Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Рис.1. Рис.2.
Как видно они аналогичны V-A х-ке p-n- перехода для прямого тока причем изменение Uкб слабо влияет на
ток эмиттера .
Это объясняется тем ,что электрическое поле , создаваемое напряжением Uк б, кв схеме с ОБ почти полностью
сосредоточенно в коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние на прохождение зарядов через
эмиттерный переход.
Выходные х-ки транзистора для этой схемы ( с ОБ) изображают зависимость тока коллектора от
напряжения на коллекторе при Iэ=const и имеет вид представленный на рисунке 2.
Из рисунка видно , что при нормальной рабочей полярности напряжения Uкб, когда коллекторный переход
работает в обратном направлений, выходные х-ки представляют собо1 почти прямые линии. Объясняется это
тем , что коллекторный ток создается за счет диффузии носителей зарядов протекающих от эмиттера через базу
к коллектору . Поэтому величина коллекторного тока определяется главным образом величиной тока эмиттера
и незначительно зависит от напряжения Uкб.
Для схемы с общим эмиттером статической входной х-кой является зависимость тока базы Iб от напряжения
Uбэ (база –эмиттер) при постоянном напряжении Uкэ (коллектор –эмиттер) Iб =f(Uбэ) при Uкэ=const.
Из плаката№110 видно ,что с ростом напряжения Uкэ ток базы Iб уменьшается .
Это объясняется тем , что при увеличении Uкэ растет напряжение , приложенное к коллекторному переходу в
обратном направлении, уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе ,т.к. почти все
носители быстро втягиваются в коллектор .
Выходные характеристики для схемы с ОЭ имеют следующий вид (плакат№110) Iк=f (Uкэ)
Из схемы видно , что напряжение , приложенное к коллекторному переходу равно Uкэ-Uбэ, так как эти
напряжения между точками коллектора –базы оказались включёнными встречно. Поэтому при IUкэ1<lUбэ1
напряжении. Это приводит к тому , что крутизна характеристики уменьшается они будут почти параллельны
абсциссе.
Положение каждой из выходных характеристик зависит , главным образом , от величины тока базы.
12.4. Работа транзистора в динамическом режиме . Импульсные устройства.
Полупроводниковые импульсные устройства объединяют обширную группу устройств ,в которых
транзистор служит бесконтактным ключом.
Рассмотрим работу биполярного трансформатора с О.Э. в режиме ключа (рис . 3).
Рис.3. Рис.4.
Если напряжение на входе ключа Uбэ =0 ,то токи в цепях коллектора и базы равны Iкэ=-Iб=Iко, где Iко –ток через
p-n переход, равный для различных транзисторов 1-10 МА и указываемый иногда ток параметр.
Этот режим работы транзистора соответствует разомкнутому положению ключа ( закрытое положение ) при
котором ток в цепи коллектора имеет минимальное значение :
Iк min=Iко и (-Uкэ)=Ек ( на диаграмме точка М) ( рис. 4)
Резисторы Rб1 –Rб2 составляют делитель напряжения подключенный параллельно источнику питания
Ек.
Ток делителя Ig≈ (2…5) I б.р
Пренебрегая внутренним сопротивлением источника , можно считать , что Rб1 и Rб2 включены
параллельно друг другу.
Поэтому необходимо, чтобы
Т.е. делитель ,образованный Rб1 ,и Rб2 должен обладать достаточно большим сопротивлением ( порядка
к ).
При построении транзисторных схем (усилителей , генераторов сигналов т.д) необходимо принимать меры
для стабилизации положения раб. точки на характеристиках. Основной дестабилизирующий фактор
нарушающий устойчивую работу транзисторных схем –влияния температуры. Существуют различные
способы термостабилизации режима работы транзисторных каскадов. Наиболее распространенная на
рисунке 120б,с.
В этой схеме навстречу фиксированному с Rб2, включено напряжение , возникающее на резисторе Rэ при
прохождении через него тока эмиттера . С повышением температуры постоянная составляющая
коллекторного тока возрастает , т.к. Iэ=Iб+Iк .С ростом Iэ как следует растет и падение напряжения Iэ*Rэ.
В результате напряжение между эмиттером и базой Uбэ уменьшится , что приведет к уменьшению тока базы
Iб , а следовательно и тока Iк. С уменьшением температуры процесс обратный .
В большинстве случаев резистор Rэ шунтируется конденсатором Сэ большой емкости(десятки µF) для
отвода переменной составляющей тока Iэ от Rэ (рис.120б).
12.6.Полевые транзисторы(плакат№112).
Полевым транзистором называется трех электродный полупроводниковый
прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля ,
а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем , создаваемым
напряжением , приложенным к управляющему электроду .
По своим конструктивным особенностям все полевые транзисторы можно разделить на две группы :
а) полевые транзисторы с p-n- переходами (канальные или униполярные транзисторы);
б) полевые транзисторы с изолированным затвором.
Полевой транзистор с p-n-переходом (112) представляет собой кристалл германия с электронной n-
проводимостью ,на верхние и нижнее ребра которого нанесен тонкий слои полупроводника с p-
проводимостью ,между ними образуется канал (плакат№112)
Изготавливают полевые транзисторы как с каналом типа n , так с каналом типа р. Принцип действия у них
одинаков : различия заключаются лишь в полярности подводимых напряжений. Включение канала в
электрическую цепь обеспечивает с помощью двух электродов , один из которых называется истоком (И), а
второй- стоком(С ).
Вывод, подсоединении к области n-(или р-) типа ,является управляющим электродом и называется затвором
(З), выводы И,С,З соответствует (в порядке перечисления) эмиттеру, коллектору и базе биполярного
транзистора.
Подводимое между стоком и истоком напряжение Ес.u. вызывает движение электронов полупроводника в
канале и прохождение тока через транзистор в направление от истока к стоку.
Напряжение Ез.и. приложено к p-n переходу в обратном направлении. Чем больше оно по величине ,тем
больше ширина перехода . Канал становится уже , его сопротивление возрастает и ток в цепи стока
уменьшается. Изменение напряжения между стоком и затвором ( при Uc и Rн=cost) можно управлять током Iс
в цепи стока. Подключив последовательно с Ези источник усиливаемого переменного напряжения Uвх, можно
изменять ток в канале Iс по закону изменения входного направления. Ток стока, проходя через сопротивление
нагрузки Rн , создает на нем усиленное падение напряжения изменяющееся по закону Uвх.
Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют структуру метал-диэлектрик (окисел) –
полупроводник. Их часто называют МДП или МОП –транзисторами.
Основой прибора служит пластина монокристаллического кремния р-типа (плакат №112) область истока и
стока представляют собой участки кремния, сильно легированные примесью n-типа. Расстояние между
истоком и стоком 1 мм. На этом участке расположена узкая слаболегированная полоска кремния nтипа
(канал). Затвором служит металлическая пластинка 1, изолированная от канала слоем диэлектрика 2
толщиной примерно 0,1 мм. В качестве диэлектрика используется пленка двуокиси кремния, выращенная при
высокой температуре . В зависимости от полярности затвора по отношению к истоку канал может меняться
обедняться или обогащаться электронами ,таким образом изменяя сопротивление канала между стоком и
истоком.
Характеристики транзистора представлены на плакате №113.
Полевые транзисторы могут быть использованы в схемах усилителей ,генераторов , переключателей и др.
На плакате№113 показаны возможные схемы включения полевых транзисторов с общим истоком, затвором
и стоком.
Использованная литература.
Общая электротехника с основами электроники./В.А.Гаврилюк и др. Киев.
"Вища школа",1989