Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF

. .
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Состояние и перспективы
« »
2012
УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73
И26
Рецензенты:
доц. МТУСИ Копылов А.М.
доц. НГТУ Серых В.И.
Игнатов . .
26 Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития [
] : чеб. пособие / . . .— .: , 2012. — 360 .
ISBN 978-5-9765-0174-4
В книге рассматриваются тенденции развития микро- и наноэлектроники,

концепции и проблемы формирования национальной нанотехнологической
сети Российской Федерации, состояние и перспективы развития электронной
промышленности, виды нанотехнологий и перспективы производства нано-
электронных изделий. Рассмотрены наноизделия пригодные для внедрения в
инфокоммуникаци-онных системах, состояние и перспективы развития
микро- и наноэлектромеха-нических систем, медицинские и биологические
аспекты производства нано-продукции, состояние и проблемы подготовки
кадров для направления «Нано-технологии». Книга содержит много полезной
справочной информации для студентов, магистрантов, аспирантов, а также
преподавателей и инженерно-технических работников, связанных с разрабо-
ткой и использованием аппаратуры, выполненной на основе опто-, микро- и
наноэлектронной элементных баз, а также на специалистов, работающих в
области телекоммуникаций, наноэлек-троники и оптоэлектроники.
Д студентов направления 210400 «Телекоммуникации», специ-
альностей 210601 «Нанотехнология в электронике», 210401 «Физика и техника
оптической связи».
УДК 621.396.4:681.33(075.8)
ББК 32.85 73
ISBN 978-5-9765-0174-4 © Издательство «ФЛИНТА», 2012

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ . ....................................................................................................................................... 7
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ НАНООБЪЕКТОВ ..................... 9
1.1. Общие сведения . ...................................................................................................................... 9
1.2. Классификация нанообъектов .............................................................................................. 11
1.3. Наночастицы и наносистемы . ............................................................................................... 15
1.4. Основные термины индустрии наносистем ........................................................................ 16
ГЛАВА 2. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ ......................................................... 19
2.1. Общие сведения . .................................................................................................................... 19
2.2. Краткая история нанотехнологий ........................................................................................ 20
ГЛАВА 3. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ ............................. 22
3.1. Общие сведения . .................................................................................................................... 22
3.2. Закон Мура . ............................................................................................................................ 22
3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектронных систем ................................. 24
3.3.1. Общие сведения…………………………………………………………………………..24
3.4. Перспективы развития модульных систем систем ............................................................. 25
3.4.1. История развития . ................................................................................................................ 25
3.4.2. Виды модульных систем . .................................................................................................... 29
3.4.3. Автоматизация проектирования и производства СБИС и модульных систем .............. 31
3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем ............................................................... 37
3.4.5. Перспективы развития навигационных систем ................................................................ 40
3.5. Перспективы развития цифрового телевидения ................................................................. 46
3.6. Перспективы развития дисплеев и осветительной техники .............................................. 51
3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных технологий ........................................... 55
3.8. Формирование современной инфраструктуры проектирования СБИС «система на
кристалле» . ............................................................................................................................. 59
3.9. Создание технико-внедренческой зоны наукоемкого производства ................................ 65
3.10. Форсайт в области нанотехнологий ................................................................................... 68
3.11. Дорожные карты и их применение .................................................................................... 70
3.11.1. Прогноз инновационного развития в Японии................................................................. 72
3.11.2. «Глобальная технологическая революция» (Корпорация RAND, США) .................... 73
3.11.3. Метод дорожных карт и его применение в практике форсайт-исследований............. 74
3.11.4. Разработка технологических дорожных карт ................................................................. 75
3.11.5. Международная технологическая карта ITRS ................................................................ 78
3.11.6. Технологическая дорожная карта для производственных наносистем. Институт
Форсайта в области нанотехнологий, США ................................................................... 78
3.11.7. Дорожные карты развития наноиндустрии в России ..................................................... 80
3.11.8. Примеры технологических дорожных карт .................................................................... 82
3.12. Итоги работы радиоэлектронной промышленности в 2008 году и основные задачи
на 2009 год . ........................................................................................................................... 83
3.12.1. Общие сведения . ................................................................................................................ 83
3.12.2. Основные показатели развития РЭП ............................................................................... 83
3.12.3. Научно-техническая политика РЭП................................................................................. 84
3.12.4. Инвестиционная политика РЭП ....................................................................................... 87
3.12.5. Внешнеэкономическая деятельность ............................................................................... 88
3.12.6. Политика РЭП на отечественных рынках ....................................................................... 90
3.12.7. Меры по снижению негативных последствий для предприятий РЭП
экономического кризиса . .................................................................................................. 90
3.12.8. Кадровая политика . ........................................................................................................... 92
3.12.9. Основные проблемы и задачи РЭП.................................................................................. 93
ГЛАВА 4. КОНЦЕПЦИЯ И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАЦИОНАЛЬНОЙ
3
НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ...................................... 95
4.1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии в Российской Федерации .............. 95
4.2. Цель реализации Концепции развития ................................................................................ 96
4.3. Состав и основные направления деятельности национальной и нанотехнологической
сети (ННС) ..................................................................................................................................... 97
4.4. Задачи, решаемые в рамках Концепции .............................................................................. 99
4.4.1 Исследовательско-технологическая основа (ИТО) ......................................................... 100
4.4.2. Научно-образовательная и кадровая основа ................................................................... 100
4.4.3. Информационно-коммуникационная основа .................................................................. 101
4.4.4. Организационная основа................................................................................................... 102
4.4.5. Правовая основа ................................................................................................................. 103
4.5. Программно-целевое развитие наноиндустрии в России ................................................ 103
4.6. Корпорация «РОСНАНОТЕХ»........................................................................................... 105
ГЛАВА 5. ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СОЗДАНИЯ НАНОПРОДУКЦИИ И
СИСТЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ........................................................................... 109
5.1. Общие сведения ................................................................................................................... 109
5.2. Наноугрозы и риски ............................................................................................................ 110
5.3. Роль наноиндустрии в обеспечении национальной безопасности ................................. 111
5.4. Реализованные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий .................................................................................................................... 112
5.5. Перспективные проекты специального назначения с использованием
нанотехнологий………………............................................................................................114
5.5.1. Проект «Умная пыль» ....................................................................................................... 115
ГЛАВА 6. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ...................................................... 118
ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ .................................................................................. 118
6.1. Общие сведения ................................................................................................................... 118
6.2. Полупроводниковые приборы ............................................................................................ 118
6.3. Персональные компьютеры ................................................................................................ 119
6.4. Электронная промышленность в средствах связи ............................................................ 120
6.5. Современное состояние электронной промышленности ................................................. 120
6.5.1. Мировые лидеры по производству электронной продукции ........................................ 121
6.5.2. Состояние электронной промышленности в России ..................................................... 122
6.5.3. Признаки возрождения электронной промышленности в России ................................ 125
6.5.4. Перспективы развития электронной промышленности в России ................................. 127
ГЛАВА 7. ВИДЫ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ ............................................................................................ 129
7.1. Общие сведения ................................................................................................................... 129
7.2 Основы кремниевой технологии ......................................................................................... 130
7.2.1. Кристалическое строение и зонная структура полупроводников ................................ 130
7.2.2. Понятие о групповом методе изготовления электронных приборов ........................... 133
7.2.3. Планарная технология ....................................................................................................... 134
7.2.4. Пленочная и гибридная технология................................................................................. 134
7.2.5. Полупроводниковая технология ...................................................................................... 136
7.2.6. Переход к кремниевой нанотехнологии .......................................................................... 139
7.3. Общие сведения об углеродной нанотехнологии ............................................................. 144
7.4. Основные материалы углеродной нанотехнологии ......................................................... 145
7.4.1. Углеродные нанотрубки ................................................................................................... 145
7.4.2. Фуллерены .......................................................................................................................... 146
7.4.3. Графен ................................................................................................................................. 147
7.5. Продукты углеродной нанотехнологии ............................................................................. 147
7.6. Органические нанотехнологии ........................................................................................... 148
7.6.1. Жидкие кристаллы............................................................................................................. 148
4
7.6.2. OLED технология.. ............................................................................................................ 158
7.6.3. Состояние разработок OLED ............................................................................................ 163
7.7. Квантовая нанотехнология ................................................................................................. 164
7.7.1. Общие сведения ................................................................................................................. 164
7.7.2. Разработки в области квантовых компьютеров .............................................................. 166
7.7.3. Разработки в области квантовой криптографии ............................................................. 176
7.8. Молекулярная нанотенология ............................................................................................ 178
7.8.1. Введение в молекулярную технологию........................................................................... 178
7.8.2. История концепции молекулярной нанотехнологии ..................................................... 182
7.8.3. Оценки ожидаемых параметровмолекулярных наномеханических устройств ........... 183
7.8.4. Стратегии реализации молекулярной нанотехнологии ................................................. 186
7.8.5. Молекулярный транзистор .............................................................................................. 188
7.8.6. Одноэлектронный транзистор .......................................................................................... 189
ГЛАВА 8. НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ ДЛЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ
СИСТЕМ………………………………………….………………………………………………191
8.1. Общие сведения ................................................................................................................... 191
8.2. Конденсаторы для наноэлектронных систем .................................................................... 192
8.3. Источники электроэнергии для наноэлектронных систем .............................................. 197
8.3.1. Способы получения электроэнергии ............................................................................... 201
8.3.2. История химических источников тока ............................................................................ 202
8.3.3. Основные типы аккумуляторов для мобильных устройств .......................................... 208
8.3.4. Состояние и перспективы развития производства химических источников тока ...... 210
8.3.5. Тенденции развития сегмента вторичных систем до 2010 года ................................... 215
8.3.6. Производители перспективных типов химических источников................................... 218
8.4. Наноэлектронные транзисторы .......................................................................................... 219
8.4.1. Наноэлектронные транзисторы на основе структур хранения на сапфире ................. 222
8.4.2. Нанотранзисторы с гетеропереходами ............................................................................ 228
8.5. Наноэлектронные переключатели и ячейки памяти ....................................................... 233
8.5.1. Квантово-точечные клеточные автоматы ....................................................................... 233
8.5.2. Молекулярные переключатели ........................................................................................ 235
8.5.3. Перспективы использования нанотехнологий при изготовлении устройств
хранения информации ....................................................................................................... 237
8.6. Наноэлектронные лазеры .................................................................................................... 239
8.6.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами ....................................... 239
8.6.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами ........................................... 242
8.6.3. Оптические модуляторы ................................................................................................... 249
8.7. Дисплеи и осветительные приборы с использованием наноматериалов ....................... 251
8.7.1. Дисплеи и осветительные приборы на основе нанотрубок ........................................... 251
8.7.2. Перспективы создания дисплеев невидимок .................................................................. 253
8.8. Фотоприемные наноэлектронные устройства и системы ................................................ 254
8.8.1. Фотоприемники на квантовых ямах ................................................................................ 254
8.8.2. Фотоприемники на основе квантовых точек .................................................................. 257
8.9. Устройства и системы хранения информаци .................................................................... 262
8.9.1. Виды запоминающих устройств ...................................................................................... 262
8.9.2. Элементы памяти ............................................................................................................... 264
8.9.3. Фотоприемные ПЗС........................................................................................................... 265
8.9.4. КМОП-фотодиодные СБИС и их применение ............................................................... 267
8.10. Наноэлектронные изделия для компьютерных систем .................................................. 270
8.10.1. Однокристальные системы ............................................................................................. 270
8.10.2. Системы для компьютеров ............................................................................................. 272
8.11. Перспективы разработок квантовых информационных систем ................................... 278
8.12. Наноэлектронные системы для беспроводной связи ..................................................... 284
5
8.13. Перспективы разработок наноэлектронных систем ....................................................... 285
ГЛАВА 9. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ ......................................................................... 292
9.1. Общие сведения ................................................................................................................. 292
9.2. Области применения МЭМС и НЭМС .............................................................................. 292
9.3. Состояние и перспективы разработок МЭМС и НЭМС .................................................. 298
ГЛАВА 10. МЕДИЦИНСКИЕ И БИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПРОИЗВОДСТВА
НАНОПРОДУКЦИИ ..................................................................................................................... 305
10.1. Нанориски – новые угрозы для здоровья и окружающей среды .................................. 305
10.1.1. Новая категория рисков .................................................................................................. 305
10.2. Европейские инициативы в области оценки нанорисков .............................................. 306
10.3. Руководства по безопасному обращению с наночастицами и наноматериалами ....... 307
10.3.1. Стандарт корпорации DuPont для оценки нанорисков ................................................ 310
10.3.2. Стандарты как ответ на угрозы, связанные с нанорисками ........................................ 312
10.4. Рекомендации по исследованию токсичности наночастиц в лабораторных
условиях .............................................................................................................................. 313
10.5. Материалы и оборудование, используемые при определении острой токсичности
наночастиц .......................................................................................................................... 315
10.6. Перспективы разработки медицинских нанороботов .................................................... 318
10.7. Проблемы безопасности.................................................................................................... 321
ГЛАВА 11. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ................................................ 322
11.1. «НаноФаб-100» – платформа для наноэлектроники ...................................................... 322
11.2. Установка эпитаксильного наращивания слоев для индивидуальной обработки
подложек большого диаметра .......................................................................................... 322
11.3. Новейшие разработки НИИ точного машиностроения. Комплект вакуумных
установок для научных исследований и отработки технологических
процессов наноэлектроники. 323
11.4. Новое поколение установок молекулярно–лучевой эпитаксии .................................... 324
11.5. Оборудование для наноструктурного анализа материалов и покрытий ...................... 325
11.6. Нанотехнологический комплекс оборудования NanoEducator ..................................... 326
11.6.1. Устройство и принцип работы ....................................................................................... 327
11.6.2. Конструкция СЗМ NanoEducator.................................................................................... 329
11.6.3. Техническая спецификация прибора ............................................................................. 332
11.6.4. Режимы работы ................................................................................................................ 332
11.6.5. Дополнительные приложения NanoEducator ................................................................ 333
ГЛАВА 12. ПОДГОТОВКА КАДРОВ ДЛЯ НАПРАВЛЕНИЯ «НАНОТЕХНОЛОГИЯ» ..... 336
12.1. Материально-техническая база кадровой инфраструктуры наноиндустрии ............. 336
12.1.1. Научно-образовательные центры .................................................................................. 337
12.1.2. Центры коллективного пользования ............................................................................. 340
12.1.3. Кафедры и лаборатории.................................................................................................. 342
12.2. Целевые индикаторы выполнения задач программы развития (по итогам
выполнения программы развития к 2010 г.) .................................................................. 345
12.3. Перечень вузов, ведущих подготовку по специальности «Нанотехнология в
электронике» ...................................................................................................................... 347
Список цитированной литературы ............................................................................................... 348
Перечень принятых сокращений……..……………………………………………………….….358
6
ВВЕДЕНИЕ
Научно-технический прогресс однозначно связан с развитием нанотехно-
логий. Уже с 2003 г. нанотехнологии обеспечивают плавный переход от микро-
электроники к наноэлектронике – основе информационных технологий 21 века.
В 2003 г. элитные вузы Российской Федерации начали подготовку специали-
стов в области нанотехнологий и наноэлектроники.
Тогда было сформулировано новое направление подготовки инженеров
210600 «Нанотехнология». В рамках этого направления выделено две специ-
альности: 210601 «Нанотехнология в электронике» и 210602 «Наноматериалы».
Ведется разработка ГОС ВПО по специальности «Электроника и наноэлектро-
ника». В настоящее время специальность «Нанотехнология в электронике»
предусмотрена в направлении 210400 «Телекоммуникации». Кроме инженер-
ной подготовки ведется подготовка бакалавров и магистров.
Фирмы, внедряющие нанотехнологии, с 2003 г. приступили к серийному
выпуску электронных наноизделий: микропроцессорных интегральных схем
(ИС) с ультравысокой и гигантской степенью интеграции, мобильных систем
нового поколения, широкоформатных дисплеев, цифровой видеотехники и др.
Специалисты, получившие степень бакалавра по направлению 210600
«Нанотехнология» имеют возможность дальнейшего обучения по следующим
направлениям магистратуры:
• 554500 «Нанотехнология»;
• 550700 «Электроника и микроэлектроника»;
• 553100 «Техническая физика»;
• 210601 «Нанотехнология в электронике»;
• 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Подготовке магистров по перспективным направлениям наноэлектроники,
представляющим значительный интерес для работодателей промышленных
предприятий, должна предшествовать подготовка бакалавров.
Перспективность работы в области нанотехнологий и наноэлектроники
обуславливает необходимость создания материально-технических баз кафедр,
реализующих инновационные образовательные программы, создание научно-
учебных лабораторий «Наноэлектроники», «Химии и наноматериалов», учебно-
научных центров «Опто-, микро- и наноэлектроники».
Важной задачей является реализация системной подготовки студентов по
блокам естественно-научных (химия и физика), общепрофессиональных (элек-
троника, оптоэлектроника) и специальных (микросхемотехника, СВЧ-техника,
наноэлектроника) дисциплин.
Обширный справочный материал, обобщающий информацию более двух-
сот научных и учебных публикаций, по мнению автора, будет полезен студен-
там, изучающим курсы «Введение в специальность нанотехнология в электро-
нике», «Электроника», «Наноэлектроника», «Приборы СВЧ и оптического диа-
пазона», «Устройства и системы оптической связи», «Оптоэлектроника и нано-
фотоника». Накопленный опыт постановки указанных дисциплин целесообраз-
но учесть в учебных планах профильной подготовки студентов направления
210400 «Телекоммуникации».
7
В данном учебном пособии приведен анализ состояния и перспектив раз-
вития микро- и наноэлектроники. Автор выражает благодарность Игнатовой
А.С., Полянскому С.В., Ананьеву А.В. за помощь в подготовке книги к изда-
нию.
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И КЛАССИФИКАЦИЯ
НАНООБЪЕКТОВ
1.1. Общие сведения

Энциклопедический словарь определяет технологию (от греческого
«techne» – искусство, мастерство, умение + «logos» – наука) как совокупность
методов обработки, изготовления, изменения состояния первоначального сырья
в процессе производства конечной продукции
Нанотехнология – умение целенаправленно создавать объекты (с заранее
заданными составом, размерами и структурой) в диапазоне менее 100 нм.
Нанонаука – совокупность знаний о свойствах вещества в нанометровом
масштабе.
Наноэлектронные приборы, устройства и системы – изделия, содержащие
элементы с размерами нанометрового диапазона (100 нм).
Нанообъекты существуют на Земле, сколько существует сама жизнь.
Моллюск морское ушко выращивает очень прочную, переливающуюся из-
нутри раковину, склеивая прочные наночастички мела особой смесью белков с
углеводами. Структуры, сформированные из наночастиц, могут быть намного
прочнее материала однородного в объеме.
В четвертом веке нашей эры римские стекловары делали стекло, содержа-
щее наночастицы металлов. Чаши царя Ликурга делались из натриевой извести,
содержащей наночастицы серебра и золота. Цвет чаши менялся от зеленого до
темно-красного, в зависимости от воздействия света.
Все природные материалы и системы построены из нанообъектов. Именно
в интервале наноразмеров, на молекулярном уровне, природа «программирует»
основные характеристики веществ, явлений и процессов. На рис. 1.1, а и б при-
ведены «линейки» размеров природных объектов.
Нобелевский лауреат Херст Штормер высказался: «Нанотехнология дает
нам средства... играть с самыми маленькими «кубиками природы» – атомами и
молекулами, из которых построен весь мир. Сочетание уже известных нам ме-
тодов «от большого к малому» с самосборкой на атомном уровне создает
огромное поле возможностей для «игры в комбинаторику» с химическими и
физическими свойствами при использовании специально полученных искус-
ственных структур».
Профессор химии Джордж Уатсайд Гарвардского университета (1998 г.)
сказал: «Используя наноустройства, вы можете изготовить запоминающее
устройство с объемом памяти, эквивалентным тысяче компьютерных дискет и
размером с наручные часы. В этом устройстве может храниться библиотека на
всю жизнь... Идеи такого рода могут сильно изменить представления об образе
жизни».
Под термином «нанотехнология» понимают создание и использование ма-
териалов, устройств и систем, структура которых регулируется в нанометровом
масштабе, т.е. в диапазоне размеров атомов, молекул и надмолекулярных обра-
зований.
9
а)
Размер, нм
б)
Рис. 1.1. Линейные размеры природных объектов
Нанотехнологический подход означает такое же, но целенаправленное, ре-

гулирование свойств объектов на молекулярном уровне, определяющем фунда-
ментальные параметры.
Фантастические перспективы, которые сулит изготовление материалов и
устройств на атомном и молекулярном уровне, впервые раскрыл в 1959 г. Но-
белевский лауреат по физике Ричард Фейнман. Он отметил необходимость со-
здания нового класса рабочей и измерительной аппаратуры, требуемой для об-
ращения со столь малыми наноразмерными объектами.
10
Нанотехнология подразумевает умение работать с такими объектами и со-
здавать из них более крупные структуры, обладающие принципиально новой
молекулярной (точнее, надмолекулярной) организацией. Такие наноструктуры,
использующие атомно-молекулярные элементы, представляют собой мельчай-
шие объекты, которые могут быть созданы искусственным путем, они характе-
ризуются новыми физическими, химическими и биологическими свойствами и
связанными с ними явлениями.
Наноструктуры демонстрируют важную роль в различных областях науки
и техники (физика, химия, материаловедение, биология, медицина и т.д.).
Например, было обнаружено, что углеродные нанотрубки на порядок прочнее
стали, имея при этом в шесть раз меньший удельный вес, наночастицы способ-
ны избирательно проникать в раковые клетки и поражать их и т.д.
Являются ли наноструктурные материалы и нанотехнологии действитель-
но новыми? Не относятся ли к наноматериалам некоторые из давно известных
нам веществ? На самом деле, некоторые из давно используемых человечеством
материалов и процессов фактически связаны с нанотехнологиями. В частности,
фотография и катализ всегда были основаны именно на «нанопроцессах», вслед-
ствие чего развитие нанотехнологии обещает значительный прогресс именно в
этих классических разделах науки и техники.
Во многих существующих технологиях традиционно используются слу-
чайно обнаруженные нанообъекты и нанопроцессы, роль которых в некоторых
случаях остается неясной до сих пор.
Например, давно известно, что добавление в каучук небольшого количе-
ства неорганических глин существенно улучшает характеристики получаемой
резины. Как оказалось, нанометровые частицы глины прочно связывают концы
полимерных цепочек или «нитей». В этом простом процессе фактически обра-
зуется композиционный материал резина + глина, что наглядно демонстрирует
возможности использования нанотехнологии в сложных системах.
В развитии нанотехнологий можно выделить три направления:
– изготовление устройств и систем с нанотранзисторами и другими актив-
ными элементами, размеры которых сравнимы с размерами единичных молекул
и атомов;
– непосредственное манипулирование атомами и молекулами, сборка из них
всевозможных материалов с изначально заданными свойствами («зонная инже-
нерия»);
– разработка и изготовление наномашин (механизмов, роботов) величиной с
молекулу, способных на принципах самоорганизации воспроизводить себе по-
добных. Основы теории наноэлектронных устройств рассматриваются в работах
[1-8]
1.2. Классификация нанообъектов

Классификацию нанообъектов можно проводить по разным признакам,
например, по геометрическому признаку нанообъекты можно классифициро-
вать по-разному. Одни исследователи предлагают характеризовать мерность
объекта количеством измерений, в которых объект имеет макроскопические
11
размеры. Другие берут за основу количество наноскопических измерений.
Классификация нанообъектов по их мерности важна не только с формальной
точки зрения. Геометрия существенно влияет на их физико-химические свой-
ства. Круг объектов, исследуемых нанохимией, непрерывно расширяется. Хи-
мики стремятся понять, в чем состоят особенности тел нанометровых размеров.
В 80-90-х гг. XX века, благодаря методам электронной, атомно-силовой и тун-
нельной микроскопии, удалось наблюдать за поведением нанокристаллов ме-
таллов и неорганических солей, белковых молекул, фуллеренов и нанотрубок, а
в последние годы такие наблюдения стали массовыми. Рассмотрим особенно-
сти строения и поведения некоторых наночастиц.
Наночастицы из атомов инертных газов являются самыми простыми
нанообъектами. Атомы инертных газов с полностью заполненными электрон-
ными оболочками слабо взаимодействуют между собой посредством сил Ван-
дер-Ваальса. При описании таких частиц применяется модель твердых шаров
(см. рис. 1.2).
Рис. 1.2. Наночастицы из атомов аргона
Энергия связи, то есть энергия, затрачиваемая на отрыв отдельного атома

от наночастицы, очень мала, поэтому частицы существуют при температурах не
выше 10–100 К.
Наночастицы металлов. В металлических кластерах из нескольких ато-
мов может быть реализован как ковалентный, так и металлический тип связи,
как показано на рис. 1.3.
Рис. 1.3. Наночастицы, состоящие из атомов платины

(светлые сферы) и меди (темные сферы)
12
Наночастицы металлов обладают большой реакционной способностью и
часто используются в качестве катализаторов. Наночастицы металлов обычно
принимают правильную форму – октаэдра (а), икосаэдра (б), тетрадекаэдра (в),
в соответствии с рис. 1.4.
а) б) в)
Рис. 1.4. Возможные формы металлических наночастиц
Фуллерены представляют собой полые внутри частицы, образованные

многогранниками из атомов углерода, связанных ковалентной связью. Особое
место среди фуллеренов занимает частица из 60 атомов углерода – C60, напоми-
нающая микроскопический футбольный мяч (см. рис. 1.5).
Рис. 1.5. Молекула фуллерена C60
Фуллерены находят широкое применение: в создании новых смазок и ан-

тифрикционных покрытий, новых типов топлива, алмазоподобных соединений
сверхвысокой твердости, датчиков и красок.
Нанотрубки – это полые внутри молекулы, состоящие примерно из
1 000 000 атомов углерода и представляющие собой однослойные трубки диа-
метром около нанометра и длиной в несколько десятков микрон. На поверхно-
сти нанотрубки атомы углерода расположены в вершинах правильных шести-
угольников, в соответствии с рис. 1.6.
13
Рис. 1.6. Молекула однослойной нанотрубки
Нанотрубки обладают рядом уникальнейших свойств, благодаря которым

находят широкое применение преимущественно в создании новых материалов,
электронике и сканирующей микроскопии.
Уникальные свойства нанотрубок: высокая удельная поверхность, элек-
тропроводность, прочность – позволяют создавать на их основе эффективные
носители катализаторов для различных процессов. Например, из нанотрубок
делают новые источники энергии – топливные ячейки, способные работать в 3
раза дольше, чем простые батарейки аналогичного размера. При использовании
подобной ячейки в сотовом телефоне он сможет находиться в режиме ожида-
ния около двух недель – вместо 4 дней, как нынешнее поколение телефонов.
Удивительные свойства нанотрубок помогают им накапливать и хранить
водород в молекулярном виде во внутренних полостях – экологичное топливо
автомобилей будущего. Например, нанотрубки с наночастицами палладия мо-
гут компактно хранить водород в тысячи раз больше своего объема, а значит,
сделают автомобили более мощными, дешевыми и экологичными. Дальнейшее
развитие технологии топливных ячеек позволит хранить в них в сотни и тысячи
раз больше энергии, чем в современных батарейках.
Ионные кластеры представляют собой классическую картину, характер-
ную для ионной связи в кристаллической решетке хлорида натрия (см. рис. 1.7).
Рис. 1.7. Кластер хлорида натрия
Если ионная наночастица достаточно велика, то ее структура близка к

структуре объемного кристалла. Ионные соединения находят применение в со-
здании фотопленок с высоким разрешением, молекулярных фотодетекторов, в
различных областях микроэлектроники и электрооптики.
14
Фрактальные кластеры – это объекты с разветвленной структурой (см.
рис. 1.8): сажа, коллоиды, различные аэрозоли и аэрогели. Фрактал – это такой
объект, в котором при увеличении можно увидеть, как одна и та же структура
повторяется в нем на всех уровнях и в любом масштабе.
Рис. 1.8. Фрактальный кластер
Молекулярный кластер кластеры, состоящие из молекул. Большинство

кластеров являются молекулярными. Их число и разнообразие огромно. В част-
ности, к молекулярным кластерам относятся многие биологические макромоле-
кулы (см. рис. 1.9).
Рис. 1.9. Молекулярный кластер белка
1.3. Наночастицы и наносистемы

Объединение определенного класса наночастиц в группы позволяет полу-
чить соответствующие им наноэлектронные системы пригодные для приклад-
ного использования. В таблице 1.1 приведены различные классы наночастиц и
соответствующие им наноэлектронные системы.
15
Таблица 1.1. Наноэлектронные частицы и системы
Наночастицы Наносистемы
Фуллерены Кристаллы, растворы
Тубулены Агрегаты, растворы
Молекулы белков Растворы, кристаллы
Полимерные молекулы Золи, гели
Нанокристаллы неорганических ве- Аэрозоли, коллоидные растворы, осад-
ществ ки
Мицеллы Коллоидные растворы
Наноблоки Твердые тела
Пленки Ленгмюра – Блоджета Тела с пленкой на поверхности
Кластеры в газах Аэрозоли
Наночастицы в слоях различных ве-
Наноструктурированные пленки
ществ
1.4. Основные термины индустрии наносистем

В основе научно технического прорыва на наноуровне, форсируемого
промышленно развитыми странами, лежит использование новых, ранее не из-
вестных свойств и функциональных возможностей материальных систем при
переходе к наномасштабам, определяемым особенностями процессов переноса
и распределения зарядов, энергии, массы информации при наноконструирова-
нии. Ниже приводятся определения основных терминов, нанообъектов и нано-
процессов.
Обратимся к важнейшему фактору – геометрическому размеру и приставке
«нано», входящей в ряд основных, наиболее часто используемых в официаль-
ных документах, понятий: нанотехнология, наноматериалы, наносистема. Об-
ратим внимание на исходные смысловые значения наиболее часто употребляе-
мых приставок, идентифицирующих характеристические и геометрические
размеры изучаемых объектов: микро- (от греч. mikros – малый), нано- (от греч.
nannos – карлик).
Применительно к индустрии наносистем границы геометрического фак-
тора в отношении возникновения новых нетрадиционных свойств, не прису-
щих макро- и микросистемам, формально определены от единиц до 100 нм. Од-
нако вполне очевидно, что некоторый характеристический размер, идентифи-
цирующий изучаемый объект по геометрическому параметру (толщина плен-
ки, диаметр кластера или нанотрубки), должен рассматриваться не просто как
абсолютная величина, а в отношении к определенным фундаментальным па-
раметрам материалов, имеющим аналогичную метрическую размерность. Осо-
бенно сложно определить границы геометрического фактора применительно к
биоорганическим объектам, обладающим многообразием связей и конформа-
ций. Поэтому приставка «нано» скорее особое обобщенное отражение объек-
тов исследований, прогнозируемых явлений, эффектов и способов их описа-
ния, чем просто характеристика протяженности базового структурного эле-
16
мента.
Необходимость данного замечания обусловлена следующим. К сожале-
нию, термины «наноматериалы» и «нанотехнологии» стали настолько модными
и «экономически привлекательными», что многие традиционные разработки
атомно-молекулярного уровня искусственно приобрели имидж «нано». Наряду
с определенной конъюнктурой, это, безусловно связано и с тем, что, нигде не
проводится систематизация объектов и процессов нанотехнологии.
Развивая и обобщая представления об индустрии наносистем, а также ана-
лизируя ранее опубликованные работы, рассмотрим ряд базовых понятий с
приставкой «нано», наиболее полно отражающих именно проявление функ-
ционально-системных свойств, а не только чисто геометрических особенно-
стей (параметров) объектов.
Наносистема – материальный объект в виде упорядоченных или само-
упорядоченных, связанных между собой элементов с нанометрическими харак-
теристическими размерами, кооперация которых обеспечивает возникновение
у объекта новых свойств, проявляющихся в виде квантово-размерных, синер-
гетически-кооперативных, «гигантских» эффектов и других явлений и процес-
сов, связанных с проявлением наномасштабных факторов.
Наноматериалы – вещества и композиции веществ, представляющие со-
бой искусственно или естественно упорядоченную или неупорядоченную си-
стему базовых элементов с нанометрическими характеристическими размерами
и особым проявлением физического и (или) химического взаимодействий при
кооперации наноразмерных элементов, обеспечивающих возникновение у ма-
териалов и систем совокупности ранее неизвестных механических, химиче-
ских, электрофизических, оптических, теплофизических и других свойств,
определяемых проявлением наномасштабных факторов.
Нанотехнология – совокупность методов и способов синтеза сборки,
структуро - и формообразования, нанесения, удаления и модифицирования ма-
териалов, включая систему знаний, навыков, умений, аппаратурное, материало-
ведческое, метрологическое, информационное обеспечение процессов и техноло-
гических операций, направленных на создание материалов и систем с новыми
свойствами, обусловленными проявлением наномасштабных факторов.
Нанодиагностика – совокупность специализированных методов, исследо-
ваний, направленных на изучение структурных, морфолого-топологических,
механических, электрофизических, оптических, биологических характеристик
наноматериалов и наносистем, анализ наноколичеств вещества, измерение мет-
рических параметров с наноточностью.
Наносистемотехника – совокупность методов моделирований, проекти-
рования и конструирования изделий различного функционального назначения, в
том числе наноматериалов, микро- и наносистем с широким использованием
квантово-размерных, кооперативно-синергетических, гигантских эффектов и
других явлений и процессов, проявляющихся в условиях материальных объек-
тов с нанометрическими характеристическими размерами элементов. Наряду с
определением ранее указанных понятий, основой которых, в первую очередь, яв-
ляется естественно-научный базис, рассмотрим широко используемые в литера-
17
туре термины, вызывающие неоднозначное их восприятие.
Нанонаука – система знаний, основанная на описании, объяснении и пред-
сказании свойств материальных объектов с нанометрическими характери-
стическими размерами или систем более высокого метрического уровня, упоря-
доченных или самоупорядоченных на основе наноразмерных элементов.
Нанотехника – машины, механизмы, приборы, устройства, материалы, со-
зданные с использованием новых свойств и функциональных возможностей сис-
тем при переходе к наномасштабам и обладающие, ранее недостижимыми мас-
согабаритными и энергетическими показателями, технико-экономическими па-
раметрами и функциональными возможностями.
ГЛАВА 2. ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ

История развития нанотехнолий рассматривается в работах [1,6,9-11].
Многие источники, в первую очередь англоязычные, первое упоминание
методов, которые впоследствии будут названы нанотехнологией, связывают с
известным выступлением Ричарда Фейнмана «Там внизу много места»
(англ. «There’s Plenty of Room at the Bottom»), сделанным им в 1959 г. в Кали-
форнийском технологическом институте на ежегодной встрече Американского
физического общества. Ричард Фейнман предположил, что возможно механи-
чески перемещать одиночные атомы, при помощи манипулятора соответству-
ющего размера, по крайней мере, такой процесс не противоречил бы известным
на сегодняшний день физическим законам.
Рис. 2.1. Ричард Фейман. 1959 г.

Выступление в Калифорнийском технологическом институте
Этот манипулятор он предложил делать следующим способом. Необходи-

мо построить механизм, создававший бы свою копию, только на порядок
меньшую. Созданный меньший механизм должен опять создать свою копию,
опять на порядок меньшую и так до тех пор, пока размеры механизма не будут
соизмеримы с размерами порядка одного атома. При этом необходимо будет
делать изменения в устройстве этого механизма, так как силы гравитации, дей-
ствующие в макромире будут оказывать все меньшее влияние, а силы межмо-
лекулярных взаимодействий и Ван-дер-Ваальсовы силы будут все больше вли-
ять на работу механизма. Последний этап – полученный механизм соберет свою
копию из отдельных атомов. Принципиально число таких копий неограничен-
но, можно будет за короткое время создать любое число таких машин. Эти ма-
шины смогут таким же способом, поатомной сборкой собирать макровещи. Это
позволит сделать вещи на порядок дешевле – таким роботам (нанороботам)
нужно будет дать только необходимое количество молекул и энергию, и напи-
19
сать программу для сборки необходимых предметов. До сих пор никто не смог
опровергнуть эту возможность, но и никому пока не удалось создать такие ме-
ханизмы. Принципиальный недостаток такого робота – принципиальная невоз-
можность создания механизма из одного атома.
Изложенные Фейнманом в лекции идеи о способах создания и примене-
ния таких манипуляторов совпадают практически текстуально с фантастиче-
ским рассказом известного советского писателя Бориса Житкова «Микроруки»,
опубликованным в 1931 г.
Впервые термин «нанотехнология» употребил Норио Танигути в 1974 г.
Он назвал этим термином производство изделий размером несколько наномет-
ров.
В 1980-х годах этот термин использовал Эрик К. Дрекслер в своих книгах:
«Машины создания: грядет эра нанотехнологии» («Engines of Creation: The
Coming Era of Nanotechnology») и «Наносистемы: молекулярный механизм,
производство, расчет» («Nanosystems: Molecular Machinery, Manufacturing, and
Computation»). Центральное место в его исследованиях играли математические
расчеты, с помощью которых можно было проанализировать работу устройства
размерами в несколько нанометров.
2.2. Краткая история нанотехнологий

Отцом нанотехнологии можно считать греческого философа Демокрита.
Примерно в 400 г. до н.э. он впервые использовал слово «атом», что в переводе
с греческого означает «нераскалываемый», для описания самой малой частицы
вещества.
1905 год. Швейцарский физик Альберт Эйнштейн опубликовал работу, в кото-
рой доказывал, что размер молекулы сахара составляет примерно 1 нанометр.
1931 год. Немецкие физики Макс Кнолл и Эрнст Руска создали электронный
микроскоп, который впервые позволил исследовать нанообъекты.
1959 год. Американский физик Ричард Фейнман впервые опубликовал работу,
в которой оценивались перспективы миниатюризации.
1968 год. Альфред Чо и Джон Артур, сотрудники научного подразделения аме-
риканской компании Bell, разработали теоретические основы нанотехнологии
при обработке поверхностей.
1974 год. Японский физик Норио Танигучи ввел в научный оборот слово
«нанотехнологии», которым предложил называть механизмы, размером менее
одного микрона. Греческое слово «нанос» означает примерно «старичок».
1981 год. Германские физики Герд Бинниг и Генрих Рорер создали микроскоп,
способный показывать отдельные атомы.
1985 год. Американский физики Роберт Керл, Хэрольд Крото и Ричард Смэйли
создали технологию, позволяющую точно измерять предметы, диаметром в
один нанометр.
20
1986 год. Нанотехнология стала известна широкой публике. Американский фу-
туролог Эрк Дрекслер опубликовал книгу, в которой предсказывал, что нано-
технология в скором времени начнет активно развиваться.
1989 год. Дональд Эйглер, сотрудник компании IBM, выложил название своей
фирмы атомами ксенона.
1998 год. Голландский физик Сеез Деккер создал транзистор на основе нано-
технологий.
1999 год. Американские физики Джеймс Тур и Марк Рид определили, что от-
дельная молекула способна вести себя также, как молекулярные цепочки.
2000 год. Администрация США поддержала создание Национальной Инициа-
тивы в Области Нанотехнологии\National Nanotechnology Initiative. Нанотехно-
логические исследования получили государственное финансирование. Тогда из
федерального бюджета было выделено $500 млн. В 2002 сумма ассигнований
была увеличена до $604 млн. На 2003 год «Инициатива» запрашивает $710 млн.
2004 год. Мировые инвестиции в сферу разработки нанотехнологий достигли
10 млрд. долл. На долю частных доноров – корпораций и фондов – пришлось
примерно 6,6 млрд. долл. инвестиций, на долю государственных структур –
около 3,3 млрд. долл. Мировыми лидерами по общему объему капиталовложе-
ний в этой сфере стали Япония и США. Япония увеличила затраты на разработ-
ку новых нанотехнологий на 126 % по сравнению с 2003 г. (общий объем инве-
стиций составил 4 млрд. долл.), США – на 122 % (3,4 млрд. долл.). В настоящее
время финансирование России на развитие нанотехнологий достигло уровня
США примерно, 1945–1955 гг.
2005 год. Функционирует организованная CRN международная рабочая группа,
изучающая социальные последствия развития нанотехнологий.
2006 год. Международным Советом по нанотехнологиям выпущена обзорная
статья, в которой говорилось о необходимости ограничения распространения
информации по нанотехнологическим исследованиям в целях безопасности.
Организация «Гринпис» требует полного запрета исследований в области нано-
технологий.
2007 год. Президент России Владимир Путин в послании Федеральному Со-
бранию назвал нанотехнологии «наиболее приоритетным направлением разви-
тия науки и техники».
2008 год. Создано «Нанотехнологическое общество России», в задачи которого
входит просвещение российского общества в области нанотехнологий и фор-
мирование благоприятного общественного мнения в пользу нанотехнологиче-
ского развития страны.
ГЛАВА 3. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
К основным тенденциям развития микро- и наноэлектроники в первую
очередь следует отнести следующие факты:
– развитие связано с миниатюризацией (уменьшением линейных размеров)
наноэлектронных изделий. Темпы миниатюризации описываются в соответ-
ствии с законом Гордона Мура, суть которого будет изложена ниже.
– рост быстродействия и производительности наноэлектронных иделий и
систем.
– уменьшение энергопотребления наноэлектронных систем.
– освоение новых технологий для изготовления изделий наноэлектроники.
Тенденция развития микро- и наноэлектроники рассматривается в работах
[3-5,7,12,15,22,29,30-37]
3.2. Закон Мура

Гордон Мур, директор отдела разработок компании Fairchild Semiconduc-
tors, в апреле 1965 г., за три года до создания корпорации Intel дал прогноз раз-
вития микроэлектроники, который уже сорок лет является непререкаемым пра-
вилом для всей индустрии информационных технологий.
Сорок лет назад микроэлектроника пребывала в зачаточном состоянии.
Микросхем тогда производилось совсем мало, в самой сложной из них – инте-
гральной схеме (ИС) фирмы Fairchild – было всего 64 транзистора. В это время
Гордон Мур сумел предсказать фантастические темпы развития этой отрасли на
несколько десятилетий вперед и предсказать, что количество транзисторов на
кристалле будет ежегодно удваиваться. Более того, он сделал прогноз послед-
ствий этого, предсказав, что по мере экспоненциального увеличения числа
транзисторов на микросхеме процессоры будут становиться все более дешевы-
ми и быстродействующими, а их производство – все более массовым.
Фактически закон Мура стал настолько универсальным, что его без коле-
баний применяют при прогнозировании роста Интернета и пропускной способ-
ности каналов связи, для предсказания увеличения емкости жестких дисков и
многого другого.
Закон Мура на редкость в простой и доступной для понимания каждого
форме определяет недоступные ни одной другой области экономики темпы
развития полупроводниковой индустрии. На ее стремительном росте сейчас
зиждется вся мировая экономика, которая просто немыслима без компьютеров
всех сортов.
В 1980 г. ученые ломали голову над тем, как добиться технологической
нормы производства микросхем в один микрон. В девяностые годы стала зада-
ча внедрить технологическую норму в одну десятую микрона и опять она каза-
лась недостижимой. А сегодня ученые думают о том, как преодолеть барьер в
одну сотую микрона.
22
Закон Мура и сегодня продолжает действовать. В полном соответствии с
ним корпорация Intel продолжает вводить новые технологические процессы
каждые два года.
Рост плотности компонентов в интегральных схемах происходит в соот-
ветствии с законом Мура, что иллюстрирует рис. 3.1. В 2010 г. прогнозируется
технологический скачок – переход от классической эры к квантовой, когда
начнут широко использоваться квантовые вычисления и средства связи. Клас-
сические средства вычисления не смогут обеспечить экспоненциальный рост
вычислительной мощности, что образно называется «стеной Мура» (Moor’s
Wall).
Корпорация Intel в 2005 г. израсходовала 10 млрд. долл. на научно-
исследовательские разработки, модернизацию и расширение своих производ-
ственных мощностей.
В 2006 г. началось производство ИС по технологии 65 нм, в 2007 г. про-
изошел переход на 45 нм процесс, на 2009 г. намечено внедрение 32 нм, в
2011 г. настанет черед технологического процесса 22 нм. Вплоть до 2020 года
будут создаваться транзисторы по современной схеме работы. К тому времени,
однако, размеры всех элементов транзистора достигнут атомарных величин, и
уменьшать их дальше будет просто невозможно. Следовательно, уже сейчас
следует искать новые подходы.
1018 10-3
Число полупроводниковых элементов
Характерный размер элементов, мкм

16
10
Классическая Эра
1014 10-2
12
10
1010 Квантовая Эра 10-1

8
10
Стена Мура
106 1
104
102 10
1970 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040

Год выпуска
Рис. 3.1. График роста плотности компонентов в интегральных схемах
Одна чисто теоретическая идея заключается в многократном использова-

нии электронов. В современных приборах электроны перемещаются от истока к
стоку, а затем теряются. При утилизации электроны переносятся в другое ме-
сто. Можно производить множество операций, не теряя электронов.
Другая альтернатива – углеродные и кремниевые нанотрубки. Транзисто-
ры, изготовленные из таких материалов, имеют сопоставимые размеры. Диаметр
углеродной нанотрубки – 1–2 нм, но в экспериментальных транзисторах исток и
сток расположены по их длине. Это позволяет повысить быстродействие и
уменьшить потребляемую энергию.
23
Углеродные нанотрубки могут найти применение в КМОП-технологии не
столько для ускорения темпов миниатюризации, сколько для повышения про-
изводительности устройств или, возможно, упрощения их изготовления. Даже
если для цифровой логики будет изобретено принципиально другое средство
перемещения электронов, возможности его масштабирования для повышения
плотности и производительности не зайдут намного дальше пределов, дости-
жимых технологией КМОП, главным образом, из-за ограничений, налагаемых
требованием отвода тепла.
Следующая альтернатива – изготавливать чипы больших размеров, нара-
щивая их площадь или строя трехмерные многослойные микросхемы.
На протяжении сорока лет развитие электроники служит главной движу-
щей силой всемирной технологической революции, принося радикальные пози-
тивные перемены в жизни миллиардов людей.
Любопытные факты и цифры: в 2003 г. Гордон Мур подсчитал, что коли-
чество транзисторов, ежегодно поставляемых на рынок, достигло 1019 штук.
При производстве современных микропроцессоров особое внимание уде-
ляют расстоянию между соседними транзисторами. В последних разработках
оно составляет 10–4 толщины человеческого волоса.
3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектрон-

ных систем
3.3.1. Общие сведения
В таблице 3.1 приведены основные тенденции развития микро- и нано-
электронных систем. Можно отметить тот факт, что развитие наноэлектронных
систем на сегодняшний день идет с небольшим опережением прогноза в соот-
ветствии с законом Гордона Мура.
Таблица 3.1. Тенденции развития микро- и наноэлектронных систем
Наноэлектронные системы Тенденции
Интегральные схемы Скорость и быстродействие возрас-
тают в 2 раза каждые 1,5–2 года
Фотоника Емкость передачи увеличивается в 2
раза каждые 1,5–2 года
Хранение данных Плотность хранения увеличивается в
два раза каждые 9 месяцев
Дисплей Количество пикселей увеличивается в
2 раза каждые 2 года
Мобильная связь Емкость каналов увеличивается в 10–
100 раз каждые 5 лет
Программное обеспечение Объем операционных систем увели-
чивается в 2 раза каждые 2 года
Прогноз развития мирового рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

иллюстрирует рис. 3.2. В 2015 г. ожидается, что объем сбыта всех нанопродук-
24
тов составит порядка 1000 млрд. долл. США.
Транспорт
(70 млрд. долл.)
Катализаторы
Наноматериалы
Фармацевтика
Наноэлектроника
Рис. 3.2. Прогноз развития рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

Целевыми программами развития отечественной электронной промыш-
ленности до 2015 г. предусмотрен переход на отечественную элементную базу
при разработках инфокоммуникационных систем. Правительство Российской
Федерации уделяет много внимания развитию отечественной навигационной
спутниковой системы ГЛОНАСС с целью формирования в стране массового
рынка ГЛОНАСС-услуг на базе широкого использования навигационной аппа-
ратуры государственными, корпоративными и частными пользователями.
Рабочая группа Правительственной Комиссии по развитию телерадиове-
щания в России принимает активное участие в подготовке к переходу России на
цифровое телевизионное вещание.
Разработаны планы организации разработки и массового производства
приемной и передающей аппаратуры для цифрового телевещания как одного из
приорететных направлений в развитии информационных технологий.
3.4. Перспективы развития модульных систем

3.4.1. История развития
Тенденции развития микро- и наноэлектронных систем рассмотрим на
примерах разработок компьютерной техники, опубликованных в [22].
Основные функции и узлы компьютерно-ориентированной электроники
иллюстрирует рис 3.2 [23].
Развитие первого поколения модульных систем начинались с создания
первых программно управляемых модульных структур для научных исследова-
ний, которое обеспечило компьютерное управление объектами и сбор данных с
полосой частот несколько десятков мегабит в секунду. Эти системы в 1970-х
годах разрабатывались практически одновременно и независимо в странах За-
падной Европы (компания Harwell Instruments в Англии) и России (РАН и дру-
25
гие ведомства) на основе первых интегральных схем (ИС) по технологии тран-
зисторно-транзисторной логики (ТТЛ) в соответствии с требованиями между-
народных стандартов. В последствии необходимость повышения быстродей-
ствия систем на порядок привели к разработке модульных систем типа
FASTBUS по технологии эмиттерно-связанной лотки (ЭСЛ) и EUROBUS по
технологии транзисторно-транзисторной логики с диодами Шоттки (ТТЛШ) на
основе интегральных схем средней степени интеграции (СИС), которые по-
требляли больше энергии и выделяли больше тепла. Третье поколение модуль-
ных систем создали ученые ведущих фирм США, в частности PCI (Intel) и
VME/VXI (Motorola) на основе собственных больших интегральных схем (БИС)
– микропроцессоров по технологии КМОП с меньшим энергопотреблением и
более высокой частотой работы. Они обеспечили пропускную способность сот-
ни мегабит в секунду и применяются до настоящего времени. Развитие элек-
троники, интерфейсов связи модульных компьютерных систем подробно рас-
смотрено в работе [22], материалы которой приводятся в этой книге. На рис. 3.3
и рис. 3.4. показаны этапы рзвития электронных технологий.
Полоса, Мб/с
Switch Fabric
105
Infiniband
4 SCI MicroTCA
10 AMC ATCA
PCIe,cPCIe
3 cPCIe/PXI
10
FUTUREBUS VME/VXI
2 FASTBUS
10
CAMAC
DW, BHW,SHW
101
1970 1980 1990 2000 2010
Рис. 3.3. Полоса пропускания магистральных и коммутируемых компьютерных сетей
Компактные модульные системы типа compact PCI и версии PCI/104 обес-

печили большую гибкость для встраиваемых применений. Технологии проек-
тирования и производства модулей и систем на модуле и в кристалле СБИС
(схем сверхбольшой степени интеграции) становятся стратегическим направле-
нием развития новых систем.
26
Операций/с Оптические
компьютеры?
1012
HP
SAN
1010 Star
WS SoC
CDC7600 VAX11
108
Micro
COM
STRECH
6 Встраиваемые
10 микросистемы
IBM PDP11 8080 SBC
701
PDP8 Intel404
4
10
1960 1970 1980 1990 2000 2010
ИС СИС БИС СБИС УБИС
Рис.3.4. Рост производительности компьютерных систем, HPC и SAN
Россия в начале XXI века отставала по разработкам, производству элек-

тронных схем и систем на душу населения от США в 90 раз, от Японии в 80
раз, от Европы в 40 раз.
Анализ динамики развития технологий показывает запаздывание России от
мирового уровня производства электронных компонент и модульных систем.
Новые требования к современным системам автоматизации к началу ново-
го тысячелетия по ряду параметров производительности узлов и полосе частот
каналов связи не соответствовали возможностям существующих систем.
Потребовался переход на новое поколение встраиваемых и масштабируе-
мых модульных систем. Обеспечиваемая скорость передачи по параллельным
шинам магистрально-модульных систем, составляющая сотни мегабит в секун-
ду, достигла своего физического предела.
Уходит целая эпоха магистральных систем с разделяемой средой связи и
наступает новая эра конвергентных модульных систем с сетевой архитектурой
высокого быстродействия для эффективного управления, сбора и обработки и
передачи сигналов (измерительных, аудио и видео), обработки больших пото-
ков данных и моделирования. Это требует гармоничного развития всех систем-
ных компонент и их параметров, включая СБИС-структуры, быстрые модули
преобразователей и процессоров, модульные системы с малым потреблением
энергии, и сетевых средств широкополосной коммутации и связи. Достигнут
предел (1–3 ГГц) целесообразной возможности дальнейшего увеличения часто-
ты однокристальных процессоров. Повышение полосы частот систем за счет
увеличения ширины каналов передачи данных от 16 до 32 и 64 разрядов прак-
27
тически невозможно. Проблемы дальнейшего роста производительности обра-
ботки данных обусловили создание новых многоядерных и многопроцессорных
архитектур с более быстрыми каналами связи (гигабитными скоростями). Все
больше системных функций реализуется в модулях и кристаллах СБИС.
Дальнейшее увеличение быстродействия систем связано с проблемой уменьше-
ния уровня сигналов, переходом на быстрые последовательные средства со-
пряжения и связи, а так же уменьшением длины соединении (проводников) в
модулях и кристаллах, что отражается в соответствующих технологических
нормах производства СБИС и архитектуре подсистем ввода-вывода, памяти и
процессов обработки данных. Требуются инновационные методы развития си-
стемной архитектуры, сверхбыстрых средств сопряжения и связи для преодо-
ления гигабитной границы полосы частот, а также новые сетевые архитектуры
для создания систем распределенной обработки и управления.
Основные трудности дальнейшего развития производительности компь-
ютерных систем связаны с решением проблем преодоления физических ог-
раничений на повышение частоты работы (увеличением производительности
процессоров), ростом пропускной способности каналов сопряжения и связи.
Дальнейшее ужесточение требований к системам компьютерной автоматизации
и сближение компьютерных и коммуникационных технологий привели к их
полной интеграции. При этом развитие микро- и нанотехнологий обусловлено и
новыми требованиями к конвергентной архитектуре систем и сетей связи,
включая вычислительные комплексы высокой производительности НРС.
Оптимальное согласование параметров и комплексное решение этих проблем
становятся основополагающими для дальнейшего развития эффективных си-
стем компьютерной автоматизации, управляющих систем и вычислительных
комплексов высокой производительности на новой технологической основе.
Имеется две тенденции создания и развития новых конвергентных сетевых тех-
нологий и архитектуры компьютерных модульных систем нового поколения
для автоматизации и промышленности. Первая предусматривает развитие клас-
сических сетевых структур на основе Ethernet с применением традиционных
систем локального управления и созданием нового оборудования с интегриру-
емыми сетевыми интерфейсами быстрого и гигабитного Ethernet (FE и GE).
Вторая связана с развитием новых и перспективных встраиваемых модульных
систем с быстрой коммутируемой средой и созданием модульных компьютер-
ных систем высокой производительности. Таким образом, требуются новые ре-
волюционные методы решения ряда гигапроблем создания модульных систем
нового поколения, в том числе многоядерных процессоров и систем в кристал-
ле с частотой несколько гигагерц, компьютерных модулей с объемом памяти
несколько гигабайт с гигабитными интерфейсами связи и последовательными
методами связи с широкой полосой частот (десятки гигабит в секунду). Это
возможно на основе создания современных отечественных СБИС-структур и
модульных систем высокой производительности для автоматизации сбора и об-
работки сигналов в реальном времени.
Для ликвидации большого технологического разрыва с промышленно раз-
витыми странами в России принята федеральная целевая программа «Нацио-
28
нальная технологическая база», в состав которой входит подпрограмма «Разви-
тие электронной компонентной базы» на период 2007–2011 гг. Минпромэнерго
разработало документ «Стратегия развития электронной промышленности на
2007–2011 годы», одобренный правительством страны.
Большое внимание уделено созданию устойчивых к радиации монолитных
интегральных схем, причем предусматривается снижение (к 2015 г.) доли им-
портных электронных компонентов в специальной аппаратуре до половины.
В открытой печати профессионалы акцентировали внимание на недостат-
ках программы, в частности на отсутствии идеологии развития электронных
систем и приоритетов конкретных направлений, а также исследований в обла-
сти новых и перспективных материалов и перспектив применения модульных
систем для конкретных задач. Успехи могут быть достигнуты при согласован-
ном развитии технологий создания систем в кристалле, перспективных модуль-
ных систем и сетей управления, сбора и обработки данных в реальном времени
(три кита стратегического развития).
Успешное развитие микро- и наноэлектронных технологий позволяют со-
здавать новые микро- и наноархитектуры и модули с более высокой плотно-
стью упаковки вычислительных средств, малым потреблением энергии и более
высокой частотой работы. Так, благодаря технологиям сверхбольших инте-
гральных схем (СБИС) с нормами 0,1 мкм появились однокристальные процес-
соры и одноплатные компьютеры SBC (Single Board Computers). Дальнейшее
освоение нанотехнологий СБИС (90 нм) обеспечило разработку и создание
компактных компьютерных модулей, подсистем ввода-вывода и сетей связи в
виде отдельных модулей; при этом сокращается длина соединений, но возраста-
ет концентрация мощности на единицу объема кристалла.
Концепция нового поколения систем ставит целью создание более гибких
и масштабируемых систем с большой полосой пропускания и масштабируемой
производительностью. Ограничение роста производительности процессора по
частоте и быстродействию сопряжения и связи уже не соответствует требовани-
ям нового поколения систем. На смену параллельным шинам типа PCI/ PXI и
VME/VXI приходят новые последовательные структуры связей. Радиальное со-
пряжение при централизованном управлении типа USB и коммутаторов типа
PCI Express может быть заменено коммутируемыми средами с расширяемой
полосой частот.
Дальнейшее повышение частоты процессора оказалось неэффективным из-
за большого выделения тепла. В связи с переходом от традиционных маги-
стральных систем к новым архитектурам многоядерных процессоров частота
процессора уже не служит показателем его производительности. Дальнейшее
повышение производительности процессоров решается не повышением их ра-
бочей частоты, которая уже подошла к физическим пределам, а переходом на
сетевые архитектуры с коммутируемой средой.
3.4.2. Виды модульных систем

Общие требования к архитектуре систем будущего включают необходи-
мость создания систем в кристалле со встроенным интерфейсом, компактных и
29
масштабируемых модульных систем и серверов с сетевой коммутируемой сре-
дой быстрой последовательной, многоуровневой связи на основе единых ком-
пактных модулей.
Успехи электронных нанотехнологий (разрешение 45 нм, 2007 г.) по-
зволили сконцентрировать большую удельную вычислительную мощность в
одном кристалле. Однако это привело к росту потребления энергии и выделяе-
мого тепла. Это обусловило создание маломощных схем для мобильных и
встраиваемых систем, компьютеров на модуле (СОМ) и новой концепции си-
стем в кристалле (SOC).
Компактные модульные микросистемы формируют из набора компактных
модулей нового поколения, устанавливаемых в секцию, с коммутируемой сре-
дой быстрой связи. Микросистемы могут состоять из нескольких процессорных
модулей и работать в режиме многопроцессорного комплекса. Они могут при-
меняться в качестве нижнего уровня распределенных систем сбора и обработки
данных, для контроля и управления, соединяясь с серверами с помощью гига-
битных промышленных сетей.
Такое же семейство типовых модулей может использоваться и в больших
системах.
Масштабируемые модульные системы с коммутируемой средой и ком-
пактными модулями формируются посредством установки нескольких ком-
пактных модулей (2, 4 или 8) на несущем модуле большего размера (крейсер-
ском макромодуле). Эти макромодули выполняют функции коммутируемой
среды первого уровня. Их в виде законченных подсистем или блейд-серверов
высокой производительности устанавливают в секции с собственной комму-
тируемой средой связи второго уровня. Сгруппированные в стойки секции объ-
единяют гигабитной сетью для организации систем более высокой производи-
тельности.
Компактные модули представляют собой многоядерные процессорные мо-
дули или модули ввода-вывода с быстрой обработкой сигналов на основе DSP.
Набор из нескольких (2–8) многоядерных процессорных модулей в одном мак-
ромодуле формирует мощную коммутируемую вычислительную среду (блейд-
сервер), а группа таких модулей – серверный кластер. В больших модульных
системах с многоуровневой коммутируемой средой компактные модули ус-
танавливают на несущем модуле большего размера (макромодуле) с последова-
тельной средой быстрой коммутируемой связи. Макромодули служат платфор-
мой для создания мощных серверных кластеров. Требуемый набор модулей
устанавливают в секцию с быстродействующей коммутируемой средой связи, а
необходимое число секций может быть установлено в стойку, объединяемую
гигабитными коммутируемыми сетями. Создание быстрых модулей для систем
в гигабитном диапазоне требует особого внимания к проектированию и произ-
водству как микросхем, так и новых модулей на плате. Целесообразным может
быть создание микросистем из тех же компактных модулей в специальных сек-
циях, что позволит более эффективно использовать тот же набор модулей, что и
для больших систем.
30
3.4.3. Автоматизация проектирования и производства
СБИС и модульных систем
Процесс создания новых микросхем и модулей систем включает проектирова-
ние быстродействующих кристаллов системных компонент и плат модулей, а
также их производство с учетом перспективных материалов и нанотехнологий.
Комплексный подход к проектированию модулей и систем с помощью описа-
ния схем на языках Verilog и VHDL включает этапы программирования, моде-
лирования и создания печатных плат.
Стоимость создания фотошаблонов для субмикронных технологий сравнима с
затратами на проектирование СБИС, поэтому важно получить схему в кристал-
ле с первой попытки с контролем (верификацией) результата. При переходе к
субмикронным (нано) технологиям геометрические размеры элементов стано-
вятся соизмеримы с длиной волны света, и оборудование фотолитографии не
обеспечивает требуемую точность элементов.
Методы коррекции позволили повысить разрешающую способность обо-
рудования только частично, а дальнейшее увеличения интеграции требует но-
вых материалов, методов и технологий создания СБИС-структур. Для обработ-
ки сигналов используют СБИС сигнальных процессоров (DSP) и создают аппа-
ратную реализацию быстрых алгоритмов обработки сигналов на программиру-
емых логических интегральных схемах (ПЛИС) или на программируемых мат-
рицах ключей (FPGA) в качестве препроцессоров или сопроцессоров для уве-
личения обшей производительности систем. Схемы FPGA используют в тракте
обработки сигналов или для ускорения исполнения алгоритмов на встраивае-
мом процессоре. Гибкая структура FPGA позволяет распараллеливать операции
обработки сигналов, при этом операции, требующие высокого быстродействия
с параллельной обработкой, реализуют на FPGA, а операции программного
управления и последовательной обработки – на DSP. Встроенное микропроцес-
сорное ядро (MicriBlaze, Xilinx) обеспечивает такую реализацию на ПЛИС.
Проектирование систем требует опыта использования языков про-
граммирования VHDL и, Verilog, поэтому были созданы средства авто-
матизации проектирования электроники на системном уровне ESL (Electronic
System Level), облегчающие применение FPGA в цифровых системах обработ-
ки сигналов. Так, фирма Xilinx с партнерами создала средства автоматизации
проектирования приложений, включая преобразование алгоритмов, написанных
на языках C/C++, в аппаратные реализации на FPGA. Пакет AsselDSP Synthesis
аппаратно реализует алгоритмы MATLAB в формате с плавающей запятой, а
пакет System Generator совмещает ESL-модули с ядрами IP.
Система автоматизации проектирования плат определяет характеристики
соединений, симулирует их параметры и распространение сигналов в схеме
(модуль LlineSim). Модели передающих и принимающих узлов выбирают из
библиотеки, при этом можно задать стандартные линии (кабели, полосковую
связь) или указать их параметры (импеданс, частоту передачи), а также опреде-
лить послойную структуру схемы (ширину проводного или изолирующего
слоя). Для гигагерцовых схем (HyperLynxGHz) учитывают потери в проводни-
31
ках и диэлектриках, что важно при переходе от параллельных шин к пос-
ледовательным методам связи. Автоматизация симулирования и проверки схем
требует многих часов логического моделирования, поэтому создают высоко-
производительные системы автоматизации логического моделирования, среди
которых известны система Rivera фирмы Aldec и Calibre фирмы Mentor
Graphics.
Система Riviera поддерживает серверы разных типов и может интег-
рировать в проекте модули, написанные на языках VHDL, Verilg, C/C+, Sys-
temC, SystemVerylog и др. Отлаженные модули можно занести в библиотеку
для использования в других проектах. Существует много С-моделей для стан-
дартных устройств (памяти, процессоров, ввода-вывода). Моделирование вы-
полняют в пакетном режиме, а результаты заносятся в файлы.
Модульная платформа Calibre компании Mentor Graphics предназначена
для комплексной проверки проекта перед производством схем, т.е. от контроля
правил проектирования переходят к физической верификации СБИС на соот-
ветствие топологических данных исходным схемам. Ядро платформы поддер-
живает физическую верификацию до генерации данных фотошаблонов. Базо-
вый модуль (DRC) платформы выполняет контроль правил геометрического
проектирования с учетом субмикронных технологий, модуль (LVS) сравнивает
результаты с исходным описанием схемы, а другой модуль (xRC) определяет
параметры, соединений на уровне транзисторов, вентилей и иерархии блоков.
Модуль визуализации (RVE) обеспечивает анализ результатов в интерактивном
режиме.
Платформа Calibre также включает модули: контроля проектирования гео-
метрии элементов и ограничений фотолитографии ORC (Optical and Process
Rule Checking); оптической коррекции геометрии на основе вычисленных таб-
лиц TDopc (Table-Driven ОРС); моделирования с предсказанием геометрии объ-
ектов топологии в процессе вывода па кремниевую пластину PRINTimage (Sim-
ulated Silicon Print Image); коррекции схем и топологии кристаллов в пакетном
режиме OPCpro (Optical Process Correction for Batch Production); генерирования
данных повышения разрешающей способности за счет сдвига фазы облучения с
помощью специальной маски PSMgate (Phase Shift Mask Assignment for Gates);
игнорирования данных специальных линий для четких изображений OPCsbar
(Scattering Bars) и WORKbench. Анализ топологических данных выполняют в
формате стандартных правил проверки схем (SVRF—Standard Verification Rules
Format).
Семейство программ Calibre DFM позволяет корректировать обнаружен-
ные дефекты с помощью набора программных модулей. Для увеличения произ-
водительности весь процесс проверки схем разбивают на параллельные нити
(Calibre MT) для обработки в многопроцессорных системах. Большинство то-
пологических редакторов (IС Staton от Mentor Graphics, Virtuoso от Cadence,
Appolo/Astro от Synopsys) обеспечивают меню интерактивного управления
(Calibre Interactive).
Качество производства систем в кристалле СБИС зависит от выбора мате-
риала. Выращивание кристаллов кремния сначала выполняли на кремниевых
32
подложках, затем в качестве подложки-изолятора применяли сапфир. Техноло-
гия «кремний на сапфире» позволила создать КНС-структуры с толщиной
кремния 0,6 и 0,3 мкм (1970-е годы) и разработать коммутаторы и микропро-
цессорные наборы (1980-е годы) с акцентом на быстродействие и радиацион-
ную стойкость материала. Плохое совпадение структуры решеток сапфира и
кремния обусловили создание новой технологии «кремний на изолирующей
подложке» (КНИ-структуры), которая обеспечила более высокую интеграцию
схем. После этого было освоено производство биполярных и полевых схем на
арсениде галлия. Так, фирма Freescale Semiconductor продолжает разработки
арсенид-галлиевых транзисторов до настоящего времени, обеспечивая частоту
до 6 ГГц при питании 20 В и выходной мощности 100 Вт, что отвечает требо-
ваниям новых беспроводных сетей WiMAX.
Позже выяснилось, что классические материалы (кремний и арсенид гал-
лия) по своим качествам превосходит другой материал – карбид кремния (SiC),
имеющий более широкую запрещенную зону (больший диапазон температур) и
излучающий во всем диапазоне видимого света, но по ряду параметров уступа-
ющий нитриду галлия и нитриду алюминия. Рассогласование решеток SiC и
GaN меньше, а теплопроводность выше, чем у сапфира. Подложки из карбида
кремния SiC диаметром 100 мм используют для роста карбида кремния или
формирования новых структур (GaN/AIGaN). ФТИ РАН совместно с АОЗТ
«Светлана» впервые (в 2001 г.) создали мощный лавинно-пролетный диод на
основе SiC.
Одним из перспективных материалов является алмаз. Он имеет лучшие
свойства по сочетанию электрофизических параметров (высокая теплопровод-
ность, низкая диэлектрическая проницаемость, высокая радиационная стой-
кость), что важно для экстремальных условий. Размеры природных кристаллов
алмаза малы, а выращивать синтетически чистые монокристаллические струк-
туры трудно и дорого, однако в последнее время начинают исследовать воз-
можности создания перспективных СБИС на таких алмазах. Проблема создания
схем с требуемыми характеристиками на алмазе — это несовершенство матери-
ала (дефекты, примеси). Проблему отвода тепла решают путем синтеза поли-
кристаллических алмазных пленок и пластин толщиной от единиц нанометров
до миллиметров на разных подложках (Si, SiC, A1N). При выращивании алмаз-
ных пленок на подложках кремния («алмаз на кремнии», метод CVD) исполь-
зуют менее дорогие исходные реагенты (метан, водород). Композитная под-
ложка «кремний на полиалмазе» имеет более высокую теплопроводность.
На разработку и создание СБИС нового поколения требуется много време-
ни. Например, программа создания цифровых микросхем военного применения
в США (1987–1995 гг.) включала сначала создание схем на пластинах диамет-
ром 50мм. Стоимость кристалла СБИС на арсениде галлия удалось снизить до
0,1 долл./кв. мм, что сделало целесообразным создание материала подложек и
масок. Первая фаза следующей программы DARPA по созданию схем на основе
новых широкозонных соединений (GaN, SiC) завершилась получением подло-
жек диаметром 75 мм (2004–2005 гг.) с эпитаксиальным выращиванием новых
СБИС структур (AlGaN/GaN). Во второй фазе (2005–2007 гг.) предус-
33
матривалось создание GaN-транзисторов СВЧ диапазона с высоким процентом
выхода годных изделий. В третьей фазе (2008–2009 гг.) готовится технология
производства недорогих структур GaN для применения в различных компонен-
тах.
На примерах этих проектов видно, что от начала освоения новых тех-
нологий до производства СБИС проходит не менее 10–15 лет. Сроки проекта
сокращают за счет подготовки плана внедрения изделий уже в третьей фазе. За-
траты на проектирование каждого нового поколения микросхем удваиваются, а
с переходом на технологические нормы выше 90 нм могут и утроиться. Для со-
кращения стоимости обработки площади кремния увеличили размер диаметра
пластин со 100 мм до 200 мм и 300 мм, что привело к росту объема и качества
производства, повышению уровня автоматизации проектирования, проверки,
изготовления и коэффициента использования оборудования.
Современное производство предусматривает переход с пластин диаметром
200 мм на 300 мм. При этом можно выделить три этапа. На первом этапе
(2001 г.) создавались крупные заводы по производству пластин размером 200
мм для выпуска ДОЗУ и процессоров с технологией 130–140 нм и 110 нм (заво-
ды Intel, Infineon Technology, Texas Instruments, TSMC). Стоимость завода со-
ставляет порядка $2,0 млрд. Второй этап (2003 г.) включал производство ДОЗУ
(90 нм, 14 кремниевых заводов). Третий этап (2005 г.) призван обеспечить осво-
ение новых технологий и производство пластин размером 300 мм (65 нм и вы-
ше).
Компании Infineon Technology, IBM, Samsung и Chartered Semiconductor
первыми перешли на пластины 300 мм, так как на них размешается в 2,5 раза
больше схем. Однако стоимость таких заводов очень высока ($4 млрд.) и не все
компании могут освоить эту технологию. В Китае производят пластины 150 и
200 мм (завод в г. Вукси по производства ДОЗУ и флэш-памяти). Заводы по об-
работке пластин 300 мм построили в Пекине компания SMIC (2004 г.) для изго-
товления ДОЗУ (для Infineon Technology и Elpida Memory) и в Шанхае компа-
ния Grace Semiconductor Manufacturing.
При создании сложных СБИС применяют вакуумное технологическое
оборудование и используют ионно-плазменные процессы для формирования
субмикронных структур. Плазма высокой плотности (на основе ВЧ-разрядов) в
вакуумных установках обеспечивает травление различных материалов с разре-
шением выше 200 нм. Процесс травления материала осуществляют бомбарди-
ровкой поверхности изделий ионами.
Сверхмалые размеры в диэлектрических пленках получают с помощью
электронно-лучевой литографии с последующим травлением на установке во
фторсодержащей плазме, при этом получают канавки шириной 100 нм в плен-
ках толщиной 0,25 мкм, используя невысокую энергию пучка ионов (до 120
эВ).
Технологические нормы с субмикронным разрешением выше 250 нм по-
требовали детального проектирования и производства схем с учетом физиче-
ских параметров (длины и положения соединений, наводки и согласования, пе-
рекосов и запаздывания сигналов). Требуется решение проблем автоматизации
34
логического синтеза и проектирования топологии новых микромодулей высо-
кого быстродействия в области нескольких гигагерц.
Создание электронных печатных плат для модулей, работающих на высо-
ких частотах, осложняется проблемой целостности передаваемых сигналов в
соединениях. Сложность и стоимость реализации соединений в микромодулях
и на платах модулей растут быстрее, чем компактность и мощность устройств
обработки, и входят в число основных проблем создания нового поколения си-
стем. Для удешевления массового производства СБИС создают объединения,
например фирма Crolles 2 Alliance (Франция) объединила Freescale Se-
miconductor, Royal Philips Electronics и STMicroetectronics. Для России це-
лесообразен другой путь – эффективное использование создаваемых технопар-
ков и наукоградов.
Современные технологии компьютерной автоматизации основаны на не-
скольких фундаментальных направлениях широкого развития магистрально-
модульных систем. К ним, в частности, относится развитие:
• встраиваемых отдельных компьютерных модулей различных компактных
форматов, число и разнообразие которых в последнее время быстро возрастало;
• встраиваемых миниатюрных модульных систем семейства РС1/104 с раз-
ными интерфейсами от 8-разрядной архитектуры ISA до 16- и 32- разрядных
шин, при этом модули процессоров и ввода – вывода объединяются в блоки в
виде компактной этажерки;
• модульных систем с шиной PCI, интерфейсные схемы которых огра-
ничены нагрузкой до четырех единиц и поэтому позволяют подключать к про-
цессору не более двух-трех модулей ввода-вывода;
• модульных систем compact (PCI) с увеличенным вдвое числом подключа-
емых модулей расширения;
• модульных систем с шиной VME/VXI с многопроцессорными возмож-
ностями.
Среди модульных систем наиболее компактными являются системы се-
мейства PC/104, эффективные для встраиваемых применений. Большое разно-
образие форматов плат усложняет их выбор и стыковку с другими модульными
системами, что снижает эффективность новых проектов систем автоматизации.
Все модули обеспечены, как правило, несколькими встроенными последова-
тельными интерфейсами USB и Ethernet (быстрым, или гигабитным). Новые
версии модулей поддерживают новые интерфейсы. Например, все модули,
включающие вместо традиционного параллельного интерфейса PCI новый по-
следовательный интерфейс типа PCI Express, дополнительно имеют в своем
наименовании это слово.
Для локального сопряжения периферии используют быстрый последо-
вательный интерфейс USB 2.0, который вытесняет: интерфейсы типа
RS232/485 и находит применение не только для связи компьютера с пе-
риферией, но и для организации небольших иерархических звездообразных
структур сетей на основе хабов для измерительных и управляющих устройств и
подсистем.
В последнее время для распределенных систем автоматизации применяют
35
варианты классических сетей Ethernet с коммутаций сообщений для создания
не только корпоративных сетей, но и для связи приборов и промышленных си-
стем управления [24]. При этом в качестве контроллеров и систем локального
управления используют встраиваемые модульные системы разных типов.
Архитектуру VME широко применяют в промышленности и военных си-
стемах с начала ее создания (1981 г.). Успехи технологии VME позволили раз-
рабатывать надежные и гибкие модульные системы, работающие в реальном
времени, для детерминированного управления оборудованием при медицин-
ских исследованиях (сканеры CAT), в средствах управления на железнодорож-
ном транспорте (в Сингапуре и Польше), а также в системах автоматизации в
промышленности и военном деле. Научные центры Европы и США уже много
лет используют такие системы. Так, в Европейском центре ядерных исследова-
ний (ЦЕРН) число систем VME достигало несколько десятков тысяч (на 2004
г.). Однако по предельным характеристикам скорости передачи они уступают
компактным системам c PCI. С другой стороны, они обеспечивают возмож-
ность многопроцессорной работы с высокой производительностью.
Система в архитектуре c (PCI) ограничена одним ведущим процессором, и
для построения многопроцессорных систем требовались специальные методы и
структурные решения. В настоящее время осуществляется переход от традици-
онных параллельных магистральных систем связи к последовательным комму-
тируемым сетям, т.е. от традиционных PCI к экспресс PCI с централизованным
управлением и затем на перспективную среду сетевой связи типа ASI (Ad-
vanced System Interconnect).
Использование DSP, графических и видеосистем, систем быстрого сбора и
обработки данных от датчиков требует более интенсивных вычислений и обра-
ботки данных. Сетевое обеспечение становится основной частью распределен-
ных систем с большим количеством мощных процессоров (компьютеров). Про-
граммные радиосистемы, радарные установки и средства обработки изобра-
жений с быстрыми интерфейсами связи становятся важными частями новых
информационных вооружений. Все эти высокие требования нельзя удовлетво-
рить традиционными системами VME, и потребовались новые стандарты.
В настоящее время усилия направлены на создание масштабируемых и
компактных модульных систем с широкой полосой пропускания на основе се-
тевых масштабируемых архитектур. В новом поколении систем осуществляется
переход с параллельных на более быстрые последовательные системы сопря-
жения и связи в диапазоне скоростей выше гигабит.
Происходит слияние вычислительных и коммуникационных сетей на ос-
нове новых архитектур и методов. С одной стороны, наблюдается конвергенция
классических локальных сетей в направлении вычислительных и управляющих
систем. Она проявляется в создании и развитии коммутируемых классических
сетей типа гигабитного Ethernet (GE, 10GE, 100GE) для связи приборных си-
стем (вместо интерфейса GPIB), а также для новых промышленных сетей с из-
быточностью для повышения надежности [24].
С другой стороны, создаются новые быстродействующие коммутируемые
вычислительные среды с модульной структурой для встраиваемых и компакт-
36
ных систем на основе сетевых архитектур нового поколения. В результате об-
разуется единая среда связи систем с широкой полосой частот и высокой про-
изводительностью. Для масштабируемых систем рекомендуется использовать
единые компактные модули процессоров и ввода-вывода, устанавливаемые на
несущем модуле, который создает коммутируемую среду первого уровня. Ком-
мутируемая среда второго уровня формируется в каждой секции. На третьем
уровне сетевая коммутация формируется между всеми секциями в стойке и
между несколькими стойками. В качестве компактных модулей могут служить
процессорные модули или устройства ввода-вывода, например, для сбора и об-
работки сигналов и управления на основе DSP. Для создания компактных мо-
дульных систем можно использовать разработки таких же унифицированных
компактных модулей.
Таким образом, появление новых сетевых технологий автоматизации типа
PCIe, Serial RapidlO, Gigabit Ethernet, InfinitiBand, StarFabric и других последо-
вательных коммутируемых фабрик привело к революционным методам постро-
ения новых модульных систем. Новые компактные микросистемы с коммути-
руемой средой на основе единого семейства модулей могут вытеснить совре-
менные модульные системы, так как их унификация и стандартизация позволят
создавать более экономичные и эффективные средства на основе единого се-
мейства компактных модулей для микро- и больших систем. Это позволит ми-
нимизировать затраты на разработки для малых и больших систем на единой
основе. Такие возможности обеспечивают коммутируемая среда типа InfiniBand
и коммутируемые фабрики высокой производительности.
Среди первых разработок новых масштабируемых модульных систем с се-
тевой архитектурой известны такие стандарты как VPX (вместо VMЕ) и стан-
дарт на архитектуры; перспективных модульных систем для серверных класте-
ров (блейд-серверов) и центров данных высокой производительности. В част-
ности, разработана модульная система автоматизации для телекоммуникаций
АТСЛ (Advanced Telecommunication Architecture) с компактными модулями,
разъемами высокой частоты и средствами мониторинга питания и охлаждения.
3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем

Многозначность трактовки самого термина «нанотехнология», который
все чаще озвучивается в науке и технике, требует уточнения определения само-
го термина.
Технология – это процесс или последовательность операций, приводящая в
результате к получению продукции (материалов, приборов, устройств и других
продуктов) с определенными свойствами и возможностью устойчивого воспро-
изведения. Если задачей науки является анализ для получения новых знаний и
объективной информации по результатам эксперимента, то задачами тех-
нологии являются управляемый и контролируемый синтез и производство
определенных изделий с заданными свойствами.
Рассмотрим понятие «нанотехнология» применительно к области электро-
ники как одной из основных и самостоятельных областей создания, массового
производства и развития электронных приборов и систем нового поколения в
37
кристаллах СБИС на основе технологии сверхвысокого разрешения.
С одной стороны, некоторые ученые предлагают рассматривать переход к
нанотехнологиям как научно-техническую революцию (смену парадигмы, т.е
как бы погружаясь вглубь структуры материи). С другой стороны, нанотехно-
логии рассматривают как технологии, которые начинаются на атомном уровне
и позволяют создавать новые материалы и системы с качественно новыми оп-
ределенными свойствами (поднимаясь из глубины вверх).
Однако третий подход на основе философии классического перехода коли-
чества в качество приводит к осознанию того, что повышение плотности схем и
увеличение разрешающей способности технологии производства СБИС до
уровня молекул и атомов являются естественным продолжением процесса пе-
рехода микроэлектроники в наноэлектронику. Отдельные методы не могут
служить основой для определения термина, так как они могут оказаться невы-
полнимыми или даже ложными.
Исторически концепцию прогресса электроники (как парадигму) свя-
зывают с научной революцией, и ее рассмотрение начинают с изобретения пер-
вых вакуумных приборов (1904 г.). Основы революционной смены концепции
развития электроники заложило создание транзисторов (1948 г.) и затем техно-
логии твердотельных интегральных микросхем (1961). Увеличение удельной
плотности схем требовало постоянного роста разрешающей способности тех-
нологий и сокращения размеров элементов в каждом поколении СБИС.
Развитие первых планарных и последующих технологий было поддержано
многими государственными заказами, в первую очередь военными. За рубежом
с появлением первых микропроцессоров финансовая поддержка военными за-
казами позволила быстро развить компактные компьютерные модульные си-
стемы третьего поколения. Задержка внедрения новых технологий по любой
причине (преждевременные идеи, недостаточная проработка проблем или
ошибки в идеологии или объективные сложности технической реализации) бо-
лее 10 лет может привести к устареванию как материалов, так и самих идей.
Тогда необходимо переходить к новому поколению систем на основе уже отра-
ботанных и проверенных новых технологий. В отличие от новых технологий,
экспериментальные исследования по отработке новых материалов и технологий
могут занимать и более продолжительное время.
Классическая теория и современная технология транзисторов ограни-
чивают размеры до 10 нм. Ширина объемного заряда p-n–перехода туннельного
диода определяется единицами нанометров. В 1980-х годах структуры полу-
проводников определялись размерами гетеропереходов, что обусловило про-
блемы повышения разрешающей способности технологий (фотолитографии,
эпитаксии, диффузии, напыления и окисления). Управление потоками частиц и
ионов позволило воспроизводить изолированные кластеры из сотен атомов, со-
здавать однородные пленки с отклонением поверхности до 0,2 нм и гетеро-
структуры из разных слоев, а появление сканирующего микроскопа дало воз-
можность манипулировать отдельными кластерами молекул.
Перспективы развития электроники связаны с открытием новой формы уг-
лерода (фуллеренов, 1985 г.). Она позволила создавать углеродные структуры
38
цилиндрической формы (нанотрубки, 1991 г.), обеспечивающие свойство
сверхпроводимости. Это дало возможность начать исследования для разработ-
ки технологии на уровне отдельных атомов. Однако эти экспериментальные ра-
боты не обеспечат быстрое развитие технологий для создания новых приборов.
Такие технологии можно ожидать при реальном переходе промышленности на
уровень норм 1 нм и менее (к 2030 г. предполагается 0,5–0,1 нм). Для исследо-
ваний и освоений методов создания транзисторов на основе нанотрубок потре-
буются многие годы (более 10 лет), что может оказаться соизмеримым с перио-
дом развития предыдущих поколений интегральных схем и электронных си-
стем.
По поводу распределения финансовых ресурсов на новые проекты суще-
ствуют две крайние точки зрения. Одна предусматривает для развития нано-
технологий первостепенное финансирование науки, от которой можно ждать
прорывных решений и новых идей по созданию новых физических методов,
приборов и систем.
Другая позиция основана на приоритетном финансировании отраслевых
организаций для развития нанотехнологий, поскольку именно там находятся
производственные и технологические возможности для создания новых элек-
тронных систем. Оптимальным вариантом может быть совместное межведом-
ственное развитие новых проектов создания СБИС и модульных систем на ос-
нове единой масштабируемой системно-ориентированной сетевой архитектуры
нового поколения при условии наличия координационного межведомственного
центра по комплексной проблеме – модульных систем нового поколения.
Наноэлектроника как продолжение развития микроэлектроники потребует
перехода не только на более высокий уровень разрешающей способности в
единицы и доли нанометров, но и на новые наноархитектуры систем и более
высокие параметры по быстродействию и производительности будущих си-
стем. Для этого и требуется комплексный подход к развитию нового поколения
модульных систем как конечного продукт нанотехнологии.
Новое поколение модульных систем высокой производительности ориен-
тировано на высокопроизводительные многоядерные процессоры с малым по-
треблением энергии и коммутируемые вычислительные среды с широкополос-
ными каналами связи и взаимодействием процессоров. Это достигается уплот-
нением вычислительных и коммуникационных функций в кристалле (Net On
the Chip) и переходом к новым архитектурным методам проектирования мо-
дульных систем на уровне десятков и единиц нанометров. При этом нанотехно-
логии будущих электронных систем новою поколения ограничены не столько
ростом количества элементов в единице объема, сколько количественно-
качественным переходом к новым комплексным сетевым архитектурным реше-
ниям на основе интеграции систем с сетей от кристалла до уровня организации
микросистем и больших систем на новых принципах.
Структура модульных компьютерных систем высокой производительности
развивается от технологии «компьютер на модуле» до комплексных проектов,
включающих перспективные технологии наноэлектроники типа «система на
кристалле». При этом для нового поколения систем требуются функционально
39
законченные СБИС с интерфейсами связи системного уровня, отражающие
опыт развития модульных систем предыдущих поколений и архитектуру систем
будущих поколений в кристалле. Сопряжение и связь модулей, а в дальнейшем
и отдельных узлов в модуле, преодолели гигагерцовый порог скоростей, что
привело к повышению требований к проектированию модулей и систем, повы-
шенной сложности инфраструктуры систем и интеграции передаваемых сигна-
лов.
Производительность многоядерных процессоров и модульных многопро-
цессорных систем более не ограничивается числом процессорных узлов, как
было ранее в SMP-системах с общей шиной, и может гармонично масштабиро-
ваться в компьютерные системы более высокой производительности. Архитек-
тура перспективных модульных систем и сетей основана на быстрой коммути-
руемой сетевой среде связи вместо параллельных шин, новых быстрых и мас-
штабируемых сопряжениях последовательного типа и перспективных сетевых
технологиях коммутируемой связи узлов (ASI, Infiniband и др.), а также пер-
спективных методах построения модульных систем.
Успешное решение этих комплексных проблем возможно при согла-
сованных параметрах всех системных компонент, включая процессорные си-
стемы и кластерные узлы, с одной стороны, и подсистемы коммутируемых ка-
налов ввода-вывода и подсистем памяти, с другой стороны. Основой развития
модулей вычислительных и коммуникационных систем и их компонент стано-
вится интегральная архитектура модульных систем и сетей. В любом аппарат-
но-программном комплексе прикладные программы решают эффективно кон-
кретные задачи при оптимальном использовании ресурсов.
Однако потенциальные возможности повышения производительности си-
стем обеспечиваются аппаратными средствами и новыми возможностями
СБИС и общей системной архитектуры. Успехи создания перспективных СБИС
зависят от успешных результатов фундаментальных и прикладных научных ис-
следований. При этом одновременно должно снижаться потребление энергии и
выделяемое тепло за счет низкоуровневых сигналов и инновационных решений
физико-технических проблем.
Развитие конвергентных компьютерных систем высокой производи-
тельности с коммутируемой модульной структурой для комплексной ав-
томатизации инженерных, научных и производственных задач определяет
успешное развитие не только передовых стран, но и будущей мировой эконо-
мики в целом.
3.4.5. Перспективы развития навигационных систем

Как известно, становление космического и наземного сегментов системы
ГЛОНАСС финансируется из бюджета государства и идет по ранее разработан-
ному графику, определенному соответствующими правительственными поста-
новлениями. Это позволяет постепенно расширять российский рынок
ГЛОНАСС аппаратуры, но не дает возможности контролировать наиболее важ-
ную и автономную составляющую этого рынка – коммерческую, где домини-
руют навигационные аппараты пользователей (НАП) с поддержкой сигнала
40
американской навигационной системы NAVSTAR (GPS). Отвоевать, как мини-
мум, российский сегмент этого рынка – сложная задача, для решения которой
необходимо наладить массовое промышленное производство соответствующей
аппаратуры (программно аппаратных комплексов) с поддержкой ГЛОНАСС,
конкурентной оборудованию на базе GPS. Это означает, что аппаратура с под-
держкой ГЛОНАСС должна быть не хуже НАП с поддержкой GPS по целому
ряду показателей: техническим характеристикам, инженерным решениям, ди-
зайну, массогабаритным параметрам, энергопотреблению, цене и т.д. Важным
преимуществом ГЛОНАСС+GPS приемников может и должна стать их двухси-
стемность, то есть возможность одновременного приема сигналов обеих гло-
бальных навигационных спутниковых систем (ГНСС) – российской ГЛОНАСС
и американской GPS. Двухсистемность обеспечит такой навигационной аппа-
ратуре большую надежность при работе в любых условиях, в частности благо-
даря приему данных от большего числа спутников, а также устранению зави-
симости от сигналов GPS в критических ситуациях. Однако для завоевания
сколько-нибудь существенной доли коммерческого рынка недостаточно только
наладить выпуск конкурентной ГЛОНАСС аппаратуры.
Придется приложить немалые усилия для изменения менталитета россий-
ского покупателя, привыкшего к тому, что зарубежные навигационные устрой-
ства по целому ряду показателей лучше, чем отечественная аппаратура. Потре-
бителю придется наглядно доказать, что отечественные НАП действительно от-
вечают требованиям рынка и не уступают GPS-приемникам по качеству. При-
дется также убедить массового пользователя в надежности радиопокрытия си-
стемы ГЛОНАСС как минимум на территории России, а затем и в глобальном
масштабе. Помимо непрерывного совершенствования самой ГНСС ГЛОНАСС,
для этого потребуется большая пропагандистская работа по информированию
российской и мировой общественности и широкому освещению в СМИ досто-
инств российской навигационной системы и преимуществ использования сиг-
налов двух систем.
Насколько реально для России в ближайшие годы обеспечить разработку и
производство собственной конкурентной по качеству и относительно недоро-
гой навигационной аппаратуры для массового потребительского рынка? Сооб-
ражения на сей счет, основанные на анализе формирующегося рынка НАП в РФ
и более чем десятилетнем опыте проектирования и успешной реализации про-
двинутых навигационных и связных комплексов, накопленном SPIRIT Telecom,
представлены ниже. Начнем с технических характеристик НАП, хотя это и не
главный критерий, который принимает во внимание рядовой пользователь
навигационного устройства. Однако именно технические характеристики опре-
деляют качество такого прибора и достигнутый инженерный уровень, который
убеждает потребителей в технологическом совершенстве навигационной аппа-
ратуры и ее надежности. Хотя навигатор способен решать только узкую нави-
гационную задачу (позиционирование на плоскости или в пространстве с опре-
деленной точностью, оценку скорости объекта с НАП, временную координату,
среднее время выдачи данных в разных режимах при заданных параметрах
энергопотребления, стабильности выдачи навигационных данных в сложных
41
условиях, а также массы и размера), он может быть базовым компонентом
навигационно-информационной системы, где навигационные данные и реше-
ния на их основе составляют суть самой системы. В такой системе важную роль
играет и телекоммуникационная функция, отвечающая за передачу навигаци-
онных данных в удаленный центр мониторинга и принятие решений. В настоя-
щее время в РФ на коммерческом рынке НАП с поддержкой ГЛОНАСС сложи-
лась парадоксальная ситуация: при относительно большом первоначальном ин-
тересе и спросе на ГЛОНАСС-GPS приемники и программно-аппаратные мо-
дули (ОЕМ-модули) собственно предложений немного (как, впрочем, и россий-
ских фирм — разработчиков коммерческих навигационных приемников, антенн
для них и НАП в целом). Основное отличие таких предложений — в ценовых
позициях и способности разработчика осуществить своими силами или с по-
мощью партнеров (контрактных производителей электронной аппаратуры) вы-
пуск ОЕМ-модулей для НАП в нужных масштабах в заданные сроки. При этом
собственно технические характеристики приемников модулей часто отступают
на второй план. Тем не менее, покупатели таких модулей могут отвергать их в
силу нестабильности работы в реальных условиях (например, для целей мони-
торинга транспортных средств) и относительно высокой стоимости, если в це-
новом вопросе они ориентируются на стоимость GPS- приемников зарубежных
фирм. Такая ситуация возникла в силу следующих причин:
• неразвитость рынка НАП с поддержкой ГЛОНАСС (его объемы пока не-
значительны);
• неготовность к работе на коммерческом рынке российских разработчиков
навигационных модулей и НАП;
• недоверие компаний-производителей и интеграторов навигационно-
связного оборудования к навигационным решениям отечественных компаний-
разработчиков;
• естественное желание последних скорее отвоевать свою нишу на рынке да-
же с несовершенными навигационными модулями и оборудованием, что нега-
тивно сказывается на имидже этих компаний (уже известны отдельные приме-
ры);
• отсутствие возможности для объективной оценки технических характери-
стик приемников российского производства независимыми сертификационны-
ми центрами, оснащенными необходимым тестовым оборудованием;
• финансовый и экономический кризис, который существенно снизил перво-
начальные весьма оптимистические оценки рынка госзаказа, сделанные анали-
тиками в первом полугодии 2008 года. Среди негативных факторов стоит от-
дельно отметить сложность участия в тендерах на поставку оборудования в
рамках госзаказа (из-за их закрытости и непрозрачности) для частных компа-
ний-разработчиков. Есть и другие, не менее существенные с коммерческой точ-
ки зрения причины: дороговизна комплектующих НАП на рынке РФ из-за вы-
соких таможенных пошлин, ограниченное предложение многосистемных ан-
тенн и т.п. Решению этих и других вопросов, тормозящих развитие коммерче-
ского рынка ГЛОНАСС аппаратуры в России, призвана содействовать недавно
образованная Ассоциация «ГЛОНАСС/ГНСС Форум», в которую входят веду-
42
щие разработчики и производители навигационного оборудования, а также
крупные компании-интеграторы, однако ее влияние, хотя и заметное, пока не
является определяющим. Качественный навигационный приемник, являющийся
основой НАП, может быть использован в аппаратуре как гражданского приме-
нения, так и в навигационном оборудовании для специальных, в том числе во-
енных, приложений. Для разработки такого приемника надо прежде всего
иметь технически совершенное решение НАП в целом и использовать для этих
целей индустриальные компоненты (в некоторых специальных случаях – ком-
поненты в радиационностойком исполнении). Для такой разработки необходи-
мы как глубокие знания в проектировании радиотехнических систем, так и
практический опыт их реализации. Только качественные системные навигаци-
онно- телекоммуникационные решения, которые можно использовать как для
коммерческих, так и для специальных приложений, будут конкурентными на
массовом потребительском рынке. Сегодня же навигационные приемники и
ОЕМ-модули, разработанные российскими компаниями и претендующие на за-
воевание отечественного рынка, – это, как правило, двухсистемные
(ГЛОНАСС+GPS) одночастотные приемники (L1) c относительно невысокой,
по современным инженерным понятиям, чувствительностью и практически не
использующие алгоритмические ухищрения, которые обеспечивают работу в
условиях многолучевого распространения сигналов навигационных спутников,
характерных для городской среды («городские каньоны и колодцы», проезды
под эстакадами и в туннелях) и сложного ландшафта (в горах и глубоких овра-
гах, в лесистой местности). Это приводит к пропускам спутниковых сигналов в
затененных условиях и возможным большим ошибкам в определении позиции.
Поддержка дифференциального режима и SBAS, которые повышают точность
позиционирования, опциональны для представленных на рынке навигационных
модулей отечественного производства, так как в полной мере такая поддержка
для ГЛОНАСС еще не реализована на системном уровне и находится только в
начальной стадии развития. До сих пор не было проведено полноценного экс-
пертного исследования качества функционирования приемников от различных
российских производителей (если не считать инициативу ИД «Электроника» по
сравнительному независимому тестированию таких приемников, на первом
этапе которого в ИПУ РАН в рамках конференции «Встраиваемые системы» в
декабре 2008 года проводилась оценка качества навигационного решения в ста-
тических условиях работы приемника на открытой местности по живым сигна-
лам спутников). Отсюда первый вывод: необходимо разработать, реализовать и
вывести на рынок системное решение ГЛОНАСС-GPS приемника, который по
своим характеристикам не уступает лучшим GPS-приемникам западных фирм.
По нашему мнению, наиболее просто и быстро это можно сделать на базе ис-
пользования универсальных микросхем (FPGA-чипа и/или микропроцессора) в
цифровой части приемника и «программного» (software) подхода. Именно такое
качественное системное решение с поддержкой ГЛОНАСС, сравнимое по тех-
ническим характеристикам с лучшими решениями в мире, станет первым ша-
гом к успеху в конкурентной борьбе на коммерческом рынке. Следующий важ-
ный коммерческий фактор – массогабаритные параметры и энергопотребление.
43
Для «ручных» НАП этот фактор – ключевой, но для других приложений
(например, для автомобильных навигаторов) он не очень существенен. И здесь
может быть только один подход: одночиповое решение приемника типа «си-
стема на кристалле» («СнК», SoC) или, как промежуточный этап, – двух или
трехчиповый приемник с энергопотреблением не более 200 мВт. Как уже было
отмечено в докладе на Международном форуме по нанотехнологиям, прошед-
шем в декабре 2008 года в Москве, здесь может быть движение в двух направ-
лениях: переход на новую структуру навигационных сигналов (от FDMA для
ГЛОНАСС к CDMA) для снижения сложности цифровой обработки сигнала в
приемнике с поддержкой ГЛОНАСС и проектирование чипов по технологии 90
нм и менее. При этом качество системного решения для трансформации его в
чип является определяющим, так как если специализированный чип (ASIC) бу-
дет спроектирован на основе современных технологий, но зашитое в него ре-
шение несовершенно, то о конкурентных преимуществах, основанных только
на продвинутой микроэлектронике, можно забыть. Разумеется, дизайн навига-
ционного ASIC и его производство должны отвечать требованиям современных
технологий. Это означает, что задачу надо решать только в комплексе – транс-
формируя в чип современное системное решение и разрабатывая дизайн чипа в
соответствии с проектными нормами не более 90 нм. Тесно связан с этим фак-
тором и ценовой показатель: решение на базе ASIC – более дешевое, чем реше-
ние на базе универсальных чипов, если ASICи будут выпускаться сотнями ты-
сяч или миллионными тиражами. Именно такие объемы характерны для произ-
водства GPS- приемников на базе «СнК» (SoC). Однако в ближайшие полтора-
два года ASIC-реализация навигационного приемника с поддержкой ГЛОНАСС
малореальна уже потому, что рынок соответствующей НАП относительно мал,
а в условиях кризиса наладить проектирование и выпуск навигационных ASIC
без государственной поддержки проблематично. Поэтому в ближайшее время с
большой вероятностью основными будут «смешанные решения»: использова-
ние специализированных ГЛОНАСС+GPS чипов (RFIC) в радиочастотной ча-
сти приемника и универсальных микросхем (за исключением, возможно, ASIC-
коррелятора) в его цифровой части. Это означает, что по цене, энергопотребле-
нию и массо-габаритным параметрам российские приемники и ОЕМ-модули с
поддержкой ГЛОНАСС будут уступать GPS-приемникам и модулям. В этой си-
туации важно обеспечить конкурентоспособность по другим техническим ха-
рактеристикам, определяющим точность и стабильность работы прибора в раз-
ных условиях, поскольку подход «дороже и хуже, чем GPS» дискредитирует
разработчиков и производителей ГЛОНАСС-аппаратуры.
Кроме того, можно предположить, что развитие системы ГЛОНАСС и
рынка НАП в РФ приведет к конкуренции со стороны западных производите-
лей навигационных микросхем, способных быстро наладить выпуск качествен-
ных многосистемных чипов и модулей и поставлять их на российский и миро-
вой рынки. Не стоит сбрасывать со счетов и китайских производителей сверх-
больших интегральных схем (СБИС), хотя из-за отсутствия опыта в этой обла-
сти им будет сложно самостоятельно получить для СБИС качественное систем-
ное навигационное решение. Разумеется, для коммерческого рынка необходима
44
также интеграция навигации с цифровыми картами, телекомом и мультимедиа,
а также качественное конструкторское решение НАП. Однако это особая тема,
которая требует отдельного освещения. Напомним, что американская GPS про-
должает развиваться и что в ближайшие годы должна вступить в действие еще
одна ГНСС – европейская навигационная система Galileo. Можно ожидать, что
уже через три-четыре года на коммерческом рынке НАП появятся гаджеты с
поддержкой обеих систем – GPS и Galileo, которые неизбежно начнут вытес-
нять односистемные GPS- приемники. В этот относительно короткий срок у
России есть шанс мощно и конструктивно сыграть на зарождающемся рынке
многосистемных навигационных устройств. Для успеха необходима поддержка
со стороны высшего руководства страны, что имеет место, а также разработка и
реализация на правительственном уровне целого комплекса мер по системной
поддержке российского инновационного бизнеса, занятого в сфере разработки
и производства навигационного обо-рудования и аппаратуры ГЛОНАСС. В
частности, для облегчения работы российских производителей аппаратуры, ал-
горитмического и программного обеспечения для спутниковой навигации, а
также для стимулирования широкого практического интереса к ГНСС
«ГЛОНАСС» не только в России, но и в мире необходимо:
1. Не отступать от принятого графика развертывания космического сег-
мента ГНСС «ГЛОНАСС», обеспечив работоспособность полной группировки
спутников, и начать вводить систему дифференциальной коррекции и монито-
ринга (СДКМ).
2. Следить за неукоснительным соблюдением государственными предпри-
ятиями и организациями постановления Правительства РФ, предписывающие
оснащать находящиеся на их балансе транспортные средства аппаратурой
спутниковой навигации ГЛОНАСС или ГЛОНАСС/GPS.
3. Организовать проведение государственных тендеров на поставку про-
граммно-аппаратных OEM- модулей для НАП с привлечением исключительно
отечественных производителей, обеспечив равные условия участия в них гос-
предприятий и частных компаний-разработчиков.
4. В целях удешевления себестоимости готовых приемников (OEM- моду-
лей) необходимо снизить пошлины на импорт радиоэлектронных комплектую-
щих для НАП, не производимых в РФ (программируемые логические инте-
гральные микросхемы (ПЛИС), сигнальные процессоры, радиочастотные чипы
и др.).
5. Для стимулирования российских разработок программного обеспечения
(ПО) необходимо ввести режим льготного налогообложения (льготного креди-
тования) для отечественных компаний, разрабатывающих алгоритмы и ПО для
спутниковой навигации, а также снизить налоги (НДС и пр.) на лицензирование
дизайна и продажи НАП.
6. Отменить или снизить ввозные пошлины на оборудование для тестиро-
вания НАП (симуляторы навигационных сигналов и др.), обеспечить предо-
ставление целевых беспроцентных кредитов на покупку дорогостоящей изме-
рительной аппаратуры для стимуляции разработок отечественных навигацион-
ных решений.
45
7. Обеспечить господдержку в виде налоговых льгот или прямого финан-
сирования компаний-разработчиков при патентовании ими оригинальных ре-
шений, закладываемых в НАП. Патентование – дорогостоящий процесс, однако
совершенно необходимый при организации массового производства во избежа-
ние судебных исков от зарубежных компаний-конкурентов, которые всегда
стремятся обеспечить себе максимальную патентную защищенность.
8. Обеспечить господдержку разработкам под заказ комплектующих для
НАП (в частности ПАВ-фильтров и нестандартных высокостабильных генера-
торов для массового рынка НАП).
9. Для обеспечения конкурентного преимущества в производстве навига-
ционной аппаратуры ГЛОНАСС гражданского назначения дать соответствую-
щее поручение Минобороны и другим ответственным ведомствам рассмотреть
вопрос рассекречивания и снятия законодательных запретов на использование
ВТ-кода (кода высокой точности) ГЛОНАСС, что позволит значительно улуч-
шить точностные характеристики навигационных приемников российского
производства, работающих в системе ГЛОНАСС. Несомненно, рынок НАП бу-
дет развиваться в России вместе с совершенствованием ГНСС «ГЛОНАСС» и
развитием микроэлектроники, однако скорость его роста будет зависеть от спо-
собности государства и бизнеса активизировать переход от сырьевой зависимо-
сти к инновационной экономике, основанной на знаниях. Чтобы осуществить
такой переход максимально быстро и успеть занять лидирующие позиции на
отечественном рынке ГЛОНАСС аппаратуры, государству следует позаботить-
ся об улучшении системы подготовки ученых и инженеров в вузах, повышении
престижа инженерной профессии, а также о создании в РФ особой среды для
творческих людей и хайтек-бизнеса, которая способствовала бы сокращению
«утечки мозгов» и привлечению в Россию в условиях мирового финансового
кризиса дополнительных научных и инженерных кадров.
3.5. Перспективы развития цифрового телевидения

Состояние и перспективы развития цифрового телевидиния в российской
федерации рассматриваются в работах [19,20].
Внедрение приемной аппаратуры для цифрового телевизионного вещания
в регионах России московский научно-исследовательский телевизионный ин-
ститут с 1998 г. в рамках рабочей группы Правительственной Комиссии по
развитию телерадиовещания в России принимает активное участие в подготов-
ке к переходу России на цифровое телевизионное вещание. Совместно с Рос-
промом и рядом предприятий отрасли институт выступил с предложениями по
организации разработки и массового производства приемной и передающей ап-
паратуры для цифрового телевещания как одного из приоритетных направле-
ний в развитии информационных технологий. Для внедрения цифрового теле-
видения в России необходимо решить две задачи: перевести передающие сети
на цифровой формат и обеспечить повсеместный прием программ населением.
В переходный период необходимо, чтобы прием цифровых телевизионных
сигналов осуществлялся парком телевизионных приемников, имеющихся у
46
населения. В настоящее время парк телевизоров в России составляет около 75
млн. штук. Обеспеченность населения телевизорами, по данным Росстата, со-
ставляет 144 телевизора на 100 домохозяйств, из них 136 цветных. При внед-
рении цифрового вещания жители России не должны потерять возможность
принимать телепрограммы, которые они получают сегодня в аналоговом фор-
мате.
Возможны три способа приема телевизионных программ, передаваемых в
цифровом формате: помощью цифровых приставок на имеющиеся у населения
аналоговые телевизоры; коллективный прием программ цифрового телевидения
с преобразованием цифровых сигналов на аналоговые, при котором обеспечи-
вается прием программ цифрового вещания на имеющиеся у населения анало-
говые цветные черно-белые телевизоры; а аналого-цифровые и цифровые теле-
визоры. Коллективный прием программ позволит более рационально решить
проблему перехода на цифровое телевидение для промышленно развитых реги-
онов, где процент городского населения составляет свыше 60%. В настоящее
время по техническому заданию Департамента радиоэлектронной промышлен-
ности Министерства промышленности и торговли РФ институтом в коопера-
ции с предприятиями телевизионной отрасли проводятся разработки широкого
модельного ряда инифицированных цифровых приемных устройств, в том
числе с поддержкой формата телевидения высокой четкости. Важно, что боль-
шинство участников разработки одновременно являются заводами-
изготовителями радиоэлектронной аппаратуры. Некоторые образцы приемных
устройств, в основном различные виды цифровых приставок, уже серийно вы-
пускаются некоторыми предприятиями. Полный ряд приемных устройств мо-
жет быть освоен в серийном производстве на отечественных заводах уже в те-
кущем и будущем годах. Производству цифровых приставок полностью готовы
17 ведущих предприятий. Еще ряд предприятий в различных регионах России,
например, в Удмуртской республике, Республике Татарстан, Курской и Ниже-
городских областях выразили готовность провести подготовку производства
для обеспечения выпуска приставок. Это показывает, что предприятия радио-
электронного комплекса в состоянии обеспечит потребности населения России
в цифровых приставках. Четыре предприятия радиоэлектронного комплекса
начали выпуск аналого-цифровых телевизоров последующим переходом на
полностью цифровые модели. Подготовлено серийное производство устройств
коллективного приема цифровых программ. Усилиями Роспрома и Министер-
ства промышленности и торговли РФ созданы объективные предпосылки для
организации массового производства всех видов цифровой приемной аппара-
туры. Отечественная телевизионная промышленность обладает достаточным
потенциалом, чтобы обеспечить в необходимых количествах выпуск приемных
устройств для цифрового ТВ вещания. Согласно проведенным маркетинговым
исследованиям в 2007 г. выпуск телевизоров составил 7,9 млн. штук, из них с
кинескопами – 70%, а с жидкокристаллическими и плазменными плоскими па-
нелями – 30%. В том же году 77% телевизоров, продаваемых на российском
рынке, в том числе под иностранными марками, производились или собирались
в России. Этот показатель непрерывно растет в связи с увеличением объемов
47
выпуска телевизоров в нашей стране, в том числе зарубежными компаниями,
размещающими производство телевизоров в России.
Рис. 3.5. Распределение предприятий изготовителей

телевизионной аппаратуры по регионам РФ
Распределение предприятий изготовителей телевизионной аппаратуры по
регионам РФ представлено на рис. 3.5. Розничная продажа телевизоров в Рос-
сии в стоимостном выражении также постоянно растет и, по оценке Росстата, в
прошлом году составила по всем телевизорам 80,9 млрд. руб. Данные стати-
стики свидетельствуют о масштабности этого рынка. Доля цифровых приставок
и аналого-цифровых телевизоров отечественного производства может занять
60–70% рынка, а аппаратуры коллективного приема, не имеющей зарубежных
аналогов – до 100% . При сравнимом техническом уровне с зарубежными моде-
лями отечественная приемная цифровая аппаратура будет обладать таким пре-
имуществом, как лучшая адаптивность к работе в российских сетях приема и
распространения телепрограмм. Это объясняется тем, что зарубежные фирмы
продвигают на наш рынок типовые модели, разработанные без должного учета
специфики нашего рынка. Разработанная отечественная цифровая приемная
аппаратура испытана как на специализированном стенде МНИТИ, так и в ре-
альных условиях разных регионов России. С 2000 г. специалисты института
участвуют в работах по созданию экспериментальных зон цифрового ТВ веща-
ния. Первая работа проведена в Нижнем Новгороде. В ходе этих испытаний для
приема программы цифрового телевидения использовались как отечественные
аналого-цифровые телевизоры и приставки, так и импортные приставки. Мас-
штабные испытания отечественных цифровых приемных устройств в реальных
условиях с августа по ноябрь 2007 г. были успешно проведены в опытной зоне
48
цифрового вещания в Тверской области. Аналого-цифровые телевизоры и при-
ставки обеспечили высококачественный прием цифровых телевизионных пере-
дач в формате MPEG-4, а также передач телевидения высокой четкости. Уста-
новленная в жилом доме г. Тверь аппаратура коллективного приема цифрового
телевидения до сих пор работает без единого сбоя. Весной 2008 г. приемная ап-
паратура цифрового телевидения была показана на совещании в Министерстве
связи Татарстана. В настоящее время проводятся испытания приемной аппара-
туры в составе опытной зоны цифрового ТВ вещания в г. Зеленодольске, Рес-
публика Татарстан). Проводится также работа с администрацией Курской об-
ласти по подготовке к переходу региона на цифровое вещание. Таким образом,
институт начал работу по внедрению разработанной отечественной приемной
аппаратуры на опытных зонах цифрового ТВ вещания, создающихся в регио-
нах России. Однако отсутствие четкой государственной политики по переходу
на цифровой формат вещания привело сегодня к неуправляемому процессу
внедрения цифрового телевидения в регионах страны. Открыты зоны цифрово-
го ТВ вещания в ряде областей: Курганской, Калужской, Белогородской, где
начало цифрового вещания даже не было согласовано с руководством регио-
нального подразделения ФГУП «РТРС». Вещание в этих зонах ведется в фор-
мате как PEG-2, так и MPEG-4. В основном закупается импортное приемное
оборудование. Так, для Мордовии и Курганской области приставки купили в
Китае. В отсутствии официального решения о том, какой формат цифрового
ТВ будет использован в России - MPEG-4 или PEG-2, эти действия могут при-
вести к разрушению единого информационного пространства страны. При
наших территориальных масштабах ни технически, ни организационно невоз-
можно осуществить единовременный переход на цифровое телевидение в пре-
делах всей страны, как это было сделано, например, в Финляндии Великобри-
тании. В Российской Федерации единственно возможным способом перехода от
аналогового ТВ вещания к цифровому является региональный принцип. Ана-
логично осуществлялся переход на цифровой формат вещания в Германии, ко-
гда области сразу целиком переходили а цифровое вещание, но в разное время,
по мере своей готовности. Следовательно, необходима скорейшая разработка
регионально-временного графика перехода с аналогового на цифровое ТВ ве-
щание. Этот график должен основываться на оценках времени готовности раз-
ных регионов страны такому переходу. Опыт таких стран, как США, Англия,
Чехия и других, говорит о том, что там существует государственная поддержка
приобретения приставок для приема программ цифрового телевидения населе-
нием. В России также необходима государственная социально значимая под-
держка в обеспечении населения регионов приставками и устройствами кол-
лективного приема цифрового телевидения. Необходимо также ускорить при-
нятие стандартов цифрового телевидения ввести требование обязательной сер-
тификации основных технических параметров приемной телевизионной аппа-
ратуры. Должен быть решен вопрос о создании базовых центров сертификации
аппаратуры цифрового телевидения. Один из таких центров может быть создан
на базе Государственного испытательного центра «МНИТИ-Сертифика». Ми-
ровой опыт показывает, что сохранить радиоэлектронную промышленность
49
страны, способную производить на современном уровне как товары массового
спроса, так и специальную аппаратуру, возможно только при развитии произ-
водства технически сложных товаров массового потребления, каковыми и яв-
ляются телевизоры. Если мы упустим возможность организации массового вы-
пуска приемной аппаратуры цифрового телевидения на территории России, то
потеряем громадный рынок и перспективную, самую передовую и динамичную
отрасль промышленности, не говоря уже о потере сотен тысяч рабочих мест в
смежных отраслях производства. А так как технологии цифрового телевидения
являются технологиями двойного применения, то это отрицательно скажется на
информационной безопасности страны. Следует отметить, что на рынке телеви-
зоров происходит перемена потребительских предпочтений, связанных с ак-
тивной рекламой цифрового телевидения. По данным зарубежных исследовате-
лей, продажи жидкокристаллических телевизоров на мировом рынке впервые за
всю историю опередили кинескопные. Их доля в структуре продаж составила
47%, телевизоры с кинескопами занимают 46%, а остальные приходятся на
плазменные и проекционные. В последующие годы можно ожидать постепен-
ного исчезновения радиационных кинескопных телевизоров, которые пока еще
удерживают свою долю рынка за счет сравнительно невысокой цены. В Рос-
сии, как и во всем мире, в последние годы уменьшаются продажи телевизоров с
кинескопами и увеличивается продажи телевизоров с плоскими панелями, осо-
бенно жидкокристаллическими. Этому способствует повышенное качество
изображения на них, существенное снижение цены, а также то, что современ-
ные дисплеи на плоских панелях позволяют воспроизводить телевизионное
изображение высокой четкости. Телевидение высокой четкости (ТВЧ) — это не
отдаленная перспектива. В этом формате уже работают несколько отечествен-
ных спутниковых каналов, а соревнования с Пекинской олимпиады транслиро-
вались в Москве в формате высокой четкости. Институт активно работает в
направлении создания приемной аппаратуры телевидения высокой четкости.
Образцы телевизоров высокой четкости, созданные специалистами института,
демонстрировались на отраслевом совещании Роспрома в декабре 2007 г., на
выставке «ТВЧ Россия-2008», и XII Международном промышленном форуме
«Российский промышленник» в С.-Петербурге. ГТРК планирует осуществить
первые трансляции стереотелевизионного изображения с Зимних Олимпий-
ских игр 2014 г. в Сочи. Институт работает на эту перспективу. Демонстрация
макета устройства, позволяющего воспринимать зрителем стереоизображение
без применения очков, была проведена в институте в начале 2008 г. С учетом
развития в мире наноэлектроники и технологий по наноматериалам проблема
создания аппаратуры для стереотелевидения становится более актуальной.
Применение нанотехнологий в телевизионной аппаратуре особенно перспек-
тивно в силу ее массовости. Практическая цель – улучшение в разы показателей
аппаратуры, таких как: энергопотребление, быстродействие, емкость памяти,
надежность, масса и габариты. Проводятся работы по созданию приемной ап-
паратуры для формирования современной сети цифрового радиовещания в
стандарте DRM. Сеть цифрового радиовещания DRM обеспечивает высокое ка-
чество, повышенную помехозащищенность как для стационарных, так и для
50
мобильных слушателей с возможностью передавать до шести высококаче-
ственных стерео или до 18 монофонических звуковых программ в одном кана-
ле. При этом возможна передача дополнительной видео, графической и тексто-
вой информации, например, новостных лент, котировок акций, ситуаций на до-
рогах, прогноза погоды и другой. Таким образом, в настоящее время научно-
технический потенциал отечественных разработчиков и изготовителей радио-
электронной аппаратуры позволит обеспечить потребности населения россий-
ских регионов в приставках, аналого-цифровых телевизорах и аппаратуре кол-
лективного приема цифрового телевидения. Выполнение плана мероприятий,
позволит занять отечественным производителям приемной телевизионной ап-
паратуры лидирующие позиции на российском рынке.
3.6. Перспективы развития дисплеев и

осветительной техники
По данным Global Industry Analysts Inc., объем мирового рынка общего
освещения оценивается на уровне 40 млрд. долларов, а темпы его роста за по-
следние 3 года составили 4–5%, По прогнозам, к 2016 г. около 30% рынка будет
занято светодиодными осветительными устройствами, см. рис. 3.6.
100%
90%
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016
Светодиодные устройства Флуоресцентные лампы Лампы накаливания и др.
Рис. 3.6. Прогноз состояния мирового рынка общего освещения

(по данным Global Industry Analysts Inc.)
При этом светодиодный сектор рынка состоит из нескольких сегментов.

На диаграммах на рис. 3.7 видна сравнительная динамика сегментации рынка
светодиодов освещения по состоянию на 2007 г. и состоянию, ожидаемому к
2012 г.
51
Сигналы
Мобильные
устройства Дисплеи
Другое Мобильные
44% 20% устройства
16% 44%
7% Освещение 12%
15% Другое
17% Сигналы
1% 12% 12%
Транспорт
Дисплеи Транспорт Освещение
2007 2012
Рис. 3.7. Распределение мирового рынка светодиодов

по областям применения на 2007 и 2012 гг.
Кроме показанного роста сегментов дисплеев и освещения перспективны-

ми являются также некоторые специальные ниши применения светодиодов, та-
кие как проекционное телевидение и подсветка ЖК-дисплеев. Сегмент освеще-
ния на мировом рынке оценивают как наиболее перспективный в ближайшие 5
лет. В 2007 г. рынок светодиодных ламп, используемых в освещении, составил
330 млн. долларов, что соответствует приросту в 60% по отношению к 2006 г. К
2012 г. прогнозируется размер этого сегмента в 1,4 млрд. долларов, т.е. 11%
рынка будут заняты светодиодными источниками освещения (см. рис. 3.8.).
Газоразрядные Лампы накаливания

2%
2%Другое лампы галогеновые
LED
Компактные
7% люминесцентные
лампы Компактные 21%
люминесцентные
21% лампы 19% LED
11%
42% Газоразрядные
1%
5%
лампы
26%
43%
Линейные Лампы накаливания
люминесцентные лампы галогеновые Линейные
люминесцентные лампы
2007 год 2012 год
Рис. 3.8. Доля различных устройств на мировом рынке

общего освещения в 2007 и 2012 гг.
В России, но данным РБК, объем всего рынка светотехники в 2007 г. со-

ставил около 1,7 млрд. долларов. Российский рынок освещения бурно развива-
ется, его прирост в среднем составляет 13%, а в ближайшие 3–5 лет ожидается
на уровне 15%. При этом сегмент, связанный с применением светодиодов, пока
невелик (см. рис. 3.9.), но в дальнейшем будет быстро увеличиваться.
52
0,6%
Накаливания Люминесцентные
25,7%
33,6%
Прочие
13,7%
20,8% Газоразрядные
Накаливания Светодиоды
3,7%
галогенные
Рис. 3.9. Распределения рынка общего освещения в России по типам ламп
На рынке общего освещения выделяются как наиболее крупные рынок

офисных (400 млн. долларов) и подъездных светильников (321 млн. долларов
по прогнозам на 2009–2012 гг.). Также велик рынок, связанный с освещением в
транспортных средствах – в автомобильной промышленности, на железных до-
рогах.
Развитие технологии светодиодов идет по двум направлениям: светодиоды
на неорганических гетероструктурах (LED) и светодиоды на органических ком-
понентах (OLED). Неорганические светодиоды очень динамично развивающая-
ся область, в которой в последние 20 лет было сделано много открытий, и к
настоящему времени достигнута высокая эффективность основанных на этом
принципе устройств. По сравнению с ними органические светодиоды отстают в
развитии, однако у последних есть ряд интересных потребительских свойств,
которые могут оказаться ключевыми в конкуренции с неорганическими свето-
диодами. В частности, они позволяют создавать полупрозрачные гибкие осве-
тительные панели большой площади.
Мировые лидеры в разработке и производстве LED-устройств уже вышли
на высокий уровень световой эффективности. Компания Cree Inc, лидер на этом
рынке, выпускает светодиоды с эффективностью на уровне 100 лм/Вт при токе
350 мА. Светодиоды серии LUXEON фирмы PHILIPS Lumileds имеют эффек-
тивность до 170 лм/Вт при токе 700 мА, устройства других производителей –
50–100 лм/Вт. Эффективность OLED не столь высока: лидеры в данной области
– компании Samsung, OLLA, Novaled – имеют лабораторно подтвержденные
данные по мощности съема энергии 20–50 лм/Вт, хотя теоретический порог для
идеальной структуры намного выше – примерно 360 лм/Вт. Практический же
уровень эффективности таких светодиодов специалистами оценивается на
уровне 230 лм/Вт при яркости 2000 кд/м2 и сроке службы до 100 000 ч. Для
сравнения, эффективность бытовых ламп накаливания варьируется в пределах
12–18 лм/Вт, компактных люминесцентных ламп – 65–100 лм/Вт. Многие ком-
пании, например, OS RAM, планируют начать серийный выпуск ОLЕD-
светильников к 2012 г.
В России, к сожалению, в настоящее время нет производства своих чипов
и гетероструктур на таком уровне энергетической эффективности. Ряд компа-
ний – КБ Автоматики, Corvette Lights, Уральский оптико-механический завод и
53
др. – выпускающих осветительные приборы на неорганических светодиодах,
используют импортируемые структуры и чипы. Изготовлением чипов и свето-
диодов на их основе на уровне малого производства занимается ЗАО «Опто-
ган». Эффективность светодиодов, производимых данной компанией, нахо-
дится на уровне 60 лм/Вт при энергетической эффективности около 15 %. В те-
чение 4 лет компания планирует выйти на уровень энергетической эффективно-
сти до 25 % и общей эффективности до 100 лм/Вт (см. рис. 3.10.).
Эффективность (на неупакованном чипе), % Световая эффективность, лм/Вт
30.0% 120
25.0% 100
20.0% 80
15.0% 60
10.0% 40
5.0% 20
0.0% 0
2008 2009 2010 2011 2012 2008 2009 2010 2011 2012
14.4% 16.6% 18.8% 21.2% 24.3% 49 60 71 84 97
Рис. 3.10. Прогноз разработок LED в России. Характеристики чипов и светодиодов

(ЗАО «Оптоган»)
Технология OLED развивается в РФ медленно, отсутствует не только се-

рийное производство устройств освещения, но и производственная и техноло-
гическая базы. Однако, по словам специалистов, по конструкции и технологи-
ческому исполнению российские LED не уступают зарубежным аналогам, и по-
являются возможности выращивать собственные чипы. В этой области ведутся
интенсивные исследования, связанные с тем, что стоимость импортируемых
чипов достаточно высока, поэтому организация их производства в России поз-
волит снизить стоимость компонент в 5–6 раз. Что касается OLED, ряд сильных
научных команд ведет разработки на стадии R&D, и в перспективе могут быть
разработаны органические светильники большой площади при условии эффек-
тивной поддержки этого направления путем закупки за рубежом технологиче-
ских линий для производства OLED.
В целом, для использования перспектив данной отрасли в России необхо-
дима поддержка разработок по светодиодам государством, развитие техноло-
гической вооруженности предприятий и отечественного производства техноло-
гического оборудования (с использованием импортных комплектующих), вве-
дение стандартов контроля качества и развитие диагностических центров для
сертификации устройств и оценки их характеристик. Создание новых произ-
водств потребует подготовки соответствующих научных, инженерных, техни-
ческих и рабочих кадров. Здесь возможным путем является создание нанотех-
нологических научно-образовательных центров. Их задачей будет обучение об-
ращению с оборудованием – эпитаксиальными установками, системами обес-
печения «чистых комнат», установками структурного и оптического контроля
выращиваемых кристаллов и др. Существует ряд технических проблем, касаю-
щихся производственных методов газофазного химического осаждения металл-
54
органических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ),
изготовления однородных структур на подложках большой площади. Для них
уже видны пути решения, и этими вопросами необходимо заниматься в первую
очередь.
3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных

технологий
Электронные технологии могут получить свою первую апробацию и про-
верку на достаточно емком внутреннем рынке для улучшения комфортности
проживания и ведения бизнеса на территории. С другой стороны, одной из про-
блем развития инновационного бизнеса в России является агрессивность среды
и неоптимизированный характер административных процедур. Именно эти
процедуры непосредственно влияют на инвестиционный климат, рост занято-
сти.
В ежегодном докладе Всемирного банка приводился анализ 155 стран по
десяти областям, характеризующих условия создания нового предприятия,
набор и увольнение сотрудников, выполнение контактов, регистрация соб-
ственности, получение кредита, защита инвесторов, закрытия бизнеса, выплата
налогов, получение лицензий, торговля между странами. Оценивались затраты
времени и финансовых расходов, связанных с выполнением соответствующих
положений законодательных актов. Был сделан вывод о том, что уровень разви-
тия страны обратно пропорционален подобным затратам. Для производителей
из развивающихся стран административно-бюрократическое бремя может ока-
заться более дорогостоящим, нежели торговые квоты и тарифы. Доклад опре-
делил страны мира с наиболее благоприятной средой для ведения бизнеса. В
соответствии с докладом 2006 года, список стран-лидеров по инвестиционному
климату возглавляет Новая Зеландия, затем следуют Сингапур, США, Канада,
Норвегия, Австралия, Гонконг/Китай, Дания, Великобритания, Швеция и т.д. В
этом списке Россия занимает 79 место. В частности для открытия собственного
дела в РФ требуется 33 дня и прохождение 8 бюрократических процедур, в
США на это требуется 5 дней и 5 процедур, в Новой Зеландии – 12 дней и 2
процедуры, в Великобритании 18 дней и 6 процедур, во Франции – 8 дней и 7
процедур, в Германии – 24 дня и 9 процедур.
Решать задачу упрощения процедур необходимо с помощью информаци-
онных технологий. Об этом свидетельствует сопоставление стран лидеров по
инвестиционному климату Всемирного банка и данные по уровню развития
электронного правительства ООН. Рейтинг ООН рассчитывается по образова-
тельному уровню населения, развитию инфраструктуры и информационных
сервисов предоставляемых услуг и информации различных правительственных
сайтов стран мира («электронная готовность), а также по такому параметру, как
«электронное участие», то есть степени открытости государства для взаимодей-
ствия с гражданами через Интернет. Согласно этому исследованию ООН, пер-
вое место занимают США, затем Швеция, Австралия, Дания, Великобритания,
Канада, Норвегия, Швейцария, Германия и Финляндия, Россия не вошла в 25
везущих стран ни по одному из этих показателей, заняв 58-е место в мире по готов-
55
ности и 91-е по открытости. Места в этом рейтинге ООН коррелируют с позициями
в рейтинге «электронной готовности» (e-readiness), составленном английским
журналом The Economist и корпорацией IBM, где первую позицию продолжает
занимать Дания, США – 2 место (2004 г. – 6 позиция), Швейцария – 4 место
(2004 г. – 10 позиция). В первую десятку этого рейтинга входят Дания, США,
Швеция, Швейцария, Великобритания, Гонконг, Финляндия, Нидерланды, Норвегия,
Австралия. Россия в этом рейтинге заняла 52 место из 65 возможных.
Среди базовых услуг электронного правительства для бизнеса выделяются:
регистрация новой компании; подача статистических данных; таможенное деклари-
рование; получение разрешений, связанных с охраной окружающей среды; закупки
для государственных нужд, корпоративные налоги. Всего в этот список входит 20
услуг (12 услуг для граждан и 8 услуг для бизнеса). Внутри архитектуры элек-
тронного правительства «жизненные эпизоды» и «бизнес-ситуации» рассматрива-
ются как точки входа к государственным услугам, интегрированным в едином Ин-
тернет-портале.
Проблемами информатизации органов власти РФ является отсутствие коорди-
нации работ между отраслями, многократное дублирование работ по созданию
однотипных информационных систем и ресурсов (ИСиР), ориентация «вовнутрь»
органов исполнительной власти, а не «вовне» к населению и бизнесу, низкая
эффективность использования созданной инфраструктуры.
Таблица 3.2. Состояние разработок электронных технологий
Велико-
Рейтинг и некоторые Авст- Герма-
США Канада брита- Япония Швеция РФ
позиции из рейтинга ралия ния
ния
1.Инвестиционный
3 4 6 9 10 14 19 79
климат
1.1.Открытие бизнеса 3 1 2 9 81 20 47 31
1.2. Лицензирование 17 21 12 29 5 13 20 143
1.3.Найм и увольнение 6 24 14 15 20 86 131 57
1.4.Регистрация соб-
12 27 34 23 36 8 33 35
ственности
1.5.Получение кредита 15 10 3 1 18 30 5 148
1.6.Защита инвестиций 7 3 26 9 14 95 57 73
1.7.Оплата налогов 30 12 14 81 50 38 54 52
1.8.Экспорт/ импорт 17 13 22 21 12 2 3 67
1.9.Ликвидация бизнеса 17 4 15 10 1 18 30 71
2.Готовность к элек-
1 6 3 5 18 2 9 58
тронному обществу
2.1.Уровень развития
технологической ин-
3 11 7 12 17 1 16 64
фраструктуры
2.2. Электронное уча-
2 3 10 1 23 10 15 100
стие
56
Выполняя лишь презентационные, учетно-справочные и контрольные функции,
но оторванные от процессов управления территорией, внедрение ИСиР является
неэффективным и не может обеспечивать целенаправленного повышения каче-
ства жизни населения, комфортности проживания и ведения бизнеса на терри-
тории. Существующие модели построения ИСиР используются, прежде всего, для
автоматизации отдельных ведомственных функций с помощью создания специа-
лизированных автоматизированных рабочих мест (АРМ). Даже когда отрасле-
вые АРМ устанавливаются в органе исполнительной власти, как правило, вы-
двигаются требования к его автономности, отсутствию какой-либо интеграции с
уже используемыми системами. Такое положение приводит к дублированию
ввода информации, препятствует анализу данных, выработке стратегии развития
территории и принятию оперативных решений. В итоге цифровые базы данных
формируются независимо друг от друга, данные могут быть устаревшими, не-
полными и неоднородными по содержанию и качеству, труднодоступные для
поиска и интегрирования, не документированы регламенты их актуализации. В
результате информационные системы и ресурсы являются лишь дорогостоящи-
ми комплексами, требующими трудоемких усилий на поддержание их актуаль-
ности и обслуживания. Такое положение приводит к отсутствию в российских
региональных органах исполнительной власти действующих информационных
систем, демонстрирующих свою экономическую или управленческую эффек-
тивность. Это проблема, характерная не только для России. Например, по оценке
экспертов, во множестве федеральных агентств США существует большое чис-
ло дублирующих процессов и одинаковых бизнес-функций, которые, как правило,
решают идентичные задачи и обрабатывают одни и те же наборы данных.
Существующая традиционная информационная инфраструктура органи-
заций в течение длительного периода формировалась как множество «ост-
ровков» приложений. Для каждого корпоративного приложения создавался свой
собственный серверный комплекс, состоявший из одного или нескольких серве-
ров и массива для хранения данных. В такой инфраструктуре отсутствует мас-
штабируемость. Нагрузка на приложения постоянно колеблется, в результате
чего, например, один сервер может быть загружен по максимуму, в то время как
другой сервер простаивает, будучи загружен лишь наполовину. Как следствие,
госзаказчики приобретают дополнительные серверы и устройства хранения дан-
ных, чтобы обеспечить достаточную вычислительную мощность на период пи-
ковой нагрузки. В остальные периоды мощности серверов используются далеко
не полностью. Согласно исследованию Giga Research, усредненный показатель
загрузки промышленно используемых серверов составляет 30% (то есть в сред-
нем в течение суток в каждый час серверы используются менее 20 минут). Та-
кое положение касается не только компьютерных платформ, но и конфигуриро-
вания программного обеспечения. Согласно исследованиям Gartner Group, за-
траты на компьютерные платформы (21%), программное обеспечение (24%) и
стоимость труда (затраты на эксплуатацию – 40%) в сумме составляют 85%
бюджета службы ИТ современной организации. Задачей является повышение
эффективности затрат на информационно-коммуникационные технологии.
По рейтингу готовности к информационному обществу на первом месте среди
57
регионов России находится Москва. Однако в результате мониторинга движе-
ния Москвы к информационному обществу (опубликованы в 2004–2005 гг. бы-
ли сделаны следующие выводы. Развитие услуг электронного правительства,
оказываемых органами власти разного уровня и городскими организациями
Москвы, все еще находится на начальном этапе, что определяется в первую оче-
редь недостаточной глубиной реализуемых услуг, а также затруднениями , с ко-
торыми сталкиваются пользователи при поиске и получении услуги даже при ее
наличии. Для большинства услуг обеспечено только так называемое «информа-
ционное присутствие», то есть сведения о наличии услуги, но не оказание услуги
как таковой. Для части услуг дополнительно есть возможность скачать элек-
тронный бланк документа. Население, бизнес и институты гражданского обще-
ства не видят ощутимых и понятных результатов вложений в электронное разви-
тие города.
Как свидетельствует международный опыт и «цикл ожиданий внедрения
технологий» (Gartner Group) одной из главных причин разочарований при
реализации принципов электронного правительства является отсутствие интегра-
ции бизнес-процессов, неспособность работать быстрее и более прозрачно. Гос-
ударственные организации должны работать над созданием фундамента совре-
менного успеха, основанного на построения архитектуры и реорганизации
бизнес-операций.
Важным шагом в ускорении, упрощении и удешевлении для граждан, соб-
ственников и инвесторов процессов подготовки административных актов явилась
повсеместная реорганизация деятельности органов власти и городских организа-
ций по принципу «одного окна». Режим «одного окна», подразумевает исключе-
ние необоснованного привлечения заявителей при подготовке документов, выдава-
емых органами власти и государственными организациями. Этот с одной стороны,
простой по формулировке принцип в своем воплощении, подразумевает серьез-
ные преобразования административных структур, внесение множественных из-
менений в нормативную базу и существенное техническое оснащение органов
власти. Например, Правительствен Москвы в течение 2004–2006 гг. составлен
«Единый реестр документов, выдаваемых органами исполнительной власти, гос-
ударственными учреждениями, государственными унитарными предприятиями
города Москвы и территориальными органами федеральных органов исполни-
тельной власти». В Едином реестре документов насчитывается более 300 видов
документов, для каждого разработана регламентная схема его подготовки (раз-
мещены на caйте www.okno.mos.ru). Однако, как свидетельствуют социологиче-
ские опросы, переход к полнофункциональному режиму «одного окна» не про-
изошел. Большинство пользователей услуг не видят изменений или отмечают
ухудшение процесса взаимодействия с органами власти. По данным мониторинга
2005 г. среди руководителей предприятий таких в полтора раза больше, чем
считающих, что получать документы стало легче, а среди населения, воспользо-
вавшегося режимом «одного окна», 30,5% считают, что ничего не изменилось, а
25%, что получать документы стало труднее и только 44,5% – что это стало лег-
че. По результатам опроса, проведенного через сайт Зеленограда, 20% респон-
дентов отметили необходимость сокращения времени на подготовку документов и
58
25% – сокращение количества обращений в службы «одного окна».
Наиболее сложными процедурами подготовки характеризуются документы в
области градостроительства и управления инвестиционно-строительной дея-
тельностью на территории города. Сложность этих процедур выражается в мно-
гостадийности, большом количестве заинтересованных ведомств и значитель-
ном объеме необходимой информации, которая требуется на бумажном носите-
ле. Длительный, сложный, зацикленный, дорогостоящий процесс согласований яв-
ляется проблемой не только для инвесторов, но и для органов исполнительной
власти. В условиях рыночной экономики, снижение инвестиционной привлека-
тельности территории города, приводит к оттоку частных капиталов в более бла-
гоприятные территории, что снижает доходы бюджета и грозит недостатком
средств на решение задач жизнеобеспечения и развития города. Существенное со-
кращение сроков согласований возможно, во-первых, за счет совершенствования
механизмов градорегулирования и повышения степени готовности города к при-
ходу инвесторов. Основным механизмом повышения степени готовности города
к приходу инвестора является качественная подготовка необходимых админи-
стративных актов, в которых заранее отражены все межведомственные требова-
ния к градостроительным объектам и к условиям реализации инвестиционно-
строительных проектов. Во-вторых, за счет информатизации административной
и производственной деятельности; интеграции информационных ресурсов и си-
стем. В-третьих, это информационно-справочное обеспечение управления инве-
стиционно-строительным процессом, включающее централизованные хранилища и
витрины данных. При этом необходимо решишь прежде всего вопрос минимиза-
ции финансирования затрат на создание и последующую эксплуатацию всех
этих систем. Также необходимо гарантировать, что внедряемые или существу-
ющие в настоящее время технологии будут в состоянии на должном уровне
поддерживать потребности будущих бизнес-моделей и целей.
3.8. Формирование современной инфраструктуры

проектирования СБИС «система на кристалле»
В соответствии с «Основами политики РФ в области развития электронной
компонентной базы (ЭКБ) на период до 2010 г. и на дальнейшую перспективу»
в стране развернуты работы по реализации первоочередных важнейших задач
по созданию высокоинтегрированной ЭКБ и аппаратуры нового поколения:
1. Подготовлена отдельная подпрограмма развития ЭКБ до 2010 г. в рам-
ках ФЦП «Национальная технологическая база».
2. В РФ начаты работы по формированию Базовых Центров Проекти-
рования, созданию единой отраслевой САПР.
Однако необходима консолидация на данном направлении усилий всего
радиоэлектронного комплекса, РАН, Высшей школы в целях ускорения созда-
ния современной единой инфраструктуры проектирования электронной компо-
нентной базы и аппаратуры нового поколения.
Проблема проектирования отечественной элементной компонентной базы
на современном этапе включает два аспекта.
Первый – обеспечение предприятий элементной базой импортозамещения
59
в соответствии с имеющимся перечнем фонда УНИЭТ. В основном это схемы
универсального применения (процессоры, память, АЦП, источники питания и
т.д.). Эти микросхемы разрабатываются и производятся по заказу на ведущих
предприятиях России и СНГ («Микрон», «Ангстрем», «Интеграл» и др.) с ис-
пользованием лицензионного программного обеспечения «традиционных»
САПР: схемотехнического моделирования, топологии. В данном случае, струк-
тура проектирования установилась. Имеются лишь проблемы становления оте-
чественной субмикронной технологии
Второй – принципиально новый аспект. По целому ряду направлений при-
оритетной техники двойного применения требуется создание специализирован-
ных микросхем, в том числе высокоинтегрированных микросхем СБИС типа
«система на кристалле» («System on chip»), и эта тенденция будет усиливаться.
СБИС «система на кристалле» – это специализированная СБИС, представляю-
щая аппаратно-программную реализацию на одном кристалле функционально-
законченной части аппаратуры на базе макроблоков: процессорных «ядер»,
блоков памяти, блоков с «жесткой» логикой, аналого-цифровых блоков и т.д.:
• проектируется данная СБИС на системно-функциональном уровне на базе
единых средств САПР СБИС и аппаратуры;
• для ускорения проектирования СБИС часть макроблоков приобретается в
виде заранее разработанных, верифицированных и аттестованных сложнофунк-
циональных (СФ) блоков.
За рубежом в ближайшие несколько лет производство специализирован-
ных схем «система на кристалле» займет по объемам продаж более половины
объема выпускаемых микросхем.
Это касается, в первую очередь, массовой продукции (радиотелефонов,
цифровых теле- и радиоприемников, навигационных приемников и т.д.).
Многократно проведенная (с 2000 г.) НИИМА «Прогресс» инвентаризация
ведущих предприятий РФ в области развития и использования современных
средств САПР СБИС и аппаратуры показала, что только ограниченный ряд
предприятий-разработчиков кристаллов СБИС (НИИМА «Прогресс», НИИЭТ,
НПЦ «Элвис», НТЦ «Модуль», Центры Проектирования «Ангстрема» и «Мик-
рона» и другие) и буквально единицы аппаратостроительных фирм (ВНИИС,
РИРВ и ряд других) имеют определенный современный задел в области САПР
СБИС и аппаратуры и, что особенно важно, опыт разработки специализирован-
ных СБИС и аппаратуры на их основе.
Большинство же предприятий, разрабатывая аппаратуру преимущественно
на импортной элементной базе, используют устаревшую методологию и аппа-
ратно-программные средства САПР.
Таким образом, можно констатировать важность и первоочередность со-
здания современной отечественной инфраструктуры проектирования СБИС
«система на кристалле» и аппаратуры на их основе.
Данная инфраструктура проектирования СБИС и аппаратуры характеризу-
ется следующими особенностями:
1) аппаратурные предприятия, определяющие алгоритмы и архитектуру
СБИС, становятся равноправными непосредственными участниками разработок
60
элементной базы на системном уровне;
2) «традиционная» САПР СБИС дополняется верхним «системным» уров-
нем проектирования, единым как для разработки СБИС, так и аппаратуры. Из
анализа мирового состояния и перспектив развития систем проектирования на
различных уровнях (рис. 3.11.) следует, что, если в 1990 г. реализация проекта
СБИС (начиная с логического уровня) занимала 90% во всем объеме проектных
работ, то в 2000 г. эта доля сократилась до 55%. В ближайшие годы проектиро-
вание на системном и функциональном уровнях будет составлять 70% и только
30% придется на конкретную реализацию проекта «системы на кристалле» в
выбранном «библиотечном» базисе;
3) требования сокращения сроков разработок СБИС «системы на кристал-
ле», содержащих различные узлы (аналоговые, цифровые, программируемые,
память и т.п.), определяют необходимость кооперации различных Центров
Проектирования СБИС, разрабатывающих и применяющих заранее разрабо-
танные и повторно используемые при проектировании СБИС сложнофункцио-
нальные макроблоки (СФ-блоки, в зарубежной литературе – IP-блоки);
4) объединение в СБИС по единой технологии СФ-блоков и библиотек эле-
ментов различных Центров Проектирования кристаллов, создает организаци-
онные и экономические предпосылки использования полупроводниковых
предприятий (включая и зарубежные) в качестве «кремниевых мастерских», ко-
торые предоставляют в распоряжение Центров Проектирования кристаллов
библиотеки стандартных универсальных микроблоков и конструктивно-
технологические правила проектирования (design kit). Таким образом, новая
инфраструктура проектирования должна включать три уровня прохождения
разработок СБИС (рис. 3.11.):
• базовые Дизайн-Центры системного уровня проектирования для различ-
ных направлений техники, создаваемые при ведущих аппаратостроительных
предприятиях;
• центры Проектирования кристаллов СБИС (они же в основном и разра-
ботчики СФ-блоков);
• «Кремниевые мастерские» (отечественные и зарубежные) со своими ди-
зайн центрами.
100%
Архитектурный
80%
60% Функциональный
40%
Логический/Физический
20%
Тестирование
0%
1990 2000 2010
Рис. 3.11. Тенденции проектирования на различных уровнях абстракции
61
Таким образом, данная структура реализует сквозной маршрут проектирова-
ния и производства СБИС.
Первый уровень (см. рис. 3.12.) – Базовые Дизайн-Центры системного уров-
ня. Они должны обеспечивать аппаратно-программное математическое моде-
лирование и верификацию проекта СБИС на системном уровне, с последующей
отработкой прототипа и функциональной верификации будущей СБИС на базе
FPGA и специальных аппаратно-программных платформах. Создание подоб-
ных Центров поднимет на качественно новый уровень проектирования аппара-
турные предприятия, подготовив их к непосредственному участию в процессе
проектирования необходимых для их аппаратуры специализированных СБИС.
Примером подобного Базового Центра системного уровня можно назвать
ВНИИС.
Второй уровень (см. рис. 3.12.) – Центры Проектирования кристаллов.
Включают как Центры проектирования СБИС при полупроводниковых пред-
приятиях, так и самостоятельные Центры (без технологии и производства).
Данные Центры используют созданные аппаратурными предприятиями си-
стемные модели СБИС на языках высокого уровня (VHDL.Verilog) для автома-
тизированного синтеза и оптимизации схемотехники и топологии специализи-
рованных СБИС и формируют заказ на изготовление образцов ЭКБ в «кремни-
евых мастерских» (именно по такому алгоритму взаимодействия ВНИИС и
НИИМА «Прогресс» совместно разработали комплект специализированных
СБИС по технологии 0,35 мкм для изделия «Акведук-К»).
Третий уровень (см. рис. 3.12.) – «кремниевые мастерские» со своими ди-
зайн-центрами (отечественные и зарубежные). Эти дизайн-центры изготавли-
вают микросхемы по документации Центров Проектирования кристаллов и
проводят испытания изготовленных микросхем.
Основные научно-технические и организационные задачи по формирова-
нию инфраструктуры проектирования «система на кристалле»:
– определение состава и организация на основе единых программно-
технических средств САПР функционирования Базовых Центров Проектирова-
ния всех уровней по основным направлениям техники;
– создание единой межотраслевой распределенной САПР СБИС и аппара-
туры с единой информационной средой отечественных и зарубежных микро- и
макроблоков и единым мощным координирующим Межотраслевым Центром
Проектирования систем на кристалле;
– создание методологии проектирования СБИС типа «система на кристал-
ле» на основе использования отечественных и зарубежных СФ-блоков, алго-
ритмически ориентированных аппаратно-программных платформ, новых мето-
дов тестирования и верификации;
– разработка нормативной документации по маршрутам проектирования
СБИС, порядку разработки и передачи СФ-блоков и библиотек элементов, вза-
имодействию предприятий 3-уровневой инфраструктуры;
– создание отраслевого и межотраслевого фонда СФ-блоков;
62
Базовые Дизайн-Центры системного уровня
Росавиа-
РАСУ Минатом Россудо- Другие
Космос
ВНИИС НИИИС Строение БДЦ
РНИИКП
Центры проектирования СБИС
Межотраслевой центр
Проектирования Другие
НТЦ НПЦ СБИС типа Soc Центры
МИЭТ МИФИ НИИЭТ «Ангстрем-М» «Микрон»
«Модуль» «Элвис» НИИМА «Прогресс» Проектир
.
развития электронной
Федеральный фонд
Производители СБИС «кремниевые мастерские»

техники
Центр Ф/Ш
НИИСИ Юг-Вост. Европа,
«Ангстрем-М» «Микрон» НЗПП «Светлана» НИИИС «Ангстрем
РАН Азия США
2М»
Отечественные Зарубежные
Рис. 3.12. Структура базовых дизайн-центров проектирования СБИС и МЭА
– обучение специалистов Центров новой методологии и средствам САПР

СБИС и аппаратуры на базе сети тренинг-центров.
Реализацию вышеуказанных задач предполагается осуществлять в ходе
выполнения комплекса НИОКР и инвестиционных проектов, проводимых в
рамках ФЦП «Национальная технологическая база».
Основные научно-технические задачи по созданию единой межотраслевой
САПР уже решаются в НИИМА «Прогресс». Срок выполнения первого этапа –
2002–2004 гг. В течение 2002 г. разработаны технические предложения по со-
зданию инфраструктуры проектирования СБИС «система на кристалле», вклю-
чающей распределенную сеть Базовых Центров Проектирования системного и
кристального уровней проектирования. Разработан маршрут проектирования
для системного уровня на базе лицензионного ПО САПР SPW, HDS, NC-Sim и
др., а также обобщенный сквозной маршрут проектирования СБИС типа «си-
стема на кристалле».
Обобщенный маршрут (рис. 3.11.) включает четыре уровня проектирования:
системный, функциональный, логический и топологический. Они обеспечива-
ют успешную разработку проекта СБИС типа «система на кристалле». Основ-
ным инструментом разработчика (прежде всего, на системном уровне) является
программный продукт фирмы CADIENCE, как наиболее распространенный в
России, с использованием на отдельных этапах (особенно функциональном)
дополнительных аппаратно-программных средств отечественных или зарубеж-
ных фирм.
На рис. 3.13 представлена структура сети межотраслевой САПР.
Первоначально предлагается в качестве Центров коллективного доступа
использовать программно-технические средства Межотраслевого Центра САПР
63
Сервер САПР систем, РЭА и СБИС Сервер САПР систем, РЭА и СБИС
Центров проектирования региона А Центров проектирования региона В
Сервер САПР систем, РЭА и СБИС

центра САПР SoC на базе ФГУП
НИИМА «Процессор»
Сервер САПР СБИС

Межведомственного
Суперкомпьютерного центра
Сервер САПР систем, РЭА и СБИС Сервер САПР систем, РЭА и СБИС
Центров проектирования региона С Центров проектирования региона D
Рис. 3.13. Структура межотраслевой САПР

СБИС типа «система на кристалле» на базе ФГУП НИИМА «Прогресс» и Меж-
ведомственного Суперкомпьютерного Центра. В качестве каналов связи можно
использовать либо ресурсы Интернета для работы в системе удаленного «ли-
цензионного сервера», либо ресурсы закрытой высокоскоростной сети в режи-
ме удаленного доступа. По мере решения задач оснащения предприятий совре-
менными программно-техническими средствами САПР, на базе ведущих пред-
приятий и вузов регионов могут быть организованы дополнительные Центры
коллективного доступа. В этом случае структура распределенной сети межот-
раслевой САПР СБИС типа «система на кристалле» будет иметь вид, предста-
венный на (рис. 3.13)
Другим важнейшим базисом формирования новой инфраструктуры проек-
тирования является создание нормативных документов на методологию проек-
тирования СБИС «система на кристалле», маршруты проектирования, методо-
логию и стандарты на разработку СФ-блоков и т.д. Данные работы начаты в
РАСУ под руководством ФФРЭТ и при ведущей роли НИИМА «Прогресс». За-
действованы также Центры проектирования НПЦ «Элвис», НИИЭТ, «Светла-
на», МИЭТ, МИФИ и др.
По формированию библиотек и правил проектирования на различные тех-
нологические базисы, головными являются ОАО «Ангстрем» и ОАО «НИИМЭ
и завод «Микрон». Это направление очень важное с точки зрения выполнения
международных требований при взаимодействии с зарубежными «кремниевы-
ми мастерскими».
При этом планируется ориентировать библиотеки СФ-блоков и микроэле-
ментов, прежде всего, на отечественные «кремниевые мастерские», чтобы мак-
симально использовать их ресурс, т. е. для субмикронной технологии (0,35–0,8
мкм) должна использоваться продукция отечественных производителей (тем
более, что большинство зарубежных фирм сняли с производства данные техно-
логии). Если же необходим уровень глубокого субмикрона (ниже 0,35 мкм), то
на данном этапе используются зарубежные «кремниевые мастерские» с соот-
ветствующей аттестацией СФ-блоков и библиотек элементов на данной техно-
логии.
64
3.9. Создание технико-внедренческой зоны наукоемкого
производства
Опыт наиболее развитых стран, достигнувших успехов в усилении своей
конкурентоспособности, показывает, что конкурентные преимущества дости-
гаются и удерживаются путем борьбы за инновационность в производстве, ак-
центируясь на актуальных для производства областях знаний. Инновацион-
ность производства трансформируется в политику формирования конкуренто-
способных кластеров, вошедшую в национальные прогаммы экономического
развития многих стран. Развитость кластеров коррелирует с конкурентоспособ-
ностью компании, уровнем производительности труда и заработной платы, а
также уровнем качества жизни в целом.
Кластер является сетевой структурой с особенностью географической ло-
кализации, при которой предприятия, входящие в основную технологическую
цепочку создания добавленной стоимости, связаны общими экономическими
интересами и определенной корпоративной культурой взаимодействия, допол-
няет друг друга с целью усиления конкурентных преимуществ и взаимодей-
ствует с поставщиками, потребителями, научными, образовательными и обще-
ственными организациями, посредством обмена товарами, технологиями, ин-
формацией, услугами и т.д. (рис. 3.14.). Кластерная политика, основанная на
инновациях, опирается на эффективное взаимодействие промышленных пред-
приятий, предприятий малого и среднего безнеса, организаций науки и образо-
вания с непосредственным участием ситемы государственной поддержки, что
приводит к конкурентоспособности предприятий на глобальном рынке.
Лидирующие
компании-
экспортеры
Поставщики
комплектующих и услуг
(мелкие и среднии
компании)
Социально-экономическая
инфраструктура
(организации, обеспечивающие
финансовыми, кадровыми
ресурсами, инфраструктурой)
Рис. 3.14. Общая структура кластера
Основополагающим фактором привлечения инвесторов является фактор
65
спроса. Поэтому реализацию алгоритма формирования техниковнедренческой
зоны (ТВ3) предлагается начать с поиска емких рынков сбыта. Для этого рас-
ставленные на федеральном уровне приоритеты, программы и проекты анали-
зируются с точки зрения их реализации в ТВ3. Для достижения максимального
эффекта деятельности ТВ3 в экономике страны применяются междисципли-
нарный подход, выявляются новые рынки, анализируются возможности техно-
логий (военное, гражданское и двойное назначение). Благодаря такому подходу
также объединяются усилия федеральных, региональных и местных органов
исполнительной власти, бизнеса в сфере предвидения в инновационных обла-
стях.
По результатам проведенного исследования национальных проектов в
каждом из них находят применение информационно-коммуникационные тех-
нологии, нанотехнологии и наноматериалы (см. таблицу 3.3).
Таблица 3.3. Анализ национальных проектов с точки зрения
применения результатов деятельности ТВЗ
Националь- Информационно-коммуникационные Нанотехнологии
ный проект технологии и наноматериалы
Эффективное Реализация электронных административ- Нанотехнологии для
государство ных регламентов и принципа «одного ок- защиты ценных бу-
на» маг, удостоверение
личности
Современное Телемедицина Лекарственные
государство Дистанционная подготовка врачей и ком- нанопрепараты, ум-
пьютерные тренажеры ные имплантанты,
Удаленная регистратура, система хране- высокоразрешаю-
ния медицинских данных щие средства меди-
Консультации и семинары ведущими цинской диагности-
специалистами по телемосту, в чатах, с ки, включая моле-
трансляцией показания диагностических кулярную радиоло-
приборов и т.д. гию
Автоматизированный сбор и объединение
клинических и генетических данных о па-
циенте, данных научно-лабораторных ис-
следований, информации об окружающей
среде
Обработка медицинских изображений и
сигналов
Моделирование патологических процес-
сов, экспертные и интеллектуальные ме-
дицинские диагностические системы, ба-
зы знаний
Компьютерные технологии и алгоритмы
функциональной диагностики и прогноза
заболеваний, выбор критериев стандарти-
зации лечебных процедур, оценка риска
распространения заболеваний и т.д.
66
Продолжение таблицы 3.3
Качественное Электронный дневник Обучающие систе-
образование Электронные лаборатории и моделиро- мы с элементами
вание виртуальной реаль-
Чиповая «карта учащегося» ности
Дистанционное обучение, в т.ч. инвали-
дов
Электронные библиотеки и т.д.
Электронное репетиторство и др.
Доступное Энерго-, ресурсосбережение Наносенсоры и
комфортное Системы обеспечения безопасности нанодатчики для си-
жилье (видионаблюдение, сигнализация, био- стемы очистки жид-
метрические системы контроля и пр.) ких и газовых сред,
Дистанционное управление инженерны- новые улучшенные
ми системами («умный» дом, сад и пр.) материалы с помо-
Широкополосное телевидение щью нанотехноло-
Автоматизированное управление датчи- гий (самоочищаю-
ками щиеся стекла и по-
Диспетчеризация электрооборудования и лы, жиростойкая
других систем краска и пр.), нано-
системная техника
для мониторинга и
защиты окружаю-
щей среды
Эффективное Информационное обслуживание кре- Конструирование
сельское стьянского населения (сайты, центры биодеградируемых
хозяйство общественного доступа, мобильные удобрений и средств
группы и пр.) защиты от насеко-
Системы макроэкономического регули- мых в растениевод-
рования и прогнозирования сельхозпро- стве; генетическая
изводства инженерия сельско-
Автоматизированные логические систе- хозяйственных рас-
мы сбыта сельхозпродукции (электрон- тений и животных,
ные биржы и пр.) доставка определен-
Автоматизированные системы монито- ных генов и лекар-
ринга и управления ростом животных ственных препара-
Технологии точного сельского хозяйства тов к клеткам и по-
(управление процессами роста растений, раженным тканям
управление сельскохозяйственной тех- животных, изучение
никой, выравнивание полей через GPS и молекулярных ме-
ГИС, дистанционные бортовые датчики ханизмов устойчи-
для мониторинга урожайности, влажно- вости растений к
сти и пр.) нарушению солевых
балансов и засухе
Развитие ин- Телекоммуникационная инфраструктура Наноматериалы для
фраструктуры Технологии triple play и др. преобразования и
хранения энергии
67
Алгоритм формирования кластеров должен обеспечивать полный цикл со-
провождения инновации от идей до международного маркетинга, соответство-
вать всем элементам существования эффективной коммерческой организации –
от подготовки кадров, устойчивости финансового обеспечения, производствен-
ной инфраструктуры до элементов комплекса маркетинга, в том числе между-
народного. Как показал анализ, наиболее значимыми факторами, влияющими
на формирование эффективного наукоемкого кластера являются инвестицион-
ные, кадровые, производственные, управленческие, инновационные, инфра-
структурные и конкурентные.
С учетом данных факторов, для достижения поставленных целей и задач
ТВЗ оптимальной является система, основанная на четырех методических бло-
ках. Выделенные блоки соответствуют необходимым системам формирования
наукоемких кластеров, устойчивого кадрового обеспечения, ин-
фраструктурного обеспечения в режиме «одного окна», интеграции в междуна-
родное разделение труда и глобальные инновационные процессы. В результате
реализации методики формируется сбалансированная для целей развития
наукоемкого бизнеса инфраструктура ТВЗ.
Кластер должен объединить участников на долгосрочной основе в рамках
единой неразрывной технологической цепочки, интеграционных и технологи-
ческих взаимосвязей, в которых участники – поставщики и потребители услуг
друг друга. Для снижения издержек и экономии ресурсов на основе дробления
функций и бизнес-процессов экономически целесообразен аутсорсинг вспомо-
гательных производств по контрактам подрядчикам, в том числе из других ре-
гионов и стран. При этом кластер - это гибкая и динамичная структура в ре-
зультате непрерывных процессов формирования, развития и распада, адаптации
к меняющимся требованиям рыночной среды, появлению новых производств,
расширению ассортимента продукции, инновационности производств.
3.10. Форсайт в области нанотехнологий

Слово «Форсайт» буквально означает «взгляд в будущее» (Foresight – в
переводе с английского означает «предвидение»). Это новый инструмент дол-
госрочного прогнозирования перспектив развития в социально-экономической
сфере, образования, науке и технологии. Качественная национальная програм-
ма развития наноиндустрии требует учета интересов всех слоев граждан страны
– бизнеса, власти, науки, населения.
Кроме того, при разработке необходим анализ как возможностей региона,
тенденций развития страны, так и учет ведущих направлений в мировой науке,
технике, социально-экономическом направлении.
Эти тенденции представители каждой группы населения видят по-своему,
так что опять же требуется консенсус при разработке прогноза. В чем же пре-
имущества Форсайта? Применение этого метода позволяет выделить нанотех-
нологии, на освоение которых должен быть направлен максимум инвестиций.
Вовлечение в процесс Форсайта широких масс общественности, представите-
лей науки и бизнеса, позволяет сформировать наиболее объективную картину,
которая, отвечает, интересам всех групп населения. Более того, использование:
68
Форсайта, позволяет заинтересовать все участвующие структуры в достижении
целей. В рамках Форсайта экономические субъекты заново оценивают свое ме-
сто в экономической системе. Такой взгляд «со стороны» позволяет, рассмот-
реть новые зарождающиеся перспективные рынки и начать их осваивать рань-
ше конкурентов.
Одним из основных, элементов Форсайта является создание информаци-
онной базы, способствующей проведению, сканирования и мониторинга, на
этапе аналитического анализа, а затем и при формировании экспертных групп
для Дельфа-метода при разработке сценариев развития нанотехнологии.
Например, с учетом динамики развития микросистемной техники и пере-
хода от технологических приемов микроэлектроники к нанотехнологии, ис-
пользованию наноматериалов и созданию наносистемной техники в ноябре
1999 г. был создан журнал «Микросистемная техника». После публикаций в
2003 г. и 2004 г. статей по развитию нанотехнологии в России и введения но-
вых рубрик с учетом наносистемной техники было расширено название журна-
ла, и с 2005 г. он выходит под названием «Нано- и микросистемная техника».
Журнал включен в Перечень научных и научно-технических изданий ВАК Рос-
сии, для кандидатских и докторских диссертаций и выпускается при научно-
методическом руководстве Отделения информационных технологий и вычис-
лительных систем Российской академии наук.
В настоящее время Министерство образования и науки Российской Феде-
рации проводит работы в соответствии с утвержденным Президентом Россий-
ской Федерации перечнем критических технологий Российской Федерации,
объединенных в приоритетное направление «Индустрия наносистем и материа-
лов». Дальнейшие работы Минобрнауки России планирует проводить в рамках
федеральной целевой программы «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в
Российской федерации на 2008–2010 годы».
В России сложилась ситуация в которой по официальной программе со-
здания индустрии наносистем и материалов проводится 100–150 мелких работ
(2 млн. руб. на один год) и 30–130 комплексных работ (8 млн. руб. на 2–3 года).
Остальные работы (их на один-два порядка больше) проводятся на «обще-
ственных» началах или с привлечением частных инвестиций.
Одновременно с официальным движением в области нанотехнологий
начали развиваться инициативные группы, потому что в нашей стране эта про-
блема далеко не новая. Такие группы можно отнести к «общественным», так
как специалисты, занимающиеся нанотехнологией, не попали в программы
Минобрнауки России, сами организовались и стали издавать свои труды на эту
тему.
По инициативе Председателя Совета Федерации С.М. Миронова и Коми-
тета СФ по науке, культуре, образованию, здравоохранению и экологии (пред-
седатель комитета профессор В.Е. Шудегов) был создан координационный со-
вет по нанотехнологиям, который призван определить экономические, соци-
альные и экологические последствия перехода к новому качеству новых про-
дуктов. По инициативе координационного совета было проведено первое Все-
российское, совещание по нанотехнологиям (май 2006 г., Москва), на котором
69
присутствовали 157 представителей научных, учебных, производственных и
финансовых структур более чем 80 организаций всех регионов России. По ре-
зультатам работы совещания была издана «Белая книга», содержащая концеп-
цию развития работ по нанотехнологиям в Российской Федерации и перечисле-
ние наиболее значимых научных и практических результатов. На заседании Ко-
ординационного совета по нанотехнологиям в апреле 2007 г. был заслушан до-
клад о европейской технологической программе, цель которой – развитие хи-
мической промышленности. Европейский союз декларировал этой программой
свою задачу – создать безопасную, комфортную, недорогую среду жизни чело-
века.
С каждым годом значительно возрастает число конференций и докладов на
них, связанных с внедрением нанотехнологии в производство и созданием
спецтехнологического оборудования. Вопрос заключается в том, как ускорить
внедрение полученных результатов в производство и создать наноидустрию,
как создать условия для внедрения результатов в повседневную жизнь граждан
России и улучшить качество их жизни.
В стране создан государственный орган – Совет по нанотехнологиям под
председательством первого вицепремьера С.Б. Иванова. Одна из задач Редак-
ционного совета, авторов научных публикаций – довести, до сведения этого
Совета научные и прикладные разработки в области наносистемной техники
всех регионов Российской Федерации. Особое значение имеет Президентская
инициатива «Стратегия развития наноиндустрии (от 24 апреля 2007 г.)», ориен-
тированная на создание и закрепление научного приоритета Российской Феде-
рации в области индустрии наноситем и материалов.
Форсайт может быть связан не со всей нанотехнологией, а основываться на
нескольких критических технологиях. Целью социально-экономических иссле-
дований в области нанотехнологий является вклад в технологическую политику
страны, возможность заранее предупреждать малые и средние предприятия об
угрозах и возможностях их развития, а также создавать сети этих предприятий.
Гибкость инструментария Форсайта позволяет использовать его в различ-
ных областях и сферах деятельности. Кроме того, опыт применения Форсайта в
разных странах показывает, что инструментарий Форсайта можно видоизме-
нить исходя из потребностей и специфики конкретной страны.
Значительная эластичность инструментов Форсайта позволяет использо-
вать его не только на уровне государства, но и на уровне региона. Имеется по-
ложительный опыт использования Форсайта в странах с абсолютно различны-
ми институциональными условиями позволяет надеяться на успех его приме-
нения в различных регионах России при создании наносистемной техники.
3.11. Дорожные карты и их применение

Тенденцией последних двух десятилетий в мире стало развитие прогноз-
ных исследований, связанных с определением перспективных направлений
научно-технологического и инновационного развития, а также оценкой послед-
ствий принятия управленческих решений в сфере науки и технологий. Такие
исследования являются сегодня неотъемлемым компонентом государственной
70
научно-технической и инновационной политики всех развитых стран. На осно-
ве долгосрочных прогнозов определяются приоритетные области науки и тех-
нологий, являющиеся объектами государственной поддержки. С их помощью
формируются национальные научно-технические программы, определяются
стратегические направления инновационного развития, разрабатываются кон-
кретные меры государственной политики в этой сфере.
Темпы изменения научно-технологического и инновационного простран-
ства сегодня настолько высоки, что обеспечить эффективность экономической
деятельности, не проводя его оперативный и квалифицированный мониторинг,
практически невозможно.
Для обеспечения устойчивого развития требуются знания о том, на какие
рубежи выйдут наука, техника и технологии не только в краткосрочном перио-
де, но и в достаточно отдаленном будущем.
К настоящему времени практически во всех промышленно развитых стра-
нах сформированы представления об ориентирах научно-технической деятель-
ности, наиболее важных с точки зрения социально-экономического развития в
целом. К ним, как правило, относятся информатика и телекоммуникации, нано-
технологии и новые материалы, живые системы и экология, а также другие
направления, выделенные с учетом специфики конкретной страны. Этим
направлениям может быть присвоен ранг национальных приоритетов. Так, ис-
следования в сфере нанотехнологии сегодня включены в число приоритетов в
таких странах, как США, страны Европейского Союза, Япония, Китай и Россия.
В развитых странах деятельность по стратегическому прогнозированию
осуществляется в рамках национальных программ с использованием системы
методов, объединенных общим названием «Форсайт». Форсайт представляет
собой систему методов экспертной оценки стратегических перспектив иннова-
ционного развития, выявления технологических прорывов, которые способны
оказать максимальное воздействие на экономику и общество в средне- и долго-
срочной перспективе.
Использование Форсайта наиболее эффективно в тех случаях, когда необ-
ходимо выявить пути решения долгосрочных социально-экономических про-
блем, повысить конкурентоспособность отечественных товаропроизводителей
путем усиления инновационной активности. Его развитие связано с растущей
потребностью в использовании методов долгосрочного прогнозирования, не
только основанных на экстраполяции существующих тенденций, но и учиты-
вающих возможные технологические прорывы в будущем. Элементом Форсай-
та является развитие системы коммуникаций между различными организация-
ми, вовлеченными в этот процесс. Поэтому его применение целесообразно, ко-
гда принятие стратегических решений требует консенсуса между различными
сторонами – государством, бизнесом, обществом.
За последние 15–20 лет в ведущих странах мира Форсайт стал основным
инструментом долгосрочного прогнозирования перспектив инновационного
развития общества. Используемые в нем подходы направлены на систематиче-
скую оценку долгосрочных (до 25–30 лет) перспектив развития науки, техноло-
гий, экономики и общества. С помощью Форсайта достигается согласованное
71
ведение тех направлений научно-технологического развития, которые обеспе-
чивают повышение конкурентоспособности страны на мировой арене и реше-
ние наиболее важных социально-экономических проблем. Во многих Форсайт-
проектах в качестве одной из основных областей исследования рассматривают-
ся нанотехнологии.
Практика использования Форсайта на различных уровнях управления –
национальном, региональном, отраслевом, корпоративном – сегодня весьма
разнообразна. Ниже будут рассмотрены отдельные, наиболее характерные при-
меры таких проектов, нацеленные на определение приоритетов развития стра-
ны в целом, отдельных отраслей и сфер деятельности.
3.11.1. Прогноз инновационного развития в Японии

Япония относится к числу стран, имеющих большой опыт применения
Форсайта для выработки приоритетов в сфере науки и технологий. Начиная с
1970 г. каждые пять лет в стране разрабатывается научно-технологический про-
гноз с использованием метода Дельфи. Горизонт прогнозирования равен 30 го-
дам.
Особенностью метода Дельфи, который применяется в японском прогнозе,
является многораундовый характер экспертных опросов. Опрос экспертов про-
водится в два последовательных раунда, причем в ходе второго раунда экспер-
там сообщаются интегрированные результаты первого раунда. Такой подход
позволяет уточнить обобщенное мнение экспертной группы и повысить согла-
сованность итоговых оценок.
Восьмой японский прогноз, завершенный в 2005 г., является характерным
примером национального Форсайт-проекта, в котором нанотехнологии рассма-
триваются в качестве одного из приоритетных направлений инновационного
развития. В ходе исследования экспертами были проанализированы 858 тем,
сгруппированных в 10 тематических разделов. Общее число экспертов, которые
приняли участие во втором туре опроса, составляет 2239 человек. По результа-
там прогноза были выявлены и описаны 130 конкретных направлений иннова-
ционной деятельности.
Нанотехнологическая тематика в прогнозе распределена по подразделам,
каждому из которых была дана краткая характеристика в плане его научной и
экономической значимости:
1) моделирование наноматериалов;
2) наноизмерения и наноанализ;
3) нанотехнологии в производственных процессах;
4) нанотехнологии для получения новых материалов и веществ;
5) упавление структурой материалов на наноуровне;
6) наноприборы и сенсорные наноустройства;
7) наноэлектронномеханические системы;
8) нанотехнологии для сферы экологии и энергетики;
9) нанобиологические устройства;
10) нанотехнологии и качество жизни.
Прогноз позволил оценить сроки получения принципиально значимых
72
нанотехнологических решений, которые в дальнейшем могут найти практиче-
ское применение в указанных областях. Что же касается регулярного коммер-
ческого использования, оно, по оценкам японских экспертов, станет возмож-
ным спустя приблизительно еще 10 лет.
3.11.2. «Глобальная технологическая революция»

(Корпорация RAND, США)
Одним из наиболее масштабных исследований современного научно-
технологического пространства является работа «Глобальная технологическая
революция – 2015» (Тенденции в области биотехнологий, нанотехнологии, ма-
териалов и их синтез с информационными технологиями к 2015 г.), подготов-
ленная американской аналитической корпорацией RAND в 2001 г. В исследо-
вании рассматриваются глобальные технологические тренды в перечисленных
областях, анализируется их возможное влияние на развитие информационных
технологий, а также на различные стороны экономической и социальной жизни
общества.
По мнению американских исследователей, главными направлениями со-
временного научно-технологического развития являются биотехнологии, нано-
технологии, технологии новейших материалов и информационные технологии.
В синтезе инноваций в области нанотехнологии, биотехнологий и новых мате-
риалов эксперты видят большие перспективы для социально-экономического
развития и повышения качества жизни населения. В области новейших матери-
алов особо выделяются так называемые смарт-материалы («умные материа-
лы»), свойства которых могут изменяться в соответствии с условиями эксплуа-
тации, что обеспечивает их успешное функционирование в изменяющихся
условиях.
В 2006 г. корпорация RAND опубликовала очередное исследование по
проблематике мирового научно-технического и инновационного развития –
«Глобальная технологическая революция – 2020.
Вывод, сделанный экспертами в ходе исследования, заключается в том, что
«глобальная технологическая революция» проявит себя наиболее суще-
ственным образом в таких базовых областях научно-технологического прогрес-
са, как био- и нанотехнологии, разработка и создание новых материалов и ин-
форматизация. Этот вывод конкретизируется перечнем из 56 технологий, кото-
рые уже в ближайшей перспективе будут оказывать глубокое и разностороннее
влияние на формирование нового качества жизни. Среди этих технологий экс-
пертами выделены 16 наиболее важных. В их числе: системы использования
солнечной энергии; фильтры и катализаторы для очистки и обеззараживания
воды; адресная доставка лекарств в опухолевые и патогенные зоны; диагности-
ческие и хирургические методы нового поколения; сверхпортативные компью-
теры и др.
В работе подчеркивается, что необходимо значительно усовершенствовать
систему профессиональной подготовки специалистов. Повышение квалифика-
ции должно продолжаться непрерывно с тем, чтобы компенсировать устарева-
ние ранее полученных знаний. Более того, со временем, возможно, придется
73
ввести ученые степени, удостоверяющие многодисциплинарную подготовлен-
ность специалистов, которая становится все более востребованной в сфере
научных исследований. Экспертами также отмечалась растущая важность таких
вопросов, как защита интеллектуальной собственности, поскольку затраты на
создание новых знаний в современных условиях существенно увеличиваются.
3.11.3. Метод дорожных карт и его применение

в практике форсайт-исследований
Круг задач, стоящих перед исследователями, определяет специфику ис-
пользуемых методов. Так, для эффективного управления инновационными
процессами необходимо обеспечить связь между спросом на инновационную
продукцию и ее предложением, которое, в свою очередь, определяется резуль-
тативностью научных исследований и существующими возможностями произ-
водства. Для решения этой задачи в мировой практике используется один из
методов Форсайта – технологические дорожные карты.
Технологическая дорожная карта – это направленный в будущее взгляд на
выбранный круг проблем, представляющий собой продукт коллективного зна-
ния и предвидения наиболее авторитетных специалистов. Она дает комплекс-
ное, взаимосвязанное представление о перспективах развития технологий в
конкретных сферах деятельности, позволяя взаимно увязать программы науч-
ных исследований, создания промежуточных и конечных продуктов, а также
показать, их связь, с намеченными целями развития.
Дорожные карты имеют ряд отличий от других методов прогнозирования.
Существенная особенность, метода заключается в том, что он не только позво-
ляет сформировать определенное видение будущего, но и способствует вовле-
чению научного, образовательного и бизнес-сообществ в процесс достижения
поставленных целей. Это достигается за счет широкого использования эксперт-
ных методов при построении дорожных карт, развития системы коммуникации
и механизмов обратной связи между участниками.
Отличительной чертой дорожных карт является детальный учет фактора
времени. Этапы инновационного цикла для различных продуктов и технологий
отображаются на единой линии времени, при этом делается акцент на согласо-
вании временных координат действий и событий. Такой подход позволяет свя-
зать воедино планы научных исследований, разработки и внедрения продуктов.
Дорожная карта позволяет определить степень готовности к производству от-
дельных продукций, одновременно давая представление о долгосрочных тен-
денциях развития рынка. Благодаря этому, например, можно оценить необхо-
димость фундаментальных исследований в тех областях, которые ИС не дают
быстрого коммерческого эффекта, но являются стратегически важными для
развития отрасли.
Еще одна важная особенность дорожных карт – представление результатов
исследования в четкой и понятной форме. Ядром дорожной карты является ак-
туальная схема движения к намеченной цели, которая интегрирует другие ком-
поненты исследования.
Метод дорожных карт может реализовываться различными способами, де-
74
лая упор как на технологические, так и на рыночные аспекты. В зависимости от
поставленных целей исследования могут применяться разные типы дорожных
карт – продуктовые карты (product planning), карты для планирования программ
(program planning) и процессов (process planning) и др.
3.11.4. Разработка технологических дорожных карт

Технологические дорожные карты подобны автомобильному атласу в том,
что показывают, как из начальной точки достичь цели. Поэтому и то и другое в
английском языке получили название – «road map» («дорожная карта»).
Аналогично тому, как дорожная карта показывает пересечение дорог, тех-
нологическая дорожная карта показывает точки пересечения между этапами
исследований или технологиями. Дорожная карта ориентирована на перспекти-
ву и дает прогноз тех путей, которые могут привести к окончательному или же-
лаемому результату. Таким образом, это не только инструмент нормативного
прогнозирования, но и методика планирования.
Исходно метод разработки дорожных карт базируется на хорошо извест-
ном методе оценки и анализа программ – PERT (Program Evaluation and Review
Technique). PERT-метод подразумевает изображение шагов, которые необхо-
димо сделать на пути к достижению цели, в виде схемы (графа), т.е. в виде до-
рожной карты. Эта схема описывает различные альтернативные пути, из кото-
рых можно выделить критический (оптимальный) путь. Данный метод крити-
ческого пути использовался в 1950-х гг. и позже ВМС США при разработке
проекта по созданию ракетного комплекса «Полярис». В начале 1960-х годов
американская авиаракетная компания «Дуглас» по выпуску космической и во-
енной авиатехники (ныне объединившаяся с «Боингом») использовала метод
дорожных карт для описания необходимых этапов подготовки гипотетического
полета на Марс. Многие фирмы, такие как, например, «Моторола» в середине
1980-х годов, использовали эту методологию с целью определения научно-
исследовательских проектов, которые должны быть реализованы при разработ-
ке нового продукта.
Были разработаны важные модификации метода разработки дорожных
карт, в т.ч. включение в методологию вероятностных оценок времени, необхо-
димого для перемещения от одного технологического узла до другого или от
одной технологии до другой, что позволило использовать ее для оценки сроков
окончания работ.
Эта модель получила дальнейшее развитие в виде различных вариаций,
включая метод анализа последовательности разработки технологий (TSA –
Technology Sequence Analysis). Этот метод подразумевает использование стати-
стических методов моделирования оценок времени, необходимого для дости-
жения промежуточных целей. TSA полезен для прогнозирования временных
интервалов, в течение которых может быть достигнут результат, и для измере-
ния времени, необходимого на реализацию промежуточных технологий, от ко-
торых зависит система в целом. На практике некоторые из сетевых графиков
TSA включают тысячи узлов, или промежуточных этапов.
75
Обработка сетей такого размера требует использования эффективного про-
граммного обеспечения и современных баз данных.
В программах Форсайта дорожные карты могут использоваться также при
разработке сценариев и служить в качестве своего рода карты, отображающей
причинно-следственные связи, а также представлять общую структуру сцена-
рия. Если заданы вероятностные оценки путей, соединяющих узлы, они могут
быть использованы для прогнозирования этапов, которые предстоит достиг-
нуть, и для оценки всего пути к цели. Участки между узлами могут служить для
задания времени между последующими этапами; это дает возможность оценить
временные характеристики исследуемой системы.
Ведущим разработчиком и пользователем этого метода применительно к
технологиям были Национальные лаборатории Сандия, входящие в состав Де-
партамента энергетики США. Они описывают три различных типа технологи-
ческих дорожных карт:
1) дорожные карты развития продукта (продуктовые дорожные карты), ко-
торые показывают необходимые шаги для доведения продукта до намеченного
состояния;
2) дорожные карты развития новой технологии (технологические дорожные
карты), которые показывают, как отдельная технология эволюционирует и ка-
кие ресурсы могут быть или должны быть задействованы для ускорения или
изменения хода ее развития;
3) проблемно-ориентированные дорожные карты, в которых технология
описывается как один из многих этапов, связанных с решением или возникно-
вением проблемы.
Дорожные карты подразделяются на два вида: дорожные карты, ориенти-
рованные на продвижение научных результатов по стадиям инновационного
цикла, и дорожные карты поиска технологий для решения уже выявленных
проблем. Дорожные карты «продвижения» обычно используются исследова-
тельскими лабораториями, разрабатывающими и продвигающими свои про-
граммы исследований, в то время как дорожные карты «поиска» могут быть
использованы для определения кратчайшего пути достижения цели или разра-
ботки продукта (технологий). Дорожные карты также подразделяются на карты
научных исследований и технологические дорожные карты. Хотя известен
опыт разработки карт научных исследований, большинство разработанных к
настоящему времени карт относятся к технологическим дорожным картам.
Чем отличаются карты научных исследований от технологических дорож-
ных карт? Ничем, если речь идет о целевых исследованиях, как и в случае с
технологическими дорожными картами, вопрос ставится так: «какие шаги при-
ведут к достижению выбранной цели наиболее эффективным образом?» Но ес-
ли конкретная цель научных исследований не сформулирована, вопрос звучит
иначе: «как может развиваться данное научное направление?» И это вопрос бо-
лее сложный.
Поскольку дорожная карта представляет собой сетевой график с взаимо-
связанными узлами, необходимо рассмотреть, что представляют собой узлы и
связи – линии, соединяющие различные узлы. Каждый узел – определенная ве-
76
ха на разрабатываемой карте. Это может быть узел, имеющий количественную
характеристику (например, цитируемый документ или патент, на который ссы-
лаются последующие патенты), или он может быть охарактеризован качествен-
но с помощью экспертных оценок (например, будущая технология на опреде-
ленном уровне реализации). Линии, соединяющие узлы, – «дороги» на «карте»
– также могут нести информацию. В случае с количественно определенными
узлами линии могут представлять собой количество цитирований одного узла
другим или число патентных ссылок. Если мы имеем дело с субъективными
оценками экспертов, линии могут демонстрировать связи между технологиями:
например, вектор развития технологий, показывающий, что для достижения
определенной технологии необходимо иметь в своем распоряжении другую.
Каждой линии может быть приписано значение, показывающее ожидаемое
время, затрачиваемое на перемещение от одного узла до другого. Или же линии
могут нести информацию об оценках вероятности, что одно достижение (узел)
приведет к другому.
Итак, обычно процесс построения дорожных карт достаточно субъектив-
ный, и для сбора оценок экспертов, которые, в конечном счете, составят суть
«карты», могут быть использованы различные методы.
Способами сбора экспертной информации могут быть семинары, посвя-
щенные определению узловых точек и путей, персональные интервью, а также
метод Дельфи или производные от этого методы. Независимо от используемых
методов сбора экспертных оценок, они должны включать такие этапы, как
определение узлов, структуру взаимосвязей и характеристики путей между уз-
лами, включая, например, запаздывание, затраты, неопределенности и т.п.
Эксперты указывают, что дорожная карта должна отражать следующие
вопросы:
1. «Знать – зачем» – зачем разрабатываются новые технологии или новая
продукция, какова ниша рынка, которую они должны занять. Определение
ключевых сегментов рынка, конкурентов и партнеров. Выбор стратегического
направления.
2. Что должно быть сделано для разработки карт – структурирование обла-
сти. Какие характеристики/свойства наиболее важны? Формулировка долго-
срочных целей.
3. Какие исследования и разработки должны быть выполнены, т.е. должны
быть определены конкретные элементы, узлы дорожной карты.
4. Определение необходимых ресурсов и объемов инвестиций. Отбор
наиболее приоритетных проектов. Выявление и мониторинг областей риска.
Слабые стороны этого метода заключаются в необходимости проведения
углубленной экспертизы и сложности разработки карт. Качество дорожных
карт предопределяется уровнем знаний его разработчиков. Что касается слож-
ности разработки карт, то большинство изучаемых объектов, в конечном счете,
оказываются фрактальными, т.е. чем детальнее анализ, тем больше открывается
деталей, требующих изучения. Если речь идет о фундаментальных исследова-
ниях или быстро развивающихся технологиях, то определение узлов оказывает-
ся достаточно сложной задачей, поскольку среди узлов неизбежно окажутся
77
еще не сделанные открытия. И, наконец, уже сформировавшиеся тенденции мо-
гут оказаться превалирующими. В этом случае дорожная карта будет представ-
лять собой не что иное, как экстраполяцию тенденций.
3.11.5. Международная технологическая карта ITRS

«Международная топологическая карта для полупроводников» (The Inter-
national Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS) является одним из
наиболее известных международных исследовательских проектов в сфере до-
рожных карт. Последняя ее редакция опубликована Международным комите-
том по дорожным картам (International Roadmap Committee – IRS) в 2007 г., на
официальном сайте проекта доступны также обновления отдельных материалов
за 2008 г. Спонсорами проекта выступают организации стран-ведущих разра-
ботчиков и производителей полупроводниковой техники (США, Европейский
союз, Япония, Корея, Тайвань). В числе его участников – Европейская ассоциа-
ция полупроводниковой промышленности (ESIA), Японская ассоциация элек-
троники и информационных технологий (JEITA), Корейская ассоциация полу-
проводниковой промышленности (KSIA), а также Американская ассоциация
полупроводниковой промышленности (SIA).
Особенностью дорожной карты ITRS является ее регулярное обновление.
Очередной раунд исследований проводится каждые два года, в промежутках
делается частичное обновление, что позволяется регулярно оценивать развитие
полупроводниковой промышленности, а также определять кратко- и долго-
срочные ориентиры.
Базовое предположение, на котором основывается построение карты, свя-
зано с тем, что технологические инновации в отрасли призваны обеспечить
продолжение тренда ее развития, известного как закон Мура. Согласно этому
закону, в электронных микросхемах количество транзисторов на кристалле
удваивается каждые два года. Основной вопрос исследования звучит следую-
щим образом: на базе каких технологических решений возможно дальнейшее
развитие отрасли в соответствии с законом Мура. Таким образом, дорожная
карта сосредотачивается на прогнозировании появления новых передовых тех-
нологий в области полупроводников, которые позволят перейти к выпуску про-
дуктов с существенно более высокими характеристиками.
В работе над проектом приняло участие 1288 экспертов, из которых 21% –
представители научных исследовательских организаций, 53% – представители
производственной сферы, 20% – компаний-поставщиков материалов и обору-
дования. В рамках исследования были рассмотрены такие вопросы, связанные с
развитием отрасли, как проектирование, тестирование, литография, перспек-
тивные материалы и устройства, метрология, охрана окружающей среды и др.
3.11.6. Технологическая дорожная карта для

производственных наносистем Института Форсайта в
области нанотехнологий, США
В числе известных исследовательских проектов, связанных с построением
78
дорожных карт развития нанотехнологий, следует упомянуть «Технологиче-
скую дорожную карту для производственных наносистем».
Дорожная карта, представленная в октябре 2007 г., является одним из
наиболее крупных последних проектов Института Форсайта в области нанотех-
нологий (Foresight Nanotech Institut), входящего в число ведущих американских
центров в области стратегического прогнозирования. Проект реализован при
поддержке фонда Waitt Family Foundation, Sun Microsystems, а также Nanorex,
Zyvex Labs и Synchrona.
Дорожная карта рассматривает вопросы развития технологий с атомной
точностью (Atomically precise technologies, APT) и охватывает временной гори-
зонт в 30 лет. Она представляет собой наглядный план действий по созданию
атомарно-позиционных производственных технологий.
Дорожная карта показывает, что указанную цель можно достичь путем
стимулирования международного сотрудничества, сконцентрировав усилия на
двух стратегиях, которые могут иметь значительный долгосрочный эффект –
разработка атомарно-прецизионных технологий по производству «чистой»
энергии и созданию экономически эффективной энергетической инфраструкту-
ры, а также разработка атомарно-прецизионных технологий по производству
новых нанолекарств и функциональных терапевтических и диагностических
устройств.
Примером использования метода дорожных карт для формирования госу-
дарственной научно-технической политики является «Дорожная карта научных
исследований в области нанотехнологий», разработанная в Новой Зеландии при
поддержке Министерства исследований, науки и технологий. Стратегия в обла-
сти нанотехнологий и нанонауки, изложенная в этом документе, рассчитана на
период от 5 до 10 лет. По замыслу разработчиков, она будет способствовать
решению общегосударственных задач, связанных с обеспечением устойчивого
экономическим путем повышения производительности, увеличения объемов
производства, а также явится стимулом для устойчивого развития экономики и
повышения общественного благосостояния.
Для достижения этих целей планируется, что в период до 2010 г. инвести-
ции в сферу нанотехнологии должны направляться преимущественно на под-
держку фундаментальных исследований, которые создают базы для дальней-
ших разработок. В среднесрочном периоде (до 2015 г.) вложения следует ори-
ентировать на те сферы, которые способствуют повышению прибыльности су-
ществующих отраслей промышленности. В долгосрочной перспективе большая
часть инвестиций должна быть направлена на поддержку проектов, которые
связаны с новыми областями применения нанотехнологий.
Исследование выявило следующие перспективные направления развития
наноиндустрии: нанотехнологии для энергетики, бионанотехнологии, нанотех-
нологии в стекловолоконной оптике, наноэлектроника и нанооборудование, на-
но- и микроструйная техника, наноматериалы для промышленности.
Ключевыми областями применения нанотехнологий в промышленности
являются отрасли, связанные с электроникой, информационными и коммуника-
ционными технологиями, медициной, производством вооружений и др. Отме-
79
чен растущий интерес к использованию нанотехнологий в таких отраслях, как
пищевая, текстильная промышленность, агропромышленный комплекс.
По мнению разработчиков документа, применение нанотехнологий в про-
мышленности позволит достичь следующих результатов: увеличение произво-
дительности и создание новых отраслей, увеличение объемов производства,
прогресс в сфере медицины, улучшение экологической обстановки.
В документе подчеркивается, что большинство проводимых исследований,
связанных с нанотехнологиями, относятся к категории фундаментальных, они
не ориентированы напрямую на потребности конкретных отраслей и рынков.
Результаты исследовательских проектов могут быть в большей степени ком-
мерциализированы за рубежом, чем на территории страны.
3.11.7. Дорожные карты развития наноиндустрии в России

В России растущее внимание к дорожным картам как методу прогнозирова-
ния связано с увеличением вклада инноваций в экономический рост, повышением
сложности и наукоемкости конечных продуктов, развитием конкуренции.
Увеличивается количество факторов, которые нужно учесть при построении
прогнозов. В их числе – состояние внешней среды организации, развитие науч-
ных исследований и коммерциализация их результатов, наличие взаимодополня-
ющих и конкурирующих производств, существование альтернативных стратегий
достижения целей (в т.ч. связанных с использованием различных технологиче-
ских решений) и др. Благодаря использованию метода дорожных карт можно пред-
ложить комплексный подход к решению поставленных задач.
На необходимость использования дорожных карт как инструмента про-
гнозирования инновационного развития в сфере наноиндустрии указывает
Стратегия деятельности Государственной корпорации РОСНАНО до 2020 г.:
«Корпорация участвует в разработке средне- и краткосрочных прогнозов и
планов научного, технологического и рыночного развития наноиндустрии –
дорожных карт. Дорожные карты будут использоваться Корпорацией как инстру-
мент для ориентирования и поддержки деятельности других участников иннова-
ционного процесса и формирования инвестиционных проектов», – говорится в
этом документе.
Проект по разработке технологических дорожных карт реализуется на
базе Форсайт-центра Государственного университета – Высшей школы эко-
номики, в течение многих лет ведущего системные исследования с использо-
ванием методологии Форсайта. В процессе исследования был определен ряд
областей, для которых осуществляется построение пилотных карт.
Среди них:
– атомный энергопромышленный комплекс;
– ракетно-космическая промышленность;
– авиастроение;
– медицина;
– очистка питьевой воды для населения.
На следующем этапе к указанному перечню будут добавлены дорож-
ные карты по энергосбережению, углеродному волокну и катализаторам для
80
нефтепереработки.
Указанный перечень областей для разработки технологических дорожных
карт не является исчерпывающим. В рамках проекта разрабатывается подход,
позволяющий определить приоритетные направления построения дорожных карт
на основе масштабного экспертного опроса по методу Дельфи. Задача опроса со-
стоит в том, чтобы определить конкретные виды продуктов, инновационные свой-
ства которых будут обусловлены использованием при их производстве прин-
ципиально новых компонентов, создаваемых на базе нанотехнологий. Такие про-
дукты должны существенно превосходить традиционные изделия по своим
технико-экономическим характеристикам или же обладать новыми потребитель-
скими свойствами.
Перечень продуктов, по которому будет проводиться прогноз, формируется
таким образом, чтобы он в совокупности отражал наиболее характерные тенден-
ции развития основных секторов наноиндустрии. На предварительном этапе экс-
пертами был разработан список, включающий порядка тысячи подобных продук-
тов. В нем выделяются порядка 20 предметных областей, каждая из которых
ориентирована на определенный рынок конечной продукции. В числе таких об-
ластей: продукты питания и напитки; текстильные изделия и изделия из кожи;
фармацевтика; бытовая химия и парфюмерия; вычислительная и офисная тех-
ника; осветительное оборудование; автомобильный транспорт; авиационная и
космическая техника; электроэнергетика; холодное и горячее водоснабжение,
отопление; строительные материалы и техника и ряд других.
К опросу будут привлечены эксперты – представители широкого круга
научных и производственных организаций. По итогам исследования из указанно-
го перечня будут выделены продуктовые группы, развитие которых эксперты счи-
тают приоритетным с точки зрения повышения конкурентоспособности россий-
ской экономики, а также решения социальных задач. Для этих продуктовых
групп будут разрабатываться отдельные дорожные карты.
Поскольку экспертные методы применяются не только при выделении продук-
товых групп, но и при разработке самих дорожных карт, это позволяет вовлечь в
проект большое число заинтересованных участников, сформировать систему
коммуникаций между ними. Благодаря этому стратегия долгосрочного развития
отрасли, обозначенная в дорожной карте, отражает баланс интересов разных эко-
номических агентов. На стороне предложения конечных и промежуточных това-
ров выступают производители, а также разработчики необходимых для этого тех-
нологических решений. Сторона спроса представлена организациями, которые
используют промежуточные продукты и технологии в своем производственном
процессе, а также государственными органами, формирующими внерыночный
спрос. Особое место в этой системе принадлежит населению, которое предъявляет
спрос на конечные товары. Для изучения спроса населения на инновационные
продукты используются специальные методы.
Развитие системы коммуникаций между экономическими агентами является
важным элементом разработки карты. В частности, оно способствует расширению
кооперационных связей в отрасли, формирует институциональную среду для до-
стижения поставленных целей развития.
81
Взаимодействие участников разработки дорожной карты не должно но-
сить характер одностороннего информирования. Развитие механизмов обратной
связи – важный элемент совершенствования предлагаемых разработок. Для ре-
шения этой задачи могут использоваться различные формы их общественного об-
суждения. Одной из таких форм является создание технического комитета с уча-
стием представителей научного сообщества и бизнеса.
По итогам рассмотрения дорожной карты технический комитет может вы-
сказывать предложения по ее доработке и применению, давать экспертные за-
ключения относительно полноты и достоверности полученных результатов.
Мировой опыт показывает, что при надлежащем качестве разработки и привле-
чении ведущей части экспертного сообщества Форсайт и, в частности, технологи-
ческие дорожные карты могут стать эффективным инструментом долгосрочного
стратегического планирования развития сферы нанотехнологий.
3.11.8. Примеры технологических дорожных карт

В мировой практике используются различные подходы к построению до-
рожных карт развития наноиндустрии.
На первом Международном форуме по нанотехнологиям, прошедшем в
декабре 2008 г. в Москве, Российская корпорация нанотехнологий (РОСНАНО)
представила пилотную версию дорожной карты развития светодиодной про-
мышленности и общего освещения, подготовленную РОСНАНО с участием
Высшей школы экономики (ГУ ВШЭ).
Руководитель сертификационного центра РОСНАНО Виктор Иванов при-
вел результаты анализа рынка светотехники, дал оценку перспектив светодиод-
ной отрасли в России и рассказал о проблемах, которые необходимо решить
для создания производства светодиодных устройств освещения.
Ведение работ в рамках дорожных карт является одним из важнейших
принципов РОСНАНО. Цель создания дорожной карты по светодиодам – раз-
витие в России нового направления промышленности, основанного на нанотех-
нологиях: массового производства светодиодов и светотехнических устройств
на их основе.
Дорожная карта должна учитывать многие аспекты организации и ведения
производства. Для работы над ней Корпорация сформировала авторитетный
технический комитет, в который, помимо специалистов по экономике и технике
от РОСНАНО, вошли представители ГУ ВШЭ, университетов и институтов
РАН, а также эксперты от сообщества производителей светодиодов освещения.
Важнейшие из вопросов, рассматриваемых в дорожной карте, – это харак-
теристика рынков конечной продукции, сегодняшний объем ее использования и
ожидаемый в будущем; технологические аспекты, т.е. знания и оборудование,
актуальные для развития светодиодных устройств; ресурсная база, необходимая
для организации их производства. В связи с ориентацией на создание производ-
ства на территории России особое внимание в дорожной карте РОСНАНО уде-
ляется кадровым вопросам.
Приведенный в дорожной карте анализ рынка опирается на авторитетные
мнения международных организаций, специализирующихся в области рыноч-
82
ных исследований, и, в части российского рынка, – на информацию компании
РБК.
Корпорацией РОСНАНО сделан первый шаг к созданию в России нового
производства: совместно с группой компаний ОНЭКСИМ и Уральским опти-
комеханическим заводом создана компания по производству светотехники но-
вого поколения на неорганических гетероструктурах. Объем инвестиций Кор-
порации в проект составляет 1,776 млрд. рублей, общий объем инвестиций –
3,351 млрд. рублей. В то же время, РОСНАНО будет стремиться развивать и
модифицировать дорожную карту, в результате чего в России к началу 2013 г.
может заработать производство неорганических светодиодов.
3.12. Итоги работы радиоэлектронной промышленности в

2008 году и основные задачи на 2009 год
Ниже приводятся материалы, опубликованные директором Департамента
радиоэлектронной промышленности Минпромторга РФ В. Минаевым.
В радиоэлектронной промышленности (РЭП) в течение последних трех лет
осуществлялся комплекс мер по обеспечению стабильного развития промыш-
ленного производства и научно-технической деятельности. Однако охвативший
мир и страну финансовый кризис негативно повлиял и на РЭП. Ухудшившееся
состояние финансового рынка повышает риски стабильного развития РЭП. За
истекший год основные задачи по дальнейшему развитию отрасли, сформули-
рованные в ходе расширенного совещания руководителей предприятий радио-
электронного комплекса, практически выполнены.
3.12.2. Основные показатели развития РЭП

В 2008 г. общий объем товарной радиоэлектронной продукции вырос в со-
поставимых ценах по сравнению с 2007 годом на 17,0%, в том числе продукции
специального назначения – на 21,5%, гражданской продукции – на 6,7%. Доля
продукции специального назначения в общем объеме товарной продукции со-
ставила 76,2%. В общем объеме товарной продукции наибольшие изменения
произошли в промышленной продукции, см. таблицу 3.4.
Таблица 3.4. Итоги промышленной деятельности предприятий РЭП

в 2008 г. относительно 2007 г.
Показатели Отношение 2008 г. к 2007 г., %
Темпы роста производства промышлен-
ной продукции в сопоставимых ценах
РЭП 111,7
ОПК 103,4
Темпы роста производства специальной
продукции в сопоставимых ценах
РЭП 114,1
83
ОПК 101,7
Темпы роста производства продукции
гражданского назначения в сопостави-
мых ценах
РЭП 107,3
ОПК 105,8
Удельный вес продукции специального
назначения в общем объеме промышлен- 66,4
ного производства
В 2008 г. объемы производства промышленной продукции предприятий
РЭП выросли на 11,7% по сравнению с 2007 г. Выпуск специальной продукции
вырос на 14,1%, продукция специального назначения составила около 66,4%
всего промышленного производства. Объем выпуска продукции гражданского
назначения вырос только на 7,3%.
Объем производства научно-технической продукции вырос на 22% по
сравнению с прошлым годом, в том числе объем продукции специального
назначения вырос на 24,4%, а гражданского назначения – на 9,3%. Удельный
вес научно-технической продукции специального назначения в общем объеме
НТП составляет 85,4%. Объем проводимых НИОКР вырос на 22,1%.
Показатели последних месяцев 2008 г. производственно-хозяйственной и
научно-технической деятельности предприятий РЭП оказали негативное влия-
ние на финансовые результаты деятельности радиоэлектронной промышленно-
сти. Общий объем прибыли, полученной предприятиями РЭП в 2008 г., соста-
вил почти 13,8 млрд. руб. и вырос на 11,5% по сравнению с прошлым годом,
хотя в середине года прогнозировалась большая величина.
Дебиторская и кредиторская задолженности значительно возросли. Дебитор-
ская задолженность в 2008 г. составила 62,3 млрд. руб. и выросла по сравнению
с 2007 годом на 22,9%. Кредиторская задолженность в 2008 г. составила
90,9 млрд. руб. и выросла на 27,8% по сравнению с 2007 г.
Среднегодовая численность работников РЭП в 2008 г. составила 295,2 тыс.
человек и сократилась на 1,4% по сравнению с 2007 г., в том числе в промыш-
ленности 204,4 тыс. человек (сокращение на 1,6%), в науке – 90,8 тыс. человек
(сокращение на 1,0%).
Возросла выработка товарной продукции: в промышленности она состави-
ла 550,0 тыс. руб. на 1 работающего, а в науке – 847,0 тыс. руб., но наши до-
стижения уступают аналогичным данным ОПК.
Средняя заработная плата по РЭП составила 16,0 тыс. руб. и выросла на
25,3% по сравнению с 2007 годом, в промышленности 13,7 тыс. руб. (рост на
26,3%), в научной сфере средняя заработная плата составила около 21,3 тыс.
руб. (рост на 23,6%).
3.12.3. Научно-техническая политика РЭП

Основные задачи инновационного развития предприятий РЭП в 2008 г.,
84
реализовывались в основной Федеральной целевой программе «Развитие элек-
тронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 гг., а также в
Федеральных целевых программах «Развитие ОПК», ГЛОНАСС, в научно-
технических программах Союзного государства и др. (см. таблицу 3.5).
В результате деятельности Департамента в 2008 г. удалось увеличить объ-
емы финансирования НИОКР более чем в 2 раза, по сравнению с 2007 г., что
является весьма значительной поддержкой научных коллективов отрасли. Од-
нако перспективы финансирования работ в 2009 г. не столь радужны. Случив-
шийся финансовый кризис повлек за собой сокращение инвестиционных рас-
ходов бюджета. Безусловно, это сокращение коснулось и федеральных про-
грамм.
Несмотря на весьма непростую ситуацию, по ФЦП «Развитие ЭКБ и ра-
диоэлектроники» на 2008–2015 годы удалось выполнить все требуемые индика-
торы и показатели. В 2008 г. увеличение объемов продаж электронной и радио-
электронной техники составило 58 млрд. руб. По итогам года разработано 11
базовых технологий в области электронной компонентной базы, разработано 6
проектов базовых центров проектирования функционально сложной электрон-
ной компонентной базы, начато и проведено техническое перевооружение ряда
предприятий (в том числе завершено техперевооружение ФГУП НИИЭТ).
Таблица 3.5. Финансирование НИОКР по ФЦП, млн. руб.

Наименование ФЦП 2008 г. 2009 г.
«Национальная технологическая база»
131,4 146,5
на 2007–2011 гг.
«Развитие ЭКБ и радиоэлектроники»
3490,0 4170,0
на 2008–2015 гг.
«Развитие ОПК РФ на 2007–2010 гг. и на пе-
936,1 966,3
риод до 2015 г.»
ГЛОНАСС 407,5 620,1
Союзные программы:
«Функциональная СВЧ-электроника» 130,3 –
«Траектория» 310,0 320,0
«Композит» 116,2 139,4
«Разработка, восстановление и организация
производства стратегических, дефицитных и
импортозамещающих материалов и малотон-
– 181,2
нажной химии для вооружения военной и
специальной техники» на 2009–2011 гг. и на
период до 2015 г.
Итого 5521,5 6543,5
Среди базовых технологий в области электронной компонентной базы, раз-

работанных в 2008 г., можно отметить например, следующие:
– базовая технология изготовления низкотемпературной керамики (ФГУП
85
НПП «Исток» г. Фрязино, Московск. обл.);
– базовая технология получения радиационно-стойких кристаллов (ОАО
«БЗТХИ» г. Богородицк-4, Тульской обл.);
– базовые технологии для создания нового поколения магнитоэлектронных
приборов СВЧ диапазона (ОАО НИИ «Феррит-Домен» г. Санкт-Петербург);
– технология изготовления для интегральных сборок пленочных СВЧ рези-
сторов (ОАО НПО «ЭРКОН» г.Нижний Новгород).
В рамках Федеральной целевой программы «Глобальная навигационная си-
стема» по подпрограмме «Разработка и подготовка производства навигацион-
ного оборудования и аппаратуры для гражданских потребителей» в 2008 г. из-
готовлены и прошли предварительные испытания опытные образцы СБИС од-
ночастотного мультисистемного приемовычислительного модуля 2-го поколе-
ния навигационно-временного приемника ГЛОНАСС. Разработаны и изготов-
лены типовые рабочие места для серийного изготовления и испытаний навига-
ционной аппаратуры потребителей (НАП).
В сентябре 2008 г. была проведена корректировка ФЦП «Глобальная нави-
гационная система» предусматривающая выполнение большинства мероприя-
тий, направленных на обеспечение серийного производства навигационной ап-
паратуры потребителей исключительно за счет внебюджетных источников, что
может привести к снижению темпов разработки отечественной специализиро-
ванной ЭКБ и НАП.
По ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии РФ» на 2008–2010 гг.
ФГУП «НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина» осуществлена модерниза-
ция инженерных систем, обеспечивающих синхротрон «Зеленоград».
На устойчивую работу выведена инжекционная часть синхротрона в соста-
ве линейного ускорителя, малого накопителя, электронно-оптических кана-
лов с ускорением пучка элементов с энергией 450 МЭВ и накопленным то-
ком 70 МА и транспортировкой пучка до впуска в большой накопитель. На
75% выполнен монтаж электронно-физического оборудования большого нако-
пителя. По научно-техническим программам Союзного государства выполня-
лись следующие работы:
1) «Разработка унифицированного мобильного многофункционального ком-
плекса внешнетраекторных измерений двойного назначения на базе специаль-
ных оптоэлектронных систем и сверхвысокочастотных элементов», шифр
«Траектория»;
2) «Современные технологии и оборудование для производства новых поли-
мерных и композиционных материалов, химических волокон и нитей на 2008–
2011 гг.», шифр «Композит»;
3) «Разработка и создание нового поколения функциональных элементов и
изделий СВЧ-электроники, оптоэлектроники и микросенсорики для радиоэлек-
тронных систем и аппаратуры специального и двойного назначения» шифр
«Функциональная СВЧ-электроника-2».
В 2009 г. начнет действовать новая ФЦП «Разработка, восстановление и
организация производства стратегических, дефицитных и импортозамещающих
материалов и малотоннажной химии», одним из администраторов расходов ко-
86
торой является Департамент РЭП.
3.12.4. Инвестиционная политика РЭП

Целью инвестиционной политики является техперевооружение и рекон-
струкция производства предприятий РЭП на основе модернизации производ-
ственно-технологической базы и сокращения технологического отставания от
мирового уровня. Эта задача реализуется через федеральные целевые програм-
мы, которые позволяют в рамках программно-целевого метода конкретизиро-
вать усилия для комплексного и системного решения среднесрочных и долго-
срочных проблем промышленной политики.
В 2008 г. было предусмотрено работ по техническому перевооружению
производств и освоению государственных капитальных вложений на общую
сумму более 2,5 млрд. руб. (см. рис. 3.15).
Млн.
руб.
1400
Всего > 2,5 млрд. руб., 82 объекта
1200
1000
800
600
400
200
ФЦП «Развитие ОПК РФ на 2007-2010 гг. и на период до 2015 г.»
ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и

радиоэлектроники» на 2008-2015 гг.»
ФЦП «Глобальная навигационная спутниковая система»
ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в РФ на

2008-2010 гг.»
Рис.3.15. Инвестиции из средств госбюджета в техперевооружение и реконструкцию

предприятий РЭП в 2008 г. по ФЦП
За счет этих средств были продолжены работы по техническому перево-
оружению производств на 47 объектах предприятий РЭП, на 35 объектах нача-
то новое строительство, на 6 предприятиях созданы дизайн-центры для систем-
ного проектирования кристаллов сверхбольших интегральных схем и систем на
кристалле с проектными нормами 0,18–0,13 мкм (ОАО «Интелтех», г. Санкт-
Петербург; ФГУП «НИИ ЭТ», г. Воронеж; ФГУП «НИИ «Аргон», г. Москва;
ФГУП «ОНИИП», г. Омск; ФГУП «НИИТ», г. Санкт-Петербург; ФГУП
«ННИПИ «Кварц», г. Нижний Новгород).
В целом предприятиями и организациями РЭП в 2008 г. было освоено гос-
ударственных капитальных вложений по вышеуказанным ФЦП более 2,5
млрд. руб., привлечено внебюджетных средств 715,6 млн. руб. По всем
87
направлениям техники, намеченные производственные мощности в 2008 г. вве-
дены.
На 2009 г. бюджетные инвестиции в техперевооружение и реконструкцию
предприятий и организаций РЭП были первоначально предусмотрены в объеме
более 4,5 млрд. руб., что значительно выше объем 2008 г. Однако кризис отра-
зился и на планах техперевооружения и реконструкции предприятий РЭП, сни-
зились объемы финансирования объектов капитального строительства на
2009 г.: по состоянию на сегодня они составят немногим более 4,0 млрд. руб.
(см. рис. 3.16).
Млн.
руб.
1800
Всего > 4 млрд. руб., 108 объектов
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
ФЦП «Развитие ОПК РФ на 2007-2010 гг. и на период до 2015 г.»
ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и

радиоэлектроники» на 2008-2015 гг.»
ФЦП «Глобальная навигационная спутниковая система»
ФЦП «Развитие инфраструктуры наноиндустрии в РФ на

2008-2010 гг.»
ФЦП «Национальная нанотехнологическая база» на 2007-

2011 гг.
Рис. 3.16. Инвестиции из средств госбюджета в техперевооружение и реконструкцию

предприятий РЭП в 2009 г. по ФЦП
Предстоит провести работы на 108 объектах строительства, создать 5 ди-
зайн-центров системного проектирования и продолжить работы по созданию
межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фото-
шаблонов в ОАО «Российская электроника».
3.12.5. Внешнеэкономическая деятельность

Объем экспортных поставок по сравнению с показателем 2007 г. вырос на
18,5%, см. рис. 3.17.
Наибольшую долю 65,0% в объеме экспорта составляет продукция военно-
технического назначения. Годовой темп роста экспорта продукции военно-
технического и гражданского назначения составил 126,1% и 106,6% соответ-
ственно. Предприятия РЭП экспортируют широкую номенклатуру изделий –
товарная структура экспорта включает 39 групп изделий, продукция экспорти-
руется в 68 стран мира, на долю стран дальнего зарубежья приходится 81,7%.
88
600
544 529,1
500
446,4
400 337,8 385,4
334,0
300 209,6 272,8
200 200,3 185,1

158,6 173,6
137,5 137,8
100 71,8
2004 2005 2006 2007 2008

Продукция гражданского назначения
Продукция военно-технического назначения
Общий объем экспорта
Рис. 3.17. Динамика экспорта предприятий радиоэлектронной промышленности

в 2004–2008 гг.
Основными партнерами с суммарной долей экспорта около 72% являются:
Китай (25,7%), Иран (10,0%), Индия (9,4%), Беларусь (8,1%), Германия (5,3),
Гонконг (4,9), Казахстан (4,5%) и Израиль (4,1%). Среди 163 предприятий РЭП,
реализующих продукцию на внешних рынках, наибольшие объемы экспорта у
следующих предприятий: ОАО «ГСКБ Концерна ПВО «Алмаз-Антей», г.
Москва, ОАО «ИЭМЗ «Купол», г. Ижевск, ОАО «Стрела», г. Тула, ОАО
«НИИМЭ» и завод «Микрон», г. Москва – Зеленоград, ОАО «Концерн «Вега»,
г. Москва, ОАО «РЗМКП», г. Рязань, ОАО «Радиозавод», г. Пенза.
Объем импорта предприятий РЭП в 2008 г. составил 145,4 млн. долл. пре-
высив показатель предыдущего года на 32,5%. 141 предприятие осуществляло
импорт из 70 стран. Основными поставщиками с объемами от 13,3 до 24,6 млн.
долл. являются 7 стран, суммарная доля которых в общем объеме импорта –
76,9%, в том числе: Чехия (16,9%), Италия (10,4%), США (10,3%), Беларусь
(10,1%), Германия (10,0%), Украина (10,0%) и Китай (9,2%). Импортируемая
продукция имеет широкую номенклатуру, в товарной структуре импорта
насчитывается 37 групп изделий, см. рис. 3.18.
Станки и оборудование
Микросхемы интегральные
15,4% 29,9%
Прерыватели, разъединители,
переключатели
8,2%
7,2% 19,5%
Металлы и изделия из них 5,6% Другие 28 групп изделий
Электроприборы бытовые
5,4% 5%
Приборы полупроводниковые
Аппаратура и приборы контрольно-
Средства вычислительной техники

3,8% измерительные
Рис. 3.18. Основная продукция импорта предприятий

радиоэлектронной промышленности в 2008 г.
89
3.12.6. Политика РЭП на отечественных рынках
Завоевание сфер влияния в новых развивающихся объемных секторах оте-
чественного рынка радиоэлектронной техники – одно из направлений политики
РЭП на внутреннем рынке. Особый акцент делается на те секторы рынка, где
превалируют интересы государства, а именно:
– в создании и производстве техники цифрового телевидения;
– в создании и производстве средств радиочастотной идентификации;
– в создании и производстве широкополосных средств связи;
– в реализации ряда крупных проектов Единой системы организации воз-
душного движения (ЕС ОрВД) и по организации воздушного движения с ис-
пользованием спутниковых систем связи, навигации и наблюдения (CNS/АТМ
ИКАО);
– в реализации работ по модернизации авиационной техники и др.
Значительным шагом по завоеванию российскими производителями сфер
влияния в создании и производстве отечественной техники цифрового телеви-
дения явилось образование в ноябре 2008 г. по инициативе Минпромторга РФ
Ассоциации разработчиков и производителей аппаратуры для цифрового теле-
радиовещания («АРПАТ»), в которую вошли ведущие российские научно-
исследовательские институты: ЗАО «МНИТИ», ФГУП «НИИТ» и ФГУП
«НИИР», а также производители передающей и приемной аппаратуры для циф-
рового телерадиовещания. Образованная членами Ассоциации «АРПАТ» науч-
но-производственная кооперация позволила предложить комплексное решение
организации «под ключ» зон цифрового вещания на основе отечественного
оборудования.
Ассоциация «АРПАТ» стала коллективным членом «Цифрового альянса»
России, объединяющего ведущие российские телевизионные и вещательные
компании. Основной задачей «Цифрового альянса» является разработка пред-
ложений по организации в России массового производства конкурентоспособ-
ного приемо-передающего оборудования для цифрового телевидения.
3.12.7. Меры по снижению негативных последствий

для предприятий РЭП экономического кризиса
Одна из главных причин дестабилизации на рынке – тяжелое финансовое
положение не столько предприятий РЭП, сколько потребителей их продукции.
Не имея необходимых финансовых ресурсов, многие потребители вынуждены
сокращать закупки радиоэлектронных изделий, при этом, выражая готовность
приобретать продукцию в долг, с последующей оплатой по мере поступления
финансовых ресурсов. Оказывая финансовую помощь предприятиям-
потребителям продукции РЭП, государственные органы власти тем самым спо-
собствовали бы и улучшению финансового состояния РЭП.
Кроме того, одной из эффективных мер по предотвращению падения объ-
емов производства, и как следствие ухудшению ситуации с трудовыми ресур-
сами, является поиск новых ниш на внутреннем и внешнем рынках, активиза-
ция работы с естественными монополиями (ТЭК, РЖД, ЖКХ и др.), ряд пред-
90
приятий и организаций которых предпочитают приобретать схожие товары в
ближнем зарубежье. Необходима и активизация деятельности местных органов
власти по продвижению продукции предприятий РЭП, как и всего ОПК, на ре-
гиональные рынки, оказание содействия муниципальным предприятиям и орга-
низациям в переориентации на продукцию, производимую отечественными
предприятиями.
В условиях финансово-экономического кризиса Правительством Россий-
ской Федерации в 2008 г. был предпринят ряд мер, направленных на оказание
государственной поддержки предприятиям и организациям различных отраслей
промышленности. В 2008 г. по представлению Департамента радиоэлектронной
промышленности на комиссии под руководством А.Г. Силуанова были рас-
смотрены 5 предприятий и организаций отрасли, в том числе ОАО «Концерн
«Вега», ОАО «Концерн «Созвездие», ОАО «Ангстрем», ОАО «НИИ молеку-
лярной электроники и завод «Микрон» и ФГУП «НПП «Исток».
В 2008 г. Правительством был утвержден федеральный перечень, в кото-
рый вошли 295 системообразующих предприятий страны. Департаментом ра-
диоэлектронной промышленности был сформирован раздел «Радиоэлектронная
промышленность» перечня системообразующих стратегических организаций
оборонно-промышленного комплекса, находящихся в сфере деятельности
Минпромторга России. В указанный раздел вошло 36 предприятий и организа-
ций отрасли. Критериями для отнесения указанных предприятий и организаций
к системообразующим явились экономическая и социальная значимость пред-
приятий, их экспортный потенциал (заключенные контракты на 2009 г.), а так-
же их градообразующее значение для региона.
Включение организации в указанный перечень не является гарантией фи-
нансовой поддержки. Главная задача работы с такими организациями – под-
держание их устойчивости.
Для обеспечения постоянного мониторинга финансово-экономической и
социальной ситуации указанных предприятий в Минпромторге России создана
отраслевая рабочая группа, которая по итогам мониторинга принимает либо
план по оздоровлению организации, либо решение о продолжении мониторин-
га.
В 2008 году прошло 11 заседаний Рабочей группы по реализации мер по
предупреждению банкротства стратегических предприятий и организаций. В
частности, ОАО ОМПО «Радиозавод им. А.С. Попова» (РЕЛЕРО) предоставле-
на субсидия в размере 299 млн. руб., четыре предприятия планируется допол-
нительно рассмотреть на предмет предоставления субсидии в размере порядка
1 млрд. руб.
19 марта 2009 года на заседании Правительства утверждена новая про-
грамма антикризисных мер, где большое место заняли вопросы усиления соци-
альной защиты населения, обеспечение гарантий социальной и медицинской
помощи, государственная поддержка сферы занятости и предприятий оборон-
но-промышленного комплекса. Для поддержки предприятий будут использова-
ны такие инструменты, как дополнительная капитализация, прямая господ-
держка, госгарантии по кредитам.
91
Кроме того необходимо расширение участия предприятий РЭП в реализа-
ции региональных программ социально-экономического развития – это может
стать дополнительным источником заказов.
В сфере ведения Департамента радиоэлектронной промышленности нахо-
дится 372 организации, включенные в Сводный реестр организаций оборонно-
промышленного комплекса, в том числе: 98 федеральных государственных
унитарных предприятий (ФГУП), 253 открытых акционерных общества (ОАО),
из них 135 открытых акционерных обществ с государственным участием и 118
без государственного участия, 21 иная и прочая организации (ЗАО, ООО и др.),
а также 1 учреждение (ФГУ), не входящее в Сводный реестр.
Основные направления реструктуризации РЭП поддерживались програм-
мно-целевым подходом в рамках федеральной целевой программы «Развитие
оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2007–
2011 гг. и на период до 2015 г.». В настоящее время в отрасли действуют четы-
ре крупные интегрированные структуры, построенные по принципу холдинго-
вых компаний и объединяющие 118 организаций. Это – ОАО «Концерн «ПВО
«Алмаз-Антей», ОАО «Концерн радиостроения «Вега», ОАО «Концерн «Со-
звездие» и ОАО «Российская электроника».
В соответствии с планом-графиком создания в 2007–2008 гг. интегриро-
ванных структур в оборонно-промышленном комплексе в 2008 г. завершена
разработка системных проектов по созданию интегрированных структур «Си-
стемы управления» и «Концерн «Автоматика» и расширению интегрированных
структур «Концерн радиостроения «Вега» и «Концерн «Созвездие».
Состоялся Указ Президента Российской Федерации по расширению инте-
грированной структуры «Концерн радиостроения «Вега». Материалы по созда-
нию интегрированных структур «Системы управления», «Концерн «Автомати-
ка» и расширению интегрированной структуры «Концерн «Созвездие» прохо-
дят согласование с заинтересованными органами федеральной исполнительной
власти.
Распоряжением Правительства Российской Федерации от 10 января
2009 г. № 14-р ФГУП «НПП «Полет» г. Нижний Новгород присвоен статус фе-
дерального научно-производственного центра.
В прошедшем году была создана Государственная корпорация «Ростехно-
логии», при формировании ее уставного капитала предусмотрена передача в
качестве имущественного взноса Российской Федерации государственных па-
кетов акций акционерных обществ и федеральных государственных унитарных
предприятий, в том числе и целого ряда организаций РЭП в количестве 140
предприятий.
3.12.8. Кадровая политика

Проблема сохранения и обновления кадрового потенциала является в
настоящее время одной из наиболее актуальных в обеспечении дальнейшего
устойчивого развития РЭП. Средний возраст работников составляет 45,8 лет, в
то время как оптимальным является 35-38 лет.
В общей численности кадрового потенциала работники моложе 30 лет со-
92
ставляют 16,3%, в возрасте от 30 до 40 лет – 12,5%, от 40 до 50 лет – 22,5%, от
50 до 60 лет – 32,7%, старше 60 лет 16% работников РЭП, см. рис. 3.19.
Моложе 30 лет
30-40 лет 16%

Старше 60 лет
13%
16%
23%
40-50 лет 32%
50-60 лет
Рис. 3.19. Общий возрастной состав РЭП
В радиоэлектронной промышленности трудятся 2551 кандидатов наук и

443 доктора наук, при этом 58,4% из них старше 60 лет. Среди специалистов
работники моложе 30 лет составляют 22,5% от 30 до 50 лет – 31,2%, от 50 до 60
лет – 29,2%, старше 60 лет – 17,1%. Среди научных работников преобладают
люди старше 50 лет, которые составляют 59,5%, в том числе 33% составляют
научные работники старше 60 лет.
Среди работников основная масса работников имеет возраст от 40 до 60
лет – 57,1%, в том числе в возрасте от 40 до 50 лет – 24,6%, от 50 до 60 лет –
32,5%. Рабочие старше 60 лет составляют 13,5%, а моложе 30 лет – 15,8%.
Таким образом, по-прежнему, первоочередной задачей кадровой политики
является осуществление мер по «омолаживанию» кадрового состава, прежде
всего – путем набора выпускников высших и средних специальных учебных за-
ведений.
Для решения проблемы восстановления кадрового потенциала необходимо:
– повышение привлекательности работы в радиоэлектронной промышлен-
ности за счет дальнейшего роста заработной платы;
– предоставление отсрочки от службы в армии;
– дальнейшее совершенствование системы повышения квалификации и пе-
реподготовки кадров;
– воссоздание системы профессионально-технического обучения на базе ве-
дущих предприятий.
3.12.9. Основные проблемы и задачи РЭП

Для обеспечения развития промышленной и научно-технической деятель-
ности предприятий РЭП, необходимо осуществить целый комплекс мер,
направленный на экономическую поддержку предприятий:
93
– осуществление адресной реконструкции и технического перевооружения
предприятий, обеспечивающих выполнение Государственной программы во-
оружений;
– введение системы заключения долгосрочных (не менее 3 лет) контрактов
на выполнение ГОЗ;
– создание системы беспроцентного кредитования предприятий ОПК, вы-
полняющих задания ГОЗ;
– обеспечение устойчивого финансирования научных исследований и разра-
боток, выполняемых как в рамках Государственного оборонного заказа, так и
федеральных целевых программ;
– усовершенствование налогового законодательства в части стимулирования
инновационной деятельности, создания системы материального поощрения
предприятий и организаций за разработку и внедрение новой продукции и тех-
нологий, соответствующих мировому уровню;
– льготирование импорта современных технологий и научного оборудова-
ния, не производимого в России;
– проведение рациональной тарифной и ценовой политики в области услуг и
продукции естественных монополий;
– установление защитных тарифов, квот на импорт сырья, материалов и
продукции, которая может быть произведена в России;
– создание условий для расширения производства импортозамещающего
оборудования, в первую очередь для технического перевооружения естествен-
ных монополий;
– активизация работы государственных органов управления по оказанию
помощи предприятиям в решении проблем погашения задолженности покупа-
телей за поставленные товары, выполненные работы и услуги, в первую оче-
редь госзаказчиков.
Прогноз конкретных отраслевых показателей на 2009 г. показывает, что
практически по всем показателям темпы роста замедляются. Но РЭП по силам
вернуться к прежним темпам роста и тем самым вернуться к стабильному со-
стоянию отрасли. От эффективности наших действий зависят безопасность
нашего государства, научно-технический прогресс в радиоэлектронном ком-
плексе, доминирование отечественной продукции на внутреннем рынке, соци-
ально-экономическое положение наших работников.
ГЛАВА 4. КОНЦЕПЦИЯ И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ
НАЦИОНАЛЬНОЙ НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СЕТИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
4.1. Состояние и перспективы развития наноиндустрии
в Российской Федерации
Реализация в последние годы ряда федеральных целевых, региональных,
отраслевых, ведомственных программ, включающих работы в области нано-
технологий (федеральная целевая научно-техническая программа «Исследова-
ния и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники на
2002–2006 гг.», федеральная целевая программа «Национальная технологиче-
ская база» на 2002–2006 гг., специализированная программа Президиума РАН,
Федеральная космическая программа России на 2006–2015 гг., аналитическая
ведомственная программа Минобрнауки России «Развитие научного потенциа-
ла высшей школы (2006–2008 гг.)» и др.), позволила:
– выявить совокупность научных, технологических и образовательных органи-
заций, предприятий, вузов, выполняющих на мировом уровне исследования,
разработки и осуществляющих подготовку кадров в области нанотехнологий;
– достоверно оценить их потенциал в указанной области (заделы, существую-
щий уровень, реальные перспективы) и определить организации лидеры;
– выявить проблемы, препятствующие развитию потенциала нанотехнологий в
России и требующие быстрейшего разрешения.
Анализ результатов реализации указанных программ приведенный в рабо-
те [4] позволяет сделать следующие выводы:
1) в стране ведутся исследования и разработки мирового уровня (только две
страны в мире – Россия и США – ведут исследования и разработки по всем
направлениям нанотехнологий, в этих работах в Российской Федерации участ-
вуют более 500 научных организаций и фирм с численностью около 50 тысяч
исследователей;
2) научно-технический уровень отечественных разработок в указанной сфе-
ре, имеющиеся заделы дают основание утверждать, что в настоящее время в
области нанотехнологий стартовые позиции России и других экономически
развитых стран примерно одинаковы;
3) главными проблемами, препятствующими эффективному использованию
и развитию потенциала нанотехнологий в Российской Федерации, являются:
– критическое отставание от мирового уровня базовых компонентов ин-
фраструктуры наноиндустрии: приборно-инструментальной базы; кадровой ба-
зы; технологической базы; информационно-коммуникационной базы; органи-
зационно-правовой и управленческой базы;
– отсутствие должной интеграции работ в этой области нанотехнологий.
В настоящее время образовался разрыв между высоким уровнем выполня-
емых исследований, разработок и созданных научно-технологических заделов в
сфере нанотехнологий, с одной стороны, и критически низким уровнем инфра-
структуры наноиндустрии – с другой.
95
Устаревшая инфраструктурная база приводит к падению эффективности
использования средств, направляемых на НИОКР в сфере нанотехнологий, и,
как следствие, к снижению и без того невысоких темпов трансфера результатов
разработок в продуктовые инновации для обеспечения диверсификации и роста
конкурентоспособности российской экономики.
Существующая инфраструктура не дает возможности создать систему
метрологического обеспечения нанотехнологий, решить проблему стандарти-
зации и подтверждения соответствия продукции наноиндустрии, что радикаль-
но ограничивает рыночный потенциал отечественных производителей в этой
сфере.
Низкий уровень инфраструктуры не позволяет российским научно-
технологическим и образовательным центрам эффективно развивать междуна-
родное сотрудничество в научно-технической и образовательной сферах, на
равных правах с зарубежными коллегами участвовать в выполнении междуна-
родных программ и проектов в области нанотехнологий.
Отсутствие современной инфраструктуры не позволяет осуществлять под-
готовку специалистов в области нанотехнологий на базе широкой интеграции
образовательного процесса и научных исследований, что неизбежно приведет к
новому обострению проблемы оттока молодых ученых и талантливой части
выпускников вузов для работы вне научной сферы и за рубежом.
Устаревшая организационно-правовая и управленческая инфраструктура
препятствует формированию инновационных рыночных механизмов ускорен-
ного введения в хозяйственный оборот новой конкурентоспособной продукции
нанотехнологий. Формирование современной инфраструктуры нанотехнологий
в Российской Федерации является принципиально важным для решения страте-
гической задачи общегосударственного масштаба: создания национальной
наноиндустрии как единого фундамента развития всех отраслей экономики
России.
В соответствии с Президентской инициативой и Программой Координации
формирование современной инфраструктуры нанотехнологий должно осу-
ществляться с Концепцией развития, таким образом, чтобы в результате была
обеспечена координация научно-исследовательских и опытно-конструкторских
работ, исключено неоправданное дублирование и достигнут синергегический
эффект от обмена результатами и их трансфера.
Из этого требования вытекает, что инфраструктурная база наноиндустрии
должна создаваться в сетевом формате, т.е. не для отдельных предприятий и
организаций, а в виде инфраструктуры национальной нанотехнологической се-
ти как совокупности организаций различных организационно-правовых форм,
выполняющих фундаментальные и прикладные исследования, осуществляю-
щих разработки и коммерциализацию технологий, ведущих подготовку кадров
в области нанотехнологий, деятельность которых в этой сфере координируется
федеральными органами исполнительной власти на межотраслевом уровне.
4.2. Цель реализации Концепции развития

Целью реализации Концепции является формирование национальной
96
нанотехнологической сети (ННС) Российской Федерации, обеспечивающей до-
стижение и поддержание паритета с передовыми странами мира в сфере нано-
технологий и наноматериалов за счет межотраслевой координации в нацио-
нальном масштабе, концентрации ресурсов на приоритетных направлениях ис-
следований и разработок, повышения эффективности работ в указанной обла-
сти и создания благоприятных условий для ускоренного введения в хозяй-
ственный оборот новой конкурентоспособной продукции нанотехнологий.
4.3. Состав и основные направления деятельности

национальной нанотехнологической сети (ННС)
В соответствии с Президентской инициативой и Программой Координации
в состав ННС войдут.
– Национальный исследовательский центр нанотехнологий, наносистем и
наноматериалов на базе федерального государственного учреждения «Россий-
ский научный центр «Курчатовский институт», осуществляющий научную ко-
ординацию деятельности по реализации Президентской инициативы.
– Головная научная организация.
– Научные, проектные и промышленные центры и лаборатории, созданные
на базе Российской академии наук и других научных организаций, предприятий
и учреждений различных форм собственности, осуществляющие исследования,
разработки в сфере нанотехнологий и выпуск нанопродукции – головные орга-
низации отраслей.
– Научно-образовательные центры (НОЦ), созданные на базе ведущих вузов
страны, осуществляющие подготовку специалистов в области нанотехнологий.
– Государственная корпорация «Российская корпорация нанотехнологий»,
решающая задачи организационной и финансовой поддержки инновационной
деятельности в сфере нанотехнологий.
– Организации, осуществляющие финансирование проектов развития нано-
технологий, включая венчурные фонды.
Основные направления деятельности:
1. Головной научной организации:
– осуществление научного и методического обеспечения координации ис-
следований и разработок для формирования технологической базы в рамках
Президентской инициативы и Программы Координации;
– осуществление комплексной научной и технологической экспертизы ме-
роприятий Программы Координации в области соответствующих исследований
и разработок, включая экспертизу достигнутых результатов и определение воз-
можности их промышленного освоения;
– осуществление научного и методического обеспечения координации
проектов международного научно-технического сотрудничества;
– оценка перспектив и выработка рекомендаций по использованию резуль-
татов исследований и разработок гражданского, военного и двойного назначе-
ния (по согласованию с соответствующими федеральными органами исполни-
тельной власти);
– обеспечение взаимодействия с головными организациями отраслей по
97
вопросам научных исследований, коммерциализации технологий, организации
серийного производства;
– осуществление научного и методического обеспечения подготовки спе-
циалистов;
– разработка новых технологий, применение которых возможно во многих
отраслях экономики, что приведет к появлению новых ее секторов;
– подготовка и повышение квалификации специалистов в области нано-
технологий и наноматериалов, а также менеджеров в сфере высоких техноло-
гий.
2. Головных организаций отраслей:
– решение важнейших проблем развития отраслей экономики и освоения
секторов мирового рынка наукоемкой продукции;
– координация разработок конкурентоспособных на мировом рынке ком-
мерческих технологий, в том числе с использованием механизмов частно-
государственного партнерства;
– координация проектов международного научно-технического сотрудни-
чества в сфере компетенции федеральных органов исполнительной власти по
направлениям Программы Координации.
3. Координации проектов трансфера нанотехнологий:
– интеграция научной и образовательной деятельности в целях развития
соответствующей отрасли и подготовки специалистов для этой отрасли;
– отраслевой мониторинг мероприятий Программы Координации, включая
сбор информации о производстве и продаже продукции наноиндустрии;
– осуществление в рамках отрасли разработки новых технологий, конку-
рентоспособных на мировом рынке.
4. Научно-образовательных центров:
– формирование в тесной координации с головной научной организацией и
головными организациями отраслей учебно-исследовательской и опытно-
технологической базы, обеспечивающей подготовку и повышение квалифика-
ции специалистов на основе широкой интеграции образовательного процесса,
научных исследований и разработок в области нанотехнологий;
– создание научно-методического и организационно-методического обес-
печения (государственные образовательные стандарты, программы подготовки,
учебные планы, учебная и учебно-методическая литература и т.д.) непрерывно-
го образовательного цикла в области нанотехнологий;
– разработка в тесном взаимодействии с головной научной организацией и
головными организациями отраслей новых образовательных технологий и ин-
струментальных средств (информационные образовательные технологии, элек-
тронные учебники, системы удаленного доступа для дистанционного образова-
ния, специализированное учебное оборудование и т.д.);
– осуществление совместно с головной научной организацией и головны-
ми научными организациями отраслей фундаментальных и прикладных иссле-
дований и разработок в области нанотехнологий с широким привлечением сту-
дентов и аспирантов, государственной корпорации «Российская корпорация
нанотехнологий» (далее – Корпорация);
98
– рассмотрение совместно с головной научной организацией ННС и голов-
ными организациями отраслей инновационных проектов и программ в сфере
наноиндустрии в целях последующего предоставления финансовой поддержки
за счет средств Корпорации;
– осуществление финансирования проектов и программ в сфере нанотех-
нологий, предусматривающих внедрение нанотехнологий или производство
продукции в сфере наноиндустрии;
– осуществление финансирования проектов и программ по подготовке
специалистов в сфере наноиндустрии;
– осуществление мониторинга реализации проектов и программ в сфере
нанотехнологий, финансируемых за счет средств Корпорации;
– осуществление организационной и финансовой поддержки научно-
исследовательских и опытно-конструкторских разработок в сфере нанотехно-
логий, а также финансовой поддержки деятельности ННС;
– финансирование мероприятий по обеспечению координации деятельно-
сти участников национальной нанотехнологической сети по реализации госу-
дарственной политики Российской Федерации в области развития наноинду-
стрии;
– финансирование мероприятий по обеспечению межведомственного вза-
имодействия и координации мероприятий, проводимых в рамках федеральных
целевых и ведомственных программ в области развития наноиндустрии;
– финансирование мероприятий по обеспечению координации выполнения
программ международного научно-технического сотрудничества в области раз-
вития наноиндустрии;
– финансирование мероприятий по обеспечению согласованного взаимо-
действия головной научной организации с федеральными органами исполни-
тельной власти, с головными организациями отраслей, научно-
образовательными центрами, финансовыми институтами, предприниматель-
скими структурами и общественными организациями в сфере научных иссле-
дований, коммерциализации технологий и организации серийного производства
нанопродукции;
– финансирование мероприятий по обеспечению обмена результатами
научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ и деятельности в
сфере коммерциализации технологий наноиндустрии между участниками ННС.
С созданием ННС будет сформирована принципиально новая научно-
исследовательская, опытно-технологическая, научно-образовательная и инно-
вационная база для устойчивого развития исследований и разработок в области
нанотехнологий и ускоренного внедрения их результатов в хозяйственный обо-
рот.
4.4. Задачи, решаемые в рамках Концепции

Для достижения цели Концепции на базе организаций, входящих в состав
ННС, по тематическим направлениям деятельности ННС формируются иссле-
довательско-технологическая, научно-образовательная и кадровая, информаци-
онно-коммуникационная, правовая и организационная основы по всем направ-
99
лениям деятельности элементов сети.
4.4.1 Исследовательско-технологическая основа (ИТО)

ИТО формируется с учетом как тематической (по приоритетным направ-
лениям исследований, разработок и внедрения технологий), так и региональной
специфики за счет закупок имеющегося на рынке Российского и зарубежного
оборудования и за счет разработки и создания нового не имеющего аналогов
научно-исследовательского, опытно-технологического и метрологического
оборудования и включает: научно-исследовательское оборудование и прибор-
но-инструментальные средства; опытно-технологическое и метрологическое
оборудование.
Исследовательско-технологическая основа формируется, прежде всего, на
базе крупных уникальных исследовательских и технологических установок и
комплексов, создается как за счет закупок имеющегося на рынке, так и за счет
разработки и создания нового научно-исследовательского, опытно-
технологического и метрологического оборудования, должна обеспечить про-
ведение исследований и разработок по всему спектру фундаментальных и при-
кладных проблем нанотехнологий, опытно-конструкторских и опытно-
технологических работ в этой сфере, а также создание метрологического обес-
печения в наноиндустрии, стандартизацию и подтверждение соответствия
наноматериалов и нанотехнологий. Система доступа к оборудованию в виде
центров коллективного пользования должна обеспечить оптимальные условия
для достижения синергетического эффекта от межотраслевого обмена резуль-
татами и их трансфера.
4.4.2. Научно-образовательная и кадровая основа

Научно-образовательная и кадровая основа включает:
– создание научно-образовательных центров вузов, обеспечивающих подго-
товку, переподготовку и повышение квалификации специалистов на основе
широкой интеграции образовательного процесса, научных исследований и раз-
работок в области нанотехнологий, развивающих учебно-исследовательскую и
опытно-технологическую базу, в том числе специализированную учебную тех-
нику и оборудование;
– оснащение вузов, участвующих в подготовке научных и научно-
педагогических кадров для учреждений высшего профессионального обра-
зования, научных организаций, предприятий отраслей экономики в области
нанотехнологий, современным специальным научно-технологическим обору-
дованием;
– систему научно-методического и организационно-методического обеспе-
чения (государственные образовательные стандарты, программы подготовки,
учебные планы, учебная и учебно-методическая литература и т.д.) непрерыв-
ного образовательного цикла в области нанотехнологий;
– комплекс новых образовательных технологий и инструментальных
средств (современные библиотечные комплексы, информационные образова-
тельные технологии, электронные учебники, системы удаленного доступа для
100
дистанционного образования, специализированное учебное оборудование и
т.д.);
– социальную инфраструктуру (общежития для студентов и аспирантов,
гостиницы для временного проживания приглашенных и стажирующихся уче-
ных и специалистов, жилье для молодых ученых и специалистов, реализация
инвестиционных проектов по строительству гостевых научных домов для ком-
пактного временного проживания приглашенных молодых перспективных уче-
ных, включая семейных, осуществляющих научно-образовательную деятель-
ность в ведущих научно-образовательных центрах);
– систему академических обменов с зарубежными научными и образова-
тельными учреждениями, включая совместную аспирантуру, обеспечение меж-
дународных обменов и стажировок студентов, научно-педагогических кадров,
ученых и специалистов в области нанотехнологий;
– выполнение работ для целей адаптации ученых, специалистов и препода-
вателей вузов, проводящих научные исследования, опытно-конструкторские
разработки на вновь закупаемом наукоемком оборудовании в области наноин-
дустрии с учетом специфических особенностей их деятельности (проведение
совещаний и семинаров по вопросам совершенствования инфраструктуры
наноиндустрии и освоения новой техники).
При формировании научно-образовательной и кадровой основы учитыва-
ется как тематическая (по приоритетным направлениям подготовки и специ-
альностям), так и региональная специфика.
4.4.3. Информационно-коммуникационная основа

Информационно-коммуникационная основа включает:
– систему структурированных и специализированных баз данных в области
наноиндустрии;
– национальный сегмент глобальной информационно-коммуникационной
системы с распределенной вычислительной сетью (GRID-GLORIAD), включа-
ющий специализированную систему удаленного доступа для проведения экспе-
риментов на уникальных установках, телеконференций и т.д.;
– систему оперативного мониторинга научно-технических программ и про-
ектов, научно-технического, производственного и рыночного потенциала зару-
бежных стран в сфере наноиндустрии;
– систему оперативного мониторинга научно-технического, производствен-
ного и рыночного потенциала Российской Федерации в сфере наноиндустрии;
– национальную информационную систему мониторинга результатов
НИОКР и мероприятий федеральных целевых и ведомственных программ, а
также отдельных региональных программ в части, относящейся к сфере нано-
индустрии;
– информационную систему популяризации и глобального диалога по до-
стижениям, относящимся к сфере наноиндустрии, для широких кругов обще-
ственности с расширением каналов передачи информации (СМИ, телевидение,
выставочные научно-технические мероприятия, конференции, семинары, науч-
ные издания, публикации, научно-популярная видеопродукция и др.);
101
– национальную информационно-аналитическую систему, поддерживаю-
щую процессы: прогнозирования в сфере нанотехнологий (среднесрочный и
долгосрочный научно-технологический прогноз), подготовки и принятия
управленческих решений в сфере нанотехнологий; определения и согласования
приоритетов и областей ответственности различных ведомств; согласования
направлений международного научно-технического сотрудничества; согласо-
вания тематики НИОКР, формирования единого реестра заказов и результатов
их выполнения; формирования единого перечня квалифицированных исполни-
телей и областей их компетенции; обмена достигнутыми результатами; созда-
ния базы данных о возможных потребителях результатов НИОКР; трансфера
результатов между программами различных уровней и различной ведомствен-
ной принадлежности и т.д.
Информационно-коммуникационная основа должна обеспечивать:
– научную и методическую координацию исследований и разработок в рам-
ках ННС;
– научную и методическую координацию проектов международного
научно-технического сотрудничества;
– взаимодействие головной научной организации с головными организаци-
ями отраслей, научно-образовательными центрами, предприятиями наноинду-
стрии, осуществляющими исследования и разработки в сфере нанотехнологий и
выпуск наноматериалов, федеральными органами исполнительной власти,
предпринимательскими структурами и финансовыми институтами, обществен-
ными организациями и средствами массовой информации по вопросам научных
исследований, коммерциализации технологий, организации серийного произ-
водства, подготовки и повышения квалификации кадров, информирования об-
щества о возможностях, перспективах и рисках, связанных с применением
нанотехнологий.
Информационно-коммуникационная основа должна строиться с учетом
максимального использования ресурсов Государственной системы научно-
технической информации.
4.4.4. Организационная основа

Организационная основа включает:
– систему ускоренного введения результатов НИОКР в хозяйственный обо-
рот (центры трансфера технологий, технопарки, инкубаторы бизнеса, специали-
зированные фонды и т.д.);
– систему институтов частно-государственного партнерства, в том числе:
систему анализа и стимулирования спроса на продукцию наноиндустрии, спе-
циализированные государственные программы поддержки малого и среднего
бизнеса в сфере нанотехнологий, механизмы финансирования на основе разде-
ленных рисков, гарантийные фонды;
– систему поддержки экспорта продукции наноиндустрии;
– систему отработки и тиражирования новых экономических и управленче-
ских механизмов для использования в наноиндустрии.
При формировании организационной основы учитывается как тематиче-
102
ская (по приоритетным направлениям коммерциализации технологий), так и
региональная специфика.
Организационная основа должна обеспечивать формирование и эффектив-
ное функционирование системы коммерциализации результатов разработок в
сфере нанотехнологий.
4.4.5. Правовая основа

Правовая основа включает:
– систему управления интеллектуальной собственностью (правовая база па-
тентно-лицензионной деятельности, в том числе оформление исключительных
прав на объекты интеллектуальной собственности и т.д.);
– национальную метрологическую систему, систему стандартов и подтвер-
ждения соответствия в области нанотехнологий и наноматериалов, гармонизи-
рованную с международными стандартами;
– национальную систему обеспечения единства измерений в области нано-
технологий и наноматериалов;
– систему организационно-правового обеспечения безопасности и страхо-
вания рисков в области нанотехнологий.
Правовая основа должна обеспечивать правовую базу развития инноваци-
онных процессов в сфере формирования российской наноиндустрии, проведе-
ния патентных исследований по определению патентной чистоты закупаемого
и поставляемого оборудования, продукции наноиндустрии (наноматериалов,
сырья), комплектующих изделий, правовую базу всех направлений междуна-
родного сотрудничества и кооперации в области наноиндустрии.
4.5. Программно-целевое развитие наноиндустрии в России

Наноиндустрия является одним из перспективных и востребованных
направлений развития науки и промышленности наиболее развитых в экономи-
ческом отношении стран: США, Евросоюза, Японии и Китая. В настоящее вре-
мя происходит формирование мирового рынка в сфере наноиндустрии. Через
2–3 года прогнозируется активный раздел этого рынка. К 2008 г. его объем со-
ставит, по оценкам экспертов, около 700 млрд. долл.
Завершение процесса разделения мирового рынка в сфере наноиндустрии
ожидается к 2015 г. При этом его объем возрастет до 1–2 трлн. долларов.
В настоящее время Россия располагает достаточным научным и кадровым
потенциалом для целенаправленного развития работ в области наноиндустрии.
Около 70 российских компаний производят и реализуют на рынке продукцию
наноиндустрии в объеме 3,5 млрд рублей в год.
Наноиндустрия – интегрированный комплекс производственных, научных,
образовательных и финансовых организаций различных форм собственности,
осуществляющих целенаправленную деятельность по созданию интеллектуаль-
ной конкурентоспособной продукции с ранее недостижимыми технико-
экономическими показателями, основанный на высоких техническом, техноло-
гическом и научно-образовательном потенциалах государства, прогрессивных
прорывных и междисциплинарных исследованиях, научно- и экономически
103
обоснованном практическом использовании новых свойств и функциональных
возможностей материалов и систем различной природы (физической, химиче-
ской, биологической) при переходе к наномасштабам. Общепринятым является
диапазон от 1 до 100 нм, однако применительно к наноиндустрии приставка на-
но- является фактически отражением объектов исследований, прогнозируемых
свойств продукции и способов их описания, а не просто характеристическим
размером базового элемента, идентифицирующего изучаемый или создаваемый
объект по геометрическому параметру.
Развитие наноиндустрии проводятся в соответствии с действующими фе-
деральными целевыми программами, непрограммной частью Федеральной ад-
ресной инвестиционной программы, специальными программами Министер-
ства обороны Российской Федерации, РАН и других академий имеющих госу-
дарственный статус.
Разрабатываемая Программа развития наноиндустрии в Российской Феде-
рации до 2015 г. (далее – Программа развития) направлена на обеспечение кон-
центрации финансовых и организационных ресурсов на решении системных
проблем развития наноиндустрии, создании конкурентных преимуществ Рос-
сии иа мировом рынке высоких технологий и формировании научно-
технического потенциала России, адекватного современным вызовам мирового
технологического развития, и предусматривает координацию соответствующих
мер.
В таблице 4.1 приведены целевые индикаторы выполнения задач Про-
граммы развития к 2010 г.
Таблица 4.1. Целевые индикаторы выполнения задач Программы
развития к 2010 г.
Число центров коллективного пользования научным оборудо-
ванием (ЦКП), обеспечивающих возможность проведения ис-
следований и разработок в области нанотехнологий на миро-
вом уровне (ед) 20
Индекс соответствия научного оборудования ЦКП требовани-
ям международных стандартов (%) 70
Число организаций национальной нанотехнологической сети,
обеспечивающих возможность проведения исследований и
разработок в области нанотехнологий на мировом уровне (ед) 500
Суммарная численность персонала, проводящего исследования
в области наноиндустрии в государственном секторе (тыс.чел):
Исследователей всего 45–50
в том числе до 35 лет 10–12
докторов наук всего 2–3
в том числе до 39 лет 0,2–0,3
кандидатов наук всего 8-10
в том числе до 35 лет 2-2,5
104
Доля высших учебных заведений, оснащенных лабораторным и
приборным оборудованием, а также учебно-методическим
обеспечением, соответствующим современным требованиям
подготовки и переподготовки специалистов в области нанотех- 10–12
нологий (%)
Доля дипломированных выпускников по специальностям,
определяющим прогресс в области наноиндустрии, в общем
объеме выпускников по профильным специальностям (%) 10–50
Количество защищенных докторских диссертаций по специ-
альностям, ориентированным на развитие «наноиндустрии» 100–130
(ед.)
Количество защищенных кандидатских диссертаций по специ- 1000–1200
альностям, ориентированным на развитие «наноиндустрии»
(ед.)
Объем внутренних затрат на выполнение исследований и
разработок по перспективным направлениям развития наноин- 90
дустрии из средств: федерального бюджета (млрд руб.)
Затраты на выполнение исследований и разработок по пер-
спективным направлениям науки, определяющим прогресс 10–12
нанотехнологий, за счет внебюджетных средств (млрд руб.)
Объем негосударственных инвестиций в создание и разви- 5,1–5,5
тие предприятий российской наноиндустрии (млрд руб.)
4.6. Корпорация «РОСНАНОТЕХ»

Российская корпорация нанотехнологий, или «Роснанотех», – это госкор-
порация, которая призвана руководить государственными инициативами в
ставшей очень популярной на рубеже 2006–2007 гг. сфере нанотехнологий.
«Роснанотех» действует в форме некоммерческой организации, но при
этом выведен из-под обычного порядка контроля НКО (контроль над ней осу-
ществляет правительство). Также на нее не распространяется действие закона о
банкротстве. Имущество «Роснанотеха» формируется за счет взноса государ-
ства и других «добровольных имущественных взносов и пожертвований». Ор-
ганами управления являются наблюдательный совет (по пять членов от прези-
дента и правительства, по двое – от обеих палат парламента), правление (девять
членов, назначаемых наблюдательным советом) и гендиректор (назначается на
пять лет президентом). Состав «Роснанотех» приведен в таблице 4.2.
105
Таблица 4.2. Состав корпорации «Роснанотех»
Наблюдательный совет
Председатель
Фурсенко Андрей Министр образования и науки Российской Фе-
Александрович дерации
Члены совета
Дмитриев Владимир Председатель корпорации «Банк развития и
Александрович внешнеэкономической деятельности Внешэко-
номбанк)»
Ковальчук Михаил Директор ФГУ «Российский научный центр
Валентинович «Курчатовский институт»
Кокошин Андрей Председатель Комитета Государственной думы
Афанасьевич четвертого созыва по делам СНГ и связям с со-
отечественниками
Мезенцев Дмитрий Зам. председателя Совета Федерации Федераль-
Федорович ного собрания РФ
Меламед Леонид Генеральный директор ГК «Российская корпо-
Борисович рациянанотехнологий»
Набиуллина Эльвира Министр экономического развития и торговли
Сахипзадовна РФ
Назаров Владимир Зам. секретаря Совета Безопасности РФ
Павлович
Погосян Михаил Генеральный директор ОАО
Асланович Авиационная холдинговая
Компания «Сухой»
Попик Василий Зам. начальника Экспертного управления Пре-
Михайлович зидента РФ
Прохоров Михаил Президент ООО «Группа ОНЭКСИМ»
Дмитриевич
Федоров Евгений Председатель Комитета Государственной думы
Алексеевич четвертого созыва по экономической политике,
предпринимательству и туризму
Христенко Виктор Министр промышленности и
Борисович энергетики РФ
Чеченов Хусейн Председатель Комитета Совета
Джабраилович Федерации по образованию и науке
Чубайс Анатолий Председатель правления Российского ОАО
Борисович энергетики и электрификации «ЕЭС России»
Правление
Меламед Леонид Генеральный директор ГК «Роснанотех»
Борисович
Малышев Андрей Зам. генерального директора
Борисович
106
Лосюков Александр Зам. генерального директора
Прохорович
Ревизионая комиссия
Зубаков Владимир Главный советник Комитета Государственной
Алексеевич думы по экономической политике и предпри-
нимательству – председатель комиссии
Аникеев Владимир Зам. директора – руководитель аппарата дирек-
Николаевич тора РНЦ «Курчатовский институт»
Миклушевский Владимир Директор Департамента прогнозирования и ор-
Владимирович ганизации бюджетного процесса Минобрнауки
России
Негашева Юлия Начальник Департамента корпоративных фи-
Николаевна нансов и бюджета РАО «ЕЭС России»
Улупов Вячеслав Директор службы внутреннего контроля
Евгеньевич "Внешэкономбанк"
Научно-технический совет (НТС)
Алфимов Михаил Директор Центра фотохимии РАН – председа-
Владимирович тель совета
Авдеев Виктор Васильевич Зав. лабораторией химии углеродных материа-
лов МГУ им. М.В. Ломоносова, директор НПО
Унихимтек
Асеев Александр Директор института физики полупроводников
Леонидович СО РАН
Беляев Иван Иванович Референт Аппарата Совета Безопасности РФ
Бетелин Владимир
Борисович Директор НИИ системных исследований РАН
Гинцбург Александр Директор НИИ эпидемиологии и

Леонидович микробиологии им. Н.Ф. Гамалеи РАМН, Вице-
президент РАМН
Каблов Евгений Генеральный директор ВНИИ авиационных ма-
Николаевич териалов (ФГУП ВИАМ)
Коптев Юрий Николаевич Директор Департамента оборонно-
промышленного комплекса Минпромэнерго
России
Ливанов Дмитрий Ректор Московского института стали и сплавов
Викторович
Локшин Моисей Зам. генерального конструктора КБ «Сухой» по
Абрамович науке
Нарайкин Олег Степанович Зам. директора РНЦ «Курчатовский институт»
107
Пивнюк Владимир Вице-президент ОАО ГМК «Норильский никель»
Алексеевич
Путилов Александр Директор ГНЦ ФГУП ВНИИ неорганических
Валентинович материалов им. акад. А.А. Бочвара
Северинов Константин Зав. лабораторией Института молекулярной гене-

Викторович тики РАН
Скрябин Константин Член Совета при Президенте РФ по науке, техно-
Георгиевич логиям и образованию, председатель Научного со-
вета по биотехнологии РАН
Стриханов Михаил Ректор Московского инженерно-физического ин-
Николаевич ститута
Фортов Владимир Директор Института теплофизики экстремальных
Евгеньевич состояний ОИВТ РАН
Шевченко Владимир Директор Института химии силикатов им. И.В.
Ярославович Гребенщикова РАН
Шишкин Юрий Помощник Президента РАМН
Владимирович
ГЛАВА 5. ВОЕННО-ПОЛИТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ СОЗДАНИЯ
НАНОПРОДУКЦИИ И СИСТЕМ СПЕЦИАЛЬНОГО
НАЗНАЧЕНИЯ
Применение высоких технологий в современной военной технике является
залогом успешного ведения боевых действий. Благодаря этому повышается ав-
тономность используемой боевой техникия. А также ее эффективность. Уже
существуют автономные разведывательные роботы-самолеты и роботы, помо-
гающие вести наземные боевые действия. Использование нанотехнологий в бо-
евой технике и системах вооружения позволит создать радикально новые воен-
ные устройства. Некоторые из достижений в области нанотехнологий уже ис-
пользуются в военном обмундировании и вооружении. И конечно, существуют
проекты «ороужия будущего», на разработку которого военные агенства выде-
ляют немалые инвестиции.
Глава правительства РФ В. Путин заявляет следующее: «Нанотехнология,
безусловно будет ключевой отраслью для создания сверхсовременного и сверх-
эффективного как наступательного, так и оборонительного вооружения, а так-
же средств связи. Это направление деятельности, на которое государство не бу-
дет жалеть средств», а руководитель наноценотра МЭИ А. Алексенко отмечает
: «Надо заниматься нанотехнологией двойного назначения – для охраны госу-
дарственных границ, а также для защиты от техногенных катастроф. Против
нановооружения нет другой защиты, кроме нанозащиты…».
На сегодняшний день военные нанотехнологии заняты поиском новых ма-
териалов, улучшением систем управления военной техникой и разработкой си-
стем защиты от бактериологического и химического оружия.
Процесс эволюции ускоряется, а возникающее многообразие не всегда
подвержено естественному отбору временем, причем, это относится не только к
материальной, но и к интеллектуальной продукции. В этом сила и опасность
любого нового направления, особенно междисциплинарного. Поскольку в этом
пока еще «карлике» просматриваются очертания «гиганта», целесообразно на
начальном этапе развития индустрии с приставкой «нано» оценить возможное
положительное или отрицательное влияние наноиндустрии на безопасность как
«состояние защищенности жизненно важных интересов личности, общества и
государства от внутренних и внешних угроз». Вопросы безопасности и разра-
боток систем специального назначения рассматриваются в работах [1–3].
По мнению военных экспертов, нанотехнологии имеют блестящее военное
будущее и могут изменить характер современных боевых действий в большей
степени, чем в свое время изменило изобретение пороха. Это коснется, прежде
вего, перспективных образцов вооружения и военной техники, средств связи,
экипировки военнослужащих, средств радиационной, биологической и химиче-
ской (РХБ) разыведки, а также военной медицины [1].
В середине XX века один из создателей американской термоядерной бом-
бы Э. Теллер сформулировал тезис: «Тот, кто раньше овладеет нанотехнологи-
109
ей, займет ведущее место в техносфере следующего столетия». Его соотече-
ственник, лауреат Нобелевской премии 1965 года Р. Фейнман, высказался по
проблеме фактически в том же ключе: « Контроль и упрпавление строением
вещества в очень малых размерах являют малоизученную область физитки, ко-
торая представляется весьма важной и перспективной и может найти множе-
ство ценных технических прменений …»
Стремительность процессов и обшироность направлений в этой сфере та-
ковы, что могут изменить облик мира уже в ближайшие десятилетия. Это озна-
чает, что времени для бесплоднеых сомнений нет. Актуальность прикладных
аспектов нанотехнологий Э. Дрекслер предрекал еще 20 лет назад: «Мощь
нанотехнологий можно обратить и на создание военной силы. Перспектива со-
здания новых вооружений и их быстрого производства является причиной для
серьезного беспокойства»
В данной главе проводится обзор основных направлений работ по созда-
нию систем специального назначения с использование ресурсов нанотехноло-
гий.
5.2. Наноугрозы и риски

Совокупность угроз и рисков для государственной и военной безопасности
порождаемых развитием, применением и распространением нанотехнологий
приведена в таблице 5.1.
Таблица 5.1. Угрозы и риски для государственной и военной

безопасности вызванные развитием нанотехнологий
1. Избирательное информационное или электромагнитное
воздействия на структуры государственного и военного
управления.
2. Локальный скрытый медико-биологический контроль за
Государственная
группами людей.
безопасность
3. Изменение стратегии сбора информации и контроля эфи-
ра за счет использования коммерческих бытовых информа-
ционных сетей на основе элементов базы нового поколе-
ния.
1. Совершенствование термоядерного оружия малой мощ-
ности и сверхточного миниатюрного на основе наномате-
риалов с импульсным энерговыделением.
Военная
2. Развитие селективного триггерного или генетического
безопасность
избирательного оружия.
3. Развитие радиоэлектронных систем супервысоких частот
(гигагерцы – терагерцы).
В связи с развитием нанотехнологий следует особо выделить направления
возникновения военно-технических угроз:
– новые типы обычного оружия повышенной точности и поражающей силы;
– боевые автономные миниатюрные системы наземного, воздушного и кос-
110
мического базирования, в том числе распределенные (типа «рой»);
– сверхскоростные информационные распределенные системы;
– ультрасверхвысокочастотные радиоэлектронные средства обнаружения и
связи;
– распределенные сенсорные сети (типа «Умная пыль») специального
назначения;
– имплантируемые микро- и наносистемы, предназначенные для управле-
ния, изменения потенциальных возможностей и «манипулирования» человече-
ским организмом;
– биологическое и химическое оружие триггерного и генетически избира-
тельного действия.
5.3. Роль наноиндустрии в обеспечении национальной

безопасности
В процессе становления наноиндустрии можно определить ряд особенно-
стей «нанотехнологического бизнеса» как инновационного интеллектуальноем-
кого и экономически эффективного направления, затрагивающего, в том числе,
и геополитические особенности развития государств:
– нанотехнологии основаны на фундаментальных знаниях и имеют в каче-
стве принципиального ограничения кадровый потенциал;
– нанотехнологии построены на новых знаниях и, как правило, требуют за-
щиты интеллектуальной собственности;
– развитие нанотехнологических исследований требует значительных эко-
номических вложений;
– выход на рынок нанотехнологий требует чрезвычайно значительных «им-
пульсных» экономических вложений;
– нанотехнологический капитал – рискованный, отдача медленная.
Основной геополитической особенностью нанобизнеса является селекция
государств по их возможностям, исходя из следующих критериев:
– образовательный капитал (уровень);
– финансовый капитал (экономический потенциал);
– природный капитал (ресурсы).
Особого внимания заслуживают проблемы обеспечения медицинской,
биологической, экологической, продовольственной безопасности, т.е. безопас-
ности жизнедеятельности человека как носителя генетического, исторического,
культурного и технологического наследий. Фактически первым научно-
обоснованным нормативным документом, определяющим химическую и био-
логическую безопасность продукции, полученной с использованием нанотех-
нологий или содержащей наноматериалы, является «Концепция токсикологиче-
ских исследований, методологии оценки риска, методов идентификации и ко-
личественного определения наноматериалов», утвержденная Постановлением
111
главного государственного санитарного врача Российской Федерации от 31 ок-
тября 2007 года №79.
Следует выделить ряд особенностей, отличающих требования к нанопро-
дукции от требований к традиционным веществам, материалам и процессам.
Это «доза – эффект» и «химический состав – эффект». Кроме того, следует осо-
бо учитывать отсутствие у организма эволюционно сформированной системы
распознавания и иммунного ответа на наночастицы, а также устойчивость на-
ночастиц к биотрансформациям. Это может приводить к их аккумуляции в про-
дуктах растительного, животного происхождений и передаче по пищевой цепи
с накоплением в организме человека. Следует также обратить внимание на ин-
формацию о том, что токсичность наноматериалов проявляется, в первую оче-
редь, в виде окислительного стресса в клетках мозга, повреждения клеточных
мембран и ДНК. Последнее подтверждает особую роль, которую могут играть в
будущем для генетического анализа наноаналитические чипы как экономиче-
ски эффективные системы для массового скрининга населения.
Проведенный анализ позволяет выделить совокупность факторов, опреде-
ляющих риски человека, животных, растений и окружающей среды в связи с
развитием наноиндустрии.
К ним относятся:
– продукция наноиндустрии в виде наноматериалов различной структуры и
состава;
– обычная продукция, полученная с использованием наноматериалов в каче-
стве основных и вспомогательных компонентов технологического процесса;
– промышленные отходы и выбросы при производстве продукции наноин-
дустрии и обычной продукции;
– наноматериалы и наносистемы, используемые в качестве инструменталь-
ных, диагностических и лекарственных средств при оказании медицинских
услуг и проведении исследований;
– одежда, обувь, упаковка, продукты, созданные с применением наномате-
риалов и процессов нанотехнологии;
– пищевая цепочка: вода, растения, животные – человек;
– ингаляционный путь: воздушная среда, растения, животные – человек.
5.4. Реализованные проекты специального назначения

с использованием нанотехнологий
Как отмечалось выше, на сегодняшний день нанотехнологии нашли при-
менение в следующих отраслях военной промышленности:
– навигация и управление;
– защита от биологического и химического оружия;
– новые материалы.
Навигация и управление. Создана система навигации, которая позволяет
управлять военной техникой на расстоянии. При этом блок навигации можно
112
подключить к самолету, кораблю, боевой машине или танку, кроме того, такая
система обеспечивает связь с GPS, выдает точные координаты, скорость объек-
тов и др.
Ее уже используют в управлении беспилотными самолетами, в новых машинах,
управляемых дистанционно, а также в опытных образцах морских разведыва-
тельных судов. Ученые из Исследовательского отделения Министерства оборо-
ны США разработали алгоритмы управления группой боевых единиц, исполь-
зуя при этом природный аналог – улей пчел. По их утверждению, коллективные
насекомые умеют вести войну со своими врагами несколькими способами, и
при этом каждая единица улья знает, что ей надо делать. Идут работы по моде-
лированию управляемого «улея» из наномашин, который будет способен вы-
полнять ряд операций. Ученым удалось создать алгоритм выполнения некото-
рых военных операций «ульем» однотипных механизмов, но для его проверки
нужны дополнительные исследования.
Быстродействующие наноэлектронные защиты будут использоваться в военной
экипировке будущего поколения для того, чтобы детектировать удар пули о
бронежилет настолько быстро, чтобы успела включиться защита костюма.
Наноэлектронные системы будут использоваться в снарядах, ракетах и торпе-
дах нового поколения.
Защита от биологического и химического оружия. Нанокомпании уже
несколько лет подряд совершенствуют системы защиты от химического и био-
логического оружия. Еще в 2002 г. правительство США выделило на исследо-
вания средств биологической и химической защиты полмиллиарда долларов. В
итоге за срок финансирования с 2002 г. по 2004 г. рядом компаний были разра-
ботаны эффективные защитные средства. Средства защиты простираются от
защитных перчаток, которые не пропускают токсичные вещества, до специаль-
ных кремов, которые уменьшают токсичность патогенов, попавших на кожу
солдата. Опишем некоторые из них.
Создан коммерческий продукт на основе нанотехнологий, который нейтрализу-
ет токсичные химикаты. Продукт состоит из активных наночастиц, которые
связывают и деактивируют около 24 известных токсичных химических соеди-
нений (а также некоторые кислоты), использующихся в химических атаках. В
отличие от кремов, он может быть эффективен и в распыленном состоянии (а
защитные кремы должны быть влажными), и в растворе. Для защиты от бакте-
рии, наиболее распространенной в качестве военного бактериологического
агента предложено использовать фуллерены, соединенные с антителами. Ре-
зультаты клинических испытаний препарата показали, что он убивает саму бак-
терию и ее споры до того, как концентрация патогенов в организме приведет к
его смерти. Создан чип определения биологической опасности размерами с
почтовую марку. Устройство может определить присутствие нескольких видов
различного бактериологического оружия. На его базе выпущен детектор, кото-
рый можно использовать в полевых условиях.
С помощью нанотехнологий была создана кремниевая микрокамера, в которой
происходит процесс нагрева-охлаждения ДНК. Как говорят разработчики при-
113
бора, он может опознать патоген при концентрации 10 бактерий в 1 пробе
(1 проба представляет собой капсулу диаметром 5 мм и 2 см длиной).
Ученые утверждают, что благодаря их усилиям международный терроризм не
сможет эффективно использовать биологическое и химическое оружие.
Новые материалы. Применение наноматериалов в военном оборудовании
открывает новые возможности для улучшения его прочности. Усилия совре-
менных нанотехнологов сосредоточены на керамических материалах. Наноке-
рамики применяются в 150 областях: это и валы пропеллеров, и телескопиче-
ские перископы, и т.д. Нанокерамика используется везде, где необходимо водо-
непроницаемость и защита от коррозии. Также новый материал гораздо жестче
обычной керамики и не столь ломок.
Используя наноструктуры из карбида кремния, ученым удалось втрое повысить
жесткость материалов на основе обычного SiC. На сегодняшний день выпуще-
но покрытие для прозрачных полимерных поверхностей, которое в несколько
раз увеличивает прочность пластика. Покрытие состоит из наночастиц в рас-
творе. При нанесении их на пластиковую поверхность они образуют сверхтвер-
дую пленку, которая не только защищает от биологических и химических аген-
тов, но и от попадания пули.
Военные машины предполагают оснастить специальной «электромеханической
краской», которая позволит менять им цвет наподобие хамелеона, а также
предотвратит коррозию и сможет «затягивать» мелкие повреждения на корпусе
машины. «Краска» будет состоять из большого количества наномеханизмов,
которые позволят выполнять все вышеперечисленные функции. С помощью си-
стемы оптических матриц, которые будут отдельными наномашинами в «крас-
ке» можно добиться эффекта невидимости машины или самолета. Миниатюр-
ные камеры будут считывать изображение с одной стороны устройства, переда-
вая его на фотоэлементы на другой стороне, формируя, таким образом, изобра-
жение заднего фона спереди машины.
5.5. Перспективные проекты специального назначения

с использованием нанотехнологий
На сегодняшний день учеными ведется активная работа по следующим
проектам:
– в стадии реализации программа «Solar Blade Heliogyro Nanosetllite». Пред-
полагается создать солнечный парус для наноспутника массой 5 кг с мощно-
стью солнечных батарей 28 Вт;
– ведется разработка национальной противоракетной обороны (НПРО) с ор-
битальной группировкой 15–20 тыс. спутников массой 8–10 кг, называемых
наноперехватчиками;
– ведутся работы по созданию наноаппаратуры для диагностики техническо-
го состояния образцов вооружения и военной техники;
– к 2010 г. планируется внедрение портативных наноустройств, способных
идентифицировать все виды химического и биологического оружия;
– фирма Integrated Nano-Tecnologies разрабатывает наноустройства (датчи-
ки) для обнаружения биологического оружия, которые планируется выпус-
114
кать серийно для обеспечения военной отрасли;
– Компания Friction Free Technologies использует нанотехнологии для эки-
пировки военнослужащих, реализующей концепцию неуязвимости «солдата
будущего».
Наиболее грандиозным и впечатляющим является проект по созданию
«Умной пыли» (Smart Dust), который предполагает создание самоорганизую-
щихся сетей из наделенных приемо-передатчиками, определенным интеллек-
том и автономным питанием «пылинок» (motes) размером менее 1 мм. куб. Ре-
зультаты будут использоваться в боевых действиях, при таможенном контроле,
в экологии, в наномедицине.
Направление работ оценивается как «критическое», т.е. очень важное для
обеспечения национальной безопасности.
Исследования в области нанопреобразователей энергии установили, что с
помощью нанопреобразователей можно получать любые виды энергии с боль-
шим КПД и создать эффективные устройства для выработки электроэнергии из
солнечного излучения с коэффициентом полезного действия около 90%.
Ведутся разработки нанобомб. Нанобомба получается путем смешивания
различных наноматериалов: топлива и окислителя. Скорость взрывной волны
достигает 3 скорости звука. Автономное питание наносистем можно обеспечить
с помощью использования
нанотоплива: результат химической реакции порошка наноштырей оксида ме-
ди, окислитель – наночастицы алюминия.
Если нанобомбу взорвать и воздействовать на пьезоэлектрику, то получит-
ся источник импульсного тока для питания мобильных телефонов, МПЗ плее-
ров, карманных компьютеров, таким образом, в нанотехнологии появляется но-
вое направление – нанопиротехника.
5.5.1. Проект «Умная пыль»

Концепцию «Умной пыли» – распределенных сетей сверхмалых устройств,
поддерживающих беспроводной обмен данными разработала компания Dust
Networks.
Более десяти лет назад была разработана концепция «Умной пыли» (smart
dust), которая подразумевает развертывание сети из тысяч беспроводных «дат-
чиков-пылинок». Сегодня площадь «пылинки» составляет около 12 кв. мм, а в
будущем она должна сократиться на порядок. Каждая «пылинка» может рабо-
тать в автономном режиме от микробатарейки в течение примерно 10 лет. Идея
состоит в том, чтобы усеять микродатчиками здания, квартиры, предприятия
или разбросать их на поле либо в лесу, а затем собирать с них информацию с
помощью общей системы мониторинга.
Первый тестовый комплект «Умной пыли» под названием SmartMesh со-
стоит из 12 миниатюрных устройств, называемых «пылинками». Цена всего
комплекта, включающего сами устройства и ПО, составляет $4950 тыс.
Устройства связаны беспроводными линиями передачи и могут передавать
данные с сенсоров, контролирующих температуру, скорость ветра, влажность
либо иные параметры. Фактически они представляют собой беспроводные ро-
115
утеры с батарейным питанием. С их помощью можно создавать, например, си-
стемы управления производственными процессами либо охранные системы.
Скорость обмена данными у «пылинок» относительно низка, что позволяет
обеспечить низкое энергопотребление и питание от автономных источников.
Это, в свою очередь, позволяет существенно снизить стоимость эксплуатации
систем на их основе, поскольку отпадает необходимость в проводке сетей элек-
тропитания, а также обеспечивает беспрецедентную гибкость системы.
SmartMesh представляет собой «слой», позволяющий организовать обмен
данными между двумя другими «слоями» — датчиками, с одной стороны, и
информационной системой, в рамках которой они функционируют, с другой.
Каждая «пылинка» представляет собой узел беспроводной сети обмена данны-
ми с ультранизким энергопотреблением. Передача данных осуществляется от
узла к узлу, аналогично тому, как происходит передача пакетов в сети интернет
– за исключением того, что в системе «Умной пыли» применяется вместо
TCP/IP, ставшего фактическим промышленным стандартом, иной протокол пе-
редачи данных. В настоящее время компания сотрудничает с главным стан-
дартообразующим органом Интернета - IETF - и вместе с ним разрабатывает IP-
стандарт для беспроводных сенсорных сетей. В этом их активно поддерживает
компания Cisco. Кроме того, Cisco сотрудничает с Dust Networks и другими
компаниями в деле разработки полномасштабных беспроводных сетевых си-
стем для промышленного производства. Сегодня беспроводные датчики Dust
Networks легко связываются с интернет-сетями через специальные шлюзы.
Данные, собираемые «пылинками», преобразуются с помощью привычного ин-
тернет-протокола XML. Еще одно отличие — в том, что разработана техноло-
гия, позволяющая держать устройства в выключенном состоянии большую
часть времени. Новая технология позволила добиться ошеломляющего резуль-
тата – отдельная «пылинка» на батарейках АА без их замены может прорабо-
тать три года. Программное обеспечение Business 2.0, поставляемое в комплек-
те с «пылинками», позволяет им самим организовать сеть и обеспечить столь
низкое энергопотребление.
Разработчики этой технологии (компания Dust Networks) столкнулись с
проблемой распространения маломощных радиоволн, которым трудно преодо-
леть физические преграды вроде бетонных стен и металлических труб. К тому
же слабые сигналы микродатчиков легко заглушались электромагнитными по-
мехами, и в результате эффективность «умной пыли» резко падала. По словам
Криса Пистера, на решение этих проблем он потратил целых пять лет. За это
время он постарался сделать беспроводные сенсорные сети простыми в исполь-
зовании и обеспечить их надежную работу в любой среде. Он утверждает, что
после многочисленных экспериментов и полевых испытаний «Умная пыль»
стала такой же надежной, как обычные проводные сети, причем стоимость ее
развертывания и технической поддержки намного ниже, чем у традиционных
сетевых инфраструктур. Решить проблему надежности удалось с помощью ко-
ротких цифровых сообщений, передаваемых в разное время на разных частотах
по разным направлениям. Если на каком-то участке сигнал блокировался, то на
других его передача осуществлялась без помех.
116
Хотя беспроводные сенсорные системы переживают ранний этап своего
развития, «Умная пыль» уже с успехом используется многими компаниями.
«Умная пыль» готова революционизировать системы мониторинга и контроля.
Развертывание широкой, повсеместно доступной сети датчиков оказалось,
однако, нелегкой задачей. Сегодня на рынке можно найти мини-сенсоры самых
разных типов, но как подключить их в единую сеть? Подключение сотен тысяч
датчиков, установленных в стенах, на потолках, в окнах, на столах, в пропус-
ках, то есть повсюду на территории офиса, цеха и на открытой местности, через
стандартные проводные сети и сети Wi-Fi оказалось слишком сложным и доро-
гостоящим.
В качестве альтернативы на протяжении ряда лет ученые разрабатывали
новые типы маломощных, узкополосных беспроводных mesh-сетей, но созда-
ние этих технологий уперлось в проблему надежности. Тем не менее, совре-
менные технологии готовы революционизировать методы мониторинга, позво-
ляющие «Умному зданию» собирать информацию о том, что происходит в его
стенах. Одним из ведущих исследователей в данной области считается Крис
Пистер (Kris Pister), профессор электромеханики из калифорнийского универ-
ситета Беркли и главный технический директор компании Dust Networks, кото-
рую он основал в 2002 году.
Воплощение идеи «Умной пыли» в жизнь потребовало немалых инвести-
ций. Dust Networks на ее разработку получила в общей сложности более $7 млн.
от таких компаний, как Foundation Capital, Institutional Venture Partners. Одной
из них стала In-Q-Tel – венчурная компания, финансируемая ЦРУ. Данных о
том, во сколько обойдутся заказчикам большие промышленные сети «Умной
пыли», Dust Networks пока что не приводит.
В будущем тысячи этих дешевых беспроводных сенсоров, размещенных в
самых различных местах, будут самостоятельно объединяться в сети и работать от
встроенных источников питания в течение нескольких лет. Пока же сенсорные се-
ти могут состоять всего из нескольких сотен «пылинок», поскольку эти устройства
остаются слишком дорогими, а длительность их работы исчисляется всего не-
сколькими днями. Главным препятствием к массовому распространению сенсор-
ных сетей является дороговизна источников питания, которые сегодня обходятся
примерно в $150.
На форуме разработчиков Intel было продемонстрировано несколько различ-
ных мини-сенсоров. К примеру, сенсор Mica оснащается 128 килобайтами про-
граммной флэш-памяти, 256 килобайтами флэш-памяти для хранения данных и
радиопередатчиком, работающим на частоте 900 МГц. Некоторые из этих
устройств работают под управлением операционной системы TinyOS, официаль-
ное представление которой запланировано на сентябрь текущего года. Код этой
операционной системы является открытым и состоит всего из 8,5 Кб.
В настоящее время уже существует несколько сенсорных сетей. Одна из них
проходит «боевые» испытания в Афганистане, где вооруженные силы CША раз-
местили несколько тысяч сенсоров с целью отслеживания передвижений боевой
техники. Другая сеть используется на острове «Дикая утка» в штате Мэн, где с ее
помощью ученые изучают миграцию буревестников, еще одна - в составе системы
симулятора землетрясений в Беркли.
117
ГЛАВА 6. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ

Электронная промышленность, промышленность, производящая элек-
тронные компоненты, такие, как транзисторы, интегральные микросхемы и
электровакуумные приборы, а также изделия и оборудование, содержащие эти
компоненты.
Изделия электронной промышленности находят широкое бытовое, про-
мышленное, учрежденческое и военное применение.
Электронная промышленность развилась из радиотехнической промыш-
ленности, начало которой положило изобретение электронной лампы. Вакуум-
ный триод был изобретен в 1907 г.; за этим последовал более чем десятилетний
«инкубационный» период коммерциализации радиотехники.
Параллельно этому шло развитие военной электроники (стимулированное
опытом первой мировой войны), промышленной электроники и техники теле-
фонной связи. С изобретением транзистора (в 1948 г.) стало возможным разви-
тие промышленности средств вычислительной техники. Хотя электронные
лампы и применялись в первых вычислительных устройствах, из-за больших
размеров таких ламп, их высокой потребляемой мощности и низкой надежно-
сти эти вычислительные устройства были вытеснены компьютерами на полу-
проводниковых приборах.
В конце 20 века термин «электронная промышленность» стал синонимом
термина «промышленность высокой (в значении ультрасовременной) техноло-
гии». Состояние и перспективы развития электронной промышленности Рос-
сийской федерации рассматриваются в работах [1,7].
6.2. Полупроводниковые приборы

В середине 1990-х годов мировой рынок полупроводниковых приборов
оценивался примерно в 90 млрд. долл., причем более 80% этой суммы состав-
ляли интегральные микросхемы (ИМС). Самый большой и наиболее быстро-
растущий сектор рынка ИМС составляли ИМС запоминающих устройств (ЗУ).
Наибольшим спросом пользовались ЗУ с МОП-структурами (металл – оксид –
полупроводник), в частности динамические ЗУ с произвольной выборкой
(ДЗУППВ) и ПЗУ с флэш-памятью. К началу 1990-х годов наибольшую долю
рынка ДЗУППВ захватила Япония, но рынок продолжал расти, и США с Юж-
ной Кореей были его важными участниками. Спросом пользовались также ви-
део-ЗУППВ, необходимые для видеографики высокого разрешения. Что касает-
ся ПЗУ с флэш-памятью, то для них имелись благоприятные перспективы ши-
рокого применения в портативных компьютерах и портативных средствах свя-
зи. Такие ПЗУ отличаются высоким быстродействием, малой потребляемой
мощностью и способностью сохранять данные при отключении питания.
118
Микропроцессоры, микроконтроллеры, цифровые процессоры сигналов и
внешние (периферийные) микроустройства составляют второй по объему и
быстроте роста сектор рынка полупроводниковых приборов. Микропроцессор-
ные ИМС становятся все более сложными.
Цифровые процессоры сигналов (ЦПС) – это недорогие микропроцессорные
ИМС, широко применяемые в измерительных приборах, средствах автоматики
и управления технологическими процессами. На дискретные транзисторы и
другие дискретные полупроводниковые приборы, в том числе оптоэлектрон-
ные, приходится около 15% мирового рынка полупроводниковых приборов.
К пассивным компонентам электронной промышленности относятся рези-
сторы, конденсаторы, катушки индуктивности и трансформаторы, соединители,
переключатели и реле, а также пьезоэлектрические устройства.
Переход на бескорпусные конденсаторы, резисторы и резисторные цепоч-
ки поверхностного монтажа потребовал новых капитальных вложений.
Автомобильный сектор рынка создал спрос на бескорпусные резисторы, а
сектор переносного бытового и учрежденческого оборудования (портативных
телефонов, электронных записных книжек и пр.) – спрос на бескорпусные кон-
денсаторы.
Катушки индуктивности и трансформаторы используются в основном в
потребительской электронике и бытовой аппаратуре развлекательного характе-
ра, такой, как радиоприемники, аудиоаппаратура и телевизоры, а также в про-
мышленном контрольно-регулирующем оборудовании.
Соединители необходимы в любой электронной аппаратуре и образуют
непрерывно растущий сектор рынка. Особый интерес представляют волоконно-
оптические соединители.
Промышленность средств вычислительной техники – сектор электронной
промышленности, намного опережающий другие и потребляющий наибольшую
массу электронных компонентов. Промышленность компьютерного оборудова-
ния охватывает компьютеры, ЗУ и накопители, терминалы и периферийное
оборудование.
6.3. Персональные компьютеры

Компьютеры можно разделить на следующие категории: супер-ЭВМ,
большие ЭВМ, ЭВМ средней мощности, автоматизированные рабочие места
(АРМ), персональные компьютеры (ПК) и портативные компьютеры. На ры-
ночный сектор ПК приходится основная доля выручки, и объем сбыта ПК в
штуках намного больше, чем компьютеров любой другой категории.
В конце 20 в. рынок больших ЭВМ и ЭВМ средней мощности постепенно со-
кращался при одновременном расширении рынка АРМ и ПК. Однако предпола-
гается, что достигшая высокого развития промышленность больших ЭВМ бу-
дет существовать и в 21 в., а производители ЭВМ средней мощности будут
продолжать наращивать функциональность своей продукции, снижая в то же
время цены под давлением конкуренции.
АРМ, в которых используются быстродействующие микропроцессоры, перво-
начально привлекли внимание ученых и конструкторов. В конце 20 в. автома-
119
тизированные рабочие места угрожали вытеснить ЭВМ средней мощности в
качестве сетевых серверов (потребителей учрежденческого оборудования АРМ
заинтересовали вначале как электронные издательские системы и т.п.). АРМ
основаны на микропроцессорах с архитектурой RISC (на основе упрощенного
набора команд).
6.4. Электронная промышленность в средствах связи

Промышленность средств связи составляют производители телефонного и
телеграфного, а также вещательного и связного радио- и телевизионного обо-
рудования. Телефонное и телеграфное оборудование – это линии передачи,
мультиплексоры и коммутаторы, а также терминальное и абонентское оборудо-
вание. К вещательному радио- и телевизионному оборудованию относятся ра-
диопередатчики, приемопередатчики, радиоприемники, студийное вещательное
оборудование, замкнутые и кабельные телевизионные системы, спутниковые
системы связи, системы радиосвязи с подвижными объектами и радиотелефоны
сотовой связи. Предполагается, что в XXI веке будет расширяться как аналого-
вые, так и цифровые системы сотовой связи.
Возможности радиотелефонных персональных систем связи (ПСС) расши-
ряться от простой речевой связи до высокоскоростного обмена данными и под-
ключения к ресурсам сети Интернет.
К терминальному оборудованию относятся учрежденческие телефонные
станции, телефонные аппараты, системы ввода с клавиатуры, факсимильные
аппараты (факсы), модемы, системы обработки речевого сигнала и видеоаппа-
ратура.
6.5. Современное состояние электронной промышленности

Элементарной ячейкой современной электронной промышленности явля-
ется транзистор. Согласно закону Г. Мура, на сегодняшний день количество
транзисторов ежегодно поставляемых на рынок достигло 1020 шт., что демон-
стрирует рис. 6.1.
1020
Годовое производство
транзисторов, шт
1018
1016
1014
1012
1980 1990 2000 2010
Рис. 6.1. Количество транзисторов ежегодно поставляемых на рынок
120
Кроме того, можно заметить, что количество транзисторов, поставляемых
на рынок ежегодно увеличивается примерно на 69%.
6.5.1. Мировые лидеры по производству электронной

продукции
Мировой опыт доказал, что именно электроника, а теперь и наноэлектро-
ника – отрасль, способная сделать существенный прорыв в увеличении объемов
собственного производства, и запуск инновационных процессов в этой отрасли
ускорит формирование конкурентноспособной экономики. В передовых стра-
нах мира темпы развития электроники в 5–10 раз превышают темпы роста
национального продукта, а вложения средств в проекты по созданию и выпуску
электронной техники по рентабельности в 3–4 раза превосходят этот показатель
в других отраслях промышленности. Рис. 6.2 демонстрирует финансирование и
развитие электроники в мировой сфере производства и потребления в 2005 г.
Высокотехнологи- Информационные и
Стимулирование объемов производства
ческие отрасли телекоммуникацион-

экономики ные технологии
5 трлн. долл. 1 трлн. долл.
20 долл.
Электронная компонентная база

6 долл. 300 млрд. долл.
1 долл. Оборудование и материалы для

электронных технологий
50 млрд. долл.
Рис. 6.2. Технологическая цепочка электроники в мировой сфере

производства и потребления
К мировым лидерам по производству электронной продукции на сего-

дняшний день можно отнести следующие страны:
– Китай;
– США;
– Германия;
– Южная Корея;
– Тайвань;
– Сингапур.
К достижениям Китая в области в области высоких технологий можно от-
нести следующее:
– производство военной техники и космических систем на 100% обеспечи-
вается отечественными электронными компонентами (вплоть до микропроцес-
соров и «систем-на-кристалле»;
121
– к 2010 г. планируется освоение 32-нм технологического процесса Стои-
мость одной фабрики, способной производить 32-нм чипы более 3,5 млрд. долл.
Конкуренцию КНР составляет объединение ведущих производителей микро-
процессор также осваивающих 32-нм технологию (IBM, Toshiba, AMD, Sam-
sung, Chartered, Infineor и Freescfle). К 2010 г. это позволит размещать 109 тран-
зисторов в одном чипе;
– ежегодно объем продаж полупроводниковых приборов более 20 млрд.
долл.;
– в стране более 20 работающих линий по обработке 200 мм пластин;
– в стране 3 линии по обработке 300 мм пластин, освоены технологии
90 нм;
– КНР производит 33% мобильных телефонов, 17% цифровых камер,
20% DVD-плееров, 28% модемов от мирового рынка данной продукции.
6.5.2. Состояние электронной промышленности в России

К сожалению, на сегодняшний день можно констатировать факт отстава-
ния России от мировых лидеров по производству электронной продукции. Про-
блема развития и конкурентоспособности электронной продукции России во
много связана с неблагоприятной политической и экономической ситуацией в
стране, сложившейся в 90-е годы. Следует отметить, что СССР в 1991 г. отста-
вал от мировых лидеров США и Японии на один уровень технологий (800 нм
против 500 нм) или на 3–4 года по временным меркам, что демонстрирует рис.
6.3.
мкм
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0 0.8 мкм
0,5 * 0.35 мкм

*
0.09 мкм
1980 1985 1990 1995 2000 2005
Отечественный уровень
Зарубежный уровень
Опытная линейка НИИСИ РАН
Рис. 6.3. Динамика совершенствования технологической базы
122
Ведущие страны достигли к 2007 г. технологии 65 нм, увеличив отставание
России на 20 лет, что демонстрирует рис. 6.4.
Скорейшее достижение современного уровня технологии требует обеспе-
чение безопасности страны. Решение указанной проблемы может быть связано
с закупкой современной фабрики для производства микросхем с нормой проек-
тирования 90 нм и месячным выпуском 50 тыс. трехсотмиллиметровых пластин
в год. Цена такой фабрики составляет около 5 млрд. долл., обслуживаемая на
первом этапе зарубежными специалистами, обеспечивая обучение отечествен-
ных кадров по всем необходимым направлениям.
Типы ИС, шт
3000
США
2500
2000
1500
Россия
1000
500
0
7 3 2 1,2 0,8 0,35 0,18
5 2,5 1,5 1 0,5 0,25
Минимальный размер элемента, мкм
Рис. 6.4. Распределение применения микроэлектронной ЭКБ в США и России

по технологической норме проектирования
Восстановление разрушенной базы отечественной микроэлектроники и до-
стижение ею мирового уровня потребует сотни миллиардов долларов капита-
ловложений (необходим аналог закупки СССР Волжского автозавода в начале
1970-х годов).
Современное состояние электронной промышленности России можно
вкратце охарактеризовать следующими фактами:
– за последние 16 лет новых заводов не построено. До этого наша страна
была третьей в мире, отставая лишь от Японии и США;
– фирма «Ангстрем» осваивает линию по обработке 200-мм пластин и 350
нм технологию: План технологического развития по диаметру кремниевых пла-
стин представлен на рис. 6.5;
– на развитие наноиндустрии до 2010 г. выведено 28 млрд. рублей;
– ведущие предприятия «Микрон» и «Ангстрем»;
123
Фабрика «150 мм» Фабрика «300 мм»
150 300
Фабрика «200 мм»
200
1.2 0,8 0,5 0,35 0,25 0,18 0,13 0,09 0,065 0,045
мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм мкм
Строительство новой 300 мм

для уже существующей на 200 мм технологии
Рис. 6.5. План технологического развития по диаметру кремниевых пластин

– компания «Ситроникс» открыла фабрику с топологическим размером
180 нм, ей принадлежит завод «Микрон» (Зеленоград). «Микрон» на договор-
ных условиях использует технологии франко-итальянской фирмы STM. (инве-
стиции 200 млн. долл.) В 2008 г. – освоен уровень 130 нм технологии, в 2009 г.
происходит переход на топологическую норму проектирования в 90-нм. Ком-
пания получила 2,3 млрд. долл. на строительство фабрики;
– производитель микросхем «Ангстрем-Т» Зеленоград сотрудничает с AMD,
осваивается технология 130 нм (на закупку оборудования затрачено 462 млн.
долл.);
– правительство РФ на развитие отечественной электроники компонентной
базы до 2015 г. выделяет 110 млрд. руб. (с внебюджетными средствами будет
187 млрд. руб.). План финансового обеспечение подпрограммы «Развитие элек-
тронной компонентной базы» на 2007–2011 гг. демонстрирует рис. 6.6.
Освоение 45-нм технологии планируется к 2015 г. Объем радиоэлектронных
изделий к 2015 г. ожидается на уровне 300 млрд. руб.;
– компания «Ситроникс» заключила соглашение о стратегическом партнер-
стве с финско-немецким предприятием Nokia Siemens Networks, есть соглаше-
ние с китайской фирмой ZTE по совместной разработке ГЛОНАСС.
Российский научный центр «Курчатовский институт» налаживает стратегиче-
ское сотрудничество с компанией Intel. Цели: обмен информацией, совместные
научные исследования, образовательные проекты, разработка инноваций;
– создается 7 пилотных технопарков (Московский, Новосибирский, Ниже-
городский, Калужский, Тюменский, Татарстанский, Санкт-Петербургский).
Первые технопарки были созданы в 1990 г. в Томске и Зеленограде. Технопарк
МИЭТ расположен на площади 56 тыс. кв. м, МГУ – 11,7 тыс. кв. м, планирует-
ся, что Новосибирский технопарк будет иметь площадь 150 тыс. кв. м. к 2011 г.
Пилотные технопарки будут производить высокотехнологичной продукции на
117 млр. руб., число работающих составит 75 тыс. человек.
124
Реконструкция и техническое Федеральный бюджет
перевооружение электронных
4,3 млрд. руб.
производств
Приоритетное развитие
Федеральный бюджет
систем проектирования ЭКБ
на базе создоваемой сети 3,0 млрд. руб.
дизайн-центров
Приоритетное развитие:
- СВЧ-электроники
- радиационно-стойкой ЭКБ Федеральный бюджет
- микросистемотехники и
материалов 15,9 млрд. руб.
- микроэлектроники
Бюджет всего Федеральный бюджет

38,46 млрд. Руб. 23,2 млрд. руб.
Рис. 6.6. Финансирование подпрограммы

«Развитие электронной промышленности» на 2007–2011 гг.
6.5.3. Признаки возрождения электронной промышленности

в России
Сегодня в России существуют и создаются предприятия, фабрики, компа-
нии и научные институты, усилия которых направлены на развитие отечествен-
ной электронной и наноэлектронной промышленности.
К таким отечественным предприятиям следует отнести «Микрон» – произ-
водитель ИМС, НИИ «Полюс» – производитель лазеров, институт «Проблем
технологии микроэлектроники и особо чистых материалов» в г.Черноголовке,
лабораторию наноэлектроники во главе с член корр. РАН А.А. Горбацевичем,
которая ведет разработки гетероструктур, элементарной базы нано- и оптоэлек-
троники, лабораторию возобновляемых источников энергии во главе с акаде-
миком Ж.И. Алферовым (см. рис. 6.7), физико-технический институт им. А.Ф.
Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург), где работает центр физики наногетерострук-
тур (12 лабораторий, 300 сотрудников), РОСНАНО,
ЗАО «НТ-МДТ» – производитель нанотехнологического оборудования,
ЗАО «УНИХИМТЕК» – производитель наноматериалов и продуктов на их ос-
нове.
125
Рис. 6.7. Лауреат Нобелевской премии Алферов Ж.И.
По мнению специалистов в Российских условиях перспективно создание

мелкосерийных минифабрик под конкретные задачи. Пример – минифабрика
НИИ СИ РАН на основе комплекта кластерного оборудования с поштучной об-
работкой 150 мм, с проекционной системой фотографии с длиной волны
365 нм, рассчитанная на проектную мощность в 100 тыс. микросхем в год, ре-
шающая задачи информационной безопасности современных специализиро-
ванных аппаратно-программных систем. Минифабрика позволяет за 10-15 дней
изготовлять перспективные разработки, отрабатывать современные технологи-
ческие процессы, готовить кадры для промышленных заводов.
На рис. 6.8. представлен прогноз структуры потребления изделий элек-
тронной и наноэлектронной промышленности по сферам применения в России
в 2011 году.
126
Автоэлектроника
9,0
Средства связи,
промышленная
электроника, 18,0
Специальная
18,0
бытовая электроника
электроника
Электронные 1,8 3,6

3,6
документы 9,0
Интеллектуальные
ГЛОНАСС игры
Цифровое
телевидение
Общий объем потребления 60 млрд. руб.
Рис. 6.8. Структуры потребления изделий электронной и наноэлектронной

промышленности в России в 2011 г
6.5.4. Перспективы развития электронной промышленности

в России
Состояние отечественных электронных технологий на фоне мировых в
2005 г. демонстрирует рис. 6.9
САПР
100
Радиационно- 45 100 Микро-

стойкая ЭКБ 100 электроника
30
10
25
15
100
100 Микро-
Материалы 45 механические
системы
100
СВЧ
твердотельная
электроника
Мировой технологический уровень 2005 г.
Отечественный технологический уровень 2005 г.
Рис. 6.9. Сопоставление отечественного и мирового уровней электронных технологий
127
Реализация комплекса взаимоувязанных целевых программ, инвестицион-
ных проектов и внепрограммных мероприятий, составляющих основу страте-
гии развития электронной промышленности в России, направлена на восста-
новление научно-технического и производственно-технологического потенциа-
ла микро- и наноэлектроники и электронной отрасли в целом и вывести ее на
современный мировой уровень.
Ожидается, что в 2011 г. объем реализации отечественной продукции элек-
тронной промышленности составит не менее 50 млрд. рублей, а технологиче-
ский уровень изделий в серийном производстве позволит достигнуть топологи-
ческих размеров 0,13-0,18 мкм. Это позволит обеспечить потребности отраслей
экономики и обороны, в том числе за счет создания стратегически значимых
систем, и резко уменьшить долю импортной электронной базы в производстве
радиоэлектронных средств. Существующее в настоящее время соотношение
65% к 35% в пользу импортной электронной базы будет изменено на 60% к
40% в пользу отечественных компонентов.
Модернизация ключевых производств электронной техники и структуры
отрасли на основе государственно-частного партнерства с одновременным со-
зданием рыночной инфраструктуры должны существенно улучшить экономи-
ческое положение предприятий и повысить рентабельность выпускаемой про-
дукции.
Учитывая высокий потенциал отечественной науки в области электроники,
можно ожидать существенного расширения международного научно-
технического сотрудничества и прорыва в области новых технологий, в том
числе нанотехнологий, биоэлектроники, производства биочипов для автомати-
зированного поддержания жизнедеятельности живых организмов и др.
Все это позволит повысить конкурентность отечественных изделий, как на
внутреннем, так и на внешнем рынке микроэлектронной и электронной техники
и значительно укрепит обороноспособность и безопасность России.
ГЛАВА 7. ВИДЫ НАНОТЕХНОЛГИЙ И ПЕРСПЕКТИВЫ
ПРОИЗВОДСТВА НАНОЭЛЕКТРОННЫХ
ИЗДЕЛИЙ

С позиций новизны и радикальности подходов (а следовательно, и необхо-
димых для реализации материально-экономических ресурсов и затрат времени)
можно обозначить три основных парадигмы:
– развитие наноэлектроники путем эволюционного совершенствования су-
ществующих «кремниевых» планарных технологий;
– более глубокое модифицирование планарной технологии и распростра-
нение ее на другие материалы и ситуации;
– создание принципиально новой электроники следующих поколений на ос-
нове «некремниевых» устройств и физических принципов.
Эти революционные идеи предполагают использование квантовых сверх-
проводящих компонентов, нанотрубок, фуллеренов и их производных, опто-
электроники, биоэлектроники, квантового распределенного компьютинга, од-
ноэлектро-ники, спинтроники и др.
В англоязычной литературе эти три направления для краткости иногда на-
зывают так: «в будущее вместе с кремнием», «рядом с кремнием» и
«без кремния». В настоящее время возможности кремниевых технологий до
конца еще не исчерпаны (рис. 7.1), и при наличии больших производственных
мощностей, отлаженного производства, подготовленных специалистов, инфра-
структуры, разогретых рынков сбыта это направление еще долго будет зани-
мать на рынке доминирующие позиции.
Однако серьезные принципиальные ограничения, имеющиеся на этом пу-
ти, заставляют думать и над альтернативами. Более близким и прогнозируемым
экспертам представляется второе направление. Однако, скорее всего, это пал-
лиатив, и революционные преобразования информационной техники нас ждут
за пределами «кремниевой идеологии».
Далее речь пойдет о роле и месте технологий нового поколения в прогрес-
се электроники.
Рис. 7.1. демонстрирует прогноз перехода к указанным технологиям и про-
цесс миниатюризации изделий наноэлектроники.
Развитие технологий происходит в соответствии с законом Мура. Это про-
является в уменьшении характерных размеров элементов. Переход в наноэлек-
тронную область наблюдается с 2003 года.
К 2030 году размеры элементов составят единицы нанометров. Это будет
достигнуто благодаря внедрению квантовой и молекулярной нанотехнологий.
Будет решена и проблема межсоединений. На смену контактным соединителям
придут оптические соединители типа смартлинков.
129
Годы
1970 1990 2010 2030
Характерный размер объекта R, нм

104 Закон Мура
103
102
Органическая технология
«Вместе с
кремнием» Квантовая технология
Прогноз Молекулярная
на «Рядом с технология
101 будущее кремнием»
«Без кремния»
100
?
Рис. 7.1. Переход на новые технологии изготовления
наноэлектронных изделий и систем
7.2 Основы кремниевой технологии
7.2.1. Кристалическое строение и зонная структура

полупроводников
Электропроводность полупроводников определяется двумя физическими
факторами: подвижностью и концентрацией носителей зарядов, формирующих
электрический ток. Широкий диапазон изменения удельной электропроводно-
сти – от 10–9 до 103 (Омсм)–1 – не может быть объяснен за счет подвижности,
которая может варьироваться в пределах одного-двух порядков. Изменение
концентрации носителей заряда есть главная причина, обуславливающая такой
диапазон электропроводности полупроводников.
Чтобы разобраться, почему концентрация подвижных носителей заряда
может изменяться в широких пределах, необходимо уяснить особенности кри-
сталлического строения полупроводников и их зонную структуру.
В настоящее время в качестве веществ, используемых для изготовления
современных полупроводниковых приборов, применяются элементарный полу-
проводник кремний Si (элемент четвертой группы таблицы Менделеева) и
сплав арсенид галлия GaAs (элементы третьей и пятой групп), а так же крем-
ний, легированный германием. В недалеком прошлом широко использовался
чистый германий Ge.
Все эти вещества имеют монокристаллическую структуру и кристалличе-
скую решетку алмазного типа: каждый атом окружен четырьмя другими атома-
ми, находящимися в вершинах правильного тетраэдра. Прочность такой решет-
ки обеспечивается за счет специфической химической связи, возникающей пу-
тем обобществления пары валентных электронов парой соседних атомов кри-
сталлической решетки, которая называется ковалентной связью.
130
Каждый атом кремния или германия на наружной оболочке имеет четыре
валентных электрона. Поэтому каждый атом образует четыре ковалентных свя-
зи с четырьмя ближайшими от него атомами. В результате внешняя орбита
каждого из атомов имеет восемь электронов и становится полностью заполнен-
ной как показано на рис. 7.2.
Атомы
решетки
Ковалентная
связь Валентные
электроны
Рис. 7.2. Структура ковалентных связей в кристаллической решетки типа алмаза
Кристаллическая решетка, в которой каждый электрон внешней орбиты

связан ковалентными связями с остальными атомами вещества, является иде-
альной. В таком кристалле все валентные электроны прочно связаны между со-
бой и свободных электронов, которые могли бы участвовать в переносе заря-
дов, нет.
Химически чистые беспримесные полупроводники называются собствен-
ными проводниками. При температуре абсолютного нуля – 0 К (–273° С) все
собственные полупроводники имеют идеальную решетку.
Согласно квантовой теории, электрон в изолированном атоме может обла-
дать только дискретными уровнями энергии (энергетическими состояниями),
причем некоторые разрешенные уровни энергии могут быть незаполненными в
соответствии с рис. 7.3.
Ee ЗП-зона прово-
димости
ЗЗ-запрещенная
E зона
g ВЗ-валентная
зона
а) уединенный атом б) твердое тело
Рис. 7.3. Энергетическая диаграмма изолированного атома и кристалла,

образованного из этих атомов
При образовании кристаллической решетки твердого тела все имеющиеся

у данного атома электронные уровни расщепляются вследствие действия со-
131
седних атомов друг на друга. Таким образом, из отдельных дискретных энерге-
тических уровней уединенных атомов в кристалле полупроводника образуются
целые полосы (зоны) разрешенных диапазонов энергии, которые отделены друг
от друга запрещенными зонами, т.е. такими промежутками уровней энергии,
которыми электрон не может обладать.
Все электроны, которые участвуют в ковалентных связях, находятся на
энергетических уровнях, соответствующих самой верхней из разрешенных зон,
заполненных при температуре абсолютного нуля. Такая зона называется ва-
лентной. Выше валентной зоны располагается другая разрешенная зона – зона
проводимости, энергетические уровни которой определяют энергию электро-
нов, не участвующих в ковалентных связях, т.е. свободных электронов или
электронов проводимости. При температуре абсолютного нуля эта зона пуста.
Между зоной проводимости и валентной зоной расположена запрещенная зона.
Величина этого промежутка, измеряемая в электрон-вольтах (эВ), называется
шириной запрещенной зоны и обозначается как Eg.
Наряду с удельной электропроводностью ширина запрещенной зоны есть
важнейший параметр радиоматериалов. Для наиболее часто используемых по-
лупроводников ее величина приведена в таблице 7.1.
Таблица 7.1. Ширина запрещенной зоны основных полупроводников
Тип радиоматериала Величина запрещенной зоны в эВ

и его обозначение
при 300 К при 0 К
Кремний (Si) 1,12 1,17
Германий (Ge) 0,67 0,74
Арсенид галлия (GaAs) 1,42 1,52
В общем случае различные радиоматериалы имеют различное строение

энергетических зон, которое показано на рис. 7.4.
Ee
Ee Ee
Eg>3эВ Eg<3эВ
а) проводник б) диэлектрик в) полупроводник
Рис. 7.4. Энергетические диаграммы радиоматериалов
Исходя из особенностей этого строения, вещества разделяют на проводни-
132
ки, полупроводники и диэлектрики более точно, чем по величине удельной
электропроводности.
Перемещаться от атома к атому, т.е. образовывать электрический ток,
электроны могут только при наличии незаполненных разрешенных состояний у
соседнего атома либо в зоне проводимости, либо в валентной зоне. Это означа-
ет, что электрический ток может формироваться как за счет переходов внутри
зон (если зоны заполнены не полностью) при небольших энергетических воз-
действиях, либо за счет переходов из валентной зоны в зону проводимости при
энергетических воздействиях, соизмеримых с шириной запрещенной зоны.
У проводников валентная зона и зона проводимости взаимно перекрыва-
ются, в результате чего получается одна единая зона, заполненная при 0 К
лишь частично, что обеспечивает в таких условиях проводникам проводимость.
У полупроводников и диэлектриков при 0 К валентная зона полностью запол-
нена, а зона проводимости – пуста, что означает полное отсутствие проводимо-
сти. Различие между полупроводниками и диэлектриками чисто количествен-
ное: у полупроводников ширина запрещенной зоны не может превышать 3 эВ.
7.2.2. Понятие о групповом методе изготовления электронных

приборов
Групповой метод был предложен для изготовления транзисторов в конце
50-х годов прошлого столетия. Сущность метода состоит в том, что в полупро-
водниковой пластине диаметром 25–80 мм и толщиной 0,2–0,5 мм одновремен-
но изготавливалось множество транзисторов, регулярно расположенных на по-
верхности пластины. Затем пластина разрезалась на множество отдельных кри-
сталлов, содержащих по одному транзистору. После этого кристаллы помеща-
лись в корпусы с внешними выводами.
Идея группового метода стала очень широко использоваться при изготов-
лении интегральных схем, что иллюстрирует рис. 7.5. Здесь реализуется воз-
можность технологической интеграции компонентов на одной подложке. Суть
интеграции состоит в том, что на исходной пластине (см. рис. 7.5, а) вместо от-
дельных транзисторов одновременно изготавливается множество ИС, каждая из
которых содержит все компоненты (резисторы R, диоды VD, транзисторы VT,
указанные на рис. 7.5, б, в), необходимые для построения функционального уз-
ла.
Рис. 7.5. Иллюстрация группового метода изготовления ИС
133
Эти компоненты соединяются друг с другом тонкими металлическими по-
лосками (часто алюминиевыми). Как видно из рис. 7.5, а все ИС регулярно рас-
положены на поверхности пластины. Пластина разрезается на отдельные кри-
сталлы (называемые в специальной литературе чипами), которые помещаются в
корпус, что иллюстрирует рис. 7.5, г. При этом разработчик аппаратуры полу-
чает готовый функциональный узел в виде электронного прибора определенно-
го типа и назначения.
7.2.3. Планарная технология

При разработке электронной аппаратуры на электронных лампах и транзи-
сторах всегда возникает необходимость в многочисленных соединениях прибо-
ров между собой с помощью пайки. Обилие паяных соединений резко снижает
надежность аппаратуры и увеличивает ее стоимость вследствие множества сбо-
рочных и монтажных операций. В значительной степени избежать указанных
недостатков позволяет так называемая планарная технология, широко исполь-
зуемая в настоящее время при производстве ИС.
Планарная технология обеспечивает изготовление разнотипных элементов
в полупроводниковой пластине с расположением их выводов в одной плоско-
сти. Это позволяет выполнять межсоединения элементов в едином технологи-
ческом цикле с помощью металлических полосок. При разработке сложных ИС
для обеспечения необходимых межсоединений иногда используют несколько
слоев металлических пленок, разделенных между собой диэлектрическими сло-
ями.
Таким образом, при разработке аппаратуры на основе ИС, изготовленных
по планарной технологии, отпадает необходимость в многочисленных паяных
соединениях, резко сокращаются габаритные размеры, масса, повышается
надежность и снижается стоимость.
7.2.4. Пленочная и гибридная технология

С помощью пленочной технологии изготавливают пассивные элементы:
резисторы, конденсаторы, элементы индуктивности, а также соединительные
проводники и контактные площадки. Таким образом, чисто пленочные ИС
обычно являются пассивными. Пленочные интегральные элементы часто ис-
пользуют совместно с миниатюрными навесными компонентами в составе ги-
бридных ИС (см. рис. 7.6). Последние, уступая полупроводниковым ИС по
надежности, плотности упаковки и себестоимости, имеют во многих случаях
лучшие технические показатели за счет применения широкой номенклатуры
навесных компонентов (транзисторов, конденсаторов и элементов индуктивно-
сти). Элементы пленочных и гибридных ИС выполняются на поверхности ди-
электрической подложки.
При изготовлении гибридных ИС используют как толстые, так и тонкие
пленки. Исходными материалами для элементов толстопленочных ИС являются
специальные резистивные, проводящие и диэлектрические полужидкие пасты
стеклоэмалей.
134
Рис. 7.6. Устройство гибридной ИС
Они наносятся на поверхность подложки через специальный трафарет. С

помощью трафарета обеспечивается заданная конфигурация изготавливаемых
элементов. Затем трафарет убирают, а локально нанесенную пасту высушивают
и вжигают в подложку. Для толстопленочных ИС используют теплостойкие ди-
электрические подложки (например, керамические). Такие ИС обладают высо-
кой механической прочностью, имеют хорошую коррозийную устойчивость.
Использование в толстопленочных ИС подложек с высокой теплопроводностью
позволяет создавать мощные ИС. Толстопленочные ИС отличает низкая стои-
мость, для их изготовления не требуется сложное оборудование. Однако тол-
стопленочная технология не обеспечивает высокой точности изготовления эле-
ментов, что приводит к большим отклонениям реальных значений их парамет-
ров от расчетных номинальных значений.
Технология тонкопленочных ИС позволяет изготавливать пассивные эле-
менты с более узкими допусками номиналов по сравнению с другими видами
технологий. При производстве тонкопленочных ИС используется дорогостоя-
щее оборудование, позволяющее путем локального напыления резистивных,
проводящих или диэлектрических материалов создавать элементы и межсоеди-
нения. По сравнению с толстопленочными ИС элементы в них размещены бо-
лее плотно.
Технологии пленочных ИС не обеспечивают изготовление высококаче-
ственных активных элементов, а также элементов индуктивности и конденса-
торов с большими номинальными значениями параметров.
Избежать указанного недостатка позволяет гибридно-пленочная техноло-
гия. Она обеспечивает производство ИС, у которых на диэлектрических под-
ложках создаются пленочные элементы, а также располагаются навесные бес-
корпусные активные элементы и другие миниатюрные пассивные элементы.
Конструктивное устройство простейшей гибридно-пленочной ИС и ее
электрическая схема показаны на рис. 7.6, а и б. Здесь изображены пассивные
пленочные элементы (резистор R, конденсатор С) и бескорпусной активный
элемент (транзистор VT), приклеенный к подложке. Гибридно-пленочная тех-
нология отличается гибкостью. Она позволяет быстро создавать разнообразные
электронные устройства.
Из-за малых паразитных емкостей, хорошей взаимной изоляции элементов
и возможности использования высококачественных навесных активных эле-
ментов гибридно-пленочные ИС имеют лучшие частотные и импульсные свой-
ства, чем схемы на обычных дискретных элементах. Благодаря этим особенно-
135
стям гибридно-пленочная технология является перспективной для производства
аналоговых ИС, отличающихся большим разнообразием функций.
7.2.5. Полупроводниковая технология

Для изготовления полупроводниковых ИС обычно используют пластины
монокристаллического кремния с проводимостью р- или n-типа. Изменяя опре-
деленным образом концентрацию примесей в различных частях пластины, по-
лучают многослойную структуру, воспроизводящую заданную электрическую
функцию и эквивалентную обычному резистору, конденсатору, диоду или
транзистору. Как правило, технология ориентирована на изготовление одной
или нескольких транзисторных структур, причем в процессе их изготовления в
едином технологическом процессе одновременно создаются и другие требуе-
мые структуры (резистивные, диодные и др.), что иллюстрирует рис. 7.7, а, б.
Процесс изготовления современных полупроводниковых ИС очень сло-
жен. Он проводится в специальных помещениях с микроклиматом и высокой
чистотой с использованием дорогостоящего прецизионного оборудования.
Рис. 7.7. Устройство полупроводниковой ИС
Рассмотрим основные технологические процессы, выполняемые при изго-

товлении полупроводниковых ИС. Исходный полупроводниковый материал
получают в виде слитков из расплава кремниевого вещества (песка).
Процесс предварительной обработки полупроводникового материала. От
цилиндрического слитка монокристаллического кремния диаметром 15–30 см
отделяют круглые пластины толщиной 0,25–0,6 мм. Затем пластины шлифуют с
целью уменьшения толщины нарушенного приповерхностного слоя до 1–2 мкм.
Для окончательной доводки поверхности применяют химическое травление.
Процесс создания полупроводниковых слоев с заданным типом проводимо-
сти. Изменение проводимости исходного материала пластины осуществляют с
помощью процессов эпитаксии и диффузии.
Эпитаксия – это процесс ориентированного наращивания монокристалли-
ческих слоев на пластину. При эпитаксии кристаллографическая ориентация
наращиваемого слоя повторяет кристаллографическую ориентацию подложки.
Эпитаксиальный слой характеризуется равномерным по глубине распределени-
ем примесей, что иллюстрирует кривая 1 на рис. 7.8.
136
Рис. 7.8. Распределение примесей при эпитаксии (1) и диффузии (2)
На практике используется типовой хлоридный процесс эпитаксии, основанный

на химической реакции, происходящей при температуре 1200° С:
SiCl4 + 2H2 = Si + 4HCl.
В результате реакции на поверхности пластины осаждается слой чистого
кремния Si. При введении дополнительных примесей получают эпитаксиальные
слои с заданным типом проводимости. Для получения проводимости n-типа ис-
пользуют соединения фосфора (P), проводимость р-типа обеспечивают соеди-
нения бора (B).
Эпитаксиальный слой представляет собой монокристаллическое продол-
жение основного материала, не имеет механических дефектов и напряжений.
Скорость наращивания пленки невелика – несколько микрометров в час.
Диффузией называется процесс переноса примесей в полупроводниковую
пластину при высокой температуре. Этот процесс проводят в диффузионных
печах при температуре 1200° С с применением диффузантов: фосфора, сурьмы,
мышьяка для получения проводимости n-типа; бора, галлия, индия – для полу-
чения проводимости р-типа.
Диффузия может быть общей и локальной. В первом случае она осуществ-
ляется по всей поверхности пластины, а во втором – на определенных участках
пластины через специальные окна в диэлектрическом слое SiO2. Общая диффу-
зия приводит к образованию в пластине тонкого диффузионного слоя, который
отличается от эпитаксиального неоднородным по глубине распределением
примеси (рис. 7.8, кривая 2).
Получение глубоких диффузионных слоев требует большого времени.
Установлено, что время проведения диффузии пропорционально квадрату же-
лательной глубины диффузионного слоя.
Окисление поверхности пластины. Для защиты и маскирования поверхности
кремния при операциях диффузии применяют окисление пластин в атмосфере
кислорода или паров воды при температуре 1000–1300° С. При этом создается
диэлектрический слой двуокиси кремния толщиной 0,1–1 мкм.
Диэлектрические слои из двуокиси кремния используются для: защиты
поверхности полупроводниковой пластины от внешних воздействий; создания
масок, через окна которых вводятся примеси и обеспечивается требуемая кон-
фигурация отдельных полупроводниковых слоев; создания диэлектрика под за-
твором транзисторов со структурой «металл–диэлектрик–полупроводник»
137
(МДП); изоляции элементов ИС между собой. Благодаря этим возможностям
кремний стал основным материалом для изготовления ИС.
Процессы литографии. Литография (гравировка) используется при изготовле-
нии ИС для создания окон в масках с целью обеспечения локального характера
внедрения примесей в полупроводниковую пластину и получения заданной
конфигурации элементов.
Среди методов гравировки наиболее широкое применение в настоящее
время имеет фотолитография. В основе фотолитографии лежит использование
материалов, которые называют фоторезистами. Это разновидность фотоэмуль-
сий, известных в обычной фотографии. Фоторезисты чувствительны к ультра-
фиолетовому свету, поэтому их можно обрабатывать в не очень затемненном
помещении. Фоторезисты бывают негативные и позитивные. Негативные фото-
резисты под действием света полимеризуются и становятся устойчивыми к
кислотным и щелочным травителям. Таким образом, после локальной засветки,
обеспечиваемой фотошаблоном, будут вытравляться незасвеченные участки,
как в обычном фотонегативе. В позитивных фоторезистах свет, наоборот, раз-
рушает полимерные цепочки и, следовательно, вытравляются засвеченные
участки.
Фотошаблон представляет собой толстую стеклянную пластину, на одной
из сторон которой нанесена тонкая непрозрачная пленка с необходимым рисун-
ком в виде прозрачных для света участков-окон. Эти окна в масштабе 1:1 соот-
ветствуют будущим элементам ИС. Поскольку ИС изготавливаются групповым
методом, на фотошаблоне разрешается множество однотипных рисунков. Раз-
мер каждого рисунка соответствует размеру будущего кристалла ИС.
Комплекс фотолитографических процессов повторяется в технологическом
процессе изготовления ИС многократно (от 3 до 14 раз). Каждый раз на окис-
ленную пластину кремния наносят тонкий слой фоторезиста, который засвечи-
вается через фотошаблон от источника ультрафиолетового излучения. Затем
фоторезист проявляется, и вскрываются необходимые окна на поверхности
двуокиси кремния. В этих окнах смесью фтористого аммония и плавиковой
кислоты двуокись кремния стравливается и тем самым селективно открывается
поверхность полупроводниковой подложки. Таким образом, обеспечиваются
условия для использования процессов диффузии и эпитаксии при изготовлении
элементов ИС.
Процесс создания межсоединений. Для создания соединений элементов полу-
проводниковой ИС между собой пластина кремния со сформированными эле-
ментами (транзисторами, диодами и резисторами) покрывается слоем осажден-
ного алюминия толщиной 0,5–2 мкм, который затем (после заключительной
операции фотолитографии) в ненужных местах стравливается через соответ-
ствующие окна фоторезиста. При этом на поверхности полупроводника остает-
ся рисунок соединительных алюминиевых проводников, имеющих ширину
около 10 мкм, а также контактных площадок.
В настоящее время при производстве полупроводниковых ИС на биполяр-
ных и полевых транзисторах используется несколько разновидностей техноло-
гических процессов, отличающихся, главным образом, способами создания
138
изоляции между отдельными элементами. Наиболее широкое применение
находит планарно-эпитаксиальная технология с изоляцией элементов при по-
мощи обратно-смещенных р–n-переходов.
7.2.6. Переход к кремниевой нанотехнологии

Кремниевая нанотехнология заимствовала прогрессивные методы и сред-
ства микроэлектроники: планарную технологию, групповой метод изготовле-
ния, технологию создания различных элементов на базе биполярных и полевых
структур, и др. Как и традиционная кремниевая технология, так и кремниевая
нанотехнология ориентирована на создание изделий высших степеней интегра-
ции с малым энергопотреблением и отличающихся широкополосностью и вы-
соким быстродействием. Для достижения предельно высоких показателей изде-
лий кроме кремния в производстве широко используются и другие полупро-
водниковые материалы, указанные на рис 7.9.
Si
100 SiC
SiGe
GaN
Максимальная мощность, Вт
10
GaAs
InP
0.1
1 10 100
Частота, ГГц
Рис. 7.9. Зависимость максимальной мощности от частоты

для приборов на основе различных материалов
Для уменьшения длины канала МОП- транзистора без смыкания облаcтей
стока и истока требуется сильное легирование канала. Такое легирование ведет
к росту порога включения транзистора UПОР, и уменьшению тока насыщения за
счет снижения подвижности носителей заряда с ростом концентрации примеси.
Эти ограничения стимулировали поиск отличных от объемного кремния мате-
риалов и конструкций полевых приборов. Признано, что пока единственным
материалом, удовлетворяющим требованиям конструирования интегральных
схем (ИС), являются структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) с ультратонким и
тонким приборным слоем кремния (5–10 и 100–400 нм).
139
Таблица 7.2. Тенденции развития кремниевой технологии
Характери- Уровень технологии, нм

стика 500 350 250 180 130 90 65 45 32 22
Год внедре-
ния уровня
технологии
1992 1994 1997 1999 2001 2004 2007 2010 2013 2016
в массовое
производ-
ство
Физическая
длина затво- 300 200 150 100 65 37 25 18 13 8
ров, нм
Информаци-
онная ем-
кость дина-
4 16 64 256 512 103 4∙103 8∙103 16∙103 32∙103
мических
ОЗУ, Мбит
Число тран-
зисторов в
микропро-
13 21 52,8 108 276 553 1,1∙103 2,2∙103 4,4∙103 8,8∙103
цессоре,
млн. шт.
Время вы-
борки дина-
45 40 35 30 25 20 15 10 5 1
мических
ОЗУ
Рабочая ча-
стота мик-
ропроцессо- 166 300 600 1,2∙103 1,7∙103 3∙103 4,9∙103 9,5∙103 18∙103 36∙103
ров, МГц
Напряжение
питания
3,5 2,5 1,8 1,5 1,2 0,9 0,8 0,7 0,6 0,5
микропро-
цессора, мВ
Максималь-
ная рассеи-
ваемая 46 56 70 90 130 160 190 198 198 198
мощность,
Вт
Удельная
стоимость
готового из-
2,5∙103 1,3∙103 470 245 97 34 12,2 4,3 1,5 0,54
делия, мик-
роцент/
транзистор
140
1
Рис. 7.10. Рост Производительности КМОП ИС в зависимости от проектной нормы для ИС

на объемном кремнии и на КНИ-структурах.
1 – Bulk-Si CMOS, 2 – SOI, 3 – по закону Мура
В частности, исследователям фирмы AMD удалось изготовить высокока-

чественные тонкопленочные КНИ МОП-транзисторы с затвором длиной Lз все-
го 25 нм и током насыщения 790 мкА/мкм, а разработчиками из корпорации
IBM созданы КНИ МОП-транзисторы с длиной затвора Lз всего 6 нм при тол-
щине слоя кремния 4 нм. Однако из-за сильного легирования канала, ток насы-
щения в транзисторе IBM составлял всего 130 мкА/мкм, что недостаточно для
архитектуры современных ИС. Для тонкопленочного (до 10 нм) КНИ-
транзистора снижение концентрации легирующей примеси в канале транзисто-
ра возможно при уменьшении толщины пленки кремния до величины менее
четверти длины канала, т.е. менее 2 нм. Получение однородных пленок крем-
ния такой толщины – пока еще не решенная задача.
Тем не менее, прогресс технологии структур КНИ инициировал интенсив-
ные исследования новых конструктивно-технологических вариантов создания
наноразмерных полевых транзисторов. Уже в области субмикронных размеров
за счет полной диэлектрической изоляции КНИ-транзисторы обладают рядом
преимуществ перед их аналогами на объемном кремнии: более низким энерго-
потреблением, высокими пробивными напряжениями, большим быстродей-
ствием. В нанометровом диапазоне привлекательность КНИ обусловлена,
прежде всего, возможностью решения упомянутых выше проблем, свойствен-
ных короткоканальным транзисторам, а также возможностью изготовления но-
вых приборов, работающих на квантово-размерных эффектах. Рассмотрим про-
блемы создания классических наноразмерных транзисторов на основе структур
КНИ, а также апробации некоторых альтернативных классическому МОП-
транзистору конструкций.
Основные проблемы при создании наноразмерных МОП-транзисторов и
возможные способы решения приведены в таблице 7.3.
141
Таблица 7.3. Проблемы при создании наноразмерных МОП-
транзисторов и возможные способы решения
Проблема Решение
Подзатворный SiO2 – утечки при Замена SiO2 на диэлектрик с высокой про-
толщине менее 2 нм ницаемостью. Наиболее перспективным
считаются оксиды редкоземельных метал-
лов
Сток-истоковые области – ко- 1) предварительная аморфизация, облучение
роткоканальные эффекты: раз- пучком ионов с углом до 45°;
гонка имплантированной при- 2) быстрый термический отжиг;
меси при последующей актива- 3) быстрая термическая диффузия из газо-
ции (создание мелких перехо- вой фазы и твердых источников, лазерное
дов) легирование, ионно-плазменная импланта-
ция, эпитаксиальный рост.
Смыкание областей обеднения 1) увеличение степени легирования области
истока и стока за счет обратно базы;
смещенного перехода сток-база 2) изготовление МОП-транзисторов на
структурах КНИ с использованием полно-
стью обедняемых отсеченных слоев крем-
ния.
Утечки между затвором и сто- Введение дополнительных слаболегирован-

ком на стоковом переходе при ных областей стока
высокой напряженности элек-
трического поля в области пере-
крытия стока затвором (тунне-
лирование, инжекция горячих
электронов)
Утечки, увеличение емкости, Создание вокруг сток-истоковых слоев об-
перехода сток-база, рост поро- ластей с противоположным типом проводи-
гового напряжения при высокой мости
степени легирования области
Снижение последовательного Создание «приподнятых» сток-истоковых
сопротивления сток-истоковых областей (например, эпитаксиальное «
областей наращивание»)
Затвор – уменьшение литогра- Электронная литография, рентгеновская ли-
фической (топологической) тография в области вакуумного ультрафио-
длины затвора лета (λ = 13 нм), ионная литография
Обеднение поликремниевого за- Использование металлических затворов для
твора (паразитная емкость) n- и p-Si
Одной из основных проблем короткоканальных транзисторов является

смыкание областей обеднения истока и стока за счет обратно смещенного пере-
142
хода сток-база (при определенных условиях длина канала транзистора стано-
вится сравнимой с областью пространственного заряда стокового перехода).
Как видно из таблицы 7.3, способом решения проблемы является увеличение
степени легирования базы. Подробно эта проблема будет проанализирована в
следующем параграфе. При длине канала транзистора в десятки нанометров
эффективным способом подавления эффекта смыкания является пе-
рераспределение потенциала в базе транзистора за счет уменьшения толщины
полупроводникового слоя и напряжения на дополнительном затворе. Такая
возможность появляется при изготовлении транзисторов на структурах КНИ с
полностью обедняемыми пленками (толщина отсеченного слоя кремния мень-
ше области обеднения, индуцированной напряжением на одном затворе). До-
полнительным затвором в структурах КНИ, в частности, может служить под-
ложка.
Рис. 7.11. Затворные (справа) и стоковые (слева) характеристики n-канального МОП-

транзистора с длиной канала 50 нм и легированием базового КНИ-слоя бором 3∙1018 см–3 при
напряжении затвора UЗ, В: 1 – 2,2; 2 – 2,5; 3 – 3; 4 – 3,5.
N-канальные КНИ МОП-транзисторы с предельным уровнем легирования

базы. Поскольку переход к размерам менее 100 нм является основной тенден-
цией современной микроэлектроники, изготовление и исследование характери-
стик нанотранзисторов представляется весьма важным. Определение напряже-
ния смыкания при данной длине канала и концентрации легирующей примеси в
базовом слое необходимо для выбора конструкции транзисторов в ИС.
Для сдвига напряжения смыкания истока со стоком в область больших
значений в конструкции классического n-канального КНИ МОП-транзистора
было использовано легирование базового слоя бором до предельно большой
концентрации (около 3∙1018 см–3), близкой к концентрации дырок в вырожден-
ном кремнии (около 4∙1018 см–3). Для уменьшения диффузионной разгонки мы-
шьяка из истоков и стоков при его активации был применен импульсный се-
кундный отжиг до высокой температуры, около 1050 °С. Ключевая операция –
формирование нанометровых затворов выполнялась фотолитографией по поли-
143
кремнию с перетравом последнего под маской фоторезиста в плазме SF6 ± 10%
фреона-11. Получена минимальная длина затвора, измеренная с помощью ска-
нирующего электронного микроскопа, около 70 нм. Диффузионная разгонка с
каждой стороны составляет около 10 нм, так что длина канала была 50 нм. При
попытках получить еще более короткий затвор поликремний перетравливался
насквозь в некоторых местах, что регистрировалось как бесконечное сопротив-
ление затвора. Недостатком данного способа является увеличенная шерохова-
тость краев поликремниевого затвора. Минимальная длина канала, достигнутая
данным способом, составляла 50 нм при длине затвора 70 нм. При этом ток
утечки был менее 10–9 А, а ток насыщения транзистора около 100 мкА/мкм. Не-
достатком такого транзистора является высокое пороговое напряжение (>2,5 В)
при напряжении смыкания около 3 В. Попытки изготовить аналогичным спосо-
бом р-канальный транзистор не увенчались успехом из-за диффузии бора в ка-
нал транзистора из сток-истоковых областей. Для получения меньшей шерохо-
ватости краев масок требуется переход от оптической литографии к вакуумно-
му ультрафиолету или к электронной литографии. Последняя обладает ограни-
ченной производительностью и, соответственно, применимостью в массовом
производстве. Однако для исследований при использовании позитивного рези-
ста электронная литография позволяет получать менее шероховатые и более
однородные по длине поликремниевые затворы. Дальнейшее уменьшение дли-
ны поликремниевого затвора было достигнуто с помощью электронной лито-
графии. Был проведен расчет вольтамперных характеристик транзистора по
специализированному пакету программ, получено хорошее соответствие рас-
четных и экспериментально измеренных характеристик. Кроме того, было по-
лучено, что возможно дальнейшее уменьшение длины канала, поскольку обыч-
но применяемое напряжение питания короткоканальных транзисторов 1,5 В и
меньше, а при таком напряжении еще нет подъема вольтамперной характери-
стики из-за смыкания ОПЗ (см. рис. 7.11).
7.3. Общие сведения об углеродной нанотехнологии

Углеродная нанотехнология является одним из перспективнейших направ-
лений развития нанотехнологии в целом. Отличается огромными потенциаль-
ными возможностями применения ее изделий, потенциальной дешевизной из-
готовления и многообразием продуктов, изготовленных на ее основе, что де-
монстрирует рис. 7.12.
144
Транзисторы
Диоды и т.д.
Элементы памяти
Нанопроводники
Сенсоры
Качество УНТ
Макроволокна
Прозрачные проводники
Эмиттеры электронов
Антистатические покрытия
Тепловые стоки
Источники
питания
Композиты
0
Рис. 7.12. Состояние рынка углеродных нанотрубок
7.4. Основные материалы углеродной нанотехнологии

К основным материалам углеродной нанотехнологии следует, прежде все-
го, отнести нанотрубки и фуллерены, материал о которых был представлен вы-
ше, а также графен.
7.4.1. Углеродные нанотрубки

Углеродные нанотрубки характеризуются толщиной всего в несколько
атомных слоев и прочностью в тысячу раз больше стали, могут обладать полу-
проводниковыми и металлическими свойствами, причем свойства изменяются
под влиянием внешнего электрического поля.
Оптические свойства нанотрубок. Полупроводниковые модификации угле-
родных нанотрубок (разность индексов хиральности не кратна трем) являются
прямозонными полупроводниками. Это означает, что в них может происходить
непосредственная рекомбинация электрон-дырочных пар, приводящая к испус-
канию фотона. Прямозонность автоматически включает углеродные нанотруб-
ки в число материалов оптоэлектроники.
Электрические свойства нанотрубок. Сверхпроводимость углеродных нано-
трубок открыта исследователями из Франции и России (ИПТМ РАН, Черного-
ловка). Ими были проведены измерения вольт-амперных характеристик:
– отдельной однослойной нанотрубки диаметром ~1 нм;
– свернутого в жгут большого числа однослойных нанотрубок;
– индивидуальных многослойных нанотрубок.
145
При температуре, близкой к 4° К, между двумя сверхпроводящими метал-
лическими контактами наблюдался ток. В отличие от обычных трехмерных
проводников, перенос заряда в нанотрубке имеет ряд особенностей, которые,
судя по всему, объясняются одномерным характером переноса.
7.4.2. Фуллерены
Фуллерены – пустотелые шары и эллипсоиды нанометровых размеров, от-
крытые в 1985 г. Они обладают набором уникальных свойств, обуславливаю-
щих огромные перспективы их использования и применения. К таким свой-
ствам следует отнести следующие.
Нелинейные оптические свойства фуллеренов. Анализ электронной структу-
ры фуллеренов показывает наличие π-электронных систем, для которых имеют-
ся большие величины нелинейной восприимчивости. Фуллерены действительно
обладают нелинейными оптическими свойствами. Однако из-за высокой сим-
метрии молекулы С60 генерация второй гармоники возможна только при внесе-
нии асимметрии в систему (например, внешним электрическим полем). С прак-
тической точки зрения привлекательно высокое быстродействие (~250 пс),
определяющее гашение генерации второй гармоники. Кроме того фуллерены
С60 способны генерировать и третью гармонику.
Другой вероятной областью использования фуллеренов и, в первую оче-
редь С60, являются оптические затворы. Экспериментально показана возмож-
ность применения этого материала для длины волны 532 нм. Малое время от-
клика дает шанс использовать фуллерены в качестве ограничителей лазерного
излучения и модуляторов добротности. Однако по ряду причин фуллеренам
трудно конкурировать здесь с традиционными материалами.
Высокая стоимость, сложности с диспергированием фуллеренов в стеклах,
способность быстро окисляться на воздухе, далеко не рекордные коэффициен-
ты нелинейной восприимчивости, высокий порог ограничения оптического из-
лучения (не пригодный для защиты глаз) создают серьезные трудности в борьбе
с конкурирующими материалами.
Электрические свойства фуллеренов. Молекулярный кристалл фуллерена яв-
ляется полупроводником с шириной запрещенной зоны ~1,5 эВ и его свойства
во многом аналогичны свойствам других полупроводников. Поэтому ряд ис-
следований был связан с вопросами использования фуллеренов в качестве но-
вого материала для традиционных приложений в электронике: диод, транзи-
стор, фотоэлемент и т.п. Здесь их преимуществом по сравнению с традицион-
ным кремнием является малое время фотоотклика (единицы нс).
Однако существенным недостатком оказалось влияние кислорода на про-
водимость пленок фуллеренов и, следовательно, возникла необходимость в за-
щитных покрытиях. В этом смысле более перспективно использовать молекулу
фуллерена в качестве самостоятельного наноразмерного устройства и, в част-
ности, усилительного элемента.
Сверхпроводящие свойства фуллеренов. Как уже говорилось, молекулярные
кристаллы фуллеренов – полупроводники, однако в начале 1991 г. было уста-
новлено, что легирование твердого С60 небольшим количеством щелочного ме-
146
талла приводит к образованию материала с металлической проводимостью, ко-
торый при низких температурах переходит в сверхпроводник. Легирование С60
производят путем обработки кристаллов парами металла при температурах в
несколько сотен градусов Цельсия. При этом образуется структура типа X3С60
(Х – атом щелочного металла). Первым интеркалированным металлом оказался
калий. Переход соединения С60 в сверхпроводящее состояние происходит при
температуре 19 К. Это рекордное значение для молекулярных сверхпроводни-
ков. Вскоре установили, что сверхпроводимостью обладают многие фуллериты,
легированные атомами щелочных металлов в соотношении либо Х3С60, либо
XY2С60 (X,Y – атомы щелочных металлов). Рекордсменом среди высокотемпе-
ратурных сверхпроводников (ВТСП) указанных типов оказался RbCs2С60 – его
ТКР = 33 К.
7.4.3. Графен
Графен – это «двумерная пленка» из атомов углерода. Ее можно предста-
вить как нанотрубку, разрезанную вдоль оси и раскатанную на плоскости.
Впервые синтезирован в 2004 г. профессором Андрю Геймом. Электропровод-
ность графена не уступает углеродным нанотрубкам, что перспективно для со-
здания графеновых транзисторов. Графен уникален для исследования свойств
«двумерных электронов», т.е. привязанных к структурным особенностям мате-
риала толщиной в один атом. Ученый Пол Мак Юн разместил слой графена
длиной в несколько микрометров между двумя кремниевыми зажимами и со-
здал резонатор толщиной в один атом углерода. При воздействии импульсного
лазера на систему резонаторов наблюдались колебания в диапазоне 1–170 МГц,
при воздействии напряжения наблюдались колебания пленки, резонаторы-
пленки можно использовать как сверхточные детекторы силы, например, опре-
делять вес молекул.
7.5. Продукты углеродной нанотехнологии

Основное внимание в монографии уделяется потенциалу, который откры-
вает использование ресурсов нанотехнологий в микро- и наноэлектронной про-
мышленности. Поэтому следует подробное описание вариантов изготовления
основных узлов микро- и наноэлектронной аппаратуры с использованием мате-
риалов углеродной нанотехнологии: диодов, транзисторов и др (см. гл. 8). Кро-
ме того существуют следующие варианты применения углеродной нанотехно-
логии:
1) механические применения: сверхпрочные нити, композитные материалы,
нановесы;
2) применения в микроэлектронике: транзисторы, нанопровода, прозрачные
проводящие поверхности, топливные элементы;
3) для создания соединений между биологическими нейронами и электрон-
ными устройствами в новейших нейрокомпьютерных разработках;
4) капиллярные применения: капсулы для активных молекул, хранение ме-
таллов и газов, нанопипетки;
5) оптические применения: дисплеи, светодиоды;
147
6) медицина (в стадии активной разработки);
7) одностенные нанотрубки (индивидуальные, в небольших сборках или в
сетях) являются миниатюрными датчиками для обнаружения молекул в газовой
среде или в растворах с ультравысокой чувствительностью – при адсорбции на
поверхности нанотрубки молекул ее электросопротивление, а также характери-
стики нанотранзистора могут изменяться. Такие нанодатчики могут использо-
ваться для мониторинга окружающей среды, в военных, медицинских и био-
технологических применениях;
8) трос для космического лифта;
9) листы из углеродных нанотрубок можно использовать в качестве плоских
прозрачных громкоговорителей, к такому выводу пришли китайские ученые;
10) изготовление красок повышенной огнестойкости.
7.6. Органические нанотехнологии

7.6.1. Жидкие кристаллы
Физика и химия агрегатов. С позиций физики агрегатные состояния ве-
ществ определяются соотношением между средней кинетической энергией теп-
лового движения молекул и потенциальной энергией отрыва. Дело в том, что в
отличие от дальнодействующих сил – гравитационных, электромагнитных –
силы молекулярного взаимодействия короткодействующие, иными словами
имеют конечный радиус действия. Газы – это вещества, в которых кинетиче-
ская энергия выше энергии отрыва, поэтому взаимодействия молекул случай-
ны, их главное желание – разбежаться, что они и реализуют немедленно. Жид-
кости, в принципе, приграничная область. Ее молекулы достаточно быстры,
чтобы бежать от соседей, но не столь энергичны, чтобы оторваться от коллек-
тива. Средняя кинетическая энергия «членов жидкого сообщества» выше ради-
уса молекулярного взаимодействия, но ниже энергии отрыва от поверхности.
Отсюда главные свойства жидких сред – текучесть и способность сохранять
объем. Жидкая среда по физической классике – это неупорядоченное сообще-
ство.
Для твердых тел характерен дальний порядок. В этом случае «тепловые
метания» молекул меньше радиуса взаимодействия, что превращает их в осед-
лых членов сообщества. Некоторые жидкости – это особенно характерно для
высокомолекулярных органических соединений – при охлаждении, постепенно
отвердевая, переходят в аморфное или стеклообразное состояния, в которых
сохраняется присущая жидкостям беспорядочность размещения элементов, но
проявляется оседлость, характерная для молекул твердых тел. Однако настоя-
щие твердые тела – это кристаллы, в которых место положения любой молеку-
лы по отношению к остальным определено кристаллической системой среды.
Это и называют дальним порядком. Здесь все определено по всему объему кри-
сталла: и место для каждого члена, и форма элементарной (кристаллической)
ячейки, и форма самого монокристалла. Бывают – с этим мы чаще всего встре-
чаемся – поликристаллические вещества, составленные из множества спаянных
148
мелких кристаллов. Металлы, камни – большая часть неорганических веществ,
используемых нами – поликристаллические.
Это затянутое вступление понадобилось, чтобы высветить главную осо-
бенность жидких кристаллов, которая попросту не укладывается в ту стройную
физическую схему агрегатных состояний вещества, которая расписана выше.
Для жидких кристаллов характерна и текучесть, и дальний порядок. Отягощен-
ный повседневным опытом разум очень трудно воспринимает такое, почти не-
возможное, сочетание. Наука это называет мезофазой, т.е. промежуточной (в
данном случае между кристаллической и жидкой фазами агрегатного состоя-
ния) фазой. Мир неорганической химии подобного не знает. В какой-то мере,
особенно при температурах, близких к точке замерзания, жидкокристалличе-
ские свойства можно обнаружить у воды.
Вода – это вещество настолько особое, что именно в нем можно заподо-
зрить промысел божий. Воде присущ почти необозримый спектр аномальных
свойств, без которых не могла бы состояться сама Жизнь! Максимальная плот-
ность воды на четыре градуса выше точки замерзания – это единственное веще-
ство с такой особенностью. Поэтому лед плавает, а не тонет, защищая живое
под ним. Это универсальный растворитель. Диэлектрическая проницаемость
воды намного выше нормы для жидких сред. И многое, многое другое... Ча-
стично уникальность физико-химических свойств воды можно объяснить тем,
что H2O – только идеализированная форма главного вещества жизни, а на деле
– это сложный полимер, состав и форма которого очень умно, с позиций влия-
ния на биологические процессы, зависят от температуры.
Жидкие кристаллы. Все известные жидкокристаллические среды пришли
из органики, что далеко не случайно. Главное требование к претендентам – рез-
кая анизотропия формы. Это может быть распрямленная нитевидная молекула
или гантелеобразная. Известны жидкие кристаллы, образованные молекулами в
виде дисков, укладывающихся в столбики, или даже гребнеобразные. Сложные
полимеры «предпочитают» скручиваться в клубки. Поэтому молекулы жидких
кристаллов обычно содержат элементы, препятствующие скручиванию – это
бензольные кольца. Различают три типа жидких кристаллов: смектические, не-
матические и холестерические.
Самые «кристаллические» среди жидких кристаллов – смектические. Для
смектических кристаллов характерна двумерная упорядоченность. Молекулы
размещаются так, чтобы их оси были параллельны. Более того, они «понима-
ют» команду «равняйся» и размещаются в стройных рядах, упакованных на
смекатических плоскостях, и в шеренгах – на нематических, что поясняет рис.
7.13, а. Смектическим жидким кристаллам свойственно многое из того, о чем
пойдет речь ниже, и нечто особенное – долговременная память. Записав,
например, изображение на такой кристалл, можно затем долго любоваться
«произведением». Однако эта особенность смектических кристаллов для вос-
производящих элементов индикационных устройств, телевизоров и дисплеев не
слишком удобна. Тем не менее, они находят применение в промышленности, к
примеру, в индикаторах давления.
149
Рис. 7.13. Три типа жидких кристаллов
Упорядоченность нематических сред ниже, чем у смектических. Молеку-

лам дозволено смещаться относительно длинных осей, поэтому упорядочен-
ность становится «односторонней», а реакция на внешнее воздействие относи-
тельно быстрой, память – короткой. Смектические плоскости отсутствуют, а
вот нематические сохраняются. Эту особенность нематиков поясняет рис.
7.13, б.
Термин «холестерические жидкие кристаллы» не случаен, поскольку
наиболее характерным и на практике самым используемым кристаллом этого
класса является печально известный холестерин. Молекулы холестерина и ана-
логов размещаются в нематических плоскостях. Особенность молекул холесте-
рического типа в том, что при достаточно сильном боковом притяжении их
вершины отталкиваются. Поэтому энергетически выгодным для них становится
такое размещение, когда длинные оси молекул несколько развернуты. Это
условно поясняет рис. 7.13, в. Поэтому к плоскостному размещению добавляет-
ся винтообразная структура, ортогональная нематическим плоскостям. Иногда
холестерическую структуру размещения называют твист эффектом. Холестерин
– доступный и достаточно дешевый материал, сырьем для которого богата лю-
бая скотобойня. Очень сложные жидкокристаллические структуры образуют
150
растворы мыла в воде. Здесь можно получить слоистые, дисковые и даже шаро-
образные структуры. Словом, выбор материала широк.
В достаточно больших объемах кристаллической жидкости образуются
домены, физические свойства которых подобны кристаллам. Однако в целом
она проявляет свойства, подобные обычным жидкостям. Доменная структура
жидких кристаллов образуется по тем же причинам и законам, что в сегнто-
электриках и ферромагнетиках. Ситуация резко меняется в пленках, толщина
которых сопоставима с радиусом взаимодействия молекул жидкости и пластин,
формирующих слой. Это важно подчеркнуть, поскольку именно взаимодей-
ствие жидкого кристалла и формообразующих элементов создает тот легко
управляемый прибор, который столь активно встраивается в современную
электронную технику.
Эффекты. Жидкокристаллическое состояние достаточно неустойчиво и по
этой причине весьма подвержено внешнему влиянию. Наиболее известно и до-
статочно давно используется термооптическое явление – зависимость цвета
жидкого кристалла от температуры. Термооптические жидкокристаллические
пленки способны регистрировать температуру с точностью до долей градуса и
используются для контроля тепловых полей. К примеру, в медицине с их по-
мощью можно определить разницу температур различных участков тела и, тем
самым, выявить воспаленные области. В промышленности можно вести поиск
перегретых участков аппаратуры. Чувствительны жидкие кристаллы и к давле-
нию.
Жидкие кристаллы обладают резко выраженной анизотропией (зависимо-
стью физических параметров от направления – характерная особенность всех
кристаллов, кроме кубических). Это относится к вязкости, упругости, электро-
проводности, диэлектрической проницаемости, а также ко многим другим па-
раметрам среды. Управлять этими параметрами можно, например, с помощью
электрических и магнитных полей. С их помощью можно воспроизвести самые
разные оптические эффекты.
Электрическое поле, приложенное к жидкому кристаллу, или протекаю-
щий через среду электрический ток способны переориентировать молекулы.
Если воздействие переменно, и достаточной величины, то оно способно закру-
тить молекулы. В итоге в среде возникнут кавитационные микровихри. Каждый
такой вихрь является по отношению к свету рассеивающим элементом. Подоб-
ное воздействие приводит к помутнению и окрашиванию среды. Именно этот
эффект и используется в индикаторах, где достаточно двух положений: есть
эффект или он отсутствует.
Там, где важно воспроизведение градаций, используются электрооптиче-
ские эффекты двойного лучепреломления и оптической активности.
Оптика кристаллов существенно отличается от той, которую мы знаем по
опыту общения со стеклянными приборами, причем важную роль начинает иг-
рать поляризация. Каждый фотон определенным образом поляризован в плос-
кости, ортогональной направлению распространения. В целом же световой по-
ток неполяризован или, как часто говорят, естественно поляризован, поскольку
функции состояния поляризации отдельных фотонов случайны.
151
а
б в
Рис. 7.14. Ортогональные функции состояния поляризации света
В анизотропной и оптически активной средах могут распространяться

только волны строго определенной поляризации – линейной, круговой или эл-
липтической. Рис. 7.14 поясняет, как это выглядит.
Электромагнитные волны строго поперечны, при этом векторы электриче-
ской E, магнитной H напряженности и волновой вектор K образуют тройку вза-
имно ортогональных векторов. По давней традиции за направление (вектор)
поляризации электромагнитной волны принимают направление вектора H
напряженности магнитного поля световой волны. При линейной поляризации
направление этого вектора сохраняется в пространстве (рис. 7.14, а). Другая
функция поляризации – круговая. В этом случае вектор поляризации вращается,
за один период волны, описывая полный круг (рис. 7.14, б). Представим, что
вращающийся вектор поляризации – штопор. Если такой штопор ввинчивается
в направлении волнового вектора, то волну называют правой (правоциркуляр-
ной), если, напротив, вывинчивается, то левой (левоциркулярной). Волны с
правой и левой круговой поляризацией по этой функции ортогональны. В неко-
торых случаях возникают волны с эллиптической поляризацией (рис. 7.14, в).
На рисунке поясняется, как выглядят функции эллиптической поляризации.
В анизотропных средах могут распространяться только волны, поляризо-
ванные линейно. При заданном направлении света разрешены только два вза-
имно ортогональных направления поляризации, определяемые параметрами
анизотропии среды – это важно, поскольку именно с этим обстоятельством тес-
но связана электрооптическая модуляция света. В оптически активных средах
разрешенными являются две круговые поляризации – правая и левая. Эллипти-
ческая поляризация характерна для анизотропных сред с заметным поглощени-
ем излучения или вблизи оптической оси одноосных анизотропных сред, обла-
дающих также и оптической активностью. Скорости ортогонально поляризо-
ванных волн во всех рассмотренных случаях различны.
152
Низкочастотное электромагнитное поле способно в достаточно широких
пределах менять скорости световых волн. Зависимость фазовой скорости света
от напряженности электрического поля и называют электрооптическим эффек-
том, который используется для модуляции света в жидкокристаллических дис-
плеях и телевизорах.
Электрооптическая модуляция. На первый взгляд конструкция электроопти-
ческого модулятора достаточно проста. Она поясняется рис. 7.15. Электроопти-
ческая ячейка (например, сосуд с нематическим жидким кристаллом) размеще-
на между прозрачными электродами, создающими в среде электрическое поле.
Весь этот модуль, в свою очередь, размещен между поляризаторами, причем
выходной по свету поляризатор называют анализатором. Поляризатор – это оп-
тический прибор, который из естественно поляризованного света вырезает ли-
нейно поляризованный компонент. На эту операцию тратится половина свето-
вого потока. Пленочные поляризаторы, а они чаще всего и используются, отсе-
каемый компонент просто поглощают. Однако в тех случаях, когда речь идет о
модуляции световых потоков очень высокой интенсивности, поглощенная
энергия может привести к опасным перегревам поляризатора.
Рис. 7.15. Электрооптический модулятор
За поляризатором световой поток линейно поляризован вдоль вектора Pп. В

анизотропной среде могут распространяться только волны, поляризованные
вдоль собственных направлений, определяемых кристаллом – пусть это будут
векторы P1 и P2. Падающий на электрооптическую ячейку световой поток раз-
деляется на два компонента, поляризованных вдоль собственных направлений
среды. Интенсивности этих компонент пропорциональны косинусам углов
между направлениями поляризации падающего света и собственными среды.
Если эти углы равны 45°, то интенсивности компонент совпадают. Именно так
и ориентируют входной поляризатор. Собственные векторы поляризации ана-
лизатора и поляризатора, обычно, либо скрещены (ортогональны), либо парал-
лельны. При скрещеных поляризаторах модуляция позитивная, при параллель-
ных – негативная.
Коэффициенты преломления анизотропной среды для волн с поляризация-
ми P1 и P2 различны, соответственно различны и фазовые скорости этих волн. В
итоге одна из компонент отстает от другой по фазе. На выходе ячейки компо-
153
ненты объединяются в один поток (интерферируют). При этом из-за приобре-
тенного сдвига фаз функции поляризации меняется и становится эллиптиче-
ской. Приборов, способных регистрировать фазовые сдвиги или функцию по-
ляризации, в принципе, нет, и приходится прибегать к косвенным методам –
преобразованию фазового сдвига в изменение интенсивности потока. Вот эту
функцию и выполняет анализатор. Он просто вырезает из эллиптически поля-
ризованной волны компонент, поляризация которого задана анализатором. Ин-
тенсивность этой компоненты пропорциональна косинусу удвоенного фазового
сдвига. График соответствующей зависимости при скрещенных поляризаторе и
анализаторе показан на рис. 7.16.
Рис. 7.16. Зависимость интенсивности луча на выходе модулятора от сдвига фазы
Диэлектрическая проницаемость, а с ней и коэффициенты преломления

компонент в ячейке зависят от приложенного к электродам электрического
напряжения. Поэтому от напряжения будет зависеть и фазовый сдвиг. Если фа-
зовый сдвиг линейно зависит от напряжения, то функцию, представленную на
рис. 7.16 можно рассматривать как модуляционную характеристику. В действи-
тельности она сложнее. В основе управления жидкокристаллической средой
лежит переориентация молекул – процесс, зависящий от вязкости среды, харак-
тера сил взаимодействия с границами ячейки и многих других факторов.
При использовании оптически активных жидких кристаллов конструкция
модулятора та же, что и в рассмотренном выше случае анизотропных сред. От-
личие только в функциях поляризации компонент в кристалле. Вошедшая в оп-
тически активную среду волна распадается на круговые волны с левой и правой
циркуляциями вектора поляризации. И в этом случае скорости компонент раз-
личны, а фазовый сдвиг зависит от приложенного напряжения. На выходе из
ячейки волны интерферируют, в итоге возникает линейно поляризованная вол-
на повернутая относительно поляризатора на угол, равный фазовому сдвигу.
Анализатор вырезает соответствующий компонент. Так формируется волна,
модулированная по интенсивности. Зависимость интенсивности выходящего
света от фазового сдвига также определяется функцией, показанной на рис.
7.16.
Светоклапанные модуляторы. Оптические модуляторы, осуществляющие
пространственную модуляцию, часто называют светоклапанными, поскольку
154
процесс модуляции можно описать с помощью некоторого виртуального пере-
мещаемого окошка, с переменной прозрачностью. На стеклянные пластины
наносят полосковые электроды. Две пластины соединяют, оставляя зазор, кото-
рый заполняется жидким кристаллом. Полосковые решетки пластин скрещены.
В точках пересечения полосковых электродов образуются конденсаторы – это
по сути элементарные модуляторы. Остается добавить поляризатор и анализа-
тор – и светоклапанный модулятор на жидком кристалле готов (рис. 7.17).
В зависимости от назначения, способов коммутации и других факторов к
элементам представленной базовой конструкции могут добавляться другие
элементы. К примеру, к местам пересечения полосковых электродов, обычно,
подсоединяют МОП транзисторы так, что их затворы подключены к горизон-
тальным электродам, а истоки – к вертикальным.
Рис. 7.17. Конструкция светоклапанного модулятора

Если панель предназначена для воспроизведения цветного изображения,
добавляются цветовые фильтры RGB. Размеры и форма элемента цветового
фильтра соответствует размерам модулирующей ячейки. В каждой последую-
щей строке фильтры сдвигаются на один элемент. Это позволит избежать визу-
ализации вертикальных структур. Однако в этом случае проявляется диаго-
нальные структуры.
Число строк и ячеек в строках и панели зависит от стандарта, для работы в
котором предназначена эта панель.
Плоские телевизоры, дисплеи и светоклапанные модуляторы видеопроек-
торов. Панели с активными ячейками на жидких кристаллах – достаточно
удобный прибор воспроизведения изображений. При подаче потенциала на не-
которую пару полосовых электродов, активизируется ячейка, на которой верти-
кальный и горизонтальный электроды пересекаются. Коммутируя потенциалы
по тем или иным законам, можно реализовать самые различные режимы пере-
мещения активного «окна», включая и случайные. Эта особенность полезна для
ряда специальных приложений. Чаще всего – и это естественно – применяются
стандартные режимы развертки, используемые в телевидении и компьютерах.
В состав ЖК панели, естественно, входят и схемы управления, одна из ос-
новных функций которых – коммутация управляющих импульсов. Они содер-
жат схемы кадровой и строчной развертки. Видеосигнал представлен последо-
вательностью импульсов-отсчетов. Тактовая частота определяется стандартом
воспроизводимого сигнала. В принципе, ЖК панели могут быть многостан-
155
дартными и работать с телевизионными и компьютерными сигналами. Схема
строчной развертки переключает с тактовой частотой импульсы-отсчеты видео-
сигнала с одного вертикального электрода на другой. Схема кадровой разверт-
ки в интервале строчного гасящего импульса осуществляет перекоммутацию
горизонтальных электродов.
В современных схемах управления ЖК панелями используют самые раз-
ные ухищрения с тем, чтобы исправить недостатки или упростить систему
управления и т.п. Уже упоминалось, что модуляционная характеристика прибо-
ра существенно нелинейная, из-за чего заметно снижается число передаваемых
градаций. Элементы нелинейной обработки видеосигнала позволяют суще-
ственно ослабить влияние нелинейности модулятора на качество изображения.
Применение сдвоенных схем строчной развертки, одна из которых управляет
нечетными электродами, другая – четными, позволяет снизить тактовые часто-
ты строчной развертки. Примеры подобного рода можно множить и множить.
Современная интегральная техника готова предложить достаточно сложные
электронные схемы, размещенные на ограниченном пространстве стандартного
чипа.
Энергопотребление экранов и дисплеев на жидких кристаллах незначи-
тельно. В них не используются дефицитные и особо дорогостоящие детали. Тем
не менее, по стоимости ЖК экраны в сотню и более раз дороже аналогичных
экранов на кинескопах. Это сдерживает массовое применение таких экранов в
бытовой технике, где наиболее ходовыми являются телевизоры с небольшими
экранами, например, прогулочные. Без ЖК дисплеев трудно представить порта-
тивные компьютеры, электронные записные книжки и т.п.
ЖК экраны плоских телевизоров и дисплеев работают на просвет. В этом
случае за ячейкой, если смотреть с лицевой стороны экрана, размещают источ-
ник света. Причем входящий световой поток должен иметь достаточно малую
расходимость. Скрещенными поляризаторами в отсутствии модуляции такой
поток полностью задерживается. Расходящийся поток полностью не перекры-
вается скрещенными поляризаторами. Это – эффект просачивания. Просочив-
шийся компонент в процессах модуляции не участвует и образует фоновую за-
светку, снижающую контрастность воспроизводимого изображения.
При достаточно малых углах расходимости просачивание относительно
терпимо, но начиная с некоторого угла быстро нарастает. Конкретные значения
критического угла расходимости зависят от длины пути света в ячейке, разно-
сти обыкновенного и необыкновенного коэффициентов преломления жидкого
кристалла и некоторых других физических параметров среды. Эффект просачи-
вания и определяет требования к направленности используемого светового по-
тока. По необходимости направленное излучение ведет к тому, что изображе-
ние на ЖК экране воспринимается лишь в узком интервале (10–15°) углов
наблюдения, группирующихся вокруг нормали к экрану. Изобретательская
мысль не могла пройти мимо этого недостатка. Специалисты фирмы Uchida
разработали, так называемую, трехмерную ячейку, в которой интервалы углов
наблюдения расширены примерно в два раза. Около десятка ведущих фирм-
производителей ЖК панелей уже используют технологию трехмерных ячеек.
156
Изобретатели ищут и новые способы управления ячейками панели, по-
скольку традиционное решение, связанное с коммутацией системы скрещенных
полосковых электродов не во всем удовлетворительно. Интересное решение
этой проблемы применено в видеопроекторе ILA фирмы JVC. В качестве све-
токлапанного модулятора используется оптронная пара «фотосопротивление –
электрооптическая ячейка». Конструкция прибора поясняется рис. 7.18.
Рис. 7.18. Светомодулирующий блок видеопроектора ILA

Рабочими элементами ЖК панели являются фотосопротивление, интерфе-
ренционный отражающий слой, слой жидкого кристалла, прозрачная пластина
с токопроводящим слоем. Изображение, воспроизводимое кинескопом, проеци-
руется на фотосопротивление (фоторезист). Сопротивление фоторезиста зави-
сит от уровня его освещенности. В соответствии с распределением темных и
светлых участков меняется сопротивление на соответствующих участках.
Вследствие этого меняется и электрический потенциал. Таким образом, в жид-
ком кристалле формируется неоднородное поле электрической напряженности,
функция распределения потенциала в котором повторяет изображение на по-
верхности фотосопротивления.
Светоклапанный блок рис. 7.18 принципиально работает только на отраже-
ние. По этой причине, если использовать обычные пленочные поляризаторы, то
поляризующему слою придется выполнять одновременно функции поляризато-
ра и анализатора. Как упоминалось выше, модуляция в этом случае негативная.
В том нет большой беды, поскольку исправить негатив на позитив можно элек-
тронными средствами. Хуже другое. По многим причинам использовать весь
динамический диапазон модулятора света крайне нежелательно, а при меньших
индексах появляется остаточный световой поток, заметно снижающий кон-
трастность. Обычная мера борьбы с этим недостатком – введение в схему рис.
7.18 дополнительного элемента, сдвигающего фазу компонент на 45° за один
проход светового потока, а значит туда и обратно он сдвинет фазу на 90°, что
соответствует повороту вектора поляризации на соответствующий угол. В ито-
ге схема, работающая с отраженным потоком, при одном поляризаторе превра-
щается в схему модуляции со скрещенными поляризатором и анализатором. В
проекторе ILA фирма JVC нашла иное решение.
157
Известной американской корпорацией Hughes Aircraft Corp. создан ориги-
нальный поляризующий элемент – зеркало, которое при падении света под уг-
лом 45°, компонент, поляризованный вдоль поверхности зеркала, полностью
проходит через зеркало, а компонент с ортогональной поляризацией полностью
отражается (в данном случае направление поляризации отраженного луча сов-
падет с направлением проходящей волны). Благодаря этой особенности зеркало
справляется одновременно с ролями поляризатора и анализатора. Но главное в
другом: в схеме с зеркалом-поляризатором нет элементов, которые должны по-
глощать отсекаемую часть светового потока. Все лишнее здесь просто отводит-
ся в сторону источника, где и рассеивается. Поэтому видеопроекторы ILA мо-
гут работать с более мощными световыми потоками, чем те, где для поляриза-
ции используется абсорбционная анизотропия, поляризующие пленки. Это се-
рьезное преимущество.
Итак, создатели ILA рискнули вернуть в видеопроектор кинескопы, сохра-
нив за ними функцию формирования изображения, а по сути развертки. Кине-
скопам здесь не надо перенапрягаться, чтобы выдать как можно более яркий
световой поток. Следовательно, резко возрастает надежность их работы. Прин-
ципиальное отсутствие в светоклапанном модуляторе светопоглощающих эле-
ментов позволяет свободно распорядиться мощностью используемых световых
потоков.
Еще одна оригинальная идея воплощена в плазматроне – гибриде ЖК дис-
плея и газоразрядных элементов. Первый шаг в направлении плазматрона сде-
лала фирма Tektronix около семи лет назад. Технологические трудности изго-
товления матрицы плазматрона два года назад преодолела фирма Sony. Первый
образец плоского телевизора – плазматрона был показан в 1995 г. на выставке в
Берлине. Основная идея, реализованная в плазматроне, – замена горизонталь-
ных полосковых электродов газоразрядными каналами. В качестве источника
направленного света в плазматроне используется «стена», составленная из лю-
минесцентных ламп.
Можно с уверенностью утверждать, что для совершенствования ЖК пане-
лей все еще остаются не малые резервы. Над этой проблемой работают самые
знаменитые компании мира, среди них кроме уже названных особо активны
Sharp, Toshiba, Hitachi, NEC. В группу «сильнейших» стремительно врывается
Samsung. Среди российских организацией наиболее известен НИИ «Платан»,
которому принадлежит ряд перспективных разработок ЖК устройств самого
разного назначения.
7.6.2. OLED технология

Сегодня одна из самых многообещающих и захватывающих – это техноло-
гия органических светодиодов (Organic Light Emitting Diodes – OLED), запатен-
тованная в начале 80-х годов прошлого столетия компанией Eastman Kodak.
Повышенный интерес к OLED объясняется такими их достоинствами, как вы-
сокие яркость и контрастное отношение, недостижимые с помощью других из-
вестных технологий, а также отсутствие необходимости подсветки и, соответ-
ственно, низкое энергопотребление.
158
Органический светодиод. Первый OLED на основе пленок органических по-
лупроводников p–n-типа, состоящих из групп молекул в аморфном состоянии,
был получен специалистами компании Eastman Kodak, заметившими голубое
свечение, исходящее от органического элемента солнечной батареи. Ученые
установили, что в зоне соприкосновения двух органических материалов, в од-
ном из которых присутствуют дырки, а в другом – избыточные электроны, как
и в случае кристаллических светодиодов, возможна эмиссия фотонов. При
этом, разумеется, внешний слой излучающего элемента должен беспрепят-
ственно пропускать свет, для чего было решено использовать широко применя-
емый в полупроводниковой промышленности прозрачный оксид индия и олова
(ITO). В результате была создана так называемая структура Kodak-типа, до сих
пор практически не изменившаяся.
Таким образом, органический светодиод – монолитное твердотельное
устройство, представляющее собой многослойную структуру, состоящую из
нескольких органических слоев (дырочной инжекции, переноса дырок, свето-
излучающего и переноса электронов) толщиной 100–150 нм, заключенных
между прозрачным анодом, нанесенным на стеклянную или пластмассовую
подложку, и осажденным поверх органических пленок металлическим катодом
(рис. 7.19). При подаче напряжения на прибор электроды инжектируют в соот-
ветствующие органические пленки носители заряда (электроны и дырки), кото-
рые под действием электрического поля дрейфуют навстречу друг другу, ре-
комбинируя в промежуточном слое с излучением фотона.
Параметры OLED-панели во многом определяет ее тип – пассивно-
матричный (PMOLED) или активно-матричный (AMOLED).
Металлический
2-20 В по катод
постоянно
му току
Слой переноса электронов

Органический светоизлучающий слой
Анод из оксида натрия
Стеклянная подложка
Излучаемый свет
Рис. 7.19. Структура OLED
Пассивно-матричные OLED представляют собой матрицу элементов изобра-

жения, образуемую пересекающимися анодными и катодными линиями (рис.
7.20). При подаче с помощью внешнего контроллера на определенные столбцы
и строки входного напряжения и сигнала передачи видеоданных высвечивают-
ся соответствующие элементы изображения. Чем больше проходящий ток, тем
ярче пиксел. Для формирования изображения напряжение на каждую строку
должно подаваться в течение 1/N-отрезка времени, затрачиваемого на сканиро-
вание экрана с N числом строк. Сигнал передачи данных, поступающий на
159
столбцы, синхронизирован с частотой развертки строк, составляющей, как пра-
вило, 60 Гц.
Панели этого типа просты в изготовлении, но требуют применения доста-
точно дорогостоящих внешних схем управления. К тому же они потребляют
большую мощность. При подаче больших импульсов токов управления малой
длительности PMOLED обычно не достигают максимальной световой эффек-
тивности, что связано как с неэффективностью самого диода, так и с потерями
в строках. Анализ эффективности PMOLED показал, что на их основе целесо-
образно выполнять дисплеи с диагональю не больше 2–3 дюймов и числом
строк до 100. Такие дешевые дисплеи с малым информационным содержанием
находят достаточно широкое применение в сотовых телефонах, МР3-плеерах и
портативных электронных играх.
Рис. 7.20. Структура пассивно-матричного OLED
Активно-матричные OLED выполняются на стеклянных подложках, поверх

которых изготовлены тонкопленочные транзисторы (ТПТ), обеспечивающие
индивидуальную адресацию каждого пиксела дисплея и позволяющие тем са-
мым снизить потребляемую им мощность. Для формирования ТПТ-матрицы
наиболее перспективен метод низкотемпературной обработки поликристалли-
ческого кремния (Low-Teperature Polycrystalline Silicon – LTPS). По-видимому,
LTPS-подложки по мере модернизации существующих предприятий и строи-
тельства новых заменят более распространенные сейчас подложки с тонкопле-
ночными транзисторами на аморфном кремнии, поскольку обеспечивают высо-
кое разрешение (до 200 пикселов/дюйм и выше) и малое энергопотребление.
При использовании AMOLED сокращается число требуемых внешних схем
управления и существенно упрощаются электрические соединения между мо-
дулем дисплея и остальными блоками системы. Ведутся работы и по изготов-
лению AMOLED на подложках с ТПТ на монокристаллическом кремнии, что
перспективно для создания микродисплеев с высоким разрешением. Число пик-
селов, разрешение и размер AMOLED практически ничем не ограничены. Па-
нели этого типа перспективны для реализации СОИ с высоким разрешением и
информационным содержанием, в том числе средств отображения видеоин-
формации и графических устройств.
Основные рабочие характеристики дисплея, к которым относятся длина
волны излучения (цвет), срок службы и эффективность, определяет в первую
очередь органический материал многослойной структуры. Сегодня органиче-
160
ские светодиоды в основном выполняются либо на базе материалов, молекулы
которых легче молекул простейшего белка, – так называемых низкомолекуляр-
ных материалов (эти светодиоды зачастую и называют OLED или Small-
Molecule OLED – SMOLED), либо на основе специального класса полимеров,
способных излучать свет при возбуждении (так называемые полимерные LED,
или PLED). Пионер в области разработки PLED – компания Cambridge Display
Technology (CDT), владеющая ключевыми патентами на их создание, на про-
цессы оптимизации параметров и процессы изготовления. В PLED, как прави-
ло, используются полимеры двух семейств – поли р-фениленвинилен (PPV) и
полифлуорен (PF). Полимер наносится на подложку методом струйной печати.
Для этого чрезвычайно тонкие пленки полимерного материала помещаются в
раствор с целью получения распыляемых чернил, а специальный струйный
принтер наносит на подложку капли жидкого красного, зеленого и синего по-
лимера. Правда, создание структуры, содержащей материалы разного цвета из-
лучения, т.е. полноцветного дисплея, – задача не простая. Тем не менее, метод
достаточно прост и позволяет изготавливать гибкие и дешевые дисплеи доста-
точно больших размеров. Так, компания Philips методом струйной печати изго-
товила полноцветный PLED-дисплей с диагональю 13 дюймов и разрешением
576×324 пикселов. Красные, зеленые и синие пикселы наносились принтером с
четырьмя головками и 256 управляемыми пьезоэлементами соплами, распы-
лявшими соответствующие полимеры. Компанией CDT был изготовлен PLED-
дисплей с диагональю 40 дюймов.
Изготовление OLED на основе низкомолекулярного материала требует
применения сложного оборудования вакуумного осаждения, которое более
пригодно для формирования полноцветных дисплеев с высоким разрешением.
С помощью теневой маски и трехэтапного процесса осаждения RGB-пленок
была показана возможность изготовления полноцветного дисплея с диагональю
2,4 дюйма и шагом субпикселов 57 мкм. К достоинствам OLED на низкомоле-
кулярном материале относится и совместимость с большинством операций
производства полупроводниковых приборов. SMOLED существенно превосхо-
дят PLED по сроку службы и эффективности, но метод их изготовления не при-
емлем для создания дисплеев больших размеров. Поэтому сейчас SMOLED-
дисплеи считаются наиболее серьезным конкурентом ЖКД, особенно в области
дисплеев малых размеров. Поскольку одно из основных достоинств OLED – от-
сутствие подсветки, они успешно конкурируют с ЖКД при создании субпане-
лей (дополнительных дисплеев) мобильных телефонов типа раскладушки, по-
пулярность которых непрерывно растет. Благодаря прогрессивным методам
продвижения OLED-дисплеев на рынок сегодня они используются в 90% рас-
кладушек с субдисплеем. Ряд компаний разработали так называемые двойные
или двухсторонние OLED-дисплеи. Так, исследовательский институт промыш-
ленной технологии (Industrial Technology Research Institute – ITRI) Тайваня в
конце 2004 г. продемонстрировал одноцветный двойной дисплей с диагональю
3,8 дюйма и разрешением 320×240 пикселов. Разработку подобных дисплеев на
основе активно-матричных OLED ведут компании RiTdisplay и AU Optronics.
Безусловно, двойной OLED-дисплей зрительно более привлекателен, чем ЖКД.
161
Появление мобильных телефонов со встроенной фотокамерой открывает новое
применение OLED, на основе которых благодаря большей эффективности в
сравнении с ЖКД, выполняется видеоискатель. Однако, как показывает практи-
ка, технология ЖКД развивается столь же стремительно, как и требования,
предъявляемые производителями мобильных телефонов. Соревнование двух
технологий продолжается.
В последнее время внимание разработчиков привлекают органические све-
тодиоды на основе растворимого в полимере фосфоресцирующего низкомоле-
кулярного материала. В традиционных OLED только 25% генерируемых носи-
телей заряда участвуют в излучении света, тогда как остальные 75% носителей
вызывают нагрев прибора. На основе результатов работ, проведенных учеными
Принстонского университета, Университета Южной Калифорнии и компании
Universal Display Corp. (UDC), удалось получить новый органический материал,
в котором благодаря процессу фосфоресценции все 100% генерируемых носи-
телей участвуют в генерации света. Наносится такой материал на подложку с
помощью процесса струйной печати органическим паром. Пары органического
материала пропускают через микроскопическое сопло, формирующее коллими-
рованный пучок газа, с помощью которого и создается на подложке требуемый
рисунок органических элементов изображения. Достоинства этого процесса –
более полное использование материалов, обеспечение лучшего разрешения и
более высокая производительность в сравнении с другими методами изготовле-
ния OLED.
Фосфоресцирующие OLED (Phosphorescent OLED – PHOLED) по эффек-
тивности в четыре раза превосходят обычные органические диоды, не говоря о
ЖКД, 90% излучения которых поглощается светофильтрами и другими компо-
нентами дисплея. Световая эффективность PHOLED достигает 20 лм/Вт. Яр-
кость активно-матричного PHOLED-дисплея с диагональю 2,2 дюйма в режиме
воспроизведения видеоизображения – 200 кд/м2 при значении потребляемой
мощности всего 125 мВт против 180 мВт для ЖКД аналогичный яркости.
К достоинствам PHOLED относятся возможность формирования на их основе
экранов больших размеров (благодаря малой потребляемой мощности и боль-
шой светоотдаче), а также совместимость технологии с процессами формиро-
вания активных матричных структур с ТПТ на базе аморфного или поликри-
сталлического кремния.
Помимо PHOLED-дисплеев компания UDC предлагает так называемые
прозрачные органические светодиоды (Transparent OLED – TOLED), формиру-
емые с прозрачными электродами на тонких прозрачных стеклянных или
пластмассовых подложках. Светодиоды типа TOLED излучают свет верхней,
нижней или обеими поверхностями. Поскольку в нерабочем режиме такие па-
нели прозрачны на 70%, они могут монтироваться на стеклах очков, лобовом
стекле автомобиля или на окнах. Кроме того, компания создала наборные
OLED (Stacked OLED – SOLED), в которых красные, зеленые и синие элементы
каждого пиксела располагаются по вертикали. Каждый субпиксел управляется
независимо, цвет пиксела регулируется пропускаемым через каждый цветовой
элемент током, шкала серого – широтно-импульсной модуляцией. Яркость
162
устанавливается выбором соответствующего тока вертикального набора. По
утверждению разработчиков, SOLED-технология позволяет в три раза увели-
чить разрешение дисплея и качество цветопередачи в сравнении с дисплеями на
базе ЭЛТ или ЖК. Компания считает, что в будущем SOLED-панели найдут
применение в дисплеях с высоким разрешением сетевого оборудования.
Интерес представляют и разработанный учеными исследовательской груп-
пы института технологии Технион (Израиль) органический полупроводнико-
вый материал на базе полученных ими протеинов. Протеины соединяются друг
с другом, образуя пептиды, пригодные для построения электронных приборов.
По мнению разработчиков, в ближайшие несколько лет им удастся создать
полноцветные складные дисплеи с более высоким разрешением, чем у экранов
современных компьютеров.
7.6.3. Состояние разработок OLED

К основным достоинствам OLED можно отнести:
– чрезвычайно малые толщину и массу, оригинальность конструкции, кото-
рую можно реализовать на пластмассовой тонкопленочной подложке в виде
«электронной бумаги», что делает такие средства отображения перспективны-
ми для применения в разнообразных портативных устройствах. Возможно, в
будущем OLED-панели будут печататься, как газета, а не изготавливаться как
микросхемы;
– более высокие, по сравнению с ЖКД, значения яркости и контрастного
отношения;
– высокое разрешение;
– широкий угол обзора (до 170°);
– отсутствие подсветки и хорошую видимость даже при ярком освещении;
– высокую частоту обновления изображения (в три раза выше, чем требует-
ся для воспроизведения телевизионного изображения), что, по-видимому, поз-
волит коренным образом преобразовать карманные компьютеры и сотовые те-
лефоны;
– малую потребляемую мощность, что, помимо увеличения срока службы
батарей портативных устройств, обеспечивает высокую эффективность диодов
и позволяет минимизировать выделяемое тепло и вносимые помехи.
В сущности, любое изделие, в котором используется ЖКД или ЭЛТ, – кан-
дидат для применения OLED. Игровые устройства, сотовые телефоны, видео-
камеры, DVD-плееры, GPS-аппаратура, аудиодисплеи, карманные компьютеры,
ноутбуки, мониторы и телевизоры – вот лишь небольшой перечень областей
применения, где потребуются СОИ следующего поколения на базе OLED-
технологии. OLED – один из главных кандидатов для замены традиционных
осветительных ламп твердотельными приборами. Это задача, решению которой
сегодня Министерство энергетики США придает первостепенное значение,
считая, что такая замена позволит на одну треть сократить уровень энергопо-
требления страны.
Изделия с OLED-дисплеями появились на рынке еще в 1999 году. Это бы-
ли автомобильные стереоприемники компании Pioneer с монохромными OLED-
163
дисплеями, сотовые телефоны с панелями совместной разработки Samsung-
NEC и даже электрическая бритва с OLED-индикатором фирмы Philips. Все
OLED-средства отображения, используемые в этих изделиях, представляли со-
бой устройства пассивно-матричного типа.
7.7. Квантовая нанотехнология

Нанотехнологии имеют дело с объектами размером порядка 10–9 метра.
Такими размерами обладают отдельные атомы, у которых наиболее ярко про-
являются волновые свойства. Волновые свойства частиц наиболее успешно
объясняются квантовыми эффектами, происходящими в микромире. Поэтому
целесообразным стало использование данных эффектов в нанотехнологиях.
Квантовые технологии являются одной из перспективных областей в нано-
технологиях. Сейчас ведутся работы по следующим направлениям:
– квантовые инфокоммуникационные системы;
– квантовая теория информации;
– квантовая криптография;
– квантовые компьютеры.
Квантовые инфокоммуникационные системы. В настоящее время в мире
наблюдается повышенный интерес государственных и коммерческих структур
к исследованиям и разработкам в области квантовых инфокоммуникационных
технологий. Перспективы развития телекоммуникационных систем связаны с
разработкой и внедрением фотонных устройств приема, передачи, обработки и
хранения информации. Из года в год ускоренными темпами растут инвестиции
в исследования и разработки оптических систем передачи, защищенных кана-
лов космической связи, компьютерных сетей с использованием принципов
квантовой криптографии и др.
Широким фронтом организуются работы по созданию элементной базы
для квантовых инфокоммуникационных систем. В стадии разработки и внедре-
ния находятся новые технологии производства компонентов квантовых систем:
– лазеров (в частности генераторов единичных фотонов);
– нанофотонных мультиплексоров;
– смартлинков (оптических соединителей широкополосных каналов связи);
– оптических устройств записи, хранения и воспроизведения информации
и др.
Квантовая теория информации. Информация – не просто математическое
понятие, она всегда имеет физическое воплощение, которое в традиционной
теории информации следует законам классической физики, а в квантовой ин-
форматике – законам квантового мира. Простые правила квантовой механики
порождают нетривиальные законы поведения сложных систем. Цель квантовой
теории информации – выявление общих принципов, управляющих поведением
этих сложных квантовых систем. Квантовая теория информации позволяет ре-
шить задачи, оказавшиеся неразрешимыми для классической теории информа-
ции. В конце XX века было установлено, что использование наноструктур
164
и квантовых законов, которым они подчиняются, способно радикально увели-
чить эффективность вычислений и усилить безопасность коммуникаций.
Квантовая криптография. Технология квантовой криптографии опирается на
принципиальную неопределенность поведения квантовой системы – невозмож-
но одновременно получить координаты и импульс частицы, невозможно изме-
рить один параметр фотона, не исказив другой. Квантовая криптография – ме-
тод защиты коммуникаций, основанный на определенных явлениях квантовой
физики, рассматривает случаи, когда информация переносится с помощью объ-
ектов квантовой механики.
Квантовая криптография, по словам Боба Гельфонда, главного исполни-
тельного директора компании Magiq, позволит существенно улучшить безопас-
ность передаваемых данных. Некоторые специалисты считают, что квантовая
криптография может стать абсолютно неуязвимым методом шифрования. Дело
в том, что если в традиционных вариантах криптографии стороны (отправитель
и получатель информации) обмениваются довольно длинными цифровыми
ключами, то в квантовой криптографии другая идея – для целей защиты ин-
формации использовать природу объектов микромира – квантов света (фото-
нов), поведение которых подчиняется законам квантовой физики. Информация
о ключе заключается в единственном фотоне. Согласно принципам квантовой
физики, при попытке произвести измерения в квантовой системе ее состояние
изменяется, а полученная в результате такого измерения информация не полно-
стью соответствует состоянию системы до начала измерений. Попытка пере-
хвата информации, таким образом, будет обнаружена. Обмен квантовыми клю-
чами позволяет обеспечить безопасную передачу данных в оптических сетях.
Квантовые компьютеры. Главное значение слова «компьютер» – машина для
вычислений, и несмотря на указанные особенности архитектуры существуют
классы вычислений, которые легче выполнить, используя квантовые, а не клас-
сические принципы. Есть и такие вычисления, которые в классическом случае
просто невозможны. Например, никакой современный классический компьютер
не способен по-настоящему «вычислить» случайное число. С другой стороны,
при помощи квантовой технологии можно генерировать подлинно случайные
числа (например, путем последовательного изменения поляризации фотонов).
Как бы ни развивалась технология квантовых вычислителей, они вряд ли
целиком и полностью заменят классические компьютеры. В лучшем случае бу-
дут созданы квантовые сопроцессоры, ответственные за определенные типы
вычислений.
Если производительность обычного процессора пропорциональна количе-
ству элементов (транзисторов), то в квантовом компьютере добавление каждого
последующего элемента экспоненциально увеличивает его производительность.
Работа квантовых компьютеров основывается на использовании кубитов.
Кубитом называется вектор состояния двухуровневой квантовой системы
или волновой функцией квантовых состояний y двухуровневой системы
(quantum bit, qubit).
Двум значениям кубита могут соответствовать, например, основное и воз-
бужденное состояния атома, направления вверх и вниз спина атомного ядра,
165
направление тока в сверхпроводящем кольце, два возможных положения элек-
трона в полупроводнике и т.п. (рис. 7.21).
В отличие от классического бита, который может принимать только два
логических значения, кубит – это квантовый объект, и число его состояний,
определяемых суперпозицией, неограниченно. Однако подчеркнем, что резуль-
тат измерения кубита всегда приводит нас к одному из двух возможных значе-
ний.
Спин состояние
суперпозиции
Валентный
электрон
Спин
Спин
Ядро
Кубит =0 Кубит =1 Кубит =
Рис. 7.21. Двухуровневая система, представляющая собой кубиты
Теперь рассмотрим систему из двух кубитов. Измерение каждого из них

может дать значение классического объекта 0 или 1. Поэтому у системы двух
кубитов имеется четыре классических состояния: 00, 01, 10 и 11. Аналогичные
им базисные квантовые состояния: |00 , |01 , |10 и |11 . Соответствующий вектор
квантового состояния записывается в виде a|00 + b|01 + c|10 + d|11 , где |a|2 – ве-
роятность при измерении получить значение 00, |b|2 — вероятность получить
значение 01 и т.д.
В общем случае если квантовая система состоит из L кубитов, то у нее
имеется 2L возможных классических состояний, каждое из которых может быть
измерено с некоторой вероятностью. Функция состояния такой квантовой си-
стемы запишется в виде:
2 L 1
 (t )  c
n 0
n n
где |n – базисные квантовые состояния (например, состояние |001101 , а |cn|2 –

вероятность нахождения в базисном состоянии |n .
Для того чтобы изменить состояние суперпозиции квантовой системы,
необходимо реализовать селективное внешнее воздействие на каждый кубит. С
математической точки зрения такое преобразование представляется унитарны-
ми матрицами размера 2Lx2L. В результате будет получено новое квантовое со-
стояние суперпозиции.
Считается, что квантовый компьютер, состоящий из 1000 кубитов, будет
заведомо превосходить по производительности любые современные компьюте-
ры.
7.7.2. Разработки в области квантовых компьютеров
В последние годы прогресс в развитии микропроцессорной техники связан
166
с уменьшение геометрических размеров элементов схем, что влечет за собой
увеличение быстродействия и снижение энергопотребления схемы. Сейчас
дальнейшие перспективы развития связывают с созданием квантовых компью-
теров.
Техника XXI в. рождается из синтеза новых идей в математике, физике,
информатике и технологии. Яркий пример тому – работа над созданием кван-
товых компьютеров (КК).
О квантовых компьютерах и квантовых вычислениях часто говорят как об
альтернативе кремниевым технологиям создания микропроцессоров, что, в об-
щем-то, не совсем верно. Собственно, почему вообще приходится искать аль-
тернативу современным компьютерным технологиям? Как показывает вся ис-
тория существования компьютерной индустрии, вычислительная мощность
процессоров возрастает экспоненциально. При этом количество транзисторов в
микросхемах, согласно закону Мура, также увеличивается экспоненциально.
Ни одна другая индустрия не развивается столь бурными темпами. Естествен-
но, увеличение плотности размещения транзисторов на кристалле возможно
лишь за счет сокращения размеров самих транзисторов. В связи с этим уместен
вопрос: до какой степени можно уменьшать размеры транзисторов? Уже сейчас
размеры отдельных элементов транзисторов в процессорах сопоставимы с ато-
марными, например, ширина диоксидного слоя, отделяющего диэлектрик за-
твора от канала переноса заряда, составляет всего несколько десятков атомар-
ных слоев. Понятно, что существует чисто физический предел, делающий не-
возможным дальнейшее уменьшение размеров транзисторов. Даже если пред-
положить, что в будущем они будут иметь несколько иную геометрию и архи-
тектуру, теоретически невозможно создать транзистор или подобный ему эле-
мент с размером менее 10–8 см (диаметр атома водорода) и рабочей частотой
более 1015 Гц (частота атомных переходов). А потому, хотим мы того или нет,
неизбежен тот день, когда закон Мура придется сдать в архив (если, конечно,
его в очередной раз не подкорректируют).
Ограниченные возможности по наращиванию вычислительной мощности
процессоров за счет сокращения размеров транзисторов – это лишь одно из уз-
ких мест классических кремниевых процессоров.
Решение проблемы миниатюризации транзисторов, поиск новых материа-
лов для создания элементной базы микроэлектроники, поиск новых физических
принципов для приборов с характерными размерами, сравнимыми с длиной
волны Де-Бройля, имеющей величину порядка 20 нм, – эти вопросы стоят на
повестке дня уже почти два десятилетия. В результате их решения была разра-
ботана нанотехнология. Серьезной проблемой, с которой пришлось столкнуть-
ся при переходе в область наноэлектронных устройств, является уменьшение
рассеиваемой энергии в процессе вычислительных операций. Мысль о возмож-
ности «логически обратимых» операций, не сопровождающихся рассеянием
энергии, впервые высказал Р. Ландауер еще в 1961 г. Существенный шаг в ре-
шении данной задачи был сделан в 1982 г. Ч. Беннеттом, который теоретически
доказал, что универсальный цифровой компьютер может быть построен на ло-
гически и термодинамически обратимых вентилях таким образом, что энергия
167
будет рассеиваться только за счет необратимых периферийных процессов ввода
информации в машину (приготовление исходного состояния) и, соответствен-
но, вывода из нее (считывание результата). К типичным обратимым универ-
сальным вентилям относятся вентили Фредкина и Тоффоли.
Другая проблема, связанная с классическими компьютерами, кроется в са-
мой фон-неймановской архитектуре и двоичной логике всех современных про-
цессоров. Все компьютеры, начиная с аналитической машины Чарльза Бэбби-
джа и заканчивая современными суперкомпьютерами, основанны на одних и
тех же принципах (фон-неймановская архитектура), которые были разработаны
еще в 40-х годах прошлого столетия.
Любой компьютер на программном уровне оперирует битами (перемен-
ными, принимающими значение 0 или 1). С применением логических элемен-
тов-вентилей над битами выполняются логические операции, что позволяет по-
лучить определенное конечное состояние на выходе. Изменение состояния пе-
ременных производится с помощью программы, которая определяет последова-
тельность операций, каждая из которых использует небольшое число бит.
Традиционные процессоры выполняют программы последовательно. Не-
смотря на существование многопроцессорных систем, многоядерных процессо-
ров и различных технологий, направленных на повышение уровня параллелиз-
ма, все компьютеры, построенные на основе фон-неймановской архитектуры,
являются устройствами с последовательным режимом выполнения команд. Все
современные процессоры реализуют следующий алгоритм обработки команд и
данных: выборка команд и данных из памяти и исполнение инструкций над вы-
бранными данными. Этот цикл повторяется многократно и с огромной скоро-
стью.
Однако фон-неймановская архитектура ограничивает возможность увели-
чения вычислительной мощности современных персональных компьютеров
(ПК). Типичный пример задачи, которая оказывается не по силам современным
ПК, – это разложение целого числа на простые множители (простым называет-
ся множитель, который делится без остатка только на себя и на 1).
Если требуется разложить на простые множители число х, имеющее n зна-
ков в двоичной записи, то очевидный способ решения этой задачи заключается
в том, чтобы попробовать последовательно разделить его на числа от 2 до
Для этого придется перебрать 2n/2 вариантов. К примеру, если рассматривается
число, у которого 100 000 знаков (в двоичной записи), то потребуется пере-
брать 3x1015 051 вариантов. Если предположить, что для одного перебора требу-
ется один процессорный такт, то при скорости в 3 ГГц для перебора всех чисел
будет нужно время, превышающее возраст нашей планеты. Существует, правда,
хитроумный алгоритм, решающий ту же задачу за exp(n1/3) шагов, но даже в
этом случае с задачей разложения на простые множители числа, имеющего
миллион знаков, не справится ни один современный суперкомпьютер.
Задача разложения числа на простые множители относится к классу задач,
которые, как говорят, не решаются за полиномиальное время (NP-полная зада-
ча — Nondeterministic Polynomial-Time Complete). Такие задачи входят в класс
невычисляемых в том смысле, что они не могут быть решены на классических
168
компьютерах за время, полиномиально зависящее от числа битов n, представ-
ляющих задачу. Если говорить о разложении числа на простые множители, то
по мере увеличения разрядности числа время, необходимое для решения зада-
чи, возрастает экспоненциально, а не полиномиально.
С квантовыми вычислениями связывают перспективы решения NP-полных
задач за полиномиальное время.
Работы в области квантовых информационных технологий получили ста-
тус приоритетных государственных программ в США, Японии, Канаде, Ав-
стралии, Сингапуре и в странах ЕС.
Основные сведения о государственных программах исследований и разра-
боток, проводимых в этих странах, представлены в таблице 7.4.
Среди крупных международных программ, выполнявшихся в 2004–2005 гг.,
следует отметить следующие проекты:
1) проект ATESIT (Active Teleportation and Entangled State Information Tech-
nology). Сроки проведения: 01.08.2001–31.07.2005 гг. Принимали участие уни-
верситеты и институты Италии, Нидерландов, Израиля и Великобритании. Ос-
новной задачей исследований являлось создание источников и детекторов еди-
ничных фотонов (область квантовой телепортации), разработка алгоритмов
коррекции ошибок в передаче данных. В ходе выполнения программы отраба-
тывались вопросы создания фемтосекундного УФ-лазера для управления куби-
тами (конструкции кубитов на природных кристаллах);
2) проект SAWPHTON (Single electron source generating individual photons for
secure optical communications). Сроки проведения: 01.05.2001–30.04.2004 гг.
Принимали участие ученые из Дании, Великобритании и Италии. Целью работ
являлось проведение комплекса исследований по созданию приборов (для си-
стем квантовой телепортации), принцип действия которых основан на захвате
электронов поверхностной акустической волной;
3) проект QuBIC (Quantum and Biologically Inspired Computing). Сроки про-
ведения: 01.01.2001–31.12.2005 гг. Исследования проводились по заказу Наци-
онального научного фонда США (NSF). В рамках проекта были выполнены ра-
боты по комплексному изучению принципов создания систем, реализующих
механизмы квантовых и биологических вычислений.
Таблица 7.4. Основные сведения о государственных программах
исследований и разработок
Ежегодные объемы государ-
Программы и государственные заказчики ис-
Страна ственного финансирования
следований и разработок
млн. долл. США
Программы: QuIST, FoQuS. Заказчики: Мини-
стерство обороны (ONR, ARO, AFOSR,
DARPA), Национальный научный фонд (NSF),
США 110–120 Национальный институт стандартов и техно-
логий (NIST), Министерство энергетики
(DOE-LANL), Национальное аэрокосмическое
агентство (NASA).
Проекты: ERATO, ICORP, CREST, PRESTO.
Япония 25–30
Заказчик: Министерство науки и технологии
169
Японии.
Канада 16
Австралия 7,6
Проекты: QIPC (в рамках FP5 FET-EC), QIST
(Австрия), QUAN-TOP (Дания), «National Ini-
tiative Quantum Information» (Франция), «DFG-
Страны ЕС 10–30
Schwerpunkt: Quanten-
informationsverarbeitung» (Германия), QIP IRC
(Великобритания в рамках QUIST) и т.д.
Заказчик: Агентство по науке, исследованиям
Сингапур 4,8
и технологиям Сингапура
Заказчики: Министерство науки и технологий,
Китай 5,8
Министерство образования
В современной науке отрабатывается много различных идей и теорий,

многие из которых кажутся совершенно фантастическими, но которые откры-
вают со временем новые возможности, недоступные теперь. Присматриваясь к
ним, можно разглядеть контуры будущего, в том числе весьма отдаленного.
Одной из таких идей, которые развиваются в настоящее время, является разви-
тие квантового счисления и квантовых компьютеров.
В начале 80-х годов прошлого века нобелевский лауреат Ричард Фейнман
из Калифорнийского технологического института, известный как автор «Фейн-
мановских лекций по физике», увлек научную общественность идеей точного
моделирования явлений квантовой физики на компьютере принципиально но-
вого типа – квантовом.
Кроме Фейнмана идеи квантовых вычислений пропагандировали такие фи-
зики-теоретики, как Поль Бениофф из Аргонской национальной лаборатории в
Иллинойсе; Дэвид Дойч из Оксфордского университета в Англии и Чарльз Бен-
нетт из исследовательского центра IBM имени Т. Дж. Ватсона в Йорктаун-
Хайтсе (штат Нью-Йорк). Не стоит забывать также и о российском математике
Ю.И.Манине, чей первый труд по квантовому компьютингу появился еще в
1980 г.
Долгое время идея квантового компьютера считалась ненаучной фантасти-
кой, пока в 1994 г. Питер Шор из исследовательского подразделения AT&T
Research не описал специфичный квантовый алгоритм для разбиения на про-
стые множители (факторизации) больших чисел. В 1998 г. в Калифорнийском
университет Беркли под руководством доктора Айзека Чуанга был создан пер-
вый 2-кубитовый квантовый компьютер. Этот компьютер позволял реализовать
четыре вычислительных потока.
Современные разработки рассматривают возможность работы квантовых
компьютеров на основе различных материалов и явлений. Сейчас в области
квантовых компьютеров ведутся разработки по следующим направлениям:
– разработка квантовых компьютеров на основе ядерного магнитного резо-
нанса в молекулярных, жидкостных или твердых телах;
– разработка компьютеров на ионах в ловушках;
170
– разработка компьютеров на нейтральных атомах;
– разработка квантовой оптики резонансных явлений caviti QED;
– разработка «оптических квантовых компьютеров», реализующих кванто-
вые операции с помощью линейных оптических элементов;
– разработка твердотельных квантовых компьютеров;
– разработка квантовых компьютеров на сверхпроводниковых элементах;
– разработка квантовых компьютеров на электронных, «плавающих» на
поверхности жидкого сверхтекучего вещества.
Большое внимание уделяется идее использования для модельной реализа-
ции квантовых компьютеров в качестве кубитов уровней энергии ионов, захва-
ченных ионными ловушками, создаваемыми в вакууме определенной конфигу-
рацией электрического поля в условиях лазерного охлаждения их до микро-
кельвиновых температур.
Первый прототип квантового компьютера на этих принципах был предло-
жен австрийскими физиками И. Цираком и П. Цоллером в 1995 г.. В настоящее
время интенсивные экспериментальные работы ведутся в Los Alamos Natl.Lab.
(LANL) и Natl.Inst.Stand.Tech. (NIST) в США. Преимущество такого подхода
состоит в сравнительно простом индивидуальном управлении отдельными ку-
битами. Основными недостатками этого типа квантовых компьютеров являют-
ся необходимость создания сверхнизких температур, обеспечение устойчивости
состояний ионов в цепочке и ограниченность возможного числа кубитов значе-
нием n < 40.
Ведутся разработки по использованию в качестве кубитов атомов с ядер-
ными спинами с I = 1/2, принадлежащих молекулам органических жидкостей с
косвенным скалярным взаимодействием между ними и методов ядерного маг-
нитного резонанса (ЯМР) для управления кубитами.
Первые предложения были сформулированы в 1997 г. в Massach.Inst.Tech.
(MIT), LANL в США и в Clarendon Lab. в Оксфорде в Великобритании и в этом
же году были выполнены первые эксперименты на ядерных спинах двух атомов
водорода H в молекулах 2,3-дибромотиофена и на трех ядерных спинах – одном
в атоме водорода H и двух в изотопах углерода C в молекулах трихлорэтилена.
В области ЯМР квантовых компьютеров на органических жидкостях к
настоящему времени достигнуты наибольшие успехи. Они связаны в основном
с хорошо развитой импульсной техникой ЯМР-спектроскопии, обеспечиваю-
щей выполнение различных операций над когерентными суперпозициями со-
стояний ядерных спинов и с возможностью использования для этого стандарт-
ных ЯМР-спектрометров, работающих при комнатных температурах.
В 1998 г. Авериным было предложено использование в качестве кубитов
зарядовых состояний куперовских пар в квантовых точках, связанных перехо-
дами Джозефсона.
Первый твердотельный кубит на этих принципах был создан в NEC
Fund.Res.Lab. в Японии в 1999 г. Полагают, что перспективность этого направ-
ления состоит в возможности создания электронных квантовых устройств вы-
сокой степени интеграции на одном кристалле, при этом для управления куби-
тами не потребуются громоздкие лазерные или ЯМР установки. Однако на пути
171
создания квантовых компьютеров еще остается нерешенными ряд важных про-
блем и, в частности, проблема устойчивости состояний кубитов и декогеренти-
зация.
Поисковые работы квантовым компьютерам на высокотемпературных
сверхпроводниках в России ведутся в Институте теоретической физики им.
Л.Д. Ландау РАН.
Перечисленные выше три в разной степени реализованных направления в
развитии элементной базы квантовых компьютеров дополнились еще двумя
широко обсуждаемыми пока на уровне предложений направлениями.
Важные перспективы открываются перед направлением твердотельных
ЯМР квантовых компьютеров.
Для этого в 1998 г. австралийским физиком Б. Кейном было предложено
использовать в качестве кубитов обладающие ядерным спином 1/2 донорные
атомы с изотопами P31, которые имплантируются в кремниевую структуру. Это
предложение, которое пока остается нереализованным, открывает потенциаль-
ную возможность создания квантовых вычислительных устройств с практиче-
ски неограниченным числом кубитов. В России работы в этом направлении ве-
дутся в Физико-технологическом институте РАН.
Еще одним из интересных направлений является использование в качестве
состояний кубитов двух спиновых или двух зарядовых электронных состояний
в полупроводниковых наноструктурах, в частности в квантовых точках, форми-
руемых в гетероструктурах типа AlGaAs/GaAs, либо с спин-спиновым обмен-
ным, либо с электрическим взаимодействием между кубитами. Индивидуаль-
ное управление кубитами в случае спиновых электронных состояний предпола-
гается осуществлять, используя так называемые спиновые клапаны, а для изме-
рения состояния отдельного спина – спиновые фильтры из ферромагнитных
туннельных барьеров. В случае зарядовых состояний предполагается управлять
кубитами либо лазерами инфракрасного диапазона, либо с помощью электри-
ческого воздействия на высоту барьера, разделяющего кубиты. Активные поис-
ковые исследования в этом направлении проводятся исследовательских центрах
IBM. Работа по моделированию полупроводниковых кубитовых наноструктур
из квантовых точек в России ведется в Физико-технологическом институте
РАН.
Отметим, что среди других направлений рассматриваются также и такие
пока еще слабо разработанные варианты, как использование квантовых элек-
тродинамических полостей для фотонов и фотонных кристаллов; электронов,
плавающих на поверхности жидкого гелия; системы двух одномерных кванто-
вых каналов для электронных волн (квантовые проволоки); системы ядерных
спинов в двумерном электронном газе в условиях квантового эффекта Холла и
некоторые другие.
Berman et.al. (Los Alamos Nat. Lab) предлагают использовать магнитный
атомно-силовой микроскоп с крошечным (4нм) магнитом на острие кантилеве-
ра. Оказывается, что такой микроскоп позволяет измерять чистое состояние от-
дельного ядерного спина («спин вверх» или «спин вниз»). Система спинов по-
мещается во внешнее постоянное магнитное поле, созданное сверхпроводящим
172
магнитом. Измерение состояния выделенного кубита производится при подве-
дении к нему острия микроскопа и включении радиочастотного (РЧ) электро-
магнитного поля на частоте ЯМР. Для повышения чувствительности микроско-
па амплитуда этого поля промодулирована с резонансной частотой колебаний
кантилевера.
Американские физики P.M. Platzman (Bell Laboratories, Lucent
Technologies) и M.I. Dykman (Michigan State University) разработали устройство
квантового компьютера на электронах, плавающих на поверхности жидкого
сверхтекучего гелия. Как известно, электроны, находящиеся вблизи границы
жидкого гелия и вакуума, попадают в потенциальную яму сил изображения и
создают двумерный электронный газ. Низшее и первое возбужденное состояние
электрона в этой яме может служить квантовым битом.
Организация оптического квантового компьютера хорошо известна. Но ее
не торопятся воплощать в жизнь ввиду малой пригодности для практических
целей – слишком громоздки оптические элементы, делители, фазовращатели.
Идея использовать электронные волны вместо оптических является настолько
общепризнанной, что трудно установить ее изначальное авторство. Заслуга со-
трудников Engineering Department, University of Cambridge (Англия) состоит в
том, что они детально разработали устройство на электронных волнах, выпол-
няющее квантовые логические алгоритмы.
В феврале 2007 г. канадская компания D-Wave Systems представила пер-
вый работающий прототип квантового компьютера Orion. И это случилось лет
на 20 раньше, чем предсказывали ученые. Квантовый компьютер Orion – это
первая практическая реализация технологии, позволяющей осуществлять одно-
временно до 65 536 вычислительных потоков. Его создатель – компания D-
Wave – целиком посвятил свою деятельность этой проблеме, уставный капитал
предприятия составил 20 млн. долл., а конечной целью является разработка до-
ступного и эффективного устройства. Презентация работающего в Ванкувере
компьютера производилась в Силиконовой долине. Его чип выполнен из нио-
бия, который охлаждается в жидком гелии до температуры близкой к абсолют-
ному нулю. Поэтому компьютер и называют адиабатическим, так как при таком
охлаждении возникают условия, когда система не получает и не отдает тепло.
При этом 16 металлических дорожек из ниобия, расположенные на кремниевой
подложке и разделенные изолятором, начинают пропускать электрический ток
по часовой стрелке, против нее или в обоих направлениях. Таким образом, вы-
полняется главное условие квантовых вычислений – суперпозиция двух состо-
яний в квантовом кубите информации. Вся информация хранится в виде
направлений течения тока по металлическим петлям и переходам. Работа кван-
тового компьютера основана на измерении магнитных полей и переводу их из-
менений, вызванных ниобием, в результат счисления.
Позже, в 2008 г., компания представила 28-кубитовый квантовый процес-
сор Leda с усовершенствованной технологией связи между кубитами. Для де-
монстрации возможностей квантового компьютера выбрано приложение, опре-
деляющее сходство изображений. Кроме того, представители D-Wave готовы к
обсуждению других задач, включающих сопоставление с образцом, поиск и оп-
173
тимизацию.
Работают над квантовыми компьютерами и в России. Институт теоретиче-
ской физики им. Ландау РАН и Физико-технологический институт РАН прово-
дят опыты с разной архитектурой квантовых компьютеров, с разными материа-
лами.
Российский исследователь М. В. Фейгельман, работающий в Институте
теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, предлагает собирать квантовые
регистры из миниатюрных сверхпроводниковых колец. Каждое кольцо выпол-
няет роль кубита, а состояниям 0 и 1 соответствуют направления электрическо-
го тока в кольце – по часовой стрелке и против нее. Переключать такие кубиты
можно магнитным полем.
В Физико-технологическом институте РАН группа под руководством ака-
демика К.А. Валиева предложила два варианта размещения кубитов в полупро-
водниковых структурах. В первом случае роль кубита выполняет электрон в си-
стеме из двух потенциальных ям, создаваемых напряжением, приложенным к
мини-электродам на поверхности полупроводника. Состояния 0 и 1 – положе-
ния электрона в одной из этих ям. Переключается кубит изменением напряже-
ния на одном из электродов. В другом варианте кубитом является ядро атома
фосфора, внедренного в определенную точку полупроводника. Состояния 0 и 1
– направления спина ядра вдоль либо против внешнего магнитного поля.
Управление ведется с помощью совместного действия магнитных импульсов
резонансной частоты и импульсов напряжения.
На протяжении многих лет одновременно с японскими исследователями
российские ученые А. Орликовский, В. Вьюрков, А. Ветров (ФТИАН) и
Л. Горелик (Chalmers University, Швеция) работают над идеей квантового ком-
пьютера в канале транзистора. Они разрабатывают идею изменения состояния
спина электрона, помещенного в в канал полевого транзистора, с помощью тока
в квантовой нити.
В составе лаборатории физики квантовых компьютеров ФТИАН работают:
заведующий лабораторией, академик Камиль Ахметович Валиев, ведущий
научный сотрудник, доктор физико-математических наук Александр Алексан-
дрович Кокин, ведущий научный сотрудник, доктор физико-математических
наук Юрий Игоревич Ожигов, научный сотрудник, кандидат физико-
математических наук Алексей Александрович Ларионов, научный сотрудник,
кандидат физико-математических наук Александр Викторович Цуканов, млад-
ший научный сотрудник Игорь Семенихин. В работе так же принимают участие
сотрудники других лабораторий ФТИАН.
На семинаре по квантовой информатике в Физико-технологическом инсти-
туте (ФТИАН) А.А.Кокин сделал обзор современных экспериментальных до-
стижений в области квантовых компьютеров. А.А.Кокин попытался сделать
его, основываясь на законе Мура, который гласит, что удвоение количества
элементов микросхемы происходит каждые два года. Этот закон соблюдается в
микроэлектронике на протяжении многих десятилетий. Если взять за начало
отсчета компьютер на ионах в ловушках с двумя кубитами, который был пред-
ставлен в 2006 г., то 100 кубитов следует ожидать в 2014 г., а 1000 кубитов – в
174
2020-ом. Такой компьютер уже бы позволил решать практически важные зада-
чи.
К.А. Валиев высказал другой принцип прогнозирования. Развитие техники
показывает, что от момента изобретения до момента широкого использования
проходит 50 лет. Если начальным моментом считать год публикации статьи
Р.Фейнмана (1984), то полномасштабный квантовый компьютер должен по-
явиться только в 2034 г. Посмотрим, кто окажется прав. Однако оба представ-
ленных прогноза предполагают интенсивную работу и достаточное финансиро-
вание.
В настоящее время много наших соотечественников возглавляют зарубеж-
ные научные школы и направления работ по созданию квантовых компьютеров.
В подтверждение этому факту можно привести несколько следующих приме-
ров:
– Юрий Мамин – сотрудник исследовательского центра IBM, США. Еще в
1980 г. Мамин Ю. высказал предположение, что «квантовый шум», который в
ходе миниатюризации микросхем неизбежно превратится в препятствие для их
нормальной работы, можно попытаться использовать для конструирования
компьютеров нового типа, считающих по новым квантовым алгоритмам. Тогда
странная идея молодого ученого не вызвала в научном сообществе особого эн-
тузиазма, но когда через два года о заманчивых перспективах «квантовых вы-
числений» заговорил, такой авторитет, как Рихард Фейнман, исследователи
стали проявлять к новой области повышенный интерес. Фейнман, грубо говоря,
показал, что один квантовый компьютер (цепочка квантовых битов) сможет ра-
ботать как комбинация очень большого числа классических компьютеров, про-
водящих вычисления одновременно;
– Китаев A. (Microsoft Corp, США). Ему удалось обобщить шоровский алго-
ритм, а уже через два года коллега по Bell Labs Лов Гровер показал, что кванто-
вые вычисления гораздо эффективнее классических не только при взломе шиф-
ров, но и при поиске в неупорядоченных базах данных;
– Пашкин Ю. (Japan Science and Technology Corporation, Япония, а в про-
шлом научный сотрудник ФИАН) совместно с Иошико Накамура и Джан Цаи
(оба из NEC Fundamental Research Laboratories) изготовили кубит на основе
джозефсоновского контакта (тонкий слой диэлектрика, разделяющий два
сверхпроводника и пропускающий ток);
– Сергиенко А.В. (Boston University, Massachusetts, США). Область работ –
квантовые операции с помощью линейных оптических элементов;
– Лукин М.С. (Harvard, Massachusetts, США). Область работ – теория по-
строения квантовых компьютеров на нейтральных атомах;
– Левитов Л.С. (MIT, США). Область работ – теория построения кубитов на
сверхпроводниковых мезоструктурах;
– Устинов А.В. (Германия). Область работ – сверхпроводниковые кубиты на
сквидах;
– Аверин Д.В. и Лихарев К.К. (Stony Brook State University of New York,
США). Область работ – теория построения кубитов на сверхпроводниковых
элементах (сверхпроводниковые кубиты на сквидах и сверхпроводниковые за-
175
рядовое кубиты).
Любопытен и еще один факт, связанный с paботой нашего соотечествен-
ника в области создания квантового компьютера. Так, 13 февраля 2007 г. канад-
ская компания D-Wave Systems (г. Ванкувер) объявила о создании и демонстра-
ции работы первого в мире коммерческого устройства, реализующего механиз-
мы квантовых вычислений (т.е. квантового компьютера). Руководством этой
компании было заявлено, что к настоящему времени создан компьютер «Ори-
он», состоящий из 16 кубитов, а к концу 2008 г. его планируют довести («про-
масштабировать») до 1024 кубитов. При этом сообщается, что квантовый ком-
пьютер создан на сверхпроводящих твердотельных элементах и способен ре-
шать задачи поиска в неупорядоченной базе данных и находить оптимальное
решение задач методом перебора.
К настоящему времени ученые в области квантовых информационных
технологий скептически (от сдержанного пессимизма до резкого неприятия)
относятся к заявлениям компании D-Wave Systems. Большие вопросы возника-
ют к способам решения компанией таких проблем, как декогерентность, ввод и
считывание данных, взаимодействие между кубитами и ее контролируемость.
Отчасти скептицизм к сенсационным заявлениям вызван и следующими обсто-
ятельствами:
– одним из директоров фирмы является Алексей Андреев (канд. физ.-мат.
наук, закончил аспирантуру Московского института стали и сплавов, бывший
сотрудник Института спектроскопии РАН (г. Троицк, МО), инвестициями в
сфере высоких технологий начал заниматься еще в России);
– заключенный фирмой D-Wave Systems контракт на разработку квантово-
го компьютера, стоимостью в 14 млн. долл. и выплаченных в мае 2006 г., пред-
полагающий «авантюрно-прорывные достижения», например, компьютер из 32
кубитов к концу 2007 г.
7.7.3. Разработки в области квантовой криптографии

В мире существует несколько организаций, где ведутся активные исследо-
вания в области квантовой криптографии.
В IBM продолжаются фундаментальные исследования в области квантовых
вычислений [6], начатые группой во главе с Чарльзом Беннеттом, который в
1984 г. О практических достижениях IBM в квантовой криптографии в послед-
ние годы известно немногое. Эти работы ведутся без излишней рекламы.
Исследования в области квантовой криптографии ведутся и в европейском
исследовательском центре Toshiba Research Europe, расположенном в Кембри-
дже. Отчасти они спонсируются английским правительством; в них участвуют
сотрудники Кембриджского университета и Империал-колледжа в Лондоне.
QinetiQ – своего рода исследовательская корпорация, поддерживаемая ми-
нистерством обороны Великобритании – также занимается разработками в об-
ласти квантовой криптографии.
Среди компаний, занимающимися исследованиями в квантовой крипто-
графии – GAP-Optique, Mitsubishi, Национальная лаборатория в Лос-Аламосе,
Калифорнийский технологический институт (Caltech), а также молодая компа-
176
ния MagiQ.
В марте 2004 г. Евросоюз запустил программу «Безопасные коммуникации
на основе квантовых вычислений» (Secure Communications with Quantum
Computing) с бюджетом в 13 миллионов долларов.
Авторы проекта надеются, что в конечном итоге им удастся создать крип-
тографическую систему, гарантирующую абсолютную защиту от взлома. Уча-
стие в проекте примут ученые из Австрии, Бельгии, Великобритании, Канады,
Чехии, Дании, Франции, Германии, Италии, Швеции, Швейцарии и России.
Предполагается, что в основу новой криптографической структуры ляжет
система SECOQC (Secure Communication based on Quantum Cryptography),
предназначенная не столько для передачи уже зашифрованных данных, сколько
для безопасной генерации и обмена криптографическими ключами, которые и
будут впоследствии использоваться для шифрования данных.
Ученые, работающие над программой SECOQC, в 2008 г. отчитались в
том, что они успешно протестировали систему, которая в следующие три-
четыре года приведет к коммерциализации практически не взламываемой тех-
нологии.
Такое событие станет колоссальным прорывом в технологии обеспечения
безопасности. Пользователи смогут избежать утомительных проблем работы с
ключами, поскольку любой квантовый ключ генерируется случайно и уникален
для каждого применения. А сами ключи будут не взламываемыми, так как по-
требуется специальный приемник для сбора и обработки их фотонов-
переносчиков.
Прогресса на пути создания в будущем квантовых вычислительных сетей
достигли ученые Технологического института штата Джорджия Д.Н. Мацуке-
вич и А. Кузьмич, разработав технику переноса информации, закодированной в
состояниях атомов рубидия, в состояния единичных фотонов. Такой перенос
имеет очень важное значение для реализации масштабируемых квантовых ком-
пьютеров, а также для развития квантовых сетевых технологий. Практически
использовать данную методику будет возможно уже лет через 7–10.
Первые практические системы квантовой криптографии. В июне 2004 г. в
Кембридже (Массачусетс, США) была запущена в действие первая в мире ком-
пьютерная сеть Quantum Net, состоящая более чем из двух узлов, безопасность
связи в которой обеспечивалась с помощью квантовой криптографии. Сеть свя-
зала компьютеры Кембриджского и Гарвардского университетов. Позже к ней
были подключены и компьютеры Бостонского университета. Пока Quantum Net
состоит из шести серверов, которые могут быть интегрированы с обычным ин-
тернетом. Данные в Qnet передаются по оптоволоконным кабелям, протянутым
на 10 км между кембриджской компанией BBN Technologies и Гарвардским
университетом. Криптографический ключ шифровался в состояниях поляриза-
ции серий единичных. Коммерческим внедрением данной разработки будет за-
ниматься британская компания QinetiQ на контрактной основе.
В 2008 г. Европе реализована практическая система квантовой криптогра-
фии, которая лежит в основе работы компьютерной сети, развернутой в столице
Австрии городе Вене. Сами разработчики называют свою сеть «невзламывае-
177
мой», так как в ее основе заложены базовые физические принципы, нарушение
которых ведет к разрушению всей последовательности информации.
На практике это означает, что система сама себя шифрует. Фотоны света,
курсирующие в сетях, здесь представляют собой «ключи шифрования» и ин-
формацию одновременно.
Пока в сеть объединены шесть австрийских офисов компании Siemens,
этот же производитель создал оборудование для квантовой системы кодирова-
ния/декодирования данных. Системы состоят из специальных боксов, размером
с системный блок компьютера и оснащенных световыми детекторами. Разра-
ботчики говорят, что данный принцип специалистам в деталях известен уже
полтора десятка лет, но вот реализовать такую систему на практике в масшта-
бах города пока не удавалось. Сейчас же была проведена практическая демон-
страция работы сети и систем квантовой криптографии.
По словам инженеров из Университета Вены, в самом ближайшем буду-
щем такие системы окажутся востребованными в банковской, военной, про-
мышленной и телекоммуникационной сферах.
В штате Массачусетс с 2005 г. в сети Quantum Network агентства передо-
вых оборонных разработок США DARPA, разработанной компанией BBN
Technologies, с недавнего времени работает линия беспроводной передачи дан-
ных с квантовым шифрованием. В настоящий момент она объединяет 10 або-
нентов, среди которых – офисы BBN, а также Гарвардский и Бостонский уни-
верситеты.
По результатам разработок европейские ученые и инженеры имеют опре-
деленные преимущества в развитии квантовых информационных и коммуника-
ционных технологий. Европейское космическое агентство уже разрабатывает
планы создания защищенных каналов космической связи как элемента будущей
глобальной сети.
7.8. Молекулярная нанотенология

7.8.1. Введение в молекулярную технологию
Молекулярная нанотехнология занимается дизайном, моделированием и
производством молекулярных машин и молекулярных устройств. Пионером
этого направления можно по праву считать Эрика Дрекслера, опубликовавшего
книгу Eric Drexler, Nanosystems: Molecular Machinery, Manufacturing, and
Computation, John Wiley & Sons, 1992 г. По своим потенциальным возможно-
стям молекулярная нанотехнология находится на значительно более высоком
технологическом уровне по сравнению со всем тем, что было до сих пор до-
стигнуто человечеством, поскольку только в ней декларируется возможность
специфицировать производимое изделие с точностью до одного атома. В этом
смысле она резко отличается от других нанотехнологических подходов, напри-
мер, от техники напыления атомов на подложку при помощи туннельного ска-
нирующего микроскопа, где изделие специфицируется лишь с точностью до
некоторого статистического ансамбля атомов, имеющего определенные гео-
метрические размеры. Тем не менее, если нанотехнологические установки по-
178
следнего типа уже реально работают, то разработка молекулярных машин
находится пока еще на стадии компьютерного моделирования, хотя на практике
уже получены некоторые из их простейших деталей.
Любая новая технология должна быть, прежде всего, экономически выгод-
ной, а производство деталей молекулярных машин традиционными методами
органического синтеза требует гигантских капиталовложений и далеко не все-
гда вообще возможно. Именно поэтому одним из основных требований к моле-
кулярным машинам является их способность воспроизводить самих себя: как
только будут получены первые такие машины, они сразу же начнут произво-
дить как свои копии, так и другие молекулярные машины, в результате чего
микромир машин заживет своей автономной жизнью, требуя от нашего макро-
мира лишь исходное сырье, энергию и общее управление (впрочем, последнее
не обязательно). Фактически, развивая молекулярную нанотехнологию, челове-
чество, не успев разобраться со своей собственной биологией с ее многочис-
ленными болезнями, дерзнуло на создание новой небелковой (хотя и углерод-
ной) формы жизни, которая должна быть полностью понятна и подконтрольна
человеческому разуму.
Основным стратегическим направлением современных работ в области
молекулярной нанотехнологии является создание так называемого молекуляр-
ного ассемблера − молекулярной машины, способной собирать другие молеку-
лярные машины. Из опубликованных в открытой печати проектов таких машин
наиболее детально проработанным и обоснованным является проект ассембле-
ра, разработанный в Xerox Corporation, вокруг которого, судя по всему, и скон-
центрировано большинство работ в этом направлении. Проект предусматривает
два подхода к молекулярной нанотехнологии: диамондоидный и фуллереновый
(значение терминов мы объясним ниже). Работа предлагаемого ассемблера ос-
нована на использовании двойной треноги (double tripod) − молекулярного по-
зиционирующего устройства с шестью степенями свободы, своеобразного мо-
лекулярного аналога руки робота. Здесь стоит сразу упомянуть, что уже суще-
ствуют и альтернативные проекты позиционирующего устройства, например,
«рука» Дрекслера и платформа Стюарта. Предполагается, что сам ассемблер
плавает в жидкости, в которой растворены молекулярные заготовки для изго-
товления деталей машин (предположительно линейные либо плоские молеку-
лы, способные под действием механического напряжения образовывать реак-
ционно-способные частицы, такие как свободные радикалы либо карбены, ко-
торые в дальнейшем способны вступать в механосинтетическую реакцию по-
лимеризации с образованием материала деталей молекулярных машин). В каче-
стве же основного материала, из которого будут сделаны молекулярные маши-
ны, предполагается использовать так называемые диамондоиды (diamondoids) −
полимерные органические молекулы, в которых углеродные атомы скелета свя-
заны между собой точно так же, как и во фрагментах кристаллической решетки
алмаза (отсюда и происходит название диамондоидного подхода к молекуляр-
ной нанотехнологии). Использование «алмазной» конструкции в качестве мате-
риала молекулярных машин придает им необходимый комплекс уникальных
свойств: высокая прочность, легкость, относительная химическая инертность и
179
термостабильность, а также ряд других свойств, ценных с точки зрения элек-
троники. Таким образом, молекулярные машины первого поколения будут
представлять собой микрокапсулы с диамондоидной стенкой, плавающие в
жидкости. Предполагается, что в стенки капсулы будут встроены молекуляр-
ные сортирующие роторы, которые будут вылавливать из внешней среды необ-
ходимые для работы машины молекулы и поставлять их внутрь капсулы, кото-
рая, как предполагается, будет заполнена изнутри сжатым инертным газом (не-
оном либо гелием). Там внутри эти молекулы будут захватываться «рукой»
двойной треноги, позиционироваться с точностью до атома к нужному месту
«сборочной линии» и прикрепляться точно к нужному атому, наращивая тем
самым очередную деталь производимой на «конвейере» очередной молекуляр-
ной машины. Каждая из шести степеней свободы позиционирующего устрой-
ства управляется при помощи своего храповика, приводимого в действие дав-
лением инертного газа при помощи пистонов. Каждый пистон представляет со-
бой углеродную трубку (называемую также из-за своего размера нанотрубкой),
в стенках которой атомы связаны между собой так же, как и в графите. Кроме
того, пистон может запираться, например, сферической молекулой химического
вещества фуллерена С60 (отсюда название другого, альтернативного фуллере-
нового подхода к молекулярной нанотехнологии). Предполагается, что молеку-
лярные ассемблеры первого поколения еще не будут содержать встроенного
молекулярного компьютера, вместо этого команды будут поступать извне из
макроскопического компьютера при помощи акустических волн, которые внут-
ри ассемблера будут преобразовываться в давление инертного газа, которое бу-
дет управлять храповиками позиционирующего устройства. Тем не менее, раз-
работки молекулярного компьютера для молекулярной нанотехнологии уже ве-
дутся по нескольким направлениям, причем, как оказалось, в молекулярных
машинах механические вычислительные устройства могут быть использованы
даже более эффективно, чем основанные на электронике.
Из приведенного выше описания модели простейшего ассемблера очевид-
на чрезвычайная сложность его конструкции. Достаточно сказать, что его пол-
ная молекулярная модель насчитывает много миллионов атомов, что полностью
исключает возможность его синтезировать традиционными методами органи-
ческой химии. В качестве реального механизма для получения молекулярных
машин до того, как будет запущен процесс их самовоспроизводства, предложен
«конвергентный» подход, при котором сначала будут синтезированы лишь са-
мые простейшие детали, которые в дальнейшем будут использованы для произ-
водства более сложных и так последовательно до тех пор, пока на некоторой
стадии молекулярные машины не станут способны производить другие маши-
ны. Отсюда очевидна необходимость тщательно спланировать молекулярную
машину, поскольку любая ошибка в конструкции может стоить многих лет ра-
боты больших научных коллективов. Поэтому в настоящее время основная ра-
бота в области молекулярной нанотехнологии ведется над теоретическим обос-
нованием работоспособности предлагаемых молекулярных устройств при по-
мощи методов компьютерного моделирования.
180
Задача компьютерного моделирования молекулярных устройств чрезвы-
чайно сложна и трудоемка, поскольку на молекулярном уровне уже перестают
действовать макроскопические законы механики, используемые для расчета уз-
лов обычных машин. Законы сопротивления материалов и гидравлики уже не-
применимы − вместо этого вступают в действие законы квантовой механики,
которые приводят к совершенно неожиданным с точки зрения классической
механики последствиям, поэтому единственно приемлемым для молекулярной
нанотехнологии вычислительным подходом являются методы молекулярного
моделирования, которые ранее успешно использовались в вычислительной хи-
мии и молекулярной биологии.
Наиболее активно используемыми в молекулярной нанотехнологии мето-
дами молекулярного моделирования являются молекулярная механика, моле-
кулярная динамика, а также пришедший недавно из статистической физики ме-
тод Монте-Карло. Одной из главных проблем является то, что нанотехнология
оперирует такими величинами, на которые законы классической физики уже не
распространяются. Например, движение легких электронов может быть описа-
но только квантово-механически, а движения тяжелых ядер уже со значительно
меньшими погрешностями может быть описано в рамках Ньютоновской меха-
ники. Для того чтобы отделить одно от другого используется известное из
квантовой механики приближение Борна-Оппенгеймера. Достигается это путем
введения так называемого силового поля, которое представляет собой функцию
потенциальной энергии молекулы от координат ядер атомов. В методе молеку-
лярной механики производится поиск энергетически выгодного пространствен-
ного строения молекулы путем нахождения локального минимума этой функ-
ции потенциальной энергии, в методе молекулярной динамики вычисляется
классическая траектория движения атомов путем интегрирования уравнения
движения Ньютона в силовом поле молекулы, а в методе Монте-Карло рас-
сматривается вся статистическая совокупность энергетически выгодных поло-
жений атомов в молекуле, что дает возможность определить самое выгодное в
энергетическом плане пространственное строение молекул, а также оценить их
термодинамические характеристики.
Большинство опубликованных примеров применения метода молекуляр-
ной динамики в молекулярной нанотехнологии касается моделирования работы
и оптимизации размеров и параметров молекулярных шестеренок и молекуляр-
ных подшипников, а также движения нейтрального газа внутри углеродных
нанотрубок, пистонов и молекулярных насосов. Основное применение метода
молекулярной механики касается определения оптимальных значений парамет-
ров, описывающих молекулярное строение отдельных деталей, например, раз-
мер углеродных трубок, а также дизайн мест связывания для вылавливания
нужных молекул из раствора. Пока еще немногочисленные работы по примене-
нию метода Монте-Карло касаются моделирования процесса самосборки со-
ставных частей молекулярных устройств.
Вторым типом подходов из арсенала средств молекулярного моделирова-
ния, который уже нашел свое место в вычислительной молекулярной нанотех-
нологии, являются неэмпирические квантово-химические расчеты в рамках
181
приближения Хартри-Фока, известного также, как метод молекулярных орби-
талей. Подобные расчеты проводятся для моделирования протекания химиче-
ских реакций, приводящих к синтезу составных частей молекулярных
устройств.
Наконец, третьим вычислительным подходом, который также активно ис-
пользуется в молекулярной нанотехнологии, является визуализация деталей
молекулярных машин с использованием языка моделирования виртуальной ре-
альности VRML. Вне всякого сомнения, технология виртуальной реальности
является едва ли не единственным способом заглянуть внутрь молекулярных
машин и посмотреть, как бы они выглядели при свете (заметим, что в мире мо-
лекулярных машин царит тьма, поскольку размер их деталей намного ниже
длины волны видимого света), что крайне важно для человека-разработчика,
живущего в освещенном макромире и привыкшего думать в его категориях.
Активное внедрение вычислительных подходов в молекулярную нанотех-
нологию потребовало развития специализированного программного обеспече-
ния. Во-первых, были созданы молекулярные компиляторы − программы, пере-
водящие описание детали молекулярной машины с языка высокого уровня на
атомно-молекулярный язык, воспринимаемый программами молекулярного
моделирования из богатого арсенала вычислительной химии. Использование
молекулярных компиляторов дает возможность быстро строить молекулярные
модели деталей, пригодные для обработки программами молекулярного моде-
лирования с целью оценки их целевых свойств, что позволяет путем варьирова-
ния параметров конструировать молекулярные детали, обладающие оптималь-
ными характеристиками. В качестве примера можно привести молекулярный
компилятор для углеродных нанотрубок. Следующим этапом явилось создание
специализированных программных систем для молекулярной нанотехнологии,
аналогичных CAD-системам в макроскопическом машиностроении. В качестве
примера можно привести создаваемую в NASA Ames Research Center компью-
терную систему разработки молекулярных машин NanoDesign.
Основные работы в области вычислительной молекулярной нанотехноло-
гии ведутся в лабораториях NASA Ames Research и в Material Simulation Center
с использованием новейших параллельных суперкомпьютеров, таких как Intel
Paragon, CRAY T3D, J Machine, SGI Power Challenger и HP-Convex, а также в
ряде других научных центров, из которых стоит упомянуть Institute for
Molecular Manufacturing и Xerox Corporation. Во многих случаях подобные ис-
следования проводятся при финансовой поддержке со стороны NASA, что не
удивительно, поскольку, судя по всему, использование элементов молекуляр-
ной нанотехнологии уже в ближайшем будущем может стать одним из ключе-
вых элементов американской аэрокосмической программы. Более того, есть все
основания полагать, что именно молекулярная нанотехнология определит лицо
технологического развития XXI века.
7.8.2. История концепции молекулярной нанотехнологии

Идею о том, что возможно создавать нужные нам устройства и другие объ-
екты, собирая их «молекула за молекулой» и, даже, «атом за атомом» обычно
182
возводят к знаменитой лекции одного из крупнейших физиков ХХ века Ричарда
Фейнмана «Там внизу – много места». Эта лекция была прочитана им в 1959 г.;
большинство современников восприняли ее как фантастику или шутку.
Современный вид идеи молекулярной нанотехнологии начали приобретать
в 80-е годы XX века в результате работ К.Э. Дрекслера, которые также сначала
воспринимались как научная фантастика. В данном разделеприведены пред-
ставления, сформировавшиеся в более поздних работах Дрекслера и его после-
дователей – таких, как Р.А. Фрейтас, Р.Меркле и др. При этом фундаментальная
монография «Наносистемы. Молекулярная техника, производство и вычисле-
ния» имеет, несомненно, основополагающее значение.
Терминология. Сам термин нанотехнология стал популярен именно после вы-
хода в свет знаменитой книги Дрекслера «Машины творения» и последовавшей
за этим дискуссии. Оказалось, однако, что этот термин был ранее предложен
Норио Танигучи, который понимал под этим любые субмикронные технологии
(тогда – дело отдаленного будущего). В конечном счете, Дрекслер стал исполь-
зовать термин молекулярная нанотехнология (МНТ) для различения предлагае-
мых им решений с нанотехнологией в смысле Танигучи.
На сегодняшний день мы не знаем каких-либо физических принципов, ко-
торые исключали бы возможность реализации идей Дрекслера. Это не означает,
что такие запреты не будут открыты в будущем. Сегодня такая возможность
остается под вопросом, однако постоянное использование оборотов типа «если
это окажется возможным» сделало бы текст раздела трудночитаемым. Поэтому
принципы изготовления работы молекулярных наносистем излагаются так, как
если бы они уже существовали. Следует понимать, что сама возможность по-
строения развитой молекулярной нанотехнологии в том виде, как это понимают
Дрекслер и его последователи будет доказана только тогда, когда будут проде-
монстрированы первые наноустройства.
7.8.3. Оценки ожидаемых параметров молекулярных

наномеханических устройств
В своих работах Э. Дрекслер и его последователи оценивали параметры в
основном механических устройств, которые они могли бы иметь при прибли-
жении размера компонент к молекулярному масштабу. Это обусловлено не тем,
что они недооценивают важность электрических, оптических и т.д. эффектов, а
тем, что механические конструкции гораздо проще и достовернее масштабиру-
ются. При этом, разумеется, осознается, что электрические и прочие эффекты
могут дать значительные дополнительные возможности.
Произведя соответствующее масштабирование, Дрекслер получил следу-
ющие численные оценки:
– позиционирование реагирующих молекул с точностью ~0,1 нм;
− механосинтез с производительностью ~106 опер/с на устройство;
− молекулярная сборка объекта массой 1 кг за ~104 сек;
− работа наномеханического устройства с частотой ~109 Гц;
− логический затвор объемом ~10–26 м3, с частотой переключения ~0,1 нс и
рассеиваемым теплом ~10–21 Дж;
183
− компьютеры с производительностью ~1016 опер/с∙Вт; компактные вы-
числительные системы на 1015 MIPS
Нанотехнология» в биологических системах. Прежде, чем обсуждать воз-
можность реализации молекулярной нанотехнологии в том варианте, в котором
ее видят Э.Дрекслер и его последователи будет полезно получить представле-
ние о том, как работают «устройства» аналогичного масштаба в живых орга-
низмах. В рамках данного раздела приведем лишь один из наиболее ярких при-
меров.
АТФ-синтаза является ферментом, преобразующим разность концентраций
протонов по разные стороны мембраны в энергию, запасенную в молекулах
аденозинтрифосфата (АТФ). Последняя, используется практически всеми меха-
низмами клетки в качестве универсального носителя энергии.
АТФ-синтаза присутствует в «энергетических станциях» растительных и
животных клеток – хлоропластах и митохондриях и представляет собой до-
вольно сложную конструкцию из нескольких типов единиц – белковых молекул
(рис. 7.22. АТФ-синтаза). Одна из этих единиц – а-единица – прочно закреплена
в мембране хлоропласта или митохондрии. Из нее выступает двойной «крон-
штейн» – пара b-единиц. С помощью γ-единицы на кронштейне крепится блок
из чередующихся ±- и І-единиц.
Рис. 7.22. АТФ-синтаза

Рядом с а-единицей в толще мембраны свободно вращается цилиндриче-
ский блок с-единиц. Очередная с-единица может захватывать протон из про-
странства под мембраной, где их концентрация высока. При этом она начинает
притягиваться к отрицательно заряженной а-единице. С-блок проворачивается
до тех пор, пока заряженная с-единица не сблизится с а-единицей. При этом
протон через имеющийся в а-единице канал переходит в пространство над мем-
браной, где их концентрация низка. Выделяющаяся при переходе из нижнего
184
пространства в верхнее энергия и приводит с-блок во вращение. На этом блоке
закреплена очередная молекула – і-единица. Она играет роль коленчатого вала.
По мере вращения она давит на очередную І-единицу, заставляя ее переходить
из одной конформации – закрытой – в другую – открытую. В открытой кон-
формации І-единица захватывает пару молекул – аденозиндифосфат (АДФ) и
неорганический фосфат. При закрытии она с силой прижимает их друг к другу;
это приводит к механосинтезу АТФ. При очередном открытии готовая молеку-
ла АТФ выходит в окружающую среду и І-единица готова к очередному циклу.
Таким образом, можно сказать, что АТФ-синтаза представляет собой до-
вольно сложную молекулярную машину, состоящую из электромотора (ротор –
с-блок; статор – а-единица), коленчатого вала (і-единица) и блока рабочих ин-
струментов (І-единиц), осуществляющих механосинтез молекул АТФ из двух
исходных компонент.
Интересно, что АТФ-синтаза может работать и «в обратную сторону». Ес-
ли над мембраной исходная концентрация АТФ высока, то уже І-единицы бу-
дут вращать с-блок через і-единицу, закачивая протоны под мембрану. Таким
образом, «электромотор» может работать и как «электрогенератор».
Это только один из примеров расшифрованных природных нано-
устройств. К сожалению здесь невозможно подробно рассмотреть ряд других –
таких, как «электромотор», двигающий флагеллы бактерий, «сборочный кон-
вейер» – рибосому, ферменты-«нанороботы», находящие ошибки в информа-
ции, записанной на ДНК и исправляющие их. С каждым годом мы обнаружива-
ем новые молекулярные механизмы, выполняющие самые разнообразные
функции. Это позволяет предположить, что устройства, аналогичные по мас-
штабам могут быть изготовлены и искусственно – то, что было сделано, может
быть повторено.
Особая роль углерода. Все живое на Земле состоит из соединений углерода.
Значение этого элемента трудно переоценить. Оно определяется огромным раз-
нообразием его форм в соединениях. Углеродные цепочки могут образовывать
линейный скелет молекул, циклические и сложные объемные скелетные струк-
туры; углерод представляет огромный интерес и в чистом виде, принимая раз-
личные формы от алмаза до молекулярных волокон и нанотрубок. Ковалентная
связь углерод-углерод является наиболее прочной из известных.
До сравнительно недавнего времени известны были только две разновид-
ности упорядоченного чистого углерода – алмаз и графит. Потом были обнару-
жены и другие – сначала были синтезированы молекулярные волокна, затем от-
крыты полые сферические молекулы – фуллерены; при поиске эффективных
методов синтеза последних были обнаружены углеродные нанотрубки.
Именно материалы на основе углерода Дрекслер рассматривает в качестве
основных кандидатов для изготовления конструкций наномеханизмов (хотя, ра-
зумеется, свои места находят и другие элементы – водород, азот, кислород,
фосфор, кремний, германий и т.д.).
Наномеханические вычисления. Миниатюризация компонент вычислительной
техники, увеличение частоты их функционирования представляют собой маги-
стральное направление развития нанотехнологий. На сегодняшний день проде-
185
монстрирована работоспособность целого ряда активных компонент – транзи-
сторов, диодов, ячеек памяти – состоящих из нанотрубок, нескольких молекул
или даже из единственной молекулы. Передача сигнала может осуществляться
одним единственным электроном. Пока не решены проблемы, связанные со
сборкой таких компонент в единую систему, соединения их нанопроводами.
Тем не менее, можно не сомневаться, что решение этих проблем – вопрос вре-
мени. Оценки показывают, что компьютер, собранный из наноэлектронных
компонент и по своей сложности эквивалентный человеческому мозгу сможет
иметь объем в 1 см3 – но будет работать в 107 раз быстрее (быстродействие бу-
дет ограничено возможностью отвода тепла). Компьютер (точнее, процессор +
память), эквивалентный современному «Pentium» будет, предположительно,
иметь объем в 10–6 см3 – 0,1×0,1×0,1 мм3.
Вероятно, наиболее быстрые и производительные компьютеры будущего
будут использовать именно наноэлектронную технологию, возможно они будут
использовать спинотронику или фотонику. Однако не исключено, что самые
маленькие компьютеры будут созданы на совершенно другой элементной базе.
Дрекслер предполагает, что такой базой может стать наномеханика.
Дрекслер предложил механические конструкции для основных компонент
нанокомпьютера – ячеек памяти, логических гейтов. Основными их элементами
являются вдвигаемые и выдвигаемые стержни, взаимно запирающие движение
друг друга. При ширине стержня в несколько атомных размеров (например, при
использовании углеродных нанотрубок) компьютер эквивалентный современ-
ному, содержащему 1 млн. транзисторов может иметь объем в 0,01 мкм3, ком-
пьютер с памятью в 1 терабайт – объем в 1 мкм3. Как и в случае с наноэлектро-
никой, быстродействие наномеханического компьютера будет определяться
возможностью отвода тепла. Расчеты Дрекслера показывают, что при темпера-
туре окружающей среды ~300 К на один ватт рассеиваемой мощности такой
компьютер будет осуществлять ~1016 операций в секунду. При мощности
100 нВт (предполагается, что такую мощность сможет без специального охла-
ждения рассеять упомянутый выше компьютер с объемом 0,01 мк3) это дает
производительность 109 операций в секунду, что примерно эквивалентно мощ-
ному современному настольному компьютеру.
Если эти показатели будут достигнуты, то этого будет вполне достаточно
для того, чтобы оснастить бортовым компьютером микронного размера нано-
устройство, например, медицинского назначения.
7.8.4. Стратегии реализации молекулярной нанотехнологии

Разрабатывается целый ряд подходов, которые могут позволить прибли-
зится к развитой молекулярной нанотехнологии. Среди них: использование
биологических молекул – белков, нуклеиновых кислот – и других макромоле-
кул. Такие молекулы могут, как послужить готовыми деталями для наносистем
промежуточного уровня, так и «молекулярными роботами» для сборки нано-
компонент, изготовленных другим способом.
186
Механосинтез с использованием зондовой микроскопии. Предложен ряд
подходов, которые могут позволить собирать углеродные конструкции бук-
вально атом за атомом.
Метод молекулярных строительных блоков. Этот метод «промежуточного
уровня» активно разрабатывается в последнее время; его суть состоит в том,
что наноустройства собираются из заранее синтезированных химически моле-
кул – строительных блоков, способных соединяться друг с другом. Предложен
целый ряд возможных конструкций таких блоков.
Перспективы развития молекулярной нанотехнологии. Нанотехнологии –
это технологии работы с веществом на уровне отдельных атомов. Традицион-
ные методы производства работают с порциями вещества, состоящими из мил-
лиардов и более атомов. Это значит, что даже самые точные приборы, произве-
денные человеком до сих пор, на атомарном уровне выглядят как беспорядоч-
ная мешанина.
Переход от манипуляции с веществом к манипуляции отдельными атома-
ми – это качественный скачок, обеспечивающий беспрецедентную точность и
эффективность.
В 1959 г. нобелевский лауреат Ричард Фейнман в своем выступлении
предсказал, что в будущем, научившись манипулировать отдельными атомами,
человечество сможет синтезировать все, что угодно. В 1981 г. появился первый
инструмент для манипуляции атомами – туннельный микроскоп, изобретенный
учеными из IBM. Оказалось, что с помощью этого микроскопа можно не только
«видеть» отдельные атомы, но и поднимать и перемещать их. Этим была про-
демонстрирована принципиальная возможность манипулировать атомами, а
стало быть, непосредственно собирать из них, словно из кирпичиков, все, что
угодно: любой предмет, любое вещество.
Нанотехнологии обычно делят на три направления:
– изготовление электронных схем, элементы которых состоят из несколь-
ких атомов;
– создание наномашин, то есть механизмов и роботов размером с молеку-
лу;
– непосредственная манипуляция атомами и молекулами и сборка из них
чего угодно.
Благодаря стремительному прогрессу в таких технологиях, как оптика,
нанолитография, механохимия и 3D-прототипировние, нанореволюция может
произойти уже в течение следующего десятилетия. Когда это случится, нано-
технология окажет огромное влияние практически на все области промышлен-
ности и общества.
В 1992 г., выступая перед комиссией Конгресса США, доктор Эрик Дрекс-
лер нарисовал картину обозримого будущего, когда нанотехнологии преобразят
наш мир. Будут ликвидированы голод, болезни, загрязнение окружающей сре-
ды и другие насущные проблемы, стоящие перед человечеством. Практически
все, что необходимо для жизни и деятельности человека, может быть изготов-
лено молекулярными роботами непосредственно из атомов и молекул окружа-
ющей среды. Продукты питания – из почвы и воздуха, точно так же, как их
187
производят растения; кремниевые микросхемы – из песка. Очевидно, что по-
добное производство будет куда более рентабельным и экологичным, чем ны-
нешние промышленность и сельское хозяйство.
Человечество получит исключительно комфортную среду обитания. В пер-
спективе нас ждет возникновение «разумной среды обитания» (т.е. природы,
ставшей непосредственной производительной силой).
Нанокомпьютеры и наномашины заполнят собой все окружающее про-
странство: они будут находиться между молекулами воздуха, присутствовать в
каждом предмете, в каждой клетке человеческого организма. Весь окружающий
мир превратится в один гигантский компьютер или, что, пожалуй, будет вернее,
человечество сольется с окружающим миром в единый разумный организм.
7.8.5. Молекулярный транзистор

Доктор Вернер Хофер из университета Ливерпуля и его коллеги из канад-
ских Национального института нанотехнологий и университета Альберты
впервые в мире создали транзистор, состоящий всего из одной молекулы.
Ими экспериментально подтверждено, что можно управлять электриче-
ским потоком через одну молекулу, заряжая единственный атом на кремние-
вой поверхности, в то время как все атомы окружения остаются нейтральны-
ми. Электрическое поле этого атома влияет на проводимость молекулы. При
этом удается менять проводимость при комнатной температуре, тогда как в
прежних опытах с направлением потоков электронов по молекулярным це-
почкам была необходима сверхнизкая температура.
Физики из университета Аризоны разработали модель транзистора, со-
стоящего из одиночной молекулы, которая изображена на рис. 7.23.
Рис. 7.23. Модель одномолекулярного транзистора
Работа нанотранзистора основана на эффекте квантовой интерференции, и

поэтому он был назван QuIET (Quantum Interference Effect Transistor).
Наименьший размер транзисторов, изготавливаемых современной микроэлек-
тронной промышленностью, составляет 45 нанометров.
Новый нанотранзистор QuIET имеет длину всего один нанометр. Нано-
188
транзистор меньшего размера до сих пор изготовить не удавалось. С помощью
современной нанолитографии планируется создавать транзисторы размером не
менее 25 нанометров. При дальнейшем уменьшении кремниевых транзисторов
возникают серьезные затруднения. Одно из них – увеличение теплового рассе-
ивания при уменьшении размеров. Даже если на сверхминиатюрных транзи-
сторах собрать ноутбук, то при включении он выйдет из строя от выделяемого
транзисторами тепла, не говоря уже о том, сколько электроэнергии он потре-
бит за короткое время работы. Однако работа нового QuIET-транзистора ос-
нована на принципах квантовой механики, и переключение устройства осу-
ществляется с помощью контроля различных электронных потоков. В основе
транзистора – кольцевая молекула бензола с двумя подключенными к ней элек-
тродами, по которым через транзистор протекает основной ток. Благодаря
третьему электроду планируется открывать и закрывать транзистор. Ток, про-
текающий по третьему электроду, не складывается с основным, как это поло-
жено по законам электродинамики, а ведет себя, как волна, и поэтому два то-
ка могут интерферировать между собой таким образом, что транзистор закры-
вается.
Одномолекулярные транзисторы будут иметь широкую область примене-
ния: в компьютерных чипах, мобильных устройствах, бытовой электронике и
др.
7.8.6. Одноэлектронный транзистор

Одноэлектронными транзисторами (Single-Election Transistors – SET)
называются переключающие устройства, способные соединять или разъединять
электрические цепи за счет управления движением одного электрона. В суще-
ствующих транзисторах такое переключение соответствует управлению сов-
местным движением сотен тысяч электронов, поэтому переход к одноэлектрон-
ным переключателям обещает резкое снижение энергопотребления и, соответ-
ственно, тепловыделения.
Одноэлектронный транзистор внешне выглядит как два металлических
электрода, разделенных очень тонкой (нанометровой) изолирующей перегород-
кой, через которую могут происходить туннельные переходы электронов. По
этому принципу, называемому «кулоновской блокадой», работают широко рас-
пространенные МОП-транзисторы, в которых переключение осуществляется
изменением потенциала управляющего электрода (затвора).
На рис. 7.24 показана схема устройства одноэлектронного транзистора.
189
UП
Управляющий электрод
Рис. 7.24. Структура одноэлектронного транзистора

Туннельный ток
U
Напряжение на
управляющем
электроде
Пороговое напряжение
Рис. 7.25. К принципу работы одноэлектронного транзистора

В центральной части расположен тот самый участок вещества (с размера-
ми ~10 нм), в котором находятся изолированные электроны (японские физики
используют даже термин «островной заряд»). Пока напряжение между управ-
ляющим электродом и истоком остается меньше некоторого порогового значе-
ния (см. рис. 7.24), электрон остается изолированным (как бы живущим на от-
дельном «острове»), однако при дальнейшем повышении напряжения (т.е. при
напряжении выше порогового) «блокада» электрона прорывается, в результате
чего устройство в целом срабатывает подобно обычному транзистору.
Для повышения надежности работы элементов, например памяти, для за-
полнения информации, необходимо использовать несколько (более одного)
электронов, контролировать наличие которых легче. Так «утечка» одного элек-
трона вследствие паразитных эффектов в этом случае не приведет к полной ин-
формации. Оптимальное число заполненных электронов на ячейку памяти со-
ставляет, по мнению разных авторов от 5 до 20, но даже в этих случаях, элек-
троны должны контролироваться по одному.
190
ГЛАВА 8. НАНОЭЛЕКТРОННЫЕ ИЗДЕЛИЯ
ДЛЯ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ

Темпы развития инфокоммуникационных систем являются наиболее быст-
рыми и прогрессивными. В данной ситуации процесс развития неизбежно свя-
зан с развитием элементной базы инфокоммуникационных систем, к которым в
первую очередь относятся современная микропроцессорная техника, оборудо-
вание систем коммуникаций и устройств хранения памяти.
Переход от изделий микроэлектроники к изделиям наноэлектроники обу-
славливает бурное развитие инфокоммуникационных систем. Для примера рас-
смотрим график, представленный на рис. 8.1. График иллюстрирует, что темпы
роста быстродействия микропроцессорной техники составляет примерно 30% в
год. Кроме того, следует отметить, что развитие технологии изготовления изде-
лий для инфокоммуникационных систем связаны с удешевлением изделий по
мере развития и совершенствования технологии изготовления.
100 ГГц
10 ГГц
Тактовая частота
1 ГГц
100 МГц
10 МГц
1 МГц
1980 1990 2000 2010
Годы
Рис. 8.1. Динамика увеличения быстродействия

микропроцессорной техники
График приведеный на рис. 8.2 демонстрирует уменьшение стоимости од-

ной ячейки хранения оперативной памяти за последние 25–30 лет.
191
10-2 64 Кб
оперативной памяти, руб

Стоимость одной ячейки
10-3 64 Мб
10-4
512 Мб
10-5
1980 1990 2000 2010
Годы
Рис. 8.2. Динамика уменьшения стоимости

одной ячейки оперативной памяти
Основными элементами инфокоммуникационных систем являются транзи-

сторы. Они разрабатываются на базе технологий, рассмотренных в главе 7, и в
основном выполняются на основе полевых структур. Перспективные варианты
наноэлектронных транзисторов рассматриваются в настоящей главе.
Жесткие требования предъявляются к конструкциям и параметрам пассив-
ных элементов наноэлектронных систем, прежде всего к конденсаторам: они
должны иметь минимальные габариты и максимально возможные удельные ем-
кости.
Наблюдаются тенденции снижения питающего напряжения наноэлектрон-
ных устройств и систем, поэтому актуальным является рассмотрение вопросов
связанных с электропитанием, в частности, автономных наноэлектронных си-
стем: сотовых аппаратов, камфонов, цифровых видеокамер и фотоаппаратов,
ноутбуков и др.
Широкие перспективы имеют изделия, использующие наноэлектронные
оптоэлектронные приборы: светодиоды, лазеры, фотоприемники и изделия на
их основе, которые также рассматриваются в данной главе.
8.2. Конденсаторы для наноэлектронных систем

В этом пункте рассматриваются наноэлектронные конденсаторы, толщина
диэлектрика у которых не превышает 4 нм и суперконденсаторы на основе уг-
леродных нанотрубок, а также возможности их применений в микро- и нано-
электронной аппаратуре. При подготовке этого пункта использовались матери-
алы, опубликованные в [10].
Наноэлектронные системы выполняются на основе УБИС и ГИС. Плот-
ность транзисторов в таких ИМС ограничена возможностью отвода тепла, а не
размерами самих приборов. Необходимость решения проблем с выделением и
отводом тепла заставляет разработчиков использовать в ИМС экономичные
транзисторы с ультранизким напряжением питания. У современных процессо-
192
ров фирмы Intel с уменьшением технологической нормы повышается частота
функционирования и понижается напряжение питания, что иллюстрирует рис.
8.3.
Uп , В f , МГц
6 4000
5
3000
4
f Uп
3 2000
2
1000
1
0 0
0 200 400 600 800
Технологический процесс, нм
Рис. 8.3. Частота f и рабочее напряжение UП для процессоров фирмы Intel

в зависимости от технологической нормы
Перспективными приборами для УБИС и ГИС являются КМДП транзисто-

ры. По мере совершенствования технологии уменьшаются напряжение питания
транзисторов UП и длина затвора LЗ. Прогноз изменения величин UР и LЗ (про-
гноз ITRS-2006) иллюстрирует рис. 8.4.
Uп, В LЗ , нм
35
1,1
30
1,0
25
0,9
20
0,8
15
0,7
10
0,6
5
0,5
0
2005 2010 2015 2020
Годы
Рис. 8.4. Прогноз изменения UП и длины затвора LЗ
КМОП-транзисторов (ITRS-2006)
193
В ближайшие десятилетия серьезную конкуренцию КМДП транзисторам
составят полевые транзисторы на основе InSb, способные работать при
UП = 0,5 В.
Для известных и планируемых к разработке наноэлектронных систем остро
необходимы суперминиатюрные конденсаторы с низкими рабочими напряже-
ниями (порядка 0,5 В). Конденсаторы традиционных типов не обладают нуж-
ной плотностью емкости (ρC), плотностью энергии (ρW) и плотностью мощности
(ρР).
Для плоского конденсатора напряженность электрического поля EMAX, ди-
электрическая проницаемость  (в зарубежных публикациях для диэлектриче-
ской проницаемости используется обозначение k)
1
U П  E MAX ( 0 /  C ) 2  E MAX  0 C , (8.1)

где  C – удельная емкость (мкФ/см2), ρС – объемная удельная емкость
(мкФ/см3). Поэтому переход к малым UП стимулируют разработки с предельно
большими значениями ρC (δC), основным недостатком конденсаторов традици-
онных типов с толщиной диэлектрика d порядка 2 нм являются туннельные то-
ки утечки. Для электронных систем с низкими UП порядка одного Вольта и ни-
же перспективны конденсаторы:
– на основе диэлектриков с высокими значениями  (ZrO2 и HfO2), харак-
теризующиеся δС = 2 мкФ/см2 при d = 2 нм;
– с тренчевыми структурами (имеющими большие аспектные отношения),
где эффективные δС =3 мкФ/см2, при толщине пленки SiO2 d = 4,5 нм и
δС > 20 мкФ/см2 при формировании в тренчах слоев диэлектриков с  = 15…20;
– на основе сегнетоэлектрических керамик, например PZT (  = 900), при
этом достигается  C = 3 мкФ/см2.
С использованием микроэлектронных технологий возможно создание
наноионных суперконденсаторов (НСК). Высокоемкие суперконденсаторы ис-
пользуют эффект быстрого ионного транспорта (БИТ) в двойном электриче-
ском слое (ДЭС) на функциональных гетеропереходах и передовой суперион-
ный проводник (ПСИП/ЭП). Такие конденсаторы обладают плотностями энер-
гии и емкости на один-два порядка выше, чем у конденсаторов с тонкими плен-
ками сегнетоэлектрических керамик (SiO2, ZrO2, HFO2 и др.).
В наноионных суперконденсаторах на основе ПСИПа ДЭС (d порядка раз-
мера атома) EMAX может превышать 107 В∙см–1, поэтому на гладких электродах
δС ~100 мкФ/см2.
В НСК с тренчевыми структурами эффективное значение
δС ≈ 1000 мкФ/см2.
Разработанные и синтезированные гетероструктуры ПСИП/ЭП (прототипы
НСК) с δС = 100 мкФ/см2 и fMAX = 106 Гц (рекордно высокие значения произве-
дения δС fMAX ~ 108 Гц∙мкФ/см2).
Наноэлектронные конденсаторы имеют широкие перспективы применения,
некоторые примеры их применения рассматриваются ниже. В цифровой элек-
тронике с увеличением частоты f и понижением UП возрастают токи на внут-
194
ренних линиях ИС. Большие токи создают дробовые шумы, минимизировать
влияние которых можно с помощью развязывающих конденсаторов CР. Для ми-
ниатюрных автономных объектов требуются импульсные накопители с высо-
ким значением ρC, ρE. Низковольтные источники, черпающие энергию из окру-
жающей среды (свет, градиенты давления, температуры, вибрации и др.) могут
обеспечить длительное функционирование мобильных электронных устройств,
микророботов, пикоспутников, систем беспроводной радиочастотной иденти-
фикации (REID) и др.
Автономные источники электропитания необходимы для цифровой и ана-
логовой электроники беспроводных самоподдерживающихся сетей с узлами,
обладающими сенсорными, вычислительными и коммуникативными функция-
ми.
В случае включения в силовой блок узлов трехвольтовых литиевых эле-
ментов, для понижения напряжения необходимы DC/DC – преобразователи, в
состав которых входят высокоемкие конденсаторы.
Современные RFID-чипы с размерами 0,30,30,06 мм включают структу-
ры, преобразующие внешний радиочастотный сигнал в постоянный ток. В про-
стейшем случае – это антенна, диод и конденсатор-накопитель
(δС = 0,35 мкФ/см2), определяющий функциональные возможности чипа. Емко-
сти конденсатора-накопителя RFID-чипа определяется формулой:
C  it (U MAX  U MIN ) , (8.2)
где UMAX и UMIN – предельные значения напряжения, i – средний ток на нагрузке
во время активной стадии работы, Δt – время передачи данных.
У 0,5-вольтовых RFID величина ΔU = UMAX – UMIN составляет 0,1 В, что на
порядок меньше, чем у современных чипов.
Излучаемые RFID-чипом энергия СUMAXΔU и мощность СUMAXΔU/Δt зави-
сят от дистанции и протокола радиоблока. Если UMAX уменьшится в 3 раза, а ΔU
– в 10 раз, то для сохранения значений СUMAXΔU емкость С должна возрасти в
30 раз, но на чипе с δС = 0,35 мкФ/см2 нет места для размещения такой емкости.
Приемлемо, когда конденсаторы занимают 10% площади, но конденсаторы
традиционных типов не могут обеспечить δС = 50 мкФ/см2.
Операционные частоты конденсаторов-накопителей должны соответство-
вать несущей частоте радиоблока.
В стандартах RFID используется частота 135 кГц, 13,56 МГц, 2,45 ГГц,
860–960 МГц и другие. Таким образом, RFID-чипам с напряжением питания
0,5 В необходимы конденсаторы с операционной частотой от 10 5 до 109 Гц.
Условие δС = 50 мкФ/см2 определяет нижнюю границу δС для многих типов
0,5-вольтовых приборов.
Углеродные нанотрубки (НТ) и нановолокна (НВ) являются перспектив-
ными компонентами наноконденсаторов. На их основе создаются высокоэф-
фективные суперконденсаторы (ультраконденсаторы, молекулярные конденса-
торы, молекулярные накопители). Как и обычные конденсаторы, топливные
элементы, а также электромеханические исполнительные механизмы суперкон-
денсаторы, обычно состоят из двух электродов, разделенных изолирующим
195
слоем, способным транспортировать ионы.
Суперконденсаторы представляют собой два электрода, погруженных в
электролит и разделенных мембраной-сепаратором. В них используется эф-
фект двойного электрического слоя. Емкость обычных плоских конденса-
торов С обратно пропорциональна межэлектродному расстоянию, в то
время как емкость суперконденсаторов определяется расстоянием d между
зарядами на электроде и противозарядами в электролите. Кроме того, она
прямо пропорциональна удельной поверхности материала электродов S:
С = AS/d (A – коэффициент пропорциональности). В случае углеродных нано-
трубок величина d может составлять нанометры (у обычных конденсаторов -
микроны), S – сотни квадратных метров на грамм (м 2/г), поэтому суперкон-
денсаторы с углеродными нанотрубками отличаются весьма высокой емко-
стью, достигающей 200 Ф/г. Поскольку многослойные нанотрубки имеют
большие значения доступной поверхности, то конденсаторы на их основе
по емкости превосходят приборы с однослойными нанотрубками. Особое
значение имеет модифицирование многослойных нанотрубок, ведущее к уве-
личению удельной поверхности и достигаемое взаимодействием их с HNO3,
твердым КОН или иными способами. В суперконденсаторах можно монти-
ровать МУНТ в виде нанобумаги из спутанных трубок.
Запас энергии в конденсаторах зависит от применяемого при заряде
напряжения U и емкости С: W = CU2/2. Суперконденсаторы с углеродными
нанотрубками отличаются высокой плотностью достигаемой мощности (до
30 кВт/кг) и энергии (до 7 Вт·ч/кг) и в этом отношении превосходят элек-
трические батареи и аккумуляторы.
Заряд суперконденсаторов происходит при небольшом электрическом
напряжении и требует очень мало времени. Так, созданы конденсаторы с мно-
гослойными нанотрубками, сохраняющие прямоугольную форму вольтаммо-
грамм при скорости сканирования 1000 мВ/с.
Для получения тонких пленок из углеродных нанотрубок, работающих
как электроды суперконденсаторов с высокой плотностью энергии, использу-
ют осаждение из концентрированных дисперсий углеродных нанотрубок или
активированных углеродных нановолокон. Для консервации высокой пористо-
сти после активирования с помощью КОН используют функциализованные уг-
леродные нановолокна, например олигоанилином.
Осаждением многослойных нанотрубок на Al-электроды (каталитиче-
ским пиролизом С2Н2, разбавленного N2) изготовлены суперконденсаторы с
удельной емкостью 120 Ф/см3.
Существуют приемы активирования материалов на основе углеродных
нанотрубок для использования в суперконденсаторах. Так, электрохимическая
обработка в HNO3 позволила уменьшить удельную поверхность сростков одно-
слойных углеродных нанотрубок (ОУНТ) и количество в них мезопор при од-
новременном увеличении количества микропор. Фторирование ОУНТ с после-
дующим нагреванием при 900 °С также изменяет пористость и структуру пор
материала и увеличивает удельную емкость.
Главное, что сдерживает широкое применение углеродных нанотрубок
196
в суперконденсаторах, – это высокая цена материалов.
8.3. Источники электроэнергии для наноэлектронных систем

В настоящее время активно ведутся работы по созданию элементов и си-
стем искусственного фотосинтеза. Существует несколько подходов к их созда-
нию. Один из них реализован в солнечной батарее, предложенной Аливисата-
сом, принцип работы которой можно уяснить, рассматривая рис. 8.5.
При воздействии света устройство вырабатывает электрическую энергию.
Эффективность работы устройства существенно улучшается за счет использо-
вания наноматериалов.
В этом устройстве матрица коллекторов собирает свет и передает энергию
возбуждения в единый реакционный центр, где она преобразуется в запасаемую
химическую энергию с использованием наноматериалов: нанокристаллов CdSe
с размерами 50 Å. Поглощающие частицы из CdSe помещены в проводящую
матрицу из органического вещества.
Между двумя плоскостями батареи (задняя металлизирована, передняя
прозрачна) приложено внешнее напряжение UП. Под действием образованного
при этом поля электронно-дырочные пары, образующиеся при поглощении све-
та наночастицей разделяются на составляющие (электроны и дырки), которые
начинают двигаться к соответствующим полюсам и создают в устройстве элек-
трический ток.
В этом устройстве возможен также перенос энергии возбуждения между
поглощающими наночастицами.
При изменении полярности UП наночастицы из CdSe способны излучать
свет, и устройство выполняет функцию светоизлучающего диода.
Другой подход к созданию солнечных батарей реализует фотохимическая
ячейка Грацеля, изображенная на рисунке, использующая оптическое возбуж-
дение заряженных молекул красителя. Возбужденные молекулы красителя пе-
редают отрицательный заряд наночастицам TiO2 (их размеры составляют 100–
300 А). В результате происходит фотоокисление обратимых пар в растворе.
Эффективность преобразований солнечной энергии ячейками этого типа со-
ставляет около 10%. В двух рассмотренных вариантах появление электрическо-
го тока связано с использованием наноматериалов, которые обеспечивают по-
глощение света, генерацию носителей заряда и их разделение. Перспективы
практического использования таких устройств зависят от успехов в конструи-
ровании наноструктурных материалов.
Перспективы создания высокоэффективных литиевых аккумуляторов так-
же связаны с применением наноструктурных материалов. В аккумуляторах
наноструктурные материалы используются для мембран и катализаторов.
197
Оксиды индия и олова
UП п-парафенилен-винилен
Нанокристаллы CdSe
Магний
а)
Наночастицы TiO2
Жидкий электролит
Адсорбированные молекулы
hν красителя
Подложка из
электропроводя- Прозрачный
щего стекла противоэлектрод (ТСО)
Нанокрис -
талличес -
кая
пленка
TiO2
10 мкм
б)
Рис. 8.5. Две концепции прямого преобразования солнечной энергии
(в электрическую или химическую) с использованием наноматериалов:
а) солнечная батарея Аливисатоса; б) фотохимическая ячейка Грацеля
Целесообразность использования наноматериалов в литиевом аккумулято-

ре иллюстрирует рис. 8.6.
В аккумуляторах важную роль играют диффузионные процессы. Исполь-
зование наноструктурных электродов значительно повышает скорость заряд-
ки/разряда и стабильность работы. Применение аэрогелей V2O5 и наночастиц
LiC0O2 или MnO2 позволяет повысить качество катода. Эффективность работы
анода повышается при его наноструктурировании путем использования угле-
родных нанотрубок и сплавов Li/Sn.
198
Rн
- UАК +
I
+
Li Электрон
+ Ион
Li +
Электролит Li
Анод Катод
Li, Li/Графит LiCo1-XAlXO
Рис. 8.6. Литиевый аккумулятор, созданный на основе наноматериалов
В качестве электролитов в литиевых аккумуляторах используется соедине-

ния LiPF6 /EC-DC или LiClO4 /PPC.
Рассматриваются возможности создания батареек на основе углеродных
нанотрубок. В ней отмечается, что литий, являющийся носителем заряда в не-
которых батарейках, можно помещать внутри нанотрубок. Утверждается, что в
трубке можно разместить один атом лития на каждые шесть атомов углерода.
Другим возможным использованием нанотрубок является хранение в них водо-
рода, что может быть использовано при конструировании топливных элементов
как источников электрической энергии для объектов с автономным питанием
(например, автомобилей). Топливный элемент состоит из двух электродов и
специального электролита, пропускающего ионы водорода между ними, но не
пропускающего электроны. Водород направляется на анод, где он ионизируется.
Свободные электроны движутся к катоду по внешней цепи, а ионы водорода
диффундируют к катоду через электролит, где из этих ионов, электронов и кисло-
рода образуются молекулы воды. Такой системе необходим источник водорода.
Одна из возможностей состоит в хранении водорода внутри углеродных нанотру-
бок. По существующим оценкам, для эффективного использования в этом ка-
честве трубка должна поглощать 6,5% водорода по весу. В настоящее время в
трубку удалось поместить только 4% водорода по весу.
Элегантный метод заполнения углеродных нанотрубок водородом состоит в
использовании для этого электрохимической ячейки, показанной на рис. 8.7.
Ячейка содержит электролит на основе КОН, а отрицательный электрод состо-
ит из листа углеродных нанотрубок. При подаче на электроды напряжения ионы Н+
движутся к отрицательному электрода. Одностенные нанотрубки в форме листа
бумаги составляют отрицательный электрод в растворе КОН, являющемся элек-
тролитом. Другой электрод состоит из Ni(OH)2. Вода электролита разлагается с
образованием положительных ионов водорода (Н+), движущихся к отрицательному
электроду из нанотрубок.
199
Uп
Катод,
Анод
покрытый
углеродными
нанотрубками
Электролит (водный раствор КОН

с концентрацией 6 моль/литр)
Рис. 8.7. Устройство наноэлектронной химической ячейки,

используемой для введения водорода в углеродные трубки
Электроды из нанотрубок благодаря высокой обратимой емкости мо-

гут использоваться в литиевых (литий-ионных) батареях. В современных
батареях катоды выполнены из оксидов переходных металлов (LiХCoO2,
LiХMn2О4), а аноды – из графита или разупорядоченного углерода. Металличе-
ский литий и ионы лития могут быть интеркалированы в межтрубные про-
странства сростков трубок, между слоями многослойных нанотрубок рулонной
структуры или углеродных нановолокон, содержащих множественные дефекты.
Литий может заполнять внутренние полости открытых углеродных нанотрубок.
Максимально достигнутое значение емкости для однослойных нанотрубок
составляет 1200 мА·ч/г, однако оно сильно зависит от способа изготовления
электрода. Полученные пиролитическим методом многослойные нанотрубки
имеют больше дефектов, чем дуговые трубки, и проявляют более высокую ем-
кость. К недостаткам устройств относятся изменение напряжения при разряде и
большой гистерезис в циклах заряд-разряд.
Промышленные батареи в начале 2000-х годов имели емкость
330 мА·ч/г. В конце 2004 г. специалисты из США демонстрировали лаборатор-
ную батарею, которая характеризовалась удельной энергией 600 Вт·ч/кг и им-
пульсной удельной мощностью 3 кВт/кг.
Введение углеродных нанотрубок в обычные свинцово-кислотные аккумуля-
торы увеличивает срок их службы.
«Лес» нанотрубок проявил себя как функциональный материал в эффектив-
ных солнечных батареях.
Применение углеродных нанотрубок в электронике обещает значительное
уменьшение размеров электронных схем и электронных устройств при одновре-
менном снижении затрат энергии и резком повышении быстродействия. Можно
говорить о том, что углеродные нанотрубки сегодня являются одним из важней-
ших материалов наноэлектроники.
200
8.3.1. Способы получения электроэнергии
Энергетические проблемы широко и постоянно освещаются с высоких
трибун и в СМИ со всех точек зрения: политических, экономических, военных,
технических. Но это касается лишь так называемой большой энергетики. Для
инфокоммуникационных устройств важно развитие малой энергетики, к кото-
рой можно отнести область альтернативной энергетики и химические источни-
ки тока (ХИТ).
Действительно, наряду с использованием первичных энергоносителей (га-
за, нефти, изотопов и т. д.) существует еще ряд способов получения и аккуму-
лирования энергии, в частности в виде наиболее удобной формы – электроэнер-
гии, способы получения которой сведены в таблице 8.1.
Таблица 8.1. Способы получения электроэнергии

Большая энергетика Малая энергетика
Стационарные Мобильные
Невозобновляемые Возобновляемые
Традиционные Нетрадиционные (физические Химические ис-

источники тока) точники тока
Электр Хим.
Топ- Солнце
Вода Ветер о энер-
ливо
энергия гия
Соленая и прес-
Неперезаряжае-
Презаряжаемые
Солнечные эле-
Геотермальные
Ветроэлектро
Энергия волн
Малые ГЭС
Приливные
Ионисторы
тростании
АЭС ГЭС
ная вода
станции
ТЭС
мые
Конечно, долю, занимаемую сейчас химическими и физическими источни-

ками тока в экономике страны, не сравнить с объемами большой энергетики, но
надо понимать, что они являются очень важной ее составной частью, без кото-
рой большой энергетике в ряде случаев просто невозможно функционировать.
Так, например, промежуточное хранение перерабатываемого запаса энергии и
доставка энергии до конечного потребителя осуществляются в основном за счет
применения автономных источников тока. Задачи повышения «чистоты энер-
гии», в частности вопросы промежуточного сглаживания, обеспечения беспе-
ребойности энергоснабжения, также решаются путем использования вторичных
источников тока (уточним, что наряду с использованием термина «вторичный
источник тока» для обозначения различных типов электронных преобразовате-
лей этот термин используется также для обозначения многократно перезаряжа-
201
емых химических источников тока (аккумуляторов)).
Но кроме использующего стационарные источники, в энергетике есть
направление, которое обеспечивает источниками (элементами) питания все
многообразие приборов и устройств, дающих возможность мобильной комму-
никации современному человеку. Это автономные (в первую очередь химиче-
ские) источники тока.
8.3.2. История химических источников тока

Химические источники тока, очевидно, были изобретены как минимум
дважды. Археологи обнаружили, что доисторические люди создали электрохи-
мическую ячейку, которую согласно сегодняшнему определению следует ква-
лифицировать как батарею. Находка была сделана в Багдаде в 1932 г. и имеет
возраст 2500 лет. Примитивная ячейка включала железный прут, который был
помещен в медный цилиндр. Судя по всему, ячейка использовалась древними
мастерами для нанесения меди на ювелирные изделия.
Следующее рождение батарей связано с работами Луиджи Гальвани
(1737–1798 гг.) и Алессандро Вольта (1745–1827 гг.), которые носили скорее
познавательный, чем прикладной, характер.
На самом деле целью изысканий Гальвани был совсем не поиск новых ис-
точников энергии, а исследование реакции подопытных животных на разные
внешние воздействия. В частности, явление возникновения и протекания тока
было обнаружено при присоединении полосок из двух разных металлов к
мышце лягушачьей лапки. Теоретическое объяснение наблюдаемому процессу
Гальвани разработал неверное, однако его опыты стали основой исследований
другого итальянского ученого Алессандро Вольта, который собственно и
сформулировал главную идею изобретения - причиной возникновения электри-
ческого тока является химическая реакция, в которой принимают участие пла-
стинки металлов. Для подтверждения своей теории Вольт создал нехитрое
устройство, состоявшее из цинковой и медной пластин погруженных в емкость
с соляным раствором. Именно это устройство стало первым в мире автономным
элементом питания и прародителем современных батарей, которые в честь Лу-
иджи Гальвани именуют гальваническими элементами.
Основные вехи развития ХИТ:
1800 г. столб Вольта: серебро/цинк;
1836 г. элемент Даниэля: медь/цинк;
1859 г. плантэ: свинцово-кислотные батареи;
1868 г. лекланше: элемент углерод/цинк с жидким электролитом;
1888 г. гасснер: сухой элемент углерод/цинк;
1898 г. коммерческие фонари, элементы габарита D;
1899 г. юнгер: никель-кадмиевые аккумуляторы (NiCd);
1946 г. нейман: герметичные никель-кадмиевые аккумуляторы;
1960 г. щелочные марганцево-цинковые элементы;
1970 г.литиевые элементы, герметизированные свинцово-кислотные аккумуля-
торы;
1990 г. никель-металлгидридные аккумуляторы (Ni/MH);
202
1991 г. литий-ионные аккумуляторы;
1992 г. перезаряжаемые щелочные марганцево-цинковые элементы;
1999 г. полимерные литий-ионные аккумуляторы.
Современные автономные источники питания внешне имеют мало общего
с устройством, созданным Алессандро Вольта, однако базовый принцип остал-
ся неизменным. Любая батарея состоит из трех основных элементов – двух
электродов, называемых анодом и катодом, и электролита находящегося между
ними. Возникновение электрического тока – это побочный результат окисли-
тельно-восстановительной реакции идущей между электродами. Выходной ток,
напряжение и другие параметры батареи зависят от выбранных материалов
анода, катода и электролита, а также конструкции самой батареи. Все батареи
можно разделить на два больших класса – первичные и вторичные. В первич-
ных элементах питания химические реакции являются необратимыми, а во вто-
ричных – обратимыми. Соответственно – вторичные элементы, которые из-
вестным нам как аккумуляторы, можно восстановить (зарядить) и использовать
заново.
Литиевые аккумуляторы. Подавляющее большинство современных телефо-
нов оснащены аккумуляторами, изготовленными на основе лития. Первые об-
разцы литиевых аккумуляторов появились в 70-е годы XX-века, а к 80-м годам
их стали выпускать серийно.
Выбор лития как перспективной основы для аккумуляторов нового поко-
ления был не случаен – этот металл химически очень активен. Однако химиче-
ская активность имеет и обратную сторону – элементы питания на основе лития
потенциально взрывоопасны, особенно при нарушении условий эксплуатации.
Кстати, последнее утверждение распространяется и на современные «безопас-
ные» модификации этих аккумуляторов.
Современные аккумуляторы на основе лития бывают двух основных раз-
новидностей - литий-ионные (Li-Ion) и литий-полимерные (Li-Pol).
Литий-ионные аккумуляторы (ЛИА). В литий-ионных аккумуляторах
катод состоит угля, анод – из диоксида лития и кобальта, а в качестве электро-
лита используется соляной раствор, содержащий ионы лития. Типовое номи-
нальное значение выходного напряжения одного элемента литий-ионного ак-
кумулятора составляет 3,6 В. Внешний вид литий-ионного аккумулятора пред-
ставлен на рис. 8.8.
Особенность ЛИА состоит в том, что эта система, являясь литиевой вто-
ричной системой, не использует литий в виде металла. Таким образом был
убран имевшийся на первых порах недостаток литиевых аккумуляторов с лити-
евым анодом, связанный с дендритообразованием, что позволило реально осу-
ществить выход изделий на рынок. Первоначально в качестве катода и анода
служили кобальтат лития (LiCoO2) и кокс (впоследствии замененный на гра-
фит). Литиевая соль (типа LiPF6) в органическом растворителе (или смеси рас-
творителей), устойчивом в широком интервале потенциалов, используется в ка-
честве электролита. Основой смеси растворителей обычно является этиленкар-
бонат. Электролит находится в порах сепаратора из полиолефина.
203
Рис. 8.8. Внешний вид литий-ионного аккумулятора фирмы Sony Ericsson
В процессе заряда ион лития из материала катода (LiCoO2) мигрирует к

аноду и проникает (или «интеркаллирует») в кристаллическую структуру гра-
фита. В процессе разряда ион лития выходит из структуры графита и, переме-
щаясь от анода к катоду, проникает в кристаллическую структуру материала
катода. Это явление получило название «батарея колебания» или «кресло-
качалка». Ион лития перемещается подобно колебанию в процессе заряда и
разряда. ЛИА заряжается до 4,2 В в режиме «постоянный ток с ограничением
напряжения», в некотором смысле похожем на режим заряда «постоянное
напряжение с ограничением начального тока» современных свинцовых аккуму-
ляторов. Разряд можно проводить до напряжения 2,7–3,0 В. Анодный материал
тонким слоем нанесен на подложку из медной фольги, выполняющей функцию
коллектора тока. Катод также тонким слоем нанесен на подложку из алюмини-
евой фольги.
Величина 4,2 В характерна не для всех типов катодных и анодных матери-
алов, также как и конечное напряжение разряда 2,7–3,0 В, а только для упомя-
нутых выше кобальтатов и графитов.
Литий-полимерные аккумуляторы и их характеристики. Принцип работы
литий-полимерных аккумуляторов тот же, что и в литий-ионных. Главное раз-
личие состоит в том, что в литий-полимерных аккумуляторах используется
электролит в виде геля, иммобилизованного, например, в сополимере PVDF
вместо пористого сепаратора из полиолефина.
Литий-полимерные аккумуляторы при одинаковом весе превосходят по
энергоемкости NiCd в 4-5 раз, NiMH в 3-4 раза. Количество рабочих циклов
500- 600, при разрядных токах в 2С до потери емкости в 20% (для сравнения - у
NiCd- 1000 циклов, у NiMH – 500). Вообще говоря, каких–либо данных по ко-
личеству рабочих циклов пока еще очень мало и к приведенным в данном слу-
чае их характеристикам необходимо относиться критически. Кроме того, тех-
нология их изготовления совершенствуется, и возможно, что в данный момент
цифры по этому типу аккумулятора уже другие. Так же, как и все аккумулято-
ры, литиевые подвержены старению. Через 2 года батарея теряет около 20%
204
емкости. Внешний вид литий-полимерных аккумуляторов представлен на
рис. 8.9.
Рис. 8.9. Внешний вид литий-полимерных аккумуляторов

Из всего многообразия силовых литий-полимерных аккумуляторов, име-
ющихся в продаже, можно выделить две основные группы – быстроразрядные
(Hi discharge) и обычные. Отличаются они между собой максимальным разряд-
ным током - его указывают или в амперах, или в единицах емкости аккумуля-
тора, обозначаемой букой «С». Например, если ток разряда 3С, а емкость акку-
мулятора – 1 А∙ч, то ток будет равен 3 А.
Максимальный ток разряда обычных аккумуляторов, как правило, не пре-
вышает 3С, некоторые производители указывают 5С. Быстроразрядные акку-
муляторы допускают ток разряда до 8–10С. Такие аккумуляторы несколько тя-
желее своих слаботочных собратьев (примерно на 20%), и в названии у них по-
сле цифр емкости присутствуют буквы HD или HC, например KKM1500 –
обычный аккумулятор емкостью 1500 мА∙ч, а KKM1500HD – быстроразряд-
ный. Хочется сразу сделать небольшое замечание для любителей эксперимен-
тов. В бытовой технике быстроразрядные аккумуляторы не применяются. По-
этому если вас посетит идея добыть по дешевке аккумулятор из сотового теле-
фона или видеокамеры, то на хороший результат тут рассчитывать сложно.
Скорее всего, такая батарея очень быстро умрет из-за нарушения предусмот-
ренных режимов эксплуатации.
Единственная область, где пока литий-полимерные аккумуляторы уступа-
ют Ni-Cd – это область супервысоких (40–50)С разрядных токов. Но прогресс
идет вперед, и, может быть, через пару лет мы услышим про новые успехи в
этой области – ведь 2 года назад про быстроразрядные литиевые аккумуляторы
тоже никто не слышал.
Достоинствами Li-Ion и Li-Pol аккумуляторов являются – большая ем-
кость, практически полное отсутствие эффекта памяти, большое допустимое
количество циклов заряд-разряд, низкий уровень саморазряда. Основных мину-
сов литиевых аккумуляторов всего два – подверженность эффекту старения и
«теплолюбивость». Последнее выражается в том, что при температурах ниже -
20°C Цельсия литиевый аккумулятор может разорвать с выбросом электролита.
«Эффект старения» выражается в том, что примерно через год-полтора после
изготовления аккумулятор начинает терять емкость, независимо от того ис-
пользуется он или нет. Вначале «эффект старения» проявляется незначительно,
но со временем емкость аккумулятора снижается более чем на 50–70% от пер-
205
воначальной.
Пример основных характеристик LiPo аккумуляторов Kokam приведен в
таблице 8.2.
Таблица 8.2. Основные характеистики литий-полимерных

аккумуляторов
Емкость, Максимальный
Название Размеры, мм Вес, г
мА∙ч ток
Kokam 145 145 27,5×20,4×4,3 3,5 0,7A
Kokam 340SHC 340 52×33×2,8 9 7А
Kokam 1020 1020 61×33×5,5 20,5 3А
Kokam 1500HC 1500 76×40×6,5 35 12А
Kokam 1575 1575 74×41×5,5 32 7А
В отличие от аккумуляторов на основе никеля (Ni-Cd или Ni-MH) Li-Ion и

Li-Pol аккумуляторы обязательно включают в свой состав электронный блок,
основной задачей которого является контроль напряжения батареи. Литиевые
аккумуляторы не допускают глубокого разряда – разряд ниже 2,7–2,9 В может
оказаться для них губительным и начнется процесс саморазрушения. В тоже
время, заряд аккумулятора выше 4,2 В может привести к вздутию или разрыву
«банки».
Упрощенно, электронный блок, входящий в состав Li-Ion и Li-Pol аккуму-
ляторов можно представить в виде транзистора работающего в ключевом ре-
жиме и управляющей микросхемы. Основной задачей транзисторного ключа
является отключение цепи заряда по сигналу управляющей микросхемы, кото-
рый формируется при выходе напряжения на элементе питания за допустимые
пределы. Экономия на схеме защиты аккумулятора, что часто встречается в ки-
тайских поделках, делает аккумуляторы потенциально взрывоопасными. Кста-
ти, в инструкциях на большинство вполне «фирменных» телефонов, указано,
что заряжать телефон следует только под присмотром.
Учитывая, какими темпами двигается технический прогресс в области
электрохимии, можно предположить, что будущее за литий-полимерными ак-
кумуляторами - если их не догонят топливные элементы. По мере повышения
спроса на аккумуляторы и увеличения объема их выпуска цена будет неизбеж-
но падать, и тогда литий станет, наконец, также распространен, как NiMH. На
Западе это время уже полгода как наступило, по крайней мере, в Америке. По-
пулярность электролетов с литий-полимерными аккумуляторами все растет.
Ионно - литиевые аккумуляторы с матрицами нанотрубок. Рис. 8.10 де-
монстрирует матрицу коаксиальных нанотрубок после изготовления на алюми-
ниевом шаблоне.
206
Рис. 8.10. Матрица коаксиальных нанотрубок,
изготовленных на алюминиевом шаблоне
Группа ученых Университета Райса (Rice University) в Техасе разработала
новый материал для электродов в виде гибридных (оксид металла – углеродные
нанотрубки) матриц, которые могут существенно повысить показатели ионно-
литиевых аккумуляторов.
Аккумуляторные технологии сегодня стоят на одном из приоритетных
мест в списке потребностей покупателей в связи с быстрым ростом производ-
ства гибридных и электрических автомобилей и портативной электроники. По-
требность в аккумуляторных батареях с повышенным ресурсом движет инно-
вации в этой области.
Концепция, которую ученые предлагают, включает в себя новый подход к
выращиванию углеродных нанотрубок, которые выглядят и действуют как ко-
аксиальные проводники, используемые в кабелях. Сердечниками таких коакси-
альных структур служат сами нанотрубки, имеющие высокую электропровод-
ность, а в качестве оболочки используются оксиды магния. На рисунке показа-
на матрица коаксиальных нанотрубок после изготовления на алюминиевом
шаблоне. Внешняя оболочка из оксида магния сформирована вакуумной ин-
фильтрацией, а сердечник добавлен методом осаждения в паровой фазе. Тонкий
слой золота использован в качестве общего коллектора тока.
Как утверждает Паликел Аджайан – профессор материаловедения Универ-
ситета, полученная конструкция представляет собой образец современного
конструирования на наноуровне. Группе удалось сопрячь несколько важных
физических функций, необходимых для электродов – нанотрубки, являясь вы-
сокопроводящими элементами, к тому же способны абсорбировать литий, а ок-
сид магния, имея низкую электропроводность, обладает высокой емкостью. Со-
четание этих двух элементов дает системе интересные совокупные свойства,
например, увеличение ресурса (который применительно к аккумуляторной ба-
тарее будет означать увеличение количества циклов зарядки/разрядки).
Нанотрубки могут быть организованы в пучки различной конфигурации.
Будучи всего несколько микрометров в поперечнике, пучки, используемые в
качестве электродов, дают оптимизм для уменьшения размеров батарей, кото-
рые впоследствии могут стаь тонкими и гибкими. Вся идея легко масштабиру-
ема и поэтому технологична. Проект финансируется Семейным Фондом Хартли
(Hartley Family Foundation).
207
8.3.3. Основные типы аккумуляторов
для мобильных устройств
Существует несколько типов аккумуляторов, которые применяются в мо-
бильных устройствах. Это никель-кадмиевые (Ni-Cd), никель-
металлогидридные (Ni-MH), литий-ионные или просто литиевые (Li-Ion) и ли-
тий-полимерные (Li-Pol) батареи. Из данного многообразия в подавляющем
большинстве устройств можно встретить литиевые и никель-металлогидридные
элементы.
Причем, литиевые элементы на сегодняшний день, являются самыми по-
пулярными источниками энергии. Ими комплектуются практически все совре-
менные сотовые телефоны, КПК, цифровые видеокамеры, ноутбуки, MP3-
плееры, цифровые фотоаппараты. Однако, среди цифровых фотоаппаратов,
плееров и других устройств, которые могут работать от стандартных батареек
форматов АА и ААА (а также некоторых других), чрезвычайно распространены
никель-металлогидридные аккумуляторы, выпускающиеся в формате таких ба-
тареек.
Но, прежде всего, рассмотрим важнейшие характеристики аккумуляторов.
Аккумуляторы имеют множество характеристик, из которых наиболее
ценную для обычного пользователя информацию несут несколько, в частности
– емкость аккумулятора, время зарядки, скорость саморазряда, количество цик-
лов заряда-разряда. Емкость измеряется в миллиамперах в час (мА∙ч или mAh).
Чем емкость больше – тем лучше, ибо от этого зависит, как долго ваше устрой-
ство проработает от той или иной батареи.
Время зарядки, как следует из названия, определяет время, в течение кото-
рого элемент можно зарядить. Измеряется в часах – понятно, что чем это пока-
затель меньше, тем удобнее для пользователя.
От скорости саморазряда зависит максимальное время, которое заряжен-
ный аккумулятор может провести без использования. То есть, это скорость, с
которой аккумулятор разряжается без нагрузки со стороны устройства. Чем
медленнее это происходит – тем лучше. Впрочем, надо отметить, что при до-
статочно интенсивном использовании аппарата вы просто не почувствуете раз-
ницы между аккумулятором с высокой и низкой скоростью саморазряда. А вот
если ваше устройство может пролежать без использования месяц и более, на
этот параметр следует обратить внимание.
Количество циклов заряда-разряда характеризует общий срок службы ак-
кумулятора. Здесь все зависит от технологии изготовления элемента.
Никель-металлгидридные аккумуляторы подходят для многих цифровых
фотоаппаратов, плееров и других подобных устройств. Они способны быстро
отдавать накопленный заряд – это лишний аргумент в пользу их использования
в цифровых устройствах.
Разные устройства нуждаются в различном питании – например, MP3-
плеер сможет питаться от одного элемента ААА емкостью 700–900 мА∙ч в те-
чение многих часов музыки, а средний цифровой аппарат проживет от пары ак-
кумуляторов на 2300 мА∙ч в течение нескольких сотен фотоснимков. Как пра-
208
вило, там же, где продаются аккумуляторы, можно купить зарядное устройство
для них.
Не стоит сильно экономить на зарядном устройстве – купив настольную
зарядку с функцией разряда, вы избавите себя от проблем по уходу за аккуму-
ляторами и обеспечите своим устройствам качественное питание. В частности,
Ni-MH-аккумуляторы подвержены так называемому «эффекту памяти» - если
постоянно заряжать не полностью разряженный аккумулятор, его емкость со
временем снижается. Также нельзя не отметить, что аккумуляторы обладают
довольно высокой скоростью саморазряда – до 30% в месяц. То есть, если вы не
снимали вашим цифровиком с Ni-MH-элементами в течение месяца – не за-
будьте его подзарядить. Время зарядки аккумуляторов может варьироваться –
от нескольких до 10–15 часов (с учетом цикла разрядки на соответствующих
зарядниках).
Перед началом использования новый аккумулятор должен пройти от 3 до 5
циклов полного заряда-разряда. Лучше всего сделать это с помощью зарядного
устройства с функцией разряда, но если ваше устройство может только заря-
жать аккумуляторы – разрядить их можно с помощью того мобильного гаджета,
для которого аккумуляторы приобретены.
Следует сказать, что никель-металлогидридные элементы могут сильно
нагреваться при быстром заряде или разряде. То есть, если вы случайно за-
мкнете аккумулятор (связкой ключей, например), произойдет быстрый разряд с
сильным нагреванием элемента и замкнувшего его предмета.
Если аккумулятор потерял емкость, его можно попытаться восстановить
несколькими циклами полного заряда-разряда. Также надо отметить, что Ni-
MH-аккумуляторы допускают длительное хранение (вплоть до нескольких лет).
Для этого никель-металлогидридную батарею необходимо полностью разря-
дить и поместить в прохладное место. Если аккумулятор долгое время хранился
в тепле, то перед использованием «потренируйте» его несколькими циклами
заряда-разряда.
Литиевые аккумуляторы миниатюрны и, как правило, обладают большей
емкостью при аналогичных с никель-металлогидридными размерами. В отли-
чие от всех других типов аккумуляторов, которые состоят из набора однотип-
ных элементов, литиевые аккумуляторы обязательно содержат микроплату –
контроллер аккумулятора. У контроллера много функций, предотвращающих
повреждение аккумулятора.
Литиевые аккумуляторы требуют минимального ухода за собой – вы мо-
жете подзаряжать такой аккумулятор, не дожидаясь полного разряда. Они об-
ладают крайне малой скоростью саморазряда – порядка 5–10% в месяц. Однако,
их не следует хранить длительное время или покупать впрок, т. к. существует
эффект старения, который «убивает» большинство таких аккумуляторов через
несколько лет (иногда и через год) использования. Литиевыми элементами надо
пользоваться, и чем интенсивнее – тем лучше.
Литиевые элементы боятся минусовых температур если вы вдруг заморо-
зите мобильное устройство с литиевой батареей – будьте готовы к тому, что он
просто выключится. Так же, они боятся полного разряда (при некачественном
209
контроллере или хранении в разряженном состоянии) – это может привести к
отказу внутренней электроники аккумулятора и, как следствие, к невозможно-
сти работы с ним. Некачественные аккумуляторы при замыкании или использо-
вании с неподходящей или некорректно работающей зарядкой могут взрывать-
ся (такие случаи бывали с сотовыми телефонами), поэтому, выбирая источник
питания для мобильных телефонов, лучше не экономить и покупать качествен-
ные зарядные устройства.
8.3.4. Состояние и перспективы развития производства

химических источников тока
Бурное развитие электроники, повышение требований массовых потреби-
телей к комфортности, а значит и энергонасыщенности, вызвали необходи-
мость интенсификации работ в области обеспечения энергией, и в частности в
области источников тока.
Общий мировой рынок химических источников тока в 2005 г. составил 38
млрд. долл. (см. рис. 8.11). При этом существенная доля (13 млрд. долл.) прихо-
дится на первичные, то есть неперезаряжаемые элементы и батареи
(см. рис. 8.12).
Рис. 8.11. Распределение мирового рынка химических источников тока
Наибольший вес на рынке первичных источников тока имеют давно из-

вестные марганцево-цинковые элементы. Конечно, за 140 лет своего существо-
вания они претерпели существенные изменения, 50 лет назад появилась щелоч-
ная версия, выпускаемая с небольшими модификациями и сейчас. В связи с от-
носительно низкой стоимостью можно прогнозировать, что эта система еще
долгое время сохранит лидирующие позиции, но доля щелочных элементов в
этом секторе будет возрастать за счет замещения солевых, производство кото-
рых неуклонно снижается.
210
Рис. 8.12. Распределение рынка первичных элементов и батарей
Попытки удержать позиции на рынке развивающейся портативной элек-

троники привели к появлению моделей, специально ориентированных на мощ-
ные, в частности импульсные, применения. Важно знать, что при использова-
нии таких элементов в обычных применениях (особенно при разряде малыми
токами) потребитель может не получить того эффекта, который он ожидал по-
лучить в соответствии с рекламой производителей и увеличенной ценой. Среди
последних новинок, появившихся в этом сегменте в последние 2–3 года, можно
отметить щелочные никель-цинковые элементы, предназначенные для исполь-
зования в фототехнике. Важным моментом явилась коммерциализация компа-
нией Energizer 1,5-вольтовых элементов габаритов AA, AAA, AAAA системы
литий-сульфид железа. Они имеют существенные преимущества при работе на
больших токах и в импульсных режимах (время работы увеличивается почти в
7 раз по сравнению с элементами традиционной щелочной марганцево-
цинковой системы класса Duracell, Energizer), значительно большие сохраняе-
мость (15 лет против 7) и температурный диапазон (от –40 °С вместо –20 °С) и
ряд других преимуществ, которые, конечно, важны для ряда специальных при-
менений, но избыточны для обычного потребителя, соизмеряющего их с ценой.
Еще одним важным моментом является начало выпуска фирмой Varta с 2006 г.
серии батарей воздушно-цинковой системы. Удельные характеристики батарей
достаточно высоки, но они ориентированы на применение в специальных и во-
енных областях.
Тенденции развития сегмента первичных систем до 2010 г. можно охарак-
теризовать следующим образом.
Сохранение объема потребления на ближайшие 2 года на том же уровне в
стоимостном выражении (со смещением акцента на литиевые и воздушно-
цинковые за счет сокращения доли солевых элементов) при снижении объема
потребления в штучном выражении на 20–30%.
В дальнейшем — потеря наиболее массовых потребителей за счет вытес-
нения вторичными системами, сокращение объема рынка в стоимостном выра-
211
жении в 2–3 раза. Первичные системы сохранят свое значение в устройствах,
срок эксплуатации которых может быть обеспечен максимум 1–2 заменами ис-
точника тока (часы, измерительная и контрольная аппаратура, оборудование се-
зонного использования с обязательным регламентным обслуживанием). При-
чины этих тенденций таковы:
– достижение вторичными системами (аккумуляторами) практически всех
ключевых потребительских показателей: емкости разового цикла, сохраняемо-
сти, мощностных параметров, характерных для первичных систем;
– сближение стоимости Вт·ч вторичных систем с этим показателем основ-
ной массы первичных;
– изменение менталитета потребителей («необслуживаемый черный
ящик», который должен сообщать о своей готовности и возможности выполне-
ния задач, которые собирается возложить не него потребитель);
–изменение приоритета экологических вопросов.
В области промышленных и автомобильных аккумуляторов пока безраз-
дельно господствуют свинцово-кислотные (СК) батареи (89%). Почему свинец?
На чаше весов лежит, с одной стороны:
– наиболее старая, а следовательно, отработанная и привычная система;
цена;
– относительно большие мировые запасы свинца;
– простота и эффективность переработки старых аккумуляторов.
А с другой стороны:
– необходимость регламентных работ при длительном хранении даже для
новых, «безуходных» аккумуляторов;
– невозможность оставления разряженного аккумулятора при низких тем-
пературах, весьма частом явлении, особенно в регионах нашей страны;
– «нежелательность» глубоких разрядов;
– невозможность прогнозирования выхода из строя;
– экологические вопросы;
– невозможность размещения в герметичных отсеках.
Пока при выборе системы у потребителя перевешивают показатели первой
группы, особенно цена.
В области источников тока для портативной техники ситуация несколько
иная. Переход на продукцию третьего поколения вызывает резкое повышение
требований к характеристикам источников тока (см. рис. 8.13). А производите-
ли говорят уже о четвертом и пятом поколении, которые обязательно вызовут
возрастание уровня требований по запасу энергии (по крайней мере удельных).
В области источников тока специального применения, например в про-
грамме перевооружения НАТО Land Warrior, в 1999 г. была поставлена задача
достижения следующих показателей (см. таблицу 8.3).
212
Рис. 8.13. Рост требований к характеристикам источников тока
Таблица 8.3. Задачи достижения характеристик источников питания

Удельная энергия, кВт·ч/кг
Год
2003 0,27
2005 1,45
2008 3,1
2025 5,9
Понятно, что решить эту задачу на основе свинцовых, как, впрочем, и ни-
кель-кадмиевых (Ni/Cd), аккумуляторов нельзя. Поэтому среди вторичных си-
стем в этих секторах получили развитие и превалируют электрохимические си-
стемы, появившиеся в последние 10–15 лет:
– никель-металлгидридная (Ni/MH);
– литий-ионная (ЛИА);
– литий-полимерная (ПЛИА, ЛПА).
Динамика изменения положения этих систем видна на рис. 8.14
Рассматривая рынок в разрезе электрохимических систем, можно отметить
следующие особенности.
По состоянию на 2005 г. рынок Ni/Cd-аккумуляторов составлял порядка
950 млн. долл. Рынок относительно стабилен со снижением в стоимостном вы-
ражении на 5% в год. Важным показателем является то, что практически всеми
ведущими фирмами, производящими Ni/Cd-аккумуляторы, прекращены иссле-
довательские работы по улучшению их характеристик.
213
Рис. 8.14. Мировой объем продаж малогабаритных аккумуляторов
Например, фирма «Panasonic» прекратила новые разработки и сократила

производство с 2002 г. в 2 раза; номенклатуру – в 3 раза (в 2007 г. производство
полностью прекращено). Sanyo сохраняет объем производства на практически
постоянном уровне, но разработки в этом направлении также прекращены. Не-
которые оптимистичные прогнозы ряда маркетинговых фирм, предсказываю-
щие сохранение в полном объеме рынка малогабаритных Ni/Cd аккумуляторов,
основаны на предположении о существенной доле использования их в электро-
инструментах, игрушках, радиомоделях, что не совсем верно, так как не учиты-
вается большой прогресс в характеристиках и снижении цен других систем.
Возможно, Ni/Cd, останется для ряда радиостанций, в основном старых типов,
аварийного освещения, так как более устойчив по сравнению с другими (по
крайней мере, пока) к глубокому разряду и хранению в разряженном состоянии.
Нужно также учитывать настроение общества относительно проблем экологии.
Немаловажным обстоятельством является и повышение цен на никель.
В области металлгидридных аккумуляторов тоже наблюдается снижение
количества разработок. Здесь активные разработки ведут только COBASYS
(OVONICS), MOLTECH и Sanyo. Несмотря на то что, начиная с коммерциали-
зации в 1991 г., система претерпела ряд существенных улучшений, предсказать
сейчас, какую долю рынка удастся удержать Ni/MH-аккумуляторы, трудно. По
состоянию на 2005 г. сегмент Ni/MH составлял $660 млн., при этом он вырос по
сравнению с предыдущим годом на 5%, в основном за счет резкого увеличения
производства гибридных электромобилей. Некоторые оптимистичные прогнозы
и в дальнейшем связываются с рынком гибридных автомобилей (ГЭМ) и элек-
тромобилей (ЭМ) на основании необходимости большого времени разработок и
длительных проверок новых аккумуляторов в автомобильной промышленно-
сти. Конечно, сейчас появляются модели аккумуляторов с повышенной емко-
стью (по прогнозам, к концу 2007 г. – до 2,9 А∙ч в габарите AA), модели, спо-
собные эксплуатироваться в буферном режиме (аварийное освещение), при вы-
соких токах разряда (электроинструмент), при низких (до –40 °С) температурах
214
и пр. Наиболее яркой новинкой 2006 г. явился коммерческий выпуск компани-
ей Sanyo аккумулятора в габарите AA Eneloop. Емкость нового аккумулятора
составляет 2 А∙ч, что, конечно, ниже наиболее энергоемких аккумуляторов это-
го года (2,7 А·ч), но его несомненным достоинством является резко сниженный
саморазряд (см. таблицу 8.4). А это ставит его на один уровень с первичными
щелочными элементами для достаточно большого круга потребителей, которые
хотят использовать источник тока сразу после покупки в магазине, не произво-
дя с ним никаких работ (заряд, необходимый для аккумуляторов обычных се-
рий). В то же время емкость данного аккумулятора лежит в диапазоне
2–2,7 А·ч, характерном для большинства современных щелочных первичных
элементов.
Таблица 8.4. Характеристики саморазряда никель-металлгидридных
аккумуляторов
Наилучшие
Модель SANYO результаты
HR-3U других SANYO Eneloop
компаний
Хранение при 20°С 6 мес. 6 мес. 6 мес. 1 год 2 года
Остаточная
емкость,% 75 80 90 85 75
Рынок малогабаритных ЛИА в 2005 г. составил 3,9 млрд. долл. с годовым

приростом 8%, рынок ПЛИА увеличился на 20% и составил 0,6 млрд. долл. В
2007 г. можно отметить появление моделей с повышенной емкостью (до 2,8 А∙ч
для габарита 18650), коммерциализацию элементов с фосфатными катодными
материалами, расширение номенклатуры силовых серий, появление моделей,
которые производители позволяют использовать при одиночном применении
без плат контроля, с использованием биполярной конструкции. Обратим вни-
мания на тот факт, что в связи с внедрением в промышленное производство но-
вых катодных и анодных материалов появились модели, которые нужно экс-
плуатировать в другом режиме безопасных напряжений (например, 2,5–4,5 В
для Nexelion с катодом из смеси LiCoO2,Li(Ni,Co,Mn)O2 и анодом из аморфно-
го композита Co-Sn-C, производимых Sony, вместо 3,0–4,2 В, характерных для
традиционных ЛИА на основе кобальтата и графита), а это накладывает необ-
ходимость изменения требований к электронным системам защиты (по величи-
нам критических значений контролируемых параметров).
8.3.5. Тенденции развития сегмента вторичных систем

до 2010 года
Небольшое снижение общего объема потребления на ближайшие 2 года
Ni/Cd-батарей (порядка 20–30%) за счет вытеснения другими системами, в
дальнейшем более быстрое снижение и стабилизация на уровне 300 млн Вт·ч.
(Данный прогноз расходится с мнением других маркетинговых исследований,
215
основанных на предположении о сохранении ключевой роли Ni/Cd в электро-
инструментах и аварийном освещении.)
Несколько более замедленное, но с теми же тенденциями снижение объема
потребления Ni/MH-батарей. (Некоторые исследования, основанные на предпо-
ложении о сохранении ключевой роли Ni/MH в ГЭМ.)
Возрастание как доли, так и абсолютной величины вторичных систем на
основе лития (ЛИА, ПЛИА, литий-полимерных (ЛПА), литий-серных (ЛСА)).
Вытеснение Ni/Cd и Ni/MH, а также суперконденсаторов из большинства суще-
ствующих применений. Вытеснение СК и Ni/Cd в части стационарных и по-
движных объектов резервного питания и промежуточного хранения энергии.
Причины таких тенденций:
– достижение и превышение вторичными системами на основе лития прак-
тически всех ключевых потребительских показателей: удельных характеристик,
емкости, сохраняемости, мощностных параметров, ресурса, температурного
диапазона других электрохимических систем. Снятие ограничений на создание
аккумуляторов большой емкости. Решение проблемы безопасной эксплуатации;
– сближение стоимости Вт·ч, а в ряде случаев и более низкие величины
стоимости литиевых систем по сравнению с основной массой других вторич-
ных систем;
– изменение менталитета потребителей («необслуживаемый черный
ящик», который должен сообщать о своей готовности и возможности выполне-
ния задач. Кстати, это хороший пример первоначальной трудности, которая
превратилась в достоинство системы при создании «Систем управления энер-
гией», позволивших реализовать принципиально новые потребительские каче-
ства источников автономного питания).
По некоторым прогнозам, можно ожидать увеличения рынка малогабарит-
ных аккумуляторов к 2010 г. до 19–23 млрд. долл., причем порядка 70% долж-
ны занять литиевые системы. Они и сейчас уже занимают существенную долю
рынка малогабаритных аккумуляторов. Литий занимает возрастающее положе-
ние и в первичных системах. Почему литий?
Литий является самым легким металлом, имеет наибольший электрохими-
ческий потенциал и тем самым способен обеспечить наибольшую удельную
энергию. Теоретически ему может противостоять только алюминий, но, к сожа-
лению, последний электрохимически необратим. К числу достоинств ХИТ на
основе литиевых систем можно отнести также высокое напряжение, герметич-
ность, широкий температурный интервал, низкий саморазряд.
В таблице 8.5. представлены основные первичные системы с литиевым
анодом. Наибольшее распространение до последнего времени имела система
Li/MnO2 как наиболее отработанная и безопасная, а также не имеющая началь-
ного провала напряжения даже после длительного (10 лет) хранения. Среди
первичных систем, получивших интенсивное развитие в последнее время, мож-
но назвать систему Li/FeS2, обладающую уникальными свойствами при разряде
большими токами и в импульсных режимах, что важно для бурно развивающе-
гося сейчас направления цифровой электроники. Первичные литиевые элемен-
ты с жидкими катодами используются в основном в спецтехнике, но и там во
216
многих применениях идет переориентация на твердые катоды.
Таблица 8.5. Основные первичные системы с литиевым анодом
Первичные литиевые источники тока
Системы с твердым
электролитом Системы с жидким электролитом
Твердый катод Твердый катод Жидкий катод

Иод (I2) Диоксид марганца (MnO2) Диоксид серы
(SO2)
Полимонофторуглерод (CF) Сульфурилхлорид
(SO2CI2)
Хромат серебра (Ag2CrO4) Тионилхлорид
(SOCI2)
Сульфид железа (FeS)
Дисульфид железа (FeS2)
Оксид меди (Cuo)
Вторичные источники (перезаряжаемые аккумуляторы), использующие

литий в качестве материала анода, способны обеспечить, с одной стороны, вы-
сокое напряжение, а с другой – превосходную емкость, что приводит к высоким
значениям удельной энергии.
Литиевые вторичные системы, первоначально с анодом из металлического
лития, реально появились в середине 1980-х годов, но их производство было
заморожено после нескольких несчастных случаев, произошедших в результате
их применения. Основная проблема заключалась в низкой циклируемости Li-
анода из-за образования дендритов в жидком электролите, что вызывало внут-
риэлементное короткое замыкание, разогрев и взрыв, тем более что в составе
аккумулятора присутствовали и окислитель (катод), и топливо (органический
электролит с низкой температурой воспламенения, а также металлический ли-
тий). Затем они использовались ограниченно, только для специальных целей, из
соображений безопасности. В нашей стране они выпускаются до сих пор на
Елецком элементном заводе «Энергия» под наименованием «аккумулятор
ЛВБ», хотя трудно назвать аккумулятором систему, заряжающуюся максимум
50 раз, причем после 10-го раза наблюдались случаи взрыва, к счастью, не по-
влекшие за собой серьезного травматизма.
«Второе дыхание» литиевые системы получили, начиная с первого ком-
мерческого представления в 1991 г. компанией Sony Energetic литий-ионных
аккумуляторов. С тех пор они завоевывают все более прочные позиции на всех
перспективных направлениях электроники, особенно портативной. Такое побе-
доносное шествие объясняется великолепными характеристиками, такими как
высокая удельная энергия (>100 Вт·ч/кг, >300 Вт/л), хорошая циклируемость
(>1000 циклов), экологичность и безопасность. Сравнение трех систем приве-
дено в таблице 8.6.
217
Таблица 8.6. Сравнение никель-кадмиевой, никель-металлгидридной
и литий-ионной систем
NI/Cd NI/NH ЛИА
Стоимость Низкая Средняя Высокая
Анод Cd(OH)2 AB5, AB2 Графит
Катод Ni(OH)2 Ni(OH)2 LiCoO2
Электролит Щелочь Щелочь Органический
Напряжение,В 1,2 1,2 3,7
Объемная энергия, 120–150 250–430 280–500
Вт·ч/л
Удельная энергия, 40–55 60–110 110–260
Вт·ч/кг
Макс. ток разряда, А 15С 20С 20С
Нижняя температу- –35 –20 –20
ра, °С
Верхняя температу- 70 50 70
ра, °С
Саморазряд, % в мес. 30 20 2–5
Количество циклов 500 1000 1000
Чувствительность к Низкая Средняя Высокая
перезаряду
Безопасность Без замеча- Возможно воз- Требует защит-
ний горание при ных электронных
проколе устройств
Экологичность Cd токсичен Не определена Не определена
Вообще говоря, в терминологии, используемой при описании вторичных

литиевых систем, имеется некоторая неопределенность. Существуют три ос-
новных типа вторичных систем (аккумуляторов) на основе лития:
– литий-ионные аккумуляторы;
– «литий-полимерные» (читай литий-ионные с загущенным электролитом);
– литиевые аккумуляторы с полимерным электролитом.
Если с одним из типов – ЛИА – все более или менее понятно, то с двумя
другими небольшая путаница, связанная с маркетинговыми ходами производи-
телей.
8.3.6. Производители перспективных типов

химических источников
В настоящее время существует несколько фирм-производителей литий-
полимерных аккумуляторов. Лидером по количеству выпускаемых аккумулято-
ров и одним из первых по качеству является Kokam. Также известны фирмы
Thunder Power, I-Rate , E-Tec, и Tanic (предположительно, это второе название
Thunder Power или же это один из продавцов Thunder Power под своим названи-
218
ем). Посмотреть типы Kokam-а можно на сайте www.fmadirect.com, батареи
разных производителей предлагаются на сайте www.b-p-p.com и
www.lightflightrc.com.
Есть еще Platinum Polymer, предлагаемый на сайте
www.batteriesamerica.com, предположительно – это другое название I-Rate.
Ассортимент емкости аккумуляторов весьма широк – от 50 до 3000 мА∙ч.
Для получения больших емкостей используют параллельное соединение акку-
муляторов.
По форме все батареи плоские. Как правило, их толщина меньше самой
короткой стороны более чем в 3 раза, и выводы делаются с короткой стороны в
виде плоских пластин.
I-Rate, быстроразрядных аккумуляторов пока не делает, и их аккумуляторы
имеют одну особенность: один из электродов у них алюминиевый, и паять его
проблематично. Это делает их неудобными при самостоятельной сборке бата-
реи.
Аккумуляторы E-Tec – нечто среднее, они не заявлены как быстроразряд-
ные, но ток их разряда выше, чем у обычных – 5–7С.
8.4. Наноэлектронные транзисторы

Хорошо освоенная кремниевая технология позволяет создавать полупроводни-
ковые приборы как внутри объема (полупроводниковая технология), так и на
поверхности изолятора (технология кремний на изоляторе). Область примене-
ния пластин, используемых в технологии кремний на изоляторе (КНИ) иллю-
стрирует рис. 8.15.
Непрерывное совершенствование технологии направлено на создание при-
боров с лучшими технико-экономическими показателями: по потребляемой и
отдаваемой мощности, полосе рабочих частот и быстродействию, массе и габа-
ритам. При этом исследуются и внедряются в производство новые типы полу-
проводниковых материалов.
Достижению рекордных технико-экономических показателей способствует
использование оригинальных конструкций, новых материалов (в частности, уг-
леродных нанотрубок) и физических явлений, не использовавшихся в приборах
классической электроники (явления в напряженном кремнии, гетеропереходах,
«горячих электронов» и др.).
Наблюдается переход от кремниевой технологии к нанотехнологиям, а
также зарождение молекулярной электроники.
В последнее время появилось много типов наноэлектронных транзисторов.
Некоторые из них перечислены ниже:
– транзисторы с повышенной подвижностью носителей HEMT (High Elec-
tron Mobility Transistor);
219
10000
«Толстые»
Оптоэлектроника,
микромеханика,
сенсоры
Биполярные
приборы
Толщина слоя Si, нм
Высоковольт-
«Тонкие»
ные ключи
КМОП ИС с
частичным
обеднением
1000
КМОП ИС с
Нано «Ультра-
КНИ тонкие»
полным
обеднением
100
КМОП ИС на
наноструктурах
100 1000 10000

Толщина слоя скрытого оксида, нм
Рис. 8.15. Области применения кремниевых пластин
– транзисторы на горячих электронах с отрицательным сопротивлением

ПТОС (Negative Resistance Field-Effect Transistor);
– одноэлектронные транзисторы с туннельно-прозрачными барьерами
MTF (Multi-Tunnel Functions);
– транзисторы, выполненные по технологии кремний на изоляторе, в част-
ности, на сапфире (КНИ, КНС);
– транзисторы с затвором в виде рыбьих плавников FinFET;
– терагерцовые транзисторы (Tera-Hertz);
– транзисторы с тройным затвором (Tri-Gate Transistor);
– гетеротранзитторы (на основе полупроводников с различной шириной
запрещенных зон) MOD FET;
– транзисторы с затвором Шоттки (MES FET);
– одноэлектронные транзисторы (Single-Electron Transistor - SET).
Современные типы наноэлектронных приборов рассматриваются в работах
[1, 7, 8]. Материалы этих работ использовались при подготовке к изданию дан-
ной книги.
Рассмотрение наноэлектронных систем позволяет выявить очевидный
факт: их базовыми элементами являются полевые транзисторы и другие струк-
туры, использующие полевой эффект. Полевые транзисторы (Field-Effect Tran-
sistor) или FET-транзисторы характеризуются, во-первых, максимальной удель-
ной крутизной ВАХ:
220
I C
S MAX 
U З
,
а, во-вторых, предельной частотой:

SMAX
fT  ,
2 (CЗИ  ССЗ )
где IC – ток стока; U3 – напряжение на затворе; СЗИ и ССЗ соответственно емко-
сти затвор-исток и сток-затвор.
При уменьшении длины канала и снижении сопротивлений пассивных об-
ластей стока rС и истока rИ, эти параметры улучшаются. Предельные значения
SMAX и fT пропорциональны предельной дрейфовой скорости VДР и подвижности
носителей в канале . Подвижность электронов в гетероструктурах достигает
3500 см2/В∙с, что в несколько раз выше, чем у кремния. Поэтому полупровод-
никовые соединения А3В5 и гетероструктуры на их основе предпочтительней
кремниевых транзисторов. На рис. 8.16. приведена эквивалентная схема нано-
электронного МОП-транзистора.
З L3 r3 rС LC
CЗС C
СЗИ CСП
СЗП
CСИ rСП
rЗИ rСИ
rЗП Sm UЗИ
rИ CИП
rИП
LП
И
Рис. 8.16. Эквивалентная электрическая схема наноэлектронного
МОП-транзистора
Перед разработчиками стоит задача минимизации индуктивностей выво-

дов LЗ, LC, LИ; влияния подложки (элементов СЗП, rЗП, СИП, rИП, ССП, rCП), между-
электродных емкостей CЗС, ССИ, СЗИ, а также немодулированных сопротивлений
каналов rИ, rС, а также сопротивления в цепи затвора rЗ. С целью улучшения
усилительных и ключевых свойств ведутся разработки по максимализации па-
раметра Y21 – крутизны (S) полевых транзисторов.
221
8.4.1. Наноэлектронные транзисторы на основе структур
хранения на сапфире
Последние пять десятилетий прогресс микроэлектроники соответствует за-
кону Мура и обеспечивается линейным уменьшением размеров приборов и
масштабируемым изменением параметров приборов.
В 2003 г. при переходе к проектной норме 90 нм, длина затвора L3 кремние-
вых металл – оксид – полупроводниковых (МОП) транзисторов достигла 60 нм,
но рост производительности микросхем заметно снизился, из-за физических
ограничений по масштабированию вследствие увеличения паразитных туннель-
ных токов утечки p–n-переходов.
Для уменьшения длины канала МОП транзисторов без смыкания областей
стока и истока требуется сильное легирование каналов. Такое легирование ведет
к росту порога включения транзистора UПОР и уменьшению тока насыщения, за
счет снижения подвижности носителей зарядов с ростом концентрации примеси.
Поиск отличных от объемного кремния материалов и конструкций ПТ вы-
явил перспективность структур типа кремний на изоляторе (КНИ), зарубежная
аббревиатура SOI.
В КНИ транзисторах используется тонкий 100–400 нм и ультратонкий
5–10 нм слой кремния.
Фирма AMD разработала высококачественные тонкопленочные КНИ МОП-
транзисторы с затвором длиной 25 нм и током насыщения 790 мкА/мкм. Разра-
ботчики фирмы IBM создали КНИ МОП-транзисторы с длиной затвора 6 нм при
толщине слоя кремния 4 нм, однако, из-за сильного легирования канала ток
насыщения в транзисторе составляет 130 мкА/мкм, что недостаточно для совре-
менных ИМС.
Основными достоинствами КНИ-транзисторов являются: низкое энергопо-
требление, высокое пробивное напряжение и высокое быстродействие.
Перспективность разработок новых наноэлектронных КНИ-транзисторов
обусловлена возможностью решения проблем свойственных короткоканальным
транзисторам, а также возможностью изготовления новых приборов, работаю-
щих на квантово-размерных эффектах.
Современные ИМС, содержащие десятки миллионов транзисторов выпол-
няют на КМОП КНИ-транзисторах, к которым предъявляются жесткие требова-
ния. Для получения высокого быстродействия и высокой плотности упаковки
необходимо получить максимально короткий канал. Для получения низкой рас-
сеиваемой мощности ИМС транзисторы должны иметь токи утечки в закрытом
состоянии не более 10–9 А.
Для создания короткого канала используют самосовмещенную технологию
изготовления транзисторов, где затвор является еще и маской при имплантации
стоков и истоков. В качестве затворов используют легированный до металличе-
ского состояния поликремний толщиной не менее 200 нм.
Для устранения токов утечки между отдельными транзисторами использу-
ют КНИ-подложки и создают каждый транзистор в отдельном кристаллическом
кремниевом островке, лежащем на изолирующей поверхности.
222
Для обеспечения достаточно малых токов утечки в канале, сильно возрас-
тающих с уменьшением длины канала транзистора, необходимо понижать
напряжение питания, так при длине канала 100 нм при напряжении питания 3 В
происходит смыкание стока и истока, при отсутствии напряжения на затворе.
Поэтому при такой длине канала необходимо переходить на использование
напряжения питания 1,5 В.
При напряжении питания 1,5 В необходимо обеспечить UПОР ≈ 0,5 В. Для
получения низкого порога р-канальных транзисторов используют поликремне-
вый затвор, легированный бором (В).
Затвор n-канальных транзисторов легируют фосфором (Р). Для предотвра-
щения закорачивания стока и базы прокалыванием области стока, при создании
контактов к истоку и стоку области стока и истока должны достигать скрытого
оксида.
Поскольку в коротко-канальном транзисторе поле вблизи стока велико,
нужно использовать слабое легирование стокового p–n-перехода возле затвора
для уменьшения этого поля. В противном случае, электроны, сильно ускоряясь в
области сильного поля, могут повреждать подзатворный оксид.
Конструкция КНИ МОП-транзистора приведена на рис. 8.17.
Передаточные характеристики наноэлектронных КНИ транзисторов с дли-
ной каналов порядка 100 нм и шириной затвора 5 мкм приведены на рис. 8.18, а
стоковые характеристики – на рис. 8.19.
Токи насыщения транзисторов при UС =1,5 В и UЗ =1,5 В составляют
220 мкА/мкм для n-канального и 90 мкА/мкм для p-канального транзисторов.
Токи утечки не более 5∙10–9 А.
При интеграции 100 млн транзисторов на кристалле общий ток ИМС в
ждущем режиме не превышает 5 А, что вполне допустимо.
Для подавления короткоканальных эффектов в n- и p-канальных КНИ
МОП-транзисторах требуются напряжения различной полярности и использова-
ние подложки в качестве управляющего электрода, что не является оптималь-
ным вариантом для ИС.
При этом каналы индуцируются напряжением на затворах вдоль обеих
сторон вертикальной пластины.
Перспективны конструкции, в которых затвор опоясывает канал с трех
сторон. В таких транзисторах инверсионные каналы образуются под затвором с
трех сторон, что позволяет увеличить площадь протекания тока при той же за-
нимаемой площади прибора.
По оценкам специалистов фирмы Intel при размерах транзистора около
30 нм, выполненного по традиционной технологии, тепловыделение становится
неприемлемо большим. Трехмерная технология позволяет значительно снизить
потери на тепловыделение.
223
Затвор
Алюминиевый контакт к
поликремниевому затвору
Кремниевый островок
База
Контактное окно
Металлизация
Исток/База n n Сток
Контакт к
основной
p
подложке
а)
Пиролитический оксид
Кремниевый островок Подзатворный оксид
Захороненный
Подложка оксид
Si
П/
Контакт к К
подложке
n p n
SiO2
Si
б)
Рис. 8.17. Конструкция КНИ МОП-транзистора: а) вид сверху; б) вид сбоку (сечение)
224
IС, A/мкм
5,0х10-5
2
4,0х10-5
1
3,0х10-5
2,0х10-5 p-канал
1 n-канал
1,0х10-5
0
-1,5 -1,0 -0,5 0 0,5 1,0 1,5
UЗ,В
Рис. 8.18. Передаточные характеристики n- и p-канальных транзисторов
в линейном масштабе. UС = 0,1 B. 1 – SOI = 500 нм, 2 – SOI = 20 нм
IС, A/мкм
2,5х10-4
2
-4
2,0х10
1
1,5х10-4
1,0х10-4
5,0х10-5 1
0
-1,5 -1,0 -0,5 0 0,5 1,0 1,5
U C, В
Рис. 8.19. Стоковые характеристики n- и p-канальных транзисторов в линейном мас-
штабе. UЗ = 1,5 B. 1 – SOI = 500 нм, 2 – SOI = 20 нм
Различные конструкции транзисторов КНИ представлены на рис. 8.20.

Вариантом альтернативного наноэлектроного МОП-трнзистора является
высоколегированная нанопроволочка играющая роль канала, проводимость ко-
торой управляется затвором. Нанопроволочка легирована однородно, что реша-
ет проблемы мелкозалегающих переходов. Устраняется эффект смыкания. Ос-
новной проблемой является наличие последовательных сопротивлений истоко-
вой и стоковых областей. В транзисторе с одним сторонним затвором для обес-
печения достаточной проводимости канала (500 мкА/мкм), необходим высокий
уровень легирования отсеченного слоя кремния.
225
Это накладывает ограничения на ширину канала кремниевой нанопрово-
лочки B и на ширину зазора между каналом и сторонним затвором d (см. рис.
8.20 а). Значение d ограниченно приемлемым значением порогового напряжения
(<1 В). При концентрации N = 2∙1020 см–3 значение B не должно превышать 5 нм,
d =1,5 нм при использовании в качестве подзатворного диэлектрика SiO2.
Столь низкие и жесткие для практической реализации значения d, которые
определяются шириной электронного луча, можно увеличить выбором диэлек-
трика с более высокой диэлектрической проницаемостью.
Лучшие показатели плотности тока обеспечивают транзисторы с двумя и
более затворами (рис. 8.20, б, в, г). В роли дополнительного затвора КНИ-
транзистора может использоваться подложка (рис. 8.20, г, д).
Изготовление двухзатворных конструкций, когда дополнительный затвор
распложен между скрытым оксидом и отсеченным слоем кремния технологиче-
ски чрезвычайно сложно. Более перспективным является «вертикальный» вари-
ант конструкции транзистора с двойным затвором, получивший название «Fin-
FET».
В такой конструкции пластинчатое тело транзистора лежит не в горизон-
тальной плоскости на изоляторе, а как бы поставлено на ребро (рис. 8.20, г). При
этом канал индуцируется напряжением на затворах (Fin-плавниках) вдоль обеих
сторон такой пластины. Затворы имеются не только по бокам, но и сверху кана-
ла. Однако, т.к. высота плавников гораздо больше ширины верхнего затвора, то
вклад верхнего затвора в управление током канал незначителен (высота плавни-
ка 1 мкм, толщина подзатворного оксида 5 нм, длина канала 100 нм, ширина
плавника 50 нм).
Реальные р-канальные Fin FET имеют значение плотности тока
820 мкА/мкм, при UС = UЗ = 1,2 В (длина затвора 45 нм, толщина Fina 30 нм).
Теоретически, оптимальным с точки зрения управления током канала явля-
ется вариант, когда со всех сторон канала располагаются затворы (или круглый
затвор). По свойствам к этому варианту приближается транзистор, называемый
Pi-gate (рис. 8.20, г). Здесь используется трехмерный затвор, две боковые стенки
которого углублены в скрытый оксид. Достаточно обеспечить углубление 20 нм.
КНИ-структурам свойственна проблема накопления заряда в скрытом ди-
электрике, при радиационном облучении. Транзисторы Pi-gate обладают повы-
шенной радиационной стойкостью. При облучении происходит накопление по-
ложительного заряда в скрытом оксиде и формируется паразитный канал прово-
димости в n-канальных транзисторах вблизи границы раздела. Возможность
«закрывать» паразитный транзистор напряжением на боковых затворах не толь-
ко через боковой подзатворный оксид, но и через скрытый оксид за счет углуб-
ленных затворов, является преимуществом Pi-gate по сравнению с транзистором
Fin FET.
226
Затвор
d B
Затвор Канал
Канал
Si Si Si
SiO2 SiO2
Si (подложка)
Si ( подложка)
а)
б)
Канал Канал
Затвор Диэлектрик
Контакт к Затвор
подложке
Si Si Si Si
SiO2 Скрытый оксид

Si ( подложка)
Si- подложка
в) г)
Канал
Диэлектрик
Контакт к Затвор
подложке
Скрытый оксид
Si- подложка
д)
Рис. 8.20. Варианты конструкций транзисторов КНИ: а) с одним сторонним затвором;
б) с трехмерным затвором одноканального прибора; в) с трехмерным затвором
многоканального прибора; г) с двойным вертикальным затвором Fin-FET;
д) с трехмерным углубленным в оксид затвором Pi-gate
Проблемы малой проводимости каналов решают транзисторы с параллель-

но соединенными кремниевыми нанопроволочками.
На основе КНИ-структур возможно создание квантово-размерных транзи-
сторов, в частности одноэлектронных приборов. Одноэлектронные приборы
предполагают формирование в нанопроволочке КНИ квантово-размерных ост-
ровков (в пределе квантовых точек), отделенных туннельными барьерами от
остальной части нанопроволочки.
Если проводить утончение КНИ методом пошагового низкотемпературного
термического окисления и травления, то при определенной толщине слоя крем-
ния формируется структура, содержащая как проводящие каналы, так и массивы
квантово-размерных кремниевых островков отделенных от каналов туннельны-
ми барьерами – система одноэлектронных транзисторов.
Каждый островок кремния обладает собственным набором локализованных
энергетических состояний, и прохождение электронов через туннельные барье-
ры является вероятностным процессом.
227
Чтобы получить приборы, работающие при комнатной температуре с вос-
производимыми параметрами, либо их размеры должны быть меньше самофор-
мирующихся квантовых точек, либо практически должно быть исключено влия-
ние микрорельефа поверхности.
Вариация ширины КНИ-проволочки и литография должны обеспечивать
воспроизводимость размеров прибора на уровне единиц нанометров.
На практике необходимо получать не отдельные транзисторы, а формиро-
вать из них блоки памяти в ИМС. При этом важно совмещение одноэлектрон-
ных транзисторов с остальной частью системы (в частности, с усилителями).
Достоинством КНИ-транзисторов является возможность создания гибрид-
ных схем (содержащих одноэлектронные и МОП-транзисторы).
Одноэлектронные КНИ-транзисторы обладают совместимостью с суще-
ствующей кремниевой технологией.
Переход от объемного кремния к пластинам кремний на изоляторе является
перспективным способом создания транзисторов нанометрового диапазона.
8.4.2. Нанотранзисторы с гетеропереходами

Гетеротранзистор представляет собой транзистор, содержащий один или
несколько гетеропереходов. Зонные диаграммы гетеропереходов имеют разры-
вы зон, которые можно использовать для ограничения движения носителей за-
ряда в направлении, перпендикулярном плоскости гетероперехода. В гете-
ропереходах носители заряда ведут себя в зависимости от направления движе-
ния. Гетеропереходы формируются, как правило, с помощью тонких слоев. По-
этому в направлении, перпендикулярном слою, энергетический спектр носите-
лей заряда имеет дискретный характер и наблюдается размерное квантование. В
двух других направлениях плоскости слоя спектр носит непрерывный характер
и сохраняется зонная структура.
Технология полупроводниковых гетероструктур позволяет создавать си-
стемы с пониженной размерностью. Если движение носителей заряда ограни-
чено в одном направлении, то формируется квантовая яма. В ней формируется
двумерный электронный газ. Если ограничение движения носителей происходит
в двух направлениях, то формируется квантовая нить. Нуль-мерная квантовая
точка появляется в случае ограничения движения носителей по трем направле-
ниям. В качестве примера, на рис. 8.21. приведена конструкция гетеротранзи-
стора.
Структура гетеротранзистора выращена методом молекулярно-лучевой
эпитаксии по технологии самосовмещения. В 2D-слое имеются подвижные
электроны с типичным значением подвижности 6500 см2/В∙с при 300 К и
120 000 см2/В∙с при 77К.
Соответствующие значения поверхностной плотности электронов состави-
ли 5,4∙1011 см–2 и 7,8∙1011 см–2 соответственно. Технология формирования такой
структуры включала в себя формирование затвора с барьером Шоттки на основе
силицида металла, ионную имплантацию, отжиг, формирование омических кон-
тактов.
228
Варизонный AlXGa1-XAs
(20нм)
Нелегированный
Al0,3Ga0,7As (10нм)
n+ - Al0,3Ga0,7As (10нм)
Al0,3Ga0,7As (10нм)
Исток Затвор Сток
Область ионного Область ионного

легирования легирования
n+ - типа n- - типа
2D – электроны с высокой подвижностью GaAs
Полуизолирующая
подложка (GaAs)
Рис. 8.21. Kонструкция гетеротранзистора
Понижение размерности повышает роль межэлектронных взаимодействий.

В двумерном электронном газе, в частности, наблюдаются целочисленный и
дробный квантовые эффекты Холла. Обнаружены квазичастицы с электриче-
ским зарядом, равным одной трети заряда электрона. В одномерных про-
водниках наблюдается квантование проводимости в отсутствии магнитного по-
ля, возникают элементарные возбуждения с дробным электрическим зарядом,
носители заряда без спина и носители спина без заряда. Различают несколько
видов гетеротранзисторов.
MES-FET-транзисторы. Наиболее популярным активным элементом яв-
ляется n-канальный полевой транзистор с затвором Шоттки на арсенид-
галлиевой структуре (MESFET). Структура такого транзистора изображена на
рис. 8.22.
Активный слой формируется методом ионной имплантации доноров в по-
луизолирующую подложку. Затвор Шоттки формируется в виде золотого кон-
такта.
229
Контактный n+-слой,
N=1018см-3, 100нм
И С
Au AuGeNi З AuGeNi Au
Au
n+- d слой GaAs

NД=1018см-3, 15нм
Буферный слой Барьерный n+- слой,

NД<1014см-3, 800 нм NД=5∙1014см-3, 100нм
Подложка i-GaAs
Рис. 8.22. Структура MESFET-транзистора
Пороговое напряжение такого транзистора зависит от степени легирования,

толщины канала, а также расстояния от затвора до канала и лежит в пределах от
–4 В до +0,2 В. В качестве подзатворного диэлектрика используется обедненная
электронами область пространственного заряда под барьером Шоттки. Канал
представляет собой тонкий сильнолегированный слой п+-GaAs, расположенный
между легированным активным слоем и подложкой.
Транзисторы этого типа имеют длину канала порядка 0,13 мкм и работают
на частоте 50 ГГц. К недостаткам MESFET-транзистора следует отнести труд-
ности создания р-канальных транзисторов для формирования комплементарных
структур. Другим недостатком является невозможность использования макси-
мальной подвижности электронов в канале (~8000 см /В∙с) при концентрации
доноров ~1018см–3.
НЕМТ-транзисторы. Гетероструктурные полевые транзисторы с высокой по-
движностью электронов или НЕМТ-транзисторы (High Electron Mobility Transis-
tor) имеют большую крутизну ВАХ и большую предельную частоту. Крутизну
транзистора можно рассчитать по формуле:
S = μCУДВ(UЗИ – UЗИ ПОР)/L,
где μ – подвижность электронов, СУД – удельная емкость подзатворного диэлек-
трика, L – длина канала, В – ширина канала.
В основе работы НЕМТ-транзисторов лежит идея использования «кванто-
вого колодца» в качестве канала. В квантовом колодце формируется двумерный
электронный газ (ДЭГ). За счет потери одной степени свободы подвижность но-
сителей увеличивается примерно вдвое, возрастает и эффективная концентрация
230
носителей.
Гетеропереход формируется из широкозонного полупроводника AlXGaX-1As
и узкозонного i-GaAs. На их границе происходит разрыв энергетического уровня
примерно на величину ΔЕ = 0,38 эВ. В качестве подзатворного диэлектрика ис-
пользуется широкозонный полупроводник AlGaAs, который вследствие искрив-
ления энергетических зон становится обедненным электронами.
Канал представляет собой потенциальную яму, образованную в узкозонном
проводнике на границе с широкозонным. В этом канале речь идет о поверхност-
ной плотности электронов, которая составляет ~2∙1012см-2.
Конструкция НЕМТ-транзистора представлена на рис. 8.23.
И З С
n+ n+
i*-GaAs i-AlGaAs n+ - Al0.3Ga0.7As
ДЭГ(канал)
Рис. 8.23. Конструкция НЕМТ-транзистора
За более чем четвертьвековую историю НЕМТ-транзисторы развились в

семейство. Помимо соединений А3В5 весьма перспективными оказались соеди-
нения InGaAs, InGaP, InAlAs, InP. Соединения на основе индия отличаются вы-
сокой подвижностью электронов, разрыв зоны проводимости ΔЕ достигает
0,5 эВ.
Разработаны n-канальные и р-канальные НЕМТ-транзисторы, для которых
создается потенциальная яма для дырок в узкозонном слое InGaP. Для исполь-
зования в мощных СВЧ-устройствах, работы в экстремальных условиях разра-
ботаны НЕМТ-транзисторы на основе GaN и SiC. Канал у таких транзисторов
обычно формируется в узкозонном слое AlGaN.
По частотным и усилительным свойствам НЕМТ-транзисторы на основе
AlGaN/GaN уступают транзисторам на соединениях AlGaAs/GaAs, однако пре-
восходят их по плотности снимаемого тока, мощности и рабочим напряжениям
исток-сток.
Гетеротранзисторы с барьером Шоттки с высокой подвижностью заряда.
Одним из главных направлений СВЧ-полупроводниковой электроники является
создание ГПТШ-гетеропереходных полевых транзисторов с затвором Шоттки на
AlGaN/GaN.
Основным элементом такой структуры является область двумерного газа в
квантовом колодце. Эта область располагается непосредственно под гете-
ропереходом. Подвижность в этой области составляет порядка 2000 см2/В∙с, а
концентрация носителей ~1013см2.
Структура ГПТШ представлена на рис. 8.24.
231
И З С
Исток Затвор Сток
Пассивирующий слой (SiNx , Sc2 O3 , MgO и др.) d=100- 200 нм
Cap- слой( GaN, AIN) , d=2- 5 нм

Барьерный
Барьерныйслой
слойAl
Alx xGa
Ga1-x
1-xNN
Нелегированные Alx Ga1-x N , AIN) , d = 1- 3 нм
2 DEG
Канальный слой,нелегированный GaN, d = 200 нм
Буферный слой i- GaN, d = 1, 5 2 мкм
Подложка
Сапфир( Al2О3) SiC, Si , ,GaN, AIN
Рис. 8.24. Типовая структура ГПТШ на GaN
Созданные конструкции ГПТШ имеют затвор длиной L3= 0,55 мкм и ши-
риной В3 = 0,246 мм и позволяют получить выходную мощность порядка 8 Вт на
частоте 4 ГГц.
Одной из проблем GaN-технологии является нестабильность тока стока при
его увеличении. Это явление получило название коллапс тока. Оказалось, что
этот эффект связан с наличием ловушечных центров на поверхности и в объеме
материала буферного GaN-слоя. С этой целью пассивируют поверхность ди-
электрической пленкой SiNХ, а также формируют сар-слой (см. рис. 8.25.)
Транзисторы на соединении GaN, ширина запрещенной зоны которого
3,4 эВ, сохраняют работоспособность до температур 500–600°С. На основе GaN-
транзисторов создаются монолитные интегральные схемы СВЧ-диапазона.
Значительный интерес вызывают транзисторные структуры на основе гете-
роструктур Si/SiGe. Рассогласование постоянных решетки составляет 4,2%, что
вызывает механические напряжения в тонком слое гетероструктуры
(рис. 8.25).
Структура типа Si/SiGe получается путем осаждения кремния на подложку
SiGe. При этом формируется слой напряженного кремния. В таком кремнии
скорость дрейфа носителей на 70 % выше, чем в обычном кремнии. Это позво-
ляет увеличить быстродействие транзисторов на 40%. Транзисторы сформиро-
ванные на базе гетеропереходов Si/SiGe0,3 получили название модуляционноле-
гированных транзисторов с затвором Шоттки или MOD FET. Подвижность
электронов и дырок в канале таких транзисторов достигает значения μn = (1270–
2830) см2/Вс и μр = (800–1000) см2/Вс.
Это позволяет получить высокое значение SMAX и fТ. В таком типе транзи-
сторов возможно создание комплементарных пар.
232
а)
б) в)
Рис. 8.25. Формирование напряженного кремниевго слоя:

а) кристаллическая решетка Si; б) кристаллическая решетка Ge;
в) напряженный слой кремния
8.5. Наноэлектронные переключатели и ячейки памяти

8.5.1. Квантово-точечные клеточные автоматы
Потребности в разработке логических устройств для нанокомпьютеров с
очень высокой плотностью логических элементов и с максимально возможно
низким потреблением энергии на одно переключение привели к предложени-
ям использовать в логических элементах проводящие островки очень малого
размера – квантовые точки. В таких приборах для реализации вычислений ло-
гических булевых функций используют массивы связанных взаимодействую-
щих квантовых точек. Эти новые приборы называют квантово-точечными
клеточными автоматами QCA (Quantum Cellular Automata).
Основу прибора составляет ячейка, состоящая из четырех или пяти кванто-
вых точек. Ячейка из пяти квантовых точек (четыре точки расположены в углах
квадрата, а одна – в его центре) имеет вид в соответствии с рис. 8.26.
e e e e
e e e e
«1» «0» «1» «1»
Состояние с высокой Состояние с низкой
энергией энергией
Рис. 8.26. Различные конфигурации ячеек квантово-точечных автоматов

В ячейку при помощи внешнего напряжения через дополнительный электрод
вводятся два избыточных электрона, и ячейка приобретает электрический заряд.
233
Квантовые точки в ячейке располагаются таким образом, что возможно туннели-
рование только через центральную точку. Из-за электростатического отталкива-
ния между избыточными электронами вся система будет иметь минимальную
энергию только в том случае, если электроны расположатся как можно дальше
друг от друга, т.е. в углах квадрата, соединенных диагональю. Поскольку таких
возможных положений всего два, то система имеет всего два устойчивых состоя-
ния (две поляризации), и, следовательно, одно из этих состояний можно считать
логической единицей («1»), а второе – логическим нулем («0»). При переходе си-
стемы из одного устойчивого состояния в другое меняются поляризация системы
и распределение электрических полей вокруг ячейки. С помощью дополнитель-
ных электродов, связанных с ячейкой емкостной связью, можно навязать ячейке
необходимое состояние и перевести ее в состояние «1» или «0». Если рядом с пер-
вой ячейкой расположить вторую (в которой также находится два дополнитель-
ных электрона), то электростатическое поле первой ячейки заставит электроны
располагаться так, чтобы обеспечить минимум электростатической энергии всей
системы.
Составляя комбинации из расположенных разным образом ячеек, можно ре-
ализовать разнообразные логические функции и выполнить необходимые логиче-
ские преобразования и вычисления.
Пример комбинации ячеек, при которой состояние на выходе определяется
большинством состояний на входе (логическая функция «Majority»), имеет вид в
соответствии с рис. 8.27. Предложены разнообразные комбинации ячеек для реа-
лизации логических операций. На основе таких элементов возможно создание
нанокомпьютера. Важно отметить, что взаимное расположение ячеек обеспе-
чивает передачу логического сигнала без перемещения зарядов вдоль цепочки –
в бестоковом режиме, только за счет передачи вдоль цепочки состояния поляри-
зации.
Преимущества логических устройств на основе квантово-точечных клеточ-
ных автоматов состоят в том, что по сравнению с аналогичными устройствами
на основе полевых транзисторов требуется значительно меньший объем актив-
ной области.
e e
«1»
e e
e
«1»
e
e e e
«0» «1» «0» «1»
e e e
e
«1»
e
e e
«1»
e e
Рис. 8.27. Комбинации ячеек квантово-точечного автомата, при которых состояние
234
на выходе определяется большинством состояний на входе
Например, полный сумматор на основе клеточных автоматов с размером
точки 20 нм можно расположить на площади около 1 мкм2, в то время как такую
же площадь занимает всего лишь один полевой транзистор. Для построения
такого же сумматора на основе полевых транзисторов требуется примерно
40 транзисторов. Если еще учесть области коммутации транзисторов между
собой, а они, как известно, занимают объем, сравнимый или даже превосходя-
щий объем, занятый активными приборами, то преимущества использования кле-
точных автоматов становятся очевидными.
Принципиальная возможность функционирования логических элементов на
основе клеточных автоматов была продемонстрирована на примере ячейки, из-
готовленной при помощи стандартной электронно-лучевой литографии из алю-
миниевых островков на поверхности окисленной кремниевой пластины. Площадь
прибора составляла величину примерно 5050 нм2.
Вычислительный процесс в приборах на основе клеточных автоматов осу-
ществляется при переходе всей совокупности ячеек в состояние с минимальной
энергией – в основное состояние. Поскольку сложные вычислительные устрой-
ства должны содержать большое число ячеек, то состояние с минимальной энер-
гией можно получить разными способами. Это может приводить к ошибкам в вы-
числениях. Кроме того, такие системы чувствительны к внешним воздействиям
и поэтому требуют строгого контроля внешних условий. При повышении темпе-
ратуры вычислительный процесс может быть разрушен. Для ячеек, у которых
размер одной квантовой точки ~20 нм, изменение энергии при перезарядке точ-
ки составляет величину ~1 мэВ (примерно 0,05kT при комнатной температуре).
Так же как и для одноэлектронного транзистора, рабочую температуру нужно
повышать за счет уменьшения размеров ячейки (и соответственно каждой кван-
товой точки). Существует еще одна проблема, которая должна быть решена
для успешной работы устройств на основе клеточных автоматов. Она состоит в
том, что поскольку электростатическое поле ячейки влияет на соседние ячей-
ки как в направлении выхода устройства, так и в направлении входа, то из-за
случайных воздействий возможно распространение сигнала не только от входа к
выходу, но и наоборот. Для устранения этого недостатка предложены устройства
на основе квантовых точек, у которых направление передачи сигнала опреде-
ляется внешним электрическим полем. Практическое изготовление устройств
на основе клеточных автоматов находится в самой начальной стадии и требует
разрешения целого ряда проблем, в основном технологических.
8.5.2. Молекулярные переключатели

Методы литографии, обычно используемые при изготовлении кремниевых
чипов для компьютеров, приближаются к своим пределам в плане уменьшения
размеров элементов схемы. Наноразмерная архитектура становится более слож-
ной в изготовлении и более дорогой. Это мотивировало усилия по синтезу моле-
кул, способных служить переключателями. Молекулярные переключатели могли
бы стать основой устройств хранения информации и логических схем в компью-
терах, использующих двоичную систему. Молекула А, которая может находить-
235
ся в двух различных состояниях, скажем, в формах А и В, и обратимо перево-
диться внешними воздействиями (светом, напряжением) из одного состояния в
другое, может быть использована для запоминания информации. Для того чтобы
рассматривать молекулу в качестве хранилища нуля или единицы, необходимых
для двоичной логики, переключение внешними воздействиями между двумя со-
стояниями должно быть быстрым и обратимым. Оба состояния должны быть
термоустойчивыми и способными переключаться в обе стороны много раз. Более
того, эти два состояния должны быть различимыми для некоторого зонда R. Та-
кое зондирование называется режимом чтения.
На рис. 8.28 представлена схема основных элементов молекулярного пере-
ключателя, в котором представлена схема основных элементов молекулярного
переключателя, в котором воздействие S1, вызывает переключение из состояния
0 в состояние 1, а воздействие S2 индуцирует обратное переключение. Суще-
ствует множество различных видов молекулярных переключателей.
R1 R2
S1 и S2 Внешние воздействия
S1 А = состояние 0, В = состояние 1
A B
S2
Рис. 8.28. Схематическое представление элементов молекулярного переключателя.
Внешнее воздействие S1 изменяет состояние молекулы из 0 в 1, a S2 возвращает
молекулу в состояние 0
Разработав методику измерения электропроводности одной цепной молеку-

лы, исследователи стали задаваться вопросом, можно ли создать молекулу, про-
водимость которой можно было бы изменять скачком, как в выключателе. Они
использовали относительно простую молекулу, изображенную на рис. 8.29 и со-
держащую тиоловую группу (SH-), которая может прикрепиться к золоту, поте-
ряв атом водорода.
Золотой
электрод NH2
NO2
U
Рис. 8.29. Схема молекулярного электронного переключателя
Переключатель выполнен на проводящей молекуле, прикрепленной конца-
236
ми к золотым электродам. Первоначально молекула является непроводящей, но
при достижении напряжением значения, достаточно для добавления к молекуле
электрона с электрода, она становиться проводящей. Дальнейшее увеличение
напряжения опять делает ее непроводящей из-за добавления второго электрона.
Молекула 2-амино-4-этилнилфенил-4-этилнилфенилфенил-5-нитро-1-бен-
золтиолата, состоит из трех бензольных колец, последовательно связанных ато-
мами углерода с тройными связями. К среднему кольцу прикреплен донор элек-
тронов – аминогруппа (NH2-), выталкивающая электроны на кольцо. На другой
стороне кольца находится акцептор электронов – нитрогруппа (NO2-), оттягива-
ющая электроны с кольца. В результате этого центральное кольцо обладает
большим электрическим дипольным моментом. На рис. 8.30 показаны вольт-
амперные характеристики этой молекулы, прикрепленной обоими концами к зо-
лотым электродам.
1,3
1,1
0,9
Ток, нА
0,7
0,5
0,3
0,1
-0,5 0 0,5 1 1,5 2 2,5

Напряжение, В
Рис. 8.30. Вольтамперная характеристика электронного переключателя
Ток по ней начинает идти при напряжении 1,6 В, затем быстро увеличивает-
ся и резко падает при напряжении 2,1 В. Такая характеристика с отрицательным
дифференциальным сопротивлением наблюдается при комнатной температуре,
зависимость имеет обычный вид. Предложенный механизм для эффекта состоит
в том, что молекула изначально является непроводящей, а при напряжении, на
котором наблюдается пик тока, она получает электрон, образуя радикальный
фон, и становится проводящей. При дальнейшем увеличении напряжения к мо-
лекуле добавляется второй электрон, и она становиться непроводящим дианио-
ном.
8.5.3. Перспективы использования нанотехнологий при

изготовлении устройств хранения информации
Для накопления данных в цифровых аудиоплеерах, видеокамерах, мобиль-
ных телефонах, фотоаппаратах и USB-устройствах переноса и хранения ин-
формации используются устройства флэш-памяти. Основное достоинство
флэш-памяти – энергонезависимость, то есть она продолжает хранить данные
без дополнительного питания.
Ученые смогли создать ячейку, в которой роль «плавающего ключа», храняще-
го заряд, играет пленка, содержащая композит из нанотрубок. Композит, со-
держащий углеродные нанотрубки, состоит из гафния, алюминия и кислорода
237
(т.н. HfAlO-композит). Он используется как в качестве «управляющего ключа»,
так и в качестве оксидной пленки, разделяющей части ячейки. Новая флэш-
ячейка – это своеобразный бутерброд, состоящий из нанотрубок, композита
и кремниевой подложки. Его толщина – всего несколько нанометров. Есте-
ственно, память, изготовленная на основе «нанобутерброда» будет гораздо бо-
лее миниатюрной, чем современные аналоги. Проведен ряд исследований, ко-
торые позволили получить информацию об электронных характеристиках но-
вого устройства. В первую очередь, это емкость ячейки – время, в течение ко-
торого она может хранить без утечек электрический заряд. Ученые провели ряд
замеров – от нескольких секунд до часов. Как выяснилось, устройство плохо
держит краткосрочно полученные заряды и гораздо лучше – полученные при
длительном заряде ячеек. При слабой зарядке «окно памяти» (порог напряже-
ния, при котором хранится информация) становится более узким, что нежела-
тельно для памяти этого типа. Однако, при более длительной зарядке, «окно
памяти» держится на уровне 0,5 В.
Ученые уверены, что им удастся создать память с более широким окном,
что сделает новый тип флэш-памяти коммерческим продуктом.
Нанотехнологи создали трехмерную структуру из наноточек методом са-
мосборки. Этот наноматериал будет полезен при создании наноэлектронных
устройств хранения информации большой емкости. Ее основа – матрица нано-
точек, изображенная рис. 8.31, каждая никелевая наноточка имеет размер 7 нм.
Материаловед Ягдиш Нараян и Ашутос Тайвари из Университета Север-
ной Каролины создали новый наноматериал на основе никелевых наночастиц
(наноточек), которые собираются в трехмерные структуры на подложке из ок-
сида алюминия. Как утверждают исследователи, полученные трехмерные
структуры могут достигать макроскопических размеров. Никелевые наноточки,
состоящие всего из нескольких сотен атомов, имеют свойства, отличные от
«макроскопического никеля». Многие исследователи пытались создать двумер-
ные матрицы квантовых точек. Создание же трехмерной матрицы позволит
сконструировать сверхъемкие устройства хранения данных, новые наноэлек-
тронные устройства и сверхтонкие дисплеи.
Рис. 8.31. Матрица наноточек
238
8.6. Наноэлектронные лазеры
8.6.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными
резонаторами
Как хорошо известно, для работы любого лазера необходимо обеспечить
выполнение двух основных условий. Во-первых, нужно создать состояние ин-
версии заселенности энергетических уровней, т.е. необходимо обеспечить, что-
бы на более высоком уровне находилось больше электронов, чем на низком. В
состоянии теплового равновесия ситуация с распределением электронов по
уровням прямо противоположная. Во-вторых, каждому лазеру необходим опти-
ческий резонатор, или система зеркал, которая запирает электромагнитное из-
лучение в рабочем объеме и обеспечивает механизм вынужденной рекомбина-
ции электронов при их переходах из зоны проводимости в валентную зону. При
вынужденной рекомбинации генерируется фотон, имеющий ту же частоту, ча-
стоту, направление распространения и фазу, что и фотон, индуцирующий ре-
комбинацию. При спонтанной рекомбинации, наоборот, генерируются фотоны,
имеющие произвольные направления движения и фазы.
В настоящее время самыми распространенными типами полупроводнико-
вых лазеров являются лазеры на квантовых ямах и квантовых точках (см. рис.
8.32).
При достаточно малой толщине активной области она начинает вести себя
как квантовая яма, и квантование энергетического спектра в ней существенно
меняет свойства лазеров. К широкозонным областям присоединяются металли-
ческие контакты, через которые электроны могут непрерывно поступать в рабо-
чую область.
Пороговый ток
GaAs GaAs
InGaAs
I
EC1
GaAs
InGaAs hν Eg
GaAs
Полупрозрачные
EC2
зеркала
а) б)
Рис. 8.32. Лазер на квантовой яме:
а) двойная гетероструктура; б) энергетическая диаграмма
Работа лазера происходит следующим образом. Из одного контакта (широ-

козонного полупроводника) электроны поступают в рабочую зону, создавая тем
самым в ней инверсную заселенность. Далее, переходя из зоны проводимости в
239
валентную зону, они излучают кванты электромагнитного излучения, частота
которого определяется условием
ћω = Еg+ EC1 + ЕC2. (8.3)
Для того чтобы сконцентрировать генерируемое излучение в центральной
активной области прибора показатель преломления внутреннего слоя подби-
рают так, чтобы он был больше, чем для внешнего. Такое соотношение можно
получить, например, в системе материалов GaAs/InGaAs. В этом случае внут-
ренняя область становится подобной волоконно-оптическому волноводу, на
границах которого нанесены зеркала, формирующие резонатор.
Лазеры на квантовых ямах обладают рядом преимуществ по сравнению с
обычными полупроводниковыми лазерами. Прежде всего, эти приборы можно
перестраивать, управляя параметрами энергетического спектра за счет изме-
нения толщины рабочей области. Так, при уменьшении размеров ямы мини-
мальные энергии электронов EC1 и ЕC2 увеличиваются, и тогда согласно (8.3),
увеличивается и частота излучения, которое генерируется лазерами. Подбирая
ширину квантовой ямы можно добиться того, что затухание волны в оптиче-
ской линии связи станет минимальным.
Другое преимущество заключается в том, что в двумерном электронном
газе квантовой ямы легче создать инверсию заселенности, что связано с иным
распределением плотностей состояний у краев зон в соответствии с рис. 8.42.
Если в массивном полупроводнике в непосредственной близости от края зоны
эта величина мала, то в квантово-размерной системе она не убывает вблизи
края, оставаясь постоянной. Поэтому лазеры на квантовых ямах очень эко-
номны, они питаются меньшим током и дают больше света на единицу по-
требляемой мощности. До 60% электрической мощности ими преобразуется в
свет.
В последнее время во многих лабораториях мира ведутся работы по созда-
нию лазеров на квантовых точках. Такие лазеры замечательны не только тем,
что имеют очень малые размеры, но и тем, что могут включаться уже при очень
низкой мощности.
Квантовые точки – это крохотные кусочки, кластеры одного материала,
размерами в пятьдесят – сто атомов, размещенные в монокристалле из другого
материала. Лазеры нового поколения, основанные на гетероструктурах с кван-
товыми точками, уже существуют, правда, пока в лабораторном варианте. Тем
не менее они прекрасно работают, подтвердив старую истину, что нет в науке
нерушимых догм. Ведь долгое время считалось, что вырастить кристалл с ку-
сочками другого материала внутри без дефектов невозможно.
На рис. 8.33 изображен микродисковый лазер из слоя арсенида индия на
поверхности арсенида галлия. Различие кристаллической структуры двух ве-
ществ приводит к образованию островков арсенида индия размером около
25 нм, которые и служат квантовыми точками. Затем, с помощью травления,
получены диски диаметром 1,8 мкм на колоннах из арсенида галлия, содержа-
щие около 130 квантовых точек.
240
Рис. 8.33. Микродисковый лазер
Размеры диска и квантовых точек выбраны таким образом, чтобы создать
эффект «шепчущей галереи», когда электромагнитная волна распространяется
вдоль края диска. В этой области содержится около 60 квантовых точек, кото-
рые и образуют лазер. Испускание света вызывается освещением диска на дру-
гой, нерезонансной длине волны.
В России исследованиями и разработкой лазеров на квантовых точках за-
нимаются ученые физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН под
руководством Ж. И. Алферова. То, что сделали сотрудники лаборатории Жоре-
са Алферова, можно смело назвать революцией в лазерной физике. Если рань-
ше ученые, выращивая кристаллы для лазеров, вынуждены были полностью
управлять этим процессом, контролируя каждую его стадию, то теперь ситуа-
ция иная – нужная структура растет сама. В том и заслуга исследователей – они
научились создавать условия для самостоятельного роста качественного мате-
риала без дефектов.
«Мы постарались решить эту задачу, и теперь сама природа помогает нам
получать в процессе выращивания ансамбли вот таких квантовых точек. Это
связано с очень тонкими явлениями процессов роста таких структур, очень
сложными явлениями, которые вряд ли можно объяснить неспециалисту. Но
главное, если все правильно подобрано − температура, скорости осаждения, со-
отношения потоков атомов, то кристалл вырастет без дефектов. И вырастет сам,
без нашего дальнейшего вмешательства. Квантовые точки одного вещества бу-
дут одна к одной и расположатся упорядоченно в другом веществе, как нам
требуется. Это позволяет радикально улучшить свойства полупроводниковых
приборов, скажем, температурную стабильность лазерных диодов, уменьшить
пороговый ток, на котором начинается генерация» – говорит академик Алфе-
ров.
Физики уверены, что лазеры на квантовых точках найдут широкое приме-
нение в промышленности. И для этой уверенности есть все основания. Так, ис-
пользуя самоорганизацию квантовых точек, наши ученые получили кристалл
для вертикального лазера, в котором свет идет вверх, а не параллельно плоско-
сти пластины. Вертикальный лазер работает как дешевый светодиод, только с
идеальным качеством спектра, узкой диаграммой направленности, высокой эф-
фективностью. Такой же вертикальный лазер можно сделать в ультрафиолето-
вом диапазоне, который нужен, например, для оптической записи.
В квантовых точках энергетический спектр меняется еще более радикаль-
но, чем в квантовых ямах. Плотность состояний для них имеет крутой
241
-образный вид. Тем самым в квантовых точках отсутствуют состояния, которые
не принимают участия в усилении оптического излучения, но содержат электро-
ны. Это уменьшает потери энергии и, как следствие, уменьшает пороговый ток –
важнейший параметр инжекционных лазеров, который равен минимальному току,
пропускаемому через прибор обеспечивающему получение лазерного излучения
(накачку). Для любых систем лазеров величину порогового тока желательно де-
лать как можно меньшей. Предельная величина этого тока при комнатной темпе-
ратуре может быть снижена до 15 А/см2, в то время как в лазерах на квантовых
ямах эта величина имеет порядок около 30 А/см2.
8.6.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными

резонаторами
Перспективы развития лазерной техники связаны с разработкой миниа-
тюрных лазеров с малыми пороговыми токами лазерной генерации и с высокой
частотой токовой модуляции лазерного излучения (десятки гигагерц). Сово-
купностью указанных свойств обладают наноэлектронные лазеры, в частности
полупроводниковые лазеры с вертикальными резонаторами (ЛВР), рассмотрен-
ные в [7].
Лазеры этого типа получили название VCSEL (Vertical-Сavity Surface-
emitting laser) или VCL (Vertical-Cavity Laser).
Принцип работы полупроводниковых ЛВР тот же, что и у обычных полос-
ковых полупроводниковых лазеров: в обоих типах лазеров используется резо-
натор Фабри–Перо, и квантовое усиление в активной области достигается за
счет инжекции и рекомбинации электронов и дырок в этой области. Принципи-
альное отличие лазеров заключается в способе формирования лазерного резо-
натора. Полупроводниковый полосковый лазер содержит резонатор Фабри–Пе-
ро, образованный двумя зеркалами, получаемыми путем скола по-
лупроводниковой пластины вдоль кристаллографических направлений. Таким
образом, ось резонатора лежит в плоскости полупроводниковой пластины, и
излучение лазера также параллельно плоскости исходной пластины. В полу-
проводниковом ЛВР резонатор Фабри–Перо образован двумя брэгговскими
зеркалами, которые формируются в едином технологическом процессе роста
лазерной структуры или же в постростовых технологических процессах. Слои
брэгговских зеркал расположены параллельно исходной подложке, а ось резо-
натора и направление излучения перпендикулярны (вертикальны) по отноше-
нию к плоскости полупроводниковой пластины, что и определяет название ла-
зеров – лазер с вертикальным резонатором.
Структура лазера с вертикальным резонатором представлена на рис. 8.34.
Два брегговских зеркала образуют резонатор лазера. Эти зеркала образова-
ны полупроводниковыми четвертьволновыми слоями с чередующимися показа-
телями преломления (например, λ/4 слоями GaAs и λ/4 слоями AlGaAs).
242
Ф1 Излучение
Брэгговское зеркало
Апертура
Контактные слои
Активная
область
Брэгговское зеркало
Излучение
Ф2
Подложка
Рис. 8.34. Структура наноэлектронного лазера с вертикальным резонатором
Между брегговскими зеркалами лазера расположены полупроводниковые

слои, содержащие активную область лазера.
Активная область ЛВР содержит одну или несколько полупроводниковых
квантовых ям или квантовых точек.
С целью достижения высокой внутренней квантовой эффективности ак-
тивная область не легируется. При использовании полупроводниковых бреггов-
ских зеркал инжекция носителей заряда в активную область может осуществ-
ляться непосредственно через зеркала, для чего в одном из зеркал (как правило,
верхнем) используется p-тип легирования, а в другом (нижнем) используется n-
тип легирования. Лазер представляет собой p–i–n-структуру.
Если в лазере используется диэлектрические брегговские зеркала, то в этом
случае инжекция носителей заряда осуществляется с использованием дополни-
тельных контактных слоев.
Такой вариант инжекции называется внутрирезонаторной.
В лазерах с внутрирезонаторной инжекцией расстояние между зеркалами
составляет 2λ, 3λ… с той целью, чтобы добиться приемлемых значений омиче-
ского сопротивления контактных слоев.
Для большинства лазеров длина волны резонатора определяется как рас-
стояние между зеркалами. Для ЛВР расстояние между зеркалами, как правило,
меньше толщины брегговских зеркал, образующих резонатор. Для таких ЛВР
используют понятие эффективной длины резонатора. Эффективная длина резо-
натора определяется как некоторый участок резонатора, в котором локализова-
на большая часть энергии моды.
Типичный размер апертуры ЛВР составляет примерно 10 мкм, что опреде-
ляет заметно меньшую расходимость лазерного излучения (единицы градусов)
в сравнении с полосковыми лазерами, у которых расходимость излучения со-
ставляет десятки градусов в плоскости, перпендикулярной p–n-переходу.
Обычно апертура ЛВР имеет форму круга или квадрата, что определяет сим-
метричную диаграмму направленности лазерного излучения.
Излучение ЛВР может выводиться как через верхнее зеркало, так и через
243
оба зеркала. Направление для вывода излучения определяется соотношением
коэффициентов отражения нижнего и верхнего зеркал.
К брегговским зеркалам ЛВР предъявляются очень высокие требования. За
счет того, что длина активной усиливающей области ЛВР очень мала (толщина
нескольких квантовых ям: несколько десятков нанометров), усиление за один
обход резонатора составляет всего лишь около 1%. Для достижения генерации
в резонаторе лазера необходимы высокоэффективные зеркала с коэффициента-
ми отражения R не ниже 0,99.
Типичные значения коэффициентов отражения для выходных зеркал ЛВР
лежат в интервале 0,99–0,995, коэффициенты отражения плотных зеркал ЛВР
стремятся приблизить к значениям 0,999. При использовании чередующихся
четвертьволновых слоев GaAs и AlAs требуется 20 пар этих слоев для достиже-
ния коэффициента отражения 0,999.
В коммерческих ЛВР в силу ряда технологических требований используют
не бинарные соединения GaAs и AlAs, а твердые растворы, например
Al0,15Ga0,85As и Al0,92Ga0,08As, что снижает контраст показателей преломления и
заметно уменьшает коэффициент отражения зеркал. Кроме того, в лазерных
структурах для снижения оптического сопротивления используются градиент-
ные слои твердых растворов на границах слоев, что также снижает коэффици-
ент отражения брэгговского зеркала.
Легирование полупроводниковых брегговских зеркал тоже приводит к за-
метному снижению их коэффициента отражения за счет поглощения света на
свободных носителях заряда. В итоге для достижения необходимых значений
коэффициентов отражение в брегговских зеркалах ЛВР требуется использовать
большее число пар слоев с чередующимися показателями преломления.
Типичным для коммерческих ЛВР является использование 25 пар слоев в
выходном зеркале и 35 пар в плотном зеркале.
Конструкция ЛВР лазера разработанного НПО «Октава» (г. Новосибирск)
приведена на рис. 8.35.
Коэффициент отражения выходного зеркала этого лазера, содержащего 25
слоев, превышает уровень 0,99 на рабочей длине волны лазера 0,85 мкм.
Активная область лазера содержит три GaAs квантовые ямы шириной 8 нм.
Для достижения максимального коэффициента оптического ограничения кван-
товые ямы располагаются вблизи максимума амплитуды стоячей волны.
За счет проникновения световой волны в зеркала этот участок превышает
расстояние между зеркалами. Эффективная длина резонатора LЭФФ ЛВР обычно
в несколько раз превышает расстояние между брегговскими зеркалами. Однако
и с учетом этого обстоятельства ЛВР имеют наименьшую длину резонатора в
сравнении с любыми другими лазерами. Характерные значения эффективной
длины резонатора ЛВР примерно 1 мкм. Соответственно, ЛВР характеризуются
наибольшим межмодовым расстоянием, существенно превосходящим полосу
усиления активной области лазера, что предопределяет одномодовый режим
генерации лазера.
В ИФП СО РАН (г. Новосибирск) разработаны и исследованы ЛВР содер-
жащие одну или три квантовые ямы InGaAs в активной области, с резонатором,
244
образованным полупроводниковыми GaAs/AlGaAs брегговскими отражателями, а
также слоем Ti/Au.
Ti/Au - контактакт и зеркало

p - зеркало
SiO2 AlGaO - апертура
Активная А
область n - зеркало
n - GaAs
Просветляющее покрытие Ge/Au/Ni/Au - контакт

Ф1
Рис. 8.35. Конструкции наноэлектронного лазера [9]
P , мВт
1 I
пор = 3 мА
0 5 10 15 20 I,мА
Рис. 8.36. Ваттамперная зависимость для ЛРВ на основе GaAs квантовых ям с оксидной
апертурой AlGaО 16 мкм. Непрерывная накачка, Т = 300 К
245
Конфигурация зонных диаграмм для ЛВР с одной InGaAs квантовой ямой
приведена на рис. 8.37.
Параметр апертуры А варьировался от 2 до 12 мкм. Излучение лазера вы-
водилось через просветленную подложку n-GaAs.
Лазер обладает малыми оптическими потерями и высокой добротностью
лазерного резонатора. Резонатор лазера образован высокоэффективным низко-
легированным (выходное зеркало) и нелегированным (верхнее зеркало) отража-
телями, что значительно снижает оптические потери на поглощение свободны-
ми носителями заряда. С целью уменьшения оптических потерь все высоколе-
гированные слои (контактные, апертурные, туннельные) располагаются в узлах
стоячей волны.
Верхнее зеркало, образованное слоями GaAs/Al0,95Ga0,05OX и Ti/Au, характе-
ризуется очень высоким коэффициентом отражения в широком спектральном
диапазоне (700–1200 нм). В центре этого диапазона расчетное значение коэф-
фициента отражения зеркала составляет 0,9999.
Выходное GaAs/AlAs зеркало также характеризуется высоким коэффици-
ентом отражения (0,9989).
p- GaAs-KЯ Электроны
-5,0 EC
-5,5
-6,0
hv = 1,26эВ n - GaAs/ AlAs- зеркало
p - GaAs
-6,5
E, эВ
-7,0
-7,5
EV
AlAs- туннельный барьер
-8,0 Дырки
z ,мкм
-8,5
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
Рис. 8.37. Конфигурации зонных диаграмм для ЛВР-2 при подаче

на структуру положительного смещения
246
Ваттамперные характеристики лазера с апертурой А = 8 мкм, работающего
в режиме непрерывной накачки, представлены на рис. 8.38. Лазер имеет поро-
говый ток IПОР = 0,6 мА при Т = 300 К и внешнюю квантовую эффективность
η = 6%, рабочая длина волны составляет λ = 930 нм. 1 – η = 31%, IПОР = 30 мкА;
2 – η= 6%, IПОР = 600 мкА.
При снижении температуры происходит увеличение коэффициента кванто-
вого усиления, а также смещение положения максимума полосы квантового
усиления и положения резонанса лазера в коротковолновую область. Максимум
полосы усиления смещается в коротковолновую область за счет увеличения
ширины запрещенной зоны InGaAs. Положение резонанса ЛВР смещается в ко-
ротковолновую область с уменьшением температуры за счет уменьшения зна-
чений показателя преломления материалов, образующих лазерный резонатор.
При снижении температуры до Т = 80 К расчетное значение максимума
полосы квантового усиления составляет 916 нм, расчетное значение резонанс-
ной длины волны лазера 918 нм.
P, мкВт
40
30 1
20 2
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
I,мкA
Рис. 8.38. Ваттамперные характеристики ЛВР-2 с апертурой А = 8 мкм

при Т = 80 К (1) и 300 К (2)
Ваттамперные характеристики лазера с тремя квантовыми ямами с аперту-

рой А = 500 мкм при разных температурах приведенных на рисунке 8.39. Лазер
позволяет получить рекордно высокие значения выходной мощности для ЛВР
(до 10 Вт при Т = 300 К и 20 Вт при Т = 250 К в импульсном режиме):
f = 1кГц, Т, К: 1– 250, 2 – 275, 3 – 300.
247
P, Вт
20
1
15
10 2
3
5
0 10 20 30 I, A
Рис. 8.39. Ваттамперные характеристики ЛВР-1

с апертурой А = 500 мкм
В заключение перечислим основные преимущества и достоинства нано-

электронных лазеров:
– низкие пороговые и рабочие токи за счет малого объема резонатора ЛВР;
– ЛВР – самые миниатюрные лазерные источники;
– ЛВР имеют малую расходимость излучения, симметричную диаграмму
направленности излучения за счет относительно больших и симметричных
апертур.
Эффективность ввода излучения ЛВР в оптическое волокно может превы-
шать 90% за счет хорошего согласования параметров излучения лазера с число-
вой апертурой волокна:
– сверхвысокие частоты токовой модуляции за счет сверхмалой длины и
малого объема лазерного резонатора (до 20 ГГц в настоящее время);
– одномодовый режим работы, определяемый большим межмодовым рас-
стоянием, что задается сверхмалой длиной резонатора;
– высокая температурная стабильность длины волны генерации, что опре-
деляется малым температурным коэффициентом изменения положения резо-
нанса Фабри–Перо. Типичное для ЛВР значение dλ/dT ≈ 0,06 нм/град, что в
пять раз ниже в сравнении с аналогичным параметром для полосовых полупро-
водниковых лазеров.
– возможность создания линеек и матриц ЛВР с большим числом элемен-
тов, что необходимо для быстродействующих оптических систем передачи и
обработки информации;
– возможность создания миниатюрных мощных лазеров.
В качестве «недостатка» наноэлектроных лазеров следует указать на высокую
стоимость технологического оборудования и сложность технологических про-
248
цессов используемых для создания прецизионных и многослойных гетеро-
структур.
Рост таких структур является предельно сложной задачей для современных
технологий молекулярно-лучевой эпитаксии и эпитаксии из металлоорганиче-
ских соединений. Количество различных слоев лазерной структуры может со-
ставлять сотни и в ряде случаев превышать тысячу, при этом требуемая точ-
ность задания толщины слоев составляет около 1%.
8.6.3. Оптические модуляторы

Структуры с квантовыми ямами могут использоваться не только для гене-
рации, но и для модуляции светового излучения из области межзонного оптиче-
ского поглощения. Физической основой эффекта модуляции являются два сле-
дующих экспериментальных факта:
– в структурах с квантовыми ямами существуют резкие линии экситонно-
го поглощения, имеющие значительно большую интенсивность, чем в одно-
родных полупроводниках, и наблюдаемые не только при низких, но и при
комнатных температурах;
– спектральное положение линий заметно сдвигается при приложении
сильного электрического поля перпендикулярно слоям гетероструктуры.
Эти два обстоятельства нуждаются в некоторых пояснениях. Первое об-
стоятельство связывается с понятием экситона – пары электрон-дырка, нераз-
рывно связанных друг с другом за счет силы кулоновского взаимодействия.
При этом электрон находится в зоне проводимости, а дырка – в валентной
зоне. За счет совместного движения электрона и дырки экситон может пере-
мещаться по объему полупроводника, не перенося при этом никакого заряда.
Потенциальные ямы низкоразмерных квантовых структур изменяют свойства
не только свободных электронов, но и связанных электронов в экситонных со-
стояниях.
Теоретические расчеты на основе уравнения Шредингера показывают, что
основное отличие квазидвумерного экситона от экситона трехмерного заклю-
чается в увеличении энергии связи экситона в квантовой яме. Для основного
состояния изменение составляет 4 раза, т.е. экситонные эффекты в квантово-
размерных структурах оказываются значительно сильнее выражены, чем в
обычном объемном образце. Поэтому экситонные пики в спектре поглощения
таких структур могут наблюдаться вплоть до комнатных температур. Так, для
квантовых ям с толщиной порядка 4,6 нм на системе материалов GaAs/AlGaAs
такие пики наблюдаются даже при 500 К.
Относительно второго обстоятельства следует отметить, что в однородных
полупроводниках электрическое поле разрушает экситоны, растаскивая электрон
и дырку в разные стороны. Наличие же квантовой ямы позволяет без вреда для
экситона приложить в поперечном направлении достаточно сильное поле, по-
скольку стенки ямы не дают электрону и дырке возможности разойтись. Поэтому
экситонная линия поглощения в поле не исчезает, но ее положение достаточно
сильно сдвигается.
Это обуславливается двумя факторами. Во-первых, поле искажает форму
249
самой квантовой ямы, превращая ее из прямоугольной в трапециевидную в со-
ответствие с рис. 8.40.
При этом меняются энергии квантовых уровней как в зоне проводимости
E Ne , так и в валентной зоне E Nh , а вместе с ними, и эффективная ширина запре-
щенной зоны
EgЭФ  E З  E1e  E1h . (8.4)
Во-вторых, энергия связи экситона ЕEX хотя и не обращается в нуль, как
только что было отмечено, но тем не менее зависит от приложенного поля. В ре-
зультате спектральное положение экситонной линии EX
   E gЭЭ - E EX = (8.5)
оказывается сильно зависящим от напряженности электрического поля Е.
e e
E1 E1
Eg
Eg Eg ЭФ Eg ЭФ
h h
E1 E1
а) б)
Рис. 8.40. Энергетический спектр квантовой ямы:

а) электрическое поле отсутствует; б) электрическое поле присутствует
Поскольку экситонная линия в спектре поглощения является весьма рез-

кой, то коэффициент поглощения П для света с частотой вблизи этой ли-
нии очень сильно меняется при изменении положения линии. Это делает весь-
ма эффективной модуляцию света с помощью приложенного электрического
поля. Ожидается, что подобные модуляторы найдут применение в системах оп-
тической передачи информации.
250
8.7. Дисплеи и осветительные приборы с использованием
наноматериалов
8.7.1. Дисплеи и осветительные приборы
на основе нанотрубок
Существуют возможности применения углеродных нанотрубок для созда-
ния дисплеев и различных источников света. Отмечается, что при приложении
небольшого электрического поля вдоль оси нанотрубки с ее концов происходит
интенсивная эмиссия электронов.
Подобное явление называют полевой эмиссией. Этот эффект, в частности,
наблюдается если прикладывать небольшие напряжения между двумя парал-
лельными металлическими электродами, на один из которых нанесена компо-
зитная паста из нанотрубок, см. рис. 8.41.
3 pI
2 +
1 UП
-
1 мм
Рис. 8.41. Полевой эмиттер с углеродными нанотрубками: 1 – нанотрубка, 2 – изолирующий

слой, 3 – управляющая сетка, 4 – экран с люминофором
Большое количество трубок оказываются перпендикулярными электроду,

что позволяет наблюдать полевую эмиссию. Одно из применений этого эффек-
та состоит в совершенствовании плоских капельных дисплеев. Мониторы теле-
визоров и компьютеров используют управляемую электронную пушку для об-
лучения люминесцентного экрана, испускающего свет требуемых цветов. В
настоящее время некоторые фирмы ведут разработки плоских дисплеев, ис-
пользующих электронную эмиссию углеродных нанотрубок. Тонкие пленки
нанотрубок помещают на слой с управляющей электроникой и располагают
сверху стеклянную пластину, покрытую слоем люминофора.
Устройство дисплея с использованием нанотрубок и люминофора показано
на рис. 8.42.
В дисплее используются два электрода – катод и анод.
Катод содержит нанотрубки, из которых происходит эмиссия электронов.
При смене полярности напряжения эмиссия не происходит. Вольтамперная
характеристика дисплея соответствует характеристике диода. Для получения
цветных дисплеев используют специальные люминофоры. Для воспроизведе-
251
ния красного цвета поверхность анода содержит частицы Y2O3: Eu, зеленого –
ZnS:Cu, голубого – ZnS:Ag,Cl, толщиной 6–10 мкм.
Другим примером использования электронной эмиссии нанотрубок служит
возможное производство катодолюминесцентных осветительных ламп.
Видимый свет
Люминофор
Анод из
алюминиевой
фольги
Электроны
Нанотрубки
Катод
Рис. 8.42. Схема дисплея, в котором используется

автоэлектронная эмиссия из нанотрубок
Традиционно источником электронов для получения люминесценции слу-

жит горячий катод, обладающий термоэлектронной эмиссией, что неизбежно
ведет к увеличению энергопотребления и усложняет конструкцию. Этих недо-
статков можно избежать с употреблением холодного катода, включающего
нанотрубки. Одним из примеров такого устройства служит люминесцентная
лампа на рисунке 8.43.
В этой лампе катод в отличие от рассмотренных ранее плоских подложек имеет
цилиндрическую форму. Подложкой для УНТ служила проволока диаметром
1 мм и длиной 7 см из сплава Fe-A1-Сr. На нее наносились многослойные УНТ
изогнутой формы диаметром 20 нм. Цилиндрический анод радиусом 2,1 см и
длиной 5 см помещался в вакуумную камеру при давлении 10–10 бар (см. рис.
8.43). Эмиссия следует зависимости Фаулера–Нордгейма с работой выхода
электрона около 5 эВ и коэффициентом полевого усиления 23 000. Полученный
эмиттер использовался в качестве люминесцентной осветительной лампы. Ано-
дом служила цилиндрическая стеклянная трубка, покрытая изнутри люминофо-
ром. При напряжении на лампе 5,4 кВ плотность тока на аноде составляла
0,06 мА/см2. При этом яркость свечения составила 10 000 кд/м2, что сопостави-
мо с параметрами коммерческих люминесцентных ламп. Однако источник све-
та из УНТ не содержит экологически вредной ртути, быстро разгорается и лег-
ко гасится. Катоды на основе углеродных нанотрубок используются также и
для генерации рентгеновского излучения.
252
В телевизорах нового поколения Appled Nanotech используются нанотруб-
ки в качестве источников света для замены ламп подсветки в ЖК телевизорах с
большой диагональю (40–60 дюймов). Также созданы лампы подсветки, ис-
пользующие технологию печати чернилами на основе нанотрубок. В отличие от
обычных ламп здесь используются фосфорсодержащие покрытия и катод, в
буквальном смысле напечатанный чернилами на основе металлической краски
и собственной нанотрубок. Лампа подсветки для 32-дюймовых телевизоров по-
требляет 50–60 Вт.
Проводящий слой
Катод
4,2 см
-
U
+ pI
5 см
Люминесцентный слой
Рис. 8.43. Схема цилиндрической люминесцентной лампы

с катодом на основе нанотрубок
Чтобы с помощью автоэлектронной эмиссии получить изображение, на

аноде закрепляют люминофор. Электронный удар возбуждает молекулы люми-
нофора, которые затем переходят в основное состояние, излучая фотоны.
Например, при использовании в качестве люминофора сульфида цинка с добав-
ками меди и алюминия наблюдается зеленое свечение, а при добавлении сереб-
ра – синее. Красный цвет получают с помощью легированного европием оксида
иттрия.
8.7.2. Перспективы создания дисплеев невидимок

Для мобильных телефонов, видеокамер и цифровых фотоаппаратов разра-
ботаны новые типы дисплеев высокого качества на основе органических поли-
меров: OLED-, FOLED-, PHOLED-дисплеи. Они используют быстродействую-
щие прозрачные органические транзисторы, однако, сами дисплеи не обладают
прозрачностью.
Ученые из Северо-Западного Университета США (North Western
University) предложили вариант «прозрачной электроники» позволяющий нано-
сить прозрачные транзисторы на стеклянную поверхность. Они применяли од-
ну из самых перспективных технологий нанопроизводства – самосборку орга-
нических молекул в матрицы транзисторов. По желанию оператора на стекле
(например, лобовом стекле автомобиля) возникает карта местности или мнемо-
схема, показывающая состояние агрегатов объекта, а при отсутствии надобно-
сти «дисплей» исчезает. Авторами идей создания таких дисплеев являются То-
бин Маркс и Владимир Ипатьев. В составе дисплея ими предлагается использо-
вать прозрачные транзисторы и соединяющие их проводники – нити.
253
Тонкопленочные прозрачные транзисторы имеют полупроводниковую ос-
нову из оксида индия с многоуровневыми органическими молекулами.
Элементы оксида индия можно синтезировать при комнатной температуре.
Это позволяет надеяться, что производство прозрачных дисплеев, ожидаемое в
2009 г., будет сравнительно не дорогим и массовым благодаря технологии са-
мосборки. Тестирование транзисторных пленок показало, что их фотохаракте-
ристики по качеству превышают аналогичные показатели традиционных крем-
ниевых транзисторов в LCD – панелях и приближаются к показателям поли-
кремниевых транзисторов класса High-End.
Новые дисплеи, по мнению разработчиков, будут давать человеку ощуще-
ние того, что изображение, текст, видеоролики «висят» в пространстве и это
будет достаточно удобно, так как поле обзора человека не будет занято «пу-
стым» монитором в то время, когда на нем нет информации.
8.8. Фотоприемные наноэлектронные устройства и системы

8.8.1. Фотоприемники на квантовых ямах
Эффекты размерного квантования в квантовых ямах, могут использо-
ваться для создания новых типов приемников инфракрасного излучения.
Принцип приемника весьма прост: выброс носителей в зону проводимости
широкозонного полупроводника (потенциального барьера) увеличивает про-
водимость в направлении, перпендикулярном слоям гетероструктуры.
По своему действию такой приемник напоминает примесный фоторези-
стор, где в роли центров выступают квантовые ямы в соответствии с рис. 8.44.
Континуум
hν
Оптический
E-E1 фонон
Уровень ямы
Е1
0 РЕ р
Рис. 8.44. Процесс захвата неравновесного электрона в квантовую яму

с испусканием оптического фонона
254
Поэтому в качестве времени жизни неравновесных носителей – важней-
шего параметра фоточувствительного материала – выступает характерное вре-
мя захвата в квантовую яму Р. По сравнению с обычным временем жизни,
связанным с захватом рекомбинационными центрами, Р обладает двумя важ-
ными отличиями.
Во-первых, Р значительно (на несколько порядков) меньше времени за-
хвата центрами. Причина в том, что акт захвата связан с необходимостью пе-
редачи решетке от носителя достаточно большой энергии, равной энергии
связи центра или же величине Е при захвате в квантовую яму.
Наиболее эффективный механизм передачи энергии – это испускание
оптических фононов с энергией hv0. Фонон – это один квант колебаний кри-
сталлической решетки. Однако энергия связи центров отнюдь не совпадает с
hv0, и потому такой процесс невозможен. Электрон должен отдавать энергию в
ходе значительно более медленного каскадного процесса испускания многих
акустических фононов. В случае квантовой ямы наличие непрерывного спектра
движения в плоскости ямы существенно меняет ситуацию. Становится воз-
можным переход на связанное состояние в яме при испускании оптического
фонона с одновременной передачей оставшейся избыточной энергии в движе-
ние в плоскости. Если исходный электрон имел энергию, близкую к краю зо-
ны в широкозонном материале, то испускаемый фонон имеет достаточно
большой импульс в плоскости квантовой ямы:
PФ  2  m   E  E1   0  . (8.6)
Значительно большая величина взаимодействия электронов с оптическими
фононами, нежели с акустическими, определяет малость Р по сравнению с вре-
менем захвата из центра.
Во-вторых, Р немонотонным, осциллирующим образом зависит от парамет-
ров ямы. Это связано со свойствами волновой функции электронов в делокализо-
ванных состояниях над квантовой ямой Е. Если яма не является резонансной,
то амплитуда этой волновой функции в непосредственной окрестности ямы при
малой энергии электрона весьма мала. Собственно Р будет относительно вели-
ко. Для резонансных квантовых ям вероятность захвата возрастает, т.е. Р пада-
ет.
Фотопроводимость рассматриваемой структуры, так же как и обычного
фоторезистора, определяется произведением трех факторов: скорости оптиче-
ской генерации, которая в свою очередь пропорциональна коэффициенту по-
глощения , времени жизни в делокализованном состоянии Р и эффективной
подвижности в нем эфф, которая, очевидно, должна быть пропорциональна
квантово-механическому коэффициенту прохождения электрона над квантовой
ямой. Однако анализ показывает, что совокупное действие всех факторов оказы-
вается таковым, что фотоприемники на квантовых ямах будут иметь лучшие
параметры в случае резонансных ям.
Для самой распространенной гетеросистемы GaAs/AlXGa1-XAs, c Х от 0,2
до 0,25 условие резонанса выполняется для ям с толщиной, кратной 40 Å. Если
255
толщина составляет от 40 до 45 Å, то диапазон фоточувствительности структуры
лежит в области длин волн порядка 8 мкм, соответствующей одному из окон ат-
мосферной прозрачности и потому очень важной для практических применений.
Приемники на основе квантовых ям могут составить конкуренцию фоточув-
ствительным структурам на основе твердых растворов CdHgTe – важнейшему
типу приемников для данного спектрального диапазона.
Основным достоинством структур на квантовых ямах является большая ста-
бильность и меньший разброс параметров, что особенно важно для матричных
фоточувствительных структур.
Путем сравнительно небольших изменений состава широкозонных слоев и
толщины ямы можно менять положение максимума и ширину полосы фоточув-
ствительности. Последнее обстоятельство связано с тем, что по мере нарушения
точного условия резонанса спектр фотоионизации квантовой ямы становится
более плавным и имеет менее резкий максимум.
В связи с тем, что оптическая ионизация квантовых ям может вызываться
лишь светом, поляризованным по нормали к квантовым слоям, описанные фото-
приемники должны содержать специальные приспособления, поляризующие па-
дающий свет требуемым образом. Есть два основных способа сделать это. Свет
может направляться в фоточувствительную структуру под углом через скошен-
ный торец подложки в соответствии с рис. 8.45, а. В другом варианте свет прохо-
дит через подложку по нормали, а должную поляризацию приобретает после ди-
фракции на решетке, специально нанесенной на верхнюю поверхность структу-
ры в соответствии с рис. 8.45, б.
Возможно альтернативное решение проблемы поляризации, позволяющее
избежать описанных выше конструкционных усложнений. Речь идет о выращи-
вании квантовых структур из полупроводников с анизотропным энергетиче-
ским спектром. При наличии анизотропии электрическое поле нормально па-
дающей световой волны, лежащее в плоскости слоев, придает электронам им-
пульс под некоторым углом к этой плоскости. С позиций квантовой механики
это означает возможность переходов между различными квантово-размерными
уровнями или между уровнем и континуумом состояний над квантовой ямой,
что и требуется для работы приемника. На практике для реализации этой идеи
чаще всего используют гетероструктуры на основе той же, наиболее освоенной
технологически, системы GaAs/AlXGa1-XAs, но имеющие не n-, а р-тип легиро-
вания. При этом сложный характер энергетического спектра валентной зоны
обеспечивает фоточувствительность при нормальном падении света.
256
1- подложка; 2-фоточувствительная структура с
квантовыми ямами; 3-дифракционная решетка
3
1
hv
hv i - GaAs i - GaAs
а) б)
Рис. 8.45. Различные способы ввода излучения

в фотоприемник с квантовыми ямами:
а) ввод через скошенный торец; б) ввод с помощью дифракционной решетки
8.8.2. Фотоприемники на основе квантовых точек

Сравнение свойств фотоприемников с объемными слоями, квантовыми
ямами и квантовыми точками выявляет преимущества последних.
Преимущества приемников излучения с квантовыми точками (КТ) прояв-
ляются в следующем:
– снимается запрет на оптические переходы, поляризованные в плоскости
ФП, что представляет возможность работы прибора при нормальном падении
света без применения дополнительных решеток и отражателей;
– большая величина коэффициента поглощения света для внутризоновых и
экситонных переходов из-за локализации волновой функции носителей заряда
во всех трех измерениях пространства;
– большее время жизни фотовозбужденных носителей заряда (а значит, и
большая величина коэффициента фотоэлектронного усиления) вследствие низ-
кой скорости захвата носителей в КТ. Причиной последнего служит либо от-
сутствие разрешенных энергетических состояний между уровням в КТ и зоной
распространенных состояний, либо подавленная рассеяния на оптических фо-
тонах в условиях когда энергетический зазор между уровнями различного кван-
тования больше энергии оптического фотона;
– малые темновые токи (а значит, и высокая рабочая температура фотоде-
тектора) является следствием равенства энергии фотоионизации КТ и энергии
активации проводимости из-за дискретного энергетического спектра носителей
в КТ.
Недостатками фотоприемников со слоями квантовых точек являются:
– дисперсия размеров КТ в массиве, приводящая к неоднородному ушире-
нию спектра поглощения и уменьшению абсолютной интенсивности фотоот-
клика;
– низкая слоевая плотность КТ (109–1012 см–2), которая на два-три порядка
257
меньше типичных концентраций электронов в двухмерных подзонах ФП с
квантовыми ямами (1011–1012 см–2).
Конструкция фотоприемника, содержащего в активной области восемь
слоев квантовых точек Ge, изображена на рис. 8.46.
Слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на сильно
легированной кремниевой подложке РТ, служащей нижним оптическим кон-
тактом. Верхний электрод формировался осаждением 50 нм p+-Si с концентра-
цией бора 1019 см–3. Толщина областей Si между соседними слоями Ge состав-
ляет 10 нм. Нанокластеры Ge (квантовые точки) имели средние размеры в
плоскости роста 15 нм, высоту 1,5 нм, их слоевая плотность составляла
3·1011 см–2.
На расстоянии 10 нм от каждого слоя Ge проводилось легирование Si бо-
ром со слоевой концентрацией бора 6·1011 см–2. При таком расстоянии практи-
чески все дырки переходили из легированных слоев в слои Ge, что обеспечива-
ло практически полное заселение основного состояния КТ дырками.
Активная область прибора площадью 1,51,5 мм2 формировалась с помо-
щью жидкостного травления в растворе HF: HNO3 на глубину 5 мкм.
Для создания контактов к слоям p+-Si напылялись золотые площадки диа-
метром 0,5 мм. Измерения фотоотклика проводились между верхним и нижним
слоями p+-Si.
Фотодетектор представляет собой транзистор с плавающей базой. Роль ба-
зы выполняет массив нанокластеров Ge, заключенный внутри слоя i-Si между
p+-Si-эмиттером и p+-Si-коллектором.
hv
Фотоны
Au
50 нм р+, Si
1019 см-3
100нм i-Si
8
100 нм i-Si
 слой Si: В
Au 90 нм Si
Ge KT
р+ - Si, 1019 см-3
Рис. 8.46. Схематичное изображение фотоприемника на основе кремниевой

p–i–p-структуры со встроенными слоями квантовых точек Ge
258
В отсутствие освещения КТ обладают положительным зарядом дырок,
находящихся в основном состоянии. Электрический потенциал заряженных КТ
создает потенциальный барьер для дырок величиной  = 2LK/(0),
где L – период повторения слоев Ge , К – число слоев КТ,  – плотность заряда
в каждом из слоев КТ,  – относительная диэлектрическая проницаемость
кремния, 0 – энергетическая постоянная.
При освещении дырки в КТ переходят из основного состояния в возбуж-
денное, в котором вследствие барьерного проникновения волновая функция
дырки имеет больший радиус локализации. Это означает, что при освещении
уменьшается эффективная плотность положительного заряда, сосредоточенно-
го в слое КТ , а значит, уменьшится потенциальный барьер  между эмитте-
ром и коллектором и возрастет термоэмиссионный ток дырок через структуру.
Для работы в оптическом диапазоне 1,1–1,6 мкм в работе [7] предложены
биполярные p-i-n-Ge/Si – фототранзисторы. Роль плавающей базы транзистора
выполняют 12 слоев нанокластеров Ge, встроенные в p-область Si. Действие
транзистора основано на уменьшении потенциального барьера для электронов
между сильно легированными областями n+-Si вследствие фотогенерации ды-
рок в островах Ge в результате межзоновых переходов и появления в них по-
ложительного заряда, приводящего к увеличению тока инжекции из эмиттера в
коллектор.
Освещение фототранзистора осуществляют со стороны p–n-переходов.
База Ge
Эммитер Коллектор
Ток дырок
База Ge
Эммитер Коллектор
Ток дырок
Рис. 8.47. Схематическое изображение фототранзисторного механизма
На рис. 8.47 показано появление фототока при переходах дырок между ло-
кализованными состояниями в КТ Ge (профили валентной зоны для одного
слоя квантовых точек Ge в Si). Спектральная характеристика фотоотклика рас-
сматриваемого прибора приведена на рис. 8.48.
259
-1
Чувствительность, А/Вт
10
U=-2,8 В
-2
10
-3
10
1,1 1,3 1,5 1,7
Длина волны, мкм
Рис. 8.48. Спектральная характеристика фотоотклика
Максимальная квантовая эффективность составила 3% для длины волны

1,3 мкм. Дальнейшее увеличение квантовой эффективности до 21% может быть
достигнуто за счет реализации волновой структуры фотоприемника.
В настоящее время широкое применение находят ВОСП работающие в
ИК-области 1,3–1,5 мкм. Представляет интерес создание для этих систем чипов,
содержащих весь набор элементов и узлов (модуляторов, демодуляторов, муль-
типлексоров, излучателей и, естественно, фотоприемников.
Для уменьшения стоимости систем нужно, чтобы все компоненты могли
быть интегрированы в современную кремниевую технологию СБИС и сформи-
рованы на кремниевых подложках. Однако сам кремний прозрачен для фотонов
с длиной волны больше 1,1 мкм. Хорошей чувствительностью в области
1,5 мкм обладают германиевые ФП. В связи с этим представляет интерес созда-
ние гетероструктур Ge/Si фоточувствительных при комнатной температуре в
диапазоне длин волн 1,3–1,5 мкм.
На начальном этапе были разработаны фотоприемники использующие
осаждение объемных слоев Ge на Si, а также выращивание многослойных
напряженных сверх решеток GeXSi1–X/Si.
Обычно критерием оценки качества таких ФП служит величина квантовой
эффективности темнового тока при напряжении 1 В или тока насыщения в ди-
одных структурах.
При длине волны λ = 1,3 мкм квантовая эффективность таких ФП состав-
ляла η = 11% при засветке торца планарных волноводов, сформированных на
той же кремниевой подложке.
В последнем случае прохождения света вдоль слоев GeSi и многократное
отражение от стенок волновода и позволяло достичь больших значений η.
Типичные значения плотности темнового тока при смещении 1 В и ком-
натной температуре составили 10–4–10–3 А/см2, а плотность тока насыщения
102 А/см2, что существенно превышало токи как в кремниевых, так и в германи-
евых p–n-диодах.
260
Важным шагом в решении проблемы разработки эффективных Ge/Si фото-
приемников стала замена сплошных слоев GeSi слоями германиевых квантовых
точек.
С точки зрения перспектив встраивания таких элементов в кремниевые
СБИС, гетероструктуры Ge/Si с когерентно введенными нанокластерами Ge
представляют интерес, поскольку они характеризуются возможностью заращи-
вания упруго напряженных германиевых слоев совершенными по структуре
слоями Si, на которых затем можно формировать другие элементы СБИС.
Существуют возможности создания Ge/Si фотоприемника, содержащего
массивы КТ Ge со слоевой плотностью КТ на уровне 1012 см–2 и размерами то-
чек менее 10 нм, обладающего малыми темновыми токами и высокой чувстви-
тельностью к излучению с длиной волны фотонов 1,3–1,5 мкм.
Фотоприемник представляет собой кремниевый p–i–n-диод со встроенны-
ми в базовую область 30 слоев КТ Ge, разделенными промежутками Si толщи-
ной 20 нм. Для уменьшения размеров и увеличения их плотности островки Ge
были формированы на предварительно окисленной поверхности кремния.
Конструкция фотоприемника и энергетическая диаграмма диода в равно-
весии приведены на рис. 8.49. Среднее значение размеров островков Ge в плос-
кости роста 8 нм, плотности островков составляет 1,2·1012 см–2.
hv
Al
Ge
200нм p+ - Si
SiO2
SiO2
hv
220 нм Si p+ - Si
-
n+ - Si
UП
+
Ge KT
20 нм Si
} x 30
Ge
ЕF
250 нм Si EC
n+ - Si( 001)
ЕV
Al
а) б)
Рис. 8.49. Схематическое изображение поперечного сечения кремниевого
p-i-n-фотодиода с квантовыми точками Ge (а) и энергетическая диаграмма диода в рав-
новесии (б)
Рассматриваемый фотоприемник имеет малый темновой ток насыщения:

на один-два порядка меньше такового в Ge p-n-диодах. Это указывает на то, что
ширина запрещенной зоны в гетероструктуре Ge/Si с КТ больше, чем в объем-
ном Ge, вероятно, вследствие эффекта размерного квантования энергетического
спектра. Плотность темнового тока при обратном смещении, равном 1 В соста-
вила 2·10–5 А/см2.
261
Типичные спектральные зависимости ваттамперной чувствительности при
различных обратных напряжениях показаны на рис. 8.50.
Чувствительность, А/Вт
-1
10
-2
10
3 4
1 2
-3
10
1,1 1,3 1,5 1,7
Длина волны, мкм
Рис. 8.50. Спектральная зависимость чувствительности для различных обратных
смещений фотодиода: U, В: 1 – 0; 2 – 0,3; 3 – 0,5; 4 – 2
Низшее энергетическое состояние для электронов рассматриваемого диода

находится в зоне проводимости Si, а низшее состояние для дырок в Ge. Погло-
щение фотонов с энергией меньше ширины запрещенной зоны Si приводит к
переходу электронов из валентной зоны Ge в зону проводимости Si. При этом в
зоне проводимости Si появляются свободные электроны, а в островах Ge – дыр-
ки. Поскольку дырки локализованы в КТ Ge, то в слабых электрических полях
основной вклад в фототок вносят только электроны. При больших напряжениях
дырки могут эффективно туннелировать из локализованных в КТ в состоянии
валентную зону Si, увеличивая тем самым фототок. При достаточно сильных
полях, когда все фототоки имеют возможность оторваться от КТ ,происходит
насыщение величины фототока.
Квантовая эффективность p-i-n-фотодиода с квантовыми точками Ge со-
ставила 3%, при обратном напряжении 3 В.
8.9. Устройства и системы хранения информаци

8.9.1. Виды запоминающих устройств
Важнейшими блоками цифровой аппаратуры являются запоминающие
устройства, которые подразделяются на две категории: внешние и внутренние.
Внешние запоминающие устройства многие годы выполнялись на магнит-
ных лентах и магнитных дисках. Они обеспечивают неограниченно длительное
сохранение информации при отсутствии питания, а также практически любую
необходимую емкость памяти. В настоящее время широко используются внеш-
ние запоминающие устройства на основе лазерных компакт-дисков, УБИС и
ГИС на основе ячеек памяти с МДП-транзисторами.
Внутренние запоминающие устройства являются неотъемлемой частью
262
цифровой аппаратуры. Раньше они выполнялись на основе ферритовых матери-
алов с прямоугольной петлей гистерезиса. В связи с развитием микро- и нано-
электроники, современные внутренние запоминающие устройства обычно вы-
полняются по полупроводниковой технологии.
К устройствам памяти относятся следующие виды запоминающих
устройств:
• оперативные запоминающие устройства (ОЗУ, RAM – Random Access
Memory), выполняющие запись и хранение произвольной двоичной информа-
ции. В цифровых системах ОЗУ хранят массивы обрабатываемых данных и
программы, определяющие процесс текущей обработки информации. Большин-
ство современных ОЗУ не обладают энергонезависимостью (память не сохра-
няется при отключении питания);
• постоянные запоминающие устройства (ПЗУ, ROM – Read Only
Memory), служащие для хранения информации, содержание которой не изменя-
ется в ходе работы системы. Например, используемые в процессе работы стан-
дартные подпрограммы и микропрограммы, табличные значения различных
функций, константы и др. Запись в ПЗУ производится заводом-изготовителем.
Основной режим работы ПЗУ – память только для чтения;
• программируемые постоянные запоминающие устройства (ППЗУ,
PROM, EPROM – OTP – содержимое записывается однократно: One Time Pro-
grammable), являются разновидностью ПЗУ, отличающиеся возможностью од-
нократной записи информации по заданию заказчика;
• репрограммируемые ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (РПЗУ с УФ,
EPROM – Erasable Programmable ROM). В них предусмотрена многократная
электрическая запись информации и, при необходимости, стирание информа-
ции ультрафиолетовыми лучами;
• репрограммируемые ПЗУ с электрическим стиранием информации
(РПЗУ – ЭС, EEPROM). В них возможна многократная электрическая запись и
электрическое стирание информации. Ячейки памяти (ЯП) выполняются на ос-
нове МНОП-транзисторов или транзисторов с плавающим затвором;
• репрограммируемые ПЗУ для устройств ФЛЭШ-памяти (Flash Memory).
Это изделия бурноразвивающегося направления в разработках УБИС и ГИС, по
сути – разновидность репрограммируемых ПЗУ типа EEPROM;
• кэш-память – это устройства для запоминания копий информации, необ-
ходимой для обмена между отдельными блоками цифровой системы.
К устройствам постоянной памяти (ПЗУ, ППЗУ, РПЗУ) предъявляется тре-
бование сохранности информации при отключении питания.
Основными параметрами ЗУ являются: информационная емкость в битах,
минимальный период обращения, минимально допустимый интервал между
началом одного цикла и началом второго, максимальная частота обращения –
величина, обратная минимальному периоду обращения, удельная мощность –
общая мощность, потребляемая в режиме хранения, отнесенная к 1 биту,
удельная стоимость одного бита информации – общая стоимость кристалла, по-
деленная на информационную емкость.
263
8.9.2. Элементы памяти
Чтобы построить компьютер или любое другое электронное устройство,
важно хранить информацию на временной или долгосрочной основе. Запись
информации производится на запоминающих устройствах (элементах памяти),
и с момента появления ранних запоминающих устройств на магнитных сердеч-
никах использовалось множество типов элементов памяти. Действительно уве-
личение емкости памяти (объема информации, которую можно записать в дан-
ном объеме пространства) происходит даже быстрее, чем увеличение плотно-
сти транзисторов.
Текущее положение дел представлено запоминающими устройствами на
жестких дисках, которые основаны на магнетизме: информация – это намаг-
ниченность диска, которая записывается или считывается с помощью специ-
альной головки при вращении диска. Используемое здесь явление называется
гигантским магнитосопротивлением и порождается влиянием магнитных по-
лей на электрическое сопротивление. В зависимости от магнитной поляри-
зации (какой бит данных – 0 или 1) токи, регистрируемые считывающей го-
ловкой, будут отличаться. Явление гигантского магнитосопротивления сде-
лало производство жестких дисков очень выгодным делом – общая прибыль
мировых производителей составляет порядка 40 млрд. долл. в год.
Используя наноструктуры, можно значительнее сократить размер битов
памяти, а следовательно, увеличить плотность магнитной памяти, повысить
ее эффективность и понизить стоимость. Работа Криса Мюррея в IBM являет-
ся лучшим исследованием, проведенным в этой области. В работе Мюррея биты
хранятся как магнитные наноточки; эти точки можно сделать очень точно, и
их размер можно уменьшить, пока он не достигнет суперпарамагнитного
предела. Для меньших размеров точек магнитная память неустойчива и может
подвергаться воздействию тепловой энергии. Следовательно, суперпарамагнит-
ный предел определяет наименьшую возможную магнитную запоминающую
структуру.
Использование метода мягкой литографии, такого как перьевая нанолито-
графия, импринтная нанолитография или управляемая литография с обратной
связью, может сократить отдельные элементы до размеров нескольких наномет-
ров. Если все подобные точки содержат один бит информации (нуль или едини-
цу), и если они размещены на расстоянии, десятикратно превышающем их раз-
мер, то на элементе памяти, размером со страницу данной книги, легко можно
сохранить 100 000 копий Британской энциклопедии.
Нанотехнология и нанонаука предлагают различные возможности созда-
ния запоминающих устройств.
Современные магнитные и оптические запоминающие устройства факти-
чески двухмерные, они основаны на плоской поверхности. Голографические и
фоторефрактивные запоминающие устройства основаны на взаимодействии
света с материей. В таких устройствах информация записывается путем измене-
ния молекулярных состояний с помощью лазерных полей высокой интенсивно-
сти. Лазеры используются для записи информации в память, а затем эту ин-
264
формацию можно изменить (снова с помощью интенсивного лазерного излу-
чения) или считать (слабоинтенсивным лазером). Одним из удивительных пре-
имуществ таких наноскопических оптических структур является то, что они
могут существовать в трех измерениях, поскольку считывается не только по-
верхность, но и толща материала. Это может дать еще более емкие и эффек-
тивные оптические запоминающие устройства.
В ЗУ, как и в логических и вычислительных устройствах используются
преимущества оптики, а не электроники. Повторимся, насущной проблемой
является то, что очень сложные оптические технологии требуют инструмен-
тов и свойств материалов, которые не всегда сохраняются при переходе в
наномир.
Разработка оптических материалов с целью использования в качестве за-
поминающих устройств может быть легче, чем использование оптических ма-
териалов для коммутирующих устройств, поскольку производство и чтение
зависит от линейных процессов (пропорциональных интенсивности луча све-
та).
Понятно, что уже используемые оптические запоминающие устройства
станут разрабатываться в наноскопическом масштабе раньше, чем появятся
истинно наноскопические оптические логические структуры, но оба типа
наноскопических устройств предоставят экспоненциально большие возмож-
ности, если использовать их в трех измерениях.
Другие методы для запоминающих устройств очень большой емкости
предлагались в общей области молекулярной электроники. ЗУ на основе ДНК
обсуждались при исследовании ДНК-компьютеров: природа использует ДНК
для хранения генетической информации, и вычислительную информацию
также можно хранить в ДНК-структурах. В связи с этим существует несколь-
ко проблем, включая скорость, метод считывания данных и точность воспро-
изведения ДНК-структур (которую нельзя получить, используя стандартные
методы литографии). Тем не менее, обещание недорогой надежной ДНК-
памяти с большой емкостью и перспектива интенсивных параллельных ДНК-
вычислений может сделать эту область интересной.
8.9.3. Фотоприемные ПЗС

Фоточувствительный прибор с зарядовой связью (ФПЗС) представляет со-
бой фоточувствительную МДП ИМС с системой электродов, расположенных на
поверхности диэлектрика так близко друг от друга, что существенным стано-
вится их взаимовлияние. Электрические поля соседних электродов перекрыва-
ются внутри кристалла полупроводника.
В традиционных ФПЗС электроды располагаются в виде линейки (строки)
или матрицы. Типичные размеры электрода: длина 5 мкм, ширина 40 мкм. За-
зоры между электродами (1–2) мкм. Число электродов в матричном ФПЗС мо-
жет превышать 106.
Функционально ФПЗС – это прибор, воспринимающий изображение, осу-
ществляющий его разложение на элементарные фрагменты, сканирование (по-
265
элементное электронное считывание) и формирование на выходе видеосигнала,
адекватного изображению.
Принцип действия ФПЗС можно пояснить, рассматривая классическую
трехтактную схему управления, в соответствии с рис. 8.51.
Ф
UСМ +UСМ UСМ
1 2 3
+ +
- -
-
+ - +
-
+
Диффузионное
движение
Дрейфовое
движение
Рис. 8.51. Схема процессов электронной ячейки ФПЗС

Элементарная ячейка ФПЗС содержит три соседних электрода 1, 2, 3 одной
строки. В течение первой фразы к электроду 2 прикладывается положительное
напряжение хранения (UХР в пределах от 10 до 20 В).
Благодаря возникающему электрическому полю основные носители – дыр-
ки оттесняются в глубь полупроводника, а у поверхности образуется обеднен-
ный слой глубиной от 0,5 до 2 мкм, представляющий собой потенциальную яму
для электронов. Освещение поверхности порождает в объеме полупроводника
генерацию электронов и дырок. При этом электроны втягиваются в потенци-
альную яму и локализуются в тонком (около 10 нм) приповерхностном слое.
Накопление электронов ведет к образованию зарядового пакета, который опре-
деляется локальной интенсивностью и временем засветки. Зарядовый пакет
может относительно долго (от 1 мс до 100 мс) сохраняться, однако постепенно
термогенерация электронов объемными и поверхностными ловушками приво-
дит к искажению хранимой информации.
Во время второй фазы к электроду 3 прикладывается напряжение считыва-
ния UСЧ, превышающее напряжение UХР. Вследствие близости электродов 2 и 3,
барьер между ними исчезает, и зарядовый пакет перетекает в более глубокую
потенциальную яму. На этой фазе так происходит частичная потеря информа-
ции: часть электронов зарядового пакета рекомбинирует при взаимодействии с
поверхностными ловушками, а часть пропадает вследствие неполного перете-
кания зарядов. Во время третьей фазы напряжение на электроде 3 уменьшается
до напряжения хранения UХР, а с электрода 2 потенциал снимается. На электро-
266
дах, к которым не приложено напряжение хранения или считывания все время
поддерживается небольшое напряжение смещения. Электрод 1 в этом процессе
играет роль буфера, иначе слева от электрода 2 оказался бы электрод 3 преды-
дущей ячейки, и во втором такте зарядовый пакет равновероятно мог перете-
кать как вправо, так и влево.
Управление ФПЗС желательно осуществлять не прямоугольными, а трапе-
циидальными импульсами, подаваемыми на электроды с небольшим времен-
ным перекрытием. В конце каждой строки имеется элемент вывода, например
n+-область под последним электродом. Вытекающий через p–n-переход заря-
довый пакет создает на нагрузочном резисторе выходной сигнал.
Аналогичный элемент ввода в начале строки служит для потактного вве-
дения (электрическим путем) в ФПЗС фоновых постоянных зарядовых пакетов,
призванных «забить» поверхностные ловушки и ослабить их негативное дей-
ствие. Фоновые заряды обеспечивают оптимальный рабочий режим (аналогич-
но смещению, используемому в электронных усилительных зарядах).
Таким образом, в ФПЗС пространственное распределение интенсивности
излучения преобразуется в рельеф электрических зарядов, локализующихся в
приповерхностной области. Зарядовые пакеты перемещаются от элемента к
элементу, выводятся наружу и дают последовательность видеоимпульсов, адек-
ватную полю излучения, таким образом, осуществляется стандартный телеви-
зионный алгоритм восприятия образца. В матричном ФПЗС весь кадр образует-
ся одновременно, в линейном – последовательно путем дополнительной раз-
вертки по второй координате. Принцип действия наноэлектронных ФПЗС ана-
логичен вышеописанному. Наноэлектронные ФПЗС перспективны для приме-
нения в мегапиксельных видеокамерах и цифровых фотоаппаратов.
8.9.4. КМОП-фотодиодные СБИС и их применение

В настоящее время помимо совершенствания ФПЗС проводятся интенсив-
ные разработки КМОП-ФД с внутрикристальными схемами управления и обра-
ботки изображения.
Рассмотрим принцип работы КМОП-ФД СБИС. Фотоприемное устройство
содержит матрицу активных фоточувствительных элементов (активных пиксе-
лов), схемы управления, аналоговые усилители считывания на выходе каждого
столбца, АЦП и ряд других цифровых блоков, в соответствии с рис. 8.52.
В таких матрицах схемы управления могут реализовывать произвольную
координатную выборку сигналов, что значительно расширяет возможности
фильтрации и обработки (в том числе параллельной) сигналов изображения.
Задачи выделения окна интереса (ОИ), в котором расположена цель, и слеже-
ния за ней решаются путем считывания сигналов только требуемых элементов.
А поскольку ОИ занимает небольшую часть кадра, скорость считывания, по
сравнению с ФПЗС, в которых необходимо считывать весь кадр, может быть
значительно увеличена.
267
Дешифратор
Матрица активных
строк
элементов
Дешифратор столбцов,
аналоговые усилители и
схема обработки
АЦП
Цифровые
блоки
Выход
Рис. 8.52. Структурная схема КМОП-ФД СБИС
Активный элемент образован фотодиодом (ФД) и четырьмя транзистора-

ми, в соответствии с рис. 8.53, которые выполняют функции считывания заря-
да, накопленного фотодиодом.
На транзисторе VT3 выполнен истоковый повторитель, транзистор VT4
является элементом выборки строк. В режиме интегрирования сигналов изоб-
ражения импульс R, подаваемый на транзистор VT2 равен 0. Фотодиод накап-
ливает фотогенерируемые электроны. По мере их накопления потенциал диода
уменьшается. В результате потенциал общего узла – соединения транзисторов
VT1,VT2, VT3 оказывается плавающим. В режиме выборки на транзистор VT2
поступает импульс восстановления R = 1, транзистор VT2 открывается, и по-
тенциал плавающего узла восстанавливается до исходного уровня. Затем на все
активные элементы выбранной строки подается импульс S1 = 1, который по-
ступает на затвор транзистора VT1, открывая его.
UП
Столбец
RS
R VT2 Плавающий Выборка
узел строки
VT3
S VT1
VT4
C
Ф
VD
Рис. 8.53. Электрическая схема активного пиксела
Накопленный фотодиодом сигнальный заряд передается на плавающий

узел. После прихода импульса выборки строки RS = 1 открывается транзистор
VT4. Транзисторы VT3, VT4 и общий нагрузочный транзистор столбца образуют
268
истоковый повторитель, и на шину столбца поступает усиленный по мощности
сигнал ФД. Коэффициент передачи по напряжению истокового повторителя
близок к единице. На шины столбцов подаются считанные сигналы всех эле-
ментов выбранной строки. Дешифратор столбцов последовательно выбирает
сигналы шин и передает их на схему пошаговой обработки сигналов отдельных
активных элементов матрицы. После окончания режима считывания сигнал
RS = 0, и транзистор VT4 закрывается. Начинается накопление зарядов следую-
щего кадра изображения.
Основное достоинство КМОП-ФД в сравнении с ФПЗС – возможность ин-
теграции на одном кристалле функций приема и обработки изображения (воз-
можна реализация однокристальной камеры с цифровым выходом). Другим до-
стоинством КМОП-ФД является низкая потребляемая мощность, возможность
программирования интересующих пользователя окон и высокая скорость счи-
тывания данных. Основные недостатки – высокий шум, обусловленный тем,
что активный элемент содержит несколько МОП-транзисторов и несколько
шин, низкая фоточувствительность, более высокий темновой ток, большие раз-
меры активного элемента, меньшая, чем у ФПЗС разрешающая способность.
Для устранения шума процесса восстановления в КМОП-ФД было пред-
ложено заменить фотодиод фоточувствительным затвором, в потенциальной
яме которого накапливаются фотогенерируемые сигнальные заряды, в соответ-
ствии с рис. 8.54.
В режиме считывания на затвор транзистора VT1 подается отпирающий
его импульс восстановления R. Потенциал плавающего затвора восстанавлива-
ется до исходного уровня.
+ UП -
Столбец
RS
R VT3 Выборка
строки
Плавающий узел
VТ4
S1 VT1 S2 VT2
VT5
C
Ф Ф
ФД1 ФД2
Рис. 8.54. Электрическая схема элемента с совмещенным элементом
Потенциальный импульс передачи открывает дополнительный затвор,

накопленный сигнальный заряд перетекает в плавающий узел, и потенциальная
яма фоточувствительного затвора освобождается. Потенциал узла понижается
на величину заряда. Такая схема позволяет выполнить двойную корреляцион-
ную выборку (ДКВ), которая практически и устраняет шум процесса восста-
новления. В этом случае после восстановления плавающего потенциального уз-
269
ла на затвор транзистора VT3 передается открывающий его импульс выборки
строки RS1. Начальное напряжение на затворе транзистора VT2 (в которое вхо-
дит и шум восстановления) через истоковый повторитель передается на шину
столбца и запоминается на ее выходе.
При поступлении на плавающий затвор сигнального заряда напряжение на
транзисторе VT2 понижается на величину поступившего заряда, и это напряже-
ние также передается на выход шины столбца. В результате выходной сигнал
представляет собой разность значений напряжения транзистора VT2, что и поз-
воляет устранить шум восстановления. Недостаток схемы с фоточувствитель-
ным затвором – снижение фоточувствительности из-за меньшей, в сравнении с
фотодиодом прозрачности затвора.
8.10. Наноэлектронные изделия для компьютерных систем

8.10.1. Однокристальные системы
Бурное развитие телекоммуникационных и информационных систем воз-
можно лишь при адекватном развитии микроэлектроники. Основная тенденци-
ия развития микроэлектроники проявляется в уменьшении размеров элементов
интегральных микросхем и числа элементов на кристалле в соответствии с за-
коном Мура.
Минимальный размер элементов микросхем уменьшается в 2 , а число
элементов на кристалле увеличивается в 2 раза через каждые 2 года.
Международный план развития полупроводниковой технологии с 2000 до
2014 г. получивший название «дорожная карта» ITRS (Internationale Technolody
Roadmap For Semiconductors) предпочитает действие закона Мура и достижение
минимальных размеров элементов 14-нм в 2014 г.
Производственные участки, работающие с размерами 0,18–0,35 мкм, ис-
пользуют в основном пластины диаметром 200 мм. Выбор диаметра пластин
определяется стоимостью их обработки в полупроводниковом производстве, ко-
торая в 2–4 раза превышает стоимость пластин. С увеличением размеров полу-
проводниковых пластин их стоимость увеличивается быстрее, чем площадь.
Существует оптимальный размер пластин обеспечивающий минимальную
стоимость производимых микросхем.
Перспективными изделиями микроэлектроники являются специа-
лизированные микросхемы, в частности, высокоинтегрированные СБИС типа
«систем на кристалле» («System On Chip»)
Такие СБИС, представляют аппаратно-программную реализацию на одном
кристалле функционально-законченной части аппаратуры на базе микроблоков:
процессорных «ядер», блоков памяти, блоков с «жесткой» логикой, аналого-
цифровых блоков, мультиплексоров и т.д.
В ближайшие годы производство специализированных схем « система на
кристалле» займет по объемам продаж более половины объема выпускаемых
микросхем. Это касается в первую очередь, массовой продукции (радио телефо-
нов, видеокамер, цифровых теле и радио приемников и т.д.).
Способы реализации микроэлектронных устройств можно разделить на че-
270
тыре основные группы:
• на основе универсальных микросхем (микропроцессоры, память, аналого-
во-цифровой преобразователь (АЦП), операционные усилители и др.);
• на основе микросхем, программируемых потребителем (программируемая
логическая интегральная схема (ПЛИС), программируемая логическая матрица
(ПЛМ), программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ);
• на основе базовых кристаллов, программируемых изготовителем микро-
схем;
• на основе заказных микросхем, разработанных специально для данного
устройства.
Выбор способа реализации устройства определяется, в первую очередь,
экономическими показателями, т.е стоимостью используемых микросхем. Раз-
витие технологии приводит к снижению производственных затрат на выпуск
микросхем. Развитие технологий приводит к снижению производственных за-
трат на выпуск микросхем. Наилучшие технические и экономические показате-
ли серийной аппаратуры обеспечивают заказные микросхемы. При этом боль-
шой вклад в стоимость аппаратуры вносят затраты на разработку заказных мик-
росхем.
Маршрут проектирования обычных заказных микросхем включает следу-
ющие этапы:
– системное проектирование;
– функциональное проектирование;
– макетирование и функциональная верификация;
– физическое проектирование и верификация;
– аттестация проекта.
Наиболее трудоемкими и длительными по времени являются второй и тре-
тий этапы. Именно они определяют основные затраты и время на разработку.
Кристалл БИС как системная плата. Основная идея в развитии методологии
проектирования заказных микросхем – это использование в проекте уже гото-
вых функциональных законченных блоков. Примерно так, как это делается при
разработке системы на плате с использованием универсальных микросхем. За-
казные микросхемы, разрабатываемые на основе сложнофункциональных мак-
роблоков, называются системами на кристалле (СНК), а используемые блоки –
СФ-блоками или IP-блоками (intellectual property). Маршрут проектирования
СНК существенно сокращается и упрощается по сравнению с маршрутом пол-
ностью заказных микросхем.
Методология проектирования СНК приближается к методологии разработ-
ки систем на печатных платах. Основной этап проектирования – системный.
Именно на этом этапе определяются все основные характеристики разрабатыва-
емого микроэлектронного устройства. Этапы функционального проектировании
и верификации объединяются и упрощаются. Моделирование схемы на транзи-
сторном и вентильном уровнях вообще может не проводится. Возможно и ис-
ключение этапа макетирования СНК, если все используемые СФ-блоки аттесто-
ваны и адекватно описаны на языках высокого уровня (VHDL, VHDL-AMS и
др.). Физическое проектирование также существенно упрощается, так как число
271
используемых СФ-блоков и сигнальных связей между ними сравнительно неве-
лико.
По существу СНК являются полузаказными микросхемами и основные за-
траты приходятся на создание системы проектирования и распространения СФ-
блоков. Основная выгода состоит в том, что каждый СФ-блок используется во
многих изделиях, кроме того, в несколько раз сокращается время разработки ко-
нечных продуктов.
СФ-блоки для СНК должны разрабатываться по общим для всех правилам
и учитывать особенности их совместного применения. В настоящее время еще
не разработаны спецификации, определяющие требования к унифицированным
СФ-блокам. Однако ряд требований можно сформулировать достаточно опреде-
ленно уже сегодня.
Выбор технологий для СНК. Важнейшим этапом подготовки технического за-
дания для СНК является выбор технологий. При этом важно знать основные
возможности и ограничения выбранной технологии.
В сверхскоростных цифровых блоках невозможно реализовать режим с
низкой потребляемой мощностью при снижении рабочей частоты. Сверхско-
ростные «металл – окисел – полупроводник» (МОП) транзисторы никогда не
бывают полностью закрыты. При равной ширине канала ток утечки МОП –
транзистора с длиной канала 0,09 мкм и напряжением питания 1,2. В более чем
в 100 раз превышает ток утечки для транзистора с длиной канала 0,25 мкм и пи-
танием 2,5 В. В сложных схемах токи могут превысить рабочие токи. Поэтому
не следует выбирать технологии с размерами элементов меньше, чем необходи-
мо для достижения требуемого быстродействия.
В аналоговых устройствах с уменьшением размеров транзисторов и напря-
жения питания уменьшаются динамический диапазон и коэффициент усиления
при одновременном возрастании токов утечки. Уровень тепловых шумов техно-
логия изменить не может, поэтому с уменьшением размеров транзисторов резко
снижается соотношение сигнал/шум в аналоговых блоках. Современные требо-
вания к параметрам аналоговых блоков не могут быть 2,5 В. В низковольтных
сменах аналоговую обработку сигналов, по возможности, следует заменить
цифровой. Существует ряд технологий, позволяющих объединять биполярные и
МОП высоковольтные транзисторы с низковольтными комплементарными
МОП (КМОП) приборами. Такие смешанные технологии обычно разрабатывают
на основе базового биполярного или КМОП-процесса. При этом не удается до-
стичь высокого быстродействия для дополнительных элементов, не входящих в
базовый процесс.
8.10.2. Системы для компьютеров

В апреле 1965 года, примерно за три с половиной года до создания корпо-
рации Intel, Гордон Мур, занимавший в ту пору должность директора отдела
разработок компании Fairchild Semiconductors, в статье для журнала Electronics
дал прогноз развития микроэлектроники получивший название закона Мура.
Мур сумел предугадать фантастические темы развитие всей отрасли на не-
сколько десятилетий вперед и предсказать, что количество транзисторов на кри-
272
сталле ежегодно будет удваиваться. Более того он сделал провидческий прогноз
последствий этого, предсказав, что по мере экспоннеционального увеличения
числа транзисторов на микросхеме процессоры будут становиться все более де-
шевыми и быстродействующими, а их производство все более массовым.
Реализация закона Мура иллюстрирует таблице 8.7, в которой приведены
годы выпуска и число транзисторов широко распространенных микропроцессо-
ров фирмы Intel.
Таблица 8.7. Реализация закона Мура
Микропроцессор Год выпуска Число транзисторов
4004 1971 2 300
8008 1972 2 500
8080 1974 5 000
8086 1978 29 000
286 1982 120 000
Intel 386 тм processor 1985 275 000
Intel 486 тм processor 1989 1 180 000
Intel® Pentium® processor 1993 3 100 000
Intel® Pentium® II processor 1997 7 500 000
Intel® Pentium® III processor 1999 24 000 000
Intel® Pentium® 4 processor 2000 42 000 000
Intel® Itanium® processor 2002 220 000 000
Intel® Itanium® 2 processor 2003 410 000 000
Важнейшими системами разрабатываемыми для компьютеров являются

оперативные и постоянные запоминающие устройства, рассмотренные в п. 8.9
Налажен серийный выпуск однокристальных ЭВМ.
Серийно выпускаемые интегральные схемы полупроводниковой памяти ха-
рактеризуются объемом памяти до 64 Ггигабайт. Основной технологией их из-
готовления является кремниевая МОП техенология. В стадии разработок нахо-
дятся системы на основе углеродной и квантовой нанотехнологий
В последние годы, ведущие зарубежные фирмы наладили серийный выпуск
наноэлектронных систем, в частности, микропроцессорных микросхем ультра-
большой и гигантской степеней интеграции (УБИС и ГИС). Это иллюстрирует
таблица 8.8.
Микропроцессоры изготовленные по технологиям XXI века содержат более
100 млн. транзисторов. В частности, микропроцессор Intel Itanium 2 содержит
410 млн. транзисторов. К 2010 году ожидается производство микропроцессоров
с числом транзисторов превышающим млрд.
Применении нанотехнологий позволит перейти от планарной технологии
изготовления с количеством элементов 108 шт. на см2 к ЗД- технологии, которая
позволит получать до 1012 транзисторов на см3
273
ца 8.8. Параметры некоторых наноизделий
Количество Количе- Потребляемая, Тактовая Пло- Напряжение Высо- Тех
ние
элементов, ство мощность, Вт частота, щадь питания, В та ло
а
млн выводов Min Max ГГц S, мм2 Min Мах h, м н
2 3 4 5 6 7 8 9 10 1
ntel
321 771 65 95 3,00 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 2,66 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 2,33 80 1,2 1,4 2,6 6
48
ntel
321 771 65 95 2,33 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 2,00 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 1,86 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 1,60 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 3,73 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 3,20 80 1,2 1,4 2,6 6
3
ntel
321 771 65 95 3,20 80 1,2 1,4 2,6 6
0
ntel
321 771 65 95 3,00 80 1,2 1,4 2,6 6
0
жение таблицы 8.8
2 3 4 5 6 7 8 9 10 1
2
291 775 55 75 2,93 144 0,85 1,36 2,6 6
800
Duo
291 775 55 75 2,66 144 0,85 1.36 2,6 6
Duo
291 775 55 75 2,40 144 0.85 1.36 2,6 6
Duo
291 775 55 75 2,13 144 0.85 1.36 2,6 6
Duo
291 775 55 75 1,86 144 0.85 1,36 2,6 6
64 125 754 25 35 2,2 112 1,05 1,25 3,2 9
ron
109 754 62 Н/Д 1,8 112 1,1 Н/Д 3,2 9
ron
109 754 25 Н/Д 1,6 112 1,1 Н/Д 3,2 9
ron
109 754 25 Н/Д 1,6 112 1,1 Н/Д 3,2 9
125 478 73 Н/Д 2,8 112 1,37 Н/Д 3,47 9

35
125 478 73 Н/Д 2,53 112 1,37 Н/Д 3,47 9
25
125 478 73 Н/Д 3,73 112 1,4 Н/Д 3,75 9
125 478 73 Н/Д 4,0 112 1,4 Н/Д 3,75 9
275
жение таблицы 8.8
2 3 4 5 6 7 8 9 10 1
125 478 73 Н/Д 3,8 112 1,4 Н/Д 3,75 9
125 478 73 Н/Д 3,6 112 1,4 Н/Д 3,75 9
125 478 73 Н/Д 3,4 112 1,4 Н/Д 3,75 9
125 478 73 Н/Д 3,2 112 1,4 Н/Д 3,75 9
125 478 73 Н/Д 3,0 112 1,4 Н/Д 3,75 9
230 775 40 103 3,0 144 1,25 1,4 2,6 6
230 775 39 100 2,8 144 1,25 1,4 2,6 6
230 775 Н/Д 130 3,2 206 1,25 1,4 2,6 9

9
230 775 Н/Д 95 3,0 206 1,25 1,4 2,6
230 775 Н/Д 95 2,8 206 1,25 1,4 2,6 9
230 775 Н/Д 95 2,6 206 1,25 1,4 2,6 9
276
Указанные в таблице 8.8 изделия, по сути, являются наноэлектронными
системами супервысокой сложности. Это процессорные ИМС восьмой степени
интеграции, изготовленные по 65–90 нм технологиям.
Анализ приведенных данных показывает, что лучшие типы ИМС имеют
тактовую частоту более 3 ГГц, отличаются высокой экономичностью и воз-
можностью работы от низковольтных источников питания (0,85–1,2 В).
Цены рассмотренных изделий соответствуют 2006 г. В ближайшие годы
ожидается переход на 32 нм технологию и к 2010 г. планируется серийный вы-
пуск ИМС гигантской степени интеграции, у которых число элементов превы-
сит миллиард.
Мировая тенденция последних лет заключается в постепенном переходе от
микроэлектроники к наноэлектронике.
Перечислим основные признаки этого перехода:
– уменьшение проектных (топологических) норм элементов на кристаллах
(0,032–0,25 мкм и далее);
– увеличение степени интеграции кристаллов (десятки и сотни миллионов
вентилей в кристалле);
– комплексирование кристаллов, то есть размещение на одном кристалле
элементов памяти, цифровой обработки, ЦАП и АЦП, элементов аналоговой
обработки, интерфейсных элементов;
– создание систем на кристалле базовых типов: Single-Chip SoC (SoC на
одном чипе), или System-in-Package (SiP), System-on-Package (SoP), System-on-
Chipset (интеграция в одном гибридном корпусе нескольких чипов);
– создание программируемых систем на кристалле (System-on-
Programmable Chip);
– увеличение количества выводов корпусов, микросхем (до 1500 выводов и
более);
– переход от расположения выводов корпусов ИС по периметру к матрич-
ному расположению выводов на всей площади кристалла и корпуса;
– преимущественный рост количества корпусов ИС с матричным располо-
жением выводов шаровой формы (BGA) для поверхностного монтажа.
Объем информации накопленный человечеством оценивается емкостью
1019–1020 байт. Ежегодное увеличение объема всей создаваемой информации
превышает 50%.
Объем информации содержащейся в различных источниках информации
иллюстрирует рис. 8.55.
В эпоху информатизации, емкость каналов мобильной связи увеличивается
в 10–100 раз каждые 5 лет, объем операционных систем увеличивается в 2 раза
каждые два года, емкость систем хранения данных увеличивается в 2 раза каж-
дые 9 месяцев, производительность ВОСП удваивается каждый год, количество
пикселей системы отображения информации удваивается каждый два года.
277
Байты
Йота 1024
Все книги в Интернет
мультимедийном
Зета сегодня
формате
Экза
Все книги в
Пета 1015
текстовом
формате
Тера
Фильм
Гига
Фотография
Мега
Книга
Кило 103
Рис. 8.55. Объем информации, накопленной человечеством

на различных носителях
8.11. Программы разработок квантовых

информационных систем
Мировыми лидерами по объемам государственного финансирования ис-
следований в области квантовых информационных технологий являются США
и Япония. Общая доля этих стран составляет примерно 70–80% от общего ми-
рового объема инвестиций. Значительный объем американских исследований в
области квантовых информационных технологии выполняется по заказам Ми-
нистерства обороны США и финансируется в рамках следующих бюджетных
проектов.
Фундаментальные исследования. Проект РЕ № 0601101А (Комплексная целе-
вая программа (КЦП) «Независимые исследования и НИО МО США» – In-
House Laboratory Independent Research, подраздел 91А). Заказчик – сухопутные
войска США. Исполнитель работ – Центр исследований и разработок ракетной
и авиационной техники (Aviation and Missile RDEC). Одной из задач работ яв-
ляется подготовка научно-экспериментальной базы для исследований в области
квантовой обработки информации и реализации механизмов квантовых вычис-
лений. Запланированные объемы финансирования работ по подразделу 91А со-
ставляют: 3,055 млн. долл. (2005 фин. г.); 2,661 млн. долл. (2006 фин. г.); 2,728
млн. долл. (2007 фин. г.).
Проект РЕ № 0601102F (КЦП «Исследования в области оборонных наук» –
«Defense Research Sciences»). Заказчик – ВВС США. Раздел 2305 «Электрони-
ка», программа «Исследования в области технологий квантовой информации»
278
(«Advanced Research in Quantum Info Tech»). Объем финансирования работ по
разделу в 2005 фин. г. составляет 0,991 млн. долл. Исследования направлены на
поиск технических решений по созданию сверхпроводниковых квантовых ком-
пьютеров. Раздел 2311 «Информатика и науки о космосе» (Space and Infor-
mation Sciences) предусматривает проведение исследований в области создания
архитектур квантовых компьютеров для быстрого решения комплексных задач
гидро- и/или аэродинамики. Общий запланированный объем ассигнований по
разделу 2311 в 2005 фин. г. составил млн. долл.
Проект РЕ № 0601153N (КЦП «Исследования в области оборонных наук –
«Defense Research Sciences». Подраздел «Информатика» – «Information
Sciences». Заказчик – ВМС США. Проводятся исследования по выявлению пер-
спективных принципов построения квантовых компьютеров и систем кванто-
вой криптографии. Сведения об объемах финансирования работ неизвестны.
Прикладные исследования (бюджетная категория). Проект РЕ №: 0602716Е
(Раздел «Технологии электроники», программа «Focused Quantum Systems
(FoQuS)»). Заказчик – Управление перспективных исследований и разработок
МО США (DARPA). Запланированные объемы финансирования исследований
по программе FoQuS составляют: 13,753 млн. долл. (2005 фин. г.); 24,703 млн.
долл. (2006 фин. г.); 24,110 млн. долл., (2007 фин. г.). Надо отметить, что в ча-
сти работ, по созданию квантовых компьютеров FoQuS является продолжением
программы Quantum Information Science and Technology (QuIST), завершившей-
ся в конце 2005 фин. г. Дальнейшие, работы в области систем квантовой крип-
тографии и связи интегрированы в другие программы. Финансирование по-
следнего этапа программы QuIST предусмотрено в размере 25,437 млн. долл. С
2006 фин. г. в рамках этого же проекта, № 0602716Е стартовала новая дополни-
тельная программа «CAD-QT (Cognitively Augmented Design for Quantum Tech-
nololgy)», ориентированная на решение проблем автоматизированного проек-
тирования элементной базы для квантовых вычислительных систем. Объем ее
финансирования в 2006 фин. г. составил примерно 2,320 млн. долл. Надо отме-
тить, что исследования в области выявления потенциальных возможностей
квантовых вычислительных систем проводятся по заказам DARPA в рамках
проекта РЕ № 0602303Е, раздел IT-02. Информационные технологии, програм-
ма «Высокопроизводительные вычислительные системы» (High Productivity
Computing Systems, (HPCS)).
Проект № 0602702F. (Раздел «Системы боевого управления и связи» –
«Command Control and Communications». Подраздел 4594 «Технологии инфор-
мационных систем», – «Information Technology»). Заказчик – ВВС США. На
период 2005–2007 фин. гг. запланировано проведение комплекса прикладных
исследований по изучению возможностей, применения квантовых вычисли-
тельных систем и биокомпьютеров в системах боевого управления и связи. Для
этих целей предусмотрено финансирование в размере 12,5 млн. долл.
Примечание. В 2004 г. в США общий объем финансирования исследовании и
разработок в области квантовых информационных технологий (квантовые ком-
пьютеры, квантовые криптография и связь, теория квантовой информации и
т.д.) превысил: 100 млн. долл. (по сравнению с 1999 г. увеличился практически
279
в 5 раз). Доля НИР по заказам Министерства обороны США в этом объеме со-
ставляет 60–70%.
Обобщенные сведения о зарубежных исследованиях и разработках, систе-
матизированные по перечисленным выше научно-техническим направлениям
опубликованы в [24] , где приводятся данные о работах 148 организаций.
Проведенный анализ результатов систематизации планов и проектов зару-
бежных исследований и разработок позволяет сформировать краткий прогноз
развития квантовых компьютеров на период до 2010–2015 гг. Основные резуль-
таты этого прогноза представлены в таблице 8.9.
280
8.9. Краткий прогноз развития квантовых компьютеров до 2015 г.
ант построение кванто- Состояние
компьютера (условное
ание схемы, реализую-
На 01.01.2006 г. К 2010 г. К 201
механизмы квантовых
вычислений)
2 3 4
овый компьютер, ос- Создан ансамблевый компьютер на молеку- Построение квантовых вы- Демонстр
ный на состояниях лах в жидкости с числом физических куби- числительных систем с вых ком
ых спинов в молеку- тов, равным 7. числом физических куби- числом л
ых жидкостях Доказано, что существует принципиальное тов до 10. битов от
ограничение на предельное число кубитов Демонстрация операций с Отработа
порядка 10-15. числом логических кубитов ские схем
Продемонстрированы возможности реализа- от 3 до 7. состояния
ции отдельных алгоритмов.
Работы проводятся в США, Германии, Ин-
дии, Южной Корее, Великобритании, КНР и
Канаде.
ьютеры на ионах в ло- Создан компьютер с числом кубитов, равным Создание лазеров с высо-
ах 2(двухкубитная фазовая операция-операция кой стабильностью частоты
«контролируемое НЕ»). и интенсивности излуче-
Разработаны технологии, позволяющие осу- ния.
ществлять: приготовление исходного состоя- Уменьшение погрешности
ния, хранение данных(«квантовая память») и квантовых вычислений до
считывание результатов. 10-4-10-3.
–
Исследуются состояния ионов 9Ве+, Ва+, Sr+, Время сохранения коге-
Mg+, In+, Ca+, Yb+, Cd+ в ловушках. рентности логического ку-
Принципиальное ограничение ~20 кубитов. бита(например, 2 физиче-
Ведется интенсивная разруботка эффектив- ских кубита) более 100 с
ных источников одиночных фотонов. Работы (квантовая память).
проводятся в США, Германии, Канаде, Вели-
кобритании, Дании, Австрии.
281
лжение таблицы 8.9
2 3 4
товый компьютер Исследуются вопросы реализации квантовых Применимые для практиче- –
йтральных атомах операций на одиночных атомах в микрорезонато- ского использование маг-
рах. нитные и оптические мик-
Отрабатываются вопросы создания оптических и роловушки (для систем
магнитных микроловушек. ридбергских автоматов).
Принципиальное ограничение ~20 кубитов. Рабо-
ты проводятся в США, Франции, Германии, Да-
нии, Австрии.
нтовые операции на
Эксперименты в этом направлении реализации Нелинейный оптический
иночных атомах в
квантового компьютера, по сути, объединяются с элемент, осуществляющий
орезонаторах (кван-
экспериментальным исследованиями в области достаточно сильное взаимо-
я оптика резонанс-
квантовой оптики действие фотонных кубитов
явлений cavity QED)
товые компьютеры
Разработана схема построения одного кубита.
нове линейных оп-
Предельное число кубитов в квантовом оптиче-
ких элемен-
ском компьютере является предметом многочис-
еализация кванто-
ленных исследований.
операций с помо- –
Работы ведутся в научно-исследовательских ор-
линейных оптиче-
ганизациях США, Японии, Италии, Великобри-
элементов «оптиче-
тании, Швейцарии, Германии, Австралии, Кана-
квантовый компью-
ды, Австрии
Появление эксперименталь-
Созданы следующие конструкции кубитов: ных схем с числом кубитов
– кубиты на атомах фосфора 31Р в бесспиновом более 10. Интеграция элек-
Воз
моноизотопном кристалле кремния 28Si (кубит); тронных схем управления с
дотельные кон- лени
– кубиты на электронах в полупроводниковых твердотельными конструк-
ции квантовых ных
(GaAs или Si/Ge) квантовых точках (2 кубита) циями кубитов. Новые под-
ьтеров с чи
Предельное число кубитов > 1000. Работы ведут- ходы к построению схем
ся в США, Швейцарии, Японии, Канаде, Италии, коррекции ошибок (для
Великобритании, Германии. каждого варианта построе-
ния кубита)
282
олжение таблицы 8.9
2 3 4
Новые подходы к организа-
ции связи между зарядовы-
Созданы научные основы для разработки кванто-
ми кубитами, решение от- Пов
вых компьютеров на сверхпроводниковых эле-
дельных проблем декоге- стов
ментов двух типов:
рентизации. Выбор рацио- тов
– сверхпроводниковые зарядовые кубиты (charge-
нальных (пригодных для ний
based qubits). Создано 2 кубита;
масштабирования) схем по- шу
– сверхпроводниковые кубиты на сквидах (flux-
строения кубитов. Вариан- схем
based qubits – кубиты-флюксоиды). Создано 2 ку-
товые компьютеры ты построения квантового сост
бита. Доказано, что предельное число кубитов в
ерхпроводниковых компьютера из 10–100 ку- тов
квантовом компьютере на сверхпроводниковых
ентах битов. Работоспособные поя
элементах может превышать 1000. Разработаны
экспериментальные уста- тосп
(впервые) принципы построения сверхпроводни-
новки, реализующие меха- брид
кового компьютера на π-контактах в ВТСП плен-
низмы квантовых вычисле- вого
ках (ФТИАН). Исследования и разработки ведут-
ний на трех и более логиче- с чи
ся в США, Швеции, Франции, Нидерландах,
ских кубитах. Схемы изме- ских
Японии, Германии, Италии, Ю.Кореи, Швейца-
рения и управления для
рии
компьютеров с числом ку-
битов порядка 20–30
товые компьютеры
Разработано несколько уникальных принципов
нове других («уни-
построения физических кубитов. Проводятся
ных») принципов
экспериментальные исследования
роения кубитов
283
8.12. Наноэлектронные системы для беспроводной связи
Разработки УБИС и ГИС обеспечивают широкие перспективы внедрения
радиочастотных систем в пределах таких объектов, как помещения, самолеты,
ракеты, автомобили и др.
Возможности бесконтактного доступа к объектам разной природы и деше-
визна чипов определяют высокие темпы развития техники радиотехнической
идентификации (РФИД). Такие системы востребованы всеми видами транс-
портных средств, торговлей, пограничными и охранными службами. Одна из
реализаций системы радиочастотной идентификации (REID, КАШВ) изображе-
на на рис. 8.56.
В системе используется спутниковый передатчик, GPS-приемник (транс-
пондер), REID-приемопередатчик стандарта «Bluetooth», радиометка паллеты
однокристальные GPS-приемник и REID-приемопередатчик (зона действия
50 м), MEMS-блок пространственной коррекции; радиометка упаковки; одно-
кристальные GPS-приемник и REID-устройство (зона действия 10 м); радио-
метка товарной единицы: передающее REID-устройство (зона действия 10 м).
Спутник
Система реги-
страции резуль-
татов идентифи- Транспондер
кации
Система Система Система

Пользователь радиометки радиометки радиометки
палеты упаковки товарной еди-
ницы
Рис. 8.56. Схема реализации системы радиочастотной идентификации
Многие РФИД-системы являются изделиями двойного применения и мо-

гут быть использованы для мониторинга охраняемых территорий, передвиже-
ния персонала, антитеррористической деятельности (сенсорные поля).
Возможности мобильности, интеллектуализации и глобального доступа
через космические радиолинии определяют развитие системотехники подобно-
284
го рода аппаратуры: от встроенных в мобильный аппарат навигационных си-
стем (GPS) и комплекта датчиков к мобильным беспроводным системам и да-
лее к системам беспроводной сенсорной сети, получившим название «Умная
пыль».
«Умная пыль» это крошечные компьютеры, соединенные в единую бес-
проводную сеть и имеющие возможность собирать, обрабатывать и передавать
информацию. Они должны обладать большим запасом энергии для автономной
работы и иметь низкую стоимость.
Мобильный телефон как системообразующая основа индивидуальной бес-
проводной системы должен содержать: сенсоры, лабораторию на чипе, видеока-
меру с процессором, приемопередатчик, центральный и мультимедиа процессо-
ры, смарт-SIM, GSM карты, системную память (DRAM, SRAM, UtRAM), допол-
нительные системные чипы, флеш и массовую память, модемы GSM/GPRS,
WCDMA, CDMA-1.
Эти компьютеры должны не только различать окружающий мир, но и са-
мостоятельно действовать в зависимости от его состояния. Это требование мо-
жет быть воплощено с помощью проактивной системной концепции.
В отличие от обычного используемого интерактивного метода взаимодей-
ствия человека – оператора с машинным интеллектом проактивный метод сво-
дит это взаимодействие к минимуму, автоматизируя процесс принятия решения
внутри вычислительной программно-аппаратной структуры. При этом ради-
кально изменяется роль человека.
Сенсорные микрокомпьютеры становятся более самостоятельными, при-
обретая качества «здравого смысла», угадывающего запросы среды, техниче-
ской системы или человека, задолго до их поступления.
Исходя из вышесказанного, можно сделать вывод о перспективности со-
здании самоорганизующихся сетей из приемопередатчиков, управляемых мик-
рокомпьютерами, наделенными определенным интеллектом и автономным пи-
танием «пылинок» размером порядка 1мм3.
Развитие электроники в значительной степени связано с разработкой бес-
проводных сенсорных сетей, где сотни миллиардов микроскопических датчи-
ков смогут реагировать на окружающую среду и контактировать друг с другом
беспроводным образом, решая массу полезных задач.
Системная концепция беспроводных проактивных сенсорных систем озна-
чает новую роль электроники и приведет к созданию высокоэффективных
наноэлектронных изделий двойного применения.
Комплектация многих жизненно важных систем, таких как оборонные и
медицинские не может импортироваться из других стран. Отсюда очевидно
необходимость опережающего развития отечественной нано- и микроэлектро-
ники как локомотива инновационной индустрии.
8.13. Перспективы разработок наноэлектронных систем

До последнего времени прогресс в микроэлектронике – повышение функ-
циональной сложности и быстродействия – достигался за счет уменьшения раз-
меров элементов без изменения физических принципов их функционирования
285
(так называемое масштабирование). При переходе к наноразмерам возникает
качественно новая ситуация, когда все в большей мере проявляется волновая
природа электронов, т.е. проявляются квантово-механические эффекты (раз-
мерное квантование, туннелирование, интерференция и т.п.). Другими слова-
ми, с одной стороны, квантовые эффекты ограничивают возможности дальней-
шего использования традиционного масштабирования, а с другой – открывают
возможности создания новых функциональных элементов, позволяют исполь-
зовать принципы обработки информации, характерные для биологических объ-
ектов.
Очевидно, что традиционная кремниевая технология, базирующаяся на ли-
тографии и травлении, не может обеспечить требования по размерам и раз-
бросам, предъявляемым к нанообъектам. Здесь на передний план все больше
выдвигаются наноструктуры и нано-структурированные материалы. По сути
это искусственные материалы, в которых требуемая зонная структура обес-
печивается выбором веществ, из которых изготавливаются отдельные слои
(«зонная инженерия»), толщинами слоев («размерное квантование»), измене-
нием связи между слоями («инженерия волновых функций»). Эти подходы к
полупроводниковым наноструктурам уже сегодня позволили создать промыш-
ленные приборы: лазеры ближнего и дальнего инфра-красного (ИК) диапазона,
фотоприемники, высокочастотные транзисторы с высокой подвижностью элек-
тронов, одноэлектронные транзисторы, различного рода сенсоры. Наряду с по-
лупроводниковыми наноструктурами, о которых шла речь, все больше внима-
ния привлекают альтернативные полупроводникам наноматериалы:
– магнитные наноструктуры;
– молекулярные наноструктуры;
– фотонные кристаллы;
– фуллереноподобные материалы;
– конструкционные наноматериалы.
В магнитных многослойных наноструктурах с чередующимися ферромаг-
нитными и диамагнитными слоями наблюдается эффект гигантского магнито-
сопротивления (GMR), что весьма перспективно для создания сред со сверх-
плотной записью информации и новых типов датчиков магнитного поля.
Молекулярные наноструктуры уже являются неотъемлемой частью нано-
технологии, но они все большее внимание привлекают к себе как самостоятель-
ные объекты молекулярной электроники. С точки зрения развития наноэлек-
троники, здесь можно выделить три основных группы: полимеры, молекуляр-
ные ансамбли (Self-Aggregated Systems) и единичные молекулы (Smart Mole-
cules).
Фотонные материалы можно выделить из перечня наноматериалов, так как
они обладают специфическими свойствами. Это упорядоченные системы, в ко-
торых имеется зонный спектр для фотонов. Примерами служат опаловые мат-
рицы и самоорганизованные нано-пористые структуры, например, на основе
оксида алюминия. Такие материалы позволяют продвинуться в области созда-
ния низкопороговых лазеров, приемников излучения, систем управления свето-
выми потоками, а также служат упорядоченными подложками в нанотехноло-
286
гии.
Фуллереноподобные материалы на основе углерода и других неорганиче-
ских материалов стали интенсивно изучаться последнее время и сейчас рас-
сматриваются как одни из самых перспективных материалов для наноэлектро-
ники и микроэлектромеханики благодаря совокупности таких свойств, как уни-
кальная прочность, управляемое изменение размеров от единиц до сотен нано-
метров, возможность заполнения полостей молекулами газов, органических и
неорганических молекул, атомов металлов, а также управляемые физические
свойства, эффективная автоэмиссия. Молекулярный характер фуллереноподоб-
ных материалов открывает дорогу для химических методов сборки (самоорга-
низации) функциональных структур на основе таких материалов.
Наконец, наноматериалы могут привести и уже приводят к созданию но-
вых конструкционных материалов, сочетающих высокие прочность и пластич-
ность, термо- и коррозионную стойкость, низкую воспламеняемость. Такие ма-
териалы необходимы при создании микро- и нанороботов, работающих в спе-
циальных условиях и средах.
Технология. В разных областях науки и техники перед нанотехнологией стоят
различные задачи и цели, степень решения которых находится на разном
уровне рeaлизации. Так, современные интегральные схемы уже сегодня содер-
жат элементы нанометрового масштаба. Например, толщина подзатворного ди-
электрика в МОП-транзисторах уже достигла величин 5 – 10 нм. Латеральные
размеры ИС в ближайшее время также преодолеют барьер в 100 нм. Скорее
всего, вершиной развития нанотехнологии станет создание методов химической
сборки органических и неорганических веществ по аналогии с тем, как это де-
лает природа в биосистемах на протяжении многих миллионов лет. Уже сего-
дня нанотехнологи либо используют структурные принципы живых систем
применительно к разным соединениям, либо используют сами биосистемы для
разных целей. Хотя нанотехнология преследует главную цель – создание нано-
приборов, но подходы у разных исследователей весьма различны. Здесь опре-
делились два главных принципа: «сверху – вниз» и «снизу – вверх».
Принцип «сверху – вниз» - это миниатюризация традиционных микроэлек-
тронных схем и микроэлектромеханических устройств до наноразмеров.
Перспективный прогноз ITRS (International Technology Roadmap for Semi-
conductors 2002 Update) показывает, что традиционные подходы к созданию
наноструктур к 2020 г. позволят лишь приблизиться к размерам 10 нм
(таблица 8.10).
Таблица 8.10. Состояние и прогноз развития технологий
Год 2001 2004 2007 2010 2013 2016
Размер, нм 130 90 65 45 32 23
Принцип «снизу-вверх» – это создание наноприборов и наноустройств, со-
бранных из молекул или атомов. Основной недостаток первого принципа со-
стоит в том, что стоимость новых производственных линий, гарантирующих
субнанометровое разрешение, становится препятствующим фактором, и к
2020 г. этот диапазон размеров недостижим с применением существующих
287
технологических методов. Главным недостатком второго принципа является
высокая проблематичность создания желаемых компонентов на основе управ-
ляемых ансамблей из атомов, молекул и строительных блоков и отсутствие
промышленных методов для серийного производства наноприборов. Возможно,
баланс между этими двумя принципами приведет к положительному результа-
ту.
Эти направления в настоящее время находятся на различных стадиях ста-
новления. Так, литографические методы, использующие высокоэнергетичные
излучения, в настоящее время обеспечивают размеры до 50 нм, а в ближайшей
перспективе достигнут предела 10–20 нм. Однако это потребует развития мето-
дов «наноимпринтинга» (переноса изображения с помощью нанометровых
структурированных штампов), в основном на стадии изготовления шаблонов.
Кроме того, импринтинг будет использован и непосредственно для формирова-
ния топологии наноструктур. Эти методы потребуют также разработки систем
точного (на нанометровом уровне) позиционирования, например на основе уст-
ройств, базирующихся на сканирующих зондовых микроскопах.
Методы создания наноструктур и наноприборов с помощью сканирующих
зондовых микроскопов (зондовая нанолитография) к настоящему времени раз-
виваются в России и за рубежом одинаковыми темпами. При этом уже достиг-
нуты предельные значения разрешающей способности (манипулирование от-
дельными атомами), однако производительность остается чрезвычайно низкой,
и даже прогнозируемое фирмой IBM создание в 2005 г. картриджа, содержаще-
го 4000 зондов, не обеспечит быстродействия, соизмеримого с современными
сканирующими лучевыми системами. В то же самое время известны различные
технологические приемы, обеспечивающие формирование упорядоченных мас-
сивов наноструктур на большой площади. Это методы осаждения наночастиц
из коллоидных растворов (искусственные опалы, массивы наношаров из латек-
са, специальные методы нанесения регулярных нанодисперсных металлических
структур) и электрохимические методы (пористые оксиды и полупроводники).
Однако и в этой области существует ряд нерешенных проблем, главная из ко-
торых – невозможность трансляции идеального порядка на больших площадях.
Как правило, размеры упорядоченных областей не превышают нескольких
микрометров.
Высшим этапом развития нанотехнологии станет сборка наноструктур из
отдельных атомов и молекул. Основополагающие принципы этих процессов
при создании твердотельных наноструктур были развиты в середине 1960-х го-
дов член-корр. РАН Алесковским В.Б., метод получил название «молекулярное
наслаивание». Значительные успехи достигнуты при формировании квантово-
размерных структур при эпитаксиальном наращивании полупроводников из
молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме. Принципиально новые воз-
можности в области создания наноструктур появились после разработки мето-
дов получения углеродных наноструктур (фулеренов и углеродных нанотру-
бок). Однако все перечисленные методы характеризуются одним главным не-
достатком: распределение наноструктур в пространстве плохо контролируется,
что приводит к образованию слоев или хаотически расположенных кластерных
288
массивов. Поэтому данные методы пока применяются только в приборных
микроструктурах. Тем не менее, они имеют одно общее свойство: образование
наноструктурированного объекта стимулируется функциональными поверх-
ностными группами или областями поверхности, управление простран-
ственным распределением которых сделает возможным создание упорядочен-
ных ансамблей изолированных нанокристаллов с прогнозируемыми функцио-
нальными характеристиками. Скорее всего, прорыв в этой области станет воз-
можным на основе разработанных методов нанолитографии и самоорганизации,
т.е. после 2015 г.
Функциональные устройства. Тенденции развития функциональных
устройств отражены в таблице 8.11. Разделы таблицы соответствуют основным
системам живых существ, обладающих максимальными возможностями для
выживания при минимальных энергозатратах. Такой подход не только ставит
ориентиры для технического совершенствования, но и подсказывает пути, по
которым должна развиваться технология.
В первой графе таблице 8.11 представлены данные, относящиеся к крем-
ниевой КМОП-технологии. Видимо, в течение рассматриваемого периода вре-
мени она будет вполне конкурентоспособна в области создания процессоров и
динамических запоминающих устройств. Отметим только, что за счет удорожа-
ния необходимого оборудования и средств контроля, стоимость завода соответ-
ствующими нормами проектирования возрастет с 1,5–3 млрд. долларов до 6-8
млрд. долларов в 2010 г..
В таблице 8.11 приведены данные по динамической магнитной памяти, ко-
торая бурно развивается благодаря использованию новых эффектов - спиновом
туннелированию, спиновой инжекции, с одной стороны, а с другой, благодаря
достижениям нанотехнологии, использованию наноимпринтинга или упорядо-
чения пор в материалах типа А12О3 для получения рисунка.
Обычно в качестве альтернативы КМОП-приборам рассматривают резо-
нансно-туннельные диоды (РТД) и транзисторы (RTD), одноэлектронные тран-
зисторы (SET), сверхпроводящие приборы (RSFQ Logic) и молекулярную нано-
электронику. RSFQ-технология – единственная из известных, сочетающая вы-
сокое быстродействие (более гигагерца) и рассеиваемую мощность менее
1 мкВт/затвор. Однако стоимость и размеры систем охлаждения ограничивают
разработку и широкое использование таких приборов.
Основу приборов молекулярной наноэлектроники составляют молекуляр-
ные кластеры или отдельные молекулы. Теоретические оценки показывают, что
устройства молекулярной электроники будут превосходить ожидаемые крем-
ниевые аналоги по плотности элементов и рассеиваемой мощности, но уступать
по быстродействию. К сожалению, сегодня имеется слишком мало эк-
спериментальных результатов для серьезных оценок.
Хотя одноэлектронные транзисторы давно привлекают внимание исследо-
вателей, они не могут составить конкуренцию КМОП-приборам в схемах
большой интеграции из-за недопустимого разброса параметров, необходимости
использования низких (<77К) температур, специальной архитектуры. В то же
время эти приборы уже находят свою нишу как превосходные сенсоры.
289
Таблица 8.11. Тенденции развития функциональных устройств
2003 г. 2010г. 2015г. 2020 г.
Системы обработки информации:

Динамические ЗУ бит/см2 5∙108 3∙109 2∙1010 1∙1011
(DRAM) 1010 5∙1011 >1013
Магнитные ЗУ бит/см2 (МRAM) 109
Логика
Плотность, транз/см3 2∙107 2∙108 6∙109 2∙109
Быстродействие, Гц 1,7∙109 7∙109 14∙109 30∙109
Системы передачи информации, 1,5 10 50 200

Гбайт/с
Системы распознавания и отоб- Повышение чувствитель- Распознавание

ражения информации, сенсоры ности, уменьшение габа- отдельных атомов
ритов, расширение спек- и молекул в ре-
тра измеряемых величин альном масштабе
времени, реги-
страция единич-
ных фотонов.
Создание плоских и гиб- Совмещение дис-
ких экранов любой конфи- плеев с сенсорами
Дисплеи, экраны
гурации и размеров по- для визуализации
вышенной яркости информации
Резонансно-туннельные и гетероструктурные приборы уже прочно завое-

вали нишу сверхбыстрых переключателей, смесителей, цифровых сигнальных
процессоров, АЦП и цифро-аналоговый преобразователь (ЦАП), т.е. там, где
соотношение стоимость/функция не является определяющим. Но для ис-
пользования РТД в схемах большой интеграции (по мнению большинства спе-
циалистов) требуются еще значительные усилия.
В последние несколько лет все большее внимание уделяется вакуумной
наноэлектронике, использующей автоэмиссионные свойства углеродных нано-
трубок. Вначале усилия были направлены на их применение в плоских экранах,
однако теперь появились сообщения об их использовании в наноприборах –
аналогах вакуумных ламп. При этом разработана планарная конструкция, поз-
воляющая реализовать большую степень интеграции. Оценки показывают, что
при нормах проектирования 20 нм плотность элементов в ЗУ может достигать
1010–1011 см2. Большое быстродействие (до гигагерца), широкий диапазон тем-
ператур (>300°С) и ожидаемая стойкость к спецвоздействиям открывают широ-
кую дорогу этим приборам для двойного применения.
В графе «системы передачи информации» указаны лишь прогнозируемые
скорости передачи данных. На самом деле речь идет, прежде всего, об освоении
290
терагерцового и субтерагерцового диапазонов. Здесь продвижение наблюдается
как со стороны длинноволновых лазеров на основе наногетероструктурных
сверхрешеток и фотонных кристаллов, так и со стороны сверхвысоко-
частотных (СВЧ) приборов на основе эффектов резонансного туннелирования.
Добавление мультиспектральной визуализации (видимой, ИК, миллиметровой
(ММ), СВЧ, акустической) информации позволяет говорить о всемирной мгно-
венной связи, идентификации опасности, помощи, общения на разных языках и
т.п. Резкое повышение чувствительности сенсоров связывается с использовани-
ем квантовых (резонансных) явлений в нанообъектах, высокой поверхностной
чувствительности наноструктурированных материалов. При этом предпола-
гается уменьшение габаритов датчиков и увеличение степени их интеллектуа-
лизации. Серьезные усилия будут направлены на создание плоских и гибких
экранов повышенной яркости любых размеров и конфигураций - проекционных
экранов, табло, дисплеев, очков-экранов. При этом предполагается существен-
ное снижение потребляемой мощности. Наиболее перспективные направления
– лазерные и светодиодные матрицы для проекционных экранов и ав-
тоэмиссионные катоды на основе углеродных нанотрубок для плоских экранов
любой сложности.
Последнюю графу таблицы трудно охарактеризовать количественно, т.к.
речь идет о создании автономных роботизированных систем от космических
(системы мини-спутников) до биосовместимых микророботов, используемых в
живых объектах. Однако уже четко видна тенденция уменьшения размеров.
Так, сегодня экспериментально показана возможность перемещения одной
нанотрубки в другой и использования колебательных режимов (частоты ~ 1
ГГц). Вообще возможность создания вращающихся нанообъектов (вплоть до
молекулярного уровня) является принципиальной проблемой. Развитие авто-
номных, электромеханических систем связано с проблемой энергопотребления,
поэтому необходима разработка новых принципов источников питания, в част-
ности химических.
ГЛАВА 9. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
МИКРО - И НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ
СИСТЕМ

Страны, определяющие научно-технический прогресс, при выборе сво-
их национальных интересов используют термин «критические технологии».
Как правило, скупой перечень критических технологий характеризует уро-
вень интеллектуального потенциала нации и, безусловно, желание и спо-
собность государства обеспечить его развитие. Бытует мнение, что с точки
зрения материаловедческого базиса XIX век был веком нефти, а двадцатое
столетие подарило нам кремний – основу практически всех современных
информационно-управляющих, радиоэлектронных и коммуникационных
систем. И все же, одним из самых замечательных научно-технических до-
стижений конца XX века, стали не очередной сверхбыстрый процессор или
гигантская память, а так называемая, микромеханическая миниатюра, про-
цесс создания которой, базируется на чрезвычайно высоко развитой куль-
туре кремниевой технологии. В 1982 г. сотрудник фирмы IBM К. Петерсон
по новому взглянул на кремний, увидев в нем не только полупроводнико-
вый, но и конструкционный «механический» материал.
Появление миниатюрных устройств, в которых гальванические (элек-
трические) подсистемы интегрируются на микроуровне с механическими,
породило новое направление, получившее с 1987 г. аббревиатуру MEMS
(МЭМС) (микроэлектромеханические системы). В настоящее время в миро-
вой практике для обозначения фактически одного и того же направления
наиболее часто используют понятия: США – MEMS и MOEMS (микроэлек-
тромеханические и микрооптомеханические системы); Япония –
MIKROMACHINES (микромашины), Европейские страны – MST –
MICROSYSTEM TEHNOLOGY (дословно, технология микросистем).
В России с 1996 г. в «Перечне критических технологий Федерального
уровня» официально используется термин «Микросистемная техника», а в
утвержденном президентом России 30 марта 2002 г. «Перечне критических
технологий Российской Федерации» микросистемная техника внесена как
самостоятельная критическая технология, содержание которой определено
следующим образом: «Сверхминиатюрные механизмы, приборы, машины с
ранее недостижимыми массогабаритами, энергетическими показателями и
функциональными параметрами, создаваемые интегрально-групповыми
экономически эффективными процессами микро- и нанотехнологии».
9.2. Области применения МЭМС и НЭМС

Микроэлектромеханические и наноэлектромеханические системы (МЭМС
и НЭМС) имеют широкие перспективы внедрения в вычислительной технике,
телекоммуникационной технике, а также в бытовой, автомобильной и меди-
292
цинской технике. Самые высокие темпы развития в период с 2007 г. по 2012 г.
ожидаются в области телекоммуникаций (до 40%).
В последнее время расширение функциональных возможностей бытовой
техники стало стимулом более широкого применения в микроэлектромеханиче-
ских систем (МЭМС). Ниже приводятся данные о развитии МЭМС. Примером
МЭМС является сотовый телефон, который постоянно дополняется новыми
функциями: фотоаппарат, определение координат (GPS), доступ к сетевым
структурам и т.д. Нужно обеспечить не только сами новые функции, но и кон-
троль за их выполнением, например, стабилизацию изображения фотоаппарата
или предотвращение повреждений от случайного удара или падения и т.п. В оп-
ределенной мере это можно назвать МЭМС-системой безопасности телефона
или переносного компьютера. В еще большей степени проблема обеспечения
безопасности с помощью средств микросистемной техники касается ав-
тотранспорта. Системы активной и пассивной безопасности пассажира и авто-
мобиля практически всегда включают МЭМС-устройства. В автомобилях вы-
сокого класса число их типов достигает 100 наименований. В качестве примера
приведем последнее требование обеспечения контроля давления в автошинах.
Простое умножение числа выпускаемых автомашин (50–60 млн. шт. в год) на 4,
дает представление о потребностях в МЭМС. Революционное значение мик-
росистемы (МС) могут сыграть в обеспечении контроля уровня поддержания
жизнедеятельности самого человека. С помощью МСТ может быть решена ос-
новная проблема – постоянный контроль психофизического состояния челове-
ка и его коррекция за счет индивидуальных носимых или имплантированных
МС. Аналогичным образом контроль за состоянием среды обитания человека
также может осуществляться в значительной мере за счет МСТ, В последнее
время существенное значение приобретают различные МС безопасности и систе-
мы предупреждения и предотвращения террористических угроз. С помощью но-
вых типов МСТ совершенно по-новому решаются проблемы контроля состояния
индустриальных систем, зданий и сооружений. Практически эта форма ин-
женерной деятельности стала возможной именно благодаря МСТ. Преимущества
МСТ, обеспечивающие ей все большее применение, базируются на трех основ-
ных тенденциях ее развития: дальнейшей миниатюризации, уменьшении энер-
гопотребления на функцию и увеличении числа самих функций. Дальнейшая
миниатюризация МСТ в основном связана с возможностью использования в ее
конструкциях элементов, созданных на основе нанотехнологии. Хотя тенденция
применения нанотехнологий в технике является общей, именно микросистем-
ная техника наиболее подготовлена к восприятию средств нанотехнологий с
учетом близости размерных факторов микро- и нанообъектов. По этой причине
МСТ считают естественным мостом между нано- и макрообъектами. Примера-
ми использования нанотехнологий могут служить датчики физических и хи-
мических величин, в которых эффективность чувствительного элемента повы-
шается за счет использования наноэлементов (например, углеродных нанотру-
бок) или наноструктурированных материалов (включая нанопорошки и нано-
поры). Поэтому можно считать включение нанокомпонентов в конструкции МС
одной из важнейших тенденций современного развития МСТ.
293
МС обычно разделяют на встроенные и автономные. Пока наибольшее распро-
странение имеют встроенные МС. Однако сами системы верхнего уровня, в ко-
торые встраиваются МС, часто являются автономными. В качестве примера
приведем тот же сотовый телефон. Это накладывает ограничения на размеры и
энергопотребление компонентов МС. В целом можно говорить о тенденции ро-
ста автономных МС. Она еще более увеличивается за счет развития сетевых
беспроводных МС. В них МС является автономной структурой по задачам и
энергообеспечению, но служит элементом распределенной сети с общим Целе-
вым назначением, например, известная «умная» пыль. Рост доли беспроводных
МС является несомненной тенденцией современного этапа развития МСТ.
Беспроводная связь может быть осуществлена по разным каналам, наибольшее
распространение получили радиочастотные каналы разных частотных диапазо-
нов. Одинаковые принципы передачи информации для датчиковых беспровод-
ных систем (БПС) и систем радиоидентификации (RFIT) позволяют организо-
вать на их основе так называемую «всепроникающую» датчиковую систему
(Ubiquitous sensor networks).
Сетевые МСТ – только часть систем БПС на базе радиоканалов. Вопросы
надежности передачи информации в условиях интерференционных помех от
других радиоисточников близкого диапазона играют существенную роль в раз-
работке РЧ приемников и передатчиков, особенно в условиях большой концен-
трации радиоисточников на площади, где расположена сеть. Приемопередаю-
щие устройства должны адаптироваться к окружающей обстановке (cognitive
radio network), для этого они должны обладать определенным интеллектом, за-
ложенным в программу микропроцессора (программное управляемое радио –
software defined radio platforms). Существенную проблему такого ин-
теллектуального радио – необходимость точного выделения каналов и пере-
ключения между ними – оказалось возможным решить с помощью РЧ МЭМС-
ключей и фильтров/генераторов. Явный прогресс РЧ МЭМС в последнее время
можно считать еще одной тенденцией современного развития МЭМС. В каче-
стве примера можно привести агрессивную политику молодых американских
фирм, направленную на частичную замену пьезокварцевых осцилляторов на
МЭМС-устройства с ориентацией на миллиардный рынок. Не уступая по техни-
ческим параметрам предшественникам, они должны быть существенно дешев-
ле. В определенной мере прогресс РЧ МЭМС связан с тенденцией все более
широкого проникновения МЭМС-изделий на рынок бытовой техники (сотовые
телефоны, игровые системы). Во всех этих случаях характерным является ис-
пользование интегрированных МЭМС-устройств. Например, в одном корпусе
могут быть (в том или ином составе) датчик температуры, датчик давления, од-
нотрехслойные микроакселерометры, микрогироскопы и т.д. Интеграция ком-
понентов требует расширения их электронной составляющей (ИС-
составляющей). Она должна обеспечить обработку сигнала ЧЭ (кондициониро-
вание, коррекция, преобразование АЦП (ЦАП), усиление, формирование нуж-
ного интерфейса, самотестирование/самовосстановление, обработка по-
лученной информации, выработка алгоритмов работы, формирование и переда-
ча информации внешнему потребителю, включая сети). Большой перечень со-
294
става ИС-составляющей МЭМС позволяет сформулировать ее возрастающую
роль и роль поддерживающего программного обеспечения как еще одну новую
тенденцию развития МЭМС в настоящее время.
При решении проблем оптимизации ИС-составляющей по размерам и энерго-
потреблению многие из них решаются более просто при совместимости техно-
логий изготовления компонентов МЭМС с КМОП-технологией ИС. Однако
общее возрастание числа потребителей в составе МЭМС-конструкции требует
самостоятельной оптимизации выбора источников энергии. В качестве примера
приведем распределение энергетических потребностей между компонентами
интегрального датчика (см. таблицу 9.1).
Таблица 9.1. Потребление энергии в компонентах сенсорной
беспроводной микросистемы
Время ра- Энергия,
Компонент Потенциал, В Ток, мкА
боты, с мДж
Сенсор и цепи пи-
5 175 1,2 1,05
тания
Аналоговые цепи 3 250 1,2 0,90
Микроконтроллер
в режиме ожида- 3 30 1,0 0,09
ния
Микроконтроллер
3 8∙103 0,5 12,0
в рабочем режиме
Радио 3 20 0,1 6,0
Общее 20,06
В разработке IMЕС для беспроводного датчика содержания кислорода в крови

источником энергии служил термогенератор, содержащий 5000 микротермопар
и развивающий суммарную мощность порядка 100 мкВт при градиенте темпе-
ратур 14 ºС. При суммарном потреблении около 89 мкВт большая часть энергии
использовалась сигнальным процессором и системой оптического чув-
ствительного элемента (примерно 80%). Для передачи сигнала по БПС потреб-
лялось только 5% энергии. Этот пример показывает, что, в принципе, БПС-
датчик может работать в диапазоне десятков микроватт.
В общем, проблема выбора источника энергии для автономных миниатюрных
устройств (например того же мобильного телефона) решается одинаково. Вы-
бирается основной источник энергии, дополненный устройствами восполнения
(энергосбережения) и накопления энергии. Все они основаны на преобразова-
нии какого-либо вида энергии (механической, химической, электромагнитной,
тепловой, ядерной и др.) в электрическую. Каждый из источников может слу-
жить основным или дополнительным. Выбор основывается на сопоставлении
удельной энергии и удельной мощности источника, приведенной к единице
массы, объема или площади источника. В качестве основного источника чаще
всего в настоящее время используются ионно-литиевые перезаряжаемые бата-
реи, т.е. химические элементы. В последнее время начинают использоваться и
295
другие химические источники энергии, например топливные элементы. Их
преимущество видят в более длительной работе по сравнению с батареями и
возможности использования в качестве энергоносителей доступных, недорогих
и экологически чистых веществ (углеводороды, Н2, Н2О и т.д.). С точки зрения
долговечности их превосходят ядерные источники (при обеспечении ра-
диоактивной безопасности), но их использование практически ограничивается
устройствами, применяемыми для специальных и экстремальных условий экс-
плуатации. Такие источники, как фотовольтаические, вибрационные, термо-
электрические на первый взгляд имеют большое преимущество «даровой» ис-
ходной энергии. Однако, во-первых, ввиду высокой стоимости устройств пре-
образования реальная цена 1 Вт электроэнергии может быть дорогой (напри-
мер, для современных вольтаических источников). Во-вторых, существуют
ограничения на параметры источников энергии. Например, для вибрационных
источников узким местом является равенство частоты вибрации и собственной
частоты механического элемента вибрационного источника электроэнергии.
Для термоэлектрических преобразователей важен градиент температур. В ре-
альных случаях он лежит на уровне нескольких единиц или десятков градусов.
Поэтому источники подобного рода чаще используются как дополнительные. В
условиях эксплуатации может быть важна не запасенная энергия, а удельная
мощность источника. В связи с этим эффективным можно считать комплекс-
ный источник: основной источник, источник восполнения и сбережения энер-
гии и собственно накопитель энергии. Функциональные особенности такого
рода источников были продемонстрированы на примере комплексного источни-
ка из батареи, топливного элемента и конденсатора. Их совокупность обеспе-
чивает работу МЭМС в разных режимах энергопотребления. Использование
комплексных источников питания можно рассматривать как еще одну тенден-
цию современного развития МЭМС.
Решение проблемы автономного источника энергии послужило мощным им-
пульсом развития биомедицинских МЭМС индивидуального использования.
Рассматривая тенденции современного развития МЭМС, следует отметить
быстрый прогресс, в том числе этих МЭМС. От общей идеи возможности ис-
пользования МЭМС в медицинских контрольных, аналитических и терапевти-
ческих устройствах в последние годы удалось перейти к использованию систем
анализа по конкретным заболеваниям (туберкулез, рак и т.д.) и развитию мето-
дов доставки терапевтических средств, для лечения конкретного органа. При
этом оказалось, что традиционные МЭМС, изготовленные методами микрооб-
работки кремния, часто не являются оптимальными. Лучшие решения стали
возможными на базе использования полимеров. Электронные устройства на ба-
зе полимеров (политроника) имеют ряд преимуществ. Гибкость и пластичность
полимера позволяет использовать для изготовления изделий такие высокопро-
изводительные операции, как штамповка и прокат. Развитая номенклатура по-
лимеров позволяет получить материалы со свойствами металла, полу-
проводника и диэлектрика. И хотя их электрофизические свойства могут усту-
пать, например, кремнию или меди, существует достаточно широкий класс из-
делий, для которых диапазон этих свойств, вполне приемлем. Перечень, допол-
296
ненный списком полимеров, которые могут стать источниками электрической
энергии, полученной по разным принципам преобразования, может служить
основой для создания широкой номенклатуры полимерных МЭМС. Они могут
иметь совершенно новые характеристики, например гибкость, а главное, они
могут быть существенно дешевле своих аналогов на базе кристаллических ма-
териалов. В определенной мере с полимерными материалами стыкуется так
называемый «умный» текстиль. Это материал, в который могут быть включены
различные гибкие компоненты электроники и МСТ. В результате одежда чело-
века становится информационным центром, который, с одной стороны, контро-
лирует его психикофизическое состояние, а с другой стороны, обеспечивает его
потребности в коммуникационных связях. Суммируя, отметим, что развитие
полимерных МЭМС является новой современной тенденцией развития МЭМС.
Применение полимеров МЭМС вносит вклад и в саму технологию МЭМС.
Пластичность и электрофизические свойства полимеров позволяют более де-
шевым способом решать проблемы сборки и корпусирования МЭМС, включая
3D-cбopкy.
Следует отметить, что в классическом варианте кремниевых МЭМС именно
сборка и корпусирование вносят до 90% в себестоимость изделия. Известный
вариант системы-на-кристалле имеет преимущества только при круп-
носерийном производстве и поэтому был воспринят микроэлектроникой. Для
серийного производства меньшего объема более оптимальными являются со-
временные варианты гибридной сборки: этажерочные 3D-конструкции, сис-
темы в корпусе, системы корпус на корпусе и т.д. Отличия серийного произ-
водства МЭМС от производства ИС стали причиной создания специфических
МЭМС-кремниевых технологий. Прежде всего, это высокоаспектное травление,
включающее возможность образования сквозных отверстий в полупровод-
никовой пластине для создания контактов между пластинами с различными из-
делиями на каждой пластине и образования 3D-cтpyктуры изделия. Другим, не
менее важным процессом, стало корпусирование на пластине. В этом случае
МЭМС-конструкции формируются в полости на пластине и после соединения
двух пластин оказываются в изолированном объеме. Разделение на кристаллы в
этом случае происходит после, а не до стандартного процесса корпусирования.
Условия процесса соединения пластин позволяют автоматически регулировать
остаточное давление в полости, содержащей МЭМС-конструкцию. Это важно,
например, для осцилляторных структур. Объемы, внутри которых расположены
функциональные элементы, могут быть созданы также за счет технологии тол-
стопленочных эпитаксиальных структур, которые будут выполнять роль второй
покрывающей пластины кремния. Эффективность этих технологических про-
цессов МЭМС привела к тому, что микроэлектроника, которая первоначально
служила донором идей технологических процессов МЭМС, сама стала ис-
пользовать технологии МЭМС. Создание собственных важнейших технологий
МЭМС следует считать хотя и уже не новой, но важной тенденцией современ-
ного этапа развития МЭМС.
Как и для других современных высокотехнологических изделий, для МЭМС
определяющим фактором рыночного успеха является отношение «це-
297
на/качество». Если качество зависит от уровня разработки изделия, то его цена
определяется технологией массового производства. Критерием эффективности
производства МЭМС по технологии кремниевой микрообработки, служит ко-
эффициент выхода годных кристаллов с пластины. Рост размера кристалла
вследствие роста функциональной сложности ИС или МЭМС требует увеличе-
ния диаметра пластины. В микроэлектронике это означает переход к пластинам
300 мм и в дальнейшем к 450 мм-пластинам, а для МЭМС – к 200 мм-
пластинам.
9.3. Состояние и перспективы разработок МЭМС и НЭМС

Активность в области разработок МЭМС и НЭМС проявляет ряд отече-
ственных и зарубежных фирм.
Analog Devices, США. Занимается разработкой полупроводниковых дат-
чиков температуры, магнитного поля, микромеханических датчиков, микроги-
роскопы и другие приборы. Все они имеют как цифровые, так и аналоговые вы-
ходы.
Гироскопы делятся на два основных класса: свободные гироскопы (астати-
ческие, хранящие заданное направление) и датчики угловой скорости (ДУС), к
которым и относятся гироскопы iMEMS. В последних для создания чувстви-
тельных элементов датчиков применена технология тонкослойного травления.
Гироскопы можно сравнивать по различным характеристикам: массогабарит-
ным показателям, энергопотреблению, стоимости, надежности, способности
работать в условиях вибрации.
В первую очередь всех интересует точность гироскопа. Для астатических
гироскопов основным показателем точности является остаточная скорость ухо-
да, тогда как точность ДУС характеризуется погрешностью измерения угловой
скорости. Гироскопы iMEMS предназначены для применения в тех устрой-
ствах, где интервалы автономной работы гироскопа достаточно малы, т.е. кор-
рекция проводится достаточно часто или непрерывно. Скорость ухода микро-
механических гироскопов составляет 10º/ч.
Несмотря на меньшую, в сравнении с другими гироскопами точность ги-
роскопы iMEMS обладают целым рядом достоинств. Это малые габаритные
размеры и масса. Масса ADXRS150/300 в корпусах 7×7×3 мм не превышает
0,5 г. В гироскопах предусмотрена встроенная система полного механического
и электронного автотестирования, которая функционирует без отключения дат-
чиков. Технология iMEMS обеспечивает устойчивость датчиков к ударам и
вибрации. Гироскопы ADXRS выдают стабильный выходной сигнал в присут-
ствии механических колебаний с ускорением до (2000∙g) в широком диапазоне
частот. Это свойство важно для таких систем, как например, автомобильный
датчик переворота. Переворот должен быть достоверно распознан электронны-
ми системами автомобиля на фоне помех от ударов и вибраций в результате
столкновения или выезда за пределы проезжей части.
Сигнал, получаемый с гироскопа, может быть использован также для: по-
вышения точности и надежности систем позиционирования и навигации (GPS),
стабилизации подвижных систем автомобилей, самолетов, роботов, антенн и
298
промышленного оборудования; ввода данных в портативные компьютеры и
других областях.
Гироскоп iMEMS объединяет на одном кремниевом кристалле датчик угловой
скорости (ДУС) и электронику, обеспечивающую предварительную обработку
и формирование сигнала. Схемы формирования сигнала, расположенные на
этом же кристалле, позволяют сохранить качество сигнала в условиях «шумно-
го» окружения (электромагнитных помех, шумов цифровых схем и
т.д.). Для схемы возбуждения чувствительных элементов требуется напряжение
питания 14–16 В. Так как на микросхему подается напряжение 5 В, то для по-
вышения напряжения питания на кристалле имеется схема «зарядового насоса»
с переключаемыми конденсаторами. Гироскоп имеет встроенную схему автоте-
стирования с цифровым управлением, которая работает при активном датчике.
В состав микросхемы входит датчик температуры для устройства и компенса-
ции погрешностей, вызванных изменением температуры.
Компания разработала одно- и двуосные акселерометры ADXL50, 150 и 250.
Приборы обладают точностью измерений, определяемой абсолютной погреш-
ностью (0,01∙g). Относительная погрешность 0,02%. Акселерометры традици-
онных конструкций (выполненные путем объемного травления емкостных яче-
ек, пьезоэлектрические, электромеханические) обеспечивают более высокую
точность измерений, чем iMEMS-датчики, но имеют столь значительную стои-
мость, что их применение оправдано лишь в прецизионных измерительных
комплексах.
Акселерометры ADXL 150/250 – микросистемы третьего поколения с диа-
пазоном измеряемых значений проекций вектора ускорения ±(50∙g). Они со-
держат формирователь сигнала, генератор, демодулятор, таймер и схему авто-
номного тестирования. ADXL250 – двуосный акселерометр, с двумя взаимно
перпендикулярными осями координат, лежащими в плоскости прибора. О
надежности ADXL250 свидетельствуют большие значения допускаемых крити-
ческих нагрузок. Проекция ускорения (длительность 0,5 мс) – 500∙g. Чувстви-
тельные элементы акселерометров выполнены в форме подвижного коромысла
с двухточечным креплением путем нанесения поликремния на SiO2. После
травления SiO2 коромысло остается в подвижном состоянии на расстоянии 1,6
мкм над подложкой. В сочетании с неподвижными элементами коромысло об-
разует 42-емкостные измерительные ячейки, полная емкость которых достаточ-
но линейно зависит от перемещения коромысла пропорционально приложенной
к нему силе. Предусмотрены также 12 ячеек для электростатического переме-
щения коромысла при автономном тестировании датчика – проверке чувстви-
тельного элемента. В ходе тестирования создается электростатическое усилие,
эквивалентное ~20% диапазона измеряемых значений ускорения.
Акселерометры применяются в качестве инерциальных датчиков в самых
различных областях.
Так, например, ADXL190 имеет настолько малые габаритные размеры и
массу, что это позволяет использовать его в качестве датчика ускорения непо-
средственно на диффузоре громкоговорителя. Благодаря введению обратной
связи по ускорению удалось добиться улучшения добротности акустических
299
систем. Акселерометры применяются в системах контроля уровня вибраций и
дисбаланса электродвигателей насосов, компрессоров, высокооборотных сти-
ральных машин. Они позволяют автоматически корректировать рабочие пара-
метры двигателей для достижения минимальных шумов и снижения энергопо-
требления. Акселерометры широко используются в автомобилях в качестве ко-
мандных датчиков подушек безопасности, в антиблокировочных системах тор-
мозов, системах охраны и сигнализации, автоматической коррекции наклона
фар, управлении активной подвеской и др. Перспективно применение акселеро-
метров в «черных ящиках», регистрирующих параметры движения автомобиля.
Акселерометры применяются в спортивных тренажерах для измерения траек-
тории движения тела спортсмена и непрерывного контроля отклонения от иде-
альной траектории, обеспечивающей достижение максимального спортивного
результата. Подобные системы могут использоваться для оптимизации спор-
тивных почерков, для подражания им в дальнейшем.
Фирма Ansys, США. Специализируется на разработках программного обеспе-
чения (ПО) для моделирования различных технологических процессов. При со-
здании ПО закладываются следующие концептуальные решения:
• они охватывают разные физические процессы;
• обеспечивают моделирование механических процессов;
• оценивают и описывают процессы в жидких и газообразных средах;
• включают электромагнитное взаимодействие (низкочастотные для электро-
двигателей, реле, соленоидов и магнитов, а также высокочастотные для радио-
и микроволновых приборов);
• позволяют оценить уровень качества и надежности проекта;
• обеспечивают причинно-следственное связывание моделирования (это есть
часть процесса анализа результатов автоматизированного проектирования, она
позволяет повысить точность, конвергенцию и скорость проектных решений).
Ansys разработал свыше 20 крупных пакетов САПР. ПО применяется для раз-
личных отраслей промышленности: аэрокосмической; автомобильной, химиче-
ской, электронной, МЭМС и др.
Группа EVG, США. Разрабатывает технологию, оборудование и международ-
ные стандарты по процессам обработки и выравнивания непланарной стороны
пластины с уже сформированными на планарной стороне микроизделиями
(например, для устранения «клина» пластин). После выравнивания пластины
передаются для последующего соединения (анодная термокомпрессия). Диа-
метр подложки 150, 200 и 300 мм. Продукция МЭМС:
• интегральный акселерометр, используется в автомобилях Ford;
• датчик давления, реагирует на давление в заборнике воздуха автомобильно-
го двигателя и передает информацию клапану топливной инжекции. Соотно-
шение воздуха и топлива оптимально рассчитано с учетом загруженности
транспортного средства;
• угловой датчик Делфи–Делко. Используется для активного управления
тормозами. Чип выполнен по технологии поверхностной микрообработки в ви-
де вибрирующей кольцевой структуры. Датчик герметичен и содержит два чи-
па, соединенных по технологии «подложка к подложке». Используется вакуу-
300
мированный корпус, чтобы кольцевой датчик (для номинальной работы) ввести
в резонанс.
Фирма Intelligent Micro Pattering, США. Разрабатывает фотолитографическое
оборудование для МЭМС. Основной продукт – экспозиционная система
SF-100, применяемая кроме фотолитографии в оборудовании для сборки
МЭМС, производстве оптического волокна и DWDM-компонентов,
оптоэлектронных устройств, микрожидкостных структур BioMEMS, анализе
отказов МЭМС. Система SF-100 в сочетании с оригинальной технологией «ум-
ного фильтра», разработанной в университете Флориды (США), дает воз-
можность проверки эксплуатационных характеристик МЭМС без производства
многочисленных фотошаблонов. Безмасочная технология существенно умень-
шает время разработки нового изделия и капиталовложения.
Принцип действия SF-1OO состоит в том, что компьютер связан с «умным
фильтром», чтобы обеспечить изображение для экспозиции. Эти изображения
создаются в компьютере и затем передаются «умному фильтру» для оптической
обработки образца. Для контроля точности позиционирования изображений на
подложке используется микроскоп. Применяется полихроматический источник
света. Свет, проходящий через фильтр, проецируется непосредственно на по-
верхность рабочей подложки. Область этого изображения обычно составляет
несколько квадратных сантиметров, поэтому используется пошаговое движе-
ние, чтобы засветить всю поверхность подложки (площадью до 200 мм2).
Кроме кремния, можно провести фотолитографию по следующим матери-
алам: гальванической меди (толщина от 1 до 300 мкм); гальваническому нике-
лю (используется технология сульфата/хлорида никеля при 40–45 °С); алюми-
нию; стали; кварцу; полидиметилсилоксану (элементы от 10 мкм до 10 мм); ди-
азотипным фоточувствительным ламинатам (пленки 15–20 мкм); фоточувстви-
тельной керамике; стеклу; пластмассам; GaAs; InP и др.
MEM Research, США. Разрабатывает программные средства моделирования и
проектирования МЭМС. Пакет EM3DS предназначен для электромагнитного
анализа МЭМС-переключателей, конденсаторов и монолитных СВЧ ИМС. Па-
кет представляет собой программу трехмерного электромагнитного моделиро-
вания квазипланарных многослойных структур и позволяет моделировать тол-
стые проводники, неоднородности в диэлектрике и эффекты в пьезоэлек-
трических материалах. Например, есть возможность анализа резонаторов на
объемных акустических волнах с учетом высокочастотных паразитных связей,
анализа акустических эффектов в средах с частотно-зависимыми связями. Про-
грамма дает возможность описывать распределенные и управляемые источники
токов, позволяет выполнить полное моделирование MESFET и НЕМТ транзи-
сторов. Она позволяет решать трехмерные интегральные уравнения и проекти-
ровать следующие устройства:
• фильтры высокой мощности, коаксиальные фильтры;
• фильтры с низким проходом и высоким проходом до 100 ГГц;
• двуплексоры, триплексоры, мультиплексоры до 100 ГГц;
• волноводы, ферритовые устройства, изоляторы, выключатели мощности и
др.
301
Шесть компаний, разработчиков САПР, входят в состав MEM Research: Oea,
Mician, Optimal, Star, Sonnet, Zeland Software.
MEMS Engineering and Material, США. Разрабатывает технологию изготов-
ления подложек для МЭМС, датчиков и устройств, служащих источниками
энергии. Развивает запатентованную технологию получения подложек «крем-
ний на изоляторе» с применением анодного приклеивания кремния на стекло
при слабом давлении. Склеивание, точнее слипание, основывается на сцепле-
нии двух зеркально гладких подложек силой Ван-дер-Ваальса при комнатной
температуре. Дальнейший отжиг укрепляет склеивание. Финишные шлифовка и
полировка утончают подложку до требуемого уровня. Анодное оклеивание за-
висит от миграции зарядов. При прикладывании строго определенного отри-
цательного заряда к стеклу ионы натрия в стекле мигрируют к отрицательному
электроду. При этом возникает пространственный заряд в области контакта
кремния и стекла. Этот пространственный заряд создает большую напряжен-
ность электростатического поля между кремнием и стеклом, которая прочно
удерживает оба материала. Попутно кислород из стекла переносится к стыку
стекла и кремния, формируется пленка SiO2, которая и создает прочное склеи-
вание.
Подложки «кремний на стекле» широко используются для производства
датчиков давления и фоточувствительных элементов. Эта оригинальная техно-
логия позволяет также получать подложки типа полупроводник/стекло с ис-
пользованием таких сложных полупроводниковых структур, как Si/сапфир,
Ge/Si, GaAs/Si, InP/Si. Технологические возможности разработчиков очень вы-
соки:
• изготовление монокремния методом Чохральского и методом зонной плав-
ки;
• резка, шлифовка и полировка стеклянных, кварцевых и различных полу-
проводниковых подложек, «стеклование» подложек;
• эпитаксиальное наращивание, формирование различными методами тонких
пленок А1, Сu, Аu, Cr, Ni, Pt, SiO2, Si3N4, поликремния;
• фотолитографические процессы, гальванические процессы, влажное и сухое
травление материалов.
Planar, США. Разрабатывает плоскопараллельные плазменные и жидкокри-
сталлические мониторы и дисплеи различных размеров и для различного при-
менения (см. таблицу 9.2). Planar проявляет большой интерес к микрозеркалам
и их применению в оборудовании нового поколения. Особенность чипов – ком-
поненты микромеханики произведены прямо на подложке микроизделия. Что-
бы реализовать проекцию света с использованием микрозеркал применяют две
технологии: DLP (Digital Light Projection) и DMD (Digital Mirror Device). Вооб-
ще говоря, оптические МЭМС-зеркала используются для отклонения света, пе-
редаваемого в оптическом волокне, и для создания цифровой проекции.
302
Таблица 9.2. Применение и особенности дисплеев и мониторов
Применение Особенности дисплеев и мониторов
Банкоматы Из ванадиевого стекла, с высокой контрастностью и яркостью
даже при попадании прямых солнечных лучей
Оборудование, Высокая надежность, адаптированы к вибрациям, ударам, па-
транспорт рам различных жидкостей
Авиация Работают в экстремальных условиях
Медицина От малых, с высоким разрешением для радиологии, до боль-
ших (на всю стену) для демонстрации операций в студенче-
ской аудитории
Учреждения Большого формата для проектных работ, для конференций и
правительственных докладов
Табло Для цифрового показа информации
Дом Плоский пиксельный монитор (одновременно для ПК, ТВ и
игр)
В первом случае разработанные микрозеркала могут быть классифициро-

ваны по принципу конфигурации: 1D, 2D и 3D, которые соответствуют степени
оперативной мобильности микрозеркал. Конфигурация 1D позволяет микрозер-
калу контролировать свет, наклоняясь по одной оси. Конфигурация 2D дает
возможность зеркалу наклоняться в ортогональных позициях. 3D позволяет
любые наклоны – от параллельных до ортогональных.
В случае цифровой проекции используются массивы микрозеркал, созданные
по технологии, разработанной Texas Instrument (США). Имеется в виду
МЭМС-устройство, состоящее из огромного массива подвижных микрозеркал,
которые в состоянии изменять угол конфигурации 15000 раз в секунду. Суще-
ствуют различные типы массивов – от минимальных конфигураций 3×3 до
256×256 микрозеркал. Разработаны массивы 1024×1280, что равноценно
1,3 млн. отдельно управляемых зеркал. Каждое микрозеркало по размеру сход-
но с острием иголки. Среди изделий, в которых используются такие тех-
нологии, – проекторы и ТВ с плоским экраном.
Чтобы реализовать проекцию света поступают следующим образом.
Устройство освещается белым светом, который отражается на выходную линзу,
если зеркала расположены в положении «Вкл.», или отражаются на адсорбент
света, если конфигурация зеркал в состоянии «Выкл.». Модулируя вибрацию
зеркал и заставляя свет проходить через «цветовую стенку», которая содержит
первичные цвета, на выходе можно получить цветное изображение с частотой
обновления около 70 Гц. Результаты намного лучше, чем у жидкокристал-
лического проектора.
Vaisata, США. Производит инструменты, приборы и системы для измерения
погодных условий и состояния окружающей среды с использованием встроен-
ных специализированных датчиков. Разрабатывает:
 стационарные и переносные датчики влажности;
 датчики «точки росы»;
303
 датчики для определения влажности в масле;
 датчики для определения видимости на автострадах и аэродромах;
 датчики скорости ветра;
 датчики высоты облачности;
 датчики погоды в реальном времени;
 датчики дорожной погоды на автострадах;
 датчики СО2;
 датчики NH3;
 радиозонды.
Базовые технологии измерений, которые могут быть применены с исполь-
зованием МЭМС, следующие: пьезорезистивная, емкостная и электро-
магнитная.
Пьезорезистивный эффект вызывает в кремнии очень высокие изменения
сопротивления. Для уменьшения ошибок обычно связывают между собой не-
сколько сенсоров.
Емкостные сенсоры содержат, по крайней мере, один электрод, способный
двигаться. Самая эффективная конфигурация представляет собой «гребень»,
так как она гарантирует наивысшую чувствительность.
К электромагнитным сенсорам относятся резонансные и термоэлектриче-
ские. Резонансные основаны на резонансных спицах или диафрагмах. Применяя
различное воздействие, можно менять частоту резонанса (подобно тому, как это
происходит у струн гитары). Это позволяет измерять на входе такие перемен-
ные, как давление, температура, скорость и ускорение. Термоэлектрические
сенсоры содержат определенное число маленьких термопар. Они используются,
чтобы измерять, прежде всего, интенсивность ИК излучения. Один край термо-
пары расположен над поверхностью подложки чипа, другой находится в крем-
нии. В ответ на излучение край термопары над поверхностью подложки нагре-
вается.
ГЛАВА 10. МЕДИЦИНСКИЕ И БИОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ
ПРОИЗВОДСТВА НАНОПРОДУКЦИИ
10.1. Нанориски – новые угрозы для здоровья и окружающей
среды
Специалисты открыто признают, что предполагаемые выгоды и преиму-
щества от применения нанотехпологий в различных областях человеческой де-
ятельности сопровождаются потенциальными рисками их использования для
здоровья и окружающей среды. Угроза заключается в том, что наночастицы яв-
ляются достаточно малыми для того, чтобы более легко транспортироваться
как в человеческое тело, так и в окружающую среду новыми способами, но
главное с неизученными до конца последствиями.
10.1.1. Новая категория рисков

В компьютерной промышленности использование наноматериалов при
производстве микрочипов вряд ли повлечет большой риск пользователям. Ав-
томобилисты также могут мало опасаться применения углеродных нанотрубок
в изготовлении автомобильных дверей, чтобы сделать их более стойкими к раз-
рушению. Но даже в этих сферах, что случается с такими изделиями в конце их
жизни при попадании, например, в поверхностные воды и почву, пока остается
вопросом.
Некоторые наночастицы (типа меди или серебра) могут быть вредным для
водной среды и иметь негативные экологические последствия. Удаление нано-
частиц из окружающей среды может также представлять существенную про-
блему из–за их малого размера. Частицы могут быстро поглощаться растениями
и почвой и транспортироваться на большие расстояния. Наночастицы из диок-
сида титана поглощают и концентрируют тяжелые металлы, например, кадмий.
Наночастицы оксида алюминия могут задерживать рост корней у растений. До
конца остается неясным, повлияет ли появление таких наночастиц в атмосфере
на токсичность и характер движения других вредных веществ, загрязняющих
окружающую среду. Процессы переноса наночастиц в окружающей среде с
воздушными и йодными потоками, их накопление в почве, донных отложениях
могут также значительно отличаться от поведения частиц веществ более круп-
ного размера.
По утверждению авторитетного журнала The Economist, «каждый человек
вдыхает, по крайней мере, 107 наночастиц в минуту. Большинство из них не
причиняет вреда» («Each person breathes in at least 10m nanoparticles a minute.
Most of them do no harm»). Однако ряд исследований показывает, что наноча-
стицы, получающиеся при сгорании (combustion-derived nanoparticles, CDNP),
имеют способность накапливаться и носовых путях, что может вызывать раз-
личные заболевания, включая ринит.
Для наноматериалов привычные парадигмы оценки риска будут не всегда
удовлетворять.
305
По данным Woodrow Wilson International Centre только в США к октябрю
2005 года было выпущено 580 изделий, изготовленных с применением нано-
технологий. С марта 2006 года рост составил 175%(!). Самая большая категория
(61%) – это продукция, которая имеет прямое отношение к здоровью (одежда,
косметика, солнцезащитные кремы и т.д.), а 11% составляют пищевые продук-
ты и напитки.
10.2. Европейские инициативы в области оценки нанорисков

Озабоченность ученых, связанная с угрозами применения нанотехнологий,
находит понимание в объединенной Европе. В марте 2004 г. Еврокомиссия сде-
лала первый шаг в этом плане, одобрив документ под названием «На пути к Ев-
ропейской стратегии в области нанотехнологий». В нем прямо признается, что-
бы к аспектам риска обращались как к неотъемлемой части развития этих тех-
нологий от концепции и научных исследований и до коммерческой эксплуата-
ции, чтобы гарантировать безопасную разработку, производство, использова-
ние и утилизацию изделий нанотехнологий. Нанотехнологии представляют со-
бой новые вызовы также для самой оценки и менеджмента рисков.
Год спустя – в июне 2005 г. – Еврокомиссия публикует документ «Нано-
науки и нанотехнологии» Программа действий для Европы на 2005–2009г.г.,
где заявлено, что некоторый риск свойственен для любой технологии и это
должно быть открыто признано, а риск исследован. В этих целях в рамках Ди-
ректората G «Защита потребителей и здоровья» Еврокомиссии был сформиро-
ван Научный Комитет относительно появления и вновь идентифицированных
рисков здоровью (Scientific Committee on Emerging and Newly Identified Health
Risks, SCENIHR). В марте 2006 г. после публичных консультаций Комитет
одобрил многостраничный документ под характерным названием: «Адекват-
ность существующих методологий оценки потенциальных рисков, связанных с
проектируемыми и случайными изделиями нанотехнологий».
В нем, среди прочего, подчеркивается, что для дальнейшего развития ме-
тодологии оценки риска необходимо идентифицировать сценарии воздействия
и потенциальные опасности наночастиц, а стандартизация - это ключевой во-
прос, чтобы достичь взаимопонимания в том, что касается оценки риска при
использовании нанотехпологий».
Полгода спустя – в октябре 2006 г. в Великобритании в ранге исследова-
ния, проведенного Правительством Соединенного Королевства, был издан мно-
гостраничный Доклад о достигнутых результатах (UK Government research - a
progress report): «Характеристика потенциальных рисков, вытекающих из про-
ектируемых наночастиц.
Разработчики – британские ведомства: Департамент окружающей среды,
продовольствия и сельских дел (Department for Environment, Food and Rural
Affairs, DEFRA) и Департамент Торговли и Промышленности (Department of
Trade and Industry, DTI). Среди идентифицированных целей для научных иссле-
дований в области оценки экологического риска на первом месте называются
исследования, направленные на то, чтобы добиться понимания относительно
токсичности и влияния наночастиц на поверхностные воды и микроорганизмов
306
почв, животных и растений.
10.3. Руководства по безопасному обращению с

наночастицами и наноматериалами
Откликаясь на современные вызовы, Британский институт стандартов
(BSI) издал документ PD 6699-2:2007 Nanotechnologies – Part 2: Good practice
guide to safe handling and disposal of engineered nanoparticles (Нанотехнологии –
Часть 2: руководство наилучшей практики для безопасного обращения и удале-
ния проектируемых наночастиц). Британское руководство, не будучи стандар-
том, имеет статус Published Document (PD) – это своеобразный «pre-standard» и,
несомненно, прообраз будущего британского, европейского или международ-
ного стандарта.
Руководство признает, что существует значительная неуверенность во
многих аспектах оценки риска наноматериалов, включая неизученный до конца
опасный потенциал многих типов наночастиц и характер уровней их воздей-
ствия на здоровье. Учитывая недостаточность текущих знаний о токсичности
наноматериалов, руководство рекомендует, чтобы все они считались потенци-
ально опасными, если не получена достаточная информация об обратном
(п.3.4).
Для управления рисками наноматериалов руководство предлагает подход,
состоящий из восьми шагов (рис.10.1) и основанный на методологии нацио-
нальных Регламентов о контроле опасных для здоровья веществ 2002 года (The
Control of Substances Hazardous to Health Regulations 2002 № 2677).
Как следует из британского руководства, сбор информации – этой ключе-
вой шаг для оценки нанориска: имеется ли лист данных о безопасности ма-
териала (material safety data sheet, MSDS), какой его химический состав и раз-
меры, насколько опасен или токсичен материал и т.д. Разумеется, вся доступная
информация должна быть оценена критически в терминах количества и каче-
ства.
Полезной отправной точкой в оценке опасности должно стать отнесение
наноматериала к одной из четырех групп:
– волоконный (fibrous): наноматериал с высоким коэффициентом нераство-
римости;
– категория CMAR (Carcinogenetic, Mutagenic, Asthmagenic or a Reproductive
toxin): любой наноматериал, который уже классифицируется с частицами
большей формы как канцерогенный, мутагенный, астмагенный или репродук-
тивный токсин;
– нерастворимый (insoluble): нерастворимый или слабо растворимый нанома-
териал, не относящийся к волоконным или категории CMAR;
– растворимый (soluble): наноматериал, неотносящийся к волоконным или
категории CMAR.
Оценка должна учесть распределение по упомянутым категориям и то, ка-
кая информация является доступной в пределах каждой из них, чтобы оцепить
опасность (токсичность) наноматериалов в сравнении с материалами, содержа-
щими частицы больших размеров, или другими наноматериалами.
307
Соберите информацию
Оцените риски
Выберите меры
контроля
Рассмотрите аспект Документирование и

контроля здоровья обзор
Оцените контроль
Удаление
Предотвращение
. возгорания и взрыва
Рис. 10.1. Подход британского руководства к управлению рисками наноматериалов
Британское руководство обращает внимание на то, что нанориски связаны

и с характером материала и с характером воздействия, которому люди подвер-
гаются. Например, ответы на следующие вопросы помогут оценить характер
воздействия:
– Выполняя какие задачи люди могут быть повергнуты воздействию наноча-
стиц (например, производство, очистка, обслуживание, транспортировка, хра-
нение)?
– Кто может быть подвергнут воздействию при выполнении каждой задачи
(лица, выполняющие задачу, смежные служащие, посетители, подрядчики, ме-
неджеры)?
– Каковы потенциальные маршруты воздействия (например, ингаляция, при-
ем пищи, кожное проникновение)?
– Какова вероятность воздействия (как при планируемых, так и незапланиро-
ванных действиях)?
– Как часто воздействие может происходить (например, непрерывно, перма-
нентно, редко)?
– Как наноматериал может присутствовать в окружающем воздухе, на рабо-
чем месте, в других местах, где люди могут подвергаться воздействию?
– Какие меры контроля могут быть применены?
Воздействие должно быть предупреждено, а если это невозможно, контро-
лироваться путем применения мер защиты, соответствующих характеру дея-
тельности и совместимых с иерархией мер контроля: устранение, замена, изо-
ляция (ограждение), применение соответствующего оборудования, процедур-
308
ный контроль, применение средств индивидуальной защиты. Британское руко-
водство содержит рекомендации по выбору мер контроля для каждой из 4–х ка-
тегорий наноматериалов, учитывающие самые типичные операции с ними.
Однако, любые меры, идентифицированные по мере необходимости в
оценке риска, вряд ли будут полностью эффективными без информированного
и компетентного участия служащих. Поэтому меры должны включать обучение
(переобучение) тех лиц, которые должны применять меры контроля.
Британское руководство подчеркивает важность сведений о понимании
воздействий. Они могут использоваться, чтобы поддерживать различные дей-
ствия, включая:
–идентификацию источников эмиссии наночастиц;
–оценку эффективности любой применяемой меры контроля;
–идентификацию любых отказов или ухудшения мер контроля, результатом
которых может стать серьезный эффект для здоровья.
Из–за потенциала для утечек и случайных эмиссий, существенно, чтобы
документировались политики и процедуры, которые в максимально возможной
степени охватывали бы события чрезвычайного характера.
Американское Общество Испытаний и Материалов (ASTM) одобрило но-
вейший стандарт ASTM Е2535–07 Standard Guide for Handling Unbound
Engineered Nanoscale Particles in Occupational Settings (Стандартное руководство
для обращения с проектируемыми в наномасштабе частицами в профессио-
нальной деятельности).
Оно, как и британское руководство, описывает действия, которые могут
быть предприняты пользователем, чтобы минимизировать воздействия наноча-
стиц на человека в процессе научных исследований, в производственных и ла-
бораторных условиях. Среди типов частиц в наномасштабе, относящихся к его
области применения, американское руководство перечисляет: фуллерены
(fuilerenes), нанотрубки (nanotubes), нанопровода (nanowires), наноленты
(nanoribbans), квантовые точки (quantum dots), окиси металлов в наномасштабе
и другие.
Первым международным опытом по стандартизации в этой области в рам-
ках ИСО стала публикация ISO/TR 27628:2007 Workplace atmospheres – Ul-
trafine, nanoparticle and nano–structured aerosols – Inhalation exposure
characterization and assessment (Атмосферы на рабочем месте – Сверхмалые
аэрозоли, аэрозоли с наночастицами и наноструктурой – Определение характе-
ристик и оценка воздействия при ингаляции).
Этот технический отчет опубликован 1 февраля 2006 года и, в отличие от Рос-
сии, оперативно получил национальный статус в Великобритании, Швеции,
Нидерландах и других странах. Его цель – обеспечить пользователей руково-
дящими указаниями относительно измерения воздействия наноаэрозолей в
профессиональной деятельности.
Приказом Главного государственного санитарного врача РФ от
12.10.2007 г. №280 были утверждены Методические рекомендации «Оценка
безопасности наноматериалов». Разработаны они при участии НИИ питания
РАМН, Института медико–биологических проблем РАН, НИИ медицины труда
309
РАМН, Федерального научного центра гигиены им. Ф.Ф. Эрисмана, НИИ эко-
логии человека и гигиены окружающей среды им. А.Н. Сысина РАМН, НИИ
биомедицииской химии им. В.Н. Ореховича РАМН и других ведущих научных
учреждений.
Следует иметь в виду, что рекомендации предназначены, прежде всего, для
использования при проведении санитарно–эпидемиологической экспертизы и
государственной регистрации продукции, полученной с использованием нано-
технологии или содержащей наноматериалы. Цель разработки документа –
обеспечение единого научно–обоснованного подхода к оценке безопасности
наноматериалов на этапах разработки, экспертизы и государственной регистра-
ции этой продукции.
Кроме того, постановлением Главного государственного санитарного вра-
ча РФ от 31.10.2007г. № 79 утверждена «Концепция токсикологических иссле-
дований, методологии оценки риска, методов идентификации количественного
определения наноматериалов».
Она признает, что существующая в настоящее время методология оценки
риска основывается на полной токсикологической оценке конкретного ве-
щества или соединения, определении зависимости «доза–эффект», оценке дан-
ных содержания вещества в объектах окружающей среды и пищевых продук-
тах, расчете нагрузки на население. Однако, для наноматериалов ввиду специ-
фики свойств наночастиц, данная методология может быть неприменима вовсе
или применима ограниченно.
10.3.1. Стандарт корпорации DuPont для оценки нанорисков

В июне 2007 года американская корпорация DuPont™ и партнерстве с
Environmental Defense выпустила стандарт NANO Risk Framework (Нанориск
Структура). Он устанавливает процесс оценки нанорисков, который может ши-
роко использоваться различными компаниями. Цель состояла в том, чтобы сде-
лать структуру выгодной для широкой аудитории, насколько это возможно.
В предисловии к стандарту отмечается, что из–за новых свойств, которые появ-
ляются в наномасштабе, наноматериалы могут потребовать значительно боль-
шего объема самой различной информации, чем та, что анализируется в тради-
ционных системах риск-менеджмента. Стандарт корпорации DuPont™ также
предлагает пошаговую оценку нанорисков (рис.10.1), но в отличие от бри-
танского руководства носит куда более детальный и расширенный характер.
Шаг 1 – «Опишите материал и его применение» (Describe Material and
Application). Влечет за собой описание химического состава (включая примеси),
физической структуры, физической формы, концентрации, размера, распреде-
ления, растворимости, состояния агломерации и аггрегации. Идентифицируют-
ся источники материала и производственные процессы, выполняется обзор ли-
тературы по известным источникам, идентифицируются стандартные образцы
(reference materials), а также существующие материалы, которые могли бы за-
менить наноматериал, и материалы большого масштаба с тем же самым хими-
ческим составом, что и наноматериал.
Базовое описание должно быть выполнено так, чтобы охватить каждое
310
предназначенное использование материала, как существующее, так и новое,
включая любое ожидаемое потребителем, а также использование в конце жиз-
ненного цикла и рециклинг. По существу базовое описание должно позволить
всем заинтересованным стать знакомым с материалом и его разумно обозри-
мым применением.
Шаг 2 – «Представьте жизненный цикл» (Profile Lifecycle). Взгляд на
жизненный цикл наноматериала позволяет, объяснив его природу и примене-
ние, системно оценить его безопасность, Концепция жизненного цикла исполь-
зуется здесь как средство для того, чтобы представить процессы и действия, ко-
торым подвергнут наноматериал (или материал его предшественник, или мате-
риал-преемник), тогда эти процессы и действия могут быть оценены, чтобы
определить, несут ли они потенциал для воздействия материала или любой из
его производных. Шаги 2А, 2В и 2С должны оценить физико–химические свой-
ства материала, его опасность и характер, величину и вероятность воздействия
как функцию данного процесса или деятельности.
Шаг 2А – «Разработайте профиль жизненного цикла свойств» (Develop
Lifecycle Properties Profile). Шаг идентифицирует и характеризует физические и
химические свойства наноматериала, включая их изменения, по всему жизнен-
ному циклу. Это знание является критическим для надлежащего обращения с
материалом и оценки его поведения в окружающей среде. Тем самым, характер
материала должен быть понят не только в той форме, в которой он обычно ге-
нерируется, но также и на соответствующей стадии своего развития (после об-
работки, объединения с другими, или в другие материалы, потенциального по-
вторного использования рециклинга, или в форме отхода). Также должна быть
отмечена степень изменений в свойствах, включая те, что следуют из различий
в производстве, обработке или определенном применении наноматериала.
Шаг 2В – «Разработайте профиль жизненного цикла опасности» (Develop
Lifecycle Hazard Profile). В то время как параметры воздействия могут варьиро-
ваться с изменением процессов и видов использования, опасность – по суще-
ству характерное свойство материала и потому является отправной точкой для
изучения. Однако, одного профиля опасности недостаточно ДЛЯ оценю; риска
бея информации относительно потенциальных маршрутов и величины воздей-
ствия, которые разрабатываются в рамках Шага 2С.
Шаг 2С – «Разработайте профиль жизненного цикла воздействия»
(Develop Lifecycle Exposure Profile). Потенциальное воздействие может осу-
ществляться двумя способами: прямой контакт наноматериала с человеческим
организмом и когда наноматериал выпущен в среду (например, воздух, воду,
почву, осадок, пищевой продукт), что может вести к контакту. Воздействие
наноматериала может сопровождаться входом в организм через потребление
(ингаляцию или прием пищи) или поглощение (проникновение через кожу, гла-
за и т.п.). Ключевыми вопросами являются: как наноматериал выпущен в окру-
жающую среду в любой точке жизненного цикла изделия, как он распреде-
ляется в среде (между воздушной и водной средами, почвой, биотой), транс-
формируется ли он окружающее среде, есть ли накопления в специфических
экологических нишах.
311
Шаг 3 – «Оцените риски» (Evaluate Risks). Результатом этого шага явля-
ются качественные, полуколичественные или полностью количественные оцен-
ки характера, вероятности и величины неблагоприятных эффектов влияния
наноматериала на здоровье и окружающую среду.
Шаг 4 – «Управляйте оценкой рискам» (Assess Risk Management). Включа-
ет действия, позволяющие:
–снизить потенциальный риск для здоровья и окружающей среды от процес-
са или изделия, содержащего наноматериал, посредством устранения или ми-
нимизации любого потенциального неблагоприятного воздействия но всему
жизненному циклу изделия;
–определить наилучшие методы и процессы безопасного производства, ис-
пользования, удаления или рециклинга изделия.
Шаг 5 – «Принимайте решение, документируйте и действуйте» (Decide,
Document, and Act). Результат шага - отчет, перечисляющий технические ре-
зультаты оценивания риска (Шаг 3) и управления оценкой риска (Шаг 4), а
также суммирующий решения, релевантные для будущей разработки или ком-
мерциализации изделия. Отчет может также служить инструментом обеспече-
ния прозрачности оценок, чтобы убедить стейкхолдеров (потребителей, обще-
ственность, служащих, правительственные агентства и неправительственные
организации), что потенциальные риски были идентифицированы и необходи-
мые меры приняты.
Шаг 6 – «Выполняйте анализ и адаптацию» (Review and Adapt). В рамках
этого шага пользователь осуществляет периодический обзоры, чтобы гаранти-
ровать, что информация, оценки, решения и действия предыдущих шагов оста-
ются на современном уровне. Сущность этих обзоров заключается в том, чтобы
всякий раз, когда возможно, подлежала оценке новая информация, которая по-
явилась за истекший период, и с ее учетом переоценивалась адекватность про-
цесса риск-менеджмента для материала или его применения.
Изложенные подходы к оценке нанориска, несмотря на некоторое отличие
в описании шагов, вписываются в рамки будущего стандарта ISO 31000:2009,
который будет содержать принципы и руководящие указания для внедрения
рискменеджмента. Заметим также, что используемая в упомянутых документах
терминология опирается на дефиниции, ранее унифицированные в британской
спецификации PAS 71:2005 и американском стандарте ASTM Е2456–06, а те-
перь и в новейшей технической спецификации ISO/TS 27687:2008.
Еще одним элементом обеспечения безопасности применения нанотехно-
логий и доведения необходимой информации до потребителя является марки-
ровка нанопродукции. Без надлежащей маркировки невозможно создание дове-
рия, которое необходимо для социальной поддержки реализации такой продук-
ции. Будущие стандарты по наномаркировке призваны стать инструментом по-
мощи пользователям в их желании соответствовать наилучшей практике.
10.3.2. Стандарты как ответ на угрозы, связанные

с нанорисками
Очевидно, что стандартизация, имеющая дело, прежде всего, с нормирова-
312
нием характеристик наноматериалов, неизбежно затронет такой аспект как
оценка нанорисков для здоровья и окружающей среды. Оценка риска – это
чрезвычайно трудная задача, призванная показать, как и до какой степени на-
ночастицы могли бы быть вредны. Основанный же на текущем состоянии зна-
ний о нанотехнологиях риск реален, по пока научно не всегда исчислим, что
позволяет обществу ставить вопросы о безопасности нанотехнологий для здо-
ровья и окружающей среды.
Операции, связанные с получением и обработкой наноматериалов, неми-
нуемо ведут к проникновению этих материалов в окружающую среду. Поэтому
проведение оценки воздействия наноматериалов на здоровье человека и окру-
жающую среду неизбежно потребует разработки стандартов, обеспечивающих
их безопасную эксплуатацию и применение.
Британская неправительственная организация Soil Association, занимаю-
щаяся сертификацией органических продуктов, отказалась сертифицировать
продукты, содержащие искусственно созданные наночастицы, сообщается в ее
пресс-релизе.
Soil Association (SA, название буквально переводится как «Почвенная ас-
социация») устанавливает стандарты для органических продуктов в сельском
хозяйстве, пищевой, косметической, отчасти фармацевтической промышленно-
стях. Считается, что стандарты SA жестче, чем официальные стандарты Вели-
кобритании и Евросоюза.
SA объявила, что искусственно созданные наночастицы могут представ-
лять опасность для здоровья человека, поэтому содержащие их продукты
впредь не смогут получать сертификат SA. Это относится в первую очередь к
санитарно-гигиеническим и косметическим средствам (солнцезащитной косме-
тике, кремам от морщин), но касается также пищевых продуктов и одежды.
«Запрещенными» являются материалы, если они содержат частицы размером
менее 125 нанометров (нанометр, напомним, – одна миллиардная метра), а так-
же если средний размер их частиц составляет менее 200 нанометров.
SA подчеркивает, что частицы столь малого размера принципиально изме-
няют свои физические и химические свойства, начиная отчасти подчиняться не
классической, а квантовой физике. Возможное влияние свойств наночастиц на
человеческий организм пока мало изучено. Наночастицы имеют чрезвычайно
высокую проникающую способность, что повышает их потенциальную опас-
ность.
SA ссылается, в частности, на отчет Лондонского королевского общества
от 2004 года. В отчете предлагалось серьезно ограничить использование нано-
технологий до дальнейших исследований, однако никаких фактических шагов
предпринято не было.
10.4. Рекомендации по исследованию токсичности

наночастиц в лабораторных условиях
В настоящее время все большее развитие приобретает использование но-
вых материалов и технологий, связанных с созданием и использованием мате-
риалов нанометрических размеров: от тонких пленок до трехмерных объектов с
313
заранее спроектированными свойствами. Однако влияние таких структур на
жизнь и здоровье человека, а также среду его обитания до сих пор не исследу-
ется системно. В то же время известно, что многие объекты с таким ха-
рактерным размером могут обладать высокой биологической активностью, и,
как следствие, оказывать существенное влияние на человека и среду его обита-
ния. Одной из главных характеристик, которая требует изучения до внедрения
наноматериалов или нанотехнологий, является токсичность.
Острая токсичность – полная совокупность неблагоприятных эффектов
вследствие непродолжительного однократного непрерывного сеанса эк-
спозиции переносимых воздухом наночастиц. Определение острой токсичности
обычно является начальным этапом исследований и оценки токсических харак-
теристик веществ, поскольку дает информацию об опасности для жизни корот-
кого периода воздействия и должно устанавливать соответствие между перио-
дом экспозиции и частотой клинически наблюдаемых эффектов, их обратимо-
стью/необратимостью, серьезностью повреждений, изменением массы тела,
влиянием на смертность и др. эффектами. Необходимо провести исследования
для максимально-возможного состава фракций частиц (по размеру и физико–
химической форме) для выявления фракций, оказывающих наибольшее токси-
ческое воздействие в обычных условиях работы/обращения с ними.
Условия исследований: группы мышей из 5 самцов и 5 самок подвергаются
воздействию частиц (концентрация 5 мг/литр воздуха) в течение 4 часов.
Для определения острой ингаляционной токсичности химических веществ (в
частности, вероятности смерти 50% вследствие воздействия –LC50) использу-
ются исключительно ингаляторы носа, головы и комбинированные (нос–
голова). Однако для определения острой токсичности наноматериалов необхо-
димо использовать ингаляционные камеры для воздействия на все тело, поско-
льку поступление наночастиц через кожу сопоставимо с поступлением ингаля-
ционным и пероральным путем.
Необходимо поддерживать установленную концентрацию частиц на «рав-
новесном» этапе ингаляции, и контролировать концентрации на этапах от нача-
ла до окончания периода ингаляции.
Обычно исследование влияния частиц на все тело производится в стан-
дартных условиях ингаляционных камер, при кратности воздухообмена не ме-
нее 10 объемов в час, хотя возможны иные режимы для исследования соответ-
ствующих эффектов. Для обеспечения стабильности состава атмосферы объем
животных не должен превышать 5% от объема камеры. Поддержание понижен-
ного (на 5% ниже атмосферного) давления в камере позволит избежать утечек
тестируемых сред. Температура в камере должна составлять +22 °С, отно-
сительная влажность воздуха 30–70%. Продолжительность сеанса ингаляции
составляет 4 часа с момента выхода на равновесный режим.
Ингаляционная камера должна иметь средства контроля концентрации ча-
стиц путем регулярного отбора проб воздуха из точки, расположенной близко к
зоне расположения животных.
Для определения параметров атмосферы в камере:
–при использовании летучих жидкостей производятся расчеты поминальной
314
концентрации, при выполнении эксперимента – 3 раза за период ингаляции
производится отбор проб воздуха и проводится определение аналитической
концентрации;
– при использовании нелетучих жидкостей производятся расчеты номиналь-
ной концентрации, принимаются меры к обеспечению наибольшей концентра-
ции (жидких) частиц в респираторном объеме, при выполнении эксперимента –
3 раза за период ингаляции производится отбор проб воздуха и проводится
определение аналитической концентрации частиц, на основе чего проводится
восстановление истинной аналитической концентрации. Кроме того, 1 раз за
период ингаляции проводится тест спектрального распределения частиц по их
аэродинамическому размеру (AMAD);
– при работе с твердыми частицами (аэрозолями) - при выполнении экспери-
мента – 3 раза за период ингаляции производится отбор проб воздуха и прово-
дится определение концентрации частиц. Гравиметрический и химико-
аналитический анализы должны давать одинаковый результат. На основе вос-
становленных из эксперимента данных получают аналитическую концентра-
цию вещества в воздухе. Кроме того, один раз за время эксперимента необхо-
димо провести тест спектрального распределения частиц.
В отчете о проведении эксперимента должна содержаться следующая техниче-
ская информация:
–испытуемое вещество;
–расход;
–описание подопытных животных;
–условия эксперимента;
–описание экспериментального оборудования: ингаляционная камера, систе-
ма подготовки исследуемой среды, средства измерения и др.;
–параметры атмосферы;
–результаты эксперимента.
Краткое резюме: на основе исключительно экспериментальных данных по кон-
центрации частиц (3 отбора воздуха из района размещения животных за время
проведения эксперимента продолжительностью 4 часа) невозможно достаточно
точно обосновать концепцию доза–эффект из-за возможных серьезных флукту-
аций плотности частиц по объему камеры. Кроме того, такие измерения до-
статочно дороги и не могут быть проведены чаше, чем 3–4 раза за период экс-
позиции. Поэтому представляется разумным провести расчетные исследования
динамики концентрации наночастиц по объему камеры с использованием мето-
дов вычислительной гидродинамики.
10.5. Материалы и оборудование, используемые

при определении острой токсичности наночастиц
При проведении экспериментальных исследований по токсикологии обыч-
но используются готовые наночастицы (за исключением продукта) сгорания и
табачного дыма, производимых в необходимом количестве в эксперименталь-
ных условиях) – в отличие от экспериментов по определению токсичности
аэрозолей, где распространение получили специальные механические и хими-
315
ческие генераторы аэрозолей. В частности, в работе использовались ультратон-
кие (2–5 нм) наночастицы ТiО2 производства Nanostructured & Amorphous-
Materials (LosAlamos, NM) со средним диаметром 5 нм и удельной площадью
поверхности 210 м2/г.
Для выявления кристаллического состава использовался рентгеновский
дифрактометр с калиброванным по энергетии детектором: по интенсивности
Брэгговского рассеяния рентгеновских лучей как функции угла рассеяния уста-
навливался состав кристаллической фазы путем сравнения с известными ди-
фракционными распределениями для форм ТiО2 – anatasе (твердая, черного
цвета тетрагональная форма TiO2), reddish (твердая, рыжего цвета тетрагональ-
ная форма TiO2) и brookile (твердая, от желто-коричневого до черного кубиче-
ская форма ТiO2). Размеры частиц и их агломераций, а также накопление ча-
стиц в тканях измерялись с использованием электронного микроскопа. Для из-
мерения свойств наночастиц на поверхностях и в объеме гравиметрическим ме-
тодом использовались поверхностный (BETsurfaceanalyseronthebaseofNO–VA
1200 QuantachromeInstruments, Boston) и анализаторы частиц на основе рентге-
новского фотоэлектронного спектроскопа (XPS) и инфракрасного спектроскопа
(ATRFTIR, NicolerThermoElectronFTIRspeetrometer, Nexus670, ThermoElectron–
Corp, Madison, WT). Для измерения спектрального состава аэрозолей в воздухе
камеры использовались сканирующий измеритель размеров частиц (SMPS), со-
стоящий из предварительно калиброванного (для измерения наночастиц) кон-
денсационного счетчика частиц (mod.3010, TSIInc, St.Paul, MN) и электроста-
тического классификатора с большим («длинным») дифференциальным анали-
затором (mod.3071, TSIInc, St.Paul, MN), способным измерять частицы в диапа-
зоне 7.5 чнм.
Для выполнения эксперимента использовалась 65–литровая алюминиевая
динамическая ингаляционная камера для воздействия на все тело, содержащая
стандартное устройство поддержки и удержания до 24 мышей в открытых
ячейках. Основной поток воздуха с расходом 25 л в минуту подавался в камеру
при помощи роторного вакуумного насоса, измерение расхода проводились ка-
либрованным расходомером. Входящий поток воздуха высушивался в камере
влагопоглотителя для удаления пара, после чего поступал на фильтр тонкой
очистки для удаления аэрозолей.
В ингаляционной камере поддерживалось давление несколько больше ат-
мосферного во избежание попадания в нее атмосферных аэрозолей из комнаты
ее размещения. Для введения наночастиц в поток воздуха сначала производи-
лась подготовка суспензии из измеренного объема частиц и специально подго-
товленной воды (2,5 мг частиц на мл), после чего в течение 10 минут проводи-
лось перемешивание суспензии путем продувки. После этого смесь помещалась
в распылитель, оснащенный 6 форсунками, запитанный предварительно пото-
ком осушенного и очищенного на фильтрах тонкой очистки воздуха с давлени-
ем 1,441 кг/см2 и смешивалась с основным потоком воздуха. Подготовленная
смесь высушивалась при прохождении через нагреватель, проходила через ка-
меру снятия статического заряда подавалась в ингаляционную камеру, обеспе-
чивая концентрацию наночастиц 7–10мг/м3. Схема эксперимента приведена на
316
рис.10.2.
На основании обзора можно сделать следующие выводы:
1. Нанотехнологии находятся на стыке наук – физики, химии, материалове-
дения, электроники, биофизики и биологии. Объектами исследования и мани-
пуляции являются как неорганические материалы для микроэлектроники, так
органические – вирусы, молекулы белков. Вследствие своих особенностей
наноматериалы могут транспортироваться по воздуху, проникать в организм
животных и человека (как ингаляционным и пероральным путями, так и напря-
мую через кожу), вызывая различный эффект.
3
2 4
9
10
5
6 7
11 12
13
Рис. 10.2 Схема экспериментальной установки: 1 –очищенный от пыли сжатый воздух; 2 –

воздушный фильтр; 3 – сосуд для приготовления смеси; 4 – эжектор; 5 – подача воздуха из
чистой комнаты; 6 – осушитель; 7 – фильтр; 8 – нагреватель; 9 – камера снятия статического
заряда; 10 – динамическая ингаляционная камера; 11 – пробоотбор и анализатор; 12 – фильтр
тонкой очистки; 13 – сброс
2. Промышленное производство наноматериалов приведет к многократному

увеличению их воздействия на персонал и к увеличению их присутствия в
окружающей среде. Исследование токсичности наноматериалов, оценка по-
следствии их производства и использования – процесс, необходимый для прак-
тического внедрения нанотехнологий.
3. Исследование токсичности наноматериалов требует специального и доро-
гостоящего оборудования, при этом методическая погрешность будет опреде-
ляться не только точностью измерительной техники, качеством и количеством
отобранных проб, но и методикой постановки эксперимента.
4. Для рационального использования средств как на этапе создания экспери-
ментальной установки, так и на этапе планирования эксперимента, использова-
ние методов вычислительной гидродинамики для моделирования динамики не-
равномерности концентрации наночастиц в ингаляционной камере позволит
317
предсказать флуктуации основных параметров и тем самым обеспечить умень-
шение погрешности определения LC50 и зависимостей вида «доза–эффект».
10.6. Перспективы разработки медицинских нанороботов

Упорядоченные одним образом, атомы составляют дома и свежий воздух;
упорядоченные другим, они образуют золу и дым. Уголь и алмазы, рак и здоро-
вая ткань: вариации в упорядочении атомов различили дешевое от драгоценно-
го, больное от здорового.
Рассматривая отдельный атом в качестве кирпичика или «детальки» нано-
технологи ищут практические способы конструировать из этих деталей – мате-
риалы с заданными характеристиками. Многие компании уже умеют собирать
атомы и молекулы в некие конструкции.
В перспективе, любые молекулы будут собираться подобно детскому кон-
структору. Для этого планируется использование нанороботов (наноботов).
Любую химически стабильную структуру, которую можно описать, на са-
мом деле, можно и построить. Поскольку нанобот можно запрограммировать на
строительство любой структуры, в частности, на строительство другого нано-
бота, они будут очень дешевыми. Работая в огромных группах, наноботы смо-
гут создавать любые объекты с небольшими затратами, и высокой точностью.
В медицине проблема применения нанотехнологий заключается в необхо-
димости изменять структуру клетки на молекулярном уровне, т.е. осуществлять
«молекулярную хирургию» с помощью наноботов.
Ожидается создание молекулярных роботов–врачей, которые могут
«жить» внутри человеческого организма, устраняя все возникающие поврежде-
ния, или предотвращая возникновение таковых.
Манипулируя отдельными атомами и молекулами, наноботы смогут осу-
ществлять ремонт клеток.
Прогнозируемый срок создания роботов–врачей, первая половина XXI ве-
ка. В действительности наномедицина пока еще не существует, существуют
лишь нанопроекты, воплощение которых в медицину, в конечном итоге, и поз-
волит предотвратить многие болезни, излечить страшные недуги и в какой-то
степени замедлить процесс старения.
Несмотря на существующее положение вещей, нанотехнологии – как кар-
динальное решение проблемы старения, являются более чем перспективными.
Это обусловлено тем, что нанотехнологии имеют большой потенциал коммер-
ческого применения для многих отраслей, и соответственно помимо серьезного
государственного финансирования, исследования в этом направлении ведутся
многими крупными корпорациями.
Наноботы или молекулярные роботы могут участвовать (как наряду с ген-
ной инженерией, так и вместо нее) в перепроектировке генома клетки, в изме-
нении генов или добавлении новых для усовершенствования функций клетки.
Важным моментом является то, что такие трансформации в перспективе, можно
производить над клетками живого, уже существующего организма, меняя геном
отдельных клеток, любым образом трансформировать сам организм.
318
Идеи создания медицинских нанороботов изложены в работах Дрекслера.
Описание нанотехнологии может показаться притянутым за уши, возможно,
потому что ее возможности столь безграничны, но специалисты в области
нанотехнологий отмечают, что на сегодняшний день не было опубликовано ни
одной статьи с критикой технических аргументов Дрекслера.
Никому не удалось найти ошибку в его расчетах. Между тем, инвестиции в
этой области (уже составляющие миллиарды долларов) быстро растут, а неко-
торые простые методы молекулярного производства уже стали широко приме-
няться.
Нанотехнологии могут привести мир к новой технологической революции
и полностью изменить не только экономику, но и среду обитания человека. В
рамках этой главы рассматривается лишь перспективность этих технологий для
борьбы с болезнями проблемами .
Вполне возможно, что после усовершенствования для обеспечения "вечной мо-
лодости" наноботы уже не будут нужны или они будут производиться самой
клеткой.
Для достижения этих целей человечеству необходимо решить три основ-
ных вопроса:
1. Разработать и создать молекулярные роботы, которые смогут ремонтиро-
вать молекулы.
2. Разработать и создать нанокомпьютеры, которые будут управлять нано-
машинами.
3. Создать полное описание всех молекул в теле человека, иначе говоря, со-
здать карту человеческого организма на атомном уровне.
Основная сложность с нанотехнологией – это проблема создания первого
нанобота. Существует несколько многообещающих направлений:
– одно из них заключается в улучшении сканирующего туннельного микро-
скопа или атомно-силового микроскопа и достижении позиционной точности и
силы захвата;
– другой путь к созданию первого нанобота ведет через химический синтез.
Возможно, спроектировать и синтезировать хитроумные химические компо-
ненты, которые будут способны к самосборке в растворе;
– и еще один путь ведет через биохимию. Рибосомы (внутри клетки) явля-
ются специализированными наноботами, и мы можем использовать их для со-
здания более универсальных роботов.
Группа нанотехнологов из института предвидения заявила, что стреми-
тельный рост нанотехнологий выходит из–под контроля, но в отличие от Билла
Джойа, вместо простого запрета на развитии исследований в этой области, они
предложили установить правительственный контроль над исследованиями.
Такой надзор, может предотвратить случайную катастрофу, например ко-
гда наноботы создают сами себя (до бесконечности), потребляя в качестве
строительного материала все на своем пути, включая заводы, домашних жи-
вотных и людей.
Рей Курцвейл – к 2020 году появится возможность поместить внутри кро-
веносной системы миллиарды нанороботов размером с клетку, по оценкам Ро-
319
берта Фрайтаса, ведущего ученого в области наномедицины, это случится не
ранее, чем в 2030–2035 году.
Эти наноботы смогут тормозить процессы старения, лечить отдельные
клетки и взаимодействовать с отдельными нейронами. Так ассеблеры практиче-
ски сольются с нами.
Врачи надеются на быстрое развитие нанокомпьютеров. Автор книги
«Наномедицина» Роберт Фрейтас полагает, что типичное медицинское нано-
устройство будет роботом размером от 0,5 до 3 мкм в диаметре (три микрона –
максимальный размер для наноробота кровотока, поскольку это минимальный
диаметр капилляров). А типичная наномедицинская обработка пациента
(например, очистка от бактериальной или вирусной инфекции) будет состоять
из инъекции нескольких кубических сантиметров воды или солевого раствора,
включающего 1–10 триллионов нанороботов.
Сам Фрейтас разрабатывает модель искусственной красной кровеносной
клетки, «респироцита» – сферического наноробота, состоящего из 18 млрд.
атомов. Это по большей части атомы углерода, имеющего кристаллическую
решетку алмаза. По сути дела, создается гидропневмоаккумулятор, который
может нагнетать внутрь себя 9 млрд. молекул кислорода (O2) и углекислого газа
(CO2), а потом выпускать их по команде бортового компьютера через молеку-
лярные роторы. Благодаря прочности алмазоида давление внутри респироцита
сможет в тысячи раз превышать рабочее давление эритроцита, а одна клетка
сумеет переносить в 236 раз больше кислорода, чем естественная красная клет-
ка. Так что инъекция в кровоток дозы 50%-ного раствора респироцитов, равной
5 куб. см, сможет заменить несущую способность всей крови пациента
(5400 куб. см). Планируется, что бортовые компьютеры находящегося в крови
пациента респироцита будут получать сигнал врача через ультразвуковой пере-
датчик.
В наноразмерном диапазоне практически любой материал проявляет уни-
кальные свойства. Например, известно, что ионы серебра обладают антисепти-
ческой активностью. Значительно более высокой активностью обладает раствор
наночастиц серебра. Если обработать этим раствором бинт и приложить его к
гнойной ране, воспаление пройдет и рана заживет быстрее, чем с использовани-
ем обычных антисептиков.
Отечественный концерн «Наноиндустрия» разработал технологию производ-
ства наночастиц серебра, стабильных в растворах и в адсорбированном состоя-
нии. Получаемые препараты обладают широким спектром противомикробного
действия. Таким образом, появилась возможность создания целой гаммы про-
дуктов с антимикробными свойствами при незначительном изменении техноло-
гического процесса производителями существующей продукции. Наночастицы
серебра могут быть использованы для модификации традиционных и создания
новых материалов, покрытий, дезинфицирующих и моющих средств (в том
числе зубных и чистящих паст, стиральных порошков, мыла), косметики. По-
крытия и материалы (композитные, текстильные, лакокрасочные, углеродные и
другие), модифицированные наночастицами серебра, могут быть использованы
в качестве профилактических антимикробных средств защиты в местах, где
320
возрастает опасность распространения инфекций: на транспорте, на предприя-
тиях общественного питания, в сельскохозяйственных и животноводческих по-
мещениях, в детских, спортивных, медицинских учреждениях. Наночастицы
серебра можно использовать для очистки воды и уничтожения болезнетворных
микроорганизмов в фильтрах систем кондиционирования воздуха, в бассейнах,
душах и других подобных местах массового посещения.
Выпускается аналогичная продукция и за рубежом. Одна из фирм произ-
водит покрытия с серебряными наночастицами для лечения хронических вос-
палений и открытых ран.
10.7. Проблемы безопасности

Недавно было установлено, что шарообразные молекулы С60, называемые
фуллеренами, могут вызывать серьезные заболевания и вредить окружающей
среде. Токсичность водорастворимых фуллеренов при их воздействии на чело-
веческие клетки двух различных типов была установлена исследователями из
университетов Раиса и Джорджии (США).
Профессор химии Вики Колвин из университета Раиса и его коллеги уста-
новили, что при растворении фуллеренов в воде формируются коллоиды С60,
которые при воздействии на клетки кожи человека и клетки карциномы печени
вызывают их гибель. При этом концентрация фуллеренов в воде была весьма
низкой: ~ 20 молекул С60 на 1 миллиард молекул воды. Одновременно иссле-
дователи показали, что токсичность молекул зависит от модификации их по-
верхности. Как предполагают исследователи, токсичность простых фуллеренов
С60 связана с тем, что их поверхность способна производить супероксидные
анионы. Эти радикалы повреждают клеточные мембраны и приводят к гибели
клеток. Колвин и его коллеги заявили, что такое негативное свойство фуллере-
нов можно использовать во благо – для лечения раковых опухолей. Необходи-
мо лишь детально выяснить механизм образования кислородных радикалов.
Очевидно, на основе фуллеренов можно будет создать и сверхэффективные ан-
тибактериальные препараты.
Вместе с тем опасность применения фуллеренов в продуктах массового
потребления представляется ученым вполне реальной.
Видимо, поэтому недавно американская Комиссия по безопасности пищевых
продуктов и лекарств (FDA) заявила о необходимости лицензирования и регу-
лирования широкого спектра товаров (пищевые продукты, косметика, лекар-
ства, аппаратура и ветеринария), изготовленных с помощью нанотехнологий и
использующих наноматериалы и наноструктуры.
321
ГЛАВА 11. НАНОТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ
ОБОРУДОВАНИЕ
11.1. «НаноФаб-100» – платформа для наноэлектроники
Сверхвысоковакуумная модульная нанотехнологическая платформа
«НаноФаб-100» предназначена для использования в исследованиях, разработ-
ках и мелкосерийном производстве различного рода наноструктур, наноэлемен-
тов и устройств на их основе.
Нанотехнологические комплексы на базе платформы «НаноФаб-100» мо-
гут быть укомплектованы следующими технологическими модулями:
1. Сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ).
2. Модули нанолокальных технологий на основе фокусированных ионных пуч-
ков (ФИП):
 микроскопии ФИП;
 локальной имплантации ФИП;
 стимулированного осаждения/травления ФИП.
3. Модули молекулярно – лучевой эпитаксии (МЛЭ):
 SiGe МЛЭ;
 GaAs МЛЭ.
4. Модуль импульсного лазерного напыления (ИЛО).
5. Модуль газофазного осаждения (ГФО).
11.2. Установка эпитаксильного наращивания слоев

для индивидуальной обработки подложек большого
диаметра
Устойчивая тенденция к уменьшению размеров элементов структуры мик-
роприборов до субмикронных требует модернизации существующего и разра-
ботки нового эпитаксильного прецизионного оборудования. Это особенно важ-
но в связи с переходом на использование подложек большего диаметра (200 и
300 мм), а также необходимостью получения эпитаксильных структур (ЭС) с
разнородными материалами.
В России для получения эпитаксильных структур на кремниевых подлож-
ках диаметром 100 и 150 мм в основном используется оборудование групповой
обработки (УНЭС-101, ЭПИКВАР 101М, ЭПИКВАР 121МТ и др.). Для таких
установок разработан ряд реакторов, совершенствование которых связанно с
ростом требований к ЭС.
По способу нагрева реакторы можно разделить на две группы – с односто-
ронним и двусторонним нагревом подложек. В реакторах с односторонним
нагревом подложки расположены на внешней стороне нагревателя, где нагрев в
основном индуктивного типа (ЭПИКВАР – 101М, EpiPro и др.). Во второй
группе реакторов нагрев осуществляется лучистой энергией (ИК) от ламповых
панелей через стенку реактора.
По сравнению с групповой индивидуальная обработка подложек имеет ряд
322
достоинств. К ним относятся возможность полной автоматизации, кластериза-
ция, более простой и надежный невскрываемый реактор с управляемым течени-
ем газового потока, минимальная фоновая память реактора, меньшие энергети-
ческие затраты, более экономическое использование реагентов. Как и при груп-
повой обработке, в реакторах индивидуальной обработки используется одно-
сторонний и двухсторонний нагрев подложек.
С использованием результатов теплофизических и физико-механических
исследований состояния подложки в реакторе эпитаксильного наращивания для
индивидуальной обработки подложек больших диаметров, а также анализа га-
зодинамических характеристик потока в щелевом кварцевом реакторе в
НИИТМ разработана и выпускается установка эпитаксильного наращивания
для индивидуальной обработки подложек – ЕТМ 150/200–0,1.
Установка предназначена для выполнения как низкотемпературного, так и
высокотемпературного эпитаксильного наращивания на индивидуальные под-
ложки диаметром 150 – 200 мм при нормальном и пониженном давлении.
Нагрев подложки ламповой (ИК), автоматизация процесса полная.
Конструктивно установка выполняется в виде единого технологического моду-
ля, включающего реактор с ламповой системой нагрева, системы автоматиче-
ской перегрузки подложек, управления и газораспределения.
Реакторный блок содержит кварцевый реактор, подложкодержатель (графит
ОСЧ, покрытый SiC), ламповый блок и систему механизации. Последняя пред-
ставляет собой узел вращения подложки с диапазоном угловых скоростей 5 –
100 об/мин.
В ламповом блоке размещены галогеновые лампы верхнего, нижнего и бо-
кового нагрева. Внутренние отражающие стенки лампового блока полированы
и покрыты отражающим слоем золота. Охлаждение корпуса ламп и стенок ре-
актора воздушное. Температура охлажденной стенки реактора 550 – 600 0С.
Контроль и пятизонное управление температурой подложкодержателя осу-
ществляется с помощью пяти термопар.
11.3. Новейшие разработки НИИ точного машиностроения.

Комплект вакуумных установок для научных
исследований и отработки технологических
процессов наноэлектроники
Особенности:
 индивидуальная обработка подложек диаметром до 200 мм (200×200 мм);
 безмасляная система откачки;
 микропроцессорная система управления;
 возможность встраивания в «чистую комнату»;
 возможность объединения в кластерный комплекс из нескольких устано-
вок.
323
Состав
1. Рабочая камера (реактор).
2. Вакуумный транспортно – загрузочный базовый модуль, включающий:
 загрузочная камера;
 шлюзовая система загрузки – выгрузки подложек;
 «сухие» форвакуумные насосы;
 высоковакуумный насос (турбомолекулярный или криогенный).
3. Стойка управления и энергетического обеспечения.
Модуль загрузки обеспечивает манипуляции подложек без участия опера-
тора и без вскрытия реакторной зоны.
В системе газораспределения используются быстродействующие высоко-
точные дозаторы с металлическими уплотнениями, исключающими загрязне-
ние реактора.
Система управления установкой трехуровневая, построенная на промыш-
ленном контроллере DL – 405 с доступным программным обеспечением «Think
and Do». Управляющая станция включает блок, монитор и клавиатуру.
Ожидаемая типовая производительность – 10 пл./ч, что соответствует за-
рубежным аналогам. Установка рассчитана на непрерывную работу без вскры-
тия реактора. Для обеспечения производительности, сравнимой с производи-
тельностью установки групповой обработки, необходимо компоновать две
установки с вариантами левостороннего и правостороннего технологического
обслуживания.
11.4. Новое поколение установок молекулярно–пучковой

эпитаксии
Метод молекулярно–пучковой эпитаксии (МПЭ) основан на выращивании
полупроводниковых слоев из испаряемых в сверхвысоком вакууме
(~10–11 мм.рт.ст.) эффузионными источниками компонентов, причем распро-
странение потоков компонентов роста в объеме происходит в режиме молеку-
лярного пролета. Для обеспечения необходимой чистоты процесса и сверхвы-
сокого вакуума кроме внешней безмасляной откачной системы (турбомолеку-
лярные, ионные, крионасосы) используются встроенные в ростовой реактор и
заполненные жидким азотом криопанели.
Сильный разогрев источников и подложки, прецизионные встроенные ме-
тодики исследования, необходимость механического перемещения подложек
между камерами в условиях сверхвысокого вакуума приводят к заметной слож-
ности оборудования. Как следствие, установки МПЭ производятся лишь не-
сколькими фирмами в США и Европе. В России серийный выпуск таких уста-
новок, начатый в 1980-е годы, к середине 1990-х годов был прекращен, причем
уровень продукции сравнимого с зарубежным качества так и не был достигнут.
В 2001 году за разработку и производство установок МПЭ (торговая марка
«SemiTEq») взялось новое предприятие – ЗАО «Научное и технологическое
оборудование» (Санкт-Петербург). Предприятие было основано технологами,
имевшими большой опыт технической работы на отечественном и зарубежном
324
оборудовании МПЭ в ФТИ им. Иоффе РАН. К работам были привлечены кон-
структоры из бывшего НПО «Аналитическое приборостроение» (Санкт - Пе-
тербург) и НИТИ (Рязань), участвовавшие в создании первых серийных отече-
ственных установок МПЭ.
Предприятие начало свою деятельность с разработки специализированной
установки МПЭ для выращивания структур на базе нитридов третьей группы.
Выяснилось, что ростовые условия для их создания заметно отличаются от
условий для классических полупроводников А3В5 (например, AlGaAs). Попыт-
ки адаптации для этих целей традиционных установок МПЭ не дали желаемых
результатов. Требовалось заметное повышение температуры подложки, суще-
ственное усиление откачной системы для удаления используемого в качестве
источника азота значительного потока аммиака и др. (Применительно к нитри-
дам это, в частности, привело в мире к временному отставанию технологии
МПЭ по сравнению с газотранспортными методами).
Разработчиками ЗАО «Научное и технологическое оборудование» удалось ре-
шить вышеназванные проблемы.
Созданные к 2005 году установки STE3N2, STE3N3 демонстрируют уро-
вень технологических и приборных результатов, сравнимых с зарубежными,
полученными с использованием газотранспортных методов и на специализиро-
ванных МПЭ – установках иностранного производства.
Первая апробация созданного на предприятии оборудования МПЭ была
проведена в ЗАО «Светлана-Рост» (Санкт-Петербург), которое специализирует-
ся на разработке и серийном выпуске полупроводниковых гетероструктур,
СВЧ-транзисторов и микросхем на их основе. Разработанные им нитридные ге-
тероструктуры для СВЧ-микроэлектроники демонстрируют полное отсутствие
эффекта коллапса (падение мощности в СВЧ-режиме по сравнению со статиче-
скими характеристиками), что характерно для нитридных транзисторов. По-
движность в двумерном канале на гетерогранице GaN/AlGaN составляет
~1500 см–2/В·с при концентрации ~1,5·1013 см–2 (отметим, что концентрация но-
сителей почти на порядок превышает максимальные значения для структур на
основе AlGaAs). Разброс удельного слоевого сопротивления RS по пластине не
более ±1,5%, что определяет высокий выход годных при производстве транзи-
сторов.
11.5. Оборудование для наноструктурного анализа

материалов и покрытий
Сканирующие зондовые микроскопы Veeco. Компания Veeco ведущий
мировой производитель оборудования для исследования поверхности на нано-
уровне: сканирующих зондовых микроскопов, механических и оптических
профилометров. Линейка зондовых микроскопов Veeco ориентирована на са-
мый широкий круг приложений, для каждого из которых Veeco выпускает спе-
циальные приборы: для исследования и производства полупроводников, поли-
мерных материалов, материаловедения, медико-биологических исследований.
Рентгеновские и Оже-спектрометры (ThermoFisher Scientific). Мно-
гофункциональные рентгеновские микрозонды, позволяющие проводить пол-
325
ный спектр неразрушающих РФЭС (XPS) исследований. Приборы обладают
уникальными возможностями построения электронно-оптических изображений
выбранного участка без сканирования. Имеют возможность регистрации спек-
тров ионного рассеяния, комплектуются модулями Оже-спектроскопии, уль-
трафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии, сканирующей электронной и
Оже-микроскопии.
Наномеханические испытания (Hysitron inc.) Поставляемые системы
позволяют проводить полный спектр наномеханических испытаний различных
материалов (разрешение смещения 0,0004 нм): индентирование, износ, акусти-
ческие и электрические свойства, топография и построение карт изменения
свойств по поверхности образца и т.д. В составе системы имеется много зондов
для различных материалов.
Термоанализ наноструктур (Anasys Instruments) Системы исследова-
тельского уровня для исследования топографии поверхности, фазовой структу-
ры, термохимических реакций в материале, теплопроводности отдельных фаз в
полимерах и т.п. позволяют определять различия в степени отверждения от-
дельных фаз и их температуры стеклования. Максимальная рабочая температу-
ра 500 °С.
Дисперсионные раман микроскопы (ThermoFisher Scientific). Раман
микроскопы Nicolet DXR и Almega XR работают с лазерами от 450 до 785 нм,
смена лазеров и решеток не требует перенастройки прибора благодаря уни-
кальной конструкции Smart. Конфокальный микроскоп оснащен моторизован-
ным столиком с точностью 0,1 мкм и позволяет проводить неразрушающий
анализ образцов с шагом 1 мкм на общую глубину до 100 мкм. Раман микро-
скопы широко используются для неразрушающего анализа микрочастиц, по-
крытий, пленок и кремниевых пластин.
11.6. Нанотехнологический комплекс оборудования

NanoEducator
Достижения современной науки и технологии во многом связаны с появ-
лением в арсенале экспериментаторов принципиально нового инструмента –
сканирующего зондового микроскопа (СЗМ), предоставившего возможность
визуализировать, диагностировать и модифицировать вещество с нанометро-
вым уровнем пространственного разрешения. Именно благодаря СЗМ, еще не-
давно казавшиеся фантастическими прямые эксперименты с отдельными моле-
кулами и атомами стали вполне реальными и даже обычными не только для
фундаментальных исследований, но и для прикладных разработок в нанотехно-
логии.
Принцип работы микроскопа для исследования структуры поверхности
материала или шлифа, основанный на использовании в качестве инструмента
измерения туннельного тока, был сформулирован в начале XX века после от-
крытия основных положений квантовой механики.
Однако практические трудности по разработке высокоточных двигателей
для перемещения острия зонда, регистрирующих и следящих приборов, задер-
жали появление конструкции туннельного микроскопа вплоть до конца XX
326
столетия.
Первый прибор был создан в 1982 г. сотрудниками исследовательской ла-
боратории фирмы IBM в Рюшликоне (Швейцария). За создание прибора Герду
Биннингу (Швейцария) и Генриху Рореру (Германия) в 1986 г. была присужде-
на Нобелевская премия
СЗМ-методы позволяют не только визуализировать и диагностировать мик-
ро- и нанообъекты различной природы, но и манипулировать одиночными
нанообъектами и модифицировать их структуру с высоким пространственным
разрешением. Для этих целей используются электронные токи большой плот-
ности, сильные электрические поля и механические давления, которые можно
легко реализовать в локальном наноконтакте.
Поскольку СЗМ стал одним из базовых инструментов нанотехнологии, кото-
рая в свою очередь является одной из основных движущих сил развития циви-
лизации в XXI веке, становится совершенно очевидной необходимость скорей-
шего внедрения СЗМ в учебный процесс. С этой целью и разработан Сканиру-
ющий зондовый микроскоп для учебных целей NanoEducator. Его отличитель-
ными особенностями являются:
− простота в обращении;
− отсутствие сложных настроек и юстировок;
− использование видеокамеры для визуального контроля состояния зонда;
− недорогой и многократно восстанавливаемый зонд;
− дружественный программный интерфейс в ОС Windows 98/2000/XP;
− подключение электронного блока к PC через USB порт;
− многозадачность, обеспечивающая возможность пользования компьютером
одновременно с работой прибора;
− комплектация прибора необходимыми для учебного процесса тест-
объектами.
СЗМ NanoEducator позволяет реализовать различные методы измерений
туннельной и «полуконтактной» атомно-силовой микроскопий и может исполь-
зоваться не только в учебных, но и в научных целях при исследованиях в обла-
сти физики и технологии микро- и наноструктур, материаловедения, катализа,
физики и химии полимеров, трибологии, цитологии и т. п.
11.6.1. Устройство и принцип работы

Исторически первым в семействе зондовых микроскопов появился скани-
рующий туннельный микроскоп. Принцип работы СТМ основан на явлении
туннелирования электронов через узкий потенциальный барьер между метал-
лическим зондом и проводящим образцом во внешнем электрическом поле.
В СТМ зонд подводится к поверхности образца на расстояния в несколько
ангстрем. При этом образуется туннельно-прозрачный потенциальный барьер,
величина которого определяется, в основном, значениями работы выхода элек-
тронов из материала зонда и образца. При качественном рассмотрении барьер
можно считать прямоугольным с эффективной высотой, равной средней работе
выхода материалов.
327
В основе работы СЗМ NanoEducator лежит использование зависимости вели-
чины взаимодействия между зондом в виде острой вольфрамовой иглы и по-
верхностью исследуемого образца от величины расстояния зонд-образец. Взаи-
модействие может быть токовым (за счет туннельного тока) или силовым.
Детектируя туннельный ток, протекающий при постоянном электрическом
смещении между зондом и образцом, можно исследовать только проводящие
объекты, в то время как детектируя силу взаимодействия зонд-поверхность,
можно исследовать как проводящие, так и диэлектрические образцы. Чем резче
зависимость тока или силы от расстояния между зондом и образцом, тем выше
пространственное разрешение СЗМ, причем характер этой зависимости опреде-
ляется физико-химическими свойствами исследуемой поверхности. Простран-
ственное разрешение определяется также радиусом закругления кончика зонда,
уровнем механических вибраций и тепловых дрейфов конструкции, а также
уровнем электронных шумов измерительной аппаратуры. Кончик вольфрамо-
вой иглы затачивается путем электрохимического травления и имеет радиус за-
кругления вершины менее 100 нм.
В СЗМ NanoEducator игла-зонд закрепляется неподвижно. Образец может
перемещаться относительно иглы по трем пространственным координатам:
− X, Y – в плоскости образца;
− Z – по вертикали (перпендикулярно плоскости X-Y).
При работе прибора образец движется в плоскости X-Y (Рис. 11.1) построч-
но, таким образом, что кончик иглы постепенно проходит над всей заданной
площадью образца с шагом Δ. Этот процесс называется сканированием.
Рис. 11.1. Принцип сканирования
В процессе сканирования зонд может находиться над участками поверхно-

сти, имеющими различные физические свойства в результате чего величина и
характер взаимодействия зонд- образец будут изменяться. Кроме того, если на
поверхности образца есть неровности, то при сканировании будет изменяться и
328
расстояние ΔZ между зондом и поверхностью, соответственно будет изменять-
ся и величина локального взаимодействия.
В процессе сканирования величина локального взаимодействия поддержи-
вается постоянной с помощью системы автоматического слежения, которая, ре-
гистрируя сигнал взаимодействия (силу или ток), поддерживает его среднее
значение на постоянном уровне. Это осуществляется за счет перемещения об-
разца по вертикали (ось Z) специальным движителем - сканером таким образом,
чтобы величина взаимодействия оставалась постоянной в процессе сканирова-
ния.
На рис. 11.2 показана траектория движения зонда относительно образца
(кривая 2) и образца относительно зонда (кривая 1) при сохранении постоянной
величины взаимодействия зонд-образец. Если зонд оказывается над ямкой или
областью, где взаимодействие слабее, то образец приподнимается, в противном
случае – образец опускается. Величина взаимодействия зонд с поверхностью в
общем случае зависит как от величины зазора зонд-поверхность, так и от ло-
кальных характеристик поверхности, так что такое смещение образца системой
автоматического слежения может происходить в результате одновременного
влияния как изменений рельефа, так и физико-химических свойств поверхности
образца. Поэтому, вообще говоря, требуется уделять особое внимание интер-
претации информации, полученной в процессе сканирования. СЗМ.
Рис 11.2. Траектории относительного движения зонда и образца
NanoEducator регистрирует перемещение образца по оси Z и по осям X,Y.

При этом на экране компьютера синхронно с перемещением образца строится
изображение, где изменение локальной яркости пропорционально измеренному
перемещению образца по оси Z при сканировании. Такой метод работы СЗМ
называют методом постоянного взаимодействия (постоянной силы или посто-
янного тока).
11.6.2. Конструкция СЗМ NanoEducator

На Рис. 11.3. представлена конструкция измерительной головки. На осно-
вании (1) установлены держатель образца (2) и механизм подвода (5) на основе
шагового двигателя. Подвод зонда (6), закрепленного на датчике взаимодей-
ствия (3), к образцу можно также осуществлять с помощью винта ручного под-
329
вода (5). Датчик взаимодействия закрепляется при помощи винта фиксации
датчика (4). Предварительный выбор места исследования на образце осуществ-
ляется с помощью винтов перемещения сканера с образцом (6).
Рис. 11.3. Внешний вид измерительной головки СЗМ NanoEducator 1 – основание, 2 – держа-
тель образца, 3 – датчик взаимодействия, 4 – винт фиксации датчика, 5 – винт ручного под-
вода, 6 – винты перемещения сканера с образцом, 7 – защитная крышка с видеокамерой
На рис. 11.4. Представлена функциональная схема NanoEducator. Показано вза-

имодействие и расположение функциональных блоков.
Рис. 11.4. Функциональная схема NanoEducator
Зондовый датчик силового взаимодействия. Зондовый датчик силового

взаимодействия состоит из игольчатого зонда, закрепленного на трубчатой пье-
зоэлектрической консоли, которая, в свою очередь, закреплена на неподвижном
330
основании. Поскольку консоль на английском языке называется cantilever, то в
Зондовой микроскопии для консоли, несущей зонд на свободном конце, уста-
новилось название кантилевер. Одна часть пьезоэлектрического трубчатого
кантилевера используется как пьезовибратор, а другая – как датчик механиче-
ских колебаний.
Сканером называется устройство, перемещающее образец по трем про-
странственным координатам:
X,Y- для перемещения в плоскости образца, Z – для перемещения в перпен-
дикулярном к плоскости образца направлении (под воздействием следящей си-
стемы, см. рис. 11.5)
Рис. 11.5. Конструкция сканера 1 – пьезоэлемент, 2 – корпус, 3 – толкатель, 4 – точка соеди-

нения толкателей, 5 – стойка, 6 – держатель образца
Работа системы обратной связи. На рис. 11.6 изображена функциональ-

ная схема системы обратной связи (feed-back loop), которая поддерживает по-
стоянным среднее значение величины взаимодействия зонд- образец.
Рис. 11.6. Схема системы обратной связи
331
При использовании СЗМ NanoEducator в конфигурации сканирующего си-
лового микроскопа (ССМ) постоянно включен генератор синусоидального
напряжения 1. Этим напряжением раскачивается на своей резонансной частоте
датчик силового взаимодействия 2 с закрепленным на нем зондом 3. Когда зонд
взаимодействует с образцом, на выходе датчика 2 появляется сигнал А, измене-
ние амплитуды которого пропорционально изменению величины силового вза-
имодействия. Система обратной связи устроена таким образом, чтобы пользо-
ватель мог задавать желаемую величину взаимодействия А0 (interaction) по ко-
мандам от компьютера. Сигнал А усиливается и преобразуется в электронном
блоке управления 4. В блоке управления производится сравнение величины
сигнала А с заданной пользователем постоянной величиной А0. Блок управле-
ния 4 выдает управляющее напряжение на сканер 5. Под действием этого
напряжения образец 6 перемещается вверх или вниз по оси Z, при этом изменя-
ется величина взаимодействия зонд – образец и средняя амплитуда сигнала А.
Движение образца сканером по оси Z происходит до тех пор, пока величина
сигнала А не достигнет заданного значения А0. В результате среднее значение
взаимодействия поддерживается на постоянном уровне. Аналогичным образом
система обратной связи работает и в конфигурации туннельного микроскопа, с
той разницей, что при отключенном генераторе между образцом и зондом при-
кладывается постоянное напряжение смещения, а входным сигналом для элек-
тронного блока 4 является сигнал от датчика туннельного тока.
11.6.3. Техническая спецификация прибора

Область сканирования 70-70-10 мкм.
Нелинейность сканера 5%.
Минимальный шаг 1А.
Число точек в кадре 1024×1024 (при оперативной памяти 64Мб).
Диапазон токов СТМ от 100 рA до 200nA.
Параметры зонда:
диапазон резонансных частот от 6 до 14 кГц, типичная 8 кГц.;
добротность 20;
радиус кривизны 100 нм (до 10нм).
Пространственное разрешение:
CCM X-Y ~50 нм (зависит от радиуса скругления зонда),
Z 2 нм;
СТМ X-Y ~50 нм (зависит от радиуса скругления зонда),
Z 2 нм.
Размер образца диаметр до 12 мм. толщина до 5 мм.
11.6.4. Режимы работы

Режим постоянного туннельного тока. По методу постоянного тун-
нельного тока зонд перемещается вдоль поверхности, осуществляя растровое
сканирование; при этом изменение напряжения на Z - электроде пьезоэлемента
332
в цепи обратной связи (с большой точностью повторяющее рельеф поверхности
образца) записывается в память компьютера в виде функции Z = f (x,y), а затем
воспроизводится средствами компьютерной графики.
Режим постоянной высоты. При исследовании атомарно гладких по-
верхностей часто более эффективным оказывается получение СТМ изображе-
ния поверхности по методу постоянной высоты Z = const. В этом случае зонд
перемещается над поверхностью на расстоянии нескольких ангстрем, при этом
изменения туннельного тока регистрируются в качестве СТМ изображения по-
верхности. Сканирование производится либо при отключенной ОС, либо со
скоростями, превышающими скорость реакции ОС, так что ОС отрабатывает
только плавные изменения рельефа поверхности. В данном способе реализуют-
ся очень высокие скорости сканирования и высокая частота получения СТМ
изображений, что позволяет вести наблюдение за изменениями, происходящи-
ми на поверхности, практически в реальном времени.
11.6.5. Дополнительные приложения NanoEducator

Устройство для травления игл (УТИ). Предназначено для изготовления
и восстановления зондов для СЗМ методом электрохимического травления.
Внешний вид УТИ приведен на рис. 11.7, а его конструкция приведена на рис.
11.8.
Рис. 11.7. Внешний вид устройства для травления игл
Принцип действия УТИ основан на том, что при протекании электрическо-

го тока между раствором щелочи и помещенным в нее металлом происходит
электрохимический процесс травления металла, при котором атомы металла
переходят в раствор. Для зондового микроскопа применяются заточенные та-
ким способом иглы из вольфрамовой проволоки.
333
Рис. 11.8. Конструкция устройства для травления игл: 1 – отрезок вольфрамовой проволоки;
2 – кольцо; 3 – винт перемещения по вертикали; 4 – подвижный светодиодный осветитель;
5 – основание; 6 – источник переменного электрического напряжения;
7 – микроскоп; 8 – держатель
УТИ работает следующим образом.

Отрезок вольфрамовой проволоки 1 закреплен на держателе 8, который
перемещается вверх и вниз по вертикали вручную при помощи винта 3. Вращая
винт 3, проволоку опускают в кольцо 2 до нужной глубины. Кольцо изготовле-
но из нихромовой проволоки. Предварительно на кольцо 2 вешается капля 5-ти
процентного раствора KOH или NaOH. После этого включается источник пере-
менного электрического напряжения 6, обозначенный буквой V. Происходит
процесс перетравливания вольфрамовой проволоки и образования острой иглы.
Оператор наблюдает за процессом травления в оптический микроскоп или в
видеомикроскоп 7. Освещение обеспечивается подвижным светодиодным осве-
тителем 4. Все элементы конструкции закреплены на основании 5. После окон-
чания травления иглу 1 вместе с держателем 8 поднимают в верхнее положение
и вынимают.
Цифровой видеомикроскоп предназначен для визуального контроля на
экране монитора поверхности образца и взаимного расположения зонда и об-
разца в процессе их сближения. Увеличение видеомикроскопа (ВМ) при полно-
стью развернутом окне изображения, получаемого с видеокамеры, достигает
Х
200 для 19 дюймового монитора.
ВМ подключается к компьютеру через порт USB и работает под управлени-
ем драйвера VideoCAM NB с управляющей программой NanoEducator. ВМ
оснащен автономным источником освещения.
На рис. 11.9 схематически изображено устройство ВМ. Корпус ВМ устанав-
ливается на физический узел СЗМ.
334
Рис. 11.9. Цифровой видеомикроскоп и его устройство
1 – отверсттия для фиксирующих штифтов; 2 – винт перемещения по горизонтали;
3 – винт перемещения по вертикали; 4 – фокусирующий винт; 5 – объектив; 6 – осветитель
Для фиксации на головке имеются фиксирующие штифты, а на ВМ выпол-

нены отверстия для штифтов 1. Винт 2 перемещает объектив видеокамеры 5 в
горизонтальной плоскости, винт 3 – в вертикальной плоскости. Винт 4 служит
для настройки на резкость.
335
ГЛАВА 12. ПОДГОТОВКА КАДРОВ ДЛЯ НАПРАВЛЕНИЯ
«НАНОТЕХНОЛОГИЯ»
12.1. Материально-техническая база кадровой

инфраструктуры наноиндустрии
Компоненты развиваемой кадровой инфраструктуры национальной
нанотехнологической сети (ННС) являются объектом мониторинга, их мож-
но классифицировать по уровням решаемых задач в интересах конкретных
субъектов ННС (см. рис. 12.1), так как именно субъекты ННС и должны яв-
ляться заказчиками на кадровое обеспечение наноиндустрии. Они форми-
руют тенденции развития кадровой инфраструктуры наноиндустрии через
систему заказов на конкретных специалистов и систему заказов на НИОКР.
Фундаментальные исследования и развитие материально-технической базы
должны поддерживаться государством в рамках реализации частно-
государственного партнерства.
Рис. 12.1. Компоненты материально-технической базы

кадровой инфраструктуры наноиндустрии
В настоящий момент базовыми компонентами кадровой инфраструк-

туры наноиндустрии являются: центры коллективного пользования, научно-
образовательные центры и инфраструктура лабораторных кафедральных
центров. Каждый из элементов инфраструктуры призван решать конкретные
задачи на своем уровне экспертизы и компетенции.
336
Центры коллективного пользования, как правило, организованы при
ведущих научных центрах, институтах РАН и ряде университетов, при тес-
ной кооперации региональных, межрегиональных и международных участ-
ников ННС. Оснащены единичным уникальным оборудованием и ориенти-
рованы на выполнение фундаментальных прорывных исследований, подго-
товку и переподготовку кадров высшей квалификации.
Научно-образовательные центры создаются в основном на базе универ-
ситета, с привлечением партнеров – организаций ННС, оснащены серийным
нанотехнологическим опытно-экспериментальным оборудованием. Имеют
возможность проводить заказные НИОКР, подготовку и переподготовку
кадров в нуждах кооперации (отдельные группы по заказу партнеров коопе-
рации), а также «бакалавров-магистров» и кадров высшей квалификации.
Основным же элементом широкой подготовки кадров были и остаются
кафедры и именно на них ложится вся тяжесть базовой нанотехнологиче-
ской подготовки, они должны быть оснащены простым и надежным в об-
служивании нанотехнологическим оборудованием, однако до недавнего
времени проблемы кафедральных лабораторий и центров оставались вне
поля зрения государственных программ. Лишь в 2008 г. в рамках ФЦП
«Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на
2008–2010 годы» было принято решение по реализации проектов, направ-
ленных на развитие кафедральной материально-технической базы. Это и
проекты по развитию инфраструктуры учебно-методических центров по
направлениям наноиндустрии при ведущих университетах, и проекты,
направленные на создание учебно-методических лабораторных комплексов
(в том числе и с удаленным доступом), и издательские проекты, и т.д.
Развитие материально-технической лабораторной базы кафедр, веду-
щих подготовку по направлениям и специализациям наноиндустрии, одна
из важнейших ближайших задач, без решения которой не решить в широ-
ком и системном плане вопросы подготовки специалистов для наноинду-
стрии. В ближайшее время необходимо создать все условия для комплекта-
ции лабораторий кафедр учебным и опытно-исследовательским оборудова-
нием, обеспечивающим подготовку и переподготовку по программам инже-
нерного образования, выполнение НИОКР, разработку учебно-
методического контента и реализацию проектных методов обучения специ-
алистов наноиндустрии.
12.1.1. Научно-образовательные центры

Развитие научно-образовательных и научно-технологических центров,
в том числе и для кадровой инфраструктуры наноиндустрии, предусмотрено
Федеральной целевой программой «Развитие инфраструктуры наноинду-
стрии в Российской Федерации на 2008–2010 годы». За развитие приборно-
инструментальной составляющей инфраструктуры наноиндустрии в про-
грамме закреплено направление 1, в рамках которого предусматриваются
приобретение оборудования для оснащения государственных организаций
национальной нанотехнологической сети, его монтаж, а также подготовка
337
квалифицированного персонала для его эксплуатации. Указанное направле-
ние включает в себя мероприятия по формированию материально-
технической базы национальной нанотехнологической сети, включая закуп-
ку, поставку, осуществление строительно-монтажных работ, шефмонтажа и
пусконаладочных работ по введению в эксплуатацию оборудования для ор-
ганизаций национальной нанотехнологической сети.
В первую очередь научно-образовательные центры ориентированы на
создание инфраструктуры опытно-экспериментальных производств, позво-
ляющих университету, при котором создаются НОЦ, выполнять заказные
НИОКР на новом качественном уровне, доводить разработки своих лабора-
торий до опытных образцов.
В части реализации образовательных программ возможности НОЦ пока
еще не совсем понятны, скорее всего, они сосредоточатся на программах
переподготовки кадров для нужд предприятий ННС региона. Их возможно-
сти по переподготовки во многом будут определяться структурой и соста-
вом материально-технической базы и ее соответствия нуждам предприятий
– партнеров. В части программ высшего и среднеспециального образования,
они так же, как и ЦКП, ограничатся, вероятно, возможностью проведения
экскурсий и демонстрацией получаемых результатов для широкого круга
студентов (требования к чистоте рабочей зоны и т.п. ограничат их образова-
тельные возможности для широкого спектра контингента). Конечно, воз-
можности по организации стажировок и практик в НОЦ более широкие, чем
в ЦКП, т.е. это уже не единичные аспиранты, а возможно отдельные группы
студентов-магистров из 5–10 человек, но, скорее всего, приоритеты будут
отданы хоздоговорным работам, а не образовательным задачам, что рано
или поздно приведет к тому, что они будут заинтересованы только в подго-
товке кадров для своих собственных нужд (что явно видно на примере мно-
гих университетских НИИ). Четкого инструмента, стимулирующего НОЦ
активно заниматься образовательными задачами, пока нет. Однако с разви-
тием НОЦ появится возможность привлекать творческие группы студентов
к реализации конкретных заказных проектов, увеличатся возможности про-
ведения магистрами прикладных исследований и разработок. Однако си-
стемно вопрос подготовки кадров для наноиндустрии НОЦ, так же, как и
ЦКП не решит, но при этом развитие НОЦ является крайне необходимым,
чтобы обеспечить тесную связь предприятий ННС и университетов, обеспе-
чить возможность университетам предлагать на рынке готовые, опытные
образцы, а не просто идеи.
Общий перечень НОЦ, создаваемых в рамках программы можно найти
в перечне инвестиционных объектов федеральной целевой программы «Раз-
витие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008–
2010 годы». Их формирование только начинается, но с первых шагов было
бы целесообразно, как и в случае с ЦКП, иметь единую федеральную ин-
формационную площадку с отрытым доступом и полным перечнем НОЦ и
информацией по их видам деятельности, ссылками на их публичные ресур-
сы, на которых были бы представлены их регулярные отчеты и методиче-
338
ские материалы. После ввода НОЦ в эксплуатацию в течение года – двух
целесообразно провести их государственную аккредитацию с дальнейшим
финансированием на паритетных условиях (на каждый заработанный рубль
– рубль бюджетных средств).
Пока НОЦ – это, скорее всего, дополнение (или компонент) ЦКП в ча-
сти реализации опытно-экспериментальных и образовательных задач в ча-
сти подготовки кадров высшей квалификации. Так, например, на презента-
ции Научно-образовательного центра (НОЦ) «Нанотехнологии» в Физтехе
было отмечено, что по замыслу создателей НОЦ «Нанотехнологии» со вре-
менем призван стать центром коллективного пользования. «Каждому инсти-
туту иметь высокотехнологичное дорогостоящее оборудование бессмыс-
ленно, – говорит Павел Тодуа. – Нужно, чтобы оно находилось в одних ру-
ках, но было доступно для многих — и научных заведений, и учебных, и
коммерческих структур». Первый проректор МФТИ Тимофей Кондранин
отметил: «…мы готовим самый передовой уровень специалистов, ориенти-
рованных на исследовательскую деятельность». Т.е. как инфраструктурный
объект НОЦ в первую очередь рассматривается как элемент, расширяющий
образовательную компоненту ЦКП при подготовке кадров высшей квали-
фикации или же, как этап в создании регионального самоокупаемого ЦКП.
Так, например, в МФТИ профессор Тодуа уверен, что центр позволит зара-
батывать деньги, во всяком случае, здесь будут к этому стремиться. Для
коммерциализации инновационных разработок, осуществляемых в Наноц-
ентре, МФТИ начал взаимодействовать с бизнес-инкубатором Муниципаль-
ного фонда поддержки предпринимательства и инновационной деятельно-
сти Долгопрудного.
Результаты деятельности ЦКП и НОЦ в принципе поддаются четкому
количественному анализу, как посредством совокупности финансовых по-
казателей, так и интегральных, качественных показателей научной и хозяй-
ственной деятельности. В настоящий момент практически никто не сможет
ответить на вопрос – «На сколько успешны результаты деятельности того
или иного компонента инфраструктуры?», да и просто получить информа-
цию об их возможностях крайне сложно. Как функционируют созданные
элементы инфраструктуры тоже неизвестно, так как большинство из них не
имеет публичных информационных ресурсов.
Для обеспечения необходимого уровня управляемости процессом раз-
вития инфраструктуры наноиндустрии целесообразно:
 создать единый федеральный портал с полной информацией по дея-
тельности ЦКП, НОЦ и иных элементов инфраструктуры наноиндустрии с
открытым доступом (например, такую роль на себя мог бы взять проект
«НАНОМЕТР», ставший в последнее время самым популярным ресурсов по
нанотематике в России);
 разработать и периодически осуществлять процедуру государствен-
ной аккредитации ЦКП и НОЦ, причем результатом аккредитации должно
являться решение о государственном финансировании аккредитованного
элемента инфраструктуры на период аккредитации в объемах, паритетных с
339
объемом заработанных ЦКП, НОЦ средств (например, как это реализуется
по поддержке ведущих научных школ);
 разработать методику рейтинговой оценки деятельности ЦКП и НОЦ,
на основе которой проводить ранжирование ЦКП и НОЦ в базе единого фе-
дерального портала, а также осуществлять финансирование аккредитован-
ных компонентов инфраструктуры пропорционально комплексному рейтин-
говому коэффициенту.
Эти простые организационные меры позволят обеспечить необходимый
уровень управляемости компонентов инфраструктуры, эффективность то-
чечной поддержки на основе конкурсных процедур и информационную от-
крытость в части демонстрации достижений и передачи знаний.
12.1.2. Центры коллективного пользования

Системное и широкое развитие центров коллективного пользования
наноиндустрии началось с 2000 г. Уже тогда стало ясно, что добиться эф-
фективной загрузки уникального и часто единичного оборудования можно
лишь с реализацией межрегионального, а зачастую и международного до-
ступа к нему потенциальных потребителей – творческих научных коллекти-
вов. Первопроходцем в этом направлении стал ГНЦ «Курчатовский инсти-
тут» и на сегодня его центр коллективного пользования является крупней-
шим в стране, с отлично проработанной методикой доступа пользователей к
ресурсам центрам, оказания консалтинговых и проектных услуг.
Одной из основных проблем дальнейшего скоординированного разви-
тия и использования ресурсов ЦКП является на сегодня отсутствие единого
информационного ресурсного центра, в котором было бы обобщена и пред-
ставлена в открытом доступе вся информация по деятельности ЦКП, их
оснащенности, видам выполняемых работ.
Одной из основных проблем дальнейшего скоординированного разви-
тия и использования ресурсов ЦКП является на сегодня отсутствие единого
информационного ресурсного центра, в котором было бы обобщена и пред-
ставлена в открытом доступе вся информация по деятельности ЦКП, их
оснащенности, видам выполняемых работ. На сайте http://pribor.extech.ru
можно получить информацию, как по созданным в рамках различных про-
грамм ЦКП, так и по уникальным стендам и установкам, но зачастую эта
информация практически не структурирована, предоставлена в виде doc или
pdf файлов без возможности их нормального индексирования поисковыми
системами. Главным недостатком надо отметить то, что практически для
большей половины, ЦКП отсутствуют ссылки на их интернет ресурсы. Не
понятно, если ЦКП ориентирован на выполнение заказных работ на имею-
щемся у него парке оборудования, то как, не имея сайта, он информирует
потенциальных пользователей о своей загрузке и возможностях. Самым ин-
тересным на сайте оказался документ – Каталог Центров коллективного
пользования научным оборудованием (2007 г.), но опять же его представле-
ние в формате pdf не позволяет максимально эффективно обеспечить поиск
и навигацию по ресурсам сети ЦКП.
340
Кроме недостаточной информационной открытости и публичности,
проблемой развития ЦКП является то, что многие из них ориентированы не
на рынок исследовательских услуг для региональных и т.п. заказчиков, а
для удовлетворения собственных внутренних потребностей конкретной ор-
ганизации или даже отдельных творческих коллективов. Даже если уровень
финансирования работ такого коллектива достаточно высок, все равно, это
формирует высокий риск неэффективности использования ресурсов ЦКП,
если, вдруг, по каким то причинам, такое финансирование будет прекраще-
но, а организационная структура ЦКП будет не готова к активной работе на
рынке исследовательских услуг.
В дальнейшем необходимо обеспечить информационную прозрачность
деятельности ЦКП, т.е. должны быть приняты нормативные документы, ко-
торые обязали бы ЦКП (или организации, при которых они созданы) предо-
ставлять поквартальную отчетность о своей деятельности (по аналогии с от-
четность ОАО для своих акционеров) и публиковать эту отчетность на сво-
их интернет порталах. Многие ЦКП не имеют своего представительства в
Интернет, получить сведения об их возможностях и видах работ стороннему
потребителю крайне проблематично, в итоге складывается впечатление, что
ряд ЦКП создан в интересах отдельных групп исследователей, для решения
конкретных внутренних задач, а не ориентированы на предоставление ре-
сурсов ЦКП сторонним пользователям и ведение хозяйственной деятельно-
сти.
Также совершенно понятно, что, используя базу уникального единич-
ного оборудования ЦКП, ни о какой широкой подготовки специалистов для
наноиндустрии не может идти и речи. ЦКП изначально ориентированы на
прорывные исследования, выполняемые конкретными, сложившимися
творческими коллективами и в образовательном процессе могут быть ис-
пользованы только для проведения экскурсий (если это позволяет требова-
ния по «чистоте помещений»), для демонстрации полученных высоких
научно-технических результатов и как база для стажировки и подготовки
специалистов высшей квалификации (кандидатов, докторов наук).
С целью повышения уровня академической мобильности, возможности
организации стажировок и практик для кадров высшей квалификации, и в
первую очередь для обеспечения эффективности работы ЦКП и их публич-
ности, в ближайшее время целесообразно создать единый федеральный пор-
тал, на котором будет собрана вся информация о деятельности ЦКП. Прове-
сти государственную аккредитацию ЦКП (чтобы статус ЦКП присваивался
аккредитационной комиссией, а не самими учредителями). Одним из основ-
ных требований к аккредитованным ЦКП должно стать требование по
предоставлению квартальной отчетности о деятельности ЦКП с обязатель-
ным ее размещением на портале ЦКП, иначе многие из них так и останутся
дорогими игрушками в руках отдельных ученых.
341
12.1.3. Кафедры и лаборатории
Главным «цехом» по производству кадров была, есть и будет кафедра.
Пока никто из вузов создавать специальные «нанофакультеты» не собирает-
ся. «Учитывая сугубо практическую специфику университета, вряд ли на
базе МГТУ им. Баумана целесообразно открывать отдельный факультет
нанотехнологий. Центр коллективного пользования и специальных лабора-
тории полностью покрывают необходимость наших студентов в работе с
технологиями этой отрасли», – заявил «Газете.Ru» пресс-секретарь универ-
ситета Андрей Волохов – «Можно сказать, что подавляющее большинство
кафедр МГТУ им. Баумана занимается нанотехнологиями. Ведь это меж-
дисциплинарное направление в науке, которое нашими специалистами
осваивается на практике, при решении конкретных прикладных задач».
Развитие материально-технической базы кафедральных лабораторий и
центров является основным залогом успешной реализации программ широ-
кой подготовки кадров в области наноиндустрии. Не получая базовых зна-
ний и практических навыков, не пройдя начальных практических этапов в
части отработки экспериментально-исследовательских, технологических и
конструкторских навыков студенты не способны эффективно и в кратчай-
шие сроки приступить к выполнению конкретных реальных производствен-
ных проектов. Подготовку специалистов для наноиндустрии отличает: глу-
бокая естественно-научная подготовка, междисциплинарность – специаль-
ный набор физических, химических, материаловедческих и биомедицинских
дисциплин, тесная взаимосвязь учебного процесса с научными исследова-
ниями (наличие в университете современного экспериментального и техно-
логического оборудования), широкое использование современных вычисли-
тельных методов и информационных технологий. Учитывая это, МГТУ,
первостепенное внимание уделяется именно развитию кафедральной мате-
риально-технической базы по специализациям, проводимой при активной
поддержке ведущих фирм наноиндустрии (ГНЦ «Курчатовский институт»,
STMicroelectronic NV, ОАО «НИЭМИ и завод Микрон», ЗАО «НТ МДТ»,
Концерн «Наноиндустрия», JSC «KLA-Tencor» и др.).
Подготовка специалистов по направлениям наноиндустрии не возмож-
на без сочетания современного уровня материально-технической и методи-
ческой базы. Приказами Министерства образования Российской Федерации
№ 2398 от 04.06.2003 и № 1922 от 23.04.2004 в России в качестве экспери-
мента открыты новые направления подготовки дипломированных специа-
листов 658300 и бакалавров и магистров 554500 «Нанотехнология» (Учеб-
но-методическое объединение по образованию в области радиотехники,
электроники, биомедицинской техники и автоматизации при Санкт-
Петербургском государственном электротехническом университете –
«ЛЭТИ») со специальностями: 202000 «Нанотехнология в электронике» (ба-
зовый вуз МИЭТ) и 073800 «Наноматериалы» (базовый вуз МИСиС). Ло-
гичным продолжением развития учебно-методической базы подготовки
специалистов наноиндустрии является создание в рамках ФЦП кафедраль-
342
ных учебных инновационных комплексов (лабораторных учебно-
исследовательских комплексов), укомплектованных учебным лабораторным
оборудованием, позволяющим обеспечить все стадии проектной подготовки
специалистов наноиндустрии (см. рис. 12.2).
Рис. 12.2. Спиральная модель интеграции кафедральных учебных комплексов в

кадровую инфраструктуру.
На первых этапах системной реализации развития кадровой инфра-

структуры в рамках ФЦП целесообразно создать пилотные учебные инно-
вационные комплексы при кафедрах ведущих университетах по направле-
ниям наноиндустрии (наноинженерия, наноматериалы, наносистемная тех-
ника, бионанотехнологии и т.д., всего таких направлений девять), наработки
которых в дальнейшем будут тиражированы в других университетах. В со-
вокупности все девять комплексов образуют уникальную кадровую инфра-
структуру подготовки специалистов для наноиндустрии, причем в данном
случае должна быть предусмотрена возможность кооперации университетов
между собой, в том числе создание межуниверситетской программы подго-
товки магистров по отдельным направлениям, а возможно и интеграция в
международную программу подготовки.
Типовой кафедральный учебный инновационный комплекс должен
строиться по модульному принципу (каждый из модулей МТБ связан с бло-
ком учебных дисциплин). Основными базовыми модулями являются: мо-
дуль наноизмерений, модуль формирования наноструктур, информацион-
ный модуль (мультисервисная информационно-образовательная система),
комплектация модулей определяется специализацией лабораторий. В насто-
343
ящий момент отечественной промышленностью выпускается достаточный
модельный ряд относительно недорого, простого в эксплуатации и надеж-
ного учебного лабораторного оборудования (ЗАО «НТ-МДТ», Концерн
«Наноиндустрия» и др).
Основной и специфической для России проблемой для эффективной и
высококачественной организации учебного процесса является проблема за-
крепления преподавательского и инженерного учебно-вспомогательного
персонала, а для «нанолабораторий» эта проблема приобретает первосте-
пенное значение, так как спрос на специалистов, умеющих эксплуатировать
современное «нанооборудование» значительно превышает предложения на
рынке. Обеспечить достойные финансовые условия для специалиста за счет
внутренних средств университета, в данном случае, практически не воз-
можно, поэтому единственным практическим выходом из сложившейся си-
туации является реализация «дуальной» системы функционирования учеб-
но-исследовательских лабораторий (центров), которая предусматривает
концепцию «каждой лаборатории – малое инновационное предприятие»
(такой подход оправдал себя в зарубежных университетах, да и, в последнее
время, в России уже есть положительные примеры такой организации). При
этом на государственном уровне надо установить правила льготного разме-
щения малых (аккредитованных при университете) предприятий на площа-
дях кафедр, при условии, если их штатный состав на 60% процентов состоит
из сотрудников данной госорганизации. Во многом все это существует и
функционирует уже сейчас (де-факто), так как это объективные условия
выживания, рынок все расставляет на свои места, но это работает без долж-
ной законодательной базы.
В общих чертах «дуальная система» такова: в структуре кафедры име-
ются учебно-исследовательские лаборатории (центры компетенции, отде-
лы), их сотрудники в основном – преподаватели кафедры (как правило,
большинство преподавателей работает на 1,5 ставки, да еще и в разных ме-
стах, а такая организационная. структура позволит преподавателю работать
на 0.5 научным сотрудником на кафедре). С первого взгляда это могут реа-
лизовать университетские НИИ, однако это совсем не так, НИИ оторваны от
образовательных задач кафедры и, следовательно, их сотрудники оторваны
от главной задачи – подготовки кадров. Получается, что учебная нагрузка
преподавателя кафедры – сотрудника НИИ только мешает ему работать над
проектами НИИ, он находится между двух «огней», с одной стороны инте-
ресы кафедры, с другой интересы НИИ, в результате приходится чем-то
жертвовать. Чтобы изначально создать условия, когда работа над научными
проектами будет помогать образовательному процессу, необходимо обеспе-
чить централизованное управление кафедральной наукой и учебным про-
цессом, интегрировав в структуру кафедр как учебные, так и научные лабо-
ратории. Необходимо обеспечить сотрудника и студента возможностью за-
ниматься оплачиваемой научной деятельностью в научных лабораториях
кафедры, а не на стороне. Реализация «дуальной» системы ведет к развитию
и укреплению потенциала кафедры, а через это к укреплению потенциала
344
факультета, университета в целом. Если будет создана необходимая законо-
дательная база, способствующая развитию «дуальной» системы при универ-
ситетах, то это позволит менее зависеть от субъективных факторов, практи-
чески решить проблему притока и закрепления молодых сотрудников и их
эффективной научно-технической деятельности.
Эффективной формой реализации «дуальной» системы развития инно-
вационного процесса является форма, когда один и тот же творческий кол-
лектив выступает в двух лицах – на потребительском рынке в виде малого
научного предприятия и на рынке госзаказов в виде лаборатории универси-
тета или научного центра. «Дуальная» система работы творческих коллек-
тивов успешно развивается практически во всех ведущих научно-
технических кластерах, где находится большое количество малых и средних
научно-технических предприятий с высоким инновационным потенциалом.
Эффективность данной схемы подтверждается и зарубежным опытом.
Основная цель создания учебно-инновационных центров – это обеспе-
чение проектных методов обучения широкого контингента студентов, вос-
производство и закрепление научных и педагогических кадров университе-
та, реализация дуальной системы инновационно-образовательной деятель-
ности, когда в одном лице существуют учебно-исследовательские лаборато-
рии университетов и малые инновационные компании.
12.2. Целевые индикаторы выполнения задач

программы развития (по итогам выполнения
программы развития к 2010 г.)
Таблица 12.1. Целевые индикаторы выполнения задач

Программы развития
Число центров коллективного пользования научным

оборудованием (ЦКП), обеспечивающих возможность прове-
дения исследований исследований и разработок в области
нанотехнологий на мировом уровне (ед). 20
Индекс соответствия научного оборудования ЦКП тре-
бованиям международных стандартов (%) 70
Число организаций национальной нанотехнологической
сети, обеспечивающих возможность проведения исследова-
ний и разработок в области нанотехнологий на мировом
уровне (ед.). 500
Суммарная численность персонала, проводящего иссле-

дования в области наноиндустрии в государственном секторе
(тыс.чел):
345
Исследователей всего 45
в том числе до 35 лет 10-12
докторов наук всего 2-3
в том числе до 39 лет 0,2-0,3
кандидатов наук всего
в том числе до 35 лет 8–10
2–2,5
Доля высших учебных заведений, оснащенных лабора-

торным и приборным оборудованием, а также учебно-
методическим обеспечением, соответствующим современ- 10–12
ным требованиям подготовки и переподготовки специали-
стов в области нанотехнологий (%)
Доля дипломированных выпускников по специально-
стям. Определяющим прогресс в области наноиндустрии, в 10–50
общем объеме выпускников по профильным специально-
стям (%)
Количество защищенных докторских диссертаций по
специальностям, ориентированным на развитие «наноинду- 100– 130
стрия» (ед.)
Количество защищенных кандидатских диссертаций по
специальностям, ориентированным на развитие «наноинду- 1000–1200
стрия» (ед.)
Объем внутренних затрат на выполнение исследований

и разработок по перспективным направлениям развития 90
наноиндустрии из средств: федерального бюджета (млрд
руб.)
Количество созданных центров трансфера технологий, 20
работающих в области наноиндустрии (ед.)
Стоимость реализации объектов интеллектуальной соб-
ственности, созданной в области наноиндустрии центрами 3–5
трансфера технологий (млрд руб.)
Число инновационно-технологических центров, рабо- 20
тающих в области наноиндустрии (ед.)
Число технопарков, работающих в области наноинду-
стрии (ед.) 30
Затраты на выполнение исследований и разработок по

перспективным направлениям науки, определяющим про-
гресс нанотехнологий, за счет внебюджетных средств (млрд 10–12
руб.)
346
Объем негосударственных инвестиций в создании и
развитие предприятий российской наноиндустрии (млрд 5,1–5,5
руб.)
12.3. Перечень вузов, ведущих подготовку по специальности

«Нанотехнология в электронике»
Список вузов Российской Федерации, ведущих подготовку по специаль-
ности «Нанотехнология в электронике»:
1. Воронежский государственный университет
2. Кабардино-Балкарский государственный университет
3. Московский государственный университет радиотехники, электроники
и информатики
4. Нижегородский университет им. Лобачевского
5. Московский государственный технический университет им. Н.Э.Бумана
6. Московский инженерно-физический институт
7. Новосибирский государственный технический университет
8. Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
9. Северо-Кавказский государственный технический университет
10. Таганрогский государственный радиотехнический университет
11. Сибирский государственный университет телекоммуникаций и инфор-
матики
Перечень вузов по специальности «Наноматериалы»

1. Московская государственная академия тонкой химической технологии
им. М.В. Ломоносова
2. Московский государственный технический университет им. Н.Э.Бумана
3. Московский инженерно-физический институт
4. Московский энергетический институт (технический университет)
5. Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева
6. Санкт-Петербургский государственный технический университет.
Перечень институтов по разработке нанотехнологий

1. Санкт- Петербургский электротехнический университет (ЛЭТИ) Мос-
ковский институт стали и сплавов (МИСиС)
2. Московский государственный институт электронной техники совмест-
но с РАН (МИЭТ)
3. Совместная разработка Физика- технологический института РАН и Ин-
ститута проблем информатики РАН
4. Научно учебный центр СВС МИСиС – ИСМАН.
347
348
Список цитированной литературы
Глава 1. Основные понятия и классификация нанообъектов
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники. – Ново-
сибирск: СибГУТИ, 2005. –324с.
2. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Фадеева Н.Е. Микросхемотехника и нано-
электроника. – Новосибирск: СибГУТИ, 2007. –244с.
3. Кобаяси Н. Веление в нанотехнологию – М.:БИНОМ, 2007. –134с.
4. Лозовский В.Н., Константинова Г.С., Лозовский С.В. Нанотехнология в
электронике – С.Пб.: Изд. «Лань», 2008. –336с.
5. Нанотехнологии в электронике. / Под ред. Чаплыгина Ю.А .– М.: Техно-
сфера, 2005. –446с.
6. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектрони-
ки – Новосибирск, 2004. –494с.
7. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии – М.:Техносфера, 2004. –328с.
8. Игнатов А.Н. Микроэлектронные и наноэлектронные устройства комму-
тации и памяти. – Новосибирск: СибГУТИ, 2009. –156с.
9. Мальцев П. О создании информационной базы Форсайта нанотехнологии
и наносистемной техники // Нано- и микросистемная техника. 2007.– №7. –
C.2-4.
10.Гостишко Б. и др. Разработка элективного курса «Введение в нанотехно-
логии» // Наноиндустрия. 2008.– №6.–С.36-38.
11.Соколов А.В., Карасев О.И. Форсайт и технологические дорожные карты
для наноиндустрии // Российские нанотехнологии. –2009. –№3-4. –С.8-15.
12.Андриевский Р.Н. О цитировании результатов российских исследований
в области нанотехнологий // Нано- и микросистемная техника. 2007.– №11.
13.Негуляев Г.А., Ненахов Г.С. Нанотехнологии: публиковать, сохранять в
тайне или патентовать. // Нано- и микросистемная техника. –2009. –№2. –
С.2-10.
Глава 2. История развития нанотехнологий
1. Краткая история нанотехнологий // Нанотехнологии. –2008. –№3. –С.79.
2. Крушенко Г.Г. Некоторые аспекты применения нанотехнологий // Нано-
техника. –2008. –№1. –С.5-8.
3. Аузан А. Нанотехнологии стали предметом экономической игры // Нано-
технологии. –2008. –№3. –С.22-26.
4. Крымова С. Некоторые проблемы формирования национальной нанотех-
нологической сети // Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.6-9.
5. Свидиненко Ю. Нанотехнологии в нашей жизни // Нанотехнологии. –
2008. –№1. –С.39-42.
6. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехноло-
гий. –432с.
349
7. Эндже Валиева. СМИ в эпоху нанотехнологий // Нанотехнологии. –2008.
–№3. –С.70-72
8. Ковальчук М. Дорогостоящий мираж или переворот в цивилизации? //
Нанотехнологии. –2008. –№2. –С.20-23.
9. Эрик Дрекслер. «Замены нанотехнологиям не предвидятся» // Российские
нанотехнологии. –2009. –№5–6. –С.45.
10. Нанотехнология в ближайшем десятилетии Под ред. Роко М.К. – М.:Мир,
2002. –292с.
11. Носов Ю., Сметанов А. На пути в наноэлектронику: исторические парал-
лели и сопоставления // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –
№5. –С.11-16.
Глава 3. Тенденции развития микро- и наноэлектроники
1. Абрамов И.И. Проблемы и принципы физики и моделирования прибор-
ных структур микро- и наноэлектроники // Нано- и микросистемная техника.
–2007. –№2. –С.24-32.
2. Абрамов И.И. Проблемы и принципы физики и моделирования прибор-
ных структур микро- и наноэлектроники //Нано- и микросистемная техника.
–2007. –№3. –С.57-69.
3. Терехов А.И. Методы и результаты анализа процессов развития нанотех-
нологии // Нанотехника. –2008. –№1. –С.9-21
4. Ананян М. Задача государства – создать условия. чтобы нанотехнологии
сами зарабатывали // Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.3-6.
5. Объем производства продукции наноиндустрии в России к 2015 г. должен
превысить 900 млрд. рублей // Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.12-15.
6. Асеев А. Электроника: от «микро» до «нано» // Нанотехнологии. –2008. –
№2. –С.27-36.
7. Бобков С.Г., Киреев В.Ю. Проблемы перехода микроэлектроники в суб-
нанометровую область размеров // Нано- и микросистемная техника. –2007.
–№5. –С.11-20.
8. Шахнович И. Технология уровня 65 нм. Хроника событий // Электроника:
Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –С.120-123.
9. Ананян. М. Старт сильно затянулся // Нанотехнологии. – 2008. –№3. –
С.30-32.
10. Голышко А.В. Краткая летопись будущего телекоммуникационной от-
расли // Электросвязь. –2009. –№1. –С.5-9.
11. Поборчий Е.Д. Научно-техническая политика и развитие новой техники
для РРЛ и широкополосного радиодоступа // Электросвязь. –2009. –№1. –
С.15-18.
12. Снигирев О.В. Современные тенденции развития элементов вычисли-
тельных устройств post-CMOS эры // Нанотехнологии . –2009. –№1. –
С.43-55.
13. Телец В., Алферов С., Иванов А., Митин Ю., Борисов А., Истомин Е.
Прикладные аспекты нанотехнологий // Наноиндустрия. –2007. –№2. –
С.16-23.
350
14. Сестреватовский В. Производство приемников цифрового сигнала в Рос-
сии: мифы и реальность // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007.
–№8. –С.52-55.
15.Прекрасное далеко от Жореса Алферова // Нанотехнологии. –2008. –№3.
–С.46-47.
16.Адамов Д. Учет особенностей микроэлектронных нанотехнологий при
проектировании СБИС // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –
№8.–С.114-118.
17.Мальцев А., Масленников Р., Хоряев А., Ломаев А., Севастьянов А. Раз-
работка блоков СнК для современных систем беспроводной связи // Элек-
тронные компоненты. –2009. –№1. –С.33-36.
18.Шевченко В.Я. Институт химии силикатов РАН. Исследования в области
наномира и нанотехнологий // Российские нанотехнологии. –2008. –№11-12.
–С.36-45.
19.Вилкова Н.Н. Внедрение приемной аппаратуры для цифрового телевизи-
онного вещания в регионах России // Электросвязь. –2009. –№1. –С.10-14.
20.Иванов В.В., Михальченков А.И., Коробова А.А. Система управления
наукоградом // Электронная промышленность. –2006. –№4. –С.27-32.
21.Бетелин В., Велихов Е. Развитие российского сегмента мировой ИТ-
индустрии // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –С.4.
22.Виноградов В.И. Решения проблем и концепция конвергенции модуль-
ных систем и сетей на основе наноэлектронных технологий СБИС // Ведом-
ственные корпоративные сети и системы. –2007. –№6. –С.94-111.
23.International Symposium on problems of modular system and networks
Icsnet’01. Proceedings INR. RAS. – Moscow, 2001.
24.30-я редакция TOP500: Россия в дюжине ведущих суперкомпьютерных
держав // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007 –№8 –С.108.
25.Виноградов В. Сетевые архитектуры модульных вычислительных систем
// Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8 –С.100-107.
26.Панфилов Ю.В. Состояние исследований и разработок в области нано-
технологий в северной Европе // Нано- и микросистемная техника –2009. –
№5. –С.2-4.
27.Чтобы победить в конкуренции нужно победить в вычислениях // Элек-
троника: Наука. Технология. Бизнес. –2009.№1.-С.4-11.
28.Правительство РФ утвердило концепцию программы «Развитие элек-
тронной компонентной базы радиоэлектроники» на 2008-2015 гг. // Нано- и
микросистемная техника –2009. –№3. –С.43-44.
29.Минаев В. Итоги работы радиоэлектронной промышленности в 2008 году
и основные задачи на 2009 год // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –
2009. –№3. –С.10-16.
30. Чулок А.А. Анализ перспектив технологической модернизации ключе-
вых секторов российской экономики в рамках формирования научно-
технологического Форсайта // Российские нанотехнологии –2009. –№5-6. –
С.18–25.
351
31. Ютаков Н.Ю. Сценарии научно-технологического развития России //
Российские нанотехнологии. –2009. –5-6. –С.26–32.
32. Соколов А.В., Шамнов С.А., Караеев О.И., Рудь В.А. Прогноз развития
российской наноиндустрии с использованием метода Делфи // Российские
нанотехнологии. –2009. –5-6. –С.33–40.
33. Глобальная технологическая революция – 2020 // Российские нанотехно-
логии. –2009. –№5-6. –С.41–44.
34. Пичугина Т. Макроэкономический прогноз развития России до 2025г. //
Российские нанотехнологии. –2009. –№5-6. –С.10–15.
35. Прогноз – 2030 // Российские нанотехнологии. –2009. –№5-6. –С.16–17.
36. Иванов В.В., Михальченко А.И., Коробова А.Н. Создание технико-
внедренческой зоны наукоемкого производства. // Электронная промышлен-
ность. –2006. –№4. –С.17-26.
37. Немудров В.Г. Формирование современной инфраструктуры проектиро-
вания СБИС «Система на кристалле». Проблемы. Задачи. Этапы // Элек-
тронная промышленность. –2003. –№1. –С. 53-60.
Глава 4. Концепция и проблемы формирования национальной
нантехнологической сети Российской федерации
1. Исследования по нанотехнологиям в университетах. // Российские нано-
технологии. –2008. –№7-8. –С.1.
2. Научно-исследовательский центр МФТИ: выбираем «Нано» // Российские
нанотехнологии. –2008. –№7-8. –С.8-11.
3. Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный
центр РАН – ведущий современный комплекс исследований и подготовки
кадров по нанотехнологиям // Российские нанотехнологии. –2008. –№11-12.
–С.13-21.
4. Научно-образовательный центр по направлению «Нанотехнологии»
Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета
// Российские нанотехнологии. –2008. –№11-12. –С.26-29.
5. Носов Ю.Р., Сметанов А.Ю. На пути в наноэлектронику. Нано- и микро-
системная техника. –2008. –№2. – С.11-16.
6. Разработка технологических дорожных карт // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.16-17.
7. Симаранов С.Ю. Продуктовые дорожные карты как инструмент экспер-
тизы и управления инновационными проектами // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.20-23.
8. Гайкович Г. Стандартизация в области промышленных сетей. Развитие
беспроводных стандартов для АСУ ТП // Электронные компоненты. –2009. –
№1. –С.48-54.
9. Мы будем создавать новые рынки // Российские нанотехнологии. –2009. –
№3-4. –С.39-43.
10. Нанотехнологическая дорожная карта США // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.31-38.
352
11. Продуктовая дорожная карта по светодиодам // Российские нанотехноло-
гии. –2009. –№3-4. –С.24-26.
12. Мартиросов. А.М., Стрельцов М.Д. Информационные базы данных ра-
диоэлектронного комплекса и перспективы их развития // Электронная про-
мышленность. –2004. –№4. –С.27-33.
13. Иванов В.В., Михальченко А.И., Коробова А.Н. Создание технико-
внедренческой зоны наукоемкого производства. // Электронная промышлен-
ность. –2006. –№4. –С.17-26.
14. Терехов А. Коммерциализация нанотехнологий: особенности и пробле-
мы // Наноиндустрия. –2008. –№5. –С.4-10.
15. Тихонов А.Н., Захарова О.К., Захарович Е.В., Скуратов А.К. Интернет
портал для ННС // Российские нанотехнологии. –2009. –№5-6. –С.46-49.
Глава 5. Военно-политические аспекты создания нанопродукции
и систем специального назначения
1. Бочаров Л.Ю., Иванов А.А.Ю., Мальцев П.П. О зарубежных программах
по военной нанотехнологии. Часть 2 // Нано- и микросистемная техника. –
2007. –№1. –С.5-10.
2. Стяжкин А.Н. Научно-производственные инновационные корпорации в
ОПК: проблемы и особенности их развития // Электронная промышлен-
ность. –2006. –№4. –С.41-64.
3. Альтман Ю. Военные нанотехнологии. Возможности применения и
контроля вооружений – М.: Техносфера, 2006. – 416с.
Глава 6. Состояние и перспективы развития электронной
промышленности
1. Суворов А.Е. Радиоэлектронная промышленность на подъеме // Электро-
ника: наука. технологии. бизнес. –2007. –№8. –С.4-8.
2. Свириденко В. Перспективы российского рынка ГЛОНАСС-GPS-
приемников // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2009. –№1. –
С.80-83.
3. Адамов Ю.Ф., Сомов О.А., Шевченко Е.А. Системы на кристалле в со-
временной электронике. // Микросистемная техника –2004. –№5. –С.34–38.
4. Цифровые антенные решетки решения задач GPS // Электроника: Наука.
Технология. Бизнес. –2009. –№1. –С.74-78.
5. Артамонов А., Протопопов Л. Передающее оборудование для цифрового
телевещания // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –
С.44-47.
6. Немудров В.Г. Формирование современной инфраструктуры проектиро-
вания СБИС «Система на кристалле». Проблемы. Задачи. Этапы // Элек-
тронная промышленность. –2003. –№1. –С. 53-60.
7. Свириденко В. Перспективы коммерческого рынка приемников
ГЛОНАСС/GPS // Современная электроника. –2009. –№3. –С.8–11.
353
Глава 7. Виды нанотехнологий и перспективы производства
наноэлектронных изделий
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники. – Ново-
сибирск, 2005. –324с.
2. Щука А.А. Электроника. СПб.: БВХ – Петербург, 2005. – 800с.
3. Шахнович И. Технология уровня 65 нм. Хроника событий // Электроника:
Наука. Технология. Бизнес. –2007 –№8. –С.120-123.
4. Кривченко Д., Тузовский В. Технологии молекулярной сборки. // Нано-
индустрия. – 2008. –№6. –С.12-15.
5. Гречихин Л.И. Наночастицы и нанотехнологии. // Нано- и микросистем-
ная техника. –2008. –№5. –С.2-26.
6. Вуль А. Наноуглерод: исследование и применение // Нанотехнологии. –
2008. –№2. –С.23-26.
7. Бочаров Л.Ю., Мальцев П.П. Основные направления и перспективы раз-
вития квантовых информационных технологий за рубежом. // Нано- и мик-
росистемная техника. –2007. –№5. –С.2-10.
8. Шелковиков В.В., Плеханов А.И., Орлова Н.А. Нанометровые пленки по-
лиметиновых красителей в оптической памяти и нелинейной оптике // Рос-
сийские нанотехнологии. –2008. –№9-10. –С.36-47.
9. Баскин И. Компьютерное моделирование в молекулярной нанотехнологии
// Нанотехнологии: Наука и производство. –2009. – №1. –С.71-76.
10. Молекулярная нанотехнология сделает возможным создание изобилия
ресурсов для каждого человека. // Нанотехнология: Наука и производство. –
2009. – №1. –С.65-66.
11. Зубов В.И. Фуллерены – третья форма углерода // Нанотехнологии: Раз-
работка. Применение. –2009. –№1. –С.9-22.
12. Артюхов И.В., Кеменов В.Н., Нестеров С.Б. История концепций молеку-
лярной нанотехнологии // Нанотехнологии: Наука и производство. –2009. –
№1. –С. 56-61.
13. Кравченко Д., Тузовский В. Технологии молекулярной сборки // Наноин-
дустрия. –2008. –№6. –С.12-14.
14. Кулеманов И., Герасименко Н. Неорганические нанотрубки: синтез и
свойства. // Наноиндустрия. –2008. –№5. –С.18-23.
15. Вуль А. Наноуглерод: исследование и применение // Нанотехнологии. –
2008. –№2. –С.23-26.
16. Пахомов С. Квантовый компьютер // Компьютер пресс. –2007. –№5. –
С.134-138.
17. Андреев А.Н., Ермаков Ю.А., Патракеев А.С., Черныш В.С. Применение
кластерных ионов в нанотехнологии // Нанотехнологии. –2009. –№1. –
С.23-38.
18. Головин Ю.И. Введение в нанотехнику– М. : Машиностроение, 2007. –
496с.
19. Гранер Д. Углеродные наносети: новые возможности электроники. //
Нанотехнологии. –2008. –№1. –С.33.
354
Глава 8. Наноэлектронные изделия для инфокоммуникацонных систем
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Фадеева Н.Е. Микросхемотехника и нано-
электроника – Новосибирск, 2007. – 244с.
2. Яшин К.Д., Осипович В.С., Золотой С.А., Павлов А.В. Квантовые микро-
системы. // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№2 С.62–68.
3. Алексенко А.Г. Новый облик электроники – беспроводные сенсорные си-
стемы. // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№1 –С.2–10.
4. Колешко В.М., Полынкова Е.В. Сенсорные микро- наносистемы с REID
идентификацией // Нанотехника. –2008. –№3. С.49–56.
5. Адамов Ю.Ф., Сомов О.А., Шевченко Е.А. Современная технология и
производство систем на кристалле // Микросистемная техника. –2004. –№6
С.28–32.
6. Царев А.В. Мультиплексоры для WDM с нанофотонными отражателями
новый путь к управлению многими сотнями оптических спектральных кана-
лов // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№4. –С.51–55.
7. Нанотехнология в полупроводниковой электронике / Под ред. Асеева
А.Л. –Новосибирск: Изд. СО РАН, 2004. – 368с.
8. Игнатов А.Н. Микроэлектронные и наноэлектронные устройства комму-
тации и памяти.– Новосибирск, 2009. – 156с
9. Нанотехнологии. Наноматериалы. Наносистемная техника. Мировые до-
стижения / Сб. под ред. Мальцева П.П. – М: Техносфера, 2008. –432с.
10.Какая польза рядовым автовладельцам от модных нынче нанотехноло-
гий? // Нанотехнологии: наука и производство. . –2009. –№1. –С.70–71.
11.Тончайщие пленки – очередной апгрейд современной электроники // Со-
временная электроника. –2009. –№3. –С.17.
12.LG заявила о начале выпуска 15” OLED-панелей // Современная электро-
ника. –2009. –№3. –С.17.
13.Нанофотоника вместо электроники. // Нанотехнологии. –2008. –№3. –
С.48.
14.По нитридной дороге к свету // Нанотехнологии. –2008. –№3. –С.41–42.
15.Микродисплеи удалось внедрить в контактные линзы // Нанотехнологии.
–2008. –№2. –С.80.
16.Нанорадиоприемные интерфейсы субклеточного уровня // Нанотехноло-
гии. –2008. –№3. –С.78.
17.Полупроводниковым элементом памяти будет замена // Нанотехнологии.
–2008. –№3. –С.50–51.
18.Создана наименьшая в мире ячейка SRAM по 22-нм техпроцессу // Нано-
техника. –2008. –№3. –С.97–98.
19.Молекулярный ключ управляется светом // Нанотехнологии. –2008. –№3.
–С.38–39.
20. Нанокомпозитные источники белого света // Нанотехнологии. –2008. –
№3. –С.73.
21.Никитин В., Семенов Э., Ломанов А. Б., Гусаров А. Смартлинки – «Ум-
ные» соединения // Фотоника. –2009. –№1. –С.32–39.
355
22.Глухова О.Е. Функциональные наноустройства на основе наночастиц C60,
C450 // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№3. –С.52–56.
23.Диксон. Д. Выбор процессора с низким энергопотреблением // Электрон-
ные компоненты. –2009. –№1. –С.63–66.
24.Быстродействущие усилители с самым низким энергопотреблением //
Электронные компоненты. –2009. –№1. –С.23.
25.Беляев В., Литвак И., Самсонов В. 100 лет российским электронным дис-
плеям // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. – С.124–127.
26.Гречекас Й. «Мастер КИТ NM 8036» – управление тепловым режимом
«умного дома» // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. –2007. –№8. –
С.110–112.
27.Зелков А. Мощные светодиоды корпорации HIGH Power LIGHTING. //
Фотоника. – 2008. –№5. –С 36-38.
28.Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Высокостабильная энерго-
зависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирую-
щихся проводящих наноструктурах // Российсике нанотехнологии. –2009. –
№1–2. –С.183–191.
29.Салихов Р.Б., Лачинов А.Н. Нанообъекты с узкой проводящей зоной на
основе диэлектроческих пленок полиариленфталидов // Нанотехнологии:
Наука и производство. –2008. №4. –С.61–75.
30.Колещко В.М., Полынкова Е.В. Сенсорные микро-наносистемы с REID
идентификаций // Нанотехника. –2008. –№3. –С.49–56.
31.Деспотули А., Андреева А. Наноионные приборы в глубоко субвольтовой
наноэлектронике // Наноиндустрия. –2008. –№5. –С.12-16.
32.Данилин В., Жукова Т., Кузнецов Ю.,Таранов С. Транзистор на GaN пока
самый «Крепкий орешек» // Электроника: Наука. Технология. Бизнес –2006.
–№7
33.Гаврилов С.А., Дронов А.А., Шеваков В.И., Белов А.Н.,
Полторацкий Э.А. Пути повышения эффективности элементов с экстремаль-
но тонкими поглощающими слоями // Российские нанотехнологии. –2009.
Март–апрель – С.139–145
34.Майская В. Транзисторы компании Intel с тройным затвором // Электро-
ника: Наука. Технология. Бизнес –2006–№7–С.50–53
35.Никитин В. Многоканальные оптоволоконные нейроинтерфейсы // Нано-
индустрия. –2009. –№1. –С.30-34.
Глава 9. Состояние и перспективы развития микро- и
наноэлектромеханических систем
1. Варадан В., Випой К., Джозе К. ВЧ МЭМС и их применения. –М.: Техно-
сфера, 2004. – 528с.
2. Гольцова М.М., Юдинцев В.А. МЭМС: большие рынки малых устройств //
Нано- и микросистемная техника –2008 –№4
3. Точицкий Я.Ч. Фотолитографическое и контрольное оборудование в
МСТ-технологии МЭМС – и МОЭМС- устройств // Нано- и микросистемная
техника. –2007 –№1. –С.61-65
356
4. Косцов Э.Г., Фадеев С.Н., Колесников А.А. Высокоэнергоемкие коммута-
торы // Нано- и микросистемная техника. –2007. –№8. –С.66-71.
5. Перспективы развития наноэлектронных и микроэлектромеханических
систем. // Нано- и микросистемная техника. –2004. –№3. –С.22-29.
6. Яшин К.Д., Осипович В.С., Меденко П.В., Логин В.М. Микросистемная
техника для космических аппаратов // Нано- и микросистемная техника. –
2009. –№4. –С.38-42.
7. Юдинцев В. МЭМС – датчики: нанотехнологии наступают // Электроника:
Наука. Технология. Бизнес. –2006. –№8. –С.26-30.
Глава 10. Медицинские и биологические аспекты производства
нанопродукции
1. Говорун В.М. Главная составляющая нанобиотехнологии- медицинская //
Нанотехнологии. –2008 –№3. –С.60-66
2. Биопринтер создал действующий кусок сердечной мышцы // Нанотехно-
логии: Наука и производство–2009. – №1. –С.66-99
3. Сушко А., Дубровин Е., Яминский И., Дрыгин Ю. Зондовая микроскопия
вирусов // Нанотехнологии. –2008. –№6. –С.28-31.
4. Роль углерода и кремния. Кремний «врач» живого // Нанотехнологии –
2008. –№3. –С.43-44
5. Свидиненко Ю. ДНК - транзистор - новое слово в секвенировании // Нано-
технологии –2008. –№1. –С.34-35.
6. Свидиненко Ю. Нанотехнологии в нашей жизни // Нанотехнологии –2008.
–№1. –С.39-42.
Глава 11. Нанотехнологическое оборудование
1. Одиноков В., Павлов Г. Специализированное оборудование для исследо-
вания и реализации новых технологий // Наноиндустрия. –2008. –№3, –
С.14-20.
2. Пономарев А.П., Белик Е.В. Электронно-микроскопичекие исследования
отдельных микроорганизмов, относящихся к нано- и микромиру // Нанотех-
нологии. –2008. –№4. –С.12-20.
3. Одиноков В., Бараник Ю., Рагузин В. Специальное оборудование для
нанесения пленок и отжига материалов // Наноиндустрия. –2009. –№3. –
С.4–12.
4. Головин Ю.И. Введение в нанотехнику – Машиностроение, 2007.– 496с.
5. Афанасьев А., Лучинин В. «Малобюджетная» учебно-научная лаборато-
рия «Нанотехнологии и нанодиагностика» // Наноиндустрия. –2009. –№3. –
С.40–42.
6. Кравченко Д., Тузовский В. Технологии молекулярной сборки // Наноин-
дустрия. –2008. –№6. –С. 12-14.
7. Тузовский В., Кравченко Д., Буздуган А., Кравченко А. ALD – оборудова-
ние компании BeneqOY – от инновации к внедрению // Наноиндустрия. –
2009. –№3. –С. 10-12.
357
8. Гелевер В. Разработка электронно-рентгеновского микроскопа (ЭРМ) для
исследования наноструктурных объектов // Наноиндустрия. –2008. –№6. –С.
32-35.
9. ЦКП МГУ им. М.В. Ломоносова – уникальное оборудование для научных
исследований во всех направлениях // Российское нанотехнологии. –2008. –
№9-10. –С. 11-13.
10.Миркурбанов Х., Тимофеев В., Одиноков В., Павлов Г., Веревнин Д.,
Кравченко А. Установка эпитаксиального наращивания слоев для индивиу-
альной обработки подложек большого диаметра // Наноиндустрия. –2008. –
№6. –С. 4-6.
11.Погорельский Ю., Алексеев А., Чалый В., Филаретов А. Новое поколение
установки молекулярно- пучковой эпитаксии // Наноиндустрия. –2008. –№6.
–С.8-9.
12. Точицкий Я.И. Фотолитографическое и контрольное оборудование в
МСТ-технологии МЭМС- и МОЭМС-устройств // Нано- и микросистемная
техника. –2007.– №1. –С.61-65.
13. Круглов Е.В. Микроконтроллерная система управления сканирующим
зондовым микроскопом «NanScan» // Нанотехника. –2008. –№1. –С.104-111.
14. Андреюк Д. Самый верный вектор // Нанотехнологии. –2008. –№3. –
С.28-29.
15. Быков В.А., Васильев В.Н., Голубок А.О. Учебно-исследовательская ми-
ни-лаборатория по нанотехнологии на базе сканирующего зондового микро-
скопа «Наноэндьюкатор» // Российское нанотехнологии. –2009 –№5-6. –
С.51-58.
16. Быков В., Васильев В., Голубок А. Наноэдьюкатор – первый шаг к созда-
нию образовательной нанотехнологической сети // Наноиндустрия. –2009. –
№3. –С.36–39.
Глава 12. Подготовка кадров для направления «Нанотехнология»
1. Костишко Б., Голованов В., Светухин В., Золотовский И. Разработка
элективного курса «Введение в нанотехнологии» // Наноиндустрия. –2008.–
№6. –С.36-40.
2. Обучение молодежи нанотехнологиям – наша задача и наша надежда //
Российские нанотехнологии. –2008.–№9-10. –С.14-17.
3. Акуленок М.В., Поспелов А.С. Элитное техническое образование и про-
блемы построения систем качества образовательной деятельности. Известия
вузов // Электроника. –№3. –2004.– С.5-10.
4. Ананян М. Старт сильно затянулся. Спецназом по нанотехнологиям. Бе-
лорусские нанотехнологии намерены создать конкуренцию российским кол-
легам // Нанотехнологии. –2008. –№3. –С.30-34.
5. Петропавлоский В. Лед тронулся, господа дистребьютеры. Встреча ву-
зовских преподавателей с бизнесменами // Инженерная микроэлектроника. –
2003. –№8(81). – С.20-23.
6. Кокорева И. Универсальная программа NXP // Электроника. –2009.–№1.–
С.102-103.
7. Васильев Н., Хажакян А., Васильев Д. Через моделирование физики к
нантехнологиям // Наноиндустрия. –2008. –№6. –С.40-45.
358
Перечень принятых сокращений
БИС – интегральная схема большой степени интеграции
ВМ – видиомикроскоп
ВОСП – волоконнооптическая система передачи
ГИС – интегральная схема гигантской степени игтеграции
ГНСС – глобальная навигационная спутниковая система
ГПТШ – гетерополевой транзистор с барьером Шоттки
ГФО – газофазное осаждение
ДУС – датчик угловой скорости
ДЭГ – двумерный электронный газ
ЖК – жидкий кристалл
ИЛО – импульсное лазерное напыление
ИС – интегральная схема
ИТО – исследовательно-технологическая основа
КК – квантовый компьютер
КМОП – комплементарная- метал-оксид-полупроводниковая структура
КНИ – кремний на изоляторе
КЦП – комплексная целевая программа
ЛВР – лазер с вертикальным резонатором
ЛИА – литий-ионный аккумулятор
МЛЭ – молекулярно- лучевая эпитаксия
МОП – металл-оксид-полупроводник
МПЭ – молекулярно-пучковая эпитаксия
МРМ – мобильная радиосвязь и мультимедиа
МС – микросистема
МЭМС – микроэлектромеханическая система
НАП – навигационная аппаратура потребителя
ННС – национальная нанотехническая сеть
НОЦ – научно-образователный центр
НСК – наноэлектронный супер-конденсатор
НЭМС – наноэлектромеханическая система
ПЗС – приборы с зарядовой связью
ПЛИС – программируемая логическая интегральная схема
ПСС – персональная сеть связи
РТД – резонансно туннельный диод
РЭП – радиоэлектронная промышленность
СБИС – интегральная схема сверхбольшой степени интеграции
СЗМ – сканирующий зондовый микроскоп
СИС – интегральная схема средней степени интеграции
СНК – система на кристалле
ССМ – сканирующий силовой микроскоп
СТМ – сканирующий туннельный микроскоп
ТВЗ – технико-внедренческая зона
УБИС – интегральная схема ультравысокой степени интеграции
УМО – учебно-методическое объеденение
УНТ – углеродная нанотрубка
ФИП – фокусированный ионный пучок
ФЦП – федеральная целевая программа
ХИТ – химический источник тока
ЦКП – центр коллективного пользования
ЦПС – цифровые процессоры сигналов
ЭКБ – электронно компонентная база
ЭЛТ – электронно-лучевая трубка
359
Учебное издание
Игнатов
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
Состояние и перспективы
Подписано в печать 01.10.2012.

Электронное издание для распространения через
Интернет.
ООО «ФЛИНТА», 117342, Москва, ул. Бутлерова, д. 17-Б, комн. 324

Тел./факс: 334-82-65; тел. 336-03-11.
E-mail: flinta@mail.ru;
WebSite: www.flinta.ru

Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Игнатов А. Н. - Наноэлектроника. Состояние и перспективы развития (Электронный ресурс) - Учеб. пособие - 2012 PDF

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

. .

В книге рассматриваются тенденции развития микро- и наноэлектроники,

ISBN 978-5-9765-0174-4 © Издательство «ФЛИНТА», 2012

1.1. Общие сведения

Нанотехнологический подход означает такое же, но целенаправленное, ре-

1.2. Классификация нанообъектов

Рис. 1.2. Наночастицы из атомов аргона

Энергия связи, то есть энергия, затрачиваемая на отрыв отдельного атома

Рис. 1.3. Наночастицы, состоящие из атомов платины

Рис. 1.4. Возможные формы металлических наночастиц

Фуллерены представляют собой полые внутри частицы, образованные

Рис. 1.5. Молекула фуллерена C60

Фуллерены находят широкое применение: в создании новых смазок и ан-

Нанотрубки обладают рядом уникальнейших свойств, благодаря которым

Рис. 1.7. Кластер хлорида натрия

Если ионная наночастица достаточно велика, то ее структура близка к

Рис. 1.8. Фрактальный кластер

Молекулярный кластер кластеры, состоящие из молекул. Большинство

Рис. 1.9. Молекулярный кластер белка

1.3. Наночастицы и наносистемы

1.4. Основные термины индустрии наносистем

2.1. Общие сведения

Рис. 2.1. Ричард Фейман. 1959 г.

Этот манипулятор он предложил делать следующим способом. Необходи-

2.2. Краткая история нанотехнологий

3.2. Закон Мура

Характерный размер элементов, мкм

1010 Квантовая Эра 10-1

1970 1980 1990 2000 2010 2020 2030 2040

Одна чисто теоретическая идея заключается в многократном использова-

3.3. Основные тенденции развития микро- и наноэлектрон-

Прогноз развития мирового рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

Рис. 3.2. Прогноз развития рынка продукции нанотехнологии на 2015 г.

3.4. Перспективы развития модульных систем

1970 1980 1990 2000 2010

Рис. 3.3. Полоса пропускания магистральных и коммутируемых компьютерных сетей

Компактные модульные системы типа compact PCI и версии PCI/104 обес-

Рис.3.4. Рост производительности компьютерных систем, HPC и SAN

Россия в начале XXI века отставала по разработкам, производству элек-

3.4.2. Виды модульных систем

3.4.4. Нанотехнологии будущих электронных систем

3.4.5. Перспективы развития навигационных систем

3.5. Перспективы развития цифрового телевидения

Рис. 3.5. Распределение предприятий изготовителей

3.6. Перспективы развития дисплеев и

Светодиодные устройства Флуоресцентные лампы Лампы накаливания и др.

Рис. 3.6. Прогноз состояния мирового рынка общего освещения

При этом светодиодный сектор рынка состоит из нескольких сегментов.

Рис. 3.7. Распределение мирового рынка светодиодов

Кроме показанного роста сегментов дисплеев и освещения перспективны-

Газоразрядные Лампы накаливания

2007 год 2012 год

Рис. 3.8. Доля различных устройств на мировом рынке

В России, но данным РБК, объем всего рынка светотехники в 2007 г. со-

Рис. 3.9. Распределения рынка общего освещения в России по типам ламп

На рынке общего освещения выделяются как наиболее крупные рынок

Рис. 3.10. Прогноз разработок LED в России. Характеристики чипов и светодиодов

Технология OLED развивается в РФ медленно, отсутствует не только се-

3.7. Состояние и проблемы внедрения электронных

3.8. Формирование современной инфраструктуры

Рис. 3.11. Тенденции проектирования на различных уровнях абстракции

Центры проектирования СБИС

Производители СБИС «кремниевые мастерские»