Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
микроскопия
Микроскопия
Микроскопия - изучение объектов с
использованием микроскопа.
Подразделяется на несколько видов и
предназначается для наблюдения и
регистрации увеличенных
изображений образца.
3/15
Микроскопия
Виды микроскопии:
• Оптическая микроскопия
Ближнепольная оптическая микроскопия
Инфракрасная микроскопия
• Флуоресцентная микроскопия
Двухфотонная лазерная микроскопия
• Рентгеновская микроскопия
Лазерная рентгеновская микроскопия
• Электронная микроскопия
Сканирующая (растровая) электронная микроскопия
Просвечивающая электронная микроскопия
Отражательная микроскопия
• Сканирующая зондовая микроскопия
Сканирующая туннельная микроскопия
Атомно-силовая микроскопия
Ближнепольная оптическая микроскопия
Магнитно-силовая микроскопия
Электро-силовая микроскопия
Туннельная микроскопия 4/15
В процессе туннелирования
участвуют, в основном,
электроны с энергией в
окрестности уровня Ферми EF .
Контроль величины
туннельного тока, а
следовательно, и расстояния
зонд-поверхность
осуществляется
посредством перемещения
зонда вдоль оси Z с
помощью
пьезоэлектрического
элемента
Реконструкция поверхности
кремния при помощи СТМ
Принцип работы туннельного сканирующего 8/15
микроскопа
Различают два режима работы сканирующего туннельного микроскопа: режим постоянной высоты Z=const (б) и режим
постоянного тока It=const (а).
Зонды для сканирующей туннельной 9/15
микроскопии: требования, характеристики,
способы изготовления
Высокое пространственное разрешение СТМ определяется экспоненциальной зависимостью туннельного
тока от расстояния до поверхности. Разрешение в направлении по нормали к поверхности достигает долей
ангстрема. При правильной подготовке зонда на его кончике с большой вероятностью находится либо
одиночный выступающий атом, либо небольшой кластер атомов, который локализует его на размерах, много
меньших, чем характерный радиус кривизны острия. Поскольку зависимость туннельного тока от
расстояния экспоненциальная, то ток в этом случае течет, в основном, между поверхностью образца и
выступающим атомом на кончике зонда.
Зонды для сканирующей туннельной 10/15
микроскопии: требования, характеристики,
способы изготовления
В сканирующих туннельных микроскопах используются зонды нескольких типов. В первое время
широкое распространение получили зонды, приготовленные из вольфрамовой проволоки методом
электрохимического травления.
Другая широко применяемая методика приготовления СТМ зондов – перерезание тонкой проволоки
из PtIr сплава с помощью ножниц. Перерезание производится под углом порядка 30-45 градусов с
одновременным натяжением P проволоки на разрыв
Изготовление зонда
Изготовление зонда электрохимическим
перерезанием проволоки травлением
12/15
Сканирующая туннельная спектроскопия
Сканирующий туннельный микроскоп позволяет получать вольт-амперные характеристики (ВАХ)
туннельного контакта зонд-поверхность в любой точке поверхности и исследовать локальные
электрические свойства образца. Для характерных напряжений на туннельном контакте порядка
0.1 – 1 В и туннельных токов на уровне 0.1 – 1 нА сопротивление туннельного контакта Rt по
порядку величин составляет 108÷1010 Ом. Как правило, сопротивление исследуемых в СТМ
образцов RS существенно меньше Rt, и характер ВАХ определяется, в основном, свойствами
небольшой области образца вблизи туннельного контакта. Сканирующая туннельная
спектроскопия применяется для исследований локальной электронной структуры поверхности
образцов. Электронная структура атома зависит не только от его атомного номера, но и от
локального химического окружения (количество соседних атомов, их вид и расположение).
13/15
Сканирующая туннельная спектроскопия
Характер туннельной ВАХ существенно зависит от энергетического
спектра электронов в образце.
eV
I (V ) B S ( E )dE
0
S (E ) - плотность электронных
состояний в образце
I (V )
S (E)
V
Структура энергетических Структура энергетических
уровней и вольт-амперная уровней и вольт-амперная
Исследования локальных туннельных характеристика туннельного
характеристика туннельного спектров различных материалов
контакта металл-металл контакта металл-
проводят, как правило, в условиях полупроводник
высокого вакуума (поскольку
туннельный ток очень чувствителен к
состоянию поверхности исследуемых
образцов) и при низких температурах
(так как тепловые возбуждения сильно
размывают особенности в электронных
спектрах).
14/15
Недостатки