Лекция 9

• Полевые транзисторы
• Типы полевых транзисторов
• Полевые транзисторы с управляющим p-
n-переходом
• МДП-транзистор с встроенным каналом
• МДП-транзистор с индуцированным
каналом
• Схемы включения полевых транзисторов
 Полевые транзисторы

Полевым транзистором называется полупроводниковый

прибор, работа которого основана на модуляции сопротивления
полупроводникового материала поперечным электрическим
полем.
Полевые транзисторы часто называют униполярными.
Полевые транзисторы бывают двух видов;
-с управляющим p-n-переходом;
-со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-
транзистор).
Часто в качестве диэлектрика применяют окисел кремния,
поэтому их иногда называют МОП-транзистор.
МДП-транзисторы могут быть двух типов:
-транзисторы с встроенным каналом;
-транзисторы с индуцированным каналом.
 Полевые транзисторы с управляющим p-n-
переходом

Полевой транзистор представляет собой монокристалл

полупроводника, по торцам которого сформированы
электроды, а посередине созданы две области
противоположного типа проводимости и выводы от этих
областей. Тогда на границе раздела областей с различным
типом проводимости возникнет р-n-переход.

Для эффективного управления выходным током материал

основного полупроводника должен быть высокоомным.
Кроме того, начальная ширина канала должна быть
достаточно малой – порядка нескольких микрон.
Полевые транзисторы с управляющим p-n-
переходом
 Полевые транзисторы с управляющим p-n-
переходом
Электрод, от которого движутся основные носители заряда в
канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся, -
стоком. Управляющий электрод называют затвором.
Рассмотрим физические процессы. При изменении входного
напряжения изменяется обратное напряжение на переходе и от
этого изменяется его ширина. Соответственно изменяется
площадь поперечного сечения канала, через который проходит
поток основных носителей заряда. Управляющее действие
затвора наглядно иллюстрирует стоко-затворная характеристика
Ic=(Uзи) при Uси=const. При Uзи=0 сечение канала наибольшее,
его сопротивление минимально, и, следовательно, ток
максимален. При увеличении Uзи площадь поперечного сечения
канала уменьшается, ток снижается, При некотором запирающем
напряжении, называемом напряжением отсечки, площадь
поперечного сечения станет равной нулю и ток стока будет очень
мал.
 Полевые транзисторы с управляющим
p-n-переходом

Стоко-затворная характеристика Выходная характеристика

 Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Рассмотрим выходные характеристики. С увеличением UСИ ток

сначала растет довольно быстро, но затем его рост замедляется и
наступает явление, напоминающее насыщение. Это объясняется
тем, что с ростом UСИ возрастает обратное напряжение на p-n-
переходе и увеличивается ширина запирающего слоя, а ширина
канала соответственно уменьшается. Это приводит к увеличению
его сопротивления и уменьшению тока стока. Таким образом,
происходит два взаимно противоположных влияния на ток, в
результате чего он остается почти неизменным. Повышение
напряжения стока приводит к электрическому пробою p-n-
перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать.
Эквивалентная схема полевого транзистора с
управляющим p-n-переходом
 Параметры эквивалентной схемы полевого
транзистора

Rзс, Rзи и Сзс, Сзи – сопротивление и емкости p-n-

переходов, включенных в обратном направлении;
Ri=dUси/dIс при Uзи=const – дифференциальное (внутренне)
сопротивление канала транзистора (сотни килоом); Сси –
емкость между стоком и истоком транзистора; S=dIс/dUзи
при Uси=const – крутизна характеристики, определяющая
управляющее действие затвора; S*Uзи – генератор тока,
характеризующий усилительные свойства транзистора.
Усилительные свойства по напряжению характеризует
коэффициент усиления:
=dUси/dUзи=(dUси/dIc)*(dIс/dUзи)=Ri*S.
 Преимущества полевых транзисторов

В сравнении с биполярными транзисторами:

• высокое входное сопротивление;

• малые шумы;
• простота изготовления.
 МДП-транзистор с встроенным каналом (MOSFET)

МДП-транзистор представляет собой монокристалл

полупроводника (обычно кремния), где создана
электропроводность какого-либо типа. В нем созданы две
области с электропроводностью противоположного типа,
которые соединены между собой тонким приповерхностным
слоем этого же типа проводимости. От этих двух зон
сформированы электрические выводы, которые называют
истоком и стоком. На поверхности канала имеется слой
диэлектрика (обычно диоксида кремния) толщиной порядка 0.1
мкм, а на нем наносится тонкая металлическая пленка, от
которой также делается электрический вывод – затвор. От
основания (подложки(П)) делается вывод.
Длина канала составляет единицы микрометров, а
ширина - сотни.
МДП-транзистор с встроенным каналом
 МДП-транзистор с встроенным каналом

При нулевом напряжении на затворе через канал протекает ток,

представляющий собой поток электронов. Через кристалл ток не протекает,
так как переход находится под обратным напряжением.
При подаче на затвор отрицательного напряжения в канале
создается поперечное электрическое поле, под влиянием которого
электроны проводимости выталкиваются из канала. Он обедняется
электронами, сопротивление его увеличивается, ток стока уменьшается.
Чем больше отрицательное напряжение затвора, тем меньше этот ток. Такой
режим транзистора называют режимом обеднения.
Если на затвор подать положительное напряжение, то под
действием поля, созданного этим напряжением, из областей стока и истока,
а также из кристалла в канал будут приходить электроны, проводимость
канала увеличивается и ток стока возрастает.
Этот режим называется режимом обогащения. Режимы работы
транзистора наглядно показывают стоко-затворные и выходные
характеристики.
Характеристики МДП-транзистора с встроенным каналом
Эквивалентная схема МДП-транзистора с
встроенным каналом
 Параметры эквивалентной схемы

Rзс ут, Rзи ут и Сзс, Сзи – сопротивление утечки и емкости между

затвором и областями стока и истока соответственно;
Ri =dUси/dIс при Uзи=const – дифференциальное (внутренне)
сопротивление канала транзистора (сотни килоом);
Сси – емкость между стоком и истоком транзистора;
S=dIс/dUзи при Uси=const – крутизна характеристики,
определяющая управляющее действие затвора;
S*Uзи – генератор тока, характеризующий усилительные
свойства транзистора.
Rпс, Rпи и Спс, Спи – сопротивление и емкости переходов
подложка-сток и подложка-исток, включенных в обратном
направлении;
МДП-транзистор с индуцированным каналом
 МДП-транзистор с индуцированным каналом
При отсутствии напряжения на затворе тока в канале
нет.
Если на затвор подать положительное напряжение, то
под влиянием поля затвора электроны проводимости будут
перемещаться из областей стока и истока и из p-области по
направлению к затвору. Когда напряжение затвора превысит
некоторое пороговое или отпирающее значение (единицы
вольт), то в поверхностном слое концентрация электронов
настолько увеличится, что превысит концентрацию дырок, и в
этом случае произойдет инверсия типа проводимости,
возникнет индуцированный канал n-типа и транзистор начнет
проводить ток.
Эквивалентная схема такая же как и у МДП-транзистора
с встроенным каналом.
Режимы работы транзистора наглядно показывают
стоко-затворные и выходные характеристики.
МДП-транзистор с индуцированным каналом
 Преимущества МДП-транзисторов

Преимущества МДП – транзисторов по сравнению с

полевыми транзисторами с управляющим p-n-переходом:

• лучшие температурные характеристики;

• лучшие шумовые характеристики;
• большое входное сопротивление (до 1015 Ом) при любой
полярности входного напряжения;
• меньшее значение входной емкости, следовательно,
предельная частота может достигать сотен МГц;
• простота конструктивной реализации, особенно
транзисторов с индуцированным каналом.
 Схемы включения полевых транзисторов

Различают три схемы включения полевых транзисторов.

Это схемы с общим:

1 истоком;
2 стоком;
3 затвором.
 Схема с общим истоком

Имеет большой
коэффициент усиления
по току и по
напряжению. Изменяет
фазу входного сигнала
на 180 градусов.
Относительно большие
входное и выходное
сопротивления.
 Схема с общим стоком

Подобна эмиттерному повторителю и называется истоковый

повторитель. Коэффициент усиления по напряжению меньше
единицы. Выходное напряжение по фазе повторяет входное.
Высокое входное сопротивление и низкое выходное
сопротивление.
 Схема с общим затвором

Аналогична схеме с общей базой. Не дает усиления по току и

поэтому коэффициент усиления по мощности незначителен.
Входное сопротивление мало, так как входным током является
ток истока. Фаза напряжения при усилении не изменяется.
 Сравнение схем включения полевых
транзисторов

Из трех рассмотренных схем не находит

практического применения схема с общим затвором
из-за малого входного сопротивления и
незначительного коэффициента усиления по
мощности.
Сравнение ВАХ полевых транзисторов
 Частотные (динамические) свойства транзистора
В полевом транзисторе в отличие от биполярного отсутствуют инжекция
неосновных носителей и их перемещение по каналу, и поэтому не эти явления
определяют динамические свойства. Инерционность полевого транзистора
определяется в основном процессами перезаряда барьерной емкости p-n-
перехода. Свое влияние оказывают также паразитные емкости между
выводами и паразитные индуктивности выводов.
В справочных данных часто указывают значения следующих
дифференциальных емкостей, которые перечислим ниже:
•входная емкость Сзи - это емкость между затвором и истоком при коротком
замыкании по переменному току выходной цепи;
•проходная емкость Сзс - это емкость между затвором и стоком при
разомкнутой по переменному току входной цепи;
•выходная емкость Сис - это емкость между истоком и стоком при коротком
замыкании по переменному току входной цепи.
Крутизну S, как и коэффициент β биполярного транзистора, в ряде случаев
представляют в форме комплексного числа S. При этом определяют
предельную частоту fпpед. Это та частота, на которой выполняется условие:
| S | = 1 / √2 ·Sпт где Sпт — значение S на постоянном токе.
В качестве общего ознакомления, посмотрите варианты существующих полевых
транзисторов (боюсь, что это не самый полный список):

MOSFET — (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) использует изолятор

обычно SiO2 между затвором и каналом.
JFET — полевой транзисторе с управляющим p-n переходом
MESFET — (Metal–Semiconductor Field-Effect Transistor) разновидность p-n перехода
JFET с барьером Schottky; используются с GaAs и др. III-V полупроводниками.
ISFET — ion-sensitive field-effect transistor – ионно-чувствительный полевой
транзистор.
ChemFET — chemical field-effect transistor — МОСФЕТ транзисторы, заряд на
затворе которых определяется химическими процессами.
EOSFET — electrolyte-oxide-semiconductor field effect transistor вместо металла в
качестве затвора используется электролит.
CNTFET — Carbon nanotube field-effect transistor — полевой транзистор с
углеродными нанотрубками.
DEPFET – полевой транзистор с полностью обедненной подложкой, используются
как сенсоры, усилители и ячейки памяти одновременно. Может быть использован как
датчик фотонов.
DGMOSFET — с двумя затворами.
DNAFET — специальный FET используемый как биосенсор, с затвором из 1-й ДНК
молекулы чтобы определять соответствующую нить ДНК.
FREDFET — (Fast Reverse or Fast Recovery Epitaxial Diode FET) специальный
полевой транзистор, разработанный для обеспечения сверхбыстрого закрытия
встроенного диода (is a specialized FET designed to provide a very fast recovery (turn-off)
of the body diode)
HEMT — (high electron mobility transistor) или HFET(heterostructure FET) полевой
транзистор с высокой подвижностью зарядов, гетероструктурные (шестигранные)
FET. Изолятор затвора формируется из полностью обедненного материала с большой
шириной запрещенной зоны.
HIGFET — (heterostructure insulated gate field effect transisitor), гетероструктурные
MISFET используются в основном в исследовательских целях.
MODFET — (Modulation-Doped Field Effect Transistor) использует квантовую
структуру, сформированную градиентным легированием активной области.
NOMFET – (Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor) — память на основе
органических наночастиц.
OFET – (Organic Field-Effect Transistor) — канал из органического полупроводника.
GNRFET – (Field-Effect Transistor that uses a graphene nanoribbon for its channel). С
каналом из графеновой пленки.
VFET – (Vertical Field-Effect Transistor), вертикальный полевой транзистор, полевой
транзистор с вертикальной структурой, полевой транзистор с вертикальным каналом.
VeSFET — (Vertical-Slit Field-Effect Transistor) is a square-shaped junction-less FET with
a narrow slit connecting the source and drain at opposite corners. Two gates occupy the other
corners, and control the current through the slit… полевой транзистор квадратной формы,
без перехода с близким расположением истока и стока на противоположных углах. Два
других входа, занимающие другие углы — затворы, которые контролируют переход.
TFET — (Tunnel Field-Effect Transistor) — основан на эффекте тунеллирования … из
полосы в полосу.
IGBT — (insulated-gate bipolar transistor) устройство для контроля мощности.
Представляет из себя гибрид полевого транзистора с проводящим каналом, как у
биполярного транзистора. Обычно используются для напряжений 200-3000V сток-
исток. Мощные MOSFETs обычно используются до 200 V.
 Области применения ПТ:

• для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты

и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
• для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты
и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
• для применения в широкополосных усилителях в диапазоне
частот до 150 МГц, а также в переключающих и
коммутирующих устройствах
• для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей
устройств ядерной спектрометрии, и т.д.
 Лекция 9
• Полевые транзисторы
• Типы полевых транзисторов
• Полевые транзисторы с управляющим
p-n-переходом
• МДП-транзистор с встроенным каналом
• МДП-транзистор с индуцированным
каналом
• Схемы включения полевых
транзисторов
Спасибо за внимание