Лекция 12

по дисциплине Компонентная база в радиоэлектронике

3.3. Статические характеристики биполярного транзистора.

Схема с общей базой.

В транзисторных схемах обычно выбирают ток эмиттера в качестве управляю-
щего тока и пользуются двумя видами характеристик: входными и выходными.

Входные характеристики.
Входные характеристики в схеме с общей базой — это зависимость Iэ = f(UэБ)
при UkБ=const определяются зависимостью (3.47)
I э  I (exp U эБ  1)  I (exp U  1) .
11 12 kБ

При большом обратном напряжении коллектора (exp χUкб << 1) ток слабо зави-
сит от коллекторного напряжения.
На рис. 3.7, а показаны реальные входные характеристики германиевого транзи-
стора. Они соответствуют теоретической зависимости (3.47).
Входные характеристики реального транзистора смещены вправо для германие-
вых на 0,3-0,4 В, для кремниевых – 0,5-0,6 В.

Iэотс = I12 – I11 (3.50)

Iэотс — ток эмиттера отсечки.

При
kT I
U  ln(1  12 )
э0 e I
11 (3.51)
ток эмиттера равен нулю.
 I
-U
э

k Б

U =0k Б

I
I 1 2

I
э О Т С

1 1 U э 0

U э Б

а)Теоретические кривые входных характеристик

I ,mА Ge -5
э -10 0
3

0,1 0,2 0,3 0,4 U э Б

б)
I ,mА
э

Si -5 0
40
30
20
10
0,2 0,4 0,6 0,8 U э Б

в)
Рис. 3.7 — а) входные характеристики, построенные по
теоретической зависимости (3.47), б) входные
характеристики германиевого транзистора,
в) входные характеристики кремниевого транзистора
 Такое же напряжение устанавливается на эмиттере, если он изолирован от дру-
гих электродов.
Реальные характеристики транзистора в начальной области несколько отлича-
ются от теоретических.
Входные характеристики кремниевого транзистора показаны на рис.3.7, в. Они
смещены от нуля в сторону прямых напряжений; как и у кремниевого диода, смеще-
ние равно 0,6 — 0,7 В. По отношению к входным характеристикам германиевого
транзистора смещение составляет 0,3 — 0,4 В.

Выходные характеристики. Теоретические выходные характеристики транзи-

стора в схеме с общей базой Ik = f(UkБ) при Iэ=const. определяются зависимостью
(3.41):

I  h I э  I (exp U  1) .
k 21б k0 kБ

Они представлены на рис. Рис. 3.8, а. Вправо по горизонтальной оси принято

откладывать рабочее, т. е. обратное, напряжение коллектора (отрицательное для
транзисторов типа р-n-р и положительное для транзисторов типа n-р-n). Значения
протекающего при этом тока коллектора откладывают по вертикальной оси вверх.
Такой выбор осей координат выгоден тем, что область характеристик, соответст-
вующая рабочим режимам, располагается при этом в первом квадранте, что удобно
для расчетов.
Если ток эмиттера равен нулю, то зависимость Ik = f(UkБ) представляет собой
характеристику электронно-дырочного перехода: в цепи коллектора протекает не-
большой собственный обратный ток Ik0 или с учетом равенства (3.42) ток Iкбо. При
Uэб = 0 собственный обратный ток коллектора Iкбк = I22 + Iкт + Iку. При прямом напря-
жении коллектора ток изменяет направление и резко возрастает — открывается кол-
лекторный переход (в целях наглядности на рис. 3.8 для положительных напряжений
взят более крупный масштаб).
 Рис. 3.8 — а) Теоретические выходные характеристики транзи-
стора в схеме с общей базой; б) выходные характеристики реального транзистора в
схеме с общей базой
Если же в цепи эмиттера создан некоторый ток I э' , то уже при нулевом напря-
жении коллектора в его цепи в соответствии с выражением (3.41) протекает ток Iк =
h21б I э' , обусловленный инжекцией дырок из эмиттера. Поскольку этот ток вызывает-
ся градиентом концентрации дырок в базе, для его поддержания коллекторного на-
пряжения не требуется.
При подаче на коллектор обратного напряжения ток его несколько возрастает за
счет появления собственного тока коллекторного перехода Iкбо и некоторого увели-
чения коэффициента переноса v, вызванного уменьшением толщины базы.
При подаче на коллектор прямого напряжения появляется прямой ток коллек-
торного перехода. Так как он течет навстречу току инжекции h21б I э' , то результи-
рующий ток в цепи коллектора с ростом прямого напряжения до величины Uк0 быст-
ро уменьшается до нуля, затем при дальнейшем повышении прямого напряжения
коллектора приобретает обратное направление и начинает быстро возрастать.
Если увеличить ток эмиттера до значения I э'' , то характеристика
Ik = f(UkБ); сместится пропорционально вверх на величину h21б ( I э'' - I э' ) и т. д.
На рис. 4.14,б представлены реальные выходные характеристики транзистора
МП14; они имеют такой же вид, как и теоретические, с учетом поправок на термоток
перехода и ток его поверхностной проводимости.

Коэффициент передачи тока эмиттера. Как показывает опыт, коэффициент

передачи тока h21б зависит от величины тока эмиттера (рис. 3.9).
 h21б

Рис. 3.9 — Зависимость h21б от Iэ

С ростом тока эмиттера в соответствии с выражением (3.13) увеличивается на-

пряженность внутреннего поля базы, движение дырок на коллектор становится более
направленным, в результате уменьшаются рекомбинационные потери на поверхно-
сти базы, возрастает коэффициент переноса v, а следовательно, и h21б. При дальней-
шем увеличении тока эмиттера снижается коэффициент инжекции и растут потери
на объемную рекомбинацию, поэтому коэффициент передачи тока h21б начинает
уменьшаться.
В целом зависимость коэффициента передачи тока h21б от тока эмиттера в мало-
мощных транзисторах незначительна, в чем можно убедиться, обратив внимание на
масштаб по вертикальной оси рис. 3.9.
В транзисторах, работающих при высокой плотности тока, наблюдается значи-
тельное падение напряжения вдоль базы, обусловленное током базы; в результате
напряжение в точках эмиттерного перехода, удаленных от вывода базы, оказывается
заметно меньшим, чем в близлежащих. Поэтому эмиттерный ток концентрируется
по периметру эмиттера ближе к выводу базы, эффективная площадь эмиттера полу-
чается меньше, чем при равномерной инжекции, и коэффициент а быстро падает с
ростом тока эмиттера. Для ослабления указанного явления применяют электроды,
имеющие большое отношение длины периметра к площади: кольцевые и гребенча-
тые.

Схема с общим эмиттером.

Ранее были рассмотрены статические характеристики транзистора, включенно-
го по схеме с общей базой, когда общая точка входной и выходной цепей находится
на базовом электроде. Другой распространенной схемой включения транзистора яв-
ляется схема с общим эмиттером, в которой общая точка входной и выходной цепей
соединена с эмиттерным электродом (рис. 3.10).
 Рис. 3.10 — Схема с общим эмиттером

Входным напряжением в схеме с общим эмиттером является напряжение базы

Uбэ, измеряемое относительно эмиттерного электрода. Для того чтобы эмиттерный
переход был открыт, напряжение базы должно быть отрицательным (рассматривает-
ся транзистор типа р-n-р).
Выходным напряжением в схеме с общим эмиттером является напряжение кол-
лектора Uкэ, измеряемое относительно эмиттерного электрода. Для того чтобы кол-
лекторный переход был закрыт, напряжение коллектора должно быть большим по
величине, чем прямое напряжение базы.
Отметим, что в схеме с общим эмиттером в рабочем режиме, когда транзистор
открыт, полярность источников питания базы и коллектора одинакова.

Входные характеристики. Входные характеристики транзистора в схеме с

общим эмиттером представляют собой зависимость тока базы от напряжения базы: Iб
= Uбэ при Uкэ = const.
Зависимость тока базы от напряжений эмиттера и коллектора найдем из уравне-
ний (3.29) и (3.47). Вычтя второе уравнение из первого, введя обозначения

I31 = I11 - I21 = (1 - h21б)I11 (3.52)

I32 = I12-I22 = (1 - h21б)I12 – Iк0 (3.53)

и использовав соотношения UэБ = -UБэ и UkБ = Uкэ-UБэ, окончательно получим

IБ = I31(exp χUБэ –1) - I32[exp χ(Uкэ-UБэ)-1] (3.54)

При большом обратном напряжении коллектора, когда [exp χ(Uкэ-UБэ)] << 1, ток
базы
IБ = (1- h21б) I11(exp χUkэ-1) + ( 1- h21б) I12- Ik0 (3.55)

Если при этом напряжение базы также обратное (exp χUБэ ) << 1, то ток базы
идеального транзистора
IБ ОТС = - (1- h21б)( I11- I12) - Ik0  Ik0 (3.56)
 В реальном транзисторе добавляются токи утечки и термотоки переходов, по-
этому обратный ток базы закрытого транзистора

IБэU = (1- h21б) IэБU - IkБ0  IkБ0 (3.57)

Входные характеристики германиевого транзистора показаны на рис. 3.11. При

обратном напряжении базы и коллектора, т. е. в закрытом транзисторе, согласно вы-
ражению (3.57), ток базы IкбU является в основном собственным током коллекторно-
го перехода IkБ0. Поэтому при уменьшении обратного напряжения базы до нуля ток
базы сохраняет свою величину: IБ  -IkБ0.
При подаче прямого напряжения на базу открывается эмиттерный переход и в цепи
базы появляется рекомбинацнонная составляющая тока (1 - h21б)Iэ. Ток базы в этом
режиме в соответствии с выражением (3.49) IБ = (1- h21б) Iэ - IkБ0; при увеличении
прямого напряжения он уменьшается вначале до нуля, а затем изменяет направление
и возрастает почти экспоненциально согласно соотношению (3.54).

Рис. 3.11 — Входные ВАХ Ge Рис. 3.12 — Зависимость h21э

транзистора от тока эмиттера

Когда на коллектор подано большое обратное напряжение, оно оказывает не-

значительное влияние на входные характеристики транзистора. Как видно из рис.
3.11, при увеличении обратного напряжения коллектора входная характеристика
лишь слегка смещается вниз, что объясняется увеличением тока поверхностной про-
водимости коллекторного перехода и термотока.
При напряжении коллектора, равном нулю, ток во входной цепи значительно
возрастает по сравнению с рабочим режимом Uкэ < 0, потому что прямой ток базы в
данном случае проходит через два параллельно включенных перехода — коллектор-
ный и эмиттерный. В целом уравнение (3.54) достаточно точно описывает входные
характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером, но для кремниевых транзи-
сторов лучшее совпадение получается, если вместо χ брать χ1 =0,8 χ.
 Коэффициент передачи тока базы. Найдем зависимость тока коллектора от
тока базы с помощью выражений (3.42) и (3.48):
Iк = h21б Iэ+ IкБ0 = h21б (Iк + IБ) + IkБ0,
или
h21б h
Iк  I  21б I . (3.58)
1  h21б б 1  h21б кб0
Величина
h21б
h21э  (3.59)
1 h21б
называется коэффициентом передачи тока базы. Величина β (h21Э) имеет по-
рядок 10÷1000 и более.получим
Подставив равенство (3.37) в (3.59), получим
M
h21э  . (3.60)
1  M
Коэффициент передачи тока базы h21Э сильно зависит от напряжения на коллек-
торе, т.к. с изменением UkБ сильно изменяются ν и М.
h21Э - также сильно зависит от тока эмиттера.
С ростом тока эмиттера Iэ , h21Э сначала растет из-за увеличения напряженности
внутреннего поля базы, ускоряющего перенос дырок через базу к коллектору. При
этом уменьшаются рекомбинационные потери на поверхности базы (рис. 3.12).
При большом токе эмиттера β падает за счет снижения коэффициента инжек-
ции, уменьшения эффективной площади эмиттера и увеличения рекомбинационных
потерь в объеме базы.
Коэффициент h21б слабо зависит от Iэ, а h21Э – значительно, так как в знаменате-
ле (3.59) стоят близкие величины 1 - h21б.
Введя h21Э в выражение (3.58), получим основное уравнение для связи тока кол-
лектора Ik и тока базы IБ

Iк = h21Э Iб +(h21Э +1) Iкбо (3.61)

Зависимость тока коллектора от Uб и Uк найдем из выражения (3.47), заменив в

нем Uэб на –Uбэ и Uкб на (Uкэ – Uбэ)

Iк = I21(ехрχ Uбэ – 1 )- I22(ехрχ(Uкэ - Uбэ) – 1) (3.62)

Уравнения (3.60) и (3.61), а также (3.59) и (3.62) являются основными для тран-
зисторов в схеме с общим эмиттером (ОЭ).

Выходные характеристики.
Выходные характеристики транзистора в схеме с общин эмиттером Iк =f(Uкэ)
при Iб = const определяются соотношением (3.61) и представлены на рис. 3.13. Ми-
нимально возможная величина коллекторного тока получается в том случае, когда
закрыты оба перехода — коллекторный и эмиттерный.
 i k

i Б 3

I Б 2

I k i 1 Б

i =0 U
Б
k э
U k 0

Рис. 3.13 — Выходные ВАХ транзистора в схеме с ОЭ

ΔIк21 = h21Э(Iб2 – Iб1)

Характеристики начинаются не с нуля. Напряжение Uk0 - несколько десятых

долей вольта. Физический смысл Uk0: его величина такова, что ток инжекции эмит-
ттера равен току инжекции коллектора. Они направлены в разные стороны и их сум-
ма равна нулю

Температурный дрейф характеристик транзистора.

Схема с общей базой.

Выходные характеристики незначительно зависят от температуры.

Iк = h21б Iэ+ IкБ0

Так как h21б = α, изменение тока коллектора при постоянном токе эмиттера

dI к  I эd  I
кбо

Относительное изменение тока коллектора

dI к I dI d I кбо dI кбо
 э d  кбо    (3.63)
Iк Iк Iк  Iк I
кбо
α – незначительно зависит от температуры.Температурный коэффициент %/0C
 d 1

 (0,03  0,05)
 dT
В рабочем диапазоне температур это составляет 3-5% из-за небольшого увели-
чения диффузионной длины Lp при увеличении температуры.
Второе слагаемое в выражении (3.63), мало т. к.
I
кбо имеет порядок 10-3 - 10-6 ,
Iк

Температурный дрейф входных характеристик имеет значительную величину

(рис. 3.14).

e U эБ  W
I э  I эт exp . (3.64)
kT

В рабочем диапазоне e U  W , поэтому показатель экспоненты отрицате-

эБ
лен и с повышением температуры входной ток увеличивается и входные характери-
стики смещаются влево на величину 1-2 мВ на градус Цельсия (0С)

i
э
o

80 o

50
o

20

100 200
U
э Б
, мВ
Рис. 3.14 — Температурная зависимость входных
характеристик транзистора в схеме с ОБ
 Схема с общим эмиттером.
В схеме с общим эмиттером выходные характеристики более существенно зави-
сят от температуры.

i ( мА)
к

60
10

5 o

20

5 10 U ( В)
к э
Рис. 3.15 — Температурная зависимость выходных
характеристик транзистора в схеме с ОЭ

I к  I  (   1)  I
б кбо

При постоянном токе базы

dI к  ( I  I )d  (   1)dI
б кбо кбо

 1 
Так как   , а d  (  )d  (   1)2 d , то
1 1   (1   )2

dI IБ  I I dI
k  kБ0 (   1)2 d  (   1) kБ0 kБ0 ,
I оэ I I I
k k k kБ0
или

dI к d I кбоdI кбо dI
оэ  (   1)(  )  (   1) к оБ (3.65)
Iк  Iк I
кбо
Iк

d
Отсюда видно, что при изменении  из-за изменения
температуры, например, на 3% при β=99 дрейф выходных характеристик в схеме с
общим эмиттером составит 300% (β+1)≈100
Таким образом, при IБ = const, выходные характеристики существенно зависят
от температуры.
При UБэ=const выходные характеристики имеют значительно меньший дрейф,
т.к. это больше соответствует Iэ=const.
В схеме с общим эмиттером более целесообразным является работа транзистора
при постоянном напряжении базы, а сопротивление в цепи базы должно быть воз-
можно меньшим.
Входные характеристики также зависят от температуры: при повышении темпе-
ратуры увеличиваются прямой и обратный токи базы, что связано с экспоненциаль-
ной зависимостью токов I11 и I12, определяющих входную характеристику

eU e (U кэ  U )
I  I (exp эб  1)  I (exp бэ  1) .
б 31 kT 32 kT

Схема с общей базой более устойчива к температурным воздействиям, чем схе-

ма с общин эмиттером.

Контрольные вопросы к Лекции 12

по дисциплине Компонентная база в радиоэлектронике

1. Схема с общей базой. Входные характеристики.

2. Схема с общей базой. Выходные характеристики.
3. Зависимость коэффициента передачи тока эмиттера от тока эмиттера.
4. Приведите схему включения биполярного транзистора с общим эмиттером в
активном режиме.
5. Входные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.
6. Схема с общим эмиттером. Выходные характеристики.
7. Температурный дрейф характеристик транзистора. Схема с общей базой.
8. Температурный дрейф характеристик транзистора. Схема с общим эмиттером.
9. Сравните температурный дрейф характеристик двух схем включения транзи-
сторов.
10.В чем отличие входных характеристик германиевых и кремниевых транзисто-
ров?