Практическая работа №.6. Внутренняя память. Основы работы DRAM и SRAM памятей.

Цель работы:
1. Типы внутренней памяти компьютера;
2. Принцип работы DRAM памяти;
3. Принцип работы SRAM памяти.
4. Составьте таблицу сравнения для SRAM и DRAM памятей.
Содержание работы:
1. Опишите типы внутренней памяти ПК в соответствии со следующими критериями:
a. Определение памяти;
b. Методы построения;
c. Существующие объемы;
d. Производители памяти;
e. Частота работы;
f. Стоимость памяти за МБ.
2. Опишите принцип работы ячейки памяти DRAM по следующим операциям:(fig.1)
a. Запись данных в память;
b. Чтение данных памяти;
c. Обновление памяти;
3. Опишите принцип работы ячейки памяти SRAM по следующим операциям:(fig.2)
a. Standby;
b. Чтение;
c. Запись.

Fig.1. Блок-схема функциональной памяти DRAM.

Fig.2. Ячейка SRAM с шестью транзисторами, созданная по технологии CMOS.

1. Статическая память (SRAM) – это энергозависимая полупроводниковая память с
произвольным доступом, в которой каждый разряд хранится в триггере, позволяющем
поддерживать состояние разряда без постоянной перезаписи.

Динамическая память (DRAM) - это тип полупроводниковой памяти с произвольным

доступом, в которой каждый бит данных хранится в ячейке памяти, состоящей из крошечного
конденсатора и транзистора, которые обычно основаны на металл-оксид-полупроводник (MOS)
технология.

 В статической памяти элементы (ячейки) построены на различных

вариантах триггеров — схем с двумя устойчивыми состояниями. После записи бита в
такую ячейку она может пребывать в этом состоянии сколь угодно долго — необходимо
только наличие питания. При обращении к микросхеме статической памяти на нее
подается полный адрес, который при помощи внутреннего дешифратора преобразуется в
сигналы выборки конкретных ячеек. Ячейки статической памяти имеют малое время
срабатывания (единицы наносекунд), однако микросхемы на их основе имеют низкую
удельную емкость (единицы мегабит на корпус) и высокое энергопотребление. Поэтому
статическая память используется в основном в качестве микропроцессорной и буферной
(кэш-память).

 В динамической памяти ячейки построены на основе полупроводниковых областей с

накоплением зарядов (своеобразных конденсаторов), занимающих гораздо меньшую
площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих энергии при хранении.
Конденсаторы расположены на пересечении вертикальных и горизонтальных шин
матрицы; запись и считывание информации осуществляется подачей электрических
импульсов по тем шинам матрицы, которые соединены с элементами, принадлежащими
выбранной ячейке памяти. При обращении к микросхеме на ее входы вначале подается
адрес строки матрицы, сопровождаемый сигналом RAS (Row Address Strobe — строб
адреса строки), затем, через некоторое время — адрес столбца, сопровождаемый
сигналом СAS (Column Address Strobe — строб адреса столбца). Поскольку
конденсаторы постепенно разряжаются (заряд сохраняется в ячейке в течение
нескольких миллисекунд), во избежание потери хранимой информации заряд в них
необходимо постоянно регенерировать, отсюда и название памяти — динамическая.
Динамическая память используется для построения оперативных запоминающих
устройств основной памяти ПК.

Типовой объем памяти современных микросхем SRAM достигает 1 Мбит и более.

Существуют три разновидности микросхем статической памяти: Async SRAM, Sync Burst
SRAM и Pipelined Burst SRAM.

Известные производители ОЗУ:

 AMIC Technology — один из известных производителей памяти, выпускающий широкий

спектр различных микросхем памяти: статической SRAM, Flash, ROM,
OTR и динамической DRAM.

 Transcend. — Тайваньский бренд широко известный своими флешками и оперативной

памятью. Компания не предлагает каких-либо сверхъестественных решений и уверенно
занимает нишу недорогих моделей для компьютеров вплоть до среднего ценового
диапазона.

 Apacer. Еще один известный бренд из Тайваня с доступной по цене продукцией для

настольных ПК и игровых компьютеров начального/среднего уровня. В основном это
 планки на 8 или 16 Гб, в том числе и с радиаторами для эффективного отвода тепла в
геймерских(игровых) модификациях.

 Corsair (США). Известный бренд с продукцией для мощных игровых платформ. Память
в планках на 8 или 16 Гб отличается оригинальным дизайном радиаторов, снабжена
подсветкой, обеспечивает стабильную работу компьютера с максимальной
производительностью. Предусмотрена возможность разгона с минимальным
повышением энергозатрат и тепловыделением.

 Crucial (Micron Technology). Это доступная по цене память для настольных и игровых
ПК с микросхемами DDR4 на планках по 8, 16 или 32 Гб с рабочей частоте до 3200 МГц.
Компания выпускает и модели для последующего разгона, что расширяет их применение
в самых требовательных системах.

 HyperX (подразделение Kingston). Бренд предлагает игровые модули объемом до 128 Гб

с радиаторами агрессивного дизайна и частотами до 3733 МГц. Память оснащают
регулируемой подсветкой. Для изменения настроек производитель предлагает
собственное ПО.

 Samsung. Известный бренд (Южная Корея) со множеством предложений на рынке

электроники, в том числе и с несколькими моделями простой и надежной памяти по
доступной цене. Продукцию этой компании в основном выбирают для недорогих
настольных и мобильных решений, но выпускаются и модели под серверные системы.

 ADATA (Тайвань). Компания предлагает твердотельные накопители, карты памяти и

ОЗУ для ПК. Бренд выпускает относительно недорогие, надежные и достаточно
производительные планки на 8 и 16 Гб, в том числе для игровых платформ.

По сравнению с динамической оперативной памятью быстродействие SRAM намного выше,

но плотность ее гораздо ниже, а цена довольно высока.
Более низкая плотность означает, что микросхемы SRAM имеют большие габариты, хотя их
информационная емкость намного меньше.
Большое число транзисторов и контролируемое их размещение не только увеличивает габариты
микросхем SRAM, но и значительно повышает стоимость технологического процесса по
сравнению с аналогичными параметрами для микросхем DRAM.

Например, емкость модуля DRAM может равняться 64 Мбайт или больше, в то время как
емкость модуля SRAM приблизительно того же размера составляет только 2 Мбайт, причем их
стоимость будет одинаковой.
Таким образом, габариты SRAM в среднем в 30 раз превышают размер динамической
оперативной памяти, то же самое можно сказать и о стоимости.
Все это не позволяет использовать память типа SRAM в качестве оперативной памяти в
персональных компьютерах.

Память может работать с тактовой частотой шины 200, 266, 333, 337, 400, 533, 575 и 600 МГц.
При этом эффективная частота передачи данных соответственно будет 400, 533, 667, 675, 800,
1066, 1150 и 1200 МГц. 35. Некоторые производители модулей памяти помимо
стандартных частот выпускают и образцы, работающие на нестандартных
(промежуточных) частотах.

Микросхемы динамической памяти (DRAM), установленные в модулях разных типов (SIMM,

DIMM или RIMM), имеют разные характеристики. Быстродействие модулей SIMM варьируется
в пределах от 50 до 120 нс на частотах 66, 100 и 133 МГц. Модули памяти DDR DIMM
имеют частоту 1600 и 2100 Мбайт/с.
2. ПРИНЦИП РАБОТЫ SRAM:

Режим ожидания: Когда ячейка находится в режиме ожидания, транзисторы доступа M5 и M6

отключают ячейку от разрядных линий.

Чтение: Предположим, что значение в ячейке равно 1, а, то есть значение, хранящееся в Q.

Когда память читается, цикл чтения начинается с предварительной загрузки битовых линий при
логическом значении 1, затем линия WL активирует транзисторы доступа M5. и M6. На втором
этапе значения, хранящиеся в Q и Q, передаются в разрядные линии, оставляя линию BL со
значением во время предварительной нагрузки и разрядом BL через транзисторы M1 и M5 до
логического значения 0. На линии BL транзисторы M4 и M6 направляют из разрядной шины в
логическое значение 1 Vdd (напряжение, которое подается на сток полевого транзистора).
Если значение в Q было 0, происходит обратное: линия BL переходит в 1, а BL в 0. Между
линиями BL и BL будет разница напряжений. Эти линии подключены к усилителю считывания,
который определит, какая линия передала наибольшее напряжение, и, следовательно,
определит, был ли логически сохранен 0 или 1 в Q.

Запись: Цикл записи начинается с применения значения, которое будет сохранено в ячейке, по
битовым линиям. Если, например, мы хотим записать (сохранить) 0, мы применим это значение
к битовым линиям: BL к 1 логически и BL к 0. 1 записывается путем применения обратных
значений: BL к 0 и BL к 1 Затем строка WL поднимается и позволяет хранить значения.
Поскольку внешние значения выше, чем сопротивление транзисторов, они «обновляются»
новыми значениями.

3. ПРИНЦИП РАБОТЫ DRAM:

Чтобы прочитать состояние ячейки, загружается линия доступа AL. Это может позволить или
не позволить току течь через линию передачи данных (DL), в зависимости от состояния заряда
конденсатора.

Для записи в ячейку DL устанавливается на желаемое значение, тогда линия доступа позволяет
конденсатору заряжаться или разряжаться. Проблемы возникают именно из-за того, как
работает конденсатор. Тот факт, что конденсатор используется для хранения состояний,
означает, что считывание будет постепенно его разряжать. Считывание не может повторяться
бесконечно долго, но до тех пор, пока конденсатор полностью не разрядится, необходимо его
перезарядить, в противном случае программы могут получить ошибочную информацию с того
же адреса памяти, который ранее предоставил правильную информацию.
Обновление / подзарядка происходит каждые 64 месяца. В это время доступ (чтение / запись,
любые операции с памятью) блокируется, что приводит к «мертвому времени», в течение
которого компьютер / процессы застаиваются. Другая проблема, обнаруженная в ячейках
DRAM, - это время зарядки и разрядки конденсатора. Они не являются мгновенными, сигналы,
принимаемые усилителем считывания, не имеют прямоугольной формы, и ток, который может
быть обнаружен усилителем, не доступен сразу. По сравнению со статической случайной
памятью, где результат считывания был доступен почти мгновенно, динамическая случайная
память ограничена скоростью разряда конденсатора.
 4. Сравнения

SRAM(статическая DRAM(динамическая
оперативная память) оперативная память)
Память не нуждается в обновлении, Память DRAM имеет преимущество простой
ее ячейки остаются стабильными, архитектуры (транзистор и конденсатор),
пока на линию Vdd (стока полевого транзистора поэтому более низкая стоимость производства,
подается напряжение), обычно используется в возможность хранить несколько ячеек на
устройствах, которым требуется очень короткое одной поверхности и низкое
время доступа к памяти.  энергопотребление. 
Обычно этот тип памяти можно найти в Самый большой его недостаток - длительное
процессорах как кэш-память (L1, L2, L3), время доступа из-за упрощенного
но также и в других устройствах, режима конструкции. 
таких как жесткие диски (в качестве буфера), Из-за использования конденсаторов их
маршрутизаторы, принтеры.  необходимо перезаряжать после каждой
Недостатками являются высокие операции считывания, после чего никакие
производственные затраты и высокое другие операции не могут выполняться с
энергопотребление по сравнению с DRAM. ячейкой, в которой находится конденсатор.