Министерство образования

Республики Беларусь

БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ
ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

Кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"

Н. В. Кондратюк
А. А. Ломтев
К. Л. Тявловский

АНАЛИЗ И РАСЧЕТ АНАЛОГОВЫХ УСТРОЙСТВ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к выполнению курсовых работ
по дисциплине "Схемотехника аналоговых и цифровых устройств"
для студентов-заочников специальностей
1-38 02 01 "Информационно измерительная техника"
1-38 02 03 "Техническое обеспечение безопасности"

Минск 2008

1
УДК 621.38 (075.8)
ББК 32.85 я 7

Рецензент
В.И.Сергеев

АНАЛИЗ И РАСЧЕТ АНАЛОГОВЫХ УСТРОЙСТВ: МЕТОДИЧЕСКИЕ

УКАЗАНИЯ к выполнению курсовых работ по дисциплине "Схемотехника
аналоговых и цифровых устройств" для студентов-заочников специальности 1-38
02 01 "Информационно измерительная техника" и 1-38 02 03 "Техническое
обеспечение безопасности / Н.В.Кондратюк, А.А.Ломтев, К.Л.Тявловский

Методическое пособие посвящено вопросам выполнения курсовых работ по

схемотехнике аналоговых электронных устройств. В методическом пособии
приводятся примеры выполнения расчетов электронных схем аналоговых
устройств и даны подробные рекомендации по выбору элементов, оформлению
пояснительной записки и чертежей.

2
Содержание
Введение
1. Задачи курсового проектирования…………………………………………….3
2. Содержание и объем курсовой работы………………………………………..4
3. Примеры выполнения расчетов……………………………………………..…5
3.1. Расчет усилителя на биполярном транзисторе…………………………..…5
3.2. Расчет усилителя на полевом транзисторе…………………………………8
3.3. Расчет усилителя с последовательной ООС……………………………….11
3.4. Расчет усилителя с заданным режимом покоя………………………….…13
3.5. Расчет устройств на операционных усилителях………………………..15
3.5.1. Расчет неинвертирующего усилителя……………………………………15
3.5.2. Расчет инвертирующего усилителя……………………………………...16
3.5.3. Расчет усилителя с дифференциальным входом………………………..17
3.5.4. Расчет интегратора………………………………………………………..18
3.5.5. Расчет дифференциатора…………………………………………….……20
3.5.6. Расчет источника напряжения……………………………………………22
3.6. Расчет стабилизатора напряжения………………………………………....23
4. Выбор элементов……………………………………………………………....24
5. Оформление пояснительной записки………………………………………...28
6. Оформление чертежа………………………………………………………….29
Литература

3
 ВВЕДЕНИЕ

Представленное методическое пособие посвящено вопросам выполнения

курсовых работ по аналоговой схемотехнике электронных устройств студентами-
заочниками 4-го курса изучающими самостоятельно сложный предмет
"Схемотехника аналоговых и цифровых устройств".
В данном пособии приводятся примеры выполнения расчетов электронных
схем аналоговых устройств и даны подробные рекомендации по выбору
элементов, оформлению пояснительной записки и чертежей.
Целью выполнения курсовой работы является углубленное изучение типовых
аналоговых устройств:
- усилителей аналоговых сигналов,
- преобразователей аналоговых сигналов на операционных усилителях,
- источников вторичного электропитания.

1. ЗАДАЧИ КУРСОВОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ

Курсовое проектирование - вид учебного процесса по изучаемой дисциплине,

результатом которого является курсовой проект или курсовая работа,
предусмотренные учебным планом и выполняемые студентом самостоятельно
под руководством преподавателя.
Выполнение курсовой работы реализует следующие цели:
а) систематизацию, закрепление и расширение теоретических знаний
студентов по изучаемой дисциплине;
б) развитие навыков самостоятельного решения схемотехнических
инженерных задач;
в) развитие навыков и умений пользоваться технической и справочной
литературой;
г) совершенствование умений в составлении текстовой документации и
оформлении графической;

4
 д) приобретение студентами знаний, умений, навыков, необходимых в
дальнейшем для выполнения дипломного проекта.
Курсовая работа должна решать инженерно-техническую задачу,
включающую:
а) обоснование выбора и расчет структурной электрической схемы
устройства;
б) расчет функциональных узлов и обоснования выбора комплектующих
электрорадиоэлементов и интегральных микросхем;
в) составление, описание и расчет принципиальной электрической схемы;
г) оформление технической документации.

2. СОДЕРЖАНИЕ И ОБЪЕМ КУРСОВОЙ РАБОТЫ

Курсовую работу можно условно разделить на две части: пояснительную

записку и графический материал.
Пояснительная записка к курсовой работе, включая дополнительные
текстовые документы, должна иметь объем 25-35 листов.
Оформление пояснительной записки и дополнительных текстовых доку-
ментов должно соответствовать требованиям стандартов.
Рекомендуется придерживаться такой последовательности изложения ма-
териала пояснительной записки:
1) титульный лист;
2) задание;
3) содержание;
4) введение;
5) анализ задания и выбор направления разработки;
6) выбор и расчет функциональной схемы электронного устройства;
7) составление принципиальной схемы и описание её работы;
8) расчет принципиальных схем, функциональных схем и узлов устрой-
ства;
9) заключение;

5
 10) список используемых источников;
11) приложения.
Объём графической части работы составляет 0,5 листа формата А1 и дол-
жен содержать следующие чертежи:
1) схему электрическую функциональную устройства, 1 лист формата А3;
2) схему электрическую принципиальную всего вторичного источника
электропитания, 1 лист формата А3.
3) перечень элементов, 1-2 листа формата А4.
Все формулы и рисунки, используемые в пояснительной записке, должны
быть пронумерованы.

3. ПРИМЕРЫ ВЫПОЛНЕНИЯ РАСЧЕТОВ

3.1. Расчет усилителя на биполярном транзисторе.

Исходными данными для расчета усилителей являются:

 коэффициент усиления;
 параметры входного сигнала (амплитуда, частота, длительность
импульса и др.)
 температурный режим.
На основании исходных данных выбирают:
 вид транзистора (биполярный, полевой);
 способ включения (с общей базой, эмиттером, коллектором,
затвором, стоком, истоком);
 напряжение источника питания.
Из справочника по полупроводниковым приборам выписывают
эксплуатационные параметры выбранного транзистора:
 максимальный допустимый выходной ток ( );
 максимально допустимое напряжение между выходными
электродами( );

6
  максимально допустимую мощность, рассеиваемую выходным
электродом транзистора( );
 в масштабе удобном для расчетов изображают копии входных и
выходных характеристик выбранного транзистора.
Рассчитывают усилитель в такой последовательности.
1. Выбирают рабочую точку на линейном участке выходной характеристики.
2. В окрестности рабочей точки определяют H- параметры по формулам:

; ;

; .

Входные и выходные токи и напряжения для каждой схемы включения

транзистора будут свои, например, для схемы с общим эмиттером
и т. д.
3. Используя рассчитанные в пункте 2 H- параметры определяют
оптимальное эквивалентное сопротивление нагрузки, при котором происходит
максимальное усиление мощности входного сигнала

где это параллельное соединение и следующего каскада.

4. Для любой схемы включения транзистора определяют основные
параметры усилителя по следующим формулам:

- коэффициент усиления по току;

- входное сопротивление;

- коэффициент усиления по напряжению;

- коэффициент усиления по мощности.

5. Изображают схему усилителя и рассчитывают величину сопротивлений по
заданной рабочей точке. Расчет поясним на примере схемы, приведенной на рис.
3. 1.
7
 Рис. 3. 1. Схема усилителя со стабилизацией рабочей точки
Пусть в рабочей точке А имеем , при напряжении питания .
Определим сопротивление резисторов и .
а) Примем, что падения напряжения на резисторах и равны
напряжению , т. е. , тогда
.
б) Определим . Учитывая, что , а будем иметь

в) Определяем . Учитывая, что будем иметь , т. е.

.
г) Зададим коэффициент нестабильности . Тогда .
д) Находим сопротивление из соотношения

где .
е) Определяют величины разделительных и блокировочных емкостей

; ; ,

где - нижняя частота входного сигнала,

6) Проверка правильности расчета (определение параметров рабочей точки
по значениям сопротивлений).

8
 а) Определяют потенциал точки Б (см. рис. 3. 1) по формуле

б) Напряжение для конкретного транзистора известно. Например, для

кремниевого транзистора в зависимости от тока коллектора. При
расчетах принимают среднее значение.
в) Определяют потенциал эмиттера .
г) Определяют ток эмиттера и принимают
д) Определяют
Таким образом определили параметры в рабочей точке
Если рабочая точка в схеме усилителя задается величиной тока базы,
протекающего через резистор , то величина сопротивления этого резистора
определяется по формуле

где - токи и напряжения в рабочей точке А.

3.2. Расчет усилителя на полевом транзисторе.

1. Формулируют исходные данные для расчета (см. п. 3.1).

2. Выбирают рабочую точку на линейном участке выходной характеристики.
3. В окрестности рабочей точки определяют У - параметры по формулам:

- входная проводимость;

- проводимость обратной передачи;

- проводимость прямой передачи;

- выходная проводимость.

9
 Здесь входные и выходные токи и напряжения и их приращения
определяются схемой включения транзистора.
4. Изображают схему, например, рис. 3. 2 и производят расчет величин
по следующей методике.

Рис. 3. 2. Схема резисторного усилителя на полевом транзисторе

а) Для стабилизации рабочей точки, в связи с разбросом параметров
транзистора, в цепь истока включают большее, чем это необходимо для
создания нужного смещения. Излишнее смещение компенсируют с помощью
делителя .
Величины определяют, используя формулы

где и - отклонения тока стока в рабочей точке, вызванные разбросом

параметров транзистора: , , , . Эти параметры
приводятся в справочнике. Для транзистора с р- каналом , а для
транзисторов n- каналом . Практически считано, что разброс параметров
вызывает отклонение тока стока в рабочей точке на от среднего значения,
что соответствует .
Например, ток в рабочей точке . Задаемся отклонениями тока:
и . Пусть транзистор имеет следующий разброс

10
параметров: , . Подставляя эти значения в формулу,
получим =8,5кОм.
Зная определяют напряжение смещения, создаваемое

Подставим данные, полученные в пункте а), получим

.
б) Величины определяют, исходя из следующих соображений. Для

лучшей передачи нижних частот сопротивление в цепи затвора

выбирают в пределах до 1- 2 мОм. Падение напряжения на за счет тока утечки

затвора должно быть значительно меньше напряжения отсечки.
Выберем , тогда для обеспечения (см. пункт а)
необходимо взять . Величину выбирают исходя из условия
на частоте
в) Величину определяют, используя следующие соотношения

Обычно принимают тогда

г) Коэффициент усиления в области средних частот определяют по формуле

где - крутизна характеристики транзистора, которая имеет максимальное

и минимальное значения в связи с разбросом параметров транзистора,

Следовательно, коэффициент усиления может изменяться и быть равным

или

д) Величину емкости определяют, исходя из условия

11
 или ,

где
Если в схеме усилителя напряжение смещения создается только на (без
делителя), то

3.3. Расчет усилителя с последовательной ООС.

На основе заданного транзистора рассчитать каскад с последовательной ООС

по току нагрузки из условия получения максимальной неискаженной амплитуды
выходного напряжения при заданных ; и диапазоне температур .

Рис. 3. 3. Транзисторный каскад с цепью последовательной ООС

по току нагрузки
1. Схема транзисторного каскада приведена на рис. 3. 3.
2. По первому закону Кирхгофа запишем уравнение
.
3. Зададим максимально допустимый ток коллектора из условия
,
где коэффициент запаса по коллекторному току;
максимально коллекторный ток транзистора.
4. Определим соотношение и . Для этого запишем выражение для
коэффициента усиления всего каскада

12
 .
Так как и пологая много больше 1 и много
больше находим
или .
5. Определим из выражения
,
где - напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора
на границе насыщения.
Имея , с учетом найденного соотношения между и получим ,
тогда .
6. Задаемся коэффициентом нестабильности и находим .
Уточним значение коэффициента усиления каскада и если оно меньше заданного,
то увеличим .
7. Минимальное значение коллекторного тока находим из выражения
.
8. Определим минимальное и максимальное выходное напряжение
.

9. Найдем параметры режима покоя

;
;
.
10. Определим температурные изменения коллекторного тока и напряжение
покоя

13
 11. Определим максимально возможную амплитуду выходного напряжения
.
12. Определим параметры входного делителя.
,
,
,

3.4. Расчет усилителя с заданным режимом покоя.

Используя заданный транзистор, рассчитать каскад по схеме на рис. 3. 4

обеспечивающий получение на выходе максимальной амплитуды выходного
напряжения при заданных ; ; ; ; .

Рис. 3. 4. Задание режима покоя в усилительном каскаде на полевом

транзисторе с управляющим р-n-переходом
1. Схема транзисторного каскада приведена на рис. 3. 4.
2. Определим диапазон изменения тока стока и ток покоя

14
 3. Определим сопротивление резистора , обеспечивающее получение
. Для этого используем линейную аппроксимацию передаточной
характеристики транзистора:
;
, откуда
.
Имея , уточним ток
.
4. Определим сопротивление резистора .
Для того что бы полевой транзистор находился в насыщенном состоянии,
должно выполняться условие
.
Ранее было выбрано, что , что соответствует . Тогда
.
Максимальный ток стока равен
.
Тогда
.
5. Найдем диапазон изменения выходного напряжения
;
;
;
.
6. Напряжение покоя стока .
7. Коэффициент усиления по напряжению .
8. Определяем и

15
 3.5. Расчет устройств на операционных усилителях.

3.5.1. Расчет неинвертирующего усилителя

Используя ОУ, спроектировать неинвертирующий усилитель, с заданными

коэффициентом передачи и входным сопротивлением.

Рис. 3. 5. Схема неинвертирующего усилителя

1. Определим входное сопротивление усилителя и глубину ООС.

Известно, что , тогда требуемое значение

глубины ООС
.

2. Для получения требуемого входного сопротивления между

неинвертирующим входом ОУ и общей шиной необходимо включит
дополнительно резистор
;
.
3. Используя выражение
,
и принимая , найдем

16
 3.5.2. Расчет инвертирующего усилителя.

Рассчитаем инвертирующий усилитель по схеме на рис. 3.6 и определим

погрешность, возникающую при использовании точных и приближенных
выражений.

Рис. 3. 6. Схема инвертирующего усилителя

1. Определим точные сопротивления резисторов и . Для этого
по первому закону Кирхгофа запишем уравнения относительно токов
инвертирующего входа ОУ
или

Учитывая, что , найдем точное выражение для коэффициента

передачи инвертирующего усилителя

Полное входное сопротивление усилителя

Решим уравнение, полученное для относительно

Подставив найденное значение в уравнение для и решив его

относительно , получим

17
 2. Определим сопротивления резисторов, используя приближенные
выражения:

.
Решая приведенную систему уравнений относительно , найдем

3. Определим точное значение для найденных приближенных

сопротивлений и

3.5.3. Расчет усилителя с дифференциальным входом.

Используя ОУ, разработать усилитель, обеспечивающий при вычитании

напряжений, заданную погрешность результата; при .

Рис. 3. 7 . Схема усилителя с дифференциальным входом

1. Схема усилителя приведена на рис. 3.7. Минимальное выходное
напряжение усилителя равно .
2. Максимально допустимая погрешность выходного напряжения

18
 3. Определим сопротивление резистора из условия получения заданной
температурной погрешности выходного напряжения

Отсюда

4. Найдем сопротивление резистора . ,

откуда
5. Определим максимальную температурную погрешность .
6. Реальная температурная погрешность выходного напряжения в процентах

3.5.4. Расчет интегратора.

Пример 1. Определить рабочий диапазон частот для интегратора по схеме на

рис. 3.8 при заданных значениях

Рис. 3. 8. Базовая схема интегратора

1. Согласно заданного типа ОУ имеем
2. Частота единичного усиления равна

3. Нижняя частота рабочего диапазона частот

19
 4. Верхняя частота рабочего диапазона частот

Пример 2. Определить максимально допустимое время интегрирования

интегратора, выполненного на основе ОУ при отсутствии и наличии внешних
цепей компенсации, при заданных

Рис. 3. 9 . Схема инвертирующего усилителя с внешними цепями

компенсации напряжения
1. для случая отсутствия цепей внешней коррекции равно

2. При компенсации только напряжения , что может быть сделано с

использованием, например, схемы на рис. 3.9, получим

3. При компенсации только тока , что может быть сделано подключением

между неинвертирующим входом ОУ и общей шиной корректирующего
резистора (рис. 3.10.), получим

20
 Рис. 3. 10. Обобщенная схема замещения усилителя на ОУ.
4. При компенсации как , так и получим

3.5.5. Расчет дифференциатора.

Пример 1. Определить рабочий диапазон частот дифференциатора по схеме

на рис. 3.11., с заданными параметрами:

Рис. 3.11. Базовая схема дифференциатора

1. Конечное значение собственного коэффициента усиления ОУ приводит
согласно

к ограничению верхней рабочей частоты дифференциатора

21
 2. Для определения частоты, с которой начинает сказываться ограниченность
собственной полосы пропускания ОУ, приравняем модули передаточных
функций идеального дифференцирующего звена и ОУ

Тогда

Решая полученное выражение относительно , найдем и

Пример 2. Определить значение выходного напряжения суммирующего
дифференциатора по схеме на рис.3.12 с заданными : Uвх1; Uвх2; Uвх3; C1; C2; C3; R;
ω;

Рис.3.12 Схема трехвходового суммирующего дифференциатора.

Находим

3.5.6. Расчет источника напряжения

Разработать источник напряжения с заданными : VD-2C175K1;UВЫХ; IH.

1. Для согласования параметров нагрузки и стабилитрона необходимо
использование ОУ.
Воспользуемся схемой на рис.3.13.

22
 Рис.3.13 Схема источника постоянного напряжения, выполненная на основе
инвертирующего усилителя.
2. Выбираем тип ОУ.
3. Выбираем ток стабилитрона ICT.
Тогда
RCT=(UП-UCTO)/ ICT.
4. Коэффициент передачи ОУ равен
КU=UВЫХ/UCTO.
5. Задаём ток резистора RВХ=UCTO/0.1ICT.
6. RКОР=RВХ*I+(RCTrCT)/(RCT+rCT),
где rCT- дифференциальное сопротивление стабилитрона в области
обратного пробоя.
7. Определяем bос=RВХ/(RВХ+RОС).
8. Нестабильность выходного напряжения ∆UВЫХ=RВЫХ∆IH.

3.6. Расчет стабилизатора напряжения.

Рассчитаем непрерывный компенсационный стабилизатор напряжения, рис

9.38 предназначенный для питания нагрузки, (Uн, Iн) при заданном диапазоне
изменения входного напряжения.
1. Выберем силовой транзистор из следующих условий:

23
 Ik max доп ≥Ik/Kзап;
Uкэmax доп ≥Uвх max/Кзап;
Рк>=Ik max (UBx max – UBых),
2. Максимальный ток базы транзистора IБ = Iн/(h21Э+1).

Рис.3. 14. Схема непрерывного компенсационного стабилизатора постоянного

напряжения.
Максимальный управляющий ток регулирующего элемента
Iупр=(Iн/h21Э1+1 + UБЭ1/Rбэ1) ∙ 1/h21э2+1 + UБЭ2/Rбэ2;
где Rбэ1 – резистор, шунтирующий эмиттерный переход транзистора.
3. Сопротивление резистора Rсм выбираем из условия обеспечения
протекания тока Iупр при наименьшем входном напряжении
Rсм=(Uвх min – Uвых)/Iупр.
В этом случае максимальный выходной ток операционного усилителя
IDA вых max=(Uвх max – Uвых)/Rсм.
4. В качестве источника эталонного напряжения используем
параметрический стабилизатор напряжения на стабилитроне. Стабилитрон
выбираем из условия Uст0<Uвых.. Сопротивление балластного резистора RЗ
выберем в предположении, что Iвх операционного усилителя равно нулю и Iст min:
RЗ=Uвых – Uст0 мах/Iст min – rст.
При выбранном RЗ максимально возможный ток стабилитрона
Iст мах=(Uвых - Uст 0 мах)/(RЗ+rст),
5. Найдем требуемый коэффициент передачи делителя на резисторах R2,
R3: Кдел=Ucт0/Uвых.
24
 6. Определим допустимый диапазон изменения сопротивления резистора
R3: RЗмах=R2(Uвых - Uст 0 min)/Uст 0 min;
U′ст 0 мах=Uст0 мах+∆Iст rст;
RЗmin= R2(Uвых - Uст 0 max)/U′ст 0 max
7. Пренебрегая значением КUст0, из выражения для коэффициента усиления
операционного усилителя получим
КU0 min>(КU)ст ООС Uвх/UвыхКдел min.

4. ВЫБОР ЭЛЕМЕНТОВ

Транзисторы. Они характеризуются эксплуатационными параметрами,

предельные значения которых указывают на возможности их практического
применения. Основными эксплуатационными параметрами являются
максимально допустимые ток Ikmax (Icmax), напряжение Ukэmax (Ucumax) и
рассеиваемая выходным электродом мощность Рkmax (Рcmax). Не допускается
превышения эксплуатационных параметров, указанных в справочнике.
В соответствии с ОСТ 11.336.919-81 транзисторы имеют буквенно-
цифровое обозначение, например:
- ГТ101А − германиевый биполярный маломощный низкочастотный
транзистор, порядковый номер разработки 1 , группа А;
- 2П904Б − кремниевый полевой мощный высокочастотный транзистор,
порядковый номер разработки 4, группа Б.
По мощности транзисторы подразделяются на маломощные (Рmax ≤ 0,3 Вт),
средней мощности (0,3 Вт < Рmax < 1,5 Вт) и большой мощности (Рmax > 1,5 Вт).
По частоте транзисторы бывают низкочастотные (f ≤ 3 МГц), средней
частоты (3 МГц ≤ f≤ 30 МГц) и высокочастотные (f > 30 МГц).
В справочнике приводятся значения параметров транзисторов для
соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий
режим транзистора, в проектируемом ЭУ, часто отличается от указанного в
справочнике. В таком случае необходимо по имеющимся в справочнике

25
характеристикам и формулам, а также методом интерполяции определить
значения параметров транзистора, соответствующие выбранному режиму.
Применение высокочастотных транзисторов в низкочастотных электронных
устройствах нежелательно, так как они дороги, склонны к самовозбуждению и
развитию вторичного пробоя, обладают меньшими эксплуатационными запасами.
Не следует применять мощные транзисторы там, где можно применить
маломощные, так как при использовании мощных транзисторов в режиме малых
токов их коэффициент передачи по току мал и сильно зависит как от тока, так и
от температуры окружающей среды. Кроме того, ухудшаются массогабаритные и
стоимостные показатели ЭУ.
Необходимо применять транзистор минимально возможный для данных
конкретных условий мощности, но так, чтобы он при этом не перегревался.
Лучше применить транзистор малой мощности с небольшим теплоотводом, чем
большой мощности без теплоотвода.
Если нет особых причин для применения германиевого транзистора, лучше
применить кремниевый. Кремниевые транзисторы лучше работают при высоких
температурах, имеют более высокие пробивные напряжения и меньшие обратные
токи.
Коэффициент передачи тока зависит от тока коллектора и при некотором
значении обычно имеет максимальное значение. Для хорошего усиления на
низких частотах желательно выбирать это максимальное значение или близкое к
нему по приводимым в справочнике графикам. В других случаях коэффициент
передачи тока следует принимать равным указанному в справочнике типового
значения или среднему арифметическому от минимального и максимального
значения параметра.
Диоды. Основными эксплуатационными параметрами
выпрямительных диодов являются максимальное обратное напряжение и
максимальное значение прямого тока.

26
 Высокочастотные диоды используются для выпрямления токов в широком
диапазоне частот (до сотен МГц), модуляции, детектирования и других
нелинейных преобразований электрических сигналов. Они характеризуются
следующими параметрами: падением напряжения на диоде, обратным током и
сопротивлением переменному току.
Импульсные диоды используются в качестве ключевых элементов и
обеспечивают переходные процессы в доли микросекунд. Они имеют малое
значение барьерной емкости.
Стабилитроны используются для стабилизации напряжения в схеме при
изменении тока, протекающего через стабилитрон. Основным параметром
является напряжение стабилизации в рабочей точке, для которой задается
дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Необходимо применять диоды по указанному в справочнике назначению,
например, в выпрямителях следует применять выпрямительные диоды, в
импульсных устройствах - импульсные диоды и т.д.
Обратное напряжение на диоде и прямой ток через него (в том числе
импульсный) не должен превышать 70-80% от максимально допустимых
значений.
Рабочая частота не должна превышать указанного в справочнике
предельного значения.
Резисторы. Резисторы бывают общего назначения и специальные
(прецизионные, высокочастотные, высоковольтные, высокомегаомные).
Резисторы общего назначения используются в качестве различных нагрузок,
делителей, элементов фильтров, шунтов в цепях формирования импульсов и т.д.
Прецизионные резисторы применяются в основном в измерительных
приборах и системах автоматики.
Высокочастотные резисторы используются в высокочастотных цепях, в
кабелях и волноводах в качестве согласующих нагрузок, направленных
ответвителей и т.п.

27
 Высоковольтные резисторы применяются в качестве делителей напряжений,
поглотителей, в зарядных и разрядных высоковольтных цепях и т.п.
При курсовом проектировании рекомендуется применять резисторы
постоянные общего назначения типа МЛТ или ОМЛТ.
Резисторы специальные (прецизионные, высокочастотные,
высокоомные, высоковольтные и др.) следует применять в тех случаях,когда
значения соответствующих параметров резисторов общего назначения
оказываются недостаточными, например, малы точности сопротивления и т.д.
Допускаемые отклонения сопротивления от номинального значения следует
выбирать с учетом чувствительности к нему выходных параметров, принимая при
этом во внимание требование ограничения существующей номенклатуры
резисторов.
Переменные резисторы следует применять по назначению. Подстроечные
резисторы, подвижная система которых рассчитана на небольшое число
перемещений (до 1000 циклов), - в качестве только подстроечных;
регулировочные, масса, габариты и стоимость которых выше, - только в
качестве регулировочных.
Конденсаторы. Тип конденсатора выбирают по совокупности значений его
номинальных емкости и рабочего напряжения. Если конденсатор выбирают для
работы в цепи переменного и импульсного тока, то принимают во внимание его
тангенс угла потерь.
Допускаемое отклонение емкости от номинального значения следует
выбирать с учетом чувствительности к нему выходных параметров ЭС.
Для большинства типов конденсаторов в справочниках указывают
номинальное рабочее напряжение постоянного тока. Эффективное значение
переменного напряжения на конденсаторе должно быть в полтора - два раза
меньше указанного рабочего напряжения для постоянного тока.

28
 При работе конденсаторов в цепи пульсирующего тока сумма постоянного
напряжения и амплитудного значения переменного напряжения на нем не должно
превышать его номинального рабочего напряжения.
Не следует без необходимости применять конденсатор с номинальным
напряжением, значительно превышающем рабочее, так как при этом ухудшаются
массогабаритный и стоимостной показатели изделия.
Оксидные конденсаторы изготавливаются двух типов: полярные и
неполярные. Полярные конденсаторы можно устанавливать лишь в тех цепях, в
которых постоянная составляющая напряжения на конденсаторе будет больше
амплитуды переменной составляющей. На неполярные конденсаторы это
ограничение не распространяется.

5. ОФОРМЛЕНИЕ ПОЯСНИТЕЛЬНОЙ ЗАПИСКИ

Нумерация страниц, поля. Нумерацию страниц начинают с титульного

листа. Номер страницы проставляют арабской цифрой в правом верхнем углу. На
странице 1 (титульный лист) номер страницы не ставится. Не нумеруют только
чистые страницы, поэтому у пояснительной записки, написанной на одной
стороне листа, число страниц равно числу листов.
Написание и нумерация формул. Несложные однострочные
ненумерованные формулы можно помещать внутрь текста. Многострочные,
нумерованные формулы располагают на середине отдельной строки, причем
пробелы сверху и снизу оставляют достаточными для того, чтобы формула
отчетливо выделялась среди текста. Появляющиеся в формулах новые символы
должны быть расшифрованы непосредственно под формулой. После формулы
ставят запятую. Первую строку расшифровки начинают со слова "где", двоеточие
после него не ставят. Расшифровку символов проводят в той же
последовательности, в какой они даны в формуле. Если правая часть формулы
содержит дробь, то вначале расшифровывают символы числителя, а затем
знаменателя. Расшифровку каждого символа делают с новой строки, выравнивая
колонку строк по знаку тире. В конце каждой строки ставят точку с запятой, а в

29
конце последней строки - точку. Формулы, на которые имеются ссылки, в тексте
нумеруют арабскими цифрами. Номер формулы заключают в круглые скобки и
помещают у правого края полосы (10 мм от поля). При ссылке в тексте на
формулу указывают ее номер. Например, "...формуле (8)".
Таблицы. Основные требования к таблицам: логичность, экономичность
построения, удобство чтения, единообразие построения однотипных таблиц. Все
таблицы в проекте нумеруют насквозь арабскими цифрами. Основные заголовки в
головке и боковике пишут прописными буквами, а подчинение – со строчной.
Указатель литературы. В список литературы, снабженный заголовком
"Литература" включают все использованные источники. Сведения о книгах
должны включать: фамилию и инициалы автора, заглавие книги, место издания,
издательство и год. Фамилию автора следует указывать в именительном падеже.
При наличии трех и более авторов допускается указывать фамилию и инициалы
только первого из них и слова "и др.".

6. ОФОРМЛЕНИЕ ЧЕРТЕЖА

Правила построения и выполнения принципиальных электрических схем

установлены стандартами ЕСКД (ГОСТ 2.701-76, 2.705-75). Чтобы правильно и
быстро начертить принципиальную электрическую схему, необходимо знать
следующие основные правила.
Все элементы ЭУ (ЭРЭ и ИМС) на схеме изображают в виде условных
графических обозначений, установленных в стандартах ЕСКД.
Условные графические обозначения изображают в размерах, установленных
в стандартах на условные графические обозначения.
Допускается все обозначения пропорционально уменьшать и увеличивать,
при этом расстояние (просвет) между двумя соседними линиями условного
графического обозначения должно быть не менее 1 мм.
Обычные для курсовых проектов масштабы: уменьшения 1:2, увеличения
2:1.

30
 Линии связи должны иметь наименьшее количество изломов и пересечений.
Расстояние между соседними параллельными линиями связи должно быть не
менее 3 мм.
Графические обозначения элементов следует выполнять линиями той же
толщины, что и линии связи. Линии связи выполняют толщиной от 0,2 до 1 мм в
зависимости от формата схем и графических обозначений. Рекомендуемая
толщина линии от 0,3 до 0,4 мм.
В соответствии с ГОСТ 2.751-73 в узлах электрической связи необходимо
показать точки в виде зачерненных кружков.
При изготовлении схем, имеющих входы и выходы, входы, как правило,
располагают слева, а выходы - справа.
Вычерчивая схему, следует предусматривать около условных обозначений
элементов место для записи из позиционных обозначений.
Для быстрого нахождения упоминаемых в тексте элементов на схеме
принята позиционная система их нумерации (ГОСТ 2.702-75). По этой системе
порядковые номера элементам схем следует присваивать, начиная с единицы в
пределах каждого вида элементов (резисторы, конденсаторы, полупроводниковые
приборы и т.д.), которым на схеме дано одинаковое буквенное обозначение,
например, R1, R2, RЗ, С1, С2, СЗ и т.д. порядковые номера присваивают в
соответствии с последовательностью расположения элементов на схеме сверху
вниз в направлении слева направо.
Позиционные обозначения проставляют на схеме рядом с условными
графическими обозначениями элементов с правой стороны или над ними.
Около условных графических обозначений элементов допускается
указывать номиналы резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности, а
также маркировку электровакуумных, ионных, полупроводниковых приборов и
микросхем.
Данные об элементах принципиальной схемы, полученные в результате
электрического расчета и выбора типономиналов элементов, записывают в

31
перечень элементов. Перечень выполняют в виде таблицы либо на листе ватмана
с изображением полной принципиальной схемы, либо на листах формата А4
самостоятельным документом, который помещают в пояснительную записку.
Графическая часть проекта выполняется карандашом, тушью или с
помощью компьютера (выводом через плоттер) на листах чертёжной бумаги (с
плотностью более 150 г/м2) формата А1 или А2 по ГОСТ 2.301-68 в масштабах
1:1, 1:2,5, 1:5, 2:1, 2,5:1, 4:1.
Каждый формат в чертежах оформляется рамкой, которая проводится
сплошной толстой основной линией на расстоянии 5 мм от правой нижней и
верхней сторон внешней рамки и на расстоянии 20мм слева. Последнее поле
используется для подшивки чертежей. В правом нижнем углу формата помещают
основную надпись (угловой штамп).
На каждом чертеже наносится основная надпись, форма и состав которой
определяется ГОСТ 2.104-68. Она располагается в правом нижнем углу
конструкторских документов.

Основная надпись. Форма 1 . Размеры.

32
 В графах основной надписи (номера граф по форме ГОСТ 2.101- 68
показаны в скобках) указывают:
в графе 1 – наименование изделия (в соответствии с ГОСТ 2.109 - 73);
в графе 2 – обозначение документа по ГОСТ 2.201 - 80 (дипломный проект);
в графе 3 – обозначение материала детали;
в графе 5 – масса изделия;
в графе 9 – наименование, различительный индекс или шифр предприятия,
выпустившего документы (БНТУ, гр. 113417);
в графе 10 – характер работы, выполняемой лицом, подписывающим
документ. В учебных заведениях для дипломных проектов устанавливается
следующее соответствие:
Разраб. Исполнитель (студент)
Пров. Руководитель
Т. контр. Консультант по специальности
Н. контр. Нормоконтролер
Утв. Зав. кафедрой
в графе 11 – фамилии лиц, подписавших документ;
в графе 12 – подписи лиц, фамилии которых указаны в графе 11;
в графе 13 – дата подписания.

33
 Чертежи, содержащие упрощённые изображения (теоретические
зависимости, временные диаграммы, программные алгоритмы, фотографии и
т.д.), могут содержать упрощенную основную надпись (штамп) следующего вида:

Перечень элементов схемы (пример заполнения)

34
Спецификация устройства (пример заполнения)

35
 ЛИТЕРАТУРА
1. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электроника. – М.:
Горячая линия-Телеком, 2000. - 768 с.
2. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника. - Мн.: Дизайн ПРО, 2002, 368 c.
3. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для вузов.-М.: Высш.школа, 1982.-
496с.
4. Ширин И.Я. Схемотехника аналоговых и цифровых устройств: Учебное пособие.-
Мн.БНТУ, 2005, 310с.
5. Изьюрова Г.И., Королев Г.В. и др. Расчет электронных схем. - М.: Высшая школа, 1987.
6. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство.- М.: Мир,
1982, 512c.
7. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: В 2-х томах.- М.:Мир, 1986.
8. Карлашук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее
применение. - М: Солон-Р, 2000. - 506 с.
9. Ширин И.Я., Ланевский А.В. Применение программы Electronics Workbench в лабораторных
исследованиях. - Мн., УП Технопринт, 2001. - 37 с.

36