Глава 3

Полупроводники.
Полупроводниковые приборы

Деление всех веществ на проводники и диэлектрики не является строгим.

Промежуточное положение между ними занимают полупроводники. Важной
отличительной особенностью полупроводников является то, что их проводи-
мость зависит от внешних условий.
Например, проводимость большинства полупроводников сильно зависит
от температуры. При низких температурах они проявляют свойства диэлек-
трика, при высоких температурах становятся проводниками. Это позволяет
изготавливать на их основе термометры, пригодные для использования в ши-
роком диапазоне значений температур, или очень чувствительные датчики
для терморелейных устройств. Резисторы, сопротивление которых зависит от
температуры, называются термисторами.
Встречаются и полупроводники, проводимость которых зависит от осве-
щённости: в темноте они диэлектрики, а на свету становятся проводниками.
Резисторы переменной ёмкости, изготовленные из таких полупроводников,
называют фотосопротивлениями. Они широко используются для измерения
освещённости, в конструкции фотометров и фотоэкспонометров для фотогра-
фирования.
Используют также полупроводниковые источники тока, преобразующие
тепловую энергию в электрическую, а также фотоэлементы, фотодиоды, све-
тодиоды и полупроводниковые лазеры, где происходит преобразование свето-
вой энергии в электрическую и наоборот.
Но наибольшее применение в электротехнике, электронике и радиотех-
нике получили полупроводниковые диоды и триоды — транзисторы. На их
основе созданы самые различные виды полупроводниковых выпрямителей,
усилителей, генераторов; микросхемы компьютеров. По сравнению с прибо-
рами на электронных лампах у полупроводниковых приборов имеется ряд
преимуществ:
1. малый вес и малые размеры (вплоть до микроскопических);
2. отсутствие затраты энергии на питание нитей накала;

33
 3. большой срок службы;

4. большая механическая прочность;

5. возможность работать от источников тока с малыми ЭДС;

6. выпрямители, генераторы, усилители на полупроводниках обладают вы-

соким КПД, так как потери энергии в самих приборах незначительны.

3.1 Собственная проводимость полупроводников

Полупроводники, используемые в технике — кристаллы. Элементы, на-
ходящиеся в центре таблицы Менделеева, чаще всего являются полупровод-
никами. Например, германий, кремний, селен, индий, сурьма и другие. Могут
быть полупроводниками и молекулярные соединения, например, закись меди
— CuO.
Рассмотрим полупроводники атомарной структуры. Как правило, они
представляют собой кристаллическую решётку, построенную на основе кова-
лентной (парноэлектронной) связи. На рисунке 3.1 изображена плоская схе-
ма кристаллической решётки германия. Германий принадлежит к четвёртой
группе таблицы Менделеева, следовательно, имеет на внешнем электронном
уровне четыре слабо связанных с атомом электрона. Благодаря ним осуществ-
ляется связь между соседними узлами кристаллической решётки: каждая па-
ра соседних атомов имеет по паре общих электронов.

Рис. 3.1: Схема кристаллической решётки германия

Если полупроводник представляет собой чистое вещество без примесей,

то говорят, что он обладает только собственной проводимостью. Опишем
механизм её возникновения.

34
 Рисунок 3.1 наиболее точно изображает кристаллическую решётку при
температурах, близких к абсолютному нулю. Однако уже при комнатных тем-
пературах вследствие теплового движения некоторые электроны покидают
свои места в атомах и могут участвовать в переносе заряда — как свобод-
ные электроны в металлах. При отсутствии внешнего электрического поля
они движутся хаотично в пределах всего кристалла, подобно молекулам иде-
ального газа. При этом те места, которые были покинуты электронами, тоже
способны перемещаться по решётке, захватывая электроны соседних атомов.
Такие «вакантные» места ведут себя подобно виртуальным заряженным ча-
стицам, заряд которых равен e (e — элементарный электрический заряд).
Эти частицы называют «дырками». В отсутствие электрического поля дырки
так же, как и свободные электроны, движутся хаотически в пределах всей
кристаллической решётки.
В результате хаотического блуждания свободный электрон может за-
нять вакантное место-дырку — тогда говорят, что произошла рекомбинация
электронно-дырочной пары. При постоянной температуре процессы образова-
ния и рекомбинации электронно-дырочных пар происходят в условиях дина-
мического равновесия. При увеличении температуры, концентрация свобод-
ных электронов и дырок возрастает, что ведёт к увеличению проводимости
полупроводника.
Под действием внешнего электрического поля электроны и дырки при-
ходят в направленное движение, образуя электрический ток; причём дырки
движутся в направлении силовых линий, а электроны в противоположную
сторону. Плотность j этого тока вычисляется по формуле
j  enpv v
q,
где n — концентрация свободных электронов (в данном случае она совпадает с
концентрацией дырок), а v и v
— средние скорости направленного движения
(дрейфа) дырок и электронов соответственно.
Описанный процесс можно рас-
сматривать с точки зрения зонной тео-
рии. У полупроводников, как и у ди-
электриков, между валентной зоной и
зонной проводимости находится запре-
щённая зона. Однако её ширина соиз-
мерима со средним значением кинетиче-
ской энергии электронов, поэтому наи-
более энергичные из них могут перей-
ти из валентной зоны в зону проводимо-
сти (см. рисунок 3.2). Образующиеся при
этом свободные места в валентной зоне —
дырки — тоже могут участвовать в пере-
Рис. 3.2: Зонная структура чистого
носе заряда. Как уже было сказано, чем
полупроводника
выше температура, тем больше образует-
ся электронно-дырочных пар.

35
 Заметим, что процесс перехода электронов из валентной зоны в зону
проводимости не обязательно связан с тепловым движением. У некоторых по-
лупроводников ширина запрещённой зоны сопоставима с энергией кванта ви-
димого света или ультрафиолетового излучения (Eкв  hν). Поглощая квант
света, электроны приобретают энергию, достаточную, чтобы оказаться в зоне
проводимости. Чем больше интенсивность света (чем «светлее»), тем больше
электронов переходит в зону проводимости и, соответственно, больше дырок
образуется в валентной зоне, а значит тем меньше сопротивление. На основе
таких полупроводников и изготавливаются фотосопротивления.

3.2 Примесная проводимость полупроводников

Если в полупроводнике имеется примесь других веществ, то в дополне-
ние к собственной проводимости появляется ещё и так называемая примесная
проводимость. Причина её возникновения в том, что в зависимости от ро-
да примеси может увеличиться либо концентрация электронов, либо концен-
трация дырок. В первом случае полупроводник называют полупроводником
n-типа, а во втором — p-типа.
Вообще говоря, в природе не бывает полупроводников без примесей. Од-
нако природная примесь расположена случайно, что затрудняет техническое
применение. Поэтому при производстве полупроводников сперва изготавлива-
ют очень чистые полупроводники, а затем искусственным образом добавляют
атомы примеси так, чтобы они располагались в кристаллической решётке ре-
гулярно — то есть в определённом порядке.
Полупроводник n-типа получается, если валентность примеси выше, чем
валентность основного вещества решётки. Такая примесь называется донор-
ной. Например, германий, будучи четырёхвалентным, превращается в полу-
проводник n-типа, если в состав его решётки добавить примесь пятивалент-
ного вещества, например сурьмы (Sb) или мышьяка (As). В таком случае в
создании ковалентных связей используются только четыре валентных элек-
трона примеси из пяти. Пятый электрон может легко стать свободным, при
этом дырка в решётке не образуется.
Электроны донорной примеси, не
принимающие участия в создании связей
с атомами основного вещества кристал-
лической решётки, заполняют так на-
зываемые донорные энергетические под-
уровни, расположенные немного ниже
«дна» зоны проводимости, но значитель-
но выше «потолка» валентной зоны (см.
рисунок 3.3). Электроны на этих уров-
нях могут попасть в зону проводимости
даже под действием небольшого внешне- Рис. 3.3: Зонная структура полу-
го электрического поля, поэтому в про- проводника n-типа

36
водниках n-типа превалирует электрон-
ная проводимость.
Чтобы получить полупроводник p-
типа, нужно в чистый полупроводник
ввести регулярную примесь из вещества,
валентность которого ниже валентности
основного вещества кристаллической ре-
шётки. Такие примеси называются ак-
цепторными. Благодаря атомам акцеп-
торной примеси в решётке образуются
расположенные в определённом поряд-
ке места, незаполненные электронами, —
дырки. С точки зрения зонной теории это Рис. 3.4: Зонная структура полу-
означает, что появляются дополнитель- проводника p-типа
ные энергетические уровни, расположен-
ные немного выше «потолка» валентной зоны, но значительно ниже «дна»
зоны проводимости. Эти уровни легко могут заполняться электронами из ва-
лентной зоны. Тогда в валентной зоне образуются перемещающиеся с одного
подуровня на другой дырки, которые под действием электрического поля ста-
новятся основными носителями заряда.
Носители заряда, концентрация которых в полупроводнике данного ти-
па преобладает, называются основными. Неосновные носители заряда появ-
ляются в полупроводнике за счёт его собственной проводимости. Так в полу-
проводнике n-типа основными носителями являются свободные электроны, а
неосновными — дырки, в полупроводнике p-типа, наоборот, основные — дыр-
ки, а неосновные — электроны. Концентрация основных носителей заряда в
примесных полупроводниках примерно равна концентрации атомов примеси.
Плотность тока в примесных полупроводниках определяется по формуле

j  env,
где e — элементарный заряд, n — концентрация основных носителей, v —
средняя скорость их направленного движения.
Роль примеси в проводимости полупроводников очень велика. Ничтож-
ное процентное содержание примеси может увеличить проводимость в тысячи
раз. Например, в чистом германии при комнатной температуре концентрация
свободных электронов примерно равна 1013 см
3 , в то время как концентрация
атомов составляет 1022 см
3 . Если на каждый миллион атомов германия до-
бавить один атом мышьяка, что составляет лишь 0,0001%, то в зоне проводи-
мости окажется 1016 свободных электронов на каждый кубический сантиметр
решётки, то есть в 1000 раз больше, чем в отсутствие примеси. Это увеличит
проводимость в 1000 раз. Аналогичные рассуждения можно привести и для
полупроводников p-типа.
Следует отметить, что проводимость металлов всё равно значительно
выше проводимости полупроводников, как с собственной, так и с примесной

37
проводимостью. Это объясняется тем, что концентрация свободных электро-
нов в металле равна или в несколько раз больше концентрации атомов, то есть
примерно 1022 см
3 , то есть существенно больше, чем концентрация основных
носителей в полупроводниках. Поэтому удельное сопротивление металлов низ-
кое, ρмет  10
8  10
6 Омм, а полупроводников — высокое. В зависимости
от условий оно может меняться в пределах ρпп  10
2  106 Омм. Впрочем,
удельное сопротивление диэлектриков всё равно на несколько порядков выше,
ρдиэл  108  1012 Омм.

3.3 p-n переход

Особое значение имеют контакты полупроводников с различными типа-
ми проводимости — p-n-переходы. На их основе создаются полупроводниковые
диоды, детекторы, термоэлементы, транзисторы.
В окрестности p-n-перехода обра-
зуется так называемый «запирающий
слой», обладающий рядом замечатель-
ных свойств, которые и обеспечили ши-
рокое применение p-n-переходов в элек-
тронике. В формировании запирающего
слоя участвуют два процесса.
Во-первых, поскольку концентра-
ция свободных электронов в полупровод-
нике n-типа во много раз больше, чем в
полупроводнике p-типа, на границе про- Рис. 3.5: p-n переход
исходит диффузия свободных электро-
нов из области n в область p. Дырки при
этом, наоборот, диффундируют из p в n.
Из-за этого вблизи перехода происходит
интенсивная рекомбинация электронно-
дырочных пар, и он обедняется носите-
лями тока. Следовательно, сопротивле-
ние p-n перехода резко возрастает.
Во-вторых, в результате диффу-
зии образуются объёмный положитель-
ный заряд в области n и объёмный отри-
цательный заряд в p-области. Они созда-
ют в запирающем слое контактное элек-
трическое поле с напряжённостью E ~ к , си-
ловые линии которого направлены от n Рис. 3.6: Потенциал в окрестности
к p. Это поле тормозит диффузию элек- p-n перехода
тронов из n в p и дырок из p в n, и очень
быстро в запирающем слое устанавливается динамическое равновесие между
током диффузии (движением электронов и дырок в область меньшей концен-

38
трации) и током проводимости (движением электронов и дырок под действием
контактного электрического поля). В установившемся режиме ток диффузии
равен и противоположен току проводимости, и так как в этих токах принима-
ют участие и электроны и дырки, полный ток через запирающий слой равен
нулю.
Таким образом, в окрестности p-n перехода возникает контактная раз-
ность потенциалов ∆ϕ  Eк dк , где dк — толщина запирающего слоя. На ри-
сунке 3.6 изображено распределение потенциала в окрестности p-n перехода.
В действительности толщина запирающего слоя очень мала, и на рисунке мас-
штаб сильно искажён в угоду наглядности. Вообще, чем выше концентрация
основных носителей, тем больше величина контактной разности потенциалов
и тем уже запирающий слой. Например для германия характерны значения

Uк  0,3  0,4 В, dк  10
6  10
7 м.

Рис. 3.7: Энергия носителей заряда в окрестности p-n перехода

На рисунке 3.7 изображены графики энергий свободных электронов и

дырок в окрестности p-n-перехода. Из них видно, что электронам из n обла-
сти, чтобы попасть в p область, нужно преодолеть высокий потенциальный
барьер. Следовательно, это доступно очень немногим из них, наиболее энер-
гичным. В тоже время электроны из p области свободно переходят в n об-
ласть под действием контактного поля («скатываются в яму»). Но в n-области
концентрация свободных электронов ничтожна и в установившемся режиме
незначительное одинаковое количество электронов движется через границу в
противоположных направлениях. Аналогичные рассуждения можно привести
о движении дырок через границу p-n-перехода. В результате, как уже было
сказано, при отсутствии внешнего электрического поля полный ток через за-
пирающий слой равен нулю.

39
 Подключим положительный полюс
источника тока к полупроводнику p-
типа, а отрицательный — к полупровод-
нику n-типа (см. рисунок 3.8). В таком
случае внешнее поле, направленное от
p к n, способствует движению дырок и
электронов через p-n переход, что при-
водит к обогащению запирающего слоя
основными носителями тока и, следова-
тельно, к уменьшению его сопротивле-
ния. В то же время резко уменьшается
разность потенциалов вблизи перехода,
так как внешнее поле направлено про-
Рис. 3.8: p-n переход во внешнем
тивоположно контактному (см. рисунок
поле
3.9, пунктиром показано распределение
потенциала в отсутствие поля). Вместе
с уменьшением контактной разности по-
тенциалов, уменьшается и потенциаль-
ный барьер, который основным носите-
лям заряда необходимо преодолеть, что-
бы попасть в «чужие» для них области.
Это означает, что для создания тока, на-
правленного от p к n, достаточно прило-
жить небольшое напряжение — обычно
порядка нескольких десятых долей одно-
го вольта.
Возникающий в результате этого
ток называется прямым. Можно считать,
что он образован направленным движе-
нием только основных носителей, по- Рис. 3.9: Распределение потенциа-
скольку диффузионные токи в этом слу- ла в случае прямого тока
чае существенно превосходят токи прово-
димости. Таким образом, в полупроводнике p-типа прямой ток представляет
собой направленное движение дырок вдоль внешнего поля, а в полупровод-
нике n-типа — движение свободных электронов в противоположном направ-
лении.
Заметим, что во внешних проводах (металлических) движутся только
электроны. Они перемещаются в направлении от «минуса» источника и ком-
пенсируют убыль электронов, уходящих через запирающий слой в область p.
Из области p электроны по проводам идут к «плюсу» источника.
Теперь подключим положительный полюс источника к полупроводнику
n-типа, а отрицательный — к полупроводнику p-типа. В этом случае напря-
жённость внешнего поля сонаправлена с напряжённостью поля в запирающем
слое, следовательно потенциальный барьер растёт и становится практически

40
непреодолимым для основных носителей. Внешнее поле стремится как бы ото-
гнать дырки и электроны друг от друга, поэтому ширина запирающего слоя и
его сопротивление увеличиваются. Токи диффузии прекращаются и через за-
пирающий слой проходят только токи проводимости, то есть те, что вызваны
направленным движением неосновных носителей. Но поскольку концентрация
неосновных носителей много меньше, чем основных, результирующий ток (он
называется обратным) много меньше прямого тока.

Рис. 3.10: Распределение потенциала в случае обратного тока

Таким образом, замечательное свойство p-n перехода заключается в его

односторонней проводимости. При «прямом» направлении внешнего поля (от
p к n) ток большой, а сопротивление маленькое. При обратном направлении
— ток маленький, а сопротивление большое. Так получается благодаря соче-
танию двух эффектов: обогащению или обеднению запирающего слоя основ-
ными носителями и суперпозиции внешнего поля с контактным.

3.4 Полупроводниковые диоды. Выпрямители на

полупроводниковых диодах
Односторонняя проводимость p-n перехода позво-
ляет его использовать для выпрямления переменного
тока и для детектирования высокочастотных электро-
магнитных колебаний в радиоприёмниках и телевизо-
рах. Деталь, работающая в режиме p-n перехода, на-
зывается полупроводниковым диодом и изображена на Рис. 3.11: Условное
схемах так, как показано на рисунке 3.11. Направление, обозначение по-
указанное стрелкой, совпадает с направлением прямого лупроводникового
тока. Следовательно, слева p-полупроводник, справа — диода
n.

41
 Рис. 3.12: ВАХ полупроводникового диода

На рисунке 3.12 приведена типичная вольтамперная характеристика по-

лупроводникового диода. Масштаб напряжений при прямом и обратном то-
ках на графике различный. Видно, что прямой ток резко возрастает при ма-
лом возрастании напряжения, а обратный становится существенным лишь при
большой разности потенциалов на клеммах диода. При этом высокие обрат-
ные напряжения могут вызвать так называемый «тепловой пробой». Тепло-
вой пробой начинается с того, что обратное напряжение становится достаточ-
но большим, чтобы валентные электроны атомов кристаллической решётки
покинули свои орбиты и начали участвовать в переносе заряда (то есть пе-
решли из валентной зоны в зону проводимости). Это приводит к быстрому
возрастанию (обратного) тока, из-за чего диод нагревается. В результате на-
грева всё больше электронов переходит в зону проводимости, что приводит
к дальнейшему повышению температуры и так далее. В результате такого
лавинообразного процесса прибор перегревается и разрушается.
Одностороннюю проводимость полупровод-
никового диода можно использовать для преоб-
разования переменного тока в постоянный. Соот-
ветствующие устройства называются выпрями-
телями. На рисунке 3.13 изображена схема про-
стейшего однополупериодного выпрямителя на
полупроводниковом диоде. Пусть напряжение на
клеммах a и b меняется по гармоническому зако-
ну (см. рисунок 3.14, напряжение считается по-
ложительным, если потенциал на клемме a боль-
ше потенциала на клемме b). Тогда в течение пер- Рис. 3.13: Простейший
вой половины периода (u ¡ 0) через диод течёт однополупериодный вы-
прямой ток (направление тока через нагрузку R прямитель
показано стрелкой), а в течение второй полови-
ны периода (u   0) диод «закрыт» и ток в цепи не идёт (обратным током
через диод пренебрегаем). Таким образом, ток через нагрузку представляет

42
собой импульсы тока одного направления (см. рисунок 3.15).

Рис. 3.14: Осциллограмма входного Рис. 3.15: Ток через нагрузку

напряжения

Чтобы приблизить этот выпрямлен-

ный ток по форме к постоянному, ис-
пользуются так называемые сглаживаю-
щие фильтры, с помощью которых из-
менение величины выпрямленного тока
сводится к минимуму. Простейшим сгла-
живающим фильтром может служить
конденсатор, подключённый параллель-
но нагрузке (см. рисунок 3.16). В первую
половину периода, когда диод «открыт»,
конденсатор заряжается так, что на верх- Рис. 3.16: Выпрямитель со сглажи-
ней его пластине образуется положитель- вающим фильтром
ный заряд, а на нижней — отрицатель-
ный; это замедляет рост тока через нагрузку. В течение второй половины пе-
риода диод заперт, но заряженный конденсатор замкнут на нагрузку, и через
неё течёт ток разрядки конденсатора того же направления, что и в течение
первой половины периода. Если ёмкость конденсатора достаточно велика, и
время его разрядки (τ  RC) больше периода колебаний напряжения, то ток
убывает медленно и не успевает обратиться в ноль к тому моменту, когда на-
пряжение на клеммах a и b поменяет знак и через диод и нагрузку потечёт
прямой ток. Осциллограмма тока, сглаженного таким фильтром, приведена
на рисунке 3.17. Пунктиром изображена осциллограмма тока через нагрузку
в выпрямителе без фильтра.

Рис. 3.17: Ток через нагрузку в схеме со сглаживающим фильтром

43
 Применяются также двухполупериодные выпрямители на четырёх ди-
одах, собранных по так называемой «мостиковой схеме», изображённой на
рисунке 3.18. В течение первой половины периода, когда на клемме a «плюс»,
а на клемме b «минус», первый и третий диоды открыты, а второй и четвёр-
тый заперты; ток проходит сначала через первый диод, потом через нагрузку
от точки c к d, а потом через третий диод. За вторую половину периода знаки
на клеммах a и b меняются на противоположные, первый и третий диоды за-
перты, ток идёт через открытые второй и четвёртый диоды и через нагрузку
в том же направлении, что и полпериода тому назад. Осциллограмма такого
тока изображена на рисунке 3.19. Двухполупериодные выпрямители обладают
существенно большим КПД чем однополупериодные.

Рис. 3.18: Выпрямитель со Рис. 3.19: Ток через нагрузку в схеме с двух-
сглаживающим фильтром полупериодным выпрямителем

Сглаживание пульсаций выпрямленного тока можно осуществить с по-

мощью конденсатора, как и в первой схеме, а можно с помощью катушки ин-
дуктивности (дросселя), соединённой последовательно с нагрузкой — как на
схеме на рисунке 3.20 (для двухполупериодного выпрямителя здесь введено
отдельное условное обозначение). В этом случае, благодаря явлению самоин-
дукции, изменение силы тока через дроссель, а значит и и через нагрузку,
сводится к минимуму (см. рисунок 3.21, пунктиром показана осциллограмма
тока в схеме без дросселя).

Рис. 3.20: Подключение Рис. 3.21: Осциллограмма тока через нагрузку

сглаживающего фильтра после выпрямления
на основе дросселя

44
 Ещё лучше в качестве сглаживающего фильтра использовать и конден-
сатор, и дроссель, включённые к диодному мосту по схеме «Г-фильтра» (рису-
нок 3.22) или по схеме «П-фильтра» с двумя конденсаторами (рисунок 3.23).
Если правильно рассчитать параметры конденсаторов и дросселя в послед-
ней схеме, можно собрать почти идеальный выпрямитель, благодаря которо-
му через нагрузку будет течь практически постоянный ток. Такие схемы ис-
пользуются для питания электронных ламп в радиоприёмниках и электродов
электронно-лучевых трубок.

Рис. 3.22: Двухполупериодный Рис. 3.23: Двухполупериодный вы-

выпрямитель со сглаживающим прямитель со сглаживающим «П-
«Г-фильтром» фильтром»

Большой вклад в создание и разработку теории полупроводников и тех-

нологию их использования в электротехнике был внесён российскими учёны-
ми: академиками А.Ф. Иоффе, Я.И. Френкелем, В.И. Перрелем, А.Р. Регелем,
Ж.И. Алфёровым и другими.

3.5 Устройство и принцип действия транзисто-

ров в статическом режиме
Особенно широкие возможности применения полупроводников в технике
возникли после создания полупроводниковых триодов — транзисторов. Они
были изобретены в 1948 г. американскими учёными Дж. Бардиным, У. Брат-
тейном и У. Шокли. По сравнению с вакуумными триодами транзисторы су-
щественно меньше, легче, прочнее, дешевле и проще в производстве. Кроме
того, для их питания можно использовать источники с малой ЭДС, которые, в
свою очередь, тоже малы по размерам и весу. Благодаря всем этим преимуще-
ствам, транзисторы практически полностью вытеснили электродные лампы в
большинстве областей электроники. С их появлением началась новая эра мик-
роэлектроники и компьютеризации всех сфер человеческой деятельности.
Как и вакуумные лампы, транзисторы могут быть тетродами, пентодами
и так далее. Это зависит от числа электродов в конструкции. Транзисторы-
триоды (мы дальше будем называть их просто транзисторами) состоят из трёх
полупроводников p и n-типа. Есть два варианта конструкции такого триода: p-
n-p и n-p-n (на рисунках 3.24–3.25 показаны схемы устройства плоских p-n-p и

45
n-p-n транзисторов). В обоих случаях средняя область называется базой, одна
из крайних — эмиттером, другая — коллектором. Обозначения транзисторов
на схемах показано на рисунках 3.26-3.27.

Рис. 3.24: Плоский p-n-p транзи- Рис. 3.25: Плоский n-p-n транзи-
стор стор

Рис. 3.26: Обозначение p-n-p тран- Рис. 3.27: Обозначение n-p-n тран-
зистора на схеме зистора на схеме

Основными работающими областями в транзисторах являются два p-n

перехода: «эмиттерный» между эмиттером и базой и «коллекторный» меж-
ду базой и коллектором. Расстояние между ними должно быть очень малым
(несколько микрон), следовательно, база — очень узкая часть транзистора.
Кроме того, концентрация основных носителей в базе на порядок, а то и на
два меньше концентрации основных носителей в эмиттере и коллекторе. От
базы, эмиттера и коллектора выводятся металлические электроды, с помощью
которых транзистор присоединяется к другим элементам электрической цепи.
Транзистор может работать в трёх режимах в зависимости от напряже-
ния на его переходах. Работа в активном режиме получается, если на эмит-
терном переходе напряжение прямое, а на коллекторном — обратное (запи-
рающее). Если же на обоих переходах напряжение обратное, то это режим
отсечки. При режиме насыщения на обоих переходах напряжение прямое.
Чаще всего применяют активный режим. В активном режиме транзисторы
работают в схемах усилителей, генераторов, триггеров. Режимы отсечки и
насыщения характерны для работы транзистора на импульсах тока.
Рассмотрим работу транзистора p-n-p типа в активном режиме на посто-
янном токе (см. рисунок 3.28). Источник тока с ЭДС E1 подаёт на эмиттерный

46
Рис. 3.28: Схема включения транзистора p-n-p типа в активном режиме на
постоянном токе

переход прямое напряжение, в то время как коллекторный переход заперт (ис-

точник E2 подаёт на него обратное напряжение). Вследствие этого дырки из
эмиттера свободно переходят в базу (прямой ток), а дырки из коллектора в
базу вообще не переходят (тока нет). Переход дырок в базу из эмиттера назы-
вается инжекцией дырок. Поскольку база очень узка и концентрация свобод-
ных электронов в ней мала, большинство инжектированных дырок проходят
базу, не сталкиваясь со свободными электронами. Далее эти дырки свободно
пересекают коллекторный переход, так как для них напряжение источника
с E2 — прямое. Так образуется ток через транзистор. Носителями этого тока
являются дырки. При этом небольшая часть дырок, которые всё-таки реком-
бинировали с электронами базы, замещается электронами, движущимися от
источника тока с ЭДС E1 . Это создаёт так называемый ток базы Iб . Ток, про-
текающий от источника E1 через эмиттер, называется током эмиттера Iэ , а
ток, протекающий через коллектор, называется током коллектора Iк . Соотно-
шение между ними следует из первого правила Кирхгофа,

Iэ  Iк Iб .

На рисунке 3.29 показано распределение потенциала в p-n-p транзисто-

ре, включённого в выше приведённую схему. Примерно так же выглядит рас-
пределение энергии дырок. Из графика видно, что потенциальный барьер на
границе эмиттер-база невысок и дырки эмиттера легко могут его преодолеть.
В свою очередь, переход база-коллектор играет двойную роль. Для дырок,
инжектированных в базу из эмиттера, коллекторный переход представляет
собой глубокую потенциальную яму, в которую они свободно «скатываются»,
в то время как для дырок коллектора это практически непреодолимый потен-
циальный барьер.1
1
В следующем параграфе будет описан принцип работы транзистора в качестве усилите-

47
Рис. 3.29: Схема включения транзистора p-n-p типа в активном режиме на
постоянном токе

Можно изобразить эквивалентную схе-

му транзистора в активном режиме на по-
стоянном токе, заменив его тремя сопротив-
лениями, как это сделано на рисунке 3.30. На
нём rэ — сопротивление эмиттерного перехо-
да, rк — сопротивление коллекторного пере-
хода, rб — так называемое сопротивление ба-
зы. Последнее тем больше, чем менее интен-
сивно дырки рекомбинируют с электронами
базы. Сопротивления эмиттера и коллекто- Рис. 3.30: Эквивалентная схема
ра по сравнению с сопротивлениями соответ- транзистора в активном режи-
ствующих переходов очень мало, и ими мож- ме на постоянном токе
но пренебречь. Величина rэ обычно порядка
нескольких десятков ом , rк — велико, порядка нескольких килоом.
Особый интерес представляет сопротивление базы. Так как она очень
тонкая и концентрация свободных электронов в ней невелика, для тока, про-
текающего от эмиттера к коллектору, сопротивление базы очень мало, им
практически можно пренебречь. В то же время для тока, текущего в направ-
ля. С энергетической точки зрения усиление сигнала происходит за счёт энергии, которую
теряют носители заряда, скатывающиеся в потенциальную яму. Энергия на поддержание
этого процесса берётся из источника с ЭДС E2 .

48
лении вывода базы, её сопротивление имеет порядок нескольких сотен ом,
поскольку в таком токе участвует лишь небольшое количество рекомбинирую-
щих электронов и дырок (сам ток базы образован электронами, стремящими-
ся восполнить недостаток свободных электронов, образовавшийся вследствие
рекомбинации).
Так как почти все дырки, инжектированные в базу, проникают в коллек-
тор, коллекторный ток Iк отличается от тока эмиттера Iэ лишь незначительно.
Иными словами, ток базы Iб очень мал, примерно в 50  100 раз меньше, чем
эмиттерный и коллекторный. Поэтому при расчётах можно считать

Iк  Iэ.
Если под действием внешних переменных напряжений один из этих трёх токов
меняется, то меняются и два других, причём выполняется соотношение

∆Iэ  ∆Iк ∆Iб .

Аналогичным образом можно описать работу в том же режиме транзи-

стора n-p-n типа; разница лишь в том, что основными носителями тока будут
свободные электроны, инжектируемые из эмиттера в базу.

3.6 Работа транзистора в динамическом режиме

по схемам усилителей
Как и в случае с вакуумным триодом, режим работы транзистора с на-
грузкой и при переменном входном сигнале называется динамическим. В та-
ком режиме работают, например, транзисторные усилители. Мы рассмотрим
две схемы усилителей на транзисторе. Одна из них называется схемой с общей
базой, другая — схемой с общим эмиттером.
Схема усилителя с общей базой
изображена на рисунке 3.31. Переменное
входное напряжение Uвх прикладывается
к переходу эмиттер-база, выходное Uвых
снимается с перехода база-коллектор, ту-
да же подключается нагрузка (её нет
на рисунке). Источник во входной цепи
подбирается так, чтобы E1 было боль-
ше |Uвх | в любой момент времени — ина-
че эмиттерный переход закроется. Ис-
точник с большой E2 служит источником
энергии, необходимой для усиления сиг-
Рис. 3.31: Усилитель с общей базой
нала — фактически, питает устройство.
— простейшая схема
Сопротивление в коллекторной цепи (ре-
зистор R) обычно подбирается примерно
равным сопротивлению коллекторного перехода в статическом режиме.

49
 Принцип работы усилителя c общей базой заключается в следующем. Пе-
ременное входное напряжение меняет эмиттерный ток, что приводит к изме-
нению тока базы и тока коллектора. Ток базы остаётся пренебрежимо малым,
поэтому колебания коллекторного тока практически совпадают с колебания-
ми эмиттерного. Это приводит к синфазным колебаниям напряжения UR на
резисторе R. Поскольку напряжение на между базой и коллектором вместе с
UR составляет E2 (внутренним сопротивлением источника можно пренебречь
или включить его в R), напряжение на коллекторном переходе колеблется
в противофазе. При этом амплитуда его колебаний совпадает с амплитудой
колебаний UR , а поскольку R существенно больше сопротивления перехода
эмиттер-база, сигнал получается усиленным.
Такое описание процесса не пояс-
няет его физики на микроуровне. Дей-
ствительно, поскольку сопротивление R
постоянно, то при увеличении коллек-
торного тока напряжение на нём растёт.
Это означает, что при увеличении то-
ка, проходящего через коллекторный пе-
реход, напряжение на нём уменьшается!
Это возможно только при резком умень-
шении его сопротивления. Такое умень-
шение достигается за счёт того, что воз-
растающий коллекторный ток обогащает
запирающий слой коллекторного перехо- Рис. 3.32: Эквивалентная схема вы-
да основными носителями (в p-n-p тран- ходной цепи
зисторе — дырками). Когда коллектор-
ный ток уменьшается, запирающий слой обедняется основными носителями,
его сопротивление увеличивается. Например, изменение эмиттерного тока от
0,5 мА до 2,5 мА приводит к изменению коллекторного сопротивления от 20
кОм до 0,8 кОм.
Для удобства можно изобразить эквивалентную схему выходной цепи
(см. рисунок 3.32). На рисунке rк обозначает сопротивление коллекторного
перехода, которое меняется в процессе работы усилителя, а напряжения Uк и
UR снимаются с rк и R соответственно. При этом

E2  Uк UR .

Пусть во входной цепи напряжение меняется по гармоническому закону

Uвх  U0вх sinpωtq,

причём выполняется условие E1 ¡ U0вх (иначе эмиттерный переход будет пери-

одически закрываться и сигнал на выходе будет искажённым). Осциллограм-
мы токов и напряжений на разных элементах цепи в таком случае показаны
на рисунке 3.33.

50
Рис. 3.33: Осциллограммы токов и напряжений в процессе работы усилителя

Напряжение Uэ на эмиттерном переходе отличается от входного сигнала «сдви-

гом» на постоянную величину E1 . Из-за этого и напряжение Uк на коллектор-
ном переходе оказывается «смещённым». Чтобы выходной сигнал был сим-
метричен относительного нулевого уровня, напряжение с усилителя снимает-
ся через конденсатор постоянной ёмкости. Окончательная схема усилителя с
общей базой приведена на рисунке 3.34.
Коэффициент усиления по напряжению (U0вых {U0вх ) в такой схеме зави-

51
 Рис. 3.34: Усилитель с общей базой

сит от параметров транзистора и соотношения между E2 и E1 и обычно ле-

жит в пределах от 50 до 150. Коэффициент усиления по току (α  ∆Iк {∆Iэ )
немного меньше единицы (от 0,95 до 0,998), поэтому коэффициент усиления
по мощности равен коэффициенту усиления по напряжению.
Основной недостаток усилителя по схеме с общей базой — его малая
мощность. Кроме того, он не может быть звеном многокаскадного усилите-
ля, так как из-за малого сопротивления эмиттерного перехода (десятки ом)
подключение входной цепи следующего звена приводит к короткому замыка-
нию предыдущего. От этих недостатков избавлен усилитель по схеме с общим
эмиттером (см. рисунок 3.35).

Рис. 3.35: Усилитель с общим эмиттером — простейшая схема

52
 В таком усилителе входной сигнал управляется током базы, и поэтому
коэффициент усиления по току β  ∆Iк {∆Iб здесь весьма значителен. Имен-
но, поскольку ∆Iб  ∆Iэ
∆Iк , имеем

β  ∆Iк
∆Iб
 ∆Iк
∆Iэ
∆Iк
 α
1
α
,

где α  ∆Iк {∆Iэ — коэффициент усиления по току в схеме с общей базой.

Если, к примеру, α  0,99, то β  99. Так как коэффициент усиления по
мощности равен произведению коэффициентов по току и по напряжению, ко-
эффициент усиления по мощности усилителя с общим эмиттером составляет
десятки тысяч.
Роль входного сопротивления теперь играет сопротивление базы, кото-
рое составляет сотни ом, следовательно, схема с общим эмиттером может быть
использована в качестве звена многокаскадного усилителя.
Для того чтобы выходной сигнал не был искажён, к входному сигналу
необходимо добавить постоянную составляющую — напряжение смещения. В
схеме на рисунке 3.34 это сделано с помощью включения во входную цепь
дополнительного источника постоянного тока, но на практике использовать
несколько источников неудобно. Чтобы этого избежать, можно добавить в
цепь дополнительный резистор R2 , как это показано на рисунке 3.36 (такой
приём называется подачей смещения фиксированным током).

Рис. 3.36: Подача напряжения смещения фиксированным током

Сопротивление R2 выбирают большим, много больше сопротивления R1 .

Например, если R1 имеет порядок нескольких килоом, то величина R2 мо-
жет достигать мегаома (конкретные значения зависят от свойств транзисто-
ра и условий работы). Поскольку напряжение, подаваемое на транзистор от
источника тока с ЭДС E2 , распределяется между резистором R2 и эмиттер-
ным переходом пропорционально их сопротивлениям, на долю эмиттерного

53
перехода приходится лишь малая часть этого напряжения, которой, однако,
достаточно, чтобы поддерживать эмиттерный переход в открытом состоянии
(амплитуда колебаний входного напряжения также мала).
Если по каким-либо причинам эмиттерный и коллекторный токи возрас-
тают до значений больших допустимого, то транзистор сильно нагревается.
А так как полупроводники по своим проводящим свойствам обладают высо-
кой чувствительностью к изменению температуры (чем выше температура,
тем выше проводимость), перегрев приводит к дальнейшему увеличению то-
ка, из-за чего транзистор нагревается ещё больше и быстро выходит из строя.
Чтобы воспрепятствовать этому, последовательно с эмиттером подключают
резистор, сопротивление которого того же порядка, что и у эмиттерного пе-
рехода (см. рисунок 3.37). Когда ток возрастает сверх меры, увеличивается
падение напряжения на сопротивлении R3 . Следовательно, напряжение на
эмиттерном переходе уменьшается, а вместе с ним ослабевает и эмиттерный
ток.

Рис. 3.37: Усилитель с общей базой и стабилизатором теплового режима

Конденсатор C2 , подключенный параллельно резистору R3 , обладает

большой ёмкостью, а значит малым реактивным сопротивлением. Благода-
ря этому колебания эмиттерного тока приходятся в основном на ток через
конденсатор, в то время как ток через резистор, а значит и падение напряже-
ние на нём, остаются постоянными. Это нужно, чтобы напряжение смещения,
подаваемое на эмиттерный переход, также оставалось неизменным. Таким об-
разом, вся RC-цепочка, подключённая к эмиттеру, играет роль стабилизатора
теплового режима транзистора.

54