Лекция 5

• Общие сведения о полупроводниках

• Электронно-дырочный переход

• Полупроводниковые диоды
 Общие сведения о полупроводниках

Полупроводниками называют обширную группу материалов, которые по своему удельному

электрическому сопротивлению занимают промежуточное положение между проводниками и ди-
электриками. Обычно к полупроводникам относят материалы с удельным сопротивлением  = (10-
3...109) Ом*см, к проводникам (металлам) - материалы с  < 10-4 Ом*см, а к диэлектрикам

(изоляторам) - материалы с  > 1010 Ом*см. Такая классификация весьма условна, потому что между
полупроводниками и диэлектриками нет принципиальных различий.

Согласно принципам квантовой механики электроны в атоме характеризуются вполне

определенными значениями энергии, соответствующими разрешенным энергетическим уровням. В
изолированном атоме существует конечное число таких энергетических уровней, причем электроны
низших уровней сильно связаны с атомом; по мере увеличения уровня энергии связи ослабевает. В
группах близкорасположенных однотипных атомов, например в твердом теле, положение
принципиально не меняется, но взаимодействие атомов друг с другом приводит к тому, что
разрешенные уровни энергии электронов соседних атомов смещаются, образуя целую группу
близкорасположенных подуровней, которые образуют так называемые зоны разрешенных уровней
энергии, отделенных друг от друга запрещенными зонами энергии.
Энергетические уровни электронов в металле (а), полупроводнике
(б) и диэлектрике (в):I — зона проводимости, II—запрещенные
зоны, III—валентная зона, IV- -заполненная зона
Для изготовления
современных
полупроводниковых
приборов и особенно
интегральных микросхем
используют
преимущественно кремний,
который является
монокристаллом — твердым
телом с регулярной
кристаллической решеткой,
содержащей множество
одинаковых примыкающих
друг к другу тетраэдров.
Характер электропроводности собственного полупроводника существенно изменяется
при добавлении в него атомов примесного вещества. При введении в кристалл кремния
атома примеси V группы (например, сурьмы) только четыре ее валентных электрона
вступают в прочную связь с четырьмя соседними атомами собственного
полупроводника. Пятый валентный электрон сурьмы оказывается слабо связанным с
ядром, и он легко переходит в зону проводимости. При этом примесный атом
превращается в неподвижный положительный ион. В этом случае проводимость
полупроводника начинает определяться главным образом электронами. Такие
полупроводники называют полупроводниками n-типа (от английского слова nеgative -
отрицательный). Примеси, обусловливающие электронную электропроводность,
называют доноры.
При введении в кристалл кремния атома примеси III группы (например, бора) одна из
четырех связей между атомом собственного полупроводника и атомом примеси
оказывается незаполненной, что эквивалентно образованию дырки и неподвижного
отрицательного иона. Электропроводность таких примесных полупроводников
обеспечивается за счет перемещения дырок, а сами полупроводники называют
полупроводниками р-типа (от английского слова роzitive - положительный). Примеси,
обусловливающие дырочную электропроводность, называют акцепторными.
 Электронно-дырочный переход и его свойства
Электронно-дырочным переходом называют тонкий слой между двумя частями
полупроводникового кристалла, в котором одна часть имеет электронную, а другая -
дырочную электропроводность. Технологический процесс создания электронно-
дырочного перехода может быть различным. сплавление (сплавные диоды), диффузия
одного вещества в другое (диффузионные диоды), эпитаксия — ориентированный
рост одного кристалла на поверхности другого (эпитаксиальные диоды) и др. По
конструкции электронно-дырочные переходы могут быть симметричными и
несимметричными, резкими и плавными, плоскостными и точечными и др. Однако
для всех типов переходов основным свойством является несимметричная
электропроводность, при которой в одном направлении кристалл пропускает ток, а в
другом - не пропускает.

Устройство электронно-дырочного перехода: Одна часть этого перехода легирована

донорной примесью и имеет электронную проводимость (n-область). Другая часть,
легированная акцепторной примесью, имеет дырочную проводимость (p-область).
Концентрация электронов в одной части и концентрация дырок в другой существенно
различаются.
 Электроны в n-области стремятся проникнуть в p-область, где
n p концентрация электронов значительно ниже. Аналогично,
дырки из p-области перемещаются в n-область. В результате
встречного движения противоположных зарядов возникает
так называемый диффузионный ток. Электроны и дырки,
перейдя через границу раздела, оставляют после себя
противоположные заряды, которые препятствуют
дальнейшему прохождению диффузионного тока. В
результате на границе устанавливается динамическое
равновесие и при замыкании n и p-областей ток в цепи не
протекает. Распределение плотности объемного заряда в
переходе приведено на нижнем рисунке.
При этом внутри кристалла на границе раздела возникает собственное электрическое
поле Есобст. Напряженность этого поля максимальна на границе раздела, где
происходит скачкообразное изменение знака объемного заряда. На некотором
удалении от границы раздела объемный заряд отсутствует и полупроводник является
нейтральным.
Высота потенциального барьера на p-n переходе определяется контактной разностью
потенциалов n- и p-областей. Контактная разность потенциалов, в свою очередь,
зависит от концентрации примесей в этих областях:
𝑁𝑛 𝑃𝑝
𝜑𝑘 = 𝜑 𝑇 ln 2
𝑛𝑖
где 𝜑 𝑇 = 𝑘𝑇/𝑞 - тепловой потенциал, Nn и Рр - концентрации электронов и дырок в n-
и p-областях, пi - концентрация носителей зарядов в нелегированном полупроводнике.

Контактная разность потенциалов для германия имеет значение 0,2... 0,3 В, а для
кремния - 0,6... 0,7В. Высоту потенциального барьера можно изменять приложением
внешнего напряжения к р-п- переходу. Если внешнее напряжение создает в p-n-
переходе поле, которое совпадает с внутренним, то высота потенциального барьера
увеличивается, при обратной полярности приложенного напряжения высота
потенциального барьера уменьшается. Если приложенное напряжение равно
контактной разности потенциалов, то потенциальный барьер исчезает полностью.
Вольт-амперная характеристика р-n-перехода представляет собой зависимость тока
через переход при изменении на нем значения и полярности приложенного
напряжения. Если приложенное напряжение снижает потенциальный барьер, то оно
называется прямым, а если повышает его - обратным.
Обратный ток в р-n-переходе вызывается неосновными
носителями одной из областей, которые, дрейфуя в
электрическом поле области объемного заряда, попадают
в область, где они уже являются основными носителями.
Так как концентрация основных носителей существенно
превышает концентрацию неосновных, то появление
незначительного дополнительного количества основных
носителей практически не изменит равновесного
состояния полупроводника. Следовательно, обратный ток
через переход является током проводимости и не зависит
от высоты потенциального барьера, т. е. он остается
постоянным при изменении обратного напряжения на
переходе. Этот ток называется током насыщения и
обозначается Iобр = Is.
При прямом смещении p-n-перехода появляется (диффузионный) ток, вызванный
диффузией основных носителей, преодолевающих потенциальный барьер. Пройдя р-n-
переход, эти носители попадают в область полупроводника, для которой они являются
неосновными носителями. Концентрация неосновных носителей при этом может су-
щественно возрасти по сравнению с равновесной концентрацией. Такое явление носит
название инжекции носителей.
Таким образом, при протекании прямого тока через переход из электронной области в
дырочную будет происходить инжекция электронов, а из дырочной области будет
происходить инжекция дырок. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального
барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально:
𝐼диф = 𝐼𝑠 𝑒 𝑈/𝜑𝑇
где U — напряжение на p-n-переходе.
Кроме диффузионного тока прямой ток содержит ток проводимости, протекающий в
противоположном направлении, поэтому полный ток при прямом смещении р-n-
перехода будет равен разности диффузионного тока и тока проводимости:
 𝑰пр = 𝑰диф − 𝑰𝒔 = 𝑰𝒔 𝒆𝑼/𝝋𝑻 − 𝟏
Уравнение называется уравнением Эберса - Молла.
Поскольку при T=300K тепловой потенциал T=25мВ,
то уже при U=0.1 В можно считать, что
𝐼пр = 𝐼диф = 𝐼𝑠 𝑒 𝑈/𝜑𝑇
Дифференциальное сопротивление р-n-перехода
1 𝑑𝐼 1 𝜑𝑇
= = 𝐼 + 𝐼𝑠 𝑟диф =
𝑟диф 𝑑𝑈 𝜑 𝑇 (𝐼 + 𝐼𝑠 )
K
Так, например, при токе I = 1 А и T= 25 мВ
дифференциальное сопротивление перехода равно
25 мОм.
Предельное значение напряжения на р-n-переходе при прямом смещении не
превышает контактной разности потенциалов K. Обратное напряжение ограничива-
ется пробоем р-п-перехода.
 Полупроводниковый р-n- переход имеет емкость, которая в общем случае опре-
деляется как С = dq/dи. Емкость перехода зависит от значения и полярности
внешнего приложенного напряжения. При обратном напряжении на переходе эта
емкость называется барьерной и определяется по формуле 𝐶бар (0)
где K - контактная разность потенциалов, U - обратное 𝐶бар =
1 − 𝑈/𝜑𝐾
напряжение на переходе, Сбaр(0) - значение барьерной
емкости при U=0, которое зависит от площади p-n-
перехода и свойств полупроводникового кристалла.
При прямом смещении p-n-перехода появляется
диффузионная емкость, которая зависит от значения прямо-
го тока I и времени жизни неосновных носителей p.
Значение диффузионной емкости можно определить по
формуле 𝐼
𝐶диф = 𝜏𝑝
𝜑𝑇
𝐶пр = Сдиф + Сбар 𝐶обр = Сдиф
K+U
 Полупроводниковый диод
Полупроводниковым диодом называют прибор, который имеет два вывода и
содержит один (или несколько) p-n-переходов. Все полупроводниковые диоды можно
разделить на две группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные диоды,
как следует из самого названия, предназначены для выпрямления переменного тока. В
зависимости от частоты и формы переменного напряжения они делятся на
высокочастотные, низкочастотные и импульсные. Специальные типы
полупроводниковых диодов используют различные свойства p-n-переходов; явление
пробоя, барьерную емкость, наличие участков с отрицательным сопротивлением и др.
Конструктивно выпрямительные диоды делятся на плоскостные и точечные, а по
технологии изготовления на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные. Плоскостные
диоды благодаря большой площади р-n-перехода используются для выпрямления
больших токов. Точечные диоды имеют малую площадь перехода и, соответственно,
предназначены для выпрямления малых токов. Для увеличения напряжения лавинного
пробоя используются выпрямительные столбы, состоящие из ряда последовательно
включенных диодов.
Условное графическое обозначение Статическая вольт-амперная
полупроводникового диода и его характеристика диода
структура.
Электрод диода, подключенный
к области p, называют анодом
(по анологии с
электровакуумным диодом), а
электрод, под ключенный к
области n, — катодом.

При большом токе через р-n-переход значительное

напряжение падает в объеме полупроводника, и
пренебрегать им нельзя. С учетом этого вольт-
амперная характеристика выпрямительного диода
приобретает вид

I = 𝐼𝑠 𝑒 (𝑈−𝐼𝑅)/𝜑𝑇
 Характеристики силовых диодов

Силовые диоды обычно характеризуют набором статических и динамических

параметров. К статическим параметрам диода относятся:
 падение напряжения Uпр на диоде при некотором значении прямого тока;
 обратный ток Iобр при некотором значении обратного напряжения;
 среднее значение прямого тока Iпр.ср;
 импульсное обратное напряжение Uобр.и
К динамическим параметрам диода относятся его временные или частотные
характеристики. К таким параметрам относятся:
• время восстановления tвос обратного напряжения;
• время нарастания прямого тока Iнар;
• предельная частота без снижения режимов диода fmах.
Статические параметры можно установить по вольт-амперной характеристике
диода.
Время обратного восстановления диода tвос
является основным параметром
выпрямительных диодов, характеризующим
их инерционные свойства. Оно определяется
при переключении диода с заданного прямого
тока Iпр на заданное обратное напряжение
Uобр. Схема испытания представляет собой
однополупериодный выпрямитель,
работающий на резистивную нагрузку Rн и
питаемый от источника напряжения
прямоугольный формы.
Напряжение на входе схемы в момент времени t=0 скачком приобретает положительное
значение Uт. Из-за инерционности диффузионного процесса ток в диоде появляется не
мгновенно, а нарастает в течение времени tнар. Совместно с нарастанием тока в диоде
снижается напряжение на диоде, которое после tнар становится равным Uпр. В момент
времени t1 в цепи устанавливается стационарный режим, при котором ток диода
i=Iн~Um/Rн.
Такое положение сохраняется вплоть до момента времени t2, когда полярность напряжения
питания меняется на противоположную. Однако заряды, накопленные на границе р-n-
перехода, некоторое время поддерживают диод в открытом состоянии, но направление
тока в диоде меняется на противоположное. По существу, происходит рассасывание
зарядов на границе р-n-перехода. После интервала времени рассасывания tрас начинается
процесс выключения диода.
К моменту времени t3 напряжение на диоде становится равным нулю, и в дальнейшем
приобретает обратное значение. Процесс восстановления запирающих свойств диода
продолжается до момента времени t4, после чего диод оказывается запертым. К этому
времени ток в диоде становится равным Iо6р, а напряжение достигает значения - Uт. Таким
образом, время tвос можно отсчитывать от перехода UД через нуль до достижения током
диода значения Iобр.
 Рассмотрение процессов включения и выключения выпрямительного диода пока-
зывает, что он не является идеальным вентилем и в определенных условиях обладает
проводимостью в обратном направлении. Время рассасывания неосновных носителей в
p-n-переходе можно определить по формуле tрас=0.35р где р - время жизни неосновных
носителей.

Время восстановления обратного напряжения на диоде можно оценить по

𝐼пр
приближенному выражению 𝑡вос = 𝜏𝑝 𝑙𝑛 1 +
𝐼обр

Мощность потерь в диоде резко повышается при его включении и, особенно, при
выключении. Следовательно, потери в диоде растут с повышением частоты
выпрямленного напряжения. При работе диода на низкой частоте и гармонической
форме напряжения питания импульсы тока большой амплитуды отсутствуют и потери в
диоде резко снижаются.
 При изменении температуры корпуса диода изменяются его параметры. Наиболее
сильно зависят от температуры прямое напряжение на диоде и его обратный ток.
Температурный коэффициент напряжения (ТКН) на диоде имеет отрицательное
значение, так как при увеличении температуры напряжение на диоде уменьшается.
Приближенно можно считать, что ТКН Uпр=-2 мВ/К.
Обратный ток диода зависит от температуры корпуса еще сильнее и имеет
положительный коэффициент. Так, при увеличении температуры на каждые 10°С
обратный ток германиевых диодов увеличивается в 2 раза, а кремниевых - 2,5 раза.
Потери в выпрямительных диодах можно рассчитывать по формуле
Рд=Рпр+Робр+Рвос
где Рпр - потери в диоде при прямом направлении тока, Робр - потери в диоде при
обратном токе, Рвос - потери в диоде на этапе обратного восстановления.
Рпр=Iпр.срUпр.ср, где Iпр.ср и Uпр.ср – средние значения тока и прямого напряжения на
диоде.
Робр=IобрUобр;
Рвос=0.5Iпр.срUпр.срpf; где f – частота переменного напряжения.
 Диоды с барьером Шотки.

Для выпрямления малых напряжений высокой частоты широко используются диоды

с барьером Шотки (ДШ). В этих диодах вместо p-n-перехода используется контакт
металлической поверхности с полупроводником. В месте контакта возникают
обедненные носителями заряда слои полупроводника, которые называются запорными.
Диоды с барьером Шотки отличаются от диодов с p-n-переходом по следующим
параметрам:
• более низкое прямое падение напряжения;
• имеют более низкое обратное напряжение;
• более высокий ток утечки;
• почти полностью отсутствует заряд обратного восстановления.
Две основные характеристики делают эти диоды незаменимыми при проектировании
низковольтных высокочастотных выпрямителей: малое прямое падение напряжения и
малое время восстановления обратного напряжения. Кроме того, отсутствие
неосновных носителей, требующих времени на обратное восстановление, означает
физическое отсутствие потерь на переключение самого диода.
 Лекция 5

• Общие сведения о полупроводниках

• Электронно-дырочный переход

• Полупроводниковые диоды
Спасибо за внимание