Лекция 2. Зонная теория.

Электропроводность полупроводников
Большинство применяемых в настоящее время полупроводников относятся к
кристаллическим веществам, атомы которых образуют пространственную решетку.
Взаимное притяжение атомов кристаллической решетки осуществляется за счет
ковалентной связи, т.е. общей пары валентных электронов, вращающихся по одной
орбите вокруг этих атомов. Согласно принципу Паули, общую орбиту могут иметь
только два электрона с различными спинами, поэтому число ковалентных связей
атома определяется его валентностью.
Каждой орбите соответствует своя энергия электрона. Электрон в атоме
обладает только некоторыми, вполне определенными значениями энергии,
составляющими совокупность дискретных энергетических уровней атома.
В процессе образования кристаллической решетки между атомами возникает
сильное взаимодействие, приводящее к расщеплению энергетических уровней,
занимаемых электронами атомов (рис.2). Совокупность этих уровней называют
энергетической зоной. Число подуровней в каждой зоне определяется числом
взаимодействующих атомов. Разрешенные энергетические зоны 1, 3 отделены друг от
друга запрещенными зонами 2. Верхняя разрешенная зона, в которой при абсолютном
нуле температуры все энергетические уровни заняты, называется валентной зоной
(зона 3). Разрешенная зона, в которой при Т=0 К электроны отсутствуют, называется
зоной проводимости (зона 1).

Рис.2. Энергетическая диаграмма кристалла

Ширина запрещенной зоны является важным параметром, определяющим

свойства твердого тела. Вещества, у которых ширина запрещенной зоны Eg≤3 эВ,
относятся к полупроводникам, а при Eg>3 эВ – к диэлектрикам. У металлов
запрещенная зона отсутствует. Значения ширины запрещенной зоны, эВ, некоторых
элементарных полупроводников приведены ниже:
 Бор 1.1

Кремний 1.12

Германий 0.665

Олово (a-Sn) 0.08

Фосфор 1.5

Мышьяк 1.2

Сурьма 0.12

Сера 2.5

Селен 1.8

Теллур 0.36

Йод 1.25
В полупроводниковой электронике наиболее широкое применение получили
германий и кремний – элементы 4-й группы периодической системы.
Кристаллическая решетка этих элементов схематически изображена на рис.3,а.
Кружками с цифрой 4 здесь обозначены атомы без валентных электронов (атомные
остатки) с результирующим зарядом +4q (q – заряд электрона). При абсолютном нуле
все электроны находятся на орбитах, энергия электронов на которых не превышает
энергетических уровней валентной зоны. Свободных электронов нет, полупроводник
ведет себя как диэлектрик.
Рис.3. Условное изображение кристаллической решетки (а) и энергетическая
диаграмма (б) полупроводника с собственной электропроводностью
При комнатной температуре часть электронов приобретает энергию, достаточную для
разрыва ковалентной связи (рис.3, а). При разрыве ковалентной связи в валентной
зоне появляется свободный энергетический уровень (рис.3, б). Уход электрона из
ковалентной связи сопровождается появлением в системе двух электрически
связанных атомов единичного положительного заряда, получившего название дырки,
и свободного электрона.
При разрыве ковалентной связи в валентной зоне появляется свободный
энергетический уровень, на который может перейти электрон из соседней
ковалентной связи. При таком перемещении первоначальный свободный
энергетический уровень заполнится, но появится другой свободный энергетический
уровень. Другими словами, заполнение дырки электроном можно представить как
перемещение дырки. Следовательно, дырку можно считать свободным подвижным
носителем элементарного положительного заряда. Процесс образования пар электрон
- дырка называется генерацией свободных носителей заряда. Очевидно, что
количество их тем больше, чем выше температура и меньше ширина запрещенной
зоны. Одновременно с процессом генерации протекает процесс рекомбинации
носителей, при котором электрон восстанавливает ковалентную связь. Из-за
процессов генерации и рекомбинации носителей зарядов при данной температуре
устанавливается определенная концентрация электронов в зоне проводимости ni и
равная ей концентрация дырок pi в валентной зоне:
(1)ni=p1=Aexp(−Eg/2kT),
где АА - коэффициент пропорциональности; k - постоянная Больцмана; ТТ -
абсолютная температура.
Полупроводник без примесей называют собственным полупроводником или
полупроводником i-типа. Он обладает собственной электропроводностью, которая
складывается из электронной и дырочной. Из формулы (1) следует, что в собственном
полупроводнике концентрации носителей зарядов зависят от ширины запрещенной
зоны и при увеличении температуры возрастают по экспоненциальному закону.
Число атомов в см1 см3 полупроводника порядка 1022. При комнатной температуре
концентрация носителей заряда для чистого германия смni=pi=1013 см−3, а для
кремния смni=pi=1010 см−3. Отсюда следует, что удельная проводимость чистых
полупроводников очень мала.
Для увеличения электропроводности и для придания полупроводнику тех или иных
свойств в чистые полупроводники вводят определенные примеси. Этот процесс
называется легированием. Появляется примесная электропроводность, которая может
быть электронной или дырочной (в зависимости от типа примеси).
Например, германий, будучи четырехвалентным, обладает примесной электронной
электропроводностью, если к нему добавить пятивалентную примесь мышьяка
(рис.4). Атом мышьяка взаимодействует с атомами германия только четырьмя своими
электронами; 5-й электрон оказывается свободным, что приводит к увеличению числа
электронов проводимости. При этом атом мышьяка становится положительным
ионом.

Рис.4. Возникновение примесной электронной электропроводности

Примесь, атомы которой отдают электроны, называется донорной. Полупроводники с
преобладанием электронной проводимости называются полупроводниками n-типа.
Если к четырехвалентному германию добавляется трехвалентная примесь (например,
бор), то получается полупроводник с дырочной проводимостью (полупроводник p-
типа). Примесь в этом случае называется акцепторной (отбирающей электроны). Ион
примеси приобретает при этом отрицательный заряд.
Для того чтобы примесная электропроводность преобладала над собственной,
концентрация атомов примеси должна превышать концентрацию собственных
носителей заряда, т.е. должны выполняться условия:
д(2)Nд>ni,pi
а(3)Nа>ni,pi.
Здесь даNд,Nа - концентрации донорной и акцепторной примеси соответственно.
Величины даNд,Nапринимают значения порядка см1015−1018 см−3.
Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает,
называются основными (электроны в полупроводнике n-типа, дырки в
полупроводнике p-типа). Носители заряда, концентрация которых меньше, чем
концентрация основных носителей, называются неосновными.
Для полупроводника выполняется следующее соотношение концентраций:
д(4)nn=Nд+ni,
где nn – общая концентрация электронов в полупроводнике n-типа. Поскольку
обычно дтодNд>>ni, то nn≈Nд.