Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
BYD Microelectronics Co., LTD
BYD Microelectronics Co., LTD
com
Серия BM3451
Общее описание
BM3451 — это профессиональная защитная микросхема для 3/4/5 аккумуляторных батарей; он высокоинтегрирован и обычно
BM3451 постоянно контролирует напряжение каждой ячейки, ток заряда или разряда, а также
температуру окружающей среды, чтобы обеспечить защиту от перезаряда, переразряда, перегрузки по току
разряда, короткого замыкания, перегрузки по току и перегрева и т. д. Кроме того, он также можно изменить
время задержки защиты от перезаряда, переразряда и перегрузки по току, установив внешние конденсаторы.
BM3451 обеспечивает внешнее стравливание для функции баланса емкости ячейки, чтобы избежать несбалансированной
емкости между каждой ячейкой. Таким образом, батареи могут работать дольше.
Расширенный функциональный модуль, встроенный в микросхемы BM3451, позволяет им работать с большим количеством батарейных блоков с
несколькими микросхемами, а также защищать 6-элементные батареи или более 6-элементных батарей.
Функции
(1) Высокоточное определение напряжения для каждой ячейки
· время задержки защиты от перезаряда, переразряда, перегрузки по току 1 и перегрузки по току разряда 2 может быть
· Электрический велосипед
Пакеты
· ЦСОП28
· ЦСОП20
Блок-схема
ВКК
Баланс
БАЛУП
Контроль 1
ВК5
ИЛИ
ДОИН CO ДЕЛАТЬ
БАЛ5
МОНЕТА Ряд
ВК4
ТОВ БАЛ4
ТОВД Внешний
БАЛ3
Логическая схема
НТК ТЕМП
ТРХ Защита ВК2
Обнаружение
ВК1
СО CO ДЕЛАТЬ
ДЕЛАТЬ Водитель
ИЛИ БАЛ1
Баланс ЗАЗЕМЛЕНИЕ
БАЛДН
Контроль 2
3/4/5 ячеек
выбор
НАБОР
Разгрузка
ВИН перегрузка по току
Обнаружение
ОККТ
Рисунок 1
фигура 2
2. Каталог товаров
Тип/элемент Напряжение Напряжение защита выпускать 1 обнаружение 2 обнаружение обнаружение обнаружение Напряжение
БМ3451ВЖДК-Т28А 4.300В 4.200В 2.500В 2.700В 0,100 В 0,400 В 0,800 В - 0,100 В 4,120 В
БМ3451СМДК-Т28А 4,225 В 4,125 В 2.800В 3.000В 0,100 В 0,400 В 0,800 В - 0,100 В 4,050 В
БМ3451HEDC-T28A 3,850 В 3,750 В 2.000В 2.500В 0,100 В 0,400 В 0,800 В - 0,100 В 3,590 В
Рисунок 3
Определение контакта
ТССОП28 ТССОП20
Имя Описание
Пин код Пин код
1 - БАЛУП Терминал передачи сигнала баланса 1
Таблица 2
Осторожность:Абсолютные максимальные оценки — это номинальные значения, при превышении которых продукт может пострадать.
физический урон. Поэтому эти значения не должны превышаться ни при каких условиях.
Тест
Элемент Символ Условия испытаний*1 Мин. тип. Макс. Единица
схема
Напряжение питания ВКК - 5 - 30 В
Эксплуатационный расход яCC В1=В2=В3=В4=В5=3,5 В - - 25 мкА 1
Потребление сна яСЛП В1=В2=В3=В4=В5=2,0 В - - 10 мкА
Защита В1=В2=В3=В4=3,5 В ВДЕТ1 ВДЕТ1
ВДЕТ1 ВДЕТ1 В
порог V5=3,5→4,4 В - 0,025 + 0,025
Защита В1=В2=В3=В4=3,5 В
ТОВ 0,5 1. 0 1,5 с
Время задержки СОВ=0,1 мкФ V5=3,5 В→4,4 В
Выпускать В1=В2=В3=В4=3,5 В
ТРЕЛ1 10 20 30 РС
Время задержки V5=4,4 В→3,5 В
Температура
КU1 Та= -40℃до 85℃ - 0,6 0 0,6 мВ/℃
фактор(1) 2
Защита В1=В2=В3=В4=3,5 В ВДЕТ2 ВДЕТ2
ВДЕТ2 ВДЕТ2 В
порог V5=3,5 В→2,0 В - 0,08 + 0,08
В1=В2=В3=В4=3,5 В
Защита
ТОВД СОВД=0,1 мкФ 0,5 1,0 1,5 с
Над- Время задержки
V5=3,5 В→2,0 В
увольнять
Выпускать В1=В2=В3=В4=3,5 В ВРЕЛ2 ВРЕЛ2
ВРЕЛ2 ВРЕЛ2 В
порог V5=2,0 В→3,5 В - 0,10 + 0,10
Выпускать В1=В2=В3=В4=3,5 В
ТРЕЛ2 10 20 30 РС
Время задержки V5=2,0 В→3,5 В
Защита В1=В2=В3=В4=В5=3,5 В ВОС1 ВОС1
ВОС1 ВОС1 В
порог V6=0В→0,12В * 85% * 115%
Защита В1=В2=В3=В4=В5=3,5 В
ТОС1 100 200 300 РС
Время задержки СОС1=0,1 мкФ V6=0 В→0,12 В
Увольнять Выпускать В1=В2=В3=В4=В5=3,5 В
ТРПЦ1 100 200 300 РС
перегрузка по току Время задержки V6=0В→0,12В→0В
1 Сопротивление
В1=В2=В3=В4=В5=3,5 В
между ВМ рВМС 100 300 500 кОм 3
V6=0В→0,12В
и земля
Температура
КU2 Та= -40℃до 85℃ - 0,1 0 0,1 мВ/℃
фактор(2)
* 1: Все приведенные выше параметры условий испытаний рассчитаны на основе параметров Li+, параметры других классов могут регулироваться в зависимости от
2. Переразряд
Во время разрядки VIN<VOVCCкогда ИС не работает в состоянии перегрузки по току разряда. Если любой из VC1,
(VC2-VC1), (VC3-VC2), (VC4-VC3) и (VC5-VC4) меньше, чем VДЕТ2и длится дольше, чем TОВД. Микросхема BM3451 считает,
что аккумуляторы работают в состоянии переразряда и выходное напряжение DO превратится в GND. Разрядный
МОП-транзистор выключится и перестанет разряжаться, после чего микросхема перейдет в спящий режим.
Состояние защиты от переразряда будет снято, если возникнет любое из следующих условий: (1) VM =
0 мВ, напряжение всех элементов выше, чем VРЕЛ2и остается период времени TРЕЛ2.
(2) VM <-100 мВ (подключение к зарядному устройству), напряжение всех элементов выше, чем VДЕТ2и остается период времени
TРЕЛ2.
6. Функция баланса
Функция баланса ячеек используется для балансировки емкости ячеек в упаковке. Когда все напряжения VC1,
(VC2-VC1), (VC3-VC2), (VC4-VC3) и (VC5-VC4) ниже или выше, чем VБАЛ, все внешние балансировочные разрядные цепи
не будут работать. В противном случае ячейка, напряжение которой больше VБАЛ,включит внешнюю разрядную
цепь и сделает ее напряжение ниже VБАЛ.Во время зарядки, если максимальное напряжение из пяти элементов
переходит в состояние перезарядки и включается его схема баланса элементов, полевой МОП-транзистор
выключается, а внешняя разрядная цепь срабатывает и снижает напряжение батареи до V.РЕЛ1который является
порогом сброса перезарядки, затем включите полевой МОП-транзистор для непрерывного заряда. В течение
достаточно длительного времени циклов зарядки и разрядки напряжения всех ячеек достигнут более чем VБАЛ,и
избегайте различий в емкости между батареями.
7. Перегрев
Как правило, следует предотвращать зарядку и разрядку аккумуляторов из-за перегрева. Микросхема BM3451
имеет такую защиту от перегрева. Резистор термостата, подключенный к контактной площадке NTC, используется
для индуктивной температуры блока, резистор, соединяющий контактную площадку TRH, используется для
установки эталона защиты от перегрева. Предполагая, что сопротивление NTC равно RНТКкогда батарея доходит до
температуры заряда защиты от перегрева, а затем выставляем сопротивление RТРХTRH быть RТРХ=2* РНТК.
Температура защиты от переразряда — это температура, при которой сопротивление NTC становится равным
0,54*R.НТК. Мы можем установить температуру защиты от заряда и разряда, изменив значение RТРХ.
Возьмем, к примеру, 103AT-4, сопротивление NTC составляет 10 кОм при нормальной температуре (25℃),а
температура заряда защита от перегрева 55℃.При температуре 55℃и чип работает в состоянии зарядки, RНТК
составляет 3,5 кОм, поэтому RТРХравно 7 кОм. Мы также знаем, что сопротивление NTC составляет 0,54 * R.НТК
=1,89 кОм, когда батарея достигает температуры разрядки, температура 75℃в этом состоянии. Гистерезис
температуры перегрева заряда составляет 5℃а гистерезис температуры перегрева нагнетания составляет 15
℃.Во время зарядки, когда температура выше 55℃,выходное напряжение CO превращается в высокое
сопротивление и будет снижено до низкого уровня с помощью внешнего резистора, MOSFET управления
зарядкой будет выключен и прекратит зарядку. И когда температура пакета падает до 50℃,Уровень CO
меняется на высокий, и полевой МОП-транзистор снова включается. Во время разрядки, когда температура
выше 75℃,выходное напряжение DO становится низким, MOSFET управления разрядкой отключается и
прекращает разрядку, в то же время MOSFET управления зарядкой также выключается и прекращает зарядку.
Когда температура пакета падает до 60℃,выход CO и DO переключается на высокий уровень, MOSFET
управления зарядкой и разрядкой снова включаются.
8. Защита от обрыва провода
Когда микросхема BM3451 обнаружит, что один или несколько проводов VC1, VC2, VC3, VC4 и VC5 отрезаны от батарей, ИС будет
считать, что он входит в состояние обрыва провода, тогда CO будет иметь высокое сопротивление, а DO переключится на GND,
Когда размыкающие провода снова правильно подсоединены, микросхема отключается от защиты обрыва провода. Особое внимание,
независимо от приложения с одним чипом или приложения с несколькими чипами, контакт GND не должен быть разомкнут от батареи,
Плавающий 5 -
ВКК 4 VC1=ЗЕМЛЯ
ЗАЗЕМЛЕНИЕ 3 VC1=VC2=ЗЕМЛЯ
График 5
10.Расширенное приложение
Когда микросхема BM3451 используется в расширенном состоянии, каждая ИС передает свою информацию о перезарядке,
переразрядке и балансе на соседние ИС. Возьмем, к примеру, приложение, показанное на рисунке 6. Информация о DO и CO микросхемы IC1
будет передана на клеммы DOIN и COIN микросхемы IC2, после чего микросхема IC2 будет управлять внешними полевыми МОП-
транзисторами, включая или выключая их напряжением на клеммах DOIN и COIN. DOIN и COIN имеют приоритет для управления DO и CO по
сравнению с сигналами внутренней защиты. Передача информации о балансе с помощью BALUP и BALDN, IC следует правилу, согласно
Возьмем, к примеру, расширенное применение трех ИС с A, B, C, внешнее правило баланса выглядит следующим
образом:
0 0 1 ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ВЫКЛЮЧЕННЫЙ НА
0 1 0 ВЫКЛЮЧЕННЫЙ НА ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
0 1 1 ВЫКЛЮЧЕННЫЙ НА НА
1 0 0 НА ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
1 0 1 НА ВЫКЛЮЧЕННЫЙ НА
1 1 0 НА НА ВЫКЛЮЧЕННЫЙ
Описание сигналов: «1» показывает, что любой из аккумуляторов равен или выше VБАЛ,«0» показывает, что по крайней мере
1. Защита от перезаряда/переразряда
ВДЕТ1
ВРЕЛ1
ВКЛЕТКА
ВРЕЛ2
ВДЕТ2
ВКК
12В
ВСО
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ВЧР-
ВКК
12В
ВДЕЛАТЬ
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ВЧР-
ВКК
ВМ
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ВЧР-
Подключение к нагрузке
ТДЕТ1 ТДЕТ2
(1) (2) (1) (3) (1)
Рисунок 4
В предположении, что зарядный ток постоянный, VCHR- это напряжение отрицательного вывода зарядного устройства: (1
ВДЕТ1
ВРЕЛ1
ВКЛЕТКА
ВРЕЛ2
ВДЕТ2
ВКК
12В
ВСО
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ВЧР-
ВКК
12В
ВДЕЛАТЬ
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ВЧР-
ВКК
ВМ
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ВЧР-
ВКК
ВИН ВКОРОТКИЙ
ВОС2
ВОС1
ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ВOVCC
ВЧР-
Подключение к нагрузке
Рисунок 5
В предположении, что зарядный ток постоянный, VCHR- это напряжение отрицательного вывода зарядного устройства: (1
) Нормальное состояние;
Рисунок 6(б)Приложение с 4 ячейками (набор должен быть подключен к VCC) --- с функцией баланса
Рисунок 6(с)Приложение с 3 ячейками (набор должен быть подключен к GND) --- с функцией баланса
Рисунок 6(е)Приложение с 4 ячейками (набор должен быть подключен к VCC) --- без функции баланса
Рисунок 6(ф)Приложение с 3 ячейками (набор должен быть подключен к GND) --- без функции баланса
Таблица 6
Р+
СВКК2 рВКК2
R10
С10
рВ10 20 р.
V10
Р23
R9
Р24 С9
рВ9 Р19
V9
БАЛУП 1 28 ВКК R8
С8
2 27 рВ8 Р18
ДОИН ВК5
V8
МОНЕТА 3 26 БАЛ5
СОВ2 ТОВ 4 25 ВК4
СОВД2 R7
ТОВД 5 24 БАЛ4
С7
6 23 рВ7 Р17
ТОС1 ВК3
V7
ТОС2 7 22 БАЛ3
БАЛДН 13 16 НАБОР
рупий
Р1 ВИН 14 15 ОККТ
СВКК1 рВКК1
Р25 R21
R5
С5
рВ5 Р15
Р22 V5
R4
С4
рВ4 R14
V4
Д1 ДЕЛАТЬ 12 17 ЗАЗЕМЛЕНИЕ
БАЛДН 13 16 НАБОР
рСО
рДЕЛАТЬ
ВИН 14 15 ОККТ
смысл
П-
рС
СВКК2 рВКК2
Р23
R10
С10
V10
Р24
R9
С9 V9
R8
С8 V8
ДОИН 1 20 ВКК
МОНЕТА
2 19 ВК5
СОВ2 R7
ТОВ 3 18 ВК4
V7
СОВД2 С7
ТОВД 4 17 ВК3
5 16 ВК2
БМ3451
ТОС1
R6
ТОС2 6 15 ВК1 С6 V6
НТК 7 14 ЗАЗЕМЛЕНИЕ
ТРХ 8 13 НАБОР
ВМ 9 12 ВИН
СО 10 11 ДЕЛАТЬ
рупий
Р1
СВКК1 рВКК1
R5
Р22 R21
С5 V5
Р25
С4
R4 V4
СДОИН
СМОНЕТА R3 V3
ДОИН 1 20 ВКК С3
МОНЕТА
2 19 ВК5
СОВ1 R2
ТОВ 3 18 ВК4
С2 V2
Д2 СОВД1 ТОВД 4 17 ВК3
СОС1
5 16 ВК2
R1
БМ3451
ТОС1
С ОС2 V1
ТОС2 6 15 ВК1 С1
рНТК НТК 7 14 ЗАЗЕМЛЕНИЕ
рВМ ВМ 9 12 ВИН
М1
СО 10 11 ДЕЛАТЬ
Д1
рСО
рДЕЛАТЬ
смысл
П-
рС
Выше 4-элементных, 3-элементных и 10-элементных приложений цепи заряда и разряда объединены, раздельные цепи
В следующих тестах используется, например, приложение с 5 ячейками, поэтому вывод SET плавает. Если выбрано приложение с 4 ячейками, мы
устанавливаем вывод SET на уровень VCC и устанавливаем уровень напряжения GND на VC1; в противном случае, если выбрано приложение с 3
ячейками, мы устанавливаем вывод SET на уровень GND и устанавливаем уровень напряжения GND на VC1 и VC2. Методы испытаний для 4-
(1) Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, убедитесь, что выходные напряжения контактов DO и CO находятся на уровне «H».
Мгновенно увеличьте V5 до 4,4 В с 3,5 В, контролируйте напряжение CO и держите период времени. Интервал времени,
(2) Установите V1 = V2 = V3 = V4 = 3,50 В, V5 = 4,4 В, убедитесь, что выходное напряжение DO находится на уровне «H», CO — на
уровне «L». Мгновенно уменьшите V5 до 3,5 В с 4,4 В, контролируйте напряжение CO и держите период времени.
Интервал времени, когда выходное напряжение СО меняется с «L» на «H», является временем задержки сброса
перезарядки.
3.2 Время задержки защиты от переразряда и время задержки срабатывания защиты от переразряда
(1) Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, убедитесь, что выходные напряжения контактов DO и CO находятся на уровне «H». Мгновенно
уменьшите V5 до 2,0 В, отслеживайте напряжение DO и держите его в течение определенного периода времени. Интервал
времени, когда DO переключается с «H» на «L», является временем задержки защиты от переразряда.
(2) Установите V1 = V2 = V3 = V4 = 3,50 В, V5 = 2,0 В, убедитесь, что CO находится на уровне «H», а DO — на уровне «L». Увеличьте V5 до
3,5 В мгновенно, контролируйте напряжение DO и держите период времени. Интервал времени, когда выходное
V4 = V5 = 3,5 В, V6 = 0 В, убедитесь, что выходные напряжения контактов DO и CO находятся на уровне «H». Постепенно
времени, значение V6, когда выходное напряжение Do меняется с «H» на «L», является пороговым значением перегрузки
по току разряда 1 (VДЕТ3). Уменьшите V6, сработает защита от перегрузки по току разряда 1. ВДЕТ4и ВКОРОТКИЙтакже можно
4.2 Время задержки защиты от перегрузки по току разряда и время задержки отключения
(1) Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, V6=0 В, убедитесь, что выходные напряжения на выводах DO и CO равны «H».
Мгновенно увеличьте V6 до 0,2 В, контролируйте напряжение DO и поддерживайте период времени. Интервал времени,
когда выходное напряжение DO меняется с «H» на «L», является временем задержки защиты от перегрузки по току
разряда 1.
(2) Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, V6=0 В, убедитесь, что выходные напряжения на выводах DO и CO равны «H».
Мгновенно увеличивайте V6, чтобы его значение было больше, контролируйте напряжение DO и держите период
времени. Интервал времени, когда выходное напряжение DO изменяется с «H» на «L», является временем задержки
защиты от перегрузки по току разряда 2, убедитесь, что его значение меньше, чем время задержки защиты от перегрузки
по току разряда 1, затем значение V6 в это время порог перегрузки по току разряда 2.
(3) Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, V6=0 В, убедитесь, что напряжения на выводах DO и CO равны «H». Мгновенно
увеличивайте V6 с его значением больше и больше, контролируйте напряжение DO и держите период времени.
Интервал времени, когда DO переключается с «H» на «L», является временем задержки защиты от короткого замыкания,
убедитесь, что его значение меньше времени задержки защиты от перегрузки по току разряда 2, а значение V6 в это
(4) Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, V6=0,2 В, убедитесь, что выходное напряжение контактов DO и CO равно «L» и «H».
времени. Интервал времени, когда DO переключается с «L» на «H», является временем задержки отключения сверхтока
разряда 1, мы можем проверить время задержки отключения сверхтока разряда 2 и короткого замыкания, используя тот
же метод.
Постепенно увеличивайте V6, контролируйте напряжение CO и держите период времени. Значение V7, когда выходное
Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, V7=0 В, убедитесь, что выходные напряжения на выводах DO и CO равны «H». Мгновенно
увеличьте V7 до 0,3 В, контролируйте напряжение CO и держите его в течение определенного периода времени. Интервал
времени, когда выходное напряжение контакта CO изменяется с «H» на «L», является временем задержки защиты от перегрузки
по току заряда.
Тестовая схема 5
Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, убедитесь, что выходное напряжение на выводе BAL1 равно 0 В. Увеличение V1
Тестовая схема 6
Установите V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3,50 В, V6 = 12,0 В, выключите переключатель K и убедитесь, что выходное
напряжение контакта CO равно «H». Измерьте напряжение ВАштифта CO; включите переключатель К, постепенно
уменьшайте напряжение V6 от 12В, следите за значением IА, и запишите выходное напряжение VБконтакта CO, когда
значение IАсоставляет 50 мкА, то выходное сопротивление СО рассчитывается следующим образом: RCOH= (ВА- ВБ)/50
(МОм)
Мы также можем проверить выходное сопротивление RМинистерство здравоохраненияконтакта DO с использованием того же метода.
Тестовая схема 7
Установите V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 2,00 В, V8 = 0,00 В, выключите переключатель K и убедитесь, что выходное напряжение на
выводе DO равно «L». Включите переключатель K, постепенно увеличивайте напряжение V8 от 0 В, следите за значением IА,
запишите выходное напряжение VДЕЛАТЬконтакта DO, когда значение IАсоставляет 50 мкА, то выходное сопротивление DO
7.2 Выходные сопротивления балансировочных штифтов BAL1, BAL2, BAL3, BAL4, BAL5
Тестовая схема 8
(1) Набор ВБАЛ< В1 < ВДЭТ1,V2=V3=V4=V5=3,5 В, включите переключатель K1 и выключите K2, K3, K4, K5,
уменьшите V9 от VБАЛ, запишите значение V_9, которое является значением V9 при токе 50 мкА, тогда
выходное сопротивление при включении баланса ячеек рассчитывается следующим образом: RBAL1H
=(V1-V_9)/50 (МОм);
(2) Установите V1=V2=V3=V4=V5=3,50 В, включите переключатель K1 и выключите K2, K3, K4, K5, увеличьте V9 с
0 В, запишите значение V_9, которое является значением V9. при токе -50 мкА выходное сопротивление
при отключении баланса ячеек рассчитывается следующим образом: RБАЛ1Л=V_9/50 (МОм);
(3) Набор ВБАЛ< В2 < ВДЭТ1,V1=V3=V4=V5=3,5 В, включите переключатель K2 и выключите K1, K3, K4, K5,
уменьшите V9 от (V1+VБАЛ), запишите значение V_9, которое является значением V9 при токе 50 мкА,
тогда выходное сопротивление при включении баланса ячеек рассчитывается следующим образом:
RБАЛ2Х=(V1+V2-V_9)/50 (МОм);
(4) Установите V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3,50 В, включите переключатель K2 и выключите K1, K3, K4, K5, увеличьте V9 от
V1, запишите значение V_9, которое является значением V9. при токе -50 мкА выходное сопротивление при
отключении баланса ячеек рассчитывается следующим образом: RБАЛ1Л=(V_9-V1)/50 (МОм);
(5) Набор ВБАЛ< В3 < ВДЭТ1,V1=V2=V4=V5=3,5 В, включите переключатель K3 и выключите K1, K2, K4, K5,
уменьшите V9 от (V1+V2+VБАЛ), запишите значение V_9, которое является значением V9 при токе 50 мкА,
тогда выходное сопротивление при включении баланса ячеек рассчитывается следующим образом: RБАЛ2Х
=(В1+В2+В3-В_9)/50 (МОм);
(6) Установите V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3,50 В, включите переключатель K3 и выключите K1, K2, K4, K5, увеличьте
V9 от (V1 + V2), запишите значение V_9, которое значение V9 при токе -50 мкА, тогда выходное
сопротивление при отключении баланса ячейки рассчитывается следующим образом: RБАЛ1Л=(V_9-V1-V2)/50
(МОм);
1 МОм 1 МОм
БАЛУП 1 28 ВКК
ДОИН 2 27 ВК5
МОНЕТА 3 26 БАЛ5 V5
ТОВ 4 25 ВК4
ТОВД 5 24 БАЛ4 V4
ТОС1 6 23 ВК3
ТОС2 7 22 БАЛ3 V3
НТК 8 БМ3451 21 ВК2
ТРХ 9 20 БАЛ2 V2
ВМ 10 19 ВК1
СО
ДЕЛАТЬ
11
12
18
17
БАЛ1
ЗАЗЕМЛЕНИЕ А
- V1
БАЛДН 13 16 НАБОР
ВИН 14 15 ОККТ
1 МОм 1 МОм
БАЛУП 1 28 ВКК
ДОИН 2 27 ВК5
МОНЕТА 3 26 БАЛ5 V5
0,1 мкФ
ТОВ 4 25 ВК4
ТОВД 5 24 БАЛ4 V4
0,1 мкФ ТОС1 6 23 ВК3
7 22 V3
Б M3451
ТОС2 БАЛ3
НТК 8 21 ВК2
ТРХ 9 20 БАЛ2 V2
ВМ 10 19 ВК1
СО 11 18 БАЛ1 V1
ДЕЛАТЬ 12 17 ЗАЗЕМЛЕНИЕ
БАЛДН 13 16 НАБОР
10МОм
ВИН 14 15 ОККТ
V7
ТССОП28
ТССОП20
BYD Microelectronics Co., Ltd. (сокращение от BME) прилагает все возможные усилия для обеспечения высокого качества и
надежности. Тем не менее, полупроводниковые устройства в целом могут работать со сбоями или выходить из строя из-за
присущей им электрической чувствительности и уязвимости к физическим нагрузкам. При использовании продуктов BME
покупатель несет ответственность за соблюдение стандартов безопасности при создании безопасной конструкции всей
любые несчастные случаи, пожары или ущерб обществу, который может возникнуть. При разработке ваших проектов
убедитесь, что продукты BME используются в пределах указанных рабочих диапазонов, как указано в самых последних
Продукты BME, перечисленные в этом документе, предназначены для использования в общих электронных приложениях
бытовая техника и т. д.). Эти продукты BME не предназначены и не гарантируются для использования в оборудовании, которое
требует чрезвычайно высокого качества и/или надежности, или неисправность или выход из строя которого может привести к
относятся приборы управления атомной энергией, приборы для самолетов или космических кораблей, транспортные приборы,
приборы для светофоров, приборы для контроля горения, медицинские инструменты, все типы предохранительных устройств и т.
д. Непреднамеренное использование продуктов BME, перечисленных в этом документе, должно осуществляться в собственный
риск клиента.
BME не несет ответственности за какие-либо проблемы, вызванные схемами или схемами, описанными в данном документе,
промышленная собственность, патенты или другие права на которые принадлежат третьим лицам. Примеры схем применения
объясняют типичные области применения продуктов и не гарантируют успеха какой-либо конкретной конструкции массового
производства.