МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Сибирский государственный университет науки и технологий

имени академика М.Ф. Решетнева

И. Я. Шестаков

ОСНОВЫ ТЕОРИИ СОВМЕСТИМОСТИ

ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

Методические указания по выполнению практической

работы «Расчёт электромагнитных экранов»
для студентов, обучающихся по направлению подготовки
11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»,
всех форм обучения

Красноярск, 2018
 УДК 004.9(075.8)
Ш
Рецензент:
доктор технических наук, профессор
заведующий кафедрой электронной техники и телекоммуникаций
М.Н. Петров
(Сибирский государственный университет науки и технологий имени
академика М.Ф. Решетнева)

Печатается по решению редакционно-издательского совета

СибГУ им. М.Ф. Решетнева

Шестаков, И. Я.
Ш Основы теории совместимости электронных
приборов: метод. указ. / Сост. И. Я. Шестаков; СибГУ им. М.Ф. Решетнева
– Красноярск, 2018. – 20 с.

Цель методических указаний – изучить и закрепить знания по

электромагнитной совместимости путём решения задач по расчёту
электромагнитных экранов.
Предназначены для организации практической работы «Расчёт
электромагнитных экранов» по курсу «Основы теории совместимости
электронных приборов и устройств» студентов магистратуры направления
подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

УДК 004.9(075.8)

©СибГУ им. М.Ф. Решетнева, 2018

2
 Оглавление
Общие сведения.......................................................................................4
Краткие теоретические сведения.........................................................4
Примеры расчетов...............................................................................10
Задания на самостоятельную работу.................................................16
Контрольные вопросы и задания.......................................................18
Библиографический список................................................................18

3
4
 Общие сведения
Изучение студентами магистратуры направления подготовки
11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» курса «Основы теории
совместимости электронных приборов и устройств» базируется на
знаниях, полученных при изучении дисциплины «Проектирование и
технология электронной компонентной базы». Знания, приобретенные при
изучении дисциплины, далее используются магистрантами в
последующем курсе «Радиотехнические устройства сверхвысоких
частот», а также при подготовке выпускной квалификационной работы.
Электромагнитное экранирование широко применяется в
конструкциях радиоэлектронных средств. Экранирование рассматривается
как комплекс мер, включающих собственно экранирование и фильтрацию
сетей и коммуникаций. Проектирование экранов является самостоятельной
задачей, поэтому теоретические модели, расчетные зависимости и методы
решения задач по проектированию таких изделий – необходимая часть
подготовки магистрантов.
В процессе изучения дисциплины студент должен получить
теоретические знания и практические умения по анализу конструкций
радиоэлектронных средств с учетом электромагнитной совместимости и
расчету параметров электромагнитных экранов, а также оценке их
эффективности.

Краткие теоретические сведения

Многообразие и случайный характер факторов, определяющих

эффективность экранирования, существенно затрудняет инженерные
расчеты экранов. Однако, несмотря на сравнительную невысокую
точность этих расчетов они, как правило, оказываются необходимыми для
проектирования радиоэлектронных средств (РЭС). Рассмотрим две
методики расчета. Первая заключается в следующем.
Исходными данными для расчета являются: конструктивные
параметры частоты изделия или его узлов; спектр частот помехи и
соответствующие им напряженности электрического и/или магнитного
поля; допустимые напряженности электромагнитного поля или его
составляющих. Методика, рассмотренная ниже, приведена в 1-3.
Вначале определяют тип поля помехи. Если излучатель
представить в виде электрического диполя, то в ближней зоне
существенно преобладает электрическое поле, в случае представления
излучателя рамкой с током – в ближней зоне преобладает магнитное
поле. В первом случае можно говорить об электростатическом, а во
втором – о магнитостатическом полях. Например, высоковольтные
элементы и приборы могут быть представлены электрическим диполем, а
катушки индуктивности, трансформаторы, печатные проводники –
5
рамкой с током. В дальней зоне излучения мощности электрического и
магнитного полей равны. В электронной аппаратуре экранируют как
источники, так и приемники помехи.
Затем выбирают конструктивную форму экрана в зависимости от
экранируемого изделия в виде параллелепипеда, цилиндра или сферы.
Форма экрана влияет в первую очередь на характеристическое
сопротивление среды вблизи него и, как следствие, на эффективность
экранирования (ЭЭ). Кроме этого, форма экрана влияет на его
резонансные свойства, а именно, на значение резонансной частоты.
Низшая резонансная частота экрана может быть определена по
приближенной формуле:

,
где Rэ– эквивалентный радиус экрана.
Значение fрез не должно входить в спектр частот помехи.
Чтобы сравнивать экраны различных форм вводится
обобщенный параметр - эквивалентный радиус экрана Rэ.
Для экрана прямоугольной формы с размерами l1, l2, l3:

для цилиндрического экрана диаметром D:

,
для сферического экрана Rэ = rэ.
После выбора формы экрана выбирают материал и конструкцию
стенок экрана. Материал стенок экрана оказывает наибольшее влияние
на эффективность экранирования. Величиной, характеризующей
экранирующее действие материала экрана, является эквивалентная
глубина проникновения , м.

, (1)
где rотносительная магнитная проницаемость материала;  – удельное
сопротивление материала экрана, Омм;  – длина волны в воздухе, м; f –
частота, МГц.
Для немагнитных материалов r1, а для ферромагнитных
материалов r зависит от частоты f. Для стали эта зависимость имеет вид
r150 – 30f при f 4 МГц, где f – частота, МГц.
Если экран работает в магнитном поле ближней зоны,
эффективность магнитных материалов значительно выше немагнитных,
6
так как r1.
В электромагнитном поле дальней зоны немагнитные материалы,
обладающие большей проводимостью по сравнению с магнитными,
обеспечивают более высокую эффективность. В табл. 1 приведены
электрические параметры некоторых материалов , а в табл. 2 –
расчетные формулы.
Таблица 1
Электрические параметры материалов, применяемых для экранирования

Удельная Относи- Удельная Относительная

проводи- тельная проводи- магнитная
Материал мость, магнитная Материал мость, проницаемость,
7 проницае- 7 r
См/м10 мость, r См/м10
Алюминий 3,54 1 Железо 1,0 1100...22000
Латунь 1,25 1 Никель 1,38 12...80
Медь 5,8 1 Сталь 0,66 150
Серебро 6,2 1 Пермаллой 0,42 80...8000

Таблица 2
Формулы для расчета ЭЭ (или требуемой толщины) экрана

Вид экрана Расчетная формула (Э, d)

Магнитостатический экран
цилиндрический [
Э H =201 g 1+0,25 ( 1−r 1 /r 2) ( μ r +1/ μr −2 ) ;
2 2
]
при μr >1 ;
[ √
d=r 2 1− 1−4 ( 10 −1 ) / ( μ r +1/ μr−2 )
Э H /20
]
Для заданных ЭH, μr, r2 ;
где r1 , r2 –внутренний и внешний диаметры экрана
прямоугольный [
Э н =201 g 1+ ( 1−a 21 /a22 ) ( μr +1/ μr −1 ) ; ]
[ √
d=0,5a 2 1− 1−( 10Э /20−1 ) ( μr + 1/μ r−2 ) ;
н
]
где a1, a2 – внутренний и внешний размер экрана

[ ( ) ]
сферический 3
( r э−d )
Эн=201g 1+ 0,22 1− 3 ( μ r +1/ μr −2 ) ;
rэ

[ √
d=r э 1− 1−4.5 (экран
3
Электростатический 10Э /20−1 ) / ( μ r +1/ μr +2 ) ;
н
]
Плоский листовой [
ЭE≅ 201 g 5 R / ( a a 1−a a ) ; R э ≅ √ S э / π ;
3
э
2 2
1 ]
где SЭ– площадь поверхности экрана; а – расстояние между
источником и приемником помехи; а1 – расстояние от экрана
Замкнутой формы до приемникаЭ помехи
Е 20lg(60d/);dmin10
Э /20 /(60/) Е

Электромагнитный экран в дальней зоне излучения

7
сплошной ЭЕ20lg|ch(kd)|20lg|10,5(ZB/Z ЭZ Э /Z B )th(kd)|;
ZB– характеристическое сопротивление окружающего
пространства (для плоской волны ZB=120 Ом);
Zэ –характеристическое сопротивление металла, из
которого сделан экран
ZЭ√ π ƒ μr μ0 ρ e jπ / 4 ,
к –коэффициент вихревых токов k√ π ƒ μr μ0 / ρ e
jπ / 4

Электромагнитный экран в ближней зоне излучения

цилиндрический расчет по предыдущей формуле, но для электрической
−1
составляющей поля Z в=− j ( 2 π ƒ ε r ε 0 r э ) ,
а для магнитной составляющей
ZВ j2 ƒr0 rЭ,
где rЭ– радиус цилиндрического экрана
сферический Z BE=− j 18 ∙ 10 / ( ƒ r э / √ 2 ); Z BH = j 79 ∙10−7 ƒ r э / √ 2,
9

где rэ– радиус сферы

прямоугольный Z BE=− j 36 ∙ 109 /ƒ r э ; Z BH = j 158 ∙10−7 ƒ r э,
(экран-коробка) Где rЭ –половина расстояния между стенками экрана,
обращенными к источнику помехи.
Остальные параметры рассчитываются так же, как для
экранирования в дальней зоне. В области низких частот ( до
4
10 Гц ¿ для экранирования электрического поля
|Z BH /Z E|≫|Z Э /Z BE|, тогда
Э Е=201 g|1+0,5 Z BE d / ρ| ;
для экранирования магнитного поля из магнитных металлов
и сплавов
Э Н =201 g|1+ μ r d / ( 2 r э )|,
из немагнитных материалов
Э н =201 g|1+ k r э d /2|
2

Расчет перфорированных, сеточных экранов и экранов,

изготовленных из электрически тонких материалов (в том числе с
металлизированными поверхностями) производится аналогично с
расчетом, приведенном в 6 и будет рассмотрен ниже.
Рассмотрим еще один подход к расчету ЭЭ 7. Поскольку
основной характеристикой экрана является его эффективность, методика
инженерного расчета должна исходить из зависимостей этой
характеристики от длины волны , модуля волнового сопротивления
диэлектрика Z относительно вида волны, материала экрана, от
параметров, которые определяют геометрические размеры экрана и
качество конструкции. Получить такие зависимости только теоретически
весьма сложно. Поэтому обычно прибегают к обработке, обобщению
экспериментальных данных и построению на этой основе формул для
расчета эффективности экранирования в широком диапазоне частот.
Необходимо, чтобы формулы были просты и давали необходимую
точность совпадения расчетных и экспериментальных результатов. В
8
 формулах должны быть учтены особенности материалов и конструкции
экранов, основные физические процессы и особенности экранирования
составляющих электромагнитного поля.
Наиболее удобным как для построения самой расчетной формулы,
так и для ее использования является выражение эффективности
экранирования произведением ряда сомножителей, каждый из которых
определяет влияние одного из факторов или одной группы близких
факторов.
В результате анализа многих конструкций экранов различного
назначения в 2 - 9 получено выражение для средней эффективности
экранирования

, (2)
где  – глубина проникновения, м;  – удельное сопротивление материала
экрана, Омм; – волновое сопротивление электрического
(магнитного) поля; Rэ – эквивалентный радиус экрана, м; а – расстояние
между центрами отверстий и щелей в экране, возникших из-за
несовершенства его конструкции и технологии изготовления, м; m –
наибольший размер отверстия (щели) в экране, м; d – толщина материала
экрана, м.
Очевидно, что m>0, а и т являются случайными величинами.

Анализ показал, что среднее значение сомножителя для

обычного технологического процесса и высокого качества монтажа близко
к 0,024. Поэтому выражение (2) можно представить в виде:

(3)

Эта формула является наиболее общей и полностью характеризует

процесс электромагнитного экранирования реальных экранов.
Следует обратить внимание на то, что в ней отсутствует

множитель , который обычно входит в формулы для эффективности

экранирования абсолютно электрически герметичного экрана. Этот
множитель характеризует затухание поля в толще экрана, когда нет
других путей распространения электромагнитной энергии и по своей
величине намного больше остальных сомножителей. Щели и отверстия в
экране образуют дополнительные пути излучения энергии, в результате
9
чего его эффективность уменьшается. Поскольку влияние этих
дополнительных путей является преобладающим в выражениях (1) и (2),
эффективность экрана характеризуется множителем ехр(2d/m), в
котором однозначно выражена роль толщины материала и размера
щелей. Основным фактором экранирования в реальных конструкциях
РЭС является отражение электромагнитной волны от поверхности экрана
из-за различия его поверхностного сопротивления и волнового
сопротивления поля, определяемого множителем√ ( δ / ρ ) Z E (H ) . Формула (3)
применима для широкого диапазона длин волн, пока >т. При т
6
множитель (1-m/) резко уменьшается и эффективность
экранирования становится незначительной. Этот множитель определяет
эффективность экрана, обусловленную его герметичностью.
Для перфорированных материалов, когда размер а и диаметр
отверстия являются параметрами перфорации, выражение (3)
записывается следующим образом:

(4)

Формула (4) применима при а >D и существовании щелей в экране с

( )
2
a−D
m<λ/π, не связанных с размером отверстия перфорации. Множитель
a
в зависимости от соотношения между а и D может изменяться в пределах
от 1 до 0, но практически он всегда меньше единицы и больше нуля.
Если параметры перфорации таковы, что диаметр отверстия D больше
2 πd
6
размера случайной щели, то e m и (1-m/) вместо т подставляется D, т.
6
е. эти множители записываются как exp(2πd/m) и (1-D/) . В случае a>>D
выражения (3) и (4)идентичны.
Для экранов, изготовленных из сетчатых материалов, за толщину
2
экрана принимают эквивалентную толщину сетки dЭ=r S/S. Формула
для расчета эффективности таких экранов принимает вид:

, (5)

где dэ – эквивалентная толщина сетки, м; ds – диаметр, а rs– радиус

провода сетки мм; S – шаг сетки, мм.
Эффективность экранов, изготовленных из электрически тонких
материалов, в том числе с металлизированными поверхностями,
10
определяется выражением:

. (6)

За толщину экрана с металлизированными поверхностями

принимают толщину нанесенного слоя металла d=Pрм/ , где Pрм – расход
2 3
металла, кг/м ;  –плотность исходного материала, кг/м .
Наконец, эффективность экранирования токопроводящей
краской вычисляется по формуле:

, (7)

где RКВ – сопротивление на квадрат площади поверхности экрана, Ом.

Примеры расчетов

Требуется оценить эффективность экранирования экранов

одинакового размера 2,0х1,5х1,0 м3, изготовленных из различных
материалов, в диапазоне длин волн 3103 ... 310-1 м.
Экран 1 – листовая сталь толщиной 1,5 мм. Листы прикреплены к
металлическому каркасу болтами с шагом крепления 100 мм. При таком
креплении обшивки, как показывает практика, могут быть щели размером
не более 10 мм. Удельное сопротивление стали =10-7 Омм, r=180.
Оценить эффективность экранирования при длине волны =3103 м.
Определяется эквивалентный радиус экрана по формуле:

Волновое сопротивление электрического поля при

2Rэ/=20,894/310 <<1 определяют по формуле:
3

Ом,
где Z0=377 Ом (Волновое сопротивление воздуха).
Аналогично находим волновое сопротивление магнитного поля:

11
 Ом.
Глубина проникновения по (1) составляет:
δ=0,03
√ λρ
μr
=0,03

Находим значения множителей выражения (3):

180 √
3 ∙103 ∙10−7
=3,87 ∙10−5 м .

√ √ √ √
−5 3
δ 3,87 ∙10 5 4 λ 3 3 ∙10
Z E= 2∙ 10 =0,88∙ 10 ; 3 = =14,97 ;
ρ 10
−7
RЭ 0,894

√ √ ( ) ( )
−5 6 −2 6
δ 3,87 ∙ 10 πm π ∙ 1∙ 10
Z H= ∙ 0,7=16,46 ; 1− = 1− ≈1
ρ 10
−7
λ 3 ∙10
3

Эффективность экранирования электрического поля:

√ √ ( )
2 πd
δ λ πm 6
ЭОЕ = ZE 3 e m
1− =0,88 ∙ 104 ∙14,97 ∙ 2,57=3,39∙ 105
ρ RЭ λ
или 110,6 ≅ 111 дБ .
Соответственно для магнитного поля получим:

√ √ ( )
2 πd 6
δ λ πm
Э0 Н = ZН 3 e m
1− =16,46 ∙14,97 ∙ 2,57=633,3
ρ RЭ λ
или 56,03 ≅ 56 дБ
Аналогично вычисляется эффективность экранирования для других
точек рабочего диапазона длин волн. Результаты вычислений и измерений
для экрана 1 приведены в табл. 1.
Экран 2 – алюминиевые листы толщиной 1,5 мм. Конструкция такая
же, как у экрана 1. Удельное сопротивление алюминия =2,810-8 Омм.
Вычислить эффективность экранирования при =3102 м.
Волновое сопротивление электрического поля:

Ом,
магнитного поля:

Ом.
Глубина проникновения:
δ=0,03 √ ρλ=0,03 √2,8 ∙ 10 ∙3 ∙ 10 =8,7 ∙ 10 м.
−8 2 −5

Значения множителей:

12
 ;

√ √
2 2 πd
3 λ 3 3 ∙10
= =6,94 ; e m
=e 2 π ∙ 1,5/10 ≈ 2,6.
Rэ 0,894
Эффективность экранирования электрической составляющей поля.

√ √ ( )
2 πd 6
δ λ πm 4 5
Э ОЕ = ZE 3 e m
1− =0,79 ∙ 10 ∙6,94 ∙ 2,6=1,43 ∙10
ρ RЭ λ
или 103 дБ.
Эффективность экранирования магнитной составляющей поля

√ √ ( )
2 πd 6
δ λ πm 2 3
ЭОH = ZH 3 e m
1− =1,47 ∙ 10 ∙ 6,94 ∙ 2,6=2,65∙ 10
ρ RЭ λ
или 68 дБ.
Эффективность экранирования для других точек рабочего диапазона
длин волн, вычисленная аналогично, и данные измерений приведены в
табл. 3. Из данных таблицы видно, что результаты вычислений и
измерений практически совпадают. С уменьшением длины волны, начиная
с =RЭ3 м, эффективности экранирования составляющих поля
становятся равными, что указывает на установление при этих условиях
электромагнитного процесса в экране. Сравнительно быстрое падение
эффективности по мере уменьшения объясняется более интенсивным
влиянием щелей.
Таблица 3
Эффективность экранирования экранов, изготовленных из различных
материалов, дБ

, м Экран 1 Экран 2 Экран 3 Экран 4 Экран 5

ЭН ЭЕ ЭЕизм ЭН ЭЕ ЭЕизм ЭЕ ЭЕизм ЭЕ ЭЕизм ЭЕ ЭЕизм
3103 56 111 - 70 125 - 110 - 107 - 120 -
3102 56 88 89 68 103 100 101 - 91 94 106 106
3101 54 68 67 65 88 86 84 86 74 73 90 93
3100 49 48 46 60 60 60 67 65 59 58 76 81
310-1 33 33 31 39 39 39 58 56 50 48 70 72

Экран 3 изготовлен из латунной сетки с шагом s=0,25 мм,

rs=0,045 мм. Сетка натянута на деревянный каркас. Полотна сетки
пропаяны по всей длине. Щели длиной не более 6...7 мм могут иметь место
в контактной системе дверного проема и в местах соединения полотен.
Определим эффективность при =30 м, =7,510-8 Омм.
Эквивалентная толщина материала экрана будет:

м.
Волновое сопротивление электрической составляющей находим по
13
графику [3, рис. 28 (Винников В.В.)]. Для 2RЭ/=20,9/30=0,19,
получим ZE/ Z0=5, откуда ZE=3775=1885 Ом.
Значения множителей:

√ √
δ
ρ
Z Е=
25∙ 10−6
7,5∙ 10
−8
1,89∙ 103=0,79∙ 102;

√ √ 3 λ
Rэ
=3
30
0,894
=3,2 ;

exp(ds/(s - ds))=exp(0,09/(0,25-0,09))5,8.
Эффективность экранирования составит
2 4
Э0Е=0,7910 3,25,81,510 или 84 дБ.
Результаты вычислений и измерений для других точек рабочего
диапазона волн приведены в табл. 1.
Экран 4 идентичен экрану 3. Параметры сетки: сталь, шаг s=1
мм, радиус проволок rs=0,125 мм (см. табл. 1).
Экран 5. Несущей основой является деревянная фанерная камера,
внутренняя поверхность которой покрыта алюминиевой фольгой
толщиной 0,08 мм. Листы фольги склеены силикатным клеем с
перекрытием 50 мм. Клей нанесен только на полосу шириной 15 мм
перекрытия. Предполагаем, что на оставшихся 35 мм ширины перекрытия
создается надежный электрический контакт. Реально на многих участках
электрический контакт будет отсутствовать, однако сквозных щелей не
будет.
Данные расчета по формуле (69) [3] и результаты измерений
приведены в табл. 1.
Экран 6. Несущая основа - фанерная камера, внутренняя
поверхность которой покрыта токопроводящей краской с поверхностным
сопротивлением RКВ=6 Ом.
Расчет эффективности экранирования ведется по формуле (70) [7].
Вычисления показывают, что на частоте f=0,15 МГц
эффективность равна 77 дБ, а на частоте f=1000 МГц ЭE=32 дБ, что
практически совпадает с данными измерений.
Экран 7 выполнен из листового алюминия толщиной 1,5 мм.
Задняя верхняя и нижняя стенки перфорированы, а=15 мм, D=10 мм.
Крепление листов обшивки выполнено так же, как в экране 1. Больший
размер щели равен диаметру перфорации.
Определим эффективность экранирования на волне =3,0 м.
Волновые сопротивления составляющих поля определим по графику рис.
28. Для 2RЭ/=1,9 имеем ZE=300 Ом и ZH=350 Ом.
Значения множителей выражения (67) [4]:

√ √
δ
ρ
Z Е=
9 ∙10−6
2,8∙ 10
−8
3 ∙102=3∙ 102;

14
 δ
ρ√Z Н=
2,8 ∙ 10√
9 ∙ 10−6
−8
350=3,3 ∙102 ;

exp ( )
2 πd
D
=exp
10 (
2 π ∙ 1,5
=2,6 ; 3
RЭ )
λ 3 3
=
√ √
0,894
=1,5 ;

( a
= ) (
a−D 2 15−10 2 1
15
= ;
9 )
( ) ( )
6 −3
πD π ∙10 ∙ 10
1− = 1− ≈ 0,86
λ 3
Эффективность экранирования соответственно будет

√ √ ( )( )
2
δ λ 2 πd / D a−D πD 2 1
Э ОЕ = Z 3 e 1− =3 ∙ 102 ∙ 1,5 ∙ ∙ 2,6 ∙ 0,86=1,1 ∙10 2
ρ E RЭ a λ 9
или 41 дБ;
2 2
Э0H=3,310 1,51/92,60,86  1,210 или 41 дБ.
Сопоставление результатов расчетов с данными измерений и
анализ множителей, входящих в выражения (2)...( 7), позволяют сделать
следующие выводы.
1. Полученные в результате экспериментов формулы
обеспечивают достаточную для практики точность расчета
эффективности экранов различных конструкций (табл. 4).
2. Из-за невозможности при современной технологии монтажа
обеспечить высокую электрическую герметичность экранов
эффективность их остается сравнительно низкой на высоких частотах.
Нецелесообразно использовать в экранах дорогостоящие
высокоэффективные материалы, так как их экранирующие свойства
используются лишь частично.
3. По мере возрастания нарушений герметичности
эффективность экранов, изготовленных из материалов с высокими и
низкими экранирующими свойствами, становятся одинаковыми. Это
явление особенно характерно для области высоких частот.
4. При нарушениях электрической герметичности
существенную роль играет толщина материала, с увеличением которой
можно частично компенсировать уменьшение эффективности
экранирования.
Таблица 4
Эффективность экранирования материалов, устройств и конструкций, дБ

Диапазон частот, МГц

Материал, экранируемое устройство и
конструкция экрана 0,15...3 3...30 30... 300... 300…
300 3000 10000

15
Сталь листовая:
сварка непрерывным швом сварка 100 100 100 100 100
точечная, шаг 50 мм листы, скрепленные
болтами, шаг 50 мм 70 50 — — —
Жесть (фальцем):
непрерывная пайка точечная пайка, шаг 75 60 — — —
50 мм без пайки
Сетка металлическая:
100 100 100 100 100
пайка, ячейка 1...1,5 мм
Фольга:
склейка внахлест (шов перекрыт). 100 80 60 50 40
Токопроводящая краска (Rкв=6 Ом)
Металлизация: расход металла 0,3 кг/м2
Экранирование смотровых и окон- ных 100 100 60 50 40
проемов:
штора или створка из металлической 80 60 50 40 25
сетки с ячейкой 1...1,5мм 100 80 80 70 60
70 40 30 40 40
100 80 60 50 40
70 60 60 40 40
Приваренный стальной или припаянный
жестяной лист 100 100 80 80 70
Сотовая решетка 100 100 100 — —
Металлическая сетка с ячейкой до 2 мм 70 60 40 20 —
Стекло с токопроводящей поверхностью 70 30 — 30 30
Экранирование каналов:
Открытый предельный волновод 100 100 100 100 100
Сотовая решетка 100 100 100 100 100
Металлическая сетка с ячейкой 5 мм 70 60 30 — —
Перфорированная вставка 70 60 40 — —
Экранирование вводов коммуникаций:
Металлические трубы, приваренные к 100 100 100 100 100
экрану по всему периметру
Металлические трубы, проложенные в 100 100 100 100 100
волноводных патрубках
Фильтры c соответствующей 100 100 100 100 100
эффективностью
Примечание. Приведенные числовые данные относятся к верхней
границе поддиапазона и к моменту изготовления экранов.
Опыт проектирования, изготовления, испытаний и эксплуатации
устройств и систем экранирования показывает, что в среднем
эффективность экранирования аппаратуры может быть достигнута на
уровне данных, приведенных в табл. 4. Эти данные относятся к верхнему
пределу частоты поддиапазона. Общая эффективность определяется
самым низким значением эффективности одного из узлов экрана.
Отсутствие в табл. 4 цифровых значений для отдельных устройств
16
означает, что рассматриваемый вариант не рекомендуется или является
нереализуемым.
Данные табл. 4 упрощают выбор основных узлов экрана и
конструирование его в целом, так как сокращают объем вычислений.

Задания на самостоятельную работу

В табл. 5-9 приведены варианты задач для самостоятельного

решения. Последовательность расположения задач соответствует порядку
изложения теоретического материала, что упрощает поиск необходимых
данных, в том числе справочных.
Задача 1: Для электрического или магнитного диполя (табл. 5)
определите, находится ли точка наблюдения, расположенная на
расстоянии r от диполя, в ближней или дальней зоне. Частоту
электрического (магнитного) поля считать равной f. Чем характеризуется
вектора E и H в данной точке пространства?
Таблица 5

Вариант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Диполь Элек. Магн. Элек. Магн. Элек. Магн. Элек. Магн. Элек. Магн.
r, м 1 5 3 2 0,02 0,01 0,5 50 10 5
f, МГц 10 15 20 100 1800 900 2500 1 2 5

Задача 2: Рассчитайте эквивалентную глубину проникновения δ

плоской электромагнитной волны частотой f для металлического
экрана, выполненного из материала, приведённого в табл. 6. Что
означает данная величина?
Таблица 6

Вариант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
f, МГц 100 10 200 1800 900 450 0,1 1 2 5
Материал Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алюм. Медь

Задача 3: Для случая экранирования полупространства от

плоской электромагнитной волны частотой f бесконечным однородным
экраном толщиной d определите эффективность экранирования Э
(табл. 7). Как можно повысить эффективность экрана?
Таблица 7

Вариант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
f, Гц 50 60 50 60 50 60 50 60 50 60
d, мм 1 0,1 3 0,5 0,2 0,4 0,6 0,9 0,05 0,7
Материал Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алюм. Медь

Задача 4: Для условий задачи 3 определите эффективность

17
 отражения падающей волны электрического поля от поверхности
экрана Эпл. отр., а также эффективность ослабления электрической
составляющей при проникновении поля сквозь толщу стенки экрана
Эпл. осл.. Сравните три материала экрана – медь, алюминий и сталь –
какой из них оказывается эффективнее в данной ситуации?
Рассчитайте значение граничной частоты fгр, при которой
эффективности стального и медного экранов будут равны.
Задача 5: Определите эффективность экранирования Э для
металлического экрана произвольной формы (табл. 8 –
прямоугольной, цилиндрической или сферической) размером D для
случая, если его толщина d превышает эквивалентную глубину
проникновения δ, а частоту электромагнитного поля можно считать
достаточно высокой (рекомендуется воспользоваться приближённой
формулой).
Таблица 8

Вариант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
f, Гц 50 60 50 60 50 60 50 60 50 60
d, мм 5 7 81 7 5 6 9 8 6 5
D, cм 15 20 30 50 20 40 30 10 5 25
Матери Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алюм. Медь
Форма Прямоуг. Цил. Сфер. Прямоуг. Цил. Сфер. Прямоуг. Цил. Сфер. Цил.
экрана

Задача 6: Рассчитайте эффективность Э экрана в форме шара с

внутренним радиусом Rи толщиной стенок d (табл. 9) по отношению к
электрическому диполю, расположенному в центре такого экрана.
Сравните его эффективность с эффективностью однородного экрана из
задачи 3.
Таблица 9

Вариант 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
f, Гц 50 60 50 60 50 60 50 60 50 60
d, мм 1 0,1 3 0,5 0,2 0,4 0,6 0,9 0,05 0,7
R, cм 10 15 30 20 5 10 15 50 20 10
Материал Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алюм. Медь Сталь Алю Медь
м
Контрольные вопросы и задания
1. Назовите исходные данные для расчёта экранов.
2. Чем определяется тип поля помехи?
3. На какие характеристики экранирования влияет форма экрана?
4. Для чего вводится понятие “эквивалентный радиус экрана”?
5. Что оказывает наибольшее влияние на эффективность
экранирования?
18
 6. От чего зависит эквивалентная глубина проникновения
электромагнитной волны?
7. Что такое эффективность экранирования и её размерность?
8. Чем определяется волновое сопротивление электрического поля?
9. На какие параметры экрана влияют относительная магнитная
проницаемость и удельная проводимость материала экрана?
10.На что влияет форма экрана?
11.Основная характеристика экрана?
12.Чем отличается магнитостатический экран от электростатического?
13.От чего зависит характеристическое сопротивление металла?

Библиографический список
Основная литература
1. Шваб, Адольф. Электромагнитная совместимость: Пер. с немецкого
В.Д. Мазина и С.А. Спектора / Под ред. И.П. Кужекина. – М.:
Энергоатомиздат, 1995. – 480 с.
2. Малков, Н. А. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных
средств / Н.А. Малков, А.П. Пудовкин. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн.
ун-та, 2007. – 88 с.
3. Винников, В. В. Основы проектирования РЭС. Электромагнитная
совместимость и конструирование экранов: Учеб. пособие – СПб.:
Изд-во СЗТУ, 2006.– 164 с.
4. Барнс, Дж. Электронное конструирование: Методы борьбы с
помехами: Пер. с англ./Дж.Барнс. – М.: Мир,1990.– 238 с.
5. Волин, М. Л. Паразитные процессы в радиоэлектронной аппаратуре/
М.Л.Волин. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь,1981.– 298 с.
6. Князев, А. Д. Конструирование радиоэлектронной и электронно-
вычислительной аппаратуры с учетом электромагнитной совместимости/
А.Д. Князев, Л.Н. Кечиев, Б.В. Петров. – М.: Радио и связь,1989. – 218 с.
7. Князев, А. Д. Элементы теории и практики обеспечения
электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств /А.Д.
Князев. – М.: Радио и связь,1984. – 336 с.
Дополнительная литература
1. Чернушенко, А. М. Конструирование экранов и СВЧ-устройств:
Учебник для вузов/ А.М. Чернушенко, Б.В. Петров, Л.Г. Малорацкий и
др.; Под ред. А.М. Чернушенко. – М.: Радио исвязь,1990. – 352 с.
2. Ненашев, А. П. Конструирование радиоэлектронных средств:
Учебник для радиотехн. спец. вузов/ А.П. Ненашев. – М.: Высш.
школа,1990. – 432 с.
3. Парфенов, Е.М. Проектирование конструкций радиоэлектронной
аппаратуры: Учеб. пособие для вузов/ Е.М. Парфенов, Э.Н. Камышная,
В.П. Усачев. – М.: Радио и связь,1989. – 272 с.
19
 4. Пирогова, Е.В. Проектирование и технология печатных плат:
Учебник/ Е.В.Пирогова. – М.: ФОРУМ: ИНФРА-М.,2005. – 560 с.
5. Полонский, Н.Б. Конструирование электромагнитных экранов для
радиоэлектронной аппаратуры/ Н.Б. Полонский. – М.: Сов. радио, 1979. –
216 с.
6. Справочник конструктора РЭА: общие принципы конструирования /
Под ред. Р.Г. Варламова. – М.: Сов. радио,1980. – 480 с.
7. Ястребов, А. П. Проектирование и производство РЭС: Учеб. пособие
для студентов вузов, обучающихся по специальностям
«Проектирование и технология РЭС» и «Проектирование и
технология электронно-вычислительных средств» /А.П.Ястребов. – СПб.:
СПб ГУАП, 1998.– 202 с.

20
 Учебно-методическое издание

Составитель:
Шестаков Иван Яковлевич

ОСНОВЫ ТЕОРИИ СОВМЕСТИМОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ

ПРИБОРОВ

Методические указания

Редактор
Оригинал-макет и верстка

Подписано в печать ___.___.2018. Формат 60×84/16. Бумага офисная.

Печать плоская. Усл. печ. л. _,_. Уч.-изд. л. 1,0. Тираж __ экз.
Заказ.

Санитарно-эпидемиологическое заключение
№ 24.49.04.953.П.000032.01.03 от 29.01.2003 г.

Редакционно-издательский отдел СибГУ им. М. Ф. Решетнева.

Отпечатано в редакционно-издательском центре
СибГУ им. М. Ф. Решетнева
660037, г. Красноярск, просп. им. газ. «Красноярский рабочий», 31.

21