Лекция 1.

Основные величины электрических цепей

План лекции:
1. Основные понятия происхождения электрического поля.
2. Электрическое напряжением
3. Электрический ток, определение рода тока
4. Элементы электрических цепей
5. Электротехнические генерирующие и приемные устройства
6. Условные графические обозначения на электрических принципиальных
схемах
7. Простые и сложные электрические схемы
8. Законы Ома и Кирхгофа
9. Основные понятия и определения переменного тока
10.Действующие и средние значения синусоидальных э. д. с., напряжения и
тока
11.Законы Кирхгофа для электрической цепи синусоидального тока
12.Сдвиг фаз у переменных токов
13.Изображение синусоидальных ЭДС, напряжений и токов на плоскости
декартовых координат

1.1 Основные понятия электрических величин

Поле неподвижных зарядов называется электростатическим.
Величина, характеризующая свойство электрического поля, называется
напряженностью электрического поля ξ и выражается отношением силы
поля F, с которым поле воздействует на точечный заряд q к величине
самого заряда и определяется:

(1.1)
Сила поля пропорциональна заряду и напряженности электрического
поля.
Электрическое напряжение –это величина определяемая отношением
работы, совершенной при перемещения заряда между двумя точками поля
(М и N) к перемещенному заряду.

(1.2)
Электрическим током называется количество заряженных частиц,
проходящих в одном направлении через единичное сечение.
(1.3)
 Мерой интенсивности направленного движения заряженных частиц
служит сила тока, которая измеряется количеством зарядов, проходящих
через поперечное сечение проводника за единицу времени.

(1.4)
Отношение силы тока к площади поперечного сечения проводника —
называется плотность тока и определяется выражением:
I
δ=
S , ( А/ мм кв). (1.5)
Если в течении некоторого времени ток остается неизменным как по
величине, так и по направлению, такой ток называют постоянным.
Электрический ток, величина и направление которого изменяется с
течением времени, называется переменным.
Электрический ток, величина которого изменяется, то увеличивается, то
уменьшается, а направление не изменяется, называется пульсирующим.
Резистор – это пассивный элемент, характеризующийся резистивным
сопротивлением. Последнее определяется геометрическими размерами тела и

свойствами материала: удельным сопротивлением - (Ом м) или

обратной величиной – удельной проводимостью (См/м).

В простейшем случае проводника длиной L и сечением S его
сопротивление определяется выражением

(1.6)

1.2.Электрическая цепь
Электрическая цепь – совокупность устройств, предназначенных для
создания и прохождения в них электрического тока.
К основным элементам электрической цепи относятся источники
электрической энергии, которые называю источниками ЭДС (тока),
приемники электрической энергии или потребители, устройства для
передачи энергии от источников к приемникам ( провода и кабели) и
коммутационные аппаратуры ( выключатели, автоматы, рубильники,
предохранители и др.)
Таблица 1.1 – Основные элементы электрической цепи
Электрическая цепь состоит из отдельных устройств или элементов, которые
по назначению можно подразделить на три группы:
1. Элементы, предназначенные для генерирования (выработки)
электроэнергии (источники питания или источники э. д. с.).
2. Элементы, преобразующие электроэнергию в другие виды энергии
(механическую, тепловую, световую, химическую и т. д.); эти элементы
называются приемниками электрической энергии, или нагрузкой.
3. Элементы, предназначенные для передачи электроэнергии от источника
питания к электроприемнику (провода, устройства, обеспечивающие уровень
и качество напряжения, и др.).
Графическое изображение электрической цепи, содержащее условные
обозначения ее элементов и показывающее соединения этих элементов,
называется схемой электрической цепи. Простейшая схема электрической
цепи, состоящая из источника э. д. с. (Е) и резистора сопротивлением (R),
изображена на рис. 1.1, а.__

Рис1.1. Схемы электрических цепей:

10. а)— простейшей одноконтурной, б — многоконтурной (p = 5, q = 3)
 Участок электрической цепи, вдоль которого протекает один и тот же
ток, называется ветвью. Место соединения трех и более ветвей
электрической цепи называется узловым соединением - «узлом».
На электрических схемах узел обозначают точкой (рис. 1.1, б)). Иногда
несколько геометрических точек, соединенных проводниками, сопротивление
которых принимают равным нулю (c — d), образуют один узел (рис. 1.1, б),
узел с. Таким образом, каждая ветвь соединяет два соседних узла
электрической схемы. Число ветвей схемы принято обозначать р, а число
узлов — q. Электрическая цепь, изображенная на схеме рис.1.1, б), имеет
число ветвей р = 5 и число узлов q = 3 (а, Ь, с).
Любой замкнутый путь, проходящий по нескольким ветвям, называют
контуром электрической цепи. Простейшая электрическая цепь имеет
одноконтурную схему (см. рис. 1.1, а)), сложные электрические цепи —
несколько контуров (рис.1.1, б)).

2.3. Законы Ома и Кирхгофа

Закон Ома для участка цепи. Ток – I на участке электрической цепи
прямо пропорционален напряжению на этом участке и обратно
пропорционален его сопротивлению (рис. 1.1, а)).
I = UR/R, ( 1.7)
где UR - напряжение на участке цепи.
R – сопротивления этого участка цепи
Закон Ома для всей цепи. Ток в электрической цепи прямо пропорционален
ЕДС всей цепи и обратно пропорционален сумме сопротивлений всей цепи6
I = E/(R + Rвт). ( 1.8)
Законы Кирхгофа. Соотношения между токами и э. д. с. в ветвях
электрической цепи и напряжениями на элементах цепи, позволяющие
произвести расчет электрической цепи, определяются двумя законами
Кирхгофа (рис. 1. 2б)., 1.2.6).
 Рис. 1.2. Сложная одноконтурная электрическая цепь.

Первый закон Кирхгофа Алгебраическая сумма токов в узловом соединении

равна нулю, выражение (2.16).

(1.9)

где n — число ветвей, сходящихся в узле.

До написания уравнения (1.9) необходимо задать условные
положительные направления токов в ветвях, обозначив эти направления на
схеме стрелками. В уравнении (1.9) токи, направленные к узлу, записывают с
одним знаком (например, с «плюсом»), а токи, направленные от узла, — с
противоположным (с»инус»). Таким образом, для узла b схемы (рис. 1.2б))
уравнение по первому закону Кирхгофа будет иметь вид
I2+I5−I4=0.
Первый закон Кирхгофа может быть сформулирован иначе: сумма
токов, притекающих в узел, равна сумме токов, вытекающих из узла.
Тогда уравнение для узла b (рис. 1.2) будет записано так:
I4=I2+I5.
Второй закон Кирхгофа определяет, что изменение потенциала во
всех элементах контура в сумме равно нулю. Это значит, что при
обходе контура abcda электрической цепи, показанной на рис. 2.6 в
силу того, что потенциал точки а один и тот же, общее изменение
потенциала в контуре равно нулю. Из этого следует, что
алгебраическая сумма э. д. с. в любом контуре электрической цепи
постоянного тока равна алгебраической сумме падений напряжений
на всех элементах, входящих в этот контур, т. е.

, (1.10)
где n — число источников э. д. с. в контуре; m — число элементов
(число ветвей) с сопротивлением Rk в контуре.
При составлении уравнений по второму закону Кирхгофа предварительно
задают условные положительные направления токов во всех ветвях
электрической цепи и для каждого контура выбирают направление обхода.
Если при этом направление э. д. с. совпадает с направлением обхода контура,
то такую э. д. с. берут сo знаком плюс, если не совпадает — со знаком минус
(левая часть уравнения 1.10). Падения напряжений в правой части уравнения
(1.10) берут со знаком плюс, если положительное направление тока в данном
элементе цепи совпадает с направлением обхода контура, и со знаком минус
— если такого совпадения нет.
 Для контура abcda, сопротивления ветвей которого включают в себя и
внутренние сопротивления источников э. д. с., уравнение (1.10) принимает
вид
E1−E2+E3=R1I1−R2I2+R3I3−R4I4.
Используя второй закон Кирхгофа, можно определять разность
потенциалов (напряжение) между любыми двумя точками электрической
цепи.1.1 а)) в соответствии с уравнением (1.10) можно записать Е = R · I =
UR. Но вместо э. д. с. Е при обходе контура по направлению тока можно взять
напряжение на зажимах источника э. д. с., которое направлено
противоположно направлению обхода контура, в результате чего
получим UR − U = 0 или U = UR.
Следовательно, второй закон Кирхгофа можно сформулировать в таком
виде: сумма падений напряжений на всех элементах контура, включая
источники э. д. с., равна нулю, т. е.

. ( 1.11)
Если в ветви имеется n последовательно соединенных элементов с
сопротивлением k-го элемента Rk, то

, (1.12)
т. е. падение напряжения на участке цепи или напряжение между зажимами
ветви U, состоящей из последовательно соединенных элементов, равно
сумме падений напряжений на этих элементах.
Заключение
В данной теме изучены основные понятия и законы элементов и цепей
постоянного тока, что является основой для дальнейшего изучения темы
“Основные законы и методы расчета электрических цепей постоянного тока”.
Периодические величины изменяются во времени по значению и
направлению, причем эти изменения повторяются через некоторые равные
промежутки времени Т (рис.1.3), называемые периодом.
 Рисунок 1.3. Переменные периодические токи, напряжения и э. д. с.
различных форм:а — прямоугольный; б — трапецеидальной; в — треугольной;
г — произвольной; д — синусоидальной

На практике все источники энергии переменного тока (генераторы

электростанций) создают э. д. с., изменяются по синусоидальному закону (рис.
1.3, д).
Основное преимущество такого закона изменения ЭДС и напряжения
заключается в том, что в процессе передачи электроэнергии на большие
расстояния (сотни и тысячи километров) от источника до потребителя при
многократной трансформации (изменении) напряжения временная зависимость
напряжения остается неизменной, т. е. синусоидальной.
Синусоидальные э. д. с., напряжения и токи начали широко применять в
электротехнике во второй половине ХХ века. В настоящее время практически
вся вырабатываемая электроэнергия является энергией синусоидального тока.
Лишь некоторую долю этой электроэнергии при использовании преобразуют в
энергию постоянного тока. Любая периодическая величина имеет ряд
характерных значений.
Максимальное значение, или амплитуду, тока, напряжения или ЭДС
обозначают соответственно .
Мгновенное значение. Значение периодически изменяющейся величины в
рассматриваемый момент времени называют мгновенным ее значением и
обозначают е, u, i — э. д. с., напряжение и ток соответственно. Максимальное
значение — частный случай мгновенного значения.
Частота. Величина, обратная периоду, т. е. число полных изменений
периодической величины за 1 с, определяется выражением:
f = 1/T. (1.13)
 Частоту выражают в герцах (Гц). Во всех энергосистемах Украины и
других европейских стран в качестве стандартной промышленной частоты
принята f = 50 Гц, в США и Японии f = 60 Гц. Это обеспечивает получение
оптимальных частот вращения электродвигателей переменного тока и
отсутствие заметного для глаза мигания осветительных ламп накаливания.
Некоторые электротехнические устройства работают при более высокой
частоте. Повышенная частота (обычно 175−200, 400 Гц) позволяет снизить вес
электродвигателей, применяемых для привода гирокомпасов,
электроинструмента и средств автоматики.
Электрические цепи, в которых действуют синусоидальные э. д. с. и токи,
называются электрическими цепями синусоидального тока. К ним относятся
понятия схемы цепи, контура, ветви и узла, которые были даны ранее для цепей
постоянного тока.
Действующие и средние значения синусоидальных э. д. с., напряжения
и тока
Как постоянный, так и синусоидальный токи используются для
совершения какой-либо работы, в процессе которой электроэнергия
преобразуется в другие виды энергии (тепловую, механическую и т. д.).
Широко применяют понятие действующего значения синусоидально
изменяющейся величины (его называют также эффективным
или среднеквадратичным).
Действующее значение тока:

Следовательно, действующее значение синусоидального тока равно 0,707

от амплитудного, соответственно напряжение и ЭДС.

Можно сопоставить тепловое действие синусоидального тока с тепловым

действием постоянного тока, текущего то же время по тому же сопротивлению.
Количество теплоты, выделенное за один период синусоидальным током,

Выделенная за то же время постоянным током теплота равна RI2пост Т.

Приравняем их:
 Таким образом, действующее значение синусоидального тока I численно
равно значению такого постоянного тока, который за время, равное периоду
синусоидального тока, выделяет такое же количество теплоты, что и
синусоидальный ток.
Большинство измерительных приборов показывает действующее значение
измеряемой величины.
Под средним значением синусоидально изменяющейся величины
понимают ее среднее значение за полпериода.
Среднее значение тока:

т. е. среднее значение синусоидального тока составляет 2/π = 0,638 от

амплитудного. Аналогично,  =2 /π ;  = 2 π.
Сдвиг фаз — разность между начальными фазами двух переменных
величин, изменяющихся во времени периодически с одинаковой частотой.
Сдвиг фаз является величиной безразмерной и может измеряться
в радианах (градусах) или долях периода.
Переменные токи одинаковой частоты могут отличаться друг от друга
не только по амплитуде, но и по фазе, т. е. могут быть сдвинуты по фазе.
Если два переменных тока одновременно достигают амплитудных
значений и одновременно проходят через нулевые значения, то эти токи
совпадают по фазе. В этом случае сдвиг фаз между токами равен нулю (рис. 9.5,
а).
Однако возможны случаи, когда амплитудные (и нулевые) значения
данных токов не совпадают, друг с другом по времени, т. е. имеется тот или
иной сдвиг фаз, не равный нулю. На рис. 9.5, б показаны токи, сдвинутые по
фазе на четверть периода (T/4).
Сдвиг фаз обычно обозначают греческой буквой φ и часто выражают в
градусах, считая весь период равным 360°, подобно тому, как один полный
оборот соответствует 360°. Таким образом, сдвиг фаз на четверть периода
обозначают φ = 90°, а при сдвиге фаз на половину периода пишут φ = 180°.
 Рисунок 1.4. Различные сдвиги фаз между двумя переменными токами

Связь между периодом переменного тока T и углом 360° можно

установить из опыта, в котором получают переменную синусоидальную ЭДС
при равномерном вращении витка (или катушки) в однородном магнитном
поле. В этом случае за один оборот витка, т. е. за время его поворота на угол
360°, ЭДС совершает одно полное синусоидальное колебание. Таким образом,
действительно период T соответствует углу 360°.
Это же следует из математического выражения для переменного тока, т. е.
из его уравнения. Если переменный ток начал свои изменения от нулевой фазы,
когда t = 0, ωt = 0 и sin ωt = 0, то по прошествии одного периода получится 

В этот момент фазовый угол составляет 2π радиан или 360°, и,

следовательно, sin( ωt) = sin 2π = sin 360° = 0. При изменении угла от 0 до 2π
радиан, или до 360°, синус совершает полный цикл своих изменений.
Соответственно этому переменный ток совершает одно полное колебание.
Следует помнить, что только токи одной и той же частоты могут иметь
вполне определенный сдвиг фаз. При различной частоте токов сдвиг фаз между
ними не является постоянным, а все время меняется. Например, для токов i1 и
i2, изображенных на рис.1.4, и имеющих частоты, отличающиеся друг от друга
в два раза, сдвиг фаз в моменты времени, изображенные точками 0, 1, 2, 3, 4,
равен соответственно 0; 90; 180; 270; 360°, т. е. на протяжении одного периода
тока i1 значение φ изменяется от 0 до 360°. 

Рисунок1.5. Переменный сдвиг фаз между токами различной частоты

Все сказанное о сдвиге фаз между токами относится также к напряжениям

и электродвижущим силам. В дальнейшем мы рассмотрим случаи, когда будет
существовать сдвиг фаз между напряжением и током.

Контрольные вопросы;
4. Как возникает электрического поля.?
5. Какие величины описывают электрическое напряжением?
6. Что такое электрический ток, сила тока, плотность тока определение?
7. Чем определяется рода тока?
8. Какие основные элементы электрических цепей?
9. Что такое электротехнические генерирующие и приемные устройства?
10. Какие Вы знаете условные графические обозначения на электрических
принципиальных схемах?
11. По каким признакам разделяются простые и сложные электрические
схемы?
12. Законы Ома для участка цепи, для все цепи?
13. Первое и второе правила Кирхгофа ?
14.Какие формы имеет переменная величина?
15.Что такое период?
16.Что такое частота?
17.Что такое фазовый угол?
18.Что такое угол сдвига фаз между токами?
19.Что такое действующее значение синусоидального тока?
20.Что такое среднее значение синусоидального тока?
Т.
 Лекция 2. Общие сведения о полупроводниках
План лекции
2.1. Свойства полупроводниковых материалов
Полупроводниковыми называются приборы, действие которых основано
на использовании свойств веществ, занимающих по электропроводности
промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Удельная
электропроводность полупроводников s = 102...10-8 См/м (у проводников s =
104...103 См/м, у диэлектриков s < 10-8 См/м). Согласно зонной теории, к
полупроводникам относятся вещества, ширина запрещенной зоны DW
которых не превосходит 3 эВ.
Электрические свойства полупроводников зависят от внешних условий:
температуры, освещенности, внешних полей и др. Характерной
особенностью полупроводников является повышение их электропроводности
с увеличением температуры и при введении примесей.
В качестве веществ, используемых для изготовления полупроводниковых
приборов, широко используются германий Ge, кремний Si (элементы
четвертой группы таблицы Менделеева) и арсенид галлия GaAs. Они имеют
монокристаллическую структуру и кристаллическую решетку алмазного
типа: каждый атом окружен четырьмя атомами, находящимися в вершинах
правильного тетраэдра. Атомы удерживаются в узлах решетки за счет
валентных электронов.
Связь между двумя соседними атомами осуществляется двумя валентными
электронами — по одному от каждого атома. Такая связь между атомами
называется ковалентной.
Каждый атом указанных выше веществ на наружной оболочке имеет четыре
валентных электрона. Поэтому каждый атом образует четыре ковалентных
связи с четырьмя ближайшими от него атомами. В результате внешняя
орбита каждого из атомов имеет восемь электронов и становится полностью
заполненной.
Кристаллическая решетка, в которой каждый электрон внешней орбиты
связан ковалентными связями с остальными атомами вещества, является
идеальной. В таком кристалле все валентные электроны прочно связаны
между собой и свободных электронов, которые могли бы участвовать в
переносе зарядов, нет.
Такую кристаллическую решетку имеют все химически чистые
беспримесные полупроводники при температуре абсолютного нуля (–273°С).
В этих условиях полупроводники обладают свойствами идеальных
изоляторов.
Суть ковалентной связи атомов полупроводников поясняется рис. 2.1

Рисунок 21.

2.2. Электропроводность полупроводников

Электропроводность полупроводников, как и других твердых тел,
определяется направленным движением электронов под действием внешнего
электрического поля. Существенные отличия электропроводности
полупроводников от проводников и диэлектриков объясняется различием их
энергетических диаграмм, показанных на рис. 2.2. Здесь 1 зона
проводимости, 2 — валентная зона, 3 — запрещенная зона.

Рисунок 2.2.
У проводников запрещенная зона отсутствует. Как видно из рисунка, зона
проводимости и валентная зона частично перекрываются. При этом
образуется свободная зона, имеющая свободные энергетические уровни.
Электроны заполненных валентных уровней могут легко переходить на
близлежащие свободные энергетические уровни. Это определяет
возможность их перемещения под действием внешнего электрического поля
и хорошую электропроводность металлов.
В полупроводниках валентная зона и зона проводимости разделены
неширокой запрещенной зоной (DW = 0,67эВ для Ge; 1,12 эВ для Si; 1,41 эВ
для GaAs). Под действием внешнего электрического поля, теплового,
светового и другого излучений возможен переход электронов из валентной
зоны в зону проводимости. При этом в валентной зоне возникают свободные
энергетические уровни, а в зоне проводимости появляются свободные
электроны, называемые электронами проводимости. Этот процесс называют
генерацией пар носителей, а не занятое электроном энергетическое состояние
в валентной зоне — дыркой.
Генерация носителей заряда приводит к тому, что электроны могут
перемещаться в зоне проводимости, переходя на ближайшие свободные
энергетические уровни, а дырки — в валентной зоне. Это эквивалентно
перемещению положительных зарядов, равных по абсолютной величине
зарядам электронов. Перемещение дырок можно представить как заполнение
свободных энергетических уровней в валентной зоне электронами
близлежащих занятых энергетических уровней. Электропроводность,
обусловленную генерацией пар носителей заряда «электрон — дырка»,
называют собственной электропроводностью. Возвращение возбужденных
электронов из зоны проводимости в валентную зону, в результате которого,
пара носителей заряда «электрон — дырка» исчезает, называют
рекомбинацией. Рекомбинация сопровождается выделением кванта энергии в
виде фотона.
Из-за малой ширины запрещенной зоны у полупроводников даже при
комнатной температуре наблюдается заметная проводимость. У
диэлектриков из-за большой ширины запрещенной зоны проводимость при
этом крайне мала.
Если внешнее электрическое поле отсутствует, то в полупроводнике
наблюдается хаотическое тепловое движение электронов и дырок. В
электрическом поле движение электронов и дырок становится
упорядоченным. Проводимость полупроводника обусловлена перемещением,
как свободных электронов, так и дырок. В полупроводнике различают
проводимости n-типа (от слова negative — отрицательный), обусловленную
движение электронов, p-типа (от слова positive — положительный),
обусловленную движением дырок.
Плотность тока в полупроводнике J [А/см2] равна сумме электронной Jn и
дырочной Jp составляющих:

 , (1.1.)
где mn — подвижность электронов, mp — подвижность дырок; qe — заряд
электрона, Е — напряженность электрического поля.

1.3. Токи в полупроводнике

В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и
диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный
электрическим полем. Если к полупроводнику приложить внешнее
электрическое поле, то в нем наблюдается направленное движение дырок
вдоль поля и направленное движение электронов в противоположном
направлении. Суммарный дрейфовый ток электронов и дырок определяется
выражением

, (1.2.)
где n и p — число электронов и дырок, пересекающих площадь в 1 см 2/с; S —
площадь поперечного сечения полупроводника.

Диффузионный ток обусловлен перемещением носителей заряда из области с

высокой концентрацией в область с более низкой концентрацией, т. е. обусловлен
наличием градиента концентрации (dn/dx — градиент концентрации электронов;
dp/dx — градиент концентрации дырок). Суммарный диффузионный ток электронов
и дырок определяется соотношением

, (1.3.)

где Dn и Dp — коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно.

1.4. Электронно-дырочные переходы

Общие сведения. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который
образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости:
электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым
соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте
соединения невозможно обеспечить общую кристаллическую решетку без
дефектов. На практике широко используется метод получения p-n перехода путем
введения в примесный полупроводник примеси с противоположным типом
проводимости, например с помощью диффузии, или эпитаксии.

Электронно-дырочные переходы используются в большинстве полупроводниковых

приборов (в диодах и полевых транзисторах используются по одному p-n переходу,
в биполярных транзисторах - два p-n перехода, в тиристорах - три p-n перехода).
Поэтому очень важным является понимание физических явлений и электрических
свойств p-n перехода.

Формирование p-n-перехода. Предположим, что p-n переход образован

электрическим контактом полупроводников n- и p-типа с одинаковой
концентрацией донорных и акцепторных примесей (рис. 1.5, a). На границе
областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок. Вследствие того,
что концентрация электронов в n-области выше, чем в p-области, возникает
диффузионный ток электронов из p-области в n-область. А из-за того, что
концентрация дырок в p-области выше, чем в n-области, возникает диффузионный
ток дырок из p-области в n-область. В результате диффузии основных носителей
заряда в граничном слое происходит рекомбинация. Приграничная p-область
приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, обусловленный
отрицательными ионами. Приграничная n-область приобретает
нескомпенсированный положительный заряд, обусловленный положительными
ионами.

На рис. 1.5, б показано распределение концентраций дырок p(x) и электронов n(x)

в полупроводнике. В граничном слое образуется электрическое поле,
направленное от n-области к p-области, как показано на рис. 1.5, а.

Рисунок 1.5. Рисунок 1.6.

Это поле является тормозящим для основных носителей заряда. Теперь любой
электрон, проходящий из n-области в p-область, попадает в электрическое поле,
стремящееся возвратить его обратно в электронную область. Аналогично любая
дырка, проходящая из p-области в n-область, также попадает в электрическое
поле, стремящееся возвратить ее обратно в дырочную область.

Внутреннее поле является ускоряющим для неосновных носителей. Если электроны

p-области вследствие, например, хаотического теплового движения попадут в зону
p-n перехода, то внутреннее поле обеспечит их быстрый переход через
приграничную область. Аналогично будут преодолевать p-n переход дырки n-
области. Для них внутреннее поле также является ускоряющим.

Таким образом, внутреннее электрическое поле p-n перехода создает дрейфовый

ток неосновных носителей заряда. Этот ток направлен встречно диффузионному
току основных носителей заряда.

Если к полупроводнику не прикладывается внешнее напряжение, то

результирующий ток через p-n переход отсутствует:

 .

Это равенство устанавливается при определенной контактной разности

потенциалов UK (рис. 1. 5, в). Эта разность потенциалов препятствует
перемещению основных носителей заряда, т. е. создает потенциальный барьер.
Для того чтобы преодолеть потенциальный барьер электрон должен обладать
энергией W = qeUK.  С увеличением потенциального барьера диффузионный ток
должен убывать. Толщина слоя h, в котором действует внутреннее электрическое
поле, мала и определяет толщину p-n перехода (обычно h < 10 -6 м). Однако
сопротивление этого слоя велико, поскольку он обеднен основными носителями
заряда. Поэтому его часто называют запирающим. При одинаковых концентрациях
носителей зарядов в p- и n-областях полупроводника толщина p-n перехода
образуется из двух равных частей hp и hn (см. рис. 1.5, а).

В общем случае справедливо соотношение

Nаhp = Nдhn. (1.6.)

Контактная разность потенциалов и толщина р-n-перехода зависят от

концентрации доноров и акцепторов:

 ; (1.7)

 , (1.8.)

где с - диэлектрическая проницаемость.

Очевидно, что увеличение концентрации доноров и акцепторов приводит к

увеличению контактной разности потенциалов и уменьшению толщины p-n
перехода.

Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Вольт-амперной

характеристикой p-n перехода называется зависимость тока, протекающего через
p-n переход, от величины и полярности приложенного напряжения. Аналитическое
выражение ВАХ p-n перехода имеет вид:

 , (1.9)

где Iобр — обратный ток насыщения p-n перехода; U - напряжение, приложенное к

p-n переходу.

Характеристика, построенная с использованием этого выражения, имеет два

характерных участка (рис. 1.6): 1— соответствующий прямому управляющему
напряжению Unp, 2 — соответствующий обратному напряжению Uобр.

При больших обратных напряжениях наблюдается пробой p-n перехода, при

котором обратный ток резко увеличивается. Различают два вида пробоя:
электрический (обратимый) и тепловой (необратимый).

Прямое включение p-n-перехода. Включение, при котором к p-n переходу

прикладывается внешнее напряжение Uпр в противофазе с контактной разностью
потенциалов, называется прямым.  Прямое включение p-n перехода показано на
рис. 1.7, а. Практически все внешнее напряжение прикладывается к запирающему
слою, поскольку его сопротивление значительно больше сопротивления остальной
части полупроводника. Как видно из потенциальной диаграммы (рис. 1.7, б),
высота потенциального барьера уменьшается: Uб = Uк - Uпp. Ширина p-n перехода
также уменьшается (h' < h). Дрейфовый ток уменьшается, диффузионный ток
резко возрастает. Динамическое равновесие нарушается и через p-n переход
протекает прямой ток:

 . (1.10.)

Как видно из формулы (16.10), при увеличении прямого напряжения ток может
возрасти до больших значений, так как он обусловлен движением основных
носителей, концентрация которых в обеих областях полупроводника велика.

При прямом включении дрейфовая составляющая тока пренебрежимо мала по

сравнению с диффузионной. Это объясняется низкой концентрацией неосновных
носителей заряда и уменьшением результирующей напряженности электрического
поля, обусловливающих дрейфовый ток.

Процесс введения основных носителей заряда через p-n переход с пониженной

высотой потенциального барьера в область полупроводника, где эти носители
заряда являются неосновными, называется инжекцией. Инжектированные носители
диффундируют вглубь полупроводника, рекомбинируя с основными носителями
этой области. Дырки, проникшие из p-области в n-область, рекомбинируют с
электронами, поэтому диффузионный дырочный ток I р постепенно спадает в n-
области до нуля.

Поступающие от внешнего источника в n-область электроны продвигаются к p-n

переходу, создавая электронный ток In. По мере приближения к переходу,
вследствие рекомбинации электронов с дырками, этот ток спадает до нуля.
Суммарный же ток в n-области Iдиф = Ip + In во всех точках полупроводника n-типа
остается неизменным. Одновременно с инжекцией дырок в n-область происходит
инжекция электронов в p-область. Протекающие при этом процессы аналогичны
описанным выше.

Обратное включение p-n-перехода. Включение, при котором к p-n переходу

прикладывается внешнее напряжение Uобр в фазе с контактной разностью
потенциалов, называется обратным.  Этот случай иллюстрирует рис. 1.8, а.
  

Рисунок 1.7. Рисунок 1.8.

Под действием электрического поля, создаваемого внешним источником U обр,

основные носители оттягиваются от приконтактных слоев вглубь полупроводника.
Как видно из рис. 1.8, б, это приводит к расширению p-n перехода (h' > h).
Потенциальный барьер возрастает и становится равным Uб = Uк + Uобр. Число
основных носителей, способных преодолеть действие результирующего поля,
уменьшается. Это приводит к уменьшению диффузионного тока, который может
быть определен по формуле

 . (1.11)

Для неосновных носителей (дырок в n-области и электронов в p-области)

потенциальный барьер в электронно-дырочном переходе отсутствует. Неосновные
носители втягиваются полем в переход и быстро преодолевают его. Это явление
называется экстракцией.

При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток. Он имеет

небольшую величину, так как создается движением неосновных носителей. Этот
ток называется обратным и может быть определен по формуле I обр = Iдр — Iдиф.
Величина обратного тока практически не зависит от напряжения U обр. Это
объясняется тем, что в единицу времени количество генерируемых пар «электрон
— дырка» при неизменной температуре остается неизменным. Поскольку
концентрация неосновных носителей значительно меньше концентрации основных
носителей заряда, обратный ток p-n перехода существенно меньше прямого
(обычно на несколько порядков). Это определяет выпрямительные свойства p-n
перехода: способность пропускать ток только в одном направлении.

Для получения хороших выпрямительных свойств желательно уменьшить обратный

ток, что достигается очисткой исходного полупроводникового материала с целью
снижения концентрации неосновных носителей заряда. Высокая степень чистоты
полупроводниковых материалов обеспечивается специальной дорогостоящей
технологией.
Электрический пробой происходит в результате внутренней электростатической
эмиссии и под действием ударной ионизации атомов. Внутренняя
электростатическая эмиссия в полупроводниках аналогична электростатической
эмиссии электронов из металла. Под действием сильного электрического поля
часть электронов освобождается из ковалентных связей и получает энергию,
достаточную для преодоления высокого потенциального барьера p-n перехода.
Двигаясь с большой скоростью, электроны сталкиваются с нейтральными атомами и
ионизируют их. В результате ударной ионизации появляются новые свободные
электроны и дырки. Они, в свою очередь, разгоняются полем и создают
дополнительные носители тока. Описанный процесс носит лавинообразный
характер и приводит к значительному увеличению обратного тока через p-n
переход. Электрическому пробою соответствует участок 3 на рис. 1.6. Если
чрезмерно увеличивать обратное напряжение (до значений, превышающих
максимально допустимое напряжение Uo6p max, указанное на рис. 1.6), то произойдет
тепловой пробой p-n перехода, и он потеряет свойство односторонней
проводимости. Обратная ветвь характеристики при тепловом пробое имеет вид
участка 4.

Тепловой пробой p-n перехода происходит вследствие вырывания валентных

электронов из связей в атомах при тепловых колебаниях кристаллической
решетки. Тепловая генерация пар «электрон — дырка» приводит к увеличению
концентрации неосновных носителей заряда и росту обратного тока. Увеличение
тока сопровождается дальнейшим повышением температуры. Процесс нарастает
лавинообразно, происходит изменение структуры кристалла, и переход необратимо
выходит из строя. Если же при возникновении пробоя ток через p-n переход
ограничен сопротивлением внешней цепи и мощность, выделяемая на переходе,
невелика, то пробой обратим.

1.5. Полупроводниковые диоды

Полупроводниковым диодом называется прибор с двумя выводами (двухполюсный
элемент), содержащий один p-n переход. На практике широко используются
германиевые, кремниевые и арсенид-галлиевые полупроводниковые диоды.
Данные об основных типах, обозначениях и основные характеристики
полупроводниковых диодов приведены в табл. 1.1.

Полупроводниковые диоды имеют ряд преимуществ по сравнению с электронными

лампами: небольшие габаритные размеры, малую массу, высокий коэффициент
полезного действия, отсутствие накаливаемого источника электронов, большой
срок службы, высокую надежность. В основу системы обозначений
полупроводниковых диодов положен буквенно-цифровой код.

Таблица 1.1

Наименование Буквенный Обозначение Основная характеристика

код
Диод Общее VD
обозначение
КД
Стабилитрон
ГД
односторонний
VD
Стабилитрон
двухсторонний КС VD КС
Варикап VD
Светодиод КВ
Фотодиод Оптрон
диодный VD

КЛ

АЛ

VD

АОД
 Важное свойство полупроводниковых диодов — односторонняя проводимость —
широко применяется в устройствах выпрямления, ограничения и преобразования
электрических сигналов. Изменение барьерной емкости p-n перехода под
действием обратного напряжения используется в приборах, получивших название
варикапы. Явление обратимого электрического пробоя p-n перехода используется
в приборах для стабилизации напряжения. Эти приборы называются ста
Основу неуправляемых выпрямителей составляют диоды (VD). Это двухэлектродные
вентили (анод-катод) с односторонней проводимостью. Выпрямленный ток Id протекает, когда на
аноде (А) потенциал выше, чем на катоде (К). При включении в цепь переменного тока VD
пропускает только положительные полуволны питающего напряжения.

На рис. а представлена однофазная однополупериодная схема

выпрямления.
Если включить диод VD в цепь лампы Н, то форма выпрямленного
напряжения Ud(t) представляет напряжение состоящее из положительных
полуволн (рис.б). Его представляют рядом Фурье – постоянной (гладкой)
составляющей Udo, которая определяется средним значением напряжения
за период Т:
T
1
U d 0 = ∫ U d (t )dt ,
T0

и спектром высших гармоник. Это ряд синусоидальных напряжений

различной частоты, амплитуды и сдвига по фазе. Этот спектр представляет
переменную составляющую, которая вызывает дополнительные потери. Её
стремятся минимизировать.
 2.3 Мостовые схемы включення диодов в однофазных и трехфазных
цепях
Чтобы снизить переменную составляющую используют однофазные двухполупериодные
схемы выпрямления.

В предыдущей схеме число пульсаций за период одна (m = 1), в этой схеме m = 2.

При том же напряжении сети выпрямленное напряжение увеличилось в 2 раза. Уровень

переменной составляющей уменьшился. Такие схемы широко применяются в маломощных
устройствах. Чтобы сгладить пульсации на выходе включают конденсатор С.

Трёхфазная однополупериодная схемы выпрямления представлена на рис а.

Трансформатор устанавливают при необходимости согласовать выпрямленное напряжение

с сетью.

На рис.б показана форма выпрямленного напряжения. Число пульсаций m = 3, ниже уровень

переменной составляющей. Переключение вентилей происходит в моменты равенства
напряжений на вентилях (t1, t2 и т.д:). Открыт вентиль, у которого выше потенциал на аноде.
Каждый VD открыт за период λ = 1200. Среднее напряжения равно:
 m π
U do= √ 2 U 2 sin
π m .
Такие схемы носят название «нулевых», т.к. требуют нуля трансформатора или сети.

Используют для питания установок малой и средней мощности: обмотки возбуждения ДПТ,
цепи динамического торможения, оперативные цепи и т.п.

Существенным недостатком нулевых схем – одностороннее подмагничивание

трансформатора протекающим током. По этой причине полную мощность трансформатора SТР
необходимо увеличивать почти в два раза по отношению к требуемой мощности нагрузки Pd: SТР =
2Pd, где Pd = Udo ∙ Id, т.е. коэффициент использования трансформатора Ктр = 0,5.

Трёхфазные двухполупериодные схемы выпрямления, или мостовые, наиболее широко

используют для питания электроустановок средней и большой мощности. Они состоят из двух
трёхфазных нулевых схем включенных последовательно (катодная и анодная группы).

Выпрямленное напряжение Ud0 по сравнению с нулевой схемой при том же значении

вторичного напряжения U2 удваивается (рис.б). t1, t2 и т.д. – моменты естественной коммутации
катодной и анодной групп. Пульсации этих групп сдвинуты на 60 0. Это снижает уровень
переменной составляющей в выпрямленном напряжении в два раза, а число пульсаций
увеличивается в два раза m = 6. На диаграмме напряжений указан порядок переключения диодов,
каждый вентиль за период открыт 1200.

Токи в обмотках трансформатора протекают в обоих направлениях. Коэффициент

использования трансформатора близок к единице (К ТР = 1).

Трехфазные мостовые выпрямители питают в цехах сети постоянного тока, сварочные

агрегаты, электролиз и т.п.

Лекция 3 Управляемые выпрямители - устройство, схемы, принцип

работы
План лекции

Основу управляемого выпрямителя составляет – управляемый

трехэлектродный вентиль-тиристор (VS). Вентиль открывается при
положительном потенциале на аноде и подаче на управляющий электрод
(УЭ) положительного сигнала Uy. После открытия VS удерживает себя в
проводящем состоянии протекающим рабочим током Id и сигнал Uy не
нужен. Для закрытия VS необходимо или прервать ток на время
восстановления запирающих свойств или приложить к VS отрицательный
потенциал. Поэтому VS является полууправляемым вентилем и в цепях
постоянного тока необходимо иметь устройства для его принудительного
запирания. В цепях переменного тока эту функцию выполняет отрицательная
полуволна рабочего напряжения, а управляющим сигналом Uy служат
положительные маломощные импульсы шириной (15-20) эл.град.,
подаваемые на вентиль с частотой питающей сети. В состав каждого
управляемого вентиля входит блок системы импульсно-фазового управления
(СИФУ), который формирует импульсы с крутым передним фронтом и
сдвигает их фазы по отношению к рабочему напряжению на тиристоре. Это
смещение импульса является углом управления α и зависит от величины
управляющего сигнала UУПР поступающего на вход блока СИФУ.
На рис 2.3.а дана схема однофазного управляемого выпрямителя для
пояснения принципа его работы.

При подаче напряжения на лампу Н и сдвиге импульсов на угол =0

напряжение (рис.б.) имеет вид (штриховка), гладкая составляющая и Ud1.
При уменьшении (α2<α,) среднее значение напряжения Ud2 возрастет
Ud2 > Ud 1 . Очевидно, что максимум напряжения будет при α=0. Угол сдвига
α называют углом управления или открытия тиристора. Обычно зависимость
 (Uynp) близка к прямолинейному виду. Наличие переменной
составляющей в выпрямленном напряжении является существенным
недостатком таких выпрямителей. Для сглаживания выпрямленного тока в
цепь нагрузки включают индуктивность (дроссель).
Дроссель оказывает сопротивление только переменной составляющей:

xv= v L,
где xv -реактивное сопротивление, x v - ой гармоники, ω v - частота
гармоники, L - индуктивность дросселя. Для гладкой составляющей
постоянного тока (=0), xv = 0.
Основными схемами тиристорных преобразователей на
промпредприятиях являются 3-х фазные нулевые и мостовые.
ТП с 3-х фазной нулевой схемой выпрямления состоит из трех VS,
управляемых от СИФУ, трансформатора, вторичная обмотка которого
собрана в звезду с нулевым выводом. Трансформатор устанавливают, если
необходимо согласовать напряжение сети с выпрямленным.

Если нет необходимости, его исключают, что снижает стоимость ТП и

расходы на эксплуатацию. Точки равного потенциала на стороне
выпрямленного напряжения называют точками естественной коммутации
или открытия (т.А). От них отсчитывается угол управления .
Выпрямленное напряжение регулируется изменением угла управления
, т.е. задержкой во времени открытия тиристора относительно точки
естественной коммутации. Угол управления изменяется в функции
изменения управляющего сигнала Uyпp. Выпрямленное напряжение ТП
представляют постоянной составляющей и спектром гармоник. Постоянная
m π
cosα
является полезным сигналом: U d = √ 2U 2 π sin m , где m - число
пульсаций для 3-х фазной нулевой схемы m-3; U2- вторичное напряжение
трансформатора.
 Наличие индуктивности в цепи нагрузки поддерживает вентиль
открытым и в отрицательной полуволне напряжения, и угол проводимости
каждого вентиля λ остается равным 120 эл.град.

ПРИ =0 Ud достигает максимального значения – U d0

m π
cosα
U d = √ 2U 2 π sin m ,

В общем виде:U в =U d0 cos α

При а=90° среднее значение напряжения Ud будет равно 0.

Достоинством 3-х фазных нулевых схем является их простота. Недостаток -
значительный уровень переменной составляющей и низкий коэффициент
использования трансформатора. Кmp = 0,5.
Применяют для регулирования скорости двигателей постоянного тока
малой мощности и питания обмоток возбуждения. Указанный на вентиле ток
соответствует работе вентиля с радиатором при охлаждении воздухом
(водой) соответствующей температуры и скорости подачи. Без
принудительного охлаждения допустимая величина тока снижается в 4-5 раз.
ТП с 3-х фазной мостовой схемой выпрямления включает 6 тиристоров (3-
катодная группа; 3-анодная). На управляющие электроды подаются
импульсы от СИФУ (на схеме не приведены). Угол управления α
определяется сигналом на входе СИФУ. Трансформатор устанавливают при
необходимости согласования выпрямленного напряжения Ud и напряжения
сети (рис.а.).
 Мостовая схема представляет две нулевые, включенные
последовательно и сдвинутые по углу пульсаций на 60°. Основная пульсация
m=6.

На рис.б. дана диаграмма выпрямленного напряжения на нагрузке Z н

(R;XL). Выпрямленное напряжение рассчитывается как и для нулевой схемы с
учетом m=6. Результирующая диаграмма напряжений при сложении К.гр. и
А. гр. дана на рис.в. На рис.г. представлена векторная диаграмма
напряжений на вентилях.

При том же напряжении переменного тока U, в мостовой схеме

выпрямленное напряжение удваивается по сравнению с нулевой. Мостовые
схемы преобладают в промышленности. В обмотках трансформатора токи
протекают в обоих направлениях, что определяет высокий коэффициент
использования трансформации Ктр ¿ 0,9. Важно и то, что основные
гармоники v=6 в два раза меньше, чем в нулевой схеме (v=3).
 18.5 Реверсивные схемы тиристорных преобразователей (ТП)

Регулирование скорости ДПТ изменением питающего напряжения

обеспечивает широкий диапазон регулирования и жесткие механические
характеристики. Это выполнялось при питании двигателей от генераторов
изменением тока возбуждения. Реверс в системе Г-Д – изменением
полярности на обмотке возбуждения генератора.
Полупроводниковые выпрямители обладают односторонней
проводимостью. Поэтому выполнить реверсивный привод системы ТП-Д с
одним комплектом выпрямителя требует механических контактов для
переключения полярности на якоре (рис.а.).

Механические характеристики системы ТП-Д (рис.б.) в отличие от

системы Г-Д искажены в зоне малых нагрузок. Эта нелинейность вызвана
наличием в выпрямленном напряжении переменной составляющей.
Двигатели большой мощности (десятки кА) не допускают коммутацию
механическими контактами. В таких установках бесконтактная коммутация
выполняется изменением напряжения или полярности на источнике.
Реверсивный ТП комплектуется двумя управляемыми выпрямителями
(рис.в.), из которых один обеспечивает работу «вперед» VSF, а второй
«назад» VSB. Реверсивный ТП собран по встречно-параллельной схеме.
 Выпрямители включены параллельно, относительно цепи нагрузки
встречно. Работа выпрямителей раздельная, т.е. при открытии одного
выпрямителя со второго снимают управляющие импульсы', его силовая цепь
разомкнута. Это выполняет блок переключений S. Выходное напряжение Ud
определяется величиной и полярностью сигнала управления Uупр. На рис.г.
представлено условное обозначение реверсивного ТП.

18.6 Схемы СИФУ

Система импульсно-фазового управления

предназначена для генерирования импульсов,
подаваемых на тиристоры с частотой сети и сдвига их
по фазе относительно рабочего напряжения на
заданный угол управления α в соответствии с
величиной сигнала управления Uyпp.
СИФУ включает в себя фазовращающее устройство ФВУ и генератор
импульсов ГИ.
Она может быть выполнена на базе активно-индуктивных элементов или
по вертикальному принципу управления – на базе электронных приборов.
В настоящее время СИФУ выполняют, используя вертикальный принцип
управления, на базе электронных приборов (рис.а.).
 На вход ГИ поступает пилообразное напряжение от ФВУ с частотой сети.
Встречно действует сигнал управления Uyпp. В момент, когда Uп > Uупp ГИ
генерирует импульс. Сигнал управления на графике (рис.б.) изменяется по
«вертикали», что приводит к изменению момента генерирования импульса
(угол ). Пилообразные напряжения сдвинуты по фазе в соответствии со
сдвигом по фазе рабочих напряжений на тиристорах.
18.7 Система ПЧ-Д
Перспективным направлением в развитии регулируемого
электропривода переменного тока является система тиристорный
преобразователь частоты – двигатель (ПЧ-Д). Достоинство системы - высокий
К.П.Д. статического электрооборудования (0,8-0,9) и использование в
регулируемом электроприводе простого и надежного асинхронного
двигателя с короткозамкнутым ротором. В последние годы разработано
большое количество схем ПЧ, которые можно разделить на две группы:
преобразователи с непосредственной связью с сетью (или преобразователи
ведомые сетью) и преобразователи с промежуточным звеном постоянного
тока (или автономные инверторы).
В преобразователях с непосредственной связью в каждой фазе системы
устанавливают реверсивный тиристорный преобразователь U1, U2, U3 (рис.а.).
Дроссель L служит для ограничения тока короткого замыкания при
переключении выпрямительных групп и улучшения формы кривых
напряжения.
При открытии, одной выпрямительной группы формируются
положительные полуволны регулируемого напряжения Up, при работе
другой - отрицательные. На диаграмме показаны формы UP одной фазы,
выходная частота зависит от интервала времени включения выпрямительной
группы. С уменьшением интервала регулируемая частота fp растет.
Преобразователи с непосредственной связью обеспечивают регулирование
частоты fp до 20-25 Гц при питании от сети частотой 50Гц. Достоинством
такого преобразователя является однократное преобразование энергии и
высокий К.П.Д. около (0,97-0,98).
В преобразователях с промежуточным звеном постоянного тока –
двухкратное преобразование энергии, что снижает их энергетические
показатели. Однако, они позволяют регулировать частоту тока вверх и вниз
от частоты питающей сети, отличаются быстродействием и высокой
надежностью. Управляемый выпрямитель VS1 (рис.б.) подает на вход
автономного инвертора U3 регулируемое по величине напряжение
постоянного тока U=, которое определяет амплитуду выходного напряжения
Up. Преобразование постоянного напряжения в трехфазное переменное
осуществляется коммутацией тиристоров V1-V6 в определенной
последовательности, которая соответствует их нумерации на схеме, т.е.
сначала включается V1, через 60° включается V2 и т.д. до V6. Включение
тиристоров осуществляет схема управления инверторной группой (на схеме
не дана).
Для выключения тиристоров необходимо ток, протекающий через него,
довести до нуля. Это достигается с помощью коммутирующих конденсаторов
Ск запирающих работающие тиристоры при включении последующих. Через
выпрямительный мост U2 реактивная энергия двигателя возвращается
конденсатору С. Диоды V7-V12 служат для отделения коммутирующих
конденсаторов от нагрузки и снижения их емкости. Частота регулируется
временем включенного состояния тиристора. На диаграмме даны формы
напряжения одной фазы при разных частотах. С ростом частоты, для
поддержания постоянным критического момента двигателя, увеличивают
напряжение подаваемое на инвертор. Дроссель L и конденсатор С служат
для придания выходному напряжению Up формы, близкой к
синусоидальной. Преобразователи с промежуточным звеном обеспечивают
регулирование частоты до 400Гц.
 Промышленность выпускает ТП-Ч мощностью до 500 кВА, выходное
напряжение 220; 300; 660 В с предельными частотами регулирования 60; 70;
200; 400 Гц.

Лекция 4. Биполярные транзисторы

Биполярным транзистором (БТ) называется электропреобразовательный
полупроводниковый прибор, имеющий два взаимодействующих перехода.
Название прибора введено в 1948 г., оно происходит от английских слов
transfer (преобразователь) и resistor (сопротивление). Транзистор
представляет собой кристалл полупроводника, содержащий три области с
поочередно меняющимися типами проводимости. В зависимости от порядка
чередования областей различают БТ типов p-n-p и n-p-n. Принцип действия
БТ различных типов одинаков. Транзисторы получили название биполярных,
так как их работа обеспечивается носителями зарядов двух типов: основными
и неосновными.
Схематическое устройство и условное графическое обозначение p-n-p
транзисторов показано на рис. 1.11, а и n-p-n транзисторов — на рис. 1.11, б.
Одну из крайних областей транзисторной структуры создают с повышенной
концентрацией примесей, используют в режиме инжекции и называют
эмиттером. Среднюю область называют базой, а другую крайнюю область —
коллектором. Два перехода БТ называются эмиттерным и коллекторным.
В зависимости от того, какой электрод имеет общую точку соединения со
входной и выходной цепями, различают три способа включения транзистора:
с общей базой; общим эмиттером и общим коллектором. Электрические
параметры и характеристики БТ существенно различаются при разных
схемах включения. На практике БТ широко используются в качестве
усилительных приборов. В этом случае к эмиттерному переходу для
обеспечения режима инжекции подается прямое напряжение, а к
коллекторному переходу, работающему в режиме экстракции, — обратное
напряжение. Такой режим работы БТ называется активным.
Кроме рассмотренного выше, БТ может работать в следующих режимах:
отсечки, когда оба перехода находятся под действием обратных напряжений;
насыщения, когда оба перехода находятся под действием прямых
напряжений; инверсном режиме, когда к эмиттерному переходу приложено
запирающее напряжение, а к коллекторному переходу —отпирающее.
Последний режим часто встречается при работе БТ в качестве ключа
разнополярных-электрических сигналов.
Технологические типы БТ. Исторически первыми широко
распространившимися БТ явились сплавные транзисторы. Упрощенный вид
структуры сплавного p-n-p транзистора показан на рис. 16.12, а.
  Рисунок 1.11

 Рисунок 1.12.
Здесь в полупроводниковую пластину с проводимостью n-типа с двух сторон
вплавляли полупроводниковый материал с проводимостью p-типа. Процесс
вплавления продолжался до тех пор, пока расстояние между образующимися
p-областями не становилось достаточно малым (50...60 мкм). Затем
полупроводниковую пластину укрепляли на металлическом
кристаллодержателе и помещали в герметический металлический корпус.
Выводы эмиттера и коллектора пропускали сквозь стеклянные изоляторы,
закрепленные в корпусе, вывод базы соединяли непосредственно с корпусом.
Транзисторы имели малую максимально допустимую постоянную
рассеиваемую мощность коллектора (Рк max £ 250 мВт), так как отвод тепла
происходит вдоль тонкой полупроводниковой пластины базы, имеющей
малую теплопроводность. Максимальная рабочая частота сплавных
транзисторов не превышала 30 МГц.
Современные БТ изготавливаются по планарной технологии с
использованием методов диффузии и эпитаксии. Упрощенный вид
планарного БТ со структурой n-p-n, изготовленный методом трех диффузий,
показан на рис 1.12, б. Здесь в полупроводниковую пластину с
проводимостью p-типа при первой диффузии вводят донорную примесь на
заданную глубину (например, порядка 20 мкм). Таким образом, создают
коллекторную область БТ. При второй диффузии в полупроводниковую
пластину вводят акцепторную примесь на меньшую глубину (15 мкм) и
создают базовую область БТ. При последней, третьей диффузии вводят
примеси с высокой концентрацией доноров, создавая эмиттерную область
(n+-типа). Выводы БТ располагаются в одной плоскости, поэтому транзистор
называется планарным. Это упрощает процесс изготовления и позволяет
автоматизировать монтаж транзистора в корпус, а также снизить его
стоимость.
Локальное введение примесей в полупроводниковую пластину
обеспечивается использованием специальных шаблонов и методов
литографии.

Рисунок 1.13

Рисунок 1.14
Использование метода диффузии обеспечивает неравномерное
распределение примесей в полупроводниковой пластине, что видно из рис.
1.13, а. Здесь 1 — соответствует коллекторной диффузии, 2 — базовой
диффузии, 3 — эмиттерной диффузии.
Результирующая характеристика распределения примесей в полупроводнике
показана на рис 1.13, б. Существенной особенностью рассматриваемой
структуры является неравномерное распределение примесей в области базы и
возможность создания тонкой (порядка единиц микрометров) базовой
области. Благодаря этому в базе создается ускоряющее поле и время
движения неосновных носителей зарядов через базу к коллектору
уменьшается, что позволяет создавать транзисторы, работающие на частотах
до 1 ГГц и более. Транзисторы, имеющие ускоряющее поле в базовой
области, получили название дрейфовых.
Наряду с методом диффузии, на практике при изготовлении БТ широко
используется метод создания полупроводниковых слоев путем эпитаксии.
Суть этого метода заключается в последовательном выращивании на
поверхности полупроводниковой и диэлектрической пластины слоев с
заданным типом проводимости. При эпитаксии получают слои с
равномерным распределением примеси
Статические характеристики БТ. Статические характеристики отражают
зависимость между постоянными токами и напряжениями на входе и выходе
БТ. Полное представление о свойствах БТ можно получить,
воспользовавшись двумя семействами характеристик: входных и выходных.

Для схемы с общей базой входные (   и

выходные   ) характеристики показаны на рис. 1.14, а, б. Как

видно из рис. 1.14, а, входные характеристики имеют вид вольтамперной
характеристики диода при прямом включении. С увеличением
отрицательного напряжения UКБ наблюдается слабо выраженное смещение
входных характеристик влево. Это объясняется тем, что электрическое поле,
создаваемое напряжением UКБ почти полностью сосредоточено в
коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние на прохождение
зарядов через эмиттерный переход.
Выходные характеристики БТ в схеме с общей базой (рис. 1.14, б)
представляют собой пологие, почти прямые линии. Это характеризует
высокое выходное сопротивление выходной цепи переменному току (RКБд =
DUКБ/DIЭ). При таком включении даже при DIКБ = 0 происходит явление
экстрации и ток коллектора может иметь большое значение, зависящее от
тока эмиттера IЭ.
При IЭ = 0 характеристика начинается в начале координат и имеет вид
обратной ветви p-n перехода. Выходной ток IКБ0 в этом случае является
неуправляемым током коллектора. При IЭ ¹ 0 выходной ток близок к
входному. Однако, если меняется полярность напряжения UКБ, то он резко
уменьшается и достигает нуля при значениях UКБ порядка десятых долей
вольта. В последнем случае коллекторный переход работает в прямом
направлении. Ток через этот переход резко возрастает и идет в направлении,
обратном нормальному рабочему току, что может вывести транзистор из
строя. Поэтому на данном участке характеристики показаны штриховыми
линиями, они не являются рабочими и обычно на графиках не приводятся.
На рис. 1.15, а, б, показаны соответственно семейства входных и выходных
характеристик для схемы с общим эмиттером. Статическая входная

характеристика показывает зависимость   .С ростом

отрицательного напряжения UK3  наблюдается сдвиг входных характеристик
вправо. При увеличении UK3растет обратное напряжение, приложенное к
коллекторному переходу и почти все подвижные носители заряда быстро
втягиваются в коллектор, не успев рекомбинировать в базе. Поэтому ток
базы уменьшается при увеличении напряжения UКЭ, что видно из рис. 1.15, а.
Значения входных токов в схеме с общим эмиттером гораздо меньше, чем в
схеме с общей базой. Следовательно, входное сопротивление в схеме с
общим эмиттером существенно больше, чем в схеме с общей базой.
Принцип работы БТ. Работу БТ рассмотрим на примере структуры n-р-
n, включенной в схеме с общей базой (рис. 1.16).
К коллекторному переходу приложено обратное напряжение. Пока ток IЭ = 0,
в транзисторе протекает ток неосновных носителей заряда через
коллекторный переход. Этот ток называют начальным коллекторным. При
подключении к эмиттерному переходу прямого напряжения UБЭ в
транзисторе возникает эмиттерный ток, равный сумме дырочной и
электронной составляющих: IЭ = IЭp + IЭn.
Если бы концентрация электронов и дырок в эмиттере и базе была
одинаковой, то указанные выше составляющие эмиттерного тока были
равны. Но в транзисторе создают эмиттерную n+-область с существенно
большей концентрацией электронов по сравнению с концентрацией дырок в
базовой области. Это приводит к тому, что число электронов,
инжектированных из эмиттера в базу, во много раз превышает число дырок,
движущихся в противоположном направлении. Следовательно, почти весь
ток эмиттерного перехода обусловлен электронами.
 Рисунок 1.15

Рисунок 1.16
Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжекции gи. Для БТ
со структурой n-p-n он равен отношению электронной составляющей
эмиттерного тока к общему току эмиттера: gи = IЭn/IЭ. У современных
транзисторов gи » 0,999.
Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь
базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе
происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если
база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного
перехода, не успев рекомбинировать. При этом электроны попадают в
ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации
электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании
тока коллектора.
Малая часть электронов, которая рекомбинирует в области базы с дырками,
создает небольшой ток базы IБ. Ток базы равен разности токов эмиттера и
коллектора: IБ = IЭ - IК. Таким образом, в рассматриваемом режиме
(называемом активным) через БТ протекает сквозной ток от эмиттера через
базу к коллектору. Незначительная часть эмиттерного тока ответвляется в
цепь базы.
Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на свойства БТ в
активном режиме используют коэффициент переноса носителей в базе nп.
Этот коэффициент показывает, какая часть инжектированных эмиттеров
электронов достигает коллекторного перехода: nп = IKn/IЭn. Коэффициент
переноса nп тем ближе к единице, чем тоньше база и меньше концентрация
дырок в базе по сравнению с концентрацией электронов в эмиттере.
Важнейшим параметром БТ является коэффициент передачи тока эмиттера:
aб.т. = gиnп. Так как gи и nп меньше единицы, то коэффициент передачи тока
эмиттера также не превышает единицы. Обычно aб.т. = 0,95...0,999. В
практических случаях коэффициент aб.т. находят как отношение приращения
тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменном напряжении
на коллекторном переходе:

 . (1.12)
Поскольку в цепи коллектора, кроме тока, обусловленного экстракцией
электронов из базы в коллектор, протекает обратный ток коллекторного
перехода IКБ0, то полный ток коллектора

 . (1.13)
Однако учитывая, что ток IКБ0 незначителен, можно считать Iк » aБТIЭ. Из
последнего выражения видно, что БТ является прибором, управляемым
током: значение коллекторного тока зависит от входного эмиттерного тока.
Если рассматривать БТ как прибор с зависимыми источниками, то он близок
по свойствам к источнику тока, управляемому током (ИТУТ). В свою
очередь, входным током Iэ управляет прямое напряжение UБэ. Как видно из
потенциальной диаграммы, показанной на рис. 1.16, б, с ростом прямого
напряжения уменьшается потенциальный барьер эмиттерного перехода. Это
сопровождается экспоненциальным ростом тока эмиттера Iэ. К
коллекторному переходу в активном режиме прикладывается большое
запирающее напряжение. Как видно из потенциальной диаграммы, это
приводит к значительному увеличению потенциального барьера
коллекторного перехода. Вследствие того, что напряжение в цепи коллектора
значительно превышает напряжение в цепи эмиттера, а токи в цепях
эмиттера и коллектора примерно равны, мощность полезного сигнала на
выходе схемы оказывается существенно большей, чем на входе. Это и
открывает широкие возможности использования БТ в качестве усилительных
приборов.
Наилучшим образом усилительные свойства БТ проявляются при включении
в схеме с общим эмиттером, показанной на рис. 1.17.
Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным
током в ней является ток базы, существенно меньший тока эмиттера.
Выходным током, как и в схеме с общей базой, является ток коллектора.
Следовательно, коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером
равен отношению приращений тока коллектора и приращению тока базы.
Этот коэффициент принято обозначать bБТ.. Нетрудно найти и соотношение
между коэффициентами aБТ и bБТ:
  . (1.14)
Если, например, aБТ = 0,99, то bБТ = 0,99/(1 - 0,99) = 99.
Таким образом, в схеме с общим эмиттером нетрудно достигнуть больших
значений коэффициента усиления по току. А так как при таком включении
можно получить усиление и по напряжению, то достигаемый коэффициент
усиления по мощности Кp =КiКu значительно превосходит значения,
достигаемые при других способах включения (с общей базой и с общим
коллектором). Это и объясняет широкое применение БТ, включенных по
схеме с общим эмиттером.
Входное сопротивление БТ в схеме с общим эмиттером значительно больше,
чем в схеме с общей базой. Это следует из очевидного неравенства
DUВХ/DIБ >> DUВХ/DIЭ.
Представляет интерес определение зависимости выходного тока от входного
для схемы с общим эмиттером. Используя приведенное выше выражение для
полного тока коллектора, заменим в нем значение тока IЭ на его
составляющие Iк + Iб и выполним элементарные преобразования:

 , (1.15)
где IКБ/(1-aБТ) = IКЭ0 - начальный коллекторный ток в схеме с общим
эмиттером при IБ = 0.
В схеме с общим коллектором входной сигнал подается на участок «база —
коллектор». Входным током является ток базы, а выходным - ток эмиттера.
Поэтому коэффициент передачи тока для этой схемы

 .
При таком включении БТ обеспечивает большие значения коэффициента
передачи тока и имеет высокое входное сопротивление, однако коэффициент
передачи напряжения не превышает единицу.
Дифференциальные параметры БТ. Биполярный транзистор удобно
представить активным нелинейным четырехполюсником, изображенным на
рис. 1. 18, а, у которого выходной ток I2 и входное напряжение U1 зависят от
входного тока I1 и выходного напряжения U2. В этом случае
четырехполюсник описывается системой уравнений в H-параметрах.

Рисунок 1.17

Рисунок 1.18
Переходя к мгновенным значениям напряжений и токов, уравнения можно
представить в виде:

При малых изменениях токов и напряжений приращения входного и

выходного напряжений и токов можно найти из следующих уравнений:

 (1.16)
Следует учитывать, что Н-параметры, указанные в формулах 1.16-1.18 имеют
комплексный характер.
Частные производные в уравнениях (1.16) являются дифференциальными H-
параметрами транзистора:
  (1.17)
Если значения переменных напряжений и токов транзистора существенно
меньше значений постоянных напряжений и токов транзистора, то
приведенные выше уравнения можно записать в виде:

 (1.18)
Здесь Iвх = I1 и Uвых = U2 — постоянные составляющие соответственно
входного тока и выходного напряжения.
Каждый из параметров, приведенных в уравнениях, имеет определенный

физический смысл:   — входное сопротивление

транзистора при коротком замыкании на выходе (uвых = 0);   

— коэффициент обратной связи, характеризующий влияние выходного
напряжения на режиме разомкнутой входной цепи транзистора (uвх =

0);   — коэффициент усиления по току при uвых =

0;   — выходная проводимость транзистора при

разомкнутой входной цепи (iвх = 0).
Указанные параметры можно определить по статическим характеристикам
БТ, используя вместо частных производных соответствующие им малые
приращения токов и напряжений. Значения H-параметров зависят от схемы
включения БТ. В справочниках обычно приводят значения H-параметров для
БТ, включенных по схеме с общим эмиттером. Для них приняты обозначения
H11 э, H12 э, H21 э, H22 э.
Используя H-параметры, нетрудно представить формальную эквивалентную
схему БТ в виде рис. 1.18, б, справедливую для любой схемы включения
транзистора. Очевидно, что это одна из моделей приборов с зависимыми
источниками.
Система H-параметров называется гибридной, так как одни H-параметры
определяются в режиме холостого хода на выходе (iвх = 0), а другие в режиме
короткого замыкания на выходе (uвых = 0). При этом параметры имеют
разную размерность. Рассмотренные параметры широко используются при
расчетах низкочастотных транзисторных схем.

Лекция 5 Полевые транзисторы

Принцип действия полевых транзисторов (ПТ). В соответствии с
определением в ПТ управление выходным током происходит под действием
электрического поля. Рассмотрим, как это можно осуществить. Допустим, что
имеется полупроводниковый материал в форме параллелепипеда (стержень,

брусок) длиной  , толщиной h и шириной b (рис. 1.19). В этот материал внедрены,

например, акцепторные примеси. В свое время такую конструкцию рассматривал
Шокли и предполагал, что примеси внедрены равномерно по всему объему.

Рисунок 1.19
Подключим к концам стержня электроды и назовем их исток и сток. Область
полупроводника между истоком и стоком, по которой протекает ток, назовем
каналом. Сопротивление полупроводникового стержня рассчитывается по формуле

 . (1.19)

Здесь rПТ = l/(qepm), где qe — заряд электрона, К; m — дрейфовая подвижность

носителей заряда, см2/(В·с); р— концентрация примесей, атом/см3.

Очевидно, ток будет зависеть от геометрических размеров стержня, концентрации

примесей, подвижности носителей. В реальных приборах используют зависимость
либо толщины канала, либо концентрации примесей в канале от электрического
поля. С целью управления выходным током в приборе введен дополнительный
электрод — затвор.

Управление током возможно с помощью: p-n перехода; конденсатора,

образованного структурой «металл — диэлектрик — полупроводник»; перехода
«металл — полупроводник», названного барьером Шотки. У полевых транзисторов
с p-n переходом и барьером Шотки изменение выходного тока происходит из-за
изменения эффективной толщины канала (содержащей подвижные носители
заряда), а у МДП-транзисторов — за счет изменения концентрации носителей
заряда

Упрощенные конструкции ПТ разных структур показаны на рис. 1.20.

Для реализации ПТ с управляющим p-n переходом у полупроводникового стержня

p-типа сверху и снизу создают слои с высокой концентрацией донорной примеси
Nд, соединенные между собой и подключенные к внешнему выводу — затвору. Эти
слои принято обозначать n+. Структура n+-рпредставляет собой электронно-
дырочный переход. Известно, что у электронно-дырочного перехода N дhn =
Nahp. Следовательно, так как Nд>>Nа, то hn<<hp. Таким образом, рассматриваемый
электронно-дырочный переход в основном расположен в p-области, а области с
толщиной hp, показанные на рис. 16.20, и, обеднены подвижными носителями
заряда. Эффективная толщина канала, по которому протекает ток, hi = h — 2hp.
Очевидно, ее можно менять, изменяя hp за счет внешнего управляющего
напряжения. Если к электронно-дырочному переходу прикладывать запирающее
напряжение, hp увеличивается, а эффектная толщина проводящего канала и,
следовательно, выходной ток уменьшаются. При определенном запирающем
напряжении (называемым напряжением запирания) области, обедненные
подвижными носителями зарядов, смыкаются и выходной ток теоретически должен
быть равен нулю. У реальных приборов в этом случае протекает незначительный
ток, как и в обычных диодах при обратном включении.

Рисунок 1.20

Для удобства использования на практике в справочниках для маломощных ПТ с p-n

переходом вместо напряжения запирания указывают напряжение отсечки U 3И отс,
определяемой при токе стока Ic=10-5 А. Если к электронно-дырочному переходу
«затвор — канал» прикладывать отпирающее напряжение, то h p уменьшается, а
эффективная толщина проводящего канала увеличивается и стремится к
максимально возможному значению h. Выходной ток в данном случае возрастает.
Однако при определенных значениях отпирающего напряжения (превышающих 0,6
В для кремниевых приборов) возникают существенные прямые токи перехода
«затвор — канал» и входное сопротивление прибора резко падает. В большинстве
случаев применения ПТ это явление нежелательно. Поэтому обычно транзисторы с
p-n переходом используют при запирающих входных напряжениях.

На рис. 1.20, б показана конструкция МДП транзистора. Здесь в исходном

полупроводниковом материале p-типа, называемом подложкой, создается слой n-
типа. Это слой выполняет функцию встроенного канала. Для обеспечения
механизма управления током канала в транзисторе предусмотрены тонкий слой
высококачественного диэлектрика (Д) и металлический слой (М), выполняющий
функцию затвора (3). Если к затвору приложить положительный заряд, то по
закону электростатической индукции в канале будет индуцироваться
отрицательный заряд. За счет увеличения концентрации электронов,
обусловленной их дополнительным поступлением из подложки и внешних областей
транзистора (не перекрытых затвором), наблюдается возрастание тока канала. И
наоборот, если к затвору приложить отрицательный заряд, то концентрация
электронов в канале уменьшится и, следовательно, уменьшится ток канала.

Очевидно, МДП структура получится, если непосредственно на подложку

последовательно нанести диэлектрический и металлический слои. Такой случай
реализуется, если в структуре, показанной на рис. 1.20, б, отказаться от создания
области с проводимостью n-типа, расположив там часть подложки p-типа. Теперь,
если к затвору приложить достаточно большой положительный заряд, то по закону
электростатической индукции в канале индуцируется соответствующий
отрицательный заряд, увеличивается концентрация подвижных носителей n-типа и
возникает проводящий канал. Такой транзистор получил название МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа. Области n+ используются для создания
низкоомных омических (невыпрямляющих) контактов стока и истока. Они же
препятствуют протеканию существенного тока между выходными электродами ПТ
при нулевом или отрицательном заряде на затворе. Это объясняется тем, что n + -
области и часть p-подложки образуют два последовательно встречно включенных
между истоком и стоком электронно-дырочных перехода.

В зависимости от типа подложки, типа канала и числа затворов различают

несколько разновидностей МДП ПТ. Следует отметить, что наличие диэлектрика
между затвором и каналом обусловливает чрезвычайно высокое входное
сопротивление МДП-транзисторов постоянному току любой полярности (R вх =
1010...1014 Ом). Однако наличие емкости «затвор — канал», обеспечивающей
управление выходным током прибора, приводит к заметному снижению входного
сопротивления МДП ПТ на высоких частотах.

Полевые транзисторы с p-n переходом при одинаковых геометрических размерах с

МДП-транзисторами могут иметь в рабочем режиме меньшие входные емкости. Это
объясняется тем, что в рабочем режиме к электронно-дырочному переходу «затвор
— канал» прикладывается запирающее напряжение и, следовательно, барьерная
емкость перехода (аналогично варикапу) уменьшается.

Сочетание достоинств полевых транзисторов с p-n переходом и МДП ПТ

реализуется в транзисторах с барьером Шотки, упрощенная конструкция которых
приведена на рис. 1.20, в. Здесь в качестве управляющей цепи используется
контакт «металл — полупроводник», обладающий выпрямительными свойствами и
очень малой емкостью. Механизм управления аналогичен приборам с управляющим
p-n переходом. В качестве исходного материала применяется обычно арсенид
галлия n-типа. Это обеспечивает хорошие температурные, усилительные и
частотные свойства приборов.
Графические обозначения ПТ разных типов и структур приведены в табл. 1.2.

Таблица 1.2

Наименование Обозначения

Транзистор с р-n-переходом и каналом р-типа

Транзистор с р-n-переходом и каналом n-типа

Транзистор со структурой МДП и со встроенным каналом р-типа

Транзистор со структурой МДП И с индуцированным каналом р-типа

Транзистор со структурой МДП И со встроенным каналом n-типа

Транзистор со структурой МДП и с индуцированным каналом n-типа

МДП тетрод со встроенным каналом n-типа

Транзистор со структурой МНОП

Транзистор с барьером Шоттки и каналом n-типа

Статические характеристики ПТ. В качестве статических характеристик ПТ

представляются функциональные зависимости между токами и напряжениями,
прикладываемыми к их электродам: входная характеристика I3 = f(Uзи) при Uси =
const; характеристика обратной передачи I3=f(Uси) при Uзи = const; характеристика
прямой передачи Iс=f(Uзи) при Uси = const; выходная характеристика Iс = f(Uси) при
Uзи = const.

На практике широко используются лишь две поcледние характеристики, причем

первую из них часто называют характеристикой передачи.
Входная характеристика и характеристика обратной передачи используются редко,
так как в абсолютном большинстве случаев применения входные токи ПТ (10 -8...10-
12
 А) пренебрежительно малы по сравнению с токами, протекающими через
элементы, подключенные к их входам.

Ориентировочный вид характеристик передачи ПТ разных типов и структур

показан в табл. 1.2.

Основные параметры, интересующие разработчиков электронной аппаратуры,

могут быть получены из семейства выходных (стоковых) характеристик. Поэтому
они заслуживают подробного рассмотрения.

Стоковые характеристики ПТ разных структур и типов приведены на рис. 1.21.

Условно их можно разбить на четыре области: крутую, пологую, пробоя и
возникновения прямых токов затвора. В крутой области наблюдается резко
выраженная зависимость тока стока Iс от напряжений сток — исток Uси и затвор —
исток Uзи.  Здесь транзистор ведет себя как сопротивление, управляемое
напряжением Uзи. Пологая область отделена от крутой геометрическим местом точек
(кривая ОА на рис. 1.21), для которых выполняется условие: U си = Uзи — UЗИ oтс. Для
пологой области характерна слабовыраженная зависимость Iс = f(Uси).

При больших напряжениях на стоке наблюдается резкое увеличение I с, и если

мощность рассеивания на стоке превышает допустимую, то происходит
необратимый пробой участка «затвор— сток». При подаче на вход ПТ запирающего
напряжения увеличивается разность потенциалов между затвором и стоком. В этом
случае пробой наблюдается при меньшем напряжении U си на величину напряжения
Uзи.

В отличие от электронных ламп ПТ могут работать и при смене полярности

выходного напряжения. Однако необходимо помнить, что, как только напряжение
Uси превысит напряжение Uзи на величину контактной разности потенциалов Uк p-n
перехода, возникает прямой ток затвора и входное сопротивление резко падает.

Область возникновения токов затвора, как показано на рис. 1.21, отделена от

крутой области геометрическим местом точек (кривая OB), для которых
выполняется соотношение Uси = Uзи + Uк.

Рисунок 1.21
Выходные характеристики МДП-транзисторов также можно условно разбить на
вышеупомянутые области, исключив область возникновения прямых токов затвора.
Однако следует учитывать, что аналогичная область будет иметь место и у МДП-
транзисторов, если их подложка соединена с истоком. В последнем случае при
обратной полярности стокового напряжения возникают прямые тока подложки.
С целью увеличения рабочих токов и, следовательно, крутизны в современных
приборах широкое применение находит параллельное соединение элементарных
ячеек. Такое решение используется, в частности, в мощных МДП-транзисторах.

В пологой области статические характеристики идеального ПТ любого типа

описываются уравнением

 , (1.20)

где bПТ — постоянный коэффициент, зависящий от конструкции транзистора и

свойства материала, из которого транзистор изготовлен.

Значение bПТ можно выразить через параметры ПТ. Например, в случае ПТ с p-n

переходом и МДП-транзисторов со встроенным каналом b ПТ встр = 2Iсо/U2ЗИ отс, где Iсо —
ток насыщения стока при Uзи = 0. В случае использования ПТ с индуцированным
каналом bПТ инд = 2Iс/(UЗИпор - Uзи)2, где UЗИпор — пороговое напряжение ПТ,
соответствующее току стока Iс = 10-5 А; Iс — ток насыщения стока, измеренный при
входном напряжении UЗИ = 2UЗИ пор.

Дифференцируя, находим, что крутизна характеристики тока стока по напряжению

на затворе у идеального ПТ является линейной функцией напряжения U ЗИ:

 . (1.21)

Характеристики реального ПТ с p-n переходом отличаются от идеализированных

из-за несовершенства технологии изготовления, наличия сопротивлений между
рабочей областью транзистора и внешними выводами стока и истока (называемых
немодулированными сопротивлениями), зависимости подвижности носителей от
потенциалов, прикладываемых к электродам ПТ. У МДП-транзисторов
дополнительное влияние на характеристики оказывают поверхностные состояния,
эффекты поверхностного рассеивания, состояние подложки.

В крутой области ПТ ведет себя как сопротивление, управляемое напряжением.

Управляя проводимостью канала ПТ, можно изменять либо коэффициент передачи
напряжения аттенюатора, либо усиления каскада, охваченного регулируемой
обратной связью и т. п. При этом к каналу ПТ прикладывается все напряжение
сигнала или его часть, а к участку «затвор — исток» — управляющее напряжение
(в общем случае изменяющееся по произвольному закону). Регулировка
проводимости ПТ может осуществляться как при наличии постоянной
составляющей тока в цепи канала, так и без нее. В первом случае регулировка
аналогична осуществляемым с помощью ламп и биполярных транзисторов и
сопровождается изменением режима по постоянному току. Важнейшей
особенностью ПТ является возможность регулировки их выходной проводимости
при отсутствии постоянной составляющей в цепи канала. В последнем случае точка
покоя выбирается в начале координат. Регуляторы, реализующие такой режим
работы ПТ, имеют ряд достоинств: простую схему, высокую экономичность (за счет
отсутствия цепи питания стока и потребления ею энергии), а также максимальный
диапазон регулирования.

В крутой области статические характеристики таких ПТ описываются уравнением

  . (1.22)

Взяв производную функции при Uси ® 0, найдем выходную активную проводимость

канала:

 . (1.23)

Таким образом, при малых напряжениях Uси выходная проводимость канала

идеального ПТ линейно зависит от напряжения Uзи.

Как указывалось выше, характеристики реального ПТ отличаются от

идеализированных. Наиболее близка к идеализированной характеристика ПТ
простой конструкции. У ПТ сложной конструкции, состоящих из большого
количества элементарных ячеек, существенные отклонения от идеализированной
характеристики наблюдается при Uзи, близких к нулю и напряжению запирания. В
первом случае основной причиной отклонения является наличие
немодулированных сопротивлений стока и истока, во втором — неидентичность
элементарных ячеек прибора и неоднородности в канале.

В паспортных данных ПТ обычно проводятся данные о крутизне S 0, напряжении

отсечки UЗИ oтси токе насыщения стока IC0 в типовом режиме. В случае ПТ с
характеристиками передачи, близкими к квадратичной параболе, достаточно знать
только два из упомянутых параметров, чтобы отыскать третий, используя
соотношение

S0  = 2IC0  / UЗИ отс. (1.24)

Зная значения крутизны ПТ в пологой области, можно предсказать, какие значения

будет иметь проводимость канала в крутой области. Это объясняется следующим
образом. Сравнив выражение, описывающее зависимость SПТ идеального
транзистора от UЗИ в пологой области с выражением, описывающим зависимость
проводимости канала G от UЗИ в крутой области, нетрудно заметить, что они
идентичны.

Параметры ПТ. Основными параметрами ПТ, приводимыми в справочных данных,

являются: крутизна, внутреннее сопротивление, коэффициент усиления; ток
утечки затвора, междуэлектродные емкости.

Крутизна передаточной характеристики в типовом режиме SПТ = diC / dUЗИ | Uси = const. В

частности, для ПТ с p-n переходом в справочниках приводится значение крутизны
при UСИ = const и UЗИ = 0 и обозначается S0. Значение крутизны ПТ S0 можно
рассчитать по известным параметрам: току стока насыщения при U ЗИ = 0, IC0 и
напряжению отсечки UЗИ отс по формуле. Крутизну ПТ можно определить, используя
передаточную характеристику или семейство выходных характеристик.
Отечественные ПТ имеют крутизну от 0,15 мА/В (КП101Г) до 510 мА/В (КП904).

Внутреннее (дифференциальное) сопротивление Ri = duСИ / diС |Uзи = const. Внутреннее

сопротивление ПТ в рабочей точке можно найти, используя семейство выходных
характеристик ПТ, по формуле Ri = DUСИ / DIС |Uзи = const.

Следует помнить, что у реальных ПТ значение Ri в пологой области существенно

возрастает при увеличении запирающего напряжения Uзи (например, порядка
104 Ом при Uзи = 0 и более 106 Ом при Uзи ® UЗИ отс).
Статический коэффициент усиления, показывающий, во сколько раз изменение
напряжения на затворе воздействует эффективнее на ток стока I с, чем изменение
напряжения на стоке

 .

Коэффициент усиления можно определить, используя семейство выходных

характеристик или расчетным путем по формуле mПТ=RiSПТ. Типичные значения
mПТ — несколько сотен единиц.

Ток утечки затвора. Полевые транзисторы имеют очень малые токи утечки I З
ут (обычно 10 ...10  А). Это обусловливает очень высокие значения входного
-8 -12

сопротивления ПТ постоянному току (более 10 8 Ом).

Между электродные емкости: проходная Сзс, входная Сзи, выходная Сси. Емкости ПТ
определяют частотные свойства транзисторов. Особенно сильное влияние на
частотные свойства ПТ оказывает проходная емкость.

Полевой транзистор, как и биполярный, можно представить в виде эквивалентного

четырехполюсника. При работе ПТ с сигналами малых амплитуд такой
четырехполюсник можно считать линейным. Поскольку ПТ, как и электронная
лампа, является прибором, управляемым напряжением, то рационально
использовать систему уравнений с Y-параметрами. Токи в этой системе считают
функциями напряжений:

IЗ = f1(UЗИ, UСИ); IC = f2(UЗИ, UСИ).

Тогда

 (1.25)

 — входная проводимость;

 — проводимость обратной передачи;

 — проводимость прямой передачи;

 — выходная проводимость.
Заметим, что Y-параметры определяются в режиме короткого замыкания для
переменной составляющей тока на входе (Y22 и Y12) и на выходе (Y21 и Y11). Это трудно
обеспечить на низких частотах и легко на высоких частотах.

Особенности реальных ПТ. При изготовлении современных ПТ широко

используется планарная технология. Выводы приборов находятся в одной
плоскости. При такой конструкции затвор не перекрывает полностью канал,
поэтому имеются немодулированные сопротивления стока RС и истока RИ.  С  целью
улучшения усилительных свойств и мощности широкое применение находит
параллельное соединение элементарных ячеек (транзистор КП103 содержит 5
ячеек, КП903 — 100).

Транзисторы со структурой МДП нуждаются в элементах защиты от пробоя

статическим электричеством. При хранении и транспортировке выводы МДП-
транзисторов, не имеющих встроенной защиты, должны быть соединены между
собой.

При работе ПТ в режиме усиления следует учитывать конечное значение выходного

сопротивления. Выходное сопротивление реальных ПТ в пологой области при
UЗИ — 0 гораздо меньше, чем при UЗИ ® UЗИ отс:

 .

где Riн—динамическое сопротивление ПТ при UСИ = UЗИотс и UЗИ = 0.

Эквивалентные схемы ПТ. Полевые транзисторы, по существу, являются

приборами с распределенными параметрами. Распределенное сопротивление
канала возрастает в направлении контакта стока, а сам канал расположен между
двумя распределенными емкостями «канал — подложка» СКП и «канал — затвор»
СКЗ.. Управление сопротивлением канала происходит с помощью распределенного
генератора тока (рис. 1.22, а).

На практике используют упрощенные модели, напоминающие модели электронных

ламп. Упрощенная физическая модель ПТ приведена на рис. 1.22, б. Здесь R И —
сопротивление между рабочей областью транзистора и внешним выводом прибора
(называемое немодулированным сопротивлением истока). Рассматривая ПТ как
прибор с зависимыми источниками, нетрудно увидеть, что он близок по свойствам к
источнику тока, управляемому напряжением (ИТУН).
 Рисунок 1.22

1.8. Свойства и применение транзисторов

Эксплуатационные параметры транзисторов. Транзисторы характеризуются
эксплуатационными параметрами, предельные значения которых указывают на
возможности их практического применения. При работе в качестве усилительных
приборов используются рабочие области характеристик биполярных и полевых
транзисторов, показанные на рис. 1.23 и 1.24 соответственно.

К основным эксплуатационным параметрам относятся:

Максимально допустимый выходной ток, обозначаемый для биполярных

транзисторов как IКmах. Превышение IКmаx приводит к тепловому пробою
коллекторного перехода и выходу транзистора из строя. Для полевых транзисторов
этот ток обозначается ICmаx. Он ограничивается максимально допустимой мощностью,
рассеиваемой стоком транзистора.

Рисунок 1.23

Рисунок 1.24

Максимально допустимое напряжение между выходными электродами: UКЭ max для

биполярных транзисторов UСИ max полевых транзисторов. Это напряжение
определяется значениями пробивного напряжения коллекторного перехода
биполярных транзисторов и пробивного напряжения участка «сток — затвор»
полевых транзисторов.
Максимально допустимая мощность, рассеиваемая выходным электродом
транзистора. В биполярном транзисторе это мощность Р К mах, рассеиваемая
коллектором и бесполезно расходуемая на нагревание транзистора. В случае ПТ
это мощность РC mах, рассеиваемая стоком транзистора.

У биполярных транзисторов при недостаточном теплоотводе разогрев

коллекторного перехода приводит к резкому увеличению Iк. Процесс имеет
лавинообразный характер и транзистор необратимо выходит из строя. Влияние
температуры на основные характеристики БТ иллюстрируют рис. 1.25, а, б. Здесь
сплошными линиями показаны характеристики, соответствующие нормальной
температуре (+ 20° С), а штриховыми — повышенной температуре (+ 60° С).

Рисунок 1.25

С ростом температуры входная характеристика сдвигается влево и уменьшается

входное сопротивление БТ. При повышении температуры наблюдается смещение
выходных характеристик БТ вверх, как показано на рис. 1.25, б. В этом случае
наблюдается уменьшение выходного сопротивления БТ, что можно заметить по
изменению наклона выходных характеристик. Особенно сильно зависит от
температуры неуправляемый ток коллектора. Он возрастает примерно вдвое при
повышении температуры на 10° С.

При повышении температуры окружающей среды мощность РК mах уменьшается,

поэтому БТ нуждаются в схемах температурной стабилизации режима. Полевые
транзисторы имеют заметные преимущества по температурной стабильности при
сравнении с БТ. Следует отметить, что влияние температуры отличается от
наблюдаемого в БТ и проявляется по-разному у ПТ разных структур. У
транзисторов с p-n переходом с ростом температуры уменьшается контактная
разность потенциалов Uк, что способствует увеличению Iс. Одновременно с
повышением температуры уменьшается подвижность носителей в канале, что
способствует уменьшению Iс.

При определенном напряжении Uзи влияние изменения контактной разности

потенциалов и изменения подвижности носителей в канале на I с оказывается
одинаковым. В этом случае у ПТ с p-n переходом наблюдается точка температурной
стабильности тока стока. Здесь U3т = UЗИотс — (0,5...0,9) В. Указанное свойство ПТ с p-
n переходом иллюстрирует рис. 16.26. У МДП транзисторов p-n переход «подложка
— канал» оказывает меньшее управляющее действие на Iс. Под действием
температуры меняется UЗИ, изменяются подвижность носителей в канале и
концентрация носителей за счет ионизации поверхностных уровней. Эти явления
обусловливают наличие точек температурной стабильности Iс у МДП транзисторов:
U3т= UЗИ пор +(0,8...2,4) В. У полевых транзисторов с p-n переходом наблюдается
резкое изменение входной характеристики при изменении температуры: I З =
IЗ0 [exp (qeUЗИ / kT) – 1].

При отрицательных температурах значение I3 очень мало и практически не

меняется. Это объясняется наличием линейного сопротивления утечки между
выводами прибора.

Работа транзисторов с нагрузкой. При работе транзисторов в качестве

усилительных элементов в их выходную цепь включают нагрузку, а во входную —
источник сигнала. Наилучшими усилительными свойствами обладают транзисторы,
включенные по схеме с общим эмиттером (рис. 1.27, а) и общим истоком (рис. 1.27,
б). Режим работы транзистора с нагрузкой называют динамическим. В таком
режиме напряжения и токи на электродах транзистора непрерывно изменяются.

 Рисунок

1.26   Рисунок 1.27

В соответствии со вторым законом Кирхгофа для выходной цепи как БТ, так и ПТ
справедливо уравнение

UВЫХ = UП – IВЫХ RН. (1.26)

Уравнение получило название уравнения динамического режима для выходной

цепи. На семействах выходных характеристик эти уравнения имеют вид прямых
линий, проходящих через точки с координатами 0, UП и UП/RH, 0. Эти линии часто
называют динамической характеристикой, или нагрузочной прямой.
Промежуточные положения точек на линии нагрузки характеризуют возможные
напряжения и токи в соответствующих цепях транзистора при подаче сигнала (с
учетом сопротивления нагрузки).

В случае БТ любому напряжению на входе соответствует определенный ток базы,

которому, в свою очередь, соответствует определенный выходной ток коллектора и
выходное напряжение «коллектор-эмиттер». Например, если до подачи
напряжения сигнала UС ко входу транзистора прикладывается постоянное
напряжение UБЭ0, то во входной цепи будет протекать постоянный ток базы I Б. В
этом случае через транзистор будет протекать выходной ток IК0, а на выходе
транзистора будет напряжение UK0.

Этим токам и напряжению соответствует точка А на рис. 1.28, а, называемая

рабочей.

В каскаде с ПТ (рис. 1.29, а) заданное положение рабочей точки А задается

постоянным напряжением U3И 0. Так как к p-n переходу транзистора в
рассматриваемом режиме прикладывается запирающее напряжение, то входной ток
чрезвычайно мал и не оказывает существенного влияния на режим работы схемы.
Важным достоинством каскада на ПТ является высокое входное сопротивление.

 Р
исунок 1.28

В схеме с БТ сопротивления нагрузки Rн и в цепи базы Rб существенно влияют на

вид входной характеристики, называемой в этом случае динамической входной
характеристикой.

Динамическая характеристика как зависимость выходного тока iк от входного тока

iб строится по точкам пересечения нагрузочной линии с выходными
характеристиками транзистора (рис. 1.28, б).

Используя входные характеристики транзистора IБ=f(UБЭ), нетрудно перестроить

динамическую характеристику в координатах iк, uбэ. Динамическая характеристика
как зависимость тока коллектора iк от входного напряжения uбэ показана на рис.
1.28, в.

Обращает на себя внимание худшая линейность характеристики i к = f(uбэ) по

сравнению с характеристикой iк = f(iб), что типично для БТ.

В каскадах с ПТ имеет смысл только динамическая характеристика как зависимость

выходного тока iс от входного напряжения u3И при сопротивлении нагрузки Rн. Она
строится по точкам пересечения нагрузочной линии с выходными
характеристиками транзистора и изображена на рис. 1.29, б.

Динамическая характеристика ПТ обладает существенно лучшей линейностью по

сравнению с характеристикой БТ, что очевидно из рассмотрения рис 1.28, б и рис.
1.29, б.
 Рисунок 1.29

Усилительные свойства транзисторов. Простейшие схемы усилителей при

разных способах включения биполярных и полевых транзисторов показаны на рис.
1.30 и 1.31 соответственно.

 Р
исунок 1.30

Основным показателем усилителей является коэффициент усиления по

напряжению Кu = DUВЫХ/DUВХ. В усилителях на БТ обычно находят также
коэффициенты усиления по току Кi и мощности Кр: Кi = DIВЫХ/DIвх; Кp = DPВЫХ/DPВХ =
КiКu. В низкочастотных усилителях на ПТ значения К i, и Кр очень велики и их
обычно не рассчитывают.

Усилители на основе ПТ с общим затвором (рис. 1.31, а) не находят широкого

применения. Это объясняется низким входным сопротивлением схемы по
отношению к источнику входного сигнала.

Усилители на основе ПТ, включенных по схемам с общим истоком (рис. 16.31, б) и

общим стоком (рис. 16.31, в) имеют чрезвычайно большое входное сопротивление
при работе на постоянном токе и низких частотах.
 Рисунок 1.31

При использовании сопротивлений нагрузки, существенно меньших выходного

сопротивления транзистора, коэффициенты усиления по напряжению для схем с
общим истоком и стоком определяются по формулам: Кu ои = SПТRн и Кu ос = SПТRн/(1 +
SПТRн), где SПТ — крутизна транзистора в рабочей точке.

При включении транзистора по схеме с общим стоком усилитель выполняет

функции повторителя напряжения и имеет низкое выходное сопротивление,
близкое к значению RBblХ = l / SБТ.

Основные показатели усилителей на основе БТ сведены в табл. 1.3.

Таблица 1.3

Схема включения К i К u К p

Общая база

Общий эмиттер

Общий коллектор

Усилитель на БТ, включенном по схеме с ОБ (рис. 1.30, а), имеет низкое входное
сопротивление и коэффициент передачи тока, меньший 1. Наилучшими
усилительными свойствами обладают усилители с включением транзисторов по
схемам с общим эмиттером (рис. 1.30, б) и общим истоком (рис. 1.31, б). При
включении БТ по схеме с общим коллектором (рис. 1.30, в) усилитель работает как
повторитель напряжения (Кu ® 1), имеет высокое входное и низкое выходное
сопротивления.
Частотные свойства транзисторов. Качество транзисторов характеризуется их
способностью усиливать мощность входных сигналов. На высоких частотах
наблюдается уменьшение коэффициента усиления по мощности, обусловленное
увеличением проводимости цепи обратной связи Y12. При этом может произойти
нарушение устойчивости усилителя, если не использовать внешние обратные связи
для компенсации влияния проводимости Y12. Для обеспечения максимального
усиления по мощности реактивные составляющие входной и выходной
проводимостей должны быть скомпенсированы, а проводимость нагрузки выбрана
равной активной проводимости транзистора. Тогда коэффициенты усиления по
току Кi, по напряжению Кu и мощности Кр определяются выражениями:

 ;   ;   ;

 ;   .

Частотная зависимость коэффициента усиления по мощности определяется

зависимостями от частоты прямой проводимости |Y21|, входной G11 и выходной
G22 активными проводимостями. Вид частотной зависимости Кр показан на рис. 1.32.
Максимальная частота усиления (частота единичного усиления f 1, по мощности) БТ

определяется по формуле   . Для определения

максимальной частоты усиления необходимо знать предельную частоту передачи
тока эмиттера и величину постоянной времени коллекторной цепи t к = RбCкб, обычно
приводимую в справочных данных БТ.

При нахождении зависимости коэффициента передачи транзистора от частоты в

схеме с общей базой учитывают действие трех факторов: емкости эмиттерного
перехода, времени пролета через базу и времени пролета через коллекторный
переход.

Коэффициент передачи тока эмиттера

 , (1.27)

где wg = g11б/Сэ — предельная частота инжекции; g11б — проводимость эмиттерного

перехода; wn = 1/tдф — предельная частота коэффициента переноса (величина,
обратная среднему времени диффузии неосновных носителей заряда через базу
tдф); wк » 2/tк — предельная частота пролета через коллекторный переход (величина
обратно пропорциональна толщине коллекторного перехода hк и прямо
пропорциональна скорости движения носителей uk).

Из указанных факторов наиболее существенным является второй, при учете

которого
  . (1.28)

Здесь величина wa называется предельной частотой коэффициента передачи тока

эмиттера.

Аналогичным образом определяют bБТ:

 . (1.28)

Величину wb называют предельной частотой коэффициента передачи тока базы.

Можно определить модуль коэффициента передачи тока базы:

 . (1.30)

При w = wb модуль коэффициента передачи тока базы |b| = bБТ /   . Частота

wb /(2p) = fb согласно ГОСТ обозначается fh21.

При анализе импульсных свойств транзисторов используют переходные

характеристики: зависимости коэффициента передачи от времени при подаче на
вход импульса прямоугольной формы. Для транзистора, включенного по схеме с
общим эмиттером переходная характеристика описывается формулой

bБТ(t) = bБТ [1-exp(-t/tb)], (1.31)

где tb = tдф/(1 - aБТ) = tдф (1 + bБТ) » tн.

Хотя на низких частотах ПТ обладают чрезвычайно малой входной проводимостью,

на высоких частотах вследствие влияния входной емкости пренебрегать влиянием
входной проводимости нельзя. Входная емкость Сзи и немодулированное
сопротивление в цепи истока полевого транзистора Rи (см. рис. 1.22, б) образуют
RС-цепочку, обусловливающую увеличение активной составляющей входной
проводимости на высоких частотах. На частотах в сотни мегагерц входные
активные проводимости ПТ и БТ становятся соизмеримыми.
 Рисунок 1.32

 Рисунок 1.33

Частотная зависимость основных параметров полевого транзистора показана на

рис. 1.33. Частотная зависимость параметров |Y21| и G22 также обусловлена
наличием у ПТ междуэлектродных емкостей и немодулированных сопротивлений в
цепях электродов. Причем установлено, что параметр |Y 21|, характеризующий
усилительные свойства ПТ, постоянен вплоть до частот, несколько меньших
предельной, рассчитываемой по формуле fпред = SПТ/(2pСзс).

Из сказанного выше следует, что для широкополосных усилителей целесообразно

использовать БТ с высокими значениями fa малым сопротивлением базы Rб и малой
проходной емкостью Сбк, а также ПТ с высокой крутизной Сбк малой проходной
емкостью SПТ и малым Сзс.

Шумовые свойства усилительных приборов. Собственные шумы в

транзисторах и электронных лампах обусловлены как физическими особенностями
их работы, так и их конструкцией и технологией производства. У транзисторов и
электронных ламп шумы имеют сходную природу и аналогичный спектральный
состав. В отличие от тепловых шумов идеального активного сопротивления,
характеризующихся равномерным распределением энергии шума в полосе частот
от нуля до бесконечности, энергия шумов активных элементов распределяется по
частотному диапазону неравномерно. Кривая спектральной плотности шума любого
активного элемента показана на рис. 1.34. Спектральная плотность характеризует
мощность шума на единицу частоты.

Анализ шумовых свойств усилительных приборов включает рассмотрение основных

составляющих шума: тепловой, дробовой, избыточной низкочастотной, избыточной
высокочастотной.

Среднеквадратическое значение напряжения теплового шума определяется по

формуле Найквиста:
  , (1.32)

где R — сопротивление, создающее тепловой шум. Тепловой шум обусловлен

хаотическим тепловым движением носителей заряда.

Среднеквадратическое значение тока дробового шума определяется по формуле

Шотки   , где I — ток, дискретная структура которого является

причиной шума; Df — полоса частот, в которой рассчитывается шум.

Тепловой и дробовой шумы имеют равномерный и непрерывный частотный спектр

(так называемый «белый» шум). На рис. 1.34 «белому» шуму соответствует
участок, на котором среднеквадратические значения частотных составляющих
напряжения шума равны между собой.

Избыточные низкочастотные шумы транзисторов обусловлены процессами

генерации и рекомбинации носителей, а также зависят от состояния поверхности
полупроводника. В электронных лампах такие шумы возникают из-за
неравномерного испускания электронов катодом на низких частотах — эффекта
мерцания катода (так называемого фликкер-эффекта). Избыточные
низкочастотные шумы существенно зависят от конструкции и технологии
изготовления усилительных приборов и не поддаются точному расчету. На
практике этот вид шумов учитывают, вводя в выражение для теплового шума

(1.32) член, пропорциональный 1 / fa:   , где fн. изб — нижняя

граничная частота избыточных шумов (см. рис. 1.34).

Рисунок 1.34
 Рисунок 1.35

Рисунок 1.36

Нижняя граничная частота избыточных шумов у БТ, ПТ с p-n переходом и с

барьером Шотки, а также электронных ламп лежит в области от сотен герц до
единиц килогерц, а у МДП-транзисторов часто доходит до десятков килогерц (что
объясняется их особым принципом управления).

Избыточные высокочастотные шумы обусловлены падением крутизны ламп и ПТ,

коэффициента усиления по току БТ на этих частотах, а также прохождением шумов
с выхода во входные цепи через проходные емкости приборов. Избыточные
высокочастотные шумы сильно зависят от типа транзистора или лампы. У
высокочастотных приборов верхняя граничная частота избыточных шумов f в. изб (см.
рис. 1.34) лежит в области десятков или сотен мегагерц.
Эквивалентные схемы БТ и ПТ с учетом источников собственных шумов приведены
на рис. 1.35, а и б соответственно. В них источники тепловых шумов представлены
генераторами напряжения. Тепловые шумы обусловлены наличием как у БТ, так и
у ПТ объемных сопротивлений в цепях электродов (R б, Rэ, Rк — у биполярного
транзистора, R3, Rи и Rc — у полевого транзистора).

Наличие у транзисторов входных и выходных токов приводит к возникновению

дробовых шумов, учтенных в приведенных схемах генераторами шумовых токов

(базы   ,   и эмиттера   — у биполярных транзисторов;

затвора   , стока   — у полевых транзисторов). Эквивалентная схема

электронной лампы с источником шумов аналогична схеме ПТ.

В инженерной практике шумовые свойства усилительных приборов удобно

характеризовать, используя модель, приведенную на рис. 1.36, и только два
шумовых параметра: сопротивление генератора шумового напряжения R ш.н и
сопротивление генератора шумового тока Rш.т. Принимается, что эти сопротивления
подключаются ко входу идеального нешумящего усилительного прибора и
имитируют шумы реального прибора.

Выражения для определения указанных шумовых параметров, без учета

избыточных шумов, сведены в табл. 1.4.

Таблица 1.4

Тип прибора Сопротивление генератора

шумового напряжения R ш.н шумового тока R ш.т.

Биполярный R +1/(2S )
Б БТ 2b /S
о.э БТ

транзистор

Полевой А /SПТ ПТ кТ/(I  ×g )

зо e

транзистор

Электронная А /SЭЛ ЭЛ

лампа
*
Т - температура катода
к

Качество электронного прибора с точки зрения собственных шумов будет тем

лучше, чем меньше сопротивление Rш.н и больше Rш.т. Сопротивление Rш.н у полевых
транзисторов и электронных ламп существенно зависит от типа и особенностей
конструкции, что учитывается коэффициентами АПТ и АЭЛ. В частности, для ПТ с p-n
переходом АПТ » 1, для МДП-транзисторов АПТ —  2...4; для ламповых триодов АЭЛ =
2,4, а для многосеточных ламп АЭЛ существенно больше. Малые значения
Rш.н достигаются у приборов с высокими значениями крутизны S в рабочей точке.
При одинаковых геометрических размерах наибольшими значениями S обладают
БТ.

Рисунок 1.37

Рисунок 1.38

Сопротивление Rш.т обратно пропорционально входному току усилительного

прибора. Если сравнивать по этому параметру усилительные приборы, то
выявляются преимущества ПТ, имеющих чрезвычайно малые входные токи.

Уровень шумов в любом усилительном каскаде можно оценить коэффициентом

шума Кш, который в общем случае определяется отношением полной мощности
шумов в нагрузке к той части полной мощности, которая обусловлена тепловыми
шумами сопротивления источника сигнала Rг. Из этого определения следует, что
для идеального «нешумящего» усилительного каскада Кш = 1 , поскольку в данном
случае шумы обусловлены только сопротивлением источника сигнала.
Коэффициент шума нетрудно определить, зная шумовые параметры R ш.н и Rш.т по
формуле

Кш = 1 + Rш.н / Rг + Rг / Rш.т.т (1.33)

Наименьшими шумами будет обладать каскад, работающий при оптимальном

сопротивлении источника сигнала.

Представляет интерес определение минимального коэффициента шума К ш min = 1 +

2Rш.н / Rш.т. Зависимость Кш = f(Rг / Rг опт) приведена на рис. 1.37. При использовании
ПТ и ламп отношение Rш.т / Rш.н обычно превышает 104. Следовательно, они могут
обеспечивать очень низкие значения Кш при источниках сигнала, имеющих
внутреннее сопротивление Rг, значительно отличающееся от оптимального Rг опт.
При использовании БТ отношение Rш.т / Rш.н.  Обычно существенно меньше, поэтому
малые значения Кш здесь достигаются при соответствующем выборе режима работы
и сопротивлении источника сигнала, близком к оптимальному.

Цифровые ключи на транзисторах. В цифровой технике широко

распространены логические элементы на основе ключей, у которых управляющие и
коммутируемые сигналы имеют форму двоичных импульсов. В установившемся
режиме сигналы на входе и выходе цифровых ключей принимают лишь два
дискретных значения, условно обозначаемых логическим «0» и «1». Если в ключе
логическому «0» соответствует низкий уровень напряжения, а логической «1» —
высокий уровень напряжения, то такой элемент относят к положительной логике.

Качество цифрового ключа определяется следующими основными параметрами:

падением напряжения на ключе в замкнутом состоянии, скоростью переключения
ключа из одного состояния в другое, мощностью потребляемой цепью управления
ключа. Рассмотрим работу БТ и ПТ в режиме ключа цифровых сигналов.
Простейшая схема ключа на БТ транзисторе изображена на рис. 1.38, а процессы,
происходящие в ключе, иллюстрирует рис. 1.39.

На участке 0 — t1 (рис. 1.39, а) оба перехода закрыты, и транзистор находится в

режиме отсечки. В цепи базы (см. рис. 1.39, в) протекает небольшой дрейфовый
ток неосновных носителей, обусловленный источниками Uп и Uбэ: Iб = Iэ + Iк. Этому
режиму соответствует точка А на рис. 1.40. Транзистор находится в закрытом
состоянии. Коллекторный ток, как видно из рис. 1.39, г, мал и равен тепловому
току закрытого коллекторного перехода Iк0. Напряжение на выходе ключа близко к
напряжению источника питания Uп, а сопротивление транзистора постоянному току
велико: Rзакр » Uп / Iк0.

На участке t1 — t2 ко входу транзистора прикладывается импульс положительной

полярности, приводящей к переключению в открытое состояние как эмиттерный,
так и коллекторный переходы. Поясним процесс переключения. В момент
t1 рабочая точка находилась в точке А (см. рис. 1.40), а затем стала перемещаться
по нагрузочной прямой в направлении точки В. К эмиттерному переходу
прикладывается отпирающее напряжение, и, если сопротивление в цепи базы
Rб мало, он быстро переходит в открытое состояние (зависимость i э=f(t) показана
на рис. 1.39, в). В эмиттерном переходе преобладает диффузия электронов в базу.
Происходит частичная рекомбинация электронов, но основная их часть поступает к
коллекторному переходу и за счет экстрации достигает коллектора. Сопротивление
транзистора резко уменьшается, а ток коллектора Iк ® Iк нас.
 Рисунок 1.39

Рисунок 1.40

Вследствие падения напряжения на нагрузке Rн понижается напряжение

коллектора, а следовательно, уменьшаются толщина коллекторного перехода и
заряд в нем. Происходит разряд емкости коллекторного перехода.

В точке В (см. рис. 1.40) транзистор переходит в режим насыщения. При этом
наблюдается инжекция электронов из коллектора в базу. Коллекторный переход
переходит в открытое состояние. В базе наблюдается рекомбинация электронов с
дырками. Концентрация дырок в базе невелика, по сравнению с концентрацией
поступающих в базу электронов. Поэтому в базе происходит накопление
неосновных носителей — электронов. На участке t 1 — t2 ток базы равен разности
токов эмиттера и коллектора: iб = iэ – iк. Коллекторный переход начинает
участвовать в процессе переключения с некоторой задержкой t3 (см. рис. 1.39),
определяемой временем пролета носителей через базу.
Время нарастания выходного тока iк определяет длительность фронта tф (см. рис.
1.39, г) и зависит от скоростей разряда коллекторной емкости и накопления
неравновесного заряда в базе. Полное время включения транзистора
характеризует время перехода из состояния логического «0» в состояние
логической «1» и состоит из времени задержки и длительности фронта:

t01 = tз + tф. (1.34)

Как видно из рис. 1.40, транзистор перешел в режим насыщения при токе базы,
равном IБ4. Дальнейшее увеличение тока базы до значения IB5 уже не приводит к
заметному увеличению выходного тока ik; при этом лишь увеличивается степень
насыщения транзистора и величина неравновесного заряда в базе.

Режим насыщения соответствует замкнутому состоянию транзистора. В этом случае

транзистор имеет минимальное сопротивление постоянному току R откр, равное
сопротивлению двух p-n переходов, включенных в прямом направлении R откр = UК
нас / IК нас, где UК нас — остаточное напряжение на транзисторе в замкнутом состоянии.

На участке t2 — t3 прекращается действие входного импульса положительной

полярности, однако транзистор не сразу возвращается в исходное состояние. На
участке tp происходит рассасывание неравновесного заряда в базе. На первом
этапе выключения концентрация носителей заряда у коллекторного перехода
остается практически неизменной и, следовательно, он сохраняет прямое
смещение. Рассасывание происходит за счет ускоряющего поля эмиттерного
перехода и рекомбинации носителей в базовой и коллекторной областях. Только
после определенного уменьшения концентраций неосновных носителей в базе
транзистор переходит в активный режим, и рабочая точка из положения В
перемещается по нагрузочной линии в направлении точки А.

При переходе транзистора в активный режим происходит окончательное

рассасывание неравновесного заряда через коллекторный переход. Выходная
емкость транзистора заряжается, а ток коллектора уменьшается по
экспоненциальному закону и после определенного времени, называемого временем
спада tc (см. рис. 1.39, г), принимает исходное значение Iк0.

Время перехода транзистора из состояния «1» в «0» равно сумме времени

рассасывания tр и длительности спада tс: t10 = tр + tс. В цифровых устройствах
принято использовать понятие среднего времени задержки сигнала при
прохождении через ключ: tз. cp = (t01 + t10)/2. Очевидно, для реализации высокого
быстродействия в качестве ключевых транзисторов необходимо использовать
специальные транзисторы: с малыми междуэлектродными емкостями; малой
толщиной базы и, следовательно, малым сопротивлением базовой области;
неравномерным распределением примесей в базе с целью создания
дополнительного ускоряющего поля для неосновных носителей.

Следует отметить, что в разомкнутом и замкнутом состояниях ключи на биполярных

транзисторах обладают высокими показателями, близкими к идеальным. Разброс
параметров транзисторов и их изменение от дестабилизирующих факторов
(особенно температуры) влияют на работу транзисторов в ключевом режиме
значительно меньше, чем в активном режиме. Это связано с тем, что в режиме
насыщения положение рабочей точки В практически не меняется при изменении
входных токов в больших пределах.

Количественный анализ переходных процессов в ключе проведем методом заряда.

В режиме насыщения в базе накапливается избыточный заряд неосновных
неравновесных носителей   , где tн — время жизни
неосновных неравновесных носителей заряда (n-типа для транзисторов со
структурой n-p-n). На семействе выходных характеристик (см. рис. 1.40) режиму
насыщения соответствует участок ОВ, где ток коллектора не зависит от тока базы.
Так как напряжения UK нac, UКБ, UБЭ в режиме насыщения малы, то все три электрода
насыщенного транзистора можно считать короткозамкнутыми и представлять
транзистор единой эквипотенциальной точкой.

В основе метода заряда лежит принцип нейтральности базы. При отсутствии

электрического поля (Е=0) уравнение принимает вид

 .

Перемножив правые и левые части уравнения на qeS и проинтегрировав в пределах

от 0 до Х=Хтах, получим уравнение заряда базы   . (1.35)

Запишем уравнение в виде dq / (tн iб - q) = dt / tн. После интегрирования

дифференциального уравнения находим зависимость заряда неосновных
неравновесных носителей в базе от времени, предполагая, что при t = 0, q = q(0):
q(t) = tн iб -[tн iб - q(0)] exp(-t / tн).

Из последнего выражения найдем

 . (1.36)

В момент подачи отпирающего импульса тока базы iБ = DIБ1:

q(t) = tнDIБ1[1-ехр(-t/tн)]. (1.37)

Для активной области имеем:

iк(t) = DIБ1bБТ(t) = DIБ1bБТ[1-ехр(-t/tБТ)]. (1.38)

Сравнивая выражения, получаем

 .

Отсюда следует, что в активной области характеристик временные изменения

заряда неравновесных носителей в базе пропорциональны изменениям тока
коллектора.
Если bБТDIБ1 < IК нас то время нарастания тока коллектора до установившегося
значения составляет tф » (3...5) tБТ. Если bБТDIБ1 > IК нас, то максимальный ток
коллектора ограничивается значением IКнас. Время нарастания тока коллектора до
уровня 0,9IКнас определяется из уравнений. Подставив в них значения t = t фIк(tф) =
0,9IКнас, q(0) = 0, iБ = DIБ1, получим

 .

Очевидно, время нарастания тем меньше, чем меньше tБТ и IКнас, а также чем больше
DIБ1 и bБТ. В режиме насыщения в базе и коллекторной области накапливаются
избыточные заряды неосновных носителей в течение времени tнак = (3...5)tи, где tи -
постоянная времени коэффициента передачи тока базы при инверсном включении.
При этом в базе накапливается заряд q(tи) = tиDIБ1. После окончания входного
насыщающего импульса тока базы DIБ1 длительностью tи > tф + tнак и подачи
запирающего импульса ток коллектора начинает изменяться через некоторое
время, необходимое для рассасывания избыточного заряда. Время рассасывания
tр определяется как интервал между моментом подачи на базу насыщенного
транзистора запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе
достигает уровня 0,1UП. Рассасывание неравновесных носителей производится в
основном за счет поверхностной и объемной рекомбинаций. Ток базы при этом
может значительно превышать свое значение в режиме отсечки. Подставляя в

выражение q(0) = q(tи) = tиDIБ1; iБ = DIБ2; t = tp;   и считая tp»tи;

tи>>ти, находим формулу для приближенной оценки времени рассасывания:

 . (1.39)

Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и больше

амплитуда запирающего импульса, а также чем меньше сопротивление внешней
цепи, через которую происходит рассасывание.

Формула справедлива для нормального рассасывания, т. е. когда плотность

носителей у коллекторного перехода достигает равновесного значения раньше, чем
у эмиттерного. Коллекторный ток начинает спадать с момента выхода транзистора
из насыщения. Время спада tc тока коллектора от уровня IКнас до уровня 0,1IКнас под
воздействием изменения тока базы DIБ2 определяется из соотношений,
описывающих работу транзистора в активной области характеристики.

При   ; iБ = DIБ2; t = tc и   получаем

 . (1.40)
При оценке времени нарастания и спада следует учитывать влияние паразитной
емкости коллектора, соответствующим образом увеличив tБТ (на величину bБТRкСк).
Современные дрейфовые транзисторы позволяют получить времена нарастания и
спада порядка единиц наносекунд.

Простейший ключ на основе ПТ изображен на рис. 1.41, а. В качестве ключевого

элемента используется МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Такой ключ
имеет очевидные преимущества перед рассмотренным выше ключом на БТ: нет
необходимости в источнике запирающего напряжения на входе транзистора; ключ
потребляет крайне малую мощность от источника управляющего сигнала, так как
транзистор обладает входным сопротивлением; полярность управляющего
напряжения такая же, как и полярность коммутируемого напряжения, что
позволяет осуществлять гальваническое соединение нескольких однотипных
ключей между собой. Принцип действия любого ключа на основе ПТ основан на
использовании основных носителей заряда. Поэтому в этих ключах нет явлений,
связанных с накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда. Здесь
переходные процессы обусловлены лишь наличием у транзисторов
междуэлектродных емкостей, как и в случае электронных ламп.

Рисунок 1.41

Рисунок 1. 43
 Рисунок 1.42

Явления, происходящие в цифровом ключе на МДП ПТ, иллюстрируют рис. 1.42, а

и 1.43. Анализ динамических свойств ключа удобно провести с использованием
модели, приведенной на рис. 1.42, б.

Процесс включения. В исходном состоянии (Uг=0) емкость, образованная

параллельным соединением выходной емкости Сси, емкости монтажа См и емкости
нагрузки Сн, заряжена до напряжения Uп. При подаче управляющего напряжения
(Uг = Uзи > UЗИ пор) транзистор открывается и через его канал происходит разряд
выходной емкости.

Процесс включения транзистора иллюстрирует рис. 1.43 — рабочая точка из

положения А переходит в положение В, характеризуемое параметрами U 3И В, IС В, UСИ В.
Этот процесс состоит из трех этапов. На первом этапе формируется проводящий
канал. Время формирования канала называется временем задержки t3 и зависит от
сопротивления источника управляющего напряжения Rг и эквивалентной входной
емкости ключа Сзиэ (она больше междуэлектродной емкости транзистора Сзи за счет
влияния емкости монтажа См, проходной Сзс и эквивалентной выходной
Сси емкостей). Это время зависит также от амплитуды управляющего напряжения и
значения порогового напряжения транзистора UЗИ пор:

 .

Если ключ управляется идеальным источником напряжения (R г®0), то временем

задержки можно пренебречь.

В начале второго этапа рабочая точка скачком переходит из положения А в

положение А1. Это объясняется тем, что выходное напряжение uвых не может
мгновенно уменьшиться из-за влияния емкости С си э, для разряда которой требуется
определенное время. По мере разряда емкости Сси э через открытый канал током
iр рабочая точка перемещается из положения А1 в положение А2. При работе ПТ в
пологой области идеализированная ВАХ описывается уравнением, которое
(перейдя к мгновенным значениям напряжений и тока) можно записать в виде

.
В этом случае справедливо соотношение   . Определяя емкость
Сси при низкоомном Rг следует учесть проходную емкость Сзс.

Переходя в формуле к конечным приращениям и учитывая начальные условия (t =

0, uCИ = -Uп; t = t1, uСИ = -(UЗИ В – uЗИ пор) определяем время нахождения транзистора в
пологой области:

 . (1.41)

С учетом взаимосвязи параметров ПТ,

bПТ = SПТ / (UЗИ – UЗИ пор). (1.42)

Определяем время второго этапа:

 .

На третьем этапе транзистор работает в крутой (омической) области

характеристик. Рабочая точка перемещается за время t2 из положения А 2 в
положение В. На этом этапе транзистор представляет собой омическое
сопротивление Ri откр = UCИ B / IC B. Значение тока стока в точке В можно найти из
уравнения, представленного в виде IС = 2bБТ[(UЗИ В - U3И пop)UCИ B–U2СИ В/2]. Время t2 может
быть оценено с помощью известного соотношения для элементарной RС-цепочки:
t2 » 2,3Ri откр Сси э. Полное время включения транзистора tвкл = tз + t1 + t2.

Из рассмотренного следует, что для уменьшения времени включения необходимо

выбирать транзисторы с большими значениями крутизны SПТ и малыми пороговыми
напряжениями.

Процесс выключения. Здесь можно выделить два этапа, сначала при

уменьшении входного напряжения ниже порогового значения U ЗИ пор рабочая точка
переходит из положения В в положение В1. Время перехода зависит от
эквивалентной входной емкости транзистора Сзи э и сопротивления источника
сигнала Rг. При малых значениях Rг время данного этапа пренебрежимо мало.
Затем происходит заряд емкости Сси э через резистор нагрузки Rc от источника Uп. На
этом этапе ключ моделируется элементарной RС-цепью. Следовательно, время
выключения можно определить по известной формуле tвыкл » 2,ЗRсСси э.

Время выключения рассмотренного ключа обычно существенно больше времени

включения, так как сопротивление Rc обычно велико (Rc > Riоткр). В практических
случаях следует учитывать, что быстродействие ключа существенно зависит от
элементов управляющей цепи. В частности, при высокоомном сопротивлении
источника сигнала цепи затвора ключ будет иметь время включения и выключения,
в основном зависящее от сопротивления и эквивалентной емкости цепи затвора С зи
э: tвкл=tвыкл»2,3tз=2,ЗСзи э Rз.
Таким образом, высокого быстродействия ключей на полевых транзисторах можно
добиться при использовании низкоомных источников напряжения сигнала, а также
транзисторов с малыми междуэлектродными емкостями, малыми сопротивлениями
канала в открытом состоянии и при работе на низкоомные нагрузки. Однако
следует иметь в виду, что уменьшение сопротивления нагрузки сопровождается
ростом остаточного напряжения UСИ ост, что нежелательно, так как приводит к
уменьшению логического перепада уровней и снижению помехоустойчивости
ключа.

Избежать указанных недостатков удается, если заменить сопротивление нагрузки

МДП транзистором с индуцированным каналом n-типа, включив его, как показано
на рис. 1.41, б. Такой ключ, использующий транзисторы с разными типами
проводимости каналов, получил название ключа на комплементарных
транзисторах.

Принцип работы ключа заключается в следующем. При отсутствии управляющего

напряжения на входе (Uзи = 0) транзистор VT2 закрыт и, следовательно, выходное
напряжение Uвых » Uп, так как это напряжение прикладывается ко входу транзистора
VТ1 и поддерживает его в открытом состоянии. Ток, потребляемый ключом, крайне
мал, так как практически определяется сопротивлением утечки открытого канала
транзистора VT2.

При подаче на вход ключа управляющего напряжения U вх = -Uп транзистор

VТ1 закрывается, а VТ2 открывается. Это приводит к уменьшению выходного
напряжения (Uвых = 0). Ток, потребляемый ключом в этом случае, крайне мал, так
как определяется током утечки закрытого канала транзистора VT 1. Таким образом,
рассматриваемый ключ отличается высокой экономичностью: мощность
потребляется только во время переключения и возрастает с частотой
переключения. Заряд и разряд емкости С н в таком ключе происходит через
сопротивления каналов транзисторов, находящихся в открытом состоянии.
Следовательно, ключ обладает повышенным быстродействием.

Следует отметить, что при одинаковых геометрических размерах ключи на полевых

транзисторах имеют существенно большие сопротивления в открытом состоянии (R-
i откр » 1/S0, где S0 — справочное значение крутизны ПТ).

Получить малые Ri откр удается, если применить мощные ПТ, в которых используются

либо параллельное соединение большого числа элементарных ячеек, либо
конструкция специального типа с коротким каналом. В частности, высокими
коммутационными свойствами обладают мощные ПТ серий КП901...КП913,
способные коммутировать большие токи и обладающие высоким быстродействием.
В этих приборах достигнуты высокие отношения параметров IСmax / (CCИ + C3С), что
позволило реализовать ключевые параметры, превосходящие параметры ключей,
выполненных как на основе электронных ламп, так и на основе биполярных
транзисторов. Например, ПТ типа КП907 переключает ток 2А за время 10 -9 с.

Аналоговые ключи на транзисторах. В отличие от цифровых ключей

аналоговые коммутируют сигналы с неограниченным множеством значений
напряжений и токов. Такие ключи широко используются для коммутации
телефонных, радиовещательных и телевизионных сигналов. К аналоговым ключам
предъявляются такие же требования, как и к цифровым ключам: малое
сопротивление в открытом и большое сопротивление в закрытом состояниях, малое
время включения и выключения, небольшая потребляемая цепями управления
мощность. Кроме указанных, к аналоговым ключам предъявляются жесткие
требования по вносимым нелинейным, частотным и фазовым искажениям, а также
динамическому диапазону коммутируемых сигналов.
В принципе, в качестве ключевых элементов аналогового ключа можно
использовать любой элемент, способный работать в режиме управляемого
сопротивления. Однако лучшим образом удовлетворяет перечисленным выше
требованиям аналоговые ключи на основе ПТ.

Рассмотрим принцип действия и особенности простейшего аналогового ключа на

ПТ, изображенного на рис. 1.44, а.

Рисунок 1.44

В отличие от электронных ламп, ПТ может работать при любой полярности

выходного напряжения. При этом в аналоговом ключе на ПТ отпадает
необходимость в источнике постоянного напряжения в выходной цепи и,
следовательно, существенно упрощается схема ключа и снижается потребляемая
мощность.

Работа ключа (рис. 1.44, б) происходит при нулевом постоянном напряжении на

участке «сток — исток» (Uси = 0). Если при этом управляющее напряжение цепи
затвора равно нулю (Uynp = 0), выходная цепь транзистора представляет собой
малое омическое сопротивление, и коммутируемое напряжение U ВХ с малым
ослаблением поступает в нагрузку. Коэффициент передачи по напряжению в
открытом состоянии Кu0 = RH / (RH + Ri откр + Rг).

Для перевода ключа в выключенное состояние ко входу транзистора следует

приложить запирающее напряжение, превышающее сумму напряжения отсечки и
входного напряжения сигнала Uвх. При подаче запирающего напряжения
уменьшается наклон выходных характеристик ПТ в омической области и,
следовательно, увеличивается выходное сопротивление. В выключенном состоянии
выходная цепь представляет очень большое сопротивление R i откр, обычно
превышающее 107 Ом, шунтированное емкостями Сс.и и См.

Коэффициент передачи напряжения ключа в выключенном состоянии мал и может

быть рассчитан по формуле

 .
Важнейшим показателем аналогового ключа является переходное затухание Ап.
Оно показывает, во сколько раз коэффициент передачи ключа во включенном
состоянии больше коэффициента передачи ключа в выключенном состоянии:

 .

Учитывая, что в диапазоне низких частот 1/[jw(Сси+См)] >> Rн+RГ, последнее

выражение можно упростить и записать в виде

 . (1.43)

Интересно отметить, что при использовании в аналоговом ключе (ПТ) с

управляющим переходом удается реализовать большие значения Ап, чем в случае
использования МДП-транзистора. Это объясняется уменьшением емкости С си при
подаче к p-n переходу «затвор — канал» запирающего напряжения. Эффект
аналогичен наблюдаемому в варикапе.

Верхняя рабочая частота коммутируемого сигнала ограничена междуэлектродными

емкостями и емкостями монтажа. В первом приближении при рассмотрении
частотных свойств ключа учитывают проходную емкость ключа Спрох = Сси + См.

Другим важным показателем аналогового ключа являются вносимые им

нелинейные искажения. При использовании маломощных транзисторов в состоянии
«Включено» (Uзи = 0) выходная характеристика аппроксимируется выражением.
Предположим, что в состоянии «Включено» к каналу ПТ приложено напряжение

uси = Uси sin Wt. (1.44)

Найдем мгновенное значение выходного тока:

iс = bПТUЗИ отсsinWt – ¼ U2си(1-соs2Wt). (1.45)

Из выражения следует, что выходной ток ПТ помимо основной содержит вторую

гармонику.

Учитывая, что в состоянии «Включено» к каналу ПТ приложена лишь малая часть

входного напряжения (uси = uвх (l — Кuо)), определим коэффициент гармоник как
отношение амплитуд второй гармоники к основной: Кг = Uвх(l — Кuo)/(4UЗИ отс).
Очевидно, для обеспечения малых нелинейных искажений сигнала необходимо
использовать ПТ с малым сопротивлением канала в открытом состоянии и
высокими значениями напряжения отсечки. Как видно, нелинейные искажения
ключа уменьшаются с ростом Кuо, обусловленным увеличением сопротивления
нагрузки. Однако нужно учитывать, что увеличение сопротивления нагрузки
сопровождается снижением переходного затухания ключа Ап, что следует из
выражения.

Время включения и выключения ключа зависит от значений емкостей С зи и Сзс и

сопротивления R3 в цепи затвора транзистора. Уменьшение его обеспечивается за
счет использования низкоомных источников управляющих сигналов и транзисторов
с малыми междуэлектродными емкостями.
 1.9. Тиристоры
Тиристором называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор с
тремя или более p-n переходами, используемый для переключения, в
вольтамперной характеристике которого имеется участок отрицательного
дифференциального сопротивления.

Классификация, обозначения и типовые ВАХ тиристоров приведены в табл. 1.5.

Простейшим тиристором является динистор — неуправляемый переключающий

диод, представляющий собой четырехслойную структуру типа p-n-p-n (рис. 1.45,
a). Здесь, как и у других типов тиристоров, крайние p-n переходы называются
эмиттерными, а средний p-n переход — коллекторным. Внутренние области
структуры, лежащие между переходами, называются базами. Электрод,
обеспечивающий электрическую связь с внешней «-областью, называется катодом,
а с внешней p-областью — анодом.

При включении динистора по схеме, приведенной на рис. 1.45, а, коллекторный p-

n переход закрыт, а эмиттерные переходы открыты. Сопротивления открытых
переходов малы, поэтому почти все напряжение источника питания приложено к
коллекторному переходу, имеющему высокое сопротивление. В этом случае через
тиристор протекает малый ток (участок 1 на рис. 1.45, а).

Рисунок 1. 45
 Рисунок 1.46

Если увеличивать напряжение источника питания, ток тиристора увеличивается

незначительно, пока это напряжение не приблизится к некоторому критическому
значению, равному напряжению включения Uвкл. При напряжении Uвкл в динисторе
создаются условия для лавинного размножения носителей заряда в области
коллекторного перехода. Происходит обратимый электрический пробой
коллекторного перехода (участок 2 на рис. 1.45, б). В л-области коллекторного
перехода образуется избыточная концентрация электронов, а в p-области —
избыточная концентрация дырок. С увеличением этих концентраций снижаются
потенциальные барьеры всех переходов динистора. Возрастает инжекция
носителей через эмиттерные переходы. Процесс носит лавинообразный характер и
сопровождается переключением коллекторного перехода в открытое состояние.
Рост тока происходит одновременно с уменьшением сопротивлений всех областей
прибора. Поэтому увеличение тока через прибор сопровождается уменьшением
напряжения между анодом и катодом. На ВАХ этот участок обозначен цифрой 3.
Здесь прибор обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Напряжение на резисторе возрастает и происходит переключение динистора.

После перехода коллекторного перехода в открытое состояние ВАХ имеет вид,

соответствующий прямой ветви диода (участок 4). После переключения
напряжение на динисторе снижается до 1 В. Если и дальше увеличивать
напряжение источника питания или уменьшать сопротивление резистора R, то
будет наблюдаться рост выходного тока, как в обычной схеме с диодом при прямом
включении.

При уменьшении напряжения источника питания восстанавливается высокое

сопротивление коллекторного перехода. Время восстановления сопротивления
этого перехода может составлять десятки микросекунд. Напряжение U вкл, при
котором начинается лавинообразное нарастание тока, может быть снижено
введением неосновных носителей заряда в любой из слоев, прилегающих к
коллекторному переходу. Дополнительные носители заряда вводятся в тиристоре
вспомогательным электродом, питаемым от независимого источника управляющего
напряжения (Uупр). Тиристор со вспомогательным управляющим электродом
называется триод-ным, или тринисторным. Схема включения тринистора показана
на рис. 1.46. Возможность снижения напряжения Uвкл при росте тока управления,
показывает семейство ВАХ, изображенных в табл. 1.5.

Если к тиристору приложить напряжение питания, противоположной полярности

(рис. 1.46), то эмиттерные переходы окажутся закрытыми. В этом случае ВАХ
тиристора напоминает обратную ветвь характеристики обычного диода. При очень
больших обратных напряжениях наблюдается необратимый пробой тиристора.

В отличие от рассмотренных несимметричных тиристоров в симметричных обратная

ветвь ВАХ имеет вид прямой ветви. Это достигается встречно-параллельным
включением двух одинаковых четырехслойных структур или применением
пятислойных структур с четырьмя p-n переходами.

Тиристоры имеют широкий диапазон применений (управляемые выпрямители,

генераторы импульсов и др.), выпускаются с рабочими токами от долей ампера до
тысяч ампер и с напряжениями включения от единиц до тысяч вольт.

Таблица 1.5

Наименование Обозначения Основные

характеристики
Тиристор диодный, запираемый в обратном
направлении. Тиристор диодный, проводящий в
обратном направлении Тиристор диодный
симметричный Тиристор триодный, запираемый
в обратном направлении, с управлением: по
аноду по катоду Тиристор триодный,
запираемый в обратном направлении, с
управлением: по аноду по катоду Тиристор
триодный, проводящий в обратном направлении,
с управлением: по аноду По катоду Тиристор
триодный симметричный

1.10. Фотоэлектрические и излучающие приборы

Фотоэлектрическими называют приборы для преобразования лучистой энергии в
электрическую энергию. Обратное преобразование энергии осуществляют
излучающие приборы. Фотоэлектрические приборы широко используются в
качестве приемников электромагнитных излучений оптического диапазона:

инфракрасного: λ = 300...0,78 мкм, ν = 1012...4×1014 Гц; видимого: λ = 0,78...0,35

мкм, ν = 4×1014...7,6×1014 Гц; ультрафиолетового: λ = 0,35...0,01 мкм, ν =
(7,6×1014...1016) Гц.
Принцип действия фотоэлектрических приборов основан на использовании
явлений внутреннего или внешнего фотоэффектов.

Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В них

под действием излучения происходит возбуждение электронов. Переход
электронов на более высокий энергетический уровень приводит к изменению
концентрации свободных носителей заряда и, следовательно, электрических
свойств вещества. При воздействии лучистой энергии на полупроводник у части
валентных электронов увеличивается энергия настолько, что они преодолевают
запрещенную зону и переходят в зону проводимости.

Лучистая энергия излучается и поглощается веществом в виде квантов (фотонов).

Энергия кванта WKB = hпν, где hп = 6,6×10-34 Дж×с — постоянная Планка.
Внутренний фотоэффект возникает, если WКВ превышает ширину запрещенной зоны
DWЗ. Например, для проявления внутреннего фотоэффекта в германии требуется
WKB > 0,67 эВ.

При уменьшении частоты излучения наступает порог фотоэффекта, когда &nu; 0 =
DWЗ / hп. Длину волны, соответствующую частоте &nu; 0, называют границей
фотоэффекта. Для германия эта граница лежит в инфракрасной области: λ 0 = 1,7
мкм. В диэлектриках внутренний фотоэффект проявляется слабее, так как они
имеют большую ширину запрещенной зоны.

В металлах лучистая энергия оптического диапазона воздействует только на

свободные электроны и не приводит к изменению их концентрации, поэтому
внутренний фотоэффект отсутствует.

Внутренний фотоэффект используется в фоторезисторах, фотодиодах,

фототранзисторах.

Внешний фотоэффект может наблюдаться в любых веществах. Он основан на

явлении фотоэлектронной эмиссии. Здесь используется выход электронов за
пределы поверхности веществ под действием излучения. Например, у металлов
внешний эффект проявляется, если энергия кванта W KВ превысит работу выхода
электрона из металла А. Для цезия WKВ должна быть не менее 1,2 эВ, для золота —
5 эВ.

Внешний эффект используется в электронных и ионных фотоэлементах, в

фотоэлектронных умножителях.

Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на

излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого
энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются
кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают
явления люминесценции и индуцированного излучения.

Люминесценцией называют избыточное по сравнению с тепловым излучение и

характеризуемое длительностью, значительно превышающей период световых
колебаний. При люминесценции эмиттируется некогерентное оптическое излучение
с относительно широким спектром (около 10-2 мкм).

Для возникновения люминесценции к полупроводнику подключают внешний

источник энергии с целью его перехода в возбужденное состояние. Возбужденному
состоянию полупроводника соответствует образование неравновесных
концентраций свободных частиц: электронов в зоне проводимости и дырок в
валентной зоне.

Явление люминесценции широко используется в некогерентных излучающих

полупроводниковых приборах.

Явление индуцированного излучения лежит в основе работы квантовых приборов.

Длительность индуцированного излучения близка к периоду световых колебаний
(примерно 10-15 с). Индуцированное излучение отличается когерентностью и узким
спектром (менее 10-5 мкм).
На практике широко используются методы возбуждения полупроводникового
кристалла, содержащего электронно-дырочный переход: инжекцию неосновных
носителей под действием внешнего источника напряжения, включенного в прямом
направлении; лавинный пробой в p-n переходе при подключении обратного
напряжения и др.

Обычно в полупроводниках наряду с излучательными переходами наблюдаются

также переходы безызлучательные, поэтому энергия, затрачиваемая на
возбуждение полупроводника, лишь частично превращается в энергию
люминесцентного излучения. Эффективность процесса люминесцентного излучения
определяется отношением выделяемой лучистой энергии к полной энергии
возбуждения. Эффективность люминесценции тем выше, чем больше число
локальных уровней, участвующих в излучательных переходах, и чем ближе они
расположены к границам соответствующих зон, т. е. легче захват электронов и
дырок.

Излучательные переходы могут происходить, например, в результате

рекомбинации электронов, захваченных на примесный уровень вблизи дна зоны
проводимости с дырками в валентной зоне, или в результате рекомбинации дырок,
находящихся на локальных уровнях вблизи потолка валентной зоны с электронами
из зоны проводимости.

Широко распространенным излучающим прибором является светодиод. В качестве

материалов для изготовления светодиодов используются соединения карбида
кремния SiC, фосфид галлия GaP, арсенид галлия GaAs. Спектр излучения зависит
от ширины запрещенной зоны используемого материала, а также от рода и
концентрации примесей. Например, для арсенида галлия DWЗ = 1,4эВ, а максимум
спектральной характеристики лежит в инфракрасной области спектра (λ » 0,9
мкм); светодиоды из карбида кремния излучают желтый цвет (λ » 0,6 мкм).
Использование совокупности люминесцирующих кристаллов позволяет
синтезировать знаковые индикаторы.

Объединение излучателя и приемника света в одном изделии позволяет

реализовать прибор, получивший название оптрон. Простейший оптрон состоит из
светодиода и фотодиода, размещенных в общем корпусе. Кроме диодных оптронов
электронной промышленностью выпускаются резисторные, транзисторные и
тиристорные оптроны. Однонаправленность светового луча от источника света к
приемнику позволяет создавать управляемые электронные элементы, у которых
цепь управления электрически развязана от входной цепи, так как связь между
указанными цепями осуществляется оптически.

Электрическая изоляция входа от выхода позволяет с помощью низких напряжений

управлять высокими, осуществлять развязку низкочастотных и высокочастотных
цепей, выполнять высококачественные электронные реле и коммутаторы.

Условные графические обозначения фотоэлектрических и излучающих приборов и

примерный вид их основных характеристик приведены в табл. 1.6.

Особую группу индикаторных приборов составляют жидкокристаллические

индикаторы. В этих приборах используются вещества, имеющие свойства,
промежуточные между свойствами твердого кристалла и жидкости. Эти свойства
проявляются в том, что в определенном диапазоне температур вещество может
образовывать капли, не имеет формы для большого объема и, кроме этого,
обладает анизотропией различных свойств: характеризуется различными для
разных направлений сопротивлениями, диэлектрическими постоянными
показателями преломления и др.
Особенность жидкокристаллических веществ заключается в наличии
стержневидных молекул, способных располагаться параллельными цепочками (в
диапазоне температур 5...55° С), образуя упорядоченную кристаллическую
структуру. Под действием электрического поля в жидких кристаллах нарушается
ориентация молекул. При этом в веществе возникает эффект динамического
рассеяния, сопровождающийся изменением прозрачности жидкости. Этот эффект
используется для создания индикаторов.

В отличие от других типов индикаторов жидкокристаллические индикаторы не

испускают свет. Для работы жидкокристаллических индикаторов необходимы
источники проходящего либо отраженного света. Устройство индикатора,
работающего в отраженном свете, показано на рис. 1.47. Здесь 1 — зеркальный
электрод; 2 — слой жидкокристаллического вещества; 3, 4 — прозрачные
электроды; 5, 6 — стеклянные пластины.

Рисунок 1.47

Таблица 16.6

Наименование Основные характеристики

Обозначени
я
Фоторезистор Фотодиод Диодный
фототиристор Солнечный элемент Батарея
солнечная Светодиод Фототранзистор p-n-
p типа Диодный оптрон Тиристорный
оптрон Диодно-резисторный оптрон
Прибор электронный с фототранзистором

Нижний электрод 1 имеет зеркальную поверхность, хорошо отражающую свет. В

качестве источника падающего света может служить естественное освещение.
Верхние прозрачные электроды 3, 4 являются сегментами знаков, каждый из них
имеет свой вывод. Для получения изображения на электроды — сегменты подаются
напряжения относительно нижнего электрода. При этом прозрачность жидкости под
этими электродами уменьшается и таким образом формируется определенный знак
либо мнемосхема (условно-графическое изображение объекта, информации,
процесса и др.).

Перспективной разновидностью жидкокристаллических индикаторов являются

индикаторы, использующие эффект вращения плоскости поляризации света под
действием электрического поля. Приложенное электрическое поле вызывает
поворот осей молекул вокруг их центров параллельно вектору электрического
поля. При этом участок, находящийся в скрещенных поляризаторах, становится
темным, непрозрачным, а в параллельных поляризаторах — светлым, прозрачным.
Эффективность работы жидкокристаллических индикаторов оценивается
контрастом. Этот показатель определяется отношением интенсивности света,
проходящего через индикатор при отсутствии напряжения, к интенсивности света,
прошедшего сквозь рассеивающий жидкий кристалл при подаче напряжения. С
увеличением управляющего напряжения выше порогового наблюдается монотонное
возрастание значения контраста, который может достигать 20...50 раз.

Таблица 1.7

Параметры Индикатор
с динамическим с вращением плоскости
рассеянием поляризации
Рабочее напряжение, В 7…30 1,5…..10
Средняя плотность тока, мкА/см 2
10 1
Среднее время включения, мс 15 10
Среднее время выключения, мс 300 100
Контраст 10….20 20…50
Диапазон рабочих температур,  С
0
5…..55 5….55

Жидкокристаллические индикаторы, использующие эффект вращения плоскости

поляризации, обладают малым потреблением энергии, что обеспечивает хорошую
согласованность с интегральными схемами, и имеют высокие значения контраста
при меньших напряжениях по сравнению с индикаторами с динамическим
рассеянием. Основные параметры рассмотренных типов жидкокристаллических
индикаторов сведены в табл. 1.7.

Жидкокристаллические индикаторы находят широкое применение в электронных

часах, микрокалькуляторах и микроЭВМ, в системах контроля и управления.
Вследствие малого энергопотребления использование их особенно перспективно в
устройствах с ограниченным запасом питания.

Лекция 6 Операционные усилители

Операционный усилитель - это электронный усилитель напряжения с

высоким коэффициентом усиления, имеющий дифференциальный вход
и обычно один выход. Напряжение на выходе может превышать разность
напряжений на входах в сотни или даже тысячи раз.

Своё начало операционные усилители ведут от аналоговых

компьютеров, где они применялись во многих линейных, нелинейных и
частото-зависимых схемах. Параметры схем с операционными
усилителями определяются только внешними компонентами, а так же
небольшой температурной зависимостью или разбросом параметров при
их производстве, что делает операционные усилители очень
популярными элементами при конструировании электронных схем.

Операционные усилители являются наиболее востребованными

приборами среди современных электронных компонент, они находят
своё применение в потребительской электронике, применяются
индустрии и в научных приборах. Многие стандартные микросхемы
операционных усилителей стоят всего несколько центов. Но некоторые
модели гибридных или интегрированных операционных усилителей со
специальными характеристиками, выпускаемые мелкими партиями,
могут стоить более сотни долларов. Операционные усилители обычно
выпускаются как отдельные компоненты, а так же они могут являться
элементами более сложных электронных схем.

1. Классификация операционных усилителей

Операционные усилители могут быть классифицированы по типу их

конструкций:

 Дискретные - созданные из отдельных транзисторов или

электронных ламп;
 Микросхемные - интегральные операционные усилители наиболее
распространены;
 Гибридные - созданные на основе гибридных микросхем малой
степени интеграции;

Интегральные операционные усилители могут быть классифицированы

по разным параметрам, включая:

 Подразделение на микросхемы военного, индустриального или

коммерческого исполнения, отличающиеся надёжностью работы и
стойкостью к внешним факторам (температуре, давлению,
радиации), и следовательно, ценой. Пример: операционный
усилитель общего исполнения LM301 является коммерческой
версией модели LM101, а модель LM201 является индустриальной
версией.
 Классификация по типу корпуса - модели операционных
усилителей в разных типах корпусов (пластик, металл, керамика)
имеют так же различную стойкость к внешним факторам. Кроме
того, корпуса бывают типа DIP и предназначенные для
поверхностного монтажа (SMD).
 Классификация по наличию или отсутствию цепей внутренней
коррекции. Операционные усилители могут работать нестабильно в
некоторых схемах с отрицательной обратной связью, что бы этого
избежать используют конденсатор небольшой ёмкости для
коррекции амплитудно-частотной характеристики. Операционный
усилитель с таким встроенным конденсатором называют
операционным усилителем с внутренней коррекцией.
 В одном корпусе микросхемы может находиться один, два или
четыре операционных усилителя.
 Диапазон входных (и/или выходных) напряжений от
отрицательного до положительного напряжения питания -
 операционный усилитель может работать с сигналами, величины
которых лежат вблизи значений питающих напряжений.
 Операционные усилители с КМОП - полевыми транзисторами на
входах (например, модель AD8603) обеспечивают очень высокое
входное сопротивление, выше чем у обычных операционных
усилителей с полевыми транзисторами, у которых в свою очередь
входное сопротивление больше, чем у операционных усилителей с
биполярными транзисторами на входах.
 Существуют так называемые "программируемые" операционные
усилители, в которых с помощью внешнего резистора можно
задавать ряд параметров, таких как ток покоя, усиление, полосу
пропускания.
 Производители часто разделяют операционные усилители по типу
применения, например, малошумящие, предусилители,
широкодиапазонные и т.д.

Обозначения на схеме
Выводы для подачи напряжения питания (VS+ и VS-) могут обозначаться
по-разному. Невзирая на различное обозначение, их функция остаётся
одной и той же - обеспечение дополнительной энергии для усиления
сигнала. Часто на схемах эти выводы не изображают, чтобы не
загромождать чертёж, и их наличие либо указывается отдельно, либо
должно быть ясно из схемы.

Условные обозначения на схеме

для операционного усилителя,
изображённого на рисунке
справа, следующие:

 V+ - неинвертирующий вход

 V- - инвертирующий вход
 Vout - выход
 VS+ - плюс напряжения
питания
 VS- - минус напряжения
Условное графическое обозначение
питания операционного усилителя

Принцип действия
Дифференциальные входы усилителя состоят из двух выводов - V+ и V-,
идеальный операционный усилитель усиливает только разницу
напряжений между двумя этими входами, эта разница называется
дифференциальным напряжением на входе. Напряжение на выходе
операционного усилителя определяется формулой

Vout = AOL (V+ - V-)

где V+ - напряжение на неинвертирующем (прямом) входе, V- -

напряжение на инвертирующем (инверсном) входе, и AOL - коэффициент
усиления усилителя с разомкнутой петлёй обратной связи (то есть
обратная связь от выхода ко входу отсутствует).

Операционный усилитель без отрицательной обратной связи (компаратор)

Значение коэффициента усиления у микросхем операционных

усилителей обычно большое - 100000 и более, следовательно довольно
небольшая разница напряжений между входами V+ и V- приведёт к
появлению на выходе усилителя напряжения почти равному напряжению
питания. Это называется насыщение усилителя. Величина
коэффициента усиления AOL имеет технологический разброс, поэтому не
стоит использовать один операционный усилитель в качестве
дифференциального усилителя, рекомендуется применять схему из трёх
усилителей. Без отрицательной обратной связи, и возможно при наличии
положительной обратной связи, операционный усилитель будет
работать как компаратор. Если инвертирующий вход соединить с общим
проводом (нулевым потенциалом) напрямую или через резистор, а
напряжение Vin, поданное на неинвертирующий вход будет
положительным, то выходное напряжение будет максимально
положительным. Если подать на вход отрицательное напряжение Vin, то
на выходе напряжение будет максимально отрицательным. Поскольку с
выхода на входы обратная связь отсутствует, то такая схема с
разомкнутой цепью обратной связи будет работать как компаратор,
коэффициент усиления схемы будет равен коэффициенту усиления
операционного усилителя AOL.
 Операционный усилитель с отрицательной обратной связью
(неинвертирующий усилитель)

Для того, что бы работа операционного усилителя была предсказуемой,

применяется отрицательная обратная связь, которая устанавливается
путём подачи части напряжения с выхода усилителя на его
инвертирующий вход. Эта замкнутая цепь обратной связи существенно
снижает усиление усилителя. При использовании отрицательной
обратной связи общее усиление схемы значительно больше зависит от
параметров цепи обратной связи, чем от параметров операционного
усилителя. Если цепь обратной связи содержит компоненты с
относительно стабильными параметрами, то изменения параметров
операционного усилителя существенно не влияют на характеристики
схемы. Передаточная характеристика схемы с операционным
усилителем определяется математически передаточной функцией.
Проектирование схем с заданной передаточной функцией с
операционными усилителями относится к области радиоэлектроники.
Передаточная функция является важным фактором в большинстве схем,
использующих операционные усилители, например, в аналоговых
компьютерах. Высокое входное сопротивление входов и низкое
выходное сопротивление выхода является так же полезной
особенностью операционных усилителей.

Например, если к неинвертирующему усилителю добавить

отрицательную обратную связь (см. рисунок справа) с
помощью делителя напряжения Rf, Rg, то это приведёт к снижению
усиления схемы. Равновесие восстановится тогда, когда напряжение на
выходе Vout станет достаточным для того, что бы изменить напряжение
на инвертирующем входе до напряжения Vin. Коэффициент усиления
всей схемы определяется по формуле 1 + Rf/Rg. Например, если
напряжение Vin = 1 вольт, а сопротивления Rf и Rg одинаковые (Rf = Rg),
то на выходе Vout будет присутствовать напряжение 2 вольта, величина
этого напряжения как раз достаточная для того, что бы на
инвертирующий вход V- поступало напряжение 1 вольт. Так как
резисторы Rf и Rg образуют цепь обратной связи, подключённой от
выхода ко входу, то получается схема с замкнутой петлёй обратной
связи. Общий коэффициент усиления схемы Vout / Vin называется
коэффициентом усиления с замкнутой петлёй обратной связи ACL. Так
как обратная связь отрицательная, то в этом случае ACL < AOL.

Можно рассмотреть это с другой стороны, сделав два предположения:

Во-первых, когда операционный усилитель работает в линейном режиме,
то разница напряжений между его неинвертирующим (+) и
инвертирующим (-) выводами настолько мала, что ею можно пренебречь.
Во-вторых, будем считать входные сопротивления обоих входов (+) и (-)
очень высокими (несколько мегаом у современных операционных
усилителей).
Таким образом, когда схема, изображённая на рисунке справа, работает
как неинвертирующий линейный усилитель, то напряжение Vin,
появившееся на входах (+) и (-), приведёт к появлению тока i,
протекающего через резистор Rg, величиной Vin/Rg. Согласно закону
Кирхгофа, утверждающего, что сумма токов, втекающих в узел, равна
сумме токов, вытекающих из этого узла, и поскольку сопротивление
входа (-) почти бесконечно, можно предположить, что почти весь ток i,
протекающий через резистор Rf, создаёт напряжение на выходе, равное
Vin + i * Rf. Подставляя слагаемые в формулу, можно легко определить
усиление схемы этого типа.

i = Vin / Rg

Vout = Vin + i * Rf = Vin + (Vin / Rg * Rf) = Vin + (Vin * Rf) / Rg =Vin * (1+ Rf / Rg)

G = Vout / Vin

G = 1 + Rf / Rg

Характеристики операционных усилителей

Идеальный операционный усилитель

Эквивалентная схема операционного усилителя в которой смоделированы
некоторые неидеальные резистивные параметры

Идеальный операционный усилитель может работать при любых

входных напряжениях и имеет следующие свойства:

 Коэффициент усиления с разомкнутой петлёй обратной связи

равен бесконечности (при теоретическом анализе полагают
коэффициент усиления при разомкнутой петле обратной связи
AOL стремящимся к бесконечности).
 Диапазон выходных напряжений Vout равен бесконечности (на
практике диапазон выходных напряжений ограничивают величиной
напряжения питания Vs+ и Vs-).
 Бесконечно широкая полоса пропускания (т.е. амплитудно-
частотная характеристика является идеально плоской с нулевым
фазовым сдвигом).
 Бесконечно большое входное сопротивление (Rin = ∞, ток из V+ в
V- не течёт).
 Нулевой входной ток (т.е. предполагается отсутствие токов утечки
и токов смещения).
 Нулевое напряжение смещения, т.е. когда входы соединены между
собой V+ = V-, то на выходе присутствует виртуальный ноль
(Vout = 0).
 Бесконечно большая скорость нарастания напряжения на выходе
(т.е. скорость изменения выходного напряжения не ограничена) и
бесконечно большая пропускная мощность (напряжение и ток не
ограничены на всех частотах).
 Нулевое выходное сопротивление (Rout = 0, так что выходное
напряжение не меняется при изменении выходного тока).
 Отсутствие собственных шумов.
 Бесконечно большая степень подавления синфазных сигналов.
 Бесконечно большая степень подавления пульсаций питающих
напряжений.

Эти свойства сводятся к двум "золотым правилам":

 1. Выход операционного усилителя стремится к тому, что бы разница
между входными напряжениями стала равной нулю.
2. Оба входа операционного усилителя не потребляют ток.

Первое правило применимо к операционному усилителю, включённому в

схему с замкнутой петлёй отрицательной обратной связи. Эти правила
обычно применяются для анализа и проектирования схем с
операционными усилителями в первом приближении.

На практике ни одно из идеальных свойств не может быть полностью

достигнуто, поэтому приходится идти на различные компромиссы. В
зависимости от желаемых параметров, при моделировании реального
операционного усилителя учитывают некоторые неидеальности,
используя эквивалентные цепи из резисторов и конденсаторов в его
модели. Разработчик может заложить эти нежелательные, но реальные
эффекты в общую характеристику проектируемой схемы. Влияние одних
параметров может быть пренебрежительно мало, а другие параметры
могут налагать ограничение на общие характеристики схемы.

Реальный операционный усилитель

В отличии от идеального, реальный операционный усилитель имеет

неидеальность различных параметров.

Неидеальность параметров по постоянному току

Конечный коэффициент усиления

У идеального операционного усилителя с разомкнутой петлёй
обратной связи коэффициент усиления бесконечен, в отличии от
реального усилителя, у которого он конечен. Типичные значения
этого параметра по постоянному току при разомкнутой петле
обратной связи находятся в диапазоне от 100000 до более чем
миллиона. Поскольку этот коэффициент усиления очень большой,
то усиление схемы будет определяться исключительно
коэффициентом отрицательной обратной связи (т.е. коэффициент
усиления схемы не будет зависеть от коэффициента усиления
операционного усилителя при разомкнутой петле обратной связи).
Если же коэффициент усиления схемы при замкнутой петле
обратной связи требуется очень большой, то для этого
коэффициент обратной связи должен быть очень небольшим,
поэтому в этом случае операционный усилитель перестанет вести
себя идеально.
Конечное входное сопротивление
 Дифференциальное входное сопротивление операционного
усилителя определяется как сопротивление между его двумя
входами; синфазное входное сопротивление - это сопротивление
между каким-либо из входов и землёй. Операционные усилители
со входами на полевых транзисторах часто имеют защитные цепи
на своих входах для защиты от превышения входным напряжением
некоторого порога, так что в некоторых тестах входное
сопротивление таких приборов может оказаться очень низким. Но
поскольку эти операционные усилители обычно используются в
схемах с глубокой обратной связью, то эти защитные цепи
остаются не задействованы. Напряжение смещения и токи утечки,
описанные далее, являются гораздо более важными параметрами
при проектировании схем с операционными усилителями.
Ненулевое выходное сопротивление
Низкое выходное сопротивление является очень важным для
низкоомных нагрузок, так как падение напряжения на выходном
сопротивлении может быть существенным. Следовательно,
выходное сопротивление усилителя ограничивает максимально
достижимую выходную мощность. В схемах с отрицательной
обратной связью по напряжению выходное сопротивление
усилителя уменьшается. Таким образом при применении
операционных усилителей в линейных схемах можно получить
очень низкое выходное сопротивление. Однако отрицательная
обратная связь не может уменьшить ограничения, накладываемые
сопротивлениями Rload (сопротивление нагрузки) и Rout (выходное
сопротивление операционного усилителя) на возможные
максимальное и минимальное выходные напряжения - она может
только снизить ошибки в этом диапазоне напряжений. Низкое
выходное сопротивление обычно требует высоких токов покоя для
выходных каскадов операционного усилителя, что ведёт к
увеличению рассеиваемой мощности, так что в маломощных
схемах приходится умышленно жертвовать низким выходным
сопротивлением.
Входной ток
Из-за наличия токов смещения или утечки, небольшой ток (обычно
- ≈ 10 наноампер для операционных усилителей с биполярными
транзисторами во входных каскадах, десятки пикоампер - для
входных каскадов на полевых транзисторах и несколько пикоампер
для МОП входных каскадов) попадает на входы. Когда в схеме
используются резисторы или источники сигнала с высоким
сопротивлением, то незначительный ток может создать довольно
большое падение напряжения. Если входные токи совпадают, и
сопротивления, подключённые к обоим входам одинаковые, то в
этом случае напряжения на входах окажутся одинаковыми.
Поскольку для работы операционного усилителя важна разность
напряжений между входами, то эти одинаковые напряжения на
 входах не повлияют на работу схемы (если конечно операционный
усилитель хорошо подавляет синфазный сигнал). Но обычно эти
токи на входах (или входные сопротивления на входах) немного не
совпадают, так что возникает небольшое напряжение смещения
(но это не то напряжение смещения, которое описано абзацем
ниже). Это напряжение смещения может создать смещение или
дрейф операционного усилителя. Часто в схеме применяются
органы регулировки для его компенсации. У некоторых
операционных усилителей предусмотрены выводы для
подключения внешнего подстроечного резистора, которым можно
сбалансировать входы и тем самым убрать это смещение.
Некоторые операционные усилители могут автоматически
компенсировать напряжение смещения.
Входное напряжение смещения
Это напряжение, необходимое на входах операционного усилителя
для того, что бы установить напряжение на выходе, равное нулю,
относится к несовпадению входных токов смещения. В идеальном
усилителе отсутствует входное напряжение смещения. Но в
реальных операционных усилителях это напряжение присутствует,
так как у большинства усилителей на входе имеется неидеальный
дифференциальный каскад. Входное напряжение смещения
создаёт две проблемы: во-первых, из-за высокого коэффициента
усиления по напряжению выход усилителя практически
гарантированно перейдёт в состояние насыщения при работе без
цепи отрицательной обратной связи, даже если оба входа
соединены между собой. Во-вторых, при замкнутой цепи
отрицательной обратной связи входное напряжение смещения
будет усиливаться вместе с сигналом и это может привести к
проблемам для высокоточных усилителей постоянного тока или
если входной сигнал очень слабый.
Усиление синфазного сигнала
Идеальный операционный усилитель усиливает только разницу
напряжений между входами, полностью подавляя все напряжения,
общие для обоих входов. Однако дифференциальный входной
каскад реальных операционных усилителей никогда не бывает
идеальным, что приводит к некоторому усилению одинаковых
напряжений, приложенных к обоим входам. Величину этого
недостатка измеряют коэффициентом подавления синфазного
сигнала. Минимизация усиления синфазного сигнала обычно важна
в схемах неинвертирующих усилителей с большим коэффициентом
усиления.
Выходной втекающий ток
Выходной втекающий ток - это максимально допустимый
втекающий ток для выходного каскада. Некоторые производители
указывают зависимость выходного напряжения от втекающего тока
на графике, что позволяет получить представление о выходном
 напряжении при наличии тока из внешнего источника, втекающего
в выходной каскад усилителя.
Температурная зависимость
Все параметры изменяются при изменении температуры.
Температурный дрейф входного напряжения смещения является
особенно важным параметром.
Подавление пульсаций питающих напряжений
Выходной сигнал идеального операционного усилителя будет
полностью независим от пульсаций питающего напряжения на его
выводах питания. Каждый реальный операционный усилитель
имеет определённый коэффициент подавления пульсаций
питающих напряжений, который показывает, насколько
подавляются эти пульсации. Применение блокировочных
конденсаторов по питанию могут улучшить этот параметр для
многих устройств, включая и операционные усилители.
Дрейф
Параметры реальных операционных усилителей подвергаются
медленному изменению со временем, при изменении температуры,
и т.д.
Шумы
Даже при отсутствии сигнала на входе усилители хаотически
изменяют напряжение на выходе. Это может иметь место из-за
тепловых шумов или фликкер-шума, присущих устройству. При
использовании в схемах с высоким коэффициентом усиления или с
широкой полосой пропускания уровень шума становится очень
важным фактором, который следует принимать в расчёт.

Ограничения тока и напряжения

Ограничение выходного тока

Сила тока на выходе не может быть бесконечной. На практике
большинство операционных усилителей спроектированы с
возможностью ограничения выходного тока, что бы этот ток не
превышал определённой величины, что предотвращает выход
операционного усилителя и нагрузки из строя. Современные
модели операционных усилителей более устойчивы к токовым
перегрузкам, чем ранние, и некоторые модели современных
устройств позволяют выдерживать короткое замыкание выхода без
повреждений.
Ограничение мощности рассеяния
На выходном сопротивлении операционного усилителя, через
которое протекает ток, рассеивается тепло. Если операционный
усилитель будет рассеивать слишком много тепла, то его
температура поднимется выше критического значения. В этом
 случае может сработать защита от перегрева или операционный
усилитель выйдет из строя.

Современные операционные усилители с полевыми и МОП -

транзисторами по своим характеристикам приближаются гораздо ближе
к идеальным операционным усилителям, чем модели с биполярными
транзисторами, когда важно входное сопротивление и входные токи
смещения. Операционные усилители с биполярными транзисторами
лучше использовать тогда, когда требуется меньшее входное
напряжение смещения и часто меньшие собственные шумы.
Операционные усилители с полевыми и МОП - транзисторами, в схемах
с ограниченной полосой пропускания, работающие при комнатной
температуре, обычно имеют лучшие характеристики.

Применение операционных усилителей

Использование в конструкциях электронных систем

Назначение выводов операционного усилителя модели 741

Применение операционных усилителей в качестве блоков позволяет

упростить создание схем и делает их чтение более лёгким, чем при
использовании дискретных компонентов (транзисторов, резисторов,
конденсаторов). При проектировании схем в первом приближении
операционные усилители рассматривают как идеальные
дифференциальные компоненты, и только при последующих шагах
учитывают все неидеальности и ограничения этих устройств.

Для всех схем схемотехника остаётся той же самой. В спецификации

указываются назначение схемы и требования к ней с соответствующими
допусками. Например, требуется усиление 1000 раз с допуском 10% и
дрейфом 2% в заданном диапазоне температур, входное сопротивление
не менее 2 мОм и т.д.
При проектировании часто используют моделирование схем на
компьютере, например, в программе схемотехнического
моделирования LTSpice, в которй имеются некоторые модели
коммерческих операционных усилителей и других компонентов. Если в
результате моделирования выясняется, что некоторые параметры
проектируемой схемы не удаётся реализовать, то в этом случае
приходится корректировать спецификацию.

После компьютерного моделирования собирают опытный образец схемы

и проводят его испытание, внося если надо изменения в схему для её
улучшения или для того, что бы схема соответствовала спецификации.
Так же проводят оптимизацию схемы для снижения её стоимости и
улучшения функциональности.

Применение операционных усилителей в схемах без использования

обратной связи

Компаратор напряжений на операционном усилителе 741 в схеме с

однополярным питанием. Vref = 6,6 В, амплитуда входного сигнала Vin = 8 В.
Конденсатор С1 служит для подавления помех, поступающих по цепи
питания.

В этом случае операционный усилитель используется как компаратор

напряжения. Схема, предназначенная в первую очередь для работы в
качестве компаратора применяется тогда, когда необходимо высокое
быстродействие или широкий диапазон входных напряжений, так как
усилитель может быстро восстанавливаться из режима насыщения.

Если на один из входов операционного усилителя подать образцовое

напряжение Vref, то получится схема детектора уровня сигнала, то есть
операционный усилитель будет детектировать положительный уровень
сигнала. Если детектируемый сигнал подать на прямой вход, то
получится схема неинвертирующего детектора уровня - когда входное
напряжение будет выше опорного, то на выходе установится
максимальное положительное напряжение. Если детектируемый сигнал
и опорное напряжение поменять местами, то в этом случае на выходе
операционного усилителя установится напряжение, близкое к
отрицательному напряжению питания - получится схема
инвертирующего детектора уровня.

Если образцовое непряжение на входе усилителя Vref = 0 В, то получится

детектор нуля, который может преобразовывать, например,
синусоидальный сигнал в прямоугольный.

Применение операционных усилителей в схемах с использования

положительной обратной связи

Генератор прямоугольного сигнала на основе операционного усилителя с

положительной (R1, R3) и отрицательной (R2, C1) цепями обратных связей.
Цепь положительной обратной связи, охватывающая усилитель,
превращает его в триггер Шмитта. Рабочая частота - примерно 150 Гц.

Операционные усилители применяют так же в схемах с положительной

обратной связью, когда часть выходного сигнала подаётся на
неинвертирующий вход. Одной из типичных схем, где используется такая
конфигурация является схема компаратора с гистерезисом, это так
называемый триггер Шмитта. В некоторых схемах могут одновременно
использоваться два вида обратных связей - и положительная, и
отрицательная, охватывающие один и тот же усилитель, такая
конфигурация часто применяется в схемах генераторов пилообразного
напряжения и в схемах активных фильтров.

Из-за низкой скорости нарастания сигнала и отсутствия положительной

обратной связи, амплитудно-частотная характеристика описанных выше
детектора нуля и детектора уровня сигнала, построенных по схеме с
разомкнутой петлёй обратной связи, будет относительно
низкочастотной, то есть схемы будут относительно низкочастотными.
Можно попытаться охватить схему положительной обратной связью, но
это существенно повлияет на точность работы при детектировании
момента перехода входного сигнала через ноль. Если использовать
обычный операционный усилитель типа 741, то преобразователь
синусоидального напряжения в меандр скорее всего будет иметь
рабочую частоту, не превышающую 100 Гц.

Для увеличения скорости нарастания сигнала в специализированных

схемах компараторов в выходные каскады вводят положительную
обратную связь, поэтому схемы детекторов уровня рекомендуется
выполнять не на операционных усилителях, а на микросхемах -
компараторах.

Применение операционного усилителя в схеме с отрицательной

обратной связью

Неинвертирующий усилитель

В схеме неинвертирующего усилителя выходное напряжение изменяется

в том же направлении (уменьшается или увеличивается), что и входное.

Неинвертирующий усилитель.

Уравнение, определяющее усиление операционного усилителя

записывается как

Vout = AOL (V+ - V-)

В этой схеме параметр V- является функцией от Vout, так как резисторы

R1 и R2 образуют цепь отрицательной обратной связи. Кроме того, эти
резисторы являются делителем напряжения, а поскольку он соединён со
входом V-, который является высокоомным, то делитель напряжения
практически не нагружен. Следовательно:

V- = β * Vout

где β = R1 / (R1 + R2)

Подставив это выражение в уравнение усиления операционного

усилителя, получим:

Vout = AOL (Vin - β * Vout)

Преобразовывая полученное выражение относительно Vout, получаем:

Vout = Vin * (1 / (β + 1/AOL) )

Если AOL очень большое, то уравнение упрощается:

Vout ≈ Vin / β = Vin / (R1 / (R1 + R2)) = Vin * (1 + R2/R1)

Обратите внимание, что сигнал на прямой вход операционного

усилителя подаётся относительно общего провода. Если источник
сигнала нельзя по какой-то причине подключать к общему проводу или
же его следует подключать к нагрузке с определённым сопротивлением,
то между прямым входом операционного усилителя и общим проводом
потребуется установить дополнительный резистор. В любом случае,
значение сопротивлений резисторов обратной связи R1 и R2, должно
быть примерно равно входному сопротивлению с учётом нагрузочного
резистора на прямом входе операционного усилителя, при этом
сопротивления R1 и R2 следует рассматривать как включённые
параллельно. То есть если R1 = R2 = 10 кОм, источник сигнала имеет
высокое сопротивление, то дополнительный резистор между прямым
входом и общим проводом должен иметь величину 5 кОм, в этом случае
напряжение смещения на входах будет минимальным.

Инвертирующий усилитель

При включении операционного усилителя по инвертирующей схеме,

напряжение на его выходе будет меняться в противофазе со входным
напряжением.

Инвертирующий усилитель.

Найдём уравнение, описывающее усиление при инверсном включении

операционного усилителя:

Vout = AOL (V+ - V-)

Это уравнение точно такое же, как и уравнение для неинвертирующего

усилителя. Но в данном случае параметр V- будет зависеть
одновременно от выходного напряжения Vout и входного Vin, это вызвано
тем, что делитель напряжения, образованный последовательно
соединёнными резисторами Rf и Rin подключён между входным сигналом
и выходом усилителя. Инвертирующий вход имеет высокое
сопротивление и не нагружает делитель, следовательно:

V- = 1/(Rf + Rin) * (RfVin + RinVout)

Подставляя полученное равенство в уравнение усиления, находим Vout:

Vout = -Vin * AOLRf / (Rf + Rin + AOLRin)

Если величина AOL очень большая, то выражение упрощается:

Vout ≈ Vin * Rf / Rin

Часто между неинвертирующим входом и общим проводом ставят

резистор такой величины, что бы оба входа снимали напряжение с
одинаковых сопротивлений. Применение этого резистора снижает
напряжение смещения, и в некоторых моделях операционных
усилителей снижает величину нелинейных искажений.

В случае, если нет нужды усиливать постоянное напряжение, то

последовательно со входным резистором Rin может быть установлен
разделяющий конденсатор, блокирующий прохождение постоянного
напряжения от источника сигнала на вход операционного усилителя.

Усилитель звуковой частоты на операционном усилителе

В заключение рассмотрим практическую схему усилителя звуковой

частоты, выполненную по неинвертирующей схеме с однополярным
питанием. Использование неинвертирующей схемы обеспечивает
высокое входное сопротивление усилителя, которое определяется
величинами сопротивлений R2 и R3, а так же входным сопротивлением
прямого входа операционного усилителя (оно очень высокое и им можно
пренебречь), при расчётах резисторы R2, R3 рассматривают как
включённые параллельно, следовательно входное сопротивление
усилителя будет равно 100 кОм.
Коэффициент усиления усилителя по напряжению определяется по
формуле R4/R1 + 1, в данном случае 49/1+1 = 50 раз. Ёмкость
конденсатора С1 должна быть такой, что бы его реактивное
сопротивление на самых низших рабочих частотах по крайней мере
было бы раз в десять меньше, чем общее сопротивление
последовательно включённых резисторов R1, R4. Конденсаторы С2, С3
являются разделительными по постоянному току, их параметры зависят
от сопротивлений источника сигнала и нагрузки. Конденсатор С4
блокирует пульсации по цепи питания.

Нагрузкой усилителя могут служить высокоомные головные телефоны

типа ТОН-2, соротивлением не менее 1,5 кОм. Для подключения
низкоомных головных телефонов или динамической головки в схему
потребуется добавить каскад эмиттерных повторителей на транзисторах
КТ502 и КТ503.
Для уменьшения нелинейных искажений в схему добавлены резисторы
R6, R7 задающие ток покоя транзисторов VT1, VT2. Можно использовать
другую схему включения транзисторов, например, описанную здесь,
имеющую м

Лекция 7 Элементы Булевой алгебры

Булева алгебра – алгебра, образованная множеством В={0, 1} вместе со

всеми возможными логическими операциями на нём.

Булева (логическая) функция – это функция, принимающая значения 0 или 1

в результате логических операций над логическими переменными. Операции
над переменными записываются с помощью символов: &, ∨, –, ⊕, → и т.д.
Булева функция может быть задана:

1) словесным описанием (назначением, определением),

2) таблицей истинности,

3) формулой, состоящей из букв, знаков логии

6) переключательной схемой,

7) диаграммой Венна,

8) геометрическим способом (гиперкубами),

9) диаграммой двоичного решения и т.д

1.1. Таблица истинности

Любая логическая функция нескольких переменных однозначно задается в

виде таблицы истинности, в левой части которой выписаны все возможные
наборы значений её аргументов x1, …, xn, а правая часть представляет собой
столбец значений функций, соответствующих этим наборам. Набор значений
переменных, на котором функция принимает значение f = 1, называется
единичным набором функции f; множество всех единичных наборов –
единичным множеством функции f. Аналогично набор значений, на котором
f = 0, называется нулевым набором функции f, а множество нулевых наборов
– нулевым множеством. В общем случае таблица истинности для функции от
п переменных должна иметь 2 в степени-n строк. Пример. Составить таблицу
истинности для функции f трех переменных x1, x2, x3, которая равна единице
в случае, если только одна из входных переменных равна 1.

Таблица 1
Переменная х в функции f называется фиктивной (несущественной), если
значение переменной х не влияет на значение булевой функции. Фиктивные
переменные могут быть удалены или введены в набор переменных функций.

Количество булевых функций определяется числом n переменных

. 1.2. Булевы функции одной переменной Множество всех логических функций одной
переменной – унарные логические операции – представлено в таблице 2. Число функций
⏐Р2(1)⏐= 1 2 2 =4. Таблица 2 х φ0 φ1 φ2 φ3 0 0 0 1 1 1 0 1 0 1 Обозначения 0 х x 1 В таблице 2
представлены следующие функции: φ0, φ3 – функции констант 0 и 1, значения которых не зависят
от переменной (х – фиктивная переменная); φ1(х)=х – повторяет значение х; φ2(х)= x – инверсия
(отр

ицание 1.3. Булевы функции двух переменных Множество всех логических функций двух
переменных – бинарные логические операции – представлено в таблице 3. Число функций
⏐Р2(2)⏐= 22 2 =16. Таблица 3 х1 х2 ψ0 ψ1 ψ2 ψ3 ψ4 ψ5 ψ6 ψ7 ψ8 ψ9 ψ10 ψ11 ψ12 ψ13 ψ14 ψ15
0000011010101101010100110100110100111001001100110011011101
1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 Обозначения 0 х1 х2 x1 x2 ∨ ↓ & ⏐ ⊕ ≡ → → ← ← 1 В таблице 3
представлены следующие функции: ψ0, ψ15 – функции констант 0 и 1; ψ1 – повторение х1 (х2 –
фиктивная переменная); ψ2 – повторение х2 (х1 – фиктивная переменная); ψ3 – x1 (х2 – фиктивная
переменная); ψ4 – x2 (х1 – фиктивная переменная); ψ5 – х1+х2; х1∨х2 – дизъюнкция (логическая
функция ИЛИ); ψ6 – 1 2 x + x ; х1↓х2 – стрелка Пирса (логическая функция ИЛИ-НЕ); ψ7 – x1&x2;
x1∧x2; x1⋅x2 – конъюнкция (логическая функция И); ψ8 – 1 2 x ⋅ x ; х1⏐х2 – штрих Шеффера
(логическая функция И-НЕ); ψ9 – x1⊕x2; x1≡x2 – сложение по модулю 2 (функция
неравнозначности); ψ10 – 1 2 x ⊕ x ; x1~x2; x1≡x2 – эквивалентность, равнозначность, отрицание
сложения по модулю 2; ψ11 – x1→x2; x1⊃x2 – импликация (х1 влечёт за собой х2); ψ12 – 1 2 x → x
– отрицание импликант (функция запрета); ψ13 – x2→x1; x2⊃x1 – импликация (х2 влечёт за собой
х1); ψ14 – 2 1 x → x – отрицание импликант (функция запрета). Логические функции трех и более
переменных обычно задаются (наряду с таблицами истинности) также формулами, состоящими из
символов переменных и знаков унарных и бинарных операций. Значение любой логической
формулы, содержащей знаки логических операций, можно вычислить для любого набора
значений переменных, используя таблицы 2 и 3. Пример. Cоставить таблицу истинности функции
трех переменных, заданной формулой: f(х1, х2, х3)=( 1 2 x ∨ x )→(x1&x3). Для построения таблицы
истинности f вычислим ее значения на каждом из восьми наборов значений (табл. 4).
переменной, функция НЕ). 6 1.3. Булевы функции двух перемен
улой: f(х1, х2, х3)=( 1 2 x ∨ x )→(x1&x3). Для построения таблицы истинности f вычислим ее
значения на каждом из восьми наборов значений (табл. 4).
1.4. Законы и теоремы булевой алгебры Формулы, представляющие одну и ту же функцию
называются эквивалентными или равносильными (обозначаются =). Основные законы булевой
алгебры. 1. Ассоциативность конъюнкции и дизъюнкции (сочетательный закон): а)
x1⋅(x2⋅x3)=(x1⋅x2)⋅x3=x1⋅x2⋅x3, б) x1∨(x2∨x3)=(x1∨x2)∨x3=x1∨x2∨x3. 2. Коммутативность
конъюнкции и дизъюнкции (переместительный закон): а) x1⋅x2=x2⋅x1, б) x1∨x2=x2∨x1. 3.
Дистрибутивность (распределительный закон): а) x1⋅(x2∨x3)=x1⋅x2∨ x1⋅x3, б)
x1∨(x2⋅x3)=(x1∨x2)⋅(x1∨x3). 4. Идемпотентность (правило повторения): а) x⋅x=x, б) x∨x=x. 5.
Закон двойного отрицания: x = x. 6. Свойства констант 0 и 1: а) x⋅1=x, б) x⋅0=0, в) x∨1=1, г)
x∨0=x, д) ⎯0=1, е) ⎯1=0. 7. Теорема двойственности (правила де Моргана): а) 1 2 1 2 x ⋅ x = x ∨
x , б) 1 2 1 2 x ∨ x = x ⋅ x . 8. Закон противоречия: x⋅ х =0. 9. Закон исключённого третьего: x∨ x
=1. Все эти равенства остаются справедливыми при подстановке вместо переменных любых
логических функций и, следовательно, любых формул, представляющих эти функции. Наряду с
основными соотношениями для упрощения формул часто используются следующие правила: 1.
Правила поглощения: а) x1∨x1⋅x2=x1, б) x1⋅(x1∨x2)=x1. 2. Правила склеивания: а) x1⋅x2∨x1⋅ 2
х =x1 б) x1∨ 1 x ⋅x2=x1∨x2. 3. Правило обобщенного склеивания: x1⋅x3∨x2⋅ 3 x
∨x1⋅x2=x1⋅x3∨x2⋅ 3 x

ример. Упростить булевы формулы: а) f(x1, x2, x3)=x1∨x1x3∨ 1 x x2x3∨x2 3 x =x1∨ 1 x x2x3∨x2 3
x = x1∨x2x3∨x2 3 x = 8 = x1∨x2(x3∨ 3 x )=x1∨x2⋅1=x1∨x2; б) f(x, y, z)=x( y ∨z)( x ∨y∨z)= x x y
∨x x z∨xy y ∨xyz∨x y z∨xzz= =0⋅ y ∨0⋅z∨x⋅0∨xyz∨x y z∨xzz=xyz∨x y z∨xzz=xyz∨x y
z∨xz=xz.

2. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ Логический элемент в электронных схемах – это устройство,

реализующее ту или иную логическую функцию. При этом логические сигналы 0 и 1 задаются
разными уровнями напряжения. Сигнал логического нуля обычно представляется низким уровнем
напряжения U0 , логической единицы – высоким U1 . Такая логика получила название
положительной. В ряде случаев используют отрицательную логику, где логический нуль
представляется высоким уровнем напряжения, а логическая единица – низким. Логические схемы
состоят из логических элементов, осуществляющих логические операции. Для изображения
логических схем всегда используются условные графические обозначения элементов,
описывающие только выполняемую элементами функцию и не зависящие от его схемы. В
настоящее время в мире существует несколько общепринятых стандартов условных обозначений.
Наиболее распространенными являются американский стандарт milspec 806В и стандарт МЭК 117-
15 А, созданный Международной Электротехнической Комиссией. Часто в литературе
используются также обозначения в европейской системе DIN 4070. В отечественной литературе
условные обозначения элементов в основном соответствуют ГОСТ 2.743-82. 2.1. Основные
логические операции и логические элементы Конъюнкция (логическое умножение, операция И,
AND): функция f принимает единичное значение только тогда, когда равны единице абсолютно
все входные переменные. Следовательно, функция f принимает значение «0» только в том случае,
если хотя бы один из входных переменных будет равен «0». В частности, для двух переменных х1
и х2 существует четыре различных сочетания, но только одному из них (х1=х2=l) соответствует
единичное значение функции (табл. 5).

Дизъюнкция (логическое сложение, операция ИЛИ, OR): функция f принимает единичное

значение, если единице равна хотя бы одна из входных переменных (табл. 6). Следовательно,
функция f принимает нулевое значение только в том случае, если все входные переменные будут
равны «0». Таблица 6 х1 х2 f 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 Инверсия (отрицание, операция НЕ, NOT):
функция одной переменной, принимает единичное значение, если входная переменная равна
«0». Функция равна «0», если входная переменная равна «1» (табл. 7). Таблица 7 х f 0 1 1 0 2.2.
Распространённые логические операции и логические элементы Наряду с простейшими
распространены и более сложные логические элементы, сочетающие в себе несколько
простейших операций. Такими являются логические элементы И-НЕ, ИЛИ-НЕ, ЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ,
ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и т.п. Штрих Шеффера. Элемент И-НЕ реализует функцию «штрих Шеффера»
двух переменных 1 2 f = х ⋅ х и имеет соответствующую таблицу истинности (табл. 3). Условное
обозначение логического элемента И-НЕ в любом стандарте объединяет в себе обозначение
элемента И и кружок, являющийся признаком элемента НЕ (рис. 4). Рис. 2. Условные обозначения
логического элемента ИЛИ: а) по ГОСТ, б) по стандарту МЭК, в) по стандарту DIN, г) по стандарту
milspec

Инверсия (отрицание, операция НЕ, NOT): функция одной переменной, принимает единичное
значение, если входная переменная равна «0». Функция равна «0», если входная переменная
равна «1» (табл. 7). Таблица 7 х f 0 1 1 0 2.2. Распространённые логические операции и логические
элементы Наряду с простейшими распространены и более сложные логические элементы,
сочетающие в себе несколько простейших операций. Такими являются логические элементы И-НЕ,
ИЛИ-НЕ, ЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и т.п. Штрих Шеффера. Элемент И-НЕ
реализует функцию «штрих Шеффера» двух переменных 1 2 f = х ⋅ х и имеет соответствующую
таблицу истинности (табл. 3). Условное обозначение логического элемента И-НЕ в любом
стандарте объединяет в себе обозначение элемента И и кружок, являющийся признаком элемента
НЕ (рис. 4). Рис. 2. Условные обозначения логического элемента ИЛИ: а) по ГОСТ, б) по стандарту
МЭК, в) по стандарту DIN, г) по стандарту milspec б ≥1 а в г 1 Рис. 3. Условные обозначения
логического элемента НЕ: а) по ГОСТ и стандарту МЭК, б) по стандарту DIN, в) по стандарту milspec
2.2. Распространённые логические операции и логические элементы Наряду с простейшими
распространены и более сложные логические элементы, сочетающие в себе несколько
простейших операций. Такими являются логические элементы И-НЕ, ИЛИ-НЕ, ЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ,
ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и т.п.
 Штрих Шеффера. Элемент И-НЕ реализует функцию «штрих Шеффера» двух переменных 1 2 f = х ⋅
х и имеет соответствующую таблицу истинности (табл. 3). Условное обозначение логического
элемента И-НЕ в любом стандарте объединяет в себе обозначение элемента И и кружок,
являющийся признаком элемента НЕ (рис. 4).

Рис4

Стрелка Пирса. Элемент ИЛИ-НЕ реализует функцию «стрелка Пирса»: 1 2 f = х ∨ х , описанную в

табл. 3. Условные обозначения объединяют в себе обозначение элемента ИЛИ и кружок – символ
операции отрицания НЕ (рис. 5).

Эквивалентность. Элемент ЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ (РАВНОЗНАЧНОСТЬ) описывается функцией ψ10 из

табл. 3. В ней выходная переменная f принимает единичные значения только при равенстве
входных переменных x1=x2. Функция имеет собственное обозначение и может быть выражена
через простейшие логические операции: 1 2 1 2 f = x ⋅ x ∨ x ⋅ x . Исключающее ИЛИ. Элемент
ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, «1 и только 1», XOR (Exclusive OR) работает в соответствии с табл. 8. Таблица
8
Лекция 8 Аналоговая и цифровая электроника

Электроника делится на аналоговую и цифровую, причем

последняя практически по всем позициям вытеснила
аналоговую.
Аналоговая электроника изучает устройства,
формирующие и обрабатывающие непрерывные во времени
сигналы.
Цифровая электроника использует дискретные во времени
сигналы, выраженные чаще всего в цифровой форме.
Что же такое сигнал? Сигнал – это что-либо, несущее информацию. Свет, звук,
температура, скорость - всё это физические величины, изменение которых имеет
для нас определённое значение: либо как процесс жизнедеятельности, либо как
технологический процесс.
Многие физические величины человек способен воспринимать, как информацию.
Для этого у него есть преобразователи – органы чувств, которые разнообразные
внешние сигналы преобразуют в импульсы (имеющие, кстати, электрическую
природу), поступающие в головной мозг. При этом все виды сигналов: и свет, и
звук, и температура преобразуются в импульсы одной природы.
В электронных системах функции органов чувств выполняют датчики (сенсоры),
которые преобразуют все физические величины в электрические сигналы. Для
света – фотоэлементы, для звука – микрофоны, для температуры –
терморезистор или термопара.
Почему именно в электрические сигналы? Ответ очевиден, электрические
величины универсальны, так как любые другие величины могут быть
преобразованы в электрические и наоборот; электрические сигналы удобно
передавать и обрабатывать.
После поступления информации, человеческий мозг на основе обработки этой
информации отдаёт управляющие воздействия мышцам и другим механизмам.
Аналогично в электронных системах электрические сигналы управляют
электрической, механической, тепловой и другими видами энергии, посредством
электродвигателей, электромагнитов, электрических источников света.
И так, вывод. То, что раннее делал человек (или не мог делать), выполняют
электронные системы: контролируют, управляют, регулируют, связывают на
расстоянии и т.п.
Способы представления информации
При использовании в качестве носителя информации электрических сигналов
возможны две её формы:
1) аналоговая – электрический сигнал аналогичен исходному в каждый момент
времени, т.е. непрерывен во времени. Температура, давление, скорость
изменяются по непрерывному закону – датчики преобразуют эти величины в
электрический сигнал, который изменяется по такому же закону (аналогичен).
Величины, представленные в такой форме, могут принимать бесконечно много
значений в каком-то диапазоне.
2) дискретная - импульсная и цифровая – сигнал представляет собой
последовательность импульсов, в которых закодирована информация. При этом
кодируются не все значения, а только в конкретные моменты времени –
дискретизация сигнала.
Импульсный режим работы - кратковременное воздействие сигнала чередуется
с паузой.
По сравнению с непрерывным (аналоговым), импульсный режим работы имеет
ряд преимуществ:
- большие значения выходной мощности на такой же объем электронного
устройства и более высокий коэффициент полезного действия;
- повышение помехоустойчивости, точности и надежности электронных устройств;
- уменьшение влияния температур и разброса параметров приборов, так как
работа осуществляется в двух режимах: «включено» - «выключено»;
- реализация импульсных устройств на однотипных элементах, легко
выполняемых методом интегральной технологии (на микросхемах).
На рисунке 1, а представлены способы кодирования непрерывного сигнала
прямоугольными импульсами – процесс модуляции.
Амплитудно-импульсная модуляция (АИМ) - амплитуда импульсов
пропорциональна входному сигналу.
Широтно-импульсная модуляция (ШИМ) - ширина импульсов tимп
пропорциональна входному сигналу, амплитуда и частота импульсов постоянны.
Частотно-импульсная модуляция (ЧИМ) - входной сигнал определяет частоту
следования импульсов, которые имеют постоянную длительность и амплитуду.

Рисунок 1 – а) Способы кодирования непрерывного сигнала прямоугольными

импульсами, б) Основные параметры прямоугольных импульсов
Наиболее распространены импульсы прямоугольной формы. На рисунке 1, б
приведена периодическая последовательность прямоугольных импульсов и их
основные параметры. Импульсы характеризуются следующими параметрами: Um
- амплитуда импульса; tимп - длительность импульса; tпаузы - длительность
паузы между импульсами; Tп=tи + tп - период повторения импульсов; f=1/Tп -
частота повторения импульсов; QH = Tп/tи - скважность импульсов.
Наряду с прямоугольными импульсами в электронной технике широко
применяются импульсы пилообразной, экспоненциальной, трапециидальной и
другой формы.
Цифровой режим работы - информация передается в виде числа, которому
соответствует определенный набор импульсов (цифровой код), при этом
существенно только наличие или отсутствие импульса.
Цифровые устройства чаще всего работают только с двумя значениями сигналов
– нулём «0» (обычно низкий уровень напряжения или отсутствие импульса) и «1»
(обычно высокий уровень напряжения или наличие прямоугольного импульса), т.е.
информация представляется в двоичной системе счисления.
Это обусловлено удобством создания, обработки, хранения и передачи сигналов,
представленных в двоичной системе: ключ замкнут – разомкнут, транзистор
открыт – закрыт, конденсатор заряжен – разряжен, магнитный материал
намагничен – размагничен и т.д.
Цифровая информация представляется двумя способами:
1) потенциальным - значениям «0» и «1» соответствуют низкий и высокий уровни
напряжения.
2) импульсным - двоичным переменным соответствует наличие или отсутствие
электрических импульсов в определённые моменты времени.

Цифровые микросхемы общие сведения

Зарождение и развитие полупроводниковой технологии в 60-х годах
прошлого века позволило отказаться от громоздких электронных ламп. Хотя
конструктивные особенности функциональных узлов остались такими же
(сборка из отдельных компонетов),  развитие полупроводников не только
снизило габариты устройств и потребляемую мощность, но и повысило их
быстродействие и надежность.

Бурное развитие полупроводников способствовало зарождению

интегральной технологии, которая позволила изготавливать в одном
кристалле полупроводника сначала всего нескольких, транзисторов
объединенных в одну электрическую схему. Так появились функциональные
узлы, ставшие элементной базой цифровых устройств сначало третьего
поколения — интегральные микросхемы малой степени интеграции.
 Дальнейшее развитие интегральной технологии привело к появлению
больших (БИС) и сверхбольших (СБИС) интегральных схем, на базе которых
создаются цифровые устройства четвертого поколения. Теперь в одном
кристалле полупроводника размещается несколько функциональных узлов,
объединенных в схему — функциональный блок. Использование в
устройствах БИС и СБИС способствовало    дальнейшему
уменьшению  габаритов   и энергопотребления,  повышению быстродействия
и надежности цифровых устройств. Современный компьютер меньше своей
«прабабушки» в сотни тысяч раз, потребляет в десятки тысяч раз меньше
электричества, зато работает в миллионы раз быстрее и во столько же раз
надежней. Так как же выглядит интегральная схема? Большинство
интегральных схем, используемых в электронике, заключены в
пластмассовый корпус (корпус типа DIP), который может иметь 8, 14, 16 и т.
д. выводов, расположенных в два ряда. В одном корпусе может размещаться
до шести однотипных функциональных элементов цифровой электроники.

Нумерация выводов интегральной схемы ведется против часовой стрелки,

начиная от первой ножки, находящейся под ключом, который может иметь
вид засечки, углубления и т.п. На поверхности корпуса краской наносится ее
условное обозначение, по которому можно определить «имя» интегральной
схемы:   сферу   применения, принадлежность к определенной серии,
функциональное назначение и функциональную принадлежность
(или  условный номер разработки). Например, интегральная
схема    К155ЛА3 предназначена   для использования в электронной
аппаратуре  широкого применения (на это указывает   буква К), относится к
серии 155 содержит элементы, реализующие логическую функцию И-НЕ,
имеет порядковый номер разработки по функциональному признаку 3. Хотя
цифровые микросхемы построены по-разному, в их составе, как правило,
лежат схемы, реализующие логические функции И, ИЛИ, НЕ. Эти схемы
выполняются на различных электронных элементах — резисторах, диодах,
транзисторах и т.д., изготовленных в одном кристалле полупроводника. В
зависимости от использования тех или иных элементов различают несколько
типов логики. Например, ДТЛ — диодно-транзисторная логика РТЛ —
резистивнотранзисторная логика ТТЛ - транзисторно-транзисторная логика
Наиболее функционально полными, распространенными и дешевыми среди
отечественных цифровых микросхем являются схемы ТТЛ и, в частности,
серии К155, K555 и их улучшенные зарубежные аналоги Для этих и других
интегральных схем цифровой электроники строго нормируются уровни
напряжения питания, входных и выходных сигналов. Так как единица любой
информации в математической логике означает только истинное или ложное
высказывание, то и электрические сигналы, отражающие суть этой
информации, могут принимать значения уровня логической 1 (напряжение ~
4 В) или уровня логического 0 (величина сигнала близка к нулю). Если
интегральные схемы ТТЛ исправны и электрическая схема, в которой они
установлены, рассчитана правильно, то уровень 1 находится в пределах
+2,4...+5 В, уровень 0 — в пределах 0...+ 0,4В. Обратите внимание, что между
нижней границей уровня 1 и верхней уровня 0 разница напряжений
составляет 2 В. Этот диапазон напряжений служит для защиты интегральных
схем от ложных срабатываний при помехах, амплитуда которых лежит в
указанных пределах. Если бы эта защита не была предусмотрена, то любая
помеха соответствующей амплитуды приводила бы к ложному срабатыванию
цифрового элемента, т. е. к искажению передаваемой им информации. Этот
диапазон напряжение сигнала «проскакивает» в момент переключения с
одного уровня напряжений на другой за очень малое время.
В   диапазоне   напряжений, соответствующих уровню логической 1, один
вход ТТЛ потребляет от источника сигнала ток силой не более 0,1 мА, в
диапазоне, соответствующем уровню логического 0,— не более 1,6 мА. Эти
параметры определяют максимальное количество входов элементов ТТЛ,
которое можно подключить к одному источнику сигнала. Вход с такими
характеристиками   называется стандартным ТТЛ входом или стандартной
ТТЛ нагрузкой.
Стандартный ТТЛ выход обеспечивает уровень логической 1 при выходном
токе силой 1,6 мА, а уровень логического 0 при входном токе силой 16 мА.
Сравнив характеристики входов и выходов, нетрудно заметить, что к одному
стандартному ТТЛ выходу можно подключить до 10 стандартных ТТЛ
входов. Этот параметр характеризует нагрузочную способность ТТЛ выхода.
Конечно, к выходу можно подключать не только ТТЛ входы, но и другие
нагрузки, но указанные параметры должны обязательно соблюдаться. На
схемах все элементы цифровой электроники обозначаются прямоугольником,
который имеет основное поле и при необходимости левое и (или) правое
дополнительные поля , которые могут быть разделены на зоны.

Внутри прямоугольника в основном поле   проставляется   условное

обозначение выполняемой элементом функции, в дополнительных полях —
метки, показывающие назначения выводов или их характеристики.
Многообразие указателей и меток, используемых в обозначении элементов
цифровой электроники, не позволяет привести их здесь полностью Поэтому в
качестве примеров приводим основные указатели и метки, с которыми вы
можете встретиться на начальных этапах изучения.
Указатели   функционального назначения цифровых элементов
(проставляются вверху основного поля):
1 — логический элемент, реализующий функцию ИЛИ
& — логический элемент, реализующий функцию И;
=1 — логический элемент, реализующий функцию ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ
DC — дешифратор
CD — шифратор
MUX — мультиплексор;
DMX—демультиплексор;
Т — триггер
RG — регистр
СТ2 — двоичный счетчик
СТ2/10 — двоично-десятичный счетчик
G — генератор
CPU — центральный процессорный элемент
RAM — оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой
PROM однократно программируемое постоянное запоминающее устройство
EEPROM многократно программируемое постоянное запоминающее
устройство с электрической перезаписью Метки функционального
назначения выводов цифровых элементов (проставляются в дополнительных
полях): S   — установка элемента в «1»
R — установка элемента в «0»
С — тактовый вход
Т — счетный вход
D — информационный вход или выход
Q — прямой информационный выход (триггеры, счетчики и т. п.)
&   — все входы данной зоны являются входами элемента И
1 — все входы данной зоны являются входами элемента ИЛИ
Указанные метки могут быть дополнены знаком отрицания
(горизонтальная черта над символом). Применительно к меткам входа это
означает, что активным уровнем сигнала для этого входа является уровень 0.
Если этого знака нет, то активным уровнем является уровень 1. Кроме того,
на условном графическом обозначении цифровых элементов могут
присутствовать дополнительные графические метки: инверсия сигнала на
входе (выходе) элемента (рисунок Б) прямой динамический вход
(воздействие на элемент только при переходе сигнала на этом входе из 0 в 1)
(рис. в) инверсный динамический вход (воздействие на элемент только при
переходе сигнала на этом входе из 1 в 0) (рис.  г) вход (выход), не несущий
логической нагрузки (выводы подключения питания, дополнительных
внешних не цифровых элементов и т.п.) (рис.  д)

Цифровые логические элементы и основы их работы

Логические элементы это элементарные цифровые устройства,
используемые для обработки информации в цифровой последовательности
сигналов высокого — «1» и низкого — «0» уровней, выполняющие
логические операции И, ИЛИ, НЕ и различные комбинации этих операций
Оказывается помощью логических элементов НЕ, И, ИЛИ можно
реализовать любые логические функции, абсолютно любой сложности.
Может лишь потребоваться большее или меньшее количество элементов этих
типов. Логические элементы НЕ Первым и самым простым логическим
элементом является инвертор, выполняющий логическую операцию НЕ -
инверсию или логическое отрицание. На вход подается один сигнал, на
выходе противоположный. На вход подается - "0", на выходе - "1" или на
вход поступает "1", а на выходе "0". Так как вход у элемента НЕ только один,
то его таблица истинности состоит всего из двух строк. В роли инвертора
можно применять обычный транзисторный усилитель включенный по схеме
с общим эмиттером или истоком. Пример такого подключения на
биполярном n-p-n транзисторе, показан на рисунке ниже.

В зависимости от схемотехнического исполнения инвертор может

обладать различным временем передачи сигнала и может работать на
различную нагрузку. Он может быть собран на одном или на нескольких
транзисторах, но независимо от схемы все инверторы осуществляют одну и
ту же функцию. Поэтому, чтобы особенности включения транзисторов не
затеняли выполняемую функцию, используются специальные обозначения
для цифровых микросхем. Условно-графическое обозначение инвертора
приведено на рисунке.

Инверторы имеются во всех сериях цифровых микросхем. В

отечественных микросборках инверторы обозначаются буквами ЛН.
Например, 1533ЛН1 содержится целых шесть инверторов. Зарубежные
микросборки используют цифровое обозначение, например 74ALS04
Логический элемент "И" - "Конъюнктор"
Реализует операцию "И" - логическое умножение. В самом простом
варианте на его вход подается два сигнала, на выходе получаем один сигнал.
Если подается два нуля на выходе - ноль, две единицы - на выходе единица.
Если на один вход поступает "1", а на другой ноль, то на выходе "0". Смотри
рисунок с таблицей истинности для элемента И и его условно графическое
изображение Проще всего разобраться в работе логического элемента "И",
при помощи упрощенной схемы, собранной на идеальных ключах с
электронным управлением. В ней ток будет идти только тогда, когда оба
ключа замкнуты, и поэтому, единичный сигнал на выходе будет только при
обоих логических единицах на входе.

2.2.Буферные элементы Логический элемент "ИЛИ" -

"Дизъюнктор"
Третий основной логический элемент - это дизюнктор, выполняющий
операцию ИЛИ - логическое сложение. Графическое изображение
дизъюнктора показано в видеозаставке, чуть ниже. Для наглядности
представления представим Дизъюнктор "ИЛИ" в виде ключей. Но на этот раз
соединим их параллельно. Как видно из рисунка ниже, уровень логической
единицы установится на выходе, как только замкнется любой из ключей,
подробней смотри в таблице истинности.
 Логический элемент "И-НЕ" Рассмотрим реальный логический элемент
на примере микросхемы транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) серии
К155 с низкой степенью интеграции. На рисунке ниже, устаревшая, но все
еще популярная микросборка К155ЛА3, содержащая четыре элемента 2И –
НЕ.

Кстати, с помощью ее можно собрать кучу радиолюбительских

самоделок на К155ЛА3. По сути, это уже знакомое нам изображение двух
объединённых частей: элемента "2И" и "НЕ" на выходе. Таблица истинности
для 2И-НЕ представлена ниже:
 В результате на входе мы видим, что благодаря инвертору получается
картина противоположная элементу «И». В отличие от трёх "0" и одной "1"
мы видим три "1" и всего один ноль. Компонент цифровой логики «И – НЕ»
часто называют элементом Шеффера. Логический элемент "ИЛИ-НЕ"
Логический элемент 2ИЛИ – НЕ (а точнее целых четыре) имеется в
микросборке К155ЛЕ1. Таблица истинности так же отличается от
компонента "ИЛИ" инвертированием выходного сигнала.

Логический элемент «Исключающее ИЛИ»

На практике используются также двухвходовые элементы
«исключающее ИЛИ. На рисунке ниже показано условное графическое
обозначение элемента без инверсии и его таблица состояний.
Главная функция данного компонента сводится к следующему, сигнал
на выходе появится только тогда, если логические уровни на входах разные.

Рассмотрим практический пример «Исключающего ИЛИ» в схеме

выделения фронта и среза импульса. В этой конструкции три компонента
«Исключающий ИЛИ» применяются для задержки импульсов. DD1.4 —
суммирующий. Выходные импульсы обладают стабильными фронтами и
срезами. Длительность каждого выходного импульса равна утроенному
времени задержки переключения каждого из 3-х компонентов. Временной
интервал между фронтами выходных импульсов приблизительно равен
длительности входного импульса. Кроме того, схема удваивает частоту
входного сигнала.

Есть еще одно интересная функция «Исключающего ИЛИ». Если на

один из входов подать постоянный «0», то сигнал на выходе компонента
повторит входной сигнал, а если постоянный «0» поменять на постоянную
«1», то выходной сигнал уже будет представлен инверсией входного.
Комбинирование различных типов логических компонентов
Вот, реальный пример, отечественная микросборка К555ЛР4. Ее можно
представить как 2-4И-2ИЛИ-НЕ:

Ее таблицу истинности не рассматриваем, так как цифровая

микросборка не является базовым логическим элементом. Такие микросхемы
часто выполняют специальные функции и бывают куда сложнее, чем
рассмотренный пример.
Счетчики в цифровой электронике
Как работают счетчики. Давайте поставим небольшой эксперимент —
включим последовательно три T-триггера и подадим на вход первого из них
последовательность импульсов. Состояния триггеров после каждого
входного импульса зафиксируем в таблице. Допустим, что после включения
питания триггеры устанавливаются в нулевое состояние, а их переключение
происходит при положительном перепаде напряжений на входах, т. е. при
переходе сигнала из 0 в 1. Тогда после первого импульса, поступившего на
вход триггера DD1, он установится в единичное состояние, а остальные
останутся в начальном, так как на выходах Q всех триггеров переход сигнала
из 0 в 1 не произошел.

Поступление второго импульса на вход триггера Т1 переводит его в нулевое

состояние, а положительный перепад напряжения на его выходе Q
устанавливает триггер Т2 в единичное состояние. Третий импульс опять
переводит триггер DD1 в единичное состояние, при этом второй и третий
триггеры остаются состоянии. И т. д. седьмого импульса оказываются в
единичном состоянии. Восьмой импульс переводит триггер Т1 в нулевое
состояние, положительный перепад напряжения с его выхода Q в нулевое
состояние триггер Т2 и такой же перепад напряжения с выхода Q этого
триггера в нулевое состояние триггер Т3. Таким образом, после поступления
на вход первого триггера восьми импульсов все триггеры возвращаются в
исходное состояние. Следовательно, вы смоделировали работу устройства,
которое может подсчитать восемь импульсов — двоичного 3-разрядного
счетчика. Вы, конечно, обратили внимание на то, что поступление на вход
счетчика каждого импульса увеличивает записанное в него число на единицу,
т. е. данный счетчик работает в режиме суммирования. Если же переключить
входы триггеров с инверсных выходов на прямые , то каждый входной
импульс будет вычитать из записанного в счетчик числа единицу , т. е.
счетчик становится вычитающим. В интегральном исполнении эти счетчики
не выпускаются, поэтому при необходимости используются так называемые
реверсивные счетчики — устройства, которые могут работать в режиме как
суммирования, так и вычитания.

Если вы внимательно следили за работой счетчика, то поняли, что

максимальное число импульсов, которое он может подсчитать, зависит от
числа последовательно включенных триггеров. Так, добавление в описанную
выше схему еще двух триггеров даст возможность подсчитывать до 32
импульсов, или, как говорят, получить счетчик с коэффициентом деления 32.
Кроме двоичных счетчиков в цифровой электронике применяются
двоичнодесятичные счетчики и счетчики с переменным коэффициентом
деления. Двоично-десятичные счетчики состоят из четырех триггеров,
соединенных между собой так, что максимальное количество импульсов,
подсчитанное таким счетчиком, не превышает 10. При этом выходной код
счетчика представляет собой двоичный эквивалент десятичного числа.
Счетчик с переменным коэффициентом деления строится, как правило, на
базе двоичного счетчика, выходы которого подключены к специальной
логической схеме. На вход этой схемы подается двоичный код,
определяющий коэффициент деления счетчика. Таким образом, после
поступления на вход счетчика заданного входным кодом числа импульсов на
его выходе появляется отрицательный или положительный импульс. Все
счетчики, выпускаемые в интегральном исполнении, обозначаются буквами
ИЕ (например, К155ИЕ2, К155ИЕ5, К155ИЕ6)
Устройство двоичного счетчика на JK-триггере В начальный момент времени
необходимо установить все триггеры образующие счетчик в нулевое
состояние, для этого подаем сигнал низкого уровня на выход сброса - R всех
элементов. Как только на вход С первого триггера начнут следовать
импульсы от генератора по спаду (момент перепада с единицы на ноль)
первого импульса первый триггер переключится в единичное состояние. По
спаду второго импульса первый триггер переключится в нулевое состояние, а
второй – в единичное. По окончанию третьего импульса 1 и 2 триггеры будут
в единичном состоянии. Четвертый импульс переключит их в нулевое
состояние, а третий триггер переключится в единичное и т.п.

Шифраторы и дешифраторы немного теории

Для кодирования и декодирования передаваемой информации в цифровой
электронике применяются шифраторы и дешифраторы. Шифратором
называют цифровое устройство, которое преобразует сигналы, поступающие
на один из его входов, в различные кодовые комбинации на выходах
(параллельно-двоичный код), каждая из которых соответствует только
одному выбранному входу. Для лучшего понимания работы шифратора
рассмотрим простейшую схему, собранную на логических элементах.
 Если контакты микропереключателей SB1 — SB15 разомкнуты, на входы
элементов "И-НЕ" поступает уровень логической единицы. Поэтому на
выходах всех элементов установится уровень логического нуля, являющийся
двоичным кодом шестнадцатеричной цифры 0. Если нажмем переключатель
SB6, то нулевой уровень поступит на входы DD1, DD3 и и на их выходах
установится "1", т. е. на выходе шифратора возникнет двоичный код 1010,
соответствующий шестнадцатеричному символу А. Шифратор обозначается
на принципиальной схеме, так как показано на самом верхнем рисунке.
Дешифратор работает с точностью до наоборот.
Он преобразуют параллельный двоичный код в десятичный или
шестнадцатиричный. Его графическое обозначение на схеме также очень
похоже.

Чаще всего в электронных устройствах используются дешифраторы в

интегральном исполнении имеющие буквенное обозначение ИД (например,
Дешифратор К155ИД1 предназначен для управления индикаторной лампой
тлеющего разряда с холодным катодом (ИН-4, ИН-12, ИН14, ИН-16), имеет
четыре адресных входа и десять выходов с открытым коллектором, к
которым непосредственно подключаются катоды индикаторных ламп.
Допустимый ток нагрузки не более 7 мА. Напряжение на закрытом выходе
должно быть не более 60 В. В качестве дешифраторов могут выступать и
другие элементы цифровой электроники. Так, дешифратором может служить
программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ).
Дешифратор типа К155ИД3 имеет 4 адресных входа # 1,2,4,8, парочку входов
стробирования Е1,Е2 и целых шестнадцать выходов 0-15. Если на входах
стробирования логический ноль 0, то на выходе, номер которого
соответствует двоичному коду ноль, будет тоже логический ноль, а на всех
остальных выходах уровень логической единицы Если на одном из входов
стробирования присутствует уровень логической единицы, то на всех
выходах формируется уровень логической единицы. В отдельных случаях
функции шифраторов и дешифраторов осуществляют мультиплексоры и
демультиплексоры - электронные переключатели сигналов.
Мультиплексорэто электронный аналог многопозиционного переключателя,
используемый для коммутации одной из входных линий к единственному
выходу. Если такой мультиплексор установить в определенное положение, то
из всех входных сигналов будет выбран только один и он поступит на
выходной контакт. Между механическим переключателем и рассмотренным
сейчас его электронным аналогом имеется одно существенное различие.

При переключении механического переключателя к выходному контакту

будут по очереди подключаться все промежуточные, в то время как в его
электронном аналоге подключение входных линий к выходной может
происходить в произвольном порядке. В мультиплексоре имеется как
минимум два вида функциональных входов: информационные и адресные
(управляющие). На информационные входы поступают коммутируемые
сигналы, на адресные — двоичные коды, каждый из которых соответствует
только одному из входов, выбираемому для подключения к выходу
мультиплексора. Для распределения двоичной информации, поступающей по
одной входной линии на несколько выходных, используются
демультиплексор. Он имеет один информационный вход и n
информационных выходов и m управляющих входов. При подаче кода на
управляющие входы уровень сигнала, присутствующего на его входе,
появляется на выходе, номер которого соответствует поданному коду. Они,
как и мультиплексоры, управляются двоичными кодами, поступающими на
адресные входы. В качестве демультиплексоров используются некоторые
типы дешифраторов (например, К155ИД4).
Перед сборкой устройств, описанных далее, рекомендуем ознакомиться с
цоколевкой интегральных схем в справочниках по электронике Теперь
перейдем к практическому знакомству с описанными элементами Цифровое
реле времени Это устройство может найти практическое применение везде,
где необходимо на определенное время подключать к цепи переменного тока
какую-либо активную нагрузку (лампу фотоувеличителя, подогреватель воды
в аквариуме и т.п.). Оно представляет собой реле времени с гальванической
развязкой исполняющей цепи. После включения питания устройство
устанавливается в начальное состояние.
На выходе элемента DD7.2 присутствует уровень 0, который запрещает
прохождение импульсов с тактового генератора (DD1. 1 — DD1.3) на триггер
управления нагрузкой (DD6.2, DD6.3). На выходе элемента DD6.3 этого
триггера — уровень 1, который устанавливает в начальное состояние
счетчики DD2, DD3. Установив необходимую выдержку времени
переключателями SA1, SA2, нажимают кнопку «Пуск» (SB1).
Отрицательный импульс с выхода одновибратора DD7.3, DD7.4
устанавливает уровень 1 на выходе элемента DD7.2, разрешающий
прохождение сигнала через DD6.1. Первый же отрицательный импульс с
выхода тактового генератора формирует на выходе элемента DD6.1 уровень
0, который вызывает появление уровня 0 на выходе элемента DD6.3.
Выходной ток этого элемента включает излучатель оптопары VU1, а
последний — фототиристор оптопары. В свою очередь фототиристор
открывает тиристор VS1, коммутирующий цепь нагрузки (лампа EL1).
Одновременно уровень 0 с выхода элемента DD6.3 разрешает работу
счетчиков, выходы которых подключены к управляющим входам
мультиплексоров DD4, DD5. Когда двоичный код счетчиков становится
эквивалентен номеру выбранного переключателями SB1 и SB2 входа, на
выходах мультиплексоров появляется уровень 1, формирующий на выходе
элемента DD6.4 уровень 0. Он вызывает появление уровня 0 на выходе
элемента DD7.2. Сигнал с этого выхода запрещает прохождение импульсов с
тактового генератора на элемент DD6.2 и формирует на выходе элемента
DD6.3 уровень 1. Излучатель оптопары VU1 выключается, вызывая
выключение тиристора VS1 и нагрузки. Устройство возвращается в исходное
состояние. Тактовую частоту генератора выбирают в зависимости от
конкретного применения устройства изменением емкости конденсатора C1.
В определенных пределах частота подстраивается резистором R1.
Схема электронного секундомера
Независимо от ваших увлечений и интересов вам всегда пригодится таймер-
секундомер.
Он может быть полезен при работе на кухне, в занятиях фотографией или
спортом. Предлагаемое далее устройство позволяет отслеживать интервалы
времени до 9999 с с дискретностью в 1 с или может использоваться в
качестве секундомера с максимальным временем счета 999,9 с с точностью
до 0,1 с. В устройстве можно выделить следующие функциональные узлы:
узел клавиатуры на элементах DD1— DD3, DD4.1, формирующий двоичный
код, соответствующий десятичному номеру нажатой кнопки; узел,
управляющий записью двоичных кодов, которые поступают из узла
клавиатуры в соответствующие счетчики на элементах DD5, DD6, DD10,
DD11; счетный узел на элементах DD12 — DD15, использующийся для
отсчета интервалов времени и выдачи соответствующих ему кодов в узел
индикации; узел индикации на элементах DD18 — DD21, DD4.2, DD16 и
знакосинтезирующих светодиодных индикаторах HG1 — HG4,
преобразующий цифровые коды в визуальное отображение десятичных
знаков и управляющий подачей звукового сигнала; узел управления режимом
на элементах DD7—DD9. В связи со сложностью схемы работу устройства
рассмотрим поэтапно. При включении питания устройства начинает работать
тактовый генератор узла клавиатуры (DD1). Генератор интервалов времени
(DD7.1 — DD7.3, DD17.1) заторможен уровнем 0 на входе элемента DD7.3,
поступающим с выхода элемента DD8.3, образующего совместно с
элементом DD8.4 RS-триггер. Генератор тонального сигнала заторможен
уровнем 0, поступающим на вход элемента DD16.3 с выхода Q триггера
DD4.2, установленного в нулевое состояние импульсом заряда конденсатора
С3. Импульсом заряда конденсатора С2 триггеры DD5.1, DD5.2 и счетчики
DD12 — DD15 устанавливаются в нулевое состояние и на индикаторах
высвечивается число 0000. Время работы таймера заносится поразрядно,
начиная со старшего разряда (счетчик DD15), причем выбор очередного
разряда осуществляется автоматически узлом управления записью (см. рис.
41, а). Происходит это следующим образом. Импульсы, поступающие с
тактового генератора на вход счетчика опроса клавиатуры DD2, вызывают
появление на его выходе четырехразрядных двоичных кодов, которые во
времени проходят все возможные комбинации от 0000 до 1001. Эти коды
поступают на входы управления мультиплексором DD3 и «подключают» к
его выходу один из входов (0 — 9), десятичный код которого соответствует
присутствующему на управляющих входах двоичному коду. Если при этом
не нажата ни одна кнопка SB1 — SB 10, т.е. на всех информационных входах
мультиплексора отсутствуют уровни 0, то на его выходе установлен уровень
0, который поступает на D-вход триггера DD4.1 и по каждому тактовому
сигналу, поступающему на С-вход, записывается в него. Таким образом, если
все кнопки отжаты, то на выходах счетчика DD2 идет смена комбинаций
кодов, а триггер DD4.1 находится в нулевом состоянии. Теперь разберем
конкретный пример подготовки таймера для отсчета интервала времени 9237
с. При нажатии кнопки SB9, соответствующей цифре 9, уровень 1 появляется
на выходе мультиплексора в момент опроса входа, к которому подключена
данная кнопка. Это момент появления на выходе счетчика DD2 двоичного
кода 1001 после очередного перехода напряжения тактового импульса с
уровня 1 к уровню 0. Уровень 1 с выхода мультиплексора поступает на
информационный вход триггера DD4.1 и записывается в него по заднему
фронту (моменту перехода напряжения тактового импульса с уровня 0 на
уровень 1) этого же тактового импульса. На выходе Q триггера появляется
уровень 0, который запрещает прохождение тактовых импульсов с выхода
генератора на вход счетчика. Таким образом, на выходе счетчика будет
зафиксирован код 1001,соответствующий десятичной цифре 9. Счетчик будет
оставаться в этом состоянии до тех пор, пока не будет отпущена кнопка SB
10. При этом на выходе мультиплексора появляется уровень 0, который по
первому же заднему фронту импульса, поступающего с элемента DD7.4,
будет записан в триггер. Он установится в нулевое состояние. Уровень 1 с
выхода Q триггера разрешает прохождение импульсов с генератора на
тактовый вход счетчика.Опрос клавиатуры возобновится и будет
продолжаться до нажатия следующей кнопки. В момент остановки счетчика
DD2 его выходной код поступает одновременно и на одноименные входы
счетчиков DD12 — DD15 счетного узла . В это же время положительный
перепад напряжения с выхода Q триггера DD4.1 поступает на входы
элементов DD11.1 — DD11.4. Уровень 1 при этом присутствует только на
втором входе элемента DD11.4. Это связано с тем, что после начальной
установки по включению питания на выходах Q триггеров DD5.1, DD5.2, на
которых организован двухразрядный двоичный счетчик, присутствуют
уровни 0, поступающие на вход дешифратора DD6. Поэтому на выходе D0
этого дешифратора присутствует уровень 0, который инвертируется
элементом DD10.4. С выхода этого элемента уровень 1 поступает на вход
элемента DD11.4. При поступлении на входы элементов DD11.1 — DD11.4
положительного перепада напряжения с выхода Q триггера DD4.1
отрицательный перепад напряжения формируется только на выходе элемента
DD11.4. Этот сигнал поступает на вход разрешения записи параллельной
информации счетчика DD15, и по его фронту происходит запись в счетчик
кода, имеющегося в данный момент времени на выходе счетчика опроса
клавиатуры DD2, т.е. кода 1001. Остальные счетчики остаются в нулевом
состоянии, а на цифровых индикаторах высветится десятичное число 9000.
Положительный перепад напряжения, формирующийся на выходе Q триггера
DD4.1 после отпускания кнопки SB9, не только разрешает работу счетчика
опроса клавиатуры, но и переводит триггер DD5.1 в единичное состояние.
Тем самым устанавливается уровень 0 на выходе D1 дешифратора DD6,
сигнал с которого, инвертируясь элементом DD10.3, подготавливает элемент
DD11.3 к формированию импульса записи параллельного кода в счетчик
DD14. При нажатии следующей кнопки (в нашем случае SB3 —
соответствующей десятичной цифре 2) на выходе счетчика опроса
клавиатуры DD2 формируется код 0010, который поступает на входы
счетчиков DD12 — DD15. Положительный перепад напряжения с выхода Q
триггера DD4.1 формирует при этом на выходе элемента DD11.3 сигнал
записи указанного кода в счетчик DD14, после чего на цифровых
индикаторах будет высвечено число 9200. Таким образом, после нажатия
четырех необходимых кнопок на цифровых индикаторах высветится число
9237, соответствующее времени работы таймера. После установки времени
работы таймера нажимается кнопка SB11 «Пуск». При этом на выходе
элемента DD8.3 RS-триггера устанавливается уровень 1, разрешающий
работу генератора временных интервалов на элементах DD7.1 — DD7.3.
Частота работы этого генератора определяется выбором одного из
времязадающих резисторов R9 или R10. Выбор необходимого резистора
осуществляется установкой уровня 0 на выходе соответствующего элемента
(DD8.1 или DD8.2), что авто магически происходит при выборе режима
работы устройства переключателем SA1. Если устройство используется как
таймер (переключатель находится в положении, показанном на схеме), то
включен резистор R10, устанавливающий режим работы генератора
временных интервалов с частотой 1 Гц. Одновременно этот же
переключатель разрешает прохождение импульсов с выхода этого генератора
на вычитающий (-1) вход счетчика DD12. Таким образом, по каждому
положительному перепаду напряжения на выходе элемента DD17.1
состояние счетчика DD12 будет изменяться, причем записанное в нем число
будет уменьшаться на 1. На цифровых индикаторах будет наблюдаться
уменьшение записанного числа, т.е. 9236, 9235, 9234 и т.д. В момент
перехода счетчика DD12 из состояния 0000 (десятичная цифра 0) в состояние
1001 (десятичная цифра 9) на выходе <0 этого счетчика формируется
отрицательный импульс . Задний фронт его (момент перехода напряжения с
низкого уровня на высокий), поступая на вычитающий (-1) вход счетчика
DD13, переводит последний в состояние 0010 (десятичная цифра 2), или,
иначе говоря, вычитает из него единицу. Таким образом, после показаний
цифрового индикатора 9230, по приходу следующих импульсов с генератора
временных интервалов на вычитающий вход счетчика DD12, на нем будут
высвечиваться числа 9229, 9228 и т.д. Аналогично происходит уменьшение
кодов, записанных в счетчиках DD14 и DD15. Через 9236 с счетчики будут
находиться в нулевых состояниях, т. е. на индикаторах будет высвечиваться
0000. По окончании 9237-й с счетчик DD12 переходит в состояние 1001 при
этом на его выходе <0 формируется импульс, переводящий счетчик DD13 в
состояние 1001, который, в свою очередь, переводит в такое же состояние
счетчик DD14, а он — DD15. Отрицательный импульс с выхода <0 счетчика
DD15 поступает через диод VD4 на вход элемента DD8.4 RS-триггера и
тактовый вход D-триггера DD4.2, включенного в режиме Г-триггера.
Передний фронт этого импульса устанавливает на выходе элемента DD8.3
уровень 0, запрещающий работу генератора временных интервалов. Задний
фронт этого импульса переводит триггер DD4.2 в единичное состояние,
разрешая тем самым работу тонального генератора. Таким образом, через
9237 с после нажатия кнопки SB11 «Пуск» таймер выдаст звуковой сигнал, и
отсчет времени прекратится. Звуковой сигнал таймера может быть выключен
только нажатием кнопки SB14. При этом триггер DD4.2 устанавливается в
нулевое состояние и запрещает работу тонального генератора. При
использовании устройства в режиме секундомера (переключатель SA1
устанавливается в нижнее, по схеме, положение) к генератору временных
интервалов подключается резистор R9, обусловливающий частоту генерации
10 Гц, что соответствует дискретности отсчета в 0,1 с. Одновременно
разрешается прохождение импульсов с выхода генератора временных
интервалов только на суммирующий вход счетчика DD12, и на цифровом
индикаторе HG2 загорается сегмент h (децимальная точка), получающий
питание через резистор R3. В то же время уровень 0, поступающий на вход D
дешифратора DD6, вызывает появление на его выходах D0 — D3 уровней 1,
запрещающих запись информации в счетчики при случайном нажатии
кнопок SB1—SB10. После этого при необходимости производится обнуление
счетчиков нажатием кнопки SB13 «Сброс». Пуск секундомера
осуществляется нажатием кнопки SB11 «Пуск». Импульсы с частотой
следования 0,1 Гц поступают с выхода генератора временных интервалов на
суммирующий вход счетчика DD12. При переходе этого счетчика из
состояния 1001 (десятичное число 9) в состояние 0000 (десятичное число 0)
на его выходе >9 формируется импульс, поступающий на суммирующий
вход счетчика DD13. Этот импульс увеличивает код состояния счетчика на
единицу. Таким образом, по каждому импульсу, поступающему с выхода
генератора временных интервалов на суммирующий вход счетчика DD12,
показания цифровых индикаторов будут увеличиваться на единицу,
отображая с дискретностью 0,1 с время, прошедшее с момента нажатия
кнопки «Пуск». При изготовлении устройства учтите, что управлять им
можно и дистанционно, подключив параллельно контактам соответствующих
кнопок нормально разомкнутые контакты кнопок пульта дистанционного
управления. Можно управлять им и цифровыми сигналами соответствующих
уровней, подавая их в точки подключения контактов кнопок к входам
цифровых элементов схемы.

Регистры и их работа
Регистры - это цифровые устройства, осуществляющие функции приема,
хранения и передачи информации в виде двоичных числовых
последовательностей. По способу записи двоичного кода в регистр и его
последующей выдаче, регистры делят на параллельные, последовательные
(сдвигающие) и параллельно-последовательные (Комбинированные).
Параллельный осуществляют запись параллельным кодом.
Последовательный - начинает запись с младшего или старшего разряда, а
затем с помощью тактирующих импульсов сдвигает кодовую
последовательность. Также, сдвигающие регистры классифицируют на одно-
и двунаправленные (реверсивные). Однонаправленные регистры
осуществляют сдвиг кода влево или вправо, а двунаправленные - и влево, и
вправо. Комбинированные регистры имеют входы и для параллельной, так и
для последовательной записи.

Что такое регистр. Основой функциональной единицей построения регистров

являются RS-триггеры или Д-триггеры. В этой схеме цифровой код
поступает на D-вход триггеров. Запись возможна при наличии логической
единицы на вход С. Записанная числовая последовательность снимается с
выходов Q. Параллельные регистры используются для хранения цифровых
данных в виде параллельного двоичного кода, а также для преобразования
прямого в обратный код или наоборот. Последовательные регистры, кроме
хранения, могут преобразовывать последовательный код в параллельный или
наоборот. В последовательных регистрах триггеры соединины
последовательно смотри рисунок ниже.
Последовательный регистр
Внутри сдвигового регистра, как мы видим все триггеры соединены
последовательно, то есть выход первого подключен ко входу второго и т.п.
При поступлении тактового импульса код, находящийся в регистре,
сдвигается на один разряд. Т.е для нашей схемы, сдвиг кода идет вправо (в
направлении младших разрядов). При подаче следующего тактового
импульса на входы синхронизации уровень, на входе второго триггера
запоминается в нем и следует на вход третьего триггера. Одновременно
следующий бит запоминается в первом триггере и т.д. Рассмотрим, работу
четырёх разрядного универсальный регистра на микросборке К155ИР1
(SN7495N), который может работать как со сдвигом вправо так и влево.
 К155ИР1 несет в себе четыре D-триггера, связанные дополнительно между
собой с помощью логических элементов И – ИЛИ, позволяюших расширить
базовые функции: V2 – вход управления через него задается режим работы
регистра Q1 – Q4 выходы с которых снимается параллельный код. V1 – вход
для подачи последовательного йифрового кода. C1, C2 – тактовые
синхроимпульсы. D1 – D4 – для записи параллельного кода Алгоритм работы
следующий. Если на V2 подать низкий уровень, тактовые импульсы на
первый вход синхронизации C1, а на V1 подавать биты информации, то
регистр работает со сдвигом вправо и после приёма четырех разрядов на
выходах Q1 – Q4 мы получим параллельный код. Для обратного
преобразования данных параллельный код записывается на D1 – D4, на V2
подают высокий уровень, а тактовых импульсы следуют уже на второй вход
С2. Затем подавая на V2 низкий уровень, а синхроимпульсы на С1 мы
сдвигаем записанный код, а с выхода последнего триггера идет
последовательный код.
 Условно-графическое обозначение параллельного, сдвигового и
реверсивного регистров на схемах рассмотрено ниже:

D1-DN - входы D-триггеров соответствующих разрядов при записи информации в параллельном

коде; Q1-QN - прямые выходы Q-триггеров; С - вход тактовых импульсов; R - вход сброса; S0,S1 -
входы управления сдвигом вправо или влево; VR - вход последовательного кода при сдвиге
вправо, при сдвиге кода влево применяется обозначение VL Помимо уже перечисленных
функций, регистры могут выполнять арифметические и логические операции, временную
задержку и даже деление частоты. Сдвиговые регистры в отечественном варианте представлены
микросборками: 133ИР1, К155ИР1, КМ155ИР1, 134ИР1 Справочник по регистрам Применяя
универсальный сдвигающий регистр ИР1, можно собрать многоразрядные регистры, для этого
выход последнего разряда подсоединяем к входу VR последующего. Пример построения
двенадцатиразрядного сдвигающего регистра показан чуть ниже. Если использовать
дополнительно элемент "НЕ", можно сделать делитель частоты. На схеме ниже приведены
делители частоты на 2, 3, 4, 5, 6, 7. При этом сигнал на L=0. Импульсы следуют на вход
синхронизации С1, а выходные импульсы идут с выхода Q старшего разряда, включенные через
инвертор ОС со входом VR. Отечественная микросборка К134ИР2 испоьзуется для хранения
восьмиразрядного кода, который записывается последовательно через инверсный вход V. Для
считывания кода в прямом виде используют инверсный выход, для считывания в инверсии -
прямой. Считывани и запись, осуществляются поразрядно с поступлением фронта каждого
последующего тактового импульса на тактовый вход С. Обнуление происходит за счет подачи
напряжения логического 0 на вход сброса. Микросхема 134ИР8, КР134ИР8, 533ИР8, КМ555ИР8,
КР1533ИР8 для хранения восьмиразрядных данных и преобразования их из последовательного в
параллельный вид. Запись осуществляется через любой из входов VR по тактовому импольсу.
Считывание идет с выходов Q1-Q8 или поразрядно с выхода Q8. 533ИР9, К555ИР9, КМ555ИР9,
КР1533ИР9 используется для хранения восьмиразрядного кода и преобразования его из
параллельного в последовательный. Входная информация, представленная на входах D1 - D8,
записывается асинхронно. При этом на инверсном входе L должно быть напряжение логического
нуля, а состояния других входов могут быть различными. После записи на выходе Q8 появится
сигнал. Для сдвига вправо на С1 или С2 идут тактовые импульсы. Микросхема может принимать
информацию и в последовательном виде, для чего задействуется вход VR и один из
синхровходов. На свободном синхровходе устанавливается логический ноль, как и на входе L.
c texnic.ru
Сумматоры и какова его роль в цифровой электронике
Сумматоры - это комбинированные цифровые устройства, осуществляющие
арифметическое (в противоположность логическому) сложение и вычитание
чисел. Они облодают самостоятельными значениями и являются ядром схем
при построение арифметико-логических устройств, реализующих несколько
различных операций, являющихся частью всех процессоров. Основными
техническими параметрами сумматоров являются: аппаратная сложность и
быстродействие и поэтому имеется огромное множество вариантов
сумматоров, которые имеют разветвлённую и обширную классификацию.
Выделяя главные моменты, остановимся лишь на некоторых из них. 1)
одноразрядный сумматор 2) сумматор для последовательных операндов 3)
для параллельных операндов с последовательным переносом 4) для
параллельных операндов с параллельным переносом 5) с последовательным
распространением переноса по це-почке замкнутых ключей 6) групповой
структуры с цепным переносом 7) групповой структуры с параллельным
межгрупповым переносом 8) с условным переносом 9) накапливающий
сумматор Кроме сумматоров можно реализовать вычитатели, но это почти
никогда не используется, поскольку вычитание осуществляется методом
сложения с использованием дополнительных или обратных кодов.
Одноразрядный сумматор
Он имеет три входа (2 слагаемых и перенос из предыдущего разряда) и 2
выхода (суммы и переноса в следующий разряд). Схема одноразрядного
сумматора представлена на рисунке ниже:

Последовательный сумматор
Используется для последовательных операндов содержит в своем
внутреннем составе один одно-разрядный сумматор, обрабатывающий в
порядке очереди разряд за разрядом, начиная с младшего. Сложив младшие
разряды, одноразрядный сумматор вырабатывает общую сумму младшего
разряда результата и перенос, который запоминается, но только на один такт.
В следующем такте складываются вновь поступившие разряды слагаемых с
переносом из младшего разряда и т. п.
Сумматор для параллельных операндов с последовательным переносом
выглядит как цепочка одноразрядных, включенных последовательно по
цепям переноса. Для схемы с одноразрядными сумматорами,
вырабатывающими инверсии суммы и переноса, такая цепочка показана на
рисунке ниже, так как функции суммы и переноса самодвойственны. Там, где
в разряд сумматора должны поступать инверсные аргументы, в их линиях
находятся инверторы, а там, где вырабатывается инверсная сумма, инвертор
имеется в выходной цепи. Учтите, что инверторы не входят в цепи переноса
передачи - они при этом не тормозят работу сумматора в целом.

Параллельный сумматор с параллельным переносом разработан

специально для получения наилучшего быстродействия. Концепция к
решению этой многоходовки требует некоторых пояснений. Дело в том, что
рассматриваемые сумматоры представляют из себя комбинационные схемы,
и вырабатываемые ими функции могут быть описаны в нормальных формах,
например, в ДНФ, что приводит к двухъярусной реализации при наличии
парафазных аргументов и к трёхъярусной при однофазных. Т.е, предельное
быстродействие оценивается несколькими элементарными задержками.
Однако реальные схемы таких пределов не способны достичь, т. к.
построение сумматоров многоразрядных слов на основе нормальных форм
дало на выходе громоздкие схемы. Реальные схемы облодают модульнуой
структурой, т. е. состоят из подсхем (разрядных схем), что сильно упрощает
их, но не даёт максимального быстродействия.

Сумматор с передачей сигнала переноса по цепочке замкнутых ключей.

Среди компромиссных вариантов существующих сумматоров, занимающих
промежуточное положение между последовательным и параллельным
переносами, имеется оригинальный вариант, который в первом
математическом приближении оценивается как обладающий простотой
сумматора с последовательным переносом при быстродействии, почти как у
сумматора с параллельным переносом. Предложенный метод
предусматривает разделение задачи вычисления сигналов переноса в две
операции. В первой части для всех разрядов (параллельно во времени)
задаются условия вычисления переносов, а во второй части идет простая
передача информации по образованной части цепи.
Сумматор с условным переносом - давно известная структура, которая
чуть раньше не нашла широкого использования, но сейчас возродилась в
новейших СБИС программируемой логики. Эта структура улучшает
быстродействие при последовательном переносе. В СБИС, начиная с
семейства микросборок FLEX 8000 фирмы Altera, была реализована цепь
последовательных переносов с очень низкими задержками (около 1 нс на
разряд, чуть позже задержка переноса была уменьшена до 0,2 нс на разряд).
Это возродило уже изрядно упавший интерес к структурам с
последовательным переносом и к методам улучшения их быстродействия.
Накапливающий сумматор обычно представляет собою сочетание
комбинационного сумматора и регистра

Арифметика -логические устройства

Арифметико-логические устройства (АЛУ) используются в цифровой
электронике для выполнения ряда математических действий над двоичными
словами. Базой любого АЛУ является сумматор, схема которого дополнена
цифровой логикой, существенно расширяющие функциональные
возможности АЛУ и дающие его перестройку с одной операции на другую.
Обычно арифметико логические устройства четырёхразрядные и для
увеличения разрядности объединяются с формированием последовательных
или параллельных переносов. Логические возможности АЛУ разных
технологий (ТТЛШ, КМОП, ЭСЛ) очень похожи. Благодаря
самодвойственности выполняемых операций условное графическое
обозначение и таблица истинности АЛУ бывает в двух вариантах,
отличающихся взаимно инверсными значениями переменных. АЛУ на
рисунке ниже имеет входы операндов А и В, входы выбора операций S, вход
переноса и вход М (режим), сигнал которого определяет тип выполняемых
арифметических операций: логические (при М = 1) или арифметико-
логические (М = 0). Результат операции выдается на выходах F, выходы G и
Н выдают функции генерации и прозрачности, применяемые для
организаций параллельных переносов при увеличении размерности АЛУ.
Сигнал - выходной перенос, а выход А = В - это выход сравнения на
равенство с открытым коллектором.

Арифметико логические устройства лекция Полный вариант лекции "Арифметико логические

устройства" из курса цифровой электроники в формате Word Перечень выполняемых АЛУ
операций представлен в таблице 1 из лекции по ссылке выше. 16 логических операций позволяют
воспроизводить все возможные функции двух переменных. В логико-арифметических операциях
бывают как логические, так и арифметические операции одномоментно. Для арифметических
действий со словами большой длины АЛУ включают последовательно. Соединяют выход
переноса С предыдущей ИС с входом переноса С последующей. Если пред`являются жесткие
требования к быстродействию ИС, то возможна организация ускоренного переноса. В этом случае
время выполнения операции над 16-разрядными числами составит tз = tзАЛУ + tзИП4. Выходы
переноса P и G ИС типа ИП4 используются для образования группового переноса.

Мультивибратор
Мультивибратор — это самый простой генератор импульсов, работающий в
режиме автогенерации колебаний, то есть при подаче напряжения на схему
сам начинает генерировать импульсы. Мультивибраторы устройства аналого-
импульсной электроники и позволяют простейшим методом сформировать
синхронизированные тактовые импульсные последовательности, а также
дают возможность расширить длительность коротких импульсов,
сгенерировать их требуемой длительности, задавать различные интервалы
времени, создавать петли фазовой автоподстройки частоты. Как работает
мультивибратор схема на транзисторах Простейшая схема представлена на
рисунке ниже:

мультивибратор схема на транзисторах. Причем емкости конденсаторов C1,

C2 всегда подбираются максимально одинаковыми, а номинал базовых
сопротивления R2, R3 должен быть выше чем коллекторные. Это важное
условие для правильной работы МВ Как же все таки работает
мультивибратор на транзисторах, итак: при включении питания начинают
заряжаться емкости C1, C2. Первый конденсатор по цепочки R1- C1- переход
БЭ второго биполярного транзистора корпус. Вторая емкость зарядится по
цепи R4 - C2 - переход БЭ первого транзистора - корпус. Так как на
транзисторах имеется базовый ток, то они почти открываются. Но так как
двух одинаковых транзисторов не бывает, какой то из них откроется чуть
раньше своего коллеги. Предположим, у нас раньше откроется первый
транзистор. Открывшись он разрядит емкость С1. Причем разряжаться она
будет в обратной полярности, закрывая второй транзистор. Но первый
находиться в открытом состоянии только на момент, пока конденсатор С2 не
зарядится до уровня напряжения питания. По окончании процесса зарядки
С2, Q1 запирается. Но к этому времени С1 почти разряжен. А это значит, что
через него потечет ток, открывающий второй транзистор, который, разрядит
емкость С2 и будет оставаться в открытом состоянии до повторной зарядки
первого конденсатора. И так из цикла в цикл, пока не отключим питание от
схемы. Как легко заметить время переключения здесь определяется
номиналом емкости конденсаторов. Кстати и сопротивление базовых
сопротивлений R1, R3 здесь тоже вносит определенный фактор. Вернемся в
первоначальное состояние, когда первый транзистор у нас открыт. В этот
момент емкость С1 у нас уже не только успеет разрядится, но и начнет
заряжаться в обратной полярности по цепи R2- С1- коллектор-эммитер
открытого Q1. Но сопротивление у R2 достаточно большое и C1 не успевает
зарядиться до уровня источника питания, но зато при запирании Q1 она
разрядится через базовую цепочку Q2, помогая ему скорее открыться. Это же
сопротивление увеличивает и время зарядки первого конденсатора C1. А вот
коллекторные сопротивления R1, R4 являются нагрузкой и на частоту
генерации импульсов особого влияния не оказывают. В качестве
практического ознакомления предлагаю собрать схему новогодней гирлянды
на мультивибраторах, в той же статье рассмотрена и конструкция на трех
транзисторах. мультивибратор схема на транзисторах в конструкции
новогодней мигалки Несимметричный мультивибратор.
Разберемся с работой несимметричного мультивибратора на двух
транзисторах на примере простой схемы радиолюбительской самоделки
издающей звук подскакивающего металлического шарика. Работает схема
следующим образом: по мере разряда емкости С1 громкость ударов
снижается. От номинала С1 зависит общая продолжительность звучания, а
конденсатор С2 задает длительность пауз. Транзисторы могут быть
абсолютно любые p-n-p типа. Мультивибраторы на специализированных
микросхемах Существуют два типа мультивибраторов отечественного микро
исполнения - автоколебательные (ГГ) и ждущие (АГ). Автоколебательные
генерируют периодическую последовательность импульсов прямоугольной
формы. Их длительность и период следования задаются параметрами
внешних элементов сопротивлений и емкостей или уровнем управляющего
напряжения. Отечественными микросхемами автоколебательных МВ,
например являются 530ГГ1, К531ГГ1, КМ555ГГ2 .
. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы или ИМС. Для
ждущих МВ длительность генерируемого импульса также задается
характеристиками навесных радиокомпонентов, а период следования
импульсов задается периодом следования импульсов запуска, поступающих
на отдельный вход. Примеры: К155АГ1 содержит один ждущий
мультивибратор, формирующий одиночные импульсы прямоугольной формы
с хорошей стабильностью длительности; 133АГ3, К155АГ3, 533АГ3,
КМ555АГ3, КР1533АГ3 содержит два ждущих МВ, формирующих
одиночные импульсы напряжения прямоугольной формы с хорошей
стабильностью; 533АГ4, КМ555АГ4 два ждущих МВ, формирующих
одиночные импульсы напряжения прямоугольной формы.
Мультивибратор схема на логических элементах
Очень часто в радиолюбительской практике предпочитают не
специализированные микросхемы, а собирают его на логических элементах.
Самая простая схема мультивибратора на логических элементах И-НЕ
показана на рисунке ниже.

Она имеет два состояния: в одном состоянии DD1.1 заперт, а DD1.2 открыт, в
другом — все обстоит противоположным образом. Например, если DD1.1
закрыт, DD1.2 открыт, тогда емкость С2 заряжается выходным током DD1.1,
идущим через сопротивление R2. Напряжение на входе DD1.2 положительно.
Оно поддерживает DD1.2 в открытом состоянии. По мере заряда емкости С2
снижается ток заряда и падает напряжение на R2. В момент достижения
порогового уровня начинает запираться DD1.2 и возрастать его потенциал на
выходе. Рост этого напряжения передается через С1 на выход DD1.1,
последний окрывается, и развивается обратный процесс, завершающийся
полным запиранием DD1.2 и отпиранием DD1.1 — переходом устройства во
второе неустойчивое состояние. Теперь будет заряжаться С1 через R1 и
выходное сопротивление компонента микросхемы DD1.2, а С2 — через
DD1.1. Таким образом наблюдаем типовой автоколебательный процесс. Еще
одна из простых схем, которую можно собрать на логических элементах это
генератор импульсов прямоугольной формы. Причем такой генератор будет
работать в режиме автогенерации, аналогично транзисторному. На рисунке
ниже
 представлен генератор, построенного на одной логической цифровой
отесественной микросборке К155ЛА3 мультивибратор схема на К155ЛА3.

Принцип работы микроконтроллера

Микроконтроллеры применяются сегодня почти повсеместно: В
современных мониторах, холодильниках, планшетах, охранных системах,
стиральных машинах и т.п. В любом электронном устройстве, где требуется
управление, микроконтроллер может занять свою нишу. А всё благодаря
тому, что его можно программировать почти как душе угодно. Поэтому даже
один вид микросхем можно применять в куче электронных устройств.
Сегодня наибольшей популярностью пользуются микроконтроллеры
семейства AVR, ARM, PIC. Каждая из фирм, что производит МК,
изготавливает десятки, сотни и даже иногда тысячи разновидностей
микроконтроллеров, используемые под все мыслимые и немыслимые цели
Несмотря на сложность конструкции современного микроконтроллера,
рассказать, как он работает можно всего одним предложением: "В память
микроконтроллера просто пишется код программы, МК считывает команды
из этой программы, а затем просто выполняет их", - вот и весь принцип
работы. Конечно, микроконтроллер не способен выполнять какие угодно
команды, а только те на которые он расчитан (базовый набор команд), их он
понимает и знает как их переварить. Комбинируя команды, можно написать
практически любую программу, с помощью которой электронное устройство
будет работать ровно так, как от него хотят.
 Некоторые МК могут иметь огромное число базовых команд, другие куда
меньшее. Это условное разделение, для которых думатели используют два
термина: CISC и RISC. CISC - это много разных видов команд, RISC - это
только самые нужные. Объясняется это тем, что при применении
сокращенного набора команд МК изготовить гораздо проще и намного
дешевле, кроме того их легче переваривают разработчики аппаратуры,
особенно чайники. Между CISC и RISC имеется множество отличий, но
принципиально важно понять чайнику только то, что CISC - много команд,
RISC -мало
Что происходит, когда микроконтроллер начинает работать? Давайте
представим идеальный случай, У нас есть МК и в его память уже записан
программный код. Микроконтроллер "прошит" (при этом программный код
кличат "прошивкой"). Что случится, если подать питание на схему с этим
МК? Оказывается, ничего особо и не произойдет, МК поинтересуется тем,
что находится у него в памяти. При этом он легко отыщит первую команду
своей программы, т.к местоположение начала программного кода зашивается
при изготовлении МК на заводе и никогда не меняется. Микросхема считает
первую команду, затем выполнит её, затем считает вторую команду, и снова
выполнит её, затем третью и т.д. Когда же МК считает последнюю команду,
то всё начнётся опять при условии, если его не остановили.
Устройство типичного МК Любой МК, как и любая микропроцессорная

система базируется на трёх китах: Процессор (АЛУ + устройство

управления) Память (RAM, ROM,FLASH) Порты ввода-вывода. Процессор с

помощью портов ввода-вывода получает или отправляет различные данные в

виде чисел, осуществляет над ними арифметические операции и затем

сохраняет их в память. Обмен данными между процессором, памятью и

портами происходит по проводам, которые в цифровой электронике принято

называть шиной (шины делятся на несколько видов по назначению). Это

общая идея работы микропроцессорной системы. Физическая структура

микроконтроллеров разных серий может достаточно сильно отличаться, но

общая база у них будет похожа и она будет состоять из следующих блоков:

ОЗУ, ПЗУ, АЛУ, таймеры, порты ввода/вывода, регистры, счетчики. ПЗУ

Постоянное запоминающее устройство или постоянная память. Всё, что

записано в ПЗУ, остаётся в нем и после отключения питания. ОЗУ

Оперативно запоминающее устройство - рабочая память МК. В неё

сохраняются все промежуточные результаты выполнения програмного кода

или данные от внешних датчиков.   АЛУ Арифмитически-логическое

устройство Мозг МК. Именно он вычитает, складывает, умножает, а иногда и

делит, сравнивает единички и нолики в процессе выполнения программы..

Порты I/O Порты ввода и вывода: Устройства через которые МК ведет

диалог с внешним миром с внешним миром. Наш МК должен общаться с

внешним миром. Благодаря портам мы можем посылать в микроконтроллер

сигналы от датчиков, клавиатуры и т.п. А МК после обработки таких

сигналов отправит через эти устройства свой ответ, с помощью которого

можно регулировать яркость свечения лампы или скорость вращения

двигателя. Таймеры Он отсчитывает интервалы, выдает сигнал о

срабатывании и т.д. Счетчики Необходимы, когда нужно что-то подсчитать.  

Регистры Каждый регистр представляет собой миниатюрную ячейку памяти.

И обычно в МК их всего несколько десятков.  Шины и разряды

микроконтроллера Как ты уже знаешь из курса основы цифровой

электроники, вся информация в цифровом мире представляется в виде

двоичных чисел, которые записываются с помощью всего двух цифр: "нуля"

и "единицы" в двоичной системе счисления. Число три в привычной для нас

десятичной системе в двоичной будет "11", т.е. 310 = 112. Нижние индексы

подсказывают о системе счисления. Одна цифра в двоичном числе

называется разрядом. У разрядов имеется старшинство. Самый правый

разряд называют младшим, а самый левый соответственно старшим.

Старшинство разряда увеличивается справа налево: При работе

микроконтроллера в нем "бегают такие же двоичные числа". Они

перемещаются от процессора к памяти и обратно, а также к устройствам

ввода-вывода (УВВ). Бегают циферки по проводам (в МК они спрятаны

внутри микросхемы). Каждый такой проводник в какой-то заданный

программой момент времени может передавать только один разряд со

значением "0" или "1". Поэтому, для передачи 8-ми разрядного числа от

процессора к памяти и обратно понадобится минимум 8 таких проводников.

Несколько таких объединенных проводов, называют шиной. Шины бывают

нескольких видов: Шина адреса Шина данных Шина управления По

адресной бегают числа, которые задают адрес ячейки памяти или УВВ,
откуда необходимо получить или записать данные. А сами данные уже будут

идти по шине данных. Разрядность шины адреса влияет на количество

адресов, которые можно по ней пропустить. Допустим, в 4-разрядной

системе это 24 = 16 адресов, в 64-разрядной, числов адресов будет уже

264=18446744073709551616, т.е чем выше разрядность адресной шины тем к

больше объем памяти и больше УВВ можно использовать, с которыми может

работать МК. Это очень важный момент. Разрядность шины данных влияет

на то, сколько данных процессор способен считать за один раз. Чем больше

разрядность, тем больше данных можно считать за один раз. Разрядность

шины данных целиком задается конструкцией конкретного МК. Но при этом

она всегда будет кратна восьми. Объясняется это тем, что практически во

всех устройствах памяти минимальной единицей информации является байт,

т.е. обычное двоичное число из восьми разрядов. Байт необходим для

обозначения количества информации. Если количество разрядов говорит

только о длине двоичного числа, то битность подскажет о количестве

информации, которую это число передает. Считается, что один разряд

двоичного числа способен передать один бит информации. При этом биты

группируются в байты, килобайты, мегабайты и т.д. Кстати в отличии от

привычной системы счисления, 1 байт = 8 бит, 1 килобайт = 1024 байтам, 1

мегабайт = 1024 килобайтам и т.д. Почему именно 1024? Спросите вы. Да

потому, что размер памяти кратен степени двойки: т.е 23 = 8, 210=1024.

Алгоритм работы микроконтроллера Давайте взглянем поподробней на

момент взаимодействия памяти с МК и попытаемся понять зачем нужна

управляющая шина. Любой микроконтроллер помимо выполнения

арифметических и логических операций способен выполнять еще парочку

важных команд, таких как: чтение или запись из ячейки памяти, чтение или

запись в порт ввода-вывода: Для того, чтобы подсказать МК какую из этих

команд требуется выполнить и нужна шина управления. По ней к памяти или

портам ввода-вывода следуют сигналы: RD (read)  сигнал на чтение

WR(write) сигнал на запись MREQ (memory request) запрос обращения к

памяти IORQ (input/output request) запрос обращения к портам в/в READY

сигнал готовности RESET сигнал сброса Если МК необходимо обратиться к

памяти он задает на управляющей шине сигнал MREQ, при этом

одновременно с ним задается сигнал RD/WR. Если МК будет писать в

память, то задается сигнал WR, если чтение, соответственно RD. Тоже

случится, когда МК обращается к УВВ. А вот сигнал READY необходим для

того, чтобы подсказать микроконтроллеру, что чтение или запись закончены.

Таким образом, если подать питающее напряжение на МК, то он выставляет

сигнал на управляющей шине MREQ, RD, а на адресной шине - адрес, по

которому в ячейке памяти должна быть первая команда его алгоритма

(программного кода, обычно это нулевой адрес памяти). Затем МК её

выполняет и в зависимости от управляющих команд на шинах управления,

адреса и данных будут появляться соответствующие программе данные и

сигналы. Микроконтроллеры AVR устройство и работа МК AVR приобрели

огромную популярность в радиолюбительской среде, привлекая

электронщиков такими показателями, как цена, энергоэффективность и

быстродействие. Кроме того огромным плюсом являются удобные режимы

программирования, свободная доступностью программных средств

поддержки и широкий выбор МК. Эта серия компании Atmel применяется в

автомобильной и бытовой электронике, сетевых картах и материнских платах

компьютеров и ноутбуков, в смартфонах и планшетах. Микроконтроллеры

STM32 Одной из первых фирм выпустившей в большой мир

микроконтроллеры на ядре ARM Cortex-M3 является компания

«STMicroelectronics». Начиналось всё не так и давно в 2007 году с появления

двух семейств – «Performance Line» (STM32F103) и «Access Line»

(STM32F101). На текущий момент МК STM32 представлены десятью

основными линейками для различных задач. Основные их достоинства это

«pin-to-pin» и полная программная совместимость по всем возможным

линейкам. И это всё уместилось на ядре ARM Cortex-M3. Рассмотрим

основные инструменты, для того что бы можно было начать работу с МК

STM32.

лекция 9
 РАДИОВОЛНЫ. ПРИНЦИПЫ ПРИЕМА И ПЕРЕДАЧИ
РАДИОСИГНАЛОВ.
РАДИОВОЛНЫ. ПРИНЦИПЫ ПРИЕМА И
ПЕРЕДАЧИ РАДИОСИГНАЛОВ.
Вот и подошел к концу наш ознакомительный начальный курс из 10 уроков. Я надеюсь, вы
дошли до 10 урока, честно выполняя все те несложные задания и опыты, которые
были предложены в практических работах. Этот последний урок будет полностью
посвящен, колебательным процессам, изучению природы акустических и
электромагнитных волн и соответственно основам приема и передачи
электромагнитных волн (радиоприем - передача). Урок очень емкий, поэтому
советую отнестись к усвоению информации очень ответственно, еще и потому что
здесь раскрываются основные азы и аспекты, необходимые для дальнейшего
развития и понимания процессов, происходящих в приемопередатчиках. Я думаю,
что после этого урока вы сможете, смело собрать простейший приемник прямого
усиления и ему подобные.

Слово «радио» происходит от латинского  radiare - излучать или испускать

лучи. Радиовещательная станция, например, подобно Солнцу излучает
радиоволны во все стороны по радиусам. Лишь некоторые радиостанции
специального назначения излучают радиоволны в каком - то одном направлении.
Если бы вы пришли на территорию радиовещательной станции, то прежде всего
увидели бы вертикальную ажурную металлическую мачту или провода, поднятые
высоко над землей. Это - антенна. Рядом или неподалеку - здание, где находится
передатчик, вырабатывающий электрические колебания высокой частоты, которые
антенна преобразует в энергию радиоволн. К передатчику от радиостудии, а она
может находиться далеко от передатчика, идет подземный кабель - хорошо
изолированные провода в прочной оболочке. В студии установлен микрофон. Не
только голос диктора, разговор людей и звуки музыки, но и шепот, шорохи
микрофон мгновенно превращает в электрические колебания звуковой частоты,
которые по кабелю поступают к передатчику. Скольким еще преобразованиям
подвергается переменный ток звуковой частоты, прежде чем приемник превратит
его снова в звуки. Приемник будет первым вашим практическим шагом к познанию
радиотехники. А чтобы этот шаг был уверенным, надо разобраться в сущности тех
физических явлений, которые лежат в основе техники радиопередачи и
радиоприема, поговорить о природе звука, переменном токе и его свойствах.

О колебаниях и волнах

Вокруг нас все время рождаются и затухают колебательные явления. Колеблется

ветка, с которой слетела птица. Колеблются маятники часов, качели. Под
действием ветра колеблются деревья, провода, подвешенные на столбах,
колеблется вода в озерах и морях. Вот вы бросили на гладкую поверхность озера
камень, и от него побежали волны. Что произошло? Частицы воды в месте удара
камня вдавились, вытеснив соседние частицы, и на поверхности воды образовался
кольцеобразный горб. Затем в месте падения камня, вода поднялась вверх, но уже
выше прежнего уровня - за первым горбом появился второй, а между ними -
впадина. Далее частицы воды продолжают перемещаться попеременно вверх и
вниз - колеблются, увлекая за собой все больше и больше соседних частиц воды.
Образуются волны, расходящиеся от места своего возникновения
концентрическими кругами. Подчеркиваю: частицы воды только колеблются,
но не движутся вместе с волнами. В этом нетрудно убедиться, бросив на
колеблющуюся поверхность воды щепку. Если нет ветра или течения воды, щепка
будет лишь опускаться и подниматься над уровнем воды, не перемещаясь вместе с
волнами. Водяные волны могут быть большими, т.е. сильными или маленькими -
слабыми. Сильными мы называем такие волны, которые имеют большой размах
колебаний, как говорят, большие амплитуды колебаний. Слабые волны имеют
малые горбы - небольшую амплитуду. Чем больше амплитуды возникших волн, тем
большую энергию они несут в себе. Энергия волн, возникших от брошенного
камня, относительно невелика, однако она может заставить колебаться камыш и
траву, растущие в озере. Но мы знаем, какие большие разрушения берега могут
производить морские волны, обладающие большими амплитудами и,
следовательно, большой энергией. Эти разрушения осуществляются именно той
энергией, которую волны непрерывно отдают берегу. Волны могут быть частыми
или редкими. Чем меньше расстояние между гребнями бегущих волн, тем короче
каждая взятая в отдельности волна. Чем больше расстояние между волнами, тем
длиннее волна. Длиной волны на воде мы называем расстояние между двумя
соседними бегущими гребнями или впадинами. По мере удаления волн от места
возникновения их амплитуды постепенно уменьшаются, затухают, но длина волн
остается неизменной. Волны на воде можно также создавать, например, погружая в
воду палку и ритмично, в такт с колебаниями воды, опуская и поднимая ее. И в
этом случае волны будут затухающими. Но существовать они будут лишь до тех
пор, пока мы не прекратим возмущать поверхность воды. А как возникают
колебания обычных качелей? Это вы хорошо знаете: их надо подтолкнуть, вот они
и будут качаться из стороны в сторону. Чем сильнее толчок, тем больше амплитуды
колебаний. Эти колебания будут затухать, если не поддерживать их
дополнительными толчками. Такие и многие другие подобные механические
колебания мы видим. В природе же больше невидимых колебаний, которые мы
слышим, ощущаем в виде звука. Не всегда, например, можно заметить колебания
струны музыкального инструмента, но мы слышим, как она звучит. При порывах
ветра в трубе возникает звук. Его создают колебательные движения воздуха в
трубе, которые мы не видим. Звучат камертон, стакан, ложка, тарелка,
ученическое перо, лист бумаги - они тоже колеблются. Да, мы живем в мире
звуков, потому что многие окружающие нас тела, колеблясь, звучат. Как возникают
звуковые волны в воздухе? Воздух состоит из невидимых глазам частиц. При ветре
они могут переноситься на большие расстояния. Но они, кроме того, могут и
колебаться. Например, если в воздухе сделать резкое движение палкой, то мы
почувствуем легкий порыв ветра и одновременно услышим слабый звук. Звук этот -
результат колебаний частиц воздуха, возбужденных колебаниями палки. Проведем
такой опыт. Оттяним струну, например, гитары, а потом отпустим ее. Струна начнет
дрожать - колебаться около своего первоначального положения покоя. Достаточно
сильные колебания струны заметны на глаз. Слабые колебания струны можно
только почувствовать как легкое щекотание, если прикоснуться к ней пальцем.
Пока струна колеблется, мы слышим звук. Как только струна успокоится, звук
затихнет. Рождение звука здесь - результат сгущения и разрежения частиц
воздуха. Колеблясь из стороны в сторону, струна теснит, как бы прессует перед
собой частицы воздуха, образуя в некотором его объеме области повышенного
давления, а сзади, наоборот, области пониженного давления. Это и есть звуковые
волны. Распространяясь в воздухе со скоростью около 340 м/с, они несут в себе
некоторый запас энергии. В тот момент, когда до ухода доходит область
повышенного давления звуковой волны, она надавливает на барабанную
перепонку, несколько прогибая ее внутрь. Когда же до уха доходит разреженная
область звуковой волны, барабанная перепонка выгибается несколько наружу.
Барабанная перепонка все время колеблется в такт с чередующимися областями
повышенного и пониженного давления воздуха. Эти колебания передаются по
слуховому нерву в мозг, и мы воспринимаем их как звук. Чем больше амплитуды
звуковых волн, тем больше энергии несут они в себе, тем громче воспринимаемый
нами звук. Звуковые волны, как и водяные или электрические колебания,
изображают волнистой линией - синусоидой. Ее горбы соответствуют областям
повышенного давления, а впадины - областям пониженного давления воздуха.
Область повышенного давления и следующая за нею область пониженного
давления образуют звуковую волну. Мы живем и в мире электромагнитных
колебаний, излучаемых электрическими приборами и всеми проводами, в которых
течет переменный ток, огромным числом антенн радиостанций, атмосферными
электрическими разрядами, недрами Земли и бесконечным Космосом. Только с
помощью приборов, созданных человеком, они могут быть обнаружены и
зафиксированы.

Период, частота, амплитуда колебаний

Важнейшим параметром, характеризующим механические, звуковые,

электрические, электромагнитные и все другие виды колебаний является период -
время, в течение которого совершается одно полное колебание. Если,
например, маятник часов - ходиков делает за 1 с два полных колебания, период
каждого колебания равен 0,5 с. Период колебаний больших качелей около 2 с, а
период колебаний струны может составлять от десятых до десятитысячных долей
секунды. Другим параметром, характеризующим колебания, является частота (от
слова «часто») - число, показывающее, сколько полных колебаний в секунду
совершают маятник часов, звучащее тело, ток в проводнике и т. п. Частоту
колебаний оценивают единицей, носящей название Герц (сокращенно
пишут Гц): 1 Гц - это одно колебание в секунду. Если, например, звучащая
струна совершает 440 полных колебаний в 1 с (при этом она создает тон «ля»
третьей октавы), говорят, что частота ее колебаний 440 Гц. Частота переменного
тока электроосветительной сети 50 Гц. При этом токе электроны в проводах сети в
течение секунды текут попеременно 50 раз в одном направлении и столько же раз
в обратном, т. е. совершают за 1 с 50 полных колебаний. Более крупные
 единицы частоты - килогерц (пишут кГц), равный 1000 Гц и мегагерц
(пишут МГц), равный 1000 кГц или 1000000 Гц. По частоте колебаний
звучащего тела можно судить о тоне или высоте звука. Чем больше
частота, тем выше тон звука, и наоборот, чем меньше частота, тем ниже
тон звука. Наше ухо способно реагировать на сравнительно небольшую
полосу (участок) частот звуковых колебаний - примерно от 20 Гц до 20
кГц. Тем не менее эта полоса частот вмещает всю обширнейшую гамму звуков,
создаваемых голосом человека, симфоническим оркестром: от очень низких тонов,
похожих на звук жужжания жука, до еле уловимого высокого писка
комара. Колебания частотой до 20 Гц, называемые инфразвуковыми, и
свыше 20 кГц, называемые ультразвуковыми, мы не слышим.А если бы
барабанная перепонка нашего уха оказалась способной реагировать и на
ультразвуковые колебания, мы могли бы тогда услышать писк летучих мышей,
голос дельфина. Дельфины издают и слышат ультразвуковые колебания с
частотами до 180 кГц. Но, не путайте высоту, т. е. тон звука с его силой. Высота
звука зависит не от амплитуды, а от частоты колебаний. Толстая и длинная струна
музыкального инструмента, например, создает низкий тон звука, т. е. колеблется
медленнее, чем тонкая и короткая

Рис. 1. Чем больше частота колебаний струны, тем короче звуковые волны и выше тон звука.
струна, создающая высокий, тон звука. Разобраться в этом вопросе вам поможет
(рис. 1). В электро - и радиотехнике используют переменные токи частотой
от нескольких герц до тысяч гигагерц. Антенны широковещательных
радиостанций, например, питаются токами частотой примерно от 150 кГц до 100
МГц. Эти быстропеременные колебания, называемые колебаниями радиочастоты, и
являются тем средством, с помощью которого осуществляется передача звуков на
большие расстояния без проводов. Весь огромный диапазон переменных
токов принято подразделять на несколько участков - поддиапазонов. Токи
частотой от 20 Гц до 20 кГц, соответствующие колебаниям,
воспринимаемым нами как звуки разной тональности, называют токами
(или колебаниями), звуковой частоты, а токи частотой выше - 20 кГц -
токами ультразвуковой частоты. Токи частотой от 100 кГц до 30 МГц
называют токами высокой частоты, а токи частотой выше 30 МГц - токами
ультравысокой и сверхвысокой частоты. Запомните эти границы и
названия поддиапазонов частот переменных токов.

Что такое радиоволны?

Предположим, вы снимаете трубку телефонного аппарата, набираете или

называете нужный номер. Вскоре вы слышите голос товарища, а он - ваш. Какие
электрические явления происходят во время вашего телефонного разговора?
Звуковые колебания воздуха, созданные вами, преобразуются микрофоном в
электрические колебания звуковой частоты, которые по проводам передаются к
аппаратуре вашего собеседника. Там, на другом конце линии, они с помощью
излучателя телефона преобразуются в колебания воздуха, воспринимаемые вашим
приятелем как звуки. В телефонии средством связи цепи являются провода,
в радиовещании - радиоволны. «Сердцем» передатчика любой
радиостанции является генератор - устройство, вырабатывающее
колебания высокой, но строго постоянной для данной радиостанции
частоты. Эти колебания радиочастоты, усиленные до необходимой мощности,
поступают в антенну и возбуждают в окружающем ее пространстве
электромагнитные колебания точно такой же частоты - радиоволны. Скорость
удаления радиоволн от антенны радиостанции равна скорости света:
300000 км/с, что почти в миллион раз быстрее распространения звука в
воздухе. Это значит, что если на Московской радиовещательной станции в
некоторый момент времени включили передатчик, то ее радиоволны меньше чем за
1/30с дойдут до Владивостока, а звук за это время успеет распространиться всего
лишь на 10 - 11м. Радиоволны распространяются не только в воздухе, но и там, где
его нет, например в космическом пространстве. Этим они отличаются от звуковых
волн, для которых совершенно необходим воздух или какая - либо другая плотная
среда, например вода. Когда радиовещательная станция начинает свои передачи,
диктор иногда сообщает, что данная радиостанция работает на волне такой - то
длины. Волну, бегущую по поверхности воды, мы видим и при известной ловкости
можем измерить ее длину. Длину же радиоволн можно измерить только с помощью
специальных приборов или рассчитать математическим путем, если, конечно,
известна частота тока, возбуждающего эти волны. Длина радиоволны - это
расстояние, на которое распространяется энергия электромагнитного поля за
период колебания тока в антенне радиостанции. Понимать это надо так. За время
одного периода тока в антенне передатчика в пространстве вокруг нее возникает
одна радиоволна. Чем выше частота тока, тем больше следующих друг за другом
радиоволн излучается антенной в течение каждой секунды. Допустим, частота тока
в антенне радиостанции составляет 1 МГц. Значит, период этого тока и
возбужденного им электромагнитного поля равен одной миллионной доле секунды.
За 1 с радиоволна проходит расстояние 300000 км, или 300000000 м. За одну
миллионную долю секунды она пройдет расстояние в миллион раз меньше, т.е 300
000 000 : 1000 000. Следовательно длина волны данной радиостанции равна 300
м. Итак, длина волны радиостанции за висит от частоты тока в ее антенне:
чем больше частота тока, тем короче волна, и наоборот, чем меньше
частота тока, тем длиннее волна. Чтобы узнать длину волны радиостанции,
надо скорость распространения радиоволн, выраженную в метрах,
разделить на частоту тока в ее антенне. И наоборот, чтобы узнать частоту
тока в антенне радиостанции, надо скорость распространения радиоволн
разделить на длину волны этой радиостанции. Для перевода частоты тока
передатчика в мегагерцах в длину волны в метрах и обратно удобно
пользоваться такими формулами: ?(м) = ЗОО/f (МГц); f (МГц) = ЗОО/?,
(м), где ? (греческая буква «лямбда») - длина волны; f - частота
колебаний, 300 - скорость распространения радиоволн, выраженная в
тысячах километров в секунду. Хочу вас предупредить: не путайте понятие о
длине волны, на которой работает радиостанция, с дальностью ее действия, т. е. с
расстоянием, на котором передачи этой станции могут быть приняты. Дальность
действия радиостанции, правда, зависит от длины волны, но не отождествляется с
нею. Так, передача станции, работающей на волне длиной в несколько десятков
метров, может быть услышана на расстоянии в несколько тысяч километров, но не
всегда слышна на более близких расстояниях. В то же время передача
радиостанции, работающей на волне длиной в сотни и тысячи метров, часто не
слышна на таких больших расстояниях, на которых слышны передачи
коротковолновых станций. Итак, каждая радиовещательная станция работает на
определенной, отведенной для нее частоте, называемой несущей. Длины волн
различных радиостанций неодинаковы, но строго постоянны для каждой из них.
Это и дает возможность принимать передачи каждой радиостанции в отдельности, а
не все одновременно.

Радиовещание. Радиовещательные диапазоны волн

Весьма широкий участок радиоволн, отведенный для радиовещательных станций,

условно подразделен на несколько диапазонов: длинноволновый (сокращенно ДВ),
средневолновый (сокращенно СВ), коволновый (сокращенно KB),
ультракоротковолновый (УКВ). В странах СНГ длинноволновый диапазон
охватывает радиоволны длиной от 735,3 до 2000 м, что соответствует частотам
408-150 кГц; средневолновый - радиоволны длиной от 186,9 до 571,4 м
(радиочастоты 1605 - 525 кГц); коротковолновый - радиоволны длиной от 24,8 до
75,5 (радиочастоты 12,1 - 3,95 МГц); ультракоротковолновый - радиоволны длиной
от 4,11 до 4,56 м (радиочастоты 73 - 65,8 МГц). Радиоволны УКВ диапазона
называют также метровыми волнами; вообще же ультракороткими волнами
называют все волны короче 10 м. В этом диапазоне ведутся телевизионные
передачи, работают связные радиостанции, оборудованные на автомашинах
пожарной охраны, такси, медицинского обслуживания населения на дому и т. д.
Радиочастоты коротковолновых вещательных станций неравномерно распределены
по диапазону: больше всего их работает на волнах длиной около 25, 31, 41 и 50 м.
Соответственно поэтому коротковолновый радиовещательный диапазон
подразделяется на 25, 31, 41 и 50-метровый поддиапазоны. Согласно
международному соглашению волна длиной 600 м (500 кГц) отведена для передачи
сигналов бедствия кораблями в море - SOS. На этой волне работают все морские
аварийные радиопередатчики, на эту волну настроены приемники спасательных
станций и маяков.

Радиопередача

Если сложное техническое оснащение радиовещательной станции изобразить

упрощенно в виде условных знаков и прямоугольников, то получится ее
структурная схема в таком виде, как показано на рис. 2. Здесь пять основных
приборов и устройств: студийный микрофон, усилитель звуковой частоты
(3Ч), генератор колебаний радиочастоты (РЧ), усилитель мощности
колебаний радиочастоты и антенна, излучающая электромагнитную энергию
радиоволн. Пока студийный микрофон не включен, в антенне станции течет ток
высокой (несущей), но строго постоянной частоты и амплитуды (см. левые части
графиков на рис. 3). Антенна при этом излучает радиоволны неизменной длины и
мощности. Но вот в студии включили микрофон, и люди, находящиеся за десятки,
сотни и тысячи километров от радиостанции, услышали знакомый голос диктора.
 Рис. 2 Структурная схема радиовещательной станции.

Рис. 3 При действии звука на микрофон ток высокой частоты в антенне передатчика изменяется по амплитуде.
Что же в это время происходит в передатчике радиостанции? Колебания звуковой
частоты, созданные микрофоном и усиленные студийным усилителем 3Ч, подают на
так называемый модулятор, входящий в усилитель мощности передатчика, и там,
воздействуя на ток высокой частоты генератора, изменяют его амплитуду
колебаний. От этого изменяется излучаемая антенной передатчика
электромагнитная энергия (см. правые части графиков на рис. 3). Чем больше
частота тока, поступающего из радиостудии в передатчик, тем с большей частотой
изменяются амплитуды тока в антенне. Так звук, преобразованный микрофоном в
электрические колебания звуковой частоты, получает «путевку» в эфир. Процесс
изменения амплитуд высокочастотных колебаний под действием тока
звуковой частоты называют амплитудной модуляцией (AM). Изменяемые
же по амплитуде токи высокой частоты в антенне и излучаемые ею
радиоволны носят название модулированных колебаний радиочастоты.
Кроме амплитудной модуляции существует еще так называемая частотная
модуляция (ЧМ). При таком виде модуляции изменяется частота, а
амплитуда колебаний радиочастоты в антенне радиостанции остается
неизменной. Частотную модуляцию применяют, например, для передачи
звукового сопровождения в телевидении, в радиовещании на УКВ. В радиовещании
на ДВ, СВ и KB используют только амплитудную модуляцию. Радиоволны не могут
быть обнаружены ни одним органом наших чувств. Но если на их пути встречается
проводник, они отдают ему часть своей энергии. На этом явлении и основан прием
радиопередач. Улавливание энергии радиоволн приемником осуществляет антенна
радиоприемника. Отдавая антенне часть электромагнитной энергии, радиоволны
индуцируют в ней модулированные колебания радиочастоты. В приемнике имеют
место процессы, обратные тем, которые происходят в студии и на передатчике
радиостанции. Если там звук последовательно преобразуют сначала в
электрические колебания звуковой частоты, а затем в модулированные колебания
радиочастоты, то при радиоприеме решается обратная задача: модулированные
колебания радиочастоты, возбужденные в антенне, приемник преобразует в
электрические колебания звуковой частоты, а затем в звук. В простейшем
приемнике, работающем только благодаря энергии, уловленной антенной,
модулированные колебания радиочастоты преобразуются в колебания звуковой
частоты детектором, а эти колебания в звук - головными телефонами. Но ведь
антенну приемника пронизывают радиоволны множества радиостанций, возбуждая
в ней модулированные колебания самых различных радиочастот. И если все эти
радиосигналы преобразовать в звуки, то мы услышали бы сотни голосов людей,
разговаривающих на разных языках. Вряд ли такой радиоприем нас устроил.
Разумеется, интересно послушать передачи разных станций, но только, конечно, не
все одновременно, а каждую в отдельности. А для этого из колебаний всех частот,
возбуждающихся в антенне, надо выделить колебания с частотой той
радиостанции, передачи которой хотим слушать. Эту задачу
выполняет колебательный контур, являющийся обязательной частью как самого
простого так и самого сложного радиовещательного приемника. Именно с помощью
колебательного контура вы будете настраивать свой первый приемник на сигналы
радиостанций разной длины волны.

Распространение радиоволн

Сейчас рассмотрим некоторые особенности распространения радиоволн. Дело в

том, что радиоволны разных диапазонов обладают неодинаковыми свойствами,
влияющими на дальность их распространения. Волны одной длины преодолевают
большие расстояния, волны другой длины «теряются» за пределами горизонта.
Бывает так, что радиосигнал превосходно слышен где - то по ту сторону Земли или
в Космосе, но его невозможно обнаружить в нескольких десятках километров от
радиостанции. Чем это объяснить? Что влияет на «дальнобойность» радиоволн
разной длины? Земля и окружающая ее атмосфера. Земля - проводник тока,
хотя и не такой хороший, как, скажем медные провода. Земная атмосфера
состоит из трех слоев. Первый слой, верхняя граница которого кончается в
10 - 12 км от поверхности Земли, называется тропосферой. Над ней
километров до 50 от поверхности Земли, второй слой - стратосфера. А
выше, примерно до 400 км над Землей, простирается третий слой
ионосфера (рис. 4). Ионосфера играет решающую роль в распространении
радиоволн, особенно коротких.
 Рис. 4 Распространение радиоволн.
Воздух в ионосфере сильно разрежен. Под действием солнечных излучений там из
атомов газов выделяется много свободных электронов, в результате чего
появляются положительные ионы. Происходит, как говорят, ионизация верхнего
слоя атмосферы. Ионизированный слой способен поглощать радиоволны и
искривлять их путь. В течение суток в зависимости от интенсивности солнечного
излучения количество свободных электронов в ионизированном слое, его толщина
и высота изменяются, а от этого изменяются и электрические свойства этого слоя.
Антенны радиостанций излучают радиоволны вдоль поверхности Земли и вверх под
различными углами к ней. Волны, идущие вдоль поверхности, называют земными
или поверхностными, под различными углами - пространственными. При
передаче сигналов ДВ станций используется главным образом энергия
поверхностных волн, которые хорошо огибают поверхность Земли. Но Земля,
являясь проводником, поглощает энергию радиоволн. Поэтому по мере удаления от
ДВ станций громкость приема ее передач постепенно уменьшается, и, наконец,
прием совсем прекращается. Средние волны хуже огибают Землю и, кроме того,
сильнее, чем длинные, поглощаются ею. Этим - то и объясняется меньшая
«дальнобойность» СВ радиовещательных станций по сравнению с ДВ станциями.
Так, например, сигналы радиостанции, работающей на волне длиной 300 - 400 м,
могут быть приняты на расстоянии, в два - три раза меньшем, чем сигналы станции
такой же мощности, но работающей на волне длиной 1500 - 2000 м. Чтобы
повысить дальность действия СВ станций, приходится увеличивать их мощность. В
вечернее и ночное время суток передачи ДВ и СВ радиостанций можно слышать на
больших расстояниях, чем днем. Дело в том, что излучаемая вверх часть энергии
радиоволн этих станций днем бесследно теряется в атмосфере. После же захода
Солнца нижний слой ионосферы искривляет их путь так, что они возвращаются к
Земле на таких расстояниях, на которых прием этих станций поверхностными
волнами уже невозможен. Радиоволны коротковолнового диапазона сильно
поглощаются Землей и плохо огибают ее поверхность. Поэтому уже на расстоянии
в несколько десятков километров от таких радиостанций их поверхностные волны
затухают. Но зато пространственные волны могут быть обнаружены приемниками
на расстоянии в несколько тысяч километров от них и даже в противоположной
точке Земли. Искривление пути пространственных коротких волн происходит в
ионосфере. Войдя в ионосферу, они могут пройти в ней очень длинньй путь и
вернуться на Землю далеко от радиостанции. Они могут совершить кругосветное
путешествие - их можно принять даже в том месте, где расположена передающая
станция. Этим и объясняется секрет хорошего распространения коротких волн на
большие расстояния даже при малых мощностях передатчика. Но при
распространении коротких волн могут образовываться зоны, где передачи KB
радиостанции вообще не слышны. Их называют зонами молчания (см. рис. 4).
Протяженность зоны молчания зависит от длины волны и состояния ионосферы,
которое в свою очередь зависит от интенсивности солнечного излучения.
Ультракороткие волны по своим свойствам наиболее близки к световым лучам. Они
в основном распространяются прямолинейно и сильно поглощаются землей,
растительным миром, различными сооружениями, предметами. Поэтому уверенный
прием сигналов УКВ станций поверхностной волной возможен главным образом
лишь тогда, когда между антеннами передатчика и приемника можно мысленно
провести прямую линию, не встречающую по всей длине каких - либо препятствий
в виде гор, возвышенностей, лесов. Ионосфера для УКВ подобно стеклу для света -
«прозрачна». Ультракороткие волны почти беспрепятственно проходят через
нее. Поэтому этот диапазон радиоволн используют для связи с искусственными
спутниками Земли и космическими кораблями.

Как работает радиоприемник?

В любом простейшем радиовещательном приемнике, независимо от его сложности,

совершенно обязательно есть три элемента, обеспечивающие ему
работоспособность. Эти элементы - колебательный контур, детектор и
телефоны или, если приемник с усилителем 3Ч, динамическая головка
прямого излучения. Колебательный контур: - устройство простейшего
колебательного контура и его схема изображены на рис. 5. Он, как видите, состоит
из катушки L и конденсатора С, образующих замкнутую электрическую цепь в
которой при определенных условиях в контуре могут возникать и существовать
электрические колебания. Поэтому его и называют колебательным контуром.

Рис. 5 Простейший электрический колебательный контур.

Приходилось ли вам наблюдать такое явление: в момент выключения питания
электроосветительной лампы между размыкающимися контактами выключателя
появляется искра. Если случайно соединить выводы полюсов батареи
электрического карманного фонарика (чего нужно избегать), в момент их
разъединения между ними также проскакивает маленькая искра. А на заводах, в
цехах фабрик, где рубильниками разрывают электрические цепи, по которым текут
токи большой силы, искры могут быть столь значительными, что приходится
принимать меры, чтобы они не причинили вреда человеку, включающему ток.
Почему возникают эти искры? Вы уже знаеште, что вокруг проводника с током
существует магнитное поле, которое можно изобразить в виде замкнутых
магнитных силовых линий, пронизывающих окружающее его пространство.
Обнаружить это, поле, если оно постоянное, можно с помощью магнитной стрелки
компаса. Если отключить проводник от источника тока, то его исчезающее
магнитное поле, рассеиваясь в пространстве, будет индуцировать токи в
ближайших от него других проводниках. Ток индуцируется и в том проводнике,
который создал ЭДС, магнитное поле. А так как он находится в самой гуще своих
же магнитных силовых линий, в нем будет индуцироваться более сильный ток, чем
в любом другом проводнике. Направление этого тока будет таким же, каким оно
было в момент разрыва проводника. Иначе говоря, исчезающее магнитное поле
будет поддерживать создающий его ток до тех пор, пока оно само не исчезнет, т.е.
полностью не израсходуется содержащаяся в нем энергия. Следовательно, ток в
проводнике течет и после того, как выключен источник тока, но, разумеется,
недолго - ничтожно малую долю секунды. После размыкания цепи, электрический
ток может некоторое время течь через воздушный промежуток между
разъединенными концами проводника, между контактами выключателя или
рубильника. Вот этот ток через воздух и образует электрическую искру. Это
явление называют самоиндукцией, а электрическую силу (не путайте с явлением
индукции, знакомым вам по предыдущим урокам), которая под действием ее
исчезающего магнитного поля поддерживает в нем ток, - электродвижущей
силой самоиндукции или, сокращенно, ЭДС самоиндукции. Чем больше ЭДС
самоиндукции, тем значительнее может быть искра в месте разрыва электрической
цепи. Явление самоиндукции наблюдается не только при выключении, но и при
включении тока. В пространстве, окружающем проводник, магнитное поле
возникает сразу при включении тока, вначале оно слабое, но затем очень быстро
усиливается. Усиливающееся магнитное поле тока также возбуждает ток
самоиндукции, но этот ток направлен навстречу основному току. Ток самоиндукции
мешает мгновенному увеличению основного тока и росту магнитного поля. Однако
через короткий промежуток времени основной ток в проводнике преодолевает
встречный ток самоиндукции и достигает наибольшего значения, магнитное поле
становится постоянным и действие самоиндукции прекращается. Явление
самоиндукции можно сравнивать с явлением инерции. Санки, например, трудно
сдвинуть с места. Но когда они наберут скорость, запасутся кинетической энергией
- энергией движения, их невозможно остановить мгновенно. При торможении санки
продолжают скользить до тех пор, пока запасенная ими энергия движения не
израсходуется на преодоление трения о снег. Все ли проводники обладают
одинаковой самоиндукцией? Нет Чем длиннее проводник, тем значительнее
самоиндукция. В проводнике, свернутом в катушку, явление самоиндукции
сказывается сильнее, чем в прямолинейном проводнике, так как магнитное поле
каждого витка катушки наводит ток не только в этом витке, но и в соседних витках
этой катушки. Чем больше длина провода в катушке, тем дольше будет
существовать в нем ток самоиндукции после выключения основного тока. И
наоборот, потребуется больше времени после включения основного тока, чтобы ток
в цепи увеличился до определенного значения и установилось постоянное по силе
магнитное поле. Запомните: свойство проводника влиять на ток в цепи и
изменении его значения называют индуктивностью, а катушки, в которых
наиболее сильно проявляется это свойство - катушками самоиндукции или
индуктивности. Чем больше число витков и размеры катушки, тем больше
ее индуктивность, тем значительнее влияет она на ток в электрической
цепи. Итак, катушка индуктивности препятствует как нарастанию, так и убыванию
тока в электрической цепи. Еше она находится в цепи постоянного тока, и влияние
ее сказывается только при включении и выключении тока. В цепи же переменного
тока, где беспрерывно изменяются ток и его магнитное поле ЭДС самоиндукции
катушки действует все время, пока течет ток. Это электрическое явление и
используется в первом элементе колебательного контура приемника - катушке
индуктивности. Вторым элементом колебательного контура приемника является
накопитель электрических зарядов - конденсатор. Простейший конденсатор
представляет собой два проводника электрического тока, например: - две
металлические пластины, называемые обкладками конденсатора, разделенные
диэлектриком например: - воздухом или бумагой. Чем больше площадь обкладок
конденсатора и чем ближе они расположены друг к другу, тем больше
электрическая емкость этого прибора. Если к обкладкам конденсатора подключить
источник постоянного тока (рис. 6, а), то в образовавшейся цепи возникнет
кратковременный ток и конденсатор зарядится до напряжения, равного
напряжению источника тока. Вы можете спросить: почему в цепи где есть
диэлектрик, возникает ток? Когда мы присоединяем к конденсатору источник тока,
электроны в проводниках образовавшейся цепи начинают двигаться в сторону
положительного полюса источника тока, образуя кратковременный поток
электронов во всей цепи. В результате обкладка конденсатора, которая соединена
с положительным полюсом источника тока, обедняется свободными электронами и
заряжается положительно, а другая обкладка обогащается свободными
электронами и, следовательно, заряжается отрицательно. Как только конденсатор
зарядится, кратковременный ток в цепи, называемый током зарядки конденсатора,
прекратится.

Рис. 6 Процесс зарядки - разрядки конденсатора.

Если источник тока отключить от конденсатора, то конденсатор окажется
заряженным (рис. 6, б). Переходу избыточных электронов с одной обкладки на
другую препятствует диэлектрик. Между обкладками конденсатора тока не будет, а
накопленная им электрическая энергия будет сосредоточена в электрическом поле
диэлектрика. Но стоит обкладки заряженного конденсатора соединить каким - либо
проводником (рис. 6, в), «лишние» электроны отрицательно заряженной обкладки
перейдут по этому проводнику на другую обкладку, где их недостает, и
конденсатор разрядится. В этом случае в образовавшейся цепи также возникает
кратковременный ток, называемый током разрядки конденсатора. Если емкость
конденсатора большая, и он заряжен до значительного напряжения, момент его
разрядки сопровождается появлением значительной искры и треска. Свойство
конденсатора накапливать электрические заряды и разряжаться через
подключенные к нему проводники используется в колебательном контуре
радиоприемника. А теперь, вспомните обыкновенные качели. На них можно
раскачиваться так, что «дух захватывает». Что для этого надо сделать? Сначала
подтолкнуть, чтобы вывести качели из положения покоя, а затем прикладывать
некоторую силу, но обязательно только в такт с их колебаниями. Без особого труда
можно добиться сильных размахов качелей - получить большие амплитуды
колебаний. Даже маленький мальчик может раскачать на качелях взрослого
человека, если будет прикладывать свою силу умеючи. Раскачав качели посильнее,
чтобы добиться больших амплитуд колебаний, перестанем подталкивать их. Что
произойдет дальше? За счет запасенной энергии они некоторое время свободно
качаются, амплитуда их колебаний постепенно убывает, как говорят, колебания
затухают, и, наконец, качели остановятся. При свободных колебаниях качелей,
так же как свободно подвешенного маятника, - запасенная потенциальная энергия
переходит в кинетическую энергию движения, которая в крайней верхней точке
вновь переходит в потенциальную, а через долю секунды - опять в кинетическую.
И так до тех пор, пока не израсходуется весь запас энергии на преодоление трения
веревок в местах подвеса качелей и сопротивления воздуха. При сколь угодно
большом запасе энергии свободные колебания всегда являются затухающими: с
каждым колебанием их амплитуда уменьшается и колебания постепенно совсем
затухают - качели останавливаются. Но период, т. е. время, в течение которого
происходит одно колебание, а значит, и частота колебаний остаются постоянными.
Однако, если качели все время подталкивать в такт с их колебаниями и тем самым
пополнять потери энергии, расходуемой на преодоление различных тормозящих
сил, колебания станут незатухающими. Это уже не свободные, а вынужденные
колебания. Они будут длиться до тех пор, пока не перестанет действовать
внешняя подталкивающая сила. Я вспомнил здесь о качелях потому, что
физические явления, происходящие в такой механической колебательной системе,
очень схожи с явлениями в электрическом колебательном контуре. Чтобы в контуре
возникли электрические колебания, ему надо сообщить энергию, которая
«подтолкнула» бы в нем электроны. Это можно сделать, зарядив, например, его
конденсатор. Разорвем выключателем S колебательный контур и подключим к
обкладкам его конденсатора источник постоянного тока, как показано на (рис. 7
слева). Конденсатор зарядится до напряжения батареи GB. Затем отключим
батарею от конденсатора контур замкнем выключателем S.

Рис. 7 Электрические колебания в контуре.

Явления, которые теперь будут происходить в контуре, изображены графически на
(рис. 7 справа). В момент замыкания контура выключателем верхняя обкладка
конденсатора имеет положительный заряд, а нижняя - отрицательный (рис. 7, а). В
это время (точка 0 на графике) тока в контуре нет, а вся энергия, накопленная
конденсатором, сосредоточена в электрическом поле его диэлектрика. При
замыкании конденсатора на катушку конденсатор начнет разряжаться. В катушке
появляется ток, а вокруг ее витков - магнитное поле. К моменту полной разрядки
конденсатора (рис. 7, б), отмеченному на графике цифрой 1, когда напряжение на
его обкладках уменьшится до нуля, ток в катушке и энергия магнитного поля
достигнут наибольших значений. Казалось бы, что в этот момент ток в контуре
должен был прекратиться. Этого, однако, не произойдет, так как от действия ЭДС
самоиндукции, стремящейся поддержать ток, движение электронов в контуре будет
продолжаться. Но только до тех пор, пока не израсходуется вся энергия магнитного
поля. В катушке в это время будет течь убывающий по значению, но
первоначального направления индуцированный ток. К моменту времени,
отмеченному на графике цифрой 2, когда энергия магнитного поля израсходуется,
конденсатор вновь окажется заряженным, только теперь на его нижней обкладке
будет положительный заряд, а на верхней - отрицательный (рис. 7, в). Теперь
электроны начнут обратное движение - в направлении от верхней обкладки через
катушку к нижней обкладке конденсатора. К моменту 3 (рис. 7, г) конденсатор
разрядится, а магнитное поле катушек достигнет наибольшего значения, И опять
ЭДС самоиндукции «погонит» по проводу катушки электроны, перезаряжая тем
самым конденсатор. В момент времени 4 (рис. 7, д) состояние электронов в контуре
будет таким же, как в первоначальный момент - 0. Закончилось одно полное
колебание. Естественно, что заряженный конденсатор вновь будет разряжаться на
катушку, перезаряжаться и произойдут второе, за ним третье, четвертое
колебания. Другими словами, в контуре возникнет переменный электрический ток,
электрические колебания. Но этот колебательный процесс в контуре не
бесконечен. Он продолжается до тех пор пока вся энергия, полученная
конденсатором от батареи, не израсходуется на преодоление сопротивления
провода катушки контура. Колебания контура свободные и, следовательно,
затухающие. Какова частота таких колебаний электронов в контуре? Чтобы
подробнее разобраться в этом вопросе, советую провести такой опыт с простейшим
маятником. Подвесьте на нитке длиной 100 см. шарик, слепленный из пластилина,
или иной груз массой в 20 - 40 г. (на рис. 8 длина маятника обозначена латинской
буквой L).

Рис. 8 Графики колебаний простейшего маятника.

Выведите маятник из положения равновесия и пользуясь часами с секундной
стрелкой, сосчитайте, сколько полных колебаний он делает за 1 мин. Примерно 30.
Следовательно, частота колебаний этого маятника равна 0,5 Гц, а период 2 с. За
период потенциальная энергия маятника дважды переходит в кинетическую, а
кинетическая в потенциальную. Укоротите нить наполовину. Частота маятника
увеличится примерно в полтора раза и во столько же раз уменьшится период
колебаний. Этот опыт позволяет сделать вывод: с уменьшением длины маятника
частота его собственных колебаний увеличивается, а период пропорционально
уменьшается. Изменяя длину подвески маятника, добейтесь, чтобы его частота
колебаний равнялась 1 Гц. Это должно быть при длине нити около 25 см. При этом
период колебаний маятника будет равен 1 с. Каким бы вы не пытались создать
первоначальный размах маятника, частота его колебаний будет неизменной. Но
стоит только укоротить или удлинить нитку, как частота колебаний сразу
изменится. При одной и той же длине нитки всегда будет одна и та же частота
колебаний. Это собственная частота колебаний маятника. Получить заданную
частоту колебаний можно, подбирая длину нити. Колебания нитяного маятника -
затухающие. Они могут стать незатухающими только в том случае, если маятник в
такт с его колебаниями слегка подталкивать, компенсируя таким образом ту
энергию, которую он затрачивает на преодоление сопротивления, оказываемого
ему воздухом, энергию трения, земного притяжения. Собственная частота
характерна и для электрического колебательного контура. Она зависит, во
- первых, от индуктивности катушки. Чем больше число витков и диаметр
катушки, тем больше ее индуктивность, тем больше будет длительность периода
каждого колебания. Собственная частота колебаний в контуре будет
соответственно меньше. И, наоборот, с уменьшением индуктивности катушки
сократится период колебаний - возрастет собственная частота колебаний в
контуре. Во - вторых, собственная частота колебаний в контуре зависит от
емкости его конденсатора. Чем емкость больше, тем больший заряд может
накопить конденсатор, тем больше потребуется времени для его перезарядки, тем
меньше частота колебаний в контуре. С уменьшением емкости конденсатора
частота колебаний в контуре возрастает. Таким образом, собственную частоту
затухающих колебаний в контуре можно регулировать изменением индуктивности
катушки или емкости конденсатора. Но в электрическом контуре, как и в
механической колебательной системе, можно получить и незатухающие, т.е.
вынужденные колебания, если при каждом колебании пополнять контур
дополнительными порциями электрической энергии от какого - либо источника
переменного тока. Каким же образом в контуре приемника возбуждаются и
поддерживаются незатухающие электрические колебания? Колебания
радиочастоты, возбуждающиеся в антенне приемника. Эти колебания сообщают
контуру первоначальный заряд, они же и поддерживают ритмичные колебания
электронов в контуре. Но наиболее сильные незатухающие колебания в контуре
приемника возникают только в момент резонанса собственной частоты контура с
частотой тока в антенне. Как это понимать? Люди старшего поколения
рассказывают, будто в Петербурге от шедших в ногу солдат обвалился Египетский
мост. А могло это случиться, видимо, при таких обстоятельствах. Все солдаты
ритмично шагали по мосту. Мост от этого стал раскачиваться - колебаться. По
случайному стечению обстоятельств собственная частота колебаний моста совпала
с частотой шага солдат, и мост, как говорят, вошел в резонанс. Ритм строя
сообщал мосту все новые и новые порции энергии. В результате мост настолько
раскачался, что обрушился: слаженность воинского строя нанесла вред мосту. Если
бы резонанса собственной частоты колебаний моста с частотой шага солдат не
было, с мостом ничего бы не случилось. Поэтому, между прочим, при прохождении
солдат по слабым мостам принято подавать команду «сбить ногу». А вот опыт.
Подойдите к какому - нибудь струнному музыкальному инструменту и громко
крикните «а»: какая - то из струн отзовется - зазвучит. Та из них, которая
окажется в резонансе с частотой этого звука, будет колебаться сильнее остальных
струн - она - то и отзовется на звук. Еще один опыт с маятником. Натяните
горизонтально нетолстую веревку. Привяжите к ней тот же маятник из нити и
пластилина (рис.9).

Рис. 9 Опыт, иллюстрирующий явление резонанса.

Перекиньте через веревку еще один такой же маятник, но с более длинной ниткой.
Длину подвески этого маятника можно изменять, подтягивая рукой свободный
конец нитки. Приведите маятник в колебательное движение. При этом первый
маятник тоже станет колебаться, но с меньшей амплитудой. Не останавливая
колебаний второго маятника, постепенно уменьшайте длину его подвески -
амплитуда колебаний первого маятника будет увеличиваться. В этом опыте,
иллюстрирующем резонанс механических колебаний, первый маятник является
приемником колебаний, возбуждаемых вторым маятником. Причиной,
вынуждающей первый маятник колебаться, являются периодические колебания
растяжки с частотой, равной частоте колебаний второго маятника. Вынужденные
колебания первого маятника будут иметь максимальную амплитуду, а его
собственная частота совпадает с частотой колебаний второго. Такие или подобные
явления, только, разумеется, электрического происхождения, наблюдаются и в
колебательном контуре приемника. От действия волн многих радиостанций в
приемной антенне возбуждаются токи самых различных частот. Нам из всех
колебаний радиочастот надо выбрать только несущую частоту той радиостанции,
передачи которой мы хотим слушать. Для этого следует так подобрать число витков
катушки и емкость конденсатора колебательного контура, чтобы его собственная
частота совпадала с частотой тока, создаваемого в антенне радиоволнами
интересующей нас станции. В этом случае в контуре возникнут наиболее сильные
колебания с несущей частотой той радиостанции, на волну которой он настроен.
Это и есть настройка контура приемника в резонанс с частотой передающей
станции. При этом сигналы других станций совсем не слышны или
прослушиваются очень тихо, так как возбуждаемые ими колебания в контуре будут
во много раз более слабыми. Таким образом, настраивая контур своего приемника
в резонанс с несущей частотой радиостанции, вы с его помощью как бы отбираете,
выделяя колебания частоты , только этой станции. Чем лучше контур будет
выделять нужные колебания из антенны, тем выше селективность
приемника, тем слабее будут помехи со стороны других радиостанций. До
сих пор я рассказывал вам о замкнутом колебательном контуре, т.е. контуре,
собственная частота которого определяется только индуктивностью катушки и
емкостью конденсатора образующих его. Однако во входной контур приемника
входят также антенна и заземление. Это уже не замкнутый, а открытый
колебательный контур. Дело в том, что провод антенны и земля являются
«обкладками» конденсатора, обладающего некоторой электрической емкостью. В
зависимости от длины провода и высоты антенны над землей эта емкость может
составлять несколько сотен пикофарад. Но ведь антенну и землю можно
рассматривать и как не полный виток большой катушки. Стало быть, антенна и
заземление, взятые вместе, обладают еще и индуктивностью. А емкость совместно
с индуктивностью образуют колебательный контур (рис. 10).

Рис. 10 Антена и зазамление - открытый колебательный контур.

Такой контур, являющийся открытым колебательным контуром, тоже обладает
собственной частотой колебаний. Включая между антенной и землей катушки
индуктивности и конденсаторы, мы можем изменять его собственную частоту,
настраивать его в резонанс с частотами разных радиостанций. Как это делается на
практике, вы уже знаете. Я не ошибусь, если скажу, что колебательный контур
является «сердцем» радиоприемника. И не только радиоприемника. Поэтому ему я
и уделил побольше внимания. Перехожу ко второму элементу приемника -
детектору.

Детектор и детектирование радиосигнала

Детектор - двухэлектродный полу - проводниковый прибор

(высокочастотный диод), обладающий односторонней
 электропроводностью: хорошо проводит ток одного направления и не
проводит или слабо проводит - ток обратного направления. Для простоты
объяснения работы диода как детектора будем считать, что ток обратного
направления он вообще не проводит и является для него как бы изолятором. Это
свойство диода иллюстрирует график, изображенный на (рис. 11), диод
беспрепятственно пропускает через себя положительные полуволны переменного
тока и совсем не пропускает отрицательные полуволны. Отрицательные полуволны
диод как бы срезает. В результате такого действия диода переменный ток
преобразуется в пульсирующий ток одного направления, но изменяющийся по
величине с частотой пропускаемого через него тока. Этот преобразовательный
процесс, называемый выпрямлением переменного тока, лежит в основе
детектирования принятых радиосигналов.

Рис. 11 Диод преобразующий переменный ток в пульсирующий.

Посмотрите на графики, показанные на (рис. 12). Они иллюстрируют процессы,
происходящие в детекторной цепи простейшего приемника. Под действием
радиоволн в контуре приемника возбуждаются модулированные колебания
радиочастоты (рис. 12, а). К контуру подключена цепь, состоящая из диода и
телефонов.

Рис. 12 Графики иллюстрирующие детектирование модулированных колебаний радиочастоты.

Для этой цепи колебательный контур является источником переменного тока
радиочастоты. Поскольку диод пропускает ток только одного направления, то
модулированные колебания радиочастоты, поступающие в его цепь, будут им
выпрямлены (рис. 12,б), говоря иначе, продетектированы. Если провести
штриховую линию, огибающую верщины выпрямленного тока, то получится
«рисунок» тока звуковой частоты, которым модулирован ток, поступающий в
антенну радиостанции во время передачи. Ток, получившийся в результате
детектирования состоит из импульсов радиочастоты, амплитуды которых
изменяются со звуковой частотой. Его можно рассматривать как суммарный ток и
разложить на две составляющие: высокочастотную и низкочастотную. Их
называют соответственно высокочастотной и составляющей звуковой частоты
пульсирующего тока. В простейщем приемнике составляющая звуковой частоты
идет через телефоны и преобразуется ими в звук.

Головной телефон и его устройство

Телефон - третье, последнее звено простейшего приемника, которое,

образно выражаясь, «выдает готовую продукцию» - звук. Это один из
старейших электротехнических приборов, почти без изменения сохранивший свои
основные черты до наших дней. Для детекторных и многих простейших
транзисторных приемников используют головные телефоны, например типов ТОН-
1, ТГ-1, ТА-4. Это два последовательно соединенных телефона, удерживающихся
на оголовье. Отвернем крышку одного из телефонов (рис. 13, а).

Рис. 13 Устройство электромагнитного телефона.

Под нею находится круглая жестяная пластинка - мембрана. Сняв осторожно
мембрану, мы увидим две катушки, насаженные на полюсные наконечники
постоянного магнита, впрессованного в корпус. Катушки соединены
последовательно, а крайние выводы припаяны к стерженькам, к которым с
наружной стороны при помощи прижимных винтов подключен шнур с
однополюсными штепсельными вилками. Как работает телефон? Мембрана,
издающая звук, находится возле полюсных наконечников магнита и операется на
бортики корпуса (рис. 13, а). Под действием поля магнита она немного прогибается
в середине, но неприкасается к полюсным наконечникам магнита (на рис. 13, б) -
сплошная линия. Когда через, катушки телефона течет ток, он создает вокруг
катушек магнитное поле, которое взаимодействует с магнитным полем постоянного
магнита. Сила этого магнитного поля, а значит и сила притяжения мембраны к
полюсным наконечникам зависит от направления тока в катушках. При одном
направлении, когда направления магнитных силовых линий катушек и магнита
совпадают и их поля складываются, мембрана сильнее притягивается к полюсам
магнита (на рис. 13, б - нижняя штриховая линия). При другом направлении тока
силовые линии катушки и магнита направлены встречно и общее поле становится
слабее, чем поле магнита. В этом случае мембрана слабее притягивается
полюсными наконечниками и выпрямляясь, несколько удаляется от них (рис. 13, б
- верхняя штриховая линия). Если через катушки телефона пропускать
переменный ток звуковой частоты, суммарное магнитное поле станет то
усиливаться, то ослабляться а мембрана будет то приближаться к полюсным
наконечникам магнита, то отходить от них, т. е. колебаться с частотой тока.
Колеблясь, мембрана создаст в окружающем пространстве звуковые волны. С
первого взгляда может показаться что постоянный магнит в телефоне не нужен:
катушки можно надеть на железную ненамагниченную подковку. Но это не так. И
вот почему. Железная подковка, намагничиваемая переменным током будет
притягивать мембраму независимо от того, идет ли ток через катушки в одном
направлении или другом. Значит, за один период переменного тока мембрана
притянется во время первого полупериода, отойдет от него и еще раз притянется
во время второго полупериода, т.е. на один период переменного тока (рис, 14, а)
она сделает два колебания (рис. 14, б).

Рис. 14 Графики иллюстрирующие работу телефона: а - переменный ток в телефоне,

б - без постоянного магнита, в - с постоянным магнитом.
Если, например, частота тока 500 Гц, то мембрана телефона за 1 с сделает 500 * 2
= 1000 колебаний и тон звука исказится - будет вдвое выше. Вряд ли нас устроит
такой телефон. С постоянным же магнитом дело обстоит иначе: при одном
полупериоде происходит усиление магнитного поля - уже притянутая мембрана
прогнется еще больше; при другом полупериоде поле ослабевает и мембрана,
выпрямляясь, отходит дальше от полюсов магнита. Таким образом, при наличии
постоянного магнита мембрана за один период переменного тока делает только
одно колебание (рис. 14, в) и телефон не искажает звук. Постоянный магнит,
 кроме того, повышает громкость звучания телефона. Теперь разберем такой
вопрос: зачем параллельно головным телефонам подключают блокировочный
конденсатор? Какова его роль? Электрическая емкость блокировочного
конденсатора такова, что через него свободно проходят токи высокой частоты, а
токам звуковой частоты он оказывает значительное сопротивление. Телефоны,
наоборот, хорошо пропускают токи звуковой частоты и оказывают большое
сопротивление токам высокой частоты. На этом участке детекторной цепи
высокочастотный пульсирующий ток разделяется (на рис. 15 - в точке а) на
составляющие, которые далее идут: высокочастотная - через блокировочный
конденсатор Сбл, а составляющая звуковой частоты через телефоны. Затем
составляющие соединяются (на рис. 15 - в точке б) и далее опять идут вместе.

Рис. 15 В точке а детекторной цепи составляющие пульсирующего тока разделяются, а в точке б, соединяются.
Назначение блокировочного конденсатора можно объяснить еще так. Телефон из -
за инертности мембраны не может отзываться на каждый высокочастотный импульс
тока в детекторной цепи. Значит, чтобы телефон работал, надо как - то «сгладить»
высокочастотные импульсы, «заполнить» провалы тока между ними. Эта задача и
решается с помощью блокировочного конденсатора следующим образом.
Отдельные высокочастотные импульсы заряжают конденсатор. В моменты между
импульсами конденсатор разряжается через телефон, заполняя таким образом
«провалы» между импульсами. В результате через телефон идет ток одного
направления, но изменяющийся по величине со звуковой частотой, который и
преобразуется им в звук. Еще короче о роли блокировочного конденсатора можно
сказать так: он фильтрует сигнал звуковой частоты, выделенный диодом, т. е.
«очищает» его от составляющей радиочастоты. Качество работы телефона
оценивают главным образом с точки зрения его чувствительности - способности
реагировать на слабые колебания электрического тока. Чем слабее колебания, на
которые отзывается телефон, тем выше его чувствительность. Чувствительность
телефона зависит от числа витков в его катушках и качества магнита. Два
телефона с совершенно одинаковыми магнитами, но с катушками, содержащими
неодинаковое число витков, различны по чувствительности. Лучшей
чувствительностью будет обладать тот из них, в котором использованы катушки с
большим числом витков. Чувствительность телефона зависит также от положения
мембраны относительно полюсных наконечников магнита. Наилучшая
чувствительность его будет в том случае, когда мембрана находится очень близко к
полюсным наконечникам, но, вибрируя, не прикасается к ним. Телефоны принято
подразделять на высокоомные - с большим числом витков в катушках, и
низкоомные - с относительно небольшим числом витков. Для детекторного
приемника пригодны только высокоомные телефоны. Катушки каждого телефона
типа ТОН-1, например, намотаны эмалированным проводом толщиной 0,06 мм и
имеют по 4000 витков. Их сопротивление постоянному току около 2200 Ом. Это
число, характеризующее телефоны, выштамповано на их корпусах. Поскольку два
телефона соединены последовательно, их общее сопротивление постоянному току
составляет 4400 Ом. Сопротивление постоянному току низкоомных телефонов,
 например типа ТА - 56, может быть 50 - 60 Ом. Низкоомные телефоны можно
использовать для некоторых транзисторных приемников. Как проверить
исправность и чувствительность головных телефонов? Прижмите их к ушам. Смочте
слюной штепсельные вилки на конце шнура, а затем коснитесь ими друг друга - в
телефонах должен быть слышен слабый щелчок. Чем сильнее этот щелчок, тем
чувствительнее телефоны. Щелчки получаются потому, что смоченный контакт
между металлическими вилками представляет собой очень слабый источник тока.
Грубо проверить телефоны можно с помощью батареи для карманного
электрического фонарика. При подключении телефонов к батарее и отключении от
нее должны быть слышны резкие щелчки. Если щелчков нет, значит, где - то в
катушках или шнуре имеется обрыв или плохой контакт.

Практическая работа
В этой практической работе мы сконструируем простейший радиоприемник (детекторный
приемник), без которого, на мой взгляд, немыслимо дальнейшее освоение любой
радиоприемной аппаратуры. Спросите у любого специалиста в области
радиоэлектроники (КВ - УКВ радиосвязи), что такое детекторный радиоприемник
и я думаю, он без промедления даст вам вразумительный ответ. Одним словом это
классика, основа - основ, с чего начинали наши отцы и деды. И мы от них
постараемся не отставать.

Главное достоинство такого варианта простейшего радиоприемника заключается в

том, что в нем легко делать любые изменения и дополнения, исправлять ошибки
путем переключения соединительных проводников, поскольку все его детали будут
лежать перед вами в развернутом виде. Опыты с ним помогут вам понять основные
принципы работы любого радиовещательного приемника и получить некоторые
практические навыки радиотехнического конструирования. Для такого приемника
понадобятся: катушка индуктивности, стержень из феррита марки 400НН или
600НН диаметром 7 - 8 мм и длиной 120 - 140 мм (такие стержни используют для
магнитных антенн транзисторных приемников), полупроводниковый точечный
диод, который в приемнике будет детектором, несколько конденсаторов
постоянной емкости и головные телефоны (рис. 1).

Рис. 1 Самодельная катушка индуктивности (а), феритовый стержень (б), точечный диод (в),
конденсаторы (г) и головные телефоны (д), необходимые для опытного приемника.
Катушку индуктивности сделайте сами (по предыдущим урокам вы знаете как это
делается). Остальные детали готовые. Диод может быть любым из серий Д9, Д2.
Конденсаторы также любых типов - слюдяные, керамические или бумажные
емкостью от нескольких десятков до нескольких тысяч пикофарад (сокращенно:
пФ). Головные телефоны высокоомные, т. е. с обмотками сопротивлением 1500 -
2200 Ом, например типа ТОН - 1 или ТА - 4. Несколько позже, когда приступите к
экспериментам, нужны будут некоторые другие детали и материалы. Для катушки
потребуется обмоточный провод марки ПЭВ - 1 (Провод с Эмалевой Высокопрочной
изоляцией в один слой), ПЭВ - 2 (то же, но с изоляцией в два слоя) или ПЭЛ
(Провод с Эмалевой Лакостойкой изоляцией) диаметром 0,15 - 0,2 мм. Обмоточные
провода этих марок и их диаметр обозначают так: ПЭВ - 1 0,15, ПЭВ - 2 0,18, ПЭЛ
0,2. Годятся обмоточные провода и других марок, например ПБД - с изоляцией из
двух (буква Д) слоев хлопчатобумажной пряжи (буква Б), или ПЭЛШО - с эмалевой
лакостойкой изоляцией и одним (буква О) слоем натурального шелка (буква Ш).
Важно лишь, чтобы изоляция провода была непопорченной, иначе между витками
катушки может возникнуть замыкание, чего допускать нельзя. Внутренний диаметр
каркаса катушки, склеенный из писчей бумаги в 3 - 4 слоя, должен быть таким,
чтобы в него с небольшим трением входил ферритовый стержень. Прежде чем
наматывать катушку, вставьте в каркас стержень. Провод сильно не натягивайте,
иначе каркас сожмется и из него будет трудно вытащить стержень. Всего на каркас
надо намотать в один ряд 300 витков провода, делая через каждые 50 витков
отводы в виде петель. Получится однослойная шести - секционная катушка
индуктивности с двумя крайними выводами и пятью отводами. Чтобы крайние
витки провода готовой катушки не спадали, закрепите их на каркасе колечками,
нарезанными из резиновой или поливинилхлоридной трубки, или обмотайте
нитками. Дополнительно витки провода катушки можно скрепить тонким слоем
клея "Момент". Концы каркаса аккуратно подрежьте острым ножом. Бывает, что во
время намотки катушки провод оборвется или одного отрезка провода не хватит на
всю катушку. В таком случае концы провода, которые нужно соединить, должны
быть очищены от изоляции, крепко скручены, пропаяны и обязательно обмотаны
тонкой изоляционной лентой. Если соединение приходится возле отвода, то лучше
не жалеть нескольких витков провода и сделать его в петле. Вот теперь,
приступайте к сборке своего первого радиоприемника (рис. 2).

Рис. 2 Соединение деталей опытного приемника.

Концы выводов и отводов, катушки зачистить от изоляции, только осторожно,
чтобы не порвать провод. Один из крайних выводов назовем началом катушки и
обозначим буквой (н). Соедините его с диодом. Второй крайний вывод катушки, ее
конец (к), соедини с одним из контактных штырьков шнура головных телефонов.
Оставшиеся свободными вывод диода и штырек телефонов тоже соедините между
собой. К проводнику, идущему от начала катушки к диоду, прочно прикрутите
провод антенны, предварительно зачистив его от изоляции. Этот проводник
приемника будем называть антенным. К проводнику, соединяющему конец катушки
с телефонами, прикрутите провод заземления. Это будет заземленный проводник.
Во время опытов его придется переключать с одного вывода катушки на другой (на
рис. 2 показано штриховой линией со стрелкой), не изменяя при этом соединения
заземления с телефонами. Совершим «прогулку» по цепям получившегося
приемника. От начала катушки (н) по антенному проводнику мы попадаем к диоду,
а от него - к головным телефонам. Через телефоны, далее по заземленному
проводнику и через все витки катушки приходим к отправной точке (н).
Получилась замкнутая электрическая цепь, состоящая из катушки, диода и
телефонов. Ее называют детекторной. Если в этой цепи где - либо окажется
обрыв, плохой контакт между деталями или соединительными проводниками,
например непрочная скрутка, приемник, естественно, работать не будет.
Кратчайший путь из антенны в землю - через катушку. По этому пути пойдет ток
высокой частоты, возбуждаемый в антенне радиоволнами. Этот ток создаст на
концах катушки высокочастотное напряжение, которое вызовет ток такой же
частоты во всей детекторной цепи. Цепь, состоящую из антенны, катушки и
заземления называют антенной или антенным контуром. Обратите внимание:
контурная катушка приемника входит как в антенную, так и в детекторную цепи.
После такой прогулки по цепям приемника можно перейти к его испытанию.
Наденьте на голову телефоны, прижмите их плотнее к ушам, прислушайтесь.
Возможно, что сразу вы ничего не услышите даже при заведомо хороших антенне и
заземлении, предварительно проверенных диоде и телефонах. Это потому, что
приемник, видимо, не настроен на несущую частоту радиовещательной станции,
сигналы которой хорошо слышны в вашем районе, или вы попали в перерыв
передачи. Настраивать такой приемник можно изменением числа витков катушки,
включаемых в антенный контур. На (рис. 2) в антенный контур включены все 300
витков катушки. Если заземленный проводник отсоединить от конца катушки и
присоединить, например, к отводу 5, то в контур будет включено уже не 300, а
250витков. Если же этот проводник переключить на отвод 4, в контур будет
включено 200 витков. При переключении его на отвод 3 в антенный контур будет
включено 150 витков и т.д. При этом нижние секции окажутся не включенными в
контур и в работе приемника участвовать не будут. Таким образом, переключением
заземленного проводника вы можете включать в контур разное число витков через
50 витков. Запомните: чем больше длина волны радиовещательной станции, на
которую можно настроить приемник, тем большее число витков катушки должно
быть включено в антенный контур. Ваш опытный приемник можно настраивать на
радиовещательные станции как средневолнового, так и длинноволнового
диапазонов. Но, разумеется, передачи не всякой станции вы можете принять. На
слабые сигналы отдаленных станций детекторный приемник реагировать не сможет
- мала чувствительность. Теперь займитесь настройкой приемника путем
присоединения заземленного проводника сначала к отводу 5, затем к отводу 4 и
так до отвода 1. Одновременно следите, чтобы отводы катушки и соединительные
проводники не соприкасались, а контакты в скрутках не нарушались. Иначе
приемник совсем не будет работать или в телефонах будут слышны трески,
шорохи, мешающие приему. Электрические контакты будут надежнее, если места
соединений проводников и деталей пропаять. Настроив приемник на одну станцию,
запомните число витков, включенных в контур, при котором станция слышна с
наибольшей громкостью. Потом попытайтесь «найти» таким же способом другую
станцию. Надеюсь, что вы добились некоторого успеха. Попробуте улучшить
работу приемника. Не изменяя настройки приемника, присоедините параллельно
телефонам (между его контактными штырьками) конденсатор. Емкость этого
конденсатора, называемого в данном случае блокировочным, может быть от 1000
до 3000 пФ. При этом громкость звучания телефонов должна несколько
увеличиться. А если радиовещательные станции находятся более чем в 150 - 200
км от того места, где вы живете, блокировочный конденсатор включайте в самом
начале опыта. Способ настройки приемника только скачкообразным изменением
числа витков катушки очень прост. Но он не всегда позволяет настроить приемник
точно на несущую частоту станции. Точной настройки можно добиться
дополнительным способом, например, с помощью гвоздя. Попробуйте настроить
приемник уже знакомым вам способом на волну радиостанции и введите внутрь
каркаса катушки толстый гвоздь или подходящего диаметра железный стержень.
Что получилось? Громкость приема немного возрастет или, наоборот уменьшится.
Вытащите гвоздь из катушки - громкость станет прежней. Теперь медленно вводите
гвоздь в катушку и так же медленно извлекате его из катушки - громкость работы
приемника будет немного, но плавно изменяться. Опытным путем, можно найти
такое положение металлического предмета в катушке, при котором громкость
звучания будет наилучшей. Этот опыт позволяет сделать вывод, что металлический
стержень, помещенный в катушку, влияет на настройку контура. С таким способом
настройки приемника, только, разумеется, с применением лучшего, чем гвозь,
ферромагнитного сердечника, вы познакомитесь в дальнейшем. А пока предлагаю
следующий опыт - настроить приемник на сигналы радиовещательной станции с
помощью конденсатора переменной емкости. Для удобства проведения этого и не
скольких последующих опытов с детекторным приемником, на фанерной дощечке
размерами примерно 30 х 70 мм смонтируйте колодку со штепсельными гнездами,
два зажима, блокировочный конденсатор, соединив их под дощечкой, как показано
на рис. 3.

Рис. 3 Настройка приемника самодельным конденсатором переменной емкости.

Колодку с гнездами устанавите на дощечке так: просверлите в ней два отверстия
диаметром 6 - 8 мм с расстоянием 20 мм между центрами и вставьте в них «хвосты»
штепсельных гнезд. Колодку укрепите на дощечке шурупами или винтами с
гайками. Начало катушки и антенну подключите к зажиму, с которым соединен
диод, а ко второму зажиму, соединенному с гнездом телефонов, подключите конец
катушки и заземление. Конденсатор переменной емкости может быть как с
воздушным, так и с твердым диэлектриком. Но функцию конденсатора переменной
емкости могут выполнять две металлические пластины размерами примерно 150 х
150 мм, вырезанные, например, из жести больших консервных банок. К пластинам
припаяйте проводники длиной по 250 - 300 мм. При помощи этих проводников одну
пластину соедините с зажимом антенны, а другую - с зажимом заземления.
Положите пластины на стол одну возле другой, но так, чтобы они не
соприкасались, и настройте приемник на радиостанцию только переключением
секций катушки заземленным проводником. Теперь поднесите заземленную
пластину к пластине, соединенной с антенной. Если громкость будет
увеличиваться, сближайте пластины и, наконец, положите одну пластину на
другую, проложив между ними лист сухой бумаги (чтобы не было электрического
контакта). Найдите такое взаимное расположение пластин, при котором будет
точная настройка. Если же при сближении пластин громкость приема будет
уменьшаться, переключите заземленный проводник на ближний к началу катушки
отвод и вновь сближайте пластины, добиваясь наибольшей громкости. В этом опыте
настройка приемника на несущую частоту радиостанции осуществлялась двумя
способами: грубо - изменением индуктивности катушки путем
переключения ее секций, точно - изменением емкости пластинчатого
конденсатора.  Запомните: индуктивность катушки и емкость конденсатора
при настройке приемника на радиостанцию взаимосвязаны. Одну и ту же
радиостанцию можно слушать при включении в антенный контур
приемника большего числа витков, т. е. большей индуктивности катушки,
но при меньшей емкости конденсатора, либо, наоборот, при меньшей
индуктивности катушки, но большей емкости конденсатора. Теперь снова
настройте приемник на какую - либо радиостанцию, запомните громкость приема
передачи, а затем, не изменяя настройки, включите между антенной и антенным
зажимом конденсатор емкостью 47 - 62 пФ (рис. 4).

Рис. 4 Конденсатор включенный в цепь антенны, улучшает селективность приемника.

Что получилось? Громкость приема несколько уменьшилась. Произошло это потому,
что конденсатор, включенный в цепь антенны, изменил параметры всего контура.
Подстройте контур конденсатором переменной емкости до прежней громкости
звучания телефонов. Если до включения в контур дополнительного конденсатора
во время приема одной станции прослушивалась еще какая - то другая, близкая по
частоте радиостанция, теперь она будет слышна много слабее, а возможно, и
совсем не будет мешать. Приемник стал четче выделять сигналы той станции, на
которую настроен, или, как говорят, улучшилась его селективность, т. е.
избирательность. Вместо конденсатора постоянной емкости включите между
антенной и приемником конденсатор переменной емкости. С его помощью вы
сможете не только изменять селективность приемника, но, возможно и настраивать
его на разные станции. Следующий опыт - настройка приемника ферритовым
стержнем (рис. 5).
 Рис. 5 Приемник с настройкой ферритовым стержнем.
Пластинчатый конденсатор удалите, а вместо него между зажимами антенны и
заземления, т. е. параллельно катушке, включите слюдяной или керамический
конденсатор емкостью 120 - 150 пФ. Прижмите телефоны поплотнее к ушам,
сосредоточьтесь и очень медленно вводите ферритовый стержень внутрь каркаса
катушки. Постепенно углубляя стержень в катушку, вы должны услышать передачи
всех тех радиовещательных станций, прием которых возможен в вашей местности
на детекторный приемник. Чем длиннее волна радиостанции, тем глубже должен
быть введен стержень в катушку. Опытным путем найдите такое положение
стержня в катушке, при котором наиболее громко слышны сигналы станции, и
сделайте на стержне соответствующую пометку карандашом. Пользуясь ею как
делениями шкалы, вы сможете быстро настроить приемник на волну этой станции.
Продолжая опыт с использованием ферритового стержня, подключите параллельно
катушке другой конденсатор емкостью 390 - 470 пФ. Как это повлияло на
настройку приемника? Громкость осталась прежней, но для настройки на ту же
станцию стержень приходится меньше вводить в катушку. Совсем удалите
конденсатор, оставив включенной только катушку. Что получилось? Чтобы
настраивать приемник на ту же станцию, стержень надо глубже вводить в катушку.
Какие выводы можно сделать, проведя эксперименты с таким вариантом
детекторного приемника? Основных два. Во - первых, ферритовый стержень
значительно сильнее, чем металлический предмет, влияет на
индуктивность катушки, а значит и на настройку контура. Во - вторых, с
помощью ферритового стержня можно плавно и точно настраивать контур
приемника на желательную радиостанцию. Еще один эксперимент. Антенну и
заземление отключите от приемника, между ними включите диод, а параллельно -
телефоны без блокировочного конденсатора. Вот и весь приемник. Работает? Тихо,
вероятно? К тому же, возможно, одновременно слышны передачи двух - трех
радиовещательных станций. От такого приемника ожидать лучшего не следует. вы,
наверное, заметили, что когда дотрагиваешься рукой до деталей или
соединительных проводников, громкость работы немного изменяется. Это
объясняется расстройкой антенного контура, вносимой в него электрической
емкостью вашего тела.

Принципиальная электрическая схема детекторного приемника

Чтобы правильно соединить детали приемника, вы пользовались рисунками. На них

катушку, телефоны, диод - детектор и другие детали, приборы и соединения вы
видели такими, какими они выглядят в натуре. Это очень удобно для начала, пока
приходится иметь дело с совсем простыми радиотехническими конструкциями,
состоящими из малого числа деталей. Но если попытаться изобразить таким
способом устройство современного приемника, то получилась бы такая «паутина»
деталей и проводов, в которой невозможно было бы разобраться. Чтобы этого
избежать, любой электроприбор или радиоустройтво изображают схематически, т.
е. при помощи упрощенного чертежа - схемы. Различают три основных вида
схем: структурные, принципиальные электрческие и схемы электрических
соедининий. Структурная схема представляет собой упрощенный чертеж, на
котором группы деталей и приборов, выполняющие определенные функции
радиотехнического устройства, изображают условно прямоугольниками или иными
символами. Структурная схема дает лишь общее представление о работе этот
устройства, о его структуре и связях между его функциональными группами.
Примером структурной схемы можем служить (рис. 2), по которому я рассказывал
вам о принципе работы радиовещательной станции. Можно ли таким способом
изобразить устройство детекторного приемника? Конечно, можно. Нарисуйте в
один ряд четыре прямоугольника и соедините их между собой линиями со
стрелками, идущими слева направо. В крайний левый прямоугольник впишите
слово «Антенна», в следующий за ним прямоугольник - «Колебательный контур», в
третий прямоугольник - «Детектор», в четвертый - «Телефоны». Получится
структурная схема детекторного приемника. «Прочитать» ее можно так:
модулированные колебания радиочастоты, возбужденные в антенне, поступают в
колебательный контур приемника, а затем к детектору, детектор выделяет из
принятого сигнала колебания звуковой частоты, которые телефоны преобразуют в
звук. Раньше такие чертежи называли скелетными схемами или блок -
схемами. Сейчас эта терминология считается устаревшей. Принципиальную
электрическую схему чаще называют принципиальной или просто схемой. На ней
все детали радиотехнического устройства и порядок их соединения изображают
условными знаками, символизирующими эти детали, линиями. «Читая»
принципиальную схему, как географическую карту или чертеж какого - то
механизма, нетрудно разобраться в цепях и принципе работы устройства. Но она
не дает представления о размерах устройства и размещении его деталей на
монтажных платах. Схема соединений, в отличие от принципиальной,
информирует, как расположены в конструкции и соединены между собой детали
устройства. Собирая приемник, усилитель или любой другой радиоаппарат,
радиолюбитель располагает детали и проводники примерно так, как на
рекомендованной схеме соединений. Но монтаж и все соединения деталей
проверяют по принципиальной схеме устройства. Уметь грамотно чертить и читать
радиосхемы - совершенно обязательное условие для каждого, кто хочет стать
радиолюбителем. На (рис. 6) вы видите уже знакомые вам детали и устройства и
некоторые другие, с которыми придется иметь дело в дальнейшем. А рядом в
кружках - их символические графические изображения на принципиальных схемах.
Рис. 6 Принципиальные схемы вариантов опытного приемника с настройкой переключением отводов
катушки (а), конденсатором переменной емкости (б), ферритовым стержнем (в).
Любую катушку индуктивности без сердечника, независимо от ее конструкции и
числа витков, на принципиальной схеме изображают в виде волнистой линии.
Отводы катушек показывают черточками. Если катушка имеет неподвижный
ферромагнитный сердечник (ферритовый стержень), увеличивающий ее
индуктивность, его обозначают прямой линией вдоль изображения катушки. Если
таким сердечником настраивают контур приемника, как это было в опытном
приемнике, его на схеме обозначают то же прямой, но вместе с катушкой
пересекают стрелкой. Подстроечный ферромагнитный сердечник катушки
обозначают короткой жирной чертой, пересекающейся Т - образным символом.
Любой конденсатор постоянной емкости изображают двумя короткими
параллельными линиями, символизирующими две изолированные одна от другой
пластины. Если конденсатор электролитический, его положительную обкладку
обозначают дополнительным знаком « + ». Конденсаторы переменной емкости
изображают так же, как и конденсаторы постоянной емкости, но пересеченными
наискось стрелкой, символизирующей переменность емкости этого прибора. Гнезда
для подключения провода антенны, головных телефонов или каких - то других
устройств или деталей обозначают значками в виде вилки, а зажимы кружками.
Новым для вас является переключатель. Вместо того, чтобы при настройке
приемника раскручивать и скручивать проводники, как вы это делали во время
опытов с детекторным приемником, выводы и отводы катушки можно переключать
простейшим ползунковым, движковым или иной конструкции переключателем.
Проводники, которыми соединяют детали, обозначают прямыми линиями. Если
линии сходятся и в месте их пересечения стоит точка, значит проводники
соединены. Отсутствие точки в месте пересечения проводников говорит о том, что
они не соединены. На принципиальных схемах рядом с символическими
обозначениями радиодеталей, приборов, коммутирующих и других устройств пишут
соответствующие им латинские буквы. Так, например, всем конденсаторам,
независимо от их конструктивных особенностей и применения, присвоена буква С,
резисторам - буква R, катушкам - буква L, полупроводниковым диодам,
транзисторам и многим другим полупроводниковым приборам - буква VD, V,
антеннам буква W, гнездам и другим соединительным устройствам - буква X,
головным телефонам, головкам громкоговорителей, микрофонам и другим
преобразователям электрических или звуковых колебаний - буква В,
гальваническим элементам и аккумуляторам - буква G, батареям гальванических
элементов или аккумуляторов - буквы GB, лампам накаливания - буква Н и т.д.
Кроме того, на схемах детали нумеруют, т. е. рядом с буквой, присвоенной детали,
пишут цифру, например Cl, L1, L2, R1, VI и т.д. Для упрощения принципиальных
схем на них иногда не показывают антенну, головные телефоны, ограничиваясь
только обозначениями гнезд или зажимов для их подключения, но тогда возле них
пишут соответствующие буквы с цифрами: Wl, В1. Подробнее об условном
буквенно - цифровом позиционном обозначении радиотехнических элементов и
устройств на схемах радиоаппаратуры можно найти в справочной литературе или
интернете. Вот теперь, зная условные позиционные обозначения деталей, можно
изобразить принципиальными схемами детекторные приемники, с которыми вы
экспериментировали. Принципиальная схема первого варианта опытного
приемника показана на (рис. 6, а). Его вы настраивали изменением числа секций
катушки, входящих в контур, путем переключения заземлённого проводника.
Поэтому в схему введен переключатель S1. Вспомните нашу «прогулку» по цепям
приемника и совершите ее еще раз, но уже по принципиальной схеме. От начала
катушки L1, обозначенного на схеме точкой, вы попадете к диоду VI и через него -
телефонам В1, далее через телефоны по заземленному проводнику.
Переключатель S1 и витки катушки Ll - к исходной точке. Это - детекторная цепь.
Для токов высокой частоты путь из антенны в землю идет через секции катушки и
переключатель. Это - антенный контур. Приемник настраивается на радиостанцию
 скачкообразным изменением числа витков, включаемых в контур. Параллельно
телефонам подключен блокировочный конденсатор С1. На схеме штриховыми
линиями показан конденсатор Са. В приемнике такой детали не было. Но
символизирующая его электрическая емкость присутствовала - она образовывалась
антенной и заземлением и как бы подключалась к настраиваемому контуру.
Принципиальная схема одного из последующих вариантов опытного приемника
показана на (рис. 6, б). Его входной настраиваемый контур состоит из катушки L1,
имеющей один отвод, введенного вами конденсатора переменной емкости С2,
антенного устройства и антенного конденсатора С1. Включение в контур только
верхней (по схеме) секции катушки соответствует приему радиостанций СВ
диапазона, включение обеих секций - приему радиостанций ДВ диапазона. Таким
образом, в приемнике переход с одного диапазона на другой осуществляется
переключателем S1, а плавная настройка в каждом диапазоне - конденсатором
переменной емкости С2. Последним вариантом был приемник, настраиваемый
ферритовым стержнем. Его принципиальную схему вы видите на (рис. 6, в).
Колебательный контур образуют катушка L1 и конденсатор постоянной емкости С2.
Катушка не имеет отводов, значит, приемник однодиапазонный. Для приема
радиостанций другого диапазона в контур надо включить катушку, рассчитанную
на прием станций этого диапазона. Для подключения головных телефонов
предусмотрены гнезда В1.
 

Принципы и основы радиосвязи

Радиосвязь, радиовещание и телевидение являются неотъемлемой частью нашей
повседневной жизни.

Мы ежедневно узнаем новости о своем городе, стране и мире, смотрим

познавательные передачи, интересные фильмы и различные шоу, обмениваемся
между собой информацией, общаемся с друзьями и родственниками по телефону.
Эти вещи для нас стали настолько обыденными, что мы просто не обращаем на
это внимание, и не задумываемся, насколько эти технологии связи облегчают
повседневную жизнь.

Каким образом передается сигнал или ключевые

технологические моменты
Принципы радиосвязи заключаются в передачи информации посредством
радиоволн, которые могут свободно распространяться в окружающей среде
согласно основным законам физики.

Передачу сигнала можно условно разделить на несколько стадий:

 возникновение высокочастотных колебаний в передатчике и формирование

несущего сигнала;
 добавление необходимой информации для передачи и наложение ее на несущий
сигнал (модуляция);

 отправка созданного сигнала в пространство посредством антенны;

 получение ретранслятором данных, усиление сигнала и его направление к

получателю;

 прием модулированного сигнала, отделение необходимой информации от

несущей частоты и процесс демодуляции;

 получение искомого сигнала.

Все принципы радиосвязи и телевидения построены примерно по этой схеме
передачи сигнала. Один из нюансов заключается в том, что получаемый сигнал
может незначительно отличаться из-за различных искажений (помех).

Для улучшения качества приема используют не только различные усилители

сигнала, но и дополнительное оборудование, которое убирает серьезные помехи.

Благодаря новым технологическим разработкам радиосвязь и радиовещание –

это гарантия стабильного приема и передачи сигналов на определенные
расстояния.

Основные разновидности радиосвязи и сфера их

применения
Основы радиосвязи дали толчок к стремительному развитию этой технологии.

Существует несколько различных видов связи, но мы подробно

рассмотрим лишь те, которые имеют наибольшее применение:

 радиорелейная связь. Передача сигнала осуществляется многократно через

цепь наземных ретрансляторов. Это стационарные сооружения, которые оснащены
необходимой аппаратурой для приема, усиления и передачи сигнала, а также очистки
его от различных помех. Внешне такие конструкции заметны благодаря высокой
антенной мачте, на которой расположены ретрансляционные устройства. Эфирная
радиосвязь и телевидение транслируется именно благодаря этой технологии;
 Виды радиосвязи
Радиосвязь – это один из наиболее распространенных видов двухсторонней
передачи информации с использованием радиоволн, которые свободно
распространяются в пространстве.

Одно из ключевых преимуществ заключается в отсутствии проводов, что делает

связь мобильной и универсальной.

Функционирует система довольно просто – за основу берется несущий сигнал

(высокочастотное колебание), к которому добавляется нужная информация.

Модулированный сигнал излучается антенной в пространство, и становится

доступным для приема в радиусе действия антенны. При получении сигнал
обрабатывается приемником, и из него вычленяется полезная часть
(информация, которую передали).

Увеличение зоны радиосвязи

Для увеличения зоны покрытия используют различные технические
приспособления:

 увеличение мощности антенны;

 использование сети наземных ретрансляторов для многократной передачи

сигнала;

 выведение ретранслятора в космос на орбиту (спутниковая радиосвязь).

Благодаря отсутствию проводов, сигнал передается свободно в пространстве, что
позволяет использовать беспроводную радиосвязь для различных нужд – от
бытового телефонного общения и трансляции телевизионных передач, до
специальной военной, морской или поездной связи.

Основные разновидности и классификация радиосвязи

Различные виды радиосвязи помогают обмениваться информацией между
объектами, которые находятся на больших расстояниях. Большое количество
направлений и некоторые технические аспекты не дают четкой классификации
связи, ведь прием и передача сигнала построена по одному принципу.

Если брать за основу тип сигнала, то всю радиосвязь можно разделить

на две основные категории:

 использование аналогового сигнала;

 цифровая радиосвязь.
В первом случае голосовая или видеоинформация практически без изменений
«прикрепляется» к несущему сигналу и передается в пространство.

В втором случае сигнал преобразуется в цифровой вид при помощи

специальной аппаратуры, что имеет целый ряд преимуществ:

 меньше нагрузка на канал связи и всю систему;

 уровень защиты от прослушивания и перехвата сигнала существенно выше;

 комплект аппаратуры имеет меньший вес и габариты;

 возможность сжатия информационного пакета;

 большой радиус передачи сигнала.

На цифровой формат вещания ежегодно переводится все большее количество
государственных, коммерческих и частных систем связи.

Частоты и каналы радиосвязи

Радиосвязь является одним из наиболее распространенных способов передачи
информации на различные расстояния без использования проводов.

Для того, чтобы трансляция произошла успешно, необходимо иметь

определенное оборудование:

 источник передачи сигнала;

 антенна;

 ретранслятор (для усиления сигнала и возможности расширения зоны покрытия);

 приемник.
Сигнал проходит через определенные каналы радиосвязи, обеспечивая прием и
передачу информации. Сам процесс трансляции выглядит довольно просто –
сначала выбирается несущая частота, которая представляет собой вид
высокочастотных колебаний, генерируемых в передатчике.

При помощи специального оборудования происходит модуляция (к несущему

сигналу добавляется информация, которую необходимо передать), и полученный
таким образом информационный пакет распространяется в эфир при помощи
специальной антенны.

В радиусе действия передатчика находится приемник, в котором сигнал проходит

демодуляцию и разделение на несущую составляющую, и полезную информацию.

Если зона распространения радиоволн меньше, чем расстояние до приемного

устройства, рекомендуется использовать ретрансляционное и усиливающее
оборудование.

Забронировать стенд на выставке

В каких диапазонах происходит вещание?

Для того чтобы передача сигналов на расстоянии была максимально
эффективной, используют различные длины волн и диапазоны
радиосвязи:

 ДВ (длинные волны) – передача информации происходит на волнах 150-450 кГц.

Диапазон характеризуется относительно небольшой зоной покрытия, что обусловлено
сильным поглощением волн ионосферой;

 СВ (средние волны) – распространение сигнала с частотой 500-1600 кГц. Волна

ведет себя по-разному, в зависимости от времени суток (ночью радиус передачи
больше за счет отражения от ионосферы, а днем меньше, благодаря высокому
коэффициенту поглощения);

 КВ радиосвязь (коротковолновый диапазон) – частота распространения 3-30 МГц.

Одна из особенностей заключается в полном отражении от ионосферы, что является
причиной так называемой «зоны молчания» в определенном радиусе вокруг
передатчика. Главное преимущество заключается в возможности распространения
сигнала при небольшой мощности передающего устройства;
 УКВ радиосвязь (передача происходит на ультракоротких радиоволнах с
частотами от 30 до 300 МГц). Главное преимущество заключается в широком
распространении сигнала и его огибании всех препятствий и хорошей проникающей
способностью. В этом диапазоне происходит трансляция подавляющего числа
радиопередач;

 ВЧ (высокочастотная связь с диапазоном от 300МГц до 3 ГГц). Лучшее решение

для быстрого распространения сигнала в условиях прямой видимости без
использования ретрансляционного оборудования;

 КВЧ и ГВЧ (крайне- и гипервысокие частоты радиосвязи). Диапазон от 3 до 300

ГГц. Волны переносят радиосигнал в диапазоне прямой видимости и не огибают
препятствия, а практически полностью от них отражаются.
Регламент радиосвязи выделяет частоты от 38 до 92ГГц как новые и
перспективные. Именно эти частоты стали использоваться сравнительно недавно,
а их свойства распространения в атмосфере продолжают изучаться.

Факторы, влияющие на дальность распространения

волны
Дальность радиосвязи является одной из ключевых характеристик
распространения сигнала в пространстве.

На этот показатель влияют несколько основных факторов:

 длина волны. Это физическая величина, которая имеет размер от 3000м до

десятых долей миллиметра со своим показателем частоты колебания;

 высота приемной и передающей антенны над землей;

 особенности рельефа местности. Большая часть радиоволн при достаточной

мощности приемника и передатчика свободно распространяется на открытой ровной
местности, где нет естественных и искусственных препятствий;

 особенность окружающей среды. На качество распространения волн влияет

солнечная активность, метеоусловия и время суток.
Эти показатели необходимо учесть при выборе оптимальных частот и диапазонов
передачи радиосигнала.
 Больше о различных частотах и каналах радиосвязи можно узнать на
ежегодной выставке «Связь».

Оборудование, системы и
устройства радиосвязи
Радиосвязью принято называть физическое явление передачи сигнала на
различные расстояния посредством радиоволн. Это может быть как короткие
голосовые сообщения на небольших дистанциях, так и глобальная трансляция
аудио и видеосигнала в любой точке планеты.

Основные характеристики радиосвязи зависят от нескольких ключевых

факторов:

 частотный диапазон и длина волны;

 область распространения сигнала;

 мощность приемного и передающего оборудования;

 скорость передачи информации;

 различные технические особенности.

Забронировать стенд на выставке

Каким образом происходит процесс передачи

информации и перечень необходимого оборудования
Современная техника для радиосвязи позволяет осуществлять трансляцию
необходимой информации на значительные расстояния благодаря передовым
технологиям и практически доскональному изучению природы распространения
радиоволн в атмосфере планеты и за ее пределами.

Каким же образом происходит передача сигнала?

Вне зависимости от используемой технологии, сам процесс можно

условно разделить на несколько ключевых этапов:
 формирование высокочастотных сигналов в передающем устройстве;

 выделение несущей частоты;

 модуляция (связывание несущей частоты с информацией, которую необходимо

передать);

 преобразование сигнала в дискретный вид и его шифрование (так работают

цифровые системы радиосвязи);

 передача полученных данных в радиоэфир посредством антенны;

 получение сигнала приемным устройством;

 раскодировка и демодуляция (отделение несущей частоты от передаваемой

информации);

 прием (отображение на терминале голосового или видеосигнала).

Для осуществления трансляции в двухстороннем режиме нам
понадобится следующее оборудование радиосвязи:

 передатчик, настроенный на определенный частотный режим;

 антенна, которая будет транслировать сигнал;

 приемник;

 дополнительное оборудование, которое будет отвечать за модуляцию, сжатие,

оцифровку сигнала и его кодирование;
 усилители, фильтры помех.
Продублировав все элементы на двух терминалах, мы получаем две
примитивные радиостанции, которые позволяют обмениваться голосовыми
сообщениями на определенной частоте в пределах небольших расстояний.

Чтобы наш сигнал смогли получать абоненты из других городов и даже

стран, необходимо использовать специальные устройства радиосвязи:

 цепь наземных ретрансляторов;

 спутники на орбите планеты;

 дополнительное оборудование для приема, усиления и передачи сигнала в местах

с отсутствием должной инфраструктуры (системы подвижной радиосвязи).
В зависимости от используемой технологии, сети радиосвязи могут иметь
специфический набор дополнительного оборудования, которое будет позволять
прием и передачу сигнала в различных климатических поясах планеты, на море, в
воздухе или на полюсах.

Ключевые области применения радиосвязи

Сама по себе возможность трансляции необходимой информации на
значительные расстояния подразумевает неограниченные возможности для
любой отрасли промышленности, науки и быта.

Доступность и высокая функциональность сделали радиосвязь единственным

вариантом беспроводной передачи не только аудиосигналов, но и видео, а также
текстовой информации.

Применение радиосвязи позволило развиться следующим направлениям:

 эфирное телевизионное и радиовещание. Наиболее распространенная область

использования дистанционной передачи сигналов;

 спутниковая связь. Это возможность транслировать и принимать информацию в

любой точки планеты;

 военная отрасль. Без эффективной, качественной и безопасной связи невозможно

вести координацию подразделений в боевой обстановке или в рамках учений;
 гражданский транспорт. Системы связи используются практически везде – от
легковых автомобилей до поездов, самолетов и кораблей;
 беспроводная телефония (мобильная связь);

 доступ в сеть Интернет. Благодаря новым технологическим разработкам у

потребителей появилась возможность подключаться к глобальной сети практически в
любой точке земного шара, используя лишь зону покрытия и устройства персональной
электроники (смарфон, планшет, ноутбук);

 различные диспетчерские службы любого назначения.

Это был пример основных направлений, где широко используется метод передачи
информации посредством радиоволн.

Организация радиосвязи является неотъемлемым элементом ведения бизнеса

вне зависимости от размеров предприятия.

Возможность качественного общения помогает координировать различные

процессы в рамках производства, науки, сельского хозяйства и быта.

Примеры современного оборудования, систем и устройств радиосвязи

демонстрируются на ежегодной выставке «Связь».

Современная радиосвязь
Современная радиосвязь значительно отличается по сравнению с далекими
временами. Постоянно появляются и внедряются инновационные приборы и
методики, которые имеют более высокие функциональные возможности. Именно
поэтому они пользуются большой популярностью.

Несмотря на наличие других видов связи, этот тип все также не утрачивает своей
актуальности и сегодня. Стоит отметить, что он имеет свои особенности.

Сама радиосвязь представляет собой передачу различного рода информации

посредством электромагнитных волн, которые распространяются в пространстве
между двумя пунктами: самим источником и системой приема данных.

Излучение происходит с помощью специальных антенн. Как правило, они

представляют собой провод, по которому протекают токи высокой частоты.
Последние создаются непосредственно передатчиком. За счет того, что токи
высокой частоты протекают по проводу, в окружающем пространстве
образовывается электромагнитное поле радиоволны.

К основным характеристикам современной радиосвязи относятся:

 диапазон волн;
 мощность;
 КПД;
 вид и качество передаваемых сигналов.
Современная радиосвязь – инновационные методы передачи информации на
больше расстояния. Посредством применения подобных технологий можно
достичь высокого качества сигнала.

Забронировать стенд на выставке

Принципы современной радиосвязи

Существует определенная классификация радиоволн. В зависимости от этого и
выбирается передатчик.

Передатчик может быть:

 километровым;
 гектометровым;
 декаметровым и т.д.
Также это оказывает влияние на особенности конструкции устройства.
Современная радиосвязь предполагает использование передатчиков, которые
могут работать одновременно на нескольких фиксированных волнах. Также при
необходимости они настраиваются на абсолютно любую длину в непрерывном
диапазоне.

Важным показателем является также мощность устройств передачи информации.

От этого параметра непосредственно зависит качество передаваемого сигнала.

Сигнал определяется как минимальная мощность высокочастотных колебаний,

которые поступают в антенну при условиях, что модуляция отсутствует, а
излучение является непрерывным. Однако это далеко не все.

Современная радиосвязь имеет дело с сигналами, имеющих определенные

особенности. Как правило, их напряжение может варьироваться в достаточно
широком диапазоне.

Также за минимальный период времени оно принимает значения, которые

превосходят средний уровень.

Примеры технологий современной радиосвязи на

выставке
Проведение тематических проектов и отраслевых мероприятий имеет огромное
значение для развития индустрии.
 Подобные мероприятия позволяют:

 повысить конкурентную способность;

 увеличить качество отечественной продукции;

 наладить сотрудничество на интернациональном уровне;

 принять участие в деловой программе;

 повысить инвестиционную привлекательность индустрии в целом;

 обменяться опытом и знаниями.

Одним из таких проектов является выставка «Связь». Ее организатором
традиционно стал комплекс международного масштаба ЦВК «Экспоцентр».

Устроители позаботились о том, чтобы мероприятие проводилось на максимально

высоком уровне в формате «В2В».

Здесь также можно принять участие в деловой программе, которая

предусматривает рассмотрение всех направлений в данной области, в частности
и современная радиосвязь.

Цифровые технологии радиосвязи

Цифровые технологии радиосвязи определяются посредством распределения
информационных сигнальных сообщений между станциями радиоэфира,
радиоприемниками с помощью волн электрического и магнитного характера.

Цифровой радиоприемник в значительной степени отличается от проводного и

аналогового FM. Эти технологии радиосвязи имеют свои плюсы и минусы, как
любое перерабатывающее волны устройство.

Забронировать стенд на выставке

Преимущества технологий радиосвязи

 К наиболее весомым факторам, располагающим к выбору и
предпочтению, «цифры» относят:

 высококачественное звучание благодаря большой быстроте информационного

электромагнитного потока;

 возможность передавать изображения;

 отсутствие характерных для традиционного радиовещания шумов;

 транспортировка сигнала с занятым меньшим количеством частот;

 возможность убавлять мощность приемника для экономии электроэнергии.

Перечисленные прерогативы свидетельствуют о рациональности введения в
широкий потребительский круг цифровой технологии радиосвязи с целью
уменьшения диапазонов волновой линии передач, устранения помех,
стабилизации сигнального поступления, нормализации модуля частот.

Недостатки цифровых технологий радиосвязи

Недостатков радиовещания в цифровом режиме немного, и они в основном
касаются сложности внедрения в устоявшуюся аналоговую систему. К ним
относится несовместимость в цепи проводных радиопередач, задержание
звуковых сообщений в результате необходимости обрабатывания сигналов, а
также исчезновения вещания при недостаче мощности.

В нынешней информационной обстановке лидирующие страны проводят

испытания цифровой аппаратуры. А некоторые из них практикуют полное
отсоединение аналогового вещания с целью создания эффективного технического
фундамента для включения цифровых технологий радиосвязи.

Государства состоянием на текущий год с цифровым радиовещанием

представлены Великой Британией, европейскими странами, Японией, Китаем,
Индией и Кореей.

В Российской Федерации термины перевода на систему цифры на сегодня

неизвестны, но исследования и разработки аппаратуры технологических схем в
активном процессуальном русле.
 Радиосвязь
Радиосвязь – это технология беспроводной передачи информации (сигналов), где
в качестве носителя используются электромагнитные волны, которые могут
свободно распространяться в пространстве.

Принцип работы довольно простой – сначала выбирается несущая частота,

которая служит основой для передачи различной информации (голос,
изображение, текст), а затем на нее накладывается непосредственно сам
передаваемый сигнал.

Происходит модуляция (объединение) и пакет информации на несущей частоте

передается в пространство, поступая на различные приемные устройства,
которые отделяют нужный сигнал от несущей частоты и декодируют его до
изначального вида. Качество получаемого сигнала может быть искажено
различными помехами (наложения других частот).

Базовое оборудование для радиосвязи состоит из нескольких элементов:

 передатчик с антенной;

 приемник;

 усилители сигнала;

 синтезаторы частоты (обеспечивают связь разных частот);

 оборудование для модуляции и детекторы колебаний.

Без использования технологии радиосвязи невозможно представить современный
мир, не было бы теле и радиовещания, мобильной, телефонной и телеграфной
связи, а также сети Интернет.

Забронировать стенд на выставке

Основные виды радиосвязи и их особенности

Существует несколько разных способов беспроводной передачи
сигналов, но мы остановимся на трех наиболее распространенных:
 радиорелейная связь. Это одна из разновидностей передачи информации на
различные расстояния. Для осуществления трансляции используют наземные
стационарные комплексы, которые оборудованы необходимой аппаратурой для
приема, усиления и передачи сигналов по цепочке к следующему комплексу. Один из
основных недостатков такого типа связи – это зависимость от наземных
ретрансляторов и соответствующей коммуникационной инфраструктуры;

 спутниковая связь. Данный вид передачи сигналов является эволюционным

развитием радиорелейной связи. Вместо наземных ретрансляторов используются
космические спутники, которые располагаются на околоземных орбитах. Сигнал
транслируется с наземной станции на спутник, где он обрабатывается, усиливается и
передается в рамках зоны покрытия. Основное преимущество заключается в том, что
прием и передача сигнала может осуществляться в любой точке нашей планеты,
включая океанские просторы, полюса или горные вершины;

 сотовая связь. Распространение сигнала происходит от наземной станции к

приемникам, которые расположены вокруг передатчика на равных расстояниях,
образуя гексагональную фигуру (так называемая «сота»). Качество сигнала и площадь
покрытия определяется количеством «сот». На сегодняшний день этот вид связи
является наиболее востребованным, так как по сравнению со стационарной
телефонией он обладает мобильностью.
Чтобы узнать больше о технологиях передачи радиосигналов и увидеть
современное профильное оборудование, стоит посетить специализированную
выставку «Связь».

В рамках мероприятия будут представлены участники из разных стран мира,

которые привезут на выставку свои последние достижения в профильных сферах.
Экспозиция будет расположена в крупнейшем российском выставочном комплексе
ЦВК «Экспоцентр».

Лекция 10 системы управления судном

Общие сведения об управлении 1.1. Система управления Понятие
управления. Под управлением обычно понимается процесс обеспечения
одним объектом требуемого изменения состояния другого объекта с
помощью целенаправленных воздействий (команд). Первый объект называют
управляющей или командной системой (КС), а второй - объектом управления
(ОУ) или управляемой системой, управляемым процессом. В технических
системах КС именуют устройством управления (УУ). В процессе управления
КС и ОУ взаимодействуют друг с другом, образуя целостное соединение
(рис. 1.1), называемое системой управления (СУ). Представлением системы
управления совокупностью КС и ОУ как бы проводится условная замкнутая
граница, за пределами которой остаются не вошедшие в СУ элементы. Из
этого внешнего окружения при изучении СУ интерес представляют только
элементы, имеющие к ней отношение. Множество таких элементов,
оказывающих влияние на СУ или находящихся под ее воздействием в
условиях рассматриваемой задачи, называют внешней средой (ВС) либо
окружением системы. Внешняя среда СУ Командная система Всякое
разумное управление целенаправленно. Цель управления представляет собой
базирующееся на объективных критериях четко сформулированное задание
для СУ, степень выполнения которого можно измерить количественно. В
общем случае управление включает как выработку методов достижения
поставленной цели и реализацию этих методов, так и формирование самих
целей. Цель управления обычно связывается с определёнными
комплексными показателями качества, характеризующими систему (её
производительность, экономичность, точность, быстродействие и т. п.). При
рассмотрении ряда СУ цели управления считаются известными, и их
формирование выносят за рамки функций системы. U Объект управления

(процесс)
Рис. 1.1. Обобщенная схема системы управления 10 Объект управления. В
реальной жизни управляют различными объектами (транспортными
средствами, технологическими процессами, коллективами людей и т.д.). Они
имеют свои особенности (отличительные признаки) и характеризуются в
каждый момент времени тем или иным состоянием. Эти черты ОУ должны
учитываться при управлении, чтобы оно было эффективным. Отличительные
признаки определяют вид ОУ. Ими могут быть состав, форма, размеры,
свойства и другие особенности ОУ. Свойства ОУ определяются
закономерностями его поведения. Отличительные признаки ОУ обладают
относительной устойчивостью (постоянством) во времени. У некоторых
объектов они могут меняться, но лишь в определенных пределах. Состояние
– это положение ОУ в пространстве, в котором он может «перемещаться»
под влиянием воздействий КС и внешней среды. Воздействия КС на ОУ
называют управляющими, а воздействия на него внешней среды, которые
мешают достижению цели управления, - возмущающими или просто
возмущениями. Изменить последние воздействия, как правило, невозможно.
Возмущающие и управляющие воздействия являются входными величинами
ОУ. Состояние ОУ изменчиво во времени и характеризуется определенными
показателями, называемыми выходными величинами ОУ. Те из них, которые
в процессе управления (в соответствии с его целью) преднамеренно
изменяются или сохраняются постоянными, называются управляемыми
величинами. Для обеспечения желаемого изменения состояния ОУ и
компенсации влияния возмущений КС систематически или по мере
необходимости вырабатывает управляющие воздействия на ОУ. Под
влиянием входных воздействий состояние ОУ меняется. В результате
характеризующие его выходные параметры принимают новые значения.
Среди выходных величин ОУ обычно можно выделить некоторое число
независимых друг от друга параметров, достаточно полно характеризующих
его состояние с точки зрения решаемой системой задачи. Эти независимые
параметры называют переменными состояния ОУ. Зависимые параметры,
если они существуют, всегда можно выразить через эти независимые
переменные. Таким образом, термином переменные состояния обычно
обозначается минимум параметров, полностью определяющих состояние ОУ.
Поставив в соответствие переменным состояния ОУ координатные оси
некоторого многомерного пространства, получим так называемое
пространство состояний ОУ. На основе такого 11 соответствия параметры
состояния ОУ называют также координатами. В пространстве состояний
текущее положение ОУ представляется изображающей точкой.
Совокупность определяющих эту точку координат называется вектором
состояния ОУ. Например, процесс перемещения судна по водной
поверхности может быть охарактеризован составляющими , скорости его
центра массы (ЦМ) в горизонтальной прямоугольной системе координат VX
VY xoy и угловой скоростью ω вращения судна относительно ЦМ, т.е.
вектором состояния ( , , VX VY ω). Изменение состояния ОУ нередко
рассматривается как перемещение изображающей точки в пространстве
состояний. В зависимости от характера изменения координат пространство
состояний ОУ может быть дискретным или непрерывным. Выделив на
координатных осях границы приемлемых значений параметров системы,
получим область допустимых состояний ОУ. Внешняя среда. Внешняя среда
может влиять на КС, управляемый объект и на связи в СУ. Обычно
наибольшая доля воздействий ВС приходится на ОУ. Влияние среды на КС и
на связи в СУ часто мало и не учитывается при управлении. Окружения
систем управления имеют свои особенности (отличительные признаки) и
характеризуются в каждый момент времени тем или иным состоянием.
Отличительные признаки определяют вид среды и мало изменчивы во
времени. В общем случае ВС характеризуется: - Составом своих элементов и
их географическим расположением; - Климатическими условиями; -
Наличием ограничений на процесс управления; - Возмущающими
воздействиями на СУ, их характером и интенсивностью; - Наличием
активных элементов, обладающих способностью целенаправленного влияния
(содействия, противодействия) на СУ; - Характером, интенсивностью и
способом влияния активных элементов среды на СУ; - Другими признаками
и свойствами. Окружения систем управления многообразны. Различают
пассивную, активную и смешанную среду. Поведение элементов активной
ВС является целенаправленным. В пассивной ВС таких элементов нет.
Примером элементов активной среды для судна являются встречные суда, с
которыми надо разойтись безопасно. В смешанной ВС имеются пассивные и
активные элементы. 12 Свойства пассивной среды по отношению к СУ могут
быть ограничивающими, реактивными, возмущающими и многими другими.
Ограничивающая ВС содержит элементы, уменьшающие по тем или иным
координатам пространство состояний системы. Примером ограничивающих
условий для судна являются стесненные воды. В реактивной ВС воздействия
на ОУ возникают в ответ на изменение его состояния. Примером такого
окружения для подводной лодки является водная среда. При движении на
корпусе подводной лодки возникают гидродинамические силы.
Возмущающая ВС характеризуются наличием случайных (точно не
предсказуемых) воздействий, вызывающих нежелательные изменения в
состоянии СУ. Разнообразны свойства и активных окружений СУ. Состояние
ВС определяется уровнями интенсивности протекающих в ней процессов.
Оно изменяется во времени и характеризуется значениями параметров этих
процессов и их воздействий на СУ. Командная система. Назначением КС
является выработка воздействий, обеспечивающих достижение цели
управления. Процесс такого выбора часто называют принятием решений по
управлению. Здесь необходимо отметить, что формирование в КС этих
решений основывается на информации, характеризующей процесс
управления, а их реализация осуществляется с помощью специальных
органов. Поэтому КС нередко представляют в виде трех подсистем:
информационной, выработки решений, исполнительной. Информационная
подсистема служит для хранения, получения и обработки необходимой для
управления информации. Подсистема выработки решения на основе
результатов обработки информации определяет управляющее воздействия на
ОУ и рассчитывает его параметры. Исполнительная подсистема (в частном
случае, это средства управления) преобразует выработанный сигнал
управления в воздействие на ОУ. Наиболее важным элементом
исполнительной подсистемы является силовой орган, который
непосредственно создает требуемую по величине и направлению
управляющую силу, прилагаемую к ОУ. Следует отметить, что в ряде СУ
исполнительная система не входит в КС, а является неотъемлемой частью
ОУ либо самостоятельным подразделением СУ. Обычно в реальных
условиях цель управления может достигаться разными способами.
Совокупность всех путей, приводящих к цели, называется множеством
(областью) возможных решений задачи управления. Совокупность решений
из этой области, результаты которых удовлетворяют накладываемым на
управление ограничениям, 13 составляет множество допустимых решений.
Оно является полным, когда содержит все допустимые решения. В
противном случае оно называется неполным или подмножеством
допустимых решений. Такое подмножество считается представительным,
когда содержащиеся в нем решения включают близкие к наилучшему. Оно
непредставительно, если содержит лишь некоторые, неизвестные по степени
эффективности допустимые решения.
1.2. Информация – основа управления Информация представляет собой одну из трех
фундаментальных субстанций (вещество, энергия, информация), составляющих сущность
мироздания и охватывающих любой продукт мыслительной деятельности. Применительно к
системам управления информация – это используемые при выработке решений сведения,
данные, значения показателей, являющиеся объектами хранения, обработки и передачи. В общем
случае управление базируется на информации, отражающей цель управления (включая
требования к ее достижению), особенности и состояние ОУ и ВС. Объекты, от которых получают
необходимые для управления данные, называются источниками информации. По отношению к СУ
они могут быть внутренними и внешними. Внутренние источники входят в состав СУ. Например, в
бортовой СУ - это навигационные и метеорологические приборы, измеряющие параметры
движения судна и состояния окружающей его среды. К внутренним источникам информации
относятся и находящиеся на судне карты, навигационные пособия, наставления, рекомендации и
другие документы, содержащие касающиеся судовождения сведения. Внутренним источником
является и бортовая компьютерная справочная система, хранящая относящиеся к навигации базы
данных. Внешние источники информации не являются элементами СУ. Об их информации говорят,
что она поступает извне. Сведения от внешних источников передаются по каналам связи. Обычно
от таких источников получают информацию о внешней среде. Например, на судно от береговых
служб по каналам связи поступают навигационные и гидрометеорологические предупреждения,
данные для корректуры карт и пособий, а также многие другие сведения. В сведениях для
управления выделяют медленноменяющуюся, оперативную и прогностическую информацию. Как
уже упоминалось, отличительные признаки ОУ и ВС мало меняются во времени. Поэтому
сведения о них относятся к медленноменяющейся информации. В судовождении к таким данным
об ОУ можно отнести 14 его размерения, дедвейт, сведения о средствах управления,
маневренных способностях и ряд других. О внешней среде судна - это данные о положение
берега, островов, навигационных опасностей, о закономерностях гидрометеорологических
явлений, о береговом и плавучем навигационном ограждении и т.д. Использование
медленноменяющейся информации в СУ связано с хранением, с приведением на уровень
современности и с поиском в ней сведений об элементах, влияющих в данный момент на
управление. Хранить медленноменяющиеся сведения предпочтительно внутри СУ, чтобы
избежать необходимости их передачи на большие расстояния. Для обеспечения быстрого поиска
данных эту информацию следует хранить в упорядоченном виде. При любых изменениях
медленноменяющаяся информация немедленно должна приводиться на уровень современности.
Состояния СУ и ВС изменяются, иногда и непрерывно. Поэтому за ними требуется постоянно
следить, чтобы управление было эффективным. Сведения, отражающие состояние СУ и ВС на
текущий момент времени, называются оперативной информацией. Она при управлении обычно
получается с помощью измерительных устройств, входящих в состав СУ. Сведения о состоянии ВС
могут также поступать от внешних источников. Оперативная информация при управлении
используется для контроля текущего состояния СУ и ВС, для выработки управляющих воздействий,
для оценки результатов принимаемых решений. Она применяется также с целью идентификации
свойств ОУ и ВС. Когда процесс достижения цели занимает существенное время, эффективность
работы СУ зависит от будущих состояний ВС. В этом случае важно иметь прогностические данные
будущих условий работы системы. Такие прогнозы могут получаться от внешних источников
информации либо составляться внутри СУ. Большое значение прогностическая информация имеет
при планировании – выборе наилучшего пути движения к цели. Следует отметить, что для
управления должны использоваться данные, которые хоть в какой-то степени оказывают влияние
на СУ. Ценность информации при управлении определяется ее значением для правильного
выбора решений. Существенными здесь являются два фактора: весомость самого решения и
степень влияния информации на его выбор. Ценность информации при управлении зависит от ее
своевременности, достоверности, полноты, надежности, времени поиска, скорости обработки и
других факторов. Достоверность данных характеризуется уровнем их адекватности тому процессу
или 15 объекту, который они отражают. Полнота информации определяется степенью ее
достаточности для осуществления эффективного управления. Недостаток сведений уменьшает
вероятность выработки правильного решения. Избыточная информация вызывает излишние
затраты и ухудшает условия работы СУ. Она приводит к росту необходимого объема
запоминающих устройств, к увеличению времени на передачу и обработку данных, к усложнению
обработки. Однако избыточность данных в СУ кроме отрицательной, имеет и положительную
сторону. Она важна для повышения надежности управления, так как позволяет обнаруживать и
исправлять содержащиеся в данных ошибки. 1.3. Основные виды управления Процессы
управления разнообразны. Они присущи системам биологического и социального порядка, а
также системам, создаваемым человеком искусственно. Принято выделять три большие сферы
управления: деятельность человеческих коллективов (социальные процессы); биологические
процессы в живых организмах; процессы при целенаправленном воздействии человека на
природу (управление аппаратами, установками, машинами, механизмами, технологические и
другие процессы). Термин «управление» сам по себе имеет широкий смысл. Почти всякий
организованный процесс можно трактовать как управляемый. Например, компьютерные
вычисления можно рассматривать как процесс управления компьютером с помощью программы.
Игру в шахматы можно представить как управление позицией фигур на шахматной доске.
Составление учебных планов и их реализацию - как управление учебным процессом и т.д. Т.е.
имеется масса задач управления, решения которых существенно различаются. С целью
систематизации используются различные классификации задач управления. Рассмотрим их
разделение по наиболее общим признакам. Классификация управления по типу задания. В
зависимости от типа поставленной перед СУ цели выделяют задачи: регулирования,
ситуационного управления, планирования целесообразного поведения. Задача регулирования
заключается в поддержании выходных величин ОУ равными (или пропорциональными)
некоторым эталонным функциям времени - задающим воздействиям. Последние могут быть
постоянными или изменяющимися как по заданному, так и по заранее неизвестному закону. СУ,
выполняющие задачу регулирования и стремящиеся сохранять в допустимых пределах 16
отклонения между задающим воздействием и действительными значениями управляемых
переменных, называются системами регулирования. Устройство управления в этих системах часто
называют регулятором. В судовождении к задачам регулирования относятся, например:
стабилизация курса, удержание центра массы судна на заданной траектории и ряд других. Задача
ситуационного управления. Ситуационным (кондициональным) называется управление,
основанное на выявлении ситуаций, их классификации и способах разрешения [8, 18]. Задачи
такого управления характеризуются известным набором ситуаций и отвечающих им решений.
Совокупность ситуаций и соответствующих им решений для конкретной задачи управления
определяется либо технологией процесса, или экспертами, либо получается на основе
наставлений, правил, рекомендаций. Признаком вида ситуации может быть то или иное
состояние СУ, либо определенные условия ВС, либо первое и второе вместе. При решении задач
ситуационного управления используется правило - «если …, то …». Отсюда и второе название
этого вида управления - кондициональное (причинно-следящее). В системе кондиционального
управления для возможных видов ситуаций может быть составлен перечень операций (таблица
решений), которые должна выполнить СУ при наступлении той или иной ситуации. Такая СУ
непрерывно тестирует условия своей работы с целью распознавания ситуаций, в которых она
функционирует. При возникновении ситуации конкретного вида СУ выдает предусмотренную для
нее последовательность управляющих действий. В судовождении к таким ситуациям можно
отнести: подход к узкости, подход к району с ограниченной видимостью, посадку на мель и
многие другие. Для каждой такой ситуации предусматривается последовательность подлежащих
выполнению действий. В настоящее время перечень мероприятий, которые должен выполнить
вахтенный помощник в той или иной ситуации, закреплен в так называемых «чеклистах» (Check-
lists). Использование «чек-листов» облегчает судоводителю формирование правильного решения.
Задачи кондиционального управления не представляют сложности, когда число видов ситуаций
невелико, когда они определяются малым числом признаков (имеют четкие границы) и легко
распознаются. Например, к несложной ситуационной задаче можно отнести управление запуском
судового двигателя. Когда же количество возникающих в процессе управления ситуаций велико,
когда они имеют нечеткие границы и трудно распознаются, сложность управления резко
возрастает. 17 Планирование целесообразного поведения включает в себя задачи формирования
и перестройки целей управления, выработку стратегии (плана, программы) получения решения
[1]. Под стратегией управления обычно понимается детальный план или обобщающая модель
действий, необходимых для достижения поставленных целей. Цель многих СУ является
установленной, и их задача заключается только в определении стратегии управления. В
судовождении, цель которого состоит в проводке судна из порта отхода в порт назначения, к
задачам определения стратегий управления относятся: выбор маршрута перехода и скорости
движения на его участках; коррекция маршрута и скорости в процессе рейса в зависимости от
обстановки, складывающейся в районе движения и на оставшемся пути. Коррекция маршрута и
скорости движения может потребоваться для решения задачи расхождения с плавучими
объектами на пути следования, или из-за неблагоприятных погодных условий в районе плавания
и на оставшемся участке перехода. Среди этих задач можно выделить: определение стратегий
расхождения со встречными судами, с тропическими циклонами, выбор пути во льдах,
нахождение наивыгоднейшего маршрута следования через океан и др. Классификация
управления в зависимости от условий внешней среды. Существенное влияние на характер
принимаемых решений в задачах управления оказывает внешняя среда. Здесь могут быть
выделены условия определенности и неопределенности, риска, активной ВС, условия с
координатором управления и многие другие. В условиях определенности каждому
принимаемому решению соответствует конкретный результат, что позволяет путем сопоставления
результатов из допустимых решений выбрать наилучшее. Например, если имеется несколько
предложений по перевозке конкретных грузов между конкретными портами на определенных
условиях, то капитан принимает решение, четко зная результаты всех альтернативных решений. В
условиях неопределенности точно определить результат решений по управлению невозможно.
Здесь каждому из допустимых решений соответствует множество возможных результатов в
общем случае с неизвестными вероятностями их появления. Такая неопределенность может
зависеть от невозможности точного предсказания влияния ВС на СУ, либо от неоднозначной
реакции ОУ на управляющие команды. Так, например, в судовождении иногда нельзя точно
предсказать результаты маневрирования из-за влияния на движение судна случайных факторов.
18 В условиях риска каждой из множества допустимых стратегий управления соответствует
несколько результатов. В этих условиях обычно стратегия, обеспечивающая возможность
получения максимального дохода, связана и с большой вероятностью наихудшего результата - с
наибольшим риском; а стратегия без риска – с минимальным доходом. В условиях активной ВС
цели ее элементов могут совпадать, не совпадать с целью СУ и быть ей противоположными.
Например, цели судов при расхождении совпадают и состоят в обеспечении безопасного
расхождения. Другой пример - во время военных действий цели судна и подводной лодки
противника являются противоположными. Ситуация с противоположными целями СУ и элементов
ВС называется конфликтной. Условия с координатором действий СУ и элементов активной ВС. Для
повышения эффективности систем управления в условиях активной внешней среды, когда их цели
не носят антагонистического характера, применяются координаторы. Действия СУ и активных
элементов ВС могут координироваться тем или иным органом или его документами. Например, в
качестве координатора может выступать береговая система управления движением в
обслуживаемом ей районе. Правила МППСС координируют действия судов с целью
предупреждения их столкновений в различных условиях плавания. Координация действий может
быть разной: от жесткой, строго регламентирующей все действия рассматриваемой системы, до
слабой, ограничивающей действия системы только в определенном отношении. Наличие
координатора повышает эффективность управления, но вносит в процесс принятия решений свои
особенности. В конкретных сферах управления могут использоваться другие классификации
условий ВС. Например, при судовождении в одних случаях внешние условия делят на штормовые,
ледовые, ограниченной видимости. В других – на открытое море, прибрежные воды, стесненные
воды, районы лоцманской проводки. Классификация управления в зависимости от информации,
используемой для выработки управляющих воздействий. В общем случае управляющие решения
принимаются в зависимости от поставленной цели, информации об ОУ и ВС. В зависимости от
используемой информации различают управление: жесткое, по информации о состоянии ВС, по
информации о состоянии ОУ, комбинированное. При жестком управлении решения формируются
только на основе информации о задаче СУ. Примером является изготовление 19 детали на
токарном станке с программным управлением, когда перемещение резца происходит по
программе, определенной только в зависимости от профиля детали. Другим примером может
служить работа светофора, который переключается через установленные промежутки времени,
независимо от фактического количества транспортных средств, подъезжающих к светофору. При
управлении по информации о состоянии ВС управляющее воздействие в СУ вырабатывается в
зависимости от получаемых сведений о внешней среде. Так, например, если на пути движения
судна находится тропический циклон, то решении по расхождению с ним принимается по
информации об этом явлении: его размерах, положении центра, ожидаемом пути, скорости
движения. Широко применяется такое управление в условиях возмущений при регулировании. В
этом случае оно называется управлением по возмущению. Управление по возмущению состоит в
том, что управляющее воздействие в системе вырабатывается в зависимости от параметров
возмущений, вызывающих нежелательные отклонения управляемых величин от требуемых
значений. Примером такого управления является коррекция курса судна для учета дрейфа, когда
величина поправки на дрейф рассчитывается по результатам измерения направления и скорости
ветра. Ветер в этом случае является возмущающим состояние системы фактором.
мущающим состояние системы фактором. Для реализации управления по возмущению
необходимо иметь возможность получения информации о возмущающих воздействиях с
помощью внутренних и/или внешних источников, а также знать, как возмущение влияет на
состояние системы. При наличии таких условий для всех влияющих на СУ возмущений создается
принципиальная возможность их полной компенсации. Системы, в которых влияние возмущений
полностью компенсировано, называются инвариантными. Х3 – информация о задаче системы Z –
информация о состоянии среды Преимуществом управления по возмущению является
быстродействие, так как управление производится сразу же после изменения состояния среды,
когда возмущение еще не повлияло СУ U=F(X3,Z) Внешняя среда Командная система Воздействия
среды Объект управления Рис. 1.2. Схема разомкнутой СУ 20 на состояние ОУ. Недостаток такого
управления состоит в том, что не всегда есть возможность получить информацию обо всех
элементах среды, возмущающих состояние ОУ, и не всегда можно установить, как изменяется его
состояние под действием этих возмущений. Системы, в которых для выработки управляющих
воздействий используется информация о задаче СУ и/или сведения о состоянии ВС, называются
разомкнутыми. Схема такой системы показана на рис.1.2. Управление по информации о состоянии
системы состоит в том, что управляющее воздействие в СУ формируется в зависимости от
значения вектора состояния ОУ. Например, регулировщик уличного движения на перекрестке
учитывает при управлении состояние автомобильных и людских потоков. Вторым примером
использования для управления информации о состоянии системы может служить запуск главного
судового дизеля, который производится по этапам: 1. Проверяется соответствие положения
распределительного вала заданному направлению вращения. Если его нет, подается команда на
переключение распределительного вала. После подтверждения выполнение этой операции,
переходят к следующему этапу. 2. Проверяется готовность к действию вспомогательных устройств
двигателя сравнением значений давления масла в подшипниках, охлаждающей воды, топлива,
пускового воздуха и др. с пусковыми критериями. Если критерии выполнены, переходят к
третьему этапу. 3. Открывают клапана пускового воздуха. Двигатель начинает вращаться. Когда
частота вращения вала достигнет значения, при котором происходит самовоспламенение
топлива, открывают подачу топлива. Двигатель начинает работать на топливе, и клапан пускового
воздуха закрывают. Нетрудно заметить, что здесь управление переходом от одних операций к
другим выполняется в зависимости от информации о состоянии двигателя. Широко применяется
управление по данным о состоянии системы в задачах регулирования. Здесь оно называется
управлением по отклонению. В реальной жизни число случайных воздействий на систему столь
велико и действие их столь разнообразно, что компенсировать их, используя только управление
по возмущению, невозможно. Управление по отклонению состоит в том, что воздействие КС на ОУ
вырабатывается в зависимости от отклонения управляемой величины от требуемых значений.
Здесь не имеет значения причина, из-за которой поведение ОУ отличается от требуемого. Цель
управления достигается без информации о влиянии 21 ВС. Например, авторулевой при
стабилизации курса формирует управляющий сигнал в зависимости от отклонения текущего курса
судна от заданного его значения.

Схема системы, в которой реализован принцип управления по информации о состоянии СУ,

приведена на рис. 1.3. Такая система называется замкнутой либо системой с обратной связью. На
этой схеме У – информация о состоянии ОУ. Обратная связь - это такая связь, при которой
информация о состоянии ОУ передается с выхода системы на вход КС.

1.4. Условия осуществимости управления Любая СУ должна удовлетворять тем или иным
условиям, без которых управление будет малоэффективным либо невозможным. Охарактеризуем
основные из этих условий. ОУ должен быть управляемым. Для достижения цели управления
необходимо, чтобы ОУ подчинялся КС и требуемым образом выполнял ее команды. Иначе говоря,
в пространстве состояний ОУ должен быть способным изменять свое положение в направлениях,
соответствующих воздействиям КС. Способность ОУ под влиянием целенаправленного
воздействия за конечный промежуток времени переходить из начального в требуемое конечное
состояние либо в заданную область пространства состояний называется управляемостью.
Удовлетворительная управляемость объектов обеспечивается приданием им подходящей
структуры (в пределах возможного) и снабжением СУ исполнительной подсистемой,
вырабатывающей в соответствии с командами КС воздействия, достаточные для изменения
состояния ОУ. Если имеется возможность найти управляющее воздействие, которое переводит все
выходные координаты ОУ из начального состояния к заданным значениям за конечный
промежуток времени, то объект является вполне или полностью управляемым. В противном
случае ОУ называется управляемым по ограниченному числу координат либо не полностью
управляемым. СУ U=F(У) Командная система Объект управления Внешняя среда Обратная связь
Воздействия среды Рис. 1.3. Схема замкнутой САУ Y 22 Управляемость предполагает наличие у ОУ
достаточной устойчивости и маневренности. Устойчивость – это способность ОУ противостоять
возмущениям. Состояние ОУ называется устойчивым, если отклонение от него остаётся сколь
угодно малым при любых малых возмущениях. Устойчивость определяется и как свойство объекта
возвращаться в исходное состояние после вывода его из этого состояния и прекращения действия
возмущения. Под маневренностью понимается способность ОУ с той или иной скоростью
изменять управляемые величины при переходе из одного состояния в другое. Маневренность
определяет одну из наиболее важных сторон управления - быстродействие. Чтобы иметь
реальную возможность изменять состояние ОУ, нужны исполнительные органы, реализующие
принятые решения. В технических системах ими являются средства управления (силовые средства
– СС), преобразующие выработанные КС сигналы в силы, прилагаемые к ОУ. Силовым органом СС
называют их элемент, который непосредственно создает требуемую по величине и направлению
управляющую силу, прилагаемую к ОУ. Например, силовым органом в СУ движением судна по
курсу является руль. В большинстве СУ между управляющим воздействием и реакцией на него ОУ
существует однозначная зависимость. Однако имеются и системы, в которых эта связь является
вероятностной. В них изменение состояния ОУ при управляющем воздействии происходит с
определенной вероятностью. Однако, если объект управляем, общая направленность изменения
его состояния в ответ на управляющее воздействие сохраняется. ОУ должен быть наблюдаемым.
Во многих СУ управляющие воздействия вырабатываются в зависимости от значений параметров
состояния объекта. Под наблюдаемостью ОУ понимается возможность измерения переменных
его состояния. Чтобы ОУ был наблюдаемым, СУ должна иметь средства наблюдения (датчики
информации). Объект называется вполне или полностью наблюдаемым, если по информации
датчиков СУ можно определить значения всех его выходных координат. В противном случае ОУ
считается не полностью наблюдаемым. В одних СУ информация датчиков может характеризовать
состояние ОУ точно, в других - приближенно. Когда погрешности датчиков информации СУ и
возмущающие воздействия на ОУ носят случайный характер и/или измерения являются
косвенными, перед выработкой управляющих сигналов выполняется оценивание состояния ОУ,
т.е. получение 23 эффективных оценок переменных состояния по результатам наблюдений. КС
должна быть способной управлять. Способность системы – это свойство, которое определяет ее
возможность решить поставленную задачу. Оно означает, что у СУ должны быть достаточные для
выработки решений и проведения их в жизнь интеллектуальные, информационные, технические
и энергетические ресурсы. Под интеллектуальными ресурсами здесь понимается специалист
и/или программное обеспечение, обладающие способностью вырабатывать правильные
решения. К информационным ресурсам относится обеспечение процесса управления
необходимыми данными и сведениями. Технические ресурсы составляют средства управления,
средства связи, устройства обработки и передачи информации и другие технические средства,
необходимые для своевременной выработки решений и их отработки. Энергоресурсы – это
энергоносители, требуемые для работы СУ. Другие условия, влияющие на возможность
управления. Подчеркнем также значение для осуществимости управления ряда других факторов.
Так, например, в общем случае для правильного выбора характера и интенсивности управляющих
сигналов следует знать цель управления и критерии, по которым оценивается эффективность СУ.
Необходимо учитывать и динамику ОУ, на движение которого влияет его инерционность.
Решение по управлению должно приниматься в такой момент времени, чтобы его реализация
обеспечила желаемое изменение состояния объекта к определенному сроку. Динамика одних ОУ
в различных условиях меняется незначительно и при управлении известна достаточно точно.
Динамические свойства других ОУ непостоянны, и может понадобиться их уточнение в процессе
эксплуатации для обеспечения эффективности принимаемых решений. Задача оценки структуры
и/или параметров ОУ по тем или иным признакам его поведения в конкретной ситуации
называется идентификацией объекта управления. Для решения задачи идентификации СУ должна
иметь соответствующие средства. Следует учитывать и условия ВС, влияющие на процесс
управления. Для получения данных о внешней среде СУ снабжается внутренними источниками
информации. Нередко нужна информация и от внешних источников. Для ее приема КС должна
иметь средства связи. Например, в СУ судна по каналам связи принимается информация о погоде,
об опасных явлениях, изменениях в навигационной обстановке и др. Важен также прогноз
состояния 24 СУ и ВС на определенное время вперед. Не зря говорят, «управлять – значит
предвидеть». Практически всегда управляющее воздействие выбирают на основе прогноза
будущего состояния системы, чтобы оно после воздействия соответствовало желаемому. 1.5.
Эффективность систем управления Эффективность (качество) системы можно определить как
степень соответствия функционирования СУ целям управления или предъявляемым требованиям.
Категории требований к СУ могут быть различными: к величине дохода, к быстродействию, к
точности, к величине и частоте управляющих сигналов, к расходуемым ресурсам, к надежности, к
помехозащищенности, к приспосабливаемости к изменяющимся условиям и другие. Для
суждения об эффективности СУ применяют те или иные показатели, которые называются
критериями качества. Они могут быть количественными и смысловыми. Примером второго
критерия при изготовлении товаров массового потребления может служить требование их
привлекательности. В СУ желательно использовать только количественные критерии, если это
возможно. Под количественным критерием понимается величина (вектор), являющаяся мерой
качества управления. Основной смысл применения количественных критериев заключается в том,
чтобы численно, объективно оценить успешность управления в тех или в других условиях, иметь
возможность сопоставлять различные решения и выбирать из них подходящее. При наилучшем
решении задачи управления значение количественного критерия является обычно
экстремальным (максимальным или минимальным). Различают три вида критериев
эффективности [18]: • критерии пригодности, • критерии оптимальности, • критерии
адаптивности. Критерии пригодности оценивают вероятность достижения цели управления или
получения допустимого гарантированного результата. К критериям оптимальности относятся
оценки экстремальности результата – наивысшей точности, минимального расхода ресурсов и т.д.
Критерии адаптивности используются для оценки степени приспосабливаемости СУ к изменению
условий функционирования. С критерием оптимальности связана целевая функция, наибольшее
или наименьшее значение которой с учетом имеющихся ограничений определяет наилучшее
решение. Целевой функцией во 25 многих САУ являются функционалы, отражающие успешность
управления. В системах, в которых наибольшее значение имеет время выполнения поставленного
задания, в качестве целевой функции применяют функционал максимального быстродействия.
Когда требуется минимизировать погрешности управления и затраты на него, целевой функцией
является квадратичный функционал переменных состояния и управления. Оптимальным (по
выбранному критерию) из множества допустимых решений является такое, при котором значение
критерия качества экстремально. Современные математические методы для ряда задач
управления позволяют получать такие решения без перебора допустимых вариантов. В некоторых
СУ нет возможности определить полное множество допустимых решений. Если в такой системе
наилучшее воздействие на ОУ выбирается из представительного подмножества решений, то
управление называется эффективным. Его результаты близки, а иногда и совпадают, с
результатами оптимального управления. Для многих задач управления нет возможности получить
представительное подмножество допустимых решений. Удается найти лишь некоторые пути
достижения цели, обеспечивающие приемлемые значения критерия качества управления. В таких
случаях приходится выбирать решения из непредставительного подмножества решений.
Управление, которое не является ни оптимальным, ни эффективным, но использует наилучший
вариант из известных допустимых решений, называется рациональным. Обеспечение целостности
СУ. Говоря об эффективности систем, следует отметить и необходимость сохранения при
эксплуатации их целостности. КС и ОУ современных СУ включают большое количество элементов.
Взаимосвязи между ними придают системе свойства, которыми составляющие СУ элементы в
отдельности не обладают. Эти свойства присущи только системе в целом. Целостностью системы
называется сохранность всех присущих ей полезных свойств. В процессе эксплуатации по той или
иной причине целостность СУ может нарушаться. В результате она может терять те или иные свои
свойства. Причины нарушения целостности систем могут быть самыми различными: ошибка в
данных источника информации, запаздывание в получении сведений, искажение их при
передаче, неполадки в работе оборудования и т.д. Приведем два примера из многих причин,
нарушающих целостность систем. а) Спутниковая навигационная система GPS предоставляет
возможность непрерывно определять место в любой точке Земли. Однако если взаимное
расположение спутников на орбитах будет 26 нарушено, то свойство глобальности и
непрерывности определений по GPS может быть утрачено. б) Навигационно-информационная
система ECDIS обладает свойством автоматической сигнализации об опасностях и о районах со
специальными условиями плавания. Но если в ней используется растровая карта, то это свойство
ECDIS теряет. Причиной является отличный от требуемого вид картографической информации.
Чтобы работа системы была эффективной, необходимо принимать определенные меры для
сохранения ее целостности. Они включают: операции для предупреждения потерь целостности,
обнаружение фактов ее нарушения, установление причин этих нарушений, меры для
восстановления целостности. Совокупность технических и программных средств, которые
выполняют эти операции, называют системой обеспечения целостности (СОЦ) комплекса
управления. 1.6. Этапы и методы принятия решений Этапы принятия решений. В общем случае
определение управляющих воздействий не является каким-то мгновенным актом, а занимает
определенное время. В теории управления условно принятие решений рассматривается как
периодический процесс, каждый цикл которого включает этапы: 1. получение информации о
состоянии СУ и ВС, прогноз и оценка удовлетворительности состояния системы; 2. формирование
цели о некотором другом состоянии, в которое желательно перевести систему; 3. определение
допустимых путей достижения системой поставленной цели; 4. выбор из множества допустимых
решений наилучшего; 5. реализация принятого решения. Первые три этапа называются
подготовкой решения по управлению, а четвертый – его принятием. Полученное решение затем
реализуется, после чего поэтапные действия повторяются. Обобщенная схема принятия решений
для ряда систем может показаться слишком упрощенной либо не соответствующей
действительности. Количество этапов при выработке управляющих воздействий, их
последовательность и содержание, связи между ними в разных СУ и в разных ситуациях их
функционирования не являются столь строго определенными. Однако такая схема полезна, так
как позволяет сконцентрировать внимание на основных особенностях принятия решений во всех
СУ. 27 Методы выработки решений. В СУ (за исключением биологических) изначально в качестве
командной системы выступал человек. Объекты, которыми он управляет, могут быть самыми
различными: технические изделия (аппараты, механизмы, установки и т.д.), процессы
(физические, химические, производственные и т.п.), другие системы. При определении
управляющих воздействий человек пользуется различными методами. Одним из них является
использование накопленного опыта, обращение к решениям, принимавшимся раньше в
аналогичных или близких ситуациях. В судовождении для решений, принятых на этой основе,
существует даже термин – «соответствуют хорошей морской практике». Известен и основанный на
интуиции метод управления. Человек, имеющий теоретические знания и опыт работы в
некоторой области, приобретает внутреннее чутье, своеобразную проницательность, что
позволяет ему выбирать правильные решения в различных ситуациях. При этом он часто даже не
может объяснить, на чем основывались его действия. Широко распространено управление,
базирующееся на здравом смысле, который позволяет человеку ориентироваться и рационально
действовать даже в непредвиденных случаях. Человек также принимает решения путем
мысленного анализа ситуации, прогнозируя в уме последствия возможных решений. Такому
анализу обычно присущи элементы как формальной, так и диалектической логики. Наиболее
строгим путем принятия решений по управлению является научный подход. Научные методы – это
теоретически обоснованные, количественные методы принятия решений, используемые в
случаях, когда процесс управления поддается формализации. Эти методы не только являются
базой нахождения наилучших решений, но и позволяют получать их быстрее, с меньшими
затратами труда. Кроме того, они дают возможность автоматизировать выработку управляющих
воздействий, используя преимущества компьютерной техники перед человеком при выполнении
многих операций. Научный подход к принятию решений предполагает построение
математической модели СУ, разработку способов ее анализа и методов синтеза управляющих
воздействий. При моделировании СУ используется разнообразный математический аппарат.
Широко применение здесь находят дифференциальные и разностные уравнения. Научные теории
управления. Научные методы управления стали развиваться сравнительно недавно. Наиболее
разработанной в 28 настоящее время является теория автоматического регулирования. В ее
развитии можно выделить: 1. Период детерминистской теории, характеризуемой определенными
причинными связями и описываемой в основном теорией линейных СУ. Задача определения
структуры и параметров регулятора в этих условиях получила название задачи
детерминированного управления. Для нахождения алгоритмов регулирования здесь, как правило,
используются прямые аналитические методы. 2. Период стохастических методов анализа и
синтеза СУ. Здесь процессы в САР рассматриваются с учетом действия случайных помех и
возмущений. Задача синтеза регуляторов при таких условиях называется задачей стохастического
управления. Обычно она сводится к задаче оптимальной фильтрации и детерминированного
управления. 3. Период развития адаптивных и оптимальных САР. Разработка новых методов была
обусловлена необходимостью улучшения характеристик САР, когда требования к качеству
управления можно было выполнить, только учитывая в алгоритме управления изменения в
условиях работы САР. Задача синтеза таких регуляторов получила название задачи адаптивного
управления. Ее решение оказалось возможным в результате использования устройств,
выполняющих логико-аналитические операции. Для решения задач управления, связанных с
выбором стратегий управления в условиях определенности, были разработаны методы
математического программирования, составившие основу теорий линейного и динамического
программирования. Особенно интенсивно развиваются теории различных СУ в последние годы.
Здесь можно назвать теории: массового обслуживания, игр, ситуационного управления, графов,
искусственного интеллекта. Тем не менее, еще для очень многих задач управления пока не
существует научных методов определения ни оптимальных, ни близких к ним решений. Принятие
правильных решений в особо сложных ситуациях все еще остается искусством, которым владеет
лишь малое число людей. Чем сложнее СУ, тем труднее описать ее математически, тем более
изощренный аппарат нужен для нахождения управляющих воздействий. Наибольшие трудности
возникают при разработке моделей организационно-административного управления. Базой для
изучения таких СУ стал системный анализ - совокупность методов и средств исследования
сложных, многоуровневых и многокомпонентных 29 систем, объектов, процессов, опирающихся
на комплексный подход, учет взаимосвязей и взаимодействий между элементами системы.
Системный анализ играет важную роль в процессе планирования и управления, при выработке и
принятии управленческих решений. Его применение уже позволяет существенно улучшать
функционирование больших систем. Пока системный анализ не является строгой научной
теорией, поскольку не для всех его этапов существует формальный аппарат. Некоторые из них
выполняются на содержательном уровне, на основе логики, здравого смысла, инженерного опыта
и интуиции. Однако методы системного анализа интенсивно развиваются, и число
неформализованных этапов выработки решений сокращается. 1.7. Автоматизация систем
управления Автоматизация СУ состоит в применении технических и программных средств,
освобождающих человека частично или полностью от непосредственного участия в процессе
управления. СУ, выполняющая свои функции без непосредственного участия человека, называется
системой автоматического управления (САУ). В ней целенаправленные воздействия на ОУ
вырабатывает автоматическое устройство управления (АУУ). Обобщенно САУ представляется
совокупностью АУУ и ОУ. Системы управления, в которых одни функции выполняет человек, а
другие возложены на технические средства, называются автоматизированными или
«человекомашинными». Автоматизация СУ требует построения ее математической модели,
формализации этапов принятия и реализации решений, а также определенного уровня развития
технических средств. На современном этапе элементной базой автоматизации являются средства
компьютерной техники. Виды структур САУ. Структурой системы называется совокупность
составляющих ее элементов и связей между ними. При рассмотрении САУ обращается внимание
на три их аспекта: командный, функциональный, формальный (описательный, математический,
абстрактный). Представление САУ совокупностью элементов, выступающих в роли управляющих
или управляемых подразделений, и связей между ними называется ее командной организацией
или командной структурой. В процессе управления САУ выполняет определенные функции:
измеряет необходимые величины, преобразует сигналы из одного вида в другой, отображает
результаты и т.д. Схема функциональных 30 устройств САУ и связей между ними называется ее
функциональной структурой или функциональной организацией. Элементы САУ выполняют
преобразования сигналов. Вне зависимости от физической природы этих сигналов и протекающих
в устройствах САУ рабочих процессов динамика изменения сигналов одним или группой
элементов системы может быть представлена в абстрактном виде (математическими и/или
логическими выражениями). Схема, отражающая формальный характер преобразования входных
сигналов САУ в выходные, называется ее формальной (описательной, математической)
структурой. Структура и параметры ОУ и АУУ. Научный подход к выработке управляющих
воздействий базируется на математической модели системы - совокупности математических
выражений и логических условий, связывающих значения ее входных и выходных величин.
Математическая модель позволяет описывать изменения состояния СУ и производить его прогноз
на определенное время вперед при различных входных воздействиях. С точки зрения управления
конструкция ОУ имеет второстепенное значение. Основной интерес представляет реакция
объекта на управляющие и возмущающие воздействия. При рассмотрении ОУ с этой важной
стороны в теории автоматического управления термины структура и параметры ОУ используют
обычно в формальном смысле, т.е. под ними понимается вид и параметры математической
модели ОУ. Разработка любой САУ обязательно включает нахождение алгоритма управления -
системы формальных правил и проверочных условий, выполнение которых в заданной
последовательности позволяет решить задачу управления без уяснения ее сущности. Именно
этому алгоритму уделяется основное внимание при анализе САУ. Поэтому под структурой и
параметрами АУУ чаще всего понимается вид и параметры алгоритма управления. Требования к
математической модели системы. При решении задач, связанных с синтезом алгоритмов
управления и анализом СУ, требуется, чтобы математическая модель: отражала существенные
стороны процесса управления, была простой (экономной), служила существенным
вспомогательным средством при выборе решений. В математической модели должны быть
сконцентрированы наиболее важные факторы реальной системы. Их необходимо отразить с
наибольшей полнотой и точностью, чтобы модель была адекватна процессу управления.
Несущественные факторы в модели должны отсутствовать, либо быть отраженными в небольшой
степени, чтобы 31 не затруднять анализ системы и не усложнять выработку алгоритмов
управления. Так как значимость факторов реальной системы зависит от ее цели, то один и тот же
ОУ при решении разных задач, как правило, описывается разными моделями. Так, например,
модель судна в системе управления его курсом отличается от модели судна в системе управления
его скоростью. Отсюда следует, что применение в задачах управления разных математических
моделей ОУ является естественным явлением, направленным на возможность получения
оптимальных решений этих задач. Свойства ОУ могут меняться в различных условиях
эксплуатации и со временем. Совокупность операций для определения удовлетворительности
выбранной модели и ее улучшения по результатам наблюдений поведения объекта при наличии
погрешностей наблюдений и возмущений в движении ОУ называется оцениванием модели
объекта. Довольно часто встречается ситуация, когда класс моделей объектов определенного
типа известен, и требуется на основе наблюдений выбрать модель ОУ из этого класса. Процедура,
предназначенная для нахождения из определенного класса моделей вида модели и ее
параметров для ОУ по тем или иным признакам его поведения в конкретной ситуации, носит
название идентификации модели объекта. Оценивание является более объемным понятием, чем
идентификация. Но если речь идет о модели конкретного ОУ, эти понятия с неизбежностью
перекрываются. Автоматизация процессов подготовки решений. В первую очередь в СУ
автоматизируют информационные процессы. В простейших системах регулирования для
выработки управляющих воздействий обычно нужно мало информации. Здесь не возникает
особых трудностей, связанных с ее получением и обработкой. Однако уже в средних, по
современным меркам, СУ для управления нужна переработка большого числа данных. Проблема
автоматизации информационных процессов включает в себя: - организацию источников
информации о текущем и ожидаемом состоянии СУ и ВС; - нахождение способов получения и
передачи данных от источников, упорядочивания, хранения, защиты информации и приведения
ее на уровень современности; - разработку алгоритмов обработки данных и методов
отображения ее результатов; - создание программных и аппаратных средств реализации
названных методов и алгоритмов. 32 Получение информации для управления. Для выполнения
своих задач САУ снабжается внутренними датчиками информации, средствами связи для
получения сведений от внешних источников, устройствами хранения данных, программными
средствами, управляющими получением информации от этих источников, ее упорядочиванием и
передачей для дальнейшей обработки. Постоянная и медленноменяющаяся информация в САУ
записывается в долговременной памяти. К организации данных в ней предъявляются требования
надежности хранения, обеспечения быстрого поиска, защиты от ошибок и несанкционированного
доступа и др. Сведения в памяти системы организуются в виде баз данных. Базой данных
называют совокупность взаимосвязанных массивов, обеспечивающих хранение данных о СУ и ее
ВС с такой минимальной избыточностью, которая обеспечивает их оптимальное использование во
всех практических случаях, связанных с этой СУ. Выделяют две самостоятельные функции,
выполняемые базами данных: образование информационных моделей СУ и ВС, справочная
функция. Первая функция заключается в аккумулировании всех необходимых при управлении
относительно стабильных сведений об СУ и ВС, которые и составляют неформализованные
информационные модели этих элементов. В САУ должна быть возможность дополнения этих
моделей и приведения на уровень современности. Справочная функция баз данных состоит в
выдаче сведений, необходимых для принятия решений. Они представляются по запросу
оператора либо в соответствии с реализуемой программой автоматически. Выделение двух
автономных функций позволяет формировать, накапливать и изменять по мере необходимости
данные в базах независимо от использующих их программ. Для работы с информацией баз
разрабатывается комплекс программных средств, называемый системой управления базами
данных (СУБД). Основные функции СУБД: управление получением сведений, их сортировкой,
распределением, хранением и защитой; поддержанием данных на уровне современности;
выдача справок; объединение и разделение файлов, их копирование и восстановление; защита
информации от несанкционированного доступа; устранение ошибок в работе ряд других функций.
Обработка информации. Цель обработки информации в САУ - контроль ее достоверности и
нахождение концентрированных, сжатых характеристик, обеспечивающих минимальный и в то же
время достаточный для принятия решений объем данных. 33 Представление информации
оператору. При выдаче данных человеку должна быть обеспечена их полнота и в то же время
минимизация до необходимого и достаточного для выработки правильного решения объема. В
отображении информации лицу, принимающему решение, основным является удобство
восприятия, обеспечивающее простое, без напряжения, быстрое и безошибочное понимание
сложившейся в процессе управления ситуации. Трудности при восприятии информации ведут, в
конечном счете, к увеличению времени на принятие решения и снижению его эффективности.
Комплекс технических и программных средств, выполняющих переработку информации для
облегчения задачи управления, называется системой поддержки принятия решений либо просто
информационной системой. В СУ информационная система замкнута на человека всегда, и иногда
- на технические средства управления. На последние она замыкается в той мере, в которой в СУ
автоматизируется выработка управляющих воздействий. Автоматизация этапа принятия решения,
в общем случае включающего в себя определение множества допустимых решений и выбор из
них наилучшего, связана с разработкой соответствующего алгоритма. Для многих практически
важных задач управления, характеризуемых небольшим числом параметров и относительно
несложным характером влияния среды, разработаны строгие научные методы синтеза
алгоритмов управления. К таким задачам относятся задачи регулирования, некоторые задачи
выбора стратегий и ситуационного управления. Во многих задачах при нахождении алгоритмов
управления используются приближенные эффективные или рациональные формальные методы.
Для сложных задач управления разработка алгоритмов выработки решений может
сопровождаться значительными и нередко непреодолимыми на современном этапе трудностями.
С одной стороны, эти трудности могут определяться многочисленностью факторов, которые
влияют или могут влиять в разных ситуациях на управление. Это не позволяет с помощью
технических средств получить достаточную для принятия решений информацию. Так, например, в
судовождении число ситуаций, которые могут возникнуть при управлении судном, так велико, что
практически невозможно учесть все характеризующие эти ситуации элементы с помощью средств
автоматизации. С другой стороны, сложность получения алгоритмов управления объясняется
трудностью моделирования интеллектуальной деятельности человека, лежащей в основе выбора
решений в неавтоматизированной системе. Решения человека 34 основаны не только на
формальной, но и на диалектической логике, на интуиции, на своем и чужом опыте. Поэтому для
общего случая принятия решений выполнить моделирование мыслительной деятельности
человека чрезвычайно сложно. Трудности формализации этапа принятия решений, а в ряде
случаев и экономическая сторона, заставляют во многих сферах управления вместо САУ
применять «человеко-машинные СУ». В них прерогатива принятия решений принадлежит
человеку.