Вы находитесь на странице: 1из 706

П. Хоровиц, У.

Хилл

ИСКУССТВО
СХЕМОТЕХНИКИ

БИНОМ
ИСКУССТВО
СХЕМОТЕХНИКИ
THE ART OF ELECTRONICS
Second Edition

Paul Horowitz Harvard University


Winfield Hill Rowland Institute for Science, Cambridge, Massachusetts

CAMBRIDGE UNIVERSITY PRESS


Cambridge
New York Port Chester Melbourne Sydney
П. Хоровиц, У. Хилл

ИСКУССТВО
СХЕМОТЕХНИКИ
Издание седьмое

ПЕРЕВОД С АНГЛИЙСКОГО
Б. Н. Бронина, А. И. Коротова,
М. Н. Микшиса, Л В. Поспелова,
О. А. Соболевой, Ю. В. Чечёткина

%
БИНОМ
Москва
2014
УДК 681.3-621.375
ББК 32.85
Х80

Хоровиц П., Хилл У.


Х80 Искусство схемотехники: Пер. с англ. — Изд. 2-е. — М.:Издательство БИНОМ. —
2014. — 704 с., ил.

ISBN 978-5-9518-0351-1

Монография известных американских специалистов, уже знакомая нашему читателю по


п реды дущ и м и зд а н и я м , п о с в я щ е н а с х е м о т е х н и к е э л е к т р о н н ы х си стем .
В ней приведены наиболее интересные технические решения, а также анализируются ош иб­
ки разработчиков аппаратуры; внимание читателя сосредоточивается на тонких аспектах про­
ектирования и применения электронных схем.
Данное издание на русском языке представляет собой объединение тт. 1 и 2 предыдущего
издания 1993 г. Книга содержит сведения об элементах схем, транзисторах, операционных
усилителях, активных фильтрах, источниках питания, полевых транзисторах, прецизионных
схемах и малошумящей аппаратуре, цифровых схемах, преобразователях информации.
Для специалистов в области электроники, автоматики, вычислительной техники, а также
студентов соответствующих специальностей вузов.

ISBN 978-5-9518-0351-1 (Бином) This book was originally published in the English language
ISBN 978-0-521-37095-7 (англ.) by the Syndicate of the Press of the University of
Cambridge, England.

© Cambridge University Press 1980, 1989 Reprinted 1990


(twice), 1991,1993,1994 (twice), 1995, 1996, 1997,
1998 (twice) ,
© перевод на русский язык, «Мир», 1998, 2002, 2008
© издание на русском языке, «Издательство БИНОМ»
2010
Кэрол, Джекобу, Мише и Джинджер

ПРВДИСЛОВИЕ непопулярная в учебниках. Большая часть оставшихся


глав существенно переработана. Появились новые
За последние сорок лет в области электроники, мо­ таблицы, в том числе по аналого-цифровым и циф­
жет быть более, чем в любой другой области техни­ ро-аналоговым преобразователям, цифровым логи­
ки, наблюдалось стремительное развитие. В 1980 г., ческим компонентам, маломощным устройствам,
преодолев сомнения, мы приняли смелое решение больше стало рисунков. Теперь книга содержит 78
создать полный курс обучения искусству схемотех­ таблиц (они изданы также отдельной книгой, кото­
ники. Под «искусством» мы понимаем мастерство рая называется «Таблицы для выбора компонент Хо­
владения предметом, которое возникает на основе ровица и Хилла») и более 1000 рисунков.
богатого опыта работы с настоящими схемами и ус­ Перерабатывая текст, мы стремились сохранить не­
тройствами, но не может возникнуть в результате формальный подход, который обеспечил бы успех
некоего отвлеченного подхода, принятого во мно­ книге и как справочнику, и как учебнику. Трудно­
гих учебниках по электронике. Само собой разуме­ сти, с которыми сталкивается новичок, впервые взяв­
ется, если дело касается столь стремительно про­ шийся за электронику, всем известны: все вопросы
грессирующей области, наш практический подход сложно переплетаются друг с другом, и нет такого
таит в себе и опасность — столь же стремительно пути познания, пройдя по которому можно шаг за
«свежие» сегодня знания могут устареть. шагом преодолеть расстояние от неофита до компе­
Электронная техника не сбавляет темпа своего тентного специалиста. Вот почему в нашем учебни­
развития! Не успели просохнуть чернила на листах ке появилось так много перекрестных ссылок, кроме
первого издания нашей книги, как нелепыми ста­ того, мы расширили изданное отдельной книгой «Ру­
ли слова о «классическом» стираемом программи­ ководство по лабораторным работам» и теперь это —
руемом постоянном ЗУ, СППЗУ типа 2716 (2 Кб), «Руководство для студента» («Руководство для сту­
стоимостью 25 долл. «Классика» исчезла бесслед­ дента к курсу «Искусство схемотехники», авторы
но, уступив место СППЗУ, емкость которых стала Т. Хейес и П. Хоровиц), дополненное примерами
больше в 64 раза, а стоимость вдвое уменьшилась. конструирования схем, объяснениями, заданиями по
Основная доля исправлений в этом издании обус­ тексту основного учебника, лабораторными упраж­
ловлена появлением новых улучшенных элементов нениями и ответами к задачам. Благодаря такому при­
и методов разработки - полностью переписаны гла­ ложению, предназначенному для студентов, нам уда­
вы, посвященные микрокомпьютерам и микропро­ лось сохранить краткость изложения и множество при­
цессорам (на основе IBM PC и 68008), в значи­ меров, что и требовалось для тех читателей, которые
тельной мере переработаны главы, посвященные пользуются книгой прежде всего как справочником.
цифровой электронике (включая программируемые Надеемся, что новое издание отвечает требовани­
логические приборы (PLD) и новые логические ям всех читателей —как студентов, так и инженеров-
семейства НС и АС), операционным усилителям и практиков. Ваши предложения и замечания направ­
разработкам на их основе (что отражает факт появ­ ляйте непосредственно П. Хоровицу по адресу: Physics
ления превосходных операционных усилителей с по­ Department, Harvard University, Cambridge, MA 02138
левым транзистором на входе) и приемам констру­ (Кембридж, MA 02138, Гарвардский университет, фи­
ирования (включая САПР/АСУТП). Были пере­ зический факультет. П. Хоровицу).
смотрены все таблицы и н екоторы е из них Благодарим тех, кто помог нам в подготовке нового
претерпели существенные изменения, например, в издания: М. Аронсона и Б. Матьюса (компания АОХ,
табл. 4.1 (операционные усилители) уцелели лишь Inc.), Дж. Грена (К ейптаунский университет),
65% от 120 имевшихся в таблице входов, при этом Дж. Авигада и Т. Хейеса (Гарвардский университет).
добавились сведения по 135 новым ОУ. П. Хоровица (компания EVI, Inc.), Д. Стерна и
Мы воспользовались появившейся в связи с но­ О. Уолкера. Выражаем признательность Дж. Мобли
вым изданием возможностью откликнуться на поже­ за отличное редактирование текста, С. Прибыльской
лания читателей и учесть свои собственные замеча­ и Д. Транхау из отдела прессы Кембриджского уни­
ния по первому изданию. В результате была пере­ верситета за высокий профессионализм и оказанную
писана заново глава, посвящ енная полевым нам поддержку, а также неустанным наборщикам из­
транзисторам (она была чересчур сложной), и поме­ дательства Rosenlaui Publishing Services, Inc.
щена в другое место — перед главой по операцион­ В заключение предлагаем вашему вниманию
ным усилителям (которые все в большей степени стро­ юридическую справку, отражающую современные
ятся на полевых транзисторах). Появилась новая глава нормы закона.
по конструированию маломощных и микромощных Пауль Хоровиц
схем (аналоговых и цифровых) — тема важная, но Уинфилд Хилл
Март 1989 г.
6 Предисловие к первому изданию

Юридическая справка верхностно (и больше напоминают советы домохозяй­


ке, чем рекомендации инженерам), либо собраны из
В этой книге мы предприняли попытку научить неравномерно проработанных частей. Большая часть
читателя приемам конструирования электронных материала, излагаемого в учебниках по основам элек­
схем на основе примеров и данных, которые, на троники, на практике никогда не применяется и чаще
наш взгляд, являются точными. Однако приме­ всего, для того чтобы найти какую-нибудь нужную схе­
ры, данные и прочую информацию, предназна­ му или посмотреть, как проводить анализ ее работы,
ченную для обучения, не следует использовать в инженеру приходится отыскивать фирменные руковод­
практических приложениях без самостоятельного ства по применению схем, просматривать техничес­
тестирования и проверки. Тестирование и провер­ кие журналы, доставать дефицитные справочники. Ко­
ка особенно важны в тех случаях, когда непра­ роче говоря, авторы учебников, как правило, излага­
вильное функционирование может привести к не­ ют теорию и никак не учат искусству схемотехники
счастному случаю или повреждению имущества. или проектирования схем.
В связи с этим мы не даем никаких гарантий, пря­ Мы поставили перед собой задачу написать та­
мых или косвенных, на предмет того, что примеры, кую книгу по электронике, которая была бы по­
данные и прочая информация в этой книге не содер­ лезна и инженеру-разработчику, и физику-практи-
жат ошибок, отвечают требованиям промышленных ку, и преподавателю электроники. Мы придержи­
стандартов или требованиям конкретных практичес­ ваемся мнения, и это находит свое отражение в
ких приложений. Авторы и издатель не несут ответ­ книге, что электроника — это искусство, которое
ственности за коммерческий исход и пригодность для основано на нескольких основных законах и вклю­
какой-либо практической цели, даже в том случае, если чает в себя большое количество практических пра­
авторы дали совет по практическому использованию вил и приемов. По этой причине мы сочли воз­
и описали пример практического использования в тек­ можным полностью опустить проблемы физики
сте. Авторы и издатель не несут также юридической твердого тела, модель транзистора с использовани­
ответственности за прямые или косвенные, предна­ ем /г-параметров, сложную для понимания теорию
меренные или случайные повреждения, возникшие в цепей и свели к минимуму рассмотрение нагрузоч­
результате использования примеров, данных и про­ ных характеристик и использование комплексной
чей информации из этой книги. i -плоскости. Математических выкладок вы встре­
тите очень мало, зато приводятся разнообразные
примеры схем и всячески пропагандируется быст­
ПРЕДИСЛОВИЕ К ПЕРВОМУ ИЗДАНИЮ рая прикидочная оценка параметров и характерис­
тик (которую желательно уметь производить «в уме»).
Эта книга представляет собой учебник по разра­ Помимо тех проблем, которые обычно рассматри­
ботке электронных схем и одновременно справочное вают в учебниках по электронике, наша книга вклю­
пособие для инженеров, уровень изложения в ней по­ чает следующие вопросы: рассмотрение удобной для
степенно повышается от простейшего, рассчитанно­ использования модели транзистора; построение таких
го на новичков, к сложному, требующему глубоких практически полезных схем, как источники тока и то­
знаний по электронике. Мы строго подошли к вы­ ковые зеркала; разработки на базе операционного уси­
бору круга рассматриваемых проблем и постарались лителя с одним источником питания; ряд практичес­
просто и доходчиво изложить основные вопросы, с ких вопросов, по которым часто трудно найти инфор­
которыми сталкивается разработчик, стараясь совме­ мацию (методы частотной коррекции операционных
стить прагматический подход физика-практика и точку усилителей, схемы с низким уровнем шумов, схемы
зрения инженера, стремящегося к точности и обо­ ФАПЧ и прецизионные линейные цепи); упрошен­
снованности в разработке электронной схемы. ный метод разработки активных фильтров с исполь­
Основой для этой книги послужили конспекты зованием таблиц и графиков; проблемы шумов, экра­
курса электроники, которые читаются в Гарварде в нирования и заземления; оригинальный графический
течение одного семестра. Аудитория у этого курса метод анализа усилителя с низким уровнем шумов;
довольно неоднородна - это специалисты, закон­ источники эталонного напряжения и стабилизаторы
чившие университет и повышающие квалификацию напряжения, включая источники питания постоянного
в соответствии со спецификой своей работы в про­ тока; мультивибраторы и их разновидности; недостат­
мышленности, студенты-выпускники, стремящиеся ки цифровых логических схем и пути их устранения;
к научной работе, и соискатели ученой степени, сопряжение с логическими схемами, включая новые
которые неожиданно обнаружили свою неосведом­ типы больших интегральных схем на «МОП- и рМОП-
ленность в электронике. структурах; методы аналого-цифрового и цифро-ана-
Как показала практика, существующие учебники не логового преобразования; генерация шумов в цифро­
подходят для такого курса. Очень хорошие книги на­ вых схемах; микропроцессоры и практические приме­
писаны по отдельным разделам электроники, но все ры их использования; конструирование, печатный
они предназначены для четырехгодичных курсов обу­ монтаж, печатные платы, примеры готовых конструк­
чения или для инженеров, имеющих опыт практичес­ ций, упрощенные способы оценки быстродействия пе­
кой работы; те учебники, в которых сделана попытка реключательных схем; измерение и обработка данных;
рассмотреть предмет электроники в целом, либо пере­ описывается, что можно измерить и с какой точнос­
гружены подробностями (и склоняются по стилю к тью, как обработать данные; методы сужения полосы
уровню пособий), либо излагают материал очень по­ пропускания (усреднение сигналов, уплотнение ка­
Предисловие к первому изданию 7
налов, использование усилителей с защелкой и весо­ ронных схем, читаемого в колледжах. Требования к
вых импульсов); представлена обширная коллекция предварительному изучению математики невелики,
негодных схем и удачных схем. однако читатель должен иметь представление о три­
Некоторые полезные вопросы вынесены в прило­ гонометрических и экспоненциальных функциях и
жения, из которых вы можете узнать, как чертить прин­ дифференциальном исчислении. (В приложение
ципиальные схемы, какие существуют типы интеграль­ вынесен небольшой обзор по теории функций ком­
ных схем, как проектировать iC -фильтры. В них при­ плексного переменного и ее основным для электро­
ведены сопротивления некоторых типов резисторов, ники результатам.) Если опустить некоторые разде­
рассмотрены осциллографы, сюда же включены не­ лы, то книгу можно использовать для курса, рас­
которые полезные математические выкладки. В кни­ считанного на один семестр (как в Гарварде).
ге приведены таблицы с характеристиками распрост­ Отдельно издано руководство к лабораторным ра­
раненных типов диодов, транзисторов, полевых тран­ ботам — «Руководство к лабоработным работам по
зисторов, операционных усилителей, компараторов, курсу «Искусство схемотехники» П. Хоровица и
стабилизаторов, источников эталонных напряжений, Я. Робинсона, 1981 г.), которое содержит двадцать
микропроцессоров и других устройств. три лабораторные работы со ссылками на текст
Мы стремились к конкретности в изложении всех нашего учебника.
вопросов и поэтому очень часто при рассмотрении Для того чтобы облегчить чтение книги ускорен­
той или иной схемы сравнивали между собой харак­ ным методом, разделы, которые можно опустить
теристики элементов, которые можно использовать в при изучении материала, даны мелким шрифтом.
схеме, обсуждали достоинства других вариантов по­ Кроме того, если книга должна быть изучена в те­
строения схем. В приводимых примерах схем исполь­ чение одного семестра, разумно пропустить пер­
зованы настоящие элементы, а не «черные ящики». вую половину гл. 5, а также гл. 7, 12-14 и, воз­
Главная задача состояла в том, чтобы с помощью можно, 15, это отмечено во вводных параграфах к
нашей книги читатель понял, как разрабатывается перечисленным главам.
электронная схема, как выбирается ее конфигурация, Нам бы хотелось поблагодарить наших коллег за
типы элементов и их параметры. Отказ от математи­ ценные замечания и помощь, которую они оказали
ческих выкладок вовсе не означает, что мы хотим при подготовке рукописи, особенно М. Аронсона,
научить читателя строить схемы «на глазок», не очень- Г. Берга, Д. Крауза, К. Девиса, Д. Грайсинджера,
то заботясь об их характеристиках и надежности. Дж. Хагена, Т. Хейеса, П. Хоровица, Б. Клайна,
Наоборот, излагаемый подход к разработке электрон­ К. Папалиолиса, Дж. Сейджа и Б. Ваттерлинга.
ных схем максимально приближен к реальной жиз­ Мы выражаем признательность Э. Хайэбру, Дж. Моб­
ни, он показывает, как принимаются решения при ли, Р. Джонсон и К. Вернеру из отдела прессы Кем­
создании схем в инженерной практике. бриджского университета за работу, которую они
Эту книгу можно использовать в качестве учебни­ выполнили с большим вкусом, на высоком профес­
ка для годичного курса по проектированию элект­ сиональном уровне.

Пауль Хоровиц
Уинфилд Хилл
Апрель 1980 г.
ГЛАВА 1
ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

ВВЕДЕНИЕ

Электроника имеет короткую, но богатую казать, как он интересен и в чем состоят


событиями историю. Первый ее период его секреты.
связан с простейш ими передатчиками Первую главу мы посвящаем изучению
ключевого действия и способными вос­ законов, практических правил и хитрос­
принимать их сигналы приемниками, ко­ тей, составляющих в нашем понимании
торые появились в начале нашего века. основу искусства электроники. Начинать
Затем наступила эпоха вакуумных ламп, всегда следует с самого начала, поэтому
которая ознаменовала собой возможность мы выясним, что такое напряжение, ток,
претворения в жизнь смелых идей. С ей­ мощность и из каких компонентов состо­
час мы являемся свидетелями нового эта­ ит электронная схема. На первых порах,
па развития электроники, связанного с пока вы не научитесь видеть, слышать,
появлением элементов на твердом теле и осязать и ощущать электричество, вам
характеризующегося неиссякаемым пото­ придется столкнуться с определенными
ком новых ошеломляющих достижений. абстрактными понятиями (их особенно
Технология изготовления больших интег­ много в гл. 1), а также увязать свои пред­
ральных схем (БИ С) дает возможность ставления о них с показаниями таких ви­
производить такие кристаллы кремния, на зуальных приборов, как осциллографы и
основе которых создают калькуляторы, вольтметры. Первая глава содержит в себе
вычислительные машины и даже «гово­ много математики, больше, чем другие
рящие машины» со словарным запасом в главы, несмотря на то что мы старались
несколько сотен слов. Развитие техноло­ свести математические выкладки к мини­
гии сверхбольших интегральных схем от­ муму и хотели бы способствовать разви­
крывает возможность создания еще более тию интуитивного понимания построения
замечательных устройств. и работы электронных схем.
Наверное, стоит сказать и о том, что в Раз уж мы занялись основами электро­
истории развития электроники наблю ­ ники, нам следует прежде всего начать с
дается тенденция уменьш ения стоимос­ так называемых активных схем (усилите­
ти устройств при увеличении объема их лей, генераторов, логических схем и т.п.),
производства. Стоимость электронной благодаря которым электроника и вызы­
м и к р о с х ем ы , н а п р и м е р , п о с т о я н н о вает к себе такой интерес. Читатель, у
уменьшается по отнош ению к единице которого уже есть некоторые знания по
ее первоначальной стоимости по мере электронике, может эту главу пропустить.
соверш енствования процесса производ­ Она предназначена для тех, кто прежде
ства (см. рис. 8.87). На самом деле за­ электрон и к ой н икогда не заним ался.
частую панель управления и корпус при­ Итак, приступим к делу.
бора стоят дороже, чем его электронная
часть. НАПРЯЖЕНИЕ, ТОК И СОПРОТИВЛЕНИЕ
Если вас заинтересовали успехи элект­
роники и если у вас есть желание само­ 1.01. Напряжение и ток
стоятельно конструировать всевозможные
хитроумные веши, которые были бы н а­ Напряжение и ток — это количественные
дежны, недороги, просты и красивы, то понятия, о которых следует помнить все­
эта книга - для вас. В ней мы попыта­ гда, когда дело касается электронной схе­
лись раскрыть предмет электроники, по­ мы. Обычно они изменяются во времени,
Основы электроники 9

в противном случае работа схемы не пред­ гда протекает через точку в схеме или че­
ставляет интереса. рез какой-нибудь элемент схемы.
Напряжение (условное обозначение U, Говорить «напряж ение в резисторе»
иногда Е). Напряжение между двумя точ- нельзя — это неграмотно. Однако часто
кми — это энергия (или работа), которая говорят о напряжении в какой-либо точ­
затрачивается на перемещение единичного ке схемы. При этом всегда подразумева­
положительного заряда из точки с низ­ ют напряжение между этой точкой и «зем­
ким потенциалом в точку с высоким по­ лей», т. е. такой точкой схемы, потен­
тенциалом (т.е. первая точка имеет более циал которой всем известен. Скоро вы
отрицательный потенциал по сравнению привыкните к такому способу измерения
со второй). Иначе говоря, это энергия, напряжения.
которая высвобождается, когда единич­ Н апряжение создается путем воздей­
ный заряд «сползает» от высокого потен­ ствия на электрические заряды в таких
циала к низкому. Напряжение называют устройствах, как батареи (электрохими­
также разностью потенциалов или элект­ ческие реакции), генераторы (взаимодей­
родвиж ущей силой (э .д .с ). Е д и н и ц ей ствие магнитных сил), солнечные батареи
измерения нап ряж ени я служит вольт. (ф отогальван и чески й эф ф ект энергии
Обычно напряжение измеряют в вольтах фотонов) и т.п. Ток мы получаем, при­
(В), киловольтах (1 кВ = 103 В), милли­ кладывая напряжение между точками схе­
вольтах (1 мВ = 10“3 В) или микроволь­ мы.
тах (1 мкВ = 10~6 В) (см. разд. «П ри­ Здесь, пожалуй, может возникнуть воп­
ставки для образования кратных и доль­ рос, а что же такое напряжение и ток на
ных единиц измерения», напечатанный самом деле, как они выглядят? Для того
мелким шрифтом). Для того чтобы пере­ чтобы ответить на этот вопрос, лучше все­
местить заряд величиной 1 кулон между го воспользоваться таким электронным
точками, имеющими разность потенциа­ прибором, как осциллограф. С его помо­
лов величиной 1 вольт, необходимо со­ щью можно наблю дать напряж ение (а
вершить работу в 1 джоуль. (Кулон служит иногда и ток) как функцию, изменяю ­
единицей измерения электрического заря­ щуюся во времени. Мы будем прибегать
да и равен заряду приблизительно 6 1 0 18 к показаниям осциллографов, а также
электронов.) Напряжение, измеряемое в вольтметров для характеристики сигналов.
нановольтах (1 нВ = 10~9 В) или в мега­ Для начала советуем посмотреть прило­
вольтах (1 мВ = 106 В), встречается редко; жение А, в котором идет речь об осцил­
вы убедитесь в этом, прочитав всю книгу. лографе, и разд. «Универсальные изме­
Ток (условное обозначение 1). Ток —это рительные приборы», напечатанный мел­
скорость перемещ ения электрического ким шрифтом.
заряда в точке. Единицей измерения тока В реальных схемах мы соединяем эле­
служит ампер. Обычно ток измеряют в менты между собой с помощью прово­
амперах (А), м и ллиам перах (1 мА = дов, металлических проводников, каж ­
= 10 3 А ), м и к р о а м п е р ах (1 м кА = дый из которых в каждой своей точке
= 10' 6 А), наноамперах (1 нА = 10-9 А) обладает одним и тем же напряжением
и иногда в пикоамперах (1 пкА = 10“12 А). (по отн ош ен и ю , скаж ем , к зем ле). В
Ток величиной 1 ампер создается переме­ области высоких частот или низких пол­
щением заряда величиной 1 кулон за вре­ ных сопротивлений это утверждение не
мя, равное 1 с. Условились считать, что совсем справедливо, и в свое время мы
ток в цепи протекает от точки с более по­ обсудим этот вопрос. Сейчас же примем
ложительным потенциалом к точке с бо­ это допущение на веру. Мы упомянули
лее отрицательным потенциалом, хотя об этом для того, чтобы вы поняли, что
электрон перемещается в противополож­ реальная схема не обязательно должна
ном направлении. выглядеть как ее схематическое изобра­
Запомните: напряжение всегда измеря­ жение, так как провода можно соединять
ется между двумя точками схемы, ток все­ по-разному.
10 Глава 1

шину, в которой побочным продуктом не­

Рис. 1.1.
ЧЭ-' скольких страниц результатов реш ения
задачи становятся многие киловатты элек­
трической энергии, рассеиваемой в про­
странство в виде тепла).
В дальнейшем при изучении периоди­
Запомните несклько простых правил, чески изменяющихся токов и напряжений
касающихся тока и напряжения. нам придется обобщить простое выраже­
1. Сумма токов, втекающих в точку, ние Р = UI для того, чтобы определять
равна сумме токов, вытекающих из нее среднее значение мощ ности. В таком
(сохранение заряда). Иногда это правило виде оно справедливо для определения
называют законом Кирхгофа для токов. мгновенного значения мощности.
Инженеры любят называть такую точку Кстати, запомните, что не нужно на­
схемы узлом. Из этого правила вытекает зывать ток силой тока — это неграмотно.
следствие: в последовательной цепи (пред­ Нельзя также называть резистор сопро­
ставляющей собой группу элементов, име­ тивлением. О резисторах речь пойдет в
ющих по два конца и соединенных этими следующем разделе.
концами один с другим) ток во всех точ­
ках одинаков. 1.02. Взаимосвязь напряжения
2. При параллельном соединении эле­ и тока: резисторы
ментов (рис. 1. 1) напряжение на каждом
из элементов одинаково. Иначе говоря, Тема эта очень обш ирна и интересна.
сумма падений напряжения между точка­ В ней заключена суть электроники. Если
ми А и В, измеренная по любой ветви схе­ попытаться изложить ее в двух словах, то
мы, соединяющей эти точки, одинакова и она посвящена тому, как можно сделать
равна напряжению между точками А и В. элемент, имеющий ту или иную характе­
Иногда это правило формулируется так: ристику, выраженную определенной за­
сумма падений напряжения в любом зам­ висимостью между током и напряжени­
кнутом контуре схемы равна нулю. Это ем, и как его использовать в схеме. При­
закон Кирхгофа для напряжений. мерами таких элементов служат резисторы
3. Мощность (работа, совершенная за (ток прямо пропорционален напряж е­
единицу времени), потребляемая схемой, нию), конденсаторы (ток пропорциона­
определяется следующим образом: лен скорости изм енения напряж ения),
диоды (ток протекает только в одном на­
P = U I.
правлении), термисторы (сопротивление
Вспомним, как мы определили напря­ зависит от температуры), тензорезисторы
жение и ток, и получим, что мощ ность (сопротивление зависит от деформации)
равна: (работа/заряд) • (заряд/время). и т. д. Постепенно мы познакомимся с
Если напряжение U измерено в вольтах, некоторыми экзотическими представите­
а ток / —в амперах, то мощность Р будет лями этой плеяды; а сейчас рассмотрим
выражена в ваттах. Мощность величиной самый нехитрый и наиболее распростра­
1 ватт — это работа в 1 джоуль, совер­ ненный элемент - резистор (рис. 1.2).
шенная за 1 с (1 Вт = 1 Дж/с).
Мощность рассеивается в виде тепла (как
правило) или иногда затрачивается на
механическую работу (моторы), перехо­ Рис. 1.2.
дит в энергию излучения (лампы, пере­
датчики) или накапливается (батареи, ПРИСТАВКИ ДЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ КРАТНЫХ
конденсаторы). При разработке сложной И ДОЛЬНЫХ ЕДИНИЦ ИЗМЕРЕНИЯ
системы одним из основных является воп­ Следующие приставки приняты для образования
рос определения ее тепловой нагрузки кратных и дольных единиц измерения в научной и
(возьмем, например, вычислительную ма­ инженерной практике:
Основы электроники 11

Множитель Приставка Обозначение концу резистора прикреплен провод. Ре­


1012 тера Т зистор характеризуется величиной сопро­
109 гига Г тивления
106 мега М
109 кило К R=U/I;
10 "3 милли м сопротивление R измеряется в омах, если
ю -6 микро мк
10 "9 нано н напряжение U выражено в вольтах, а ток
ю - '2 пико ПК / в амперах. Это соотношение носит на­
ю - |5 фемто ф звание «закон Ома». Резисторы наиболее
При сокращенном обозначении дольных единиц из­ распространенного типа - углеродистые
мерения соответствующая приставка и условное обо­ композиционные —имеют сопротивление
значение единицы пишутся слитно. Обратите внима­ от 1 ома (1 Ом) до 22 мегаом (22 МОм).
ние на использование прописных и строчных букв, Резисторы характеризуются также мощно­
особенно м и М в приставках и обозначениях единиц стью, которую они рассеивают в простран­
1 мВт — это 1 милливатт, или тысячная доля ватта;
1 МГц - это 1 миллион герц. Полные наименования ство (наиболее распространены резисто­
единиц измерения всегда пишутся со строчной буквы, ры с мощностью рассеяния 1/4 Вт) и та­
даже если они образованы от имен собственных. Пол­ кими параметрами, как допуск (точность),
ное наименование единицы измерения с приставкой температурный коэф ф и ци ен т, уровень
также всегда пишется со строчной буквы. Прописные шума, коэффициент напряжения (пока­
буквы используются для условных сокращений еди­
ниц измерения. Например: герц и килогерц, но Гц и зывающий, в какой степени сопротивле­
кГц; ватг, милливатт и мегаватт, но Вт, мВт и МВт. ние зависит от приложенного напряже­
ния), стабильность во времени, индуктив­
Сопротивление и резисторы. Интерес­ ность и пр. Более подробную информацию
но, что ток, протекающий через метал­ о резисторах содержит разд. «Резисторы»,
лический проводник (или другой матери­ напечатанный мелким шрифтом, а также
ал, обладающий некоторой проводимос­ приложения Б и Г в конце второго тома.
тью ), п р о п о р ц и о н ал ен н ап р яж ен и ю , Грубо говоря, резисторы используются
приложенному к проводнику. (Что каса­ для преобразования напряжения в ток и
ется провода, который используется в ка­ наоборот. Этот вывод может показаться
честве проводников в схемах, то его обыч­ банальны м, но скоро вы поймете, что
но берут достаточно большого сечения, имеется в виду.
чтобы можно было пренебречь падения­ Последовательное и параллельное соеди­
ми напряжения, о которых мы говорили нение резисторов. И з определения сопро­
выше.) Это ни в коем случае не обяза­ тивления следует несколько выводов:
тельно для всех случаев жизни. Напри­ 1. Сопротивление двух последователь­
мер, ток, протекающий через неоновую но соединенны х резисторов (рис. 1.3)
лампу, представляет собой нелинейную равно: R = R t + R2 .
функцию от приложенного напряжения При последовательном соединении ре­
(он сохраняет нулевое значение до кри­ зисторов всегда получаем большее сопро­
тического значения напряжения, а в кри­ тивление, чем сопротивление отдельного
тической точке резко возрастает). То же резистора.
самое можно сказать и о целой группе 2. Сопротивление двух параллельно соеди­
других элементов - диодах, транзисторах, ненных резисторов (рис. 1.4) равно R =
лампах и др. Если вас интересует, поче­ = + Л ) или R = 1/(1/Л, + 1/Я 2).
му металлические проводники ведут себя
именно так, советуем прочитать курс ф и­
зики Berkeley Physics Course, том II, разд.
4.3-4.7 (см. библиографию). Резисторы из­
готавливают из проводящего материала
(графита, тонкой металлической или гра­
фитовой пленки или провода, обладающего
невысокой проводимостью). К каждому
12 Глава 1

При параллельном соединении резисто­ тавливают из графитовых смесей, металлических пле­


ров всегда получаем меньшее сопротивле­ нок, проводов, накрученных на каркас, или на основе
полупроводниковых элементов, подобных полевым тран­
ние, чем соединение отдельных резисто­ зисторам. Наиболее распространены углеродистые ком­
ров. Сопротивление измеряется в омах позиционные резисторы, имеющие мощность 1/4 или
(Ом). На практике, когда речь идет о ре­ 1/2 Вт. Существует стандартный диапазон значений со­
зисторах с сопротивлением более 1000 Ом противлений —от 1 Ом до 100 МОм, причем для рези­
(1 кОм), иногда оставляют только пристав­ сторов с допуском на сопротивление, равным 5%, вы­
пускается в два раза больше значений сопротивлений,
ку, опуская в обозначении «Ом», т. е. чем для резисторов с допуском 10% (см. приложение
резистор с сопротивлением 10 кОм иног­ В). Мы рекомендуем использовать резисторы фирмы
да обозначают как 10 К, а резистор с со­ Allen Bradley типа АВ (1/4 Вт, 5%), так как они имеют
противлением 1 МОм - как 1 М. На схе­ понятную маркировку, стабильные характеристики и
мах иногда опускают и обозначение «Ом», надежное соединение с проводниками выводов.
Резисторы настолько просты в обращении, что очень
оставляя только число. Может быть, все часто их принимают как нечто само собой разумеюще­
это кажется вам не очень интересным? еся. Между тем они не идеальны, и стоит обратить
Немного терпения, и мы перейдем к ин­ внимание на некоторые их недостатки. Возьмем, на­
тересным практическим примерам. пример, получившие широкое распространение резис­
торы композиционного типа с допуском 5%. Они хо­
роши почти для любых схем с некритичными парамет­
РЕЗИСТОРЫ рами, но невысокая стабильность этих резисторов не
позволяет использовать их в прецизионных схемах.
Резисторы поистине вездесущи. Типы резисторов по­ Следует помнить об ограничениях, свойственных этим
чти столь же многочисленны, как и схемы, в которых элементам, чтобы в один прекрасный день не оказаться
они применяются. Резисторы используются в усилите­ разачарованным. Основной недостаток состоит в из­
лях, в качестве нагрузки для активных устройств, в схе­ менении сопротивления во времени под действием тем­
мах смещения и в качестве элементов обратной связи. пературы, напряжения, влажности. Другие недостат­
Вместе с конденсаторами они используются для зада­ ки связаны с индуктивными свойствами (они суще­
ния постоянной времени и работают как фильтры. Они ственно сказываются на высоких частотах), с наличием
служат для установки величин рабочих токов и уровней термальных точек в мощных схемах или шумов в усили­
сигналов. В схемах питания резисторы используются телях с низким уровнем шума. Ниже приводятся пара­
для уменьшения напряжения за счет рассеяния мощ­ метры резисторов в самых жестких условиях эксплуата­
ности, для измерения токов и для разряда конденсато­ ции; обычно условия бывают лучше, но правильнее рас­
ров после снятия питания. В прецизионных схемах они считывать на худшее.
помогают устанавливать нужные токи, обеспечивать точ­
ные коэффициенты пропорциональности для напря­
жения, устанавливать точные коэффициенты усиления. ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЗИСТОРОВ ФИРМЫ
В логических схемах резисторы выступают в качестве ALLEN BRADLEY, (СЕРИЯ АВ, ТИП СВ)
конечных элементов линий и шин, «повышающих» и Стандартный допуск в номинальных условиях состав­
«понижающих» элементов. В высоковольтных схемах ляет 5%. Максимальная мощность при температуре ок­
резисторы служат для измерения напряжений, для вы­ ружающей среды 70°С составляет 0,25 Вт, при этом внут­
равнивания токов утечки через диоды или конденсато­ ренняя температура повышается до 150°С. Максималь­
ры, соединенные последовательно. На радиочастотах ное приложенное напряжение составляет (0,25 R)'n или
они используются даже в качестве индуктивностей. 250 В (меньшее из двух значений). И это на самом
Промышленность выпускает резисторы с сопротив­ деле так! (см. рис. 6.53). Однократное превышение
лением от 0,01 Ом до 1012 Ом и мощностью от 1/8 напряжения до 400 В в течение 5 с вызывает необрати­
до 250 Вт с допуском от 0,005 до 20%. Резисторы изго­ мое изменение сопротивления на 2%.

Изменение Необрати-
сопротивления, % мое?
(R = 1 кОм) (R = 10 МОм)
Пайка (350°С на расстоянии 3 мм) ±2 +2 Да
Циклическая нагрузка (50 циклов ВКЛ/ВЫКЛ за 1000 ч) + 4—6 + 4 -6 »
Вибрация (20 д) и удар (100 д) ±2 ±2 »
Влажность (95%-ная огн. влажность при 40°С) +6 + 10 Нет
Коэффициент напряжения (изменение, равное 10 В) -0,15 -0 ,3 »
Температура (от 25 до -1 5 °С) +2,5 +4,5 »
Температура (от 25 до 85 °С) +3,3 +5,9 »
Основы электроники 13

В схемах, где требуется высокая точность или ста­ Правило 2. Допустим, вы хотите узнать,
бильность, следует использовать резисторы из ме­ чему равно сопротивление двух параллель­
таллической пленки с допуском 1% (см. приложе­
ние Г). Они обеспечивают стабильность не хуже 0,1%
но соединенных резисторов, обладающих
в нормальных условиях и не хуже 1 % в самых жест­ сопротивлением 5 и 10 кОм. Если вооб­
ких условиях. Прецизионные проволочные резис­ разить, что резистор соп роти влени ем
торы способны удовлетворить наиболее высоким тре­ 5 кОм представляет собой параллельное
бованиям. соединение двух резисторов сопротивле­
Если ожидается, что мощность, рассеиваемая в
схеме, будет составлять более 0,1 Вт, то следует выб­ нием 10 кОм, то схема будет представле­
рать резистор с большим значением рассеиваемой на параллельным соединением трех рези­
мощности. Композиционные углеродистые резис­ сторов с сопротивлением 10 кОм. Так как
торы характеризуются мощностью до 2 Вт, а мощ­ сопротивление одинаковых параллельно
ные проволочные резисторы —более высокими зна­ соединенных резисторов равно 1/я -й час­
чениями. Для мощных схем наилучшие характерис­
тики обеспечивает резистор с отводом тепла. ти сопротивления одного из них, то от­
Резисторы этого типа выпускаются с допуском 1% вет в нашей задаче будет 10 кО м/3, или
и могут надежно работать при собственной темпера­ 3,33 кОм. Это правило полезно усвоить,
туре до 250 °С в течение длительного периода време­ так как с его помощью можно быстро
ни. Допустимая рассеиваемая мощность зависит от проанализировать схему «в уме». Мы хо­
воздушного потока, температурных условий на вы­
водах и плотности схемы; следовательно, мощность тим, чтобы вы научились решать стоящие
на резисторе следует рассматривать как грубую ори­ перед вами задачи, имея под рукой м и­
ентировочную величину. Отметим также, что мощ­ нимум — оборотную сторону почтового
ность резистора связана со средним значением мощ­ конверта и ручку. Тогда блестящие идеи,
ности, рассеиваемой в схеме, и может существенно
превышаться в короткие интервалы времени (в за­
возникш ие у вас в любой момент, не бу­
висимости от «тепловой массы» эти интервалы мо­ дут встречать препятствий на пути своего
гут длиться несколько секунд или более). развития.
Упражнение 1.1. Возьмем два резистора сопротивле­
И еще несколько принципов нашей до­
нием 5 и 10 кОм. Чему равно сопротивление при (а) морощенной философии: среди начина­
последовательном и (б) параллельном их соединении? ющих наблюдается тенденция вычислять
Упражнение 1.2. Какую мощность будет рассеивать значения сопротивлений резисторов и ха­
в пространство резистор с сопротивлением 1 Ом, под­ рактеристики других компонентов схем с
ключенный к батарее автомобиля с напряжением 1 В?
Упражнение 1.3. Докажите справедливость фор­
большой точностью, доступность же кар­
мул для сопротивления последовательного и парал­ манных калькуляторов в наше время по­
лельного соединения резисторов. могает развитию этой тенденции. Подда­
Упражнение 1.4. Покажите, что сопротивление не­ ваться ей не следует по двум причинам:
скольких параллельно соединенных резисторов оп­ во-первых, компоненты сами по себе име­
ределяется следующим образом:
ют определенную конечную точность (наи­
более распространенны е резисторы —
R = ---------------- !----------------
1 / Л, + 1 / Л2 + 1/ Л3 + ... + 5%; характеристики транзисторов, на­
пример, часто задаются одним-двумя ко­
Секрет резисторов, соединенных парал­ эф ф иц и ен там и ); во-вторы х, одним из
лельно: начинающие часто приступают к признаков хорошей схемы является ее не­
сложным алгебраическим выкладкам или чувствительность к точности величин ком­
углубляются в законы электроники, а здесь понентов (бывают, конечно, и исключе­
как раз лучше всего воспользоваться ин­ ния). И еще: вы скорее придете к интуи­
туитивным правилом. Приступим теперь тивному пониманию схем, если разовьете
к освоению интуитивных правил и разви­ в себе способность быстро прикидывать
тию интуиции. «в уме», а не будете увлекаться вычисле­
Правило 1. Сопротивление двух резисто­ ниями с ненужной точностью на краси­
ров, один из которых обладает большим вых калькуляторах.
сопротивлением, а другой малым, соеди­ Некоторые считают, что, для того что­
ненных между собой последовательно (па­ бы скорее научиться оценивать величину
раллельно), приблизительно равно боль­ сопротивления, полезно вводить понятие
шему (меньшему) из двух сопротивлений. проводимость, G = 1/R. Ток, протекаю­
14 Глава 1

щий через элемент с проводимостью G, в расчете на 0,305 м, исходя из того, что потери оце­
к которому приложено напряжение U, ниваются величиной PR; б) длину кабеля, на кото­
рой будут потеряны все 1010 Вт; в) если вы знаете
определяется как / = GU (это закон Ома). физику, определите, до какой температуры нагреет­
Чем меньше сопротивление проводника, ся кабель (ст = 6 ■10 12 Вт/(К4 • см2)).
тем больше его проводимость и тем боль­ Если расчет выполнен правильно, то результат,
ше ток, протекающий под воздействием вероятно, удивил вас. Как же разрешить проблему?
напряжения, приложенного между кон­
цами проводника. Вход и выход. Практически во всех элек­
С этой точки зрения формула для опре­ тронных схемах что-либо подается на вход
деления сопротивления параллельно со­ (обычно это напряжение) и соответствен­
единенных проводников вполне очевид­ но снимается с выхода (это также чаще
на: если несколько резисторов или про­ всего напряжение). Например, с выхода
водящих участков подключены к одному усилителя звуковой частоты снимается
и тому же напряжению, то полный ток напряжение (оно имеет переменное зна­
равен сумме токов, протекающих в отдель­ чение), которое в 100 раз превышает вход­
ных ветвях. В связи с этим проводимость ное напряжение (изменяющееся аналогич­
соединения равна сумме отдельных про­ но). В этом усилителе выходное напря­
водимостей составных элементов: G = ж ен и е р ас см а тр и в ае тся для д ан н о го
= G/ + G2 + G3 + ... , а это выражение значения напряжения, действующего на
эквивалентно выражению для параллель­ входе. Инженеры пользуются понятием
но соединенных резисторов, приведенно­ передаточной функции Н, которая пред­
му выше. ставляет собой отношение напряжения,
Инженеры неравнодушны к обратным измеренного на выходе, к напряжению,
величинам, и в качестве единицы измере­ действующему на входе; для вышеупомя­
ния проводимости они установили 1 си­ нутого усилителя звуковой частоты Н —
менс (1 См = 1/1 Ом), который иногда это п о сто ян н ая вел и чи н а (Н = 100).
называют «мо» («ом» наоборот). Хотя по­ К изучению усилителей мы приступим в
нятие проводимости и помогает развить следующей главе. О днако уже сейчас,
интуицию в отношении сопротивления имея представление только о резисторах,
резисторов, широкого применения оно не мы рассмотрим делитель напряжения (по
находит, и больш инство предпочитает сути он является «де-усилителем»), кото­
иметь дело с величинами сопротивления, рый играет немаловажную роль в элект­
а не проводимости. ронных схемах.
Мощность и резисторы. Мощность, рас­
сеиваемая резистором или любым другим 1.03. Делители напряжения
элементом, определяются как Р = UJ.
Пользуясь законом Ома, эту формулу М ы приступаем к рассмотрению делите­
можно записать в эквивалентном виде: ля напряжения, который используется в
Р = PR и Р = U2/Я . э л ек тр о н н ы х схемах весьм а ш и роко.
В любой настоящей схеме можно найти
Упражнение 1.5. Возьмем схему, работающую от
батареи с напряжением 15 В. Докажите, что неза­
не меньше полдюжины делителей напря­
висимо от того, как будет включен в схему резис­ жения. Простейший делитель напряже­
тор, обладающий сопротивлением более 1 кОм, мощ­ ния — это схема, которая для данного на­
ность на нем не превысит 1/4 Вт. пряжения на входе создает на выходе на­
Упражнение 1.6. Дополнительное упражнение: для пряжение, которое является некоторой
Нью-Йорка требуется 10'° Вт электрической энергии
при напряжении 110 В (цифры вполне правдоподоб­ частью входного. Простейший делитель
ны: 10 млн. жителей, каждый потребляет в среднем представлен на рис. 1.5. Что такое i/>bix?
I кВт электроэнергии). Высоковольтный кабель мо­ Предположим здесь и далее, что нагрузки
жет иметь диаметр 25,4 мм. Давайте подсчитаем, что на выходе нет, тогда ток определяется сле­
произойдет, если в качестве кабеля взять провод из дующим образом:
чистой меди диаметром 0,305 м. Сопротивление та­
кого провода составляет 0,05 мкОм (5 10"8 Ом) в рас­ / = UJ(Rt + Л,).
чете на 0,305 м. Определите: а) потери мощности
Основы электроники 15

с отрицательными «приращениями» сопро­


тивления (в качестве примера может слу­
жить туннельный диод) или просто с на­
стоящим отрицательным сопротивлением
(например, преобразователь с отрицатель­
ным импедансом, о котором мы погово­
R2
1 1 U_.

Рис. 1.5. Делитель напряжения. Приложенное на­


рим позже). Однако эти примеры доста­
точно специфичны и не должны занимать
сейчас ваше внимание.
пряжение Um создает на выходе Umt (меньшее при­ Делители напряжения часто использу­
ложенного). ют в схемах для того, чтобы получить за­
данное напряжение из большего посто­
(Мы воспользовались формулой для оп­ янного (или переменного) напряжения.
ределения сопротивления резистора и пра­ Например, если в качестве R2 взять рези­
вилом для последовательного соединения стор с регулируемым сопротивлением
резисторов). Тогда для R2 (рис. 1.6, а), то мы получим не что иное,
как схему с управляемым выходом; более
^ = /* 2 = t / Д А * , + * 2). простым путем комбинацию R^R2 можно
Обратите внимание, что выходное напря­ получить, если у вас есть один резистор с
жение всегда меньше входного (или равно переменным сопротивлением, или потен­
ему); поэтому мы говорим о делителе на­ циометр (рис. 1.6,6). Простой делитель
пряжения. Если одно из сопротивлений напряжения играет важную роль и в тот
будет отрицательным, то можно получить момент, когда вы задумываете схему:
усиление (т.е. выходное напряжение бу­ входное напряжение и сопротивление вер­
дет больше входного). Эта идея не так хней части резистора могут представлять
н ев ер о ятн а, к ак каж ется н а п ервы й собой, скажем, выход усилителя, а сопро­
взгляд: вполне можно сделать устройство тивление нижней части резистора — вход
последующего каскада. В этом случае,
/W — воспользовавшись уравнением для дели­
Сигнал на входе
теля напряжения, можно определить, что
поступит на вход последнего каскада. Все
сказанное станет более понятным, когда
Гйгнал на выходе чуть позже мы познакомим вас с одним
Диапазон
выходного интересным фактом (имеется в виду тео­
сигнала рема об эквивалентном преобразовании
(регулир.
напряжение)
схем). А сейчас немного отвлечемся от
нашей темы и поговорим об источниках
тока и напряжения.

1.04. Источники тока и напряжения

Идеальный источник напряжения — это


Aw «черный ящик», имеющий два вывода,
Сигнал на входе
между которыми он поддерживает посто­
Диапазон
выходного
сигнала и Сигнал
на выходе янное падение напряжения независимо от
величины сопротивления нагрузки. Это
означает, например, что он должен по­
рождать ток, равный I = U/R, если к вы­
Рис. 1.6. Регулируемый делитель напряжения мо­
водам подключить резистор с сопротив­
жет состоять из двух резисторов — с фиксирован­ лением R. Реальный источник напряжения
ным сопротивлением и с переменным сопротивле­ не может дать ток, больший некоторого
нием, или из потенциометра. предельного максимального значения, и
16 Глава 1

Л /\ /\л ром может изменяться создаваемое ими на­

1 + 15 В
Фтов Источник
питания
пряжение (он называется рабочим диапа­
зоном выходного напряжения или просто
диапазоном), и, кроме того, выходной ток
источника нельзя считать абсолютно по­
Батарея стоянным. Источник тока «предпочитает»
Рис. 1.7. Источники напряжения постоянного и нагрузку в виде замкнутой цепи, а нагруз­
переменного тока ку в виде разомкнутой цепи «недолюбли­
вает». Условные обозначения источника
в общем случае он ведет себя как идеаль­ тока приведены на рис. 1.8.
ный источник напряжения, к которому Хорошим примером источника напря­
последовательно подключен резистор с жения может служить батарея (для источ­
небольшим сопротивлением. Очевидно, н и к а то ка п одобн ой ан ал оги и н ай ти
чем меньше сопротивление этого после­ нельзя). Например, стандартная батарей­
довательно подключенного резистора, тем ка от карманного фонаря обеспечивает
лучше. Например, стандартная щелочная напряжение 1,5 В, ее эквивалентное пос­
батарея на 9 В в последовательном со­ ледовательное сопротивление составляет
единении с резистором, имеющим сопро­ 1/4 Ом, а общий запас энергии равен при­
тивление 3 Ом, ведет себя как идеальный близительно 10 ООО Вт • с (постепенно эти
источник напряжения 9 В и дает макси­ характеристики ухудшаются; к концу сро­
мальный ток (при замыкании накоротко) ка службы батарейки напряжение может
величиной 3 А (который, к сожалению, составлять около 1 В, а внутреннее со­
погубит батарею за несколько минут). По противление — несколько ом). О том, как
понятным причинам источник напряже­ создать источник напряжения с лучшими
ния «предпочитает» нагрузку в виде ра­ характеристиками, вы узнаете, когда мы
зомкнутой цепи, а нагрузку в виде замк­ изучим обратную связь. В электронных
нутой цепи «недолюбливает». (Понятия устройствах, за исключением портатив­
«разомкнутая цепь» и «замкнутая цепь» ны х, б атарей к и и сп ользую тся редко.
очевидны: к разомкнутой цепи ничего не В гл. 14 мы рассмотрим интересную тему
подключено, а в замкнутой цепи кусок конструирования маломощных схем (на
провода замыкает выход.) Условные обо­ батарейках).
значения источников напряжения приве­
дены на рис. 1.7. 1.05. Теорема об эквивалентном преобразо­
Идеальный источник тока —это «черный вании источников (генераторов)
ящик», имеющий два вывода и поддержи­
вающий постоянный ток во внешней цепи Теорема об эквивалентном преобразова­
независимо от величины сопротивления нии источников утверждает, что всякую
нагрузки и приложенного напряжения. схему, состоящую из резисторов и источ­
Для того чтобы выполнять свои функции, ников напряжения и имеющую два выво­
он должен уметь поддерживать нужное да, можно представить в виде эквивален­
напряжение между своими выводами. тной схемы, состоящей из одного резис­
Реальные источники тока (самая нелю­ тора R, последовательно подключенного
бимая тема для большинства учебников) к одному источнику напряжения U. Пред­
имеют ограниченный диапазон, в кото- ставьте, как это удобно. Вместо того что­
бы разбираться с мешаниной батарей и
резисторов, можно взять одну батарею и
один резистор (рис. 1.9). (Кстати, извес­
С) Ф тна еще одна теорема об эквивалентном
преобразовании, которая содержит такое
L1 мА L l мА , 1 мА же утверждение относительно источника
тока и параллельно подключенного рези­
Рис. 1.8. Условные обозначения источников тока. стора).
Основы электроники 17

летворит информация о том, что в приборе использу­


ются индуктивности и сердечники.) При измерении
напряжения в вольтметре последовательно к основной
схеме подключается резистор. Например, диапазон
шкалы измерения напряжения, равный 1 В, обеспечи­
вается последовательным подключением резистора с со­
противлением 20 кОм к схеме, рассчитанной на ток
50 мкА; для больших диапазонов напряжения исполь­
зуются соответственно резисторы с большими сопро­
тивлениями. Такой вольтметр характеризуется как при­
бор на 20 000 Ом/В. Это значит, что сопротивление
Рис. 1.9. его резистора, равное 20 кОм, умножается на полный
размах напряжения в выбранном диапазоне измерения.
Как определить эквивалентные парамет­ Полный размах в любом диапазоне напряжения состав­
ры Rэ к в„ и Uэкв. для заданной схемы? Ока- ляет 1/20 000 В/Ом, или 50 мкА. Очевидно, что по­
зывается просто. и экв - это напряжение добный вольтметр оказывает тем меньше влияния на
между выводами эквивалентной схемы в схему, чем выше диапазон, так как играет роль резис­
тора с большим сопротивлением (представим вольт­
ее разомкнутом (ненагруженном) состо­ метр в качестве нижнего плеча делителя напряжения,
янии; так как обе схемы работают одина­ при этом верхнее плечо будет образовано эквивалент­
ково, это напряжение совпадает с напря­ ным выходным сопротивлением схемы, в которой под­
жением между выводами данной схемы в ключен прибор). В идеальном случае вольтметр дол­
разомкнутом состоянии (его можно оп­ жен обладать бесконечным входным сопротивлением.
В настоящее время применяются разнообразные из­
ределить путем вычислений, если схема мерительные приборы с небольшим усилением, вход­
вам известна, или измерить, если схема ное сопротивление которых может достигать 109 Ом.
неизвестна). После этого можно опреде­ К приборам такого типа относят большинство измери­
лить R KB, если учесть, что ток в эквива­ тельных цифровых приборов и даже некоторые прибо­
лентной схеме, при условии, что она ры с аналоговым отсчетом на полевых транзисторах (см.
гл. 3). Замечание: иногда входное сопротивление из­
замкнута (нагружена), равен U3Ke/ R Mt. мерительных приборов со входом на полевом транзис­
Иными словами, торе может быть очень большим в наиболее чувстви­
тельном диапазоне, а в других диапазонах оно может
и_жв = U (разомкнутая схема). иметь меньшее значение. Например, типичными яв­
R Ka = U (разомкнутая схема)//(замкнутая ляются следующие значения: 109 Ом для диапазонов
схема). 0,2 В и 107 Ом для всех остальных диапазонов. Внима­
тельно изучайте характеристики приборов! Для работы
с транзисторными схемами подходит вольтомметр на
УНИВЕРСАЛЬНЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ 20 ООО Ом/В, который создает для них небольшую на­
грузку. В любом случае нетрудно оценить влияние из­
Существует немало приборов, с помощью которых в мерительного прибора на работу схемы, если восполь­
схемах можно измерять напряжения и токи. Самым зоваться уравнением для делителя напряжения. Обыч­
универсальным из них является осциллограф (см. при­ но универсальные измерительные приборы имеют
ложение А); он позволяет наблюдать изменение напря­ диапазоны измерения напряжения от 1 В (и меньше)
жения во времени в одной или нескольких точках схе­ до 1 кВ (и больше) для полного размаха шкалы.
мы. Специально для отысканий неисправностей в циф­ С помощью вольтомметра можно измерить ток, оце­
ровых схемах предназначены логические щупы и нивая его величину по простому отклонению указа­
логические анализаторы. Универсальный измеритель­ теля прибора (в предыдущем примере диапазон из­
ный прибор дает возможность измерять напряжение, мерения тока составляет 50 мкА) или за счет резис­
ток и сопротивление очень часто с достаточно высокой тора с небольшим сопротивлением, подключаемого
точностью, однако у него медленная реакция, и он не параллельно основной схеме (шунта). Так как для
может заменить осциллограф в тех случаях, когда инте­ перемещения указателя необходимо небольшое паде­
рес представляют меняющиеся напряжения. Универ­ ние напряжения (обычно 0,25 В на полный размах
сальные измерительные приборы можно разделить на шкалы), шунт выбирают при изготовлении прибора
две группы: приборы, показания которых определяют­ таким, чтобы максимальный ток вызывал соответ­
ся по обычной шкале с перемещающейся стрелкой, и ствующее падение напряжения на параллельном со­
приборы с цифровым отображением показания. единении шунта и резистора измерительного прибо­
Стандартный вольтметр позволяет измерить ток по ра (для вас выбор шунта сводится к тому, что нужно
перемещению стрелки (обычно полный диапазон шка­ лишь установить переключатель на нужный диапазон
лы составляет 50 мкА). (Для того чтобы разобраться в измерения). В идеальном случае прибор для изме­
работе измерительного прибора, советуем покопаться рения тока должен иметь нулевое сопротивление, тогда
в книгах по электротехнике, но не в руководствах по при подключении его к схеме последовательно он не
разработке электронных схем, а пока нас вполне удов­ будет оказывать влияния на нее. На практике прихо­
18 Глава 1

дится мириться с падением напряжения, составляю­


щим десятые доли вольта как для вольтоммегров, так
и для цифровых приборов (это как бы накладные рас­
ходы при измерении напряжения, от которых никуда
не денешься). Обычно универсальные измеритель­
ные приборы имеют диапазоны измерения тока от
50 мкА (или ниже) до 1 А (или выше) для полного
размаха шкалы.
В универсальных измерительных приборах имеется
одна или несколько батарей для подачи питания при Рис. 1.10
измерении сопротивления. Измерения падения напря­
жения при протекании небольшого тока позволяют Приведенный пример показывает, что
определить величину сопротивления; предусмотренные делитель напряжения не может служить
для этих измерений диапазоны перекрывают величи­
ны сопротивления от 1 Ом (или ниже) до 10 МОм
хорошей батареей, так как его выходное
(или выше). Замечание; не пытайтесь измерить «ток напряж ение сущ ественно уменьш ается
источника напряжения» путем подключения прибора при подключении нагрузки. Рассмотрим
к штепсельной розетке в стене; то же самое можно упражнение 1.9. Вам сейчас известно все,
сказать об измерении сопротивления. Подобные «из­ что необходимо для того, чтобы точно
мерения» служат причиной гибели многих приборов.
рассчитать, насколько уменьшится вы­
Упражнение 1.7. Что покажет вольтметр на ходное напряжение, если подключить к
20000 Ом/В при шкале диапазона 1 В, если его под­ схеме нагрузку с определенным сопро­
ключить к источнику напряжения 1 В с внутренним
сопротивлением 10 кОм? Что покажет этот прибор,
тивлением. Воспользуйтесь эквивалент­
если его подключить к делителю напряжения с плеча­ ной схемой, подключите нагрузку и под­
ми 10 кОм-ЮкОм, питающемуся от источника по­ считайте новое выходное напряж ение,
стоянного напряжения (с нулевым сопротивлением) учитывая, что новая схема представляет
с напряжением 1 В? собой не что иное, как делитель напря­
Упражнение 1.8. Измерительный прибор с макси­
мальным отклонением указателя, соответствующим жения (рис. 1. 10).
току 50 мкА, имеет внутреннее сопротивление, рав­ Упражнение 1.9. Для схемы, показанной на
ное 5 кОм. Какое шунтирующее сопротивление нуж­ рис. 1.10, Uo = 30 В, = Л, = 10 кОм. Требуется
но подключить, чтобы прибор измерял ток в пределах определить: а) выходное напряжение в отсутствие на­
0-1 А? Какое сопротивление нужно подключить по­ грузки (напряжение разомкнутой цепи); б) выходное
следовательно для того, чтобы прибор мог измерить напряжение при условии, что подключена нагрузка
напряжение в пределах 0—10 В? 10 кОм (представьте схему в виде делителя напряже­
ния R, и /?н объедините в один резистор); в) эквива­
Попробуем применить описанный ме­ лентную схему; г) выходное напряжение при том же
тод к делителю напряжения, для чего со­ условии, что и в п. б), но для эквивалентной схемы
здесь придется иметь дело с делителем напряжения;
ставим его эквивалентную схему; ответ должен быть таким же, как в п. б); д) мощ­
1. Напряжение при разомкнутой цепи; ность, рассеиваемую каждым резистором.
U= U JR2/(R l + R})\. Эквивалентное сопротивление источни­
2. Ток замкнутой накоротко цепи: ка и нагрузка схемы. Как мы только что
убедились, делитель напряжения, на ко­
торы й подается некоторое постоянное
Тогда эквивалентная схема представля­ напряж ение, эквивалентен некоторому
ет собой источник напряжения, источнику напряжения с последовательно
подключенным к нему резистором; напри­
м ер, д ел и тел ь н ап р я ж е н и я 10 кО м —
к которому последовательно подключен 10 кОм, на который подается напряже­
резистор с сопротивлением ние от идеальной батарейки напряжением
30 В, в точности эквивалентен идеальной
Л кв= W * . + Л,). батарейке напряжением 15 В с последо­
(Не случайно сопротивление равно со­ вательно подключенным резистором с со­
противлению параллельно соединенных противлением 5 кОм (рис. 1.11). Подклю­
резисторов Л, и R2. Объяснение этому чение резистора в качестве нагрузки вы­
факту будет дано ниже.) зывает падение напряжения на выходе
Основы электроники 19

5 кОм

< = > 15 В

т_

Эквивалентная схема
Рис. 1.11.

делителя, обусловленное наличием не­ или даже сравнимо с внутренним сопро­


которого сопротивления источника (вспом­ тивлением, вызывает значительное умень­
ним эквивалентное сопротивление для де­ шение выходного параметра. Нежелатель­
лителя напряжения, если его выход выс­ ное уменьшение напряжения (или сигна­
тупает в качестве источника напряжения). ла) разомкнутой цепи за счет подключения
Очень часто это явление нежелательно. нагрузки называется «перегрузкой цепи».
Один подход к решению проблемы созда­ В связи с этим следует стремиться к тому,
ния «устойчивого» источника напряжения чтобы выполнялось условие /?н » Ланугр,
(называемого «устойчивым» в том смыс­ так как высокоомная нагрузка оказывает
ле, что он не поддается действию нагруз­ небольшое ослабляющее влияние на источ­
ки) состоит в использовании в делителе ник (рис. 1. 12); примеры тому вы встре­
напряжения резисторов с малыми сопро­ тите в последующих главах. Условие вы-
тивлениями. Иногда этот прямой подход сокоомности является обязательным для
оказывается полезным. Однако лучше все­ таких измерительных приборов, как вольт­
го для создания источника напряжения, метры и осциллографы. (Есть и исключе­
или, как его часто называют, источника ния из этого общего правила; например,
питания, использовать активные компо­ когда речь пойдет о линиях передач на ра­
ненты, такие как транзисторы, или опе­ диочастотах, вы узнаете, что следует «со­
рационные усилители, которыми мы зай­ гласовывать импедансы» для предотвраще­
мемся в гл. 2—4. Этот подход позволяет ния отражений и потерь энергии.)
создать источник напряжения, внутреннее Несколько слов о принятых выражени­
сопротивление которого (или эквивалент­ ях: часто можно услышать «сопротивле­
ное сопротивление) составит миллиомы ние со стороны входа делителя напряже­
(тысячные доли ома), при этом не требу­ ния» или «нагрузка со стороны выхода
ются большие токи и не рассеивается зна­
чительная мощность, что характерно для
низкоомного делителя напряжения с та­
кими же рабочими характеристиками.
Кроме того, в активном источнике пита­
ния не представляет труда регулировка
выходного напряжения.
Понятие эквивалентного внутреннего
сопротивления применимо ко всем типам
источников, а не только к батареям и де­
лителям напряжения. Все источники сиг­
налов (например, генераторы синусоидаль­
ных сигналов, усилители и измерительные
Рис. 1.12. Сопротивление нагрузки должно быть
приборы) обладают эквивалентным внут­ большим по сравнению с выходным сопротивлени­
ренним сопротивлением. Подключение ем для того, чтобы сигнал источника не ослаблялся
нагрузки, сопротивление которой меньше ниже значения напряжения при разомкнутой цепи.
20 Глава 1

составляет столько-то ом». Советуем при­


нять эти обороты на вооружение, так как
они в понятной форме указывают, где, по
отношению к схеме, находится резистор.
Преобразование энергии. Задумайтесь
над таким интересным вопросом: каким
должно быть сопротивление нагрузки,
чтобы при данном сопротивлении источ­
ника ей была передана максимальная
мощность? (Термины «сопротивление ис­
точника», «внутреннее сопротивление» и
«эквивалентное сопротивление» относят­
ся к одному и тому же сопротивлению).
Нетрудно заметить, что при выполнении Д иод
условий RH = 0 и Лн = со, переданная
мощность равна нулю. Условие RH = 0
означает, что U„ = 0, а / н = U JR U и по­
I открыт

этому Рн = U J H = 0. Условие Лн = сю Идеальный


означает, что Ut = Uu и /н = 0, поэтому стабилитрон
Рн = 0. Максимум заключен, следова­
тельно, между 0 и да.
Упражнение 1.10. Докажите, что при выполнении Рис. 1.13. Вольт-амперные характеристики, а — резис­
условия Лн = Ли мощность в нагрузке максимальна тор (линейная зависимость); б - зенеровский диод
для данного сопротивления источника. Замечание: (нелинейная зависимость).
пропустите это упражнение, если вы не знаете диф­
ференциального исчисления, и примите на веру, что
приведенное здесь утверждение справедливо.
(в омах) и во многих расчетах играет роль
Чтобы приведенный пример не вызвал у сопротивления. Оно называется сопротив­
вас неправильного впечатления, хотим еще лением для малых сигналов, дифференци­
раз подчеркнуть, что обычно схемы про­ альным сопротивлением, динамическим
ектируют таким образом, чтобы сопротив­ или инкрементным сопротивлением.
ление нагрузки было значительно больше, Зенеровские диоды (стабилитроны).
чем внутреннее сопротивление источника В качестве примера рассмотрим зенеров­
сигнала, работающего на эту нагрузку. ский диод (стабилитрон), вольт-амперная
характеристика которого приведена на
1.06. Динамическое сопротивление рис. 1.13. Зенеровские диоды используют
для получения постоянного напряжения
Часто приходится иметь дело с электрон­ на каком-либо участке схемы. Это дости­
ными устройствами, в которых ток / не гается за счет тока (в грубом приближе­
пропорционален напряжению U; в подоб­ нии постоянного), получаемого от ис­
ных случаях нет смысла говорить о сопро­ точника большего напряжения в той же
тивлении, так как отнош ение U /I не схеме. Например, зенеровский диод, пред­
является постоянной величиной, н еза­ ставленный на рис. 1.13, преобразует пи­
висимой от U, а, наоборот, зависит от U. тающий ток, изменяющийся в указанном
Для подобных устройств полезно знать диапазоне, в соответствующий (но более
наклон зависимости U—I (вольт-амперной узки й ) д и ап азон н ап ряж ен и й . Важно
характеристики). Иными словами, пред­ понять, как будет вести себя соответству­
ставляет интерес отношение небольшого ющее напряжение на зенеровском диоде
изменения приложенного напряжения к (зенеровское напряжение пробоя) при из­
соответствующему изменению тока через менении питающего тока, это изменение
схему: AU/AI (или A U /AI). Это отноше­ есть мера влияния изменений питающего
ние измеряется в единицах сопротивления тока. Оно характеризуется динамическим
Основы электроники 21

I
Рис. 1.14. Регулятор на зенеровском диоде.

сопротивлением зенеровского диода, оп­


ределяемым при заданном токе. (Учти­
те, что динамическое сопротивление зе­ ния, зная, что максимальное сопротивле­
неровского диода в режиме стабилизации ние для вы бранного диода составляет
изменяется обратно пропорционально 7 Ом при токе 50 мА. В диапазоне измене­
току). Например, динамическое сопротив­ ния входного напряжения ток через зене­
ление зенеровского диода, создающего ровский диод изменяется от 50 мА до
напряжение стабилизации 5 В, может 33 мА; изменение тока на 17 мА вызывает
быть равно 10 Ом при токе 10 мА. Вос­ изменение напряжения на выходе схемы,
пользовавшись определением динамичес­ равное Д U = ЛлинД /, или 0,12 В. Другие
кого сопротивления, найдем, чему будет примеры использования зенеровских дио­
равно изменение напряжения при изме­ дов вы найдете в разд. 2.04 и 16.14.
нении питающего тока на 10%: AU = В реальных условиях зенеровский диод
= ЛдинД / = 10 0,1 0,001 = 10 мВ или обеспечивает наивысшую стабильность,
ДU/U = 0,002 = 0,2%. Тем самым под­ если он питается от источника тока, у ко­
тверждаются высокие стабилизирующие торого по определению RmH = оо (ток не
качества зенеровского диода. На практи­ зависит от напряжения). Но источник тока
ке часто приходится иметь дело с такими представляет собой достаточно сложное ус­
схемами, как показанная на рис. 1.14. тройство, и поэтому на практике мы чаще
Здесь ток, протекающий через стабили­ всего удовлетворяемся простым резистором.
трон и резистор, обусловлен имеющимся Туннельные диоды. Еще один интерес­
в той же схеме напряжением, большим ный пример использования параметра
чем напряжение стабилизации. При этом динамического сопротивления связан с
/ = - U . J / R и Д / = (Д U„ - ДUBJ R , туннельным диодом. Его вольт-амперная
тогда Д иеых = Л „НД / = (RBJ R ) (Д.U„ ~ характеристика показана на рис. 1.15.
~ A U BJ и, наконец, AUm = b U J R mJ В области между точками А и В он обла­
(R + RmH). Следовательно, по отношению дает отрицательным динамическим сопро­
к изменениям напряжения схема ведет тивлением. Из этого вытекает важное
себя как делитель напряжения, в котором следствие: делитель напряжения, состоя­
зенеровский диод заменен резистором, со­ щий из резистора и туннельного диода,
противление которого равно динамичес­ может работать как усилитель (рис. 1.16).
кому сопротивлению диода при рабочем Воспользуемся уравнением для делителя
токе. Приведенный пример показывает, напряжения и для изменяющегося напря­
для чего нужен такой параметр, как ди­ ж ен и я и сит, получим и вых = [R /(R +
намическое сопротивление. Допустим, + г,)] t/clirH, где г - динамическое сопро­
что в рассмотренной нами схеме входное тивление туннельного диода при рабочем
напряжение изменяется в пределах от 15
до 20 В, а для получения стабильного
источника напряжения 5,1 В используется
зенеровский диод типа 1NA733 (зенеров­
ский диод с напряжением 5,1 В и мощ­
ностью 1 Вт). Резистор сопротивлением
300 Ом обеспечит максимальный зенеров­
ский ток, равный 50 мА: (20—5,1)/300.
Оценим изменение выходного напряже­
22 Глава 1

токе, UcmH - изменение малого сигнала, полезно изучить некоторые распростра­


которое до настоящего момента мы обоз­ ненные типы сигналов (напряжений, ко­
начали через Л1/сигн (в дальнейш ем мы торые определенным образом изменяют­
будем пользоваться этим широко распро­ ся во времени).
страненны м обозначением ). Д ля тун ­
нельного диода г<0. Значит, AU /AI < О 1.07. Синусоидальные сигналы
или u /i < 0 для области вольт-амперной
характеристики туннельного диода, зак­ Синусоидальные сигналы распространены
люченной между точками А и В. Если наиболее широко; именно их мы извлека­
г мн < 0, то знаменатель становится близ­ ем из стенной розетки. Если вы услыши­
ким к нулю, и схема начинает работать те выражение «10 мкВ на частоте 1 МГц»,
как усилитель. Напряжение м6ат создает то знайте, что речь идет о синусоидальном
постоянный ток, или смещение, которое сигнале. Математическое выражение, опи­
смещает рабочую точку в область отрица­ сывающее синусоидальное напряжение,
тельного сопротивления. (Безусловно, во имеет вид
всяком усилительном приборе необходи­
U = A sin27t/1,
мо иметь источник питания.)
И наконец, в двух словах история тун­ где А — амплитуда сигнала, / — частота в
нельных диодов: они появились в конце циклах в секунду или в герцах. Синусо­
50-х годов, и с ними сразу стали связы­ идальный сигнал показан на рис. 1.17.
вать пути разрешения множества проблем Иногда бывает полезно переместить нача­
схемотехники. Их высокое быстродей­ ло координат (t = 0) в точку, соответству­
ствие дало основание предположить, что ющую произвольному моменту времени;
они произведут революцию в области вы­ в этом случае в выражение для синусои­
числительной техники. К сож алению , дального напряжения следует включить
оказалось, что эти элементы сложны в фазу
использовании; это обстоятельство, а также U = A sin(2n/1 + 0).
успешное развитие транзисторов привело
к тому, что туннельные диоды сейчас Можно также воспользоваться поняти­
почти не находят применения. ем угловая частота и переписать выраже­
Позже при рассм отрении активны х ние для синусоидального сигнала в дру­
фильтров мы вернемся к явлению отри­ гом виде:
цательного сопротивления. Тогда вы по­ U = A sin ы ,
знакомитесь со схемой преобразователя
отрицательного импеданса, которая обес­ где со — угловая частота в радианах в 1 с.
печивает наряду с другими характерис­ Если вы вспомните, что ю = 2л/, то все
тиками настоящее (а не динамическое) станет на свои места.
отрицательное сопротивление. Основное достоинство синусоидальной
функции (а также основная причина столь
СИГНАЛЫ широкого распространения синусоидаль­
ных сигналов) состоит в том, что эта фун­
Следующий раздел главы посвящен кон­ кция является решением целого ряда ли ­
денсаторам - элементам, свойства кото­ нейных дифференциальных уравнений,
рых зависят от того, как изменяются в
схеме напряжения и токи. Закономерно­
сти, с которыми мы познакомили вас при
изучении цепей постоянного тока (закон А /1 3 ' *t
Ома, эквивалентные преобразования схем
' 2 / ^ ' f 2/
и др.), сохраняют свою силу и в тех слу­
чаях, когда напряжения и токи изменя­
ются по времени. Для лучшего понима­ Рис. 1.17. Синусоидальная зависимость изменения
ния работы цепей п ерем ен ного тока амплитуды А от частоты /
Основы электроники 23

описывающих как физические явления, пользуются понятием двойная амплитуда


так и свойства линейных цепей. Л иней­ (амплитуда от пика до пика сигнала), ко­
ная цепь обладает следующим свойством: торая, как нетрудно догадаться, равна уд­
выходной сигнал, порожденный суммой военной амплитуде. Иногда употребля­
двух входных сигналов, равен сумме двух ют понятие эффективное значение, кото­
выходных сигналов, каждый из которых рое определяется следующим образом:
порожден входными сигналами, действу­ UЭФФ = d / V 2 )А = 0,707 А или 2A / U ^ =
ющими не в совокупности, а отдельно: = 2 л/2 (это соотнош ение справедливо
иначе говоря, если Вых. (А) — выходной только для синусоидальных сигналов: для
сигнал, порожденный сигналом А, то для других видов сигналов отношение двой­
линейной цепи справедливо следующее ной амплитуды к эффективному значению
равенство: Вых. (А + В ) - Вых. (А ) + будет другим). Пусть вас не удивляет, что
+ Вых. (В ). Если на входе линейной цепи сигнал часто характеризуется эффектив­
действует синусоидальный сигнал, то на ным значением; дело в том, что именно
выходе также получим синусоидальный эффективное значение используется для
сигнал, но в общем случае его амплитуда определения мощности. В СШ А напря­
и фаза будут другими. Это утверждение жение в сети имеет эффективное значе­
справедливо только для синусоидального ние 117 В и частоту 60 Гц. Амплитуда
сигнала. На практике принято оценивать этого напряжения равна 165 В (двойная
поведение схемы по ее амплит удно- амплитуда составляет 330 В).
частотной характеристике, показываю­ Изменение амплитуды в децибелах. Как
щей, как изменяется амплитуда синусои­ сравнить амплитуды двух сигналов? Мож­
дального сигнала в зависимости от часто­ но, например, сказать, что сигнал X в два
ты. У силитель звуковой частоты , н а­ раза больше, чем сигнал Y. Во многих
пример, имеет «плоскую» амплитудно- случаях именно так и производят сравне­
частотную характеристику в диапазоне от ние. Но очень часто подобные отноше­
20 Гц до 20 кГц. ния достигают миллионов, и тогда удоб­
Частота синусоидальных сигналов, с нее пользоваться логарифмической зави­
которыми чаще всего приходится рабо­ с и м о с ть ю и и зм е р я т ь о т н о ш е н и е в
тать, лежит в диапазоне от нескольких децибелах (децибел составляет одну деся­
герц до нескольких мегагерц. Для полу­ тую часть бела, но единицей «бел» никог­
чения очень низких частот, от 0,0001 Гц и да не пользуются). По определению от­
ниже, достаточно аккуратно построить нош ение двух сигналов, выраженное в
нужную схему. Получение более высоких децибелах, это дБ = 20 lg(А2/А {), где A t
частот, например до 2000 МГц, также не и А2 — амплитуды двух сигналов. Напри­
вызывает принципиальных трудностей, но мер, если один сигнал имеет амплитуду
для сигналов такой частоты нужны спе­ вдвое большую, чем другой, то отноше­
циальные линии передач и специальные ние первого сигнала ко второму состав­
приемы передачи. Кроме того, здесь при­ ляет + 6 дБ, так как lg 2 = 0,3010. Если
ходится иметь дело с микроволновыми один сигнал в 10 раз больше другого, то
сигналами, для которых не подходят при­ отношение первого ко второму составляет
вычные схемы, состоящие из отдельных + 20 дБ, а если один сигнал в 10 раз
элементов, соединенны х между собой меньше другого, то — 20 дБ. Отношение
проводами, а нужны специальные вол­ мощностей двух сигналов определяется
новоды. так:

1.08. Измерение амплитуды сигналов дБ = 101g(/y/>),


Оказывается, амплитуду синусоидального где Р: и Р2 — мощности двух сигналов.
сигнала, а также любого другого сигнала, Если оба сигнала имеют одну и ту же фор­
можно оценивать не только как абсолют­ му, т.е. представлены синусоидами, то
ное максимальное его значение. Иногда оба сп особ а оп ред ел ен и я отн ош ен и я
24 Глава 1

сигналов (через амплитуду и мощность) 1.09. Другие типы сигналов


дают одинаковый результат. Для сравне­
ния сигналов разной формы, например, Линейно-меняющийся сигнал. Л инейно-
синусоидального и шумового следует ис­ м еняю щ ийся сигнал (показан на рис.
пользовать мощность (или эффективные 1.18) —это напряжение, возрастающее (или
значения). убывающее) с постоянной скоростью. Это
Хотя децибел служит для определения напряжение, конечно, не может расти бес­
отношения двух сигналов, иногда эту еди­ конечно. Поэтому обычно такое напряже­
ницу используют для измерения абсолют­ ние имеет вид, показанный на графике
ного, а не относительного значения амп­ рис. 1.19, — напряжение нарастает до ко­
литуды. Дело в том, что можно взять не­ нечного значения, или на графике рис.
которую э тал о н н у ю ам п л и ту д у и 1.20 — пилообразное напряжение.
определять любую другую амплитуду в де­ Треугольный сигнал. Треугольный сиг­
цибелах по отношению к эталонной. Из­ нал приходится «ближайшим родственни­
вестно несколько стандартных значений ком» линейно-меняющемуся сигналу; от­
амплитуды, используемых для такого срав­ личие состоит в том, что график треуголь­
нения (эти значения не указываются, но ного сигнала является симметричны м
подразумеваются); приведем некоторые из (рис. 1.21).
них: а) дБВ — эф ф ективное значение Сигналы шумов. Сигналы, о которых
1 В; б) дБВт — напряжение, соответствую­ пойдет речь, очень часто смешивают с
щее мощности 1 мВт на некоторой пред­ шумами, имея в виду только тепловые слу­
полагаемой нагрузке, для радиочастот это чайные шумы. Шумовые напряжения ха­
обычно 50 Ом, для звуковых частот — рактеризуются частотным спектром (про­
600 Ом (напряжение 0 дБ Вт на этих на­ изведение мощности на частоту в герцах)
грузках имеет эф ф екти вн ое зн ачение и распределением амплитуд. Одним из
0,22 В и 0,78 В); в) дБп — небольшой наиболее распространенных типов шумо­
шумовой сигнал, генерируемый резисто­ вых сигналов является белый шум с гауссо­
ром при комнатной температуре (об этом вым распределением в ограниченном спектре
более подробно пойдет речь в разд. 7.11). частот. Для такого сигнала произведение
Помимо перечисленных существуют эта­ мощности на частоту в герцах сохраняется
лонные сигналы для измерений в других постоянным в некотором диапазоне час­
областях. Например, в акустике уровень тот, а вариации амплитуды для большого
звукового давления 0 дБ соответствует числа измерений мгновенного значения
сигналу, среднее квадратурное давление описы ваю тся распределением Гаусса.
которого составляет 0,0002 мкбар (1 бар Шумовой сигнал такого типа генерирует
равен 106 дин на квадратный сантиметр резистор (шум Джонсона), и он создает
или приблизительно 1 атмосфере); в свя­ неприятности при всевозможных измере­
зи уровни определяются в дБС (относи­ ниях, в которых требуется высокая чувстви­
тельный шум в полосе частот с весовой тельность. На экране осциллографа мы
функцией С). Обращаем ваше внимание видим шумовой сигнал таким, как он по­
на эталонную амплитуду 0 дБ: пользуясь казан на рис. 1.22. Более подробно шу-
этим значением, не забывайте его огово­
рить, например «амплитуда 27 дБ отно­
сительно эффективного значения 1 В»,
или в сокращенной форме «27 дБ относи­
тельно 1 Вэфф», или пользуйтесь условным
обозначением дБВ.
Упражнение 1.11. Отношение двух сигналов со­
ставляет: а) 3 дБ, б) 6 дБ, в) 10 дБ, г) 20 дБ. Для Рис. 1.18. Напряжение в виде линейно-меняющегося
каждого случая определите отношение напряжений сигнала.
и мощностей сигналов. Рис. 1.19. Ограниченный линейно-меняющийся
сигнал.
Основы электроники 25

Рис. 1.20. Пилоообразный сигнал. Рис. 1.21. Треугольный сигнал. Рис. 1.22. Шумовой сигнал.

мовые сигналы и способы борьбы с шу­ Сигналы в виде скачков и пиков. Сигна­
мовыми помехами будут рассмотрены в гл. лы в виде скачков и пиков упоминаются
7. В разд. 9.32-9.35 рассматриваются воп­ часто, но широкого применения не нахо­
росы генерации шумовых сигналов. дят. К их помощи прибегают для описа­
Прямоугольные сигналы. График изме­ ния работы схем. Если попытаться их
нения прямоугольного сигнала во време­ нарисовать, то они будут выглядеть так,
ни показан на рис. 1.23. Как и синусои­ как показано на рис. 1.26. Скачок пред­
дальный, прямоугольный сигнал харак­ ставляет собой часть прямоугольного сиг­
теризуется амплитудой и частотой. Если нала, а пик — это два скачка, следующие
на вход линейной схемы подать прямо­ с очень коротким интервалом.
угольный сигнал, то сигнал на выходе
вряд ли будет иметь прямоугольную фор­
му. Для прямоугольного сигнала эффек­
тивное значение равно просто амплиту­
де. Форма реального прямоугольного сиг­
н ала о т л и ч а е т с я от и д е а л ь н о го II I I
прямоугольника; обычно в электронной JL 1 1 А
схеме время нарастания сигнала /н состав­ 2/ / / /
ляет от нескольких наносекунд до не­
скольких микросекунд. На рис. 1.24 по­ Рис. 1.23. Прямоугольные сигналы.
казано, как обычно выглядит скачок пря­
моугольного сигнала. Время нарастания
определяется как время, в течение кото­
рого сигнал нарастает от 10 до 90% своей
максимальной амплитуды.
Импульсы. Импульсы — это сигналы,
показанные на рис. 1.25. Они характе­
ризуются амплитудой и длительностью Рис. 1.24. Время нарастания скачка прямоугольного
импульса. Если генерировать периодичес­ сигнала.
кую последовательность импульсов, то
можно говорить о частоте, или скорости
повторения импульса, и о «рабочем цик­
ле», равном отнош ению длительности JZLI1E.
импульса к периоду повторения (рабочий U JL
цикл лежит в пределах от 0 до 100%).
Рис. 1.25. Нарастающие и убывающие импульсы
Импульсы могут иметь положительную обоих полярностей.
или отрицательную полярность (пьедес­
тал), кроме того, они могут быть нараста­
ющими или спадающими. Например, вто­
рой импульс, показанный на рис. 1.25,
является убывающим импульсом положи­
тельной полярности (или спадающим им­
И
Скачок Пик

пульсом с положительным пьедесталом). Рис. 1.26.


26 Глава 1

1.10. Логические уровни рых генераторах предусмотрена возмож­


ность модуляции выходного сигнала (см.
Импульсы и прямоугольные сигналы ш и­ гл. 13). Одной из разновидностей гене­
роко используются в цифровой электро­ ратора сигнала является свип-генератор
нике. В цифровой схеме состояние лю­ (генератор качаю щ ейся частоты) — он
бой точки в любой момент времени опре- может периодически производить развер­
д ел яю т за р а н е е и зв е с т н ы е у р о в н и тку выходной частоты в некотором ди-
напряжения. Эти уровни называют про­ п азоне частот. Это качество прибора
сто «ВЫ СОКИЙ» и «Н И ЗК И Й ». Они очень полезно при исп ы тани ях схем,
соответствуют значениям «ложь» (0) и свойства которых определенным образом
«истина» ( 1) булевой алгебры логики, зависят от частоты (например, резонан­
которая имеет дело с переменными, при­ сные схемы или фильтры). В наши дни
нимающими эти значения. эти и многие другие приборы выпуска­
В цифровой электронике точные зна­ ются в исполнении, позволяющем задавать
чения напряжений не играют роли. Зада­ (программировать) частоту, амплитуду и
ча состоит в том, чтобы различать только другие параметры с помощью вычисли­
уровни напряжения. В связи с этим для тельной машины или другого цифрового
каждого семейства цифровых логических устройства.
элементов определены допустимые значе­ Еще одной разновидностью генераторов
ния высокого и низкого уровня напряже­ сигналов является синтезатор частот —
ния. Например, логическое семейство устройство, которое позволяет произво­
цифровых элементов «74НС» работает от дить точную установку частоты генериру­
напряжения + 5 В, при этом выходные емых синусоидальных колебаний. Часто­
уровни составляют 0 В (низкий уровень) та задается цифровым способом, часто с
и 5 В (высокий уровень), а порог сраба­ точностью до восьми или более знаков
тывания на входе равен 2,5 В. Реальные после запятой, и синтезируется с помо­
значения выходного напряжения могут щью точного эталона кварцевого генера­
составлять 1 В относительно «земли» или тора цифровыми методами, о которых речь
+ 5 В, но без учета ложного срабатыва­ пойдет позже (в разд. 9.27-9.31). Если
ния. О логических уровнях речь пойдет перед вами когда-нибудь будет стоять за­
дальше, в гл. 8 -9 . дача получения сигнала с абсолютно дос­
товерным, точным значением частоты, то
1.11. Источники сигналов без синтезатора ее не решить.
Генераторы импульсов. Генераторы им­
Нередко источник сигнала входит как пульсов всего лишь формируют импуль­
неотъемлемая часть в саму схему. Но для сы, но как совершенно они выполняют
испытательного режима работы очень удо­ свою задачу. В них предусмотрена воз­
бен отдельный независимый источник можность регулировки ширины (длитель­
сигнала. В качестве такого источника ности) импульса, частоты повторения,
могут выступать три типа приборов: гене­ амплитуды, времени нарастания и других
раторы (синусоидальных) сигналов, ге­ параметров. Кроме того, многие генера­
нераторы импульсов и генераторы функ­ торы позволяют генерировать пары им­
ций (сигналов специальной формы). пульсов с заданными интервалами и час­
Генераторы (синусоидальных) сигналов. тотой повторения и даже кодовые после­
Генераторами сигналов называют генера­ довательности импульсов. В большинстве
торы синусоидальных колебаний, кото­ современных генераторов импульсов пре­
рые обычно обеспечивают широкий диа­ дусмотрены логические выходы, обеспе­
пазон частот (как правило, от 50 кГц до чивающие легкое сопряжение с цифро­
50 МГц) и приспособлены для «тонкой» выми схемами. Как и в генераторах си­
регулировки амплитуды (для этой цели ис­ нусоидальных сигналов, в генераторах
пользуется схема резистивного делителя, импульсов часто предусмотрено внешнее
называемого аттенюатором). В некото­ программирование.
Основы электроники 27

Генераторы функций (специальных сиг­ КОНДЕНСАТОРЫ И ЦЕПИ


налов). Во многих отношениях генерато­ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
ры функций являются наиболее гибкими
из всех источников сигналов. Они позво­ Коль скоро мы начинаем рассматривать
ляют формировать синусоидальные, тре­ изменяю щ иеся сигналы напряж ения и
угольные, прямоугольные сигналы в очень тока, нам необходимо познакомиться с
широком диапазоне частот (от 0,01 Гц до двумя очен ь зан ятн ы м и элем ен там и ,
10 МГц), при этом предусмотрена воз­ которые не находят применения в цепях
можность регулировки амплитуды и сме­ постоянного тока, - речь идет о конденса­
щения по постоянному току (постоянное торах и индуктивностях. Скоро вы убеди­
напряж ение, добавляемое к сигналу). тесь, что эти компоненты вместе с резис­
Многие генераторы функций могут про­ торами являются основными элементами
изводить развертку частоты, причем в не­ пассивных линейных цепей, составляющих
скольких режимах (линейное или логариф­ основу почти всей схемотехники. Особен­
мическое изменение частоты во времени). но следует подчеркнуть роль конденсато­
Промышленность выпускает генераторы ров —без них не обходится почти ни одна
функций с импульсным выходом (прав­ схема. Они используются при генерации
да, они не обладают гибкостью генерато­ колебаний, в схемах фильтров, для бло­
ров импульсов) и возможностью модуля­ кировки и шунтирования сигналов. Их
ции выходного сигнала. используют в интегрирующих и дифферен­
Промышленность выпускает также про­ цирующих схемах. На основе конденса­
граммируемые и цифровые генераторы торов и индуктивностей строят схемы
функций. В цифровых генераторах значе­ формирующих фильтров для выделения
ние частоты (а иногда и амплитуды) счи­ нужных сигналов из фона. Некоторые
тывается в цифровом виде. В последние примеры подобных схем вы найдете в этой
годы семейство генераторов функции по­ главе, а еще большее число интересных
полнилось синтезирующим генератором примеров использования конденсаторов и
функции (генератором-синтезатором фун­ индуктивностей встретится вам в после­
кций) - устройством, которое сочетает в дующих главах.
себе гибкость генератора функций со ста­ Приступим к более детальному изуче­
бильностью и точностью синтезатора час­ нию конденсаторов. Явления, протека­
тот. Примером служит генератор типа ющие в конденсаторе, описываются ма­
HP 8116А, который формирует синусои­ тематическими зависимостями, поэтому
дальные, прямоугольные и треугольные читателям, которые имеют недостаточную
сигналы (а также импульсы, линейноме- подготовку в области математики, полез­
няющиеся сигналы, сигналы, изменяю­ но прочитать приложение Б. Не огорчай­
щиеся как функция hav х и т . д.), в диапа­ тесь, если некоторые детали не будут сразу
зоне частот от 0,001 Гц до 50 МГц. Часто­ вполне понятны , главное — это общее
та и амплитуда (от 10 мВ до 16 В от пика понимание вопроса.
до пика) задаются программно, с помо­
щью программы определяется также ли­ 1.12. Конденсаторы
нейное или логарифмическое изменение
частоты во времени. Помимо всего про­ Конденсатор (рис. 1.27) — это устройство,
чего устройство может работать как триг­ имеющее два вывода и обладающее сле­
гер, л о ги ч еск ая схем а, ф о р м и р о в ать дующим свойством:
всплески, производить амплитудную, час­ Q = CU.
тотную, импульсную модуляцию, форми­
ровать частоту, управляемую напряжени­ Конденсатор, имеющий емкость С фарад,
ем, и одиночные циклы. И последнее: если к которому прилож ено напряж ение U
вам хотелось бы иметь один источник сиг­
налов на все случаи жизни, то для этой — II—
цели лучше подойдет генератор функций. Рис. 1.27. Конденсатор.
28 Глава 1

вольт, накапливает заряд Q кулон на од­ Промышленность выпускает конденса­


ной пластине и — Q — на другой. торы разнообразных форм и размеров,
В первом приближении конденсаторы — через некоторое время вы познакомитесь
это частотно-зависимые резисторы. Они с наиболее распространенными предста­
позволяют создавать, например, частот- вителями этого обш ирного семейства.
но-зависимые делители напряжения. Для Простейший конденсатор состоит из двух
решения некоторых задач (шунтирование, проводников, расположенных на неболь­
связывание контуров) больших знаний о шом расстоянии друг от друга (но не со­
конденсаторе и не требуется, другие за­ прикасающихся между собой), настоящие
дачи (построение фильтров, резонансных простейшие конденсаторы имеют имен­
схем, накопление энергии) требуют более но такую конструкцию. Чтобы получить
глубоких знаний. Например, конденсато­ большую емкость, нужны большая пло­
ры не рассеивают энергию, хотя через них щадь и меньший зазор между проводни­
и протекает ток, — дело в том, что ток и ками, обычно для этого один из провод­
напряжение на конденсаторе смещены друг ников покрывают тонким слоем изолиру-
относительно друга по фазе на 90°. ю щ его м атериала (н а з ы в а е м о г о
Продифференцировав выражение для Q диэлектриком), для таких конденсаторов
(см. приложение Б), получим используют, например, алитированную
/ = C(dU/dt). (п окры тую ал ю м и н и ем ) м айларовую
пленку. Ш ирокое распространение полу­
Итак, конденсатор — это более сложный чили следующие типы конденсаторов: ке­
элемент, чем резистор; ток пропорцио­ рамические, электролитические (изготов­
нален не просто напряжению: а скорости ленные из металлической фольги с ок­
изменения напряжения. Если напряжение сидной пленкой в качестве изолятора),
на конденсаторе, имеющем емкость 1 Ф, слюдяные (изготовленные из металлизи­
изменится на 1 В за 1 с, то получим ток рованной слюды). Каждому типу конден­
1 А. И наоборот, протекание тока 1 А саторов присущи свои качества, краткий
через конденсатор емкостью 1 Ф вызыва­ перечень отличительных особенностей
ет изменение напряжения на 1 В за 1с. каждого типа конденсаторов приведен
Емкость, равная одной фараде, очень ве­ мелким шрифтом в разделе «Конденсато­
лика, и поэтому чаще имеют дело с мик­ ры». В общем можно сказать, что для
рофарадами (мкФ ) или пикофарадами некритичных схем подходят керамические
(пФ). Для того чтобы сбить с толку не­ и майларовые конденсаторы, в схемах, где
посвященных, на принципиальных схемах требуется большая емкость, применяют­
иногда опускают обозначения единиц из­ ся танталовые конденсаторы, а для филь­
мерения. Их приходится угадывать из кон­ трации в источниках питания используют
текста. Например, если подать ток 1 мА электролитические конденсаторы.
на конденсатор емкостью 1 мкФ, то на­ Параллельное и последовательное соеди­
пряжение за 1 с возрастет на 1000 В. нение конденсаторов. Емкость нескольких
Импульс тока продолжительностью 10 мс параллельно соединенных конденсаторов
вызовет увеличение напряжения на кон­ р авн а сум м е их ем к о стей . Н етрудн о
денсаторе на 10 В (рис. 1.28). в этом убедиться: приложим напряжение

и
у
10 мА 10 в
и стар

-------- ► j l O м с | ^ --- ^ t

Рис. 1.28. Напряжение на конденсаторе изменяется, когда через него протекает ток.
Основы электроники 29

к параллельному соединению, тогда ми свойствами. В отличие от тока, про­


текающего через резистор, он пропорци­
CU = Q = Qx + Q 2 + Q, + ...= онален не напряжению, а скорости изме­
= с,и + с2и + съи + ...= нения напряжения (т. е. его производ­
= (С, + С2 + С , + ...)«/ ной по времени). Д алее, мощ ность (U
или умноженное на / ) , которая связана с про­
текающим через конденсатор током, не
с = С, + С2 + С3 + ... обращается в тепло, а сохраняется в виде
энергии внутреннего электрического поля
в конденсаторе. При разряде конденса­
Для последовательного соединения кон­ тора происходит извлечение энергии. Эти
денсаторов имеем такое же выражение, занятные свойства мы рассмотрим с дру­
как для параллельного соединения рези­ гой точки зрения, когда будем изучать
сторов: реактивность (начиная с разд. 1.18).
С = -------------- --------------- .
1/С , + 1 / С 2 + 1 /С 3 + КОНДЕНСАТОРЫ
В частном случае для двух конденсато­ Промышленностью выпускается много типов конден­
ров: С = С,С2/(С , + С2). саторов. Здесь перечислены основные преимущества
и недостатки различных типов. Очевидно, что дан­
Ток, заряжаю щ ий конденсатор ( / = ная оценка имеет несколько субъективный характер
= CdU/dt), обладает некоторыми особы­ (см. таблицу).

Тип Диапазон емкости Максимальное Точность Температур­ Утечка Примечание


напряжение ная стабиль­
ность

Слюдяной I пФ -0,01 мкФ 100-600 Хорошая Малая Очень хорошие: рекомен­


дуются для радиочас­
тот
Цилиндриче­ 0,5 п Ф -1 0 0 пФ 100-600 Варьирует Несколько значений тем­
ский кера­ пературного коэф ф и­
мический циента, включая 0
Керамический 10 п Ф -1 мкФ 50-30000 Низкая Низкая Средняя Малые габариты, недоро­
ги, широко использу­
ются
Полиэфирные 0,001 м к Ф -5 0 мкФ 50-600 Хорошая Низкая Малая Хорошие, недорогие, ш и­
(майларо- роко используются
вые)
Полистироло- 10 пФ—2,7 мкФ 100-600 Отличная Высокая Очень Высококачестенные, круп­
вые малая ногабаритные, рекомен­
дуются для фильтров
Поликарбо- 100 пФ —30 мкФ 50-800 Отличная Отличная Малая Высококачественные,
натные имеют малые габариты
Полипропиле­ 100 пФ —50 мкФ 100-800 Отличная Высокая Очень Высококачественные; низ­
новые малая кое диэлектрическое
поглощение
Тефлоновые 100 п Ф -2 мкФ 50-200 Отличная Отличная Самая Высококачественные, са­
малая мое низкое диэлектри­
ческое поглощение
Стеклянные 10 пФ -1000 мкФ 100-600 Хорошая Очень Стабильны при длитель­
малая ной эксплуатации
Фарфоровые 100 пФ -0,1 мкФ 50-400 Хорошая Высокая Малая Хорошие: стабильные при
длительной эксплуата­
ции
Танталовые 0,1 м кФ -500 мкФ 6-100 Низкая Низкая Большая емкость; поля­
ризованные; малогаба­
ритные; небольшая
индуктивность
30 Глава 1

Продолжение таблицы
Тип Диапазон емкости Максимальное Точность Температур­ Утечка Примечание
напряжение ная стабиль­
ность

Электроли­ 0,1 м к ф - 1,6 Ф 3-600 Хуже не Хуже не Ужасная Фильтры источников п и­


тические бывает бывает тания; поляризованные;
короткий срок службы
С двойным 0,1 Ф -1 0 Ф 1,5-6 Низкая Низкая Малая Поддержка памяти; высо­
слоем кое последовательное
диэлектрика сопротивление
Масляные 0,1 м к ф —20 мкФ 200-10000 Малая Высоковольтные фильт­
ры; крупногабаритные,
длительный срок службы
Вакуумные 1 пФ -5000 пФ 2000-36000 Очень Передатчики
малая

Упражнение 1.12. Получите выражение для емкости Это выражение представляет собой диф­
двух последовательно соединенных конденсаторов. ференциальное уравнение, решение ко­
Подсказка: так как точка соединения конденсаторов
не имеет внешних подключений, то заряд, накоплен­ торого имеет вид
ный двумя конденсаторами, должен быть одинаков. U = Ae~4RC.
1.13. йС-цепи: изменения Отсюда следует, что если заряженный
во времени напряжения и тока конденсатор подключить к резистору, то
он будет разряжаться так, как показано
Для анализа цепей переменного тока (или на рис. 1.30.
в общем случае схем, работающих с изме­ Постоянная времени. Произведение RC
няю щ имися напряж ениям и и токам и) называют постоянной времени цепи. Если
можно использовать характеристики двух R измерять в омах, а С — в фарадах, то
типов. Во-первых, можно рассматривать произведение RC будет измеряться в се­
изменения напряжения U и тока / во вре­ кундах. Д ля к о н д ен сато р а ем костью
мени, а во-вторых, изменение амплитуды 1 мкФ, подключенного к резистору со­
при изменении частоты сигнала. И те и противлением 1 кОм, постоянная време­
другие характеристики имеют свои преиму­ ни составляет 1 мс, если конденсатор был
щества, и в каждом практическом случае предварительно заряжен и напряжение на
приходится выбирать наиболее подходя­ нем составляет 1 В, то при подключении
щие. Мы начнем изучение цепей перемен­ резистора в цепи появится ток, равный
ного тока с временных зависимостей, а в 1 мА.
разд. 1.18 перейдем к частотным характе­
ристикам.
Каковы же свойства схем, в состав ко­
торых входят конденсаторы? Для того что­
бы ответить на этот вопрос, рассмотрим
простейшую /?С-цепь (рис. 1.29). Вос­
пользуемся полученным ранее выражени­
ем для емкости:
С (dU/dt) = / = - U/R.

Ъ
J
Рис. 1.29.
Основы электроники 31

— Батарея,

i
— напряжение = U
I
Рис. 1.31.
<
-4 5-
t
На рис. 1.31 показана несколько иная Более низкая
схема. В момент времени t = О схема частота
подключается к батарее. Уравнение, опи­
сывающее работу такой схемы, выглядит Рис. 1.33. Напряжение, снимаемое с конденсатора
(верхние сигналы), при условии, что на него через
следующим образом: резистор подается прямоугольный сигнал.
/ = C(d(J/dt) - (UBX — U)/R
Упражнение 1.13. Докажите, что время нарастания
и имеет решение сигнала (время, в течение которого сигнал изменяет­
ся от 10 до 90% своего максимального значения) со­
U = UBX+ Ae-'/RC. ставляет 2,2 RC.
Не пугайтесь, если не поняли, как вы­ У вас, наверное, возник вопрос: каков
полнено математическое преобразование. закон изменения для произвольного U J j)l
Важно запомнить полученный результат. Для того чтобы ответить на него, нужно
В дальнейшем мы будем многократно его решить неоднородное дифференциальное
использовать, не прибегая к математичес­ уравнение (стандартные методы решения
ким выкладкам. П остоянная величина таких уравнений здесь не рассматривают­
А определяется из начальных условий ся). В результате получим
(рис. 1.32): U = 0 при / = О, откуда А =
= ~ и вхи U = U J \ - е ~ '^ . 1 -< /-T ) / RC
Установление равновесия. При условии U(t) те dt.
RC
t » RC напряжение достигает значения
Um. (Советуем запомнить хорошее прак­ Согласно полученному выражению, RC-
тическое правило, называемое правилом цепь усредняет входное напряж ение с
пяти RC. Оно гласит: за время, равное коэф ф и ц и ен том п ропорц и ональн ости
пяти постоянным времени, конденсатор e~A,/RC, где A t = т — t. На практике, одна­
заряжается или разряж ается на 99%.) ко, такой вопрос возникает редко. Чаще
Если затем изменить входное напряжение всего рассматриваются частотные характе­
Um (сделать его равным, например, нулю), ристики и определяют, какие изменения
то напряжение на конденсаторе U будет претерпевает каждая частотная составляю­
убывать, стремясь к новому значению по щая входного сигнала. Скоро (разд. 1.18)
экспоненциальному закону е~'/ к . Напри­ мы также перейдем к этому немаловаж­
мер, если на вход подать прямоугольный ную вопросу. А пока рассмотрим несколь­
сигнал Um, то сигнал на выходе U будет ко интересных схем, для анализа которых
иметь форму, показанную на рис. 1.33. достаточно временных зависимостей.
Упрощение с помощью эквивалентного
преобразования Тевенина. Можно было бы
приступить к анализу более сложных схем,
пользуясь, как и раньше, методом реше­
ния дифференциальных уравнений. Од­
нако чаще всего не стоит прибегать к ре­
шению дифф еренциальны х уравнений.
Большинство схем можно свести к RC-
схеме, показанной на рис. 1.34. Пользу­
Рис. 1.32. ясь эквивалентным преобразованием для
32 Глава 1

характеристике /?С-цепи, выходной сиг­


нал для нее задерживается относительно
входного, поэтому выходной буферный
усилитель переключается на 10 мкс позже
скачка напряжения на входе (напряжение
на выходе ЛС-цепи достигает 50% своего
Рис. 1.34. максимального значения через 0,7 R C ).
На практике приходится принимать во
делителя напряжения, образованного ре­ внимание отклонение входного порога бу­
зисторами Л, и Rv можно определить U(t ) фера от величины, равной половине н а­
для скачка входного напряжения UBX. пряжения питания, так как это отклоне­
Упражнение 1.14. Для схемы, показанной на ние изменяет задержку и ширину выход­
рис. 1.34, Л, = /Jj = 10 кОм и С = 0,1 мкФ. Опреде­ ного импульса. Иногда подобную схему
лите U(t) и изобразите полученную зависимость в виде используют для того, чтобы задержать
графика.
импульс на время, в течение которого
Пример: схема задержки. Мы уже упо­ может произойти какое-либо событие.
минали логические уровни - напряжения, При проектировании схем лучше не при­
определяющие работу цифровых схем. На бегать к подобным трюкам, но иногда
рис. 1.35 показано, как с помощью кон­ они бывают полезны.
денсаторов можно получить задержанный
импульс. В виде треугольников изобра­ 1.14. Дифференцирующие цепи
жены КМОП-буферные усилители. Они
дают высокий уровень на выходе (более Рассмотрим схему, изображенную на рис.
половины величины напряжения питания 1.36. Напряжение на конденсаторе С рав­
постоянного тока) и наоборот. Первый но Ubx - U, поэтому
буферный усилитель воспроизводит вход­
/ = Cd(Um~ U)/dt= U/R.
ной сигнал и обеспечивает небольшое
выходное сопротивление, предотвращая тем Если резистор и конденсатор выбрать так,
самым воздействие на источник сигнала чтобы сопротивление R и емкость Сбыли
/JC-цепи (вопрос о нагрузке схемы мы достаточно малыми и выполнялось усло­
рассм отрели в разд. 1.05). С огласн о вие d U /d t« d i/J d t, то
КМОП-буферные C (dU Jdf) = U/R или U(t) =
= RC[dUJt)/dt).
Таким образом, мы получили, что выход­
ное напряжение пропорционально скоро­
сти изменения входного сигнала.
Для того чтобы выполнялось условие
dU/dt d U J dt, произведение RC дол ж мо
быть небольшим, но при этом сопротив­
ление R не должно быть слишком малым,
А -вход ------- 1 \ чтобы не «нагружать» вход (при скачке на­
| I пряжения на входе изменение напряже­
ния на конденсаторе равно нулю и R пред-
B-RC ------- |

С - выход

'1 0 МКС ' ' 1 0 МКС

Рис. 1.35. Использование RC-цепи для формирования


задержанного цифрового сигнала. Рис. 1.36.
Основы электроники 33

Рис. 1.39.

Рис. 1.37. Выходной сигнал (верхний), снимаемый


с дифференциатора, на вход которого подается пря­
Паразитная емкостная связь. Иногда
моугольный сигнал. схема неожиданно начинает проявлять
дифференцирующие свойства, причем в
ситуациях, где они совершенно нежела­
ставляет собой нагрузку со стороны входа тельны. При этом можно наблюдать сиг­
схемы). Более точный критерий выбора налы, подобные показанным на рис. 1.39.
для R и С мы получим, когда изучим час­ П ервы й сигнал (а точнее, импульсная
тотные характеристики. Если на вход схе­ помеха) может возникнуть при наличии
мы подать прямоугольный сигнал, то сиг­ емкостной связи между рассматриваемой
нал на выходе будет иметь вид, представ­ линией и схемой, в которой присутствует
ленный на рис. 1.37. прямоугольный сигнал; причиной появ­
Дифференцирующие цепи удобно ис­ ления подобной помехи может служить
пользовать для выделения переднего и зад­ отсутствие оконечного резистора в линии.
него фронтов импульсных сигналов, и в Если же резистор есть, то следует либо
цифровых схемах можно иногда встретить уменьшить сопротивление источника сиг­
цепи, подобные той, которая показана на налов для линии, либо найти способ ос­
рис. 1.38. Дифференцирующая ЛС-цепь лабления емкостной связи с источником
генерирует импульсы в виде коротких пи­ сигналов прямоугольной формы. Сигнал
ков в моменты переключения входного второго типа можно наблюдать в цепи, по
сигнала, а выходной буферный усилитель которой должен проходить сигнал прямо­
преобразует эти импульсы в короткие пря­ угольной формы, при наличии дефекта в
моугольные импульсы. В реальных схе­ контакте с этой цепью, например, в щупе
мах отрицательный пик бывает небольшим осциллографа. Небольшая емкость, воз­
благодаря встроенному в буфер диоду (речь никающая при плохом контакте, и вход­
об этом элементе пойдет в разд. 1.25). ное сопротивление осциллографа образу­
ют дифференцирующую цепь. Если вы
100 пФ г
обнаружили, что ваша схема «что-то» диф­
ференцирует, то сказанное может помочь
вам найти причину неисправности и уст­

f10 кОм ранить ее.

1.15. Интегрирующие цепи

А - вход Рассмотрим схему, изображенную на рис.


1.40. Напряжение на резисторе R равно
Постоянная
времени = 1 мкс R
B-RC о------с=и------ т------- о
и._ I и

С - выход л 1
Рис. 1.38. Выделение переднего фронта импульса. Рис. 1.40.
34 Глава 1

О Выход
U
О

Рис. 1.42. Источник постоянного тока, заряжаю­


щий конденсатор, генерирует напряжение в виде
линейноменяющегося сигнала.

и н т е гр а т о р , не п р и б ега я к усл ови ю


{ /ых £/х. Такой интегратор работает в
Рис. 1.41. широком диапазоне частот и напряжений
с пренебрежимо малой ошибкой.
Интегрирующие цепи находят широкое
Um — U, следовательно, I = C(dU/dt) = прим енение в аналоговой технике. Их
= (Um — U)/R. Если обеспечить выполне­
используют в управляющих системах, схе­
ние условия U <sc Um за счет большого зна­ мах с обратной связью, при аналого-циф­
чения произведен и я RC, то получим
ровом преобразовании и генерации коле­
C{dU/df) = U J R или
баний.
j t Генераторы пилообразного сигнала. Те­
U (t ) = —— jt/BX(dt)t + константа. перь вы без труда разберетесь в том, как
лС J работает генератор пилообразного сигна­
О
ла. Эта схема хорошо зарекомендовала
Мы получили, что схема интегрирует себя и нашла очень широкое применение:
входной сигнал во времени! Рассмотрим, ее используют во время-задающих схемах,
каким образом эта схема обеспечивает апп­ в генераторах синусоидальных и других
роксимацию интегрирования в случае вход­ типов колебаний, в схемах развертки ос­
ного сигнала прямоугольной формы: U (t) циллографов, в аналого-цифровых преоб­
представляет собой знакомый уже нам гра­ разователях. Схема использует постоян­
фик экспоненциальной зависимости, оп­ ный ток для заряда конденсатора (рис.
ределяющей заряд конденсатора (рис. 1.41). 1.42). Из уравнения для тока, протекаю­
Первый участок экспоненты (интеграл от щего через конденсатор, 1= C(dU/dt) по­
почти постоянной величины) - прямая с лучим U (t) = (I/C )t. Выходной сигнал
постоянным углом наклона; при увеличе­ изображен на рис. 1.43. Линейное нара­
нии постоянной времени RC используется стание сигнала прекращается тогда, ког­
все меньший участок экспоненты, тем са­ да «иссякает» напряжение источника тока,
мым обеспечивается лучшая аппроксима­ т. е. достигается его предельное значение.
ция идеального пилообразного сигнала. Кривая для простой ЛС-цепи с резисто­
Отметим, что условие U « UBX равно­ ром, подключенным к источнику напря­
сильно тому, что ток пропорционален на­ жения, ведет себя аналогично случаю до­
пряжению Um. Если бы в качестве вход­ стижения предела источником тока. На
ного сигнала выступал ток 1(f), а не на­ рис. 1.43 эта вторая кривая показана для
пряжение, то мы получили бы идеальный случая, когда R выбрано так, чтобы ток
интегратор. Источником тока может слу­
жить резистор с большим сопротивлени­
ем и с большим падением напряжения на
нем, и на практике часто пользуются этим
приближением.
В дальнейшем, когда мы познакомим
вас с операционными усилителями и об­
ратной связью, вы узнаете, как построить Рис. 1.43.
Основы электроники 35

при нулевом выходном напряжении был Ток, протекающий через индуктивность,


равен току источника тока; при этом вто­ также как и ток, протекающий через кон­
рая кривая стремится к тому же пределу, денсатор, не просто пропорционален на­
что и ломаная. (В реальных источниках пряжению. Более того, в отличие от рези­
тока выходное напряжение ограничено стора мощность, связанная с током через
напряжением используемых в них источ­ индуктивность (произведение U на Г), не
ников питания, так что такое поведение преобразуется в тепло, а сохраняется в виде
вполне правдоподобно.) В следующей энергии магнитного поля индуктивности.
главе, посвящ енной транзисторам, мы Эту энергию можно извлечь, если прервать
построим просты е схемы и сточни ков ток через индуктивность.
тока, а в главах, где рассматриваются опе­ Условно индуктивность изображают в
рационные усилители и полевые транзи­ виде нескольких витков провода —такую
сторы, — их усовершенствованные типы. конструкцию имеет простейшая индук­
Вот как много интересных вопросов ожи­ тивность. Другие, более соверш енны е
дает нас впереди. конструкции включают сердечник, на ко­
Упражнение 1.15. Ток 1 мА заряжает конденсатор
торый наматывается провод. Материалом
емкостью 1 мкФ. Через какое время напряжение для сердечника чаще всего служит желе­
достигнет 10 В? зо (пластинки, прокатанные из сплавов
железа или изготовленные методами по­
ИНДУКТИВНОСТИ и рош ковой м еталлурги и ) и ли ф ерри т,
ТРАНСФОРМАТОРЫ представляющий собой хрупкий непро­
водящ ий магнитный материал черного
1.16. Индуктивности цвета. С ердечник позволяет увеличить
индуктивность катушки за счет магнит­
Если вы поняли, что такое конденсатор, ных свойств материала сердечника. С ер­
то вы поймете и что такое индуктивность дечник может быть изготовлен в виде
(рис. 1.44). С равним индуктивность и бруска, тора или может иметь какую -ни­
конденсатор между собой; в индуктивно­ будь более причудливую форму, напри­
сти скорость изменения тока зависит от мер «горшка» (описать его словами не
приложенного напряжения, а в конден­ так-то просто: представьте себе форму для
саторе скорость изменения напряжения выпечки пончиков, которая разнимает­
зависит от протекающего тока. Уравне­ ся пополам).
ние индуктивности имеет следующий вид: И ндуктивности находят наибольш ее
U= L(dl/dt), применение в радиочастотных схемах, где
они используются в качестве радиочастот­
где L — индуктивность в генри (или мГн, ных дросселей, и в резонансных схемах
мкГн и т.д.). Напряжение, приложенное (см. гл. 13). Пара связанных индуктив­
к индуктивности, вызывает нарастание ностей образует такой интересный эле­
протекающего через нее тока, причем из­ мент, как трансформатор. О нем мы по­
менение тока происходит по линейному говорим в следующем разделе.
закону (если пропустить ток через кон­ По сути дела индуктивность — это про­
денсатор, то это приведет к нарастанию тивоположность конденсатора. Последу­
напряжения на нем, причем изменение ющие разделы этой главы, в которых вво­
напряжения будет происходить по линей­ дится такое важное понятие, как полное
ному закону); напряжение величиной 1 В, сопротивление, или импенданс, покажут
приложенное к индуктивности 1 Гн, при­ вам, в чем эта противоположность прояв­
водит к нарастанию тока через индуктив­ ляется.
ность со скоростью 1 А в 1 с.
1.17. Трансформаторы

Трансформатор — это устройство, состоя­


Рис. 1.44. Индуктивность. щее из двух связанных катушек индуктив-
36 Глава 1

форматоры, используемые обычно в элек­

Ж
Рис. 1.45. Трансформатор.
тронных приборах, обеспечивают диапазон
вторичного напряжения от 10 до 50 В,
диапазон тока — от 0,1 до 5 А.
П р о м ы ш л ен н о сть вы п уск ает такж е
ности (называемых первичной и вторич­ трансформаторы, предназначенные для
ной обмотками). Напряжение, снимаемое работы в диапазоне звуковы х частот,
со вторичной обмотки, иное по сравне­ иногда используют резонансные транс­
нию с напряжением переменного тока, ф о р м а т о р ы . И н т е р е с п р е д с т а в л я ю т
поданным на первичную обмотку, причем трансформаторы для линий передач, о
коэффициент изменения (трансформации) которых мы немного поговорим в гл. 13,
напряжения прямопропорционален отно­ в разд. 13.10. Для сердечников высоко­
шению числа витков обмоток трансфор­ частотных трансформаторов используют
матора, а коэффициент изменения тока — специальные материалы или прибегают
обратно пропорционален. Мощность со­ к специальным конструкциям для того,
храняется неизменной. На рис. 1.45 по­ чтобы уменьшить потери энергии в сер­
казано условное обозначение трансформа­ дечнике; что же касается сердечников
тора с пластинчатым сердечником (транс­ низкочастотных (т. е. силовых) тран с­
форматоры такого типа используются для форматоров, то их делают тяжелыми или
преобразования напряжения переменного круп н огабари тны м и . Т рансф орм аторы
тока с частотой 60 Гц). для высоких и низких частот, вообще го­
Трансформатор обладает весьма высо­ воря, не взаимозаменяемы.
ким коэффициентом полезного действия
(мощность на его выходе почти равна ПОЛНОЕ И РЕАКТИВНОЕ
мощности на входе); в связи с этим по­ СОПРОТИВЛЕНИЕ
вышающий трансформатор обеспечивает
рост напряжения при уменьшении тока. Замечание: Этот раздел содержит много
Немного забегая вперед, отметим, что математических выкладок; при желании их
трансформатор с отношением числа вит­ можно пропустить, но ни в коем случае
ков обмоток, равным п, изменяет пол­ не упускайте из внимания результаты.
ное сопротивление в и2 раз. Если вторич­ Схемы с конденсаторами и индуктивнос­
ная обмотка не нагружена, то в первич­ тями сложнее, чем рассмотренные ранее
ной протекает очень небольшой ток. резистивные схемы, — их работа зависит
В электронных приборах трансформато­ от частоты входного сигнала: «делитель
ры выполняют две важные функции: во- напряжения» с конденсатором или индук­
первых, они преобразуют напряжение пе­ тивностью будет обладать частотно-зави­
ременного тока сети к нужному, обычно симым коэффициентом деления. Кроме
более низкому значению, которое можно того, схемы, в состав которых входят эти
использовать в схеме, и, во-вторых, они компоненты (их, кстати, относят к клас­
«изолируют» электронную схему от непос­ су пассивных), искажают такие входные
редственного контакта с силовой сетью, сигналы, как, например, прямоугольные
так как обмотки трансформатора электри­ колебания - в этом мы только что убеди­
чески изолированы одна от другой. Вы­ лись.
пускаемые промы ш ленностью силовые Однако и конденсаторы, и индуктивно­
трансформаторы (предназначенные для сти являются линейными элементами. Это
работы с напряжением силовых сетей, рав­ означает, что амплитуда выходного сиг­
ным 110, 127 или 220 В) обеспечивают нала, независимо от его формы, строго
разнообразные значения вторичных напря­ пропорц и ональн а амплитуде входного
жений и токов: диапазон напряж ений сигнала. Линейностью обусловлены мно­
включает значения от 1 В до нескольких гие закономерности поведения схем, и
тысяч вольт, диапазон тока — от несколь­ важнейшая состоит в следующем: если на
ких миллиампер до сотен ампер. Транс­ вход линейной схемы подан синусоидальный
Основы электроники 37

Звуковые
Ультразвук. частоты Ультразвук.
частоты Частота (лог. масштаб) частоты

Рис. 1.46. Пример частотного анализа: выравнивание для громкоговорителя.

сигнал с частотой f то на выходе будет частоте было постоянной величиной в ди­


получен также синусоидальный сигнал с апазоне звуковых частот. В этом случае
такой же частотой, но, возможно, с дру­ недостатки репродуктора можно скомпен­
гой амплитудой и фазой. сировать за счет пассивного фильтра с
Помня об этом замечательном свойстве инверсной АЧХ (как показано на графи­
при анализе схем, содержащих резисто­ ке), включенного в усилитель радиопри­
ры, конденсаторы и индуктивности, вы емника.
всегда должны ответить на вопрос: как К ак мы увидим в дальнейшем, можно
зависит выходное напряжение /его амп­ обобщить закон Ома, заменив понятие
литуда и фаза) от входного напряжения в «сопротивление» понятием «полное со­
виде синусоидального сигнала определенной противление», или «импеданс», тогда он
частоты. Этот вопрос важен и тогда, ког­ будет справедлив для лю бой схемы, в со­
да схема предназначена для другого ре­ став которой входят линейные пассивные
жима работы. График результирующей элементы (резисторы, конденсаторы, ин­
амплитудно-частотной характеристики, дуктивности). Итак, понятия «импеданс»
отражающей отношение выходного сиг­ и «реактивное сопротивление» делают за­
нала к входному для каждого значения кон Ома справедливым для схем, содер­
частоты синусоиды, полезен при анализе жащих конденсаторы и индуктивности.
работы схемы со многими видами сигна­ Уточним терминологию. Импеданс —это
лов. Амплитудно-частотная характеристи­ обобщ енное или полное сопротивление,
ка (АЧХ), представленная на рис. 1.46, индуктивности и конденсаторы облада­
может принадлежать, например, репро­ ют реактивным сопротивлением (можно
дуктору какого-нибудь «говорящего ящ и­ сказать, что они реагируют на воздей­
ка». Под выходным сигналом в данном ствие); резисторы обладают сопротивле­
случае понимается звуковое давление, а нием (по аналогии они оказывают сопро­
не н ап р яж е н и е. Ж е л а тел ь н о , чтобы тивление воздействию). Иными словами,
АЧХ репродуктора была «плоской», т.е. импеданс = сопротивление + реактивное
чтобы отношение звукового давления к сопротивление (более подробно погово­
38 Глава 1

рим об этом п озж е). О дн ако м ож но


встретить, например, такое выражение:
«импеданс конденсатора на данной час­
тоте составляет...». Дело в том, что в им­
педанс входит реактивное сопротивление,
и поэтому не обязательно говорить «реак­
тивное сопротивление конденсатора»,
можно сказать и «импеданс конденсато­
ра». На самом деле слово «импеданс» ча­
сто употребляют и тогда, когда известно,
что речь идет о сопротивлении; например,
говорят «импеданс источника» или «вы­
ходной импеданс», имея в виду эквива­ (Напомним, что со = 2nf.) Конденсатор
лентное сопротивление некоторого источ­ ведет себя как резистор, сопротивление
ника. То же самое относится и к «вход­ которого зависит от частоты и определя­
ному импедансу». ется выражением R = 1/со С, и, кроме того,
В дальнейшем речь пойдет о схемах, для ток, протекаю щ ий через конденсатор,
питания которых используется синусои­ сдвинут по фазе на 90° относительно на­
дальный сигнал с определенной частотой. пряжения (рис. 1.48). Н апример, через
Анализ схем, работающих с сигналами конденсатор емкостью 1 мкФ, подклю­
другой формы, требует большей тщатель­ ченный к силовой сети с напряжением
ности и предполагает использование уже 110 В (эффективное значение) и часто­
известных нам методов (например, мето­ той 60 Гц, будет протекать ток, эффек­
да дифференциальных уравнений или ме­ тивная амплитуда которого определяется
тода преобразования Фурье, при котором следующим образом: I = 110/ [ 1/ ( 2я ■60 х
сигнал представляют в виде ряда синусо­ х 10~6)] = 41,5 мА (эффективное значе­
ид). На практике эти методы редко ис­ ние).
пользуются. Замечание: сейчас нам необходимо вос­
пользоваться комплексными переменны­
1.18. Частотный анализ реактивных схем ми; при желании вы можете пропустить
математические выкладки, приводимые в
Для начала рассмотрим конденсатор, на последующих разделах, и принять на веру
который подается синусоидальное напря­ полученные результаты (они выделены в
жение источника питания (рис. 1.47). Ток тексте). Не думайте, что подробные ал­
в схеме определяется следующим образом: гебраические преобразования, приводи­
/(/) = С (dU/dt) — С о Ut)cos at. мые в этих разделах, необходимы для
понимания всего остального материала
Из этого уравнения следует, что ток книги. Это не так — глубокое знание ма­
имеет амплитуду / и опережает входное тематики похвально, но совсем не обяза­
напряжение по фазе на 90°. Если не при­ тельно. С ледую щ ий раздел, пож алуй,
нимать во внимание соотношение фаз, то наиболее труден для тех, у кого нет дос­
/ = U/(l/a>C). таточной математической подготовки.
Но пусть это вас не огорчает.
Определение напряжения и тока с помо­
т щью комплексных чисел. Только что вы
убедились в том, что в цепи переменного
тока, работающей с синусоидальным сиг­
налом некоторой частоты, возможен сдвиг
по фазе между напряжением и током. Тем
не менее если схема содерж ит только
линейные элементы (резисторы, конден­
саторы, индуктивности), то амплитуда
Основы электроники 39

токов на всех участках схемы пропорцио­ сной переменной символа /, с тем что­
нальна амплитуде питающего напряже­ бы избежать путаницы с током, который
ния. В связи с этим можно попытаться также обозначают символом i ). Итак, в
найти некоторые общие выражения тока, общем случае действующие напряжения
напряжения и сопротивления и обобщить и токи определяются следующим обра­
тем самым закон Ома. Очевидно, что, для зом:
того чтобы определить ток в какой-либо
U(t) = Re (Ue^O = Re (U) cos соt —
точке схемы, недостаточно задать одно — Im(U) sin cot ,
значение — дело в том, что ток характе­
ризуется как амплитудой, так и сдвигом / (t) = Re (le p>) = Re (I) cos a t -
фазы. — Im (I) sin cot.
Конечно, можно определять амплитуды
и фазовые сдвиги напряжений и токов Например, комплексному напряжению
явно, например U(t) = 23,7sin(377?+ 0,38), U = 5j соответствует реальное напряже­
но оказывается, что проще это делать с ние
помощью ком плексны х чисел. Вместо U(t) = Re[5y cos со/ + 5//)sin со/] = 5 sin со/В
того чтобы тратить время и силы на сло­
жение и вычитание синусоидальных фун­ Реактивное сопротивление коцценсаторов
кций, можно легко и просто складывать и индуктивностей. Принятое соглашение
и вычитать комплексные числа. Так как позволяет применять закон Ома для схем,
действующие значения напряжения и тока содержащих как резисторы , так и ко н ­
представляют собой реальные количе­ денсаторы , и индуктивности. О преде­
ственные величины, изменяю щ иеся во лим реактивное сопротивление конден­
времени, следует вывести правило для сатора и индуктивности. Нам известно,
перевода реальных количественных вели­
что U(t) = R e(t/0e '“')- Так как в случае
чин в комплексное представление и на­ кон ден сатора справедливо выраж ение
оборот. Напомним еще раз, что мы име­ / = C(dU/dt) получим
ем дело с частотой синусоидального ко­
лебания со, и сформулируем следующие I(t) = —U0C(o sin со/ =
правила: = Re[ U0eM'/{-j/(aC)] = Rt(U0e ^ /X c)
1. Напряжение и ток представляются т. e. для конденсатора
комплексными величинами U и I. Н апря­
жение U 0 cos (cot + ф) представляется * c = -j/mC,
комплексным числом U0eJv. Напомним, Xc - это реактивное сопротивление кон­
что e fi = c o s0 + j sin 9, где j = V -l . денсатора на частоте со. Конденсатор ем­
2. Для того чтобы получить выражение костью 1 мкФ, например, имеет реактив­
для действующего напряж ения и тока, ное сопротивление — 2653/ Ом на частоте
нужно умножить соответствующие комп­ 60 Гц и —0,16/ Ом на частоте 1 МГц. Для
лексные представления на е*°' и выделить постоянного тока реактивное сопротивле­
действительную часть. Это записывается ние равно бесконечности.
следующим образом: U(t) = R e (U e 'ffl'), Аналогичные рассуждения для индук­
I(t) = Re(Ie>')- Иначе говоря, тивности дают следующий результат:
XL—jaL .
Напряжение в Комплексное
схеме как функция представление Схема, содержащая только конденсаторы
времени ------------------------►U„e = а + jb и индуктивности, всегда обладает мнимым
U (|c o s (со/ + <р) 4
умножить на е импедансом; это значит, что напряжение
и взять действи­ и ток всегда сдвинуты по фазе друг отно­
тельную часть сительно друга на 90° — схема абсолютно
реактивна. Если в схеме присутствуют
(В электронике символ j используется резисторы, то импеданс имеет и действи­
вместо принятого в алгебре для комплек­ тельную часть. Под реактивным сопро-
40 Глава 1

тивлением подразумевается при этом толь­ цепями постоянного тока, вытекает, что
ко мнимая часть импеданса. ток (комплексный) в последовательной
Обобщенный закон Ома. Соглашения, цепи всюду одинаков.
принятые для представления напряжений
и токов, позволяют записать закон Ома в Упражнение 1.16. Используя формулы для импеданса
следующей простой форме: параллельного и последовательного соединения эле­
ментов, выведите формулы (разд. 1.12) для емкости
I = U/Z, и = IZ, двух конденсаторов, соединенных (а) параллельно, (б)
последовательно. Подсказка: допустим, что в каждом
означающей, что напряжение U, прило­ случае конденсаторы имеют емкость С, и С2. Запиши­
женное к схеме с импедансом Z, порож­ те выражение для импеданса параллельно и последо­
дает ток I. Импеданс последовательно и вательно соединенных элементов и приравняйте его
импедансу конденсатора с емкостью С. Найдите С.
параллельно соединенных элементов оп­
ределяется по тем же правилам, что и со­ Попробуем воспользоваться реком ен ­
противление последовательно и парал­ дованным методом для анализа простей­
лельно соединенных резисторов: шей цепи переменного тока, которая со­
Z = Z, + Z2 + Z3 + ... стоит из конденсатора, к которому п ри ­
лож ено напряж ение перм енного тока.
(для последовательного соединения), После этого кратко остановимся на воп­
Z = --------------- ---------------- росе о мощ ности в реактивных схемах
1 /Z , + 1 / Z 2 + I / Z 3 + ... (это будет последний кирпич в фунда­
менте наших знаний) и рассмотрим про­
(для параллельного соединения).
стую , но очен ь п олезную схему R C -
И в заключение приведем формулы для фильтра.
определения импеданса резисторов, кон­ Представим себе, что к силовой сети с
денсаторов и индуктивностей: напряжением 110 В (эффективное зна­
чение) и частотой 60 Гц подключен кон­
1 = R (резистор),
денсатор емкостью 1 мкФ . К акой ток
протекает при этом через конденсатор?
Ъс = —у/м С (конденсатор),
Воспользуемся обобщенным законом Ома:
ZL =j(oL (индуктивность). Z = —у/шС. Следовательно, ток можно
определить следующим образом: I = U/Z.
Полученные зависимости позволяют ана­ Ф аза напряжения произвольна, допустим
лизировать любые схемы переменного тока U = А, т. е. U (() = A cos со/, где амплитуда
с помощью методов, принятых для схем А = 110V2 - 156 В, тогда I = j& C A -
постоянного тока, а именно с помощью — 0,059 sin со/. Искомый ток имеет ампли­
закона Ома и формул для последователь­ туду 59 мА (эффективное значение состав­
ного и параллельного соединения элемен­ ляет 41,5 мА) и опережает напряжение по
тов. Результаты, которые мы получили фазе на 90°. Результат соответствует по­
при анализе таких схем, как, например, лученным ранее выводам. Отметим, что
делитель напряжения, сохраняют почти если бы нас интересовала только ампли­
такой же вид. Так же как и для схем по­ туда тока, то можно было бы не прибе­
стоянного тока, для сложных разветвлен­ гать к комплексным числам: если А = В/С,
ных схем переменного тока справедливы то А = В / С, где А, В, С — амплитуды
законы Кирхгофа; отличие состоит в том, комплексных чисел. То же самое спра­
что вместо токов / и напряжений U здесь ведливо и для произведения (см. упраж­
следует использовать их ком плексны е нение 1.17). Для нашего случая
представления: сумма падений напряже­
1= U/Z = соCU.
ния (комплексного) в замкнутом конту­
ре равна нулю; сумма токов (комплекс­ Иногда этот прием очень полезен.
ных), втекающих в узел, равна сумме то­ Как ни странно, конденсатор в нашем
ков (комплексных), вытекающих из него. примере мощ ность не рассеивает. Его
Из последнего правила, как и в случае с подключение к сети не приводит к увели-
Основы электроники 41

тегралами от тригонометрических функ­


ций, то следующее упражнение поможет
вам доказать это свойство.
Упражнение 1.18. (дополнительное). Докажите, что
схема в среднем за полный период не потребляет мощ­
ности, если протекающий через нее ток сдвинут по
фазе относительно питающего напряжения на 90°.
Как определить среднюю потребляемую
м о щ н о сть для п р о и зв о л ь н о й схемы ?
В общем случае можно просуммировать
произведения UI и разделить сумму на дли­
Рис. 1.49. При использовании синусоидального
тельность истекшего интервала времени.
сигнала ток через конденсатор опережает напряже­ Иными словами.
ние по фазе на 90°. 1т
P = j \U (t)I{t)dt.
чению показаний счетчика электроэнер­ о
гии. Разгадку этой «тайны» вы узнаете, где Т — полный период времени. П рак­
прочитав следующий раздел. А затем мы тически так мощность почти никогда не
продолжим анализ схем, содержащих ре­ определяют. Нетрудно доказать, что сред­
зисторы и конденсаторы , с помощ ью няя мощность определяется следующим
обобщенного закона Ома. выражением:
Упражнение 1.17. Докажите, что если А = ВС, то Р = Re(U*I) = Re(UI*),
А = ВС, где А, В, С — амплитуды комплексных чи­
сел. Подсказка: представьте каждое комплексное где U и I — эффективные комплексные
число в форме А = Аё'. значения напряжения и тока.
Рассмотрим пример. Допустим, что в
Мощность в реактивных схемах. М гно­
предыдущей схеме конденсатор питается
венное значение мощности, потребляемой
синусоидальным напряжением, эф ф ек­
любым элементом схемы, определяется
тивное значение которого равно 1 В. Для
произведением Р = UL. Однако в реак­
простоты будем выполнять все преобра­
тивных схемах, где напряжение U и ток
зования с эфф ективны м и значениями.
/ связаны между собой не простой про­
Итак: U = 1, I = U/(//coQ, Р = Re [UP*] =
порциональной зависимостью, просто пе­
= Re (ушС) = 0. Мы получили, что средняя
ремножить их нельзя. Дело в том, что мо­
мощ ность, к ак и утверждалось, равна
гут возникать странные явления, напри­
нулю.
мер, знак произведения может изменяться
А теперь рассмотрим схему, показанную
в течение одного периода сигнала пере­
на рис. 1.50. Выполним ряд преобразо­
менного тока. Такой пример показан на
ваний:
рис. 1.49. На интервалах А и С на кон­
денсатор поступает некоторая мощность Z = R -j/m C ,
(правда, скорость ее изменения перемен­ U = u0,
на), и благодаря этому он заряжается: на­
капливаемая конденсатором энергия уве­ I = U /Z = UJ[R - (//<оС)] = ЩЯ +
личивается (мощность —это скорость из­ + U/nQVIR 2+ 0Ло2с 2)],
менения энергии). На интервалах В и D Р = Re(UI*) = U02R /[R 2 + (1/ю2С 2)].
потребляемая мощность имеет отрицатель­
ный зн ак - конденсатор разряж ается.
Средняя мощность за период для нашего
примера равна нулю; этим свойством об­
ладают все реактивные элементы (индук­
тивности, конденсаторы и всевозможные
их комбинации). Если вы знакомы с ин­ Рис. 1.50.
42 Глава 1

В третьей строке преобразований при оп­


ределении тока I мы умножили числитель
и знаменатель на комплексное число, со­
пряженное знаменателю, для того чтобы
получить в знаменателе действительное
число. Полученная величина меньше, чем
произведение амплитуд U и I; ее отноше­
ние к этому произведению называют ко­
эффициентом мощности:
|U| |I| = U //[R i + (1/со2С2)]1''2,
Рис. 1.51. Обобщенная схема делителя напряже­
ко эф ф и ци ен т мощность ния: пара электрических цепей с произвольным им­
МОЩНОСТИ — | у || I | — педансом.

R к последовательной RL-цепи делает коэффициент


мощности этой цепи равным единице. Затем рас­
[R2+(l / ® С 2)]'/2 смотрите параллельную цепь и параллельно под­
ключенный конденсатор.

Коэффициент мощности — это косинус Делители напряжения: обобщение. Про­


угла, определяющего сдвиг фаз напряже­ стейший делитель напряжения (рис. 1.5)
ния и тока, он лежит в диапазоне от 0 (для состоит из пары последовательно соеди­
реактивной схемы) до 1 (для резистив­ ненных резисторов. Входное напряжение
ной схемы). Если коэффициент мощ но­ измеряется в верхней точке относительно
сти меньше 1, то это значит, что в схеме земли, а выходное — в точке соединения
присутствует реактивный элемент. резисторов относительно земли. От про­
стейшего резистивного делителя перейдем
Упражнение 1.19. Докажите, что вся средняя мощ­ к более общей схеме делителя, если один
ность предыдущей схемы рассеивается на резисторе.
Для того чтобы решить эту задачу, нужно определить или оба резистора заменим на конденса­
величину отношения U2rJR. Определите, чему будет тор или индуктивность, как на рис. 1.51
равна эта мощность в ваттах, если цепь, состоящая из (в более сложной схеме присутствуют и
последовательно соединенных конденсатора емкостью R, и L, и Q . Вообще говоря, в таком
1 мкФ и резистора сопротивлением 1 кОм, подключе­
на к силовой сети с эффективным напряжением
делителе отношение Utm /U m не является
110 В (частота 60 Гц). постоянной величиной, а зависит от час­
тоты. Анализ схемы выполняется без вся­
Коэффициент мощности играет немало­ ких хитроумных приемов:
важную роль в распределении больших мощ­
ностей, так как реактивные токи не пере­ J — и вх/г„ ол„,
дают нагрузке никакой полезной мощнос­ 2 полн= Z l + Z 2>

ти, зато вызывают нагрев в сопротивлениях


проводов генераторов и трансформаторов UB= z 2 = U X[Z2/(Z, + z 2).
(температура нагрева пропорциональна PR). Не будем сосредоточивать внимание на
Бытовые потребители электроэнергии пла­ полученном результате, рассмотрим луч­
тят только за «действительную» потребляе­ ше некоторые простые, но очень важные
мую мощность [Re(UI*)], а промышленные примеры.
потребители — с учетом коэф ф ициента
мощности. Вот почему большие предпри­ 1.19. ^С-фильтры
ятия для погашения влияния индуктивных
реактивных сопротивлений производствен­ Благодаря тому что импеданс конденса­
ного оборудования (моторов) сооружают тора, равный Z c = —j / a С, зависит от час­
специальные конденсаторные блоки. тоты, с помощью конденсаторов и рези­
Упражнение 1.20. Покажите, что последователь­ сторов можно строить частотно-зависимые
ное подключение конденсатора емкостью С = l/o 2L делители напряжения, которые будут про-
Основы электроники 43

О
U

I
Рис. 1.52. Фильтр высоких частот.
ТI
пускать только сигналы нужной частоты, Рис. 1.55. Частотная характеристика фильтра
а все остальные подавлять. В этом раз­ высоких частот.
деле вы познакомитесь с примерами про­
стейших ЛС-фильтров, к которым мы бу­ И так, если не принимать во внимание
дем неоднократно обращаться в дальней­ сдвиг фаз, а рассматривать только м о­
шем. В гл. 5 и приложении 3 описаны дули комплексных амплитуд, то «отклик»
более сложные фильтры. схемы будет определяться следующим
Фильтры высоких частот. На рис. 1.52 образом:
показан делитель напряжения, состоящий
из конденсатора и резистора. Согласно и*ш= £/хд а 2 + ( 1/о>2с 2) р =
закону Ома для комплексных величин, = Um 2 n fR C /\\ + Q n f R C y y * .

j _ __ _____ t / BX____ _ UBx \R + ( j / &С ) ] График этой зависимости представлен


Z„„m R-(j/<£>C) R 2 + l/c o 2C 2 на рис. 1.55. Такой же результат мы бы
получили, если бы определили отноше­
(Окончательный результат получен пос­ ние модулей импедансов как в упражне­
ле умножения числителя и знаменателя на нии 1.17 и в примере перед этим упраж­
комплексное число, сопряженное знаме­ нением; числитель представляет собой
нателю.) Итак, напряжение на резисторе модуль импеданса нижнего плеча делите­
R равно ля R, а знаменатель - модуль импеданса
¥Т ту _ | п _ U qx + U /o)C)]R последовательного соединения R и С.
* R2+ l/a 2C2 К ак вы видите, на высоких частотах
Чаше всего нас интересует не фаза, а выходное напряж ение приблизительно
амплитуда 1/вых: равно входному (со > 1/R C ), а на низких
частотах выходное напряжение уменьша­
Uвых = (U
v вых
U*в ы х)'/2
'
= ется до нуля. Мы пришли к важному ре­
UBXR /[R 2 + (1/ш2С 2)]'/2. зультату, запомните его. Подобная схе­
ма, по понятным причинам, называется
Сравните полученный результат с вы­ фильтром высоких частот. На практике
ражением для резистивного делителя: ее используют очень широко. Например,
Uвых = Uвх R,/(R,
К ' I
+ R,). в осциллографе предусмотрена возмож­
ность связи по переменному току между
Векторное представление импеданса исследуемой схемой и входом осцилло­
ЯС-цепи (рис. 1.53) показано на рис. 1.54. графа. Эта связь обеспечивается с помо­
щью фильтра высоких частот, имеющего
JZ перегиб характеристики в области 10 Гц
(связь по переменному току используют
для того, чтобы рассмотреть небольшой
сигнал на фоне большого напряж ения
п о сто ян н о го тока). И н ж ен еры ч асто
Zmll =R-j/aC пользуются понятием «точки излома» —
|^ ™ | = > г + (1/® гс г) 3 дБ для фильтра (или любой другой схе­
0 - arctg [(-1/(bQ/R] мы, которая ведет себя как фильтр)!
Рис. 1.53. Рис. 1.54. В случае простого /?С-фильтра высоких
44 Глава 1

0,01 мкФ
— II—
V
f 1,0 кОм

I
Рис. 1.57.
100Гц 1кГц ЮкГц 100кГц 1МГц 10МГц 100МГЦ Рис. 1.58. Фильтр низких частот.
Частота

чтобы все нужные частоты (в данном слу­


чае 20 Гц—20 кГц) поступали на вход без
потерь (без деления на входе).
Часто, например при конструировании
фильтров, возникает необходимость оп­
ределить импеданс конденсатора на не­
которой частоте. На рис. 1.56 представ­
лен очень полезный график, охватываю­
щий большой диапазон емкостей и частот
для зависимости |Z| = 1/2л//С.
В качестве примера рассмотрим фильтр,
показанный на рис. 1.57. Это фильтр вы­
соких частот с точкой перегиба 3 дБ на
частоте 15,9 кГц. Импеданс нагрузки, под­
б Частота ключаемой к фильтру, должен быть зна­
чительно больше 1 кОм, иначе нагрузка
Рис. 1.56. а — Изменение реактивного сопротивле­ будет искаж ать выходное напряж ение
ния индуктивностей и конденсаторов в зависимости фильтра. Источник сигнала должен обес­
от частоты. Все декады одинаковы и отличаются печивать возможность подключения нагруз­
лишь масштабом, б — Увеличенное изображение
одной декады из графика А, график построен для ки 1 кОм без значительной аттенюации
стандартных компонентов, имеющих точность 20%. (потери амплитуды сигнала), иначе фильтр
будет искажать выход источника сигнала.
частот точка излома - 3 дБ определяется Фильтры низких частот. Если поменять
выражением: местами R и С (рис. 1.58), то фильтр
будет вести себя противоположным обра­
/ 3дБ = 1/2nRC.
зом в отношении частоты. Можно пока­
Обратите внимание, что конденсатор не зать, что и шх = [ 1/ ( 1+а>2Л 2С 2)'/2]£/вх.
пропускает ток (f= 0). Самый распрост­ График этой зависимости представлен на
раненный пример использования конден­ рис. 1.59. Такой фильтр называют фильт­
сатора - это использование его в каче­ ром низких частот. Точка — 3 дБ на ха­
стве блокирующего конденсатора постоян­ рактеристике фильтра находится на час-
ного тока. Если возникает необходимость
обеспечить связь между усилителями, то
почти всегда прибегают к помощи кон ­
денсатора. Например, у любого усили­ =5
теля звуковой частоты высокого класса
все входы имеют емкостную связь, так
как заранее не известно, какой уровень
постоянного тока будут иметь входные
сигналы. Для обеспечения связи необ­ Рис. 1.59. Частотная характеристика фильтра
ходимо подобрать R и С таким образом, низких частот.
Основы электроники 45

тоте / = \/2 tzRC. Фильтры низких частот


находят очень широкое применение. На­
пример, их используют для устранения вли­
яния близлежащих радио- и телевизион­
ных станций (550 кГц—800 МГц), на ра­
боту усилителей звуковых частот и других
чувствительных электронных приборов.
Упражнение 1.21. Докажите справедливость вы-
ражения для выходного напряжения фильтра низ­
ких частот.

Выход фильтра низких частот можно


рассматривать в качестве самостоятель­
ного источника сигналов. При исполь­
зовании идеального источника напряже­
ния переменного тока (с нулевым импе­
д ан со м ) ф и л ьтр со сто р о н ы вы хода
низких частот имеет сопротивление R
(при расчетах полных сопротивлений иде­
альный источник сигналов можно заме­
нить коротким замыканием, т.е. его ну­
левым импедансом для малого сигнала).
В выходном импедансе фильтра преоб­ Рис. 1.60. Фазочастотная и амплитудно-частотная
характеристики фильтра низких частот, изображен­
ладает ем костная составляю щ ая, и на
ные в логарифмическом масштабе. В точке 3 дБ
высоких частотах он становится равным фазовый сдвиг составляет 45° и в пределах декады
нулю. Д ля входного си гн ал а ф и льтр изменения частоты лежит в пределах 6” от асимпто­
представляет собой нагрузку, состоящую тического значения.
на низких частотах из сопротивления R и
вырождается в прямую линию с накло­
сопротивления нагрузки, а на высоких ча­
ном — 20 дБ/декада (инженеры предпо­
стотах - нагрузку, равную просто сопро­
читают выражение - 6 дБ/октава»), От­
тивлению R.
метим также, что фазовый сдвиг плавно
На рис. 1.60 изображена также частот­
изменяется от 0° (на частотах ниже точки
ная характеристика фильтра низких час­
перегиба) до 90° (на частотах существен­
тот, но в более общепринятом виде —для
но выше точки перегиба), а в точке —
вертикальной и горизонтальной осей ис­
3 дБ составляет 45°. Практическое пра­
пользован логариф м ический масштаб.
вило для односекционных ЛС-фильтров
Можно считать, что по вертикальной оси
говорит о том, что фазовый сдвиг состав­
откладываются децибелы, а по горизон­
ляет = 6° от асимптот в точках 0, 1/J Б и
тальной - октавы (или декады). На та­
ком графике равные расстояния соответ­ Ю /з д Б -

ствуют равным отнош ениям величин. Упражнение 1.22. Докажите последнее утвержде­
В виде графика изображен также фазо­ ние.
вый сдвиг, при этом для вертикальной оси Возникает интересный вопрос: можно
(градусы) использован линейный масш­ ли сделать фильтр с какой-либо другой
таб, а для оси частот - логарифмический. заданной амплитудной характеристикой и
Такой график удобен для анализа частот­ какой-либо другой заданной фазовой ха­
ной характеристики даже в случае значи­ рактеристикой. Пусть вас это не удивля­
тельной аттенюации (справа); целый ряд ет, но ответить можно только отрицатель­
таких графиков представлен в гл. 5, по­ но — нельзя. Фазовая и амплитудная ха­
священной изучению активных фильтров. р а к т е р и с т и к и д л я всех в о зм о ж н ы х
Отметим, что при значительной аттенюа­ фильтров подчиняются законам причин­
ции изображенная на графике кривая ной связи (т. е. характеристика является
46 Глава 1

следствием определенных свойств, но не рекомендации являются ферритовые бу­


их причиной). сины (маленькие торроидальные сердеч­
Частотные характеристики дифференци­ ники) и дроссели в высокочастотных схе­
рующих и интегрирующих ЛС-цепей. Схе­ мах. Н есколько бусин нанизы ваю т на
ма дифференцирующей ЛС-цепи, кото­ провод, благодаря этому соединение, вы­
рую мы рассмотрели в разд. 1.14, имеет полненное с помощью провода, становит­
такой же вид, как и схема фильтра высо­ ся в некоторой степени индуктивным;
ких частот, приведенная в настоящем раз­ импеданс на высоких частотах увеличи­
деле. Чем же считать такую схему, зави­ вается и предотвращает «колебания» в схе­
сит от того, что вас больше интересует: ме, при этом в отличие от ЛС-фильтра
преобразование сигналов во времени или активное сопротивление схемы не увели­
частотная характеристика. Полученное чивается. Радиочастотный дроссель — это
ранее временное условие правильной ра­ катушка, состоящая из нескольких вит­
боты схемы ( Uam « Um) можно сформу­ ков провода и ферритового сердечника
лировать иначе, применительно к частот­ и используемая с той же целью в радио­
ной характеристике: для того чтобы вы­ частотных схемах.
х о д н о й с и г н а л бы л н е б о л ь ш и м по
сравнению с входным, частота должна 1.20. Векторные диаграммы
быть значительно ниже, чем в точке —
3 дБ. В этом легко убедиться. Д опус­ Для анализа реактивных схем очень удо­
тим, что входной сигнал равен £/х = бен один графический метод. В качестве
sin соt. Воспользуемся уравнением, кото­ п р и м е р а р а с с м о т р и м то т ф а к т , что
рое мы получили ранее для выхода диф ­ /?С-фильтр на ч а с т о т е /= 1/2nRC обеспе­
ференциатора: чивает ослабление на 3 дБ. Этот резуль­
тат мы получили в разд. 1.19. Он спра­
U = RC ~ -й п tat = mRC cos (at. ведлив как для фильтров высоких частот,
dt так и для фильтров низких частот. На
первый взгляд этот факт может показать­
Отсюда г/вых Um, если co/?C « 1, т. е. ся странным, так как на этой частоте ре­
RC < 1/ю. Если входной сигнал содер­ активное сопротивление конденсатора
жит некоторый диапазон частот, то усло­ равно сопротивлению резистора и можно
вие должно выполняться для самых высо­ предположить, что ослабление должно
ких частот входного диапазона. составлять 6 дБ. К такому же результату
Схема интегрирующей ЛС-цепи (разд. вы придете, если замените конденсатор
1.15) имеет такой же вид, как и схема резистором с таким же, как у конденса­
фильтра низких частот: аналогично в хо­ тора, импедансом (напомним, что ослаб­
рошем интеграторе самые низкие часто­ ление 6 дБ означает уменьшение напря­
ты входного сигнала должны существен­ жения вдвое). Дело в том, что нужно учи­
но превышать частоту в точке — ЗдБ. тывать реактивность конденсатора, и в
Индуктивности и конденсаторы. И н ­ этом как раз может помочь векторная диа­
дуктивности, также как и конденсаторы, грамма (рис. 1.61). Вдоль осей отклады­
в сочетании с резисторами образуют схе­ ваются действительная (активная или ре­
мы фильтров низких (или высоких) час­ зистивная) и мнимая (реактивная или
тот. Однако на практике Л 1-фильтры
низких и высоких частот встречаются ред­
L.
ко. Это связано с тем, что индуктивнос­ R R R
ти более громоздки и дороги, а работают \4 5
хуже, чем конденсаторы (их характерис­ -j/mC ------ 2R -----
тики более существенно отличаются от
идеальных). Если есть возможность вы­
бора, то предпочтение лучше отдать кон­ а б
денсатору. Исключением из этой общей Рис. 1.61.
Основы электроники 47

емкостная) компоненты импеданса. На 1.21. «Полюсы» и наклон


такой же плоскости можно изображать в пределах октавы
напряжение (комплексное) в последова­
тельных цепях подобного типа, так как ток Ещ е раз рассм отри м характери сти ку
в такой цепи во всех точках одинаков. ЛС-фильтра низких частот (рис. 1.59).
Итак, в нашей схеме (будем рассматри­ Вправо от точки перегиба графика выход­
вать ее в качестве RC-делителя напряже­ ная амплитуда убывает пропорционально
ния) входное напряжение (приложенное 1 // В пределах одной октавы (одна окта­
к последовательному соединению резис­ ва, как в музыке, соответствует измене­
тора R и конденсатора С) пропорцио­ нию частоты вдвое) выходная амплитуда
нально длине гипотенузы, а выходное на­ уменьшается вдвое, т.е. ослабление сос­
пряжение (снимаемое с резистора R) — тавляет — 6 дБ; следовательно, простой
длине стороны R треугольника. Диаграм­ Л С -фильтр обеспечивает ослабление
ма соответствует такой частоте, при ко­ 6 д Б /о к тав у . М ож но кон струи ровать
торой модуль реактивного сопротивления фильтры, состоящие из нескольких RC-
конденсатора равен R, т . е ./ = \/2nRC. Из секций: тогда получим значения спада
диаграммы видно, что отношение выход­ 12 д Б /о к тав а (для двух Л С -секций),
ного напряжения ко входному составляет 18 дБ/октава (для трех секций) и т.д. Так
1/V2 , т.е. - 3 дБ. обычно описывают поведение фильтра на
Угол между векторами определяет ф а­ частотах, лежащих за пределами полосы
зовый сдвиг между входным и выходным пропускания. Если фильтр состоит, на­
напряжением. Например, в точке 3 дБ пример, из трех /?С-секций, то его часто
выходная амплитуда равна входной, по­ называют «трехполюсным». (Слово «по­
деленной на V2 , а сам выходной сигнал люс» связано с методом анализа схем,
опережает входной по фазе на 45°. Гра­ который не рассматривается в этой кн и ­
фический метод дает наглядное представ­ ге. В нем используется комплексная пе­
ление о величинах амплитуд и соотноше­ редаточная функция на комплексной ча­
нии фаз в RL С-цепях. Например, с по­ стотной плоскости, которую инженеры
мощью этого метода можно определить называют 5-плоскостью.)
характеристику фильтра высоких частот, При работе с многокаскадными фильт­
которую мы уже получили раньше с по­ рами следует учитывать одну особенность.
мощью алгебраических преобразований. Каждый новый каскад существенно на­
гружает предыдущий (так как они иден­
Упражнение 1.23. Пользуясь методом векторной
диаграммы, получите характеристику /JC-фильтра тичны между собой), и это приводит к
высоких частот: тому, что результирующая характеристи­
ка не является простой совокупностью
характеристик составляющих каскадов.
Напомним, что при выводе характерис­
тики простого /?С-фильтра мы услови­
лись, что источник имеет нулевой импе­
Упражнение 1.24. На какой частоте ослабление RC- данс, а нагрузка — бесконечный. Один
фильтра низких частот будет равно 6 дБ (выходное из способов устранения влияния каска­
напряжение равно половине входного)? Чему равен дов друг на друга состоит в том, чтобы
фазовый сдвиг на этой частоте?
Упражнение 1.25. Пользуясь методом векторной диа­ каждый последующий каскад имел зна­
граммы, получите характеристику фильтра низких ча­ чительно больший импеданс, чем преды­
стот, выведенную выше алгебраическим путем. дущий. Еще эффективнее использовать в
качестве межкаскадных буферов активные
В следующей главе (разд. 2.08) приво­ схемы на транзисторах или операционных
дится интересный пример использования усилителях (ОУ), т.е. строить активные
векторной диаграммы для построения ф ильтры . Этим вопросам п освящ ены
фазосдвигающей схемы, дающей посто­ гл. 2—5.
янную амплитуду.
48 Глава 1

1.22. Резонансные схемы R


и активные фильтры

Конденсаторы, которые используются в


специальных схемах, называемых актив­
ными фильтрами, а также в сочетании с
индуктивностями, позволяют «заострять»
частотную характеристику схемы (по
сравнению с пологой характеристикой Рис. 1.64. Узкополосный режекторный /,С'-филыр
ЛС-фильтра характеристика такой схемы («ловушка»).
на некоторой частоте имеет большой рез­
кий всплеск). Подобные схемы находят н ой £ С -ц е п и на резонансной частоте
применение в устройствах, работающих f 0 = \/2n(L C )'/2 стремится к бесконечнос­
в диапазоне звуковых частот и радиочас­ ти - на характеристике при этом значе­
тот. Итак, познакомимся с 1 C -цепями нии частоты должен наблюдаться резкий
(подробному анализу этих цепей и актив­ всплеск. График такой характеристики
ных фильтров посвящены гл. 5 и прило­ представлен на рис. 1.63.
жение 3). В действительности пик характеристи­
Начнем со схемы, представленной на ки сглажен за счет потерь в индуктивнос­
рис. 1.62. На частоте/реактивное сопро­ ти и конденсаторе, однако если схема
тивление LC-контура равно сконструирована хорошо, то эти потери
1 1 1 1 соС _ 1 очень невелики. Если же хотят специаль­
Т Г - = -= - + — = — Г - — = (с о С -------- ) , но сгладить характеристику, то в схему
LC L С J (OXi включают дополнительный резистор, ухуд­
или Z LC=j/[(l/mL) —соС]. шающий добротность контура Q. Такая
схема называется параллельным резонан­
Z.C-контур в сочетании с резистором R сным Z/C-контуром или избирательной
образует делитель напряжения; в связи с схемой. Она ш ироко используется в ра­
тем, что индуктивность и конденсатор диотехнике для выделения из всего час­
противоположным образом реагируют на тотного диапазона сигналов некоторой
изменение частоты, импеданс параллель- частоты усиления (L или С могут быть пе­
ременными, и с их помощью можно на­
страивать резонансный контур на опреде­
ленную частоту). Чем выше импеданс
источника, тем острее пик характеристи­
ки; как вы вскоре убедитесь, в качестве
источника принято использовать устрой­
ство типа источника тока. Коэффициент
добротности Q позволяет оценивать харак­
теристику контура: чем больше доброт­
Рис. 1.62. Резонансная LC-схема: широкополосный ность, тем острее характеристика. Доб­
фильтр. ротность равна резонансной частоте, по­
деленной на ширину пика, определенную
по точкам — 3 дБ. Д ля параллельной
ЛХС-схемы Q = ю0RC.
Другой разновидностью L C -схем
является последовательная £С -схема
(рис. 1.64). Используя выражение для им­
педанса, можно показать, что импеданс
последовательной LC-схемы стремится к
нулю на частоте f 0 = \/2 n (L C )l/1; такая
Рис. 1.63. схема на резонансной частоте или вблизи
Основы электроники 49

рое получают путем выпрямления напря­


жения переменного тока сети (процесс
выпрямления мы рассмотрим дальше в
этой главе). Часть составляющих входно­
го напряжения, которое имело частоту
60 (50) Гц, остается и в выпрямленном
Рис. 1.65. напряжении, от них можно избавиться,
если предусмотреть шунтирование с по­
нее как бы «захватывает» сигнал и зазем­ мощью больших конденсаторов. Ш унти­
ляет его. Эта схема, так же как и преды­ рующие конденсаторы — это как раз те
дущая, применяется в основном в радио­ круглые блестящ ие элементы, которые
технике. На рис. 1.65 изображена ее ха­ можно увидеть внутри большинства элек­
рактери сти ка. Д ля п ослед овательной тронных приборов. О том, как конструи­
RLС-схемы Q = ю0L/R. ровать источники питания, мы поговорим
позже в этой главе, а затем в гл. 6 еще
Упражнение 1.26. Выведите выражение для харак­ раз вернемся к этому вопросу.
теристики (определяющей зависимость отношения
U m от частоты) схемы с последовательным Синхронизация и генерация сигналов. Если
£ С-контуром, показанной на рис. 1.64. через конденсатор протекает постоянный
ток, то при заряде конденсатора формиру­
1.23. Другие примеры использования ется линейно нарастающий сигнал. Это
конденсаторов явление используют в генераторах линей-
но-изменяющихся и пилообразных сигна­
Конденсаторы являю тся необходимым лов, в генераторах функций, схемах разверт­
компонентом не только для фильтров, ки осциллографов, в аналого-цифровых
резонансных, дифференцирующих и ин­ преобразователях и схемах задержки. Для
тегрирующих схем, но и для ряда других синхронизации используют также /?С-цепи,
немаловажных схем. Более подробно мы и на их основе строят цифровые схемы за­
поговорим об этих схемах позже, а сейчас держки (ждущие мультивибраторы). Во
просто ознакомимся с ними. многих областях электроники используют
Шунтирование. Импеданс конденсато­ конденсаторы для синхронизации и гене­
ра уменьшается с увеличением частоты. рации сигналов, и именно об этих приме­
На этом основано использование конден­ нениях конденсаторов вы более подробно
сатора в качестве шунта. Бывают такие узнаете из гл. 3, 5, 8 и 9.
случаи, что на некоторых участках схемы
должно присутствовать только напряже­ 1.24. Обобщенная теорема Тевенина об
ние постоянного или медленно меняюще­ эквивалентном преобразовании (эквива­
гося тока. Если к тому участку схемы лентном генераторе)
(обычно резистору) параллельно подклю­
чить конденсатор, то все сигналы пере­ Для схем, включающих конденсаторы и
менного тока на резисторе будут устране­ индуктивности, теорема об эквивалентном
ны. Конденсатор выбирают так, чтобы его преобразовании должна быть сформулиро­
импеданс был малым для шунтируемого вана следующим образом: всякая схема,
сигнала. В последующих главах вы встре­ имеющая два вывода и содержащая резис­
тите множество примеров шунтирования торы, конденсаторы, индуктивности и ис­
сигналов с помощью конденсатора. точники сигналов, эквивалентна цепи,
Фильтрация в источниках питания. представляющей собой последовательное
Обычно, говоря о фильтрации в источ­ соединение одного комплексного импедан­
никах питания, имеют в виду накопление са и одного источника сигнала. К ак и
энергии. Практически при фильтрации прежде, эквивалентный импеданс и источ­
п роисходит ш ун ти рован и е си гн ал ов. ник определяют по выходному напряже­
В электронных схемах обычно использу­ нию разомкнутой цепи и по току коротко­
ют напряжение постоянного тока, кото­ го замыкания.
§0 Глава 1

ДИОДЫ И ДИОДНЫЕ СХЕМЫ

1.25. Диоды

Элементы, которые мы рассматривали до


сих пор, относятся к линейным. Это зна­
чит, что удвоение приложенного сигнала
(скажем, напряжения) вызывает удвоение
отклика (скажем, тока). Этим свойством
обладают даже реактивные элементы, кон­
денсаторы и индуктивности. Рассмотрен­
ные элементы являются также пассивны­
ми, т.е. они не имеют встроенного источ­
ника энергии. И, кроме того, все эти
элементы имеют по два вывода.
Диод (рис. 1.66) представляет собой Рис. 1.67. Вольт-амперная характеристика диода.
пассивный нелинейный элемент с двумя
выводами. Вольтамперная характеристи­ прямым током через него, составляет от
ка диода показана на рис. 1.67. (Придер­ 0,5 до 0,8 В. Таким падением напряже­
живаясь принятого нами подхода, не бу­ ния можно пренебречь, и тогда диод мож­
дем объяснять физику явлений, опреде­ но рассматривать как проводник, пропус­
ляющих функционирование этого эле­ кающий ток только в одном направлении.
мента.) К другим важнейшим характеристикам,
На условном обозначении направление отличающим существующие типы диодов
стрелки диода (так обозначают анод эле­ друг от друга, относят: максимальный
мента) совпадает с направлением тока. прямой ток, емкость, ток утечки и время
Например, если через диод в направле­ восстановления обратного сопротивления
нии от анода к катоду протекает ток ве­ (см. табл. 1. 1, в которой приведены ха­
личиной 10 мА, то анод на 0,5 В более рактеристики некоторых типов диодов).
положителен, чем катод; эта разница на­ Прежде чем начинать рассматривать схе­
пряжений называется «прямым напряже­ мы, содержащие диоды, отметим два мо­
нием диода». Обратный ток для диодов мента: 1) диод не обладает сопротивлени­
общего назначения измеряется в наноам­ ем в указанном выше смысле (не подчи­
перах (обратите внимание на разный мас­ няется закону Ома); 2) схему, содержащую
штаб измерений по оси абсцисс для пря­ диоды, нельзя заменить эквивалентной.
мого и обратного тока), и его, как прави­
ло, можно не принимать во внимание до 1.26. Выпрямление
тех пор, пока напряжение на диоде не до­
стигнет значения напряжения пробоя (это Выпрямитель преобразует переменны й
напряжение называют также пиковым об­ ток в постоянный; выпрямительные схе­
ратным напряжением). Для диодов обще­ мы являются самыми простыми и наибо­
го назначения типа 1N914 напряжение про­ лее полезными в практическом отноше­
боя составляет обычно 75 В. (Как прави­ нии диодными схемами (иногда диоды
ло, на диод подают такое напряжение, даже называют вы прямителями). П ро­
которое не может вызвать пробой, ис­ стейшая выпрямительная схема показана
ключение составляет упомянутый ранее на рис. 1.68. Символ «Перем.» исполь­
зенеровский диод.) Чаще всего падение зуется для обозначения источника пере­
напряж ения на диоде, обусловленное менного напряжения; в электронных схе­
мах он обычно используется с трансфор­
Анод Катод матором, питающимся от силовой линии
переменного тока. Для синусоидального
Рис. 1.66. Д и о д . входного напряжения, значительно пре-
Диоды
Средние значения за Время восста­
неограниченный новления
интервал времени Пиковые значения обратного
сопротивле­
4*<макс> t/^ , В '„р.»’ мА и п р я м,' В Лр.»’ А ния, не Емкость Класс Примеча
макс.), Ва> мкА (10 В), пФ
45 1 пА при 20 В 0,8 5 - - - 0,8 Самый малый ток /rfip Siliconix
30 0,001 — 1,1 0,05 — 1,2 Очень малый ток 1фр 1 пА пр
10 иА п
30 10 пА при 10 В 0,8 1 1,1 0,03 - 0,8 То же Intersil,
150 3 0,7 10 1,0 0,2 3000 8,0 Малый ток / Лр 1 пА пр
75 5 . 0,75 10 1,1 0,1 4 1,3 Сигнальный диод широко­ Промыш
го применения дарт, ан
40 10000 0,4 1000 1,1 20 - 50 1 Мощный диод Шоттки 1 Для про
40 20000 0,45 3000 1,3 50 180 > J монтаж
60 10 0,4 1 0,7 0,01 0 1,0 Диод Шоттки: малое напря[-
жение Uпрям
75 50 <1,0 206> 2 0,6 Сигнальный диод, имеет 10 пФ п
малое прямое падение на­
пряжения
75 50 0,6 1 - 4 1,5 Управляемое напряжение
иты
п рям

100 50 0,9 1000 2.3 25 3500 15 Выпрямительный на 1 А Промыш


1000 50 0,9 1000 2.3 25 5000 10 па из 7
400 50 1,1 5000 2,0 50 2500 45 Выпрямительный на 5 А Для про
тажа
50 1000 1,1 40000 1,3 100 Выпрямитель на большие Выпрям
токи вополож
ности IN
значение допустимого периодического пикового напряжения при 25 С и токе утечки 10 мкА.
максимальный обратный ток при напряжении (макс.) и температуре окружающей среды 100 °С.
ды IN 1183А и IN 1183RA «реверсированы» конструктивно —у одного на корпусе «+», у другого — «—». — Прим. ред.
52 Глава 1

-О----- напряжением диодов. В рассматриваемой


-о — W - I схеме два диода всегда подключены по­
I
Перем.
I*1"! п следовательно к входу; об этом следует
!i-^'Л помнить при разработке низковольтных
I
источников питания.
- о ------1
Рис. 1.68. Однополупериодный выпрямитель. 1.27. Фильтрация в источниках питания
U
Выпрямленные сигналы, полученные в

Г\ /■
предыдущем разделе, еще не могут быть
использованы как сигналы постоянного
тока. Дело в том, что их можно считать
Рис. 1.69. сигналами постоянного тока только в том
отношении, что они не изменяют свою
вышающего прямое напряжение диода полярность. На самом деле в них при­
(обы чно в вы прям ителях использую т сутствует большое количество «пульса­
кремниевые диоды, для которых прямое ций» (периодических колебаний напряже­
напряжение составляет 0,6 В), выходное ния относительно постоянного значения),
напряжение будет иметь вид, показанный которые необходимо сгладить, для того
на рис. 1.69. Если вы вспомните, что чтобы получить настоящее напряжение по­
диод —это проводник, пропускающий ток стоянного тока. Для этого схему выпря­
только в одном направлении, то нетруд­ мителя нужно дополнить фильтром низ­
но понять, как работает схема выпрями­ ких частот (рис. 1.72). Вообще говоря,
теля. Представленная схема называется последовательный резистор здесь не ну­
однополупериодным выпрямителем, так как жен, и его, как правило, не включают в
она использует только половину входно­ схему (если же резистор присутствует, то
го сигнала (половину периода). он имеет очень маленькое сопротивление
На рис. 1.70 представлена схема двух- и служит для ограничения пикового тока
полупериодного выпрямителя, а на рис. выпрямителя). Дело в том, что диоды пре­
1.71 показан ее выходной сигнал. Из гра­ дотвращают протекание тока разряда кон­
фика видно, что входной сигнал исполь­ денсаторов, и последние служат скорее
зуется при выпрямлении полностью. На как накопители энергии, а не как элемен­
графике выходного напряжения наблюда­ ты классического фильтра низких частот.
ются интервалы с нулевым значением Энергия, накопленная конденсатором, оп­
напряжения, они обусловлены прямым ределяется выражением W = 1/2 CU1. Если
емкость С измеряется в фарадах, а напря­
жение (U — в вольтах, то энергия W будет
измеряться в джоулях (в ваттах в 1 с).
Конденсатор подбирают так, чтобы выпол­
нялось условие RuС » 1 / / (где / — частота
пульсаций, в нашем случае 120 Гц). При

Рис. 1.70 Двухполупериодный мостовой


выпрямитель.
Н агрузка
U

Рис. 1.71. Рис. 1.72.


Основы электроники 53

Двойная амплиту­ ряде, то результат получим неправильным


да пульсаций Выходной сигнал
I к фильтру подклю-
по следующим причинам:
_L чена нагрузка 1. Разряд конденсатора описывается экс­
/ \ \ Выходной сигнал поненциальной зависимостью только в
/ \ / \ в отсутствие том случае, если нагрузка резистивна; в
/ \ / \ / конденса- большинстве случаев это не так. Часто на
1_____________ л / ______________\ _ / тора
t
выходе выпрямителя устанавливают ста­
билизатор напряжения, который обеспе­
Рис. 1.73. Определение напряжения пульсаций чивает постоянство выпрямленного напря­
источника. жения — он выступает в роли нагрузки,
через которую протекает постоянный ток.
этом происходит ослабление пульсаций за 2. Для источников питания используют,
счет того, что постоянная времени для раз­ как правило, конденсаторы с точностью
рядки конденсатора существенно превыша­ 20% и более. При разработке схем следу­
ет время между перезагрузками. В следую­ ет учитывать разброс параметров компо­
щем разделе мы поясним это утверждение. нентов и для страховки производить рас­
Определение напряжения пульсаций. чет для наиболее неблагоприятного соче­
Приблизительно определить напряжение тания их значений.
пульсаций нетрудно, особенно если оно В таком случае, если считать, что в на­
невелико по сравнению с напряжением чальный момент разряд конденсаторов
постоянного тока (рис. 1.73). Нагрузка происходит по линейному закону, прибли­
вызывает разряд конденсатора, который жение будет весьма точным, особенно если
происходит в промежутке между циклами пульсации невелики. Неточности прибли­
(или половинами циклов для двухполупе- жения приводят лишь к некоторой пере­
риодного выпрямления) выходного сиг­ страховке — они проявляются в завыше­
нала. Если предположить, что ток через нии расчетного напряжения пульсаций по
нагрузку остается постоянным (это спра­ сравнению с его истинным значением.
ведливо для небольш и х п у льсац и й ),
то AU = (//О Д ? (н ап ом н и м , что / = Упражнение 1.27. Разработайте схему двухполупе­
риодного выпрямителя, обеспечивающего на выходе
= C(dU/dt). Подставим значение 1 //(и ли напряжение постоянного тока с амплитудой 10 В. На­
1/ 2/ для двухполупериодного выпрямле­ пряжение пульсаций не должно превышать 0,1В (двой­
ния) вместо At (такая замена допустима, ной амплитуды). Ток в нагрузке составляет 10 мА.
так как конденсатор начинает снова за­ Выберите соответствующее входное напряжение пе­
ряжаться меньше, чем через половину ременного тока, учитывая, что падение напряжения
на диоде составляет 0,6 В. При расчете правильно за­
цикла). Получим дайте частоту пульсаций.
AU= I н агр'*'I f С
1.28. Схемы выпрямителей для источников
(однополупериодное выпрямление), питания
AU = 1н а г р/2
' J

Двухполупериодная мостовая схема. На
(двухполупериодное выпрямление).
рис. 1.74 показана схема источника пита­
(Наш преподавательский опыт говорит о ния постоянного тока с мостовым вы­
том, что студенты любят заучивать эти урав­ прямителем, который мы только что рас­
нения! Неофициальный опрос, проведен­ смотрели. Промышленность изготавлива­
ный авторами, показал, что из каждых двух ет мостовые схемы в виде функциональ­
опрошенных инженеров два не помнят эти ных модулей. Маленькие мостовые мо­
уравнения. Так что не трудитесь напрасно дули рассчитаны на предельный ток 1 А
над бесполезным заучиванием, а лучше на­ и напряжение пробоя от 100 до 600 В,
учитесь выводить эти зависимости.) а иногда до 1000 В. Для больших мосто­
Если воспользоваться экспоненциаль­ вых выпрямителей предельный ток равен
ной функцией, определяющей изменение 25 А и выше. В табл. 6.4 приведены пара­
напряжения на конденсаторе при его раз­ метры нескольких типов таких модулей.
54 Глава 1

Е
2,0 А
115 В
(перем.
тока)
1 мс

Рис. 76.

Упражнение 1.28. Это упражнение поможет вам ра­


зобраться в механизме нагрева обмотки, пропорцио­
Рис. 1.74. Схема мостового выпрямителя. Значок нального PR, и понять, в чем проявляется недостаток
полярности и электрод в виде дуги служат для обо­ однофазного выпрямителя. На какое предельное ми­
значения поляризованного конденсатора, заряжать нимальное значение тока должен быть рассчитан плав­
его с другой полярностью недопустимо. кий предохранитель, чтобы в цепи мог протекать ток,
изменяющийся согласно графику, показанному на рис.
Двухполупериодный однофазный выпря­ 1.76, и имеющий среднюю амплитуду 1 А? Подсказка:
митель. Схема двухполупериодного одно­ предохранитель «перегорает», когда в цепи начинает
протекать ток, превышающий предельное значение
фазного выпрямителя приведена на рис. тока предохранителя. При этом в предохранителе рас­
1.75. Выходное напряжение здесь в 2 раза плавляется металлический проводник (температура его
меньше, чем в схеме мостового выпрями­ нагрева пропорциональна PR). Допустим, что и в на­
теля. Схема двухполупериодного однофаз­ шем случае температурная постоянная времени для
плавкого предохранителя значительно больше, чем
ного выпрямителя не является эффектив­ период прямоугольных колебаний, т. е. предохрани­
ной с точки зрения использования транс­ тель реагирует на значение I 2, осредненное за несколь­
форматора, так как каж дая половина ко периодов входного сигнала.
вторичной обмотки используется только в
одном полупериоде. В связи с этим ток в Расщепление напряжения питания. Ш и­
обмотке за этот интервал времени в 2 раза роко распространена мостовая однофаз­
больше, чем в простой двухполупериодной ная двухполупериодная схема выпрямите­
схеме. Согласно закону Ома, температура ля, показанная на рис. 1.77. Она позво­
нагрева обмотки пропорциональна произ­ ляет рсщ еп лять н ап ряж ен и е п и тан и я
ведению PR, значит, за время в 2 раза (получать на выходе одинаковые напря­
меньшее нагрев будет в 4 раза больше или жения положительной и отрицательной
в среднем больше по сравнению с эквива­ полярности). Эта схема эффективна, так
лен тн ой д вухп олуп ери одн ой схем ой. как в каждом полупериоде входного сиг-
Трансформатор для этой схемы следует +U
выбирать так, чтобы его предельный ток Вход
был в 1,4 (в V2 ) раз больше, чем у транс­
форматора мостовой схемы, в противном
случае такой выпрямитель будет более до­
рогим и более громоздким, чем мостовой.

Вход
(напряжение
перем.
тока) Рис. 1.77. Формирование двухполярного (расщеплен­
ного) напряжени питания.

Т
Нагрузка

« Л
Рис. 1.75 Двухполупериодный выпрямитель на осно­
ве трансформатора со средней точкой. Рис. 1.78. Удвоитель напряжения.
Основы электроники 55

Вход (напряжение Вход (напряжение Вход (напряжение


перем.тока) перем. тока) перем.тока)

а 6 в
Рис. 1.79. Схемы умножения напряжения: наличие источника с плавающим напряжением в представлен­
ных схемах не обязательно.

нала используются обе половины вторич­ стоянного тока. Кроме того, изменение
ной обмотки. выходного напряжения может быть выз­
Выпрямители с умножением напряжения. вано изменением тока нагрузки, так как
Схема, показанная на рис. 1.78, называ­ трансформатор, диод и другие элементы
ется удвоителем напряжения. Для того обладают конечным внутренним сопро­
чтобы понять, как работает эта схема, тивлением. Иначе говоря, для эквивален­
представьте, что она состоит из двух по­ тной схемы источника питания постоян­
следовательно соединенных выпрямителей. ного тока справедливо соотношение Л > 0.
Фактически эта схема является двухполу- Более правильный подход к разработке
периодным выпрямителем, так как она источника питания состоит в том, чтобы
работает в каждом полупериоде входного с помощью конденсатора уменьшить пуль­
сигнала - частота пульсаций в 2 раза пре­ сации до некоторого уровня (чтобы они
вышает частоту колебаний питающей сети составляли, например, 10% от напряже­
(для сети с частотой 60 Гц, как в США, ния постоянного тока), а затем, для уст­
частота пульсаций составляет 120 Гц). ранения остатков пульсаций, использовать
Разновидности этой схемы позволяют схему с обратной связью. Такая схема со­
увеличивать напряжение в 3 ,4 и более раз. держит управляемый резистор (транзис­
На рис. 1.79 показаны схемы выпрями­ тор), подключаемый последовательно к
телей, обеспечивающие увеличение н а­ выходу схемы, за счет которого уровень
пряжения в 2, 3 и 4 раза, в которых один выходного напряжения поддерживается
конец обмотки трансформатора заземлен. постоянным (рис. 1.80).
Подобные стабилизаторы напряжения
1.29. Стабилизаторы напряжения используют почти повсеместно в качестве
источников питания для электронны х
Путем увеличения емкости конденсато­ схем. В настоящ ее время промы ш лен­
ра можно уменьшить пульсации напря­ ность выпускает стабилизаторы напряже­
жения до требуемого уровня. Такой спо­ ния в виде законченных, готовых к ис-
соб борьбы с пульсациями имеет два не­
достатка:
1. Конденсаторы нужной емкости могут
оказаться недопустимо громоздкими и
дорогими.
2. Даже в том случае, когда пульсации
уменьш ены до пренебреж им о малого
уровня, наблюдаются колебания выход­
ного напряж ения, обусловленные уже
другими причинами, например, измене­
ния входного напряжения сети ведут к Рис. 1.80. Стабилизатор напряжения постоянного
флуктуациям выходного напряжения по­ тока.
56 Глава 1

пользованию модулей. На основе стабили­


затора напряжения можно построить удоб­
ный для работы источник питания, кото­
рому не страшны никакие опасности (ко­
роткие замыкания, перегрев и т. п.) и
характеристики которого удовлетворяют са­
мым высоким требованиям, предъявляемым
к источнику напряжения (например, внут­
реннее сопротивление такого источника
измеряется в миллиомах). Источники пи­
тания постоянного тока со стабилизатора­
ми напряжения мы рассмотрим в гл. 6.
Рис. 1.82. Компенсация прямого напряжения на
диоде в схеме диодного ограничителя сигналов.
1.30. Примеры использования диодов

Выпрямление сигналов. Бывают такие слу­ так называемый обращенный диод с нуле­
чаи, помимо тех, что мы рассмотрели вым прямым напряжением, но его при­
выше, когда сигнал должен иметь только менение ограничено из-за того, что он
одну полярность. Если входной сигнал имеет малое напряжение пробоя). М ож­
не является синусоидальным, то говорить но также воспользоваться схемой, пока­
о его выпрямлении не принято, хотя про­ занной на рис. 1.82. Прямое напряж е­
цесс выпрямления применим и к нему. ние на диоде Д 2 компенсируется за счет
Например, требуется получить последо­ диода Д х, обеспечиваю щ его см ещ ение
вательность импульсов, совпадающих с величиной 0,6 В. Это смещение опреде­
моментами нарастания прямоугольного ляет порог проводимости для Д 2. Ф орми­
сигнала. Проще всего продифференциро­ рование смещения с помощью диода Д
вать прямоугольный сигнал, а затем вы­ (а не с помощью, например, делителя на­
прямить его (рис. 1.81). Следует всегда пряжения) имеет следующие преимущества:
иметь в виду, что прямое напряжение ди­ нет необходимости проводить регулировку
ода составляет приблизительно 0,6 В. На уровня смешения, так как схема обеспечи­
выходе нашей схемы, например, сигнал вает почти идеальную компенсацию; изме­
будет получен лишь в том случае, когда нение прямого напряжения диодов (связан­
двойная амплитуда прямоугольного вход­ ное, например, с изменением температу­
ного сигнала будет не меньше 0,6 В. Это ры) компенсируется и не сказывается на
условие накладывает определенные огра­ работе схемы. В дальнейшем мы еще не
ничения на разработку схемы, но извест­ раз встретим компенсации изменений пря­
ны приемы, с помощью которых их мож­ мого напряжения с помощью согласован­
но преодолеть. Например, можно вос­ ной пары диодов, транзисторов и полевых
п о л ь зо в а т ь с я диодом Ш от т ки, для транзисторов: этот прием очень эффекти­
которого прямое напряжение составляет вен и прост в исполнении.
около 0,25 В (можно также использовать Диодные вентили. Еще одна область при­
менения диодов основана на их способно­
сти пропускать большее из двух напряже­
ний, не оказывая влияния на меньшее.
I I I
Л “M r Схемы, в которых используется это свой­
-N - ство, объединены в семейство логических
_п_п_п_ схем. Рассмотрим схему с резервной бата­
\R1 I I R. реей питания — она используется в устрой­
ствах, которые должны работать непрерыв­
но даже при отключениях питаниях (на­
п р и м ер , точны е э л е к тр о н н ы е часы ).
Рис. 1.81. Схема, показанная на рис. 1.83, включает
Основы электроники 57

+ 15 В От + 1 2 В
Источник
питания до + 15 В
пост, тока Электрон­
О (отфиль­ ные часы
трован) Земля
1,0 кОм 2,0 кОм
■+ 15 В

П - Рис. 1.85.
Батарея
12 В Входной . Выходной
сигнал сигнал
Рис. 1.83. Диодный вентиль ИЛИ с резервной ба­
тареей питания.
Rдел
как раз такую батарею. В отсутствие сбо­ 6 6 7 0м
ев питания батарея не работает, при воз­
никновении сбоя питание на схему начи­ + 5 1
нает поступать от батареи, при этом пере­ Рис. 1.86.
рыва в подаче питания не происходит.
Упражнение 1.29. Измените схему так, чтобы бата­ Упражнение 1.30. Разработайте схему симметрич­
рея заряжалась от источника постоянного тока (в том ного ограничителя, задающего диапазон изменения
случае, разумеется, когда питание есть) током 10 мА сигнала от —5,6 до +5,6 В.
(такая схема нужна для того, чтобы поддерживать Эталонное опорное напряжение можно
заряд батареи).
подавать на ограничитель от делителя на­
Диодные ограничители. В тех случаях, пряжения (рис. 1.85). Если делитель на­
когда необходимо ограничить диапазон пряжения заменить его эквивалентной схе­
изменения сигнала, например напряже­ мой, то исходная схема преобразуется к
ния, можно воспользоваться схемой, по­ виду, представленному на рис. 1.86. Ана­
казанной на рис. 1.84. Благодаря диоду лизируя преобразованную схему, можно
выходное напряжение не может превы­ заключить, что импеданс со стороны вы­
шать значения + 5,6 В, при этом наличие хода делителя напряжения (Яжл) должен
диода никак не сказывается на меньших быть мал по сравнению с сопротивлением
значениях напряжения (в том числе и на R. Когда диод открыт (входное напряже­
отрицательных); единственное условие ние превышает напряжения ограничения),
состоит в том, что отрицательное вход­ выходное напряжение совпадает с напря­
ное напряжение не должно достигать зна­ жением, снимаемым с делителя, при этом
чения напряжения пробоя (например, для нижнее плечо делителя представлено эк­
диода типа 1N914 это значение составля­ вивалентным сопротивлением (рис. 1.87).
ет -7 0 В). Во всех схемах семейства циф ­ Следовательно, для указанных параметров
ровых логических КМ ОП-схем использу­ схемы выходное напряжение для треуголь­
ются входные диодные ограничители. ного входного сигнала будет иметь вид,
Они предохраняют эти чувствительные показанны й на рис. 1.88. Затруднение
схемы от разрушения под действием раз­ здесь возникает в связи с тем, что дели­
рядов статического электричества. тель напряжения не обеспечивает жестко-
1,0 кОм 1,0 кОм
Вход Выход Вход Выход
1 N914
667 0м

+ 5 I
+ 5, 6 В

Рис. 1.81. Диодный ограничитель напряжения. Рис. 1.87.


§8 Глава 1

зуются операционные усилители. Об этих


схемах мы поговорим в гл. 4.
Интересным примером является исполь­
зование ограничителя для восстановления
сигнала по постоянному току в случае ем­
костной связи по п ерем ен ном у току.
Смысл сказанного поясняет рис. 1.89.
Подобные приемы необходимо использо­
вать в схемах, входы которых работают ана­
фиксированного значения эталонного на­ логично диодам (например, это могут быть
пряж ения. Х орош о заф и кси рован н ы й транзисторы с заземленным эмиттером),
опорный эталонный сигнал не «плывет», в противном случае при наличии емкост­
а это значит, что источник такого напря­ ной связи сигнал просто пропадает.
жения обладает небольшим импедансом Двусторонний ограничитель. Еще один
(имеется в виду эквивалентный импеданс). ограничитель показан на рис. 1.90. Эта
На рис. 1.85 показан простой способ, с схема ограничивает «размах» выходного
помощью которого можно «зафиксиро­ сигнала и делает его равным падению на­
вать» схему ограничителя по крайней мере пряжения на диоде, т. е. приблизитель­
для высокочастотных сигналов —для это­ но 0,6 В. Может показаться, что это —
го к резистору 1 кОм нужно подключить очень малое значение, но если следую­
шунтирующий конденсатор. Например, щим каскадом схемы является усилитель
конденсатор емкостью 15 мкФ с одним с большим коэффициентом усиления по
заземленным выводом на частотах выше напряжению, то входной сигнал для него
1 кГц уменьшает импеданс со стороны всегда должен быть немногим больше чем
входа делителя до значения ниже 10 Ом. 0 В, иначе усилитель попадет в режим
(Аналогично можно подключить конден­ «насыщения» (например, если коэффици­
сатор к Д как показано на рис. 1.82). ент усиления каскада равен 1000, а пита­
Само собой разумеется, эффективность ющее напряжение составляет ± 15 В, то
этого приема тем ниже, чем ниже часто­ входной сигнал не должен превышать ди­
та, а для постоянного тока этот прием апазон ±15 мВ). Описанная схема часто
просто бесполезен. используется в качестве защиты на входе
На практике малое значение импеданса усилителя с больш им коэф ф ициентом
эталонного источника обеспечивается за усиления.
счет использования транзистора или опе­ Диоды как нелинейные элементы. Мы
рационного усилителя. Такой способ, получим достаточно хорошее приближе­
конечно, лучше, чем использование ре­ ние, если будем считать, что ток через
зисторов с очень малым сопротивлением, диод пропорционален экспоненциальной
так как он не приводит к потреблению функции от напряжения на нем при дан­
больших токов и обеспечивает значения ной температуре (точная зависимость меж­
импеданса порядка нескольких Ом и ниже. ду током и напряжением дается в разд.
Следует отметить, что известны и другие 2.10). В связи с этим диод можно и с­
схемы ограничения, в которых исполь­ п ользовать для получения вы ходного

0 - П —П - ^ Л— <Д — Вход I f Выход

Т п
Рис. 1.89. Восстановление сигнала по постоянному
току. Рис. 1.90. Диодный ограничитель.
Основы электроники 59

Рис. 1.91. Логарифмический преобразователь: идея


схемы основана на нелинейной вольт-амперной ха­ Рис. 1.93. Компенсация падения напряжения на
рактеристике диода. диоде в логарифмическом преобразователе.

напряжения, пропорционального лога­ но больше максимального входного тока.


рифму тока (рис. 1.91). Поскольку н а­ При этом условии диод Д, будет открыт.
пряжение U лишь незначительно откло­ В главе, посвященной операционным
няется от значения 0,6 В (под воздействи­ усилителям, мы рассмотрим более совер­
ем колебаний входного тока), входной ток шенные схемы логарифмических преоб­
можно задавать с помощью резистора при разователей и более точные методы тем­
условии, что входное напряжение значи­ пературной ком пенсации. Они п озво­
тельно превышает падение напряжения на ляю т обеспечивать высокую точность
диоде (рис. 1.92). преобразования — ошибка достигает все­
На практике иногда желательно, чтобы го нескольких процентов для шести и бо­
в выходном напряжении присутствовало лее декад изменения входного тока. Но
смещение 0,6 В, обусловленное падени­ для того, чтобы заняться такими схема­
ем напряжения на диоде. Кроме того, ми, необходимо сначала изучить характе­
желательно, чтобы схема не реагировала ристики диодов, транзисторов и опера­
на изменения температуры. Эти требова­ ционных усилителей. Настоящий раздел
ния позволяет удовлетворить метод диод­ служит лишь предисловием к такому изуче­
ной компенсации (рис. 1.93). Резистор Л, нию.
открывает диод Д 2 и создает в точке А на­
пряжение, равное — 0,6 В. Потенциал 1.31. Индуктивные нагрузки и диодная
точки В близок к потенциалу земли (при защита
этом ток /вхстрого пропорционален напря­
жению Um). Если два одинаковых диода Что произойдет, если разомкнуть пере­
находятся в одинаковых температурных ключатель, управляю щ ий током через
условиях, то напряжения на них полнос­ индуктивность? Индуктивность, как из­
тью компенсируют друг друга, за исклю­ вестно, характеризуется следующим свой­
чением, конечно, той разницы, которая ством: U = L {d l/d t), а из этого следует,
обусловлена входным током, протекаю­ что ток нельзя выключить моментально,
щим через диод Д х, и которая определя­ так как при этом на индуктивности по­
ет выходное напряжение. Для этой схе­ явилось бы бесконечное напряж ение.
мы резистор Л, следует выбирать таким, На самом деле напряжение на индуктив­
чтобы ток через диод Д 2 был значитель- ности резко возрастает и продолжает уве­
R личиваться до тех пор, пока не появится
Uвх ^ ^
ток. Электронные устройства, которые
( » 0,6 В) управляю т индуктивны ми нагрузками,
могут не выдержать такого роста напря­

I жения, особенно это относится к компо­


нентам, в которых при некоторых значе­
ниях напряж ения наступает «пробой».
Рис. 1.92. Рассмотрим схему, представленную на
60 Глава 1

Когда переключатель замкнут, диод сме­


щен в обратном направлении (за счет па­
дения напряжения постоянного тока на
обмотке катушки индуктивности). При
размыкании переключателя диод откры­
вается и потенциал контакта переключа­
теля становится выше потенциала поло­
Искра жительного питающего напряж ения на
величину падения напряжения на диоде.
Диод нужно подобрать так, чтобы он вы­
держивал начальный ток, равный току,
Рис. 1.94. Индуктивный «бросок». протекающему в установившемся режиме
через индуктивность; подойдет, например
рис. 1.94. В исходном состоянии пере­ диод типа 1N4004.
ключатель замкнут и через индуктивность Единственным недостатком описанной
(в качестве которой может выступать, на­ схемы является то, что она затягивает за­
пример, обмотка реле) протекает ток. тухание тока, протекающего через катуш­
Когда переключатель разомкнут, индук­ ку, так как скорость изменения этого тока
тивность «стремится» обеспечить ток меж­ пропорциональна напряжению на индук­
ду точками Л и В, протекающий в том же тивности. В тех случаях, когда ток дол­
направлении, что и при замкнутом пе­ жен затухать быстро (например, быстро­
реключателе. Это значит, что потенциал действующие контактные печатающие ус­
точки В становится более положительным, тройства, быстродействующие реле и т. д.),
чем потенциал точки А. В нашем случае раз­ лучший результат можно получить, если
ница потенциалов может достичь 1000 В, к катушке индуктивности подключить ре­
прежде чем в переключателе возникнет зистор, подобрав его так, чтобы величи­
электрическая дуга, которая и замкнет на U + IR не превышала максимального
цепь. При этом укорачивается срок служ­ допустимого напряжения на переключа­
бы переключателя и возникают импульс­ теле. (Самое быстрое затухание для дан­
ные наводки, которые могут оказывать ного максимального напряжения можно
влияние на работу близлежащих схем. получить, если подключить к индуктив­
Если представить себе, что в качестве пе­ ности зенеровский диод, который обес­
реключателя используется транзистор, то печивает затухание по линейному, а не по
срок службы такого переключателя не уко­ экспоненциальному закону.)
рачивается, а просто становится равным Диодную защиту нельзя использовать
нулю! для схем переменного тока, содержащих
Чтобы избежать подобных неприятнос­ индуктивности (трансформаторы , реле
тей, лучше всего подключить к индуктив­ переменного тока), так как диод будет
ности диод, как показано на рис. 1.95. открыт на тех полупериодах сигнала, ког­
да переключатель замкнут. В подобных
случаях рекомендуется использовать так
называемую ЛС-демпфирующую цепочку
(рис. 1.96). Приведенные на схеме зна­
чения Л и С являются типовыми для не­
больших индуктивных нагрузок, подклю­
I замкнII I
чаемых к силовым линиям переменного
I (при раз­ тока. Демпфер такого типа следует пре­
мыкании) дусматривать во всех приборах, работаю­
щих от напряжений силовых линий пере­
менного тока, так как трансф орм атор
представляет собой индуктивную нагруз­
Рис. 1.95. Блокирование индуктивного броска. ку. Для защиты можно также использо-
Основы электроники 61

\
J
100 0м

0,05 мкФ Однополюсный


одно пози ци он­
ный
Однополюсный
двухпозиционный
Двухполюсный
двухпозиционный
Рис. 1.96. ЛС-«демпфер» для подавления индуктив­
ного броска. Рис. 1.98. Основные типы переключателей.

вать такой элемент, как металл оксидный несколько параграфов в нашей книге. На
варистор. Он представляет собой недо­ рис. 1.97 показано несколько распрост­
рогой элемент, похожий по внешнему раненных типов переключателей.
виду на керамический конденсатор, а по Тумблеры. В зависимости от числа по­
электрическим характеристикам —на дву­ люсов или подвижных контактов тумб­
направленны й зенеровский диод. Его леры бывают нескольких типов. Наибо­
можно использовать в диапазоне напряже­ лее распространены одно- и двухпозици­
ний от 10 до 1000 В для значений токов, онны е тумблеры, показанны е на рис.
достигающих тысяч ампер (см. разд. 6.11 1.98. Промышленность выпускает также
и табл. 6.2). Подключение варистора к трехпозиционные тумблеры, среднее по­
внешним выводам схемы позволяет не ложение которых соответствует состоянию
только предотвратить индуктивные на­ «выключено»; они могут переключать од­
водки на близлежащие приборы, но так­ новременно до четырех контактных групп.
же погасить большие всплески сигнала, Тумблерные переключатели работают по
возникающие иногда в силовой линии и принципу «разомкнут-замкнут», это зна­
представляющие серьезную угрозу для чит, что подвижный контакт никогда не
оборудования. замыкает оба вывода переключателя од­
новременно.
ДРУГИЕ ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ Кнопочные переключатели. Кнопочные
переключатели полезны в тех случаях,
В последующих разделах представлены когда требуется обеспечить мгновенный
разнообразные компоненты, находящие контакт; их схематическое изображение
ш ирокое прим енение при разработке представлено на рис. 1.99 (кнопочны е
электронных схем. Те, кто уже имеет опыт выключатели бывают двух типов: н ор­
разработок, могут безболезненно перей­ мально разомкнутые (H P) и нормально
ти к следующей главе. зам кнуты е (Н З)). В двухпозиционном
переключателе выводы обозначают H P и
1.32. Электромеханические элементы НЗ, в однопозиционном переключателе
двойное обозначение излишне. Кнопоч­
Переключатели. Переключатели имеются ные переключатели всегда работают по
в схемах почти всегда. Несмотря на свою принципу «разомкнут-замкнут». Электро­
простоту, они играют существенную роль техническая промышленность маркирует
в электронной технике и вполне заслужи­ выключатели символами А, В и С, кото­
вают того, чтобы им было посвящ ено рые соответствуют однополюсному одно­

тумблер Кнопочный Поворотный


переключатель переключатель
Рис. 1.99. Кнопочные выключатели (мгновенный
Рис. 1.97. Панельные тумблеры. контакт).
62 Глава 1

позиционному переключателю типа HP, + 12 В


однополюсному однопозиционному пере­
ключателю типа НЗ и однополюсному 1
Звонок
двухпозиционному переключателю соот­
ветственно.
Поворотные переключатели. Существу­
ющие поворотные переключатели очень Сиденье
разнообразны по своей конструкции; они
имеют различное число полюсов (ламе­
лей) и рассчитаны на большое число по­
Т
I Г
зиций. Поворотные переключатели мо­ Левая Правая
гут быть зам ы каю щ ими (работаю т по дверца J Л дверца
принципу «замкнут-разомкнут») и неза­
мыкающими (работают по принципу «ра-
зомкнут-замкнут»), причем очень часто Рис. 1.100.
эти два типа сочетаются в одном пере­
ключателе. Замыкающие переключатели схема, с помощью которой можно решить
используют в тех случаях, когда схема в поставленную задачу. Если открыта одна
промежуточном положении переключа­ ИЛИ другая дверца И замкнут переключа­
теля должна представлять собой замкну­ тель, связанный с сиденьем, то включает­
тый контур, при наличии разомкнутых ся звонок. Союзы ИЛИ, И имеют здесь
входов состояние схемы непредсказуемо. смысл операций булевой логики. К этому
Незамыкающие переключатели использу­ примеру мы еще вернемся в гл. 2 и в гл.
ют, например, для подключения несколь­ 8, когда будем рассматривать транзисторы
ких шин к одной общей, при этом не до­ и цифровые логические схемы.
пускается соединения отдельных ш ин На рис. 1.101 показана классическая
между собой. схема с выключателем, которая исполь­
Другие типы переключателей. Помимо зуется для включения и выключения све­
основных типов переключателей, пере­ та в комнате с помощью выключателей,
численных выше, промышленность вы­ установленных у двух дверей комнаты.
пускает и некоторые специальные пере­ Упражнение 1.31. Не всякий разработчик элект­
клю чатели, наприм ер переклю чатели, ронных схем знает то, что известно любому электро­
принцип действия которых основан на монтеру — как сделать такое приспособление, чтобы
эффекте Холла, магнитоуправляемые ре­ можно было включать и выключать свет с помощью
ле, язычковые переключатели и др. Все N выключателей, где N — произвольное число. По­
думайте, как соответствующим образом обобщить
переключатели характеризуются предель­ схему, представленную на рис. 1.101. Для решения
ными значениями токов и напряжений; задачи потребуется два однополюсных двухпозици­
для небольшого тумблерного переключа­ онных переключателя и N — 2 двухполюсных двух­
теля предельное значение напряжения позиционных. (Подсказка: сначала придумайте, как
составляет 150 В, а предельное значение с помощью двухполюсного двухпозиционного пере­
ключателя замкнуть пару проводов).
тока — 5 А. Если переключатель работает
с индуктивной нагрузкой, то его срок Лампа
службы резко сокращается в связи с тем,
что в момент отклонения нагрузки в вык­
лючателе возникает дуговой разряд.
Примеры схем с переключателями. Рас­
смотрим такую задачу: предупредительный
звонок должен включаться при условии,
что водитель сел за руль машины, а одна
из дверец открыта. К дверцам машины и
к сиденью водителя подключены переклю­ Рис. 1.101. «Строенный» переключатель професси­
чатели типа HP. На рис. 1.100 показана онального электромонтера.
Основы электроники 63

Реле. Реле —это управляемые переклю­ ляет собой штырьевой или плоский («бана­
чатели. Простейшее реле состоит из ка­ новый») контакт и используется в универ­
тушки ^ сердечника — катушка втягивает сальных измерительных приборах, источни­
сердечник, когда по ней протекает ток ках питания и т. п. Такие разъемы легко
достаточной величины. Промышленность достать, они недороги, но, пожалуй, не так
выпускает различные по конструкции типы полезны на практике, как коаксиальные
реле, среди них можно выделить реле «за­ резъемы для экранированного кабеля или
щелки» и реле «ступенчатого» типа (шаго­ многоконтактные разъемы. Разновидностью
вые искатели). Последние послужили ос­ простейшего разъема является зажим («кро­
новой создания телефонных станций, а кодил»), который известен в основном тем,
сейчас они широко используются в играль­ что им неудобно пользоваться.
ных автоматах. Промышленность выпус­ Разъемы для экранированных кабелей.
кает реле постоянного и переменного тока Для предотвращения емкостной связи, а
и для значений напряжения на катушке от также по ряду других причин, о которых
5 до 110 В. Для быстродействующих схем речь пойдет в гл. 13, желательно осуще­
(1 мс) предназначены ртутные и язычко­ ствлять передачу сигнала от одного при­
вые реле, специальные мощные реле ис­ бора к другому по экранированному коа­
пользуются в электропитании; они рабо­ ксиальному кабелю. Наиболее распрост­
тают с токами, достигающими нескольких ранены цилиндрические разъемы (типа
тысяч ампер. Там, где раньше использо­ BNC), которые устанавливают на пере­
вали реле, теперь часто прибегают к помо­ дней панели приборов. Сочленение час­
щи полевых транзисторов, а для напряже­ тей разъема осуществляется при помощи
ний переменного тока используют так на­ резьбового соединения путем поворота на
зываемые реле на твердом теле. Основное 90°, при этом замыкается как экранирую­
назначение реле состоит в дистанционном щая цепь (земля), так и цепь сигнала. Этот
переключении электрических цепей и в пе­ разъем, как и всякий другой, служит для
реклю чении вы соковольтн ы х л и н и й . подключения к прибору кабеля, поэтому
В связи с тем, что электрические схемы он состоит из двух сочленяющихся час­
должны быть изолированы от линий пита­ тей, одна из которых устанавливается на
ющего напряжения переменного тока, реле панели прибора, а другая присоединяет­
используют для переключения питающих ся к кабелю (рис. 1. 102).
напряжений переменного тока, при этом К этому семейству разъемов для коак­
управляющие сигналы должны быть изо­ сиальных кабелей относятся: разъемы типа
лированы. T N C (ближайший родственник разъема
Разъемы. Разъем представляет собой типа BNC, но с резьбой на корпусе), хо­
неотъемлемую (и, как правило, самую роший, но громоздкий разъем типа N,
ненадежную) часть любого электронного миниатюрный разъем типа SMA, субми-
аппарата. Ф ункции разъема состоят в
подаче сигналов на вход прибора и пере­
даче их с его выходов на другие схемы, в
передаче сигналов и питания постоянно­
го тока между различными узлами схемы
прибора. Благодаря разъемам можно за­
менять в приборах отдельные печатные
платы и целые модули, обеспечивая тем
самым гибкость схемной реализации элек­
тронного оборудования. П ром ы ш лен­
ность выпускает самые разнообразные Рис. 1.102. Для экранированного (коаксиального)
разъемы, различающиеся по форме и раз­ кабеля чаще всего используют разъемы типа BNC.
Слева направо: гнездо разъема, соединенное с кабе­
мерам. лем; стандартная вилка, которая устанавливается на
Штеккерные резъемы. Простейший разъем панели прибора; две вилки с изолирующей вставкой;
(однополюсная вилка с гнездом) представ­ Т-образный разъем типа BNC (очень удобная вещь).
64 Глава 1

ниатюрный разъем типа LEMO и SMC, и


разъем типа MHV, представляющий со­
бой разновидность разъема типа BNC,
предназначенную для высоковольтных
цепей. Так называемый граммофонный
разъем, используемый в схемах звуковых
частот, представляет собой яркий пример
плохой конструкции — при соединении
частей разъема сигнальная цепь замыка­
ется раньше, чем экранирующая; более
Рис. 1.103. Некоторые многоконтактные разъемы.
того, конструкция разъема такова, что и Слева направо: малогабаритный D-образный разъем,
экран и рую щ ая, и ц ен трал ьн ая части выпускаемый как для кабелей, так и для установки
разъема, как правило, обеспечивают пло­ на панелях приборов; количество контактов: 9, 15,
хой контакт. А результат плохого кон­ 25, 37 или 50; старый, заслуженный разъем типа
такта вы, без сомнения, слышали! Что­ MS выпускается с разнообразным количеством кон­
бы не отстать, телевизионная промыш ­ тактов и в различном конструктивном оформлении,
ленность выпустила свой собственный некоторые разновидности предназначены для коак­
сиальных кабелей; миниатюрный разъем (типа
плохой стандарт, «коаксиальный разъем» Winchester MRA) с фиксирующими винтами, вы­
типа F - в нем на штырь разъема, соеди­ пускается несколько разновидностей, различающих­
няемого с кабелем, выводится внешний ся габаритными размерами; разъем для печатных
провод коаксиального кабеля, и очень не­ плат, гнездо предназначено для гибкого кабеля.
качественно сделан экран на той части,
которая устанавливается на панели при­
бора. 100 контактов и различное конструктив­
Многоконтактные разъемы. Для элек­ ное оформление. Разъемы можно уста­
тронных приборов очень часто нужны навливать на специальной плате, печат­
многожильные кабели и соответственно ный монтаж которой обеспечивает со­
многоконтактные разъемы. Промышлен­ е д и н е н и е о тд ел ьн ы х п еч атн ы х плат
ность выпускает десятки типов таких устройства. В схемах, состоящ их всего
разъемов. Простейшим является разъем из нескольких печатных плат, могут по­
для 3-жильного провода. К числу наибо­ требоваться вилки разъемов для печатных
лее распространенных относятся также плат и гнезда кабельных разъемов (в гл.
субминиатюрные разъемы типа D из се­ 12 приведены некоторые фотографии, на
рии разъемов Winchester MRA, уже давно которых видны примеры использования
испы танны е и заслуж ивш ие д оверие разъемов).
разъемы типа MS, а также разъемы для
гибкого кабеля (рис. 1.103). Имейте в 1.33. Индикаторы
виду, что некоторые разъемы требуют ос­
торожного обращения, например мини­ Измерительные приборы. Значения напря­
атюрные шестиугольные разъемы, кото­ жения или тока можно определять с по­
рые нельзя ронять на пол, а в некоторых мощью стрелочных показывающих прибо­
нет никакого приспособления, фиксиру­ ров или по цифровым индикаторам. Пос­
ющего взаимное положение частей разъе­ ледние, конечно, более дороги, но они
ма (это относится, например, к разъемам имеют и более высокую точность. Про­
серии Jones 300). мышленность выпускает измерительные
Торцевые разъемы для печатных плат. приборы и первого, и второго типа как
Для печатных плат чаще всего использу­ для токов, так и для напряжений. Вы­
ются торцевые разъемы, состоящ ие из пускаются также уникальные датчики для
гнезда и вилки с позолоченными штырь- приборных досок, которые позволяю т
евыми контактами, устанавливаемой на определять значения уровня громкости (по
торце платы. Выпускаемые промышлен­ децибельной шкале звука), большие зна­
ностью торцевые разъемы имеют от 15 до чен и я н ап ряж ен и я п ерем ен ного тока
Основы электроники 65

(от 105 до 130 В), значения температуры


(с помощью термопары), процентной н а­ Против По часовой
часовой .
грузки мотора, частоты и т. д. В цифро­ стрелки
“ стрелке
вых датчиках часто предусмотрены логи­
ческие выходы, которые позволяют и с­
пользовать показания датчика для ввода в
какой-либо другой прибор. Рис. 1.104. Потенциометр (переменный резистор с
Лампы и светодиоды. Представим себе тремя выводами).
картинку из научно-фантастического филь­
ма — вспышки света, экраны, заполнен­ такт. Потенциометры других типов изго­
ные таинственными и непонятными циф­ товляют из керамических материалов и
рами и символами, жуткие звуки ... И все пластиков; они обладают улучшенными
эти эффекты, за исключением звуковых, характеристиками. Более высоким разре­
создаются с помощью ламп и дисплеев (см. ш ением и более высокой линейностью
разд. 9.10). В качестве индикаторов для обладают многооборотные потенциомет­
лицевых панелей приборов долгое вре­ ры (3,5 или 10 оборотов). В ограничен­
мя использовали небольшие лампы н а­ ном количестве промышленность выпус­
каливания, теперь им на смену приш ли кает также сблокированные потенциомет­
светодиоды. Они ведут себя как обыч­ ры (н еск о л ьк о н езав и си м ы х с е к ц и й ,
ные диоды, но прямое напряж ение для собранных на одной оси) для тех облас­
них составляет от 1,5 до 2,5 В. Когда све­ тей применения, где нужны именно та­
тодиод открыт, через него протекает ток кие потенциометры.
и он излучает свет. Д ля получения дос­ Потенциометры, о которых шла речь,
таточной яркости света обычно требует­ устанавливают чаще всего на лицевых па­
ся ток от 5 до 20 мА. Светодиоды д е­ нелях приборов, внутри же приборов ус­
шевле, чем лампы накаливания, н и ког­ танавливают подстроенные потенциомет­
да не перегорают и бывают трех цветов ры, которые также бывают одно- и мно­
(красные, желтые и зеленые). П оступа­ гооборотными и могут быть установлены
ют в продажу в удобном для использо­ на платах с печатным монтажом. Они
вания виде. используются, например, при калибров­
Светодиоды используются также в циф­ ке прибора, которая выполняется «раз и
ровых дисплеях, например, в калькуля­ навсегда». Полезный совет: не поддавай­
торах находит применение 7-сегментный тесь соблазну установить в схеме поболь­
цифровой дисплей. Для отображения и ше потенциометров. Лучше потратить
букв, и цифр (алфавитно-цифровой дис­ больше сил на разработку, чем на регу­
плей) можно использовать 16-сегментный лировку.
или матричный дисплей. Для маломощ­ На рис. 1.104 показано условное обозна­
ных схем или схем, предназначенных для чение потенциометра. Обозначения «по
работы на улице, лучше всего использо­ часовой стрелке» и «против часовой стрел­
вать дисплей на жидких кристаллах. ки» указывают направление вращения.
И еще один совет по работе с перемен­
1.34. Переменные компоненты ными резисторами: не стремитесь к тому,
чтобы заменить потенциометром резистор
Резисторы. Переменные резисторы или с определенны м сопротивлением . С о ­
потенциометры используют для регулиро­ блазн, конечно, велик — ведь с помощью
вания в схемах, их ручки часто выводят потенциометра можно установить такое
на панели приборов. Наиболее распрос­ значение сопротивления, какое хочется.
траненным является потенциометр типа Вся беда в том, что стабильность потен­
АВ, рассчитанный на мощность до 2 Вт; циометра ниже, чем стабильность хоро­
этот потенциометр изготовлен из того же шего ( 1%) резистора и, кроме того, п о­
материала, что и постоянный композит­ тенциометры не дают хорошего разреше­
ный резистор, и имеет скользящий кон- ния (т. е. с их помощью нельзя точно
66 Глава 1

установить зн ачение соп роти влени я). торой перемещ ается сердечник. Такие
Если на каком-либо участке схемы нуж­ катушки обычно имеют индуктивность от
но установить точное значение сопротив­ нескольких микрогенри до нескольких
ления, воспользуйтесь сочетанием преци­ генри и диапазон настройки 2:1. П ро­
зионного резистора ( 1% и выше) и по­ мышленность выпускает также поворот­
тен ц и о м етр а, п ричем больш ая ч асть ный индуктор (состоит из катушки без
сопротивления должна определяться по­ сердечника и вращающегося скользяще­
стоянным резистором. Например, если го контакта).
нужно получить сопротивление 23,4 кОм, Трансформаторы. П еременные транс­
воспользуйтесь последовательным соеди­ форматоры очень полезны для практичес­
нением постоянного резистора с сопро­ кого применения, особенно те из них,
тивлением 22,6 кОм (точность 1%) и под- которые работают от силовой сети с на­
строечного потенциометра с сопротивле­ пряжением 115 В переменного тока. Их
нием 2 кОм. Можно также использовать называют автотрансформаторами, и они
последовательное соединение нескольких состоят из одной обмотки и скользящего
прецизионных резисторов, в котором са­ контакта. Их называют еще вариаками, а
мый маленький по величине резистор до­ выпускают их такие фирмы, как Techni-
полняет полное сопротивление до нужно­ power, Superior Electric и др. Формируе­
го точного значения. мое ими выходное напряжение перемен­
В дальнейшем вы узнаете, что в неко­ ного тока меняется от 0 до 135 В при
торых случаях в качестве переменных ре­ входном напряжении 115 В, ток нагрузки
зисторов, управляемы х н апряж ением , 1—20 А и выше. А втотрансформаторы
можно использовать полевые транзисто­ нужны для измерительных приборов, на
ры. Транзисторы можно использовать в которые могут влиять колебания в питаю­
качестве усилителей с переменным коэф ­ щем напряжении. Замечание: учтите, что
фициентом усиления, управляемым н а­ выход автотрансформатора не изолирован
пряжением. Все эти идеи могут сослужить электрически от силовой линии, как в
вам добрую службу в будущем, не остав­ случае с трансформатором.
ляйте их без внимания.
Конденсаторы. Переменные конденсато­ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ
ры имеют, как правило, небольшие ем­
(1) Для делителя напряжения, изображенного на
кости (до 100 пФ) и используются в ра­ рис. 1.106, составьте эквивалентную схему (источ­
диочастотных схемах. Подстроечные кон­ ник тока и параллельный резистор). Покажите, что
денсаторы бываю т двух ти п ов — для выходное напряжение эквивалентной схемы равно
внутрисхемных и внешних регулировок. выходному напряжению реальной схемы при под­
На рис. 1.105 показано условное обозна­ ключении в качестве нагрузки резистора сопротив­
лением 5 кОм.
чение переменного конденсатора. (2) Для схемы, изображенной на рис. 1.107, составьте
Диоды, к которым приложено обратное эквивалентную. Совпадают ли значения эквивалент-
напряжение, можно использовать в каче­
стве переменных конденсаторов, управля­
емых напряжением; такие диоды называ­
ют варикапами, варакторами или парамет­
рическими диодами. Наиболее ш ироко
они используются на радиочастотах, осо­
бенно при автоматической регулировке 10 кОм
частоты, в модуляторах и параметричес­
ких усилителях.
Индуктивности. Переменная индуктив­ 10
кОм
ность представляет собой катушку, в ко­

Рис. 1.105. Переменный конденсатор. Рис. 1.106. Рис. 1.107.


Основы электроники 67

6,3 В
перем. тока (эф ф .)

ШТГ
перем.
тока

Рис. 1.110.
а
Усилитель
вертикального
отклонения {Zix = со)
Конец
щупа

Рис. 1.109. ^ С = >


ных параметров в этом примере и в схеме на 100 пФ 20 Л 1.0
рис. 1.106? (кабель) пФ ММОм
(3) Разработайте схему фильтра звуковых частот, ко­
торый бы подавлял «грохот». Он должен пропус­
кать частоты выше 20 Гц (точка - 3 дБ должна соот­
ветствовать частоте 10 Гц). Считайте, что источник Вход осциллографа
имеет нулевой импеданс (идеальный источник на­
пряжения), а нагрузка (минимальная) имеет сопро­ Рис. 1.111.
тивление 10 кОм (принимая во внимание это усло­
вие, можно выбрать значения Л и С таким образом,
чтобы нагрузка не оказывала существенного влия­ (8) Разработайте схему щупа осциллографа с мас­
ния на работу фильтра). штабным коэффициентом 1:10 (см. приложение А).
(4) Разработайте схему фильтра звуковых частот, ко­ Входной импеданс осциллографа определяется сопро­
торый бы ослаблял шипение иглы (точке — 3 дБ со­ тивлением 1 МОм и параллельной емкостью 20 пФ.
ответствует частота 10 кГц). Источник и импеданс Допустим, что кабель щупа вносит дополнительную
имеют те же параметры, что в упражнении 3. емкость 100 пФ, а все элементы установлены на
(5) Как из резисторов и конденсаторов собрать конце щупа (а не на том конце кабеля, который
фильтр, чтобы он имел такую характеристику, как соединяется с осциллографом) (рис. 1.111). Схема
показанная на рис. 1.108? должна давать ослабление 20 дБ (10) на всех часто­
(6) Разработайте схему широкополосного ДС-филь- тах, включая сигналы постоянного тока. Щуп с
тра (рис. 1.109): частоты^ и / 2 соответствуют спа­ масштабным коэффициентом 1:10 позволяет увели­
ду - 3 дБ. Подберите полные сопротивления так, что­ чить полное сопротивление нагрузки, подключаемой
бы второй каскад не оказывал существенного влия­ к испытуемой схеме, тем самым удается уменьшить
ния как нагрузка на первый каскад. влияние нагрузки на эту схему. Каким входным
(7) Изобразите график выходного напряжения для импедансом (параллельное соединение Л и С) об­
схемы, представленной на рис. 1.110. ладает щуп по отношению к тестируемой схеме?
ГЛАВА 2
ТРАНЗИСТОРЫ

ВВЕДЕНИЕ

Транзистор — это один из основных «ак­ из интегральных схем и подключить его к


тивных» компонентов. Он представляет внешним цепям, необходимо знать вход­
собой устройство, которое может уси­ ные и выходные характеристики каждой
ливать входной сигнал по мощ ности. используемой ИС. Кроме того, транзис­
Увеличение мощности сигнала происхо­ тор служит основой построения межсое­
дит за счет внешнего источника п ита­ динений, как внутренних (между ИС), так
ния. Отметим, что увеличение ам пли­ и внешних. И наконец, иногда (и даже
туды сигнала не является в данном слу­ довольно часто) случается, что подходя­
чае оп р ед ел яю щ и м . Т ак , н а п р и м е р , щей ИС промышленность не выпускает и
повышающий трансформатор —«пассив­ приходится прибегать к схемам, собран­
ный» компонент, такой же как рези с­ ным из дискретных компонентов. К ак вы
тор или конденсатор, обеспечивает уси­ сами вскоре убедитесь, транзисторы сами
ление по напряжению , но не может уси­ по себе очень интересны, и ознакомление
лить сигнал по мощ ности. Устройства, с их работой доставит вам удовольствие.
которые обладают свойством усиления Мы будем рассматривать транзисторы
по мощ ности, характеризуются способ­ совершенно не так, как авторы других книг.
ностью к генерации, обусловленной пе­ Обычно, изучая транзистор, пользуются его
редачей выходного сигнала обратно на эквивалентной схемой и h-параметрами. На
вход. наш взгляд, такой подход сложен и наду­
Изобретателей транзистора когда-то за­ ман. И дело не только в том, что, глядя на
интересовала именно способность устрой­ мудреные уравнения, вы едва ли поймете,
ства усиливать сигнал по мощности. Для как работает схема, скорее всего вы будете
начала они соорудили с помощью тран­ иметь смутное представление о параметрах
зистора усилитель звуковых частот для транзистора, их значениях и, самое глав­
громкоговорителя и убедились, что на ное, диапазонах изменения.
выходе сигнал больше, чем на входе. Мы предлагаем вам другой подход.
Транзистор является неотъемлемой ча­ В этой главе мы построим простую мо­
стью всякой электронной схемы, начиная дель транзистора и с ее помощью созда­
от простейшего усилителя или генерато­ дим несколько схем. К ак только начнут
ра до сложнейшей цифровой вычисли­ проявляться ограничения модели, допол­
тельной машины. Интегральные схемы ним ее с учетом уравнений Эбере—Мол-
(ИС), которые в основном заменили схе­ ла. Полученная таким образом модель даст
мы, собранные из дискретных транзисто­ правильное представление о работе тран­
ров, представляют собой совокупности зистора; с ее помощью вы сможете созда­
транзисторов или других компонентов, вать самые хорошие схемы, не прибегая к
построенные на едином кристалле полу­ большим расчетам. Кроме того, характе­
проводникового материала. ристики ваших схем не будут серьезно за­
Обязательно следует разобраться в том, висеть от таких неуправляемых парамет­
как работает транзистор, даже если вам ров транзистора, как, например, коэф ­
придется пользоваться в основном интег­ фициент усиления по току.
ральными схемами. Дело в том, что, для И наконец, несколько слов о принятых
того чтобы собрать электронное устройство в и н ж ен ерн ой п ракти ке условностях.
Транзисторы 69

Напряжение на выводе транзистора, взя­


тое по отношению к потенциалу земли,
обозначается буквенным индексом (К, Б
или Э): например, (UK— это напряжение
на коллекторе. Напряжение между выво­
дами обозначается двойным индексом,
например, 1/ъэ — это напряжение между Рис. 2.2. Выводы транзистора с точки зрения ом­
базой и эмиттером. Если индекс образо­ метра.
ван двумя одинаковыми буквами, то это —
напряжение источника питания: (С/кк—это (типичные значения приведены в табл.
напряжение питания (обычно положитель­ 2.1). Следует помнить и о предельных зна­
ное) коллектора, 11ээ — напряжение п и ­ чениях других параметров, например, рас­
тания (обычно отрицательное) эмиттера. сеиваемой мощности (/кэ UK3), темпера­
туры, и ъэ и др.
2.01. Первая модель транзистора: 4. Если правила 1-3 соблюдены, то ток
усилитель тока / к прямо пропорционален току / Б и мож­
но записать следующее соотношение:
Итак, начнем. Транзистор — это элект­
ронный прибор, имеющий три вывода 7к = К ъ h = К
(рис. 2.1). Различают транзисторы п - р —п- где /г2|Э — коэффициент усиления по току
и р —п —р -типа. Транзисторы п-р-п-типа (обозначаемый также 0), обычно состав­
подчиняются следующим правилам (для ляет около 100. Токи / к и / э втекают в
транзисторов р —п —р -типа правила сохра­ эмиттер. Замечание: коллекторный ток не
няются, но следует учесть, что полярнос­ связан с прямой проводимостью диода
ти напряжений должны быть изменены на база—коллектор; этот диод смещен в об­
противоположные): ратном направлении. Будем просто счи­
1. Коллектор имеет более положитель­ тать, что «транзистор так работает».
ный потенциал, чем эмиттер. Правило 4 определяет основное свой­
2. Цепи база-эмиттер и база—коллектор ство транзистора: небольш ой ток базы
работают как диоды (рис. 2.2). Обычно управляет большим током коллектора.
диод база-эмиттер открыт, а диод б а з а - Запомните: параметр hm нельзя назвать
коллектор смещен в обратном направле­ «удобным»; для различных транзисторов
нии, т. е. приложенное напряжение пре­ одного и того же типа его величина мо­
пятствует протеканию тока через него. жет изменяться от 50 до 250. Он зависит
3. Каждый транзистор характеризуется также от тока коллектора, напряж ения
максимальными значениями / к, / Б, и U K3. между коллектором и эмиттером и темпе­
За превышение этих значений приходит­ ратуры. Схему можно считать плохой,
ся расплачиваться новым транзистором если на ее характеристики влияет величи­
на параметра А21Э.
Рассмотрим правило 2. Из него следу­
ет, что напряжение между базой и эмит­
тером нельзя увеличивать неограниченно,
так как, если потенциал базы будет пре­
вышать потенциал эмиттера более чем на
0,6—0,8 В (прямое напряжение диода),
Эмиттер Э
то возникнет очень большой ток. Следо­
вательно, в работающем транзисторе н а­
пряжения на базе и эмиттере связаны сле­
д ую щ и м с о о т н о ш е н и е м : UB = U3 +
+ 0,6 В (t/g = U3 + £/бэ). Еще раз уточ­
Рис. 2.1. Условные обозначения транзистора и ним, что полярности напряжений указаны
маленькие транзисторные модули. для транзисторов п —р —п-типа, их следует
70 Глава 2

изменить на противоположные для тран­ ного значения р = 100). В чем же ош иб­


зисторов р —п—р - типа. ка? Дело в том, что правило 4 действует
Обращаем ваше внимание на то, что, лишь в том случае, если соблюдено прави­
как уже отмечалось, ток коллектора не ло 1; если ток коллектора достиг 100 мА,
связан с проводимостью диода. Дело в то падение напряжения на лампе состав­
том, что обычно к диоду коллектор—база ляет 10 В. Для того чтобы ток был еще
приложено обратное напряжение. Более больше, нужно чтобы потенциал коллек­
того, ток коллектора очень мало зависит тора был меньше потенциала земли. Но
от напряжения на коллекторе (этот диод транзистор не может перейти в такое со­
подобен небольшому источнику тока), в стояние. Когда п отенциал коллектора
то время как прямой ток, а следователь­ приближается к потенциалу земли, тран­
но и проводимость диода резко увеличи­ зистор переходит в режим насыщения (ти­
ваются при увеличении приложенного пичные значения напряжения насыщения
напряжения. лежат в диапазоне 0,05—0,2 В, см. прило­
жение Ж) и изменение потенциала кол­
НЕКОТОРЫЕ ОСНОВНЫЕ лектора прекращается. В нашем случае
ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ лампа загорается, когда падение напря­
жения на ней составляет 10 В.
2.02. Транзисторный переключатель Если на базу подается избыточный сиг­
нал (мы использовали ток 9,4 мА, хотя
Рассмотрим схему, изображенную на рис. достаточно было бы иметь 1,0 мА), то схе­
2.3. Эта схема, которая с помощью не­ ма не тратит этот избыток; в нашем случае
большого управляющего тока может со­ это очень выгодно, так как через лампу
здавать в другой схеме ток значительно протекает большой ток, когда она нахо­
большей величины, называется транзис­ дится в холодном состоянии (сопротив­
торным переключателем. Его работу по­ л е н и е л ам п ы в хол одн ом со с то ян и и
могают понять правила, приведенные в в 5—10 раз меньше, чем при протекании
предыдущем разделе. Когда контакт пе­ рабочего тока). Кроме того, при неболь­
реключателя разомкнут, ток базы отсут­ ших напряжениях между коллектором и
ствует. Значит, как следует из правила 4, базой уменьшается коэффициент р, а зна­
отсутствует и ток коллектора. Лампа не чит, для того чтобы перевести транзистор
горит. в режим насыщения, нужен дополнитель­
Когда переключатель замкнут, напря­ ный ток базы (см. приложение Ж). И ног­
жение на базе составляет 0,6 В (диод да к базе подключают резистор (с сопро­
база-эм иттер открыт). Падение напря­ тивлением, например, 10 кОм), для того
жения на резисторе базы составляет 9,4 В, чтобы при разомкнутом переключателе
следовательно, ток базы равен 9,4 мА. потенциал базы наверняка был равен по­
Если, не подумав, воспользоваться пра­ тенциалу земли.
вилом 4, то можно получить неправиль­ Этот резистор не влияет на работу схе­
ный результат: / к = 940 мА (для типич- мы при замкнутом переключателе, так как
через него протекает лишь малая доля тока
+10 в (0,06 мА).
При разработке транзисторных переклю­
чателей вам пригодятся следующие реко­
мендации:
1. Сопротивление резистора в цепи базы
лучше брать поменьше, тогда избыточный
базовый ток будет больше. Эта рекомен­
дация особенно полезна для схем, управ­
ляющих включением ламп; так как при
низком значении U K3 уменьшается и ко­
Рис. 2.3. Пример транзисторного переключателя. эф ф иц и ен т (3. О ней следует помнить
Транзисторы 71

одним управляющим сигналом. Еще одно


достоинство транзисторных переключате­
лей состоит в том, что они дают возмож­
ность производить дистанционное «холод­
ное» переключение, при котором на пере­
ключатели поступают только управляющие
сигналы постоянного тока. (Если «гонять»
сами переключаемые мощные сигналы, то
при передаче их по кабелям могут возни­
кать емкостные выбросы, а сигналы могут
сильно ослабляться).
Транзистор в образе человека. Рис. 2.5
Рис. 2.4. При подключении индуктивной нагрузки
следует всегда использовать подавляющий диод. дает представление о некоторых ограни­
чениях, свойственных транзистору. Пред­
и при разработке быстродействующих пе­ ставим себе, что задача человека на рис.
реключателей, так как на очень высоких 2.5 состоит в том, чтобы обеспечивать
частотах (порядка мегагерц) проявляют­ выполнение соотнош ения / к = Л21Э / Б;
ся емкостные эффекты и уменьшается зна­ при этом он может управлять только пе­
чение коэфициента р. Для увеличения ременным резистором. И так, он может
быстродействия к базовому резистору па­ создать короткое замыкание в схеме (ре­
раллельно подключают конденсатор. ж им н асы щ ен и я), или разом кн уть ее
2, Если потенциал нагрузки по какой- (транзистор в выключенном состоянии),
либо причине меньше потенциала земли или создать какое-то промежуточное со­
(например, если на нагрузке действует на­ стояние; он не имеет права использовать
пряжение переменного тока или она ин­ батареи, источники тока и т. п. Не сле­
дуктивна), то параллельно коллекторно­ дует, однако, думать, что коллектор тран­
му переходу следует подклю чить диод зистора на самом деле похож на резис­
(можно также использовать диод, вклю­ тор. Это не так. Человек старается сде­
ченный в обратном направлении по от­ лать так, чтобы через него все время
ношению к положительному потенциалу
питания), тогда цепь коллектор—база не
будет проводить ток при отрицательном
напряжении на нагрузке.
3. При использовании индуктивных на­
грузок транзистор следует предохранять
с помощью диода, подключенного к на­
грузке, как показано на рис. 2.4. Если
переключатель разомкнут, то в отсутствие
диода на коллекторе будет действовать
большое полож ительное н ап ряж ен и е,
скорее всего превышающее значение н а­
пряжения пробоя для цепи коллектор-
эмиттер. Это связано с тем, что индук­
тивность стремится сохранить ток вклю­
ченного со сто ян и я, протекаю щ и й от
источника UKK к коллектору (вспомните
свойства индуктивностей в разд. 1.31).
Транзисторные переключатели позволя­
ют производить переключение очень быс­
тро, время переклю чения изм еряется Рис. 2.5. «Транзисторный человек» следит за током
обычно долями микросекунд. С их помо­ базы и регулирует выходной реостат для того, чтобы
щью можно переключать несколько схем выходной ток был в Л2|Э больше тока базы.
72 Глава 2

протекал постоянный неизменны й ток Первый Второй


(величина этого тока зависит от прило­
женного к базе напряжения).
Следует помнить, что в любой задан­
ный момент времени транзистор может:
а) быть в режиме отсечки, т. е. выклю­
читься (отсутствует ток коллектора);
б) находиться в активном режиме (неболь­
шой ток коллектора, напряжение на кол­ Рис. 2.7. Представим «нагрузку» схемы как дели­
лекторе выше, чем на эмиттере); тель напряжения.
в) перейти в режим насыщения (напря­
жение на коллекторе приблизительно рав­ ше, чем выходной. Из этого следует, что
но напряжению на эмиттере). Более под­ источник входного сигнала будет отдавать
робно режим насыщения транзистора опи­ меньшую мощность, если нагрузку под­
сан в приложении Ж. ключить к нему не непосредственно, а
через эмиттерный повторитель. Поэтому
2.03. Эмиттерный повторитель обладающий внутренним импедансом ис­
точник (имеется в виду его эквивалент­
На рис. 2.6 показан эмиттерный повто­ н ая схем а) м ож ет через п овтори тел ь
ритель. Он назван так потому, что вы­ работать на нагрузку, которая обладает
ходной сигнал снимается с эмиттера, на­ сравнимым или даже более низким им­
пряжение на котором равно напряжению педансом, без потери амплитуды сигнала
на входе (на базе) минус падение напря­ (эта потеря неизбежна при прямом вклю­
жения на диоде (на переходе б аза-эм и т­ чении из-за эффекта делителя напряже­
тер): U3 = f/B—0,6 В. Выходной сигнал по ния). Иными словами, эмиттерный по­
форме повторяет входной, но уровень его вторитель об есп еч и вает у си л ен и е по
напряжения на 0,6—0,7 В ниже. Для при­ току, хотя и не дает усиления по напря­
веденной схемы входное н апряж ение жению. Он также обеспечивает усиление
U должно составлять по крайней мере по мощности. Как видите, усиление по
0,6 В, иначе выходное напряжение будет напряжению это еще не все!
равно потенциалу земли. Если к эмиттер- Импеданс источника и нагрузки. Пос­
ному резистору подключить источник от­ леднее замечание очень важно, поэтому
рицательного напряж ения, то входной задержим на нем свое внимание, прежде
сигнал может быть отрицательным. Об­ чем приступить к вычислениям, связан­
ратите внимание, что в эмитгерном по­ ным со свойствами эмиттерных повтори­
вторителе отсутствует резистор в коллек­ телей. П ри анализе электронны х схем
торной цепи. всегда стремятся связать выходную вели­
На первый взгляд эта схема может по­ чину с какой-либо входной, как, напри­
казаться бесполезной, но дело в том, что мер, на рис. 2.7. В качестве источника
ее входной импеданс значительно боль- сигнала может выступать выход усили­
тельного каскада (с эквивалентным пос­
+10 в
ледовательным импедансом Z Bbix), к ко­
торому подключен еще один каскад или
нагрузка (обладающая входным импедан­
сом Z BX). Вообще говоря, нагрузочный эф ­
фект следующего каскада проявляется в
ослаблении сигнала, о чем шла речь ра­
нее в разд. 1.05. В связи с этим обычно
стремятся к тому, чтобы выполнялось ус­
ловие ZBbix « Z Bx (практическое правило
рекомендует использовать коэффициент
Рис. 2.6. Эмиттерный повторитель. 10, что на самом деле весьма удобно).
Транзисторы 73

В некоторых случаях вполне можно пре­ К оэф ф и ц и ен т р (А2|э) обы чно имеет
небречь этим общим требованием для значение около 100, поэтому подключе­
обеспечения стабильности источника по ние нагрузки с небольшим импедансом
отношению к нагрузке. В частности, если приводит к тому, что импеданс со стороны
нагрузка подключена всегда (например, базы становится очень большим; с такой
входит в состав схемы) и если она пред­ нагрузкой схеме легко работать.
ставляет собой известную и постоянную В выполненном только что преобразо­
величину Z bx, то нет ничего опасного в вании, как и в гл. 1, мы использовали для
том, что она «нагружает» источник. Тем обозначения некоторых величин строчные
не менее хуже не будет, если уровень сиг­ буквы, наприм ер /г21Э, тем самы м мы
нала не изменяется при подключении на­ указали, что имеем дело с приращениями
грузки. Кроме того, если ZBx изменяется (малыми сигналами). Чаще всего нас ин­
при изменении уровня сигнала, то ста­ тересует изменение напряжения (или тока)
бильный источник (ZBbix« Z BX) обеспечи­ в схеме, а не постоянные значения (или
вает линейность, а делитель напряжения значения по постоянному току) этих ве­
дает искажение линейной зависимости. личин. Очень часто эти изменения малых
Н а к о н е ц , в двух с л у ч ая х у сл о в и е сигналов и представляют собой реальный
Z„,,„
ВЫХ
«с Z„ВХ соблюдать просто нельзя: в 4ра- сигнал, например, в усилителе звуковых
диочастотных схемах импедансы обычно частот, который имеет устойчивое «сме­
выравнивают (ZBUx = ZBX) по причине, ко­ щ ен и е» п о п о с т о я н н о м у т о к у (см .
торую мы объясним в гл. 14. Второе ис­ разд. 2.05). Различие между коэф ф ици­
ключение относится к случаю, когда пе­ ентом усиления по постоянному току (й2|э)
редаваемым сигналом является не напря­ и коэффициентом усиления по току для
жение, а ток. В этом случае ситуация малого сигнала h1]3 не всегда очевидно,
меняется на противоположную, и нужно и для того и для другого случая использу­
стремиться к выполнению условия Z Bx« ют понятие коэффициента усиления р.
ZBblx (для источника тока ZBblx = да). Если учесть, что h2u = А (за исключе­
Входной импеданс и импеданс эмиттер- нием очень высоких частот) и в большин­
ного повторителя. Итак, эмиттерный по­ стве случаев интерес представляет не точ­
вторитель обладает способностью согла­ ное, а приблизительное значение этого
совывать импедансы источников сигна­ коэффициента, то использование коэф ­
лов и нагрузок. В этом и состоит его фициента р вполне допустимо.
назначение. В полученном соотношении фигуриру­
Давайте подсчитаем входной и выход­ ют активные сопротивления, однако его
ной импеданс эмиттерного повторителя. можно обобщить и распространить на ком­
Предположим, что в приведенной схеме плексные импедансы, если переменные
в качестве нагрузки выступает резистор A t/6, А/ 6 и др. заменить их комплексными
R (на практике иногда так и бывает, в представлениями. В результате получим
других случаях нагрузку подключают па­ правило преобразования импедансов для
раллельно резистору R, но при парал­ эмиттерного повторителя:
лельном соединении преобладает сопро­ Zвх = (Л,, + 1)Z .
тивление R). Пусть напряжение на базе v 2 1э ' нагр

изменилось на величину Д{/Б; соответству­ П роделав аналогичны е преобразова­


ющее напряжение на эмиттере составит ния, найдем выходной импеданс эмит­
AU3 = Д{/Б. Определим изменение тока терного повторителя Z bhx (импеданс со
эмиттера: AU3 = A U JR , равное Д/ 6 = стороны эмиттера) при использовании
= [1/(А21э+ !)]АЛ = Щ /Л(Л21э+ 1) (с уче­ источника сигнала с внутренним импе­
том того, что / э = 1к + / 6). Входное дансом г ист:
соп роти влени е схемы равн о At/6/A /6,
следовательно, 2 вы х = 2 и ст ( А 21э + ! )•

Строго говоря, в выходной импеданс


^ = (Л2„ + DA схемы надо включить и сопротивление
74 Глава 2

п ар ал л ел ьн о го р е зи с т о р а R, но Z Bbix +10
(импеданс со стороны эмиттера) играет
основную роль.
Упражнение 2.1. Покажите, что приведенное выше
соотношение справедливо. Подсказка: найдите из­
менение выходного тока при фиксированном напря­
жении источника и заданном изменении выходного
напряжения. Учтите, что напряжение источника
подается на базу через его последовательно вклю­ Рис. 2.9. Эмиттерный повторитель п—р —я-типа как
ченное внутреннее сопротивление. схема формирования асимметричного токового сиг­
Благодаря таким полезным свойствам нала.
эмиттерные повторители находят ш иро­
меняется в пределах напряжения насыще­
кое практическое применение, например,
н и я тр ан зи сто р а UKK (что со став л яет
при создании внутри схем (или на их вы­
+ 9,9 В), в отрицательной полуплоскости
ходе) источников сигналов с низким им­
оно ограничено значением - 5 В. Это свя­
педансом, при получении стабильных эта­
зано с тем, что при увеличении отрица­
лонных напряжений на основе эталонных
тельного напряжения на входе транзис­
источников с высоким импедансом (сфор­
тор в определенный момент просто вык­
мированных, скажем, с помощью дели­
лючается, напряжение на входе составляет
телей напряжения) и для изоляции ис­
при этом —4,4 В, а не выходе — 5 В.
точников сигналов от влияния последую­
Дальнейшее увеличение отрицательного
щих каскадов.
напряжения на входе приводит лишь к об­
Упражнение 2.2. Н а основе эмитгерного повторите­ ратному смещению перехода б аза-эм и т­
ля, к базе которого подключен делитель напряжения, тер, но на выходе это никак не проявля­
создайте схему источника напряжения +5 В при усло­
вии, что используется стабилизированный источник на­
ется. Выходной сигнал для входного си­
пряжения питания +15 В. Ток нагрузки (максимальный) нусоидального напряжения с амплитудой
равен 25 мА. Сопротивление резисторов следует выбрать 10 В показан на рис. 2.9.
так, чтобы при подключении полной нагрузки напряже­ Можно также рассматривать поведение
ние на выходе изменялось не более чем на 5%. эмитгерного повторителя, исходя из того,
Некоторые замечания по поводу эмиттер- что он обладает небольш им выходным
ных повторителей. 1. Отметим (разд. 2.01, импедансом для малого сигнала (динами­
правило 4), что транзистор п - р —п -типа в ческий импеданс). Его выходной импе­
эмиттерном повторителе может только данс для большого сигнала может быть
отдавать ток. Например, для схемы, по­ значительно больше (равен R3). Измене­
казанной на рис. 2.8, выходное напряже­ ние импеданса от первого значения ко
ние в положительной полуплоскости из- второму происходит в тот момент, когда
транзистор выходит из активного режима
+10 в (в нашем примере при напряжении на вы­
ходе —5 В). Иначе говоря, небольшой вы­
ходной импеданс для малого сигнала не
означает еще, что схема может создавать
большой сигнал на низкоомной нагрузке.
Если схема имеет небольшой выходной
импеданс для малого сигнала, то из этого
не следует, что она обладает способнос­
тью передавать в нагрузку большой ток.
-10 В Для того чтобы преодолеть ограниче­
ние, присущее схеме эмитгерного повто­
Рис. 2.8. Из эмитгерного повторителя л-/>-л-типа
рителя, можно, например, в эмиттерной
может вытекать большой ток, который будет проте­ цепи использовать резистор с меньшим
кать через транзистор, втекать же может ограничен­ сопротивлением (тогда на резисторе и
ное количество тока и лишь через эмиттерный рези­ транзисторе будет рассеиваться большая
стор.
Транзисторы 75

_о U (-U Л
“У вы х \ стаб'

(нестаб.
напряжение
с небольшими
пульсациями)

Рис. 2.10. Диод предохраняет переход база-эмит­ Рис. 2.11. Простой стабилизатор напряжения на
тер от пробоя. основе зенеровского диода.

мощность), или использовать двухтакт­ протекать некоторый ток, поэтому нужно


ную схему, в которой два транзистора обеспечить выполнение следующего усло­
( п - р —п -типа и р —п —р -ти п а) взаи м н о вия:
дополняют друг друга (разд. 2.15). П ро­ (U -U )/R > Iв ы х (макс).
блемы такого рода возникаю т также в ' вх вы х7 / ' 7

тех случаях, когда нагрузка эмиттерно- Так как напряжение Ubx не стабилизи­
го повторителя имеет внутри собствен­ ровано, то в формулу нужно поставить
ный источник н ап ряж ени я или тока. наименьшее возможное значение Utx. Это
Примером такой схемы служит стабили­ пример того, как следует проектировать
зированный источник питания (на вы ­ схему для жестких условий работы. На
ходе которого стоит обычно эмиттерный практике учитывают также допуски на
повторитель), работаю щ ий на схему, параметры компонентов, предельные зна­
содержащую собственный источник пи­ чения напряжения в сети и т. п., стремясь
тания. предусмотреть наихудшее возможное со­
2. Не забывайте, что напряжение пробоя четание всех значений.
перехода база-эмиттер для кремниевых Н а стабилитроне рассеивается м ощ ­
транзисторов невелико и часто составля­ ность:
ет всего 6 В. Входные сигналы, имею­ Р ^ = [(ит - и 1ых) / я - и и шх.
щие достаточно большую амплитуду для
того, чтобы вывести транзистор из состо­ Для того чтобы предусмотреть работу
яния проводимости, могут вызвать про­ в жестких условиях, при расчете РспЪ
бой перехода (и последующее уменьше­ также следует использовать зн ач ен и я
ние значения коэф ф ициента й21э). Для (UBx (макс), R (мин.) и / вых(мин.).
предохранения от пробоя можно исполь­ Упражнение 2.3. Разработайте стабилизированный
зовать диод (рис. 2. 10). источник напряжения ±10 В для токов нагрузки ве­
3. Коэффициент усиления по напряже­ личиной от 0 до 100 мА; входное напряжение изме­
нию для эмитгерного повторителя имеет няется в пределах от 20 до 25 В. В любых условиях
значение чуть меньше 1,0, так как паде­ (в том числе и в самых жестких) через стабилитрон
должен протекать ток 10 мА На какую предельную
ние напряжения на переходе б аза-эм и т­ мощность должен быть рассчитан стабилитрон?
тер фактически не является постоянным,
а немного зависит от коллекторного тока. Стабилизированный источник с зене-
Далее в этой главе мы вернемся к этому ровским диодом, как правило, использу­
вопросу, когда будем рассматривать урав­ ют в некритичных схемах или в схемах,
нение Эберса—Молла. где потребляемый ток невелик. Ограни­
чения такой схемы проявляются в следу­
2.04. Использование эмиттерных ющем:
повторителей в качестве стабилизаторов 1. Напряжение Ueux нельзя отрегулиро­
напряжения вать или установить на заданное значе­
ние.
Простейшим стабилизатором напряжения 2. Стабилитроны имеют конечное дина­
служит обычный зенеровский диод-ста­ мическое сопротивление, а в связи с этим
билитрон (рис. 2.11). Через него должен они не всегда достаточно сильно сглажи-
76 Глава 2

Рис. 2.12. Стабилитрон в сочетании с повторите­


лем обеспечивает увеличение выходного тока.

вают пульсации входного напряжения и


влияние изменения нагрузки.
пульсаций тока в стабилитроне (проте­
3. При широком диапазоне изменения то­ кающего через резистор R). В частно­
ков нагрузки приходится выбирать стаби­ сти, может быть использован источник
литрон с большой мощностью рассеяния, тока для п итани я стабилитрона. Этот
так как при малом токе нагрузки он дол­ случай мы рассмотрим в разд. 2.06. Дру­
жен рассеять на себе значительную мощ­ гой метод основан на использовании в
ность, равную максимальной мощности
цепи питания стабилитрона фильтра низ­
в нагрузке. ких частот (рис. 2.13). Резистор R выби­
На рис. 2.12 представлена улучшенная рают так, чтобы обеспечить необходимый
схема, в которой зенеровский диод отде­ т о к в стаб и л и тр о н е. К о н д ен са то р С
лен от нагрузки эмиттерным повторите­ должен иметь емкость, достаточно боль­
лем. В такой схеме дела обстоят лучше. шую для того, чтобы выполнялось усло­
Ток стабилитрона теперь относительно не­ вие RC » 1// (В одном из вариантов этой
зависим от тока нагрузки, так как по цепи схемы верхний резистор заменен д и о­
базы транзистора протекает небольшой ток дом.) В дальнейшем вы познакомитесь
и мощность, рассеиваемая на стабилитро­ с более соверш енными стабилизаторами,
не, значительно меньше (уменьшение в hn3 в которых выходное напряжение можно
раз). Резистор RKможно добавить в схему легко и плавно настраивать благодаря об­
для того, чтобы он предохранил транзис­ ратной связи. Вместе с тем он и пред­
тор от выхода из строя при кратковремен­ ставляют собой гораздо лучшие источни­
ном коротком замыкании выхода за счет ки н апряж ения, выходные импедансы
ограничения тока, и, хотя эмиттерный которых измеряются в миллиомах, тем­
повторитель нормально работает и без это­ пературные коэффициенты - в милли­
го резистора, его присутствие в схеме впол­ онных долях на °С и т. д.
не обоснованно. Резистор /?к следует вы­
бирать так, чтобы при максимальном токе
2.05. Смещение в эмиттерном повторителе
нагрузки падение напряжения на нем было
меньше, чем на резисторе R.
Если на эмиттерный повторитель должен
Упражнение 2.4. Разработайте источник напряже­ поступать сигнал с предшествующего кас­
ния + 10 В, который имел бы такие же параметры, када схемы, то лучше всего подключить
как источник в упражнении 2.3. Используйте в схеме
стабилитрон и эмиттерный повторитель. Рассчитай­
его непосредственно к выходу предыду­
те, какую мощность рассеивают транзистор и стаби­ щего каскада, как показано на рис. 2.14.
литрон в наихудшем случае. Каково процентное из­ Так как сигнал на коллекторе транзисто­
менение тока стабилитрона при переходе от ненагру- ра Тх изменяется в пределах диапазона,
женного состояния к нагруженному? Сравните эти ограниченного значениями напряжения
результаты с результатами предыдущего упражнения.
источников питания, то потенциал базы
В ряде вариантов рассмотренной схе­ 71 всегда заключен между напряжением
мы предусматривают меры для снижения lfKK и потенциалом земли, а следователь­
Транзисторы 77

Рис. 2.14. Рис. 2.16. Эмиттерный повторитель со связью по


переменному току. Обратите внимание на делитель
напряжения в цепи смещения базы.
но, Тг находится в активной области (не
насыщен и не в отсечке). При этом пере­
ход база-эм иттер открыт, а потенциал всего воспользоваться для этого делите­
коллектора, по крайней мере на несколь­ лем напряжения (рис. 2.16). Резисторы
ко десятых долей вольта больше, чем по­ Rt и /^выбраны так, что в отсутствие вход­
тенциал эмиттера. В некоторых случаях ного сигнала потенциал базы равен по­
вход эмиттерного повторителя и напряже­ ловине разности между напряжением ис­
ние питания неудачно соотносятся друг с точника UKK и потенциалом земли, т. е.
другом, и тогда может возникнуть необхо­ сопротивления /?, и R2 равны. Процесс
димость в емкостной связи (или связи по выбора рабочих напряжений в схеме в от­
переменному току) с внешним источни­ сутствие поданных на ее вход сигналов
ком сигнала (например, это относится называется установкой рабочей точки или
к сигнальному входу высококачественно­ точки покоя. Для этой схемы, как и в боль­
го усилителя низкой звуковой частоты). шинстве случаев, точку покоя устанавли­
В этом случае среднее напряжение сигна­ вают так, чтобы на выходе формировался
ла равно нулю, и непосредственная связь максимальный симметричный сигнал (без
с эмиттерным повторителем приведет к ограничений или срезов). Какими долж­
тому, что сигнал на выходе будет изме­ ны быть при этом сопротивления резисто­
няться относительно входа, как показано ров Л, и R 1 Применяя общий подход (разд.
на рис. 2.15. 1.05), допустим, что импеданс источника
В эмиттерном повторителе (а фактичес­ смещения по постоянному току (импеданс
ки в любом транзисторном усилителе) со стороны выхода делителя) мал по срав­
необходимо создать смещение для того, нению с импедансом нагрузки (импеданс
чтобы коллекторный ток протекал в те­ по постоянному току со стороны базы по­
чение полного периода сигнала. Проще вторителя). Тогда
Л, 11 R ,« h2l3R3.
Из этого соотношения следует, что ток,
протекающий через делитель напряжения,
должен быть больше, чем ток, протекаю­
щий по цепи базы.
Пример разработки схемы эмиттерного
повторителя. В качестве примера разра­
ботаем схему эмиттерного повторителя для
сигналов звуковой частоты (от 20 Гц до
Рис. 2.15. Транзисторный усилитель с положитель­ 20 кГ ц). Н ап ряж ен и е f/KK составляет
ным источником питания не может генерировать на + 15 В, ток покоя равен 1 мА.
выходе импульсы отрицательной полярности. Шаг 1. Выбор напряжения 1/э. Для полу-
78 Глава 2

чения симметричного сигнала без срезов


необходимо, чтобы выполнялось условие
иэ = 0,5 UKK, или +7,5 В.
Шаг 2. Выбор резистора R3. Ток покоя
д о л ж ен с о с т а в л я т ь 1 м А , п о э т о м у
Лэ = 7,5 кОм.
Ш аг 3. В ы бор р е зи с т о р о в Л, и R 2.
Напряжение ( UB- это сумма U3 + 0,6 В,
или 8,1 В. Из этого следует, что сопро­
тивления резисторов R , и R2 относятся
друг к другу как 1:1,17. Учитывая извест­ Рис. 2.17. Эмиттерный повторитель со связью по
ный уже нам критерий выбора нагрузки, постоянному току с расщепленным источником пи­
мы должны подобрать резисторы /?, и Я7 тания.
так, чтобы сопротивление их параллель­
ного соединения составляло приблизи­ побольше. Вполне подойдут следующие
тельно 75 кОм или меньше (0,1 от произ­ значения: С,, = 0,5 и С2 = 3,3 мкФ.
ведения 7,5 кОм на й2|Э). Выберем сле­ Эмиттерные повторители с расщеплен­
дующие стандартные значения сопротив­ ными источниками. В связи с тем что сиг­
лений: Л, = 130 кОм, R2 = 150 кОм. налы часто находятся «возле земли», удоб­
Шаг 4. Выбор конденсатора С,. Конден­ но использовать симметричное питание
сатор С, и сопротивление нагрузки источ­ повторителей — с положительным и от­
ника образуют фильтр высоких частот. рицательным напряжением. В такой схе­
Сопротивление нагрузки источника есть ме легче обеспечить смещение, и для нее
параллельное соединение входного сопро­ не нужны развязывающие конденсаторы
тивления транзистора со стороны базы и (рис. 2.17).
соп роти влени я д елителя н ап ряж ен и я Замечание: в схеме обязательно должна
базы. Предположим, что нагрузка схемы быть предусмотрена цепь постоянного тока
велика по сравнению с эмиттерным ре­ для тока базы, даже если этот ток течет
зистором, тогда входное сопротивление просто «на землю». В схеме на рис. 2.17
тр ан зи сто р а со сторон ы базы р авн о эту роль играет источник сигнала, соеди­
h2]3R3, т. е. составляет =750 кОм. Экви­ ненный с землей по постоянному току.
валентное сопротивление делителя равно Если же это не так (например, имеется
70 кОм. Тогда нагрузка для конденсато­ емкостная связь с источником), то следу­
ра составляет 63 кОм и емкость конденса­ ет предусмотреть связь базы с землей че­
тора должна быть равна по крайней мере рез резистор (рис. 2.18). К ак и прежде,
0,15 мкФ. В этом случае точке - 3 дБ сопротивление Rb должно составлять при­
будет соответствовать частота, меньшая близительно 0,1 от произведения /г2ь/?э.
чем 20 Гц.
Шаг 5. Выбор конденсатора С2. Конден­
+ U кк
сатор С2 и неизвестный импеданс нагруз­
ки образуют фильтр высоких частот. Мы
не ош ибемся, если предполож им, что
импеданс нагрузки не будет меньше R3.
Тогда, для того чтобы точке - 3 дБ соот­
ветствовало значение частоты, меньшее
чем 20 Гц, емкость конденсатора С2 дол­
жна быть равна по крайней мере 1,0 мкФ.
Так как мы получили двухкаскадны й
фильтр высоких частот, то для предот­
вращения снижения амплитуды сигнала
на самой низкой из интересующих нас
частот емкости следует взять немного Рис. 2.18.
Транзисторы 79

+ 15 В

Рис. 2.20.

точники напряж ения. И сточники тока


7,5 представляют собой прекрасное средство
кОм для обеспечения смещения транзисторов,
и кроме того, незаменимы в качестве ак­
тивной нагрузки для усилительных каска­
дов с большим коэффициентом усиления
Рис. 2.19. Не следуйте этому примеру.
и в качестве источников питания эмитте­
ров для дифференциальных усилителей.
Упражнение 2.5. Разработайте эмиттерный по­ Источники тока необходимы для работы
вторитель с источником напряжения ± 15 В для диа­
пазона звуковых частот (20 Гц—20 кГц). Ток покоя таких устройств, как интеграторы, гене­
равен 5 мА, на входе имеется емкостная связь. рато р ы п и л о о б р а зн о го н а п р я ж е н и я .
В схемах усилителей и стабилизаторов они
Пример плохого смещения. К сожале­ обеспечивают широкий диапазон напря­
нию, иногда встречаются такие неудачные жений. И наконец, источники постоян­
схемы, как на рис. 2.19. При выборе ре­ ного тока требуются в некоторых облас­
зистора Л, для этой схемы предположили, тях, не имеющих прямого отношения к
что коэффициент h2b имеет определенное электронике, например в электрохимии,
значение ( 100), оценили величину тока электрофорезе.
базы и предположили, что падение напря­ Подключение резистора к источнику
жения на /?Б составит 7 В. Расчет схемы напряжения. Схема простейшего источ­
выполнен плохо; коэф ф ициент й2|э не ника тока показана на рис. 2.20. При
следует брать за основу расчета, так как условии, что Лн » R (иными словами,
его значение может существенно изменять­ £ / » £ / ) , ток сохраняет почти постоянное
ся. Если напряжение смещения задать с значение и равен приблизительно / = U/R.
помощью делителя напряжения, как в рас­ Если нагрузкой является конденсатор, то
смотренном выше примере, то точка по­ при условии, что U, он заряжает­
коя будет нечувствительна к изменениям ся с почти постоянной скоростью, опре­
коэффициента р. Например, в предыду­ деляемой начальным участком экспонен­
щей схеме напряжение на эмиттере уве­ ты, характерной для данной ЛС-цепи.
личится всего на 0,35 В (5%), если вмес­ Простейшему резистивному источнику
то номинальной величины кгь = 1 0 0 бу­ тока присущи существенные недостатки.
дем иметь величину hlb = 200. На примере Для того чтобы получить хорошее прибли­
эмиттерного повторителя мы показали жение к источнику тока, следует исполь­
вам, как можно попасть в ловушку и раз­ зовать большие напряжения, а при этом
работать никуда не годную схему. Такие на резисторе рассеивается большая мощ­
ошибки возможны и в схемах с другим ность. Кроме того, током этого источни­
вклю чением транзисторов (наприм ер, ка трудно управлять в широком диапазо­
дальше в этой главе будет представлена не с помощью напряжения, формируемо­
схема с общим эмиттером). го где-либо в другом узле схемы.
2.06. Транзисторный источник тока Упражнение 2.6. Допустим, нам нужен источник
тока, который бы обеспечивал точность 1% в диа­
пазоне изменения напряжения на нагрузке от 0 до
Хотя источники тока не столь известны, + 10 В. Какой источник напряжения нужно под­
они не менее полезны и важны, чем ис- ключить последовательно к резистору?
80 Глава 2

+U„, Смещение в источнике тока. Напряже­


ние на базе можно сформировать несколь­
кими способами. Хороший результат дает
использование делителя напряжения, если
он обеспечивает достаточно стабильное
напряжение. К ак и в предыдущих случа­
ях, сопротивление делителя должно быть
значительно меньше сопротивления схе­
мы со стороны базы по постоянному току
h2l,R... Можно воспользоваться также зе-
неровским диодом и использовать для
смещения источник питания UKK, а можно
взять несколько диодов, смещ енны х в
прямом направлении и соединенных пос­
ледовательно, и подключить их между ба­
зой и соответствующим источником пи­
Рис. 2.21. Транзисторный источник тока: основная тания эмиттера. На рис. 2.22 показаны
идея. примеры схем смещ ения. В последнем
примере (рис. 2.22, б) транзистор р —п —р-
Упражнение 2.7. Допустим, что в предыдущем уп­ типа питает током заземленную нагрузку
ражнении требуется получить от источника ток (он - источник тока). Остальные примеры
10 мА. Какая мощность будет рассеиваться на ре­ (в которых используются транзисторы
зисторе? Какая мощность передается нагрузке?
п —р —п-типа) правильнее было бы назы ­
Транзисторный источник тока. Очень вать «поглотителями» тока, но принято
хороший источник тока можно постро­ называть все схемы такого типа источни­
ить на основе транзистора (рис. 2.21). ками тока. [Название «поготитель» и «ис­
Работает он следующим образом: напря­ точник» связано с направлением тока;
жение на базе UB > 0,6 В поддерживает если ток поступает в какую-либо точку
эмиттерный переход в открытом состоя­ схемы , то это источник, и наоборот.]
нии: и э = Щ — 0,6 В. В связи с этим В первой схеме сопротивление делителя
/ э = U.JR3 = ( и э — 0,6 В)/Лэ. Так как для напряжения составляет приблизительно
больших значений коэффициента Л21э/ э = = 1,3 кОм и очень мало по сравнению с
= / к, то 1К = (U3 - 0,6 В)/Лэ независимо сопротивлением со стороны базы, со ­
от напряжения UKдо тех пор, пока тран­ ставляющим 100 кОм (для кгъ = 100).
зистор не перейдет в режим насыщения Любое изменение коэффициента (3, свя­
(UK> U3 + 0,2 В). занное с изменением напряжения на кол­

Рис. 2.22. Схемы транзисторных источников тока с тремя способами подачи смещения на базу; в транзисторы
п -р-л-типа ток втекает, а из транзисторов р~п~р-типа вытекает. На схеме (в) показан источник с заземленной
нагрузкой.
Транзисторы 81

лекторе, не повлияет существенным об­ Упражнение 2.8. В схеме имеются два стабилизи­
разом на выходной ток, так как соответ­ рованных источника напряжения: 45 и 15 В. Разрабо­
тайте схему источника тока на основе транзистора
ствующее изменение напряжения на базе п—р —п-типа, которая бы обеспечивала ток +5 мА.
совсем мало. В двух других схемах резис­ В качестве источника напряжения для базы исполь­
торы в цепи смещения выбраны так, что­ зуйте источник +5 В. Чему равен рабочий диапазон
бы протекающий ток составлял несколь­ в такой схеме?
ко м иллиам пер, — этого д остаточн о, В источнике тока напряжение на базе
чтобы диоды были открыты. не обязательно должно быть фиксирован­
Рабочий диапазон. Источник тока пе­ ным. Если предусмотреть возможность
редает в нагрузку постоянный ток только изменения напряжения и ъ, то получим
до определенного конечного напряжения программируемый источник тока. Если
на нагрузке. В противном случае источ­ выходной ток должен плавно отслеживать
ник тока был бы способен генерировать изменения входного напряжения, то раз­
бесконечную мощность. Диапазон выход­ мах входного сигнала ит (напоминаем, что
ного напряжения, в котором источник строчными буквами мы договорились обо­
тока ведет себя как следует, называется значать изменения) должен быть неболь­
рабочим диапазоном. Для рассмотренных шим, таким, чтобы напряжение на эмит­
только что транзисторных источников тока тере никогда не уменьшалось до нуля.
рабочий диапазон определяется из того, В таком источнике тока изменение вы­
что транзистор должен находиться в ак­ ходного тока будет пропорционально из­
тивном режиме работы. Так, в первой менениям входного напряжения.
схеме напряжение на коллекторе можно Недостатки источников тока. Как силь­
понижать до тех пор, пока не будет дос­ но отличается транзисторный источник
тигнут режим насыщения, т. е. до +12 В. тока от идеального? Иными словами, из­
Вторая схема, с более высоким напряже­ меняется ли ток в нагрузке при измене­
нием на эмиттере, сохраняет свойства нии, скажем, напряжения, т. е. имеет ли
источника лиш ь до значения напряжения источник тока эквивалентное сопротивле­
на коллекторе, равного приблизительно ние конечной величины (Лэкв < оо)? И если
+ 5,2 В. да, то почему? Наблюдаются эффекты двух
Во всех случаях напряжение на кол­ видов:
лекторе может изменяться от значения 1. П ри зад ан н о м токе ко л л ек то р а и
напряжения насыщения до значения на­ н ап ряж ени е 1/ъэ, и ко эф ф и ц и ен т h2[3
пряжения питания. Например, послед­ (эффект Эрли) несколько изменяются при
няя схема работает как источник тока в изменении напряжения коллектор—эмит­
диапазоне напряжения на нагрузке, ог­ тер. Изменение напряжения Ub3, связан­
раниченном зн ач ен и ям и 0 и + 8,6 В. ное с изменением напряжения на нагруз­
Если в нагрузке используются батареи ке, вызывает изменение выходного тока,
или собственные источники питания, то так как напряжение на эмиттере (а следо­
напряжение на коллекторе может быть вательно, и эмиттерный ток) изменяется,
больше, чем напряжение источника пи­ даже если напряжение на базе фиксирова­
тания. При использовании такой схемы но. Изменение значения коэффициента
рекомендуется следить за тем, чтобы не /г2|Э приводит к небольшим изменениям
возник пробой транзистора (напряжение выходного (коллекторного) тока при ф ик­
U не долж но п р ев ы ш ать зн ач ен и е сированном токе эмиттера, так как / к =
^кэпроб - напряжение пробоя перехода = / э —/ Б; кроме того, немного изменяется
коллектор-эмиттер) и не рассеивалась из­ напряжение на базе в связи с возможным
лишняя мощность (определяемая величи­ изменением сопротивления источника
ной произведения IKUK3). В разд. 6.07 смещения, обусловленного изменениями
вы увидите, что для мощных транзисто­ коэффициента /г2|Э (а следовательно, и тока
ров область безопасной работы определя­ базы). Эти изм енения незначительны.
ется специально. Например, изменение выходного тока для
схемы, представленной на рис. 2.22, а,
82 Глава 2

Улучшение характеристик источника


тока. Вообще говоря, изменение напря­
жения и ъэ, вызванное как влиянием тем­
пературы (относительное изменение со­
ставляет приблизительно - 2 мВ/°С), так и
зависимостью от напряжения UB3 (эффект
Э рли оц ен и в ается вел и чи н ой Д и ъэ »
* —0,001 Д£/кэ), можно свести к миниму­
му, если установить напряжение на эмит­
тере достаточно больш им (по крайней
мере 1 В), тогда изменение напряжения
и ъэ на десятые доли милливольта не при­
ведет к значительному изменению напря­
Рис. 2.23. Один из методов температурной компен­ жения на эмиттерном резисторе (напом­
сации источника тока.
ним, что схема поддерживает постоянное
составляет приблизительно 0,5% для тран­ напряж ение на базе). Н апример, если
зистора типа 2N3565. В частности, при U3 = 0,1 В (т. е. к базе приложено на­
изменении напряжения на нагрузке от пряжение 0,7 В), то изменение напряже­
0 до 8 В эффект Эрли обусловливает из­ ния {/бэ на 10 мВ вызывает изменение
менение тока на 0,5%, а нагрев транзис­ выходного тока на 10%, если же U3 =
тора —на 0,2%. Изменение коэффициента = 1,0 В, то такое же изменение U63 вы­
вносит дополнительный вклад в измене­ зывает изменение тока на 1%. Однако не
ние выходного тока - 0,05% (для жестко­ стоит заходить слишком далеко. Напомним,
го делителя напряжения). Все эти изме­ что нижняя граница рабочего диапазона оп­
нения приводят к тому, что источник тока ределяется напряжением на эмиттере. Если
работает хуже, чем идеальный: выходной в источнике тока, работающем от источни­
ток немного зависит от напряжения и, ка питания +10 В, напряжение на эмитте­
следовательно, его сопротивление не бес­ ре сделать равным +5 В, то диапазон выхо­
конечно. В дальнейшем вы узнаете, что да будет равен немного менее 5 В (напря­
есть методы, которые позволяют преодо­ жение на коллекторе может изменяться от
леть этот недостаток. U3 + 0,2 В до UKK, т. е. от 5,2 до 10 В).
2. Напряжение иъэ и коэффициент й2|Э На рис. 2.24 показана схема, которая
зависят от температуры. В связи с этим сущ ественно улучшает характеристики
при изменении температуры окружающей — *-------------•— +ю в
среды возникает дрейф выходного тока.
Кроме того, температура перехода изме­
няется при изменении напряж ения на
нагрузке (в связи с изменением мощнос­
ти, рассеиваемой транзистором) и при­
водит к тому, что источник работает не
как идеальный. Изменение напряжения £/БЭ
в зависимости от температуры окружаю­
щей среды можно скомпенсировать с по­
мощью схемы, показанной на рис. 2.23.
В этой схеме падение напряжения между
базой и эмиттером транзистора Т2 ком­
пенсируется падением напряж ения на
эмиттерном переходе Тх, который имеет
такие же температурные характеристики.
Резистор Л3 играет роль нагрузки для 7j, Рис. 2.24. Каскодный источник тока, обладающий
необходимой для задания втекающего тока повышенной устойчивостью к изменениям напря­
базы транзистора Т2. жения на нагрузке.
Транзисторы 83

источника тока. Источник тока Тх рабо­ от напряж ения питания. В этой схеме
тает как и прежде, но напряжение на кол­ напряжение 11ъэ транзистора 7j, падая на
лекторе фиксируется с помощью эмитте­ резисторе R2, определяет выходной ток
ра Т2. Ток, текущий в нагрузку, такой же независимо от напряжения (JKK
как и прежде, так как коллекторный (для
Т2) и эмиттерный токи приблизительно ^ * = ^ э / Л 2.
равны между собой (из-за большого зна­ С помощью резистора Л, устанавливает­
чения й2|Э). В этой схеме напряжение (JK3 ся смещение транзистора Т2 и потенциал
(для Tt) не зависит от напряжения на на­ коллектора Т{, причем этот потенциал
грузке, а это значит, что устранены из­ меньше, чем напряжение UKK, на удвоен­
менения напряжения иъэ, обусловленные ную величину падения напряжения на
эф фектом Эрли и тем пературой. Для переходе; тем самым уменьшается влияние
транзисторов типа 2N3565 эта схема дает эффекта Эрли. В этой схеме нет темпе­
изменение тока на 0, 1% при изменении ратурной компенсации; напряжение на R2
напряжения на нагрузке от 0 до 8 В; для уменьшается приблизительно на 2,1 мВ/°С
того чтобы схема обеспечивала указанную и вызывает соответствующее изменение
точность, следует использовать стабиль­ выходного тока (0,3%/°С).
ные резисторы с допуском 1%. (Кстати,
эту схему используют в высокочастотных 2.07. Усилитель с общим эмиттером
усилителях, где она известна под назва­
нием «каскод»), В дальнейшем вы позна­ Рассмотрим источник тока, нагрузкой для
комитесь со схемами источников тока, в которого служит резистор (рис. 2.26).
которых используются операционные уси­ Напряжение на коллекторе равно
лители и обратная связь и в которых так­
= икк - / д .
же решена задача устранения влияния из­
менений U63 на выходной ток. Можно через емкость задать сигнал в цепь
В лияние ко эф ф и ц и ен та й21Э мож но базы, тогда напряжение на коллекторе
ослабить, если вы брать тран зи стор с будет изменяться. Рассмотрим пример,
большим значением й2|Э, тогда ток базы представленный на рис. 2.27. Конденса­
будет вносить незначительный вклад в ток тор С выбран так, что фильтр высоких
эмиттера. частот, образованный этим конденсато­
На рис. 2.25 показан еще один источник ром и последовательно соединенными с
тока, в котором выходной ток не зависит ним резисторами смещения базы, пропус­
кает все нужные частоты (резисторы в
цепи базы обычно выбирают так, чтобы
импеданс со стороны базы, т. е. входное
сопротивление транзистора, был гораздо
больше и им можно было пренебречь).

Рис. 2.25. Транзисторный источник тока с исполь­


зованием напряжения и ъэ в качестве опорного. Рис. 2.26.
84 Глава 2

говорит о том, что положительный сиг­


нал на входе дает на выходе отрицатель­
ный сигнал (амплитуда которого в 10 раз
больше, чем на входе). Такая схема на­
зывается усилителем с общим эмиттером
с отрицательной обратной связью в цепи
эмиттера.
Входное и выходное сопротивление для
усилителя с общим эмиттером. Нетрудно
определить входное и выходное сопротив­
ление усилителя. Для входного сигнала
схема представляет собой параллельное
соединение резисторов 110 кОм, 10 кОм
Рис. 2.27. Каскад усиления переменного тока с об­ и входного сопротивления со стороны
щим эмиттером с отрицательной обратной связью в базы. Последнее приблизительно равно
цепи эмиттера. Обратите внимание, что выходной 100 кОм (сопротивление R3, увеличен­
сигнал снимается с коллектора, а не с эмиттера. н о е в /г21Э р а з ) , а з н а ч и т , в х о д н о е
соп роти влени е равно приблизительно
Иначе говоря, 8 кОм (преобладающую роль играет со­
противление 10 кОм). Если использу­
С >1/271/(^11^). ется развязывающий конденсатор, указан­
Благодаря напряжению смещения, при­ ный на схеме, то получаем фильтр высо­
ложенному к базе, и наличию эмиттер­ ких частот с точкой — 3 дБ на частоте
ного резистора сопротивлением 1,0 кОм 200 Гц. Для сигналов в рабочей полосе
ток покоя коллектора составляет 1,0 мА. частот (выше частоты, соответствующей
Этот ток создает на коллекторе напряже­ точке — 3 дБ) конденсатором емкостью
ние + 10 В (+20 В минус падение н а­ 0,1 мкФ можно пренебречь и учитывать
пряжения на сопротивлении 10 кОм при только сопротивление 8 кОм, соединен­
протекании тока 1,0 мА). Допустим теперь, ное с ним последовательно.
что на базу подан сигнал иБ. Напряжение Выходное сопротивление определяется
на эмиттере повторяет изменение напря­ как параллельное соединение сопротивле­
жения на базе «э - мБ и вызывает измене­ ния 10 кОм и выходного сопротивления
ние эмиттерного тока: транзистора со стороны коллектора. Что
же получается? Если бы не коллекторный
К= = "б/Лэ- резистор, то схема не отличалась бы от
и приблизительно такое же изменение источника тока. Коллектор обладает очень
коллекторного тока (транзистор имеет большим сопротивлением (порядка мега-
большой коэффициент h2|Э). Итак, перво­ Ом), поэтому выходное сопротивление
начальное изменение напряжения на базе определяется коллекторным резистором,
вызывает изменение коллекторного на­ с о п р о т и в л е н и е к о то р о го с о с т а в л я е т
пряжения: 10 кОм. Напомним, что сопротивление
со стороны коллектора велико, а со сто­
"к = U К = - UJ RJ RJ- роны эмиттера мало (как и в схеме эмит­
Стоп! Получается, что схема представля­ терного повторителя). В выходном сопро­
ет собой усилитель напряжения, коэф ф и­ тивлении усилителя с общим эмиттером
циент усиления которого определяется преобладает сопротивление резистора на­
следующим образом: грузки, стоящего в цепи коллектора, а
выходное сопротивление эмиттерного по­
Коэффициент вторителя определяется выходным сопро­
усиления = uBJ u m = - R J R 3. тивлением транзистора со стороны эмит­
В нашем примере коэффициент усиле­ тера, а не сопротивлением нагрузки, сто­
ния равен 10000/1000, или 10. Знак минус ящей в цепи эмиттера.
Транзисторы 85

2.08. Схема расщепления фазы


с единичным коэффициентом усиления

Иногда полезно иметь сигнал и его ин­


версию, т. е. два однородных сигнала,
сдвинутые друг относительно друга по
фазе на 180°. Получить такие сигналы
нетрудно - нужно воспользоваться усили­
телем с общим эмиттером, коэффициент
усиления которого равен — 1 (рис. 2.28).
Напряжение покоя на коллекторе устанав­
ливают равным 0,75 UKKвместо привычно­
го значения 0,5 UKK. Это делается с уже Рис. 2.29. Схема расщепления фазы с постоянной
известной нам целью — получить симмет­ амплитудой.
ричный выходной сигнал без срезов на лю­
бом из выходов. Напряжение на коллек­ действительной оси. Направления векто­
торе может изменяться от 0,5 UKKдо £/кк, а ров, соответствующих сигналам UR и UK,
на эмиттере — от потенциала земли до должны быть такими, чтобы этим двум
0,5 UKK. Обращаем ваше внимание на то, векторам соответствовал вектор постоян­
что для симметричного усиления выходы ной длины, направленный вдоль действи­
схемы следует нагружать одинаковыми (или тельной оси. В геометрии есть теорема,
очень большими) импедансами. согласно которой геометрическим местом
Фазовращатель. На рис. 2.29 показан таких точек служит окружность. Итак,
хороший пример использования схемы результирующий вектор (выходное напря­
расщепления фазы выходного сигнала. жение) всегда имеет единичную длину,
Схема позволяет регулировать фазу вы­ т. е. такую же, как вектор входного сиг­
ходного синусоидального сигнала (от нала, так как R может изменяться от нуля
нуля до 180°) при условии, что входной до значений, значительно превышающих
сигнал тоже представляет собой синусо­ ZK на рабочей частоте. Обратите внима­
иду; амплитуда сигнала при регулировке ние, что величина фазового сдвига при
фазы сохраняется постоянной. Работу данном положении потенциометра R за­
схемы помогает понять векторная диаграм­ висит также от частоты входного сигна­
ма напряжений (см. гл. 1), для нашей ла. Следует отметить, что в качестве схе­
схемы представленная на рис. 2.30; вход­ мы, обеспечивающей регулируемый сдвиг
ной сигнал на ней изображен в виде еди­ ф аз, мож но использовать простейш ий
ничного вектора, направленного вдоль ЯСфильтр высоких (или низких) частот.
Правда, в этом случае при регулировке
--------+ 20 В
фазы амплитуда выходного сигнала изме­
няется в широком диапазоне.
1 50
кОм О тметим такж е, что ф азовращ атель
Vv/v RC-типа нагружает схему расщ епления
15 В
-О 0 ,
о-
■Л, 5,6 В

5 В
-о 0 ,
56
кОм

I
Рис. 2.28. Схема расщепления фазы с единичным Рис. 2.30. Векторная диаграмма для схемы расщепле­
коэффициентом усиления. ния фазы.
86 Глава 2

фазы. В идеальном случае нагрузка пред­ Коэффициент передачи представляет со­


ставляет собой импеданс, который велик бой отношение выходного сигнала к вход­
по сравнению с коллекторным и эмит- ному; в данном случае он измеряется в
терным резисторами. П оэтому данная единицах [ток/напряж ение] или [1/с о ­
схема не может применяться в случаях,, противление]. Величина, обратная со­
когда требуется обеспечить широкий диа­ противлению, называется проводимостью
пазон фазовых сдвигов. В следующей (величина, обратная реактивному сопро­
главе приведена улучшенная схема фазо­ тивлению , называется реактивной про­
вращателя. водимостью; величина, обратная импедансу
или полному сопротивлению, называется
2.09. Крутизна полной проводимостью), и единицей ее из­
мерения служит сименс, раньше эту еди­
В предыдущем разделе мы проанализи­ ницу измерения называли мо (обратный
ровали работу усилителя с общим эмит­ ом). Если коэф ф ициент передачи изме­
тером следующим образом: а) предполо­ ряется в единицах проводимости, то та­
жив, что сигнал (напряж ение) на базе кой усилитель называется усилителем с
изменяется в некоторых пределах, обна­ передаточной проводимостью; отношение
ружили, что напряжение на эмиттере име­ /ых/Um называется крутизной и обозна­
ет такой же размах; б) подсчитали эмит­ чается дт.
терный ток; затем, пренебрегая незначи­ И так, одна часть схемы представляет
тельным влиянием тока базы, определили собой усилитель с передаточной прово­
размах коллекторного тока и в) коллек­ димостью, коэффициент передачи кото­
торного напряжения. При этом коэф ф и­ рого (крутизна) составляет 1 мА/В
циент усиления есть просто отношение (1000 мкСм или 1 мСм, а это есть не что
коллекторного напряжения (выходного) иное, как 1/Лэ). Другая часть схемы пред­
к напряжению на базе (входному). ставляет собой нагрузочны й резистор
Рассмотрим работу усилителя этого («усилитель»), преобразующий ток в на­
типа с другой точки зрения. М ысленно пряжение. Резистор можно назвать уси­
р ас ч л ен и м сх ем у , к а к п о к а з а н о на лителем с передаточным сопротивлением,
рис. 2.31. Одна часть представляет со­ его коэффициент усиления измеряется в
бой управляемый напряжением источник единицах [напряжение/ток], т. е. в еди­
тока, его ток покоя равен 1,0 мА, а ко­ ницах сопротивления. В данном случае на­
эффициент передачи составляет — 1 мА/В. пряжение покоя (рабочее напряжение) —
это U KK, а коэффициент передачи (пере­
даточное сопротивление) равен 10 кВ/А
(10 кОм), а это есть не что иное, как RK.
Соединив эти две части последовательно,
получим усилитель напряжения, общее
усиление которого определяется произве­
дением коэффициентов передачи состав­
ных частей. В данном случае: К = gmRK=
= Rt / R 3 = _ Ю — безразмерная величина,
равная отношению [(выходное напряже-
ние)/(входное напряжение)].
О писанный метод очень полезен для
анализа усилителей, так как позволяет
рассматривать составные части схемы не­
зависимо друг от друга. Например, для
усилителя с передаточной проводимос­
Рис. 2.31. Усилитель с общим эмиттером в каче­ тью можно оценить величину дтдля схем
стве каскада с передаточной проводимостью, управ­ различной конфигурации и для иных эле­
ляющий нагрузкой (резистивной). ментов, например для полевых транзис­
Транзисторы 87

торов. Затем можно рассмотреть нагруз­ вимся. Модель, которую мы сейчас рас­
ку (или часть схемы с передаточным со­ смотрим, будет достаточно точна и удов­
противлением) и оценить, как связан ко­ летворит нас в дальнейшем.
эффициент усиления с диапазоном изме­
нения напряжения. Если вас интересует МОДЕЛЬ ЭБЕРСА-МОЛЛА
общее усиление по напряжению, то его ДЛЯ ОСНОВНЫХ
можно определить следующим образом: ТРАНЗИСТОРНЫХ СХЕМ
Ки = дтгт, где гт- передаточное сопро­
тивление нагрузки. В конечном счете за­ 2.10. Улучшенная модель транзистора:
мена простой активной нагрузки схемой усилитель с передаточной проводимостью
с высоким передаточным сопротивлени­ (крутизной)
ем позволяет получать для одного каска­
да усилителя величину коэф ф и ци ен та Существенную поправку следует внести в
усиления, равную 10000 и выше. С по­ правило 4 (разд. 2.01), которое определя­
мощью описанного метода удобно рас­ ет, что 4 = ^2|э 4 Мы рассматривали тран­
сматривать каскодный усилитель, с ко ­ зистор как усилитель тока, вход которого
торым вы познакомитесь ниже. работает как диод. Это приближение яв­
В гл. 4, где расматриваются операци­ ляется грубым, но для некоторых практи­
онные усилители, приведено немало при­ ческих случаев большей точности и не
меров усилителей, на входах и выходах требуется. Однако для того чтобы понять,
которых действуют напряжения и токи, как работают дифференциальные усили­
усилители напряжения, усилители тока, тели, логарифмические преобразователи,
усилители с передаточной проводимос­ схемы температурной компенсации и не­
тью, усилители с передаточным сопротив­ которые другие практически полезные
лением. схемы, следует рассматривать транзистор
Предельный коэффициент усиления: гра­ как элемент с передаточной проводимос­
ницы применимости простейшей модели тью — коллекторный ток в нем определя­
транзистора. В соответствии с нашей мо­ ется напряжением между базой и эмитте­
делью коэффициент усиления по напря­ ром.
жению усилителя с общим эмиттером ра­ Итак, правило 4 в измененном виде:
вен ^ R J R 3. Что произойдет, если сопро­ 4. Если правила 1—3 соблюдены (разд.
тивление R3 будет уменьшаться, стремясь 2.01), то ток / к связан с напряжением £/БЭ
к нулю? Согласно уравнению, коэффици­ следующей зависимостью:
ент усиления будет при этом беспредельно
возрастать. Однако измерения, выполнен­ 4 = /„аДеХР(^Бэ/*/т) - П,
ные в рассмотренной выше схеме, пока­ где ит = kT /q = 25,3 мВ при комнатной
жут, что, хотя при постоянном токе по­ температуре (20 °С), q - заряд электрона
коя, равном 1 мА, коэффициент усиления (1,60-10“19 Кл), к - постоянная Больцмана
и растет, при R3 - 0 (эмиттер заземлен) (1,38 х Ю~23 Д ж /К ), Т - аб со л ю тн ая
он становится равным всего 400. Окажет­ температура в кельвинах (К = °С + 273,16),
ся также, что усилитель начнет при этом / ас - ток насыщения транзистора (зависит
работать как нелинейный элемент (выход­ от 7). Тогда ток базы, который также за­
ной сигнал не воспроизводит по форме в висит от [/ъэ, можно приблизительно оп ­
точности входной), входное сопротивле­ ределить так:
ние становится небольшим и нелинейным,
а смещение начинает зависеть от темпера­
туры. Очевидно, что модель транзистора, где «постоянная» h2|Э обычно принимает
которой мы пользовались, несовершенна зн ач ен и я от 20 до 1000 и зави си т от
и ее необходимо дополнить, чтобы она транзистора, / к, £/кэ и температуры. Ток
пришла в соответствие с измерениями, /НаСпредставляет собой обратный ток эмит-
описанными выше, и некоторыми други­ терного перехода. В активной области
ми фактами, на которых мы еще остано­ / » /нас и членом - 1 можно пренебречь.
88 Глава 2

Согласно уравнению Эберса—М олла,


напряж ение между базой и эмиттером
«управляет» коллекторным током, одна­
ко это свойство нельзя использовать не­
посредственно на практике (создавать
смещение в транзисторе с помощью на­
пряжения, подаваемого на базу), так как
велик температурный коэффициент н а­
пряжения между базой и эмиттером. В даль­
нейшем вы увидите, как уравнение Эбер­
са—Молла помогает решить эту проблему.
Практические правила для разработки
транзисторных схем. На основании урав­
л л -1 0 I______1 I______I. I I______I______I______I
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 нения Эберса—Молла получены некото­
рые зависимости, которые часто исполь­
зуют при разработке схем:
Рис. 2.32. Зависимость базового и коллекторного 1. Ступенчатая характеристика диода. На
токов транзистора от напряжения между базой и сколько нужно увеличить напряжение 11ъэ,
эмиттером.
чтобы ток / к увеличился в 10 раз? Из
уравнения Эберса-М олла следует, что ЧБЭ
Уравнение для / к известно под назва­ нуж но увеличить на £/Tloge10, или на
нием «уравнение Эберса—Молла». Оно 60 мВ при комнатной температуре. На­
приблизительно описывает также зависи­ пряжение на базе увеличивается на 60 мВ
мость тока от напряжения для диода, если при увеличении коллекторного тока в 10 раз.
иу умножается на корректировочный ко­ Эквивалентным является следующее вы­
эффициент m со значением между 1 и 2. ражение / к = IKOe AU/2i, где AU измеряется
Следует запомнить, что в транзисторе в милливольтах.
коллекторный ток зависит от напряжения 2. Импеданс для малого сигнала со сто­
между базой и эмиттером, а не от тока роны эмиттера при фиксированном напря­
базы (ток базы в грубом приближении оп­ жении на базе. Возьмем производную от
ределяется коэффициентом h2l3). Экспо­ и ъэ по / к: гъ = UT/ I K - 2 5 //к Ом, где ток
ненциальная зависимость между током / к / к измеряется в миллиамперах. Величина
и напряжением 11ъэ точно соблюдается 2 5 //к Ом соответствует комнатной темпе­
в большом диапазоне токов, обычно от ратуре. Это собственное сопротивление
наноампер до миллиампер. На рис. 2.32 эмиттера гэ выступает в качестве последо­
приведен график этой зависимости. Если вательного для эмиттерной цепи во всех
измерить ток базы при различных значе­ транзисторных схемах. Оно ограничива­
ниях коллекторного тока, то получим гра­ ет усиление усилителя с заземленны м
фик зависимости й2|Э от / к (рис. 2.33). эмиттером, приводит к тому, что коэф ­
фициент усиления эмиттерного повтори­
теля имеет значение чуть меньше едини­
цы и не позволяет выходному сопротив­
лению эмиттерного повторителя стать
равным нулю. Этот параметр относится
к параметрам малого сигнала. Отметим,
что крутизна для усилителя с заземлен­
ным эмиттером определяется следующим
образом: дт = 1/г э
3. Температурная зависимость. Глядя на
Рис. 2.33. Типичная зависимость коэффициента
уравнение Эберса—Молла, можно пред­
усиления по току для транзистора (й2|Э) от коллек­ положить, что и ъэ имеет положительный
торного тока. температурный коэффициент. Однако, в
Транзисторы 89

связи с тем что ток / нас зависит от темпе­ ненадолго задержим свое внимание на
ратуры, напряжение и ъэ уменьшается на скромном эмиттерном повторителе. Со­
2,1 мВ/°С. В грубом приближении оно гласно модели Эберса—Молла эмиттерный
пропорционально \ / Т а6с, где Га6с - абсо­ повторитель долж ен иметь ненулевой
лютная температура. выходной импеданс даже в том случае, ког­
И еще одна зависимость пригодится нам да схемой управляет источник напряжения,
на практике, правда, она не связана с так как эмиттерный повторитель обладает
уравнением Эберса—Молла. Речь идет об вполне определенным сопротивлением
эффекте Эрли, описанном в разд. 2.06, гэ (см. предыдущ ий раздел, пункт 2).
который накладывает ограничения на вы­ По той же причине усиление по напря­
ходную характеристику транзистора как жению будет немного меньше единицы,
источника тока. так как гэ и резистор нагрузки образуют
4. Эффект Эрли. UB3 хоть и в слабой ме­ делитель напряжения.
ре, но зависит от <7 при постоянном токе Эти явления нетрудно описать матема­
1 . Этот эффект обусловлен изменением тически. При фиксированном напряжении
эффективной ширины базы и описыва­ на базе импеданс со стороны эмиттера
ется следующей приблизительной зави­ есть не что иное, как Лвых = dU ^JdIv но
симостью: Ди ъэ = — аА (/ъэ, где а » 0,0001. / э = / к, поэтому 7?вых *= г., — собственное
Мы перечислили основные соотношения, сопротивление эмиттера [гэ = 2 5 //к(мА)].
которые могут быть полезны на практике. Например, на рис. 2.34, а импеданс со
Эти соотношения, а не сами уравнения стороны нагрузки гэ = 25 Ом, так как
Эберса—Молла, используются при разра­ / к = 1 мА. (Если используется эмиттер­
ботке транзисторных схем. ный резистор /?э) то образуется параллель­
ное соединение, на практике R3 всегда зна­
2.11. Еще раз об эмиттерном повторителе чительно больше, чем гэ.) На рис. 234, б
представлена более распространенная си­
Прежде чем мы еше раз рассмотрим уси­ туация —источник имеет конечное сопро­
литель с общим эмиттером, используя тивление Яист (для простоты в схеме опу­
преимущества новой модели транзистора, щены компоненты смещения — базовый

Рис. 2.34.
90 Глава 2

делитель и блокировочный конденсатор — бавлять к сопротивлению включенного в


эти компоненты присутствуют на рис. эмиттерную цепь резистора. Эго сопротив­
2.34, в). В этом случае выходной импеданс ление значительно в тех случаях, когда в
эмиттерного повторителя — это просто гэ цепь эмиттера включен небольшой резис­
в последовательном соединении с RKJ тор (или когда его нет вообще). Напри­
/(й 21Э + 1) (опять же в параллельном со­ мер, для усилителя, который мы рассмот­
единении с несущественным резистором рели выше, коэффициент усиления по на­
Лэ, если он присутствует). Н апример, пряжению равен —10 кО м/гэ, или —400,
если = 1 кОм и /к = 1 мА, то RBha = 35 Ом при условии, что сопротивление эмиттер­
(предположим, что й2|Э = 100). Нетрудно ного резистора равно нулю. Мы препола-
показать, что собственное сопротивление гали раньше, что входной импеданс /г21ЭR3
эмиттера гъ вносит также вклад во входной равен нулю при R3 = 0; на самом деле он
импеданс эмиттерного повторителя, как приблизительно равен h2l3r3 и в данном
если бы оно было соединено последова­ случае составляет около 2,5 кО м (ток
тельно с нагрузкой (на самом деле не с покоя равен 1 мА).
нагрузкой, а с параллельным соединени­ Мы уже упоминали усилитель с «зазем­
ем резистора, нагрузки и эмиттерного ленным эмиттером» и схемы «с общим
резистора). Другими словами, для схемы эмиттером». Эти схемы не следует путать.
эмиттерного повторителя эффект Эберса— Усилитель с «заземленным эмиттером»
Молла состоит просто в добавлении пос­ что усилитель с общим эмиттером, в кото­
ледовательно подключенного сопротивле­ ром R3 = 0. В усилительном каскаде
ния эмиттера гэ к полученным ранее ре­ с общим эмиттером может присутствовать
зультатам. эмиттерный резистор; особенность этой
Усиление по напряжению эмиттерного схемы состоит в том, что цепь эмиттера
повторителя несколько меньше единицы является общей для входа и выхода схемы.
из-за наличия делителя напряжения, об­ Недостатки однокаскадного усилителя с
разованного гэ и нагрузкой. Это нетруд­ заземленным эмиттером. Дополнительное
но вычислить, так как выход схемы нахо­ усиление, обусловленное отсутствием ра-
дится в точке соединения г, и R ' G., = зистора в эмиттерной цепи R3 = 0, мы по­
= Uв ы х /' U в х ;’ R н а г р /' (' г ,Э + R н а г р )Л
'
'а к и м лучаем за счет ухудшения некоторых па­
образом, если взять, например, повтори- раметров усилителя. К ак ни популярен
тель, ток затухания которого равен 1 мА, усилитель с заземленным эмиттером в
а нагрузка составляет 1 кОм, то его уси­ учебниках, на практике его следует ис­
ление по напряжению будет равно 0,976. пользовать только в схемах, охваченных
Инженерам иногда нравится считать уси­ обш ей петлей отрицательной обратной
ление в единицах сверхпроводимости для связи. Для того чтобы понять, с чем это
получения выражения, подходящего так­ связано, рассмотрим рис. 2.35.
же для ОУ (см. разд. 3.07); в этом случае
(используя выражение b = 1/г .) получим +20 В
Си = К ^ Ь я/{ \ + RmJ m).

2.13. Еще раз об усилителе 10 кОм


с общим эмиттером
Выходной
Выше мы определили усиление по напря­ Входной сигнал
сигнал
жению для усилителя с общим эмиттером
при условии, что сопротивление эмиттер­ (связь по
ного резистора равно нулю, но результат пост, току)
получили неверный. Дело в том, что тран­
зистор обладает собственным эмиттер-
ным сопротивлением, равным 2 5 //к(мА) Рис. 2.35. Усилитель с общим эмиттером без отри­
(выражено в омах), которое следует до­ цательной обратной связи в цепи эмиттера.
Транзисторы 91

нужный ток покоя в соответствии с урав­


нением Эберса—Молла. Однако так сде­
лать нельзя, потому что напряжение UB3
зависит от температуры (при фиксирован­
ном значении / к) и изменяется на 2,1 мВ/°С
(фактически напряжение уменьшается при
повышении температуры Т из-за того, что
изменяется ток / нас; в результате оказыва­
Рис. 2.36. Нелинейный выходной сигнал, снимаемый ется, что напряжение 11ъэ приблизительно
с усилителя с заземленным эмиттером. пропорционально 1/Г, где Т — абсолют­
ная температура). Это ведет к тому, что
1. Нелинейность. Коэффициент усиления коллекторный ток (при фиксированном
определяется выражением к = ~gmRK - значении иъэ) будет увеличиваться в 10 раз
= - R J r 3 = —RKIK (мА)/25, т. е. для тока при повышении температуры на 30 °С.
покоя 1 мА он равен -400. Но дело в том, Такая нестабильность делает смещение
что ток / к изменяется при изменении вход­ неработоспособным, так как даже неболь­
ного сигнала. В нашем примере коэффи­ шие колебания температуры будут приво­
циент усиления может изменяться от —800 дить усилитель в реж им н асы щ ен и я.
Например, если напряжение смещ ения
п’ 7к = 2 мА) до нуля
1К= 0). Если на входе действует треуголь­ сделать равным половине напряжения пи­
ный сигнал, то сигнал на выходе будет тания коллектора, то усилитель с зазем­
таким, как показано на рис. 2.36. Уси­ ленным эмиттером будет переходить в ре­
литель вносит большие искажения, т. е. жим насыщения при повышении темпе­
обладает плохой линейностью. Усилитель ратуры на 8 °С.
с заземленным эмиттером без обратной Упражнение 2.9. Убедитесь в том, что при повыше­
связи можно использовать лишь для н е­ нии температуры окружающей среды на 8°С усили­
больших диапазонов изменения сигнала тель с заземленным эмиттером и поданным на базу
вблизи точки покоя. Что же касается уси­ напряжением смещения переходит в режим насыще­
лителя с общим эмиттером, то его усиле­ ния. В исходном состоянии транзистор смещен так,
что UK = 0,5 UKK.
ние почти не зависит от коллекторного
тока, при условии что Яэ » гэ; он обеспе­ О том, как решается задача смещения,
чивает усиление без искажений в боль­ вы узнаете из следующих разделов. Что
шом диапазоне изменения сигнала. касается усилителя с общим эмиттером,
2. Входное сопротивление. Входное сопро­ то здесь стабильное смещение создается с
тивление приблизительно равно ZBX = помощью напряжения, приложенного к
= И21эгэ = (25й2|Э/ / к(мА)) О м . Здесь мы базе; больш ая часть этого напряж ения
опять сталкиваемся с тем, что ток / к приходится на резистор в цепи эмиттера,
изменяется при изменении выходного сиг­ тем самым обеспечивается постоянный
нала, а значит меняется и входное сопро­ ток покоя.
тивление. Если источник, питающий базу, Эмиттерный резистор в качестве элемента
обладает небольшим выходным сопротив­ обратной связи. Если к собственному со­
лением, то вы получите нелинейный пе­ противлению эмиттера добавить сопротив­
ременный делитель напряжения, образо­ ление внешнего эмитгерного резистора,
ванный источником сигнала и входным то многие параметры усилителя с общим
сопротивлением усилителя. Что касается эмиттером улучш атся, правда, за счет
усилителя с общим эмиттером, то он об­ снижения коэффициента усиления. А на­
ладает постоянным и высоким входным логичное явление рассматривается в сле­
сопротивлением. дующих двух главах, посвящ енных и с­
3. Смещение. В усилителе с заземленным пользованию отрицательной обратной
эмиттером смещение выполнить трудно. связи, позволяющей улучшить характе­
Возникает соблазн просто подать напря­ ристики усилителя за счет частичной п е­
жение (с делителя), которое обеспечит редачи выходного сигнала на вход. Это
92 Глава 2

не простое совпадение, дело в том, что в


усилителе с общим эмиттером использует­
ся одна из форм отрицательной обратной
связи. Представим себе, что транзистор —
это элемент с передаточной крутизной,
в котором коллекторный ток (а следова­
тельно, и выходное напряжение) зависит
от напряжения, действующего между ба­
зой и эмиттером; на вход усилителя пода­
ется напряжение, действующее между ба­
зой и землей. Входное напряжение пред­
ставляет собой напряжение между эмитте­
ром и базой минус напряжение ( /ЭЛЭ).
Следовательно, в схеме с общим эмитте­
ром действует отрицательная обратная
связь, и благодаря этому улучшаются ха­ Рис. 2.37. Шунтируемый резистор в эмиттерной
рактеристики усилителя (высокая линей­ цепи можно использовать для получения стабильно­
ность и стабильность, большой входной го смещения в усилителе с заземленным эмиттером.
импеданс; выходной импеданс можно
уменьшить, если ввести обратную связь Ш унтирующий эмиттерный конденсатор
непосредственно с коллектора). Это лишь следует выбирать так, чтобы его импеданс
первое знакомство с обратной связью, но был небольшим по сравнению с гэ (а не с
и оно позволяет оценить значение мате­ R3) на самой низкой из интересующих вас
риала, изложенного в гл. 4—5. частот. В данном случае его импеданс
составляет 25 Ом на частоте 650 Гц.
2.13. Смещение в усилителе В диапазоне рабочих частот входного сиг­
с общим эмиттером нала для выбора входного конденсатора
меж каскадной связи сущ ественно, что
Существует возможность задать смещение входное сопротивление схемы определя­
в усилителе с общим эмиттером и при ется параллельным соединением сопро­
необходимости получения максимально тивления 10 кОм и входного сопротивле­
возможного коэффициента усиления (или ния транзистора со стороны базы, в дан­
если усилительный каскад охвачен петлей ном случае - это сопротивление 25 Ом,
обратной связи). Есть три варианта схем умноженное на й21э, т. е. приблизительно
смещения, которые можно комбинировать 2,5 кОм. Для сигналов постоянного тока
между собой: с помощью шунтируемого сопротивление со стороны базы значи­
резистора в эмиттерной цепи, с помощью тельно больше (сопротивление эмиттер­
согласованного транзистора и с помощью ного резистора, умноженное на h2b, т. е.
обратной связи по постоянному току. приблизительно 100 кОм), и именно бла­
Шунтируемый резистор в эмиттерной годаря этому можно обеспечить стабиль­
цепи. Смещение можно обеспечить с по­ ное смещение.
мощью шунтируемого резистора в эмит­ Одна из разновидностей рассмотренной
терной цепи, как показано на рис. 2.37. схемы отличается использованием в эмит­
Для того чтобы облегчить задачу создания терной цепи двух последовательных рези­
смещения, резистор R3 выбран так, что сторов, один из которых шунтируется.
его сопротивление составляет 0, 1ЛК; если Например, нужно спроектировать усили­
резистор R3 слишком мал, то напряжение тель, коэф ф ициент усиления которого
на эмиттере будет намного меньше, чем равен 50, ток покоя - 1 мА, а напряже­
падение напряжения между базой и эмит­ ние U KKсоставляет +20 В; частота сигна­
тером, а это приведет к температурной ла может изменяться от 20 Гц до 20 кГц.
нестабильности точки покоя, так как на­ Если для решения поставленной задачи
пряжение 11ъэ зависит от температуры. вы выберете схему с общим эмиттером,
Транзисторы 93

Рис. 2.38.
Рис. 2.39. Усилитель с общим эмиттером, облада­
то получите усилитель, показанны й на ющий стабильным смешением, линейностью и боль­
рис. 2.38. Коллекторный резистор выб­ шим коэффициентом усиления по напряжению.
ран так, чтобы коллекторное напряжение стабильным (хороший результат дает со­
покоя составляло 0,5 UKK. Эмиттерный ре­ противление, в 10 раз меньшее коллек­
зистор выбран с учетом требуемого значе­ торного). Напряжение базы выбрано так,
ния коэффициента усиления и влияния гэ, чтобы ток эмиттера был равен 1 мА, при
составляющего 2 5 //к (мА). Трудность со­ условии что сопротивление цепи смеще­
стоит в том, что эмиттерное напряжение, ния составляет десятую часть от сопротив­
равное лишь 0,175 В, будет подвержено ления по постоянному току со стороны
существенным изменениям. Дело в том, базы (в данном случае около 100 кОм).
что падение напряжения на переходе б аза- Сопротивление шунтирующего конденса­
эмиттер, равное « 0,6 В, зависит от тем­ тора в цепи эмиттера должно быть неболь­
пературы (относительное изменение со­ шим по сравнению с сопротивлением
ставляет примерно — 2,1 мВ/°С), тогда как 180 + 25 Ом на самой низкой частоте
напряжение на базе поддерживается по­ диапазона. И наконец, входной конден­
стоянны м с пом ощ ью рези сторов Л, сатор межкаскадной связи должен иметь
и Rr например, вы можете убедиться, что небольшой импеданс по сравнению с вход­
при увеличении температуры на 20 °С кол­ ным сопротивлением усилителя на часто­
лекторный ток возрастает примерно на те входного сигнала, которое определяется
25%.
Это неприятное явление можно устра­
нить, если включить в эмиттерную цепь
дополнительный зашунтированный кон ­
денсатором резистор, который не будет
влиять на коэффициент усиления в рабо­
чем диапазоне частот (рис. 2.39). Как и в
предыдущей схеме, коллекторный резис­
тор выбран здесь так, чтобы напряжение
на коллекторе было равно 10 В (0,5 UKK).
Нешунтируемый резистор в цепи эмитте­
ра выбран таким образом, чтобы с учетом
собственного сопротивления эмиттера,
составляющего гэ = 2 5 // (мА), коэффици­
ент усиления был равен 50. Дополнитель­
ное сопротивление в цепи эмиттера дол­ Рис. 2.40. Другой вариант схемы, показанной
жно быть таким, чтобы смещение было на рис. 2.39.
94 Глава 2

+20 В +20 В

п п
i 20 кОм
10
кОм

+10 в
20 кОм
10
1 кОм

+10 В
10 кОм 10 кОм
10 кОм 1 0 кОм

- к с±
180
I Ом
-± - Входной -X - Входной
сигнал— сигнатл—

Рис. 2.41. Схема смещения, в которой компенсируется падение напряжения между базой и эмиттером Ub3.

параллельным соединением сопротивле­ условиях. Вот чем хороши «монолитные»


ния делителя напряжения и сопротивле­ сдвоенные транзисторы.
ния (180 + 25)/Л21э О м (на частотах вход­ Обратная связь по постоянному току.
ного сигнала сопротивление 820 Ом шун­ Для стабилизации точки покоя (рабочей
тировано конденсатором и равноценно точки) мож но использовать обратную
замкнутой накоротко цепи). связь по постоянному току. Один из ме­
В другом варианте этой схемы цепи тодов такой стабилизации показан на рис.
сигнала и постоянного тока разделены 2.42. Определенное улучшение стабиль­
(рис. 2.40). Это разделение позволяет ности можно получить, если напряжение
изменять коэффициент усиления (за счет смещения подавать с коллектора, а не от
резистора 180 Ом), не изменяя смешения. источника £/кк. Напряжение на базе пре­
Использование согласованного транзис­ вышает потенциал земли на величину па­
тора. Для получения напряжения базы, дения напряжения на диоде; так как на­
обеспечивающего нужный ток коллекто­ пряжение смещения снимается с делителя
ра, можно использовать согласованные +15 в
транзисторы, при этом будет обеспечена
автоматическая температурная компенса­
ция (рис. 2.41). В цепи коллектора тран­
зистора Г, протекает ток 1 мА, потенциал
коллектора близок потенциалу земли (точ­
нее, превышает потенциал земли пример­
но на величину падения напряжения t/B3);
если транзисторы Тх и Т2 представляют
собой согласованную пару (например, два
транзистора, изготовленных на одном кри­
сталле кремния), то смещение транзис­
тора Т2 будет таким, что этот транзистор
также будет порождать ток 1 мА и напря­
жение на его коллекторе будет равно
+ 10 В, при этом симметричный сигнал
на коллекторе может иметь размах ±10 В.
Изменение температуры не влияет на ра­
боту схемы, так как оба транзистора на­ Рис. 2.42. Стабильность смещения обеспечивается
ходятся в одинаковы х тем пературны х за счет обратной связи.
Транзисторы 95

ния по напряжению и входной и выход­


ной импедансы данной схемы.
Отметим, что сопротивление резистора
смещения базы можно увеличить, и тогда
увеличится входной импеданс схемы, но
ток базы уже нельзя будет считать пре­
небрежимо малым. М ожно, например,
взять такие резисторы: /?, = 220 кОм и
Rj ~ 33 кОм. Другая возможность состоит
в том, что в цепь обратной связи можно
включить шунтирующий конденсатор, как
показано на рис. 2.43. При этом удается
избавиться от обратной связи (а следова­
тельно, и от пониженного входного им ­
Рис. 2.43. Устранение обратной связи на частотах
педанса) на частотах сигнала.
сигнала. Некоторые замечания относительно сме­
щения и усиления. Первое важное заме­
10:1, то напряжение на коллекторе превы­ чание касается усилительных каскадов с
шает потенциал земли на величину, рав­ заземленным эмиттером: создается впечат­
ную падению напряжения на диоде, увели­ ление, что коэффициент усиления по на­
ченному в 11 раз, т. е. составляет * 7 В. пряжению можно увеличить за счет уве­
Эта схема уменьшает склонность к насы­ личения тока покоя, так как собственное
щению (которая может возникнуть, н а­ сопротивление эмиттера гэ уменьшается
пример, если коэффициент р будет н е­ при увеличении тока. Однако, хотя гэ
обычно большим) за счет того, что при и уменьшается при увеличении коллектор­
уменьшении коллекторного напряжения ного тока, для получения того же самого
уменьшается напряжение смещения на рабочего напряжения на коллекторе при­
базе. Эту схему можно использовать в тех ходится использовать меньший коллектор­
случаях, когда не нужна высокая стабиль­ ный резистор, и в результате выигрыша
ность. Точка покоя (выхода) подвержена нет. На самом деле можно показать, что
дрейфу примерно на 1 В за счет измене­ в усилителе с заземленным эмиттером,
ний температуры окружающей среды. Это смещенным так, что напряжение покоя
связано с тем, что напряжение между ба­ составляет 0,5 t/KK, коэффициент усиле­
зой и эмиттером имеет большой темпера­ ния по напряжению для малого сигнала
турный коэффициент. Большей стабиль­ равен К = 20 (JKK независимо от величи­
ностью обладает схема, в которой петля ны тока покоя (рабочего тока).
обратной связи охватывает несколько кас­
Упражнение 2.10. Докажите, что сделанное выше
кадов усиления. Примеры вы увидите там, утверждение справедливо.
где речь пойдет об обратной связи.
Для того чтобы понять, как работает эта Если требуется увеличить коэффициент
схема, нужно внимательнее рассмотреть усиления каскада по напряжению, то мож­
обратную связь. Н апри м ер, обратная но, например, в качестве активной нагруз­
связь уменьшает входной и выходной им- ки использовать источник тока. Так как
педансы. Для входного сигнала сопро­ источник тока обладает очень большим
тивление Я, уменьшено за счет усиления импедансом, то на одном каскаде можно
по напряжению, которым обладает кас­ получить коэффициент усиления по на­
кад. В данном случае резистор /?, экви­ пряжению, равный 1000 и выше. Такой
валентен резистору с сопротивлением подход не пригоден в схемах со смещ ени­
200 Ом, один конец которого заземлен. ем, которые мы рассмотрели выше; кас­
В следующей главе мы рассмотрим об­ кад должен являться частью схемы, охва­
ратную связь более подробно, и тогда вы ченной общей петлей обратной связи по
сможете определить коэффициент усиле­ постоянному току. Об этом поговорим
96 Глава 2

в следующей главе. Внешняя нагрузка та­ ■+и„


кого усилителя обязательно должна быть
велика, в противном случае усиление, по­
лученное за счет большого коллекторного
сопротивления, будет потеряно. В каче­
стве такой высокоомной нагрузки можно £ I Токовое
{ зеркало 1 = 1 р
использовать эмиттерный повторитель,
полевой транзистор или операционный
усилитель.
В радиочастотных усилителях, предназ­
наченных для резонансного усиления в
узкой полосе частот, в качестве коллек­
торной нагрузки принято использовать Управляющий
параллельный /,С-контур; в этом случае (в х о д н о й )то к / р
можно получить очень большой коэф ф и­
Рис. 2.44. Классическая схема токового зеркала на
циент усиления по напряжению, так как основе согласованной пары биполярных транзисто­
на частоте сигнала 1C -контур обладает ров. Отметим, что положительное питающее напря­
большим импедансом (как источник то­ жение принято обозначать UKK даже в тех случаях,
ка), а его импеданс по постоянному току когда используются транзисторы р —п —р-типа.
мал. I C -контур можно перестраивать и
благодаря резонансной характеристике он ток, что задан для Tv Небольшими базо­
подавляет сигналы, лежащие за предела­ выми токами можно пренебречь.
ми рабочего диапазона. К преимуществам Одно из достоинств описанной схемы
этой схемы можно отнести также возмож­ состоит в том, что ее диапазон устойчиво­
ность получения размаха выходного сиг­ сти по напряжению равен UKK за вычетом
нала, равного 2 UK„, и возможность ис­ нескольких десятых долей вольта, так как
пользования трансформаторной связи. нет падения напряжения на эмиттерном
Упражнение 2.11. Разработайте резонансный уси­ резисторе. Кроме того, во многих случа­
лительный каскад с общим эмиттером для частоты ях удобно задавать ток с помощью тока.
10 кГц. Используйте в схеме шунтированный эмит­ Легче всего получить управляющий ток
терный резистор и установите ток покоя величиной / с пом ощ ью рези стора (рис. 2.45).
1 мА. Пусть (JKK = + 15 В, a L = 1,0 мГн; параллель­
но iC -контуру подключите резистор 6,2 кОм, с тем
В связи с тем, что эмиттерные переходы
чтобы получить Q = 1 0 (ширина полосы 10%, см. транзисторов представляют собой диоды,
разд. 1.22). Для межкаскадной связи используйте на падение напряжения на которых мало по
входе конденсатор. сравнению с UKK, резистор 14,4 кОм фор­
мирует управляющий, а следовательно, и
2.14. Токовые зеркала выходной ток величиной 1 мА. Токовые
ип + 15 В
От схемы смещения с использованием
согласованной пары транзисторов легко
перейти к так называемому токовому зер­
калу (рис. 2.44). Работа токового зеркала
«программируется» путем задания кол­
лекторного тока транзистора Ту Н апря­
жение 1/ъэ для Тх устанавливается в соот­
ветствии с заданным током, температу­
рой о к р у ж аю щ ей ср ед ы и ти п о м Нагрузка
транзистора. В результате оказывается за­
7пр| 1^14,4 кОм
данным режим схемы, и транзистор Т2,
согласованный с транзистором Тх (лучше
всего использовать монолитный сдвоенный
транзистор), передает в нагрузку такой же Рис. 2.45.
Транзисторы 97

зеркала можно использовать в тех случа­


ях, когда в транзисторной схеме необхо­
дим источник тока. Их широко исполь­
зуют при проектировании интегральных
схем, когда: а) под рукой есть много со­
гласованных транзисторов и б) разработ­
чик хочет создать схему, которая бы ра­
ботала в широком диапазоне питающих
напряжений. Существуют даже безрези-
сторные интегральные операционные уси­
лители, в которых режимный ток всего
усилителя задается с помощью одного
внешнего резистора, а токи отдельных Рис. 2.47. Улучшенная схема токового зеркала.
внутренних усилительных каскадов фор­
мируются с помощью токовых зеркал. показанная на рис. 2.47. Эмиттерные ре­
Недостатки токовых зеркал, обусловлен­ зисторы выбраны таким образом, что па­
ные эффектом Эрли. Простое токовое зер­ дение напряжения на них составляет н е­
кало обладает одним недостатком: вы ­ сколько десятых долей вольта; такая схе­
ходной ток несколько изменяется при ма — гораздо лучший источник тока, так
изменении выходного напряжения, т. е. как в ней изменения напряж ения и ъэ,
выходное сопротивление схемы не беско­ обусловленные изменениями напряжения
нечно. Это связано с тем, что при задан­ UK3, оказывают пренебрежимо малое вли­
ном токе транзистора Т2 напряжение [/ъэ яние на выходной ток. В этой схеме так­
слегка меняется в зависимости от коллек­ же следует использовать согласованные
торного напряжения (проявление эффекта транзисторы.
Эрли); иначе говоря, график зависимости Токовое зеркало Уилсона. Н а рис. 2.48
коллекторного тока от напряжения'между представлено еще одно токовое зеркало,
коллектором и эмиттером при фиксиро­ обеспечивающее высокую степень посто­
ванном напряжении между базой и эмит­ ян ств а вы ходного тока. Т ран зи сторы
тером не является горизонтальной линией Т, и Тг включены как в обычном токовом
(рис. 2.46). Практически ток может изме­ зеркале. Благодаря транзистору Т} потен­
няться приблизительно на 25% в диапазо­ циал коллектора транзистора 7J фиксиро-
не устойчивой работы схемы, т. е. харак­
теристики такой схемы существенно хуже,
чем характеристики рассмотренного вы­
ше источника тока с эмиттерным резисто­
ром.
Если же нужен более высококачествен­
ный источник тока (чаще всего таких тре­
бований не возникает), то подойдет схема,

Рис. 2.48. Токовое зеркало Уилсона. Влияние изме­


нений напряжения на нагрузке на выходной ток по­
давлено за счет каскодного включения транзистора Тъ,
которое позволяет уменьшить изменения напряже­
Рис. 2.46. ния транзистора Ту
98 Глава 2

ток
Рис. 2.49. Схема токового зеркала с несколькими Рис. 2.50.
выходами. Эта схема широко используется для полу­
чения нескольких программируемых источников тока.

ван и на удвоенную величину падения Схемы с несколькими выходами и коэф­


напряжения на диоде ниже, чем напря­ фициенты отражения тока. Схему токо­
жение питания £/к„. Такое включение по­ вого зеркала можно построить так, что вы­
зволяет подавить эффект Эрли в транзисто­ текаю щ ий выходной ток (или втекаю ­
ре Тх, коллектор которого теперь служит щий — в случае использования транзис­
для задания режима работы схемы; выход­ торов п - р - п -типа) будет передаваться в
ной ток определяется транзистором Тг несколько нагрузок. О том, как эта идея
Транзистор Г3 не влияет на баланс токов, воплощается в жизнь, дает представление
если его базовый ток пренебрежимо мал; схема, изображенная на рис. 2.49. Отме­
его единственная функция состоит в том, тим, что если один из транзисторов-источ-
чтобы зафиксировать потенциал коллектора ников тока переходит в режим насыще­
Тг В результате в токозадающих транзи­ ния (в том случае, например, когда от­
сторах Г, и Т2 падения напряжения на ключается его нагрузка), то его база будет
эмиттерных переходах фиксированы; тран­ отбирать повышенный ток из общей ли­
зистор Г3 можно рассматривать как эле­ нии, соединяющей базы всех транзисто­
мент, который просто передает выходной ров, и в связи с этим уменьшаются ос­
ток в нагрузку, напряжение на которой тальные выходные токи. Положение мож­
является переменным (аналогичный при­ но улучшить, если включить в схему еще
ем используют при каскодном включении, один транзистор (рис. 2.50).
которое мы рассмотрим позже). Кстати, На рис. 2.51 представлены два вариан­
транзистор Т} не обязательно согласовы­ та многовыходного токового зеркала. Эти
вать с транзисторами 7j и Т2. схемы отражают удвоенный (или половин-

ток ток

а б
Рис. 2.51. Токовые зеркала, в которых коэффициент отражения тока отличен от 1:1.
Транзисторы 99

+10
0
-10
-20
а -30
* -40
а -50
-60
-70
-80
-90
-100
-120
0,01 0,02 0,05 ОД 0,2 0,5 1,0 2,0
^Кг/^К1
Рис. 2.53. Зависимость отношения коллекторных
эмиттерного резистора. Отметим, что выходной ток токов в согласованных парах транзисторов от разно­
здесь не кратен управляющему. сти напряжений база-эмитгер.

ный) управляющий ток. При разработке плотностей токов. Д ля согласованны х


токовых зеркал в интегральных схемах транзисторов отнош ение коллекторных
коэффициент отражения тока задают пу­ токов равно отношению плотностей то­
тем выбора размеров (площадей) эмит- ков. График на рис. 2.53 позволяет опре­
терных переходов. делить разность напряжений между базой
Фирма Texas Instruments предлагает то­ и эмиттером в подобном случае и полезен
ковые зеркала Уилсона в виде закончен­ при разработке токовых зеркал с нееди­
ных монолитных схем в удобных транзи­ ничным отражением.
сторных корпусах типа ТО -92. С ерия Упражнение 2.12. Покажите, что токовое зеркало
TL011 включает схемы, которые обеспе­ с неединичным отражением, показанное на рис.
чивают отнош ения 1:1, 1:2, 1:4 и 2:1, 2.52, работает так, как мы описали.
при этом диапазон устойчивости выход­
ного напряжения определяется значени­ НЕКОТОРЫЕ ТИПЫ
ями от 1,2 до 40 В. Схема Уилсона обла­ УСИЛИТЕЛЬНЫХ КАСКАДОВ
дает хорошими характеристиками источ­
ника тока —при постоянном программи­ 2.15. Двухтактные выходные каскады
рующем токе выходной ток увеличивает­
ся только на 0,05% на вольт — помимо В этой главе уже было отмечено, что если
всего она очень недорога (50 центов и в эмиттерном повторителе используется
дешевле). К сожалению, эти полезные транзистор п —р —п-типа, то ток не может
схемы существуют только на транзисто­ втекать в схему, если же используется
рах п-р-п- типа. транзистор р —п~p -типа, то ток не может
Еще один способ получения выходного вытекать. В результате повторитель с н е­
тока, кратного управляющему, состоит во симметричным выходом, в котором и с­
включении дополнительного резистора в пользуются расщепленные источники п и ­
цепь эмиттера выходного транзистора тания, а ток покоя имеет большую вели­
(рис. 2.52). Если схема работает с тока­ чину, при двуполярном сигнале может
ми различной плотности, то, согласно работать только на заземленную нагрузку
уравнению Эберса-Молла, разность напря­ (такие схемы называют иногда усилите­
жений UB3 зависит только от отношения л я м и к л а с с а А). Т о к п о к о я д о лж ен
100 Глава 2

+15 В + 15 В

Рис. 2.54. Усилитель громкоговорителя на 10 Вт, Рис. 2.55. Двухтактная схема эмитгерного повто­
построенный на основе эмитгерного повторителя с рителя.
однополюсным выходом, рассеивает мощность 165 Вт!

быть по крайней мере таким же большим, на сопротивлении 8 Ом). Однако в от­


как максимальный выходной ток при пи­ сутствие сигнала выходной транзистор
ковых значениях сигнала, в результате рассеивает мощность 55 Вт, а эмиттерный
схема в состоянии покоя рассеивает боль­ резистор — еще 110 Вт. Для усилителей
шую мощность. Например, на рис. 2.54 такого типа, принадлежащих к классу А
показана схема повторителя, который ра­ (транзистор всегда в открытом состоя­
ботает на нагрузку с сопротивлением нии), характерно, что мощность, рассеи­
8 Ом и мощностью до 10 Вт. Повтори­ ваемая в состоянии покоя, во много раз
тель Тх на транзисторе р - п —р-типа, слу­ превыш ает максимальную выходную
жит для того, чтобы снизить требования мощность; схема оставляет желать луч­
к мощности входного сигнала схемы и шего, особенно если речь идет о систе­
скомпенсировать напряжение смещения мах, связанных с большим выделением
11вэ в транзисторе Т2 (напряжение 0 В на мощности.
входе дает 0 В на выходе). Конечно, для На рис. 2.55 показана двухтактная схе­
простоты 7j можно было бы опустить. ма повторителя, которая работает анало­
Большой источник тока, используемый в гичным образом. Транзистор Тх открыт
качестве нагрузки в цепи эмиттера Тх слу­ при положительных значениях сигнала,
жит для того, чтобы обеспечить достаточ­ а транзистор Т2 при отрицательных. При
ный базовый ток для Т2 при пиковом зна­ нулевом входном напряжении коллектор­
чении сигнала. Резистор в цепи эмиттера ного тока нет и мощность не расеивает-
не используют потому, что он должен был ся. При выходной мощности 10 Вт каж­
бы иметь слишком малое сопротивление дый тран зи стор рассеивает м ощ ность
(50 Ом или меньше), для того чтобы при менее 10 Вт.
пиковом значении сигнала можно было Переходные искажения в двухтактных
гарантировать базовый ток Т2, равный по каскадах. Предыдущей схеме присуще
крайней мере 50 мА; при этом ток н а­ следующее свойство: выходной сигнал
грузки был бы максимальным, а падение отслеживает входной сигнал с разницей
напряжения на резисторе минимальным; на величину падения напряжения и ъэ; на
результирующий ток покоя Тхоказался бы положительном интервале входного сиг­
чрезмерно большим. нала выходное напряжение примерно на
Выходной сигнал схемы может изме­ 0,6 В меньше, чем входное, на отрица­
няться в диапазоне ±15 В (пиковые зна­ тельном интервале наоборот. Для сину­
чения) и отдавать в нагрузку требуемую соидального входного сигнала выходной
мощность (эффективное напряжение 9 В сигнал будет таким , как п оказано на
Транзисторы 101

используются источники питания ±20 В,


X а нагрузка имеет сопротивление 8 Ом
от Переходное
£
о и мощность 10 Вт для синусоидального
о.с искажение
го сигнала, пиковое базовое напряжение со­
X
У/ Входной V
г / /
f
,
Время
ставляет около 13,5 В, а пиковый ток на­
грузки 1,6 А. Допустим, что коэф ф ици­
сигнал X v Л
ент р тран зи стора равен 50 (м ощ ны е
Рис. 2.56. Переходные искажения в двухтактном
транзисторы обычно имеют меньший ко­
повторителе. эффициент усиления по току, чем мало­
сигнальные транзисторы), тогда для по­
рис.2.56. На языке радиотехники такое лучения базового тока, равного 32 мА,
искажение сигнала называется переход­ потребуются базовые резисторы с сопро­
ным искажением. Лучше всего немного тивлением 220 Ом (при пиковом значе­
сместить двухтактный каскад в состояние нии сигнала ток базы будет определяться
проводимости, как показано на рис. 2.57 напряжением 6,5 В, равным разности 13,5 В
(еше один метод устранения переходного и напряжения источника питания UKK).
искажения связан с использованием об­ Температурная стабильность двухтакт­
ратной связи, хотя он имеет некоторые ных усилителей класса В. Рассмотренный
недостатки). выше усилитель (иногда такие схемы на­
Резисторы смещения R переводят дио­ зывают усилителями класса В, при этом
ды в состояние проводимости, благодаря имеют в виду, что каждый транзистор
этому напряжение на базе Тх превышает находится в открытом состоянии только
входное напряжение на величину падения в течение половины периода входного
напряжения на диоде, а напряжение на сигнала) имеет один серьезный недоста­
базе Т2 на величину падения напряжения ток: он не обладает температурной ста­
на диоде меньше, чем входное напряже­ бильностью. По мере того как выходные
ние. Теперь, когда входной сигнал про­ транзисторы нагреваются (когда приложен
ходит через нуль, проводящим транзис­ входной сигнал, они нагреваются, так как
тором вместо Т2 становится 7j; один из рассеивают мощность), напряжение 1/ъэ
выходных транзисторов всегда открыт. начинает убывать, а коллекторный ток
Резистор R выбран так, чтобы обеспечи­ покоя — возрастать. Выделяющееся при
вался необходимый базовый ток в выход­ этом дополнительное тепло усугубляет по­
ных транзисторах при пиковых значени­ ложение и повышает вероятность того, что
ях выходного сигнала. Например, если в схеме разовьется неконтролируемая теп­
ловая положительная обратная связь (эта
вероятность зависит от ряда факторов: на­
сколько велик радиатор для отвода тепла,
совпадает ли температура диодов с тем­
пературой транзисторов и др.). Даже если
этого не произойдет и схема не выйдет
из строя, необходимо обеспечить более
надежное управление ее работой; обыч­
но прибегают к схеме, показанной на
рис. 2.58.
Для примера здесь показан случай, ког­
да входной сигнал снимается с коллекто­
ра предшествующего каскада; резистор
выполняет двойную функцию: он являет­
ся коллекторным резистором транзисто­
ра Тх и формирует ток для смещения д и ­
Рис. 2.57. Устранение переходных искажений за счет одов и смещающего резистора в основ­
смешения двухтактного повторителя. ной двухтактной схеме. Резисторы R: и Л4
102 Глава 2

нить диодом, то напряжение между база­


ми транзисторов Т2 и Тг будет равно
утроенному падению напряжения на дио­
де, а на последовательное соединение ре­
зисторов /?3 и R4 будет приходиться паде­
ние напряжения, равное падению напря­
жения на диоде. (Следовательно, резисто­
ры Л3 и Л4 должны быть подобраны таким
образом, чтобы обеспечивался нужный
ток покоя, например 50 мА для усилите­
ля звуковых частот.) Самым худшим для
этой схемы является случай, когда сме­
щающие диоды не имеют теплового кон­
такта с выходными транзисторами.
Рассмотрим такой самый худший слу­
чай и вычислим увеличение тока покоя
выходного каскада, соответствующее по­
вышению температуры выходного тран­
зистора на 30 °С. Кстати, для усилителя
Рис. 2.58. Увеличение температурной стабильнос­
мощности такое увеличение температуры
ти двухтактного повторителя за счет включения в не является большим. Указанное повы­
схему небольших эмитгерных резисторов. шение температуры при постоянном зна­
чении тока приводит к уменьшению на­
обычно имеют сопротивление несколько пряжения 1/ю выходных транзисторов при­
ом или ниже; они «амортизируют» кри­ близительно на 63 мВ и к увеличению
тическое смещение тока покоя: напряже­ падения напряжения на резисторах R} и
ние между базами выходных транзисторов R4 приблизительно на 20% (т. е. прибли­
должно быть немного больше, чем удво­ зительно на 20% увеличивается ток по­
енное падение напряжения на диоде; до­ коя). Для усилителя без эмиттерных ре­
полнительное падение напряжения обес­ зисторов (рис. 2.57) аналогичный расчет
печивает регулируемый резистор смещения показывает, что ток покоя увеличится в
fL (его часто заменяют еще одним диодом). 10 раз (напомним, что ток /к увеличивается
Падение напряжения на резисторах к г в 10 раз при возрастании напряжения 6'БЭ
и Я4 составляет несколько десятых долей на 60 мВ), т. е. его рост составит 1000%.
вольта, благодаря этому температурное Очевидно, что температурная стабиль­
изменение напряжения 11ъэ не приводит к ность последней схемы с резисторами
быстрому возрастанию тока (чем больше смещения в цепях эмиттеров значительно
падение н апряж ения н а Л3 и R4, тем выше.
менее чувствителен к температуре ток) и Еще одно преимущество этой схемы
схема работает стабильно. Стабильность состоит в том, что регулировка тока по­
увеличивается, если диоды имеют тепло­ коя позволяет управлять величиной пере­
вой контакт с выходными транзисторами ходных искажений. Двухтактные усили­
(или их радиаторами). тели, в которых смещение используется
Температурную стабильность схемы для получения достаточно большого тока
можно оценить, если вспомнить, что па­ покоя в момент перехода сигнала через
дение напряжения между базой и эмитте­ нуль, называют иногда усилителями клас­
ром уменьшается примерно на 2,1 мВ при са АВ; это название подразумевает, что в
увеличении температуры на каждый гра­ течение некоторого интервала времени оба
дус (°С), а коллекторный ток увеличива­ транзистора находятся в состоянии про­
ется в 10 раз при каждом увеличении на­ водимости. Практически при выборе тока
пряжения между базой и эмиттером на покоя следует найти компромисс между
60 мВ. Например, если резистор R2 заме­ уменьшением искажения и рассейваемой
Транзисторы 103

одинаковый сигнал: такой шунтирующий


конденсатор полезен в любой схеме см е­
щ ения. В данной схеме коллекторный
резистор транзистора 7j заменен источ­
ником тока Ту Эту разновидность схе­
мы с успехом используют на практике —
дело в том, что с помощ ью резистора
бывает иногда трудно получить нужный
базовый ток для транзистора Т2 при зн а­
чениях сигнала, близких к максималь­
ным. Д ля того чтобы удовлетворить тре­
бованиям со стороны транзистора Т2,
резистор должен быть небольшим, но тог­
да большим будет коллекторный ток п о­
коя транзистора Г, (рассеиваемая мощ ­
ность также будет велика), а коэф ф ици­
ент усиления по напряжению также будет
небольшим (напомним, что К = RK/R 3).
Задачу формирования базового тока для
транзистора Т2 позволяет решить также
метод следящей связи, который мы рас­
Рис. 2.59. Схема задания смещения двухтактного смотрим ниже.
выходного каскада для уменьшения переходных ис­
кажений и повышения температурной стабильности. 2.16. Составной транзистор
(схема Дарлингтона)
мощностью в состоянии покоя. Почти
всегда для ослабления переходного иска­ Если соединить транзисторы, как пока­
жения используют еще обратную связь, о зано на рис. 2.60, то полученная схема
которой пойдет речь в следующей главе. будет работать как один транзистор, при­
Другой метод смещения двухтактного чем его коэффициент (3 будет равен про­
повторителя представлен на рис. 2.59. изведению коэффициентов р составляю­
Транзистор Т4 работает как регулируемый щих транзисторов. Этот прием полезен
диод: базовые резисторы образуют дели­ для схем, работающих с большими тока­
тель напряжения, благодаря которому на­ ми (например, для стабилизаторов напря­
пряжение между коллектором и эмитте­ жения или выходных каскадов усилителей
ром Г4 стабилизируется при значении, мощности) или для входных каскадов уси­
пропорциональном напряжению между лителей, если необходимо обеспечить боль­
базой и эмиттером (оно равно падению шой входной импеданс.
напряжения на диоде); при увеличении на­ В транзисторе Д арлингтона падение
пряжения UK3 транзистор переходит в ре­
жим большей проводимости, и наоборот. К
Например, если оба резистора имеют со­
противления 1 кОм, то транзистор удер­
живает напряжение между коллектором и
эмиттером, равное удвоенному падению
напряжения на диоде. В показанном на
рис. 2.59 случае регулировка смещения
позволяет установить напряжение между
базами в диапазоне от 1 до 3,5 падения
напряжения на диоде. Конденсатор ем­
костью 1 мкФ служит для того, чтобы на
базы выходных транзисторов поступил Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.
104 Глава 2

Рис. 2.61. Повышение скорости выключения в состав­ Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шик-
ном транзисторе Дарлингтона. лаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).

напряжения между базой и эмиттером в дартной схемы служит мощный п —р —п-


два раза больше обычного, а напряжение транзистор Дарлингтона типа 2N6282, его
насыщения равно по крайней мере падению коэффициент усиления по току равен 4000
напряжения на диоде (так как потенциал (типичное значение) для коллекторного
эмиттера транзистора 7j должен превы­ тока, равного 10 А.
шать потенциал эмиттера транзистора Т2 Соединение транзисторов по схеме Шик-
на величину падения напряжения на дио­ лаи (Sziklai). Соединение транзисторов по
де). Кроме того, соединенные таким об­ схеме Ш иклаи представляет собой схему,
разом транзисторы ведут себя как один подобную той, которую мы только что
транзистор с достаточно малым быстро­ рассмотрели. Она также обеспечивает уве­
действием, так как транзистор Tt не мо­ личение коэффициента (3. Иногда такое
жет быстро выключить транзистор Т2. соединение называют комплементарным
С учетом этого свойства обычно между ба­ транзистором Д арлингтона (рис. 2.62).
зой и эмиттером транзистора Т2 включа­ Схема ведет себя как транзистор п —р - п ­
ют резистор (рис. 2.61). Резистор R пре­ и т а , обладающий большим коэффициен­
дотвращает смещение транзистора Т2 в том р. В схеме действует одно напряжение
область проводимости за счет токов утеч­ между базой и эмиттером, а напряжение
ки транзисторов Тх и Т2. Сопротивление насыщения, как и в предыдущей схеме,
резистора выбирают так, чтобы токи утеч­ равно по крайней мере падению напряже­
ки (измеряемые в наноамперах для мало­ ния на диоде. Между базой и эмиттером
сигнальных транзисторов и в сотнях мик­ транзистора Т2 рекомендуется включать
роампер для мощных транзисторов) со­ резистор с небольшим сопротивлением.
здавали на нем падение напряжения, не Разработчики применяют эту схему в мощ­
превышающее падения напряжения на ных двухтактных выходных каскадах, когда
диоде, и вместе с тем чтобы через него хотят использовать выходные транзисто­
протекал ток, малый по сравнению с ба­ ры только одной полярности. Пример
зовым током транзистора Т2. Обычно со­ такой схемы показан на рис. 2.63. К ак и
противление R составляет несколько со­ преж де, резистор представляет собой
тен ом в мощном транзисторе Дарлингто­ коллекторный резистор транзистора Г, .
на и несколько тысяч ом в малосигнальном Транзистор Дарлингтона, образованный
транзисторе Дарлингтона. транзисторами Т2и Т3, ведет себя как один
Промышленность выпускает транзисто­ транзистор п —р —п -типа с большим коэф ­
ры Дарлингтона в виде законченных мо­ фициентом усиления по току. Транзис­
дулей, включающих, как правило, и эмит­ торы ТА и Т5, соединенные по схеме Ш ик­
терный резистор. Примером такой стан­ лаи, ведут себя как мощный транзистор
Транзисторы 105

к серии элементов 2N5961—2N5963, ко­


торая характеризуется диапазоном макси­
мальных напряжений UK3 от 30 до 60 В
(если коллекторное напряжение должно
быть больше, то следует пойти на умень­
ш ение зн ачен ия р). П ром ы ш ленность
выпускает согласованные пары транзис­
торов со сверхбольшим значением коэф ­
фициента р. Их используют в усилителях
с низким уровнем сигнала, для которых
транзисторы должны иметь согласован­
ные характеристики; этому вопросу по­
свящ ен разд. 2.18. Примерами подобных
стандартны х схем служат схемы типа
LM394 и МАТ-01; они представляют со­
бой транзисторные пары с большим ко­
эффициентом усиления, в которых напря­
жение UB3 согласовано до долей милли­
вольта (в самых хороших схемах обеспе­
чивается согласование до 50 мкВ), а коэф­
фициент й21Э—до 1%. Схема типа МАТ-03
представляет собой согласованную пару
р —п -р-транзисторов.
Транзисторы со сверхбольшим значени­
Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором ем коэф ф ициента р можно объединять
использованы выходные транзисторы только п—р —п- по схеме Дарлингтона. При этом базо­
типа. вый ток смещения можно сделать равным
всего лиш ь 50 пкА (примерами таких схем
р - п - р -типа с большим коэффициентом служат операционны е усилители типа
усиления. Как и прежде, резисторы R3 LM111 и LM316.
и R4 имеют небольшое сопротивление.
Эту схему иногда называют двухтактным 2.17. Следящая связь
повторителем с квазидополнительной
симметрией. В настоящем каскаде с до­ При задании напряжения смещения, н а­
полнительной симметрией (комплемен­ пример в эмиттерном повторителе, рези­
тарном) транзисторы Т4 и Т5 были бы со­ сторы делителя в цепи базы выбирают так,
единены по схеме Дарлингтона. чтобы делитель по отношению к базе вы­
Транзистор со сверхбольшим значением ступал в качестве жесткого источника
коэффициеэта усиления по току. Состав­ напряжения, т. е. чтобы сопротивление
ные транзисторы — транзистор Дарлинг­ параллельно включенных резисторов было
тона и ему подобные - не следует путать значительно меньше, чем входное сопро­
с транзисторами со сверхбольшим значе­ тивление схемы со стороны базы. В свя­
нием коэффициента усиления по току, в зи с этим входное сопротивление всей схе­
которых очень большое значение коэффи­ мы определяется делителем напряжения —
циента /г21Эполучают в ходе технологичес­ для сигнала, поступающего на ее вход,
кого процесса изготовления элемента. входное сопротивление оказывается гораз­
Примером такого элемента служит тран­ до меньше, чем это действительно необ­
зистор типа 2N5962, для которого гаран­ ходимо. На рис. 2.64 показан соответству­
тируется минимальный коэффициент уси­ ющий пример. Полное входное сопротив­
ления по току, равный 450, при изменении ление схемы равно приблизительно 9 кОм,
коллекторного тока в диапазоне от 10 мкА а сопротивление делителя напряжения для
до 10 мА; этот транзистор принадлежит входного сигнала равно 10 кОм. Ж ела-
106 Глава 2

противление для частот сигнала не равно со­


противлению по постоянному току. Рас­
смотрим путь прохождения сигнала: входной
сигнал Um порождает сигнал на эмиттере
иэ я ивх, поэтому приращение тока, про­
текающего через резистор смещения R},
составит /' = (и - u3)/R } » 0, т. е. Z BX=
= um/ i m) ~ оо. Мы получили, что входное
(шунтирующее) сопротивление схемы сме­
щения очень велико для частот сигнала.
Другой подход к анализу схемы осн о­
ван на том, что падение напряж ения на
резисторе R} для всех частот сигнала оди­
наково (так как напряжение между его
тельно, чтобы входное сопротивление все­ выводами изменяется одинаково), т. е. он
гда было большим, и уж во всяком слу­ представляет собой источник тока. Но
чае неразумно нагружать источник вход­ сопротивление источника тока бесконеч­
ного сигнала схемы делителем, который но. На самом деле фактическое значение
в конечном счете нужен только для того, сопротивления не бесконечно, так как
чтобы обеспечить смещение транзистора. коэффициент усиления повторителя не­
Выйти из затруднения позволяет метод много меньше 1. Последнее вызывается
следящей связи (рис. 2.65). Смещ ение тем, что падение напряжения между базой
транзистора обеспечиваю т резисторы и эмиттером зависит от коллекторного
Лр R v Ry К онденсатор С2 вы бираю т тока, который изменяется при изменении
таким, чтобы его полное сопротивление уровня сигнала. Тот же результат можно
на частотах сигнала было мало по сравне­ получить, если рассмотреть делитель, об­
нию с сопротивлением резисторов сме­ разованный выходным сопротивлением со
щения. Как всегда смещение будет ста­ стороны эмиттера [гэ = 25/1К (мА) Ом] и
бильным, если сопротивление его источ­ эмиттерным резистором. Если коэф ф и­
ника по постоянному току, приведенное циент усиления повторителя по напряже­
в базе (в данном случае 9,7 кОм), значи­ нию обозначить А (А » 1), то действующее
тельно меньше сопротивления по посто­ значение сопротивления R3 на частотах
янному току со стороны базы (в данном сигнала равно R3/( 1 — А). На практике
случае »100 кОм). Но здесь входное со- действующее значение сопротивления /?3
больше его номинала приблизительно в
100 раз, и во входном сопротивлении пре­
обладает входное сопротивление транзи­
стора со стороны базы. В инвертирую­
щем усилителе с общим эмиттером мо­
жет быть выполнена аналогичная следящая
связь, так как сигнал на эмиттере повто­
ряет сигнал на базе. Обратите внимание,
что схема делителя напряжения смещения
запитывается по переменному току (на
частотах сигнала) с низкоомного эмит­
терного выхода, поэтому входному сиг­
налу не приходится этим заниматься.
Следящая связь в коллекторной нагруз­
ке. Принцип следящей связи можно ис­
Рис. 2.65. Повышение входного импеданса эмит­
терного повторителя на частотах сигнала за счет пользовать для увеличения действующего
включения в цепь следящей связи делителя, обеспе­ (эффективного) сопротивления коллек­
чивающего смещение базы. торного нагрузочного резистора, если
Транзисторы 107

вится больше, чем UKK, благодаря заря­


ду, накопленному конденсатором С. При
этом если Л, = R2 (неплохой вариант вы­
бора резисторов), то потенциал в точке их
соединения превысит UKK в 1,5 раза в тот
момент, когда выходной сигнал станет
равен t/KK. Эта схема завоевала большую
популярность при разработке бытовых уси­
лителей низкой частоты, хотя простой
источник тока обладает преимуществами
перед схемой со следящей связью, так как
отпадает необходимость в использовании
нежелательного элемента — электролити­
ческого конденсатора — и обеспечивают­
ся лучшие характеристики на низких час­
тотах.

2.18. Дифференциальные усилители

Дифференциальный усилитель —это широ­


ко известная схема, используемая для уси­
ления разности напряжений двух входных
сигналов. В идеальном случае выходной
Рис. 2.66. Следящая связь в коллекторной нагрузке сигнал не зависит от уровня каждого из
усилителя мощности, представляющего собой на­ входных сигналов, а определяется только
гружающий каскад. их разностью. Когда уровни сигналов на
обоих входах изменяются одновременно,
каскад нагружен на повторитель. При то такое изменение входного сигнала на­
этом существенно увеличится коэффици­ зывают синфазным. Дифференциальный
ент усиления каскада по напряжению [на­ или разностный входной сигнал называют
помним, что Ки = gmRK, а дт= \/(R 3 + гэ)]- еще нормальным или полезным. Хороший
На рис. 2.66 показан пример двухтактно­ дифференциальный усилитель обладает
го выходного каскада со следящей связью, высоким коэффициентом ослабления синфаз­
построенной подобно рассмотренной выше ного сигнала (КОСС), который представ­
схеме двухтактного повторителя. Так как ляет собой отношение выходного полез­
выход повторяет сигнал на базе транзис­ ного сигнала к выходному синфазному
тора Т2, конденсатор С создает следящую сигналу, при условии что полезный и син­
связь в коллекторную нагрузку транзис­ фазный входные сигналы имеют одина­
тора Т{ и поддерживает постоянное паде­ ковую амплитуду. Обычно КОСС опре­
ние напряж ения на резисторе R2 при деляют в децибелах. Диапазон изменения
наличии сигнала (импеданс конденсато­ синфазного входного сигнала задает допу­
ра С должен быть малым по сравнению с стимые уровни напряжения, относитель­
Rt и R2 в о всей полосе частот сигнала). но которого должен изменяться входной
Благодаря этому резистор R1 становится сигнал.
подобен источнику тока, увеличивается Дифференциальные усилители исполь­
коэффициент усиления транзистора Тх по зуют в тех случаях, когда слабые сигналы
напряжению и поддерживается достаточ­ можно потерять на фоне шумов. Приме­
ное напряжение на базе транзистора Т2 рами таких сигналов являются цифровые
даже при пиковых значениях сигнала. сигналы, передаваемые по длинным кабе­
Когда сигнал становится близким к н а­ лям (кабель обычно состоит из двух скру­
пряжению питания UKK, потенциал в точ­ ченных проводов), звуковые сигналы (в
ке соединения резисторов R{ и R2 стано­ радиотехнике понятие «балансный» импе-
108 Глава 2

Чему равен коэффициент усиления этой


схемы? Его нетрудно подсчитать: допу­
стим, на вход подается дифференциаль­
ный сигнал, при этом напряжение на вхо­
де 1 увеличивается на величину ит (изме­
нение напряжения для малого сигнала по
отношению ко входу).
До тех пор пока оба транзистора нахо­
дятся в активном режиме, потенциал точ­
ки А фиксирован. Коэффициент усиления
можно определить как и в случае усили­
теля на одном транзисторе, если заметить,
что входной сигнал оказывается дважды
Рис. 2.67. Классический транзисторный дифферен­
приложенным к переходу база—эмиттер
циальный усилитель. лю бого тр ан зи сто р а: Ктф = R K/2 ( r 3 +
+ R3). Сопротивление резистора R3 обыч­
дане обычно связывают с дифференци­ но невелико (100 Ом и меньше), а иногда
альным импедансом 600 Ом), радиочас­ этот резистор вообще отсутствует. Д иф ­
тотные сигналы (двухжильный кабель ференциальное напряжение обычно уси­
является дифференциальным), напряж е­ ливается в несколько сотен раз.
ния электрокардиограмм, сигналы счи­ Для того чтобы определить коэф ф ици­
тывания информации из магнитной па­ ент усиления синфазного сигнала, на оба
мяти и многие другие. Дифференциаль­ входа усилителя нужно подать одинако­
ны й у си л и тел ь н а п р и е м н о м ко н ц е вые сигналы ивх. Если вы внимательно
восстанавливает первоначальный сигнал, рассмотрите этот случай (и вспомните,
если синфазные помехи не очень вели­ что через рези стор R t протекаю т оба
ки. Дифференциальные каскады ш иро­ эмиттерных тока), то получите /Гинф =
ко используют при построении операци­ = —RK/(2 R l + R3). Мы пренебрегаем со­
онных усилителей, которые мы рассмат­ противлением гэ, так как резистор Л,
риваем ниже. Они играют важную роль обычно выбирают большим —его сопро­
при разработке усилителей постоянного тивление составляет по крайней мере не­
тока (которые усиливают частоты вплоть сколько тысяч ом. На самом деле сопро­
до постоянного тока, т. е. не использу­ тивлением R3 тоже можно пренебречь.
ют для межкаскадной связи конденсато­ К О С С приблизительно равен R J ( r 3 +
ры): их симметричная схема по сути сво­ + R3). Типичным примером дифференци­
ей приспособлена для компенсации тем­ ального усилителя является схема, пред­
пературного дрейфа. ставленная на рис. 2.68. Рассмотрим, как
На рис. 2.67 показана основная схема она работает.
дифференциального усилителя. Выходное Сопротивление резистора RK выбрано
напряжение измеряется на одном из кол­ так, чтобы коллекторный ток покоя мож­
лекторов относительно потенциала земли; н о было взять равны м 100 мкА. К ак
такой усилитель называют схемой с однопо­ обычно, для получения максимального
люсным выходом или разностным усилите­ динамического диапазона потенциал кол­
лем и он распространен наиболее широ­ л е к т о р а у ста н о в л ен р ав н ы м 0,5 UKK.
ко. Этот усилитель можно рассматривать У транзистора Тх коллекторный резистор
как устройство, которое усиливает диффе­ отсутствует, так как его выходной сигнал
ренциальный сигнал и преобразует его в снимается с коллектора другого транзис­
несимметричный сигнал, с которым мо­ тора. С опротивление резистора Л, вы ­
гут работать обычные схемы (повторители брано таким, что суммарный ток равен
напряжения, источники тока и т. п.). Если 200 мкА и поровну распределен между
же нужен дифференциальный сигнал, то транзисторами, когда входной (дифферен­
его снимают между коллекторами. циальный) сигнал равен нулю. Согласно
Транзисторы 109

Д ифференциальный усилитель можно


образно назвать «длиннохвостой парой»,
так как, если длина резистора на услов­
ном обозначении пропорциональна вели­
чине его сопротивления, схему можно
изобразить в таком виде, как показано на
рис. 2.69. «Длинный хвост» определяет
подавление синфазного сигнала, а неболь­
шие сопротивления межэмиттерной свя­
зи (включающие собственные сопротив­
ления эмиттеров) — усиление дифферен­
циального сигнала.
Смещение с помощью источника тока.
Усиление синфазного сигнала в диффе­
ренциальном усилителе можно значитель­
но уменьшить, если резистор Rt заменить
источником тока. При этом действующее
Рис. 2.68. Вычисление характеристик дифференци­ значение сопротивления Л, станет очень
ального усилителя. большим, а усиление синфазного сигнала
- U2) = ( Л К/ 2 ( Л Э + г,);
будет ослаблено почти до нуля, Предста­
^инф ~ + R3 + /*э)> вим себе, что на входе действует синфаз­
КОСС = R J(R , + г).
ный сигнал; источник тока в эмиттерной
только что выведенным формулам коэф ­ цепи поддерживает полный эмиттерный
фициент усиления дифференциального ток постоянным, и он (в силу симметрии
сигнала равен 30, а коэффициент усиле­ схемы) равномерно распределяется между
ния синфазного сигнала равен 0,5. Если двумя коллекторными цепями. Следова­
исключить из схемы резисторы 1,0 кОм, тельно, сигнал на выходе схемы не изме­
то коэффициент усиления дифференци­ няется. Пример подобной схемы приведен
ального сигнала станет равен 150, но при на рис. 2.70. Для этой схемы, в которой
этом уменьшится входное (дифференци­ использованы монолитная транзисторная
альное) сопротивление с 250 до 50 кОм пара типа LM394 (транзисторы Тх и Т2)
(если необходимо, чтобы величина этого и источник тока типа 2N5963, величина
сопротивления имела порядок мегаом, то КОСС определяется отношением 100 000:1
во входном каскаде можно использовать (100 дБ). Диапазон входного синфазного
транзисторы Дарлингтона). сигнала ограничен зн ачен иям и - 1 2 и
Напомним, что в несимметричном уси­ + 7 В; нижний предел определяется ра­
лителе с заземленным эмиттером при вы­ бочим диапазоном источника тока в эмит-
ходном напряжении покоя 0,5 UKK макси­
мальное усиление равно 20 UKK, где UKK
выражено в вольтах. В дифференциаль­
ном усилителе максимальное дифферен­
циальное усиление (при Яэ = 0) вдвое
меньше, т. е. численно равно двадцати­
кратному падению напряжения на коллек­
торном резисторе при аналогичном вы­
боре рабочей точки. Соответствующий
максимальный КОСС (при условии, что
Яэ = 0) также численно в 20 раз превы­
шает падение напряжения на /?,.
Упражнение 2.13. Убедитесь, что приведенные со­
отношения правильны. Разработайте дифференциаль­
ный усилитель по вашим собственным требованиям.
110 Глава 2

литель постоянного тока даже с несим­


метричными (односторонними) входны­
ми сигналами. Для этого нужно один из
его входов заземлить, а на другой подать
сигнал (рис. 2.71). Можно ли исключить
«неиспользуемый» транзистор из схемы?
Нет. Дифференциальная схема обеспечи­
вает компенсацию температурного дрей­
фа, и, даже когда один вход заземлен,
транзистор выполняет некоторые функ­
ции: при изменении температуры напря­
ж ения 1/ъэ изменяю тся на одинаковую
величину, при этом не происходит ника­
ких изменений на выходе и не нарушает­
ся балансировка схемы. Это значит, что
изменение напряжения Uh3 не усиливается
с коэффициентом Кт (его усиление оп­
ределяется коэффициентом А^инф, который
Рис. 2.70. Увеличение КОСС дифференциального можно уменьшить почти до нуля). Кроме
усилителя с помощью источника тока.
того, взаимная компенсация напряжений
1/ьэ приводит к тому, что на входе не
терной цепи, а верхний - коллекторным нужно учитывать падения напряжения ве­
напряжением покоя. личиной 0,6 В. Качество такого усилите­
Не забывайте о том, что в этом усилите­ ля постоянного тока ухудшается только
ле, как и во всех транзисторных усилите­ из-за несогласованности напряжений Ub3
лях, должны быть предусмотрены цепи или их температурных коэффициентов.
смещения по постоянному току. Если, Промышленность выпускает транзистор­
например, для межкаскадной связи на вхо­ ные пары и интегральные дифференци­
де используется конденсатор, то должны альные усилители с очень высокой степе­
быть включены заземленные базовые ре­ нью согласования (например, для стан­
зисторы. Еще одно предостережение от­ дартной согласованной монолитной пары
носится в особенности к дифференциаль­ я-р -л -тран зи сторов типа МАТ-01 дрейф
ным усилителям без эмитгерных резисто­ напряжения иъэ определяется величиной
ров: би п о л яр н ы е тр ан зи сто р ы могут 0,15 мкВ/°С или 0,2 мкВ за месяц).
выдержать обратное смещение на перехо­
де база—эмиттер величиной не более 6 В,
затем наступает пробой; значит, если по­
дать на вход дифференциальное входное
напряжение большей величины, то вход­
ной каскад будет разрушен (при условии,
что отсутствуют эмиттерные резисторы).
Эмиттерный резистор ограничивает ток
пробоя и предотвращает разрушение схе­
мы, но характеристики транзисторов мо­
гут в этом случае деградировать (коэффи­
циент Л21Э, шумы и др.). В любом случае
входной импеданс существенно падает,
если возникает обратная проводимость.
Применения дифференциальных схем в
усилителях постоянного тока с однополюс­ Рис. 2.71. Дифференциальный усилитель может ра­
ным выходом. Дифференциальный усили­ ботать как прецизионный усилитель постоянного тока
тель может прекрасно работать как уси­ с однополюсным выходом.
Транзисторы 111

В предыдущей схеме можно заземлить при условии, что нагрузка на выходе уси­
любой из входов. В зависимости от того, лителя отсутствует. Такой усилитель ис­
какой вход заземлен, усилитель будет или пользуют, как правило, только в схемах,
не будет инвертировать сигнал. (Однако, охваченных петлей обратной связи, или в
из-за наличия эффекта Миллера, речь о компараторах (их мы рассмотрим в следу­
котором пойдет в разд. 2.19, приведен­ ющем разделе). Запомните, что нагрузка
ная здесь схема предпочтительна для диа­ для такого усилителя обязательно должна
пазона высоких частот). Представленная иметь большой импеданс, иначе усиление
схема является неинвертирующей, значит, будет существенно ослаблено.
в ней заземлен инвертирующий вход. Тер­ Дифференциальные усилители как схе­
минология, относящаяся к дифференци­ мы расщепления фазы. На коллекторах
альным усилителям, распространяется симметричного дифференциального уси­
также на операционные усилители, кото­ лителя возникают сигналы, одинаковые
рые представляют собой те же дифферен­ по амплитуде, но с противоположными
циальные усилители с высоким коэффи­ фазами. Если снимать выходные сигна­
циентом усиления. лы с двух коллекторов, то получим схему
Использование токового зеркала в каче­ расщепления фазы. Конечно, можно ис­
стве активной нагрузки. Иногда желатель­ пользовать дифференциальный усилитель
но, чтобы однокаскадный дифференциаль­ с дифференциальными входами и выхо­
ный усилитель, как и простой усилитель с дами. Дифференциальный выходной сиг­
заземленным эмиттером, имел большой нал можно затем использовать для управ­
коэффициент усиления. Красивое реше­ ления еще одним дифференциальным уси­
ние дает использование токового зеркала лительным каскадом, величина КОСС для
в качестве активной нагрузки усилителя всей схемы при этом значительно увели­
(рис. 2.72). Транзисторы 7j и Г2 образуют чивается.
дифференциальную пару с источником Дифференциальные усилители как ком­
тока в эмиттерной цепи. Транзисторы Т3 параторы. Благодаря высокому коэф ф и­
и Т4, образующие токовое зеркало, высту­ циенту усиления и стабильным характе­
пают в качестве коллекторной нагрузки. ристикам дифференциальный усилитель
Тем самым обеспечивается высокое зна­ является основной составной частью ком­
чение сопротивления коллекторной нагруз­ паратора — схемы, которая сравнивает
ки, благодаря этому коэффициент усиле­ входные сигналы и оценивает, какой из
ния по напряжению достигает 5000 и выше них больше. Компараторы используют в
самых различных областях: для включения
освещения и отопления, для получения
прямоугольных сигналов из треугольных,
для сравнения уровня сигнала с порого­
вым значением, в усилителях класса D и
при импульсно-кодовой модуляции, для
переключения источников питания и т.д.
Основная идея при построении компара­
тора заключается в том, что транзистор
должен включаться или выключаться в
зависимости от уровней входных сигна­
лов. Область линейного усиления не рас­
сматривается — работа схемы основыва­
ется на том, что один из двух входных
транзисторов в любой момент находится
в режиме отсечки. Типичное применение
с захватом сигнала рассм атривается в
Рис. 2.72. Дифференциальный усилитель с токовым следующем разделе на примере схемы
зеркалом в качестве активной нагрузки. регулирования температуры, в которой
112 Глава 2

используются резисторы, сопротивление


которых зависит от температуры (термис­
торы).

2.19. Емкость и эффект Миллера

До сих пор мы пользовались моделью тран­


зистора для сигналов постоянного тока
или низкой частоты. В простейшей мо­
дели транзистора в виде усилителя тока и
в более сложной модели Эберса—Молла
напряжения, токи и сопротивления рас­
сматривают со стороны различных выво­
дов транзистора. Пользуясь этими моде­
лями, мы уже охватили достаточно ш и­ Рис. 2.73. Емкости перехода и нагрузки в транзис­
рокий круг вопросов, и на самом деле они торном усилителе.
содержат в себе почти все, что необходи­
мо учитывать при разработке транзистор­ следует уменьшать импеданс источника и
ных схем. Однако до сих пор мы не при­ емкость нагрузки и увеличивать управля­
нимали во внимание важный момент — ющий ток. Однако некоторые особенно­
внешние цепи и сами переходы транзис­ сти связаны с емкостью обратной связи и
тора обладают некоторой емкостью, ко­ со входной емкостью. Коротко остано­
торую необходимо учитывать при разра­ вимся на этих вопросах.
ботке быстродействующих и высокочас­ Схема на рис. 2.73 иллюстрирует, как
тотных схем. На самом деле, на высоких проявляются емкости переходов транзис­
частотах емкость зачастую определяет ра­ тора. Выходная емкость образует ЛС-цепь
боту схемы: на частоте 100 МГц емкость с выходным сопротивлением Ru (сопро­
перехода, равная 5 пкФ, имеет импеданс тивление Лн включает в себя как сопро­
320 Ом. тивление коллектора, так и сопротивле­
Более подробно мы рассмотрим этот ние нагрузки, а ем кость Сн - емкость
вопрос в гл. 13. Сейчас мы хотим про­ перехода и емкость нагрузки), в связи
сто поставить вопрос, проиллюстрировать с этим спад сигнала начинается при час­
его на примере некоторых схем и предло­ тоте / = 1/2л/?нСн. То же самое можно ска­
жить методы его реш ения. Конечно, в зать о входной емкости и сопротивлении
этой главе мы не можем не коснуться при­ источника R,r
чины самого явления. Рассматривая тран­ Эффект Миллера. Емкость Скб играет
зистор в новом аспекте, мы познакомим­ иную роль. Усилитель обладает некото­
ся с эффектом Миллера и каскодными рым коэффициентом усиления по напря­
схемами. ж ению Кц, следовательно, небольш ой
Емкость схемы и перехода. Емкость ог­ сигнал напряжения на входе порождает
раничивает скорость изменения напряже­ на коллекторе сигнал, в Ки раз превышаю­
ний в схеме, так как любая схема имеет щий входной (и инвертированный по от­
собственные конечные выходные импе­ ношению к входному). Из этого следует,
данс и ток. Когда емкость перезаряжает­ что для источника сигнала емкость Скб
ся от источника с конечным сопротивле­ в (Ки + 1) раз больше, чем при подклю­
нием, ее заряд происходит по экспонен­ чении Ск6 между базой и землей, т. е. при
циальному закону с постоянной времени расчете частоты среза входного сигнала
RC; если же емкость заряжает идеальный можно считать, что емкость обратной свя­
источник тока, то снимаемый с нее сиг­ зи ведет себя как конденсатор емкостью
нал будет изменяться по линейному за­ C J K V +1), подключенный между входом
кону. Общая рекомендация заключается и землей. Эффективное увеличение ем­
в следующем: для ускорения работы схемы кости С 6 и называют эффектом Миллера.
Транзисторы 113

+15 В

Рис. 2.74. Две схемы, в которых устранен эффект Миллера. Схема 6 представляет собой пример каскодно-
го включения транзисторов.

Эффект Миллера часто играет основную 2.74 представлена лиш ь часть каскадной
роль в спаде усиления, так как типичное схемы; в нее можно включить зашунтиро-
значение емкости обратной связи около ванный эмиттерный резистор и делитель
4 пкФ соответствует (эквивалентно) емко­ напряжения для подачи смещения на базу
сти в несколько сотен пикофарад, при­ (подобные примеры были рассмотрены
соединенной на землю. в начале настоящей главы) или охватить
Существует несколько методов борьбы всю схему петлей обратной связи по по­
с эффектом Миллера, например, он будет стоянному току. Напряжение U+ можно
полностью устранен, если использовать формировать с помощью делителя или зе-
усилительный каскад с общ ей базой. неровского диода; для того чтобы напря­
Импеданс источника можно уменьшить, жение было жестко фиксировано на час­
если подавать сигнал на каскад с зазем­ тотах сигнала, можно шунтировать резис­
ленным эмиттером через эмиттерный по­ тор в базе Т2.
вторитель. На рис. 2.74 показаны еще две Упражнение 2.14. Объясните, почему эффект Мил­
возможности. В дифференциальном уси­ лера не наблюдается в транзисторах рассмотренной
лителе (без резистора в коллекторной це­ только что схемы дифференциального усилителя и в
пи Tt) эффект Миллера не наблюдается; каскодных схемах.
эту схему можно рассматривать как эмит­ Паразитные емкости могут создавать и
терный повторитель, подклю ченный к более сложные проблемы, чем те, кото­
каскаду с заземленной базой. На второй рых мы сейчас коснулись. В частности:
схеме показано каскодное вклю чение а) спад усиления, обусловленный наличи­
транзисторов. 7j — это усилитель с зазем­ ем емкости обратной связи и выходной ем­
ленным эмиттером, резистор RHявляется кости, сопровождается побочными эффек­
общим коллекторным резистором. Тран­ тами, которые мы рассмотрим в следую­
зистор Т2 включен в коллекторную цепь щей главе; б) входная ем кость также
для того, чтобы предотвратить изменение оказывает влияние на работу схемы даже
сигнала в коллекторе Т, (и тем самым ус­ при наличии мощного источника входных
транить эффект Миллера) при протека­ сигналов; в частности, ток, который про­
нии коллекторного тока через резистор текает через С6э, не усиливается транзисто­
нагрузки. Напряжение U+ — это фиксиро­ ром, т. е. входная емкость «присваивает»
ванное напряжение смещения, обычно оно себе часть входного тока, вследствие чего
на несколько вольт превышает напряже­ коэффициент усиления малого сигнала
ние на эмиттере Т{ и поддерживает кол­ Л21э на высоких частотах снижается и на
лектор Тх в активной области. На рис. частоте f T становится равным единице;
114 Глава 2

в) дело осложняется также тем, что ем­ как надежные устройства, способные вы­
кости переходов зависят от напряжения, полнять разнообразные функции. Их пре­
емкость С6э изменяется столь сильно при дельно допустимые напряжения и токи
изменении базового тока, что ее даже не сравнимы с соответствующими напряже­
указывают в паспортных данных на тран­ ниями и токами биполярных транзисто­
зистор, вместо этого указывается значе­ ров.
ние частоты г) если транзистор рабо­ В больш инстве устройств на основе
тает как переключатель, то заряд, нако­ транзисторов (согласованные пары, диффе­
пленный в области базы в режиме насы­ ренциальные и операционные усилители,
щения, также вызывает уменьшение бы­ компараторы, токовые ключи и усили­
стродействия. Эти, а также некоторые тели, радиочастотные усилители, цифро­
другие вопросы, связанные с работой бы­ вые схемы) используют полевые транзи­
стродействующих схем, мы рассмотрим сторы и зачастую они обладают лучшими
в гл. 13. характеристиками. Более того, микропро­
цессоры и запоминающие устройства (а
2.20. Полевые транзисторы также другие крупные устройства цифро­
вой электроники) строятся исключитель­
В этой главе мы до сих пор имели дело с но на основе полевы х тран зи сторов.
биполярными плоскостными транзисто­ И наконец, в области разработки микро-
рами, характеристики которых описыва­ мощных устройств также преобладают по­
ются уравнениями Э берса-М олла. Б и ­ левые транзисторы.
полярные плоскостные транзисторы были Полевые транзисторы играют столь важ­
первыми транзисторами и до сих пор они ную роль в разработке электронных схем,
преобладают в разработке аналоговых что мы посвящаем им следующую главу
схем. Однако было бы ошибкой не ска­ нашей книги. Затем, в гл. 4 мы займем­
зать сейчас несколько слов о транзисторе ся операционными усилителями и обрат­
особого типа — о полевом транзисторе. ной связью. В этих трех трудных началь­
Детально мы рассмотрим его в следую­ ных главах излагаются основополагающие
щей главе. сведения и мы призываем читателя про­
Полевой транзистор во многом похож явить терпение, которое вознаградится
на обычный биполярный транзистор. Он многократно, когда в последующих гла­
представляет собой усилительное устрой­ вах мы приступим к изучению таких ин­
ство, имеющее 3 вывода, и может иметь тереснейших тем, как разработка на ос­
любую полярность. Один из выводов (зат­ нове операционных усилителей и цифро­
вор) предназначен для управления током, вых интегральных схем.
который протекает между двумя другими
выводами (истоком и стоком). Этот тран­ НЕКОТОРЫЕ ТИПИЧНЫЕ
зистор обладает, однако, одним особым ТРАНЗИСТОРНЫЕ СХЕМЫ
свойством: через затвор ток не протекает,
за исключением токов утечки. Это зна­ Рассмотрим несколько примеров транзи­
чит, что входные импедансы могут быть сторных схем, которые иллюстрируют ос­
очень большими, их предельные значения новные идеи, изложенные в настоящей
связаны лишь с наличием емкостей или главе. Круг этих примеров ограничен, так
утечек. При использовании полевых тран­ как в реальных схемах часто используют
зисторов нет необходимости заботиться о отрицательную обратную связь, которую
величине тока, протекающего через базу, мы будем изучать в следующей главе.
что было совершенно обязательно при раз­
работке схем на биполярных транзисторах, 2.21. Стабилизированный источник
о которых мы вели речь в этой главе. На напряжения
практике входные токи имеют порядок
пикоампер. К настоящему времени поле­ На рис. 2.75 показана очень распростра­
вые транзисторы зарекомендовали себя ненная схема. Ток резистора Rt открыва-
Транзисторы 115

2.22. Терморегулятор
От +12 до +25 В 2 N 3 05 5 +10 В
На рис. 2.76 показана схема регулятора
температуры, основанная на использова­
нии термистора — чувствительного эле­
мента, сопротивление которого зависит от
температуры. Д ифференциальная схема
на составных транзисторах Тх — Т2сравни­
вает напряжение, формируемое регулиру­
емым делителем эталонного напряжения
на резисторах R4 - Rb, с напряжением,
которое снимается с делителя, образован­
ного термистором и резистором Rr (Если
Рис. 2.75. Стабилизированный источник напряжения п роизводить сравн ен и е относительно
с обратной связью. одного и того же источника, то результат
не будет зависеть от колебаний напряже­
ет транзистор Tv Когда напряжение на ния источника; приведенная схема назы­
выходе достигает значения 10 В, транзи­ вается мостиком Уитстона.) Токовое зер­
стор Т2 переходит в открытое состояние кало на транзисторах Тъ, Т6 является
(потенциал базы достигает 5 В) и дальней­ активной нагрузкой и служит для увели­
шее увеличение выходного напряжения чения коэффициента усиления, а токовое
предотвращается за счет отвода избытка зеркало на транзисторах Т7, Тн обеспечи­
тока с базы транзистора Тг И сточник вает эмиттерный ток. Транзистор 71 срав­
питания можно сделать регулируемым, нивает выходное напряжение дифферен­
если резисторы и /?3 заменить потен­ циального усилителя с фиксированным
циометром. По сути дела, это пример схе­ напряжением и переводит в насыщение
мы с отрицательной обратной связью: составной транзистор Т10, Ти , который
Т2 «следит» за состоянием выхода и «пред­
+ 5 0 В (нестабилизир.
принимает соответствующие меры», если н апряж ение)
вех ичина выходного напряжения отлича­
ется от нужной.
ОД Ом
10 Вт

+15 В

Рис. 2.76. Терморегулятор для на­


гревателя мощностью 50 Вт.
116 Глава 2

таким образом подает мощность на нагре­ Диод Д г обеспечивает падение напряже­


ватель в случае, если термистор охлажден ния, благодаря которому транзистор Tt
слишком сильно. Выбор сопротивления будет выключен, если замкнуты переклю­
резистора Л, зависит от требующегося чатели П, и П 2, а диод Д 4 предохраняет
тока. В данной схеме этот резистор вклю­ транзистор Тъот индуктивных переходных
чает защитный транзистор Тп , если вели­ процессов, возникающих при отключении
чина выходного тока превышает 6 А; тем звонка. Подробно мы рассмотрим логи­
самым отключается сигнал с базы состав­ ческие схемы в гл. 8.
ного транзистора Т]0, Тх, и предотвраща­ В табл. 2.1 приведены параметры груп­
ется выход схемы из строя. пы малосигнальных транзисторов, ш иро­
ко используемых на практике, соответству­
2.23. Простая логическая схема ющие им графики зависимости коэффи­
на транзисторах и диодах циентов усиления по току от коллекторного
то ка п редставлен ы н а рис. 2.78. См.
На рис. 2.77 представлена схема, которая также приложение К.
решает задачу, рассмотренную в разд.
1.32: включение звуковой сигнализации СХЕМЫ, НЕ ТРЕБУЮЩИЕ ПОЯСНЕНИЙ
(звонка) при условии, что одна дверца
машины открыта и водитель находится за 2.24. Удачные схемы
рулем. В приведенной схеме все транзи­
сторы работают как переключатели (на­ На рис. 2.80 показаны два проекта схем
ходятся в режиме отсечки или насыще­ с использованием транзисторов.
ния). Диоды Д и Д 2 образуют так назы­
ваемую схему ИЛИ, которая выключает 2.25. Негодные схемы
транзистор Tj, если одна из двсрц откры­
та (переключатель замкнут). Однако по­ Как известно, учатся на ошибках, и сво­
тенциал коллектора Г, сохраняет значе­ их, и чужих. В этом разделе вашему вни­
ние, близкое к потенциалу земли, и пре­ манию предложена целая серия грубых
дотвращает включение звукового сигна­ ошибок, допущенных при разработке схем
ла, если не замкнут переключатель П 3 (рис. 2.81). В нимательно рассмотрите
(водитель находится за рулем); при выпол­ представленные схемы, подумайте, какие
нении последнего условия резистор Я, возможны варианты и никогда не делайте
обеспечивает включение транзистора Тъ подобных ошибок!
и на звонок подается напряжение 12 В.
+12 В пост.
Н екоторы е м алосигнальны е транзисторы 31
UK3 /к А,,./1 /к СКЕ"' f cTi" Кривые ко- Металлический корпус Пластмассовый
(макс), (макс), (тип.) мА (тип.), пФ (тип.), эффициента _________________________________________
В мА МГц усиления ТО-5Д) ТО-18с>
прп рпр прп рпр прп
20 500 100 150 16 200 - - - - -

я 25 200 200 2 1,8-2,8 300 4 - - - - 4124


40 200 200 10 1,8-2,8 300 — - 3947 3251 3904
ффициент 25 50 300 10 2 -7 150 - - - - ( 3707
низкий U391A
ма
25 300 250 50 4 300 - - - — 6008*
25 50 500 5 1,5-4 500 - - - - 5089
40 20 700 1 14 200 2 LM394 - - _ -
45 50 1000 10 1,5 300 1 - - - - 5962
50 50 350 5 1,8 400 3 - - 2848 3965 (4967
V5210
30-60 600 150 150 5 300 5 2219 2905 2222 ( 2907^ 4401
50 1000 100 200 7 450 3725, 5022 4014 43251/ -
ZL9
Оо

60 1000 70 80 15 100 4036 —■ — —

75 2000 70 500 20 60 7,9 5320 5322 - - -

ряжение 150 600 100 10 3 -6 250 - 4929 - _ 5550


300 1000 50 50 10 50 3439 5416 — - —
тро­ 12 50 80 3 0,7 1500 6 - - 5179 - 3662
12 100 50 8 1,5 900 8 - - 918 4208 5770
12 200 75 25 3 500 — - 2369 2894 5769
исторы имеют типовой номер 2NXXX, за исключением сдвоенного транзистора LM394. Элементы, приведенные в одной строке, обладают
ами и иногда электрически идентичны. 61 См. рис. 2.76. При УКБ = 10 В. г| См. рис. 13.4. л) Или ТО-39. с| Или ТО-72, ТО-46. ж) Ко
ации различаются маркировкой выводов: ЭБК и ЭКБ. Транзисторы, помеченные буквой «ж», относятся к группе ЭКБ, а все остальные - к г
118 Глава 2

Колекторный ток

Рис. 2.78. Графики зависимости коэффициента усиления по току й2|Э от коллекторного тока / к для группы
транзисторов, параметры которых приведены в табл. 2.1 (по данным фирм-изготовителей). Возможен
технологический разброс от изображенных типовых значений в пределах +100%, —50%.

Рис. 2.79.

Удачные схемы
+15

«„"«Л
r3-k T /q I,
Н апряжение
т .e .K u* I J T пропорц.
Ток
следовательно пропорц, полной
+1,22 В, - / 3 ОС Г уровню световой
нулевой освещенности экспозиции
темп, коэф

Рис. 2.80. а — дифференциальный усилитель со смещением, обеспечивающим нулевой температурный


коэффициент усиления; 6 — световой интегратор.
К ос Л к/ г э , гэ = k T /q T ^ т. е . К о с I J T ., / э * Т.
Негодные схемы

+U„„ + 15 В

Нестабилизир
вход пост,
тока . +5 В вых.
(> Ю В)

5,6 В зенеровский
диод

+5 В
TL
ОВ'

Выход

Рис. 2.81. а — повторители со связью по переменному току; б — стабилизатор напряжения +5 В; в — двухтактны!


повторитель; г — источник тока; д — переключатель для больших токов; е —двухкаскадный усилитель; ж - диф­
ференциальный усилитель; з —повторитель с нулевым смешением; и —усилитель переменного тока с большие
коэффициентом усиления.
120 Глава 2

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УПРАЖНЕНИЯ
(1) Разработайте схему транзисторного переключате­
ля, которая позволила бы подключать к земле две на­
грузки через насыщенные транзисторы п—р—п-типа.
При замыкании переключателя А обе нагрузки должны
находиться под напряжением, при замыкании переклю­
чателя Б мощность должна передаваться только в одну
нагрузку. Подсказка: используйте в схеме диоды.
(2) Рассмотрите источник тока, изображенный на
рис. 2.79. (а) Определите ток / . Чему равен рабо­
чий диапазон схемы? Считайте, что напряжение иъэ
составляет 0,6 В. (б) Как будет изменяться выход­
ной ток, если при изменении коллекторного напря­
жения в пределах выходного диапазона коэффициент
/г2|Э изменяется от 50 до 100? (При решении этой за­
дачи следует учесть два эффекта.) (в) Как будет из­
меняться ток нагрузки ь пределах рабочего диапазо­
на, если известно, что изменение напряжения 1/ьэ опи­
сывается зависимостью AUw, = -0,001 л£/кэ (эффект
Эрли)? (г) Чему равен температурный коэффициент
выходного тока, если предположить, что коэффици­ Рис. 2.83. Схема подавления входного тока, широ­
ент й2|э не зависит от температуры? Чему равен тем­ ко используемая в высококачественных ОУ.
пературный коэффициент выходного тока, если пред­
положить, что коэффициент й,,э увеличивается отно­ помощью полевых транзисторов), (а) Сначала разра­
сительно номинального значения 100 на 0,4% /°С? ботайте схему дифференциального усилителя с источ­
(3) Разработайте схему усилителя с общим эмиттером ником тока в эмитгерной цепи и без эмитгерных рези­
на основе транзистора п—р —п-типа по следующим ис­ сторов. Используйте источник питания с напряжени­
ходным данным: коэффициент усиления по напряже­ ем ± 15 В. Коллекторный ток / к (для каждого
нию равен 15, напряжение питания U равно 15 В, транзистора) должен быть равен 1 мА, а сопротивле­
коллекторный ток / равен 0,5 мА. Транзистор дол­ ние коллекторного резистора сделайте равным
жен быть смещен так, чтобы потенциал коллектора ftK = 1,0 кОм. Подсчитайте коэффициент усиления
был равен 0,5 6'кк, а точке - 3 дБ должна соответство­ по напряжению, при условии что один из входов за­
вать частота 100 Гц. землен, (б) Теперь модифицируйте схему так, чтобы
(4) Предусмотрите в предыдущей схеме следящую связь источником тока в эмитгерной цепи можно было уп­
для увеличения входного импеданса. Правильно оп­ равлять с помощью внешнего напряжения. Составьте
ределите точку спада усиления при следящей связи. приблизительное выражение зависимости коэффици­
(5) Разработайте схему дифференциального усилителя ента усиления от управляющего напряжения. (В ре­
со связями по постоянному току по следующим исход­ альной схеме можно предусмотреть еще одну группу
ным данным: коэффициент усиления по напряжению управляемых источников для того, чтобы скомпенси­
равен 50 (для однополюсного выхода) при входных сиг­ ровать смещение точки покоя, обусловленное измене­
налах с напряжением, близким к потенциалу земли; ниями коэффициента усиления, или же можно вклю­
источники питания обеспечивают напряжение ±15 В; чить в схему еще один каскад с дифференциальным
ток покоя в каждом транзисторе равен 0,1 мА. В эмит- входом.)
терной цепи используйте источник тока, а в качестве (7) Не желая прислушиваться к нашим советам, вы­
выходного каскада - эмиттерный повторитель. сокомерный студент создает усилитель, схема кото­
(6) Выполнив это упражнение, вы получите усили­ рого приведена на рис. 2.82. Он регулирует сопро­
тель, коэффициент усиления которого управляется вне­ тивление ft, так, чтобы точке покоя соответствовало
шним напряжением (в гл. 3 эта задача решается с напряжение 0,5 i/KK. (а) Определите ZBX(на высоких
частотах, когда выполняется условие Z K = 0). (б)
Определите коэффициент усиления по напряжению
для малого сигнала, (в) Определите грубо, при ка­
ком изменении температуры окружающей среды
транзистор перейдет в режим насыщения.
(8) В некоторых прецизионных операционных усили­
телях (например, ОР-07 и LT1012) для подавления
входного тока смещения используется схема, показан­
ная на рис. 2.83 (подробно показана только половина
дифференциального усилителя с симметричным вхо­
дом, другая половина выглядит точно так же). Объяс­
ните, как работает схема. Замечание: транзисторы 7’
и Г; представляют собой согласованную по р пару.
Подсказка: вспомните о токовых зеркалах.
ГЛАВА 3
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

ВВЕДЕНИЕ В полевом транзисторе, как следует из


его н азв ан и я, проводим остью канала
Полевые транзисторы (ПТ) - это транзис­ управляет электрическое поле, создавае­
торы, свойства которых совершенно от­ мое приложенным к затвору напряж е­
личаются от свойств рассмотренных в нием. Здесь нет прямосмещ енных р —п-
предыдущей главе обычных транзисто­ переходов, так что ток через затвор не
ров, называемых также биполярны м и, течет и это, возможно, — наиболее важ­
чтобы подчеркнуть их отличие от ПТ. ное преимущество ПТ перед биполярны­
В расширенном толковании, однако, они ми транзисторами. Как и последние, ПТ
имеют много общего, так что их можно бывают двух полярностей: n-канальные (с
определить как приборы, управляемые за­ проводимостью за счет электронов) и
рядом. В обоих случаях мы имеем прибор /7-канальные (с дырочной проводимос­
с тремя выводами, в котором проводи­ тью). Эти полярности аналогичны уже
мость между двумя электродами зависит известным нам соответственно п ~ р —п и
от наличия носителей заряда, которое в р —п —р-транзисторам биполярного типа.
свою очередь регулируется напряжением, Однако разнообразие ПТ этим не огра­
приложенным к третьему управляющему ничивается, что может приводить к пута­
электроду. нице. Во-первых, ПТ могут изготавли­
Теперь о том, чем они отличаются друг ваться с затворами двух различных типов (в
от друга. В биполярном п —р —п-транзис­ результате мы имеем ПТ с р - я-переходом
торе переход коллектор—база смещен в и ПТ с изолированным затвором, так на­
обратном направлении и обычно ток че­ зываемые МОП-транзисторы), а во-вто­
рез него не течет. Подача на переход б аза- рых, —двумя типами легирования канала
эмиттер напряжения около 0,6 В преодо­ (что дает ПТ обогащенного и обедненно­
левает «потенциальный барьер» диода, го типа).
приводя к поступлению электронов в об­ Р ассм отри м вкратц е в о зм о ж н о сти ,
ласть базы, где они испытывают сильное предоставляемые ПТ различного типа.
притяжение со стороны коллектора. Хотя Предварим, однако, это рассмотрение не­
при этом через базу будет протекать сколькими замечаниями общего плана.
некоторый ток, большинство такого ро­ Наиболее важной характеристикой ПТ
да «неосновных носителей» захватывает­ является отсутствие тока затвора. Полу­
ся коллектором. Результатом является чаемое, как следствие этого, высокое
коллекторный ток, управляемый (мень­ входное полное сопротивление (оно мо­
шим по величине) током базы. Ток кол­ жет быть больше 1014 Ом) существенно во
лектора пропорционален скорости ин- многих применениях и в любом случае
жекции неосновных носителей в базу, упрощ ает проектирование схем. В к а­
которая явл яется эк с п о н е н ц и а л ь н о й честве аналоговых переключателей и уси­
функцией разности потенциалов б а з а - лителей со сверхвысоким входным пол­
эмиттер (уравнение Э берса-М олла). Б и ­ ным сопротивлением ПТ не имеют себе
полярный транзистор можно рассматри­ равных. Сами по себе или в сочетании
вать как усилитель тока (с огрубленно по­ с биполярными транзисторами они легко
стоянным коэффициентом усиления й2|Э) встраиваю тся в интегральн ы е схемы.
или как прибор-преобразователь прово­ В следующей главе мы увидим, насколь­
димости (Э берс-М олл). ко успеш но это сделано при создании
122 Глава 3

близких к совершенству (и фактически


Сток Коллектор
простых в использовании) операционных
усилителей, а в гл. 8-11 будет показано,
как интегральные схемы на М ОП-транзи-
сторах революционизировали цифровую
электронику. Так как на малой площади
в ИМ С может быть размещено большее
число слаботочных ПТ, то они особенно
плезны для создания больших интеграль­
Затвор - Ё П одложка База
К
ных микросхем (БИ С ), применяемых в
Исток Эмиттер
цифровой технике, таких как микрокаль­
куляторы, микропроцессоры и устройства
памяти. Плюс к тому недавнее появле­ Рис. 3.1. а - «-канальный МОП-транзистор; б —бипо­
ние сильноточных ПТ (30 А или более) лярный п -р —«-транзистор.
позволяет заменить биполярные транзис­
торы во многих применениях, зачастую
получая более простые схемы с улучшен­ тор (рис. 3.1). В норм альном режиме
ными параметрами. сток (или соответствующий ему коллек­
тор) имеет полож ительны й потенциал
3.01. Характеристики относительно истока (эмиттера). Ток от
полевых транзисторов стока к истоку отсутствует, пока на зат­
вор (базу) не будет подано положитель­
Иной новичок буквально «впадает в столб­ ное по отношению к истоку напряжение.
няк», впрямую сталкиваясь с обеску­ В последнем случае затвор становится
раживающим разнообразием типов ПТ «прямосмещенным», и возникает ток сто­
(см., например, первое издание этой кн и ­ ка, который весь проходит к истоку. На
ги!), разнообразием, возникающим как рис. 3,2 показано, как изменяется ток
следствие возможных комбинаций поляр­ стока / с в зависимости от напряжения
ности (п- и р-канальные), вида изоляции сток -и сток Ucw при нескольких значе­
затвора (ПТ с полупроводниковым пере­ ниях управляющего напряжения затвор-
ходом или М ОП-транзисторы с изолято­ исток и ш . Для сравнения здесь же при­
ром в виде окисла), а также типа легиро­ ведено соответствующее семейство кри­
вания канала (ПТ обогащенного или обед­ вых зависимости / к от и кэ для обычного
ненного типа). Из восьми имеющихся в биполярного п —р —я-транзистора. О че­
результате этих комбинаций возможнос­ видно, что я-канальны е М О П -транзис­
тей шесть могли бы быть реализованы, а торы и биполярные п —р —я-транзисторы
пять - реализованы на практике. Основ­ во многом схожи.
ной интерес представляют четыре случая Подобно п—р —я-транзистору, ПТ имеет
из этих пяти. большое приращение полного сопротив­
Чтобы понять, как работает ПТ (и ис­ ления стока, в результате чего при напря­
ходя из здравого смысла), будет правиль­ жении U,,..
СИ
свыше 1—2 В ток стока почти
но, если мы начнем только с одного не меняется. Для этой области характе-
типа, точно так, как мы сделали с бипо­ ристик ПТ неудачно выбрано название
лярным я —р - п -транзистором. Хорошо «область насыщения», тогда как у бипо­
разобравшись с ПТ выбранного типа, мы лярны х транзисторов соответствующая
в дальнейшем будем иметь минимум труд­ область называется «активной». Подобно
ностей в изучении остальных членов этого биполярному транзистору, чем больше
семейства. смещение затвора ПТ относительно исто­
Входные характеристики ПТ. Рассмот­ ка, тем больше ток стока. В любом случае
рим вначале я-канальный М ОП-транзис- поведение ПТ ближе к идеальным уст­
тор обогащенного типа, биполярным ана­ ройствам — преобразователям проводи­
логом которого является п —р —п-транзис- мости (постоянный ток стока при неиз-
Полевые транзисторы 123

ю.

■1,95 В

-1,90 В

-1,85 В
.д а в
.1 ,7 5 В
-.1 ,7 0 В
20
С*

Рис. 3.2. Измеренные семейства выходных характеристик «-канального МОП-транзистора VN0106 (а) и бипо­
лярного л-р-л-транзистора 2N3904 (6).

менном напряжении затвор-исток), чем устройство, усиливающее ток (коэффици­


биполярных транзисторов; согласно урав­ ент усиления тока был бы равен беско­
нению Э берса—М олла у б и п олярн ы х нечности). Вместо этого будем рассматри­
транзисторов должны быть превосходные вать ПТ как характеризуемое крутизной
характеристики выходной проводимости, устройство - преобразователь проводимо­
однако эти идеальные характеристики не сти с программированием тока стока н а­
достигаются и з-за эф ф екта Эрли (см. пряжением затвор—исток, — так, как это
разд. 2. 10). мы делали с биполярным транзистором в
До сих пор ПТ выглядел подобно п —р —п- толковании Эберса—Молла. Напомним,
транзистору. Посмотрим, однако, на ПТ что крутизна дт есть просто отношение
поближе. С одной стороны, свыше нор­ /с /и си (как и обычно, строчные буквы ис­
мального диапазона ток насыщения сто­ п о л ь зу ю тс я, чтобы п о к а за т ь « м а л о ­
ка растет довольно умеренно при уве­ сигнальные» изменения параметра; т. е.
личении напряжения затвора ( £ЛИ). Ф ак­ /с /мси = 5/с/6 6 гси). В-третьих, у М ОП-
тически он пропорционален \ и ш ~ транзистора затвор действительно изоли­
где Un — «пороговое напряжение затво­ рован от канала сток—исток; поэтому, в
ра», при котором начинает идти ток стока отличие от биполярных транзисторов (и
(для ПТ на рис. 3.2 Un » 1,63 В); сравните от ПТ с /?-л-переходом, как мы далее уви­
этот слабый квадратичный закон с крутой дим), можно подавать на него положи­
экспоненциальной зависимостью, данной тельное (или отрицательное) напряжение
нам Эберсом и Моллом. Во-вторых, по­ до 10 В и более, не заботясь о диодной
стоянный ток затвора равен нулю, так проводимости. И наконец, ПТ отличается
что мы не должны смотреть на ПТ как на от биполярного транзистора в так назы-
124 Глава 3

+10 в 10 в

-О—
Вх. сигнал

Ш) Лампа
108, 0,1 А Рис. 3.4.
+ 15 В: ключ BKJ1
земля: ключ ВЫКЛ

имеет /?вкл < 0,2 Ом, что превосходно для


данной задачи.
VN0106
<
S>
. На рис. 3.4 показана схема «аналогово­
го переключателя», которую вообще не­

1 возм ож н о вы п олн ить на б и п олярн ы х


транзисторах. Идея этой схемы состоит
в том, чтобы переключать проводимость
ПТ из разомкнутого (затвор смещен в «об­
Рис. 3.3. Ключ на МОП-транзисторе.
ратном» направлении) в замкнутое состо­
ваемой линейной области графика, где его яние («прямое» смещение затвора), тем
поведение довольно точно соответствует самым блокируя или пропуская анало­
поведению резистора, даже при отрица­ говый сигнал (позже мы увидим множе­
тельном t/CH, это оказывается очень по­ ство п ри ч и н в ы п о л н ять такого рода
лезным свойством, поскольку, как вы уже вещи). В данном случае мы должны лиш ь
могли догадаться, эквивалентное сопро­ обеспечить, чтобы на затвор подавалось
тивление ст о к -и сто к программируется более отри цательное переклю чаю щ ее
напряжением затвор-исток. напряжение, чем любой размах входного
Два примера. В П Т ещ е н ай д ется, переключаемого сигнала (ключ разомк­
чем нас удивить, О днако прежде чем нут) или на несколько вольт более поло­
углубляться в детали, посмотрим на две жительное, чем любой входной сигнал
просты е п ереклю ч аю щ ие схем ы . Н а (ключ замкнут). Биполярные транзисторы
рис. 3.3 показан МОП-транзисторный эк­ для такой схемы непригодны, поскольку
вивалент рис. 2.3 —первого из рассмотрен­ база проводит ток и образует с коллекто­
ного нами насыщенного транзисторного ром и эмиттером диоды, что приводит к
переключателя. Схема на ПТ даже проще, о п а с н о м у э ф ф ек ту « защ ел к и в ан и я » .
поскольку здесь мы соверш енно не дол­ В сравнении с этим М О П -транзистор
жны заботиться о неизбежно возникшем восхитительно прост, нуждаясь лишь в по­
ранее компромиссе между необходимос­ даче на затвор (являющийся практически
тью задать соответствующий необходи­ разомкнутой цепью) напряжения, равного
мый для переключения ток базы (рас­ размаху входного аналогового сигнала.
сматривая наихудший случай — м и н и ­ Будьте, однако, внимательны: наше рас­
мальное зн ачение Ипэ в сочетани и с смотрение этой схемы было до некоторой
сопротивлением холодной нити лампы) степени упрощением - например, мы игно­
и исключить избыточное расходование рировали влияние емкости затвор-канал,
энергии. Вместо этого мы всего лиш ь а также вариации RBtui при изменении сиг­
подаем на затвор, имеющий высокое пол­ нала. Позже мы еще поговорим об ана­
ное входное напряжение, полное напря­ логовых ключах.
жение питания постоянного тока. П о­
скольку включенный ПТ ведет себя как 3.02. Типы ПТ
резистор с малым по сравнению с нагруз­
кой сопротивлением, потенциал стока /И-канальные, /7-канальные ПТ. Теперь о
станет при этом близок к потенциалу зем­ генеалогическом древе. Во-первых, поле­
ли; типичный мощный МОП-транзистор вые транзисторы (как и биполярные) мо-
Полевые транзисторы 125

подается положит, напряжение

Рис. 3.5. Л '-канальный МОП-транзистор.

гут выпускаться обеих полярностей. Т а­ с изолированным затвором. Изолирую­


ким образом, зеркальным отображением щий слой довольно тонкий, обычно его
нашего «-канального М ОП-транзистора толщина не превышает длины волны ви­
является /ьканальный МОП-транзистор. димого света и он может выдержать на­
Его характеристики симметричны и на­ п ряж ени е затвора до ± 20 В и более.
поминают характеристики р ~ п —р-транзи- МОП-транзисторы просты в применении,
стора: сток нормально имеет отрицатель­ поскольку на затвор можно подавать на­
ное смещение по отнош ению к исто­ пряжение любой полярности относитель­
ку, и ток стока будет проходить, если на но истока, и при этом через затвор не
затвор подать отрицательное по отнош е­ будет проходить никакой ток. Эти тран­
нию к истоку напряжение не менее од- зисторы, однако, в большой степени под­
ного-двух вольт. Симметрия несовершен­ вержены повреждениям от статического
на, поскольку носителями являются не электричества, вы можете вывести из
электроны, а дырки с меньшей «подвиж­ строя устройство на М ОП-транзисторах
ностью» и «временем жизни неосновных буквально одним прикосновением.
носителей». Эти параметры полупровод­ С им волическое изображ ение М О П -
ника важны для свойств транзисторов, а транзистора показано на рис. 3.6. Здесь
выводы стоит запомнить: /^-канальные представлен дополнительный вывод, «те­
ПТ имеют обычно более плохие характе­ ло» или «подложка» — кусок кремния, на
ристики, а име