В_1

2 При низких температурах концентрация электронов в полупроводнике определяется

концентрацией примесных центров. С ростом температуры примесная концентрация растет, а
следовательно, возрастает и проводимость. При
некоторой температуре концентрация электронов
перестает зависеть от температуры. Это область
примесного истощения. Все атомы примеси уже
ионизованы, а собственная концентрация все еще
гораздо меньше чем примесная. И, наконец, в области
еще более высоких температур начинается резкий рост
концентрации с дальнейшим повышением
температуры. Это область собственной проводимости.
3
В_2

2
Для газа, состоящего из ферми-частиц, температурой вырождения является температура Ферми ,
определяемая соотношением (6.44) . Как следует из (6.44), температура вырождения тем больше, чем

меньше масса частиц и чем больше их концентрация, поэтому особенно велика у электронного

газа в металлах. Действительно, масса электрона очень мала ( кг), а концентрация

электронов в металлах достаточно велика ( ~ м-3), что приводит к значению ~

К (см. Таблицу 6.1). При температуре , т.е. при , электронный газ в металлах

является вырожденным. При температуре , т.е. при , электронный газ

невырожден. Поскольку температура Ферми для металлов имеет величину ~ K, то

электронный газ в металлах оказывается вырожденным при всех температурах, при которых металл
остается в твердом состоянии.
В полупроводниках характер поведения электронного газа зависит от величины концентрации
носителей заряда. В примесных полупроводниках при высокой концентрации донорной примеси
электронный газ может оказаться вырожденным. В полупроводниках с акцепторной примесью
свойствами вырожденного газа может обладать газ дырок. Такие полупроводники
называются вырожденными полупроводниками.
3 Сущность метода Холла: определение типа электропроводности из изменения знака поперечной ЭДС
Холла в зависимости от типа носителей заряда.
Пластина из п/п помещается во внешнее поперечное магнитное поле, с индукцией B. Прикладывается
разность потенциалов, создается E электрического поля. Возникает электрический ток, т.е. возникает
направленное движение электрических зарядов. Магнитное поле действует на движущиеся заряды с
некоторой силой, она смещает движущиеся носители заряда к одной из граней пластины
полупроводника. Вследствие этого и возникает поперечная ЭДС, которую измеряют
вольтметром V. Направление смещения зарядов определяется по правилу «левой руки», относящемуся
к техническому направлению тока. Положительным направлением тока считается направление
движения положительных зарядов, т.е. направление, противоположное направлению дрейфа
электронов.
Тип электропроводности полупроводника можно также определить, используя явление Зеебека. При
испытании полупроводника n- типа на горячем конце за счет затраты внешней тепловой энергии
будет освобождено большее число электронов, чем на холодном конце. Вследствие этого у горячего
конца концентрация свободных носителей заряда (электронов) будет больше, чем у холодного, и
начнется их диффузия от горячего к холодному концу. Вследствие ухода электронов горячий конец
заряжается положительно, а холодный - отрицательно. Между концами полупроводника возникает
разность потенциалов. Под действием этой разности потенциалов внутри полупроводника возникает
электрическое поле. Если испытывается полупроводник р- типа, то в нагретом конце за счет затраты
тепловой энергии большее число электронов будет переброшено из заполненной зоны на акцепторные
уровни примесей по сравнению с холодным концом. На горячем конце возникает избыточная
концентрация дырок. Из горячего конца в холодный начнется диффузия дырок, и он окажется
заряженным отрицательно по отношению к холодному концу. Полярность концов полупроводника, а
следовательно, и тип электропроводности определяется с помощью вольтметра V.
В_3

2 На рис. 2.11 представлены совмещенные графики температурных зависимостей положения уров-

ня Ферми, WF, (рис. 2.11, а) и времени жизни t (рис. 2.11, б), построенные для полупроводника n-
типа с уровнями ловушек, расположенными выше середины запрещенной зоны.
Из формулы (2.52) и рис. 2.11, а следует, что в области низких температур уровень Ферми
располагается вблизи дна зоны проводимости. В этом случае справедливы условия no>>po, nл (об-
ласть 1 на рис. 2.11).
По мере приближения уровня Ферми к области истощения возрастает концентрация эле-
ктронов nл в зоне проводимости, причем выполняется условие nл>nо>pо (область 2 на рис. 2. 11).
Дальнейшее повышение температуры вызывает интенсивное нарастание концентрации свобо-
дных носителей (электронов и дырок), причем выполняется условие no+po=2ni. (область 3,4).

3 Для полупроводников с одним типом носителей заряда (п или р) справедливо равенство:

или
Концентрация носителей заряда (n0 и p0) и их подвижность (un и up)
являются характеристическими параметрами полупроводника. Измерив удельную
проводимость полупроводника, можно в соответствии с формулой определить только
произведение этих двух параметров. Для определения же каждого из них можно воспользоваться
эффектом Холла (см. вар. 1 п. 3)
В_4

2 Электрофизические свойства примесного полупроводника определяются в первую очередь типом

и концентрацией примеси, которая создает дополнительные уровни в запрещенной зоне
полупроводника. При малой концентрации примесей расстояние между примесными атомами
велико, их электронные оболочки не взаимодействуют друг с другом. Поэтому примесные
энергетические уровни являются дискретными, т. е. не расщепляются в зону, как это имеет место
для уровней основных атомов кристаллической решетки. Роль дискретных уровней могут играть
и всевозможные дефекты структуры, в первую очередь, вакансии и междоузельные атомы.

3 Зонные диаграммы для рекомбинационных ловушек.

Зонные диаграммы для ловушек захвата (рекомбинационные уровни располагаются ближе к дну или
потолку разрешенных зон).
В_5

2 Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике больше, называют

основными, а носители, концентрация которых меньше, - не основными. Так, в
полупроводнике n-типа электроны - основные носители, дырки - не основные. В
полупроводнике p-типа: дырки - основные, электроны - неосновные. При изменении
концентрации примесей в полупроводнике изменяется положение уровня Ферми и
концентрация носителей заряда обоих знаков - электронов и дырок.

3 Примесный п/п обладает собственной проводимостью при высоких Т