Электроника

Тема лекции: Примесный

полупроводник
§ 2 Электронный полупроводник

Лекторы:
Елфимов Вячеслав Ильич
к.т.н., профессор каф. РЭИС
Дурнаков Андрей Адольфович
ст. преподаватель каф. РЭИС

Разработчики:
Елфимов В.И., Дурнаков А.А.
 Электронный полупроводник

Примесный полупроводник
Примесный – это такой полупроводник, в котором
для изменения его электрофизических свойств
нарушена структура кристаллической решетки.

Чтобы превратить собственный полупроводник в

примесный, необходимо ввести в его кристаллическую
решетку некоторое количество специально
подобранной химической добавки, т.е. осуществить
легирование полупроводника.

2
 Электронный полупроводник

Примесный полупроводник

Если примесные атомы находятся в узлах

кристаллической решетки, то их называют примесями
замещения, если в междоузлиях – примесями
внедрения.
Роль примесей могут играть и всевозможные
дефекты структуры.
В электронике применяются полупроводниковые
материалы, у которых
N пр  1014  1018 см 3 ; N пр  ni

3
 Электронный полупроводник

Модель ковалентной связи

Атом примеси, потерявший электрон, превращается в
положительно заряженную частицу, неподвижно
закрепленную в данном месте решетки.

Примеси замещения, валентность которых превышает

валентность основных атомов решетки, называются
донороными.
Для Ge и Si донорной примесью являются элементы V
группы:
фосфор P;
мышьяк As;
сурьма Sb.

4
 Электронный полупроводник

Модель ковалентной связи

Атом примеси, потерявший электрон, превращается
в положительно заряженную частицу, неподвижно
закрепленную в данном месте решетки.
Примеси замещения, валентность которых
превышает валентность основных атомов решетки,
называются донороными.
Для Ge и Si донорной примесью являются элементы
V группы – фосфор P, мышьяк As,сурьма Sb.
Свободные электроны примесного происхождения
добавляются к собственным свободным электронам.
Поэтому проводимость полупроводника становится
преимущественно электронной.
Такие полупроводники получили название
электронных или полупроводников n-типа.

5
 Электронный полупроводник

Модель ковалентной связи

4 4 4 4

4 5 4 4

4 4 4 4

Замещение примесными атомами основных атомов решетки

6
 Электронный полупроводник

Модель энергетических зон

Примеси создают дополнительные дискретные
уровни в запрещенной зоне полупроводника.
Энергетический уровень, расположенный вблизи
дна зоны проводимости, содержащий электрон в
невозбужденном состоянии и способный отдать
электрон в зону проводимости при возбуждении
называется донорным уровнем.
WД – энергия, необходимая для таких
переходов, значительно меньше энергии ионизации
собственных атомов полупроводника, т.е. ширины
запрещенной зоны.
WД W ПWД  WЗ
WД   0, 01  0,05  эВ.
7
 Электронный полупроводник

эВ

Wдн
∆Wg
+ + + Wg

Wв

Энергетическая диаграмма электронного полупроводника

8
 Электронный полупроводник

В полупроводнике n-типа основными носителями

заряда являются электроны (nn), а неосновными
носителями – дырки(pn).
При T  300 К nn  N Д  ni  N Д; pn  ni .

Изменение функции Ферми для полупроводника

n-типа: уровень Ферми сместится в направлении дна
ЗП WП .
Появление электронов (ушедших с донорных
уровней) в ЗП не связано с появлением дырок в ВЗ,
т.е. вероятность появление электронов в ЗП должна
быть больше вероятности появление дырок в ВЗ.

9
 Электронный полупроводник

При T  300 К все атомы донорных примесей

ионизированы NC
WFn  WП  kT ln
NД
WFn  WFi
nn  ni  exp( );
kT
WFi  WFn
pn  ni  exp( ).
kT
2
nn  pn  ni *** это – закон действующих масс .
В невырожденном полупроводнике произведение
концентраций свободных электронов и дырок при
термодинамическом равновесии есть величина
постоянная, равная квадрату равновесной
концентрации при данной Т.

10
 Электронный полупроводник

Суть закона: увеличение концентрации основных

носителей заряда за счет увеличения концентрации
примесей сопровождается уменьшением
концентрации неосновных носителей заряда.
При T  300 К nn  N Д ,
концентрация неосновных носителей заряда
2
pn  ni nn
Закон действующих масс позволяет рассчитать
концентрации основных и неосновных носителей
заряда в заданном полупроводнике при известной
температуре и степени легирования.

11
 Электронный полупроводник

Расчет концентраций носителей заряда

17 3
При Д N  10 см и T  300 К
в Si концентрация дырок определяется:
ni2 ni2 (1, 4  1010 2
)
pn     2  103 см 3
nn NД 1  1017

А для Ge при той же степени легирования и

температуре концентрация дырок составит:
ni2 ( 2,5  1013 2
) 9 3
pn    6, 25  10 см
NД 1  1017

12
 Электронный полупроводник

Зависимость концентраций носителей от Т

Si, Nд=1016 см−3

13
 nn , ni 
Электронный полупроводник

1 – участок ионизации примесей: рост концентрации

основных носителей;
2 – участок примесной проводимости: концентрация
основных носителей практически постоянна
(nn ≈ const). C повышением Т концентрация
неосновных носителей возрастает очень резко –
pn  ni2 
nn  pn , nn  ni .
3 – участок собственной проводимости nn ≈ pn≈ni .

Диапазон рабочих температур Траб (−60 °С−+60 °С) :

nn  N Д; pn  nn , pn  .
14
 Электронный полупроводник

Выводы
Введение в полупроводник примесей сдвигает
уровень Ферми относительно середины запрещенной
зоны в полупроводнике n-типа вверх к дну зоны
проводимости.
Для увеличения диапазона Траб необходимо:
1. Использовать материал с большей запрещенной
зоной.
2. Увеличить степень легирования полупроводника.

15