Введение

Появление и широкая доступность персонального компьютера (ПК) позволяет коренным образом изменить сложившуюся систему
образования. Это, конечно, не означает, что ранее ЭВМ не применялись в целях обучения. Такие попытки были, но они не могли оказать
значительного влияния на сложившуюся систему обучения, поскольку, во-первых, методология компьютеризованного обучения была
недостаточно развита и не обеспечивала индивидуализированного подхода к учащимся и студентам и, во-вторых, сама вычислительная
техника была менее доступной и не обладала необходимыми параметрами. Сейчас ситуация радикально изменилась. Низкая цена ПК
позволяет использовать их не только в учебных заведениях, но и в качестве домашних обучающих устройств наравне с другой бытовой
аппаратурой.
Опыт показывает [2], что применение средств программированного обучения позволяет повысить успеваемость учащихся и ускорить
прохождение материала в среднем на 25...30% при существенном облегчении труда педагога. В истории программированного обучения
можно отметить два всплеска общественного интереса к этому направлению: это 1926 г., когда С, Пресси создал первую партию контро-
лирующих автоматов, и 1961 г., когда Б. Скиннером, Н. Краудером и др. были разработаны принципы построения обучающих программ и
созданы образцы автоматов для их реализации. К периоду 1960-х гг. относится возросший интерес к программированному обучению и в
СССР.
Идеи программированного обучения явились естественным следствием объективного развития производительных сил общества,
характерной чертой которого является автоматизация процессов труда. При этом главное значение приобретают и сами процессы, а
методы управления ими, ведущие к возможно более полному Устранению непосредственного обмена информацией между человеком и
машиной в процессе производства. Нечто подобное наблюдается и в учебном процессе.
Благодаря уменьшению потока информации от «индивидуального» учителя к
Тщимся и существенному увеличению этого потока от «обобщенного» учителя
Программы) улучшается управление процессом обучения. В результате повышается уровень обучения и сокращается разброс в
успеваемости учащихся. Сочетание кибернетических и педагогических идей при создании систем программированного обучения
оказывает влияние на весь учебно-воспитательный процесс, так как не только изменяет место и умножает возможности преподавателя в
руководстве коллективом учащихся, но и повышает роль самих учащихся в процессе обучения, поскольку в программированном
обучении делается упор на активизацию самостоятельной познавательной деятельности учащихся и предлагаются эффективные методы и
средства для гибкого управления этой деятельностью.
Наибольшей эффективностью обладают обучающие программы моделирующего типа. Применительно к профессиональной подготовке
специалистов в области радиоэлектроники и автоматики это преимущество сочетается с тем обстоятельством, что разработка любого
радиоэлектронного устройства сопровождается физическим или математическим моделированием. Физическое моделирование связано
с большими материальными затратами, поскольку требуется изготовление макетов и их трудоемкое исследование. Часто физическое
моделирование проста невозможно из-за чрезвычайной сложности устройства, например, при разработка больших и сверхбольших
интегральных микросхем. В этом случае прибегают к математическому моделированию с использованием средств и методов вычислитель
ной техники. Например, известный пакет P-CAD [1] содержит блок логического моделирования цифровых устройств, однако для
начинающих, в том числе и для студентов, он представляет значительные трудности в освоении. Поэтому на этапа начального освоения
методов автоматизированного проектирования и на этапам проведения поисково-исследовательских работ целесообразно использовать
боле простые программы [3]: Micro-Cap V, DesignLab, System View, CircuitMaker Electronics Workbench и др.
Наиболее простой и легко осваиваемой является программа Electronic Workbench (EWB) — разработка канадской компании Interactive
Image Technologies (www.interactiv.com). Особенностью программы является наличие в ней контрольно-измерительных приборов, по
внешнему виду, органам управления и характеристикам максимально приближенных к их промышленным аналогам, что способствует
одновременно и приобретению практических навыков работы с наиболее pacпространенными приборами: мультиметром, осциллографом,
измерительным генератором и др. Опыт использования программы в качестве лабораторного практикума по ряду предметов показывает,
что для проведения лабораторных работ достаточно двух часов предварительного ознакомления с программой. Отмеченные достоинства
программы подтверждаются и тем обстоятельством, что эта книга уже выдержала четыре издания (1999, 2000, 2001 и 2003 гг.). Кроме
того, в Канаде и США издано более десятка учебных пособий на базе этой программы.
Следует отметить, что наряду с высоким обучающим эффектом применение моделирующих программ позволяет решить одновременно
и такие проблемы, экономия материальных и финансовых средств, затрачиваемых на лабораторной оборудование и его обслуживание;
значительное сокращение времени на подготовку и проведение лабораторных работ; проведение экспериментов, не доступных на
обычном лабораторном оборудовании; приобретение навыков и приемов автоматизированного проектирования; возможность включения
отдельных фрагментов лабораторного практикума в перечень домашних заданий (с учетом возрастающей с каждым днем доступности
ПК) и т. п.
Учитывая легкость освоения программы, следует отметить, что она и, соответственно, книга по ее применению будут полезны не
только студентам и учащимся, но и разработчикам разнообразной аппаратуры — специалистам по схемой технике, не имеющим
специальной подготовки по автоматизированным системам проектирования. Кроме того, книга может быть использована в качестве
«живого» справочника по разнообразным радиоэлектронным схемам (естественно, при на-личии компьютера и самой программы).
Кроме EWB, в учебном процессе находит применение программ-MATLAB+Simutink, заметно уступающая EWB по простоте
пользовательского ин-терфейса и системным требованиям, однако позволяющая решить некоторые за-дачи лабораторного практикума,
реализация которых средствами EWB затрудни-тельна или невозможна. Приводимые в книге примеры применения MATLAB oc-
новываются преимущественно на использовании библиотечных компонентов, что в какой-то степени сближает ее с EWB.
 Часть I.
Система моделирования Electronics Workbench

История создания программы Electronics Workbench (EWB) начинается с 1989 г. Ранние версии программы (до EWB 4.0) состояли
из двух независимым частей. С помощью одной половины программы можно было моделировать аналоговые устройства, с помощью
другой — цифровые. Такое «раздвоенное» состояние создавало определенные неудобства, особенно при моделировании смешанных
аналого-цифровых устройств. В 1995 г. в версии 4.0 эти части были объединены, а в версии 4.1 был введен, наряду с 16-, и 32-разрядный
режим обработки информации, что существенно повышало быстродействие и совместимость со всея ми последующими Windows/NT
системами при минимальных требованиях к аппаратной части ПК (Windows 3.1 и выше, 4 Мбайт ОЗУ, около 4 Мбайт дискового
пространства под программу и 10...20 Мбайт под временные файлы). При поразительно простом пользовательском интерфейсе и
минимуме настроек (чаще всего они и не требуются) EWB 4.1 тем не менее позволяет решать большинство за лабораторного практикума
по всем дисциплинам электрорадиотехнического про. филя и автоматики в средних и высших учебных заведениях. Поэтому, несмотря на
прекращение продаж EWB 4.1, компания-разработчик не предоставляет возможности ее свободного распространения.
В течение 1996—97 гг. были выпущены версии 5.0, 5.12 и 5.12 Pro с расширенными возможностями анализа примерно в объеме
программы Micro-Cap [3] переработанной и существенно расширенной библиотекой компонентов, особенно в EWB 5.12 Pro. Кроме того,
в EWB 5.12 была предусмотрена возможность не посредственного выхода в программу EWB Layout разработки печатных плат,
описанную в предыдущих изданиях книги. Дополнительные средства анализа цепей (разд. 1.6) в EWB 5.хх выполнены в типичном для
всей программы ключе — минимум усилий со стороны пользователя. Наряду с повышением требований к системным средствам
(Windows 95 и выше, 8 Мбайт ОЗУ, около 15 Мбайт дискового пространства под программу и 10...20 Мбайт под временные файлы),
семейство EWB 5.хх, по сравнению с EWB 4.1, отличается более сложной настройкой (к счастью, она не часто требуется), меньшим
быстродействием и некоторым ухудшением пользовательского интерфейса в части копирования элементов экрана.
Для семейства EWB б.хх (одна из первых представительниц — EWB 6.02 рассматривалась в предыдущих изданиях книги) требуется
уже около 120 МБ дискового пространства в среде Windows 9x/NT, ПК класса не ниже Pentium 133 МГц и объемом ОЗУ не менее 16 МБ.
Аналогичные требования предъявляются и программой EWB 7.0, выпущенной в 2003 г.

По замыслу разработчиков, эти программы должны выполнять функции так называемой системы сквозного проектирования, т. е.
включающей все этапы от создания электрической схемы устройства до разработки его печатной платы с передачей
соответствующей документации в производство.

Здесь мы ограничимся только рассмотрением блока моделирования (MultiSim), полагая, что представление о двух других блоках
(размещение компонентов на печатной плате и ее трассировка — Ultiboard, Ultiroute) можно получить, ознакомившись с материалами гл.
17 предыдущих изданий книги. Несмотря на наличие дополнительных средств анализа (см. разд. 1.8 и 3.9), EWB б.хх и 7.0 ближе к
профессиональным программам и как средство обучения заметно уступают предыдущим версиям по простоте пользовательского
интерфейса, настройкам и быстродействию. Эти недостатки обсуждаются по ходу изложения материала и в обобщенном виде
представлены в Заключении.
Программы EWB обладают преемственностью снизу вверх, т. е. все схемы, созданные в версиях 3.0 и 4.x, могут быть промоделированы
в версиях 5.хх и б.хх. Кроме того, EWB позволяет также моделировать устройства, для которых задание на моделирование подготовлено в
текстовом формате SPICE, чем обеспечивается совместимость с программами Micro-Cap и PSpice [1, 3
 Глава 1 - Структура окон и система меню
Окно программы EWB 4.1 (рис. 1.1) содержит поле меню, линейку контроль- но-измерительных приборов и линейку библиотек
компонентов, одна из которых в развернутом виде показана в левой части окна. Каталог выбранной библиотек: располагается в
вертикальном окне справа или слева от рабочего поля (устанавливается в любое место перетаскиванием стандартным способом — за
шапку за головка).

В рабочем поле программы располагается моделируемая схема с подключенными к ней иконками контрольно-измерительных приборов
и краткое описание схемы (description. При необходимости каждый из приборов может быть развернут для установки режиме его
работы и наблюдения результатов.

Линейки прокрутки используются только для перемещения схемы.

Рис. 1.1. Окно программы EWB 4.1

Окно программы EWB 5.0 (рис. 1.2) отличается дополнительным меню Analysis, наличием линейки инструментов и более компактным
представлением библиотек в развернутом виде; линейка контрольно-измерительных приборов рас-положена в одном поле с библиотеками
компонентов; все мнемонические кнопки снабжены подсвечиваемыми подсказками об их назначении.
Окно программы EWB 6.20 (рис. 1.3) отличается расширенным полем меню и вертикальным расположением линеек библиотек (слева)
и приборов (справа), ко-торые дополнены ваттметром (внизу слева), измерителем нелинейных искажений (внизу справа), а также
недоступных в версии 6.20 анализаторами спектра и четы-рехполюсников (они ДОСТУПНЫ в версиях 6.02 и 6.11). Сушественным отличие
 1.3. Меню Circuit
‘(соркэт)
Меню Circuit используется при подготовке схем.
1. Activate (Ctrl + G) — запуск моделирования.

2. Stop (Ctrl + Т) — остановка моделирования. Эта и предыдущая команды могут

быть выполнены также нажатием кнопки расположенной в правом

верхнем углу экрана.
3. Pause (F9) — прерывание моделирования.
4. Label (Ctrl + L) — ввод позиционного обозначения выделенного компонента (например, R1 — для резистора, С5 — для
конденсатора и т. д.) в диалоговом окне на рис. 1.5, а. При необходимости сдвига обозначения вправо можно слева ввести необходимое
число пробелов (но не более 14 символов в строке).

а) б)
Рис. 1.5. Окна ввода позиционного обозначения резистора (а) и выбора номинального значения параметра компонента (б)
5. Value (Ctrl + U) — изменение номинального значения параметра компонента в диалоговом окне (пример на рис. 1.5, б); команда
выполняется также двойным щелчком по компоненту. Номинальное значение параметра вводится с клавиатуры, после чего нажатием
курсором мыши на кнопки вверх-вниз выбирается множитель, кратный 1000. Например, для конденсатора задается его емкость в
пикофарадах (пФ), нанофарадах (нФ), микрофарадах (мкФ) или миллифарадах (мФ).
Model (Ctrl + M) — выбор модели компонента (полупроводникового прибора, операционного усилителя, трансформатора и др.);
команда выполняется также двойным щелчком по компоненту. В меню команды (рис. 1.6, а) выбирается:

Library — перечень библиотек, в которых находятся компоненты выбранного

типа;
Model — перечень моделей компонентов выбранной библиотеки;

a). б)
Рис. 1.6. Окна выбора модели (а) и редактирования ее параметров (б)
New Library — создание новой библиотеки; после внесения ее имени в вызы-ваемом диалоговом окне и нажатия клавиши Accept
(принять) это имя появится в колонке Library.
Edit — после нажатия этой кнопки вызывается диалоговое окно с параметра-ми выбранной модели, показанное для операционного
усилителя на рис. 1.6, б (параметры его модели подробно рассматриваются в гл. 4). При необходимости редактирования параметров
целесообразно по команде New Library создать от-дельную библиотеку (чтобы не портить параметры библиотечного компоненте куда
переносится редактируемый компонент с помощью команд:
Сору — копирование отмеченного в колонке Model компонента в буфер обмена;
Paste — вставка скопированной в буфер обмена модели компонента в выбран-ную в колонке Library библиотеку (в том числе и вновь с
иную) с последую-щим редактированием ее параметров без изменения характеристик компонента основной библиотеки;
Rename — переименование отмеченной модели компонента, работа с меню, как и во всех других подобных случаях, заканчивается
нажа-кнопок Accept иди Cancel — с сохранением или без сохранения введенных
изменений.
При создании библиотеки моделей отечественных компонентов целесообразно действовать в следующей последовательности:
• создать библиотеку, например, под именем rus_Iib;
• скопировать в эту библиотеку модель компонента, наиболее близкого по параметрам к отечественному компоненту;
• переименовать скопированную модель, присвоив ей, например, имя K140UD5 (латинская транскрипция К.140УД5);
• при необходимости отредактировать значения параметров переименованной модели, используя данные каталогов отечественных
микросхем или литературных источников [4 — 11].
 7. Zoom (Ctrl + Z) — раскрытие (развертывание) выделенной подсхемы или контрольно-измерительного прибора, команда
выполняется также двойным щелчком мыши по иконке компонента или прибора.
8. Rotate (Ctrl + R) — вращение выделенного компонента; большинство компонентов поворачиваются по часовой стрелке (в EWB
5.хх — против) на 90° при каждом выполнении команды, для измерительных приборов (амперметр, вольтметр и др.) меняются
местами клеммы подключения; команда используется при подготовке схем. В готовой схеме пользоваться командой нецелесообразно,
поскольку это чаще всего приводит к путанице — в таких случаях компонент нужно сначала отключить, а затем вращать.
9. Fault ‘(фаалт)(Ctrl + F) — имитация неисправности выделенного компонента путем введения: Leakage’(ликэдж) —
сопротивления утечки; Short — короткого замыкания; Open — обрыва; None — неисправность отсутствует (включено по умолчанию).
10. Subcircuit ‘(сабсокэт)(Ctrl + В) — преобразование предварительно выделенной части схемы в подсхему. Выделяемая часть схемы
должна быть расположена таким образом, чтобы в выделенную область не попали не относящиеся к ней проводники и компоненты. В
результате выполнения команды вызывается диалоговое окно (рис. 1.7, а), в строке Name которого вводится имя подсхемы, после чего
возможны следующие варианты:
Copy from Circuit — подсхема копируется с указанным названием в библиотеку Custom без внесения изменений в исходную схему;
Move from Circuit — выделенная часть вырезается из общей схемы и в виде юдсхемы с присвоенным ей именем копируется в
библиотеку пользователя (Custom);
Replace in Circuit — выделенная часть заменяется в исходной схеме подсхемой присвоенным ей именем с одновременным копированием
в библиотеку Custom.

Для просмотра или редактирования подсхемы нужно дважды щелкнуть мышью по ее значку. Редактирование подсхемы производится
по общим правилам легирования схем. При создании дополнительного вывода необходимо из соответствующей точки подсхемы
курсором мыши протянуть проводник к о ее окна до появления не закрашенной прямоугольной контактной плоски, после чего
отпустить левую кнопку мыши. Для удаления вывода необ-1имо курсором мыши ухватиться за его прямоугольную площадку и вынести :
За
пределы окна.
омпонентов и отрабатывать учащимися навыки их поиска. В EWB 6.20 эта воз-ожность появилась вновь (команда Options/Circuit
Restrictions); в EWB 7.0 она
отсутствует.

Рис. 1.9. Окно выбора режимов моделирования

13. Analysis Options (Ctrl + Y) — выбор режимов моделирования в диалоговом
окне на рис. 1.9 с установкой следующих опций:
Transient — расчет переходных процессов;
Steady-state — расчет стационарного режима схемы;
Assume linear operation — при расчете принять линеаризованную модель активных компонентов (Active Component Simulation);
Pause after each screen — пауза после заполнения экрана осциллографа Oscilloscope Display);
Store results for all nodes — сохранение (запоминание) результатов моделирова-i для всех контрольных точек (узлов) схемы;
егапсе
\<у\ ~ задание допустимой погрешности моделирования (по умолчанию чем меньше погрешность моделирования, тем больше
затраты времени на 10Делирование;
">е domain points per cycle — выбор количества отсчетов отображаемого на экра-
°СтпЛЛОГра<^а сигнала (по умолчанию — 100 точек на период, может быть увеличе-
в
пе£ ® Раз)- С увеличением количества отсчетов форма сигнала рассчитывается бо-
слуц ° ' При одновРемениом замедлении процесса моделирования; в некоторых
вести Заниженное (установленное по умолчанию) значение параметра может при-
существенным искажениям результатов моделирования;
бра е Analysis points per cycle — выбор количества расчетных точек для ото-ных Ч1^ Результатов моделирования на экране измерителя
амплитудно-частот-Умень )аз°частотных характеристик; увеличение количества точек позволяет (оси i 'ТЬ погРешн°сть от дискретности
установки визирной линейки по оси X
 1.6. Меню Analysis программы EWB 5.xx
1 Первые три команды — Activate (Ctrl + G), Stop (Ctrl + Т), Pause (F9) — аналогичны командам меню Circuit программы EWB 4.1.

2 Analysis Options ‘(аналисис) (Ctrl + Y) — набор команд для установки параметров моделирования.

В наиболее общем случае процесс моделирования в программе EWB сводится следующему. После запуска моделирования данные
моделируемой схемы считываются программой (с экрана монитора), затем компоненты заменяются их математическими моделями
(чаще всего моделями PSpice [1] — см. также разд. 1.7 и [ 4) и составляется система линейных, нелинейных или дифференциальных
уравнений по методу, аналогичному методу узловых потенциалов (см. разд. 5.3) (отличие заключается в том, что потенциал
рассчитывается для каждой точки схемы или так называемой ноды — точки соединения выводов двух и более компонентов, включая и
узел — точку соединения трех и более компонентов). Далее система уравнений (матрица) преобразуется в две треугольные — нижнего
(Low) и верхнего (Upper) уровней (LU-факторизация, аналогичная (напоминающая) двухходовому методу последовательного исключения
переменных Гаусса), после чего для нахождения корней (потенциалов Vi в каждой ноде) применяется метод Ньютона-Рафсона,
реализующий формулу [92]: Vn+l = Vn - F(Vn)/F’(Vn), где Vn+1, Vn — значения потенциала в i-ой точке схемы на текущем и предыдущем
шаге итерации.
 Законы Кирхгофа

Эти законы (правила) были установлены немецким физиком Кирхгофом Густавом Робертом (1824—1887) в период с 1845 по 1847 г.
Кирхгофу принадлежит. также ряд фундаментальных работ в области физики (общая теория тока в про-водниках, метод спектрального
анализа, закон теплового излучения, открытие це-зия и рубидия, концепция черного тела и др.).
Первый закон Кирхгофа: алгебраическая сумма всех токов, втекающих в любой узел, равна нулю. Токи, втекающие в узел, условно
принимаются положительными, а вытекающие из него — отрицательными (или наоборот). Если, например, в узел втекает ток I1, а
вытекают токи I2 и I3, то первый закон Кирхгофа может быть записан в виде выражения:
I1 - I2 - I3 = 0.

Второй закон Кирхгофа: алгебраическая сумма ЭДС любого замкнутого контура равна алгебраической сумме падений напряжений
на всех участках контура.
При применении второго закона Кирхгофа необходимо учитывать знаки ЭДС и выбранное направление токов на всех участках контура.
Направление обхода контура выбирается произвольным; при записи левой части равенства ЭДС, направления которых совпадают с
выбранным направлением обхода независимо от направления протекающего через них тока, принимаются положительными, а ЭДС
обратного направления — отрицательными. При записи правой части равенства со знаком плюс берутся падения напряжения на тех
участках, в которых положительное направление тока совпадает с направлением обхода независимо от направления ЭДС на этих
участках, и со знаком минус — на участках, в которых положительное направление тока противоположно направлению обхода.
Общая методика применения законов Кирхгофа для расчета сложных многоконтурных цепей такова.
Устанавливается число неизвестных токов, которое равно числу ветвей р. Для каждой ветви задается положительное направление
тока. Число независимых уравнений, составляемых по первому закону Кирхгофа, равно числу узлов q (точек соединения не менее чем
трех проводников) минус единица, т. е. q - 1. Число независимых уравнений, составляемых по второму закону Кирхгофа, равно числу
контуров n = р - q + 1. Общее число уравнений, составляемых по первому и второму законам Кирхгофа, равно числу неизвестных токов
р. Решение этой системы уравнений и дает значения искомых токов.
Для иллюстрации изложенной методики рассмотрим многоконтурную цепь постоянного тока (рис. 5.4), в которой три узла: А, В и С
(q = 3); следовательно, число независимых уравнений, составляемых по первому закону Кирхгофа, будет единицу меньше, т. е. два. При
числе ветвей цепи р = 5 число контуров n=5 -3 + 1=3; следовательно, по второму закону Кирхгофа можно составить
три взаимно независимых уравнения. Таким образом, общее число независимых
уравнений, составляемых по первому и второму законам Кирхгофа, будет равно
числу неизвестных токов в пяти ветвях схемы.
Выберем положительные направления токов, которые на схеме обозначены соотствующим включением амперметров. Например, ток I1
течет справа налево и втекает в узел А (положительное направление тока), поскольку отрицательная клемма, отмеченная утолщенной
черной линией, находится слева и ток через амперметр будет течь справа налево. Ток I2 вытекает из узла А, поскольку ток через
одноименный амперметр будет течь сверху вниз (к отрицательному зажиму, расположенному на нижней грани иконки) и т. д. Сотавим
систему уравнений Кирхгофа:
Для узла А: I1-I2+ I3+ I5 = 0;
Для узла В: I1-I3-I4 = 0;
Для контура ABFA: E1 + ЕЗ = I1 • R1 - I3 * R3;
Для контура АВСА: ЕЗ = I3 • R3 - I4 • R4 - I5 * R5;
Для контура ADCA: E2 = I2 •R2+I5*R5

Рис. 5.4. Многоконтурная цепь постоянного тока

После подстановки в полученные уравнения числовых значений они приобретают следующий вид:
I1-I2 + I3 + I5 = 0;
-I1-I3-I4 = 0;
6*I1 - 10*I3 = 20;
10*I3-2,5*I4- 15*I5 = -5;
5-I2+15* 15 = 70.
Решая полученную систему уравнений, получим: I1 =5 А; I2 = 8 А; I3 = 1 А; I4 = -6 А; I5 = 2 А, что соответствует показаниям приборов.
Отрицательный знак для тока I4 означает, что истинное направление этого тока противоположно принятому.
Контрольные вопросы и задания
1. Сформулируйте первый и второй законы Кирхгофа. Чем отличается второй закон Кирхгофа от закона Ома для полной цепи?
2. Проведите расчеты по определению токов в ветвях с использованием законов Кирхгофа для цепей на рис. 5.5. После подключения
к схемам необходимых измерительных приборов проведите их моделирование. Сравните полученные данные с результатами расчетов.

Рис. 5.5. Двухконтурная (а) и трехконтурная (б) цепи постоянного тока

 5.3 Методы контурных токов и узловых потенциалов
5.4
Метод контурных токов (метод Максвелла) напоминает метод расчета с использованием законов Кирхгофа, однако он несколько проще
и поэтому получил большее распространение на практике при расчетах многоконтурных цепей, состоящих из п независимых контуров.

Определение токов в ветвях сводится к решению системы n = р - q + 1 уравнений для контурных токов I|k, I2k, I3k …, действительный
же ток в каждой ветви находится как алгебраическая сумма контурных токов, протекающих через соответствующую ветвь. Выбор
направлений контурных токов произволен. Каждая из ветвей сложной электрической цепи должна войти хотя бы в один из
анализируемых контуров.

Для иллюстрации метода обратимся к схеме на рис. 5.6, а, на которой выбранные направления контурных токов обозначены стрелками,
а токи в ветвях контуров _ расположением входных зажимов амперметров.
Составим систему уравнений для контуров:

El-E2-E3 = Ilk(Rl + R2)-I2kR2;

Е2 - Е4 = I2k(R2 + R5 + R4) - I3kR4 - IlkR2;
-E3-E4 = I3k(R6 + R4) + I2kR4.

После подстановки числовых значений получим:

60 = 20 * I1k - 10 * I2k;
24 = -10 * I1k + 22 * I2k + 7 * I3k;
-16 = 7 * I2k + 22 * I3k.

Решив эту систему уравнений, найдем контурные токи:

I1k = 5A,
I2k = 4A,
I3k = -2A.

Теперь определим истинные токи во всех ветвях. В ветви, где действует ЭДС Е1, истинный ток I1 имеет направление контурного тока
I1k и равен ему:
I1= I1k = 5 А.

В ветви с сопротивлением R5 истинный ток I5 имеет направление контурного тока I2k и равен ему:
I5 = I2k = 4 А.

В ветви с сопротивлением R6 истинный ток I6 имеет направление, противоположное контурному току I3k, и равен
I6 = -I3k = 2 А.

В ветви с сопротивлением R2 истинный ток I2 получится наложением контурных токов I1k и I2k и будет иметь направление большего из
них, т.е.

I2 = I1k - I2k = 1 А.

В ветви с сопротивлением R4 истинный ток I4 получится наложением контурных токов I2k и I3k и будет иметь направление большего из
их, т. е.

I4 = I2k + I3k = 4 + (-2) = 2 А.

В ветви, где действует ЭДС ЕЗ, истинный ток I3 получится наложением контурных токов I]k и I3k и будет иметь направление тока I1k,
т. е.

I3 = I]k + I3k = 5 + (-2) = 3 А.

Из сравнения полученных расчет-Данных с показаниями приборов на рис. 5.6, а видно, что они полностью совпадают.
Заметим, что схемы на рис. 5.6 выполнены в среде EWB 5.хх и в этом случае в отличие от EWB 4.1) во избежание ошибок при
моделировании один из ее узлов необходимо заземлять, поскольку в EWB расчет ведется с использованием метода узловых потенциалов,
в котором один из узлов принимается за опорный и относительно него составляется n = q - 1 уравнений. Заметим также, что метод
контурных токов и метод узловых потенциалов в какой-то степени дополняют друг друга. Целесообразность использования одного или
другого метода зависит от конфигурации схемы, а именно от того, что является меньшим — число независимых контуров n = р - q + I или
число независимых узлов п = q - 1. В первом случае целесообразно использовать метод контурных токов, во втором ~ метод
узловых потенциалов. Из схемы на рис. 5.6, б видно, что при использовании метода контурных токов нам пришлось бы составить
четыре уравнения, тогда как nри использовании метода узловых потенциалов их всего два -(в качестве опорного узла используется узел 3
— он заземлен, т. е, его потенциал равен нулю) [35]:
V1G11 -V2GI2 = E1* G1 + E4*G4.
-V1G21 + V2G22 = -El • G1 + E2 • G2 + E3 • G3,
где
G11 = 1/(R1 + R7) + 1/R5 + 1/R4 + 1/R6 = 1/30 + 1/15 + 1/8 + 1/40 = 0,25 1/ОМ
G22 = 1/(R1 + R7) + 1/R5 + 1/R2 + 1/R3 = 1/30 + 1/15 + 1/30 + 1/6 = 0,3 1/Ом
сумма проводимостей, подключенных к узлам 1 и 2 соответственно;

G12 = G21 = 1/(R1 + R7) + 1/R5 = 1/30 + 1/15 = 0,1 1/Ом - сумма проводимостей, соединяющих узлы 1 и 2;
 а)
б) Рис. 5.6. Трех- (а) и четырехконтурная (6) цепи

G1 = 1/(R1 + R7) = 1/30 l/Ом,

G2 = 1/R2 = 1/30 Ом,
G3 = 1/R3 = 1/6 1/Ом,
G4=1/R4 = 1/8 1/Ом — проводимость ветвей с ЭДС Е1, Е2, ЕЗ и Е4 соответственно;

произведения EiGi берутся со знаком плюс, если ЭДС в ветвях действуют в направлении анализируемого узла, и со знаком минус — в
противном случае, при подготовке схемы на рис. 5.6, б были включены опции Show reference ID и Show nodes меню Circuit/Schematic
Options; при этом обозначения компонентов получаются двойными (через черту «/»): в «числителе» — назначенные составителем схемы,
в «знаменателе» — присвоенные программой; цифры в округленных прямоугольниках — номера точек (нод) соединения компонентов, в
которых программой определяются потенциалы относительно опорного (заземленного) узла 3 и затем выводятся на экран по команде
Analysis/DC operating Point, в окне которой параметры Vl#branch...V4#branch определяют токи в ветвях с ЭДС El—E4.

Вернемся, однако, к расчетам. После подстановки числовых значений в уравнения найдем потенциалы узлов 1 и 2: V1 = -80 B,V2 = -140
В, что совпадает с показаниями вольтметров U1 и U2, подключенных к указанным узлам. Токи в ветвях, определяемые с помощью закона
Ома: I1 = (V1 - V2 - E1)/R1 = (-80 + 140 - 30)/30 = 1 А;
12 = (V3 - V2 + E2)/R2 = (0 + 140 + 10)/30 = 5 А;
I3 = (V2 - Vз - E3)/R3 =• (0 - 140 + 200)/6 = 10 А;
I4 = (V3- V1 - E4)/R4 = (0 + 80 - 56)/8 = 3 А;
I5 = (V, - V2)/R5 = (-80 + 140)/15 = 4 А;
I6 = (V3 - V,)/R6 = (0 + 80)/40 = 2 А,
совпадают с показаниями соответствующих амперметров.
Контрольные вопросы и задания
В чем заключается отличие метода контурных токов от метода расчета с использованием законов Кирхгофа для аналогичных целей?
Выполните расчет токов в ветвях схемы на рис. 5.6 методом контурных токов при Е1 = 50 В, Е2 = 15 В, ЕЗ = 5 В и Е4 = 3 В. Сравните
полученные данные с результатами моделирования.
Выполните расчет токов в ветвях схем на рис. 5.5 методом контурных токов. Выполните расчет и моделирование схемы на рис. 5.6, б
при выборе узла 1 в качестве опорного.
 Analysis Options
2.1. Global — настройки общего характера; задаются в диалоговом окне (рис. 1.13), в котором параметры имеют следующее
назначение:
ABSTOL — абсолютная ошибка расчета токов; если токи в моделируемой схеме существенно больше указанного на рис. 1.13 значения,
то с целью повышения быстродействия значение ABSTOL целесообразно увеличить, исходя из требуемой погрешности расчета
(например, с учетом разрядности мультиметра);
GMIN — минимальная проводимость ветви цепи; указанное на рис. 1.17 значение изменять не рекомендуется; увеличение GMIN
положительно сказывается на сходимости решения при одновременном снижении точности моделирования; используется при
подключении дополнительного Gmin stepping алгоритма (см. п. 2.2); PIVREL, PIVTOL — относительная и абсолютная величины элемента
строки матрицы узловых проводимостей для его выделения в качестве ведущего элемента; введение такого элемента в случае метода
Гаусса позволяет повысить точность промежуточных вычислений и, следовательно, уменьшить общее количество итераций;
установленные по умолчанию значения параметров (рис. 1.13) изменять не Рекомендуется;
RELTOL — относительная ошибка моделирования; влияет на сходимость ре-'ения и скорость моделирования; рекомендуемые значения
— 10"2...10"6;
ЕМР — температура, при которой проводится моделирование;
VNTOL — абсолютная погрешность расчета напряжений;
GHGTOL — абсолютная погрешность расчета зарядов; установленные по Юлчанию значения (рис. 1.13) изменять не рекомендуется;
RАМРТIMЕ — начальная точка отсчета времени при анализе переходных процессов;
CONVSTEP, CONVABSSTEP — относительный и абсолютный размер автома-
тически контролируемого шага итерации при расчете режима по постоянному
току;
2.2. DC ‘(ди си) — настройки для расчета режима по постоянному току (статический режим), параметры которого имеют
следующее назначение:
ITL1 — максимальное количество итераций приближенных расчетов; при сообщении «No convergence in DC analysis»
(неудовлетворительная сходимость при DC-анализе) значение параметра увеличивается до 500...1000;
GMINSTEPS — количество итераций размером GMIN каждая дрполнитель-ного Gmin stepping алгоритма, используемого при
неудовлетворительной сходи-
мости;

2.3. Transient — настройка параметров режима анализа переходных процессов:

ITL4 — максимальное количество итераций для расчета одной точки переходных процессов; при сообщении «Time step too small» (шаг
времени очень мал) или «No convergence in the transient analysis» (нет сходимости) значение параметра целесообразно увеличить до
15...20;
METHOD — метод приближенного интегрирования системы дифференциальных уравнений:

• TRAPEZOIDAL - метод Эйлера с уравниванием, реализует формулу: Vn+1 = Vn + (h/2)(dVn/dt + dVn+1/dt), где h — шаг
итерации, Vn+1, Vn — значения потенциала в i-ой точке схемы на текущем и предыдущем шаге итерации;
• GEAR — метод Гира; порядок метода определяется параметром MAXORD (от 2 до 6); метод Гира первого порядка является
модификацией метода Эйлера, при втором порядке реализуется формула [67]: (dVn+1/dt) = Vn+1(2hn + hn-1)/hn(hn + hn-1) + Vn(hn + hn-
1)/hn(hn - hn-1) + Vn-1hn/hn-1(hn + hn-1), т. е. в этой модификации метода предусматривается возможность работы с переменным шагом,
который, в зависимости от скорости изменения переменной (потенциала Vi), может автоматически изменяться; с увеличением порядка
точность расчетов увеличивается с одновременным замедлением процесса моделирования;
• TRTOL — константа, определяющая точность расчетов; например, в наиболее простых случаях такая константа, называемая
характеристикой шага, определяется соотношением [93]: |dV/dt| • h = const, т. е. при изменении |dV/dt| должен соответственно меняться и
шаг; установленное по умолчанию значение TRTOL изменять не рекомендуется;
• АССТ — разрешение на вывод сообщений о процессе моделирования.
2.4. Device — выбор параметров МОП-транзисторов (подробнее о МОП-транзисторах см. гл. 4):
DEFAD — площадь диффузионной области стока, м2; DEFAS — площадь диффузионной области истока, м2; DEFL — длина канала
полевого транзистора, м; DEFW —ширина канала, м; TNOM — номинальная температура компонента;
BYPASS — включение или выключение нелинейной части модели компонента; TRYTOCOMPACT — включение или выключение
линейной части модели
компонента.
2.5. Instruments — настройка параметров контрольно-измерительных приборов:
Pause after each screen — пауза (временная остановка моделирования) после йподнения экрана осциллографа (Oscilloscope) по
горизонтали;
Generate time steps automatically — автоматическая установка временного шага Интервала) вывода информации на экран; при
дезактивации опции становятся активными следующие две опции:
Minimum number of time points — минимальное количество отображаемых то-чек за период наблюдения (регистрации);
ТМАХ — промежуток времени от начала до конца моделирования;
Set to Zero — установка в нулевое (исходное) состояние контрольно-измери-ельных приборов перед началом моделирования;