МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ

УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Кафедра электрофизических установок и ускорителей (ЭФУиУ)

ОТЧЕТ
ПО ПРАКТИКЕ
Тема: Моделирование прохождения ионного пучка через ионно-оптическую систему ВЧ
источника

Булатова Ульяна Дмитриевна

(Ф.И.О. студента)

03.03.02 Физика
(код и наименование направления подготовки)
Физико-технический факультет
(факультет)

Вид практики: Производственная практика

Тип практики: Научно-исследовательская работа

5 семестр
(период практики)

Руководитель от НГТУ Руководитель от организации

__________________________________ __________________________________
(оценка, ECTS, балл) (оценка, ECTS, балл)

______________________________________ Гмыря Анатолий Алексеевич

(фамилия, имя, отчество) (фамилия, имя, отчество)

______________________________________ младший научный сотрудник

(ученая степень, ученое звание) (ученая степень, ученое звание)

______________________________________ ______________________________________
(подпись, дата) (подпись, дата)

Новосибирск 2022
 Оглавление:
1. Введение……………………………………………………………….………3
2. Конструкция стационарного ВЧ источника отрицательных ионов
водорода………………………………………………………………….……3
3. Моделирование прохождения ионного пучка через различные геометрии
электродов ИОС источника……………………………………………….…6
4. Моделирование слаботочного пучка……………………………………….13
5. Заключение…………………………………………………………………..16

2
Введение
В институте ядерной физики СО РАН разрабатывается новый
стационарный ВЧ источник отрицательных ионов водорода для ускорителя-
тандема, который в свою очередь является важной составляющей установки
БНЗТ для генерации нейтронов. БНЗТ или бор нейтронозахватная терапия –
метод лечения злокачественных опухолей с использованием реакций между
эпитепловыми нейтронами и стабильными изотами бор-10. В данный момент
на установке БНЗТ, расположенной на территории института, установлен
стационарный поверхностно-плазменный источник отрицательных ионов
водорода, в котором для поверхностно-плазменной генерации отрицательных
ионов применяется цезий.
В использовании цезия в ионном источнике есть свои преимущества,
такие как уменьшение работы выхода свободных электронов с поверхности
анода пеннинговской геометрии источника, тем самым увеличивается
генерация отрицательных ионов, а также облегчается зажигание и поддержание
разряда в газоразрядной камере. Однако есть так же и свои недостатки, такие
как вероятность осаждения металла не только на поверхность анода, но и на
высоковольтные электроды ионно-оптической системы (ИОС) источника. Это
может привести к электрическому пробою и генерации большого количества
электронов, которые приводят к разрушению высоковольтных электродов
ионно-оптической системы. Использование цезия является эффективным, но
более трудным в плане контроля стабильной работы ионного источника, что
может усложнить работу персоналу. Для облегчения работы персонала
требуется создать источник отрицательных ионов со стабильной работой и
возможностью работы без цезия.
Конструкция стационарного ВЧ источника отрицательных ионов водорода
В представленной работе будет рассмотрен стационарный ВЧ источник
отрицательных ионов водорода: его конструкция с описанием и моделирование
прохождения пучка ионов H−¿ ¿ через ИОС.

3
 На рис. 1 представлена схема стационарного ВЧ источника
отрицательных ионов водорода.

Рис. 1. Схема стационарного ВЧ источника ионов H−¿ ¿

Основными элементами источника являются ВЧ-драйвер,
расширительная камера и ионно-оптическая система, состоящая из
плазменного, вытягивающего, ускоряющего и земляного электродов. С
помощью индукционного ВЧ-разряда в камере драйвера создается плазма при
напуске водорода. Для защиты керамических стенок камеры от запыления
металлом, из-за воздействия плазмы, внутрь драйвера устанавливается экран
Фарадея. Он состоит из двух частей: правого и левого коллектора, к которым
присоединены по две трубки напуска и сброса воды. К двум коллекторам по
всей окружности припаяны металлические трубки. Вода, попадая в коллекторы,
равномерно распределяется между трубками и начинает циркулировать. К
трубкам, с двух сторон, припаяны молибденовые пластины со смещением по
углу, образующие Z-образные щели. Тем самым экран Фарадея защищает
керамику ВЧ-драйвера от напыления, а электрическое поле проходит через
молибденовые щели.

4
 После зажигания плазма распространяется из драйвера в расширительную
камеру, в которой с помощью постоянных магнитов создается периферийное
мультипольное магнитное поле для отсеивания быстрых электронов, которые
не подходят для генерации ионов H −¿ ¿. С нижней части расширительная камера
ограничена плазменным электродом, на котором отрицательные ионы
образуются за счет конверсии частиц плазмы. Для предотвращения разрушения
ионов H−¿ ¿ вблизи плазменного электрода создаемся дипольное магнитное поле
(магнитный фильтр). Одной из особенностей данного стационарного ВЧ
источника является то, что электроды ИОС имеют одно отверстие, через
которое вытягивается и формируется пучок отрицательных ионов. Для
повышения электрической прочности ИОС в источнике применена
термостабилизация. Для термостабилизации в электродах ИОС сделаны каналы
для протекания масла, которое можно нагревать и остужать, тем самым
регулируя температуру электродов. Также электрическая прочность
повышается с помощью силовых линий поперечного магнитного поля,
выгнутых в сторону плазменного и вытягивающего электродов для отсеивания
вторичных электронов, образовавшихся внутри ИОС.
Ионный источник является основной составляющей инжектора
стационарного пучка отрицательных ионов водорода. Сам инжектор состоит из
ионного источника, вакуумной камеры, внутри которой располагается
поворотный магнит, и турбомолекулярного насоса (рис.2).

5
Рис.2 Общая схема инжектора стационарного пучка отрицательных ионов
водорода.
Ионный источник расположен вертикально и пристыкован к верхнему
фланцу вакуумной камеры, откачиваемого турбомолекулярным насосом со
скоростью откачки 3000 л/с. Внутри вакуумного объема установлен
поворотный магнит, который поворачивает пучок ионов практически на 90
градусов. Поворотный магнит фокусирует пучок, а также служит фильтром для
отклонения паразитных составляющих пучка (электроны, положительные
ионы), которые не отсеялись в ионном источнике магнитными фильтрами.
Моделирование прохождения ионного пучка через различные геометрии
электродов ИОС источника
Далее в работе будет представлено моделирование прохождения ионного
пучка через ионно-оптическую систему ВЧ источника при трех разных
размерах апертур электродов: большая, средняя и маленькая. Данное
исследование проводилось для изучения прохождения 40 мА пучка
отрицательных ионов водорода через электроды ИОС и его угловых
характеристик.

6
 Ниже будут представлены результаты моделирования прохождения
ионного пучка через электроды ИОС с большой апертурой. Под большой
апертурой подразумевается размеры d = 15 мм, 12 мм, 14 мм, 14 мм,
плазменного, вытягивающего, ускоряющего и земляного электродов
соответственно, и зазоры h = 4 мм, 13 мм, 3 мм.

Рис. 3. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем и

ускоряющем напряжениях 4.5 кВ и 33 кВ соответственно.

7
Рис. 4. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем и
ускоряющем напряжениях 5.0 кВ и 34 кВ соответственно.

Рис. 5. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем и

ускоряющем напряжениях 6.0 кВ и 35 кВ соответственно.

8
 Моделирование показало следующие результаты, приведенные в таблице 1,
где указаны ток мишени и эмиттанс пучка при каждом прохождении пучка
через ИОС.
Напряжение на Напряжение на Напряжение на Ток на мишени, RMS эмиттанс
плазменном вытягивающем ускоряющем мА пучка,
электроде, В электроде, кВ электроде, кВ π·мм·мрад

1,2 4,5 33 18,6 4,3431·е-1

1,2 5 34 19,2 4,0978·е-1

1,2 6 35 19,4 4,5134·е-1

Таблица 1. Значения тока на мишени и эмиттанса пучка при прохождении

пучка отрицательных ионов через ИОС с большой апертурой.
Ниже будут представлены результаты моделирования прохождения ионного
пучка через электроды ИОС со средней апертурой. Под средней апертурой
подразумевается размеры d = 12 мм, 10 мм, 10 мм, 10 мм, плазменного,
вытягивающего, ускоряющего и земляного электродов соответственно, и
зазоры h = 4 мм, 10 мм, 3 мм.

Рис. 6. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем и

ускоряющем напряжениях 5.0 кВ и 34 кВ соответственно.
9
Рис. 7. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем и
ускоряющем напряжениях 5,5 кВ и 34 кВ соответственно

Рис. 8. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем и

ускоряющем напряжениях 6.0 кВ и 34 кВ соответственно

10
 Моделирование показало следующие результаты, приведенные в таблице
2, где указаны ток мишени и эмиттанс пучка при каждом прохождении пучка
через ИОС.
Напряжение на Напряжение на Напряжение на Ток на мишени, RMS эмиттанс
плазменном вытягивающем ускоряющем мА пучка,
электроде, В электроде, кВ электроде, кВ π·мм·мрад

1,7 5 34 16,2 3,5022·е-1

1,7 5,5 34 16,5 3,5098·е-1

1,7 6 34 16,6 3,5703·е-1

Таблица 2. Значения тока на мишени и эмиттанса пучка при прохождении

пучка отрицательных ионов через ИОС со средней апертурой.
Ниже будут представлены результаты моделирования прохождения ионного
пучка через электроды ИОС с маленькой апертурой. Под маленькой апертурой
подразумевается размеры d = 10 мм, 8 мм, 8 мм, 8 мм, плазменного,
вытягивающего, ускоряющего и земляного электродов соответственно, и
зазоры h = 3 мм, 8 мм, 3 мм.

11
Рис. 9. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем и
ускоряющем напряжениях 5,5 кВ и 33 кВ соответственно

Рис. 10. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем
и ускоряющем напряжениях 6.0 кВ и 33 кВ соответственно.

12
Рис. 11. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем
и ускоряющем напряжениях 6.5 кВ и 33 кВ соответственно.
Моделирование показало следующие результаты, приведенные в таблице
3, где указаны ток мишени и эмиттанс пучка при каждом прохождении пучка
через ИОС.
Напряжение на Напряжение на Напряжение на Ток на RMS эмиттанс
плазменном вытягивающем ускоряющем мишени, мА пучка,
электроде, В электроде, кВ электроде, кВ π·мм·мрад

2,1 5,5 33 14,4 2,7775·е-1

2,1 6 33 14,5 2,8281·е-1

2,1 6,5 33 14,5 2,8881·е-1

Таблица 3. Значения тока на мишени и эмиттанса пучка при прохождении
пучка отрицательных ионов через ИОС с маленькой апертурой.
Проанализировав все данные, полученные с помощью моделирования в
программе PBGuns, можно увидеть, что наименьшим эмиттансом обладает
пучок, прошедший через ИОС с маленькой апертурой. Но при этом ток на
мишени меньше. Здесь стоит сделает некоторое замечание о программе
PBGuns:
1) для моделирования прохождения пучка в данной программе в
геометрию плазменного электрода необходимо включить «кармашек», в
котором генерируется плазма;
2) «кармашек» уменьшает ток пучка примерно наполовину, в
действительности же этого не происходит, поэтому полученное значение тока
на мишени в программе и в действительности будут сильно отличаться.
К тому же при выборе апертуры для стационарного ВЧ источника
следует учесть долю электронного тока в токе пучка. Из общих соображений
можно сразу сказать, что наименьшей долей электронного тока обладает
геометрия с маленькой апертурой ввиду более меньшего диаметра апертуры.
Таким образом, маленькая апертура ИОС источника является самым

13
оптимальным решением для лучшего прохождения и формирования пучка
ионов H −¿ ¿.
Моделирование прохождения слаботочного ионного пучка
Для различных научных и медицинских целей может понадобится пучок с
меньшим током. Возникает вопрос, нужно ли для этого изменить ионно-
оптическую систему, то есть изменить диаметры апертур электродов и размеры
расстояний зазоров между ними. Для решения этой задачи было проведено
моделирование прохождения пучка отрицательных ионов водорода с током
порядка ~ 6 мА.

Рис. 12. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем
и ускоряющем напряжениях 1,8 кВ и 17 кВ соответственно.

14
Рис. 13. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем
и ускоряющем напряжениях 2,2 кВ и 18,5 кВ соответственно.

15
Рис. 14. Прохождение ионного пучка через электроды ИОС при вытягивающем
и ускоряющем напряжениях 2,2 кВ и 18,5 кВ соответственно.
Результаты моделирования представлены в таблице 4.
Напряжение на Напряжение на Напряжение на Ток на RMS эмиттанс
плазменном вытягивающем ускоряющем мишени, мА пучка,
электроде, В электроде, кВ электроде, кВ π·мм·мрад

0,04 1,8 17 4,4 4,3134·е-1

0,04 2,2 18,5 4,81 3,7115·е-1

0,04 2,7 20 4,87 3,7278·е-1

Таблица 4. Значения тока на мишени и эмиттанса пучка при прохождении
пучка с током порядка 6 мА отрицательных ионов через ИОС.
Данное моделирование показало, что геометрию ИОС для генерации
сильноточного пучка 40 мА можно использовать и для генерации слаботочного
пучка 6 мА. В ИОС изменится только напряжение на всех электродах системы.
Это означает, что в источнике можно будет получить пучки с разными
значениями токов для необходимых научных и медицинских задач.
Заключение.
В течении прохождения практики 5 семестра было сделано ознакомление
с литературой, связанной с методами генерации отрицательных ионов, и с
документацией (статьи, схемы) по стационарному ВЧ источнику
отрицательных ионов водорода; смоделировано прохождение сильноточного
пучка ионов через большую, среднюю и маленькую апертуры; смоделировано
прохождение слаботочного пучка отрицательных ионов при той же геометрии
ИОС. С помощью моделирования были определены наиболее эффективные
апертуры электродов ИОС для ионного источника, а также доказано, что
данная геометрия электродов подойдет для сильноточных ~ 40 мА и
слаботочных ~ 6 мА пучков.

16