www.electronics.ru
И.Романова
П
ринцип действия датчиков магнитного наличии магнитного поля на движущиеся носи-
поля основан на магниторезистивном тели заряда (электроны) действует сила Лоренца.
эффекте или на эффекте Холла. Эта сила искривляет траекторию движения элек-
Магниторезистивный эффект (магне- тронов, что приводит к перераспределению объ-
тосопротивление) – это изменение элек- емных зарядов в полупроводниковой пластине.
трического сопротивления материала в магнит- Вследствие этого на краях пластины, параллель-
ном поле. Впервые эффект был обнаружен в 1856 ных направлению протекания тока, возникает
году Уильямом Томсоном. В общем случае можно
говорить о любом изменении тока через обра-
Ref M
зец при одинаковом приложенном напряжении Θ
и изменении магнитного поля. Все материалы
в той или иной мере обладают магнетосопро- Датчик
HMC1501
тивлением. Для сверхпроводников, способных
без сопротивления проводить электрический ток,
существует критическое магнитное поле, кото-
рое разрушает этот эффект и вещество переходит
в нормальное состояние, в котором наблюдается
сопротивление. В нормальных металлах эффект
магнетосопротивления выражен слабее. В полу-
проводниках относительное изменение сопро-
тивления может быть в 100–10000 раз больше, чем N
в металлах, и достигать сотен тысяч процентов. S Перемещаемый магнит
Эффект Холла, открытый американским физи-
ком Эдвином Холлом (E.Hall) в 1879 году, состоит
в следующем. Если по тонкой пластине полупро- Рис.1. Схема измерения линейного перемещения на
водникового материала протекает ток, то при примере датчика компании Honeywell
S
Вал
N Датчик Рис.3. Магниторезистивные датчики компании NXP
Вращение
HMC1512
серии КМА115/1, КМА115/2 и КМА115/4
4 аналог./
КМА200 180 0–5 4,5–5,5 -40–160 SIP5
2 цифровых
Ввиду того, что для некоторых приложений измерения угловой координаты серии KMA220
KMA200 не очень эффективен, так как не всегда (рис.5). Микросхема этого датчика представляет
нужны расширенные функции диагностики собой законченное решение для измерения угло-
и защита от перенапряжения и переполюсовки, вых координат вращающихся объектов, оно вклю-
был разработан упрощенный датчик KMA199Е. чает в себя два магниторезистивных датчика
Основные отличия KMA199Е от KMA200: исклю- и схему обработки. Такой датчик может работать
чение диагностика (только CRC), один аналого- с простым магнитным диском, не требует допол-
вый выход (цифровой отсутствует), нет защиты нительных навесных элементов, экономит место
от перенапряжения и переполюсовки, 3-выводной и удешевляет устройство. Таким образом, пред-
корпус, меньшая стоимость. ставив KMA220 на рынке, компания предлагает
Датчик серии KMA210 (рис.4) стал развитием уникальное решение, в первую очередь ориенти-
версии магниторезистивного датчика KMA199. рованное на автомобильные применения.
KMA210 содержит магниторезистивный датчик, В датчиках KMA220 используется уникальная
сигнальный процессор и два выходных конден- технология NXP ABCD9 – самая современная авто-
сатора. Наличие встроенных конденсаторов не мобильная платформа с интегрированной анало-
требует введения в схему обработки навесных говой частью. В новой технологии используются
элементов. Основные характеристики датчика: КМОП 14-го поколения, что значительно улучшает
защита от перенапряжения и переполюсовки характеристики KMA220 по сравнению с предыду-
питания до 16 В, диагностика потери магнита щими датчиками с интегрированными схемами
и напряжения питания и энергонезависимая обработки. К тому же новая микросхема класси-
память. Более подробные характеристики дат- фицирована в соответствии с новым докумен-
чиков серий КМА200 и КМА199 приведены том по безопасности HMM (Human Metal Model)
в табл.3. и имеет высокие показатели по электростатиче-
В июне 2012 года компания NXP Semiconductors ской защите (ESD) и электромагнитной совмести-
представила новый магниторезистивный датчик мости (EMC).
Магнитный Магнитные
элемент элементы
ASIC ASIC
Конденсаторы
Конденсаторы
Рис.4. Магниторезистивный датчик серии КМА210 Рис.5. Магниторезистивный датчик серии КМА220
Условия эксплуатации
Максимальная
160 160 160 160 160
температура,°С
Величина магнитного
>35 >35 >35 >35 >35
поля, кА/м
Точность
Угловая погрешность,
±1,65 – ±1,35 ±1,35 ±1,35
град. (-40–160°С)
1,55 ±1
Линейная погрешность – ±1 (-40–140°С) ±1 (-40–140°С)
(-40–160°С) (-40–140°С)
Условия эксплуатации
и т.д.); для построения бесконтактных датчиков развязкой. Датчики с логическим выходом при-
тока с гальванической развязкой. меняются для определения наличия какого-либо
Датчики могут быть одноосевыми, двухосе- ферромагнитного объекта в поле "зрения" дат-
выми и трехосевыми (табл.5). чика. В отличие от линейных датчиков магнит-
Датчики Холла являются основой многих ного поля выход этих приборов, в зависимости
типов датчиков, таких как датчики линей- от величины приложенного магнитного поля,
ного или углового перемещения, датчики принимает всего два состояния: высокий или
магнитного поля, датчики тока, датчики рас- низкий уровень.
хода и др. Бесконтактное срабатывание (пол- В зависимости от вида передаточной функ-
ное отсутствие механического износа), низкая ции (ПФ) датчики разделяются на линейные
стоимость, простота использования делают и цифровые (табл.6). В зависимости от знака
их незаменимыми в приборостроении, авто- пороговых уровней цифровые ПФ разделяются
мобильной, авиационной и других отраслях на униполярные, биполярные и всеполярные.
промышленности. Униполярные датчики реагируют на магнитное
В зависимости от назначения они различа- поле определенного знака (положительное или
ются по конструктивным и электрическим харак- отрицательное), поэтому в конечном применении
теристикам. Условно все датчики можно разде- они требуют определенной ориентации полюсов
лить на две группы: с линейным и логическим магнита.
выходом. Эта особенность вызывает некоторые неу-
Датчики с линейным выходом обычно при- добства при сборке или установке датчиков,
меняются для определения небольших переме- и в связи с этим были разработаны всеполярные
щений или построения более сложных датчи- датчики, которые равным образом реагируют
ков, например, датчиков тока с гальванической на приближение северного и южного полюсов
Чувстви- Сопро-
Количество
Серия тельность, тивление
осей
мВ/В/Гс моста, Ом
HMC1001-
1021Z 1 3 850–1100
HMC1051
HMC1002
2 3,1 850–1100
HMC1022
HMC1021S
1 1 1000–1100
HMC1051ZL
HMC1021D 1 1 1100
HMC1023
HMC1053 3 1 1000–1100
HMC1055
HMC1052
2 1 1000
HMC1052L
Потребля- Рабочий
Напряже-
емый ток, Направление температур-
Серия Передаточная функция ние пита- Корпус
мА выходного тока ный
ния, В
(не более) диапазон,°С
SS30АТ SOT-23
SS40А Цифровая биполярная 4,5–24 10 Втекающий SIP-3 -40–125
SS50АТ SOT-89B
SS311РТ SOT-23
Цифровая биполярная 2,7–7 14 Втекающий -40–150
SS411Р SIP-3
Цифровая униполярная,
SS400 10 SIP-3
биполярная или истинная 3,8–30 Втекающий -40–150
SS500 8,7 (5 В) SOT-89
биполярная
SS41 SIP-3
Цифровая биполярная 4,5–24 15 Втекающий -40–150
SS51Т SOT-89
Керамич.
SIP-3,
91SS Линейная 8–16 19 Втекающий керамич. -40–150
с ламе-
лями
SS49Е SIP-3
Линейная 2,7–6,5 10 Втекающий -40–100
SS59ЕТ SOT-89
Керамич.
SIP-3,
Втекающий или
SS94 Линейная 4,5–12,6 30 керамич. -40–150
вытекающий
с ламе-
лями
Сенсор Вывод
SN
Корпус Литой материал
Компактный, высокая
BSO5W1KFAA 10 Магниторезистивные датчики компании
чувствительность
Murata
8-канальный, высокая Компания Murata основана в 1944 году, пер-
BSO5M1HFAL 3
чувствительность вой в мире она стала производить керамиче-
ские конденсаторы на основе оксида титана
нарастания и спада сигнала имеют одинаковое (TiO2 ). Со дня своего основания Murata ведет
значение – 1,5 мкс. научно-исследовательские разработки в обла-
Рассмотренные датчики Холла идеальны для сти керамических материалов и их примене-
построения импульсных датчиков скорости ния. Но сегодня компания известна как один
и дискретных датчиков положения в разнообраз- из крупнейших в мире производителей ради-
ных устройствах бытового и промышленного оэлектронных компонентов широкого спек-
назначения, в том числе в устройствах с функ- тра применения, в том числе и магниточув-
цией контроля частоты вращения электродви- ствительных датчиков. Их принцип действия
гателя и контроля концевых положений элемен- основан на магниторезистивном эффекте (на
тов исполнительных механизмов, в системах изменении внутреннего сопротивления под
автоматизации поточных линий, в робототех- воздействием внешнего магнитного поля)
нике и т.д. в полупроводниковом материале на основе сме-
В феврале 2012 года Honeywell расширила сей InSb, InAs, GaAs, Ge, Si. Наиболее подхо-
семейство микросхем линейных датчиков дящим материалом для использования в маг-
Холла, добавив новую серию SS39ET к уже выпу- нитных датчиках сегодня является смесь InSb,
скающимся сериям SS49E и SS59ET. Новые дат- обладающая наибольшей подвижностью основ-
чики поставляются в недорогом универсальном ных носителей заряда.
Марка
Параметр BSO5N1HGAA BSO5N1HFAA BSO5N1NFAA
BSO5W1KFAA BSO5M1HFAL
BSO5C1HGCA BSO5C1HFAA BSO5W1KFAB
Напряжение питания, В 5