Лекция 21

Электронные логические элементы

Схемные решения основных логических
элементов
Диодно-резисторная логика
Резистоно-транзисторная логика
Диодно-транзисторная логика
Транзисторно-транзисторная логика
Эмиттерно-связанная логика
КМОП – логика
 Электронные логические элементы

Логическим элементом называют такой у которого отклик на

выходе связан с воздействием на входе по законам алгебры
логики. В электронных логических элементах такая связь
возникает между входными выходными электрическими
сигналами.
Такие логические элементы составляют основу цифровых
устройств и основными являются элементы трех типов НЕ,
ИЛИ, И. Но в булевой алгебре доказано что любые логические
операции могут быть выполнены с помощью только одного
логического элемента ИЛИ-НЕ или И-НЕ. Следовательно любое
цифровое устройство может быть реализовано из логичских
элементов одного типа.
Кроме логических операций важен вид сигналов управляющий
работой логических элементов. По этому признаку различают
потенциальные, импульсные и потенциально-импульсные
электронные логические элементы.
 Схемные решения основных логических элементов

• ДРЛ – диодно-резисторная логика на диодах и

резисторах.
• РТЛ – резистоно-транзисторная логика на резисторах
и транзисторах
• ДТЛ – диодно-транзисторная логика на диодах и
биполярных транзисторах.
• ТТЛ - транзисторно-транзисторная логика на
биполярных транзисторах;
• ЭСЛ - эмиттерно-связанная логика на биполярных
транзисторах;
• КМОП – логика на симметричной структуре на
полевых транзисторах p- и n-типа.
 Диодно-резисторные логические схемы (ДРЛ)

На рис. приведены
схемы ЛЭ,
построенные на
диодах и резисторах.
Диоды в схемах
исключают передачу
сигналов между
выходами и с выхода
на вход.

Резистор является элементом конструктивной нагрузки, который

исключает короткое замыкание источника сигнала через
электронно-дырочный переход открытого диода.
Схемы логических элементов в диодно-резисторной логике построения
схемотехнических решений в положительной логике работы (а), в отрицательной логике
работы (б) и временные диаграммы напряжений для схемы в положительной логике
работы (в)
В схемах ДРЛ в качестве диодов могут применяться:
кремниевые диоды, эмиттерные переходы транзисторов при
включении в диодном режиме и диоды Шоттки. Напряжение
запирания кремниевого диода или эмиттерного перехода
транзистора равно Uдз = 0,6 В, диода Шоттки Uдшз = 0,3 В.
Падение напряжения на открытом кремниевом диоде и
эмиттерном переходе транзистора U = (0,7—0,8) В, а в диоде
Шоттки UДшо = 0,4 В. Падение напряжения на диоде шoттки
почти в два раза меньше, что указывает на уменьшение потерь
сигнала на выходе по сравнению с сигналом на входе в диодах
Шоттки. Малое, по сравнению с кремниевыми диодами,
напряжение закрытия у диодов Шоттки позволяет уменьшить
амплитуду управляющего сигнала и потребляемую мощность.
Для диодов Шоттки время переключения перехода (из
открытого состояния диода в закрытое) составляет не более 1
нс. В других полупроводниковых структурах время
переключения составляет несколько десятков наносекунд, т.е.
диоды Шоттки — более быстродействующие.
На рис. приведены две схемы с разным направлением включения
диодов относительно входов и с противоположной полярностью
включения источника смещения (UCM).
Если на все входы подать положительный потенциал с
уровнем напряжения лог.0 (U0вх < 0.6 В), то на всех диодах
присутствует прямое смещение и диоды остаются открытыми.
Прямое смещение на диодах в этом случае определяется
алгебраической суммой напряжений U0вх и UCM, которые
относительно диода включены последовательно и действуют
встречно, и общее напряжение определяется по формуле UвхVD
= UCM - U0вх Таким образом, через открытые диоды протекают
токи, например цепь протекания тока I1 через диод VD1: + Uсм
→ R → VD1 → +- U0вх1, → - U1вх() – Uсм. Ток через диод
VD2 имеет аналогичную цепь протекания. Для определения
амплитуды сигнала на выходе необходимо определить
напряжение на элементах схемы между точкой выхода и
общей шиной.
Если на один из входов (например, Вх1) подать
положительный сигнал с уровнем лог.1 (U1вх  UCM), то на
диоде VD1 отсутствует прямое смещение или создается
обратное смещение, что способствует закрытию диода.
Напряжение смещения на диоде определяется как разность
напряжений UCM и U1вх, действующих встречно. В этом
случае остается открытым только диод VD2, через который
протекает ток I2 по цепи: +UCM → R → VD2 → + U0вх2 → -
U0вх2() - UCM. При протекании тока на резисторе R создается
падение напряжения, которое меньше амплитуды напряжения
источника смещения на величину падения напряжения на
диоде VD2, и напряжение U0вх2, определяется по формуле UR
= Uсм - U0вх2 - Uдо, где Uдо - падение напряжения на
дифференциальном сопротивлении диода при прямом
смещении. Учитывая допустимые потери напряжений на
указанных элементах (U0вх2  0.6 В, Uдo = 0.7 В) и при Uсм = 5
В, можно определить падение напряжения на резисторе: UR =
5 – 0.6 – 0.7 = 3.7 В.
Падение напряжения на резисторе надежно удерживает диод
VD1 в закрытом состоянии как обратное смещение. В то же
время работа схемы и сигнал на выходе лог.0 не изменяются за
счет лог.0 на Вх2, что указывает на выполнение логической
функции ИЛИ на сигнале лог.0, так как достаточно подать на
один из входов сигнал лог.0 и на выходе схемы получим сигнал
лог.0 (интервал t2-t3).
Если на все входы подать сигнал лог.1 (U1вх = U2вх  Uсм), то все
диоды закроются и в схеме практически прекратится протекание
тока. В этом случае на выходе схемы амплитуда сигнала будет
равна амплитуде напряжения источника смещения (интервал t3-
t4), что соответствует уровню лог.1 (UВЫХ = UСМ). В результате
можно сделать вывод о том, что на сигналах лог. 1 схема
выполняет логическую функцию И.
Таким образом, данное схемотехническое решение соответствует
логическому элементу И, так как на сигналах лог.0 выполняется
логическая функция ИЛИ, а на сигналах логлогическая функция
И.
 Резисторно-транзисторные логические схемы (РТЛ)
Резисторно-транзисторные схемы могут быть двух видов - с
непосредственными связями по входам и с резисторными. В
первом случае провод связи считается элементарным
резистором, обладающим минимальным активным
сопротивлением. Каждая из схем является инвертором,
выполняющим булеву функцию НЕ у = хത. Функции инвертора
выполняет транзисторный ключ с транзистором, включенным по
схеме с ОЭ.
В схеме смещение на транзисторе
VT создается фиксированным
напряжением делителя,
состоящего из резисторов R1 и R3
и элементов схемы управления
(сопротивление предыдущего
каскада или источника сигнала -
входное сопротивление RBX
показано штриховой линией).
При подаче на вход схемы сигнала низкого уровня (для
положительной логики это отрицательный потенциал - лог.0)
транзисторный ключ закрыт, так как отсутствует необходимое
напряжение прямого смещения эмиттерного перехода, равное
UЭз < 0.6 В. При этом на выходе схемы действует
положительный потенциал (лог.1). При подаче на вход сигнала
лог.1 (сигнал высокого уровня (положительный потенциал)) на
резисторах делителя создается падение напряжения, которое
действует на эмиттерный переход как прямое смещение (UR3) и
как обратное смещение на коллекторный переход (UR3,Rвx).
Транзистор открывается и на выходе транзисторного ключа
появляется отрицательный потенциал (лог.0), т.е. выполняется
логическая операция НЕ. Это происходит, когда напряжение на
входе (Uвх) достигает порогового напряжения (U0пop).
Транзистор открывается при UЭз > 0.6 В. Поэтому для создания
этого условия необходимо подобрать резисторы делителя R1 и
R3 так, чтобы выполнялось равенство
Схемы логического элемента ИЛИ-HE (а) и логического
элемента И-НЕ в резисторно-транзисторной логике (б)
схемотехнических решений (РТЛ)
 Диодно-транзисторные логические схемы (ДТЛ)

Схема базового логического

элемента И-НЕ в
схемотехническом решении
диодно-транзисторной
логики (ДТЛ)

Если на входах х1 и х2 присутствует сигнал уровня лог.1 (+U) с уровнем порогового

напряжения U0пор= Uдз  0.6 В, то диоды VD1 и VD2 закроются, а через делитель
напряжения потечет ток по цепи: +UK → Rl → VD3 → VD4 → R2 → - Uк(). Падение
напряжения на резисторе R2 создает прямое смещение на эмиттерном переходе
транзистора VT, а падение напряжения на Rl, VD3 и VD4 (UR1,VD) создает обратное
смещение на коллекторном переходе транзистора VT. В результате транзистор
открывается и протекающий коллекторный ток (IК) создает падение напряжения на
коллекторном резисторе R3, приложенное «минусом» к выходу (лог.0). При этом
выполняется логическая операция И-НЕ на положительных сигналах (лог.1).
 Транзисторно-транзисторные логические схемы (ТТЛ)

Схема базового логического элемента И-НЕ со сложным

инвертором в решении ТТЛ
 Транзисторно-транзисторные логические схемы (ТТЛШ)

Схемотехническое решение базового логического элемента И-НЕ

в решении ТТЛШ
 Эмиттерно-связанные логические схемы (ЭСЛ)

Схема базового логического элемента ИЛИ-НЕ-ИЛИ в

эмиттерно-связанной транзисторной логике ЭСЛ (ЭСТЛ)
Квазистатические схемы логических элементов на
КМОП-структурах

HE

И-HE

ИЛИ-HE
 Лекция 21
• Электронные логические элементы
• Схемные решения основных логических
элементов
• Диодно-резисторная логика
• Резистоно-транзисторная логика
• Диодно-транзисторная логика
• Транзисторно-транзисторная логика
• Эмиттерно-связанная логика
• КМОП – логика
Спасибо за внимание