ПРОБЛЕМЫ НАУКИ

И ТЕХНИЧЕСКОГО ПРОГРЕССА

В. И. ГВОЗДЕВ, Е. И. НЕФЁДОВ

ОБЪЕМНЫЕ
ИНТЕГРАЛЫiЬJЕ СХЕМЫ
СВЧ-ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА
АНАЛОГОВОЙ И ЦИФРОВОЙ
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

МОСКВА «НАУКА»
ГЛАВНАЯ РЕДАКЦИЯ
Т Р ТУРЫ
ФИЗЮ(О-МАТЕМАТИЧЕСКОй ЛИ Е А
198 7
ББI( 22.33
Г25
УДК 537(023)

Рецензент
доктор физико-математических наук Б. М. Болотоrюшй

Гвоздев В. И., Нефёдов Е. И.

Г25 Объемные интегральные схемы СВЧ-элемент­
ная база аналоговой и цифровой радиоэлектро­
ники. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит.,
1987.-112с., ил.-(Пробл. науки и техн. про•
rpecca)
40 КОП,, 15000 Эl{З.
Изложены ноnые идсн разработ�ш бязовых элементов фун1щио­
нальных ус-rройств на осноnе ин-rеrрапь11ь1х схем. открыАающ11х
большие возмож11ост11 дли у.луч�µе11ия массоrабариruых. радиацион­
ных и других парамmроn соnремеиной радиоэлектронной апnаратуры
СВЧ диапазона, развиruя систем цифровой обработки информации.
nе!)сnект»вы создания элеменшоr� базы /J,ЛЯ сеерхбыстродейс-rвующих
эцвм.
Для научно-технических работников раз.личных отрае.лей про­
мышленности, занимающихся проблемами радиоЭJiектронщ<и. nычис,
.лителыюй техники, интегральной технологии о nриборострое11ии.
r 1104040000- но
110_87 ББI( 22.33
053(02)-87

© Издательство «Наука».
Главиая реда,щ»я
физико-математичес1<ой
,пнтературы. 1987
 ПРЕДИСЛОВИЕ
Там, rде прежде быпн границы
науки, там теперь ее центр.
,J Г. К. Лихтенберг ')

Современные радиофизш<а, радиоэлектрониr<а (РЭ) и в

целом системы дЛЯ обработ1ш больших массивов информации
неуклонно следуют по пути изучения и освоения все более
коротковолновых диапазонов эле1<тромаrнитных волн, а
также 1юлн другой природы: а�<устоэле1пронных, маrнито­
<."rатических и др. {11. В последнее десятилетие весьма ин­
тенсивно исследуются и технически осваиваются диапазо­
ны коротких волн - сантиметровых, миллиметровых, суб­
миллиметровых и световых. Эффективность научного и тех­
нического освоения и использования в народном хозяйстве
и в прикладных проблемах достижений радиофизюш и
радиоэле�<троники существенно зависит от состояния и воз­
можностей элементной базы: исrочников и приемников излу­
чения, канализирующих, излучающих и колебательных
систем и других компонентов аппаратуры. Особое значение
приобретают новые методы построения устройств СВЧ,
основанные на планарных {2, 51 инт::.rральных схемах
(ИС) или (11) объемных :интегральных схемах (ОИС) ТЗ, 4].
ОИС СВЧ являются в настоящее время высшим этапом
развития ИДРЙ интегральной технологии в приборострое­
нии. В ОИС СВЧ структурах радиосигнал обрабатывается
не только в �лоскости схемы (планарные ИС), но и «по вер­
тикали» (ОИС). Использование трехмерной кон(-трукции
расположения базовых элементов (БЭ) и обработка сигнала
во всем объеме открывают, с одной стороны, широкие воз­
можности улучшения электродинамических, массоrабарит­
иых, 1{лиматичсских, радиационных и других параметров
радиофизичес1юй, радиоэлектронной, вычислительной
аппаратуры (например, только использование трехмерной
конструкции расположения микропроцессоров в ЭЦВМ поз­
волило увеличить быстродействие на порядок), но, с дру­
гой - требуют интенсивной разработки новых адекват­
ных физических- и математических моделей БЭ, создания
1) Лttхтенf5ерг Г. К.. А форизмы.- М.: На ука, 1965.-344 с.
эффективных вычислительнь �х методов анализа и синтезн
своиств . ри этом адекватн ые мо­
их электродинамических о но то Пными (электродинамиче­
дели должны_;._бьrr ь достат ч ч
с кий урове нь строrости) и позво лять определять параметр ы
за допустимое для автомати з ированнои системы прое1пи­
рования врем я (для систем обработки информации это -
функционирование в реальном масштабе времени). Требова­
ние высокой точности модели является определяющим.
Идеолоrичес1<ую основу ОИС СВЧ составляет принцип
конструкционноrо соответствия [3, 4], согласно которсму
ОИС есть та1<0й метод построения СВЧ модуля, когда в
модуль лоrически могут быть включены БЭ, разработанн ые
не только специально для ОИС, но и используемые в пла­
нарных ИС, «традиционной» технике СВЧ и др. Диалекти­
ка развития радиоэлектроники привела к созданию ОИС
СВЧ, а это в свою очередь требует не только и, возможно,
не столько эффективных вычислительных алгоритмов ана­
лиза и синтеза базовых элементов, но и (а это, может быть,
самое главное) глубо1юго понимания существа физических
процессов, происходящих в данном конкретном устройстве.
Лишь коrда такие ясность и понимание достигнуты, можно
приступать к разрабаше адекватных вычислительных ал­
rоритмов. Построенные на такой основе алrорн-rмы и про­
граммы для автоматизированноrо проектирования устройств
СВЧ, как правило, 01<азываются оптимальными и с чисто
вычислительной точки зрения.
Другим основным положением ОИС СВЧ являетсн прин­
цип: каждому базовому элементу - оптимальную для неrо
линию передачи (принцип оптимальности базовоrо элемен­
та). Дело в том, что к настошцему времени предложено,
разработано и применяется большое число (более 120) типов
линий передачи (ЛП), однако свои функциональные «обя­
занности» данный базовый элемент в полной мере выполнит,
если он будет создан на основе «подходящей» для неrо
линии передачи. Анализ известных конструкций БЭ под­
тверждает такое положение. Созданные на основе ОИС моду­
ли СВЧ РЭА имеют массогабаритные параметры на один -
три порядка лучшие(!}, нежели СВЧ модули на основе соче­
тания металлических волноводов и планарных ИС.
В определенной мере сказанное относится к широко ра з­
рабатываемым и используемым в физике и технике диэле1<­
трическим ИС и ОИС (интегральная оптю<а), а также к
устройствам на основе световодов.
Продвижение научных исследований и техническое ос­
воение диапазона миллиметровых, субмиллиметровых и
 оптических волн явшп<УГся одной из основных тенденций
раз вития современной радrюэлеI<тронюш, и _поэтому раз­
р аботка элементной базы объемного типа для этих диапазо­
нов представляет первостепенную научно-теющческую
задачу.
Мы уже отмечали, что одним из важнейших направлений
современного научно-технического прогресса является соз­
дание сверхбыстродействующих систем обработки инфор­
ма ции. При этом предпочтительным представляется направ­
ление, ориентирующееся на создание систем обработки и
ЭЦВМ на основе применения СВЧ rюлебаний и аппаратуры,
разработанной на ОИС СВЧ. Многие базоnы� элементы уже
созданы. В особешюсти это относитсн к устройствам реа,
лизации многих пересекающихся без элеI<трического кон­
такта проводников. На основе использования ОИС такая
проблем а решена при создании диаграммообразующих мат
риц (ДОМ) антенн СВЧ. Имеются определенные возможно­
сти прямого перенесения этих идей и rюнструrщий на эле­
ментарные ячейки ЭЦВJ\1.
Намеченные вопросы обсуждаются I<aI< с общеметодоло­
гической точки зрения (дедуктивный подход, полная си­
стема уравнений электродинамиrш, сходимость вычислитель­
ных алгоритмов и др.), так и с техничесI<ой точ1ш зрения
(I<лассифиI<ация линий передачи, базовых элементов, ан­
тенных устройств, колебательных структур и т. n.; их тех­
нические и rюнструктивно-технологические данные и др.).
Кроме того, обсуждаются новые идеи и принципы реализа­
ции распределенных колебательных, сs::ле1,тивных, излу­
чающих и т. n. струrпур, обладающих рядом уникальных
электродинамичесrшх ха·раrперистю<. Tar,, например, от­
крьrrые резонансные структуры на поверхностных типах
колебаний, реализующие. уию<ально ред1шй спектр собст­
венных частот (6), микрополосковые излу чающие структуры
[7] и др. Даются практические рекомендации по использо­
ванию указанных стру1пур.
Изложение завершается кратким обзором по методам
измерения ОИС СВЧ с точI<и зрения использования их в
системе автоматизированного проектирования. Таr<же рас­
смотрены возможности гибкого автоматизированного про­
изводства радиоаппаратуры на основе ОИС.
В течение многих десятилетий в РЭ безраздельно «гос­
п одствовали» гармонические функции и сигналы. Переход
к ц ифр\шым системам обработ1ш информац ии требует пере­
смотра многих представлений «традиционного» подхода к
соотнqшенИJо аналоговой и цифровой записи сигналов [8].
5
 Понимая неизбежность этого процесса, авторы постарались
отразить в кинге основные черты «негармоничесrюrо» под­
хода к явлениям радиагехншш.
Издание рассчитано на широкий круг читателей, ин­
тересующихся идеями, методами, устройствами РЭА и их
использованием в диапазонах корагких волн - сантимет­
ровых, миллиметровых, субмиллиметровых и световых.
Большее внимание традиционно уделено электромагнитным
волнам, однаrю упоминаюгся, быть может, недостаточно
настойчиво, волны акустические и магнитостатические: они
обладают поистине уникальными возможностями по степени
миниатюризации базовых элементов, но изучение и освое­
ние этих волн -дело будущего. Книга будет полезной спе­
циалистам вычислительной математики и физики, а также
других областей науки и техники. Может бьrrь рекомендо­
вана студентам старших курсов и аспирантам соответст­
вующих специальностей, кагорым в той или иной степени
придется заниматься проблемами радиофизики, радиоэлект­
рониrш, вычислительной техники.
Известно, что предисловие пишется для того, чтобы по­
пытаться уговорить возможного читателя заглянуть в пред­
лагаемую ему 1шигу. Это тем более важно, что еще Лихтен­
берг отметил: «К числу величайших ошрытий, к I<агорым
пришел за последнее время человеческий ум, бесспорно
принадлежит, no моему мнению, искусство судить о книгах,
не прочитав их». В J<акой мере эта мысль относится к на­
шей рабате - судить читателю, на благьсклонный суд ко­
торого авторы ее и представляют. Но при этом необходимо
помнить слова Х. Ф. Хармута: «Хорошая теория развивает­
ся со временем. Можно повлиять на с1<0рость ее развития,
но нельзя предопределить ее будущее. Правильные теории
выживают, оuщбочные погибают. Помощь гибели .обре­
ченного не делает чести, содействие ycnexy приносит сла­
ву; стремление к созиданию и совершенствованию движет
прогресс науки» (8).
В за�,лючение нам хагелось бы выразить· благодарность
О. Ф. Антуфьеву, Е. В. Арменскому, Б. В. Бункину,
Ю. Б. Кобзареву, Л. Н. Литвиненко, А. Н. Тихонову и
И. Г. Шра:мкову за подцержку рабаг по объемным
интегральным схемам СВЧ.
 Введение

ОСНОВНЫЕ ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ

СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕl(ТРОНИl(И
... !(то нс rюннмвет ничего, кро1,1е химии,
тот и ее nоннмасr недостатоtrно.
Г. К. Лихте1tбrрг

В последние годы радиоэле1<троника и вычислительная

технюш достигли грандиозных успехов, которым они в·зна­
чительной степени обязаны интегральным .::хемам. Сами
ИС, и в особенности ИС СВЧ, - а именно ими мы и будем
заниматься в этой книге - возникли в результате серьез­
ных достижений в целом ряде наук (физика, химия, тех­
нология, математика н мн. др.). ИС явились, I<IO< теперь
очевидно, своеобразной «реа1щией» на неумолимые и все
ужесточающиеся требования nрю<тИI<И по снижению массо­
габаритных параметров РЭА и ЭВМ, повышению надеж­
ности и информационной ем1<ости радиоканала, повышению
быстродействия систем обработки информации и мн. др.
ОИС СВЧ в определенной мере являются логическим н за­
кономерным этапом этого общего развития. Ниже мы очень
коротко отметим основные тенденции развития РЭ и пока­
жем место ОИС СВЧ в общей картине развития науки.
К настоящему времени сформировались и могут быть,
разумеется, в значительной степени условно названы ос­
новные тенденцип развития РЭ. Условно потому, что су­
ществует некоторая «расплывчатость» границ между отдель­
ными тенденциями; на самом деле они представляют неко­
торые главные результаты эволюционного развития РЭ,
во многих аспектах «перекрываются» и дополняют друг
друга, способствуя тем самым общему развитию идей и
принципов радиоэле1<троники.
Изучеfiие и техfiическое OC60efiue tiOBЫX, все боме коротко­
волfiовых дuа,пазотюв электромагнитных волн. Известные
успехи радиофизикн и РЭ последних двух-трех десятиле­
тий - освоение коротковолновой части сантиметрового ди­
апазона, а также миллиметровых, субмиллиметровых и
оптических диапазонов - свидетельствуют о стабильности
данного направления РЭ. Определенный интерес представ­
ляет также освое�ше диапазона сверхдлинных электромаr­
fJИТНЬJХ IJOJJН, Эт» д1щ направления являют картину
диалектического единства развития каI< РЭ, тю< и науки
в целом.
Уменьшение длины волны связано, прежде всего, с не­
обходимост ыо резко го увеличения с1юрости передачи ин­
формации (емкости канала связи). Известно, что скорость
передачи информации пропорциональна полосе частот Лrо
радиосигнала. Обычным требованием к радиосигналу явля­
ется малость отношения ширины полосы Лrо к не1юторой
средней частоте радиосигнала: Лro/rocp�l. Оно основано на
необходимости обеспечения минимального влияния дис­
персии канала связи на радиосигнал, увеличения разреша­
ющей способности РЭА, ее избирательных свойств и др.
Повышение разрешающей способности радиолокационных,
радиоастрономических и т. п. систем определяется шириной
диаграммы направленности антенны, которая пропорцио­
нальна отношению 'л/D, где 'л - длина волны, D - размер
апертуры антенны. Таким образом, уменьшение длины ра­
бочей волны 'л ведет к повышению разрешающей способнос­
ти РЭА. Это же уменьшение позволяет применять более
помехоустойчивые, чем амплитудная, виды модуляции,
например угловую, при которой из аддитивной смеси радио­
сигнала a(t) и помехи р (t) легко выделить радиосигнал.
Интересным примером использования коротких длин
волн для передачи больших объемов информации являются
волоконно-оптические линии связи (световоды). В настоя­
щее время эксплуатируются линии протяженностью в
несколько сотен I{ИЛометров (при длине переnриемного
участ1<а 30-40 1<м); nроеI{тируются и строятся линии на
несколько тысяч километров. Потери составляют величину
порядr<а единиц децибел на юrлометр. Кроме передачи
информации на большие расстояния световоды находят
широкое применение в системах тю< называемой внутри­
объеr<тной связи (производство, самолеты, корабли, меди­
цинская аппаратура и т. n.), способствуя существенному
увеличению пропускной способности канала связи, сни­
жению веса и стоимости линий связи, экономии металла
и мн. др. Не исключено, что волоконно-оnтические линии
и элементы (призмы, линзы и т. п.) найдут применение
в вычислительной техню<е.
Другими приложениями РЭ коротких волн является
исследование свойств вещества, оцеюш влияния эле1<Тро­
магнитных излучений на ход химических и биологических
реакций и др. Здесь интересной и перспе1<тив1юй представ­
ляется идея о возможном электромагнитном механизме
передачи определенной части генетической информации.
При этом, r<ак известно, должен быть передан огромный
объем информации (оrюло 4 млрд. бит), а это вряд ли воз­
можно сделать с помощью относительно «тихоходных»
химических процессов.
Повышение уровня мощности излучения. Эrа тенденция
развития современной РЭ хорошо просматривается, хотя
и не является очевидной. В самом деле, увеличение даль­
ности радиотрасс в радиосвязи, радиолоr<ации, навигации
и т. п. действительно требует на первый взгляд непрерыв­
ного увеличения мощности радиопередающих устройств.
Еще в большей сгепени представляется обоснованной не­
обходимость увеличения мощности в промышленных аппа­
ратах, предназначенных для высоrючастотноrо (или СВЧ)
нагрева, сушки, плавления, сварки, резки и т. д. В послед­
нее время появляются сведения о грандиозных программах
по космической энерrети1<е, термоядерному синтезу и др.,
в которых предлагается использовать чрезвычайно большие
мощности св ч.
Вместе с тем известно, что если относительно малые уров­
ни СВЧ излучения не представляют опасности или даже
оказывают благоприятное влияние на живые организмы
(медицинская РЭА, «УВЧ-нагрев», лечение опухолей и
др.), то большие уровни являются вредными (причем, воз­
можно, и на уровне генофонда человека). Естественно воз­
никает вопрос: «правомерна» ли с самых общих позиций тен­
денция к увеличению СВЧ мощносги? Очевидно, что одно­
значно ответить на этот вопрос пока затруднительно, ибо
далеко еще не все аспе1<ты проблемы нашли свое решение.
Наряду с этим природа дает примеры чрезвычайно рацио­
нального использования малых и сверхмалых (по нашим
сегодняшним представлениям) уровней мощности для пере­
дачи больших объемов информации (1, с. 29). Даже те уме­
ренные и вполне допустимые (по теперешним нормам) уровнп.
СВЧ облучения, с которыми мы имеем дело в повседневной
жизни, на много порядков превышают уровень мощности.
на котором обмениваются информацией живые организмы.
Вероятно, уже в не очень отдаленном будущем взаимодеист­
вие РЭ и биониrш откроет путь человечеству для использова­
ния новых принципов и каналов передачи информации.
Установление фун,да,;�ентальных пределов (ФП) радио­
электроники. Как это ни поr<ажется странным, но, несмотрн
на то что со дня открьrrия радио великим русским ученым
А. С. Поповым прошло более 90 лет, толыю в самые послед­
ние годы РЭ становится наукой в строгом смысле этого по­
ш1тия. Этому способствует установление ФП для боль-
 шинства разделов РЭ. ФП определяют предельно достижи­
мые (в не!(оторых случаях допустимые) параметры РЭА,
каналов связи, распространения радиоволны, радиосигна­
лов, управляющих (модулирующих) сигналов, теории
кодирования и т. д.
В настоящее время под ФП 11еред1ю понимают не1<0то­
рый предел, за которым начинается лавинообразный, на­
пример э!(споненциальный, рост (уменьшение) 1<а1юго-либо
качественного показателя РЭА. Та!(, I< примеру, стремление
к увеличению разрешающих способностей антенных уст­
роikтв для радиоастрономии приводит к увеличению диа­
метров зерк,�л, что снлыю повышает стопмостные и эксплу­
атационные затраты [1]. Имеется другая возможность
повышения разрешающей способности - уменьшение 'А.
Однако и этот путь достаточно быстро приводит к техноло­
гичес,ю-финансовому пределу - экспоненциальному росту
затрат на надлежащее качество выполнения поверхности
зер!(ала. Ясно, что неоднородности (шероховатости, напри­
мер) поверхности Лl должны быть мс1лыми по сравнению с
'А: Лll'Л<<l. Очевидно, что уже в миллимеrровом диапазоне
при размерах зеркала в несколько десятков метров этому
требованию нелегко удовлетворить.
Одним из наиболее ранних примеров ФП является, по­
видимому, теория потенциальной помехоустойчивости, раз­
витая В. А. Котельниrювым.
Установление ФП знаменует переход к качественно ново­
му уровню РЭ, позrюляющему наряду со всем прочим со­
ставить отчетливые представления и понимание тоrо, что
могут дать народному хозяйству современная РЭ, ее эле­
ментная база, теория информации, антенные устройства,
учение об электромагнитной совместимости, оптическая
связь и мн. др.
Важно отметить, что с оqщеметодологической точки зре­
ния установление ФП в радиоэлектронике, как, впрочем,
и в любой другой области нау1ш, требует самого широI<оrо
привлечения всего 1юмплекса знаний современной науки.
При этом используются общие физичес1ше законы, не яrля­
ющиеся прероrатиrшой РЭ (например, законы сохранеш,я,
экономичес1ше, социальные, экологические и т. д.).
В этом плане объемные интегральные структуры (и, в
частности, ОИС СВЧ) также устанавливают некие ло1<аль­
ные ФП по минимально {юзможным объемам РЭА, ЭЦВМ,
АВМ и т. д. Использование новых принципов обработки
информации (например, устройства на а1<устических и (или)
магнитостатичес1шх волнах (1юлебаниях)) расширяет воз-
можности РЭА, т. е. происходнт «переоценка» ло1<альных
ФП. Так, например, переход к маrнитостатичесинм колеба­
ниям позволяет на несколько порядков уменьшить размеры
БЭ. Однако такой переход целесообразен, когда большинст­
во базовых элементов РЭА смогут функционировать на этом
принципе. В противном случае потребуется большое число
преобразователей электромагнитных колебаний в магнито­
статические и наоборот.
Переход к uнлzегральн.ой техн.ологuu. Прикладные ас­
пекrы РЭ - повышение надежности РЭА, ЭЦВМ, эконо­
мические, производственные и некоторые другие соображе­
ния - выдвигают и обусловливают ряд требований к РЭ:
минимальные габариты и масса, максимальная надежность,
предельно возможный коэффициент· полезного действия
(в самом широком смысле этого понятия), минимальные эко­
номические затраты и т. д. Даже такое поверхностное пере­
числение показывает, что эти требования являются в прин­
ципе противоречивыми. По-видимому, наиболее рациональ­
ным (во всяком случае в настоящее время) является пере­
ход к интегральной технологии производства РЭА.
При рассмотрении данного круга вопросов важно от­
метить, что переход к интегральной технологии и ИС явил­
ся не только отображением практичес1<Их потребностей, но
целиком и полностью соответL-твует диалектической концеп­
ции развития РЭ. В самом деле, первые радиоаппараты име­
ли «естественный» плоскостной монтаж и были в основном
устройствами стационарноrо_типа. Но уже первые попытки
размещения радиоустройств на движущихся объектах
(конные экипажи, автомобили, пароходы и т. д.) потребова­
ли решения задач экономии объема, уменьшения массы
РЭА, источников питания и пр. Еще более жесткие требова­
ния на надежность и массоrабаритные параметры РЭА вы­
двинула авиационная, а затем и ракетно-космическая техни­
ка. Аналогичные изменения (правда, значительно позднее)
претерпела н технииа ЭЦВМ и АВМ. Дейстюrrельно, проб­
лемы повышения быстродействия и надежности ЭЦВМ при­
вели к настоятельной необходимости избав�rrься от чрез­
мерно большого числа соединительных проводников. При­
мерно та же задача стоит и в самолетостроении: заменить
кабели РЭА и систем управления, например, на воло1юнно­
оптическ.ие линии. Это дает заметную экономию массы и
габаритов, повышает надежность (скажем, за счет резерви­
рования) и т. д.
Усилия, направленные на реализацию минимальных мас­
согабаритных параметров РЭА и ЭЦВМ, привели к созда-
11
нию низкочастотных (НЧ) микросхем (в основном на крем­
нии). Они позволили на несколько порядков увеличить
быстродействие ЭЦВМ и их ресурсы, надежность и т. п.
Диалектика развития ЭВМ проявляется еще в одном
интересном и весьма примечательном плане. Дело в том,
что частота переключения современных элементов микро­
схем НЧ достигает порядка I ГГu. В самом недалеком буду­
щем планируются частоты порядка 10 ГГu; оценки показы­
вают, что это не предел и возможны существенно большие
частоты: 100 ГГц и даже 300-500 ГГц. А это уже миллимет­
ровый диапазон! И таким образом, мы снова возвращаемся
к «бедам» ИС СВЧ: минимальные габариты БЭ ограничены
величинами порядка длины волны. Необходимы новые идеи
физического и конструктивно-технологического характера,
которые позволили бы реализовать дальнейшее уменьшение
габаритов и веса РЭА и ЭВМ.
В области идей физического плана сейчас интенсивно
разрабатываются устройства на поверхностных акусти­
ческих волнах (с предельными частотами порядка 1 ГГц)
и устройства на магнитостатических волнах (с частотами
выше I ГГц). В дальнейшем мы очень коротко коснемся
структур с магнитостатическими волнами (колебаниями).
В плане конструктивном была выдвинутз идея ОИССВЧ,
которая сейчас получила техническое развитие и которая
в равной мере пригодна для структур с электромагнитными,
акvстическими и магнитостатическими волнами.
· Автоматuзuрован.н.ое проектuрован.uе РЭА. Переход 1<
интегральной технологии, ИС НЧ и СВЧ потребовал преж­
де всего разработки и реализации новых принципов проек­
тирования РЭА. На первый план выдвинулась необходи­
мость самого широкого использования ЭВМ и_, главным
образом, гибридных комплексов ЭВМ: ЭЦВМ и АВМ. Ока­
залось, что только мощные гибридные комплексы в состоя­
нии решать современные задачи проектирования ИС. Так
родилась и теперь бурно развивается новая область научно­
технического прогресса - автоматизированное проектиро­
вание РЭА. Нужно отметить, что автоматизированное проек­
тирование (или машинное, К<!_К его иногда называют) в по­
следние годы широко применяется и в других областях
науки и техники. Обстоятельные исследования проводятся
в области автоматизации физического эксперимента, отдель­
ные стороны которого иногда поддаются формализации и
могут осуществляться по наперед заданной программе.
Устраивая обратную связь, можно автоматически проводить
измерения и достаточно оперативно влиять на ход экспери-
м ента. Аналогичными устройствами снабжаются и РЭА
различного назначения. Например, подбор оптимального
режима электронных приборов большой мощности, их пере­
стройка 110 диапазону при наиболее выгодных энергетичес­
ких показателях и многое другое осуществляются автомати­
зированными системами контроля и управления (с исполь­
зованием ЭЦВМ и АВМ).
Переход к автоматизированному проектированию РЭА
потребовал пересмот р а и создания адекватных моделей БЭ,
из которых компонуется данная РЭА. При этом на первый
план выдвигается требование адекватности модели реаль­
ному БЭ. Если раньше удовлетворительной считалась точ-
1-юсть L0-20 % (й даже хуже), что в значительной степени
определялось возможностью механической подстройки не­
кагорых элементов РЭА и подгонки их под необходимые
параметры (после изготовления устройства), то ИС (и тем
более ОИС), по существу, не позволяют этого делать (за
исключением, может быть, некоторых активных элементов,
расположенных, как правило, на выносной панели). В силу
сказанного обстоятельства резко повышаются требования к
точности модели БЭ, которые возросли на один-два порядка.
Последнее обуславливает необходимость перехода в проек­
тировании БЭ к моделям на электродинамическом уровне
строгости. В особенности это сказывается на БЭ, предназна­
ченных для РЭА в высокочастотной части сантиметрового
диапазона и более коротков�лновых участках электромаг­
нитного спектра. Из потребностей практики появилось и
теперь интенсивно развивается новое научное направле­
ние - электродинамические основы автоматизированного
проектирования ИС и ОИС. В свою очередь для эффектив­
ного решения задач автоматизированного проектирования
СВЧ модулей РЭА требуется парк ЭЦВМ и АВМ с сущест­
венно большими ресурсами, создание новых вычислитель­
ных методов и алгоритмов и гибридных (ЭЦВМ+АВМ) вы ­
числительных комплексов.
В этом процессе наглядно проявляется диалектическое
единство метода и объекта исследования: для более точного
описания модели необходимо использование эфрективных
вычислительных алгоритмов, а их создание в свою очередь
требует глубокого знания физической стороны дела. Тольк о
на основе четкой физической картины явления можно по­
строить достаточно эффективный вычислительный алго­
ритм.
Переход к системам цифровой обработки информации.
Техни ческая база современной радиоэлектроник и позво-
1q
 ляет в принципе спроектировать и построить РЭА с любыми
наперед заданными характеристиками (не nыходящими, ра­
зумеется, за рамки фундаментальных пределов РЭ). Од­
нако при этом зачастую не удается удовлетворить многим
требованиям по массогабарmным параметрам, технологи­
ческим, конструктивным и экономическим показателям и
мн. др. Обычно создание уникальной РЭА требует приме­
нения прецизионной и дорогой элементной базы, разработки
новых технологических и конструктивных принципоIЗ, что
экономически далеко не всегда оправдано. Это обстоятельст­
во представляется тем более важным, что в теории систем­
ного подхода доказано, что система, состоящая нз оптималь­
ных частей, в целом не оптимальна. Поэтому возник интерес
к проблеме получения качественно новых характеристик
РЭА и ЭВМ с применением «старой» элементной базы 1).
Выход был найден в переходе к радиосистемам с цифровой
обработкой информации, когда система оперирует не с ана­
логовым (непрерывным) управляющим сигналом, а его
«изображением» в виде некоторых импульсов. При этом воз­
можно кодирование исходного сигнала по уровню, длmель­
ности импульса или комбинированное кодирование (по
уровню и длительности). Большинство систем обрабаrю,
информации в настоящее время функционирует по аналого­
вому принципу. Однако, по оценкам зарубежньтх экспер­
тов, в ближайшие 5-10 лет ожидается перевод примерно
· 80-90 % РЭА на цифровой принцип обрабаrки информации.
Очевидно, что будущее за органичным сочетанием аналого­
вых и дискретных подходов к обработке все возрастающих
объемов информации.
Особое значение придается поиску и применению радио­
сигналов с наперед заданным законом дискретной прост­
ранственно-временной модуляции и адекватных способов
их пространстIЗенно-временной обрабаrки с применением
гибридных комплексов ЭЦВМ и АВМ. Одним из эффектив­
ных способов оптимального описания дискретных управ­
ляющих сигналов является использование · R-функций и
алгебры ·логики. В ближайшем будущем на этом пути мож­
но ожидать интересных результатов в теории цифровой об­
работки сигналов, распознавании образов и др.

1) Здесь стоит отметить еще раз важное обстояте11ьство, спо­

собствующее широкому использованию ОИС·СВЧ. Дело в том, что
применение ОИС СВЧ 11е требует создания новой технОJюrии и
новое качество (массогабаритные параметры, устойqивость и дру·
гие положительные свойства ОИС СВЧ) nолуqается на «старой�
технологической основе.
14
 Глобальные сuсте.мы связи и инфор.маи,ии. Един.ал ав­
томатизироваrтая система связи (ЕАСС). Наличие огром­
ного числа средств электро- и радиосвязи, предназначен­
ных в конечном счете для передачи управляющего сигнала
s(t), постепенно приводило к идее композиционного объе­
дин:еюrя разных средств в отдельные системы. И это стало
своеобразной тенденцией современной РЭ. Так были созда­
ны большие радиорелейные линии (РРЛ) сnязи, общая дли-
. на которых составляет десятки тысяч ю1лометров. В зпа­
чителыrой степени реализованы связь и телевидение через
искусственные спутники Земли. Бурными темпами идет под­
rаrовка I< созданию волоконно-оптических (световодных)
линий связи. Имеется развwгая снстема э.лектросвязи по
кабельным JIИниям (в том числе с высокочастотным уплаrне­
нием) и др. Потребителю в общем совершенно безразлично,
по какому из каналов связи приходит к нему сигнал. Его
интересует своевременность получения информации, ее до­
стоверность и высокое качество. Была выдвинута идея со­
здания ЕАСС, в которой различные системы связи были бы
объединены под общим «руководством» центральной и ре­
гиональных систем ЭЦВМ и АВМ. Система управления
ЕАСС осуществляет выбор оптимального пуrи сигнала
с учетом загруженности системы, индекса приоритета або­
нентов и многих других обстоятельств.
Другим примером глобальной целенаправленной систе­
мы связи и оповещения может. с.пужить международная
служба К,ОСПАС (космическая система поиска аварийных
судов н самолетов).
Прон.икн.оаение идей и .м,етодов РЭ в са,1�ые разнообраз­
н.ые отрш:ли человечещой жизrш и деяпzельн.ости. В наше
время трудно представить себе какую-нибудь область нау­
ки или техники, в которой с непременным успехом не ис­
пользовались бы идеи и методы РЭ. Наиболее заметные от­
крытия последних десятилетий в космонавтике, астрономии,
химии, биологии, медицине и многих других отраслях
связаны с применением РЭ. В свою очередь паrребности раз­
вития этих наук ставят перед РЭ новые задачи и проблемы,
способствуя тем самым дальнейшему прогрессу РЭ.
 Глава 1

ФИЗИЧЕСКИЕ И МАТЕМАТИЧЕСКИЕ
МОДЕЛИ ОИС СВЧ
Сом нение должно быть не более, чем
бдюсльность, нначе оно может стать
опа сным.
Г. 1(. Лихтенберг

В этой главе кратко излагаются фундамент-:льные ос­

новы электродинамики СВЧ, коrорыми в строгои постанов­
ке являюrся уравнения Максвелла с соответствующими
дополнительными условиями, определяющими геометрию и
физику базового элемента ОИС СВЧ.

§ 1.1. Система уравнений электродинамики

В сооrветствии с основными воззрениями современной
классической макроскопической электродинамики электро­
магнитное поле в каждый момент времени характеризуется
напряженностью электрического Е (r, t) и магнитного И (r, t)
полей, электрическим смещением D (r, t) и магнитной
индукцией B(r, t). Эти величины являются векторными и
связаны между собой системой дифференциальных уравне­
ний Максвелла:

rotH_ __!_дD
с д t =�
с }' (1)
div D=4лр, (2)
rotE+ с дt
1 дВ
=0, (3)
div'В=O. (4)
Система уравнений (1)-(4) записана в классической гаус­
совой сuстеме единиц, и с означает скорость света в вакууме,
равную приблизительно 3 ·1010 см/с. Справа в уравнениях
(1), (2) записаны токи J и заряды р (точнее, плотности токов
и зарядов), являющиеся источниками электромагнитного
поля. При этом важно помнить, что первичные источники
j и р вовсе не обязательно имеют электромагнитную (а,
например, механическую, химическую и т. п.) природу.
Если среда, в коrорой рассматривается поле Е"Н, является
макроскопически неподвижной, то плотности тока и заряда
 связаны уравнением непрерывностн (закон сохране ния
электричес1юго заряда)
др/дt + div J = О, (5)
являющимся непосредственным следствием уравнений (1),
(2).
Система уравнений Максвелла (1)-(4) должна быть
дополнена системой материальных уравнений, определя­
ющих связи между D, В и Е,Н и учтъшающих «интеrра.тть­
ное » действие реальной среды на электромагнитное поле.
Для характеристики данной конкретной среды вводятся
понятия диэлектрической в и магнитной µ проницаемости,
а также удельной проводимости среды а, и тогда материаль­
ные уравнения в простейшем случае могут быть записаны
так:
D=вЕ, В=µН, J=aE. (6)

Последнее равенство в (6) представляет собой закон Ома в

дифференциальной форме.
Система уравненийМаксвелла (1)-(4) при рассм<УГрении
реальных задач прое1<тирования должна быть дополнена
рядом условий, учитывающих особенности задачи, конст­
рукцию элемента, свойства среды, расположение и особен­
ности источников поля и т. п. Введение этих условий оз­
начает принятие ряда идеализаций, разумных упрощений,
которые облегчают получение результата в данном «нулевом»
приближении. Эrо особенно важно в ОИС СВЧ в силу прин­
ципиальной трехмерности их конструкции, возможности
ухода излучения в стороны от тракта обработки сигнала
(из-за открытости 1<ак собственно волновода, так и БЭ) и
мн. др. На следующем этапе решения, если результаты пер­
вого этапа по каким-то соображениям (например, недоста­
точная точность математической модели БЭ нулевого при­
ближения и др.) не удовлетворяют условиям проектирова­
ния, необходимо ввести уточнения в постановку задачи и
продолжить решение.
ВИС, ОИС широкое применение получила импедансная
трактовка краевых задач. Пусть имеется некоторая об-
. ласть (объем) V, ограниченная произвольной (замкнутой
или незамкнутой) поверхностью S. В качестве S можно выб­
рать, например, сферу, внутри которой расположены
объекты дифракции, источники электромагнитных (звуко­
вых или иных) колебаний и т. п. Если обозначить через Er: и
Н-i тангенциальные 1юмпоненты полного поля Е и Н на
1?
 IJоверхноств S, то можно ввести понятие импеданса поверх­
ности как отношения компонент Е т. и Нт. :

(7)
где W - оператор импеданса. Если решение полной проб­
лемы дифракции для области V известно, то отношение (7)
однозначно определяет импеданс W. Однако обычно ситуа­
ция иная, а именно необходимо определить поля Ет., Нт.
на поверхности S и затем «продолжить» их в область V или
на внешнюю к V безграничную область V 00
•

В общем случае импеданс, определяемый (7), представ­

ляет собою некоторый интеrродифференциальный оператор.
Если известна полная система собсrвенных функций Ek,
Hk оператора Лапласа для поверхности S (по «угловым
координатам»), то поля Ет., Нт. можно разложить по этой
системе функций:
Ет. = � g"E,,, Нт. = �g"Н,, .
п п
Смысл введения оператора импеданса W состоит в воз­
можности написания для него различных форм вариацион­
ных принципов, доказательства их стационарности и т. д.
Таким образом, вместо отыскания полей Ет., Нт на S можно
сформулировать и решать задачу нахождения импеданса
\17. Разумеется, по существу, данная процедура есть перене­
сение трудностей из одного места в другое, однако (если
при транспортировке ничего не пагеряно) это позволяет вос­
пользоваться априорной информацией о характере искомо­
го решения; искать решение, «близкое» в каком-то смысле
к искомому, и использовать его в качесrве пробного
решения.

§ 1.2. Несинусоидальные волны

За последние двадцать лет в РЭ возникло и теперь энер­
гично развивается большое научно-техническое направ-
• ление, связанное с использованием несинусоидальных
волн (колебаний) [8]. Правда, следует отметить, что еще в
XIX веке в электрической связи широко применялись им­
пульсные сигналы s(t). Возврат к импульсным сигналам
произошел в 40-х годах нашего века в основном в связи с
проблемами радиолокации, а позднее - ЭЦВМ.
Использование преобразования Фурье в принципе поз­
воляет с любой степенью точности описать, например, еди-
ничный скачок (функцию Хевисайда; рис. 1.1 а), прямо ­
уголь ный импульс (рис. 1.1 6), являющийся наложением
двух единичных скачков разного знака, сдвинутых на вре­
мя Т, и т. п. Однако хуже всего обстоит дело с описанием
собственно скачка - процесса перехода системы из одного
со стояния (например, О на рис. 1 .1 а при t<.O) в другое (1 на
1
_J L_.
о t о т t
а li
_J э,.

/J z

� э- i=f ...

:J
/""\. /"'\
V V i=2
:,.

"- vv
"" / _,,, i=2 1:.РLJr ...
fl е
Рис. l.l

рис. l.la при t�O). Аппарат фурье-лреобразования для

точного описания этого процесса требует учета весьма
большого числа гармоннческих составляющих (явление
Гиббса), что, с одной стороны, представляет определенные
вычислительные затруднения (например, в силу неизбеж­
ных вычислительных погрешностей, связанных хотя бы с
ограниченностью разрядной сет1ш ЭЦВМ и неточностью
зада ния амплитуд гармонических компонент si(ro) восста­
навливаемого сигнала s(t), известных, скажем, из экспери­
мента, и т. п.). С другой стороны, использование бесконеч­
ного спектра для описания скачка вызывает некоторые зат­
руднения в объяснении этого эффекта и приводит к мысли
о необход имости поиска более адекватного аппарата для
описания процессов типа показанных на рис. 1.1 а, б. Еще
более сложным для гармонического подхода представляется
анализ 6-образных процессов, получаемых, например, диф­
ференцированием Сl(ачков, изображенных на рис . 1.1 а,б
(рис. 1.1 в, г). Для 6-импульса s((J))=l, т. е. его спектр
состоит из бесконечного набора гармонических компонент
с одинаковой амплитудой.
Прю<тически беспредельное в течение многих десятиле­
тий «господство» гармонических сигна.nов в РЭ бы.по воз­
можным прежде всего в силу удобства их применения
к анализу достаточно простых ситуаций, математической
обоснованности (система гармонических функций полна и ор­
тогональна) и определенной инерции мышления, отражением
которой является, по-видимому, пословица «от добра добра
не ищут>�.
Во многих практических случаях было достаточно при•
ближенного описания импульсного процесса, когда, на­
пример, область перехода (скачок) - фронт нарастания
(спадания) импульса - была много меньше длительности
импульса Т. Имеются и другие примеры, для которых
спектральное описание является удовлетворительным. Од­
нако по мере увеличения объемов обрабатываемой инфор­
мации наметилась тенденция уменьшения длительности им­
пульса Т и увеличения крутизны его фронтов, чго с неиз­
бежностью привело к пониманию неадекватности процесса
и его описания (использование чрезмерно большого числа
гармоник; строго говоря, ряд Фурье в точке пересечения
нуля сигналом расходится).
Оказалось, что существуют другие возможности для
описания импульсных сигналов: функции Хаара, Уолша,
Радемахера, R-функции и др. В последнее время наибольшее
распространение получили функции Уолша_ На рис. 1.1 д, е
приведены некоторые примеры гармонических функций (ле­
вая колонка) и функций Уолша (правая).
Применение системы функций Уолша в РЭ для анализа
импульсных (финитных, равных тождественно нулю вне
некоторого интервала t Е [t1 , t 2]) сигналов с математической
точки зрения является обоснованным. Эта система функций
{f ( i, п)}, полна и ортогональна на конечном интервале:
m-1
� f (i, k) f (j, k) = бu. Разложение некоторой фующ ии
/1=0
F (k) в ряд по ортогональной системе {f(i, k)} имеет вид
т-1
F(k)= � a(i) .f (i, k), (8)
i=O
а J{оэффициенты разложения а Щ находятся так:
т-1
а (i) = � F (k) f (i, k). (9)
·k=O

При этом определение а ( i) по (9) является точным, а его

определение в виде интеграла
t,

a(i)= � F(t)f (t, i)dt (10)

является приближенным.
Однако удобство, математическая обоснованность и «ес­
тественность» функuий Уолша явились, разумеется, не
единственными причинами их столь широкого применения
в современной цифровой РЭ. Как обычно, главным обстоя­
тельством «за» их использование послужили те новые воз­
можности, которые были реализованы в РЭА исключительно
благодаря свойствам функций Уолша. Отметим здесь наи­
более яркие из этих результатов.
Прежде всего сюда, несомненно, относится реализация
фильтров для пространственно-временной обработки сиг­
налов. Дело в том, что традиционные и весьма детально
разработанные теория и техника фильтров для временных
сигналов не могут быть непосредственно использованы для
анализа и синтеза пространственных фильтров. Пространст­
венно-временные структуры необходимы в телевизионных
системах с импульсно-кодовой модуляцией, широко при­
меняемой в системах спутниковой связи, с: также в системах
кабельного телевидения [8}. Фильтры для пространст­
венно-временной обрабаrки сигналов (равно как и диаграм­
мообразующис матрицы) представляют собою весьма слож­
ные трехмерные структуры с большим числом пересекаю­
щихся (без электрического контакта) проводников, а имен­
но реализация таких структур на ОИС пршщипах наиболее
желательна и ведет к существенному выигрышу в массогаба­
ритных параметрах.
Необходимость обработки больших массивов информации
в реальном масштабе времени привела к созданию систем
обработки на частоте несущей радиосигнала а (t) без пред•
варителыюго его преобразования в управляющий сигнал
s(t). Такие системы могут функционировать только при
реализации высокопроизводительных РЭА с цифровой об­
рабаткой информации. Развиваются системы однородных
вычислительных сред как средства аппаратной реализации
устройств цифровой обработки радиосигналов а (t). При этом
21
 желательно конструктивное объединение фазированной ан­
тенноr, решетки (ФАР) с системой цифровой обработки и
фор мирования сложных радиосигналов. Таким образом,
возникает сложное единое устройство пространственно­
временной обработки, по существу, цифровая ФАР. Удиви­
тельно своевременно подоспела к этому времени адекватная
конструктивно-технологическая база - в виде ОИС СВЧ.
Одновременное и uеленаправлеююе применение прин­
ципов и техники ОИС и цифровой обработки сигналов раз­
решает говорить о реальном создании однородных вычисли­
тельных сред, позволяющих комплексно решать широкий
круг вопросов, связанных с построением адаптивных струк­
тур в радиолокации, оптике, гидролокации, радиосвязи
и т. n. При этом �стественным образом учитываются шумо­
вые (санкционированные или (и) несанкuнонированные)
помехи.
Радиоэлектронные системы на основе несинусоидальных
волн имеют по современным прогнозам большое будущее.
И хотя прогнозирование, как и любая экстраполяция, за­
частую оказывается несостоятельным, тем не менее успехи
РЭА на несинусоидальных волнах в радиолокации и радио­
связи говорят о многом. В частности, было неоднократно
показано, что для несинусоидальных волн оптимальным яв­
ляется частотный диапазон приблизительно от 1 до 10 ГГц
(например, всепогодные радиолокационные станции (РЛС)
с высокой разрешающей способностью, РЛС для интроско­
пии земных недр, воздушной разведки состояния ледяных
покровов и мн. др.). Однако, как следует из ранее приве­
денных оценок, именно в этом частотном диапазоне ОИС
СВЧ (на основе металло-диэлектрических конструкций)
наиболее ярко проявляют свои преимущества. Мы еще раз
обращаем внимание читателя на это интересное обстоя­
тельство.

_§ t.3. Электродинамическое моделирование ОИС

Построение системы автоматизированного проекти-
. рования (САПР) ОИС СВЧ априори предполагает наличие:
во-первых, ясного и четкого понимания характера физиче­
ских явлений I<ак при возбуждении отдельного элемента,
так и связи между отделы-1ымм базовыми элементами;
во-вторых, необходим достаточно разработанный, адекват­
ный и эффеюивный математический аппарат, дающий воз­
мож,юсть с достаточной (гарантированной) для практики
автоматизированного проектирования точностью описать
22
 (н апример, в терминах S-матр1щы) базовые эле�енты ОИ С.
. высокая степень адекват1-1ос-т11 математическом модсJIИ и
реального БЭ может быть обеспечена тоJiько при условии
3нания матрицы рассеяния на ЭJiектродинамическом уровне
строгости. В равной мере это относится и к проблеме взаимо­
связи (санкционированной или паразитной) между отдель­
ными БЭ данной ОИС. Таким образом, САПР может рас­
сматриваться как некая адаптационная (обучающаяся)
ст руктура, вкJiючающая в себя самые современные данные
rю анализу матриц рассеяния базовых элементов (библиоте­
ка неоднородностей) и взаимодействию (в общем случае
многомодовому) между ними. Система взаимосвязи между
БЭ должна «умет!,» решать задачу синтез�, т. е. обеспечи­
вать оптимальное (в электродинамическом и конструктив­
ном плане) соединение элементов в функциональные узлы
при непременном учете требований по физической и конст­
руктивно-технологической реализуемости параметров ОИС
СВЧ.
ОИС СВЧ представляют собой весьма сложные дифрак­
ционные структуры, и поэтому анализ даже простого фу1ш­
uионального узла (состоящего, к примеру, из трех - пяти
функциональных БЭ) представляет подчас непреодолимую
даже для самых современных ЭЦВМ задачу. Выход состоит
в предварительном разбиении (декомпозиции) схемы на
ряд составных элементов. Обычно это неоднородности ОИС,
каждая из которых несет определенную функциональную
нагрузку (поворот линии, межэтажный переход, Т-соеди­
ненпе, обрыв проводника и т. д.). В свою очередь слож­
вы.е элементы также могут быть расчленены на р'Яд более
простых составных частей, состоящих из отрезков объем­
ных лп.
По определению ОИС СВЧ представляет собою совокуп­
ность токонесущих проводников, пространственно располо­
женных в слоях диэлектрика 1). Сочетание проводников об­
разует различные типы линий передачи, число которых к
настоящему времени превышает сотню. По геометрии по­
перечного сечения и электромагнитным свойствам линии

1 ) В более коротковолновой области, например при длинах воли

около l-2 мм, металлические проводники заменяются диэлектри­
ческими волноводами или некими аналогичными образованиями.
При этом металлические слои длинноволновых ОИС заменяются на
воздушны е {или условно воздушные) прослойки так, чтобы обеспе­
чить отсутствие несанкционированных связей между отдельными
этажами ОИС.
передачи можно разделить на три большие группы (на рис.
1.2, слева простейшие из представителей этих групп выде­
лены штриховыми линиями).
К первой группе относятся полосковые линии, функцио­
нирующие в основном на поперечных (Т-воJiны) или квазипо­
перечных волнах (область / на рис. 1.2). Наиболее общим
примером такой линии является симметричная полосковая
линия (СГИ) с проводниками ограниченной ширины (cnnO).
Эта линия замечательна тем, lfГO при увеличении попереч­
ных размеров среднего проводника до бесконечности она
!I
g
,т--,
' 1
i
L ___ ...J г--,
1 Dli Nofl
L---'
г--,
L_l!J

Рис. 1.2

переходит в несимметричную полосковую линию (НГИ),

а при исключении его-в двухпроводную ленточную Jiинию
(ЛЛ). Кроме этого, существуют различные промежуточные
варианть, СГИО. Например, выбрав ширину крайних
проводников намного большей ширины среднего проводни­
ка, получим модель известной СПЛ. Разнесение проводников
таких линий в слоях диэJiектрика позволяет решать задачи
о передаче СВЧ энергии в вертикальном направлении 1).
Ко второй группе относятся симметричные щелевые
линии (СЩЛ) с проводниками, расположенными в плоскос­
ти слоя диэJiектрика (область II на рис. 1.2).
Для этих линий характерно присуrствие продольной
составляющей компоненты электромагнитного поля. В ОИС
данный класс линий необходим для реализации пространст­
венных связей (в основном межэтажных) и параллельного
включения полупроводниковых (активных и пассивных)
нриборов.
1) Роль соединительных узлов между этажами ОИС моrут вы•
iюлнять оnтичес1<ие или 1<ваэиолтичес1<ие элементы (см., напри•
мер, [11)).
 К третьей группе относятся несимметричные Jrинии пере­
да , имеющие, как правило, сложную структуру электро­
чи
магнитного поля (гибридные волны). Ключевая структура
в виде несимметричной щелевой линии (НЩЛ) показана
1-1а ри�. 1.2 (область / II). Для НЩЛ характерно располо­
же ние токонесущих проводников в разных слоях диэлек­
трика, что позволяет не только реализовывать пространст­
венные связи с другими типами линии, но н организовывать
активн ые полупроводниковые структуры сосредоточенного
и (или) распределенного характера.
Совокупность линий, относящихся к трем указанным
группам (рис. 1 .2, слева), образует основу для создания
элементной базы ОИС СВЧ. В одном СВЧ модуле на ОИС,
по-видимому, нецелесообразно использовать комбинацию
большого числа типов линий. На практике наибольшее рас­
пространение получили три типа волн (Т-, Н-, Е-в олны);
поэтому для их передачи и трансформации обычно достаточ­
но использовать не более трех - пяти типов ЛП в одном
устройстве. Чрезмерное увеличение числа ЛП, как правило,
не приводит к улучшению электрических характеристик мо­
дуля, а сложность технологических операций при изготов­
лении возрастает. По тем же соображениям нецелесообраз­
но значительно увеличивать число связанных (или могу­
щих оказаться связанными) слоев диэлектриков в одном мо­
дуле. В этом случае имеются ограничения по критериям
физического характера - возникновение паразитных ти­
пов волн 1) (поверхностные и объемные волны) в слоях ди­
электрика - и технологического - многослойная тополо­
гия проводников (проблемы точности совмещения фотошаб­
лонов и реализация гальванических элементов связи) 2).
Задачи, связанные с созданием САПР ОИС СВЧ, тре­
буют достаточно полного и строгого математического моде­
лирования (модель ЛП), основанного на рассмотрении трех-
1) В особенности такая опасность возникает, когда БЭ иэна­
чалыю предназначен для функционирования на одном из высших
типов колебаний. Такой режим в целом ряде случаев является вы­
годным. Так, например, на высших типах получаются более высокая
добротность (открытые резонаторы) и меньшие погонные потери
(микрополосковые ЛП); с их помощью можно расширить полосу
микрополосковых антенн и мн. др. [6, 7].
2) Применение в ОИС СВЧ межслойных гальванических элемен­
тов связи является вынужденным и определяется в большей части
случаев недостаточно высоким технологическим уровнем изготовле­
н ия ИС н ОИС. В перспективе ОИС СВЧ будут реализованы с пол­
н ость ю безrальваническими связями, что даст возможность разра­
ботчику проектировать, в частности, миниатюрные системы для
сверхбыстродействующей обработки информации. на СВЧ.
25
 мерных электродинамических структур, переход к которым
показан на рис. 1.2 стрелкой. Построение математических
моделей, адекватных исходным физическим задачам, обыч­
но представшrет весьма трудную задачу. Строгий анализ
дисперсионных свойств основной волны в сложных направ­
ляющих структурах оказывается непростым даже для ЛП,
относящихся к первой группе (основной тип волны - ква­
зи-Т-волна). Поэтому длтт практических целей в проекти­
ровании ОИС СВЧ необходимо обращаться к модельным
представлениям, использующим различные приближенные
граничные условия. В связи с этим необходимо подбирать
и способы формализации задачи.
Наибольший интерес представляет метод Олинера,
первоначально предложенный в 50-х годах и усовершенст­
вованный позднее [2]. Этот метод позволяет при наличии
ряда предположений (одноволновый режим ЛП) и опреде­
ленных оr·раничений при его использовании (например, не
учитывать излучающие (вытекающие) волны) получать
приемлемые для практики результаты [2-4].. Физическую
основу эвристического подхода Олинера составляет предпо­
ложение о том, что энергия рабочей волны (квази-Т-волны
или волны другого типа) сконцентрирована в небольшой
окрестности токонесущего проводника (регулярной ЛП)
или вблизи неоднородности (базового элемента). Предпо­
лагается, что распределение полей в поперечном сеченпи
регулярной ЛП мало изменится ,'если на некотором расстоя­
нии слева и справа от токонесущего проводника поместить
идеальные магнитные стенки.
Рассмотрим более общий подход к задачам моделирова­
ния квазиоткрытой структуры, приведенной на рис. 1.2
в центре. В зависимости от геометрической формы контуров
21-28 в структуре могут существовать поперечная волна
и продольные волны Н-, Е-тиnа; электродинамический рас­
чет характеристик даже регулярных структур с такими
волнами весьма непрост. Однако качественное распределе­
ние полей в линии, как правило, довольно несложно опреде­
ляется, например, из статической задачи (д/дt=О). Эти зна ­
ния позволяют в какой-то мере определять соответствие
полей для известных волноведущих линий, параметры ко­
торых описываются строгими аналитическими выражениям и
(переход к таким структурам показан на рис. 1.2 стрелками).
Исходя из этого, можно найти неизвестные параметры
исследуемой линии с помощью следующих соотношений:

Z,.�-z
= а•
"1 -о2
"ЭФ= с,эф• 11, r,
11
.
�1... = �2
11,отс, (11)
 где индекс t относится к исследуемой структуре, а индекс
2 - к известно?i. Смысл написанных соотношений нетрудно
установить из простых физических рассуждений. Если в
структуре распространяются плоские волны (для этого до­
статочно, чтобы поперечное ее сечение было связанным:
$ 2,,.ЬО), то для моделирования достаточно использовать
первое выражение, как это было сделано А. Олинером для
бездисперсной СПЛ. В случае наличия слабой дисперсии
(квази-Т-волна, например, в НПЛ) необходимо совместно
- решать первые два уравнения (Е. И. Нефёдов, А. Т. Фuал­
ковский, 1980 [2]). В дисперсионных структурах, имеющих
частот у отсечки (необходимое условие существования про­
дольных волн Е- и Н-типов), при моделировании совместно
рассматриваются все три условия (11) [4].
Учитывая, что типов используемых линий достаточно
много, их удобно разделить на две группы по физическому
признаку: ЛП с поперечными волнами (Т- и квази-Т-вол­
нами) и с волнами, имеющими продольную составляющую
(Н- и Е-волнами) 1). Системы с поперечными волнами моде­
лиру1отся коаксиальным (рис. 1.2, J) либо прямоугольным
(рис. 1.2, 2) многосвязанным в общем случае волноводом.
В случае прямоугольного волновода (ПВ) узкие стенки его
модели - магнитные,. а широI<ие - электрические. Про­
дольные LE- и LН-волны моделируются круглым (рис. 1.2,
3) либо прямоугольным (рис. 1.2, 4) волноводом. Для пере­
численных волноведущих ЛП известны (или могут быть
найдены, например, численными методам.и) строгие элек­
тродинамические решения. Используются и другие типы
волноведущих линий с известными решениями. Приведем
некоторые примеры моделирования регулярных ЛП, наи-
более широко используемых в ОИС СВЧ.
СПЛ. Магнитные стенки в модели линии показаны вер­
тикальными штриховыми линиями, а расстояние между ними
равно йс11л (рис. 1.3 а). Если увеличить ширину токонесу­
щей полоски до пересечения ее магнитными стенками, полу­
чим вместо СПЛ два ПВ (с поперечными сечениями йсn.1 Х
Xd, где d - толщина диэлектричес:кой подложки), у кото­
рых горизонтальные стенки являются идеально электричес­
кими, а вертикальные - идеально магнитными. В каждом
из этих ПВ возможно распространение Т-волны: электри-

1) В целом ряде случаев, особенно в структурах с кусочно-одно­

' родным заполнением поперечного сечения диэлектриком, удобнее
использовать продольnые типы волн: продольно-электрические
(LE) и (или) продольно-магнитные (LH) волны.
27
ческое поле перпендикулярно горизонтальным стенкам
волновода, а магнитное - вертикальны м, а стало быть,
граничные условия на сrенка х удовлетворяются .
..//t1нш1 nepetJa11t1 Ноilель

1
1

1�

Ocnn
[. "1
·"J�
1
� fl� qq? �
� (/? ?q: �)�
1 йнnл
1-
б

? :q Ш Ш2
'f'/9?????
�� ?#q;
·4 ,v .f

L___J

е I f"";-'1

ж
Рис. 1.3
Итак, в эквивалентном СПЛ прямоугольном волновод�
мож ет распространяться Т-волна. Для уст ановления более
полной эквивалентности ЛП и волновода не обходимо, кро-
 ме того, чтобы длина волны, nошюnое ·сопротивление и
фазовые скорости были бы в них одинаковы (это же в равной
степени относится и к ЛП других типов, между которыми
устанавливается соответствие в указанном смысле).
Н ПЛ. Применение метода Олинера к БЭ, выполненным
н а основе НПЛ (рис. 1.3 6), требует некоторой его модифи­
кации, а именно перехода к двумерной модели с установкой
вир туальных магнитных стенок в местах, определяемых
строгой теорией ключевой структуры и заменой реальной
диэлектрической проницаемости 8 подложки на ее эффек­
тивное значение БеФ ·
КЛ. Для моделирования копланарной ,1инии (КЛ)
(ри с. 1.3 в) в качестве прототипа можно выбрать коаксиаль­
ный волновод (КВ). Для этого достаточно придюь полубес­
конечным слоям металла цилиндрическую форму, а узкий
токонесущий проводник преобразовать в центральный
проводник КВ. Структура поля при этом исказится незна­
чительно. П_ренебрежеiше малой составляющей лродолыю­
го магнитного поля (Н:x:>>Hz) внесет погрешность в расчет.
На практике эта погрешность составляет не более 10 % .
СЩЛ. В этом случае идеальные электрические стенки
перпендикулярны полубесконечным слоям металла и рас­
положены по разные стороны щели, а магнитные стенки -
параллельно (рис. 1.3 г). Введение магнитных стенок воз­
можно при незначительном изменении фазовой скорости и
волнового сопротивления аrкрытой СЩЛ. Кроме этого,
основная волна открытой СЩЛ не имеет нижней частоты
qrсечки, присущей волнам высших типов либо волнам
· в закрытых структурах.
Одной из первых моделей СЩЛ является ее вариант на
·полубесJ{онечном магнитодиэлектрическом пространстве.
При очень узкой ширине щели замедление основной волны
определяется величtшою Чсщл = л/лсщл = Vµ (в+ l )/(р.+ 1),
rде Л сщл - длина волны в СЩЛ. Если µ=l, то ТJсщл=
=V (8+ 1)/2.
Учитывая, что диэлектр11ческая подложка (имеющая
конечную толщину d) влияет на распределе·ние поля в СЩЛ,
выбор расстояния между электрическими стенками услож­
няется: Ьсщл =а (8) d. Как показали экспериментальные ис­
следования, наилучшие результаты получаются при а (в)=2
для материалов с 8=10-16 и стандартной толщиной d=
=0,5-2 мм на частотах до 12 ГГц.
Н ЩЛ. Несколько сложнее моделировать НЩЛ, обла­
дающую довольно сложной I<артиной электромагнитного
 поля. Отличительной особенностью НЩЛ является ее
«среднее» положение между НПЛ и СЩЛ. Так, при перекры­
тии слоев металла (рис. 1.3 д) она близка по свойствам к
НПЛ, а при их разнесении (рис. 1.3 е) - к СЩЛ.
На практике для НЩЛ используются те же подложки,
что и для СЩЛ (d=0,5-2 мм). При этом представляет ин­
терес случай HЩJJ, у котороi'1 края образующих НЩЛ ме­
таллических плоскостей находятся друг протпв друга.
Оказывается, что замедление основной волны HЩJI в
этом случае примерно такое же, как и у СlЦЛ на подложке
полубесконечной толщины: ТJнщл = V(в + 1)/2. Это дало
возможность получить широкий кла·сс электродинамических
структур для волн преимущественно миллиметрового и
субмиллиметрового диапазонов (В. И. Гвоздев, Е. _И. Не­
фёдов, Т. 10. Черникова, 1985), основанных на сочетании
волновода поверхностных волн (например, неограниченно­
го диэлектрического листа) с реберным (гребневым) волно­
водом (рис. 1.3 ж). При этом фиксация поляризации рабо­
чей воJiны осуществляется гребнями (гребнем), а направляю­
щие свойства - волноводом поверхностных волн. На основе
реберно-диэлектрического волновода может быть построена
элементная �база ОИС миллиметрового и субмиллиметро­
вого диапазонов. Моделирование регулярного реберно-ди­
электрическоrо волновода выполняется по обычной схеме.
Рассмотренный подход к моделированию регулярных
ЛП хотя и является приближенным (для СПЛ точность
составляет около одного процента, для НПЛ - единицы
процентов, для НЩЛ, СЩЛ и КЛ - до десяти процентов),
но позволяет еди�ообразным способом рассматривать прак­
тически все типы линий передачи, используемых в ОИС
СВЧ. А это открывает путь к четкому пониманию существа
физических явлений и, как следствие, ведет к возможности
автоматизированного проектирования объемных БЭ, вы­
полненных на комбинации различных типов ЛП. Более
сложным является исследование санJ<ционированных и не­
санкционированных неоднородностей в разнотипных и
однотипных ЛП. В следующей .главе будут рассмотрены
соответствующие структуры.
 ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ОИС СВЧ
... Нам СJ1едовало бы стремиться по­
знавать факты, а не мнения, н, наnро­
тнв, находнть место зтим фактам в
снстеме нашнх мнений...
Г. К. Лихтснберг

§ 2.1. Объемные неоднородности

Разви'Гие ОИС СВЧ потребовало разработки и внедрения

новых классов линий передачи (ЛП). Основной характерной
чертой ОИС является комбинированное включение разно­
типных ЛП, что позволяет реализовать объемные неодно­
родности (или БЭ) с заданными конструктивными и эле1<тро­
динамическими характеристи1<ами. Неоднородности в ОИС
можно условно разделить на две группы: тю< называемые
переходы между различными типами ЛП (межслойные пере­
ходы) и Т-соединения, плечи которых выполнены на разных
ЛП, расположенных на разных этажах ОИС СВЧ ..
Кроме этого, в ОИС СВЧ в силу принципа I<онструкци­
онного соот.еетствия используется большинство неоднород­
ностей планарных ИС. 01-111 расположены либо в Е-плоскости
(СПЛ, НПЛ и КЛ), либо в Н-плоскоспr (СЩЛ и НЩЛ).
Планарные неоднородности на СПЛ и НПЛ исследованы
довольно подробно, однако неоднородностr: на СЩЛ, НЩЛ
и КЛ изучены пш<а мало. Еще менее исследованы объемные
неоднородности, составляющие элементную базу ОИС. Рас­
смотрены в основном лишь межслойные соединения между
разнотипными ЛП. К этим соединениям относятся резонанс­
ные переходы, построенные на магнитной связи щелевого
резонатора с ЛП, шлейфные переходы, использующие вы­
равнивание потенциалов на проводниках соединяемых ли­
ний, и межслойные переходы с гальванической связью 1).
1) Гальванические перемычки сложны в технологическом отно­
щении при изготовлении устройств на ОИС. Поэтому они исполь­
зуются в современных ОИС СВЧ крайне редко. Предполагается
здесь и в дальнейшем ИЗJ1Оже11и1J, что эквива.1Jе11том перемьР1ки
(режим короткого замыкания) служит разомкнутый четвертьвол­
новый отрезок ЛП. Таким образом, исключаются гальванические
соединения между этажами ОИС, а выравнивание потенциалов меж­
ду проводниками соединяемых ЛП осущест1тяеrся раэоыкнутыми
U/Jlейфами,
Более сложны неоднородности в виде Т-соединений, которые
являются ключевыми стру1<турами для ОИС СВЧ. Вопро­
сы их детального моделирования до настоящего времен и
практически не затрагивались. Основной I<ласс неоднород­
ностей в виде межслойных соединений довольно подробно
описан в [4]. Одна�ю при анализе их волновых матриц рас­
сеяния не учитывались неоднороднос1и в области соедине­
ния. Ниже будут рассмотрены наиболее типичные неодно­
родности ОИС СВЧ. Основным при рассмотрении является
использованный в § 1.3 метод моделирования.
Соединение НПЛ. Топологическая схема соединения
двух НПЛ (1, 2), расположенных по разные стороны слоя
кз

кз

г
а
IS
.Рнщ•
Вншi
l\mu
/ 1
' 1
iX s 2,0 1
/
Рг
{,5
'
/

J 5 f/f0
1-'нщ,
Внщл 8 z
К3
Рис. 2.1

диэлектрика rолщиной d, приведена на рис. 2.1 а, где ди­

электрик показан оптически прозрачным; мы будем пред­
полагать и в дальнейшем оптическую прозрачность диэлек­
трических слоев ОИС. Токонесущие проводнюш НПЛ
скачком переходят в полубесконечные слои металла. Причем
пере1<рьrrые края металла образуют НЩЛ, которые на чет·
 вертьво лновой длине от проводнш<а НПЛ закорочены (КЗ)
металл ическими перемычr<ами (на рисунке они показаны
wтри ховыми линиями), а при полуволновой длине - ра­
зомкнуты (перемыЧiш не нужны). Согласно избранному
ме тоду моделирования, вблизи токонесущих проводников
вводятся идеальные магнитные стенки, а nлос1юсти токо­
несущих проводников продляются электричесr<ими стенками.
Таr <им образом, получим известную волноводную мо­
дель - Х-соединение (рис. 2.1 6) ). В этой структуре два
1
пр аI'ивоположных плеча ( соответствующих НЩЛ) закоро­
чены на четвертьволновой длине.
Для полученной волноводной модели нетрудно постро­
ить ее эrшивалентную схему; она приведена на рис. 2.1 в.
В ней отрез1ш с распределенными параметрами описывают­
ся входными сопротивлениями, а неоднородносrи малого
порядка, включающие в себя свойства скачка ширины, изгиб
и пересечение волноводов, можно в первом приближении
пр едставить в виде сосредоточенных элементов емкостного
и индуктивного характера, выражения для rюторых име­
ются в [2]. Здесь и далее на рис. 2.2-2.4 эквивалентные
сосредmоченные элементы выражаются через значения
сопрот ивления Х либо проводимости У. Знак перед ними
указывает. на физическое определение элемента; например,
положительный знак перед сопрmивлением соответствует
сосредоточенной инду1пивности, а отрицательный - емкос­
ти. Для проводимости наоборот.
На рис. 2.1 г приведены расчетная (сплошная) и экспе­
риментальная (штриховая) частотные хаi!актеристиrш рас­
смагренного соединения.
Соединение НПЛ с СЩЛ. Тоrшнесущий проводник НПЛ
расположен над слоем диэле1<трю<а; в слое металла (снизу)
вырезана НЩЛ (рис. 2.2 а). За облас:гью пересечения НПЛ
заканчивается разомкнутый четвертьволновым шлейфом,
а НЩЛ- зююроченным четвертьволновым шлейфом. При
ортогональном расположении НПЛ и СЩЛ данное соеди- ·
нение обеспечивает максимальную связь ЛП по магнитному
полю.
Устанавливая эле1причесrше и магнитные стенки вблизи
тоrюнесущих проводников, полу�аем волноводную модель
(рис. 2.2 6). Она представляет собой более сложное, чем
на рис. 2.1 б, Х-соединение волноводов 1; Е- и Н-плоскостях:
узкая стенr<а одного волновода имеет общее основание с
1) Здесь и далее на рисунках заштрихова�шые стороны волно­
вода соответствуют магнитным стенкам, а незаштрихованные -
Мектрическцм.
широ1юй стеююй другого волновода. За областью пересе­
чения волновод, соответствующий СЩЛ, на четве ртьвоJI­
новой длине закорочен, а волновод, соответствующии НПЛ,
раЗОМ({ Нут.
Анализ волноводной модели пш<азывает, что связь по
магнитному полю в области соединения полная, а связь
К3

а
11
Kcrnu \

Р,
хх J

.Р:ш., 2
Всщn
i'5
f
кз Цд 1,0 1,2 f/Fo
11 г
Рис. 2.2

по эле({трическому полю отсутствует (инду1сrивный хара({­

тер соединения). Для I<омпенсации инду1<тивности необхо­
димо ввести дополнительную неоднородность ем1шстного
типа. В данном случае в области соединения можно устано­
вить ем({остную диафрагму шириной, равной ширине СЩЛ.
Эго подтверждается результатом сравнения теоретичес({ИХ
и Э({спериментальных данных модели и прототипа.
Эrrnивалентная схема, представленная на рис. 2.2 в,
достаточно хорошо описывает волноводную модель, где
волновые сопротивления разомкнутого и �акоро�енного
34
отрезков пересчитываются во входные сопротивления, а
оараметры емкостных и индуктивных элементов определя­
fО'l'СЯ ИЗ [ 4] .
На рис. 2.2 г приведены расчетные (сплошная кривая) и
эксnерименталыrые (штриховая) частотные характеристики
коэффициента отражения межслойного соединения 50-ом­
ных НПЛ и СЩЛ.
Соединение НПЛ с КЛ. Еще более сложным является
соединение НПЛ с КЛ, расположенными ортогонально по

хх

а Б

---
0,8 f,0 f,Z f/f0 _
г
Рис. 2.3

разные стороны слоя диэлектрика. В простейшем случае,

показанном на рис. 2.3, тшюнесущие проводнш<и соединены
гальванической перемычкой 1) через отверстие в слое ди­
эле1сrрш<а (на рис. 2.3 а она ПОJ<азана штриховой линией).
За областью пересечения КЛ заканчивается шлейфом, вы­
резанным в слое металла. Данный шлейф необходим также
для подстрой1ш (согласования) соединения; как правило,
его длина l значительно меньше четверти длины волны.
Исходя из используемого принципа моделирования, по­
строим модель коаксиально-волноводного соединения
(рис. 2.3 6). При этом КЛ преобразуется в 1юаксиальный,
1) См. примечание на с. 31.
 а НПЛ- в прямоугольный. волновод. Зю<рытая модель пере­
хода НПЛ.;::::=КЛ имеет вид известного r<оа1<сиально-волно-
. водного перехода. В области соединения широкой стенки
волновода с внешним проводнююм коаксиального волновода
введена ем1юстная диафрагма D для 1юмпенсации инду1сrив­
ности гальванической перемычки между тшюнесущими про­
водниками.
Для полученной коаксиально-волноводной модели не­
трудно составить эквивалетную схему (рис. 2.3 в), в 1<ото­
рой шлейф описывается входным сопротивлением, а пара­
метры ем1юстных и индуrсrивных элементов известны [4].
На рис. 2.3 г приведены расчетные (сплошная r<ривая)
и экспериментальные (шrриховая) частотные хара1<теристи-
1ш коэффициента отражения соединения 50-омных НПЛ
и кл.
Объемные тройники. Распределение СВЧ энергии в
вертю<альной плосrюсти ОИС осуществляется с помощью
объемных Т-соединений, входными и выходными плечами
которых являются разнотипные ЛП. Причем все плечи
могут быть расположены либо на одной стороне слоя ди­
эле1сrрю<а, либо по разные его стороны, а в общем случае -
даже в разных слоях диэлектрю<а. Связь между· ЛП осу­
ществляется по магнитному или по элеr<тричесI<ому полю, а
иногда с помощью металлических перемыче1< через слой ди­
электриr<а 1).
Рассмотрим неrшгорые варианты объемных Т-соединений
(объемные тройники).
06,оемный тройник на СПЛ и НПЛ является в неr<оторой
степени ключевой структурой ОИС СВЧ. На рис. 2.4 а
показан пример тройниr<а, у которого входное плечо 3
выполнено в среднем слое на СПЛ, а выходные плечи 1, 2 -
в крайних слоях на НПЛ. Тшюнесущие проводнюш всех
линий с1<ач�юм переходят в слои металла, расположенные
навстречу друг другу. На рис. 2.4 а показан случай, ,югда
края слоев металла, образующих НЩЛ, находятся дРУГ
против друга.
В области соединения рёбра металличес1шх э1<ранов
создают НЩЛ. Для подавления поперечных волн Н-типа
НЩЛ четвертьволновой длины за�юрочены. Выходные плечи
НПЛ имеют общий слой металла, выполняющего в ОИС
функции эле1промагнитного э1<рана.
Введение в поперечные плос1<ости магнитных стенок
(они заштрихованы на рис. 2.4 б) дает закрытую волновод-
1) См. приме•1ание на с. 31.
36
 н­
нуJО модель тройника, I{ОТорый в простейшем случае явл
ется прямоугольным волноводом, разделенным бесконечно
т онr<0й металлической пластиной по у зrюй стенI{е (ме алли­
т

ческая пластина параллельна широrюй стенке волновода).

МеждУ входным волноводом 3 и точкой включения металли­
ческой пластины расположены заI{ороченные волноводные

KcmtJ

_
,._ __
_.__ _
,._ __L_

0,8 0,9 f,0 f,I f/f0

2
Рис. 2.4

отрезки, соответствующие шлейфам на НЩЛ (рис. 2.4 6).

Волноводный тройник имеет симметрию относительно вы­
ходных плеч, что значительно упрощает построение экви­
валентной схемы и методику расчета, посrюльку в этом слу­
чае эквивалентная схема симметричной половины тройника
(рис. 2.4 в) полностью совпадает с эквивалентной схемой
рис. 2.1 в.
На .рис. 2.4 г приведены расчетные частотные хараr<те­
ристики коэффициента отражения (сплошные линии) и
37
результаты эксперимента (штриховые линии) для волновых
сопротивлений линий: Рнnл =2 Рспл, Рсщл = Рсnл (мак ет
делителя выполнен из материала ФЛАН-10 толщиной 1 мм).
Из приведенных результатов видно, что на частоте fo=
=0,5 ГГц реактивности не влияют на частотную характерис­
тику делителя (кривые J). При увеличении центральной
частоты до 12 ГГц наблюдается смещение час-r'отной хара1<­
теристики (кривые 2). Это связано с влиянием частотнозави­
симых реактивных параметров неоднородностей делителя,

а /j

О,б 0,8 1,2 6/f

{j г
Рис. 2.5

поэтому для коррекции частоты необходимо в пропорцио­

нальном соотношении изменять длины шлейфов на НЩЛ.
Та1шм образом, приближенное эле1<тродинамичес1<0е
моделирование объемного тройню<а в определенном частот­
ном диапазоне достаточно хорошо соответствует данным
опыта.
Синфазный и противофазный об?Jемные тройники на
СЩЛ и НПЛ. Расположением выходных плеч тройника Е
различных слоях диэлектрика по разные стороны слоя ме­
талла можно распределять сигналы с разной фазой. Сиг­
налы в выходных плечах являются синфазными при располо­
жении НПЛ симметрично относительно СЩЛ (рис. 2.5 а)
 и противофазными при расположении НПЛ навстречу друг
. др угу (рис. 2.5 б). Входное плечо 3 на СЩЛ вырезано в
с лое металла ортогонально НПЛ. Плечи тройника за об­
ластью пересечения заканчиваются на НПЛ 1 и 2 разоМiшу­
тьтМИ, а на СЩЛ 3 коротrюзамrшутыми четвертьволновыми
шлейфами.
Переход к заI<рьrrой волноводной модели тройниr<а осу­
ществляется с помощью введения электрических и магнит­
въr х стенок (рис. 2.5 в). Волноводный тройник получается
на комбинированном соединении волноводов по узким и
широ1шм стенr<ам. Магнитную связь между волноводами
с оздают короткозамкнутый и разом1шутые волноводные
шлейфы.
Для построения эквивалентной схемы разобьем волно­
водную структуру объемного тройниr<а на четыре простей­
ших узла: тройник в Н-плоскости с полной связью, тройник
в Е-плоскости с щелевой связью, скачки ширины и высаrы
волноводов. Из них по обычным правилам нетрудно со­
ставить э1шивалентную схему объемного тройника в целом.
Учитывая симметрию тройника относительно плоскости
СЩЛ, его эrшивалентная схема будет состоять из двух
схем, приведенных на рис. 2.2 в.
На рис. 2.5 г приведены частаrные характеристиrш (рас­
чет-сплошные линии, эксперимент - штриховые) коэффи­
циента отражения входного плеча делителя мощности на
центральной частоте -f0 12 ГГц. Наблюдается смещение
=

частотной характеристики, связанное с влиянием неодно­

родностей (r<ривые 1). Данное смещение можно скорректи­
ровать путем соответствующего укорочения длин шлейфов
НПЛ либо СЩЛ (кривые 2), так как модуль коэффициента
аrражения при этом изменяется незначительно. Удовлетво­
рительное совпадение результатов измерений с расчетом
у1<азывает на правильность выбора эrшивалеmных схем и
реактивных параметров неоднородностей данных тиrrов де­
лителей мощности ОИС СВЧ (по крайней мере в диапазо­
не частот порядка 10-15 ГГц).
Объемный тройник с входным плечом на НПЛ. Практи­
чески все известные типы ЛП имеют переходы на НПЛ. Эrо
связано прежде всего с наибольшей распространенностью
НПЛ. Здесь мы rюротко рассмотрим основные виды объем­
ных Т-соединений, представленные на рис. 2.6.
Тоrюнесущий проводню< НПЛ 1 гальваничес1ш связан
с верхним I<раем экрана НЩЛ 2. Нижний I<рай 3 располо­
жен с противоположной стороны слоя диэлектрика и явля­
ется экраном liПЛ (рис, 2.6 а). При введениfJ поперечных
магнитных стенок полосковое Т-соединение переходит в
заr<рытую модель просrейшего волноводного тройниr<а (на
рис. 2.6 а справа).
Т-соединение с переходом на СЩЛ, расположенную в ме­
таллическом слое 4, реализуется с помощью четвертьволно­
вого разомкнутого шлейфа на НПЛ 1 (рис. 2.6 6). Такая
Тополошя t1oiJeль р

а '5

8
Рис. 2.6

структура уже описывалась; на рис. 2.2 а показан переход

к ее волноводной модели. В этой модели достаточно заме­
нить rюpcrrкoe замыкание СЩЛ на согласованное сопрсrrив­
ление, чтобы перейти к волноводной модели рис. 2.6 6.
Несrюлько необычным является Т-соединение НПЛ с
l(Л (рис. 2.6 в), посrюльку в КЛ необходимо возбуждать
четную волну (потенциалы на слоях металла равны). Вы­
равнивание паrенциалов достигается гальванической пере-
40
t,11,rчкой. Для перехода к закрытой модели введем вблизи
проводника НПЛ магнитные стеюш, а вблизи КЛ электри­
ческие стенки. Получим, таким образом, волноводно-коак­
сиальный тройник, симметричный относительно выходных
плеч. Эквивалентная схема половины тройника приведена
на рис. 2.3, в, в которой необходимо исключить емкость
с проводимостью У2,
Топология Нодель

кз

хх
в
Рис. 2.7

Т-соединениясвходным плечом на СЩЛ (1 на рис. 2.7 а).

Наиболее простым является Т-соединение с переходом на
НIЦЛ (2), в котором плоскости магнитных стенок в модели
совпадают (рис. 2.7 а).
Переход в Т-соединенuи СЩЛ...-НПЛ осуществляется с
помощью четвертьволнового короткозамкнутого шлейфа
СЩЛ (рис. 2.7, 6). Его волноводная модель и эквивалентная
схема аналогичны приведенным на рис. 2.2 6, в.
 Оби.мное Т-соедuненuе кл�нщл осуществляется с
помощью четвертьволнового разомкнутого шлейфа НПЛ,
который создает в области соединения режим короткого
замыкания (рис. 2.7 в). Электрические и магнитные стенки,
введенные вблизи токонесущих проводников, формируют
Т-соединение в виде закрытого коаксиально-волноводного
тройника. Э1шивалентная схема тройника аналогична схе­
ме, представленной на рис. 2.3 в.
Таким образом, анализ объемных неоднородностей по­
казывает, что для первого этапа проектирования (оцеt!очный
этап проектирования, где не требуются высокие точности)
достаточно вос·пользоваться волноводными и коаксиальными
моделями, пригодными для дальнейшего определения вол­
новых матриц рассеяния этого класса базовых элементов
ОИС СВЧ. Рассмотренные модели интересны по крайней
мере с двух точек зрения. Во-первых, они позволя1от соз­
дать достаточно прозрачные представления о физической­
стороне дела; в результате получаются наглядные эквива­
лентные схемы, помогающие проектировщику и конструкто
ру принять обоснованное решение конструктивного плана.
Во-вторых, декомпозиционный подход, лежащий в основе
этого эвристического анализа, подсказывает пути дальней­
шего улучшения электродинамических параметрон данноru
базового элемента.

§ 2.2. Гибридные схемы

Практически в каждой радиотехнической системе ис­

пользу1отся мостовые схемы для обработки информацион­
ного сигнала. В своей основе гибридное мостовое устройство
является направленным ответвителем (НО), использующим
принцип сопряженных плеч для получения на двух выход­
ных плечах взаимно развязанных сигналов с равными ампли­
тудами. Естественно, что первые миниатюрные НО были
спроектированы и построены в виде планарных ИС. Среди
них наиболее широко распространены кольцевые мосты
длиной 3 "л/2, НО с лицевой и боковой связями и другие с
типичными для них недостатками - узкой полосой частот
и большими габаритами.
ОИС СВЧ в целом решают основные задачи построения
гибридных функциональных узлов СВЧ и в значительной
степени снимают перечисленные недостатки планарных ИС.
Объемные мостовые устройства проще всего классифициро­
вать по принципу работы. Они разделяются на два основных
тип а: синфазно-протнвафазные и квадратурные НО. Рас­
сr,1отрим их более подробно.
Гибридные кольцевые мосты. Они выполняются на от­
рез ке ЛП, свернутой в кольцо с периметром, равным п'А/2,
n=I. 2, 3, ... Схемы подключения входных (1, 2) и выход­
нь rх (3, 4) плеч моста приведены на рис. 2.8. Главной функ­
uией гибридного кольuа является деJrение (сложение)
мощности в выходных каналах. Характерная особенность
данного устройства заключается в его направленных свойс1 -
нах. Если сигнал подается в плечо 1, то возбуждаются выход­
ные плечи 3 и 4 с равными амплитудами сигнала, а в плечо 2

г
Рис. 2.8
мощность сигнала не попадает, поскольку к этому плечу
сигналы подходят с противоположными значениями фаз.
То же действие будет наблюдаться при возбуждении вход­
ного плеча 2. Выходные плечи также развязаны, посколь­
l{У сигналы после прохожденшт учаспюв кольца имеют
сдвиг фазы 180°. Таким образом, гибридное кольцо обладает
свойствами деления мощности и направленностью.
Классическое гибридное кольцо с n=3 (рис. 2.8 а)
довольно громоздко.Его размеры можно значительно умень­
шить с помощью замены отрезка длиной 'А, фазовращателем.
сдвигающим фазу Лер сигнала на ту же величину, что и от­
резок линии длиной л, т. е. Лq> =п (рис. 2.8 6). В этом::Слу­
Чае полоса рабочих частот гибридного кольца будет опре•
деляться рабочей полосой фазовращателя. Поэтому до
80-х годов основное внимание разработчиков было направ-
лено на создание сверхширокополосных фазовращателей.
Но, как это часто бывает, оказалось, что наиболее простым
решением является исключение фазовращателя и поручение
его роли специально сконструированному Т-соединению
одного из входных плеч с ЛП кольца. Это показано на экви­
валентной схеме рис. 2.8 в. Для практической реализации
кольца этого типа необходимо использовать в области вклю­
чения входных плеч объемные синфазные и противофазные
Т-соединения, рассмотренные в § 2. l .
Симметрия гибридного кольца относительно входных
плеч создает предпосылки для деления мощности и высокой

Рис. 2.9

направленности практически в октавной и более полосе

частот. Ограничение при этом создают паразитные типы
волн (поверхностные или объемные), возникающие на
неоднородностях включения плеч.
На рис. 2.8 г, д показаны две схемы гибридных колец
с периметром, равным л/2 (n=l), и «магического» Т-соедине­
ния. Они будут рассмотрены ниже.
Реализация объемной топологии гибридного кольца
длиной 'А (п=2) на ОИС приведена на рис. 2.9 а. Кольцо
с плечами 1-4 выполнено из двух секций 5 и 6, расположен­
ных на внешних сторонах с11оев диэлектриков 7 и 8, разде­
ленных общим слоем металла 9. В этой конструкции исполь­
зованы два объемных Т-соединения СЩЛ:;::::=НПЛ, которые
в области включения входных плеч имеют четвертьволновые
шлейфы на НПЛ (10-10"') и на СЩЛ (JJ). При противофаз­
ном возбуждении (плечо 2) шлейфы 10", 10'" на НПЛ направ­
лены навстречу друг другу, а при синфазном возбуждении
(плечо J) шлейфы 10 и 10' совпадают по направлению. Вы-
ходные плечи 3 и 4 (выполненные на НПЛ) подключены к
середине каждой секции 5 и 6. Входные плечи можно вы­
ттолнить на СПЛ, для этого достаточно использовать другого
типа объемные неоднородности 12, 13, а в одну из секций
включить полуволновый отрезок 14 (рис. 2.9 6). Особен­
ностью конструкции является возможность смежного рас­
положения выходных плеч, что очень важно (см. далее)
при построении активных цифровых систем и коммутации
ци фровых каналов связи.
Объем гибридного кольца можно уменьшить, взяв его
периметр равным л/2 (n=l). Эквивалентная схема кольца
"л/2 показана на рис. 2.8 г. При этом одно входное плечо

(1
Рис. 2.10

(1) необходимо включить после д овательно, а другое (2) -

параллельно. Выходные плечи 3 и 4 включены параллельно
по разные стороны от входного плеча 2. Принцип работы
гибридного кольца сохраняется, однако развязка выходных
плеч будет обеспечиваться в более узкой полосе частот.
Одна из многих возможных объемных топологий полу­
волнового гибридного кольца приведена на рис. 2.10 а.
Кольцо выполнено на НЩЛ, образованной перекрытием
краев металлического диска 5 (нанесенного на верхнюю
сторону слоя диэлектрика 6) и круговым отверстием 7
(вырезанным в металлическом слое 8). Входы 1 и 2 располо­
жены по разные стороны от диска 5 и кольца 7; плечи 1, 2
выполнены на НПЛ и СЩЛ соответственно. В области вклю­
чения входного плеча 2 на СЩЛ подсоединены симметрично
выходные плечи 3, 4 гибридного кольца на НПЛ.
Данное гибридное кольцо по энерrетичес1<им соотноше­
ниям выгодно использовать во входных цепях приемников,
поскольку близкое расположение выходных плеч 3, 4
относительно входного плеча 2 исключает потери при деле­
нии мощности, а оптимальный выбор волновых сопротивле-
4.'i
 ннй плеч 3, 4 (условие согласования) позволяет реализо­
вать минимальное отражение сигнала в полосе рабочих
частот до нескольких октав.
Весьма интересной представляется конструкция синфаз­
но-противофазноrо моста («магическое» Т-соединение), ко­
торая получается путем сближения отрезков четвертьвол­
новых секций кольца (рис. 2.10 а) до возникновения элек­
тромагнитной связи между ними, как это показано на экви­
валентной схеме рис. 2.8 д. При этом габаритные параметры
устройства уменьшаются no сравнению с гибридным коль­
цом, а схемотехническая топоJiогия упрощается (рис. 2.10 6),
поскоJiьку прямолинейные отрезки технологически сде­
лать намного· проще. Таким образом, гибридное кольцо
вырождается в четвертьволновый шлейф 9 на связанных
НЩЛ, но принцип работы при этом полностью сохраняет­
ся. В связанных по электромагнитному полю НЩЛ воз­
никают четные и нечетные тиnы колебаний, которые экви­
валентны синфазным и противофазным волнам в гибридном
кольце. Разница их фазовых скоростей несколько умень­
шает развязку между выходными плечами 3 и 4. Влияние
их на развязку входных плеч 1 и 2 отсутствует, nоско.т�ьку
в этом случае возбуждается только один четный тип
колебаний.
Рассмотренные синфазно-противофазные мостовые уст­
ройства имеют следующие основные физические свойства
без учета потерь в ЛП:
- на любой частоте при идеальном согласовании су­
ществует идеальное деление мощности;
- если отраженная волна изменяется с равной пульса­
цией, то коэффициент деления мощности имеет одинаковую
неравномерность;
- при выполнении симметрии сохраняются частотно
независимые свойства: развязка между входными плечами
стремится к бесконечности, а фазовый сдвиг сигнала в вы­
ходных плечах обеспечивается в 180°.
Необходимо отметить, что использование комбинаций
различных типов ЛП, расположенных на разных этажах
ОИС, значительно расширяет возможности создания эле­
ментной базы ОИС СВЧ.
Шл ейфные направленные ответвители. Они широко ис­
пользуются как составная часть в устройствах четырех­
nозиционной фазовой манипуляции для кодирования и
(или) декодирования цифровых сигналов либо в аналого­
вых устройствах в качестве самостоятельного функциональ­
ного узла (фазовращатель, делитель мощности, датчик-
46
коflтро ля мощflости и т. д.). Значительный интерес к этому
J<лассу БЭ связан с возможностью формироваflия в выход­
°
f!ЫХ плечах сдвига фазы в 90 ; поэтому они называются
квадратурными НО.
Основные типы эквивалентных схем квадратурных НО
rтриведены на рис. 2.11 а - в. На примере этих трех схем
rюказано последовательное их видоизменение (переход к
шлейфам на связанных ЛП) в соответствии с развитием
техf!ики СВЧ. Первые НО выполнялись на четвертьволно­
вых шлейфах, разflесенных на расстояние в четверть длины
волны (рис. 2.11 а). С ростом числа шлейфов увеличивается
rтолоса рабочих частот, но при этом волновое сопротивление

Рис. 2.11

крайних шлейфов оказывается достаточно большим (более

100 Ом), а средних - малым (менее 30 Ом). Поэтому при
числе шлейфов более трех практически нельзя реализовать
в планарных ИС узкие проводниJ<и (их ширина достигает
единиц микрометров) крайних шлейфов.
ОИС СВЧ позволяют достаточно просто обойти эти труд­
ност�1. Так, используя свойства различных типов ЛП, можно
высокоомные шлейфы выполнить на Н[ЦЛ. В этом случае
высокоомные шлейфы просты при их технологической реа­
лизации на НЩЛ, а низкоомные шлейфы - на НПЛ. То­
пология шлейфного НО построена следующим образом
(рис. 2.12 а). Проводники вход flых (1, 2) и выходных (3, 4)
плеч на НПЛ скачком переходят в слой металла 5, а слои
металла 6 и 7, расположенные на противоположной стороне
диэлектрического слоя 8, скачком переходят в проводники
9 и 10 четвертьволновых отрезков НПЛ, которые в свою
очередь соединены между собой средним шлейфом на
нпл.
Принцип работы НО следующий. При возбуждении
входного плеча 1 (либо 2) сигнаJI попадает в выходные плечи
3 и 4 со сдвигом фазы на 90°. Развязка (направленность)
между выходными (входными) плечами достигается за счет
разности соединяемых электрических длин на 180° .
 При выборе определенных волновых сопротивлений
четвертьволновых шлейфов (число шлейqюв кратно нечет­
ному числу) НО реализует уникальное свойство соединения
пересекающихся ЛП с высокой степенью развязки. Послед­
нее обстоятельство представляется весьма важным при ком­
мутации активных элементов, объединении логических нче­
ек систем обработки инqюрмаuии в ОИG и т. д. В режиме
развязки сигнал из плеча 1 полностью переходит в плечо 4,
а из плеча 2 - в плечо 3, поскольку подаваемый cиrнaJI

о 8
Рис. 2.12

в плечо 1 синфазно делится между шлейфами на сигналы,

приходящие в плечи 2 и 3 в противофазах.
Применение НО в устройствах фазовой обработки сиг­
нала требует постоянства сдвига фазы на 90° в весьма ши­
рокой полосе частот (октава и более). Для достижения этой
цели достаточно исключить четвертьволновые ·отрезки меж­
ду шлейфами. Эго реализовано на эквивалентной схеме
рис. 2. l l б. Для сохранения основного физического свойст­
ва - направленности .с_ необходимо средний шлейф вклю­
чить в ЛП последовательно. Топология соответствующего
НО приведена на рис. 2.12 6. Его входные (1, 2) и выходные
(3, 4) плечи выполнены на НЩЛ, образованной слоями ме­
талла 5-7, расположенными по разные стороны слоя ди­
электрика 8. Слои металла б и 7 соединены между собой
двумя шлейфами 9 и 10 на НПЛ, а в слое металла 5 симмет­
рично под шлейфами 9 и 10 вырезана СЩЛ 11.
Направленность, равенство деления мощности и сдвиг
фазы сигнала на 90° сохраняются в широкой полосе частот
 при усло вии выполнения равных электрических длин шлей­
фйВ 9, 11. Однако поскольку используемые ЛП (НПЛ и
сЩЛ) имеют дисперсионные характеристики, то условие
равенства дuлин шлейфов 9, 11 вьщерживается практически
до октавнои полосы частот.
Интерес разработчиков, как правило, в значительной
степени направлен на достижение предельно возможных
минимальных габаритов БЭ [4]. Наиболее простой путь
состоит в уменьшении числа шлейфов. Может показаться
яесколько необычным с конструктивной точки зрения вы­
полнение шлейфов в виде отрезка связанных ЛП, но это
естеетвенно по физическим соображениям. Действительно,
поскольку на четвертьволновом отрезке связанных ЛП
(рис. 2.12 в) возникают четные и нечетные волны (синфаз­
ю,1й и противофазный типы колебаний), равенство их фазо­
вых скоростей позволяет создать условия для получения
максимальной ° направленности и постоянства сдвига фаз
си гналов на 90 . Эквивалентная схема данного НО представ­
лена на рис. 2.11 в.
Конструктивная реализация НО со связанными ЛП в
объемном исполнении приведена на рис. 2.12 в. Входные
(1, 2) и выходные (3, 4) плечи на НПЛ расположены па
внешних с торонах слоев диэлектрика 5, разделенных слоем
металла 6. Четвертьволновая область связи образована по­
лосковыми проводниками 7 и 8, расположенными друг под
другом, с поперечными размерами, несколько большими,
чем размеры проводников НПЛ. В области включения плеч
1-4 полосковые проводники 7, 8 имеют скосы под углом
45°, что позволяет снизить коэффициент отражения сигнала
практически до нуля. В слое металла 6 симметрично относи­
тельно полосковых проводников 7 и 8 вырезана диафрагма
9 с поперечным размером четвертьволновой длины. Середи­
ны противоположных сторон диафрагмы в продольном на­
правлении под nолосковыми проводниками соединены узким
проводником 10. Поперечный размер узкого проводника
10 на порядок меньше размера полосковых проводников
7 и 8. Проводники 7, 8 и 10 в области связи образуют СПЛ
ограниченной ширины.
Принцип работы НО основан на возбуждении в СПЛ
ограниченной ширины четного и нечетного типа колебаний.
При этом четный тип колебаний имеет структуру поля,
близкую к структуре поля СПЛ, а нечетный тип - НПЛ.
При возбуждении плеча 1 (или 2) сигналы с равными ампли­
тудами и сдвигом фазы на 90° распределяются в плечи
3 и 4. Ширина диафрагмы выбирается из соображений
подавления паразитных типов поверхностных и объемных
волн, возникающих в поперечном направлении продоль­
ной оси но.
Описанные объемные квадратурные НО отличаются от
«традиционных» планарных конструкций возможностью
получения более сильной связи в широкой полосе частот и
отсутствием характерных дополнительных узлов, выполнен­
ных 13 виде навесных перемычек и сосредоточенных элемен­
тов. Это дает возможность, согласно принципу конструк­
ционного соответствия, широко использовать данный класс
устройств в ОИС исполнении в СВЧ модулях РЭА и систем
сверхбьrстрой обработки информации на СВЧ.

§ 2.3. Фильтрующие объемные структуры

Фильтрующие устройства являются одними из наиболее
распространенных базовых элементов РЭА. Основное свойст­
во фильтра - это способность избирательно пропускать
(или не пропускать) волны в некоторой ограниченной или
поJ1уоrраниченной полосе частот. Кроме того, фильтрующие
устройства выполняют функuии согласования сигнала с
внешним каналом связи - полезный сигнал выделяется из
аддитивно-мультипликативных смесей сигналов и шумов.
Эти качестJЗа фильтра широко используются в цифровой и
аналоговой аппаратуре. Особенно большое число фильтров
требуется в цифровых системах (например, радиорелейной,
спутниковой, радионавигационной и др.). Проблемы проек­
тирования и реализации высококачественных многоканаль­
ных систем сверхбыстрой передачи, приема и обработки
больших объемов информации резко повышают требования
к амплитудным и фазовым частотным характеристикам
(АЧХ и ФЧХ) радиотехнических трактов.
Простейшей моделью полосового фильтра является тра­
диционный для физики колебательный контур (рис. 2.13 а)
на сосредоточенных элементах fJ и С; в коротковолновой
области аналогом контура является объемный резонатор.
Частотная характеристика одиночного резонатора обычно
не удовлетворяет требованиям практики по избирательности
(малая крутизна скатов АЧХ, малый линейный участок
ФЧХ и др.).
Улучшение избирательных свойств фильтра достигает­
ся с помощью связанных колебательных систем, содержа­
щих два или более резонаторов (рис. 2.13 6, в). Результи­
рующие характеристики системы связанных резонаторов
зависят от их собственных резонансных частот и коэффици-
ента связи К,,,11 между ними, которые 11меют множествен­
н,1:,1й характер: они мог ут быть связаны по эле1причес1<0му
либо магнитному полю, связь может быть 1юмбинированной
(с осредоточенного и распределенного характера) и т. д.
в общем случае Ктп представляет собой 1юмплексную ве­
личину.
Варьируя модулем и фазой коэффициента связи K mn
и частотами используемых контуров, можно в широких
11ре делах менять вид АЧХ и ФЧХ. При этом АЧХ и ФЧХ

A,rp

с=О
Шf Шz
а 15
lf,,,

1 :,-�1.',-�11 f-!" �
/,,.,.-/',,-;- - - - ---,'\

,r� Г,."
�
....... ___lf.J!!__ /
g
Рис. 2.13

аппроксимируются с помощью различных классов функ­

ций. Наиболее распространенными и используемыми явля­
ются функции Гаусса (1), Ба ттерворта (2), Чебышева (3),
Золотарева (4), Кауэра (5), которые приведены на рис. 2.14.
Обычно связь осуществляется только между соседними
резонаторами, как, например, в схеме рис. 2.13 6. Большими
возможностнми обладают фильтрующие стру1<туры, в кото­
рых используются кроме связи между ссседними резонато­
рами дополнительные связи через резонатор (например, ре­
зонатор Р1 с резонатором Р 2 имеют связь К12 -рис. 2.13в).
Обходной канал связи, минуя резонатор Р 2 , характери ­
зуется коэффициентом связи /(13 , минуя два резонатора Р2
и Р3 - коэффициентом связи Ки и т. д.). Чаще всего в
фильтрах на планарных ИС легко реализуется связь между
двум я соседними резонаторами (К;, ;+ 1). Более сложная
связь «через резонатор» осуществляется с помощью двух­
сторонней топологии с применением в одном фильтре не-
скольких типов JJП. Полная связь всех резонаторов между
собой может бьrrь достигнута только в ОИС СВЧ.
Физическая модель объемного фильтра в простейшем слу­
чае (одномодовые и (или) одночастотные колебания в каждом
резонаторе) является трехмерной. В элементарной куби­
чесl(ой модели фильтра каждая вершина представляет собой
элементарный резонатор (например, контур - рис. 2.13 а).
В целом модель представляет собой электродинамиче­
скую структуру пространственно связанных резонаторов,
при этом могут учитываться кроме связи основных видов
L,дб
о

го

40

бо,_____._�_._--�---'-�-�---
fо f
Рис. 2.14

(основные типы колебаний) и связи между высшими типами

колебаний. Несколько упрощенно можно представить фи­
зическую модель в виде трехмерных коэффициентов связи
(рис. 2.15 а), описываемых матрицей связи, в которой диаго­
нальные элементы матрицы соответствуют коэффициентам
связи между соседними резонаторами, а недиагональные
элементы описывают связь через резонаторы.
Проведем анализ связей в обобщенном фильтре в соот­
ветствии с рассматриваемой трехмерной моделью. Как уже
было сказано, фильтры с последовательной связью между
резонаторами реализуются на одном типе JJП (СПЛ, НПЛ,
ПВ, КВ, запредельный ПВ с диэлектрическими резонато­
рами и т. д.). В этом случае трехмерная модель филира сво­
дится к одномерной цепочке резонаторов со связями одной
физической природы: магнитной либо электрической
 (рис. 2.15 6). Введение дополнительной связи «через резона ­
тор» сводит физическую модель фильтра к двумерной струк­
туре (рис. 2.15в). Причем дополнительные связи могут быть
магнитными и (или) электрическими (стрелки направлены в
одну сторону - связь, например, магнитная, а в противо-
11оложные стороны - магнитная и электрическая). На
рисунке вид связи указывается направлением стрелки.
Двумерные фильтры, так называемые квазиэллиnтические,
имеют сложную конструкцию в случае применения двух­
модовых резонаторов на объемных волноводах круглого
либо прямоугольного сечения. Ниже мы рассмотрим три
более простые конструкции полосового фильтра с одно-,
двух• и трехмерными связями,
выполненные на ОИС.
Типичные одномерные рас­
пределенные связи реализованы
в объемном фильтре с последа-
вательно расположенными реза- '><::.""�
наторами на разных этажах
ОИС (рис. 2.16 а). Здесь ис- !/ z
пользуются два крайних резо­ а
натора 1 и 2 на четвертьвол­
новых отрезках СПЛ, которые
с одного конца закорочены, а с 1"---71
// 1 // 1
дРугого разомкнуты. Между ни­ / 1 / 1

ми расположен полуволновый 1
резонатор 3 на разомкнутом от­
резке НПЛ. ь !}
Применение двумерных свя- Рис. 2.15
зей использовано в объемном
фильтре, изображенном на рис. 2.16 6. Фильтр представля­
ет собой набор nолуволновых резонаторов (закороченные
отрезки 1 и 2 на СЩЛ и разомкнутый отрезок 3 на СПЛ),
расположенных в слоях диэлектрика 4-7. Резонаторы рабо­
тают на различных типах колебаний (СПЛ - квази-Т­
волна, СЩЛ - квази-Н-волна). Связь между резонаторами
осуществляется по магнитному полю, ее значение регули­
р уется путем вращения резонаторов друг относительно
друга. Выводы энергии 8 и 9 выполнены на НПЛ, которые
связаны по магнитному полю с крайними резонаторами 1
и�2. Экспериментальная АЧХ рассмотренного фильтра при­
ведена на рис. 2.16 г (кривая 1). Видно, что с левой стороны
АЧХ в полосе заграждения имеется полюс, который ука­
зьmает на существование в фильтре дополнительной связи
по магнитному полю через резонатор�
 Объемный ф11льтр с трехмерными свнзями по1<азан на
рис. 2.16 в. Он выполнен из трех полуволновых резонато.
ров на закороченных отрезках НЩЛ. Поскольку резона­
торы имеют распределенную связь, в НЩЛ существуют
два типа колебаний: четный и нечетный. Таким образом,

L,85
-fD

2
-20

- JO

-40
-0,б -0,2 О 0,2. 0,бИ/fо
г
Рис. 2.16

в фильтре осуществляются последовательная связь по маг­

нитному полю соседних резонаторов и дополнителы1ые связи
по двум поперечным координатам через резонаторы. Необхо­
димо отметить, что разнJЩа между фазовыми скоростями
четного и нечетного типов волн в резонаторах позволяет фор­
мировать многополюсные АЧ Х l{aK в полосе пропускания,
так и в полосе заграждения. Это наглядно подтверждается
 кспер именталыюй АЧХ объемного фильтра, приведенной
:а ри с. 2.16 г (1<р1шан 2). Полюса в полосе загражден ия,
асположенные справа и слева АЧХ, указывают на возмож ­
�ость ее аппроксимации эллиптической• функцией (рис. 2.14,
кривая 5).
Ранее было отмечено, что одним из существенных дости-
жений в РЭ является прим�нение нестационарных сигна­
лов. Они нашли множественное использован ие в пракпше.
одним из наиболее ярких примеров является построение
фильтров для пространственно-временной обраб01ки сиг­
нала [8]. Такие структуры были не под силу РЭ гармоничес­
ких колебаний. На рис. 2.17 а показана одна из возможных

8ыхоi!ы
4'

а о
Рис. 2.17

реализаций фильтра для пространственно-временной обра­

ботки цифровых сигналов. Простейшая сх_ема представляет
собой струr<туру с четырьмя входами (1-4) и четырьмя вы­
ходами (1'-4'). Цифровые сигналы в виде положительных
и отрицательных единичных напряжений (± 1 В) подаются
на входы, которые по определенной схеме связаны с выхо­
дами. Принцип действия схем:ы основан на бы стром преоб­
разовании Уолша, а сама многоканальная фильтрующая
схема предназначена для коммутации входных и выходных
терминалов при одновременной логической обработке циф­
ровых сигналов. Первые же попытки конструктивного вы­
полнения пространственно-временного фильтра привели к
трехмерной технологии [8], а это означает, что пути эффек­
тивной реализации такого класса фильтров ведут к ОИС.
В физической модели объемного фильтра достаточно вклю­
чить дополнительные входы и выходы и воспользоваться
двумя видами связи (магнитная и электрическая связь, ко ­
торая соответствует в аналоге положительному и отрица­
тельному единичному напряжению), чтобы получить модель
пространственно-временного фильтра (рис. 2.17 6).
r,5
 § 2.4. Акустические и маrнитостатические волны
в оис
в недалеком прошлом практически вся обработка ин­
формации, передавае�ой по СВЧ каналам, велась на низ­
кой частоте (звуковои частоте, или видеочастоте, как ее
иногда называют). Поэтому требовалось предварительное
преобразование СВЧ сигнала в низкочастотный. В этом диа­
пазоне существует, интенсивно развивается и совершенст­
вуется элементная база на поверхностных акустических
волнах (ПАВ) (от десятка мегагерц до единиц гигагерц).
В настоящее время также интенсивно разрабатываются
устройства на магнитостатических волнах (МСВ). На МСВ
можно сделать практически все те функциональные уст­
ройства, что и на ПАВ. БЭ на МСВ функционируют на час­
ТО'Гах с,г 1 ГГц и вплоть до частот миллиметрового диапазона.
Ниже мы корО'Гко рассмотрим объемные устройства на
ПАВ и МСВ.
Основные положения теории электростатики и маrнито­
с-rатики. Если поля и источники не зависят от времени
(д/дt=О) и нет движения зарядов (j=vp=O), то система диф­
ференциальных уравнений Максвелла (1)-(4) распадается
на две независимые системы уравнений:
rotE=O, rotH=O,
divD=4Щ>, divB=O, (12 )
D=eE, µ
В= Н.
Левая колонка формул в (12) определяет соотношения для
электростатики, а правая - для магнитосrатики; поля
Е, Н через потенциалы А, {j) определяются так: E=-grad IP,
µH=rotJA; сами потенциалы А, {j) - из уравнений Пуас­
сона
v21P = --р/е , v2А = -µJ, (13)
а для тех точек пространствг,,-в которыхj, р отсутствуют­
из уравнений Лапласа: V2 =0, V 2A=O.
(J)

Важнейшим понятием электростатики является понятие

емкости С, которая характеризует, например, уединенный
проводник как «аккумулятор» заряда q: C=ql(J) , где (j) -
потенциал проводника. В случае двух проводников говорят
о конденсаторе, емкость которого C=qlЛер определяет раз ­
ность потенциалов проводников.
Для решения уравнений (12), (13) разработан мощный
аналитический и численный аппарат; эти решения зачас­
тую используют в качестве нулевого приближения при pac-
смотрении динамического сл_учая существенно более
сложны х волновых уравнении:
ifiE дj
v 2E-8µ дt2 =1:.vp+µдf,
ifiH (14)
V2H-8µ дt2 =-rotj.

Э'J'О приближение дает хорошие результаты в длинноволно­

ВоЙ области r/'A�l.
Уравнения магнитостатики (правая колонка в (12)) в
изотропной, намагниченной до насыщения среде имеют
интересное решение , которое называется (может быть, не
очень привычно) магнитостатическими волнами (МСВ).
Они характерны тем, что их волновое число предсrавляет
собой весьма большую величину (примерно 102-105), а
стало быть, длина волны очень мала. Таким образом, МСВ,
имеющие, конеtrно же, электромагнитную природу, напо­
минают квазиоптический случай (kr�l; см., например,
(2, 4, 1О, 11 ]) , когда длина волны много меньше размеров
объекта дифракции. Однако резонансные элементы (фильт­
ры, резонаторы, согласующие устройства и т. п.) с распре­
деленными параметрами имеют размеры порядка 'А, и ис­
пользование МСВ представляет уникальную возможность
создания элементов с размерами порядка единиц или де­
сятков микрометров. К настоящему времени уже создан
ряд базовых элементов РЭА (линии з,�держки, фильтры
и т. д.) на МСВ, однако говорить о повсеместном внедрении
резонансных и волноведущих структур на МСВ еще рано.
Очевидно, что подавляющее преимущество функциональ­
ных устройств на МСВ в силу их малых массогабаритных
параметров в полной мере проявится, когда по 1{райней мере
большинство базовых элементов РЭА, работающих на часто­
тах свыше 1 ГГц, будут выполнены на этом принципе. На
пути внедрения струК1 ур с МСВ имеются большие слож­
ности в основном технологического характера.
Поверхностные акустические волны. Они представляют
собой медленные акустоэлектронные волны в пьезоматериа­
лах. Фазовые скорости распространения электромагнитной
волны и ПАВ сильно отличаются друг от друга ('Ао�105 'Аnлв
для ниобата лития и кварца). Такое соотношение длин
волн позволяет миниатюризировать устройства цифровой
радиоэлектроники (трансверсальные фильтры, линии за­
держки, шумоподавители, активные элементы с распреде­
ленными параметрами и т. д.).
 К сожалению, устройства на ПАВ имеют фундаментаJJь.
ный частотный предел, связанный с реализаuией сверх.
узких проводню{ОВ и зазоров. Например, на частоте 1 ГГц
необходимы размеры порядка 0,3 мкм. Этот предел можно
сдвинуть в сторону более коротких волн за счет применения
тонких nьезопленок с улучшенными характеристиками.
Такие пленки разрабатываются на базе материалов из окиси
цинка.
Немаловажным параметром устройств на ПАВ явля­
ются потери, поскольку в целом они определяют КПД с ис­
темы. В nьезоnодложках существует направление, по кото­
рому энергия распространяется с минимальными nотерям11.

1Г
Э.11ектрр11агниmNые
ЬО.11/iЫ
Рис. 2.18

Но выбор волноведущих каналов (информационного излуче

ния) по подложке не всегда совпадает с этим направлением,
что приводит к возникновению потерь. Кроме этих потерь
существуют примерно в два раза большие погонные потери.
которые составляют для ниобата лития на длине I см про
частоте 100 МГц 0,7 дБ, а при частоте 1 ГГц 7 дБ .
Трудности реализации функциональных узлов на ПАВ
связаны с выполнением условия согласования (преобразо­
вания электромагнитной волны в ПАВ). Для этого приме­
няются периодические структуры шrыревых nреобразова·
телей 1 (рис. 2.18), к01:орые формируют пучок ПАВ. Ши­
рина штырей и зазор между ними составляют величину по­
рядка четверти длины волны, а высота штырей достигает
(50-100) "-плв- Чтобы пучок ПАВ не рассыпался при
транспортировке на большие расстояния, используются
устройства, канализирующие акустическую энергию (акус­
тические волноводы). Простейший аl{у<--тический волновод
реализуется путем введения продольной неоднородности на
поверхности пьезоподложки. Практически волновод созда­
ется нанесением тонких пленок из алюминия, золота либо
диэлектрика Еа подложку, например, uз ниобата лития.
9.rreМeHT возбуждения: ш<устического волновода выполня­
ется часто в виде се1<тора 2, максимальная ш11рнна которого
в
раа на высоте апертуры излучателя 1 (штыревой преобразо­
в тель). Возбуждающий сектор 2 расположен в ближней
зо не излучателя ПАВ. Сектор 2 переходит в узкую пленку
3 (ширина (3- -4) Аплв)- Наличие возможности канализации
[1АВ значительно упрощает реализаuшо функциональных
узлов.
В качестве примера рассмотрим устропстпо 11 принцип
u

действия квадратурного НО (рис. 2.18), являющегося одним

из БЭ на ПАВ. Две узкие пленки 3 и 4 расположены парал­
лельно друг другу на расстоянии четверти длины акусти­
ческой волны, образуя участок связанных линий передачи
дл и ной 20 Аплв- Развязанное относительно входа 9 плечо 5
нагружено на акустическую нагрузку 6, выполненную из
материала, хорошо поглощающего механические колеба­
ни я (например, резины). В выходные плечи 7 и 8 НО по­
ступают сигналы равной амплитуды и сдвигом фазы на 9Q0 •
Вернемся к более сложному вопросу - возбуждению
штыревого преобразователя ПАВ электромагнитной волной
(рис. 2.18). Минимальные потери преобразователь имеет
при возбуждении СВЧ° сигналов на соседних штырях со
сдвигом фазы Лq;= 180 . Кроме этого, входное сопротивле­
ние преобразователя, как правило, отличается от волнового
сопротивления подводящей линии передачи, что требует
введения согласующих элементов. Из практи1ш разработки
согласующих устройств известно, что использование транс­
форматоров на отрезках НПЛ неэффективно из-за их
неравномерной частотной зависимости.
Для выполнения условия согласования бол ее целесо­
образно использовать устройства балансного типа на ОИС
(Михайлов В. М., Юрьев Б. С., 1982). Простейшая тополо­
гия устройства балансного согласования (УБС) приведена
на рис. 2.19 а. В нем используется 3-децибельное «маги­
ческое» Т-соединение 1. Это оправдано по следующим при­
чинам: оно обладает широкой полосою рабочих частот,
сдвигом фазы сигналов па 180° в выходных плечах 2 и 3,
что является необходимым условием возбуждения штырево­
го преобразователя: 4, и выс01шм уровнем развязки между
штырями преобразователя по электромагнитому полю.
Принцип работы УБС следующий. Сигнал, подавае­
мый в плечо 5 (на СЩЛ) противофазно делится между плеча­
ми 2 и 3, которые гальванически соединены со встречно
направленными штырями преобразователя 4. В случае
разбаланса схемы (нарушение симметрии при технологи-
ческом изготовлении, сборке или в силу иных �ричин) от-
аженный сигнал поглощается в согласованнои нагрузке
� R6• Сборка УБС с преобразователем ПАВ технологичеСI<ис
проста, поскольку 1олщина пьезоподложки соизмерима
толщиной токонесущих проводников НПЛ. Как показано
на рис. 2. 19 а, пьезоподложка (она отмечена двойнои штри­
ховой линией) размещается между разоМ1шутыми 1юнцам11
выходных плеч 2 и 3 УБС, которые гальванически соед11··
нены с основаниями встречно направленных штырей пре­
образователя 4. Достоинством объемного УБС является

а {j

Рис. 2.19

большая полоса рабочих частот по сравнению с планарными

ИС. К недостаткам можно отнести двунаправленное излу­
чение преобразователя ПАВ, возникающее из-за симметрии
расположения периодической структуры штырей.
Ог этого недостатка можно избавиться, если применить
3-штыревой преобразователь со следующими видами воз­
буждения: «земля», п/2, О (рис. 2.19 б). Принцип работы
однонаправленного преобразователя аналогичен телеви­
зионной атенне бегущей волны со следующей структурой:
директор, вибратор, резонатор,- в которой осуществля­
ется переотражение сигнала.
Однонаправленный преобразователь ПАВ также легко
включается в УБС. Для этого достаточно использовать
квдратурный шлейфный НО, рассмотренный в § 2.2. На
рис. 2.19 6 представлена объемная топология УБС. На верх­
ней стороне подложки 1 выполнен отрезок 2 НПЛ четверть­
волновой длины, свернутый в разомкнутое кольцо. По раз­
ные стороны одного конца разомкнутой НПЛ включены
контактная шина 3 штыревого преобразователя с фазой п/2
и балансное сопротивление 4 R 6, а к другому концу под-
 gJ1IO<leнь1 входная НПЛ 5 и контак тная шина 6 с нуле­
вь!М сдвигом фазы сигнала. Пьезоnодложка расположена
r,1ежду разомкнутыми концами НПЛ, которые образуют
l{ОНТ акrные площадки 7 и 8. При сборке УБС контактные
площадки и шины со сдвигом фазы О и л/2 гальванически
соединены поверхностной пайкой, «земляная» шина 9
преобразователя соединена со слоем металла, а балансное
со противление Rб включено через разомкнутый шлейф 10
четвертьволновой длины.
Анализ устройств на ПАВ показал, что достаточно хо­
рош ее согласование акустических волн с электромагнит­
ными достигается объемными УБС, что подтверждается
электро магнитной природой ПАВ.
Магнитостатические волны. Как было отмечено выше,
ПАВ практически достигли фундаментальных пределов по
частотному диапазону. Эгот предел можно значительно
сдвинуть в сторону миллиметровых волн. если перейти от
ме д ленных акустоэлектронных волн к медленным волнам
магнитной природы - магнитостатическими волнами (МСВ)
(иногда их называют спиновыми волнами). Для этого ис­
пользуе тся эпит аксиалыю выращенный слой железо-ит­
триевого граната (ЖИГ) на подложке из rаллий-гадолиние­
вого граната (ГГГ). В зависимости от направления прило­
женного по стоянного внешнего магнитного поля в ·сJюе
ЖИГ будут возникать различного типа медленные волны
(объемные и поверхностные). Скорость распространения
в олны зависит от внешнего магнитного поля, что дает воз­
м ожность изменять «электрическим» обрdзом свойства БЭ
и управлять таким образом характеристиками системы.
В настоящ� время МСВ широко используются в устрой­
ствах обработки сигнала в диапазоне частот от 1 до 20 ГГц
при ширине полосы от 0,5 до 1 ГГц. Особенно очевидна
перспективность применения МСВ в цифровых системах.
Например, с их помощью реализованы устройства памяти с
петлей накопления сигнала, в коrорую входят линия за­
держки и шумоnодавитель на МСВ. Время задержки сигнала
регулируется изменением постоянного магнитного поля.
Канализация МСВ осуществляется либо по всей ширине
плен ки, либо по ограниченному (в поперечном направле­
нии) участку пленки - волноводу МСВ. Простейruей мо­
делью волновода МСВ является так называемый экраниро­
ванный волновод МСВ, выполненный из магюrrодиэлектри­
t�ес коrо материала с ограниченным поперечным сечением,
Расположенным между плоскопараллельными слоями
Металла.
 Одним из наиболее важr1 ых элементов устройств на МСВ
являетс я устройство возбуждения - по существу, преобра­
зователь эле1<тромаrнитной волны в МСВ. В литературе
описано достаточно много типов преобразователей, но на­
иболее эффективным среди них, по-видимому, является пре­
образователь на встречно рас­
положенных штырях. Причем
ггг для наиболее оптимального
cor ласования сдвиг фазы вход­
- ,,-;;,..�f:=._-=--;,.-=--;-;;·-жиг ноrо сигнала между соседними
,r,--?-_-_-----:--;:-
штырями должен составлять
180°, что указывает на ана­
логию с преобразователями
ПАВ. Поэтому можно вос­
пользоваться УБС объемного
типа, который приведен, на­
пример, на рис. 2.19 а.
Рис. 2.20 УБС электромагнитной
волны, распространяющейся в
СЩЛ 1, с преобразователем МСВ показано на рис. 2.20.
«Магическое» Т-соединение 2 выполнено на диэлектрической
подJJожке из А1 203 • Его выходные плечи 3 и 4 соединены с
основаниями 5 и 6 встречно направленных штырей преобра­
зователя. Сверху на штырях расположена подложка из ГГГ
с нанесенной пленкой из ЖИГ. Сигнал, подаваемый в ацл,
в противофазе возбуждает штыревой преобразователь, ко ­
торый в свою очередь излучает МСВ. Магнитная система в
данном устройстве выполняется в виде слоев из ферромаг­
нитного материала (например, самарий-кобальта), располо­
женных на внешних сторонах объемной структуры.
Как видно из рассмотренного примера, а число их можно
было увеличить, устройства на МСВ предсгавляют некий
широкий класс структур первостепенной практической
важности, которые попадают под «юрисдикцию» ОИС СВЧ.
Использование многослойных пленок из ЖИГ позволит су­
щественно расширить функuиональные возможности ОИС
СВЧ и повысить универсальность их применения.

§ 2.5. Невзаимные объемные элементы

Широкое применение в системах обработки информации
находят невзаимные элементы (циркуляторы, вентили,
переключатели, нагрузки и т. д.), которые занимаюг важное
место в элементной базе ОИС СВЧ. В начале главы мы под­
робно обсуждали НО, имеющий велrпюлепную способность
 пропускать СВЧ энергию в nрямом направлении и обесnе­
чивающий при этом развязку в обратном направлении.
л.налогичными свойствами обладает также циркулятор,
который является невзаимным устройством, обеспечив аю­
щим одностороннее прохождение СВЧ сигнала. Это дости­
rаетея с помощью кольцевого либо дискового резонатора с
ферритовым заполнением, сильно нагруженного на входное
и выходные плечи. При введении в поперечном направле­
нии относительно плоскости резонатора внешнего однород­
ного магнитного поля возникнет анизотропия магнитной
nроницаемосги ферритового слоя, т. е. фазовые скорости
распространения волны в разных направлениях будут отли­
чаться. Подбирая таким образом место включения плеч и
значение магнитного поля, можно добиться максимального
прохождения сигнала с входа на выход. Отраженная же
волна с выхода циркулятора будет распространяться в
другом направлении, создавая тем самым развязку между
выходом и входом. Это функциональное свойство позволяет
использовать невзаимные циркуляторы во входных цепях
приемно-передающих устройств, а также в усилителях и
генераторах отражающего типа. Как будет показано ниже,
циркулятор может выполнять много разных функций в
зависимости от вида его подключения в схему. При измене­
нии направления подмагничивающего магнитного поля
циркулятор может выполнять роль переключателя. В ОИС
СВЧ циркуляторы осуществляют дополнительную функ­
цию - однонаправленную передачу СВЧ энергии на раз­
ные эrажи слоев диэлектрика (передача СВЧ сигнала в вер­
тикальной плоскости). Этим свойством планарные цирку­
ляторы не обладают.
В последние годы были предложены и разработаны цир­
куляторы с реализацией плеч на НПЛ и СЩЛ (Оглоб­
лин Д. И., Шелухин С. А., 1983). Если обратиться к полу­
волновому гибридному кольцу (§ 2.2, рис. 2.10 а), входное
плечо 1 которого выполнено на СЩЛ, а выходные плечи -
на·нпл, то увидим, что характеристики гибридного кольца
не изменятся ·при разнесении выходных плеч на НПЛ по
разные стороны СЩЛ. Это свойство подсказывает идею реа­
лизации объемного циркулятора (рис. 2.21 а). Для этого
плечи циркулятора 1-3 разнесены под углами 120° в
маrнитодиэлектрических слоях 4 и 5, на внешних сторонах
Которых симметрично расположены. два м еталлических
дисюi 6 и 7. К каждому из дисков 6, 7 подключено по одному
выходному плечу, выполненному на НПЛ, 8 и 9. Магнита­
диэлектрические слои 4 и 5 раз д елены слоем металла 10,
в котором вырезана СЩЛ 11, свернутая в кольцо. Bнeu11-111n
диаметр кольца 11 равен диаметру металлических дисков
6 и 7: Узкий проводник входного плеча 1 (выполненного lia
КЛ 12) гальванически соединен с внутренним диском lЗ
кольца,- а два широких проводника - с металлическими
дисками 6 и 7. Во внутреннем диске 13 кольца прорезань1
щели 14. Внешнее постоянное магнитное поле Но направ.
лено перпендикулярно плоскости дисков 6, 7 циркулятора 11
придает ферромагнитным слоям 4, 5 анизотропные свойства.

Рис. 2.21

Принцип рабагы объемного циркулятора аналогичен

принципу действия планарного циркулятора. Отличием
является возбуждение дискового резонатора с помощью КЛ.
Щели 14, вырезанные в диске 13 1юльца, используются в
длинноволновой части СВЧ диапазона, пос1юльку они по­
зволяют уменьшить длину периметра диска. В циркуляторах
миллиметрового диапазона необходимость выполнения
щелей отпадает.
Большой набор рассмагренных объемных неоднороднос­
тей и Т-соединений позволяет проектировать объемные цир­
куляторы для различных назначений. Например, при не­
обходимости реализации плеча в среднем сечении циркуля­
тора на ОДЛ достаточно выполнить объемные элементы
связи в плечах НПЛ на полуволновых закороченных от­
резках 15 СЩЛ (рис. 2.21 6), а плечо КЛ заменить на О.ЦЛ
(16), переходящую также в отрезок связи СЩЛ (17) чет­
вертьволновой длины. В этом циркуляторе полностью от-
 •..rетвуЧТО ют-гальванические соединения через ферромагнитные
Cy• ff ЯВЛЯеТСЯ ОТЛИЧИТеЛЬНОЙ особеННОСТЬЮ ОИС.
cJIO,Магнитная система объемных циркуляторов ВЫПОЛНена
иде слоев из магнитного материала (например, самарий­
вJальт), которые составляют внешние этажи ОИС СВЧ.
1< эк вивалентная схема объемного циркулятора приведена
рис . 2.22 а. Плечи циркулятора расположены в плос­
f!З..,,,,,.ях (i+ 1, i, i-1), разделенных слоями магнитодиэлект-
ика. штриховои линиеи условно показана объемная связь
I<=•
u u

�о элек тром�гнитному полю через слои магнитодиэлектри­

ка. Стрелкои указано направление циркуляции сигнала
r,tеЖдУ плечами - по существу, направление внешнего под­
маг1-rичивающеrо поля. На рис. 2.22 а показано, что сигнал

-ЕЕ3-Е3
--ЕЭ: ��:
а
Е33: о
Рис. 2.22
__. б ......

из плеча i-й плоскости попадает в плечо i+l-й плоскости,

а из плеча i+l-й плоскости в плечо i-1-й плоскости и т. д.
В обратном направлении плечи циркулятора развязаны.
Каскадное включение циркуляторов через слои диэлект­
рика при включении в одно плечо каждого циркулятора
согласованной нагрузки позволяет реализовать вентиль с
высокой степенью развязки (рис. 2.22 6).
При необходимости распределения мощности по этажа.1VI
ОИ С (объемный делитель мощности) достаточно между кас­
кадами циркуляторов, набранными в вертикальной плос­
кости, включить отрезки ЛП, образующих объемную связь
по электромагнитному полю и соединяющих соседние цир­
куляторы с выхода на вход, как показано на рис. 2.22 в.
Для развязки выходных плеч по отраженному сигналу, рас­
пространяющемуся в обратном направлении, в плечо, рас­
положенное между ними, включены согласованные на­
грузки (рис. 2.226, в).
Рассмотренные эквивалентные схемы включения объ­
емных циркуляторов подтверждает их многофункциональ­
ность. Возможность перераспределения СВЧ энергии в
разные этажи ОИС расширила применение объемных цир­
куляторов и ввела их в семейство базовых элементов ОИС
СВЧ.
 Г па в а III

РЕАЛИЗАЦИЯ АНАЛОГО-ЦИФ Р ОВЫХ С ИСТЕМ

ОБР АБ ОТКИ СВ Ч СИГНАЛА НА ОИС
... Не следует чрезмерно расчленять, с л11u,.
коr,, абстраrнроnать. Самые рафиннроnан�п, 1е
люди. nолагаю .я, сделалн менъwе ncer0
открытий.•.
Г. К. Лихтенберг

Современная РЭ характеризуе-:�·ся широким внедрением

в аналоговую и цифровую РЭА новых идей. Это наглядно
просматривается в ОИС СВЧ, поскольку в них сочетаются
новейшие достижения технологии и принципов построения
РЭ систем. ОИС СВЧ уже не требуют рекламы, так как они
эффективно продемонстрировали возможность реализации
практически всех функциональных нагрузок в сложной
РЭА.
ОИС СВЧ благодаря своей миниатюрности уже нашли
известное применение в фазированных антенных системах
для формирования и управления сигналом. Такие системы
получили название «диаграммообразующие матрицы»
(ДОМ); они будут рассмотрены ниже.·
Особая роль в ОИС СВЧ отводится преобразованию
спектра сигнала при изменении формы представления ин­
формации из одного вида в другой («информационное» пре­
образование) либо переносу энергии из одной части спектра
в другую («энергетическое» преобразование). При информа­
ционном преобразовании спектра основным требованием
является максимальное сохранение первоначаль.ной инфор­
мации и, как правило, обеспечение при этом наименьшей
энергоемкости, т. е. получение минимальной ширины пре­
образованного спектра при наименьших искажениях исход­
ной информации. При энергетическом r�реобразовании ос­
новным требованием является обеспечение максимального
переноса энергии в заданные участки спектра, т. е. инте­
ресуются прежде всего получением высо1юго КПД.
· Преобразование сигнала осуществляется модулятором.
Под действием модулирующего сигнала (содержащего ис­
ходную информацию) происходит изменение физических
свойств среды, в которой распространяются электромагнит­
ные колебания несущей частоты, осуществляя взаимодей­
стщ1е и перераспределение энергий модулирующего сигнала
и сигнала несущей частоты. В ОИС СВЧ наибольшее рас-
66
 JJРостранение получили модуляторы с пассивной волноведу­
ей ср �ой (объемные ЛП различного типа), в которую
:JIЮчены сосредоточенные активные элементы (транзисто-
ьr или диоды).
Р в посл�ние десятилетия- наметилось новое направление
8 применении модуляции для энергетического преобразова­
JJИЯ спектр а (источника СВЧ энергии). В объемном баланс:
J!OM модулнторе происходит 1·енерация, как правило, четнои
1 -армоники несущей частоты, на которой осуществляется
nреобразование спектра модулирующего сигнала, что поз­
воляет осуществлять перенос энергии сигнала на верхние
боковые частоты. Это применение важно в том отношении,
что позволяет создавать источники СВЧ колебаний. Сnе­
nиалисты считаюг, что стоимость источника СВЧ колебаний
средней мощности намного превышает стоимость источника
колебаний той же мощности, но вдвое меньшей частоты при
практически одинаковых габаритных размерах.
Известно, что радиорелейные устройства, предназначен­
ные для аналоговой обработки сигнала, с технической точ­
ки зрения плохо приспособлены для обработки высокоско­
ростных цифровых сигналов. Это ограничение снимается
при реализации достаточно широких полос пропускания
[14), что возможно достичь в системах, построенных по
принципу ОИС СВЧ. Развитие цифрового кодирования ос­
новано на принципе модуляции, которая позволяет осу­
ществлять дискретизацюо сигнала по частоте, амплитуде
или фазе. Модуляция путем манипуляции фазы, согласно
те-0реме Найквиста - Котельникова, является наиболее
удобной для передачи двоичной информации (2- либо 4-пози­
ционная фазовая манипуляция). Декодирование (расшиф­
ровка) цифрового сигнала осуществляется демодулятором
(например, синхронным детектором). С его помощью опре­
деляется фазовый сдвиг несущих двух следующих друг за
другом двоичных символов. Применение элементной базы
ОИС оправдано и в РЭ системах, построенных для обработ­
ки несинусоидальных сигналов (например, сигнал с ампли­
тудным распределением в виде функций Уолша), а также в
цифровых системах, работающих без несущей.
Ниже рассмотрены некоторые многофункциональные
базовые элеменn,1 на ОИС и приведены результаты их экспе­
риментальной отработки. Теоретический анализ этих уст­
ройств весьма сложен и на первоначальном этапе може7
быть вьшолнен, например, на уровне эквивалентных схем,
как это неоднократно подчеркивалось ранее. Задача же
структурного синтеза еще ждет своего решения, а n01ш
·создание .с.л:ожных многофункциональных устройств на ОИС
является прерогативой очень высококвалифицированных
разработчиков, своего рода искусством - синтезом элек.
тродинам:иl\И, конструирования и технологии.
Основанием для изучения свойств и возможностей а11а.
логовых � цифровых систем на ОИС СВЧ является убежде­
·ние, что" t:Jeм сильнее объект исследования отличается от
привычнQrQ, тем выше шансы получить нетривиальные ре ­
зультаты, 1-акие, как уменьшение габаритов на порядок и
более, уве.1rичение полосы частот и быстродействия.

§ 3.1. Объемные многоканальные устройства

1
Многоканальные системы на�одят все большее приме-
нение в связи с развитием радиолокации и радиосвязи и в
системах сверхбыстрой обработки цифровых сигналов в
реальном масштабе времени. Аппаратура в этом случае
насыщена большим числом элементов управления сигна­
лом (излучатели, линии задержки, активные элементы, фазо­
вращатели и мн. др.). Для их коммутации необходимы: мно­
гоканальные устройства, обладающие минимальными габа ­
ритами и решающие проблемы пересечения ЛП с высокой
степенью развязки. Условие минимальности габаритов
объясняется тем, что в настоящее время в традиционной
аппаратуре вес и габаритL, коммутирующих линий превы­
шают и иногда весьма существенно вес и габариты блоков
управления и источников питания.
Одним �з эффекrивных путей создания многоканальных
устройств с приемлемыми массоrабаритными параметрами
и удовлет1юрительной развязкой между СВЧ каналами
является их реализация на ОИС. В этом случае осуществля­
ются передача энергии и обработка информации по трем
координатам, создавая тем самым наиболее высокую плот­
•ность заполнения объема функциональной средой. В этом
разделе мы рассмотрим два вида коммутации функциональ­
ных узлов: разветвление ЛП типа «дерево» (один вход и
большое число выходов) и система ДОМ (большое число вхо­
дов и выходов). Эти устройства могут применяться как для
коммутации аналоговых, так и цифровых сигналов (напри­
мер, нес.инусоидальных сигналов прямоугольной формы).
Многоканальный делитель мощности. Наиболее простым
многоканальным делителем является разветвленная струк­
тура типа <щерево», схема которой приведена на рис. ·з.1 а.
Архитектура делителя основана на подборе межслойных
связей между коммутирующими ЛП. В структурной схеме
1 1
 разветвленного типа сплошными линиями показаны услов­
JIО токонесущие проводник•·, расположенные в плоско сти
диэлектрика, а штриховыми - электромагнитная связь
междУ проводниками, расположенными на разJ1ичных эта­
жах ОИС. Данная конструкция выполняется из набора
двухканальных синфазных делителей мощности объемного
1-f планарного типов. С внешней стороны кривой ABCD,
показанной на схеме рис. 3.1 а, расположены объемные
делители мощности (объемные Т-соединения, приведенные
�

Bxoll

а Выхоflы

Рис. 3.1

на рис. 2.4), а с внутренней - планарные делители мощнос­

ти (проводники ЛП, образующие вход и выходы, выполнены
в одной плоскости). Таким образом, крайние делители вы­
полняют функции вертикального, а внутренние - горизон­
тального распределения СВЧ мощности. Если внимательно
проследить за развитием каналов, то видно, что скорость
роста числа выходных каналов больше скорости увеличе­
ния чиС'ла слоев диэлектрика. Эго подтверждает эффектив­
ность использования ОИС СВЧ. Общий вид мноrоканаль-
' ного делителя мощности представлен на рис. 3.1 6. На
внешние боковые плоскости объемного делит еля нанесены
слои металла. Выходы экранированы друг от друга слоями
металла.
69
 На рис. 3.1 в приведена конструкция разветвленного
делителя мощности (попереqное сечение по продольной
оси). Входное и выходные плечи выполнены на СПЛ, а
коммутирующие линии - на НПЛ.
Матр ица Баттлера. В антенных структурах СВЧ широ­
ко используются диаграммообразующие матрицы Баттле­
ра, представляющие собой многоканальные делители с М
входными и N выходными каналами. Таким образом, об­
щая размерность матриц есть М Х N. Главной проблемой

- .- а

с;:> 2•,,6��,:6;:fЦШ:�9"'
.с? 1,4f .r,.,. ,:,zz==:;,���c:т•

о
Рис. 3.2

. nри построении многоканальной матрицы является дости­

жение высоких значений развязки (около 30 дБ) между вы­
ходными (входными) плечами, поскольку необходимо реа­
-лизовать многочисленные пересечения коммутирующих ЛП.
Это наглядно видно из эквивалентной схемы (рис. 3.2 а), где
· связь между ЛП осуществляется только через направленные
·ответвители.
Свойство высокой развязки между входными (выходны­
.ми) плечами и возможность реализации большого их числа
в малом объеме позволяют использовать многоканальную
матрицу в ЭЦВМ (матричная обработка цифрового сигнала)
для соединения вентилей, элементов памяти и других БЭ.
Это позволит также обеспечить высшше качество параллель­
ного и последовательного включения процессоров и кон­
вейерную организацию данных в высокоскоростных си­
стемах обработки сигналов.
70
 Многоканальные матрицы Ьаттлера, выполненные в пла­
nарном виде и, как правило, на (?дном типе полоско вой ли­
тrи, .f!ВЛяются неудачными конструкциями, поско льку
тр адиционно решают проблему пересекающихся проводни­
ков посредством навесных перемычек, отрезков соединитель ­
nы х коаксиальных кабелей, а также полосковых устройств,
реализующих функцию пересечения на основе связанных
линий . Все это приводит к ухудшению электрических ха­
рактеристик (рассогласование входов, перекрестная связь
каналов, фазовые разбалансы и пр.), увеличению массоrа•
баритных параметров, снижению надежности системы в це­
лом и ограничивает пути повышения рабочей частоты. В зна­
чительной мере эти недостатки и ограничения снимаются
при выполнении разветвленных СВЧ систем в виде ОИС.
Применение объемных НО, рассмотренных в гл·: 11,
позволяет сформировать топологию таким образом, что
пересекающиеся ЛП (входы 1--4 и выходы 5-8) располо­
женьt в разных слоях диэлектрика 9, 10 и экранированы
общим слоем металJiа 11 (рис. 3.2 б). При этом распределен­
ная связь между ЛП осуществляется через диафрагмы,
выре занные в слое металла 11_- Электрические длины отрез­
ков 12-14, соединяющие НО, выбираются из заданных
требований на распределение фазы сигнала в выходных
плечах. Развязка выходных плеч при данной топологии
составляет 26 дБ в октавной полосе часта:г.
Схема Пейджа. Простейший радиолокатор включает
в себя четыре излучающие антенны и приемопередатчик,
состоящий из суммарно-разностной дш�rраммообразующей
матрицы, построенной по схеме Пейджа (рис. 3.3 а), и блока
обрабагки суммарных и разностных сигналов, содержащего
схемы сравнения на фазовых манипуляторах. Радиолокатор
может работать на излучающих импульсах с использова­
нием синусоидальной несущей либо без нее. Принцип ра­
боты локатора основан на сравнении излучаемого и отра­
женного от цели сигналов до приведения к нулю их вре­
менньrх разностей по амплитуде и фазе. Достоинством дан­
ного подхода является возможность рабагы в режиме мо­
ноимпульсной радиолокации (гармонический сигнал) и
радиолокации без использования синусоидальной несущей
(неrармонический сигнал). Отметим, что радиолокатор на
несинусоидальной несущей способен передавать примерно
на два порядка больше информации. Это видно из следую­
щего примера.
Приняв верхнюю граничную частоту за единицу, в слу­
чае синусоидальной несущей мы ограничиваем полосу час-
71
тот сигнала до 0,1, в то время как без синусоидальной несу.
щей полоса расширяется до 0,9. Это различие дает улучше­
ние разрешающей способности обнаружения цели на два
порядка, т. е. появляется возможность распознавания более
сложных целей.
В устройствах цифровой обработки информации сум­
марно-разностная матрица может быть использована в схе­
ме сравнения импульсных сигналов.

:�·\:?�- �·:;:·,,:·· о
:�.\{.:;/�:· . ... ·-�---·:.\\\?i:
····:-'::> ,-
8
Рис. 3.3

Схема Пейджа построена ·на кольцевых мостах (рис. 3.3 а).

Она позволяет реализовать синфазно-противофазное деле­
ние СВЧ сигнала. Для нормальной рабо11,1 данного уст­
ройства необходимо удовлетворить жестким требованиям
на разбаланс фаз (не более 5°) и амплитуд (не более 0,3 дБ).
Кроме этого должна быть исключена перекрестная связь
каналов (развязка более 30 дБ) в пересекающихся ЛП, ком­
мутирующих мостовые устройства между собой. До на­
стоящего времени реализация моноимпульсных суммарно­
разностных схем с такими параметрами была возможна
только на волноводных ЛП, что приводило к неоправданно
большим габаритам и весу, сложности изготовления, высо­
кой себестоимости и т. д.
На рис. 3.3 6 приведена топология матрицы Пейджа с
минимальным размером 4 Х 4. При ее построении использу-
72
iarcя· четыре кольцевых моста длиной 'А (А , Н, С и D), ком­
r,1 утирующие четыре входных плеча (1-4) с четыр ьмя вы­
,с:одными (5-8). В гибридных кольцах мостов выполнены
�разовращатели на 180° из полуволновых отрезк.ов на НПЛ.
Д ва из гибридных колец (С и D) реализованы на НПЛ с
общим слоем металла 10, а два других (А и В) - в виде ОИС
( см. гл. 11). Входные плечи (1-4) на НПЛ расположены на
внешних сторонах слоев диэлектрика 9, а выходные (5-8)·
па СПЛ - в среднем слое металла 10. Из рис. 3.3 ясно,
что реализация схемы Пейджа в виде ОИС позволяет из­
бе.жать пересечений коммутируемых ЛП.Кроме этого, в то­
пологии геометрические размеры ЛП, расположенных с
внешних сторон ОИС, полностью совпадают, создавая тем
самым симметрию по электрическим длинам относительно,
с реднего слоя металла (это важно с точки зрения удовлет­
ворения жестким требованиям к фазовым соотношениям).
Такая конструкция многоканальной матрицы имеет удоб­
ное расположение входных и выходных плеч.
Рассмотренная многоканальная матрица Пейджа в по­
л осе частот до 20 % имеет следующие характеристики: ко­
эффициент стоячей волны на входах и выходах менее l, I ;.
деление мощности в каж дый выходной канал (6+ 0,5) дБ;·
развязка входных плеч более 35 дБ, а выходных плеч более-
50 дБ; неравномерность фазы сигнала на выходных плечах
менее 1 ° при сохра«ении разницы сдвига фазы О и 180°..
Отметим еще одно существенное достоинство суммарно­
разностного многоканального делителя мощности на ОИС ..
Описанная матрица не содержит в своей конструкции элё­
ментов, препятствующих получению таких же хороших.
электрических характеристик при реализации данной струк­
туры в более коротковолновой части СВЧ диапазона, а так­
же позволяет обеспечить максимально простую схему сопря-·
жения с микрополосковой антенной системой, один из ва­
риантов которой приведен на рис. 3.3 в. Необходимо при
этом помнить, что поперечные размеры используемых ЛП
выбираются из условия одномодового режима распростра-
нения волны.
На примере многоканальных матриц ярко демонстриру­
ются возможности ОИС для решения не только задач ми ­
ниатюризации, но и физических проблем коммутации пере­
се кающихся ЛП с высокой степенью развязки между ними.
В заключение отметим, что по сравнению с существую­
щей планарной и тем более волноводной реализациеи ди­
аграммообразующих матриц антенно-фидерной системы зна­
чительно сокращаются габаритные размеры и вес (более·
73.
_ чем на два порядка) при одновременном улучшении частот.
ных характеристик. Кроме этого, существенно сокращена
металлоемкость, включая драгоценные металлы (золоm,
платина и др.), и улучшена технологичность конструкции.
Естественно, что полный экономический эффект за счет
значительного сокращения габаритов и веса бортовой и
особенно космической аппаратуры трудно переоценить.

§ 3.2. Усилительные структуры на ОИС

Задачи построения аналоговой и цифровой РЭА выдви­
гают широкий комплекс проблем, связанных с созданием
активных элементов (АЭ) на полупроводниковых структурах
СВЧ. В относительно низкочастотном диапазоне (до единиц
1·иrаrерц) АЭ реализуются на транзисторах (сосредоточен­
ные АЭ), а в оптическом диапазоне - на квантовых 1·ене­
раторах и усилителях (распределенные АЭ). Сантиметровый
и миллиметровый диапазоны оказались «неудобными» для
полупроводниковых АЭ, т. е. сосредоточенные АЭ требуют
малых размеров активных зон (барьер Шоттки), достига­
ющих единиц микрометра и менее, а распределенные АЭ
имеют низкий коэффициент усиления.
В последние годы при создании АЭ предпочтение от­
дается монолитным схемам, выполненным на основе GaAs.
Эти схемы являются законченным функциональным узлом
(например, усилитель), изготовленным в едином техноло­
гическом процессе, и представляют собой многослойную
<:труктуру, в которой размеры АЭ, согласующих устройств
и коммутирующих цепей намного меньше длины волны.
· Поэтому монолитные функциональные узлы можно отнести
к классу сосредоточенных АЭ и использовать их в ОИС
.СВЧ как «навесные» (встроенные) элементы. По возможности
АЭ в ОИС выносятся на отдельную панель.
Успех научно-технического прогресса связан не в пос­
леднюю очередь с созданием элементно-технологической
<базы сверхбыстродействующих систем обработки инфор­
мации. Если проанализировать достижения в разработках
.АЭ СВЧ последних лет, то можно вьщелить два взаимно
.дополняющих друг друга направления: совершенствование
·транзисторных систем на основе кремниевой и (или) арсе­
нид-галлиевой технологии и разработка объемных АЭ
>{: распределенными параметрами на базе комбинированного
.включения ЛП и полупроводниковых структур.
В области технологии изготовления транзисторных систем
-ведутся интенсивные разработки. Многие из них достигли
·74
вепико лепных результатов. Например, разработаны базо­
е ые матричные кристаллы со степенью интеграции 300 эле­
мент ов на кристалл и средней временной задержкой инфор­
r,Iационноrо сигнала до 184 пс. Основным А Э матричного
1<ристалла является полевой транзистор, изготовленный на
осно ве GaAs, работающий ·в· режиме вентиля с временем
задерж ки сигнала 15,4 пс при мощности потребления
5 4 мВт/вентиль. Сегодняшний день характерен внедрением
1(/МОП-технологии, на основе которой, как утверждают
зарубежные специалисты, к 90-м годам будут изготавли­
ваться матричные 2 кристаллы со степенью' интеграции
10''--10� вентиль/см при мощности потребления 20 Вт и ча­
стоте переключения порядка 1 ГГц.
Возможно увеличение быстродействия транзисторных
А� на основе применения технологии новых полупровод­
никовых материалов (например, антимонида индия). К этой
nе.,1и можно подойти с точки зрения повышения подвижности
носителей путем улучшения кристаллической решетки арсе­
нида галлия. Это реально в ОИС, где на разных этажах
между слоями чистого GaAs расположены слои соединения
GaAs с AI (многослойные «суnеррешетки»). При этом между
этажами вводятся управляющие электроды, что в целом
создает вертикально расположенные МОП-транзисторы.
Но при этом необходимо учитывать, что с ростом частоп,r
(быетродействия) в таких структурах могут возникать мно­
гомодовые режимы (волны высших типов), которые приве­
дут к возникновению в активной зоне локальных транзис­
торных эффектов, вызывающих нежела-,ельное «защелки­
вание схемы».
Больших успехов в этой области достигли сотрудники
фирмы «Bell>), создавшие транзистор с временем переклю­
чения до 1 О пс (при комнатной температуре) и потребляемой
мощностью 1,03 мВт на ячейку. В слоистой структуре ис­
пользовался сверхтонкий слой (10 нм) GaAs, расположенный
�ад чуть более толстым слоем (30 нм) селективно легиро­
ванного AIGaAs. Была создана резкая граница между двумя
слоями, что позволило отделить примеси в слое AIGaAs
от свободных электронов, притягиваемых тонким слоем
GaAs. Ширина затвора в такой структуре составляет всего
лишь 0,35 мкм. После получения уникальных выходных
характеристик объемной структуры исследователями было
отмечено, что они вплотную приблизились к истинно му
физическому (фундаментальному) пределу.
Подтверждением целесообразности применения идей ОИС
в вычислительной технике является работа Дж. Симонса,
75
где, в частности, сказано: «Исследования с целью разрабо1.
ки трехмерных микросхем имеют большое значение. Будут
прилагаться усилия I< выращиванию кремниевых слое13
(до шести слоев) в структурах, с тем чтобы одна микросхе\1а
могла объединить в себе измерительную, вычислительну10
и управляющую секции, а также память без ранее неизбе>к­
ного увеличения размеров устройства... Кремниевая тех.
нология, сочетающая низкое энергопотребление с высоким
быстродействием, позволила создать супермикрокомпью.
тер (настоящее произведение искусства) с 200-наносекунд­
ным рабочим циклом» [15].

;·�.·:�:/·:
'2

Рис. 3.4
На примере балансного усилителя рассмотрим архи­
тектуру построения объемного модуля. На рис. 3.4 а пока­
зана эквивалентная схема: усилителя, состоящего из двух
квадратурных Н О 1, 2 и двух транзисторных цепочек 3, 4,
включенных параллельно через НО. Одни плечи НО образу­
ют вход 5 и выход 6 усилителя, два других нагружены на со­
гласованные нагрузки R6 7, В. -В планарном изготовлении
такая схема не обладает способностью к необходимому ослаб­
_лению шумов из-за существования поверхнОС1:ных типов
l?()ЛН, возникающих на неоднородностях, которые создают
непосредственную связь (достаточно малую, но соизмери­
мую с шумам,и) между транзисторными цепочками. Этот не­
достаток исключается, если использовать на входе и выходе
усилителя объемные НО 1 и 2 (рис. 3.4 6). В этом случае
7ранзисторные цепочки 3 и 4 (на рис. 3.4 6 они приведены в
упрощенном виде), разделенные слоем метал,ла 9, будут
полностью развязаны по пqверхностным волнам. Экспери-
76
 t.!ентальные исследования балансного усилителя на ОИС
r� одтверждают возможность дополнительного подавления
а.u умов - до 20 дБ.
Как уже было отмечено, перспективным направлением
116ляютс я АЭ с распределенными параметрами. К настоя­
�цему времени по активным распределенным структурам
опубликованы сотни книг, монографий и статей. Нет ни­
какой возможности - хо тя бы
коротко упомянуть здесь об
эт ом большом направлении и
полученных на этом пути ре­
зультатах. Поэтому мы рас- 4
смотрим одну из интересных
объемных распределенных
структур А Э, в которой ис ­
пользованы последние до­
стижения в области МСВ
(pJIC. 3.5).
Объемный АЭ построен на Рис. 3.5
основе СЩЛ f и 2, симметрич-
но расположенных по разные стороны полупроводникового
слоя 3. Сверху и снизу на СЩЛ наложены слои ГГГ 4, 5
с эпитаксиально выращенными на них слоями ЖИГ 6, 7.
На боковые поверхности слоев нанесены слои металла 8, 9,
расстояние между которыми равно половине длины волны.
Для создания напряженности электрического поля в актив­
ной зоне 10 на слои металла 8, 9 подает�я разность потен­
циала, а для возбуждения медленных МСВ формируются
постоянные магнитные поля Но равной напряженности,
направленные навстречу друг другу со смещением в верти­
кальной плоскости (магнитн<!я система на рис. 3.5 не пока­
зана). Работа объемного АЭ основана на принципе синхро­
низма медленной МСВ с потоком положительных и (или)
отрицательных зарядов в активной зоне 10.
Рассмотренные примеры наглядно показывают перспек­
тивность использования ОИС СВЧ и АЭ. Вместе с тем
большое внимание уделяется развитию монолитных полупро­
водниковых ИС, которые, как уже говорилось, в длинновол­
новом диапазоне СВЧ являются сосредоточенными элемен­
тами, а в коротковолновом (миллиметровы й и субмиллимет­
ровый диапазоны) они по своей сути представляют распре­
деленную структуру(ее размеры соизмеримы с длиной волны)
и полностью отвечают определению ОИС СВЧ. Поэтому
эq:фективный выигрыш по качеству и габаритам пр оекти •
руемой РЭА в промежуточном частотном диапазоне (санти-
 метровом) возможен при умелом использовании монол111.
ных схем в каче�тве дополнения к ОИС СВЧ, посколь1<у
для изготовления ОИС достаточно применять широко вне д.
ренную в производство толстопленочную и (или) тонкопле.
ночную технологию.
Работы по созданию АЭ привели, с одной стороны, к раз.
витию современной науки - биологической инженерии,
т. е. управление процессами рождения биоклеток, с дру.
гой - к более глубокому пониманию передачи и обмена
информацией в биологических структурах (мозг - нервная
система - биологические раздражители). Построены прос.
тейшие модели биологических АЭ (нейроны), связаннь1 е
посредством активных JlП (нервные волокна), на основе
которых показана электромагнитная при ода распростра­
няющихся негармони:ческих сигналов [16 r. Эти исследова­
ния подсказывают пути построения элементной базы анало­
го-цифровой аппаратуры. Например, существует мнение
зарубежных ученых, что для создания процессора с бы­
стродействием около 2 ·109 операций в секунду потребуется
множество арифметических устройств, действующих парал­
лельно по аналогии с колонкообразными структурами коры
головного мозга. При этом уже обоснованно высказываются
предположения о новых методах литографии, которые ста­
нут настолько точными, что можно будет создавать транзис­
торные структуры, соизмеримые с молекулой биоклетки.
Подобная микросхема «с шириной линии менее 0,5 мкм спо­
собна самопроизвольно реорганизовать свои функции. Одна
такая микросхема сможет удовлетворить потребности це­
лой физической лаборатории или образовать автоматизи­
рованную систему, подключенную к нейронной системе
человека» {15).
. Разработки новых сверхминиатюрных микросхем при­
вели к созданию первых биочиnов, возможности которых
позволяют сделать предположения о будущем радиоэлектро­
ники: «Трехмерная белковая решетка даст возможность
получать трехмерные интегральные схемы повышенного
быстродействия, уменьшенного энергопотребления со сверх­
миниатюризацией, которая сможет обеспечить миллионы
миллиардов элементов в кубическом сантиметре» {15).
�'-<.r�w.
► \§ 3.3. Устройства�управления СВЧ сиrнс!Лами
Электромаrнитна5t JЗОлна характеризуется тремя пара­
метрами: амплитудой, фазой и частотой. Обработка СВ Ч
сигнала предполагает возможность управления этими пара-
 r,�етрами по наперед заданному или вырабатываемому в про­
цессе функционирования данной системы алгоритму. Ис­
JJОЛьзуемые до самого последнего времени полосковые уп-
ав ляющие устройства имеют недостатки: узкая полоса
р абочих частот, неудовлетворительная степень развязки
�ежду коммутирующими каналами, технологическая слож­
ност ь сборки управляющих диодов с цепями питания, боль­
J1JИ: е габариты и др. Эти недостатки в значительной мере
сяимаются при проектировании СВЧ модулей РЭА на ОИС.
Сейчас уже можно ввести некую «рабочую» классификацию
neneй управления по типам используемых ЛП. Так, для
в ключения управляющих диодов более всего, по-видимому,
п одходит СЩЛ, для реализации выводов энергии - полос­
к овые ЛП, для выполнения цепей управления - КВ и т. п.
Сверхширокополосные управляющие устройства эф­
фектwвно реализуются с помощью кольцевых мостов (§ 2.2),
в плечи которых включаются управляющие диоды. Схема
вк лючения диодов (последовательно либо параллельно)
и их число определяются выбором вида функциональной
обработки сигнала. Управляющие устройства в коммути­
рующих цепях воздействуют на амплитуду сигнала (вы­
ключатели и ограничители мощности), фазу (манипуляторы)
и частоту (устройства смещения частоты и модуляторы).
Все эти устройства позволяют осуществлять не только
аналоговую, но и цифровую обработку сигнала.
Рассмотрим каждое устройство в отдельности, обращая
при этом внимание на быстродействие схем и полосу рабочих
частот.
· Устройства управления амплитудой. К данному классу
устройств относятся ограниqители, выключатели, аттенюа­
торы, корректоры и многие другие устройства, осуществля­
ющие управление амплитудой сигнала. Рассмотрим два
устройства, связанных с ограtшчением амплитуды (умень­
шение мощности сигнала либо его полное выключение).
Принцип работы этих устройств основан на частичном либо
полном отражении сигнала от гибридного кольцевого моста
с управляющими диодами.
Топология устройст ва управления амплитудой с после­
довательно включенными диодами показана на рис. 3.6 а.
Гибридный мост выполнен на НПЛ, свернутой в кольцо 1
с периметром 3 'А/2. Диаметрально противоположные точ­
ки кольца соединены с НПЛ 2 и СЩЛ 3 (находится под под­
ложкой). На рис. 3.6 а показан пример соединения СЩЛ
и НПЛ с помощью объемного Т-соединения 4. СIЦЛ за­
канчивается во внутренней области кольца закороченным
четвертьволновым шлейфом Б. лиНия кольца ·1 имеет д�
разрыва, в 9бласть которых включены последовательно
диоды 6 и 7 на полуволновой длине 8 друг от друга. Питание
диодов осуществляется с помощью фильтров нижних час.
тот 9 и 10. Чтобы не нарушить условие согласования, высо.
коомные отрезки фильтра нижних частот соединяются с
линией кольца симметрично относительно входа и вьrхода
устройства.
Габариты конструкции можно уменьшить, если кольцо
выполнить на CЩJl длиной л/2 (рис. 3.6 6). В этом случае

а
Рис. 3.6

для управления амплитудой сигнала достаточно включить

один диод. Причем цЕ:пь питания диодов значительно упрос­
тится, так как функции фильтра нижних частот выполняет
слой металла 11, расположенный на внутреннем участl{е
кольца 1,- и высокоомный· проводник 10, соединяющий его
с источником питания.
. Опишем очень коротко принцип работы этих устройств.
При возбуждении, например, входного плеча на HПJl 2
сигналы синфазно распространяются по периметру коль­
ца 1. В случае короткого замыкания диодов 6, 7 (рис. 3.6 а)
либо холостого хода (рис. 3.6 б) оба сигнала полностью
отражаются от выходного плеча 4. Смена режима работы
диодов (холостой ход - рис. 3.6 а либо короткое замыка­
ние - рис. 3.6 б) создает условия для полного прохожде­
ния сигнала с входа 2 на выход 3.
Экспериментальные исследования в сантиметровом диа­
пазоне показали, что прямые потери при полном прохожде­
нии сигнала составляют в октавной полосе частот менее
1, 1 дБ при развязке плеч в режиме «выключено» более 30 дБ.
Быстродействие устройства управления· амплитудой, изоб­
раженного на рис. 3.6 6, более чем в два раза больше, чем
устройства на рис. 3.6 а. Подробные экспериментальные
11с следования временнь1х характеристик (быстродействия)
nриведены в следующих разделах.
Устройства управления фазой. Из предыдущего рас­
е1,1отрения ясно, что оптимальным является гибридное коль­
цо, выполненное на СЩЛ и позволяющее технологически
0росто встраивать управляющие диоды. Поэтому данный
'J'f\П гибридного кольца uелесообразно использовать также
и в фазовых манипуляторах.
Рассмотрим фазовый манипулятор с дискретным изме­
не1шем фазы сигнала на Л(j) =l80° , топология которого при­
ведена на рис. 3.7 а. Гибридное кольцо 1 с периметром

l,il5
р,, гра!J. -30
·2
о 20

40
!О
8,
-J -z -( о о
f Z I,t1A
5 120

!бО

а б
Рис. 3.7

3 л/2 и входным плечом 2 на СЩЛ выполнено на одной сто­

роне, а выходное плечо 3 на НПЛ - на другой стороне
подложки 4. Причем НПЛ заканчивается четвертьволновым
разомкнутым шлейфом 5, расположенным на нижней сто­
роне подложки под кольцом 1. Диоды включены параллель­
но в СЩЛ кольца 1 на полуволновом расстоянии друг от
друга.
На рис. 3.76 представлены зависимости прямых потерь
-U) и фазового сдвига (2) в манипуляторе от тока через диоды.
Видно, что состояния фазы сигнала О и 180° на выходе
манипулятора практически достигаются при минимальных
токах через диоды 0,01 мА. При этом время переключения
диодов составляет менее 2 нс. Анализ прямых потерь в
переходном процессе ноказывает, что в отсутствие управ ­
ляющего тока плечи фазового манипулятора развязаны
(паrери достигают 35 дБ), а при токах свыше 2 мА потери
• - •• - - . • ., �. -- . В1
менее l дБ. Таким образом, электрические характерист�щ11
манипулятора имеют ярко выраженный релейный xapaJ<.
тер. Прямые потери в октавной полосе частот составля!О'r
менее 1,5 дБ при Кс, и� 1,5.
Фазовый манипулятор с дискретным изменением фазь1
сигнала на Лср=90° имеет несколько более сложную топ0•
лоrию (рис. 3.8). Устройство представляет собой объемнЬJf�
Р..''
Q

� :-- .:-·

�-
tl

Рис. 3.8
четырехэтажный модуль со следующей структурой: два
металлических слоя 1, 7, слои диэлектрика 2, 4, 6, на грани­
цах 3, 5 расположены проводники СПЛ. В крайних слоях
металла 1, 7 зеркально-симметрично выре.заны СЩЛ, об­
разующие своей конфигураuией по два кольца с полуволно­
выми п,ериметрамн, ближайшие стороны которых соединены
отрезком СlЦЛ длиной много меньше л/4. Слои металла
внутри колец, расположенных симметрично друг под дру­
гом, имеют равные потенциалы.
Между слоями диэлектрика в плоскостя,х 3 и 5 располо­
жены токонесущие проводники СПЛ, формирующие много­
секционный квадратурный направленный ответвитель 10
с лицевой связью. Одно из плеч ответвителя является вхо­
дом несущего сигнала, а развязанное относительно него
п лечо нагружено на согласованнуIО нагрузку R,.. Два друг их
плеча ответвителя связаны переходами 11 и 12 НЛЛ :;::::::СЩЛ
с п ротивоположными точками колец на СЩЛ. Соединение
вы.хода с коротким отрезком СЩЛ осуществляется анало­
гичным переходом 13.
Представленный объемный модуль используегся в ка­
честве широкополосного четырехфазного манилуллтора с
° °
изменением фазы сигнала на 90 (0-90-180-270 ). При
этом необходимо, чтобы управляющий сигнал также был
ди скретным, а его амплитуда имела два фиксированных
значения. Наличие двух входов улравJ1яющих сигналов
обеспечивает четыре возможных фазовых состояния. При
равенстве нул10 всех управляющих сигналов, включая на­
пряжение смещенил, подаваемое на диоды, манипулятор
имеет пятое состояние - развязка между входом и выходом
при этом свыше 30 дБ.
Остановимся на описании работы четырехфазного мани­
пулятора (эквивалентная схема приведена на рис. 3.8 а).
На входы Р; и Р� (PQ= P�+ Р�) подаются импульсные
напряжения с постоянной амплитудой ±1 В (рис. 3.8 б).
На выходе манипулятора получаются дискретные значения
фазы сигнала с Лср =90° при соответствующем выборе поляр­
ности напряжений на входе, приведенных ниже:
q>, град• О 90 180 270
и�. в +1 +1 -1 -1
и';, в +1 -1 -1 +1

Результаты экспериментальных исследований показали,

что в полосе частот 2-5 ГГц относительный сдвиг фазы
сигнала меняется в пределах 78-97°, 170-184° и 260-
2900 при соо1ветствующем изменении амплитуд - 0,4-
2,2 дБ, -1-2 дБ и -1-2,3 дБ. При быстродействии фа-
. зового манипулятора для двухполярного импульса с дли­
тельностью переднего фронта 2 нс время задержки переклю­
чения манипулятора составляет около 0,3 нс.
В заключение необходимо отметить, что простота и тех­
нологичность рассмотренных фазовых манипуляторов в со­
вокупности с высокими электрическими характеристиками
открывает широкие перспективы использования ОИС в
различных устройствах фазовой обработки сигналов вплоть
до миллиметрового диапазона волн.
Устройства управления частото й. К этому классу можно
отнести устройства сдвига частоты, модуляторы, синтеза­
торы и т. д. При внимательном рассмотрении конструкции
83
четырехфазного манипулято ра (рис. �.8 б) видно , что er
можно использовать в качестве устроиства сдвига частать1o
в �снове работ!'r которого используется прин�ип амплиту :
нои баланснои модуляции, обеспечивающеи подаВJiен1-1д,е
несущей частоты, и квадратурного сд�ига фаз� модулирую.
щих сигналов для подавления однои боковои частоты.
Сигнал Р00 несущей частоты подается на вход направлен.
нога ответвителя 10, одно из плеч которого нагружен о на
L,iJб

16

fl

8
4 .___ _L___,___,_
_ ____,
__ _.__---1.___.____.___
0,4 · t,б 2,8 4,0 f/10
Рис. 3.9
согласованную нагрузку Rн , и далее со сдвигом в 90° по­
ступает на входы кольцевых мостов 11 и 12. На эти же вхо•
ды подаются сигналы Р� и Р; с разностью фаз 90°. Часто та
Q этого сигнала соответствует сдвигу несущей частоты ro.
Промодулированные сигналы в кольцевых мостах сумми·
руются на выходном плече устройства Pro+f!• Причем ко­
лебания одной боковой частоты (например, верхней боково й
Lro +!J) поступают в выходное плечо синфазно, а другой
боковой (нижней Lro-Q) - противофазно. Используемый
на выходе переход СПЛ�ОЦЛ 13 возбуждается только
синфазными колебаниями (§ 2.1), а противофазные колеба·
ния от него переотражаются в кольцевые мосты и участ·
вуют в дальнейшем процессе преобразования несущей
частоты.
Устройство сдвига, реализующее данный принцип п ре·
образования частоты, является нелинейным; поэтому
выходной спектр содержит не только нужную боковую
 C'fOTY, но и боковые ч астоты выс ших порядков: (l)+nQ,
.qs""' 1, 2, ... Как правило, схGмотех1-rическое решение обес ­
печивает подавление несущей ((о) н четных бо ковых (n=2,
: 6, ... ) частот кольцевым мостом на уровне свыше 3 0 дБ.
ri оэтоМУ наибольший интерес представляют ближайши е
боl<ОВЬiе часто1Ъ1 третьег .? порядка (Lw± no).
Исследование устроиства сдвига частоты проводилось
118 частоте синусоидального сигнала Q = 1 МГц и мощности
9Ход ного сигнала Рw = 1 мВт. На рис. 3.9 приведены вы­
ходные характеристики потерь преобразования сигналов
от11осительно уровня несущей частоты. Видно, что в полосе
частот f/fо = 1,8-4,2 потери преобразования для верхней
боковой частоты составляют менее 7 дБ. Подавление несу­
щей частоты Lro>30 дБ (сплош ная кривая}, для нижней
б(жовой Lw-o>20 дБ (штриховая кривая). Боковые час­
тоты третьего порядка L(J)нo>28 дБ (пунктирная и штрих­
r.ую<тирная I<ривые ), а более высокого порядка имеют
аодавление свыше 40 дБ. Из анализа приведенных данных
видно, что равномерное поведение кривых по потерям пре­
образования частоты указывает на отсутствие резонансов
в устройстве сдвига частоты. Таким образом, преобразова-
11Ие сигнала в рассмотренном устройстве является однопо­
лосным. При этом существенно отсутствие каких-либо по­
лосовых фильтров, что значительно упрощает технологию
производства однополосных модуляторов.
Объемный модуль однополосного устройства управления
сигналом (рис. 3.8 6) в общем случае может выполнять еще
целый ряд различных функций.Рассмотр�-!М их более под­
р-обно, взяв за основу схему входов и выхода, показанную
на рис.3.8 а.
Амплитудная модушщия. Как уже отмечалось, при по­
даче на входы сигнала гетеродина Рw и модулирующего
сигнала низкой часто,ъr PQ ((t)>>Q) с выхода получим ампли­
тудно-модулированный сигнал Ивы< = (К UQ /n) cos ( (o-Q) t
с подавлением несущей и верхней боковой полосой (К - ко ­
эффициент передачи сигнала).
Удвоен.uе частоты. При необходимости удвоения частоn,1
достаточно вход модулирующего сигнала синфазно соеди­
нить с входом гетеродина (Pg =Pw ).Выходное напряжение
Vвыx = Иconst+0,5 J(U2 cos 2 ыt при этом имеет составляю­
щую удвоенной частоты и постоянную составляющую, ко­
торую можно устранить путем включения блокирующего
конденсатора на выходе устройства.
Смеситель частоты. Для применения устройства в
качестве смесителя частоты необходимо подать в плечо Рnьах
RБ
 модулирующи й сигнал с частотой, близ1<0Й 1< частоте сш·на.
ла гетеродина (<м::::Q). При этом выходным будет плечо PQ.
Процесс смешения частот аналогичен процессу реализац1111
балансной модуляции Uвых =0,5 Ио U<� cos (ш-Q) t.
Детектор АМ. Детектирование АМ сигнала можно
осуществить путем его подачи в плечо Рro; на вход Pr1 nри
этом следует подать немодулированный сигнал с частот ой,
равной частоте несущего сигнала <u. В данном случае де­
тектирование является синхронным из-за совпадения час­
тоты подаваемых сигналов. На выходе амплитудного де­
тектора, выделяется огибающая модулированного сигнала
Ивы, = 0,5 KU@ Ur1 cosQt, содержащая полезную инфор­
мацию.
Фазовый детектор. На основе той же схемы довольно
просто реализовать фазовый детектор. При этом на один
вход Р@ следует подать фазомодулированный сигнал, а на
вход PQ. - опорный сигнал с той же частотой (<u=Q), но
со сдвигом фазы на величину ер. На выходе будем иметь
постоянное напряжение, которое пропорuионально кос и­
нусу мгновенного значения фазы фазомодулированного на­
пряжения Иnых= О,5 Uo U@ coscp.
Ча,стотн.ый детектор. Эта же схема позволяет о сущест­
вить процесс частотного детектирования. Для этог() в плеч()
Р@ нужно включить ограничитель амплитуды, который
преобразует гармонические входные сигналы в квазипря­
моуrольные импульсы. Напряжение на выходе частот­
ного детектора есть Uвых = (2 К/л 2) sin Л ер � (2 КQ/л2) Л//f;
здесь Л ср =2 QЛf/f, Q - добротность. Оно изменяется в такт
с модулирующим напряжением, которое пропорционально
отклонению частоты Лflf.
Таким образом, рассмотренная схема устройства управ­
ления сигналами в объемном исполнении выполняет целый
набор функциональных нагрузок. При этом для перестрой­
ки достаточно, не затрагивая самой конструкции узла,
менять лишь форму сигналов, подаваемых на входы и вы­
ходы устройства.
Проведенный анализ схемы управления показал, что
выходные напряжения сигнала пропорциональны сумме
либо произведению напряжений входных сигналов. Это
дает возможность использования устройств управления на
ОИС в цифровой аппаратуре для выполнения матемапiчес­
ких операций умножения и возведения в степень, деления,
извлечения корня и определения среднеквадратичного зна­
чения.
 Гл а в а IV

ГИБКОЕ АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОИЗВОДСТВО

РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ НА ОИС СВЧ
Люди заблуждаются, 1<оrда noJ1araют,
что все новое объясняется ьюдой. Нет,
na тrим с1<рывается нечто более основа�
тельное.
Г. К. Лихг,,е,;6ерг

В этой главе рассказывается о новой форме организации

производства - гибких производственных системах с ши- ·
роким использованием средств вычислительной техники.
Обсуждаются составные части гибкого автоматизированного
производства (ГАП), включающие в себя: систему автома­
тизированного проектирования (САПР), робототехнические
средства и контрольные датчики. Анализируются особен­
ности систем управления гибким производством РЭА на
оиссвч.
§ 4.1. Основные принципы
гибкого автоматизированного производства
Научно-технический прогресс во МНС''ОМ определяется
скоростью ттерестройки производственных мощностей при
изменении номенклатуры РЭА, их рабочих частот и т. д.
в условиях МС'Лкосерийного и массового изготовления РЭА
различного типа. Известно, что элементная база (ЭБ) (БИС
и СБИС в низкочастотном и ЛП с активными приборами в
высокочастотном диапазонах), система автоматизирован­
ного проектирования, технологические линии, механичес­
кая обработка, сборка издеJшй и пр. зависят от рабочей
частоты. Одной из основных тенденций РЭ является, как
отмечалось ранее, увеличение рабочей частоты. При из­
менении частоты хотя бы на один порядок радикально из­
меняются все циклы производства. Период перестройки
производства по выпуску РЭА на более высокие частоты
является болезненным и составляет несколько лет (для сред­
него производства от 1 до 3 лет).
В низкочастотном диапазоне (до 1 ГГц) в какой-то мере
эта задача успешно решаетсн прн производстве цифровой
аппаратуры благодаря всемерной унификации ЭБ с шир0_
кой номенклатурой изделнй. Сложнее обстоит дело с анало.
говой схемотехникой, и вопрос увеличения рабочей частот!:,{
практически не решен при переходе к СВЧ диапазону (свы­
ше 1 ГГц). Причиной этого является увеличение сложност и
проектных конструкций и технологических решений РЭА
на более высо!{ИХ частотах (или изменение диапазоuа р аба.
чих частот, характерных, например, для РЭ песинусоидаль.
ных колебаний), проявлнющееся при перестройке пронз.
водства в связи с изменением номенклатуры. Степень уве­
личения относительных затрат на перестройку производС1 n,1
РЭА СВЧ при росте частот ы можно сравннть с поведеннсм
функции ехр (Р), где F - частота, отнесенная I< 1 ГГн,
п - условный поряд1ювый помер частотного диапазона.
Поскольку в настоящее время наблюдается тенденция сме­
щения рабочих частот РЭА в диапазон СВЧ, то задача
разработки и построения гибкого автоматизированного
производства РЭА СВЧ является чрезвычайно актуальной.
В то же время реализация ГАП на существующей ЭБ край­
не затруднена. Появление нового направленпя - объем­
ные интегральные схемы СВЧ (ОИС СВЧ) - позволяет
реализовать такую ЭБ, в рамках которой жизнеспособность
ГАП представляется возможной и целесообразной. Это обус­
ловлено следующими причинами (41:
- принципиальная возможность разработки типовой
ЭБ в диапазоне свыше 1 ГГц;
- единообразие технологического процесса (rюзмож­
ность массового производства ЭБ);
- многофункциональность (даже возможность введения
функциональной избыточности по аналогии с цифровыми
ИС), что приводит к резкому сокращению номенклатуры
изделий;
- микроминиатюризация (до известной степени пре­
дельно возможных габаритов), позволяющая резко расши­
рить диапазон рабочих частот (октава и выше).
Как известно, камнем преткновения традиционных спо­
собов компоновки РЭА СВЧ является наличие большого
числа (сотни и больше) разъемов и переходов между узлами
ЭБ и блоками аппаратуры. Проблема практически снимается
при использовании ОИС, где устройства соединения выпол­
няются в виде сверхширокополосных балочных выводов.
Это позволяет оформлять ЭБ многофункциональными ОИС,
образующими законченную конструкцию. Задачи компонов­
ки и техпроцесса сборки при этом сведутся к разработке
типовых приемов, допускающих возмож.ность практически
 rюлной формализации описания технолоrическ�,х эт анов
что создает предпосылки для их роботнз ацин. Это обст оя:
тельство создает условия для алгоритмизации и разработ­
ки программного обеспечения не только для встроен­
ных микропроцессоров, но и для ЭЦВМ общего назна ­
чения.
Реализация такого подхода заставляет пересмотреть
взгляды i-Ia применение САПР в общей структуре ГАП.
Очевидно, что применение САПР целесообразно на нижнем
уровне ГАП - разработке ЭБ, а проектирование РЭА в
целом должно быть основано на системном подходе. Таким
образом, для целей ГАП необходима разрабоша САПР
на верхнем уровне (системное проектирование), обеспечи­
вающем взаимосвязь с роботизированными производствен­
ными циклами. По сути дела, в основе ГАП находится центра­
лизованный управляющий вычислительный 1<омплекс, осу­
ществляющий информационную взаимосвязь между основ­
ными структурными составляющими (складское хозяйство,
производственные мощности, система пооперационного и
выходного контроля и т. д.), управление механическими
связями (общими и (или) индивидуальными) и производст­
венными процессами [9}.
Рассмотрим структуру и зада<rи автоматизированного
проектирования различных уровней в плане их использо­
вания для целей организации ГАП. Техническое задание
в первую очередь обрабатывается на верхнем системном
уровне автоматизированного проектирования, результа­
том которого является выработка технического задания
на ЭБ в нижний уровень - САПР, формирование набора
директив для управляющего вычислительного комплекса
и выдача задания подсистеме документирования. САПР
анализирует полученное техническое задание, определяет
наличие существующей ЭБ, а в случае ее отсутствия раз­
рабатывает на основе ОИС. Таким образом, САПР выно­
сится за пределы ГАП и отвечает за наличие ЭБ необходи­
мой номенклатуры в складском хозяйстве.
Резюмируя изложенное, можно сказать об эффективно­
сти применения ОИС в качестве ЭБ современной РЭА
СВЧ, изготовление которой снимет большинство традици­
онных трудностей производства, т. е. позволит перейти
к ГАП. В принципе общая структура ГАП довольно сложна
(по-видимому, по этому поводу будет написано еще много
книг и статей), но мы рассмотрим ниже только три со­
ставные части ГАП: САПР, роботизацию и методы конт­
роля.
 § 4.2. Принципиальные основы подхода
к системе автоматизированного проектирования
аналого-цифровых ОИС СВЧ

Общие соображения. Построение любой системы автом а­

тизированного проектирования (САПР) и, в частности,
САПР ОИС СВЧ, априори предполагает наличие, во-пер.
вых, ·достаточно разработанного, адекватного и эффе1пив.
ного математического аппарата, дающего возможность с
достаточной (и гарантированной) для практики САПР точ.
ностью описать (например, в терминах S-матрицы) базовый
элемент (БЭ) ОИС. Во-вторых, необходимо ясное и чешое
понимание характера физических явлений как при возбуж.
дении отдельного БЭ, так и связи между отдельным БЭ
схемы. Высокая степень адекватности математи<rеской мо­
дели и реального БЭ может быть обеспечена только при
условии знания матрицы рассеяния БЭ на электродинами­
ческом уровне строгости 1). В равной мере это относится и
к проблеме взаимосвязи (санкционированной или паразит­
ной) между отдельными БЭ данного РЭА. Таким образом,
САПР может рассматриваться как некоторая структура,
включающая в себя все самые современные данные по
анализу матриц рассеяния БЭ (библиотека БЭ) и взаимодей­
ствию (в общем случае многомодовому) между ними.
Система взаимосвязи между БЭ должна «уметь» решать
задачу синтеза, т. е. обеспечивать оптимальное (в электро­
динамическом и конструктивном планах) соединение БЭ
в функциональные узлы при непременном учете требований
по физической и конструктивно-технол9rич:еской реализуе­
мости параметров каждого БЭ. Нередко получение наперед
заданных электродинамических параметров (при некоторых
ограничительных условиях, таких, как, например, конеч­
ное число элементов фильтра, согласующего трансформато­
ра и т. п.) оказывается возможным только при выполнении
некоторых «сверхтребований» технологического, конструк­
тивного, экономического и подобного им характера.
При этом следует помнить, что допустимы и такие поста­
новки задач синтеза, когда не требуется единственность ре­
шения, удовлетворяющего поставленным условиям. Это
позволяет проводить отбор решений с помощью дополнитель­
ных условий предпочтительности (приоритета).
1) Разумеется, в ряде случаев (длинноволновый диапазон, на­
пример) можно ограничиться и данными статических и квази­
статических моделей. Однако всегда следует иметь в виду ограни­
ченность таких модеJ1ей.
 Вместе с тем нельзя не отметить, что решенне обратнЬiх
задач электродинамюш и задач синтеза элеl(трод инами че с­
к их с1ру1<тур в основном опирается и ориентируется на вы­
со1шэффектиеные алгоритмы •шсленного (аналого-днс -
1<ретного) решения прямых задач (задач анализа). Поэтому
ари разработке программ и алгоритмов для САПР особое
внимание должно уделяться вопросам адекватности, точ­
ности расчета матрицы рассеяния и (или) импеданса, удоб­
ству алгоритмизации и т. д. Теория дифра1щии волн эле­
ментами ОИС СВЧ пока пользуется «стандартным» набором
идей, методов и алгоритмов, нашедших широкое применение
при анализе линий и устройств ИС СВЧ. Строго говоря,
развитые методы далеко не всегда удовлетворяют потреб­
ности практики САПР: иногда это происходит по принци­
пиальным соображениям ограниченности метода или мо­
дели (например, из-за невозможности продвижения в
более короп<оволновый диапазон), иногда - по «техни­
ческим» причинам (неудовлетворение требованиям реали­
зуемости, необходимости чрезмерных машинных ресурсов
и др.).
Одним из наиболее серьезных требований 1< теории диф­
ракции, 1<оторые предъявляет САПР, является высокая
точность расчета матрицы рассеяния и, как следствие, не­
обходимая адекватность модепи не только отдельного БЭ,
но целого фующиональноrо узла РЭА. Дело в том, что с
наперед заданной точностью должен быть рассчитан весь
функционально-конструктивный узел (например, отдель­
ный блок ОИС), состоящий из многих БЭ. Таким образом, в
САПР фигурирует некоторая интегральная точность, что,
естественно, означает высокие требования к точности модели
каждого БЭ. Кроме того, модель БЭ должна учитывать
возможные технологические, температурные, радиационные
и др. разбросы параметров ОИС. В целом вопросы функ­
ционально-в ероятностного аспекта теории САПР представ­
ляют первостепенный практический интерес, и в этом на­
правлении предстоит еще очень много сделать.
Сказанное выше свидетельствует о необходимости прив­
лечения преимущественно строгих методов математической
теории дифракции для создания моделей БЭ. Разумеется,
нет нужды применять сложные и <,:дорогостоящие» электро­
динамические модели для ИС и ОИС, предназначенных для
функционирования в РЭА достаточно длинноволновых
диапазонов, rде более простые и «дешевые» статические и
(или) квазистатические модели дают приемлемые для прак­
тики точности (см., например, (2, § 2.4, с. 120]), где приво-
n1
дятся результаты сопряжения квазистатического и высоко.
частотного асимптотического приближений в теории HПJI).
Однако применение строгих подходов необходимо по ряду
причин. Во-первых, они являются единственно пригодным:,t
в так называемой резонансной области частот и размеров,
в которой неприменимы ни квазистатические (а/л�I. а_
характерный геометрический размер БЭ или его отдельных
частей), ни асимптотические (а/л» I) методы. Во-вторых
зачасrую только строгий подход позволяет вскрьпъ и по:
нять «тонкую» структуру физического явления. Характер­
ным примером в этом плане является строгая теория HПJI
[2, гл. 21. При этом уже одно применение строгого подхода
к решению ключевой (полубесконечной) задачи приводит к
глубоким и фундаментальным математическим и физичес­
ким результатам. Одним из них является, например, разная
по знаку реакция края (емкостная или индуктивная) клю­
чевой для НПЛ структуры в зависимости от угла падения
волны на ее край.
Вместе с тем -естественно, что строгие подходы всегда
значительно более трудоемки, и в ряде случаев для САПР
можно использовать, как мы уже отмечали, статические,
квазисrатические или асимптотические методы и модели.
Принцип декомпозиции. ИС и тем более ОИС СВЧ пред­
ставляют собой весьма сложные объекты дифракции. flоэ­
тому анализ даже достаточно простого функционального
узла (состоящего, к примеру, из трех - пяти функциональ­
ных или базовых элементов) представляет подчас непреодо­
лимую даже для самых современных ЭЦВМ задачу. Выход
состоит в предварительном разбиении (декомпозиции) схе­
мы на ряд составных элементов. Обычно это БЭ ОИС, каж­
дый из которых несет определенную функциональную на­
грузку (поворот линии, межэтажный переход, полосовой
фильтр, смеситель, автогенератор и т. п.). В свою очередь
сложные БЭ также могут быть расчленены на ряд более
простых составных элементов и т. п.
В общую функциональную схему (и конструкцию) БЭ
объединяются системой соединительных каналов, роль ко­
торых в ОИС выполняют линии связи самого разного типа:
полосковые, щелевые, волноводные, диэлектрические, а
также всевозможные их комбинации. Дальнейшее развитие
принципа ОИС конструирования РЭА, несомненно, приве­
дет к появлению новых типов линий. С общей точки зрения
любое радиотехническое устройство обработки информации
может рассматриваться как некоторый преобразователь н
трансформатор [17]. Учитывая, что в ОИС СВЧ наперед
92
принимаются все меры для исключения паразитной связи
ме жду БЭ (например, за счет поля излучения), можно ска­
зать, что ОИС есть волноводный трансформатор. Волновод­
ный трансформатор представляет собой некоторую струк­
туру со многими входами и выходами. Для его описания в
терминах матрицы рассеяния S выделим в приходящих
(уходящих) к (от) трансформатору линиях передачи неко­
торые входные сечения Qa , a= l, 2, ... , р. Пусть поле в по­
перечном сечении Qa разложено по полной системе ортонор•
мированных функций {Е, Н}:
"'
I ап (щЕп I Ьп <а1Нп <а>•
00

Еа (r) = (а) (r), На (r) = (15)

n= 1 n=I
Если среда внутри волноводного трансформатора линейна
и источники поля отсутствуют, то векторы
а=(а1(1), q211>• • - •, а1<2>• �12>• • • .),
ь={Ь1щ, ь2111, •.. , Ь1(21, Ь212>• ... )

связаны линейной однородной зависимостью

a=Zb, Ь=Уа. (16)
Квадратные матрицы Z и У называют матрицей сопротив­
лений и матрицей проводимостей. Они имеют следующий
в ид:

r
'i' :� ::: z:, J
[Zн Z12 •. - Z1p l

Z~ (17)
Zpt Zp2 ... Zpp

l
причем каждая клетка za.13 - бесконечная матрица:
z1i11
aj! zaj!
- Z21. Z22fff. •. ...• •. ,
zOl/1 _ (18)
.. . . .
..
l . . ••• .
а, �=l, 2, ... , р. Матрица проводимостей У имеет совер­
шенно аналогичную конструкцию.
Для перехода от матриц Z, У к матрице рассеяння S
представим поле в каждом сечении Qa в виде суперпозиции
прямых (помечены знаком плюс) и обратных (знак минус)
собственных волн (вместо общих разложений вида (15))
r,з
линии:
"'
Еа = � (с;\" <а,Еп <а>+ Сп 1а>Еп <щ),
( 19 )
/1= 1
"'
На= � (c;t <a>Hn la> + C,i <а,Нп <щ)•
n=I

И з (15) и (19) непосредственно вытекает

а=с + +с-, Ь=-=с + -с-. (20)
Амплитуды прямых (с + )
и обратных (с-) волн связаны
линейным однородным соотношением
(21)
в котором S обозначает матрицу рассеяния, каrорая позво­
ляет по заданным амплитудам падающих (приходящих)
волн (с + ) определить амплитуды всех отраженных (уходя­
щих) волн (с-).
Построение матрицы рассеяния S (равно как и матриц Z,
У) для некоторого функционально-конструктивного узла
ОИС либо всего устройства в целом по набору известных
матриц рассеяния (сопротивлений, проводимости) БЭ про­
изводится по правилам линейной алгебры , широко исполь­
зуемой в теории радиотехнических цепей. Однако здесь есть
ряд тонкостей, т<оторые мы обсудим в следующем пункте.
Матрица рассеяния функционально-конструктивного
уз.ла РЭА. Итак, электродинамический (или более прос­
тые - квазистатический, квазиоптический и др.) анализ
позволяет получить модель БЭ в виде его матрицы рассея­
ния S (или матриц Z, У). Нахождение общей матрицы S
для некоторым образом выделенного из всей схемы РЭА
функционально-конструктивного узла проводится по
достаточно хорошо разработанным методам и алгоритмам.
Условно их можно разделить на четыре группы: алгебраи­
ческий, топологический, теоретико-множественный и ком­
бинированный методы.
Группа алгебраических методов основана на предвари­
тельном представлении информации о БЭ в виде матриц
(S, Z, У или др.) типа (17), (18) и дальнейшем их «сворачи­
вании» в общую матрицу. Алгебраические методы являются
наиболее формализованным аппаратом САПР.
В группе топологических методов в качестве основного
понятия используется граф схемы или матрицы. Тополо­
гический подход позволяет достаточно просто и наглядно
отобразить связи между переменными и параметрами моде-
л.ируемоrо устройства. Другой его особенностью ЯDJ:iяется
отсугствне промежуточных аналитических преобразований.
Группа теоретико-множественных методов основывается
на отображении модели БЭ или функционального узла
частично-упорядоченными множествами цифровых индексов,
изоморфных элементов исходной модели, а также на стро­
гой пос.ледовательности операций над этими множествами.
Каждый из перечисленных методов обладает определен­
нь rми достоинствами и недостатками. Так, к примеру, ал­
гебраичный подход достаточно прост, имеет четкую физи­
ческую интерпретацию и т. д. Однако при оперировании
с матрицами высоких порядков сказывается их громозд­
кость, потеря точности (при обращении матриц с неточ­
ным знанием их элементов) и т. п. Предпочтительными в
этом отношении оказываются топологические методы: они
позволяют получить искомую матрицу непосредственно по
графу (без дополнительных аналитических преобразований).
Вместе с тем перечисленные процедуры обладают и некото­
рым общим дефектом, состоящим в необходимости хранения
в оперативной памяти ЭЦВМ матриц большого порядка.
Поэтому в ряде случаев желательно пользоваться комбини­
рованным подходом, композиционно включающим в себя
различные группы методов. На сегодняшний день разрабо­
тан численно-аналитический метод макромоделирования
больших систем уравнений, позволяющий очень эффективно
решать задачи параметрической оптимизации объектов про­
ектирования (Борисов Н. И., Шрамков И. Г., 1984).
Следует отметить также, что в рамка:� каждого из пере­
численных подходов можно выделить прямые методы и ме­
тоды эквивалентных преобразований. При этом прямой
подход означает непосредственное определение S, Z, У
по некоторой модели БЭ или фующионального узла. В ряде
случаев целесообразно ввести: некоторый дополнительный
этап проектирования - упростить (насколько это допустимо
и возможно) исходную. модель. И тогда такой подход можно
отнести к группе методов эквивалентных преобразований.
Рассматривая вопросы развития САПР, отметим, что
на уровне проектирования функциональных узлов (сущест­
вующие СВЧ САПР ориентированы и применимы именно к
таким задачам, а не к задачам системного проектирования)
учет влияния элементов друг на друга в НЧ диапазоне
решался на уровне уравнений Кирхгофа. При этом пользо­
ватель САПР имеет возможность получать информаuию о
интересующих его rтараметрах схемы (токов и напряжений
в любом узле и (или) ветви) практически на .любом этапе
ана лиза и синтеза. Историчес1<и сложилось tal<, что иссле·
давания в области СВЧ САПР на•�ались несколько позже.
Это привело к тому, что СВЧ САПР «унаследовали» ар хи­
тектуру и (по большей части) основные идеи НЧ САПР.
Последствием такого подхода явилось стремление описывать
БЭ такими функциями, которые могут быть определенЬI
через амплитудные значения прямых и отраженных волн
и (или) токи и напряжения.
Переход к ОИС требует знания структуры и числовых
характеристик электромагнитного поля внутри устройства
в качестве основного информативного параметра. Та ки м
образом, в САПР ОИС СВЧ на первый план выдвигаетсп
«полевой)> принцип, что предъявляет вполне определенн ые
требования к математическому обеспечению и техническим
средствам таких САПР. Главными из них являются:
- прикладное математическое обеспечение (решение з;-�­
дач трехмерного моделирования) должно давать возмож­
ность расчета электромагнитного поля в Jlloбoй точке внут­
ри рассматриваемой объемной схемы;
- технические средства (графический дисплей) должны
обеспечивать возможность графического изображения не
только топологического рисунка ОИС СВЧ, но и силовых
.,,иний электромагнитного поля.
Выполнение первого условия потребует, очевидно,
наличия либо ЭВМ с весьма большими вычислительными
ресурсами по части производительности и оперативной па­
мя rи, либо комплекса ЭВМ (с относительно малыми вычис­
ли1·ельными ресурсами - мини-ЭВМ и микро-ЭВ./11.) и цент­
рального процессора, осуществляющего диспетчерские
Функции.
Выпо..1Jнение· же второго требования означает наличие
графического трехкоординатноrо дисплея с цветным изоб­
ражением для одновременного представления как трехмер­
ной топологии схемы, так и графического изображения по­
лей (при необходимости и (или) их особенностей).
Дополнительным основным требованием к математичес­
кому обеспечению САПР ОИС СВЧ, определяющим жизне­
способность и популярность среди пользователей, является
«дружелюбие)> по отношению к ним. Выполнение этого тре­
бования означает наличие развитого обеспечения: лингвис­
тического, организационного, системного и др.
Структура САПР и режим ы ее функционирования. К на­
стоящему времени реализовано несколько САПР ИС СВЧ.
Две из них были описаны в [2, § 1.3] (там же даны соответ­
ствующие ссылки). Здесь мы не будем повторять эти сведе-
JIИЯ nодробно, а сформулируем только основные принципы
САПР уровня структуры с параметрическим синтезом
качестJЗа. К сожалению, работы по структурному синтезу
находятся еще на начальной стадии становления.
Структура системы САПР ОИС СВЧ (на уровне парамет­
рического синтеза БЭ и функционального узла) ничем не
отличается от структур САПР для ИС СВЧ или гибридных
ИС СВЧ. Наиболее сложный и ответственный этап проекти­
рования РЭА- компоновка модуля - производится проек­
тировщиком на предварительной стадии создания эскиза
РЭА на основании личного и коллективного опыта, общих
условий размеrцения СВЧ модуля в радиокомпле1{се, харак­
тера требований ТЗ по обеспечению массогабаритных, темпе­
ратурных, влажностных, ударных и других характеристик;
при этом должны быть взаимно увязаны принципиа.nьно
радиоэлектронные, конструктивные, технологические и эк­
сплуатацпонные особенности данного РЭА. После этапа
предварительной компоновки СВЧ модуля, определения
набора необходимого числа БЭ и их характеристик всту­
пает в действие САПР, осуществляющая полный или 1шази­
полный параметрический синтез модуля по необходимому
числу показателей и возможным (необходимым) пределам
их изменений. Общая эффективность модуля СВЧ, равно
как и всего РЭА в целом, оценивается целевой функцией
<f} = f (х1 , х2 , • • • , х,,) = f (Х), (22)
где элементы Х; множества Х являются частными целевыми
функциями, определяющими количественньrе и (или) ка­
чественные параметры РЭА в соответствии с ТЗ на проекти­
рование, производство и особенности эксплуатации (напри­
мер, связанные с задачами электромагнитной совместимости
nрое1пируемого РЭА со всем радиоэлектронным комп.пек­
сом и т. д.).
Перечислим некоторые из таких параметров: массога-
. баритные данные, энергопотребление, диапазон частот,
быстродействие, чувствительность, коэффициент усиления,
полоса пропускания, степень подав.пения сигнала (помехи)
в полосе непропускания, дальность действия, точность,
безотказность, долговечность, ремонтопригодность, сохра­
няемость, прочность (вибрационная, ударная и др.), влаго­
стойкость, унификация, обеспечение кондуктивной пере -
дачи теплоты и конвективного теплообмена, радиационная
. стойкость и баростойкость, технологичность, безопас­
ность, экономичность и т. д. Разумеется, оптимизация РЭА
по перечисленным типам показателей должна учитывать
 наличие фундаментальных пределов радиоэлектроники
(см. Введение), ограниченность машинных ресурсов, наличие
программного обеспечения САПР и мн. др., т. е. как част­
ные целевые функции f (Х), так и целевая функция rff в (22)
должны иметь соответствующие ограничения. Следуе-г
отметить, что и выбор модели целевой функции ,ff, и задани е
независимых или квазинезависимых элементов Х; оптими­
зации суть достаточно сложная задача, при решении кото­
рой необходимо включать в модель не все возможные пара­
метры РЭА, а лишь некоррелирующие или мало коррели­
рующие друг с другом. При этом зачастую пользуются
не1,оторыми идтегральными (или обобщенными) параметра­
ми, объединяющими в одну группу показателей однородны е
параметры с установлением «веса» каждого из них. Это поз ­
воляет в ряде случаев существенно уменьшить необходимы е
машинные ресурсы. Для решения задачи максимизации
(минимизации) целевой функции (22) разработано и с успе­
хом применяется в радиоэлектронике большое число раз­
личных методов оптимизации.
Исходя из изложенного, можно сформулировать следую­
щие основные принципы, которые должны быть положены
в основу САПР ОИС СВЧ:
1. Простота доступа к системе для пользователя на всех
этапах проектирования и производства с возможностью по­
<,тапного эфрективного контроля результатов.
2. Способности компиляции сложных функциональных
узлов РЭА на основе элементарных БЭ, составляющих биб­
лиотеку (архив) САПР.
3. Гибкость и незамкнутость САПР, что позволяет при­
менять ее для оперативного решения большого класса за­
дач (в частности, построения матриц рассения новых типов
· БЭ на основе компиляции по данным их составных частей),
а также способность к (во всяком случае, аддитивному)
пополнению библиотеки фундаментальных БЭ, в том числе
и экспериментальными данными.
4. Возможность диалога САПР с пользователем на всех
этапах проектирования и производства.
5. Работа САПР в различных режимах, как, например,
«справочника», «накопителя» и др.
6. Способность производить статистический анализ функ­
циональных уз.лов и всего модуля (учет влияния разброса
электрических, геометрических и других параметров на
интегральные характеристики).
7. Удобство и оперативность выхода к аналоговым струк­
турам (АВМ).
f\8
 Итак, последовательность прохождения задачи разра­
ботки ОИС СВЧ в САПР и назначение основны х ее част ей
11редстав.11яются следующими. Разработчик, пользуясь проб­
лемно-ориентированными языками, составляет задание; оно
обрабатывается одним из трансляторов (выбор тран слятора
зависит от задания), который выдает управляющую ин­
формацию для мониторной системы. Мониторная система
организует весь вычислительный процесс, формируя требую ­
щийся по заданию комплекс программных и технических
ттодсистем. САПР оперирует с комплексом библиотек, об­
служивающих все программные подсистемы на различных
этапах проектирования. Программные подсистемы пред­
назначены для р ешения задач многовариантного анализа
(изменение параме1ров задает разработчик), оптимизации
(изменение параметров задается автоматически для нахож­
дения экстремума целевой функции из библиотеки целевых
функций, входящей в комплекс библиотек), .11инейного ана­
лиза в частотной (гармоническое возбуждение) и временной
областях (переходные процессы при воздействии негармони­
ческим сигналом}, анализа влияния допусков и т. д.
Отметим, что исследования по созданию программных
подсистем анализа ОИС СВЧ с сосредоточенными, по.nусос­
редоточенными и распределенными нелинейностями еще
далеки от завершения. Информационная связь между комп­
лексом библиотек и программными подсистемами осущест­
вляется через информационньrе поля, которьrе имеют обычно
списочную структуру. Дисплеи предназначены для опе­
ративного диалога с ЭВМ на алфавитно-r;,ифровом и графи­
ческом уровнях. Диалог на графическом уровне в задачах
разработки ОИС СВЧ требуется на этапе, например, сис­
темного проектирования, когда необходимо оперативно
.изменять структуру проектируемой ОИС с автоматическим
(без вмешательства пользователя [9]) изменением структу­
ры и параметров ее математической модели. Другие терми­
налы предназначены в основном для получения текстовых
и графических документов, необходимых для технологи­
ческой подготовки производства и (может быть) управле­
ния им.

§ 4.3. Использование робототехники

в�производстве РЭА на ОИС
Роль роботов в системе ГАП аналого-цифровой РЭА,
несомненно, высока, поскольку в этом случае появляется
возможность практически полного исключения участия
99
человека в выполнении малопроизводительных и монотон.
ных операций. Особенно перспективной областью примене.
ния роботов (механических манипуляторов) являются пр0•
изводства, требующие особых санитарно-гигиенических
условий в производственных помещениях (вакуумная
гигиена).
Производственный цикл изготовления РЭА включает в
себя основные участки: складские хозяйства, конвейерную
линию сборки, транспортные линии и отдел технического
контроля. На каждом участке цикла требуется выполнение
определенного вида механических работ, связанных с от­
бором ЭБ РЭА, на складе, транспортировкой их на конВе й­
ерную линию и дальнейшей сборкой. С конвейерной линии
готовая аппаратура транспортируется на участок контроля
выходных параметров РЭА, а затем на склад готовой про­
дукции. Выполнение всех этих работ в принципе должно
осуществляться роботехническими средствами (механичес­
кие манипуляторы, роботы-тележки, роботы-кладовщики
и пр.).
Основная часть используемых в настоящее время робо­
тов относится к поколению программно-управляемых. Для
их успешного функционирования интенсивно разрабаты­
ваются органы связи с внешней средой (органы зрения,
чувства, адаптации и т. д.), присущие человеку. Посколь­
ку виды выполняемых операций в системе Г АП разнообраз­
ны, иногда противоположны по характеру, то роботам
должна быть присуща, с одной стороны, специализация, а
с другой - универсальность. Нет сомнения, что в будущем
роботы станут более универсальными, гибкими в производ­
ственном отношении, а также будут обладать некоторой до­
лей интеллекта, необходимой и достаточной для выполнения
:заданных им функций. Это возможно с созданием совершен­
ных человеко-машинных интерфейсов. Примером этому яв­
ляется робот, разработанный американскими учеными
(1982 г.), который собирает с помощью механических паль­
цев, камеры-глаза и компьютера-мозга кубик Рубика менее
чем за четыре минуты [15]. Такие робоп,1 на сегодняшний
день являются идеальными для сборки РЭА СВЧ на ОИС.
В целом элементная база, выполненная на основе ОИС,
создает предпосылки для применения механических мани­
пуляторов (роботов) в основных .технологических операциях.
Это связано со следующими достоинствами ОИС:
- законченные узлы ЭБ имеют в основном форму парал­
лелепипеда, что позволяет унифицировать и форму рабочих
органов манипуляторов;
100
 - расположение выводов энергии на гранях упрощает
и позволяет формализовать технологию сборки;
- ло1<ализаuия электромагнитных полей внутри ЭБ
упрощает процедуру пооnераuионного контроля;
- конструктивное выполнение ОИС в виде многослойной
структуры позволяет вводить дополнительные металло-ди­
эле1<трические слои, что дает возможность подстраивать
ЭБ в процессе сборки при высокой технологичности
и т. д.
Реализация перечисленных достоинств ОИС СВЧ для
целей ГАП потребует в настоящее время и, очевидно, в бли­
жайшем будущем применения в некоторой степени иерар­
хического подхода как в· вопросах построения самих робо­
тов, так и в системе взаимодействия и управления ими. Это
требование обусловлено в основном стоимостными показа­
телями. К низшему уровню можно отнести роботы (со встро­
енным микропроцессорным управлением, осуществляемым
с помощью «жесткой» программы), предназначенные для
выполнения чисто механических действий (транспортиров­
ка, nогруз1<а-разгрузка и подобные им простые работы).
На среднем уровне будут находится роботы, выполняющие
сложные механичес1ше действия, сочетающиеся с неслож­
ными фующионалы-1ыми операциями. Здесь управляющий
микропроцессор должен обладать возможностью частичной
адаптации своего программного обеспечения по командам
центрального процессора. Роботы высшего уровня должны
обладать хотя бы частичным интеллектом, т. е. возмож­
ностью анализировать ситуацию и принvмать решения при
сохранении за центральным процессором приоритета при-
. нятия окончательного решения [9].
Качество информационной взаимосвязи между робота­
ми, выполняющими отдельные технологические операции,
естественно, определяется качеством первичной информации
о параметрах технологического процесса, непосредственно
влияющих на электрические характеристики изготовляемой
схемы. Отсюда вытекает значимость, во-первых, точностных
характеристик контрольных датчиков · (этот вопрос рас­
сматривается в § 4.4) и, во-вторых, эффективностью органи­
зации системы обратной связи от технологического процесса
к центральному процессору посредством соответствующего
программного и технического обеспечения. В будущем,
конечно, значимость роботов в системе ГАП отпадет, по­
скольку их действия, обмен информацией между ними и т. д.
сольются в единое целое роботизированного завода-изгото­
вителя [9].
101
 § 4.4. l(онтрольные датчики в системе ГАП
Источником информации на основных Э'Гаnах изготовле ­
ния РЭА на базе ОИС СВЧ являются контрольные датчики
со средствами преобразования аналоговой измерительной
информации в цифровой код (по существу, это измерите ль­
ные преобразователи). Номенклатура датчиков в ГАП РЭА
определяется ее функциональными особенностями. Это и
входной, и пооперационный, и выходной контроль ЭБ, за­
конченных функциональных узлов и аппаратуры в целом.
Рассмотрим некоторые типичные датчики, которые най-
дут применение.в системе ГАП.
При создании миниатюрных БЭ измерительных преоб­
разователей необходимо широко использовать принципы
проектирования ОИС СВЧ, причем выводы энергии преоб­
разователей должны быть согласованы со стандартными
измерительными трактами 1).
Следует отметить, что надежность СВЧ модулей на этапе
сборки и регулировки во многом определяется качеством
пооперационного контроля БЭ и функциональных узлов.
Пооперационный контроль позволяет своевременно обна­
ружить отклонение выходных параметров от заданных и,
если возможно, скорректировать его соответствующей регу­
лировкой либо снять с дальнейшего монтажа бракованный
узел.
Несмотря на простоту конструкции и технологического
процесса изготовления ИС СВЧ, надежность при их исполь­
зовании в многофункциональных ОИС должна быть исклю­
чительно высокой, что обуславливает весьма жесткие тре­
бования на конструктивно-электрические характеристики
ОИС. Особенности технологии изготовления ОИС СВЧ
делают пооперационный контроль и измерение их электри­
ческих характеристик на базе существующего измеритель­
ного оборудования (коаксиально-волноводные измеритель­
ные трюпы) практически невозможным. В результате этого
бракованные узлы обнаруживаются только в конце техно­
логического цикла сборки СВЧ модуля при проверке его
интегральных характеристик в отделе технического конт­
роля, что существенно снижает выход годных изделий.

1) Существует большая многолетняя и весьма, к сожалению,

устойчивая проблема согласования новой «нестандартной» РЭА со
стандартной измерительной аппаратурой. Она во многом определя­
ется Бедомственной разобщенностью создателей РЭА и измеритель­
ной техники.
102
 Учитывал высотше темпы развитиs� ОИС СВЧ 11 11ереход
к их массовому про11зводству, необходимо:
- увеличивать быстродействие контрольных датчиков,
связанное с их механическим подключением к сборочному
узлу на технологической линии;
- использовать простые по конструкции широкополос­
ные переходы на миниатюрные ЛП, имеющие высокую пов­
торяемость параметров при многократном переключении;

�-------------
1

;-------------
/

Рис. 4.!

- более широко применять неразрушающие методы

контроля;
- повышать точность измерений с использованием
микропроцессоров;
- автоматизировать процесс измерения, обработки и
регистрации данных (А. Н. Тихопов, 1980).
Ниже предлагаются пути реализации перечисленных
требований к измерительным преобразователям, использую­
щим физико-технические свойства ОИС СВЧ, и рассматри­
ваются некоторые типичные датчики, которые перспектив­
ны для применения в системе ГАП.
Мноrозондовый датчик для измерения комплексных со­
противлений. Конструкция измерительного датчика комп­
лексных сопротивлений показана на рис. 4.1. Основы дат­
чика составляют: диэлектрическая подлож1<а 1, на одной
стороне которой расположен узкий проводник НПЛ 2,
а с другой стороны подложки, в э1{ранном слое 3 (перп ен ­
дикулярно НПЛ), выполнены четыре измерительных зонда
А, В, С, D в.,.виде закороченных с одной стороны СЩЛ на
расстоянии l друг от друга, равном 1/8 средней длины волны
103
 в НПЛ. Измерительный датчиt{ изrотавливается. из матерна­
ла той же толщины, что и измеряемая СВЧ ИС. Подсоедн­
нение измеряемой ИС к датчику производится с помош.ью
гальванических прижимов либо за счет встроенного датчика
в ИС для контроля частотных характеристик на всех этапах
(операциях) технологической сборки.
Особенности работы измерительного датчика состоят в
следующем. Отрезок НПЛ 2 с одной стороны подключается
к генератору СВЧ колебаний, а с другой нагружается на
измеряемую 1юмплексную нагрузку, между которыми в
НПЛ возникает стоячая волна.
В СЩЛ ответвляется небольшая часть мощности, рас­
пространяющейся по НПЛ. Поперечное магнитное пол е
НПЛ совпадает по направлению с магнитным полем CЩJI,
причем амплитуда сигнала, проходящего по СЩЛ, пропор­
циональна суммарной амплитуде падающей и отраженной
от исследуемой нагрузки волн в соответствующей точке
НПЛ. Коэффициент связи между НПЛ и СЩЛ зависит от
расстояния х0 между центром НПЛ и короткозамкнутым
концом СЩЛ, а также волнового сопротивления СЩЛ.
Мощность волны, возбуждаемой в СЩЛ, через переключатели
на рiп-диодах 4-13 подается на общую квадратичную детек­
торную секцию 14. Применение переключателей искшочает
проблему подбора идентичных по характеристикам детек­
торов, что существенно повышает точность датчика.
Экспресс-метод контроля диэлектрических проницаемос­
тей подложек. Для обеспечения высокой надежности СВЧ
модуля в ряде случаев необходим 100-процентный браковоч­
ный I<онтроль подложек по диэлектрической проницаемости.
В этом случае желательно применять неразрушающий ме­
тод контроля. Среди всех известных способов наибольшее
распространение на практике получил резонансный метод с
использованием кольцевого резонатора на НПЛ (рис. 4.2).
Кольцевой резонатор 1 выполнен на верхней стороне
подложки 2, а в слое металла 3 вырезаны входная 4 и вы­
ходная 5 ОДЛ. Возбуждение резонатора осуществляется
по магнитному полю (индуктивное возбуждение). Иссле­
дуемый образец 6 накладывается на поверхность резонатора,
перекрывая его полностью.
Принцип работы контрольного датчика следующий.
Сигнал, подаваемый от генератора через резонатор, попа­
дает на детектор, с помощью которого фиксируется резо­
нансная частота. При внесении на поверхность резонатора
диэлектричес,юй подложки наблюдается смещение резо­
нансной частоты. Поскольку проницаемость среды прапор-
циональна квадрату частоты [4], диэлектрическая прони­
цаемость исследуемого материала определяется через сме­
щение резонансной частоты.
Рассмотренный датчик прост;в изготовлении и эксплуа­
тации; особенно он эффективен при отслеживании «полей»
допусков на стадии входного контроля.
Датчик контроля поверхностных электромагнитных
волн. Реализация функциональных узлов на поверхност­
ных акустичес1шх волнах (ПАВ) и магнитостатических
воJшах (МСВ) возможна только на подложках (пленках)

8 Дemш(mOjJ

· 2

Рис. 4.2

с определенными физическими свойства�1и. Стоимость под­

ложек (например, ниобата лития для ПАВ или железо­
иттриевого граната для МСВ) с топологией функциональ­
ного узла довольно высока. Поэтому одной из важных задач
при изготовлении ОИС СВЧ является входной контроль
пьезоподложек или ферромагнитных пленок, эпитаксиально
выращенных на галлий-гадолиниевом гранате. Эгот конт­
роль осуществляется _ через экспериментальные измерения
амплитуды и частоты поверхностных волн.
Конструкция-датчика приведена на рис. 4.3. Его основа­
ние выполнено на диэлектрической подложке 1, на верхней
стороне которой расположены два полубесконечных слоя
металла 2 и 3, разнесенных на расстояние, соответствующее
исключению взаимодействия входной и выходной ЛП по
электромагнитному полю. В слоях металла соосно вырезаны
щели 4 и 5 со скачком по ширине, причем узкими щелями
являются СЩЛ входа 6 и выхода 7, а на широких участках
щелей выполнены встречно-штыревые преобразователи 8
и 9. На поверхность встречно-штыревых преобразовател ей
накладывается пьезокристалл 10.
При возбуждении входного плеча 6 эле1промаrн11тнап
волна преобразуется в ПАВ пьезоподложки, а в выходном
преобразователе будет наблюдаться обратное явление.
Таким образом, без пьезоподложки сигнал на детекторе бу­
дет отсутствовать; при ее введении на выходе можно полу­
чить амплитудно-частотную характеристику этого узла.
По измеренной амплитуде сигнал а на резонансной частоте
определяются прямые потери ПАВ в пьезоподложке.

Рис. 4.3

Аналогичные измерения на этом же датчике (не менпя

размеров в топологическом рисунке) можно проводить для
МСВ. При этом достаточно на поверхность встречно-шты­
ревых преобразователей наложить ферромагнитную под­
ложку. Огличием при измерении ПАВ и МСВ будет увели­
чение резонансной частоты (эта разница примерно соот­
ветствует одному порядку).
Датчик дискретизации частотного масштаба. Проблемы
Qбнаружения сигнала и измерения его частоты в широком
диапазоне издавна решались разработчиками при проекти­
ровании панорамных приемников, ана.:rrизаторов спектра,
панорамных измерителей частотных характеристик СВЧ
цепей и т. д. Наиболее остро здесь стоят задачи определения
мгновенных значений частоты. Известно много способов
решения тююrо рода задач, например метод перестраивае­
мого резонансного волномера, феррорезонансные методы,
106
масштабный ме1од с использованием линии задержки и не­
rюторые друrпс. Остановимся более подробно на масштабном
методе, позволяющем довольно просто преобразовывать
СВЧ сигнал в низкочастотный и осуществлять дальнейшее
преобразование в цифровой код, получая тюшм образом
формирования частотного масштаба в виде б-импульсов.
В настоящее время не решены в полной мере вопросы по
реализации измерительных преобразователей масштабных
частотных меток в сантиметровом диапазоне длин волн.
Это связано в первую очередь с трудностью изготовления
линий с большим временем задержки (10-6-IO-� с) и
А-А

i;�i[,r�1�] ,
/i.11otr оораоатки ситалп

_, Си
l-!-"'!"'!""!8 �---.ALz0 3
Си
си� "---"'-"-"""-""'-"--'"-""'-="-"-"'-"<. жиг
◊Пастаяшюе rrг
U нагнитное
поле
Рис. 4.4

малыми потерями. Последние два параметра связаны между

собой - для достижения указанных времен задержки тре­
буются десятки метров ЛП, которые имеют собственные по­
тери. Использование линий задержки на ПАВ ограничено
верхним частотным пределом (единицы ГГц).
Последние достижения по исследованию медленных МСВ
в ферромагнитных материялах показали перспективность
реализации в сантиметровом диапазоне линий задержки на
галлий-гадолиниевом гранате (ГГГ) с эпитоксиально rы­
ращенным слоем железо-иттриевого граната (ЖИI). Внеш­
нее магнитное поле имеет касательное направление относи­
тельно поверхности слоев.
Линия задержки на МСВ отвечает требованиям, необ­
ходимым для ее использования в схемах формирования мас­
штабных частотных меток. Реализация схемы приведена
на рис. 4.4. В схеме используется смеситель на гибридном
кольцевом мосте, рассмотренном в гл. III, два входа кото­
рых соединены через линию задержки на МС.З, причем ее
возбуждение осуществляется в плоскости А - А ·отрезка­
ми пл.
Принцип работы измерительного преобразователя, пост­
роенного в виде многослойной ОИС (ГГГ -ЖИГ - про-
 водники НПЛ - диэлектрик - металл с СЩЛ - низко­
частотпы11 блок цифровой обработки сигнала), следующий.
При подаче свипируемого СВЧ сигнала, частота которого.
изменяется например, по линейному закону, половина
мощности через Т-соединение на СЩЛ�НПЛ поступает на
вход смесителя частагы, а другая половина - па линию за­
держки, в которой при касательном подмагничивании воз­
буждается медленная МСВ. Выходное плечо линии задерж­
ки непосредственно включено через межслойный переход
НПЛ:;=.·СЩЛ в смеситель. Внутренняя металлизация кольца
не имеет гальванического контакта с токоведущими провод­
никами подводящих линий передачи, что позволяет исполь­
зовать ее в виде контактноi1 площадки для подключения
источника питания смесительных диодов и съема сигна.т1а
промежуточной частоты (ПЧ) для передачи в блок обработ­
ки частотных меток, кагорьrй является дополнительным
крайним слоем ОИС.
Таким образом, в смеситель попадают два сигнала, за­
держанные друг относительно друга на время 't. В боль­
шинстве практических случаев период изменения частmъ1
генератора значительно больше, чем время задержки сигна­
ла в линии. Поэтому можно с достаточной степенью точности
принять частагы задержанного и незадержанного сигналов
равными. Относительное же изменение фазы сигналов ври
их суммировании в смесителе приведет к появлению биений
с периодом Т на выходе смесительных диодов. Изменение
частоты генератора за период биений определяется как
1/Т. Далее полученный низкочастотный сигнал с помощью
блока обрабагки на логических схемах (последний этаж
ОИС) преобразуется в цифровой код. Применение микро­
процессоров значительно упрощает схему измерения и су­
щественно сокращает время измерения значения мгно-
, венной частоты. Однако основным его назначением остается
пооперационный контроль частотных характеристик ЭБ
при их сборке в ОИС СВЧ.
В заключение необходимо отметить, что применение но­
вых принципов построения ЭБ измерительных преобразо­
вателей па основе ОИС СВЧ позволило существенно сокра­
тить габариты, а главное - улучшить электрофизические
параметры, уменьшить погрешность измерений и т. д.
ОИС СВЧ, в сочетании с микропроцессорами агкрывают
поистине революционные возможности в проектировании
и создании измерительных преобразователей.
 ВМЕСТО ЗАКЛЮЧЕНИЯ

Уже из того краткого перечня nринциnов, идей, резуль­

татов и перспектив ОИС СВЧ, который могла вместить наша
небольшая книжка, видно, сколь много еще нужно (и мож­
но!) сделать для реализации огромных возможностей из­
ложенного метода проектирования и построения СВЧ мо­
дулей аналоговой и цифровой РЭА.
Разумеется, авторы и их коллеги из состава большого
неформального коллектива, в течении нескольких лет ак­
тивно работающие над проблемой ОИС СВЧ, ни на минуту не
видят в этом научном направлении панацею от всех «бед»
современной радиоэлектроники. Имеется много других
интереснейших возможностей в решении глобальной проб­
лемы сверхбыстрой обработки информации структурами
(видимо, все же в принципе своем объемными) с минималь­
ными габаритами и весом. Прежде всего здесь хотелось бы
отметить оптоэлектронику, в которой речь идет о приборах
и элементах, имеющих исчезающие малые размеры. Так,
один кремниевый кристалл площадью 20 мм2 вмещает до
106 транзисторов, объединенных по заданной схеме. На
пороге эра субмикронной технологии, которая способна,
как · утверждают специалисты, существенно уменьшить
габариты (даже непривычно говорить о габаритах, когда
размер элемента лорядка 1 мкм!), а стало быть, и скорость
выполнения элементарных операций над цифровыми сигна­
лами. Известно, что время переключения транзисторов на
кремнии составляет миллиардные доли секунды, а на арсе­
ниде галлия (да еще с охлаждением до температур жидкого
азота) уменьшение времени срабатывания ожидается еще
на один-два порядка.
 ЗАИНТЕРЕСОВАН НОМУ ЧИТАТЕЛЮ - СПИСОК
РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Нефёдов Е. И. Радиоэлектроника iiаших дней.- М.: Н11ука,

1986.-192 с.
2. Нефёдов в.· И., Фиалковск ий А. Т. Полосковые линии пере­
дачи.- М.: Наука, 1980.- 312 с.
3. Электродинамические основы автоматизированного проекти­
рования интегральных схем СВЧ/ Под ред. Е. И. Нефёдова.- М.:
Изд. ИРЭ АН СССР, 1981. 226 с.
4. Гвоздев В.И. , Нефёдов Е. И. Объемные интегральные схемы
СВЧ. - М.: Наука, 1985.
5. Зарипов И. Ф., Горбатов С. А. Элементы теории неJiинейньrх
электромагнитных систем с распределенными параметрами.- М.:
Наука, 1979.-255 с .
6. Нефёдов Е . И . Открытые коаксиальные резонансные струк­
туры.- М.: Наука, 1982.- 220 с.
7. Панчеюw В. А., Нефёдов Е. И. Микроnолосковые антенны.­
М.: Радио и связь, 1986.-145 с.
8. Хармут Х. Ф. Несинусоидальные волны в радполокации и
радиосвязи/ Пер. с анrл.- М.: Радио и связь, 1985.- 373 с.
9. Михайлов Б. М.,Нерода в.я., Кузнецов М.Н. Гибкие авто­
матические nроизводства.-М.: Знание, 1985.- 64 с.
10. Нефёдов Е. И., Фиалковский А. Т. Асимптотическая теория
дифракции электромагнитных волн на конечных структурах.­
М.: Наука, 1972.- 204 с.
11. Нефёдов Е. И. Дифракция электромагнитных волн на ди-
9лектрических структурах.- М.: Наука, 1979.-272 с.
12. Нефёдов Е. И., Сивое А. fl. Электродинамика периодических
структур.- М.: Наука, 1977.- 208 с.
13. Курушин Е. П., Нефёдов Е. И. Электродинамика анизот­
ропных волноведущих структур.- М.: Наука, 1983.- 223 с.
14. Матье М. Радиорелейtше системы передачи.- М.: Радио и
свяэь, 1982.- 280 с.
15. Симоне Дж. ЭВМ пятого поколения: компьютеры 90-х го­
дов.- М.: Финансы и ста·rнстика, 1985.- 173 с.
· 16. Скотт Э. Волны в активных и нелинейных средах в прило­
жении к электронике.- .М.: Сов. радио, 1977.- 368 с.
17. Автоматизированное проектирование устройств СВЧ/ По д
ред. В. В. Никольского.- М.: Радио и связь, 1982.- 272 с.
18. Оптоэлектронная обработка информации.- Радиоэлектро­
ника и связь, 1986, № 1.- М.: Знание, 1986.- 64 с.
19. Гвоздев В. И., Гуляев /0. В., Нефёдов Е. И. О возможности
использования принципов объемных интегральных схем СВЧ при
создании сверхбыстродействующих ЦЭВ.М.- Доклады АН СССР,
1986, т. 290, № 2, с. 343-345.
 ОГЛАВЛЕНИЕ

Предисловие . . . . • . • . • . . • • . • . . • • . . . • 3
В в е д е н и е. ОСНОВНЫЕ ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ
СОВРЕМЕННОЙ РАДИОЭЛЕl(ТРОНИl(И 7
Гл а в а I. ФИЗИЧЕСl(ИЕ И МАТЕМАТИЧЕСl(ИЕ МО-
ДЕЛИ ОИС СВЧ . . . . . . . . . . . . . . 16
§ 1. 1. Система уравнений электродинамики 16
§ 1.2. Несинусоидальные волны . • . . . . . . 18
§ 1.3. Элеr<тродинамическое моделирование
оис . . . . . . . . . . . . . 22
Гл а в а II. ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ОИС СВЧ 31
§ 2.1. Объемные неоднородности . • 31
§ 2.2. Гибридные схемы . . . . . . . . . 42
§ 2.3. Фильтрующие объемные структуры 50
§ 2.4. Акустические и магнитостатические
ВОЛНЫ В ОИС . . . . . . . . . . • . • 56
§ 2.5. Невзаимные объемные элементы . . . • 62
Гл а в а 111. РЕАЛИЗАЦИЯ АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ
СИСТЕМ ОБРАБОТl(И СВЧ СИГНАЛА НА
оис . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
§ 3.1. Объемные многоканальные устройства 68
§ 3.2. Усилителыrые структуры на ОИС • • 74
§ 3.3. Устройства управления СВЧ сигналами 78
Г л а в а IV. ГИБl(ОЕ АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОИЗ­
ВОДСТВО РАДИОЭЛЕl(ТРОННОЙ АППАРА-
ТУРЫ НА ОИС СВЧ . . . . . . . . . . . . 87
§ 4.1. Основные принципы гибкого автомати-
зированного производства . • . . . . . 87
§ 4.2. Принципиальные основы подхода к сис-
теме автоматизированного проектиро-
вания аналого-цифровых ОИС СВЧ . . . 90
§ 4.3. Испол ьзование робототехники в произ-
водстве РЭА на ОИС . . . . . . . 99
§ 4.4. Контрольные датчики в системе ГАП 102
Вмесrо заключения . . . . • . • • . . . . 109

Заинтересованному читателю - список рекомендуемой ли-

тературы . . . . • . . . . . . . . . . . . . . • . 110
Василий Иванович Гвоздев
Евгений Иванович Нефёдов
ОБЪЕМНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
СВЧ-- Э.'IEMEHTHASI БАЗА АНАЛОГОВОЙ
И ЦИФРОВОЙ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Cepliя «Проблемы науюr и технн<1ес1юго np01·pecca»

Редактор Н. А. М ихалина
Художественный редактор Т. Н. К,ольченко
Техннческий редактор В. Н. Кондакова
1<орре1tтор Н. Б. Румянцева

ИБ No 32393

Сдано в набор 11.12.86. Подnисаио 1<nе<1ати 07.05.87.

Т-12292. Формат 84Х108/32. Бумага. тип. № !.
Гарнитура литературная. Печать выоЬкая.
Усл. печ. л. 5,88. Усл. кр.-от. 6,3.
Уч.-изд. л. 6,17. Тираж 15 ООО э1<з.
Зrказ № 3478. Цена 40 коп.

Ордеиа Трудового Красного Знамени

издательство «Hayr<a»
Главная редакция
физнко-математн<1еской литературы
117071 Мосr<ва В-71, Ленинский проспект, 15

Ордена Октябрьской Революции и ордена Трудо­

вого Красного Знамени МПО «Первая Образцоnая
тнпография» имени А. А. Жданова Союзполиграф­
прома при Государствс11ном комитете СССР по
делам издательств, полиграфии н 1tнижноii тop­
ГOIJЛif
113054 Москва М-54, В аловая, 28

Отnечата110 во 2-й типографии издательства «Наука».

121099 Москва Г-99, Шуби11с1шii пер., 6.
33({33 441.