UNIVERSITATEA TEHNICĂ A

MOLDOVEI
Facultatea Energetică şi Inginerie Electrică
Departamentul Inginerie Electrică

Реферат
к лабораторной работе №2
Тема: «Биполярные транзисторы»

Выполнил: ст. гр. TE-211

Grabciuc Nichita

Проверил: Ghertescu Corneliu

Chişinău,
2023
Цель работы: исследование статических характеристик и параметров биполярных
транзисторов и построить графики зависимостей.

Ход работы:

1) Построим схему сборки для поднятия статической входной характеристики биполярного

транзистора в соединении ВС, таблицу и график.

Tab.1
Ue,V 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 0.85

Ie, Ec=0 0 0.1 0.2 0.3 0.401 0.525 1.79 57.56 393.7 2717 18760
µA
Ec=5V 0 0.1 0.2 0.3 0.401 0.527 1.909 63.24 433 2988 20630

70 63.24
57.56
60

50

40
Ie, ma

30

20

10
0 0.1 0.2 0.3 0.401 0.527
0.525 1.909
1.79
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Ue, V

Рис.1 Статическая входная характеристика биполярного транзистора в соединении ВС

2) Построим схему сборки для повышения статической выходной характеристики
биполярного транзистора в ВС-включении, таблицу и график.

Tab.2
Ucb, V 0 2 4 6 8 10 12 14
Ic, mA Ie=10mA 9.98 9.98 9.98 9.99 9.99 9.99 10 10
Ie=20mA 19.96 19.965 19.97 19.975 19.97 19.98 19.983 19.986
Ie=30mA 29.94 29.94 29.95 29.95 29.95 29.96 29.96 29.97

`Ie=30 `Ie=10 `Ie=20

35
29.94 29.94 29.95 29.95 29.95 29.96 29.96 29.97
30

25
19.96 19.965 19.97 19.975 19.97 19.98 19.983 19.986
20
Ic, mA

15
9.98 9.98 9.98 9.99 9.99 9.99 10 10
10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Ucb, V

Рис.2 Статическая выходная характеристика биполярного транзистора в соединении

ВС
3) Построим схему сборки для повышения входной статической характеристики биполярного
транзистора в ЕС-включении, таблицу и график

Tab3

Ube,V 0 0.2 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

Ib, µA Ece=0 0 0.2 0.401 0.526 1.84 59.93 2830 134400

Ece=5V 0 0.2 0.4 0.5 0.602 0.816 6.332 265.1

Ece=0 Ece=5 V
160000

140000 134400

120000

100000
Ib, mA

80000

60000

40000

20000
0 0.2 0.401
0.4 0.526
0.5 0.602
1.84 59.93
0.816 2830
6.332 265.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Ube, V

Рис.3 Входная статическая характеристика биполярного транзистора в ЕС-включении

4) Построим схему установки для повышения статических выходных характеристик
биполярного транзистора в EC-включении, таблицу и график

Tab.4

Uce, V 0 0,1 0,2 2 4 6 8 10 12 14

Ic, Ib=300µA 0,3 11,86 118,3 150,2 156,1 162 167,9 173,8 179,6 185,5
mA
Ib=400µA 0,4 15,81 157,8 200,3 208,1 216 223,8 231,6 239,5 247,3
Ib=500µA 0,5 19,76 197,2 250,3 260,1 269,9 279,7 289,5 299,3 309,1

Ic, mA `Ib=300 Ic, mA `Ib=400 Ic, mA `Ib=500

350
299.3 309.1
300 279.7 289.5
260.1 269.9
250.3 247.3
250 231.6 239.5
216 223.8
200.3 208.1
197.2
200 179.6 185.5
167.9 173.8
162
Ic, mA

157.8 150.2 156.1

150
118.3
100

50
19.76
15.81
11.86
0.5
0.4
0.3
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Uce, V

Рис.4 Статические выходные характеристики биполярного транзистора в EC-

включении

Вывод: В данной лабораторной работе, исследовали статические характеристики и

параметры биполярных транзисторов а так же построили графики их зависимостей и
посмотрели на примере зависимость одного параметра от другого.