Министерство Образования Республики Молдова

Технический университет Молдовы

Факультет Электроники и Телекоммуникаций
Департамент Телекоммуникаций и Электронных систем

ОТЧЁТ
По лабораторной работе №2

ПРЕДМЕТ: DISPOZITIVE ȘI CIRCUITE ELECTRONICE

Тема: “Изучение входных и выходных ВАХ для биполярного

транзистора подключённого по схеме с ОБ и по схеме с ОЭ.
Определение коэффициента усиления транзистора.”

Подготовил студент группы

TST-202 Подпись Топал Семён

Проверил лектор ТУМ Подпись Грицко Р.

Кишинёв 2022
 Цель работы: Изучение методов построения входных и выходных ВАХ для
биполярного транзистора подключённого по схеме с ОБ и по схеме с ОЭ .
Оборудование и материалы: функциональный генератор, мультиметр,
осциллограф, источник постоянного напряжения, резисторы, биполярный
транзистор.
Часть 1
Опыт 1. Измерение эксперементальных данных для построения входных
ВАХ.
Постройте схему на рисунке 1

Рисунок 1. Схема подключения биполярного транзистора с ОБ.

Талица1.1: Эксперементальные данные для построения входной ВАХ.

Входное напряжение Ie , Ie , Ie ,
Ueb , V Ucb = 0 V Ucb = 5 V Ucb = 10 V
0 0A 0A 0A
0,1 0A 0A 0A
0,2 0A 0A 0A
0,3 0.056 µA 0A 0A
0,4 0.111 µA 0.111 µA 0.167 µA
0,5 5.551 µA 7.716 µA 8.097 µA
0,6 0.187 mA 0.369 mA 0.387 mA
0,7 5.366 mA 15 mA 15 mA
0,8 70 mA 161 mA 163 mA
0,9 244 mA 451 mA 457 mA
 Опыт 2.Измерение эксперементальных данных построения выходной
ВАХ.
Постройте схему на рисунке 2

Рисунок 2. Схема подключения биполярного транзистора с ОБ.

Нажмите и включите схему.

Изменяя напряжения от 0 до 10 В с шагом 1В .Измерьте

эксперементальные данные построения выходной ВАХ транзистора , где =f(
),когда будет равным 10 , 20 и 30 мА.Эсперементальные данные введите в таблицу
1.2
 Талица1.2: Эксперементальные данные для построения выходной ВАХ.
Tensiunea de intrare Ic , Ic , Ic ,
Ucb , V Ie = 10 mA Ie = 20 mA Ie = 30 mA
0 9.976 mA 19.872 mA 29.863 mA
1 9.981 mA 19.877 mA 29.868 mA
2 9.985 mA 19.881 mA 29.873 mA
3 9.990 mA 19.886 mA 29.878 mA
4 9.995 mA 19.890 mA 29.883 mA
5 9.999 mA 19.894 mA 29.888 mA
6 10.004 mA 19.898 mA 29.893 mA
7 10.008 mA 19.903 mA 29.898 mA
8 10.013 mA 19.907 mA 29.903 mA
9 10.017 mA 19.911 mA 29.908 mA
10 10.022 mA 19.915 mA 29.912 mA
Согласно полученным данным в таблице 1.1 и 1.2 постройте входную и
выходную ВАХ.

Опыт 3. Расчитайте следующие параметры.

Входное сопротивление транзистора.

Rвх=∆Uэб/∆Iэ;

Выходное сопротивление транзистора.

Rвых=∆Uкб/∆Iк;

Статический коэфициент усиления по току.

α =∆Iк/∆Iэ

Часть 2
Опыт 1. Измерение эксперементальных данных для построения входных
ВАХ.
Постройте схему на рисунке 1
 Рисунок 1. Схема подключения биполярного транзистора с ОЭ.

Талица1.1 Эксперементальные данные для построения входной ВАХ.

Входное напряжение Ib , Ib , Ib ,
Ube , V Uce = 0 V Uce = 5 V Uce = 10 V
0 0A 0A 0A
0,1 0A 0A 0A
0,2 0A 0A 0A
0,3 0A 0A 0A
0,4 0.111 µA 1.177 nA 1.177 nA
0,5 5.496 µA 40.523 nA 40.501 nA
0,6 0.179 mA 1.638 µA 1.637 µA
0,7 5.409 mA 66.342 µA 66.024 µA
0,8 70 mA 947.04 µA 914.04 µA
 Опыт 2.Измерение эксперементальных данных построения выходной
ВАХ.
Постройте схему на рисунке 2

Рисунок 2. Схема подключения биполярного транзистора с ОЭ.

Нажмите и включите схему.

 Изменяя напряжения от 0 до 8 В с шагом 1 В .Измерьте
эксперементальные данные построения выходной ВАХ транзистора , где =f(
),когда будет равным 10 , 20 и 30 мА. Эсперементальные данные введите в
таблицу 1.2

Талица1.2: Эксперементальные данные для построения выходной ВАХ.

Выходное Ic , Ic ,
напряжение Uce , V Ib = 95 µA Ib = 245 µA
0 0A 0A
1 19 mA 48 mA
2 20 mA 48 mA
3 20 mA 49 mA
4 20 mA 49 mA
5 20 mA 50 mA
6 20 mA 50 mA
7 20 mA 50 mA
8 21 mA 51 mA

Согласно полученным данным в таблице 1.1 и 1.2 постройте входную и

выходную ВАХ.

Опыт 3. Расчитайте следующие параметры.

Входное сопротивление транзистора.

Rвх=∆Uбэ/∆Iб;

Выходное сопротивление транзистора.

Rвых=∆Uкэ/∆Iк;
Статический коэфициент усиления по току.
β=∆Iк/∆Iб

Тразисторы
V3 (3,6,9,12,15,18,21) - 2N2222A