Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
2. Полупроводниковые диоды.
2.1. Характеристики и параметры диодов.
2.1.1. Общие сведения
2.1.2. Характеристики и параметры
2.2. Математические модели диода и их применение.
2.2.1. Идеальный диод
2.2.2. Кусочно - линейная модель диода
2.2.3. Полная схема замещения диода
2.2.4. Полиномиальная аппроксимация участка ВАХ диода
2.3. Виды и система обозначений современных полупроводниковых диодов.
2.3.1. Виды и обозначение диодов
2.3.2. Система обозначений современных полупроводниковых диодов
2.4 Тиристоры
2.4.1Устройство тиристора
2.4.2 Вольт-амперная характеристика тиристора
2.4.3 Режимы работы тиристора
2.4.4 Принцип отпирания тиристора с помощью управляющего электрода
2.4.5 Отключение тиристора
2.4.6 Симистор
2.5 Схемы выпрямителей с активной нагрузкой
2.5.1 Однополупериодная схема выпрямителя
2.5.2 Двухполупериодные схемы выпрямителей
2.5.3 Трѐхфазные выпрямители
2.6 Выпрямители с активно-реактивной нагрузкой
2.6.1 Однополупериодный выпрямитель с ѐмкостной нагрузкой
2.6.2 Двухполупериодные схемы выпрямителей с активно-емкостной
2.6.3. Расчетные соотношения для выпрямителей с активно- емкостной нагрузкой
2.6.4 Выпрямители с умножением напряжения
2.7 Управляемые однофазные выпрямители
3. Биполярные транзисторы.
3.1. Устройство и основные процессы
3.1.1. Устройство биполярного транзистора
3.1.2. Режимы работы биполярного транзистора и основные физические процессы
3.2. Характеристики и параметры биполярного транзистора
3.2.1. Способы включения биполярного транзистора
3.2.2. Схема с общей базой
3.2.3. Схема с общим эмиттером
3.2.4. Схема с общим коллектором
3.2.5. Инверсное включение транзистора
3.3. Математические модели биполярного транзистора
3.3.1. Модели Эберса-Молла
3.3.2. Физическиие малосигнальные модели биполярных транзисторов
3.3.3. Малосигнальные модели биполярного транзистора в виде активного линейного
четырехполюсника
3.4. Система обозначений транзисторов
4. Полевые тразисторы.
4.1. Общие определения
4.2. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
4.2.1. Принцип действия, обозначение
4.2.2. Вольтамперные характеристики
4.3. Полевой транзистор с изолированным затвором
4.3.1. Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
4.3.2. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом
4.4. Параметры и модели полевых транзисторов
4.4.1. Параметры полевых транзисторов
4.4.2. Математические модели транзистора с общим истоком
5. УСИЛИТЕЛИ
5.1 Классификация и типы усилителей.
5.2 Основные характеристики усилителей.
5.3 Работа усилительного элемента в схеме
5.4 Статический режим работы транзисторного каскада с общим эмиттером (ОЭ)
5.5 Расчет усилителя по постоянному току.
5.6 Динамический режим работы каскада с общим эмиттером
5.7 Расчет усилителя по переменному току.
1. Основы полупроводниковой электроники. Контактные явления.
ВВЕДЕНИЕ
Электроника
Предметом курса микросхематехника является теория и практика применения электронных,
полупроводниковых приборов в устройствах применяемых в различных отраслях народного хозяйства.
– радиотелеграфный (1895–1925г.г.);
– радиотехнический (1925–1945г.г.);
– электроники (полупроводниковый) (1945–1965г.г.);
– микроэлектроники (1965г. по настоящее время).
Последние достижения в области микроэлектроники — создание интегральных микросхем от
малой до сверхбольшой степеней интеграции позволили получить базовые элементы с очень высокими
надежностными характеристиками, быстродействием, маленькой потребляемой мощностью, на основе
которых создаются современные микропроцессорные устройства и системы, а также современные
компьютеры и элементы измерительных, управляющих и вычислительных систем.
Электронные сигналы
Такая структура при температуре абсолютного нуля представляет собой изолятор, так как свободных
электронов, обуславливающих электропроводность, в ней нет. Однако, при увеличении температуры
даже такие крепкие связи могут нарушиться, что приведет к появлению, с одной стороны, свободных
электронов, а с другой – к так называемым «дыркам» - местам в решетке, которые покинули электроны.
Свободный электрон может занять дырку (произойдет рекомбинация). Дырку может занять ближайший
связанный электрон, в результате чего уже на его бывшем месте образуется новая дырка. Всякий
переход электрона от одного атома к другому сопровождается одновременно встречным переходом
дырки. Если электрон имеет отрицательный заряд, то дырке условно приписывается положительный
заряд такой же величины, как заряд электрона. Дырка как бы перемещается (движется) по кристаллу,
также как электрон.
(1.1)
При отсутствии внешнего электрического поля носители заряда движутся в полупроводнике хаотично.
Это движение называют диффузией. Диффузионное движение зарядов обусловлено неравномерностью
концентрации зарядов и тепловой энергией.
Если теперь к кристаллу приложить внешнее напряжение, то может возникнуть небольшой ток,
обусловленный дрейфом электронов и дырок, причем скорости дрейфа электрона и дырки разные, они
зависят от их подвижности и напряженности электрического поля. В целом число свободных
электронов и дырок незначительно. Например, в кристалле германия при комнатной температуре есть
только 2 свободных электрона на 1010 атомов, но в 1 грамме германия имеется 1022 атомов. Таким
образом, в одном грамме содержится 2·1012 свободных электронов, что и создает собственную
проводимость чистого полупроводника. Однако для создания тока в один ампер потребуется 6·1018
электронов в секунду! Поэтому ток чистого полупроводника очень мал.
1
Параметры чистого полупроводника обозначаются обычно с индексом i от intrinsic – истинный.
2
Эти вопросы подробно рассматриваются в курсе «Физические основы микросхемотехники».
Любой электрический переход не может быть создан путѐм простого соприкосновения двух
полупроводниковых кристаллов. Для их изготовления используют специальные технологические
приемы. В настоящее время наиболее распространены сплавные и диффузионные переходы.
Рис. 1.2
В результате на границе образуется обедненный носителями обоих типов слой, он имеет большое
удельное сопротивление.
Рис. 1.3
При отсутствии внешнего поля величина потенциального барьера (или контактная разность
потенциалов) определяется соотношением
(1.2)
Как следует из формулы (1.3) для увеличения ширины p-n-перехода нужно использовать слабо
легированные полупроводники, а для создания узкого перехода – сильно легированные.
Зависимость тока через переход от приложенного к нему внешнего напряжения определяет так
называемую вольтамперную характеристику перехода (ВАХ). Для идеального p-n-перехода имеет
место следующая зависимость тока от напряжения
(1.4)
где Is - обратный ток насыщения неосновных носителей при обратном напряжении на переходе. При
u >> 0,025 В величина , поэтому в этом случае можно считать , а при u << -0,025 В,
, поэтому можно считать, что при больших обратных напряжениях обратный ток равен току
насыщения.
Рис. 1.4
На рис.1.4 пунктиром показана ВАХ идеального p - n -перехода в соответствии с выражением (1.4)
для тока насыщения, равного 5 мкА, сплошные кривые соответствуют реальным переходам с
кристаллом из германия ( Ge ) и кремния ( Si ). Для германия ток насыщения составляет примерно 10
мкА, а для кремния 10-15…10-13 А. В выражение (1.4) для малых токов кремниевого перехода в
формулу (1.4) вводят коэффициент m =2…2,5:
Обычно графики для прямых и обратных токов представляются в разных масштабах как для токов,
так и для напряжений, поскольку прямые напряжения составляют доли вольта при токах несколько
миллиампер , а обратные напряжения – десятки вольт при токе доли и единицы микроампер.
Рис. 1.5
Началу пробоя соответствует точка А. После этой точки дифференциальное сопротивление перехода
стремится к нулю.
Различают три вида пробоя p-n-перехода:
Туннельный пробой возникает при малой ширине p-n-перехода (например, при низкоомной базе),
когда при большом обратном напряжении электроны проникают за барьер без преодоления самого
барьера. В результате туннельного пробоя ток через переход резко возрастает и обратная ветвь ВАХ
идет перпендикулярно оси напряжений вниз.
Лавинный пробой возникает в том случае, если при движении до очередного соударения с
нейтральным атомом кристалла электрон или дырка приобретают энергию, достаточную для
ионизации этого атома, при этом рождаются новые пары электрон-дырка, происходит
лавинообразное размножение носителей зарядов; здесь основную роль играют неосновные носители,
они приобретают большую скорость. Лавинный пробой имеет место в переходах с большими
удельными сопротивлениями базы («высокоомная база»), т.е. в p-n-переходе с широким переходом.
и равна
,
где Sпер – площадь перехода.
где - время жизни носителей для толстой базы или среднее время пролета для тонкой базы.
Рис. 1.6
2. Полупроводниковые диоды:
2.1. Характеристики и параметры.
(2.1)
Однако в реальных диодах ВАХ отличаются от (2.1), что объясняется тем, что, во-первых, для
разных типов материалов полупроводникового кристалла обратный ток насыщения сильно зависит
от температуры; во-вторых, при большом обратном напряжении, при котором измеряется ток
насыщения, наблюдается термогенерация носителей непосредственно в области перехода; в-
третьих, в реальных диодах наблюдаются поверхностные утечки тока (дополнительные
проводимости); в-четвертых, при анализе процессов в p-n -переходе не учитываются ни размеры
кристалла и перехода, ни сопротивления полупроводниковых слоев, прилегающих к переходу.
Наличие в полупроводниковом кристалле высокоомной области базы, которая характеризуется
сопротивлением rб, приводит к тому, что прямая ветвь диода идет ниже, чем у идеального p-n -
перехода.
В реальных диодах необходимо оценивать все эти явления и учитывать, что обратный ток диода
складывается из теплового тока, тока термогенерации и тока утечки. В германиевых диодах
основную роль играет тепловой ток, который удваивается при увеличении температуры
окружающей среды на каждые 7…10оС. Соизмерим с ним и ток утечки, но последний мало зависит
от температуры, но зависит от величины обратного напряжения. В кремниевых диодах тепловой
ток удваивается на каждые 8…12оС, но он на 6…7 порядков ниже, чем у германиевых диодов.
Основными составляющими обратного тока кремниевого диода являются токи термогенерации и
утечки, поэтому обратный ток кремниевых диодов отличается от обратного тока германиевых
диодов всего на 1,5…2 порядка, и в обоих диодах он не остается постоянным при изменении
обратного напряжения, а медленно возрастает при его увеличении.
При прямом включении существенное влияние на ход ВАХ оказывает падение напряжения на
сопротивлении базы диода, которое начинает проявляться уже при токах, превышающих 2…10 мА.
Кроме того, прямая ветвь ВАХ отклоняется от идеальной из-за наличия токов рекомбинации в p-n-
переходе, изменения (модуляции) сопротивления базы при инжекции в нее неосновных носителей.
С учетом падения напряжения на базе уравнение прямой ветви может быть представлено в виде
(2.2)
Для оценки ВАХ реальных диодов в качестве одного из основных параметров используют
обратный ток Iобр, который измеряют при определенном значении обратного напряжения. В
паспортных данных обычно для каждого вида диода указывается максимально допустимое
значение обратного тока.
Диоды характеризуются достаточно большим числом параметров. Общими практически для всех
типов являются следующие:
Рис. 2.2
Такое представление реального диода часто удобно использовать для анализа схем выпрямителей с
большими значениями амплитуд выпрямляемых напряжений, когда нелинейностью начального
участка прямой ветви ВАХ и наличием небольшого обратного тока можно пренебречь.
Рис. 2.3
а при отрицательных значениях е(t) ток равен нулю. Осциллограммы тока и напряжений в схеме
показаны на рис.2.4.
Рис. 2.4
Рис. 2.5
Как видим, обратное напряжение на диоде здесь увеличилось на величину смещения, а
выпрямленное напряжение уменьшилось не только за счет уменьшения амплитуды тока, но и за
счет уменьшения длительности импульсов тока.
Рис. 2.6
При выполнении этого неравенства постоянная составляющая тока протекает через резистор R , а
все переменные составляющие – через конденсатор С , так как его сопротивление переменным
токам будет значительно меньше сопротивления резистора.
Рис. 2.7
Рис. 2.8
На прямой ветви через т.А1 проводим касательную к ВАХ до пересечения с осью напряжений.
Точка пересечения определяет напряжение U0. дифференциальное сопротивление диода в точке А1
определяется как
Для обратной ветви через заданную точку А2 проводят касательную к ветви до пересечения с осью
обратных токов. Точка пересечения дает значение обратного тока I0, дифференциальное
сопротивление обратной ветви, определенное в точке А2, равно
Эквивалентные схемы такой модели для прямой и обратной ветви ВАХ показаны на рис. 2.9 а, б
соответственно.
Рис. 2.9
Применение модели для простейшей схемы диода с резистором в прямом режиме показано на
рис.2.10
Рис. 2.10
откуда
Для оценки частотных свойств диода следуeт учитывать общую емкость диода СД, являющуюся
суммой барьерной и диффузионной емкостей, а также сопротивления контактов. На рис. 2.11
приведена такая модель.
Рис. 2.11
На рис. 2.12 показаны примеры ВАХ, где жирно выделены квадратичный (а) и кубичный участки
(б) в окрестности т. А.
Рис. 2.12
Uобр,макс –максимально допустимое обратное напряжение, которое диод может выдержать без
нарушения его работоспособности;
Iпр,п – пиковое значение импульса тока при заданных максимальной длительности, скважности и
формы импульса;
Uпр,ср – среднее прямое напряжение диода при заданном среднем значении прямого тока;
Pср – средняя за период мощность, рассеиваемая диодом, при протекании тока в прямом и обратном
направлениях;
Особо отметим класс импульсных диодов, имеющих очень малую длительность переходных
процессов из-за малых емкостей переходов (доли пикофарад); уменьшение емкостей достигается за
счет уменьшения площади p-n-перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них меньше,
чем у низкочастотных выпрямительных диодов. Их используют в импульсных схемах.
К параметрам, перечисленным выше, для импульсных диодов следует отнести общую емкость СД,
максимальные импульсные прямые и обратные напряжения и токи, время установления прямого
напряжения от момента подачи импульса прямого тока до достижения им заданного значения
прямого напряжения и время восстановления обратного сопротивления диода с момента
прохождения тока через нуль до момента, когда обратный ток достигает заданного малого значения
(см. рис. 2.13).
Рис. 2.13
После изменения полярности напряжения в течение времени t1 обратный ток меняется мало, он
ограничен только внешним сопротивлением цепи. При этом заряд неосновных носителей,
накопленных в базе диода, рассасывается. Далее ток уменьшается до своего статического значения
при полном рассасывании заряда в базе.
Основные параметры:
В диоде Шотки отсутствуют явления накопления и рассасывания основных носителей, поэтому они
очень быстродействующие и могут работать на частотах до десятков ГГц. Прямое напряжение
составляет ~0,5 В, прямой допустимый ток может достигать сотни ампер, а обратное напряжение –
сотен вольт. ВАХ диода Шотки напоминает характеристику обычных p-n-переходов, отличие
состоит в том, что прямая ветвь в пределах 8-10 декад напряжения представляет почти идеальную
экспоненциальную кривую, а обратные токи достаточно малы – 10-10…10-9 А.
Варикап работает как правило при обратном напряжении, при изменении которого изменяется в
широких пределах барьерная емкость диода, причем
где С(0) – емкость при нулевом напряжении на диоде; - контактный потенциал; n =2 для резких
и n =3 для плавных p-n-переходов.
Основные параметры:
Таблица 2.1
Выпрямительный
Диод Шотки
Стабилитрон
Стабистор
Варикап
Туннельный диод
Обращенный диод
В основе обозначений лежит буквенно-цифровой код, состоящий из пяти позиций. Ниже в таблице
2.2 представлены обозначения всех пяти позиций.
Таблица 2.2
Позиция Обозначение
В – варикапы;
2
И – туннельные диоды;
А – сверхвысокочастотные диоды;
С – стабилитроны;
Г – генераторы шума;
О – оптопары.
Цифра – функциональные возможности.
Подкласс Д:
Подкласс Ц:
Подкласс В:
1 – подстроечные варикапы;
2 – умножительные варикапы.
Подкласс И:
4 – обращенные диоды.
Подкласс А:
1 – смесительные диоды;
2- детекторные диоды;
3 – усилительные диоды;
4 – параметрические диоды;
7 – генераторные диоды;
8- импульсные диоды.
Подкласс С:
601…700 – видеодетекторы,
2.4 Тиристоры
2.4.1Устройство тиристора
В общем случае p-n-p-n прибор может иметь два управляющих электрода (базы), присоединенных к
внутренним слоям. Прибор без управляющих электродов называется диодным тиристором (или
динистором или диодом Шокли). Прибор с одним управляющим электродом называют триодным
тиристором или тринистором (или просто тиристором!).
Рис. 3
По горизонтальной оси отложено напряжение между анодом и катодом, а по вертикальной –
протекающий через прибор ток.
Изменяемым параметром семейства характеристик является значение тока
Iу в цепи управляющего электрода.
На ВАХ тиристора можно выделить четыре характерных участка, отмеченных на рис. 3
латинскими буквами
ABCDE. Дополнительно на рис. 3 показаны нагрузочные прямые
I,
II,
III для различных напряжений сети.
Участок
AB соответствует обратной характеристике, когда к аноду тиристора приложено отрицательное
напряжение относительно катода. При разомкнутой цепи управления или отсутствии в ней тока (
Iу=0) обратная характеристика тиристора аналогична обратной ВАХ полупроводникового диода. В
рабочем диапазоне напряжений
Uзс от 0 до максимального рабочего, называемого обратным повторяющимся напряжением
Uповт, обр
max, через прибор протекает очень малый, порядка долей миллиампера, ток (рабочая точка 1).
Прямая ветвь тиристора изображена в первом квадранте системы координат. Она соответствует
такой полярности напряжения, когда к аноду приложено положительное относительно катода
напряжение.
На отрезке
BC вплоть до напряжения переключения
Uповт. пр мах тиристор с нулевым управляющим током закрыт и ток через него не превышает 5-15 мА
(рабочая точка 2). Переход в открытое состояние ( в рабочую точку 3 на участке
DE) возможен двумя способами. Первый способ – повышение напряжения на тиристоре, так что
рабочая точка доходит до точки
С. В этом случае рабочая точка скачкообразно переходит на участок
DE. Такой режим включения тиристора применяется редко. Традиционным способом открытия
тиристора является подача управляющего тока. В результате кривая
BCD на ВАХ спрямляется, и рабочая точка также попадает на участок
DE, соответствующий открытому состоянию тиристора. Семейство вольт-амперных характеристик
при разных управляющих токах показывает, что при различных напряжениях на тиристоре требуется
подача различных токов управления для включения тиристора: малые управляющие токи при
больших напряжениях и большие токи при малых напряжениях. При управляющем токе, равном
Iуз, прямая ветвь ВАХ тиристора также совпадает с ВАХ полупроводникового диода.
Отметим, что участок
DC характеризует неустойчивое состояние тиристора. Эта область носит название участка с
отрицательным электрическим сопротивлением. Из него тиристор всегда переходит в открытое
состояние с низким электрическим сопротивлением (на участок
DE).
Рабочий участок
DE соответствует открытому состоянию симистора и характеризуется малым падением напряжения
на приборе
Uос при большом токе
Ioс. Эта область характеристики аналогична прямой ветви характеристики полупроводникового
диода. Напряжение
Uос, в зависимости от свойств полупроводниковой структуры, равно 1-2 В и слабо зависит от
величины протекающего тока
Ioс. На переходе тиристора выделяется мощность, которую можно оценить величиной (1…2)х
Ioс. После падения тока, проходящего через тиристор, ниже значения тока удержания
Iу тиристор закрывается.
Собственно в этом и заключается самое полезное свойство тиристора, симистора и других
приборов с отрицательным обратным сопротивлением: переключенные в состояние с малым
сопротивлением, они остаются в этом состоянии сколь угодно долго, даже после снятия
управляющего сигнала, вплоть до падения тока нагрузки ниже тока удержания. Это позволяет
управлять симисторами и тиристорами короткими импульсами управляющего напряжения.
Вольт-амперная характеристика симистора очень похожа на ВАХ тиристора, но поскольку, для
симистора не существует прямого и обратного направления включения, то кривая симметрична
относительно центра координат. Каждая из половин этой кривой напоминает кривую включения
тиристора в прямом направлении.
Одним из факторов, делающих симистор более удачным устройством для коммутации
переменного тока, чем тиристор, является то, что прибор имеет одинаковые свойства при протекании
по нему тока в любом из направлений. Как и тиристор, симистор выключается при токе через него,
стремящемся к 0. Это снижает индукционные и другие наведѐнные токи и помехи в сети,
вызываемые отключением питания при высоком напряжении.
Когда тиристор находится во включенном состоянии, все три перехода смещены в прямом
направлении. Дырки инжектируются из области p1, а электроны — из области n2, и структура n1-p2-
n2 ведѐт себя аналогично насыщенному транзистору с удалѐнным диодным контактом к области n1.
Следовательно, прибор в целом аналогичен p-i-n (p+-i-n+)-диоду.
Зададим ток IGT через управляющий электрод тиристора, смещенного в прямом направлении
(напряжение VAK положительное), как показано на рис. 4.
Так как ток IGT становится базовым током транзистора n-p-n, то ток коллектора этого транзистора
равен B1xIGT, где B1 - коэффициент усиления по току транзистора Т1.
Этот ток одновременно является базовым током транзистора р-n-р, что приводит к его отпиранию.
Ток коллектора транзистора Т2 составляет величину B1xB2xIGT и суммируется с током IGT, что
поддерживает транзистор Т1 в открытом состоянии. Поэтому, если управляющий ток IGT достаточно
велик, оба транзистора переходят в режим насыщения.
Цепь внутренней обратной связи сохраняет проводимость тиристора даже в случае исчезновения
первоначального тока управляющего электрода IGT, при этом ток анода (1А ) остается достаточно
высоким.
Типовая схема запуска тиристора приведена на рис. 5
.
Отключение тиристора произойдет, в частности, если была разомкнута цепь нагрузки (рис. 6а) или
напряжение, приложенное к внешней цепи, поменяло полярность (это случается в конце каждого
полупериода переменного напряжения питания).
Рис.6. Способы отключения тиристора
Когда тиристор работает при постоянном токе, отключение может быть произведено с помощью
механического выключателя.
Включенный последовательно с нагрузкой этот ключ используется для отключения рабочей цепи.
Включенный параллельно основным электродам тиристора (рис. 6б) ключ шунтирует анодный ток,
и тиристор при этом переходит в закрытое состояние. Некоторые тиристоры повторно включаются
после размыкания ключа. Это объясняется тем, что при размыкании ключа заряжается паразитная
емкость р-n перехода тиристора, вызывая помехи.
Поэтому предпочитают размещать ключ между управляющим электродом и катодом тиристора
(рис. 1.6в), что гарантирует правильное отключение посредством отсечения удерживающего тока.
Одновременно смещается в обратном направлении переход р-n, соответствующий диоду D2 из
схемы замещения тиристора тремя диодами (рис. 2).
На рис. 6а-д представлены различные варианты схем отключения тиристора, среди них и ранее
упоминавшиеся. Другие, как правило, применяются, когда требуется отключать тиристор с помощью
дополнительной цепи. В этих случаях механический выключатель можно заменить вспомогательным
тиристором или ключевым транзистором, как показано на рис. 7.
2.4.6 Симистор
Структура симистора
Функционирование симистора
Симистор открывается, если через управляющий электрод проходит отпирающий ток или если
напряжение между его электродами А1 и А2 превышает некоторую максимальную величину (на
самом деле это часто приводит к несанкционированным срабатываниям симистора, происходящим
при максимуме амплитуды напряжения питания).
Симистор переходит в закрытое состояние после изменения полярности между его выводами А1 и
А2 или если значение рабочего тока меньше тока удержания Iу.
Отпирание симистора
Каждый квадрант соответствует одному способу открывания симистора. Все способы кратко
описаны в табл. 1.
Рис.9. Четыре возможных варианта управления симистором
e
I1 I2 VD u, i
Tp
Uн
I0 Uo iH
U1 U0
RH I0
2
i
а)
б)
E 2m sint
i2(ωt) = iн(ωt) = = I2m sinωt,
rтр Rі R H
E 2m sint
uн(ωt) = iн(ωt) · RН = · RН .
rтр Rі R H
2 2
1 1 E 2m sint
U0 =
2 0 u н( t )d ( t ) = 2 r
0 тр Rі R Н
R Н d ( t ) =
E2m RН
;
rтр Rі R Н
U0 E 2m
I0 =
R Н ( rтр Rі R Н )
E 2m 2 E2
U0 xx = = 0,45E2,
Rвн = rтр+Ri
При необходимости учитывать напряжение отсечки диода Е0 (для Е2m < 3B) напряжение на
нагрузке равно :
U Oxx E0
RH .
U0 =
Rвх RH
Параметры трансформатора определяются через действующие значения напряжений и токов
вторичной (U2, I2) и первичной (U1, I1) обмоток:
2
1 1 E2m sintt I
i 2 ( t ) d ( t ) = rтр Rі RH d ( t ) = 2 m ,
2
I2 =
2 2 2
или
E 2m sint
I2 = = 1,57I0 .
2(rтр Rі RH )
1
K i 2 ( t ) I 0 ,0 t ;
T
i1(ωt) =
I 0 ,0 t 2 .
K T
Действующее значение тока первичной обмотки трансформатора определяется аналогично
I2 :
1
i ( t ) I0 d ( t ) 1 I0 d ( t ) 1,21I 0
2
2 2
2 0 KT2
I1 = = .
2 0 KT2 KT
Мощность вторичной обмотки трансформатора:
U0
P2 = E2·I2 = ·1,57 I0 = 3,5 U0 I0 = 3,5P0.
0 ,45
Мощность первичной обмотки трансформатора:
U0 1,21I 0
P1 = U1·I1 = ·KT·I0 = 2,7 U0 I0 = 2,7 P0.
0 ,45 KT
Габаритная мощность трансформатора:
P1 P2
P габ = = 3,1 Р0.
2
Качество выпрямленного напряжения характеризуется коэффициентом пульсаций –
отношением амплитуды первой гармоники напряжения на нагрузке к его среднему значению:
U m( 1 )
KП ,
UO
2
1 1 E 2m sint
u н ( t ) sin t d ( t )
0 rтр Rі R H
U (1)
R H sint d ( t ) = 1,57 U0,
m
0
KП = 1,57 157%.
Диод для работы в схеме выпрямителя выбирается по среднему току и максимальному
обратному напряжению. Для однополупериодной схемы эти величины равны:
Iпр доп > I0,
Uобр мах > U2m.
Из-за низких энергетических и качественных показателей однополупериодная схема с
активной нагрузкой используется очень редко.
Вследствие этого в положительный полупериод диод VD1 открыт, а VD2 закрыт, и процессы
в схеме полностью идентичны процессам в однополупериодной схеме. В отрицательный
полупериод диод VD1 закрыт, а открыт диод VD2, и через нагрузку протекает такой же ток, как и
в положительный полупериод (рис.1.2б). Таким образом ток и напряжение на нагрузке существует
в течение всего периода и в течение каждого полупериода описываются выражениями:
E 2m sint
iн(ωt) = ,
rтр Rі RH
E 2m sint
uн (ωt) = RH .
rтр Rі R H
Среднее значение тока каждого диода в отдельности в два раза меньше тока нагрузки:
I0
I0в = .
2
При представлении схемы со средней точкой активным двухполюсником (рис.1.2)
напряжение холостого хода равно:
UО xx = 0,9 E2,
остальные параметры активного двухполюсника такие же, как и для однополупериодного
выпрямителя.
Ток вторичной обмотки трансформатора (каждой половины) совпадает с формой тока диода,
поэтому действующее значение тока, как и в однополупериодной схеме, равно:
1
I 2m
iв ( t ) d ( t ) =
2
I2 = .
2 0 2
Но поскольку при одинаковой величине I2m среднее значение тока I0 в два раза больше, чем в
однополупериодной, то:
I2 = 0,785 I0.
Действующее значение тока первичной обмотки трансформатора обусловлено действием
токов обеих половин вторичной обмотки, поэтому:
I 22 I2 1,11I 0
I1 2 2 .
K T2 KT KT
U0
P2 = 2 E2·I2 = 2 · 0,785 I0 = 1,74 P0.
0 ,9
Мощность первичной обмотки трансформатора:
1,11I 0
P1 = U1·I1 = U2 ·KT·I0 = 1,23 P0.
KT
P1 P2
P габ = = 1,49 Р0.
2
Частота основной гармоники напряжения на нагрузке в два раза больше частоты сети.
Поэтому амплитуда основной гармоники равна:
2
1
U (1)
uн ( t ) sin 2t d ( t ) = 0,67 U0.
m
0
U m( 1 )
KП 0 ,67 67% .
U0
В схеме со средней точкой максимальное обратное напряжение диода должно быть больше
2Е2m, поскольку при открытом диоде VD1 к диоду VD2 приложено напряжение обеих половин
вторичной обмотки трансформатора.
Недостатком схемы со средней точкой является плохое использование трансформатора,
следствием чего является необходимость увеличения размеров сердечника трансформатора.
Этот недостаток устраняется в двухполупериодной мостовой схеме выпрямителя (рис.1.4а).
Временные диаграммы, поясняющие особенности работы схемы, приведены на рис.1.4б.
u, i e
Uн
Tp iн
VD4 VD1
U1 U0
I0 D1,3 D2,4 D1,3
2
VD3 VD2
RH i
а)
б)
E 2m sint
iн(ωt) = ,
rтр 2 Rі R H
E 2m sintt
uн(ωt) = · RН .
rтр 2 Rі R H
U0 I0
I0 = ; I0в = .
RH 2
I2 1,11I 0
I1 .
KT KT
U0
P2 = U2·I2 = ·1,11 I0 = 1,23 P0,
0 ,9
I2
P1 = U1·I1 = U2 ·KT· = 1,23 P0,
KT
За период работы схемы каждый из диодов переключается один раз, поэтому время работы
2
каждого диода равно . В текущий момент будет открыт один из диодов, фазное напряжение на
3
котором будет более положительным в сравнении с остальными. При этом считается, что
переключение диода происходит мгновенно. Значит диод VD1 будет открыт в промежуток времени
[1;2] и [4;5] (т.к. в этот момент фазное напряжение Ua более положительно, чем Ub и Uc), VD2
будет открыт во время [2;3] и [5;6]. VD3 – в моменты времени [0;1] и [3;4].
напряжений. Например VD1 в момент времени [2;3] подключѐн к линейному напряжению Uab, а в
момент [3;4] – к линейному напряжению Uac.
2
1 6 3
Ud U 2ф max cos d U 2ф max sin 3
2 2 2
3
3 6
3 3 3 6
U 2ф max U2
2 2
Ud=1.17U2.
Работу этого выпрямителя рассмотрим на чисто индуктивную нагрузку. Допустим также, что
диоды переключаются мгновенно.
Схема мостового выпрямителя представляет собой комбинацию двух схем с нулевым
выводом. За период работы схемы происходит переключение каждого из шести диодов. Диоды
мостовой схемы скомбинированы в две группы: анодную и катодную. Из катодных диодов будет
открыт тот диод, на аноде которого будет более отрицательное фазное напряжение.
1 6 3 3 6
Ud U 2 л max cos d U 2 л max sin 6 U2
6
3 6
Ud=2.34U2.
2. Коэффициент пульсаций: Kп=0.057
3. Частота основной гармоники: fн1=6fсети
I
4. Средний ток через диод: d
3
5. Максимальное обратное напряжение на диоде: U обр max 6U 2
\\
u, i e
Uн Uc' '
VD U0 Uc
Tp iн Uc'
I0
C t1 t2
U1 2
RH
i
i1
а)
-I0
б)
t 2 t1
.
2
Ток диода является несинусоидальной периодической функцией времени и является
суммой тока нагрузки и зарядного тока конденсатора. Постоянная составляющая тока диода
является средним значением тока нагрузки I0, а переменная составляющая замыкается через
конденсатор С, сопротивление которого для основной гармоники тока диода значительно
меньше сопротивления нагрузки. Как и в схеме с активной нагрузкой, ток вторичной
обмотки трансформатора содержит постоянную составляющую, которая не
трансформируется в первичную. Форма тока первичной обмотки трансформатора показана
на рис.1.5б.
При уменьшении сопротивления нагрузки конденсатор при закрытом диоде
разряжается быстрее, а заряжается с прежней постоянной времени, поэтому среднее
значение напряжение на нагрузке уменьшается, угол отсечки увеличивается, пульсации
напряжения увеличиваются (пунктирная линия UС на рис.1.5б). При увеличении
сопротивления нагрузки, наоборот, среднее значение напряжение на нагрузке увеличивается
и в пределе при RН конденсатор заряжается до амплитудного значения напряжения
вторичной обмотки трансформатора. Угол отсечки при этом стремится к нулю, пульсации
напряжения уменьшаются. Таким образом, напряжение на нагрузке зависит от
сопротивления нагрузки и может изменяться в пределах от 0 до E2m.
В однополупериодной схеме выпрямителя с активно-емкостной нагрузкой допустимое
значение тока диода должно быть больше тока нагрузки, а обратное напряжение должно
удовлетворять условию:
Uобр max > 2 E2m.
I0
Iпр доп > ,
2
а обратное напряжение диода для схемы со средней точкой должно быть больше 2*E2m , для
мостовой – больше E2m.
Поскольку в выпрямителях с активно-емкостной нагрузкой среднее значение напряжения
на нагрузке зависит от сопротивления нагрузки, то расчет выпрямителей производится для
конкретного значения сопротивления нагрузки.
-конденсатор С имеет достаточно большую ѐмкость, так что напряжение на нем постоянно и
равно U0;
e2 t E2 m cos t .
С учетом этого эквивалентная схема для проводящего состояния диода имеет вид,
показанный на рис.1.7а (заряженный конденсатор по теореме компенсации заменен источником
напряжения U0).
e2 t U 0 E cos t U 0
iд t 2m .
rтр Ri rтр Ri
Рис. 1.7.Схема замещения выпрямителя для проводящего состояния диода (а) и график тока диода
(б)
Среднее значение тока диода для однополупериодной схемы является током нагрузки, для
двухполупериодной – половиной тока нагрузки. Для получения общей формулы введѐм
коэффициент р - число зарядных импульсов конденсатора С за период напряжения сети. Для
однополупериодной схемы р = 1, для двухполупериодной р = 2.
2
1 p E2 m cos t U 0
I0
2 0 iд t dt 2
rтр Ri
dt .
E2m p U0 p U0 p
2 R
IO cos t cos dt 2 sin 2 cos ( tg )
2 R cos R
R I0 R
A tg .
U0 p p RH
2 2
1 1 E 2 m cos t U 0
i ( t )dt dt .
2
IB
2 2
д
0
R
U0 R I0
E 2m U0
ptg
После подстановок и и выполнения интегрирования
cos
получим:
2 2 I0 I
I2 I B1 I B 2 I B 2 D 2 0 D.
p 2
Ток первичной обмотки трансформатора для однополупериодной схемы определяется с учетом
того, что постоянная составляющая тока вторичной обмотки не трансформируется в первичную:
Io
I1 D2 1 .
KT
Io
I1 D.
KT 2
E2 m U 0
I Д max ,
R
и с учетом аналогичных подстановок получим:
I 0 1 cos I
I Д max 0 F,
p sin cos p
1 1 E 2 m cos t E0
1
pC
cos ptdt .
(1) (1)
Um Im
pC R
(рис.1.8).
0 30 38 45 50 54 57 60 62
0.05 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
A
0.82 0.91 1.03 1.12 1.21 1.28 1.36 1.43
B
2.7 2.46 2.22 2.1 2.02 1.97 1.93 1.9
D
10 8 6.4 5.9 5.6 5.3 5.0 4.7
F
H 130 220 410 600 790 940 1100 1280
(1)
U 0 E2 m cos cos .
Ток нагрузки I0 равен:
pU 0
I 0 cos sin cos ,
R
отсюда
0,6
0,4
0,2
0
0,04 0,08 sin - cos
При больших сопротивлениях нагрузки (при малых токах) существенной разницы между
схемами выпрямителей нет – все схемы обеспечивают напряжение на нагрузке, примерно равное
E2m. Разница заключается в режиме работы и конструкции трансформатора и частоте пульсации
выпрямленного напряжения. При больших значения напряжения на нагрузке и небольшой
мощности, что характерно для больших значений сопротивления нагрузки, для улучшения
конструктивных параметров трансформатора используются выпрямители с умножением
напряжения.
e
Uc1
Tp
VD2 VD1
U1 U2
2
C2 C1
RH iд2 Uc2
а)
б)
U 0 U C 1 U C 2 2 E2 m .
Временные диаграммы работы схемы показаны на рис.1.10б. Режим работы каждого диода
определяется как для однополупериодной схемы, обеспечивающей половину напряжения на
нагрузке при полном токе нагрузки. Поэтому угол отсечки тока диода определяется для р = 1 и
U
U0 0 :
2
2 R I 0 2R
A tg .
U0 RH
По полученному значению А определяют коэффициенты B, D, F, при этом р = 1.
Соответственно:
U0
E2 B ;
2
I B I0 D .
Поскольку трансформатор работает без постоянного подмагничивания, то ток вторичной обмотки
трансформатора равен:
I 2 I B 2 I0 D 2 .
I B max I B F .
Напряжение на нагрузке обеспечивается двумя последовательно включенными
конденсаторами С1 и С2. Эквивалентный по отношению к нагрузке конденсатор имеет ѐмкость:
С1 С 2 С С
С экв 1 2 ,
С1 С 2 2 2
и заряжается два раза за период напряжения сети. Поэтому коэффициент H определяется для р =
2:
H
КП .
RC экв
Частота пульсаций равна удвоенной частоте сети.
Достоинством мостовой схемы с удвоением напряжения является уменьшение числа витков
вторичной обмотки трансформатора при увеличении тока, что предпочтительней при
конструктивном выполнении трансформатора. Мостовая схема с удвоением напряжения
применяется при мощностях нагрузки до нескольких десятков ватт.
При необходимости получения напряжений порядка сотен - тысяч вольт используют
однополупериодную схему выпрямителя с умножением напряжения (рис.1.11).
RH2
C1 C3
Tp
VD1 VD3
U1 U2
VD2 VD4
C2 RH1 C4
U C 2 E2 m U C 1 2 E2 m .
В следующий отрицательный полупериод параллельно с подзарядом конденсатора С1
конденсатор С3 через диод VD3 заряжается до напряжения примерно 2E2m:
U C 3 E2m U C 2 U C1 2E2m .
Аналогично в положительный полупериод параллельно с подзарядом конденсатора С2 заряжается
конденсатора С4 примерно до напряжения 2E2m:
U C 4 E2 m U C 1 U C 3 U C 2 2 E2 m .
Таким образом, на последовательно соединенных конденсаторах С2 и С4, к которым
подключена нагрузка RН1, напряжение равно 4E2m, на конденсаторах С1 и С3, к которым может
быть подключена нагрузка RН2, напряжение равно 3E2m. Аналогичные цепочки VDn и Cn можно
подключать и далее, в верхнем ряду конденсаторов коэффициент умножения будет нечетным, в
нижнем – четным.
1) Ключ разомкнут:
1 1
2 2 cos 2 1 cos
2 2
U d U 2m sin d
2
1 cos
Окончательно выражение для имеет вид: U d U d 0
2
Графически регулировочная характеристика выглядит следующим образом:
2) Ключ S – разомкнут
1
0
1
U d U 2m sin d U 2m sin d 2U 2 cos 2U 2 cos
0
2 2
cos U d 0 cos
Итак, при Lн выражение для регулировочной характеристики имеет вид:
Ud=Ud0cos .
3. Биполярные транзисторы:
3.1. Устройство и основные процесссы.
Рис. 3.1
Рабочей областью транзистора является так называемая активная область кристалла, расположенная
непосредственно под эмиттерным переходом. Необходимое взаимодействие между переходами
обеспечивается малой толщиной базы, которая у современных транзисторов меньше диффузионной
длины L и не превышает нескольких микрометров. При этом ток одного перехода сильно влияет на ток
другого, и наоборот. База транзистора может быть легирована неравномерно и равномерно по своему
объему. В базе с неравномерным распределением атомов примеси (неоднородная база) образуется
внутреннее электрическое поле, приводящее к дрейфу носителей заряда и ускорению движения
носителей через базу. В однородной базе движение носителей связано только с диффузией. Поэтому
первый тип транзисторов называют дрейфовыми, а второй – бездрейфовыми. Дрейфовые транзисторы
более быстродействующие.
в) режим насыщения – на оба перехода поданы прямые напряжения (транзистор полностью открыт);
Режимы отсечки и насыщения характерны для работы транзистора в качестве электронного ключа;
активный режим используют при работе транзистора в усилителях. Инверсное включение используется
редко, например, в схемах двунаправленных переключателей, при этом транзисторы должны иметь
симметричные свойства в обоих направлениях.
В режиме отсечки оба перехода заперты, через них проходят незначительные обратные токи, что
эквивалентно большому сопротивлению переходов. В первом приближении можно считать, что все токи
равны нулю, а между выводами транзистора имеет место разрыв (см.рис.3.2,а).
Рис. 3.2
В режиме насыщения через оба перехода проходит большой прямой ток. В первом приближении можно
считать все выводы закороченными. Говорят, что транзистор «стягивается в точку» (рис.3.2,б).
Более сложная картина токов в транзисторе наблюдается при разных полярностях напряжений на
переходах, т.е. в активном режиме. Рис. 3.3 иллюстрирует принцип работы транзистора в активном
режиме.
Рис. 3.3
Через смещенный в прямом направлении эмиттерный переход проходит достаточно большой прямой
ток, обусловленный движением основных носителей заряда (в данном случае – электронов). Электроны
пролетают через p-n-переход и инжектируются (впрыскиваются) в область базы; при этом дырки из
области базы проходят через переход в эмиттер (для них p-n-переход также смещен в прямом
направлении). Но поскольку эмиттер имеет большую концентрацию примесей, то поток электронов из
эмиттера в базу намного сильнее потока дырок из базы в эмиттер. Именно электронный поток и является
главным действующим лицом в транзисторе типа n -p-n (аналогично дырки – в транзисторе типа p-n-р).
В результате рекомбинации части электронов с дырками базы образуется ток базы IБ, направленный в
противоположную от коллектора сторону, и коллекторный ток оказывается несколько меньше
эмиттерного. Через коллектор также течет обратный ток неосновных носителей – дырок, вызванный
обратным смещением коллекторного перехода.
Биполярный транзистор, как управляемый прибор с тремя выводами, может быть описан двумя
семействами вольтамперных характеристик (ВАХ): семейством входных ВАХ и семейством выходных
ВАХ. Вид их определяется способом включения в схему транзистора, а именно: какой из трех выводов
является общим с источниками питания и нагрузки.
Входными ВАХ транзистора являются зависимости входного тока транзистора от входного напряжения
реже, напряжении): .
Возможны три схемы включения (по числу выводов) биполярного транзистора: с общей базой (ОБ),
общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). На рис.3.4. представлены эти схемы включения
транзистора вместе с полярностью источников питания, причем указанная полярность обеспечивает
активный режим. Напряжения обычно отсчитываются относительно общего вывода транзистора.
Рис. 3.4.
В справочниках обычно даются семейства ВАХ транзисторов, включенных по схеме ОБ или ОЭ. Однако
основные необходимые параметры транзистора можно рассчитать для остальных схем включения, зная
их для какой-либо одной.
Отметим, что включение транзистора, например, отличным от ОБ способом, не отражает никаких новых
физических эффектов в транзисторе. Кроме того, при расчетах схем с транзисторами на компьютерах с
помощью моделирующих программ чаще всего вообще никак не учитывается способ включения.
Программы используют математические модели транзистора, являющиеся едиными для всех схем
включения. Однако, анализ характеристик и параметров различных схем включения часто облегчает
понимание принципа работы схемы и получение некоторых предварительных результатов.
Как видно из рис.3.4,а для схемы ОБ входным током является ток базы iБ , входным напряжением –
напряжение uЭБ , выходным током – ток коллектора iК , а выходное напряжение uКБ .Поскольку
напряжение uЭБ отрицательно, то для удобства построения графиков ВАХ его заменяют положительным
напряжением uБЭ . На рис. 3.5 показан примерный вид входных ВАХ транзистора с ОБ.
Рис. 3.5
Модуляция толщины базы проявляется в большей степени при малых выходных напряжениях, и меньше
при больших Иногда это явление уже заканчивается при uКБ > 2 В, и входные ВАХ при больших
напряжениях сливаются в один график.
Так же, как у диода, входные ВАХ при заданных постоянных напряжениях позволяют определить
статические и дифференциальные (динамические) сопротивления :
Выходными ВАХ для схемы с ОБ являются зависимости выходного коллекторного тока от напряжения
коллектор-база при постоянных токах эмиттера . На рис. 3.6 показаны примерные графики
выходных ВАХ.
Рис. 3.6
Из рисунка видно, что ток коллектора становится равным нулю только при uКБ < 0, то есть только тогда,
когда коллекторный переход смещен в прямом направлении. При этом начинается инжекция электронов
из коллектора в базу. Эта инжекция компенсирует переход из базы в коллектор электронов эмиттера.
Данный режим называют режимом насыщения. Линии в области uКБ < 0, называются линиями
насыщения. Ток коллектора становится равным нулю при uКБ < -0,75 В. При uКБ >0 и токе эмиттера,
равном нулю, транзистор находится в режиме отсечки, который характеризуется очень малым выходным
током, равным обратному току коллектора IК0 , то есть график ВАХ, соответствующий iЭ = 0,
практически сливается с осью напряжений.
где - статический коэффициент передачи тока эмиттера; он равен отношению тока коллектора к току
эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе относительно базы; IК0 – обратный ток коллектора.
Природа обратного тока коллектора такая же, как и у обратного тока диода, включенного в обратном
направлении. Он протекает и тогда, когда ток эмиттера равен нулю.
Учитывая малость величины обратного тока по сравнению с коллекторным током в активном режиме,
можно считать, что ток коллектора в активном режиме прямо пропорционален току эмиттера:
При значительных эмитерных токах и напряжениях на коллекторном переходе линии ВАХ начинают
изгибаться вверх из-за намечающегося пробоя коллекторного перехода.
Так как обратный ток коллектора возрастает при увеличении температуры , то и графики выходных ВАХ
при увеличении температуры смещаются вверх.
где PK, max - максимально допустимая мощность для данного типа транзистора.
Чтобы правильно выбрать параметры схемы, где будет работать транзистор, на выходных ВАХ строят
так называемую линию допустимой мощности, определяемую заданной максимально допустимой
мощностью. Уравнение этой линии
На рис. 3.6 эта линия показана пунктиром. Мгновенные значения выходных тока и напряжения не
должны выходить за пределы линии максимально допустимой мощности. Область допустимой работы
ограничивается также значениями максимально допустимых выходного тока и выходного напряжения IК,
max и UKБ, max .
Транзистор, включенный по схеме с общей базой, используется в усилителях напряжения и мощности, так как
несмотря на то, что выходной ток почти равен входному, выходное напряжение значительно больше входного. Из-
за достаточно большого выходного сопротивления транзистор с ОБ используют в источниках стабильного тока.
В схеме с общим эмиттером (рис.3.4,б) общим электродом является эмиттер. Входным током является
ток базы iБ , входным напряжением – напряжение uБЭ , выходным током – ток коллектора iК , выходным
напряжением – напряжение uКЭ . Входные ВАХ определяются при постоянном выходном напряжении:
.
Пример входных и выходных ВАХ для транзистора ОЭ приведен на рис.3.7.
Рис. 3.7
Они естественно отличаются от входных и выходных ВАХ транзистора ОБ. На входных ВАХ это
отличие проявляется в том, что при увеличении выходного напряжения из-за эффекта модуляции базы
характеристики сдвигаются вправо. Выходные ВАХ расположены в одном квадранте, в активном режиме
идут с бóльшим наклоном, что означает меньшую величину дифференциального выходного
сопротивления транзистора ОЭ по сравнению с ОБ.
Учитывая, что
имеем
Величина называется статическим коэффициентом передачи базового тока. Для малых изменений
переменных вводится динамический коэффициент передачи базового тока
Так как несколько меньше 1 (0.9…0,995), то величина коэффициента базового тока значительно
больше 1 (9…200).
Схема включения ОЭ применяется наиболее часто, так как здесь имеет место усиление как по току, так и
по напряжению. Поэтому в справочниках обычно задаются параметры именно для этого типа включения
транзистора.
Для схемы включения транзистора с ОК обычно справочные данные, в том числе по ВАХ, не приводятся.
Входными переменными являются базовый ток iБ и напряжение uБК , выходные – ток эмиттера и
напряжение эмиттер - коллектор. Входные ВАХ по форме мало отличаются от входных ВАХ схемы ОЭ,
но диапазон изменения входного напряжения здесь практически такой же, как диапазон изменения
выходного напряжения (см.рис.3.8,а, где пунктиром показана входная ВАХ транзистора с ОЭ).
Поскольку выходное напряжение здесь отличается от выходного напряжения транзистора ОЭ на
относительно малую величину uБЭ , то и выходные ВАХ мало отличаются от ВАХ транзистора ОЭ, лишь
для того же входного тока выходной ток несколько выше, поскольку iЭ = iК + iБ и iБ << iК (см.рис.3.8,б).
Рис. 3.8
Рис. 3.9
Для такого включения транзистора характерно . На рис. 3.9 показан примерный вид выходных
ВАХ транзистора с ОЭ в прямом (первый квадрант) и обратном включениях (третий квадрант), откуда
видно, что при инверсном включении обычный транзистор имеет меньший коэффициент передачи тока
базы как в статическом, так и в динамическом режимах.
3. Биполярные транзисторы
Здесь - коэффициент передачи коллекторного тока в инверсном режиме; - токи, текущие через
переходы, они определяются соотношениями:
отражающие обратные токи эмиттера и коллектора при обрыве коллектора или эмиттера соответственно.
В соответствии с первым законом Кирхгофа для токов эмиттера и коллектора схемы рис.3.11 имеем
(*)
Другая модель Эберса-Молла для идеального транзистора описывается одним управляемым источником
тока. Она получается из первой путем преобразования соотношений (*) и приближения
. Тогда
вместо (*) получим
(**)
Обозначим , подставим в (**):
или
(***)
Рис. 3.12
Здесь .
Эту модель как основу используют некоторые программы моделирования электронных схем, такие как
Micro - Cap , Design Center и др.
В программе PSpice часть параметров транзистора вводится, часть задается по умолчанию. Здесь также
ток, передаваемый от эмиттера к коллектору выражается через напряжения эмиттер-база и коллектор
база и общий заряд в базе. Учитываются эффекты высокого уровня инжекции, уменьшение
коэффициента передачи базового тока при малых токах, модуляция ширины базы, объемное
сопротивление базы. Динамические (частотные) свойства переходов учитываются включением в модель
барьерной и диффузионной емкостей самих переходов и подложки.
Рис. 3.13
Рис. 3.14
В справочниках для транзистора, включенного по схеме ОЭ, дается частота fгр (или fт), на которой
коэффициент передачи базового тока становится равным 1. Кроме того, иногда приводится так
называемая максимальная частота fmax – наибольшая частота, при которой транзистор способен работать
а в системе у-параметров:
где индекс 1 соответствует входной переменной, индекс 2 - выходной, а значок означает малые
изменения соответствующих переменных, при которых транзистор можно считать линейным элементом.
Каждый h - параметр имеет определенный физический смысл. Так, параметр h11 - это сопротивление,
через которое течет входной ток i1 благодаря приложенному к нему напряжению u1 ; h12 - это
параметр обратной передачи, он определяет, какая часть выходного напряжения передается во входную
цепь; h21 - это параметр прямой передачи тока, он показывает, как передается в выходную цепь
изменение тока во входной цепи; h22 - это проводимость, через которую течет выходной ток в результате
приложенного выходного напряжения.
Система уравнений позволяет представить линейный четырехполюсник в виде эквивалентной схемы
(или схемы замещения), входная цепь которой определяется первым уравнением, а выходная - вторым
уравнением системы. Действительно, первое уравнение описывает в виде второго закона Кирхгофа
некоторую последовательную цепь, включающую в себя сопротивление h11 и источник напряжения
uэкв = h12 u2 . Второе уравнение системы описывает параллельную цепь в виде первого закона
Кирхгофа, включающую в себя проводимость h22 и источник тока iэкв = h 21 i1 . Таким образом,
активный линейный четырехполюсник может быть представлен в виде схемы замещения, показанной на
рис.3.16.
Рис. 3.16
Рассмотрим определение h -параметров для транзистора с ОЭ. Здесь входными переменными являются
изменения тока базы и напряжения промежутка база-эмиттер, а выходными - изменения тока коллектора
и напряжения промежутка коллектор-эмиттер. Система уравнений в этом случае будет иметь вид:
Опыт короткого замыкания на выходе предполагает, что uкэ = 0, при этом напряжение коллектора
относительно земли равно постоянному напряжению в рабочей точке Uкэ,0 . Опыт холостого хода на
входе предполагает iб = 0, при этом ток базы транзистора равен току базы в рабочей точке Iб,0 .
Рис. 3.18
Эта схема пока не учитывает частотных свойств транзистора, так как параметры определены по
статическим ВАХ. Используя физические малосигнальные модели транзистора, например, Эберса-
Молла, можно также определить h -параметры, но уже с учетом частотных свойств транзистора. Можно
также в схему рис. 3.18 добавить эквивалентные емкости Сбэ и Сэк, отражающие инерционные
(частотные) свойства транзистора.
В учебниках и справочниках можно найти готовые формулы пересчета параметров одной схемы
включения через параметры другой.
Рис. 3.20
Схема получена путем линеаризации классической модели Эберса-Молла для активного режима. Для
данного режима генератор тока Ii2 в схеме на рис. 3.20 отсутствует и iЭ = i1. При линеаризации вместо
эмиттерного перехода с нелинейной характеристикой появляется его дифференциальное сопротивление
rЭ. Сопротивление rК, учитывающее эффект Эрли определяется по выходным характеристикам
транзистора в схеме с ОБ (см. определение параметра h 22) величина r к составляет десятки - сотни
килоом и часто не учитывается. h21Б - параметр , аналогичный статическому коэффициенту передачи
тока , но для малых приращений. В практических расчетах h21Б часто принимают равным единице.
h11 э h11 э h 22 э h 21 э h 22 э
h11 б ; h12 б h12 э ; h 21 б ; h 22 б .
1 h 21 э 1 h 21 э 1 h 21 э 1 h 21 э
Схема на рис. 3.37 может быть использована и при включении транзистора с ОЭ. Для этого ток эмиттера
IЭm надо выразить через ток базы IБm. В соответствии со схемой на рис. 3.20 для тока коллектора
справедливо
, (3.55)
(3.56)
аналогичное ).
Так как , то
(3.57)
а) б)
Рис. 3.21
остальные элементы соответствуют введенным ранее для Т-образных схем. Резистор, показанный
пунктиром, учитывает влияние модуляции ширины базы на дополнительный ток коллекторного
перехода. Он имеет порядок rК и в практических расчетах не учитывается. П-образная схема удобна для
расчетов методом узловых потенциалов и используется , например, в компьютерных программах.
h12 э
rэ 2 – величина порядка десятков ;
h 22 э
rб h11 э 2
h12 э
h 22 э
1 h12 э – величина порядка сотен ;
1 h12 э
rкэ – величина порядка сотен k;
h 22 э
h 21 э
– 0.90.99;
1 h 21 э
h 21 э – обычно =50.
Рис. 3.22
Учтем, что ,
тогда ;
. (3.58)
. (3.59)
, (3.60)
Для повышения стабильности работы усилительного каскада в эмиттерную цепь часто включают
резистор R э>>r э , тогда
и . (3.61)
Для наглядности приближенные расчетные соотношения для трех схем включения транзистора сведены
в таблицу 3.1. В скобках указаны типовые значения параметров для каскадов на маломощных
транзисторах.
Таблица 3.1
Параметр ОЭ ОБ ОК
1. Схема с ОЭ обладает высоким усилением как по напряжению, так и по току, У нее самое
большое усиление по мощности. Отметим, что схема изменяет фазу выходного напряжения на
180 . Это самая распространенная усилительная схема.
2. Схема с ОБ усиливает напряжение (примерно, как и схема с ОЭ), но не усиливает ток. Фаза
выходного напряжения по отношению к входному не меняется. Схема находит применение в
усилителях высоких и сверхвысоких частот.
3. Схема с ОК (эмиттерный повторитель) не усиливает напряжение, но усиливает ток. Основное
применение данной схемы - согласование сопротивлений источника сигнала и низкоомной
нагрузки.
4. Полевые транзисторы:
Полевой транзистор это полупроводниковый прибор, в котором управление током, протекающим между двумя
электродами, осуществляется с помощью напряжения, приложенного к третьему электроду.
Управление током в полевых транзисторах осуществляется с помощью электрического поля либо за счет
изменения площади поперечного сечения проводящего полупроводникового слоя, через который проходит
рабочий ток, либо за счет изменения удельной проводимости этого слоя.
Полевой транзистор в отличие от биполярного называют униполярным, поскольку ток в нем образуется только
основными носителями заряда. Электрод, через который втекают носители заряда в канал называется истоком , а
электрод, через который из канала вытекают носители заряда, называется стоком. В принципе эти электроды
обратимы. Третий, управляющий, электрод называется затвором.
Рис. 4.1
Основной является пластина из полупроводника n – или p – проводимости (на рисунке эта пластина
имеет проводимость типа n ). Слой под затвором имеет проводимость типа p+ , где знак «+» показывает
большую проводимость этого слоя по сравнению с проводимостью пластины. На торцы пластины и
область р+ наносят металлические пленки, к которым припаивают внешние выводы. Металлическая
пленка и полупроводник образуют невыпрямляющие контакты.
Так как концентрация носителей заряда в р+ области больше, чем в пластине, то образующийся на их
границе p–n -переход располагается главным образом в n - области.
Если внешние напряжения отсутствуют, то поле внутри канала равно нулю, поперечное сечение
максимально. Если к стоку относительно истока подать положительное напряжение uСИ > 0, то
электроны n -канала устремятся от минуса к плюсу источника , образуя во внешней цепи токи iИ и iС .
Если теперь к затвору приложить отрицательное напряжение относительно истока, то есть
uЗИ < 0, то ширина p–n – перехода увеличится, в основном в n - область, уменьшив тем самым поперечное
сечение канала. Если напряжение uСИ мало, форма p–n – перехода и канала изменятся симметрично
относительно истока и стока (см. рис.4.2).
Рис. 4.2
При |UЗИ| > UЗИ, ОТС , где UЗИ, ОТС - модуль напряжения на затворе, соответствующего полному
перекрытию канала p–n -переходом, ток через канал станет равным нулю. Этот режим работы
транзистора называется режимом отсечки. Если же напряжение между истоком и стоком UСИ > 0 и |UЗИ| <
UЗИ, ОТС , то в канале будет протекать ток, который, проходя вдоль канала, создаст падение напряжения,
увеличивающееся от истока к стоку (почти линейно). Поэтому область p–n -перехода у стокового конца
будет шире, чем у истокового (см.рис.4.3).
Рис. 4.3
Рассмотрим поведение канала при увеличении напряжения UСИ и UЗИ < 0 . При отрицательном
напряжении затвора относительно истока ток через затвор равен нулю. По мере сужения канала
линейный рост падения напряжения (и соответственно напряженности электрического поля)
прекращается, и рост тока стока замедляется. При некотором значении UСИ площадь канала сужается
настолько, что поток электронов через него прекращается, это влечет за собой уменьшение падения
напряжения на канале; напряженность электрического поля уменьшается, площадь канала
увеличивается, ток стока увеличивается, это приводит к увеличению напряженности электрического поля
и т.д. В канале устанавливается некое динамическое равновесие, при котором у стока образуется узкая
горловина канала, имеющая фиксированную площадь сечения. Ток стока в этом режиме практически не
зависит от напряжения UСИ . Это так называемый режим насыщения. Напряжение между стоком и
истоком, соответствующее возникновению этого режима, называется напряжением насыщения UСИ, НАС .
При UСИ >> UСИ, НАС может возникнуть пробой p–n – перехода, в этом случае ток резко увеличивается.
Рис.4.4
Наиболее часто применяются схемы с ОИ. Поэтому в справочниках обычно даются характеристики и
параметры именно для этого способа включения. На рис. 4.5 показано семейство выходных ВАХ
транзистора с ОИ.
Рис. 4.5
На рисунке показаны области, в которых транзистор работает в различных режимах: омическая область
соответствует начальному линейному участку ВАХ при малых напряжениях сток-исток, область
насыщения, где ток стока мало зависит от напряжения сток-исток и увеличивается лишь с увеличением
напряжения затвор - исток, режим отсечки, в которой ток стока определяется обратным током p–n -
перехода, и, наконец, область пробоя. Обычно транзисторы с управляющим p–n -переходом в
усилительных схемах работают при отрицательных напряжениях на затворе, ток затвора при этом равен
нулю. Поэтому входные ВАХ как правило не приводятся. В справочниках может быть приведено
семейство так называемых сток - затворных ВАХ (или проходных характеристик) - зависимости тока
стока от напряжения затвор-исток (см.рис.4.5).
Эти характеристики позволяют правильно выбрать рабочую точку и диапазон изменения входного
напряжения транзистора.
Здесь, кроме электродов исток, сток и затвор, имеется еще один электрод (так называемый «подложка»),
напряжение на котором также может менять свойства транзистора.
Если напряжение на затворе относительно истока отрицательно, то имеет место явление обеднения
канала (уменьшение числа носителей заряда): в данном случае электроны выталкиваются из канала в p -
область, что приводит к уменьшению тока через канал; при положительном же напряжении затвор-исток
наоборот имеет место обогащение канала электронами, пришедших в канал из областей p и n+, что
приводит к увеличению тока через канал. Таким образом этот полевой транзистор может работать и при
положительных и при отрицательных значениях напряжения затвор-исток. При этом ток через затвор не
протекает, так затвор изолирован от канала.
Рис. 4.7
Примерный вид семейств выходных ВАХ данного транзистора изображен на рис.4.8,а; передаточные
свойства транзистора показаны на рис. 4.8,б в виде сток–затворной характеристики. Здесь также режим
отсечки характеризуется некоторым отрицательным значением UЗИ, ОТС.
Рис. 4.8
Эти характеристики справедливы для случая, когда электрод подложки соединен с истоком. Если этот
электрод используется для управления током стока, то тогда его называют «нижним затвором», причем
механизм этого управления аналогичен управлению самого затвора.
Структура такого вида полевого МДП - или МОП - транзистора показана на рис. 4.9.
Рис. 4.9
При нулевом напряжении UЗИ = 0 канал между истоком и стоком отсутствует. Встречно направленные p–
n – переходы препятствуют движению электронов от истока к стоку: канал отсутствует. При UЗИ > 0
возникающее под затвором электрическое поле будет отталкивать положительные заряды (дырки,
являющиеся основными носителями в p–полупроводнике) в глубь полупроводника. При некотором
пороговом значении напряжения между стоком и истоком под затвором накапливается достаточный слой
электронов. Создается (индуцируется) проводящий канал, толщина которого может составлять 1...2
нанометра и она далее практически не меняется. Удельная проводимость канального слоя зависит от
концентрации электронов в нем. Изменяя UЗИ , можно менять величину тока стока.
Рис. 4.10
Вид ВАХ этого типа транзистора отличается от предыдущих тем, что ток возникает при положительных
напряжениях uЗИ > UЗИ, ПОР , где UЗИ, ПОР - напряжение отпирания транзистора. Примерный вид стоковых
и сток–затворных ВАХ транзистора с индуцированным каналом представлены на рис.4.11.
Рис. 4.11
Как видно из рис.4.11 все характеристики располагаются при положительных значениях напряжений.
4.4.1. Параметры
При работе транзистора в усилительном (линейном) режиме основными параметрами являются крутизна
S сток - затворной характеристики при постоянном напряжении UСИ :
здесь - удельная крутизна сток - затворной характеристики. Линия начала насыщения при
uСИ > ( UЗИ ОТС – uЗИ ) определяется квадратичным уравнением
Если рабочая точка выбрана на линейном участке сток - затворной характеристики и мгновенные
значения токов и напряжений не выходят за пределы этого линейного участка, то можно использовать
упрощенную модель в виде управляемого источника тока, управляемого напряжением, с постоянными
параметрами. Учитывая, что входной ток транзистора с общим истоком равен нулю, модель обычно
представляют только для выходной цепи. Такая модели показана на рис.4.13.
Рис. 4.13
Типовые значения основных параметров современных транзисторов при работе в усилительном режиме
следующие: S = 0,3...3 мА/В, Ri составляет несколько мегом.
Классификация полевых транзисторов такая же, как и у биполярных транзисторов. Второй элемент
буквенно-цифрового кода имеет букву П.
5. Усилители
История
1904 г. Ли де Форрест на основе созданной электронной лампы - триода разработал устройство
усиления электрических сигналов (усилитель), состоящий из нелинейного элемента (лампы) и
статического сопротивления Ra, включенного в анодную цепь.
1932 г. Гарри Найквист определил условия устойчивости (способности работать без
самовозбуждения) усилителей, охваченных отрицательной обратной связью.
1942 г. В США построен первый операционный усилитель - усилитель постоянного тока с
симметричным (дифференциальным) входом и значительным собственным коэффициентом
усиления (более 1000) как самостоятельное изделие. Основным назначением данного класса
усилителей стало его использование в аналоговых вычислительных устройствах для выполнения
математических операций над электрическими сигналами. Отсюда его первоначальное название -
решающий.
R вх
U вх Eг U вх Eг
R вх R г
Eг
Если Rвх<<Rг, то усилитель – усилитель тока: U вх R вх I г R вх .
Rг
Один и тот же усилитель для разных источников входного сигнала может
работать в режиме усилителя напряжения или тока. Если RвхRг, то получаем
усилитель, согласованный по мощности с источником входного сигнала.
E
Если же Rвых>>Rн, то U вых I вых R н I вых хх и усилитель
R вых
является усилителем с токовым выходом.
3. по структуре различают:
однокаскадные усилители;
многокаскадные усилители.
U вых I P
K U дб 20 lg ; K I дб 20 lg вых ; K P дб 10 lg вых
U вх I вх Pвх
2. Динамический диапазон:
U вх max
D ,
U вх min
U вх max
D дб 20 lg
U вх min
Pн
3. КПД усилителя: ус
Pобщ
U K Ue j U
K U () K U ()e j U ( )
K
где KU() – АЧХ усилителя;
0 н в
K Uн ()
При 0<<н (т.е. в области низких звуковых частот): M н () .
K U0
K Uв ()
При >в (т.е. в области высоких звуковых частот): M в () .
K U0
2 Um3
2 2
Um
2
100%
Um 1
7. Переходная характеристика:
которое является уравнением прямой линии и на графике(рис.1.13) отображает так называемую линию
нагрузки усилительного каскада. Из рис.1.13 можно увидеть, что при максимальном входном сигнале
собственное сопротивление УЭ становится близким к нулю и ток ограничивается только величиной резистора
R, а при отсутствии входного сигнала сопротивление R стремится к бесконечности и выходное напряжение
становится близким напряжению источника питания.
При подаче на вход УЭ постоянного сигнала Uвхп по цепи "R-УЭ-Еп" будет протекать постоянный
ток, который, за счет падения напряжения на сопротивлении R приведет к появлению на выходе
постоянного напряжения Uвыхп (рис.1.13). Значения Uвхп, Iвыхп, Uвыхп определяют так
называемый режим покоя или рабочую точку каскада, т.е. состояние схемы при отсутствии
переменного сигнала на входе. Переменный сигнал на входе( например синусоидальный рис.1.12б)
вызывает изменение сопротивления УЭ, а значит и тока , потребляемого от источника питания.
Процесс усиления основывается на преобразовании энергии от источника питания Еп постоянного
напряжения в энергию переменного тока в выходной цепи за счет изменения сопротивления УЭ по
закону, задаваемому входным сигналом. Для исключения нелинейных искажений сигнала должен
быть задан режим покоя или "рабочая точка " каскада, при котором Uп >/= Uвыхm и Iп >/= Im. При
работе в выходном токе создается переменная составляющая, вследствие чего образуется переменная
составляющая выходного напряжения.
Учитывая сказанное, в дальнейшем проводится анализ работы транзисторных каскадов
усиления , включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и с общим
коллектором(ОК) ( эмиттерным повторителем). Название каскада определяется в зависимости от
того, какой электрод транзистора является общим по переменному току для входной и выходной
цепи.
Разделительные конденсаторы Ср1 и Ср2 установлены в схеме для исключения влияния на режим покоя
сопротивления источника сигнала Rг и сопротивления нагрузки Rн. Как показано на рис.1.13 рабочая точка
(П) должна находиться примерно посередине линии нагрузки по постоянному току. Причем при перемещении
рабочей точки по линии нагрузки после подачи переменного сигнала она не должна заходить в области
отсечки и насыщения, т.к. это приведет к существенным нелинейным искажениям сигнала. Кроме того,
рабочая точка не должна заходить в области допустимых значений тока и напряжения коллектора. Потенциал
покоя коллектора транзистора зависит от сопротивления Rк и изменяется в соответствии с уравнением линии
нагрузки по постоянному току (рис. 1.15а)
В зависимости от требуемых или допустимых значений Uкm выбирается Uкп таким образом, чтобы весь
ожидаемый переменный сигнал находился в линейной зоне усиления, т.е:
Ток базы в схеме рис.1.14 задается сопротивлением Rб, величина которого определяется как:
, т.к.
Рисунок 1.15 – Вольт-амперные и нагрузочные характеристики каскада ОЭ
Обычно для анализа особенностей прохождения через каскад переменного сигнала на вольт-амперных
характеристиках строится линия нагрузки по переменному току (рис. 1.15а). Она имеет больший наклон, чем
линия нагрузки по постоянному току, так как ее ход определяется параллельно включенными резисторами R к
и Rн. При выборе режима работы транзисторного каскада необходимо учитывать, что на коллекторном
переходе выделяется мощность, величина которой может быть найдена как:
Эта величина не должна превышать значения допустимой мощности, приводимой в справочных
данных для используемого транзистора, поэтому при выборе режима работы каскада линия нагрузки не
должна пересекать линию допустимой мощности (рис. 1.15а).
Режим работы усилителя по постоянному току определяется элементами EК, RК, RБ и параметрами
транзистора VT.
E К I Б RБ U БЭ ; ( 2 .7 )
U БЭ f ( I Б ,U КЭ ). (2.8)
Iк P расДО П
Iкm ax
I КЗ 2 I б3
I б2
I КП I бп
О I б1
1
U КЭП ЕК U КЭ
U КЭ m ax
Рисунок 2.7 — Выходные ВАХ транзистора с ОЭ и
предельно-допустимые параметры
Из уравнения (2.5):
Х.Х. IК=0; UКЭ=ЕК, (точка 1);
ЕК
К.З. UКЭ=0; I КЗ (точка 2).
RК
При работе усилителя в режиме малых сигналов рабочую точку целесообразно располагать в
середине рабочей области характеристик (точка "О"). Она определяется 3 мя координатами IКп, UКЭп,
IБп. Этой точке соответствует точка "О" на входных характеристиках транзистора (см. рис. 2.8),
определяемая координатами IБп, UКЭп. Для расчета величины резистора RБ (по уравнениям (2.7) и
(2.8)) установим величину напряжения UБЭп по рис. 2.8. Поскольку величина этого напряжения
порядка (0.40.7) В, то проводить нагрузочную линию по уравнению (2.7) неудобно, т.к. напряжение
ЕК порядка (1020) В. Записав уравнения (2.7) для точки "О", рассчитаем требуемое значение
резистора RБ:
EК U БЭП
EК U БЭП I Б П RБ ; RБ .
I БП
U КЭ = 0 U КЭ П U КЭ = -5
IБ
IБ П О
U Б ЭП UБ Э
RВХ = R1 || R2 || rвх
Если не учитывать шунтирующего действия коллекторной цепи (т.к.rк >> rэ), то для входной цепи
можно записать:
Uбэ = Iб rб + Iэ rэ
С учетом того, что Iэ = ( + 1)Iб:
Uбэ = Iб [ rб + ( + 1) rэ ]
Ток нагрузки может быть найден путем анализа выходной цепи эквивалентной схемы рис. 1.22. Так
как сопротивление rЭ весьма мало по сравнению с сопротивлениями элементов выходной цепи,
можно записать:
IН RН = Iб ( rк(э) || RК || RН )
и
Подставляя в выражение для коэффициента усиления по току значения входного тока и тока
нагрузки, с учетом того, что rК(Э) >> RК || RН, находим:
т.е. он довольно велик и стремится в пределе к коэффициенту усиления транзистора при RК || RН.
Коэффициент усиления по напряжению схемы ОЭ:
Подставив в полученное выражение значение коэффициента усиления по току, получим:
Коэффициент усиления каскада по напряжению тем больше, чем выше коэффициент транзистора и
сопротивление выходной цепи по сравнению с сопротивлением входной цепи. В частности,
коэффициент усиления по напряжению возрастает с уменьшением внутреннего сопротивления
источника сигнала.
Выходное сопротивление каскада относительно выходных зажимов определяется как:
RВЫХ = RК || rК(Э)
Поскольку rК(Э) >> RК , выходное сопротивление каскада ОЭ определяется только величиной RК.
Следует отметить также, что усилительный каскад ОЭ осуществляет поворот по фазе выходного
напряжения относительно входного на 1800.