© WWW - Phys.nsu - Ru ©

© www.phys.nsu.ru © www.phys.nsu.
ru
Данный выпуск является вторым из шести выпусков сборников описа-
ний лабораторных работ практикума «Электричество и магнетизм», вы-
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ полняемого в рамках учебного курса по общей физике
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ В методическом пособии рассматриваются процессы, происходящие в
вакуумном диоде с накаливаемым катодом. Качественно изложена приро-
да термоэмиссии и физические процессы, происходящие в диоде на раз-
Физический факультет личных участках вольт-амперной характеристики, описываемые формула-
Кафедра общей физики ми Ричардсона, Богуславского – Ленгмюра и Шоттки. Рассмотрены эф-
фекты, связанные с дискретностью заряда электронов и проявляющиеся в
виде дробового шума в диоде.
Лабораторный практикум Пособие предназначено для студентов, выполняющих лабораторные и
курсовые работы в лаборатории электричества и магнетизма НГУ. Оно
«ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ» включает в себя описания 4-х лабораторных работ и теоретическое введе-
ние, которое может использоваться как для углубленного освоения лабо-
раторных работ, так и в качестве основы для курсовых работ по данной
тематике.
Составители:
В. Т. Астрелин, П. П. Дейчули, А. А. Краснов,
ВЫПУСК 2
В. В. Кубарев, Л. Н. Смирных, Ю. В. Шестаков
Отв.за выпуск:
ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В. Т. Астрелин
В ВАКУУМНОМ ДИОДЕ Отв. редактор: д-р физ.-мат .наук, проф. Б. А. Князев

Рецензент: канд. физ.-мат. наук, доц. В. Л. Курочкин
Издание подготовлено в рамках выполнения инновационно-
Учебно-методическое пособие образовательной программы «Инновационные образовательные програм-
мы и технологии, реализуемые на принципах партнерства классического
университета, науки, бизнеса и государства» национального проекта
«Образование».
 Новосибирский государственный
университет, 2008
 В. Т. Астрелин, П. П. Дейчули,
А. А. Краснов, В. В. Кубарев,
Л. Н. Смирных, Ю. В. Шестаков, 2008
Новосибирск
2008
2
© www.phys.nsu.ru © www.phys.nsu.ru
Работа 2.4. Определение заряда электрона по дробовому
СОДЕРЖАНИЕ шуму .............................................................................................. 38
I. Законы эмиссии заряженных частиц и ток в вакууме 5 1. Теория явления и описание метода............................ 38
1. Ток в вакууме. Вакуумный диод............................................ 5 2. Описание установки..................................................... 41
2. Термоэлектронная эмиссия. Работа выхода электронов...... 6 3. Задания........................................................................... 43
3. Модель потенциальной ямы (модель Шоттки)..................... 10 III. Приложения.............................................................................. 45
4. Контактная разность потенциалов......................................... 11 1. Параметры диода 2Д3Б ............................................................ 45
5. Режимы работы диода............................................................. 13
2. График зависимости I / I 0  F  eU a / kT  для диода
6. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ)..................... 18 с цилиндрической системой электродов......................................... 45
7. Общие практические рекомендации по обработке ВАХ..... 19 3. График для определения температуры вольфрамового
8. Вывод расчетных теоретических соотношений для диода катода по величине тока накала и диаметру катода....................... 46
с коаксиальной системой электродов............................................. 20 4. Схемы измерения малых токов для работы 2.3.................... 46
II. Лабораторные работы...................................................... 22 Литература.................................................................................... 48
Работа 2.1. Законы термоэмиссии ............................................. 22
1. Описание метода......................................................... 22
2. Описание установки.................................................... 23
3. Задание 1: определение работы выхода по прямым
Ричардсона ................................................................ 26
4. Задание 2: измерение заряда электрона по эффекту
Шоттки........................................................................ 27
5. Контрольные вопросы................................................ 28
Работа 2.2. Закон трех вторых.................................................... 29
Работа 2.3. Определение температуры электронного газа
и контактной разности потенциалов в вакуумном диоде............. 30
1. Описание установки................................................... 30
2. Порядок выполнения работы..................................... 32
3. Задания......................................................................... 35
4. Контрольные вопросы................................................ 37
3 4
I. Законы эмиссии заряженных частиц и ток в вакууме анод

1 2 3
1. Ток в вакууме. Вакуумный диод
Ток в вакууме катод
накал
Когда говорят о токе в вакууме, обычно имеют в виду электрон- а н б к н
ный ток, возникающий в вакуумированных объемах с введенными
внутрь металлическими электродами. Промежуток между электро- Рис. 1. Вакуумный диод:
дами включен в электрическую цепь. Электроны образуются в про- а – обозначение; б – подогреватель:
межутке в результате электронной эмиссии, обусловленной различ- 1 – нить накала, 2 – катод, 3 – оксидный слой
ными физическими процессами. Различают следующие виды эмис-
ти накала внутри лампы, либо изолирован от подогревателя и выве-
сии:
ден отдельно (рис.1, а).
• термоэлектронную (под действием повышенной температуры
Конструкция системы электродов может быть плоской, цилинд-
катода);
рической или сферической. В частности, используемый в наших
• фотоэлектронную (под действием облучения катода светом);
работах диод 2ДЗБ имеет прямонакальный катод с нитью нака-
• автоэлектронную (под действием высокой напряженности
ла из торированного карбидированного вольфрама и цилинд-
электрического поля вблизи катода);
рическую систему электродов. Параметры диода приведены в
• вторичную (под действием бомбардировки электродов быст-
прил. 1.
рыми частицами).
Однако ток в вакууме может быть и ионным. В этом случае в ва- 2. Термоэлектронная эмиссия. Работа выхода электронов
куумный промежуток вводят электроды, на которые нанесены спе-
Высокая проводимость металлов обусловлена наличием в них
циальные вещества (сподумены), способные эмитировать ионы од-
электронов проводимости, образующих электронный газ. Для
ного или обоих знаков заряда под действием нагревания. Иногда
оценки можно считать, что каждый из атомов металлов, образую-
ионы вводят в вакуумный промежуток с помощью специальных
щих кристаллическую решетку, «отдает» в электронный газ не-
капилляров.
сколько электронов (обычно от одного до трех в зависимости от
Вакуумный диод типа металла). Эти электроны уже не принадлежат ионам решетки,
а являются «общими» для всего объема металла. При включении
Простейший вакуумный прибор – диод – имеет два электрода,
металлического проводника в электрическую цепь электроны про-
расположенных в вакуумированной колбе: катод и анод (рис. 1).
водимости перемещаются, обеспечивая соответствующий ток про-
Катод предназначен для создания электронного потока за счет тер-
водимости. Поскольку плотность металлов составляет примерно
моэмиссии.
1028–29 атомов/м3, то концентрация (плотность) электронного газа
По принципу действия термокатоды бывают прямого и косвен-
очень высока. Это и объясняет высокую электропроводность ме-
ного накала (подогревные катоды). У прямонакальных приборов
таллов.
катодом служит сама нить накала (Н). Для подогревных катодов
Хотя электроны проводимости ведут себя в металле во многих
нить накала служит лишь подогревателем, а сам катод (К) – это
отношениях подобно газу (могут свободно перемещаться по всему
проводящий электрод, на который нанесен оксидный слой, служа-
объему металла, их плотность испытывает тепловые флуктуации;
щий для уменьшения работы выхода электронов. В этом случае ка-
что обуславливает так называемый тепловой шум, и т. п.), но, что-
тод электрически может быть либо соединен с одним из концов ни-
бы выйти за пределы объема металла, они должны совершить опре-
5 6
электрон
Fim  e 2 / (4 x 2 ), дин (СГС) или
вакуум “-е”
Fim  e 2 / (16 0 x 2 ), Н (СИ)
двойной F(x)
x F0
слой В точке x0 эти силы должны «сшиваться» по величине, что по-
металл Fim могает определить величину силы F0 :
ионы электроны x F0  Fim |x0  e 2 / (4 x02 ) (СГС), F0  Fim |x0  e 2 / (16 0 x02 ) . (СИ)
x0
Общая работа сил, затрачиваемая на выход электрона из метал-
“+e” ла, определится интегрированием по всему пространству вдоль на-
а б в правления x от 0 до :
Рис. 2. Силы, формирующие работу выхода электрона:  
e2 e2 e2
а – модель двойного слоя; б – модель сил изображения; Wp    F ( x)dx    2 dx  , эрг (СГС)
в – суммарная сила, действующая на электрон вне металла 0
4 x0 x 4 x 2 x0
0
2
деленную работу, называемую работой выхода. Если эта работа e
или Wp  , Дж (СИ), (1)
совершается за счет нагрева металла, то процесс выхода электронов 8 0 x0
из металлов называется термоэлектронной эмиссией. где e = 1,6∙10 19 Кл – заряд электрона;  0 = 8.85∙10-12 Ф/м – элек-
Силы, по преодолению которых эмитированные электроны трическая постоянная (диэлектрическая проницаемость вакуума)
должны совершить работу выхода, в простейшей модели (класси- Величина работы выхода Wp , соответствующая формуле (1),
ческая модель Шоттки) описываются двумя компонентами: двой-
ным электрическим слоем на границе металла с вакуумом и силами рассчитана исходя из классических соображений. Она называется
«изображения» (рис. 2). полной работой выхода. Реальные работы выхода Wa , измеряемые
В отсутствие внешних полей электронный газ «распространяет- в экспериментах по термоэмиссии, оказались заметно меньше по
ся» за поверхность металла на расстояния x0 порядка межатомных, величине. Это различие было объяснено на базе квантовой физики.
и в этом поверхностном слое (его называют двойной слой) на элек- Суть объяснения заключается в следующем. Плотность элек-
трон действует некоторая сила F0 . Можно считать, что двойной тронного газа в металле весьма высока. Поэтому электроны прово-
димости нельзя считать «свободными» в классическом смысле сло-
слой образует «плоский конденсатор», внешняя обкладка которого
ва. Они представляют единую квантовую систему. Согласно кван-
заряжена отрицательно. Поэтому силу F0 можно принять постоян- товым законам даже при абсолютном нуле температуры все элек-
ной F0  eE (рис. 2, в), где величина E (напряженность поля двой- троны системы не могут иметь одинаковую – нулевую – энергию,
ного слоя) зависит от плотности электронного газа и различна для поскольку в соответствии с квантовым запретом Паули в одном
разных металлов. квантовом состоянии (с данной энергией) может находиться не
Когда электрон уходит на расстояния больше x0 , металл в целом больше двух электронов, отличающихся проекцией спина. Распре-
оказывается положительно заряженным, и действующую на элек- деление электронов квантовой системы по энергиям в этом случае
трон силу можно определить как силу Кулона между электроном описывается статистикой Ферми – Дирака.
( e ) и его «зеркальным изображением» (  e ) (см. рис. 2, б):
7 8
Величина энергии Ферми в металле Wf зависит только от кон-
n(W) n(W) центрации электронов проводимости (от плотности электронного
газа) и равна
2/3
h 2  3n 
Wf    , Дж, (3)
2m  8 
W W
где n – концентрация, м-3; m = 9.110-31 кг – масса электрона; h –
Wf Wf1 Wf Wp постоянная Планка: h = 6,63∙10-34 Дж∙с.
а б
Для различных металлов плотность электронного газа различна,
Рис. 3. Распределение электронов по энергиям поэтому различен и уровень Ферми. Пунктиром на рис. 3, а показан
а – при Т = 0ºК; б – при Т > 0ºК уровень Ферми Wf 1 , соответствующий металлу с большей плотно-
На рис. 3 изображен вид этого распределения для двух значений стью электронного газа, чем у металла, характеризуемого сплошной
температуры: T = 0ºК и T > 0ºК. Максимальная энергия Wf при линией. По порядку величины уровень (энергия) Ферми для всех
металлов примерно одинаков и составляет несколько эВ (табл. 1).
0°К называется уровнем Ферми (энергией Ферми, химическим по-
тенциалом идеального электронного газа). Таблица 1
Поскольку при термоэмиссии металл покидают наиболее энер- Концентрация электронов проводимости n , уровни Ферми Wf и
гичные электроны, имеющие энергию, близкую к энергии Ферми, работа выхода  различных металлов
то можно считать, что для выхода им достаточно затратить лишь
часть необходимой энергии, равной разнице между Wp и Wf : Металл n∙10-28, Wf ∙1019, , эВ
м-3 Дж
Wa  Wp  Wf  e или   Wa / e . (2) Th 5,28 3,3
Здесь e > 0 – элементарный заряд, а W и e – работа выхода в K 1,33 3,55 2,22
Дж (СИ). Ее также часто выражают в электрон-вольтах (эВ). По- Cu 8,4 7,04 4,4
следняя – внесистемная – единица (электрон-вольт) широко приня- Ag 5,9 4,3
та в практике. 1 эВ – это работа (энергия), которую приобретает W 6,3 7,26 4,54
электрон, пройдя без соударения разность потенциалов в 1 В. Что- Ni 7,2 4,5
бы пересчитать работу выхода из эВ в единицы СИ или СГС, нужно
умножить это значение на заряд электрона в соответствующей сис- 3. Модель потенциальной ямы (модель Шоттки)
теме единиц (1 эВ = 1,6∙10-19Дж). Поскольку электроны проводимости, с одной стороны, ведут се-
Следует отметить, что в разных научных школах для указания бя в металле как газ, а с другой – не могут свободно выйти за пре-
работы выхода приняты разные, отчасти противоречивые обозначе- делы металла, то для описания этого состояния В. Шоттки в 1939 г.
ния. В одних работа выхода обозначается через A, или W и e, как предложил модель потенциальной ямы, в которой «заперты» элек-
это сделано выше, а в других – через символ , который, как и сим- троны наподобие воды в ванне (рис. 4).
вол U, также обычно используется для обозначения потенциала. Если полагать, что пространство вне металла имеет нулевой по-
Мы не будем изменять сложившиеся традиции и в необходимых тенциал (уровень А на рис. 4), то минимальный потенциал (мини-
местах будем делать соответствующие уточнения. мальная энергия) электронов проводимости в металле соответству-
9 10
ет дну потенциальной ямы. «Глубина» потенциальной ямы опреде- некоторая разность потенциалов, природа которой – контактная
ляется полной работой выхода электрона из данного металла  p . разность потенциалов – непосредственно связана с величиной ра-
Максимальная энергия электронов проводимости при T = 0ºК со- боты выхода электронов из металлов и током эмиссии.
Суть этого явления заключается в следующем. Рассмотрим про-
ответствует уровню Ферми  f . Выше уровня Ферми располагаются
водники из различных металлов, например, вольфрама (катод 1) и
разрешенные законами квантовой физики, но при T = 0ºК не за- никеля (анод 2), с работами выхода 4,55 и 4,5 эВ соответственно
полненные уровни (например, уровень С на рис. 4). Частично они (рис. 5).
заполняются при повышении температуры, т. е. при T > 0ºК. Пол-
ная энергия  p , которую должен затратить электрон с минимальной 1' 2'
энергией для выхода из металла, соответствует глубине потенци- а б

альной ямы. Это и есть полная работа выхода, определяемая в 1 2 1 2
Uc
классической (доквантовой) теории. Разница  a   p   f будет А
А  а2
равна эффективной работе выхода.  а1  а1  а2
Необходимо отметить, что если энергия  на рис. 4 выражена в  f2  f2
 f1 f1
электрон-вольтах (эВ), то все уровни на рисунке просто соответст-
U' с
вуют шкале потенциала U в вольтах (В). Любому уровню B, распо-
ложенному выше А, будет соответствовать отрицательное напря- Рис. 5. Контактная разность потенциалов
1, 2 – два металла с различной работой выхода φа1 > φа2
-U На рис. 5, а потенциальные ямы металлов изображены относи-
В
А тельно нулевого уровня потенциала А. Нас будет интересовать во-
p а а 0 прос: что произойдет при соединении проводников, показанном на
С
F рис. 5, б? Оказывается, как и в случае обычного молекулярного газа,
когда при соединении двух сосудов с различной плотностью газа
f ’ последняя будет выравниваться за счет процессов диффузии, в слу-
+U
чае электронного газа тоже происходит «выравнивание» плотно-
стей электронов. Выравнивание происходит до тех пор, пока уров-
Рис. 4. Модель Шоттки потенциальной ямы ни энергии Ферми обоих металлов не станут равными, т. е. пока не
для электронов в металле установится единый химический потенциал электронного газа в
жение, равное разности потенциалов между уровнями В и А, а со- системе из двух металлов. При этом часть электронов из металла с
ответствующим точкам С, расположенным ниже А, будут соответ- меньшей работой выхода перетечет в другой металл, и первый за-
ствовать положительные напряжения между С и А. рядится положительно относительно другого. Разность уровней
Ферми определит так называемую внутреннюю контактную раз-
4. Контактная разность потенциалов
ность потенциалов U C    f1   f2  / e (между концами 1–2), а раз-
В предыдущих разделах мы рассмотрели свободную эмиссию ность работ выхода – внешнюю (между концами 1'–2')
электронов из катода, когда внешнего поля между анодом и като-
U C    a1   a2  / e .
дом не было задано. Но если внешнюю цепь анод-катод замкнуть
проводником, то в пространстве анод-катод внутри диода создастся
11 12
Можно показать, что величина внешней контактной разности тично будут существовать в вакуумном промежутке диода в виде
потенциалов (или просто контактной разницы потенциалов) U C не «облака» электронного газа. Изолированный катод при этом заря-
изменяется, если в промежуток между концами 1 и 2 вставить лю- дится положительно. В результате в пространстве катод-анод сфор-
бые другие металлы. Величина U C определится только разностью мируется такой отрицательный объемный заряд, который будет
поддерживать ток эмиссии в динамическом равновесии: сколько
работ выхода металлов, "открытых" в промежуток между ними
излучается электронов с катода в единицу времени, столько воз-
(концов 1'–2'). Поэтому при замыкании внешней электрической це-
вращается обратно. Очевидно, что «облако» и катод будут при этом
пи анод – катод диода величина внешней контактной разности по-
находиться в термодинамическом равновесии, т. е. температура об-
тенциалов оказывается приложенной к промежутку катод-анод
лака будет равна температуре катода.
внутри диода и создает в нем напряженность поля, влияющую на
Этому случаю соответствует распределение потенциала в про-
движение термоэлектронов.
странстве катод-анод, изображенное кривой 1 на рис. 6, б. Анод при
5. Режимы работы диода этом будет заряжен отрицательно за счет «осевших» на него элек-
тронов. (Напомним, что анодная цепь разомкнута, т. е. анод «ото-
На рис. 6, а изображена простейшая схема включения диода с
рван» от электрической цепи и является изолированным металличе-
плоской системой электродов. Изменяя ток накала I H , мы можем
ским электродом в вакуумном пространстве диода, а за нулевой по-
менять температуру катода T и, следовательно, плотность тока тенциал мы приняли поверхность катода). Величина отрицательно-
эмиссии jem , а изменяя напряжение U a , можем изменять напря- го потенциала анода в этом случае не определена, поскольку сам
женность электрического поля в пространстве катод-анод. Нас бу- процесс рассматривается нами для чисто идеальных условий –
дет интересовать характер физических процессов в промежутке ка- «бесконечной» величины сопротивления между «оторванным» ано-
тод-анод в зависимости от соотношения величин I H и U a . дом и катодом. В реальных диодах она отнюдь не бесконечна и оп-
ределяется сопротивлением утечки по стеклянной колбе диода.
-Uа Режим Важно отметить, что на всем пространстве катод-анод потенциаль-
хm 1
2 начальных ная энергия электрона в этом случае монотонно возрастает.
А Iа 3 токов Iнач
Кл Если замкнуть цепь анода (ключом Кл), но при нулевом напря-
4 Режим закона
трех вторых, жении источника U a (что означает «закоротить» анод на катод), то
a
5 х
Uа  п ’ I ~Uа3/2 распределение потенциала изобразится кривой 4. При этом потен-
Iн 6
К циал анода и катода будет одинаков, а в промежутке между ними он
f
7 отрицателен за счет электронного облака эмитированных электро-
Uн Режим эффекта
Шоттки нов (мы пока пренебрегаем контактной разностью потенциалов,
катод анод влияние которой будет рассмотрено ниже). При этом в цепи анода
Режим
а б автоэлектронной начнет протекать ток, обусловленный теми электронами, энергия
Uа
эмиссии которых достаточна для преодоления потенциального барьера, соз-
Рис. 6. Физические процессы в вакуумном диоде: даваемого электронным облаком. Заметим, что в этом случае кри-
а – схема включения диода; б – распределение потенциала вая распределения потенциальной энергии в пространстве катод-
в области катод-анод анод имеет максимум -e  m на некотором расстоянии xm от катода.
Пусть ключ Кл разомкнут, а катод нагрет до нормальной для ра- Это означает, что в промежутке от 0 до xm электроны движутся в
боты диода температуры (~1900 К). Эмитируемые катодом элек-
троны частично осядут на стеклянной колбе диода, на аноде, а час-
13 14
задерживающем поле, а в промежутке от xm до анода – в ускоряю- эмитированных электронов. При этом сама форма потенциального
щем. барьера в пространстве катод-анод зависит как от напряжения на
Если подавать на анод отрицательные напряжения – U a относи- аноде, так и от величины тока эмиссии, т.е. от температуры като-
да.
тельно катода, то кривые распределения потенциала в пространстве
Можно выделить три характерных режима работы диода.
катод-анод будут занимать места от кривой 4 до кривой 1 (и выше
1. Режим начальных токов, при котором кривая распределения
при больших отрицательных напряжениях на аноде). При этом се-
потенциала в промежутке катод-анод не имеет максимума, а зави-
мейство кривых от 4 до 2 будет иметь максимумы отрицательного
симость тока от напряжения на аноде носит экспоненциальный ха-
потенциала  m в некоторой точке пространства катод-анод xm . Эта рактер (выше кривой 2 на рис. 6, б);
точка с увеличением отрицательного напряжения стремится к ано- 2. Режим закона трех вторых, при котором в пространстве
ду, пока не совпадет с анодом при некоторой его величине (кривая анод-катод существует максимум потенциала, а величина анодного
2 на рис. 6). При дальнейшем увеличении отрицательного потен- тока пропорциональна напряжению на аноде в степени трех вторых
циала на аноде кривые уже не будут иметь максимума в простран- (между кривыми 2 и 5);
стве катод-анод, а будут монотонно увеличиваться вдоль координа- 3. Режим токов насыщения (режим эффекта Шоттки), при ко-
ты х. Это соответствует режиму частичного запирания электронно- тором потенциал в пространстве анод-катод всюду положителен
го потока на анод потенциальным барьером, определяемым потен- относительно катода, а величина тока слабо растет с ростом потен-
циалом анода eU a . На анод могут попасть только те электроны, циала анода из-за уменьшения работы выхода электронов из катода.
кинетическая энергия которых превышает высоту барьера. Изменяя Именно эти режимы положены в основу теории вакуумного дио-
потенциал анода, по величине тока на анод можно судить о темпе- да. Это было сделано в начале XX в. трудами Чайлда, Ричардсона,
ратуре электронов в потоке. Шоттки, Ленгмюра, Богуславского и др. Большой вклад в теорию и
При подаче на анод положительного потенциала относительно экспериментальную проверку соответствующих зависимостей был
катода в некотором диапазоне величин (до кривой 6 на рис. 6, б) внесен советскими учеными, в частности С. А. Богуславским и
распределение потенциала в пространстве катод-анод по-прежнему Б. М. Царевым, внесшим значительный вклад в изучение влияния
будет иметь максимум отрицательного потенциала, который посте- контактной разности потенциалов на режимы работы диодов.
пенно уменьшается по величине и смещается к поверхности катода. Приведем основные теоретические формулы, характеризующие
А далее (ниже кривой 6) потенциал во всей области катод-анод ста- физические процессы в диоде (без учета контактной разности по-
новится положительным. Поскольку он проникает до поверхности тенциалов).
катода, то это способствует эмиссии электронов и при увеличении В режиме начальных токов зависимость плотности катодного
напряжения на аноде работа выхода уменьшается (величина  ' на тока jк от напряжения описывается экспоненциальным законом
рис. 6, б). Это уменьшение работы выхода за счет роста анодного (формула Ричардсона-Дэшмана)
напряжения (ниже кривой 6) называется эффектом Шоттки. eU a 
Когда расстояние до максимума потенциала достигает межатом- jк  jem exp( ), jem  AT 2 exp( ),
kT kT
ных величин, ток эмиссии резко возрастает: термоэлектронная (4)
эмиссия переходит в автоэлектронную. Это происходит при на- 4 mk 2 e
A  120  104 A/м 2 град2 ,
пряженностях внешнего поля E ≈ 107 В/см. h 3
Таким образом, ход физических процессов в диоде качественно

изменяется в зависимости от величины и формы потенциального
барьера, который формируется отрицательным объемным зарядом
15 16
где jк – плотность катодного тока [А/м2], jem – плотность тока
термоэмиссии [А/м2], U a < 0 – анодное напряжение [В],  – работа 6. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ)
выхода электронов [Дж], T – температура катода, A – постоянная. Для практических целей режимы работы диода должны быть
В режиме "трех вторых" в соответствии с формулой Богуслав- описаны величинами и характеристиками, задаваемыми и измеряе-
ского-Ленгмюра зависимость плотности тока на катоде от напряже- мыми с помощью внешних источников и приборов. Такими величи-
ния анода (Ua > 0) имеет вид: нами являются напряжение U H и ток I H накала, напряжение U a и
для плоских электродов (формула Чайлда-Ленгмюра) ток I a анода, а также геометрические параметры электродов.
2 e U a3/ 2 Основной практической характеристикой работы диода является
jк  , (СГС) вольт-амперная характеристика (ВАХ) – зависимость тока анода от
9 m d 2
3 3 напряжения анод-катод I a  f U a  . Поскольку конкретный вид
4 2   0 e Ua 2 2 Ua
2
A ВАХ зависит от величины тока накала, то работа диода описывает-
или jк  2
 2.33  10 2
, 2 (СИ) (5)
9 m d d м ся семейством ВАХ I a  f U a  I  const .
H
и для цилиндрических электродов (формула Богуславского-
Ленгмюра)
3
2 e 1 Ua 2
jк  , (СГС)
9 m rа rк  2
3
4 2  0 e 1 Ua 2
или jк   kU 3/2 , (СИ) (6)
9 m rа rк  2
где e / m – удельный заряд электрона, d – расстояние катод-анод,
rа , rк – радиусы анода и катода,  2 – коэффициент, зависящий от Рис. 7. ВАХ вакуумного диода:
а – семейство характеристик: I H5  I H4  ...  I H1 ; б – режимы ра-
отношения радиуса анода к радиусу катода,   1 при ra / rc  1 .
боты диода: I – область задерживающего потенциала; I' – область
Ток диода равен I a  jк  2 rк l , l - длина катода. влияния  m и контактной разности потенциалов; II – область за-
В режиме эффекта Шоттки кона трех вторых; II' – переходная область;, III – область эффекта
Шоттки
e3/2 Ек1/ 2 e3/2 Ек1/ 2
jдн  jэ exp (СГС), jдн  jэ exp (СИ), (7)
kT 4 0 kT На рис. 7 изображено семейство и одиночная ВАХ диода. Режим
отрицательного анодного напряжения (I) называется режимом за-
где jдн – плотность тока насыщения на катоде, Eк – напряжен- держивающего потенциала. В первом приближении можно счи-
ность поля на катоде, создаваемая анодным напряжением в пренеб- тать, что в этой области зависимость тока от напряжения носит экс-
режении полем объемного заряда. поненциальный характер (4) и определяется максвелловским рас-
Для плоских электродов Eк  U a / d , где d – расстояние катод- пределением электронов по скоростям. Этот режим используется в
лабораторной работе 2.3.
анод, для цилиндрического диода Eк  U а / rк ln  rа / rк  .
17 18
Режим «закона трех вторых» (область II) используется в работе рабочий ток I H в середине рекомендуемого диапазона и подожди-
2.2. Можно считать, что в этой области зависимость анодного тока те, когда ток анода стабилизируется. Измените величину I H , не вы-
от анодного напряжения описывается формулой (6).
ходя за пределы рекомендуемых значений, и зафиксируйте время
Области режимов I и II разделены областью переходного режима
установки нового стабильного значения тока анода.
I', в которой влияние контактной разности потенциалов и потенци-
4. Тепловой режим работы диода изменяется не только при из-
ального барьера в диодном зазоре, возникающего за счет начальных
тепловых скоростей электронов (при нулевом внешнем напряжении менении тока накала I H , но и при изменении величины тока анода
катод-анод), приводят к отклонениям от расчетных формул. I a даже при постоянном I H . Это происходит из-за того, что элек-
Режим эффекта Шоттки (область III) также отделен от режима троны уходят с катода при температуре T ≈ 2000К, а «возвращают-
трех вторых переходной областью II', в которой проявляется неод- ся» на него по внешней цепи анодного тока при комнатной темпе-
нородность температуры и работы выхода по поверхности катода. В ратуре T ≈ 300К, что приводит к некоторому «остыванию» катода,
области III анодный ток равен току эмиссии I a  I em и его зависи- величина которого зависит от величины тока анода. Для проверки
мость от анодного напряжения (от напряженности поля вблизи ка- инерционности данного процесса нужно установить режим токов
тода) описывается формулой (7). Этот режим используется в лабо- насыщения (участок III ВАХ) при токе I H , близком к максималь-
раторной работе 2.1. ному, и дождаться установления стабильного значения I a . Затем
7. Общие практические рекомендации по обработке ВАХ увеличить анодное напряжение и подождать установления нового
при выполнении работ стабильного значения I a .
1. Поскольку области I, II и III, в которых выполняются расчет- 8. Вывод расчетных теоретических соотношений для диода
ные теоретические соотношения, разделены переходными областя- с коаксиальной системой электродов
ми, в которых эти соотношения нарушаются, то возникает практи-
ческая задача определения участков ВАХ, соответствующих рабо- Приведем вывод формул для тока вакуумного диода с коакси-
чим областям. Легче всего это сделать при соответствующей линеа- альными электродами, где катод прямого накала расположен по
ризации графиков ВАХ. Например, для выделения области II (ре- оси цилиндрического анода (режим начальных токов на рис. 6, б,
жим трех вторых) нужно на оси абсцисс откладывать не анодное или область I на рис. 7, б.).
Если радиус катода намного меньше радиуса анода, то можно
напряжение, а напряжение в степени три вторых ( U a3/ 2 ). Тогда экс- считать, что начальные скорости электронов имеют составляющие
периментальные точки области II будут хорошо укладываться на по оси цилиндра Vz и по радиусу цилиндра Vr . Силовые линии
аппроксимирующую прямую, что и позволит выделить нужный электрического поля направлены по радиусу цилиндра. Чтобы оп-
участок ВАХ.
ределить ток диода при отрицательных анодных напряжениях, надо
2. При изменении тока накала I H тепловой режим работы диода  
устанавливается довольно инерционно. Поэтому при снятии ВАХ вычислить интеграл I  S  eVr f (V ) d 3V , где S – площадь катода;
нужно использовать минимальные скорости пилообразного напря- V0
жения (при записи ВАХ на самописцах), а при построении характе- e > 0 – элементарный заряд; V0 – граничная скорость электронов
ристик «по точкам» снимать показания I a только после установле- на катоде, начиная с которой они уже достигают анода.
ния стабильной величины измерителя тока.
Для расчётов удобно воспользоваться цилиндрической системой
3. Инерционность установки температурного режима при вы-
координат. В этой системе распределение Максвелла имеет вид
полнении работ можно проверить следующим образом. Установите
19 20
m (V z2  V r2 )

3
f (V ) d V  Ae 2 kT  V r dV r dV z d  , II. Лабораторные работы
здесь  – азимутальный угол, а полный ток диода определяется Работа 2.1. Законы термоэмиссии
выражением
m (Vz2 Vr2 )
Цель работы: 1 – определение работы выхода по прямым Ри-
 2   чардсона и 2 – определение заряда электрона по эффекту Шоттки.
I  eS  A  dVz  d  e 2 kT  Vr2 dVr ,
 0 Vr 0 1. Описание метода
где A – нормировочная константа, а скорость Vr 0 определяется Прямая Ричардсона. Плотность тока эмиссии при заданной тем-
из соотношения mVr20
/ 2  eU a . пературе катода (при заданном токе накала) описывается формулой
(4):
После интегрирования по Vz и углу  получим, что ток диода
 4 mk 2 e
прямо пропорционален интегралу jem  AT 2 exp( ), A  120 104 A/м 2 град 2 .

2
kT h3
I  e  mVr / 2 kT
 Vr2 dVr . В режиме токов насыщения (участок III семейства ВАХ рис. 7, а)
Vr 0 анодный ток равен току эмиссии I an  I em . Это справедливо в пре-
Произведя замену переменных y  mVr 2 / 2kT и проинтегриро- небрежении эффекта Шоттки, рассмотренного ниже. Следователь-
но, при постоянном напряжении анода U a ≳ Uan для различных то-
вав по частям, получим формулу для вольт-амперной характери-
стики диода в режиме задерживающего потенциала (область I на ков накала по семейству характеристик можно построить зависи-
рис. 7, б) мость I em  f T  , определив значения T по току накала и графику

2
 2

2
 прил. 3.
I  I 0 F  eU a / kT   2C  y 2e  y dy  C e   e y dy  , (8) Если построить график этой зависимости в координатах
 
   
   
ln jem / T 2 , 1 / kT  , то по углу наклона полученной прямой (пря-
где   eU a / kT . Константу C можно найти из условия, что при
мая Ричардсона) можно определить работу выхода электрона из
отсутствии запирающего напряжения (  = 0) должен получиться катода:
полный ток эмиссии I 0 :  ln jem / T 2 
  . (10)
C  2I 0 / 2 . (9)  1 / kT 
График зависимости I / I 0  F  eU a / kT  приведен в прил. 2. Определение заряда электрона. В области токов насыщения (об-
Отметим сразу, что эта формула может применяться и в области I' ласть III рис. 7, а) величина анодного тока зависит от эффекта
рис. 7, б, где в качестве запирающего потенциала выступает мини- Шоттки (формула (7)):
мальный потенциала пространства m, который в этом случае надо e3/ 2 Еa1/ 2
подставить в формулу (8) вместо Ua . ja  jem exp , (СГС)
kT
 r 
где E  U a /  rc ln a  ,
 rc 
21 22
и ra , rc – радиусы анода и катода соответственно.
Используя эту зависимость для двух измеренных значений анод-
ного напряжения, взятых в области токов насыщения, из формулы A
(7) можно определить заряд электрона по формуле Y+
2/ 3 G
 kT ln  I / I   X– X+
e   1/ 2 2 1/12  . (СГС). (11)
 E2  E1  2Д3Б
Y–
Изменение работы выхода при эффекте Шоттки. В режиме
эффекта Шоттки плотность анодного тока насыщения увеличивает-
ся по сравнению с плотностью тока эмиссии, определенной по
формуле Ричардсона – Дэшмана (формулы (7) и (4) соответствен-
но): mA
I
e3/ 2 Ea1/ 2 =
jan  jem exp , (СГС)
kT Рис. 8. Схема измерений ВАХ диода
из-за уменьшения работы выхода электронов на величину  .
Анодный ток вакуумного диода измеряется стрелочным микро-
  e 3/2
 E (СГС), амперметром М1109 (A). Внутреннее сопротивление этого прибо-
ра используется в качестве нагрузки, напряжение с которого пода-
1 ется на вход Y самописца. Величина внутреннего сопротивления Ri
  e 3/2  E  3.8  10 5  E [эВ]. (СИ) (12)
4 0 прибора М1109 зависит от предела переключателя шкалы и связана
с ним соотношением Ri I max = 75 мВ (конкретно напряжение для
2. Описание установки
каждого предела по току указано на лицевой стороне прибора). Ток
Измерительная схема приведена на рис. 8. Для получения вольт- накала измеряется миллиамперметром М252 (mA) и для диода 2Д3Б
амперной характеристики между анодом и катодом прикладывается не должен превышать 100 мА (!).
напряжение, задаваемое генератором (G) и усилителем с выходной Работы 2.1 и 2.2 могут проводиться с использованием персо-
амплитудой напряжения до 80–100 В. Источник анодного напряже- нального компьютера с многофункциональной платой сбора дан-
ния позволяет работать в режиме ручной установки величины на- ных NI-6010 фирмы National Instruments. В этом случае измерения
пряжения и в режиме периодического изменения напряжения, что вольт-амперной характеристики осуществляются с помощью про-
необходимо при автоматической записи вольт-амперных характе- граммы виртуального осциллографа на основе программного ком-
ристик. Это же напряжение подается на вход X самописца. Для плекса LabView. Ниже приведены указания по проведению измере-
уменьшения погрешности, связанной с неэквипотенциальностью ний с использованием платы NI-6010 и программы LabView.
катода, в схеме используется так называемая «искусственная сред- 1. Необходимо завести собственную директорию и скопиро-
няя точка катода» – подключение измерительной цепи к катоду с вать в неё исходные файлы виртуальных осциллографов
помощью двух одинаковых по величине сопротивлений, парал- SingleXY.vi (эта программа работает в однократном режиме, позво-
лельных накалу диода (рис. 8). ляет сохранять массив данных в файл) или ContXY.vi (работает в
23 24
циклическом режиме, удобном при настройке схемы) из соответст- правой клавишей для вызова контекстного меню с последова-
вующей папки используемого компьютера. Запустить программу тельными вызовами  date operations  make current value de-
виртуального осциллографа можно, дважды кликнув мышкой на fault.
соответствующем файле. Не редактируйте исходные файлы, они 4. Для запуска построения ВАХ виртуальным осциллографом
предназначены только для копирования! необходимо нажать левую клавишу мыши на кнопке Run на
2. На соответствующие разъемы измерительного блока с ваку- инструментальной панели. Для остановки осциллографа, рабо-
умным диодом подать накал диода и анод-катодное напряжение от тающего в циклическом режиме, предназначена кнопка Stop на ли-
генератора. Выход измерительного блока с сигналами тока и на- цевой панели. Для определения координат точек на экране необхо-
пряжения диода связан с компьютером специальным кабелем через димо использовать курсор. Для включения курсора необходимо по-
37-штырьковый разъем DB-37. Поскольку максимальные напряже- ставить галочку в контекстном меню экрана (Visible Items  Cur-
ния АЦП платы NI-6010 ± 5 В, то в X-канале (напряжение диода) sor Legend) и в появившемся окне создать курсор (Create cursor).
встроен делитель 1:100. Поэтому для правильного отображения на- Сохранить изображение экрана в файл в формате .bmp можно, ис-
пряжения должен быть введен множитель 100 в окне Scale X на па- пользуя контекстное меню экрана осциллографа: Data Operations
нели виртуального осциллографа. Для правильного отображения  Export Simplified Image. Чтобы сохранить массив данных изме-
тока диода необходимо ввести в аналогичное окно шкалы канала Y рений нажмите кнопку XYfile на панели виртуального прибора
коэффициент в соответствии с сопротивлением используемого SingleXY.vi перед запуском измерений. Данные будут записаны в
шунта. файл, имя которого вы зададите в диалоговом окне. При сохране-
3. Используются физические каналы многоканального АЦП нии в текстовом формате данные можно использовать далее в Excel
ai0 для X входа (ножки 1;20 разъема DB37) канала и ai1 для Y входа или Origin.
(ножки 2;21 разъема DB37) в дифференциальном режиме. При от- 5. Доступ к свойствам любого объекта происходит при нажа-
сутствии сигнала на данном компьютере рекомендуется уточнять на тии правой клавишей на выбранный объект (контекстное меню).
контрольной панели осциллографа номера реально используемых При редактировании свойств экрана осциллографа можно выбрать
каналов и при необходимости задавать правильные каналы: на па- масштабы шкал по X, Y (Scale) или включить режим
нели виртуального осциллографа в окне Physics Channel необходи- автомаcштабирования (AutoScale). Подробнее о создании и редак-
мо ввести Dev1/ai0 для канала X и Dev1/ai1 для канала Y. Задайте тировании виртуального прибора в среде LabView можно прочитать
на панели число точек считывания (samples) и скорость считывания в книге Дж. Тревиса и на сайте http://picad.com.ua/lesson.htm.
(samples rate) достаточные для подробного заполнения периода из-
менения напряжения на диоде. Максимально возможная скорость 3. Задание 1: определение работы выхода по прямым
считывания для используемой платы сбора данных – 16 600 с-1. На- Ричардсона
пример, если период пилообразного напряжения 1 с, а скорость Соберите схему рис. 8.
считывания 1000 с-1, то при числе точек 1000 полное время измере-
ния осциллографа составит 1 с. и ВАХ будет прорисована дважды – После проверки ее преподавателем проведите измерения вольт-
«туда и обратно». Если теперь увеличивать только число точек, то амперной характеристики диода для нескольких (5–7) токов накала
время измерения будет больше периода генератора «пилы» и на эк- (не забывайте про тепловую инерционность катода!).
ране получим наложение нескольких ВАХ, что позволит прокон- Используя график для определения температуры катода
тролировать стабильность параметров схемы измерений и отсутст- (прил. 3), оформите результаты эксперимента в виде табл. 2.
вие «гистерезиса». Чтобы установленные значения сохранялись при В 4-й колонке таблицы приводится величина, обратная темпера-
закрытии файла виртуального прибора, щелкните на поле данных туре катода, выраженной в электрон-вольтах. В нее следует внести
25 26
формулу для вычисления отношения 11 600 [град/эВ] / Т, где Т –
5. Контрольные вопросы
значение температуры в градусах из ячеек третьей колонки. Напом-
ним, что температура 11 600 К соответствует энергии электрона 1. Из каких соображений следует выбирать значение величины
в 1 эВ. U an (рис. 7, а) для построения прямой Ричардсона?
Таблица 2
2. Объясните действие "искусственной средней точки" катода
Результаты измерений и обработки ВАХ диода (рис. 8). Для какого режима участка ВАХ (I, II или III) наиболее
T, K 11600/T важно такое включение цепи анодного тока?
IH , I H / d 3/2 , Ia , ln  I a / T 2 
мА А/см3/2 мкА 3. Оцените ошибку в определении величины работы выхода 
1 по формуле (12), обусловленную эффектом Шоттки.
2
4. Из каких соображений следует выбирать пары точек U1, U2
3
… на ВАХ при измерении заряда электрона по эффекту Шоттки?
7 5. Зависит ли точность определения e по эффекту Шоттки от то-
Постройте прямую Ричардсона, отложив по оси абсцисс X рас- го, при каком токе накала снят участок насыщения (какая кривая из
четные величины из 4-й колонки, а по оси ординат Y значения ло- семейства ВАХ выбрана)?
гарифма из 6-й колонки. Наклон прямой X / Y равен работе вы- 6. Покажите, что температура катода определяется отношением
хода в электрон-вольтах. Сравните полученный результат со спра- I H / d 3/2 (пропорциональна отношению тока накала к диаметру ка-
вочными данными. тода в степени 3/2).
Рассчитайте величину погрешности измерений при определении
работы выхода, учитывая, в частности, влияние эффекта Шоттки –
см. описание метода.
4. Задание 2: измерение заряда электрона по эффекту
Шоттки
На участках насыщения вольт-амперных характеристик выбери-
те 2–3 пары точек для определения заряда электрона e по эффекту
Шоттки (11). Рассчитайте напряженность поля на катоде и найдите
величину e . Сравните с табличным значением.
Определите погрешность измерения заряда e .
Рассчитайте поправку к работе выхода по формуле (12) (см.
пункт в конце предыдущего задания).
27 28
Работа 2.2. Закон трех вторых. Измерение е/m по закону
трех вторых участка ВАХ диода Работа 2.3. Определение температуры электронного
Цель работы: проверка выполнения закона трех вторых. Изме- газа и контактной разности потенциалов
рение отношения e / m для электрона.
Описание метода. Измерение ВАХ диода в режиме закона трех
вторых (область II на рис. 7) и ее построение в координатах Для определения температуры электронного газа в диоде приме-
U 3/2 , I  позволяет проверить факт выполнения такой зависимости няется метод задерживающего потенциала. Для этого на анод пода-
ется отрицательное напряжение, создающее потенциальный барьер
(6) между потенциалом и током анода и область ее существования. и пропускающее на анод только ту часть электронов, полная энер-
По наклону ВАХ из формулы (6) можно найти отношение e / m для гия которых больше высоты потенциального барьера (режим на-
электрона. чальных токов на рис. 5 теоретического введения). Обработка
Описание установки. Для измерения ВАХ используется та же вольт-амперной характеристики позволяет найти температуру элек-
схема (рис. 8) и оборудование, что и в лабораторной работе 2.1. тронного газа несколькими методами, величину контактной разно-
Порядок выполнения работы: сти потенциалов и высоту потенциального барьера, ограничиваю-
щего анодный ток.
 перевести генератор в режим пилообразного напряжения с ам-
плитудой не более 30 В; Экспериментальная схема для измерения ВАХ (рис. 9) содержит:
 измерить 2–3 вольт-амперные характеристики диода при мак- генератор переменного тока Г3-109 или генератор прямоугольных
симальном и меньших значениях тока накала; импульсов Г5-54 (1), стабилизированный источник питания Б5-44
или Б5-49 (2), миллиамперметр переменного тока Э-59 (3), цифро-
 используя кривую при максимальном токе накала, получить за- вой микроамперметр ВТ-21А с фильтром низких частот или вольт-
висимость тока анода I от U 3/2 , заполнив табл. 3 и построив с ее метр Aligent 34401 с дополнительным шунтом (4) (см. прил. 4), ма-
помощью график I U 3/2  для всех измеренных ВАХ; кет с вакуумным диодом 2Д3Б (5), резистором R ~ 240 Ом (6) и по-
 выделить на графиках области, максимально соответствующие

прямым линиям и провести их на графиках. Объяснить причины
БП UБП 4
расхождения на краях области;
 по графику определить отношение e/m, сравнить с табличным 2
2Д3Б
значением. Определить погрешность. 5
Таблица 3 UR
ВАХ диода в режиме закона трех вторых. R
1 6
U , В 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 5 6 7 G 3
7
mA
U 3/ 2
Рис. 9. Схема для получения вольт-амперной характеристики
I, мА вакуумного диода в режиме задерживающего потенциала
29 30
лупроводниковым диодом (7), осциллограф. контролирована с помощью осциллографа. Внимание! Ток накала
Принцип работы схемы. Если катод диода нагревать постоян- катода не должен превышать 100 mA !
ным током, то вдоль него происходит падение напряжения и по-
верхность катода оказывается неэквипотенциальной по отношению
2. Порядок выполнения работы
к аноду. При малых анодных напряжениях, используемых для рабо- Предварительные замечания
ты в области задерживающего потенциала, неэквипотенциальность К сожалению, основные параметры, входящие в теоретические
катода вносит значительную ошибку в измерения. расчеты (величины m, xm, Uкн), непосредственному измерению не
Для устранения этой ошибки в схеме рис. 9 применен следую- поддаются. Кроме того, характеристики реального диода изменяют-
щий прием. Катод прямого накала нагревается импульсным напря- ся в зависимости от времени работы и хранения, что не отображает-
жением, получаемым с помощью однополупериодного выпрямле- ся расчетными теориями. Поэтому достижимая точность определе-
ния синусоидального сигнала генератора (1). Частота генератора ния соответствующих величин в условиях лабораторных работ не
выбирается достаточно большой, чтобы в промежутках между им- превышает 10–20%. К тому же контактная разность потенциалов
пульсами тока катод не успевал охлаждаться. В моменты протека- Uкн между электродами диода есть величина неопределенная, по-
ния тока в цепи катода на резисторе (6) происходит падение напря- скольку она зависит от состояния электродов лампы. В заводских
жения UR, которое суммируется с напряжением питания анода UБП, условиях в вольфрамовый катод добавляются примеси, уменьшаю-
так что суммарный задерживающий потенциал анода становится щие работу выхода электронов с 4,54 эВ до ~ 2,6 эВ. По мере экс-
достаточным для полного запирания анодного тока диода. Таким плуатации лампы примеси деградируют за счет испарения и мигра-
образом, анодный ток протекает только в промежутках между им- ции по электродам, из-за чего работа выхода возрастает. Как ре-
пульсами тока накала, когда катод можно считать эквипотенциаль- зультат, контактная разность потенциалов между катодом и анодом
ным. Такой прием позволяет простыми средствами (добавлением Uкн может изменяться в пределах Uкн = 0 – 2 В. Это приводит к не-
резистора и диода в схему) проводить измерения анодного тока в обходимости сдвигать начало отсчета потенциала анода, принимая
условиях эквипотенциальности катода. за его ноль значение U0изм = Uкн, чтобы из задаваемого источником
В этой схеме можно без изменений ее заменять генератор сину- потенциала анода Uизм (на рис. 9 он обозначен как UБП) получать
соидального тока генератором прямоугольных импульсов. С гене- «чистый» потенциал анода Ua относительно катода, а именно
ратором прямоугольных импульсов она также позволяет с некото- Ua = Uизм – U0изм. (14)
рыми ограничениями измерять ВАХ как при отрицательных, так и Этот сдвиг оказывается существенным для всех измерений в об-
при положительных напряжениях на аноде, когда напряжение UБП ласти малых потенциалов анода. Поэтому мы начнем выполнение
вычитается из напряжения на резисторе, уменьшая суммарный заданий с определения контактной разности потенциалов следую-
задерживающий потенциал. В этом случае очевидное ограничение щим образом.
на напряжение питания анода, вытекающее из условия Uа = UБП – Заметим, что в соответствии с формулой (8) ток диода I зависит
UR < 0, необходимое для запирания тока анода, имеет вид только от температуры катода T, т. е. от температуры электронного
UБП < UR max = Iн max∙R , (13) газа, ричардсоновского тока насыщения диода I0 и потенциала ано-
где UR max – напряжение на резисторе в момент протекания тока на- да относительно катода Ua, в котором содержится величина кон-
кала, которое может быть измерено осциллографом. тактной разности потенциалов катод-анод Uкн:
Частота сигналов генератора должна быть равна 400–500 Гц. I  I 0 F   eU a / kT  .
Среднее значение анодного тока измеряется микроамперметром
В процессе измерения ВАХ при фиксированном токе накала
(4). Форма импульсов тока накала и анодного тока может быть про-
температура катода практически постоянна, ток насыщения постоя-
нен и, если величина КРП определена правильно, экспериментально
31 32
измеренный ток диода должен соответствовать формуле (8). Если, раничить возможность измерения положительной ветки ВАХ при
например, мы будем вычислять из ВАХ по этой формуле темпера- больших токах накала и больших потенциалах насыщения тока
туру катода, она должна получиться одной и той же для всех то- анода. Отметим здесь, что КРП можно определять и при малых то-
чек ВАХ в области запирания тока диода потенциалом анода! Если ках накала.
же КРП определена неверно, вычисленная температура будет раз- Результаты измерений зависимости тока диода I от измеряемого
ной для разных точек ВАХ в этой области, что и укажет нам на потенциала анода Uизм внесите в EXCEL в виде таблицы, аналогич-
ошибку в величине КРП. Именно это обстоятельство мы и исполь- ной приведенной ниже. Далее в линейном масштабе строится гра-
зуем для нахождения КРП последовательными приближениями и фик ВАХ, т. е. график I(Uизм), и из него в ячейку, расположенную
одновременного определения температуры электронного газа!  Но правее левой нижней ячейки (где занесен текст "I0, A"), вносится
для этого, кроме подробного измерения ВАХ в области запирания значение тока насыщения диода I0, определенное из этого графика.
тока диода (области I и II на рис. 7, б), нам нужно будет экспери- В верхнюю правую ячейку таблицы заносится подбираемое Вами
ментально определить ток насыщения ВАХ (ток I0 на рис. 7, б). По- значение контактной разности потенциалов U0изм , в диапазоне
скольку этот ток не измеряется впрямую, а определяется прибли- 0–2 В, начиная, например, с 2 вольт. Эти значения I0 и U0изм исполь-
женно из графика ВАХ, необходимо будет еще проверить влияние зуются далее при выполнении заданий (см. ниже).
погрешности его измерения на точность определения КРП и темпе- Таблица 4
ратуры электронного газа. Пример оформления результатов измерений для тока накала
Измерения ВАХ 90 мА (реальные цифры зависят от конкретного экземпляра диода)
Соберите схему (рис. 9) и убедитесь в правильной полярности
Iн = 90 мА U0изм ,V = 2
подключения п/п диода (7) в цепи накала. После проверки схемы
преподавателем установите на генераторе (1) частоту 400–500 Гц и, Uизм, I, A I/I0 х=F-1 Ua=Uизм – T = -Ua/x, eV ln(I/sqrt(-Uа))
увеличивая амплитуду выходного сигнала генератора, установите V – U0изм
ток накала Iн = 80 mA. Будем измерять вольт-амперную характери- +30 1900
стику диода I(Uизм) по точкам, начиная с положительных потенциа- 27 1800
лов анода:
в интервале 2 В < Uизм < 30 В через 3 В – для нахождения I0 … …
и в области Uмин < Uизм < 2 В через 0,1 В 3 290
до предельно возможного запирающего (задерживающего) по- 2 180
тенциала анода Uмин ~ -(2–6) В, соответствующего минимально из-
1,9 170
меряемому значению анодного тока (~ 1–10 нА), ограниченному
чувствительностью приборов или шумами. При выполнении этой … …
части задания необходимо поменять полярность включения источ- 0 20
ника напряжения U (2), чтобы провести измерения при отрицатель- -0,1 16
ном потенциале анода. Эти измерения следует повторить для токов
-0,2 14
накала 90 и 100 mA. Во время измерений контролируйте выполне-
ние условия (13), учитывая, что R = 240 Ом. Это условие может ог- … …
-2,7 0,0018

Этот метод разработан в 2001 г. студентом И. О. Орловым в курсовой работе I0, A 1300
«Изучение распределения термоэлектронов по скоростям».
33 34
3. Задания B
Нахождение КРП и температуры электронов:
1) как указывалось выше, для каждой ВАХ постройте в EXCELL
график ВАХ и определите из него ток насыщения I0. Внесите его в
табл. 4 EXCEL;
(1)  m
2) рассчитайте в таблице отношение I/I0;
3) из графика прил. 2 по вычисленным значениям I/I0 , находя-   eU a 
kT 
щимся в интервале [0, 1], определите и внесите в таблицу значения   B 
аргумента x (т. е. значения x = F-1(I/I0), где F-1 – функция, обратная к
функции F); (2)
4) задав в таблице какое-нибудь значение U0изм, например, Ua = Uизм – U0изм
U изм = 2 В, рассчитайте в таблице потенциал анода Ua = Uизм – U0изм.
0
Затем найдите для каждого потенциала Uизм < U0изм температуру U0изм Uизм
катода в электрон-вольтах по формуле T = - Uа/x и постройте гра- Рис. 10. Характерные точки ВАХ в координатах
фик Т(-Uа);
(Uизм , B = ln[I/(-Ua)1/2])
5) подберите такое значение U0изм из интервала 0–2 В, при кото-
ром на участке запирания тока анода расчетная температура не за- и диаметру катода d: она является однозначной функцией парамет-
висит от потенциала Uа = Uизм - U0изм. Это значение и будет контакт- ра IН / d 3/2 (докажите правильность этого утверждения).
ной разностью потенциалов, а расчетная температура – температу-
рой электронного газа. Оцените погрешность ее определения; Определение величины m
6) для найденного U0изм рассчитайте в таблице значения функции Общий вид вольт-амперной «теоретической» характеристики
B = ln(I/sqrt(-Uа)) для Uизм < U0изм , постройте график B(Uа). По на- диода, построенной в полулогарифмических координатах, приведен
клону графика также можно определить температуру электронного на рис. 10. На участке (2), где запирание тока диода определяется
газа. Действительно, как следует из формулы (8), при  >> 1 инте- потенциалом анода Uа, ВАХ диода в полулогарифмическом мас-
грал в (8) мал по сравнению с первым слагаемым (он в 9 раз меньше штабе является линейной функцией
уже при  = 2) и, если им пренебречь, то выполняется соотношение:  
B U a   ln I U a  /  U a  eU a / kT  B0 . (15)
 I / I0  eU a Точка начала отклонения графика от нее отмечена цифрой (1).
ln   kT  eU a , откуда kT  . (14) Она соответствует началу запирания тока потенциалом пространст-
 eU   I / I0 
 a 
 ln  венного заряда электронов, когда Ua = m =  (см. рис. 6, б). При
 eU 
 a  увеличении потенциала анода Ua >  запирание тока происходит
Это значение температуры электронов следует сравнить с най- не потенциалом анода, а более отрицательным потенциалом про-
денным в пункте 5) с учетом погрешности ее определения. Сравни- странственного заряда m < Ua , который можно найти через про-
те полученную температуру электронного газа с температурой ка- должение функции (15), показанное на рис. 10 пунктиром. Участок
тода, получаемой из графика прил. 3. Температуру катода прямого нарастания тока в области Uа > 0, соответствующий «закону 3/2» и
накала (прямой нити) можно рассчитать по величине тока накала IH дальнейшему выходу тока анода на насыщение, формулой (8) не
описывается.
35 36
Отклонения от прямой при больших отрицательных потенциа-
лах, если они имеют место, связаны с погрешностями измеритель- Работа 2.4. Определение заряда электрона по дробовому
ной аппаратуры при измерении малых токов, наводками либо тока- шуму
ми утечки по изоляции. Цель работы: наблюдение дробового шума в вакуумном диоде
4. Контрольные вопросы и определение по его величине заряда электрона.
1. Оцените изменение температуры нити катода за счет излу- 1. Теория явления и описание метода
чения за время, когда ток накала заперт диодом (7). Дробовой шум является частным случаем электрических флук-
2. Как при U >  из экспериментального графика (в коорди- туаций – хаотических изменений потенциалов и токов в электриче-
натах рис. 10) найти максимум потенциальной энергии барьера m ских цепях, обусловленных дискретностью электрических зарядов.
для каждого потенциала анода? Электрический ток в вакуумном диоде создается движением
электронов от катода к аноду. При этом каждый электрон создает
микроимпульс тока, а полный ток является суммой этих импульсов.
Число электронов, покидающих катод за одинаковые промежутки
времени, флуктуирует. Поэтому возникают флуктуации тока диода
– хаотические отклонения I от среднего значения I ; очевидно,
что их величина должна зависеть от заряда электрона. Эти флук-
туации называются дробовым шумом – по аналогии с акустическим
шумом при падении дробинок на какую-нибудь поверхность и ха-
рактерному проявлению этого шума в электронных акустических
системах.
Число электронов, движущихся от катода к аноду, очень велико.
Например, току 1 мА соответствует поток примерно 61015 электро-
нов в секунду. Поэтому флуктуации тока много меньше его средне-
го значения, и обнаружить их можно лишь с помощью чувстви-
тельных усилителей. С другой стороны, именно флуктуационные
явления (дробовой шум, тепловой шум, генерационно-
рекомбинационный шум в полупроводниках и др.) ограничивают
предел чувствительности усилителей.
Большое число эмитируемых электронов в типичном измеряе-
мом интервале времени приводит к необходимости статистического
рассмотрения данной задачи. В общем виде величина флуктуаций в
числе частиц ∆N  N1/2, где N – само число частиц. Строгое равенст-
во в этом выражении справедливо для случая, когда каждый акт
испускания электрона полностью не зависит от других аналогичных
актов. В этом случае электроны подчиняются статистике Пуассона,
а распределение числа эмитируемых электронов при большом N
имеет вид нормального гауссова распределения. Для этого в нашем
37 38
случае необходимо выполнить ряд технических условий. Во- увеличить, используя любое большое сопротивление. Более суще-
первых, диод должен работать в режиме насыщения (в случае, ко- ственным является резонансный вид зависимости Z для колеба-
2
гда ток ограничен пространственным зарядом, электроны очевидно

«связаны» друг с другом). Во-вторых, необходимо ограничиться тельного контура и возможность ее аналитического интегрирова-
областью не слишком высоких частот, меньших обратного времени ния. Так, для LCR – контура, изображенного на рис. 11, зависи-
пролета электрона между электродами, когда спектральная плот- мость комплексного сопротивления от частоты имеет вид
ность шума не зависит от частоты, – так называемой областью «бе-
Z ( )  ( R  jL) (1   2 LC  jRC ) . (18)
лого шума». При выполнении этих условий шум вакуумного диода
становится настолько хорошо предсказуемым и рассчитываемым, Если такой контур служит нагрузкой вакуумного диода, напря-
что используется в технике в качестве эталонного шумового источ- жение шумов на нем равно:
ника.
 
Теория дробового шума, разработанная Шоттки (W. Schottky, 2 2 2eI 2
1918), дает следующее выражение для среднего квадрата флуктуа- U др  2eI  Z ( f ) df 
0
2  Z ( )
0
d . (19)
ций тока I диода:
2
I др  2eIf , (16)
где e – заряд электрона; f – полоса частот, в которой измеряются
флуктуации тока (угловые скобки, как обычно, обозначают усред- L 
нение по времени). Если нагрузкой диода служит сопротивление mA
C
Z (в общем случае – комплексное), то средний квадрат флуктуаций
напряжения на нем равен: R
2 2
U др  2eI Z f , (17)
где Z – модуль комплексного сопротивления.
Спектр шума на сопротивлении нагрузки определяется зависи-  

2
мостью величины Z от частоты. Очевидно, что для увеличения
2
точности измерений надо выбрать Z таким, чтобы он, во-первых, Рис. 11. К расчету дробового шума
был как можно больше, во-вторых, был хорошо известной и жела- Когда добротность контура Q велика
тельно аналитически интегрируемой функцией частоты. Для этого Q   0 L / R  1 /  0CR  1 ,
выбираем в качестве нагрузки параллельный колебательный кон- 1/ 2
тур. На нем, как известно, за счет эффекта резонанса напряжение где  0   LC  – резонансная частота, из выражения (19) можно
увеличивается в Q раз, где Q – добротность контура. Однако этот получить
момент не является определяющим, так как диод в режиме насыще- e  2 0 C 2 U др
2
/ IQ . (20)
ния фактически работает в режиме генератора тока (отражением
Это выражение используется для определения заряда электро-
этого обстоятельства является формула (17)) и напряжение можно
на.
39 40
Ток вакуумного диода, работающего в режиме насыщения,
проходит через параллельный колебательный контур (рис. 12). На-
пряжение на конденсаторе контура поступает на вход усилителя,
B3-10
который имеет высокое входное сопротивление, чтобы не умень- mV
шать добротность контура. G
Усиленное напряжение поступает на милливольтметр эффектив-
ных значений и осциллограф (либо цифровой осциллоскоп). Пока-
зания милливольтметра соответствуют эффективным (среднеквад-
ратичным) значениям напряжения U 2 . Они не зависят от фор- R r
K
мы напряжения, что важно для возможности измерения напряжения
дробового шума. L C
Вакуумный диод работает в режиме насыщения, а величина тока T
диода регулируется изменением тока накала. Ток диода измеряется Пит. усил.
прибором магнитоэлектрической системы. 2Д3Б
Пит. усил.
Для определения резонансной частоты, добротности контура и
коэффициента усиления усилителя используется генератор высокой -3В
частоты. Ток от генератора проходит через небольшое сопротивле- +3В
ние r , включенное в колебательный контур. Конденсатор контура
mA - 50 В
C можно замыкать накоротко тумблером T .
Вакуумный диод в режиме насыщения имеет хотя и большое, но + 50 В
конечное внутреннее сопротивление. Поэтому его ток насыщения
немного зависит от напряжения (эффект Шоттки – прикладываемое Рис. 12. Схема для определения заряда электрона
внешнее электрическое поле уменьшает работу выхода электрона по дробовому шуму
из металла и соответственно увеличивает эмиссию электронов).
Внутреннее сопротивление диода шунтирует контур (включено
параллельно контуру), уменьшая его добротность, а величина этого называемых куметрами). В эксперименте по измерению добротно-
сопротивления зависит от тока. Поэтому добротность надо изме- сти внешней э.д.с. является падение напряжения на сопротивлении
рять при прохождении тока диода через контур. Легко показать, что r, создаваемое протекающим по нему током от генератора. Если
для последовательного контура (источник э.д.с. включен последо- частота генератора равна резонансной частоте контура, то отноше-
вательно с индуктивностью и емкостью) напряжение на емкости ние выходных напряжений усилителя при разомкнутом и при замк-
или индуктивности при резонансе становится в Q раз больше нутом конденсаторе контура равно добротности. Такие измерения
внешней э.д.с. (этот принцип используется, например, в приборах, можно проводить и при прохождении тока диода через конденса-
тор, если создаваемое в контуре напряжение от генератора значи-
тельно больше шумового.
41 42
Чтобы найти коэффициент усиления усилителя, подают на вход 3. Измерьте напряжение дробового шума при различных токах
(при замкнутом конденсаторе контура) напряжение от генератора и 2
диода и постройте график зависимости U др от IQ . По этому
с помощью переключателя K поочередно подключают вход и вы-
ход усилителя к милливольтметру. графику определите заряд электрона. Оцените погрешность изме-
После определения коэффициента усиления измеряют средне- рений заряда электрона, используя формулу для погрешности кос-
квадратичное значение дробового шума при различных токах дио- венных измерений.
да. По полученным данным строят расчетно-экспериментальные
2
точки: зависимость величины U др от произведения IQ . Далее эти
точки необходимо аппроксимировать методом наименьших квадра-
тов прямой линией (Excel) и по ее наклону определить заряд элек-
трона.
Емкость колебательного контура указана на каждой рабочей ус-
тановке. Во избежание нелинейных искажений в усилителе его вы-
ходное напряжение не должно превышать 0,3 В.
При работе с цифровым осциллоскопом «Handscope HS3» вы-
полните следующее:
1) подайте сигнал с усилителя на канал номер 1 (CH 1), а сиг-
нал с генератора на канал номер 2 (CH 2) устройства с надписью
«SCOPE»;
2) включите компьютер и запустите программу «Handscope
HS3», находящуюся на его рабочем столе;
3) прочитайте инструкцию работы с прибором в «Help»;
4) загрузите оптимальный режим работы осциллографа, кото-
рый находится в разделе Рабочий стол \ Labwork_2-8 \
Labwork_2-82_start.SET;
5) заведите свою папку в Рабочий стол \ Labwork_2-8 \ Stu-
dents \ YourName и записывайте туда свои осциллограммы и свои
режимы работы осциллографа (если требуется).
3. Задания
1. Соберите схему для измерений (рис. 14) и по ней определите
«замкнутую» электрическую цепь, по которой протекает ток дио-
да I. Определите резонансную частоту LCR -контура. Измерьте за-
висимость добротности этого контура от тока диода и постройте
соответствующий график.
2. Определите коэффициент усиления усилителя.
43 44
3. График для определения температуры вольфрамового ка-
III. Приложения тода (одиночная нить) по величине тока накала и диаметру
1. Параметры диода 2Д3Б катода
ra = 7∙10 -2 см – радиус анода;
rc = 10 -3 см – радиус катода; 3000
2800
2600
l = 1,3 см – длина катода; 2400
2200
Tc , K
U H ~ 2 В – номинальное напряжение накала; 2000
1800
1600
I H ~ 100 мА – номинальный (не превышать!) ток накала. 1400
1200
1000
2. График зависимости I / I 0  F  eU a / kT  для диода с ци-
500 700 900 1100 1300 1500 1700 1900 2100
линдрической системой электродов
Рис. 2. Зависимость T (Iн/d3/2). Ток накала Iн – в амперах, диаметр
1 катода d – в сантиметрах. Данный график получен прямым
x 10 измерением температуры одиночной вольфрамовой нити
0,9
x100 4. Схемы измерения малых токов для лаб. работы 2-3
0,8 В настоящее время в лаборатории в качестве измерителя тока
x1000 диода применен цифровой вольтметр Agilent 34401 с набором шун-
0,7
x10000 тов – резисторов (см.схему внизу). В соответствии с законом Ома,
x100000
0,6 напряжение Uш, измеряемое вольтметром, пропорционально току
диода Iд, протекающему через шунт: Uш = Iд*Rш, где Rш – сопротив-
0,5 ление шунта (то есть, I д  U ш / Rш ).
0,4 Значения сопротивлений подобраны так, что вместе с парал-
лельно включенным входным сопротивлением вольтметра равным
0,3 10 МОм, они образуют декадный набор: 10 Ом, 100 Ом, 1 кОм, 10
0,2
кОм, 100 кОм, 1 МОм и 10 МОм. Выбор шунта осуществляется пе-
реключателем «S». Рекомендуемые значения напряжения на шунте
0,1 находятся в пределах Uш ~ 1 ÷ 50 мВ. При построении вольтампер-
ной характеристики диода необходи-
0 mV мо учитывать, что напряжение, при-
0 2 4 6 8 10 12 14 x=-eU/kT
16 18 20 S ложенное к диоду, меньше напряже-
ния источника питания на величину
Рис. 1. Зависимость тока цилиндрического диода от запирающего
падения напряжения на шунте, т.е.,
потенциала (одна кривая в разных масштабах) Rш
Uд = Uп – Uш, где Uд – напряжение на
диоде, Uп – напряжение источника
питания, Uш – напряжение на шунте.
45 46
При Uш << Uп можно полагать, что Uд ~ Uп и пренебречь напряже-
нием на шунте. Литература
При измерении малых токов (меньше 10 нА), необходимо выжи- Основная
дать время порядка 5 ÷ 10 секунд до установления стабильных по- Методы физических измерений: Лабораторный практикум по
казаний вольтметра. физике под ред. Р. И. Солоухина. Новосибирск: НГУ, 1975.
Румер Ю. Б., Рывкин М. Ш. Термодинамика, статистическая фи-
зика и кинетика. Новосибирск: Изд-во НГУ, 2000.
Физические величины. Справочник / Под ред. И. С. Григорьева,
Е. З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.
Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. акад.
И. К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976.
Кошкин Н. И., Ширкевич М. Г. Справочник по элементарной фи-
зике. М.: Наука, 1980.
Описание лабораторных работ. Ч. 3. Электричество и магнетизм.
Новосибирск: НГУ, 1988.
А. ван дер Зил. Шумы при измерениях. М.: Мир, 1979.
Бонч-Бруевич А. М. Радиоэлектроника в экспериментальной фи-
зике. М.: Наука, 1966.
Мирдель Г. Электрофизика. М.: Мир, 1972.
Зайдель А. Н. Погрешности измерения физических величин.
Л.: Наука, 1985.
Князев Б. А., Черкасский В. С. Начала обработки эксперимен-
тальных данных. Новосибирск: НГУ, 1996.
Тревис Дж. LabVIEW для всех. М: ПриборКомплект, 2004.
Дополнительная
Гапонов В. И. Электроника. М.: ГИ ФМИ, 1960. Т. 1, Физические
основы; Т. 2. Электровакуумные и полупроводниковые приборы.
Капцов Н. А. Электроника. М.: ГТТИ, 1953.
Царев Б. М. Контактная разность потенциалов и ее влияние на
работу электровакуумных приборов. М.; Л.: ГТТИ, 1949.
Мирдель Г. Электрофизика. М.: Мир, 1972.
Физическая энциклопедия. Т.1 – 5. М.: 1988 – 1998.
Учебное издание
47 48
Астрелин Виталий Тимофеевич,

Дейчули Петр Петрович,
Краснов Александр Анатольевич,
Кубарев Виталий Владимирович,
Смирных Леонид Никандрович,
Шестаков Юрий Владимирович
Лабораторный практикум
«ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ»
Выпуск 2
ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ
В ВАКУУМНОМ ДИОДЕ
Учебно-методическое пособие
Редактор К. В. Шмугурова
Подписано в печать 11.12.2008 г.

Формат 60 х 84 / 16. Офсетная печать.
Уч.-изд. л. 3,12. Усл. печ. л. 2,9. Тираж 150 экз.
Заказ №
Редакционно-издательский центр НГУ.
630090, Новосибирск-90, ул. Пирогова, 2.
49

© WWW - Phys.nsu - Ru ©

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

© WWW - Phys.nsu - Ru ©

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

© www.phys.nsu.ru © www.phys.nsu.

В ВАКУУМНОМ ДИОДЕ Отв. редактор: д-р физ.-мат .наук, проф. Б. А. Князев

I. Законы эмиссии заряженных частиц и ток в вакууме анод

энергией для выхода из металла, соответствует глубине потенци- а б

Таким образом, ход физических процессов в диоде качественно

 выделить на графиках области, максимально соответствующие

гда ток ограничен пространственным зарядом, электроны очевидно

Спектр шума на сопротивлении нагрузки определяется зависи-  

Астрелин Виталий Тимофеевич,

Подписано в печать 11.12.2008 г.

Вам также может понравиться