Министерство науки и высшего образования Российской Федерации

ФГАОУ ВО «УрФУ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»

Физико-технологический институт
Кафедра физических методов и приборов контроля качества

Моделирование работы MOSFET-транзистора

Лабораторная работа № 3
Отчёт

Преподаватель: Бунтов Е.А.

Студенты группы Фт-300009:Погребняк Ю.А.
Грязев М.А.

Екатеринбург
2023
Цель работы:

1. Оценить влияние типа электрода затвора на ВАХ и плотность тока

MOSFET-транзисторов n- и p-типов.
2. Оценить влияние профиля легирования наВАХ и плотность тока
MOSFET-транзисторов n- и p-типов.

Практическая часть:

1. Запустили программу MOSFET lab на сайте Nanohub.org. Выставили

необходимые настройки для оценки влияния типа электрода затвора на
ВАХ и плотность тока MOSFET-транзисторов n- и p-типов.

Рисунок 1 – ВАХN-type-Aluminum.
Рисунок 2 - ВАХN-type-N+polysilicon.

Рисунок 3 – ВАХN-type-P+poly silicon.

 Рисунок 4 – ВАХ N-type-tungsten.

2. Выставили настройки для оценки влияние профиля легирования на

ВАХ и плотность тока MOSFET-транзисторов n- и p-типов.

Рисунок 5 - N-type-Doping-Density.
Рисунок 6 - N-type-Doping-Gaus.-NO-HALO.

Рисунок 7 - N-type-Doping-HALO.
 К сожалению, у нас не получилось построить ВАХ транзисторов P-типа.
Проблема может быть вызвана несколькими причинами: 1. Слишком
большие значения напряжений. 2. Неправильно выставленная полярность
напряжений.

3. Затем мы постарались воспроизвести результаты, полученные во

второй лабораторной работе.

Рисунок 8 – График ВАХ, получившийся в данной лабораторной работе.

0.03

0.025

0.02
Ic,А

0.015

0.01

0.005

0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45

Uси,В

Рисунок 9 – Выходная характеристика IRF530N

 Мы получили график, который по виду напоминает ВАХ транзистора
IRF530N, но значения сильно расходятся. Это может быть связано с тем, что
нами не были установлены некоторые значения - например, ширина затвора
транзистора.

Вывод:

В ходе данной лабораторной работы мы получили графики ВАХ для

транзисторов N-типа с различающимися материалами затвора и профилями
легирования.

Для транзисторов с разными типами затвора: значения силы тока

близки друг к другуу транзисторов с затворами из алюминия и P-кремния
(рисунки 1 и 3), N-кремния и вольфрама (рисунки 2 и 4). Сильные искажения
на графике связаны с большим уровнем шумов при низких значениях силы
тока.

Для транзисторов с разными профилями легирования: в зависимости от

легирования меняется время насыщения транзистора. Минимальное
наблюдается для транзистора на рисунке 6. Максимальное для транзистора
на рисунке 7.