О.Н. Прудников, А.В.

Тайченачев,
В.И. Юдин

Физика ультрахолодных
атомов
Часть 1: Физические принципы
лазерного охлаждения атомов

Учебное пособие для магистрантов Физического

Факультета НГУ

Новосибирск, 2017
 Содержание
Введение 2

1 Формализм матрицы плотности 8

2 Вигнеровское представление для матрицы плотности 10

3 Уравнение для матрицы плотности в вигнеровском 12

представлении
4 Взаимодействие атома с полем монохроматической волны. 14
Приближение вращающейся волны. RWA (rotating wave
approximation)
5 Оптическое уравнение Блоха

6 Атом с вырожденными по проекции углового момента

уровнями в поляризованном световом поле
7 Квазиклассическое приближение: разложение кинетического
уравнения для атомной матрицы плотности по параметру
отдачи
8 Сила на атом в световом поле

9 Диссипативная сила спонтанного светового давления

10 Температура доплеровского лазерного охлаждения

11 Охлаждение в поле сильной волны (Сизифовский механизм

трения).
12 Лазерное охлаждение и удержание ионов в радиочастотной
ловушке
13 Магнитооптическая ловушка

14 Субдоплеровское охлаждение атомов

15 Охлаждение ниже энергии отдачи

16 Оптические решетки

17 Охлаждение атомов в оптических решетках

Список цитируемой литературы

1
Введение
Световое давление является одним из проявлений фундаментального
взаимодействия световых волн с материей. Изначально гипотеза о том, что свет
может оказывать давление, была высказана много лет назад. Ещё 17-ом
столетии И. Кеплер выдвинул гипотезу о том, что причиной отклонения хвоста
кометы является сила светового давления, вызванная солнцем. Несмотря на то,
что световое давление не является основным фактором для данного
астрономического явления, данная гипотеза, стимулировала теоретические
работы для осознания причин светового давления. Электромагнитная теория,
предложенная Максвеллом в 1873 г., позволила ему выразить силу светового
давления через энергию электромагнитного поля в единице объёма. Так было
показано, что сила светового давления от солнца или другого теплового
источника сравнительно мала. Тем не менее, в 1899 г. русским ученым П.Н.
Лебедевым было проведено первое экспериментальное измерение силы, с
которой свет давит на тонкую металлическую пластинку. Это было важным
экспериментальным подтверждением теории электромагнетизма Максвелла.
Вскоре подобный эксперимент был осуществлен американскими учеными
Никольсом и Хуллом. Более подробное описание исследований по световому
давлению на макроскопические тела в 18-20 столетиях можно найти в книге Э.
Уиттекера «История теории эфира и электричества».
К значительному шагу в понимании природы светового давления привело
развитие квантовой теории. В 1917 г. А. Эйнштейн показал, что квант света -
фотон с энергией hν обладает импульсом p=hν/c=h/λ, где h - постоянная
Планка, c, ν, λ − скорость, частота и длинна волны света. При этом в основе
механизма светового давления лежит обмен импульсом в процессах
поглощения и излучения фотона. В задачах о взаимодействии света с атомами
важным оказывается его резонансный характер. Резонансное сечение рассеяния
фотона на атоме превышает томсоновское сечение рассеяния на электроне на
15−17 порядков! При этом скорость резонансного рассеяния фотонов (для
щелочных металлов) может составлять 107 фотонов в секунду, что

2
соответствует силе светового давления, приводящей к ускорению атомов в 105
g.
Первые эксперименты по наблюдению резонансного светового давления
на микроскопические объекты были поставлены Отто Фришем (1933 г.),
который исследовал отклонение пучка атомов натрия светом резонансной
лампы. Основной задачей опытов Фриша было исследование сил резонансного
светового давления. Однако наблюденный эффект отклонения атомного пучка
оказался мал: угол отклонения был порядка угловой расходимости пучка. Это
сразу обозначило две основные проблемы эффективного механического
действия света на отдельные атомы: малая спектральная плотность энергии
квазитепловых источников излучения и недостаточно большое время
взаимодействия, ограниченное тепловым движением атомов.
Таким образом, несмотря на то, что световое давление является одним из
фундаментальных аспектов взаимодействия электромагнитного излучения с
веществом, в долазерную эпоху этот эффект считался слабыми, едва доступным
наблюдению в тонких экспериментах. Создание источников излучения с
большой спектральной плотностью энергии (лазеров) дало новый и решающий
толчок в развитии этой области. Первые же теоретические оценки и
эксперименты по лазерному отклонению атомных пучков показали
существенно большую (на два-три порядка) эффективность силового действия
по сравнению с классическими (квазитепловыми) источниками излучения.
С появлением когерентных источников света с большой спектральной
плотностью излучения (лазеров) работы по исследованию движения атомов в
резонансных световых полях перешли на новый виток эволюции.
Для 1960-х - 1980-х годов характерно осознание как теоретиками, так и
экспериментаторами тех значительных возможностей, которые предоставляет
использование лазерного излучения в воздействии на поступательные степени
свободы атомов. К этому периоду относится целый ряд принципиально важных
пионерских предложений. Так, Летохов в 1968 г. высказал идею оптической
решетки - пространственной локализации атомов в минимумах оптического
потенциала в стоячей световой волне для устранения доплеровского уширения
в спектроскопии сверхвысокого разрешения. Первый вариант трехмерной
оптической ловушки был предложен 10 лет спустя Эшкиным. Далеко идущие
последствия имела идея использовать селективность по скоростям атомов их
резонансного взаимодействия со светом для охлаждения атомной подсистемы
(Хэнш, Шавлов, Демельт, Вайнлэнд, 1975 г.). Данная идея развила более ранние
предложения Кастлера и Зельдовича и заключается в следующем. При
отстройке частоты монохроматического излучения в виде стоячей волны от
резонанса в красную сторону благодаря эффекту Доплера движущиеся атомы

3
оказываются ближе к резонансу (отстройка компенсируется доплеровским
сдвигом) с встречной световой волной. Таким образом, атом “видит”, в
основном, встречную волну, при этом действие сил светового давления
приводит к уменьшению его скорости. Этот метод так называемого
доплеровского охлаждения позволяет, в принципе, замедлять и
монохроматизировать атомный пучок встречной световой волной, а также
добиваться одно-, двух- или трехмерного охлаждения атомного ансамбля в
поле, состоящим из стоячих волн вдоль соответствующих направлений, либо в
сферически изотропном поле. Изменение атомного импульса за один
элементарный акт (поглощения либо испускания) соответствует импульсу
фотона ℏk. При этом отношение ℏk к импульсному распределению ансамбля
атомов составляет порядка 10-5-10-4. Очевидно, что для существенного
изменения импульсного распределения атомов требуется рассеяние очень
большого числа квантов. Скорость рассеяния фотонов атомом ограничена
скоростью радиационного затухания возбужденного состояния, что для
разрешенных оптических переходов составляет порядка γ ≈ 107 − 108 с −1 .
Следовательно, для охлаждения требуются значительные времена
взаимодействия 10-4 – 10-5 c, что значительно превышает времена пролетного
взаимодействия ансамбля термальных атомов с полем световых лучей,
достаточного для реализации лазерного охлаждения интенсивности. По этой
причине доплеровское лазерное охлаждение было впервые реализовано в
экспериментах с ионами в электромагнитных ловушках (Пеннинга и Пауля),
где легко было добиться требуемых времен взаимодействия. В случае
нейтральных атомов дело, на первых порах, ограничилось замедлением и
охлаждением атомных пучков.
Ряд предложений по ускорению атомов светом был сделан Казанцевым.
Он же вместе с соавторами (Сурдутович, Яковлев) предложил использовать
сильную стоячую световую волну для дифракции атомов на большие углы
(резонансный аналог эффекта Капицы-Дирака). Другой принципиально важной
пионерской идеей была интерференция атомов в пространственно разнесенных
полях (Дубецкий, Казанцев, Чеботаев, Яковлев), либо в полях, разнесенных во
времени (Борде).
Теория поступательного движения атомов в лазерных полях развивалась
первоначально в рамках простейшей модели атома, в которой внутренние
степени свободы описываются двумя состояниями, соответствующими
невырожденным энергетическим уровням (Казанцев, Миногин, Кук, Гордон, и
др.). Использование этой модели представлялось достаточным для описания
основных экспериментальных результатов, количество которых к середине
1980-х было весьма ограничено. При этом считалось, что учет реальной
структуры атомных уровней, вырожденных по проекции полного углового
4
момента, приведет лишь к небольшим количественным поправкам к
результатам двухуровневой модели. Применительно к лазерному охлаждению
основной результат, следующий из двухуровневой модели, заключается в
существовании теоретического предела на минимальную температуру
охлаждения, т. н. доплеровский предел k BTD ≈ γ . Типичное значение T D для
атомов щелочных металлов − сотни микрокельвин.
Начало следующего периода следует, по всей видимости, связать с
предложениями по использованию новых конфигураций поля с
пространственными градиентами поляризации для охлаждения и захвата
атомов, а также по использованию комбинации светового и статического
магнитного полей для преодоления так называемой оптической теоремы
Ирншоу (Earnshow). Эта теорема утверждает, что сила спонтанного светового
давления, действующая на атом, пропорциональна плотности потока энергии
поля (вектору Умова-Пойнтинга) и, следовательно, не может иметь минимумов
и максимумов, что, на первый взгляд, существенно ограничивает возможности
использования этой силы для создания стабильной ловушки. Доказательство
оптической теоремы Ирншоу существенным образом опирается на модель
резонансного атома в виде двух невырожденных уровней (двухуровневая
модель), когда существует только один? тип силы спонтанного светового
давления, пропорциональный градиенту фазы светового поля. Тем не менее,
более детальный анализ, с привлечением более сложной модели атомов,
учитывающей вырожденность атомных уровней по проекции углового
момента, позволил показать, что стабильная оптическая ловушка,
использующая силы спонтанного светового давления, может быть реализована
при наложении дополнительных (квази)статических полей, расщепляющих
вырожденные атомные уровни. Наиболее удачный вариант, получивший
название магнитооптической ловушки (МОЛ), был предложен Причардом,
Далибардом и др., и экспериментально реализован в 1987 году Чу с соавторами.
Сочетание значительной глубины ловушки (~10 K) и эффективного лазерного
охлаждения сделали МОЛ основным источником холодных атомов в
различных экспериментах.
Дальнейшие события были связаны с экспериментальным наблюдением
температур лазерного охлаждения значительно ниже теоретического
доплеровского предела (Филлипс, 1987). Преодоление доплеровского предела
связано с использованием лазерных полей с градиентом поляризации, где
ориентация и/или эксцентриситет эллипса поляризации меняется на
расстояниях порядка длины волны света. В этом случае, возникает
своеобразная корреляция процессов оптической ориентации основного
состояния, поступательного движения и передачи импульса от поля атомам,
являющаяся общей причиной возникновения новых кинетических эффектов.
5
Первоначально, лазерное охлаждение ниже доплеровского предела
наблюдалось в конфигурации оптического молассиса (оптической патоки), где
осуществлялся вязкий захват предварительно охлажденных (пучок либо МОЛ)
атомов в области пересечения трех пар ортогонально поляризованных лучей.
Позднее, было установлено, что эффекты субдоплеровского охлаждения имеют
место и в МОЛ при оптимизации ее параметров.
В настоящее время исследование кинетики атомов в резонансных световых
полях является бурно развивающимся направлением атомной физики.
Некоторое представление об актуальности и важности исследований в этом
направлении может дать простое перечисление основных достижений:
• Созданы магнитооптические и оптические ловушки, в которых
осуществлен захват и охлаждение нейтральных атомов. Параметры атомов при
этом могут варьироваться в широких пределах: температура поступательного
движения от мK до мкK; число атомов от одного до 1011; время удержания
вплоть до секунд; концентрация - до 1012 см-3. Ансамбли холодных атомов,
приготовленные в магнитооптических ловушках, используются в
спектроскопии, в квантовых стандартах частоты нового поколения (таких как
атомный фонтан), в нелинейной и квантовой оптике, для конденсации Бозе-
Эйнштейна (при последующем испарительном охлаждении в магнитной
ловушке), при исследовании межатомных взаимодействий и пр.. Можно
сказать, что благодаря магнитооптической ловушке холодные атомы стали
обычным объектом физических исследований.
• Разработаны методы лазерного охлаждения, основанные на селективном
по скорости возбуждении атомов, позволяющие преодолеть фундаментальный
предел, связанный с однофотонной энергией отдачи ER = (k )2 / 2M
(кинетическая энергия, приобретаемая неподвижным атомом при поглощении
одного фотона).
• Реализованы оптические дипольные ловушки различных типов, в которых
холодные атомы удерживаются в оптическом потенциале в условиях близких к
консервативным. Время жизни атомов в ловушке может достигать минут, что
открывает новые возможности в различных фундаментальных приложениях,
таких, например, как тест фундаментальных симметрий в атомных системах.
• Созданы периодические пространственные структуры холодных атомов -
оптические решетки. Развиты эффективные методы лазерного охлаждения
атомов в оптических решетках вплоть до локализации их в основном
колебательном состоянии оптического потенциала. Физические приложения
оптических решеток весьма многообразны: оптические атомные стандарты
частоты; приготовление и контроль квантовых состояний атомов; квантовая
оптика атомов и квантовая информатика; контролируемая система для
моделирования явлений в конденсированных средах.

6
• Развитие методов лазерного охлаждения и управления пучками
ультрахолодных атомов стимулировало развитие нового направления –
атомной оптики (атомной интерферометрии). Современные лазерные методы
позволяют коллимировать, фокусировать, отклонять, расщеплять, отражать и
передавать по волноводу атомные волны. Другими не менее важными и
интересными примерами являются работы по практическому применению
атомных интерферометров и создания на их основе высокочувствительных
квантовых сенсоров инерциальной навигации (акселерометров, гравиметров,
градиентометров и гироскопов) на основе волн материи. Эффективные методы
управления атомными пучками также открывают широкие возможности для
атомной литографии, связанной с возможностью размещения атомов на
поверхности твердых тел с высоким разрешением (десятые доли длины волны
света).

Лауреаты Нобелевской премии в области физики ультрахолодных атомов

Значительный прогресс в данной области отмечен тремя нобелевскими

премиями по физике: 1997 г., К. Коэн-Таннуджи, У. Филлипс, С. Чу – лазерное
охлаждение и захват нейтральных атомов; 2001 г., Э. Корнелл, К. Виман, В.
Кеттерле – конденсация Бозе-Эйнштейна атомов; 2012 г. Д. Вайнлэнд -
новаторские экспериментальные методы, позволяющие проводить измерения и
манипулировать индивидуальными квантовыми системами (ультрахолодные
ионы в ловушках).
7
1. Формализм матрицы плотности
Наряду с развитым формализмом волновой функции в квантовой механике
часто используется формализм матрицы плотности. В данном разделе
рассмотрим основные особенности данного формализма.
Уравнение движения для матрицы плотности имеет вид:
∂
∂t
i
ρˆ = − Hˆ , ρˆ

[ ] (1.1)

и измеряемая величина определяется квантовомеханическим средним

соответствующего ей оператора

A = Tr Âρ̂ ,{ }
где операция Tr {Bˆ } определена как суммирование по диагональным дискретным
переменным оператора ∑ n Bnn и интегрирования по диагональным
непрерывным переменным ∫ B(ξ , ξ )dξ .

В отличие от формализма волновой функции для описания квантовой системы

удовлетворяющей уравнению Шредингера

∂
i ψ = Hˆ ψ , (1.2)
∂t
где волновая функция системы описывается рядом переменных ψ (ξ1 , ξ 21 ,..ξ N ) ,
матрица плотности описывается N2 переменных ρˆ (ξ1' , ξ 2' ,...ξ N' , ξ1 , ξ 2 ,...ξ N ) , и это
обстоятельство является основным и единственным недостатком формализма
матрицы плотности. Для системы описываемой волновой функцией ψ (ξ1 , ξ 21 ,..ξ N )
матрица плотности может быть построена из векторов состояний
ρˆ (ξ1' , ξ 2' ,...ξ N' , ξ1 , ξ 2 ,...ξ N ) = ψ (ξ1' , ξ 2' ,...ξ N' )ψ + (ξ1 , ξ 2 ,...ξ N ) , (1.3)

где ψ + - означает эрмитовое сопряжение ψ . Состояния, задаваемые волновой

функцией, носят названия чистых состояний, однако описание при помощи
волновой функции в квантовой физике не является общим и, более того, не
всегда возможно в отличие от формализма матрицы плотности! (Сомнтельное
утверждение. Если использовать адекватные процедуры усреднения, то и в аппарате волновых функций можно
получать правильный результат. Другое дело, что многие задачи с матрицей плотности решаются проще.)

Рассмотрим систему, описываемую волновой функцией ψ (ξ1 , ξ 21 ,..ξ N ) ,

состоящую из N подсистем, характеризующихся переменными (ξ1 , ξ 21 ,..ξ N ) . Если

8
эти подсистемы не взаимодействуют, то волновая функция может быть
факторизована
ψ (ξ1 , ξ 21 ,..ξ N ) = ψ 1 (ξ1 )ψ 2 (ξ 2 ) ⋅ ..ψ N (ξ N )
и также матрица плотности может быть представлена в виде:
ρˆ (ξ1' , ξ 2' ,...ξ N' , ξ1 , ξ 2 ,...ξ N ) = ρˆ1 (ξ1' , ξ1 ) ρˆ 2 (ξ 2' , ξ 2 )...ρˆ N (ξ N' , ξ N )
Для взаимодействующих, связанных частиц такое представление не
применимо, и в общем случае нельзя выделить волновую функцию какой-либо
отдельной подсистемы ψ n (ξ n ) . Однако, в формализме матрицы плотности
всегда можно выделить матрицу плотности какой-либо ее подсистемы

ρˆ n (ξ n' , ξ n ) = Tr {ρˆ (ξ1' , ξ 2' ,...ξ N' , ξ1 , ξ 2 ,...ξ N )} ,

i≠n

где след берется по всем переменным кроме n (индексов выделенной

подсистемы). В действительности, практически все квантовые системы
являются открытыми, т.е. в той или иной степени подвержены взаимодействию
с окружением. Поэтому описание квантовой системы или ее подсистемы в
формализме волновой функции не всегда корректно. Напротив, в формализме
матрицы плотности для отдельно взятой подсистемы можно записать
уравнение эволюции, которое будет иметь вид схожий с уравнением (1.1) с
дополнительным вкладом, описывающим взаимодействие квантовой системы с
окружением. Так, например, для матрицы плотности единичного атома
уравнение примет вид:
∂
∂t
i

[ ]
ρ = − Hˆ , ρˆ + Γˆ {ρˆ } , (1.4)

где оператор Γ̂{ρ̂ } описывает релаксацию из-за взаимодействия атома с

окружением и, в частности, с вакуумными модами электромагнитного поля (см.
раздел 6.1, а также главу 3 в [1]).
Опишем общие свойства матрицы плотности:
1) матрица плотности эрмитова: ρˆ + = ρˆ ;
2) диагональные элементы матрицы плотности неотрицательны;
3) след матрицы плотности Tr{ρ̂ } = C (где С- нормировка, определяющая число
частиц).
4) В условиях нормировки С = 1, след квадрата матрицы плотности
Tr {ρˆ 2 } ≤ Tr{ρˆ }. Причем знак равенства достигается лишь в случае, когда матрица

9
плотности описывает чистое состояние системы, т.е. системы определяемой
волновой функции ψ.

Рассмотрим ряд примеров:

1 1 − i 
1) матрица плотности ρˆ =   удовлетворяет всем свойствам матрицы
2  i 1 
плотности чистого состояния ρ̂ = ψψ + . Можно убедиться, что волновая функция
1 1
такой системы ψ =  
2  i 

 2/3 i 2 / 15 
2) матрица плотности ρˆ =   описывает только смешанное
 − i 2 / 15 1 / 3 
состояние, т.е. такую систему нельзя описать в формализме волновой функции.
В частности, можно убедиться прямым вычислением, что Tr {ρˆ 2 } < Tr{ρˆ }.
3) Пример системы запутанного состояния двух частиц со спинами s = 1/2 с
суммарным спином s = 0.
S = 1 / 2, Sz = +1 / 2 1 S = 1 / 2, Sz = −1 / 2 2 − S = 1 / 2, Sz = −1 / 2 1 S = 1 / 2, Sz = +1 / 2
S = 0, Sz = 0 = 2

2
Легко убедиться, что состояние частицы “1” и “2” по отдельности нельзя
описать волновой функцией. Действительно, матрица плотности всей системы:
ρˆ = S = 0, Sz = 0 S = 0, Sz = 0

Матрица плотности частицы “1”:

1 1 0
ρˆ1 = Tr{ρˆ } 2 =  
2  0 1 
описывает смешанное состояние, несмотря на то, что вся система “1” и “2”
находится в чистом состоянии (описывается волновой функцией). И
принципиально не существует вектора состояния, который бы описывал
частицу “1”!

10
2. Вигнеровское представление для матрицы плотности
В предыдущем разделе мы познакомились с основными свойствами матрицы
плотности. Был приведен ряд примеров для матриц плотности, записанных в
базисе векторов состояний, описывающих внутренние степени свободы (частиц
со спином 1/2). При этом мы не рассматривали распределение по внешним
степеням свободы. Выделяются два основных представления для описания
поступательных степеней свободы квантовой системы в формализме волновой
функции: координатное и импульсное представления.
Переход от одного представления к другому задается преобразованием Фурье:

ψ ( p) = ∫ψ (r )e −ipr /  dr /(2π) 3 (2.1)

ψ (r ) = ∫ψ ( p)e ipr /  dp
и, соответственно операторы положения и импульса принимают вид:
- в координатном представлении: rˆ = r , pˆ = −i∂ / ∂r

- в импульсном представлении: rˆ = i∂ / ∂p , pˆ = p

Квантовая система, описываемая волновой функцией, должна обладать
когерентностью во всем пространстве r и p. В отличие от формализма волновой
функции матрица плотности описывает более широкий класс квантовых
объектов. Рассмотрим одночастичную матрицу плотности. Так же, как и в
формализме волновой функции, мы можем записать ее в координатном, либо в
импульсном представлении, связь между которыми задается преобразованием
Фурье:
  1   −i ( p1r1 − p 2r2 ) /  3  3 
(2π ) 3 ∫
ρ ( p1 , p 2 ) = ρ (r1 , r2 ) e d r1d r2 (2.2)

  1   i ( p1r1 − p 2r2 ) /  3  3 
(2π ) 3 ∫
ρ (r1 , r2 ) = ρ ( p1 , p2 ) e d p1d p 2

Переход к квазиклассическому описанию движения центра инерции

(координатно-импульсному) возможен в Вигнеровском представлении. Для
этого, для квантового объекта вводится новые переменные:
     
r = (r1 + r2 ) / 2 , p = ( p1 + p2 ) / 2

и
     
q = r1 − r2 κ = p1 − p2 .
,
11
Наша задача состоит в том, чтобы построить матрицу плотности которая бы
 
зависела только от переменных r и p .

Запишем преобразование Фурье для матрицы плотности в новых переменных r

и p проведя замену переменных в (2.2)

  1   i ( pq +κr ) /  3  3 
(2π ) 3 ∫
ρ (r , q ) = ρ ( p ,κ ) e d pd κ (2.3)


по κ выполним обратное Фурье преобразование
  iκr 3    − ipq 3 
ρ ( p, r ) = ∫ ρ ( p, κ )e d κ /(2π) = ∫ ρ (r , q )e d q .
3
(2.4)

Это представление и является Вигнеровским представлением для матрицы

   
плотности. Из эрмитовости ρ + (r1 , r2 ) = ρ (r2 , r1 ) следует эрмитовость
   
ρ = ( p, r ) = ρ ( p, r ) .

3. Уравнение для матрицы плотности в Вигнеровском

представлении
Для того, чтобы получить уравнение для матрицы плотности в вигнеровском
представлении можно начать с уравнения (4) в координатном представлении.
Полагая, что гамильтониан системы
pˆ 2
H=
ˆ + Hˆ 0 + Vˆ , (3.1)
2M
где первое слагаемое описывает кинетическую энергию частицы, второе –
энергию внутренних состояний и последнее – взаимодействие с внешними
полями. Гамильтониан свободного атома Ĥ 0 можно записать в виде проекторов
по внутренним состояниям n с определенными энергиями En

Hˆ 0 = ∑ En n n .
n

Коммутатор кинетической энергии с матрицей плотности в координатном


представлении, преобразованный к координатам r и q примет вид:

i  pˆ12     pˆ 22  − i  ∂ 2    ∂ 2    − i ∂ ∂  
 ρ
ˆ ( r , r ) − ρ
ˆ ( r1 , r2 ) =    ρˆ (r1 , r2 ) −    ρˆ (r1 , r2 ) =   ρˆ (r , q )
  2M  ∂r1   ∂r2   M ∂r ∂q
1 2
2M  2M

12
  
умножая это выражение на exp(−ipq / ) и интегрируя по q получим:

− i ∂ ∂    3 p ∂  
∫ M ∂r ∂q
  ρ
ˆ ( r1 , r2 ) exp( −i p q /  ) d q = 
M ∂r
ρ
ˆ ( r , p)

В итоге получим уравнение


∂
 +
p ∂   
  ρˆ (r , p ) = −
i
[Hˆ , ρˆ (r, p )]
 ∂t M ∂r  
0
(3.2)
−
i

[        
]  
Vˆ (r + i / 2 ∇ p ) ρˆ (r , p ) − ρˆ (r , p)Vˆ + (r − i / 2 ∇ p ) + Γˆ {ρˆ (r , p)}

 
Оператор Vˆ (r + i / 2 ∇ p ) определен либо разложением в ряд Тейлора, либо в ряд
Фурье как:
       
Vˆ (r + i / 2 ∇ p ) ρˆ (r , p) = ∫ Uˆ (k )ρˆ (r , p − k / 2)d 3k
   
где Vˆ (r ) = ∫ Uˆ (k )eikr d 3k

и уравнение для матрицы плотности в вигнеровском представлении примет

вид:

∂
 +
p     i
[  
⋅ ∇ r  ρˆ (r , p ) = − Hˆ 0 , ρˆ (r , p ) ]
 ∂t M  
    3 (3.3)
     
− ∫ [U (k ) ρˆ (r , p − k / 2) − ρˆ (r , p + k / 2)U (k )] d k + Γ{ρˆ (r , p)}
i ˆ ˆ ˆ

Если импульс фотона поля, с которым взаимодействует частица мал, то

сдвигом k / 2 в аргументе у матрицы плотности можно пренебречь. В этом
случае мы получим уравнения описывающие динамику внутренних степеней

свободы частице под действием поля Vˆ (r ) для частицы находящейся в точке r

с импульсом p без учета эффекта отдачи (обмена импульсом, энергией) при
взаимодействии частицы с фотонами поля.
В общем случае можно провести разложение уравнения (3.3) по малости
импульса фотона (параметра отдачи, характеризующего изменение импульса и
энергии частицы при взаимодействии с фотонами поля) и получить
квазиклассические уравнения для квазиклассической функции распределения в
фазовом пространстве
   
W (r , p) = Tr{ρˆ (r , p)} (3.4)
(след берется по всем внутренним состояниям), характеризующие кинетику
частицы. Пример такого разложения мы рассмотрим в следующих разделах.

13
4. Взаимодействие атома с полем монохроматической
волны. Приближение вращающейся волны. RWA (rotating
wave approximation)

Рис.4.1 Схема двухуровневой модели атома. Основное (g) и

возбужденное состояние (e).
Рассмотрим гамильтониан атома в световом поле
   
E (r , t ) = E0 (r ) exp[−iωt ] + к.с. (4.1)

при этом положим, что частота поля ω находится вблизи резонанса двух
уровней: основного (g) и возбужденного (e) состояний, имеющих разность
энергии ω0 , т.е. ω − ω0 << ω .
Далее мы будем рассматривать атом в упрощенной модели – двухуровневой
модели атома (рис.4.1).
Гамильтониан двухуровневого атома имеет вид

pˆ 2
H=
ˆ + Hˆ 0 + VˆE − D
2M
ω 0 ω
где Hˆ 0 = e e − 0 g g гамильтониан внутренней структуры атома, а
2 2
оператор взаимодействия с полем VˆE − D в электродипольном приближении имеет
вид:
 ˆ
VˆE − D = − E d (4.2)
и зависит от времени в силу (4.1):

14
Оператор дипольного момента определяет вынужденные переходы между
уровнями (g) и (e) в световом поле и может быть представлен в виде
ˆ  
d = d e g + d* g e .

Отметим, что в силу временной зависимости (4.1) оператор взаимодействия

(4.2) и, следовательно, гамильтониан системы зависят от времени, что
значительно усложняет решения рассматриваемой квантовой задачи. Для
упрощения данной задачи и исключения временной зависимости в
гамильтониане рассмотрим унитарное преобразование вида
 e e − g g 
Uˆ = exp − iωt . (4.3)
 2 

Гамильтониан атома в новом базисе ψ / = Û +ψ может быть получен в формализме

волновой функции, либо матрицы плотности. Рассмотрим для простоты
уравнение Шредингера в новом базисе. Для этого применим унитарное
преобразование (4.3)
∂
Uˆ + i UˆUˆ +ψ = Uˆ + Hˆ UˆUˆ +ψ . (4.4)
∂t
Для того, чтобы упростить уравнение (4.4) рассмотрим отдельно его составные
части. Можно легко получить, что
ˆ+ ∂ ˆ ω
U i U= (e e − g g )
∂t 2
 +
Uˆ Hˆ 0 Uˆ = Hˆ 0
 (4.5)
Uˆ + e g Uˆ = e iωt e g

Uˆ + g e Uˆ = e −iωt g e

Используя соотношения (4.5) уравнение (4.4) преобразуется в

      
i
∂ /  pˆ 2 δ
∂t
ψ = − (
( e e − g g ) − dE0 e g + d * E0* g e + d * E0 g e e − 2iωt + d E0* e g e 2iωt )ψ /
,
 2M 2 

где δ = ω − ω0 отстройка светового поля от частоты атомного резонанса ω0 .

В данном выражении наряду с независимыми от времени вкладами
присутствуют быстроосцилирующие вклады на удвоенной частоте ω.
Приближение вращающейся волны заключается в пренебрежении данными
вкладами (либо их усреднение) в новом базисе, задающемся унитарным
преобразованием (4.3).

15
Таким образом, в рассматриваемом приближении волновое уравнение примет
вид:
∂ /  pˆ 2 
i ψ =  + Hˆ 0/ + Vˆed ψ /
∂t  2M 

где гамильтониан атома

Hˆ 0/ = −δ ( e e − g g ) / 2 (4.6)

определяется отстройкой δ, а оператор взаимодействия с полем (4.1) не имеет

временной зависимости
Vˆed = Ω(r ) e g + э.с. , (4.7)
 
а Ω = − E0 (r )d /  − частота Раби.
В заключении данного раздела отметим, что выражения для гамильтониана
свободного атома (4.6) и оператора взаимодействия с полем (4.7) можно
получить также и в формализме матрицы плотности проводя соответствующие
унитарные преобразования и пренебрегая быстроосциллирующими вкладами в
уравнении на фоне медленно меняющихся.

5. Оптическое уравнение Блоха

В условиях, когда взаимодействие атомов с полем имеет продолжительный
характер, при котором нельзя пренебречь взаимодействием атома с нулевыми
(вакуумными) модами светового поля, т.е. на временах t >> 1 / γ , где γ скорость
спонтанного распада, удобно проводить описание кинетики атомов в
формализме матрицы плотности.
Пренебрегая эффектом отдачи в правой части уравнения (3.3), получим
уравнение для матрицы плотности, не учитывающее механическое действие
света на атомы. При этом матрицу плотности в нулевом порядке по отдаче
можно представить в виде:
     
ρˆ (r , p) = σˆ (r , p) W (r , p) (5.1)
 
где матрица σˆ (r , p) описывает изменение внутренних степеней свободы атома в
 
точке r движущегося со скоростью v = p / M . Причем след по внутренним
степеням свободы
 
Tr{σˆ (r , p)} = 1 (5.2)
16
    
нормировка на один атом, а функция W (r , p) = Tr{ρˆ (r , p)} − распределение атомов
 
в фазовом пространстве (r , p) .
 
Уравнение на матрицу σˆ (r , p) принимают вид:

∂ p     i
[   i
]       (0)  
 + ⋅ ∇ r σˆ (r , p) = − Hˆ 0 ,σˆ (r , p) − [Vˆed (r )σˆ (r , p) − σˆ (r , p)Vˆed (r )] + Γˆ {σˆ (r , p)}, (5.3)
 ∂t M   

где Ĥ 0 гамильтониан свободного атома, а Vˆed (r ) − оператор взаимодействия с
полем.

Для двухуровневого атома гамильтониан Hˆ 0 = −δ ( e e − g g ) / 2 в

приближении (RWA), а Vˆed - оператор взаимодействия с полем описывается
выражением (4.7). Для модели двухуровневого атома с замкнутым оптическим
переходом, взаимодействующего с полем световой волны с частотой близкой к
частоте атомного перехода ω0 , в приближении вращающейся волны уравнение
(5.3) может быть записано для компонент атомной матрицы плотности

   σˆ ee σˆ eg 
σˆ (r , p) =   (5.4)
 σˆ
ge
σˆ gg 

  
 ∂
 ∂t [
+ v ⋅ ∇ r σˆ ee = −γ σˆ ee − i Ωσˆ ge − σˆ eg Ω * ]
 
 ∂   
 { } [
+ v ⋅ ∇ r σˆ gg = +γˆ ( 0 ) σˆ ee − i Ω *σˆ eg − σˆ ge Ω ]
 ∂t 

 
 ∂
 ∂t

[
+ v ⋅ ∇ r + [γ / 2 − iδ ] σˆ eg = −i Ωσˆ gg − σˆ ee Ω ] (5.5)


 
 ∂
 ∂t

[
+ v ⋅ ∇ r + [γ / 2 + iδ ] σˆ ge = −i Ω *σˆ ee − σˆ gg Ω * ]


Здесь γˆ ( 0) {σˆ ee } описывает «приход» в результате спонтанного распада из

возбужденного состояния в основное в нулевом порядке по отдаче. В модели
двухуровневого атома γˆ ( 0) {σˆ ee } = γ σˆ ee (см. раздел 6.1). Данная система уравнений
носит название оптических уравнений Блоха и описывает эволюцию медленно
меняющихся компонент матрицы плотности (5.4) в монохроматическом поле
вида (4.1) с частотой ω , близкой к частоте атомного резонанса ω0 .

Оператор Γˆ {σˆ }( 0) описывает спонтанную релаксацию в нулевом порядке по

эффектам отдачи для двухуровневого атома

17
 γ
Γˆ ( 0) {σˆ } = − ( e e σˆ + σˆ e e ) + γ g e σˆ e g . (5.6)
2
Действие оператора Γˆ ( 0) {σˆ } в уравнении (5.3) в нулевом порядке по отдаче
сводится к негамильтоновой добавке в уравнении (5.3), определяемой
величиной γ − естественной шириной возбужденного уровня. Данный вклад
описывает затухание населенности возбужденного состояния σˆ ee ,
когерентностей σ̂ eg и σˆ gg . В рассматриваемом примере мы описываем
эволюцию атомной матрицы плотности для задачи взаимодействия с лазерным
полем, резонансным замкнутому оптическому переходу. Замкнутость
оптического перехода означает, что возбужденные полем атомы в результате
спонтанного распада будут переходить из возбужденного состояния (e) в
основное (g). Эти процессы в уравнении (5.5), в нулевом порядке по отдаче,
описываются вкладами, пропорциональными константе γ, причем со знаком
«−» для уравнения, описывающего изменение населенности возбужденного
состояния ∂σ̂ ee / ∂t и со знаком «+» (приход в основное состояния) для ∂σ̂ gg / ∂t .

6. Атом с вырожденными по проекции углового момента

уровнями в поляризованном световом поле
Прежде чем переходить к описанию кинетики атомов в световых полях выйдем
за рамки невырожденной двухуровневой модели и рассмотрим взаимодействие
с полем атома с уровнями, вырожденными по проекции углового момента.
Также для простоты описания ограничимся рассмотрением замкнутого
оптического перехода Jg→Je, характеризующегося полными угловыми
моментами уровней Jg для основного состояния и Je для возбужденного,
взаимодействующего с полем (4.1). Здесь и далее, под угловым моментом мы
будем понимать полный угловой момент энергетического уровня атома.
Соответственно собственные энергетические состояния атома Je, µ e , Jg , µ g
характеризуются полным угловым моментом Je, Jg и проекцией углового
момента µe и µ g на ось квантования (Рис.6.1).

18
Рис. 6.1 Схема взаимодействия атомных подуровней с электромагнитным
полем для атомов с оптическими переходами Jg=1/2→Je=3/2 (a) и Jg=1→Je=2
(b). Двойными стрелочками указаны вынужденные переходы, волнистыми −
 
спонтанные распады. Ось квантования ez выбрана вдоль вектора k . Цифры на
волнистых и сплошных линиях указывают амплитуды вынужденных и
спонтанных переходов соответствующие коэффициентам Клебша-Гордона
(6.7).

Для электромагнитного поля важным является его векторная природа.

Комплексная векторная амплитуда поля (4.1) имеет вид:
     
E (r ) = E (r ) exp[i Φ (r )]e (r ) (6.1)
где E - реальная амплитуда, Φ - фаза поля, а также
 s
e= ∑ es
e
s =0 , ±1
(6.2)

единичный (e * ⋅ e ) = 1 комплексный вектор эллиптической поляризации в общем

 

случае зависят от координаты r . e s − контрвариантные компоненты вектора
поляризации в циклическом базисе

e0 = ez
   
e+ = −(ex + ie y ) / 2 (6.3)
  
e− = +(ex − ie y ) / 2
 
Без ограничения общности мы будем полагать, что мнимая часть Im(e ⋅ e ) = 0 .
Количественную меру степени эллиптичности светового поляε (параметр
эллиптичности) можно задать инвариантным способом:
 
cos(2ε ) = (e ⋅ e ) (6.4)
19
причём tg (ε ) равен отношению малой полуоси эллипса поляризации к
большой, а его знак задаёт направление вращения мгновенного вектора
эллиптичности светового поля. Для решения различного вида задач систему

координат удобно выбирать таким образом, чтобы вектор e являлся
суперпозицией не более чем двух компонент циклического базиса. Например,
это можно сделать выбрав ось Z вдоль направления волнового вектора поля
(4.1) (ортогонально плоскости эллипса поляризации). В этой системе координат

вектор e имеет разложение только по циркулярным компонентам:
  
e = − cos(ε − π / 4)e − iφ e+1 + cos(ε + π / 4)e + iφ e−1 ,
(6.5)
−π /4≤ε ≤π /4
где φ - локальный угол поворота эллипса поляризации в плоскости XY (см.
Рис.6.2). Здесь для сокращения записи явная зависимость от координаты

вектора e и описывающих его параметров ε, φ не указана. Отметим, что ε=0
соответствует линейной поляризации поля, а ε=±π/4- правой и левой круговой
поляризации.


Рис. 6.2 Вектор эллиптической поляризации e .
Оператор взаимодействия атома с полем (4.1) в дипольном приближении (4.2) в
приближении вращающейся волны имеет вид:
 ˆ   
Ved (r ) = − e d g  D ⋅ E (r )  + h.c.
ˆ  
(6.6)
   

20
где e d g − приведенный дипольный момент оптического перехода, а
̂
циклические компоненты оператора D выражаются через коэффициенты
Клебша-Гордана:

Dˆ q = ∑
µ µ
C Je , µ e
1, s ; Jg , µ g Je, µ e Jg , µ g , s = 0,±1 (6.7)
e, g

и определяют матричные элементы оператора взаимодействия магнитных

подуровней (Рис. 6.1). Соответственно оператор взаимодействия (6.6) может
быть записан в виде
     s 
Vˆed (r ) = Vˆ (r ) + Vˆ + (r ), Vˆ (r ) = Ω(r ) ∑ s (r )
ˆ
D e
s = 0 , ±1
(6.8)

 
где Ω(r ) = − e d g E (r ) /  -частота Раби.

6.1 Оператор спонтанной релаксации для атомов с

замкнутым оптическим переходом Jg→Je
Негамильтонова добавка в уравнении для матрицы плотности Γ̂{ρ̂ } описывает
релаксацию уровня возбужденного состояния вырожденного по проекции
углового момента. В общем виде с учетом эффектов отдачи оператор
релаксации в результате процессов спонтанного излучения фотонов имеет вид:

2
{
γ ˆ
Γˆ sp {ρˆ } = − Π }
e ρ + ρ Π e + γ {ρ }
ˆ ˆ ˆ ˆ ˆ

ˆ   +  ˆ  ˆ   (6.9)
γˆ{ρˆ } = γ ∑  D ⋅ eς (k )  e −i k r ρˆ e i k r  D ⋅ eς (k ) 
3 ˆ

2 ς =1, 2    Ωk

Здесь γ − скорость спонтанной релаксации возбужденного уровня (e), оператор

ˆ = ∑ Je, µ Je, µ
Π (6.10)
e e e
µe

проектор на подпространство состояний с различными проекциями углового

момента уровней возбужденного состояния (e), ... Ω − обозначает усреднение k

по всем направлениям излучения спонтанных фотонов, eς − вектор поляризации

спонтанных фотонов ( ς = 1, 2 ). Циркулярные компоненты векторного оператора
̂
D определены выражением (6.7). Первый член (6.9) описывает «уход» атомов с
подуровней возбужденного состояния в основное, а второй член γˆ{ρˆ }
описывает «приход» в основное состояние с подуровней возбужденного.
21
В нулевом порядке по отдаче ( k / ∆p << 1 - импульс получаемый атомов при
излучении фотона поля много меньше ширины импульсного распределения
атомного ансамбля) оператор релаксации (6.9) принимает простой вид:

γ ˆ
Γˆ sp0 {ρˆ } = − Π
2
{
e ρ + ρ Πe + γ
ˆ ˆ ˆ ˆ ( 0 ) {ρˆ } }
γˆ ( 0) {ρˆ } = γ ∑ Dˆ s+ ρˆ Dˆ s
. (6.11)
s = 0 , ±1

Соответственно скорость распада населенности каждого подуровня

возбужденного состояния равна γ , а скорость «прихода» на подуровни
основного состояния определяется вторым слагаемым (6.11), т.е.
пропорциональна квадрату соответствующего коэффициента Клебша-Гордана
(см. рис. 6.1).
Для одномерной задачи движения атома вдоль оси Z оператор спонтанной
релаксации (6.9) принимает вид:

{
γ ˆ
}
1
Γˆ sp {ρˆ } = − Π e ρ + ρ Πe +γ ∑
ˆ ˆ ˆ ∫ Dˆ
+
s e −i k zˆ h ρˆ e i k zˆ h Dˆ s K s (h) dh (6.12)
2 s = 0 , ±1 −1

где функции K ±1 (h) = 3 (1 + h 2 )/ 8 и K 0 (h) = 3(1 − h 2 )/ 4 определяются вероятностью

спонтанной эмиссии фотона с поляризацией s = 0, ± 1 в направлении h = cos(θ ) по
отношению к оси Z. В координатном представлении для матрицы плотности в
переменных

z = ( z1 + z2 ) / 2 , q = z1 − z2

выражение для оператора спонтанной релаксации (6.12) записывается наиболее

просто:

{
γ ˆ
Γˆ sp {ρˆ ( z , q)} = − Π
2
ˆ ˆ ˆ }
e ρ ( z , q ) + ρ ( z , q ) Π e + γ ∑ κ s ( kq ) Ds ρ ( z , q ) Ds
ˆ+ ˆ ˆ (6.13)
s = 0 , ±1

вид функций κ s (kq) следует из (6.12) при переходе к координатному

представлению для атомной матрицы плотности.

3 sin( kq) sin( kq) cos(kq) 
κ ±1 (kq) =  − + 2 

2 kq 3
(kq ) (kq ) 
(6.14)
 sin( kq) cos(kq) 
κ 0 (kq) = 3  − 
2 
 (kq )3
(kq ) 

22
7. Квазиклассическое приближение: разложение
кинетического уравнения для атомной матрицы
плотности по параметру отдачи
Атом, взаимодействующий с электромагнитным полем, описывается матрицей
плотности, которая зависит как от внутренних атомных переменных, так и от
поступательных: координаты и импульса. Для решения ряда
спектроскопических задач порой достаточно ограничится оптическим
уравнения Блоха (5.4), в нулевом порядке по отдаче, определяющего
внутреннее состояние атомов в световом поле.
Однако, при рассмотрении кинетических задач механического действия света
на атомы, необходимо учитывать эффекты отдачи в уравнениях на матрицу
плотности. Так, например, сила, действующая на атом, приводит к изменению
импульса атома в результате взаимодействия с фотонами поля. При этом обмен
импульсом между атомом и фотонами поля имеет квантовую природу, что
приводит к флуктуации силы, действующей на атом и, соответственно, к
диффузии атомов в фазовом пространстве.

Для описания и понимания природы данных эффектов, удобно воспользоваться

квазиклассическим приближением для описания кинетики атомов, которое
может быть получено из базового уравнения для атомной матрицы плотности
(1.1) путем разложения его по малости параметра отдачи k / ∆p << 1 , т.е.
малости импульса фотона к ширине импульсного распределения атомов ∆p .
При этом, основными условия применимости квазиклассического приближения
являются:
1) k / ∆p << 1 − малость параметра отдачи;

2) ε R = k / 2 Mγ << 1 − малость параметра квазиклассичности;

2

3) kv << γ − приближение малых скоростей.

Наличие второго условия предполагает, что энергия отдачи, получаемая атомом
в акте единичного поглощения/излучения фотона с импульсом k много
меньше ширины возбужденного уровня γ , обусловленной спонтанной
релаксацией. Выполнение данного условия означает, что атом в процессе
поглощения/излучения фотонов не выходит из резонансного контура. Наличие
последнего условия позволяет отделить быструю динамику эволюции
внутренних степеней свободы атома, обусловленных процессами оптической
23
накачки, от более медленных процессов изменения поступательных степеней
свободы. При выполнении данного условия можно полагать что в процессе
движения атома его внутреннее состояние адиабатически отслеживает
координатное изменение светового поля. Тогда матрицу плотности атомов ρ̂
можно представить в виде:

ρˆ = σˆ W + χˆ , (7.1)
где, соответственно, матрица χ̂ является неадиабатической добавкой. В силу
определений для σˆ (5.2) и W (3.4) имеем Tr{χˆ } = 0 .

Итак, запишем уравнение для матрицы плотности ρ̂ формально в виде

 ∂  
 + v ∇ r  ρˆ = Lˆ{ρˆ } (7.2)
 ∂t 
Разложение кинетического уравнения (7.2) по параметру отдачи k / ∆p имеет
вид
    ∂  
ρˆ (r , p) = Lˆ( 0) {ρˆ (r , p)} + k ∑ Lˆi (1) {ρˆ (r , p)} +
d
dt i ∂pi

∂ ∂ ˆ ( 2)   (7.3)
+ ( k ) 2 ∑ Lij {ρˆ (r , p)} + ...
ij ∂pi ∂p j

Здесь
 
d / dt = ∂ / ∂t + v ⋅ ∇ r (7.4)
Отметим, что разложение по параметру отдачи k / ∆p << 1 в Вигнеровском
  
представлении (7.3) эквивалентно разложению по параметру q = rq − r2 в
 
координатном представлении для матрицы плотности ρˆ (r1 , r2 ) и затем переходу
к вигнеровскому представлению.
При этом в нулевом порядке по отдаче имеем
 γ  ˆ ˆ γ
Lˆ( 0 ) {ρˆ } = −  − iδ  Π eρ +
 ˆ  i ˆ 
+ iδ  ρˆ Π e− [ ]
Ved (r ), ρˆ + γ ∑ Dˆ s+ ρˆ Dˆ s (7.5)
 2  2    s = 0 , ±1

Оператор Πˆ e = ∑ Je, µe Je, µe - проектор на возбужденное состояние (для

µe

модели двухуровневого невырожденного атома Π̂ e = e e ), а оператор D̂q

определяется выражением (6.7) ( Dˆ = g e в модели двухуровневого

24
невырожденного атома, и в этом случае суммирование по индексу q
отсутствует). Соответственно, уравнение

σˆ = Lˆ( 0) {σˆ }
d
(7.6)
dt
представляет собой оптическое уравнение Блоха (5.5). В частности, данное
уравнение имеет вид аналогичный уравнению Блоха для двухуровневого атома,
в котором оператор спонтанной релаксации имеет вид (6.11).
В первом порядке по отдаче

Lˆi {ρˆ } = −
(1) 1 ˆ 
2k
( 
Fi (r ) ρˆ + ρˆFˆi (r ) ) (7.7)

выражается через оператор силы

  
Fi (r ) = −∇ rVˆed (r ) .
ˆ (7.8)
Поправка второго порядка содержит как индуцированные члены,

пропорциональные второй производной оператора Vˆed (r ) , так и слагаемые,
обусловленные эффектом отдачи при спонтанном излучении:

Lˆij {ρˆ } = −
( 2) i
8k 2
[ 
]
∇ i Fˆ j (r ), ρˆ +
γ
∑ (δ ijδ mn − 1 / 4(δ inδ jm + δ imδ jn ))Dˆ m ρˆDˆ n
5 m, n =1, 2,3
(7.9)

Проводя свертку уравнения (7.3) по внутренним состояниям матрицы

плотности подобно методам, описанным в работах [2-5], и, учитывая
определение (3.4) для функции распределения атомов в фазовом пространстве
 
(r , p) , можно получить уравнение Фоккера-Планка:

∂ p  ∂   ∂2  
 + ∑ i ∇ i W = −∑ Fi (r , p) W + ∑ Dij (r , p) W (7.10)
 ∂t i M  i ∂pi ij ∂pi ∂p j

 
где Fi (r , p) − декартовы компоненты силы, действующей на атом в световом
 
поле, а Dij (r , p) − декартовы компоненты тензора диффузии атомов в фазовом
пространстве. При этом сила:
  
{ 
Fi (r , p) = Tr Fˆi (r ) σˆ (r , p ) (7.11) }
выражается через матрицу σ̂ , являющуюся решением оптических уравнений
Блоха (5.5), а тензор диффузии разделяется на вклады

Dij = D ( s ) ij + D ( in ) ij , (7.12)

25
связанные с процессами флуктуации импульса при спонтанном излучении
фотонов поля D ( s ) ij

(k ) 2 γ  ˆ 1 
D ( s ) ij = Tr  δ ij Π e − ( Dˆ i Dˆ +j + Dˆ j Dˆ i+ ) σˆ  (7.13)
5  4 

и процессом флуктуации силы D (in ) ij . В нулевом порядке по скорости для

медленных атомов D (in ) ij выражается через вспомогательную матрицу ϕ̂ :

D (in ) ij =
k
2
{(
Tr ϕˆi σˆ ( Fˆ j − F j ) + ( Fˆi − Fi ) σˆ )} (7.14)

являющуюся решением уравнения:

 γ

 2 + i δ
ˆ
 Π ϕ
ˆ
e i +
γ
 − i δ
 ˆ 
ϕˆ Π
i e − i V ed i [ ]
ˆ , ϕˆ − γ ∑ Dˆ ϕˆ Dˆ + s = Fi − Fi
s i
ˆ
k
(7.15)
  2   s = 0 , ±1

При этом выражение для силы (7.11) можно получить из других соображений
рассмотрев эволюцию оператора импульса в Гейзенберговском представлении.

Уравнение Гейзенберга для оператора pˆ (t ) имеет вид:
d ˆ
dt
[ ]

p = Hˆ , pˆ ≡ Fˆ (7.16)

Раскрывая коммутатор получим для оператора силы выражение (7.8) и,

соответственно, для измеряемой сила, согласно определению (1.5), получим
выражение (7.11).

8. Сила, действующая на атом в световом поле

В данном разделе рассмотрим пример силы, действующей на атомы в световом
поле различной конфигурации. Рассмотрим для простоты движение
двухуровневого атома с вырожденными энергетическими уровнями в поле
(4.1). Выражение для силы (7.11) примет вид:


 ∂    
Fi = −Tr  Ω* (r ) σ eg  + к.с (8.1)
 ∂ri
   
  
где σˆ = σ (r , p) является стационарным решением оптического уравнения Блоха
(5.5). Для неподвижного атома,


 ∂ *   Ω(r )
Fi = −Tr  Ω (r ) 
∂ [γ δ ]
(
σ gg − σ ee ) + к.с (8.2)

 ir  / 2 − i 


26
Рассмотрим два случая: световое поле является полем бегущей волны (а) и
полем стоячей волны (б)

Рис. 8.1. Иллюстрация действия силы спонтанного светового давления на атом.

(а) Бегущая световая волна

Для бегущей световой волны зависимость амплитуды светового поля (4.1) от
координаты имеет вид
 
E ( r ) = E0 e ik r
(8.3)
В этом случае зависимость частоты Раби от координаты имеет аналогичный

вид Ω(r ) = Ω 0 exp(ik r ) и выражение для силы (8.2):


 
{ } { }
F = k γ S Tr (σ gg − σ ee ) = k γ Tr σ ee

где S = Ω / (γ 2 / 4 + δ 2 ) - параметр насыщения. Поскольку стационарное решение

2

оптического уравнения Блоха для населенностей основного и возбужденного

состояния двухуровневого невырожденного атома в монохроматическом поле:
S 1+ S
σ ee = , σ gg = , (8.4)
1 + 2S 1 + 2S
то выражение для силы принимает окончательный вид:
 
F = k γ Tr σ ee { } (8.5)
Отметим, что данная сила является силой спонтанного светового давления со
стороны световой волны на атомы. В силу того, что фотоны светового поля
поглощаются из световой волны, а при спонтанном распаде излучаются

симметрично по отношению к волновому вектору светового поля k , то сила
27
спонтанного давления на атом пропорциональна импульсу фотона светового

поля k и скорости процессов скорости процесса спонтанного излучения,
определяемой произведением γ на населенность атомов в возбужденном
состоянии (Рис. 8.1).

(б) Стоячая световая волна

Комплексная амплитуды светового поля и, соответственно, частота Раби для
случая стоячей световой волны имеют вид:
   
E (r ) = E 0 cos(k r ) , Ω(r ) = Ω 0 cos(k r )

Для определенности направим ось Z вдоль вектора k . В поле стоячей волны
выражение для силы (8.1) примет вид:
 ∂    ∂  
F = Tr δ  S ( z )  σ ee  − Tr δ  S ( z )  σ gg  (8.6)
  ∂z     ∂z  

Величины U g ( z ) = δ S ( z ) и U e ( z ) = −δ S ( z ) играют роль оптических

потенциалов, в которых движется атомом с весовыми вкладами σ gg и σ ee .
Подставляя для населенностей основного и возбужденного состояния
выражения (8.4), получим силу, действующую на атом в поле стоячей волны.
∂ δ
F ( z) = − U ( z ), U ( z ) = ln(1 + 2 S ( z ) ) (8.7)
∂z 2
Таким образом, в стоячей волне атом движется в оптическом потенциале с
глубиной, имеющей логарифмическую зависимость от интенсивности
светового поля. При этом, при синих отстройках δ < 0 , минимумы оптического
потенциала совпадают с минимумами интенсивности светового поля стоячей
волны, при красных отстройках δ > 0 атомы втягиваются в область пучности
светового поля.

(в) Общая зависимость силы на атом от параметров

светового поля

28
Уравнение (7.10) позволяет получить общую выражение для силы,
действующей на неподвижный атом со стороны светового поля произвольной
 
пространственной зависимости E (r ) . Причем такое поле может быть
пространственной комбинацией нескольких монохроматических волн и иметь
достаточно сложную пространственную конфигурацию. Для того, чтобы найти
силу, необходимо знать решение стационарного уравнения Блоха (7.6). Это
решение было получено для атомов с замкнутыми оптическими переходами с
различными угловыми моментами Jg → Je [6]. При этом в силе выделяются
вклады пропорциональные градиентам параметров светового поля
(интенсивности, фазы, ориентации вектора поляризации и параметра
эллиптичности) [7]:
    
F = F1 + F2 + F3 + F4
 γ S α 1 
F1 = ∇Φ ;
α 0 + 2 Sα 1
 γ SA 
F2 = sin( 2ε )∇ϕ
α 0 + 2 Sα 1
 2δ S α 1 
F3 = − ∇ ln E
α 0 + 2 Sα 1
 2δ SB 
F4 = sin( 2ε )∇ε
α 0 + 2 Sα 1 (8.8)
где коэффициенты α 0 и α1 зависят от типа оптического перехода Jg → Je и

локального параметра эллиптичности светового поля ε (r ) .

29
Рис. 8.2 Два различных механизма появления силы: силы спонтанного
светового давления (а) и силы вынужденного светового давления (б).
Отметим, что вклады пропорциональные градиентам фазы F 1 и угла
ориентации вектора поляризации поля F 2 по своей природе являются силой
спонтанного светового давления (Рис. 8.2(а)), а вклады пропорциональные
градиентам интенсивности F 3 и параметра эллиптичности F 4 по своей природе
являются силой вынужденного светового давления и их связывают с

процессами вынужденного поглощения фотонов поля из одной моды k1 и

вынужденного излучения в другую моду k2 при котором атом получает
 
импульс ∆p = k1 − k2 . Также отметим различную зависимость от отстройки
светового поля сил спонтанного и вынужденного светового давления (8.8).

9. Диссипативная сила спонтанного светового давления

В предыдущем разделе мы описали основные механизмы формирования силы и
привели выражения для сил, действующих на неподвижный атом. Однако, для
лазерного охлаждения атомов в световом поле необходимо прояснить
30
механизмы потери кинетической энергии, которые определяются вязкой силой
трения, действующей на движущийся атом. Рассмотрим простой пример
движения атома в поле встречных волн малой интенсивности. Выражение для
силы может быть получено (7.11) в котором мы должны подставить
стационарное решение уравнений Блоха (7.6) σˆ , зависящую от скорости атомов

v . Данное решение может быть получено численно, либо в виде рекуррентного
соотношения (см. например [8]). Для описания основного механизма лазерного
охлаждения в поле встречных волн малой интенсивности воспользуемся тем,
что движущийся атом, в следствие эффекта Доплера, находится ближе к
резонансу к одной из волн, т.е. отстройка от резонанса δ для, движущегося
атома принимает вид:

δ v = δ − kv (9.1)
В этом приближении результирующую силу на атом в поле встречных волн
можно рассматривать как сумму независимых вкладов сил спонтанного
светового давления. Выражение (9.1) можно непосредственно получить из (5.5)
и (7.6), используя решение σˆ , получаемое в поле бегущей волны (8.3).
В простой модели двухуровневого атома с невырожденными уровнями
используя (8.5) получим:
    Ω2  Ω2
F (v) = Fk + F− k = k γ   − k γ  
( ) ( )
2 2 (9.2)
γ 2 /4 + δ − k ⋅v γ 2 /4+ δ + k ⋅v

Для атомов с малыми скоростями kv << γ имеем:

    Ω2 4δγ
F (v) ≈ k (k ⋅ v ) (9.3)
γ2 /4+δ2 γ2 /4+δ2
Таким образом, на атомы с малыми скоростями действует сила трения
4 δ γ S0
F ≈ ξ v , ξ = k
2
(9.4)
γ 2 /4+δ 2
пропорциональная скорости атомов, где α - коэффициент трения. Здесь S 0 –
параметр насыщения на одну волну.

31
Рис. 9.1. Сила спонтанного светового давления от встречных световых волн
действующая на движущийся атом со скоростью vпри красных отстройках поля
(а) и при синих отстройках поля (б) от частоты резонанса атомного перехода.

При красных отстройках поля движущийся со скоростью v атом находится

ближе к резонансу со встречной волной и более интенсивно рассеивает фотоны
встречного поля (Рис. 9.1). Возникающая сила светового давления приводит к
замедлению скорости атома. Наоборот, при синих отстройках поля
взаимодействие с фотонами полей встречных волн приводят к увеличению
кинетической энергии медленных атомов (т.е. к нагреву).
Рассмотренный механизм называется доплеровским механизмом лазерного
охлаждения. Аналогичные (9.2) и (9.4) выражения для силы трения можно
получить рассмотрев более реалистичные модели атомов с вырожденными по
проекции углового момента уровнями Jg → Je в полях встречных волн с
одинаковыми поляризациями и малой интенсивностью. В полях с большой
интенсивностью возникают отличия, связанные с тем действие полей
встречных волн нельзя считать независимыми. Механизмы трения в
интенсивном поле стоячей волны мы рассмотрим позже. Также, если встречные
поля образованы световыми волнами с различными поляризациями, то вектор
поляризации суммарного светового поля будет иметь пространственную
зависимость. Это приводит к пространственно неоднородной накачке
подуровней основного и возбужденного уровней атома. В поле с неоднородной
пространственной поляризацией рассмотренный нами подход доплеровского
охлаждения, полученный в рамках модели атома с невырожденными
состояниями, будет неприменим. Точнее, в выражениях для силы (9.2) появятся
дополнительные поляризационные вклады, приводящие к «поляризационным
особенностям» в теории лазерного охлаждения. Эти особенности мы также
подробно изучим в дальнейшем в разделе «Субдоплеровское охлаждение
атомов».

32
10. Температура доплеровского лазерного охлаждения
Сила трения, действующая на атом в световом поле, приводит к диссипации его
кинетической энергии и в классическом случае привела бы к полной его
остановке. Однако в силу квантового характера взаимодействия атомов с
фотонами поля имеет место процессы флуктуации сил. Как отмечалось выше, в
рамках квазиклассического подхода это явление описывается диффузионными
вкладами в уравнении Фоккера-Планка (7.10). Соответственно, уравнение
движения для атома принимает вид:

d ~
p(t ) = F + f (t ) (10.1)
dt
~
где f (t ) случайная составляющая силы выражается через коэффициент
диффузии:
~ ~ ~
f (t ) = 0 f (t ' ) f (t ' ' ) = 2 D δ (t '−t ' ' )
, (10.2)
Для медленных атомов (9.4) выделяя линейную составляющую силы от
скорости запишем уравнение для эволюции среднего квадрата импульса атома:
d 2ξ 2
p2 = p + 2D (10.3)
dt M
Уравнение (10.3) легко получить умножая левую и правую части уравнения
(10.1) на p(t) и проводя усреднение, используя соотношение (10.2).
Динамическое решение уравнения (10.3)
D  2ξ   D
p 2 = −M + exp t   p 2 +M (10.4)
ξ  M  0 ξ 

позволяет определить скорость эволюции кинетической энергии атомов

κ = τ −1 = 2ξ / M ∝ ω R = k 2 / 2M , (10.5)
а также ширину импульсного распределения для случая охлаждения α < 0
D
p2 = −M . (10.6)
t →∞ ξ

33
Ширина импульсного распределения ограничивается отношением
коэффициента диффузии к коэффициенту трения. Для одномерной задачи
температура лазерного охлаждения ансамбля атомов определяется выражением
(10.6)
2
p D
k BT = =− . (10.7)
M ξ
Для лазерного охлаждения в поле встречных волн малой интенсивности в
рамках невырожденной двухуровневой модели, для коэффициента трения α
имеем выражение (9.4). Коэффициент диффузии можно получить в
приближении неподвижных атомов используя соотношения (7.12)- (7.15).
Для двухуровневой модели невырожденного атома коэффициент диффузии в
поле стоячей волны малой интенсивности принимает вид:

D ( s ) ≈  2 k 2 γ 4 S 0 cos 2 (kz ) / 5 (10.8)

D (in ) ≈ γ 2 k 2 2S 0 sin 2 (kz ) ,
(10.9)
где параметр насыщения в поле стоячей волны S ( z ) = 4S0 cos 2 (kz ) выражен через
параметр насыщения каждой из встречных волн S0 = Ω 0 / (δ 2 + γ 2 / 4).
2

Для определения температуры лазерного охлаждения проведем усреднение по

координате выражений (10.8), (10.9) и воспользуемся формулой (10.7):

7 δ2 +γ2 /4
k BT = −  (10.10)
20 δ

k BT
γ

34
 Рис 10.1 Температура доплеровского охлаждения атомов в полях малой
интенсивности как функция отстройки в единицах γ / k B .

Температура доплеровского охлаждения атомов в поле малой интенсивности

образованной встречными световыми волнами представлена на рисунке 10.1.
Минимум температуры достигается при отстройке δ=-1/2γ и составляет
k BTD = γ 7 / 20 ≈ γ / 3 , что является минимальной температурой лазерного
охлаждения в модели двухуровневого атома с невырожденными уровнями т.н.
доплеровский предел лазерного охлаждения. Отметим, что до
экспериментального обнаружения температуры ниже доплеровского предела,
данное ограничение считалось фундаментальным пределом. Забегая вперед,
отметим, что достижение субдоплероских температур возможно в полях с
пространственно неоднородной поляризацией, что требует выхода за рамки
двухуровневой невырожденной модели атома для описания физики процессов.

11. Охлаждение в поле сильной волны (Сизифовский

механизм трения).
Рассмотрим движение атома в поле стоячей световой волны с амплитудой E0 :

E (r ) = E0 cos(kz ) (11.1)
В отличие от раздела 9, где движение рассматривалось в пределе малой
интенсивности световых волн, в данном разделе напротив будем рассматривать
световое поле достаточно большой интенсивности. В поле сильной световой
волны удобно перейти в базис «одетых состояний»:
n = cos(θ / 2) g + sin(θ / 2) e
(11.2)
a = cos(θ / 2) e − sin(θ / 2) g

В которых гамильтониан системы атом + поле

− δ / 2 Ω
Hˆ = −δ e e + Ω e g + Ω g e =   (11.3)
 Ω 0 

принимает диагональный вид:

Hˆ = U n n n + U a a a , (11.4)

35
где U n и U a потенциалы отвечающие адиабатическим состояниям n и a
(«нормальному» и «аномальному» состояниям).

δ
U n ,a = − ± δ 2 + 4Ω 2 (11.5)
2
а θ − угол смешивания.
δ 2Ω
cos(θ ) = , sin(θ ) = 11.6)
δ 2 + 4Ω 2 δ 2 + 4Ω 2
В силу (11.1) частота Раби имеет следующую зависимость от координаты

Ω = Ω 0 cos(kz ) (11.7)
Что приводит к различной степени смешивания состояний в узлах и пучностях
поля стоячей волны.
В базисе адиабатических состояний уравнение для матрицы плотности (5.5)
примет вид:

∂ ∂
 + v  Pi = −Γi Pi + ∑ Γij Pj (11.7)
 ∂t ∂z  j

где индексы i, j = n, a , т.е. суммирование данным индексам отвечает

суммированию по адиабатическим состояниям, а Pa и Pn - населенности
«аномального» и «нормального» адиабатического состояния. Соответственно
скорости релаксаций данных состояний

Γi = γ i e e i , i = a, n
Γij = γ i g e j j e g i , i, j = a, n (11.8)

Стационарное ∂Pi ( st ) / ∂t = 0, i = a, n решение уравнения (11.7) для покоящихся

атомов (v=0) принимает вид:

sin 4 (θ / 2) cos (θ / 2)
4

Pa( st ) = P
, n
( st )
= (11.9)
cos 4 (θ / 2) + sin 4 (θ / 2) cos 4 (θ / 2) + sin 4 (θ / 2)
и удовлетворяет условию нормировки Pn + Pa = 1 .

36
Рис. 11.1 Зависимость адиабатических потенциалов, вероятностей a e , n e ,
2 2

и , а также населенностей адиабатических состояний для

2 2
ag , ng
покоящихся атомов стационарных решений Pn(st ) и Pa(st ) при Ω0 = γ и δ = γ .

Разлагая полное решение по степеням скорости

Pi (v) ≈ Pi ( st ) + vPi (1) + ... (11.10)

для первой поправки по скорости из (11.7) получим уравнение
∂ (1)
v Pi = −Γpop ( Pi (1) − Pi ( st ) ) (11.11)
∂z
откуда имеем для населенностей Pi (v) вплоть до членов первого порядка:
v ∂ (1)
Pi (v) ≈ Pi ( st ) − Pi + ...
Γpop ∂z

что позволяет найти силу, действующую на атом вплоть до членов первого

порядка по скорости (т.е. силу на неподвижный атом и коэффициент трения).
3
∂ ∂ 2δ  8Ω 2  1 ∂ 
2
 
F (v) = − U n  Pn (v) −  U a  Pa (v) ≈ F ( st ) − v  2 
2   Ω (11.12)
 ∂z   ∂z  γ  8Ω + δ   Ω ∂z 
37
Отметим, что в поле интенсивной стоячей волны коэффициент трения
отрицательный (приводит к охлаждению) при положительных (синих)
отстройках светового поля.
Усредненный по пространственному периоду коэффициент трения в пределе
Ω 0 >> δ :

ξ ∝ − k 2 Ω 0 (11.13)
Коэффициент диффузии в интенсивном поле определяется процессами
флуктуации силы (7.13) и может быть представлен в форме:

(∇ z [U n − U a ])2
D ( in )
(
= F − Fˆ )
2
τ≈
Γ pop
=
(11.14)
 ∂ zΩ 
2
2 16Ω 4
=  
Γ pop δ 2 + 4Ω 2  Ω 

Усредненный по пространственному периоду коэффициент диффузии в

пределе Ω 0 >> δ :

Ω 02
D ( in )
∝ k
2 2
(11.4)
γ
много больше вклада спонтанной диффузии D (in ) >> D ( s ) в рассматриваемом
пределе. Отношение коэффициента диффузии к коэффициенту трения
позволяет оценить температуру лазерного охлаждения

k BT ∝ Ω 0 .
В интенсивном поле температура ансамбля атомов растет пропорционально
частоте Раби (глубине адиабатического потенциала).
Описанный механизм трения носит название «Сизифовского». Сходство с
мифологическим героем вызвано тем, что при положительных отстройках в
минимумах интенсивности светового поля адиабатические состояния a и n
соответствуют «чистым» состояниям e и g . С ростом интенсивности
примеси основного g состояния и возбужденного e в аномальном и
нормальном a и n состояниях растет (Рис. 11.1). Так, при движении атома из
узла поля к пучности движение происходит в основном в нормальном
потенциале U n в силу того, что вблизи узлов поля Pn( st ) > Pa( st ) (см. Рис. 11.1). В
области максимума интенсивности светового поля примесь возбужденного e

38
состояния в n возрастает, что приводит к высокой вероятности спонтанного
распада и переходу из состояния n в a потенциал которого имеет
противоположный знак. Таким образом, также как и мифологический герой,
атом движется в «гору» оптического потенциала, где в результате спонтанного
распада происходит переход в минимум другого оптического потенциала
(подножию горы) и история продолжается вновь.

39
12. Лазерное охлаждение и удержание ионов в
радиочастотной ловушке
Задачей атомной физики является не только охлаждение атомов световыми
полями, но также и удержание их в некоторой области пространства для
проведения измерений (опроса атомных состояний) для различных
практических приложений. В случае заряженных частиц создание
удерживающего потенциала возможно в изменяющемся во времени потенциале
электрического поля. Рассмотрим данное явление подробнее.
Создание удерживающего потенциала в свободном пространстве для
заряженной частицы электростатическим полем невозможно в силу
следующего равенства:

div E = 0 (12.1)
Действительно, для электростатического потенциала из (12.1) имеем
∂2 ∂2 ∂2
Φ+ 2 Φ+ 2 Φ=0 (12.2)
∂x 2 ∂y ∂z

Условия стационарного удерживания заряда Q (для примера рассмотрим Q>0)

во всех трех направлениях имеют вид:
∂2 ∂2 ∂2
Q Φ >0, Q Φ > 0 , Q Φ>0 (12.3)
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2

что противоречит уравнению (12.2). Это свойство – неустойчивости

конфигурации точечных зарядов под действием кулоновских сил носит
название теоремы Ирншоу (Earnshow’s theorem 1842). Таким образом, поле в
свободном пространстве (отсутствии зарядов) способно формировать
потенциал вида седловой поверхности Рис.12.1

Рис. 12.1 Седловая поверхность

40
12.1 Радиочастотные ловушки для удержания ионов
Меняющееся во времени поле, например, вращающееся (Рис.12.2) способно
создавать устойчивый захватывающий потенциал для заряженных частиц.

Рис. 12.2 Потенциал ионной ловушки, образованный динамически меняющимся

электростатическим полем.

Динамически меняющийся оптический потенциал радиочастотной ловушки,

вблизи точки перегиба имеет вид:

φ (r , t ) = (U + V cos(Ωt ) )[κ x x 2 + κ y y 2 + κ z z 2 ]

(12.4)

для выполнения равенства (12.2) константы κ i , i = x, y, z должны быть связаны

соотношением

κx + κy + κz = 0
.
Уравнение движения для заряда в потенциале (12.4)

d2
ri + [ai − 2qi cos(2τ )]ri = 0
dτ 2 (12.5)

где
8Q 4Q Ω
ai = κ i U , qi = −κ i V, τ= t (12.6)
mΩ 2
mΩ 2
2

41
носит название уравнения Матьё, решение которого в общем случае может
быть представлено в виде ряда:
+∞
 1 
r (τ ) = ∑C
n = −∞
exp − i (2n + β )τ  + c.c.,
n
 2 
q2 q2
β2 = a + +
q2 q2 (12.7)
( β + 2) − a −
2
( β − 2) − a −
2

( β + 4) 2 − a − ... ( β − 4) 2 − a − ...
C n ±1 q2
=−
Cn q2
(2  0 + β ) − a −
2

q2
(2  2 + β ) − a −
2

(2  4 + β ) 2 − a − ...

и является устойчивым для определенных значений параметров ai и qi

Рис. 12.1 Область параметров ai и qi устойчивого решения уравнения Матьё.

При малых параметрах ai и qi решение уравнения (12.6) принимает простой вид

 2ω   q 
ri (τ ) = ri cos i τ  1 + i cos(2τ ) (12.8)
 Ω  2 
42
и описывает осцилляции на частоте ωi

Ω
2
q
ωi = β i , β i ≈ ai + i (12.9)
2 2

называемой секулярной частотой и микродвижение (осцилляции малой

амплитуды на частоте Ω) см. Рис. 12.2

Рис. 12.2 Пример движения иона в радиочастотной ловушке. Пунктирной синей

линией обозначено усредненная траектория движения иона (секулярное
движение), сплошной красной линией траектория с учетом микродвижений.

Секулярное движение, описываемое основным вкладом в (12.8) можно

рассматривать как секулярное движение в псевдопотенциале (рис. 12.2)

Φ=
Q
(E0 ( x, y, z ) )2 , (12.10)
4mΩ 2

где E0 −амплитуда электрического поля в области локализации иона.

Действительно, рассмотрим одномерное движение иона в меняющемся во
времени электрическом поле E ( z, t )

mz = Q E ( z , t ) = Q E0 ( z ) cos(Ωt ) (12.11)

43
Решение данного уравнения в приближении, что электрическое поле мало
меняется в области движения иона имеет вид:

z (t ) = z0 +
Q E0 ( z )
(1 − cos(Ωt ) ) (12.12)
mΩ 2
с начальными условиями z (t = 0) = z0 и z(t = 0) = 0 , где E0 ( z ) также зависит от t в
силу зависимости z (t ) . Проведем разложение E0 ( z ) вблизи точки z 0 .
∂E0
E0 ( z ) ≈ E0 ( z 0 ) + ( z − z0 )
∂z
(12.13)
≈ E0 ( z 0 ) +
Q E0 ( z 0 )
(1 − cos(Ωt ) ) ∂E0 ( z0 )
mΩ 2
∂z
Соответственно сила Fна заряженную частицу
F ( z ) = QE0 ( z ) cos(Ωt ) . (12.14)
Усредняя (12.14) по времени получим для средней силы:

Q2 ∂ 2
F ( z) = − E0 ( z ) , (12.15)
4mΩ 2 ∂z
что соответствует секулярному движению в псевдопотенциале (12.10).
Имеются различные виды радиочастотных ловушек. На рис. 12.3
представлена квадрупольная ионная ловушка Пауля, состоящая из двух
электродов гиперболической формы и одного цилиндрического электрода.

Рис. 12.3 Квадрупольная ионная ловушка Пауля, состоящая из двух электродов

гиперболической формы и одного цилиндрического электрода.

44
Трехмерный электростатический потенциал создается переменным
напряжением, подающимся на электроды, и имеет вид:

 x2 + y 2 − 2z 2 
φ = (U + V cos(Ωt ) )  (12.16)
 r02 
где r0 − расстояние от центра ловушки до электродов.

Другой вид ловушки носит название линейной ловушки Пауля представлен на

рис. 12.4

Рис. 12.4 Линейная ловушка Пауля.

В такой ловушке используются удлиненные электроды для создания
удерживающего потенциала в плоскости x-y и электроды с постоянным
потенциалом для удержания ионов вдоль оси z.
Потенциал в плоскости x-y задается выражением:

 x2 − y2 
φv = V cos(Ωt ) 2
 (12.17)
 2 r0 
Захват иона вдоль оси z обеспечивается двумя электродами, расположенными
вдоль оси z с краев линейной ловушки. Статический потенциал от этих двух
электродов имеет вид:

 2z 2 − x2 − y 2 
φU = U  2
 (12.18)
 2 r0 
и также зависит от смещения по координатам x и y иона от оси z.

45
Одним из привлекательных конфигураций ионной ловушки является ловушка
открытого типа, представленная на рис. 12.5.

Рис. 12.5 Ионная ловушка открытого типа (End-cap ловушка).

Преимущество ловушки такого типа заключается в возможности открытого
доступа лазерного излучения в зону захвата как для лазерного охлаждения
иона, так и для опроса часового перехода.

Рис. 12.6 Фотография и дизайн радиочастотной ловушки для захвата и

удержания ионов иттербия в ИЛФ СО РАН.

46
Рис. 12.7 Расчет удерживающего электромагнитного потенциала ионной
ловушки для иттербия в ИЛФ СО РАН. Пространственная зависимость
электростатического потенциала (а) и зависимость при отклонении от центра
ловушки в вертикальном направлении (красная линия) и горизонтальной
плоскости (синяя линия) (б) в единицах V max (разности потенциалов на
электродах ловушки).

Рис. 12.8 Результаты расчет секулярных частот в радиочастотном потенциале в

зависимости от амплитуды V при различных U.

На рис. 12.6 – 12.8 приведен дизайн, фотографии и расчет электростатического

потенциала и секулярных частот для радиочастотной End-cap ловушки для
захвата и удержания ионов иттербия в ИЛФ СО РАН. Потенциал имеет
различную кривизну в направления вдоль оси z и плоскости xy. При амплитуде
напряжения на электродах V=300 вольт и частоте поля Ω = 14 МГц секулярная
частота колебаний вдоль вертикальной оси составляет порядка 0.7 МГц.

47
12.2 Глубина потенциала ионной ловушки
Оценим глубину потенциала ионной ловушки. Для этого рассмотрим
секулярное движение иона в потенциале ионной ловушки. Уравнение движения
вдоль вертикальной оси в гармоническом потенциале имеет вид:
d2 β z2 Ω 2
z = −ω z z = −
2
z (12.19)
dt 2 4
в отсутствии постоянной составляющей (a=0) для воспользовавшись (12.9)
получим
d2 2 Q 2κ z2 V 2 1 d
z = − z = − W (12.20)
dt 2 m 2Ω 2 m dz
где W − соответственно адиабатический потенциал в котором движется ион.
Глубина потенциала ионной ловушки определяется опрелеяется расстоянием от
центра ловушки до вертикального электрода z 0 .

Q 2 κ z2 V 2 2
W0 = z0 (12.21)
m Ω2

Для параметров End-cap ловушки для захвата и удержания ионов иттербия (рис.
12.6 – 12.8) при амплитуде напряжения на электродах V=300 вольт и частоте
поля Ω = 14 МГц глубина потенциала ионной ловушки составляет W 0 ≈
32×103К или 2.7 эВ.

12.3 Лазерное охлаждение ионов в ловушке

Лазерное охлаждение ионов в ловушке определяется набором параметров: γ −
естественная ширина возбужденного уровня, Ω - частота Раби охлаждающего
лазерного поля, ωi - частота осцилляций иона в ловушке, и параметр Лэмба-
Дике (Lemb-Dicke) η = k a определяющий степень локализации ионов в ловушке
по отношению к длине волны лазерного излучения.
1) Для начала рассмотрим случай ω i << γ и η >> 1 . В этом режиме ионы в
ловушке совершают осцилляции достаточно большой амплитуды к длине
волны лазерного излучения, а расстояния между колебательными уровнями
энергии в потенциале ловушки практически неразличимы в силу ω i << γ . В
этом случае кинетические эффекты взаимодействия ионов с полем можно
рассматривать в рамках квазиклассического подхода, вводя диссипативную
48
силу светового давления и коэффициент диффузии в фазовом пространстве.
Для лазерного охлаждения иона в глубоком потенциале радиочастотной
ловушки достаточно использовать поле бегущей световой волны с красной
отстройкой в близи резонанса замкнутого перехода. В потенциале ловушки
будет происходить колебание иона. При этом, при движении иона навстречу

световому полю, в результате эффекта Доплера (сдвиг частоты δ − k v ), ион
будет рассеивать фотоны светового поля более интенсивно, чем при движении
в обратном направлении, подвергаясь при этом действию силы спонтанного
светового давления. В результате ион преимущественно будет терять
кинетическую энергию при движении навстречу световому полю. Температура
лазерного охлаждения ионов в этом случае описывается доплеровским
выражением для температуры лазерного охлаждения (раздел 10).

Рис. 12.9 Сигнал флуоресценции ФЭУ иона 171Yb+ как функция отстройки
охлаждающего поля при мощности охлаждающего поля в пучке P = 15 мкВт
(результаты работы [22]). Сплошная линия соответствует теоретической
модели лазерного охлаждения в рамках квазиклассического подхода.
На рис. 12.9 показана зависимость сигнал флуоресценции ФЭУ ионов 171Yb+ как
функция отстройки охлаждающего поля, резонансного оптическому переходу
2
S 1/2 (F=1)→2P 1/2 (F=0) (длина волны 369.5 нм). Ширина возбужденного
состояния γ=23 MHz, секулярные частоты колебаний в радиочастотной
ловушке ωi ≈ 0.7 MHz. Поэтому, условие ω i << γ заведомо выполняется. Резкое
затухание сигнала флюоресценции вблизи нулевых отстроек связано с
возрастанием температуры иона и невозможностью его захвата и охлаждения в
ловушке при δ>0. Температура лазерного охлаждения соответствует
доплеровскому пределу k BTD / γ ≈ 0.5 (670 µK).

2) Другой метод лазерного охлаждения − охлаждение в условиях разрешенных

колебательных линий (Resolved Sideband Cooling) применим в условиях
49
колебательные уровни иона в потенциале спектрально различимы, т.е. когда
расстояние между соседними колебательными уровнями энергии велико
ω i >> γ n в сравнении с их шириной определяемой релаксацией в результате
спонтанного излучения фотонов. Данный метод особенно эффективен в
условиях η << 1 , так называемом режиме Лэмба-Дике.

Рис. 12.10 Схема внутренних (а) и внешних (б) состояний двухуровневого иона
в ловушке. Sideband Raman Cooling выполняется при вынужденном
поглощении фотона светового поля, вызывающего переход из состояния g, n в
состояние e, n − 1 (в). Последующий распад состояния e, n − 1 в условиях
Лэмба-Дике η << 1 происходит преимущественно в состояние g, n −1
(волнистая стрелка).

Принцип охлаждение в условиях разрешенных колебательных линий

проиллюстрирован на рис. 12.10. Эффективное лазерное охлаждение ионов
достигается при выборе частоты лазерного поля ω = ω0 − ωi (т.е. при отстройке
на частоту колебания иона в потенциале ловушки ωi в красную область от
частоты атомного перехода ω0 ).
50
Для нижних колебательных уровней хорошо выполняется гармоническое
приближение и гамильтониан внешних состояний (рис.12.10б) может быть
представлен в форме

pˆ 2
mω 2
pˆ y2 mω y2 2 pˆ z2 mω z2 2
Hˆ 0 = x
+ x
x +
2
+ y + + z (12.22)
2m 2 2m 2 2m 2
Собственные состояния поступательных степеней свободы описываются
функциями n в координатном представлении выражающимися через
полиномы Эрмита:

1 ( osc )  x  ( osc )  y  ( osc )  z 

ψ ( x, y , z ) = ψ nx   ⋅ψ n y   ⋅ψ nz  
x0 y0 z0  x0   y0   z0  (12.23)
1
ψ n( osc ) ( x) = H n ( x) e − x
2
/2

x0 =
2 n! π
n
mω x
, (12.24)

d n − x2
H n ( x) = (−1) e n x2
e
dx n
для нижних колебательных состояний
H 0 ( x) = 1
H1 ( x) = 2 x
H 2 ( x) = 4 x 2 − 2
(
H 3 ( x) = 4 x 2 x 2 − 3 )
Матричные элементы оператора взаимодействия с полем для одномерной
задачи (см. например [23])

Ω n − m , n = e, n − m Ωeikx g , n ≈ (i ) J m 2kx0 n
m
( ) (12.25)

Соответственно, матричные элементы определяющие переходы из состояния

g, n в состояние e, n − 1 при вынужденном поглощении фотона светового поля

Ω n −1, n ≈ i Ω kx0 n (12.26)

в условиях Лэмба-Дике. Последующий распад состояния e, n − 1

преимущественно происходит в состояние g , n − 1 , поскольку

51
 ( ) dh
1

∑
2
γ ( n + m → n) = γ ∫ K s (h) e, n + m Dˆ se g , n
ikxh

s = 0 , ±1 −1
1 (12.27)
≈γ ∑ ∫ K
s = 0 , ±1 −1
s ( h ) J 2
m
(2 h k x0 n ) dh

В модели двухуровневого атома имеется произвол в выборе поляризации

излучаемого фотона. Можно принять, что ненулевые элементы перехода при
s=0. Максимальная вероятность распада происходит в колебательное состояние
с сохранением индекса n и для рассматриваемой поляризации излучаемого
фотона s=0 составляет:

γ (n → n ) ≈ γ (1 − 2(kx0 ) 2 n / 5 )
γ (n → n ± 1) ≈ 0
, (12.28)
γ (n → n ± 2) ≈ γ (kx0 ) n / 5
2

что приводит к эффективной перекачке на нижние колебательные уровни и

охлаждению вплоть до энергии основного колебательного состояния.

52
13 Магнитооптическая ловушка
13.1 Принцип работы магнито-оптической ловушки
В отличии от ионов, вопрос удержания нейтральных атомов в определенной
области пространства долгое время оставался открытым. Дело в том, что в
двухуровневой модели атома сила светового давления на атом
пропорциональна потоку интенсивности светового поля
γ I / 8I sat
F = k (13.1)
2 (γ / 4 + (δ − kv) 2 )
2

( I sat = 2π 2γ c /(3λ3 ) − интенсивность насыщения оптического перехода, здесь с –

скорость света), для которого выполняется соотношение
  c  
div S = 0 , S = [E × H ], (13.2)
4π
что эквивалентно теореме Ирншоу (Earnshow’s theorem 1842) для заряженных
частиц и не позволяет создать удерживающий потенциал для нейтральных
атомов посредством внешних источников лазерного излучения [9]. Однако (см.
например [10,11]) в полях образованных волнами с различной поляризацией
локальная поляризация светового поля может изменяться от точки к точке. Это
приводит к изменению направления дипольного момента атома и появлению
более сложной пространственной зависимости силы, действующей на атомы,
чем предсказывается простой двухуровневой моделью, в которой используется
скалярное описание дипольного момента атома. Описание поляризационных
вкладов в силу требует выхода из изначально принятой двухуровневой модели
атома. В итоге, таких полях выполняется условие (13.2), однако для силы

div F ≠ 0 ,
что позволяет создание удерживающего потенциала. Одним из наиболее
удачных предложений для создания ловушки для нейтральных атомов было
сделано Далибардом (J. Dalibard) и позже успешно экспериментально
реализовано [12]. В данной ловушке, наряду со световыми полями
использовалось пространственно неоднородное магнитное поле. Предложенная
схема магнитооптической ловушки оказалась весьма успешной. Удачное
сочетание эффективного лазерного охлаждения с большой глубиной (порядка
нескольких К) магнито-оптического потенциала, образованных действием сил
резонансного светового давления приводит к надежной работе магнито-
оптичкеской ловушки (МОЛ) при не очень жестких требованиях к параметрам
установки (вакуум, градиент магнитного поля, интенсивность и размер

53
лазерных пучков и т.д.). Все описанные преимущества в настоящее время
сделали МОЛ одним из основных источников холодных атомов. В настоящем
разделе познакомимся с основными принципами работы МОЛ.

Рис. 13.1 Магнито-оптическая ловушка для нейтральных атомов.

Рассмотрим атом, движущийся в неоднородном магнитном поле, имеющим
минимум в точке z=0 и в поле встречных световых волн, имеющих направление
вдоль и против оси z с противоположными круговыми поляризациями σ+ и σ−-
Рассмотрим резонансное взаимодействие светового поля с частотой вблизи
резонанса замкнутого оптического перехода атома, для примера, имеющего
угловые моменты Fg=0 в основном состоянии и Fe =1 в возбужденном
состоянии.

Рис. 13.2 Принцип действия магнито-оптической ловушки.

В результате эффекта Зеемана, подуровни возбужденного состояния в

некоторой точке пространства z>0, под действием магнитного
54
поля,направленного вдоль оси z, расщепляются по проекции углового момента
(рис.13.1).Так в геометрии рисунка 13.1 при красной отстройке поля от
атомного резонанса, при смещении атома вдоль оси z>0, в результате
процессов поглощения и спонтанного излучения атом в большей степени
рассеивает фотоны σ−- поляризации поля, направленного против оси z, чем
фотоны σ+ поляризации. Соответственно, возникающая сила спонтанного
светового давления смещает атомы в точку z = 0 с нулевым значением
магнитного поля.
Магнито-оптическая сила в описанной конфигурации является силой светового
давления встречных волн

F = F+ + F− (13.3)
где вклады от встречных волн в приближении малой интенсивности имеют вид:

Ω2 Ω2
F+ = k , F− = −k , (13.4)
γ 2 / 4 + (δ + kv + µz )2 γ 2 / 4 + (δ − kv − µz )2
dB
где µ = µ B g − описывает расщепление подуровней возбужденного состояния
dz
( µ B - магнетон Бора, g–гиромагнитный фактор).
Соответствующую суммарную силу в пределе малых скоростей и малых
отклонений можно представить в виде:
F ≈ξ v+ χ z (13.5)

где ξ − коэффициент трения

4δγ
ξ = k 2 Ω2
(γ 2
/4+δ 2 2
) (13.6)

а χ − коэффициент упругости
4δγ
χ = kµ Ω2 (13.7)
(γ 2
/4+δ )
2 2

Отметим, что для реализации лазерного охлаждения из (13.6) требуется

наличие красной отстройки δ < 0 и, соответственно, для устойчивого захвата
µ > 0 , что определяется выбором направления магнитного поля.

Для неподвижного атома магнитооптическая сила принимает вид:

55
 4k γδµz Ω 2
Ftot ( z ) =
[ ][
(γ / 2) 2 + (δ + µz ) 2 (γ / 2) 2 + (δ − µz ) 2 ] (13.7)
что позволяет выразить магнитооптический потенциал:

dU ( z ) U ( z ) = 2 k Ω arctan µz + δ   δ − µz   2δ 
2

Ftot ( z ) = −   γ /2  + arctan  − 2 arctan 

dz , µ     γ /2   γ  (13.8)
4
x 10
3
U(z)
h. 2.5
7

1.5

0.5

0
-4 -2 0 2 4
z[cm]
Рис. 13.3 Зависимость магнитооптического потенциала от координаты при
µ = 1 0 MHz / cm , Ω = 0.4γ = 2 MHz , λ = 2π 10 −5 cm , δ = −γ / 2 = 2.5 MHz .

Пространственная зависимость магнитооптического потенциала (13.8) показана

на рис. 13.3. При заданных параметрах светового и магнитного полей глубина
составляет U 0 /  ≈ 10 4 γ , что для щелочных металлов составляет порядка 10
Кельвин.

13.2 Число атомов в МОЛ

Число атомов захваченных в потенциал магнито-оптической ловушки можно
качественно оценить, рассмотрев кинетику атомов под действием магнито-
оптических сил. Магнито-оптическая сила (13.3), (13.4), приводящая к
диссипации кинетической энергии атомов в ловушке, имеет характерную
зависимость от скорости и эффективна для атомов с малыми скоростями kv ≈ γ .
Для начала введем понятие критической скорости v c – скорости меньше
которой атомы захватываются в потенциале МОЛ. При этом атомы паров
горячей фракции будут сталкиваться с захваченными атомами, выбивая их из
56
ловушки. Скорость потерь соответствует частоте столкновений ν на число
атомов захваченных в ловушке N. Соответствующее данным кинетическим
процессам уравнение баланса записывается как:
d
N = R − νN , (13.9)
dt
где скорость захвата атомов в ловушку R определяется критической скоростью
v c.. Соответственно, получим
N (t ) = Rτ (1 − exp(−t / τ ) ) , (13.10)
где τ = 1 /ν характерное время загрузки МОЛ. Равновесное число атомов

N ∞ = Rτ .
Частота столкновений
ν = σ nvap vt ,

где σ − сечение столкновений и nvap vt − поток паров атомов горячей фракции.

Характерное значение сечения σ = 3 × 10−13 см 2 [13,14].
Скорость загрузки зависит от свойств ловушки. В общем случае она может
быть определена как произведение площади захвата ловушки Aна поток атомов
со скоростью меньше критической v c .
3/ 2
vc
nvap  m 
J = ∫ nvap v f (v) dv ≈   vc4 (13.11)
0 2 2π  B 
k T
где распределение атомов по скоростям задается распределением Максвелла.
3
 m   mv 2 
f (v) =   4π v 2 exp − 
 2πk B 
T  2 k B 
T

с температурой Tпаров горячей фракции. Соответственно скорость загрузки

атомов в ловушку, с точностью до численного множителя, определяемого
параметром A и геометрическим фактором усреднения по траекториям пролета
атомов через ловушку, можно оценить как
3/ 2
 m 
R ≈ C n vap A   v c4 (13.12)
 k BT 
где C - численный множитель. Число атомов, захваченных в МОЛ:
57
 2
A  m 
N ∞ = Rτ ≈ vc4   . (13.13)
σ  2kT 

Отметим, что в полученной оценке плотность паров горячей фракции nvap не

оказывает влияния на число атомов в ловушке поскольку с одной стороны
скорость загрузки пропорциональна nvap , а с другой стороны время жизни
атомов в ловушке обратно пропорциональна плотности паров горячей фракции
nvap . Данный подход справедлив только в случае, когда плотность паров
буферного газа в основном определяется парами атомов, загружаемыми в
ловушку.

14. Субдоплеровское охлаждение атомов

14.1 Конфигурации световых полей с пространственно
неоднородным вектором поляризации.
Несмотря на то, что первые работы по лазерному охлаждению атомов в
моласисе и магнито-отических ловушках показывали согласие с теорией
доплеровского охлаждения, в дальнейшем с в экспериментах по лазерному
ахлаждению атомов Na были достигнуты температуры ≈ 40µK − много меньше
температуры доплеровского предела (для Na TD ≈ 240 µK ) [15,16]. Данный факт
оказался весьма неожиданным, поскольку в то время теория лазерного
охлаждения атомов, основанная на двухуровневой модели с невырожденными
энергетическими уровнями была проста и неуязвима для каких-либо сомнений.
Детальное исследование данного вопроса показало, что достижение
температуры ниже доплеровского предела обусловлено вырожденностью
уровней по проекции углового момента и возникает в полях с пространственно
неоднородной поляризацией. Типичным примером полей с пространственно
неоднородной поляризацией являются поля, образованные встречными
волнами с ортогональными σ+ и σ−- поляризациями – поле σ + − σ −
конфигурации(рис.14.1) и ортогональными линейными поляризациями – поле
lin ⊥ lin конфигурации (рис.14.2).

58
Рис. 14.1 Пространственная конфигурация светового поля σ + − σ −
Пространственная зависимость электромагнитного поля σ + − σ − конфигурации
задается комплексным вектором:

( 
)
E ( z , t ) = E0 e+ eikz + e− e − ikz e − iωt + c.c. (14.1)

Рис. 14.2 Пространственная конфигурация светового поля lin ⊥ lin

Пространственная зависимость электромагнитного поля lin ⊥ lin конфигурации
задается
 
( 
)
E ( z , t ) = E 0 e x e ikz + e y e − ikz e − iωt + c.c. (14.2)

Отметим, что для данных двух конфигураций амплитуда светового поля не

зависит от координаты, а вектор поляризации изменяется при движении вдоль
оси z.
Для понимания основных механизмов субдоплеровского лазерного охлаждения
рассмотрим кинетику атомов в таких полях.

59
Поле, образованное встречными волнами с эллиптическими
поляризациями.
Наиболее общей конфигурацией светового поля с пространственно
неоднородной поляризацией является поле, образованное встречными волнами
с эллиптическими поляризациями ε1 и ε 2 с углом ориентации между осями
эллипсов θ . Такое поле может быть представлено комплексным вектором
  
E ( z, t ) = E0 ( a + ( z ) e+ + a − ( z ) e− )e −iωt + c.c. (14.3)

где циркулярные амплитуды a± зависят от координаты z

a + ( z ) = − cos(ε 1 − π / 4)e ikz − cos(ε 2 − π / 4)e − ikz e − iθ

(14.4)
a − ( z ) = cos(ε 1 + π / 4)e ikz + cos(ε 2 + π / 4)e −ikz e iθ

Такое поле, в отличие от конфигураций (14.1) и (14.2), имеет все возможные

градиенты параметров светового поля (градиент интенсивности, эллиптичности
локального вектора поляризации, его локальной ориентации и фазы). В частных
случаях ε1 = ε 2 = 0 и θ = π / 2 конфигурация сводится к lin ⊥ lin , при
ε1 = π / 4, ε 2 = −π / 4 конфигурация сводится к σ + − σ − . Тем не менее, интересными
для анализа остаются ε − θ − ε * конфигурация (рис. 14.3), образованная
встречными волнами с противоположными эллиптичностями и одинаковыми
эллиптичностями ε − θ − ε конфигурация (Рис. 14.4).

Рис.14.3 Пространственная зависимость ε − θ − ε * конфигурации светового поля,

образованная встречными световыми волнами с равными по модулю, но
противоположными по вращению эллиптическими поляризациями ε1 = −ε 2 = ε .

60
Рис.14.4 Пространственная зависимость ε − θ − ε конфигурации светового поля,
образованная встречными световыми волнами с одинаковыми эллиптическими
поляризациями ε .

14.2 Редуцированное уравнение для атомной матрицы

плотности основного состояния.
Оператор взаимодействия с полем вида (14.3) в дипольном приближении,
описывающий вынужденные переходы между подуровнями основного и
возбужденного состояний (6.6) имеет блочный вид:

 0 Vˆ 
Vˆed =  + ,
0 
ˆ (14.3)
V
где центральные блоки являются нулевыми матрицами размерностей (2 Je+1) и
(2Jg+1). Недиагональные блоки могут быть получены из определения (6.6) -
(6.8), что в поле (14.3), например, для атомов с оптическим переходом
Jg=1/2→Je=3/2 (рис. 6.1а) приводит к виду:
 a
Vˆ = Ω 0  a− Je = 3 / 2, µ e = −3 / 2 Jg = 1 / 2, µ g = −1 / 2 + − Je = 3 / 2, µ e = −1 / 2 Jg = 1 / 2, µ g = 1 / 2
 3 ,
a 
+ + Je = 3 / 2, µ e = 1 / 2 Jg = 1 / 2, µ g = −1 / 2 + a+ Je = 3 / 2, µ e = 3 / 2 Jg = 1 / 2, µ g = 1 / 2 
3 

что может быть записано в матричной форме:

61
  a− 0 
 
 0 a − / 3 
Vˆ = Ω 0 
a+ / 3 0 . (14.4)
 
 0 
 a + 

Здесь Ω 0 = − E0 d /  − частота Раби из расчета на амплитуду каждой из встречных

волн E0 , а циркулярные амплитуды a+ и a− являются функциями координаты z,
параметров эллиптичности встречных световых волн и их относительного угла
ориентации θ (14.4). Для вычисления силы, действующей на атом, в таком поле
найдем стационарное решение для матрицы плотности σˆ (5.5), описывающей
эволюцию внутренних состояний. При этом будем полагать, что внутренне
состояние атома при движении отслеживает локальное изменение светового
поля и изменении матрицы плотности
d ∂
σˆ ≈ v σˆ (14.5)
dt ∂z
определяется изменением светового поля при движении атома согласно
определению (7.4). Выражая из оптического уравнения Блоха (5.5)
недиагональные элементы матрицы плотности σ eg и σ ge через диагональные
σ ee и σ gg получим следующее уравнение для диагональных элементов матрицы
плотности
d ee
σˆ = −γ σˆ ee −
γ
(VˆVˆ σˆ + ee
)
γ δ
+ σˆ eeVˆVˆ + + 2 Vˆσˆ gg Vˆ + + i 2 VˆVˆ + , σˆ ee [ ]
2ν ν ν
2
dt

{ } γ
( γ
) δ
[ ]
d gg ,
σˆ = γˆ ( 0) σˆ ee − Vˆ +Vˆσˆ gg + σˆ gg Vˆ +Vˆ + 2 Vˆ + σˆ eeVˆ − i 2 Vˆ +Vˆ , σˆ gg
2ν ν ν
2
dt
(14.6)
где

ν = δ − iγ / 2 ,
а оператор γˆ ( 0) {σˆ ee } описывает увеличение населенности подуровней основного
состояния в результате спонтанной релаксации подуровней возбужденного
состояния в нулевом порядке по отдаче (7.5).

γˆ ( 0) {σˆ ee } = γ ∑ Dˆ σˆ +
s
ee
Dˆ s (14.7)
s = 0 , ±1
.
Здесь мы пренебрегли вкладами v ∂σ eg / ∂z и v ∂σ ge / ∂z , поскольку они в
выражении для коэффициента трения дадут вклады порядка kv / γ , что много
62
меньше основных вкладов kv / γS в полях малой интенсивности S << 1 . В поле
малой интенсивности S << 1 населенность возбужденного состояния

σˆ ee ≈ Vˆσˆ gg Vˆ + / ν
? 2
(14.8)

мала. Исключая σ ee из (14.5) получим уравнение, описывающее эволюцию

подуровней основного состояния для медленных атомов в поле малой
интенсивности. Редуцированное для σ gg оптическое уравнение Блоха
принимает окончательный вид:
d gg
{ } 1
σˆ = γˆ ( 0) Vˆσˆ gg Vˆ + 2 −
γ
(Vˆ Vˆσˆ
+ gg
) δ
[ ]
+ σˆ gg Vˆ +Vˆ − i 2 Vˆ +Vˆ , σˆ gg .
ν 2ν ν
2
dt
(14.9)

Сравнивая редуцированное выражение (14.9) с изначальным (5.3) можно

выделить эффективный гамильтониан системы:

 γ 2
Hˆ eff = Vˆ +Vˆ  δ − i  / ν (14.10)
 2 .
Негамильтонова часть уравнения (14.9) γˆ ( 0) {Vˆσˆ ggVˆ + } описывает релаксацию
матрицы плотности основного состояния в результате процессов вынужденного
поглощения в возбужденное состояния и последующих процессов спонтанного
распада.
Подобно описанной в данном разделе процедуре, аналогичное уравнение может
быть получено для редуцированной двухточечной матрицы плотности
   
подуровней основного состояния ρˆ gg (r1 , r2 ) ( ρˆ gg ( p1 , p2 ) − в импульсом
представлении) с учетом эффектов отдачи
d gg
{ } 1
ρˆ = γˆ Vˆρˆ gg Vˆ + 2 −
γ
(Vˆ Vˆρˆ
+ gg δ
) [ ]
+ ρˆ gg Vˆ +Vˆ − i 2 Vˆ +Vˆ , ρˆ gg , (14.11)
ν 2ν ν
2
dt

где действие оператора γˆ {Vˆρˆ ggVˆ + } определяется выражением (6.9). Отметим, что
кроме условия малого насыщения S << 1 , при выводе уравнения (14.11)
требуется наличие малого параметра квазиклассичности ε R = k / 2 Mγ << 1 ,
2

поэтому редуцированное уравнение (14.11) имеет значительно меньшую

область применимости даже в полях малой интенсивности, по сравнению с
основным уравнением для атомной матрицы плотности (1.4) (см. например
[17]).

63
 14.3 Сизифовский механизм субдоплеровского лазерного
охлаждения
Редуцированное уравнение (14.9) для атомной матрицы плотности в основном
состоянии может быть использовано для описания основных механизмов
действия сил, приводящих к субдоплеровскому охлаждению атомов в полях с
неоднородной поляризацией.
Рассмотрим кинетику медленных атомов (со скоростями kv << γ ) с оптическим
переходом Jg = 1/2→Je=3/2 (рис. 6.1а) в поле lin ⊥ lin конфигурации, малой
интенсивности (параметр насыщения S << 1 ). Рассматриваемый оптический
переход является простейшим оптическим переходом типа Jg=J→Je=J+1 с
вырожденным по проекции углового момента уровнем основного состояния.
Слайд 111 Оптическое уравнение Блоха (14.9) для населенностей ρ ± подуровней
основного состояния Jg = 1 / 2, µ = ±1 / 2 принимают вид:

d
ρ + = − R− ρ + + R+ ρ −
dt
d (14.11)
ρ − = − R+ ρ − + R− ρ +
dt
где коэффициенты
2
R± =
2
a± S (14.12)
9
выражены через амплитуды циклических компонент поля (14.4). Стационарное
решение уравнения (14.11) имеет вид
R±
ρ ±( 0 ) = (14.13)
R+ + R−
Для поля lin ⊥ lin конфигурации из (14.4) следует

= 1 − sin(2kz ), = 1 + sin(2kz )
2 2
a+ a− (14.14)

и населенности ρ ± подуровней основного состояния Jg = 1 / 2, µ = ±1 / 2 в пределе

малых насыщений (S<<1) не зависят от интенсивности светового поля
(Рис.14.4).
1  sin( 2kz )
ρ ±( 0 ) = (14.15)
2
64
 kz

Рис. 14.4 Пространственная зависимость стационарной населенности ρ +( 0)

(красная линия) и ρ −( 0) (синяя линия) подуровней основного состояния
Jg = 1 / 2, µ = ±1 / 2 в пределе малых насыщений (S<<1) неподвижного атома.

Отметим, что разность населенностей подуровней основного состояния для

lin ⊥ lin конфигурации светового поля

a+ − a−
2 2

Π (0)
=ρ (0)
+ −ρ (0)
− = = − sin( 2kz ) (14.16)
a+ + a−
2 2

С другой стороны, локальный параметр эллиптичности светового поля согласно

определению (6.4)
 
a+ − a−
2 2
E( z) ⋅ E( z)
cos(2ε ( z )) =   = = − sin( 2kz ) (14.17)
E ( z ) ⋅ E * ( z ) a+ 2 + a− 2

Таким образом, разность населенностей подуровней основного состояния

Jg = 1 / 2, µ = ±1 / 2 в пределе малых насыщений (S<<1) для неподвижного атома
адиабатически следует изменению локального параметра эллиптичности. В
точках линейной поляризации населенности подуровней основного состояния
равны и разность максимальна в точках, где параметр эллиптичности
соответствует правой, либо левой круговой поляризации светового поля (Рис.
14.2, Рис. 14.4).
Выражение для силы, действующей на атом может быть получено из (7.8) и
(7.11). Выразив в нем недиагональные элементы стационарной матрицы
плотности σ eg и σ ge через диагональные σ ee и σ gg в приближении малого
насыщения (S<<1)получим для силы следующее уравнение:
65
  1  ∂  
F = −2 Re Tr  Vˆ +  Vˆσˆ gg  
 (δ + iγ / 2)  ∂z
(14.18)
 
Для атома с оптическим переходом Jg=1/2→Je=3/2 в поле lin ⊥ lin
конфигурации данное выражение сводится к

F = F+ ρ + + F− ρ − (14.19)
где F± = −∂U ± / ∂z парциальные силы, определяемые оптическими сдвигами U±
подуровней основного состояния
4
F± = ± k δ S cos(2kz ) , U ± =  U 0 sin(2kz ) , U 0 = 4  δ S . (14.20)
3 3
Подставляя в (14.18) решение для населенностей подуровней основного
состояния в виде

 ρ −( 0 ) 0 
σˆ ( gg )
=  
(0) 
 0 ρ+ 
получим выражение для силы на неподвижный атом:
2
F = −k δ S sin( 4kz ) (14.21)
3
Сила (14.21) создает оптический потенциал U lin ⊥ lin = −δS cos 2 (kz ) / 3 и равна нулю
при усреднении по пространственному периоду светового поля. Для
вычисления коэффициента трения (линейной поправке силы по скорости атома
F ( z , v) ≈ F ( 0) ( z ) + ξ ( z ) v ) необходимо найти поправку к стационарному решению
(14.13).

ρ ± ≈ ρ ±( 0) + ρ ±(1)
Соответственно уравнение для первой поправки ρ ±(1) из (14.11) примет вид:

∂ (0)
v ρ + = − R− ρ +(1) + R+ ρ −(1)
∂z
∂ (14.22)
v ρ −( 0 ) = − R+ ρ −(1) + R− ρ +(1)
∂z
решение которого
v ∂ (0)
ρ ±(1) = − ρ± (14.23)
R+ + R− ∂z
66
Таким образом, населенности подуровней движущегося атома можно
представить в виде
v ∂ (0)
ρ ± ( z , v) ≈ ρ ±( 0) ( z − vτ ) ≈ ρ ±( 0) ( z ) + ρ ±(1) ( z ) = ρ ±( 0) ( z ) − ρ± ( z) (14.24)
R+ + R− ∂z

где τ - время запаздывания релаксации населенностей подуровней основного

состояния движущегося атома. Согласно (14.23)

τ = (R+ + R− )−1
и в поле lin ⊥ lin конфигурации
8
τ −1 = γ S (14.25)
9
в полях малой интенсивности S<<1 время релаксации много превышает время
релаксации населенностей возбужденного состояния γ −1 и когерентностей
(недиагональных элементов матрицы плотности σ eg и σ ge ). Подставляя
выражение для первой поправки по скорости (14.21) в выражение для силы
(14.18) найдем коэффициент трения:

ξ ( z ) = k 2 6 δ cos 2 (2kz ) . (14.26)

Средний по пространственному периоду коэффициент трения

ξ = k 2 3 δ . (14.27)
Описываемая схема лазерного охлаждения имеет простую физическую
интерпретацию. Так при красных отстройках поля δ < 0 оптические сдвиги
подуровней основного состояния имеют следующую пространственную
зависимость (Рис.14.5а). Максимальные сдвиги уровней достигаются в точках,
где световое поле имеет круговые σ + и σ −` поляризации. При этом согласно
(14.23) в результате неоднородной оптической накачки населенность подуровня
Jg = 1 / 2, µ = −1 / 2 максимальна в области, где световое поле имеет σ − `
поляризацию, а населенность подуровня Jg = 1 / 2, µ = 1 / 2 максимальна в
области σ + поляризации светового поля (см. Рис. 14.4 и Рис. 14.5а).

67
Рис. 14.5 Оптические сдвиги подуровней основного состояния при красных
отстройках поля δ < 0 для неподвижного атома (а) и для движущегося вдоль оси
z атома (б). Серыми кружками схематически обозначена населенность
подуровней основного состояния.

Для движущегося атома (Рис. 14.5б) в результате эффекта запаздывания (14.24)

пространственная зависимость населенности подуровней основного состояния
смещается относительно оптических сдвигов так, что движущийся атом в
основном движется в «гору» одного из потенциалов, что приводит к
диссипации кинетической энергии, т.е. эффекту трения. При синих отстройках
светового поля оптические сдвиги меняют знак, и трение сменяется нагревом.
Коэффициент диффузии можно получить из выражений (7.13) и (7.14). Мы
опустим громоздкие расчеты и приведем выражение для среднего по
пространственному периоду коэффициента диффузии:

1 + 3δ 2 / γ 2
D = k γ S
2 2
. (14.28)
4
Средние по пространственному периоду коэффициент трения и коэффициент
диффузии позволяют оценить температуру холодных атомов, которая
определена при красных δ < 0 отстройках светового поля
2
p D 1 + 3δ 2 / γ 2
k BT = = − = γS . (14.29)
M ξ 12 δ / γ

Отметим, что при отстройках δ >> γ температура пропорциональна

оптическому сдвигу уровней U 0 ∝ δS (14.20) и линейно убывает при
уменьшении интенсивности светового поля, что приводит к возможности
достижения температуры ниже доплеровского предела. На рис. 14.5приведена
зависимость кинетической энергии холодных атомов от оптического сдвига
68
U 0 ,полученная на основе численного решения квантового кинетического
уравнения для атомной матрицы плотности [17].

Рис.14.5 Зависимость кинетической энергии холодных атомов в единицах

энергии отдачи ( E R =  2 k 2 / 2M ) с оптическим переходом Jg=1/2→Je=3/2 в поле
lin ⊥ lin конфигурации, в зависимости от оптического сдвига U 0 = δ S 4 / 3 , при
различных отстройках.

Несмотря на то, что температура атомов в рассматриваемом пределе полей

малой интенсивности S<<1 пропорциональна интенсивности светового поля,
она не убывает до нуля. При достаточно малых значениях интенсивности
импульсное распределение атомов становится узким и нарушаются
квазиклассические условия ((1)-(3) раздела 6) требуемые для описания
кинетики атомов в квазиклассическом приближении, что в частности приводит
к росту температуры атомов (Рис.14.5). Несмотря на указанные ограничения,
развитый в данном разделе квазиклассический подход позволяет понять
основные механизмы лазерного охлаждения и получить качественные
результаты, описывающие возможность субдоплеровского лазерного
охлаждения атомов и зависимости силы, коэффициента трения, диффузии и
температуры атомов от параметров светового поля.

69
14.4 Субдоплеровского лазерное охлаждение в поле σ + −σ −
конфигурации
Рассмотрим другой механизм субдоплеровского лазерного охлаждения атомов,
проявляющийся в полях, образованных волнами с противоположными
круговыми поляризациями − σ + − σ − конфигурации светового поля. Можно
легко убедиться, что в отличие от предыдущего разделав поле σ + − σ −
конфигурации сдвиги подуровней основного состояния равны нулю, что
приводит к отсутствию субдоплеровского трения для атомов с оптическим
переходом Jg=1/2→Je=3/2. Тем не менее, для атомов с оптическими
переходами типа Jg=J→Je=J+1 и Jg=J→Je=J (J–полуцелое) при J>1/2 в поле
σ + − σ − конфигурации возникает другой механизм трения, который также
приводит к возможности лазерного охлаждения ниже доплеровского предела.
Для его анализа рассмотрим движение атомов с оптическим переходом
Jg=1→Je=2 (рис. 6.1б) в поле σ + − σ − конфигурации (14.1).
Оператора взаимодействия с полем Vˆed (14.3) для рассматриваемого случая,
записываемый в матричном виде, по форме, которая использовалась в (14.4):

 a− 0 0 
 0
 a− / 2 0 
V = Ω 0 a + / 6
ˆ 0 a− / 6  (14.30)
 ,
 0 a+ / 2 0 
 0 0 a + 

где амплитуды a+ = exp(ikz ) и a− = exp(−ikz ) , а Ω 0 -частота Раби на одну волну.

Для нахождения силы, действующей на атом в полях малой интенсивности
согласно (14.18) необходимо найти стационарное решение для матрицы
плотности основного состояния σ gg , являющегося решением уравнения (14.9).
Для этого упростим наш анализ перейдя в новый базис для атомной матрицы
плотности, задающийся преобразованием

Uˆ = exp( ik z Jˆ ) , (14.31)
где Ĵ - оператор углового момента. Тогда в новом базисе матрица плотности
примет вид

σ~ˆ gg = Uˆ + σˆ gg Uˆ (14.31)
Фактически данное преобразование задает переход к новому базису,
вращающемуся относительно базовой системы координат вокруг оси z на угол

70
φ = −kz при движении вдоль оси z. Поскольку конфигурация светового поля

σ + − σ − описывает поле линейной поляризации (Рис.14.1) в вектором E
вращающимся на тот же угол φ , то в новом базисе вид оператора
взаимодействия с полем σ + − σ − конфигурации Vˆed принимает более простой
вид:
 1 0 0 
 0
 1/ 2 0 
~ˆ
V = Uˆ +Vˆ Uˆ = Ω 0 1 / 6 0 1/ 6  , (14.32)
 
 0 1/ 2 0 
 0 0 1 

не зависящий от координаты z. Уравнение для матрицы плотности в новом

базисе σ~ˆ также принимает простой вид:
gg

∂ ~ˆ gg
∂t
[ ~ˆ
] {
~ˆ
σ + ikv Jˆ , σ~ˆ gg = γˆ V σ~ˆ gg V +
ν
1
2
−
γ
2ν
} 2
V~ˆ + V~ˆσ~ˆ gg + σ~ˆ gg V~ˆ + V~ˆ  − i δ
  ν 2
V~ˆ + V~ˆ , σ~ˆ gg  .
 

(14.33)
Решение данного уравнения может быть найдено численно как функция
скорости атома v. Для вывода аналитических выражений в приближении малых
скоростей мы воспользуемся методом, описанным в предыдущем разделе,
который позволяет найти стационарное решение для неподвижного атома σ~ˆ gg
(0)

и его первой поправки по скорости σ~ˆ gg . Так стационарное решение для

(1)

неподвижного атома удовлетворяет уравнению:

{ ˆ
2
}
γ ~ˆ ~ˆ ( 0)
γˆ V σ~ˆ gg V + − V +V σ~ˆ gg + σ~ˆ gg V +V  − iδ
~ˆ (0) ~ (0) ~
ˆ ~ˆ

V~ˆ +V~ˆ , σ~ˆ gg ( 0 )  = 0
 
(14.34)

с условием нормировки Tr σ~ˆ gg { (0)

}= 1 , а первую поправку по скорости можно
найти из уравнения

{~ˆ
γˆ V σ~ˆ gg V +
(1) ~ˆ
} ν1 − γ2 ν1 V~ˆ V~ˆσ~ˆ
2 2
+ gg (1)
+ σ~ˆ gg V +V  − iδ 2 V +V ,σ~ˆ gg  = ikv Jˆ ,σ~ˆ gg
(1) ~
ˆ ~ˆ

1 ~ˆ ~ˆ
ν 
(1)



[(0)
] (14.35)

с условием нормировки Tr σ~ˆ gg { }= 0 . Стационарное решение σ~ˆ

(1) gg ( 0 )
уравнения
(14.34)

 26 0 10 
1  
σ~ˆ gg ( 0 )
=  0 16 0  (14.36)
68  
 10 0 26 

71
имеет симметричный вид, в следствии чего атом в равной степени
взаимодействует с σ + и σ − поляризациями встречных волн, что приводит к
балансу сил спонтанного светового давления от встречных волн. Однако
движение нарушает симметрию

 − 2δ / γ 0 i 
17 kv  
σ~ˆ gg (1)
=  0 0 ,
( )
0 (14.37)
30 S 4δ 2 / γ 2 + 5 
 −i 0 2δ / γ 

что приводит к дисбалансу сил спонтанного светового давления вызванного

движением атома. Подставив (14.37) в (14.18) получим коэффициент трения:
120 δ
ξ = k 2 . (14.38)
17 4 δ / γ 2 + 5
2

Выражение для коэффициента диффузии в приближении неподвижного атома

может быть получено из выражений (7.13) и (7.14). Опустим громоздкие
расчеты для коэффициента диффузии и приведем окончательный результат.

D= k γ S2 2 (
8 25 + 2δ 2 / γ 2 )
(14.39)
85 + 68δ 2 / γ 2
Также как и для lin ⊥ lin конфигурации, линейная поправка к силе в поле σ + − σ −
конфигурации содержит вклады нулевого порядка по интенсивности светового
поля, что вызвано более долгим временем запаздывания τ ≈ (γS )−1 ,
определяющего релаксацию подуровней основного состояния при S<<1 по
сравнению с τ D ≈ γ −1 - временем релаксации в двухуровневой моделе атома.
Диффузия содержит члены первого порядка по интенсивности поля.
Температура лазерного охлаждения в полях малой интенсивности при красной
отстройке светового поля может достигать значений ниже доплеровского
предела.
2
p D 25 + 2 δ 2 / γ 2
k BT = = − = γ S (14.40)
M ξ 15 δ / γ

В заключение данного раздела отметим, что для реализации субдоплеровского

лазерного охлаждения необходимым условием является наличие вырожденного
основного состояния замкнутого оптического перехода, на котором реализуется
охлаждение. Другим важным условием является наличие световые поля малой
интенсивности S<<1 с пространственно неоднородным вектором поляризации.

72
14.5 Зависимость силы, действующей на атом от скорости
Силу, действующую на атом в световом поле произвольной пространственной
конфигурации резонансном замкнутому оптическому переходу Jg→Je можно
найти, используя основное выражение (7.11). При этом для поиска
стационарного решения уравнения Блоха (7.6) можно воспользоваться
численным методам, например, методом цепных дробей, хорошо описанным на
примере двухуровневой модели атома [1, 8]. Пример средней по
пространственному периоду силы от скорости для атомов с замкнутым
оптическим переходом Jg=1→Je=2в полях σ + − σ − конфигурации и lin ⊥ lin
конфигурации представлен на рис.14.6.

Рис. 14.6 Зависимость силы от скорости для атомов с замкнутым оптическим

переходом Jg=1→Je=2 в полях σ + − σ − конфигурации (а) и lin ⊥ lin
конфигурации (б). Частота Раби Ω 0 = 0.3γ отстройка δ = −γ .

При красных отстройках поля сила является диссипативной и имеет

максимумы в области kv ≈ δ , что является проявлением резонансного светового
давления со стороны встречных световых волн на движущихся со скоростью v
атомов в результате эффекта Доплера (см. в раздел 9). Выражение для наклона
ξ D , в поле образованном волнами с произвольной эллиптической поляризацией,
можно получить вычисляя дисбаланс сил спонтанного светового давления от
встречных волн на движущийся атом
4δγ
ξ D = k 2 S eff . (14.41)
δ +γ 2 /4
2

73
Величина γ S eff характеризует число спонтанно рассеянных фотонов светового
поля в единицу времени. В пределе малых насыщений S eff определяется
населенностью всех магнитных подуровней возбужденного состояния атома

{ }.
S eff = Tr ρ̂ ee (14.42)

Для модели двухуровневого атома S eff = S (где S считается на одну волну).

Аналогичный результат получим в поле с пространственно однородной
поляризацией, образованном встречными световыми волнами круговой
поляризации. В этом случае, в результате оптической накачки, в эффективном
взаимодействии с полем участвуют лишь крайние магнитные подуровни
основного и возбужденного состояний атома. В общем случае, отличие S eff от
S определяется множителем α, который зависит от типа оптического перехода
и поляризации встречных волн. Выражение для множителя α может быть
получено исходя из решения для стационарной матрицы плотности атомов
(7.6). Так, для атомов с оптическим переходом Jg=1→Je=2 получим
5 3 cos(4ε ) − 7
α 1→2 = , (16)
2 4 cos(4ε ) − 21
где ε параметр эллиптичности встречных световых волн, формирующих поле. В
частности, для линейно-поляризованных встречных волн α = 10 / 17 , а для
циркулярной поляризации, соответственно, α = 1 .
В неоднородно-поляризованном световом поле малой интенсивности S << 1 для
атомов с вырожденными по проекции углового момента энергетическими
уровнями возникают субдоплеровские механизмы лазерного охлаждения
(рис.14.6). В области малых скоростей наклон силы трения обусловлен
поляризационными особенностями взаимодействия движущихся атомов со
световым полем. Область действия субдопреровской силы трения в
пространстве скоростей мала и определяется временем запаздывания
релаксации подуровней основного состояния (14.25) и составляет величину
kv ≈ γ S . Тем не менее, именно данный вклад в силу позволяет осуществлять
субдоплеровское лазерное охлаждение нейтральных атомов.

15 Охлаждение ниже энергии отдачи

74
В разделах 9-14 мы описали процессы лазерного охлаждения атомов в световых
полях, которые позволяют достигать температур, определяемых балансом
диссипативных процессов возникающих под действием сил лазерного
вынужденного и спонтанного светового давления и процессов нагрева
вызванных флуктуацией данных сил, определяемых квантовой природой
процессов поглощения и излучения фотонов светового поля, изменяющих
импульс атома в каждом процессе на величину ∆p = k . Энергия отдачи –
энергия, получаемая атомом в покое в единичном акте поглощения/излучения
фотона поля

(k )2
ER = . (15.1)
2M
Случайные блуждания в фазовом пространстве с шагом k являются
неотъемлемым процессом лазерного охлаждения атомов в световом поле и
энергия отдачи E R является интуитивным ограничением нижнего предела
температуры лазерного охлаждения атомов. Данное предположение
подтверждается результатами расчетов численного моделирования
субдоплеровского лазерного охлаждения, проводимых с учетом квантовых
эффектов отдачи при взаимодействии атомов с полем имеющим
пространственно неоднородную поляризацию [17,18]. Несмотря на данное
интуитивное ограничение, для ряда оптических переходов (Jg = J→Je=J-1 и
Jg=J→Je=J (где J - целое)) возможно охлаждение ниже указанного предела.
Особенность приведенных оптических переходов заключается в возможности
построения так называемого «темного состояния», являющегося определенной
когерентной суперпозицией подуровней основного состояния. Находясь в
описываемой когерентной суперпозиции атом не взаимодействует с полем
световой волны. Такие состояния получили название КПН состояний (КПН –
когерентное пленение населенностей). Использование КПН состояний
позволило реализовать схему лазерного охлаждения [19] в которой атомы были
охлаждены до температуры 2µK (при энергии отдачи E R = 4µK).

15.1 КПН состояния

Для описания КПН механизмов лазерного охлаждения необходимо прояснить
общую концепцию темных состояний. «Темными» состояниями являются все
состояния, невзаимодействующие с полем в результате тех или иных причин:
например, в следствии того, что поле имеет неподходящую частоту или
поляризацию (Рис. 15.1).

75
Рис. 15.1 Пример «темного» состояния, возникающего в результате оптической
накачки на крайние магнитные подуровни полем круговой поляризацииσ+.

Отдельный интерес представляют собой «темные» состояния, являющиеся

когерентной суперпозицией подуровней основного состояния (КПН
состояния),определяемые соотношением

Vˆ NC = 0 . (15.2)

Простейший пример для описания такой суперпозиции является

взаимодействие атомов с полем энергетические подуровни основного и
возбужденного состояния которого представляют Λ-схему (Рис. 15.2а).

Рис. 15.2 Простейший пример реализации КПН состояния в Λ-схеме: (а) Λ-

схема образованная взаимодействием светового поля с подуровнями основного
и возбужденного состояний атома; (б) Преобразование схемы взаимодействия
светового поля в новом базисе С и NC состояний.

76
Оператор взаимодействия с полем Λ-схемы имеет вид
Vˆ = Ω e;0 g ,−1 + Ω e;0 g ,+1 (15.3)

Соответственно, можно выделить два состояния являющихся когерентной

суперпозицией подуровней основного состояния
NC = ( g ,−1 − g ,+1 ) / 2
, (15.4)
C = ( g ,−1 + g ,+1 ) / 2

одно из которых удовлетворяет условию (15.2) и является КПН состоянием,

второе – ортогональное первому, является «ярким» состоянием, т.е.
взаимодействующее с полем.
Таким образом, в результате процессов поглощения и спонтанного излучения
фотонов атом со временем перейдет в КПН состояние и перестанет
взаимодействовать с полем (Рис. 15.2б).

Рис. 15.3 Схема взаимодействия атомных подуровней с электромагнитным

полем для атомов с оптическим переходом Jg=1→Je=1. Двойными
стрелочками указаны вынужденные переходы, волнистыми - спонтанные
распады.

Описанный пример Λ-схемы реализуется при резонансном взаимодействии

поля с атомами, имеющими оптический переход Jg = 1→Je=1 (Рис. 15.3). Здесь
можно выделить Vи Λ-схему, связывающие различные подуровни основного и
возбужденного состояний. Спонтанные переходы с подуровней возбужденного
на подуровни основного состояния связывают данные схемы. Отметим, что
спонтанные переходы с подуровня Je, 0 на подуровень Jg ,0 запрещены
правилами отбора ( С JgJe ==11,, µµ e
g
=0
= 0;1, 0 = 0 ). Таким образом, в результате переходов
вызванных спонтанным излучением атома населенности подуровней V схемы

77
быстро обнуляются и взаимодействие с полем осуществляется только по Λ-
схеме, в которой со временем реализуется КПН состояние являющееся
суперпозицией Jg ,−1 и Jg ,+1 состояний.

Рис. 15.4 Схема взаимодействия атомных подуровней с электромагнитным

полем для атомов с оптическими переходами Jg=J→Je=J (а) и Jg=J→Je=J-1.
Двойными стрелочками указаны вынужденные переходы, волнистыми −
спонтанные распады.

Наиболее общем случаем замкнутых оптических переходов в которых

реализуются КПН состояния являются переходы типов Jg = J→Je=J (J− целое)
и переходы Jg=J→Je=J-1 (Рис. 15.4). Для оптических переходов Jg=J→Je=J (J
− целое) реализуется Λ-цепочки связи подуровней, в которых возникают КПН
состояния. Отметим, что для переходов типа Jg=J→Je=J-1 имеются два КПН
состояния. Отметим, что для переходов Jg = J→Je=J (где J− полуцелое) схема
взаимодействия имеет вид N-цепочки, в которой темное состояние возникает
лишь при взаимодействии атома с полем круговой поляризации. При
взаимодействии поля с атомами, имеющими оптические переходы типа
Jg=J→Je=J (J− целое) и переходы Jg=J→Je=J-1 КПН состояния реализуются
при любой, в общем случае эллиптической, поляризации светового поля.

Для реализации схемы лазерного охлаждения необходимо выбором

поляризационной конфигурации светового поля реализовать схему при которой
возникает селективное по скорости КПН состояние (желательно для скорости
v=0), при достижении которой атом перестает подвергаться процессам
взаимодействия с фотонами поля случайный характер которых приводит к
нагреву. Такой конфигурацией поля является поле σ + − σ − конфигурации. Для
простоты рассмотрим схему охлаждения атомов He с использованием
оптического перехода Jg=1→Je=1 работы [19]. Переходы между подуровнями
основного и возбужденного состояний определяются амплитудами
78
циркулярных компонент электромагнитного поля (6.8) которые в поле σ + − σ −
конфигурации непосредственно связаны с передачей импульса k фотонами σ +
и − k фотонами σ − поляризаций двух встречных волн, что позволяет
однозначно связать изменение проекции углового момента и передачи
импульса при вынужденном поглощении/излучении фотонов поля и представит
схему взаимодействия в виде p-цепочки (Рис. 15.5).

Рис. 15.5 Р-цепочка выделенной Λ-схемы атомов с оптическим переходом

Jg=1→Je=1. Вынужденное поглощение/излучение фотонов σ + и σ −
поляризации однозначно связано с изменением импульса атома на величину
± k .

15.2 Селективное по скорости КПН охлаждение атомов

Рассмотрим как происходит охлаждение атомов в поле σ + − σ − конфигурации
на примере простой Λ-схемы. В координатном представлении оператор
взаимодействия атомов с оптическим переходом типа Λ-схемы в поле σ + − σ −
конфигурации можно записать в виде
Vˆ = Ω + eikz e,0 g ,− + Ω − e −ikz e,0 g ,+ (15.5)

где Ω ± = Ω C1je, ±,1m; jg , m 1 пропорциональна частоте Раби Ω и коэффициенту Клебша-

Гордана для соответствующих переходов между магнитными подуровнями
основного и возбужденного состояний. В импульсном представлении оператор

exp(±ikz ) = ∑ p p  k (15.6)
p

задает переходы между состояниями, отличающимися импульсом ± k .

Соответственно в импульсном представлении оператор взаимодействия

Vˆ = ∑ [Ω + e,0; p g ,−; p − k + Ω − e,0; p g ,+; p + k ] (15.7)

p

79
однозначно связывает изменение импульса атома с изменением проекции
углового момента атома. Таким образом, индуцированные светом оптические
переходы связывают лишь три состояния: e,0; p , g ,−1; p − k и g ,+1; p + k .
Эволюцию данного семейства состояний можно описать конечным набором
уравнений для компонент матрицы плотности ρ̂ (1,1)
ρ − − ( p) = g ,−; p − k ρˆ g ,−; p − k , ρ + + ( p) = g ,+; p + k ρˆ g ,+; p + k (15.8)

ρ ee ( p) = e,0; p ρˆ e,0; p

ρ e + ( p) = e,0; p ρˆ g ,+; p + k , ρ + e ( p) = g ,+; p + k ρˆ e,0; p

ρ e − ( p) = e,0; p ρˆ g ,−; p − k , ρ − e ( p) = g ,−; p − k ρˆ e,0; p

ρ − + ( p) = g ,−; p − k ρˆ g ,+; p + k , ρ + − ( p ) = g ,+; p + k ρˆ g ,−; p − k .

Кинетические уравнения, описывающие гамильтонову эволюцию компонент

матрицы плотности в импульсном представлении

d d  d 
ρˆ =  ρˆ  +  ρˆ  (15.9)
dt  dt  Ham  dt  Re lax
для первых компонент (15.8)примут вид:
d 
 dt ρ ee ( p) = iΩ*+ ρ e − ( p) + iΩ*− ρ e + ( p) + c.c.
  Ham

d 
 dt ρ + + ( p) = −iΩ*− ρ e + ( p) + c.c.
  Ham

d 
 dt ρ − − ( p ) = −i Ω*+ ρe − ( p ) + c.c.
  Ham

d   p 
 dt ρ e + ( p )  = i  δ + k + ωR  ρe + ( p)
  Ham  M 
− i Ω − [ρ + + ( p ) − ρee ( p )] − i Ω + ρ − + ( p )

d   p 
 dt ρe − ( p ) = i δ − k + ωR  ρe − ( p)
  Ham  M 
− i Ω + [ρ − − ( p ) − ρee ( p )] − i Ω − ρ −* + ( p )

d  p
 dt ρ − + ( p ) = − iΩ*+ ρ e + ( p ) + iΩ − ρ e*− ( p) + 2ik ρ − + ( p) (15.10)
  Ham M

и еще три комплексно сопряженных уравнения для последних компонент

(15.8). Здесь δ − отстройка светового поля от частоты оптического перехода,
80
ω R = k 2 / 2M сдвиг частоты, вызванный эффектом отдачи и kp / M − сдвиг
частоты, вызванный эффектом Доплера.
Когерентные, зависящие от скорости состояния NC ( p) и C ( p) по аналогии с
(15.4) определяется так:

NC ( p) = (Ω − g ,−1; p − k − Ω + g ,+1; p + k ) / Ω + + Ω −
2 2

(15.11)
C ( p) = (Ω − g ,−1; p − k + Ω + g ,+1; p + k ) / Ω + + Ω −
2 2

.
Можно убедиться, что состояние NC ( p) (15.11) является темным

e,0; p Vˆ NC ( p ) = 0

в следствие чего атом, попавший в данное состояние перестает поглощать и

излучать фотоны светового поля. Светлое состояние

e,0; p Vˆ C ( p ) = Ω+ + Ω−
2 2

,
напротив, взаимодействует с полем. Предположим, что атом в некоторый
момент времени попал в состояние NC ( p) . Рассмотрим дальнейшую его
эволюцию. Согласно (15.10) и (15.11) получим
d p Ω+Ω−
NC ( p ) ρˆ NC ( p ) = −i 2k NC ( p ) ρˆ C ( p) + c.c. (15.12)
dt M Ω+ 2 + Ω− 2

Положим p = 0 , тогда правая часть уравнения (15.12) равна нулю. Это означает,
что неподвижный атом не может покинуть состояние NC (0) как посредством
свободной (гамильтоновой эволюции), так и в процессах спонтанной
релаксации, поскольку NC ( p) не содержит компонент возбужденного
состояния e,0; p . Таким образом, состояние NC (0) является идеальным
«темным» состоянием− своеобразной ловушкой. С другой стороны при p ≠ 0
имеется связь состояний NC ( p) и C ( p) пропорциональная kp / M . Это
означает, что, будучи захваченным в «темное» состояние NC ( p) с p ≠ 0 , в
результате движения атом покинет это состояние и вновь станет
взаимодействовать с полем. Таким образом, мы получаем селективное по
скорости «темное» состояние, являющееся абсолютно «темным» для атомов с
нулевым квазиимпульсом p. Это состояние является идеальной ловушкой, в
котором со временем аккумулируются атомы.

81
Результаты численного анализа импульсного распределения атомов
(результаты работы [20]) для различных времен взаимодействия ( τ = 50γ −1 ,
τ = 150γ −1 , τ = 400γ −1 и τ = 1000γ −1 ) приведены на рисунке 15.6.

Рис. 15.6 Временная эволюция функции импульсного распределения атомов.

Пунктирной линией задана функция начального распределения с полушириной
на полувысоте ∆p0 = 3k . Параметры поля: отстройка δ = 0 , частоты Раби
Ω + = Ω − = 0.15γ .

Со временем в импульсном распределении (рис. 15.6) формируются два пика в

точках ± k , что соответствует накоплению атомов в селективном по скорости
КПН состоянии NC (0) = (Ω − g ,−1;−k − Ω + g ,+1;+k ) / Ω + 2 + Ω − 2 .

82
16 Оптические решетки
В данном разделе речь пойдет об уникальных периодических массивах
холодных атомов, связанных светом. Такие массивы можно создать из облака
холодных атомов, удерживаемых в оптическом потенциале поля световой
волны. Простейшим примером оптической решетки является поле стоячей
волны E = E0 cos(kz ) далеко отстроенной от резонанса δ >> γ , Ω , создающее
периодический оптический потенциал U ( z ) = U 0 cos 2 (kz ) с глубиной (см. раздел
8):

Ω0
2

U 0 = − , Ω 0 = − E0 d /  . (16.1)
δ
Отметим, что выражение для оптических сдвигов энергетических уровней
можно получить рассматривая собственные значения для гамильтониана атома
в электромагнитном поле. Так для модели двухуровнего атома (см. раздел 11)
собственные значения гамильтониана (11.5) в пределе больших отстроек
δ >> Ω, γ , когда населенности возбужденного состояния (в силу малости
параметра насышения S<<1) мала, преобразуются

δ δ  Ω ( z) 
2

E=− ± 1 + 2 
2 2 

δ 2

(16.2)

Сдвиг энергии уровня в результате взаимодействия со световым полем является

последним слагаемым приведенного выражения в квадратных скобках −
динамический Штарковский сдвиг атомных уровней. Этот сдвиг можно

интерпретировать как потенциал (в силу пространственной зависимости Ω(r ) )
принимающий вид (16.1) для атомов в основном состоянии. Для красных
отстроек светового поля δ < 0 минимумы потенциала соответствуют областям

максимума Ω(r ) . Наоборот, при синих отстройках δ > 0 атомы выталкиваются
из области с наибольшей интенсивностью светового поля, поскольку в этом

случае минимумы оптического потенциала соответствуют минимумам Ω(r ) .
Населенность возбужденного состояния в рассматриваемом пределе δ >> Ω,

Ω0
2

σ ee ≈ (16.3)
δ2
мала и скорость спонтанного рассеяния фотонов поля решетки мала

83
 Ω0
2

Γsc = γ σ ee
≈γ << γ . (16.4)
δ2
Такие решетки называют недиссипативными оптическими решетками, и они
практически не оказывают кинетического воздействия (нагрева/охлаждения) на
захваченные в них атомы. Другим примером оптической решетки образованной
неоднородностью вектора поляризации светового поля является поле lin ⊥ lin
конфигурации. Для атома с оптическим переходом Jg = 1 / 2 → Je = 3 / 2 можно
получить два периодических потенциала U + и U − для подуровней основного
состояния Jg = 1 / 2,+1 / 2 и Jg = 1 / 2,−1 / 2 , сдвинутых относительно друг друга на
λ / 4 Рис.16.1

Рис. 16.1 Оптические сдвиги подуровней основного состояния атомов с

оптическим переходом Jg = 1 / 2 → Je = 3 / 2 в поле lin ⊥ lin конфигурации при δ < 0 .
Населенности возбужденных состояний при больших отстройках δ >> γ , Ω
малы, и скорость спонтанного рассеяния фотонов поля решетки также мала
Γsc << γ . Пример реализации лазерного охлаждения в решетке поля lin ⊥ lin
конфигурации, приводящий к субдоплеровскому охлаждению атомов подробно
был описан нами в разделе 14.3 в рамках квазиклассического подхода.

Отличительной особенностью оптических решеток от кристаллических

решеток в твердом теле является возможность изменения потенциала для
атомов, что делает их уникальным объектом для различных исследований. С
одной стороны, можно изменять глубину оптического потенциала, зависящую
от интенсивности лазерного поля E . С другой стороны, можно изменять
2

положения узлов решетки используя различную геометрию световых волн, в

том числе изменяя поляризацию световых волн, формирующих поле
оптической решетки.
84
     
В общем случае в поле E = E0 (r ) e (r ) ( e (r ) = 1 вектор поляризации светового
поля) в пределе больших отстроек δ >> Ω, для атомов с замкнутым оптическим
переходом Jg → Je гамильтониан принимает вид (см. раздел 14.2):

pˆ 2       ˆ +    ˆ 
H=
ˆ + Uˆ (r ) , U (r ) = U 0 (r )  e (r ) ⋅ D   e (r ) ⋅ D 
ˆ (16.5)
2M    
̂
где циклические компоненты оператора D выражаются через коэффициенты
Клебша-Гордана (6.7), а амплитуда
 2
 Ω( r )
U 0 ( r ) = − (16.6)
δ
соответствует определению оптического сдвига (16.1). Собственные состояния

Φ n и собственные значения U n оператора Uˆ (r ) в общем случае имеют
пространственную зависимость
   
Uˆ (r ) = ∑ U n (r ) Φ n (r ) Φ n (r ) . (16.7)
n

Состояния Φn соответствуют адиабатическим состояниям, а U n

адиабатическим потенциалам. На рис. 16.2 представлены адиабатические
потенциалы для атома с оптическим переходом Jg = 2 → Je = 3 в поле lin ⊥ lin
конфигурации.

Рис. 16.2 Адиабатические потенциалы для атома с оптическим переходом

Jg = 2 → Je = 3 в поле lin ⊥ lin конфигурации ( δ < 0 ).

85
В данном случае интенсивность светового поля не зависит от координаты (т.е.

U 0 (r ) = const ), а полевые сдвиги определяются поляризационной зависимостью
потенциала в (16.5).
Оптические решетки построенные при взаимодействии атомов с замкнутыми
оптическими переходы типа Jg = J → Je = J + 1 с далекоотстроенным световым
полем (в пределе δ >> Ω, γ ) называются яркими оптическими решетками.

Темные оптические решетки.

Атомы с оптическими переходами Jg = J → Je = J ( J − целое ) и с оптическими
переходами Jg = J → Je = J − 1 характеризуются наличием КПН состояний NC
(см. раздел 15.1). Эти состояния являются линейной суперпозицией магнитных
подуровней основного состояния для которых

 E (r ) ⋅ dˆ  NC = 0
  . (16.8)
 
В результате световой сдвиг состояний NC равен нулю. Адиабатические
потенциалы для атомов с оптическим переходом Jg = 2 → Je = 2 показаны на
рис. 16.3.

Рис. 16.3 Адиабатические потенциалы для атома с оптическим переходом

Jg = 2 → Je = 2 в поле lin ⊥ lin конфигурации ( δ > 0 ).

Нижняя линия рис. 16.3 соответствует адиабатическому потенциалу NC

состояния. Этот потенциал не имеет пространственной зависимости в силу
(16.8). Потенциалы, соответствующие двум верхним кривым, имеют
двухкратное вырождение. При достаточно длительном времени взаимодействия
86
покоящиеся атомы, в результате оптической накачки, собираются в NC ,
которые они не могут покинут поглощая/излучая фотоны светового поля.
Отметим, что для рассматриваемого класса оптических переходов, в силу того,
что энергия состояний, взаимодействующих с полем имеет пространственную
зависимость (см. рис. 16.3), также возможна реализация сизифовского
охлаждения атомов, подобно схеме, описанной в разделе 14. Сизифовский
механизм лазерного охлаждения для рассматриваемого класса оптических
переходов, в отличие от переходов типа Jg = J → Je = J + 1 , приводит к
охлаждению при синих отстройках светового поля ( δ > 0 ). Возникающая при
этом сила трения является вспомогательной для селективного по скорости КПН
охлаждения, описанного в разделе 15.

17 Охлаждение атомов в оптических решетках

17.1 Лазерное охлаждение в диссипативных оптических решетках
В процессе лазерного охлаждения атомы захватываются в минимумах
оптического потенциала. Движение атомов в минимумах оптического
потенциала характеризуется частотой осцилляций Ωosc , а состояния
соответствуют колебательным состояниям в периодическом потенциале (см.
Рис. 17.1).

Рис. 17.1 Спектр колебательных уровней атомов, захваченных в потенциале

оптической решетки и непрерывный спектр энергии атомов, совершающих
надбарьерное движение.

87
При этом можно выделить два случая Ωosc << Γsp и Ωosc >> Γsp , где Γsp описывает
скорость переходов между колебательными состояниями в оптическом
потенциале в результате процессов поглощения и спонтанного рассеяния
фотонов поля. В силу того, что Ωosc = 2 ER U 0 /  , а U 0 ∝ Mv 2 , то условие первого
режима соответствует условию медленных атомов kv << Γsp . Напротив, второе
условие описывает ситуацию, когда атомы совершают множество осцилляций
прежде чем перейти в другое колебательное состояние. Такой режим движения
атомов, локализованных в минимумах оптического потенциала, является
существенно квантовым, поскольку расстояние между нижними
колебательными уровнями много больше их ширины. Для описания лазерного
охлаждения в таком режиме можно воспользоваться методом, предложенным в
работе [21]. Идея заключается в записи уравнения для матрицы плотности
(14.11) в базисе колебательных состояний оптического потенциала. При этом, в
условиях Ωosc >> Γsp , пренебрегается когерентностью между различными
колебательными состояниями (секулярное приближение) и в базисе
колебательных состояний n, q, ε уравнение для матрицы плотности сводится к
уравнению лишь для населенностей колебательных состояний (см. [21]):
d
Π n , q ,ε = −γ n , q ,ε Π n , q ,ε + ∑ γ (n' , q ' , ε ' → n, q, ε ) Π n ', q ',ε ' . (17.1)
dt n ', q ',ε '

Здесь индексы n − номер колебательного состояния ( n ≥ 0 ), q – квазиимпульс и

ε - индекс определяющий внутренние состояния атома. Константы γ n ,q ,ε
описывают полный «уход» населенности колебательных состояний n, q, ε

γ
γ n , q ,ε = n, q, ε Vˆ + Vˆ n, q, ε
δ 2

γ 1 (17.2)
γ (n' , q ' , ε ' → n, q, ε ) = 2 ∫ dh K s (h) ∑ n' , q' , ε ' Vˆ + e i k zˆ h Dˆ s n, q, ε
2

δ −1 s = 0 , ±1

Здесь, также как и в (6.12) функции K ±1 (h) = 3 (1 + h 2 )/ 8 и K 0 (h) = 3(1 − h 2 )/ 4

определяются вероятностью спонтанной эмиссии фотона с поляризацией
s = 0, ± 1 в направлении h = cos(θ ) по отношению к оси Z. Определение для
оператора Vˆ дано в (6.8). Рассматривая динамику лазерного охлаждения
холодных атомов численно, ограничиваются рассмотрением конечного числа
нижних колебательных состояний. Результаты расчета работы [21]
населенности нижних колебательных состояний холодных атомов с оптическим
переходом Jg = 1 / 2 → Je = 3 / 2 в поле оптической решетки lin ⊥ lin конфигурации
и их кинетической энергии приведены на рис. 17.2.

88
Рис. 17.2 Населенности нижних колебательных состояний холодных атомов с
оптическим переходом Jg = 1 / 2 → Je = 3 / 2 в поле оптической решетки lin ⊥ lin
конфигурации (а) и кинетическая энергия атомов в решетке EK = p 2 / 2M и
(где δp0 полуширина на уровне 1 / e импульсного распределения) в
EK/ = δp02 / 2 M
единицах энергии отдачи ( ER =  2 k 2 / 2M ) (б) в зависимости от глубины
оптического потенциала U 0 . Результаты работы [21].

17.2 Raman sideband cooling в оптической решетке

Другим примером реализации лазерного охлаждения атомов в оптической
решетке является Raman sideband cooling изначально предложенный и
реализованный для лазерного охлаждения ионов в радиочастотных ловушках
(см. раздел 12.3).

Рис. 17.3 Схема охлаждения атомов в недиссипативной оптической решетке до

основного колебательного состояния.
89
Для реализации схемы Raman sideband cooling в недиссипативной оптической
решетке (Рис.17.3) необходимо создать решетку, обеспечивающую одинаковые
световые сдвиги в основном и возбужденном состоянии атома, для обеспечения
резонансного взаимодействия поля накачки между множеством
( g ), n → (e), n − 1 колебательных состояний в основном и возбужденном
состояниях. Равных оптических сдвигов можно добиться для оптических
решеток, образованных световыми волнами на определенных длинах волн,
называемых «магическими» (Рис.17.4).

Рис. 17.4 Световой сдвиг 1S 0 и 3P 0 уровней атома Sr вблизи «магической»

длины волны в поле линейной поляризации [24].

При этом Raman sideband cooling до основного колебательного состояния

реализуется в условиях:
1) Ων = U 0 ER /  << γ расстояние между колебательными уровнями много
больше естественной ширины уровней.
2) η << 1 - условием малости параметра Лэмба-Дике.
3) δ = − Ων отстройка поля накачки должна соответствовать разности уровней
между колебательными состояниями в решетке.

90
17.3 Двухфотонное рамановское охлаждение
Одним из вариантов реализации рамановского охлаждения в оптической
решетке, является охлаждение, реализуемое с использованием двух основных
состояний атома. Переходы между этими двумя состояниями можно
реализовать посредством двухфотонных рамановских переходов (Рис. 17.5),
например, с использованием двух световых фазово-связанных полей далеко
отстроенных от резонанса с возбужденным состоянием атома.

Рис. 17.5 Принципиальная схема лазерного охлаждения, реализуемая с

использованием двухфотонных рамановских переходов между двумя
основными состояниями атома в оптической решетке.

При этом, необходимо использование дополнительного поля накачки,

приводящего к возбуждению атомов из основного состояния g 2 рис 17.5(б) в
возбужденное состояние и затем к переходу в результате спонтанного распада в
состояние g 1 , преимущественно сохранением индекса колебательного
состояния n.
Соответственно, для реализации данной схемы необходимо наличие, во-
первых, интенсивного светового поля для создания оптической решетки, во-
вторых фазово-связанных световых полей для реализации рамановских
переходов и наличие дополнительного поля накачки для «перекачки» атомов в
исходное g 1 состояние, с сохранением индекса n, что делает такую схему
достаточно сложной для реализации в эксперименте. Более простая схема была
91
реализована в работах [25, 26], где поле решетки одновременно выполняло и
роль полей, приводящих к двухфотонным рамановским переходам между
уровнями основных состояний: в рассматриваемых работах - между
зеемановскими подуровнями состояний F = 4, m = 4 и F = 4, m = 2 атома 133Cs
(6s 2S 1/2 ) Рис. 17.6.

Рис. 17.6 Схема эксперимента для реализации двухфотонного рамановского

охлаждения атомов 133Cs [25]. Поле решетки создается тремя волнами (две
волны с линейной поляризацией, одно - с циркулярной). Поля накачки – два
поля σ + поляризации резонансных оптическим переходам Fg = 3→Fe = 4 и
Fg=4→Fe = 4 производят оптическую накачку атомов в состояние Fg = 4, m = 4
.

Одним из несущественных недостатков данной схемы является то, что атомы

охлаждаются и накапливаются в нижнем колебательном уровне состояния
Fg = 4, m = 4 , энергия которого чувствительна к наличию магнитного поля.
Более привлекательным являлось бы реализация лазерного охлаждения и
накопление в состоянии Fg , m = 0 с энергией наименее чувствительной к
наличию магнитного поля. Идея реализация такой схемы двухфотонного
рамановского охлаждения была предложена в работе [27].

92
Рис. 17.7 Схема эксперимента для реализации двухфотонного рамановского
охлаждения атомов 133Cs [27]. Поле решетки создается тремя волнами с

линейной поляризацией, где вектор поля E отклонен на угол φ относительно
оси z (оси квантования). Поля накачки (pump) – поле линейной поляризации
вдоль оси z. Также используется дополнительное поле (repump) для перекачки
атомов с уровня (6s 2S 1/2 )Fg=3 на уровень Fg=4.

В рассматриваемой схеме работы [27] поле оптической решетки, создаваемое


тремя волнами с линейной поляризацией с вектором E отклоненным на угол φ
относительно оси z (оси квантования) приводит потенциалу для подуровней
основного состояния (6s 2S 1/2 )Fg=4 в виде (16.5), который для рассматриваемого
случая может быть представлен (см. [26])
2   2 i    
[
Uˆ F = − u s e (r ) + u s g ( F ) e * (r ) × e (r ) Fˆ
3 3
] (17.3)

где F, J и I – полный угловой момент, электронный (рассматриваемого

основного состояния) и спин ядра. F̂ - оператор полного углового момента.
Зависимость величины сдвига us от интенсивности поля решетки и отстройки ∆
приведена в работе [26]. В условиях малого угла отклонения векторов
поляризации φ в нулевом порядке по φ последнее слагаемое в (17.3) исчезает
приводя к равному сдвигу для всех зеемановских подуровней основного
состояния F = 4, m .

4 3  3kx − 3ky   3kx + 3ky 

Uˆ ( 0 ) = − u s  + cos( 3kx) + cos  + cos
 

 (17.4)
3  2  2   2 

Данный потенциал определяет геометрию оптической решетки, с узлами

расположенными в вершинах равносторонних треугольников со сторонами
имеющими длину 2λ / 3 . Один из узлов решетки расположен в точке x=0, y=0. В
близи узла оптический потенциал (17.4) можно представить в виде
93
 [ (
Uˆ ( 0 ) ∝ −u s − 6 + 3k 2 x 2 + y 2 )]
что определяет гармонические колебания атомов вблизи минимума с частотой
Ων 12 u s ER . В случае если расстояние между колебательными уровнями много
больше энергии отдачи, характерная область локализации атомов в
рассматриваемом потенциале много меньше длины волны l =  / MΩν << λ , что
соответствует режиму Лэмба-Дике.

Как уже отмечалось выше, особенностью рассматриваемых схем является то,

что поле решетки одновременно приводит и к двухфотонным рамановским
переходам между подуровнями основного состояния. Рамановски переходы в
рассматриваемом случае обеспечиваются вкладом в (17.3) обеспечивающимся
ненулевым значением угла φ. При малых φ данный вклад имеет вид:
1  
Uˆ (1) = u s g ( F ) tan(φ ) M (r ) ⋅ Fˆ , (17.5)
3

где вектор M имеет компоненты

[
M x = 2 3 cos(3ky / 2) sin( 3kx / 2) + sin( 3kx) ]
M y = 6 cos(3ky / 2) cos( 3kx / 2)

сохраняющих симметрию основного вклада (17.4) в результате чего действие

оператора Û (1) эквивалентно во всех узлах оптической решетки. В минимумах
потенциала оптической решетки
3
[
Uˆ (1) ≈ us g ( F ) tan(φ ) ( x − iy ) Fˆ+ + ( x + iy ) Fˆ−
2
] (17.6)

действие оператора Û (1) сводится к переходам между зеемановскими

состояниями с ∆m = ±1 и колебательными индексами ∆n = ±1 (Рис. 17.8)
определяемым амплитудой связи
U R = u s tan(φ ) kl ,

т.е. эффективной частотой Раби.

94
Рис. 17.8 Схема рамановского охлаждения. Рамановские переходы показаны
изогнутыми стрелками и связывают состояния n, m = 0 и n / = n − 1, m = ±1 .
Сплошными вертикальными стрелками указаны переходы между подуровнями
основного и возбужденного состояний индуцированные полем накачки.
Пунктирными стрелками указаны переходы в состояние n = 0, m = 0 ,
обусловленные спонтанной релаксацией уровней возбужденного состояния.

Наибольшую эффективность рамановские переходы имеют в резонансных

условиях, которые обеспечиваются относительным сдвигом уровней с m=±1
относительно уровня с m=0 (Рис. 17.8). Данный сдвиг можно обеспечить полем
накачки, имеющим линейную поляризацию с направлением вдоль оси z и
резонансным оптическому переходу Fg=4→Fe=4. Отметим, что для данного
перехода коэффициент Клебша Гордана определяющего связь световым полем
между подуровнями Fg = 4, m = 0 и Fe = 4, m = 0 , 0; Fg = 4 , m = 0 = 0 ,
C1Fe = 4, m = 0
что
обеспечивает нулевой сдвиг состояния Fg = 4, m = 0 . Для состояний Fg = 4, m
оптический сдвиг составляет

∆ p Ω 2p
δm = m 2

∆2p + γ 2 / 4 , (17.7)

где Ω p частота Раби оптического перехода Fg = 4, m = 1 → Fe = 4, m = 1 , а ∆ p -

отстройка поля накачки (рис. 17.7). Подходящим выбором Ω p и ∆ p можно
добиться условия резонанса, при котором энергии состояний n + 1, m = 0 и
n, m = ±1 будут равны. При выполнении указанных условий рамановскго
охлаждения атомы могут быть охлаждены вплоть до основного колебательного

95
состояния в оптической решетке n ==, m = 0 на нулевом зеемановском
подуровне.

Рис. 17.9 (а) Населенность состояния n = 0, m = 0 ( π 1 ) и скорость лазерного

охлаждения в зависимости от величины оптического сдвига (17.7) при ∆ p = 5γ ,
Ων = 0.01γ , U R = 0.001γ . (б) Населенность состояния n = 0, m = 0
( π 1 ) и скорость
лазерного охлаждения в зависимости от частоты Раби поля накачки при
Ων = 0.01γ , U R = 0.001γ . Результаты работы [27].

Как и стоило ожидать, населенность состояния n = 0, m = 0 имеет максимум в

2
(
2 2
)
условиях резонанса δ m =1 = ∆ p Ω p / ∆ p + γ / 4 = Ων (рис. 17.9 (а)) и близка к
единице

π 1 ≈ 1 − a (U R / Ω R )2 − b (γ / δ p )2
а скорость лазерного охлаждения
γ p U R2
Γcool ≈α 2
γ p + β U R2

где γ p = γ Ω 2p / ∆2p , а коэффициенты a,b, α и β численные множители [27].

96
Список цитируемой литературы
1. А.П. Казанцев и др «Механическое действие света на атомы», Москва
«Наука», 1991
2. J. Javanainen, Optics Commuhnication v. 86, 475 (1991)
3. О.Н. Прудников, А.В. Тайченачев, А.М. Тумайкин, В.И. Юдин, Кинетика
атомов в эллиптически поляризованном поле стоячей волны ЖЭТФ т. 115, 791-
804 (1999)
4. А.В. Безвербный, О.Н. Прудников, А.В. Тайченачев, А.М. Тумайкин, В.И.
Юдин "Сила светового давления, коэффициенты трения и диффузия для
атомов в резонансном неоднородно поляризованнном поле" ЖЭТФ, т.123, 437-
456 (2003)
5. О.Н. Прудников, А.В. Тайченачев, А.М. Тумайкин, В.И. Юдин, Кинетика
атомов в поле, образованном эллиптически поляризованными волнами, ЖЭТФ
125, 499-517 (2004)
6. A.V. Taichenachev, A.V. Tumaikin, V.I. Yudin, and G. Nienhuis “Steady state of
atoms in a resonant field with elliptical polarization” PRA, v. 69, 033410 (2004);
А.В. Тайченачев, А.М. Тумайкин, В.И. Юдин, Атом в резонансном
эллиптически поляризованном поле: точное стационарное решение для
замкнутых оптических переходов jg=j→je=j+1, ЖЭТФ т.110б 1727-1747 (1996).
7. A.V. Bezverbnyi, O.N. Prudnikov, A.V. Taichenachev, A.V. Tumaikin, V.I.
Yudin, Steady-state light-induced forces for atom lithography, Phys. Rev. A, v.72,
023404, (2005)
8. В.Г. Миногин, В.С. Летохов, Давление лазерного излучения на атомы, М.:
Наука, 1986
9. A. Ashkin and J. P. Gordon “Stability of radiation-pressure particle traps: an
optical Earnshaw theorem” Optics Letters v.8 p. 511, (1983)
10. J.Dalibard, S.Reynaud, C.Cohen-Tannoudji “Proposals of stable optical traps for
neutral atoms” Optics Communications, v. 47, 395-399 (1983)
11. P.Bouyer, et al. “An atom trap relying on optical pumping”, EPL v. 27, 569
(1994)

97
12. E.L. Raab, M. Prentiss, A. Cable, S. Chuand D.E. Pritchard Phys. Rev. Lett. 23,
2631 (1987)
13.C. Monroe, at. al. Very cold trapped atoms in a vapor cell, Phys. Rev. Lett. v.65,
1571-1574 (1990)
14. P. Kohns, et. al. On-line measurement of subdoppler temperatures in a Rb
magneto-optical trap by trap centre oscillations. Europhysics Letters, v. 22 p.517–
522, (1993)
15. P. D. Lett, Richard, N. Wats, C. I. Westbrook, W.D. Phillips, et al Observation of
laser cooled below the Doppler Limit, PRL v.61, 169 (1988)
16. У.Д. Филипс, Лазерное охлаждение и пленение нейтральных атомов, УФН
т. 169, с. 305 (1999)
17. О.Н. Прудников, Р.Я. Ильенков, А.В. Тайченачев, А.М. Тумайкин, В.И.
Юдин "Стационарное состояние ансамбля атомов малой плотности в
монохроматическом поле с учетом эффектов отдачи", ЖЭТФ, т.139, 1074-1080
(2011)
18. Y. Castin and J. Dalibard. Quantization of atomic motion in optical molasses//
Europhys. Lett. v. 14, pp. 761-766 (1991)
19. A.Aspect, E. Arimondo, R. Kaiser, N.Vansteenkiste, and C. Cohen-Tannoudji
“Laser cooling below the one-photon recoil energy by velocity-selective coherent
population trapping” Physical Review Letters v.61, 826 (1988)
20. A Aspect, E Arimondo, R Kaiser, N.Vansteenkiste, andC. Cohen-Tannoudji
“Laser cooling below the one-photon recoil energy by velocity-selective coherent
population trapping: theoretical analysis” JOSAB v. 6, 2112 (1989)
21. Y. Castin and J. Dalibard. Quantization of atomic motion in optical molasses//
Europhys. Lett., v. 14, pp. 761-766 (1991)
22. О.Н. Прудников, С.В. Чепуров, А.А. Луговой, К.М. Румынин, С.Н.
Кузнецов, А.В. Тайченачев, В.И. Юдин, С.Н. Багаев Лазерное охлаждение
ионов 171Yb+ в частотно-модулированном поле Квантовая Электроника, т.47,
с. 806-811 (2017)
23. D.J. Wineland, W.M. Itano “Laser cooling of atoms” Phys. Rev. A v.20 1521
(1979)
24. V.D. Ovsiannikov, V.G. Pal’chikov, H. Katori, M Takamoto “Polarization and
dispertion properties of light shifts in ultrastable optical frequency standards”
Quantum Electronics v.36, 3-19 (2006)

98
25. S.E. Hamann, D.L. Haycock, G. Klose, P.H. Pax, I.H. Deutsch, and P.S. Jessen
“Resolved-Sideband Raman Cooling to the Ground State of an Optical Lattice” PRL
v.80, 4149 (1998)
26. I.H. Deutsch, P.S. Jessen “Quantum state control in optical lattice” PRA v.57,
1972 (1998)
27. A. V. Taichenachev, A. M. Tumaikin, and V. I. Yudin “Two-dimensional
sideband Raman cooling and Zeeman-state preparation in an optical lattice” PRA
v.63, 033402 (2001)

Рабата выполнена за счет гранта Российского научного фонда (проект № 16-12-

00054).

99