Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) или память

типа ROM (Read Only Memory — память только для чтения) хранят информацию
которая вообще не меняется или изменяется редко не в оперативном, а в
специальном режиме программирования. В ПЗУ хранится предварительно
занесенная информация в виде стандартных подпрограмм, кодов физических
констант, постоянных коэффициентов, букв русского и латинского алфавита и т.
п. поэтому ПЗУ работают только в режимах хранения и считывания. Одним из
основных узлов ЗУ является накопитель, имеющий матричную структуру.
Функции элементов памяти накопителя в ПЗУ выполняют программируемые
перемычки в виде полупроводниковых диодов или транзисторов, включенные
между строками и столбцами матрицы. Наличие перемычки соответствует,
например, логической единице, а ее отсутствие — нулю. Это придает свойство
энергонезависимости ПЗУ, т. е. сохранения информации при отключении
питающих напряжений.
Микросхемы ПЗУ имеют, словарную организацию, при которой
информация считывается в форме многоразрядного кода (слова). Совокупность
элементов памяти в матрице накопителя, хранящих слово, называют ячейкой
памяти. Каждая ячейка памяти имеет свой адрес. Число элементов памяти в
ячейке определяет ее разрядность N. Если число адресных входов составляет М,
то число ячеек равно 2м, а информационная емкость микросхемы — 2м  N бит.
Таким образом общим свойством ПЗУ является их многоразрядная (словарная)
организация, режим считывания как основной режим работы и
энергонезависимость. Вместе с тем выделенные в отдельные группы ПЗУ имеют
свои особенности, что делает целесообразным рассмотрение каждой группы ПЗУ
отдельно.
1. Масочные ПЗУ
В масочные ЗУ типа ROM(M) данные заносятся при изготовлении микросхем с
помощью маски (шаблона) на завершающем этапе технологического процесса.
Пользователь не может изменить содержимое памяти. Элементом памяти или
связи между строками и столбцами могут быть полупроводниковые диоды,
биполярные транзисторы, МОП-транзисторы и другие. В матрице с диодными
элементами в узлах, символизирующих логическую единицу изготавливается
полноценный диод, а в узлах, символизирующих логический нуль, присутствует
неработоспособный диод. Это позволяет использовать один шаблон при
изготовлении микросхемы и удешевить производство. Для матриц с МОП-
транзисторами при изготовлении транзисторов, символизирующих логический
нуль, увеличивают толщину подзатворного слоя. В таких транзисторах paбочее
напряжение ЗУ не в состоянии открыть транзистор, что равноценно его
отсутствию.
Микросхемы ПЗУ(М) изготовляют согласно биполярной ТТЛ, ТТЛШ-
технологии, n-канальной, р-канальной и КМДП-технологиям.
Микросхемы на биполярных транзисторах программируют путем
формирования перемычек между строками и столбцами в тех точках матрицы,
куда следует занести логическую "1" . В тех точках матрицы, где должен быть
логический "0", перемычку не формируют.
В микросхемах ПЗУ(М), изготовленных по МДП-технологии,
элементами памяти являются МДП-транзисторы с каналами n-типа, р-типа.
Они включены на пересечениях строк и столбцов матрицы. Программирование
таких микросхем осуществляют или по способу формирования перемычек, т. е.
по схеме подключения транзисторов к шинам столбцов, или по способу
формирования МДП-транзисторов с двумя порогами отпирания: низким и
высоким. В матрицах, программируемых по второму способу, все транзисторы
соединены с шинами строк и столбцов, как показано на рис.1, но имеют разную
толщину подзатворного диэлектрика и разное предельное напряжение: более
низкое у транзистора VT0, VT3, что отвечает "1", и более высокое в VT1, VT2, что
отвечает "0". При возбуждении адресной строки Xj напряжением, значение
которого лежит между двумя предельными напряжениями, транзисторы VT0,
VT3 будут открыты, a VT1, VT2 останутся в закрытом состоянии. В результате на
разрядные шины РШ0 , РШ3 передается потенциал высокого уровня, а
потенциал РШ2 , РШ1 не изменяется. Расхождение в потенциалах разрядных
шин исходные усилители трансформируют в стандартные равные напряжения
"1" и "0" соответственно.
На рис.1. изображен фрагмент матрицы с МОП-транзисторами.
Штриховкой обозначен утолщенный подзатворный слой транзисторов VT1 VT2. С
выхода ЗУ снимается код 1001.

- -
R R1 R2
0
+ +
1 Адресная шина
- -
R 3
+ +

+ + + +

VT 0 VT 0 VT 0 VT 0

1 0 0 1

Рис.1. Фрагмент матрицы с МОП-транзисторами

Структурные и функциональные особенности ПЗУ(М) рассмотрим на

примере устройства с организацией 4х8 (рис.2).
 Рис.2. Структурно-функциональная организация ПЗУ с однокоординатной адресацией

Постоянное запоминающее устройство содержит:

матрицу 4x8, в которой функции элементов памяти выполняют
элементы односторонней связи между строками и столбцами или отсутствие
таковой. Так же, как и в ОЗУ, строки служат для адресации и позволяют
произвести выборку требуемого слова. Столбцы играют роль разрядных линий
данных или линий считывания. Элементами связи могут быть диоды как в
рассматриваемом случае, так и другие полупроводниковые приборы.
Включенный между i-й строкой и j -м столбцом (i = 0,1, 2,3 — номера строк,
j = 0 1,2,..., 7 – номера столбцов или разрядов хранимого слова)
полупроводниковый диод позволяет при определенных условиях создать
одностороннюю электрическую связь между ними. При отсутствии диода между
i-й строкой и j -м столбцом таковой связи никогда нет. Наличие связи кодируется
логической единицей, отсутствие связи — логическим нулем (или наоборот);
дешифратор DC (2x4) адресного кода А1,А0, предназначенный для
активизации одной из адресных шин (строк i = 0,1,2,3) с помощью сигнала CS
= 0 (Chip Select — выбор кристалла, микросхемы). Для этой же цели
используются сигналы с другими названиями, например «чтение памяти»;
резисторы Rо-R7, предназначенные для фиксации логических уровней. Их
функции могут выполнять входные сопротивления усилителей считывания
подключенных к столбцам матрицы.
Рассмотрим принцип работы ПЗУ. Напомним, что основными
режимами работы ПЗУ являются режим хранения и режим считывания.
Если сигнал выбора микросхемы CS = 1, то на всех выходах дешифратора
формируются нулевые сигналы, через резисторы Rо-R7 токи не протекают и
нулевые сигналы устанавливаются на всех выходах ПЗУ. Такое состояние ПЗУ
соответствует режиму хранения.
Режим считывания активизируется путем подачу на входы дешифратора DC
адресного кода, например А1,А0 = 01 и сигнала CS = 0. При этом на выходе 1
дешифратора формируется высокий уровень напряжения (логическая единица).
Через все диоды, подключенные к строке i = 1, начнет протекать ток, создавая
падение напряжения на резисторах R7, R6, R 5, R2,, R1 (рис. 6.17). Из-за отсутствия
связей между строкой i = 1 и столбцами j = 4, 3, 0 токи через резисторы R 4, R 3, R0,
не протекают и падение напряжения на этих резисторах равно нулю. В результате
на выходе запоминающего устройства формируется 8-разрядное слово
DO7DO6DO5DO4DO3DO2DO1DO0=11100110.
Еще раз подчеркнем необходимость использования элементов с
односторонней проводимостью для организации связи между i-й строкой и /-м
столбцом, благодаря которым под напряжением находится только активная строка.
Если вместо полупроводниковых диодов включить обычные перемычки с
двухсторонней проводимостью, то под напряжением могут оказаться все строки и
запоминающее устройство не будет выполнять свои функции.
Недостаток однокоординатной адресации состоит в том, что с увеличением
емкости памяти, или числа хранимых слов, растет число выходов дешифратора, что
приводит к усложнению его схемы.
Аналогично оперативным ЗУ существуют два пути устранения этого
недостатка: каскадирование запоминающих устройств и использование
двухкоординатной адресации.
Среди микросхем ПЗУ(М) разных серий многие имеют стандартные
прошивки. Например, в микросхемах ПЗУ(М) К155РЕ21—К155РЕ24 записаны
соответствующие коды букв русского (РЕ21), латинского (РЕ22) алфавитов,
арифметических знаков и цифр (РЕ23), дополнительных знаков (РЕ24). В
совокупности эти микросхемы образуют генератор символов на 96 знаков
формата 7x5 точек. Одна из микросхем серии КР555РЕ4 содержит прошивки
160 символов, которые отвечают 8-разрядному коду обмена информации КОИ
2-8 с форматом знаков 7x11. Прошивку кодов алфавитно-цифровых символов
содержит микросхема КМ1656РЕ2.
Основным динамическим параметром микросхем ПЗУМ является время
выборки адреса. При необходимости стробирования исходных сигналов на
управляющие входы CS следует подавать импульсы после поступления кода
адреса. В таком случае в расчет времени считывания надо принимать время
установления сигнала CS относительно адреса и время выбора. У микросхемы
KN610PE1 предусмотрен дополнительный сигнал ОЕ для управления выходом.
Исходные сигналы во всех микросхемах ПЗУ(М) имеют ТТЛ-равные
уровни. Выходы построены в основном по схеме с тремя состояниями.
Для снижения потребляемой мощности некоторые микросхемы,
например, допускают применение режима импульсного питания при котором
питание на микросхему подают только при считывании информации.
Особенностью микросхем, обусловленной их назначением, является
соединение адресных входов А1 —А15 и выходов данных DO0—DO15 . Исходные
формирователи выполнены по схеме на трех состояниях. Три старших разряда
кода адреса А15 —А13 предназначены для выбора микросхемы, другие разряды
А12 —А1 для выборки слова, которое считывается. Разрешение на прием
основного адреса формирует схема сравнения по результату сопоставления
принятого и "зашитого" адреса микросхемы. Принятый адрес фиксируется на
адресном регистре, а входы/выходы переходят в третье состояние.
Система управляющих сигналов включает: — разрешение чтения
данных с ЗУ (иначе ); — синхронизация обмена (иначе —
разрешение обращения); — выбор микросхемы, RPLY — исходный сигнал
готовности данных сопровождает информацию DO0—DO15 ,которая
считывается в магистраль. Режим хранения обеспечивается сигналами =1
или - 1. В режиме считывания время обращения к микросхеме определяет
сигнал = 0. Кроме него поступают сигналы кода адреса на выходы
ADO0—АDO15 и = 0. При совпадении адреса ADO15—АDO13 с адресом
микросхемы во входной регистр поступает адрес слова, которое считывается, а
выходы A DO0—АDO15 переходят в третье состояние. Считанное слово из
матрицы записывается в исходный регистр данных и по сигналу = 0
появляется на выходах DO0—DO15 и передается в магистраль. Одновременно
на выходе формируется сигнал "0". Исходные регистры возвращаются в
исходное состояние после снятия сигнала .

2. Программируемые ПЗУ

Программируемая память, или память типа PROM (Programmable ROM),

позволяет пользователю устранить или создать перемычки в исходной заготовке
микросхемы памяти. Этот процесс называется программированием микросхемы
памяти.
В микросхемах с устраняемыми плавкими перемычками в исходной
заготовке имеются все перемычки. В процессе программирования часть перемычек
расплавляется импульсами тока достаточно большой амплитуды и длительности.
Плавкие перемычки изготавливаются из нихрома, поликремния или титаната
вольфрама и обычно включаются в электроды диодов или транзисторов. На рис.3,а
показан диод с сохраненной плавкой перемычкой, на рис.3,б — диод, в котором
перемычка устранена.

а) б) в) г)
Рис.3 Элементы памяти с плавкими перемычками и с диодными парами

Аналогичным образом осуществляется программирование биполярных

транзисторов (в том числе и многоэмиттерных) с плавкими перемычками,
включенными в эмиттерные цепи.
В микросхемах с создаваемыми перемычками элемент памяти в исходной
заготовке представляет собой два встречно включенных диода или тонкие
диэлектрические слои и имеет очень большое сопротивление. В процессе
программирования на элемент памяти подается повышенное напряжение, в
результате чего происходит пробой элемента с образованием короткого
замыкания. На рис.3 в,г показана диодная пара в исходном состоянии и после
программирования.
Микросхемы программируемых ПЗУ по принципу построения и
функционированию аналогичны маскированным ПЗУ, но имеют существенное
отличие в том, что допускают программирование на месте своего применения
пользователем. Операция программирования состоит в разрушении
(пережигании) части плавких перемычек на поверхности кристалла
импульсами тока амплитудой 30...50 мА. Технические средства для
выполнения этой операции довольно простые и могут быть построены самим
пользователем. Это обстоятельство в совокупности с низкой стоимостью и
доступностью микросхем ППЗУ обусловило их широкое распространение на
практике.
Микросхемы ППЗУ, которые выпускаются отечественной
промышленностью (табл.1). преимущественно изготовленные по ТТЛШ-
технологии, и среди них преобладающее положение занимает серия К556.
Функциональный состав серии включает микросхемы емкостью до 64 Кбит
словарной 4 и 8-разрядной организацией, с длительностью времени выборки
45...85 нc и уровнем потребляемой мощности от 0,6 до 1 Вт.
Небольшая часть микросхем ППЗУ выполнена по другим технологиям:
2
И Л (К541), n-МДП (К565), ЭСЛ (К500, К1500), КМДП (К1623). Микросхемы
серии К1623 отличаются наиболее низким уровнем энергопотребления, но по
быстродействию они уступают микросхемам серии К556.
 Таблица 1 . Микросхемы ППЗУ

Ёмкость, Рсп , Начальное

Тип микросхемы tв.а ,нс
бит мВт состояние
КР556РТ1 ПЛМ 70 850 -
КР556РТ2 ПЛМ 80 950 -
КР556РТ4 256х4 70 690 0
КР556РТ5 512х8 80 1000 1
КР556РТ6 (РТ7) 2Кх8 80 900 0
КР556РТ11 256х4 45 650 0
КР556РТ12(РТ13) 1Кх4 60 740 0
КР556РТ14(РТ15) 2Кх4 60 740 0
КР556РТ16 8Кх8 85 1000 0
КР556РТ17 512х8 50 900 1
КР556РТ18 2Кх8 60 950 0
К541РТ1 256х4 80 400 0
К541РТ2 2Кх8 100 770 0
К1608РТ2 512х8 40 920 0
К1623РТ1 2Кх8 200 - -
К155РЕ3 32х8 70 550 0
К1500РТ1416 256х4 20 670 1

Для микросхем ППЗУ всех серий, кроме К500, К1500, К565, характерны
такие свойства, как единое напряжение питания 5 В, наличие входных и
выходных ТТЛ-уровней напряжения логического "0" (0,4 В) и логической "1"
(2,4 В) и полная совместимость микросхем, однотипные выходы: или с тремя
состояниями, или с открытым коллектором. Микросхемы с выходами ТТЛ
требуют подключения к ним внешних резисторов и источника напряжения
питания.
Типичный вариант реализации микросхемы ППЗУ представлен на рис.4.
Для конкретности рассмотрения приведена структура микросхемы К556РТ4.
Во всех основных элементах она повторяет структуру ПЗУМ с
двухкоординатной адресацией, но имеет дополнительные устройства F1—F4 для
формирования тока программирования.
 Рис.4.. Построение микросхемы ППЗУ

Матрица перед программированием, т. е. в исходном состоянии,

содержит однородный массив перемычек, которые соединяют строки и
столбцы во всех точках их пересечений . Перемычки устанавливают из
нихрома (у микросхем серии К556 и др.), из поликристаллического кремния
(К541), из силицида платины (К 1608) и других материалов. Перемычка в
матрице выполняет роль элемента памяти. Наличие перемычки кодируют
логической «1», если усилитель считывания является повторителем, и
логическим "0", если усилитель считывания — инвертор, как на рис.4.
Микросхема ППЗУ в исходном состоянии перед программированием в
зависимости от характеристики исходного усилителя может иметь заполнение
матрицы или логическим “0” , или логической “1”. Если такой информации нет,
её необходимо получить с помощью начального контроля микросхемы :
устанавливая значения управляющих сигналов разрешения, следует перебрать
адреса, контролируя при этом состояния выходов.
Программирование микросхемы, матрица которой в исходном состоянии
заполнена "0", состоит в пережигании перемычек в тех элементах памяти, где
должны сохраняться "1". Если матрица в исходном состоянии заполнена "1", то
пережигают перемычки в элементах памяти, где должны сохраняться "0".
Работа запрограммированной микросхемы ППЗУ в режиме считывания
ничем не отличается от вариантов работы микросхемы ПЗУМ, рассмотренных
раньше. У некоторых микросхем, в частности, КР556РТ5, КР556РТ17, имеется
вывод для напряжения программирования Up . В режиме считывания этот
вывод не используется.
 Разновидностью ППЗУ являются программируемые выжиганием плавких
перемычек логические матрицы (ПЛМ), выполненные по ТТЛШ-технологии
К556РТ1 и К556РТ2, которые имеют идентичные характеристики и
конструктивные параметры, но отличаются типом выхода: у первой из
микросхем выход с открытым коллектором, во второй — на трех состояниях.
Названные микросхемы ПЛМ имеют 16 входов А15—А0 для переменных, над
которыми ПЛМ выполняет запрограммированные операции, вход CS с нулевым
уровнем разрешения, вход PR разрешения записи, т.е. программирования, и
восемь выходов. Структура микросхемы включает операционную часть из
матрицы И, матрицы ИЛИ, входных и выходных усилителей и
программирующую часть с адресными формирователями FAI, FA2 и
дешифраторы DCPR .

3. Перепрограммируемые ПЗУ

Основная отличительная особенность РПЗУ состоит в их способности к

многоразовому (от 100 до 10 тыс.) перепрограммированию самим
пользователем. Это свойство ЗУ, обеспечивается применением элементов
памяти со свойствами управляемых "перемычек", функции которых выполняют
транзисторы со структурой МНОП (металл AI — нитрид кремния Si3N4 —
окисел кремния SiО2 — полупроводник Si) и транзисторы n-МОП с плавающим
затвором (ПЗ) с использованием механизма лавинной инжекции заряда
ЛИЗМОП.
Всю номенклатуру микросхем РПЗУ можно разделить на две группы:
РПЗУ с записью и стиранием электрическими сигналами (группа ЭС) и РПЗУ с
записью электрическими сигналами и стиранием ультрафиолетовым
излучением (группа УФ). Характеристики микросхем РПЗУ наиболее
популярных серий приведены в табл2. Микросхемы РПЗУ-ЭС содержат
элементы памяти типа МОП (К558, KI601) и ЛИЗМОП с двойным затвором
(К573РР2 KI609PPI и др.). Микросхемы РПЗУ-УФ имеют элементы памяти
типа ЛИЗМОП с двойным затвором, которые отличаются от аналогичных
структур в группе РПЗУ-ЭС тем что требуют для стирания УФ облучение.
 Таблица 2 . Микросхемы РПЗУ
Тип Ёмкость, Рсп ,
tв.а ,мкс Uж , В Uпр , В tпр , с tст , с
микросхемы бит мВт
КР558РР1 256х8 5 307 5; -12 -30 1 0,005
КР558РР2 2Кх8 0,35 480 5 18 20 1
КР558РР3 8Кх8 0,4 400 5 24 40 20
КР1601РР1 1Кх4 1,8 625 5; -12 -32 20 0,2
КР1601РР3 2Кх8 1,6 850 5; -12 -36 40 0,2
КМ1609РР1 2Кх8 0,35 525 5 21 24 0,012
К1609РР2 8Кх8 0,3 525 5 22 - -
К1611РР1 8Кх8 0,3 850 5 22 - -
К573РР2 2Кх8 0,35 620 5 22 100 0,05
К573РФ1 1Кх8 0,45 1100 ± 5; -12 26 300 30 мин
К573РФ2 2Кх8 0,45 580 5 25 100 30 мин
К573РФ3 4Кх16 0,45 450 5 18 40 30 мин
К573РФ4 8Кх8 0,5 700 5; 12 25 800 30 мин
К573РФ5 2Кх8 0,45 580 5 25 100 30 мин
К573РФ6 8Кх8 0,3 870 5 19 400 30 мин
К573РФ7 32Кх8 0,3 600 5 25 - -
К573РФ9 128Кх8 0,35 550 5 25 - -

Элемент памяти со структурой МНОП представляет собой МДП-

транзистор с индуцированным каналом р-типа (рис.5, а) или n-типа , который
имеет двухслойный диэлектрик под затвором. Верхний слой формируют из
нитрида кремния, нижний — из окисла кремния, причем нижний пласт
значительно тоньше верхнего.

Рис.5 . Элементы памяти РПЗУ: а – типа МНОП; б – передаточная характеристика; в

– типа ЛИЗМОП; г – расположение элементов в матрице микросхемы

Если к затвору относительно подложки приложить импульс напряжения

положительной полярности с амплитудой 30...40 В, то под действием сильного
электрического поля между затвором и подложкой электроны приобретают
достаточную энергию, чтобы пройти тонкий диэлектрический слой к границе
раздела двух диэлектриков. Верхний слой (нитрида кремния) имеет значимую
толщину, поэтому электроны преодолеть его не могут. Накопленный на границе
раздела двух диэлектрических слоев заряд электронов снижает предельное
напряжение и смещает передаточную характеристику транзистора влево
(рис.5,б). Это состояние элемента памяти отвечает логической "1” . Режим
занесения заряда под затвор называют режимом программирования.
Логическому "0" отвечает состояние транзистора без заряда электронов в
диэлектрике. Чтобы обеспечить это состояние, на затвор подают импульс
напряжения отрицательной полярности с амплитудой 30...40 В. При этом
электроны вытесняются в подложку. При отсутствии заряда электронов под
затвором передаточная характеристика смещается в область высоких предельных
напряжений. Режим вытеснения заряда из диэлектрика под затвором называют
режимом стирания.
Режим стирания и программирования можно осуществить с помощью
напряжения одной полярности: отрицательной для p-МНОП, положительной для
n-МНОП-структур. Эта возможность основана на использовании явления
лавинной инжекции электронов под затвор, который происходит, если к истоку и
стоку приложить импульс отрицательного напряжения 30...40 В, а затвор и
подложку соединить с корпусом. В результате электрического пробоя переходов
исток-подложка и сток-подложка происходит лавинное размножение электронов
и инжекция некоторых из них, обладающих достаточной кинетической энергией,
на границу между слоями диэлектриков. Для стирания необходимо подать
импульс отрицательного напряжения на затвор. В режиме считывания на затвор
подают напряжение Uсч значение которого лежит между двумя предельными
уровнями. Когда в ЭП записана "1", транзистор открыт, а при "0" — останется в
закрытом состоянии. В зависимости от этого, как видно из рис.5, г, в разрядной
шине будет протекать выходной ток или нет. Усилитель считывания
трансформирует состояние шины в уровень напряжения "1" или "0" на выходе
микросхемы.
Микросхемы РПЗУ с элементами памяти на р-МНОП-транзисторах
КР558РР1, КР1601РР1, КР1601РРЗ (см. табл.2) имеют сравнительно низкое
быстродействие, высокое напряжение программирования (30...40 В) и требуют
двух источников питания.
Для улучшения характеристик РПЗУ широко применяют технологию
изготовления элементов памяти на n-МНОП транзисторах. Такие элементы
памяти устроены аналогично рассмотренным, но имеют проводимость подложки
p-типа, а исток и сток п-типа. Микросхемы с ЭП на n-МНОП-транзисторах
КР558РР2, КР558РРЗ, К1611РР1 имеют втрое превосходящее быстродействие,
пониженное до 22 В напряжение программирования и работают от одного
источника питания.
Вариант элемента памяти на структуре ЛИЗМОП с двойным затвором
(рис.5,в) представляет собой n-МОП-транзистор, у которого в однородном
диэлектрике SiO2 под затвором сформирована изолированная проводящая
область из металла или поликристаллического кремния. Этот затвор получил
название "плавающего" (ПЗ).
В режиме программирования на управляющий затвор, исток и сток подают
импульс напряжения 21...25 В положительной полярности. В обратно
смещенных р-n-переходах возникает процесс лавинного размножения носителей
заряда и инжекция части электронов в ПЗ. В результате накопления на ПЗ
отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора смещается в
область высокого предельного напряжения (вправо), что отвечает записи "0".
Стирание записанной информации, т. е. вытеснение заряда с ПЗ, в
структурах ЛИЗМОП осуществляют двумя способами: в РПЗУ-ЭС
электрическими сигналами, в РПЗУ-УФ с помощью УФ-облучения. В структурах
со стиранием электрическими сигналами импульсом положительного
напряжения на управляющем затворе снимают заряд электронов из ПЗ,
восстанавливая низковольтный уровень предельного напряжения, которое
отвечает "1”. В структурах с УФ-облучением электроны рассасываются из ПЗ в
подложке в результате усиления теплового движения за счет полученной энергии
от источника УФ-излучения. Режим считывания осуществляют так же, как в ЭП
на структуре МНОП. В режиме сохранения обеспечивают отсутствие
напряжений на электродах ЭП для того, чтобы исключить рассеивание заряда в
диэлектрической среде. Теоретическими расчетами доказана возможность
сохранения заряда сотни лет. На практике это время ограничивают для одних
типов микросхем несколькими тысячами часов, для других — несколькими
годами, например, в К573РФ6 гарантийный срок хранения информации без
питания составляет пять лет. Итак, микросхемы РПЗУ относятся к группе
энергонезависимых.
Устройство, принцип действия, режимы управления работой микросхем
РПЗУ разных групп во многом аналогичные. Например, микросхемы К558РР2,
К1609РР1, К573РР2, К573РФ2 емкостью 2Кх8 бит, которые относятся к разным
группам РПЗУ по типу элемента памяти, имеют похожую структуру и
одинаковое разведение выводов корпуса. Отличие между микросхемами групп
ЭС и УФ сказывается в способе реализации режима стирания.
Принцип построения и режим работы РПЗУ рассмотрим на примере
микросхемы КР1601РРЗ емкостью 2Кх8 с ЭП на р-МНОП-транзисторах.
Структурная схема (рис.5) содержит все элементы, необходимые для
работы микросхемы в качестве ПЗУ: матрицу с элементами памяти,
дешифраторы кода адреса строк и столбцов, селектор (ключа выбора столбцов),
устройство ввода/вывода УВВ. Кроме того, в структуре предусмотрены
функциональные узлы, которые обеспечивают ее работу в режимах стирания и
программирования (записи информации) — это коммутаторы режимов и
формирователи импульсов напряжений необходимой амплитуды и
продолжительности из напряжения программирования UPR . В сравнении с
микросхемами ПЗУМ и ППЗУ система управляющих сигналов дополнена
сигналами PR и стирания ER . Накопитель с матричной организацией
содержит 128 строк и 128 столбцов, на пересечении которых расположены 16384
элементов памяти (ЭП ij). Управление накопителем осуществляют старшими
разрядами адресного кода, который после дешифрирования выбирает строку с
128 элементами памяти. Сигналы, считанные из элементов избранной строки,
поступают на входы селектора, назначение которого состоит в выборе из 128-
разрядного кода на входах восьми разрядов, которые дальше поступают через
УВВ на выходы микросхемы.
Селектором управляют четыре младших разряда адресного кода, которые
после дешифрирования обеспечивают выборку одного восьмиразрядного слова
из 16 слов, содержащихся в выбранной строке. Устройство управления под
влиянием сигналов на своих входах обеспечивает работу микросхемы в одном из
следующих режимов: хранение, сч записи(программирования). Управляющие
сигналы имеют следующее назначение: — выбор микросхемы; —
разрешение режима записи (программирования); UPR — напряжение
программирования; — сигнал считывания; — сигнал стирания
информации. Входы сигналов инверсные, поэтому значением разрешения этих
сигналов будет "0". Многие микросхемы группы ЭС допускают избирательное
стирание по адресу.

Рис.5. Структура микросхемы РПЗУ-ЭС

В режиме записи (программирования) па выводы микросхемы подают

записываемый байт, код адреса, сигналы управления и потом импульс сигнала
программирования = 0 на время 20 мс. Для программирования в
автоматическом режиме всей микросхемы с числом адресов 2048 нужно 41 с.
В режиме считывания на вывод UPR коммутируют напряжение питания —
12 В для снижения потребляемой мощности, подают код адреса и сигналы
управления причем сигнал считывания должен иметь импульсную форму.
Через 0,4 мкс на информационных выходах появляется слово, которое
считывается.
Режим хранения обеспечивают сигналом = 1, что запрещает обращение к
микросхеме независимо от значений сигналов на других входах. Возможен второй
вариант обеспечения режима хранения при использовании импульсного питания
напряжением -12 В. Такой режим позволяет уменьшать потребляемую мощность.
Если в паузах между обращениями к микросхеме отключают напряжение питания,
она переходит в режим хранения. Управление переключениями питания
целесообразно осуществлять сигналом CS.
 При эксплуатации микросхем РПЗУ надо обеспечить необходимый порядок
включения и выключения напряжений питания и программирования: при
включении сначала подают 5 В, потом -12 В и последним — напряжение
программирования, при выключении последовательность меняется на обратную.
Можно все три напряжения включать и выключать одновременно.
Преимуществом микросхем РПЗУ группы ЭС является возможность
перепрограммирования без изъятия их из устройства, где они работают. Другим
положительным свойством микросхем данной группы является значительное
число циклов перепрограммирования, которое достигает для большинства
микросхем 10 тыс. Это их свойство в соединении с энергетической
независимостью позволяет их широко использовать в аппаратуре в качестве
встроенных ПЗУ с изменяемой информацией. Гарантийный срок сохранения
информации при отключенном питании составляет от 3 тыс. часов до 5 лет (КМ
1609РР1).
Недостатками микросхем РПЗУ-УФ являются: небольшое число циклов
перепрограммирования (от 10 до 100), что обусловлено быстрым старением
диэлектрика под влиянием УФ-излучения, необходимость изъятия из аппаратуры
для стирания информации, большое время стирания, потребность в специальном
оборудовании для стирания, высокая чувствительность к освещению и
возможность случайного стирания информации. Вместе с тем у микросхем этой
группы есть и важные преимущества: сравнительно высокое быстродействие,
большое разнообразие вариантов выполнения по информационной емкости,
невысокая стоимость и доступность. Эти свойства микросхем РПЗУ-УФ
обуславливают их широкое применение в цифровых системах.