным про- гося в них.
филем показателя преломления в композиционных Основные выражения для проведения исследо-
фотополимерно-жидкокристаллических материалах вания приведены в соответствии с [4]. Данные для
(ФПМ-ЖК) голографическим методом. Было пока- моделирования были взяты из работ [5–7], в которых
зано, что при малых углах падения записывающих определен оптимальный состав композиции, геомет-
пучков пространственный профиль показателя пре- рические параметры образца и параметры записи
ломления формируемой структуры близок к прямо- голографических дифракционных структур.
где N m – эффективный показатель преломления;

k0 – волновое число в вакууме.
При заданных параметрах структуры в ней мо-
жет существовать ограниченное число мод, по-
скольку величина Nm изменяется в пределах от
n0 < Nm < n2. Так как h >> l и (n2 – n1)>>( n2 – n0), то
волноводный режим распространения света будет
определяться только параметрами голографически
сформированных волноводных каналов (их шири-
ной l и разницей показателей преломления n0 и n2).
а
Разница показателей преломления Δn = n0 – n2
для голографической дифракционной структуры
может быть определена по выражению Когельника:
 cos 
n   arcsin(  ) , (2)
h
где η – дифракционная эффективность структуры.
Ширина волноводного канала в данной работе
принята как полупериод голографической структуры
(см. рис. 2). В свою очередь период зависит от угла
падения формирующего излучения:

 , (3)
2sin()
б где Λ – период структуры; λ – длина волны форми-
Рис. 1. Голографическое формирование системы рующего излучения.
волноводных каналов: а – геометрия записи;
б – расчетный профиль показателя преломления (θ – угол
Численное моделирование проводилось учиты-
Брэгга; E0 и E1 – плоские монохроматические волны) вая оптимальный состав образца и его геометриче-
ские размеры [5–7]
Неизменяемые параметры при численном моделиро-

вании
E0 E1 λ 9 Длина волны излучения
α 633 10 м
h 100  10 6 м Толщина образца
n1 Показатель преломления ФПМ-
n0 1,54
n0 ЖК вне сформированного канала
l n2 h Из (2) – изменение показателя
Δn 1,99  10 3
преломления при формировании
n1
Λ На рис. 3 представлен результат численного мо-
Рис. 2. Система волноводных каналов, сформированных делирования зависимости количества мод, способ-
голографическим методом в ФПМ-ЖК: n0 – показатель ных распространяться, от условий записи структуры
преломления ФПМ-ЖК вне сформированного канала; (угла падения формирующих пучков).
n1 – показатель преломления подложки; n2 – показатель
преломления ФПМ-ЖК в области сформированного
канала; l – ширина волноводного канала; α – угол падения
формирующих пучков,   2  ; h – толщина образца
(100 мкм); Λ – период структуры
Волноводный режим распространения оптиче-

ского излучения в волноводных каналах в ФПМ-ЖК
выполняется, если в канале существует хотя бы одна
мода с номером m. Номер моды определяется дис-
персионным уравнением (1), представленным в [4]:
 N 2  n2   N 2  n2 
arctg 2m 20   arctg 2m 20   k0  l n22  Nm2
 n2  Nm   n2  Nm 
m     ,

(1) Рис. 3. Результат численного моделирования
Результаты моделирования показывают, что при К.О. Гусаченко, Д.И. Дудник, А.О. Семкин // Матер. Меж-
голографическом формировании системы волновод- дунар. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых
ных каналов в ФПМ-ЖК волноводный режим рас- ученых «Научная сессия ТУСУР–2016». – Томск:
В-Спектр, 2016. – Ч. 2. – С. 260–263.
пространения оптического излучения выполняется.
3. Семкин А.О. Экспериментальное исследование
При углах падения формирующих пучков менее гармонического состава голографических дифракционных
2,24° выполняется многомодовый режим распро- структур в фотополимерных материалах / И.А. Викулина,
странения. При этом одномодовый режим будет вы- К.О. Гусаченко, А.О. Семкин // Сб. науч. тр. XIV Между-
полняться при углах падения больше 2,24°, но при нар. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых. –
этом уменьшается ширина сформированного волно- Томск: Том. политехн. ун-т, 2017. – Т. 7: IT-технологии и
водного канала, что ведет к усложнению оптических электроника. – С. 39–41.
схем ввода излучения в волновод, а также к возмож- 4. Шандаров В.М. Основы физической и квантовой
ным межканальным взаимодействиям. оптики: учеб. пособие. – Томск: Том. гос. ун-т систем упр.
Таким образом, в работе приведены результаты и радиоэлектроники, 2005. – 258 с.
5. Семкин А.О. Экспериментальное исследование
исследования условий волноводного режима рас- формирования и считывания неоднородных голографиче-
пространения света в волноводных каналах в ФПМ- ских ФПМ-ЖК структур / А.О. Семкин, С.Н. Шарангович,
ЖК. Определены критерии выполнения волноводно- Е.В. Васильев, В.В. Шелковников // Ученые записки фи-
го режима, а также модовый состав излучения. По- зического ф-та Моск. ун-та. – 2015. – № 4. – С. 154304-1–
лученные результаты могут быть использованы для 154304-3.
разработки интегрально-оптических устройств на 6. Семкин А.О. Голографическое формирование не-
основе фотополимерно-жидкокристаллических ком- однородных дифракционных структур в ФПМ-ЖК с уче-
позиций. том фотополимеризационно-диффузионного и поляриза-
ционного механизмов записи / А.О. Семкин, С.Н. Шаран-
Литература гович // Электронные средства и системы управления:
матер. докл. X Междунар. науч.-практ. конф. (12–14 нояб-
1. Semkin A.O., Sharangovich S.N. Theoretical model of ря 2014 г.). – 2014. – Ч. 1. – С. 180–189.
controllable waveguide channels system holographic 7. Довольнов Е.А. Нелинейная модель записи и счи-
formation in photopolymer-liquid crystalline composition // тывания голографических дифракционных решеток про-
Physics Procedia. – 2017. – Vol. 86. – PР. 181–186. пускающего типа в поглощающих фотополимерах. 1. Тео-
2. Теоретическая модель голографического формиро- ретический анализ / Е.А. Довольнов, С.Н. Шарангович //
вания системы управляемых волноводных каналов в ком- Изв. вузов. Физика. – 2005. – Т. 48, № 5. – С. 56–63.
позиционных ФПМ-ЖК-материалах / И.А. Викулина,
УДК 535.215.6
А.С. Перин, Т.Л. Григорян, Б.М. Будаев, В.М. Шандаров
Формирование оптических волноводов в ниобате лития

синфазными светлыми пространственными солитонами
Экспериментально продемонстрировано формирование канальных волноводных оптических элементов при ко-
герентном взаимодействии синфазных светлых пространственных солитонов, возбуждаемых в объеме фото-
рефрактивного образца ниобата лития лазерными пучками с длиной волны излучения 532 нм, в условиях обра-
щения знака нелинейно-оптического отклика материала за счет вклада пироэлектрического эффекта. Проде-
монстрированы эффекты формирования и взаимодействия светлых солитонов, в результате которых в кристал-
лическом образце могут генерироваться волноводные элементы с непрямолинейной конфигурацией.
Ключевые слова: пространственный оптический солитон, пироэлектрический эффект, ниобат лития.
При распространении световых волн в оптиче- формированием пространственными солитонами

ски нелинейной среде возможно проявление эффек- нелинейных линз и оптических волноводов [1, 2]. В
тов самовоздействия, результатом которых является некоторых кристаллических материалах нелинейно-
изменение пространственной и спектральной струк- оптический отклик проявляется уже при интенсив-
туры световых полей [1, 2]. При пространственном ностях света в несколько Вт/см2, что делает их при-
самовоздействии может наблюдаться самофокуси- влекательными как в плане изучения тонких осо-
ровка или самодефокусировка световых пучков. Ча- бенностей солитонных явлений, так и при реализа-
стным случаем эффекта самовоздействия является ции полностью оптических элементов и устройств
режим пространственных оптических солитонов, фотоники [3, 4]. Одним из таких материалов являет-
при котором дифракционное уширение светового ся кристалл ниобата лития (LiNbO3), фоторефрак-
пучка полностью компенсируется оптической неод- тивный нелинейный отклик которого в обычных
нородностью, наведенной в среде самим пучком. В условиях носит самодефокусирующий характер [5,
прикладном плане интерес к такому режиму связан с 6]. Однако, помимо фоторефрактивного эффекта,
сегнетоэлектрик LiNbO3 обладает сильным нели- подложкой нагревателя наносился тонкий слой теп-
нейным откликом, обусловленным пироэлектриче- лопроводящей пасты. Остальные грани кристалла
ским эффектом. Так, недавно продемонстрирован имели непосредственный контакт с окружающей
солитонный режим распространения узких моно- воздушной средой. В процессе экспериментов кри-
хроматических световых пучков за счет компенса- сталлический образец нагревался до необходимой
ции их естественной дифракционной расходимости температуры, контроль которой осуществлялся бес-
при изменении показателя преломления материала в контактным инфракрасным термометром с точно-
освещенной области вследствие пироэлектрического стью ± 2 °С.
эффекта в условиях однородного нагрева образцов Поперечные размеры светового пучка возрас-
LiNbO3 [7, 8]. Целью данной работы явилось экспе- тают при распространении в среде, что связано с
риментальное исследование возможности формиро- эффектами естественной (линейной) дифракции.
вания канальных волноводных сумматоров световой Вследствие этого, поперечный размер пучка увели-
мощности синфазными пространственными солито- чивается с 15 до ~75 мкм при распространении света
нами в кристаллическом образце LiNbO3 при вкладе в кристаллическом образце. Световая мощность при
пироэлектрического эффекта в нелинейный отклик. исследовании линейной дифракции пучков состав-
Источником излучения в экспериментах являет- ляла 1–2 мкВт для исключения влияния фотореф-
ся непрерывный твердотельный лазер YAG:Nd3+ с рактивного эффекта на дифракционные искажения
удвоением частоты (длина волны излучения λ = пучка. Образец в исходном состоянии имел комнат-
= 532 нм, выходная мощность до 50 мВт). Для фор- ную температуру (Т ≈ 25 ºС). Исследуемый образец
мирования синфазных световых пучков заданного не легирован специальными примесями, однако фо-
диаметра, распространяющихся в кристаллическом торефрактивный эффект в нем проявляется при воз-
образце в параллельных направлениях, использова- действии света видимых длин волн из-за присутст-
лась оптическая схема из амплитудной дифракцион- вия в шихте неконтролируемых примесей во время
ной решетки, пространственного фильтра, двух фо- выращивания кристалла и наличия в нем дефектов
кусирующих линз и микрообъектива. решетки. Вследствие фоторефрактивного эффекта в
После дифракции на амплитудной решетке с освещенной области кристаллического образца воз-
помощью пространственного фильтра из светового никает электрическое поле пространственного заря-
поля выделялись дифракционные максимумы по- да в направлении, параллельном полярной оси кри-
рядков +1 и –1. Плоскость дифракции параллельна сталла. Самодефокусирующий характер фотореф-
плоскости, в которой лежат оптическая ось кристал- рактивной оптической нелинейности LiNbO3 приво-
ла и волновые векторы световых пучков. Фокуси- дит к индуцированию полем пространственного за-
рующие линзы с фокусными расстояниями F1 и F2 ряда нелинейной отрицательной линзы в освещен-
размещались на расстоянии F1+F2. Варьированием ной области вследствие линейного электрооптиче-
фокусных расстояний второй линзы и микрообъек- ского эффекта. Нелинейная отрицательная линза
тива обеспечивалось параллельное распространение увеличивает дифракционную расходимость индуци-
световых пучков в образце с требуемым диаметром рующего ее светового пучка в направлении поляр-
световых пятен на его входной плоскости. Световые ной оси. Таким образом, фоторефрактивные свойст-
поля на передней (входной) и задней (выходной) по- ва ниобата лития приводят к нелинейной дифракции
верхностях образца изучались с помощью анализато- светового пучка.
ра лазерных пучков. В работах [7–9] показано, что в случае двумер-
В реальных экспериментах диаметр светового ных гауссовых световых пучков компенсация как
пучка по уровню половинной интенсивности на линейной, так и нелинейной дифракции света дос-
входной поверхности кристалла составлял ~15 мкм. тигается путем однородного нагрева кристалличе-
Расстояние между центрами параллельных синфаз- ского образца. Изменение температуры кристалла
ных световых пучков в кристалле в разных экспери- приводит к изменению его спонтанной поляризации
ментах изменялось в диапазоне от 105 до 245 мкм. и возникновению пироэлектрического поля Epy, по-
Свет в кристаллическом образце распространялся в нижающего показатели преломления однородно на-
направлении, параллельном оси Х. Образец LiNbO3 гретого LiNbO 3 :
1
конгруэнтного состава имел размеры 10×4×4 мм3 E py   pT ,
вдоль осей X, Y, Z соответственно. Поляризация o r
формирующего светового поля соответствовала не- где p – пироэлектрический коэффициент; ΔT – изме-
обыкновенной волне в кристалле. Перемещение об- нение температуры; ε0 и εr – диэлектрическая про-
разца в поперечном направлении относительно ла- ницаемость вакуума и относительная диэлектриче-
зерных пучков осуществлялось с помощью линей- ская проницаемость среды.
ного транслятора с микрометрической точностью В освещенной области пироэлектрическое поле
позиционирования. Исследуемый кристаллический Epy экранируется вследствие фотопроводимости сре-
образец размещался на поверхности элемента Пель- ды, приводящей к дрейфовому перераспределению
тье, обеспечивающего однородный (или почти одно- носителей заряда и компенсации этого поля. Таким
родный) нагрев образца. Для лучшей термопередачи образом, совместное воздействие фоторефрактивно-
между поверхностью кристалла и керамической го и пироэлектрического эффектов при определен-
ных условиях может приводить к формированию тивоположный характер, поскольку противофазные
двумерного светлого пространственного солитона и солитоны демонстрируют эффект отталкивания.
формированию канального оптического волновода,
устраняющего эффект дифракционного расплывания
светового пучка. Если световое поле имеет более
сложную структуру, чем просто гауссов пучок, воз-
можно проявление эффектов взаимодействия про-
странственных солитонов. Результатом когерентного
взаимодействия являются притяжение или отталки-
вание пространственных солитонов, в зависимости
от того, синфазными или противофазными полями
они генерируются.
Для возбуждения синфазных пространственных
солитонов в работе использовалась описанная мето-
дика пространственной фильтрации нужных ди-
фракционных максимумов при дифракции лазерного
излучения на амплитудной дифракционной решетке. Рис. 2. Результаты экспериментов. Временные зависимо-
сти отношения расстояния между центрами световых пуч-
Пространственный период решеток в экспериментах ков на входной (Hвх) и выходной (Hвых) плоскостях образ-
изменялся от 150 до 280 мкм, при этом расстояние ца в режимах синфазных (при разных начальных расстоя-
между центрами пучков на входной плоскости изме- ниях между пучками) и противофазных (при различной
нялось от 245 до 105 мкм. Результат изменения рас- ориентации фазирования) двумерных светлых простран-
стояния между центрами пучков иллюстрируется ственных солитонов
картинами на рис. 1, соответствующими пространст-
венному периоду дифракционной решетки 170 мкм. Таким образом, в работе впервые реализован и
изучен эффект взаимодействия двумерных светлых
пространственных солитонов в кристаллах LiNbO3 в
условиях совместных вкладов фоторефрактивного и
пироэлектрического эффектов в нелинейный отклик
материала при длине волны света 532 нм. Данный
эффект может использоваться для формирования в
таких кристаллах оптически реконфигурируемых
элементов и их массивов, пригодных как для долго-
временного хранения информации (в кристаллах
ниобата лития время хранения может превышать
сотни часов), так и для оперативной реконфигура-
ции их топологии.
Работа выполнена в рамках проектной части
(проект по заявке 3.1110.2017/ПЧ) и базовой части
(задание № 3.8898.2017/БЧ) Госзадания Минобрнау-
ки РФ на 2017–2019 годы.
Рис. 1. Картины световых полей на входной (а) и выход- Литература
ной (б) поверхностях образца. Картины (б) соответствуют 1. Akhmanov S.A. Self-focusing and diffraction of light
режиму светлых двумерных пространственных солитонов in a nonlinear medium / S.A. Akhmanov, A.P. Sukhorukov,
R.V. Khokhlov // Sov. Phys. Usp. – 1968. – № 10. – РP. 609–634.
В эксперименте световая мощность составляла 2. Kivshar Y.S. Optical solitons: from fibers to photonic
100 мкВт, а для установления солитонного режима crystals / Y.S. Kivshar, G.P. Agrawal. – Academic Press, 2003. –
образец нагревался с помощью элемента Пельтье до 540 р.
55 °С. В этом случае эффект взаимодействия син- 3. Chen Z. Optical spatial solitons: historical overview
фазных светлых пространственных солитонов при- and recent advances / Z. Chen, M. Segev, D.N. Christo-
водил к сближению центров световых пучков на doulides // Rep. Prog. Phys. – 2012. – Vol. 75. – Art. 086401.
выходной плоскости образца и расстояние между 4. Chekalin S.V. From self-focusing light beams to
ними уменьшалось примерно в 1,6 раза. Зависимо- femtosecond laser pulse filamentation / S.V. Chekalin,
V.P. Kandidov // Phys. Usp. – 2013. – Vol. 56, № 2. –
сти расстояния между центрами световых пучков на PP. 123–140.
выходной плоскости в процессе формирования дву- 5. Petrov M.P. Photorefractive Crystals in Coherent
мерных солитонов (рис. 2) иллюстрируют его влия- Optical Systems / M.P. Petrov, S.I. Stepanov, A.V. Khomenko. –
ние на степень взаимодействия синфазных про- Berlin: Springer-Verlag, 1991. – 275 p.
странственных солитонов. На этом же рисунке при- 6. Kip D. Photorefractive waveguides in oxide crystals:
ведены аналогичные зависимости для случая проти- fabrication, properties, and applications // Appl. Phys. B. –
вофазных светлых солитонов из [9], имеющие про- 1998. – Vol. 67. – PP. 131–150.
7. Safioui J. Pyroliton: pyroelectric spatial soliton / 9. Perin A.S. Photonic waveguide structures in
J. Safioui, F. Devaux, M. Chauvet // Optics Express. – 2009. – photorefractive lithium niobate with pyroelectric mechanism
Vol. 17, № 24. – PP. – 205–212. of nonlinear response / A.S. Perin, V.M. Shandarov,
8. Popescu S.T. Recording of self-induced waveguides V.Yu. Ryabchenok // Phys. of Wave Phenom. – 2016. –
in lithium niobate at 405 nm wavelength by photorefractive- Vol. 24, № 1. – PP. 7–10.
pyroelectric effect / S.T. Popescu, A. Petris, V.I. Vlad //
J. Appl. Phys. – 2013. – Vol. 113. – Art. 213110.
УДК 535.215.6
А.В. Пустозеров, В.М. Шандаров
Влияние некогерентной фоновой подсветки на дифракционные

характеристики световых пучков в кристалле ниобата лития
с фотовольтаическим механизмом нелинейного отклика
Обсуждаются результаты экспериментального исследования влияния фоновой подсветки с длинами волн синей
части видимого диапазона с низкой пространственной когерентностью, на дифракционную расходимость коге-
рентных световых пучков с длиной волны 633 нм в ниобате лития, легированном железом.
Ключевые слова: ниобат лития, эффект фоторефракции, фотовольтаический эффект, некогерентный фон.
В нелинейных оптических средах при распро- Экспериментальные установки

странении светового пучка проявляются эффекты и экспериментальные результаты
самовоздействия. В пространственной области это На первом этапе исследуется влияние некоге-
приводит к самофокусировке и самодефокусировке рентной подсветки на изменение необыкновенного
пучков. Эффект самовоздействия световых пучков показателя преломления кристалла с использовани-
позволяет реализовать режим пространственных ем метода интерференции двух лучей. Излучение
оптических солитонов, создающих в среде волно- He-Ne-лазера с длиной волны 633 нм и мощностью
водные оптические элементы [1, 2]. В настоящее от 10 до 100 мкВт распространяется в образце
время к таким эффектам проявляется повышенный LiNbO3 вдоль близкого к оси Y направления. Отра-
интерес, поскольку в фоторефрактивных кристаллах женные от входной и выходной поверхностей образ-
они могут наблюдаться при очень низкой интенсив- ца пучки интерферируют вследствие небольшой
ности света. Один из уникальных материалов среди непараллельности этих поверхностей. Положение
таких кристаллов – ниобат лития (LiNbO3), легиро- максимумов интерференционной картины определя-
ванный в процессе выращивания некоторыми при- ется изменением фазы световой волны при ее двой-
месями, например железом (Fe) и медью (Cu). Одна- ном прохождении внутри кристалла. Пространст-
ко фоторефрактивный нелинейный отклик LiNbO3 венный сдвиг интерференционных максимумов,
является самодефокусирующим (показатель прелом- обусловленный некогерентной подсветкой, изучает-
ления материала уменьшается в освещенной области) ся с помощью анализатора лазерных пучков.
и только темные пространственные солитоны могут В экспериментах в качестве источников некоге-
генерироваться в данном кристалле за счет фотоволь- рентного фона используются светодиоды (LED) с
таического механизма [1, 2]. Для изменения знака центральными длинами волн 400, 465 и 525 нм.
нелинейного оптического отклика необходимо, наря- Кристаллический образец LiNbO3: Fe (0,005%) име-
ду с фотовольтаическим, использовать и другие фи- ет размеры 10×5×10 мм3 вдоль осей X, Y и Z. Линей-
зические механизмы. Это, например, внешнее при- но поляризованное излучение He-Ne-лазера падает
ложенное электрическое поле, способное компенси- на входную поверхность образца (Y-плоскости) под
ровать фотовольтаический ток, а также термооптиче- углом ~ 10˚ к оси Y в YZ-плоскости кристалла. Поля-
ский и пироэлектрический эффекты [3, 4]. Кроме то- ризация света соответствует необыкновенной волне.
го, в [5, 6] предложено использовать для этой цели Некогерентное фоновое излучение вводится в обра-
спектральную зависимость величины фотовольтаи- зец через выходную его поверхность. В эксперимен-
ческого тока при освещении кристалла световыми тах исследуются временные зависимости сдвига
пучками с разными длинами волн. максимумов интенсивности в интерференционной
В данной работе экспериментально исследуется картине при различных длинах волн фоновой под-
влияние некогерентной фоновой подсветки с разны- светки.
ми центральными длинами волн на дифракцию уз- Изменение необыкновенного показателя пре-
ких световых пучков в образце LiNbO3:Fe с длиной ломления оказалось наибольшим при длине волны
волны 633 нм. фоновой подсветки 465 нм и оптической мощности
He-Ne-лазерного излучения 10 мкВт. При наличии Рисунок 2 иллюстрирует световые картины и их
подсветки наблюдался постепенный сдвиг максиму- профили интенсивности в направлении оптической
мов интерференционной картины в течение времени оси кристалла.
до 40 мин. Это можно объяснить появлением фото- С течением времени световая картина на вы-
вольтаического поля в образце LiNbO3: Fe при его ходной плоскости образца деформируется, ее разме-
освещении некогерентным светом с почти однород- ры в направлении оптической оси возрастают вслед-
ным распределением интенсивности. Фотовольтаи- ствие возникновения электрического поля простран-
ческое поле Epv изменяет показатель преломления ственного заряда, обусловленного фотовольтаиче-
LiNbO3 вследствие линейного электрооптического ским током в освещенной области образца. Это
эффекта на величину n = –0,5n3rEpv, где n и r – по- электрическое поле приводит к понижению показа-
казатель преломления и электрооптический коэффи- теля преломления кристалла вследствие линейного
электрооптического эффекта и возникновению в
циент, соответствующие поляризации и направле-
освещенной области нелинейной дефокусирующей
нию распространения светового пучка в кристалле.
линзы. В свою очередь наличие такой линзы ведет к
Таким образом, фазовый сдвиг световой волны He-
возрастанию дифракционной расходимости светово-
Ne-лазера внутри образца изменится на значение го пучка в направлении оптической оси кристалла,
knL, где k – волновое число света в свободном про- вдоль которой течет фотовольтаический ток. Это
странстве, L – длина пути света. Фотовольтаический изменение приводит к нелинейной дифракции све-
эффект в LiNbO3: Fe демонстрирует сильную зави- тового пучка.
симость от длины волны света. Эксперименты с ис-
пользованием источников света с разными длинами
волн для фоновой подсветки позволяют определить
условия для контроля характеристик светового луча
в материалах с фоторефрактивными свойствами.
Модельные рассмотрения изменения интерфе-
ренционной картины при воздействии некогерент-
ной подсветки позволили оценить величину измене-
ния показателя преломления кристалла для необык-
новенной волны ne. Оценка дала ne≈(0,1–0,15)·10–4,
что согласуется с реальными значениями фотореф-
рактивного изменения показателя преломления нио-
бата лития.
Для исследования влияния некогерентной под- a
светки на дифракцию световых пучков в кристалле
используются экспериментальные установки, схемы
(рис. 1). Роль источников некогерентного излучения
в экспериментах играли LED с центральной длиной
волны излучения 465 нм и полупроводниковый ла-
зер с длиной волны света 450 нм. В первом случае
(рис. 1, а) излучение LED с помощью комбинации б
сферической (SL) и цилиндрической (CL) линз фо- Рис. 1. Схемы экспериментальных установок
кусировалось в виде полоски на боковую поверх-
ность образца, а излучение He-Ne-лазера фокусиро-
валось на его входную поверхность и распространя-
лось в освещенной области. С помощью анализатора
лазерных пучков (LBA) изучалась эволюция свето-
вого поля на выходной поверхности образца в слу-
чае отсутствия и наличия фоновой подсветки.
Во втором случае (рис. 1, б) излучение полупро-
водникового лазера с длиной волны  = 450 нм вво-
дится в кристалл в направлении, параллельном на-
правлению распространения светового пучка с Вход Выход
 = 633 нм с помощью светоделительного кубика. Рис. 2. Световые картины и профили их интенсивности
Сферические линзы (SL) позволяют варьировать на входной и выходной плоскостях образца
площадь поперечного сечения излучения фоновой
подсветки. В условиях некогерентной коротковолновой
В разных экспериментах диаметр пучка подсветки в кристалле генерируется также электри-
( = 633 нм) по уровню половинной интенсивности ческое поле пространственного заряда, распределе-
на входной плоскости образца составлял 9 и 20 мкм. ние которого в пространстве определяется распреде-
Вследствие линейной дифракции он возрастал до лением интенсивности некогерентного фона. При
~50 мкм при распространении света в кристалле. наличии «сигнального» светового пучка с длиной
волны, достаточной для фотовозбуждения носителей новка, схема которой представлена на рис. 1, б. Не-
электрического заряда, эти носители дрейфуют под которые результаты исследования для этого случая
действием поля пространственного заряда, результа- иллюстрируют картины на рис. 4. В данном случае
том чего может явиться экранирование электриче- мощность сигнального пучка составляла 100 мкВт, а
ского поля в освещенной области. Соответственно в его диаметр по половинному уровню интенсивности
области, освещенной «сигнальным пучком», показа- на входной плоскости 20 мкм. Фоторефрактивные
тель преломления материала образца может оказать- искажения светового поля на выходной поверхности
ся повышенным в сравнении с его величиной в об- образца в условиях без фоновой подсветки развива-
ласти фоновой подсветки. Таким образом, обе части лись значительно быстрее и достигали почти макси-
дифракции сигнального пучка (нелинейная и линей- мума при экспозиции в 7–10 мин (верхний ряд). В
ная) могут быть скомпенсированы благодаря ис- свою очередь, при воздействии коротковолновой
пользованию коротковолновой фоновой подсветки. фоновой подсветки скомпенсированной оказалась не
Это может изменить знак нелинейного отклика кри- только нелинейная дифракция светового пучка, но и
сталла ниобата лития на обратный, как и в случаях частично (~10%) компенсировалась его линейная
использования для этого внешнего электрического дифракция (нижний ряд). Оценка соотношений ин-
тенсивностей «сигнального» пучка и подсветки по-
поля и однородного нагрева кристаллического образца.
казала, что и в данном случае эта величина для под-
Результаты влияния излучения LED с длиной
светки меньше в 10–15 раз. Для полной компенса-
волны 465 нм на дифракционную расходимость
ции линейной дифракции «сигнального» пучка не-
«сигнального» пучка с  = 633 нм иллюстрируются
обходимо, чтобы соотношение этих интенсивностей
картинами на рис. 3. Мощность «сигнального» пуч-
было близко к единице.
ка составляет в этом случае около 10 мкВт. При экс-
позиции кристалла только «сигнальным» пучком без
фоновой подсветки наблюдалась деформация свето-
вой картины на выходной плоскости образца в на-
правлении оптической оси кристалла. В результате
воздействия коротковолновой фоновой подсветки
наблюдается частичная компенсация нелинейной
дифракции «сигнального» пучка, связанной с фото-
рефрактивными свойствами кристалла. Полная ком-
пенсация нелинейной дифракции в этом экспери-
менте не могла быть достигнута, поскольку локаль-
ная интенсивность светового поля «сигнального»
пучка практически на три порядка превышала тако-
вую для фоновой подсветки.
Рис. 4. Фоторефрактивные искажения светового поля на

выходной плоскости образца в условиях без подсветки
(верхний ряд) и с подсветкой ( = 450 нм) – нижний ряд.
Диаметр «сигнального» пучка 20 мкм
Таким образом, экспериментальные результаты

демонстрируют возможность контроля дифракцион-
ных характеристик узких когерентных световых
пучков путем вклада в фотовольтаический механизм
транспорта носителей заряда пространственно од-
нородного некогерентного светового поля с длиной
волны света, меньшей длины волны «сигнального»
пучка.
Данное исследование проведено при финансо-
вой поддержке Министерства образования и науки
Рис. 3. Влияние некогерентного света ( = 465нм) на Российской Федерации (проект № 3.1110.2017/4.6).
дифракцию He-Ne-лазерного луча в кристалле LiNbO3:Fe.
Диаметр «сигнального» пучка 9 мкм, время экспозиции Литература
без фона и при наличии фона 60 мин 1. George I. Stegeman, Mordechai Segev. Optical Spatial
Solitons and Their Interactions: Universality and Diversity //
В других экспериментах для повышения интен- Science. – 1999. – Vol. 286. – РР. 1518–1523.
сивности фоновой подсветки ее роль выполняло 2. Kip D. Photorefractive waveguides in oxide crystals:
излучение полупроводникового лазера ( = 450 нм), fabrication, properties, and applications // Appl. Phys. B. –
для этого использовалась экспериментальная уста- 1998. – Vol. 67. – РР. 131–150.
3. Fazio E., Renzi F., Rinaldi R. et al. Screening- 5. Anastassiou Ch., Shih M., Mitchell M., Chen Z.,
photovoltaic bright solitons in lithium niobate and associated Segev M. Optically induced photovoltaic self-defocusing-to-
single-mode waveguides // Appl. Phys. Lett. – 2004. – self-focusing transition // Opt. Lett. – 1998. – Vol. 23.
Vol. 85. – РР. 2193–2195. 6. She W.-L., Xu C.C., Guo B., Lee W.-K., Formation of
4. Jassem Safioui, Fabrice Devaux, Mathieu Chauvet. photovoltaic bright spatial soliton in photorefractive LiNbO3
Pyroliton: pyroelectric spatial soliton // Optics express. – crystal by a defocused laser beam induced by a background
2009. – Vol. 17. – РР. 205–212. laser beam // J. Opt. Soc. Am. B. – 2006. – Vol. 23. –
РР. 121–126.
Секция 8
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Сопредседатели секции – Шиняков Юрий Александрович, д.т.н., директор НИИ КТ;
Семенов Валерий Дмитриевич, к.т.н., профессор каф. ПрЭ
УДК 621.31
К.В. Аржанов
Слежение солнечных установок за Солнцем

при действии ветровой нагрузки
Приведены результаты разработки системы слежения солнечных батарей за Солнцем при учете воздействия
ветровой нагрузки. Представлены алгоритм и модель системы слежения с шаговыми двигателями, позволяю-
щие обеспечить плавность и непрерывность работы системы слежения солнечных батарей за Солнцем при
влиянии случайных нагрузок, в том числе ветровой.
Ключевые слова: солнечная батарея, ветровая нагрузка, шаговый двигатель, регулятор, модель, слежение за
Солнцем.
Одним из способов повышения энергетической женное и приведенные диаграммы перемещения,

эффективности солнечных батарей (СБ) является предлагается алгоритм регулирования амплитуды
использование системы слежения СБ за Солнцем. В тока в ШД в функции от косвенной ошибки по по-
системах слежения широко применяются электро- ложению и ее производной в системе слежения СБ
приводы с шаговыми двигателями (ШД) [1]. за Солнцем, а именно в функции от разности токов в
Особенность работы исполнительных механиз- противоположных гранях фотоэлементов ДПС и ее
мов используемых ШД заключается в том, что при производной. На рис. 2 показана функциональная
превышении нагрузки, рекомендованной в техниче- схема контура управления током электромеханиче-
ских условиях (ТУ) на двигатель, в нем может воз- ского исполнительного механизма (для одной коор-
никать сбой в перемещении. В режиме слежения СБ динаты) в функции от разности токов в противопо-
за Солнцем ветровая нагрузка может противодейст- ложных гранях фотоэлементов ДПС (косвенной
вовать перемещению, и если момент нагрузки не ошибки по положению) и их производной.
превышает 0,5–0,6 от максимального, то ШД без
сбоя обеспечит перемещение рамы с СБ. Если в ре-
жиме перемещения момент нагрузки превышает
максимальный (рекомендованный ТУ), то ШД не
обеспечивает перемещение рамы и происходит сбой
в перемещении. В этом случае ошибка по положе-
нию (оцениваемая косвенно по датчику положения
Солнца) не уменьшается. На рис. 1 показаны три
возможные траектории изменения ошибки по положе-
нию в зависимости от момента нагрузки (ветровой).
В режиме слежения СБ за Солнцем ветровая
нагрузка может и помогать перемещению. В этом
случае окончание перемещения происходит раньше
расчетного (см. рис. 1, кривая 3).
Эта траектория (ошибка по положению) возни-
кает при появлении «опрокидывающего» момента в
механизме перемещения по углу места, в случае Рис. 1. Диаграмма перемещения рамы с СБ
опускания рамы с СБ вниз при несовпадении центра
оси вращения двигателя и центра оси вращения ра- На рис. 2 приняты следующие обозначения:
мы. Если ошибка по положению не уменьшается в БЗТ – блок задания тока; Рег – регулятор; Р – редук-
рассчитанное время, это означает, что действует тор; ИМ – исполнительный механизм; БОС – блок
большая ветровая нагрузка. Учитывая вышеизло- обратной связи; Iа зад – задание на амплитуду тока
Секция 8. Интеллектуальная силовая электроника и преобразовательная техника 197
ШД; Iа ос – величина, обратная по знаку амплитуде ности на входе [3]. Особенностью задатчика интен-
тока ШД; Uрег – выходной сигнал регулятора; Iзшд – сивности является то, что он изменяет свою переда-
амплитуда тока задания для ШД; Iшд м – максималь- точную функцию в зависимости от величины произ-
ное значение амплитуды тока для ШД. Особенно- водной входного задающего сигнала. На рис. 4 пока-
стью данной функциональной схемы является уве- зана модель задатчика интенсивности. При малых
личение задания амплитуды тока ШД при поддер- скоростях изменения входного сигнала передаточная
жании заданной скорости уменьшения ошибки по функция задатчика интенсивности имеет вид форси-
положению независимо от нагрузки на ШД. Осуще- рующего звена первого порядка. Передаточная
ствляется это путем управления амплитудой тока в функция ПИ-регулятора с задатчиком интенсивно-
ШД в функции ошибки слежения и ее производной, сти при малых скоростях изменения входного сиг-
определяемой с помощью ДПС. В блоке задания нала имеет вид ПИД-регулятора. Это обеспечивает
амплитуды тока для ШД-5Д амплитуда тока (Iшдм) форсировку переходных процессов в контуре регу-
меняется линейно с 3 до 7 А (согласно ТУ на лирования амплитуды тока. При больших скоростях
ЩД5Д). На рис. 3 приведен разработанный алго- изменения входного сигнала передаточная функция
ритм управления контуром тока электромеханиче- задатчика интенсивности имеет вид апериодическо-
ского исполнительного механизма при действии го звена. Таким образом, к ПИ-регулятору добавля-
ветровой нагрузки [2]. ется дополнительное апериодическое звено. Это
Для улучшения динамических характеристик обеспечивает уменьшение перерегулирования по
контура регулирования амплитуды тока вводится выходному сигналу при ступенчатом изменении
ПИ-регулятор с нелинейным задатчиком интенсив- входного воздействия.
Рис. 2. Функциональная схема контура управления током электромеханического исполнительного механизма
Рис. 3. Алгоритм управления контуром тока электромеханического

исполнительного механизма при действии ветровой нагрузки
Рис. 4. Модель задатчика интенсивности
Для повышения живучести и надежности рабо- Исследование динамических характеристик

ты автоматизированной системы слежения при дей- электромеханической системы слежения с ШД,
ствии ураганной ветровой нагрузки (например, ско- влияния нагрузки на характеристики системы сле-
рость ветра более 25 м/с), которая может привести к жения, влияния переменного момента инерции, а
повреждению механизма перемещения, предлагает- также динамических характеристик электромехани-
ся переводить раму с СБ в защитное горизонтальное ческой системы слежения с ШД с различными регу-
положение. Это необходимо выполнять по сигналу ляторами и нелинейными задатчиками интенсивно-
МЧС (другого информационно-технического источ- сти проводилось путем моделирования в MatLab
ника распространения оперативной информации о Simulink. На рис. 5 представлена структура модели с
штормовом предупреждении) или оператора обслу- учетом задания и регулирования амплитуды тока
живающей АФЭУ компании через канал GPRS. В ШД. На рис. 6 показаны динамические характери-
автоматизированной системе слежения осуществля- стики системы, а именно скорость отработки пере-
ется прием команд от GPRS-модуля через контрол- мещения при различных моментах нагрузки
лер слежения. В АФЭУ имеется пятый конечный (а – 0,5 номинальной, б – номинальная).
выключатель, определяющий горизонтальное поло-
жение рамы по углу места.
Рис. 5. Структура модели
а б
Рис. 6. Динамические характеристики системы слежения
Заключение ной нагрузки, предложена новая функциональная

Для обеспечения плавности и непрерывности схема контура управления током электромеханиче-
движения АФЭУ в процессе слежения при действии ского исполнительного механизма с ШД. Проведено
внешних возмущений, а именно ветровой и случай- исследование алгоритма управления контуром тока
электромеханического исполнительного механизма Литература
при действии ветровой нагрузки в функции от кос- 1. Повышение энергетической эффективности ав-
венной ошибки слежения и ее производной, опреде- тономных фотоэлектрических энергетических установок /
ляемой по датчику положения Солнца. Ю.А. Шиняков, Ю.А. Шурыгин, В.В. Аржанов и др. //
В структуре нелинейного управления амплиту- Доклады Том. гос. ун-та систем управления и радиоэлек-
дой тока в ШД в функции от косвенной ошибки троники. – 2011. – № 2 (24), ч. 1. – С. 282–287.
слежения и ее производной предложено использо- 2. Управление позиционными электроприводами
вать ПИ-регулятор с нелинейным задатчиком интен- блока измерения освещенности для термобарокамеры /
сивности на входе. Результаты цифрового моделиро- В.В. Аржанов, В.Н. Мишин, Г.А. Ракитин, К.В. Аржанов //
вания системы слежения с ШД со структурой управ- Доклады Том. гос. ун-та систем управления и радиоэлек-
троники.. – 2013. – № 1(27). ч. 1. – С. 20–24.
ления с ПИ-регулятором с нелинейным задатчиком 3. Пат. № 159100 U1 РФ, МПК H02P 7/00. Задатчик
интенсивности на входе при действии внешней (вет- интенсивности для электропривода / Аржанов В.В., Ар-
ровой) нагрузки показали, что в ШД отсутствуют жанов К.В., Аржанова А.В. – Опубл. 2016, Бюл. № 3.
сбои при двукратном увеличении внешней нагрузки.
УДК 621.314
В.И. Фоминых, Л.А. Гоголина, В.А. Гоголин, А.О. Писниченко, М.Д. Дягилев
Анализ помехоустойчивости многофазных инверторов

напряжения
Рассматривается помехоустойчивость вентильного электропривода постоянного тока c многофазным построе-
нием инвертора напряжения. Структура электропривода, схемное и конструктивное исполнение выбраны исхо-
дя из требований стойкости к воздействию симметричных и несимметричных кондуктивных помех. Для экспе-
риментальной отработки применен специально разработанный имитатор импульсных помех, с помощью кото-
рого возможно исследование влияния внешних импульсов на отдельные узлы и элементы схемы электроприво-
да. Такой подход позволяет выработать схемно-конструктивные меры эффективной борьбы с помехами.
Ключевые слова: помехоустойчивость, электропривод, имитатор помех, многофазный инвертор.
Одна из основных задач, стоящих перед разра- или построению, в то время как «помехоустойчи-
ботчиками электроприводов, – обеспечение работо- вость» охватывает лишь те свойства и ресурсы, ко-
способности изделий в заданных условиях внешней торые позволяют ЭП противостоять помехам, когда
среды. То есть электропривод (ЭП) должен быть средства защиты не применяются.
совместим с внешней средой, являющейся источни- АО «НПЦ «Полюс» разрабатывает вентильный
ком нежелательных воздействий на изделие. К ним регулируемый ЭП с многофазной структурой инвер-
можно отнести климатические (изменения темпера- тора напряжения, предназначенный для работы в
туры, влажности, давления), механические (вибра- составе насосного агрегата и обеспечивающий вы-
ция и удары), электромагнитные воздействия и т.д. полнение требований технического задания по воз-
Требования по совместимости вносятся в техниче- действию импульсных коммутационных перена-
ское задание на разработку ЭП, а впоследствии – в пряжений (ИКП) экспоненциальной формы в цепях
технические условия. При этом разработчик проек- «полюс–полюс», «полюс–корпус» с параметрами,
тирует и испытывает ЭП таким образом, чтобы за- указанными в табл. 1.
ведомо гарантировалась его работоспособность в
совокупности оговоренных условий. Таблица 1
Электромагнитная совместимость ЭП – это его Параметры ИКП
способность не воспринимать воздействующие Длительность Длительность
Максимальная
импульса τи на фронта τф на
внешние помехи и не создавать недопустимых амплитуда
уровне 0,5Umax, уровне от 0,1Umax
внешних помех другим изделиям, а также недопус- импульса*, В
мкс до 0,9Umax, мкс
тимых индустриальных радиопомех. Понятие «не- 1000 2000 ≤ 10
восприимчивость к помехам» имеет два синонима: 800 100 ≤3
«помехоустойчивость» и «помехозащищенность», 800 10 ≤1
которые часто применяют в технической литературе 600 1 ≤ 0,1
*
в одном и том же смысле [1]. Между тем понятие Значения амплитуды указаны сверх текущего зна-
«помехозащищенность» охватывает все свойства и чения напряжения 175–320 В.
ресурсы ЭП, позволяющие ему противостоять поме-
хам, в том числе и дополнительные средства защиты Имитаторы помех отечественной промышлен-
от помех, не относящиеся к его принципу действия ностью серийно не выпускаются, поэтому для ана-
лиза восприимчивости ЭП к воздействию импульс- гим – к корпусу ЭП. Испытательные сигналы пред-
ных помех из сети питания был использован имита- ставляют собой либо одиночные импульсы, либо
тор ИКП (рис. 1), разработанный в АО «НПЦ «По- периодически следующие друг за другом пачки им-
люс». Он содержит накопитель энергии и разрядный пульсов. Форма импульса, вводимого в провода пи-
ключ. В качестве накопителя используется конден- тания постоянного тока, соответствует рис. 4.
сатор С. Разряд осуществляется с помощью элек-
тронного ключа Кр. Сеть питания
Кз Кр Имитатор ЭП
Е ИКП
+
C R
C R
–
Рис. 1. Формирующий каскад имитатора ИКП
с накопительным конденсатором
Рис. 3. Схема соединений «полюс–полюс» при испытани-
Регулируемыми параметрами имитатора ИКП ях ЭП
являются амплитуда Umax импульсов, длительность
τи и период следования Т пачки генерируемых им-
пульсов.
При разряде конденсатора С, заряженного до
напряжения Е, на разрядном резисторе R возникает
импульс экспоненциальной формы с амплитудой,
примерно равной Е, и длительностью, равной (на
уровне 0,5Е):
τи = 0,7RС.
Постоянная времени цепи заряда τз должна
удовлетворять неравенству
τз ≤ (0,3÷0,5)Т.
Мощность источника питания Рис. 4. Форма ИКП между шиной «+» и шиной «–»
РЕ = Е2С/Т.
Требования помехоустойчивости сводятся к то-
Мощность, рассеиваемая на резисторе R,
му, что при подаче на вход ЭП импульсов амплиту-
РR = 0,5PE.
дой Umax относительно корпуса или цепей первично-
Значения параметров элементов разрядного
го питания параметры импульса при прохождении
контура имитатора ИКП указаны в табл. 2.
по внутренним цепям не должны превышать неко-
Таблица 2 торого порога δUmax. В противном случае это приво-
Значения параметров элементов имитатора дит к сбоям и аварийным ситуациям. То есть резуль-
Максимальная Емкость конден- тат испытаний считается положительным, если в
Сопротивление
амплитуда им- сатора С, мкФ ходе всех проверок не было зафиксировано сбоев и
резистора R, Ом
пульса, В необратимых отказов.
1000 5 800,0 Для измерений помех использовался осцилло-
800 5 40,0 граф, поскольку он дает полную информацию о
800 5 4,0 форме наблюдаемого процесса. В режиме синхрони-
600 5 0,125
зации по выходному импульсу имитатора контроли-
Включение ЭП при проверке помехоустойчиво- руется форма искажений сигналов управления и от-
сти осуществляется по схемам рис. 2, 3. Питание – клонение уровней напряжения внутренних источни-
от сети постоянного тока 175–320 В. ков напряжения. Имеется возможность определить
наиболее критичный элемент, в котором возникает
Сеть питания сбой при реакции конкретной части схемы на воз-
действие ИКП.
Имитатор ЭП При подаче ИКП на ЭП необратимых отказов
ИКП + не возникало, но при контроле управляющих входов
ключей многофазного инвертора напряжения ЭП
C R –
наблюдался дребезг (рис. 5).
Логические элементы цифровых схем ЭП рабо-
тают в импульсных режимах. В прямом соответст-
Рис. 2. Схема соединений «полюс–корпус» вии со своим назначением они восприимчивы к
при испытаниях ЭП ИКП. На входах драйверов и на выходе наблюдался
дребезг (рис. 6).
Имитатор ИКП подключается одним выводом В качестве одной из мер минимизации действия
поочередно к обоим питающим проводам ЭП, а дру- ИКП на управляющие узлы ЭП использовалось вве-
дение гальванических развязок (как оптоэлектрон- питания. При ограниченной энергии импульса ИКП
ных, так и транзисторных). Если паразитная емкость эффект достигается при подключении защитных
оптрона не может быть меньше значений, заложен- варисторов и по основному силовому питанию. Па-
ных в технических условиях на элементы, то при раллельное включение с выравниванием токов сра-
трансформаторной развязке этот параметр в боль- батывания позволяет парировать ИКП с энергией
шей мере определяется конструктивным исполнени- импульса до 600 Дж.
ем обмоток и в ряде случаев является предпочти- При выработке конструктивных мер по борьбе с
тельным. помехами многофазного инвертора напряжения со-
единение ключевых элементов предусматривает, с
одной стороны, шинную структуру силового монта-
жа, с другой – требуется симметрия монтажа с вы-
равниванием длины проводников. Причем вводится
дополнительная петлевая укладка проводника. При
таком подходе обеспечивается равномерное поэле-
ментное распределение силовой токовой нагрузки.
Итак, наличие технических требований по
обеспечению помехоустойчивости ЭП создает необ-
ходимые предпосылки к решению таких задач.
Обеспечение низкой восприимчивости изделий к
внешним помехам должно закладываться еще на
этапе проектирования и конструирования, реализо-
Рис. 5. Реакция ключей на воздействие ИКП вываться в ходе производства и поддерживаться при
эксплуатации ЭП. Поэтому, помимо технических
решений [2], необходимо учитывать схемно-
конструктивные способы борьбы с внешними поме-
хами: фильтрацию, экранирование, развязку цепей
питания и т.д. Ни один из этих способов не должен
быть предпочтительным по сравнению с другими.
Более того, рекомендуется дублировать средства
борьбы с помехами для получения удовлетворитель-
ных результатов.
1. Гурвич И.С. Защита ЭВМ от внешних помех. – 2-е
Рис. 6. Реакция драйверов на воздействие ИКП изд. – М.: Энергоатомиздат, 1984. – 224 с.
2. Кочергин В.И., Белицкая Л.А., Гоголин В.А. Ин-
Для защиты источников питания эффективным теллектуальные силовые ключи с цифровым многофазным
оказалось применение варисторов. Их включение принципом управления // Электронные и электромехани-
возможно как по входным цепям питания, так и по ческие системы и устройства : сб. науч. тр. – Новоси-
промежуточным линиям узлов схемы источника бирск: Наука, 2007. – С. 198–202.
УДК 628.941.8
С.Ю. Хотненок
Исследование процессов в модуляционном драйвере

светодиодного светильника с трехфазным питанием
Приводится сравнительная характеристика светодиодных светильников с импульсными источниками питания и
светильниками, использующими «бездрайверную» технологию. Предлагается оригинальный способ питания,
объединяющий в себе достоинства обоих подходов, вследствие чего удалось добиться уменьшения коэффици-
ента пульсаций освещенности.
Ключевые слова: светодиодный светильник, мощность лампы накаливания, излучающий модуль, светоотдача,
трехфазное питание, бездрайверные схемы.
В настоящее время для решения задач освеще- все чаще используются светодиодные светильники.
ния в силу низкого энергопотребления, долгого сро- В основе современного светильника лежит излу-
ка службы, безопасности применения и утилизации чающий модуль, состоящий из последовательно или
последовательно-параллельно включенных свето- сти от силы тока, затем полученная зависимость
диодов, количество которых подбирается таким об- градуировалась в соответствии со значением свето-
разом, чтобы световой поток, создаваемый свето- вого потока на номинальном токе, взятом из техни-
диодами, обеспечивал нужную освещенность. Как ческой документации. Из эксперимента видно, что
правило, для большей наглядности преимуществ при увеличении плотности тока через светодиод
светодиодного светильника перед традиционными уменьшается его светоотдача. Физические механиз-
источниками света мощность светильника соотносят мы протекания этого процесса описаны в [1], на
с мощностью лампы накаливания, дающей такой же практике можно сделать следующий практический
световой поток. Также вводят понятие световой от- вывод: при прочих равных условиях (количество
дачи светильника (лм/Вт). Например, светоотдача светодиодов, схема их включения) световая отдача
традиционной лампы накаливания 10 лм с одного светодиодов падает на 35–45% при увеличении
ватта активной мощности, потребляемой светодио- мощности на 20–30% от номинальной, указанной в
дами. У галогенных ламп до – 20 лм/Вт, у люминес- технической документации.
центных до – 50 лм/Вт. Светоотдача некоторых све-
тодиодов известных марок в настоящее время дос-
тигает 250 лм/Вт. Таким образом, для замены лампы
накаливания мощностью 60 Вт потребуется свето-
диодный модуль мощностью 2,5 Вт.
Рис. 4. Форма тока и мощности при последовательно-

параллельном включении светодиодов
Стоимость светодиодного светильника состоит

Рис. 1. Зависимость светоотдачи от плотности тока на треть из стоимости излучающего модуля (свето-
диодов), поэтому разработчики стремятся умень-
шать количество светодиодов в светильнике за счёт
увеличения плотности тока, что, как отмечалось
выше, ведет к уменьшению светоотдачи. Соответст-
венно уменьшение плотности тока за счет увеличе-
ния числа светодиодов приведет к удорожанию из-
делия, но увеличивает КПД, что следует из данных
представленных выше. Учитывая это, разработчик, в
зависимости от сферы применения изделия, должен
находить компромисс между стоимостью и качест-
вом изделия.
Рис. 2. Фазы коммутирования ключей модуля Acrich 2 [3]
При несомненных достоинствах светодиодов
как таковых в реальных осветительных системах
есть ряд проблем, связанных с питанием излучаю-
щего модуля от сети ~220 В. Исследования темпера-
турных режимов импульсных источников питания
снова набрали актуальность в связи с повышенными
требованиями к ним: срок службы не менее 60000 ч
без возможности принудительного охлаждения. Са-
Рис. 3. Принцип последовательно-параллельной мый низкий срок службы в импульсных источниках
коммутации питания имеют электролитические конденсаторы. В
[2] рассматривались вредные воздействия на них, в
В современных светодиодах белого свечения на том числе электрострикционный эффект.
основе кристаллов GaN/InGaN имеется ряд законо- Автором был проведен эксперимент, в ходе ко-
мерностей, которые во многом определяют процесс торого драйвер помещался в замкнутый контейнер.
проектирования излучающего модуля светильника. Температура в контейнере поддерживалась повы-
На рис. 1 приведен результат фотометрического экс- шенной с помощью регулятора температуры. Экспе-
перимента, проведенного автором со светодиодными римент продолжался до выхода из строя испытуемо-
COB-сборками «СИМ220» производства ОАО го изделия. Целью эксперимента являлось нахож-
«НИИПП». С помощью люксметра и лабораторного дение наименее надежных элементов в составе
блока питания снималась зависимость освещенно- драйвера.
вера AIC3.0, используемого в Acrich 2, пояснен в [4].
Модуль Acrich 2 состоит из нескольких цепочек вы-
соковольтных светодиодов, коммутируемых AIC3.0 в
зависимости от фазы входного напряжения сети.
Такие модули имеют высокие технико-экономичес-
кие показатели: высокую светоотдачу и сравнитель-
но низкую стоимость. Но такая схема имеет значи-
тельный недостаток: в силу того, что форма импуль-
сов тока, протекающих через светодиод, в данном
случае аналогична световым импульсам, создавае-
мым светодиодом, светодиодный модуль Acrich 2
имеет значительные пульсации света. Коэффициент
пульсаций освещенности равен 100%. Регламенти-
рующий документ СНиП 23-05–95 [5] ограничивает
использование таких светильников местами общего
пользования ЖКХ, но не ограничивает применение
их в уличном освещении.
Стабилизация пульсаций светового потока све-
тильника, построенного по «бездрайверной» техно-
логии, осуществляется в схеме, показанной на рис. 3,
которая предложена автором. В предлагаемой схеме
в качестве излучающего модуля выступает матрица
светодиодов, светодиоды в которой могут коммути-
роваться последовательно-параллельно в любой по-
следовательности. Система управления светодиод-
ной матрицей обеспечивает изменение включения
светодиодов так, чтобы поддерживать одну плот-
ность тока через светодиоды. На рис. 4 приведены,
результаты математического моделирования схемы:
формы входного напряжения и тока, мощности, вы-
деляемой на светодиодах, соответственно. Мощ-
ность в данном случае будет также формой светово-
го потока, создаваемого схемой. Из графика видно,
что удалось добиться значительного снижения пуль-
Рис. 5. Осциллограммы светового потока Acrich 2 саций светового потока по сравнению, с Acrich 2. Но
в 1-, 2-, 3-фазных цепях при анализе схемы становится очевидно, что здесь,
как и в любой другой системе стабилизации без на-
Результаты исследования показали, что элек- копителей энергии, максимум потребляемого из сети
тролитические конденсаторы, использующиеся в тока приходится на минимум напряжения сети и
драйвере, имеют относительно небольшой срок наоборот: при минимуме напряжения максимум то-
жизни в светильнике и они по сути определяют срок ка. Из этого следует, что коэффициент мощности
жизни всего устройства. При проведении экспери- такой схемы очень низкий, что не позволяет исполь-
мента не учитывалась нестабильность питающей зовать эту схему на практике.
сети 220/380 В, которая является важным фактором, Автором предлагается технического решение,
влияющим на срок службы драйвера. Особенно которое позволит соединить в себе достоинства двух
сильно это проявляется в отдаленных районах, где «бездрайверных» схем, приведенных выше, и позво-
нестабильность сети выше. лит использование трехфазной сети переменного
Проблема низкого срока службы источников тока 380/220 В. Эксперимент, проведенный автором,
питания ограничивает срок службы, минимальные ставил перед собой цель выявить зависимость пуль-
габариты и сферу применения светильников. Также саций тока от количества фаз питающего напряже-
существенный недостаток импульсных источников ния. За основу эксперимента бралась схема из трех
питания – это слабая возможность автоматизации их модулей Acrich 2, включаемая в трехфазную, четы-
сборки: большое количество электронных компо- рехпроводную сеть по схеме «звезда» с общим про-
нентов навесного монтажа препятствует снижению водом. Затем последовательно отключались две фа-
их стоимости. зы. Форма световых импульсов замерялась фотодио-
Существует вариант так называемого «бездрай- дом ФД-24к, подключенным к цифровому осцилло-
верного» светильника, который предложила южно- графу (рис. 5). В результате, требованиям экспери-
корейская фирма Seoul Semiconductors, разработав- мента удовлетворила схема с тремя фазами. Коэф-
шая серию светодиодных модулей Acrich [3]. Прин- фициент пульсаций, замеренный на расстоянии
цип действия интегрального модуляционного драй- 4 м от светильника, составил 4%.
Дальнейшим перспективным, по мнению авто- 2. Наоуюки Кобаяши. Влияние конденсаторов на
ра, направлением развития «бездрайверного» свето- долговечность светодиодных приборов // Полупроводни-
диодного освещения является создание специализи- ковая светотехника. – 2012. – № 3.– С. 56–57.
3. Бауер Л. Светодиодные модули Acrich 2, облег-
рованной светодиодной COB-матрицы с трехфазным
чающие жизнь светотехника / Л. Бауер, Г. Королев // По-
питанием, в том числе и для освещения автомобиль- лупроводниковая светотехника. – 2012. – №2. – С. 22–24.
ных магистралей. 4. Seul semiconductor. AIC3.0 [Электронный ресурс]. –
Литература Режим доступа: http://www.seoulsemicon.com/en/html/
company/press_view.asp?Idx=251&GotoPage=1&searchlist=a
1. Влияние хвостов локализованных состояний в ll&searchtxt=aic, свободный (дата обращения: 26.01.2017).
InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с 5. СНиП 23-05–95*. Естественное и наружное осве-
ростом плотности тока / Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, щение. – М.: ОАО «Центр проектной продукции в строи-
Р.И. Горбунов и др. // Физика и техника полупроводни- тельстве», 2011. – 69 с.
ков. – 2012. – Т. 46, № 8.
УДК 621.311.68
Д.Б. Бородин, С.С. Тюнин, В.А. Кабиров, В.Д. Семёнов
Двунаправленный преобразователь Вейнберга

для зарядно-разрядного устройства системы
электропитания космических аппаратов*
Предложены и проверены на имитационных моделях схемотехнические решения по переводу преобразователя
Вейнберга в режим двунаправленной передачи энергии. Произведена оценка КПД однонаправленного и двуна-
правленного преобразователя Вейнберга.
Ключевые слова: источник питания, двунаправленный преобразователь, разрядное устройство, зарядное уст-
ройство, преобразователь Вейнберга.
*Работа выполнена на основании договора между АО «ИСС» и Минобрнауки РФ от 01.12.2015 г.
№ 02.G25.31.0182.
Преоразователь Вейнберга имеет высокие энер- двумя способами: первый способ заключается в том,
гетические характеристики и применяется в систе- что вместо диода VD1 в схему включается дополни-
мах электроснабжения космических аппаратов (СЭС тельный транзистор VT3, как показано на рис. 1.
КА) ряда зарубежных стран [1, 3]. Однако он, как и
классический повышающий преоразователь, не мо-
жет ограничивать ток при коротком замыкании в
нагрузке, и, кроме того, нам неизвестно техническое
решение по переводу этого преобразователя в режим
реверса тока или режим заряда аккумуляторной ба-
тареи. Схемотехническое решение, представленное
в данной статье, позволяет проверить возможность
реализации преобразователя Вейнберга в качестве
зарядно-разрядного устройства.
Требуемые технические параметры
Применение этого решения в частном случае
рассматривалось под технические параметры заряд- Рис. 1. «Классический» преобразователь Вейнберга по
ного устройства, приведенные в табл. 1. вольтодобавочной схеме с дополнительным транзистором
Таблица 1
Технические параметры зарядного устройства
Если транзисторы VT1 и VT2 не включать, а
Входное напряжение, В 100
Выходное напряжение минимальное, В 55
включать только транзистор VT3, то схема, пред-
Выходное напряжение максимальное, В 95 ставленная на рис. 1, превращается в схему пони-
Выходной ток, А 15 жающего преобразователя с двухобмоточным дрос-
Частота, Гц 200000 селем L1–L2. Транзистор VT3 будет играть роль ос-
КПД, % >97 новного ключа понижающего преобразователя, а
внутренние диоды транзисторов VT1 и VT2, работая
Описание принципа работы преобразователя вместе, – роль диодов, закорачивающих обмотки
Перевод этого преобразователя в режим двуна- двухобмоточного дросселя L1–L2 во время паузы,
правленной передачи энергии можно осуществить как показано на эквивалентной схеме рис. 2.
Рис. 2. Эквивалентная схема пробразователя в режиме

заряда АБ без дополнительного «нулевого» диода
Регулировочная характеристика такого преобра-

зователя, как показано в литературе [2], нелинейна. а
Другой вариант схемы можно получить, если
«нулевой» диод понижающего преобразователя ус-
тановить дополнительно, как показано на рис. 3.
б
Рис 4. Имитационная модель преобразователя Вейнберга:
а – с «нулевым» диодом; б – без нулевого диода
Таблица 2
Рис. 3. Двунаправленный преобразователь Параметры моделирования преобразователей
с дополнительным «нулевым» диодом Диоды VD1,VD2,VD3 MBR20200
Транзисторы VT1,VT2,VT3 IRFP4768
Коэффициент связи двухобмоточного
0,99
В этом случае, регулировочная характеристика дросселя L1-L2
понижающего преобразователя становится линей- Коэффициент связи трансформатора TV1 0,95
ной, а часть схемы, включая двухтактный преобра-
зователь на транзисторах VT1 и VT2, не участвует в
работе схемы при реализации реверсного режима
заряда АБ, что может благотворно сказаться на
уменьшении потерь.
Транзистор понижающего преоразователя при
разряде АБ можно использовать в режиме синхрон-
ного выпрямителя, уменьшая статические потери на а
диоде.
Обмотки трансформатора TV1.1 и TV1.2 через
выпрямитель, образованный обратными диодами
транзисторов VT1 и VT2 и диодами VD2, VD3, все-
гда подключены к выходному конденсатору, что ис-
ключает перенапряжения на элементах преобразова-
теля в режимах перехода от разряда АБ в заряд и б
обратно. Рис. 5. Осциллограммы работы преобразователя
с «нулевым» диодом: а – ток транзистораVT3;
Имитационная модель преобразователя
б – напряжение транзистора VT3
Имитационная модель преобразователей в двух
различных вариантах представлена на рис. 4.
В данной модели использовались параметры
реальных полупроводниковых элементов, представ-
ленные в табл. 2. Полученные осциллограммы преоб-
разователя в режиме заряда АБ представлены ниже.
На рис. 11 представлена зависимость КПД пре-
образователя Вейнберга в режиме заряда аккумуля- а
торной батареи. Рис. 6 (начало)
б
Рис. 6 (окончание). Осциллограммы работы преобразова- б
теля без «нулевого» диода: а – ток транзистора VT3, Рис. 9 (окончание). Осциллограммы работы преобразова-
б – напряжение транзистора VT3 теля без «нулевого» диода: а – включение транзистора
VT3; б – выключение транзистора VT3
а а
б
Рис. 7. Осциллограммы работы преобразователя: а – ток б
дросселя L2 с «нулевым» диодом; б – ток дросселя L2 без Рис. 10. Осциллограммы работы преобразователя:
«нулевого» диода а – выходное напряжение преобразователя с «нулевым»
диодом; б – выходное напряжение преобразователя
без «нулевого» диода
Рис. 11. Зависимость КПД преобразователя

от выходной мощности
Выводы
б На основании результатов моделирования, при-
Рис. 8. Осциллограммы работы преобразователя с «нуле- ведённых на рис. 5–10, можно говорить о работо-
вым» диодом: а – включение транзистора VT3; б – вы- способности реверсивной модели преобразователя и
ключение транзистора VT3 возможности ее дальнейшего исследования.
Необходимо отметить увеличение коммутаци-
онных потерь в дополнительном транзисторе VT3 в
преобразователе без «нулевого» диода. Зависимости,
представленные на рис. 11, показывают, что работа
преобразователя без «нулевого» диода плохо сказы-
вается на КПД преобразователя в целом. Одной из
причин тому является внутренний диод транзисто-
а ров VT1 и VT2 с плохими динамическими характе-
Рис. 9 (начало) ристиками.
Литература Weinberg Converter) // XIII Междунар. науч.-практ. конф.
«Электронные средства и системы управления» 2017 г. (в
1. Maset E., Ferreres A., Ejea J.B. et al. 5kW Weinberg печати).
Converter for Battery Dischargingin High-Power Communica- 4. Maset E., Ferreres A., Ejea J.B. et al. High-
tions Satellites // IEEE PESC Conf. – 2005. – РР. 69–75 Efficiency Weinberg Converter for BatteryDischarging in
[Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://ieeexplore. Aerospace Applications // IEEE PESC Conf. – 2006. –
ieee.org/ abstract/document/1581604/ РР. 1510–1516 [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
2. Моин В.С. Стабилизированные транзисторные http://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1620740/
преобразователи. – М.: Энергоатомиздат, 1986. – 376 с. 5. Weinberg A.K., Rueda Boldo P.. A High Power, High
3. Бородин Д.Б., Тюнин С.С, Кабиров В.А., Семё- Frequency, DC to DC Converter for Space Applications //
нов В.Д. Построение имитационной модели неизолиро- Power Electronics Specialists Conference. – 1992. PESC '92
ванного преобразователя Вейнберга (Non-Isolated Record., 23rd Annual IEEE. – Vol. 2. – PР. 1140–1147.
УДК 621.341.572; 621.313.3
А.В. Кашеутов, А.Г. Гарганеев
Информативные свойства автономного инвертора напряжения

в гироскопических системах электропривода
Автономный инвертор напряжения в составе электропривода может быть как источником питания, так и ис-
точником информации о параметрах и переменных электрической машины [1–5]. Так называемые информатив-
ные свойства инвертора напряжения основаны на его коммутационной функции и позволяют получить необхо-
димую для управления и диагностики электрической машины информацию, не имея датчиков положения и
скорости на валу. Такой подход актуален для построения так называемых «бездатчиковых» электроприводов
различного назначения. Представлены результаты моделирования системы гироскопического электропривода,
реализованного на основе информативных свойств автономного инвертора напряжения. Показана принципи-
альная возможность регулирования скорости вращения ротора синхронных машин переменного тока на основе
поддержания постоянства положения точки перегиба фазного тока инвертора на его коммутационном интервале.
Ключевые слова: модель, обратная связь, автономный инвертор напряжения, информативные свойства.
В навигационных системах электропривода ботки, целесообразно их использование для теоре-

(ЭП) автономных объектов имеет место некоторая тического исследования поставленных задач, прове-
нестабильность частоты вращения роторов гироско- дения вычислительных экспериментов, а также ма-
пических двигателей, что вносит погрешности в тематического обоснования параметров проекта.
процесс определения курса и ориентации в про- Целью моделирования системы гироскопического
странстве. Таким образом, актуальной становится ЭП с ИС АИН является проверка возможностей
задача поддержания стабильности частоты враще- практического использования информативных
ния гироротора в условиях затрудненного доступа к свойств АИН для управления гиродвигателем, а
валу. Одним из решений данной задачи является также их математическое обоснование. Задача ис-
использование информативных свойств (ИС) авто- следования заключалась в реализации системы ав-
номного инвертора напряжения (АИН), который томатического регулирования с обратной связью по
чаще всего является источником питания в гироско- углу нагрузки электрической машины синхронного
пических системах электропривода для регулирова- типа, соответствующему точке перегиба фазного
ния работы гиродвигателя. тока на коммутационном интервале АИН π/3÷2 π/3.
Программные средства моделирования и разра- Далее показана структура модели, а также приведе-
ботки предоставляют широкие возможности для ны результаты моделирования одного из способов
исследования физических процессов, не прибегая к использования информативных свойств АИН для
дорогостоящему изготовлению опытных образцов регулирования работы двигателя [3–5].
изделий и машин. Одним из наиболее удобных ин- Теория
струментов моделирования режимов ЭП при ис- Виртуальная лабораторная модель гироскопи-
пользовании ИС АИН является среда MATLAB, об- ческого ЭП для исследования ИС АИН представлена
ладающая мощными вычислительными средствами, на рис. 1. Аналогичная модель для асинхронного
а также возможностью симуляции различных физи- двигателя была описана в работе [6]. Данная модель
ческих процессов. Система MATLAB включает так- состоит из АИН (VT1–VT6) с управляемым источ-
же модуль симуляции Simulink, отлично подходящий ником напряжения (Controlled Voltage Source), схемы
для моделирования практических реализаций алго- управления (DD1–DD3), трехфазного синхронного
ритмов управления электрическими машинами. двигателя переменного тока, блока обработки дан-
Постановка задачи ных (S-Function Builder), получаемых с датчика тока,
Поскольку программные средства предостав- а также блока обратной связи (S-Function Builder1), в
ляют широкие возможности моделирования и разра- котором реализован алгоритм обратной связи [6].
Суть работы модели заключается в следующем. вие на регулируемый источник питания АИН. Таким
Сигнал с датчика фазного тока поступает на вход образом, замыкается обратная связь системы, что
блока обработки данных, где с помощью алгоритмов позволяет реализовать различные способы регули-
аппроксимации [7] и вычисления второй производ- рования работы ЭП [6].
ной тока электрической машины на коммутацион- Применение информативных свойств АИН мо-
ных интервалах АИН [7] рассчитывается положение жет быть использовано, например, для более рацио-
точки перегиба. Далее полученное значение посту- нального использования мощности, подводимой к
пает на вход блока обратной связи, который на осно- гиродвигателю (как синхронного, так и асинхронно-
ве принятого значения и некоторой известной устав- го типов) [6], с учетом изменяемой нагрузки, а также
ки угла нагрузки вычисляет управляющее воздейст- для стабилизации скорости вращения ротора [6].
Рис. 1. Виртуальная лабораторная модель гироскопического электропривода

Результаты экспериментов
Вычислительные эксперименты показали, что
алгоритм обратной связи [6], полученный для асин-
хронного типа электрических машин, отлично под-
ходит для управления синхронными двигателями.
На рис. 2 представлены результаты моделирования
работы ЭП с синхронным двигателем в режиме на-
броса нагрузки. Как видно из графиков, в период
разгона двигателя положение точки перегиба имеет
максимальное значение, что соответствует макси-
мальному углу нагрузки двигателя, поэтому напря-
жение питания также максимально. Далее во время
холостого хода происходит выход на оптимальный
режим потребления мощности. В момент времени
3 с происходит наброс нагрузки на валу ротора, что
влечет за собой соответствующее изменение значе-
ния угла нагрузки, а равно и положения точки пере-
гиба. Это изменение отрабатывается алгоритмом
обратной связи [6] путем увеличения напряжения
питания АИН. Таким образом, осуществляется под-
держание заданного значения точки перегиба (в
данном случае 1,6 рад).
Выводы и заключение
В рамках данной работы были исследованы ал-
горитмы обработки информации, полученной из
фазного тока АИН, применительно к синхронному
Рис. 2. Результаты регулирования гиродвигателя в режиме типу электрических машин. Принимая во внимание
наброса нагрузки: а – скорость ротора; б – напряжение полученные результаты при нахождении точки пере-
питания АИН; в – положение точки перегиба
гиба, можно сделать вывод о возможности примене- С.В. Брованов, С.А. Харитонов. – Томск: Изд-во Том.
ния указанных алгоритмов обработки данных для политехн. ун-та, 2012. – 227 с.
нахождения параметров и переменных двигателя. 3. Пат. РФ № 2164053. Способ стабилизации часто-
Практические реализации алгоритмов открывают ты вращения электродвигателей переменного тока (вари-
анты) / Гарганеев А.Г., Шеховцов А.С., Шурыгин Ю.А. –
широкие возможности их использования при разра-
Опубл. в БИ. – 2000, № 7.
ботке программно-аппаратных систем бездатчиково- 4. Пат. РФ № 2207578. Способ определения ЭДС
го управления двигателем. ротора синхронных и тока ротора асинхронных электро-
На основе проведенных исследований можно двигателей (его варианты) / Гарганеев А.Г., Шурыгин Ю.А. –
заключить, что использование информативных Опубл. в БИ. – 2003, № 18.
свойств АИН для регулирования работы синхронно- 5. Пат. РФ № 2193212. Способ определения индук-
го двигателя возможно. Как показали вычислитель- тивного сопротивления электродвигателей переменного
ные эксперименты, применение описанного способа тока / Гарганеев А.Г., Шурыгин Ю.А. – Опубл. в БИ. –
регулирования наиболее эффективно может быть 2002, № 32.
реализовано для ЭП с «инерционными» нагрузками, 6. Electrodrive System Modeling Using Informative
не организовывая получение информации непосред- Properties of Autonomous Voltage Inverter / A.V. Kasheutov,
ственно с вала механизма, такими как гиророторы и T.A. Boklag, A.G. Garganeev // The 18 international confer-
ence of young specialists on micro/nanotechnologies and elec-
центрифуги. tron devices, EDM 2017: proc., Altai, Erlagol, 29 June –
Литература 3 July 2017. – Novosibirsk: NSTU, 2017. – РP. 426–428.
7. Realization of Motor Current Curve Approximation
1. Гарганеев А.Г. Информативные свойства меха- Algorithm on Switching Intervals / A.V. Kasheutov,
тронных систем // Доклады ТУСУРа. – 2012. – № 1(25), T.A. Boklag, A.G. Garganeev, A.B. Tsukublin // The 17 inter-
Ч. 1. – С. 153–161. national conference of young specialists on micro/nanotech-
2. Гарганеев А.Г. Мехатронные системы с син- nologies and electron devices, EDM 2016: proc., Altai, Er-
хронно-гистерезисными двигателями / А.Г. Гарганеев, lagol, 30 June – 4 July 2016. – Novosibirsk: NSTU, 2016. –
РP. 462–464.
УДК 621.316.722.1
Е. Ким, С.Г. Михальченко
Однотактный непосредственный преобразователь напряжения

понижающего типа с широтно-импульсной модуляцией
Представлена имитационная модель однотактного непосредственного преобразователя напряжения понижаю-
щего типа с широтно-импульсной модуляцией с замкнутой обратной связью в компьютерной среде моделиро-
вания электронных схем SwitcherCAD/LTSpice.
Ключевые слова: широтно-импульсная модуляция, понижающий преобразователь, имитационная модель.
Импульсные источники питания являются од- Основные параметры элементов модели

ними из наиболее распространенных радиоэлек- преобразователя понижающего типа с ШИМ
тронных устройств, и они используются в много- Расчет основных параметров элементов пони-
миллионном количестве в различных областях тех- жающего преобразователя с ШИМ известен и опи-
ники, промышленности и сферах обслуживания. сан в [2]. При заданных входных параметрах эффек-
Главным их достоинством по сравнению со тивное значение напряжения источника питания [3]
стабилизаторами непрерывного типа является более E = 220 В±10%, мощность нагрузки P = 100 Вт, вы-
высокий коэффициент полезного действия (КПД) ходное напряжение U = 100 В, коэффициент пульса-
из-за ключевого способа регулирования [1]. ций выходного напряжения k  5%, частота работы
Имитационное моделирование значительно преобразователя f = 40 кГц, рассчитаны следующие
уменьшает количество ошибок при проектировании, параметры элементов: индуктивность дросселя пре-
позволяет легко подготовить несколько вариантов образователя L=2 мГн, выходная емкость C=4,7 мкФ,
конструкции преобразователя, снизить затраты на максимальный ток ключевого элемента IVT = 2 А,
макетирование и изготовление опытных образцов максимальное напряжение ключевого элемента
устройства, максимально сократить объем конструк- UVT = 320 В.
торской документации и расчетов на начальном эта- Расчет параметров входного выпрямителя и
пе разработки. Полученные с помощью имитацион- входного сглаживающего фильтра подробно описан
ного моделирования технические характеристики в [2, 5]. Полученные емкость и индуктивность вход-
преобразователя помогут принять решение о про- ного фильтра соответственно равны Lф = 1,5 Гн,
должении разработки варианта устройства, наиболее Сф = 33 мкФ, напряжение на одном диоде мостового
полно отвечающего предъявляемым требованиям. выпрямителя UVD = 222 В и ток IVD = 0,55 A.
Обобщённая схема замещения лученное постоянное напряжение, пройдя через
преобразователя понижающего типа с ШИМ преобразователь, понижается до заданного значения
На рис. 1 представлена схема замещения, отра- и меняет полярность.
жающая основные физические свойства замкнутой Выходное напряжение понижается в β раз до
системы регулирования. уровня напряжения сигнала управления (Uу). Далее
Uу и пониженное выходное напряжения вычитаются
между собой, считается разность и увеличивается в
α раз полученная разница, формируется сигнал
ошибки (Uош). Коммутационная функция (Kf), реали-
зующая ШИМ, формируется в результате наложения
сигнала развертывающего напряжения (ГРН) и сиг-
нала ошибки (Uош). Kf подается на драйвер (Д), ко-
торый управляет ключевым элементом.
Имитационная модель понижающего
Рис. 1. Обобщенная схема понижающего преобразователя преобразователя повышающего типа с ШИМ
с ШИМ Для исследования процессов, протекающих в
преобразователе понижающего типа с ШИМ, была
На данном рисунке отражаются основные фи-
разработана компьютерная модель в программном
зические свойства замкнутой системы регулирова-
пакете SwitcherCAD/LTspice [6]. Графическое ото-
ния понижающего преобразователя с ШИМ. Вход-
бражение компьютерной модели представлено на
ное переменное напряжение питания подается на
рис. 2.
выпрямитель (В) и сглаживающий фильтр (Ф). По-
Рис. 2. Модель однотактного непосредственного преобразователя напряжения понижающего типа

с широтно-импульсной модуляцией при питании от источника переменного тока
В качестве входного источника питания приме- или ГРН, необходимый для формирования и коррек-
няется функционально задающийся источник на- тировки ШИМ.
пряжения B8, напряжение которого задано уравне- Систему управления можно описать следую-
нием V=230*sqrt(2)*sin(2*pi*50*time). Входной вы- щим образом:
прямитель представляет собой диодный мост, соб- Источник B10 задается уравнением
ранный на идеальных диодах D1, D2, D4, D5. Вход- V=alp*(Uy–V(out2)/15). В данном уравнении запись
ной сглаживающий фильтр представлен дросселем Uy –V(out2)/15 – означает снятие напряжения с вы-
L1 = 1,5 Гн и конденсатором C1 = 33 мкФ. Ключевой хода преобразователя, уменьшение его в β =15 раз,
элемент представлен идеальным ключом S3 с пара- для согласования с сигналом управления, и вычита-
метрами заданной директивой «.model S3 нием сигнала управления, т.к. уменьшенный в β раз
сигнал отрицательный. Затем полученный сигнал в
SW(Ilimit=500 Ron=0.0001p Vt=5 Vh=0 Lser=0)», где
α=alp=200 раз пропорционально увеличивается. На
Ron – сопротивление замкнутого состояния ключе-
выходе B10 формируется сигнал ошибки. Источник
вого элемента. R3 = 100 Ом – резистор, представ- B3 формирует линейно нарастающее напряжение
ляющий эквивалентное сопротивление нагрузки. уравнением V=5*((time*fg) – floor(time*fg)), где
Источник B10 создает усиленный сигнал ошибки fg – частота преобразования или частота ШИМ,
обратной связи. Источник B3 является генератором time – текущее время моделирования, floor – функ-
линейно нарастающего пилообразного напряжения ция целого числа.
В источнике B7 формируется сигнал ШИМ для сечении U(os_buck) и Upila. Если сигнал
управления ключевым элементом. Оно задается U(os_buck)<0, сигнал ШИМ не производится, как
уравнением V= 5*( 1+ sgn( min (V(os_buck), 5*gam) показано на рис. 6.
– V(pila))). Функция min(V(os_buck), 5*gam) произ- Результаты моделирования
водит выбор меньшей величины. В ней сравнивается Как видно из рис. 3 выходной ток Iн равен 1 А,
усиленный сигнал ошибки и относительная дли- выходное напряжение Uн равно 100 В, что соответ-
тельность открытого состояния ключа, увеличенная ствует заданным параметрам, время переходного
в 5 раз. Затем выбранный меньший сигнал сравни- процесса составляет tпп  47 мс.
вается с сигналом ГЛИН. В момент, когда уровень На рис. 4 приведены осциллограммы напряже-
ГЛИН выше сигнала ошибки, функция sgn() возвра- ния источника питания при прохождении выпрями-
щает число «–1», когда уровень ГЛИН ниже сигнала теля (1) и сглаживающий фильтр (2).
ошибки, функция sgn() возвращает число «+1». Да- Коэффициент пульсаций выходного напряжения
лее происходит сложение с «1» и увеличение сигна- можно оценить по пульсации тока, так как при мо-
ла в 5 раз. Таким образом, источник выдает либо 0 делировании нагрузка считалась чисто активной.
либо 10 В. Коэффициент пульсаций выходного тока равен
Если сигнал U(os_buck)>5gam, ШИМ модули- k  4% .
руется при пересечении 5gam и Upila, ограничение Рассчитанный коэффициент пульсаций не пре-
происходит по 5gam. Если сигнал вышает принятого ранее при расчете коэффициента
0<U(os_buck)<5gam, ШИМ модулируется при пере- пульсации 5%.
Рис. 3. Напряжение и ток на выходе преобразователя
Рис. 4. Напряжение источника питания после выпрямителя (1) и после прохождения через сглаживающий фильтр (2)
Рис. 5. Пульсации выходного тока
Рис. 6. Формирование ШИМ-сигнала
Заключение А.А. Бокуняев, М.Ф. Колканов; под ред. А.А. Бокуняева. –

Имитационное моделирование однотактного М.: Радио и связь, 1993. – 232 с.
непосредственного преобразователя напряжения 3. Семенов В.Д. Энергетическая электроника: учеб.
понижающего типа с широтно-импульсной модуля- пособие / В.Д. Семенов, Б.И. Коновалов, А.В. Кобзев. –
Томск: ТУСУР, 2010. – 164 с.
цией позволило подтвердить правильность рассчи- 4. ГОСТ 29322–2014 (IEC 60038:2009) Напряжения
танных параметров элементов схемы, а также рас- стандартные. – Взамен ГОСТ 29322–92; введен 2015.10.1.
смотреть основные процессы, протекающие в пре- М.: Федеральное агентство по техническому регулирова-
образователе. нию и метрологии, 2015. – 13 с.
5. Коновалов Б.И. Основы преобразовательной тех-
Литература ники: учеб.-метод. пособие для студентов заоч. ф-та спе-
1. Корохов В.В. Анализ и выбор варианта системы циальности «Промышленная электроника» / Б.И. Конова-
управления преобразователем химического источника лов, В.С. Мишуров, В.Д. Семенов. – Томск: ТУСУР,
тока на основе имитационной модели // Изв. ЮФУ. Техни- 2006. – 97 с.
ческие науки. – 2015. – №3. – С. 83–91. 6. Володин В.Я. LTspice: компьютерное моделирова-
2. Китаев В.Е. Расчет источников электропитания ние электронных схем / В.Я. Володин – СПб.: БХВ-
устройств связи: учеб. пособие для вузов / В.Е. Китаев, Петербург, 2010. – 400 с.
УДК 621.316.722.1
Д. Ли, С.Г. Михальченко

инвертирующего типа с широтно-импульсной модуляцией
Представлена имитационная модель однотактного непосредственного преобразователя напряжения инверти-
рующего типа с широтно-импульсной модуляцией с замкнутой обратной связью в компьютерной среде моде-
лирования электронных схем SwitcherCAD/LTSpice.
Ключевые слова: широтно-импульсная модуляция, инвертирующий преобразователь, имитационная модель.
Импульсные источники питания с широт- На данном рисунке отражаются основные фи-
но-импульсной модуляцией (далее – ШИМ) значи- зические свойства замкнутой системы регулирова-
тельно более эффективные и гибкие в использова- ния инвертирующего преобразователя с ШИМ.
нии, чем линейные стабилизаторы. Они обычно ис- Входное переменное напряжение питания подается
пользуются в переносных изделиях, в авиации и на выпрямитель (В) и сглаживающий фильтр (Ф).
автомобилестроении, в небольших измерительных Полученное постоянное напряжение, пройдя через
приборах, автономных устройствах и особенно в тех преобразователь, понижается до заданного значения
приложениях, в которых требуются высокий КПД и и меняет полярность.
несколько выходных напряжений. Они весят значи- Выходное напряжение понижается в β раз до
тельно меньше линейных стабилизаторов, поскольку уровня напряжения сигнала управления (Uу). Далее
требуют меньшего теплоотвода для тех же выход- Uу и пониженное выходное напряжения вычитаются
ных номиналов. Такие источники питания, однако, между собой, считается разность и увеличивается в
более дорогостоящи и требуют больше времени на α раз полученная разница, формируется сигнал
разработку. ошибки (Uош). Коммутационная функция (Kf), реали-
Разработка имитационной модели однотактного зующая ШИМ, формируется в результате наложения
непосредственного преобразователя напряжения сигнала развертывающего напряжения (ГРН) и сиг-
инвертирующего типа с ШИМ позволяет лучше по- нала ошибки (Uош). Kf подается на драйвер (Д), ко-
нять реальную систему, а также использовать мо- торый управляет ключевым элементом.
дель для анализа переходных процессов: определить Имитационная модель инвертирующего
длительность периода, рассчитать настройки и регу- преобразователя инвертирующего типа с ШИМ
лировки, рассмотреть режимы практической экс- Для исследования процессов, протекающих в
плуатации реальной системы, модель можно исполь- преобразователе инвертирующего типа с ШИМ, бы-
зовать в качестве средства обучения при работе с
ла разработана компьютерная модель в программ-
реальной системой.
ном пакете SwitcherCAD/LTspice [5]. Графическое
Основные параметры элементов модели
отображение компьютерной модели представлено на
преобразователя инвертирующего типа с ШИМ
рис. 2.
Расчет основных параметров элементов инвер-
тирующего преобразователя с ШИМ известен и В качестве входного источника питания приме-
описан в [1, 2]. При заданных входных параметрах няется источник напряжения B6, напряжение кото-
эффективное значение напряжения источника пита- рого задано уравнением V=230*sqrt(2)*
ния [3] E = 230 В  10%, мощность нагрузки *sin(2*pi*50*time). Входной выпрямитель представ-
P = 100 Вт, выходное напряжение U = –150 В, ко- ляет собой диодный мост, собранный на идеальных
эффициент пульсаций выходного напряжения диодах D1–D4. Входной сглаживающий фильтр
k  5%, частота работы преобразователя f = 40 кГц, представлен дросселем L1 = 1,5 Гн и конденсатором
рассчитаны следующие параметры элементов: ин- C1 = 33 мкФ. Ключевой элемент представлен иде-
дуктивность дросселя преобразователя L = 2 мГн, альным ключом S2 с параметрами, заданными ди-
выходная емкость C = 100 мкФ, максимальный ток рективой «.model S2 SW(Ilimit=500 Ron=0.0001p
ключевого элемента IVT = 2,2 А, максимальное на- Roff=10000Meg Vt=5 Vh=0 Lser=0 )», где Ron – ключ
пряжение ключевого элемента UVT = 470 В. в замкнутом состоянии, по умолчанию равен 1 Ом,
Расчет параметров входного выпрямителя и Roff – ключа в разомкнутом состоянии, по умолча-
входного сглаживающего фильтра подробно описан нию равен 10–12 см, Vt – пороговое напряжение
в [1, 4]. Полученные емкость и индуктивность вход- включения, по умолчанию 0В, Vh – напряжение гис-
ного фильтра соответственно равны Lф = 1,5 Гн, терезиса, Lser – последовательная индуктивность.
Сф = 33 мкФ, напряжение на одном диоде мостового Ron и Roff приняты такими, чтобы полностью ис-
выпрямителя UVD = 371 В и ток IVD = 1,4 A. ключить влияние ключевого элемента на схему. Ре-
Обобщённая схема замещения зистор R3 = 225 Ом представляет эквивалентное
преобразователя инвертирующего типа с ШИМ сопротивление нагрузки. Источник B11 реализует
На рис. 1 представлена схема замещения, отра- усиленный сигнал ошибки обратной связи. Источ-
жающая основные физические свойства замкнутой ник B3 является генератором развертывающего пи-
системы регулирования. лообразного напряжения или ГРН, необходимым для
формирования ШИМ.
Систему управления можно описать следую-
щим образом:
Источник B11 задается уравнением
V=alp*(V(out3)/22+Uy). В приведенном выражении
запись V(out3)/22+Uy – означает снятие напряжения
с выхода преобразователя, уменьшение его в β = 22
раз, для согласования с сигналом управления, и
суммирование сигнала управления т.к. уменьшен-
ный в β раз сигнал отрицательный. Затем получен-
Рис. 1. Обобщенная схема инвертирующего ный сигнал в α=alp=200 раз пропорционально уве-
преобразователя с ШИМ
личивается. На выходе B11 формируется сигнал V=5*((time*fg)– floor(time*fg)), где fg – частота пре-
ошибки. Источник B3 формирует линейно нарас- образования или частота ШИМ, time – текущее вре-
тающее напряжение, заданное уравнением мя моделирования, floor – функция целого числа.
Рис. 2. Модель однотактного непосредственного преобразователя напряжения инвертирующего типа с широтно-

импульсной модуляцией при питании от источника переменного тока
В источнике B5 формируется сигнал ШИМ для пересечении 5gam и Upila, ограничение происходит
управления ключевым элементом. Он задается урав- по 5gam. Когда сигнал 0 < U (err_inv) < 5gam, ШИМ
нением V= 5*( 1+ sgn( min (V(err_inv), 5*gam) – модулируется при пересечении U (err_inv) и Upila.
V(pila))). Функция min(V(err_inv), 5*gam) произво- Когда сигнал U (err_inv) < 0, сигнал ШИМ не произ-
дит выбор меньшей величины. В ней сравнивается водится, как показано на рис. 6.
усиленный сигнал ошибки и относительная дли- Результаты моделирования
тельность открытого состояния ключа, увеличенная Как видно из рис. 3, время переходного процес-
в 5 раз. Затем выбранный меньший сигнал сравни- са составляет tпп 86мс, и перерегулирование σ=18%.
вается с сигналом ГРН. В момент, когда уровень На рис. 4 приведены осциллограммы напряже-
ГРН выше сигнала ошибки, функция sgn() возвра- ния источника питания при прохождении выпрями-
щает число «–1», когда уровень ГРН ниже сигнала теля (1) и сглаживающий фильтр (2).
ошибки, функция sgn() возвращает число «+1». Да- Коэффициент пульсаций выходного напряжения
лее происходит сложение с «1» и увеличение сигна- можно оценить по пульсации тока, так как при мо-
ла в 5 раз. Таким образом, источник В5 выдает либо делировании нагрузка считалась чисто активной.
0 либо 10 В. Коэффициент пульсаций выходного тока равен
Когда сигнал U (err_inv) > 5gam, импульс k  0, 4% .
управления ключевым элементом формируется при
Рис. 4. Напряжение источника питания после выпрямителя (1) и после прохождения через сглаживающий фильтр (2)
Рис. 6. Формирование ШИМ-сигнала
Рассчитанный коэффициент пульсаций не пре- преобразователе, а также подтвердить правильность

вышает принятого ранее при расчете коэффициента рассчитанных параметров элементов схемы.
пульсации 5%.
Разработанная имитационная модель однотакт- 1. Китаев В.Е. Расчет источников электропитания
ного непосредственного преобразователя напряже- устройств связи: учеб. пособие для вузов / В.Е. Китаев,
ния инвертирующего типа с широтно-импульсной А.А. Бокуняев, М.Ф. Колканов; под ред. А.А. Бокуняева. –
модуляцией позволила оценить работоспособность М.: Радио и связь, 1993. – 232 с.
2. Семенов В.Д. Энергетическая электроника: учеб.
алгоритма формирования коммутационной функции,
пособие / В.Д. Семенов, Б.И. Коновалов, А.В. Кобзев. –
рассмотреть основные процессы, протекающие в Томск: ТУСУР, 2010. – 164 с.
3. ГОСТ 29322–2014 (IEC 60038:2009). Напряжения циальности «Промышленная электроника» / Б.И. Конова-
стандартные. – Взамен ГОСТ 29322-92; введен 2015-10-1. – лов, В.С. Мишуров, В.Д. Семенов. – Томск: ТУСУР,
М.: Федеральное агентство по техническому регулирова- 2006. – 97 с.
нию и метрологии, 2015. – 13 с. 5. Володин В.Я. LTspice: компьютерное моделирова-
4. Коновалов Б.И. Основы преобразовательной тех- ние электронных схем / В.Я. Володин – СПб.: БХВ-
ники: учеб.-метод. пособие для студентов заоч. ф-та спе- Петербург, 2010. – 400 с.
УДК 621.311.68
Д.А. Корольский, А.И. Кох, С.Г. Михальченко, Г.Я. Михальченко
Влияние электролитического конденсатора на надежность

источника питания светодиодного светильника
Рассмотрена работа источника питания светодиодного светильника с пленочными конденсаторами вместо
электролитических во входном и выходном фильтре и возможностью автономной работы, проведен его расчет
надежности. Проведен расчет надежности этого же источника питания при замене пленочных конденсаторов на
электролитические. Получено, что гамма-процентная наработка до отказа при этом снизилась на 16,5%.
Ключевые слова: светодиодный светильник, источник питания, электролитический конденсатор, пленочный
конденсатор, надежность, безотказность.
На сегодняшний день широкое распростране- Блоки в схеме на рис. 1. обозначают следую-

ние получили светодиодные светильники, основан- щее: СУ1, СУ2 – система управления обратноходо-
ные на использовании светодиодов. Преимущества вым и повышающим преобразователем соответст-
таких светильников очевидны: высокая эффектив- венно, СУ3 – система управления, осуществляющая
ность, долгий срок службы, отсутствие сверхвысо- контроль заряда аккумулятора и его нагрева. ДТ –
ких температур. Тем не менее светодиодные све- датчик температуры, БВЗ – блок ячеек, осуществ-
тильники зачастую выходят из строя раньше поло- ляющих выравнивание напряжения на всех аккуму-
женного срока из-за отказа их источника питания, ляторных батареях. ДН – датчик напряжения, Н –
или драйвера. «Слабым звеном» драйвера является нагреватель.
электролитический конденсатор, который имеет од- Входное напряжение источника питания Uвх –
ну из наибольших интенсивностей отказов не только напряжение однофазной сети переменного тока
среди других групп конденсаторов (пленочных, ке- 220 В / 50 Гц. В нормальном режиме, т.е. при пита-
рамических и т.д.), но и среди других радиоэлек- нии от сети Uвх, работает обратноходовый преобра-
тронных компонентов, применяемых в схемах пре- зователь, в системе управления которого реализован
образователей источников питания. Также срок метод широтно-импульсной модуляции (ШИМ). В
службы таких конденсаторов значительно снижается это же время происходит заряд блока аккумулятор-
при высокой температуре окружающей среды [1]. ных батарей до напряжения 16 В, контролируемый
Поэтому для повышения надежности светодиодного системой управления СУ3. Блок выравнивания заря-
светильника необходимо исключать электролитиче- да аккумуляторных батарей БВЗ контролирует уро-
ские конденсаторы из их источников питания. вень заряда на каждом аккумуляторе. Аккумулятор
В рамках опытно-конструкторской работы не должен работать при температуре ниже минус 10
«Разработка унифицированного ряда сейсмостойких °С. Если температура окружающей среды опускает-
световых приборов на основе полупроводниковых ся ниже данной отметки, включается нагреватель Н,
излучателей света» необходимо разработать свето- осуществляющий нагрев аккумулятора.
диодные светильники разных типономиналов с по- При отсутствии на входе преобразователя на-
вышенными требованиями к надежности: гамма- пряжения Uвх светодиодная нагрузка питается от
процентная наработка до отказа при γ, равной 90%, аккумулятора. СУ2 осуществляет ШИМ-управление
должна составлять 50 000 ч. Более того, данный све- повышающим преобразователем.
тильник должен быть способен продолжать авто- В нагрузке преобразователя HL находится све-
номную работу в течение часа при отключении от тодиодный модуль, состоящий из трех параллельных
сети питающего напряжения. светодиодных цепочек, в каждой из которых после-
С учетом этих требований для светильника был довательно включено 7 светодиодов. Ток нагрузки Iн
разработан источник питания, в котором электроли- составляет 0,71 А, напряжение в нагрузке Uн со-
тические конденсаторы заменены на пленочные. ставляет 21 В. КПД преобразователя при питании от
Электрическая функциональная схема типового сети и незаряженным аккумулятором составляет
представителя разработанного источника питания, 86,2%. Источник питания в составе светильника
имеющего наибольшую потребляемую мощность, полностью залит теплопроводным компаундом.
приведена на рис. 1. Максимальная температура окружающей среды, в
которой будет эксплуатироваться светильник, со- источника питания, а именно температура на корпу-
ставляет 70 °С. При этом максимальная температура се транзистора VT1, составляет 75 °С.
Рис. 1. Схема электрическая функциональная источника питания
Еще одной особенностью в данном преобразо- В свою очередь интенсивность отказов каждого
вателе является то, что в качестве конденсатора электронного компонента можем определить как
входного фильтра С3 и выходного фильтра С5 ис- произведение его базовой интенсивности отказов λб
пользуются высоконадежные пленочные полиэти- на коэффициенты Ki, учитывающие условия экс-
лентерефталатные конденсаторы К73-17 вместо плуатации, температурные и электрические режимы,
электролитических конденсаторов. В разработанном вид приемки (3):
преобразователе используется сборка из шести кон- n
денсаторов К73-17, каждый с номинальной емко-    б   Ki (3)
стью 2,2 мкФ и напряжением 400 В. В выходном i 1
фильтре также используется сборка из шести пле- Подставив (3) в (2), получим выражение для
ночных конденсаторов К73-17, три из которых име- расчета суммарной интенсивности отказов всех
ют номинальную емкость 2,2 мкФ, три остальных компонентов (4):
имеют емкость 4,7 мкФ с напряжением 63 В каждый. m nj
Целью данной статьи является исследование     бj   Kij . (4)
влияния электролитического конденсатора на сни- j 1 i 1
жение параметров надежности указанного преобра- Выражение (4) актуально только для тех систем,
зователя, количественная оценка этого влияния че- элементы которых можно представить последова-
рез расчет интенсивности отказов и сравнительный тельно, где отказ одного любого элемента приведет к
анализ полученных значений. отказу системы в целом. Существуют параллельные
Расчет надежности системы, отказ которых происходит при отказе не-
Гамма-процентная наработка до отказа Tγ при скольких либо всех элементов, и смешанные систе-
расчете надежности РЭА определяется как функция мы. Для двух последних типов систем выражение
экспоненциального распределения (1) [2]: (4) значительно усложняется. Чаще всего преобразо-
1 ватели электрической энергии, в которых не преду-
T   ln( P) , (1)
 смотрено резервирование элементов, имеют после-
где λ – суммарная интенсивность отказов компонен- довательную структуру [2]
тов РЭА, 1/ч; P – вероятность отказа γ, деленная на В данной работе с использованием (2)–(4) был
100. проведен расчет интенсивности отказов преобразо-
Суммарная интенсивность отказов λ рассчиты- вателя, изображенного на рис. 1. Ее значение соста-
вается как сумма интенсивностей отказов каждого вило 18,365·10–7 1/ч. На рис. 2. представлены резуль-
электронного компонента в отдельности (2) [3]: таты расчета в виде гистограмм, отражающих сум-
  1   2  ...   m , (2) марную интенсивность отказов (а) и среднюю ин-
тенсивность отказов (б) каждого типа электронного
где m – число электронных компонентов. компонента.
С10–С15 – пленочные конденсаторы входного и
выходного фильтра соответственно. С1, С9, С16 –
пленочные конденсаторы входного фильтра, С2 –
пленочный конденсатор в схеме демпфера. Все ос-
тальные являются керамическими конденсаторами,
которые в преобразователе используются для устра-
нения высокочастотных помех, в фильтрах, а также в
качестве частотозадающих. Как видим из рис. 3.,
а интенсивность отказов самых «нагруженных» кон-
денсаторов составляет 0,204·10–7 1/ч.
Расчет надежности при введении
электролитического конденсатора
Для проведения сравнительного анализа с по-
мощью расчета надежности заменили пленочные
конденсаторы входного фильтра на один электроли-
тический К50-35 с номинальной емкостью 10 мкФ и
напряжением 400 В. Пленочные конденсаторы в вы-
ходном фильтре заменены на электролитический
б К50-35 с номинальной емкостью 22 мкФ и напряже-
Рис. 2. Гистограммы интенсивностей отказов каждого
типа компонента: а – суммарной; б – средней
нием 63 В. После замены суммарная интенсивность
отказов, рассчитанная по формулам (2)–(4), состави-
Здесь приняты следующие обозначения: Rсумм – ла 22,005·10–7 1/ч. Рассчитанная с использованием
суммарная интенсивность отказов всех резисторов в (1) гамма-процентная наработка до отказа составля-
преобразователе, Ссумм – суммарная интенсивность ет 47 880 ч. Полученное значение меньше требуе-
отказов всех конденсаторов преобразователя, VDсумм, мых 50 000 ч. Таким образом при использовании
VTсумм, Dасумм и V1 – суммарная интенсивность электролитических конденсаторов в преобразовате-
отказов всех диодов и стабилитронов, транзисторов, ле требования безотказности не выполняются.
аналоговых микросхем и варистора соответственно. На рис. 4, а представлена гистограмма с сум-
Наибольший вклад в снижение надежности вносят марными интенсивностями отказов каждого типа
резисторы, которые используются в преобразователе компонента, а на рис. 4, б представлены средние
в большом количестве. Самыми ненадежными эле- интенсивности отказов при использовании электро-
ментами являются аналоговые микросхемы, тем не литических конденсаторов.
менее разница в значениях интенсивности отказов
невелика.
С использованием (1) можем определить гамма-
процентную наработку до отказа Tγ разработанного
преобразователя, которая составит 57370 ч, что
удовлетворяет упомянутым выше требованиям
безотказности.
На рис. 3 представлена гистограмма интенсив-
ностей отказов каждого конденсатора, используемо-
го в преобразователе. а
б
Рис. 4. Гистограммы интенсивности отказов при введении
электролитических конденсаторов: а – суммарной
каждого типа компонента; б – средней каждого типа
Рис. 3. Гистограмма интенсивностей отказов компонента
конденсаторов в разработанном преобразователе
Как видим из рис. 4, наибольший вклад в сни-
Позиционные обозначения на рис. 3. приняты в жение надежности оказывают электролитические
соответствии с принципиальной схемой преобразо- конденсаторы. Суммарная интенсивность отказов
вателя, не представленной в данной статье. С3–С8, конденсаторов преобразователя при введении элек-
тролитических конденсаторов увеличилась более
чем в 2,5 раза.
На рис. 5 представлены гистограммы интенсив-
ностей отказов всех конденсаторов в преобразовате-
ле.
Рис. 6. Макет разработанного преобразователя
1. Количественно определено, что применение
пленочных конденсаторов вместо электролитичес-
ких повышает наработку до отказа и надежность в
целом. В частности, в разработанном преобразова-
теле гамма-процентная наработка до отказа
Рис. 5. Гистограмма интенсивности отказов составляет 57 370 ч. При введении электролитичес-
конденсаторов в разработанном преобразователе ких конденсаторов она снижается до 47 880 ч, что
при использовании электролитических конденсаторов ниже на 16,5%.
2. В данном преобразователе большое влияние
Здесь С3 и С10 – электролитические конденса- на снижение надежности также оказывают резисто-
торы входного и выходного фильтров соответствен- ры, в связи с чем необходимо оптимизировать схему
но. Их интенсивность отказов превышает в 10–20 преобразователя путем уменьшения их количества и
раз интенсивность отказов самых «нагруженных» снижения коэффициента нагрузки по мощности.
неэлектролитических конденсаторов.
На рис. 6. изображен макет разработанного Литература
преобразователя. Все используемые в нем электрон- 1. Han L. An Accelerated Test Method for Predicting the
ные компоненты имеют категорию качества «ВП». Useful Life of an LED Driver/ L. Han, N. Narendran // Journal
Пленочные конденсаторы с номинальной IEEE Transaction on Power Electronics. – 2011. – Vol. 26,
емкостью и рабочим напряжением, таким же, как и у No. 8. – PР. 2249–2257.
электролитического, будут значительно их превы- 2. Боровиков С.М. Расчет показателей надежности
радиоэлектронных средств: учеб.-метод. пособие /
шать по габаритным показателям. Как видно из
С.М. Боровиков, И.Н. Цырельчук, Ф.Д. Троян. – Минск:
рис. 6, пленочные конденсаторы занимают значи- БГУИР, 2010. – 68 с.
тельную часть печатной платы разработанного 3. Надежность электрорадиоизделий: справочник. –
источника питания. М.: МО РФ, 2006. – 641 с.
УДК 621.316.722.1
О.Б. Тохтаров, С.Г. Михальченко

повышающего типа с широтно-импульсной модуляцией
Представлена имитационная модель однотактного непосредственного преобразователя напряжения повышаю-
щего типа с широтно-импульсной модуляцией с замкнутой обратной связью в компьютерной среде моделиро-
вания электронных схем SwitcherCAD/LTSpice.
Ключевые слова: широтно-импульсная модуляция, повышающий преобразователь, имитационная модель.
Разработка имитационной модели однотактного вать в качестве средства обучения при работе с ре-
непосредственного преобразователя напряжения альной системой.
повышающего типа с ШИМ позволяет лучше понять Основные параметры элементов модели
реальную систему, а также использовать модель для преобразователя повышающего типа с ШИМ
анализа переходных процессов: определить дли- Расчет основных параметров элементов повы-
тельность периода, рассчитать настройки и регули- шающего преобразователя с ШИМ известен и опи-
ровки, рассмотреть режимы практической эксплуа- сан в [1, 2]. При заданных входных параметрах эф-
тации реальной системы, модель можно использо- фективное значение напряжения источника питания
[3] E = 120 В  10%, мощность нагрузки P = 330 Вт, Uу и повышенное выходное напряжения вычитают-
выходное напряжение U = 220 В, коэффициент ся между собой, считается разность и увеличивается
пульсаций выходного напряжения k  7%, частота в α раз полученная разница, формируется сигнал
работы преобразователя f = 50 кГц, рассчитаны сле- ошибки (Uош). Коммутационная функция (Kf), реали-
дующие параметры элементов: индуктивность дрос- зующая ШИМ, формируется в результате наложения
селя преобразователя L = 0,25 мГн, выходная ем- сигнала развертывающего напряжения (ГРН) и сиг-
кость C = 40 мкФ, максимальный ток ключевого нала ошибки (Uош). Kf подается на драйвер (Д), ко-
элемента IVT = 4,5 А, максимальное напряжение торый управляет ключевым элементом.
ключевого элемента UVT = 242 В.
Расчет параметров входного выпрямителя и
входного сглаживающего фильтра подробно описан
в [1, 4]. Полученные емкость и индуктивность вход-
ного фильтра соответственно равны Lф = 8 мГн,
Сф = 33 мкФ, напряжение на одном диоде мостового
выпрямителя UVD = 371 В и ток IVD = 1,4A.
Обобщённая схема замещения
преобразователя повышающего типа с ШИМ
На рис. 1 представлена схема замещения, отра-
жающая основные физические свойства замкнутой Рис. 1. Обобщенная схема повышающего преобразователя
системы регулирования. с ШИМ
На данном рисунке отражаются основные фи-
зические свойства замкнутой системы регулирова- Имитационная модель повышающего
ния повышающего преобразователя с ШИМ. Вход- преобразователя повышающего типа с ШИМ
ное переменное напряжение питания подается на Для исследования процессов, протекающих в
выпрямитель (В) и сглаживающий фильтр (Ф). По- преобразователе повышающего типа с ШИМ, была
лученное постоянное напряжение, пройдя через разработана компьютерная модель в программном
преобразователь, повышается до заданного значения. пакете SwitcherCAD/LTspice [5]. Графическое ото-
Выходное напряжение повышается в β раз до бражение компьютерной модели представлено на
уровня напряжения сигнала управления (Uу). Далее рис. 2.
Рис. 2. Модель однотактного непосредственного преобразователя напряжения повышающего типа

с широтно-импульсной модуляцией при питании от источника переменного тока
В качестве входного источника питания приме- необходимый для формирования и корректировки

няется функционально задающийся источник на- ШИМ.
пряжения B6, напряжение которого задано уравне-
нием V=230*sqrt(2)*sin(2*pi*50*time). Входной вы-
прямитель представляет собой диодный мост, соб-
ранный на идеальных диодах D1–D4. Входной сгла-
живающий фильтр представлен дросселем L1=8 мГн
и конденсатором C1=33 мкФ. Ключевой элемент
представлен идеальным ключом S2 с параметрами Рис. 3. Модель генератора пилообразного напряжения
заданной директивой «.model S2 SW(Ilimit=500
Ron=0.0001p Roff=10000Meg Vt=5 Vh=0 Lser=0 )». Систему управления можно описать следую-
R3=225 Ом – резистор, представляющий эквива- щим образом.
лентное сопротивление нагрузки. Источник B11 соз- Источник B9 задается уравнением
дает усиленный сигнал ошибки обратной связи. V=alp*(V(out3)/22+Uy). В данном уравнении запись
Источник B3 является генератором линейно на- V(out3)/22+Uy – означает снятие напряжения с вы-
растающего пилообразного напряжения или ГРН, хода преобразователя, уменьшение его в β=29 раз
для согласования с сигналом управления, и прибав- уравнением V= 5*( 1+ sgn( min (V(err_inv),
ление сигнала управления, т.к. уменьшенный в β раз 5*gam) – V(pila))). Функция min(V(err_inv), 5*gam)
сигнал отрицательный. Затем полученный сигнал в производит выбор меньшей величины. В ней срав-
α=alp=200 раз пропорционально увеличивается. На нивается усиленный сигнал ошибки и относитель-
выходе B11 формируется сигнал ошибки. Источник ная длительность открытого состояния ключа, уве-
B3, показанный на рис. 3, формирует линейно на- личенная в 5 раз. Затем выбранный меньший сигнал
растающее напряжение уравнением V=5*((time*fg)– сравнивается с сигналом ГРН. В момент, когда уро-
–floor(time*fg)), где fg – частота преобразования или вень ГРН выше сигнала ошибки, функция sgn() воз-
вращает число «–1», когда уровень ГРН ниже сигна-
частота ШИМ, time – текущее время моделирования,
ла ошибки, функция sgn() возвращает число «+1».
floor – функция целого числа.
Далее происходит сложение с «1» и увеличение сиг-
В источнике B2-9 формируется сигнал ШИМ
нала в 5 раз. Таким образом, источник выдает либо
для управления ключевым элементом. Оно задается
0 В, либо 10 В.
σ
Рис. 5. Напряжение источника питания после диодного моста (1) и после прохождения
через входной сглаживающий фильтр (2)
Когда сигнал ошибки (Os_boost) становится преобразователе, а также подтвердить правильность

больше 5gam, ШИМ модулируется при пересечении рассчитанных параметров элементов схемы.
5gam и напряжения пилы [V(pila)], ограничение
происходит по 5gam. Когда сигнал ошибки
(Os_boost) больше нуля и меньше 5gam, ШИМ мо- 1. Китаев В.Е. Расчет источников электропитания
дулируется при пересечении сигнала ошибки устройств связи: учеб. пособие для вузов / В.Е. Китаев,
(Os_boost) и напряжения пилы [V(pila)]. Когда сиг- А.А. Бокуняев, М.Ф. Колканов; под ред. А.А. Бокуняева. –
нал ошибки становится меньше нуля, сигнал ШИМ М.: Радио и связь, 1993. – 232 с.
2. Семенов В.Д. Энергетическая электроника: учеб.
не производится.
пособие / В.Д. Семенов, Б.И. Коновалов, А.В. Кобзев. –
Результаты моделирования Томск: ТУСУР, 2010. – 164 с.
Как видно из рис. 4 время переходного процес- 3. ГОСТ 29322–2014 (IEC 60038:2009) Напряжения
са составляет t = 220 мс, перерегулирование состав- стандартные. – Взамен ГОСТ 29322–92; введен 2015.10.1.
ляет σ = 26%. М.: Федеральное агентство по техническому регулирова-
Заключение нию и метрологии, 2015. – 13 с.
Разработанная имитационная модель однотакт- 4. Коновалов Б.И. Основы преобразовательной тех-
ного непосредственного преобразователя напряже- ники: учеб.-метод. пособие для студентов заочного ф-та
ния повышающего типа с широтно-импульсной мо- специальности «Промышленная электроника» / Б.И. Ко-
новалов, В.С. Мишуров, В.Д. Семенов. – Томск: ТУСУР,
дуляцией позволила оценить работоспособность
2006. – 97 с.
алгоритма формирования коммутационной функции, 5. Володин В.Я. LTspice: компьютерное моделирова-
рассмотреть основные процессы, протекающие в ние электронных схем. – СПб.: БХВ-Петербург, 2010. –
400 с.
УДК 621.314.58
И.В. Калашников, В.В. Сеченов, К.В. Аржанов
Устройство бесперебойного питания для аппаратуры связи

по высоковольтным линиям электропередач
Приведены результаты разработки устройства бесперебойного питания аппаратуры связи по ЛЭП с возможно-
стью использования различных типов аккумуляторов. Разработанное устройство позволяет обеспечить беспе-
ребойную работу средств на необслуживаемых пунктах управления, а также увеличить ресурс аккумуляторных
батарей за счет применения интеллектуального алгоритма заряда с постоянным контролем параметров заряда.
Ключевые слова: АКБ, ЛЭП, устройство заряда, микроконтроллер.
Для организации линейно-эксплуатационной приятий электроэнергетики и электрификации, рас-

связи по высоковольтным линиям электропередач положенными в труднодоступных и малоосвоенных
(ВЛ) между структурными подразделениями пред- районах, а также для организации связи с подвиж-
ными обслуживающими бригадами используется Uак_крит_мин – минимальное напряжение на акку-
комплекс оборудования «Трасса» [1]. Труднодоступ- муляторе, по достижении которого при длительном
ность объектов, на которых установлено данное разряде аккумулятор отключается от нагрузки
оборудование связи, потребовала создания полно- (Uак_текущее < Uак_крит).
стью автоматической системы электропитания. Про- Uак_крит_макс – напряжение, на клеммах аккумуля-
блема состоит в большом наборе типов аккумулято- тора, равенство или превышение которого говорит о
ров, находящихся в эксплуатации на подстанциях и неподдерживаемом типе аккумулятора – (аккумуля-
привозимых на замену. тор не обслуживается и не подключается к нагрузке
Решением этой задачи является создание уни- при аварии сети).
версального блока питания БП-12-10, позволяющего Так_норм – период тестирования незаряжаемого
выбирать тип аккумулятора – кислотный (К) [2] или аккумулятора при наличии сети с подключением
щелочной (Щ) [3] – и программно задавать алгоритм нагрузки. Если сеть 220 В отсутствует, т.е. устройст-
и ток заряда в соответствии с типом аккумулятора. во питается от аккумулятора, тестирование происхо-
Понятие кислотного и щелочного типа аккумулятора дит постоянно без подключения дополнительной
условно и определяется уставками программы и нагрузки.
надписями на переключателе типа аккумулятора на Так_заряд – период тестирования аккумулятора во
блок питания (БП), сделанными для удобства рабо- время заряда с подключением нагрузки.
ты пользователя. При изменении вышеупомянутых Напряжение окончания заряда может изменить-
уставок аккумуляторы могут быть любыми, но фор- ся во время эксплуатации аккумулятора, так как
мально тип 1 является щелочным, а тип 2 кислотным. окончание заряда происходит либо по достижению
Существует два способа заряда аккумулятора: этих значений, либо по отсутствию градиента на-
постоянным током и постоянным напряжением. В пряжения на аккумуляторе. В этом случае критерий
данном случае был выбран заряд постоянным током, окончания заряда следующий – за период Так_заряд
что позволяет безопасно заряжать глубоко-разряжен- напряжение на аккумуляторе изменилось менее чем
ные аккумуляторы, так как ток заряда ограничен. на 0,05 В. Так как в основном заряд происходит без
Ток заряда Iз устанавливается пользователем про- оператора, при неисправности аккумулятора (пре-
граммным способом с любым шагом, в БП 12-10 вышение срока нормальной эксплуатации, неис-
Iз = 2,5 А или Iз = 5 А. Тип аккумулятора (К или Щ) правность одной из «секций» и т.д.) максимальное
задается пользователем с помощью переключателя, напряжение, до которого его можно зарядить, падает
расположенного на передней панели БП. до некоторого напряжения – Ux. При продолжении
Микроконтроллер служит для управления бло- заряда до Uак_макс происходит выкипание электроли-
ком питания, обеспечения проверки и уровня заряда та и разрушение аккумулятора. Чтобы устранить эту
аккумулятора, контроля и индикации режимов рабо- неисправность, был введен градиент напряжения.
ты и аварий, а также для измерения напряжений в Ux < Uак_макс – заряд будет продолжаться не до вели-
основных точках посредством встроенного аналого- чины Uак_макс, а некоторой величины Ux. Данный
во-цифрового преобразователя (АЦП). критерий введен также для корректной работы с
Для контроля напряжений БП предусмотрено 4 частично неисправными аккумуляторами, которые
измерительных цепи: невозможно зарядить до штатного уровня напряжения.
1. Для контроля исправности предохранителя – Параметр Uак_крит_макс является общим для обоих
измеряется напряжение на выходных клеммах. типов аккумуляторов.
2. Для определения наличия аккумулятора, Значения вышеуказанных констант по умолча-
уровня напряжения на нем и процесса заряда – из- нию приведены в таблице. Константы могут быть
меряется напряжение на клеммах аккумулятора. изменены программно пользователем, т.к. со време-
3. Для реализации токовой защиты – измеряет- нем реальные значения параметров аккумулятора
ся ток и напряжение на выходе стабилизатора. изменяются.
4. Для определения перенапряжения питающей Параметры состояния аккумулятора
сети – измеряется напряжение на выходе удвоителя Наименование Щелочной Кислотный
напряжения. Uак_ном 17 В 13,8
Для обслуживания и автоматического заряда Uак_мин 12,4 В 12,5
Uак_крит_мин 10 В 11,9
аккумулятора в блоке питания предусмотрены два
Uак_крит_макс 18 В
набора констант в зависимости от типа аккумулято- Так_норм 60 мин
ра (щелочной или кислотный): Так_заряд 20 мин
Uак_макс – напряжение, соответствующее заря-
женному аккумулятору (автоматический заряд акку- Проверка обслуживаемого аккумулятора произ-
мулятора происходит до достижения данного значе- водится следующим образом:
ния напряжения); Постоянно контролируется наличие аккумуля-
тора и отсутствие перенапряжения (Uак_крит_мин) на
Uак_мин – напряжение, определяющее включение
его клеммах. Данная проверка производится на не-
режима заряда аккумулятора (заряд включается при
нагруженном аккумуляторе и не зависит от состоя-
Uак_текущее < = Uак_мин).
ния сети 220 В.
Циклически с периодом Так_норм происходит тес- ШИМ – устройство широтно-импульсной моду-
тирование аккумулятора для проверки необходимо- ляции служит для формирования импульсов управ-
сти заряда аккумулятора. Если заряд аккумулятора ляющего напряжения.
разрешен и сеть 220 В в норме, то эта проверка про- ФНЧ – фильтр низких частот выделяет посто-
исходит при токе нагрузки 2,5/5 А. В остальных янную составляющую управляющего напряжения.
случаях измерения происходят на холостом ходу для Uвып – напряжение с выпрямителя около 27 В.
исключения дополнительного разряда аккумулятора. Iз, Iраз – ток заряда и разряда аккумулятора.
При разряде аккумулятора до уровня Uак_мин и Uакк – напряжение аккумулятора.
разрешенном заряде БП включает режим заряда ак- Кзап – коэффициент заполнения импульса.
кумулятора (при наличии допустимого напряжения Uу – управляющее напряжение.
сети) током, определяемым положением переключа-
теля «Ток заряда». Циклически с периодом Так_заряд
производится тестирование аккумулятора при токе
нагрузки 2,5–5 А.
При заряде аккумулятора до уровня Uак_ном ре-
жим заряда отключается (т.е. аккумулятор в норме) и
БП переходит в исходное состояние. Окончание за-
ряда может произойти также до достижения уровня
Uак_ном при срабатывании критерия градиента заряда.
При длительном отсутствии напряжения в сети
либо нахождении его не в заданном диапазоне при
работе БП от аккумулятора последний может разря-
диться до уровня Uак_крит_мин, т.е. когда дальнейший Рис. 1. Структурная схема управляемого источника тока
его разряд будет приводить к необратимым процес-
сам либо питание оборудования таким пониженным На рис. 2 приведена фотография разработанно-
напряжением не имеет смысла. го блока питания БП-12-10.
Поведение БП в данном случае зависит от на-
пряжения сети: если напряжение сети отсутствует
или занижено, то питание нагрузки отключается от
аккумулятора и переключается на сеть, т.е. нагрузка
не питается или выходное напряжение не удовле-
творяет требованиям соответственно. Если напря-
жение сети превышает верхний предел допустимого,
то нагрузка продолжает питаться от аккумулятора до
устранения перенапряжения. В этом случае вступает
в силу критерий безопасности нагрузки как более Рис. 2. Блок бесперебойного питания БП-12-10
дорогостоящего оборудования, чем аккумулятор. БП
переходит в режим ожидания, периодически прове- Заключение
ряя наличие напряжения в сети. При восстановлении В результате исследований разработаны уст-
напряжения на входе БП включает режим заряда. ройства бесперебойного питания аппаратуры связи
Основой системы обслуживания аккумулятора по ЛЭП с возможностью использования различных
является реверсивный программируемый источник типов аккумуляторов. Разработанные устройства
тока с измерительными цепями напряжения аккуму- позволяют обеспечить бесперебойную работу
лятора, структурная схема которого представлена на средств на необслуживаемых пунктах управления, а
рис. 1. также увеличить ресурс аккумуляторных батарей за
На рис. 1 приняты следующие обозначения: счет применения интеллектуального алгоритма за-
Реверсивный стабилизатор тока – стабилизатор ряда с постоянным контролем параметров заряда.
тока заряда (разряда), управляемый напряжением. Литература
Датчик напряжения – устройство для измерения
напряжения аккумулятора посредством АЦП. 1. Аппаратура связи «Трасса-СМ» [Электронный ре-
сурс]. – Режим доступа: http://niitomsk.ru/trassa_sm.html
АЦП – аналого-цифровой преобразователь для
свободный (дата обращения: 12.06.2017).
измерения напряжения аккумулятора и других кон- 2. Хрусталёв Д.А. Аккумуляторы. – М.: Изумруд,
тролируемых узлов. 2003.
Микропроцессор – арифметико-логическое уст- 3. Рыжавский Г.Я. Измерения при наладке ВЧ-кана-
ройство для управления и обработки данных. лов связи по линии высокого напряжения. – М.: Энерго-
атамиздат, 1989.
УДК 621.311.69
Имитационная модель вольтодобавочного варианта схемы

преобразователя Вейнберга*
Рассмотрен принцип работы и представлены результаты имитационного моделирования вольтодобавочной
схемы преобразователя Вейнберга.
Ключевые слова: источник питания, имитационная модель, преобразователь Вейнберга.
В системах автономного электроснабжения за-

рубежных космических аппаратов (СЭС КА) до-
вольно широко применяется [1, 2] так называемая
схема Вейнберга (Weinberg converter), которая в рус-
скоязычной литературе практически не исследовалась.
Поэтому целью данной статьи является пред-
ставление этой схемы широкой студенческой и на-
учной аудитории, а также изучение её высоких энер-
гетических характеристик на разработанной имита-
ционной модели с целью дальнейшего применения.
Требуемые технические параметры
Свойства схемы в частном случае обсуждаются
применительно к заданным техническим требовани-
ям, приведенным в табл. 1.
Таблица 1
Технические параметры преобразователя
Входное напряжение, В 55
Выходное напряжение, В 100
Выходной ток, А 12
Частота, Гц 100000
Выходная мощность, кВт 1,2
КПД, % >97
Схема вольтодобавочного преобразователя

Вейнберга представлена на рис. 1 и состоит из двух-
тактного преобразователя со средней точкой пер-
вичной обмотки трансформатора, в первичную цепь
которого включена первая обмотка двухобмоточного
дросселя L1, и L2, вторичная обмотка которого че-
рез диод VD1 соединена с выходной шиной. Двух- Рис. 2. Временные диаграммы работы преобразователя
тактный преобразователь выполнен на транзистор-
ных ключах VT1 и VT2, истоки которых соединены Временные диаграммы работы преобразователя
с общей шиной, а стоки – с выводами первичной представлены на рис. 2. Следует отметить, что эта
обмотки TV1.1 и TV1.2 соответственно. Кроме того, схема может работать в двух режимах непрерывного
стоки обоих транзисторов через диоды VD2 и VD3 тока. Первый режим работы при γ ≤ 0,5, а второй –
также подключены к выходной шине, конденсатору при γ ≥ 0,5. Во втором режиме работы диод VD1 не
C1 и сопротивлению нагрузки R. включается и преобразователь работает как преобра-
зователь повышающего типа без дополнительного
канала поступления энергии в нагрузку.
Описание принципа работы преобразователя
Для описания принципа действия данного пре-
образователя на периоде его работы можно выде-
лить четыре интервала времени:
Интервал 1: транзистор VT1 открыт, транзистор
VT2 закрыт.
Эквивалентная схема работы преобразователя и
направления протекания токов в элементах схемы на
интервале 1 представлены на рис. 3.
В открытом состоянии транзистора VT1 ток
Рис. 1. Схема вольтодобавочного преобразователя Вейнберга дросселя L1, являющийся током аккумуляторной
батареи IАБ, протекает через обмотки трансформато- Эквивалентная схема преобразователя и на-
ра TV, включенного по схеме автотрансформатора. правления токов в элементах схемы на интервале 3
При равном числе витков обмоток трансформатора представлены на рис. 5.
половина этого тока протекает через обмотку TV1.1
и транзистор VT1, а вторая половина тока передает-
ся в нагрузку через обмотку трансформатора TV1.2
и диод VD3.
Рис. 5. Эквивалентная схема преобразователя на третьем

интервале времени
Работа преобразователя на интервале 3 анало-

гична его работе на интервале 1, только теперь ток
Рис. 3. Эквивалентная схема преобразователя на первом дросселя L1 (он же ток аккумуляторной батареи IАБ)
интервале времени делится пополам, протекает через обмотку TV 1.2, и,
трансформируясь в обмотку TV 1.1, через диод VD2
Интервал 2: транзисторы VT1 и VT2 закрыты, поступает в нагрузку. Токи в обмотках трансформа-
диод VD1 открыт. тора по отношению к токам на интервале времени 1
Эквивалентная схема преобразователя и на- имеют обратное направление, что обеспечивает ра-
правления токов в элементах схемы на интервале 2 боту трансформатора в двухтактном режиме.
представлены на рис. 4. Основные расчётные соотношения
Для вычисления индуктивностей, входящих в
имитационную модель преобразователя, зададимся
максимальными пульсациями тока дросселя (при
 = 0,5), не превышающими 20% от максимального
выходного тока, а в качестве сердечника для дроссе-
лей и трансформаторов будем использовать феррит
ELP38 марки N87 [3].
Таблица 2
Параметры сердечника
Площадь окна магнитопровода S, мм2 192
Индукция насыщения B, Тл 0,3
Величина индуктивности на виток AL без
7200
зазора, нГн
Величина индуктивности на виток AL1 с зазо-
Рис. 4. Эквивалентная схема преобразователя на втором 1700
ром (зазор 0,12 мм), нГн
интервале времени
Индуктивность дросселей рассчитывается по
На этом интервале времени ток дросселя L1, он следующей формуле [3]
же ток аккумуляторной батареи IАБ , протекает через U вых 2 
L1,2  (  ) 
обе обмотки магнитосвязанного дросселя L1 и L2, 4 i  2 fпр 1  
диод VD1 в нагрузку. Обмотки трансформатора
TV1.1 и TV1.2, отключенные от источника питания 100 2  0,5
 (  0,5) 14,9 мкГн . (1)
и нагрузки, могут влиять на электромагнитные про- 4  0,2 12  2 100000 1  0,5
цессы в схеме только на уровне паразитных емкост- Число витков дросселей:
ных связей. Ток индуктивности L1 при включении
диода VD1 скачкообразно изменяется, уменьшаясь в L 14,9 106
два раза, если обмотки дросселя имеют равное чис- WL1,2    3 витка. (2)
AL1 1700 109
ло витков. Протекание тока через обмотки транс-
форматора возможно только через паразитные емко- Число витков трансформатора TV1
сти реальных полупроводниковых элементов. U /2 50
Интервал 3: транзистор VT1 закрыт, транзистор WTV 1  вых   5 витков.
2  B  S  fпр 2  0,3192 106 100000
VT2 открыт, диод VD2 открыт.
(3)
Индуктивность обмоток трансформатора На основании результатов моделирования, при-
ведённых на рис. 7–10, можно говорить об адекват-
LW  AL WTV 12  7200 109  25 135 мкГн. (4)
ности имитационной модели и возможности даль-
Имитационная модель преобразователя нейшего исследования.
Имитационная модель преобразователя пред-
ставлена на рис. 6.
Рис. 8. Осциллограммы токов магнитосвязанного

дросселя L1 и L2 преобразователя
Рис. 6. Имитационная модель преобразователя Вейнберга
В данной модели использовались параметры

реальных электромагнитных элементов и SPICE- а
модели реальных полупроводниковых элементов,
представленных в табл. 3.
Таблица 3
Параметры моделирования преобразователей
Диоды VD1, VD2, VD3 MBR20200
Транзисторы VT1, VT2 IRFP4768
Коэффициент связи двухобмоточного
0,99
дросселя L1–L2
Коэффициент связи трансформатора б
0,99 Рис. 9. Осциллограммы работы преобразователя:
TV1
а – включение транзистора VT1;
Полученные осциллограммы представлены ниже. б – выключение транзистора VT1
а
Рис. 10. Осциллограмма выходного напряжения преобра-
зователя
Рис. 11. Зависимость КПД преобразователя

от выходной мощности
в
Рис. 7. Осциллограммы работы преобразователя: На рис. 11 представлена зависимость КПД пре-
а – ток диода VD1; б – ток диода VD2; в – ток диода VD3 образователя Вейнберга от выходной мощности.
Колебания тока в дросселях объясняются нали- Power Electronics Specialists Conference, 1992. PESC '92
чием паразитных параметров реальных полупровод- Record., 23rd Annual IEEE. – Vol. 2. – PР. 1140–1147
никовых элементов, которые вступают в резонанс с [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://sci-
hub.cc/10.1109/pesc.1992.254756.
остальными элементами схемы.
Выводы 2. Maset E., Ferreres A., Ejea J.B. et al. 5kW Weinberg
Converter for Battery Dischargingin High-Power Communica-
Зависимость, представленная на рис. 11, пока- tions Satellites // IEEE PESC Conf. – 2005. – PP. 69–75
зывает, что данное решение удовлетворяет предъяв- [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
ляемым требованиям и перспективно для примене- http://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1581604/
ния, диапазоне больших мощностей. 3. Сердечник ELP 38 datasheet [Электронный ре-
Работа выполнена на основании договора меж- сурс]. – Режим доступа: https://www.epcos-
ду АО «ИСС» и Минобрнауки РФ от 01.12.2015 г. china.com/inf/80/db/ fer/elp_38_8_25.pdf
№ 02.G25.31.0182. 4. Maset E., Ferreres A., Ejea J.B. et al. High-Efficiency
Weinberg Converter for BatteryDischarging in Aerospace
Литература Applications // IEEE PESC Conf. – 2006. – PP. 1510–1516
1. Weinberg A.K., Boldo P. Rueda. A High Power, High [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
Frequency, DC to DC Converter for Space Applications // http://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1620740/
УДК 621.382.41
Б.И. Авдоченко, Г.Ф. Карлова, А.М. Цырендоржиева
Датчик слабых магнитных полей на основе эффекта Холла

Представлены результаты исследований структур, на основе которых изготовлены преобразователи Холла и
вольт-амперных характеристик полученных образцов. Электрофизические параметры и ВАХ эпитаксиальных
структур арсенида галлия с тонким активным слоем, выращенных на полуизолирующей подложке, определя-
ются наличием глубоких уровней на границе плёнка-подложка. Предложена конструкция преобразователя
Холла, обеспечивающая низкие остаточные напряжения.
Ключевые слова: преобразователь Холла, эпитаксиальная плёнка, вольт-амперная характеристика, граница
плёнка–подложка, конструкция преобразователя, остаточное напряжение.
Датчики магнитного поля имеют широчайшее Изоляция активных областей осуществлялась им-
применение в автомобильной электронике, в элек- плантацией водорода. Для разделения пластин на
тротехнике, в горной промышленности, в медицин- отдельные кристаллы использовали лазерное скра-
ской, военной и космической технике. Широта об- бирование. Кристаллы размещались на керамиче-
ластей применения обусловливает разработку дат- ском металлизированном основании и после раз-
чиков с различной чувствительностью, различной варки выводов заливались компаундом.
стойкостью и различной конструкцией. Так как напряжение Холла обратно пропорцио-
В данной работе представлены результаты ис- нально толщине (1/d) [1], то основным условием
следований структур, на основе которых изготовле- реализации высокочувствительных преобразовате-
ны преобразователи Холла (ПХ), вольт-амперных лей Холла является изготовление эпитаксиальных
характеристик (ВАХ) полученных образцов и пока- плёнок с малой толщиной. Но при выращивании
зана возможность оптимизации конструкции ПХ, тонких слоёв возникают проблемы, связанные с
обеспечивающей низкие остаточные напряжения. границей плёнка–подложка [2]. Граница полупро-
В разработке ПХ на основе арсенида галлия ис- водниковый эпитаксиальный слой арсенида галлия –
пользовались структуры ni  nб  n  n  -типа. Слои, полуизолирующая подложка GaAs представляет
легированные серой, выращены хлоридным методом собой невидимую часть планарных полупроводни-
газофазной эпитаксии. Концентрация носителей ковых приборов. Особенности этой границы суще-
заряда в n-слое толщиной от 0,3 до 1,6 мкм изменя- ственно влияют на наиболее важные параметры
лась от 5·1015 до 1017 см–3. Толщина контактного дискретных приборов и интегральных схем.
n  -слоя составляла 0,3÷0,4 мкм, концентрация Для изучения влияния на полученные зависимо-
сти глубоких центров на границе плёнка–подложка
n   11018 см–3. Подложка ni была полуизолирую-
исследуемые структуры помещались в СВЧ-резона-
щей, толщина буферного слоя (nб) составляла 3 мкм. тор отражательного типа, работающий на частоте
Кристаллы датчиков с планарной конструкцией 38 ГГц. Измерение проводимости при освещенности
активной n-области изготавливались по технологии структуры со стороны плёнки (или подложки) све-
полевых транзисторов на основе арсенида галлия. тодиодами видимого диапазона излучения и прило-
Омические контакты формировались путём напыле- жении смещения к n+–n- или n–ni-переходу фикси-
ния сплава (Au-Ge)+Ni с последующим вжиганием. ровалось по пропорциональному изменению отра-
жённой от резонатора СВЧ-мощности. Типичная словлено влиянием эффекта обратного управления
картина представлена на рис. 1. Из неё следует, что по подложке, а также влиянием ловушек на поверх-
длинновременная релаксация фотопроводимости ности активного слоя [4]. На границе активного слоя
связана с перезарядкой глубокого уровня (ГУ), рас- с подложкой существует обеднённый основными
положенного в n–i-переходе. Освещение (инжекция носителями заряда слой конечной толщины. Толщи-
в n–ni-переход дырок) вызывает его перезарядку. на слоя зависит от концентрации глубоких центров в
подложке.
Зависимость I от U можно объяснить, если
представить модель данной системы как МДП-
структуру. При подаче напряжения на токовые кон-
такты часть электронов из активной области под
действием диффузии через подложку попадает на
металл, который вследствие этого заряжается отри-
цательно. Отрицательный заряд на металле компен-
сируется положительными ионами в полупроводни-
ке, которые образуют область обеднения, распро-
страняющуюся вглубь полупроводника. Причём чем
больше входное напряжение, тем больше область
обеднения и сопротивление образца. Максимальную
ширину области обеднения, без учёта тока электро-
Рис. 1. Фотоответ от структуры для различных
напряжений при прямом (верхние кривые) и обратном
нов через барьер Шоттки, смещённый в запорном
(нижние кривые) смещении направлении, можно оценить по формуле [1]
dmax = [4kT εε0 ln( Nd/ni) /q2 Nd)]1/2, (1)
Один из возможных механизмов образования где Nd – концентрация примеси при однородном ле-
аномальной области связан с возникающими на гра- гировании; ε – диэлектрическая постоянная GaAs;
нице раздела механическими напряжениями. На- ε0 – абсолютная диэлектрическая постоянная; k –
пряжения могут быть вызваны как наличием на ис- постоянная Больцмана; ni – собственная концентра-
ходной подложке прогиба, так и разницей постоян- ция носителей заряда.
ных решётки подложки и слоя [3]. Известно, что При Nd = 6 1015 см–3 и Т = 300 К dmax = 0,5 мкм.
рост кристаллов в условиях напряжения приводит к Ток насыщения в этом случае
образованию скопления примесных атомов и вакан- I нас = N q Aакт Uнас, (2)
сий. Другой механизм образования аномальной об- где Аакт – толщина активной части канала. Из (1) и
ласти может быть обусловлен деструкцией поверх- (2) следует, что при уменьшении концентрации при-
ности, находящейся при высокой температуре перед меси в активной области увеличивается dmax и
началом процесса выращивания вследствие испаре- уменьшается ток насыщения, что и наблюдалось
ния мышьяка. экспериментально. Для образцов с концентрацией при-
На всех исследованных образцах измерялись меси порядка 6·1015 см–3 с величиной (nd)<6 1011 см–2
вольт-амперные характеристики (ВАХ). Типичный IП=2 мА, а для образцов с величиной (nd)>6 1011 см–2
вид ВАХ представлен на рис. 2. IП > 5 мА, что согласуется с рисунком.
Важнейшими параметрами датчика магнитного
поля на основе эффекта Холла являются Uх и U ост –
выходные напряжения на электродах Холла в маг-
нитном поле и в отсутствие его [1]. Порог срабаты-
вания датчика определяется отношением остаточно-
го напряжения к выходному напряжению.
Датчик магнитного поля, разработанный в
НИИПП на основе кристаллов арсенида галлия,
имеет планарную конфигурацию. Простейшая экви-
валентная схема преобразователя Холла в случае,
когда кристалл полностью планарный (а), представ-
ляет собой мост сопротивлений (рис. 3, а) [1].
Если на вход моста подано управляющее на-
пряжение U1, обеспечивающее ток I1, то напряжение
Рис. 2. Вольт-амперная характеристика преобразователя
на выходе в режиме питания от источника тока будет
Холла
равно (рис. 4, а)
R  R  R2  R3
Они линейны лишь до некоторого значения Uп, U вых  I1 1 4 . (3)
которому соответствует предельный ток Iп. При R1  R4  R2  R3
U > Uп ВАХ выходит, как правило, на насыщение, Для баланса моста достаточно условия
причём участок насыщения наступает тем раньше, R1  R 4  R 2  R3  0 . В идеальном случае, если
чем меньше величина (n·d). Это может быть обу-
R1  R 2  R3  R 4 , U ост будет равно нулю. При которого составляет 40–50 мкм. Конструкция преоб-
отклонении от идеальности имеет место зависи- разователя будет иметь в этом случае вид, представ-
мость остаточного напряжения от управляющего ленный на рис. 4. Сверху кристалл может заливаться
напряжения или тока. Возможна компенсация U ост компаундом или помещаться в стандартный корпус
типа SOT-8. Общая толщина не превышает в этом
при постоянной температуре схемой включения двух случае при заливке 1 мм, а в корпусе 1,8 мм.
идентичных кристаллов на одной подложке или
включением дополнительного компенсирующего
сопротивления, однако особую сложность представ-
ляет температурная компенсация.
а б
Рис. 4. Конструкция преобразователя Холла
на полиамидной основе с выводами в разные стороны (а)
и в одну сторону (б)
а б
Рис. 3. Эквивалентная схема преобразователя Холла: пла- Улучшение электрофизических параметров и
нарного (а) и с выставленными участками подложки (б)
ВАХ эпитаксиальных структур арсенида галлия с
Альтернативным решением задачи является тонким активным слоем, выращенных на полуизо-
изменение конструкции преобразователя Холла. В лирующей подложке, связано с наличием глубоких
измененной конструкции кристалла удалены участ- уровней на границе плёнка–подложка.
ки структуры за пределами активной области. В Предлагаемая конструкция на полиамидной ос-
этом случае эквивалентная схема преобразователя нове позволяет существенно повысить чувстви-
Холла имеет вид, представленный на рис. 3, б, и ос- тельность преобразователя Холла.
новная причина появления U ост тогда исключается.
Необходимо устранить также операцию термоком- Литература
прессионной сварки входных и выходных выводов, 1. Мирзабаев М.М., Потаенко И.Д., Тихонов и др.
которая приводит к увеличению остаточного на- Эпитаксиальные датчики Холла и их применение. – Таш-
пряжения. Необходимо также оптимизировать со- кент: Фан, 1986. – 215 с.
единения к электрическим токовым и холловским 2. Баранский П.И., Беляев А.Е., Глушков Е.А., Солу-
выводам из осаждённого золота, которые привари- ха И.В. // Украинский физический журнал. – 1994. –
ваются к внешним выводам без нарушения кри- Т. 39, №4. – С. 361–364.
сталла. 3. Чернов И.А., Асанов О.М., Пороховниченко Л.П.
Кроме того, для уменьшения общей толщины // Изв. вузов. Физика. – 1996. – №11. – С. 112–114.
4. Шур М. Современные приборы на GaAs. – М.:
преобразователей Холла необходимо использовать Мир, 1991. – 215 с.
подложку из фольгированного полиамида, толщина
УДК 621.396.41
С.С. Тюнин, Д.Б. Бородин, В.А. Кабиров, В.Д. Семенов
Двунаправленные преобразователи электрической энергии

в автономных системах электроснабжения
Дан анализ применения существующих схем двунаправленных преобразователей в автономных системах элек-
троснабжения.
Ключевые слова: преобразователь электрической энергии, ШИМ, резонанс, мягкая коммутация, КПД, повы-
шающий преобразователь, понижающий преобразователь.
Автономные системы электроснабжения косми- энергии (чаще всего солнечных батарей (БС)), один
ческих аппаратов (СЭС КА), как правило, имеют в или несколько накопителей энергии в виде аккуму-
своем составе несколько первичных источников ляторных батарей (АБ) и энергопреобразующую
аппаратуру (ЭПА), обеспечивающую на общей шине
заданное качество выходного напряжения во всех
режимах эксплуатации БС и АБ.
В составе ЭПА выделяют зарядные устройства
(ЗУ), разрядные устройства (РУ), стабилизаторы
напряжения (СН). В некоторых случаях оказывается
выгодным объединить ЗУ и РУ в одно устройство,
обеспечив ему способность двунаправленной пере-
дачи энергии. В зарубежной литературе [1, 2] такие
двунаправленные преобразователи именуются «bidi-
rectional converters».
Известно большое количество двунаправлен-
ных преобразователей [1–3], в том числе и двуна-
правленный преобразователь, применяемый в сис-
темах с потребителями переменного тока [4]. Одна-
ко мы остановимся на двунаправленных преобразо-
вателях с потребителями постоянного тока, без «яв-
но выраженного» промежуточного преобразования а
постоянного напряжения в переменное. UУ1
К таким преобразователям, в первую очередь,
относится классический повышающе-понижающий UУ3
преобразователь, схема которого приведена на
рис. 1, а, а временные диаграммы – на рис. 1, б. IL3
IVT1
UC3
UVT1
а IVT2
б
UУ2
UУ4
IL2
IVT2
б UC4
Рис. 1. Схема двунаправленного
повышающе-понижающего преобразователя
Функционально это повышающий преобразова-

тель на транзисторе VT1 с диодом VD2, к которому UVT2
«добавили» транзистор VT2 и диод VD1. Конструк-
тивно транзисторы VT и диоды VD могут быть объ-
единены или выполнены на одном кристалле, это
преимущественно ничего не меняет, но сильно IVT1
ухудшает динамические характеристики ключей, в
если в качестве диодов используются «внутренние» Рис. 2. Схема с активным резонасным демпфером и
диоды полевых транзисторов [5, 6]. диограммы токов и напряжений
Такая двунаправленная структура имеет еще щая и понижающая, что обеспечивает ее работу в
одно положительное свойство, заключенное в том, двух квадрантах внешней характеристики. В СЭС
что с помощью дополнительного транзистора можно КА она, как правило, избыточна, хотя может найти
уменьшить падение напряжения на диоде, переведя применение в высоковольтных системах электро-
транзистор в режим синхронного выпрямления [5, снабжения, обеспечивая согласование уровней на-
6]. Однако жесткое переключение транзисторов, пряжения. Широкое применение эта схема получила
показанное на диаграммах тока рис. 1, б, является в гибридных автомобилях в качестве зарядно-раз-
существенным недостатком такой схемы. Известно рядного устройства.
много работ, посвященных мягкому переключению
ключей в этой схеме. Например, в работах [5, 6] эта
схема, представленная на рис. 2, снабжена дополни-
тельным колебательным контуром, обеспечивающим
режим ZVS, который принудительно выключает
включенный диод, создавая благоприятные условия
для выключения основного транзистора.
В работе [2] предлагается осуществление мяг-
кой коммутации ключей за счет перевода преобразо-
вателя в режим прерывистого тока, компенсировав
возросшие пульсации тока увеличением фаз преоб-
разователя, как показано на рис. 3, а, б.
Рис. 4. Схема двунаправленного повышающе-

понижающего преобразователя
Следует заметить, что если вспомнить о необ-

ходимости ограничения тока короткого замыкания
АБ, то мы придем к схеме рис. 6, когда на пони-
жающий преобразователь возлагается только защит-
ная функция ограничения тока. На рис. 6 представ-
лена схемотехническое решение, обеспечивающее
ограничение тока разряда АБ, а за счет прерывисто-
го тока силовых дросселей L1, L2 обеспечивается
мягкая коммутация.
Рис. 5. Схема двунаправленного повышающе-

понижающего преобразователя
Далее планируется исследовать схему во всем

диапазоне нагрузок при режимах заряда и разряда
АБ. Выработать эффективный алгоритм управления
силовыми ключами.
1. Nguyen Anh Dung1, Pham Phu Hieu, Yao-Jing Hsieh
et al. A novel low-loss control strategy for bidirectional DC–
б DC converter // International journal of circuit theory and
Рис. 3. Схема двухстороннего двухфазного applications. Int. J. Circ. Theor. Appl. (2017).
повышающе-понижающего преобразователя 2. Xiucheng Huang, Fred C. Lee, Life Fellow et al. Fre-
quency High Efficiency GaN-Based Interleaved CRM Bi-
Схема, представленная на рис. 4, двунаправлен- directional Buck/Boost Converter with Inverse Coupled In-
ная, может работать в «обе» стороны как повышаю-
ductor // IEEE Transactions on Power Electronics/ DOI 5. Тюнин С.С., Кабиров В.А., Кобзев А.В., Семе-
10.1109/TPEL.2015.2476482. нов В.А. Непосредственный понижающий преобразова-
3. Yuri Panov, Yungtaek Jang, Milan M. Jovanović, тель с мягким переключением и ШИМ-регулированием
Brian T. Irving Design Optimization and Performance Evalua- (ZVT-PWM) // XIII Междунар. науч.-техн. конф. АПЭП–
tion of HighPower, High-Frequency, Bidirectional Buck-Boost 2016. – Ч. 10. – С. 43–49.
Converter with SiC MOSFETs // Delta Products Corporation 6. Бородин Д.Б., Кабиров В.А., Винтоняк Н.П. и др.
Power Electronics Lab 5101 Davis Drive, Research Triangle Непосредственный повышающий преобразователь с мягким
Park, NC 27709. – 2009. – Vol. 3. переключением и ШИМ-регулированием (ZVT-PWM) //
4. Marcelo L. Heldwein, Samir A. Mussa, Ivo Barbi. XIII Междунар. науч.-техн. конф. АПЭП–2016. – Ч. 10. –
Three-Phase Multilevel PWM Rectifiers Based on Conven- С. 36–42.
tional Bi-directional Converters // IEEE. Transactions on
power electronics.
Секция 9
ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Председатель секции – Окс Ефим Михайлович, зав. каф. физики, д.т.н., профессор
УДК 537.521.7
А.В. Казаков, А.В. Медовник, А.П. Андрейчик
Влияние эмиссионного электрода на электрическую

прочность ускоряющего промежутка импульсного
широкоапертурного плазменного источника электронов
в форвакуумном диапазоне давлений
Представлены исследования влияния эмиссионного электрода на электрическую прочность ускоряющего про-
межутка импульсного широкоапертурного плазменного источника, генерирующего электронный пучок в фор-
вакуумном диапазоне давлений 3–30 Па. Установлено, что увеличение размера ячеек эмиссионной сетки (элек-
трода) приводит к снижению электрической прочности ускоряющего промежутка плазменного источника, что
проявляется в существенном снижении максимального тока эмиссии электронов. Показано, что при пробое ус-
коряющего промежутка в оптических спектрах присутствуют линии, соответствующие материалу, из которого
изготовлен сеточный эмиссионный электрод. Наличие данных линий свидетельствует о функционировании ка-
тодного пятна на эмиссионном электроде при пробое ускоряющего промежутка.
Ключевые слова: плазменный источник электронов, импульсный пучок электронов, дуговой разряд, пробой
ускоряющего промежутка, форвакуум.
Плазменные источники электронных пучков Для технологического применения незкоэнерге-

представляют собой инструмент для обработки ши- тичных импульсных источников важными являются
рокого спектра материалов [1–3]. По сравнению с максимальные (предельные) параметры, такие как
источниками с термокатодами перспективность ис- ток (плотность тока) пучка, длительность импульса,
пользования источников электронов с плазменными энергия пучка в одном импульсе. Максимальные
катодами обусловлена способностью плазменных (предельные) параметры в основном определяются
источников сохранять стабильные параметры элек- типом используемого разряда, формирующего эмис-
тронного пучка при повышенных давлениях рабоче- сионную плазму, и электрической прочностью уско-
го газа и в присутствии агрессивных газовых сред ряющего промежутка. Использование дугового раз-
[3, 4]. Этот аспект важен для технологического при- ряда с катодным пятном в форвакуумном плазмен-
менения в процессах, которые сопровождаются ин- ном источнике позволило увеличить максимальные
тенсивным газоотделением либо требуют присутст- ток и длительность импульсов [9]. Однако теперь
вия определенной газовой среды. максимальные параметры форвакуумного импульс-
Форвакуумные плазменные источники обеспе- ного плазменного источника электронов на основе
чивают генерацию электронных пучков в диапазоне дугового разряда ограничены электрической проч-
давлений 3–100 Па [5], что позволяет применять ностью ускоряющего промежутка, т.е. пробоем ус-
данные источники для электронно-лучевой обработ- коряющего промежутка при генерации электронного
ки различных диэлектрических материалов без ис- пучка.
пользования дополнительного оборудования [6]. Это В отличие от вакуумного пробоя между двумя
обусловлено тем, что в форвакуумном диапазоне электродами [10] в плазменном источнике электро-
давлений отрицательный заряд на диэлектрической нов пробой происходит под влиянием внешнего ио-
поверхности компенсируется ионами из пучковой низатора, которым является электронный пучок, и
плазмы, возникающей при ионизации рабочего газа процессов, сопряженных с генерацией электронного
электронным пучком, и несамостоятельным разря- пучка. В форвакуумном диапазоне давлений элек-
дом, возникающим между отрицательной заряжен- трическая прочность ускоряющего промежутка ис-
ной поверхностью и заземленными стенками ваку- следовалась для плазменных источников непрерыв-
умной камеры [7]. Импульсные широкоапертурные ного электронного пучка [11] и импульсного элек-
плазменные источники, генерирующие электронные тронного пучка малого сечения (не более 10 мм) с
пучки в форвакуумном диапазоне давлений, позво- током эмиссии не более 10 А [12]. Однако для широ-
ляют осуществлять модификацию поверхности раз- коапертурных электронных пучков с токами эмиссии
личных диэлектрических материалов [8]. в десятки и более ампер, генерируемых в форваку-
Секция 9. Плазменная электроника 235
умном диапазоне давлений, этот вопрос исследован Плазменный источник размещался на фланце 8
недостаточно. Одним из основных элементов уско- вакуумной камеры, которая откачивалась механиче-
ряющего промежутка является эмиссионный элек- ским форвакуумным насосом. Давление p = 3–30 Па
трод, который в большой степени оказывает влияние регулировалось подачей рабочего газа (воздух, ге-
на параметры электронного пучка. В связи с этим лий) в вакуумную камеру. Питание дуги осуществ-
целью настоящей работы являлось исследование лялось импульсным блоком питания разряда 9,
влияния эмиссионного электрода на электрическую обеспечивавшего ток Id до 450 А. Длительность им-
прочность ускоряющего промежутка широкоапер- пульсов во всех экспериментах составляла 300 мкс.
турного плазменного источника при генерации им- Извлечение и ускорение электронов осуществлялись
пульсного электронного пучка в форвакуумном диа- высоковольтным источником 10 постоянного уско-
пазоне давлений. ряющего напряжения Ua. Эксперименты по исследо-
Экспериментальная установка и методика ванию пробоя ускоряющего промежутка проводи-
эксперимента лись при ускоряющем напряжении Ua = 9 кВ. Часто-
Схема экспериментальной установки по иссле- та следования импульсов составляла 0,1 Гц, что
дованию электрической прочности ускоряющего обеспечивало восстановление ускоряющего напря-
промежутка представлена на рис. 1. При проведении жения после пробоя ускоряющего промежутка.
экспериментов использовалась электродная система Для измерения токов Id разряда и Ie эмиссии ис-
импульсного широкоапертурного плазменного ис- пользовались трансформаторы тока (пояса Роговско-
точника электронов на основе дугового разряда, го). Измерение напряжения Ua на ускоряющем про-
подробное описание которого представлено в [9]. В межутке осуществлялось с помощью резистивного
настоящей статье приведем описание только уско- делителя HVP–15HF (1:1000).
ряющего промежутка источника. Регистрация пробоя ускоряющего промежутка
источника электронов осуществлялась измерением
напряжения Ua на ускоряющем промежутке и тока Ie
эмиссии. Под пробоем ускоряющего промежутка
подразумевается резкое снижение (практически до
0 В) высокого напряжения Ua между электродами 5
и 6, а также резкое кратное увеличение (до несколь-
ких сотен ампер) тока (Ie), протекающего в цепи вы-
соковольтного источника, с последующим снижени-
ем до 0 А за времена порядка сотен микросекунд.
Другими словами, пробой ускоряющего промежутка
представляет собой неконтролируемое зажигание
низковольтного сильноточного разряда, который
затем гаснет в течение сотен микросекунд.
Рис. 1. Схема экспериментальной установки: 1 – катод; При пробое ускоряющего промежутка исследо-
2 – керамический изолятор; 3 – поджигающий электрод; вались оптические спектры излучения. Для вывода
4 – анод; 5 – эмиссионный электрод; 6 – ускоряющий излучения из ускоряющего промежутка использова-
электрод; 7 – высоковольтный изолятор; 8 – фланец ваку- лись оптический зонд 12, защищенный кварцевым
умной камеры; 9 – импульсный блок питания разряда; стеклом, и оптоволокно 13. Регистрация и анализ
10 – высоковольтный блок постоянного ускоряющего
оптического излучения осуществлялись с помощью
напряжения; 11 – коллектор; 12 – оптический зонд;
13 – оптоволокно; 14 – оптический спектрометр спектрометра 14 «Ocean Optics 2000USB» с диапа-
зоном длин волн 200–1100 нм. Идентификация на-
Ускоряющий промежуток плазменного источ- блюдаемых в эксперименте оптических линий излу-
ника электронов образован эмиссионной сеткой 5, чения проводилась по [13–15].
которая перекрывает эмиссионное окно в аноде, и Результаты экспериментов и их анализ
сеточным ускоряющим электродом 6 из нержавею- На рис. 2 представлены осциллограммы токов Id
щей стали с размером ячеек 2,4×2,4 мм2. Диаметр разряда и Ie эмиссии, а также напряжения Ua на ус-
эмиссионного окна в аноде составляет 90 мм. В экс- коряющем промежутке при нормальной генерации
периментах размеры ячеек эмиссионной сетки 5, электронного пучка.
выполненной из нержавеющей стали, составляли Оценка влияния эмиссионного электрода на
0,3×0,3 и 0,5×0,5 мм2. В ряде экспериментов в каче- электрическую прочность ускоряющего промежутка
стве материала эмиссионной сетки использовалась осуществлялась измерением максимального (пре-
медь. Протяженность ускоряющего промежутка – дельного) тока Ie-m эмиссии электронного пучка.
расстояние между электродами 5 и 6 составляла В качестве максимального тока Ie-m принималось
10 мм. Высоковольтный изолятор 7 обеспечивал значение тока Ie эмиссии, при котором количество
разделение электродов ускоряющего промежутка. пробоев ускоряющего промежутка не превышало
Перед проведением эксперимента электроды уско- 10% от общего числа импульсов. Зависимости мак-
ряющего промежутка обезжиривались и затем «тре- симального тока Ie-m эмиссии от давления p рабочего
нировались» пробоями в вакууме течение 3–4 ч. газа для эмиссионного электрода из нержавеющей
стали представлены на рис. 3 и 4. Как при использо-
вании в качестве рабочего газа воздуха (см. рис. 3),
так и гелия (см. рис. 4) увеличение размера ячеек
эмиссионного электрода приводит к снижению элек-
трической прочности ускоряющего промежутка, о
чем свидетельствует снижение максимального тока
Ie-m эмиссии. Увеличение давления p приводит к
уменьшению максимального тока Ie-m эмиссии элек-
тронов. При этом для более крупной сетки при ис-
пользовании воздуха максимальное рабочее давле-
ние p не превышает 7 Па (см. рис. 3, кр. 2). Это, оче- Рис. 4. Зависимость предельного тока Ie эмиссии от давле-
видно, обусловлено более высоким сечением иони- ния p при использовании в качестве рабочего газа гелия.
зации азота и кислорода, из которых преимущест- Размер ячеек эмиссионной сетки (нержавеющая сталь):
венно состоит воздух, по сравнению с гелием. 1 – 0,3 × 0,3 мм2; 2 – 0,5 × 0,5 мм2
Рис. 2. Типичные осциллограммы напряжения Ua

на ускоряющем промежутке, токов Id разряда и Ie эмиссии
Рис. 5. Оптические спектры излучения при пробое уско-

ряющего промежутка для эмиссионной сетки из нержа-
веющей стали (а) и меди (б). Рабочий газ – воздух
Рис. 3. Зависимость предельного тока Ie эмиссии от давле-
ния p при использовании в качестве рабочего газа возду- Снижение электрической прочности ускоряю-
ха. Размер ячеек эмиссионной сетки (нержавеющая сталь): щего промежутка при увеличении размеров ячеек
1 – 0,3 × 0,3 мм2; 2 – 0,5 × 0,5 мм2 эмиссионной сетки качественно согласуется с ре-
зультатами работы [11], что свидетельствует о про-
На рис. 5 представлены оптические спектры из- никновении эмиссионной плазмы в ускоряющий
лучения при пробое ускоряющего промежутка для промежуток. Наличие спектральных линий металла
эмиссионных электродов из нержавеющей стали (а) при пробое ускоряющего промежутка свидетельст-
и меди (б). Соотношение газовых спектральных ли- вует о функционировании катодного пятна на эмис-
ний и линий излучения металла, из которого изго- сионном электроде. Кроме того, использование меди
товлен эмиссионный электрод, рассматривалось в приводит к снижению максимального тока эмиссии
работе [16], в настоящей статье рассмотрим только в зависимости от давления в 2 раза и более, что, по-
спектральные линии металлов. При использовании видимому, обусловлено более «легким» иницииро-
эмиссионного электрода, изготовленного из нержа- ванием катодного пятна для данного материала по
веющей стали (см. рис. 5, а), при пробое ускоряю- с равнению с нержавеющей сталью.
щего промежутка в оптическом спектре излучения Заключение
присутствуют спектральные линии нейтрального Проведены исследования влияния эмиссионно-
железа (Fe). Присутствие различимых линий Fe обу- го электрода на электрическую прочность ускоряю-
словлено высоким процентным содержанием (по- щего промежутка широкоапертурного плазменного
рядка 70%) железа в нержавеющей стали. При ис- источника при генерации импульсного электронного
пользовании эмиссионного электрода из меди в пучка в форвакуумном диапазоне давлений 3–30 Па.
спектре появляются несколько линий, соответст- Установлено, что увеличение размера ячеек эмисси-
вующих излучению нейтральных атомов Cu (см. онного электрода приводит к снижению электриче-
рис. 5, б). ской прочности ускоряющего промежутка плазмен-
ного источника электронов, что проявляется в суще- electron beam source / V.A. Burdovitsin, A.S. Klimov,
ственном снижении максимального тока эмиссии. A.V. Medovnik, E.M. Oks // Plasma Sources Science and
Спектральные исследования показали, что при про- Technology. – 2010. – Vol. 19, No. 5. – P. 055003.
8. Казаков А.В. Модификация поверхности полимер-
бое ускоряющего промежутка в оптических спек-
ных материалов импульсным электронным пучком /
трах излучения присутствуют линии, соответст- А.В. Казаков, А.С. Климов, А.В. Медовник и др. // Докла-
вующие материалу, из которого изготовлен сеточный ды ТУСУРа. – 2013. – № 4 (30). – С. 75–78.
эмиссионный электрод. Это свидетельствует о 9. Казаков А.В., Бурдовицин В.А., Медовник А.В.,
функционировании катодного пятна на эмиссионном Окс Е.М. Форвакуумный импульсный плазменный источ-
электроде. ник электронов на основе дугового разряда // Приборы и
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ техника эксперимента. – 2013. – № 6. – С. 50–53.
№ 16-38-00224 мол_а. А.В. Казаков является участ- 10. Литвинов Е.А. Автоэмиссионные и взрывоэмис-
ником программы Министерства образования и нау- сионные процессы при вакуумных разрядах / Е.А. Литви-
ки РФ для научно-технических сотрудников на по- нов, Г.А. Месяц, Д.И. Проскуровский // Успехи физиче-
ских наук. – 1983. – Т. 139. № 2. – С. 265–302.
стоянной основе, проект № 3.8705.2017/7.8. 11. Бурдовицин А.В. Об электрической прочности
Литература ускоряющего промежутка плазменного источника элек-
тронов в форвакуумном диапазоне давлений / А.В. Бурдо-
1. Крейндель Ю.Е. Плазменные источники электро- вицин, М.Н. Куземченко, Е.М. Окс // Журнал технической
нов. – М.: Атомиздат, 1977. – 144 с. физики. – 2002. – Т. 72, № 7. – С. 134–136.
2. White C.W. Laser and electron beam processing of 12. Медовник А.В. Формирование импульсного элек-
materials / C.W. White, P.S. Peercy. – New York: Academic тронного пучка в системе с плазменным катодом в форва-
Press Inc., 1980. – 788 p. куумной области давлений / А.В. Медовник, В.А. Бурдо-
3. Окс Е.М. Источники электронов с плазменным ка- вицин, Е.М. Окс // Известия вузов. Физика. – 2010. – Т. 53,
тодом: физика, техника, применения / Е.М. Окс. – Томск: № 2. – С. 27–32.
Изд-во НТЛ, 2005. – 216 с. 13. Стриганов А.Р. Таблицы спектральных линий
4. Leonhardt D. Generation of electron-beam produced нейтральных и ионизованных атомов / А.Р. Стриганов,
plasmas and applications to surface modification / Н.С. Свентицкий. – М.: Атомиздат, 1966. – 899 с.
D. Leonhardt, C. Muratore, S.G. Walton et al. // Surf. Coat. 14. Lofthus A. The spectrum of molecular nitrogen /
Technol. – 2004. – Vol. 177. – PP. 682–687. A. Lofthus, PP. H. Krupenie // Journal of Physical and
5. Зенин А.А. Генерация стационарных электронных Chemical Reference Data. – 1977. – Vol. 6, No. 1. –
пучков форвакуумным плазменным источником в области PP. 113–307.
давлений 100 Pa / А.А. Зенин, А.С. Климов, В.А. Бурдови- 15. Matsutani A. Characterization of H2O– inductively
цин, Е.М. Окс // Письма в ЖТФ. – 2013. – Т. 39, №10. – coupled plasma for dry etching / A. Matsutani, H. Ohtsuki,
С. 9–14. F. Koyama // Journal of Physics: Conference Series. – 2008. –
6. Бурдовицин В.А. О возможности электронно- Vol. 100, No. 6. – P. 062022.
лучевой обработки диэлектриков плазменным источником 16. Optical radiation in breakdown of the acceleration
электронов в форвакуумной области давлений / В.А. Бур- gap of a forevacuum pressure, wide-aperture, plasma-cathode,
довицин, А.С. Климов, Е.М. Окс // Журнал технической pulsed electron source / V.A. Burdovitsin, A.V. Kazakov,
физики. – 2009. – Т. 35, № 11. – С. 61–66. A.V. Medovnik, E.M. Oks, Ia.G. Brown // Доклады ТУСУРа. –
7. Burdovitsin V.A. Electron beam treatment of non- 2016. – Т. 19, № 4. – С. 17–19.
conducting materials by a fore-pump-pressure plasma-cathode
УДК 537.525.5
В.П. Фролова, А.Г. Николаев, Г.Ю. Юшков
Генерация пучков многозарядных ионов висмута

на основе импульсной сильноточной вакуумной дуги
В физике ионных пучков актуальной задачей является получение ионов с высокими зарядовыми состояниями,
так как при фиксированном ускоряющем напряжении это приводит к росту энергии ионного пучка. Зарядовые
состояния ионов могут быть существенно увеличены в случае вакуумного дугового разряда с короткой дли-
тельностью импульса. Использование такого разряда с длительностью импульса менее 10 мкс и током до 10 кА
позволяет получать ионные пучки с током в несколько ампер при частоте повторения импульсов до 5 импуль-
сов в секунду. В настоящей работе приведены результаты, в которых получен пучок ионов висмута с макси-
мальным зарядовым состоянием 17+.
Ключевые слова: вакуумный дуговой разряд, плазма, многозарядные ионы тяжелых металлов.
С помощью вакуумно-дугового ионного источ- металлические ионные пучки [4, 5], которые можно
ника можно получать ионные пучки любого твердо- использовать для инжекции ионов в ускорители и
тельного проводящего материала [1, 2], многоэле- модификации поверхности. Обычно такие источни-
ментные ионные пучки [3] и гибридные газо- ки генерируют пучки ионов металлов с зарядовыми
состояниями от 1+ для углерода или лития и до 5+ помощью магнитоизолированного цилиндра Фара-
для тугоплавких металлов [6], среднее зарядовое дея. Вакуумная камера откачивалась криогенным
состояние ионного пучка от 1+ до 3+. насосом до давления 2×10–7 Торр.
Повышение зарядового состояния ионов метал- Результаты и обсуждение
лов в пучке вакуумно-дугового ионного источника Как показано в работе [14], висмут является
[7] дает возможность увеличивать энергию извле- особенным материалом при использовании его в
каемых ионов без увеличения ускоряющего напря- качестве катода вакуумного дугового разряда. Он
жения. Ранее было разработано и реализовано не- имеет высокое электрическое сопротивление, что
сколько методов увеличения зарядовых состояний. приводит к сильному омическому нагреву катода, и
Среди них такие, как наложение на катодную об- низкую теплопроводность, снижающую отвод тепла
ласть вакуумной дуги сильного магнитного поля [8], с поверхности катода. В результате энергия рассеи-
модуляция тока разряда [9] при инжекции в плазму вается в катодной области разряда и потоках плазмы
плотного пучка электронов [10], дополнительный катодного пятна.
нагрев плазмы в открытой магнитной ловушке с по- Для случая конденсатора 1 мкФ при амплитуде
мощью микроволнового излучения мощного гиро- импульса тока дуги около 4 кА амплитуда импульса
трона [11], а также реализация сильноточной дуги с тока извлеченных ионов, измеренная на цилиндр
короткой длительностью импульса [12]. Фарадея, была порядка 20 мА, при этом амплитуда
В этой работе приведены результаты, получен- импульса общего тока всех ионов, извлеченных из
ные с использованием оптимизированного вакуум- плазмы извлекающей системой диаметром 10 см,
ного дугового разряда короткой длительности с ре- составляла порядка 0,15 А. Длительность импульса
кордным значением зарядового состояния пучка тя- пучка всегда была больше длительности разряда за
желых ионов (висмута) до 17+. счет разброса ионов в плазме разряда по направле-
Экспериментальная установка ниям движения и скоростям [15, 16]. Частота следо-
Схематическая конструкция ионного источника вания импульсов в экспериментах составляла до 5
представлена на рис. 1. Вакуумный дуговой разряд импульсов в секунду.
инициируется пробоем по поверхности керамики Как и в работе [9], наблюдались оптимальные зна-
при подаче импульса высокого напряжения между чения тока дуги, при которых зарядность ионного
катодом 1 из висмута и инициирующим электродом пучка, а следовательно, и ионов висмута в плазме
3. Разряд между торцом катода с диаметром 6,25 мм разряда, была максимальной. При малых токах дуги
и анодом 3 создается путем разрядки конденсатора. мощность, вводимая в плазму разряда, была ниже и
В экспериментах использовались конденсаторы ем- зарядность ионов в плазме не достигала оптималь-
костью 0,22, 1 и 10 мкФ, обеспечивающие импульсы ных значений. Однако и при токах дуги выше опти-
тока дуги амплитудой до 10 кА при длительностях мального значения зарядность ионов висмута также
импульсов 1; 1,7 и 6 мкс соответственно. Ток разря- снижается, что связано с увеличением доли нейтра-
да регулировался напряжением зарядки конденсато- лов в плазме дуги при плавлении поверхности като-
ра, а частота следования импульсов в экспериментах да в течение импульса разряда. Также возможно
составляла до 5 импульсов в секунду и была огра- снижение зарядностей ионов висмута за счет пере-
ничена используемым источником питания. зарядки с атомами или ионами газа [17]. Оптималь-
ное значение тока, при котором наблюдалась гене-
рация ионов висмута с максимальной зарядностью,
в зависимости от параметров импульса и конфигу-
рации разрядного промежутка находилось в преде-
лах 2,3–4,5 кА.
Масс-зарядовый спектр ионного пучка, получен-
ный в эксперименте при оптимальном токе разряда
3,3 кА, представлен на рис. 2. Видно, что макси-
мальная зарядность была Bi17+, минимальное на-
блюдаемое зарядовое состояние ионов – Bi9+, наи-
более вероятное зарядовое состояние ионов – Bi12+,
средняя зарядность ионов – 12,6+, также в спектре
присутствуют хорошо различимые ионы примеси
водорода из остаточной атмосферы вакуумной ка-
меры. Общий ток ионов примесей составляет около
Рис. 1. Схематическая конструкция ионного источника: 15% от общего тока ионного пучка.
1 – катод; 2 – анод; 3 – инициирующий электрод; Метод использования плазмы вакуумно-
4 – высоковольтный изолятор; 5 – многоапертурная дугового разряда с килоамперными токами и дли-
трехэлектродная ускоряющее-замедляющая система
тельностью единицы микросекунд для увеличения
зарядности ионов металлов относительно прост и
Зарядность ионного пучка диаметром 10 см,
эффективен, поэтому, является привлекательным
формируемого многоапертурной ускоряющей сис-
для практического использования, в том числе осу-
темой 5, анализировали с помощью времяпролетно-
ществления ионной модификации поверхности [18].
го спектрометра [13]. Ток ионного пучка измеряли с
12+ куумной дуги / С.П. Бугаев, Е.М. Окс, П.М. Щанин,
1,0 Bi
<Qi> = 12,6 + Г.Ю. Юшков // Изв. высш. учеб. завед. Физика. – 1994. –
Bi
13+ № 3. – С. 53–56.
Сигнал времяпролетного
0,8 6. Николаев А.Г. Зарядовое распределение ионов в

спектрометра (отн.ед.)
+
Н Bi
14+
плазме вакуумного дугового разряда в сильном магнитном
0,6 поле / А.Г. Николаев, Е.М. Окс, Г.Ю. Юшков // Журнал
15+ 11+
Bi Bi технической физики. – 1998. – Т. 68, № 5. – С. 39–43.
0,4
7. Nikolaev A.G. Upgraded vacuum arc ion source for
16+
Bi metal ion implantation / A.G. Nikolaev, E.M. Oks, K.P. Savkin
17+ et al. // Review of Scientific Instruments. – 2012. – Vol. 83,
0,2 Bi Bi
10+
9+
No. 2. – Р. 02A501 (1–3).
Bi 8. Николаев А.Г. Зарядовое распределение ионов в
0,0 плазме вакуумного дугового разряда в сильном магнитном
поле / А.Г. Николаев, Е.М. Окс, Г.Ю. Юшков // ЖТФ. –
0 1 2
1998. – Т. 68, вып. 5. – С. 39–43.
Время (мкс)
9. Yushkov G. Effect of multiple current spikes on the
Рис. 2. Масс-зарядовый спектр ионного пучка в случае
enhancement of ion charge states of vacuum arc plasmas /
катода из висмута, измеренный на 8-й мкс после начала
G. Yushkov , E. Oks, A. Anders, I. Brown // J. Appl. Phys. –
импульса тока разряда. Длительность тока дуги – 1 мкс
2000. – Vol. 87, No. 12. – PP. 8345–8550.
(С = 0,22 мкФ); амплитуда тока дуги – 3,3 кА;
10. Бугаев А.С. Генерация многозарядных ионов в
ускоряющее напряжение – 30 кВ, давление – 6·10–7 Торр
плазме вакуумного дугового разряда / А.С. Бугаев,
В.И. Гушенец, Е.М. Окс и др. // Изв. вузв. Физика. –
Заключение 2001. – Т. 44, № 9. – С. 15–22.
Были проведены эксперименты по генерации 11. Vodopyanov A.V. High current multicharged metal
пучков ионов висмута с высокими зарядовыми со- ion source using high power gyrotron heating of vacuum arc
стояниями в ионном источнике, функционирующем plasma / A.V. Vodopyanov, S.V. Golubev, V.I. Khizhnyak et al. //
в режиме вакуумной дуги. При оптимальных пара- Rev. Sci. Instrum. – 2008. – Vol. 79, No. 2. – P. 02B304.
метрах: токе дуги 3,3 кА и длительности импульса 12. Yushkov G.Yu. Extractable, elevated ion charge states
дуги 1 мкс – были получены пучки ионов висмута с in the transition regime from vacuum sparks to high current
максимальным зарядовым состоянием до 17+ при vacuum arcs / G.Yu. Yushkov, A. Anders // Appl. Phys. Lett. –
2001. – Vol. 92. – P. 041502.
средней зарядности ионов в извлеченном пучке
13. Бугаев А.С. Исследование ионного пучка источ-
12,6+. Эти результаты свидетельствуют о принципи- ника «Титан» времяпролетным масс-спектрометром /
альной возможности генерации ионных пучков с А.С. Бугаев, В.И. Гушенец, А.Г. Николаев и др. // Изв.
энергией порядка 1 МэВ при величине ускоряющего вузов. Физика. – 2000, № 2. – С. 21–28.
напряжения порядка 100 кВ. 14. Бугаев А.С. Исследования направленных скоро-
Работа была выполнена при поддержке Россий- стей ионов в вакуумном дуговом разряде эмиссионными
ского фонда фундаментальных исследований, грант методами / А.С. Бугаев, В.И. Гушенец, А.Г. Николаев и др. //
РФФИ № 17-08-00133-а. Журнал технической физики. – 2000. – Т. 70, № 9. –
C. 37–43.
Литература 15. Nikolaev A.G. Angular Distribution of Ions in a
Vacuum Arc Plasma With Single-Element and Composite
1. Oks E.M. Hybrid gas-metal co-implantation with a
Cathodes / A.G. Nikolaev, G.Yu. Yushkov, K.P. Savkin,
modified vacuum arc ion source / E.M. Oks, G.Yu. Yushkov,
E.M. Oks // IEEE Transactions on Plasma Science. – 2013. –
P.J. Evans et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B. –
Vol. 41, No. 8. – Pt. 2. – PP. 1923–1928.
1997. – Vol. 127–128. – PP. 782–786.
16. Nikolaev A.G. Angular Distribution of Ions in a
2. Nikolaev A.G. Vacuum Arc Gas/Metal Ion Sources
Vacuum Arc Plasma With Single-Element and Composite
with a Magnetic Field. / A.G. Nikolaev, E.M. Oks,
Cathodes / A.G. Nikolaev, G.Yu. Yushkov, K.P. Savkin,
P.M. Schanin, G.Yu. Yushkov // Review of Scientific Instru-
E.M. Oks // IEEE Transactions on Plasma Science. – 2013. –
ments. – 1996. – Vol. 67, No. 3. – PP. 1213–1215.
Vol. 41, No. 8. – Pt. 2. – PP. 1923–1928.
3. Юшков Г.Ю. Масс-зарядовый состав плазмы ваку-
17. Anders A. Puzzling differences in bismuth and lead
умной дуги с катодом из циркония, насыщенного дейтери-
plasmas: Evidence for the significant role of neutrals in
ем / Г.Ю. Юшков, А.Г. Николаев, В.П. Фролова и др. //
cathodic vacuum arcs / A. Anders, G.Yu. Yushkov // Appl.
Письма в журнал технической физики. – 2014. – Т. 40,
Phys. Lett. – 2007.– Vol. 91. – P. 091502.
№ 23. – С. 74–81.
18. G.Yu. Yushkov Plasma of Vacuum Discharges: The
4. Bugaev A.S. Current Status of the Plasma Emission
Pursuit of Elevating Metal Ion Charge States, Including a
Electronics: II. Hardware / A.S. Bugaev, A.V. Vizir,
Recent Record of Producing Bi13+ / G.Yu. Yushkov,
V.I. Gushenets et al. // Laser and Particle Beams. – 2003. –
A. Anders, V.P. Frolova et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. –
Vol. 21, No. 2. – РР. 139–156.
2015. – Vol. 43. – PP. 2310–2317.
5. Бугаев С.П. Титан – источник газовых и металли-
ческих ионов на основе контрагированного разряда и ва-
УДК 537.525.5
А.П. Андрейчик, А.В. Казаков, А.В. Медовник
Параметры квазинепрерывного электронного пучка,

генерируемого плазменным источником
в форвакуумном диапазоне давлений
Представлены исследования влияния формы экстрактора форвакуумного плазменного источника на распреде-
ление энергии в импульсе по сечению квазинепрерывного электронного пучка. Показано, что конфигурация
экстрактора оказывает заметное влияние на распределение энергии в пучке на небольших расстояниях от экс-
трактора (не более 130 мм), но на больших расстояниях это влияние становится менее выраженным. Отмечено,
что квазинепрерывный электронный пучок сжимается при распространении.
Ключевые слова: электронный пучок, распределение плотности энергии, форвакуумный диапазон давлений,
квазинепрерывный режим.
Во многих областях науки и техники поставле- материалов. Необходимую энергию (плотность энер-
ны задачи, успешно решить которые можно с при- гии) пучка в одном импульсе можно достичь реали-
менением универсального (благодаря большому ко- зацией работы электронного источника в квазине-
личеству варьируемых параметров) инструмента – прерывном режиме, характеризующемся длительно-
электронного пучка [1–3]. Он применяется для рез- стью импульса более 1 мс. К настоящему моменту
ки, плавки, сварки, модификации химических, опти- при генерации электронного пучка в форвакуумном
ческих и механических свойств поверхности, ини- диапазоне давлений достигнута длительность им-
циировании химических реакций, накачке газовых пульсов 4,2 мс (по полувысоте) [8].
лазеров и др. Именно такой широкий диапазон при- Для поверхностной обработки материалов одна
менений способствует развитию электронно- из основных проблем при генерации электронных
лучевых технологий и делает вопросы генерации и пучков заключается в поиске путей обеспечения
транспортировки электронных пучков актуальными однородности распределения плотности тока и энер-
в настоящее время. гии в пучке по его сечению. Одним из факторов,
Применение электронных пучков, генерируе- влияющих на эти параметры, является конструкция
мых в традиционном диапазоне давлений ускоряющего промежутка электронного источника,
(10–5–10–1 Па), имеет ряд ограничений. В частности, в частности, конфигурация экстрактора (ускоряюще-
одно из ограничений связано с номенклатурой обра- го электрода). В связи с этим целью данной работы
батываемых материалов и изделий ввиду существо- являлось исследование влияния конфигурации се-
вания проблемы, связанной с зарядкой изолирован- точного экстрактора на распределение энергии по
ной или электрически непроводящей мишени при ее сечению электронного пучка, генерируемого форва-
облучении электронным пучком. Использование куумным плазменным источником электронов на
форвакуумных плазменных источников, функциони- основе дугового разряда с катодным пятном в квази-
рующих при давлениях 3–100 Па, для генерации как непрерывном режиме работы.
непрерывных, так и импульсных электронных пуч- Экспериментальная установка и методика
ков позволяет избежать такой проблемы и наряду с эксперимента
металлами обеспечивает возможность эффективной Квазинепрерывный электронный пучок генери-
обработки диэлектриков, среди которых различные ровался форвакуумным плазменным источником
виды керамик [4], полимеров [5] и стекла [6]. В фор- электронов на основе дугового разряда, схема кото-
вакууме компенсация отрицательного заряда на по- рого приведена на рис. 1. Источник включал в себя
верхности диэлектрика обеспечивается ионами пуч- медный стержневой катод 1 диаметром 5 мм и по-
ковой плазмы, образуемой электронным пучком на лый цилиндрический анод 2 высотой 80 мм и диа-
пути его распространения, и ионами несамостоя- метром 100 мм. В основании анода выполнено эмис-
тельного разряда, возникающего между заряженной сионное окно 3 диаметром 90 мм, перекрытое мел-
поверхностью мишени и стенками вакуумной каме- коструктурной сеткой из нержавеющей стали с раз-
ры [7]. мером ячейки 0,3×0,3 мм2 и геометрической про-
Существует ряд применений, реализация кото- зрачностью 60%. Катод заключен в трубчатый кера-
рых требует моноимпульсного воздействия на объ- мический изолятор 4. Инициирование дугового раз-
ект, для чего необходимо увеличение энергии элек- ряда осуществлялось вспомогательным разрядом по
тронного пучка в одном импульсе. Для низкоэнерге- поверхности диэлектрика 4 между поджигающим
тичных электронных пучков одним из способов уве- электродом (триггером) 5 и катодом 1. Подачу им-
личения энергии в пучке является увеличение дли- пульсного напряжения с амплитудой до 4 кВ и дли-
тельности импульса до значений, которые бы обес- тельностью импульса до 100 мкс между электрода-
печили энергию, достаточную для осуществления ми 5 и 1 обеспечивал генератор поджигающих им-
необходимой обработки, например, тугоплавких пульсов 6. Горение дугового разряда обеспечивал
блок питания разряда 7. Во всех экспериментах дли- Плазменный источник размещался на вакуум-
тельность τd импульсов тока дуги составляла 4,2 мс. ной камере, откачиваемой форвакуумным насосом.
Необходимое давление обеспечивалось напуском в
вакуумную камеру рабочего газа – воздуха.
Регистрация токов Id дугового разряда и Ie эмис-
сии осуществлялась поясами Роговского с чувстви-
тельностью 20 А/В, напряжение на ускоряющем
промежутке измерялось с помощью резистивного
делителя (коэффициент деления 1:1000), сигналы с
которых подавались на осциллограф.
Для исследования распределения плотности
энергии электронного пучка в одном импульсе ис-
пользовалась тепловизионная методика [9], которая
заключается в регистрации распределения темпера-
туры на мишени (коллекторе), облучаемой пучком.
Регистрация теплового излучения на коллекторе 12,
представляющем собой алюминиевую пластину
толщиной 0,7 мм, осуществлялась с помощью теп-
ловизора 15 (Fluke 200Ti). Вывод теплового излуче-
ния из вакуумной камеры обеспечивался инфра-
Рис. 1. Схема форвакуумного импульсного источника красным серебряным зеркалом 13 и инфракрасным
электронов и схема измерений: 1 – катод; 2 – анод; оптическим стеклом 14. Распределения температур-
3 – эмиссионный электрод (анодная сетка); 4 – керамиче- ного поля, создаваемого пучком, были получены
ский изолятор; 5 – поджигающий электрод (триггер); путем вычитания из термограммы после «выстрела»
6 – генератор поджигающих импульсов; 7 – блок питания
разряда; 8 – блок питания ускоряющего промежутка;
электронного пучка термограммы фона (до «выстре-
9 – экстрактор; 10 – капролоновый изолятор; 11 – элек- ла»). Распределения снимались на различном рас-
тронный пучок; 12 – коллектор; 13 – инфракрасное сереб- стоянии L от экстрактора.
ряное зеркало; 14 – инфракрасное оптическое стекло; Результаты экспериментов и их анализ
15 – тепловизор Типичные осциллограммы тока Id разряда и то-
ка Ie эмиссии представлены на рис. 3.
Ускоряющий промежуток форвакуумного плаз-
менного источника образован эмиссионным элек-
тродом (анодная сетка) 4 и сеточным экстрактором 9
из нержавеющей стали с размером ячеек
2,4×2,4 мм2. Для электрического разделения анода и
экстрактора использовался капролоновый изолятор
10. Для извлечения электронов из плазмы и их уско-
рения на ускоряющий промежуток подавалось по-
стоянное напряжение Ua = 9 кВ.
Для исследования влияния формы экстрактора
на распределение энергии электронного пучка в экс-
периментах использовались сетки различных кон-
Рис. 3. Осциллограммы токов Id разряда и Ie эмиссии.
фигураций: прямая, вогнутая и выгнутая (рис. 2). Рабочий газ – воздух
Расстояние между электродами ускоряющего про-
межутка в зависимости от конфигурации экстракто- На рис. 4 представлены распределения плотно-
ры составляло 10–12 мм. Радиус кривизны вогнутой сти энергии J в импульсе по сечению электронного
и выгнутой сеток составлял 200 мм. пучка для различных конфигураций экстракторов.
Установлено, что при небольших расстояниях L
(рис. 4, а) форма экстракторной сетки оказывает
заметное влияние на распределение энергии элек-
тронного пучка, однако на расстояниях L более
130 мм это влияние становится менее выраженным
(рис. 4, б). Распределение энергии для всех исполь-
зованных форм экстрактора приближено к гауссову,
что связано с распределением концентрации эмис-
сионной плазмы в разрядном промежутке форваку-
умного плазменного источника.
На рис. 5 приведены зависимости распределе-
Рис. 2. Конфигурации сеточного экстрактора:
ния плотности J энергии пучка при различном токе
а – прямая; б – вогнутая; в – выгнутая Ie эмиссии для вогнутой сетки. Увеличение эмисси-
онного тока приводит к соответствующему увеличе- стояниях от экстрактора (менее 130 мм) форма экс-
нию плотности энергии, регистрируемой на коллек- трактора оказывает заметное влияние на распреде-
торе. Установлено, что по мере распространения ление плотности энергии электронного пучка, в то
электронного пучка происходит уменьшение его время как на больших расстояниях это влияние вы-
поперечного размера и повышение плотности энер- ражено слабее. Показано, что по мере распростране-
гии (рис. 6), что свидетельствует о сжатии пучка. ния квазинепрерывного электронного пучка от экс-
Как и для микросекундного электронного пучка трактора происходит уменьшение его поперечного
[10], наблюдаемое изменение распределения плот- размера и повышение плотности энергии.
ности J квазинепрерывного пучка при увеличении
расстояния L может быть обусловлено его фокуси-
ровкой собственным магнитным полем.
Рис. 6. Распределение плотности J энергии по сечению

электронного пучка для вогнутой сетки:
давление p = 8 Па; ток эмиссии Id = 14 А; ускоряющее
а напряжение Ua = 9 кВ
Работа выполнена при поддержке гранта Пре-

зидента РФ МК-2703.2017.8 и гранта РФФИ
№ 16-48-700487 р_а.
1. Современные тенденции модифицирования струк-
туры и свойств материалов / под общ. ред. Н.Н. Коваля,
В.Е. Громова. – Томск: Изд-во НТЛ, 2015. – 380 c.
2. Бугаев С.П. Электронные пучки большого сечения /
б С.П. Бугаев, Ю.Е. Крейндель, П.М. Щанин. – М.: Энерго-
Рис. 4. Нормированное распределение плотности энергии атомиздат, 1984. – 110 с.
в импульсе по сечению электронного пучка: 3. Окс Е.М. Источники электронов с плазменным ка-
а – L = 100 мм; б – L = 175 мм. Давление p = 8 Па; ток тодом: физика, техника, применения / Е.М. Окс. – Томск:
эмиссии Ie = 18 А; ускоряющее напряжение Ua = 9 кВ Изд-во НТЛ, 2005. – 216 с.
4. Медовник А. В. Структура поверхности алюмоок-
сидной керамики при облучении импульсным электрон-
ным пучком / А.В. Медовник, В.А. Бурдовицин, Э.С. Дви-
лис и др. // Журнал технической физики. – 2013. – Т. 83,
№1. – С. 117–120.
5. Казаков А.В. Модификация поверхности поли-
мерных материалов импульсным электронным пучком /
А.В. Казаков, А.С. Климов, А.В. Медовник и др. // Докла-
ды ТУСУРа. – 2013. – № 4 (30). – С. 75–78.
6. Бурдовицин В.А. О возможности электронно-
лучевой обработки диэлектриков плазменным источником
электронов в форвакуумной области давлений / В.А. Бур-
довицин, А.С. Климов, Е.М. Окс // Журнал технической
Рис. 5. Распределение плотности J энергии по сечению
физики. – 2009. – Т. 35, №11. – С. 61–66.
электронного пучка на расстоянии L = 175 мм от экстрак-
7. Потенциал диэлектрической мишени при ее облу-
тора: вогнутая сетка; давление p = 8 Па; ускоряющее на-
чении импульсным электронным пучком в форвакуумной
пряжение Ua = 9 кВ
области давлений / В.А. Бурдовицин и др. // Журнал тех-
нической физики. – 2012. – Т. 82, №10. – С. 103–108.
Заключение 8. Андрейчик А.П. Получение миллисекундного
Исследованы распределения плотности энергии электронного пучка в форвакууме / А.П. Андрейчик,
по сечению квазинепрерывного электронного пучка, А.В. Казаков, А.В. Медовник // Перспективы развития
генерируемого форвакуумным плазменным источ- фундаментальных наук: сб. тр. XIII Междунар. конф. сту-
ником электронов, при различных конфигурациях дентов и молодых ученых. Томск, 25–28 апреля 2017 г.
экстракторных сеток (прямая, выгнутая, вогнутая). Том. политехн. ун-т. – Томск: Изд-во НИ ТПУ, 2017. –
Установлено, что на относительно небольших рас- Т. 7. – С. 12–14.
9. Pushkarev A.I. Thermal imaging diagnostics of high- 10. Бакеев И.Ю. Моделирование распространения
current electron beams / A.I. Pushkarev, G.E. Kholodnaya, электронного пучка, генерируемого форвакуумным источ-
R.Vol. Sazonov, D.Vol. Ponomarev // Review of scientific ником на основе дугового разряда / И.Ю. Бакеев, А.В. Ка-
instruments. – 2012. – Vol. 83. – PP. 103301–103307. заков, А.В. Медовник // Доклады ТУСУРа. – 2015. –
№ 4 (38). – С. 166–170.
УДК 537.525
С.А. Останин, А.С. Климов, А.А. Зенин
Распределение концентрации плазмы в полом катоде

форвакуумного источника ленточного электронного пучка
Представлены результаты исследования зависимости распределения концентрации плазмы в полом катоде фор-
вакуумного источника ленточного электронного пучка от геометрии катодной полости, состава газовой атмо-
сферы, давления и разрядного тока. Исследования проводились в форвакуумном диапазоне давлений
(10–30 Па). Показано, что при использовании гелия в качестве рабочего газа характер распределения изменяет-
ся незначительно при изменении разрядного тока и давления. Работа в атмосфере кислорода или аргона сопро-
вождается появлением максимума в распределении концентрации плазмы в срединной части катодной полости
для кислорода и краевых максимумов для аргона. Уменьшение глубины катодной полости приводит к появле-
нию максимумов концентрации плазмы вблизи краев полости.
Ключевые слова: плазменный электронный источник, тлеющий разряд, распределение концентрации, форва-
куумная область давлений.
Форвакуумные плазменные источники электро- При этом на равномерность распределения эмисси-

нов нашли широкое применение в технологии тер- онной плазмы могут оказывать влияние параметры
мического и плазмохимического воздействия на ма- разряда, геометрия катодной полости, давление и
териалы [1, 2]. Также как и плазменные источники сорт плазмообразующего газа [6–8]. Цель настоящей
электронових работа основана на формировании работы заключалась в определении наиболее значи-
пучка при отборе электронов с эмиссионной грани- мых с точки зрения получения равномерного рас-
цы плазмы (плазменного катода). Плазменные ис- пределения концентрации параметров.
точники электронов содержат два основных конст- Экспериментальная установка
руктивных узла: генератор эмиссионной плазмы и Исследование влияния геометрии катодной по-
систему формирования и ускорения пучка. Традици- лости и состава газовой атмосферы на равномер-
онная область давлений, в которой осуществляется ность распределения концентрации плазмы осуще-
формирование электронного пучка плазменными ствлялось с использованием макета форвакуумного
электронными источниками, находится в диапазоне плазменного электронного источника, основанного
10–3–0,1 Па. При этом оптимальная, с точки зрения на разряде с протяженным полым катодом. Элек-
получения плотной пучковой плазмы, область дав- тронный источник представлял собой трехэлектрод-
лений газа, в который инжектируется электронный ную систему (рис. 1), состоящую из протяженного
пучок, на несколько порядков выше и соответствует прямоугольного полого катода 1, плоского анода 2 и
форвакуумному диапазону 1–100 Па, что делает ак- ускоряющего электрода 3. Извлечение электронов из
туальным использование для этих целей форвакуум- плазмы тлеющего разряда, зажигаемого при подаче
ных электронных источников. соответствующего напряжения междуполым като-
Важным преимуществом источников электро- дом и анодом, осуществлялось через протяженное
нов с плазменным катодом является возможность эмиссионное окно в аноде, перекрытое сеткой 4.
формирования электронных пучков большого сече- Внутренние размеры катодной полости составляли
ния [3, 4], в частности – ленточных. К тому же вы- 280×60×30 мм3. Расстояние между анодом и катодом
сокая температура электронного компонента плазмы фиксировалось на уровне 5 мм.
обусловливает ее химическую активность и позво- Использование вкладыша 5, выполненного из
ляет использовать эту плазму для обработки поверх- нержавеющей стали, давало возможность изменять
ности материалов, осаждения покрытий и др. В об- глубину h полого катода от 60 до 24 мм.
работке протяженных образцов используются фор- Эмиссионное окно в аноде представляло собой
вакуумные плазменные источники ленточного элек- протяженную щель с размерами 280×10 мм2. Во всех
тронного пучка. Для ленточных электронных пуч- экспериментах эмиссионное окно перекрывалось
ков, как и для других конфигураций пучков большо- вольфрамовой сеткой с размером ячейки 0,6×0,6 мм2
го сечения [5], важно достижение максимальной и геометрической прозрачностью 70%. Использова-
однородности в распределении плотности тока по ние вольфрама в качестве материала сетки позволя-
сечению пучка, поскольку именно этот параметр ло работать при повышенных давлениях и в услови-
обеспечивает равномерность обработки изделий. ях интенсивного нагрева сетки обратным ионным
потоком из ускоряющего промежутка источника. вая среда, в которой генерируется плазма, а также
Все электроды источника изготавливались из нержа- геометрические соотношения между внутренними
веющей стали. Конструкция ускоряющего проме- размерами катодной полости. С уменьшением глу-
жутка источника обеспечивала сохранение электри- бины полости величина краевых максимумов повы-
ческой прочности и работоспособности источника шалась (рис. 2). Степень роста концентрации плаз-
вплоть до давлений 30 Па при ускоряющем напря- мы на краю полости зависела от глубины полости
жении до 10 кВ. (рис. 3).
1 5 0,12
0,10
Ud 1
2 3 4
h .
0,08
е
.
а
Ua ,
n 0,06
0,04
2
3 4 6 0,02
x Ub R1 к осцилографу 0,00
0 5 10 15 20 25 30 35
x
,
с
м
Рис. 1. Схема экспериментального макета форвакуумного Рис. 2. Распределение концентрации вдоль протяженного
плазменного источника ленточного электронного пучка: размера катодной полости при давлении 26 Па, токе раз-
1 – полый катод; 2 – анод; 3 – экстрактор; 4 – эмиссионная ряда 200 мА в газовой среде воздуха. Глубина полости:
сетка; 5 – вкладыш; 6 – перемещаемый зонд 1 – 60 мм, 2 – 54,5 мм, 3 – 36 мм, 4 – 24 мм
Концентрация плазмы определялась по ионно- 5,0 3

му току насыщения на одиночный Ленгмюровский
зонд 6, расположенный за эмиссионной сеткой. Зонд 4,5
устанавливался на устройстве перемещения, что 4,0 2
позволяло двигать его вдоль протяженного размера
3,5
n, a.u.
катодной полости. Расположение зонда непосредст-

венно в катодной полости, т.е. при снятой эмиссион- 3,0 1
ной сетке, приводило к возмущению плазмы разря- 2,5
да. В связи с этим, измерение концентрации плазмы
проводились вне разрядной ячейки в непосредст- 2,0
венной близости к эмиссионной сетке. 1,5
Ионы, подлетающие к эмиссионной сетке, про-
1,0
летают сквозь ее ячейки и попадают на приемную 0 200 400 600 800 1000
поверхность зонда. За счет рассеяния часть ионов I, A
теряется, однако это не может сказаться на характере Рис. 3. Зависимость отношения концентрации в крайних
распределения концентрации вдоль катодной полос- максимумах к концентрации в средней части полости от
ти. Специальные измерения концентрации плазмы, тока разряда. Давление 26 Па. Глубина полости:
проведенные непосредственно в катодной полости, 1 – 48 мм, 2 – 42 мм, 3 – 24 мм
и сравнение с измерениями за эмиссионной сеткой
показали, что потери ионов составляют не более 10– При токе разряда 200 мА распределение кон-
20% во всем диапазоне варьируемых параметров. центраций плазмы для всех газов отличается незна-
Обработка зондовой характеристики осуществля- чительно друг от друга (рис. 4). Вид распределения
лась по стандартной методике. Отрицательное сме- представляет собой плато, неоднородность распре-
щение на зонд подавалось от источника стабилизи- деления концентрации не превышает 12%.
рованного напряжения порядка 20 В. Ток зонда оп- Однако при увеличении тока разряда до
ределялся осциллографом TektronixTPS2024B по 1000 мА характер распределения концентрации
падению напряжения на измерительном резисторе плазмы становится зависящим от сорта газа. В газо-
R1 номиналом 10 кОм. Измерения проводились при вой среде кислорода наблюдается рост концентра-
давлениях 12,5; 17,5 и 26 Па. При смене рабочего ции в средней части полости, в среде аргона – рост
газа проводилась промывка вакуумной камеры соот- краевых максимумов, а распределения, снятые в
ветствующим газом в течение 5–10 мин. среде гелия, практически не изменяются.
Результаты работы и их анализ Такое поведение зависимости распределения
Исследования показали, что на характер рас- концентрации плазмы может быть объяснено раз-
пределения концентрации плазмы оказывают влия- личной скоростью генерации и исчезновения заря-
ние давление газа, величина разрядного тока, газо- женных частиц в разряде с полым катодом.
2 3 происходит вблизи краев полости. Это и объясняет
1
0,10 появление краевых максимумов в случае работы в
атмосфере аргона при повышении давления.
0,08 Заключение
Распределение концентрации плазмы в полом
.
е 0,06 катоде форвакуумного источника ленточного элек-
.
а
, тронного пучка в диапазоне давлений 10–30 Па в
n
значительной степени зависит от геометрии катод-
0,04
ной полости, состава газовой атмосферы, давления и
разрядного тока. Наиболее равномерное распреде-
0,02
ление концентрации плазмы во всем исследуемом
диапазоне давлений наблюдается в случае достаточ-
0,00 но глубокой полости и использовании гелия в каче-
0 5 10 15 20 25 30 35
стве рабочего газа. Такой характер зависимости кон-
x
,
с
м
центрации связан с различиями в значениях.

Рис. 4. Распределение концентрации вдоль протяженного
Работа поддержана Министерством образова-
размера катодной полости при давлении 17,5 Па, токе
разряда 200 мА для различных газов: ния и науки в рамках базовой части проекта
1 – кислород, 2 – гелий, 3 – аргон № 3.9605.2017/8.9.
1 Литература
0,8
2
1. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная
0,7 3 обработка материалов. – М.: Радио и связь, 1986. – 232 с.
2. Васильев М.Н. Применение электронно-пучковой
0,6
плазмы в плазмохимии // Энциклопедия низкотемператур-
0,5 ной плазмы / под ред. В.Е. Фортова. – Т. XI. – М.: Наука,
.
е 2001. – С. 436–445.
.
а
,
0,4 3. Бурдовицин В.А. Электронный источник с плаз-
n
менным катодом для генерации ленточного пучка в форва-
0,3
куумном диапазоне давлений / В.А. Бурдовицин,
0,2 Ю.А. Бурачевский, Е.М. Окс, М.В. Федоров // Приборы и
техника эксперимента. – 2003. – №2. – С. 127–129.
0,1 4. Бурдовицин В.А., Окс Е.М., Федоров М.В. Пара-
метры «плазменного листа», генерируемого ленточным
0,0
0 5 10 15 20 25 30 35 электронным пучком в форвакуумной области давлений //
Изв. вузов. Физика. – 2004. – №3. – С.74–77.
x
,
с
м
5. Бугаев С.П. Электронные пучки большого сечения /

Рис. 5. Распределение концентрации вдоль протяженного С.П. Бугаев, Ю.Е. Крейндель, П.М. Щанин. – М.: Энерго-
размера катодной полости при давлении 17,5 Па, токе атомиздат, 1984. – 112 с.
разряда 1000 мА для различных газов: 6. Гаврилов Н.В. Генерация однородной плазмы в
1 – кислород, 2 – гелий, 3 – аргон тлеющем разряде с полым анодом и широкоапертурным
полым катодом / Н.В. Гаврилов, Д.Р. Емлин, С.П. Никулин //
Известно, что основным механизмом генерации Письма в ЖТФ. – 1999. – Т. 25, № 12. – С. 83–88.
является ионизация газа плазменными и вторичны- 7. Никулин С.П. Генерация однородной плазмы и
ми электронами. При этом вторичные электроны широких ионнных пучков в пеннинговской системе с не-
возникают при бомбардировке стенок полости ио- эквипотенциальным полым катодом / С.П. Никулин,
нами из разрядной плазмы, следовательно, вблизи Д.Ф. Чичигин, П.В. Третников // ЖТФ. – 2004. – Т. 74,
№ 9. – С. 39–42.
торцевых стенок катодной полости при больших
8. Мартенс В.Я. Управление распределением плотно-
давлениях газа возможно увеличение концентрации сти тока по поверхности плазменного эмиттера большой
вторичных электронов. Длина свободного пробега площади / В.Я. Мартенс, Е.Ф. Шевченко // Письма в ЖТФ. –
для гелия в несколько раз превышает аналогичную 2011. – Т. 37, № 8. – С. 71–78.
величину для аргона. И ионизация нейтральных
атомов вторичными электронами в атмосфере аргона
УДК 537.525.5
З.А. Бадмажапов, А.В. Тюньков, Ю.Г. Юшков, Д.Б. Золотухин
Осаждение многослойных металлокерамических покрытий

электронно-лучевым методом в форвакууме
Продемонстрирована возможность создания металлокерамических покрытий (термобарьерных) путем последо-
вательного осаждения паров металла и керамики из плазмы, создаваемой электронным пучком форвакуумного
плазменного источника электронов. Представлены результаты калотеста и электронной оже-спектроскопии по-
крытия.
Ключевые слова: плазма, осаждение покрытий, электронный пучок, форвакуумная область давлений.
Основной функцией металлокерамических по-

крытий является защита различных деталей от нега-
тивных воздействий окружающей среды при высо-
ких температурах. Для этих целей может быть ис-
пользован широкий перечень керамических мате-
риалов, среди которых присутствует алюмооксидная
керамика Al2O3, которая отличается высокой твердо-
стью и химической инертностью [1]. Известны раз-
ные способы нанесения таких покрытий, и в на-
стоящее время наиболее распространёнными явля-
ются плазменное напыление (plasma spraying) и ва-
куумное напыление при помощи электронного пучка
(EB-PVD) [2]. Обработка электронным пучком ке-
рамической мишени может вызвать затруднения,
поскольку для компенсации накапливаемого по-
верхностью мишени отрицательного заряда нужны
дополнительные меры. Однако при облучении ми-
шени в форвакуумном диапазоне давлений (1– Рис. 1. Схема экспериментальной установки: 1 – источник
электронов; 2 – вакуумная камера; 3 – электронный пучок;
100 Па) создаваемая пучком электронов плазма
4 – анод; 5 – ускоряющий электрод; 6 – фокусирующая
обеспечивает эффективную компенсацию этого за- система; 7 – мишень из керамики; 8 – мишень из серебра;
ряда, что позволяет обрабатывать непроводящие 9 – коллектор электронного пучка; 10 – подложка;
материалы без применения дополнительных мер [2]. 11 – держатель
Вследствие низкой теплопроводности керамическо-
го покрытия локальная тепловая нагрузка может Мишени располагались на коллекторе элек-
привести к его растрескиванию, что повлечет за со- тронного пучка 9. Выбор серебра для осаждения
бой ухудшение защитных качеств покрытия или его обусловлен тем, что этот металл стоек к окислению
полный выход из строя. Осаждение поверх керами- даже при высоких температурах, пластичен, а также
ческого покрытия дополнительного слоя металла является самым теплопроводным среди металлов
может позволить более равномерно распределить [4]. Ионы и атомы испаряемых мишеней осаждались
тепловую нагрузку в случае локального воздействия. на подложку из титана 10, закрепленную на держа-
Схема эксперимента тель 11. Объем вакуумной камеры откачивался фор-
Испарение осаждаемых материалов осуществ- вакуумным насосом до предельного давления 5 Па.
лялось при помощи форвакуумного источника элек- Рабочим газом являлся воздух. Время испарения
тронов с плазменным катодом на основе тлеющего мишени из алюмооксидной керамики составляло 5
разряда [3]. Схема эксперимента представлена на мин, из серебра – 1 мин. Начало процесса испарения
рис. 1. фиксировалось визуально по интенсивному свече-
Источник электронов 1 был смонтирован на нию испаряемых мишеней.
фланце вакуумной камеры 2 и генерировал элек- Обсуждение результатов
тронный пучок 3, который извлекался через перфо- На рис. 2 представлено оптическое изображение,
рированный электрод в аноде 4 подачей ускоряюще- полученное с помощью прибора для измерения тол-
го напряжения на ускоряющий электрод 5. Ток пучка щины пленок и покрытий Calotest CAT-S-0000.
составлял 150 мА, а энергия электронов достигала На изображении четко видны 2 слоя осажден-
10 кЭв. Электронный пучок был сфокусирован маг- ного покрытия и поверхность исходного образца.
нитной фокусирующей системой 6 до диаметра око- Толщина слоя серебра составляет 1,6 мкм, толщина
ло 3 мм и попадал на мишени из алюмооксидной слоя керамики – 2,2 мкм. Исходя из времени испаре-
керамики 7 и серебра 8, испаряя их и ионизуя пары. ния мишеней, скорость осаждения составляет
0,44 мкм/мин для алюмооксидной керамики и
1,6 мкм/мин для серебра. Более высокую скорость Методом электронной оже-спектроскопии был
осаждения серебра можно объяснить тем, что алю- исследован элементный состав покрытия на границе
мооксидная керамика как непроводящий материал, подложка–осаждаемый металл. Результаты исследо-
под воздействием электронного пучка накапливает вания приведены на рис. 3. В спектре четко наблю-
некоторый потенциал, что уменьшает энергию бом- даются сигналы напыляемого металла (Ag) и мате-
бардирующих её электронов, и как следствие умень- риала подложки (Ti). Присутствие в спектре железа
шается количество испаренного вещества за едини- (Fe) и углерода (C) вызвано, возможно, загрязнени-
цу времени по сравнению с металлами. ем подложки либо вакуумной камеры. Спектры от
слоя алюмооксидной керамики получить не удалось
предположительно вследствие непроводящих
свойств керамики.
Эксперименты показали возможность примене-
1,6 мкм
ния форвакуумного плазменного источника элек-
тронов как эффективного инструмента для осущест-
вления процессов осаждения многослойных металл-
керамических покрытий. Мощности устройства дос-
2,2 мкм
таточно для обеспечения высокой скорости осажде-
ния. Это может быть использовано, например, для
осаждения как термобарьерных покрытий, так и
покрытий иного функционального назначения.
Работа была поддержана грантом РФФИ
№ 16-38-60059 Мол_а_дк.
Рис. 2. Микрофотография покрытий Литература
1. Cao X.Q. Ceramic materials for thermal barrier
coatings / X.Q. Cao, R. Vassen, D. Stoever // Journal of the
European Ceramic Society. – 2004. – № 24. – РР. 1–10.
2. Huibin Xu. Thermal barrier coatings / Huibin Xu,
Hongbo Guo. – Cambrige: Woodhead Publishing Limited,
2011. – 339 р.
3. Burdovitsin V.A. On the possibility of electron-beam
processing of dielectrics using a forevacuum plasma electron
source / V.A. Burdovitsin, A.S. Klimov, E.M. Oks // Technical
physics letters. – 2009. – Vol. 35, No 6. – PP. 511–513.
4. Burdovitsin V.A. Fore-vacuum plasma-cathode elec-
tron sources / V.A. Burdovitsin, E.M. Oks // Laser and Particle
Beams. – 2008. – Vol. 26, No 4. – PP. 619–635.
5. Гуляев А.П. Металловедение. – 6-е изд. – М.: Ме-
Рис. 3. Оже-спектр покрытия с границы серебро–титан таллургия, 1986. – 544 с.
УДК 621.396.41
П.В. Алексеевский
Потенциал изолированного коллектора

при облучении электронным пучком в форвакууме
Представлены результаты измерения потенциала изолированного коллектора при облучении электронным пуч-
ком в среднем вакууме. Установлена зависимость потенциала от тока пучка и энергии электронов. Предложена
модель, объясняющая указанные зависимости. Показано, что установление потенциала является результатом
баланса потоков ионов и электронов на коллектор, причем ионы, поступающие на коллектор, имеют энергию,
равную модулю потенциала коллектора. Эти ионы могут осуществлять травление поверхности изолированного
металлического коллектора, а также диэлектрической мишени.
Ключевые слова: травление диэлектриков, электронный пучок, закон Чайлда–Ленгмюра, измерение потен-
циала, изолированный коллектор.
Ионное травление широко применяется как для водников осуществляется сравнительно просто по-
очистки поверхностей перед нанесением покрытий, дачей отрицательного потенциала относительно
так и для создания определенного рельефа при ло- плазмы газового разряда либо с использованием
кальном травлении. Травление металлов и полупро- ионного пучка, сформированного в ионном источни-
ке. При ионном травлении диэлектриков возникает Результаты экспериментов и их анализ
проблема компенсации электрического заряда. Ори- Результаты измерений, представленные на
гинальный подход к ионному травлению может быть рис. 2, показывают, что коллектор приобретает от-
реализован облучением диэлектрика электронным рицательный потенциал, абсолютная величина кото-
пучком в среднем вакууме (единицы паскаль). В рого возрастает с увеличением тока пучка и повы-
этом случае поверхность диэлектрика приобретает шением ускоряющего напряжения электронного
отрицательный потенциал, меньший напряжения источника.
ускоряющего электроны. Заряд, приносимый элек- 5kV
тронами, компенсируется ионами пучковой плазмы 600 4kV
3kV
[1], причем ионы ускоряются в слое между плазмой
и поверхностью диэлектрика. При условии, что по-
тенциал имеет величину в сотни вольт, может быть 400
реализовано ионное травление, причем область
травления определяется площадью пятна электрон-
(B)
ного пучка. 200
Цель настоящей работы состояла в определении
условий, при которых реализуется электронно-
ассистированное ионное травление. 0
Экспериментальная установка и методика
эксперимента 20 30 40 50 60 70 80 90
Для измерения потенциала на изолированном Ie(mA)
коллекторе (образец) была собрана эксперименталь- Рис. 2. Зависимость потенциала коллектора от тока
ная установка, схема которой представлена на рис. 1. эмиссии, для разных ускоряющих напряжений (3,4 и 5 кВ)
Установка включает в себя электронный источ- при давлении в 6 Па
ник, основные элементы которого: полый катод 1
С повышением напряжения возрастает и кру-
анод 2 с эмиссионным окном, ускоряющий электрод
тизна зависимости потенциала от тока пучка.
3, фокусирующая система 4. В качестве модели ди-
Объяснение указанных зависимостей может
электрической мишени использован изолированный
быть проведено на основании модели, суть которой
коллектор 5, потенциал которого измеряется вольт-
поясняется рис. 3.
метром 6. Отличие от ранее описанных схем [2] со-
стоит в наличии дополнительного генератора плаз-
мы, в качестве которого использован разряд с полым
катодом 7. В эксперименте измерялся потенциал
коллектора в зависимости от тока пучка и энергии
электронов.
Рис. 3. Схема эксперимента: 1 – электронный пучок;

2 – плазма; 3 – коллектор (диэлектрик); 4 – область
травления; d – расстояние между эмиттером и
коллектором; r – радиус области травления
В первом приближении полагаем, что условием

установления потенциала коллектора является ра-
венство токов
Ib  Ii , (1)
где Ib – ток электронного пучка, Ii – ток ионов. Вто-
ричные явления будут учтены поправочными коэф-
фициентами. Полагаем, что слой, отделяющий
плазму от коллектора, ионный, и его толщина d
меньше радиуса r пучка. Тогда на основании закона
Чайлда–Ленгмюра для плоского случая может быть
записано выражение для ионного тока
3 2
40 2e 2  r 
Ii =    , (2)
9 Mi  d 
Рис. 1. Схема экспериментальной установки: где M i – масса ионов, d – толщина слоя,  – потен-
1 – полый катод; 2 – анод с эмиссионным окном; циал коллектора.
3 – укоряющий электрод; 4 – фокусирующая система; Подставляя (2) в (1), получаем выражение
5 – изолированный коллектор; 6 – вольтметр; для 
7 – разряд с полым катодом
2 На рис. 5 показана фотография следа электрон-
 9 d 
Mi
2 3 ного пучка на керамической мишени. Очистка об-
  kb I b    , (3) ласти, облучаемой пучком, подтверждает наличие
 4  0 2e  r  
ионного травления.
в котором снижение коэффициента вторичной элек-
тронной эмиссии с ростом ускоряющего напряжения
Uа учтено эквивалентным возрастанием ионного тока
за счет введения безразмерного коэффициента kb:
U
kb  А а , (4)
5
где Uа выражено в киловольтах, величина А, имею-
щая размерность обратного напряжения, определена
из сопоставления расчетных и экспериментальных
величин.
Результаты расчетов, представленные на рис. 4,
дают картину, неплохо совпадающую с эксперимен-
тальными зависимостями, что позволяет говорить об Рис. 5. След травления на керамической мишени
адекватности развитых представлений.
На основании сопоставления результатов изме-
рения потенциала изолированного коллектора и мо-
дельных представлений получено выражение, по-
зволяющее прогнозировать потенциал диэлектриче-
1 2 ской мишени в зависимости от параметров экспери-
мента. Экспериментально подтверждено наличие
ионного травления при облучении керамики элек-
тронным пучком.
3
1. Форвакуумные плазменные источники электронов /
В.А. Бурдовицин, А.С. Климов, А.В. Медовник и др. –
Томск: Изд-во Том. ун-та, 2014. – 288 с.
2. Electron beam treatment of non-conducting materials
Рис. 4. Сравнение расчетных и экспериментальных by a fore-pump-pressure plasma-cathode electron beam source /
данных: 1 – расчетные данные для Ua= 5 кВ; V.A Burdovitsin, A.S Klimov, A.V Medovnik, E.M Oks //
2 – расчетные данные Ua = 4 кВ; Plasma Sources Science and Technology. – 2010. – Vol. 19,
3 – расчетные данные для Ua= 3 кВ No. 5. – P. 055003.
УДК 621.387
Л.Н. Орликов, С.М. Шандаров, К.С. Мамбетова
Генерация волн ионизации при пироэффекте на ниобате лития

Показано, что при прогреве кристалла ниобата лития в вакууме возникает электрический пробой по поверхно-
сти кристалла. В окрестности кристалла формируются электронная лавина, а также ударная волна уплотнения
давления, в которой повышаются давление и температура газа. Торможение электронов на остаточном газе и
возможные высокие значения температуры способствуют возникновению волны ионизации.
Ключевые слова: ниобат лития, пироэффект, плазма.
В настоящее время в ряде работ показано, что лебания приводят к встраиванию атомов в междууз-
ниобат лития может использоваться как твердотель- лия решетки. Встраивание атомов создает механиче-
ный источник генерации слабоинтенсивного рентге- ское напряжение в кристалле. Как следствие возни-
новского излучения [1–3]. Большое внимание уделя- кает локальное изменение поляризации доменов.
ется исследованию условий, влияющих на увеличе- Возникает локальная область заряда на поверхности
ние интенсивности излучения [4, 5]. кристалла. Заряд пытается стекать в область мини-
Моделирование электрических явлений при мального потенциала в холодную область, но этому
пироэффекте препятствует сопротивление поверхности. Нараста-
При температурном воздействии на кристалл ние заряда усиливает напряженность E электриче-
ниобата лития усиливаются колебания атомов. Ко- ского поля. Возникает пробой по поверхности кри-
сталла. Электронная лавина 2 ускоряется в создан-
ном электрическом поле. Расстояние пробоя сокра-
щается за счет деионизационных процессов, что
приводит к усилению электрического поля. Возни-
кает эффект «убегающих электронов». Убегающие
электроны порождают рентгеновское излучение и
осуществляют предварительную ударную иониза-
цию газа перед областью фронта распространяю-
щейся плазмы. Торможение электронов на газе
уменьшает их скорость, что усиливает ионизацион-
Рис. 1. Схема формирования волны ионизации:
ные процессы и приводит к появлению ультрафио- 1 – кристалл, 2 – электронная лавина, 3 – зона разряжения
лета, рентгена, длинноволнового излучения. давления (зона ионизации), 4 – ударная волна,
Соответствие мгновенного значения тока i(t) и 5 – область за ударной волной, 6 – мишень
ускоряющего напряжения U при эмиссии частиц
устанавливается законом степени 3/2 [6]: В процессе развития электронной лавины газ
нагревается и расширяется. При одномерном рас-
S
i (t )  2,33 106 U 3/2 (t ) , (1) смотрении в поперечном направлении происходит
d формирование области уплотнения давления в виде
где S – площадь токоотбора; d – расстояние от зоны ударной волны 4. За ударной волной формируется
эмиссии до анода (мишени). область разряжения давления 3. В ударной волне
Условие существования разряда базируется на происходит нагрев газа от температуры T до темпе-
законе Пашена, устанавливающем зависимость на- ратуры неподвижного газа (температуры торможе-
пряжения зажигания Uз от произведения давления P ния T*): [9. С. 23]
на расстояние d между электродами: T k 1 2
Uз  f (P  d ) . 1   , (7)
T* k 1
Случай, когда разряд не зажигается, может быть где k – показатель адиабаты газа,  – коэффициент
описан неравенством [6] скорости потока, равный отношению скорости пото-
 (ed 1) 1 , (2) ка к скорости в неподвижном газе.
В условиях вакуума 1–10 Па (что соответствует
где  – коэффициент вторичной ионно-электронной числам Кнудсена Kn = 10–2–0,3) протяженность этих
эмиссии;  – коэффициент ионизации Таунсенда. областей соизмерима с длиной свободного пробега
Напряженность электрического поля E, возни- молекул.
кающая вследствие пироэффекта, определяет на- Теоретически предельное изменение плотности
пряжение пробоя U: газа R подчиняется выражению
U  E d . (3) R  k  1 k 1 , (8)
В процессе возникновения и развития элек-
для воздуха при k = 1,4; Rmax= 6; для плазмы k = 1,2;
тронной лавины возрастает коэффициент ударной
Rmax = 11.
ионизации ( >1) и выполняются условия самостоя-
Величины изменения давления, температуры,
тельности разряда [7]:
скорости и другие параметры потока табулированы
  d  ln(1  1/  ) . (4) в [9].
В этом случае электронная составляющая тока В неподвижном газе  = 0 соответственно
разряда Iе может быть определена соотношением [6]: T =T*. В предельном случае  стремится к 2,5; со-
I e  ne Ve  e  S , (5) ответственно T/T* стремится к бесконечности.
При «убегании» электронов возрастает темпе-
где ne – концентрация плазмы, Ve, e – скорость и ратура окружающего газа.
заряд электрона. Независимо от механизма подвода тепла изме-
В простейшем случае скорость электрона без нение температуры газа происходит пропорцио-
учета соударений с газом может определиться из нально изменению функции импульса газа от на-
кинетических соображений [8]: чального значения Z(  1) до конечного Z (  2) [9]:
2
eU  meV e /2 . (6) 0,5
Z  2   Z 1   Т х Т г  , (9)
Модель генерации волны ионизации
где Тг, Тх – температура холодного и горячего газа.
Для упрощения принимаем одномерную мо-
дель, предполагая, что кристалл цилиндрический, В таблице приведены некоторые параметры
пробой происходит вдоль поверхности кристалла, а потока.
распространение волны возмущения происходит Параметры потока газа
только в радиальном направлении.  0 1 1,9 2,15 2,19 2,23 2,5
На рис. 1 представлена схема процессов при Z()  2 2,3 2,5 2,7 2,9 3
формировании волны ионизации. Тг/Тх  1 1,3 1,7 2 2,03 2,04
Из таблицы видно, что в режиме «убегания пробой и формирование плазмы. Возникновение
электронов» температура газа, окружающего кри- пробоя регистрируется осциллографом.
сталл, может повыситься почти в два раза. В зоне Полученные результаты
уплотнения давления эта температура увеличивается На рис. 3 представлена осциллограмма измене-
до температуры Т* (почти в два раза), при увеличе- ния тока при нагреве кристалла ниобата лития.
нии плотности газа – почти на порядок. В итоге при
некотором соотношении  и T возникают условия
формирования волны термической ионизации газа в
дополнение к ионизационным процессам, возни-
кающим при торможении электронов на газе и ми-
шени.
Энергия, приобретаемая молекулой, может оп-
ределиться суммой энергии теплового возбуждения
и энергии ускорения:
3
W  kbT * eU , (10)
2
Рис. 3. Осциллограмма изменения тока разряда
где kb – постоянная Больцмана. при нагреве кристалла
Моделирование процессов проводилось с при-
менением пакета MATCAD. Реализуемый ток электронной лавины составил
Схема и методика эксперимента 3 мА при расчетном напряжении 11 кВ и длительно-
Исследования проводятся при давлении 1–10 Па. сти импульса 2 мкс.
На рис. 2 представлена схема эксперимента. Колебательные процессы после основной фазы
разряда, вероятно, связаны с перезарядкой доменов
и возникновением поверхностных акустических
волн.
На пробой по кристаллу влияют степень насы-
щения поверхности газами и скорость прогрева кри-
сталла. Электрический пробой возникает при ско-
рости нагрева поверхности кристалла большей, чем
скорость теплопередачи по объему кристалла. С те-
Рис. 2. Схема эксперимента: 1 – кристалл, 2 – сетка, чением времени интенсивность пробоев уменьшает-
3 – зона ионизации, 4 – ударная волна, 5 – импульсный ся, что связано с удалением газов при прогреве кри-
датчик давления, 6 – резистор, 7 – блок питания, сталла и сорбционно-десорбционными процессами
8 – осциллограф на его поверхности.
Легирование кристалла до концентраций 1023 м–3
Вокруг кристалла 1 размером 14,5×10,5×10 мм3 способствует усилению генерации электрического
расположена сетка 2 с ячейками 1×1 мм, экрани- поля. Напряженность возбуждаемого электрического
рующая зону пробоя от зоны ионизации 3. На рас- поля возрастает в следующей последовательности
стоянии 5 мм от сетки в зоне ударной волны 4 рас- для материалов лигатуры: железо, медь, марганец.
положен импульсный датчик давления 5 с дежурным Относительно постоянные времена амплитуд
тлеющим разрядом, ограниченным сопротивлением тока при нагревании объясняются пробоем по газо-
6 (5 кОм). Система снабжена блоками питания 7 и вому промежутку между областями локальной на-
осциллографами 8. Напряжение инициирования в пряженности [10]. Колебания тока после первого
зоне ионизации U cоставляло около 200 В при про- пробоя объясняются процессами перезарядки доме-
изведении давления P на расстояние между электро- нов, деионизации и рекомбинации на поверхности
дами d равном 20. кристалла.
В датчике поддерживается дежурный тлеющий На рис. 4 представлена осциллограмма измене-
разряд напряжением 400 В с током 5 мА. Предвари- ния давления в датчике.
тельно снимается градуировочная кривая зависимо-
сти тока разряда от давления при постоянном раз-
рядном напряжении. Сигнал тока разряда с датчика
давления регистрируется с помощью измерительно-
го резистора на ждущий осцилограф С8–12.
Чувствительность датчика составляет 0,02 В/Па.
Время реакции на изменение тока составляет 0,5 мкс.
При обеспечении давления ~1,33 Па и нагреве кри-
сталла со скоростью 20–50 град в минуту до темпе-
ратуры 130 °C. На поверхности кристалла возника-
ют области поверхностного заряда, что вызывает Рис. 4. Осциллограмма изменения давления
в импульсном датчике при токе разряда 8 мА
Изменение давления при пробоях составляло от генерации электронного и рентгеновского излуче-
1 до 5 Па. Расчетная температура торможения Т* ния. Установлена определенная закономерность из-
составила 980 С. Интенсивность волны зависит от менения параметров излучения в зависимости от
тока разряда. Наиболее различимым является пер- расстояния, размеров кристалла, скорости нагрева и
вый импульс. При охлаждении кристалла интенсив- остывания, взаимного расположения элементов сис-
ность волны меньше. темы. Подбор материала лигатуры и ее концентра-
Импульсы тока при Pd = 0,5–1 соответствуют ции открывает перспективы разработки твердотель-
напряжениям до 5 кВ. Для анода из меди ( = 7) ко- ных приборов оптической электроники и рентгенов-
эффициент ударной ионизации =(5–23), U = 11 кВ, ской техники на основе ниобата лития.
I = 3 мА. Полученные величины токов и напряже- Полученные волны ионизации перспективны
ний корелируют с выражением (1). Более высокие для реализации управления пробоем на кристаллах
значения импульсов напряжений соответствуют ниобата лития.
Pd = 5–8, однако условия получения максимальных
значений токов и напряжений в этих условиях не- Литература
стабильны. Это согласуется с [8] и, вероятно, связа- 1. Kukhtarev N. Generation of focused electron beam by
но с наклоном левой ветви кривой Пашена относи- pyroelectric and photogalvanic crystals / N. Kukhtarev et al. //
тельно осей координат, при котором одному Pd мо- J. Appl. Phys. – December 2004. – Vol. 96, Nо. 11.
жет соответствовать два напряжения зажигания. 2. Kukhtarev N.V. Smart photogalvanic running-grating
После нескольких циклов нагрева и охлаждения interferometer / N.V. Kukhtarev et al. // J. Appl. Phys. –
ток разряда при пробое уменьшался в 5–6 раз. Из- 2005. – Vol. 97. – Р. 054301.
3. Месяц Г.А. Электронная эмиссия из сегнетоэлек-
менение тока и напряжения объясняется сорбцион-
трических плазменных катодов // Успехи физических
но-десорбционными процессами при изменении наук. – 2008. – Т. 178, № 1. – С. 85–108.
температуры кристалла в области форвакуумных 4. Нагайченко В.И. Увеличение энергии электронов в
давлений. пироэлектрическом ускорителе / В.И. Нагайченко,
При увеличении размеров образцов получен- В.А. Воронко, В.В. Сотников и др. // Вопросы атомной
ный ток возрастает пропорционально площади кри- науки и техники. – 2008. – № 5. – С. 72–76.
сталла. В итоге максимальный ток (3 мА) достигнут 5. Нагайченко В.И. Исследования спектров пучков
на образце размерами 14,5×10,5×10 мм3 при его заряженных частиц в пироэлектрическом ускорителе /
нагреве со скоростью 20 °C /мин от –10 до 107 °C. В.И. Нагайченко, В.С. Мирошник, А.М. Егоров, А.В. Ща-
гин // Вопросы атомной науки и техники. – 2010. – № 2. –
Импульсы тока проявлялись с интервалом 1–3 мин
С. 34–39.
при температурах нагрева 17, 38, 56, 94, 98, 100, 105, 6. Проскуровский Д.И. Эмиссионная электроника:
106, 107 °C. учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. – Томск: Том.
Образцы, легированные железом с концентра- гос. ун-т, 2010. – 288 с.
цией СFe2, равной 3,88·1023 м–3,позволяют увеличи- 7. Бурдовицын В.А. Форвакуумные плазменные ис-
точники электронов / В.А. Бурдовицын, А.С. Климов,
вать ток эмиссии до нескольких миллиампер. А.В. Медовник и др. – Томск: Изд-во Том. ун-та, 2014. –
При Z-ориентации кристалла интенсивность 286 с.
сигналов при нагреве кристалла несколько выше, 8. Ткачев А.Н. Коэффициент Таунсенда и эффектив-
чем при Х-ориентации. ность формирования убегающих электронов в неоне /
Выводы А.Н. Ткачев, А.А. Феденев, С.И. Яковленко // ЖТФ. –
В итоге работы получены новые сведения о 2005. – Т. 75, вып. 4. – С. 60–66.
процессах генерации электронного потока в процес- 9. Абрамович Г.Н. Прикладная газовая динамика. –
М.: Наука, 1976. – 808 с.
се нагрева или остывания кристалла ниобата лития в
10. Орликов Л.Н. Исследование способов управления
области давлений 1–10 Па. Повторяющиеся времена генерацией электронного потока из ниобата лития при
на осциллограммах свидетельствуют о пробое по термоциклировании / Л.Н. Орликов, В.Я. Романов,
газовому промежутку, а не по поверхности кристал- С.И. Арестов, С.М. Шандаров // Доклады ТУСУРа. –
ла. После пробоя возникают токи смещения и пере- 2011. – №2(24), ч. 2. – С. 135–138.
зарядки. Исследования [8–10] подтверждают пра-
вомочность существования предлагаемой модели
Секция 10. Биомедицинская электроника 253
Секция 10
БИОМЕДИЦИНСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Председатель секции – Мещеряков Роман Валерьевич, д.т.н., профессор, зав. каф. БИС,
проректор по научной работе и инновациям ТУСУР
УДК 621.341.572
А.В. Анищенко, Е.А. Сидоров, Н.М. Федотов
Биотехническая система гипертермии

Представлены результаты разработки биотехнической системы для реализации метода индукционного нагрева
жидких или тканезамещающих имплантатов, в состав которых входят ферромагнитные микро- или наночасти-
цы. Система предназначена для осуществления селективной гипертермии при хирургическом лечении злокаче-
ственных опухолей. Для прямого нагрева имплантатов и ферромагнитных жидкостей высокочастотным маг-
нитным полем в состав биотехнической системы включен индуктор оригинальной конструкции.
Ключевые слова: онкология, гипертермия, индуктор, индукционный нагрев, биотехническая система.
В настоящее время метод локальной гипертер- скую систему из 3 блоков – блок управления, гене-
мии, обеспечивающий селективное температурное ратор высокочастотного магнитного поля и блок
воздействие на ткани путем использования имплан- датчиков температуры, и биологический объект, ко-
татов с ферромагнитными элементами [1], рассмат- торый представлен в виде двух независимых объек-
ривается как один из способов повышения эффек- тов – оператора и пациента. Структура биотехниче-
тивности лучевой и химиотерапии при лечении он- ской системы гипертермии представлена на рис. 1.
кологическмих заболеваний.
Процедура гипертермии предусматривает на-
гревание биологических тканей до 42–43 °С без уг-
розы для жизни. Известно, что температура выше
41 °С вызывает гибель раковых клеток, а здоровые
клетки переносят повышение температуры до Рис. 1. Стуктура биотехнической системы: ТС – техниче-
44–45 °С [1–3]. ская система; БО1 – биологический объект: оператор;
Метод локальной гипертермии может реализо- БУ – блок управления; Г – генератор;
ван путем нагрева высокочастотным магнитным по- БО2 – биологический объект: пациент; ТД – термодатчик;
М – магнитное поле
лем ферромагнитных материалов, входящих в состав
тканезамещающих имплантатов [4] или вводимых в
Генератором высокочастотного магнитного поля
злокачественную опухоль малых ферромагнитных
технической системы является индукционное уст-
частиц (точка Кюри которых должна быть не выше
ройство. В состав устройства входит индуктор, ко-
45 °С) [5].
торый представляет собой магнитную катушку в
В настоящее время на рынке медицинских из-
виде кольца, внутри которого помещается тело па-
делий оборудование для высокочастотной селектив-
циента.
ной гипертермии, прошедшее клиническую апроба-
Биологическим звеном в системе выступают
цию, отсутствует.
оператор, управляющий устройством, и пациент, на
Целью работы является создание биотехниче-
части тела которого оказывается слективное воздей-
ской системы для лечения онкологических заболе-
ствие через ферромагнитные имплантаты.
ваний методом локальной гипертермии.
Связь биологического объекта (пациента) с
Материалы и методы
технической системой обеспечивается путем воз-
Поставленная цель реализуется с учетом теории
действия на него магнитного поля индуктора. Об-
синтеза биотехнических систем. Биотехнические
ратная связь осуществляется с помощью термодат-
системы (БТС) – особый класс больших систем, в
чиков, контролирующих температуру нагрева пора-
которых биологические и технические элементы
женных тканей пациента.
связаны в едином контуре управления, причем роль
Результаты
управляющего звена в них могут играть как техни-
Биотехническая система реализована в виде ме-
ческие, так и биологические звенья [6, 7].
дицинского комплекса для гипертермии, который
Для реализации цели работы была создана био-
работает следующим образом: пациент помещается
техническая система, включающая в себя техниче-
на подвижном столе таким образом, чтобы область
тела, пораженная раковыми клетками, располагалась лем многовиткового соленоида. Уменьшение числа
в центре рабочей области индуктора (рис. 2). Опера- витков приводит к снижению индуктивности индук-
тор запускает с помощью блока управления генера- тора, а следовательно, к снижению напряжения в
тор высокочастотного магнитного поля, посредством резонансном контуре. Результатом оптимизации для
которого происходит нагрев ферромагнитных им- реализации индуктора явилась одновитковая конст-
плантатов, тепловая энергия которых передается рукция в виде кольца из плоской электропроводной
пораженным тканям пациента. Процедура гипер- ленты. Применение плоской ленты позволяет прак-
термии длится около часа. Контроль температуры тически еще в два раза уменьшить индуктивность
нагрева пораженных тканей осуществляется с по- даже по сравнению с одновитковой конструкцией из
мощью термопар. Измерение температуры происхо- круглого провода аналогичного сечения.
дит с частотой 0,1 Гц. Во время процедуры измере- Изготовление индуктора в виде кольца из
ния температуры генератор высокочастотного маг- плоской электропроводной ленты позволяет снизить
нитного поля отключается. техническую сложность задачи по реализации защи-
ты от перегрева. Для снижения тепловых потерь
материал электропроводной ленты выбирается из
неферромагнитного материала с высокой электриче-
ской проводимостью (не менее 30 МСм/м), напри-
мер меди. При этом толщина ленты определяется в
1–5 мм, а ширина – в 150–500 мм. Кроме того, ин-
дуктор в виде кольца из плоской ленты имеет значи-
тельно большую площадь поверхности, чем обыч-
ный круглый провод аналогичной площади сечения,
что позволяет считать его эффективным радиатором
и отводить тепло потоком воздуха без установки
Рис. 2. Медицинский комплекс для гипертермии
жидкостных систем охлаждения.
Совокупность предлагаемых технических ре-
Как было сказано ранее, техническая система
шений приводит к получению результата оптимиза-
БТС представляет собой индукционное устройство,
ции по упрощению конструкции устройства и сни-
индуктор которого, как правило, изготавливается в
жению уровня электрической опасности. Подробно
виде соленоида с использованием жидкостного ох-
часть работы по оптимизации конструкции пред-
лаждения. В резонансном контуре из-за геометриче-
ставлена в работе [9], которая содержит результаты
ских особенностей на конденсаторе и индуктивно-
предыдущего этапа исследования.
сти индуктора возникает напряжение в десятки ки-
Электрическая схема устройства реализуется на
ловольт (1) [8] и токи в сотни ампер:
основе последовательного резонансного контура,
2 индуктивность которого служит конструктивным
2  1 
U  I  R   2 f  L   , (1) элементом для создания требуемой геометрии и на-
 2 f  C 
 пряженности поля (функциональная схема устрой-
где U – напряжение, В; I – электрический ток, А; ства на рис. 3).
f – частота, Гц; L – индуктивность, Гн; C – емкость,
Ф; R – активное сопротивление контура, Ом.
Высокое напряжение затрудняет решение задач
по обеспечению электробезопасности пациента, ох-
лаждению контура и ужесточает требования по вы-
бору высоковольтных конденсаторов. Следователь-
но, необходимо оптимизировать конструкцию ин-
дуктора.
Для нахождения наиболее оптимальной кон-
струкции исполнения катушки индуктора было про- Рис. 3. Функциональная схема устройства:
ведено сравнение следующих вариантов: соленоид, 1 – изолирующий трансформатор; 2 – выпрямитель тока;
катушка Гельмгольца, одновитковая катушка из ши- 3 – генератор с настраиваемой частотой в диапазоне
рокой ленты, одиночный виток. Оптимизация была 50–500 кГц; 4 – согласующий трансформатор;
выполнена для снижения уровня электрической 5 – воздушный фильтр; 6 – воздушная система охлажде-
опасности устройства и для снижения технической ния; 7 – индуктор; 8 – рабочая область индуктора
сложности в реализации защиты от перегрева.
Напряженность магнитного поля индуктора
Оптимизация конструкции индуктора для
выбирается из безопасных для пациента уровней
снижения уровня электрической опасности выпол-
напряженности 0–10 кА/м при заданном диапазоне
нена по критерию использования минимально воз-
частот. Значение уровня определяется исходя из
можного количества витков с одновременным дос-
эмпирической формулы Аткинсона (2) [10]:
тижением высокой однородности распределения
H·F  4,8·108 А/м·с, (2)
напряженности магнитного поля, сравнимой с по-
где H – напряженность магнитного поля, F – частота.
Секция 10. Биомедицинская электроника 255
Необходимая установленная мощность генера- 4. Использование локального индукционного нагре-
тора определена на основании оценки потерь в кон- ва в биотехнологиях и медицине / А.М. Осинцев,
туре. Мощность потерь оценена примерно в 1 кВт И.Л. Васильченко, А.Л. Майтаков и др. // Техника и тех-
нология пищевых производств (Кемерово). – 2012. – №2. –
при напряженности магнитного поля в рабочей об-
С. 159–164.
ласти индуктора 8 кА/м. 5. Магнитно-жидкостная регионарная индукционная
Заключение гипертермия саркомы / Н.А. Брусенцов, А.А. Шевелев,
1. Синтезирована БТС для реализации метода Т.Н. Брусенцова // Химико-фармацевтический журнал.–
индукционного нагрева ферромагнитных материа- 2002. – №3. – С. 8–10.
лов высокочастотным магнитным полем, предна- 6. Ахутин В.М. Биотехнические системы: теория и
значенная для хирургического лечения злокачест- проектирование: учеб. пособие / В.М. Ахутин, А.П. Не-
венных новообразований методом локальной гипер- мирко, Н.Н. Першин и др. – Л.: Изд-во Ленингр. ун-та,
термии. 1981.
7. Бондарева Л.А. Основы теории биотехнических
2. На базе синтезированной БТС разработан систем: метод. указания к практ. занятиям. – Орел,
медицинский комплекс для гипертермии. 2011. – С. 4.
Литература 8. Формулы по физике. Магнитное поле [Электрон-
ный реcурс]. – Режим доступа: http://www.indigomath.ru/
1. Лопатин В.Ф. Метод локальной УВЧ-гипер- formuly-po-fizike/magnitnoe-pole.html, свободный (дата
термии // Медицинская физика (Обнинск). – 2011. – №4. – обращения: 24.06.2015).
С. 85. 9. Анищенко А.В., Сидоров Е.А., Федотов Н.М.
2. Использование локального индукционного нагре- Индукционное устройство для селективной гипертермии
ва в биотехнологиях и медицине / А.М. Осинцев, при лечении онкологических заболеваний // Электронные
И.Л. Васильченко, А.Л. Майтаков и др. // Техника и тех- средства и системы управления. – Томск, 2015. – № 1. –
нология пищевых производств (Кемерово). – 2012. – С. 240–244.
№2. – С. 159–164. 10. Atkinson W.J., Brezovich I.A., Chakraborty D.P.
3. Русаков С.В. Гипертермия в онкологии: неизвест- Usable frequencies in hyperthermia with thermal seeds //
ное об известном // Онкология (Киев). – 2007. – С. 60–64. IEEE Trans. Biomed. Eng. – 1984. – Vol. 31, No. 1. –
P. 70–75.
Секция 11
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА И ФОТОНИКА
Председатель секции – Задорин Анатолий Семёнович, д.ф.-м.н., профессор, зав. каф. РЗИ
УДК 535-46
А.В. Макеев, В.С. Айрапетян
Исследование спекл-эллипсометрических структур

шероховатых поверхностей
Приведен краткий обзор возможностей методов эллипсометрии для исследования микрорельефа поверхностно-
го слоя. Описан метод регистрации спекл-эллипсометрических картин для исследования шероховатости по-
верхности. Произведена регистрация спекл-эллипсометрических картин лазерного излучения, отраженного от
металлической поверхности с шероховатостью. Показаны результаты компьютерной обработки спекл-картин
методом вейвлет-анализа в среде MATLAB.
Ключевые слова: шероховатость поверхности, бесконтактные методы контроля, эллипсометрия, спекл, вейв-
лет-анализ.
Повышение качества изделий является одной из ных [2–11], в которых предложены различные спо-
актуальных задач современной промышленности. собы эллипсометрических исследований для по-
Появление современных высокотехнологичных ма- верхностей с шероховатостью. Большинство из
териалов, растущие требования к точности и слож- предложенных эллипсометрических методов иссле-
ности изготовления поверхностей деталей, а также дования поверхностного слоя основано на анализе
тот факт, что безотказность работы готового изделия изменения состояния поляризации отраженного
напрямую зависит от состояния микрорельефа по- пучка, измеренные параметры не могут однозначно
верхностного слоя рабочих деталей, приводит к не- соотноситься с параметрами микрорельефа поверх-
обходимости совершенствования и разработки но- ности и требуют использования различных способов
вых высокоэффективных бесконтактных методов моделирования отражающей системы для анализа
контроля состояния поверхностных слоев деталей. шероховатости поверхности, что является достаточ-
Современные методы контроля состояния по- но трудоемкой задачей, поскольку зачастую шерохо-
верхностного слоя деталей должны обеспечивать ватая поверхность имеет сложную структуру со слу-
быстродействие, высокую точность и локальность чайной периодичностью и случайным распределе-
получаемых в процессе измерения результатов, а нием высот. Возможно возникновение ситуации, при
также исключать субъективный человеческий фак- которой истинный рельеф шероховатой поверхности
тор в процессе измерения [1]. может оказаться сложнее используемой модели. Мо-
В данной работе были поставлены следующие делирование шероховатости поверхности произво-
задачи: рассмотреть возможности применения опти- дилось периодическими дифракционными решетка-
ки спеклов в эллипсометрических исследованиях ми различного профиля [6–8], методами «эффектив-
микрорельефа поверхностного слоя, выполнить ре- ного слоя» и «эффективной подложки» [3]. В работе
гистрацию спекл-эллипсометрических картин с по- [2] шероховатость поверхности интерпретировалась
верхности обладающей шероховатостью, произвести переходным слоем, оптические постоянные которого
компьютерную обработку полученных спекл-картин. непрерывно изменялись от своих истинных значе-
Эллипсометрические методы, используемые ний, соответствующих материалу, до значений, от-
для исследования оптических характеристик мате- вечающих воздуху. Также переложен метод модели-
риалов, поверхностных слоев и поверхностях по- рования шероховатости поверхности с помощью
крытий, крайне чувствительны к изменениям каждо- случайных фазовых масок (СФМ) [5].
го из параметров отражающей системы, одним из В связи с активным использованием когерент-
которых является шероховатость поверхностного ных источников излучения началось развитие мето-
слоя. Предположение о наличии идеально гладкой дов оптики спеклов, в рамках которых зародилось
поверхности, которое принимается при теоретиче- сравнительно новое направление лазерной спекл-
ской интерпретации экспериментальных результа- эллипсометрии [12]. Суть данного метода заключа-
тов, в ряде случаев может приводить к существен- ется в том, что поляризованное лазерное излучение
ным ошибкам [2]. Наличие таких ошибок привело к эллипсометра, рассеиваясь от объекта диффузно-
появлению работ отечественных и зарубежных уче- отражающего объекта со случайным микрорелье-
Секция 11. Оптоэлектроника и фотоника 257
фом, претерпевает случайную модуляцию [13, 14]. ГОСТ 2789–73 [15]. Углы падения лазерного пучка
При визуализации спекл-картины можно наблюдать составляли 63 и 68 град.
случайные световые пятна, разделенные темными
участками изображения. Эти световые пятна рас-
пределены в зависимости от структуры микрорель-
ефа рассеивающей поверхности. Производя корре-
ляцию между спекл-структурами. можно выполнять
прямой анализ микрорельефа без необходимости
разработки его модели для отражающей системы.
Данный метод обладает всеми достоинствами бес-
контактных методов контроля шероховатости по-
верхности, позволяет проводить исследования чув- а б
ствительных к внешним воздействия материалов, а Рис. 2. Спекл-эллипсометрические картины.
также осуществлять контроль in situ. Угол падения лазерного пучка 63° (а) и 68° (б)
Для проведения экспериментальных исследова-
Для металлических поверхностей шерохова-
ний использовался лазерный эллипсофотометр мо-
тость поверхности можно найти исходя из уравне-
дели ЛЭФ-3М-1 с длиной волны λ = 0,6328 мкм. Для
ния контраста спекл-картины, определяемого выра-
регистрации спекл-эллипсометрических картин, а
жением
также с целью возможности их дальнейшей цифро-
вой обработки в данной работе была произведена   2  
2
  exp   sin   , (1)
модернизация установки путем ввода ПЗС-камеры     
после зеркальной диафрагмы плеча анализатора эл-
липсофотометра. Схема установки показана на рис. 1. где λ – длина волны лазерного излучения; σ –
среднеквадратичное отклонение, характеризующее
шероховатость поверхности; θ – угол падения
лазерного пучка на поверхность.
Однако недостатком данного метода является
низкая эффективность существующих методов ана-
лиза для расшифровки спекл-эллипсометрических
картин. Преобразование Фурье не позволяет обеспе-
чить высокоточное выделение и локализацию спекл-
структур [12]. Также необходимо учитывать наличие
в спекл-картине артефактов, которые вносятся ПЗС-
приемником.
За последние два десятилетия в мире возникло
и оформилось новое научное направление, называе-
мое вейвлет-анализом. Слово «wavelet», является
Рис. 1. Схема экспериментальной установки переводом французского «ondelette», означает не-
большие волны, следующие друг за другом. В узком
Плечо поляризатора состоит из источника излу- смысле вейвлеты – это семейство функций, полу-
чения 1 (гелий-неоновый лазер ЛГН-207Б), пово- чающихся путем масштабирования и сдвигов одной,
ротных зеркал 2, 3, 5, механического модулятора материнской, функции. В более широком смысле
света 4, двух пластинок λ/4 6, 7, поляризатора 8, вейвлет – это функция, обладающая хорошей час-
компенсатора 9. Пройдя плечо поляризатора, свето- тотной локализацией, чье среднее значение равно
вой пучок падает на исследуемый образец, располо- нулю. Данный метод хорошо пригоден для решения
женный на поверхности столика 10. Отразившись от задачи удаления артефактов из спекл-картины и вы-
поверхности образца c шероховатостью, он поступа- деления спекл-структур. В качестве материнского
ет в плечо анализатора. Плечо анализатора состоит вейвлета для анализа спекл-эллипсометрических
из анализатора 11, поворотных зеркал 12–14, зеркаль- картин применен вейвлет Мейра. Выбор основан на
ной диафрагмы 15. Зеркальная диафрагма выводит высокой локализации данного типа вейвлетов в ко-
изображение падающего на нее светового пучка в ординатном и частотном пространствах. Вейвлет
центр дополнительно установленной ПЗС камеры 16. Мейра имеет следующий вид:
Регистрация производилась следующим обра-    1 
зом: исследуемая поверхность освещалась линейно  t   2  sin  cos 2 t    d  . (2)
поляризованной лазерной волной при двух разных 0   2 
углах падения, затем происходила последовательная Частотная форма вейвлета
регистрация двух спекл-структур. В результате по- ˆ  exp( j)sin  ,
 (3)
лучаются две спекл-структуры, сдвинутые одна от-
носительно другой (рис. 2). В качестве исследуемого где Ω(v) – четная, симметричная при v = 1/2 функ-
образца использовалась металлическая поверхность ция [16, 17].
с известной шероховатостью Rz ≤ 0,063 мкм по Графически вейвлет Мейра представлен на рис. 3.
На рис. 4 представлен результат обработки
спекл-картины и локализации спекл-структур с по-
мощью двумерного высокочастотного вейвлет-
преобразования. Исходное изображение (а), очи-
щенное от шума изображение (б), локализация
спекл-структур (в). Обработка выполнялась в среде
MATLAB с использованием пакета Wavelet toolbox. а б в
Рис. 4. Анализ спекл-картины с использованием вейвлета
Мейра в среде MATLAB
Приведен краткий обзор возможностей методов
эллипсометрии, для исследования микрорельефа
поверхностного слоя. Описан метод регистрации
спекл-эллипсометрических картин, для исследова-
ния шероховатости поверхности. Эксперементально
произведена регистрация спекл-эллипсометричес-
ких картин линейно поляризованного лазерного из-
лучения, отраженного от металлической поверхно-
Рис. 3. Вейвлет Мейра сти с шероховатостью. Показаны результаты компь-
ютерной обработки спекл-картин методом вейвлет-
После обработки и анализа спекл-картины с анализа и построена карта шероховатой поверхно-
помощью специально написанного алгоритма про- сти в среде MATLAB. Производятся дальнейшее
изведено восстановление карты поверхности шеро- совершенствование и оптимизация алгоритмов об-
ховатого объекта. Результат представлен на рис. 5. работки и анализа спекл-эллипсометрических картин.
Рис. 5. Карта шероховатой поверхности в среде MATLAB
7. Elson J., Bennett J. Relation Between the Angular De-

Литература pendence of Scattering and the Statistical Properties of Optical
1. Макеев А.В., Айрапетян В.С. Анализ современных Sufaces // J. Opt. Soc. Am. – 1979. – Vol. 69, No. 1. – 31 p.
методов исследования шероховатости поверхности дета- 8. Azzam R.M.A. Polarization characteristics of scat-
лей // Вестник СГГА. – Вып. 4(28). – С. 80–86. tered radiation from a diffraction grating by ellipsometry with
2. Ржанов А.В., Свиташев К.К. и др. Основы эллип- application to surface roughness / R.M.A. Azzam, N.M. Ba-
сометрии. – Новосибирск: Наука, 1978. – С. 338–343. shara // Phys. Rev. B. – 1972. – Vol. 5, No. 12. – 4721 p.
3. Данилова Т.М. Эллипсометрические и спектрофо- 9. Marton J.P. Chan E.C. Surface roughness interpreta-
тометрические методы исследования и контроля оптиче- tion of ellipsometer measurements using the generalized
ских характеристик поверхностных слоев элементов опто- Maxwell Garnett theory // J. Appl. Phys. – Vol. 45, № 11. –
техники: автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.11.07 / 5008 p.
СПБГУИТМО. – СПб., 2011. – 22 с. 10. Ohlidal I., Lukes F. Ellipsometric parameters of ran-
4. Стаськов Н.И., Ивашкевич И.В., Крекотень Н.А. domly rough surfaces // Opt. Comm. – Vol. 5, №5. – 323 p.
Эллипсометрия переходных слоев полупроводник–ди- 11. Smith T. Effect of surface roughness on ellipsometry
электрик // Проблемы физики, математики и техники. – of Aluminium // Surf. Sci. – Vol. 56. – 252 p.
2100. – № 2 (15). – С. 18–24. 12. Скалецкая И.Е. Введение в прикладную эллипсо-
5. Свиташева С.Н. Эллипсометрия шероховатых по- метрию: учеб. пособие по курсу «Оптические измерения». –
верхностей: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05. Ч. 2: Свойства решений ОУЭ для однородных слоёв. –
ИФПСОРАН. – Новосибирск., 2009. – 29 с. СПб: СПБГУИТМО. – 2007. – С. 43–45.
6. Егорова Г.А., Лонский Э.С., Потапов Е.В., Раков А.В. 13. Франсон М. Оптика спеклов. – М.: Мир. – 1980.
Эллипсометрия диффрагированного света // Микроэлек- 14. Ульянов С.С. Что такое спеклы // Соросовский
троника. – 1980. – № 9, вып. 4. – 319 с. образовательный журнал. – №5. – С. 1–6.
15. ГОСТ 2789–73. Шероховатость поверхности. Па- вания для спектрально-временного анализа // Научное
раметры, характеристики и обозначения. приборостроение. – 2002. – Т. 12, № 3.– С. 68–82.
16. Меркушева А.В. Классы преобразований неста- 17. Дьяконов В., Абраменкова И. MATLAB. Обра-
ционарного сигнала в информационно-измерительных ботка сигналов и изображений: специальный справочник. –
системах. – III: Время-масштабные (вейвлет) преобразо- СПб.: Питер, 2002. – 608 с.
УДК 621.373.12: 621.372.413
А.С. Задорин, А.А. Лукина, Н. Аманбаев
Интерферометрический контроль фазовых шумов

в оптоэлектронном автогенераторе с высокодобротным
оптическим микрорезонатором
Отмечается, что снижение фазовых шумов микроволновых оптоэлектронных автогенераторов (ОЭАГ) может
быть достигнуто на основе использования высокодобротных оптических микрорезонаторов (ОМР) двух типов.
Первый из них служит для затягивания частоты АГ, а второй – в качестве дискриминатора системы автомати-
ческого регулирования (САР), для компенсации фазовых флуктуаций Δφ. При этом спектральный диапазон
FSR (Free Spectral Range) первого ОМР выбирается равным частоте генерации АГ, а второго – превышает FSR
первого более чем в два раза. Рассмотрена возможность использования для измерений Δφ оптоволоконных
(ОВ) интерферометров, построенных на основе Х-разветвителей. Предложены модели данного устройства.
Ключевые слова: микроволновый автогенератор, система автоматического регулирования фазовых шумов,
оптоволоконный интерферометр.
Одно из важных применений систем автомати- Связь изменения Δx(t) с регулирующим воздей-
ческого регулирования (САР) в схемах автогенера- ствием g(t) чаще всего описывается линейным урав-
торов (АГ), как известно, связано с возможностью нением
снижения фазовых шумов генерируемых в них авто- Δx(t) = Sу·Kу ·e(t), (1)
колебаний uг(t) [1–3]. Так, для квазигармоническо- где Sу – чувствительность управителя, а Kу – коэф-
го сигнала, формируемого таким АГ, фициент передачи петли ОС рассматриваемой САР.
uг(t) = Uг(t)cos[f0·t + г(t)], регулируемыми парамет- При определенных условиях связь между рассогла-
рами являются медленно меняющиеся частота сованием параметров Δx(t) и сигналом ошибки e(t)
f(t) = f0·t + dг(t)/dt и фаза ψг(t) = f0·t +г(t). имеет вид [1]
Структурная схема простой системы такого ти- e = E·F(Δx), (2)
па показана на рис. 1. Здесь объектом управления
(ОУ) является АГ, построенный по классической где E – максимальное значение сигнала ошибки,
схеме активного элемента с высокодобротной коле- F(Δx) – дискриминационная характеристика (ДХ)
блока Д на рис. 1, минимальное и максимальное
бательной системой в петле обратной связи [1–3],
формирующий колебание uг(t), частота или фаза ко- значения которой равно, –1 и +1 соответственно.
торого подвергается регулировке. С этой целью в
схему вводится частотный или фазовый дискрими-
натор (Д), в котором производится сравнение теку-
щих значений параметров ω(t), ψг(t) входного сигна-
ла uс(t) и управляемого колебания uг(t). Результатом
этого сравнения является формирование сигнала
ошибки e(t), величина и знак которого пропорцио- Рис. 1. Структурная схема САР АГ
нальны рассогласованию e(t) = uг(t) – uс(t). Для
обеспечения необходимых быстродействия и точно- В качестве примера на рис. 2 показана типичная
сти сигнал ошибки e(t) подвергается обработке в ДХ частотного детектора (ЧД), построенного на ос-
цепи управления (ЦУ). В результате формируется нове смесителя сигналов uг(t) и uс(t), формирующего
управляющий сигнал g(t), поступающий на вход колебание с разностной частотой, и усилителя с
схемы управления (УПР), соединенной с АГ. Упра- двумя симметрично расстроенными относительно
витель (УПР) в соответствии с сигналом g(t) вносит центральной частоты дискриминатора резонансны-
необходимую коррекцию Δx(t) регулируемого пара- ми контурами [1]. Ее особенностью является огра-
метра (ОУ), действуя в сторону уменьшения текуще- ниченность области квазилинейной зависимости Δω
го рассогласования координат ω(t) или ψг(t). В лите- и e(t).
ратуре данный узел также называется пропорцио- Принцип построения дискриминатора САР в
нально-интегрально-дифференциальным (ПИД) ре- системе управления частотой генератора, построен-
гулятором [3]. ной на основе диэлектрического резонатора радио-
частотного (РЧ) диапазона, и соответствующие выделения фазового сдвига Δφ(t) как управляющего
дискриминационные характеристики поясняется воздействия на основную петлю ОС АГ (рис. 3, в)
рис. 3, а, б [4–6]. [3]. Примеры такой организации САР, дополняющей
основную петлю ОС, представлены на рис. 4 [5–7].
Здесь показано применение микроволновой интер-
ферометрии [5] для подавления несущей с целью
выделения фазового сдвига Δφ(t) как управляющего
воздействия на основную петлю ОС АГ [5].
Идея измерения малых флуктуаций амплитуды
и фазы в устройствах на рис. 4 основана на предло-
Рис. 2. Дискриминационная характеристика частотного женном 1968 г. высокочувствительном интерферо-
детектора метрическом методе измерений [8], который был
использован авторами [7] для построения малошу-
мящих АГ. Структура такого СВЧ-интерферометра
показана на рис. 3, в. Здесь регулярные части несу-
щей частоты, прошедшей через плечо Δ тестируемо-
го устройства и опорное плечо ∑, взаимно гасятся.
Сигнал с подавленной несущей, таким образом, бу-
дет содержать лишь фазовые и амплитудные флук-
туации.
Следует заметить, что в отличие от рис. 3, в в
схемах САР на рис. 4 сумматор интерферирующих
волн заменен на смеситель. В данной связи исполь-
зование авторами [5–7] термина «интерферометр»
а
для обозначения сугубо нелинейных устройств, ис-
пользуемых в представленных схемах для выделе-
ния разности фаз Δφ(t), строго говоря, не точно. Ин-
терференция, как известно, является классическим
линейным эффектом [9]. По нашему мнению, здесь
более точным термином является введенное
Д.П. Царапкиным определение указанных типов
САР как системы с комбинированной стабилизацией
частоты (КСС) [2, 4].
В данном методе стабилизирующий РЧ-резо-
натор используется одновременно как элемент затя-
гивания частоты и как дискриминатор САР. При
этом подавление фазовых флуктуаций АГ вблизи
б несущей определяется одновременным воздействи-
ем обоих механизмов регулирования.
Развитием приведенных выше схем АГ-СВЧ яв-
ляются оптоэлектронные автогенераторы (ОЭАГ), в
которых за счет промежуточных преобразований
энергии СВЧ-колебаний в энергию световой волны с
несущей частотой ν0 реализуется возможность ис-
пользования в качестве резонансной системы АГ
высокодобротных оптических микрорезонаторов [2,
в
10]. Такие устройства обеспечивают минимальный
Рис. 3. Системы автоматического регулирования частоты
с диэлектрическим резонатором: уровень фазовых шумов, описываемый спектраль-
а – принцип действия САР [4]; б – АЧХ и ФЧХ РЧ ной плотностью мощности его излучения L(f) в од-
резонатора [4]; в – интерферометр для измерения ной боковой полосе при заданной отстройке f от
фазовых и амплитудных флуктуаций [3] несущей частоты f0 в частотном интервале 1 Гц [11].
Схема ОЭАГ показана на рис. 5. Наиболее вы-
Аналогичный вид имеют ДХ фазовых детек- сокие значения ненагруженной добротности Q0 та-
торов [2–6]. На практике для этой цели используется ких устройств в широком температурном диапазоне
преобразование частотной вариации δf относительно достигаются в высокодобротных оптических микро-
резонансной частоты f0 в соответствии с ФЧХ на резонаторах (ОМР), возбуждаемых гибридными мо-
рис. 3, б. дами EHmnk, HEmnk с большим азимутальным m, но
Одним из наиболее эффективных методов орга- низкими радиальным и аксиальным индексами n и
низации САР для контроля фазовых флуктуаций k ~1. В литературе данный тип фундаментальных
сигнала АГ является применение микроволновой мод ОМР называется модами «шепчущей галереи»
интерферометрии для подавления несущей с целью (МШГ) [2, 12].
метрических схем САР, показанных на рис. 4. На-
стоящая работа преследует именно эту цель.
Организация интерферометрического
контроля в САР ОЭАГ
Рассматривая механизмы фазовых шумов
ОЭАГ, прежде всего следует отметить шумы лазер-
ного диода (ЛД).
В простых конструкциях ЛД, как и в других ав-
токолебательных системах, построенных без ис-
пользования САР по стабилизации частоты, опреде-
ляющее воздействие на уровень L(f) оказывает доб-
ротность соответствующей резонансной системы Q0
[3]. Дополнительное снижение уровня L(f) ЛД в на-
а стоящее время достигается за счет использования
САР, построенных, например, по методу Паунда–
Древера–Холла [13].
Другой независимый механизм образования фа-
зовых шумов в контуре ОЭАГ связан с использова-
нием в ОЭАГ медиаконвертера (блок ЭОМ на
рис. 5), в котором осуществляется амплитудная мо-
дуляция (АМ) лазерного излучения радиочастотным
(РЧ) сигналом uг(t) = Uг(t)cos[f0·t + г(t)]. Как видно
из рисунка, uг(t) формируется в фотоприемнике
ОЭМ в результате биений оптической несущей с
боковыми составляющими в спектре оптического
АМ-сигнала, отстоящими от несущей ν0 на ± f0. Его
дальнейшая обработка в радиочастотном тракте
ОЭАГ – усиление, фильтрация и преобразование в
оптический сигнал, естественно, приводит к слу-
чайным флуктуациям фазы Δ(t) и соответствую-
б щим искажениям боковых составляющих в спектре
Рис. 4. Системы автоматического регулирования частоты АМ-поля оптического пучка на выходе медиакон-
АГ на основе микроволновых интерферометров [5–7] вертера. В схемах рис. 3, 4 указанные флуктуации
фиксируются фазовым дискриминатором САР, по-
В отличие от рис. 3, 4 представленная на рис. 5 строенным на основе РЧ-резонатора. Однако в схеме
схема ОЭАГ в принципе является простой реализа- ОЭАГ такого резонатора нет. Здесь резонансная сис-
цией классического АГ, построенного на основе затя-
тема АГ представлена основным оптическим мик-
гивания частоты формируемого сигнала высокодоб-
рорезонатором АГ, спектр резонансных частот кото-
ротным резонатором в активной петле обратной связи.
рого подбирается так, чтобы обеспечить селекцию
В данной связи представляется важным иссле-
не только несущей, но и обоих упомянутых боковых
дование возможностей дальнейшего снижения уров-
составляющих.
ня L(f), в том числе за счет применения интерферо-
Рис. 5. Структурная схема ОЭАГ на основе ОМР: ОЭМ – лазерный диод в составе передающего оптоэлектронного
модуля; ОВ – одномодовое оптическое волокно; ЭОМ – электрооптический модулятор; ОЭМ – фотодиод в составе
приемного оптоэлектронного модуля
Указанное требование, очевидно, удовлетворя- Такое устройство описывается четырьмя матричны-
ется, если ширина Δν спектрального диапазона FSR ми коэффициентами, характеризующими передачу
(Free Spectral Range) ОМР совпадает с частотой ге- интенсивности из нулевого в 1-й и 2-й выводы и
нерации f0. наоборот, из 1-го и 2-го в нулевой, т.е. [14, 15]
К сожалению, резонатор, ориентированный на I1вых = k01I0вх, I2вых = k02I0вх. (4)
поддержку такого АМ-сигнала, малопригоден для На практике Y-разветвители обладают малыми
использования его в качестве дискриминатора фазо- внутренними потерями и их можно полагать сим-
вых флуктуаций Δ(t). Данный недостаток ОМР, метричными, т.е. k10 = k01, и k20 = k02. Если пренеб-
являющийся следствием интерференции боковых речь внутренними потерями, то получим
частот ν0±f0, можно преодолеть, например, за счет k10 + k02 = k10 + k20 = 1. (5)
введения в схему ОЭАГ дополнительного резонато-
ра ОМР-Д, специально предназначенного для выде-
ления только одной из указанных частот ν0±f0. Из
изложенного несложно установить требования к
резонансной частоте  0 и FSR Δν' ОМР-Д:
Рис. 6. Волоконный Y-разветвитель как аналог
0  0  f 0 , полупрозрачного зеркала
(3)
 '  2 f 0 .
Для подключния рассмотренного дискримина- Особенностью построения схем САР ОЭАГ,
тора ОМР-Д в волоконно-оптический тракт ОЭАГ аналогичных рис. 3, 4, является необходимость из-
могут использоваться разветвители с тремя волокон- мерения фазовых сдвигов на оптических частотах ν0
ными выводами – Y-разветвители [14] (рис. 6). в сотни терагерц.
Рис. 7. САР ОЭАГ на основе оптического интерферометра
Такого рода контроль флуктуаций амплитуды и счет подавления оптической несущей в рамках упо-
фазы несущего колебания сопряжен со значитель- мянутого ранее интерферометрического метода из-
ными техническими трудностями, которые усугуб- мерений, обеспечивающего измерение фазовых
ляются также и тем, что мощность выходного сиг- флуктуаций Δφ(t) на нулевой частоте. В качестве
нала ОЭАГ на много порядков превышает измеряе- аппаратного устройства для подавления частоты ν(t)
мую мощность его фазовых флуктуаций. Указанные обычно используются различные типы оптических
трудности могут быть преодолены, например, за интерферометров [9]. Для простоты сопряжения
такого интерферометра с оптическим блоком опто- Литература
электронного генератора на рис. 5 его схему удобно 1. Капранов М.В., Кулешов В.Н., Уткин Г.М. Тео-
строить на основе волоконно-оптических (ВО) рия колебаний в радиотехнике. – М.: Наука, 1984. – 320 с.
Х-разветвителей, имеющих две пары волоконных 2. Царапкин Д.П. Методы генерирования СВЧ ко-
выводов (рис. 7) [14, 15]. Свойства данного элемента лебаний с минимальным уровнем фазовых шумов: дис. …
характеризуются коэффициентами передачи kij, оп- д-ра техн. наук. – М., 2004.
ределяемыми в соответствии с формулой 3. Риле Ф. Стандарты частоты. Принципы и прило-
Ijвых = kij Iiвх. (6) жения / пер. с англ. – М.: Физматлит, 2009.
Здесь Ijвых – выходная интенсивность на j-м вы- 4. Tsarapkin D., Shtin N. Whispering Gallery Traveling
воде при входной интенсивности Iiвх на i-м входе и Interferometer for Low Phase Noise Applications // IEEE
International Frequency Control Symposium Proceedings. –
нулевой входной интенсивности на остальных вы- 2004. – РР. 762–765.
водах. 5. Ivanov E., Tobar M., Woode R. Applications of In-
С помощью (6) можно показать, что, например, terferometric Signal Processing to Phase-noise Reduction in
одновременное возбуждение 1-го и 2-го портов тако- Microwave Oscillators // IEEE Transactions on Microwave
го устройства оптическими сигналами с равными Theory and Techniques. – October 1998. – Vol. 46, № 10. –
интенсивностями I0 и частотами, но сдвинутыми по PP. 1537–1545.
фазе на Δφ(t) приведет к формированию в портах 3 и 6. Ivanov E.N., Tobar M.E., Woode R.A. Microwave
4 следующих интерференционных оптических по- interferometry: Application to precision measurements and
лей с интенсивностями noise reduction techniques // IEEE Trans. Ultrason., Ferro-
elect., Frea, Contr. – 1998. – Vol. 45. – PP. 1526–1536.
I 3 (t )  I 0 (t )sin 2 ((t )), 7. Tobar M., Ivanov E., Blondy P. et al. High-Q Whis-
 (7) pering Gallery Traveling Wave Resonators for Oscillator Fre-
2
I 4 (t )  I 0 (t )cos ((t )). quency Stabilization // IEEE Transactions on Ultrasonics,
Из последних формул несложно установить Ferroelectric and Frequency Control. – March 2000. – Vol. 47,
функцию преобразования рассматриваемого интер- № 3. – PP. 421–426.
ферометра, связывающую интенсивности I3 и I4 в 8. Sann К. H. The measurement of near-carrier noise in
его выходных портах с измеряемым фазовым сдви- microwave amplifiers // IEEE Trans. Microw. Theory Tech..
MTT-16. – 1968. – PP. 761–766.
гом Δφ(t): 9. Хаус Х. Волны и поля в оптоэлектронике. – М.:
cos(2(t ))  [ I 4 (t )  I3 (t )]/[ I3 (t )  I 4 (t )] . (8) Мир, 1988. – 432 с.
При аппаратной реализации алгоритма (7) по 10. Steve Yao X., Lute Maleki. Optoelectronic micro-
измерению Δφ(t) в схеме ОЭАГ, как и в схемах по wave oscillator // Journal of the Optical Society of America B. –
рис. 3, 4, фазовая флуктуация Δφ(t) в контуре автоге- August 1996. – Vol. 13, No. 8. – PP. 1725–1735.
нератора проявляется в относительном фазовом 11. 1139-2008. – IEEE Standard Definitions of Physical
Quantities for Fundamental Frequency and Time Metrology-
сдвиге оптического сигнала в портах высокодоброт- Random Instabilities, IEEE, Feb. 2009.
ного микрорезонатора ОМР-Д и измеряется интер- 12. Городецкий М.Л. Оптические микрорезонаторы с
ферометром по схеме рис. 7. Техника компенсации гигантской добротностью. – М.: Физматлит, 2011. – 415 с.
Δφ(t) аналогична использованной на схемах рис. 3, 4. 13. Black E.D. An introduction to Pound-Drever-Hall
Регулируемые оптические фазовращатели и ат- laser frequency stabilization // American Journal of Physics. –
тенюатор необходимы для балансировки плеч ин- 2001. – Vol. 69. – 79 p.
терферометра. 14. Лиокумович Л.Б. Волоконно-оптические интер-
Можно ожидать, что предложенная выше схема ферометрические измерения. – Ч. 1: Волоконно-оптичес-
аппаратной реализации автоматической компенса- кие интерферометры. – СПб.: Изд-во политехн, ун-та,
2007. – 110 с.
ции фазовых флуктуаций в ОЭАГ окажется не менее 15. Сайт: Специальные системы. Фотоника //
эффективной, как и аналогичные схемы радиочас- http://sphotonics.ru/catalog/amplitude-eo-modulator/mx-ln-10/
тотного диапазона.
УДК 621.373.12: 621.372.413
А.С. Задорин, А.А. Лукина
Система стабилизации лазерного излучения

на основе высокодобротного планарного оптического
дискового микрорезонатора
Отмечается, что улучшение массогабаритных показателей PDH-систем стабилизации частоты лазерного излу-
чения может быть обеспечено в PDH-схемах с использованием высокодобротных оптических микрорезонато-
ров (ОМР), работающих в режиме резонанса бегущей волны (РБВ).
Ключевые слова: метод Паунда–Древера, диэлектрический дисковый резонатор, мода шепчущей галереи, ре-
зонанс бегущей волны.
В настоящее время основным методом стабили-
зации частоты автогенераторов (АГ) оптического
диапазона (лазеров) является метод Паунда–
Древера–Холла (Pound-Drever-Hall – PDH) [1], обес-
печивающий решение этой проблемы за счет ис-
пользования системы автоматического регулирова-
ния на основе ПИД-регулятора, обеспечивающего
динамическую подстройку частоты лазера относи-
тельно внешней высокодобротной резонансной сис-
темы. Техника PDH имеет широкий спектр приме-
нений, включая интерферометрические гравитаци-
онные измерения, атомную физику, а также стандар-
ты измерения времени [2]. Идея PDH, как известно,
является адаптацией к оптическому диапазону пред-
ложенного Паундом в 1946 г. метода стабилизации
частоты микроволновых автогенераторов [3]. Струк-
турная схема такой системы приведена на рис. 1. В
ее основе лежит принцип фазовой модуляции (ФМ)
несущей частоты ν стабилизируемого АГ гармони- Рис. 1. Структурная схема системы PDH [1]
ческим– сигналом с частотой Fм. Как известно, при
малых индексах β << 1 ФМ светового поля с ампли-
тудой E0 и частотой ν гармоническим колебанием с
частотой Fм спектр лазерного пучка на выходе моду-
лятора содержит три частотные составляющие [1]:
E  E0{ j0 exp[ivt ]  j1 exp[i(v  FM )t ]  j1 exp[v  FM ]t} .
(1)
Из (1) видно, что при ФМ в рассматриваемом
случае в спектре лазерного излучения кроме цен-
тральной составляющей ~J0 присутствуют также две
противофазные боковые компоненты ~J±1, отстоя- а
щие от частоты ν на ±Fм. Полоса захвата системы
определяется частотным интервалом 2Fм между ука-
занными боковыми составляющими фазомодулиро-
ванного светового излучения. При больших частот-
ных флуктуациях лазерного излучения система PDH
чаще всего конструируется так, чтобы данный ин-
тервал значительно превышал полосу пропускания
Fм >> δν внешнего опорного оптического резонато-
ра, в качестве которого чаще всего используется вы-
сокодобротный резонатор Фабри Перо (РФП). В
данной схеме резонатор используется в качестве б
дискриминатора отклонения частоты ν относительно Рис. 2. Зависимости модуля R(ν) и его производной R′(ν)
резонансной частоты ν0 эталона РФП. С этой целью (а), а также фазы 2φ(ν)/π (б) коэффициента отражения Γ
в соответствии с рис. 1 производится измерение ин- световой волны от оптического резонатора от относитель-
тенсивности света, отраженного от данного эталон- ной расстройки ν/ν0
ного резонатора. Соответствующий коэффициент Из представленных данных следует, что спек-
отражения определится как [4] тральная зависимость интенсивности отраженного
c от резонатора светового пучка имеет характерную
 1  iQ0
 форму резонансной кривой, а фаза поля изменяется
 0 . (2) в пределах ±π/2 и переходит через 0 на частоте ν0.
c
 1  iQ0 Важно отметить, что при этом частотная производ-
0
ная R′(ν) на ν0 также изменяет знак. Этот факт по
Здесь Q0, ζ = v/v0 – v0/v – ненагруженная доброт- существу и положен в основу АГ Паунда [3] при
ность и обобщенная расстройка резонатора, δ0, δс – медленной перестройке ФМ-модулятора (Fм ≈ δν). С
декременты затухания резонатора и элемента связи. этой целью несущая частота АГ ν0 по схеме рис. 1
Результаты расчета частотных зависимостей дополняется двумя боковыми составляющими ν0±fm
действительной части коэффициента Г, в дальней- с равными амплитудами, но с противоположными
шем обозначенного как R, его производной R′(ν) по фазами. При отражении указанные составляющие
частоте, а также φ(ν) приведены на рис. 2. поля, очевидно, полностью компенсируют друг дру-
га, если частота отраженного пучка совпадает с 2
U e |V0 | U lo J 0 () J1 () Rc P0 /2r0 
осью симметрии кривой R(ν), т.е. резонансной час-
тотой ν0. На других частотах такая компенсация не- { Rsa (sin b cos a  cos b sin a )  (4)
возможна, поэтому зависимость R′(ν) приобретает
 Rsb (sin b cos a  cos b sin a )}.
вид показанной на рис. 2, а и используется для фор-
мирования показанного сигнала ошибки Ue(Δν), воз- Воспользуемся полученным выражением для
никающего при мгновенном отклонения частоты ν(t) описания режима медленной ФМ, где Fм <<δν. Пола-
от ν0 и используемого для активизации системы ав- гая, что в данном случае выполняются соотношения
топодстройки частоты ν(t). Rc Rs  Rs , 
Технически это достигается за счет отражения 
стабилизируемого светового пучка от РФП, измере- sa  b  , (5)
ния его интенсивности и регистрации сигналов бие- sc  b  ,

ний между частотами ν и ν±fм. Указанные биения
выделяются синхронным детектором, формируемым из (4) получим
сигнал ошибки. После фильтрации этот сигнал ис- Ue (FM ) |V0 |2 / r0Ulo J0 () J1()P0[(dRc / d) (d/ d)]
пользуется в системе обратной связи (ОС) лазера. С
ее помощью отклонение сигнала ошибки от нулево- V0 |2 / r0 Ulo J0 ()J1()P0[(dRc / d)FM ].
го значения отрабатывается сервоэлементом в петле (6)
ОС. Из рис. 2 видно, что крутой склон сигнала Можно показать, что в режиме Fм<<δν полу-
ошибки позволяет обеспечить эффективную стаби- ченное выражение для сигнала ошибки совпадает с
лизацию частоты лазера системой PDH. известным из литературы [1].
Больший практический интерес представляет Рассчитанные по формуле (6) графики зависи-
режим быстрой перестройки ФМ-модулятора, при мостей Ue(FM) для различных скоростей ФМ приве-
котором модулирующая частота Fм намного превы- дены на рис. 3.
шает полосу частот эталонного резонатора δν,
а спектральный диапазон захвата системы макси-
мален.
Установим зависимости сигнала ошибки Ue от
относительной расстройки ν/ν0 частоты сигнала АГ
относительно ν0 для обоих из названных режимов.
Для этого действительные части амплитуд отражен-
ных от резонатора оптической несущей и боковых
составляющих, обозначим как Pc  E02 J 02 () и
Ps  E02 J s2 () , а фазу первой из них как b. При этом
фазы коэффициентов отражения нижней и верхней а
боковых составляющих обозначим как sa и sc.
Кроме этого, в дальнейшем величину E 02 будем обо-
значать как P0.
С учетом данных обозначений несложно найти
мощность сигнала биений частоте Fм, формируемого
отраженными от резонатора составляющими поля
(1) в резистивной нагрузке фотодиода (ФД) с номи-
налом r0:
Pr ( FM ) |V0 |2 /2r0 *{ Rc Rsa Pc Ps cos[ FM t 
(3)
(b  sa )]  Rc Rsc Pc Ps cos[ FM t  (b  sc )]}, б
Рис. 3. Зависимость сигнала ошибки Ue от относительной
где V0 – средняя амплитуда немодулированного оп- расстройки ν/ν0 при медленной ФМ:
тического сигнала в указанной нагрузке ФД. а – расчет по формуле (6), б – данные работы [1],
Заметим, что при выводе последнего соотноше- в которых dν нормировано относительно FSR
ния сигнал локального генератора ФМ ulo(t) на (Free Spectral Range)
рис. 1 полагался пропорциональным ~Ulo(t)sin(FM t).
Выполнение данного требования обеспечивается за Из них видно, что с увеличением частоты Fм
счет фазирования ulo(t) специально введенным в схе- монотонно расширяется диапазон частотной регули-
му для этой цели перестраиваемым фазовращателем. ровки лазера. Отсюда следует перспективность пе-
С учетом сделанного замечания получим, что в ре- ревода схемы PDH в режим быстрой ФМ, когда
зультате синхронного детектирования сигнала (3) по Fм>>δν. По этой причине в данном режиме в диапа-
схеме рис. 1 искомое значение Ue на выходе ФНЧ зон Δν попадает лишь одна составляющая отражен-
будет ного оптического сигнала (1). Пусть, например,
это будет несущая частота ν лазера. В этом случае
имеем
  0 , 

Rsa  Rsb 1,  (7)

sa  sb  0.
Подставляя (7) в (4), получим:
U e ( FM ) | V0 | 2 / r0  U lo J 0 () J 1 () Rc P0 sin(  b FM ) .
(8)
Как видим, ход зависимости Ue(ν) здесь повто-
ряет график фазовой зависимости рис. 2, б. Рис. 4. Зависимость сигнала ошибки Ue от относительной
Если же в полосу пропускания опорного резо- расстройки ν/ν0 при быстрой ФМ
натора попадает только одна, например первая из
боковых составляющих (1), тогда вместо (7) имеем
  FM   0 ,

Rc  Rsc 1,  (9)
b  sc  0.
Тогда из (4), (9) получим
U e ( FM )   |V0 |2 / r0 U lo J 0 () J1 () Rc P0 sin(b FM ) . Рис. 5. Экспериментально измеренный сигнал ошибки
Ue(Δν) системы PDH [7]
(10)
Аналогично для второй боковой соотношения Характеристики дискового микрорезонатора
(9) имеют вид Рассмотрим оптический дисковый диэлектри-
  FM   0 , ческий микрорезонатор, возбуждаемый на одной из
 его резонансных частот ω0 фундаментальной азиму-
Rc  Rsa 1,  (11)
тальной модой (рис. 6). Радиус и высоту резонатор-
b  sa  0. ного диска обозначим как R0 и h, а его показатель
Отсюда и из (9) получаем выражение для сиг- преломления материала на длине световой волны λ0
нала ошибки системы PDH, полностью совпадаю- как ns. Одномодовый элемент связи ЭС, представ-
щее с (10). Графики, рассчитанные по формулами ляющий собой оптический направленный ответви-
(7)–(11) для различных модулирующих частот Fм, тель, обеспечивает направленное возбуждение резо-
представлены на рис. 4. На рис. 5 для сравнения натора и съем отраженного от него сигнала. Вместе
приведен график экспериментальной зависимости с ЭС рассматриваемый ДОМР образует проходную
Ue(Δν), измеренный специалистами фирмы Vescent резонансную систему ОЭАГ (рис. 6, б). Полутоно-
Photonics Lasers & Locking Electronics [7], демонст- вой штриховкой на этом рисунке отмечены макси-
рирующий хорошее качественное соответствие рас- мумы энергии поля E0 МШГ, расположенные в пре-
четных и опытных данных. делах кольцевой области, ограниченной внешней и
На рис. 6 показаны взятые из работы [8] приме- внутренней каустиками моды с радиусами Rin и Rout.
ры динамической зависимости сигнала ошибки Ue(t)
и соответствующие спектральные кривые при вклю-
ченной и выключенной системе PDH.
Для ряда приложений недостатком схемы авто-
регулирования по рис. 1 можно считать относитель-
но большие габариты схемы PDH, в основном опре-
деляемые размерами РФП и не позволяющие со-
вместить ее размеры с габаритами интегральных
микросхем.
Поэтому целью настоящей работы является
изучение возможностей сокращения массогабарит- а б
ных показателей указанной системы. Ниже рассмат- Рис. 6. Пример возможной топологии оптического микро-
ривается применимость в ней показанного на рис. 6 резонатора с элементом связи в виде планарного оптиче-
высокодобротного планарного оптического дисково- ского волновода [5] (а) и его структурная схема (б)
го микрорезонатора (ДОМР), возбуждаемого гиб-
ридными модами EHmnk, HEmnk с большим азиму- Прежде всего заметим, что в типичном для ра-
тальным m, но низкими радиальным и аксиальным боты ОЭАГ стационарном режиме на резонансной
индексами n и k ~1. В литературе данный тип фун- частоте ДОМР амплитуда поля МШГ Е0, как извест-
даментальных мод ОМР называется модами «шеп- но, определяется декрементами затухания резонато-
чущей галереи» (МШГ) [4]. ра δ0 и элементов связи δс [4, 6]:
1/3 1
jΓ  Вin 2 с m
1/3
312  m  313
m
Е 0= , (12) Tm  m  1         – 1-й
0  с 0 2 20  2  1400  2 
где коэффициент Г≤1 определяется нормированным ноль цилиндрической функции Бесселя; α1 – 1-й ко-
скалярным произведением векторов напряженности рень функции Эйри; P – параметр типа МШГ (для
полей мод ЭС Bin и МШГ A0 в области связи: TE-мод P = 1, TM-мод P = 1/(ns)2).
А В Анализ формулы (7) показывает, что требование
Γ= 0 in , (13) эквидистантности спектра ДОМР Δν0m = f0 выполня-
А 0 Вin
ется при больших азимутальных индексах МШГ.
c T2 2ns R0 Приведенная приближенная зависимость ν0m(ns, R0,
0  , с  , 0  , (14) f0) пригодна для оценки размеров резонатора и вы-
2ns 2 0 с
бора его материала. Так, для кварцевого ДОМР с
T – коэффициент передачи направленного ответви-
размерами R0 = 3 мм; h = 0,5 мкм и ns = 1,5 расчет
теля ЭС, α – коэффициент затухания мощности
зависимости частот ν0m от m = 16246 + n по формуле
МШГ в ДОМР, с – скорость света.
(7) дает ν016247+n ≈ (200,007 + 10,724×10–3 n), ТГц.
Нагруженная добротность Qон рассматриваемой
Здесь n меняется от 0 до 14.
резонансной оптической системы определяется соб-
В качестве элемента связи ЭС резонатора по
ственной добротностью резонатора Q0о и добротно-
рис.3 предлагается волноводная структура, распо-
стью связи Qс и выражается через указанные выше
ложенная вблизи экваториальной плоскости ДОМР
параметры как [4, 6]
[4, 6]. Функциональность такого устройства основа-
1 1 1 20 2c на на принципах локализации и синхронизма, ста-
    . (15)
Qон Q0о Qc 0 0 вящих в соответствие каждой волноводной моде
Для заданного Qс добротность связи обычно резонатора расстояние, на котором тангенциальная к
выбирают из условия максимума запасенной в резо- поверхности ОМР скорость волны достигает скоро-
наторе энергии E0~(A0)2 [4, 6]. Из (12) видно, что сти света в ЭС. Именно в этой области обеспечива-
данное требование выполняется в условиях крити- ется возможность ее туннелирования в волноводную
ческой связи между ДОМР и ЭС-Н,С, когда δ0 = δс. структуру устройства связи [4].
Из приведенных формул видно, что в данном случае Приведенные оценки показывают возможности
амплитуда волны накачки на выходе ЭС обращается практической реализации резонансной системы
в ноль. Анализ механизмов, ограничивающих собст- PDH на основе ДОМР.
венную добротность резонатора Q0о, показывает, что Литература
основными среди них являются рассеяние на термо-
динамических флуктуациях плотности и рассеяние 1. Eric D Black. An introduction to Pound-Drever-Hall
на поверхностных неоднородностях ДОМР [5]. Со- laser frequency stabilization // American Journal of Physics. –
ответствующие оценки для Q0о дают величину ~1012, 2001. – Vol. 69, No. 79.
2. Drever R.W.P., Hall J.L., Kowalski F.V.et al. Laser
намного превосходящую соответствующие значения
phase and frequency stabilization using an optical resonator //
добротности РФП [4]. Appl. Phys. – 1983. – B 31, No. 97.
Важнейшим параметром резонансной системы 3. Pound R.V. Electronic frequency stabilization of mi-
ОЭАГ является ее спектр оптических резонансных crowave oscillators // Rev. Sci. Instrum. – 1946. – Vol. 17,
частот ν0m. При их выборе необходимо учитывать No. 490. – PP. 1–16.
принцип работы ОАЭГ рис. 1, основанный на ам- 4. Городецкий М.Л. Оптические микрорезонаторы с
плитудной модуляции в ЭОМ оптической несущей гигантской добротностью. – М.: Физматлит, 2011. – 415 с.
СВЧ-колебанием с частотой f0. В данной связи 5. Fei Lou, Lars Thylen, Lech Wosinski. Experimental
ДОМР должен обеспечивать резонанс на трех часто- demonstration of silicon-based metallic whispering gallery
mode disk resonators and their thermotuning // The Optical
тах, отстоящих друг от друга на равный частотный
Fiber Communication Conference and Exposition (OFC). –
интервал Δν0m = f0. Для предварительного расчета 2014.
зависимости ν0m и Δν0m от азимутального индекса 6. Хаус Х. Волны и поля в оптоэлектронике. – М.:
МШГ m можно воспользоваться соотношением [5] Мир, 1988. – 432 с.
2 2 7. Pound-Drever-Hall Locking of a Chip External Cavity
c y m m R Laser to a High-Finesse Cavity Using Vescent Photonics La-
0m  , (16)
2ns R sers & Locking Electronics. – http://www.vescent.com/app-
tech-notes/pound-drevel-hall-cavity-locking/
1  8. Josue Davila-Rodriguez, Ibrahim Ozdur, Charles Wil-
где y m  Tm  , m  ,
2 Pns R liams, Peter J. Delfyett. A semiconductor-based, frequency-
Pns ns2 1 h stabilized mode-locked laser using a phase modulator and an
y m ns2  1 intracavity etalon // Opt. Lett. – 2010. – Vol. 35. –
PP. 4130–4132.
УДК 621.396.41
В.И. Корепанов, С.Б. Туранов
Адаптивная система облучения растений в теплицах

Обсуждаются способы создания экономичных светодиодных облучательных установок для теплиц, проблемы,
связанные с их созданием, приводится обоснование путей их решения.
Ключевые слова: энергосбережение, тепличное освещение, светодиоды, адаптивное облучение.
Преимущества применения светодиодного об- делах ФАР. Поэтому производителями разрабаты-

лучения в тепличных хозяйствах отмечают многие ваются излучатели, состоящие из набора цветных
[1–6]. Однако считается, что выгодным с экономи- светодиодов (имеются разработки с применением
ческой точки зрения может быть использование СД десятка светодиодов), которые излучают в синей,
только в качестве дополнительной досветки расте- зеленой и красной областях спектра. Это дает воз-
ний, например внутри ценоза. Использование СД- можность перекрыть, полностью или частично, об-
облучателей как основного источника излучения ласть ФАР. Иногда копируют спектр натриевых
сдерживается их высокой стоимостью [7]. Напри- ламп. Использование большого количества различ-
мер, стоимость наиболее популярных тепличных ных по цвету СД для массового применения не эф-
источников излучения – натриевых ламп мощно- фективно из-за их высокой стоимости.
стью 600 Вт вместе с пускорегулирующей аппара- При выборе светодиодов часто ориентируются
турой в 2–3 раза ниже, чем стоимость светодиодно- на спектры поглощения основных пигментов в рас-
го светильника мощностью 100–200 Вт. тениях в синей (450 нм) и красной (650 нм) облас-
Однако многие авторы говорят о перспективно- тях спектра. Поэтому для дополнительной досветки
сти применения светодиодов для создания и основ- используются светодиоды только для этих областей.
ной системы облучения растений [1–7]. При этом в Разрабатывают также специальные светодиоды для
качестве главных преимуществ всегда отмечается, растений, в которых используется синий излучатель
что СД обладают сроком службы в 2–3 раза выше с люминофором с широким спектром излучения в
натриевых ламп, и такие облучатели позволяют соз- красной области спектра (см., например, продукцию
давать сбалансированные по спектру потоки излу- фирмы «Артледс»). Такой путь также не очень эф-
чения. фективен из-за необходимости создания потока из-
В [6, 8] нами обоснованы основные принципы лучения во всем диапазоне ФАР и существования
повышения энергоэффективности облучателей для стоксовых потерь. Кроме того, так как спектры по-
теплиц. Основной принцип – разработка адаптивных глощения пигментов расположены в достаточно
систем облучения, состоящих из 3 основных эле- широком спектральном диапазоне, то, по-видимому,
ментов: нет смысла полностью повторять в источнике излу-
– облучатель с базовым оптимальным спектром чения спектры действия пигментов.
излучения, заданным оптимальным светораспреде- Поэтому мы полагаем, что для создания эффек-
лением, заданным потоком ФАР и возможностью тивного дешевого облучателя для растениеводства
управления этими параметрами; можно использовать 2, 3 типа промышленных СД
– система управления и мониторинга состояния массового производства [6, 8].
окружающей среды; Исходя из номенклатуры выпускаемых про-
– компьютерная база данных с требованиями к мышленностью СД, наиболее оптимальным являет-
светоцветовой среде в различные моменты времени ся вариант с трехцветным составом светодиодов:
и состояния окружающей среды (времени суток, красный (λp = 660 нм), белый (теплый оттенок), си-
погоды и пр.). ний (λp = 420–465 нм). Такой вариант позволяет соз-
Облучатель давать различные спектры излучателя в пределах
Исходя из требований растений, облучатель ФАР, изменять суммарный поток от нулевого зна-
должен обладать базовым спектром излучения и чения до номинального (среднего), необходимые
потоком ФАР (380–750 нм), оптимальной конструк- для любого типа и этапа развития растения. Белый
цией, обеспечивающей: требуемую мощность, воз- СД с широким спектром излучения (от синей до
можность изменять параметры излучения, удобство красной областей) обеспечивает возбуждение всех
монтажа и эксплуатации, необходимые, но доста- фоторегулирующих пигментов. Более экономичным
точные потоки, равномерное их распределение по является применение двух светодиодов – белого и
площади (объему) облучаемого растения, универ- красного. Для этого необходимо разработать специ-
сальность применения. Основная задача – обеспе- альный белый СД с высокой синей составляющей в
чить приемлемую цену удовлетворяющему этим спектре излучения.
требованиям облучателю. Вторая проблема – выбор оптимального соот-
Базовый спектр облучателя ношения потоков в синей, зеленой и красной облас-
Выбор светодиодов. Для фотосинтеза и фоторе- тях спектра ФАР. Известно, что конкретное соот-
гулирования нужны источники, излучающие в пре- ношение определяется видом растения и периодом
его вегетации. Поэтому облучатель должен иметь быть одинаковой конструкции и изготовлены по
базовый набор светодиодов, излучающих в синей, унифицированной технологии. Это, естественно,
зеленой и красной областях спектра, который обес- удешевляет производство. Однако основные выго-
печивает требуемое качество светоцветовой среды ды, очевидно, можно ожидать в возможностях
для любого вида растения на каждом этапе его раз- управления процессами фотосинтеза и в экономии
вития путем изменения токов светодиодов. Это электроэнергии.
сложная задача, так как для светодиодного облуче- Система управления и мониторинга
ния не известны точно эти соотношения для самых Она может быть реализована двумя способами.
распространенных тепличных растений. Один из Самый простой алгоритм управления – сравнение
вариантов выбора соотношения описан нами в [6, 8]. падающих фитопотоков солнечной радиации с за-
Конструкция светового прибора ложенными в базе данных.
Кривая силы излучения. В настоящее время в Система мониторинга должна обеспечивать в
теплицах нормируется поток, создаваемый облуча- режиме реального времени:
телями на горизонтальной поверхности теплицы. – измерение в теплице текущих значений фито-
При этом светильники (например, с натриевыми потоков и параметров спектра излучения (или соот-
лампами) располагаются высоко и обладают, как ношения фитопотоков в разных областях спектра),
правило, близким к ламбертову распределением создаваемых всеми видами источников излучения
излучения. Ясно, что это не является оптимальной (включая солнце);
характеристикой. В доказательство можно сравнить – обработку и передачу этих данных в компьютер;
потоки от облучателей, падающие на низкорослые – производить сравнение их с компьютерной
растения (салат, базилик, цветы) и высокорослые базой данных (поток, спектр), определять степень их
(огурцы, томаты). Очевидно, что равномерность рассогласования и выдавать сигналы в систему
облучения высокорослых растений по их высоте управления токами источников питания «синих»,
очень плохая. «белых» и «красных» светодиодов;
Поскольку процессы фотосинтеза происходят в – устанавливать такие значения токов светодио-
листе, то нормироваться должен поток ФАР, па- дов, при которых спектр излучения «светодиодных
дающий на единицу поверхности листа. Поэтому модулей» и суммарный поток фар соответствуют
КСИ облучателя должна, прежде всего, обеспечи- базе данных.
вать равномерность облучения всех листьев. Отсюда Этим достигаются необходимые и достаточные
и требования к кривой силе излучения излучателя. для растения параметры ФАР в теплице от всех ви-
Нами в [9] сделан вариант расчета такой КСИ для дов источников излучения и минимизация потреб-
высокорослых растений. Для точных расчетов тре- ляемой облучателями электроэнергии.
буется разработать модель растения с учетом гео- На рис. 1 показана динамика солнечной радиа-
метрии расположения листьев вдоль ствола. ции в Томске в один из дней в январе и требуемые
Отметим, что оптимальная КСИ может сущест- для растения поток и длительность излучения, из
венно снизить требуемые потоки от облучателей которых видно, сколько и в какие часы дня необхо-
(т.е. и цены), так как не облучаются не занятые ли- димо в это время года дополнительной досветки.
стьями растений пространства. Поскольку спектр солнечной радиации не
Мощность и габариты слишком сильно зависит от времени суток (только
Оптимальная мощность и габариты облучателя утром и вечером изменяется), то измерять и регули-
определяются необходимыми значениями ФАР и ровать можно только потоки, а регулировку спек-
описанными выше требованиями равномерности трального состава излучателей заложить в базу дан-
облучения растений в теплице. ных в соответствии с периодом вегетации.
В [9] нами показано, что оптимальной может
быть такая конструкция, когда светильники пред-
ставляют собой длинные излучатели, располагаю-
щиеся почти без просветов вдоль рядов высокорос-
лых растений. Вместе с предлагаемой кривой силы
излучения такого цилиндрического облучателя
обеспечивается равномерность облучения как вдоль
рядов растений, так и по их высоте. Мощность каж-
дого светильника в этой цепочке определяется тре-
буемым базовым потоком излучения, падающим на
единицу поверхности листа.
Отметим, что поток должен быть одинаковым,
а спектр изменяться. Поэтому облучатель с возмож- Рис. 1. Динамика прямой солнечной радиации (Вт/м2) на
ностью управления спектрами должен иметь боль- горизонтальную поверхность при ясном небе и динамика
шее, чем требуется, количество СД. В этом минус, требуемых параметров облучения огурца в течение дня в
но плюсов может быть гораздо больше, например, за январе в г. Томске: а – динамика прямой солнечной радиа-
счет универсальности светильников, которые могут ции; б – динамика необходимой радиации в пределах ФАР
Второй способ – система управления на основе Работа выполнена при поддержке Минобрнауки
реакции растения на параметры досветки. В качест- России: государственное задание в сфере научной
ве основы управления могут быть взяты оптические деятельности № 13.3647.2017/ПЧ.
характеристики растений, например, поглощение, Исследование частично поддержано по гранту
отражение или люминесценция. Между этими пара- Программы повышения конкурентоспособности
метрами и характеристиками и фотохимическими Томского политехнического университета, проект
реакциями (сигналами) должна быть установлена ВИУ-ИФВТ-73/2017.
корреляция. Наиболее востребован такой способ для
создания базы данных, так как обладает высокой
оперативностью и может существенно уменьшить
время поиска оптимальных режимов облучения. 1. Аверчева О.В., Беркович Ю.А., Ерохин А.Н. и
В настоящее время нами реализован первый др. Особенности роста и фотосинтеза растений китайской
способ. За основу системы управления взят стан- капусты при выращивании под светодиодными светиль-
дартный интерфейс DALI и выпускаемые промыш- никами // Физиология растений. – 2009. – Т. 56, № 1. –
С. 17–26.
ленностью драйверы, позволяющие использовать
2. Бахарев И., Прокофьев А., Туркин А., Яковлев А.
этот интерфейс. Применение светодиодных светильников для освещения
База данных теплиц: реальность и перспективы // Современные техно-
База данных – набор необходимых растению логии автоматизации. – 2010. – № 2. – С. 76–82.
параметров излучения на каждом этапе его разви- 3. Тихомиров А.А., Лисовский Т.М., Сидько Ф.Я.
тия. База данных составляется на основе норматив- Спектральный состав света и продуктивность растений. –
ных документов, последних научных достижений в Новосибирск: Наука (Сибирское отд.), 1991. – 168 с.
области физиологии растений и растениеводства, 4. Johkan M., Shoji K., Goto F. at al. Effect of green
рекомендаций производителей сельскохозяйствен- light wavelength and intensity on photomorphogenesis and
photosynthesis in Lactuca sativa // Envirimental and Experi-
ной продукции, а также специальных исследований,
mental Botany. – 2012. – Vol. 75. – PP. 128–133.
проведенных в закрытых фитотронах. Для создания 5. Yakovlev A.N., Turanov S.B., Kozyreva I.N., Staro-
научно обоснованной базы данных требуются дли- dubtseva D.V. Sources with Different Spectra Radiation Influ-
тельные исследования. ence on Plants Growth and Development // Advanced Materi-
Заключение als Research. – 2014 – Vol. 1040. – PP. 830–834.
Такая адаптивная система в автоматическом 6. Туранов С.Б., Козырева И.Н., Гончаров А.Д.,
режиме способна обеспечивать дополнительное к Яковлев А.Н. Физические основы создания светодиодных
солнечной радиации или к существующему искусст- облучателей заданного спектрального состава // Изв.
венному освещению (от других источников), необ- высш. учеб. завед. Физика. – 2014. – Т. 57, № 9/3. –
С. 94–97.
ходимое, но достаточное по спектру и потоку ФАР,
7. Прикупец Л.Б., Емелин А.А. Использование об-
равномерное облучение растения. Это позволяет лучателей на основе светодиодов для светокультуры сала-
обеспечивать оптимально комфортную светоцвето- та: экономический аспект // Теплицы России. –
вую среду для роста и развития любых видов расте- 2013. – №2. – С. 66–68.
ний на любой стадии их вегетации с учетом метео- 8. Корепанов В.И., Козырева И.Н. Методы созда-
условий, времени года и других внешних факторов. ния адаптивных энергосберегающих облучательных уста-
Поэтому внедрение системы даст возможность уве- новок для теплиц // Изв. высш. учеб. завед. Физика. –
личить эффективность использования потока излуче- 2014. – Т. 57, № 9/3. – С. 89–93.
ния облучательных систем и сделать их дешевле. 9. Turanov S.B., Grechkina T.V., Korepanov V.I. En-
ergy-efficient LED irradiator for greenhouse cropping // IOP
Кроме того, система позволит управлять с по-
Conference Series: Materials Science and Engineering. Mate-
мощью света биохимическими процессами, т.е. в rials and Technologies of New Generations in Modern Materi-
итоге питательными и вкусовыми свойствами сель- als Science. – 2016. – Vol. 156.
скохозяйственной продукции.
УДК 621.375.4
А.В. Кулаков, А.В. Максимов
Программно-аппаратный комплекс «Аналоговые устройства»

Произведена разработка программного обеспечения для стенда аналоговых устройств. В ходе работы подго-
товлены программа для работы с модулем аналоговых устройств, генератором и осциллографом в среде разра-
ботки и выполнения программ LabView, а образцы устройств находятся в стадии изготовления.
Ключевые слова: операционные усилители, стенд аналоговых устройств, программа.
Актуальность работы обусловливается тем, что выходному разъемам, через демультиплексор 4×16.
имеющиеся учебные стенды устарели морально и Подобная схема управления обеспечивает простоту
физически. подключения, независимость работы соответствую-
Стенд аналоговых устройств представляет со- щей схемы, относительно небольшую длину соеди-
бой информационно-измерительную систему (ИИС), нительных проводников и малое количество комму-
состоящую из генератора, осциллографа, специали- тирующих элементов.
зированного модуля, содержащего микроконтроллер, Модуль аналоговых устройств управляется
переключаемые аналоговые устройства на операци- компьютером через COM порт командами языка
онных усилителях (ОУ) и управляющий компьютер. SCPI, под управлением программы, реализованной в
Модуль содержит аналоговые устройства с графической среде LabView (National Instruments)
прямым и инверсным включением ОУ, сумматор, [2]. Приемником и интерпретатором команд служит
фильтры высоких и низких частот первого и второго микроконтроллер серии ATMEGA16.
порядка, компаратор и полосовой фильтр на основе В момент включения у всех функциональных
схемы Вина. схем ключи находятся в разомкнутом состоянии,
Согласно ГОСТ 18421–73 операционный уси- поэтому при неосторожном включении модуля сиг-
литель – это высококачественный усилитель посто- нал не попадёт в ни в одну функциональную схему и
янного тока, предназначенный для выполнения раз- не приведёт к неисправности модуля аналоговых
личных операций над аналоговыми величинами при устройств (МАУ). На рис. 1 и 2 представлены струк-
работе в схеме с отрицательной обратной связью. турные схемы лабораторного рабочего места и МАУ.
При этом под аналоговой величиной подразумевает-
ся непрерывно изменяющееся напряжение или ток
[1]. В настоящей работе использованы операцион-
ные усилители для рабочего диапазона частот до
13 МГц. Сигнал на входе ослабляется на 20 дБ во
избежание непредвиденных перегрузок вследствие
неосторожности в работе со стендом студентами.
Стенд работает от источника питания 12 В. Внутри
стенда реализована схема источника питания для
преобразования напряжений для всех используемых
в нем устройств. Номиналы элементов схемы соот-
ветствуют промышленным стандартам и допусти-
мым нормам для исследовательских целей. В уст-
ройстве коммутации используются электронные Рис. 1. Структурная схема лабораторного рабочего места
ключи, позволяющие изменять параметры устройств
и исследовать изменения передаточной и частотной Программная часть стенда реализована в гра-
характеристик. фической среде LabView (National Instruments). На
Помимо переключаемых схем аналоговых уст- рис. 3 представлена панель управления модулем
ройств, реализовано их подключение к входному и аналоговых устройств.
Рис. 2. Структурная схема МАУ
Рис. 3. Панель управления МАУ
Рис. 4. Диалоговое окно проведения измерения амплитудно-частотной и фазово-частотной характеристик
В программе реализовано управление включе- Так как модуль может работать только с одним
нием отдельных аналоговых устройств с помощью активным устройством, алгоритм программы подра-
виртуальной панели управления. Блоки VISA интер- зумевает использование только одного активного
претируют нажатие кнопок в команды языка SCPI, устройства и устроен таким образом, чтобы при
которые далее поступают на управляемый модуль случайном нажатии на несколько виртуальных кно-
через COM-порт. пок, соответствующих разным устройствам, актив-
Интерфейс управления довольно прост. В ос- ным было устройство с наименьшим порядковым
новном диалоговом окне с настройками нужно вы- номером. Все виртуальные кнопки имеют рядом
брать используемый COM-порт для управления расположенные индикаторы, определяющие какое
МАУ и нажать на кнопку, соответствующую иссле- именно из устройств активно.
дуемому устройству.
После выбора устройства и настройки началь-
ной и конечной частоты в отдельной вкладке можно 1. Важенин В.Г. Аналоговые устройства на операци-
начать проводить измерения. Диалоговое окно про- онных усилителях: учеб. пособие / В.Г. Важенин,
ведения измерения амплитудно-частотной и фазово- Ю.В. Марков, Л.Л. Лесная, под общ. ред. В.Г. Важенина. –
частотной характеристик представлено на рис. 4. Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2014. – 5 с.
2. Трэвис Дж. LabVIEW для всех. / Дж. Трэвис, Дж.
Аналогичным образом организованы остальные
Кринг. – 4-е изд. – М.: ДМК, 2011. –С. 529–530.
измерения.
Секция 12. Органическая и неорганическая полупроводниковая светотехника 273
Секция 12
ОРГАНИЧЕСКАЯ И НЕОРГАНИЧЕСКАЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СВЕТОТЕХНИКА
Председатель секции – Туев Василий Иванович, зав. каф. РЭТЭМ, д.т.н., профессор
УДК 628.9.038
К.Н. Афонин, А.Ю. Олисовец, Ю.В. Ряполова, В.С. Солдаткин
Испытание низковольтной светодиодной лампы

на основе светодиодных излучающих элементов
Излагаются результаты аналитических расчётов и экспериментальных исследований по разработке низковольт-
ной светодиодной лампы на основе светодиодных излучающих элементов. Лампа может быть использована для
аварийного освещения и освещения опасных объектов при напряжении питания 36 В переменного тока. Лампа
представляет собой традиционную конструкцию лампы накаливания, но вместо нити накала используются све-
тодиодные излучающие элементы, а в цоколе размещено миниатюрное устройство питания. Экспериментально
исследованы электрические и светотехнические характеристики лампы в зависимости от температуры. Прове-
дены испытания по определению стойкости к воздействию факторов по характеру окружающей среды: особо
сырые помещения; жаркие помещения; при наружном размещении, без защиты от атмосферных осадков.
Ключевые слова: светодиод, светодиодная лампа, светодиодный излучающий элемент, нитрид галлия.
С изобретением электрических источников све- было. Существуют только функциональные аналоги

та постоянно решается задача повышения их эффек- ламп с массивными радиаторами, ограниченным
тивности и надежности. Искусственные источники светораспределением, меньшей световой отдачей и
света совершенствовали, начиная от ламп накалива- высокой стоимостью. Светодиодная лампа с напря-
ния со световой отдачей до 16 лм/Вт и сроком служ- жением питания 36 В может применяться: в элек-
бы в среднем до 1000 ч. С разработкой полупровод- троустановках; для освещения рабочих мест и тех-
никовых источников света появилась возможность нологического оборудования; в качестве ландшафт-
создавать светодиодные элементы с высокой эффек- ного освещения; в помещениях с повышенной опас-
тивностью. Световая отдача современных светодио- ностью и в качестве источника света аварийного
дов достигает 150–170 лм/Вт, а теоретически предел освещения.
технологии составляет порядка 300 лм/Вт [1–3]. Их
срок службы может достигать 100 тыс. ч. Таким об-
разом, светодиоды стали самым перспективным ис-
точником света в освещении. В статье [4] проводит-
ся обзор мирового рынка светодиодов, который по-
казывает, что стоимость светодиодов снижается, а
спрос увеличивается.
Новым шагом в развитии светодиодного осве-
щения являются лампы на основе светодиодных из-
лучающих элементов (СИЭ). Конструкция таких
ламп базируется на конструкции лампы накалива-
ния, что позволяет производителям с минимальны- Рис. 1. Внешний вид светодиодной лампы
ми затратами на модернизацию производства перей-
ти к выпуску гораздо более эффективных и совре- В статье [5] представлены результаты работы по
менных ламп. Успех лампы на рынке подтверждает- определению степени влияния различных газов
ся высокими темпами замещения аналогов на еди- внутри колбы лампы на температуру кристаллов.
ничных светоизлучающих диодах в секторе бытово- Выявлена зависимость этой температуры от тепло-
го освещения с напряжением 220 В. проводности основания. В статье [6] описаны ре-
Именно по этим причинам создание ламп на зультаты измерений вольт-амперных характеристик
основе СИЭ (рис. 1) является актуальным. Прямых (ВАХ) и световой эффективности ламп с четырьмя
аналогов лампы на основе СИЭ с напряжением пи- СИЭ, состоящих из 27 полупроводниковых кристал-
тания 36 В в ходе аналитического обзора найдено не лов. Измерения проводились в ограниченном диапа-
зоне температур от 5 до 55 °С. Однако вопросы ис- Экспериментальные исследования температур-
следования температурных зависимостей режима ных зависимостей проводились при использовании
функционирования СИЭ на постоянном токе и цве- лабораторной электропечи «Snol 58/350» (неcта-
товых параметров лампы решены не полностью. бильность температуры ±2 °С). Измерения проведе-
Целью данной работы является исследование темпе- ны в диапазоне температур от 0 до 90 °C, так как
ратурной зависимости вольт-амперных характери- при номинальной мощности СИЭ температура кри-
стик (ВАХ) и колориметрических характеристик СИЭ. сталла выше температуры окружающей среды на
Материалы и методы 30 °С [7], а критическое значение этого параметра
Работа основана на экспериментальном методе для p–n-перехода используемых кристаллов состав-
исследования. Моделирование исследуемых объек- ляет 125 °С. Электрические характеристики измеря-
тов с помощью систем автоматизированного проек- лись на источнике-измерителе тока и напряжения
тирования (САПР) требует экспериментальной про- Keithley 2410, основная относительная погрешность
верки, так как построенные численные модели име- которого в требуемом диапазоне напряжений со-
ют определенную степень идеализации и не учиты- ставляет 0,012%. Измерение колориметричееских
вают разброс параметров отдельных кристаллов. характеристик проводилось с помощью прибора
Поэтому было решено провести экспериментальное «Спектроколориметр ТКА-ВД» с основной относи-
исследование для последующего моделирования. тельной погрешностью не более ±10%.
Такой подход также использовали и авторы работы Эксперимент
[6]. 1. Электрические параметры
В исследуемой лампе вместо нити накала уста- На рис. 3 представлено семейство вольт-
новлены СИЭ нитевидного типа, а в цоколе смонти- амперных характеристик (ВАХ) СИЭ при значениях
рован преобразователь питающего напряжения. Для температуры 0°C (1), 25°C (2), 85°C (3). Измерялось
проведения экспериментальных исследований на значение напряжения с шагом по току в 1 мА.
основании разработанной эскизной конструкторской
документации изготовлены макетные образцы СИЭ
(рис. 2). На металлическое основание длиной 40 мм
и шириной 2 мм с использованием теплопроводяще-
го клея смонтированы 28 светодиодных кристаллов
Epistar ES-EEDBF09F (планарного типа на основе
твёрдых растворов GaN, выращенные на сапфиро-
вой подложке). Кристаллы соединены металличе-
ской проволокой последовательно методом ультра- Рис. 3. Зависимость тока от напряжения
звуковой микросварки. Основание с кристаллами при разных значениях температуры
окружено люминофорной композицией на основе
оптически прозрачного компаунда и YAG, YGG лю- Затем проведены измерения зависимости на-
минофоров. Мощность СИЭ составляет 0,75 Вт. пряжения от температуры для СИЭ, расположенного
Световая отдача лампы с четырьмя элементами со- в лабораторной электропечи, при значении прямого
ставляет 120 лм/Вт. тока 10 мА (рис. 4). Напряжения фиксировались с
шагом по температуре в 5 °С.
Рис. 2. Макетные образцы светодиодного излучающего Рис. 4. Зависимость тока от напряжения

элемента при разных значениях температуры
Для конвекционного охлаждения колба лампы
2. Колориметрические параметры
заполняется инертным газом, что обеспечивает пе-
Все представленные характеристики измеря-
редачу тепловой энергии от нагретых СИЭ на по-
лись в диапазоне от 0 до 90 °С с шагом по темпера-
верхность колбы и далее в воздушное пространство.
туре в 5 °С. Блок прибора с фотодатчиком распола-
Результаты исследований, опубликованные в работе
гался на расстоянии 60 см от источника света. Такое
[7], показывают, что для колбы с диаметром 55 мм
расстояние было выбрано на основании светочувст-
допустимое по тепловому режиму количество СИЭ
вительности.
не превышает шести штук. Теоретический расчет
Определена температурная зависимость коор-
значения теплового сопротивления СИЭ – среда
динат цветности (рис. 5) и коррелированной цвето-
проведен в работе [7] и получено значение 30 К/Вт.
вой температуры СИЭ (рис. 6), доминирующей дли- проверялась визуально на отсутствие влаги внутри.
ны волны (рис. 7) и яркости (рис. 8). После этого лампа проверялась на работоспособ-
ность включением в сеть.
Результаты
В результате проведенных исследований элек-
трических параметров установлено, что при измене-
нии температуры от 0 до 90 °C вольт-амперная ха-
рактеристика сдвигается в сторону уменьшения на-
пряжения. Разница в напряжении между крайними
значениями температуры составляет 3 В. В диапазо-
не токов от 1 до 15 мA ВАХ исследуемого элемента
не выходит на линейный участок, так как значение
Рис. 5. Зависимость цветовых координат тока не достигает тока насыщения в каждом кри-
от температуры окружающей среды сталле [8].
Установлено, что яркость светодиодного излу-
чающего элемента снижается на 11% (см. рис. 8).
Доминирующая длина волны при фиксированном
прямом токе СИЭ линейно возрастает от 451 до
456 нм (см. рис. 7).
В результате эксперимента по определению
стойкости к воздействию влаги и пыли была под-
тверждена герметичность конструкции лампы. В
ходе эксперимента вода внутрь конструкции не про-
никла.
Рис. 6. Температурная зависимость цветовой
температуры при значении прямого тока 10 мА
Установлено, что при повышении температуры
окружающей среды в диапазоне от 0 до 90 °С проис-
ходит сдвиг доминирующей длины волны в область
синего цвета. Это подтверждается измерениями ко-
ординат цветности и коррелированной цветовой
температуры. Такое изменение не приводит к иска-
жениям цветовосприятия. Измерение ВАХ и яркости
в данном диапазоне температур показало, что от-
клонения характеристик критично не ухудшают ра-
боту устройства. Отсюда можно сделать вывод о
пригодности использования исследуемой конструк-
Рис. 7. Температурная зависимость доминирующей ции при повышенных температурах окружающей
длины волны при значении прямого тока 10 мА среды.
Результаты статьи могут быть полезны при кон-
струировании новых типов ламп с использованием
светодиодных излучающих элементов нитевидного
типа. Дальнейшие исследования необходимы для
повышения эффективности светодиодных ламп та-
кого типа. Это становится возможным, так как по-
степенно появляются все более совершенные мате-
риалы для изготовления, например, полупроводни-
ковые кристаллы. Кроме оптической части лампы,
Рис. 8. Температурная зависимость яркости не стоит забывать и об устройстве питания. Повы-
при значении прямого тока 10 мА
шение эффективности устройства питания также
увеличит эффективность всего изделия.
3. Стойкость к воздействию влаги
Конструкция лампы содержит стеклянную кол- Литература
бу диаметром 55 мм и стандартный цоколь Е27, ко- 1. Narukawa Y. Recent progress of high efficiency
торый герметично крепится к колбе мастикой. Внут- white LEDs / Y. Narukawa, J. Narita, T. Sakamoto et al. //
ренние части лампы полностью защищены от попа- Phys. Status Solidi (a). – 2007. – Vol. 204(6). – PP. 2087–2093.
дания влаги и пыли внутрь колбы и цоколя. Для под- 2. Narukawa Y. White light emitting diodes with super-
тверждения герметичности был проведен следую- high luminous efficacy / Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga
щий эксперимент: лампа погружалась на 30 см в et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2010. – Vol. 43. – PP. 0022–0028.
емкость, заполненную водой, и выдерживалась в 3. Туркин А. Н. Обзор новых продуктов в линейке
таком состоянии в течение двух часов. Затем выни- мощных и сверхъярких светодиодов Lumileds // Полупро-
малась из воды и после протирки от влаги снаружи, водниковая светотехника. – 2016. – № 5. – С. 50–55.
4. Bhandarkar V. LED lighting market holds steady in 6. Jaschke R. Higher Light Efficacy in LED-Lamps by
2012 / V. Bhandarkar, E. Shum, L. Peters // LEDs Magazine. – lower LED-Current / R. Jaschke, K.F. Hoffmann // General
2012. – Vol. 9(9). Proceed-ings of PCIM Europe 2016. – 2016. – PP. 1300–1304.
5. Feng W. Simulation and Optimization on Thermal 7. Солдаткин В.С Анализ срока службы светодиод-
Performance of LED Filament Light Bulb / W. Feng, B. Feng, ных излучающих элементов / В.С. Солдаткин, Ю.В. Ряпо-
F. Zhao, B. Shieh, R. Lee // Proceedings of the 12th China лова, К.Н. Афонин, А.Ю. Олисовец, В.И. Туев // Доклады
International Forum on Solid State Lighting (SSLCHINA ТУСУРа. – 2015. – № 3. – С. 55–61.
2015). – 2015. – Vol. 12. – PP. 88–92. 8. Шуберт Ф. Светодиоды / Пер. с англ. А.Э. Юно-
вича. – 2-е изд. – М.: Физматлит, 2008. – 496 с.
УДК 621.396.41
Д.А. Решетов, М.В. Андреева
Применение ОСИД-структур в осветительных приборах

Объектом исследования данной работы являются OLED-структуры (ОСИД-), а также их применение в освети-
тельных приборах. Проведен обзор ОСИД, рассмотрена их структура, способы изготовления, применение, а
также достоинства и недостатки.
Ключевые слова: органический светодиод, электролюминесценция, OLED-устройства.
Приборы OLED сделаны из органических (на Управление осуществляется внешней схемой. Яр-
основе углерода) материалов, которые испускают кость свечения каждого пикселя пропорциональна
свет при подведении электричества (электролюми- силе проходящего тока. PMOLED просты в изготов-
несценция). Поскольку устройства с применением лении, но потребляют наибольшую, в сравнении с
технологии OLED не требуют употребления ламп другими типами OLED, мощность (в основном из-за
подсветки и фильтров (в отличие от жидкокристал- необходимости применять внешнюю схему управ-
лических дисплеев), они являются более эффектив- ления). Правда, потребляемая ими мощность все же
ными, более простыми при изготовлении и намного меньше, чем у ЖКД. На базе PMOLED целесооб-
более тонкими. Дисплеи OLED обладают отменным разно выполнять устройства отображения малых
качеством изображения и имеют широкий цветовой размеров (2–3", или 5–7,5 см) для сотовых телефонов,
охват, высокую точность и постоянство цветопере- карманных компьютеров и МP3-плееров (рис. 2).
дачи, непревзойденное быстродействие, а также ши-
рокие углы обзора. Катод
Технология OLED может также использоваться
для создания освещения OLED. Приборы на основе Излучающий слой
этой технологии являются очень тонкими и потреб- (полимер)
ляют чрезвычайно малое количество электроэнер- Проводящий слой
гии. При этом нет необходимости использовать ка- (полимер)
кие-либо вредные компоненты. Анод
Примечательно то, что OLED-материалы были
открыты в 1960 г., но только приблизительно в по- Подложка
следние два десятилетия исследователи фактически
начали работать с этой технологией [1].
Целью данной работы является проведение об- Рис. 1. Структура органического светодиода
зора ОСИД и их применения в осветительных при-
борах.
Структура и типы OLED
Основная структура OLED – это катод (который
внедряет электроны), излучающая прослойка и анод
(который устраняет электроны). Современные уст-
ройства OLED используют дополнительные про-
слойки для получения большей эффективности,
но основной принцип работы остается одним и тем
же [2] (рис. 1).
Существует несколько типов OLED:
1. Пассивно-матричные (Passive-Matrix OLED,
PMOLED), элементы изображения (пиксели) кото-
рых формируются в точках пересечения перпенди-
кулярных друг другу анодных и катодных полос. Рис. 2. Структура PMOLED
2. Активно-матричные (Active-Matrix OLED, Формирование изображений
AMOLED), управление которыми осуществляют на OLED-матрицах
тонкопленочные полевые транзисторы (ТПТ), фор- Первый способ связан с особенностью органи-
мируемые в виде матрицы, располагаемой под анод- ческих светодиодов, изготовленных из разных мате-
ной пленкой. Потребляемая мощность активно- риалов, испускать свет с разной длиной волны, из
матричных диодов меньше, чем пассивно-матрич- чего следует, что для получения нужного цвета пик-
ных. Поэтому они пригодны для создания дисплеев селя достаточно подобрать три материала для каж-
больших размеров. К тому же частота обновления дого из субпикселей, которые будут светиться в си-
данных у них больше, благодаря чему AMOLED нем, красном и зеленом спектрах, образуя уже из-
пригодны для воспроизведения видеосигналов. Ос- вестную RGB-триаду. Такая технология OLED по-
новные области применения сегодня – дисплеи пор- зволяет создать экраны минимальной толщины, так
тативных устройств, компьютерные мониторы, в как не требует использования различных свето-
будущем – большие ТВ-экраны, электронные вывес- фильтров, и по той же самой причине цвета, полу-
ки или рекламные щиты [3] (рис. 3, 4). чаемые на таких дисплеях, наиболее четкие и глубо-
кие. Ко всему прочему такие OLED-дисплеи наибо-
лее энергоэкономичны. Главный минус этого подхо-
да заключается в том, что разные вещества не только
испускают разный цвет, но и имеют разный срок
службы. Так, например, срок службы материалов, из
которых делают синий субпиксель, почти в четыре
раза ниже, чем срок службы материалов остальных
ячеек, а это приводит к снижению времени работо-
способности всего OLED-дисплея в целом. Но тех-
нологии развиваются непрерывно, и можно надеять-
ся, что этот недостаток лишь временный.
Второй способ основан на применении свето-
фильтров, как это происходит на современных LCD-
Рис. 3. Структура AMOLED матрицах (технология получила название
WOLED+CF). При этом применяется материал ор-
3. OLED с прозрачным катодом, или прозрач- ганического светодиода, испускающий белый свет, и
ные диоды (Transparent OLED, TOLED), все элемен- нужный цвет формируется путем выбора нужного
ты которых (подложка, анод и катод), как следует из светофильтра – синего, красного или зеленого. Этот
названия, прозрачны. Прозрачные OLED могут быть способ наиболее прост при изготовлении и наиболее
как пассивно-матричными, так и активно-матричны- дешев, к тому же цветовая гамма таких OLED-
ми. Используются в основном в нашлемных дисплеях. дисплеев не меняется со временем (через большой
промежуток времени может уменьшаться только
цветность в связи с выгоранием люминофорного
вещества). Недостатками такого способа формиро-
вания цвета являются большая толщина матрицы и
более тусклые цвета по сравнению с первым спосо-
бом. OLED-дисплеи, изготовленные этим методом,
наиболее энергоемки и требуют высокой эффектив-
ности светодиода (рис. 5).
Рис. 4. Структура TOLED

Рис. 5. Формирование изображений на OLED-матрицах
4. Гибкие OLED (Foldable OLED, FOLED), из-
готавливаемые на гибкой металлической фольге или Еще один способ формирования цвета схож со
пластмассе. Диоды этого типа очень легкие и проч- вторым и различается только базовым синим цветом
ные. Вероятность поломки сотовых телефонов и светодиода. Остальные цвета получаются при по-
карманных компьютеров с дисплеями на основе та- мощи все тех же светофильтров путем преобразова-
ких OLED снижается. В будущем дисплеи на гибких ния коротковолнового синего света в более длинно-
OLED смогут быть включены в ткань для волновой – зеленый и красный. Такой способ техно-
пошива «разумной» одежды для спасательных логически схож с WOLED+CF, но позволяет исполь-
служб [4]. зовать меньшее количество более дешевых материа-
лов. Минус же, как и писалось выше, в сроке служ- Органические светодиоды могут также исполь-
бы синего полимера. OLED-дисплеи, изготовленные зоваться как источники света. OLED находят приме-
по этой технологии, наименее долговечны [5]. нение как источники общего освещения (в ЕС – про-
Способы изготовления OLED-матриц ект OLLA).
Сейчас различают два типа OLED-дисплеев по Потребность в преимуществах, демонстрируе-
типу используемых материалов, это дисплеи на ос- мых органическими дисплеями, с каждым годом
нове микромолекул (Small Molecular OLED – растёт. Этот факт позволяет заключить, что в скором
SMOLED) и дисплеи непосредственно на основе времени дисплеи, произведëнные по OLED-техноло-
полимеров (Polymer OLED – PLED) гиям, с высокой вероятностью станут доминантны-
В случае микромолекулярного строения OLED- ми на рынке электроники народного потребления [7].
дисплея используется метод вакуумного осаждения Нанесение структуры ITO+Pedot
органических материалов из жидкой или газообраз- PSS+F8+GaIn (CaAl)
ной (пара) фазы. Данный метод хоть и позволяет Перед изготовлением образцов подложка была
достигать более высоких показателей дисплеев, но очищена следующими методами:
достаточно трудоемок и требует дорогостоящего 1. 5 мин в растворе NH4OH (5%) при темпера-
оборудования, не говоря уже о необходимости пере- туре 50 °С.
оборудовать технологические линии. 2. Обработка ультразвуком 5 мин в растворе
Более привлекателен метод безвакуумного на- NH4OH (5%) при температуре 50 °С.
несения полимера. Одной из самых перспективных 3. Промывка дважды в дистиллированной воде.
технологий в этом направлении является технология 4. 5 мин в растворе H2O2 (5%).
струйной печати. OLED-дисплеи, изготовленные по 5. Промывка дважды в дистиллированной воде.
такой технологии, еще называют LEP-дисплеями 6. 5 минут в растворе уксусной кислоты (5%).
(Light-Emitting Polymer). Стоит заметить, что струй- 7. Промывка дважды в дистиллированной воде.
ная печать позволяет наносить полимер на гибкую 8. Сушка на воздухе при комнатной тепературе.
подложку, что невозможно в первом варианте. При- Материал Pedot PSS наносился на подложку с
менение этой технологии положило начало FOLED- ITO методом центрифугирования при 3000 об/с. Да-
дисплеям, то есть гибким OLED-дисплеям, что в лее капельно был нанесён F8 на подложку и запе-
свою очередь открыло поистине безграничные про- кался при температуре 110 °С. Верхним слоем об-
сторы для использования технологии OLED [6]. разца 1 был GaIn, а 2 и 3 – CaAl. Ниже представлены
ВАХ трёх образцов (рис. 7).
2 3
1
Рис. 6. FOLED-дисплей
Применение OLED
Органические дисплеи встраиваются в телефо- Рис. 7. ВАХ трёх экспериментальных образцов
ны, цифровые фотоаппараты, автомобильные борто-
вые компьютеры, в коммерческие OLED-телевизоры Достоинства и недостатки
(пока преимущественно в переносные). Выпускают- Преимущества:
ся небольшие OLED-дисплеи для цифровых индика- 1. OLED светятся сами по себе. Нет нужды в
торов, лицевых панелей автомагнитол, карманных лампе подсветки, экономится энергия, а картинка
цифровых аудиопроигрывателей и т.д. Возможно получается яркой. Яркость может превышать
появление планшетных компьютеров и электронных 100 000 кд/м2, хотя в реальных приложениях будут
книг с OLED-дисплеями. использоваться меньшие значения.
В настоящее время OLED-технология применя- 2. В состоянии покоя OLED не излучают света
ется во многих узкоспециализированных разработ- вообще. Ни одна, даже самая совершенная ячейка с
ках – например, для создания приборов ночного ви- жидкими кристаллами, не способна настолько поля-
дения. ризовать свет. Здесь он просто не излучается. Соот-
OLED может использоваться в голографии с ветственно мы получаем высокую контрастность
высокой разрешающей способностью (volumetric 1 000 000:1 и «чистый» черный цвет.
display). 12 мая 2007 г. на ЭКСПО-Лиссабон было 3. OLED-дисплей фактически состоит из мно-
представлено трёхмерное видео (потенциальное жества маленьких лампочек. Что быстрее включить
применение этих материалов). выключить светильник или закрыть его светофильт-
ром? Конечно же, нажать на кнопку. Так и с OLED. 4. Производство OLED, особенно больших диа-
Время отклика здесь не имеет значения: у ЖК оно гоналей, крайне дорого. Если на мобильном рынке с
измеряется в миллисекундах, у OLED – в микросе- этим еще можно мириться, да и объемы уже позво-
кундах. То есть разница на три порядка. лили снизить стоимость до приемлемого уровня, то
4. OLED не нужны лампы подсветки, защитные диагонали больше 10 дюймов еще проблема [8].
стекла и прочее. Достаточно двух тонких пластин
стекла, между которыми заключен микроскопиче-
ский слой светодиодов. Соответственно OLED 1. Органические светодиоды [Электронный ресурс]. –
тоньше ЖК, плазмы и других экранов. Сегодня се- Режим доступа http://www.electronics.ru/files/article_pdf/0/
рийно выпускают дисплеи толщиной 0,2 мм. article_586_851.ppd (дата обращения: 25.06.17).
Недостатки: 2. OLED-технология, технология будущего [Элек-
тронный ресурс]. – Режим доступа http://le-diod.ru/vidy/
1. Время жизни органики, излучающей свет, на-
oled-texnologiya-texnologiya-budushhego/ (дата обращения:
ходится в прямой зависимости от длины волны. 25.06.17).
Красные и зеленые OLED могут работать десятки 3. AMOLED и PMOLED: в чем разница? [Электрон-
тысяч часов. Рекорд для синего OLED – 17,5 ч. При ный ресурс]. – Режим доступа http://www.led-mark.ru/late-
этом он не «ломается» внезапно, а постепенно де- st-development/amoled-pmled.html (дата обращения: 25.06.17).
градирует, причем делает это быстрее других. Таким 4. Types of OLEDs: Transparent, Top-emitting, Foldable
образом, уже через 5 000 ч службы мы теряем каче- and White [Электронный ресурс]. – Режим доступа
ство цветопередачи. Дисплей начинает заваливаться http://electronics.howstuffworks.com/oled4.htm (дата обра-
в один из цветов. щения: 25.06.17).
5. Технология OLED [Электронный ресурс]. – Режим
2. Материалы, используемые для создания
доступа https://geektimes.ru/post/66454/ (дата обращения:
OLED, активно контактируют с водой: разбухают, 26.06.17).
окисляются и т.д. Необходима крайне надежная гер- 6. Технология изготовления OLED [Электронный ре-
метизация. Естественно, что удары и падения таким сурс]. – Режим доступа http://www.tvsearch.ru/article/tech-
экранам противопоказаны. nology/oled_technology (дата обращения: 26.06.17).
3. Каждый диод представляет собой источник 7. Органический светодиод [Электронный ресурс]. –
света. В зависимости от картинки отдельные эле- Режим доступа https://ru.wikipedia.org/wiki/% (дата обра-
менты матрицы излучают с разной интенсивностью. щения: 27.06.17).
Их износ неравномерен. Так что возможны случай, 8. Преимущества и недостатки OLED [Электронный
ресурс]. – Режим доступа http://www.display-expo.ru/prei-
когда в OLED будут выгорать отдельные пиксели.
mushestva_i_nedostatki_oled.html (дата обращения: 28.06.17).
УДК 628.987
А.Д. Гончаров, В.И. Туев
Влияние кривой силы света на коэффициент использования

потока излучения в тепличных облучательных установках
Выполнен расчет коэффициентов использования светового потока для типовых КСС по ГОСТ Р 54350–2015 с
индексами помещения от 0,5 до 15, определены значения индексов помещения i, при которых тип КСС не ока-
зывает существенного влияния на коэффициент использования светового потока, приведены рекомендации по
выбору светораспределения осветительных приборов при проектировании тепличных облучательных устано-
вок.
Ключевые слова: коэффициент использования светового потока, тепличные облучательные установки, опти-
ческая система облучательной установки, кривая сила света, светодиодные осветительные приборы.
Для повышения энергоэффективности иссле- трудняет выбор КСС ОП для конкретной тепличной
дуются новые светопропускающие и светоотра- облучательной установки.
жающие материалы для применения, в том числе в Традиционно [3] выбор КСС осуществляется
тепличных облучательных установках (ОУ) [1]. При путем оценки коэффициента использования светово-
использовании современного программного обеспе- го потока, известного также как Utilization Factor),
чения [2] выполняются расчеты облучательных ус- но справочная литература для требуемых коэффици-
ентов отражения поверхностей, используемых в те-
тановок с выбором кривых силы света (КСС) осве-
плицах, никакой информации не дает [4]. Дело в
тительных приборов (ОП). том, что применяемые материалы теплиц имеют
Появление широкого типоряда ОП на основе значение коэффициента прозразности от 79 до 93% в
светодиодов из-за большого количества вариантов зависимости от применяемого материала [5]. Соот-
светораспределений делает задачу выполнения про- ветственно коэффициент отражения с учетом по-
ектов освещения трудоемким процессом, что за- глощающих свойств составляет от 5 до 20%.
В справочной литературе [4] приводятся значе- – световой поток ОП – 10 000 лм;
ния коэффициента использования светового потока – коэффициенты отражения поверхностей по-
для индекса помещения i, не превышающего значе- мещения: для потолка – 10%, для стен – 10%, для
ния 5, но, как известно, тепличные ОУ могут иметь пола – 10%; ОП в помещении располагаются рав-
практически любые габаритные размеры, при этом номерно с одинаковой плотностью.
индекс помещения может быть более 5. Рассматриваемые варианты ОУ приведены в
Индекс помещения i рассчитывается по извест- табл. 1.
ной формуле [6] Для простоты расчета форма облучательной ус-
i  L W /( H M  ( L  W )) , тановки пронята в виде прямоугольного параллеле-
где L – длина помещения, м; W – ширина помеще- пипеда с высотой монтажа ОП 3 м, расчетная плос-
ния, м; HM – высота монтажа ОП относительно ра- кость – на уровне пола.
бочей плоскости, м. Результаты расчета UF приведены в табл. 2.
Исходя из вышесказанного, целью данной рабо-
ты является исследование влияния типа кривой силы Таблица 1
света на коэффициент использования светового по- Варианты рассматриваемых ОУ
тока излучения в тепличных облучательных уста- Количество Порядок размеще-
S, площадь
L, W, осветитель- ние ОП в помеще-
новках. помеще- i
м м 2 ных прибо- нии по длине и
Для достижения поставленной цели решались ния, м
ров, шт. ширине, шт.
следующие задачи: 3 3 9 0,5 4 2·2
– выбор метода расчета UF; 6 6 36 1 16 4·4
– создание фотометрических файлов с расши- 9 9 81 1,5 36 6·6
рением *.ies для осветительных приборов с типовы- 12 12 144 2 64 8·8
ми КСС; 15 15 225 2,5 100 10·10
– расчет UF для различных i; 18 18 324 3 144 12·12
– анализ результатов расчета. 21 21 441 3,5 196 14·14
Для расчета UF применен разработанный авто- 24 24 576 4 256 16·16
рами метод [7]. 27 27 729 4,5 324 18·18
Авторами созданы фотометрические файлы 30 30 900 5 400 20·20
*.ies для стандартных типов КСС (рис. 1) согласно 36 36 1296 6 576 24·24
Международному стандарту IESNA:LM-63–1995. 42 42 1764 7 784 28·28
48 48 2304 8 1024 32·32
54 54 2916 9 1296 36·36
60 60 3600 10 1600 40·40
90 90 8100 15 3600 60·60
Анализ результатов расчета UF выполнен при

помощи последующего расчета отклонений δ для
значений UF с произвольными КСС относительно
значений UF, полученных для самой узкой (концен-
трированной) КСС – типа К. При помощи оценки
отклонений определяется влияние типа КСС на UF
относительно самой узкой КСС (КСС типа К).
Допустимое значение отклонения принято рав-
ным ± 8%, что соответствует погрешности измере-
ния приборов для измерения освещенности (люкс-
Рис. 1. Типы кривых силы света согласно метров), регламентированной ГОСТ Р 54350–2015.
ГОСТ Р 54350–2015 При меньших значениях отклонения КСС сущест-
венного влияния на UF не оказывает и не имеет зна-
В расчетах использованы следующие значения чения, КСС какого типа применяется для данного
параметров: типа ОУ.
Таблица 2
Результаты расчета UF
М 0,129 0,285 0,395 0,474 0,533 0,579 0,616 0,646 0,671 0,692 0,726 0,752 0,773 0,789 0,803 0,844
С 0,069 0,203 0,311 0,393 0,457 0,507 0,548 0,582 0,618 0,642 0,674 0,704 0,728 0,748 0,764 0,814
Ш 0,084 0,225 0,354 0,457 0,535 0,595 0,548 0,579 0,710 0,735 0,774 0,803 0,825 0,842 0,855 0,894
Л 0,154 0,389 0,538 0,632 0,695 0,740 0,774 0,799 0,82 0,837 0,862 0,880 0,894 0,904 0,912 0,934
Д 0,222 0,442 0,572 0,655 0,711 0,752 0,780 0,806 0,825 0,841 0,864 0,881 0,894 0,904 0,911 0,931
Г 0,450 0,701 0,798 0,848 0,879 0,899 0,914 0,924 0,934 0,941 0,952 0,959 0,963 0,967 0,970 0,989
К 0,730 0,864 0,911 0,935 0,950 0,960 0,968 0,972 0,977 0,980 0,985 0,986 0,987 0,989 0,989 1,009
i 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0 15,0
Получены аппроксимирующие зависимости i дексов помещения i, при которых тип КСС не ока-
(δ) для КСС каждого типа, по которым определяют- зывает существенного влияния на UF.
ся значения i для δ = 8% (табл. 3). 4. Результаты настоящей работы могут быть
использованы для проектирования тепличных облу-
Таблица 3 чательных установок.
Результаты анализа
Аппроксимирую- Достовер- Литература
Тип Значение i
щая зависимость i ность аппрок-
КСС (8%) 1. Малышев В.В. Повышение эффективности облу-
(δ) симации R2
–1,056 чательных установок для теплиц: дис. ... канд. техн. наук:
Г i = 21,844· δ 0,9894 0,5…2,43 05.20.02. – М., 2007. – 218 с.
Д i = 159,45· δ–1,309 0,9921 0,5…10,48 2. Официальный сайт DIALux [Электронный ре-
Л i = 149,05· δ–1,261 0,9883 0,5…10,83 сурс]. – Режим доступа: http://dial.de/ (дата обращения:
Ш i = 482,16· δ–1,436 0,9733 0,5…24,34 26.07.2017).
С i = 5552,3· δ–1,984 0,9799 0,5…89,70 3. Евдасев И. Коэффициент использования светово-
М i = 3043,4· δ–1,906 0,9857 0,5…57,82 го потока // Современная светотехника. – 2010. – № 1. –
С. 24–27.
Из табл. 3 видно, при каких значениях i тип 4. Пособие к МГСН 2.06–99. Расчет и проектиро-
КСС не оказывает существенного влияния на UF. По вание искусственного освещения помещений обществен-
этой причине при проектировании тепличных облу- ных зданий [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
чательных установок следует пользоваться получен- http://www.opengost.ru, свободный (дата обращения:
27.07.2017).
ными зависимостями для оценки влияния типа КСС.
5. Юдаев И.В. Изучение светопропускающих
Аналогичным образом получаются зависимости свойств сотового поликарбоната – покрывного материала
при оценке отклонения значений UF для типовых круглогодичных теплиц // Политематический сетевой
КСС относительно значений UF и для других откло- электронный научный журнал Кубанского государственно-
нений. го аграрного университета. – 2016. – № 120. – С. 239–252.
Выводы 6. Справочная книга по светотехнике / Под ред.
1. Выполнен расчет коэффициентов использо- Ю.Б. Айзенберга. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Знак,
вания светового потока UF для типовых КСС с ин- 2006.
дексами помещения i от 0,5 до 15. 7. Гончаров А.Д. Методика расчета коэффициента
использования светового потока осветительных приборов
2. Получены зависимости i (δ), которые хоро-
с произвольным пространственным светораспределением //
шо аппроксимируются степенными функциями. Матер. Всерос. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и
3. По полученным аппроксимационным зави- молодых ученых «Научная сессия ТУСУР–2017». – Томск:
симостям i (δ) при δ = 8% определены значения ин- В-Спектр, 2017. – Т. 3. – С. 114–116.
УДК 628.987
Расчет оптической системы облучательных установок

для выращивания микроводорослей промышленного назначения
методом коэффициента использования потока излучения
Рассмотрена возможность оценки эффективности облучательных установок для выращивания микроводорос-
лей промышленного назначения методом коэффициента использования светового потока, выполнен расчет оп-
тической системы облучательных установок для выращивания микроводорослей промышленного назначения
методом коэффициента использования светового потока, предложен вариант оптимизации облучательных ус-
тановок для повышения их эффективности.
Ключевые слова: коэффициент использования светового потока, микроводоросли, облучательные установки,
фотобиореактор, оптическая система облучательной установки, светодиодные осветительные приборы.
Одним из перспективных направлений для по- ного состава или режимов работы, но и за счет пра-
вышения энергоэффективности являются облуча- вильно разработанной оптической системы (ОС).
тельные установки для выращивания микроводо- Конструкции оптических систем существую-
рослей промышленного назначения. щих облучательных установок (ОУ) для выращива-
ния микроводорослей промышленного назначения
Повышение энергоэффективности в облуча- по своей сути ориентированы на традиционные сис-
тельных установках для выращивания микроводо- темы освещения: естественное освещение, а также
рослей промышленного назначения можно достичь искусственное – лампы накаливания и газоразряд-
не только за счет правильно выбранного спектраль- ные источники света.
Развитие светодиодных технологий позволило Но по причине того, что индекс помещения ха-
рассматривать в качестве источников света свето- рактеризует традиционные осветительные установ-
диоды и осветительные приборы на их основе, что ки (помещения в виде прямоугольного параллелепи-
требует новых подходов при конструировании ОС ОУ. педа с размещением светильников только со сторо-
На рынке существуют как маломощные свето- ны потолка, а также со строго определенной рабочей
диоды – 60 мВт, так и мощные – более 1 Вт, что по- плоскостью, например, на уровне пола, либо на вы-
зволяет один и тот же световой поток сконцентриро- соте 0,8 м от пола), то применительно к ОУ для вы-
вать на малой излучающей площади и равномерно ращивания микроводорослей расчет данного индек-
разнести его по всей рассматриваемой излучающей са проводить некорректно.
площадке. Следовательно, для применения метода коэф-
По этой причине, в отличие от конструкций ОУ фициента использования светового потока с целью
на основе традиционных систем освещения, конст- оценки эффективности нужны кардинально другие
рукции ОУ на основе светодиодов могут быть прак- подходы.
тически любыми. Исходя из вышесказанного, целью данной рабо-
Анализ существующих методов оценки ОС ОУ ты является рассмотрение возможности применения
показал, что существует метод оценки при помощи метода коэффициента использования светового по-
расчета в программе DIALux [1], при помощи кото- тока для расчета ОС ОУ для выращивания микрово-
рой эффективность оценивается визуально, за счет дорослей промышленного назначения.
чего делается вывод о существующих потерях в Для достижения поставленной цели решались
культиваторе. следующие задачи:
Но визуальная оценка – не являются показате- – анализ существующих ОС ОУ;
лем количества световой энергии, участвующей в – выбор метода расчета UF;
облучении микроводорослей по всему объему фото- – создание фотометрических файлов с расши-
биореактора. рением *.ies для осветительных приборов с типовой
Единственной фотометрической характеристи- кривой силой света (КСС) типа Д (согласно ГОСТ Р
кой, которая оценивает уровень эффективности, яв- 54350 – 2015);
ляется поток излучения (для видимого спектра из- – разработка методики оценки эффективности
лучения – световой поток) при одинаковой потреб- ОС ОУ методом коэффициента использования све-
ляемой мощности. тового потока;
Существует также метод оценки эффективности – расчет UF;
за счет измерения оптической плотности, которая – анализ результатов расчета.
Анализ существующих ОС ОУ показал, что
характеризует количество хлореллы [2]. Но данный
созданы фотобиореакторы в форме прямоугольного
метод имеет недостатки, связанные с существовани-
параллелепипеда и цилиндра.
ем дополнительных факторов, влияющих на форми-
Для примера рассмотрим ОС ОУ в форме пря-
рование количества суспензии хлореллы.
моугольного параллелепипеда.
Поэтому авторами предлагается остановиться
По типу исполнения фотобиореакторы бывают
на оценке эффективности ОС ОУ при помощи оцен-
открытого, закрытого и частично-закрытого типов.
ки потока излучения при одинаковой потребляемой
Как показали исследования [4, 5], чем выше ко-
мощности.
Анализ методов оценки эффективности освети- эффициенты отражения поверхностей, тем выше
тельных установок при помощи оценки потока из- UF. Поэтому для искусственного облучения целесо-
лучения показал, что существует метод коэффици- образно применять фотобиореакторы закрытого ти-
ента использования светового потока [3, 4]. па и в настоящей работе будем рассматривать их.
Метод коэффициента использования светового Анализ светоотражающих свойств материалов
потока заключается в расчете коэффициента исполь- показал, что существуют материалы, коэффициенты
зования светового потока UF (известного также как отражения которых составляют около 90%. К таким
Utilization Factor), который зависит от геометриче- материалам, например, относится анодированный
ских параметров помещения, коэффициентов отра- алюминий. По этой причине за основу примем ко-
жения поверхностей помещения, высоты подвеса эффициент отражения поверхностей 90%.
светильников, кривой силы света осветительных Проведен анализ существующих ОС ОУ для
приборов, а также их конструкции. выращивания микроводорослей промышленного
Геометрические параметры помещения, а также назначения закрытого типа, выполненные в виде
высота подвеса осветительных приборов в данном прямоугольного параллелепипеда. Результаты пред-
методе характеризуются индексом помещения i [3]. ставлены в табл. 1.
Индекс помещения i рассчитывается по извест- Из табл. 1 видно, что существуют фотобиореак-
ной формуле [3] торы закрытого типа, поверхности которых имеют
i  L W /( H M  ( L  W )) , (1) покрытие с высоким коэффициентом отражения: ОС
где L – длина помещения, м; W – ширина помеще- № 4 и ОС № 5.
ния, м; HM – высота монтажа ОП относительно ра- Для оценки ОС ОУ выбран метод расчет UF,
бочей плоскости, м. разработанный авторами в работе [4], со следующи-
ми изменениями и дополнениями:
– с целью оценки UF по всему объему резер- Выражение (2) получено из выражения (1) пу-
вуара фотобиореактора создаются расчетные плос- тем принятия равенств Lp = L, Wp = W, Hp = H с це-
кости в количестве 5 шт; лью уйти от влияния положения расчетной плоско-
– расчетные плоскости располагаются на рас- сти на индекс помещения, который в нашем случае
стоянии относительно друг друга Hp/5, две из кото- называется индексом ОУ.
рых располагаются непосредственно на гранях фо- Все рассматриваемые ОС ОУ имеют объем 1000 л
тобиореактора, где Hp – высота прямоугольного па- и равномерно расположенные квазиточечные источ-
раллелепипеда; ники света в количестве 100 шт.
– на каждой расчетной плоскости проводится Авторами создан фотометрический файл с рас-
расчет UF по разработанному авторами методу [4]; ширением *.ies типов КСС типа Д согласно Между-
– выполняется расчет среднего значения UFср; народному стандарту IESNA:LM-63–1995.
– рассчитываются значения индекса ОУ ip по На рис. 1 представлен вариант ОУ с обозначе-
формуле ниями и расположением расчетных плоскостей.
ip = Lp.·Wp/(Hp·( Lp + Wp), (2)
где Lp – длина прямоугольного параллелепипеда;
Wp – ширина прямоугольного параллелепипеда.
Таблица 1
Анализ существующих ОС ОУ установок для выращи-
вания микроводорослей промышленного назначения
Коэффициенты отра-
№ оптической жения граней, %:
L, м W, м H, м
системы LW1, LW2, LH1, LH2,
WH1, WH2
ОС № 1 1,5 1,1 0,5 90, 90, 10, 10, 10, 10 Рис. 1. К расчету UF
ОС № 2 1,5 1,1 1,0 90, 90, 90, 90, 10, 10
ОС № 3 2,2 1,1 1,0 90, 90, 90, 90, 10, 10 В табл. 2 приведены рассматриваемые авторами
ОС № 4 1,0 1,0 1,0 90, 90, 90, 90, 90, 90 ОС ОУ в форме прямоугольного параллелепипеда, а
ОС № 5 1,6 1,6 1,6 90, 90, 90, 90, 90, 90 также результаты расчета UFср.
Таблица 2
Рассматриваемые варианты ОС ОУ и результаты расчета UFср
Lp Wp Hp ip UF1 UF2 UF3 UF4 UF5 UFср
1,00 1,00 1,00 0,5 1,6520 1,7371 1,8540 2,0068 2,1894 1,8879
1,25 1,25 0,64 1,0 2,5522 2,6202 2,7084 2,8094 2,9092 2,7199
1,50 1,50 0,44 1,7 3,3194 3,3705 3,4288 3,4927 3,5575 3,4338
1,75 1,75 0,33 2,7 3,8018 3,8382 3,8768 3,9179 3,9751 3,8820
2,00 2,00 0,25 4,0 4,1208 4,1420 4,1768 4,2056 4,2572 4,1805
2,25 2,25 0,20 5,7 4,3451 4,3558 4,4135 4,3558 4,4702 4,3881
2,50 2,50 0,16 7,8 4,5294 4,5313 4,5463 4,5894 4,6681 4,5729
2,75 2,75 0,13 10,4 4,5920 4,5950 4,6101 4,6630 4,7273 4,6375
3,00 3,00 0,11 13,5 4,6755 4,6854 4,6971 4,7619 4,8087 4,7257
3,50 3,50 0,08 21,4 4,9466 4,9625 4,9894 5,0384 5,0348 4,9943
4,00 4,00 0,06 32,0 5,1424 5,1680 5,2048 5,2080 5,2512 5,1949
4,50 4,50 0,05 45,6 5,3318 5,3541 5,3825 5,3906 5,4311 5,3780
5,00 5,00 0,04 62,5 5,4400 5,4600 5,4650 5,4850 5,4950 5,4690
6,00 6,00 0,03 108,0 5,5764 5,5980 5,6052 5,6124 5,5584 5,5901
Результаты, полученные в табл. 2, показывают, Рассчитанные данные UF показывают, что при

что значения UF практически не зависят от положе- правильно рассчитанной ОС ОУ эффективность ОУ
ния расчетной плоскости, а следовательно, оценку можно увеличить в 2 раза и более по сравнению с
эффективности для ОС ОУ, представляющую собой существующими ОУ.
форму прямоугольного параллелепипеда и имею- Для определения оптимальных габаритных раз-
щую коэффициенты отражения поверхностей 90%, меров построена зависимость UFср (ip) (рис. 2).
можно проводить по любой расчетной плоскости. Как видно из полученной зависимости, при
Для сравнения полученных значений UF авто- 0 < ip < 5,7 UF резко возрастает, а при ip  5,7 изме-
рами рассчитаны значения UF существующих ОС
няется незначительно. По этой причине для ОС ОУ
ОУ, приведенных в табл. 1, которые соответствуют
в форме прямоугольного параллелепипеда опти-
следующим значениям:
ОС № 1: ip = 1,3; UF = 3,070; мальные габаритные размеры согласно табл. 2 такие,
ОС № 2: ip = 0,6; UF = 2,153; при которых значение ip = 5,7. В нашем случае раз-
ОС № 3: ip = 0,7; UF = 2,327; меры соответствуют следующим равенствам:
ОС № 4: ip = 0,5; UF = 1,894; Lp = 2,25 м, Wp = 2,25 м, W, Hp = 0,20 м.
ОС № 5: ip = 0,5; UF = 1,894.
6. По предложенному методу оценки эффек-
тивности ОС ОУ можно провести расчет UF для
других типов КСС, коэффициентов отражений по-
верхностей, а также для ОС любой формы и любым
расположением осветительных приборов.
7. Результаты настоящей работы могут быть
использованы для проектирования ОС ОУ для вы-
ращивания микроводорослей промышленного на-
значения.
1. Алексеев М.А. Установка для культивирования
Рис. 2. Зависимость коэффициента использования микроводоросли хлореллы / М.А. Алексеев, Э.Д. Арьяно-
светового потока от индекса ОУ ва, С.С. Иванова и др. // Сб. науч. тр. 6-й Всерос. конф.
«Ресурсоэффективным технологиям – энергию и энтузи-
азм молодым» ТПУ. – Томск, 2015. – С. 377–381.
Выводы 2. Кругликова Л.Л. Влияние фотометрических ха-
1. Расчет ОС ОУ для выращивания микрово- рактеристик источника излучения на эффективность вы-
дорослей промышленного назначения целесообраз- ращивания микроводоросли CHLORELLA / Л.Л. Кругли-
но проводить методом коэффициентов использова- кова, А.Н. Яковлев, Д.М. Савинова // Сб. ст. XХ Между-
ния светового потока. нар. науч.-практ. конф. «Современные техника и техноло-
2. Эффективность ОС ОУ необходимо оцени- гии» / ТПУ, Томск. – 2014. – С. 135–136.
вать по среднему значению коэффициента использо- 3. Справочная книга по светотехнике / под ред.
вания светового потока, который рассчитывается по Ю.Б. Айзенберга. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Знак,
2006.
всему объему фотобиореактора.
4. Гончаров А.Д. Универсальный метод расчета ко-
3. Для ОС ОУ с коэффициентами отражения эффициента использования светового потока осветитель-
поверхностей 90% и более и КСС типа Д, оценка ных приборов / А.Д. Гончаров, В.И. Туев // Доклады ТУ-
эффективности может проводиться по расчету UF СУРа. – 2017. – Т. 20, № 2. – С. 55–60.
любой из плоскостей. 5. Пособие к МГСН 2.06–99. Расчет и проектиро-
4. Показано, что конструкция существующих вание искусственного освещения помещений обществен-
ОС ОУ неэффективна. ных зданий [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
5. Предложен вариант оптимизации облуча- http://www.opengost.ru, свободный (дата обращения:
тельных установок для повышения их эффективности. 27.07.2017).
УДК 621:382
Е.С. Ганская, Г.А. Косачева, Д.К. Нуриев, В.С. Солдаткин
Мощный светодиод белого цвета свечения

Излагаются результаты исследования вольт-амперной характеристики, зависимости светового потока и свето-
вой отдачи от прямого тока, зависимости коррелированной цветовой температуры и цветовых координат от
прямого тока мощного светодиода белого цвета свечения.
Ключевые слова: мощный белый светодиод, люминофорная композиция, теплоотвод.
В настоящее время светодиоды получили широ- Цель работы: исследование характеристик

кое применение в светотехнических устройствах мощного белого светодиода.
различного назначения: бытового, офисного, улич- Задачи работы:
ного и т.д. Востребованность светодиодов в свето- – исследовать вольт-амперную характеристику;
технике связана с их высокой надёжностью и энер- – исследовать зависимость светового потока и
гоэффективностью. Миниатюрность светодиода по- световой отдачи от прямого тока;
зволяет конструировать светотехнические устройст- – исследовать зависимости коррелированной
ва различной сложности. Наряду с существенными цветовой температуры и цветовых координат от
преимуществами светодиодного освещения перед прямого тока.
всеми существующими искусственными источника- Мощный светодиод белого цвета свечения со-
ми света существует основной недостаток – это не- стоит из корпуса, на который с помощью теплопро-
обходимость обеспечения отвода тепла от активной водящего клея смонтирован светодиодный кристалл.
области светодиода. Особенно отвод тепла актуален Омические контакты кристалла соединены золотой
для мощных светодиодов. проволокой с контактными площадками корпуса. На
кристалл нанесена люминофорная композиция. Температурная зависимость ширины запрещён-
Кристалл, проволока и люминофорная композиция ной зоны светодиодного кристалла описывается по
герметично закрыты линзой, которая защищает от формуле
влаги и механических повреждений, а также предна- T 2
значена для формирования кривой силы света, излу- E=E|T=0 K  , (1)
T 
чаемой светодиодом [1]. Схемный вид исследуемого
светодиода изображён на рис. 1. Светодиод имеет где α и β – эмпирически подобранные коэффициен-
площадь 5×5 мм, а высоту с линзой – 3 мм. ты: α = 7,7×10–4 эВ, β = 600 К. E|T=0 K – ширина за-
Кристалл светодиода имеет размеры примерно прещённой зоны при 0 К, 3,47 эВ.
1000×1000×90 мкм3, из которых примерно 85 мкм Зависимость мощности излучения светодиодно-
толщины занимает подложка из карбида кремния и го кристалла от температуры
примерно 5 мкм – полупроводниковая структура T  300 K
P = P|300 K exp , (2)
GaN/InGaN с множественными квантовыми ямами. Ti
Полупроводниковая структура состоит, как правило, Ti – характеристическая температура конкретного
из слоя p-типа (GaN ~ 0,2 мкм), слоя p-типа (AlGaN светодиода.
~ 0,03 мкм), активной области (InGaN/GaN ~ 0,2 мкм), Тепловое сопротивление светодиода можно рас-
n-типа (GaN ~ 2,5 мкм), u-типа (GaN ~ 2 мкм). считать по формуле
Rt = δ/ (λ×S), (3)
где δ – толщина слоя (м); S – площадь слоя (м2); λ –
теплопроводность вещества [3].
Методика эксперимента
Мощный светодиод белого цвета свечения
смонтирован на теплоотвод из алюминия методом
пайки. С помощью источника-измерителя Keith-
ley 2410 задавались значения прямого тока и изме-
рялись значения прямого напряжения, световой по-
ток измерялся с помощью фотометрического шара
Рис. 1. Схематическое изображение мощного светодиода «ТКА-КК1», а коррелированная цветовая темпера-
белого цвета свечения тура и цветовые координаты измерялись с помощью
спектроколориметра «ТКА-ВД». Измерения прово-
При подаче напряжения в прямом направлении дились с шагом 10 мА по значениям прямого тока с
потенциальный барьер понижается, вследствие чего выдержкой на каждой ступени не менее 5 мин для
в p-область войдет добавочное количество электро- термостабилизации светодиода.
нов, а в n-область – p-дырок, такой процесс называ- Экспериментальная часть
ется инжекцией. Существует пять основных видов Проведены измерения значений прямого на-
излучательной рекомбинации. Излучательная ре- пряжения от прямого тока и построена вольт-ампер-
комбинация – единственный физический механизм ная характеристика мощного светодиода белого цве-
генерации света в светодиоде. В процессе рекомби- та свечения (рис. 2).
нации из электронов и дырок образуются фотоны.
Но лишь часть из сгенерированных фотонов может
выйти на поверхность светодиода. Вывод света из
светодиодного кристалла определяется внутренним
квантовым выходом, внешним квантовым выходом,
а эффективность светодиода определяется световой
отдачей, которая объединяет квантовый выход кри-
сталла и люминофора [1].
Люминофорная композиция состоит из оптиче-
ски прозрачного компаунда и порошка люминофора.
Люминофор представляет собой мелкодисперсный
порошок с частицами от 5 до 20 мкм. Структура
кристаллической решётки – гранат, в узлах которой Рис. 2. Вольт-амперная характеристика мощного
расположены атомы иттрия, гадолиния и алюминия. светодиода белого цвета свечения
Кристаллическая решётка люминофора активирует-
ся атомами Ce и Gd. YGG (YAG) имеет неравновес- Проведены измерения значений светового пото-
ные состояния кристаллической решетки и при воз- ка от прямого тока и построена люмен-амперная
действии излучением кристалла светодиода с дли- зависимость мощного светодиода белого цвета све-
ной волны 450–465 нм электроны возбуждаются на чения (рис. 3).
высокие энергетические уровни, а затем переходят По результатам измеренных значений прямого
на равновесные с выделением энергии путём излу- тока, прямого напряжения и светового потока рас-
чения фотона [2]. считаны значения световой отдачи и построена за-
висимость световой отдачи от прямого тока мощно-
го светодиода белого цвета свечения (рис. 4).
Рис. 6. Зависимость цветовых координат от прямого тока

мощного светодиода белого цвета свечения
Выводы
Рис. 3. Люмен-амперная зависимость мощного светодиода 1. Из вольт-амперной характеристики мощного
белого цвета свечения светодиода белого цвета свечения (см. рис. 2) видно,
что зависимость близка к идеальной ВАХ светодио-
да, при этом режим насыщения наблюдается в диа-
пазоне значения прямого тока на участке от 330 В, а
верхнее граничное значение не было определено,
так как эксперимент был остановлен в связи с опа-
сением термоэлектрического пробоя светодиода.
2. Из рис. 3 видно, что люмен-амперная зави-
симость мощного светодиода белого цвета свечения
носит линейный характер и подходит под описание
формулы (2).
3. Из рис. 4 видно, что зависимость световой
отдачи от прямого тока мощного светодиода белого
Рис. 4. Зависимость световой отдачи от прямого тока цвета свечения носит нелинейный характер и услов-
мощного светодиода белого цвета свечения но её можно разделить на три участка: до 100 мА –
рост световой отдачи; от 100 до 160 мА – линейный
Проведены измерения значений коррелирован-
участок, который можно объяснить термоэлектриче-
ной цветовой температуры от прямого тока и по-
ским балансом в светодиоде; от 160 мА – спад зна-
строена зависимость коррелированной цветовой
чений световой отдачи, который объясняется нагре-
температуры от прямого тока мощного светодиода
вом активной области, вследствие чего увеличивает-
белого цвета свечения (рис. 5).
ся доля безызлучательной рекомбинации.
4. Из рис. 5 видно, что зависимость коррелиро-
ванной цветовой температуры от прямого тока мощ-
ного светодиода белого цвета свечения незначитель-
но растёт с ростом прямого тока, а цветовые коор-
динаты практически не меняются за исключением
координаты x.
1. Шуберт Ф. Светодиоды / пер. с англ.; под ред.
А.Э. Юновича. – 2-е изд. – М.: Физматлит, 2008. – 496 с.
Рис. 5. Зависимость коррелированной цветовой 2. Сощин Н.П., Личманова В.Н., Большухин В.А.
температуры от прямого тока мощного светодиода Промышленные редкоземельные люминофоры для эффек-
белого цвета свечения тивных осветительных светодиодов // Нанотехника. –
2013. – № 1 (33). – С. 72–78.
Проведены измерения значений цветовых коор- 3. Солдаткин В.С., Ряполова Ю.В., Афонин К.Н. и др.
динат от прямого тока и построена зависимость цве- Анализ срока службы светодиодных излучающих элемен-
товых координат от прямого тока мощного свето- тов // Доклады ТУСУРа. – 2015. – №3. – С. 55–61.
диода белого цвета свечения (рис. 6).
УДК 621.396.41
А.А. Вилисов, К.В. Тепляков, В.С. Солдаткин
Влияние конструктивных особенностей светодиодов

на их тепловое сопротивление
Исследована зависимость параметров и спектральных характеристик тепловых сопротивлений светодиодов от
конструктивных особенностей, используемых различными фирмами-производителями. Опиыана методика ис-
пытаний, применяемое оборудование и образцы.
Ключевые слова: светодиод, тепловое сопротивление, омический контакт, p–n-переход, полупроводник.
На сегодняшний день светодиоды и светодиод- грева достигается за счет подачи номинального или
ные осветительные приборы, обладающие наиболь- повышенного прямого тока. Отсутствие нагрева дос-
шим энергосбережением, приобретают все большую тигается за счет импульса прямого тока заданной ам-
популярность во всех областях жизнедеятельности плитуды длительностью в 1 мкс при скважности 100.
человека, где необходимо использование систем Для постоянного и импульсного тока снимается
подсветки и освещения. Наибольшее развитие полу- зависимость контролируемого параметра, например
чили системы освещения больших объектов и пло- пиковой длины волны излучения и ширины спектра
щадей, таких как здания, памятники, улицы, а также излучения по уровню 0,5, от температуры корпуса,
жилых, производственных и складских помещений. после чего сравниваются температуры корпуса на
При разработке систем светодиодного освеще- двух графиках при одинаковом термозависимом па-
ния высокой интенсивности разработчикам всегда раметре. Температура корпуса выбирается из расче-
необходимо учитывать интенсивное выделение теп- та отсутствия теплого пробоя светодиодного кри-
ла, поскольку генерация большой интенсивности сталла. На рис. 1 представлен графический способ
излучения неразрывно связана с выделением джо- определения разности температур по полученным
улева тепла, которое способно привести к перегреву температурным зависимостям.
всей системы. Для ослабления негативного эффекта
Зависимость контролируемого параметра от температуры
от выделения тепла используют системы отвода и 643
рассеивания тепла в окружающую среду. Для харак-

теристики эффективности отвода и рассеивания теп- 641
ла используется такой параметр, как тепловое со-

639
противление. На величину теплового сопротивле-
Контролируемый параметр
ния, как и в случае с классическим электрическим 637
сопротивлением, оказывают влияние все состав- Постоянный ток

ляющие на пути тепла от источника (кристалла) к 635
Импульсный ток
теплорассеивателю (радиатору). Одним из элемен-
633
тов на пути распространения тепла во всей светоди-
одной конструкции является место приклейки све- 631
тодиодного кристалла к герметизирующему корпусу

или металлизации теплопроводной подложки, на 629
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90
которой расположен слой металлизации с целью
Температура, С
подведения электрического потенциала к светодиод- Рис. 1. Графическое изображение определения величины
ному кристаллу. перегрева
Цель работы
Определить эффективность использования слоя Тепловое сопротивление Rt при постоянной
металлизации больших размеров (в несколько раз температуре корпуса определяется по формуле (1):
больше размеров светодиодного кристалла) путем T2  T1
определения теплового сопротивления p–n-переход – Rt  , (1)
окружающая среда на основании метода, в основу I пр U пр
которого положено изменение спектра излучения где Т2 и Т1 – температуры, определяемые по графи-
полупроводникового кристалла при изменении его кам при неизменном значении контролируемого па-
температуры. раметра; Iпр и Uпр – прямой ток и напряжение, опре-
Методика проведения измерений деляемые при постоянном токе.
Суть используемой методики состоит в сравне- В случае когда зависимость теплозависимого па-
нии спектров излучения одного образца при условии раметра от температуры имеет линейный характер,
наличия значительного нагрева кристалла и при определение величины перегрева упрощается при
практически полном отсутствии в условии постоян- использовании аппроксимации линейной зависимо-
ства температуры на одной из частей исследуемого стью с использованием метода наименьших квадра-
образца (корпус или основание платы). Условие на- тов. В таком случае величина перегрева ∆Т будет
определяться по формуле (2), а величина теплового Описание используемого оборудования
сопротивления – по формуле (3). Для проведения измерений использовался фо-
(k  k ) T  b  b тометрический шар производства компании
T  T1  T2  1 2 1 1 2 , (2)
k2 Instrument Systems диаметром 50 см, на радиусе ко-
где k1, k2 – коэффициенты наклонов линейных зави- торого располагался измеряемый образец. Излуче-
симостей; b1, b2 – свободные коэффициенты в ли- ние из фотометрического шара через оптоволокон-
нейных зависимостях; Т1 – температура, от которой ный проводник передавался на спектрометр, сопря-
ведется отсчет перегрева. женный с персональным компьютером, на котором
(k1  k2 ) T1  b1  b2 происходит обработка информации, поступаемой со
Rt  (3) спектрометра, и учитывающий изменение в спектре,
k2  I пр U пр . привносимом внесением в шар измеряемого образца
Описание исследуемых образцов и измерительной оснастки. Погрешность определе-
Измерения поводились на кристаллах ES- ния длины волны излучения спектрометром состав-
SMHRPX42 красного свечения производства компа- ляла 0,3 нм. В качестве источника тока использовал-
нии Epistar, которые приклеивались на контактные ся блок питания Keithley 2601B с погрешностью
площадки разного размера, расположенные на алю- задания тока не более 1 мА, погрешностью измере-
миниевой плате толщиной 1,5 мм и имеющей ди- ния напряжения не более 2 мВ и тока не более
электрический слой толщиной 100 мкм для электри- 2 мА. Для установления и стабилизации температу-
ческой изоляции кристаллов друг от друга. После ры использовалась металлическая пластина с распо-
посадки кристаллы разваривались золотой проволо- ложенной на ней термопарой и сопряженной с кон-
кой диаметром 40 мкм к общему анодному выводу. троллером поддержания температуры с погрешно-
На рис. 2 представлен внешний вид испытываемой стью не более 0,9 С. При измерении спектра излу-
платы с приклеенными и разваренными на ней кри- чения светодиода в импульсном режиме (без разо-
сталлами. Для удобства подключения кристаллов к грева p–n-перехода) собрана схема, представленная
источнику постоянного тока дополнительно были на рис. 3. Значение амплитуды импульсного тока на
припаяны провода. В табл. 1 приведена информация диоде определялось по данным, отображаемым на
о форме и размерах площадок, на которых размеща- осциллографе.
лись кристаллы. Источник
выходной Осцил-
амплитуды лограф
Генератор
Модулятор
импульсов
R=33,3 Ом
Питание
модулятора
Рис. 3. Блок-схема включения светодиода
в импульсном режиме
Результаты измерений и обработки

полученных данных
В результате проведения измерений были полу-
чены зависимости изменения спектральных пара-
метров (пиковая длина волны излучения и ширина
спектра по уровню 0,5) от температуры корпуса. На
основании полученных данных были определены
уравнения прямых, по которым определялась вели-
Рис. 2. Многокристальная плата чина перегрева и теплового сопротивления при раз-
с кристаллами красного свечения личной температуре корпуса.
Таблица 1
Информация о формах и размерах Таблица 2
контактных площадок Результаты определения перегрева и теплового
№ площадки Форма площадки Площадь, мм2 сопротивления по пиковой длине волны
1 Круглая 67,93 Номер Форма Площадь металли- R t,
2 Круглая 7,67 кристалла металлизации зации, мм2 К/Вт
3 Круглая 2,92 1 Круглая 67,93 10,9
4 Квадратная 2,42 2 Круглая 7,67 12,1
6 Круглая 21,24 4 Квадратная 2,42 25,2
8 Квадратная 1,47 8 Квадратная 1,47 17,3
Таблица 3 использовании в качестве термозависимых спек-
Результаты определения перегрева и теплового сопро- тральных параметров соответственно пиковой длине
тивления по ширине спектра волны и ширины спектра излучения по уровню 0,5.
Номер Форма Площадь R t, Анализ полученных результатов
кристалла металлизации металлизации, мм2 К/Вт
На основании полученных результатов можно
1 Круглая 67,93 11,2
сделать вывод, что использование в качестве тепло-
2 Круглая 7,67 12,2
3 Круглая 2,92 14,1 зависимого параметра таких спектральных парамет-
4 Квадратная 2,42 25,3 ров, как пиковая длина волны и ширина спектра из-
7 Круглая 4,36 11,3 лучения по уровню 0,5 приводит к получению дос-
8 Квадратная 1,47 18,2 таточно близких результатов. Кроме того с увеличе-
нием диаметра металлизации круглой форму вели-
чина теплового сопротивления уменьшается, однако
В табл. 2 и 3 приведены результаты определе- у образца №7 было обнаружено широкое растекание
ния теплового сопротивления p–n-переход – окру- токопроводящего клея между кристаллом и метал-
жающая среда (термопара на термозадающей пла- лизацией, что привело к улучшению теплоотвода и
стине), определенные при температуре 25 С и при уменьшению величины теплового сопротивления.
УДК 628.931
А.Ю. Олисовец, С.П. Шкарупо, В.И. Туев
Расчёт формы напряжения на нагрузке в устройстве питания

с пассивным корректором коэффициента мощности
Предложена математическая модель, позволяющая описать и оценить форму напряжения на нагрузке в устрой-
стве питания с пассивным корректором коэффициента мощности, использующемся в светодиодных источниках
света. Экспериментальными исследованиями подтверждена достоверность результатов, полученных расчетным
путём.
Ключевые слова: светоизлучающий диод, источник света, нагрузка, корректор коэффициента мощности, фор-
ма напряжения, эквивалентная схема.
Светодиодные источники света в настоящее Пассивные ККМ, как правило [1–5], строятся в
время применяются повсеместно. Имея значитель- соответствии с типовой схемой, приведенной на
ное преимущество перед другими источниками све- рис. 2.
та [1], они из года в год все больше вытесняют их с
рынка искусственного освещения.
Известно [1, 2], что светодиоды питаются по-
стоянным током, в связи с чем в конструкции источ-
ника света предусмотрен выпрямитель и стабилиза-
тор, обеспечивающий неизменность значения тока,
протекающего через светодиоды, которые на схеме
электрической структурной (рис. 1) обозначены как
«Нагрузка». Рис. 2. Типовая схема выпрямителя с пассивным ККМ
Устройство содержит двухполупериодный вы-

прямитель на диодах VD1–VD4, два сглаживающих
Рис. 1. Схема электрическая структурная источника конденсатора С1 и C2 и диоды VD5–VD7. Rн – эквива-
питания светодиодного источника света лентное сопротивление нагрузки выпрямителя с ККМ.
На диоды VD1–VD4 подается переменное входное
В конструкции источника питания светодиодно- напряжение
го источника света, как правило, используется вы- Uвх = Um ·sin(ωt), (1)
прямитель с корректором коэффициента мощности где Um – амплитудное значение входного напряже-
(ККМ). ния; ω = 2π f – круговая частота питающей сети.
Пассивные корректоры коэффициента мощно- Для последующего расчета принято амплитуд-
сти достаточно хорошо изучены [1–5], однако во- ное значение напряжения Um, равное 12 В, значение
просы расчета формы напряжения на нагрузке вы- частоты питающего напряжения f = 50 Гц. Конден-
прямителя с ККМ решены неокончательно. саторы C1 и C2 имеют одинаковые значения емкости,
В данной работе решается задача построения равные 47 мкФ. Значение сопротивления нагрузки
формы напряжения на нагрузке выпрямителя с ККМ. Rн равно 350 Ом.
Для последующего анализа формы напряжения UCпосл св(t) = A1e–t/τ1, (6)
на элементах цепи применен метод кусочно- где A1 – постоянная интегрирования.
линейной аппроксимации вольт-амперных характе- Подставляя (5) и (6) в (4), получим формулу для
ристик диодов VD1–VD7 [3] с учетом следующих расчета переходного напряжения на конденсаторе:
ограничений и допущений: Um1 
1. Внутренние сопротивления диодов приняты UCпосл(t) = sin(t 1 2  ) + A1e–t/τ1. (7)
1 ( )2 2
одинаковыми и равными r = 50 Ом. 1
2. Контактная разность потенциалов диодов Полагая, что перед началом переходного про-
принята равной нулю. цесса U(t1–) = U(t1), значение постоянной интегриро-
3. Внутреннее сопротивление питающей сети вания определим по формуле
(источник напряжения Uвх) принято равным нулю. U m1 
A1 = U(t1) –  sin(t1  1  2  ) . (8)
Процессы, протекающие в цепи (cм. рис. 2) за 2 2
1  ( ) 1
период T = 1/f питающего напряжения, описывают-
ся тремя временными интервалами. Напряжение на конденсаторе Cпосл на первом
На первом интервале от t1 до t2 конденсаторы С1 интервале можно записать в виде
и C2 включены последовательно через диод VD6 и Um 
UCпосл(t) =  sin(t  1  2  ) +
заряжаются каждый до половины мгновенного зна- 1  (1 ) 2 2
чения входного напряжения. Нагрузка Rн находится 
под действием входного переменного напряжения. Um  
U (t1 )   sin(t1  1  2  )  et / 1 . (9)
Эквивалентная схема цепи, поясняющая процессы в  1 (1 )2 2 
выпрямителе с пассивным ККМ для первого интер-  
вала, приведена на рис. 3. Эквивалентная емкость На втором интервале от t2 до t3 (рис. 3) открыты
Cпосл, последовательно включенные конденсаторы С1 диоды VD5 и VD7 и закрыт диод VD6. В этот проме-
и C2 определяется соотношением жуток времени конденсаторы С1 и C2 включены па-
C1C2 раллельно и вместе с Rн находятся под напряжением
Cпосл = . (2) Uвх(t) [5]. Момент времени t2 соответствует макси-
C1  C2 мальному значению мгновенного напряжения на
нагрузке.
Эквивалентная схема цепи, поясняющая про-
цессы в выпрямителе с пассивным ККМ для второго
интервала, приведена на рис. 4.
Рис. 3. Эквивалентная схема цепи для первого

интервала от t1 до t2
Мгновенное значение напряжения на нагрузке
Uн(t) определяется мгновенным значением входного
напряжения [3] Рис. 4. Эквивалентная схема цепи для второго
интервала от t2 до t3
Uн(t) = Um1··sin(ωt + φ1). (3)
В момент времени, непосредственно предшест-
В момент времени, непосредственно предшест-
вующий t2, конденсаторы C1 и C2 имеют остаточный
вующий t1, конденсаторы C1 и C2 имеют остаточный
заряд, поэтому изменение напряжения на них опре-
заряд, поэтому изменение напряжения на них на
деляется классическим методом анализа переходных
первом интервале определяется классическим мето-
процессов в виде суммы установившейся UCпар у и
дом анализа переходных процессов [3] в виде суммы
установившейся UCпосл у и свободной UCпосл св со- свободной UCпар св составляющих:
ставляющих: UCпар(t) = UCпар у(t) + UCпар св(t). (10)
UCпосл(t) = UCпосл у(t) + UCпосл св(t). (4) Установившееся напряжение на конденсаторе
Установившееся напряжение на конденсаторе равно

равно UCпар у(t) = Um2·(XCпар/z)· sin(t  3  4  ) , (11)
1  2
UCпосл(t) = Um1·  sin(t  1  2  ) , (5)
2 где Z  (r 2  X Cпар )2 – модуль полного сопротив-
1  ( ) 2
1
где φ2 = –arctg(ωτ) – угол сдвига фаз между устано- ления цепи; XCпар = 1/ωCпар – емкостное сопротивле-
вившимся током в цепи и приложенным синусои- ние; φ4 = –arctg(2 XCпар/r) – угол сдвига фаз между
дальным напряжением; τ1 = r·Cпосл – постоянная установившимся током в цепи и приложенным си-
времени на первом интервале времени. нусоидальным напряжением.
Свободная составляющая напряжения на кон- Свободная составляющая напряжения на кон-
денсаторе определяется по формуле денсаторе Cпар
UCпар св(t) = A2e–t/τ2, (12) на рис. 5: первый (от t1 до t2), второй (от t2 до t3) и
где А2 – постоянная интегрирования; τ2 = rCпар/2 – третий (от t3 до t1+T/2).
постоянная времени на втором интервале времени. Для экспериментальной проверки полученных
Подставляя (11) и (12) в (10), получим формулу расчетных результатов разработан и изготовлен ма-
для расчета переходного напряжения на конденсаторе: кетный образец выпрямителя с пассивным ККМ
U m2  согласно электрической схеме, изображенной на
UCпар(t) =  sin(t  3  4  ) + A2e–t/τ2. (13) рис. 2. Использовались диоды VD1–VD7 типа 4004,
Z Cпар 2
конденсаторы С1 и С2 марки К50-15 47 мкФ, 50 В.
Полагая, что перед началом переходного про- Измерения формы напряжения осуществлялись
цесса U(t2–) = U(t2), значение постоянной интегриро- с помощью осциллографа Teledyne Lecroy Wave-
вания определим по формуле Ace 2032, имеющего относительную погрешность
U m2 
A2 = U(t2) –  sin(t2  3  4  ) . (14) 4%. Данные результаты изображены на рис. 6.
Z Cпар 2
Напряжение на конденсаторе Cпар на втором ин-
тервале можно записать в виде
U m2 
UCпар(t) =  sin(t  3  4  ) +
Z Cпар 2
 U m2  
U (t2 )   sin(t2  3  4  )  et / 2 . (15)
 Z C 2 
 пар
На третьем интервале от t3 до t1+T/2 конденса-
торы C1 и C2 включены параллельно и разряжаются
через нагрузку. Напряжение на нагрузке экспонен- Рис. 6. Измеренная форма напряжения на нагрузке
циально уменьшается относительно начального зна-
чения в момент времени t3. Как видно из рис. 6, расчетная форма напряже-
Uн(t) = UCпар(t3) e–t/τ3, (16) ния на нагрузке совпадает с формой, полученной
τ3 = Cпар(Rн + r/2). экспериментальным методом (см. рис. 5). Расхожде-
Для построения временной зависимости на- ния форм напряжения обусловлены ограничениями
пряжений и токов на третьем интервале необходимо и допущениями проведенного анализа.
найти численные значения t1 и t3. Таким образом, в данной работе представлена
Численное значение t3 определяется [3] математическая модель, позволяющая описать и
t3 = – arctg(ωCпар Rн)/ ω. (17) оценить форму напряжения на нагрузке в пассивном
Момент времени t1 находится при решении корректоре коэффициента мощности, использую-
трансцендентного уравнения [3] щемся в светодиодных источниках света.
 /2  t1  t2
 Полученные результаты далее будут использо-
Rн Cпар
U m2  sin(t1 )  U m2  sin(t2 )  e . (18) ваны для анализа спектра потребляемого тока и ана-
Зная численные значения моментов времени t1, лиза электромагнитной совместимости светодиод-
t2 и t3, имеется возможность построить форму на- ных источников света с питающей сетью.
пряжения на нагрузке (рис. 5). Работа поддержана Минобрнауки РФ в рамках
проекта RFMEFI57717X0266.
1. Твердов И. Пассивные корректоры коэффициента
мощности для однофазных и трехфазных модулей питания //
Силовая электроника. – 2009. – № 4. – С. 8–11.
2. Григорьев В. Коррекция коэффициента мощности
во вторичных источниках электропитания / В. Григорьев,
Е. Дуплякин // Электронные компоненты. – 2000. – № 2. –
С. 66–68.
3. Демирчян К.С., Нейман Л.Р. Теоретические осно-
вы электротехники. – СПб.: Питер, 2003. – 4-е изд. –
Т. 2. – 407 с.
Рис. 5. Форма напряжения на нагрузке 4. Махлин А. Особенности проектирования блока
питания для светодиодных ламп // Полупроводниковая
светотехника. – 2011. – № 1. – С. 30–33.
Привязка границ интервалов к форме напряже-
5. Китаев В.Е. Расчёт источников электропитания
ния на нагрузке в установившемся режиме функ- устройств связи: учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и
ционирования выпрямителя с ККМ, иллюстрируется связь, 1993. – 232 с.
УДК 635.012
А.А. Мороз, П.В. Тимошенко, Е.Г. Незнамова
Исследование влияния химического и физического составов

различных почв на тепличные растения.
Светодиодная досветка саженцев
Приводятся результаты эксперимента по выращиванию перца болгарского в условиях закрытого грунта. Рас-
смотрены влияние факторов состава почвенного грунта, спектра освещенности на рост и развитие рассады бол-
гарского перца. Сделаны выводы, касающиеся оптимальных из тестируемых условий для выращивания рассады
этой овощной культуры.
Ключевые слова: перец болгарский, влияние состава почвы, светодиодная подсветка саженцев.
Растениеводство является важной отраслью зец №4 наиболее богат органическим компонентом

сельского хозяйства. Поддержание и увеличение гумусового состава и макроэлементами, необходи-
продуктивности современных агрокомплексов в со- мыми для роста и развития растений: азотом, калием,
временном мире обеспечивается как на основе тра- фосфором, кальцием, магнием. Высокие концентра-
диционных технологий, так и путем поиска и при- ции этих компонентов должны обеспечивать хоро-
менения новых эффективных методов выращивания ший рост рассады на начальных стадиях ее развития.
растений. Норма потребления света для рассады сладкого
Перец болгарский является распространенной перца 5000–6000 лк. В условиях естественного ос-
овощной культурой в России. Плоды содержат вещения мы можем рассчитывать максимум на
большое количество полезных элементов, включая 2000–3000 лк. При этом присутствует риск ожога
витамины E, PP, C, необходимые для нормальной всходов прямыми солнечными лучами в ясные дни.
жизнедеятельности человека. В эксперименте инсоляция растений обеспечивалась
Сегодня можно найти огромное количество ме- искусственной подсветкой.
тодик по выращиванию перцев различными спосо- Для эксперимента были использованы светоди-
бами, направленных на увеличение времени пло- одные установки производства компании ООО
доношения, повышение качества продукции и уров- «ТЕХЭНЕРГО» (г. Томск). Данные светодиодные
ня урожайности. лампы характеризуются повышенным индексом
В сельскохозяйственном производстве урожай- цветопередачи, который показывает, насколько есте-
ность овощных культур обусловлена плодородием ственно передается цвет предмета в свете того или
почв. Также немалую роль играет такой абиотиче- иного источника света.
ский фактор, как освещенность растений. Осветительные установки, применяемые в экс-
Объектом исследования стали растения перца перименте, характеризовались следующими спек-
болгарского «Фараон F1». тральными характеристиками:
Целью работы является создание оптимальных – длина волны 580 нм, цветность приближалась
условий для выращивания рассады перцев в услови- к более «нейтральному» белому свету, цветовая тем-
ях закрытого грунта с использованием подсветки пература составляла 4236 К, освещённость – 5088 лк.
светодиодными источниками света. Далее в эксперименте – лампа №1:
Для решения поставленной цели необходимо – длина волны 510 нм, освещенность 3080 лк.
было решить следующие задачи: Далее в эксперименте – лампа №2:
1) обзор методик выращивания рассады перцев; – длина волны 510 нм, освещённость 3080 лк.
2) проведение комплексной агрохимической – светодиодная лампа белого света с длиной
оценки почвы, используемой в опытах; волны 585 нм. Освещённость 6220 лк. Цветовая
3) мониторинг роста и развития саженцев перца температура составляла 2942 К, и цветность этой
при использовании различных субстратов для про- установки относилась к более «теплому» белому
израстания и осветительных установок, отличаю- свету.
щихся спектральным составом. Далее в эксперименте – лампа №3:
Почва имеет первостепенное значение для пол- – длина волны 500 нм, освещённость 4306 лк,
ноценного роста растений, вторым по значимости цветовая температура 2924 К.
является фактор освещенности. Поэтому важно про- Далее в эксперименте – лампа №4.
вести анализ данных факторов. Для эксперимента Под каждым осветительным прибором были
было взято четыре образца почв: 1 – прибрежный установлены ёмкости с высеянными в различных
субстрат из поймы р. Томь; 2 – тепличная земля: 3 – субстратах семенами. Высота от грунта до светоиз-
огородная земля (эти образцы были взяты на при- лучающих установок во всех случаях составляла
усадебном участке Томского района); образец 4 был 24 см. Светоизлучающие установки и растения под
закуплен в магазине – пакетированный грунт «Terra ними были изолированы друг от друга непроницае-
Vita». По результатам анализа выяснилось, что обра- мой для света темной тканью.
Подсветка искусственным освещением произ- Литература
водилась круглосуточно на протяжении всего перио- 1. Кузина Е. Почва: агрохимическая оценка [Элек-
да эксперимента. тронный ресурс]. – Режим доступа: http://pandia.ru/text/
На данный момент существует множество ме- 78/048/17154.php, свободный (дата обращения: 7.06.17).
тодов выращивания перцев. Наиболее подробно мы 2. Технология возделывания сладкого овощного пер-
ознакомились с обычным методом и московским – ца рассадным способом в открытом грунте [Электронный
безземельным методом. Выявив достоинства и не- ресурс]. – Режим доступа: http://pandia.ru/text/78/154/534.php,
достатки каждого из них, а также проанализировав свободный (дата обращения: 1.06.17).
полученные данные эксперимента, можно сделать 3. Перец: требование к условиям окружающей среды
вывод о том, что наиболее благоприятной средой [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://agroma-
nia.ru/enc/Перец._Требования_к_условиям_окружающей_
для полноценного роста перца является богатая ми- среды, свободный (дата обращения: 1.06.17).
неральными веществами почва, а посаженные 4. Перец [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
обычным методом саженцы более устойчивы к http://www.universalinternetlibrary.ru/book/20228/ogl.shtml,
внешним факторам. свободный (дата обращения: 2.06.17).
В результате эксперимента выяснилось, что 5. Тонкости выращивания рассады перцев [Элек-
наиболее благоприятным субстратом для выращива- тронный ресурс]. – Режим доступа: http://marremont.ru/v-
ния болгарских перцев на стадии рассады является sadu/tonkosti-vyrashchivaniya-rassady-pertsa, свободный
грунт «Terra Vita». Грунт создан на основе натураль- (дата обращения: 4.06.17).
ного биогумуса. Также в состав входят дополни- 6. Перец, баклажаны [Электронный ресурс]. – Режим
доступа: https://profilib.com/chtenie/95120/avtor-neizvesten-
тельные ингредиенты: очищенный речной песок, kulinariya-perets-baklazhany-6.php, свободный (дата обра-
высококачественный торф, агроперлит. щения: 4.06.17).
Таким образом, использование осветительных 7. Московский метод выращивания рассады [Элек-
установок Ra позволило ускорить рост саженцев тронный ресурс]. – Режим доступа:
перца «Фараон F1». Освещение рассады светодиод- http://sadyrad.ru/perec/sposob-vyrashhivanija-rassady-
ной лампой №1 с длиной волны 580 нм и цветовой percev.html, свободный (дата обращения: 8.06.17).
температурой 4236 К оказалось наиболее благопри- 8. Светодиоды для растений, спектр светодиодных
ятным для развития растений. Выращенные под дан- ламп [Электронный ресурс]. – Режим доступа:
ной лампой перцы превзошли остальные группы по http://fb.ru/article/239514/svetodiodyi-dlya-rasteniy-spektr-
svetodiodnyih-lamp, свободный (дата обращения: 10.06.17).
высоте стебля, размаху и количеству листьев на рас-
тении.
УДК 621.396.41
В.Н. Давыдов, О.А. Каранкевич
Симметрия и антисимметрия физических свойств кристаллов

в полярно-аксиальных явлениях
Изложен подход к определению природы тензора второго ранга, описывающего линейную связь между внеш-
ним воздействием (причиной) на кристалл и вызываемым следствием. Показано, что в дополнение принципу
Онзагера полярная природа тензора имеет место, когда воздействие и следствие на кристалл являются аксиаль-
ными. Получены аналитические выражения наблюдения физических свойств кристалла как полярной, так и ак-
сиальной природы при различных рангах и различной природе причины и следствия. Продемонстрировано их
применение как для описания уже известных свойств кристаллов и предсказания новых свойств второго и
третьего рангов, так и для установления условий их наблюдения.
Сделан вывод, что расширение принципа Онзагера не только увеличивает число охватываемых им явлений, но
и предсказывает новые свойства полярной или аксиальной природы, если воздействие на кристалл неоднородно
по его объему.
Ключевые слова: тензор физического свойства, принцип Онзагера, аксиальный тензор, полярный тензор.
Для выявления физических свойств полярного ческих явлениях, имеющих место в электронном
типа в кристаллофизике применяют классический приборостроении, принцип определения природы
принцип Онзагера, который предсказывает природу физического свойства не сформулирован.
физического свойства второго ранга в зависимости Целью данной работы является распростране-
от природы и ранга внешнего воздействия, а также ние принципа определения природы физического
природы и ранга вызываемого им следствия [1, 2]. свойства как для аксиальных воздействий и следст-
Для физических свойств аксиального типа, а также вий, так и для полярно-аксиальных процессов и яв-
сочетания полярных и аксиальных свойств в физи- лений в кристаллофизике.
Исходные положения     
Рассмотрим общие условия, приводящие к тен- j  Ta(1)  Sc  T p(1)  grad Sc . (5)
зорам второго ранга. Предполагается, что на кри-  
 
сталл, ориентированный согласно стандартной ус- Первое слагаемое в правой части выражения (5)
тановке его кристаллофизической системы коорди- образовано аксиальным тензором первого ранга
нат, действует внешнее воздействие, вызывающее
процесс, который регистрируется наблюдателем.    
Rot T p(1)   Ta(1) , воздействующим на скаляр. Оно
Ввиду малости воздействия в линейном уравнении,  
описывающем связь причины и следствия и пред-  
ставляющем собой в общем случае тензорное урав- описывает физическое свойство кристалла, обнару-
нение живаемое при скалярном воздействии и регистрации
 аксиального векторного следствия. Второе слагае-
S  T W , (1) мое по своей структуре указывает на наличие еще
ранг RT вводимого тензора, который описывает ис- одного физического свойства кристалла, в котором в
следуемое физическое свойство по (1), равен сумме качестве воздействия выступает градиент скалярной
рангов тензоров, описывающих воздействие rW и величины. Таким образом, применение операции
«rot» к выражению вида (4) позволяет получить его
следствие rS [2]:
«аксиальный образ» и тем самым не только расши-
RT  rS  rW . (2) рить круг рассматриваемых свойств кристалла, но и
Решение вопроса, какова природа вводимого математически предсказать его новое свойство.
тензора, значительно сложнее. Начнем его с того, Перейдем к распространению принципа Онза-
что в общем случае тензор может быть представлен гера на случаи, когда на кристалл оказывается акси-
в виде суммы симметричной и антисимметричной альное воздействие и регистрируется аксиальное
частей. Для тензоров второго ранга физическую следствие. Для этого применим операцию «rot» к
природу описываемого ими свойства кристалла выражению (3). После взятия «rot» от скалярного
можно определить с помощью принципа Онзагера, произведения тензора второго ранга на полярный
который утверждает, что если полярные силы X вектор выразить результат не представляется воз-
вызывают полярные потоки j и между ними уста- можным. Поэтому рассмотрим случай, когда тензор
новлена линейная связь представлен набором чисел. Введем его собствен-
 ную систему координат, в которой тензор будет диа-
j T X , (3) гональным. Тогда
то тензор, описывающий эту связь, является сим-    
метричным тензором.   

rot j  Rot T p(2)  X   Trp(2)  rot V .
Из формулировки принципа Онзагера следует,  
что его применение ограничено процессами с по- В символьной форме выражение примет вид
лярными тензорами. В реальной ситуации эти огра-  
ничения сужают область применения принципа оп- j  Ta(2)  X . (6)
ределения природы свойства. Более того, воздейст- Возможен также эффект, обратный описывае-
вие, измеряемое следствие и физическое свойство мому выражением (6).
могут иметь разную природу и разные ранги. В та- Таким образом, принцип Онзагера в примене-
ких ситуациях ответ на вопрос о природе физиче- нии к тензорам второго ранга может быть дополнен
ского свойства принцип Онзагера не дает. следующими двумя утверждениями:
Физическая природа тензора 1. Если внешнее воздействие на кристалл и вы-
Применительно к полярным тензорам с рангом зываемое им следствие описываются аксиальными
RT  1 , связывающим скалярное воздействие Sс и тензорами первого ранга (аксиальными векторами) и
его следствие в виде полярного вектора j , в сим- между ними существует линейная связь, то коэффи-
циенты этой связи образуют полярный тензор второ-
вольной форме (3) примет вид [2] го ранга.
 
j  T  Sc  T p(1)  Sc. (4) 2. Если внешнее воздействие на кристалл и вы-
зываемое им следствие являются тензорами первого
Чтобы распространить его на аксиальные век- ранга разной природы, то коэффициенты линейной
торы и аксиальные тензоры, воспользуемся тем, что связи между ними образуют аксиальный тензор вто-
применение дифференциальной операции «rot» к рого ранга. Примеры таких ситуаций приведены в
тензору не меняет его ранг, но меняет его природу: обсуждении.
полярный тензор становится аксиальным, а аксиаль- Еще один вариант с вариацией природы и ран-
ный полярным. Тогда получим [6] гов тензоров получим, используя выражение (5):
            

rot j  rot T p  Sc  R ot T p  Sc  T p(1)  grad Sc.


(1) 



(1) 


 
Grad  j   Grad Ta(1)   Sc .
 
(7)
         
В символьной форме оно примет вид [2] В символьной форме выражение (8) будет
    
A  Ta(2)  Sc . (8) 3.1.1. Sc  T p(2)  P; 3.1.2. Sc  Ta(2)  A;
Следовательно, возможно еще одно дополнение     
к принципу Онзагера. 3.2.1. Sc  Ta(2)  P; 3.2.2. Sc  T p(2)  A.
3. Если на кристалл оказывается скалярное воз- (12)
действие, а регистрируется аксиальное следствие в
виде компонент тензора второго ранга, то связь при- Варианты возможных физических
чины и следствие образуют аксиальный тензор вто- свойств второго ранга в кристаллах
рого ранга. Ввиду линейности (8) существует также Ранги rW Природа тен-
обратный эффект. Причина W Следствие S
и rS зора ранга 2
Ранги воздействия и следствия
Рассмотрим, насколько принципиальным явля- 1.1.1. Поляр- Полярная –
1.1. ный тензор 
ется сформулированное Онзагером ограничение на Скаляр ранга 2 – T p(2)
ранги.
1. Понизить ранги тензоров в соотношении (3) 1.1.2. Акси- Аксиальная –
альный тензор 
можно, применив к нему дифференциальную опера- 1. rW = 0, Ta(2)
ранга 2
цию над тензорами «Div»:
rS = 2 1.2. 1.2.1. Поляр- Аксиальная –
         Псевдо- ный тензор 
(2) 
 (2)  
div j  Div Tp  X  Div Tp  X  Tp(2) Grad X  . (9) скаляр ранга 2 Ta(2)
     
      1.2.2. Акси- Полярная –
В данном выражении фигурирует транспониро- альный тензор 
ванный тензор второго ранга, однако для симмет- ранга 2 – T p(2)
ричного тензора он совпадает с исходным тензором 2.1. Поляр- 2.1.1. Поляр- Полярная –
 
T . Запишем это выражение в виде ный вектор ный вектор
– T p(2)
      2. rW = 1,
Sc  div T p(2)   X  T p(2)  Grad X  . (10) 2.1.2. Акси- Аксиальная –
    rS = 1 альный вектор 
   
Ta(2)
Если воздействие однородно по кристаллу, то из
2.2. Акси- 2.2.1. Поляр- Аксиальная –
(10) получим выражение: 
альный век- ный вектор
   
тор Ta(2)
Sc  div T p(2)   X  T p(1)  X . (11) 2.2.2. Акси- Полярная –
 
  альный вектор 
Данный пример показывает, что выражения (10) T p(2)
и (11) можно рассматривать как распространение 3.1. Поляр- 3.1.1. Скаляр Полярная
принципа Онзагера на скаляры и полярные тензоры ный тензор 
первого ранга. ранга 2 – T p(2)
Все математические операции в выражениях 3. rW = 2, 3.1.2. Псевдо- Аксиальная –
(1), (4) и (6) применимы к тензорам любого ранга. скаляр 
rS = 0
Единственным ограничением на ранги рассматри- Ta(2)
ваемых тензоров является соотношение (2). Следо- 3.2. Аксиаль- 3.2.1. Скаляр Аксиальная –
вательно, соблюдая его, сформулированные выше ный тензор 
утверждения в рамках принципа Онзагера относи- ранга 2 Ta(2)
тельно природы тензора второго ранга путем варьи- 3.2.2. Псевдо- Полярная –
рования rW и rS можно описать, используя все воз- скаляр 
можные физические свойства второго ранга в кри- – T p(2)

сталлах, представленных в таблице. Для большей
наглядности результаты, собранные в таблице, мож- Тензоры высших рангов
но представить в виде тензорных уравнений: Описанная методика расширения применимо-
   сти принципа Онзагера к полярно-аксиальным явле-
1.1.1. P  T p(2)  Sc; 1.1.2. A  Ta(2)  Sc; ниям может быть распространена на тензоры выс-
 
ших рангов. Для этого к выражению (3), наряду с
  
операцией «Rot», следует применить операцию
1.2.1. P  Ta(2)  Sc; 1.2.2. A  T p(2)  Sc;
«Grad».
  
За основу вычислений берется выражение (3), к
2.1.1. V s  T p(2) V ; 2.1.2. VS  Ta(2) V ; которому применяем операцию «Grad»:
  
         
2.2.1. VS  Ta(2) V ; 2.2.2. VS  T p(2) V ; 
Grad j   Grad T p(2)   X   T p(2) div X  .
     
 
     
В стандартном виде оно имеет вид Составлены аналитические выражения для об-
       наружения и описания физических свойств кристал-


(3)
 
 
P  T p  X   T p(2)  div X  .

(13) ла как полярной, так и аксиальной природы при раз-
личных рангах и различной природе причины и
   
В случае однородного воздействия второе сла- следствия. Показано, как, пользуясь полученными
гаемое в (13) обращается в нуль. Тогда первое сла- соотношениями, можно описать новое физическое
гаемое в (13) структурно совпадает с математической свойство второго ранга и указать условия его на-
записью обратного пьезоэффекта [1, 2], в котором блюдения
  Сделан вывод, что расширение области приме-
полярный тензор третьего ранга Grad ( T p(2))= T p(3) нения принципа Онзагера не только увеличивает
число охватываемых им явлений, но и предсказыва-
описывает тензор пьезомодулей, а воздействием яв-
ет новые физические свойства кристаллов, описы-
ляется полярный вектор X – аналог электрического ваемые тензорами второго ранга полярной или акси-
поля в обратном пьезоэффекте. Следствием высту- альной природы.
пает симметричный тензор второго ранга, которым в Работа выполнена в рамках федеральной целе-
обратном пьезоэффекте является тензор упругой вой программы «Исследования и разработки по
деформации. приоритетным направлениям развития научно-
Заключение технологического комплекса России на 2014–
В работе предложен подход к определению 2020 годы», уникальный идентификатор работ (про-
природы тензора второго ранга, описывающего ли- екта) RFMEFI57717X0266.
нейную связь между тензорными по природе внеш-
ним воздействием (причиной) на кристалл и вызы- Литература
ваемым этим воздействием следствием. Установле- 1. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кри-
но, что в дополнение принципу Онзагера, устанав- сталлофизики. – М.: Наука, 1979. – 640 с.
ливающего полярную природу тензора физического 2. Давыдов В.Н. Основы кристаллографии и кри-
свойства при полярном воздействии и полярном сталлофизики. – Ч. 2: Физические свойства кристаллов. –
следствии, полярная природа тензора также имеет Саарбрюкен: Lambert Academic Press, 2015. – 122 с.
место, когда воздействие и следствие являются ак- 3. Богомолов П.А. Приемные устройства ИК-систем /
сиальными. под ред. В.И. Сидорова. – М.: Радио и связь, 1987. – 208 с.
Показано, что образованный линейной связью 4. Буш А.А. Пироэлектрический эффект и его приме-
причины и следствия тензор второго ранга, описы- нение: учеб. пособие. – М.: МИРЭА, 2005. – 212 с.
вающий физическое свойство кристалла, может 5. Новик В.К., Гаврилова Н.Д. Пироэлектрические
иметь место, когда причина и следствие имеют преобразователи. – М.: Сов. радио, 1979. – 223 с.
любые ранги от нулевого до второго, но так, чтобы 6. Краснов М.Л., Киселев А.И., Макаренко Г.И. Век-
сумма их рангов равнялась рангу описываемого фи- торный анализ. Избранные главы высшей математики для
инженеров и студентов. – М.: Наука ГИФМЛ, 1978. – 159 c.
зического свойства, т.е. двум.
СОДЕРЖАНИЕ
Секция 2
РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ
Сопредседатели секции – Шарыгин Герман Сергеевич, д.т.н., профессор каф. РТС,
Тисленко Владимир Ильич, д.т.н., профессор каф. РТС
Т. Абдирасул уулу, Е.В. Алексеев, Г.Г. Жук, Д.Е. Миненко, А.В. Убайчин
Практические аспекты реализации радиометрического приемника S-диапазона на основе
супергетеродинного метода приема.........................................................................................................................5
Е.В. Алексеев, Т. Абдирасул уулу, Д.Е. Миненко, А.В. Убайчин
Блок низкочастотной обработки сигналов микроволновой радиометрической системы ..................................8
Е.Д. Бычков
Метод регистрации и оценка состояния канала связи на основе концепций мягких вычислений..................11
А.В. Паращинец, А.Е. Ефремова, Е.В. Рогожников
Аппаратное обеспечение для построения самоорганизующейся беспроводной сенсорной сети ....................14
А.Е. Ефремова, А.В. Паращинец
Беспроводные сенсорные сети, структура и маршрутизация ..............................................................................16
Г.Г. Жук, Д.Е. Миненко, Т. Абдирасул уулу, А.В. Убайчин
Устройство управления микроволновой радиометрической системой .............................................................19
В.А. Кологривов
Энергетическая и спектральная эффективности способов
мультиплексирования разноскоростных сигнальных потоков в радиоканале..................................................22
А.С. Коряковцев, А.В. Помазанов
Нелинейная модель отечественного GaN-транзистора и проектирование
СВЧ-усилителя мощности диапазона 2,7–3,1 ГГц................................................................................................26
Р.С. Куликов, Д.В. Царегородцев
Модифицированный алгоритм адаптивного фильтра ..........................................................................................30
В.Н. Овсянникова, В.А. Кологривов
Модельное исследование многоканальной сверхширокополосной радиосвязи
на основе временного разделения каналов............................................................................................................32
Е.С. Паскаль
Экспериментальная оценка уровня сигнала спутниковых радионавигационных систем
при разных углах места космического аппарата...................................................................................................35
А.С. Половников
Адаптивный корректор нелинейных искажений на базе ряда Вольтерры
с переменными коэффициентами ...........................................................................................................................38
П.А. Полянских
Исследование возможностей приема сигнала спутника ГНСС в нескольких точках
поверхности Земли при большом пространственном разносе приемников. .....................................................41
Т.И. Сабитов, М.А. Степанов, А.В. Киселев
Модель распределенного радиолокационного объекта на основе коррелированных излучателей ................43
Б.А. Беляев, А.Н. Бабицкий, Н.М. Боев, А.А. Сушков
Проектирование малогабаритного нелинейного усилителя мощности портативного
приемопередатчика системы ближнепольной магнитной связи ........................................................................46
А.А. Токбаева, В.А. Кологривов
Исследование компромисса между модуляцией и кодированием ......................................................................50
Д.Б. Шмаков
Оценка обеспеченности населения Томской области сервисами мобильной связи
и беспроводного мобильного доступа в Интернет...............................................................................................53
Е.В. Шпарова, В.А. Кологривов
Модельное исследование многоканальной сверхширокополосной радиосвязи
на основе частотного разделения каналов.............................................................................................................56
Секции 3
НАНОЭЛЕКТРОНИКА СВЧ.
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ, АВТОМАТИЗАЦИЯ
ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ И СИСТЕМ
Сопредседатели секции – Бабак Леонид Иванович, д.т.н., профессор каф. КСУП;
Черкашин Михаил Владимирович, к.т.н., доцент каф. КСУП
Ю.Н. Бидненко, Д.А. Жабин, А.В. Помазанов, А.С. Коряковцев

Проектирование монолитного широкополосного малошумящего усилителя
диапазона 15–30 ГГц по SiGe-BiCMOS-технологии ............................................................................................60
Ю.Н. Бидненко
Широкополосный интегральный трансформатор Маршанда для двойного балансного
субгармонического смесителя на ячейке Гильберта, выполненного по SiGe-технологии ..............................63
М.В. Черкашин, А.А. Коколов
Усилитель промежуточной частоты на основе CMOS-технологии ....................................................................65
Д.А. Конкин
Моделирование оптических компонентов на основе 0,25 мкм SiGe-БиКМОП-технологии
с использованием метода конечных элементов ....................................................................................................67
А.В. Помазанов, А.С. Коряковцев
Проектирование полосового фильтра на основе 0,25 мкм SiGe-БиКМОП-технологии ..................................70
А.С. Сальников, А.Е. Горяинов, И.М. Добуш, А.А. Калентьев, Д.В. Гарайс
Численно-аналитические методики для быстрого построения моделей интегральных
GaAs- и Si-катушек индуктивности .......................................................................................................................72
Р.К. Собянин, А.А. Коколов
Разработка высокоэффективного СВЧ-усилителя мощности класса F-диапазона 5,5–5,8 ГГц .......................75
Н.А. Торхов, Л.И. Бабак
Компактная модель планарного диода с вискером ТГц-диапазона ....................................................................78
A.V. Ubaichin, T.A. Abdirasul, E.V. Alekseev, G.G. Zhuk, D.E. Minenko
Fluctuation sensitivity of microwave radiometers .....................................................................................................81
Д.А. Жабин, И.М. Добуш
Синтез топологии МИС малошумящего усилителя диапазона 36–40 ГГц
на основе GaAs-pHEMT-технологии......................................................................................................................84
Д.А. Жабин, Л.И. Бабак
Декомпозиционный синтез СВЧ-транзисторных усилителей
на основе сочетания визуальной процедуры и генетического алгоритма ..........................................................86
Секция 4
НАНОТЕХНОЛОГИИ В ЭЛЕКТРОНИКЕ.
Председатель секции – Троян Павел Ефимович, д.т.н., профессор,
проректор по учебной работе ТУСУР, зав. каф. ФЭ
Т.Ю. Сидорюк, Д.В. Билевич, А.А. Попов, A.C. Сальников

Моделирование корпуса СВЧ-транзистора ...........................................................................................................89
Л.Р. Битнер, Т.И. Данилина
Электрофизические свойства диэлектрических пленок при повышенных температурах ...............................92
А.А. Чистоедова, С.В. Смирнов
Фотоэлектрические свойства пленок ITO .............................................................................................................93
Т.И. Данилина, И.А. Чистоедова
Выбор толщины проводящих пленок для субмикронной металлизации ...........................................................95
Е.В. Ерофеев, И.В. Федин, И.В. Юнусов, В.В. Федина
Разработка мощных GaN-транзисторов с субмикронным затвором на основе плёнок нитрида титана..........97
В.В. Федина, Е.В. Ерофеев, И.В. Федин
Моделирование нормально закрытых силовых GaN-HEMT в среде Silvaco TCAD ...................................... 100
Е.И. Ипатова, В.В. Каранский, И.А. Рогачёв
Формирование вжигаемых омических контактов к AlGaN/GaN HEMT ......................................................... 103
В.В. Каранский, Е.О. Ипатова
Влияние электронной обработки на электропроводность приповерхностных слоев
марганец-цинковых ферритов .............................................................................................................................. 105
О.Н. Минин, Д.И. Засухин, Е.А. Викторова
Формирование отражающего контакта Ni/Ag к p-области светодиодных кристаллов на основе GaN ........107
А.А. Попов, Д.В. Билевич, Т.Ю. Сидорюк, И.В. Кулинич, А.С. Сальников
Построение поведенческих моделей процесса проявления фоторезистивной маски......................................110
Д.В. Билевич, А.А. Попов, Т.Ю. Сидорюк, А.С. Сальников
Экстракция параметров источника тока Ids в нелинейной модели ....................................................................113
Ю.В. Сахаров
Электрофизические свойства тонкопленочных оксидных диэлектриков, модифицированных углеродом.115
П.Е. Сим, Н.Е. Курбанова, О.И. Демченко, Л.Э. Великовский
Влияние конструкции полевого электрода на распределение электрического поля в СВЧ-GaN-HEMT......119
Секция 5
АНТЕННЫ И МИКРОВОЛНОВЫЕ УСТРОЙСТВА
Сопредседатели секции – Гошин Геннадий Георгиевич, д.ф.-м.н., профессор каф. СВЧиКР;
Сычев Александр Николаевич, д.т.н., профессор каф. КСУП
С.А. Завадский, О.А. Юрцев

Широкополосная кольцевая антенная решетка биконусных антенн для радиопеленгатора.........................123
А.И. Кравченко, Г.Г. Гошин
Сверхширокополосная согласованная нагрузка .................................................................................................127
Н.Б. Чернова, М.Ю. Маслов
Исследование основных показателей печатных фрактальных антенн в системах радиолокации
и радионавигации...................................................................................................................................................129
В.П. Кисмерешкин, А.В. Колесников, Н.А. Косточкина
К вопросу формирования однонаправленного излучения .................................................................................132
М.М. Абулкасымов, Т.Г. Черныш, А.С. Шостак
Контроль неоднородных сред в диапазоне УКВ и СВЧ.....................................................................................134
К.А. Джакыпов, М.М. Абулкасымов, А.С. Шостак
Исследование влияния однородной плоскослоистой структуры
на взаимный импеданс двух линейных вибраторных антенн............................................................................136
Экспериментальное исследование влияния отклонения измерительного зонда от нормали
к плоскости сканирования на характеристики направленности зеркальной антенны....................................139
Особенности измерения коэффициента эллиптичности на автоматизированном
измерительном комплексе дальней зоны в частотной области .........................................................................142
К.М. Красников, А.С. Шостак, М.М. Абулкасымов
Спектральный анализ сигналов, отраженных от среды с многослойной структурой .....................................145
Г.Г. Савенков, В.П. Разинкин
Широкополосная пленочная нагрузка в СВЧ-диапазоне ...................................................................................148
Секция 6
ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ
Сопредседатели секции – Лощилов Антон Геннадьевич, зав. каф. КУДР, начальник СКБ «Смена», к.т.н.,
Филатов Александр Владимирович, проф. каф. ТОР, д.т.н.
И.И. Александров, С.П. Караульных, В.М. Кобзев, А.Г. Лощилов

Коммутатор для тестирования безразъемных разветвителей
с трансформаторной связью по ГОСТ Р 52072–2003 .........................................................................................151
С.А. Артищев, А.Д. Другова, А.Г. Лощилов
Установка для измерения параметров механических ударных воздействий
в задаче диагностики изделий из бетона .............................................................................................................154
А.А. Томашевич, С.Г. Еханин, К.К. Слепцов, С.Л. Аржаков
Изменение картин туннельной электролюминесценции светодиодов
на основе нитрида галлия в зависимости от режимов и времени испытаний .................................................156
А.Б. Кумбасов, С.А. Артищев
Исследование свойств распределенных дефектов коаксиального тракта .......................................................159
М.А. Канина, П.С. Матросова, К.С. Суханова, М.Н. Романовский
Анализ влияния ритмической визуальной стимуляции
на пропускную способность человека-оператора............................................................................................... 161
Ю.А. Баранова, М.Н. Романовский
О ритмической стимуляции зрительного восприятия человека-оператора..................................................... 165
А.Ю. Дракин, А.Н. Школин
Разработка автоматизированных измерительных комплексов
для испытаний микросхем высокочастотных импульсных преобразователей напряжения........................... 168
А.А. Томашевич, С.Г. Еханин, С.Л. Аржаков, К.К. Слепцов
Исследование изменений обратных вольт-амперных характеристик светодиодов
на основе нитрида галлия в зависимости от режимов и времени испытаний ................................................. 172
Е.И. Тренкаль, А.Г. Лощилов
Макет измерительного зонда нового типа для измерения уровней многослойных сред............................... 175
М.П. Сухоруков, Д.С. Торгаева, В.В. Мамлина
Сравнительный анализ методов определения динамического уровня жидкости
в межтрубном пространстве нефтяной скважины .............................................................................................. 178
Секция 7
НЕЛИНЕЙНАЯ ОПТИКА
Председатель секции – Шандаров Станислав Михайлович, д.ф.-м.н., профессор, зав. каф. ЭП
А.Д. Безпалый, В.М. Шандаров

Исследование формирования оптически индуцированных канальных волноводов вдоль
«нефоторефрактивных» направлений кристалла ниобата лития....................................................................... 182
А.В. Литвяков, Е.С. Сим, С.М. Шандаров, М.Г. Кистенева, Н.И. Буримов
Динамика двухволнового взаимодействия на отражательных решетках в кристалле германата висмута ... 184
А.О. Семкин, И.А. Викулина, К.О. Гусаченко, Д.И. Дудник
Исследование условий волноводного режима распространения оптического излучения
в волноводных каналах в фотополимерно-жидкокристаллических композициях ......................................... 187
А.С. Перин, Т.Л. Григорян, Б.М. Будаев, В.М. Шандаров
Формирование оптических волноводов в ниобате лития синфазными светлыми
пространственными солитонами .......................................................................................................................... 189
А.В. Пустозеров, В.М. Шандаров
Влияние некогерентной фоновой подсветки на дифракционные характеристики световых пучков в
кристалле ниобата лития с фотовольтаическим механизмом нелинейного отклика...................................... 192
Секция 8
ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНАЯ СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
И ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА
Сопредседатели секции – Шиняков Юрий Александрович, д.т.н., директор НИИ КТ;
Семенов Валерий Дмитриевич, к.т.н., профессор каф. ПрЭ
К.В. Аржанов
Слежение солнечных установок за Солнцем при действии ветровой нагрузки ............................................. 196
В.И. Фоминых, Л.А. Гоголина, В.А. Гоголин, А.О. Писниченко, М.Д. Дягилев
Анализ помехоустойчивости многофазных инверторов напряжения............................................................... 199
С.Ю. Хотненок
Исследование процессов в модуляционном драйвере светодиодного светильника
с трехфазным питанием ........................................................................................................................................ 201
Двунаправленный преобразователь Вейнберга для зарядно-разрядного устройства
системы электропитания космических аппаратов ............................................................................................. 204
А.В. Кашеутов, А.Г. Гарганеев
Информативные свойства автономного инвертора напряжения
в гироскопических системах электропривода..................................................................................................... 207
Е. Ким, С.Г. Михальченко
Однотактный непосредственный преобразователь напряжения понижающего типа
с широтно-импульсной модуляцией ....................................................................................................................209
Д. Ли, С.Г. Михальченко
Однотактный непосредственный преобразователь напряжения инвертирующего типа
Д.А. Корольский, А.И. Кох, С.Г. Михальченко, Г.Я. Михальченко
Влияние электролитического конденсатора на надежность источника питания
светодиодного светильника ..................................................................................................................................216
О.Б. Тохтаров, С.Г. Михальченко
Однотактный непосредственный преобразователь напряжения повышающего типа
И.В. Калашников, В.В. Сеченов, К.В. Аржанов
Устройство бесперебойного питания для аппаратуры связи по высоковольтным
линиям электропередач .........................................................................................................................................222
Имитационная модель вольтодобавочного варианта схемы преобразователя Вейнберга..............................225
Б.И. Авдоченко, Г.Ф. Карлова, А.М. Цырендоржиева
Датчик слабых магнитных полей на основе эффекта Холла .............................................................................228
С.С. Тюнин, Д.Б. Бородин, В.А. Кабиров, В.Д. Семенов
Двунаправленные преобразователи электрической энергии в автономных
системах электроснабжения..................................................................................................................................230
Секция 9
ПЛАЗМЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Председатель секции – Окс Ефим Михайлович, зав. каф. физики, д.т.н., профессор
А.В. Казаков, А.В. Медовник, А.П. Андрейчик

Влияние эмиссионного электрода на электрическую прочность ускоряющего промежутка
импульсного широкоапертурного плазменного источника электронов
в форвакуумном диапазоне давлений ..................................................................................................................234
В.П. Фролова, А.Г. Николаев, Г.Ю. Юшков
Генерация пучков многозарядных ионов висмута на основе импульсной сильноточной
вакуумной дуги .....................................................................................................................................................237
А.П. Андрейчик, А.В. Казаков, А.В. Медовник
Параметры квазинепрерывного электронного пучка, генерируемого плазменным источником
в форвакуумном диапазоне давлений ..................................................................................................................240
С.А. Останин, А.С. Климов, А.А. Зенин
Распределение концентрации плазмы в полом катоде форвакуумного источника ленточного
электронного пучка................................................................................................................................................243
З.А. Бадмажапов, А.В. Тюньков, Ю.Г. Юшков, Д.Б. Золотухин
Осаждение многослойных металлокерамических покрытий электронно-лучевым методом
в форвакууме ..........................................................................................................................................................246
П.В. Алексеевский
Потенциал изолированного коллектора при облучении электронным пучком в форвакууме ......................247
Л.Н. Орликов, С.М. Шандаров, К.С. Мамбетова
Генерация волн ионизации при пироэффекте на ниобате лития.......................................................................249
Секция 10
БИОМЕДИЦИНСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Председатель секции – Мещеряков Роман Валерьевич, д.т.н., профессор, зав. каф. БИС,
проректор по научной работе и инновациям ТУСУР
А.В. Анищенко, Е.А. Сидоров, Н.М. Федотов

Биотехническая система гипертермии.................................................................................................................253
Секция 11
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА И ФОТОНИКА
Председатель секции – Задорин Анатолий Семёнович, д.ф.-м.н., профессор, зав. каф. РЗИ
А.В. Макеев, В.С. Айрапетян

Исследование спекл-эллипсометрических структур шероховатых поверхностей ......................................... 256
А.С. Задорин, А.А. Лукина, Н. Аманбаев
Интерферометрический контроль фазовых шумов в оптоэлектронном автогенераторе
с высокодобротным оптическим микрорезонатором ......................................................................................... 259
А.С. Задорин, А.А. Лукина
Система стабилизации лазерного излучения на основе высокодобротного планарного
оптического дискового микрорезонатора........................................................................................................... 263
В.И. Корепанов, С.Б. Туранов
Адаптивная система облучения растений в теплицах ........................................................................................ 268
А.В. Кулаков, А.В. Максимов
Программно-аппаратный комплекс «аналоговые устройства» ......................................................................... 270
Секция 12
ОРГАНИЧЕСКАЯ И НЕОРГАНИЧЕСКАЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СВЕТОТЕХНИКА
Председатель секции – Туев Василий Иванович, зав. каф. РЭТЭМ, д.т.н., профессор
К.Н. Афонин, А.Ю. Олисовец, Ю.В. Ряполова, В.С. Солдаткин

Испытание низковольтной светодиодной лампы на основе светодиодных излучающих элементов ........... 273
Д.А. Решетов, М.В. Андреева
Применение ОСИД-структур в осветительных приборах ................................................................................. 276
Влияние кривой силы света на коэффициент использования потока излучения
в тепличных облучательных установках ............................................................................................................. 279
Расчет оптической системы облучательных установок для выращивания микроводорослей
промышленного назначения методом коэффициента использования потока излучения ............................... 281
Е.С. Ганская, Г.А. Косачева, Д.К. Нуриев, В.С. Солдаткин
Мощный светодиод белого цвета свечения......................................................................................................... 284
А.А. Вилисов, К.В. Тепляков, В.С. Солдаткин
Влияние конструктивных особенностей светодиодов на их тепловое сопротивление .................................. 287
А.Ю. Олисовец, С.П. Шкарупо, В.И. Туев
Расчёт формы напряжения на нагрузке в устройстве питания с пассивным
корректором коэффициента мощности................................................................................................................ 289
А.А. Мороз, П.В. Тимошенко, Е.Г. Незнамова
Исследование влияния химического и физического составов различных почв
на тепличные растения. Светодиодная досветка саженцев .............................................................................. 292
В.Н. Давыдов, О.А. Каранкевич
Симметрия и антисимметрия физических свойств кристаллов в полярно-аксиальных явлениях ................ 293
Для заметок
Научное издание
ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА
И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ
XIII Международная научно-практическая конференция,
посвященная 55 летию ТУСУРа
29 ноября – 1 декабря 2017 г.
Материалы докладов
В двух частях
Часть 1
Корректор – В.Г. Лихачева

Верстка В.М. Бочкаревой
_________________________________________________________________________
Издательство «В-Спектр»
Подписано к печати 23.11.2017.
Формат 70×1001/16. Печать трафаретная.
Печ. л. 19. Тираж 200 экз. Заказ 26.
_________________________________________________________________________
Издано ТУСУРом
634050, Томск, пр. Ленина, 40, к. 205, ГК. Тел. (382-2) 70-15-24.
Издательство «В-Спектр». ИНН 7017129340

634055, Томск, пр. Академический, 13-24. Тел. (382-2) 49-09-91.

ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

ЭЛЕКТРОННЫЕ СРЕДСТВА И СИСТЕМЫ УПРАВЛЕНИЯ

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Министерство образования и науки Российской Федерации

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

XIII Международная научно-практическая конференция,

29 ноября – 1 декабря 2017 г.

Э 45 Электронные средства и системы управления: материалы докладов XIII Международной научно-

Сборник содержит материалы докладов, представленных на XIII Международной научно-практической

Конференция проводится при финансовой поддержке

Часть статей секций 2–22 направлена для публикации

ГЕНЕРАЛЬНЫЙ СПОНСОР КОНФЕРЕНЦИИ –

ООО «Кейсайт Текнолоджиз», Тел.: 495 797 39 00

Keysight Technologies – мировой технологический лидер на рынке контрольно-измерительных

Генеральный директор ООО «Кейсайт Текнолоджиз»

АО «ПКК Миландр», Тел.: 495 981 5433 Т

АО «ПКК Миландр» (г. Зеленоград) является одним из ведущих предприятий радиоэлектрон-

Практические аспекты реализации радиометрического приемника

Особое место в исследованиях природных сред ников детерминированного электромагнитного из-

СМ УПЧ ФНЧ1 УПЧ2 УПЧ3

КД Рис. 2. Топология макета УПЧ

Реализация требования электромагнитной со-

Е.В. Алексеев, Т. Абдирасул уулу, Д.Е. Миненко, А.В. Убайчин

Блок низкочастотной обработки сигналов микроволновой

АЦП Рис. 2. Схема электрическая принципиальная предвари-

Метод регистрации и оценка состояния канала связи

Рис. 1. Структурная схема системы передачи дискретных сообщений

Дифференциальная энтропия сигнала с помехой Разность дифференциальных энтропий сигна-

Расчет количества информации сигмоидной где а – крутизна; с – центр сигмоиды; х – текущее

Согласно вышеприведенному расчету (табл. 1 пользованием аппарата нечеткой логики позволит

А.В. Паращинец, А.Е. Ефремова, Е.В. Рогожников

Аппаратное обеспечение для построения самоорганизующейся

Рис. 5. Структурная схема модуля nRF24L01+

Заголовок Адрес Контроль пакетов Полезная нагрузка Контрольная сумма

А.Е. Ефремова, А.В. Паращинец

Беспроводные сенсорные сети, структура и маршрутизация

модель сети в среде MATLAB.

cost outdoor localization for very small devices. Technical

Г.Г. Жук, Д.Е. Миненко, Т. Абдирасул уулу, А.В. Убайчин

Устройство управления микроволновой

Методами микроволновой радиометрии успеш- связи ИС с электронно-вычислительной машиной

Нагреватель SPI Блок управления

Микроволновый нулевой UART

Рис. 1. Структурная схема устройства управления радиометрической системой

Контроллер Тактовый Счетчик

Прерывание ШИМ Прерывание (формирование

Энергетическая и спектральная эффективности способов

Постановка задачи исследования щих импульсов с выходов фазового кодера, посту-

Рис. 2. Модель модема с мультиплексированием разноскоростных потоков данных на основе QPSK-модуляции

Рис. 3. Модель модема с мультиплексированием разноскоростных потоков данных на основе 16 PSK-модуляции

Строки таблицы представляют: провождается пропорциональным ростом удельного

А.С. Коряковцев, А.В. Помазанов

Нелинейная модель отечественного GaN-транзистора и

В настоящее время быстрое развитие полупро- Результаты исследования

Рис. 1. Нелинейная модель транзистора ТНГ4010-28

Рис. 3. График зависимости выходной мощности от входной на частоте 2,9 ГГц

Данная согласующая цепь легко реализуется на

MLIN MLIN MLIN MLIN SUBCKT MLIN MLIN MLIN MLIN

Рис. 6. Электрическая схема СВЧ-усилителя мощности

Рис. 7. Топология усилителя

Рис. 8. S-параметры СВЧ-усилителя в дБ Рис. 9. Выходная мощность в полосе в дБмВт

Последний этап проектирования СВЧ-усили-

Р.С. Куликов, Д.В. Царегородцев

Модифицированный алгоритм адаптивного фильтра

В настоящее время методы оптимальной α , которые будем полагать случайными величина-

В.Н. Овсянникова, В.А. Кологривов

Модельное исследование многоканальной сверхширокополосной