Вы находитесь на странице: 1из 108

Введение.

1. Основы полупроводниковой электроники. Контактные явления.


1.1. Полупроводниковые материалы.
1.1.1. Чистые полупроводники
1.1.2. Полупроводники n- и p - типа
1.2. Электронно - дырочный переход.
1.2.1. Электронно - дырочный переход без внешнего воздействия
1.2.2. Электронно - дырочный переход при внешнем воздействии
1.2.3. Пробой p-n-перехода
1.2.4. Емкость p-n-перехода

2. Полупроводниковые диоды.
2.1. Характеристики и параметры диодов.
2.1.1. Общие сведения
2.1.2. Характеристики и параметры
2.2. Математические модели диода и их применение.
2.2.1. Идеальный диод
2.2.2. Кусочно - линейная модель диода
2.2.3. Полная схема замещения диода
2.2.4. Полиномиальная аппроксимация участка ВАХ диода
2.3. Виды и система обозначений современных полупроводниковых диодов.
2.3.1. Виды и обозначение диодов
2.3.2. Система обозначений современных полупроводниковых диодов
2.4 Тиристоры
2.4.1Устройство тиристора
2.4.2 Вольт-амперная характеристика тиристора
2.4.3 Режимы работы тиристора
2.4.4 Принцип отпирания тиристора с помощью управляющего электрода
2.4.5 Отключение тиристора
2.4.6 Симистор
2.5 Схемы выпрямителей с активной нагрузкой
2.5.1 Однополупериодная схема выпрямителя
2.5.2 Двухполупериодные схемы выпрямителей
2.5.3 Трѐхфазные выпрямители
2.6 Выпрямители с активно-реактивной нагрузкой
2.6.1 Однополупериодный выпрямитель с ѐмкостной нагрузкой
2.6.2 Двухполупериодные схемы выпрямителей с активно-емкостной
2.6.3. Расчетные соотношения для выпрямителей с активно- емкостной нагрузкой
2.6.4 Выпрямители с умножением напряжения
2.7 Управляемые однофазные выпрямители

3. Биполярные транзисторы.
3.1. Устройство и основные процессы
3.1.1. Устройство биполярного транзистора
3.1.2. Режимы работы биполярного транзистора и основные физические процессы
3.2. Характеристики и параметры биполярного транзистора
3.2.1. Способы включения биполярного транзистора
3.2.2. Схема с общей базой
3.2.3. Схема с общим эмиттером
3.2.4. Схема с общим коллектором
3.2.5. Инверсное включение транзистора
3.3. Математические модели биполярного транзистора
3.3.1. Модели Эберса-Молла
3.3.2. Физическиие малосигнальные модели биполярных транзисторов
3.3.3. Малосигнальные модели биполярного транзистора в виде активного линейного
четырехполюсника
3.4. Система обозначений транзисторов

4. Полевые тразисторы.
4.1. Общие определения
4.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
4.2.1. Принцип действия, обозначение
4.2.2. Вольтамперные характеристики
4.3. Полевой транзистор с изолированным затвором
4.3.1. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
4.3.2. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом
4.4. Параметры и модели полевых транзисторов
4.4.1. Параметры полевых транзисторов
4.4.2. Математические модели транзистора с общим истоком

5. УСИЛИТЕЛИ
5.1 Классификация и типы усилителей.
5.2 Основные характеристики усилителей.
5.3 Работа усилительного элемента в схеме
5.4 Статический режим работы транзисторного каскада с общим эмиттером (ОЭ)
5.5 Расчет усилителя по постоянному току.
5.6 Динамический режим работы каскада с общим эмиттером
5.7 Расчет усилителя по переменному току.
1. Основы полупроводниковой электроники. Контактные явления.

ВВЕДЕНИЕ

Электроника
Предметом курса микросхематехника является теория и практика применения электронных,
полупроводниковых приборов в устройствах применяемых в различных отраслях народного хозяйства.

Гибкость, быстродействие и точность открывают большие возможности еѐ применения в науке и


технике.

Началом развития электронной техники принято считать со времени открытия Поповым А. С.


радио (7 мая 1895 г. доклад и демонстрация радиопередачи).

В развитии электроники можно выделить 4 основных этапа [1]:

– радиотелеграфный (1895–1925г.г.);
– радиотехнический (1925–1945г.г.);
– электроники (полупроводниковый) (1945–1965г.г.);
– микроэлектроники (1965г. по настоящее время).
Последние достижения в области микроэлектроники — создание интегральных микросхем от
малой до сверхбольшой степеней интеграции позволили получить базовые элементы с очень высокими
надежностными характеристиками, быстродействием, маленькой потребляемой мощностью, на основе
которых создаются современные микропроцессорные устройства и системы, а также современные
компьютеры и элементы измерительных, управляющих и вычислительных систем.

Под электронной системой понимают множество элементов электронной техники, находящихся


в определенной связи друг с другом и образующих определенную функциональную целостность.

Поведение каждого элемента описывается моделью выполняемых им функций (передаточная


характеристика или статическая функция преобразования), определяемых параметрами элемента.

Электронные сигналы

Электрические сигналы делятся на аналоговые (непрерывные) и дискретные (цифровые). В свою


очередь аналоговые сигналы делятся на постоянные и переменные.

Электронные устройства, оперирующие с аналоговыми сигналами, работают в линейном


режиме и составляют класс аналоговых устройств. Особенностью этих устройств является линейная
зависимость между входным и выходным сигналом. Например усилители (работают без насыщения и
отсечки выходного сигнала).

Электронные устройства, оперирующие с цифровыми сигналами работают в существенно


нелинейном режиме и составляют класс цифровых или импульсных устройств.

Физические процессы в p-n переходах

Основой современных электронных приборов являются приборы построенные с


использованием полупроводников.

Полупроводниками являются вещества, занимающие по величине удельной проводимости


промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Эти вещества обладают как
свойствами проводника, так и свойствами диэлектрика. Вместе с тем они обладают рядом
специфических свойств, резко отличающих их от проводников и диэлектриков, основным из которых
является сильная зависимость удельной проводимости от воэдействия внешних факторов (температуры,
света, электрического поля и др.)

К полупроводникам относятся элементы четвертой группы периодической таблицы


Менделеева, а также химические соединения элементов третьей и пятой групп типа AIII BV (GaAs,
InSb) и второй и шестой групп типа AII B VI (CdS, BbS, CdFe). Ведущее место среди
полупроводниковых материалов, используемых в полупроводниковой электронике, занимают кремний,
германий и арсенид галлия GaAs.

1.1.1. Чистые полупроводники.

Полупроводниковые материалы занимают промежуточное место по электропроводности между


проводниками и изоляторами. Удельное сопротивление таких хороших проводников как серебро, медь,
железо составляет 10-6…10-4 ом·см. Хорошие изоляторы: кварц, слюда, каучук, бумага — имеют
удельное сопротивление от 1018 до 1010 ом·см. Промежуток удельных сопротивлений 106…10-3 ом·см
занимают полупроводники.

Для изготовления современных полупроводниковых приборов и особенно интегральных микросхем


используются кристаллы чистых кремния и германия. Равномерная кристаллическая решетка в виде
тетраэдров этих материалов, атомы которых имеют четыре валентных электрона на внешней оболочке,
обеспечивают устойчивую структуру: соседние атомы кристалла попарно объединяются, так что
каждый атом представляет собой устойчивую структуру с восемью электронами на внешней оболочке, в
которую входят четыре соседних атома. На рис. 1.1. показана упрощенная плоская модель соединения
атомов в кристалле чистого (беспримесного) кремния, где каждая линия между атомами обозначает
ковалентную связь. Из-за неразличимости отдельных электронов любой валентный электрон
оказывается принадлежащим в одинаковой степени всем атомам кристалла.
Рис. 1.1

Такая структура при температуре абсолютного нуля представляет собой изолятор, так как свободных
электронов, обуславливающих электропроводность, в ней нет. Однако, при увеличении температуры
даже такие крепкие связи могут нарушиться, что приведет к появлению, с одной стороны, свободных
электронов, а с другой – к так называемым «дыркам» - местам в решетке, которые покинули электроны.
Свободный электрон может занять дырку (произойдет рекомбинация). Дырку может занять ближайший
связанный электрон, в результате чего уже на его бывшем месте образуется новая дырка. Всякий
переход электрона от одного атома к другому сопровождается одновременно встречным переходом
дырки. Если электрон имеет отрицательный заряд, то дырке условно приписывается положительный
заряд такой же величины, как заряд электрона. Дырка как бы перемещается (движется) по кристаллу,
также как электрон.

Процесс образования под влиянием температуры пары электрон-дырка называют термогенерацией.


Таким образом, в чистом полупроводнике одновременно хаотично блуждают электроны и дырки,
причем их число одинаково, а при увеличении температуры это число увеличивается. При
определенной температуре существует термодинамическое равновесие между генерацией и
рекомбинацией, в результате чего в полупроводнике устанавливается некоторая, вполне определенная
концентрация свободных носителей заряда. Среднее время существования пары электрон-дырка
называют временем жизни носителей заряда, а расстояние L , пройденное частицей за время ее жизни –
диффузионной длиной. Число свободных носителей заряда (электронов ni и дырок pi) в чистом1
полупроводнике определяется соотношением

(1.1)

где - энергия активации, Т – абсолютная температура, k - постоянная Больцмана.

При отсутствии внешнего электрического поля носители заряда движутся в полупроводнике хаотично.
Это движение называют диффузией. Диффузионное движение зарядов обусловлено неравномерностью
концентрации зарядов и тепловой энергией.

Если теперь к кристаллу приложить внешнее напряжение, то может возникнуть небольшой ток,
обусловленный дрейфом электронов и дырок, причем скорости дрейфа электрона и дырки разные, они
зависят от их подвижности и напряженности электрического поля. В целом число свободных
электронов и дырок незначительно. Например, в кристалле германия при комнатной температуре есть
только 2 свободных электрона на 1010 атомов, но в 1 грамме германия имеется 1022 атомов. Таким
образом, в одном грамме содержится 2·1012 свободных электронов, что и создает собственную
проводимость чистого полупроводника. Однако для создания тока в один ампер потребуется 6·1018
электронов в секунду! Поэтому ток чистого полупроводника очень мал.

Термогенерация свободных носителей, их дрейф, диффузия и рекомбинация очень важны для


понимания процессов, происходящих в полупроводниках, но они не исчерпывают всего многообразия
происходящих в полупроводнике явлений. Многие вопросы количественного анализа работы
полупроводников базируются на зонной теории твердого тела2.

1
Параметры чистого полупроводника обозначаются обычно с индексом i от intrinsic – истинный.
2
Эти вопросы подробно рассматриваются в курсе «Физические основы микросхемотехники».

1.1.2. Полупроводники n — p типа


Чистые i - полупроводники практически не используют. В них специально вводят атомы других
элементов (примеси) трехвалентных (алюминий, галлий, индий, бор) или пятивалентных (мышьяк,
фосфор, сурьма) элементов или их соединений. При этом на 107…108 атомов i - полупроводника
вводят один атом примеси. Атомы пятивалентной примеси называются донорами: они увеличивают
число свободных электронов. Каждый атом такой примеси добавляет один лишний электрон. При
этом лишних дырок не образуется. Примесный атом в структуре полупроводника превращается в
неподвижный положительно заряженный ион. Проводимость полупроводника теперь будет
определяться в основном числом свободных электронов примеси. В целом такой тип проводимости
называют проводимостью n–типа, а сам полупроводник – полупроводником n–типа.

При введении трехвалентной примеси одна из валентных связей полупроводника оказывается


незаполненной, что эквивалентно образованию дырки и неподвижного отрицательно заряженного
иона примеси. Таким образом, в этом случае увеличивается концентрация дырок. Примеси такого
типа называются акцепторами, а проводимость, обусловленная введением акцепторной примеси,
называют проводимостью р–типа. Полупроводник данного вида называют полупроводником р–типа.

Преобладающие носители заряда в полупроводнике называются основными. Так в полупроводнике


n–типа основными носителями являются электроны, а неосновными – дырки, а в полупроводнике р–
типа основными носителями являются дырки, а неосновными – электроны. Как видим, в отличие от
проводимости проводников, в которых ток обусловлен направленным движением только электронов,
в полупроводниках ток может быть обусловлен двумя типами носителей – электронами и дырками.

1.2.1. Электронно - дырочный переход без


внешнего воздействия
В полупроводниковых приборах и микросхемах применяют кристаллы, в которых можно выделить
области собственного полупроводника (i -типа), области с донорными (n-типа) и акцепторными ( р -
типа) примесями, границы между полупроводниками с разными типами проводимости и с
различной концентрацией примеси, слои между полупроводником и металлом для организации
внешних выводов или других функциональных назначений.

Границу между двумя областями полупроводника с разными типами проводимости называют


электронно-дырочным переходом или p-n - переходом. Переходы между двумя областями
полупроводника одного и того же типа электропроводности, но с различными значениями удельной
электрической проводимости называют изотипными переходами. Различают изотипные электронно-
электронный (n-n+) и дырочно-дырочный (р-р+) переходы, причем знак «+» отмечает область с
более высокой концентрацей соответствующих носителей заряда, полученной за счет большей
концентрации примесей.

В зависимости от используемых в переходах материалов их разделяют на гомогенные и


гетерогенные. Гомогенным переходом называют переход, созданный в одном полупроводниковом
материале (только в германии, только в кремнии, только в арсениде галлия). Гетерогенный переход
создается на границе различных полупроводниковых материалов: германий-кремний, кремний-
арсенид галлия.

В зависимости от характера изменений концентрации примесей на границе различают ступенчатый


и плавный p-n -переходы; в ступенчатом переходе изменение концентрации имеет скачкообразный
характер. Здесь концентрация примесей на границе изменяется на расстоянии, соизмеримом с
диффузионной длиной L. В плавном переходе такие изменения происходят на расстоянии,
значительно превышающем L.

Особую роль играют переходы металл-полупроводник (МП), являющиеся неотъемлемой частью


каждого полупроводникового прибора. Различают невыпрямляющие (или омические) и
выпрямляющие переходы МП. Выпрямляющие переходы имеют характеристики, зависящие от
направления и величины приложенного к ним напряжения.

Любой электрический переход не может быть создан путѐм простого соприкосновения двух
полупроводниковых кристаллов. Для их изготовления используют специальные технологические
приемы. В настоящее время наиболее распространены сплавные и диффузионные переходы.

Для изготовления сплавного перехода на поверхности чистого полупроводника укрепляют


небольшую «таблетку» примеси и помещают в печь, где происходит ее нагрев до температуры ниже
точки плавления полупроводника, но выше точки плавления примеси. В результате происходит
вплавление в кристалл примеси и формирование p-n-перехода.

Для изготовления диффузионного p-n-перехода сначала полупроводниковую пластину с защитным


окисным слоем предварительно обрабатывают, создавая «окна» заданной конфигурации на ее
поверхности, а затем через них проводят диффузию примеси.1

При создании технологического контакта материалов с разными типами проводимости в области


границы образуется небольшой слой, который и называется собственно p-n-переходом (рис.1.2)

Рис. 1.2

В этой области противоположно заряженные неподвижные ионы примесей создают отталкивающее


поле для основных носителей заряда, и последние уходят из зоны соприкосновения. При этом
движение основных носителей осуществляется за счет диффузии и рекомбинации с неосновными
носителями. Для неосновных носителей (дырок в полупроводнике n -типа и электронов в
полупроводнике р-типа) поле зарядов является ускоряющим, и они дрейфуют к «соседям».

В результате на границе образуется обедненный носителями обоих типов слой, он имеет большое
удельное сопротивление.

Двойной слой зарядов неподвижных ионов примесей в слое не компенсированы электронами и


дырками, что создает внутреннее электрическое поле с напряженностью Е . Это поле препятствует
переходу дырок из области р в область n и электронов из области n в область р . Но оно же создает
дрейфовый поток, перемещающий дырки из области n в область р и электроны из области р в
область n (дрейф неосновных носителей). Обедненный слой и есть p-n-переход.

В установившемся режиме дрейфовый поток равен диффузионному. При одинаковой концентрации


основных носителей заряда справа и слева от границы, p-n-переход симметричен. Если
концентрации не одинаковы, то говорят о несимметричном p-n-переходе. В этом случае слой с
большей концентрацией основных носителей (меньшим удельным сопротивлением или большей
проводимостью) называют эмиттером, а с меньшей концентрацией – базой. В базе ширина
обедненного слоя шире.

Поле Е оценивается потенциальным барьером для основных носителей, который препятствует их


диффузии в полупроводник другого типа. В электротехнике величину потенциала определяют как
работу на перемещение единичного положительного заряда. При этом график распределения
потенциалов вдоль перехода имеет вид, представленный на рис.1.3.

Рис. 1.3

При отсутствии внешнего поля величина потенциального барьера (или контактная разность
потенциалов) определяется соотношением

(1.2)

где е = 1,6·10-19 кул – заряд электрона, k = 1,38·10-23 - постоянная Больцмана, Т- абсолютная


температура, NА, NД – концентрация атомов акцепторов и доноров, nр, nn–концентрации дырок и

электронов в р и n-областях, - температурный потенциал. Для комнатной температуры


температурный потенциал составляет примерно 0,025 вольт. Ширину (или толщину)
несимметричного резкого p - n -перехода можно вычислить по формуле
(1.3)

Она составляет обычно единицы микрометров.

Как следует из формулы (1.3) для увеличения ширины p-n-перехода нужно использовать слабо
легированные полупроводники, а для создания узкого перехода – сильно легированные.

1.2.2. Электронно - дырочный переход при


внешнем воздействии
При подключении к p-n-переходу внешнего напряжения плюсом к полупроводнику р-типа (прямое
включение) потенциальный барьер для основных носителей уменьшается, через переход потечет ток,
увеличивающийся с увеличением внешнего напряжения. При изменении полярности внешнего
напряжения (обратное включение) потенциальный барьер увеличивается, весьма малый обратный
ток определяется дрейфом только неосновных носителей.

Зависимость тока через переход от приложенного к нему внешнего напряжения определяет так
называемую вольтамперную характеристику перехода (ВАХ). Для идеального p-n-перехода имеет
место следующая зависимость тока от напряжения

(1.4)

где Is - обратный ток насыщения неосновных носителей при обратном напряжении на переходе. При

u >> 0,025 В величина , поэтому в этом случае можно считать , а при u << -0,025 В,

, поэтому можно считать, что при больших обратных напряжениях обратный ток равен току
насыщения.

Рис. 1.4
На рис.1.4 пунктиром показана ВАХ идеального p - n -перехода в соответствии с выражением (1.4)
для тока насыщения, равного 5 мкА, сплошные кривые соответствуют реальным переходам с
кристаллом из германия ( Ge ) и кремния ( Si ). Для германия ток насыщения составляет примерно 10
мкА, а для кремния 10-15…10-13 А. В выражение (1.4) для малых токов кремниевого перехода в
формулу (1.4) вводят коэффициент m =2…2,5:

Обычно графики для прямых и обратных токов представляются в разных масштабах как для токов,
так и для напряжений, поскольку прямые напряжения составляют доли вольта при токах несколько
миллиампер , а обратные напряжения – десятки вольт при токе доли и единицы микроампер.

В каждой точке нелинейной ВАХ можно найти производную, которая характеризует


дифференциальные проводимость или сопротивление, сильно отличающиеся на прямой и обратной
ветвях ВАХ.

На вид и положение ВАХ в значительной степени влияет температура p - n -перехода . Считается,


что ток насыщения IS изменяется примерно в два раза у германиевых переходов и в 2,5 раза у
кремниевых на каждые 10 градусов изменения температуры, при этом изменение падения
напряжения на переходе составляет –(2…2,5) mВ/оС. В интегральных схемах это изменение
достигает величины -1,5 mВ/оС.

Максимально допустимые температуры для германиевых переходов составляют 80…100оС, для


кремниевых переходов – 150…200оС .

1.2.3. Пробой p-n-перехода


Пробоем называют резкое изменение режима работы p-n-перехода, находящегося под большим
обратным напряжением. ВАХ для больших значений обратных напряжений показана на рис. 1.5

Рис. 1.5

Началу пробоя соответствует точка А. После этой точки дифференциальное сопротивление перехода
стремится к нулю.
Различают три вида пробоя p-n-перехода:

I. Туннельный пробой (А-Б),


II. Лавинный пробой (Б-В),
III. Тепловой пробой (за т.В).

Туннельный пробой возникает при малой ширине p-n-перехода (например, при низкоомной базе),
когда при большом обратном напряжении электроны проникают за барьер без преодоления самого
барьера. В результате туннельного пробоя ток через переход резко возрастает и обратная ветвь ВАХ
идет перпендикулярно оси напряжений вниз.

Лавинный пробой возникает в том случае, если при движении до очередного соударения с
нейтральным атомом кристалла электрон или дырка приобретают энергию, достаточную для
ионизации этого атома, при этом рождаются новые пары электрон-дырка, происходит
лавинообразное размножение носителей зарядов; здесь основную роль играют неосновные носители,
они приобретают большую скорость. Лавинный пробой имеет место в переходах с большими
удельными сопротивлениями базы («высокоомная база»), т.е. в p-n-переходе с широким переходом.

Тепловой пробой характеризуется сильным увеличением тока в области p-n-перехода в результате


недостаточного теплоотвода.

Если туннельный и лавинный пробои, называемые электрическими, обратимы, то после теплового


пробоя свойства перехода меняются вплоть до разрушения перехода.

Напряжения и токи в p-n-переходах зависят от параметров перехода и его температуры.

1.2.4. Емкость p-n-перехода


Общая емкость p-n-перехода измеряется между выводами кристалла при заданных постоянном
напряжении (смещении) и частоте гармонического напряжения, прикладываемых к переходу. Она
складывается из барьерной, диффузионной емкостей и емкости корпуса кристалла:

С = Сбар + Сдиф + Скорп

Барьерная (или зарядная) емкость обусловлена нескомпенсированным зарядом ионизированных


атомов примеси, сосредоточенными по обе стороны от границы перехода. Эти объемные заряды
неподвижны и не участвуют в процессе протекания тока. Они и создают электрическое поле
перехода.

При увеличении обратного напряжения область пространственного заряда и сам заряд


увеличиваются, причем это увеличение происходит непропорционально.

Барьерная емкость определяется как

и равна

,
где Sпер – площадь перехода.

Барьерная емкость составляет десятки - сотни пикофарад.

Диффузионная емкость обусловлена изменением величины объемного заряда, вызванного


изменением прямого напряжения и инжекцией неосновных носителей в рассматриваемый слой. В
результате в n-базе возникает объемный заряд дырок, который практически мгновенно (за несколько
наносекунд) компенсируется зарядом собственных подошедших к дыркам электронов.
Диффузионную емкость часто выражают как линейную функцию тока, учитывая экспоненциальный
характер ВАХ. При этом

где - время жизни носителей для толстой базы или среднее время пролета для тонкой базы.

Рис. 1.6

Диффузионная емкость составляет сотни – тысячи пикофарад.

При прямом напряжении на переходе общая емкость определяется в основном диффузионной


емкостью, а при обратном напряжении – барьерной. Общий вид зависимости емкости перехода от
напряжения на нем показан на рис. 1.6. Эту зависимость называют вольт – фарадной
характеристикой перехода.

2. Полупроводниковые диоды:
2.1. Характеристики и параметры.

2.1.1. Общие сведения

Полупроводниковым диодом называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с


одним p-n-переходом и двумя невыпрямляющими контактами металл-полупроводник. В качестве
полупроводникового материала используют германий, кремний, арсенид галлия. Условная
структура (а) и общее обозначение (б) полупроводниковых диодов показаны на рис.2.1.
Рис. 2.1

На рисунке показаны направления прямых тока и напряжения. Большинство полупроводниковых


диодов выполняют на основе несимметричных p-n-переходов. Низкоомную р –область называют
эмиттером (или анодом по аналогии с электровакуумными диодами), высокоомную n –область –
базой (или катодом). Прямое направление тока - от эмиттера к базе.

Различие в концентрации основных носителей заряда сказывается и на расположении p-n -перехода


на границе. Ширина p-n-перехода в эмиттере меньше, чем в базе, т.е. p-n-переход почти целиком
располагается в базе.

В зависимости от технологических процессов, использованных при изготовлении, различают


точечные диоды, сплавные и микросплавные, диоды с диффузионной базой, эпитаксиальные,
мезадиоды и др.

По функциональному назначению диоды делят на выпрямительные, универсальные, импульсные,


смесительные, детекторные, модуляторные, переключающие, умножительные, стабилитроны,
туннельные, параметрические, фотодиоды, светодиоды, диоды Ганна, диоды Шоттки и др.

2.1.2. Характеристики и параметры


Статическая вольтамперная характеристика (ВАХ) диода определяет зависимость тока,
протекающего через диод, от приложенного к нему напряжения.

ВАХ идеального p-n-перехода определяется соотношением (2.1):

(2.1)

Однако в реальных диодах ВАХ отличаются от (2.1), что объясняется тем, что, во-первых, для
разных типов материалов полупроводникового кристалла обратный ток насыщения сильно зависит
от температуры; во-вторых, при большом обратном напряжении, при котором измеряется ток
насыщения, наблюдается термогенерация носителей непосредственно в области перехода; в-
третьих, в реальных диодах наблюдаются поверхностные утечки тока (дополнительные
проводимости); в-четвертых, при анализе процессов в p-n -переходе не учитываются ни размеры
кристалла и перехода, ни сопротивления полупроводниковых слоев, прилегающих к переходу.
Наличие в полупроводниковом кристалле высокоомной области базы, которая характеризуется
сопротивлением rб, приводит к тому, что прямая ветвь диода идет ниже, чем у идеального p-n -
перехода.

В реальных диодах необходимо оценивать все эти явления и учитывать, что обратный ток диода
складывается из теплового тока, тока термогенерации и тока утечки. В германиевых диодах
основную роль играет тепловой ток, который удваивается при увеличении температуры
окружающей среды на каждые 7…10оС. Соизмерим с ним и ток утечки, но последний мало зависит
от температуры, но зависит от величины обратного напряжения. В кремниевых диодах тепловой
ток удваивается на каждые 8…12оС, но он на 6…7 порядков ниже, чем у германиевых диодов.
Основными составляющими обратного тока кремниевого диода являются токи термогенерации и
утечки, поэтому обратный ток кремниевых диодов отличается от обратного тока германиевых
диодов всего на 1,5…2 порядка, и в обоих диодах он не остается постоянным при изменении
обратного напряжения, а медленно возрастает при его увеличении.

При прямом включении существенное влияние на ход ВАХ оказывает падение напряжения на
сопротивлении базы диода, которое начинает проявляться уже при токах, превышающих 2…10 мА.
Кроме того, прямая ветвь ВАХ отклоняется от идеальной из-за наличия токов рекомбинации в p-n-
переходе, изменения (модуляции) сопротивления базы при инжекции в нее неосновных носителей.
С учетом падения напряжения на базе уравнение прямой ветви может быть представлено в виде

(2.2)

Обычно напряжение на реальном диоде на доли вольта больше, чем в идеальном.

Для оценки ВАХ реальных диодов в качестве одного из основных параметров используют
обратный ток Iобр, который измеряют при определенном значении обратного напряжения. В
паспортных данных обычно для каждого вида диода указывается максимально допустимое
значение обратного тока.

Диоды характеризуются достаточно большим числом параметров. Общими практически для всех
типов являются следующие:

Iпр,макс – максимально допустимый постоянный прямой ток;

Uпр – постоянное прямое напряжение, соответствующие заданному току;

Uобр,макс – модуль максимально допустимого обратного напряжения;

Iобр,макс – максимально допустимый постоянный обратный ток;

rдиф – дифференциальное сопротивление диода в заданном режиме работы.

2.2.1. "Идеальный" диод

Представление реального диода в виде «идеального диода» равносильно модели идеального


вентиля: полностью открыт (прямое включение), полностью закрыт (обратное включение). В
закрытом положении ток равен нулю при любом отрицательном напряжении на диоде, в открытом
положении напряжение равно нулю при любом токе. Таким образом дифференциальные
сопротивления в закрытом и открытом состоянии равны соответственно бесконечности и нулю. На
рис.2.2. представлены ВАХ «идеального диода»(жирно) и его схемы замещения в открытом и
закрытом состяниях.

Рис. 2.2

Такое представление реального диода часто удобно использовать для анализа схем выпрямителей с
большими значениями амплитуд выпрямляемых напряжений, когда нелинейностью начального
участка прямой ветви ВАХ и наличием небольшого обратного тока можно пренебречь.

Рассмотрим пример работы простейшей выпрямительной схемы с «идеальным диодом» при


гармоническом входном напряжении и нулевом постоянном смещении (Рис.2.3). Величина
сопротивления нагрузки R , с которого снимается выпрямленное напряжение, значительно больше
дифференциального сопротивления в открытом состоянии реального диода, и меньше
дифференциального сопротивления закрытого перехода.

Рис. 2.3

Пусть , причем амплитуда Еm такова, что можно использовать модель «идеального


диода». При положительных значениях входного напряжения диод обладает нулевым
дифференциальным сопротивлением, и ток в цепи равен

а при отрицательных значениях е(t) ток равен нулю. Осциллограммы тока и напряжений в схеме
показаны на рис.2.4.
Рис. 2.4

Поскольку напряжение на нагрузке R несинусоидально, его можно разложить в ряд Фурье по


гармоникам частоты входного напряжения. Выпрямленным напряжением является постоянная
составляющая напряжения uR (t) :

Из рисунка 2.4 видно, что напряжение на нагрузке отнюдь не постоянно, а пульсирует


относительно постоянного напряжения UR,0.

При наличии дополнительного постоянного напряжения Есм (смещение) изменится уровень


положительных и отрицательных напряжений на диоде, т.к. входное напряжение выпрямителя
будет равно

На рис.2.5 показаны осциллограммы тока и напряжений для отрицательного смещения. На рисунке


положительные уровни сигналов отмечены штриховкой.

Рис. 2.5
Как видим, обратное напряжение на диоде здесь увеличилось на величину смещения, а
выпрямленное напряжение уменьшилось не только за счет уменьшения амплитуды тока, но и за
счет уменьшения длительности импульсов тока.

В данной схеме выпрямителя выходное напряжение не постоянно, а имеет форму усеченных


косинусоидальных импульсов, что свидетельствует о наличии в спектре тока и напряжения
гармоник частоты выпрямляемого напряжения. Для уменьшения амплитуды гармоник на нагрузке
выпрямителя ставят специальные фильтры нижних частот. Простейшим вариантом такого фильтра
является параллельная цепочка RC вместо одного сопротивления R (см.рис.2.6).

Рис. 2.6

Величину емкости определяют исходя из заданного коэффициента подавления амплитуды первой


гармоники, как наибольшей в спектре тока или из неравенства:

При выполнении этого неравенства постоянная составляющая тока протекает через резистор R , а
все переменные составляющие – через конденсатор С , так как его сопротивление переменным
токам будет значительно меньше сопротивления резистора.

Можно рассмотреть работу выпрямителя и во временной области. Осциллограммы токов и


напряжений в установившемся режиме показаны на рис. 2.7, причем входное и выходное
напряжения здесь совмещены на одном графике.

Рис. 2.7

Напряжение на диоде определяется разностью входного и выходного напряжений:


Напряжение же на выходе можно представить в виде процессов заряда и разряда конденсатора С .
При положительных напряжениях на диоде сопротивление последнего равно нулю (или мало в
реальном диоде в прямом режиме) конденсатор быстро (практически мгновенно) заряжается до
напряжения, примерно равному е(t1); в следующие моменты времени напряжение на диоде
становится отрицательным, диод закрывается, и емкость медленно разряжается через
сопротивление R достаточно большой величины. При правильном выборе С и R постоянная
времени разряда емкости значительно больше постоянной времени заряда, так что при разряде
напряжение на выходе почти не меняется. В установившемся режиме выходное напряжение
колеблется около некоторого среднего значения Uвых,0 , близком по величине к амплитуде входного
напряжения. Пульсации выпрямленного напряжения здесь значительно меньшие, чем в схеме без
конденсатора.

2.2.2. Кусочно-линейная модель диода

Данная модель основана на конечных значениях дифференциальных сопротивлений прямой и


обратной ветвей ВАХ диода. На рис.2.8. показано графическое определение параметров кусочно-
линейной модели для заданных точек (А1,А2) прямой и обратной ветвей.

Рис. 2.8

На прямой ветви через т.А1 проводим касательную к ВАХ до пересечения с осью напряжений.
Точка пересечения определяет напряжение U0. дифференциальное сопротивление диода в точке А1
определяется как

Для обратной ветви через заданную точку А2 проводят касательную к ветви до пересечения с осью
обратных токов. Точка пересечения дает значение обратного тока I0, дифференциальное
сопротивление обратной ветви, определенное в точке А2, равно
Эквивалентные схемы такой модели для прямой и обратной ветви ВАХ показаны на рис. 2.9 а, б
соответственно.

Рис. 2.9

При этом для прямой ветви , а для обратной

Применение модели для простейшей схемы диода с резистором в прямом режиме показано на
рис.2.10

Рис. 2.10

По второму закону Кирхгофа имеем

откуда

Аналогичные выкладки можно провести и для обратной ветви ВАХ.

2.2.3. Полная схема замещения диода

Для оценки частотных свойств диода следуeт учитывать общую емкость диода СД, являющуюся
суммой барьерной и диффузионной емкостей, а также сопротивления контактов. На рис. 2.11
приведена такая модель.
Рис. 2.11

Здесь RД – нелинейное сопротивление перехода, Сбар – и Сдиф - нелинейные барьерная и


диффузионная емкости перехода, R – сопротивления контактов. Наличие сопротивлений контактов
сказывается на виде ВАХ в области прямых напряжений: характеристика располагается ниже
прямой ветви ВАХ идеального p-n-перехода.

2.2.4. Полиномиальная аппроксимация участка ВАХ диода

Следует отметить, что полупроводниковая технология в отличие от электровакуумной позволяет


разрабатывать большое количество типов диодов с различными ВАХ. В ряде случаев для описания
ВАХ приходится использовать полиномиальную аппроксимацию рабочих участков ВАХ. Так для
диодов, работающих в схемах преобразования сигналов, таких как умножение частоты, модуляция,
перемножение сигналов и др., необходим квадратичный участок ВАХ, а в схемах автогенераторов с
использованием диодов с отрицательным дифференциальным сопротивлением – кубичный. В
общем виде полином, описывающий участок ВАХ, записывают для небольших приращений
относительно заданной точки на ВАХ, определяемой постоянным напряжением (смещением) на
переходе:

На рис. 2.12 показаны примеры ВАХ, где жирно выделены квадратичный (а) и кубичный участки
(б) в окрестности т. А.

Рис. 2.12

Использовать аппроксимационный полином можно и для больших диапазонов изменения


напряжений и токов, при этом степень полинома для аппроксимации ВАХ естественно будет
больше.

2.3.1. Виды и обозначение диодов

В зависимости от свойств и поведения ВАХ различают следующие виды диодов.

1) Выпрямительные диоды различных классов, отличающиеся напряжением, временем


переключения, рабочей полосой частот. ВАХ как у обычного p-n-перехода. Обозначение
стандартное (см. таблицу 2.1). В качестве выпрямительных используют сплавные эпитаксиальные и
диффузионные диоды, выполненные на основе несимметричных p-n-переходов. Для
выпрямительных диодов характерны малые сопротивления и большие токи в прямом режиме.
Барьерная емкость из-за большой площади перехода достигает значений десятков пикофарад.
Германиевые выпрямительные диоды применяют до температур 70-80оС, кремниевые до 120-150оС,
арсенид-галлиевые до 150оС.

Основные параметры выпрямительных диодов:

Uобр,макс –максимально допустимое обратное напряжение, которое диод может выдержать без
нарушения его работоспособности;

Iвып,ср - средний выпрямленный ток;

Iпр,п – пиковое значение импульса тока при заданных максимальной длительности, скважности и
формы импульса;

Uпр,ср – среднее прямое напряжение диода при заданном среднем значении прямого тока;

Pср – средняя за период мощность, рассеиваемая диодом, при протекании тока в прямом и обратном
направлениях;

rдиф – дифференциальное сопротивление диода в прямом режиме.

Особо отметим класс импульсных диодов, имеющих очень малую длительность переходных
процессов из-за малых емкостей переходов (доли пикофарад); уменьшение емкостей достигается за
счет уменьшения площади p-n-перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них меньше,
чем у низкочастотных выпрямительных диодов. Их используют в импульсных схемах.

К параметрам, перечисленным выше, для импульсных диодов следует отнести общую емкость СД,
максимальные импульсные прямые и обратные напряжения и токи, время установления прямого
напряжения от момента подачи импульса прямого тока до достижения им заданного значения
прямого напряжения и время восстановления обратного сопротивления диода с момента
прохождения тока через нуль до момента, когда обратный ток достигает заданного малого значения
(см. рис. 2.13).

Рис. 2.13

После изменения полярности напряжения в течение времени t1 обратный ток меняется мало, он
ограничен только внешним сопротивлением цепи. При этом заряд неосновных носителей,
накопленных в базе диода, рассасывается. Далее ток уменьшается до своего статического значения
при полном рассасывании заряда в базе.

2) Стабилитроны – диоды, предназначенные для работы в режиме электрического пробоя. Условное


обозначение отличается от стандартного (см. таблицу 2.1). В этом режиме при значительном
изменении тока стабилитрона напряжение на нем меняется мало. В низковольтных (до 5,7В)
стабилитронах используется туннельный пробой, а в высоковольтных – лавинный пробой. В них
более высокоомная база.

Основные параметры:

Uст – напряжение стабилизации при заданном токе в режиме пробоя;

Iст,мин и Iст,макс – минимально допустимый и максимально допустимый токи стабилизации;

rст – дифференциальное сопротивление стабилитрона на участке пробоя;

- температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации при заданном токе


стабилизации. Туннельный пробой характеризуется отрицательным ТКН, а лавинный -
положительным.

Для стабилизации малых напряжений (0,3…1,9В) используют диоды, называемые стабисторами,


которые работают в прямом режиме, имеют специальную форму прямой ветви. Обозначение такое
же, как у выпрямительных диодов.

3) Диод Шотки – разновидность выпрямительных диодов, работающий на основе выпрямляющего


контакта металл – полупроводник, образующего контактную разность потенциалов из-за перехода
части электронов из полупроводника n -типа в металл и уменьшения концентрации электронов в
полупроводниковой части контакта. Эта область обладает повышенным сопротивлением. При
подключении внешнего источника плюсом к металлу, а минусом к полупроводнику,
потенциальный барьер понизится и через переход пойдет прямой ток.

В диоде Шотки отсутствуют явления накопления и рассасывания основных носителей, поэтому они
очень быстродействующие и могут работать на частотах до десятков ГГц. Прямое напряжение
составляет ~0,5 В, прямой допустимый ток может достигать сотни ампер, а обратное напряжение –
сотен вольт. ВАХ диода Шотки напоминает характеристику обычных p-n-переходов, отличие
состоит в том, что прямая ветвь в пределах 8-10 декад напряжения представляет почти идеальную
экспоненциальную кривую, а обратные токи достаточно малы – 10-10…10-9 А.

Конструктивно диоды Шотки выполняют в виде пластины из низкоомного кремния, на которую


нанесена высокоомная эпитаксиальная пленка с электропроводностью того же типа. На
поверхность пленки вакуумным напылением нанесен слой металла.

Диоды Шотки применяют в переключательных схемах, а также в выпрямителях больших токов и в


логарифмирующих устройствах, из-за соответствующей вида его ВАХ.

4) Варикап – полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве емкости, величина


которой зависит от приложенного к нему напряжения. Основная его характеристика – вольт-
фарадная С( U ) (см.таблицу 2.1).

Варикап работает как правило при обратном напряжении, при изменении которого изменяется в
широких пределах барьерная емкость диода, причем
где С(0) – емкость при нулевом напряжении на диоде; - контактный потенциал; n =2 для резких
и n =3 для плавных p-n-переходов.

Основные параметры варикапа:

С – емкость, измеренная между выводами при заданном обратном напряжении;

- коэффициент перекрытия по емкости;

rП – суммарное активное сопротивление диода;

- добротность, определяемая при заданном значении емкости.

5) Туннельный диод – полупроводниковый диод с падающим участком на прямой ветви ВАХ,


обусловленный туннельным эффектом. Обозначение и ВАХ даны в таблице 2.1. Падающий участок
характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением.

В зависимости от функционального назначения туннельные диоды условно подразделяются на


усилительные, генераторные и переключательные.

Основные параметры:

IП и UП – пиковые ток и напряжение начала падающего участка;

IВ и UВ – ток и напряжение впадины (конца падающего участка);

- отношение тока впадины к пиковому току;

UР – диапазон напряжений падающего участка ( раствор).

LД – полная последовательная индуктивность диода при заданных условиях (см. рис.2.14,


представляющий схему замещения диода на падающем участке ВАХ для малых изменений тока и
напряжения на диоде).
Рис. 2.14

f0 – резонансная частота, при которой общее реактивное сопротивление p-n-перехода и


индуктивности корпуса обращается в нуль;

fR - предельная резистивная частота, при которой активная составляющая полного сопротивления


последовательной цепи, состоящей из p-n-перехода и сопротивлений потерь, обращается в нуль;

КШ – шумовая постоянная туннельного диода, определяющая коэффициент шума диода;

rП – сопротивление потерь, включающее сопротивление кристалла, контактных соединений и


выводов.

Разновидностью туннельного диода является обращенный диод. Это полупроводниковый диод,


физические явления в котором подобны физическим явлениям в туннельном диоде. Его
рассматривают иногда как вариант туннельного диода. Здесь участок с отрицательным
сопротивлением выражен более слабо, чем у туннельного, а иногда даже отсутствует. Обозначение
и ВАХ даны в таблице. Обратная ветвь обращенного диода используется как прямая ветвь
обычного диода.

Таблица 2.1

Тип диода Условное обозначение Характеристика

Выпрямительный

Диод Шотки

Стабилитрон

Стабистор

Варикап

Туннельный диод
Обращенный диод

2.3.2. Система обозначений современных полупроводниковых диодов


Принятая система обозначений полупроводниковых приборов отражает назначение, физические
свойства, материал полупроводника, конструктивно-технологические признаки и др.

В основе обозначений лежит буквенно-цифровой код, состоящий из пяти позиций. Ниже в таблице
2.2 представлены обозначения всех пяти позиций.

Таблица 2.2

Позиция Обозначение

Буква или цифра исходного полупроводникового материала:

Г или 1 – германий или его соединения;


1
К или 2 – кремний или его соединения;

А или 3 – соединения галлия;

И или 4 – соединения индия

Буква - подкласс приборов:

Д – диоды выпрямительные и импульсные;

Ц – выпрямительные столбы и блоки;

В – варикапы;
2
И – туннельные диоды;

А – сверхвысокочастотные диоды;

С – стабилитроны;

Г – генераторы шума;

Л – излучающие оптоэлектронные приборы;

О – оптопары.
Цифра – функциональные возможности.

Подкласс Д:

1 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением


3 прямого тока не более 0,3 А;

2 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением


прямого тока не свыше 10 А;

3 – импульсные диоды с временем восстановления обратного


сопротивления более 500 нс;

4 – импульсные диоды с временем восстановления обратного


сопротивления в пределах 150…500 нс;

5 – импульсные диоды с временем восстановления обратного


сопротивления в пределах 30…150 нс;

6 – импульсные диоды с временем восстановления обратного


сопротивления в пределах 5…30 нс;

7 - импульсные диоды с временем восстановления обратного


сопротивления в пределах 1…5 нс;

8 – импульсные диоды с эффективным временем жизни


неосновных носителей заряда менее 1 нс.

Подкласс Ц:

1 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока не


более 0,3 А;

2 - столбы с постоянным или средним значением прямого тока


0,3…10 А;

3 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока не


более 0,3 А;

4 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока


0,3…10А.

Подкласс В:

1 – подстроечные варикапы;

2 – умножительные варикапы.

Подкласс И:

1 – усилительные туннельные диоды;


2 – генераторные туннельные диоды;

3 – переключательные туннельные диоды;

4 – обращенные диоды.

Подкласс А:

1 – смесительные диоды;

2- детекторные диоды;

3 – усилительные диоды;

4 – параметрические диоды;

5 – переключательные и ограничительные диоды;

6 – умножительные и настроечные диоды;

7 – генераторные диоды;

8- импульсные диоды.

Подкласс С:

1 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным


напряжением стабилизации менее 10 В;

2- стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным


напряжением стабилизации менее 10…100 В;

3 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным


напряжением стабилизации более100 В;

4 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным


напряжением стабилизации менее 10 В;

5 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным


напряжением стабилизации 10…100 В;

6 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным


напряжением стабилизации более 100 В;

7 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным


напряжением стабилизации менее 10 В;

8 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным


напряжением стабилизации 10…100 В;

9 - стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным


напряжением стабилизации более 100 В.
Подкласс Г:

1 – низкочастотные генераторы шума;

2 – высокочастотные генераторы шума.

Число – порядковый номер разработки.

4 Обычно используются двузначные числа от 01 до 99; если


порядковый номер превышает число 99, то применяют
трехзначное число от 101 до 999.

Буква – классификация по параметрам (квалификационная


5 литера). Применяют буквы русского алфавита, кроме букв З, О, Ч,
Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э.

Цифры: 1…9 – для обозначения модификаций прибора,


приводящих к изменению его конструкции или электрических
параметров;

Буква С – для обозначения сборок – наборов в общем корпусе


однотипных приборов, не соединенных электрически или
Дополнительные соединенных одноименными выводами;
символы
Цифры, написанные через дефис – для обозначения следующих
модификаций конструктивного исполнения бескорпусных
приборов:

-1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя;

-2 –с гибкими выводами на кристаллодержателе;

-3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя;

-4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе;

-5 – с контактными площадками без кристаллодержателя и без


выводов;

-6 – с контактными площадками на кристаллодержателе без


выводов.

Пример: ЗИ309Ж – арсенид-галлиевый переключательный туннельный диод, номер разработки 09,


группа Ж.

Для обозначений диодов, выпущенных до 1982 года, использовалась двухэлементная система:


первый элемент для диодов буква Д , второй – число (или номер):

1…100 – точечные германиевые диоды,

101…200 – точечные кремниевые диоды,


201…300 – плоскостные кремниевые диоды,

301…400 – плоскостные германиевые диоды,

401…500 – смесительные СВЧ детекторы,

501…600 – умножительные диоды,

601…700 – видеодетекторы,

701…749 – параметрические германиевые диоды,

750…800 – параметрические кремниевые диоды.

2.4 Тиристоры

2.4.1Устройство тиристора

Тиристор - это переключающий полупроводниковый прибор, пропускающий ток в одном


направлении. Этот радиоэлемент часто сравнивают с управляемым диодом и называют
полупроводниковым управляемым вентилем (Silicon Controlled Rectifier, SCR).
Тиристор имеет три вывода, один из которых - управляющий электрод, можно сказать, "спусковой
крючок" - используется для резкого перевода тиристора во включенное состояние.
Тиристор совмещает в себе функции выпрямителя, выключателя и усилителя. Часто он
используется как регулятор, главным образом, когда схема питается переменным напряжением.

Нижеследующие пункты раскрывают четыре основных свойства тиристора:


 тиристор, как и диод, проводит в одном направлении, проявляя себя как выпрямитель;
 тиристор переводится из выключенного состояния во включенное при подаче сигнала на
управляющий электрод и, следовательно, как выключатель имеет два устойчивых состояния. Тем
не менее для возврата тиристора в выключенное (разомкнутое) состояние необходимо выполнить
специальные условия;
 управляющий ток, необходимый для перевода тиристора из закрытого состояния в открытое,
значительно меньше (несколько миллиампер) при рабочем токе в несколько ампер и даже в
несколько десятков ампер. Следовательно, тиристор обладает свойствами усилителя тока;
 средний ток через нагрузку, включенную последовательно с тиристором, можно точно
регулировать в зависимости от длительности сигнала на управляющем электроде. Тиристор при
этом является регулятором мощности.

Основная схема тиристорной структуры представлена на рис. 1. Она представляет собой


четырѐхполюсный p-n-p-n прибор, содержащий три последовательно соединѐнных p-n перехода J1,
J2, J3. Контакт к внешнему p-слою называется анодом, к внешнему n-слою — катодом.
Рис. 1. Схемы тиристора: a) Основная четырѐхслойная p-n-p-n структура b) Диодный тиристор с)
Триодный тиристор.

В общем случае p-n-p-n прибор может иметь два управляющих электрода (базы), присоединенных к
внутренним слоям. Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором (или
динистором или диодом Шокли). Прибор с одним управляющим электродом называют триодным
тиристором или тринистором (или просто тиристором!).

2.4.2 Вольт-амперная характеристика тиристора

Сначала рассмотрим типовую вольт-амперную характеристику (ВАХ) тиристора, изображенную


на рис. 3.

Рис. 3
По горизонтальной оси отложено напряжение между анодом и катодом, а по вертикальной –
протекающий через прибор ток.
Изменяемым параметром семейства характеристик является значение тока
Iу в цепи управляющего электрода.
На ВАХ тиристора можно выделить четыре характерных участка, отмеченных на рис. 3
латинскими буквами
ABCDE. Дополнительно на рис. 3 показаны нагрузочные прямые
I,
II,
III для различных напряжений сети.
Участок
AB соответствует обратной характеристике, когда к аноду тиристора приложено отрицательное
напряжение относительно катода. При разомкнутой цепи управления или отсутствии в ней тока (
Iу=0) обратная характеристика тиристора аналогична обратной ВАХ полупроводникового диода. В
рабочем диапазоне напряжений
Uзс от 0 до максимального рабочего, называемого обратным повторяющимся напряжением
Uповт, обр
max, через прибор протекает очень малый, порядка долей миллиампера, ток (рабочая точка 1).
Прямая ветвь тиристора изображена в первом квадранте системы координат. Она соответствует
такой полярности напряжения, когда к аноду приложено положительное относительно катода
напряжение.
На отрезке
BC вплоть до напряжения переключения
Uповт. пр мах тиристор с нулевым управляющим током закрыт и ток через него не превышает 5-15 мА
(рабочая точка 2). Переход в открытое состояние ( в рабочую точку 3 на участке
DE) возможен двумя способами. Первый способ – повышение напряжения на тиристоре, так что
рабочая точка доходит до точки
С. В этом случае рабочая точка скачкообразно переходит на участок
DE. Такой режим включения тиристора применяется редко. Традиционным способом открытия
тиристора является подача управляющего тока. В результате кривая
BCD на ВАХ спрямляется, и рабочая точка также попадает на участок
DE, соответствующий открытому состоянию тиристора. Семейство вольт-амперных характеристик
при разных управляющих токах показывает, что при различных напряжениях на тиристоре требуется
подача различных токов управления для включения тиристора: малые управляющие токи при
больших напряжениях и большие токи при малых напряжениях. При управляющем токе, равном
Iуз, прямая ветвь ВАХ тиристора также совпадает с ВАХ полупроводникового диода.
Отметим, что участок
DC характеризует неустойчивое состояние тиристора. Эта область носит название участка с
отрицательным электрическим сопротивлением. Из него тиристор всегда переходит в открытое
состояние с низким электрическим сопротивлением (на участок
DE).
Рабочий участок
DE соответствует открытому состоянию симистора и характеризуется малым падением напряжения
на приборе
Uос при большом токе
Ioс. Эта область характеристики аналогична прямой ветви характеристики полупроводникового
диода. Напряжение
Uос, в зависимости от свойств полупроводниковой структуры, равно 1-2 В и слабо зависит от
величины протекающего тока
Ioс. На переходе тиристора выделяется мощность, которую можно оценить величиной (1…2)х
Ioс. После падения тока, проходящего через тиристор, ниже значения тока удержания
Iу тиристор закрывается.
Собственно в этом и заключается самое полезное свойство тиристора, симистора и других
приборов с отрицательным обратным сопротивлением: переключенные в состояние с малым
сопротивлением, они остаются в этом состоянии сколь угодно долго, даже после снятия
управляющего сигнала, вплоть до падения тока нагрузки ниже тока удержания. Это позволяет
управлять симисторами и тиристорами короткими импульсами управляющего напряжения.
Вольт-амперная характеристика симистора очень похожа на ВАХ тиристора, но поскольку, для
симистора не существует прямого и обратного направления включения, то кривая симметрична
относительно центра координат. Каждая из половин этой кривой напоминает кривую включения
тиристора в прямом направлении.
Одним из факторов, делающих симистор более удачным устройством для коммутации
переменного тока, чем тиристор, является то, что прибор имеет одинаковые свойства при протекании
по нему тока в любом из направлений. Как и тиристор, симистор выключается при токе через него,
стремящемся к 0. Это снижает индукционные и другие наведѐнные токи и помехи в сети,
вызываемые отключением питания при высоком напряжении.

2.4.3 Режимы работы тиристора


ВАХ тиристора (с управляющими электродами или без них) приведена на рис 2.

Рис. 2. Вольтамперная характеристика тиристора

Она имеет несколько участков:


 Между точками 0 и 1 находится участок, соответствующий высокому сопротивлению
прибора — прямое запирание.
 В точке 1 происходит включение тиристора.
 Между точками 1 и 2 находится участок с отрицательным сопротивлением.
 Участок между точками 2 и 3 соответствует открытому состоянию (прямой проводимости).
 В точке 2 через прибор протекает минимальный удерживающий ток Ih.
 Участок между 0 и 4 описывает режим обратного запирания прибора.
 Участок между 4 и 5 — режим обратного пробоя.

Режим обратного запирания


Рис. 3. Режим обратного запирания тиристора

Два основных фактора ограничивают режим обратного пробоя и прямого пробоя:


 Лавинный пробой.
 Прокол обеднѐнной области.

В режиме обратного запирания к аноду прибора приложено напряжение, отрицательное по


отношению к катоду; переходы J1 и J3 смещены в обратном направлении, а переход J2 смещѐн в
прямом (см. рис. 3). В этом случае большая часть приложенного напряжения падает на одном из
переходов J1 или J3 (в зависимости от степени легирования различных областей). Пусть это будет
переход J1. В зависимости от толщины Wn1 слоя n1 пробой вызывается лавинным умножением
(толщина обеднѐнной области при пробое меньше Wn1) либо проколом (обеднѐнный слой
распространяется на всю область n1, и происходит смыкание переходов J1 и J2).

Режим прямого запирания

При прямом запирании напряжение на аноде положительно по отношению к катоду и обратно


смещѐн только переход J2. Переходы J1 и J3 смещены в прямом направлении. Большая часть
приложенного напряжения падает на переходе J2. Через переходы J1 и J3 в области, примыкающие к
переходу J2, инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода J2,
увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нѐм.
При повышении прямого напряжения ток через тиристор сначала растѐт медленно, что
соответствует участку 0-1 на ВАХ. В этом режиме тиристор можно считать запертым, так как
сопротивление перехода J2 всѐ ещѐ очень велико. По мере увеличения напряжения на тиристоре
снижается доля напряжения, падающего на J2, и быстрее возрастают напряжения на J1 и J3, что
вызывает дальнейшее увеличение тока через тиристор и усиление инжекции неосновных носителей в
область J2. При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен вольт), называется
напряжением переключения VBF (точка 1 на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер,
тиристор переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нѐм устанавливается
ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи.

Режим прямой проводимости

Когда тиристор находится во включенном состоянии, все три перехода смещены в прямом
направлении. Дырки инжектируются из области p1, а электроны — из области n2, и структура n1-p2-
n2 ведѐт себя аналогично насыщенному транзистору с удалѐнным диодным контактом к области n1.
Следовательно, прибор в целом аналогичен p-i-n (p+-i-n+)-диоду.

2.4.4 Принцип отпирания тиристора с помощью управляющего электрода

Эквивалентное представление структуры р-n-p-n в виде двух транзисторов показано на рис. 3.

Рис.3. Разбиение тиристора на два транзистора


Представление тиристора в виде двух транзисторов разного типа проводимости приводит к
эквивалентной схеме, представленной на рис. 1.4. Она наглядно объясняет явление отпирания
тиристора.

Рис.4. Представление тиристора в виде двухтранзисторной схемы

Зададим ток IGT через управляющий электрод тиристора, смещенного в прямом направлении
(напряжение VAK положительное), как показано на рис. 4.
Так как ток IGT становится базовым током транзистора n-p-n, то ток коллектора этого транзистора
равен B1xIGT, где B1 - коэффициент усиления по току транзистора Т1.
Этот ток одновременно является базовым током транзистора р-n-р, что приводит к его отпиранию.
Ток коллектора транзистора Т2 составляет величину B1xB2xIGT и суммируется с током IGT, что
поддерживает транзистор Т1 в открытом состоянии. Поэтому, если управляющий ток IGT достаточно
велик, оба транзистора переходят в режим насыщения.
Цепь внутренней обратной связи сохраняет проводимость тиристора даже в случае исчезновения
первоначального тока управляющего электрода IGT, при этом ток анода (1А ) остается достаточно
высоким.
Типовая схема запуска тиристора приведена на рис. 5
.

Рис.5. Типичная схема запуска тиристора

2.4.5 Отключение тиристора

Тиристор перейдет в закрытое состояние, если к управляющему электроду открытого тиристора не


приложен никакой сигнал, а его рабочий ток спадет до некоторого значения, называемого током
удержания (гипостатическим током).

Отключение тиристора произойдет, в частности, если была разомкнута цепь нагрузки (рис. 6а) или
напряжение, приложенное к внешней цепи, поменяло полярность (это случается в конце каждого
полупериода переменного напряжения питания).
Рис.6. Способы отключения тиристора

Когда тиристор работает при постоянном токе, отключение может быть произведено с помощью
механического выключателя.
Включенный последовательно с нагрузкой этот ключ используется для отключения рабочей цепи.
Включенный параллельно основным электродам тиристора (рис. 6б) ключ шунтирует анодный ток,
и тиристор при этом переходит в закрытое состояние. Некоторые тиристоры повторно включаются
после размыкания ключа. Это объясняется тем, что при размыкании ключа заряжается паразитная
емкость р-n перехода тиристора, вызывая помехи.
Поэтому предпочитают размещать ключ между управляющим электродом и катодом тиристора
(рис. 1.6в), что гарантирует правильное отключение посредством отсечения удерживающего тока.
Одновременно смещается в обратном направлении переход р-n, соответствующий диоду D2 из
схемы замещения тиристора тремя диодами (рис. 2).
На рис. 6а-д представлены различные варианты схем отключения тиристора, среди них и ранее
упоминавшиеся. Другие, как правило, применяются, когда требуется отключать тиристор с помощью
дополнительной цепи. В этих случаях механический выключатель можно заменить вспомогательным
тиристором или ключевым транзистором, как показано на рис. 7.

Рис.7. Классические схемы отключения тиристора с помощью дополнительной цепи

2.4.6 Симистор

Симиcmop - полупроводниковый прибор, который широко используется в системах, питающихся


переменным напряжением. Упрощенно он может рассматриваться как управляемый выключатель. В
закрытом состоянии он ведет себя как разомкнутый выключатель. Напротив, подача управляющего
тока на управляющий электрод симис-тора ведет к переходу его в проводящее состояние. В это
время симистор подобен замкнутому выключателю.

При отсутствии управляющего тока симистор во время любого полупериода переменного


напряжения питания неизбежно переходит из состояния проводимости в закрытое состояние.

Кроме работы в релейном режиме в термостате или светочувствительном выключателе,


разработаны и широко используются системы регулирования, функционирующие по принципу
фазового управления напряжением нагрузки, или, другими словами, плавные регуляторы.

Структура симистора

Симистор можно представить двумя тиристорами, включенными встречно-параллельно. Он


пропускает ток в обоих направлениях. Структура этого полупроводникового прибора показана на
рис. 8. Симистор имеет три электрода: один управляющий и два основных для пропускания рабочего
тока.

Рис.8. Структура симистора

Функционирование симистора

Симистор открывается, если через управляющий электрод проходит отпирающий ток или если
напряжение между его электродами А1 и А2 превышает некоторую максимальную величину (на
самом деле это часто приводит к несанкционированным срабатываниям симистора, происходящим
при максимуме амплитуды напряжения питания).

Симистор переходит в закрытое состояние после изменения полярности между его выводами А1 и
А2 или если значение рабочего тока меньше тока удержания Iу.

Отпирание симистора

В режиме переменного питания смена состояний симистора вызывается изменением полярности


напряжения на рабочих электродах А1 и А2. Поэтому в зависимости от полярности управляющего
тока можно определить четыре варианта управления симистором, как показано на рис. 9.

Каждый квадрант соответствует одному способу открывания симистора. Все способы кратко
описаны в табл. 1.
Рис.9. Четыре возможных варианта управления симистором

Таблица 1. Упрощенное представление способов открывания симистора

Квадрант VA2-A1 VG-A1 IGT Обозначение

I >0 >0 Слабый ++

II >0 <0 Средний + -

III <0 <0 Средний - -

IV <0 >0 Высокий - +

Например, если между рабочими электродами симистора прикладывают напряжение VA1-A2>0 и


напряжение на управляющем электроде отрицательно по отношению к аноду А1, то смещение
симистора соответствует квадранту II и упрощенному обозначению + -.
Для каждого квадранта определены отпирающий ток I от (IGT), удерживающий ток Iуд(Iн) и ток
включения Iвыкл(IL).
Отпирающий ток должен сохраняться до тех пор, пока рабочий ток не превысит в два-три раза
величину удерживающего тока Iн. Этот минимальный отпирающий ток и является током включения
симистора IL.
Затем, если убрать ток через управляющий электрод, симистор останется в проводящем состоянии
до тех пор, пока анодный ток будет превышать ток удержания Iн.

2.5 Схемы выпрямителей с активной нагрузкой

2.5.1 Однополупериодная схема выпрямителя

Схема однополупериодного выпрямителя с активной нагрузкой приведена на рис.1.1а,


временные диаграммы, поясняющие принцип действия – на рис1.1б.
При синусоидальном напряжении сети э.д.с. вторичной обмотки трансформатора также
изменяется по синусоидальному закону:

e2(t) = E2m sinωt.

Дальнейший анализ схемы проводится в предположении, что диод имеет идеальную


характеристику (напряжение отсечки Ео = 0), что практически имеет место при Е2m >> Е0.

e
I1 I2 VD u, i
Tp

I0 Uo iH

U1 U0
RH I0
 2

i
а)

б)

Рис.1.1 Однополупериодная схема выпрямителя с активной нагрузкой (а)

и временные диаграммы ее работы (б)

В положительный полупериод (0  t  ) диод включен в прямом направлении и в цепи


вторичной обмотки трансформатора протекает ток:

E 2m sint
i2(ωt) = iн(ωt) = = I2m sinωt,
rтр  Rі  R H

где rтр - сопротивление трансформатора, приведенное ко вторичной обмотке;

Ri - прямое сопротивление диода.

Напряжение на нагрузке равно (рис.1.1б):

E 2m sint
uн(ωt) = iн(ωt) · RН = · RН .
rтр  Rі  R H

В отрицательный полупериод (  t  2) диод включен в обратном направлении и ток


вторичной обмотки трансформатора практически равен нулю. Напряжение на нагрузке также равно
нулю. Таким образом, напряжение и ток в нагрузке постоянны по направлению, но переменные по
величине. Основными характеристиками в цепях постоянного тока являются средние значения
напряжения U0 и тока I0.

2 2
1 1 E 2m sint
U0 =
2 0 u н( t )d ( t ) = 2 r
0 тр  Rі  R Н
 R Н  d ( t ) =
E2m RН
 ;
 rтр  Rі  R Н

U0 E 2m
I0 = 
R Н   ( rтр  Rі  R Н )

По отношению к нагрузке выпрямитель можно представить активным двухполюсником


(рис.1.2), параметры которого определяются по теореме об эквивалентном генераторе:

E 2m 2  E2
U0 xx =  = 0,45E2,
 
Rвн = rтр+Ri

Рис.1.2 Эквивалентная схема выпрямителя

При необходимости учитывать напряжение отсечки диода Е0 (для Е2m < 3B) напряжение на
нагрузке равно :

U Oxx  E0
 RH .
U0 =
Rвх  RH
Параметры трансформатора определяются через действующие значения напряжений и токов
вторичной (U2, I2) и первичной (U1, I1) обмоток:

2
1 1  E2m sintt  I
  i 2 ( t )  d ( t ) =   rтр  Rі  RH  d ( t ) = 2 m ,
2
I2 = 
2 2   2

или

E 2m sint
I2 = = 1,57I0 .
2(rтр  Rі  RH )

В однополупериодной схеме выпрямителя ток вторичной обмотки трансформатора содержит


постоянную составляющую I0, которая не трансформируется в первичную обмотку. Форма тока
первичной обмотки показана на рис.1.1б, аналитическое выражение тока i1(t) имеет вид:

 1
 K i 2 ( t )  I 0 ,0  t   ;
 T
i1(ωt) = 
 I 0 ,0  t  2 .
 K T
Действующее значение тока первичной обмотки трансформатора определяется аналогично
I2 :

1

i ( t )  I0   d ( t )  1   I0   d ( t ) 1,21I 0
 2
2  2

2 0 KT2
I1 = = .
2 0 KT2 KT
Мощность вторичной обмотки трансформатора:

U0
P2 = E2·I2 = ·1,57 I0 = 3,5 U0 I0 = 3,5P0.
0 ,45
Мощность первичной обмотки трансформатора:

U0 1,21I 0
P1 = U1·I1 = ·KT·I0 = 2,7 U0 I0 = 2,7 P0.
0 ,45 KT
Габаритная мощность трансформатора:

P1  P2
P габ = = 3,1 Р0.
2
Качество выпрямленного напряжения характеризуется коэффициентом пульсаций –
отношением амплитуды первой гармоники напряжения на нагрузке к его среднему значению:

U m( 1 )
KП  ,
UO

2 
1 1 E 2m sint
  u н ( t )  sin t  d ( t ) 
 0 rтр  Rі  R H
U (1)
  R H  sint  d ( t ) = 1,57 U0,

m
0

KП = 1,57  157%.
Диод для работы в схеме выпрямителя выбирается по среднему току и максимальному
обратному напряжению. Для однополупериодной схемы эти величины равны:
Iпр доп > I0,
Uобр мах > U2m.
Из-за низких энергетических и качественных показателей однополупериодная схема с
активной нагрузкой используется очень редко.

2.5.2 Двухполупериодные схемы выпрямителей

В двухполупериодных схемах выпрямителей энергетические и качественные показатели


значительно выше, чем в однополупериодной. Схема двухполупериодного выпрямителя со
средней точкой с активной нагрузкой приведена на рис.1.3а, временные диаграммы, поясняющие
работу схемы, - на рис.1.3б. Фактически схема представляет собой два однополупериодных
выпрямителя, работающих на общую нагрузку.
Рис.1.3 Двухполупериодная схема выпрямителя со средней точкой (а)
и временные диаграммы ее работы (б).

Вторичная обмотка трансформатора имеет отвод от средней точки. Напряжения на каждой


половинке обмотки равны по величине и противоположны по фазе (относительно средней точки):
e2' (ωt) = E2m sin ωt,

e2'' (ωt) = E2m sin (ωt+).

Вследствие этого в положительный полупериод диод VD1 открыт, а VD2 закрыт, и процессы
в схеме полностью идентичны процессам в однополупериодной схеме. В отрицательный
полупериод диод VD1 закрыт, а открыт диод VD2, и через нагрузку протекает такой же ток, как и
в положительный полупериод (рис.1.2б). Таким образом ток и напряжение на нагрузке существует
в течение всего периода и в течение каждого полупериода описываются выражениями:

E 2m sint
iн(ωt) = ,
rтр  Rі  RH

E 2m sint
uн (ωt) =  RH .
rтр  Rі  R H

Ток в каждой половинке вторичной обмотки трансформатора существует в течение


полупериода и направлен от средней точки. Постоянные составляющие этих токов направлены во
вторичной обмотке в противоположные стороны, и результирующее постоянное подмагничивание
сердечника трансформатора равно нулю, поэтому ток первичной обмотки трансформатора в
двухполупериодной схеме имеет синусоидальную форму.
Параметры выпрямителя со средней точкой определяются по той же методике, что и для
однополупериодного выпрямителя.
Среднее значение напряжения на нагрузке U0 в два раза больше, чем в однополупериодной
схеме (поскольку площадь, занимаемая функцией uн(t) увеличилась вдвое):

1 2  E 2m RH
UО  2   u н ( t )  d ( t )   .
2  0  rтр  Rі  R H

Среднее значение тока нагрузки:


U0
I0 = .

Среднее значение тока каждого диода в отдельности в два раза меньше тока нагрузки:

I0
I0в = .
2
При представлении схемы со средней точкой активным двухполюсником (рис.1.2)
напряжение холостого хода равно:
UО xx = 0,9 E2,
остальные параметры активного двухполюсника такие же, как и для однополупериодного
выпрямителя.
Ток вторичной обмотки трансформатора (каждой половины) совпадает с формой тока диода,
поэтому действующее значение тока, как и в однополупериодной схеме, равно:

1

I 2m
  iв ( t )  d ( t ) =
2
I2 = .
2 0 2

Но поскольку при одинаковой величине I2m среднее значение тока I0 в два раза больше, чем в
однополупериодной, то:
I2 = 0,785 I0.
Действующее значение тока первичной обмотки трансформатора обусловлено действием
токов обеих половин вторичной обмотки, поэтому:

I 22 I2 1,11I 0
I1  2   2 .
K T2 KT KT

Мощность вторичной обмотки трансформатора:

U0
P2 = 2 E2·I2 = 2 · 0,785 I0 = 1,74 P0.
0 ,9
Мощность первичной обмотки трансформатора:

1,11I 0
P1 = U1·I1 = U2 ·KT·I0 = 1,23 P0.
KT

Габаритная мощность трансформатора:

P1  P2
P габ = = 1,49 Р0.
2
Частота основной гармоники напряжения на нагрузке в два раза больше частоты сети.
Поэтому амплитуда основной гармоники равна:
2
1
U (1)
   uн ( t )  sin 2t  d ( t ) = 0,67 U0.

m
0

Коэффициент пульсации напряжения на нагрузке:

U m( 1 )
KП   0 ,67  67% .
U0

В схеме со средней точкой максимальное обратное напряжение диода должно быть больше
2Е2m, поскольку при открытом диоде VD1 к диоду VD2 приложено напряжение обеих половин
вторичной обмотки трансформатора.
Недостатком схемы со средней точкой является плохое использование трансформатора,
следствием чего является необходимость увеличения размеров сердечника трансформатора.
Этот недостаток устраняется в двухполупериодной мостовой схеме выпрямителя (рис.1.4а).
Временные диаграммы, поясняющие особенности работы схемы, приведены на рис.1.4б.

u, i e

Tp iн
VD4 VD1
U1 U0
I0 D1,3 D2,4 D1,3
 2
VD3 VD2

RH i
а)

б)

Рис.1.4. Мостовая схема выпрямителя с активной нагрузкой (а)


и временные диаграммы ее работы (б).
В положительный полупериод напряжения на вторичной обмотке трансформатора открыты
диоды VD1 и VD3, ток протекает через вторичную обмотку трансформатора, диод VD1, нагрузку
и диод VD3. Диоды VD2 и VD4 закрыты. В отрицательный полупериод, наоборот, открыты диоды
VD2 и VD4, а VD1 и VD3 закрыты. Ток проходит через вторичную обмотку, диод VD2, нагрузку и
диод VD4, причем в нагрузке направление тока не меняется, а во вторичной обмотке меняется на
противоположное (рис.1.4б).
В течение каждого полупериода ток и напряжение на нагрузке равны:

E 2m sint
iн(ωt) = ,
rтр  2 Rі  R H

E 2m sintt
uн(ωt) = · RН .
rтр  2 Rі  R H

Отличие от этих выражений от соответствующих выражений для схемы со средней точкой


заключается в том, что в мостовой схеме в одном плече включены последовательно два диода, что
немного уменьшает амплитуду напряжения на нагрузке. Выражение для среднего значения тока
нагрузки, тока диода и напряжения холостого хода совпадают с приведенными выше для схемы со
средней точкой:
2 E 2m RH
U0   ; U0xx = 0,9E2.
 rтр  Rі  R H

U0 I0
I0 = ; I0в = .
RH 2

Ток вторичной обмотки трансформатора в мостовой схеме существует в течение всего


периода, поэтому действующее значение этого тока равно:
Im
I2m  ,
2

а соотношение между током I2 и током нагрузки I0 принимает вид:


I2 = 1,11 I0.
Ток первичной обмотки трансформатора равен:

I2 1,11I 0
I1   .
KT KT

Поэтому мощность первичной и вторичной обмоток трансформатора равны между собой:

U0
P2 = U2·I2 = ·1,11 I0 = 1,23 P0,
0 ,9

I2
P1 = U1·I1 = U2 ·KT· = 1,23 P0,
KT

Ргаб = 1,23 Р0.


Коэффициент пульсации напряжения на нагрузке такой же, как и для схемы со средней
точкой:
КП = 0,67  67%.
Максимальное напряжение, действующее на закрытый диод, равно E2m, поэтому Uобр max >
Е2m.
По энергетическим показателям мостовая схема имеет наилучшие параметры, что и
определило ее широкое распространение.
Из-за большого коэффициента пульсаций выпрямленного напряжения выпрямители с активной
нагрузкой для питания электронной аппаратуры не применяются. Для получения выпрямленного
напряжения соответствующего качества нагрузке придают реактивный характер сопротивления:
емкостной или индуктивный. При этом процессы, протекающие в схеме выпрямителя, существенно
изменяются.

2.5.3 Трѐхфазные выпрямители


Трѐхфазные выпрямители применяются в том случае, если мощность нагрузки превышает 10
kW. Обычной нагрузкой выпрямителя являются обмотки двигателей. Применение трѐхфазных
выпрямителей позволяет уменьшить габариты сглаживающих фильтров за счѐт снижения
коэффициента пульсаций выпрямителя и повышения частоты основной гармоники. В трѐхфазном
выпрямителе лучше соотношение между средневыпрямленным и выпрямленным напряжением на
обмотках.

Трѐхфазный выпрямитель с нулевым выводом.

Рассмотрим процессы, происходящие в выпрямителе


и покажем их на осциллограммах:

За период работы схемы каждый из диодов переключается один раз, поэтому время работы
2
каждого диода равно . В текущий момент будет открыт один из диодов, фазное напряжение на
3
котором будет более положительным в сравнении с остальными. При этом считается, что
переключение диода происходит мгновенно. Значит диод VD1 будет открыт в промежуток времени
[1;2] и [4;5] (т.к. в этот момент фазное напряжение Ua более положительно, чем Ub и Uc), VD2
будет открыт во время [2;3] и [5;6]. VD3 – в моменты времени [0;1] и [3;4].

Форма тока, протекающего через диод и вторичную обмотку


трансформатора имеет импульсный характер. Постоянная составляющая
Id
тока, протекающего через диоды равна . За счѐт этого возникает
3
вынужденное подмагничивание трансформатора, что приводит к его
насыщению и искажению сигнала. Данный недостаток устраняется
применением мостовой схемы или применением соединения «звезда-
зигзаг»:
На форму тока первичной обмотки трансформатора влияет не только ток, протекающий по
данной вторичной обмотке, но и токи, протекающие по двум другим обмоткам.
Напряжение на нагрузке – огибающая фазный напряжений. Обратное напряжение на диоде
представляет собой линейное напряжение, т.к. закрытый диод подключѐн к разности фазный

напряжений. Например VD1 в момент времени [2;3] подключѐн к линейному напряжению Uab, а в
момент [3;4] – к линейному напряжению Uac.

Перечислим основные характеристики выпрямителя:

1. Средневыпрямленное напряжение на нагрузке Ud:

2

1 6 3
Ud   U 2ф max cos d  U 2ф max sin  3 
2 2  2 
 3
3 6
3 3 3 6
 U 2ф max  U2
2 2
Ud=1.17U2.

2. Коэффициент пульсаций: Kп=0.25


3. Частота основной гармоники: fн1=3fсети
I
4. Средний ток через диод: d
3
5. Максимальное обратное напряжение на диоде:
Uобр max  U 2 л max  3U 2ф max  6U 2

Мостовой трѐхфазный выпрямитель.

Работу этого выпрямителя рассмотрим на чисто индуктивную нагрузку. Допустим также, что
диоды переключаются мгновенно.
Схема мостового выпрямителя представляет собой комбинацию двух схем с нулевым
выводом. За период работы схемы происходит переключение каждого из шести диодов. Диоды
мостовой схемы скомбинированы в две группы: анодную и катодную. Из катодных диодов будет
открыт тот диод, на аноде которого будет более отрицательное фазное напряжение.

Представим временные диаграммы выпрямителя:

Форма тока первичной обмотки трансформатора i1a с точностью до коэффициента


трансформации n повторяет i2a.
Опишем работу выпрямителя:

Интервал проводимости VD1 – [1;3] и [7;9]. Т.к. индуктивность Lн и препятствует


изменению тока в нагрузке, то на нагрузке форма тока – прямая, а через диод – прямоугольная.
2
Период работы диода равен . Диод VD1 в промежутке [1;2] работает совместно с диодом VD6
3
из анодной группы, а в промежуток [2;3] – с диодом VD2.
Через вторичную обмотку трансформатора протекает ток, равный разности токов диодов
катодной и анодной групп. Поэтому отсутствует постоянная составляющая в токе трансформатора и
он не испытывает вынужденного подмагничивания. Это является достоинством данной схемы
выпрямления.
Закрытый диод подвергается воздействию разности фазных напряжений (т.е. линейного
напряжения), поэтому форма кривой обратного напряжения совпадает с формой кривой
выпрямителя с нулевым выводом.

Запишем основные характеристики выпрямителя:

1. Средневыпрямленное напряжение на нагрузке Ud:



1 6 3 3 6
Ud   U 2 л max cos d  U 2 л max sin  6  U2
    
 6
3 6

Ud=2.34U2.
2. Коэффициент пульсаций: Kп=0.057
3. Частота основной гармоники: fн1=6fсети
I
4. Средний ток через диод: d
3
5. Максимальное обратное напряжение на диоде: U обр max 6U 2
\\

2.6 Выпрямители с активно-реактивной нагрузкой

2.6.1 Однополупериодный выпрямитель с ѐмкостной нагрузкой


Для придания нагрузке емкостного характера параллельно ей подключается конденсатор
достаточно большой емкости (рис.1.5а). Временные диаграммы, поясняющие процессы,
протекающие в схеме, показаны на рис.1.5б.

Заряженный конденсатор (полярность указана на рисунке) эквивалентен источнику


напряжения. Поэтому состояние диода определяется алгебраической суммой напряжений на
вторичной обмотке трансформатора и напряжения на конденсаторе:

UД = E2m sin t – Uc(t).

u, i e
Uн Uc' '
VD U0 Uc

Tp iн Uc'
I0
C t1 t2
U1  2
RH 

i
i1

а)
-I0
б)

Рис.1.5. Однополупериодная схема выпрямителя с активно-емкостной нагрузкой (а)

и временные диаграммы ее работы (б).

Пока UД  0, диод закрыт, и конденсатор С разряжается на нагрузку с постоянной


времени р = С*RН. Напряжение на нагрузке уменьшается по экспоненциальному закону. В
момент времени t1 UД становится больше нуля, диод открывается, конденсатор С начинает
заряжаться с постоянной времени = (rтр + Ri)C, напряжение на нагрузке повышается.
Через диод протекает ток заряда конденсатора и ток нагрузки. Заряд продолжается до
момента времени t2, когда при UД = 0 диод опять закрывается, и конденсатор вновь начнет
разряжаться на сопротивление нагрузки. Таким образом, напряжение на нагрузке в течение
всего периода значительно больше нуля, а изменение напряжения UСmax – UСmin, каждое
характеризует пульсации выпрямительного напряжения, значительно меньше, чем при
работе выпрямителя на активную нагрузку. Ток диода и вторичной обмотки трансформатора
существует в течение времени, меньшего, чем половина периода напряжения сети. Половину
длительности импульса тока в радианной мере называют углом отсечки :

t 2  t1
 .
2
Ток диода является несинусоидальной периодической функцией времени и является
суммой тока нагрузки и зарядного тока конденсатора. Постоянная составляющая тока диода
является средним значением тока нагрузки I0, а переменная составляющая замыкается через
конденсатор С, сопротивление которого для основной гармоники тока диода значительно
меньше сопротивления нагрузки. Как и в схеме с активной нагрузкой, ток вторичной
обмотки трансформатора содержит постоянную составляющую, которая не
трансформируется в первичную. Форма тока первичной обмотки трансформатора показана
на рис.1.5б.
При уменьшении сопротивления нагрузки конденсатор при закрытом диоде
разряжается быстрее, а заряжается с прежней постоянной времени, поэтому среднее
значение напряжение на нагрузке уменьшается, угол отсечки увеличивается, пульсации
напряжения увеличиваются (пунктирная линия UС на рис.1.5б). При увеличении
сопротивления нагрузки, наоборот, среднее значение напряжение на нагрузке увеличивается
и в пределе при RН   конденсатор заряжается до амплитудного значения напряжения
вторичной обмотки трансформатора. Угол отсечки при этом стремится к нулю, пульсации
напряжения уменьшаются. Таким образом, напряжение на нагрузке зависит от
сопротивления нагрузки и может изменяться в пределах от 0 до E2m.
В однополупериодной схеме выпрямителя с активно-емкостной нагрузкой допустимое
значение тока диода должно быть больше тока нагрузки, а обратное напряжение должно
удовлетворять условию:
Uобр max > 2 E2m.

2.6.2 Двухполупериодные схемы выпрямителей с активно-емкостной

Двухполупериодные схемы выпрямителей с активно-емкостной нагрузкой показаны на


рис.1.6а,б, временные диаграммы, которые практически одинаковы для обоих схем – со
средней точкой и мостовой – на рис.1.6в.

Рис.1.6. Двухполупериодные схемы с активно-емкостной нагрузкой (а, б)


и временные диаграммы их работы (в).
В двухполупериодных схемах с активно-емкостной нагрузкой процессы протекают так
же, как и в однополупериодной схеме за исключением того, что заряд конденсатора С
осуществляется два раза за период напряжения сети: один раз через диод VD1 (VD1 и VD3 для
мостовой схемы) в положительный полупериод, второй раз через диод VD2 (VD2 и VD4) в
отрицательный. За счет этого среднее значение напряжения на нагрузке по сравнению с
однополупериодной схемой увеличивается лишь на (1520)%, величина напряжения также
зависит от сопротивления нагрузки и также может изменяться в пределах от 0 до E2m.
Пульсации напряжения уменьшаются, частота пульсаций равна удвоенной частоте сети. Во
вторичной обмотке трансформатора в обеих схемах отсутствует постоянное подмагничивание,
поэтому ток первичной обмотки трансформатора имеет форму, показанную на рис.1.6в.
Каждый диод в двухполупериодной схеме обеспечивает среднее значение тока нагрузки
за половину периода, поэтому

I0
Iпр доп > ,
2
а обратное напряжение диода для схемы со средней точкой должно быть больше 2*E2m , для
мостовой – больше E2m.
Поскольку в выпрямителях с активно-емкостной нагрузкой среднее значение напряжения
на нагрузке зависит от сопротивления нагрузки, то расчет выпрямителей производится для
конкретного значения сопротивления нагрузки.

2.6.3. Расчетные соотношения для выпрямителей с активно- емкостной


нагрузкой

Для получения удобных для применения на практике соотношений при анализе


выпрямителей с активно-емкостной нагрузкой приняты следующие допущения и упрощения:
-диод будем считать идеальным (Е0 = 0; Iобр = 0);

-конденсатор С имеет достаточно большую ѐмкость, так что напряжение на нем постоянно и
равно U0;

-напряжение на вторичной обмотке трансформатора изменяется по закону косинуса:

e2 t   E2 m cos t .
С учетом этого эквивалентная схема для проводящего состояния диода имеет вид,
показанный на рис.1.7а (заряженный конденсатор по теореме компенсации заменен источником
напряжения U0).

График тока в цепи показан на рис.1.7б.

Согласно закону Ома:

e2 t   U 0 E cos t  U 0
iд t    2m .
rтр  Ri rтр  Ri

Это выражение справедливо при i 2 t   0 , что имеет место при


U0
   t   , где   arccos .
E 2m

Рис. 1.7.Схема замещения выпрямителя для проводящего состояния диода (а) и график тока диода
(б)

Среднее значение тока диода для однополупериодной схемы является током нагрузки, для
двухполупериодной – половиной тока нагрузки. Для получения общей формулы введѐм
коэффициент р - число зарядных импульсов конденсатора С за период напряжения сети. Для
однополупериодной схемы р = 1, для двухполупериодной р = 2.

2 
1 p E2 m cos t  U 0
I0 
2 0 iд t dt  2 
 rтр  Ri
dt .

Согласно рис.1.7б E 2 m cos   U 0 . Обозначим rтр  Ri  R - сопротивление,


ограничивающее заряд конденсатора С. С учетом этих обозначений:

E2m  p  U0  p U0  p
   
2  R 
IO  cos t  cos  dt   2 sin   2 cos    ( tg   )
2  R  cos   R

Выражение tg   определяется через параметры выпрямителя и называется первым


расчетным параметром выпрямителя А:

  R  I0  R
A  tg     .
U0  p p  RH

Так как уравнение A  tg   не решается, то определение угла отсечки  производится


по графической зависимости A  .

Из выражения E 2m cos   U 0 можно определить действующее значение напряжения на


вторичной обмотке трансформатора Е2 (в режиме холостого хода):
U0 1
E2   U0  B , где B  .
2  cos  2  cos 
Для определения мощности силового трансформатора необходимо определить действующее
значение тока вторичной обмотки трансформатора. Вначале определим действующее значение тока
диода или действующее значение тока за половину периода:

2  2
1 1  E 2 m cos t  U 0 
i ( t )dt     dt .
2
IB 
2 2
д
0
R 

U0   R  I0
E 2m  U0 
ptg   
После подстановок и и выполнения интегрирования
cos 
получим:

I0   1  0 ,5 cos 2   0 ,75 sin 2  I 0


IB     D , где D является функцией
p sin    cos  p
угла отсечки  .

Для однополупериодной схемы и схемы со средней точкой ток вторичной обмотки


трансформатора и ток диода совпадают по форме, поэтому для этих схем I2 = IВ. Для мостовой схемы
выпрямителя через вторичную обмотку протекают токи обеих пар диодов, поэтому:

2 2 I0 I
I2  I B1  I B 2  I B  2   D 2  0  D.
p 2
Ток первичной обмотки трансформатора для однополупериодной схемы определяется с учетом
того, что постоянная составляющая тока вторичной обмотки не трансформируется в первичную:

Io
I1   D2  1 .
KT

Для двухполупериодных схем ток первичной обмотки равен:

Io
I1  D.
KT  2

В выпрямителях с активно-емкостной нагрузкой ток диода имеет импульсный характер.


Вследствие достаточно большой длительности импульса амплитудное значение тока диода не
должно превышать допустимое прямое значение тока более чем в 4-5 раз. Поэтому в выпрямителях с
активно-емкостной нагрузкой необходимо проверять выполнение этого условия.

E2 m  U 0
I Д max  ,
R
и с учетом аналогичных подстановок получим:
I 0  1  cos   I
I Д max    0 F,
p sin    cos  p

где F является функцией угла отсечки  .

В реальных условиях конденсатор С имеет конечную ѐмкость, т.е. конкретное значение


сопротивления конденсатора основной гармонике напряжения на конденсаторе. Падение напряжения
на этом сопротивлении определяет пульсации выходного напряжения выпрямителя.


1 1 E 2 m cos t  E0
1
pC  
 cos ptdt .
(1) (1)
Um  Im   
pC R

После подстановок и интегрирования получаем выражение:


(1) U 0 2  10 6 cos  sin p  p cos p sin  U
Um     0 H .
R  C p p  1 cos 
2
R C 
Расчетный параметр Н является функцией не только угла отсечки  , но и числа зарядных
импульсов конденсатора р , и частоты сети  .

Коэффициент пульсаций напряжения на нагрузке:


(1)
U H
KП  m  .
U0 RC

Все полученные расчетные параметры A, B, D, F, H являются функциями угла отсечки  ,


поэтому на практике приводятся зависимости параметров B, D, F, H от А: B(A), D(A), F(A), H(A;p;w)

(рис.1.8).

Рис. 1.8. Зависимости расчетных параметров выпрямителя от параметра А

 0 30 38 45 50 54 57 60 62
0.05 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
A
0.82 0.91 1.03 1.12 1.21 1.28 1.36 1.43
B
2.7 2.46 2.22 2.1 2.02 1.97 1.93 1.9
D
10 8 6.4 5.9 5.6 5.3 5.0 4.7
F
H 130 220 410 600 790 940 1100 1280
(1)

H 125 210 350 490 600 710 820 920


(2)

Вследствие зависимости параметров выпрямленного напряжения от угла отсечки 


нагрузочная характеристика выпрямителя с активно-емкостной нагрузкой не является линейной.
Общий вид нагрузочной характеристики определяется углом отсечки, поэтому целесообразно
пользоваться нагрузочной характеристикой в координатах, являющихся функциями угла отсечки  .
Эти координаты получаются из ранее полученных соотношений для выпрямителя с активно-
емкостной нагрузкой. Напряжение на нагрузке U0 равно:

U 0  E2 m  cos   cos  .
Ток нагрузки I0 равен:

sin   cos    sin   cos 


pE 2 m
I0 
R 
или:

pU 0
I 0 cos   sin   cos   ,
R
отсюда

pRH sin   cos  


cos    .
R 
sin   cos 
Зависимость cos  от выражения является обобщенной нагрузочной

характеристикой (рис.1.9). Для получения реальной нагрузочной характеристики значение ординаты
pE 2 m
умножается на E2m, а значение абсциссы умножается на сомножитель .
R

Реальная нагрузочная характеристика представляется в координатах U 0 , I 0 .


cos
1,0
0,8

0,6
0,4

0,2
0
0,04 0,08 sin -  cos

Рис. 1.9. Нагрузочная характеристика выпрямителя с активно-емкостной нагрузкой

2.6.4 Выпрямители с умножением напряжения

При больших сопротивлениях нагрузки (при малых токах) существенной разницы между
схемами выпрямителей нет – все схемы обеспечивают напряжение на нагрузке, примерно равное
E2m. Разница заключается в режиме работы и конструкции трансформатора и частоте пульсации
выпрямленного напряжения. При больших значения напряжения на нагрузке и небольшой
мощности, что характерно для больших значений сопротивления нагрузки, для улучшения
конструктивных параметров трансформатора используются выпрямители с умножением
напряжения.

Мостовая схема с удвоением напряжения (рис.1.10а) позволяет получить напряжение на


нагрузке, близкое к 2E2m.

e
Uc1
Tp
VD2 VD1
U1 U2
 2
C2 C1

RH iд2 Uc2

а)
б)

Рис. 1.10. Мостовая схема выпрямителя с удвоением напряжения (а)

и временные диаграммы ее работы (б)


В положительный полупериод напряжение на вторичной обмотке трансформатора
конденсатор С1 через диод VD1 заряжается до напряжения E2m, в отрицательный – конденсатор
С2 через диод VD2 также заряжается до напряжения E2m (полярности напряжений указаны на
рисунке). По отношению к нагрузке конденсаторы С1 и С2 включены последовательно согласно,
поэтому напряжение на нагрузке равно:

U 0  U C 1  U C 2  2 E2 m .
Временные диаграммы работы схемы показаны на рис.1.10б. Режим работы каждого диода
определяется как для однополупериодной схемы, обеспечивающей половину напряжения на
нагрузке при полном токе нагрузки. Поэтому угол отсечки тока диода определяется для р = 1 и
 U
U0  0 :
2
2  R  I 0 2R
A  tg     .
U0 RH
По полученному значению А определяют коэффициенты B, D, F, при этом р = 1.
Соответственно:
U0
E2  B  ;
2
I B  I0  D .
Поскольку трансформатор работает без постоянного подмагничивания, то ток вторичной обмотки
трансформатора равен:
I 2  I B  2  I0  D 2 .
I B max  I B  F .
Напряжение на нагрузке обеспечивается двумя последовательно включенными
конденсаторами С1 и С2. Эквивалентный по отношению к нагрузке конденсатор имеет ѐмкость:
С1  С 2 С С
С экв   1  2 ,
С1  С 2 2 2
и заряжается два раза за период напряжения сети. Поэтому коэффициент H определяется для р =
2:
H
КП  .
RC экв
Частота пульсаций равна удвоенной частоте сети.
Достоинством мостовой схемы с удвоением напряжения является уменьшение числа витков
вторичной обмотки трансформатора при увеличении тока, что предпочтительней при
конструктивном выполнении трансформатора. Мостовая схема с удвоением напряжения
применяется при мощностях нагрузки до нескольких десятков ватт.
При необходимости получения напряжений порядка сотен - тысяч вольт используют
однополупериодную схему выпрямителя с умножением напряжения (рис.1.11).
RH2

C1 C3

Tp
VD1 VD3
U1 U2
VD2 VD4

C2 RH1 C4

Рис. 1.11. Однополупериодная схема выпрямителя с умножением напряжения

В отрицательный полупериод напряжения на вторичной обмотке трансформатора


конденсатор С1 заряжается через диод VD1 до напряжения E2m. В течение определѐнного
времени это напряжение практически не изменяется, поэтому когда в положительный
полупериод напряжение достигает максимума, конденсатор С2 через диод VD2 заряжается
до напряжения 2E2m:

U C 2  E2 m  U C 1  2 E2 m .
В следующий отрицательный полупериод параллельно с подзарядом конденсатора С1
конденсатор С3 через диод VD3 заряжается до напряжения примерно 2E2m:

U C 3  E2m  U C 2  U C1  2E2m .
Аналогично в положительный полупериод параллельно с подзарядом конденсатора С2 заряжается
конденсатора С4 примерно до напряжения 2E2m:

U C 4  E2 m  U C 1  U C 3  U C 2  2 E2 m .
Таким образом, на последовательно соединенных конденсаторах С2 и С4, к которым
подключена нагрузка RН1, напряжение равно 4E2m, на конденсаторах С1 и С3, к которым может
быть подключена нагрузка RН2, напряжение равно 3E2m. Аналогичные цепочки VDn и Cn можно
подключать и далее, в верхнем ряду конденсаторов коэффициент умножения будет нечетным, в
нижнем – четным.

Рабочее напряжение каждого конденсатора и обратное напряжение каждого диода должно


быть не менее 2E2m. Хотя схема является однополупериодной (каждый эквивалентный
конденсатор – четный или нечетный – заряжается один раз за период), трансформатор работает
без постоянного подмагничивания. По мере увеличения коэффициента умножения напряжения на
каждом конденсаторе всѐ более отличается от 2E2m, и поэтому схема рациональна при
коэффициенте умножения не более 5-6.

2.7 Управляемые однофазные выпрямители


Основная часть применения управляемых выпрямителей – управление скоростью
электродвигателя. Типичной нагрузкой является RL-нагрузка (с перевесом на L). Принципиальная
схема отличается от диодных наличием тиристоров и схемы управления. Наиболее
распространѐнный способ управления – фазовый.
Рассмотрим двухполупериодный управляемый выпрямитель с фазовым способом управления.
Принципиальная схема управления имеет вид:

Рассмотрим два случая работы (ключ S замкнут и S – разомкнут).

1) Ключ разомкнут:

Временные диаграммы работы выпрямителя имеют вид:

где  – угол открытия тиристоров.

В момент времени 1 открывается тиристор VT1 и на Rн подключается напряжение U2.


Тиристор VT1 закрывается за счѐт изменения знака напряжения U2. В момент времени 2 подачей
импульса напряжения Uу2 открывается тиристор VT2 и на нагрузку подаѐтся напряжение U2.
Средневыпрямленное напряжение Ud меньше чем (Ud0 – значение средневыпрямленного напряжения
при =0). Таким образом изменяя величину  можно изменить величину Ud. Зависимость
средневыпрямленного напряжения на нагрузке от угла открытия тиристоров называется
регулировочной характеристикой.
Изобразим кривые Uн при различных углах .
Запишем выражение для Ud:

1  1 
2 2  cos   2 1  cos  
2 2
U d    U 2m sin d  
     2
1  cos 
Окончательно выражение для имеет вид: U d  U d 0
2
Графически регулировочная характеристика выглядит следующим образом:

2) Ключ S – разомкнут

Из-за присутствия индуктивности ток через нагрузку продолжает протекать и образуются



отрицательные выбросы на нагрузке. Амплитуда этих выбросов определяется величиной   .

Если Lн>>Rн, то ток практически не прерывается.

Рассмотрим процесс при Lн.


Изобразим временные диаграммы процесса:

где  – угол открытия тиристоров.

Запишем формулу регулировочной характеристики:

1 

0
  1
  
 
U d     U 2m sin d   U 2m sin d    2U 2  cos   2U 2  cos  
 
   0 

2 2
 cos   U d 0 cos 

Итак, при Lн выражение для регулировочной характеристики имеет вид:
Ud=Ud0cos .
3. Биполярные транзисторы:
3.1. Устройство и основные процесссы.

3.1.1. Устройство биполярного транзистора


Биполярным транзистором называется электронный прибор с двумя взаимодействующими p-n -
переходами и тремя или более выводами. P-n-переходы образуются тремя близко расположенными
областями с чередующимися типами электропроводности: p-n-p или n-p-n . Такие транзисторы называют
биполярными, так как их работа основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов,
так и дырок. Примерный вид структуры и обозначения на схемах биполярных транзисторов
представлены на рис.3.1,а. Жирной чертой показаны невыпрямляющие контакты выводов; на рис.3.1,б
даны обозначения n-p-n транзистора и p-n-p транзистора.

Рис. 3.1

Большинство биполярных транзисторов изготавливается на основе кремния. Чаще используется


структура n-p-n , так как в этом случае основными носителями являются электроны, а они более
подвижны чем дырки. Ниже будут рассматриваться в основном биполярные транзисторы типа n-p-n,
однако выводы в основном справедливы и для биполярных транзисторов типа p-n-р , с той лишь
разницей, что прямое и обратное напряжение у них имеют противоположный знак по сравнению с n-p-n .

Несмотря на кажущуюся симметрию структуры биполярного транзистора по отношению к базе, p - n -


переходы его несимметричны. Область эмиттера имеет более высокую концентрацию основных
носителей по сравнению с коллектором. Часто область эмиттера обозначают с плюсом: n + - эмиттер, n –
коллектор, подчеркивая тем самым более высокую концентрацию электронов в эмиттере. Эмиттер
выполняет роль поставщика основных носителей заряда к коллектору. Из-за большой концентрации
электронов эмиттер имеет высокую проводимость (или малое объемное сопротивление). База является
более высокоомной областью по сравнению с эмиттером. Основных носителей в ней – дырок – здесь
мало. Однако дырки являются неосновными носителями в областях эмиттера и коллектора.

К эмиттерно-базовому переходу обычно прикладывается относительно небольшое прямое напряжение.


Поэтому мощность, рассеиваемая в области эмиттера, сравнительно невелика, коллекторный переход
находится обычно под достаточно большим обратным напряжением, что приводит к большой мощности,
рассеиваемой в нем. Поэтому этот коллекторный переход имеет гораздо большую площадь по сравнению
с эмиттером.

По конструкции и технологии изготовления различают биполярные транзисторы сплавные,


эпитаксиально-диффузионные, планарные.

Рабочей областью транзистора является так называемая активная область кристалла, расположенная
непосредственно под эмиттерным переходом. Необходимое взаимодействие между переходами
обеспечивается малой толщиной базы, которая у современных транзисторов меньше диффузионной
длины L и не превышает нескольких микрометров. При этом ток одного перехода сильно влияет на ток
другого, и наоборот. База транзистора может быть легирована неравномерно и равномерно по своему
объему. В базе с неравномерным распределением атомов примеси (неоднородная база) образуется
внутреннее электрическое поле, приводящее к дрейфу носителей заряда и ускорению движения
носителей через базу. В однородной базе движение носителей связано только с диффузией. Поэтому
первый тип транзисторов называют дрейфовыми, а второй – бездрейфовыми. Дрейфовые транзисторы
более быстродействующие.

3.1.2. Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы

В зависимости от сочетания знаков и значений напряжений на p-n-переходах транзистора различают


следующие режимы его работы:

а) активный режим – на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный переход –


обратное;

б) режим отсечки – на оба перехода поданы обратные напряжения (транзистор заперт);

в) режим насыщения – на оба перехода поданы прямые напряжения (транзистор полностью открыт);

г) инверсный активный режим – напряжение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном –


прямое.

Режимы отсечки и насыщения характерны для работы транзистора в качестве электронного ключа;
активный режим используют при работе транзистора в усилителях. Инверсное включение используется
редко, например, в схемах двунаправленных переключателей, при этом транзисторы должны иметь
симметричные свойства в обоих направлениях.

В режиме отсечки оба перехода заперты, через них проходят незначительные обратные токи, что
эквивалентно большому сопротивлению переходов. В первом приближении можно считать, что все токи
равны нулю, а между выводами транзистора имеет место разрыв (см.рис.3.2,а).

Рис. 3.2

В режиме насыщения через оба перехода проходит большой прямой ток. В первом приближении можно
считать все выводы закороченными. Говорят, что транзистор «стягивается в точку» (рис.3.2,б).
Более сложная картина токов в транзисторе наблюдается при разных полярностях напряжений на
переходах, т.е. в активном режиме. Рис. 3.3 иллюстрирует принцип работы транзистора в активном
режиме.

Здесь показаны области p - n -переходов и потоки электронов и дырок в результате взаимодействия


переходов в активном режиме.

Рис. 3.3

Через смещенный в прямом направлении эмиттерный переход проходит достаточно большой прямой
ток, обусловленный движением основных носителей заряда (в данном случае – электронов). Электроны
пролетают через p-n-переход и инжектируются (впрыскиваются) в область базы; при этом дырки из
области базы проходят через переход в эмиттер (для них p-n-переход также смещен в прямом
направлении). Но поскольку эмиттер имеет большую концентрацию примесей, то поток электронов из
эмиттера в базу намного сильнее потока дырок из базы в эмиттер. Именно электронный поток и является
главным действующим лицом в транзисторе типа n -p-n (аналогично дырки – в транзисторе типа p-n-р).

Из-за диффузии и дрейфа (в дрейфовых транзисторах) электроны движутся в сторону коллекторного


перехода, стремясь равномерно распределиться в толще базы. Так как база имеет очень малую толщину и
малое число дырок, большинство разогнавшихся еще в эмиттере электронов не успевает
рекомбинировать в базе, они достигают коллекторного p-n-перехода, где для них, как для неосновных
носителей в области базы, обратное напряжение перехода не является барьером, и уже в коллекторе
электроны попадают под притягивающее действие приложенного внешнего напряжения, образуя во
внешней цепи коллекторный ток IК .

В результате рекомбинации части электронов с дырками базы образуется ток базы IБ, направленный в
противоположную от коллектора сторону, и коллекторный ток оказывается несколько меньше
эмиттерного. Через коллектор также течет обратный ток неосновных носителей – дырок, вызванный
обратным смещением коллекторного перехода.

3.2.1. Способы включения бипролярного транзистора

Биполярный транзистор, как управляемый прибор с тремя выводами, может быть описан двумя
семействами вольтамперных характеристик (ВАХ): семейством входных ВАХ и семейством выходных
ВАХ. Вид их определяется способом включения в схему транзистора, а именно: какой из трех выводов
является общим с источниками питания и нагрузки.
Входными ВАХ транзистора являются зависимости входного тока транзистора от входного напряжения

при заданном постоянном напряжении на выходе: выходными ВАХ являются


зависимости выходного тока от выходного напряжения при заданном постоянном входном токе (или,

реже, напряжении): .

Возможны три схемы включения (по числу выводов) биполярного транзистора: с общей базой (ОБ),
общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). На рис.3.4. представлены эти схемы включения
транзистора вместе с полярностью источников питания, причем указанная полярность обеспечивает
активный режим. Напряжения обычно отсчитываются относительно общего вывода транзистора.

Рис. 3.4.

В справочниках обычно даются семейства ВАХ транзисторов, включенных по схеме ОБ или ОЭ. Однако
основные необходимые параметры транзистора можно рассчитать для остальных схем включения, зная
их для какой-либо одной.

Отметим, что включение транзистора, например, отличным от ОБ способом, не отражает никаких новых
физических эффектов в транзисторе. Кроме того, при расчетах схем с транзисторами на компьютерах с
помощью моделирующих программ чаще всего вообще никак не учитывается способ включения.
Программы используют математические модели транзистора, являющиеся едиными для всех схем
включения. Однако, анализ характеристик и параметров различных схем включения часто облегчает
понимание принципа работы схемы и получение некоторых предварительных результатов.

3.2.2. Схема с общей базой

Как видно из рис.3.4,а для схемы ОБ входным током является ток базы iБ , входным напряжением –
напряжение uЭБ , выходным током – ток коллектора iК , а выходное напряжение uКБ .Поскольку
напряжение uЭБ отрицательно, то для удобства построения графиков ВАХ его заменяют положительным
напряжением uБЭ . На рис. 3.5 показан примерный вид входных ВАХ транзистора с ОБ.
Рис. 3.5

Входные характеристики здесь в значительной степени определяются характеристикой открытого


эмиттерного p - n -перехода, поэтому они аналогичны ВАХ диода, смещенного в прямом направлении.
Сдвиг характеристик влево при увеличении напряжения uКБ обусловлен так называемым эффектом
Эрли (эффектом модуляции толщины базы), заключающимся в том, что при увеличении обратного
напряжения uКБ коллекторный переход расширяется, причем в основном за счет базы. При этом толщина
базы как бы уменьшается, уменьшается ее сопротивление, что приводит к уменьшению падения
напряжения uБЭ при неизменном входном токе.

Модуляция толщины базы проявляется в большей степени при малых выходных напряжениях, и меньше
при больших Иногда это явление уже заканчивается при uКБ > 2 В, и входные ВАХ при больших
напряжениях сливаются в один график.

Так же, как у диода, входные ВАХ при заданных постоянных напряжениях позволяют определить
статические и дифференциальные (динамические) сопротивления :

Выходными ВАХ для схемы с ОБ являются зависимости выходного коллекторного тока от напряжения

коллектор-база при постоянных токах эмиттера . На рис. 3.6 показаны примерные графики
выходных ВАХ.
Рис. 3.6

Из рисунка видно, что ток коллектора становится равным нулю только при uКБ < 0, то есть только тогда,
когда коллекторный переход смещен в прямом направлении. При этом начинается инжекция электронов
из коллектора в базу. Эта инжекция компенсирует переход из базы в коллектор электронов эмиттера.
Данный режим называют режимом насыщения. Линии в области uКБ < 0, называются линиями
насыщения. Ток коллектора становится равным нулю при uКБ < -0,75 В. При uКБ >0 и токе эмиттера,
равном нулю, транзистор находится в режиме отсечки, который характеризуется очень малым выходным
током, равным обратному току коллектора IК0 , то есть график ВАХ, соответствующий iЭ = 0,
практически сливается с осью напряжений.

При увеличении эмиттерного тока и положительных выходных напряжениях транзистор переходит в


активный режим работы.

Ток коллектора связан с током эмиттера соотношением

где - статический коэффициент передачи тока эмиттера; он равен отношению тока коллектора к току
эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе относительно базы; IК0 – обратный ток коллектора.

Отношение малых приращений этих же токов определяет дифференциальный коэффициент передачи


эмиттерного тока

Наклон выходных характеристик численно определяет дифференциальное сопротивление коллекторного


перехода:

Природа обратного тока коллектора такая же, как и у обратного тока диода, включенного в обратном
направлении. Он протекает и тогда, когда ток эмиттера равен нулю.

Учитывая малость величины обратного тока по сравнению с коллекторным током в активном режиме,
можно считать, что ток коллектора в активном режиме прямо пропорционален току эмиттера:

При значительных эмитерных токах и напряжениях на коллекторном переходе линии ВАХ начинают
изгибаться вверх из-за намечающегося пробоя коллекторного перехода.

Так как обратный ток коллектора возрастает при увеличении температуры , то и графики выходных ВАХ
при увеличении температуры смещаются вверх.

В активном режиме выходное напряжение uКБ и мощность , выделяющаяся в виде тепла в


коллекторном переходе, могут быть большими. Чтобы транзистор не перегрелся, необходимо
выполнение неравенства

где PK, max - максимально допустимая мощность для данного типа транзистора.

Чтобы правильно выбрать параметры схемы, где будет работать транзистор, на выходных ВАХ строят
так называемую линию допустимой мощности, определяемую заданной максимально допустимой
мощностью. Уравнение этой линии

На рис. 3.6 эта линия показана пунктиром. Мгновенные значения выходных тока и напряжения не
должны выходить за пределы линии максимально допустимой мощности. Область допустимой работы
ограничивается также значениями максимально допустимых выходного тока и выходного напряжения IК,
max и UKБ, max .

Транзистор, включенный по схеме с общей базой, используется в усилителях напряжения и мощности, так как
несмотря на то, что выходной ток почти равен входному, выходное напряжение значительно больше входного. Из-
за достаточно большого выходного сопротивления транзистор с ОБ используют в источниках стабильного тока.

3.2.3. Схема с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером (рис.3.4,б) общим электродом является эмиттер. Входным током является
ток базы iБ , входным напряжением – напряжение uБЭ , выходным током – ток коллектора iК , выходным
напряжением – напряжение uКЭ . Входные ВАХ определяются при постоянном выходном напряжении:

выходные ВАХ при постоянном входном базовом токе:

.
Пример входных и выходных ВАХ для транзистора ОЭ приведен на рис.3.7.

Рис. 3.7

Они естественно отличаются от входных и выходных ВАХ транзистора ОБ. На входных ВАХ это
отличие проявляется в том, что при увеличении выходного напряжения из-за эффекта модуляции базы
характеристики сдвигаются вправо. Выходные ВАХ расположены в одном квадранте, в активном режиме
идут с бóльшим наклоном, что означает меньшую величину дифференциального выходного
сопротивления транзистора ОЭ по сравнению с ОБ.

Учитывая, что

имеем

Величина называется статическим коэффициентом передачи базового тока. Для малых изменений
переменных вводится динамический коэффициент передачи базового тока

Так как несколько меньше 1 (0.9…0,995), то величина коэффициента базового тока значительно
больше 1 (9…200).

В транзисторе ОЭ выполняются в соотношения:


где rK*- выходное дифференциальное сопротивление, - обратный ток транзистора ОЭ.
Область отсечки (ток базы равен нулю) характеризуется током . Область насыщения ограничивается
линией насыщения при небольших значениях выходного напряжения.

Для нормальной работы транзистора должны выполняться условия:

где правые части характеризуют максимально допустимые значения соответствующих переменных.

Схема включения ОЭ применяется наиболее часто, так как здесь имеет место усиление как по току, так и
по напряжению. Поэтому в справочниках обычно задаются параметры именно для этого типа включения
транзистора.

3.2.4. Схема с общим коллектором

Для схемы включения транзистора с ОК обычно справочные данные, в том числе по ВАХ, не приводятся.
Входными переменными являются базовый ток iБ и напряжение uБК , выходные – ток эмиттера и
напряжение эмиттер - коллектор. Входные ВАХ по форме мало отличаются от входных ВАХ схемы ОЭ,
но диапазон изменения входного напряжения здесь практически такой же, как диапазон изменения
выходного напряжения (см.рис.3.8,а, где пунктиром показана входная ВАХ транзистора с ОЭ).
Поскольку выходное напряжение здесь отличается от выходного напряжения транзистора ОЭ на
относительно малую величину uБЭ , то и выходные ВАХ мало отличаются от ВАХ транзистора ОЭ, лишь
для того же входного тока выходной ток несколько выше, поскольку iЭ = iК + iБ и iБ << iК (см.рис.3.8,б).

Рис. 3.8

Коэффициент передачи тока в этой схеме включения транзистора равен

Выходное напряжение чуть меньше выходного, так как . Поэтому схемы с


использованием транзистора с ОК называют повторителями напряжения или эмиттерными
повторителями, поскольку нагрузка обычно подключаются к эмиттеру. Для анализа схем с ОК
достаточно иметь ВАХ или параметры транзисторов с ОБ или ОЭ.
3.2.5. Инверсное включение транзистора
Режим работы транзистора, при котором коллекторный переход смещен в прямом направлении, а
эмиттерный – в обратном, называется инверсным. В этом случае коллектор играет роль эмиттера, а
эмиттер – коллектора.

Рис. 3.9

Для такого включения транзистора характерно . На рис. 3.9 показан примерный вид выходных
ВАХ транзистора с ОЭ в прямом (первый квадрант) и обратном включениях (третий квадрант), откуда
видно, что при инверсном включении обычный транзистор имеет меньший коэффициент передачи тока
базы как в статическом, так и в динамическом режимах.

3. Биполярные транзисторы

3.3. Математические модели биполярного транзистора


3.3.1. Модель Эберса - Молла
Для анализа работы транзистора в схемах Дж.Д.Эберс и Дж.Л.Молл в 1954 г . предложили простые и
удобные модели транзистора, различные варианты которой широко используются на практике. В эти
модели входят управляемые источники тока, управляемые токами, учитывающие связь между
взаимодействующими p - n -переходами в биполярном транзисторе. Эти модели справедливы для всех
режимов работы транзистора.

Простейшим вариантом низкочастотной модели Эберса-Молла является модель с идеальными p - n -


переходами и двумя источниками тока. На рис. 3.11 представлена такая модель.
Рис. 3.11

Здесь - коэффициент передачи коллекторного тока в инверсном режиме; - токи, текущие через
переходы, они определяются соотношениями:

- обратные тепловые токи коллектора и эмиттера соответственно.


В некоторых источниках и справочниках используются обозначения для обратных тепловых токов в виде
IЭБК и IКБК , причем эти тепловые токи измеряются при короткозамкнутых коллекторе для IЭБК и эмиттере
для IКБК . Кроме того, в аналитических соотношениях иногда используются обозначения IЭ0 и IК0 , равные

отражающие обратные токи эмиттера и коллектора при обрыве коллектора или эмиттера соответственно.

В соответствии с первым законом Кирхгофа для токов эмиттера и коллектора схемы рис.3.11 имеем

(*)

Другая модель Эберса-Молла для идеального транзистора описывается одним управляемым источником
тока. Она получается из первой путем преобразования соотношений (*) и приближения
. Тогда
вместо (*) получим

(**)
Обозначим , подставим в (**):

или

(***)

Система (***) и позволяет построить модель с одним источником тока (рис.3.12).

Рис. 3.12

Здесь .

Эту модель как основу используют некоторые программы моделирования электронных схем, такие как
Micro - Cap , Design Center и др.

В программе PSpice часть параметров транзистора вводится, часть задается по умолчанию. Здесь также
ток, передаваемый от эмиттера к коллектору выражается через напряжения эмиттер-база и коллектор
база и общий заряд в базе. Учитываются эффекты высокого уровня инжекции, уменьшение
коэффициента передачи базового тока при малых токах, модуляция ширины базы, объемное
сопротивление базы. Динамические (частотные) свойства переходов учитываются включением в модель
барьерной и диффузионной емкостей самих переходов и подложки.

3.3.2. Физические малосигнальные модели биполярных транзисторов


Для анализа работы транзистора в усилительных устройствах в активном режиме часто используют
физические и формализованные модели транзистора при заданных значениях постоянных напряжений и
токов, совокупность которых определяет режим работы транзистора по постоянному току (или так
называемую «рабочую точку»), для небольших (малых) изменений переменных токов и напряжений в
окрестности этой рабочей точки. Именно для этих малых изменений переменных и строятся
малосигнальные модели транзистора. Одной из физических малосигнальных моделей является модель,
основой которой является модель Эберса-Молла с двумя источниками тока. На рис. 3.13 показана такая
модель, включающая в себя объемные сопротивления полупроводников в областях эмиттера, базы,
коллектора rЭ1 , rБ1 , rК1 , а также дифференциальные сопротивления и емкости переходов rЭ , rК , СЭ , СК .

Рис. 3.13

Поскольку наибольшее объемное сопротивление полупроводника имеет база, и эмиттерный переход


открыт, то можно использовать более простую Т-образную физическую модель транзистора с ОБ
(рис.3.14,а). Для транзистора с ОЭ аналогичная модель представлена на рис. 3.14,б.

Рис. 3.14

Дифференциальное сопротивление эмиттера составляет единицы – десятки Ом, сопротивление объема


базы – сотни Ом, сопротивление коллектора в схеме с ОБ – Мегомы. Емкость коллекторного перехода
составляет единицы – десятки пикофарад. В схеме с ОЭ в выходной цепи дифференциальное
сопротивление и емкость пересчитываются по формулам:
Емкости Ск и СК* влияют на работу транзистора в области высоких частот. Строгая теория дает довольно
сложную картину зависимости параметров модели от частоты. На практике используют упрощенные
модели, сводящие сложную зависимость лишь к изменению коэффициента передачи тока эмиттера (ОБ)
или базы (ОЭ) от частоты:

где - коэффициенты передачи тока на низких частотах, - частоты на которых


коэффициент передачи падает в раз. Эти же частоты , выраженные в герцах, называются
предельными частотами коэффициентов передачи тока в схемах ОБ и ОЭ соответственно. Частоты

связаны зависимостью , т.е. предельная частота транзистора, включенного по схеме


с общим эмиттером меньше предельной частоты транзистора, включенного по схеме с общей базой. В
зависимости от значения предельной частоты различают транзисторы низкочастотные ( ),
среднечастотные ( ), высокочастотные ( ) сверхвысокочастотные
.

В справочниках для транзистора, включенного по схеме ОЭ, дается частота fгр (или fт), на которой
коэффициент передачи базового тока становится равным 1. Кроме того, иногда приводится так
называемая максимальная частота fmax – наибольшая частота, при которой транзистор способен работать

в схеме автогенератора при оптимальной обратной связи. Приближенно , где


- постоянная времени цепи обратной связи. Максимальная частота определяет устойчивость
усилителя на данном транзисторе к самовозбуждению на частотах f < fmax

3.3.3. Малосигнальные модели биполярного транзистора в виде активного


линейного четырехполюсника
Для анализа работы транзистора с малыми сигналами в окрестности рабочей точки удобным является
метод с применением теории активных линейных четырехполюсников. В этом случае и сам транзистор и
схема, в которой он работает могут быть представлены четырехполюсником с двумя парами входных и
выходных зажимов (рис. 3.15).
Рис. 3.15

Такой линейный активный четырехполюсник можно описать различными способами и представить


схемами замещения. Есть два подхода к такому описанию, а именно: с использованием внутренних
параметров четырехполюсника и с использованием внешних (по отношению к источнику сигнала и
нагрузке) параметров. В первом случае записываются уравнения, связывающие токи и напряжения
непосредственно, независимо от назначения устройства. Во втором случае, параметры схемы замещения
определяются условием работы и назначением устройства (усилитель тока, усилитель напряжения или
мощности). Здесь важными являются такие параметры как коэффициенты передачи по току, напряжению
или мощности, входное и выходное сопротивления. Их обычно определяют исходя из знания внутренних
параметров четырехполюсника и его схемы замещения. Для четырехполюсников в принципе можно
составить шесть систем из пар уравнений, связывающих входные и выходные токи и напряжения,
коэффициентами которых являются соответствующие внутренние параметры.

Для биполярного транзистора удобными системами являются системы h - и у - параметров. Уравнения


линейного четырехполюсника в системе h - параметров имеют вид:

а в системе у-параметров:

где индекс 1 соответствует входной переменной, индекс 2 - выходной, а значок означает малые
изменения соответствующих переменных, при которых транзистор можно считать линейным элементом.

Из вышеприведенных систем уравнений следует, что входная зависимая переменная четырехполюсника


зависит как от входной независимой переменной, так и от выходной независимой переменной, что
свидетельствует о связи входа четырехполюсника с его выходом (обратная связь); а зависимая выходная
переменная определяется как выходной независимой переменной, так и входной независимой
переменной четырехполюсника. Таким образом, четырехполюсник характеризуется прямой - от входа к
выходу, и обратной - от выхода к входу, передачей сигналов. Остановимся далее более конкретно на
системе h - параметров.

Каждый h - параметр имеет определенный физический смысл. Так, параметр h11 - это сопротивление,
через которое течет входной ток i1 благодаря приложенному к нему напряжению u1 ; h12 - это
параметр обратной передачи, он определяет, какая часть выходного напряжения передается во входную
цепь; h21 - это параметр прямой передачи тока, он показывает, как передается в выходную цепь
изменение тока во входной цепи; h22 - это проводимость, через которую течет выходной ток в результате
приложенного выходного напряжения.
Система уравнений позволяет представить линейный четырехполюсник в виде эквивалентной схемы
(или схемы замещения), входная цепь которой определяется первым уравнением, а выходная - вторым
уравнением системы. Действительно, первое уравнение описывает в виде второго закона Кирхгофа
некоторую последовательную цепь, включающую в себя сопротивление h11 и источник напряжения
uэкв = h12 u2 . Второе уравнение системы описывает параллельную цепь в виде первого закона
Кирхгофа, включающую в себя проводимость h22 и источник тока iэкв = h 21 i1 . Таким образом,
активный линейный четырехполюсник может быть представлен в виде схемы замещения, показанной на
рис.3.16.

Рис. 3.16

Величины h -параметров четырехполюсника могут быть определены различными способами с помощью


так называемых опытов холостого хода и короткого замыкания для переменных составляющих токов и
напряжений. Так, опыт короткого замыкания на выходе ( u2 = 0) позволяет определить значения
параметров h11 и h21 , а опыт короткого замыкания на входе ( i1 = 0) дает возможность определить
значения параметров h12 и h22 . Для определения h - параметров могут быть также использованы
физические схемы замещения транзисторов с известными параметрами, семейства их статических ВАХ в
окрестности рабочей точки, а также эксперимент.

Рассмотрим определение h -параметров для транзистора с ОЭ. Здесь входными переменными являются
изменения тока базы и напряжения промежутка база-эмиттер, а выходными - изменения тока коллектора
и напряжения промежутка коллектор-эмиттер. Система уравнений в этом случае будет иметь вид:

Опыт короткого замыкания на выходе предполагает, что uкэ = 0, при этом напряжение коллектора
относительно земли равно постоянному напряжению в рабочей точке Uкэ,0 . Опыт холостого хода на
входе предполагает iб = 0, при этом ток базы транзистора равен току базы в рабочей точке Iб,0 .

Принцип определения h - параметров транзистора с ОЭ по его семействам ВАХ показан на рис.3.17 в


соответствии с соотношениями:

h11,э = uбэ / iб при uкэ = 0 ( см. рис.3.17,а),

h12,э = uбэ / uкэ при iб = 0 (см. рис.3.17,б),

h21,э = iк / iб при uкэ = 0 (см. рис.3.17,в),

h22,э = iк / uкэ при iб = 0 (см. рис.3.17,г).


Рис. 3.17

Транзисторы с ОЭ характеризуются сравнительно слабой зависимостью входных характеристик от


напряжения коллектор-эмиттер, поэтому часто принимают h12,Э 0. На рис.3.18 представлена
эквивалентная схема транзистора с ОЭ, где приняты обозначения: rбэ = h11,э - входное сопротивление
транзистора с ОЭ, = h21,э - коэффициент передачи базового тока в коллекторную цепь, rкэ = 1 / h22,э -
выходное сопротивление транзистора с ОЭ. Малые изменения токов и напряжений отражены
соответствующими амплитудами (индекс « m ») при гармоническом воздействии.

Рис. 3.18

Эта схема пока не учитывает частотных свойств транзистора, так как параметры определены по
статическим ВАХ. Используя физические малосигнальные модели транзистора, например, Эберса-
Молла, можно также определить h -параметры, но уже с учетом частотных свойств транзистора. Можно
также в схему рис. 3.18 добавить эквивалентные емкости Сбэ и Сэк, отражающие инерционные
(частотные) свойства транзистора.

Для определения соответствующих h - параметров для транзисторов в схемах с ОБ и ОК можно


воспользоваться известными параметрами для схемы с ОЭ. Для этого достаточно представить схемы
замещения транзисторов с ОБ и ОК, включив в них транзистор ОЭ в виде его схемы замещения и
соответственно соединить общие выводы (см. рис.3.18,а для ОБ и 3.18,б для ОК).
Рис. 3.19

В учебниках и справочниках можно найти готовые формулы пересчета параметров одной схемы
включения через параметры другой.

Малосигнальные физические эквивалентные схемы биполярного транзистора

Как и схемы замещения, малосигнальные физические (моделирующие) эквивалентные схемы


предназначены для расчета малых переменных составляющих токов и напряжений, но элементы этих
схем соответствуют структуре и физическим процессам реального транзистора. Параметры элементов
физических эквивалентных схем вычисляются с помощью соотношений, вытекающих из теории
транзисторов. Наиболее распространенные физические эквивалентные схемы получают путем
линеаризации уравнений моделей Эберса - Молла, При этом уравнения предварительно упрощают,
записывая для активного режима (малосигнальные физические эквивалентные схемы предназначены
для анализа усилительных каскадов, в которых используется активный режим работы транзистора). В
данном подразделе будут рассмотрены низкочастотные варианты эквивалентных схем, не
учитывающие инерционность физических процессов в транзисторе.

Схема для включения транзистора ОБ

Т-образная малосигнальная эквивалентная схема приведена на рис. 3.20. Она включает:

дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:


сопротивление тела базы:

дифференциальное выходное сопротивление транзистора:

дифференциальный коэффициент передачи тока в схеме с общей базой:

Рис. 3.20

Схема получена путем линеаризации классической модели Эберса-Молла для активного режима. Для
данного режима генератор тока Ii2 в схеме на рис. 3.20 отсутствует и iЭ = i1. При линеаризации вместо
эмиттерного перехода с нелинейной характеристикой появляется его дифференциальное сопротивление
rЭ. Сопротивление rК, учитывающее эффект Эрли определяется по выходным характеристикам
транзистора в схеме с ОБ (см. определение параметра h 22) величина r к составляет десятки - сотни
килоом и часто не учитывается. h21Б   - параметр , аналогичный статическому коэффициенту передачи
тока  , но для малых приращений. В практических расчетах h21Б часто принимают равным единице.

Для получения h-параметров схемы с ОБ производят пересчѐт параметров включения с ОЭ по


следующим формулам:

h11 э h11 э h 22 э h 21 э h 22 э
h11 б  ; h12 б   h12 э ; h 21 б   ; h 22 б   .
1  h 21 э 1  h 21 э 1  h 21 э 1  h 21 э

Схемы для включения транзистора с ОЭ

Схема на рис. 3.37 может быть использована и при включении транзистора с ОЭ. Для этого ток эмиттера
IЭm надо выразить через ток базы IБm. В соответствии со схемой на рис. 3.20 для тока коллектора
справедливо

, (3.55)

кроме того: IЭm=IБm+IКm, тогда


или

(3.56)

где - дифференциальный коэффициент передачи тока для схемы с ОЭ; (соотношение

аналогичное ).

Так как , то

(3.57)

Дифференциальный коэффициент передачи тока h21Э может отличаться от статического  на десятки


процентов, но технологический разброс еще больше и в последнее время между ними часто не делают
различия, считая h21Э   .

- выходное сопротивление транзистора в схеме ОЭ ( в десятки раз меньше, чем rК в


схеме с ОБ.

а) б)

Рис. 3.21

С учетом выражения (3.56) Т-образная, малосигнальная эквивалентная схема для включения с ОЭ


приобретает вид (рис. 3.21, а). Для схемы с общем эмиттером часто используют и П-образную
эквивалентную схему (рис 3.21, б), получаемую линеаризацией передаточной модели Эберса - Молла.

Статическая крутизна транзистора:

остальные элементы соответствуют введенным ранее для Т-образных схем. Резистор, показанный
пунктиром, учитывает влияние модуляции ширины базы на дополнительный ток коллекторного
перехода. Он имеет порядок rК и в практических расчетах не учитывается. П-образная схема удобна для
расчетов методом узловых потенциалов и используется , например, в компьютерных программах.

Аналогично для параметров физической модели:

h12 э
rэ  2 – величина порядка десятков ;
h 22 э

rб  h11 э  2
h12 э
h 22 э
1  h12 э  – величина порядка сотен ;

1  h12 э
rкэ  – величина порядка сотен k;
h 22 э

h 21 э
 – 0.90.99;
1  h 21 э

  h 21 э – обычно =50.

Сравнение усилительных свойств биполярного транзистора в различных схемах включения

Рис. 3.22

Для сравнения усилительных каскадов воспользуемся малосигнальными физическими эквивалентными


схемами при различных схемах включения транзистора (ОЭ, ОБ, ОК). При анализе будем полагать, что
во всех схемах обеспечивается одинаковый режим по постоянному току. Схема ОЭ. Малосигнальная
эквивалентная схема усилительного каскада (схема для переменных составляющих рис. 3.22) получена
следующим образом:

1. Транзистор заменен его малосигнальной эквивалентной физической схемой ( в данном случае Т-


образной).
2. Источники постоянного напряжения замкнуты накоротко ( их сопротивление переменному току
близко к нулю). Как и ранее, сопротивление разделительных конденсаторов считается малым, а
резисторов RБ и RК - большим.

Из схемы следует, что коэффициент усиления по току равен


,

выходное напряжение определяется как .

По закону Кирхгофа для входной цепи имеем .

Учтем, что ,

тогда ;

. (3.58)

Входное напряжение равно

. (3.59)

Следовательно, коэффициент усиления по напряжению равен

, (3.60)

знак ― - ‖ показывает, что выходное напряжение противофазно входному.

Выходное сопротивление (без вывода):

Для повышения стабильности работы усилительного каскада в эмиттерную цепь часто включают
резистор R э>>r э , тогда

и . (3.61)

Аналогично можно проанализировать схемы с ОБ и с ОК.

Для наглядности приближенные расчетные соотношения для трех схем включения транзистора сведены
в таблицу 3.1. В скобках указаны типовые значения параметров для каскадов на маломощных
транзисторах.

Таблица 3.1

Параметр ОЭ ОБ ОК

RВХ r Б+h21Э(rЭ+RЭ) h21ЭRЭ rЭ+rБ(1-h21Б) h21ЭRЭ


сотни ом ... единицы единицы ...десятки высокое -
килоом ом десятки ... сотни
килоом

KI h21Э= (50...300) h21Б =(0,98...0,998) h21Э+1=(50...300)


KU

единицы ... сотни десятки ... сотни повторитель


(с инверсией) (без инверсии) напряжения
(без инверсии)
RВЫХ

десятки килоом низкое - десятки ом


единицы килоом

Сопоставляя полученные результаты, можно сделать выводы:

1. Схема с ОЭ обладает высоким усилением как по напряжению, так и по току, У нее самое
большое усиление по мощности. Отметим, что схема изменяет фазу выходного напряжения на
180  . Это самая распространенная усилительная схема.
2. Схема с ОБ усиливает напряжение (примерно, как и схема с ОЭ), но не усиливает ток. Фаза
выходного напряжения по отношению к входному не меняется. Схема находит применение в
усилителях высоких и сверхвысоких частот.
3. Схема с ОК (эмиттерный повторитель) не усиливает напряжение, но усиливает ток. Основное
применение данной схемы - согласование сопротивлений источника сигнала и низкоомной
нагрузки.

4. Полевые транзисторы:

4.1. Общие определения

Полевой транзистор это полупроводниковый прибор, в котором управление током, протекающим между двумя
электродами, осуществляется с помощью напряжения, приложенного к третьему электроду.

Управление током в полевых транзисторах осуществляется с помощью электрического поля либо за счет
изменения площади поперечного сечения проводящего полупроводникового слоя, через который проходит
рабочий ток, либо за счет изменения удельной проводимости этого слоя.

Проводящий полупроводниковый слой называется каналом.

Полевой транзистор в отличие от биполярного называют униполярным, поскольку ток в нем образуется только
основными носителями заряда. Электрод, через который втекают носители заряда в канал называется истоком , а
электрод, через который из канала вытекают носители заряда, называется стоком. В принципе эти электроды
обратимы. Третий, управляющий, электрод называется затвором.

Полевой транзистор с изменяющимся сечением канала называется транзистором с управляющим p - n - переходом,


а полевой транзистор с изменяющимся удельным сопротивлением называется транзистором с изолированным
затвором. К последним относятся так называемые МДП – транзисторы (метал – диэлектрик – полупроводник) и
МОП – транзисторы (металл – окисел – полупроводник).

4.2. Полевой транзистор с управляющим p–n - переходом

4.2.1. Принцип действия, обозначение


На рис. 4.1 показана упрощенная структура полевого транзистора с управляющим p–n – переходом.

Рис. 4.1

Основной является пластина из полупроводника n – или p – проводимости (на рисунке эта пластина
имеет проводимость типа n ). Слой под затвором имеет проводимость типа p+ , где знак «+» показывает
большую проводимость этого слоя по сравнению с проводимостью пластины. На торцы пластины и
область р+ наносят металлические пленки, к которым припаивают внешние выводы. Металлическая
пленка и полупроводник образуют невыпрямляющие контакты.

Так как концентрация носителей заряда в р+ области больше, чем в пластине, то образующийся на их
границе p–n -переход располагается главным образом в n - области.

Если внешние напряжения отсутствуют, то поле внутри канала равно нулю, поперечное сечение
максимально. Если к стоку относительно истока подать положительное напряжение uСИ > 0, то
электроны n -канала устремятся от минуса к плюсу источника , образуя во внешней цепи токи iИ и iС .
Если теперь к затвору приложить отрицательное напряжение относительно истока, то есть
uЗИ < 0, то ширина p–n – перехода увеличится, в основном в n - область, уменьшив тем самым поперечное
сечение канала. Если напряжение uСИ мало, форма p–n – перехода и канала изменятся симметрично
относительно истока и стока (см. рис.4.2).
Рис. 4.2

При |UЗИ| > UЗИ, ОТС , где UЗИ, ОТС - модуль напряжения на затворе, соответствующего полному
перекрытию канала p–n -переходом, ток через канал станет равным нулю. Этот режим работы
транзистора называется режимом отсечки. Если же напряжение между истоком и стоком UСИ > 0 и |UЗИ| <
UЗИ, ОТС , то в канале будет протекать ток, который, проходя вдоль канала, создаст падение напряжения,
увеличивающееся от истока к стоку (почти линейно). Поэтому область p–n -перехода у стокового конца
будет шире, чем у истокового (см.рис.4.3).

Рис. 4.3

Рассмотрим поведение канала при увеличении напряжения UСИ и UЗИ < 0 . При отрицательном
напряжении затвора относительно истока ток через затвор равен нулю. По мере сужения канала
линейный рост падения напряжения (и соответственно напряженности электрического поля)
прекращается, и рост тока стока замедляется. При некотором значении UСИ площадь канала сужается
настолько, что поток электронов через него прекращается, это влечет за собой уменьшение падения
напряжения на канале; напряженность электрического поля уменьшается, площадь канала
увеличивается, ток стока увеличивается, это приводит к увеличению напряженности электрического поля
и т.д. В канале устанавливается некое динамическое равновесие, при котором у стока образуется узкая
горловина канала, имеющая фиксированную площадь сечения. Ток стока в этом режиме практически не
зависит от напряжения UСИ . Это так называемый режим насыщения. Напряжение между стоком и
истоком, соответствующее возникновению этого режима, называется напряжением насыщения UСИ, НАС .

При UСИ >> UСИ, НАС может возникнуть пробой p–n – перехода, в этом случае ток резко увеличивается.

На принципиальных схемах полевой транзистор с управляющим p–n – переходом в соответствии с типом


проводимости канала обозначается в виде, показанном на рис.4.4.

Рис.4.4

4.2.2. Вольтамперные характеристики


Вид ВАХ полевого транзистора с управляющим p–n – переходом , как и любого транзистора , зависит от
способа включения транзистора к источникам питания . Различают схемы включения с общим истоком (
ОИ ), общим стоком ( ОС ) и общим затвором (0З).

Наиболее часто применяются схемы с ОИ. Поэтому в справочниках обычно даются характеристики и
параметры именно для этого способа включения. На рис. 4.5 показано семейство выходных ВАХ
транзистора с ОИ.

Рис. 4.5

На рисунке показаны области, в которых транзистор работает в различных режимах: омическая область
соответствует начальному линейному участку ВАХ при малых напряжениях сток-исток, область
насыщения, где ток стока мало зависит от напряжения сток-исток и увеличивается лишь с увеличением
напряжения затвор - исток, режим отсечки, в которой ток стока определяется обратным током p–n -
перехода, и, наконец, область пробоя. Обычно транзисторы с управляющим p–n -переходом в
усилительных схемах работают при отрицательных напряжениях на затворе, ток затвора при этом равен
нулю. Поэтому входные ВАХ как правило не приводятся. В справочниках может быть приведено
семейство так называемых сток - затворных ВАХ (или проходных характеристик) - зависимости тока
стока от напряжения затвор-исток (см.рис.4.5).

Эти характеристики позволяют правильно выбрать рабочую точку и диапазон изменения входного
напряжения транзистора.

4.3. Полевой транзистор с изолированным затвором

4.3.1. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом

В полевых транзисторах с изолированным затвором последний отделен от полупроводника


диэлектриком. Структура такого транзистора показана на рис.4.6.
Рис. 4.6

Здесь, кроме электродов исток, сток и затвор, имеется еще один электрод (так называемый «подложка»),
напряжение на котором также может менять свойства транзистора.

Если напряжение на затворе относительно истока отрицательно, то имеет место явление обеднения
канала (уменьшение числа носителей заряда): в данном случае электроны выталкиваются из канала в p -
область, что приводит к уменьшению тока через канал; при положительном же напряжении затвор-исток
наоборот имеет место обогащение канала электронами, пришедших в канал из областей p и n+, что
приводит к увеличению тока через канал. Таким образом этот полевой транзистор может работать и при
положительных и при отрицательных значениях напряжения затвор-исток. При этом ток через затвор не
протекает, так затвор изолирован от канала.

На принципиальных схемах полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом в


соответствии с типом проводимости канала обозначается в виде, показанном на рис.4.7

Рис. 4.7

Примерный вид семейств выходных ВАХ данного транзистора изображен на рис.4.8,а; передаточные
свойства транзистора показаны на рис. 4.8,б в виде сток–затворной характеристики. Здесь также режим
отсечки характеризуется некоторым отрицательным значением UЗИ, ОТС.
Рис. 4.8

Эти характеристики справедливы для случая, когда электрод подложки соединен с истоком. Если этот
электрод используется для управления током стока, то тогда его называют «нижним затвором», причем
механизм этого управления аналогичен управлению самого затвора.

4.3.2. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом

Структура такого вида полевого МДП - или МОП - транзистора показана на рис. 4.9.

Рис. 4.9

При нулевом напряжении UЗИ = 0 канал между истоком и стоком отсутствует. Встречно направленные p–
n – переходы препятствуют движению электронов от истока к стоку: канал отсутствует. При UЗИ > 0
возникающее под затвором электрическое поле будет отталкивать положительные заряды (дырки,
являющиеся основными носителями в p–полупроводнике) в глубь полупроводника. При некотором
пороговом значении напряжения между стоком и истоком под затвором накапливается достаточный слой
электронов. Создается (индуцируется) проводящий канал, толщина которого может составлять 1...2
нанометра и она далее практически не меняется. Удельная проводимость канального слоя зависит от
концентрации электронов в нем. Изменяя UЗИ , можно менять величину тока стока.

На принципиальных схемах полевой транзистор с индуцированным каналом в соответствии с типом


проводимости канала обозначается в виде, показанном на рис.4.10.

Рис. 4.10

Вид ВАХ этого типа транзистора отличается от предыдущих тем, что ток возникает при положительных
напряжениях uЗИ > UЗИ, ПОР , где UЗИ, ПОР - напряжение отпирания транзистора. Примерный вид стоковых
и сток–затворных ВАХ транзистора с индуцированным каналом представлены на рис.4.11.
Рис. 4.11

Как видно из рис.4.11 все характеристики располагаются при положительных значениях напряжений.

4.4. Параметры и модели полевых транзисторов

4.4.1. Параметры

При работе транзистора в усилительном (линейном) режиме основными параметрами являются крутизна
S сток - затворной характеристики при постоянном напряжении UСИ :

коэффициент усиления полевого транзистора µ:

внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора:

Крутизна, коэффициент усиления и внутреннее сопротивление связаны между собой соотношением

4.4.2. Математические модели транзистора с общим истоком


а) Универсальная модель полевого транзистора (рис.4.12) описывает все режимы его работы.
Рис. 4.12

Здесь rС , rИ - объемные сопротивления стока и истока (достаточно небольшие), iy - источник тока,


управляемый напряжением uЗИ. Для области отсечки ток источник равен нулю; для линейной
(омической) области при 0 < uСИ < ( UЗИ, ОТС – uЗИ ) ток управляемого источника может быть
аппроксимирован уравнением второго порядка:

здесь  - удельная крутизна сток - затворной характеристики. Линия начала насыщения при
uСИ > ( UЗИ ОТС – uЗИ ) определяется квадратичным уравнением

Динамическая крутизна определяется как

б) Упрощенная линейная модель.

Если рабочая точка выбрана на линейном участке сток - затворной характеристики и мгновенные
значения токов и напряжений не выходят за пределы этого линейного участка, то можно использовать
упрощенную модель в виде управляемого источника тока, управляемого напряжением, с постоянными
параметрами. Учитывая, что входной ток транзистора с общим истоком равен нулю, модель обычно
представляют только для выходной цепи. Такая модели показана на рис.4.13.

Рис. 4.13

Выходное напряжение транзистора равно


uСИ = - SRiUЗИ = -µuЗИ

При подключении нагрузки RН к транзистору, выходное напряжение определяется не внутренним


сопротивлением транзистора, а параллельным соединением Rвых = Ri || RH. Таким образом, коэффициент
передачи нагруженного транзистора с ОИ равен

Типовые значения основных параметров современных транзисторов при работе в усилительном режиме
следующие: S = 0,3...3 мА/В, Ri составляет несколько мегом.

Транзисторы с управляющим p–n – переходом обладают наиболее низким среди полупроводниковых


приборов уровнем шума в диапазоне частот от долей герц до сотен мегагерц, их входное сопротивление
составляет 106 ... 109 Ом. Входное сопротивление транзисторов с изолированным затвором еще выше и
составляет 106 ...1015 Ом.

Классификация полевых транзисторов такая же, как и у биполярных транзисторов. Второй элемент
буквенно-цифрового кода имеет букву П.
5. Усилители

История
1904 г. Ли де Форрест на основе созданной электронной лампы - триода разработал устройство
усиления электрических сигналов (усилитель), состоящий из нелинейного элемента (лампы) и
статического сопротивления Ra, включенного в анодную цепь.
1932 г. Гарри Найквист определил условия устойчивости (способности работать без
самовозбуждения) усилителей, охваченных отрицательной обратной связью.
1942 г. В США построен первый операционный усилитель - усилитель постоянного тока с
симметричным (дифференциальным) входом и значительным собственным коэффициентом
усиления (более 1000) как самостоятельное изделие. Основным назначением данного класса
усилителей стало его использование в аналоговых вычислительных устройствах для выполнения
математических операций над электрическими сигналами. Отсюда его первоначальное название -
решающий.

Усилитель – электронное устройство, в котором маломощный входной сигнал управляет передачей


энергии от источника питания в полезную нагрузку.

В общем случае усилитель рассматривают как четырѐхполюсник.

5.1 Классификация и типы усилителей.

1. по условию работы усилителя на входе:


 усилители напряжения;
 усилители тока.

Эта классификация связана с соотношением между Rг и Rвх. Если Rвх>>Rг, то


усилитель – усилитель напряжения.

R вх
U вх  Eг  U вх  Eг
R вх  R г

Если Rвх<<Rг, то усилитель – усилитель тока: U вх  R вх  I г R вх .

Один и тот же усилитель для разных источников входного сигнала может
работать в режиме усилителя напряжения или тока. Если RвхRг, то получаем
усилитель, согласованный по мощности с источником входного сигнала.

2. по условию работы усилителя на выходе:


 усилитель с потенциальным выходом;
 усилитель с токовым выходом.

Эта классификация связана с соотношением между Rвх и Rн. Если Rвых<<Rн, то


UвыхEг и усилитель является усилителем с потенциальным выходом.

 E 
Если же Rвых>>Rн, то U вых  I вых R н  I вых  хх  и усилитель
 R вых 
является усилителем с токовым выходом.

Если RвыхRн, то усилитель – усилитель мощности.

3. по структуре различают:
 однокаскадные усилители;
 многокаскадные усилители.

В многокаскадных усилителях первый каскад называется входным, предпоследний


– предоконечным, последний – конечным.

4. по частоте усиливаемого сигнала:


 УПТ – усилитель постоянного тока (fн→0, fв=103-109 Гц) - усилитель медленно
меняющихся входных напряжений или токов, нижняя граничная частота которых равна
нулю. Применяется в автоматике, измерительной и аналоговой вычислительной технике.
 УЗЧ – усилитель звуковых частот (fн≈15 Гц, fв≈ 20 кГц) - Усилитель низкой частоты
(УНЧ, усилитель звуковой частоты, УЗЧ) — усилитель, предназначенный для работы в
области звукового диапазона частот (иногда также и нижней части ультразвукового, до
200 кГц). Используется преимущественно в технике звукозаписи, звуковоспроизведения,
а также в автоматике, измерительной и аналоговой вычислительной технике.
 УНЧ – усилитель низких частот (fн≈5 Гц, fв≈ 100 Гц)
 УВЧ – усилитель высоких частот (fн≈сотни Гц, fв≈ сотни МГц) - усилитель сигналов на
частотах радиодиапазона. Применяется преимущественно в радиоприѐмных и
радиопередающих устройствах в радиосвязи, радио- и телевизионного вещания,
радиолокации, радионавигации и радиоастрономии, а также в измерительной технике и
автоматике
 Импульсный усилитель — усилитель, предназначенный для усиления импульсов тока
или напряжения с минимальными искажениями их формы. Входной сигнал изменяется
настолько быстро, что переходные процессы в усилителе являются определяющими при
нахождении формы сигнала на выходе. Основной характеристикой является импульсная
передаточная характеристика усилителя. Импульсные усилители имеют очень большую
полосу пропускания: верхняя граничная частота нескольких сотен килогерц —
нескольких мегагерц, нижняя граничная частота обычно от нуля герц, но иногда от
нескольких десятков герц, в этом случае постоянная составляющая на выходе усилителя
восстанавливается искусственно. Для точной передачи формы импульсов усилители
должны иметь очень малые фазовые и динамические искажения. Применяются в
импульсных устройствах радиолокации, радионавигации, автоматики и измерительной
техники
5. по полосе частот
 Широкополосный (апериодический) усилитель — усилитель, дающий одинаковое
усиление в широком диапазоне частот
 Полосовой усилитель — усилитель, работающий при фиксированной средней частоте
спектра сигнала и приблизительно одинаково усиливающий сигнал в заданной полосе
частот
 Селективный усилитель — усилитель, у которого коэффициент усиления максимален в
узком диапазоне частот и минимален за его пределами

6. Виды усилителей по типу нагрузки


 с резистивной
 с емкостной
 с индуктивной
 с резонансной

7. Специальные виды усилителей


 Дифференциальный усилитель — усилитель, выходной сигнал которого
пропорционален разности двух входных сигналов, имеет два входа и, как правило,
симметричный выход.
 Операционный усилитель — многокаскадный усилитель постоянного тока с большими
коэффициентом усиления и входным сопротивлением, дифференциальным входом и
несимметричным выходом с малым выходным сопротивлением, предназначенный для
работы в устройствах с глубокой отрицательной обратной связью.
 Масштабный усилитель — усилитель, изменяющий уровень аналового сигнала в
заданное число раз с высокой точностью
 Логарифмический усилитель — усилитель, выходной сигнал которого приблизительно
пропорционален логарифму входного сигнала
 Квадратичный усилитель — усилитель, выходной сигнал которого приблизительно
пропорционален квадрату входного сигнала
 Интегрирующий усилитель — усилитель, сигнал на выходе которого пропорционален
интегралу от входного сигнала
 Инвертирующий усилитель — усилитель, изменяющий фазу гармонического сигнала на
180° или полярность импульсного сигнала на противоположную (инвертор)
 Парафазный (фазоинверсный) усилитель — усилитель, применяемый для
формирования двух противофазных напряжений
 Малошумящий усилитель — усилитель, в котором приняты специальные меры для
снижения уровня собственных шумов, способных вуалировать усиливаемый слабый
сигнал

8. Некоторые функциональные виды усилителей


 Предварительный усилитель (предусилитель) — усилитель, предназначенный для
усиления сигнала до величины, необходимой для нормальной работы оконечного
усилителя
 Оконечный усилитель (усилитель мощности) — усилитель, обеспечивающий при
определѐнной внешней нагрузке усиление мощности электромагнитных колебаний до
заданного значения
 Резонансный усилитель — усилитель сигналов с узким спектром частот, лежащих в
полосе пропускания резонансной цепи, являющейся его нагрузкой
 Видеоусилитель — импульсный усилитель, предназначенный для усиления
видеоимпульсов сложной формы, широкого спектрального состава. Применяется
преимущественно в видео- и телевизионной технике и в радиолокации
 Усилитель магнитной записи — усилитель, нагруженный на записывающую
магнитную головку
 Микрофонный усилитель — усилитель электрических сигналов звуковых частот,
поступающих с микрофона, до значения, при котором их можно обрабатывать и
регулировать
 Усилитель промежуточной частоты (УПЧ) — усилитель сигналов промежуточной
частоты, поступающих с преобразователя частоты
 Усилитель-корректор (корректирующий усилитель) — электронное устройство для
изменения параметров видео- или аудиосигнала. Усилитель-корректор видеосигнала,
например, даѐт возможность регулировки насыщенности цвета, цветового тона, яркости,
контрастности и разрешения, усилитель-корректор аудиосигнала предназначен для
усиления и коррекции сигналов от звукоснимателя проигрывателя граммофонных
пластинок, бывают и другие виды усилителей-корректоров.

Диапазоны частот в радиотехнике.


Использование диапазонов по радиослужбам регламентируется Регламентом радиосвязи
Украины и международными соглашениями.
ГОСТ 24375 дает следующую обобщенную разбивку радиочастотного диапазона, основанную
на международных стандартах:
Очень низкие частоты — 3—30 кГц, соответствует сверхдлинным волнам
Низкие частоты — 30—300 кГц, соответствует длинным волнам
Средние частоты — 300—3000 кГц, соответствует средним волнам
Высокие частоты — 3—30 МГц, соответствует коротким волнам
Очень высокие частоты — 30—300 МГц, соответствует ультракоротким (или метровым волнам)
Ультравысокие частоты — 300—3000 МГц, соответствует дециметровым волнам
Сверхвысокие частоты — 3—30 ГГц, соответствует сантиметровым волнам
Крайне высокие частоты — 30—300 ГГц, соответствует миллиметровым волнам
Гипервысокие частоты — 300—3000 ГГц, соответствует субмиллиметровым волнам
Следует заметить, что вышеприведенная классификация не получила широкого распространения и в
ряде случаев вступает в противоречие с национальными стандартами (ГОСТ) в области
радиоэлектроники. На практике под низкочастотным диапазоном подразумевается звуковой
диапазон, а под высокочастотным — весь радиодиапазон, выше 30 кГц, в том числе
сверхвысокочастотный (свыше 300 МГц).

Традиционные обозначения частотных диапазонов на Западе сложились в ходе Второй мировой


войны. В настоящее время они закреплены в США стандартом IEEE, а также международным
стандартом ITU.

5.2 Основные характеристики усилителей.

1. Коэффициент передачи (коэффициент усиления):


 U 
 по напряжению  K U  вых  ;
 U вх 
 I 
 по току  K I  вых  ;
 I вх 
 P 
 по мощности  K P  вых или K P  K U K I  .
 Pвх 
Данные коэффициенты передачи выражаются в безотносительных единицах
или децибелах (dB).

U вых I P
K U дб  20 lg ; K I дб  20 lg вых ; K P дб  10 lg вых
U вх I вх Pвх

2. Динамический диапазон:
U вх max
D ,
U вх min

где Uвх min ограничивается сигналом, который может быть распознан на


уровне собственных шумов усилителя.

Uвх max ограничивается насыщением транзистора.

Динамический диапазон может быть выражен в децибелах:

U вх max
D дб  20 lg
U вх min


3. КПД усилителя:  ус 
Pобщ

4. Амплитудная характеристика (АХ):


Амплитудная характеристика – зависимость выходного сигнала от входного (по
амплитуде).

Типичная АХ представлена на рисунке:

5. Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ):


АЧХ – зависимость коэффициента передачи по напряжению усилителя от частоты.

 U  K Ue j U
K  U ()  K U ()e j U ( )
K
где KU() – АЧХ усилителя;

U() – ФЧХ усилителя.

0  н в

В зависимости от соотношений между н и в различают узкополосные


(избирательные) и широкополосные усилители.

АЧХ избирательного усилителя имеет вид:

6. Фазочастотная характеристика (ФЧХ):

Искажения связанные с искажением частоты и нелинейности ВАХ сведены в два


параметра:

 коэффициент нелинейных искажений ;


 коэффициент частотных искажений M().

Коэффициент частотных искажений M() показывает влияние частоты входного сигнала


на изменение коэффициента передачи усилителя по напряжение.
K U ()
M() 
K U0 ,
где KU0 – коэффициент передачи усилителя в области средних звуковых частот;

KU() – коэффициент передачи в других областях.

K Uн ()
При 0<<н (т.е. в области низких звуковых частот): M н ()  .
K U0

K Uв ()
При >в (т.е. в области высоких звуковых частот): M в ()  .
K U0

Коэффициенты Mн и Mв могут быть как больше, так и меньше единицы.

Влияние нелинейности входной и выходной ВАХ оценивается коэффициентом


нелинейных искажений. Он зависит от положения рабочей точки, от типа транзистора, способа
его включения и от величины входного сигнала.

 показывает насколько искажена синусоидальная форма сигнала.

2  Um3  
2 2
Um
 2
 100%
Um 1

Для входных и промежуточных каскадов 

В усилителях мощности класса A: 13%; класса B: 110%, класса AB: 15%.

На форму выходного сигнала кроме нелинейности ВАХ транзистора влияют и фазовые


искажения, т.е. учитывает  не только нелинейность ВАХ, но и нелинейность ФЧХ.

7. Переходная характеристика:

Переходные характеристики показывают влияние скачка входного сигнала


на процессы, происходящие на выходе усилителя.
8. Годограф амплитудно-фазовой характеристики:

Данная характеристика применяется для анализа устойчивости по критерию Михайлова-


Найквиста.
5.3 Работа усилительного элемента в схеме
Практические схемы каскадов отличаются большим разнообразием, однако структура усилительного каскада
и принцип его действия могут считаться одинаковыми.

Рисунок 1.12 - Структура усилительного каскада

На рис.1.12а изображен усилительный элемент (УЭ) , включенный в цепь источника питания Еп


последовательно с сопротивлением R. УЭ управляется входным сигналом, причем увеличение входного
сигнала снижает сопротивление УЭ и наоборот.
Если принять зависимость между входным управляющим напряжением и током через УЭ за линейную,
выходное напряжение может быть найдено из уравнения:
как:

которое является уравнением прямой линии и на графике(рис.1.13) отображает так называемую линию
нагрузки усилительного каскада. Из рис.1.13 можно увидеть, что при максимальном входном сигнале
собственное сопротивление УЭ становится близким к нулю и ток ограничивается только величиной резистора
R, а при отсутствии входного сигнала сопротивление R стремится к бесконечности и выходное напряжение
становится близким напряжению источника питания.

Рисунок 1.13 - Линия нагрузки каскада

При подаче на вход УЭ постоянного сигнала Uвхп по цепи "R-УЭ-Еп" будет протекать постоянный
ток, который, за счет падения напряжения на сопротивлении R приведет к появлению на выходе
постоянного напряжения Uвыхп (рис.1.13). Значения Uвхп, Iвыхп, Uвыхп определяют так
называемый режим покоя или рабочую точку каскада, т.е. состояние схемы при отсутствии
переменного сигнала на входе. Переменный сигнал на входе( например синусоидальный рис.1.12б)
вызывает изменение сопротивления УЭ, а значит и тока , потребляемого от источника питания.
Процесс усиления основывается на преобразовании энергии от источника питания Еп постоянного
напряжения в энергию переменного тока в выходной цепи за счет изменения сопротивления УЭ по
закону, задаваемому входным сигналом. Для исключения нелинейных искажений сигнала должен
быть задан режим покоя или "рабочая точка " каскада, при котором Uп >/= Uвыхm и Iп >/= Im. При
работе в выходном токе создается переменная составляющая, вследствие чего образуется переменная
составляющая выходного напряжения.
Учитывая сказанное, в дальнейшем проводится анализ работы транзисторных каскадов
усиления , включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и с общим
коллектором(ОК) ( эмиттерным повторителем). Название каскада определяется в зависимости от
того, какой электрод транзистора является общим по переменному току для входной и выходной
цепи.

5.4 Статический режим работы транзисторного каскада с общим


эмиттером (ОЭ)
Основным требованием выбора статического режима каскада является правильный выбор
положения рабочей точки , которая обеспечивает передачу переменного сигнала со входа на выход с
минимальными искажениями. В качестве примера рассмотрим простейший транзисторный каскад с
общим эмиттером (ОЭ), приведенный на рис. 1.14.
Рисунок 1.14 - Транзисторный каскад с общим эмиттером

Разделительные конденсаторы Ср1 и Ср2 установлены в схеме для исключения влияния на режим покоя
сопротивления источника сигнала Rг и сопротивления нагрузки Rн. Как показано на рис.1.13 рабочая точка
(П) должна находиться примерно посередине линии нагрузки по постоянному току. Причем при перемещении
рабочей точки по линии нагрузки после подачи переменного сигнала она не должна заходить в области
отсечки и насыщения, т.к. это приведет к существенным нелинейным искажениям сигнала. Кроме того,
рабочая точка не должна заходить в области допустимых значений тока и напряжения коллектора. Потенциал
покоя коллектора транзистора зависит от сопротивления Rк и изменяется в соответствии с уравнением линии
нагрузки по постоянному току (рис. 1.15а)

В зависимости от требуемых или допустимых значений Uкm выбирается Uкп таким образом, чтобы весь
ожидаемый переменный сигнал находился в линейной зоне усиления, т.е:

где – падение напряжение на коллекторно-эмиттерном переходе транзистора в режиме насыщения;


максимальный обратный ток коллекторного перехода в схеме с общим эмиттером. Режим покоя в
схеме задается на входных характеристиках (Рис.1.17б) током базы транзистора IБП, величина которого при
известном коэффициенте усиления транзистора по току определяется как:

Ток базы в схеме рис.1.14 задается сопротивлением Rб, величина которого определяется как:

, т.к.
Рисунок 1.15 – Вольт-амперные и нагрузочные характеристики каскада ОЭ

Обычно для анализа особенностей прохождения через каскад переменного сигнала на вольт-амперных
характеристиках строится линия нагрузки по переменному току (рис. 1.15а). Она имеет больший наклон, чем
линия нагрузки по постоянному току, так как ее ход определяется параллельно включенными резисторами R к
и Rн. При выборе режима работы транзисторного каскада необходимо учитывать, что на коллекторном
переходе выделяется мощность, величина которой может быть найдена как:
Эта величина не должна превышать значения допустимой мощности, приводимой в справочных
данных для используемого транзистора, поэтому при выборе режима работы каскада линия нагрузки не
должна пересекать линию допустимой мощности (рис. 1.15а).

5.5 Расчет усилителя по постоянному току.

Режим работы усилителя по постоянному току определяется элементами EК, RК, RБ и параметрами
транзистора VT.

Критерии выбора транзистора следующие:

– по значению граничной частоты усиления;


– по предельно-допустимым параметрам UКЭдоп, PРас.доп, IКmax.
При проектировании усилителя задаются UВыхmax, RН. Исходя из этого: EК>2UВыхmax;
U Вых т U Вых т
IНт  ; I Rк 
т
; с учетом того, что RН(35)RК, получим I R
Кт
 3  5I Кт ,
RН Rк
отсюда следует, что IКmax5IНmax. Граничная частота усиления транзистора должна быть в 35 раз
выше верхней граничной частоты усиливаемого сигнала fВ. Выбор транзистора производят по
значениям параметров IКmax, UКЭmax, PРас.доп, и fгр.
Режим работы усилителя по постоянному току описывается системами уравнений.
EК  I К  RК  U КЭ ; (2.5)

U КЭ   ( I К , I Б ). ( 2 .6 )

E К  I Б  RБ  U БЭ ; ( 2 .7 )

U БЭ  f ( I Б ,U КЭ ). (2.8)

По выходным характеристикам транзистора, с учетом ограничений (см. рис. 2.7), выбирают


положение нагрузочной линии по постоянному току. ЕК рекомендуют брать порядка (0.8–0.9)UКэmax.
Нагрузочную линию строят по двум точкам (Х.Х. и К.З.).

Iк P расДО П
Iкm ax
I КЗ 2 I б3
I б2
I КП I бп
О I б1
1
U КЭП ЕК U КЭ
U КЭ m ax
Рисунок 2.7 — Выходные ВАХ транзистора с ОЭ и
предельно-допустимые параметры

Из уравнения (2.5):
Х.Х. IК=0; UКЭ=ЕК, (точка 1);
ЕК
К.З. UКЭ=0; I КЗ  (точка 2).

При работе усилителя в режиме малых сигналов рабочую точку целесообразно располагать в
середине рабочей области характеристик (точка "О"). Она определяется 3 мя координатами IКп, UКЭп,
IБп. Этой точке соответствует точка "О" на входных характеристиках транзистора (см. рис. 2.8),
определяемая координатами IБп, UКЭп. Для расчета величины резистора RБ (по уравнениям (2.7) и
(2.8)) установим величину напряжения UБЭп по рис. 2.8. Поскольку величина этого напряжения
порядка (0.40.7) В, то проводить нагрузочную линию по уравнению (2.7) неудобно, т.к. напряжение
ЕК порядка (1020) В. Записав уравнения (2.7) для точки "О", рассчитаем требуемое значение
резистора RБ:
EК  U БЭП
EК  U БЭП  I Б П  RБ ;  RБ  .
I БП

Для маломощных транзисторов значения сопротивлений RК и RБ составляют ориентировочно


единицы и десятки кОм соответственно.

U КЭ = 0 U КЭ П U КЭ = -5

IБ П О

U Б ЭП UБ Э

Рисунок 2.8 — Входные ВАХ транзистора с ОЭ

5.6 Динамический режим работы каскада с общим эмиттером

Характеристики каскада с общим эмиттером при усилении переменного синусоидального сигнала


рассмотрим на примере схемы рис.1.21. Разделительные конденсаторы Ср1 и Ср2 установлены, чтобы
исключить влияние нагрузки и источника сигнала на режим работы каскада по постоянному току,
причем величина емкостей такова, что в диапазоне средних частот Х Ср1 = ХСр2 = ХСэ 0. При анализе
схемы принимаем, что внутреннее сопротивление источника питания равно нулю. Тогда каскад с
общим эмиттером (ОЭ) рис.1.21 при усилении переменного сигнала можно представить в виде
эквивалентной схемы замещения рис. 1.22.
Рисунок 1.21 - Каскад с общим эмиттером

Сопротивления R1 и R2 по переменному току включены параллельно между базой и


эмиттером ( R1 || R2), т.к. резистор R1 соединяется с выводом эмиттера через источник питания , а RК
и RН включены параллельно между коллектором и эмиттером транзистора. В схеме рис. 1.22
резисторы rб, rЭ и rК(Э) представляют собой дифференциальные сопротивления базы, эмиттерного и
коллекторного переходов соответственно, Iб – эквивалентный источник тока, а CК(Э) - емкость
коллекторного перехода.

Рисунок 1.22 - Эквивалентная схема замещения каскада с общим эмиттером

Входное сопротивление каскада ОЭ определяется параллельно включенными делителем в цепи базы


и входным сопротивлением транзистора:

RВХ = R1 || R2 || rвх

Если не учитывать шунтирующего действия коллекторной цепи (т.к.rк >> rэ), то для входной цепи
можно записать:

Uбэ = Iб rб + Iэ rэ
С учетом того, что Iэ = ( + 1)Iб:

Uбэ = Iб [ rб + ( + 1) rэ ]

а разделив левую и правую часть уравнения на Iб получим входное сопротивление транзистора:

С учетом реальных справочных значений rб , rэ и , а также принимая во внимание, что в реальных


схемах обычно выбирают R1 || R2 >/= (2 - 5) rвх, значение входного сопротивления каскада ОЭ не
превышает 1 - 3 кОм. Коэффициент усиления каскада по току определяется как:

Из эквивалентной схемы замещения:

Iб rвх = Iвх Rвх


откуда:

Ток нагрузки может быть найден путем анализа выходной цепи эквивалентной схемы рис. 1.22. Так
как сопротивление rЭ весьма мало по сравнению с сопротивлениями элементов выходной цепи,
можно записать:

IН RН = Iб ( rк(э) || RК || RН )
и

Подставляя в выражение для коэффициента усиления по току значения входного тока и тока
нагрузки, с учетом того, что rК(Э) >> RК || RН, находим:

Таким образом, коэффициент усиления по току каскада с общим эмиттером пропорционален


коэффициенту транзистора, зависит от шунтирующего действия входного делителя и величины
сопротивлений RК, RН . Для ориентировочной оценки КI можно принять RВХ rВХ, тогда
коэффициент усиления по току:

т.е. он довольно велик и стремится в пределе к коэффициенту усиления транзистора  при RК || RН.
Коэффициент усиления по напряжению схемы ОЭ:
Подставив в полученное выражение значение коэффициента усиления по току, получим:

Коэффициент усиления каскада по напряжению тем больше, чем выше коэффициент транзистора и
сопротивление выходной цепи по сравнению с сопротивлением входной цепи. В частности,
коэффициент усиления по напряжению возрастает с уменьшением внутреннего сопротивления
источника сигнала.
Выходное сопротивление каскада относительно выходных зажимов определяется как:

RВЫХ = RК || rК(Э)
Поскольку rК(Э) >> RК , выходное сопротивление каскада ОЭ определяется только величиной RК.
Следует отметить также, что усилительный каскад ОЭ осуществляет поворот по фазе выходного
напряжения относительно входного на 1800.

Назначение элементов в схеме с ОЭ:

Cвх, Cвых – для выделения переменной составляющей входного и выходного


сигналов;
Cэ – блокирующий конденсатор (по переменному току данный конденсатор
делает однопотенциальными точки 1 и 2 т.е. по переменному току эмиттер
является общим для входа выхода схемы);
VT1 – предназначен для усиления сигнала по мощности (усиление происходит
за счѐт источника энергии Eк);
R1, R2 – делитель – предназначен для задания тока базы Iб по постоянному току
Iб0;
Rк, Rэ – определяют наклон нагрузочной прямой по постоянному току (Rк
определяет допустимый диапазон изменения напряжения, Rэ предназначен
для термостабилизации рабочей точки по постоянному току.
При расчѐте каскада по постоянному току в зависимости от требований нагрузки и
источника входного сигнала рассчитываются номиналы резисторов R1,R2,R3,R4. Далее
выбирается тип транзистора и положение рабочей точки по постоянному току. Затем все
элементы R1,R2,R3,R4 выбираются по ГОСТ из существующего ряда резисторов и расчѐты
уточняются.
5.7 Расчет усилителя по переменному току.

Оценить