253

Раздел 4. Электроника
Содержание
Стр.
Раздел 4. Электроника ........................................................................................... 253
Лекция 4.1 Полупроводниковые материалы....................................................... 255
Примесная проводимость. P-n переход и его свойства...................................... 255
4.1.1 Введение в электронику............................................................................ 255
4.1.2 Полупроводниковые материалы и их свойства. Создание в
полупроводнике различных типов проводимости .......................................... 267
4.1.3 Р-n переход и его вольтамперная характеристика. Свойства
р-п перехода......................................................................................................... 270
Лекция 4.2 Полупроводниковые диоды, разновидности и применение .......... 274
4.2.1 Полупроводниковый выпрямительный диод. Классификация
диодов .................................................................................................................. 274
4.2.2 Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей. Принцип работы.
Пульсации выпрямленного напряжения и сглаживающие фильтры ............ 279
Лекция 4.3 Биполярные транзисторы .................................................................. 289
4.3.1 Биполярный транзистор. Принцип работы. Классификация и
основные параметры БТ..................................................................................... 289
4.3.1.1 Биполярный транзистор. Принцип работы ..................................... 289
4.3.1.2 Классификация и основные параметры БТ..................................... 296
4.3.2 Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ. Свойства и
области применения усилительных каскадов на биполярных
транзисторах........................................................................................................ 297
4.3.2.1 Схема с общим эмиттером (ОБ) ....................................................... 297
4.3.2.2 Схема с общим эмиттером (ОЭ)....................................................... 298
4.3.2.3 Схема с общим эмиттером (ОК)....................................................... 299
Лекция 4.4 Полевые транзисторы ........................................................................ 302
4.4.1 Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип работы .............. 302
4.4.2 Основные параметры и схемы включения.............................................. 309
4.4.2.1 Схема с общим истоком (ОИ) .......................................................... 310
4.4.2.2 Схема с общим стоком (ОС)............................................................. 311
4.4.3 Свойства и области применения усилительных каскадов на полевых
транзисторах........................................................................................................ 312
Лекция 4.5 Электронные усилители. Обратные связи в усилителях ............... 316
4.5.1 Многокаскадные усилители. Виды связей между каскадами............... 316
4.5.2 Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной связи и ее
влияние на характеристики усилителя ............................................................. 324
4.5.3 Использования положительной обратной связи для создания
автогенераторов и их разновидности ............................................................... 328
Лекция 4.6 Операционные усилители и их применение.................................... 331
4.6.1 Дифференциальный усилитель. Основные параметры и реализация .. 331
4.6.2 Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и классификация
ОУ. Идеальный ОУ. Линейные усилители на ОУ........................................... 334
4.6.3 Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель. Расчет основных
 254

параметров........................................................................................................... 341
Лекция 4.7 Цифровая электроника. Цифровые коды. Логические элементы.
Триггеры. Делитель частоты. Счетчик импульсов............................................. 345
4.7.1 Цифровая электроника. Цифровые коды. Логические элементы......... 345
4.7.2 ТТЛ и КМОП микросхемы. Устройство и принцип работы................. 354
4.7.2.1 Микросхемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) ............ 354
4.7.2.2 Микросхемы на комплементарных МОП транзисторах................ 357
4.7.3 Триггеры: RS - триггер; D - триггер; Т - триггер ................................... 359
4.7.3.1 RS – триггер........................................................................................ 360
4.7.3.2 D – триггер.......................................................................................... 361
4.7.3.3 Т – триггер .......................................................................................... 362
4.7.4 Делитель частоты на триггерах. Счетчик импульсов ........................... 363
Лекция 4.8 Регистры. Преобразователи кода. Мультиплексоры и
демультиплексоры. Ключи. Индикаторы............................................................ 367
4.8.1 Регистры ..................................................................................................... 367
4.8.2 Преобразователи кодов ............................................................................. 372
4.8.3 Мультиплексоры и демультиплексоры ................................................... 375
4.8.4 Ключи КМОП............................................................................................. 377
4.8.5 Устройства отображения информации. Индикаторы:
Газоразрядные. Вакуумно-люминисцентные. Светодиодные.
Жидкокристаллические. Устройство, схемы включения и принципы
управления........................................................................................................... 380
4.8.5.1 Газоразрядные индикаторы .............................................................. 380
4.8.5.2 Вакуумно-люминисцентные индикаторы ....................................... 382
4.8.5.3 Полупроводниковые светодиодные индикаторы ........................... 385
4.8.5.4 Жидкокристаллические индикаторы ............................................... 387
Лекция 4.9 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере ......................... 391
4.9.1 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере. Типовая структура
микропроцессора и микроконтроллера. Назначение блоков. Области
применения.......................................................................................................... 391
4.9.2 Цифро-аналоговые преобразователи. Устройство и принцип действия
.............................................................................................................................. 398
4.9.3 Аналогово-цифровые преобразователи. Устройство и принцип действия
.............................................................................................................................. 402
Заключение .............................................................................................................. 419
 255

Лекция 4.1 Полупроводниковые материалы.

Примесная проводимость. P-n переход и его свойства
План лекции
1) Введение в электронику.
2) Полупроводниковые материалы и их свойства. Создание в полупро-
воднике различных типов проводимости.
3) Р-n переход и его вольтамперная характеристика. Свойства перехо-
да.

4.1.1 Введение в электронику

Электроника - наука о взаимодействии заряженных частиц (электро-
нов, ионов) с электромагнитными полями и о методах создания электронных
приборов и устройств (вакуумных, газоразрядных, полупроводниковых), ис-
пользуемых в основном для передачи, обработки и хранения информации.
Электроника представляет собой бурноразвивающуюся отрасль нау-
ки и техники. В ней сложилось ряд направлений:
- физическая электроника изучает электронные и ионные процессы в
газах и проводниках, а также на поверхности раздела между вакуумом и
газом, твердыми и жидкими телами;
- техническая электроника включает совокупность средств, приемов,
способов и методов, направленных на разработку новых и совершенство-
вание существующих приборов электронной техники и технологии их из-
готовления;
- радиоэлектроника, занимается вопросами передачи, приема и пре-
образования информации при помощи электромагнитных колебаний и
волн в радио и оптическом диапазоне частот;
- силовая электроника, изучает способы и устройства для взаимного
преобразования различных видов электрической энергии;
- промышленная электроника посвящена применению электронных
приборов в промышленности, для контроля и управления технологически-
ми процессами;
- информационная электроника занимается разработкой устройств
для получения и обработки информации.
Современный этап развития техники характеризуется возрастаю-
щим проникновением электроники во все сферы жизни и деятельности
людей. Достижения в области электроники способствуют успешному ре-
шению сложных научных и технических проблем, повышению эффектив-
ности научных исследований, созданию новых видов машин и оборудова-
ния, разработке эффективных технологий и систем управления, совершен-
ствованию процессов сбора и обработки информации.
 256

Фундамент электроники был заложен трудами физиков в XVIII– XIX

в. Первые в мире исследования электрических разрядов в воздухе осуще-
ствили академики Михайло Ломоносов и Георг Рихман в России и незави-
симо от них американский ученый Бенджамин Франклин.
В 1802 году профессор физики Петербургской медико-
хирургической академии – В.В. Петров впервые обнаружил и описал явле-
ние электрической дуги в воздухе между двумя угольными электродами. В
России значимость работ не было понято, и они были забыты. Поэтому от-
крытие дугового разряда было приписано английскому физику Дэви.
Токи в газах исследовал английский ученый Джозеф Томсон, от-
крывший существование электронов и ионов. Томсон создал Кавендиш-
скую лабораторию, откуда вышел ряд физиков исследователей электриче-
ских явлений в газах (Дж. Таундсен, Ф.У. Астон, Э. Резерфорд, У. Крукс,
О.У. Ричардсон). В дальнейшем эта школа внесла крупный вклад в разви-
тие электроники.
Из русских физиков над исследованием дуги и практическим ее
применением для освещения работали: П.Н. Яблочков (1847–1894); В.Н.
Чиколев (1845–1898); Н.Г. Славянов (сварка, переплавка металлов дугой);
Н.Н. Бернардос (применение дуги для освещения).
Несколько позднее исследованием дуги занимались профессор Д.А.
Лачинов и академик В.Ф. Миткевич. Разряды в газах исследовал профес-
сор А.Г. Столетов (1881–1891).
Впервые обнаружил внешний фотоэффект немецкий физик Генрих
Герц (1887 г.), экспериментируя с открытым им электромагнитным полем.
В 1881 году Т.А. Эдисон впервые обнаружил явление термоэлек-
тронной эмиссии.
В своем развитии электроника прошла несколько важных этапов.
1 этап (До ламповая электроника)
Этап начался с изобретением электрического телеграфа и телефона.
В 1874 году немецкий ученый Браун открыл выпрямительный эффект в
контакте металл–полупроводник. На его основе русский изобретатель А.С.
Попов создал первый радиоприемник.
Датой изобретения радио в России принято считать 7 мая 1895 г. ко-
гда Попов выступил с докладом и демонстрацией на заседании физическо-
го отделения русского физико–химического общества в Петербурге.
Впервые изобретение А.С. Попова было использовано поздней осе-
нью 1899 г. во время аварии броненосца береговой обороны "Генерал-
адмирал Апраксин", севшего на камни у южной оконечности о. Гогланд.
Для обеспечения руководства работами по снятию броненосца с камней
Попов предложил организовать радиосвязь между островами Коткой и
Гогландом. На берегу были поставлены мачты, подвешены антенны и ус-
 257

тановлена аппаратура. В течение всего времени спасательных работ связь

между берегом и островами, а также связь с броненосцем поддерживалась
по радио.
В это же время радиотелеграф А.С. Попова обеспечил спасение ры-
баков, находившихся на оторванной льдине. Приказание командиру ледо-
кола "Ермак" выйти в море и оказать помощь рыбакам было передано с
острова Котки на остров Гогланд по беспроволочному телеграфу, 27 рыба-
ков были сняты "Ермаком" со льдины.
В 1901 г. на Черном море А.С. Попов достиг надежной связи между
кораблями на расстоянии до 150 км.
Для развития радиосвязи в разных странах велись разработки и ис-
следования различных типов простых и надежных обнаружителей высоко-
частотных колебаний – детекторов. Они были созданы на основе элек-
тронно-вакуумной лампы.

а б
Рисунок 1 – Изобретение радиосвязи: а - Александр Степанович Попов
(1859 — 1905). Русский физик и электротехник, профессор (1901), ректор
(1905) Санкт-Петербургского императорского электротехнического ин-
ститута Александра III; б – одна из первых конструкций радиоприемника
с телеграфной лентой
2 этап (Ламповая электроника)
Второй этап развития электроники начался с 1904 г. когда англий-
ский ученый Джон А. Флеминг сконструировал электровакуумный диод,
рисунок 2.
Основными частями диода (рисунок 3, а) являются два электрода на-
ходящиеся в вакууме. Металлический анод (А) и металлический катод (К)
 258

нагреваемый электрическим током до температуры, при которой возникает

термоэлектронная эмиссия.

а б
Рисунок 2 - Изобретение вакуумного диода: а - сэр Джон Амброз Флеминг
(1849 — 1945) — член Лондонского королевского общества (1892). Изо-
бретатель лампы с термокатодом; б – диод Флеминга

а б
Рисунок 3 – Конструкция электродов электронно-вакуумных ламп:
а – диода; б - триода
В вакууме при положительном, относительно катода напряжении на
аноде Va электроны движутся к аноду, вызывая ток Ia в анодной цепи. При
отрицательном напряжении анода Va эмитируемые электроны возвраща-
ются на катод и ток в анодной цепи равен нулю.
Таким образом, электровакуумный диод обладает односторонней
проводимостью, что используется при выпрямлении переменного тока.
 259

В 1907 г. американский инженер Ли де Форест установил, что по-

местив между катодом (К) и анодом (А) металлическую сетку (с) и подавая
на нее напряжение Vc можно управлять анодным током Ia практически без
инерционно и с малой затратой энергии. Так появилась первая электронная
усилительная лампа – триод (рисунок 3, б ). Ее свойства как прибора для
усиления и генерирования высокочастотных колебаний обусловили бы-
строе развитие радиосвязи.

а б
Рисунок 4 - Изобретение вакуумного триода: а - Ли де Форест (1973 -
1961) американский изобретатель, почётный член американского Инсти-
тута Радиоинженеров; б – первый ламповый триод
Период с 1913 по 1919 годы – время резкого развития электронной
техники. В 1913 г. немецкий инженер Александр Мейснер разработал схе-
му лампового регенеративного приемника и с помощью триода получил
незатухающие гармонические колебания, что практически решило про-
блему радиотелефонии. С этого времени радиотехника становится лампо-
вой. В России первые радиолампы были изготовлены в 1914 году в Санкт–
Петербурге консультантом русского общества беспроволочного телегра-
фирования Н.Д. Папалекси, будущим академиком АН СССР.
Большой вклад в развитие отечественной ламповой электроники
внес М.А. Бонч – Бруевичем. С 1916 по 1918 г. он занимался созданием
электронных ламп и организовал их производство. В 1918 году возглавил
Нижегородскую радиолабораторию, объединив лучших радиоспециа-
листов того времени. В марте 1919 года в нижегородской радиолабо-
ратории началось серийное производство электровакуумной лампы РП–1.
В 1920 году М.А. Бонч–Бруевич закончил разработку первых в мире гене-
раторных ламп с медным анодом и водяным охлаждением, мощностью до
1 кВт.
Переход от длинных волн к коротким и средним, и изобретение су-
пергетеродина и развитие радиовещания потребовали разработки более со-
 260

вершенных ламп, чем триоды. Разработанная в 1924 г. и усовершенство-

ванная в 1926 г. американцем А. Хеллом экранированная лампа с двумя
сетками (тетрод), и предложенная им же 1930 г. электровакуумная лампа с
тремя сетками (пентод), решили задачу повышения рабочих частот радио-
вещания. Пентоды стали самыми распространенными радиолампами.
В дальнейшем были разработаны электровакуумные приборы с но-
выми принципами управления электронными потоками. Сюда относятся
многорезонаторные магнетроны (1938 г), клистроны (1942 г), лампы об-
ратной волны ЛОВ (1953 г). Эти достижения электровакуумной техники
обусловили развитие таких отраслей как радионавигация, радиолокация,
импульсная многоканальная связь.
В 30–е годы были заложены осно-
вы радиотелевидения. Первые передаю-
щие трубки, названные иконоскопами
(1931), построил в США Владимир
Козьмич Зворыкин, рисунок 5. В США
он эмигрировал в 1917.
На базе электронных ламп появи-
лись практически все современные уст-
ройства электроники: радиопередающая
и радиоприемная аппаратура, телевизо-
ры; электронные измерительные прибо-
ры (ламповые вольтметры, частотомеры,
Рисунок 5 – В. Зворыкин осциллографы и т.д.); радиолокацион-
(1888 - 1982) - русский инженер, ные станции и компьютеры. Но лампы
один из изобретателей имели ряд недостатков, которые тормо-
современного телевидения. зили развитие электроники:
- большие габариты и вес;
- низкий коэффициент полезного действия, из-за необходимости на-
грева катода;
- хрупкость и сложность конструкции;
- короткий срок службы.
3 этап (Транзисторная электроника)
Третий период развития электроники – это период создания и вне-
дрения дискретных полупроводниковых приборов, начавшийся с изобре-
тения точечного транзистора.
Биполярный транзистор был создан 16 декабря 1947 г. сотрудниками
лаборатории "Белл Телефон"– Д. Бардиным и У. Браттейном, под руково-
дством У. Шокли.
Устройство, изобретенное Д. Бардиным и У. Браттейном, было на-
звано точечным транзистором. Усиление сигнала осуществлялось за счет
 261

большого различия в величинах сопротивления, низкоомного входного и

высокоомного выходного. Поэтому создатели нового прибора назвали его
сокращенно – транзистором (в пер. с английского – "преобразователь со-
противления").

Рисунок 6 - Изобретатели транзистора (слева направо):

Уильям Брэдфорд Шокли (1910 – 1989), лауреат Нобелевской премии по
физике (1956). Джон Бардин (1908 – 1991), дважды лауреат Нобелевской
премии по физике (1956, 1972). Уолтер Хаузер Браттейн (1902 – 1987),
лауреат Нобелевской премии по физике (1956).

а б
Рисунок 7 – Транзисторы: а - первый в мире работающий транзистор;
б – современные транзисторы (КТ813А, КТ315А, КТ242Б, КТ605Б)
Одновременно, в период апрель 1947 – январь 1948 г., У. Шокли
опубликовал теорию плоскостных биполярных транзисторов. Плоскостные
транзисторы обладают рядом преимуществ перед точечными: они более
доступны теоретическому анализу, обладают более низким уровнем шу-
 262

мов, обеспечивают большую мощность. Д. Бардин и У. Браттейн в резуль-

тате испытания многочисленных вариантов получили работающий полу-
проводниковый прибор.
Изобретение транзисторов явилось знаменательной вехой в истории
развития электроники и поэтому его авторы были удостоены нобелевской
премии по физике за 1956 г.
Появление транзисторов – это результат кропотливой работы десят-
ков выдающихся ученых и сотен виднейших специалистов, которые в те-
чении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках.
Среди них были не только физики, но и специалисты по электронике, фи-
зической химии, материаловедению.
Начало серьезных исследований относится к 1833 году, когда Майкл
Фарадей работая с сульфидом серебра, обнаружил, что проводимость по-
лупроводников растет с повышением температуры, в противоположность
проводимости металлов, которая в этом случае уменьшается.
В конце XIX века были установлены три важнейших свойства полу-
проводников:
1. Появление ЭДС при освещении полупроводника.
2. Рост электрической проводимости полупроводника при освеще-
нии.
3. Выпрямляющее свойство контакта полупроводника с металлом.
В 20-е годы ХХ в. выпрямляющие свойства контакта полупроводни-
ков с металлом начали практически использовать в радиотехнике. Радио-
специалисту из Нижегородской радиотехнической лаборатории Олегу Ло-
севу в 1922 году удалось применить выпрямляющее устройство на контак-
те стали с кристаллом цинкита в качестве детектора, в детекторном прием-
нике под названием "Кристадин". Продолжая исследование кристалличе-
ских детекторов, Лосев открыл свечение карборунда при прохождении че-
рез него электрического тока. Спустя 20 лет это же явление было снова от-
крыто итальянским физиком Ж. Дестрио и получило название электролю-
минесценции.
Важную роль в развитии теории полупроводников в начале 30-х го-
дов сыграли работы, проводимые в России под руководством академика
А.Ф. Иоффе. В 1931 году он опубликовал статью с пророческим названи-
ем: "Полупроводники – новые материалы электроники". Немалую заслугу
в исследование полупроводников внесли советские ученые – академик Б.В.
Курчатов, профессор В.П. Жузе и др. Они показали, что величина и тип
электрической проводимости определяется концентрацией и природой
примеси. Немного позднее, советский физик – член-корреспондент АН
СССР Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках пар-
ных носителей заряда: электронов и дырок.
 263

В 1938 г. Невилл Ф. Мотт в Анг-

лии, А.С. Давыдов в СССР, Вальтер
Шоттки в Германии сформулировали,
независимо, теорию выпрямляющего
действия контакта металл-
полупроводник. Эти работы выполняе-
мые учеными разных стран и привела к
экспериментальному созданию сначала
точечного, а затем и плоскостного тран-
зистора.
Первый полевой транзистор был
Рисунок 8 - Абрам Фёдорович запатентован в США в 1926-1928 гг.
Иоффе (1880 - 1960) - физик, профессором Лейпцигского универси-
академик (1920), тета Юлиусом Лилиенфельдом, но ре-
вице-президент АН СССР ально изготовить первый полевой тран-
(1942—1945) зистор удалось в 1960 г.
В 1952 г. У. Шокли описал униполярный (полевой) транзистор с
управляющим электродом.
В 1963 г. С. Хофштейн и Ф. Хайман описали другую конструкцию
полевого транзистора, где используется поле в диэлектрике, расположен-
ном между пластиной полупроводника и металлической пленкой. Такие
транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник называются
МДП-транзисторы (или МОП-транзисторы).
В СССР первый советский биполярный транзистор был создан неза-
висимо от работы американских учёных. Первыми транзисторами, выпу-
щенными отечественной промышленностью были точечные транзисторы,
которые предназначались для усиления и генерирования колебаний часто-
той до 5 МГц. В дальнейшем, накопленный опыт позволил перейти к вы-
пуску более совершенных плоскостных приборов.

а б в
Рисунок 9 - Первые советские транзисторы: а – точечный П1А;
б – плоскостной П3А; в – низкочастотный П6Б
 264

С появлением биполярных полевых транзисторов начали воплощать-

ся идеи разработки малогабаритных ЭВМ. Но с увеличением числа эле-
ментов электронных систем практически не удавалось обеспечить их рабо-
тоспособность сразу же после сборки, и обеспечить, в дальнейшем, надеж-
ность функционирования систем. Даже опытные сборщики и наладчики
ЭВМ допускали несколько ошибок на 1000 спаек. Требовалась длинная и
кропотливая наладка. Решение проблемы соединений и явилось предпо-
сылкой к появлению микроэлектроники. Прообразом будущих микросхем
послужила печатная плата, в которой все одиночные проводники объеди-
нены в единое целое и изготавливаются одновременно групповым методом
путем стравливания медной фольги с плоскости фольгированного диэлек-
трика. Единственным видом интеграции в этом случае являются провод-
ники.
К моменту изобретения интегральных микросхем из полупроводни-
ковых материалов уже научились изготавливать дискретные транзисторы и
резисторы. Для изготовления конденсатора уже использовали емкость об-
ратно смещенного p-n перехода. Для изготовления резисторов использова-
лись омические свойства кристалла полупроводника. На очереди стояла
задача объединить все эти элементы в одном устройстве.
4 этап (Микроэлектроника)
В 1958 году двое учёных, живущих в совершенно разных местах,
изобрели практически идентичную модель интегральной схемы. Один из
них, Джек Килби, работал в фирме Texas Instruments, другой, Роберт Нойс,
был одним из основателей небольшой компании по производству полу-
проводников Fairchild Semiconductor. Обоих объединил вопрос: «Как в ми-
нимум места вместить максимум компонентов?».
Транзисторы, резисторы, конденсаторы и другие детали в то время
размещались на платах отдельно, и учёные решили попробовать их объе-
динить на одном монолитном кристалле из полупроводникового материа-
ла. Только Д. Килби воспользовался германием, а Р. Нойс предпочёл крем-
ний. В 1960 году Р. Нойс предложил и запатентовал идею монолитной ин-
тегральной схемы (Патент США 2981877) и изготовил первые кремниевые
монолитные интегральные схемы. В монолитной интегральной схеме би-
полярные кремниевые транзисторы и резисторы соединены между собой
тонкими и узкими полосками алюминия, которые лежат на диэлектриче-
ской подложке из оксида кремния. Алюминиевые соединительные дорож-
ки изготавливаются методом фотолитографии, путем травления слоя алю-
миния напыленного на всю поверхность оксида. Такая технология получи-
ла название – технология монолитных интегральных схем.
 265

Одновременно Д. Килби изготовил триггер на одном кристалле гер-

мания, выполнив соединения золотыми проволочками. Такая технология
получила название – технология гибридных интегральных схем.

а б
Рисунок 10 - К изобретению микросхемы: а - Роберт Нортон Нойс (1927 -
1990), американский инженер, один из изобретателей интегральной
схемы (1959), один из основателей Fairchild Semiconductor (1957),
основатель, совместно с Г. Муром, корпорации Intel (1968); б - Джек
Килби (1923 - 2005), американский учёный. Лауреат Нобелевской премии
по физике в 2000 году за своё изобретение интегральной схемы в 1958
году. Член Национальной инженерной академии США (1967). В 1978—1984
профессор Техасского сельскохозяйственного и машиностроительного
ун-та. Он также изобретатель карманного калькулятора и
термопринтера (1967)
После того как в 1961 году Fairchild Semiconductor Corporation пус-
тила интегральные схемы в свободную продажу, их сразу стали использо-
вать в производстве калькуляторов и компьютеров вместо отдельных тран-
зисторов, что позволило значительно уменьшить размер и увеличить про-
изводительность.
В июле 1968 г. Гордон Мур и Роберт Нойс уходят из отделения по-
лупроводников фирмы Fairchild и 28 июня 1968 года организуют крохот-
ную фирму Intel из двенадцати человек, которые арендуют комнатку в Ка-
лифорнийском городе Маунтин Вью. Задача, которую поставили перед со-
бой Г. Мур, Р. Нойс и примкнувший к ним специалист по химической тех-
нологии – Э. Гроув, использовать огромный потенциал интеграции боль-
шого числа электронных компонентов на одном полупроводниковом кри-
сталле для создания новых видов электронных приборов. Эта задача ими
была успешно решена.
 266

а б
Рисунок 11 - Первые микросхемы: а - первая в мире интегральная
микросхема, созданная 12 сентября 1958 г. Д. Килби; б - одна из первых
микросхем разработанная Р. Нойсом
В СССР толчком к развитию работ по микросхемам явилось произ-
водство американской фирмой Texas Instruments микроэлектронных ком-
понентов, разработанных Д. Килби, для использования в системе наведе-
ния ракеты "Минитмен".
С 1959 года разработки отечественных кремниевых интегральных
схем, по сути дела, представляли собой непрерывный процесс конкурент-
ной заочной борьбы с Джеком Килби. Первая в СССР полупроводниковая
интегральная микросхема была разработана на основе планарной техноло-
гии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименован в
НИИ "Пульсар").
Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы
(ИС) было сконцентрировано на разработке и производстве серии инте-
гральных кремниевых схем, аналога американских ИС серии SN-51 фирмы
Texas Instruments. Работы проводились по оборонному заказу для исполь-
зования в автономном высотомере системы наведения баллистической ра-
кеты.
Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых инте-
гральных схем для воспроизводства были получены из США. Копирование
их было строго регламентировано приказами Министерства электронной
промышленности. Концепция копирования импортных микросхем жёстко
контролировалась министром на протяжении более 19 лет вплоть до 1974
года.
 267

Действовали концепции повторения и копирования американского

технологического опыта – методы так называемой "обратной инженерии".
Появление интегральных микросхем сыграла решающую роль, в
развитие электроники, положив начало новому этапу микроэлектроники.
Этапы развития микроэлектроники
Интегральными микросхемами (ИС) стали называться микроэлек-
тронные устройства, рассматриваемые как единое изделие, имеющее вы-
сокую плотность расположения элементов эквивалентных элементам
обычной схемы.
Их развитие шло следующим образом:
- 1960 – 1969 гг. – ИС малой степени интеграции, 102 транзисторов на кри-
сталле размером 0,25 x 0,5 мм;
- 1969 – 1975 гг. – ИС средней степени интеграций, 103 транзисторов на
кристалле;
- 1975 – 1980 гг. – ИС с большой степенью интеграции, 104 транзисторов
на кристалле;
- 1980 – 1985 гг. – ИС со сверхбольшой степенью интеграции, 105 транзи-
сторов на кристалле;
- с 1985 г. – ИС с ультрабольшой степенью интеграции, 107 и более транзи-
сторов на кристалле.
Развитие микроэлектроники шло более полувека. За это время неук-
лонно росла степень интеграции элементов в кристалле.
По закону Г. Мура, одного из основателей фирмы Intel, сформулиро-
ванному в 1965 г., число элементов на одной ИС каждые 24 месяца удваи-
вается. Пока этот закон соблюдается.
В 2007 году Г. Мур заявил, что закон, очевидно, скоро перестанет
действовать из-за атомарной природы вещества и ограничения скорости
света.

4.1.2 Полупроводниковые материалы и их свойства. Создание

в полупроводнике различных типов проводимости
Все материалы (вещества) по электропроводности условно делятся
на 3 группы: металлы, полупроводники и диэлектрики.
Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводи-
мости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектрика-
ми и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводи-
мости от внешних воздействий.
Для изготовления полупроводниковых приборов применяют простые
вещества четвертой группы таблицы Менделеева: германий (Ge), кремний
(Si) или селен (Se), и соединения элементов, например арсенид галлия
(GaAs), фосфорит галлия (GaP), карбид кремния (SiC).
 268

Характерной особенностью полупроводников, отличающей их от

металлов, является возрастание их электропроводности с ростом темпера-
туры и при введении в полупроводник специальных примесей.
При повышении температуры удельное электрическое сопротивле-
ние у металлов увеличивается, у полупроводников – уменьшается.
Собственные полупроводники
Кремний и германий – это элементы четвертой группы периодиче-
ской системы элементов Менделеева. Они имеют по 4 валентных электро-
на, которые участвуют в парно-электронных или ковалентных связях с со-
седними атомами, см. рисунок 12.

Рисунок 12 – Кристаллическая решетка кремния

При повышении температуры часть электронов, имеющих большую
энергию, освобождается от связей, и становятся свободными носителями
заряда (могут свободно перемещаться в межатомном пространстве). При
этом в разорванной ковалентной связи как бы появляется положительный
заряд, по величине равный заряду электрона, который и приписывают дыр-
ке.
Фактическое движение электронов (связанных электронов) по кова-
лентным связям может быть заменено движением дырки в противопо-
ложном направлении.
Образование свободных электронов и дырок называют генерацией
носителей заряда. Она происходит при нагревании полупроводника (те-
пловая генерация) и при воздействии на полупроводник квантового света
(световая генерация), электрических полей, поляризующих излучений.
 269

Одновременно с генерацией идет обратный процесс – рекомбинация но-

сителей заряда (соединение электрона и дырки). В результате чего исче-
зают пары носителей заряда. В состоянии термодинамического равновесия
процессы генерации и рекомбинации уравновешены.
Примесные полупроводники
Большинство полупроводниковых приборов изготавливают на осно-
ве примесных полупроводников. Примесные полупроводники получают из
собственных с помощью введения донорных или акцепторных примесей.
Акцепторные примеси – элементы третьей группы периодической
системы элементов Менделеева (индий, галлий, алюминий и т.д.). Атомы
акцепторной примеси принимают (поглощают) свободные электроны и,
соответственно, поставляют дырки. Атом акцепторной примеси имеет три
валентных электрона, следовательно, одна ковалентная связь в кристалли-
ческой решетке полупроводника не будет заполнена и ее заполняет элек-
трон из соседнего атома. При этом образуется дырка и отрицательный ион.
В полупроводнике с акцепторной примесью концентрация дырок (pр) мно-
го больше концентрации электронов (nр), которые так же образуются в ре-
зультате естественной генерации и, следовательно, основными носители
заряда в полупроводнике являются дырки, а неосновными – электроны.
Электропроводность такого полупроводника дырочная, а сам полупровод-
ник называется полупроводником p-типа (p (positive) — дырочный тип
проводимости), рисунок 13.

Рисунок 13 - Полупроводник р-типа.

 270

Донорные примеси – элементы пятой группы таблицы Менделеева

(сурьма, фосфор, мышьяк и т.д.). Атомы донорной примеси поставляют
свободные электроны. Атомы донорной примеси замещают часть атомов
собственного полупроводника. Четыре валентных электрона атома донора,
участвуют в связях, а пятый превращается в свободный электрон. Сам
атом при этом становится положительным ионом. Концентрация свобод-
ных электронов (nn) много больше, чем концентрация дырок (pn), которые
так же образуются в результате естественной генерации. В таком полупро-
воднике основные носители заряда – электроны, а неосновные – дырки,
электропроводность полупроводника электронная, а сам полупроводник
называется полупроводником n-типа (n (negative) — электронный тип
проводимости), рисунок 14.

- - - - - -

Si Si Sb

-
- - - - - -

Sb Si Si

- - - - + -
- -

Si Sb Si

- - - - - -

Рисунок 14 - Полупроводник n-типа

Объем полупроводника n-типа или p-типа остается электрически
нейтральным, если носители заряда не покидают пределы полупроводника.

4.1.3 Р-n переход и его вольтамперная характеристика.

Свойства перехода
P-n переход – это переходный слой между двумя областями полу-
проводника с разным типом проводимости.
В германии и кремнии двухслойная p–n структура (рисунок 15) соз-
дается введением в один из слоев монокристалла акцепторной примеси, а в
другой – донорной примеси.
 271

Рисунок 15 – Образование p–n перехода

Атомы акцепторов и доноров можно считать полностью ионизиро-
ванными, т.е. практически все акцепторные атомы присоединяют к себе
электроны. Создавая при этом дырки, а донорные атомы отдают свои элек-
троны, которые становятся свободными. При нормальной температуре
кроме основных носителей заряда в каждом из слоев имеются неосновные
носители заряда, создаваемые путем перехода электронов основного мате-
риала в зону проводимости.
Нужно помнить, что концентрация неосновных носителей заряда,
существенно меньше концентрации основных носителей заряда.
При соприкосновении слоев кристалла с разным типом проводимо-
сти электроны и дырки из соответствующих областей диффундируют в те
области, где они отсутствуют. При этом в приграничных областях появля-
ются объемные заряды, создаваемых ионами атомов примесей. Они об-
разуют двойной запирающий электрический слой. Этот слой создает по-
тенциальный барьер ϕ 0 на границе полупроводников с разным типом про-
водимости. Данный барьер препятствует диффузии основных носителей
заряда, то есть переходу электронов из полупроводника n-типа в полупро-
водник p-типа и переходу дырок в обратном направлении.
Если к p–n–структуре приложить внешнее напряжение U , которое
совпадает по направлению с направлением запирающего электрического
поля ϕ 0 , то потенциальный барьер возрастает и становится равным ϕ 0 + U .
рисунок 16,а.
При этом увеличивается объемный заряд в p–n переходе и его шири-
на. Возросший потенциальный барьер затрудняет прохождение через p–n
переход основных носителей заряда, вследствие чего ток, создаваемый
этими носителями заряда, уменьшается. Такое включение p-n перехода на-
зывается обратным включением. Ток основных носителей заряда в
этом случае через переход не протекает. Но, для неосновных носителей
это включение будет способствовать их движению через переход. По-
скольку концентрация неосновных носителей в примесных полупроводни-
 272

ках много меньше концентрации основных, их ток, называемый обратным

током p-n перехода, будет незначительным.

а б
Рисунок 16 – P-n переход: а – обратное включение; б – прямое включение
Рассмотрим случай, когда внешнее напряжение подключено к p–n
структуре в прямом направлении, то есть противоположно направлению
запирающего электрического поля. (плюсом источника к выводу p–
области, а минусом источника – к выводу n–области), рисунок 16,б. Это
приводит к уменьшению результирующего поля в p–n переходе. Величина
ϕ 0 − U определяет величину потенциального барьера в p–n переходе при
включении внешнего напряжения в прямом направлении. Уменьшение
объемного заряда (потенциального барьера) проявляется в сужении p–n
перехода, которое происходит в основном за счет n–слоя, как более высо-
коомного.
Уменьшение потенциаль-
ного барьера облегчает переход
основных носителей заряда че-
рез границу раздела в соседние
области, что приводит к увели-
чению тока через p–n переход.
Указанное явление называют
инжекцией носителей заряда
через p–n переход.
Таким образом, при пря-
мом включении через переход
начинает протекать ток основ-
ных носителей.
Рисунок 17 – Вольтамперная Вольтамперная характе-
характеристика p-n перехода ристика p-n перехода показана
на рисунке 17.
 273

При подаче большого обратного напряжения происходит пробой p-n

перехода. В этом режиме напряжение на переходе остается постоянным в
широком диапазоне изменения тока.
Объемные заряды, образованные ионами на границе перехода обу-
славливают наличие емкости p-n перехода q . Емкость перехода равна
q
C= . (1)
ϕ0 + U
При увеличении обратного напряжения емкость, в соответствии с
выражением (1), снижается. При этом происходит расширение p-n перехо-
да. Аналогично снижается емкость плоского конденсатора при раздвига-
нии пластин.
Контрольные вопросы
1. Введение в электронику. Основные этапы развития электроники.
2. Роль русских ученых в развитии электроники.
3. Полупроводниковые материалы и их свойства.
4. Создание в полупроводнике различных типов проводимости.
5. Р-n переход и его основные свойства.
 274

Лекция 4.2 Полупроводниковые диоды, разновидности и

применение
План лекции
1) Полупроводниковый выпрямительный диод. Классификация дио-
дов.
2) Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей. Принцип ра-
боты. Пульсации выпрямленного напряжения и сглаживающие фильтры.

4.2.1 Полупроводниковый выпрямительный диод.

Классификация диодов
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор
с одним р-n переходом, имеющий два омических вывода, (рисунок 1,а).
Одна из областей р-n структуры (р+), называемая эмиттером, имеет боль-
шую концентрацию основных носителей заряда, чем другая область, назы-
ваемая базой.
Статическая вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводни-
кового диода изображена на рисунке 1,б. Здесь же пунктиром показана
теоретическая ВАХ электронно-дырочного перехода.

б
Рисунок 1 – Полупроводниковый диод: а – структура; б - вольтамперная
характеристика (ВАХ) полупроводникового диода
 275

Она определяется соотношением

(
I = I0 e
U /( mU )
T
)
−1 , (1)
где I0 - обратный ток насыщения (ток экстракции, обусловленный неос-
новными носителями заряда; значение его очень мало);
U - напряжение на p-n-переходе;
U T = kT/e - температурный потенциал (k - постоянная Больцмана),
U T =25,28 мВ при T=20 C°;
Т – температура в градусах Кельвина,
е - заряд электрона;
m - поправочный коэффициент: m = 1 для германиевых р-n переходов и m
= 2 для кремниевых p-n переходов при малом токе.
Кремниевые диоды имеют существенно меньшее значение обратного
тока по сравнению с германиевыми диодами, вследствие более низкой кон-
центрации неосновных носителей заряда. Обратная ветвь ВАХ у кремние-
вых диодов при данном масштабе практически сливается с осью абсцисс.
Прямая ветвь ВАХ у кремниевых диодов расположена значительно правее,
чем у германиевых.
Максимально допустимое увеличение обратного тока диода опреде-
ляет максимально допустимую температуру диода, которая составляет
+(80 ÷ 100) °С для германиевых диодов и +(150 ÷ 200) °С для кремниевых.
Минимально допустимая температура диода лежит в пределах - (60 ÷
70)°С.
Дифференциальным сопротивлением диода называют отношение
приращения напряжения на диоде к вызванному им приращению тока:
rДИФ = dU / dI . (2)
Отсюда следует, что для p-n-перехода rДИФ ≈ U T I = 0,02528 / I при
нормальной температуре.
Пробой диода
При обратном напряжении диода свыше определенного критическо-
го значения наблюдается резкий рост обратного тока (рисунок 1). Это яв-
ление называют пробоем диода.
Пробой диода возникает либо в результате воздействия сильного
электрического поля в р-n переходе (рисунок 2, кривая 1 и 2). Такой про-
бой называется электрическим. Он может быть лавинным - кривая 1 или
туннельным - кривая 2.
Лавинный пробой обусловлен лавинным размножением носителей в
p-n переходе в результате ударной ионизации атомов быстрыми носителя-
ми заряда. Он происходит следующим образом. Неосновные носители за-
ряда, поступающие в p-n переход при действии обратного напряжения, ус-
 276

коряются полем и при движении в нем сталкиваются с атомами кристалли-

ческой решетки. При соответствующей напряженности электрического по-
ля, носители заряда приобретают энергию, достаточную для отрыва ва-
лентных электронов. При этом образуются дополнительные пары носите-
лей заряда – электроны и дырки, которые, ускоряясь, полем, при столкно-
вении с атомами также создают дополнительные носители заряда. Описан-
ный процесс носит лавинный характер.
Лавинный пробой возникает в широких p–n переходах, где при дви-
жении под действием электрического поля носители заряда, встречаясь с
большим количеством атомов кристалла, в промежутке между столкнове-
ниями приобретают достаточную энергию для их ионизации.
В основе туннельного пробоя лежит непосредственный отрыв ва-
лентных электронов от атомов кристаллической решетки под действием
сильного электрического поля. Образующиеся при этом дополнительные
носители заряда (электроны и дырки) увеличивают обратный ток через p-n
переход. Туннельный пробой развивается в узких p-n переходах, где при
сравнительно небольшом обратном напряжении имеется высокая напря-
женность поля.
Лавинный и туннельный пробои сопровождаются появлением почти
вертикального участка на обратной ветви вольтамперной характеристики.
Причина этого заключается в том, что небольшое повышение напряжения
на p-n переходе вызывает более интенсивную генерацию в нем носителей
заряда при лавинном или туннельном пробое.

Рисунок 2 – Рост обратного Рисунок 3 – ВАХ стабилитрона

тока при обратном напряжении
 277

Оба эти вида пробоя являются обратимыми процессами. Это озна-

чает, что они не приводят к повреждению диода и при снижении обратного
напряжения на диоде его свойства сохраняются.
Пробой может возникать в результате разогрева p-n перехода при
протекании тока большого значения и при недостаточном теплоотводе, не
обеспечивающем устойчивость теплового режима перехода (рисунок 2,
кривая 3). Это тепловой пробой.
Тепловой пробой является необратимым. Нормальная работа диода в
качестве элемента односторонней проводимостью возможна лишь в режи-
мах, когда обратное напряжение не превышает пробивного значения
U ОБР MAX . Значение допустимого обратного напряжения устанавливается с
учетом исключения возможности электрического пробоя и составляет от
напряжения (0,5 ÷ 0,78)U ОБР MAX .
Возможность теплового пробоя p–n–перехода учитывается указани-
ем в паспорте на прибор допустимого обратного напряжения U обр. max и
температурного диапазона работы. Величина допустимого обратного на-
пряжения устанавливается с учетом исключения возможности электриче-
ского пробоя и составляет (0,5÷0,8) Uпр.
Классификация диодов
Выпрямительные диоды используют для выпрямления переменных
токов частотой 50 Гц ÷100 кГц. В них используется главное свойство p-n
перехода - односторонняя проводимость.
На схемах выпрямительные диоды изображаются так, как показано
на рисунке 4. Там же приведен общий вид некоторых выпрямительных
диодов, как отечественных, так и импортных.

а б в г
Рисунок 4 – Выпрямительные диоды: а - условное обозначение;
б – маломощный высоковольтный диод BY228; в – диод средней мощности
Д246А; г – мощный выпрямительный диод на ток 250 А типа Д185-500.
Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжения на на-
грузке при изменении питающего напряжения или сопротивления нагрузки,
для фиксации уровня напряжения и т. д.
 278

Условное обозначение стабилитрона приведено на рисунке 5.

а б в г д е
Рисунок 5 – Стабилитрон: а – условное обозначение; б - 2С133А; в - КС156А;
г - КС527А; д - КС210Б; е - КС175С
Для стабилитронов рабочим является участок электрического пробоя
ВАХ в области обратных напряжений (рисунок 3). На этом участке напря-
жение на диоде остается практически постоянным при изменении тока че-
рез диод.
Основные параметры стабилитрона:
номинальное напряжение стабилизации U СТ . НОМ - напряжение на ста-
билитроне в рабочем режиме (при заданном токе стабилизации);
минимальный ток стабилизации I СТ . MIN - наименьшее значение тока ста-
билизации, при котором режим пробоя устойчив;
максимально допустимый ток стабилизации I CT . MAX - наибольший ток
стабилизации, при котором нагрев стабилитронов не выходит за допусти-
мые пределы.
Дифференциальное сопротивление rCT - отношение приращения напря-
жения стабилизации к вызывающему его приращению тока стабилизации:
rCT . = ∆U CT / ∆I CT . . (3)
К параметрам стабилитронов также относят максимально допусти-
мый прямой ток I MAX , максимально допустимый импульсный ток
I ПР . И . MAX , максимально допустимую рассеиваемую мощность PMAX .
Варикап – полупроводниковый диод, в котором используется зависи-
мость емкости p-n перехода от обратного напряжения и который предназна-
чен для применения в качестве электрически управляемой емкости.

Условное обозначение варикапа таково:

Основными параметрами варикапа является общая емкость Св [пФ],

которая указывается в справочниках при небольшом обратном напряже-
нии, обычно при 4 В. У большинства варикапов Св =10÷500 пФ.
 279

Cmax
Коэффициент перекрытия по емкости KC = =5 – 20.
Cmin
Варикапы применяют в системах автоматической настройки частоты
радиоприемной аппаратуры и в параметрических усилителях с малым
уровнем собственных шумов.

4.2.2 Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей.

Принцип работы. Пульсации выпрямленного напряжения и
сглаживающие фильтры

Устройство, предназначенное для преобразования переменного тока

в постоянный ток, называется выпрямителем.
Необходимость выпрямления тока на практике возникает: в электро-
приводе постоянного тока, системах возбуждения электрических машин,
химической промышленности, системах управления и регулирования, при
передаче электроэнергии постоянным током на дальние расстояния и т.д.
Однофазные выпрямители имеют мощность до нескольких сотен
ватт. Такие устройства нужны для питания постоянным током систем
электроники, управления и переработки информации.
Структурная схема системы преобразования энергии с однофазным
выпрямителем показана на рисунке 6.
Основой ее является выпрямитель на одном или нескольких диодах.
Функция трансформатора на входе - вспомогательная. Он нужен для полу-
чения требуемой величины выпрямленного напряжения.

Рисунок 6 – Структурная схема источника питания

Кривая выпрямленного напряжения помимо постоянной составляю-
щей, которая называется средним значением выпрямленного напряжения,
содержит и пульсирующую составляющую. Ее наличие обычно нежела-
тельно. Поэтому к выходу выпрямителя подключают сглаживающие
фильтры для снижения величины пульсаций.
Между сглаживающим фильтром и нагрузкой иногда включают стаби-
лизатор напряжения. Он обеспечивает поддержание с необходимой точно-
стью требуемой величины напряжения на нагрузке в условиях изменения на-
пряжения питающей сети и тока нагрузки. В данной лекции мы не рассматри-
ваем работу стабилизаторов напряжения.
 280

В настоящее время такие ИВЭП вытесняются импульсными преобра-

зовательными устройствами, работающими на частотах, составляющих де-
сятки и сотни килогерц. При этом удается значительно уменьшить разме-
ры и вес устройства.
Все выпрямители классифицируют следующим образом:
- по управлению выходным напряжением. Различают управляемые и
неуправляемые выпрямители. В неуправляемых выпрямителях в качестве
вентилей используют диоды. Выходное напряжение таких выпрямителей
регулировать невозможно. В управляемых выпрямителях сопротивление
нелинейного элемента зависит не только от полярности напряжения, но и
от управляющих сигналов. В качестве вентилей в таких выпрямителях ис-
пользуют тиристоры либо комбинации тиристоров и диодов;
- по форме напряжения на выходе различают однополупериодные и
двухполупериодные выпрямители. Однополупериодным называют выпря-
митель, выходное напряжение которого соответствует только одному по-
лупериоду входного. Выпрямитель, выходное напряжение которого соот-
ветствует положительному и отрицательному полупериодам входного на-
пряжения, называют двухполупериодным;
- по числу фаз входного напряжения. Напряжение на входе выпря-
мителя может быть однофазным, трехфазным или многофазным. Соответ-
ственно, различают однофазные, трехфазные и многофазные выпрямители.
Перечислим основные параметры выпрямителей.
1. Среднее значение выпрямленного напряжения
T
1
U cp = ∫ U вых dt , (4)
T 0
где U вых - выходное напряжение выпрямителя;
Т – период сетевого напряжения.
2. Среднее значение выходного тока
T
1
icp = ∫ iвых dt . (5)
T 0
где iвых - выходной ток выпрямителя.
3. Выходная мощность выпрямителя
P = U cp ⋅ I cp . (6)
4. Коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения
U
ε = m1 , (7)
U cp
где U m1 - амплитуда первой (основной) гармоники пульсаций.
 281

Из большого количества схемных решений выпрямителей рассмо-

трим лишь наиболее часто применяемые в источниках электропитания
(рисунок 7).
Тр1 VD1

CФ
Uср
~ Uвх

VD2

а б

VD1 VD2 VD3

А Тр1

В
Uср
С

VD4 VD5 VD6

в г
Рисунок 7 - Основные схемы выпрямителей: а – однополупериодный; б –
двухполупериодный; в – мостовой; г – мостовой трехфазный
Однополупериодная схема выпрямителя (рисунок 7,а) используется
обычно при выходной мощности до 10 Вт и в тех случаях, когда допуска-
ется сравнительно высокий коэффициент пульсаций. Достоинством схемы
является минимальное число диодов, недостатком — низкая частота пуль-
саций, равная частоте входного тока. При наличии трансформатора имеет
место недостаточное его использование и подмагничивание магнитопро-
вода постоянным током.
Двухполупериодная схема с выводом средней точки (рисунок 7,б)
используется обычно при выходной мощности до 500 Вт. Достоинством
схемы является возможность применения диодов с электрически со-
единенными катодами в виде диодных сборок, а также возможность уста-
новки диодов на общий радиатор. К недостаткам следует отнести услож-
нение конструкции трансформатора из-за вывода средней точки вторичной
обмотки трансформатора и повышенное обратное напряжение на диодах.
Мостовая однофазная схема (рисунок 7,в) используется в широком
диапазоне выходных мощностей (обычно более 300 Вт). Достоинством
схемы является повышенная частота пульсаций, низкое обратное напря-
жение на диодах, возможность работы без трансформатора. Недостатком
 282

схемы является повышенное падение напряжения на диодах и не-

обходимость применения изолирующих прокладок при установке диодов
на один радиатор.

а б
а – схема удвоения напряжения, б – схема учетверения напряжения
Рисунок 8 – Схемы умножителей напряжения

Рисунок 9 – Шестифазная однотактная схема выпрямления

Мостовая трехфазная схема (рисунок 7,г) обладает высоким коэффи-
циентом использования мощности трансформатора, малым значением об-
ратного напряжения на диоде, повышенной частотой пульсаций вы-
прямленного напряжения. Схема используется в широком диапазоне вы-
ходных мощностей и выпрямленных напряжений. Соединение вторичной
обмотки трансформатора звездой позволяет избежать появления уравни-
тельных токов при асимметрии фазных напряжений. Схема может приме-
няться без трансформатора.
В устройствах высокого напряжения применяются схемы выпрями-
телей (рисунок 7,а-г), а также схемы с диодно-конденсаторными умно-
жителями напряжения (рисунок 8). Трансформатор в такой схеме ис-
пользуется как промежуточное звено и выполняет функцию предвари-
тельного повышения напряжения. Массогабаритные характеристики вы-
соковольтных выпрямителей оказывают существенное влияние на ха-
рактеристики высоковольтных источников электропитания, так как кроме
преобразования напряжения выпрямитель должен обеспечить элек-
трическую изоляцию высоковольтных и низковольтных цепей. В за-
 283

висимости от значения выходного напряжения и выходной мощности

трансформаторно-выпрямительные модули занимают от 30 до 60 % массы
и объема высоковольтных источников электропитания.
Шестифазная однотактная схема (рисунок 9) применяется для по-
лучения низких напряжений (менее 10 В) при токах нагрузки до сотен ам-
пер. Первичная обмотка трансформатора должна быть соединена в тре-
угольник для исключения вынужденного намагничивания магнитопровода.
Пульсации выходного напряжения в этой схеме такие же, как в трехфазной
мостовой, но трансформатор должен быть рассчитан на более высокую га-
баритную мощность. Целесообразность применения схемы для низких на-
пряжений объясняется тем, что падение напряжения на диодах в каждом
такте работы в 2 раза меньше по сравнению с трехфазной мостовой схе-
мой.
Принципы работы выпрямителей, сглаживающие фильтры
Простейшим выпрямителем может служить обычный полупро-
водниковый диод, включаемый последовательно с нагрузкой в цепь пере-
менного тока (рисунок 7,а). В этом случае нелинейность вольтамперной
характеристики диода обусловливает протекание тока в цепи нагрузки
только в одном направлении. Выходное напряжение меньше входного на
величину падения напряжения на открытом диоде.
При воздействии напряжения положительной полярности («+» при-
ложен к аноду диода, как показано на рисунке 7,а) диод открывается, па-
дение напряжения на нем мало по сравнению с питающим напряжением, а
через нагрузку протекает ток, определяемый напряжением питания и со-
противлением нагрузки. При воздействии питающего напряжения обрат-
ной полярности диод закрывается, и ток в нагрузку не поступает.
Таким образом, напряжение на выходе рассматриваемого вы-
прямителя имеет вид однополярных импульсов, форма которых практиче-
ски повторяет форму положительной волны питающего напряжения пере-
менного тока.
Среднее значение выпрямленного напряжения
U 2 ⋅U 2
U cp = 2 m = ≈ 0, 45 ⋅ U 2 , (8)
π π
где U 2m - амплитуда напряжения вторичной обмотки трансформатора;
U 2 - действующее значение напряжения вторичной обмотки трансформа-
тора.
Максимальное обратное напряжение на диоде
U обр.max = 2 ⋅ U 2 = π ⋅ U cp . (9)
Максимальный ток диода
 284

2 ⋅U 2
I д max = = π ⋅ I cp . (10)
R
Подобные выпрямители получили название - однополупериодных.
Кривая выходного напряжения показана на рисунке 10.

Рисунок 10 – Кривая выходного напряжения однофазного

однополупериодного выпрямителя
Важным параметром выпрямителя является коэффициент пульсаций
выпрямленного напряжения. Для однополупериодного выпрямителя коэф-
фициент пульсаций ε = π 2 = 1,57 .
Их использование ограничено областью вспомогательных маломощ-
ных источников постоянного тока, так как они характеризуются плохим
использованием силового трансформатора и выходного сглаживающего
фильтра.
Схема на рисунке 7,б относится к двухполупериодным (двух-
тактным) выпрямительным схемам, в которых ток по цепи нагрузки проте-
кает в течение обоих полупериодов питающего напряжения переменного
тока. Выпрямители подобного типа получили в литературе название вы-
прямителей с выводом нулевой точки вторичной обмотки трансформатора.
Во вторичной обмотке трансформатора индуцируются напряжения
U 2′ и U 2′′ , имеющие противоположную полярность. Диоды проводят ток
поочередно, каждый в течение полупериода. В положительный полупери-
од открыт диод VD1, а в отрицательный – диод VD2. Ток в нагрузке имеет
одинаковое направление в оба полупериода, поэтому напряжение на на-
 285

грузке имеет форму, показанную на рисунке 11. Выходное напряжение

меньше входного на величину падения напряжения на диоде.

Рисунок 11 – Кривая выходного напряжения двухполупериодного

выпрямителя со средней точкой
В двухполупериодном выпрямителе постоянная составляющая тока
и напряжения увеличивается вдвое по сравнению с однополупериодной
схемой
2 2U 2′m 2 ⋅ U 2′
I ср = I 2 m ; U cp = = ≈ 0,9 ⋅ U 2 . (11)
π π π
Из последней формулы определим действующее значение напряже-
ния вторичной обмотки трансформатора
π
U 2′ = U cp ≈ 1,1 ⋅ U cp . (12)
2 2
Коэффициент пульсаций в данном случае значительно меньше, чем у
однополупериодного выпрямителя
2
ε = = 0,67 . (13)
3
Существенным недостатком схемы на рисунке 11 является то, что к
запертому диоду приложено обратное напряжение, равное удвоенной ам-
плитуде напряжения одного плеча вторичной обмотки трансформатора
U обр. max = 2 ⋅ U 2 m = 2 2 ⋅ U 2 . (14)
Поэтому необходимо выбирать диоды с большим обратным напря-
жением.
 286

Более рационально используются диоды в мостовом выпрямителе.

Мостовая схема двухполупериодного выпрямителя показана на рисунке
7,в.
При выпрямлении положительного полупериода переменного на-
пряжения ток проходит по следующей цепи: верхний вывод вторичной
обмотки – вентиль VD1 – верхний вывод нагрузки – нагрузка - нижний вы-
вод нагрузки - вентиль VD4 – нижний вывод вторичной обмотки – обмот-
ка.
При выпрямлении отрицательного полупериода переменного напря-
жения ток проходит по следующей цепи: нижний вывод вторичной обмот-
ки – вентиль VD2 – верхний вывод нагрузки - нагрузка – нижний вывод на-
грузки – вентиль VD3 – верхний вывод вторичной обмотки – обмотка.
Как видим, в обоих случаях направление тока через нагрузку одина-
ково.
По сравнению с выпрямителями, выполненными по схеме с общей
точкой (рисунок 7,б), выпрямители, выполненные по мостовой схеме, со-
держат вдвое большее количество выпрямительных диодов и ха-
рактеризуются большими потерями мощности в них, однако позволяют
использовать диоды с вдвое меньшим допустимым обратным напряжени-
ем. Кроме того, мостовая выпрямительная схема характеризуется лучшим
использованием трансформатора вследствие того, что ток в его вторичной
обмотке протекает в течение обоих рабочих полупериодов.
В выпрямителях, выполненных по схеме с выводом нулевой точки
вторичной обмотки трансформатора, ток нагрузки протекает поочередно
через две идентичные полуобмотки, каждая из которых при прочих равных
условиях содержит столько же витков, сколько их содержит вся вторичная
обмотка трансформатора в мостовой выпрямительной схеме.
Выпрямители, выполненные по мостовой схеме, принципиально мо-
гут подключаться к сети переменного тока и без трансформатора. Такое
включение используется в тех случаях, когда не требуется электрической
изоляции цепи нагрузки выпрямителя от питающей сети, а выходное на-
пряжение выпрямителя определяется только напряжением питания.
Схемами с умножением напряжения называются такие выпрямитель-
ные схемы, в которых выходное напряжение в 2 - 4 раза или более превы-
шает значение напряжения на вторичной обмотке высоковольтного транс-
форматора. В качестве дополнительных источников э.д.с., предназначен-
ных для увеличения выходного напряжения, в таких схемах используют
конденсаторы, периодически заряжаемые при помощи полупроводнико-
вых диодов.
На рисунке 8,а приведена схема однофазного выпрямителя с удвое-
нием напряжения, состоящая из двух однофазных выпрямительных схем с
диодами VD1 и VD2 и конденсаторами С1 и С2. Оба этих выпрямителя со-
 287

единены между собой последовательно, и их суммарное напряжение при-

кладывается к нагрузке. Напряжение на каждом из конденсаторов фильтра
С1 и С2 примерно равно напряжению на выходной обмотке трансформа-
тора Тр1, а напряжение на нагрузке вдвое превышает последнее за счет
суммирования напряжений на указанных конденсаторах.
В силовых выпрямителях большое распространения получили трех-
фазные схемы. Мостовые варианты этих схем носят название схем Ларио-
нова и характеризуются малыми пульсациями выходного напряжения, да-
же без применения сглаживающих фильтров.
Сглаживающие фильтры
Сглаживающие фильтры применяются для снижения переменной со-
ставляющей выпрямленного напряжения. Они включаются между вы-
прямителем и нагрузкой.
Наибольшее распространение получили RC и LC-фильтры с двумя
компонентами, включенными по Г-образной схеме (рисунок 12,а, б). По-
следовательный компонент (L или R) обладает большим сопротивлением
переменному току, а параллельный компонент (C) - малым сопротивлени-
ем переменному току. Недостатком резисторов в схемах сглаживающих
фильтров является большая потеря мощности постоянного тока.
Одним из основных показателей фильтра является коэффициент
сглаживания пульсаций. Он равен отношению коэффициента пульсаций
ε вх на входе фильтра к коэффициенту пульсаций ε вых .
Ha выходе фильтра имеем
ε вх
q= , (15)
ε вых
где ε вх = U m1 / U cp , ε вых = U m1ф / U ср ;
U m1 , U m1ф - амплитуды первой гармоники напряжения на входе фильтра и
выходе, соответственно.

а б
Рисунок 12 – Схемы сглаживающих фильтров: а - активно-
емкостный; б - индуктивно-емкостный
 288

Резонансная частота фильтра ω р определяется зависимостью

1
ωр = (16)
LС
и должна быть существенно меньше частоты первой гармоники пульсаций.
Отсюда следует, что частоты переменных составляющих входного напря-
жения фильтра должны быть существенно больше его резонансной часто-
ты.
Для LC-фильтра параметры выбираются так:
1
С >> , (17)
k ⋅ ω 1 ⋅ Rн
где k – номер гармоники;
ω 1 - основная частота пульсаций (частота первой гармоники пульсаций);
Rн – сопротивление нагрузки выпрямителя.
Индуктивность дросселя фильтра L выбирается исходя из требуемо-
го коэффициента сглаживания пульсаций на заданной гармонике qk
q +1
L≈ 2 k 2 . (18)
k ⋅ω 1 ⋅ С
Для RC-фильтра параметры выбирают таким образом, чтобы обеспе-
чить, с одной стороны, минимальные потери мощности, а с другой сторо-
ны, получить заданное значение коэффициента сглаживания пульсаций.
Поэтому необходимо обеспечить
qk
R << Rн и С ≥ . (19)
k ⋅ω 1 ⋅ R
Обычно RС-фильтр применяют в схемах с большим сопротивлением
Rн. При больших токах нагрузки, когда сопротивление Rн мало, применя-
ется LC-фильтр.
Контрольные вопросы
1. Полупроводниковый выпрямительный диод.
2. Классификация диодов.
3. Схемы однофазных неуправляемых выпрямителей.
4. Принцип работы однофазного однополупериодного выпрямителя.
5. Принцип работы мостового однофазного двухполупериодного
выпрямителя.
6. Пульсации выпрямленного напряжения и сглаживающие фильт-
ры.
 289

Лекция 4.3 Биполярные транзисторы

План лекции
1) Биполярный транзистор (БТ). Принцип работы. Классификация и
основные параметры БТ.
2) Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ. Свойст-
ва и области применения усилительных каскадов на биполярных транзисто-
рах.

4.3.1 Биполярный транзистор. Принцип работы. Классификация

и основные параметры БТ
4.3.1.1 Биполярный транзистор. Принцип работы
Биполярный транзистор (в дальнейшем – БТ), полупроводниковый
элемент с тремя электродами и двумя р-n переходами. Он служит для уси-
ления или переключения электрических сигналов.
Различают кремниевые и германиевые транзисторы. Они бывают р-
п-р и п-р-п типа. На рисунке 1 показаны их условные обозначения.
p-n-p n-p-n
К К
К К
Б Б Б Б
Э Э
Э Э
а б в
Рисунок 1 – Условные обозначения биполярного транзистора: а – БТ р-п-р
типа; б - БТ п-р-п типа; в – конструкция БТ п-р-п.
Биполярный транзистор состоит из двух противоположно включен-
ных р-n переводов, которые имеют общий р- или п- слой.
Электрод, соединенный с ним, называется базой (Б). Два других
электрода называются эмиттером (Э) и коллектором (К), соответственно.
Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с условным обо-
значением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Эта
схема не характеризует полностью функции транзистора, она только дает
возможность представить действующие в нем обратные и прямые напря-
жения.
Обычно переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а пе-
реход база-коллектор - в обратном. Поэтому источники напряжения долж-
ны быть включены, как показано на рисунке 2.
Для работы транзистора абсолютно необходимо, чтобы в его конст-
рукции соблюдалось два правила:
 290

- концентрация основных носителей тока в базе должна быть во мно-

го раз ниже, чем в коллекторе и эмиттере, то есть база изготовляется из
слаболегированного полупроводника, обладающим большим сопротивле-
нием;
- толщина базового слоя должна быть весьма мала.

Рисунок 2 – Полярность включения р-п-р и п-р-п транзисторов

Первые БТ были изготовлены на основе германия. В настоящее вре-
мя их изготавливают в основном из кремния.
По конструкции БТ не симметричен, как показано на рисунке 1,в.
Общая площадь контакта база-эмиттер значительно меньше площади кон-
такта коллектор-база. Поэтому биполярный транзистор общего вида явля-
ется несимметричным устройством (невозможно путем изменения поляр-
ности подключения поменять местами эмиттер и коллектор и получить в
результате абсолютно аналогичный исходному биполярный транзистор).
Выяснение принципа работы БТ проведем на основе п-р-п транзи-
стора. Для р-п-р транзистора рассуждения останутся в силе, изменяться
лишь полярности напряжений и направления токов.

Рисунок 3 – К принципу работы биполярного транзистора

 291

В активном режиме работы транзистор включён так, что его эмит-

терный переход (база – эмиттер) открыт, а коллекторный переход (коллек-
тор - база) закрыт. Такой режим возникает при подаче положительного на-
пряжения на базу, относительно эмиттера. Величина этого напряжения
должна быть достаточна для открывания перехода (0,6 – 0,7 В для кремния
или 0,2 – 0,3 В для германия).
В n-p-n транзисторе электроны, основные носители тока в эмиттере,
проходят через открытый переход эмиттер-база (инжектируются) в область
базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями за-
ряда в базе (дырками), часть диффундирует обратно в эмиттер. Однако, из-
за того что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной,
большая часть электронов, поступающих из эмиттера, диффундирует в об-
ласть коллектора. Сильное электрическое поле обратно смещённого кол-
лекторного перехода захватывает электроны (напомним, что они — неос-
новные носители в базе, поэтому для них переход открыт), и проносит их в
коллектор. Ток коллектора Iк , таким образом, практически равен току
эмиттера Iэ , за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе,
которая и образует ток базы
Iэ Iб
Iэ = Iб + Iк , или разделив на Iк , получим = +1 . (1)
Iк Iк
Iк Iк
Введем обозначения: α = = 0,9 − 0,999 < 1 , β = .
Iэ Iб
Коэффициент α , связывающий ток эмиттера и ток коллектора назы-
вается коэффициентом передачи тока эмиттера. Чем больше коэффи-
циент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало
зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер.
Коэффициент β называется коэффициент усиления транзисто-
ра по току. Действительно, выражение (1) можно записать таким образом
1 1 α
= + 1 , или β = = (10...1000) . (2)
α β 1−α
Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора
пропорционален току базы. Таким образом, изменяя малый ток базы, мож-
но управлять значительно большим током коллектора. В этом и проявля-
ются усилительные свойства транзистора.
Для исследования свойств транзистора приложим входное напряже-
ние Uбэ и измерим выходной ток Iк как функцию выходного напряжения
Uкэ . После ступенчатого повышения входного напряжения получим се-
мейство выходных характеристик (рисунок 4).
Фундаментальным свойством транзистора является тот факт, что
коллекторный ток мало изменяется после достижения Uкэ определенного
 292

значения. Это значение напряжения, при котором выходная характеристи-

ка транзистора имеет изгиб Uкэ нас , называется напряжением насыщения.

Рисунок 4 - Выходные характеристики транзистора.

Другая особенность транзистора заключается в том, что малого из-
менения входного напряжения оказывается достаточно для того, чтобы вы-
звать относительно большое изменение коллекторного тока. Это видно из
передаточной характеристики, изображенной на рисунке 5, которая пред-
ставляет собой зависимость Iк = f (Uбэ) , при этом Uкэ варьируется как
параметр.
Передаточная характеристика транзистора с достаточной точно-
стью описывается экспоненциальной функцией:
Uбэ/U
Iк = Is (T ,Uкэ) ⋅ e T, (3)
где Is (T ,Uкэ) - обратный ток коллекторного перехода транзистора, зави-
сящий от температуры окружающей среды и напряжения Uкэ ;
К ⋅ Т 1,38 ⋅ 10−23 [Дж/К] ⋅ 296[К]
UT = = = 25,5 мВ - термический потенциал р-
е0 1,6 ⋅ 10−19 [Кулон]
n перехода.
Изменение коллекторного тока Iк в зависимости от Uбэ характери-
зуется крутизной транзистора S,
∂Iк
S= , при Uкэ = const . (4)
∂Uбэ
Эту величину можно рассчитать, используя выражение (3):
Is Uбэ/UT Iк
S= ⋅e = . (5)
UT UT
 293

Таким образом, крутизна пропорциональна коллекторному току и не

зависит от индивидуальных свойств транзистора. Поэтому для ее опреде-
ления не требуется измерений.
Iк, мА

15

10

∆Iк
5

∆Uбэ

0 0,5 1,0 Uбэ, В

Рисунок 5 - Передаточная характеристика транзистора

Зависимость коллекторного тока от напряжения коллектор-эмиттер
характеризуется дифференциальным выходным сопротивлением:
∂Uкэ
Rкэ = , при Uбэ = сonst . (6)
∂Iк
Из рисунка 4 видно, что с ростом коллекторного тока оно уменьша-
ется. С высокой точностью сопротивление Rкэ обратно пропорционально
Iк ,
Uγ
Rкэ = . (7)
Iк
Коэффициент пропорциональности Uγ называется напряжением Эр-
ли. Его можно определить, измерив Rкэ . Типовое значение Uγ находится
в пределах 80÷200 В для n-p-п транзисторов и 40÷150 В для p-n-р транзи-
сторов.
Для описания входной цепи транзистора как нагрузки, соединенной
с входным источником напряжения, вводят дифференциальное входное
сопротивление.
∂Uбэ
Rбэ = , при Uкэ = сonst . (8)
∂Iб
Его можно определить по входной характеристике транзистора, при-
веденной на рисунке 6.
 294

Эта характеристика, как и передаточная, описывается экспоненци-

альной функцией. Таким образом, коллекторный ток пропорционален ба-
зовому току.
Iб,
мкА
150

100

∆Iб
50

∆Uбэ

0 0,5 1,0 Uбэ, В

Рисунок 6 – Входная характеристика транзистора

Коэффициент пропорциональности, определенный на постоянном
токе, называют статическим коэффициентом усиления по току. Его
обозначают буквой β .
Коэффициент усиления по току несколько зависит от величины тока
коллектора и приводится в справочниках по транзисторам в виде графи-
ков. Типовая зависимость β = f (Iк ) )для маломощного транзистора пока-
зана на рисунке 7.

Рисунок 7 - Типовая зависимость β = f (Iк ) маломощного транзистора

 295

Зная крутизну - S и коэффициент усиления по току - β , можно рас-

считать входное сопротивление транзистора Rбэ :
∂Uбэ ∂Uбэ β β ⋅UT
Rбэ = = = = . (9)
∂Iб ∂ ( Iб / β ) S Iк
В справочных изданиях, обычно вместо величины β , приведено
значение h21Э - статического коэффициента передачи тока в режиме малого
сигнала, численно данные величины совпадают.
Величина h21Э зависит также от частоты входного сигнала, но для
относительно низких частот сигналов, которые используются в схемах
промышленной электроники (автоматики, телемеханики, измерительной
техники и т.д.), эту зависимость при анализе и расчете схем часто можно
не учитывать.
Из выражения (3), следует, что характеристики транзисторов доста-
точно сильно зависят от температуры. Наиболее важной для практики, яв-
ляется зависимость напряжения база-эмиттер от температуры, она подчи-
∆Uбэ
няется закону: = (2,2 ÷ 2,7) мВ/К и если не принимать специальных
∆Т
мер, термокомпенсации, то при повышении температуры на каждые 10°
ток коллектора увеличивается почти вдвое.
При разработке транзисторных схем следует помнить несколько ос-
новных правил, которые следуют из рассмотрения характеристик транзи-
сторов. Они заключаются в следующем:
1. Из передаточной характеристики транзистора следует, что при
комнатной температуре, напряжение на базе транзистора увеличивается на
60 мВ при увеличении тока коллектора в 10 раз.
2. Из входной характеристики следует, что собственное сопротивле-
ние эмиттера, которое выступает как последовательное во всех транзи-
сторных схемах равно: 25 / Iк [Ом], где ток Iк измеряется в миллиампе-
рах. Оно ограничивает усиление усилителя с общим эмиттером, приводит
к тому, что коэффициент усиления эмиттерного повторителя чуть меньше
единицы и не позволяет выходному сопротивлению эмиттерного повтори-
теля стать равным нулю.
3. Напряжение между базой и эмиттером зависит от температуры,
при фиксированном токе коллектора оно уменьшается в среднем на 2.2
мВ/°С.
4. Напряжение между коллектором и эмиттером хоть в слабой мере,
но зависит от напряжения между коллектором и эмиттером при постоян-
ном значении тока коллектора. Этот эффект приближенно описывается за-
висимостью: ∆Uбэ ≈ −0,001 ⋅ ∆Uкэ .
 296

4.3.1.2 Классификация и основные параметры БТ

Кроме параметров БТ указанных выше и определяемых по его стати-
ческим характеристикам, важными параметрами транзистора являются:
- граничная частота коэффициента передачи тока - f T , это часто-
та на которой коэффициент передачи по току транзистора становится рав-
ным 1.
- максимальная мощность, рассеиваемая коллекторным перехо-
дом при которой транзистор не перегревается выше допустимой температу-
ры;
- максимально допустимый ток это максимальный ток коллектора,
который прибор может выдержать, не выходя из строя.
Классификация биполярных транзисторов производится по мощности
и граничной частоте коэффициента передачи тока.
По мощности, рассеиваемой коллекторным переходом, транзисторы
бывают:
- малой мощности P < 0,3 Вт;
- средней мощности 0,3 Вт < P < 1,5 Вт;
- большой мощности P > 1,5 Вт.
По частотному диапазону транзисторы делятся на:
- низкочастотные < 3 МГц;
- среднечастотные 3 МГц < < 30 МГц;
- высокочастотные 30 МГц < < 300 МГц;
- сверхвысокочастотные > 300 МГц.
Для маркировки отечественных биполярных транзисторов использу-
ется буквенно-цифровая система условных обозначений согласно ОСТ
11.336.038-77. Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или
семи элементов.
Первый элемент – буква или цифра, указывающая исходный матери-
ал: Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – арсенид галлия.
Второй элемент – буква, указывающая на тип транзистора: Т – би-
полярный, П – полевой.
Третий элемент – цифра, указывающая на частотные свойства и
мощность транзистора.
Таблица 1 – Структура третьей цифры в маркировке БТ
Мощность
Частота Малой Средней Большой
мощности мощности мощности
Низкочастотный 1 4 7
Среднечастотный 2 5 8
Высоко- и сверхвысокочастотный 3 6 9
 297

Четвертый, пятый, (шестой) элементы – цифры, указывающие по-

рядковый номер разработки.
Шестой (седьмой) элемент – буква, указывающая на разновидность
транзистора из данной группы.
Примеры обозначения транзисторов:
КТ315А – кремниевый БТ малой мощности высокочастотный, номер
разработки - 15, подгруппа параметров А;
2Т827Б – кремниевый БТ большой мощности среднечастотный номер
разработки - 27, подгруппа параметров Б;
ГТ108А – германиевый БТ малой мощности низкочастотный, номер
разработки – 8, подгруппа параметров А.

4.3.2 Схемы включения биполярных транзисторов ОЭ, ОК и ОБ.

Свойства и области применения усилительных каскадов на
биполярных транзисторах
Транзистор имеет три электрода, но электронные схемы на его осно-
ве, должны иметь два входных и два выходных контакта, т.е. являться че-
тырехполюсниками. Поэтому при включении транзистора в электрическую
цепь один из его электродов делается общим для входного и выходного
сигнала. Таким образом, могут быть три варианта включения транзистора:
с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК).
Каждая схема имеет свои особенности и области применения, которые рас-
смотрены далее.
4.3.2.1 Схема с общим эмиттером (ОБ)
Схема каскада усиления на БТ с общей базой приведена на рисунке 8.
Iк

Rк
Iэ
Е

Uвх Uвых

Рисунок 8 – Схема каскада усиления с ОБ

Усилительные свойства схемы не велики:
∆Iк
коэффициент усиления по току Ki = = α < 1;
∆Iэ
 298

∆Uкб
коэффициент усиления по напряжению Ku = = 10 ÷ 100 ;
∆Uбэ
коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 10 ÷ 100 .
Входное сопротивление схемы можно приближенно определить:
1 Rбэ
Rвх ≈ = . (10)
S β
Входное сопротивление весьма мало так как входная цепь транзисто-
ра при этом представляет собой открытый эмиттерный переход и не превы-
шает для маломощных транзисторов 100 Ом, а для мощных еще ниже.
Выходное сопротивление схемы достаточно велико и примерно равно
Rвых ≈ Rк . (11)
Максимальная рабочая частота равна граничной частоте транзистора
fT .
Достоинства схемы с ОБ:
- хорошие температурные и частотные свойства;
- высокое допустимое напряжение.
Недостатки схемы с общей базой:
- малое усиление по току, так как α < 1;
- малое входное сопротивление;
- необходимы два разных источника напряжения для питания.
В силу специфических свойств данная схема применяется в основ-
ном для построения высокочастотных каскадов усиления, например, вход-
ных каскадов радиоприемной аппаратуры.
4.3.2.2 Схема с общим эмиттером (ОЭ)
Схема каскада усиления на БТ с общим эмиттером приведена на ри-
сунке 9.
Iк

Rк

Е
VT
Iб
Uвых
Uвх

Рисунок 9 – Схема каскада усиления с ОЭ

Схема имеет хорошие усилительные свойства:
 299

∆Iк
коэффициент усиления по току Ki = =β;
∆Iб
коэффициент усиления по напряжению
∆Uкэ Iк ⋅ Rк
Ku = =− = 10 ÷ 100 ;
∆Uбэ UТ
коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 100 ÷ 10 000 .
Таким образом, коэффициент усиления каскада по напряжению не за-
висит от параметров транзистора, а определяется величиной тока коллекто-
ра и сопротивлением коллекторной нагрузки.
Входное сопротивление схемы можно определить так:
β β ⋅ UT
Rвх = Rбэ = = . (12)
S Iк
Входное сопротивление схемы с ОЭ в β раз выше, чем схемы с ОБ.
Оно составляет от 100 Ом до 10 кОм.
Выходное сопротивление схемы достаточно велико и примерно равно
Rк ⋅ Rкэ
Rвых ≈ . (13)
Rк + Rкэ
Максимальная рабочая частота меньше, чем для схемы с ОБ в β раз и
равна f T β .
Данный усилительный каскад имеет хорошие усилительные свойства,
поэтому является основой для создания всевозможных усилительных схем.
Достоинства схемы с общим эмиттером:
- большой коэффициент усиления по току;
- большой коэффициент усиления по напряжению;
- наибольшее усиление мощности;
- можно обойтись одним источником питания;
- выходное переменное напряжение инвертируется относительно
входного.
Недостатки схемы с общим эмиттером:
- худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схе-
мой с общей базой
4.3.2.3 Схема с общим эмиттером (ОК)
Схема каскада усиления на БТ с общим коллектором приведена на
рисунке 10,а.
Рассмотрим работу данной схемы. Если приложить входное напряже-
ние Uвх > 0,6 В, то через открывшийся транзистор будет протекать эмит-
терный ток, который вызовет радение напряжение на резисторе Rэ. Выход-
ное напряжение возрастет на столько, чтобы напряжение Uбэ транзистора
достигло 0,6 В. Тогда выходное напряжение будет равно
 300

Uвых = Uвх − Uбэ ≈ Uвх − 0,6 В. (14)

Iк

Rг Iб VT

Uвх
Rэ Uвых

а б
Рисунок 10 – Схема каскада усиления с ОК: а – принципиальная схема;
б – кривые входного и выходного напряжений
Поскольку в процессе работы транзистора напряжение Uбэ изменяет-
ся мало, то выходное напряжение каскада будет повторять входное напря-
жение со сдвигом по уровню на 0,6 В, рисунок 10,б.
Поскольку коэффициент усиления по напряжению в схеме близок к 1,
то данный каскад часто называю эмиттерным повторителем.
Точно, коэффициент усиления по напряжению можно определить по
формуле
1 Rэ ⋅ Rкэ
Ku ≈ , где Rэк = . (15)
1 + 1 ( S ⋅ Rэк ) Rэ + Rкэ
Величина Rкэ определяется по формуле (7).
∆Iэ
Коэффициент усиления по току составляет Ki = ≈ β = 10 ÷ 100 .
∆Iб
Коэффициент усиления по мощности Kр = Кi ⋅ Кu = 10 ÷ 100 .
Входное сопротивление схемы можно определить так:
Rвх ≈ β ⋅ Rэ . (16)
Входное сопротивление схемы с ОК может быть весьма большим и
составлять от 100 кОм до 1 МОм.
Выходное сопротивление схемы мало и приближенно равно
 1 Rг 
Rвых ≈  +  Rэ , (17)
 S β 
где Rг - внутреннее сопротивление источника сигнала. При Rг ≈ 0 ,
Rвых ≈ 1 S .
Максимальная рабочая частота здесь такая же, как и для схемы с ОЭ и
равна f T β .
Достоинства схемы с общим коллектором:
 301

- большое входное сопротивление;

- малое выходное сопротивление.
Недостатки схемы с общим коллектором:
- коэффициент усиления по напряжению меньше 1.
Эмиттерный повторитель представляет собой преобразователь сопро-
тивления. Он передает практически всю величину ЭДС источника сигнала
на более низкоомный резистор нагрузки.
Данные схемы применяют как входные каскады усилителей, рабо-
тающие от маломощных источников сигналов с высоким внутренним со-
противлением. Эмиттерные повторители используют и как усилители мощ-
ности. Это выходные каскады, работающие на низкоомную нагрузку.

Контрольные вопросы
1. Биполярные транзисторы. Условные обозначения. Устройство и
принцип работы.
2. Классификация и основные параметры и характеристики биполяр-
ных транзисторов.
3. Схема включения транзистора с ОБ. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
4. Схема включения транзистора с ОЭ. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
5. Схема включения транзистора с ОК. Свойства и области примене-
ния данного каскада.
 302

Лекция 4.4 Полевые транзисторы

План лекции
1) Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип работы.
2) Основные параметры и схемы включения.
3) Свойства и области применения усилительных каскадов на поле-
вых транзисторах.

4.4.1 Полевые транзисторы и их разновидности. Принцип

работы
Полевой транзистор (ПТ) - полупроводниковый прибор, в котором
ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электриче-
ского поля, создаваемого входным сигналом.
Идея ПТ с изолированным затво-
ром была предложена австро-
венгерским физиком Ю.Э. Лилиенфель-
дом в 1926—1928 года. Он запатентовал
принцип работы ПТ, который основан
на электростатическом эффекте поля.
Полевые транзисторы намного опереди-
ли биполярные, может быть из-за более
простого принципа их работы.
Патент на устройство, аналогич-
ное униполярному ПТ с изолированным
Рисунок 1 - Лилиенфельд Юлий
затвором, был получен английским учё-
Эдгар (1882 - 1963), изобрета-
ным Оскаром. Хейлом в 1939 году, за-
тель полевого транзистора
долго до появления биполярного тран-
зистора. В 1952 году У. Шокли дал теоретическое описание униполярного
полевого транзистора, который впоследствии получил название полевого
транзистора с управляющим p-n переходом.
В 1960 году М. Аталла и Д. Кант предложили использовать структу-
ру «металл – диэлектрик (окисел) – полупроводник» (МДП или МОП со-
кращенно). В ней проводимость поверхностного канала изменялась в по-
лупроводнике под действием напряжения, приложенного к металлическо-
му электроду, изолированному тонким слоем окисла полупроводника.
Основа полевого транзистора – это созданный в полупроводнике и
снабжённый двумя выводами канал с электропроводностью n - или p - ти-
па. Поскольку ток канала обусловлен носителями только одного знака, ПТ
относят к классу униполярных транзисторов.
Сопротивлением канала управляет третий электрод. Он помещается
посредине, рисунок 2.
 303

Электрод, от которого начинается движение носителей заряда, на-

зывают истоком, а электрод, на который подаётся управляющий электри-
ческий сигнал, называется затвором. Электрод, к которому движутся но-
сители заряда, называется стоком.
Проводящий канал - это область в полупроводнике, в которой регу-
лируется поток носителей заряда. В связи с тем, что управление током в
выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично элек-
тровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, парамет-
ры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от
характеристик биполярных транзисторов.
В идеальном случае эффект управления током достигается без поте-
ри энергии (входной ток почти равен нулю).

Рисунок 2 –Устройство ПТ с управляющим р-п переходом

Полевые транзисторы обладают следующими преимуществами
по сравнению с биполярными:
- высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой
частоте, отсюда и малые потери на управление;
- высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рас-
сасывания неосновных носителей);
- почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей,
малая проходная ёмкость, что обеспечивает хорошие высокочастотные
свойства ПТ;
- высокая температурная стабильность;
- малый уровень шумов.
В зависимости от того, как затвор изолируется от канала, различают
два типа полевых транзисторов:
- ПТ с управляющим p-n переходом и барьером Шоттки;
- ПТ с изолированным затвором и структурой металл - диэлектрик -
полупроводник (МДП - транзистор). Иногда его называют МОП - транзи-
стором (металл - окисел - полупроводник).
 304

В свою очередь ПТ с изолированным затвором подразделяются на:

- с индуцированным каналом (обогащённого типа);
- co встроенным каналом (обеднённого типа).
Транзисторы с управляющим p-n переходом
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это ПТ, затвор
которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от кана-
ла p-n переходом, смещённым в обратном направлении.
Электропроводность канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому
по электропроводности канала различают полевые транзисторы с n-каналом
и p-каналом. Все полярности напряжений смещения, подаваемых на элек-
троды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.
Управление током стока, то есть током от внешнего источника пита-
ния в цепи нагрузки, происходит при изменении обратного напряжения на
p-n переходе затвора.

а б
Рисунок 3 - Устройство и работа ПТ с управляющим p-n переходом
и каналом n-типа: а - Uзи = 0 и Uси > 0 ; б - Uзи < 0 и Uси > 0
При изменении напряжения Uзи изменяется ширина его р-п перехода.
Тем самым изменяется сечение токопроводящего канала и его проводи-
мость, то есть ток стока прибора, рисунок 3,б и 3,в. Например, для ПТ с ка-
налом n-типа подача отрицательного напряжения на затвор приводит к сни-
жению тока через прибор.
Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналоги-
чен вакуумному триоду. Исток в полевом транзисторе подобен катоду ваку-
умного триода, затвор — сетке, сток — аноду. Но при этом полевой транзи-
стор существенно отличается от вакуумного триода. Во-первых, для работы
полевого транзистора не требуется подогрева катода. Во-вторых, любую из
функций истока и стока может выполнять каждый из этих электродов. В-
третьих, полевые транзисторы могут быть сделаны как с n-каналом, так и с
p-каналом, что позволяет удачно сочетать эти два типа полевых транзисто-
ров в схемах.
 305

От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-

первых, принципом действия: в биполярном транзисторе управление вы-
ходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе —
входным напряжением или электрическим полем.
Работа ПТ описывается двумя основными зависимостями:
- стоко-затворными (передаточными) характеристиками. Это зависи-
мость тока стока от напряжения между затвором и истоком Ic = f (Uзи ) при
Uси = const ;
- стоковыми (выходными) характеристиками. Это зависимость тока
стока от напряжения между стоком и истоком Ic = f (Ucи ) при Uзи = const ;
Условное Передаточная Выходная
обозначение характеристика характеристика

п-канал
С

р-канал
С

Рисунок 4 – Условные обозначения и характеристики ПТ с управляющим

р-п переходом
МДП-транзисторы
МДП-транзистор – это униполярный транзистор, имеющий один или
несколько металлических затворов, изолированных от полупроводниково-
го канала слоем диэлектрика.
В качестве диэлектрика используют окисел кремния SiO2. Отсюда
другое название этих транзисторов — МОП-транзисторы (структура ме-
талл — окисел — полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает вы-
сокое входное сопротивление рассматриваемых транзисторов (1012—1014
Ом).
Принцип действия МДП-транзисторов основан на эффекте измене-
ния проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с
диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Припо-
 306

верхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом

этих транзисторов.
МДП-транзисторы выполняют двух типов — со встроенным и с ин-
дуцированным каналом.
МДП-транзисторы представляют собой в общем случае четырех-
электродный прибор. Четвертым электродом (подложкой), выполняющим
вспомогательную функцию, является вывод от подложки исходной полу-
проводниковой пластины. МДП-транзисторы могут быть с каналом n- или
p-типа. Условные обозначения МДП-транзисторов показаны на рисунке 5.

а б в г д е
Рисунок 5 - Условные обозначения МДП-транзисторов: а - со встроенным
каналом n-типа; б - p-типа; в - p-типа c выводом от подложки;
г -с индуцированным каналом n-типа; д - p-типа; е - p-типа с выводом от
подложки
МДП-транзистор со встроенным каналом
Рассмотрим особенности МДП-транзисторов со встроенным кана-
лом. Конструкция такого транзистора с каналом n-типа показана на рисун-
ке 6.

Рисунок 6 – МДП-транзистор со встроенным каналом n-типа

В исходной пластине кремния p-типа с помощью диффузионной тех-
нологии созданы области истока, стока и канала n-типа. Слой окисла SiO2
толщиной менее 0,1 мкм выполняет функции защиты поверхности, близ-
лежащей к истоку и стоку, а также изоляции затвора от канала. Вывод под-
ложки (если он имеется) иногда присоединяют к истоку.
 307

В случае приложения к затвору напряжения Uзи < 0 поле затвора

оказывает отталкивающее действие на электроны — носители заряда в ка-
нале. Это приводит к уменьшению их концентрации в канале и проводи-
мости канала. Ток через транзистор уменьшается. Такой режим работы
транзистора, при котором происходит уменьшение концентрации зарядов в
канале, называют режимом обеднения.
При подаче на затвор напряжения Uзи > 0 поле затвора притягивает
электроны в канал из p-слоя полупроводниковой пластины. Концентрация
носителей заряда в канале увеличивается, что соответствует режиму обо-
гащения канала носителями. Проводимость канала возрастает, ток Ic уве-
личивается.
Условное Передаточная Выходная
обозначение характеристика характеристика
Iс

+Uзи
0
Iс

+Uзи
0
Рисунок 7 – Характеристики МДП со встроенным каналом
МДП-транзистор с индуцированным каналом
В МДП -транзисторах с изолированным затвором и индуцированным
каналом при отсутствии напряжения на затворе ток между истоком и сто-
ком практически отсутствует.
Транзисторы с индуцированным каналом работают в режиме обога-
щения. При подаче на затвор транзистора с индуцированным каналом не-
которого порогового напряжения Uзи.пор и более, совпадающего по знаку
с напряжением Uси , на поверхности полупроводника индуцируется заряд
противоположного знака, то есть тип проводимости приповерхностного
слоя полупроводника инвертируется и происходит формирование прово-
дящего канала, сопровождающегося ростом тока стока.
Стоковые (выходные) характеристики полевого транзистора с инду-
цированным каналом n-типа близки по виду аналогичным характеристи-
 308

кам транзистора со встроенным каналом. Отличие заключается в том, что

управление током транзистора осуществляется напряжением одной поляр-
ности. Ток Iс равен нулю при Uзи=0, в то время как в транзисторе со
встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряже-
ния на затворе относительно истока.

Рисунок 8 – МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа

МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с p-n
переходом. Входное сопротивление у них составляет 1012—1014 Ом. Значе-
ние межэлектродных емкостей не превышает: для 2 - 10 пФ.
Условное Передаточная Выходная
обозначение характеристика характеристика
Iс Iс

+Uзи

+Uзи Uси
0 0
Iс Iс

-Uзи

-Uзи -Uси
0 0
Рисунок 9 – Характеристики МДП с индуцированным каналом
 309

МДП-транзисторы широко применяются в интегральном исполне-

нии. Микросхемы на МДП-транзисторах обладают хорошей технологич-
ностью, низкой стоимостью, способностью работы при более высоком на-
пряжении питания, чем микросхемы на биполярных транзисторах.

4.4.2 Основные параметры и схемы включения

На рисунке 10 представлена передаточная характеристика типового п-
канального ПТ с управляющим переходом. Качественно она подобна харак-
теристике биполярного транзистора.
Величина тока стока при
Uзи =0 называется – начальным то-
ком стока ( Iсн ). Напряжение, при
котором ток стока достигает мини-
мального значения (в справочниках
установлено 10 мкА), называется –
напряжением отсечки ( Uотс ).
При напряжениях Uзи > Uотс пе-
редаточная характеристика ПТ,
представленная на рисунке 10, опи-
сывается уравнением:
2
Рисунок 10 – Передаточная  Uзи 
Iс = Iсн ⋅  1 −  . (1)
характеристика ПТ с управляющим  Uотс 
переходом с каналом п-типа По передаточной характери-
стике ПТ можно определить крутиз-
ну полевого транзистора
∂Ic 2 ⋅ Iсн 2
S= = ⋅ (Uзи − Uотс ) = ⋅ Iсн ⋅ Iс . (2)
∂Uзи Uomc Uomc
Видно, что крутизна ПТ зависит от тока стока. Чем он больше, тем
больше и крутизна. Особый интерес представляет значение крутизны при
Iс = Iсн , которое обозначается в справочниках через Sн , которое из (2) рано
2 ⋅ Iсн
S= . (3)
Uomc
Типовые значения параметров маломощных полевых транзисторов
составляют: Iсн = 1... 50 мА; Uomc = 0,5... 10 В; Sн = 2... 20 мА/В.
Предельные параметры ПТ такие же, как и у биполярных транзисто-
ров. Дл МДП транзисторов следует обращать особое внимание на предель-
ное допустимое напряжение на затворе транзистора, лежащее в пределах 50
– 100 В. При повышении этого напряжения может произойти пробой оксид-
ной изоляции затвора. Особенно опасны статические разряды, которые мо-
гут привести к пробою транзистора даже при касании его рукой. Поэтому
 310

при обращении с ними, при пайке следует заземлять паяльник, транзистор и

самого монтажника.
Как и в случае с биполярными транзисторами возможны три схемы
включения ПТ: с общим истоком; с общим стоком и с общим затвором. По-
следняя схема на практике не применяется, так как в ней не используется
основное достоинство ПТ – высокоомность входной цепи транзистора.
4.4.2.1 Схема с общим истоком (ОИ)
Принципиальная схема однокаскадного усилителя на ПТ с общим
истоком изображена на рисунке 11. В ней использован п-канальный ПТ с
управляющим переходом. Для задания рабочей точки здесь использована
отрицательная обратная связь по току через резистор Rи.

Rс

VT

Uп

Uвх Rз Rи Uвых

Рисунок 11 – Схема с общим истоком

Для расчета параметров каскада следует выбрать тип ПТ и задать ве-
личину тока стока в рабочем режиме Ica. При этом должно соблюдаться
условие: Ica < Icн.
Требуемое для задания рабочей точки напряжение на затвор ПТ
удобно определять по выражению:
 Ica 
Uзиа = Uотс ⋅  1 − . (4)
 Icн 
Из данного соотношения следует, что сопротивление в цепи истока
будет равно
Uзиа Uотс
Rи = = . (5)
Iса
(
Ica ⋅ 1 − Ica
)Icн
Значение потенциала стока Uca при отсутствии сигнала выбирается
таким, чтобы напряжение Uзи не заходила в область нелинейной началь-
ной части передаточной характеристики ПТ. Для этого потенциал стока
должен удовлетворять соотношению
 311

Uса > Uomc + ∆Uвх. max , (6)

где ∆Uвх. max - амплитуда входного напряжения.
Задав напряжение питания каскада Uп, найдем сопротивление Rc
Uп − Uca
Rc = . (7)
Ica
Крутизна ПТ в рабочей точке определится по соотношению (2).
Коэффициент усиления каскада составит
Ku = − S ⋅ Rc . (8)
Входное и выходное сопротивления каскада будут равны:
Rвх = Rз и Rвых = Rc . (9)
Выбор значения Rз в значительной мере может быть произвольным,
при этом надо помнить, что оно определяет входное сопротивление схемы
и на практике лежит в пределах 1… 10 Мом.
4.4.2.2 Схема с общим стоком (ОС)
Схема с общим стоком, которая часто называется истоковым повто-
рителем, обладает значительно большим входным сопротивлением, чем
предыдущая. В большинстве случаев это не имеет особого значения, по-
скольку оно достаточно велико и для схем с общим истоком. Преимущест-
вом схемы с ОС является то, что она существенно уменьшает входную ем-
кость каскада. В отличие от эмиттерного повторителя выходное сопротив-
ление данной схемы не зависит от выходного сопротивления источника
сигнала. Вид ее показан на рисунке 12.

Рисунок 12 – Схема с общим стоком

Рабочая точка устанавливается в ней аналогично предыдущей схеме,
путем выбора значения тока стока покоя Ica и расчета значения Rи.
Коэффициент усиления (точнее - коэффициент передачи) ее равен:
Us 2 ⋅ Uи Icн
Ku = , где Us = ⋅ . (10)
Us + 1 Uотс Ica
Обычно Кu не более 0.7.. .0.9.
 312

Входное сопротивление такой схемы полностью определяется вели-

чиной резистора Rз и лишь на высоких частотах входного сигнала следует
учитывать наличие входной емкости ПТ, которая составляет несколько пи-
кофарад.
Выходное сопротивление истокового повторителя равно:
1
Rвых ≈ . (11)
S
Величина S должна быть определена для тока стока в режиме покоя
каскада.
Поскольку крутизна ПТ значительно меньше крутизны биполярных
транзисторов, в каскадах с ОС не удается достигнуть таких низких значе-
ний выходного сопротивления как в эмиттерных повторителях. Поэтому,
часто полевые транзисторы включают вместе с биполярным по схеме Дар-
лингтона, см. рисунок 13. В ней результирующая крутизна Sрез составля-
ет:
Sрез ≈ S ⋅ β , (12)
где S - крутизна ПТ;
β - коэффициент усиления биполярного тран-
зистора по току.
Такой каскад имеет много преимуществ
по сравнению с простым ПТ, но недостаток его
Рисунок 13 – Схема в том, что он имеет непредсказуемое смещение,
Дарлингтона на ПТ и БТ из-за разброса характеристик ПТ.

4.4.3 Свойства и области применения усилительных каскадов

на полевых транзисторах
Кроме обычного усиления различных сигналов на ПТ строят ряд спе-
цифических схем, где используются свойства присущие только данным
элементам. Рассмотрим несколько примеров таких схем.
Повторитель на паре согласованных ПТ
В более качественных схемах истоковых повторителях применяют со-
гласованные пары полевых транзисторов с нулевым смещением, рисунок
14,a.
На нем, VТ1 и VТ2 - это согласованная пара ПТ на отдельном крем-
ниевом кристалле. Транзистор VТ2 отбирает ток, в точности равный току
VТ1 при Uзи=0, поэтому на VТ1 получается повторитель с нулевым смеще-
нием. Так как оба транзистора находятся в одинаковых температурных ус-
ловиях, смещение остается почти нулевым при любой температуре. Не-
большой величины резисторы R1 и R2 , улучшают характеристики схемы,
линейность и позволяют установить ток стока отличный от начального. Та-
 313

кие повторители широко применяются в измерительной и медицинской ап-

паратуре, например в качестве входных каскадов усилителей вертикального
отклонения осциллографа.
+Uп
VT1
+Uп
Uвх
R1 Iн

VT
VT2 Uвых

Rи
R2

-Uп _
а б в
Рисунок 14 – Схемы на ПТ: а – повторитель на согласованных ПТ;
б – генератор тока на ПТ; в – стабилизатор тока на ПТ
Источник тока на ПТ
Схема, представленная на рисунке 14,б, является генератором тока.
Известно, что в n-канальном ПТ с управляющим затвором ток стока
течет и тогда, когда вспомогательной напряжение Uзи равно нулю. Это по-
зволяет выполнить источник тока в виде двухполюсника. Благодаря этому
схема может включаться вместо любого омического сопротивления. Такая
схема позволяет стабилизировать ток в заданной ветви.
Для определения величины резистора обратной связи Rи можно вос-
пользоваться формулой вытекающей из передаточной характеристики тран-
зистора:

Rи =
(
Uзи + Uomc ⋅ 1 − Ica Icн) , (13)
Ica
где: Uзи - напряжение подаваемое на затвор ПТ с резистивного делителя
(для схемы на рисунке 14,в - Uзи = 0);
Iса - требуемое значение выходного тока источника.
Внутреннее сопротивление такого источника тока составляет величи-
ну порядка сотен кОм. Данная схема позволяет получать токи величиной от
десятков мА до единиц мкА. Последняя особенность, особенно ценна для
измерительной техники, так как создание на биполярных транзисторах ис-
точников малых токов весьма затруднено из-за большой температурной не-
стабильности теплового тока коллектора в данном режиме.
 314

Полевой транзистор в качестве управляемого сопротивления

Из рассмотрения характеристик полевого транзистора следует, что
вольтамперная характеристика ПТ при малых величинах напряжения сток-
исток почти такая же, как у омического сопротивления. Величину сопро-
тивления канала ПТ можно менять в широких пределах путем изменения
напряжения затвор-исток Uзи.
Для того, чтобы можно было отчетливее наблюдать этот эффект, на
рисунке 15,а представлено семейство выходных характеристик ПТ вблизи
нулевой точки. Для определения величины эквивалентного сопротивления
канала Rcи пользуются выражением:
1
Rси ≈ . (14)
S
Минимальное значение сопротивление канала будет при Uзи=0,
1
Rси мин ≈ . (15)
Sн
Для маломощного ПТ эта величина колеблется от 50 до 500 Ом.
Специальные ПТ предназначенные для работы в качестве управляе-
мых сопротивлений и в аналоговых коммутаторах имеют сопротивление
канала около 10 Ом.

а б
Рисунок 15 - Выходные характеристики ПТ: а – без линеаризации;
б – для линеаризованного ПТ
Схема регулятора напряжения на ПТ показана на рисунке 18,а. Он по-
зволяет передавать цифровые сигналы величиной в несколько вольт, анало-
говые сигналы могут иметь величину до десятых долей вольта. При боль-
ших амплитудах возникают существенные искажения. При больших напря-
жениях между стоком и истоком характеристики ПТ становятся нелиней-
ными, как. это видно из рисунка 15,а.
 315

R1

VT
Uвх Uвых

Uзи

а б
Рисунок 16 – Делители напряжения на ПТ: а – простая схема делителя
напряжения; б – линеаризованная схема делителя напряжения
При передаче через такие устройства аналоговых сигналов необходи-
мо линеаризовать их характеристики. Такая схема приведена на рисунке
16,б. Для этого часть напряжения сток-исток добавляется к напряжению за-
твор-исток с помощью резисторов R1 и R2 и компенсирует нелинейность.
Оптимальная линеаризация характеристик достигается при выборе
R1 ≈ R 2 ≫ Rси .
Линеаризованное семейство характеристик ПТ приведено на рисунке
15,б. Отклонение от линейной зависимости при значении Uзи < 1 В состав-
ляет для них не более 1%.

Контрольные вопросы
1. Полевые транзисторы и их разновидности.
2. Принцип работы полевого транзистора с управляющим р-п пере-
ходом.
3. Принцип работы полевого транзистора с изолированным затвором.
4. Основные характеристики полевых транзисторов (понятия началь-
ного тока стока, крутизны).
5. Схемы включения полевых транзисторов (с ОИ, ОС и ОЗ).
6. Свойства и области применения усилительных каскадов на поле-
вых транзисторах.
7. Источник тока на полевом транзисторе.
8. Применение полевого транзистора в качестве управляемого сопро-
тивления.
 316

Лекция 4.5 Электронные усилители. Обратные связи в

усилителях
План лекции
1) Основные характеристики и параметры усилителей. Многокаскад-
ные усилители.
2) Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной свя-
зи и ее влияние на характеристики усилителя.
3) Использования положительной обратной связи для создания авто-
генераторов и их разновидности.

4.5.1 Многокаскадные усилители. Виды связей между

каскадами
Усилители – это электронные устройства, предназначенные для по-
вышения (усиления) мощности входного сигнала за счет энергии источни-
ка питания.
С точки зрения электрических свойств любой усилитель можно рас-
сматривать как четырехполюсник. На два входных зажима поступает вход-
ной сигнал, а с двух выходных зажимов снимается выходной сигнал.

Рисунок 1 – Общая структура усилителя

На рисунке 1: Eг и Rг - ЭДС и внутреннее сопротивление источни-
ка сигнала, соответственно; Zн - полное сопротивление нагрузки. Эквива-
лентная электрическая схема усилителя показана на рисунке 2.
Любой усилитель со стороны входа может быть представлен некото-
рым входным сопротивлением Rвх .
Со стороны выхода усилитель может быть представлен в виде
управляемого источника напряжения Ku ⋅ Uвх (либо управляемого источ-
ника тока ) и некоторым выходным сопротивлением Rвых .
Как правило, в усилителях вход и выход связаны общей шиной (за-
земление корпуса).
 317

Рисунок 2 – эквивалентная схема усилителя

Иногда используются усилители, не имеющие гальванической связи
между входом и выходом – изолирующие УЭ.
Основные характеристики и параметры усилителей
Основные параметры – коэффициенты усиления.
По напряжению
∆Uвых dUвых U ~ вых
Ku = ≈ = ~ , (1)
∆Uвх dUвх U вх
где ∆Uвых и ∆Uвх - изменение выходного напряжения усилителя и вы-
звавшее его изменение входного напряжения, соответственно;
U ~ вых и U ~ вх - действующие значения входного и выходного переменно-
го напряжения соответственно.
По току
I ~ вых
Ki = ~ , (2)
I вх
где I ~ вых и I ~ вх - действующие значения выходного и входного перемен-
ного тока, соответственно.
По мощности
Pвых
Kp = , (3)
Pвх
где Pвых и Pвх - выходная и входная мощность, соответственно.
Другими важными параметрами усилителя являются его входное
Rвх и выходное Rвых сопротивления.
Входное сопротивление усилителя по переменному току равно
U ~ вх
Rвх = ~ . (4)
I вх
Выходное сопротивление усилителя определяется так
U ХХ вых
Rвых = КЗ , (5)
I вых
 318

где U ХХ вых - выходное напряжение усилителя в режиме холостого хода

(при отсутствии нагрузки Zн );
I КЗ вых - выходной ток усилителя в режиме короткого замыкания (при
Zн = 0 ).
Поскольку усилители содержат реактивные элементы и усилитель-
ные свойства транзисторов зависят от частоты, то, следовательно, и коэф-
фициент усиления зависит от частоты входного сигнала.
Зависимость коэффициента усиления от частоты называется ампли-
тудно-частотной характеристикой усилителя (АЧХ). Она показана на
рисунке 3.

Рисунок 3 – АЧХ электронного усилителя

У идеального усилителя коэффициент усиления Ku не зависит от
частоты, но у реального усилителя это не так.
Область частот входного сигнала в пределах, которых коэффициент
усиления Ku = const = Ko - называется областью средних частот. Это рабо-
чая полоса частот усилителя.
Со стороны низких частот она ограничена ωн - нижней частотой
полосы пропускания. Со стороны верхних частот она ограничивается ωв -
верхней частотой полосы пропускания.
Границами полосы пропускания усилителя служат частоты, на кото-
рых коэффициент усиления падает в 2 раз.
Ko
K (ωн) = K (ωв ) = = 0,707 ⋅ Ko . (6)
2
Таким образом, полоса пропускания усилителя равна ∆ω = ωв − ωн .
В зависимости от вида АЧХ усилители делятся на:
- узкополосные усилители, если ∆ω ≪ ωо , где ωо - центральная час-
тота усиления;
 319

- широкополосный усилитель, если ∆ω ≫ ωо - широкополосный

усилитель;
- полосовой усилитель, если ∆ω ≈ ωо .
По частоте усиливаемых сигналов усилители делятся на следующие
типы:
- УПТ – усилители постоянного тока (0 – и выше);
- УНЧ – усилители низких частот (10 – 40 кГц);
- УПЧ – усилители промежуточных частот (≤1 МГц);
- УВЧ – усилители высоких частот (1 - 100 МГц);
- СВЧ – сверхвысокочастотные усилители (<1 ГГц);
- ОВЧ – особо высокочастотные усилители (>1 ГГц до 20 ГГц).
Важной характеристикой усилителя является амплитудная характе-
ристика. Это зависимость выходного напряжения усилителя от входного
Uвых = f (Uвх ) при ω = const . Она показана на рисунке 4.

Рисунок 4 – Амплитудная характеристика усилителя

Рассмотрим подробнее амплитудную характеристику.
На графике:
1 – область внутренних шумов усилителя. Даже при отсутствии
входного сигнала на выходе присутствует хаотический шумовой сигнал.
Шумы обусловлены температурными шумами элементов (тепловой шум),
дискретной природой электричества (квантовый), избыточными шумами
транзисторов. Внутренние шумы ограничивают возможность усиления
слабых сигналов снизу. Для уменьшения тепловых шумов активные эле-
менты иногда охлаждают (жидким гелием, азотом).
2 – область линейного усиления. Здесь Uвых = Ku ⋅ Uвх . Это рабочая
часть характеристики.
3 – область ограничения выходного сигнала значением Uвых.max
(нелинейных искажений выходного сигнала). Ограничение обусловлено
 320

либо мощностью источника питания, либо нелинейностью ВАХ активного

элемента.
Динамический диапазон усилителя, то есть, возможность усилителя
усиливать как слабые, так и сильные сигналы определяется таким образом
Uвых. max
D= . (7)
Uвых.ш
Важным параметром усилителя является уровень нелинейных иска-
жений, который измеряется величиной коэффициента нелинейных иска-
жений.
Нелинейные искажения - это искажения формы входного сигнала,
вызванные изменением спектрального состава сигнала в процессе усиле-
ния (появление дополнительных гармоник, отсутствующих на входе).
Коэффициент нелинейных искажений определяется по выражению
∞ 2

∑ (U
i =2
i
ВЫХ
)
Kни = 2
, (8)
(U1ВЫХ )
где U iВЫХ - i-я гармоника выходного напряжения;
U1ВЫХ - первая гармоника выходного напряжения.
Нелинейные искажения в усилителе уменьшаются выбором рабочего
режима с наибольшим линейным усилением, использованием высококаче-
ственных элементов, использованием обратных связей.
Многокаскадные усилители
При усилении малых входных сигналов может оказаться, что коэф-
фициент усиления одного каскада недостаточен для получения требуемой
амплитуды сигнала на нагрузке.
С целью увеличения коэффициента усиления применяют последова-
тельное включение усилительных каскадов. При этом входное сопротив-
ление последующего каскада является нагрузкой для предыдущего.

Рисунок 5 - Структурная схема многокаскадного усилителя

Коэффициент усиления многокаскадного усилителя равен произве-
дению коэффициентов усиления каскадов.
 321

Uвых Uвых1 Uвых 2 UвыхN

Ku = = ⋅ ... = Ku1 ⋅ Ku 2... KuN . (9)
Uвх Uвх1 Uвх 2 UвхN
Связь каскадов в многокаскадном усилителе может осуществляться с
помощью разделительного конденсатора, трансформатора или непосредст-
венно. В соответствии с этим различают усилители с конденсаторной,
трансформаторной или с непосредственной связью.
Многокаскадный усилитель с конденсаторной связью приведен на
рисунке 6,а. Общий вид такого усилителя показан на рисунке 6,б.

б
Рисунок 6 - Многокаскадный усилитель с конденсаторной связью:
а - принципиальная схема; б – общий вид двухканального усилителя с
конденсаторной связью
Разделительный конденсатор Cp для предшествующего каскада вы-
полняет функцию выходного конденсатора, а для последующего – входно-
го конденсатора. Для исключения частотных искажений усиленного сиг-
нала и снижения коэффициента усиления многокаскадного усилителя ем-
кость разделительного конденсатора выбирают такой, что бы на низшей
усиливаемой частоте модуль емкостного сопротивления разделительного
 322

конденсатора Xcp( n−1) предыдущего каскада был много меньше входного

сопротивления последующего каскада Rвхn .
Достоинства усилителя с конденсаторной связью; стабильность ха-
рактеристик; отсутствие температурного и временного дрейфа.
Недостатками являются: плохое согласование между каскадами,
приводящее к увеличению числа каскадов для получения заданного коэф-
фициента усиления; повышенные шумы; невозможность его полного ис-
полнения в виде интегральной микросхемы (из-за наличия межкаскадных
конденсаторов, которые выполняются навесными).
На рисунке 7, а представлен многокаскадный усилитель с трансфор-
маторной связью. На рисунках 7,б и 7,в показан общий вид усилителя
мощности, выполненного по данному принципу.

б в
Рисунок 7 - Многокаскадный усилитель с трансформаторной связью:
а – принципиальная схема; б – усилитель мощности низкой частоты с
выходным трансформатором; в – усилитель мощности высокой частоты
с трансформаторной связью
 323

С помощью трансформатора на вход последующего каскада переда-

ются переменные составляющие тока и напряжения.
Достоинства такого усилительного каскада – это возможность мас-
штабирования тока и напряжения, которые поступают на вход последую-
щего каскада. Как правило, для последующего каскада уменьшается ам-
плитуда напряжения, но возрастает амплитуда тока, так как биполярные
транзисторы управляются током.
Но у данного усилительного каскада есть и свои недостатки: слож-
ность изготовления и сложность микроминиатюризации.
Последний вид соединения каскадов – непосредственное соединение
(рисунок 8). Это так называемые усилители постоянного тока (УПТ).

б в г
Рисунок 8 – Усилитель постоянного тока (с непосредственной связью) и
примеры УПТ в интегральном исполнении : а – принципиальная схема;
б – К140УД7А; в – К140УД20А; г – КР544УД2
В усилителях с непосредственным соединением каскадов обеспечи-
вается возможность усиления сигналов низких частот вплоть до постоян-
 324

ного тока, поскольку отсутствуют разделительные конденсаторы. В таких

усилителях появляется сложность в стабилизации положения рабочей точ-
ки в последующих каскадах, поскольку уход рабочей точки предыдущим
каскадом в режиме покоя влияет на положение точки последующего кас-
када.
Современные УПТ изготавливаются полностью в интегральном ис-
полнении, примеры приведены на рисунках 8,б, 8,в и 8,г.

4.5.2 Обратная связь в усилителях. Классификация видов

обратной связи и ее влияние на характеристики усилителя
Обратная связь - это мощное схемотехническое средство, позволяю-
щее изменять свойства усилителей в широком диапазоне в сторону необ-
ходимых параметров.
На практике ни один усилитель не используется без обратной связи
(ОС).
Обратной связью называют передачу части энергии из выходной
цепи во входную цепь усилителя.
Принцип введения отрицательной обратной связи иллюстрируется на
рисунке 9.

Рисунок 9 - Принцип организации отрицательной обратной связи

На рисунке 9 выходное напряжение Uвых поступает на вход цепи
обратной связи (ЦОС) с коэффициентом передачи 0 < β < 1 . Сформиро-
ванное на выходе ЦОС напряжение обратной связи величиной β ⋅ Uвых
проступает на вход усилителя, где складывается (+) или вычитается (-) из
входного напряжения Uвх .
Если, напряжение обратной связи вычитается из входного напряже-
ния, обратная связь называется отрицательной.
Если, напряжение обратной связи складывается с входным напряже-
нием, обратная связь называется положительной.
Если электрический сигнал после звена ЦОС пропорционален вы-
ходному напряжению, то в усилителе используется обратная связь по на-
 325

пряжению; если сигнал на выходе звена ЦОС пропорционален току в вы-

ходной цепи, то используется ОС по току. Возможна и комбинированная
ОС.
В усилителях в основном используется отрицательная обратная связь
(ООС), введение которой позволяет улучшить почти все характеристики
усилителей.
Различают ОС по принципу действия и способу подачи сигнала во
входную цепь усилителя.
По способу введения сигнала ОС во входную цепь усилителя разли-
чают последовательную и параллельную обратные связи. В первом случае
напряжение с выхода звена ОС включается последовательно с напряжени-
ем источника входного сигнала (рисунок 10,а), а во втором - параллельно
(рисунок 10,б).

а б

в г
Рисунок 10 – Виды обратной связи: а – последовательная;
б - параллельная; в – по напряжению; г – по току
Резисторы R1 и Roc на рисунке 10,б позволяют просуммиро-
вать токи от источника и цепи обратной связи. Непосредственное парал-
лельное соединение входного источника и выхода ЦОС невозможно, так
как равносильно подключению двух источников ЭДС параллельно.
 326

По принципу действия различают обратную связь по напряжению,

по току и комбинированную.
Шунтирующий резистор Rш на рисунке 10,г играет роль датчика то-
ка. Его сопротивление выбирают достаточно малым для того, чтобы обес-
печить падение напряжения на нем в десятки - сотни мВ, поэтому резистор
Rш не оказывает существенного влияния на ток в выходном контуре. На-
пряжение на шунтирующем резисторе Uш = Rш ⋅ Iн поступает на вход
ЦОС, что обеспечивает обратную связь по току нагрузки.
Влияние обратной связи на характеристики усилителя
В усилителях, в основном, используется отрицательная обратная
связь (ООС), введение которой позволяет улучшить почти все характери-
стики усилителей. На рисунке 11 показан усилитель, охваченный последо-
вательной обратной связью по напряжению. Оценим свойства такого уси-
лителя.

Рисунок 11 - Усилитель с ОС
Определим коэффициент усиления усилителя охваченного ОС.
Напряжение Uвх1 определяется с помощью 2-го закона Кирхгофа по
формуле:
Uвх1 = Uвх ± Uoc . (11)
В выражении (1) знак «плюс» берется для положительной обратной
связи, знак «минус» для отрицательной обратной связи.
Разделим выражение (1) на Uвых и введем следующие обозначения:
Uвых
Ku = - коэффициент усиления усилителя без обратной связи;
Uвх1
Uвых
Kос = - коэффициент усиления усилителя с БОС;
Uвх
Uос
β= - коэффициент передачи БОС.
Uвых
 327

В результате получим следующее выражение:

1 1 Ku
= ± β или Koc = . (12)
Ku Koc 1 ± β ⋅ Ku
В формуле (12) знак «плюс» для отрицательной обратной связи, знак
«минус» - для положительной обратной связи.
Выражение показывает, что введение ООС приводит к уменьшению
результирующего коэффициента усиления. Практически это единственное
негативное свойство ООС.
Приняв допущение, что коэффициент усиления Ku стремится к бес-
конечно большой величине, исходя из формулы (12) получим следующее
выражение:
1
Koc = . (13)
β
Если β меньше единицы, то коэффициент усиления будет Koc > 1 .
При таком коэффициенте передачи ЦОС может быть реализован на пас-
сивных элементах, например, резисторах.
Поскольку ЦОС может быть реализован на пассивных элементах, его
коэффициент передачи может быть стабилен, и не зависим от температу-
ры, времени и прочих дестабилизирующих факторах.
Кроме того, ООС расширяет полосу пропускания и линейный уча-
сток амплитудной характеристики, что приводит к уменьшению искаже-
ний как линейных, так и нелинейных.
Можно показать, что при ООС параметры усилителя будут следую-
щими:
- входное сопротивление RвхОС = Rвх ⋅ (1 + β ⋅ Ku ) при последова-
Rвх
тельной ООС, RвхОС = при параллельной ООС;
1 + β ⋅ Ku
Rвых
- выходное сопротивление RвыхОС = при ООС по напряже-
1 + β ⋅ Ku
нию, RвыхОС = Rвых ⋅ (1 + β ⋅ Ku ) при ООС по току;
ωн
- нижняя граница полосы пропускания ωнОС = ;
1 + β ⋅ Ku
- верхняя граница полосы пропускания ωвОС = ωв ⋅ (1 + β ⋅ Ku ) ;
Kни
- нелинейные искажения KниОС = .
1 + β ⋅ Ku
 328

4.5.3 Использования положительной обратной связи для

создания автогенераторов и их разновидности
При построении любых генераторов сигналов необходима положи-
тельная обратная связь. Любой усилитель, при охвате его ПОС определен-
ной величины превращается в генератор незатухающих колебаний.
Условием генерации будет являться соотношение
β ⋅ Ku = 1 . (14)
На частоте генерации потери в цепи ОС должны восполняться уси-
лителем. Кроме того, на частоте генерации сдвиг фаз по цепи усилитель-
цепь ОС должен быть нулевым или сигнал ОС должен приходить в фазе с
входным сигналом, а это и есть условие ПОС.
Если условие (14) выполняется для некоторого спектра частот, то на
выходе генератора формируются сигнал по форме близкий к меандру. По-
скольку такой сигнал состоит из множества синусоидальных гармоник, та-
кие генераторы называют – мультивибраторы. Это генераторы многих
(мульти) гармоник.
Для генерирования сигнала одной частоты условие генерации долж-
но выполняться только для этой определенной частоты.
То есть, для того, чтобы генерация происходила на одной частоте,
нужно, чтобы сам усилитель или ЦОС обладали частотно-избирательными
свойствами. Чаще всего используется пассивная частотно-избирательная
цепь, а усилитель обычный или частотно-независимый. В качестве частот-
но-избирательных цепей используются LC – цепи, либо RC – цепи.
В высокочастотных генераторах обычно применяют параллельные и
ли последовательные колебательные контура. Как известно LC контур об-
ладает ярко выраженными частотно избирательными свойствами.
Полоса пропускания - ∆f = fo Q , где fo = 1 L ⋅ C , а Q – доброт-
ность контура,
Высокочастотный контур имеет узкую полосу пропускания и ис-
пользуется в фильтрах, а также для организации частотно избирательной
ОС в генераторе.
Генераторы с LC контуром, как правило, используются на частотах
более 100 кГц.
LC генераторы обладают более высокой стабильностью частоты, чем
генераторы с RC цепями.
На низких частотах, LC контура становятся более дорогими и гро-
моздкими, поэтому здесь используют RC частотно-избирательные цепи
Для обеспечения сдвига фаз ∆ϕ = 2π на частоте генерации использу-
ют либо совокупность дифференциальных цепей, либо интегрирующие
цепи. Так строят генераторы на одну фиксированную частоту.
 329

Для более качественных генераторов применяют различные квазире-

зонансные цепи. Примером такой цепи служит мост Вина.
Мост Вина изображен на рисунке 12,а.

R1 C1

R2 C2

а г

б д
φ
π/2

-π/2

в е
Рисунок 12 – Схема RC цепей для ЦОС: а – схема моста Вина; б – АЧХ
моста Вина; в – ФЧХ моста Вина; г – схема 2-го Т-моста; д - АЧХ 2-го
Т-моста; е – ФЧХ 2-го Т-моста
 330

При R1 = R 2 = R и C1 = C 2 = C частота квазирезонанса будет такова

1
fо = . (15)
2π RC
Мост Вина также широко используется для построения синусои-
дальных генераторов низкой частоты.
Другим примером RC цепи, которая широко используется при по-
строении генераторов сигналов, является двойной Т-мост. Его схема, АЧХ
и ФЧХ показаны на рисунке 12,г, 12,д и 12,е, соответственно.

Контрольные вопросы
1. Основные характеристики и параметры усилителей.
2. Многокаскадные усилители. Коэффициент усиления и виды связей
в многокаскадном усилителе.
3. Усилитель с непосредственной связью между каскадами. Частот-
ная характеристика, свойства и области применения.
4. Усилитель с RC связью между каскадами. Частотная характери-
стика, свойства и области применения.
5. Усилитель с индуктивной связью между каскадами. Частотная ха-
рактеристика, свойства и области применения.
6. Обратная связь в усилителях. Классификация видов обратной свя-
зи и ее влияние на характеристики усилителя.
7. Использования положительной обратной связи для создания авто-
генераторов и их разновидности.
 331

Лекция 4.6 Операционные усилители и их применение

План лекции
1) Дифференциальный усилитель. Основные параметры и реализация.
2) Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и классифи-
кация ОУ. Идеальный ОУ Линейный усилитель на ОУ.
3) Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель. Расчет ос-
новных параметров.

4.6.1 Дифференциальный усилитель. Основные параметры и

реализация
Дифференциальный усилитель (ДУ) - это симметричный усилитель
постоянного напряжения с двумя входами и двумя выходами. Основная
схема его приведена на рисунке 1, а. В общую эмиттерную цепь включен
источник стабильных эмиттерных токов. При отсутствии сигнала
Uвх1 = Uвх 2 = 0 . В этом случае ток Io вследствие симметрии равномерно
распределяется между транзисторами VT1 и VT2. Он обеспечивает посто-
янство суммы Io обоими транзисторами VT1 и VT2.
Тогда получим:
1
Iэ1 = Iэ2 = ⋅ Io . (1)
2
Пренебрегая малыми токами баз транзисторов, можем считать, что
1
Iк1 = Iк 2 ≈ ⋅ Io . (2)
2

Рисунок 1 – Дифференциальный усилитель: а – принципиальная схема ДУ;

б – передаточная характеристика ДУ
Эти соотношения не изменятся, если оба входных напряжения полу-
чат одинаковые приращения (это называется - синфазный входной сигнал).
Так как в этом режиме коллекторные токи равны друг другу, то постоянна
 332

и разность выходных напряжений, то есть коэффициент усиления для син-

фазного сигнала в идеальном дифференциальном усилителе равен нулю.
Если Uвх1 > Uвх 2 , то изменяется распределение токов: ток Iк1 уве-
личивается, а ток Iк 2 уменьшается. Их сумма при этом остается постоян-
ной. Поэтому ∆Iк1 = −∆Iк 2 . Таким образом, разность входных напряжений
Uд = Uвх1 − Uвх 2 в отличие от синфазного сигнала вызывает изменения
выходного напряжения. Она называется – дифференциальным входным
сигналом.
Изменения напряжения база-эмиттер транзисторов, происходящие
под воздействием температуры окружающей среды, действует как синфаз-
ный сигнал и, следовательно, не влияют на работу схемы. Поэтому данный
каскад хорошо приспособлен к работе в качестве усилителя постоянного
тока.
Картину распределения тока в одном из коллекторов дифференци-
ального усилителя можно увидеть на передаточной характеристике, пока-
занной на рисунке 1,б. Видим, что линейный участок ее составляет около
±2 ⋅ U T ≈ ±50 мВ, это примерно в 20 раз больше, чем в усилителе с общим
эмиттером. Для получения искажений усиливаемого сигнала не более 1%
надо, чтобы входной сигнал не превышал ±0,7 ⋅ U T ≈ ±18 , для сравнения в
схеме с общим эмиттером он не должен быть больше ± 1 мВ.
Коэффициент усиления такого усилителя для синфазного сигнала
при несимметричном выходе (то есть относительно общего провода «зем-
ли») будет равен:
∂Uк1 1  Rк ⋅ Rкэ 
Kд = = − ⋅ S ⋅  , где Uд = Uвх1 − Uвх 2 . (3)
∂Uд 2  Rк + Rкэ 
Коэффициент усиления относительно другого выхода будет:
∂Uк 2 1  Rк ⋅ Rкэ 
Kд = = ⋅ S ⋅ . (4)
∂Uд 2  Rк + Rкэ 
Для дифференциального выхода коэффициент усиления будет в два
раза выше. Типовое значение коэффициентов усиления Kд =50 - 100.
В реальных усилителях, коэффициент усиления для синфазного сиг-
нала отличен от нуля. Это происходит из-за конечного значения выходного
сопротивления источника тока в эмиттерной цепи транзистора.
Коэффициент усиления для синфазного сигнала определяется так:
Rк
Kсф = − , (5)
2 ⋅ Ro
где Ro - выходное сопротивление источника тока. Типовое значение ко-
эффициента усиления для синфазного сигнала - Kсф = 10−3 .
Параметром качества дифференциального усилителя является отно-
шение коэффициента усиления дифференциального сигнала к коэффици-
 333

енту усиления синфазного сигнала. Оно называется - коэффициентом ос-

лабления синфазного сигнала (КОСС). Он обычно измеряется в децибелах.
Kд
KOCC = ≈ S ⋅ Ro , KOCC[дБ] = 20 ⋅ ln(KOCC) . (6)
Kсф
Типичное значение КОСС составляет 80-100 дБ.
У двух транзисторов при равных токах коллектора напряжения база-
эмиттер незначительно различаются, поэтому разность выходных напря-
жение (дифференциальный выходной сигнал) не в точности равна нулю
при Uд = 0 . Напряжение разбаланса (или напряжение смещение нуля)
представляет собой дифференциальный входной сигнал, которую надо
приложить, чтобы выполнялось равенство Uвых1 = Uвых 2 .
При использовании согласованной пары транзисторов напряжение
смещения нуля не превосходит нескольких милливольт.
Согласованные транзисторы представляют собой элементы, изго-
товленные за один технологический цикл на одном кристалле с практиче-
ски одинаковыми характеристиками. То, что они расположены на одном
кристалле, обеспечивает одинаковость их температуры в процессе работы
и равный температурный дрейф их параметров.
Имеются различные возможности вводить в каскад напряжение сме-
щение нуля, они зависят от схемного исполнения конкретного усилителя.
Чаще всего используют два приема:
- первый, заключается в том, что на вход дифференциального усили-
теля подают некоторое небольшое напряжение со специального делителя;
- второй, в том, что с помощью дополнительного регулировочного
резистора несколько перераспределяют токи в эмиттерных цепях схемы.
Конкретные приемы ликвидации смещения нуля мы рассмотрим да-
лее при знакомстве с операционными усилителями.
При неизменном коллекторном токе и повышении температуры, на-
пряжение база-эмиттер каждого транзистора уменьшается на 2,2 – 2,7 мВ
на каждый градус. Это эквивалентно тому, что к входу усилителя постро-
енного на транзисторах с нулевым температурным коэффициентом при-
кладывается синфазный сигнал такой же величины.
Это проявляется на выходе усилителя как дрейф выходной величины
напряжения, но поскольку усилитель весьма плохо усиливает такие сигна-
лы, то влияние температуры на выходное напряжение здесь невелико. Но
даже согласованные транзисторы, не имеют абсолютно одинаковых темпе-
ратурных коэффициентов. Поэтому наряду с напряжением синфазного
сигнала появляется разностное напряжение дрейфа.
Оно тем меньше, чем ближе параметры и температуры транзисторов.
В то время как в одиночных транзисторах температурный дрейф выходно-
го напряжения может достигать 100 мкВ/К, то для сдвоенных монолитных
согласованных приборов он составляет 0,1 – 1,5 мкВ/К. Поэтому совре-
 334

менные дифференциальные усилители выполняются только на таких тран-

зисторах.

4.6.2 Операционный усилитель (ОУ). Основные параметры и

классификация ОУ. Идеальный ОУ. Линейные усилители на ОУ
Операционным усилителем (ОУ) – называют усилитель постоянного
тока с большим коэффициентом усиления (более 1000), имеющий диффе-
ренциальный входной каскад и общий выход, предназначенный для вы-
полнения различных операций над аналоговыми и импульсными сигнала-
ми в схемах с обратными связями. Термин «операционный усилитель»
возник в аналоговой вычислительной технике, где такие усилители с соот-
ветствующей обратной связью применялись для моделирования различных
математических операций (интегрирования, суммирования и т. д.)
Первый интегральный ОУ µА702 ,
имевший рыночный успех, был разработан Р.
Видларом (США) в 1963 году, рисунок 2. В
настоящее время номенклатура ОУ насчиты-
вает сотни наименований.
Операционные усилители выпускают-
ся в малогабаритных корпусах и очень деше-
Рисунок 2 - Роберт Видлар вы, что способствует их массовому распро-
(1937 -1991). Американский странению. По размерам и цене они практи-
инженер-электронщик, чески не отличаются от отдельного транзи-
схемотехник, разработчик стора. В то же время, преобразование сигна-
аналоговых интегральных ла схемой на ОУ почти исключительно оп-
схем. ределяется свойствами цепей обратных свя-
зей усилителя и отличается высокой ста-
бильностью и воспроизводимостью. Кроме того, благодаря практически
идеальным характеристикам ОУ реализация различных электронных схем
на их основе оказывается значительно проще, чем на отдельных транзи-
сторах. Поэтому операционные усилители почти полностью вытеснили от-
дельные транзисторы в качестве элементов схем во многих областях ана-
логовой схемотехники.
Принципиальные схемы ОУ содержат, как правило, два или три
транзисторных каскада. Первый каскад всегда выполнен по симметричной
дифференциальной схеме. Кроме того в него входит выходной эмиттерный
повторитель и цепи согласования между каскадами.
Схемное обозначение ОУ приведено на рисунке 3. Как видно из нее,
ОУ имеет два входа и один выход. Один из входов называется инверти-
 335

рующим, на рисунке 3 (верхний на схеме), он обозначен кружком. Второй

вход – называется неинвертирующим.
При работе ОУ в линейном режиме напряжение на его выходе воз-
растает с уменьшением напряжения на инвертирующем входе ( Uвх − ) и с
увеличением напряжения на неинвертирующем входе (Uвх + ). Б дальней-
шем будем называть инвертирующий вход И-входом, а неинвертирующий
- Н-входом.
+
-
Eп1
UВХ U ВЫХ
∞ -

UВХ+ +U Rн
-U +
Eп2
-

а б
Рисунок 3 – Условное обозначение ОУ и его схема включения:
а – отечественное условное обозначение ОУ; б – обозначение ОУ в
иностранной литературе
Важной характеристикой ОУ является его амплитудная (передаточ-
ная) характеристика. Она приведена на рисунке 4.
Uвых
Еп1+

U вых
+Uсм ЛУ Uвх
-Uсм U вх

Ku= U вых U вх

_
Еп2

Рисунок 4 – Передаточная характеристика ОУ

Это зависимость выходного напряжения ОУ от входного дифферен-
циального напряжения. На ней можно выделить линейный участок (ЛУ) и
 336

нелинейные области. На линейном участке операционный усилитель рабо-

тает в режиме усиления. В режиме усиления при изменении входного
дифференциального сигнала выходной сигнал ОУ также изменяется.
Если входное дифференциальное напряжение выйдет за пределы,
соответствующие ЛУ, то ОУ перестанет усиливать входной сигнал. При
этом рабочая точка будет перемещаться по горизонтальным участкам пе-
редаточной характеристики и приращения выходного сигнала не будет.
По амплитудной характеристике можно определить величину
Кu = Uвых / Uвх , и Uсм – напряжение смещения.
Напряжением смещения называют постоянное напряжение на входе,
при котором выходное напряжение равно нулю, т.е. ОУ – сбалансирован.
Напряжение сдвига Uсдв - это такое постоянное напряжение на выходе,
когда Uвх + = Uвх − = 0 .
Параметры ОУ, которые характеризуют его качество, весьма много-
численны. Для выбора типа ОУ, надо знать его основные характеристики.
Укажем основные из них.
Коэффициент усиления ( Ku ) - отношение изменения выходного
напряжения к вызвавшему его изменению дифференциального входного
напряжения при работе усилителя на линейном участке характеристики.
Величина Ku приблизительно составляет 10 4 ÷ 106 .
Напряжение смещения ( Ucм ) - дифференциальное входное на-
пряжение, при котором выходное напряжение усилителя равно нулю.
Максимальное значение Ucм составляет (3 ÷ 10) мВ для ОУ с бипо-
лярными транзисторами во входной цепи, (10 ÷ 50 ) мВ – для ОУ с полевы-
ми транзисторами во входной цепи и (0.01 ÷ 1) мВ – у прецизионных ОУ.
Средний входной ток ( Iвх ) - среднеарифметическое значение токов
Н- и И-входов усилителя измеренных при таком входном напряжении,
при котором выходное напряжение ОУ равно нулю.
Среднее значение входного тока усилителей с входными каскадами
на биполярных транзисторах лежит в диапазоне 0.01... 1 мА. Такие малые
значения обеспечиваются за счет работы входных транзисторов в режиме
микротоков. Операционные усилители на полевых транзисторах имеют
входные токи менее 1 нА.
Разность входных токов ( ∆Iвх ) - абсолютное значение разности
входных токов усилителя, измеренное тогда, когда напряжение на выходе
ОУ равно нулю. Этот параметр характеризует несимметрию входных кас-
кадов ОУ. Если данный параметр мал, то влияние входных токов на вы-
ходное напряжение можно существенно уменьшить, устанавливая одина-
ковыми проводимости входных цепей по обоим входам усилителя.
Обычно ( ∆Iвх ) составляет 20 - 50% от Iвх .
 337

Входное сопротивление ( Rвх ) - сопротивление со стороны одного

из входов ОУ, в то время как другой вход заземлен. Он может составлять
10 - 1000 МОм.
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (КОСС) - отноше-
ние коэффициента усиления Ku к коэффициенту передачи синфазного
сигнала. Как и для дифференциального усилителя, данная величина часто
определяется в логарифмическом измерении. Обычно для интегральных
ОУ величина КОСС составляет 60 - 100 дБ.
Коэффициент влияния нестабильности источника питания
( Kп ) - отношение изменения напряжения смещения к вызвавшему его из-
менению одного из питающих напряжений. Этот коэффициент чаще всего
равен 2 ⋅ 10−4 - 2 ⋅ 10−5 , что соответствует 20 - 200 мкВ/В.
Выходное сопротивление ОУ ( Rвых ) - определяется так же, как и
для любого другого усилителя и составляет величину в диапазоне от де-
сятков до сотен Ом.
Динамические свойства ОУ определяются, как правило, двумя пара-
метрами: частотой единичного усиления и скоростью изменения выходно-
го сигнала. Иногда используют понятие - времени установления.
Частота единичного усиления ( f1 ) - частота на которой коэффици-
ент усиления ОУ падает до единицы. Значения большинства ОУ лежат в
пределах от десятых долей мегагерца до десятков мегагерц.
Максимальная скорость нарастания выходного напряжения ОУ
(v) - определяется при подаче на его вход импульса напряжения прямо-
угольной формы. Для типовых интегральных ОУ максимальная скорость
нарастания лежит в диапазоне 0,3 - 50 В/мкс. Так как наибольшая скорость
изменения синусоидального сигнала пропорциональна амплитуде и часто-
те этого сигнала, то ограничение скорости изменения выходного сигнала
ОУ приводит к ограничению амплитуды выходного неискаженного гармо-
нического сигнала на высоких частотах.
Скорость нарастания v, связана с амплитудой выходного неискажен-
ного сигнала Um и частотой входного сигнала fвх выражением:
∂Uвых
v= = 2π ⋅ fвх ⋅ Um . (7)
∂t
Данная формула часто применяется для выбора усилителя по требо-
ваниям динамики. Например: при скорости нарастания выходного напря-
жения v = 0,6 В/мкс и амплитуде выходного сигнала Um = 10 В получаем:
v[В/мкс] ⋅ 103 0,6 ⋅ 103
fвх[кГц] = = ≈ 9,5 . (8)
2π ⋅ Um 2 ⋅ 3,14 ⋅ 10
 338

Температурный дрейф напряжения смещения ( ∆Uсм / ∆Т ) - для

интегральных ОУ с входными каскадами на биполярных транзисторах со-
ставляет обычно 5 - 20 мкВ/К. Усилители на полевых транзисторах имеют
больший дрейф, в диапазоне 20 - 100 мкВ/К.
Операционные усилители используются, в основном, с цепями отри-
цательной обратной связи. Вследствие наличия паразитных связей и мно-
гокаскадной структуры ОУ, он по своим частотным свойствам во многом
аналогичен фильтру нижних частот. С ростом частоты входного сигнала
возрастают фазовые сдвиги в усилителе и на некоторой частоте они стано-
вятся такими, что отрицательная обратная связь превращается в положи-
тельную. Если при этом, коэффициент усиления достаточно велик, то в та-
ком усилителе возникают незатухающие колебания. Он превращается в
электронный генератор. Такой режим недопустим для усилительных уст-
ройств. Для того, чтобы избежать его, необходимо сформировать такую
частотную характеристику усилителя, при которой ни при каких условиях
не наступает режим самовозбуждения. Практически это достигается под-
ключением корректирующих RC-цепей, которые снижают коэффициент
усиления с ростом частоты так, что режим самовозбуждения не возникает.
В зависимости от того, как включены эти цепи различают три вида
ОУ:
- ОУ с полной внутренней частотной коррекцией, в них корректи-
рующие элементы введены при изготовлении кристалла внутрь усилителя
и подключение дополнительных цепей не нужно;
- частично скорректированные ОУ, в них необходимо вводить до-
полнительные внешние цепи коррекции при некоторых значениях коэф-
фициентах усиления ОУ с обратной связью;
- нескорректированные ОУ, которые требуют подключения внеш-
них цепей коррекции при всех режимах работы.
По совокупности свойств указанных выше современные ОУ делятся
на несколько больших групп:
- операционные усилители общего назначения (или ОУ средней
точности). Они используются для построения узлов аппаратуры, имеющие
суммарную приведенную погрешность на уровне 1%. Такие ОУ характери-
зуются малой стоимостью и средним уровнем параметров (напряжение
смещения - единицы мВ, температурный дрейф напряжения смещения -
десятки мкВ/°С, коэффициент усиления - десятки тысяч, скорость нараста-
ния - до единиц В/мкс);
- быстродействующие широкополосные операционные усилите-
ли. Они используются для преобразования быстроменяющихся сигналов.
 339

Характеризуются высокой скоростью нарастания выходного сигнала (не

менее 30 В/мкс), малым временем установления выходного сигнала (не бо-
лее 1 мкс), высокой частотой единичного усиления (не менее 10 МГц). По
остальным параметрам уступают, как правило, ОУ общего применения;
- прецизионные (высокоточные) операционные усилители. Ис-
пользуются для усиления малых электрических сигналов, сопровождаемых
высоким уровнем помех. Характеризуются малым значением напряжения
смещения (не более 250 мкВ) и малым температурным дрейфом напряже-
ния смещения (не более 5 мкВ/°С). Они имеют большие коэффициенты
усиления (как правило, не менее 150 000), большие значения КОСС, высо-
кое входное сопротивление и малые шумы. Быстродействие их не высоко;
- операционные усилители с малым входным током. Они построе-
ны с входным каскадом на полевых транзисторах и имеют особенно высо-
кое входное сопротивление (входной ток не более 100 пА);
- микромощные операционные усилители необходимы для работы
от источников ограниченной мощности (переносные приборы с автоном-
ным питанием, аппаратура, работающая в ждущем режиме). Характеризу-
ются малым потребляемым током (не более 1 мА);
- многоканальные операционные усилители. Они имеют параметры
аналогичные усилителям общего применения или микромощных ОУ с до-
бавлением такого параметра, как коэффициент разделение каналов. Слу-
жат для улучшения массогабаритных показателей и снижения энергопо-
требления аппаратуры.
Западные фирмы выпускают сдвоенные быстродействующие и пре-
цизионные усилители; - мощные и высоковольтные операционные усили-
тели построенные на мощных и высоковольтных транзисторах, имеют вы-
ходные токи более 100 мА (сотен ампер) и выходное напряжение не менее
15 В (сотен вольт).
При работе схем на ОУ нужно руководствоваться следующими важ-
нейшими правилами:
- операционный усилитель обладает таким большим коэффици-
ентом усиления по напряжению, что изменение напряжения между
входами на несколько долей милливольта вызывает изменение выход-
ного напряжения в пределах его полного диапазона, поэтому можно
считать, что в ОУ охваченном обратной связью разность напряжения
между входами равна нулю;
- поскольку ОУ потребляет по входам очень малый ток, можно
считать, что входы операционного усилителя тока не потребляют.
 340

При упрощенном анализе схем, содержащих ОУ, удобно пользовать-

ся понятием "идеального ОУ", для которого:
- коэффициент усиления Кu = ∞ ;
- входное сопротивление Rвх = ∞ ;
- выходное сопротивление Rвых = 0 Ом;
- ОУ сбалансирован, то есть Uвых = 0 при Uвх + = Uвх − ;
- диапазон усиливаемых частот f = ∞ ;
- входной ток ОУ Iвх = 0 .
Из параметров идеального ОУ следует, что его входы виртуально
замкнуты, то есть Uвх + = Uвх − , а Rвх = ∞ .
Это утверждение следует из того, что при Кu = ∞ выходное напря-
жение Uвых = Ku ⋅ (Uвх + − Uвх − ) - всегда конечно и по значению меньше
напряжения питания Еп1 или Еп2 , что может иметь место только в том
случае, когда выполняется условие Uвх + − Uвх − = 0 или Uвх + = Uвх − .
Инвертирующий усилитель
Для инвертирующего усилителя выходной и входной сигналы сдви-
нуты по фазе на 180. Его схема приведена на рисунке 5. Входное напря-
жение Uвх подают через резистор R1 на инвертирующий вход. С помощью
резистора Rос осуществляется параллельная отрицательная обратная связь.
Определим коэффициент усиления по напряжению
Кu = Uвых / Uвх . (9)
Для узла А по первому закону Кирхгофа можно записать уравнение
для токов
Iвх = Iос + Iоу (10)

Рисунок 5 – Инвертирующий усилитель

Будем считать, что ОУ – идеальный, для которого Rвх = ∞ . Тогда
уравнение (10) упростится Iвх = Iос . Отсюда, по закону Ома для участка
цепи, учитывая что Uвх + = Uвх − = 0 , можно записать Uвх = R1 ⋅ Iвх , а
 341

Uвых = − Roc ⋅ Iос , и получить выражение для коэффициента усиления ин-

вертирующего усилителя в виде
Uвых Roc ⋅ Iос Roc
Ku = =− =− (11)
Uвх R1 ⋅ Iвх R1
Знак ( - ) минус означает инвертирование сигнала.
Неинвертирующий усилитель
Для неинвертирующего усилителя (рисунок 6) выходное и входное
напряжения находятся в фазе.
R1 Rос

∞ Uвых
R

Uвх R = R1/Roc
Rн

Рисунок 6 – Неинвертирующий усилитель

Резисторы R1 и Rос образуют цепь последовательно - параллельной
отрицательной обратной связи. Определим коэффициент усиления такого
усилителя. В соответствии со схемой, имеем
R1
Uвх + = Uвх , а Uвх − = Uвых ⋅ . (12)
R1 + Roc
Учитывая, что входы ОУ виртуально замкнуты, т.е. Uвх + = Uвх − = 0 ,
получим выражение для коэффициента усиления такого усилителя
Uвых Roc
Ku = = 1+ . (13)
Uвх R1
Если Roc = 0 , то Ku = 1 и такой усилитель называют повторителем
напряжения.

4.6.3 Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель.

Расчет основных параметров
Инвертирующий сумматор напряжения
Это устройство, у которого выходное напряжение равно алгебраиче-
ской сумме входных напряжений, взятой с противоположным знаком (ри-
сунок 7). Установим связь между выходным и входными сигналами такой
схемы.
 342

Если считать, что ОУ является идеальным, то при подаче на его вхо-

ды напряжения U 1 , U 2 , … Un , можно записать, что Iвх = Iос , где
Iвх = I 1 + I 2 + ... + In ) , а I 1 = Uвх1 / R1 , I 2 = Uвх 2 / R 2 ,..., Iп = Uвхп / Rn .

Рисунок 7 – Инвертирующий сумматор напряжения

Поскольку Uвых = − Iос ⋅ Roc , то выражение, связывающее входное и
выходное напряжения примет вид
Roc
Uвых = − ⋅ (Uвх1 + Uвх 2 + ... + Uвхп ) , (14)
R0
где R 0 = R1 = R 2 = ... = Rn , а знак минус означает инвертирование.
Интегрирующий усилитель
Схема интегрирующего усилителя на ОУ приведена на рисунке 8.

Рисунок 8 – Интегрирующий усилитель

Считая ОУ идеальным можно записать Uвх = R ⋅ Iвх и Uвых = Uс , а
dUвх Uвх dUвых
учитывая, что Iвх = − Iос = C , nо получим = −C .
dt R dt
 343

Следовательно:
t
1
RC ∫0
Uвых = − Uвх ⋅ dt , (15)

где RC = τ – постоянная времени интегрирующего усилителя.

Логарифмирующий усилитель на ОУ
В логарифмирующих и экспоненциальных преобразователях на ОУ
для получения требуемой функциональной характеристики используются
свойства смещенного в прямом направлении p-n перехода диода или бипо-
лярного транзистора. Такие преобразователи входят в качестве отдельных
узлов в различные устройства, выполняющие математические операции.
Логарифмирующие преобразователи применяются также для компрессии
сигналов, имеющих большой динамический диапазон, например, звуковых
сигналов, причем некоторые из них перекрывают динамический диапазон
в 140 дБ или 7 декад.
Схема простейшего логарифмического усилителя показана на рисун-
ке 9.

Рисунок 9 - Логарифмический усилитель на ОУ

Для идеального ОУ имеем:
Uвх
Iвх = = Iд , (16)
R
где Iд - ток диода при прямом включении.
Но ток, протекающий по диоду, учитывая, что напряжение на диоде
равно выходному напряжению схемы будет таким

(
Iд = I 0 e
Uвых /( mU )
T
)
−1 . (17)
Отсюда получим
 Uвх 
Uвых = U T ⋅ ln  −  , если Uвх < 0 .
I
 0  ⋅ R
 344

Если Uвх > 0 , то диод закрыт, отрицательная обратная связь разо-

рвана, следовательно Uвых = −Uвых. max .
Простейший логарифмирующий преобразователь применяется редко
из-за двух серьезных ограничений.
Во-первых, он очень чувствителен к температуре.
Во-вторых, диоды не обеспечивают хорошей точности преобразова-
ния, так как зависимость между их прямым напряжением и током не совсем
логарифмическая. Поэтому удовлетворительная точность в этой схеме мо-
жет быть получена при изменении входного напряжения в пределах двух
декад.
Лучшие характеристики имеют логарифмирующие преобразователи
на биполярных транзисторах. В них используются один из п-р переходов
транзистора.

Контрольные вопросы
1. Дифференциальный усилитель. Схема и основные параметры.
2. Операционный усилитель (ОУ). Амплитудная и частотная харак-
теристики ОУ.
3. Основные параметры и классификация ОУ.
4. Идеальный ОУ. Линейные усилители на ОУ (инвертирующий и
неинвертирующий усилители).
5. Сумматор, интегратор, логарифмирующий усилитель. Принцип
работы схем. Расчет основных параметров.
 345

Лекция 4.7 Цифровая электроника. Цифровые коды.

Логические элементы. Триггеры. Делитель частоты.
Счетчик импульсов

План лекции
1) Цифровые микросхемы. Логические элементы. Цифровые коды.
2) ТТЛ и КМОП микросхемы. Устройство и принцип работы.
3) Триггеры: RS - триггер; D - триггер; Т – триггер.
4) Делитель частоты на триггерах. Счетчик импульсов.

4.7.1 Цифровая электроника. Цифровые коды. Логические

элементы.
Цифровые микросхемы
До сих пор мы рассматривали электронные устройства, работающие с
аналоговыми сигналами.
Электрический сигнал — это электрическая величина (например, на-
пряжение, ток, мощность), изменяющаяся со временем.
Аналоговый сигнал — это сигнал, который может принимать любые
значения в определенных пределах. Устройства, работающие только с аналого-
выми сигналами, называются аналоговыми устройствами.
В природе практически все сигналы аналоговые, поэтому первые элек-
тронные устройства были аналоговыми. Они преобразовывали физические ве-
личины в пропорциональные им напряжение или ток, выполняли над ними ка-
кие-то операции и затем выполняли обратные преобразования в физические
величины. Например, голос человека микрофоном преобразуется в электриче-
ские колебания, затем эти электрические сигналы усиливаются и с помощью
акустической системы снова преобразуются в колебания воздуха, в более силь-
ный звук.
Но аналоговая электроника имеет недостатки, связанные с самой приро-
дой аналоговых сигналов. Они весьма чувствительны к действию всевозмож-
ных паразитных сигналов — шумов, наводок, помех. Все это существенно
ухудшает полезный сигнал. Каждое преобразование, каждое промежуточное
хранение, каждая передача по кабелю или эфиру ухудшает аналоговый сигнал,
иногда вплоть до его полного уничтожения. Кроме того со временем парамет-
ры всех аналоговых устройств изменяются из-за старения элементов, поэтому
характеристики этих устройств не остаются постоянными.
Современная электроника все в большей мере становится цифровой.
Цифровой сигнал — это сигнал, который может принимать только два
значения. Обычно это 0 и 1, которые в булевской алгебре имеют значения
«Ложь» и «Истина» соответственно. Причем разрешены некоторые отклонения
от этих значений. Например, напряжение может принимать два значения: от 0
до 0,5 В (уровень нуля) или от 2,5 до 5 В (уровень единицы). Устройства, рабо-
 346

тающие исключительно с цифровыми сигналами, называются цифровыми уст-

ройствами.
В отличие от аналоговых, цифровые сигналы, имеющие всего два разре-
шенных значения, лучше защищены от действия шумов, наводок и помех. Не-
большие отклонения от разрешенных значений не искажают цифровой сигнал,
так как всегда существуют зоны допустимых отклонений. Поэтому цифровые
сигналы допускают гораздо более сложную и многоступенчатую обработку,
более длительное хранение без потерь и более качественную передачу, чем
аналоговые. Цифровые устройства меньше подвержены старению. Цифровые
устройства проще проектировать и отлаживать. Все эти преимущества обеспе-
чивают бурное развитие цифровой электроники.
Однако у цифровых сигналов есть и крупный недостаток.
Дело в том, что на каждом из своих разрешенных уровней цифровой
сигнал должен оставаться хотя бы в течение какого-то минимального времен-
ного интервала, иначе его невозможно будет распознать. А аналоговый сигнал
может принимать любое свое значение бесконечно малое время. Поэтому ско-
рость обработки и передачи информации аналоговым устройством всегда мо-
жет быть сделана выше, чем скорость ее обработки и передачи цифровым уст-
ройством. Кроме того, цифровой сигнал передает информацию только двумя
уровнями и изменением одного своего уровня на другой, а аналоговый переда-
ет информацию еще и каждым текущим значением своего уровня, то есть он
более емкий с точки зрения передачи информации. Поэтому для передачи оди-
накового объема полезной информации, чаще всего приходится использовать
несколько цифровых сигналов (обычно от 4 до 16).
К тому же, поскольку в природе все сигналы аналоговые, для преобразо-
вания их в цифровые сигналы и обратно требуется применение специальной
аппаратуры (аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей). Так
что ничто не дается даром, и плата за преимущества цифровых устройств мо-
жет порой оказаться неприемлемо большой.
Цифровые технологии в основном используются в вычислительной тех-
нике, прежде всего компьютерах, в различных областях электротехники, робо-
тотехнике, автоматизации, измерительных приборах, радио- и телекоммуника-
ционных устройствах и т. д.
Все цифровые интегральные микросхемы (ИС) имеют несколько общих
основных параметров, которые следует рассмотреть.
1) Быстродействие. Определяется средним временем задержки включе-
ния и выключения одного инвертора. По этому параметру все логические ИС
делятся: на сверхбыстродействующие ( tcp < 5 нс); быстродействующие
( tcp = 5 ÷ 10 нс); среднего быстродействия ( tcp = 10 ÷ 100 нс); низкого быстро-
действия ( tcp > 100 нс).
 347

2) Потребляемая мощность. Ее принято оценивать средней мощностью

потребляемой одним логическим элементом во включенном и выключенном
состоянии. Обычно чем выше быстродействие ИС, тем выше и потребляемая
мощность. Часто применяют параметр – работа на одно переключение. Для
первых поколений ИС этот показатель лежал в диапазоне (50 ÷ 100) ⋅ 10−12 Дж,
сейчас – это (0,5 ÷ 5) ⋅ 10−12 Дж.
3) Помехоустойчивость. Оценивают наименьшим постоянным напря-
жением, которое будучи добавлено к полезному сигналу вызовет ошибку. Эта
величина для ИС разных видов колеблется от 0,1- 0,3 В до 2-3 В.
По функциональному назначению все цифровые ИС делятся на следую-
щие виды:
- логические элементы;
- триггеры и устройства на их основе: счётчики; регистры;
- шифраторы и дешифраторы;
- цифровые компараторы (устройства сравнения двух цифровых кодов);
- мультиплексоры и демультиплексоры (устройства для распределения и
сбора цифровых сигналов);
- сумматоры и полусумматоры;
- ключи (устройства для коммутации цифровых сигналов);
- АЛУ (арифметико-логические устройства);
- микропроцессоры и микроконтроллеры;
- модули памяти;
- ПЛИС (программируемые логические интегральные схемы).
Цифровые коды
Одиночный цифровой сигнал не слишком информативен, ведь он может
принимать только два значения: нуль и единица. Поэтому в цифровой электро-
нике применяется, главным образом, двоичный код для представления инфор-
мации. При этом, обычно применяют несколько параллельных цифровых сиг-
налов, называемых – параллельным кодом. В этом случае все эти сигналы
должны рассматриваться только одновременно, каждый из них по отдельности
не имеет смысла. В таких случаях говорят о двоичных кодах, то есть о кодах,
образованных цифровыми (логическими, двоичными) сигналами. Каждый из
логических сигналов, входящих в код, называется разрядом.
Чем больше разрядов входит в код, тем больше значений может прини-
мать данный код. В отличие от привычного для нас десятичного кодирования
чисел, то есть кода с основанием десять, при двоичном кодировании в основа-
нии кода лежит число два (рисунок 1).
То есть каждая цифра кода (каждый разряд) двоичного кода может при-
нимать не десять значений (как в десятичном коде: 0, 1,2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9), а
всего лишь два значения — 0 и 1. А система позиционной записи остается та-
кой же, то есть справа пишется самый младший разряд, а слева — самый стар-
 348

ший. Но если в десятичной системе вес каждого следующего разряда в десять

раз больше веса предыдущего разряда, то в двоичной системе (при двоичном
кодировании) — в два раза. Каждый разряд двоичного кода называется битом
(от английского Binary Digit — двоичное число).

Рисунок 1 – Десятичное и двоичное кодирование

В таблице 1, для примера, приведено соответствие чисел десятичной и
двоичной системы в диапазоне от 1 до 19.
Таблица 1 – Соответствие чисел в двоичной и десятичной системах
Десятичная Двоичная Десятичная Двоичная
система система система система
0 0 10 1010
1 1 11 1011
2 10 12 1100
3 11 13 1101
4 100 14 1110
5 101 15 11111
6 110 16 10000
7 111 17 10001
8 1000 18 10010
9 1001 19 10011
Для работы с сигналами двоичного кода применяются цифровые эле-
менты, реализующие действия алгебры логики. Эта часть математики названа
булевой алгеброй по фамилии английского математика Д. Буля (рисунок 2).
Наиболее простые элементы цифровой электроники называют логиче-
скими элементами. Именно в этой простоте и состоит их отличие от других
микросхем. Как правило, в одном корпусе микросхемы может располагаться от
одного до шести одинаковых логических элементов. Обычно каждый логиче-
ский элемент имеет несколько входов (от одного до двенадцати) и один выход.
При этом связь между выходным сигналом и входными сигналами (таблица
истинности) предельно проста.
 349

Каждой комбинации входных сигна-

лов элемента соответствует уровень нуля
или единицы на его выходе. Никакой внут-
ренней памяти у логических элементов
нет, поэтому они относятся к группе так
называемых комбинационных микросхем.
Главные достоинства логических
элементов по сравнению с другими цифро-
выми микросхемами — это их высокое
быстродействие (малые времена задержек),
а также малая потребляемая мощность
(малый ток потребления).
Недостаток логических элементов
Рисунок 2 - Джордж Буль состоит в том, что на их основе довольно
(1815 - 1864) — английский трудно реализовать сколько-нибудь слож-
математик. Профессор ные функции. Поэтому чаще всего логиче-
королевского колледжа Корка. ские элементы используются только в ка-
Основатель математической честве дополнения к более сложным, к бо-
логики лее «умным» микросхемам.
Логические элементы
Инверторы
Самый простой логический элемент — это инвертор (логический эле-
мент НЕ, англ. - inverter). Инвертор выполняет простейшую логическую функ-
цию — инвертирование, то есть изменение уровня входного сигнала на проти-
воположный. Инвертор имеет всего один вход и один выход. На рисунке 3 по-
казаны условные обозначения инвертора, принятые у нас и за рубежом, и пред-
ставлена таблица истинности инвертора.

а б в
Рисунок 3 – Инвертор: а – отечественное обозначение по ГОСТ 2.743-91;
б – зарубежное обозначение; в – таблица истинности инвертора
В одном корпусе микросхемы обычно бывает шесть инверторов. Отече-
ственное обозначение микросхем инверторов — «ЛН». Примеры: КР1533ЛН1
— шесть инверторов с выходом. Существуют также инверторы с повышенным
выходным током (ЛН4) и с повышенным выходным напряжением (ЛНЗ, ЛН5).
Две основные области применения инверторов — это изменение поляр-
ности сигнала и изменение полярности фронта сигнала. То есть из положи-
 350

тельного входного сигнала инвертор делает отрицательный выходной сигнал и

наоборот, а из положительного фронта входного сигнала — отрицательный
фронт выходного сигнала и наоборот. Еще одно важное применение инвертора
— буферизация сигнала (с инверсией), то есть увеличение нагрузочной спо-
собности сигнала. Это бывает нужно в том случае, когда какой-то сигнал надо
подать на много входов, а выходной ток источника сигнала недостаточен.
Повторители и буферы
Повторители и буферы отличаются от инверторов, прежде всего тем, что
они не инвертируют сигнал, рисунок 4,а и 4,б. Зачем же тогда они нужны?
Во-первых, они выполняют функцию увеличения нагрузочной способ-
ности сигнала, то есть позволяют подавать один сигнал на много входов. Для
этого имеются буферы с повышенным выходным током, например ЛП16
(шесть буферных повторителей).

а б
+U

1 VD

в г
Рисунок 4 – Повторители и буферы: а – отечественное обозначение по ГОСТ
2.743-91 (слева обычный повторитель, справа – с Z –состоянием выхода);
б – зарубежное обозначение; в – включение светодиодов; г – таблица
истинности повторителя
Типичное применение буферов, связанное с их большими выходными
токами - это светодиодная индикация. Светодиоды могут подключаться к вы-
ходу буферов двумя основными способами (рисунок 4, в). При первом из них
(слева) светодиод горит, когда на выходе сигнал логической единицы, а при
втором (справа) - когда на выходе ОК сигнал логического нуля. Сопротивление
резистора R выбирается исходя из характеристик светодиода, но обычно со-
ставляет порядка 1 кОм.
Во-вторых, большинство буферов имеют выход с тремя состояниями:
«0», «1» и отключенное состояние. Это — пассивное состояние, в котором вы-
ход можно считать отключенным от последующей схемы. Оно называется
 351

также Z-состоянием. Для перевода выхода в третье Z-состояние используется

специальный управляющий вход, обозначаемый ОЕ (Output Enable — разре-
шение выхода) или EZ (Enable Z - state — разрешение Z - состояния).
Такой выход буферов позволяет использовать их для получения двуна-
правленных линий или для мультиплексирования сигналов. В этих линиях
можно к одному проводнику подключать несколько входов или выходом ИС,
что позволяет упрощать соединения на печатной плате.
Логические элементы И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ
Следующая группа микросхем - это элементы, выполняющие простей-
шие логические функции. Объединяет все эти элементы то, что у них есть не-
сколько равноправных входов (от 2 до 12) и один выход, сигнал на котором оп-
ределяется комбинацией входных сигналов.
Самые распространенные логические функции, выполняемые такими
элементами, — это И (в отечественной системе обозначений микросхем —
ЛИ), И-НЕ (обозначается ЛА), ИЛИ (обозначается ЛЛ) и ИЛИ-HE (обозначает-
ся ЛЛ). Присутствие слова НЕ в названии элемента обозначает только одно -
встроенную инверсию сигнала. В международной системе обозначений ис-
пользуются следующие сокращения: AND — функция И, NAND — функция
И-НЕ, OR — функция ИЛИ, NOR — функция ИЛИ-НЕ.
Название самих функций И и ИЛИ говорит о том, при каком условии на
входах появляется сигнал на выходе. При этом важно помнить, что речь в дан-
ном случае идет о положительной логике, о положительных, единичных сигна-
лах на входах и на выходе.
Таблица 2 - Таблица истинности двухвходовых элементов И, И-НЕ, ИЛИ,
ИЛИ-НЕ
Вход 1 Вход 1 Выход Выход Выход Выход
И И-НЕ ИЛИ ИЛИ-НЕ
0 0 0 1 0 1
0 1 0 1 1 0
1 0 0 1 1 0
1 1 1 0 1 0
Элемент И формирует на выходе единицу тогда и только тогда, когда на
всех его входах (и на первом, и на втором, и на третьем и т. д.) присутствуют
единицы. Если речь идет об элементе И-НЕ, то на выходе формируется нуль,
когда на всех входах единицы. Цифра перед названием функции говорит о ко-
личестве входов элемента. Например, 8И-НЕ — это восьмивходовой элемент И
с инверсией на выходе.
Элемент ИЛИ формирует на выходе нуль тогда и только тогда, когда хо-
тя бы на одном из входов присутствует единица (или на первом, или на втором,
или на третьем и т. д.). Элемент ИЛИ-НЕ дает на выходе нуль при наличии хо-
тя бы на одном из входов единицы. Пример обозначения: 4ИЛИ-НЕ — четы-
 352

рехвходовой элемент ИЛИ с инверсией на выходе. Отечественные и зарубеж-

ные обозначения на схемах двухвходовых элементов И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ
показаны на рисунке 5.

И ИЛИ

И-НЕ ИЛИ-НЕ

Рисунок 5 - Обозначения элементов И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ: отечественные

(слева) и зарубежные (справа)
Все эти элементы выпускаются и с выходом Z, в этом случае обязатель-
но имеется вход разрешения - EZ.
Согласно таблице 2, любой из логических элементов рассматриваемой
группы можно рассматривать как управляемый ключ входного сигнала (с ин-
версией или без нее).
Точно так же элементы И, ИЛИ, ИЛИ-HE могут применяться в качестве
элемента разрешения/запрещения прохождения сигнала.
Разница между элементами состоит только в полярности управляющего
сигнала, в инверсии (или ее отсутствии) входного сигнала, а также в уровне
выходного сигнала (нуль или единица) при запрещении прохождения входного
сигнала.
Наконец, элементы И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-HE иногда бывает удобно рас-
сматривать в качестве схем совпадения различных сигналов. То есть выходной
сигнал должен вырабатываться тогда, когда сигналы на входах совпадают
(приходят одновременно). Если же совпадения нет, то выходной сигнал должен
отсутствовать.
Элементы И, И-НЕ, ИЛИ, ИЛИ-НЕ могут использоваться также в каче-
стве инверторов или повторителей, для чего необходимо объединить их входы
или на неиспользуемые входы подать сигнал нужного уровня. Второе предпоч-
тительнее, так как объединение входов не только увеличивает входной ток, но
и несколько снижает быстродействие элементов, рисунок 6.

Инверторы

Повторители

Рисунок 6 - Инверторы и повторители на элементах И/ И-НЕ и

ИЛИ/ИЛИ-НЕ
 353

Логические элементы Исключающее ИЛИ

Элементы Исключающее ИЛИ (по-английски — Exclusive - OR) также
можно было бы отнести к простейшим элементам, но функция, выполняемая
ими несколько сложнее, чем в случае элемента И или элемента ИЛИ.
Все входы элементов Исключающее ИЛИ равноправны, однако ни один
из входов не может заблокировать другие входы, установив выходной сигнал к
уровню единицы или нуля.
Под функцией Исключающим ИЛИ понимается следующее: единица на
выходе появляется тогда, когда только на одном входе присутствует единица.
Если единиц на входах две или больше, или если на всех входах нули, то на
выходе будет нуль, рисунок 7. Надпись на отечественном обозначении элемен-
та Исключающее ИЛИ «=1» как раз и обозначает, что выделяется ситуация, ко-
гда на входах одна и только одна единица.

Исключающее
ИЛИ

Исключающее
ИЛИ-НЕ

а б в
Рисунок 7 – Элемент Исключающее ИЛИ: а - отечественное обозначение
элемента; б - зарубежное обозначение; в - таблица истинности
С точки зрения математики, элемент Исключающее ИЛИ выполняет
операцию так называемого суммирования по модулю 2. Поэтому эти элементы
также называются сумматорами по модулю два.
Важное применение элементов Исключающее ИЛИ — управляемый ин-
вертор (рисунок 8).

Рисунок 8 - Элемент Исключающее ИЛИ как управляемый инвертор

В этом случае один из входов элемента используется в качестве управ-
ляющего, а на другой вход элемента поступает информационный сигнал. Если
 354

на управляющем входе единица, то входной сигнал инвертируется, если же

нуль — не инвертируется.
Элементов Исключающее ИЛИ в стандартных сериях немного. Отечест-
венные серии предлагают микросхемы ЛП5, ЛЛЗ и ЛП12, отличающиеся раз-
ным типом выводов.
Основное применение элементов Исключающее ИЛИ, прямо следующее
из таблицы истинности, состоит в сравнении двух входных сигналов. Но зна-
чительно чаще для сравнения сигналов и кодов применяются специальные
микросхемы компараторов кодов.

4.7.2 ТТЛ и КМОП микросхемы. Устройство и принцип работы

4.7.2.1 Микросхемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ, TTL) — разновидность циф-
ровых логических микросхем, построенных на основе биполярных транзисто-
ров и резисторов.
Название транзисторно-транзисторный возникло из-за того, что транзи-
сторы используются как для выполнения логических функций (например, И,
ИЛИ), так и для усиления выходного сигнала.
Серии микросхем ТТЛ получили широкое распространение в устройст-
вах промышленной электроники. Благодаря широкому распространению мик-
росхем ТТЛ входные и выходные цепи электронного оборудования часто вы-
полняются совместимыми по электрическим характеристикам с ТТЛ.
Важность ТТЛ заключается в том, что ТТЛ-микросхемы оказались более
пригодны для массового производства и при
этом превосходили по параметрам ранее выпус-
кавшиеся серии микросхем.
В настоящее время, многими фирмами, в
том числе и отечественными, выпускаются быст-
родействующие серии микросхем, основанные
на ТТЛШ структуре. В схемах ТТЛШ использу-
ются диоды Шоттки. Они подключаются парал-
лельно коллекторному переходу транзистора и
придают ему ряд новых качеств. Транзисторы с
диодами Шоттки называют транзисторами
Рисунок 9 - Вальтер Шоттки, их условное обозначение приведено на
Герман Шоттки (1886 - рисунке 10. Барьер Шоттки (между металлом и
1976) - немецкий физик. полупроводником) не позволяет транзисторам
В 1938 теоретически войти в режим насыщения, в результате чего
предсказал эффект возрастает быстродействие ИС.
Шоттки
 355

0,4 В
+ - +

+ 0,4 В
0,8 В
- -
а б
Рисунок 10 – Диод и транзистор Шоттки: а – биполярный транзистор с дио-
дами Шоттки; б – условное изображение транзистора Шотки
Схемной основой микросхем ТТЛ является многоэмиттерный транзи-
стор, установленный на входе ИС, рисунок 11, а. Многоэмиттерный транзистор
эквивалентен нескольким n-p-n транзисторам, у которых объединены базы и
коллекторы ( рисунок 11, б). Их число определяет число входов элемента.
Выпускаются ЛЭ И—НЕ с 2, 3, 4 и 8 входами. Все входы равноценны.
Простейший базовый элемент ТТЛ выполняет логическую операцию И-
НЕ. В упрощенном виде схема базового элемента ТТЛ представляет собой со-
единение схемы "И", состоящей из многоэмиттерного транзистора и инвертора
на обычном транзисторе (рисунок 12, а).

а б
Рисунок 11 – Входной транзистор ИС ТТЛ: а – многоэмиттерный
транзистор: б – аналог многоэмиттерного транзистора
+Uп
Граница микросхемы

R1 4 к R2 0,13 к

Uвых
VT1
X1 «1»
«0»

Ix1
I1
X2 VT2
заперт
Общий

а б в
Рисунок 12 – Упрощенная схема базового элемента ТТЛ: а – схема элемента
И-НЕ; б – базовый элемент при подаче на его входы логической единицы;
в – базовый элемент при подаче на один из входов логического нуля
 356

Рассмотрим работу данного элемента ТТЛ.

1) Для того, чтобы на выходе системы был низкий потенциал Uвых (0) ,
необходимо одновременно на все эмиттеры подать логическую единицу - на-
пряжение, близкое к +Uп, рисунок 12, б.
Транзистор VT1, при этом переходит в инверсный режим работы, при
котором коллектор и эмиттер меняются местами по выполняемым функциям.
Переход эмиттер-база транзистора VT1 - заперт. По каждому входу в ЛЭ втека-
ет ток Ix1 . Поскольку это обратный ток р-п перехода, он весьма мал (около 40
мкА).
Переход база-коллектор транзистора VT1 открывается напряжением +Uп
и через него в базу транзистора VT2 втекает ток I1 величиной около 0,7 мА
(для номиналов, указанных на схеме). В результате напряжение на выходе эле-
мента падает до уровня, определяемого остаточным падением напряжения на
коллекторе транзистора VT2.
Остаточное падение напряжения на открытом транзисторе VT2 не пре-
вышает значения + (0,3 ÷ 0, 4) В. Это значение и определяет уровень логиче-
ского нуля микросхем.
2) Подадим на один из эмиттеров транзистора VT1 напряжение логиче-
ского нуля, например, соединить его с общей шиной, рисунок 12,в.
Транзистор VT1 будет открыт, поскольку в его базу через открытый р-п
переход база-эмиттер будет втекать ток от источника питания +Uп. Напряже-
ние на базе VT2 при этом близко к нулю, и транзистор VT2 будет закрыт. На
выходе схемы появляется высокий потенциал Uвых (1) , близкий к +Uп
При нормальной температуре напряжение на выходе не превышает
+ (3,8 ÷ 4, 2) В для ненагруженной схемы и + (3, 2 ÷ 2,8) В для нагруженной
схемы.
Таким образом, элемент ТТЛ относится к схемам положительной логи-
ки, для которой высокий потенциал Uвых (1) ≤ +Uп соответствует уровню ло-
гической единицы, а низкий потенциал Uвых (0) ≈ 0 - уровню логического ну-
ля.
Полная схема элемента ТТЛ "И-НЕ" (отечественные серии 133, 155), по-
казанная на рисунке 13, а, содержит усложненный инвертор в состав, которого
входят фазоинвертор и двухтактный усилитель мощности на двух транзисто-
рах. На входе элемента установлены защитные диоды.
На рисунке 13, б приведена схема базового элемента ТТЛШ (отечест-
венные серии 1530, 1533).
Применение сложного выходного каскада позволяет существенно сокра-
тить время перезаряда паразитных емкостей схемы и монтажа и тем самым
резко увеличить быстродействие элемента.
 357

Рисунок 13 – Полная схема элемента: а – структуры ТТЛ; б – структуры

ТТЛШ
При использовании ЛЭ ТТЛ следует учитывать, что неприсоединен-
ный вход ТТЛ элемента равноценен входу, на который подано напряжение
высокого уровня.
4.7.2.2 Микросхемы на комплементарных МОП транзисторах
Схемы КМОП. изобрёл в 1963 г
Фрэнк Вонлас, работавший в компании
Fairchild Semiconductor.
Первые микросхемы по технологии
КМОП были созданы в 1968. Долгое время
КМОП рассматривалась как энергосбере-
гающая, но медленная альтернатива ТТЛ,
поэтому микросхемы КМОП нашли при-
менение в электронных часах, калькулято-
рах и других устройствах с батарейным
питанием, где энергопотребление было
критичным.
К 1990 году с повышением степени
Рисунок 14 – Френк Марион интеграции микросхем встала проблема
Вонлас (1933 – 2010) профессор рассеивания энергии на элементах. В ре-
университета штата Юта зультате технология КМОП оказалась в
(США), выигрышном положении. Со временем
изобретатель ИС на КМОП были достигнуты скорость переключения
и плотность монтажа, недостижимые в
технологиях, основанных на биполярных транзисторах.
 358

Ранние КМОП-схемы были очень уязвимы к электростатическим разря-

дам. Сейчас эта проблема в основном решена, но при монтаже КМОП-
микросхем рекомендуется принимать меры по снятию электрических зарядов.
Подавляющее большинство современных логических микросхем, в том
числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.
Микросхемы на комплементарных транзисторах строятся на основе
МОП транзисторов с индуцированными n- и p-каналами. Простейший логиче-
ский элемент на КМОП — инвертор. Его схема приведена на рисунке 15, а.

а б в
+Uп
p VT1 p VT2

y=x1·x2
n Выход
VT3
Вход 1
x1
n
VT4
Вход 2
x2

г д
Рисунок 15 - Принципиальная схема ЛЭ КМОП: а – инвертора; б – инвертора
при подаче на вход логической 1; в – инвертора при подаче на вход логического
0; г - элемента "2И-НЕ"; д - элемента "2ИЛИ-НЕ"
Один и тот же потенциал открывает транзистор с n-каналом VT 1 и за-
крывает транзистор с p-каналом VT 2 .
При формировании логической единицы открыт верхний транзистор
VT 2 , а нижний VT 1 закрыт. В результате ток через микросхему не протекает,
рисунок 15, б.
 359

При формировании логического нуля открыт нижний транзистор VT 1 , а

верхний VT 2 закрыт. И в этом случае ток через микросхему не протекает.
На этой схеме для упрощения понимания принципов работы микросхе-
мы не показаны защитные и паразитные диоды. Особенностью микросхем на
комплементарных МОП транзисторах является то, что в этих микросхемах в
статическом режиме ток практически не потребляется. Потребление тока про-
исходит только в момент переключения микросхемы из единичного состояния
в нулевое и наоборот. Этот ток вызван двумя причинами — одновременным
переходом верхнего и нижнего транзисторов в активный режим работы и пере-
зарядом паразитной ёмкости нагрузки.
В результате этой особенности потребляемый микросхемами КМОП ток
пропорционален частоте приходящих на их входы сигналов.
Схема логического элемента "И-НЕ" приведена на рисунке 15, г.
Выходное напряжение низкого уровня обеспечивается сигналами высо-
кого уровня на обоих входах (х1 и х2). При этом оба п-канальные транзистора
будут открыты, а р-канальные – заперты. Если хотя бы на одном входе окажет-
ся сигнал низкого уровня, то один из параллельно включенных р-канальных
транзисторов откроется, а спаренный с ним п-канальный транзистор запрется и
на выходе элемента образуется высокий уровень напряжения.
Подобным же образом работает ЛЭ ИЛИ-НЕ показанный на рисунке 15,
д. Когда на обоих входах (х1 и х2) присутствуют сигналы низкого уровня, то
оба р-канальных транзистора открыты, а п-канальные – закрыты. Если на один
из входов поступает сигнал высокого уровня, то соответствующий п-
канальный транзистор откроется, парный с ним, один из последовательно
включенных р-канальных транзисторов запрется, и на выходе схемы появится
низкое напряжение.
ЛЭ с большим числом входов организованы подобным же образом.
В схемах с элементами КМОП следует соблюдать ряд правил, вытекаю-
щих из особенности этих ИС.
Из-за большого входного сопротивления этих микросхем входы цифро-
вых микросхем ни в коем случае нельзя оставлять неподключенными!
Из-за конструкции защитных диодных цепочек на входах микросхем.
микросхема может работать без напряжения питания. Но микросхема может
работать неправильно. Поэтому требуется тщательная проверка монтажа этих
микросхем.
В настоящее время наиболее перспективным семейством КМОП микро-
схем считается семейство SN74AUC с временем задержки сигнала 1,9 нс и
диапазоном питания 0,8 ... 2,7 В.

4.7.3 Триггеры: RS - триггер; D - триггер; Т - триггер

Триггер — класс электронных устройств, обладающих способностью
длительно находиться в одном из двух устойчивых состояний и чередовать их
 360

под воздействием внешних сигналов. Каждое состояние триггера легко распо-

знаётся по значению выходного напряжения.
Отличительной особенностью триггера является свойство запоминания
двоичной информации. Под памятью триггера подразумевают способность
оставаться в одном из двух состояний и после прекращения действия пере-
ключающего сигнала. Приняв одно из состояний за «1», а другое за «0», мож-
но считать, что триггер хранит (помнит) один разряд числа, записанного в
двоичном коде.
Существует много классификационных систем триггеров. В основном
триггеры бывают следующих видов:
- асинхронные триггеры. Они изменяют своё состояние непосредствен-
но в момент появления соответствующего информационного сигнала;
- синхронные триггеры реагируют на информационные сигналы только
при наличии соответствующего сигнала на так называемом входе синхрони-
зации С (от англ. clock). Этот вход также обозначают термином «такт». Такие
информационные сигналы называют синхронными.
Синхронные триггеры в свою очередь подразделяют на триггеры со
статическим и динамическим управлением по входу синхронизации С.
Триггеры со статическим управлением (потенциальные) воспринимают
информационные сигналы при подаче на вход С логической единицы (прямой
вход) или логического нуля (инверсный вход).
Триггеры с динамическим управлением (синхронные) воспринимают
информационные сигналы при изменении (перепаде) сигнала на входе С от 0
к 1 (прямой динамический С-вход) или от 1 к 0 (инверсный динамический С-
вход). Также встречается название «триггер управляемый фронтом».
Рассмотрим несколько основных видов триггеров.
4.7.3.1 RS – триггер
RS-триггер (или SR-триггер) — триггер, который сохраняет своё пре-
дыдущее состояние при нулевых входах и меняет своё выходное состояние
при подаче на один из его входов S или R единицы.
Обычно триггера, как и ряд других ИС имеют два выхода: прямой Q и
инверсный Q . На инверсном выходе сигнал противоположен сигналу на пря-
мом выходе. Это сделано для удобства разработчиков цифровых устройств.
В простейшем исполнении триггер представляет симметричную струк-
туру из двух логических элементов ИЛИ-НЕ, либо И-НЕ, охваченных пере-
крестной положительной обратной связью. Это так называемый асинхронный
RS-триггер, он показан на рисунке 16.
 361

а б в г
Рисунок 16 – RS-триггер: а – на элементах И-НЕ; б – на элементах ИЛИ-НЕ;
в – условное обозначение; г – схема устраняющая дребезг контактов
При подаче единицы на вход S (от англ. Set — установить) выходное
состояние становится равным логической единице. А при подаче единицы на
вход R (от англ. Reset — сбросить) выходное состояние становится равным
логическому нулю. Состояние, при котором на оба входа R и S одновременно
поданы логические единицы, в данной схеме является запрещённым (так как
вводит схему в режим генерации).
Одновременное снятие двух «1» практически невозможно. При снятии
одной из «1» RS-триггер переходит в состояние, определяемое оставшейся
«1». Таким образом, RS-триггер имеет три состояния, из которых два устой-
чивых (при снятии сигналов управления RS-триггер остаётся в установленном
состоянии) и одно неустойчивое (при снятии сигналов управления RS-триггер
не остаётся в установленном состоянии, а переходит в одно из двух устойчи-
вых состояний).
RS-триггеры часто используются для исключения, так называемого яв-
ления дребезга контактов, схема включения для этого применения приведена
на рисунке 15, г.
4.7.3.2 D – триггер
D-триггеры также называют триггерами задержки, условное обозначе-
ние такого триггера приведено на рисунке 17,а.
D-триггер (D от англ. delay — задержка) - запоминает состояние входа
D и выдаёт его на выход.
D-триггеры имеют, как минимум, два входа: информационный - D и
синхронизации - С. Они бывают со статическим и динамическим управлени-
ем.
D-триггер со статическим управлением при подаче разрешающего еди-
ничного сигнала на вход C , превращается в повторитель. В течение действия
сигнала на входе C на выходе триггера Q повторяется информация со входа
D . После снятия сигнала со входа C , информация на выходе запоминается
 362

такой, какой она была в момент снятия со входа C разрешающего сигнала.

Состояние выхода триггера не изменяется до прихода следующего сигнала на
вход C . Диаграмма работы такого D -триггера показана на рисунке 16, в.

а б

в г
Рисунок 17 - D -триггер: а – условное обозначение; б – логическая структура
D -триггера со статическим управлением; в – диаграмма работы
статического D -триггера; г – диаграмма работы D -триггера с
динамическим управлением
В D-триггере с динамическим управлением информация с входа D пе-
реписывается в триггер только в момент изменения уровня сигнала на входе
C . В остальное время состояние триггера не изменяется.
D-триггер с динамическим управлением может управляться как перед-
ним, так и задним фронтом (спадом) синхронизирующих импульсов. Чаще
применяют управление по спаду сигнала от 1 до 0.
В настоящее время D-триггеры получили большее распространение
благодаря своей простоте и универсальности.
4.7.3.3 Т – триггер
Т-триггер часто называют счётным триггером, так как он является про-
стейшим счётчиком до 2. Т-триггер может строиться на различной основе.
Рассмотрим построение его на базе D-триггера.
Для получения Т-триггера достаточно охватить D-триггер обратной
связью с инверсного выхода Q на информационный вход D , как показано на
рисунке 18, а.
 363

а б
Рисунок 18 – Тактовый триггер: а – на основе D-триггера; б – условное
обозначение
Рассмотрим его работу. Пусть первоначально D-триггер находится в
состоянии: Q =0, Q=D =1. На вход С поступают следующие с некоторой час-
тотой импульсы.
Тогда, после прихода первого же спада импульса от 1 до 0 на вход С,
информация со входа D=1 перепишется в триггер и на его выходах возникнет
состояние: Q =1, Q=D =0. После этого триггер будет готов к следующему пе-
реключению.
После прихода следующего спада импульса на вход С, информация со
входа D=0 перепишется в триггер и на его выходах возникнет состояние
Q =0, Q=D =1.
Процесс будет повторяться далее по тому же алгоритму. В результате
на выходе триггера будут формироваться импульсы с частотой вдвое ниже
частоты входного сигнала.
Обычно, кроме тактового входа Т, Т-триггеры имеют вход R для уста-
новки триггера в нулевое исходное состояние. В этом состоянии при R=1 на
прямом выходе триггера Q = 0 - логический нуль. Вход R, как правило, имеет
приоритет. Это означает, что пока на входе R действует логическая 1 триггер
не реагирует на импульсы поступающие на счетный вход Т и начинает рабо-
тать, только после подачи на вход R логического нуля.
Т-триггеры применяют для деления частоты, в счетчиках импульсов и
других устройствах.

4.7.4 Делитель частоты на триггерах. Счетчик импульсов

Счетчики импульсов - непременные узлы электронных часов, микро-
калькуляторов, частотомеров и многих других приборов и устройств цифро-
вой техники. Основой их служат триггеры со счетным входом.
Счетчиками в цифровой технике называются специальные элементы,
позволяющие подсчитывать число поступивших на вход импульсов. Понятие
«счетчик импульсов» тесно связано с понятием «делитель частоты». По сути
дела, это одно и то же устройство. Но рассмотрим все по порядку.
В качестве простейшего делителя/счетчика частоты может выступать
рассмотренный выше тактовый триггер. Для того, чтобы этот триггер работал
как делитель, нужно на вход R подать низкий логический уровень. Теперь,
 364

если на вход С подать импульсный сигнал некоторой постоянной частоты, то

по спаду каждого входного импульса триггер будет переключаться в проти-
воположное состояние. Если делитель частоты снабдить выходами после ка-
ждого триггера, как показано на рисунке 19,а, то получим счетчик импульсов.
Один триггер считает до двух, два соединенных последовательно счи-
тают до четырех, п триггеров - до 2n импульсов.
Работа цепочки из 4-х таких триггеров показана на рисунке 19.
В результате на выходе каждого Т-триггера мы получим другой сигнал
с частотой следования импульсов в два раза меньшей, чем частота импульсов
на его входе. Как видно из рисунка, период сигнала на выходе каждого триг-
гера делителя ровно в два раза больше периода входного сигнала. А частота
выходного сигнала, соответственно, в два раза ниже входного. Если частота
сигнала на входе равна f, то на выходах делителя мы получим сигналы со сле-
дующими частотами:
Q0 — f/2; Q1 —f/4; Q2 —f/8; Q3 — f/16.

а
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Uвх
t
Q1
t
Q2
t
Q3
t
Q4
t

б
Рисунок 19 – Двоичный счетчик импульсов: а – схема; б – диаграмма работы
Анализируя одновременно состояние выходов счетчика, можно опре-
делить, сколько импульсов прошло в счетчик.
 365

Таким образом, состояние выходов характеризует число, записанное в

счетчик. Если каждому выходу присвоить свой вес: Q1 = 1 ; Q 2 = 2 ; Q 3 = 4 ;
Q 4 = 8 , то число импульсов, пришедшее на вход счетчика можно определить
N = 1 ⋅ Q1 + 2 ⋅ Q 2 + 4 ⋅ Q 3 + 8 ⋅ Q 4 . (1)
Например, на рисунке 19, б выделенное состояние выходов счетчика
дает число
N = 1 ⋅ 1 + 2 ⋅ 1 + 4 ⋅ 0 + 8 ⋅ 1 = 11 .
Но линейки Т-триггеров могут образовывать только двоичные счетчи-
ки, то есть такие, которые имеют максимальную емкость N max равную
N max = 2 n , (2)
где n - число триггеров в цепочке.
Для построения счетчика имеющего другой коэффициент счета, напри-
мер 10, используются обратные связи, как показано на рисунке 20. Для этого
Т-триггера счетчика должны иметь асинхронный вход S . При подаче на этот
вход логической 1, триггер устанавливается в положение 1.

Рисунок 20 – Десятичный счетчик

Благодаря обратным связям, в схеме на рисунке 20, с поступлением 8-го
импульса на выходе Т4 появится логическая 1, которая переведет триггеры Т2
и Т3 так же в состояние логической 1. Девятый импульс переводит Т1 в со-
стояние 1 и все триггеры счетчика оказываются в состоянии логической 1.
Десятый импульс устанавливает все триггеры в логический 0 и счет начинает-
ся снова.
В данном случае, благодаря обратным связям, состояние счетчика про-
скакивают позиции с 9-го по 13-й импульс, оказываясь после 8-го импульса в
14-й позиции счета.
Обратные связи могут быть и другими. Выпускается широкая номенк-
латура как ТТЛ, так и КМОП счетчиков.
Результат счета формируется в заданном коде, который может хранить-
ся в памяти счетчика или быть считанным другим устройством цифровой
техники - дешифратором.
 366

Контрольные вопросы
1. Цифровые микросхемы. Аналоговые и цифровые сигналы.
2. Цифровые коды. Двоичный код. Преимущества цифровых систем пе-
ред аналоговыми схемами.
3. Логические элементы: повторитель, инвертор, элементы И, И-НЕ,
ИЛИ и ИЛИ-НЕ. Элемент исключающее ИЛИ.
4. Микросхемы ТТЛ. Схемы внутреннего устройства. Принцип работы.
Основанные характеристики.
5. Микросхемы КМОП. Схемы внутреннего устройства. Принцип рабо-
ты. Основанные характеристики.
6. Триггеры: RS - триггер; D - триггер; Т – триггер. Логика работы,
примеры применения.
7. Делитель частоты на триггерах.
8. Двоичный счетчик импульсов.
9. Применение обратных связей в цепочке триггеров для получения де-
сятичного счетчика.
 367

Лекция 4.8 Регистры. Преобразователи кода.

Мультиплексоры и демультиплексоры. Ключи. Индикаторы

План лекции
1) Регистры.
2) Преобразователи кодов
3) Мультиплексоры и демультиплексоры.
2) Ключи КМОП.
4) Устройства отображения информации. Индикаторы: жидкокри-
сталлические; светодиодные; вакуумно-люминисцентные. Схемы включе-
ния и принципы управления.

4.8.1 Регистры
Назначение регистров – хранение и преобразование многоразрядных
двоичных чисел.
Наряду со счетчиками – это наиболее распространенное устройство
цифровой техники. Регистры используются в качестве управляющих и запо-
минающих устройств, генераторов и преобразователей кодов, счетчиков, де-
лителей частоты, узлов временной задержки.
Основой построения регистров являются синхронные D-триггеры, RS-
триггеры.
Как отмечалось, одиночный триггер может запоминать один разряд
(бит) двоичной информации. Такой триггер можно считать одноразрядным
регистром. Для работы с многоразрядными числами используются цепочки
триггеров – по количеству разрядов числа.
Занесение информации в регистр называют операцией ввода или запи-
си. Выдача информации – операция вывода или считывания.
Понятие «весовой коэффициент» к разрядам регистра в отличие от
счетчика неприменимо, поскольку весовая зависимость между отдельными
разрядами целиком определяется записанной в регистр информацией. По этой
причине на условных изображениях регистров нумерация меток информаци-
онных входов и выходов идет подряд.
Все регистры делят на две большие категории:
- накопительные (регистры памяти, хранения);
- сдвигающие.
В свою очередь, сдвигающие регистры делятся:
- по способу ввода и вывода информации на следующие типы:
- параллельные, последовательные и комбинированные (параллельно-
последовательные и последовательно-параллельные);
- по направлению передачи (сдвига) информации - однонаправленные и
реверсивные.
 368

Регистры памяти
Регистры памяти — простейший вид регистров. Их назначение— хра-
нить двоичную информацию небольшого объема в течение короткого проме-
жутка времени. Эти регистры представляют собой набор синхронных тригге-
ров, каждый из которых хранит один разряд двоичного числа.
Ввод (запись) и вывод (считывание) информации производится одно-
временно во всех разрядах параллельным кодом.
Ввод обеспечивается тактовым командным импульсом. С приходом
очередного тактового импульса происходит обновление записанной инфор-
мации. Сигналы на выходах триггеров характеризуют выходную информа-
цию. Считывание может производиться в прямом или в обратном коде (в по-
следнем случае — с инверсных выходов).
Регистры хранения представляют собой, по существу, наборы тригге-
ров с независимыми информационными входами и обычно общим тактовым
входом. В качестве регистров подобного рода могут быть использованы без
дополнительных элементов многие типы синхронных триггеров.
Особенно пригодны микросхемы, содержащие в одном корпусе не-
сколько самостоятельных триггеров, например: К155ТМ8, К155ТМ5,
К155ТМ7, 564ТМЗ, 555ТМ8 и другие, которые можно рассматривать, как че-
тырехразрядные регистры памяти.
Типичный пример применения регистра памяти — это промежуточное
запоминание показаний счетчика на время отсчета. Например микросхема
К155ТМ5 содержит четыре D -триггера со статическим управлением, рису-
нок 1, а.
К дешифраторам индикатора
К десятичному счетчику

а б
Рисунок 1 – Микросхемы регистров памяти: а – 4-х разрядный регистр на
К155ТМ5; б – 4-х разрядный регистр хранения информации К155ИР15
 369

При С=0 изменения сигналов на входах D не влияют на состояние триг-

геров регистра, он хранит записанную ранее информацию. При С=1, триггер
превращается в повторитель и сигналы на выходах соответствует сигналам на
входах соответствующих триггеров. При С=0 триггер вновь переходит в ре-
жим хранения, а его состояние определяется сигналами на входах D перед
спадом импульса на входе С.
Наращивание разрядности регистров памяти достигается добавлением
нужного числа триггеров, тактовые входы которых присоединяют к шине
синхронизации.
Регистр хранения типа К155ИР15 может служить примером устройства
с тремя выходными состояниями. Он состоит (рисунок 1,б) из четырех D-
триггеров с независимыми информационными входами (D1 - D4) и общим
синхронизирующим входом С. Выходы триггеров Ql - Q4 - прямые.
Имеются также два равноценных разрешающих входа E1 и Е2, вход
установки нулей R и два EZ1 и EZ2 для перевода микросхемы в третье со-
стояние (с высокоимпедансным выходом).
Параллельный ввод информации в триггеры с входов D1 - D4 происхо-
дит по фронту 0,1 тактовых импульсов. При этом на обоих разрешающих
входах Е1 и Е2 и на входе установки нулей R должны быть уровни логиче-
ского нуля.
Если к моменту прихода тактового импульса на одном или обоих вхо-
дах Е1 и Е2 действует уровень логической 1, то триггеры регистра хранят
предыдущую информацию.
С приходом высокого потенциала на вход R происходит одновременно
сброс показаний (установка нулей) независимо от состояния остальных вхо-
дов.
Отличительная особенность микросхемы — наличие буферных каска-
дов на выходе, управление которыми осуществляется по двум входам EZ1 и
EZ2. Когда оба входа находятся под нулевым потенциалом, информация, за-
писанная в регистр, присутствует на выходных выводах Qi. Если на одном
или обоих входах EZ существует высокий потенциал, то все выходы отклю-
чены (находятся в Z - состоянии). Действие выходных буферов не связано с
остальными элементами. Перепады напряжения на входах EZ не отражаются
на работе триггеров.
Сдвигающие (последовательные) регистры
Основную массу регистров, используемых на практике, представляют
регистры сдвига. Этот вид регистров отличается большим разнообразием, как
в функциональном отношении, так и в отношении схемных решений, времен-
ных параметров, емкости и т. п.
Регистры сдвига, помимо операции хранения, осуществляют преобра-
зование последовательного двоичного кода в параллельный, а параллельного
 370

— в последовательный. Они могут выполнять арифметические и логические

операции, служат в качестве цифровых элементов временной задержки и т.д.
Своим названием они обязаны характерной для этих устройств опера-
ции сдвига. Сущность сдвига состоит в том, что с приходом каждого тактово-
го импульса происходит перезапись (сдвиг) содержимого триггера каждого
разряда в соседний разряд без изменения порядка следования единиц и нулей.
При сдвиге информации вправо после каждого тактового импульса бит
из более старшего разряда сдвигается в младший, а при сдвиге влево — на-
оборот.
На схемах символом регистра служат буквы RG. Для регистров сдвига
указывается также направление сдвига: (→) вправо; (← ) влево; (↔) ревер-
сивный (двунаправленный).
Посмотрим на структуру регистра сдвига на D-триггерах, рисунок 2.

Рисунок 2 - Регистр сдвига на D-триггерах

Как видно из рисунка, в регистре сдвига также объединяются входы R и
C триггеров. Перед записью информации регистр устанавливается в нулевое
состояние. Информация подается на D-вход первого триггера. При подаче
импульса на вход С бит информации (логический 0 или логическая 1) записы-
вается в триггер. При подаче следующего импульса этот бит записывается в
следующий триггер. При этом в первый триггер записывается следующий бит
информации и т. д. Другими словами, при воздействии тактовых импульсов
информация продвигается по регистру от первого триггера к последнему. При
заполнении всех триггеров число в параллельном коде можно вывести с вы-
ходов Q0 - Q2. При этом первый бит информации будет присутствовать на
выходе Q2, второй - на выходе Q1 и т. п.
Показанный на рисунке регистр сдвигает информацию только в одну
сторону. Такие регистры называют регистром со сдвигом вправо или регистр
со сдвигом влево (смотря, куда он сдвигает).
Существуют регистры, сдвигающие информацию в обе стороны. На-
правление сдвига в таких регистрах определяется управляющим сигналом,
подаваемым на специальный вход (подобно реверсивным счетчикам.)
 371

Регистры сдвига как готовые изделия производятся в нескольких сериях

микросхем ТТЛ и КМОП. Рассмотрим, в качестве примера, регистр сдвига
К155ИР1 (ТТЛ).
Микросхема К155ИР1 представляет собой четырехразрядный регистр
сдвига с последовательным или параллельным вводом информации и парал-
лельным выводом ее.
Микросхема может быть использована в качестве буферной памяти,
элемента задержки на несколько тактов, преобразователя' последовательных
кодов в параллельные и наоборот, делителя частоты, кольцевого распредели-
теля импульсов, элемента арифметических устройств и т. п.
Регистр может выполнять следующие операции:
- ввод информации параллельным кодом;
- сдвиг информации вправо;
- ввод информации последовательным кодом;
- сдвигом информации влево;
- хранение данных.
Условное изображение регистра К155ИР1 показано на рисунке 3, а. Там
же (рисунок 3, б) показана его упрощенная функциональная схема.
Регистр имеет два тактовых входа С1 и С2, управляющий вход выбора
режима V2, пять информационных входов (V1 для ввода информации в по-
следовательном коде и четыре входа D1 - D4 для записи информации в па-
раллельном коде), а также четыре выхода Ql - Q4 с каждого разряда регистра.
8 RG
C1
9
C2
13
Q1
6
V
Q1 13 Q2 12 Q3 11 Q4 10 12
8 Q2
C1 & 1 1
C T C T C T C T I
D D D D 11
9 & Q3
C2 2
6 D1
V 3 10
1 D2 Q4
I & 1 & 1 & 1 & 1 4
D3
5
2 &
3 &
4 &
5 & D4
D1 D2 D3 D4

U п – 14 , общ . - 7
а б
Рисунок 3 – Регистр сдвига К155ИР1: а - схема регистра сдвига К155ИР1;
б – условное обозначение
Этот регистр содержит четыре тактируемых фронтом D-триггера,
соединенных последовательно с помощью ячеек И-ИЛИ.
Если на вход V (вывод 6) регистра подан нулевой потенциал, то вы-
ход каждого предыдущего триггера оказывается соединенным через ячей-
ку И-ИЛИ со входом D последующего. При этом импульсы, приходящие
 372

на тактовый вход C2, будут каждый раз устанавливать последующий триг-

гер в состояние, в котором до этого находился предыдущий. Таким обра-
зом, осуществляется сдвиг информации вправо.
Вход I регистра, связанный со входом D первого триггера, служит
для приема информации в виде последовательного кода. С каждым такто-
вым импульсом на этот вход должен подаваться код нового разряда вход-
ной информации. После приема четырех разрядов последовательного кода
соответствующий параллельный код может быть получен с выходов триг-
геров Q1 - Q4.
Запись параллельного кода в регистр идет по входам D1 - D4 при по-
даче высокого потенциала на вход V и тактового импульса на вход C1. Ус-
танавливая затем V=0 и подавая тактовые импульсы на вход С2, мы обес-
печим сдвиг записанного кода. При этом с выхода Q4 последнего триггера
снимается последовательный выходной код.
Иногда требуется производить в регистре сдвиг информации как
вправо, так и влево. В рассматриваемом устройстве такая возможность по-
является, если попарно соединить выводы Q4 и D3, Q3 и D2, Q2 и D1.
Вход V в этом случае будет играть роль переключателя направления сдви-
га: если V=1, то тактовые импульсы С1 сдвигают информацию влево, а
вход D4 служит для приема последовательного кода; если же V=0, то, как
указывалось выше, импульсы С2 будут сдвигать информацию вправо.

4.8.2 Преобразователи кодов

Преобразователи кодов служат для перевода одной формы числа в
другую. Их входные и выходные переменные однозначно связаны между
собой. Эту связь можно задать таблицами переключений или логическими
функциями. Примерами таких устройств служат шифраторы и дешифрато-
ры. Преобразователи кодов обозначают через X/Y.
Шифратор (кодер) - (англ. encoder) логическое устройство, выпол-
няющее логическую операцию - преобразование позиционного n-разряд-
ного кода в m-разрядный двоичный, троичный или k-ичный код.
Например, десятичный шифратор – устройство, преобразующее де-
сятичные числа в двоичную систему счисления, причем каждому входу
может быть поставлено в соответствие десятичное число, а набор выход-
ных логических сигналов соответствует определенному двоичному коду.
Шифратор иногда и используют, например, для перевода десятичных чи-
сел, набранных на клавиатуре кнопочного пульта управления, в двоичные
числа.
Если количество входов настолько велико, что в шифраторе исполь-
зуются все возможные комбинации сигналов на выходе, то такой шифра-
тор называется полным, если не все, то неполным. Число входов и выходов
в полном шифраторе связано соотношением
 373

n = 2m , (1)
где n – число входов;
m – число выходов.
Так, для преобразования кода кнопочного пульта в четырехразряд-
ное двоичное число достаточно использовать лишь 10 входов, в то время
как полное число возможных входов будет равно 16 (n = 24 = 16), поэтому
шифратор из 10 в 4 будет неполным.
Рассмотрим пример построения шифратора для преобразования де-
сятиразрядного единичного кода (десятичных чисел от 0 до 9) в двоичный
код. На рисунке 4, а представлена внутренняя схема такого шифратора.

CD
X0 0
X1 1
1
X2 2
X3 3
2
X4 4
X5 5
4
X6 6
X7 7
8
X8 8
X9 9

а б
Рисунок 4 – Шифратор из 10 в 4: а - схема; б – условное обозначение
Таблица 1 – Таблица истинности десятичного шифратора
Двоичный код 8421
Десятичное число
Q4 Q3 Q2 Q1
0 0 0 0 0
1 0 0 0 1
2 0 0 1 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0
5 0 1 0 1
6 0 1 1 0
7 0 1 1 1
8 1 0 0 0
9 1 0 0 1
 374

При этом предполагается, что сигнал, соответствующий логической

единице, в каждый момент времени подается только на один вход. Услов-
ное обозначение такого шифратора приведено на рисунке 4, б. Таблица 1
отражает работу шифратора.
Дешифратор (декодер) – логическое устройство, которое позволяет
преобразовывать n-разрядный двоичный код в другие коды. Например,
преобразовывать позиционный двоичный код в линейный десятичный.
Преобразование производится по правилам, описанным в таблицах
истинности, поэтому построение дешифраторов не представляет трудно-
стей.
Например, десятичным дешифратором называется комбинационное
устройство, преобразующее n-разрядный двоичный код в логический сиг-
нал, появляющийся на том выходе, десятичный номер которого соответст-
вует двоичному коду.
Число входов и выходов в так называемом полном дешифраторе свя-
зано соотношением
m = 2n , (2)
где n – число входов;
m-число выходов.
Обратимся для примера к дешифратору
15
1 DC Y0
1 К555ИД6 серии К555 (рисунок 5). Дешифра-
14
2 Y1
2 тор имеет 4 прямых входа, обозначенных че-
13
4 Y2
3
рез А1, А2, А3, А8. Аббревиатура А обозначает
12 4
8 Y3
5
«адрес» (англ. address). Указанные входы на-
Y4 зывают адресными. Цифры определяют значе-
Y5 6
Y6
7 ния активного уровня (единицы) в соответст-
Y7
9 вующем разряде двоичного числа.
Y8 10 Дешифратор имеет 10 инверсных выхо-
Y9
11
дов: Y 0 , … Y 9 . Цифры определяют десятич-
ное число, соответствующее заданному двоич-
U п – 16 , общ . - 8
ному числу на входах. Очевидно, что этот де-
Рисунок 5 – Десятичный шифратор неполный.
дешифратор К555ИД6 Значение активного уровня (нуля) имеет
тот выход, номер которого равен десятичному числу, определяемому дво-
ичным числом на входе. Например, если на всех входах – логические нули,
то на выходе Y 0 – логический ноль, а на остальных выходах – логическая
единица. Если на входе А2 – логическая единица, а на остальных входах –
логический ноль, то на выходе Y 2 – логический ноль, а на остальных вы-
ходах – логическая единица. Если на входе – двоичное число, превышаю-
щее 9 (например, на всех входах единицы, что соответствует двоичному
числу 1111 и десятичному числу 15), то на всех выходах – логическая еди-
ница.
 375

Дешифратор – одно из широко используемых логических устройств.

Его применяют для построения различных комбинационных устройств.

4.8.3 Мультиплексоры и демультиплексоры

Мультиплексоры
Назначение мультиплексоров (от англ. multiplex - многократный) - ком-
мутировать в желаемом порядке информацию, поступающую с нескольких
входных шин на одну выходную. С помощью мультиплексора осуществляет-
ся временное разделение информации, поступающей по разным каналам.
Мультиплексор можно уподобить бесконтактному многопозиционному пере-
ключателю.
Мультиплексоры обладают двумя группами входов и одним, реже дву-
мя — взаимодополняющими выходами. Одни входы информационные, а дру-
гие служат для управления.
К ним относятся адресные и разрешающие (стробирующие) входы. Ес-
ли мультиплексор имеет п адресных входов, то число информационных вхо-
дов будет 2n . Набор сигналов на адресных входах определяет конкретный
информационный вход, который будет соединен с выходным выводом.
Разрешающий (стробирующий) вход управляет одновременно всеми
информационными входами независимо от состояния адресных входов. За-
прещающий сигнал на этом входе блокирует действие всего устройства. На-
личие разрешающего входа расширяет функциональные возможности муль-
типлексора, позволяя синхронизировать его работу с работой других узлов.
Разрешающий вход употребляется также для наращивания разрядности муль-
типлексоров. На рисунке 6, а и 6, б показаны принципиальные схемы двух
простейших мультиплексоров-селекторов вида «две линии к одной» (2: 1).

x1 & 1
A F
x2 &

а б в
Рисунок 6 - Мультиплексор-селектор вида 2:1: а - управляемый контактами;
б - управляемый сигналом по входу А; в - микросхема ТТЛ К155КП5
 376

Вариант – а, обеспечивает коммутацию информационных цепей с по-

мощью механических устройств (переключателей, реле и т. п.) без вмеша-
тельства в управляемые цепи. Переключатель S играет роль адресного уст-
ройства, положение контактов которого определяет, какие входные сигналы,
х1 или х2, будут поступать на выход. Добавлением логических элементов И
можно увеличить число входных информационных шин.
В варианте б для переключения входных цепей используется один
внешний сигнал. Когда А = 1, F = x1; при А = 0, F = x2.
Эти же принципы положены в основу построения и более сложных
схем мультиплексоров.
Примером мультиплексора является микросхема ТТЛ К155КП5. Это
мультиплексор - коммутатор с восьми входов на один (8:1), рисунок 6, в.
Цифровая комбинация на управляющих входах (А , В, С) определяет, с
какого из информационных входов сигналы на выходы будут переданы в на
выход (вывод 6).
Демультиплексоры
Демультиплексоры в функциональном отношении противоположны
мультиплексорам. Здесь сигналы с одного информационного входа распреде-
ляются в желаемой последовательности по нескольким выходам. Выбор нуж-
ной выходной шины, как и в мультиплексоре, обеспечивается кодом на ад-
ресных входах. При п адресных входах демультиплексор может иметь в зави-
симости от конструкции до 2n выходов.
Идею работы демультиплексора поясняет рисунок 7.
A 1 & F0

& F1
x
Рисунок 7 – Принцип работы демультиплексора
Вход х - информационный, вход А - адресный, потенциал на этом входе
определяет, на каком из выходов будут формироваться сигналы, повторяю-
щие х.
Когда А = 1, верхний элемент И заперт и на выходе его F0 = 0; нижний
элемент, напротив, открыт и работает как повторитель информационных сиг-
налов F1 = х. При А = 0 заперт нижний элемент F1 = 0, а верхний пропускает
входную информацию F0 = х.
Демультиплексоры с большим числом выходов работают по тому же
принципу, только имеют более сложную схему.
 377

4.8.4 Ключи КМОП

Как известно, полевой транзистор в области малых напряжений
сток-исток ведет себя как резистор, сопротивление которого может изме-
няться во много раз при изменении управляющего напряжения затвор-
исток Uзи. Но при использовании ПТ с управляющим переходом такие
коммутаторы трудно реализовать по схемным соображениям.
Проблемы подобного рода не возникают, если в качестве ключа ис-
пользовать полевой транзистор с изолированным затвором (МОП транзи-
стор).
МОП транзисторы можно переводить в открытое состояние, подавая
управляющее напряжение большее, чем максимальное входное положи-
тельное напряжение, причем в таком режиме работы ток затвора будет ра-
вен нулю. Схема ключа на МОП транзисторе приведена на рисунке 8, а.
Здесь ключом является n-канальный МОП транзистор обогащенного типа,
не проводящий ток при Uзи ≤ 0 .
VT1

VT2
Uвх R Uвых
Uупр 1

а б
Рисунок 8 - Последовательные коммутаторы на МОП транзисторах; а –
ключ на МОП транзисторе; б – ключ на комплементарных МОП
транзисторах
В этом состоянии сопротивление канала, как правило, достигает
единиц или даже десятков ГОм, и сигнал не проходит через ключ. Подача
на затвор относительно истока значительного положительного напряжения
приводит канал в проводящее состояние с типичным сопротивлением от 20
до 200 Ом для транзисторов, используемых в качестве аналоговых ключей.
Приведенная на рисунке 8,а схема будет работать при положитель-
ных входных сигналах, которые по крайней мере на 5 В меньше, чем Uупр.
При более высоком уровне сигнала напряжение затвор-исток будет
недостаточно, чтобы удержать транзистор в открытом состоянии (сопро-
тивление канала в открытом состоянии Rо начнет расти). Отрицательные
входные сигналы, в данной схеме, вызовут включение транзистора при за-
земленном затворе.
Лучшими характеристиками обладают ключи на комплементарных
МОП транзисторах (КМОП ключи), рисунок 8,б.
 378

Рисунок 9 – Зависимость сопротивлений каналов транзисторов КМОП

ключа от Uвх
Здесь на подложку транзистора VT1 подается положительное пи-
тающее напряжение +Uпит, а на подложку транзистора VT2 - отрицатель-
ное питающее напряжение -Uпит. При высоком уровне управляющего
сигнала напряжение на затворе n-канального транзистора VT2 практически
равно +Uпит. В таком случае транзистор VT2 проводит сигналы с уровня-
ми от -Uпит до +Uпит без нескольких вольт (при более высоких уровнях
сигнала Rо начинает катастрофически расти). В это время напряжение на
затворе VT1 практически равно -Uпит. Транзистор VT1 пропускает сигна-
лы с уровнями от +Uпит до значения на несколько вольт выше -Uпит. Та-
ким образом, все сигналы в диапазоне от +Uпит до -Uпит проходят через
двухполюсник с малым сопротивлением (рисунок 10). При переключении
управляющего сигнала на низкий уровень, напряжение на затворе n-
канального транзистора VТ2 устанавливается близким к -Uпит, а напряже-
ние на затворе p-канального транзистора VТ1 устанавливается близким к
+Uпит. Тогда, при -Uпит < Uвх < +Uпит, оба транзистора заперты, и цепь
коммутатора разомкнута. В результате получается аналоговый переключа-
тель для сигналов в диапазоне от низкого напряжения питания ключа до
высокого напряжения его питания.
На рисунке 9 показано эквивалентное сопротивление каналов парал-
лельно включенных МОП транзисторов. Эта схема работает в двух на-
правлениях - любой ее зажим может служить входным. Она является осно-
вой практически для всех ИМС аналоговых коммутаторов, выпускаемых в
настоящее время.
Коммутаторы могут иметь много входов и один выход или быть
дифференциальными. Дифференциальный канал коммутации посылает
 379

выбранный сигнал из двух входных проводов в два выходных. По-

другому, такой коммутатор обслуживает дифференциальные источники
сигналов, передавая токи на дифференциальный приемник.
Такие коммутаторы являются двунаправленным ключом. Двуна-
правленный ключ, или, как его еще называют, двунаправленный переклю-
чатель, представляет собой специфический узел из КМОП транзисторов и
не имеет функциональных аналогов среди микросхем других видов логи-
ки.
Двунаправленный ключ можно уподобить реле, управление которым
осуществляется без затрат мощности. Наряду с инверторами двунаправ-
ленные ключи находят применение во многих функциональных устройст-
вах не только дискретной, но и аналоговой техники. Они производятся как
I0a в виде самостоятельных микросхем, так и в
1
Za
составе различных изделий.
& Дли коммутаторов КМОП важно, что
I1a их электронные контакты двунаправлен-
1
ные: сигнал можно подать на выход ком-
мутатора (это теперь одиночный вход), и,
I0b
выбрав адрес, направить ток на один из
1
многих выходов (номинально — входы).
Zb
& Коммутаторы КМОП пропускают как ана-
I1b
логовые, так и цифровые сигналы. В по-
1 следнем случае одна и та же микросхема
может работать как цифровой мультиплек-
сор и демультиплексор.
I0c
1 Примером современного коммутато-
&
Zc ра может служить КМОП микросхема
КР1554КП18 (4 сдвоенных переключателя).
I1c
1 Его структурная схема дана на рисунке 10.
Эта интегральная схема - аналог за-
рубежной ИС MC74AC157 улучшенной се-
I0d
1 рии КМОП. При питании 5 В она может
&
Zd коммутировать сигналы с напряжением от -
0,5 В до 5,5 В. Сопротивление канала не
I1d
1 более 250 Ом. Микросхема имеет доста-
точно высокое быстродействие - задержка
E
1 не более 5 нс.
Эквивалентная схема одного канала
S
1 1 приведена на рисунке 11,а, а условное обо-
значение на рисунке 11,б. Здесь же показан
Рисунок 10 – Коммутатор ее общий вид.
КР1554КП18
 380

а б в
Рисунок 11 – Коммутатор КР1554КП18: а – эквивалентная схема первого
канала; б – условное обозначение; в – общий вид
Вход S – управляющий. Подачей на него нуля или единицы можно
выбирать тот или иной сигнал из двух входных.
Вход Е – разрешающий. При высоком потенциале на данном входе
на всех выходах коммутатора будет низкий уровень не зависимо от со-
стояния всех других входов. При подаче на вход Е единицы, переключа-
тель начинает работать.

4.8.5 Устройства отображения информации. Индикаторы:

Газоразрядные. Вакуумно-люминисцентные. Светодиодные.
Жидкокристаллические. Устройство, схемы включения и
принципы управления
Важнейшей частью измерительных и контролирующих приборов,
электронных часов и многих других приборов и устройств с визуально на-
блюдаемой цифровой информацией являются устройства отображения ин-
формации. Они основаны на разных физических принципах, некоторые из
них мы рассмотрим ниже.
4.8.5.1 Газоразрядные индикаторы
Газоразрядный индикатор - ионный прибор для отображения слож-
ной информации, использующий тлеющий разряд.
Наиболее простыми среди газоразрядных являются знаковые инди-
каторы. Такой индикатор представляет собой стеклянный баллон, в кото-
ром находится пакет из десяти тонких металлических электродов (като-
дов). Каждый из катодов выполнен в форме цифры от 0 до 9 или знака, при
этом они включаются индивидуально.
 381

Поскольку электроды сложены в пакет, то различные цифры появ-

ляются на разных глубинах, в отличие от плоского отображения, в котором
все цифры находятся на одной плоскости по отношению к зрителю.
Баллон наполнен инертным газом неоном (или другими смесями га-
зов) с небольшим количеством ртути. Функцию анода выполняет тонкая
сетка, размещенная перед пакетом цифр, через которую, хорошо видно
свечение всех катодов цифр.
Когда между анодом и катодом прикладывается электрический по-
тенциал от 120 до 180 Вольт постоянного тока, вблизи катода возникает
оранжево-красное свечение, которого повторяет форму включенного знака
цифрового индикатора.
Внешний вид, схема включения одного из газоразрядных индикато-
ров серии ИН - индикатора ИН8 - показаны на рисунке 12.

б
Рисунок 12 – Газоразрядный индикатор: а – внешний вид индикаторов;
б – схема включения индикатора ИН-8
 382

Управление газоразрядным индикатором производится с помощью

дешифратора. Специально для управления газоразрядными индикаторами
была разработана отечественная микросхема - высоковольтный дешифра-
тор К155ИД1 (её зарубежный аналог 74141), ее включение показано на ри-
сунке 13.
Дешифратор К155ИД1 представляет собой двоично-десятичный де-
шифратор с «высоковольтным» выходом, т. е. рассчитанным на совмест-
ную работу с цифровым газоразрядным индикатором. У дешифратора че-
тыре адресных входа, которые подключают непосредственно к выходам
счетчика, работающего в весовом коде 1-2-4-8, и десять выходов, которые
соединяют с катодами цифрового индикатора. Дешифратор преобразует
выходные сигналы счетчика в сигналы кода десятичной системы счисле-
ния, которые включают свечение соответствующих катодов-цифр индика-
тора.
Первые газоразрядные индикаторы были разработаны в 1952 году. С
начала 1950-х до 1970-х годов индикаторы, построенные на газоразрядном
принципе, были доминирующим в технике. Позже они были заменены све-
тодиодными, вакуумно-люминесцентными и жидкокристаллическими дис-
плеями и довольно редки сегодня. В настоящее время большинство наиме-
нований газоразрядных индикаторов более не производится.
Газоразрядные индикаторы использовались в калькуляторах, в изме-
рительном оборудовании, в первых компьютерах, в аэрокосмической тех-
нике и подводных лодках, в лифтовых.
Существовали также сегментные и матричные газоразрядные инди-
каторы. Принцип их работы тот же, но для них требуются специальные
дешифраторы.
4.8.5.2 Вакуумно-люминисцентные индикаторы
Вакуумно-люминесцентный индикатор (ВЛИ), или катодолюминес-
центный индикатор (КЛИ) - электровакуумный прибор, элемент индика-
ции, работающий по принципу электронной лампы. Несмотря на то, что
такой индикатор является, по сути, радиолампой, он не считается устарев-
шим радиоэлементом, продолжает производиться и сегодня, и применяется
в современной радиоаппаратуре, в том числе и вновь разрабатываемой.
Как и другие индикаторы, ВЛИ могут быть сегментными, точечно-
матричными, мнемоническими, комбинированными.
Вакуумно-люминесцентный индикатор представляет собой электро-
вакуумный триод прямого накала с множеством покрытых люминофором
анодов. Параметры лампы подобраны таким образом, чтобы она могла ра-
ботать при низких анодных напряжениях — от 9 до 27 В.
Рассмотрим устройство простейшего 7-сегментного ВЛИ. Вакуум-
ный люминесцентный индикатор (ВЛИ) представляет собой вакуумный
 383

прибор триодной конструкции. Она состоит из катода прямого накала,

сетки и нескольких анодов, покрытых низковольтным люминофором,
заключенных в вакуумный баллон (рисунок 13, а).

а б
Рисунок 13 – Вакуумно-люминесцентный индикатор: а – конструкция (1 –
катод; 2 –сетка; 3 – экран; 4 - подложка; 5 – люминофор; 6 – анод); б –
общий вид
Функции анода выполняют несколько электродов, покрытых люми-
нофором с небольшой энергией возбуждения, составляющей всего не-
сколько электрон-вольт. Именно этот факт и позволяет лампе работать при
низком анодном напряжении. Аноды выполнены в виде семи сегментов –
частей, из которых могут формироваться изображения всех цифр и не-
скольких букв.
Электроны, вылетая с катода 1, имеющего температуру 900-1000 К,
ускоряются электрическим полем сетки 2 и сегментов анода 6. Дости-
гая этих сегментов, электроны возбуждают люминофор 5, вызывая его
свечение. Для управления индикатором напряжение подается лишь на те
сегменты анода, которые формируют требуемое изображение. Остальные
сегменты находятся под тем же напряжением, что и катод; электроны,
отражаясь от них, попадают на экран 3, соединенный с сеткой. На этот же
экран попадает та часть электронов, которая не достигает положительно
заряженных сегментов анода. Сетка 2 необходима для того, чтобы поток
электронов в области анода был более равномерным, ее потенциал обычно
равен потенциалу анода. В исходном состоянии, когда управляющее на-
пряжение не подано, для предотвращения нежелательного свечения сетка
имеет отрицательный потенциал на несколько вольт ниже, чем катод. Всю
систему электродов вместе с подложкой 4 помещают в вакуумированный
стеклянный баллон.
Вакуумно-люминесцентные индикаторы производились в СССР,
ГДР, и Японии. В настоящее время они изготавливаются в Японии, в не-
большом количестве производятся в России и на Украине.
 384

Данные индикаторы вот уже на более чем два десятилетия с успехом

используются во многих классах видеотерминальных устройств. Они при-
меняются в качестве цифровых и буквенно-цифровых дисплеев в АСУ и
диспетчерских пультах, электронных калькуляторах и часах, системах
единого времени телецентров, морских судов.
Их используют в качестве аналого-цифровых и мнемонических дис-
плеев в автомобилях, самолетах, космических кораблях, в видео- и ау-
диомагнитофонах, лазерных проигрывателях, тюнерах и телевизорах.
Созданы полноформатные низковольтные экраны для отображения
универсальной знакографической информации.
Достоинства ВЛИ в том, что они непосредственно сопрягаются с
ИС, обладают высокой яркостью свечения и большим углом обзора, эко-
номичны, многоцветны, работоспособны в условиях экстремальных воз-
действий внешних факторов.
К числу недостатков вакуумных люминесцентных индикаторов сле-
дует отнести невысокую контрастность и трудность получения достаточно
яркого свечения синего, желтого и красного цветов.
Пример включения ВЛИ приведен на рисунке 14.
В нем нить накала индикатора ВЛИ питается от напряжения 1,5 В, а
его сетка, аноды-элементы и микросхема DD1 - от напряжения 9 В.
Анод-точка индикатора не используется, поэтому на схеме узла не
показан.
SB1 DD1 HG1 К выв. 14 DD1
«Уст. 0" K176ИЕ4
ИВ6
5 9 2 GB2
R CT2 a a
10 1 + 9B
DC b b
c 11 10
c
Вход d 12 6
d
4 13 5
e К выв. 7 DD1 -
C e 4
8
f f 9 +
g 1 3
g
- GB1
6 2 8 7 R1 5,1 1,5 B
S p

Сигнал переполнения
счетчика
Рисунок 14 – Включение ВЛИ
Микросхема К176ИЕ4 (DD1) представляет собой объединенные в
одном корпусе декадный счетчик импульсов (СТ2) и преобразователь (т. е.
дешифратор) ее состояний в двоичном коде в сигналы управления семи-
элементным индикатором (DC).
Счетные импульсы подают на вход С. Справа - выходы а, … g, со-
ответствующие адресным входам а, … g индикатора. Триггеры счетчика
 385

устанавливаются в нулевое состояние при подаче напряжения высокого

уровня на вход R, что эквивалентно разрыву цепи (кнопкой SB1) между
выводом 5 и общим проводом. Переключаются триггеры спадом положи-
тельных импульсов на входе С.
4.8.5.3 Полупроводниковые светодиодные индикаторы
Полупроводниковый семиэлементный цифробуквенный индикатор
образуют 7 светодиодов, имеющих форму полос, которые, как и в вакуум-
ных люминесцентных индикаторах, расположены в одной плоскости
«восьмеркой» (рисунок 15).

Рисунок 15 – Полупроводниковый индикатор: с общим катодом (слева); с

общим анодом (справа)
Полупроводниковые индикаторы изготавливаются на основе све-
тоизлучающих диодов с конца 60-х годов и являются исторически первы-
ми оптоэлектронными индикаторами. В них используется явление инжек-
ционной электролюминесценции в прямосмещенных p-n переходах на ос-
нове таких полупроводников, как GaP, GaAsP, GaAlAs, GaN, InGaN, SiС.
Выбор материала определяется необходимостью получения заданных цве-
тов свечения.
Конструкции полупроводниковых индикаторов бывает двух видов:
монолитная, когда сегменты с типичным размером 2х3 мм создаются ме-
тодами фотолитографии на полупроводниковом кристалле и гибридная,
когда каждый сегмент - это отдельный излучающий кристалл на керамиче-
ском основании.
Пропуская прямой ток через один или группу соответствующих све-
тодиодов-элементов, получают светящееся изображение цифры или буквы.
 386

По способу соединения электродов светодиодов и полярности вклю-

чения питания различают индикаторы двух групп: с общим катодом и с
общим анодом.
Для управления индикаторами с общим катодом на входные (анод-
ные) выводы подают напряжение положительной полярности, а для управ-
ления индикаторами с общим анодом - отрицательной полярности по от-
ношению к общему проводу.
Конструкции полупроводниковых семиэлементных индикаторов
весьма разнообразны. Для примера на рисунке 16 показан внешний вид не-
скольких типов 7-сегментных светодиодных индикаторов.

а б в
Рисунок 16 – Внешний вид полупроводниковых светодиодных
индикаторов: а – отечественный индикатор АЛ304Г; б – отечественный
индикатор КИПЦ 08А; в – индикатор Е40561-L-O-0-W (Гонконг)
В качестве примера, на рисунке 17 приведен общий вид (слева) и
схема включения индикатора типа АЛ304Б.

а б
Рисунок 17 –Применение 7-сегментного индикатор АЛ304Б: а – внешний
вид АЛ304Б; б – схема включения
Размеры корпуса такого индикатора - 5,3 × 6,3 мм, размеры знака-
2 × 3 мм, длина выводов - около 6 мм.
В схеме управлением индикатором АЛ304Б с общим катодом ис-
пользуется микросхема К514ИД1 (DD1) - дешифратор, предназначенный
для совместной работы с семиэлементным индикатором с разъединенными
анодами светодиодов. При поступлении на его входы сигналов от счетчика
 387

импульсов, работающего в коде 1-2-4-8, индикатор высвечивает логиче-

ское состояние счетчика.
В микрокалькуляторах, электронных часах и многих других прибо-
рах и устройствах цифровой техники повышенной сложности используют-
ся многоразрядные индикаторы. К их числу относятся, например, индика-
торы отечественных серий АЛС311, АЛС339, АЛС348.
Каждый из них состоит из пяти светодиодных индикаторов, подоб-
ных индикаторам серии АЛС304, расположенных в корпусе «в строку».
Элементы - аноды между собой не имеют никаких электрических связей,
поэтому любой разряд, входящий в такой знакосинтезирующий прибор,
может работать как самостоятельный одноразрядный семиэлементный ин-
дикатор.
Достоинства светодиодных индикаторов:
- возможность перекрытия всего видимого диапазона;
- низкое напряжение питания от 1,5 до 5 В;
- долговечность (более 105 часов);
- быстродействие (10-8 - 10-9 с);
- широкий температурный диапазон (-60 +125°С);
- компактность;
- технологичность.
4.8.5.4 Жидкокристаллические индикаторы
Жидкокристаллический индикатор (ЖКИ) или дисплей (ЖКД) - пло-
ский дисплей на основе жидких кристаллов, а также монитор на основе та-
кого дисплея.
В настоящее время жидкокристаллические индикаторы являются
наиболее распространённым видом индикаторов. Хотя сами жидкие кри-
сталлы (ЖК) были известны химикам еще с 1888 г., но только 1960-х годов
началось их практическое использование.
В середине 1960 годов инженеры из RCA (Radio Corporation of
America) Д. Фергасон и Р. Вильямс, занимавшиеся исследованиями воз-
действия электрического поля на жидкие кристаллы, продемонстрировали
первые ЖК-индикаторы для часов. Сейчас они используется для отобра-
жения графической информации в компьютерных мониторах (также и в
ноутбуках), телевизорах, телефонах, цифровых фотоаппаратах, электрон-
ных книгах, навигаторах, также –электронных переводчиках, калькулято-
рах, часах и т. п., а также во многих других электронных устройствах.
Основой любого жидкокристаллического индикатора является так
называемая электрооптическая ячейка. Две плоские стеклянные пластинки
с нанесенным на них прозрачным проводящим слоем из окиси олова или
окиси индия, выполняющие роль электродов, разделяются тонкими про-
кладками из непроводящего материала (полиэтилен, тефлон). Образовав-
 388

шийся зазор между пластинками, кото-

рый колеблется от 5 до 50 мкм (в зави-
симости от назначения ячейки), запол-
няется жидким кристаллом, и вся "сан-
двичевая" конструкция по периметру
"запаивается" герметиком или другим
изолирующим материалом.
Итак, в ЖКИ слой жидких кри-
сталлов толщиной несколько микронов
находится между двумя стеклянными
электродами. Причем за счет специ-
альной структуры поверхности стекла,
Рисунок 18 - Пьер Жиль де Жен молекулы кристалла ориентированы
(1932 - 2007) - выдающийся параллельно плоскости этих электро-
французский физик, лауреат дов. Сверху и снизу такого «сендвича»
Нобелевской премии по физике в расположены пластины-поляризаторы,
1991 г. Он открыл структуру, ориентированные перпендикулярно
положившую начало ЖК- друг другу. Толщина слоя жидких кри-
дисплеям. За множество сталлов рассчитана так, что в исходном
фундаментальных открытий состоянии они поворачивают плос-
многие ученые называют де Жена кость поляризации световой волны
"Ньютоном нашего времени" ровно на 90°. В результате в обесто-
ченной ячейке (рисунок 19, слева) свет беспрепятственно проходит через
него, отражается от зеркала (оно сделано матовым, чтобы не отражало ок-
ружающих предметов) и возвращается обратно. Подобная матрица в обес-
точенном состоянии выглядит, как обычная стеклянная пластинка.
Когда на электроды подано напряжение (рисунок 19, справа), элек-
трическое поле ориентирует молекулы жидкого кристалла вдоль силовых
линий, то есть перпендикулярно плоскости электродов. Жидкий кристалл
теряет свои свойства и перестает поворачивать плоскость поляризации
света. За счет перпендикулярной ориентации поляризационных пластин
весь «сендвич» перестает пропускать свет. Образуется черная точка (или
сегмент цифрового индикатора — в зависимости от конфигурации элек-
тродов).
Подобные монохромные ЖК-дисплеи используются и поныне — в
наручных и настольных часах, в портативных измерительных приборах, в
дисплеях калькуляторов, плееров, магнитол, фотокамер. Они отличаются
практически нулевым потреблением энергии — только на перезаряд кон-
денсатора, который образуют электроды. Управлять сегментами такого
индикатора, приходится с помощью переменного тока, потому что однаж-
ды «засвеченный» сегмент может оставаться в таком состоянии часами
даже после снятия напряжения с электродов, и возвращать в исходное со-
 389

стояние его приходится принудительно, подачей напряжения противопо-

ложной полярности.
Величина напряжения сверх некоего, очень небольшого, предела
(порядка 1–3 В) на «яркость» (точнее, на контрастность) такой ячейки
практически не влияет. Поэтому таким способом получаются очень кон-
трастные монохромные цифробуквенные индикаторы и небольшие табло,
для разборчивости символов на которых достаточно лишь слабой внешней
засветки. Зато обеспечить полутоновые изображения в таких пассивных
матрицах методом изменения величины подаваемого напряжения крайне
сложно. Кроме того, хотя у простой пассивной матрицы неплохая контра-
стность в отраженном свете, но при наличии лампы-подсветки, увы, черно-
го цвета от нее не добиться.

Рисунок 19 – Устройство ЖКИ индикатора

Поскольку ЖКИ выпускаются обычно многоразрядные, то изобра-
жение на экране ЖКИ формируется динамическим способом. Для управ-
ления ЖКИ необходимо использовать специальные устройства на микро-
 390

процессорах. Часто эти устройства встраивают непосредственно в ЖКИ

панель. На рисунке 20 показаны общие виды нескольких ЖКИ.

а г

б в д
Рисунок 20 – Общий вид ЖКИ: а – первый в истории ЖКИ; б - ЖКИ
брелка автосигнализации; в – ЖКИ мультиметре DT-832; г - ЖКИ в часах
Casio; д –ЖКИ типа WH1602 для отображения буквенно-цифровой
информации фирмы Winstar
Контрольные вопросы
1. Регистры. Разновидности и принцип работы статического и сдви-
гающего регистров.
2. Преобразователи кодов. Назначение и примеры использования.
3. Назначение мультиплексоров и демультиплексоров.
4. Возможность коммутации аналоговых и цифровых сигналов ключа-
ми на КМОП транзисторах. Устройства и принцип работы ключа.
5. Назначение и роль устройств отображения информации.
6. Газоразрядные индикаторы. Устройство, принцип работы и при-
мер схемы включения.
7. Вакуумно-люминисцентные индикаторы. Устройство, принцип
работы и пример схемы включения.
8. Светодиодные индикаторы. Устройство, принцип работы и при-
мер схемы включения.
9. ЖК индикаторы. Схемы включения и принципы управления.
 391

Лекция 4.9 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере

План лекции
1) Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере. Типовая струк-
тура микропроцессора и микроконтроллера. Назначение блоков. Области
применения.
2) Аналогово-цифровые преобразователи. Принципы работы.
3) Цифро-аналоговые преобразователи. Принципы работы.

4.9.1 Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере. Типовая

структура микропроцессора и микроконтроллера. Назначение
блоков. Области применения
Микропроцессор (МП) - это программно управляемое устройство, ко-
торое предназначено для обработки цифровой информации и управления
процессом этой обработки и выполнено в виде одной или нескольких сверх-
больших интегральных схем (чипов) выполненных на кристалле кремния.
Первым в мире микропроцессором был i4004, 4-битный микропроцес-
сор, представленный фирмой Intel 15 ноября 1971 г. Он состоял из 2300 тран-
зисторов, работал на частоте 108 кГц и предназначался для использования в
микрокалькуляторах.
Основными разработчиками первого МП стали сотрудники фирмы Intel
Федерико Фаджин, Тед Хофф и Стэнли Мэйзор. На рисунке 1 они показаны
после награждения 15 октября 2010 г. медалями США за работу над МП Intel
4004.

Рисунок 1 – Инженеры - разработчики первого МП: Т. Хофф (слева);

С. Мейзор (в центре) и Ф. Фаджин (справа)
 392

Создание микропроцессора стало возможным только благодаря фанта-

стической миниатюризации в современной электронной технике второй по-
ловины ХХ века. Это крошечное вычислительное устройств состоит из сотен
тысяч и миллионов микроскопических электронных схем, нанесенных на по-
верхность миниатюрного кремниевого кристалла. Его возможности опреде-
ляются размером этого кристалла и количеством реализованных в нем тран-
зисторов. Внешний вид некоторых МП показан на рисунке 2.

а б в г

д е ж з
Рисунок 2 – Общий вид микропроцессоров:
а - первый в мире МП Intel i4004 (1971 г.); б - первый 8-битный МП Intel 8008
(1972 г.); в - МП 580ВМ80, советский клон Intel 8080 (усовершенствованная
версия Intel 8008); г - МП KP1810BM86, советский клон Intel 8086 первого 16 -
битного МП (1978 г). Процессор имел набор команд, который применяется и
в современных процессорах с архитектурой x86; д - первый двухъядерный
МП IBM POWER4; е – первый в мире процессор Pentium (1993 г.); ж - МП
ATmega8 - один из самых простых из всех современных микропроцессоров;
з - Intel 8048 первый микроконтроллер корпорации Intel,
Базовыми элементами микропроцессора регистры – цепочки триггеров
предназначенных для хранения информации и быстрого доступа к ней. Вы-
полняемые микропроцессором команды обеспечивают арифметические дей-
ствия, логические операции, передачу управления и перемещение данных
(между регистрами, оперативной памятью и портами ввода и вывода).
Работой микропроцессора управляют электрические импульсы. Нали-
чие импульса (высокий уровень напряжения) соответствует единице, отсутст-
вие импульса (низкое напряжение) - нулю. То есть микропроцессор предна-
значен для обработки сигналов в двоичном коде и представляет собой сверх-
миниатюрную цифровую вычислительную машину, помещенную на одном
кристалле.
Основными характеристиками микропроцессоров являются:
 393

- тактовая частота, определяющая максимальное время выполнения

переключения элементов в ЭВМ. Тактовая частота МП может составлять от
сотен килогерц до нескольких гигагерц;
- разрядность, то есть максимальное число одновременно обрабаты-
ваемых двоичных разрядов. От разрядности зависят производительность МП
и максимальный объем его внутренней памяти.
Разрядность МП обозначается m / n / k и включает:
m - разрядность внутренних регистров, определяет принадлежность к
тому или иному классу процессоров;
n - разрядность шины данных, определяет скорость передачи информа-
ции;
k - разрядность шины адреса, определяет размер адресного пространст-
ва. Например, МП i8088 характеризуется значениями . m / n / k = 16 / 8 / 20 .
- архитектура. Понятие архитектуры микропроцессора включает в се-
бя систему команд и способы адресации, возможность совмещения выполне-
ния команд во времени, наличие дополнительных устройств в составе микро-
процессора, принципы и режимы его работы.
Все МП можно разделить на две большие группы: универсальные МП и
однокристальные микроконтроллеры (МК).
Универсальные микропроцессоры предназначены для решения задач
цифровой обработки различного типа информации от инженерных расчетов
до работы с базами данных, не связанных жесткими ограничениями на время
выполнения задания. Этот класс микропроцессоров наиболее широко извес-
тен. К нему относятся такие известные микропроцессоры, как МП ряда
Pentium, Core 2, Intel Core i7 фирмы Intel и МП семейства Athlon, Turion фир-
мы AMD.
Универсальные микропроцессоры принято разделять на CISC - и RISC-
микропроцессоры.
CISC-микропроцессоры (Completed Instruction Set Computing - вычис-
ления с полной системой команд) имеют в своем составе весь классический
набор команд с широко развитыми режимами адресации операндов. Именно к
этому классу относятся, например, МП для персональных компьютеров.
В то же время RISC-микропроцессоры (Reduced instruction set computing
- вычисления с сокращенной системой команд) используют, как следует из
определения, уменьшенное количество команд и режимов адресации. Поэто-
му такие МП имеют несколько большее быстродействие при одинаковой так-
товой частоте.
Архитектура типичного МП показана на рисунке 3. Она содержит 5 ос-
новных блоков цифровой машины: устройство ввода информации, управ-
ляющее устройство (УУ), арифметико-логическое устройство (АЛУ) (входя-
 394

щие в состав микропроцессора), запоминающие устройства (ЗУ) и устройство

вывода информации.

адреса
Шина управления

Шина данных
Шина

Рисунок 3 - Архитектура типового микропроцессора

Микропроцессор координирует работу всех устройств цифровой систе-
мы с помощью шины управления. Помимо шины управления имеется 16-
разрядная адресная шина, которая служит для выбора определенной ячейки
памяти, порта ввода или порта вывода. По 8-разрядной информационной ши-
не или шине данных осуществляется двунаправленная пересылка данных к
микропроцессору и от микропроцессора. Важно отметить, что МП может по-
сылать информацию в память или к одному из портов вывода, а также полу-
чать информацию из памяти или от одного из портов ввода.
Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) в МП содержит некото-
рую программу (на практике программу инициализации ЭВМ). Программы
могут быть загружены в запоминающее устройство с произвольной выборкой
(ЗУПВ) и из внешнего запоминающего устройства. Это программы пользова-
теля.
 395

Универсальные микропроцессоры не являются самодостаточными уст-

ройствами, и для построения вычислительной системы требуют подключения
ряда дополнительных микросхем (память, контроллеры, порты).
Однокристальные микроконтроллеры (МК) предназначены для ис-
пользования в системах промышленной и бытовой автоматики. Они пред-
ставляют собой большие интегральные схемы, которые включают в себя все
устройства необходимые для реализации цифровой системы управления ми-
нимальной конфигурации.
На рисунке 4 изображена структурная схема типичного современного
микроконтроллера.
7-сегментный Кнопка
Светодиод индикатор

Электродвигатель

Последо- Память
Цифровой порт
вательный данных
ввода-вывода
порт ОЗУ
Таймер
Сторожевой
Компьютер ЦПУ реального
таймер
времени

Тактовый
Таймер
генератор Память
программ
Аналоговый (ПЗУ)
Цепь сброса порт
ввода-вывода

Датчики давления, температуры и т. д. Аудиосистема

Рисунок 4 – Структура современного МК
В состав таких МК входят: МП (как правило, целочисленный); ЗУ ко-
манд; ЗУ данных; генератор тактовых сигналов; программируемые устройст-
ва для связи с внешней средой (контроллер прерывания, таймеры-счетчики,
 396

разнообразные порты ввода/вывода); иногда аналого-цифровые и цифро-

аналоговые преобразователи и т. д. В некоторых источниках этот класс мик-
ропроцессоров называется однокристальными микро-ЭВМ (ОМЭВМ). Мы
будем называть – микроконтроллеры.
В настоящее время две трети всех производимых микропроцессорных
БИС в мире составляют МП этого класса, причем почти две трети из них име-
ет разрядность, не превышающую, 16 бит.
Из рисунка видно, что микроконтроллер может управлять различными
устройствами и принимать от них данные при минимуме дополнительных уз-
лов, так как большое число периферийных схем уже имеется непосредственно
на кристалле микроконтроллера. Это позволяет уменьшить размеры конст-
рукции и снизить потребление энергии от источника питания.
Для сравнения: при использовании традиционных микропроцессоров
приходится все необходимые схемы сопряжения с другими устройствами
реализовывать на дополнительных компонентах, что увеличивает массу, раз-
меры и потребление электроэнергии.
Процессоры цифровой обработки сигналов (ПЦОС), или цифровые сиг-
нальные процессоры, представляют собой бурно развивающийся класс мик-
ропроцессоров. Они предназначенных для решения задач цифровой обработ-
ки сигналов - обработки звуковых сигналов, изображений, распознавания об-
разов и т. д. ПЦОС включают в себя многие черты однокристальных МК: гар-
вардскую архитектуру, встроенную память команд и данных, развитые воз-
можности работы с внешними устройствами. В то же время в них присутст-
вуют черты и универсальных МП, особенно с RISC-архитектурой: конвейер-
ная организация работы, программные и аппаратные средства для выполне-
ния операций с плавающей запятой, аппаратная поддержка сложных специа-
лизированных вычислений, особенно умножения.
Рассмотрим типичные схемы, присутствующие в микроконтроллерах,
см. рисунок 4.
1. Центральное процессорное устройство (ЦПУ) — сердце микрокон-
троллера. Оно принимает из памяти программ коды команд, декодирует их и
выполняет. ЦПУ состоит из регистров, арифметико-логического устройства
(АЛУ) и цепей управления.
2. Память программ – постоянное запоминающее устройство (ПЗУ).
Здесь хранятся коды команд, последовательность которых формирует про-
грамму для микроконтроллера.
3. Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ). Здесь хранятся пере-
менные программ. У большинства микроконтроллеров здесь расположен
также стек.
4. Тактовый генератор. Этот генератор определяет скорость работы
микроконтроллера.
 397

5. Цепь сброса. Эта цепь служит для правильного запуска микрокон-

троллера.
6. Последовательный порт - позволяет обмениваться данными с внеш-
ними устройствами при малом количестве проводов.
7. Цифровой порт ввода/вывода. По сравнению с последовательным
портом с помощью этого порта, можно управлять одновременно несколькими
внешними устройствами.
8. Таймер реального времени. Используется для отсчета временных ин-
тервалов.
9. Сторожевой таймер. Это специальный таймер, предназначенный для
предотвращения сбоев программы. Он работает следующим образом: после
запуска он начинает отсчет заданного временного интервала. Если программа
не перезапустит его до истечения этого интервала времени, сторожевой тай-
мер перезапустит микроконтроллер. Таким образом, программа должна да-
вать сторожевому таймеру сигнал — все в порядке. Если она этого не сделала,
значит, по какой-либо причине произошел сбой.
Кроме того, в современных МК зачастую имеются и другие элементы.
Например, встроенные аналого-цифровые или цифроаналоговые преобразо-
ватели, усилители, выходные радиопередатчики для связи с внешними уст-
ройствами по радиоканалу и д.р.
В качестве примера рассмотрим основные характеристики МК семей-
ства AVR. Это новое семейство 8-разрядных RISC-микроконтроллеров фир-
мы Atmel. Эти микроконтроллеры позволяют решать множество задач встро-
енных систем. Они отличаются от других распространенных в настоящее
время микроконтроллеров большей скоростью работы, большей универсаль-
ностью. Быстродействие данных микроконтроллеров позволяет в ряде случа-
ев применять их в устройствах, для реализации которых ранее можно было
применять только 16-разрядные микроконтроллеры, что позволяет ощутимо
удешевить готовую систему. Кроме того, микроконтроллеры AVR очень лег-
ко программируются — простейший программатор можно изготовить само-
стоятельно буквально в течение 30 минут!
Микроконтроллеры AVR фирмы Atmel и обладают следующими ос-
новными характеристиками:
- гарвардская RISC-архитектура загрузки и выполнения большинства
инструкций в течение одного цикла тактового генератора. При этом достига-
ется скорость работы примерно 1 Мфлопс (1 миллион операций в секунду) на
МГц. Частота тактового генератора многих типов микроконтроллеров AVR
может достигать 10... 16 МГц (10... 16 Мфлопс);
Таким образом, если использован кварцевый резонатор с частотой 16
МГц, микроконтроллер будет работать с быстродействием почти 16 Мфлопс;
 398

- программы содержатся в электрически перепрограммируемой посто-

янной памяти программ. Эта память может быть перепрограммирована до
1000 раз. Это облегчает настройку и отладку систем.;
- система команд микроконтроллеров AVR учитывает особенности
языка программирования высокого уровня С, что в результате позволяет по-
лучать после компиляции программ на С гораздо более эффективный код, чем
для других микроконтроллеров.;
- микроконтроллеры AVR имеют 32 регистра, все из которых напрямую
работают с АЛУ, что значительно уменьшает размер программ;
- очень небольшое потребление энергии и наличие нескольких режимов
работы с пониженным потреблением энергии позволяет примененять данные
МК в конструкциях с батарейным питанием;
- наличие дешевых и простых в использовании программных средств.
Полноценные программы доступны в свободно распространяемом варианте,
как, например, отладчик AVR Studio, ассемблер Wavrasm, различные версии
программаторов и компиляторов языка С;
- встроенные выходы с широтно-импульсной модуляцией, тайме-
ры/счетчики, аналоговый компаратор и другие устройства;
- все микроконтроллеры AVR имеют электрически перепрограммируе-
мую постоянную память данных, которая может быть перепрограммирована
более 100 000 раз.
Имеется три подсемейства микроконтроллеров AVR:
1) tiny AVR — недорогие миниатюрные микроконтроллеры в 8-
выводном исполнении;
2) Classic AVR — основная линия микроконтроллеров с производи-
тельностью отдельных модификаций до 16 Мфлопс, памятью программ 2...8
Кб, памятью данных 64...512 байт, оперативной памятью данных 128...512
байт;
3) mega AVR с производительностью 4... 16 Мфлопс для сложных при-
ложений, требующих большого объема памяти, памятью программ до 128 Кб,
памятью данных 64...512 байт, оперативной памятью данных 2...4 Кб, встро-
енным 10-разрядным 8-канальным АЦП, аппаратным умножителем 8x8.
Интересной особенностью семейства микроконтроллеров AVR являет-
ся то, что система команд всего семейства совместима при переносе програм-
мы со слабого на более мощный микроконтроллер.

4.9.2 Цифро-аналоговые преобразователи. Устройство и

принцип действия
Цифро-аналоговые преобразователи (ЦАП) предназначены для пре-
образования цифровых кодов в аналоговые величины, например, напряже-
ние, ток, сопротивление и т. п. Виды ЦАП показаны на рисунке 5.
 399

Рисунок 5 – Классификация ЦАП

Последовательные ЦАП
Среди последовательных ЦАП следует выделить ЦАП с широтно-
импульсной модуляцией. Такие ЦАП широко используются в современ-
ных МК. Они ценны тем, что крайне просто реализуются.
В данных ЦАП используется цифровой входной код, для формиро-
вания последовательности импульсов фиксированной частоты с длитель-
ностью импульсов, пропорциональной входному числу.
Данный принцип весьма перспективен в случае, если не требуется
высокое быстродействие. Схема ЦАП с ШИМ приведена на рисунке 6.

Рисунок 6 – ЦАП с ШИМ: а – функциональная схема; б – график работы

Наиболее просто организуется цифро-аналоговое преобразование в
том случае, если микроконтроллер имеет встроенную функцию широтно-
импульсного преобразования (например, AT90S8515 фирмы Atmel или
87С51GB фирмы Intel). Выход МК с ШИМ управляет ключом S. В зави-
симости от заданной разрядности преобразования (для контроллера
AT90S8515 возможны режимы 8, 9 и 10 бит) контроллер с помощью сво-
его таймера/счетчика формирует последовательность импульсов U1 , отно-
сительная длительность которых γ = tи T определяется соотношением
D
γ = n, (2)
2
где п – разрядность преобразования;
 400

D - преобразуемый код.
Фильтр нижних частот (НЧ фильтр) сглаживает импульсы, выделяя
среднее значение напряжения. В результате выходное напряжение преоб-
разователя
D
Uвых = γ Uоп = n ⋅ Uоп , (3)
2
где Uоп - опорное напряжение (напряжение источника питания).
Рассмотренная схема обеспечивает почти идеальную линейность
преобразования, не содержит прецизионных элементов (за исключением
источника опорного напряжения). Основной ее недостаток – низкое быст-
родействие.
Наиболее часто этот вид Ц/А-преобразования используется, когда
сама нагрузка является системой с медленной реакцией; в этом случае ши-
ротно-импульсный модулятор генерирует точные порции энергии, усред-
няемые системой, подключенной в качестве нагрузки.
Нагрузка, например, может быть емкостной (как в стабилизаторе на-
пряжения с импульсным регулированием), термической, механической или
электромагнитной.
Параллельные ЦАП
Принцип работы параллельных ЦАП заключается в суммировании
всех разрядных токов, или напряжений или зарядов, взвешенных по дво-
ичному закону и пропорциональных значению опорного напряжения. То
есть, преобразование заключается в суммировании электрических величин
(токов или напряжений), пропорциональных весам двоичных разрядов,
причем суммируются только токи тех разрядов, значения которых равны
логической 1. В двоичном коде вес от разряда к разряду изменяется вдвое.
Наиболее распространены две схемы суммирования токов - парал-
лельная и последовательная. На рисунке 7 приведена схема параллельного
суммирования токов.

Рисунок 7 - Параллельная схема суммирования токов

 401

Ключи S переключаются при уровне логической 1, тем самым под-

ключая резисторы к источнику опорного напряжения (ИОН) Uвх = соnst .
Через резисторы протекает соответствующий весу разряда ток. Сопротив-
ление резисторов прогрессивно изменяется в два раза от разряда к разряду.
При высокой разрядности сопротивления резисторов должны быть
согласованы с высокой точностью. Особо жесткие требования предъявля-
ются к резисторам старших разрядов, поскольку разброс тока в них не
должен превышать тока младшего разряда. Вообще же, разброс сопротив-
ления в n-м разряде должен быть меньше, чем:
∆R
= 2−n . (1)
R
Отсюда следует, что разброс сопротивления, к примеру, в третьем
разряде не должен превышать 12,5%, в 10-м разряде - уже 0,098%.
Такая схема имеет много недостатков, хотя весьма проста. К приме-
ру, при различных входных кодовых состояниях потребляемый от источ-
ника опорного напряжения (ИОН) ток будет также различным, что, несо-
мненно, повлияет на величину выходного напряжения ИОН. Это приведет
к возникновению ошибки преобразования.
Кроме того, сопротивления весовых резисторов могут отличаться в
тысячи раз, а это затрудняет реализацию таких элементов на базе полупро-
водниковых ИС. Помимо этого, сопротивления резисторов старших разря-
дов могут быть соизмеримы с сопротивлением замкнутого ключа, а это
приведет к погрешностям преобразования. И еще, в разомкнутом состоя-
нии к ключам прикладывается довольно высокое напряжение, а это за-
трудняет их построение.
Существует резисторная структура, в которой устранены указанные
выше недостатки. Она называется цепная R-2R-схема. Здесь требуются
только 2 значения резисторов, по которым схема формирует токи с двоич-
ным масштабированием. Резисторы, конечно, должны быть точно подоб-
раны, хотя действительные их величины не так существенны. Для двоич-
но-десятичного преобразования используется несколько модификаций R-
2R-схем. На рисунке 8 приведена схема ЦАП с резистивной матрицей.
Данная схема впервые реализована в схеме ЦАП AD7520, разрабо-
танном фирмой Analog Devices в 1973 г. Отечественным аналогом является
ИС 572ПА1. В настоящее время по этой схеме строят большинство ЦАП.
Поскольку ключи S соединяют нижние выводы резисторов с общей
шиной питания, источник опорного напряжения работает на постоянную
нагрузку, следовательно, его значение стабильно и не изменяется при лю-
бом входном коде ЦАП, в отличие от предыдущей схемы.
Кроме того, резисторы матрицы соединяются с общей шиной через
низкое сопротивление замкнутых ключей S, напряжения на ключах не-
большие (в пределах нескольких милливольт), что значительно упрощает
 402

построение ключей и схем управления ими, и позволяет использовать

опорное напряжение в широком диапазоне даже разнополярное.
R R
Uвх

2R 2R 2R 2R
R

Sп Sп-1 S1
DA1
Uвых

2п 2п-1 20
Рисунок 8 - Последовательная схема суммирования токов
В качестве ключей используются МОП-транзисторы.
Поскольку выходной ток в таком преобразователе изменяется ли-
нейно, то имеется возможность умножения аналогового сигнала на цифро-
вой код, если вместо опорного напряжения Uвх использовать аналоговый
сигнал. Такие ЦАП называются перемножающими.
Примером применения перемножающего ЦАП может служить циф-
ровые регуляторы громкости в радиоаппаратуре. В них вместо опорного
напряжения подается входной сигнал.
Для последовательной схемы требования к точности резисторов на-
много меньше, чем для параллельной схемы.
Быстродействие данных ЦАП не очень велико из-за ограниченного
быстродействия МОП ключей.
Помимо вышерассмотренных схем существуют ЦАП на источниках
тока, обладающие более высокой точностью. В таких ЦАП весовые токи
формируются не резисторами, а транзисторными источниками тока,
имеющими высокое динамическое сопротивление. Примером может слу-
жить отечественный ЦАП 594ПА1.

4.9.3 Аналогово-цифровые преобразователи. Устройство и

принцип действия
Аналого-цифровые преобразователи (АЦП) предназначены для преоб-
разования аналоговой величины в цифровой код. Другими словами, АЦП -
это устройства, которые принимают аналоговые сигналы и генерируют соот-
ветствующие им цифровые.
Это играет важную роль в тех случаях, когда компьютер или про-
цессор регистрируют или контролируют ход эксперимента или технологи-
 403

ческого процесса, или всякий раз, когда цифровая техника используется

для выполнения традиционно аналоговой работы.
Аналого-цифровое преобразование (А/Ц преобразование) следует
использовать в областях, где для обеспечения помехоустойчивой и шумо-
защищенной передачи аналоговая информация преобразуется в промежу-
точную цифровую форму (например, в цифровой звукотехнике или в сис-
темах связи - импульсно-кодовая модуляция). Это требуется в самых раз-
нообразных измерительных средствах, а также в устройствах генерации и
обработки сигналов, таких, как цифровые синтезаторы колебаний и уст-
ройства шифрования данных.
В принципе, вполне реально осуществить преобразование различных
физических величин непосредственно в цифровую форму. Однако, процесс
этот весьма сложен и кое-где непригоден. Поэтому наиболее рациональным
является сначала преобразование физической величины (силы, звука, скоро-
сти, давления и т.д. ) в функционально связанные с ними аналоговые электри-
ческие сигналы, а затем с помощью преобразователя напряжение-код в циф-
ровые. Именно последние и понимаются, как АЦП.
Аналоговый электрический сигнал на входе преобразователя срав-
нивается с известным эталонным напряжением и производится цифровое
представление этого сигнала. На выходе АЦП имеет обычно двоичный
код, пропорциональный входному аналоговому значению. То есть суть
преобразования аналоговых величин заключается в представлении некой не-
прерывной функции (например, напряжения) от времени в последователь-
ность чисел, отнесенных к неким фиксированным моментам времени.
Поэтому для преобразования аналогового (непрерывного) сигнала в
цифровой необходимо выполнить три операции:
- дискретизация;
- квантование;
- кодирование.
Иногда последняя операция исклю-
чается.
Дискретизация - это представление
непрерывной функции в виде ряда дис-
кретных отсчетов. По-другому можно
сказать, что дискретизация - это преобра-
зование непрерывной функции в непре-
рывную последовательность цифр. Прин-
цип дискретизации изображен на рисунке
9. На рисунке показана наиболее распро-
страненная равномерная дискретизация.
Рисунок 9 - Принцип
Сначала имеется непрерывный сигнал
дискретизации
U(t). Затем он подвергается разбиению на
 404

равные промежутки времени ∆t. Эти промежутки называются периодом дис-

кретизации. Обратная величина периода дискретизации 1 ∆t называется час-
тотой дискретизации.
В результате получается последовательность дискретных отсчетов с
шагом в ∆t.
Период дискретизации выбирается из условия:
1
∆t = f max , (1)
2
где f max - максимальная частота спектра сигнала.
Это выражение следует из теоремы
Котельникова, которая гласит: любой не-
прерывный сигнал можно абсолютно точно
восстановить на выходе идеального поло-
сового фильтра с полосой f max , если дис-
кретные отсчеты взяты через интервал
∆t = 1 (2 ⋅ f max) .
Квантование заключается в разбие-
ние диапазона значений непрерывной или
дискретной величины на конечное число
интервалов.
Рисунок 10 - Владимир Алек- При квантовании шкала сигнала раз-
сандрович Котельников (1908 - бивается на уровни.
2005) академик, учёный в об- Отсчеты помещаются в подготовлен-
ласти радио и связи. ную сетку и преобразуются в ближайший
Открыл теорему отсчётов, номер уровня квантования.
носящую его имя Процесс квантования по уровню по-
казан на рисунке 11.

8
7
6
5 δ
4
3
2
1
0
-1 t
-2
-3
-4
-5
-6

Рисунок 11 – Квантование сигнала по уровню

 405

Для квантования в двоичном коде диапазон напряжения сигнала от

Umin до Umax делится на 2n интервалов. Величина получившегося интерва-
ла (шага квантования) равна
U max − U min
δ= . (2)
2n
Номинальное значение кванта преобразования δ - называют едини-
цей младшего разряда (ЕМР) или Младшим значащим разрядом (МЗР).
Каждому интервалу присваивается n-разрядный двоичный код - номер
интервала, записанный двоичным числом. Каждому отсчёту сигнала присваи-
вается код того интервала, в который попадает значение напряжения этого от-
счёта. Таким образом, аналоговый сигнал представляется последовательно-
стью двоичных чисел, соответствующих величине сигнала в определённые
моменты времени, то есть цифровым сигналом. При этом каждое двоичное
число представляется последовательностью импульсов высокого (1) и низкого
(0) уровня.
Рассмотрим некоторые метрологические понятия ЦАП и АЦП.
Одна из основных характеристик АЦП (и ЦАП) – это характеристика
преобразования, зависимость между напряжением на его аналоговом вы-
воде и цифровом коде на его выходе, заданная в виде таблицы, графика
или формулы, рисунок 12
Код δ/2
111...11
111...10

δ/2 δ

000...01
000...00
0 U1 U2 Umax Uвх
Рисунок 12 - Номинальная характеристика преобразования двоичного
АЦП в униполярном режиме
Другая важная характеристика АЦП - разрешающая способность.
Это величина, обратная максимальному числу кодовых комбинаций. Раз-
решающая способность выражается в процентах, разрядах или децибелах и
характеризует потенциальные возможности преобразователя с точки зре-
ния достижимой точности. Например, 12-разрядный АЦП имеет разре-
шающую способность 1/4096, или 0,245% от полной шкалы, или -72,2 дБ.
 406

Важный параметр АЦП называется диапазоном входного напряже-

ния. Это область значений входного сигнала между начальной и конечной
точкам характеристики преобразования.
Характеристики реальных АЦП и ЦАП отличаются от идеальных
характеристик из-за различных погрешностей. Основные виды погрешно-
стей АЦП и ЦАП следующие:
- погрешность смещения – это параллельный сдвиг характеристики
преобразования относительно идеальной, рисунок 13, а;

а б
Код
111...11
Реальный АЦП
111...10
Выпадающий код

Идеальный АЦП

000...01
000...00
0 Uвх
в г
Рисунок 13 – Погрешности АЦП: а – погрешность смещения;
б - погрешность усиления; в – интегральная нелинейность;
г - дифференциальная погрешность
- погрешность усиления – это отличие характеристики преобразова-
ния от идеальной характеристики наклоном во всем диапазоне работы, ри-
сунок 13, б;
- интегральная нелинейность – это отличие характеристики преоб-
разования от линейного закона во всем диапазоне работы, рисунок 13, в;
- дифференциальная погрешность – это отличие характеристики пре-
образования от идеальной линейной характеристики в части диапазона ра-
боты, рисунок 13, г.
 407

Погрешности смещения или усиления могут быть легко скомпенси-

рованы настройками схемы АЦП. Сложнее поддаются регулировке по-
грешности нелинейности, особенно дифференциальные нелинейности.
Погрешность квантования. Возникает из-за преобразования входного
напряжения в конечное число кодов. Погрешность квантования - интервал
входного напряжения протяженностью 1 МЗР (шаг квантования по напряже-
нию), который характеризуется одним и тем же кодом. Всегда равна ±0.5
МЗР.
Абсолютная погрешность. Максимальное отклонение реальной (без
подстройки) характеристики преобразования от реальной при любом коде.
Является результатом действия нескольких эффектов: смещения, погрешно-
сти усиления, дифференциальной погрешности, нелинейности и погрешности
квантования. Идеальное значение: ±0.5 МЗР.
Погрешность смещения – отклонение первого перехода по сравнению с
идеальным переходом (т.е. при 0.5 младшего разряда).
Погрешность усиления. После корректировки смещения погрешность
усиления представляет собой отклонение последнего перехода от идеального
перехода.
Интегральная нелинейность (ИНЛ). После корректировки смещения и
погрешности усиления ИНЛ представляет собой максимальное отклонение
реальной функции преобразования от идеальной для любого кода.
Дифференциальная нелинейность. Максимальное отклонение между
шириной фактического кода (интервал между двумя смежными переходами)
от ширины идеального кода.
По быстродействию АЦП в настоящее время можно разделить на сле-
дующие группы в зависимости от максимальной частоты преобразования
fs.макс:
- АЦП постоянного тока с fs.макс < 10 кГц;
- АЦП среднего быстродействия с fs.макс = 10…5000 кГц;
- скоростные АЦП с fs.макс = 5…200 МГц;
- сверхскоростные АЦП с fs.макс >> 200 МГц.
Точность современных моделей АЦП определяется преимущественно
разрядностью. Можно определить следующие градации:
- АЦП низкой точности 8 разрядов и менее;
- АЦП средней точности 10 -13 разрядов;
- АЦП высокой точности 14 разрядов и более.
Подробно рассмотреть все виды АЦП в одной лекции не представляет-
ся возможным, поэтому рассмотрим основные наиболее часто применяемые
устройства.
Все многообразие АЦП можно разделить на группы, объединенные
общей технологией, схемотехникой и методом преобразования. Классифика-
 408

ция по методам преобразования АЦП, выпускаемых в виде интегральных

микросхем (ИМС), представлена на рисунке 14.

Рисунок 14 – Классификация АЦП по методам преобразования

Параллельные АЦП
Параллельные АЦП прямого преобразования – содержат по одному
компаратору на каждый дискретный уровень входного сигнала, рисунок 15.
Здесь используется массив компараторов, каждый из которых сравни-
вает входное напряжение с индивидуальным опорным напряжением. Такое
опорное напряжение для каждого компаратора формируется на встроенном
прецизионном резистивном делителе. Значения опорных напряжений начи-
наются со значения, равного половине младшего значащего разряда (МЗР), и
увеличиваются при переходе к каждому следующему компаратору с шагом,
равным Uоп / 2 n . Например, для 3-х разрядного АЦП требуется 23 − 1 или
семь компараторов. А, например, для 8-разрядного параллельного АЦП по-
требуется уже 255 ( 28 − 1 )) компараторов.
С увеличением входного напряжения компараторы последовательно
устанавливают свои выходы в логическую единицу вместо логического нуля,
начиная с компаратора, отвечающего за младший значащий разряд. Можно
представить преобразователь как ртутный термометр: с ростом температуры
 409

столбик ртути поднимается. Дешифратор преобразует 2n − 1 - разрядное циф-

ровое слово с выходов компараторов в двоичный n разрядный код.
Параллельные АЦП - достаточно быстрые устройства, но они имеют
свои недостатки. Из-за необходимости использовать большое количество
компараторов параллельные АЦП потребляют значительную мощность, и их
нецелесообразно использовать в приложениях с батарейным питанием.
Uоп
Параллельное кодирование
R/2
(иногда называемое «мгновенным»
7 СD 1 кодированием) - это самый быстрый
6 2
5 3 метод А/Ц-преобразования. Время за-
R 4
3 держки от входа до выхода равно
2
1 сумме времен задержки на компарато-
R 0
GS
ре и шифраторе. Параллельные преоб-
Е1 EO разователи, выпускаемые промыш-
R
На выходе
ленностью, имеют от 16 до 1024 уров-
приоритетного ней квантования (с выходами от 4 до
R
дешифратора CD
3-х разрядный
16 разрядов). При большем числе раз-
двоичный код рядов они становятся дорогими и гро-
R
моздкими.
Быстродействие их колеблется
от 15 до 300 млн. отсчетов в секунду.
R
Данные АЦП часто использу-
ются для видео или других высокочас-
R/2 тотных сигналов, а также широко
применяются в промышленности для
Uвх
отслеживания быстро изменяющихся
Рисунок 15 – АЦП параллельного процессов в реальном времени.
типа
Последовательно-параллельные АЦП прямого преобразования - это
частично последовательные АЦП, сохраняя высокое быстродействие, позво-
ляют значительно уменьшить количество компараторов до
k ⋅ (2 n k − 1) , (3)
где n - число битов выходного кода;
k - число параллельных АЦП прямого преобразования), требующееся для
преобразования аналогового сигнала в цифровой (при 8-ми битах и 2-х АЦП
требуется 30 компараторов).
Содержат в своем составе k параллельных АЦП прямого преобразова-
ния. Второй, третий и т.д. АЦП служат для уменьшения ошибки квантования
первого АЦП путем оцифровки этой ошибки. В качестве примера на рисунке
16 показано устройство двухступенчатого АЦП.
 410

Рисунок 16 - Двухступенчатый АЦП

АЦП1 (верхний) осуществляет "грубое" преобразование входного сиг-
нала в старшие разряды. Сигналы с выхода первого АЦП поступают на вы-
ходной регистр и одновременно на вход быстродействующего ЦАП. Кружо-
чек с плюсиком - это сумматор, но в данном случае вычитатель. Цифровой
код преобразуется ЦАП в напряжение, которое вычитается из входного в этом
вычитателе. Разность напряжений преобразуется с помощью АЦП2 в коды
младших разрядов.
Требования к точности АЦП1 выше, нежели ко второму. Оба АЦП па-
раллельного типа. Допустим, и тот, и другой 4-х разрядные, в каждом исполь-
зуется по 16 компараторов. В итоге получается 8-ми разрядный АЦП всего на
32 компараторах, тогда как при построении по параллельной схеме понадоби-
лось бы 28 - 1 = 255 шт.
АЦП этого типа медленнее параллельных АЦП прямого преобразова-
ния, имеют высокое разрешение и небольшой размер корпуса.
Последовательные АЦП
Последовательные АЦП бывают последовательного счета и последо-
вательного приближения.
Последовательные АЦП последовательного счета
Типичная схема АЦП последова-
тельного счета приведена на рисунке
17. На схеме буквами и символами обо-
значены следующие элементы: К -
компаратор, логический элемент 2И,
ГТИ - генератор тактовых импульсов,
СТ - счетчик, #/A – цифроаналоговый
преобразователь (ЦАП).
На один вход компаратора пода-
ется входное напряжение, на второй -
напряжение с выхода ЦАП. В начале
Рисунок 17 - АЦП работы счетчик устанавливается в ну-
последовательного счета левое состояние, напряжение на выходе
 411

ЦАП при этом равно нулю, а на выходе компаратора устанавливается логиче-

ская 1. При подаче импульса разрешения "Строб" счетчик начинает считать
импульсы от генератора тактовых импульсов, проходящих через открытый
элемент 2И. Напряжение на выходе ЦАП при этом линейно нарастает, пока не
станет равным входному. При этом компаратор переключается в состояние
логического 0 и счет импульсов прекращается. Число, установившееся на вы-
ходе счетчика, и есть пропорциональный входному напряжению цифровой
код. Выходной код остается неизменным пока длится импульс "Строб", после
снятия, которого счетчик устанавливается в нулевое состояние и процесс пре-
образования повторяется.
Такие АЦП имеют низкое быстродействие. Достоинством является
сравнительная простота построения.
Последовательные АЦП последовательного приближения
Более быстродействующим являются АЦП последовательного прибли-
жения. Они называются также АЦП с поразрядным уравновешиванием.
АЦП последовательных приближений – наиболее популярный тип
АЦП, поскольку он сочетает в себе высокую точность и высокую скорость
преобразования.
Обобщенная структурная схема АЦП последовательного приближения
показана на рисунке 18.
В N–разрядном преобразователе регистр последовательных приближе-
ний состоит из N триггеров, которые поочередно устанавливаются в единич-
ное состояние (х=1), а их выходы являются цифровыми входами ЦАП. Вы-
ходное напряжение ЦАП сравнивается с аналоговым входным напряжением.
Uвх

ЦАП (N-разрядный)

N-разрядный регистр
Устройство
последовательных
управления
приближений

Устройство синхронизации

Рисунок 18 - Структурная схема АЦП последовательных приближений

 412

Первым в единичное состояние устанавливается триггер старшего раз-

ряда, так что сначала аналоговое входное напряжение сравнивается с выход-
ным напряжением ЦАП, которое соответствует напряжению старшего знака
разряда (СЗР) U СЗР = Uоп 2 . Если аналоговое входное напряжение больше
U СЗР , то триггер старшего разряда остается в единичном состоянии Х 1 = 1 в
течение всего последующего цикла преобразования. Если же аналоговое
входное напряжение меньше U СЗР , то триггер старшего разряда сбрасывается
в нуль Х 1 = 0 и остается в этом состоянии до конца цикла преобразования.
Затем в единичное состояние устанавливается следующий триггер (вто-
рой разряд), при этом выходное напряжение ЦАП равно
U СЗР = Uоп ⋅ ( Х 1 2 + Х 2 4) , причем Х 2 = 1 .
Если это напряжение меньше входного аналогового напряжения Uвх ,
то второй разряд остается равным единице Х 2 = 1 .
Если же оно больше аналогового входного напряжения, то второй раз-
ряд сбрасывается в нуль Х 2 = 0 .
Этот процесс повторяется для всех оставшихся триггеров (всего N раз)
до полного завершения цикла преобразования. В каждом случае, если анало-
говое входное напряжение больше напряжения ЦАП, то очередной триггер
сохраняет свое текущее состояние. Если аналоговое входное напряжение
меньше напряжения ЦАП, то триггер, который последним был установлен в
единичное состояние, сбрасывается в нуль.
Таким образом, осуществляется последовательное приближение на-
пряжения АЦП и, следовательно, соответствующих цифровых кодов к анало-
говому входному напряжению, начиная со старшего в начале цикла преобра-
зования и кончая младшим в конце цикла преобразования.
На всю операцию преобразования требуется в два раза больше тактов
преобразования, чем количество разрядов. Поэтому АЦП последовательных
приближений намного быстрее АЦП последовательного счета. АЦП этого ти-
па обладают одновременно высокой скоростью и хорошим разрешением.
АЦП дифференциального кодирования
АЦП дифференциального кодирования содержат реверсивный счётчик,
код с которого поступает на вспомогательный ЦАП. Входной сигнал и сигнал
со вспомогательного ЦАП сравниваются на компараторе. Благодаря отрица-
тельной обратной связи с компаратора на счётчик код на счётчике постоянно
меняется так, чтобы сигнал со вспомогательного ЦАП как можно меньше от-
личался от входного сигнала. После истечения некоторого времени разница
сигналов становится меньше, допустимой ошибки, при этом код счётчика
считывается как выходной цифровой сигнал АЦП.
 413

АЦП этого типа имеют очень большой диапазон входного сигнала и

высокое разрешение, но время преобразования зависит от входного сигнала,
хотя и ограничено сверху.
АЦП дифференциального кодирования – хорошо подходят для многих
практических применений, так как большинство сигналов в физических сис-
темах не склонны к скачкообразным изменениям.
Интегрирующие АЦП
Данные АЦП называют также - АЦП сравнения с пилообразным сигна-
лом.
Принцип работы подобной схемы представлен на рисунке 19.
В данном АЦП в начале преобразования запускается внутренний гене-
ратор линейного напряжения на конденсаторе С, который заряжается от ис-
точника стабильного тока I. Одновременно D-триггер запускает подсчет им-
пульсов от внутреннего генератора стабильных по частоте тактовых импуль-
сов, счетчик. Когда линейно меняющееся напряжение на конденсаторе С
сравняется с входным уровнем, компаратор останавливает счетчик. Результат
на счетчике будет пропорционален входному уровню, то есть это и будет
цифровой выход.

Рисунок 19 – Интегрирующий АЦП

Результат счета передается в регистр на D-триггерах, одновременно
схема разряжает конденсатор С и сбрасывает состояние счетчика. Преобразо-
ватель готов к очередному циклу преобразования.
Способ одностадийного интегрирования достаточно прост, но он не ис-
пользуется, если необходима высокая точность, поскольку в этом случае вы-
 414

двигаются слишком жесткие требования к стабильности и точности конденса-

тора и компаратора.
Данный тип АЦП является наиболее простым по структуре и содержит
минимальное число элементов. Вместе с тем простейшие АЦП этого типа об-
ладают довольно низкой точностью и чувствительны к температуре и другим
внешним параметрам.
АЦП двойного интегрирования
АЦП двойного интегрирования - очень распространенные устройства.
В АЦП двойного интегрирования используется метод предварительно-
го преобразования напряжения во временной интервал, а затем измерения
временного интервала. Преобразователь «напряжение – временной интервал»
строится на основе интегратора, так как при постоянном входном напряжении
выходное напряжение интегратора Uи – линейная функция времени:
t
1 1
RC ∫0
Uи (t ) = − Uвх ( t ) dt = − Uвх ⋅ t . (4)
RC
На рисунке 20 приведены схема (а) и график (б) работы АЦП двойного
интегрирования.

б
Рисунок 20 – АЦП двойного интегрирования а – функциональная схема; б -
временная диаграмма
На первом этапе преобразования на вход интегратора через входной
коммутатор подается напряжение Uвх и в течение фиксированного времени
реализуется первое интегрирование, в результате которого на выходе инте-
 415

гратора устанавливается напряжение, пропорциональное Uвх , то есть

Uи = − Uвх ⋅ Т 1 ( RC ) .
На втором этапе преобразования на вход интегратора подключается ис-
точник ЭДС Е, знак которого противоположен знаку Uвх , напряжение на вы-
ходе интегратора изменяется от Uи. max до 0 в течение времени
T 2 = Uвх ⋅ T 1 E .
При достижении на выходе интегратора нулевого уровня компаратор
прекращает поступление тактовых импульсов на вход выходного счетчика ре-
зультата.
Элементы R1 и VD – согласуют уровни выходного напряжения компа-
ратора на ОУ и элемента 2И.
С помощью данного метода можно добиться очень хорошей точности,
не предъявляя слишком жестких требований к стабильности компонентов. В
частности, стабильность емкости конденсатора может быть не высокой, по-
скольку циклы заряда и разряда происходят со скоростью, обратно пропор-
циональной емкости. Более того, ошибки дрейфа и смещения компаратора
компенсируются благодаря тому, что каждый цикл преобразования начинает-
ся и заканчивается на одном и том же напряжении, а в некоторых случаях и с
одинаковым наклоном.
Здесь не предъявляются жесткие требования к частоте тактовых им-
пульсов, так как фиксированный интервал времени на первой фазе измерений
формируется из тех же тактовых импульсов, которые используются для счета
в прямом направлении. Если частота тактовых импульсов уменьшится на
10%, то начальный наклон будет на 10% выше нормального, а время спада на
10% вырастет. Так как измерение осуществляется по тактовым меткам, а их
частота снизилась на 10% по сравнению с нормальной, то окончательное со-
стояние счетчика будет тем же самым.
Двойное интегрирование находит широкое применение в цифровых
универсальных измерительных приборах, а также в преобразовательных мо-
дулях с разрешающей способностью от 10 до 18 разрядов. Там, где не требу-
ется высокое быстродействие, этот способ обеспечивает хорошую точность и
высокую стабильность при низкой стоимости и обладает превосходной поме-
хоустойчивостью к сетевым (и другим) помехам.
АЦП с преобразованием напряжения в частоту
В данных АЦП входное аналоговое напряжение преобразуется в вы-
ходную импульсную последовательность, частота которой пропорциональна
входному напряжению. Это можно осуществить простым зарядом конденса-
тора током, пропорциональным входному уровню, и последующим его разря-
дом при достижении заранее установленного порога.
Логический счётчик принимает эти импульсы на вход в течение време-
ни выборки, таким образом, выдавая к её окончанию кодовую комбинацию,
 416

численно равную количеству импульсов, пришедших на преобразователь за

время выборки.
Обычно частоты на выходе схемы напряжение-частота находятся в
диапазоне от 10 кГц до 1 МГц (последнее значение для максимального вход-
ного напряжения). Выпускаются коммерческие преобразователи напряжения
в частоту с разрешающей способностью, эквивалентной 12 разрядам (точ-
ность 0,01%).. Этот способ широко используется в цифровых измерительных
приборах средней точности (3 цифры).
Такие АЦП довольно медленны и не очень точны, но тем не менее
очень просты в исполнении и поэтому имеют низкую стоимость.
АЦП с сигма-дельта преобразованием
Сигма-дельта АЦП (называемые также дельта-сигма АЦП) производит
аналого-цифровое преобразование с частотой дискретизации, во много раз
превышающей требуемую и путём фильтрации оставляет в сигнале только
нужную спектральную полосу.
Данные АЦП обеспечивают самую высокую точность преобразования
на настоящее время - 24 двоичных разрядов. В этих аналого-цифровых преоб-
разователях для достижения такой высокой разрешающей способности со-
вмещены достижения как аналоговой, так и цифровой техники.
Для проведения большинства измерений часто не требуется АЦП со
скоростью преобразования, которую даёт АЦП последовательного приближе-
ния, зато необходима большая разрешающая способность. Сигма-дельта АЦП
могут обеспечивать разрешающую способность до 24 разрядов, но при этом
уступают в скорости преобразования. Так, в сигма-дельта АЦП при 16 разря-
дах можно получить частоту дискретизации до 105 отсчетов/сек, а при 24 раз-
рядах эта частота падает до 1000 отсчетов/сек и менее, в зависимости от уст-
ройства.
Обычно сигма-дельта АЦП применяются в разнообразных системах
сбора данных и в измерительном оборудовании (измерение давления, темпе-
ратуры, веса и т.п.), когда не требуется высокая частота дискретизации и не-
обходимо разрешение более 16 разрядов.
Принцип работы сигма-дельта АЦП сложнее для понимания. Эта архи-
тектура относится к классу интегрирующих АЦП. Но основная особенность
сигма-дельта АЦП состоит в том, что частота следования выборок, при кото-
рых собственно и происходит анализ уровня напряжения измеряемого сигна-
ла, существенно превышает частоту появления отсчетов на выходе АЦП (час-
тоту дискретизации). Эта частота следования выборок называется частотой
передискретизации.
Так, сигма-дельта АЦП со скоростью преобразования 105 отсчетов/сек,
в котором используется частота передискретизации в 128 раз больше, будет
 417

производить выборку значений входного аналогового сигнала с частотой

12,8 ⋅ 106 отсчетов/сек.
Блок-схема сигма-дельта АЦП первого порядка приведена на рисунке
21.

Рисунок 21 – Функциональная схема сигма-дельта АЦП

Аналоговый сигнал подается на интегратор, выходы которого подсое-
динены к компаратору, который в свою очередь присоединен к 1-разрядному
ЦАП в петле обратной связи. Путем серии последовательных итераций инте-
гратор, компаратор, ЦАП и сумматор дают поток последовательных битов, в
котором содержится информация о величине входного напряжения.
Результирующая цифровая последовательность затем подается на
фильтр нижних частот для подавления компонентов с частотами выше часто-
ты Котельникова (она составляет половину частоты дискретизации АЦП).
После удаления высокочастотных составляющих следующий узел - децима-
тор - прореживает данные. В рассматриваемом нами АЦП дециматор будет
оставлять 1 бит из каждых полученных 128 в выходной цифровой последова-
тельности.
Так как внутренний цифровой ФНЧ в сигма-дельта АЦП представляет
собой неотъемлемую часть для осуществления процесса преобразования,
время установления ФНЧ становится фактором, который необходимо учиты-
вать при скачкообразном изменении входного сигнала. Например, при пере-
ключении входного мультиплексора или при переключении предела измере-
ния прибора необходимо подождать, пока пройдут несколько отсчетов АЦП,
и лишь потом считывать корректные выходные данные.
Дополнительным и очень важным достоинством сигма-дельта АЦП яв-
ляется то, что все его внутренние узлы могут быть выполнены интегральным
способом на площади одного кремниевого кристалла. Это заметно снижает
стоимость конечных устройств и повышает стабильность характеристик
АЦП.
 418

Контрольные вопросы
1. Понятие о микропроцессоре и микроконтроллере.
2. Типовая структура микропроцессора.
3. Типовая структура микроконтроллера. Назначение блоков. Об-
ласти применения.
4. Цифро-аналоговые преобразователи. Классификация.
5. Принцип работы параллельных ЦАП.
6. Принцип работы параллельных ЦАП с суммированием напряже-
ний или токов.
7. Принципы аналого-цифрового преобразования. Этапы процесса
преобразования.
8. Погрешности, возникающие при аналого-цифровом преобразова-
нии.
9. Классификация АЦП по типу преобразования.
10. Схема и принцип работы параллельных АЦП.
11. Схема и принцип работы последовательных АЦП.
12. Схема и принцип работы интегрирующих АЦП.
13. Понятие об сигма-дельта АЦП.
 419

Заключение

В курсе лекций «Электротехника и электроника» рассмотрены во-

просы основных законов электрических и магнитных явлений, устройств и
принципа работы электрических машин и аппаратов, основ электроприво-
да и электроснабжения предприятий, полупроводниковых приборов и
электронных устройств. После изучения данного курса студенты всех на-
правлений очной и заочной форм обучения должны уметь выбирать необ-
ходимые электротехнические устройства, уметь их правильно эксплуати-
ровать и составлять совместно с инженерами-электриками технические за-
дания на разработку электрических частей автоматизированных и автома-
тических устройств и установок для управления различными технологиче-
скими процессами.
Курс лекций может быть полезным не только студентам,
но и аспирантам, и инженерам-практикам, преподавателям курсов «Элек-
тротехника», «Электрические машины» учебных заведений начального и
среднего профессионального образования, и интересующимся рассмотрен-
ными вопросами.