Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
ru
Физический факультет
Кафедра общей физики
Лабораторный практикум
“ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ”
Учебно-методическое пособие
ВЫПУСК 1
Новосибирск
2008
© www.phys.nsu.ru
Рецензент
канд. физ.-мат. наук, доцент С. А. Бордзиловский
© Новосибирский государственный
университет, 2008
© И. А. Иванов, Б. А Князев,
А. Г.Костюрина, А. М. Ражев,
А. Г. Харламов, В. С. Черкасский
2008
2
© www.phys.nsu.ru
ОГЛАВЛЕНИЕ
Оглавление ................................................................................................ 3
1. Введение в практикум .................................................................... 4
1.1. Предисловие...........................................................................4
1.2. Задачи практикума и правила для студентов ........5
1.3. Роль эксперимента в физике..........................................6
1.4. Регистрация, запись и представление
экспериментальных данных ...............................................................8
1.5. Программы обработки; особенности обработки
цифровых данных ...................................................................................9
1.6. Правила выполнения курсовых работ .....................12
2 Справочные данные .............................................................. 13
2.1. О векторах электрического и магнитного полей 13
2.2. Системы единиц измерения ..........................................14
2.3. Основы обработки экспериментальных данных..20
2.4. Справочные таблицы .......................................................32
3. Лабораторные работы ................................................................... 41
3.1. ЭЛЕКТРОСТАТИКА..............................................................41
3.2. Лабораторная работа №1.1.
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКАЯ ИНДУКЦИЯ.................................................49
3.3. Лабораторная работа №1.2.
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР...............................................53
3.4. МАГНИТОСТАТИКА .............................................................59
3.5. Лабораторная работа №1.3. ИЗМЕРЕНИЕ ПОЛЯ
МАГНИТНОГО ДИПОЛЯ ..........................................................................64
Библиографический список............................................................. 84
3
© www.phys.nsu.ru
1. ВВЕДЕНИЕ В ПРАКТИКУМ
1.1. Предисловие
Практикум по электричеству и магнетизму сопровождает на фи-
зическом факультете первый семестр курса электродинамики. Пер-
вое полностью завершенное собрание описаний работ практикума
было издано под редакцией Р.И.Солоухина (1975) [1]. Следующая
существенно измененная по стилю версия была издана под ред.
Е.А.Кушниренко и И.Н.Мешкова (1988) [2]. За прошедшее время
лабораторный практикум дополнился новыми работами, сущест-
венно обновилась приборная база, а на смену первому поколению
компьютеров пришли ПК. Произошли также некоторые изменения
в изложении теоретического курса электродинамики при сохране-
нии его общей идеологии.
Наиболее характерной особенностью в преподавании физики на
физическом факультете НГУ остается отсутствие стандартного раз-
деления на курсы «общей» и «теоретической» физики. Благодаря
интенсивному курсу математики уже на младших курсах физиче-
ские курсы преподаются на высоком теоретическом уровне при со-
хранении связи с экспериментальной физикой. Это позволяет за-
вершить в основном подготовку студентов по основам физики уже
на 3-м курсе, когда они приступают в практике в научно-
исследовательских институтах Сибирского отделения РАН. Обо-
ротной стороной этой системы являются повышенные требования к
уровню доуниверситетской подготовки студентов и более высокая,
по сравнению с традиционным курсом, степень формализма лекций.
В силу последней причины, значение лабораторного практикума
как мостика, связывающего физический формализм с физической
реальностью, для студентов НГУ особенно велико.
Все эти обстоятельства требуют существенной переработки со-
держания, стиля и методов преподавания в лабораторном практи-
куме. В течение двух последних лет проведена радикальная модер-
низация аппаратной базы лабораторного практикума, который ос-
нащен современными, главным образом цифровыми, измеритель-
ными приборами. Для регистрации результатов и их обработки ши-
роко используются персональные компьютеры и современное при-
кладное программное обеспечение.
4
© www.phys.nsu.ru
7
© www.phys.nsu.ru
8
© www.phys.nsu.ru
10
© www.phys.nsu.ru
12
© www.phys.nsu.ru
2 СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ
1
В гауссовой системе имеется три независимых размерности: см, г, с,
из которых образуются размерности всех остальных величин, в том числе
и электрических. Отсюда и происходит аббревиатура СГС. В системе СИ к
тем же по смыслу механическим величинам (м, кг, с) добавляется чисто
электрическая величина – сила тока, А.
13
© www.phys.nsu.ru
14
© www.phys.nsu.ru
[q ] = [г1/2·см3/2·с-1]. (3)
Для определения размерностей других электрических величин
можно уже будет использовать найденную размерность заряда.
Проверьте сами, что с помощью выражения для работы A , совер-
шаемой электрическим полем над зарядом,
A = qϕ (СГС) (4)
легко находится размерность потенциала:
[ϕ ] = [г1/2см1/2 с-1]. (5)
Экспериментаторы на самом деле часто используют для вычис-
лений смешанную систему единиц, т.е.используют численные зна-
чения, выраженные в единицах разных систем, следя за тем, чтобы
в конце вычислений сохранились только размерности одной из сис-
тем. Если, например, плотность электронов n задана в см −3 , их
скорость v – в см/с, сечение электронного пучка S – в см 2 , а заряд
e в кулонах (Кл), то их произведение I = envS после алгебраиче-
ских операций с размерностями имеет размерность
[ I ] = [Кл·см ·см/с·см ]=[Кл/с]
-3 2
(6)
что, по определению, является ампером [А]. Следовательно перевод
механических величин из гауссовой системы в систему СИ в дан-
ном случае был бы пустой тратой времени.
В уже упомянутом параграфе учебника [9] детально объясняется,
как формулы, записанные в системе СГС, перевести в систему СИ.
Для этого все электрические величины необходимо умножить на
определенные размерные коэффициенты, приведенные в табл. 1.
После алгебраических сокращений получается формула в системе
СИ. Для обратного преобразования необходимо те же величины
умножить на обратные значения тех же констант.
16
© www.phys.nsu.ru
Вектор («напряженность»)
электрического поля, потенци- E,ϕ 4πε 0 ( E, ϕ )
ал
Вектор D («электрическая
D 4π / ε 0 D
индукция»)
17
© www.phys.nsu.ru
Сила электрического
I 1 А (ампер) 3 ⋅109 статампер
тока
Электрический заряд q 1 Кл (кулон) 3 ⋅109 статкулон
Электрический по- ϕ (1 / 300) статвольт
1 В (вольт)
тенциал
Электрическое поле
(напряженность (1 / 3) ⋅10−4
E 1 В/м
электрического по-
ед. СГС
ля)
Электрическая по- ε0 8.854 ⋅10−12
1
стоянная Ф/м
Поляризация P 1 Кл/м
2
3 ⋅105 ед. СГС
Вектор D (элек-
D 1 Кл/м 12π ⋅105 ед. СГС
трическая индукция)
18
© www.phys.nsu.ru
Гауссова систе-
Наименование Обозначение Система СИ
ма (СГС)
Электрическая ем-
C 1 Ф (фарада) 9 ⋅1011 см
кость
Электрическое со-
R 1 Ом (ом) (1 / 9) ⋅10−11 с·см-1
противление
Удельное электриче- ρ 1 Ом ⋅ м (1 / 9) ⋅10−9 с
ское сопротивление
Электрическая про-
λ = 1/ R 1 См (сименс) 9 ⋅1011 см·с-1
водимость
Удельная электриче- σ −1
1 См/м 9 ⋅109 с
ская проводимость
1
Намагниченность I 1 А/м ⋅104 Гс
4π
19
© www.phys.nsu.ru
20
© www.phys.nsu.ru
,,,-124.500000000000, -0.20000,
Source,CH1,,-124.400000000000, -0.20000,
Vertical Units,V,,-124.300000000000, -0.20000,
Vertical Scale,5.000000e+00,,-124.200000000000, -0.20000,
Vertical Offset,0.000000e+00,,-124.100000000000, -0.20000,
Horizontal Units,s,,-124.000000000000, -0.20000,
Horizontal Scale,2.500000e+01,,-123.900000000000, -0.20000,
Pt Fmt,Y,,-123.800000000000, -0.20000,
Yzero,0.000000e+00,,-123.700000000000, -0.40000,
Probe Atten,1.000000e+00,,-123.600000000000, -0.40000,
Firmware Version,FV:v6.08,,-123.500000000000, -0.20000,
,,,-0123.400000000000, -0.20000,
,,,-0123.300000000000, -0.20000,
,,,-0123.200000000000, -0.20000,
,,,-0123.100000000000, -0.20000,
,,,-0123.000000000000, -0.20000,
,,,-0122.900000000000, -0.20000,
,,,-0122.800000000000, -0.20000,
,,,-0122.700000000000, -0.20000,
22
© www.phys.nsu.ru
0.01
0.005
вольт
0
U(t),
-0.005
-0.01
-0.015
0 0.5 1 1.5 2
t, сек
Сглаженная осциллограмма
0.015
0.01
0.005
U(t), вольт
-0.005
-0.01
-0.015
0 0.5 1 1.5 2
t, сек
∑( X )
Вычислить −X
2
ДИСП var(X) Var(X)
оценку дис- σ = sn2 =
2 i
персии ( n − 1)
Вычислить СТАН-
∑( X )
2 std(X) Std(X)
−X
стандартное σ = sn =
i
ДОТКЛОН
отклонение ( n − 1)
25
© www.phys.nsu.ru
27
© www.phys.nsu.ru
bx + a = y. (12)
b=
∑x y − y∑x
i i i
=
xy − x ⋅ y
. (14)
∑ x − x∑ x
2
i i x −x
2 2
28
© www.phys.nsu.ru
где (∆b) =2 ∑( y − bx − c) ,
i i
2
(16)
(n − 2) ∑( x − n x )
2
i
2
( ∆a ) = (
2 ∑ ( x − n x ) + ) ⋅ ( ∆b ) .
2
i
2
2 2
(17)
x
n
Подробнее о способе вычисления ∆b и ∆a см. [4].
При обработке данных по методу наименьших квадратов возни-
кает много «подводных» камней, которые мы здесь не разбираем.
Тем не менее, один вопрос стоит обсудить. Речь идет об аппрокси-
мации экспериментальных данных прямой, проходящей через нача-
ло координат.
Зачастую из теории ясно, что аппроксимируемая зависимость
должна проходить через начало координат, т.е. a = 0 . Это, напри-
мер, имеет место при измерении зависимости тока от напряжения
для проводников, подчиняющихся закону Ома. Тем не менее, при
обработке таких данных нельзя использовать зависимость вида
y = bx , поскольку это эквивалентно добавлению несуществующих
экспериментальных точек к реально измеренному набору данных.
Более того, аппроксимация экспериментальных данных зависимо-
стью вида (7) позволяет определить систематическую погрешность,
которая присутствует в измерениях. Если величина a не равна ну-
лю и «нуль» не попадает внутрь диапазона погрешности ±∆a , то
следует сделать вывод, что либо принятая модель (т.е., что y = bx )
неверна, либо погрешность проведенных экспериментов (например,
неучтенная систематическая погрешность) больше статистической
и невозможно с требуемой точностью определить величину b .
Для более аккуратного определения величины b необходимо,
как правило, расширить диапазон изменения xi в эксперименте,
29
© www.phys.nsu.ru
31
© www.phys.nsu.ru
32
© www.phys.nsu.ru
на
(в формуле E = e / r 2 )
Ток 1 А = 1 Кл·с = 3·109 СГС = 6,25·1018 элемен-
тарных зарядов, c = 9·1011 В·см/с
Напряжение 1 В = 1/300 СГС
Сопротивление 1 Ом = 1/(9·1011) СГС [с/см]) = 1.(30·c);
(1/c) = 30 Ом
Емкость 1 Ф = 9·1011 см; 1 пФ = 0,9 см
Индуктивность 1 Гн = 1·109 см; 1 мкГн = 1 000 см
33
© www.phys.nsu.ru
Таблица П3.
Удельное сопротивление ρ и температурный коэффициент со-
противления α металлов при 20 0С
Металл ρ, Ом · мм2 / м α, град-1
Алюминий 0,028 0,0049
Медь 0,0175 0,0039
Латунь 0,025 – 0,06 0,002 – 0,007
Железо 0,098 0,0062
Титан 0,55 0,0035
Примечания. 1. Указанные в таблице значения являются средни-
ми. Их величина зависит от степени чистоты, термообработки и т. д.
2. Температурным коэффициентом сопротивления называется
отношение относительного изменения сопротивления к измене-
нию температуры α = ∆ρ / ρ∆Т. Таким образом, ρ = ρ0[1 + α(t -
20)], где t – температура в градусах Цельсия.
Таблица П4
Диэлектрическая проницаемость ε жидкостей при 20 0С
Вещество ε Вещество ε
Силиконовое 2,2 – Глицерин 56,2
масло 2,8 Вода дистил-
Ацетон 21,4 лированная 80
Этиловый спирт 25,0
Таблица П5
Свойства сегнетоэлектрических кристаллов (точка Кюри Тк,
спонтанная поляризация Рs, диэлектрическая проницаемость ε)
Кристалл Тк К Рs (СГС) εмакс
Сегнетова 297 – 800 ~ 9 000
соль 255
48 000 ~ 104
Титанат ба- 391
рия
34
© www.phys.nsu.ru
Таблица П6
Свойства сегнетокерамики для варикондов (Тк – температура
Кюри, εн – начальная диэлектрическая проницаемость в слабом пе-
ременном поле ~ 2 – 5 кВ / м, tgδ – тангенс угла диэлектрических
потерь)
Материал Тк, 0С εн, при 20 0С tgδ при 20 0С
Таблица П7
Подвижность положительных u+ и отрицательных u- ионов в
газах (при 760 мм рт. ст. и 20 0С)
Газ
u+, u- ,
2 2
см / (В · с) см / (В · с)
Азот 2,7 –
Кислород 1,29 1,79
Углекислый газ 0,84 0,87
Воздух сухой 1,4 1,9
Воздух, насыщенный 1,4 2,1
парами воды
Примечания. 1. Подвижность ионов в сильной степени зависит
от чистоты газа, поэтому приведенные в таблице значения следует
рассматривать как ориентировочные.
35
© www.phys.nsu.ru
Таблица П8
Подвижность u ионов в водных растворах при 18 0С
Катионы u, см2 / (В · с) Анионы u, см2 / (В · с)
Таблица П9
Эмиссионные постоянные металлов в поликристаллическом со-
стоянии
Элемент φ, эВ А΄, Элемент φ, эВ А΄,
А /(см · А /(см ·
2
град) град)2
Вольфрам 4,54 60 – 100 Никель 4,84 30
Железо 4,36 26 Платина 5,29 32
Медь 4,47 65 Торий 3,41 70
Молибден 4,37 115 Цезий 1,89 160
36
© www.phys.nsu.ru
Таблица П10
Эмиссионные постоянные пленок на металлах
Металл Пленка φ, эВ А΄, А / (см · град)2
Таблица П11
Работа выхода φ тугоплавких соединений переходных ме-
таллов с неметаллами
φ, эВ, для соединений
Металл φ, эВ
бориды карбиды Силициды
(WB2) (W2C) (WSi2)
Вольфрам 4,54 2,62 2,6 – 4,6 4,04 – 4,62
Таблица П112
Потенциалы ионизации φ атомов и молекул
Газ φ, В Газ φ, В Газ φ, В
H 13,5 О 13,5 He 24,5
H2 15,4 О2 12,2 Ne 21,5
N 14,5 CO 14,1 Ar 15,7
N2 15,8 CO2 13,7 Kr 13,9
Xe 12,8
37
© www.phys.nsu.ru
Таблица П13
Резонансные φрез и метастабильные φмет потенциалы
Газ φрез, В φмет, В
Таблица П14
Свойства полупроводников (Еg − ширина запрещенной
зоны, m* − эффективные массы, uַ, u ÷ − подвижности электронов и
дырок, σI - электропроводность при Т = 300 К)
mn
*
mp
* uַ u+ σI
Кристалл Еg(эВ) см / (В с) см / (В с) (Ом ⋅ см)-
2 2
m0 m0 1
Таблица П15
Магнитные свойства электротехнических сталей
Марка µнач, µмакс, Нс,, В (при 25 э)
стали гс/э гс/э э гс
Э 31 250 5 500 0,55 14 600
Э 41 300 6 000 0,45 14 600
Э 42 400 7 500 0,4 14 500
Э 45 600 10 000 0,25 14 600
38
© www.phys.nsu.ru
Таблица П16
Магнитное поле В и потери на гистерезис в ферромагнетиках
Материалы Индукция В (Гс) для Н (Э) Потери
на гис-
0,1 0,5 2,0 10,0 500 терезис в
1 см 3 ,
эрг
Сталь мягкая
(0,1 %С) 30 300 6 000 14 21 5 000
Сталь листо- 40 400 9 000 000 000 2 500
вая 14 21
500 000
Таблица П17
Молярная магнитная восприимчивость χА некоторых элемен-
тов при комнатной температуре
χА • 106 χА • 106
Диамагнетики Парамагнетики
cм3 / cм3 /
моль моль
Неон He −2 Алюминий Al 16
Кремний Si −4 Калий K 22
Медь Cu −6 Титан Ti 150
Германий Ge −9 Платина Pt 156
Индий In − 13 Вольфрам W 41
Ксенон Xe − 42 Марганец Mn 490
Ртуть Hg − 34 Цирконий Zr 120
Висмут Bi − 280 Кислород O 1 700
39
© www.phys.nsu.ru
Таблица П18
Критические значения показателей степени γ и β в законе
Кюри–Вейсса и температура Кюри Тк, для некоторых ферромагне-
тиков
Вещество γ β Тк,, К
Fe 1,33 0,34 1 043
Ni 1,35 0,42 627,2
Gd 1,3 − 292,5
CrO2 1,63 − 386,5
CrBr3 1,215 0,368 32,56
EuS − 0,33 16,50
Таблица П19
40
© www.phys.nsu.ru
3. ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ
3.1. ЭЛЕКТРОСТАТИКА
3.1.1. История
41
© www.phys.nsu.ru
42
© www.phys.nsu.ru
2 E 2 dS
dF = 2πσ dS = (СГС), 20а)
8π
где Е –электрическое поле у поверхности проводника. Если про-
водник находится в однородном жидком или газообразном диэлек-
трике, то благодаря явлению электрострикции сила dF в ε раз
меньше, чем в вакууме:
σ 2 dS ε 0ε E 2 dS
dF = = (СИ), (21)
2ε 0ε 2
43
© www.phys.nsu.ru
2πσ 2 dS ε E 2 dS
dF = = (СГС). (21а)
ε 8π
Давление р на поверхность заряженного проводника, вызванное
этой силой, равно:
dF ε 0ε E 2
р= = (СИ), (22)
dS 2
dF ε E2
р= = (СГС). (22а)
dS 8π
Силы F притяжения, действующие на разноименно заряженные
обкладки плоского конденсатора, разделенные твердым диэлектри-
ком, такие же, как и в том случае, когда между обкладками нахо-
дится вакуум:
σ 2S
F= (СИ), (23)
2ε 0
F = 2πσ2S (СГС), (23а)
где S – площадь обкладки, σ – поверхностная плотность свободных
зарядов на обкладках.
Если пространство между пластинами заполнено однородным
жидким или газообразным диэлектриком, то
σ 2S ε 0ε E 2 S
F= = (СИ), (24)
2εε 0 2
2 ε E 2S
F = 2πσ S = (СГС). (24а)
8π
где Е – величина поля в конденсаторе.
Электростатической индукцией называется явление, состоящее
в электризации незаряженного проводника во внешнем электроста-
тическом поле. Оно заключается в разделении положительных и
отрицательных зарядов, имеющихся в проводнике в равных количе-
ствах. Наведенные (индуцированные) заряды исчезают при удале-
44
© www.phys.nsu.ru
3.1.3. Электроемкость
1 σ dS q kdS
φ=
ε v∫ r
=
ε v∫ r
(СГС). (26а)
s s
47
© www.phys.nsu.ru
48
© www.phys.nsu.ru
3.2.1. Эксперимент
49
© www.phys.nsu.ru
4 4 4 4
2 2 2 2 4 4
3 3 3
3 3
6 6
1 1 V
50
© www.phys.nsu.ru
Q Q
U1 = и U2 = , (38)
C B + Cn C B + Cn + C K
∗
Очевидно, что можно найти множество других способов нахождения емкости
вольтметра и пластин. Например - соединить последовательно известную емкость с
вольтметром и подать на эту цепь постоянное напряжение. Напряжение между
емкостями поделится обратно пропорционально емкостям. Таким образом,
неизвестная емкость будет выражаться как C = U вход − U Х ⋅ С , где СХ –
X
UX
неизвестная емкость, С – известная емкость, Uвход – напряжение, подаваемое на
всю цепь, UX – напряжение на неизвестной емкости (в нашем случае на
вольтметре).
51
© www.phys.nsu.ru
3.2.3. Задания
52
© www.phys.nsu.ru
3.3.1. Эксперимент
54
© www.phys.nsu.ru
1 3 2
C2
⇔ C1
Cд
B).
V
А).
Рис. 6. a – схема измерения наведенного напряжения в переменном
конденсаторе: 1 – земляная пластина конденсатора; 2 – потенци-
альная пластина конденсатора; 3 - диэлектрик; V - статический
вольтметр. b – эквивалентная схема эксперимента.
Q cv + cп + cвз
0
U= = U0 ⋅ (СИ), (40)
ε0 ⋅ S ε ⋅S
cv + cп + cv + cп + 0
∆ ∆
+D +D
ε ε
cv + cп + cвз
0
U = U0 ⋅ (СГС). (41)
S
cv + cп +
⎛∆ ⎞
4π ⋅ ⎜ + D ⎟
⎝ε ⎠
Как в случае идеального, так и неидеального плоского конденсатора
при разнесении пластин на большое расстояние (в нашем случае
достаточно уже на масштаб линейного размера пластин) взаимная
емкость пластин становится значительно меньше емкости Cп, кото-
рая в случае определения ее в системе единиц СГС пропорциональ-
на линейному размеру пластины в сантиметрах (причем 1 см экви-
валентен 0.9-1 пФ).
55
© www.phys.nsu.ru
S S
где C0 = и C/ ≈ (*) (СГС). (43)
4π ⋅ D0 4π ⋅ D /
ε ⋅S S
где C0 = и C/ ≈ (СГС). В результате можно оп-
4π ⋅ ∆ 4π ⋅ D /
ределить величину диэлектрической проницаемости используемого
диэлектрика.
*
Данная формула для нахождения емкости C / является приближенной из-за
существенного разнесения пластин друг относительно друга, однако, ее можно
использовать для нахождения емкости C1 т.к. величина напряжения U /
определяется в основном емкостью C1 >> C /. Поэтому погрешность в определении
величины C1 используя данную оценку величины C / не превышает 5%.
56
© www.phys.nsu.ru
3.3.2. Задания
57
© www.phys.nsu.ru
58
© www.phys.nsu.ru
3.4. МАГНИТОСТАТИКА
µ0 3r [r ⋅ m ] − mr
2
B( r ) = (СИ). (47а)
4π r5
59
© www.phys.nsu.ru
61
© www.phys.nsu.ru
63
© www.phys.nsu.ru
+ 1.5В -
+ 9В
-
64
© www.phys.nsu.ru
66
© www.phys.nsu.ru
71
© www.phys.nsu.ru
72
© www.phys.nsu.ru
1 dΦ NAµ dH NAHdµ
−VSENSE = = + (2.1)
c dt dt dt
74
© www.phys.nsu.ru
µ 2B2
Lx ≈ L cos(φ ) ≈ L(1 − ) (50)
2
Поскольку за время свободного пробега τ частица проходит
меньший путь вдоль поля E, то это равносильно уменьшению дрей-
фовой скорости, или подвижности, а тем самым и проводимости
образца, то есть сопротивление должно возрастать. Разницу между
сопротивлением при конечном магнитном поле и сопротивлением в
отсутствие магнитного поля принято называть магнетосопротивле-
нием.
Также удобно рассматривать не изменение полного сопротив-
ления, а локальную характеристику проводника — удельное сопро-
тивление в магнитном поле ρ(B) и без магнитного поля ρ(0). При
учете статистического разброса времен (и длин) свободного пробе-
га, получим
∆ρ ( B ) = ρ ( B ) − ρ (0) = ρ (0) µ 2 B 2 , (51)
где µ — подвижность заряженных частиц, а магнитное поле пред-
полагается малым. Это приводит к положительному магнетосопро-
тивлению. В трёхмерных ограниченных образцах на боковых гра-
нях возникает разность потенциалов, благодаря эффекту Холла в
результате чего носители заряда движутся прямолинейно, поэтому
магнетосопротивление с этой точки зрения должно отсутствовать.
На самом деле оно имеет место и в этом случае, поскольку холлово
поле компенсирует действие магнитного поля лишь в среднем, как
если бы все носители заряда двигались с одной и той же (дрейфо-
вой) скоростью. Однако скорости электронов могут быть различны,
поэтому на частицы, движущиеся со скоростями, большими сред-
ней скорости, сильнее действует магнитное поле, чем холлово. На-
оборот, более медленные частицы отклоняются под действием пре-
валирующего холлова поля. В результате разброса частиц по скоро-
стям уменьшается вклад в проводимость быстрых и медленных но-
сителей заряда, что приводит к увеличению сопротивления.
В 1988 году две группы ученых независимо обнаружили ма-
териалы с очень большим магнетосопротивлением, этот эффект
сейчас известен как гигантское магнетосопротивление (ГМ). Дан-
ный эффект наблюдается в искусственно созданных многослойных
структурах (см. рис.16), в которых слои ферамагнитного материала
разделены слоями немагнитного материала например Fe/Cr/Fe,
76
© www.phys.nsu.ru
80
© www.phys.nsu.ru
Рис. 19. Способ заставить ток течь под углом 45º. [27]
81
© www.phys.nsu.ru
4π V∫
B(r ) = d r0 (52)
(r − r0 )
5
82
© www.phys.nsu.ru
µ0 ⎛ 1 ⎞ − ikr 3 µ0 ⎛1⎞
( )
4π ∫
= k ( m ( r ) ⋅ k ) F ⎜ ⎟ e d0
r = k ( F m ( r ) ⋅ k ) F ⎜⎜ ⎟⎟
0 ⎜r ⎟ 0
4π
⎝ ⎠ ⎝r ⎠
Вычислять произведение заметно проще, чем свертку. Теперь
рассмотрим силу взаимодействия между двумя магнитами произ-
вольной формы, чтобы рассчитать силу, действующую на тело в
данной точке нужно сначала вычислить поле, вычислить градиент
поля и домножить на плотность магнитного момента второго тела и
все это проинтегрировать по объему. В Фурье представлении фор-
мула выглядит гораздо проще:
83
© www.phys.nsu.ru
Библиографический список
84
© www.phys.nsu.ru
18. Numerical Recipes 3rd Edition: The Art of Scientific Com put-
ting, William H. Press, Saul A. Teukolsky, William T. Vetterling, Brian
P. Flannery
19. Худсон Д. Статистика для физиков. М.: Мир, 1967
20. Путилов К.А. Курс физики, т.2, Учение об электричестве.
Москва, 1963
21. Грабовский М.А., Млодзеевский А.Б., Телеснин Р.В., Шас-
кольская М.П., Яковлев И.А.. Лекционные демонстрации по физике.
Под ред. В.И. Ивероновой. Москва: Наука, 1965
22. Яворский Б.М., Детлаф А.А.. Справочник по физике. Моск-
ва: Наука. 1968.
23. Киттель Ч., Введение в физику твердого тела, «Наука», М.,
1978 г.
24. The Discovery of Giant Magnetoresistance, The Royal Swedish
Academy of Sciences
25. Фейнман Р., Лейтон З., Сэндс М., Фейнмановские лекции по
физике, вып. 5, Электричество и магнетизм, «Мир», М., 1966 г.
26. Материал из Википедии http://ru.wikipedia.org
27.Caruso M.J., Dratland T., Dr. Smith C.H., Schneider R., A New Perspec-
tive on Magnetic Field Sensing. Honeywell, Inc.
www.ssec.honeywell.com/magnetic/datasheets/new_pers.pdf
85
© www.phys.nsu.ru
Лабораторный практикум
“ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ”
Учебно-методическое пособие
Редактор С. В. Исакова
Заказ №
86